(57)【要約】  本発明は、ガラス基板の反りなどの変形を抑制でき、かつ、成型性に優れ、製造設備への負担が低く、大型で薄いガラス基板を製造し易いガラスを提供することを目的とする。本発明のガラスは、密度、ヤング率、歪点、ガラス粘度が１０４ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ４、ガラス表面失透温度（Ｔｃ）、熱膨張係数が所定の範囲内であり、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏからなる群より選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属酸化物、並びにＰ２Ｏ５の含有量が所定の範囲内である。【特許請求の範囲】
【請求項１】
密度が２．６０ｇ／ｃｍ３以下、ヤング率が８８ＧＰａ以上、歪点が６５０〜７２０℃、ガラス粘度が１０４ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ４が１３２０℃以下、ガラス表面失透温度（Ｔｃ）がＴ４＋２０℃以下、５０〜３５０℃での平均熱膨張係数が３０×１０−７〜４３×１０−７／℃であり、
酸化物基準のモル％表示で
ＳｉＯ２を５０〜８０％、
Ａｌ２Ｏ３を８〜２０％、
Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏからなる群より選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属酸化物を合計で０〜０．５％、
Ｐ２Ｏ５を０〜１％、
含むガラス。
【請求項２】
比弾性率が３４ＭＮ・ｍ／ｋｇ以上である、請求項１に記載のガラス。
【請求項３】
ガラス表面失透粘度（ηｃ）が１０３．８ｄＰａ・ｓ以上である、請求項１または２に記載のガラス。
【請求項４】
粘度が１０２ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ２が１６８０℃以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のガラス。
【請求項５】
ガラス転移点が７３０〜７９０℃である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のガラス。
【請求項６】
酸化物基準のモル％表示で
ＳｉＯ２を５０〜８０％、
Ａｌ２Ｏ３を８〜２０％、
Ｂ２Ｏ３を０〜５％、
ＭｇＯを０〜１５％、
ＣａＯを０〜１２％、
ＳｒＯを０〜１０％、
ＢａＯを０〜１０％、
Ｎａ２Ｏを０．００５〜０．２％、
Ｆを０．００１〜０．５％、
Ｐ２Ｏ５を０〜１％、
Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏからなる群より選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属酸化物を合計で０〜０．５％含み、
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯが１８〜２２％である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のガラス。
【請求項７】
酸化物基準のモル％表示で
ＭｇＯを０．１〜１５％、
ＣａＯを１〜１２％、
含み、ＭｇＯ／ＣａＯが０．７〜１．３３である、請求項６に記載のガラス。
【請求項８】
β−ＯＨ値が０．１〜０．６ｍｍ−１である、請求項１〜７のいずれか１項に記載のガラス。
【請求項９】
下記式（Ｉ）で表される値が４．１０以上である、請求項１〜８のいずれか１項に記載のガラス。
（７．８７［Ａｌ２Ｏ３］−８．５［Ｂ２Ｏ３］＋１１．３５［ＭｇＯ］＋７．０９［ＣａＯ］＋５．５２［ＳｒＯ］−１．４５［ＢａＯ］）／［ＳｉＯ２］・・・式（Ｉ）
【請求項１０】
下記式（ＩＩ）で表される値が０．９５以上である、請求項１〜９のいずれか１項に記載のガラス。
｛−１．０２［Ａｌ２Ｏ３］＋１０．７９［Ｂ２Ｏ３］＋２．８４［ＭｇＯ］＋４．１２［ＣａＯ］＋５．１９［ＳｒＯ］＋３．１６［ＢａＯ］＋１１．０７×（［Ｌｉ２Ｏ］＋［Ｎａ２Ｏ］＋［Ｋ２Ｏ］）＋３．９５４［Ｆ］＋５．６７７［β−ＯＨ］｝／［ＳｉＯ２］・・・式（ＩＩ）
【請求項１１】
下記式（ＩＩＩ）で表される値が５．５以下である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のガラス。
（８．９［Ａｌ２Ｏ３］＋４．２６［Ｂ２Ｏ３］＋１１．３［ＭｇＯ］＋４．５４［ＣａＯ］＋０．１［ＳｒＯ］−９．９８［ＢａＯ］）×｛１＋（［ＭｇＯ］／［ＣａＯ］−１）２｝／［ＳｉＯ２］・・・式（ＩＩＩ）
【請求項１２】
酸化物基準のモル％表示で、ＳｎＯ２を０．５％以下含有する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のガラス。
【請求項１３】
コンパクションが１００ｐｐｍ以下である請求項１〜１２のいずれか１項に記載のガラス。
【請求項１４】
等価冷却速度が５〜５００℃／ｍｉｎである、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のガラス。
【請求項１５】
少なくとも一辺が１８００ｍｍ以上で、厚みが０．７ｍｍ以下のガラス板である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載のガラス。
【請求項１６】
フロート法又はフュージョン法で製造される、請求項１５に記載のガラス。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか１項に記載のガラスを有するディスプレイパネル。
【請求項１８】
請求項１〜１６のいずれか１項に記載のガラスを有する半導体デバイス。
【請求項１９】
請求項１〜１６のいずれか１項に記載のガラスを有する情報記録媒体。
【請求項２０】
請求項１〜１６のいずれか１項に記載のガラスを有する平面型アンテナ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種ディスプレイ用、フォトマスク用、電子デバイス支持用、情報記録媒体用、平面型アンテナ用などのガラス基板として好適なガラスに関する。
【背景技術】
【０００２】
各種ディスプレイ用、フォトマスク用、電子デバイス支持用、情報記録媒体用、平面型アンテナ用のガラス板（ガラス基板）、特に表面に金属または酸化物等の薄膜を形成されるガラス板に用いるガラスでは、以下の（１）〜（４）などの特性が要求される。
（１）ガラスがアルカリ金属酸化物を含有する場合、アルカリ金属イオンが上記薄膜中に拡散して薄膜の膜特性を劣化させるので、ガラスが実質的にアルカリ金属イオンを含まないこと。
