(57)【要約】  クロスニコル状態での漏れ光による消光比の劣化を抑える偏光板および当該偏光板を利用したディスプレイおよび紫外線照射装置を提供することを目的とする  使用帯域の光に対して透明な基板１と、一方向に延在するワイヤ21を光の波長よりも短いピッチで複数配列したワイヤグリッド部２とを有する偏光板であって、ワイヤグリッド部２に対して光が入射する側に設けられる誘電体からなり、使用帯域の直線偏光がワイヤ21に対する方位角４５度から入射したときに、直線偏光の入射側透過軸と出射側吸収軸の角度のずれが小さくなるように補正する偏光軸補正部３を備える。
2020044751.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用帯域の光に対して透明な基板と、一方向に延在するワイヤを前記光の波長よりも短いピッチで複数配列したワイヤグリッド部とを有する偏光板であって、
前記ワイヤグリッド部に対して前記光が入射する側に設けられる誘電体からなり、前記使用帯域の直線偏光が前記ワイヤに対する方位角４５度から入射したときに、前記直線偏光の入射側透過軸と出射側吸収軸の角度のずれが小さくなるように補正する偏光軸補正部を具備することを特徴とする偏光板。
【請求項２】
前記偏光軸補正部は、入射した光のＰ波とＳ波の強度比を変化させることによって、前記直線偏光の入射側透過軸と出射側吸収軸の角度のずれが小さくなるように補正するものであることを特徴とする請求項１記載の偏光板。
【請求項３】
前記偏光軸補正部は、前記使用帯域の直線偏光が前記ワイヤに対する方位角４５度、入射角５０度で入射したときに、前記直線偏光の入射側透過軸と出射側吸収軸の角度のずれを前記使用帯域の総ての波長において７度以下に補正する厚みであることを特徴とする請求項１又は２記載の偏光板。
【請求項４】
前記偏光軸補正部は、前記使用帯域の直線偏光が前記ワイヤに対する方位角４５度、入射角５０度で入射したときに、前記直線偏光の入射側透過軸と出射側吸収軸の角度のずれを前記使用帯域の総ての波長において２度以下に補正する厚みであることを特徴とする請求項１又は２記載の偏光板。
【請求項５】
前記使用帯域が可視光域であり、前記偏光軸補正部は、前記可視光域の直線偏光が前記ワイヤに対する方位角４５度、入射角４０度で入射したときに、ＴＥ透過率の最小値をとる光の波長を４９５ｎｍ以上５７０ｎｍ以下にする厚みであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の偏光板。
【請求項６】
前記使用帯域が可視光域であり、前記偏光軸補正部は、前記可視光域の直線偏光が前記ワイヤに対する方位角４５度、入射角４０度で入射したときに、波長が５０７ｎｍ以上５５５ｎｍ以下の光のＴＥ透過率を０．２％以下に補正する厚みであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の偏光板。
【請求項７】
前記偏光軸補正部は二酸化ケイ素からなり、厚みが６０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の偏光板。
【請求項８】
前記偏光軸補正部は窒化ケイ素からなり、厚みが４０ｎｍ以上９０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の偏光板。
【請求項９】
前記偏光軸補正部は二酸化チタンからなり、厚みが２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の偏光板。
【請求項１０】
前記偏光軸補正部は、前記ワイヤグリッド部の前記基板側に配置されることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の偏光板。
【請求項１１】
前記偏光軸補正部は、前記ワイヤグリッド部の基板と対向する側に配置されることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の偏光板。
【請求項１２】
前記偏光軸補正部は、前記ワイヤグリッド部の各ワイヤの頂部に配置されるものであることを特徴とする請求項１１記載の偏光板。
【請求項１３】
前記ワイヤの延在方向と直交する断面において、前記偏光軸補正部の断面形状は、少なくとも一部の幅が前記ワイヤの幅より大きい部分を有することを特徴とする請求項１２記載の偏光板。
【請求項１４】
前記ワイヤの延在方向と直交する断面において、前記偏光軸補正部の断面形状は、逆テーパ状であることを特徴とする請求項１２記載の偏光板。
【請求項１５】
前記ワイヤは吸収層を有することを特徴とする請求項１ないし１４のいずれかに記載の偏光板。
【請求項１６】
青色の光を発光する光源と、
前記光源の光を直線偏光にする偏光板と、
前記直線偏光の偏光方向を変える液晶と、
請求項１ないし１５のいずれかに記載の偏光板と、
前記光を赤色および緑色の波長に変える波長変換部と、
を具備することを特徴とするディスプレイ。
【請求項１７】
前記偏光軸補正部は、前記直線偏光が前記ワイヤに対する方位角４５度、入射角４０度で入射したときに、ＴＥ透過率の最小値をとる光の波長を３８０ｎｍ以上４９５ｎｍ以下にする厚みであることを特徴とする請求項１６に記載のディスプレイ。
【請求項１８】
紫外線を照射する光源と、
前記光源から照射された紫外線を対象物に向けて反射させる曲面状のミラーと、
使用帯域が紫外線である請求項１ないし４のいずれかに記載の偏光板と、
