【手続補正書】
【提出日】平成21年7月10日(2009.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークピースを、経路に沿って伝播する荷電粒子に露光するためのチャンバであり、
荷電粒子流を発生させるように構成された荷電粒子源と、
前記荷電粒子流を前記荷電粒子源から伝播軸に沿ってコリメートして方向決めするように構成されたコリメータと、
少なくとも一つの荷電粒子を含む集団を備え時間的且つ空間的に分解されたデジタルフラッシュを、前記伝播軸に沿った前記荷電粒子間の縦方向の間隔を調節することによって、生成するように構成されたビームデジタイザと、
前記デジタルフラッシュを伝播方向に対して横方向に偏向させるように構成された偏向器であって、前記コリメータと該偏向器との間の前記経路内の偏向器と、
前記デジタルフラッシュまたは前記デジタルフラッシュの一つ以上の集団を縮小するように構成された対物レンズアセンブリであって、前記ビームデジタイザと該対物レンズアセンブリとの間の前記経路内に前記偏向器が存在している、対物レンズアセンブリと、
ワークピースを保持するように構成されたワークピースステージであって、前記偏向器と該ワークピースステージとの間に前記対物レンズアセンブリが存在している、ワークピースステージと、を備えるチャンバ。
【請求項２】
前記荷電粒子源が複数の荷電粒子種を発生させるように構成されている、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項３】
前記荷電粒子源が、略５から３０ｋｅＶまでの間の加速電位で前記荷電粒子流を出力するように構成されている、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項４】
前記荷電粒子源が、前記ワークピースステージによって保持されたワークピースにおいて測定される略１０ｎｍのスポットサイズに対して、略１×１０５Ａ／ｃｍ２の電流密度を提供するように構成されている、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項５】
前記荷電粒子流をブランキング若しくは圧縮、又は、前記荷電粒子流をブランキング及び圧縮するように構成されたビームブランカーを更に備え、前記ビームデジタイザが前記ビームブランカーと前記偏向器との間の前記経路内に配置されている、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項６】
前記ビームデジタイザがビームバンチャーを備える、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項７】
前記ビームバンチャーが、略１ＭＨｚから１００ＧＨｚまでの周波数を有する電磁放射を与えるように構成されている、請求項６に記載のチャンバ。
【請求項８】
前記ビームバンチャーが、略１ＭＨｚと２５ＧＨｚとの間の二つ以上の共鳴周波数を有する電磁放射を与えるように構成されている、請求項６に記載のチャンバ。
【請求項９】
前記ビームバンチャーが、電磁放射を与えるように構成されていて、また、前記電磁放射の振幅を変更するように構成されている、請求項６に記載のチャンバ。
【請求項１０】
前記ビームバンチャーが、電磁放射を与えるように構成されていて、また、前記電磁放射の周波数を変更するように構成されている、請求項６に記載のチャンバ。
【請求項１１】
前記ビームバンチャーが一続きの電極を備え、前記ビームバンチャーの電極が無線周波数（ＲＦ）の電圧によって調節されるように構成されている、請求項６に記載のチャンバ。
【請求項１２】
前記ビームバンチャーが、前記荷電粒子の相対的な速度を変更して前記デジタルフラッシュの集団を形成するように構成されていて、前記集団がデジタルビームを形成する、請求項６に記載のチャンバ。
【請求項１３】
前記ビームバンチャーが、デジタルビームを形成する前記デジタルフラッシュへと前記荷電粒子を縦方向に圧縮または収束させるように構成された電場を印加するように構成されている、請求項６に記載のチャンバ。
【請求項１４】
前記ビームデジタイザが、前記デジタルフラッシュの一対以上の対の間の可変間隔を生成するように構成されている、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項１５】
前記デジタルフラッシュの一対以上の対の間の間隔が実質的に同じである、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項１６】
前記デジタルフラッシュが、前記伝播軸に対して縦方向の荷電粒子圧縮波から成るデジタルビームを形成する、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項１７】
前記デジタルフラッシュの少なくとも一部が、前記ワークピースステージにおいて三次元のガウス型の幾何学的形状を有する、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項１８】
前記デジタルフラッシュの少なくとも一部が、前記伝播軸に沿って台形の断面を有する、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項１９】
前記デジタルフラッシュの少なくとも一部の電流密度が調節可能である、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項２０】
直に近接する前記デジタルフラッシュの対の間の周期が調節可能である、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項２１】
前記デジタルフラッシュのアドレス配置が調節可能である、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項２２】
個々の前記デジタルフラッシュのエネルギーが調節可能である、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項２３】
