(57)【要約】  本開示の一実施形態のレーザ装置は、レーザ光を発振する光源と、レーザ光の光路上に配置されると共に、透過軸がレーザ光の偏光方向と合致している反射型偏光素子とを備える。
2019124004.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を発振する光源と、
前記レーザ光の光路上に配置されると共に、透過軸が前記レーザ光の偏光方向と合致している反射型偏光素子と
を備えたレーザ装置。
【請求項２】
前記反射型偏光素子は、前記レーザ光の光軸に対して入射面が略垂直に配置されている、請求項１に記載のレーザ装置。
【請求項３】
前記反射型偏光素子を出射した前記レーザ光の先に位相差素子が配置されている、請求項１に記載のレーザ装置。
【請求項４】
前記位相差素子として位相差量が略λ／８となる位相差素子または５００，０００ｎｍ以上のリタデーションを有する位相差素子を用いる、請求項３に記載のレーザ装置。
【請求項５】
光源から発振されるレーザ光を、透過軸が前記レーザ光の偏光方向と合致している反射型偏光素子を通して被照射体へ照射する
レーザ加工方法。
【請求項６】
前記反射型偏光素子を透過した前記レーザ光を、さらに位相差素子を介して前記被照射体へ照射する、請求項５に記載のレーザ加工方法。
【請求項７】
前記被照射体をＸＹ２軸ステージに設置し、前記ＸＹ２軸ステージを面内方向に走査することで、前記被照射体の所望の領域に前記レーザ光を照射する、請求項５に記載のレーザ加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、例えば、レーザ光によって被照射体を変質あるいは加工するレーザ装置およびこれを用いたレーザ加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、感熱発色性組成物と赤外線を吸収する光熱変換剤とを含有する記録層を備えた感熱性記録媒体が開発されている。このような感熱性記録媒体では、光−熱変換効果を利用した、非接触の状態で記録層への情報の記録が行われており、例えば、特許文献１に記載のような、波長の異なる複数のレーザ光を照射可能な記録装置が開発されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２４９５３９号公報
【発明の概要】
【０００４】
ところで、上記のような感熱性記録媒体では、記録速度および表示品位の向上が求められており、レーザの利用効率を向上させることが可能な記録装置の開発が望まれている。
【０００５】
レーザの利用効率を向上させることが可能なレーザ装置およびレーザ加工方法を提供することが望ましい。
【０００６】
本開示の一実施形態のレーザ装置は、レーザ光を発振する光源と、レーザ光の光路上に配置されると共に、透過軸がレーザ光の偏光方向と合致している反射型偏光素子とを備えたものである。
【０００７】
本開示の一実施形態のレーザ加工方法は、光源から発振されるレーザ光を、透過軸がレーザ光の偏光方向と合致している反射型偏光素子を通して被照射体へ照射する。
【０００８】
本開示の一実施形態のレーザ装置および一実施形態のレーザ加工方法では、透過軸がレーザ光の偏光方向と合致している反射型偏光素子をレーザ光の光路上に配置するようにした。これにより、被照射体と反射型偏光素子との間でレーザ光を多重反射させることが可能となる。
【０００９】
本開示の一実施形態のレーザ装置および一実施形態のレーザ加工方法によれば、レーザを発振する光源と被照射体との間に、透過軸がレーザの偏光方向と合致している反射型偏光素子を配置するようにしたので、反射型偏光素子と被照射体との間でレーザ光が多重反射するようになる。よって、被照射体におけるレーザの利用効率を向上させることが可能となる。
【００１０】
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係るレーザ装置（記録装置）の要部構成の一例および記録方法を説明する模式図である。
【図２】図１に示したレーザ装置の全体構成の一例を表す概略図である。
【図３】本開示の第２の実施の形態に係るレーザ装置（記録装置）の要部構成の一例および記録方法を説明する模式図である。
【図４】λ／８板を用いた場合の入射光および出射光の波長と強度との関係を表す特性図である。
【図５】方解石を用いた場合の入射光および出射光の波長と強度との関係を表す特性図である。
【図６】本開示の第３の実施の形態に係るレーザ装置（アニール装置）の全体構成の一例を表す概略図である。
【図７】本開示の第４の実施の形態に係るレーザ装置（加工装置）の全体構成の一例を表す概略図である。
【図８Ａ】適用例１の外観の一例を表す斜視図である。
【図８Ｂ】適用例１の外観の他の例を表す斜視図である。
【図９Ａ】適用例２の外観（前面側）の一例を表す斜視図である。
【図９Ｂ】適用例２の外観（背面側）の一例を表す斜視図である。
【図１０Ａ】適用例３の外観の一例を表す斜視図である。
【図１０Ｂ】適用例３の外観の他の例を表す斜視図である。
【図１１】適用例４の一構成例を表す説明図である。
【図１２】実験例１，２における各ＩＲ反射率に対する記録層に吸収される光強度の関係を表す特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本開示における実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下の説明は本開示の一具体例であって、本開示は以下の態様に限定されるものではない。また、本開示は、各図に示す各構成要素の配置や寸法、寸法比等についても、それらに限定されるものではない。なお、説明する順序は、下記の通りである。
１．第１の実施の形態（光源と被照射体との間に反射型偏光素子を配置した例）
１−１．記録装置の構成
１−２．記録媒体への記録方法
１−３．作用・効果
２．第２の実施の形態（反射型偏光素子と被照射体との間に、さらに位相差素子を配置した例）
３．第３の実施の形態（アニール装置）
