Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月14日(2009.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２ビットメモリセルを有する一回限りプログラム可能な（ＯＴＰ）メモリであって、前記２ビットメモリセルは：
ビット線に結合された第１の電流電極、第１のワード線に結合された制御電極、及び第２の電流電極を有する第１の選択用トランジスタ；
前記第１の選択用トランジスタの前記第２の電流電極に結合された第１の電流電極、制御電極酸化物、プログラム線に結合された制御電極、及び第２の電流電極を有するプログラム可能トランジスタ；及び
第１の電流電極、第２のワード線に結合された制御電極、及び前記プログラム可能トランジスタの前記第２の電流電極に結合された第２の電流電極を有する第２の選択用トランジスタ；
を有し、
前記プログラム可能トランジスタは、その前記第１の電流電極と前記制御電極との間の第１のプログラム可能領域、及びその前記第２の電流電極と前記制御電極との間の第２のプログラム可能領域を有し、前記第１の選択用トランジスタが導通することに応答して、前記プログラム可能トランジスタの前記制御電極と前記第１の電流電極とが重なり合う領域で、電流が該第１の電流電極及び前記制御電極酸化物を通って該制御電極へと流れ、且つ、前記第２の選択用トランジスタが導通することに応答して、前記プログラム可能トランジスタの前記制御電極と前記第２の電流電極とが重なり合う領域で、電流が該第２の電流電極及び前記制御電極酸化物を通って該制御電極へと流れ、プログラミング動作中、電流は前記プログラム可能トランジスタの前記電流電極から流れる、
ＯＴＰメモリ。
【請求項２】
前記第２の選択用トランジスタの前記第１の電流電極は前記ビット線に結合されており、前記第１の選択用トランジスタの前記第１の電流電極と前記第２の選択用トランジスタの前記第１の電流電極との双方が、同一の前記ビット線に結合されている、請求項１に記載のＯＴＰメモリ。
【請求項３】
一回限りプログラム可能な（ＯＴＰ）メモリを動作させる方法であって：
ビット線に結合された第１の電流電極、第１のワード線に結合された制御電極、及び第２の電流電極を有する第１の選択用トランジスタを設ける段階；
前記第１の選択用トランジスタの前記第２の電流電極に結合された第１の電流電極、プログラム線に結合された制御電極、及び第２の電流電極を有するプログラム可能トランジスタを設ける段階；
前記ビット線に結合された第１の電流電極、第２のワード線に結合された制御電極、及び前記プログラム可能トランジスタの前記第２の電流電極に結合された第２の電流電極を有する第２の選択用トランジスタを設ける段階であり、前記第１の選択用トランジスタ、前記プログラム可能トランジスタ及び前記第２の選択用トランジスタにより２ビットメモリセルが形成される段階；
前記第１の選択用トランジスタの前記第１及び第２の電流電極、前記プログラム可能トランジスタの前記第１の電流電極、及び前記プログラム可能トランジスタの前記制御電極を通して第１のプログラム電流を流すことによって、第１ビットをプログラムする段階；及び
前記第２の選択用トランジスタの前記第１及び第２の電流電極、前記プログラム可能トランジスタの前記第２の電流電極、及び前記プログラム可能トランジスタの前記制御電極を通して第２のプログラム電流を流すことによって、第２ビットをプログラムする段階；
を有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月16日(2009.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一タイプのＭＯＳＦＥＴ領域（４０）のゲートスタック及び第二タイプのＭＯＳＦＥＴ領域（３０）のゲートスタックからなる構造を準備するステップで、前記のゲートスタックはそれぞれ半導体層（２２，２０）からなり、前記構造はさらに前記第一タイプのＭＯＳＦＥＴ及び前記第二タイプのＭＯＳＦＥＴ領域の前記ゲートスタック上に形成された平坦化誘電体層（５４）からなるステップと、
前記平坦化誘電体層（５４）の一部を除去して前記ゲートスタックの前記半導体層（２２，２０）を露出するステップと、
前記ゲートスタックの前記露出した半導体層（２２，２０）に接触するように金属含有層（５６）を形成するステップで、前記金属含有層（５６）は、前記第一タイプのＭＯＳＦＥＴ領域（４０）の前記ゲートスタックの前記半導体層（２２）を完全に半導体金属合金に変換する十分な厚さを有しているが、前記第二タイプのＭＯＳＦＥＴ領域（３０）の前記半導体層（２０）を完全に半導体金属合金に変換する十分な厚さは有していないステップ、及び
前記第一タイプのＭＯＳＦＥＴ領域（４０）の前記ゲートスタックの前記半導体層（２２）に接触する前記金属含有層（５６）から完全変換半導体金属合金ゲート導電体（６２，６６）を形成し、前記第二タイプのＭＯＳＦＥＴ領域（３０）の前記ゲートスタックの前記半導体層（２０）に接触する前記金属含有層（５６）から部分変換半導体金属合金ゲート導電体を形成するステップを含む半導体構造の製造方法。
【請求項２】
前記ゲートスタックの前記半導体層（２２，２０）はシリコンからなり、前記金属含有層（５６）はシリコンと接触した場合に半導体金属シリサイドを形成しうる金属からなり、高濃度にドープされたポリシリコンとほぼ等しい仕事関数を有する請求項１記載の方法。
【請求項３】
更に、前記金属含有層（５６）を形成する前に，前記第一タイプのＭＯＳＦＥＴ領域（４０）の前記ゲートスタックの前記半導体層（２２）を凹化し、その高さを前記第二タイプのＭＯＳＦＥＴ領域（３０）の前記ゲートスタックの前記半導体層（２０）の高さ未満にするステップを含む請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第一タイプのＭＯＳＦＥＴ領域（４０）の前記ゲートスタックの前記半導体層（２２）の凹化は、前記平坦化誘電体層（５４）に対して前記第一タイプのＭＯＳＦＥＴ領域（４０）の前記ゲートスタックの前記半導体層（２２）を選択的に異方性エッチングすることからなる請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記金属含有層（５６）はニッケルからなり、前記ゲートスタックの前記完全変換半導体金属合金ゲート導電体および前記部分変換半導体金属合金ゲート導電体の形成は３００から６００℃の温度で瞬時熱アニーリングすることにより行なわれる請求項３記載の方法。
【請求項６】
前記金属含有層（５６）の形成ステップはさらに、前記第二タイプのＭＯＳＦＥＴ領域（３０）上の前記金属含有層（５６）を前記第一タイプＭＯＳＦＥＴ領域（４０）上の前記金属含有層（５６）の膜厚よりも薄くするステップを含む請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記第二タイプのＭＯＳＦＥＴ領域（３０）上の前記金属含有層（５６）の薄膜化は、さらに前記第一タイプのＭＯＳＦＥＴ領域（４０）上にマスキング層（６３）を形成するステップ及び前記第二タイプのＭＯＳＦＥＴ領域（３０）上の前記金属含有層（５６）をウエットエッチングするステップを含む請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記ウエットエッチングするステップは希薄ウエットエッチングからなる請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記金属含有層（５６）はニッケルからなり、前記完全変換半導体金属合金ゲート導電体及び部分変換半導体金属合金ゲート導電体の形成は、３００から６００℃の温度で瞬時熱アニールすることにより行なわれる請求項６記載の方法。