個々の前記デジタルフラッシュのサイズが調節可能である、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項２４】
前記偏向器が、前記伝播軸に沿って縦方向に配置された一続きの偏向電極ステージを備え、前記偏向電極ステージのそれぞれが一つ以上の電極を備える、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項２５】
前記偏向電極ステージのそれぞれが四つ以上の電極を備える、請求項２４に記載のチャンバ。
【請求項２６】
前記偏向電極ステージの縦方向の位置が調節可能である、請求項２４に記載のチャンバ。
【請求項２７】
前記偏向電極ステージが、前記デジタルフラッシュの偏向を同調させて、個々の前記デジタルフラッシュ、または前記デジタルフラッシュの集団、または複数の前記デジタルフラッシュ若しくは前記デジタルフラッシュの集団を備えた調節可能な仮想デジタルステンシルの分布パターンを生成するように構成されている、請求項２４に記載のチャンバ。
【請求項２８】
前記偏向器が、前記伝播軸に対して実質的に垂直な前記デジタルフラッシュを偏向させるように構成されている、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項２９】
前記偏向器が、個々の前記デジタルフラッシュ、または、前記デジタルフラッシュの集団を、三次元時空間に配置するように構成されている、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項３０】
前記対物レンズアセンブリが、個々の前記デジタルフラッシュ、または前記デジタルフラッシュの集団を縮小、集束及び偏向させて、前記ワークピースステージによって保持されたワークピースを近接する仮想デジタルステンシルに露光させるように構成されている、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項３１】
前記ワークピースステージが、前記ワークピーステージによって保持されたワークピースを露光する間の連続的な移動を含むフルモーション書き込み（ＦＭＷ）を実行するように構成されている、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項３２】
ロードロックチャンバと、
請求項１に記載のチャンバと、
処理チャンバと、を備えるワークピース処理装置。
【請求項３３】
前記処理チャンバが堆積チャンバ、エッチングチャンバ、急速熱アニールチャンバから成る群から選択されている、請求項３２に記載の装置。
【請求項３４】
検出される位置精度の情報に基づいて、前記デジタルフラッシュのパラメータを調節するように構成されたフィードバックシステムを更に備える請求項３２に記載の装置。
【請求項３５】
前記ワークピースが前記装置から取り外されることなく、初期状態から実質的な完成状態へと処理されるように構成されている請求項３２に記載の装置。
【請求項３６】
ワークピースを処理する方法であり、
装置の露光チャンバ内で、前記ワークピースの一部を荷電粒子に露光する段階を備え、
前記露光する段階が、
荷電粒子流を形成する段階と、
或る軸に沿って前記荷電粒子流をコリメートし伝播させる段階と、
デジタルフラッシュ毎に少なくとも一つの荷電粒子を備えるデジタルフラッシュへと、前記荷電粒子流を空間的に分解する段階と、
前記軸に沿って縦方向に配置された偏向器を用いて、パターン内に前記デジタルフラッシュを偏向させる段階と、
前記パターンを縮小及び集束させる段階と、
前記パターンを前記ワークピースの表面上に向ける段階と、を備える方法。
【請求項３７】
前記露光する段階の後に、前記ワークピースを前記露光チャンバとは異なる前記装置のプロセスチャンバへと輸送する段階と、
前記プロセスチャンバ内で前記ワークピースを処理する段階と、を更に備える請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
前記ワークピースの露光された部分を処理する段階を更に備える請求項３６に記載の方法。
【請求項３９】
前記露光する段階の後に、前記ワークピースを前記装置の外部のプロセスチャンバへと輸送する段階と、
前記プロセスチャンバ内で前記ワークピースを処理する段階と、を更に備える請求項３６に記載の方法。
【請求項４０】
前記ワークピースを前記装置に戻す段階と、
前記ワークピースの他の部分を荷電粒子に露光する段階と、を更に備える請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
前記ワークピースの露光されていない部分を処理する段階を更に備える請求項３６に記載の方法。
【請求項４２】
前記荷電粒子流を空間的に分解する段階がビームバンチング段階を備える、請求項３６に記載の方法。
【請求項４３】
前記荷電粒子流を空間的に分解する段階が無線周波数（ＲＦ）で一続きの電極に電圧を印加する段階を備える、請求項３６に記載の方法。
【請求項４４】
前記荷電粒子流を空間的に分解する段階がブランキング段階を備える、請求項３６に記載の方法。
【請求項４５】
前記偏向器が一続きの偏向電極ステージを備え、前記デジタルフラッシュを偏向させる段階が前記偏向電極ステージにわたって電圧を選択的に印加する段階を備える、請求項３６に記載の方法。
【請求項４６】
前記電圧を選択的に印加する段階が、一番目の前記偏向電極ステージに大きな電圧を印加し、他の前記偏向電極ステージにより小さな電圧を印加する段階を備える、請求項４５に記載の方法。
【請求項４７】
前記電圧を選択的に印加する段階が、一番目の前記偏向電極ステージに小さな電圧を印加し、他の前記偏向電極ステージにより大きな電圧を印加する段階を備える、請求項４５に記載の方法。
【請求項４８】
前記電圧を選択的に印加する段階が、前記偏向電極ステージのそれぞれに略等しい電圧を印加する段階を備える、請求項４５に記載の方法。
【請求項４９】
前記露光する段階が、前記ワークピースのパラメータをテストする段階を更に備える、請求項３６に記載の方法。
【請求項５０】
前記露光する段階が、前記ワークピースに近接させてガスを注入する段階を更に備える、請求項３６に記載の方法。