４．第４の実施の形態（加工装置）
５．適用例
６．実施例
【００１３】
＜１．第１の実施の形態＞
図１は、本開示の第１の実施の形態に係るレーザ装置（記録装置１）の要部構成を被照射体（記録媒体２Ａ）と共に模式的に表したものである。この記録装置１は、光源１１として、例えば半導体レーザ（例えば、半導体レーザ１１１Ａ；図２参照）を用い、この半導体レーザ１１１Ａから発振されたレーザ光（レーザ光Ｌｉ）を記録媒体２Ａに照射することで、記録媒体２Ａに情報の記録を行うためのものである。本実施の形態の記録装置１は、光源１１から発振されるレーザ光Ｌｉの光路上に反射型偏光素子１２が配置された構成を有する。
【００１４】
（１−１．記録装置の構成）
図２は、記録装置１を構成する各光学系の全体構成の一例を表したものである。本実施の形態の記録装置１は、例えば、互いに異なる波長によって発色する３つの層（記録層２４Ｍ，２４Ｃ，２４Ｙ）を含む記録層２４を備えた記録媒体２Ａに情報を記録するものであり、例えば、光源１１として、３つの光源１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃと、反射型偏光素子１２と、ビーム整形用レンズ１３と、ダイクロイックミラー１４，１５と、集光レンズ１６とを有する。
【００１５】
光源１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃは、それぞれ、例えば、１または複数の半導体レーザ１１１Ａ，１１１Ｂ，１１１Ｃを有し、これら半導体レーザ１１１Ａ，１１１Ｂ，１１１Ｃは、それぞれ、例えばヒートシンク１１２上に配置されている。半導体レーザ１１１Ａ，１１１Ｂ，１１１Ｃは、それぞれ、互いに異なる波長のレーザ光Ｌｉａ，Ｌｉｂ，Ｌｉｃを発振する。一例として、半導体レーザ１１１Ａは、例えば波長９１５ｎｍのレーザ光Ｌｉａを発振する。半導体レーザ１１１Ｂは、例えば波長８６０ｎｍのレーザ光Ｌｉｂを発振する。半導体レーザ１１１Ｃは、例えば波長７６０ｎｍのレーザ光Ｌｉｃを発振する。
【００１６】
反射型偏光素子１２は、互いに直交する偏光の一方を透過、他方を反射するものであり、例えば、Ｘ偏光を透過すると共に、Ｙ偏光を反射するものである。本実施の形態では、反射型偏光素子１２は、記録媒体２Ａと正対すると共に、透過軸がレーザ光Ｌｉａ，Ｌｉｂ，Ｌｉｃの偏光方向と合致するように配置されている。また、反射型偏光素子１２は、レーザ光Ｌｉａ，Ｌｉｂ，Ｌｉｃの光軸に対して略垂直に配置されていることが好ましい。これにより、記録媒体２Ａから反射されたレーザ光Ｌｉを効率よく、記録媒体２Ａへ反射させることが可能となる。反射型偏光素子１２としては、例えば、ワイヤグリッド偏光板（Ｍｏｘｔｅｋ社製）や反射型偏光子フィルム（３Ｍ社製）等を用いることができる。
【００１７】
ビーム整形用レンズ１３は、半導体レーザ１１１Ａ，１１１Ｂ，１１１Ｃから出射されるレーザ光Ｌｉａ，Ｌｉｂ，Ｌｉｃを所望の形状に整形するためのものであり、例えば、複数のレンズを組み合わせて構成されている。ビーム整形用レンズ１３は、例えば、各半導体レーザ１１１Ａ，１１１Ｂ，１１１Ｃの光軸上にそれぞれ配置されている。
【００１８】
ダイクロイックミラー１４，１５は、所定の波長域の光を選択的に反射し、それ以外の波長域の光を透過させる性質を有するものである。ダイクロイックミラー１４は、例えば、半導体レーザ１１１Ａから出射されたレーザ光Ｌｉａおよび半導体レーザ１１１Ｂから出射されたレーザ光Ｌｉｂが交差する位置に配置されており、レーザ光Ｌｉｂを反射すると共に、レーザ光Ｌｉａを透過する。ダイクロイックミラー１５は、例えば、半導体レーザ１１１Ａから出射されたレーザ光Ｌｉａおよび半導体レーザ１１１Ｃから出射されたレーザ光Ｌｉｃが交差する位置に配置されており、レーザ光Ｌｉｃを反射すると共に、レーザ光Ｌｉａおよびダイクロイックミラー１４において反射されたレーザ光Ｌｉｂを透過する。これにより、レーザ光Ｌｉａ，Ｌｉｂ，Ｌｉｃは合波され、同一方向に進行するようになる。
【００１９】
集光レンズ１６は、光を所望の方向または場所に集中させるためのものである。ダイクロイックミラー１５を透過した、またはダイクロイックミラー１５によって反射されたレーザ光Ｌｉａ，Ｌｉｂ，Ｌｉｃは、集光レンズ１６を透過し、反射型偏光素子１２を介して記録媒体２Ａに照射される。
【００２０】
記録媒体２Ａは、例えば、光学薄膜２３と、記録層２４と、保護膜２５とがこの順に積層されたものであり、例えば粘着層２２を介して支持基材２１上に配置されたものである。
【００２１】
支持基材２１は、記録層２４を支持するためのものである。支持基材２１は、耐熱性に優れ、且つ、平面方向の寸法安定性に優れた材料により構成されている。支持基材２１は、光透過性および非光透過性のどちらの特性を有していてもよい。支持基材２１は、例えば、ウェハ等の剛性を有する基板でもよいし、可撓性を有する薄層ガラス、フィルムあるいは紙等により構成してもよい。支持基材２１として可撓性基板を用いることにより、フレキシブル（折り曲げ可能）な記録媒体を実現できる。
【００２２】
支持基材２１の構成材料としては、例えば、無機材料、金属材料およびプラスチック等の高分子材料等が挙げられる。具体的には、無機材料としては、例えば、ケイ素（Ｓｉ）、酸化ケイ素（ＳｉＯX）、窒化ケイ素（ＳｉＮX）、酸化アルミニウム（ＡｌＯX）および酸化マグネシウム（ＭｇＯX）等が挙げられる。酸化ケイ素には、ガラスまたはスピンオングラス（ＳＯＧ）等が含まれる。金属材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、鉄（Ｆｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、マンガン（Ｍｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）および鉛（Ｐｂ）等の金属単体、あるいは、それらを２種以上含む合金が挙げられる。