【請求項１０】
前記金属含有層（５６）はニッケルからなり、前記完全変換半導体金属合金ゲート導電体及び部分変換半導体金属合金ゲート導電体の形成は３００から６００℃の温度で瞬時熱アニールすることにより行なわれる請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記ゲートスタックの前記半導体層（２２，２０）はＳｉ，Ｇｅ，ＳｉＧｅ，ＳｉＣ，ＳｉＧｅＣ及びＧａＡｓからなる群から選択される半導体からなる請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記ゲートスタックの前記半導体層（２２，２０）はＳｉ，Ｇｅ，ＳｉＧｅ，ＳｉＣ，ＳｉＧｅＣ及びＧａＡｓからなる群から選択される半導体からなる請求項３記載の方法。
【請求項１３】
前記ゲートスタックの前記半導体層（２２，２０）はＳｉ，Ｇｅ，ＳｉＧｅ，ＳｉＣ，ＳｉＧｅＣ及びＧａＡｓからなる群から選択される半導体からなる請求項６記載の方法。
【請求項１４】
前記第一タイプのＭＯＳＦＥＴ領域（４０）がｎＦＥＴ領域であり、前記第二タイプのＭＯＳＦＥＴ領域（３０）がｐＦＥＴ領域である請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月20日(2009.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホームＳＵＰＬ  Ｌｏｃａｔｉｏｎ  Ｐｌａｔｆｏｒｍ（Ｈ−ＳＬＰ）における第１のＳＵＰＬ  Ｅｎａｂｌｅｄ  Ｔｅｒｍｉｎａｌ（ＳＥＴ）の位置情報を、通信環境内でセキュアユーザープレーンロケーション（ＳＵＰＬ）プロトコルを用いて第２のＳＥＴに提供する方法であって、該方法は、
該Ｈ−ＳＬＰによって、該第１のＳＥＴからＳＵＰＬ  ＳＴＡＲＴメッセージを受信することであって、該ＳＵＰＬ  ＳＴＡＲＴメッセージは、セッション識別子と、ＳＥＴの能力と、ｎｏｔｉｆｉｅｄ  ＳＥＴ−ｉｄとを含み、該ｎｏｔｉｆｉｅｄ  ＳＥＴ−ｉｄは、該第１のＳＥＴの位置情報が送信される該第２のＳＥＴの識別子である、ことと、
該Ｈ−ＳＬＰによって、該第１のＳＥＴにＳＵＰＬ  ＲＥＳＰＯＮＳＥメッセージを送信することであって、該ＳＵＰＬ  ＲＥＳＰＯＮＳＥメッセージは、該セッション識別子と、位置決定方法とを含み、該位置決定方法は、該Ｈ−ＳＬＰと該第１のＳＥＴとの間の位置決定手順のために使用される、ことと、
該Ｈ−ＳＬＰによって、ＳＵＰＬ  ＰＯＳ  ＩＮＩＴメッセージを該第１のＳＥＴから受信することであって、該ＳＵＰＬ  ＰＯＳ  ＩＮＩＴメッセージは、該セッション識別子とＳＥＴの能力とを含む、ことと、
該位置決定方法に基づいて、該Ｈ−ＳＬＰと該第１のＳＥＴとの間の直接接続を介して、該第１のＳＥＴの該位置情報を計算することであって、該位置決定方法は、ＳＥＴ支援の位置決定方法とＳＥＴベースの位置決定方法とのうちの１つである、ことと、
該Ｈ−ＳＬＰによって、ＳＵＰＬ  ＥＮＤメッセージを該第１のＳＥＴに送信して、ＳＵＰＬセッションの終了を通知することであって、該ＳＵＰＬ  ＥＮＤメッセージは該セッション識別子を含む、ことと、
該第１のＳＥＴから受信された該ｎｏｔｉｆｉｅｄ  ＳＥＴ−ｉｄに基づいて、該Ｈ−ＳＬＰによって、該第１のＳＥＴの該位置情報を送信することと
を包含する、方法。
【請求項２】
前記第１のＳＥＴのローミング状態をチェックすることをさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のＳＥＴの前記位置情報の計算が該第１のＳＥＴと協働して行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のＳＥＴの前記位置情報が通知ＳＬＰ（Ｎ−ＳＬＰ）を介して、前記第２のＳＥＴに送信される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記Ｈ−ＳＬＰは、Ｈｏｍｅ  ＳＵＰＬ  Ｌｏｃａｔｉｏｎ  Ｃｅｎｔｅｒ（Ｈ−ＳＬＣ）およびＨｏｍｅ  ＳＵＰＬ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎ  Ｃｅｎｔｅｒ（Ｈ−ＳＰＣ）を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のＳＥＴの前記位置情報の計算は、前記Ｈ−ＳＰＣと該第１のＳＥＴとの間の直接接続を介して行われる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ＳＵＰＬ  ＳＴＡＲＴメッセージは、前記Ｈ−ＳＬＣに送信される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記位置情報は、前記Ｈ−ＳＬＣによって前記第２のＳＥＴに送信される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のＳＥＴは、該第１のＳＥＴがホームネットワーク（ＨＮ）に位置する、ノンローミング状態である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記位置決定方法は、前記ＳＵＰＬ  ＳＴＡＲＴメッセージに含まれる前記ＳＥＴの能力に基づいて選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
第１のＳＵＰＬ  Ｅｎａｂｌｅｄ  Ｔｅｒｍｉｎａｌ（ＳＥＴ）の位置情報を、通信環境におけるセキュアユーザープレーンロケーション（ＳＵＰＬ）プロトコルを用いて第２のＳＥＴに提供する方法であって、該方法は、
該第１のＳＥＴによって、ＳＵＰＬ  ＳＴＡＲＴメッセージをＨｏｍｅ  ＳＵＰＬ  Ｌｏｃａｔｉｏｎ  Ｐｌａｔｆｏｒｍ（Ｈ−ＳＬＰ）を送信することであって、該ＳＵＰＬ  ＳＴＡＲＴメッセージは、セッション識別子と、ＳＥＴの能力と、ｎｏｔｉｆｉｅｄ  ＳＥＴ−ｉｄとを含み、該ｎｏｔｉｆｉｅｄ  ＳＥＴ−ｉｄは、該第１のＳＥＴの位置情報が送信される該第２のＳＥＴの識別子である、ことと、
該第１のＳＥＴによって、該Ｈ−ＳＬＰからＳＵＰＬ  ＲＥＳＰＯＮＳＥメッセージを受信することであって、該ＳＵＰＬ  ＲＥＳＰＯＮＳＥメッセージは、該セッション識別子と、該Ｈ−ＳＬＰと該第１のＳＥＴとの間の位置決定手順のために使用される位置決定方法とを含む、ことと、
該第１のＳＥＴによって、ＳＵＰＬ  ＰＯＳ  ＩＮＩＴメッセージを該Ｈ−ＳＬＰに送信することであって、該ＳＵＰＬ  ＰＯＳ  ＩＮＩＴメッセージは、該セッション識別子とＳＥＴの能力とを含む、ことと、
該位置決定方法に基づいて、該Ｈ−ＳＬＰと該第１のＳＥＴとの間の直接接続を介して、位置決定手順を行うことであって、該位置決定方法は、ＳＥＴ支援の位置決定方法とＳＥＴベースの位置決定方法とのうちの１つである、ことと、
