【手続補正書】
【提出日】平成21年9月10日(2009.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特に電気的な用途に適している半導電性基板または非導電性基板に導電性ブッシングを製作する方法において、前記基板（１３）の前面に１つまたは複数の層（５）ならびに前記層の内部または表面にある少なくとも１つの導電性の接触構造（０）が設けられており、
（ａ）前記半導電性基板または非導電性基板（１３）を用意するステップと、
（ｂ）前記層（５）を貫いて延びる、前記前面を起点とする少なくとも１つの切欠き（１）を少なくとも１つの導電性の前記接触構造（０）の横に形成するステップと、
（ｃ）少なくとも導電性の前記接触構造（０）から前記切欠き（１）の底面まで達する導電性構造（３）を塗布して、該構造が導電性の接触個所（６）を形成するようにするステップと
（ｄ）前記基板にその裏面から少なくとも１つの切欠き（７）を形成して、当該切欠き（７）が前記基板の前面で、１つまたは複数の導電性の前記接触個所（６）が存在していて当該接触個所で完全に覆われる１つまたは複数の場所の下で終わるようにするステップと、
（ｅ）前記基板のそれぞれの前記接触個所（６）と裏側の表面（１０，１１，１２）との間で複数または少なくとも１つの前記切欠き（７）を貫いて導電接続を成立させる導電性構造（９）の塗布を前記基板の裏面から行うステップとを含んでおり、
１つまたは複数の裏面側の前記切欠き（７）は前記基板の前面の方向に狭まっていく横断面を有しており、および／または１つまたは複数の前面側の前記切欠き（１）は前記接触個所（６）の方向に狭まっていく横断面を有している方法。
【請求項２】
導電性の前記接触構造（０）は１つまたは複数の前記層（５）に埋設されていることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板にある裏面側および／または前面側の１つまたは複数の前記切欠き（１，７）は実質的に円錐状に形成され、好ましくは約７０−９０°、より好ましくは約７５−８５°、きわめて特別に好ましくは約８０°の側面角を与えられることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記基板にある前記切欠き（１，７）は前記基板の裏面のエッチングによって形成され、該エッチングは導電性の前記接触個所（６）の面をエッチングプロセスが少なくとも部分的に露出させるまで継続されるとともに、エッチングによって生じる前記基板の切欠きを前記面がまだ封止するように覆う程度に早期に打ち切られることを特徴とする、前記請求項のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
エッチングに適用される技術は、（ａ）基板がシリコンウェーハである場合には好ましくは六フッ化硫黄を用いたプラズマエッチング、高レートエッチングすなわちいわゆるＤｅｅｐ  Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ（ＤＲＩＥ）、（ｂ）それぞれ適当なマスクを用いる、ＨＦ含有の酸を用いたエッチングまたはＫＯＨエッチングのいずれかから選択されたウェットエッチング、（ｃ）紫外レーザ放射を用いるエッチングのなかから選択され、前記（ａ）および（ｃ）の技術は少なくとも裏面側の切欠きについて優先的に適用される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記基板の裏面にある前記導電性構造（９）および／または前記基板の前面にある前記導電性構造（３）は後から構造化される連続する層として塗布される、前記請求項のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記基板の裏面にある前記導電性構造（９）および／または前記基板の前面にある前記導電性構造（３）はたとえばリソグラフィ法、印刷法、またはエッチング法によって塗布される、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記ステップ（ｅ）の前に少なくとも前記ステップ（ｄ）で生じた前記切欠きの側壁に、および希望に応じて前記基板の裏面にも、パッシベーション層（８）が析出され、および／または前記ステップ（ｃ）の前に少なくとも前記ステップ（ｂ）で生じた前記切欠きの側壁に、および場合により前記層（１４）の表面に、パッシベーション層（２）が析出されることを特徴とする、前記請求項のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記接触個所（６）もその前面および／または裏面でパッシベーション層（２および／または８）によって覆われ、引き続いて適当な方法により少なくとも部分的に再び除去されてから、前記ステップ（ｃ）および／または（ｅ）に基づいて前記導電性構造が生成されることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記パッシベーション層（２，８）は、特に前記基板がシリコンウェーハである場合については、スパッタ技術またはプラズマ支援式のＣＶＤによる基板材料の酸化および／または窒化によって塗布され、および／または有機ポリマー材料または無機・有機ポリマー材料の塗布によって生成されることを特徴とする、請求項８または９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記パッシベーション層（２，８）は０．