合金の具体例としては、ステンレス鋼（ＳＵＳ）、アルミニウム合金、マグネシウム合金およびチタン合金等が挙げられる。高分子材料としては、フェノール樹脂 、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド、ポリエチレン、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂（ＡＢＳ）、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリアミド、ナイロン、ポリアセタール、ポリカーボネート（ＰＣ）、変性ポリフェニレンエーテル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、環状ポリオレフィン、ポリフェニレンスルファイド、ポリテトラフロロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、非晶ポリアリレート、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリアミドイミド、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）およびトリアセチルセルロース、セルロースあるいは、それらの共重合体、ガラス繊維強化プラスチック、炭素繊維強化プラスチック（ＣＦＲＰ）等が挙げられる。
【００２３】
粘着層２２は、記録媒体２Ａを支持基材２１上に固定するためのものである。粘着層２２の材料としては、例えば、汎用的な粘着剤および粘着テープを用いることができる。具体的には、例えばアクリル系接着剤（粘着剤），エポキシ系接着剤，シロキサン系接着剤，ウレタン系接着剤，シランカップリング剤，天然ゴム系接着剤または合成ゴム系接着剤等が挙げられる。
【００２４】
光学薄膜２３は、赤外領域の少なくとも一部の波長を反射すると共に、可視領域の波長を透過するものである。光学薄膜２３は、例えば、光透過性を有すると共に、互いに異なる屈折率を有する２種類の薄膜が交互に積層された構成を有する。２種類の薄膜の材料としては、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｃ、Ｔａ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｙ、Ｂ、Ｔｉ，Ａｇを含む金属膜、酸化膜、窒化膜あるいは、酸窒化膜等が挙げられる。具体的には、金属膜としては、例えば、Ａｇ，ＡｇＢｉ，Ａｌ等が挙げられる。酸化膜、窒化膜あるいは、酸窒化膜としては、例えば、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ等が挙げられる。上記材料の組み合わせとしては、ＴｉＯ2／ＡｇＢｉやＴｉＯ2／ＳｉＯ2等の高屈折率材料の薄膜と、低屈折率材料の薄膜とを交互に積層することが好ましい。これにより、高い光反射率を得ることができる。
【００２５】
記録層２４は、熱により情報の記録が可能なものであり、感熱発色性組成物を含有している。記録層２４は、感熱発色性組成物として、例えば、安定した繰り返し記録が可能な、消色状態と発色状態とを制御し得る材料を用いて構成されている。記録層２４は、例えば、互いに異なる色を呈する３層（記録層２４Ｍ，２４Ｃ，２４Ｙ）を有する。記録層２４Ｍ，２４Ｃ，２４Ｙは、それぞれ、互いに異なる色を呈する呈色性化合物と、各呈色性化合物に対応する顕・減色剤と、互いに異なる波長域の光を吸収して発熱する光熱変換材料とを含む、例えば、高分子材料によって形成されている。
【００２６】
具体的には、記録層２４Ｍは、例えば、マゼンタ色を発色する呈色性化合物、これに対応する顕・減色剤および例えば、波長λ1（例えば、波長９１５ｎｍ）の赤外線を吸収して呈する光熱変換材料を含んで構成されている。記録層２４Ｃは、例えば、シアン色を呈する呈色性化合物、これに対応する顕・減色剤および例えば、波長λ2（例えば、波長８６０ｎｍ）の赤外線を吸収して発熱する光熱変換材料を含んで構成されている。記録層２４Ｙは、例えば、イエロー色を呈する呈色性化合物、これに対応する顕・減色剤および例えば、波長λ3（例えば、波長７６０ｎｍ）の赤外線を吸収して発熱する光熱変換材料を含んで構成されている。これにより、多色表示が可能な表示媒体が得られる。
【００２７】
呈色性化合物としては、例えば、ロイコ色素が挙げられる。ロイコ色素としては、例えば、既存の感熱紙用染料が挙げられる。具体的には、一例として、下記式（１）に示した、分子内に、例えば電子供与性を有する基を含む化合物が挙げられる。
【００２８】
【化１】
2019124004.tif 000003
【００２９】
顕・減色剤は、例えば、無色の呈色性化合物を発色または、所定の色を呈している呈色性化合物を消色させるためのものである。顕・減色剤は、例えば、下記一般式（２）に示したサリチル酸骨格を有し、分子内に電子受容性を有する基を含む化合物が挙げられる。
【００３０】
【化２】
2019124004.tif 000004
（Ｘは、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯＮＨ−、−ＣＯＮＨＣＯ−、−ＮＨＮＨＣＯ−、−ＣＯＮＨＮＨ−、−ＣＯＮＨＮＨＣＯ−、−ＮＨＣＯＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯＮＨＣＯ−、−ＣＯＮＨＣＯＮＨ−、−ＮＨＮＨＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯＮＨＮＨ−、−ＣＯＮＨＮＨＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯＮＨＮＨＣＯ−、−ＣＯＮＨＮＨＣＯＮＨ−のうちのいずれかである。Ｒは、炭素数２５以上３４以下の直鎖状の炭化水素基である。）
【００３１】