を具備することを特徴とする紫外線照射装置。
【請求項１９】
前記偏光軸補正部は、前記直線偏光が前記ワイヤに対する方位角４５度、入射角４０度で入射したときに、ＴＥ透過率の最小値をとる光の波長を３８０ｎｍ未満にする厚みであることを特徴とする請求項１８に記載の紫外線照射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、偏光板および当該偏光板を利用したディスプレイおよび紫外線照射装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の偏光板では、ポリビニルアルコールにヨウ素を含浸させ一方向に延伸させた吸収型偏光板が使われてきたが、液晶のバックライト光を効率よく使用し、画面を明るくするために、反射型偏光板としてワイヤグリッド型の偏光板が検討されている（例えば、特許文献１参照）。【０００３】
【特許文献１】国際公開番号ＷＯ２０１８／０１２５２３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一方、液晶テレビ等の液晶表示装置においては広い視野角でのコントラストが求められる。また近年、人間の視野に直接情報を映し出す手段として、ヘッドアップディスプレイの研究が進められている。そして、ヘッドアップディスプレイ用ビームスプリッターの小型化のためには広角の光を利用する必要がある。そのため、ワイヤグリッド型の偏光板には、斜め入射光に対する消光比の維持が求められる。【０００５】
しかしながら、ワイヤグリッド型の偏光板は、垂直方向から入射する光に対しては消光比が高いが、斜め方向から入射する光については方位角によっては消光比が低くなるという問題があった。例えば、偏光板に波長が５５０ｎｍの直線偏光を入射させた場合、図１に示すように、方位角が０度の場合には入射角を変えてもクロスニコル透過率は変化しない。しかし、方位角が４５度の場合には入射角を大きくするとクロスニコル透過率が大きくなり、消光比が低下するという問題があった。【０００６】
なお、図１５８に示すように、方位角（Azimuth）とは、ワイヤグリッド部のワイヤの延在方向と、そこに入射させる直線偏光の進行方向のベクトルのワイヤグリッド面と水平方向成分とのなす角度を意味する。また、入射角（Incidence）とは、直線偏光の入射方向と偏光板の法線とがなす角度を意味する。【０００７】
そこで本発明では、クロスニコル状態での漏れ光による消光比の劣化を抑える偏光板および当該偏光板を利用した量子ドットディスプレイおよび紫外線照射装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の偏光板は、使用帯域の光に対して透明な基板と、一方向に延在するワイヤを前記光の波長よりも短いピッチで複数配列したワイヤグリッド部とを有するものであって、前記ワイヤグリッド部に対して前記光が入射する側に設けられる誘電体からなり、前記使用帯域の直線偏光が前記ワイヤに対する方位角４５度から入射したときに、前記直線偏光の入射側透過軸と出射側吸収軸の角度のずれが小さくなるように補正する偏光軸補正部を具備することを特徴とする。【０００９】
この場合、前記偏光軸補正部は、入射した光のＰ波とＳ波の強度比を変化させることによって、前記直線偏光の入射側透過軸と出射側吸収軸の角度のずれが小さくなるように補正するものである。【００１０】
また、前記偏光軸補正部は、前記使用帯域の直線偏光が前記ワイヤに対する方位角４５度、入射角５０度で入射したときに、前記直線偏光の入射側透過軸と出射側吸収軸の角度のずれを前記使用帯域の総ての波長において７度以下、好ましくは２度以下に補正する厚みが良い。【００１１】
また、前記使用帯域が可視光域全域である場合、前記偏光軸補正部は、前記可視光域の直線偏光が前記ワイヤに対する方位角４５度、入射角４０度で入射したときに、ＴＥ透過率の最小値をとる光の波長を４９５ｎｍ以上５７０ｎｍ以下にする厚みである方が好ましい。【００１２】
また、前記使用帯域が可視光域全域である場合、前記偏光軸補正部は、前記可視光域の直線偏光が前記ワイヤに対する方位角４５度、入射角４０度で入射したときに、波長が５０７ｎｍ以上５５５ｎｍ以下の光のＴＥ透過率を０．２％以下に補正する厚みである方が好ましい。【００１３】
また、前記偏光軸補正部が二酸化ケイ素からなる場合、当該偏光軸補正部の厚みは６０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下である方が良い。また、前記偏光軸補正部が窒化ケイ素からなる場合、当該偏光軸補正部の厚みは４０ｎｍ以上９０ｎｍ以下である方が良い。また、前記偏光軸補正部が二酸化チタンからなる場合、当該偏光軸補正部の厚みは２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である方が良い。【００１４】
また、前記偏光軸補正部は、前記ワイヤグリッド部の前記基板側に配置しても、基板と対向する側に配置しても良い。また、前記偏光軸補正部は、前記ワイヤグリッド部の各ワイヤの頂部に配置しても良い。この場合、前記ワイヤの延在方向と直交する断面において、前記偏光軸補正部の断面形状は、少なくとも一部の幅が前記ワイヤの幅より大きい部分を有する
方が好ましい。例えば、前記偏光軸補正部の断面形状を逆テーパ状にすることができる。【００１５】
また、前記ワイヤは吸収層を有するものであっても良い。【００１６】