（２）薄膜形成工程でガラス板が高温にさらされる際に、ガラス板の変形およびガラスの構造安定化に伴う収縮（熱収縮）を最小限に抑えうるように歪点が高いこと。【０００３】
（３）半導体形成に用いる各種薬品に対して充分な化学耐久性を有すること。特にＳｉＯｘやＳｉＮｘのエッチングに用いるバッファードフッ酸（ＢＨＦ：フッ酸とフッ化アンモニウムの混合液）、ＩＴＯのエッチングに用いる塩酸を含有する薬液、金属電極のエッチングに用いる各種の酸（硝酸、硫酸等）、および、レジスト剥離液のアルカリ等に対して耐久性のあること。
（４）内部および表面に欠点（泡、脈理、インクルージョン、ピット、キズ等）がないこと。【０００４】
上記の要求に加えて、近年、更に、以下の（５）〜（９）の要求もされている。
（５）ディスプレイの軽量化が要求されるので、比重の小さいガラスが望まれる。
（６）ディスプレイの軽量化が要求されるので、ガラス板の薄板化が望まれる。
（７）これまでのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）タイプの液晶ディスプレイに加え、熱処理温度の高い多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）タイプの液晶ディスプレイが作製されるようになってきた（ａ−Ｓｉの熱処理温度：約３５０℃、ｐ−Ｓｉの熱処理温度：３５０〜５５０℃）ので、耐熱性が求められる。【０００５】
（８）液晶ディスプレイの作製の際の熱処理の昇降温速度を速くして生産性を上げたり、耐熱衝撃性を上げたりする目的で、平均熱膨張係数の小さいガラスが求められる。一方で、ガラスの平均熱膨張係数が小さすぎる場合、液晶ディスプレイ作製の際のゲート金属膜やゲート絶縁膜などの各種成膜工程が多くなると、ガラスの反りが大きくなってしまい、液晶ディスプレイの搬送時に割れや傷が生じるなどの不具合が起き、露光パターンのずれが大きくなってしまうなどの問題がある。
（９）また、ガラス基板の大型化・薄板化に伴い、比弾性率（ヤング率／密度）が高いガラスが求められている。【０００６】
上記のような要求を満たす目的で、これまで、例えば、液晶ディスプレイパネル用ガラスでは、様々なガラス組成が提案されている（特許文献１〜４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】日本国特許第５７０２８８８号明細書
【特許文献２】国際公開第２０１３／１８３６２６号
【特許文献３】日本国特許第５８４９９６５号明細書
【特許文献４】日本国特許第５７１２９２２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年、電子ディスプレイの更なる高解像度化が進んでおり、大型テレビにおいては高精細化に伴い、例えばＣｕ配線の膜厚が上がるなどして、各種の成膜による基板の反りが大きくなりやすくなっている。そこで、反りが少ない基板へのニーズが高まっており、これに応えるためにはガラスのヤング率を高くする必要がある。
しかしながら、特許文献３、４に記載されるような公知のヤング率の高いガラスは歪点が高く、粘度が１０４ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ４に比べて失透温度が高い傾向にある。その結果、ガラスの成型が難しくなり、製造設備への負荷が大きくなるので、生産コストの増加が懸念される。【０００９】
本発明は、ガラス基板の反りなどの変形を抑制でき、かつ、成型性に優れ、製造設備への負担が低く、大型で薄いガラス基板を製造し易いガラスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成する本発明のガラスは、密度が２．６０ｇ／ｃｍ３以下、ヤング率が８８ＧＰａ以上、歪点が６５０〜７２０℃、ガラス粘度が１０４ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ４が１３２０℃以下、ガラス表面失透温度（Ｔｃ）がＴ４＋２０℃以下、５０〜３５０℃での平均熱膨張係数が３０×１０−７〜４３×１０−７／℃であり、酸化物基準のモル％表示でＳｉＯ２を５０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３を８〜２０％、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏからなる群より選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属酸化物を合計で０〜０．５％、Ｐ２Ｏ５を０〜１％含む。【００１１】
本発明の無アルカリガラスの一態様においては、比弾性率が３４ＭＮ・ｍ／ｋｇ以上であってもよい。【００１２】
本発明の無アルカリガラスの一態様においては、ガラス表面失透粘度（ηｃ）が１０３．８ｄＰａ・ｓ以上であってもよい。【００１３】
本発明の無アルカリガラスの一態様においては、粘度が１０２ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ２が１６８０℃以下であってもよい。【００１４】
本発明の無アルカリガラスの一態様においては、ガラス転移点が７３０〜７９０℃であってもよい。【００１５】
本発明の無アルカリガラスの一態様は、酸化物基準のモル％表示で
ＳｉＯ２を５０〜８０％、
Ａｌ２Ｏ３を８〜２０％、
Ｂ２Ｏ３を０〜５％、
ＭｇＯを０〜１５％、
ＣａＯを０〜１２％、
ＳｒＯを０〜１０％、
ＢａＯを０〜１０％、
Ｎａ２Ｏを０．００５〜０．２％、
Ｆを０．００１〜０．５％、
Ｐ２Ｏ５を０〜１％、
Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏからなる群より選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属酸化物を合計で０〜０．５％含み、
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯが１８〜２２％であってもよい。【００１６】
本発明の無アルカリガラスの一態様は、酸化物基準のモル％表示でＭｇＯを０．１〜１５％、ＣａＯを１〜１２％含み、ＭｇＯ／ＣａＯが０．７〜１．３３であってもよい。【００１７】
本発明の無アルカリガラスの一態様においては、β−ＯＨ値が０．１〜０．６ｍｍ−１であってもよい。【００１８】
本発明の無アルカリガラスの一態様においては、下記式（Ｉ）で表される値が４．１０以上であってもよい。
（７．８７［Ａｌ２Ｏ３］−８．５［Ｂ２Ｏ３］＋１１．３５［ＭｇＯ］＋７．０９［ＣａＯ］＋５．５２［ＳｒＯ］−１．４５［ＢａＯ］）／［ＳｉＯ２］・・・式（Ｉ）【００１９】