該該第１のＳＥＴによって、ＳＵＰＬ  ＥＮＤメッセージを該Ｈ−ＳＬＰから受信することであって、該ＳＵＰＬ  ＥＮＤメッセージは該セッション識別子を含み、ＳＵＰＬセッションの終了を該第１のＳＥＴに通知する、ことと
を包含し、該第１のＳＥＴの該位置情報は、該第１のＳＥＴによって送信された該ｎｏｔｉｆｉｅｄ  ＳＥＴ−ｉｄに基づいて、該第２のＳＥＴに提供される、方法。
【請求項１２】
前記第１のＳＥＴの前記位置情報の計算が該第１のＳＥＴと協働して行われる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１のＳＥＴの前記位置情報が通知ＳＬＰ（Ｎ−ＳＬＰ）を介して、前記第２のＳＥＴに送信される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記Ｈ−ＳＬＰは、Ｈｏｍｅ  ＳＵＰＬ  Ｌｏｃａｔｉｏｎ  Ｃｅｎｔｅｒ（Ｈ−ＳＬＣ）およびＨｏｍｅ  ＳＵＰＬ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎ  Ｃｅｎｔｅｒ（Ｈ−ＳＰＣ）を備える、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１のＳＥＴの前記位置情報の計算は、前記Ｈ−ＳＰＣと該第１のＳＥＴとの間の直接接続を介して行われる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ＳＵＰＬ  ＳＴＡＲＴメッセージは、前記Ｈ−ＳＬＣに送信される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記位置情報は、前記Ｈ−ＳＬＣによって前記第２のＳＥＴに送信される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１のＳＥＴは、該第１のＳＥＴがホームネットワーク（ＨＮ）に位置する、ノンローミング状態である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
前記位置決定方法は、前記ＳＵＰＬ  ＳＴＡＲＴメッセージに含まれる前記ＳＥＴの能力に基づいて選択される、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月30日(2009.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
関連技術の前述の例及びそれに関連する制限は、例証的なものであって排他的ではないよう意図される。関連技術の他の制限は、明細書及び図面を参照して当業者には明らかである。
【特許文献１】米国特許第６，４７７，０３５号Ｂ１明細書
【特許文献２】米国特許第６，８２９，１３３号Ｂ２明細書
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月30日(2009.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データネットワークにおいて、光ネットワークから、前記光ネットワークのゲートウエイノードの対の間で提供された光データ容量のリストを受信するステップを含み、前記ゲートウエイノードが前記データネットワークのノードに物理的に接続され、そして前記光ネットワークが複数の波長チャネル上でデータ通信を送信するように構成されており、さらに、
前記受信に応動して、前記データネットワークから前記光ネットワークへ支払い意思額のリストを送信するステップを含み、前記支払い意思額の各々は、前記光ネットワークのゲートウエイノードの対応する対の間での光データ容量の増加の値を表す、方法。
【請求項２】
前記受信に応動して、前記データネットワークから前記光ネットワークへ、前記光ネットワークにおける光データ容量に対する支払い意思額の総計を表す値を送信するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記受信されたリストに基づいて、前記データネットワークのノードの対の間のデータトラフィックのアドミッション及び／またはルーティングを決定するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記決定するステップは前記支払い意思額のリストを生成する請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記決定するステップは、前記データネットワークのノードの対の間のトラフィックアドミッション及びルーティングに対して、選択された効用関数を最大にすることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項６】
多波長チャネル光ネットワークにおいて、データネットワークから支払い意思額のリストを受信するステップを含み、前記支払い意思額の各々は、前記光ネットワークのゲートウェイノードの対応する対の間の増加した光データ容量の値を表し、さらに、
前記受信したリストに基づいて、前記ゲートウェイノードの対の間の光データ容量に対する提供リストを生成するステップと、
光データ容量に対し生成された前記提供リストを前記データネットワークに送信するステップとを含む方法。
【請求項７】
前記受信した支払い意思額のリストに応動する手法で、前記光ネットワークの光リンクに沿って提供された波長チャネルの数を再構成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記支払い意思額の各々が、前記ゲートウェイノードの対応する対の間の増加したデータ容量の単位に対する支払い意思額を示すことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記生成するステップは、前記受信したリストに基づいて、前記ゲートウェイノードの対の間の光データトラフィックのルーティングを決定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記生成するステップが、前記受信したリストと前記データネットワークから受信した支払い意思額の総計とに基づいて、前記ゲートウェイノードの対の間で提供された光容量に対して、選択された効用関数を最大にするステップを含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月3日(2009.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオゲームを開始する要求を受信する工程（２１０）と、
複数の事前符号化マクロブロック（６１２）のバンク（６１０）に記憶された複数の事前符号化マクロブロック（６１２）を使用して前記ビデオゲームのコンテンツに対応する第１のビデオフレーム（９１０）を生成する工程（２１２）と、
前記第１のビデオフレームを表示用のユーザ装置（１４０）に送信する工程と、
含む方法であって、
前記第１のビデオフレーム（９１０）はＭＰＥＧ圧縮規格に準拠し、前記複数の事前符号化マクロブロック（６１２）は、前記ビデオゲームを開始する前記要求を受信する前に事前符号化され且つ前記バンク（６１０）に記憶される、１つの又は複数のビデオゲームサーバ（１１６）を備えるシステムにおける方法。
【請求項２】
各事前符号化マクロブロックはピクセルセットに対応し、