また、本発明のディスプレイは、青色の光を発光する光源と、前記光源の光を直線偏光にする偏光板と、前記直線偏光の偏光方向を変える液晶と、本発明の偏光板と、前記光を赤色および緑色の波長に変える波長変換部と、を具備することを特徴とする。この場合、前記偏光軸補正部は、前記直線偏光が前記ワイヤに対する方位角４５度、入射角４０度で入射したときに、ＴＥ透過率の最小値をとる光の波長を４００ｎｍ以上４９５ｎｍ以下にする厚みである方が好ましい。【００１７】
また、本発明の紫外線照射装置は、紫外線を照射する光源と、前記光源から照射された紫外線を対象物に向けて反射させる曲面状のミラーと、使用帯域が紫外線である本発明の偏光板と、を具備することを特徴とする。この場合、前記偏光軸補正部は、前記直線偏光が前記ワイヤに対する方位角４５度、入射角４０度で入射したときに、ＴＥ透過率の最小値をとる光の波長を３８０ｎｍ以下にする厚みである方が好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】方位角４５度における入射角ごとの直線偏光の偏光軸のずれθを示す図である。
【図２】本発明に係る誘電体薄膜を透過することによる偏光軸変化を利用した偏光軸補正を説明するための図である。
【図３】本発明に係るモデル１の偏光板を示す概略断面図である。
【図４】方位角４５度、入射角５０度におけるSiN膜の膜厚ごとの波長に対する偏光軸のずれθを示す図である。
【図５】SiN膜に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対する偏光軸のずれθを示す図である。
【図６】SiN膜に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対する位相差を示す図である。
【図７】本発明に係るモデル２〜４の偏光板を示す概略断面図である。
【図８】本発明に係るモデル２の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図９】本発明に係るモデル３の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図１０】本発明に係るモデル４の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図１１】本発明に係るモデル５〜７の偏光板を示す概略断面図である。
【図１２】本発明に係るモデル５の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図１３】本発明に係るモデル６の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図１４】本発明に係るモデル７の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図１５】本発明に係るモデル８の偏光板を示す概略断面図である。
【図１６】本発明に係るモデル８の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図１７】本発明に係るモデル９〜１４の偏光板を示す概略断面図である。
【図１８】本発明に係るモデル１４〜１６の偏光板を示す概略断面図である。
【図１９】本発明に係るモデル９の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図２０】本発明に係るモデル１０の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図２１】本発明に係るモデル１１の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図２２】本発明に係るモデル１２の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図２３】本発明に係るモデル１３の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図２４】本発明に係るモデル１４の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図２５】本発明に係るモデル１５の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図２６】本発明に係るモデル１６の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図２７】本発明に係るモデル１７の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図２８】本発明に係るモデル１８〜２０の偏光板を示す概略断面図である。
【図２９】本発明に係るモデル１８の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＭ透過率を示す図である。
【図３０】本発明に係るモデル１９の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＭ透過率を示す図である。
【図３１】本発明に係るモデル２０の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＭ透過率を示す図である。