光熱変換材料は、例えば、近赤外線領域の所定の波長域の光を吸収して発熱するものである。光熱変換材料としては、例えば波長７００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の範囲に吸収ピークを有し、可視領域にほとんど吸収を持たない近赤外線吸収色素を用いることが好ましい。具体的には、例えば、フタロシアニン骨格を有する化合物（フタロシアニン系染料）、スクアリリウム骨格を有する化合物（スクアリリウム系染料）および、例えば無機化合物等が挙げられる。無機化合物としては、ジチオ錯体等の金属錯体、ジイモニウム塩、アミニウム塩、無機化合物等が挙げられる。無機化合物としては、例えばグラファイト、カーボンブラック、金属粉末粒子、四三酸化コバルト、酸化鉄、酸化クロム、酸化銅、チタンブラック、ＩＴＯ等の金属酸化物、窒化ニオブ等の金属窒化物、炭化タンタル等の金属炭化物、金属硫化物、各種磁性粉末等が挙げられる。この他、優れた耐光性および耐熱性を有するシアニン骨格を有する化合物（シアニン系染料）を用いてもよい。
【００３２】
なお、ここで、優れた耐光性とは、レーザ照射時に分解しないことである。優れた耐熱性とは、例えば、高分子材料と共に成膜し、例えば１５０℃で３０分間保管した際に、吸収スペクトルの最大吸収ピーク値に２０％以上の変化が生じないことである。このようなシアニン骨格を有する化合物としては、例えば、分子内に、ＳｂＦ6，ＰＦ6，ＢＦ4，ＣｌＯ4，ＣＦ3ＳＯ3および（ＣＦ3ＳＯ3）2Ｎのうちのいずれかのカウンターイオンと、５員環または６員環を含むメチン鎖との少なくとも一方を有するものが挙げられる。なお、本実施の形態の可逆性記録媒体に用いられるシアニン骨格を有する化合物は、上記カウンターイオンのいずれかおよびメチン鎖内に５員環および６員環等の環状構造の両方を備えていることが好ましいが、少なくとも一方を備えていれば、十分な耐光性および耐熱性が担保される。
【００３３】
光熱変換材料は、さらに、吸収波長域が互いに重なり合わない材料の組み合わせを選択することが好ましい。これにより、記録層２４Ｍ、記録層２４Ｃおよび記録層２４Ｙのうち所望の層を選択的に発色または消色させることが可能となる。
【００３４】
高分子材料は、呈色性化合物、顕・減色剤および光熱変換材料が均質に分散しやすいものが好ましい。高分子材料としては、例えば、熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂が挙げられる。具体的には、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、エチルセルロース、ポリスチレン、スチレン系共重合体、フェノキシ樹脂、ポリエステル、芳香族ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、アクリル酸系共重合体、マレイン酸系重合体、ポリビニルアルコール、変性ポリビニルアルコール、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロースおよびデンプン等が挙げられる。
【００３５】
記録層２４Ｍ，２４Ｃ，２４Ｙは、感熱発色性組成物として、上記呈色性化合物、顕・減色剤および光熱変換材料を、それぞれ少なくとも１種ずつ含んで構成されている。呈色性化合物および顕・減色剤は、例えば呈色性化合物：顕・減色剤＝１：２（重量比）で用いることが好ましい。光熱変換剤については、記録層２４Ｍ，２４Ｃ，２４Ｙの膜厚に応じて変化する。また、記録層２４は、上記材料の他に、例えば増感剤や紫外線吸収材等の各種添加剤を含んで構成されていてもよい。
【００３６】
また、記録層２４Ｍ、記録層２４Ｃおよび記録層２４Ｙは、上記材料の他に、例えば増感剤や紫外線吸収材等の各種添加剤を含んで構成されていてもよい。
【００３７】
更に、記録層２４Ｍと記録層２４Ｃとの間および記録層２４Ｃと記録層２４Ｙとの間に、それぞれ断熱層２６，２７が設けられている。断熱層２６，２７は、例えば一般的な透光性を有する高分子材料を用いて構成されている。具体的な材料としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、エチルセルロース、ポリスチレン、スチレン系共重合体、フェノキシ樹脂、ポリエステル、芳香族ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、アクリル酸系共重合体、マレイン酸系重合体、ポリビニルアルコール、変性ポリビニルアルコール、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、デンプン等が挙げられる。なお、断熱層２６，２７は、例えば、紫外線吸収剤等の各種添加剤を含んで構成されていてもよい。
【００３８】
（１−２．記録媒体への記録方法）
本実施の形態の記録装置１は、例えば、以下のようにして記録媒体２Ａに記録することができる。
【００３９】
まず、記録媒体２ＡをＸＹ２軸ステージ２１０上に配置する。記録媒体２Ａは、上記のように、互いに異なる色を発色する３つの層（記録層２４Ｍ，２４Ｃ，２４Ｙ）を有する。このため、記録装置１では、各記録層２４Ｍ，２４Ｃ，２４Ｙに含まれる光熱変換材料に対応する光源１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃを用いる。光源１１Ａは、上記のように、例えば記録層２２Ｍに対応する、例えば波長９１５ｎｍを発振する半導体レーザ１１１Ａを有する。光源１１Ｂは、上記のように、例えば記録層２２Ｃに対応する、例えば波長８６０ｎｍを発振する半導体レーザ１１１Ｂを有する。光源１１Ｃは、上記のように、例えば記録層２２Ｙに対応する、例えば波長７６０ｎｍを発振する半導体レーザ１１１Ｃを有する。
【００４０】