本発明の無アルカリガラスの一態様においては、下記式（ＩＩ）で表される値が０．９５以上であってもよい。
｛−１．０２［Ａｌ２Ｏ３］＋１０．７９［Ｂ２Ｏ３］＋２．８４［ＭｇＯ］＋４．１２［ＣａＯ］＋５．１９［ＳｒＯ］＋３．１６［ＢａＯ］＋１１．０７×（［Ｌｉ２Ｏ］＋［Ｎａ２Ｏ］＋［Ｋ２Ｏ］）＋３．９５４［Ｆ］＋５．６７７［β−ＯＨ］｝／［ＳｉＯ２］・・・式（ＩＩ）【００２０】
本発明の無アルカリガラスの一態様においては、下記式（ＩＩＩ）で表される値が５．５以下であってもよい。
（８．９［Ａｌ２Ｏ３］＋４．２６［Ｂ２Ｏ３］＋１１．３［ＭｇＯ］＋４．５４［ＣａＯ］＋０．１［ＳｒＯ］−９．９８［ＢａＯ］）×｛１＋（［ＭｇＯ］／［ＣａＯ］−１）２｝／［ＳｉＯ２］・・・式（ＩＩＩ）【００２１】
本発明の無アルカリガラスの一態様においては、酸化物基準のモル％表示で、ＳｎＯ２を０．５％以下含有してもよい。【００２２】
本発明の無アルカリガラスの一態様においては、コンパクションが１００ｐｐｍ以下であってもよい。【００２３】
本発明の無アルカリガラスの一態様においては、等価冷却速度が５〜５００℃／ｍｉｎであってもよい。【００２４】
本発明の無アルカリガラスの一態様は、少なくとも一辺が１８００ｍｍ以上で、厚みが０．７ｍｍ以下のガラス板であってもよい。【００２５】
本発明の無アルカリガラスの一態様は、フロート法又はフュージョン法で製造されてもよい。【００２６】
また、本発明のディスプレイパネルは、本発明のガラスを有する。【００２７】
また、本発明の半導体デバイスは、本発明のガラスを有する。【００２８】
また、本発明の情報記録媒体は、本発明のガラスを有する。【００２９】
また、本発明の平面型アンテナは、本発明のガラスを有する。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、ガラス基板の反りなどの変形を抑制でき、かつ、成型性に優れ、製造設備への負担が低く、大型で薄いガラス基板を製造し易いガラスを提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の実施形態について説明する。なお、本発明は、以下に説明する実施形態に限定されるものではない。
以下において、ガラスの各成分の組成範囲は、酸化物基準のモル％で表示する。
以下において、「数値Ａ〜数値Ｂ」で示された数値範囲は、数値Ａおよび数値Ｂをそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を示し、数値Ａ以上、数値Ｂ以下を意味する。
【００３２】
まず、本実施形態のガラスの組成について説明する。
ＳｉＯ２の含有量が５０モル％（以下、単に、％という）未満では、歪点が充分に上がらず、かつ、平均熱膨張係数が増大し、比重が上昇する傾向がある。そのため、ＳｉＯ２の含有量は５０％以上であり、好ましくは６２％以上、より好ましくは６２．５％以上、さらに好ましくは６３％以上、特に好ましくは６３．５％以上、最も好ましくは６４％以上である。
ＳｉＯ２の含有量が８０％超では、ガラスの溶解性が低下し、ヤング率が低下し、失透温度が上昇する傾向がある。そのため、ＳｉＯ２の含有量は８０％以下であり、好ましくは７０％以下、より好ましくは６８％以下、さらに好ましくは６７％以下、特に好ましくは６６％以下、最も好ましくは６５．７％以下である。
【００３３】
Ａｌ２Ｏ３は、ヤング率を上げてたわみを抑制し、かつガラスの分相性を抑制し、平均熱膨張係数を下げ、歪点を上げ、破壊靱性値を向上させてガラス強度を上げる。Ａｌ２Ｏ３の含有量が８％未満では、これらの効果があらわれにくく、また、平均熱膨張係数を増大させる他成分が相対的に増加することになるので、結果的に平均熱膨張係数が大きくなる傾向がある。そのため、Ａｌ２Ｏ３の含有量は８％以上であり、好ましくは１０％以上、より好ましくは１２％以上、さらに好ましくは１２．５％以上、特に好ましくは１２．８％以上、最も好ましくは１３％以上である。
Ａｌ２Ｏ３の含有量が２０％超ではガラスの溶解性が悪くなり、また、失透温度が上昇するおそれがある。そのため、Ａｌ２Ｏ３の含有量は２０％以下であり、好ましくは１６．５％以下であり、より好ましくは１６％以下、さらに好ましくは１５％以下、特に好ましくは１４．５％以下であり、最も好ましくは１４％以下である。
【００３４】
Ｂ２Ｏ３は、必須成分ではないが、耐ＢＨＦ性を改善し、かつガラスの溶解反応性をよくし、失透温度を低下させるので、６％以下含有させてもよい。Ｂ２Ｏ３の含有量は６％以下であり、好ましくは５％以下であり、より好ましくは３％以下である。
Ｂ２Ｏ３はヤング率を下げるのでため、Ｂ２Ｏ３の含有量はより好ましくは２．５％以下、より好ましくは２．２％以下、さらに好ましくは２％以下、特に好ましくは１．７％以下、最も好ましくは１．５％以下である。
【００３５】
ＭｇＯは、必須成分ではないが、比重を上げずにヤング率を上げるので、比弾性率を高くしてたわみを抑制でき、また、破壊靱性値を向上させてガラス強度を上げるため含有させることができる。また、ＭｇＯは溶解性も向上させる。ＭｇＯの含有量が１％未満では、これらの効果が現れにくく、また、熱膨張係数が低くなりすぎるおそれがある。そのため、ＭｇＯの含有量は１％以上が好ましく、７％以上がより好ましく、８％以上がさらに好ましく、８．２％以上が特に好ましく、８．５％以上が最も好ましい。
しかし、ＭｇＯ含有量が多すぎると、失透温度が上昇しやすくなる。そのため、ＭｇＯの含有量は１５％以下が好ましく、１３％以下がより好ましく、１０％以下がさらに好ましく、９．７％以下が特に好ましい。
【００３６】
ＣａＯは、必須成分ではないが、アルカリ土類金属中ではＭｇＯに次いで比弾性率を高くし、かつ歪点を低下させすぎないという特徴を有し、ＭｇＯと同様に溶解性も向上させるため含有させることができる。さらに、ＣａＯはＭｇＯと比べて失透温度を高くしにくいという特徴も有する。ＣａＯの含有量が１％未満では、これらの効果が現れにくくなる。そのため、ＣａＯの含有量は１％以上が好ましく、６％以上がより好ましく、７％以上がさらに好ましく、８％以上が特に好ましく、８．５％以上が最も好ましい。
ＣａＯの含有量が１２％超では平均熱膨張係数が高くなりすぎ、また失透温度が高くなってガラスの製造時に失透しやすくなる。そのため、ＣａＯの含有量は１２％以下が好ましく、より好ましくは１０．５％以下、さらに好ましくは１０％以下である。
【００３７】
ＳｒＯは、必須成分ではないがガラスの失透温度を上昇させずに溶解性を向上させるので、含有させることができる。但し、ＳｒＯの含有量が０．５％未満ではこれらの効果が現れにくい。そのため、ＳｒＯの含有量は０．５％以上が好ましく、より好ましくは１％以上であり、さらに好ましくは１．２％以上であり、特に好ましくは１．５％以上である。