前記方法は、
前記各事前符号化マクロブロックを事前符号化する工程（７１０）を含み、
前記各事前符号化マクロブロックを事前符号化する工程（７１０）は、
離散コサイン変換演算（７１２）、量子化演算（７１４）、及びランレングス符号化演算（７１６）を実行する工程を含み、
前記生成する工程は、前記第１のビデオフレーム内の隣接する事前符号化マクロブロックを相互に関連付ける工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記事前符号化する工程は、動きベクトル及び補正データを計算する工程（７１８）を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記相互に関連付ける工程は、ルミナンス情報を含む第１のブロックの第１のＤＣ係数値（８１４）、クロミナンス情報を含む第２のブロックの第２のＤＣ係数値（８１６）、及びクロミナンス情報を含む第３のブロックの第３のＤＣ係数値（８１６）を決定する工程を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記複数の事前符号化マクロブロックのバンクは、個々にアドレス指定可能な事前符号化マクロブロックのバンクであり、
前記複数の事前符号化マクロブロックのサブセットは、２つ以上のビデオゲーム間で共用される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記複数の事前符号化マクロブロックのサブセットは、２つ以上のビデオフレーム間で共用される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記複数の事前符号化マクロブロックは、ビデオゲームの２つ以上のインスタンス間で共用される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のビデオフレームを生成する工程は、前記複数の事前符号化マクロブロックをグリッド（６１４）内の各位置に割り当てる工程をさらに含み、
前記グリッドは、二次元アレイを含み、前記グリッド内の各位置には、ビデオフレームの生成時に対応するマクロブロックが割り当てられ、前記グリッド内の少なくとも複数の位置には、対応する事前符号化マクロブロックが割り当てられ、
前記生成する工程は、前記グリッドの前の状態と前記グリッドの現在の状態とを比較する工程、及び該比較に従って、イントラマクロブロック及び予測可能マクロブロックを前記第１のビデオフレームに対応するデータストリームに選択的に含める工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記複数の事前符号化マクロブロックのサブセットは、非圧縮ピクセル情報を含む、請求項１又は８に記載の方法。
【請求項１０】
複数のマクロブロックを動的に生成する工程をさらに含み、該動的に生成される複数のマクロブロックは、非圧縮ピクセル情報を含む前記記憶される複数の事前符号化マクロブロックのサブセットとオブジェクトに対応する画像情報との組み合わせを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
ビデオを生成する装置であって、
メモリ（１８２２）と、
プロセッサ（１８１０）と、
前記メモリに記憶され、前記プロセッサにより実行されるように構成されるプログラム（１８４６）であって、ビデオゲームを開始する要求を受信する（２１０）命令と、複数の事前符号化マクロブロック（６１２）のバンク（６１０）に記憶された複数の事前符号化マクロブロックを使用して前記ビデオゲームのコンテンツに対応する第１のビデオフレーム（９１０）を生成する（２１２）命令と、前記第１のビデオフレームを表示用のユーザ装置（１４０）に送信する命令と、を含むプログラムと、
を備え、
前記第１のビデオフレーム（９１０）はＭＰＥＧ圧縮規格に準拠し、前記複数の事前符号化マクロブロック（６１２）は、前記ビデオゲームを開始する前記要求を受信する前に事前符号化され且つ前記バンク（６１０）に記憶される、装置。
【請求項１２】
前記第１のビデオフレームを生成する命令は、前記複数の事前符号化マクロブロックをグリッド（６１４）内の各位置に割り当てる命令をさらに含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記ビデオゲームにおけるユーザアクションに対応するコマンドを受信する工程（４１０）と、
前記要求を受信する前に事前符号化される複数の事前符号化マクロブロック、及び、前記要求を受信した後且つ前記コマンドを受信する前に符号化される複数の要求後符号化マクロブロックを使用して第２のビデオフレームを生成する工程（４１２）と、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２のビデオフレームを生成する工程（４１２）は、前記コマンドを受信した後に符号化される複数の動的符号化マクロブロックを使用する工程をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ビデオゲームにおけるユーザアクションに対応するコマンドを受信する命令と、
前記要求を受信する前に事前符号化される複数の事前符号化マクロブロック、及び、前記要求を受信した後且つ前記コマンドを受信する前に符号化される複数の要求後符号化マクロブロックを使用して第２のビデオフレームを生成する命令と、
をさらに含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１６】
前記第２のビデオフレームを生成する前記命令は、前記複数の事前符号化マクロブロック、前記複数の要求後符号化マクロブロック、及び前記コマンドを受信した後に符号化される複数の動的符号化マクロブロックを使用してビデオフレームを生成するようさらに構成される、請求項１５に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月18日(2009.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料を一定速度で気化させて基板上に層を形成する方法であって、
a）気化可能で気化中に体積が変化する可能性のある柱状の材料を、その気化可能な材料の有効気化温度よりも低温に維持された温度制御領域から気化エネルギー供給源へと供給するステップと；
b）上記柱の表面に一定の熱流を供給する気化エネルギー供給源を用意し、ステップa）における供給速度とは無関係に気化可能な上記材料を単位時間に一定の体積で気化させて基板上に層を形成するステップを含む方法。
【請求項２】
有機材料を一定速度で気化させて基板上に有機層を形成する方法であって、
a）低圧条件下にあるチェンバーを用意するステップと；
b）熱を発生させる加熱エレメントをそのチェンバーの中に入れるステップと；
c）少なくとも1種類の有機材料をそのチェンバーの中に供給し、断面積は一定だが体積は供給速度が変化するのに応じて変動する柱状の気化可能な材料を形成するステップと；
d）上記柱と機能的な関係にあるコールド・シンクを用意してその柱の底部を制御された温度に維持するステップと；
e）上記加熱エレメントからの一定の熱流を上記柱の表面に供給し、単位時間あたり一定体積の材料を気化させて基板上に有機層を形成するステップを含む方法。
