(57)【要約】  チップ抵抗器は、板状の金属で構成された抵抗体と、抵抗体の下面の両端部に設けられた一対の電極と、抵抗体を覆う樹脂で構成された保護膜とを備える。抵抗体には抵抗体の抵抗値を調整するためのトリミング溝が形成されている。保護膜は、抵抗体の少なくともトリミング溝が設けられた部分を覆う第１の保護層と、第１の保護層の周囲を覆う第２の保護層とを有する。第１の保護層は第２の保護層より高い耐熱性を有する。第２の保護層は第１の保護層より高い流動性を有する。このチップ抵抗器は、保護膜の耐熱性を向上させ、かつ保護膜の形状を安定させることができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の金属で構成された抵抗体と、
前記抵抗体の両端部に設けられた一対の電極と、
前記抵抗体を覆う樹脂で構成された保護膜と、
を備え、
前記抵抗体には前記抵抗体の抵抗値を調整するためのトリミング溝が形成されており、
前記保護膜は、
前記抵抗体の少なくとも前記トリミング溝が設けられた部分を覆う第１の保護層と、
前記第１の保護層の周囲を覆う第２の保護層と、
を有し、
前記第１の保護層は前記第２の保護層より高い耐熱性を有し、
前記第２の保護層は前記第１の保護層より高い流動性を有する、チップ抵抗器。
【請求項２】
前記第１の保護層の熱分解温度は、前記第２の保護層の熱分解温度より２０℃以上高い、請求項１に記載のチップ抵抗器。
【請求項３】
前記第１の保護層の熱伝導率は０．５Ｗ／ｍ・Ｋ〜１０Ｗ／ｍ・Ｋである、請求項１に記載のチップ抵抗器。
【請求項４】
前記第１の保護層は第１のベース材料成分を含有し、
前記第２の保護層は、前記第１ベース材料成分と異なる第２のベース材料成分を含有する、請求項１に記載のチップ抵抗器。
【請求項５】
トリミング溝が設けられた抵抗体を準備するステップと、
前記抵抗体の前記トリミング溝に面する部分を覆うように、前記抵抗体に第１の保護層を形成するステップと、
前記第１の保護層の周囲を完全に覆うように第２の保護層を形成するステップと、
を含む、チップ抵抗器の製造方法。
【請求項６】
前記抵抗体に前記第１の保護層を形成する前記ステップは、前記抵抗体の前記トリミング溝に面する部分を覆うように、前記抵抗体に前記第１の保護層をモールド成形またはディスペンサーによって形成するステップを含み、
前記第２の保護層を形成する前記ステップは、前記第１の保護層の周囲を完全に覆うように前記第２の保護層をモールド成形によって形成するステップを含む、チップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属板よりなる抵抗体を備えたチップ抵抗器およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４は従来のチップ抵抗器５００の断面図である。チップ抵抗器５００は、板状の金属で構成された抵抗体１と、抵抗体１の下面の両端部に形成された一対の電極２と、抵抗体１を覆う樹脂を成形することによって構成された保護膜４とを備える。抵抗体１には抵抗値を調整するためのトリミング溝３が形成されている。【０００３】
チップ抵抗器５００に類似する従来のチップ抵抗器は、例えば、特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−９６８１４号公報
【発明の概要】
【０００５】
チップ抵抗器は、板状の金属で構成された抵抗体と、抵抗体の下面の両端部に設けられた一対の電極と、抵抗体を覆う樹脂で構成された保護膜とを備える。抵抗体には抵抗体の抵抗値を調整するためのトリミング溝が形成されている。保護膜は、抵抗体の少なくともトリミング溝が設けられた部分を覆う第１の保護層と、第１の保護層の周囲を覆う第２の保護層とを有する。第１の保護層は第２の保護層より高い耐熱性を有する。第２の保護層は第１の保護層より高い流動性を有する。
【０００６】
このチップ抵抗器は、保護膜の耐熱性を向上させ、かつ保護膜の形状を安定させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１Ａ】図１Ａは実施の形態におけるチップ抵抗器の上面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは図１Ａに示すチップ抵抗器の線１Ｂ−１Ｂにおける断面図である。
【図２】図２は図１Ａに示すチップ抵抗器の主要部の上面図である。
【図３】図３は実施の形態における他のチップ抵抗器の断面図である。
【図４】図４は従来のチップ抵抗器の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図１Ａは実施の形態におけるチップ抵抗器１０００の断面図である。図１Ｂは図１Ａに示すチップ抵抗器の線１Ｂ−１Ｂにおける断面図である。図２はチップ抵抗器１０００の主要部の上面図である。