ＳｒＯは上記効果がＢａＯよりも低く、ＳｒＯの含有量を多くしすぎるとむしろ比重を大きくする効果が勝り、平均熱膨張係数も高くなりすぎ得る。そのため、ＳｒＯの含有量は１０％以下が好ましく、４％以下がより好ましく、３％以下がさらに好ましく、２％以下が特に好ましい。
【００３８】
ＢａＯは必須成分ではないが、ガラスの失透温度を上昇させずに溶解性を向上させるので、本実施形態のガラスに含有させてもよい。しかし、ＢａＯの含有量が過剰だと比重が大きくなり、ヤング率が下がり、平均熱膨張係数が大きくなりすぎる傾向がある。そのため、ＢａＯの含有量は１０％以下が好ましく、より好ましくは０．５％以下である。本実施形態のガラスはＢａＯを実質的に含有しないことがさらに好ましい。
なお、本明細書において「実質的に含有しない」とは、原料等から混入する不可避的不純物以外には含有しないこと、すなわち、意図的に含有させないことを意味する。本実施形態において、ＢａＯを実質的に含有しない場合のＢａＯの含有量は、例えば０．３％以下であり、好ましくは０．２％以下である。
【００３９】
アルカリ土類金属酸化物の合計量、即ち、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ（以下、「ＲＯ」ともいう）が少ないと、失透温度が高くなり、すなわち、失透粘度が低くなり、成形性が悪化する。そのため、ＲＯは１８％以上とする。
ＲＯが多すぎると、平均熱膨張係数が大きくなるおそれがあり、また、耐酸性が悪くなるおそれがある。そのため、ＲＯは２２％以下であり、２０．７％以下が好ましく、２０．５％以下がより好ましい。
【００４０】
また、ＭｇＯが１％以上かつＣａＯが１％以上のとき、ＣａＯの含有量に対するＭｇＯの含有量の割合、すなわち、ＭｇＯ／ＣａＯが小さいと、ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系の結晶が析出しやすくなり、成形性が悪化する。具体的には、失透温度が高くなる、すなわち、失透粘度低くなる。そのため、ＭｇＯ／ＣａＯは０．７以上であり、０．８以上が好ましく、０．８５以上がより好ましく、０．９以上がさらに好ましく、０．９２以上が特に好ましい。但し、ＭｇＯ／ＣａＯが大きすぎるとＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系の結晶が析出しやすくなり、失透温度が高くなる、すなわち、失透粘度低くなる。そのため、ＭｇＯ／ＣａＯは１．３３以下であり、１．３以下が好ましく、１．２５以下がより好ましく、さらに好ましくは１．２％以下、特に好ましくは１．１％以下、最も好ましくは１．０５％以下である。
【００４１】
本実施形態のガラスでは、原料不純物等からアルカリ金属酸化物が不可避的に含有され、また、溶解性を向上させる目的でごく微量のアルカリ金属酸化物の含有は許容される。
しかし、本実施形態のガラスをフラットパネルディスプレイのＴＦＴ側基板として用いる場合、アルカリ金属酸化物の含有量が多すぎると、ＴＦＴ素子中へのアルカリイオンの移動が顕著となり、トランジスタ特性が不安定になったり、信頼性が失われたりするので、その含有量については適切な範囲に抑える必要がある。
また、本実施形態のガラスを半導体支持基板として用いる場合、アルカリ金属酸化物の含有量が多すぎると、シリコンを含む基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程において、アルカリイオンがシリコンを含む基板に拡散するおそれがある。
そのため、アルカリ金属酸化物の合計量、即ち、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ（以下、「Ｒ’２Ｏ」ともいう）は０．５％以下であり、０．２％以下が好ましく、０．１％以下がより好ましく、０．０８％以下がより好ましく、０．０５％以下がさらに好ましく、０．０３％以下が最も好ましい。
【００４２】
但し、Ｎａ２Ｏは、ガラスの歪点を下げる作用があるので、上述した問題を生じさせない範囲で含有させることができる。ガラスの歪点を下げる作用を得るためには、Ｎａ２Ｏの含有量は０．００５％以上が好ましく、０．０１％以上がさらに好ましく、０．０１５％以上が特に好ましく、０．０２％以上が最も好ましい。
しかし、Ｎａ２Ｏを多く含有させると、上述した問題が生じるおそれがあるので、Ｎａ２Ｏの含有量は０．５％以下が好ましく、０．２％以下がより好ましく、０．１％以下がさらに好ましく、０．０８％以下がさらに好ましく、０．０５％以下が特に好ましく、０．０３％以下が最も好ましい。
【００４３】
Ｆは必須成分ではないが、ガラスの歪点を下げる作用があるので、含有させることができる。ガラスの歪点を下げる作用を得るためには、Ｆの含有量は０．００１％以上が好ましく、０．０１％以上がより好ましい。Ｆ含有量の上限は特に限定されないが、１．５％以下（０．４３質量％以下）が好ましく、さらに好ましくは０．７％以下である。
【００４４】
ガラスにＰ２Ｏ５が多く含まれると、ガラスの耐水性が悪くなり、脈理（みゃくり）が生じやすくなり、ガラスの均一性が劣化するおそれがある。また、ガラスをディスプレイとして使用する場合、ガラス中のＰが多いと、ＴＦＴでリーク電流が発生するという問題が生じるおそれがある。
そのため、本実施形態のガラスのＰ２Ｏ５含有量は１％以下である。本実施形態のガラスは、Ｐ２Ｏ５を実質的に含有しないことが好ましい。本実施形態において、Ｐ２Ｏ５を実質的に含有しない場合のＰ２Ｏ５の含有量は、例えば０．０１％以下であり、好ましくは０．００５％以下である。
【００４５】
さらに、ガラスのリサイクルを容易にするために、本実施形態のガラスはＰｂＯ、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３を実質的に含有しないことが好ましい。本実施形態において、ＰｂＯ、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３を実質的に含有しない場合のＰｂＯ、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３の含有量はそれぞれ、例えば０．０１％以下であり、好ましくは０．００５％以下である。
【００４６】
ガラスの溶解性、清澄性、成形性等を改善する目的で、本実施形態のガラスは、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、Ｆｅ２Ｏ３、ＳＯ３、Ｃｌ、およびＳｎＯ２のうちの１種以上を総量で２％以下、好ましくは１％以下、より好ましくは０．５％以下含有してもよい。これらの中で、ガラスの溶解性、清澄性を改善する目的でＳｎＯ２を含有させる場合、ＳｎＯ２の含有量は０．５％以下（１．１質量％以下）が好ましい。
【００４７】