【請求項３】
材料を一様に気化させるため、
a）チェンバーと；
b）そのチェンバーの中にあって気化エネルギーを供給する加熱エレメントと；
c）その加熱エレメントに気化エネルギーとして実質的に一定の熱流を供給する一定電流源と；
d）柱状の気化可能な材料を上記加熱エレメントに向けて実質的に連続的に供給する供給装置と；
e）柱状の気化可能な上記材料の近くにあって、その柱のうちで上記加熱エレメントから離れた部分によって吸収される熱を散逸させるコールド・シンクとを備える装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月9日(2009.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊維より糸（２、９）が力のフラックスで方向づけられるように、実質上列に並べられた前記繊維より糸（２、９）でＴＦＰプロセスによって単層若しくは複数層の繊維母材（１、８）を製造するための方法であって、
実際上のある所望の物質の厚さを有する繊維母材（１、８）を形成するために、前記繊維より糸（２、９）が、裏地層（３）に横たわり、固定糸（６）によって接着され、前記固定糸、及び／又は前記裏地層が、水溶性物質によって形成されるステップ（ａ）と、
ＴＦＴプロセス完了後、少なくとも１つの繊維母材（１、８）が、該少なくとも１つの繊維母材（１、８）内において繊維より糸（２、９）の位置を固定する固定デバイスに導入されるステップ（ｂ）と、
分解、及び流し出しによって前記少なくとも１つの固定糸（６）、及び／又は前記少なくとも１つの裏地層（３）を取り除くために、流入及び流出の方法によって閉回路内で前記固定デバイスへ導入され、且つろ過される、前記溶媒としての水によって、前記固定デバイスが流されるステップ（ｃ）と、
少なくとも１つの固定糸（６）を取り除いた後、及び／又は少なくとも１つの裏地層（３）を取り除いた後に、前記少なくとも１つの繊維母材（１、８）が、供給される熱によって前記固定デバイス中で乾燥されるステップ（ｄ）と、
前記少なくとも１つの繊維母材（１、８）の含浸が、前記完成品の複合材料部品を製造するためにエポキシ樹脂でＲＴＭプロセスに従って前記固定デバイス中で実施されるステップ（ｅ）とを有する方法。
【請求項２】
少なくとも２つの繊維母材（１、８）が、複数層の繊維母材を形成するために前記固定デバイスで配置されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月27日(2009.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）４０〜７０重量パーセントのモダクリル繊維と、
（ｂ）５〜２０重量パーセントのｐ−アラミド繊維と、
（ｃ）結晶化度が少なくとも２０％の１０〜４０重量パーセントのｍ−アラミド繊維とを含んでなり、前記パーセンテージは成分（ａ）、（ｂ）および（ｃ）を基準とするものであるアークおよび火炎保護に用いる糸。
【請求項２】
糸を含んでなるアークおよび火炎保護に用いるのに好適な布帛であって、さらに該糸が  （ａ）４０〜７０重量パーセントのモダクリル繊維と、
（ｂ）５〜２０重量パーセントのｐ−アラミド繊維と、
（ｃ）結晶化度が少なくとも２０％の１０〜４０重量パーセントのｍ−アラミド繊維とを含んでなり、前記パーセンテージは成分（ａ）、（ｂ）および（ｃ）を基準とするものである布帛。
【請求項３】
（ａ）４０〜７０重量パーセントのモダクリル繊維と、
（ｂ）５〜２０重量パーセントのｐ−アラミド繊維と、
（ｃ）結晶化度が少なくとも２０％の１０〜４０重量パーセントのｍ−アラミド繊維とを含んでなり、前記パーセンテージは成分（ａ）、（ｂ）および（ｃ）を基準とするものであるアークおよび火炎保護に用いるのに好適な衣類。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
【表２】
2009503278.tif 000001
次に、本発明の好ましい態様を示す。
１．  （ａ）４０〜７０重量パーセントのモダクリル繊維と、
（ｂ）５〜２０重量パーセントのｐ−アラミド繊維と、
（ｃ）結晶化度が少なくとも２０％の１０〜４０重量パーセントのｍ−アラミド繊維とを含んでなり、前記パーセンテージは成分（ａ）、（ｂ）および（ｃ）を基準とするものであるアークおよび火炎保護に用いる糸。
２．  （ａ）５５〜６５重量パーセントのモダクリル繊維と、
（ｂ）５〜１５重量パーセントのｐ−アラミド繊維と、
（ｃ）２０〜３５重量パーセントのｍ−アラミド繊維と
を含んでなる上記１に記載の糸。
３．  （ｄ）耐摩耗性繊維をさらに含有する上記１に記載の糸。
４．  前記耐摩耗性繊維が、成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）を基準として２〜１５重量パーセントの量で存在している上記３に記載の糸。
５．  前記耐摩耗性繊維が、ナイロンである上記３に記載の糸。
６．  帯電防止成分をさらに含有する上記１に記載の糸。
７．  前記帯電防止成分が、糸全体の１〜５重量パーセントの量で存在している上記６に記載の糸。
８．  前記帯電防止成分が、炭素または金属繊維を含んでなる上記６に記載の糸。
９．  前記帯電防止成分が、炭素を含んでなる上記８に記載の糸。
１０．  前記ｍ−アラミド繊維が、２０〜５０％の範囲の結晶化度を有している上記１に記載の糸。
１１．  １０回の洗浄サイクル後の収縮率が約０％である上記１に記載の糸。
１２．  糸を含んでなるアークおよび火炎保護に用いるのに好適な布帛であって、さらに該糸が  （ａ）４０〜７０重量パーセントのモダクリル繊維と、
（ｂ）５〜２０重量パーセントのｐ−アラミド繊維と、
（ｃ）結晶化度が少なくとも２０％の１０〜４０重量パーセントのｍ−アラミド繊維とを含んでなり、前記パーセンテージは成分（ａ）、（ｂ）および（ｃ）を基準とするものである布帛。
１３．  前記糸が、
（ａ）５５〜６５重量パーセントのモダクリル繊維と、
（ｂ）５〜１５重量パーセントのｐ−アラミド繊維と、
（ｃ）２０〜３５重量パーセントのｍ−アラミド繊維と
を含んでなる上記１２に記載の布帛。
１４．  （ｄ）耐摩耗性繊維をさらに含んでなる上記１２に記載の布帛。
１５．  前記耐摩耗性繊維が、成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）を基準として２〜１５重量パーセントの量で存在している上記１４に記載の布帛。
１６．  前記耐摩耗性繊維が、ナイロンである上記１４に記載の布帛。
１７．  帯電防止成分をさらに含有する上記１２に記載の布帛。
１８．  ＡＳＴＭ  Ｄ−６４１３−９９に従った炭化長が、６インチ未満である上記１２に記載の布帛。
１９．  ＡＳＴＭ  Ｆ−１９５９−９９による耐アーク性が、ｏｐｓｙ当たり１平方センチメートル当たり少なくとも０．８カロリーである上記１２記載の布帛。
２０．  前記耐アーク性が、ｏｐｓｙ当たり１平方センチメートル当たり少なくとも１．２カロリーである上記１９記載の布帛。
２１．  前記ｍ−アラミド繊維が、２０〜５０％の範囲の結晶化度を有している上記１２に記載の布帛。
２２．  １０回の洗浄サイクル後の収縮率が０％である上記１に記載の糸。
２３．  （ａ）４０〜７０重量パーセントのモダクリル繊維と、
（ｂ）５〜２０重量パーセントのｐ−アラミド繊維と、