【図３２】本発明に係るモデル１８の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図３３】本発明に係るモデル１９の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図３４】本発明に係るモデル２０の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図３５】本発明に係るモデル１８の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対する消光比を示す図である。
【図３６】本発明に係るモデル１９の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対する消光比を示す図である。
【図３７】本発明に係るモデル２０の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対する消光比を示す図である。
【図３８】本発明に係るモデル１８〜２０の偏光板に対する方位角４５度における入射角に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図３９】本発明に係るモデル１８〜２０の偏光板に対する方位角４５度における入射角に対する消光比を示す図である。
【図４０】ＴＥ波に対する吸収層の吸収率および反射率を示す図である。
【図４１】本発明に係るモデル２１，２２の偏光板を示す概略断面図である。
【図４２】本発明に係るモデル２１の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＭ透過率を示す図である。
【図４３】本発明に係るモデル２２の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＭ透過率を示す図である。
【図４４】本発明に係るモデル２１の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図４５】本発明に係るモデル２２の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図４６】本発明に係るモデル２１の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対する消光比を示す図である。
【図４７】本発明に係るモデル２２の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対する消光比を示す図である。
【図４８】本発明に係るモデル２１，２２の偏光板に対する方位角４５度における入射角に対する消光比（波長２５０ｎｍ）を示す図である。
【図４９】本発明に係るモデル２１，２２の偏光板に対する方位角４５度における入射角に対する消光比（波長３００ｎｍ）を示す図である。
【図５０】本発明に係る実施例１〜４の偏光板の断面を示すＳＥＭ写真である。
【図５１】本発明に係る実施例１の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＭ透過率を示す図である。
【図５２】本発明に係る実施例２の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＭ透過率を示す図である。
【図５３】本発明に係る実施例３の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＭ透過率を示す図である。
【図５４】本発明に係る実施例４の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＭ透過率を示す図である。
【図５５】本発明に係る実施例１の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図５６】本発明に係る実施例２の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図５７】本発明に係る実施例３の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図５８】本発明に係る実施例４の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図５９】本発明に係る実施例１の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対する消光比を示す図である。
【図６０】本発明に係る実施例２の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対する消光比を示す図である。
【図６１】本発明に係る実施例３の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対する消光比を示す図である。
【図６２】本発明に係る実施例４の偏光板に対する方位角４５度における入射角ごとの波長に対する消光比を示す図である。
【図６３】本発明に係る偏光板の作成方法の一例を説明する図である。
【図６４】本発明に係る偏光板の作成方法の一例を説明する図である。
【図６５】本発明の量子ドットディスプレイを示す概略図である。
【図６６】本発明の紫外線照射装置を示す概略図である。
【図６７】本発明のワイヤグリッドのパターン方向を示す概略図である。
【図６８】本発明に係るモデル２３の偏光板を示す概略断面図である。
【図６９】本発明に係るモデル２３の横ライン型偏光板に対するＡｌ高さごとの波長に対するＴＥ反射率を示す図である。