ガラス中の水分は、ガラスの歪点を下げる作用がある。ガラスのβ−ＯＨ値は、ガラス中の水分含有量の指標として用いられる。ガラスのβ−ＯＨ値が０．１〜０．６ｍｍ−１であると、ガラスの歪点を下げるのに好ましい。β−ＯＨ値が０．６ｍｍ−１超だと、白金界面泡の発生を抑制できない。白金界面泡は、白金材料製の溶融ガラス流路の壁面を通過したＨ２が、溶融ガラス中の水分と反応してＯ２を生じることで発生する。ガラスのβ−ＯＨ値は、０．１５〜０．６ｍｍ−１がより好ましく、０．２〜０．４５ｍｍ−１がより好ましく、０．２２〜０．３５ｍｍ−１がさらに好ましく、０．２５〜０．３ｍｍ−１がさらに好ましい。
ガラスのβ−ＯＨ値は、ガラス原料の溶解時における各種条件、たとえば、ガラス原料中の水分量、溶解槽中の水蒸気濃度、溶解槽におけるガラス融液の滞在時間等によって調節することができる。
ガラス原料中の水分量を調節する方法としては、ガラス原料として酸化物の代わりに水酸化物を用いる方法（例えば、マグネシウム源として酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の代わりに水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）を用いる）がある。
また、溶解槽中の水蒸気濃度を調節する方法としては、溶解槽の加熱目的での都市ガス、重油などの燃料の燃焼に空気を使用する代わりに、酸素を使用する方法や、酸素と空気の混合ガスを使用する方法がある。
【００４８】
本実施形態のガラスは、下記式（Ｉ）で表される値が４．１０以上であることが好ましい。
（７．８７［Ａｌ２Ｏ３］−８．５［Ｂ２Ｏ３］＋１１．３５［ＭｇＯ］＋７．０９［ＣａＯ］＋５．５２［ＳｒＯ］−１．４５［ＢａＯ］）／［ＳｉＯ２］・・・式（Ｉ）
式（Ｉ）で表される値はヤング率の指標であり、この値が４．１０未満であるとヤング率が低くなる。本実施形態のガラスにおいて、式（Ｉ）で表される値は４．１５以上がより好ましく、４．２０以上がさらに好ましく、４．２５以上が特に好ましく、４．３０以上が最も好ましい。
なお、上記式（Ｉ）において［Ａｌ２Ｏ３］、［Ｂ２Ｏ３］、［ＭｇＯ］、［ＣａＯ］、［ＳｒＯ］、［ＢａＯ］、［ＳｉＯ２］はそれぞれ酸化物基準のモル％表示でのＡｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＳｉＯ２の含有量を意味する。下記式（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）においても同様である。
【００４９】
本実施形態のガラスは、下記式（ＩＩ）で表される値が０．９５以上であることが好ましい。
｛−１．０２［Ａｌ２Ｏ３］＋１０．７９［Ｂ２Ｏ３］＋２．８４［ＭｇＯ］＋４．１２［ＣａＯ］＋５．１９［ＳｒＯ］＋３．１６［ＢａＯ］＋１１．０７×（［Ｌｉ２Ｏ］＋［Ｎａ２Ｏ］＋［Ｋ２Ｏ］）＋３．９５４［Ｆ］＋５．６７７［β−ＯＨ］｝／［ＳｉＯ２］・・・式（ＩＩ）
式（ＩＩ）で表される値は歪点の指標であり、この値が０．９５未満であると歪点が高くなる。本実施形態のガラスにおいて、式（ＩＩ）で表される値は１．０以上がより好ましく、１．０５以上がさらに好ましく、１．１０以上が特に好ましい。
なお、上記式（ＩＩ）において［Ｌｉ２Ｏ］、［Ｎａ２Ｏ］、［Ｋ２Ｏ］、［Ｆ］はそれぞれ酸化物基準のモル％表示でのＬｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｆの含有量を意味する。
上記式（ＩＩ）において［β−ＯＨ］はｍｍ−１単位でのβ−ＯＨ値を意味する。
【００５０】
本実施形態のガラスは、下記式（ＩＩＩ）で表される値が５．５以下であることが好ましい。
（８．９［Ａｌ２Ｏ３］＋４．２６［Ｂ２Ｏ３］＋１１．３［ＭｇＯ］＋４．５４［ＣａＯ］＋０．１［ＳｒＯ］−９．９８［ＢａＯ］）×｛１＋（［ＭｇＯ］／［ＣａＯ］−１）２｝／［ＳｉＯ２］・・・式（ＩＩＩ）
式（ＩＩＩ）で表される値は失透粘度の指標であり、この値が５．５超であると失透粘度が低くなる。本実施形態のガラスにおいて、式（ＩＩＩ）で表される値は５．１以下がより好ましく、４．８以下がさらに好ましく、４．５以下が特に好ましく、４．３０以下が最も好ましい。
【００５１】
本実施形態のガラスのヤング率は８８ＧＰａ以上である。これにより、外部応力による基板の変形が抑制される。例えば、フラットパネルディスプレイのＴＦＴ側基板の製造において、基板の表面に銅などのゲート金属膜や、窒化ケイ素などのゲート絶縁膜を形成したときの基板の反りが抑制される。また、基板のたわみも抑制される。ヤング率は好ましくは８８．５ＧＰａ以上、より好ましくは８９ＧＰａ以上、さらに好ましくは８９．５ＧＰａ以上、特に好ましくは９０ＧＰａ以上、最も好ましくは９０．５ＧＰａ以上である。ヤング率は超音波法により測定できる。
【００５２】
本実施形態のガラスの密度は２．６０ｇ／ｃｍ３以下である。これにより、自重たわみが小さくなり、大型基板化した際の取り扱いが容易になる。また、本実施形態のガラスを用いたデバイスを軽量化できる。密度は２．５９ｇ／ｃｍ３以下がより好ましく、２．５８ｇ／ｃｍ３以下がさらに好ましく、２．５７ｇ／ｃｍ３以下が特に好ましく、２．５６ｇ／ｃｍ３以下が最も好ましい。なお、大型基板とは、例えば、少なくとも一辺が１８００ｍｍ以上の基板である。大型基板の少なくとも一辺は、例えば、２０００ｍｍ以上であってもよく、２５００ｍｍ以上であってもよく、３０００ｍｍ以上であってもよく、３５００ｍｍ以上であってもよい。
【００５３】
本実施形態のガラスは、歪点が６５０〜７２０℃である。歪点が６５０℃未満であると、ディスプレイの薄膜形成工程でガラス板が高温にさらされる際に、ガラス板の変形およびガラスの構造安定化に伴う収縮（熱収縮）が起こりやすくなる。歪点は好ましくは６８５℃以上であり、より好ましくは６９０℃以上、さらに好ましくは６９３℃以上、特に好ましくは６９５℃以上、最も好ましくは６９８℃以上である。一方、歪点が高すぎると、それに応じて徐冷装置の温度を高くする必要があり、徐冷装置の寿命が低下する傾向がある。また、ガラスの成形が難しくなり、板厚偏差や表面のうねりが大きくなるおそれもある。歪点は好ましくは７１８℃以下であり、より好ましくは７１６℃以下であり、さらに好ましくは７１４℃以下、特に好ましくは７１２℃以下、最も好ましくは７１０℃以下である。
【００５４】
本実施形態のガラスは、粘度が１０４ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ４が１３２０℃以下である。これにより、本実施形態のガラスは成形性に優れる。また、これにより製造設備への負担を低くできる。例えば、ガラスを成形するフロートバスなどの寿命を延ばすことができ、生産性を向上できる。Ｔ４は１３００℃以下が好ましく、１２９０℃以下がより好ましく、１２８５℃以下がさらに好ましく、１２８０℃以下が特に好ましい。