光源１１Ａから出射された光（レーザ光Ｌｉａ）は、ビーム整形用レンズ１３においてビーム形状を整形されたのち、ダイクロイックミラー１４，１５、集光レンズ１６を順に透過し、さらに反射型偏光素子１２を介して記録媒体２Ａに照射される。これにより、記録層２４Ｍが発色する。光源１１Ｂから出射された光（レーザ光Ｌｉｂ）は、ビーム整形用レンズ１３においてビーム形状を整形されたのち、ダイクロイックミラー１４にて反射され、ダイクロイックミラー１５、集光レンズ１６を順に透過し、さらに反射型偏光素子１２を介して記録媒体２Ａに照射される。これにより、記録層２４Ｃが発色する。光源１１Ｃから出射された光（レーザ光Ｌｉｃ）は、ビーム整形用レンズ１３においてビーム形状を整形されたのち、ダイクロイックミラー１５にて反射され、集光レンズ１６を透過し、さらに反射型偏光素子１２を介して記録媒体２Ａに照射される。これにより、記録層２４Ｙが発色する。
【００４１】
記録媒体２Ａへの書き込みは、例えば、ＸＹ２軸ステージ２１０を面内方向に走査させることで所望の領域への記録が可能となる。このとき、走査と同期させてレーザ光Ｌｉａ，Ｌｉｂ，Ｌｉｃの出力を変調させることで、各記録層２４Ｍ，２４Ｃ，２４Ｙへの記録に濃淡をつけることができる。
【００４２】
本実施の形態の記録装置１では、記録媒体２Ａと正対する位置に反射型偏光素子１２が配置されている。反射型偏光素子１２は、上記のように、透過軸がレーザ光Ｌｉａ，Ｌｉｂ，Ｌｉｃの偏光方向と合致すると共に、レーザ光Ｌｉａ，Ｌｉｂ，Ｌｉｃの光軸に対して略垂直に配置されている。これにより、対応する記録層２４Ｍ，２４Ｃ，２４Ｙにおいて吸収されず、記録層２４の下層に配置された光学薄膜２３によって反射された光（レーザ光Ｌｉａ，Ｌｉｂ，Ｌｉｃ）のうち、例えば、Ｘ軸に対して平行な偏光Ｌｔ（Ｘ偏光または水平偏光）は反射型偏光素子１２を透過し、Ｙ軸に対して平行な偏光Ｌｒ（Ｙ偏光または垂直偏光）は反射型偏光素子１２によって反射され、記録媒体２Ａに再度照射される。再度照射されたレーザ光Ｌｉａ，Ｌｉｂ，Ｌｉｃは、一部が対応する記録層２４Ｍ，２４Ｃ，２４Ｙにおいて吸収され、一部は光学薄膜２３によって反射される。反射された光は、上記と同様に、反射型偏光素子１２においてＹ軸に対して平行な偏光Ｌｒが反射され、記録媒体２Ａに照射され、これらが繰り返される。よって、各記録層２４Ｍ，２４Ｃ，２４Ｙにおけるレーザ光Ｌｉａ，Ｌｉｂ，Ｌｉｃの利用効率が向上する。
【００４３】
なお、図１では、便宜上、光学薄膜２３および反射型偏光素子１２において反射した光の光路をずらして示しているが、実際は、同じ領域を通過している。
【００４４】
（１−３．作用・効果）
前述したように、近年、感熱発色性組成物と赤外線を吸収する光熱変換剤とを含有する記録層を備えた感熱性記録媒体が開発されている。このような光−熱変換効果を利用した感熱性記録媒体では、非接触の状態での記録層への記録として、例えば、レーザ光を照射し、照射されたレーザ光を熱に変換することで情報の記録が行われている。上記のように、記録方法としてレーザ光を用いる感熱性記録媒体では、記録速度および表示品位の向上が求められており、レーザの利用効率を向上させることが可能な記録装置の開発が望まれている。
【００４５】
これに対して、本実施の形態の記録装置１では、光源１１から出射されるレーザ光Ｌｉの光路上に、透過軸がレーザ光の偏光方向と合致している反射型偏光素子１２を配置するようにした。具体的には、記録媒体２Ａと正対する位置に、例えば、透過軸がレーザ光Ｌｉａ，Ｌｉｂ，Ｌｉｃの偏光方向と合致すると共に、レーザ光Ｌｉａ，Ｌｉｂ，Ｌｉｃの光軸に対して略垂直になるように配置するようにした。これにより、記録媒体２Ａの記録層２４において吸収されずに、例えば光学薄膜２３によって反射されたレーザ光Ｌｉａ，Ｌｉｂ，Ｌｉｃは、反射型偏光素子１２によって再度反射され記録媒体２Ａに照射されるようになる。即ち、反射型偏光素子１２と記録媒体２Ａの光学薄膜２３との間で、レーザ光Ｌｉａ，Ｌｉｂ，Ｌｉｃを多重反射させることが可能となる。
【００４６】
以上、本実施の形態の記録装置１では、レーザ光Ｌｉの出射方向（光路上）に、透過軸がレーザ光Ｌｉの偏光方向と合致している反射型偏光素子１２を配置するようにしたので、この反射型偏光素子１２と被照射体である記録媒体２Ａの光学薄膜２３との間で、レーザ光Ｌｉを多重反射させることが可能となる。これにより、記録媒体２Ａを構成する記録層２４におけるレーザ光Ｌｉの吸収量が向上し、レーザ光Ｌｉの利用効率の高い記録装置を提供することが可能となる。
【００４７】
また、記録媒体２Ａに効率よくレーザ光を吸収させることができるため、記録速度を向上させることが可能となる。また、記録装置１を安価に提供することが可能となる。
【００４８】
次に、本開示の第２〜第４の実施の形態について説明する。以下では、上記第１の実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
【００４９】
＜２．第２の実施の形態＞
図３は、本開示の第２の実施の形態に係るレーザ装置（記録装置３）の要部構成を被照射体（記録媒体２Ａ）と共に模式的に表したものである。この記録装置３は、上記第１の実施の形態と同様に、光源１１として、例えば半導体レーザ（例えば、半導体レーザ１１１Ａ）を用い、この半導体レーザ１１１Ａから発振されたレーザ光（レーザ光Ｌｉ）を記録媒体２Ａに照射することで、記録媒体２Ａに情報の記録を行うためのものである。本実施の形態の記録装置３は、反射型偏光素子１２と記録媒体２Ａとの間に、位相差素子１７が配置されている点が上記第１の実施の形態とは異なる。
【００５０】
記録装置３は、上記のように、反射型偏光素子１２と記録媒体２Ａとの間に、位相差素子１７が配置されたものであり、光源１１側から発振されるレーザ光Ｌｉの光路上に、光源１１側から、反射型偏光素子１２および位相差素子１７の順に配置された構成を有する。
【００５１】
位相差素子１７は、例えば、記録媒体２Ａの光学薄膜２３によって反射されたレーザ光Ｌｉの偏光を変化させるものである。位相差素子１７としては、例えば、位相差量が略λ／８をなるものや、５００，０００ｎｍ以上のリタデーションを有するものを用いることができる。
【００５２】