（ｃ）結晶化度が少なくとも２０％の１０〜４０重量パーセントのｍ−アラミド繊維とを含んでなり、前記パーセンテージは成分（ａ）、（ｂ）および（ｃ）を基準とするものであるアークおよび火炎保護に用いるのに好適な衣類。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月3日(2009.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
界面活性非酵素タンパク質の織布洗浄への利用方法であって、
前記タンパク質をガラス表面に室温で塗布すると、その上に落とした水滴の接触角が、非塗布ガラス表面における同体積の水滴の接触角に比べ、少なくとも２０°増加し、
前記タンパク質は、ハイドロフォビンであることを特徴とする利用方法。
【請求項２】
前記タンパク質が、融合ハイドロフォビンであり、その融合パートナーが２０〜５００個のアミノ酸を有する請求項１に記載の利用方法。
【請求項３】
前記ハイドロフォビンが、ｙａａｄ−Ｘａ−ｄｅｗＡ−ｈｉｓ（配列番号２０）、ｙａａｄ−Ｘａ−ｒｏｄＡ−ｈｉｓ（配列番号２２）又はｙａａｄ−Ｘａ−ｂａｓｆ１−ｈｉｓ（配列番号２４）からなる群から選択される少なくとも一種である（ただし、ｙａａｄは、いずれの場合も、２０〜２９３個のアミノ酸を有する部分ｙａａｄ融合パートナーであってもよい）請求項２に記載の利用方法。
【請求項４】
前記タンパク質の洗浄液中の使用濃度が、０．０５〜５０ｐｐｍである請求項１〜３のいずれか１項に記載の利用方法。
【請求項５】
前記タンパク質が、アニオン性及び／又はノニオン性界面活性剤と組合わせて使用され、これらの界面活性剤が直線状アルキルベンゼンスルホン酸又は脂肪族アルコールスルフェートとアルキルエーテルスルフェート又はアルキルアルコキシレートとの組み合わせを含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の利用方法。
【請求項６】
少なくとも一種の洗浄活性物質を含み、該洗剤組成物がさらに少なくとも一種の界面活性非酵素タンパク質を含み、前記タンパク質をガラス表面に室温で塗布すると、その上に落とした水滴の接触角が、非塗布ガラス表面における同体積の水滴の接触角に比べ、少なくとも２０°増加することを特徴とする織布洗浄用の洗剤組成物。
【請求項７】
前記タンパク質が融合ハイドロフォビンであり、その融合パートナーが２０〜５００個のアミノ酸を含む請求項６に記載の洗剤組成物。
【請求項８】
前記ハイドロフォビンが、ｙａａｄ−Ｘａ−ｄｅｗＡ−ｈｉｓ（配列番号２０）、ｙａａｄ−Ｘａ−ｒｏｄＡ−ｈｉｓ（配列番号２２）又はｙａａｄ−Ｘａ−ｂａｓｆ１−ｈｉｓ（配列番号２４）からなる群から選択される少なくとも一種である（ただし、ｙａａｄは、いずれの場合も、２０〜２９３個のアミノ酸を有する部分ｙａａｄ融合パートナーであってもよい）請求項７に記載の洗剤組成物。
【請求項９】
前記界面活性非酵素タンパク質の量が、洗剤組成物の全成分に対して、０．００２〜２．５重量％である請求項６〜８のいずれか１項に記載の洗剤組成物。
【請求項１０】
（ａ）０．０１〜１．５重量％の界面活性非酵素タンパク質と、
（ｂ）０．５〜４０重量％の界面活性剤と、
（ｃ）５９〜９９．４５重量％の他の洗浄活性添加物又は配合助剤とを含む
請求項９に記載の洗剤組成物。
【請求項１１】
前記界面活性剤が、アニオン性及び／又はノニオン性界面活性剤である請求項１０に記載の洗剤組成物。
【請求項１２】
前記界面活性剤が、直線状アルキルベンゼンスルホン酸又は脂肪族アルコールスルフェートとアルキルエーテルスルフェート又はアルキルアルコキシレートとの組み合わせを含む請求項１１に記載の洗剤組成物。
【請求項１３】
少なくとも以下の、
（ａ）洗浄装置に洗浄すべき織布材料と水洗浄液とを満たす工程と、
（ｂ）織布材料と洗浄液との混合物に機械的なエネルギーをかける工程と、
（ｃ）水洗浄液を除き、必要に応じて織布材料を水洗する工程と、及び
（ｄ）その織布材料を乾燥する工程と、を含み、
（ただし、水洗浄液は少なくとも一種の界面活性非酵素タンパク質を含み、前記タンパク質をガラス表面に室温で塗布すると、その上に落とした水滴の接触角が、非塗布ガラス表面における同体積の水滴の接触角に比べ、少なくとも２０°増加する）
前記タンパク質がハイドロフォビンであることを特徴とする織布材料の洗浄方法。
【請求項１４】
前記タンパク質が融合ハイドロフォビンであり、その融合パートナーが２０〜５００個のアミノ酸からなる請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ハイドロフォビンが、ｙａａｄ−Ｘａ−ｄｅｗＡ−ｈｉｓ（配列番号２０）、ｙａａｄ−Ｘａ−ｒｏｄＡ−ｈｉｓ（配列番号２２）又はｙａａｄ−Ｘａ−ｂａｓｆ１−ｈｉｓ（配列番号２４）からなる群から選択される少なくとも一種である（ただし、ｙａａｄは、いずれの場合も、２０〜２９３個のアミノ酸を有する部分ｙａａｄ融合パートナーであってもよい）請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記タンパク質が、アニオン性及び／又はノニオン性界面活性剤と組合わせて使用され、これらの界面活性剤が直線状アルキルベンゼンスルホン酸又は脂肪族アルコールスルフェートとアルキルエーテルスルフェート又はアルキルアルコキシレートとの組み合わせを含む請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記洗浄操作が６０℃以下の温度で行われる請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記洗浄操作が５〜４５℃の温度で行われる請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記洗浄操作が１５〜３５℃の温度で行われる請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
前記タンパク質の洗浄液中の使用濃度が、０．０５〜５０ｐｐｍである請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月29日(2009.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
超音波溶着装置は実質的に以下の集合体で構成されている：
・ジエネレータ 
・振動装置（ソノトロード：Sonotrode） 
・アンビル（Amboss）
ジェネレエータによって超音波振動が発生される。該ジェネレータは本線の電圧を高電圧及び高周波数に変換する。シールドケーブルによって電気エネルギーを超音波変換器、いわゆるコンバーターに伝達する。コンバーターは、交流電場が供給された時に拡縮する特定の結晶の性質を利用する圧電効果に従って運転される。これによって、振幅変換域によってソノトレード（溶着ホーンとも称する）で変換される機械振動を生じる。振動の振幅は振幅変換域によってそれの大きさに影響を受ける。振動は２〜５Ｎ／ｍｍ２の圧力のもとでソノトレードとアンビルとの間に固定された被加工製品に伝達される。その時に分子摩擦及び界面摩擦によって可塑化に必要な熱が発生される。局所温度によって合成樹脂は軟化し始めそして減衰係数が上昇する。減衰係数の増加が更に熱を発生させ、これが自己促進反応の効果を保証する。この方法は非常に短い溶着時間及びそれによるしばしば高い経済性に特徴がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