Ｔ４はＡＳＴＭ  Ｃ  ９６５−９６に規定されている方法に従い、回転粘度計を用いて粘度を測定し、粘度が１０４ｄ・Ｐａ・ｓとなるときの温度として求めることができる。なお、後述する実施例では、装置校正用の参照試料としてＮＢＳ７１０およびＮＩＳＴ７１７ａを使用した。
【００５５】
本実施形態のガラスは、ガラス表面失透温度（Ｔｃ）がＴ４＋２０℃以下である。これにより、本実施形態のガラスは成形性に優れる。また、これにより成形中にガラス内部に結晶が生じて、透過率が低下するのを抑制できる。また、これにより製造設備への負担を低くできる。例えば、ガラスを成形するフロートバスなどの寿命を延ばすことができ、生産性を向上できる。
ガラス表面失透温度（Ｔｃ）は、Ｔ４＋１０℃以下が好ましく、Ｔ４＋５℃以下がより好ましく、Ｔ４℃以下がさらに好ましく、Ｔ４−１℃以下が特に好ましく、Ｔ４−５℃以下が最も好ましい。
ガラス表面失透温度（Ｔｃ）及びガラス内部失透温度（Ｔｄ）は、下記のように求めることができる。すなわち、白金製の皿に粉砕されたガラス粒子を入れ、一定温度に制御された電気炉中で１７時間熱処理を行い、熱処理後に光学顕微鏡を用いて、ガラスの表面に結晶が析出する最高温度と結晶が析出しない最低温度とを測定し、その平均値をガラス表面失透温度（Ｔｃ）とする。同様に、ガラスの内部に結晶が析出する最高温度と結晶が析出しない最低温度とを測定し、その平均値をガラス内部失透温度（Ｔｄ）とする。ガラス表面失透温度（Ｔｃ）およびガラス内部失透温度（Ｔｄ）における粘度は、各失透温度におけるガラスの粘度を測定することで得られる。
【００５６】
本実施形態のガラスの５０〜３５０℃での平均熱膨張係数は３０×１０−７／℃以上である。例えば、フラットパネルディスプレイのＴＦＴ側基板の製造においては、ガラス上に銅などのゲート金属膜、窒化ケイ素などのゲート絶縁膜が順に積層されることがある。この場合において、５０〜３５０℃での平均熱膨張係数が３０×１０−７／℃未満だと、基板表面に形成される銅などのゲート金属膜との熱膨張差が大きくなり、基板が反る、膜剥がれが生じる等の問題が生じるおそれがある。
５０〜３５０℃での平均熱膨張係数は３３×１０−７／℃以上が好ましく、３５×１０−７／℃以上がより好ましく、３６×１０−７／℃以上がさらに好ましく、３７×１０−７／℃以上が特に好ましく、３８×１０−７／℃以上が最も好ましい。
一方、５０〜３５０℃での平均熱膨張係数が４３×１０−７／℃超だと、ディスプレイなどの製品製造工程でガラスが割れるおそれがある。そのため、５０〜３５０℃での平均熱膨張係数は４３×１０−７／℃以下である。
５０〜３５０℃での平均熱膨張係数は４２×１０−７／℃以下が好ましく、４１．５×１０−７／℃以下がより好ましく、４１×１０−７／℃以下がさらに好ましく、４０．５×１０−７／℃以下が特に好ましく、４０．３×１０−７／℃以下が最も好ましい。
【００５７】
本実施形態のガラスの比弾性率（ヤング率（ＧＰａ）／密度（ｇ／ｃｍ３））は３４ＭＮ・ｍ／ｋｇ以上が好ましい。これにより、自重たわみが小さくなり、大型基板化した際の取り扱いが容易になる。比弾性率は３４．５ＭＮ・ｍ／ｋｇ以上がより好ましく、３４．８ＭＮ・ｍ／ｋｇ以上がさらに好ましく、３５ＭＮ・ｍ／ｋｇ以上が特に好ましく、３５．２ＭＮ・ｍ／ｋｇ以上が最も好ましい。
【００５８】
本実施形態のガラスのガラス表面失透温度（Ｔｃ）における粘度であるガラス表面失透粘度（ηｃ）は１０３．８ｄＰａ・ｓ以上が好ましい。これにより、ガラス基板の成形性に優れる。また、これにより成形中にガラス内部に結晶が生じて、透過率が低下するのを抑制できる。また、これにより製造設備への負担を低くできる。例えば、ガラス基板を成形するフロートバスなどの寿命を延ばすことができ、生産性を向上できる。ガラス表面失透粘度（ηｃ）はより好ましくは１０３．８５ｄＰａ・ｓ以上、さらに好ましくは１０３．９ｄＰａ・ｓ以上、特に好ましくは１０４ｄＰａ・ｓ以上、最も好ましくは１０４．０５ｄＰａ・ｓ以上である。
【００５９】
本実施形態のガラスの粘度が１０２ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ２は１６８０℃以下が好ましい。これにより、ガラスの溶解性に優れる。また、これにより製造設備への負担を低くできる。例えば、ガラスを溶解する窯などの寿命を延ばすことができ、生産性を向上できる。また、これにより窯由来の欠陥（例えば、ブツ欠陥、Ｚｒ欠陥など）を低減できる。Ｔ２は１６７０℃以下がより好ましく、１６６０℃以下がさらに好ましい。
【００６０】
本実施形態のガラスのガラス転移点は７３０〜７９０℃が好ましい。ガラス転移点が７３０℃以上であることにより、ガラスの成形性に優れる。例えば、板厚偏差や表面のうねりを低減できる。また、ガラス転移点が７９０℃以下であることにより、製造設備への負担を低くできる。例えば、ガラスの成形に用いるロールの表面温度を低くすることができ、設備の寿命を延ばすことができ、生産性を向上できる。ガラス転移点は７４０℃以上がより好ましく、７４５℃以上がさらに好ましく、７５０℃以上が特に好ましく、７５５℃以上が最も好ましい。一方、ガラス転移点は７８５℃以下がより好ましく、７８３℃以下がさらに好ましく、７８０℃以下が特に好ましく、７７５℃以下が最も好ましい。
【００６１】
本実施形態のガラスのコンパクションは１００ｐｐｍ以下が好ましく、より好ましくは９０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは８０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは７５ｐｐｍ以下、特に好ましくは７０ｐｐｍ以下、最も好ましくは６５ｐｐｍ以下である。コンパクションとは、加熱処理の際にガラス構造の緩和によって発生するガラス熱収縮率である。コンパクションが１００ｐｐｍ以下であれば、各種ディスプレイを製造する過程で実施される薄膜形成工程で、高温にさらされた際に、ガラスの変形およびガラスの構造安定化に伴う寸法変化を最小限に抑制することができる。
なお、本実施形態におけるコンパクションとは、次の手順で測定されたコンパクションを意味する。
本実施形態のガラスを加工して得られるガラス板試料（酸化セリウムで鏡面研磨した長さ１００ｍｍ×幅１０ｍｍ×厚さ１ｍｍの試料）をガラス転移点＋１２０℃の温度で５分間保持した後、毎分４０℃で室温まで冷却する。ガラス板試料が室温まで冷却されたら、試料の全長（長さ方向）Ｌ１を計測する。その後、ガラス板試料を毎時１００℃で６００℃まで加熱し、６００℃で８０分間保持し、毎時１００℃で室温まで冷却する。ガラス板試料が室温まで冷却されたら、再度試料の全長Ｌ２を計測する。６００℃での熱処理前後での全長の差（Ｌ１−Ｌ２）と、６００℃での熱処理前の試料全長Ｌ１との比（Ｌ１−Ｌ２）／Ｌ１をコンパクションの値とする。