【図７０】本発明に係るモデル２３の縦ライン型偏光板に対するＡｌ高さごとの波長に対するＴＥ反射率を示す図である。
【図７１】本発明に係るモデル２３の斜め４５度ライン型偏光板に対するＡｌ高さごとの波長に対するＴＥ反射率を示す図である。
【図７２】本発明に係るモデル２３の横ライン型偏光板に対するＡｌ高さごとの波長に対するＴＭ反射率を示す図である。
【図７３】本発明に係るモデル２３の縦ライン型偏光板に対するＡｌ高さごとの波長に対するＴＭ反射率を示す図である。
【図７４】本発明に係るモデル２３の斜め４５度ライン型偏光板に対するＡｌ高さごとの波長に対するＴＭ反射率を示す図である。
【図７５】本発明に係るモデル２３の横ライン型偏光板に対するＡｌ高さごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図７６】本発明に係るモデル２３の縦ライン型偏光板に対するＡｌ高さごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図７７】本発明に係るモデル２３の斜め４５度ライン型偏光板に対するＡｌ高さごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図７８】本発明に係るモデル２３の横ライン型偏光板に対するＡｌ高さごとの波長に対するＴＭ透過率を示す図である。
【図７９】本発明に係るモデル２３の縦ライン型偏光板に対するＡｌ高さごとの波長に対するＴＭ透過率を示す図である。
【図８０】本発明に係るモデル２３の斜め４５度ライン型偏光板に対するＡｌ高さごとの波長に対するＴＭ透過率を示す図である。
【図８１】本発明に係るモデル２３の横ライン型偏光板に対するＡｌ高さごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図８２】本発明に係るモデル２３の縦ライン型偏光板に対するＡｌ高さごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図８３】本発明に係るモデル２３の斜め４５度ライン型偏光板に対するＡｌ高さごとの波長に対するＴＥ透過率を示す図である。
【図８４】本発明に係るモデル２３の横ライン型偏光板に対するＡｌ高さごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図８５】本発明に係るモデル２３の縦ライン型偏光板に対するＡｌ高さごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図８６】本発明に係るモデル２３の斜め４５度ライン型偏光板に対するＡｌ高さごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図８７】本発明に係るモデル２４、２５の偏光板を示す概略断面図である。
【図８８】本発明に係るモデル２４の偏光板に対するＦｉｌｌ  Ｆａｃｔｏｒごとの波長に対するＴＥ反射率を示す図である。
【図８９】本発明に係るモデル２５の偏光板に対するハードマスク厚さごとの波長に対するＴＥ反射率を示す図である。
【図９０】本発明に係るモデル２４の偏光板に対するＦｉｌｌ  Ｆａｃｔｏｒごとの波長に対するＴＭ反射率を示す図である。
【図９１】本発明に係るモデル２５の偏光板に対するハードマスク厚さごとの波長に対するＴＭ反射率を示す図である。
【図９２】本発明に係るモデル２４の偏光板に対するＦｉｌｌ  Ｆａｃｔｏｒごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図９３】本発明に係るモデル２５の偏光板に対するハードマスク厚さごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図９４】本発明に係るモデル２４の偏光板に対するＦｉｌｌ  Ｆａｃｔｏｒごとの波長に対するＴＭ透過率を示す図である。
【図９５】本発明に係るモデル２５の偏光板に対するハードマスク厚さごとの波長に対するＴＭ透過率を示す図である。
【図９６】本発明に係るモデル２４の偏光板に対するＦｉｌｌ  Ｆａｃｔｏｒごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図９７】本発明に係るモデル２５の偏光板に対するハードマスク厚さごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図９８】本発明に係るモデル２６、２７、２８の偏光板を示す概略断面図である。
【図９９】本発明に係るモデル２６の偏光板に対する入射角ごとの波長に対するＴＥ反射率を示す図である。
【図１００】本発明に係るモデル２７の偏光板に対する入射角ごとの波長に対するＴＥ反射率を示す図である。
【図１０１】本発明に係るモデル２８の偏光板に対する入射角ごとの波長に対するＴＥ反射率を示す図である。
【図１０２】本発明に係るモデル２６の偏光板に対する入射角ごとの波長に対するＴＭ反射率を示す図である。
【図１０３】本発明に係るモデル２７の偏光板に対する入射角ごとの波長に対するＴＭ反射率を示す図である。
【図１０４】本発明に係るモデル２８の偏光板に対する入射角ごとの波長に対するＴＭ反射率を示す図である。