該不織布は有利には以下の性質パラメータ
不織布坪量：３０〜２００ｇ／ｍ２、好ましくは７０〜１００ｇ／ｍ２、更に好ましくは８５ｇ／ｍ２
厚さ：２５０μｍ〜８００μｍ、好ましくは５００μｍ〜６００μｍ、更に好ましくは５６０μｍ
破断点伸び率：１７〜８７％、好ましくは２５〜４０％、特に好ましくは３２％
縦方向の破断強さ：１００Ｎ／５ｃｍ〜４００Ｎ／５ｃｍ、特に２００Ｎ／５ｃｍ
横方向の破断強さ：８０Ｎ／５ｃｍ〜２００Ｎ／５ｃｍ、特に１３０Ｎ／５ｃｍ
を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
ポリマー１：
ラジカル重合用の慣用の２００リッター反応器に２４００gのアクリル酸、６４k gの２−エチルヘキシルアクリレート、６．４ｋｇのＮ−イソプロピルアクリルアミド及び５３．３ｋｇのアセトン／イソプロパノール（9５：５）を装入する。窒素ガスを攪拌下に反応器に４５分間通した後に、反応器を５８℃に加熱しそして４０gの２，２’−アゾイソ酪酸ニトリル（ＡＩＢＮ）を添加する。次いで外部加熱浴を７５℃に加温しそして反応をこの外部温度で継続的に実施する。１時間の反応時間の後に再び４０ｇのＡＩＢＮを添加する。５時間及び１０時間後にそれぞれ１５ｇのアセトン／イソプロパノール（９５：５）で希釈する。６及び８時間後にそれぞれ１００ｇのジシクロヘキシルペルオキシジカルボナート（Perkadox 16（Ｒ）、製造元：Akzo Nobel社）を８００ｇのアセトンに溶解して添加する。反応を、２４時間の反応時間の後に中止しそして室温に冷却する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
更に不織布は匹敵するフリースよりも長手方向及び横方向において高い破断強さを有している。従って、本発明の接着テープは特別な用途目的において固定ループ状物として使用するのが有利であり、構造部材は自動車の走行運転中の負荷のもとでだけでなく、特に溶着ラインの縁部領域においても持ち堪える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
本発明の接着テープは構造部材のＨＦ溶着又は超音波溶着の様な熱溶着のために特に有利に使用され、しかも自動車工業分野におけるケーブル又はケーブルハーネスの溶着に使用される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
図１において、本発明の接着テープ（１）は側面図で図示されている。接着テープ１は、不織布支持体（１１）を有し、それの下側に接着層（１２）が設けられている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
１・・・  接着テープ
１１・・・不織布支持体
１２・・・接着層
１３・・・ガラス繊維
２  ・・・ケーブルハーネス
３  ・・・基体
４  ・・・ソノトレード
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月8日(2009.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種の光開始剤および少なくとも１種の式Iの共開始剤を含むエチレン不飽和の反応性オリゴマー類および／またはモノマー類を含有する、光重合系：
【化１】
2009503209.tif 000001
式中、Ａは（ＣＨ２ＣＨ２ＮＲ１）ｎＣＨ２ＣＨ２であり、Ｒ１は直鎖状または分枝状のＣ１〜Ｃ１２アルキル、アルコキシル、またはヒドロキシエチルであり；Ｒ３およびＲ４は相互に独立して直鎖状または分枝状のＣ１〜Ｃ４アルキルであり；ｎは１および１０の範囲からなる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月1日(2009.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
実施例２
錯体2,6-ビス［2.6-ビス（イソプロピル）フェニル）イミド）エチル］ピリジンFe(M)ジクロライドＣ１の合成
リガンドの2,6-ビス［1-2,6-ビス（イソプロピル）フェニル）イミド）エチル］ピリジンを下記文献に記載の方法で製造した。
【非特許文献５】Gibson (Gibson V. C, in J. Am. Chem. Soc, 121 , 8728, 1999
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
媒体を室温（約25℃）で5分間、手動で撹拌した後、500mLのブッチ（Buchi）タイプの反応装置に注入した。重合は50℃の温度、エチレン圧力3バールで60分間行った。得られたポリマーを濾過し、メタノールで洗浄し、減圧乾燥した。得られた1.02gのポリマーの生産性は5g／g担体に対応し、下記の特性を有する：
Mw＝ 837000
D＝ 18.7
Tm＝137.2℃
結晶性＝ 46％
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月4日(2009.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
超音波溶着装置は実質的に以下の集合体で構成されている：
・ジエネレータ 
・振動装置（ソノトロード：Sonotrode） 
・アンビル（Amboss）
ジェネレエータによって超音波振動が発生される。該ジェネレータは本線の電圧を高電圧及び高周波数に変換する。シールドケーブルによって電気エネルギーを超音波変換器、いわゆるコンバーターに伝達する。コンバーターは、交流電場が供給された時に拡縮する特定の結晶の性質を利用する圧電効果に従って運転される。これによって、振幅変換域によってソノトレード（溶着ホーンとも称する）で変換される機械振動を生じる。振動の振幅は振幅変換域によってそれの大きさに影響を受ける。振動は２〜５Ｎ／ｍｍ２の圧力のもとでソノトレードとアンビルとの間に固定された被加工製品に伝達される。その時に分子摩擦及び界面摩擦によって可塑化に必要な熱が発生される。局所温度によって合成樹脂は軟化し始めそして減衰係数が上昇する。減衰係数の増加が更に熱を発生させ、これが自己促進反応の効果を保証する。この方法は非常に短い溶着時間及びそれによるしばしば高い経済性に特徴がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
該不織布は有利には以下の性質パラメータ
不織布坪量：３０〜２００ｇ／ｍ２、好ましくは７０〜１００ｇ／ｍ２、更に好ましくは８５ｇ／ｍ２
厚さ：２５０μｍ〜８００μｍ、好ましくは５００μｍ〜６００μｍ、更に好ましくは５６０μｍ
破断点伸び率：１７〜８７％、好ましくは２５〜４０％、特に好ましくは３２％
縦方向の破断強さ：１００Ｎ／５ｃｍ〜４００Ｎ／５ｃｍ、特に２００Ｎ／５ｃｍ
横方向の破断強さ：８０Ｎ／５ｃｍ〜２００Ｎ／５ｃｍ、特に１３０Ｎ／５ｃｍ
を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
ポリマー１：