【００６２】
本実施形態のガラスは、コンパクションを低減させる目的で、例えば、等価冷却速度を５００℃／ｍｉｎ以下とすることが好ましい。等価冷却速度は、５℃／ｍｉｎ以上、５００℃／ｍｉｎ以下が、コンパクションと生産性のバランスの観点から好ましい。生産性の観点から、等価冷却速度は、１０℃／ｍｉｎ以上がより好ましく、１５℃／ｍｉｎ以上がさらに好ましく、２０℃／ｍｉｎ以上が特に好ましく、２５℃／ｍｉｎ以上が最も好ましい。コンパクションの観点から、等価冷却速度は、３００℃／ｍｉｎ以下がより好ましく、２００℃／ｍｉｎ以下がさらに好ましく、１５０℃／ｍｉｎ以下が特に好ましく、１００℃／ｍｉｎ以下が最も好ましい。
なお、本実施形態における等価冷却速度とは、次の手順で測定された等価冷却速度を意味する。
本実施形態のガラスを加工して得られる１０ｍｍ×１０ｍｍ×１ｍｍの直方体状の検量線作成用試料を複数用意し、これらを赤外線加熱式電気炉を用い、ガラス転移点＋１２０℃にて５分間保持する。その後、各試料を１℃／ｍｉｎから１０００℃／ｍｉｎの範囲の、異なる冷却速度で２５℃まで冷却する。次に、島津デバイス社製の精密屈折計ＫＰＲ−２０００を用いて、これらの試料のｄ線（波長５８７．６ｎｍ）の屈折率ｎｄを、Ｖブロック法により測定する。各試料において得られたｎｄを、冷却速度の対数に対してプロッ卜することにより、冷却速度に対するｎｄの検量線を得る。
次に、本実施形態のガラスを１０ｍｍ×１０ｍｍ×１ｍｍの直方体状に加工し、ｎｄを島津デバイス社製の精密屈折計ＫＰＲ−２０００を用いてＶブロック法により測定する。得られたｎｄに対応する冷却速度を、前記検量線より求め、これを等価冷却速度とする。
【００６３】
本実施形態のガラスは、ヤング率が８８ＧＰａ以上と高く、外部応力による基板の変形が抑制されるので、大型基板として使用するガラス板に好適である。大型基板とは、例えば少なくとも一辺が１８００ｍｍ以上のガラス板であり、具体的な例としては、長辺１８００ｍｍ以上、短辺１５００ｍｍ以上のガラス板である。
本実施形態のガラスは、少なくとも一辺が２４００ｍｍ以上のガラス板、例えば、長辺２４００ｍｍ以上、短辺２１００ｍｍ以上のガラス板により好ましく、少なくとも一辺が３０００ｍｍ以上のガラス板、例えば、長辺３０００ｍｍ以上、短辺２８００ｍｍ以上のガラス板にさらに好ましく、少なくとも一辺が３２００ｍｍ以上のガラス板、例えば、長辺３２００ｍｍ以上、短辺２９００ｍｍ以上のガラス板に特に好ましく、少なくとも一辺が３３００ｍｍ以上のガラス板、例えば、長辺３３００ｍｍ以上、短辺２９５０ｍｍ以上のガラス板に最も好ましい。
本実施形態のガラスは、厚みが０．７ｍｍ以下であると軽量となるので好ましい。本実施形態のガラスの厚みは、０．６５ｍｍ以下がより好ましく、０．５５ｍｍ以下がさらに好ましく、０．４５ｍｍ以下が好ましく、最も好ましくは０．４ｍｍ以下である。厚みを０．１ｍｍ以下、あるいは０．０５ｍｍ以下とすることもできるが、自重たわみを防ぐ観点からは、厚みは０．１ｍｍ以上が好ましく、０．２ｍｍ以上がより好ましい。
【００６４】
本実施形態のガラスは、例えば、以下の手順で製造できる。
所望のガラス組成となるようにガラスの原料を調合し、これを溶解炉に投入し、１５００〜１８００℃に加熱して溶解して溶融ガラスを得る。得られた溶融ガラスを成形装置にて、所定の板厚のガラスリボンに成形し、このガラスリボンを徐冷後、切断することによって、ガラスが得られる。
なお、本実施形態のガラスの製造においては、コンパクションを低減するために、例えば、等価冷却速度が５００℃／ｍｉｎ以下となるように冷却することが好ましい。
【００６５】
本実施形態のガラスの製造においては、溶融ガラスをフロート法またはフュージョン法等にてガラス板に成形することが好ましい。高ヤング率である大型の板ガラス（例えば一辺が１８００ｍｍ以上）を安定して生産するという観点からは、フロート法が好ましい。
【００６６】
次に、本実施形態のディスプレイパネルを説明する。
本実施形態のディスプレイパネルは、上述した本実施形態のガラスをガラス基板として有する。本実施形態のガラスを有する限り、ディスプレイパネルは特に限定されず、液晶ディスプレイパネル、有機ＥＬディスプレイパネルなど、各種ディスプレイパネルであってよい。
薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ（ＴＦＴ−ＬＣＤ）の場合を例にとると、その表面にゲート電極線およびゲート絶縁用酸化物層が形成され、さらに該酸化物層表面に画素電極が形成されたディスプレイ面電極基板（アレイ基板）と、その表面にＲＧＢのカラーフィルタおよび対向電極が形成されたカラーフィルタ基板とを有し、互いに対をなす該アレイ基板と該カラーフィルタ基板との間に液晶材料が挟み込まれてセルが構成される。液晶ディスプレイパネルは、このようなセルに加えて、周辺回路等の他の要素を含む。本実施形態の液晶ディスプレイパネルは、セルを構成する１対の基板のうち、少なくとも一方に本実施形態のガラスが使用されている。
【００６７】
本実施形態のガラスは、例えば電子デバイス支持用ガラス板として用いることができる。本実施形態のガラスを電子デバイス支持用ガラス板として用いる際には、本実施形態のガラス（電子デバイス支持用ガラス板）の上に、ガラス基板、シリコン基板、樹脂基板などのデバイス形成基板を直接または接着材を用いて張り合わせることによって、デバイス形成基板を支持する。電子デバイス支持用ガラス板としては、例えばポリイミドなどの樹脂を基板とするフレキシブルディスプレイ（例えば、有機ＥＬディスプレイ）の製造工程における支持用ガラス板、半導体パッケージ製造工程における樹脂−シリコンチップ複合ウエハの支持用ガラス板等が挙げられる。
【００６８】
次に、本実施形態の半導体デバイスを説明する。
本実施形態の半導体デバイスは、上述した本実施形態のガラスをガラス基板として有する。本実施形態の半導体デバイスは、具体的には、例えば、ＭＥＭＳ、ＣＭＯＳ、ＣＩＳ等のイメージセンサ用のガラス基板として、本実施形態のガラスを有する。また、本実施形態の半導体デバイスは、プロジェクション用途のディスプレイデバイス用のカバーガラス、例えばＬＣＯＳ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｉｓｔｙａｌ  ＯＮ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）のカバーガラスとして、本実施形態のガラスを有する。
【００６９】
次に、本実施形態の情報記録媒体を説明する。