【０００９】
チップ抵抗器１００は、上面１１ｅと下面１１ｆとを有する板形状を有する抵抗体１１と、抵抗体１１の下面１１ｆの両端部１１ｆ１、１１ｆ２にそれぞれ形成された一対の電極１２ａ、１２ｂと、抵抗体１１を覆う樹脂で構成された保護膜１４とを備えている。抵抗体１１の両端部１１ｆ１、１１ｆ２すなわち電極１２ａ、１２ｂは長手方向Ｄ１１に隊列されている。抵抗体１１は金属よりなる。抵抗体１１には、抵抗体１１の抵抗値を調整するためのトリミング溝１３が形成されている。電極１２ａ、１２ｂは長手方向Ｄ１１に配列されている。したがって、抵抗体１１には局部的には長手方向Ｄ１１と交差する方向に電流は流れるが、全体的には長手方向Ｄ１１に沿って電流が流れる。図１Ａは保護膜１４と電極１２ａ、１２ｂを点線で示す。
【００１０】
保護膜１４は、抵抗体１１を覆う保護層１４ａと、保護層１４ａの周囲を覆う保護層１４ｂとを有する。図２は、保護層１４ａを省略し、保護層１４ｂを透過させて示す。
【００１１】
抵抗体１１は、ニクロム、銅ニッケル、マンガニン等からなる金属板で構成されている。また、抵抗体１１は上面視にて矩形状を有する。
【００１２】
抵抗体１１には抵抗値を調整するために、抵抗体１１を貫通するトリミング溝１３がレーザ照射や打ち抜きによって形成されている。抵抗体１１は上面１１ｅと下面１１ｆとに繋がる側面１１ａ、１１ｂと、上面１１ｅと下面１１ｆとに繋がる端面１１ｃ、１１ｄとを有する。側面１１ａ、１１ｂは互いに反対側に位置し、端面１１ｃ、１１ｄは互いに反対側に位置する。側面１１ａ、１１ｂは長手方向Ｄ１１に延び、端面１１ｃ、１１ｄは長手方向Ｄ１１に直角の幅方向Ｄ１２に延びている。側面１１ａ、１１ｂは幅方向Ｄ１２に配列され、端面１１ｃ、１１ｄは長手方向Ｄ１１に配列されている。トリミング溝１３は、抵抗体１１の側面１１ａから側面１１ｂに向かう、または、側面１１ｂから側面１１ａに向かうように形成している。トリミング溝１３の先端部と抵抗体１１の側面１１ａ、１１ｂとの間の抵抗体１１の熱集中部１５は、抵抗体１１が通電されると最も大きく発熱する。抵抗体１１の幅方向Ｄ１２での幅が熱集中部１５において局部的に小さい。電極１２ａ、１２ｂ間に流れる電流の密度が熱集中部１５で局部的に大きくなって電流が集中し、集中した電流により抵抗体１１の中で熱集中部１５が最も大きい熱を発生する。
【００１３】
一対の電極１２ａ、１２ｂは、抵抗体１１とは別体の導電体で形成され、抵抗体１１より導電性のよいＣｕ等の金属で構成されている。さらに、一対の電極１２ａ、１２ｂはそれぞれ、抵抗体１１の下面１１ｆの長手方向Ｄ１１の両端部１１ｆ１、１１ｆ２に、溶接、クラッド等の方法で接続されている。また、図１Ｂ、図２では上面視で一対の電極１２ａ、１２ｂの上面の一部は抵抗体１１から露出しているが、露出させなくてもよい。
【００１４】
一対の電極１２ａ、１２ｂの周囲には電気めっきまたはディップにてすずめっき層が施されており、これにより、チップ抵抗器は実装用基板に実装される。
【００１５】
保護膜１４は、抵抗体１１の上面１１ｅと下面１１ｆの電極１２ａ、１２ｂが形成されていない部分を覆うように形成されている、すなわち、保護膜１４は、抵抗体１１の下面１１ｆにおける電極１２ａ、１２ｂ間と、抵抗体１１の上面１１ｅと、側面１１ａ、１１ｂと、抵抗体１１から露出した電極１２ａ、１２ｂの上面に形成されている。
【００１６】
また、保護膜１４は樹脂を加熱、硬化させることによって構成され、保護層１４ａと、保護層１４ａを覆う保護層１４ｂを有する。
【００１７】
保護層１４ａは、少なくとも抵抗体１１のトリミング溝１３が形成された部分、例えば熱集中部１５を覆うように、抵抗体１１の上面１１ｅと、下面１１ｆ、側面１１ａ、１１ｂに直接形成されている。保護層１４ａは、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂等の絶縁樹脂をモールド成形またはディスペンサー等によって形成されている。
【００１８】
図３は実施の形態における他のチップ抵抗器１００１の断面図である。図３において図１Ａから図２に示すチップ抵抗器１０００と同じ部分には同じさ参照番号を付す。図３に示すチップ抵抗器１００１では、熱集中部１５周辺のみに保護層１４ａが塗布して形成されている。抵抗体１１の上面１１ｅと下面１１ｆのうちの熱集中部１５以外の部分は保護層１４ａで覆われず保護層１４ａから露出している。抵抗体１１の上面１１ｅと下面１１ｆのうちの保護層１４ａから露出している部分は保護層１４ｂで完全に覆われている。保護層１４ａは抵抗体１１の上面１１ｅと下面１１ｆのうちどちらか一方の面の全面まで延在していてもよく、さらに、抵抗体１１の端面１１ｃにも形成されていてもよい。
【００１９】