記録媒体２Ａから反射された光Ｌｉが反射型偏光素子１２に入射する際には、反射型偏光素子１２において透過される偏光成分と反射される偏光成分が半々になっていることが好ましい。記録媒体２Ａを構成する記録層２４および断熱層２６，２７は有機材料を用いて形成されているため、一般に、Ｘ偏光とＹ偏光との間に位相差が生じることが多いが、記録媒体２Ａが有する位相差量（リタデーション）がほとんど０であったり、記録媒体２Ａのリタデーションが管理できなかったりする虞がある。その場合、記録媒体２Ａと反射型偏光素子１２との間に、位相差素子１７を配置することで、記録媒体２Ａから反射された光Ｌｉを適切な偏光状態にすることが可能となる。
【００５３】
図４は、位相差素子１７としてλ／８板を用いた場合の位相差素子１７への入射光（Ｘ偏光）および位相差素子１７からの出射光（Ｘ偏光およびＹ偏光）の波長と強度との関係を表したものである。例えば、記録媒体２Ａのリタデーションがほぼ０である場合には、位相差素子１７の位相差量をλ／８とし、その遅相軸方向を反射型偏光素子１２の透過軸に対して４５°（あるいは、１３５°）に配置することが好ましい。このように配置することにより、位相差素子１７を出射した光は円偏光となり、反射型偏光素子１２において半分の光が反射されて記録媒体２Ａに再度入射されるようになる。図２のように複数の波長のレーザ光を用いる場合は、それらの波長の略平均の値に対して、λ／８の位相差量となるようにするのが好ましい。具体的には、波長９１５ｎｍ、８６０ｎｍ，７６０ｎｍの３波長のレーザ光（Ｌｉａ，Ｌｉｂ，Ｌｉｃ）を用いる場合は、例えば１０６ｎｍの位相差量を有する位相差素子を用いることが好ましい。
【００５４】
但し、記録媒体２Ａ自体がリタデーションを有している場合には、上記方法では適切な偏光状態とすることが難しい。その場合には、位相差素子１７として大きなリタデーションを有するものを選択することが好ましい。大きなリタデーションを有する位相差素子としては、例えば、光学的な複屈折を有する結晶（例えば、方解石）を用いることが好ましい。大きなリタデーションとは例えば、５００，０００ｎｍ以上である。
【００５５】
図５は、位相差素子１７として、方解石を用いた場合の位相差素子１７への入射光（Ｘ偏光）および位相差素子１７からの出射光（Ｘ偏光およびＹ偏光）の波長と強度との関係を表したものである。方解石は大きなリタデーションを有しており、記録媒体２Ａの記録層２４および断熱層２６，２７がリタデーションを有していてもその影響は軽微となり、記録媒体２Ａを構成する記録層２４および断熱層２６，２７のリタデーションのばらつきに強い。例えば、Δｎ＝０．１、厚み７．５ｍｍの方解石を配置すると、波長ごとに偏光状態を変えることが可能となり、反射型偏光素子１２に入射される光Ｌｉの偏光成分が、反射型偏光素子１２において透過される偏光成分と反射される偏光成分との半々になりやすくなる。
【００５６】
以上のように、本実施の形態では、反射型偏光素子１２と記録媒体２Ａとの間に位相差素子１７を配置するようにしたので、記録媒体２Ａから反射されるレーザ光Ｌｉの偏光成分を適切な状態に調整することが可能となる。よって、記録媒体２Ａを構成する記録層２４におけるレーザ光Ｌｉの吸収量が向上し、さらにレーザ光Ｌｉの利用効率の高い記録装置を提供することが可能となる。
【００５７】
＜３．第３の実施の形態＞
図６は、本開示の第３の実施の形態に係るレーザ装置（アニール装置４）の全体構成の一例を表したものである。アニール装置４は、例えば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）をポリシリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）に変性させるためのものである。本実施の形態のアニール装置４は、光源１１と、反射型偏光素子と、光源１１と透過軸がレーザ光Ｌｉの偏光方向と合致している反射型偏光素子１２との間に、例えば、光学系３３と、ホモジナイザ３４と、ミラー３５とを有する。
【００５８】
本実施の形態のアニール装置４では、光源１１から出射されたレーザ光Ｌｉは、複数のレンズからなる光学系３３を透過したのち、ホモジナイザ３４においてビーム形状を整形および均一化されて出射される。ホモジナイザ３４から出射されたレーザ光Ｌｉは、ミラー３５によって反射され、反射型偏光素子１２を通して被照射体２Ｂに照射される。
【００５９】
アニール装置４では、光源１１として高出力な、例えばエキシマレーザ等を用いることが好ましい。被照射体２Ｂは、任意のガスが封入されているチャンバ３６内に配置されていることが好ましい。被照射体２Ｂは、ＸＹ２軸ステージ２１０上に設置され、このＸＹ２軸ステージ２１０を面内方向に走査させることで、被照射体２Ｂの全面をアニールし、変性させることができる。また、ＸＹ２軸ステージ２１０の走査に合わせてレーザ光Ｌｉをオン／オフさせることで、被照射体２Ｂの所望の領域のみを変性させることが可能となる。
【００６０】
以上のように、本実施の形態では、レーザ光Ｌｉの出射方向に、透過軸がレーザ光Ｌｉの偏光方向と合致している反射型偏光素子１２を配置するようにしたので、この反射型偏光素子１２と被照射体２Ｂとの間で、レーザ光Ｌｉを多重反射させることが可能となる。これにより、レーザ光Ｌｉの利用効率の高いアニール装置を提供することが可能となる。
【００６１】
また、被照射体２Ｂに効率よくレーザ光を吸収させることができるため、照射時間を短縮することが可能となる。また、記録装置３を安価に提供することが可能となる。
【００６２】
更に、反射型偏光素子１２と被照射体２Ｂとの間には、上記第２の実施の形態と同様に、位相差素子１７を配置するようにしてもよい。これにより、被照射体２Ｂから反射されるレーザ光Ｌｉの偏光成分を適切な状態に調整することが可能となり、レーザ光Ｌｉの利用効率をさらに向上させることが可能となる。
【００６３】
＜４．第４の実施の形態＞
図７、本開示の第４の実施の形態に係るレーザ装置（加工装置５）の全体構成の一例を表したものである。加工装置５は、例えば、対象物（被加工体２Ｃ）を切断するためのものである。本実施の形態の加工装置５は、光源１１と、反射型偏光素子と、光源１１と透過軸がレーザ光Ｌｉの偏光方向と合致している反射型偏光素子との間に、例えば、光学系３３と、ホモジナイザ３４と、ミラー３５とを有する。