ラジカル重合用の慣用の２００リッター反応器に２４００ｇのアクリル酸、６４ｋｇの２−エチルヘキシルアクリレート、６．４ｋｇのＮ−イソプロピルアクリルアミド及び５３．３ｋｇのアセトン／イソプロパノール（９５：５）を装入する。攪拌下に窒素ガスを反応器に４５分間通した後に、反応器を５８℃に加熱しそして４０ｇの２，２’−アゾイソ酪酸ニトリル（ＡＩＢＮ）を添加する。次いで外部加熱浴を７５℃に加温しそして反応をこの外部温度で継続的に実施する。１時間の反応時間の後に再び４０ｇのＡＩＢＮを添加する。５時間及び１０時間後にそれぞれ１５ｋｇのアセトン／イソプロパノール（９５：５）で希釈する。６及び８時間後にそれぞれ１００ｇのジシクロヘキシルペルオキシジカルボナート（Perkadox 16（Ｒ）、製造元：Akzo Nobel社）を８００ｇのアセトンに溶解して添加する。反応を、２４時間の反応時間の後に中止しそして室温に冷却する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
図１において、接着テープ（１）は側面図で図示されている。接着テープ１は、不織布支持体（１１）を有し、それの下側に接着層（１２）が設けられている。接着層（１２）中にはガラス繊維（１３）が分散されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
１・・・  接着テープ
１１・・・不織布支持体
１２・・・接着層
１３・・・ガラス繊維
２  ・・・ケーブルハーネス
３  ・・・基体
４  ・・・ソノトレード
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月30日(2009.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カップリング剤に由来するSi、Sn、Ge、Pb、Pからなる群から選ばれるヘテロ原子を有する基によってまたは少なくとも二官能性の非重合性求電子カップリング剤に由来する基によって一緒に結合した少なくとも2本の主線状ジエンポリマー鎖(分枝)を含み、そして、それらポリマー鎖の他末端の各々において少なくとも2本の線状ジエンポリマー鎖(グラフト)を有するブロックエラストマー。
【請求項２】
主線状ジエンポリマー鎖および全てが該主線状ジエンポリマー鎖の2つの末端の1端に位置する少なくとも2本の線状ジエンポリマー鎖を含み、他の末端が下記を担持するブロックエラストマー：
‐求電子タイプ官能基(Z)；または、
‐プロトン。
【請求項３】
単数または複数の前記主ポリマー鎖の長さが、グラフトの長さよりも長い、請求項１または２記載のブロックエラストマー。
【請求項４】
各グラフトの長さが、前記主鎖の長さよりも1000〜4倍短い、請求項３記載のブロックエラストマー。
【請求項５】
少なくとも下記の工程を含むことを特徴とするブロックエラストマーの製造方法：
(1) カルボアニオンを有する少なくとも１種のリビングジエンポリマーを、化学量論的に過剰の、アニオン経路により重合可能な基および該リビングポリマーのカルボアニオンにより求核置換し得る基を有する化合物と反応させることによるマクロモノマーの合成工程；
(2) 工程(1)において調製したマクロモノマー溶液を求核開始剤と反応させて、リビングポリマクロモノマーを得る工程；
(3) 工程(2)において得られたリビングポリマクロモノマーを4〜12個の炭素原子を有する少なくとも1種の共役ジエンモノマーと反応させて、リビングポリマクロモノマー/ジエンポリマージブロックを得る工程；および、
(4) 工程(3)において得られたリビングジブロックを、少なくとも二官能性の非重合性求電子カップリング剤、官能基のプレカーサーである求電子反応物または酸性プロトン供与体化合物と反応させる工程。
【請求項６】
アニオン経路により重合可能な基および前記リビングポリマーのカルボアニオンにより求核置換し得る基の双方を有する前記化合物が、一方のスチリル官能基および求核試薬に対して反応性のハロゲン原子を有する化合物である、請求項５記載の方法。
【請求項７】
アニオン経路により重合可能な基および前記リビングポリマーのカルボアニオンにより求核置換し得る基の双方を有する前記化合物を、アルカリまたはアルカリ土類金属の理論量に対して化学量論的に過剰で、厳密には1.0よりも多く2よりも少ないモル当量の比率で使用する、請求項５または６記載の方法。
【請求項８】
工程(1)の反応温度が、-20℃〜70℃である、請求項５〜７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも二官能性の非重合性求電子カップリング剤を、次の式(IV)：Y(X)n(R1)4-nまたは(V)：(R1)3-mXmY-R'-YXn'(R1)3-n' (式中、nは、整数2、3または4であり；n'及びmは、同一又は異なるものであって、整数1、2または3であり；Yは、Si、Ge、Sn、Pbであり；Xは、ハロゲン原子またはアルコキシルまたはアリールオキシ基であり、R1は、同一または異なるものであって、C1〜C12炭化水素系基、或いはC6〜C18アリール基であり；R'は、線状または環状のC1〜C12不飽和炭化水素系基、或いはC6〜C18アリーレン基である)に相応する有機金属タイプの化合物；ホスファイト類；次の一般式(VI)：(R1)4-n Sn(X)n (式中、R1、Xおよびnは、上記で示した意味を有する)に相応するスズ誘導体；エステル類；オルトエステル類；マルチエステル類；およびジイソシアネート類からなる群から選択する、請求項５〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
官能基のプレカーサーである前記求電子反応物を、カルボン酸、アルコール、シラノール、アルコキシシラン、オルガノスタンニルおよびアミン官能基のプレカーサーである官能化剤から選択し；前記酸性プロトン供与体化合物がメタノールである、請求項５〜９のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも二官能性の非重合性求電子カップリング剤の量が、工程(3)において得られた化合物に対して0.1〜0.5モル当量である、請求項５〜９いずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
前記プロトン供与体化合物または前記官能化剤の量が、1〜10モル当量である、請求項５または１０記載の方法。
【請求項１３】
前記方法が、工程(4)の終了時に得られたポリマーを酸化防止剤と接触させる工程(5)をさらに含む、請求項５〜１２のいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
請求項５記載の方法の工程2の終了時に得られたリビングジエンポリマクロモノマーを、官能基のプレカーサーである求電子反応物或いは酸性プロトン供与体化合物のいずれかと反応させることによって得られるジエンポリマクロモノマー。
【請求項１５】
少なくとも、請求項３または４に従って定義したブロックエラストマーおよび補強用充填剤をベースとする、タイヤの製造において使用し得るゴム組成物。
【請求項１６】
自動車の接地系を意図する最終物品または半製品の製造における、請求項１５記載の組成物の使用。
【請求項１７】
請求項１５記載の組成物を含む自動車の接地系を意図する最終物品または半製品。