本実施形態の情報記録媒体は、上述した本実施形態のガラスをガラス基板として有する。情報記録媒体としては、具体的には、例えば、磁気記録媒体や光ディスクが挙げられる。磁気記録媒体としては、例えば、エネルギーアシスト方式の磁気記録媒体や垂直磁気記録方式の磁気記録媒体が挙げられる。
【００７０】
次に、本実施形態の平面型アンテナを説明する。
本実施形態の平面型アンテナは、上述した本実施形態のガラスをガラス基板として有する。本実施形態の平面型アンテナとしては、具体的には、指向性及び受信感度の良好なアンテナとして、例えば液晶アンテナ、マイクロストリップアンテナ（パッチアンテナ）のような平面形状を有する平面液晶アンテナが挙げられる。液晶アンテナについては、例えば、国際公開第２０１８／０１６３９８号に開示されている。パッチアンテナについては、例えば、日本国特表２０１７−５０９２６６号公報や、日本国特開２０１７−０６３２５５号公報に開示されている。
【実施例】
【００７１】
以下、実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。以下において、例１〜２２、及び例２９〜４９は実施例であり、例２３〜２８は比較例である。
ガラス組成が表１〜７に示す組成（単位：モル％）になるように、各成分の原料を調合し、白金坩堝を用いて１６００℃で１時間溶解した。溶解後、溶融液をカーボン板上に流し出し、ガラス転移点＋３０℃の温度にて６０分保持後、毎分１℃で室温（２５℃）まで冷却して板状ガラスを得た。これを鏡面研磨し、ガラス板を得て、各種物性の測定を行った。結果を表１〜７に示す。なお、表１〜７において、括弧内に示す値は計算値であり、空欄は未測定である。【００７２】
以下に各物性の測定方法を示す。
（ガラスのβ−ＯＨ値）
ガラス試料について波長２．７５〜２．９５μｍ光に対する吸光度を測定し、その最大値βｍａｘを該試料の厚さ（ｍｍ）で割ることでガラスのβ−ＯＨ値を求める。【００７３】
（平均熱膨張係数）
ＪＩＳ  Ｒ３１０２（１９９５年）に規定されている方法に従い、示差熱膨張計（ＴＭＡ）を用いて測定した。測定温度範囲は室温〜４００℃以上とし、５０〜３５０℃における平均熱膨張係数を、単位を１０−７／℃として表した。
（密度）
ＪＩＳ  Ｚ  ８８０７に規定されている方法に従い、泡を含まない約２０ｇのガラス塊の密度をアルキメデス法によって測定した。【００７４】
（歪点）
ＪＩＳ  Ｒ３１０３−２（２００１年）に規定されている方法に従い、繊維引き伸ばし法により歪点を測定した。
（ガラス転移点Ｔｇ）
ＪＩＳ  Ｒ３１０３−３（２００１年）に規定されている方法に従い、示差熱膨張計（ＴＭＡ）を用いて熱膨張法によりガラス転移点Ｔｇを測定した。
（ヤング率）
ＪＩＳ  Ｚ  ２２８０に規定されている方法に従い、厚さ０．５〜１０ｍｍのガラスについて、超音波パルス法によりヤング率を測定した。【００７５】
（Ｔ２）
ＡＳＴＭ  Ｃ  ９６５−９６に規定されている方法に従い、回転粘度計を用いて粘度を測定し、１０２ｄ・Ｐａ・ｓとなるときの温度Ｔ２（℃）を測定した。
（Ｔ４）
ＡＳＴＭ  Ｃ  ９６５−９６に規定されている方法に従い、回転粘度計を用いて粘度を測定し、１０４ｄ・Ｐａ・ｓとなるときの温度Ｔ４（℃）を測定した。
（失透温度）
ガラスを粉砕し、試験用篩を用いて粒径が２〜４ｍｍの範囲となるように分級した。
得られたガラスカレットをイソプロピルアルコール中で５分間超音波洗浄し、イオン交換水で洗浄した後、乾燥させ、白金製の皿に入れ、一定温度に制御された電気炉中で１７時間の熱処理を行った。熱処理の温度は１０℃間隔で設定した。熱処理後、白金皿よりガラスを取り外し、光学顕微鏡を用いて、ガラスの表面及び内部に結晶が析出する最高温度と結晶が析出しない最低温度とを測定した。ガラスの表面及び内部に結晶が析出する最高温度と結晶が析出しない最低温度は、それぞれ１回測定した（結晶が析出の判断が難しい場合は、２回測定した）。ガラス表面に結晶が析出する最高温度と結晶が析出しない最低温度との平均値を求め、ガラス表面失透温度（Ｔｃ）とした。同様に、ガラス内部に結晶が析出する最高温度と結晶が析出しない最低温度との平均値を求め、ガラス内部失透温度（Ｔｄ）とした。【００７６】
（比弾性率）
前述した手順で求まるヤング率を密度で割ることにより、比弾性率を求めた。
（失透粘度）
前述の方法により、ガラス表面失透温度（Ｔｃ）を求め、ガラス表面失透温度（Ｔｃ）におけるガラスの粘度を測定して、ガラス表面失透粘度（ηｃ）とした。同様に、ガラス内部失透温度（Ｔｄ）を求め、ガラス内部失透温度（Ｔｄ）におけるガラスの粘度を測定して、ガラス内部失透粘度（ηｄ）とした。【００７７】
【表１】
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【００７８】
【表２】
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【００７９】
【表３】
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【００８０】
【表４】
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【００８１】
【表５】
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【００８２】
【表６】
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【００８３】
【表７】
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【００８４】
例２３は、ヤング率が低く８８ＧＰａ未満であった。例２４はガラス表面失透温度
（Ｔｃ）がＴ４＋２０℃より高かった。例２５，２７，２８は、歪点が高かった。ＲＯが２２超の例２６は、平均熱膨張係数が大きく４３×１０−７／℃超であった。【００８５】
本発明を特定の態様を参照して詳細に説明したが、本発明の精神と範囲を離れることなく様々な変更および修正が可能であることは、当業者にとって明らかである。なお、本出願は、２０１８年３月１４付けで出願された日本特許出願（特願２０１８−４６８５４）に基づいており、その全体が引用により援用される。また、ここに引用されるすべての参照は全体として取り込まれる。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
上述した特徴を有する本発明のガラスは、ディスプレイ用基板、フォトマスク用基板、電子デバイス支持用基板、情報記録媒体用基板、平面型アンテナ用基板等の用途に好適である。
【国際調査報告】
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