保護層１４ｂは、保護層１４ａの周囲を完全に覆うように形成されている。すなわち、保護層１４ａは保護層１４ｂから露出しない。また、保護層１４ｂは、液晶ポリマー、エポキシ樹脂等の絶縁樹脂をモールド成形して保護層１４ａを封止する。
【００２０】
保護層１４ａを構成するポリアミド樹脂は、保護層１４ｂを構成する液晶ポリマー樹脂より、高い熱分解温度、高い融解温度を有しており高い耐熱性を有する。この場合、保護層１４ａの熱分解温度は、保護層１４ｂの熱分解温度より２０℃以上高いことが望ましい。
【００２１】
保護層１４ａは、ポリアミド樹脂等のベース材料成分と、ベース材料成分に混合されたエポキシ樹脂等の副次材料成分とを含有してもよい。保護層１４ｂは、液晶ポリマー樹脂等のベース材料成分と、ベース材料成分に混合されたエポキシ樹脂等の副次材料成分とを含有してもよい。実施の形態において、保護層１４ａ、１４ｂのそれぞれにおいて、ベース材料成分の含有率は、例えば７０重量％以上である。保護層１４ａのベース材料成分は保護層１４ｂのベース材料成分と異なる。保護層１４ａ、１４ｂで副次材料成分は互いに同じであってもよい。
【００２２】
なお、保護層１４ａ、保護層１４ｂは、アルミナまたは金属等の伝熱材よりなる粉体で構成されたフィラー１１４ａ、１１４ｂをそれぞれさらに含有している。また、保護層１４ａと保護層１４ｂとは熱伝導率が略等しいことが好ましい。保護層１４ａ、保護層１４ｂの熱伝導率が異なるようにしてもよい。保護層１４ａが保護層１４ｂより熱伝導率を高くし、かつ保護層１４ａの熱伝導率を例えば０．５Ｗ／ｍ・Ｋ〜１０Ｗ／ｍ・Ｋとしてもよい。
【００２３】
また、保護層１４ａと保護層１４ｂとの間に、他の保護層を形成してもよい。この場合でも、保護層１４ａが抵抗体１１または抵抗体１１の熱集中部１５を直接覆う最内層であり、保護層１４ｂはチップ抵抗器１０００の外部に露出する最外層である。
【００２４】
図４に示す従来のチップ抵抗器５００は、保護膜４に耐熱性を要求された場合、保護膜４の流動性が低くなる傾向がある。したがって、モールド成形時に樹脂の充填不足が発生し、その形状を安定させることができない可能性がある。また、保護膜４の形状を安定させるために流動性を高くすると、その耐熱性が低下する可能性がある。
【００２５】
実施の形態におけるチップ抵抗器１０００においては、保護層１４ａによって保護膜１４の耐熱性を高くし、さらに、保護層１４ｂによって保護膜１４の流動性を高くして、保護膜１４の形状を安定させることができる。
【００２６】
すなわち、保護層１４ｂより熱分解温度、融解温度が高い保護層１４ａによって保護膜１４の耐熱性を向上させているため、通電時の熱集中部１５が非常に高温になっても、保護膜１４に不具合が生じにくくなり、保護層１４ａより流動性の高い保護層１４ｂで保護層１４ａを完全に覆うことによって、成形時の樹脂の充填不足等の不具合が発生しにくくし、その形状を安定させることができる。
【００２７】
したがって、耐熱性を確保しつつ形状の安定したチップ抵抗器１０００の外装を形成することができる。
【００２８】
さらに、抵抗体１１が薄く、また、複数のトリミング溝１３が形成された場合でも、樹脂を複数回形成することによって、抵抗体１１が変形するのを防ぐことができる。
【００２９】
ポリアミド樹脂で構成された保護層１４ａに含まれるフィラー１１４ａの含有量を、液晶ポリマー樹脂で構成された保護層１４ｂに含まれるフィラー１１４ｂ含有量より多くしてもよい。
【００３０】
また、保護層１４ａ、保護層１４ｂを構成する樹脂を同じ材料とし、保護層１４ａに含まれるフィラー１１４ａの含有量を、保護層１４ｂに含まれるフィラー１１４ｂの含有量より多くしてもよい。一般に、フィラーの含有量が多いと、耐熱性は高くなるが流動性は低下する。
【００３１】
実施の形態において、「上面」「下面」等の方向を示す用語は、抵抗体や電極等のチップ抵抗器の鋼製部材の相対的な位置関係でのみ決まる相対的な方向を示し、鉛直方向等の絶対的な方向を示すものではない。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明に係るチップ抵抗器およびその製造方法は、保護膜の耐熱性を向上させ、かつ保護膜の形状を安定させることができ、特に各種電子機器の電流値検出等に使用される金属板を抵抗体としたチップ抵抗器等に適用することにより有用となる。
【符号の説明】
【００３３】
１１    抵抗体
１２ａ，１２ｂ    電極
１３    トリミング溝
１４    保護膜
１４ａ    保護層（第１の保護層）
１４ｂ    保護層（第２の保護層）
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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