【図１０５】本発明に係るモデル２６の偏光板に対する入射角ごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図１０６】本発明に係るモデル２７の偏光板に対する入射角ごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図１０７】本発明に係るモデル２８の偏光板に対する入射角ごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図１０８】本発明に係るモデル２６の偏光板に対する入射角ごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図１０９】本発明に係るモデル２７の偏光板に対する入射角ごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図１１０】本発明に係るモデル２８の偏光板に対する入射角ごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図１１１】本発明に係るモデル２９、３０、３１の偏光板を示す概略断面図である。
【図１１２】本発明に係るモデル２９の偏光板に対する入射角ごとの波長に対するＴＥ反射率を示す図である。
【図１１３】本発明に係るモデル３０の偏光板に対する入射角ごとの波長に対するＴＥ反射率を示す図である。
【図１１４】本発明に係るモデル３１の偏光板に対する入射角ごとの波長に対するＴＥ反射率を示す図である。
【図１１５】本発明に係るモデル２９の偏光板に対する入射角ごとの波長に対するＴＭ反射率を示す図である。
【図１１６】本発明に係るモデル３０の偏光板に対する入射角ごとの波長に対するＴＭ反射率を示す図である。
【図１１７】本発明に係るモデル３１の偏光板に対する入射角ごとの波長に対するＴＭ反射率を示す図である。
【図１１８】本発明に係るモデル２９の偏光板に対する入射角ごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図１１９】本発明に係るモデル３０の偏光板に対する入射角ごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図１２０】本発明に係るモデル３１の偏光板に対する入射角ごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図１２１】本発明に係るモデル２９の偏光板に対する入射角ごとの波長に対するＴＭ透過率を示す図である。
【図１２２】本発明に係るモデル３０の偏光板に対する入射角ごとの波長に対するＴＭ透過率を示す図である。
【図１２３】本発明に係るモデル３１の偏光板に対する入射角ごとの波長に対するＴＭ透過率を示す図である。
【図１２４】本発明に係るモデル２９の偏光板に対する入射角ごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図１２５】本発明に係るモデル３０の偏光板に対する入射角ごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図１２６】本発明に係るモデル３１の偏光板に対する入射角ごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図１２７】本発明に係るモデル３０、３１、３２の偏光板を示す概略断面図である。
【図１２８】本発明に係るモデル３０の偏光板に対する入射角４５度における方位角ごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図１２９】本発明に係るモデル３１の偏光板に対する入射角４５度における方位角ごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図１３０】本発明に係るモデル３２の偏光板に対する入射角４５度における方位角ごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図１３１】本発明に係るモデル３０の偏光板に対する入射角４５度における方位角ごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図１３２】本発明に係るモデル３１の偏光板に対する入射角４５度における方位角ごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図１３３】本発明に係るモデル３２の偏光板に対する入射角４５度における方位角ごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図１３４】本発明に係るモデル３０の偏光板に対する入射角４０度における方位角ごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図１３５】本発明に係るモデル３１の偏光板に対する入射角４０度における方位角ごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図１３６】本発明に係るモデル３２の偏光板に対する入射角４０度における方位角ごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図１３７】本発明に係るモデル３０の偏光板に対する入射角４０度における方位角ごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図１３８】本発明に係るモデル３１の偏光板に対する入射角４０度における方位角ごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