【００６４】
本実施の形態の加工装置５では、上記第３の実施の形態と同様に、光源１１から出射されたレーザ光Ｌｉは、複数のレンズからなる光学系３３を透過したのち、ホモジナイザ３４においてビーム形状を整形および均一化されて出射される。ホモジナイザ３４から出射されたレーザ光Ｌｉは、ミラー３５によって反射され、反射型偏光素子１２を通して被加工体２Ｃに照射される。
【００６５】
加工装置５では、被加工体２Ｃにレーザ光Ｌｉが照射されるとアブレーション（溶融）された加工屑（デブリ）が飛散する。このため、反射型偏光素子１２はデブリが付着しないように、被加工体２Ｃから、例えば、１ｃｍ〜１０ｃｍ程度距離を置いて配置することが好ましい。更に、反射型偏光素子１２と被加工体２Ｃとの間に、デブリ回収機構４６を設けることが好ましい。デブリ回収機構４６は、例えば、風によりデブリの吸引を行うと共に、排気と共に回収したデブリを排出するものである。被加工体２Ｃは、ＸＹ２軸ステージ２１０上に設置され、このＸＹ２軸ステージ２１０を面内方向に走査させることで、被加工体２Ｃの所望の領域を加工することが可能となる。
【００６６】
以上のように、本実施の形態では、レーザ光Ｌｉの出射方向に、透過軸がレーザ光Ｌｉの偏光方向と合致している反射型偏光素子１２を配置するようにしたので、この反射型偏光素子１２と被加工体２Ｃとの間で、レーザ光Ｌｉを多重反射させることが可能となる。これにより、レーザ光Ｌｉの利用効率の高い加工装置を提供することが可能となる。
【００６７】
また、被加工体２Ｃに効率よくレーザ光を吸収させることができるため、照射時間を短縮することが可能となる。また、加工装置５を安価に提供することが可能となる。
【００６８】
更に、反射型偏光素子１２と被加工体２Ｃとの間には、上記第２の実施の形態と同様に、位相差素子１７を配置するようにしてもよい。これにより、被加工体２Ｃから反射されるレーザ光Ｌｉの偏光成分を適切な状態に調整することが可能となり、レーザ光Ｌｉの利用効率をさらに向上させることが可能となる。
【００６９】
＜５．適用例＞
次に、例えば、上記第１の実施の形態において説明した記録装置１を用いて情報の記録が可能な記録媒体の適用例について説明する。ただし、以下で説明する記録媒体の構成はあくまで一例であり、その構成は適宜変更可能である。記録媒体は、各種の電子機器あるいは服飾品の一部、例えば、いわゆるウェアラブル端末として、例えば時計（腕時計）、鞄、衣服、帽子、眼鏡および靴等の服飾品の一部に適用可能であり、その電子機器等の種類は特に限定されない。また、電子機器や服飾品に限らず、例えば、外装部材として、建造物の壁等の内装や外装、机等の家具の外装等にも適用することができる。
【００７０】
（適用例１）
図８Ａおよび図８Ｂは、リライト機能付きIntegrated Circuit（ＩＣ）カードの外観を表したものである。このＩＣカードでは、カードの表面が印字面３１０となっており、例えば、シート状の記録媒体２Ａ等が貼付されて構成されている。ＩＣカードは、印字面３１０に記録媒体２Ａ等を配置することで、図８Ａおよび図８Ｂに示したように、適宜、印字面に描画およびその書き換え並びに消去が可能となる。
【００７１】
（適用例２）
図９Ａはスマートフォンの前面の外観構成を、図９Ｂは、図９Ａに示したスマートフォンの背面の外観構成を表したものである。このスマートフォンは、例えば、表示部４１０および非表示部４２０と、筐体４３０とを備えている。背面側の筐体４３０の例えば一面には、筐体４３０の外装部材として、例えば記録媒体２Ａ等が設けられており、これにより、図９Ｂに示したように、様々な色柄を表示することができる。なお、ここでは、スマートフォンを例に挙げたが、これに限らず、例えば、ノート型パーソナルコンピュータ（ＰＣ）やタブレットＰＣ等にも適用することができる。
【００７２】
（適用例３）
図１０Ａおよび図１０Ｂは、鞄の外観を表したものである。この鞄は、例えば収納部５１０と持ち手５２０とを有しており、例えば、収納部５１０に、例えば記録媒体２Ａが取り付けられている。収納部５１０には、例えば記録媒体２Ａにより、様々な文字や図柄が表示される。また、持ち手５２０部分に記録媒体２Ａ等が取り付けることで、様々な色柄を表示することができ、図１０Ａの例から図１０Ｂの例のように、収納部５１０の意匠を変更することができる。ファッション用途においても有用な電子デバイスを実現可能となる。
【００７３】
（適用例４）
図１１は、例えばアミューズメントパークにおいて、例えばアトラクションの搭乗履歴やスケジュール情報等を記録可能なリストバンドの一構成例を表したものである。このリストバンドは、ベルト部６１１，６１２と、情報記録部６２０とを有している。ベルト部６１１，６１２は、例えば帯形状を有し、端部（図示せず）が互いに接続可能に構成されている。情報記録部６２０には、例えば記録媒体２Ａ等が貼付されており、上記アトラクションの搭乗履歴ＭＨ２やスケジュール情報ＩＳ（ＩＳ１〜ＩＳ３）のほか、例えば情報コードＣＤが記録されている。アミューズメントパークでは、入場者が、アトラクション搭乗予約スポット等の各所に設置された描画装置にリストバンドをかざすことによって上記情報を記録することができる。
【００７４】
搭乗履歴マークＭＨ１は、アミューズメントパークにおいて、リストバンドを装着した入場者が搭乗したアトラクションの数を示すものである。この例では、アトラクションに搭乗するほど、多くの星形マークが搭乗履歴マークＭＨ１として記録されるようになっている。なお、これに限定されるものではなく、例えば、入場者が搭乗したアトラクションの数によって、マークの色が変化するようにしてもよい。
【００７５】