４から２μｍの厚さであることを特徴とする、請求項８から１０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記ステップ（ｃ）に基づく前記基板の裏面および／または前記層（５）の上面は構造化されたパッシベーション層（４，１０）で覆われ、後に電気的な接触点または切断通路としての役目をするべき前記導線性構造の場所は前記パッシベーション層なしに保たれることを特徴とする、前記請求項のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記パッシベーション層（４，１０）は有機ポリマーからなっており、好ましくはベンゾシクロブテンまたはポリイミドからなっていることを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記パッシベーション層（４，１０）は連続する層として塗布され、引き続いて好ましくはリソグラフィにより構造化されることを特徴とする、請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記パッシベーション層（４，１０）は好ましくは印刷方法により構造化された形態で塗布されることを特徴とする、請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１６】
裏面側の電気的な接触点としての役目をするべき前記導電性構造の場所に接触材料および／またははんだ材料が塗布されることを特徴とする、前記請求項のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記接触材料は好ましくはパラジウム、ニッケル、銅、または金などの導電性金属でできており、特別に好ましくは電着によって塗布される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
好ましくははんだペースト印刷プロセスおよびこれに続く再融と洗浄によって、または予備成形されたはんだボールの落とし込みと再融によって、軟ろうからなるはんだボールが塗布されることを特徴とする、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
少なくとも１つの電気ブッシングを備える非導電性基板または半導電性基板において、基板（１３）がその前面で少なくとも１つの場所に導電性の接触個所（６）を有しており、該接触個所が導電性構造（９）と接続されており、該導電性構造が前記基板の切欠き（７）を通ってその裏面側の面まで延びていることによって前記ブッシングが具体化されており、前記切欠きは前記基板の前面に向かって第１の前記導電性構造により完全に覆われており、前記基板（１３）の前面は１つまたは複数の層（５）ならびに当該層の内部または表面にある少なくとも１つの導電性の接触構造（０）を備えており、前記接触個所（６）は、表面を起点として１つまたは複数の層（５）を貫通する凹部（１）の底面で、少なくとも１つの導電性の前記接触構造（０）の横にあり、導電性の前記接触構造（０）と前記凹部は互いに間隔をおいていて導電性の層（３）により互いに接続されるようになっており、１つまたは複数の裏面側の前記切欠き（７）は前記基板の前面の方向に狭まっていく横断面を有しており、および／または１つまたは複数の前面側の前記切欠き（１）は前記接触個所（６）の方向に狭まっていく横断面を有している、非導電性基板または半導電性基板。
【請求項２０】
シリコンウェーハである、請求項１９に記載の基板。
【請求項２１】
少なくとも１つの前記切欠き（１，７）の少なくとも側面は、第２の導電性構造を前記基板から絶縁するパッシベーション層で覆われていることを特徴とする、請求項１９から２０までのいずれか１項に記載の基板。
【請求項２２】
前記基板の裏面はパッシベーション層（１０）で覆われており、および／または前記層（５）の表面はパッシベーション層（４）で覆われており、該パッシベーション層は、電気的な接触点（１１，１２）として意図されている前記導電性構造の場所だけを空けて残していることを特徴とする、請求項１９から２１までのいずれか１項に記載の基板。
【請求項２３】
電気的な接触点（１１，１２）として意図されている前記導電性構造の場所に好ましくはパラジウム、ニッケル、金、銅からなる接触材料および／または好ましくは再融されたはんだボールの形態のはんだ材料があることを特徴とする、請求項１９から２２までのいずれか１項に記載の基板。
【請求項２４】
少なくとも１つの電気的な前記接触点（１１，１２）は少なくとも部分的に切欠きの上にあり、該切欠きによって第１の導電性構造と接続されていることを特徴とする、請求項２３に記載の基板。
【請求項２５】
少なくとも１つの電気的な前記接触点（１１，１２）は切欠きから間隔をおいており、該切欠きによって第１の導電性構造と接続されていることを特徴とする、請求項２３記載の基板。
【請求項２６】
請求項１から１８までのいずれか１項に記載の方法によって得られる基板。