スケジュール情報ＩＳは、この例では、入場者のスケジュールを示すものである。この例では、入場者が予約したイベントや、アミューズメントパークにおいて催されるイベントを含む全てのイベントの情報がスケジュール情報ＩＳ１〜ＩＳ３として記録される。具体的には、この例では、入場者が搭乗予約を行ったアトラクション名（アトラクション２０１）と、その搭乗予定時刻が、スケジュール情報ＩＳ１として記録されている。また、パレード等のパーク内のイベントと、その開始予定時刻が、スケジュール情報ＩＳ２として記録されている。また、入場者があらかじめ予約したレストランと、その食事予定時刻がスケジュール情報ＩＳ３として記録されている。
【００７６】
情報コードＣＤには、例えば、リストバンドを識別するための識別情報ＩＩＤや、ウェブサイト情報ＩＷＳが記録されている。
【００７７】
＜６．実施例＞
次に、本開示の実施例について詳細に説明する。
【００７８】
（実験：記録層に吸収される光強度の評価）
支持基材上に拡散反射層、粘着層、上記第１の実施の形態の光学薄膜２３に相当する、赤外線を反射すると共に可視光を透過する光学薄膜、マゼンタ色を発色する記録層、断熱層、シアン色を発色する記録層、断熱層、イエロー色を発色する記録層および保護膜をこの順に有する記録媒体の記録層に吸収される光強度のシミュレーションを行った。本実験では、記録層に照射する光として、マゼンタ色を発色する記録層が含有する光熱変換材料に対応する波長を発振する赤外線レーザを用いたものとし、その吸収率を３０％とした。
【００７９】
まず、実験例１として、上記記録媒体に直接赤外線レーザを照射して記録を行った場合をシミュレーションし、このうち、光学薄膜２３が赤外線（ＩＲ）反射率１００％の場合を実験例１−１、ＩＲ反射率８０％の場合を実験例１−２とした。次に、実験例２として、記録媒体上に反射型偏光素子を配置して記録を行った場合をシミュレーションし、このうち、光学薄膜２３が赤外線（ＩＲ）反射率１００％の場合を実験例２−１、ＩＲ反射率８０％の場合を実験例２−２とした。
【００８０】
図１２は、上記シミュレーション結果をまとめたものであり、実験例１，２における各ＩＲ反射率に対する記録層に吸収される光強度の関係を表したものである。実験例２は、実験例１と比較して記録層に吸収される光量が増加することがわかった。このことから、記録層上に反射型偏光素子を配置することで、記録層におけるレーザの吸収率が向上し、記録層への記録の高速化を実現できることがわかった。
【００８１】
以上、第１〜第４の実施の形態および実施例を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施形態等で説明した態様に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等において説明した全ての構成要素を備える必要はなく、さらに他の構成要素を含んでいてもよい。また、上述した構成要素の材料や厚みは一例であり、記載したものに限定されるものではない。
【００８２】
例えば、一般に、半導体レーザは、反射されたレーザ光が半導体レーザに戻る、所謂戻り光によってレーザ光の出力が不安定になったり、半導体レーザ自体が故障してしまう虞がある。その場合には、レーザ光Ｌｉの光軸に対して被照射体２や反射型偏光素子１２をわずかに傾けることで対応することができる。あるいは、半導体レーザ（例えば、半導体レーザ１１１Ａ）と反射型偏光素子１２との間にキューブ型で４５°の反射面を有する偏光ビームスプリッタを配置するようにしてもよい。その場合には、偏光ビームスプリッタの偏光透過軸を半導体レーザ１１１Ａの偏光方向とすることによって、半導体レーザ１１１Ａから出射された光は透過し、反射型偏光素子１２を透過して戻ってきた光は反射面で反射されるため、戻り光を低減することが可能となる。
【００８３】
なお、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
【００８４】
なお、本開示は以下のような構成も取ることができる。
（１）
レーザ光を発振する光源と、
前記レーザ光の光路上に配置されると共に、透過軸が前記レーザ光の偏光方向と合致している反射型偏光素子と
を備えたレーザ装置。
（２）
前記反射型偏光素子は、前記レーザ光の光軸に対して入射面が略垂直に配置されている、請求項１に記載のレーザ装置。
（３）
前記反射型偏光素子を出射した前記レーザ光の先に位相差素子が配置されている、請求項１に記載のレーザ装置。
（４）
前記位相差素子として位相差量が略λ／８となる位相差素子または５００，０００ｎｍ以上のリタデーションを有する位相差素子を用いる、請求項３に記載のレーザ装置。
（５）
光源から発振されるレーザ光を、透過軸が前記レーザ光の偏光方向と合致している反射型偏光素子を通して被照射体へ照射する
レーザ加工方法。
（６）
前記反射型偏光素子を透過した前記レーザ光を、さらに位相差素子を介して前記被照射体へ照射する、請求項５に記載のレーザ加工方法。
（７）
前記被照射体をＸＹ２軸ステージに設置し、前記ＸＹ２軸ステージを面内方向に走査することで、前記被照射体の所望の領域に前記レーザ光を照射する、請求項５に記載のレーザ加工方法。
（８）
前記（５）に記載のレーザ加工方法を用いて加工されたレーザ加工物。
【００８５】
本出願は、日本国特許庁において２０１７年１２月２０日に出願された日本特許出願番号２０１７−２４３５４５号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願の全ての内容を参照によって本出願に援用する。
【００８６】
当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。
【図１】
2019124004.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
2019124004.tif 000017
【図１１】
2019124004.tif 000018
【図１２】
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【国際調査報告】
2019124004.tif 000020
2019124004.tif 000021