図１３９】本発明に係るモデル３２の偏光板に対する入射角４０度における方位角ごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図１４０】本発明に係るモデル３０の偏光板に対する入射角５０度における方位角ごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図１４１】本発明に係るモデル３１の偏光板に対する入射角５０度における方位角ごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図１４２】本発明に係るモデル３２の偏光板に対する入射角５０度における方位角ごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図１４３】本発明に係るモデル３０の偏光板に対する入射角５０度における方位角ごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図１４４】本発明に係るモデル３１の偏光板に対する入射角５０度における方位角ごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図１４５】本発明に係るモデル３２の偏光板に対する入射角５０度における方位角ごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図１４６】本発明に係るモデル３０の偏光板に対する入射角３５度における方位角ごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図１４７】本発明に係るモデル３１の偏光板に対する入射角３５度における方位角ごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図１４８】本発明に係るモデル３２の偏光板に対する入射角３５度における方位角ごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図１４９】本発明に係るモデル３０の偏光板に対する入射角３５度における方位角ごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図１５０】本発明に係るモデル３１の偏光板に対する入射角３５度における方位角ごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図１５１】本発明に係るモデル３２の偏光板に対する入射角３５度における方位角ごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図１５２】本発明に係るモデル３０の偏光板に対する入射角５５度における方位角ごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図１５３】本発明に係るモデル３１の偏光板に対する入射角５５度における方位角ごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図１５４】本発明に係るモデル３２の偏光板に対する入射角５５度における方位角ごとの波長に対する反射消光比を示す図である。
【図１５５】本発明に係るモデル３０の偏光板に対する入射角５５度における方位角ごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図１５６】本発明に係るモデル３１の偏光板に対する入射角５５度における方位角ごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図１５７】本発明に係るモデル３２の偏光板に対する入射角５５度における方位角ごとの波長に対する透過消光比を示す図である。
【図１５８】入射角、方位角を説明する概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に本発明の偏光板について説明する。本発明の偏光板は、例えば図３に示すように、基板１と、ワイヤグリッド部２と、偏光軸補正部３とで主に構成される。
【００２０】
基板１は、ワイヤグリッド部２を直接又は間接的に支持するためのものである。基板１の材料としては、使用帯域の光に対して透明であればどのようなものでも良いが、例えば使用帯域の光が可視光や紫外線である場合はＳｉＯ２等を使用することができる。
【００２１】
また、ワイヤグリッド部２は、一方向に延在するワイヤ21を使用帯域の光の波長よりも短いピッチで複数配列したものである。例えば可視光や紫外線の場合は１００ｎｍピッチでワイヤ21を配列すればよい。ワイヤグリッド部２の材料としては偏光を調整できるものであればどのようなものでも良いが、例えばアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）、タングステン（Ｗ）、アモルファスシリコン、酸化チタン（ＴｉＯ２）等の金属又は金属酸化物を使用することができる。
【００２２】
また、偏光軸補正部３は、使用帯域の直線偏光がワイヤ21に対する方位角４５度から入射したときに、直線偏光の偏光軸のずれθが小さくなるように補正するためのものである。ワイヤグリッド部のワイヤの延在方向と、そこに入射させる直線偏光の進行方向のベクトルのワイヤグリッド面と水平方向成分とのなす角度を意味する。また、入射角とは、直線偏光の入射方向と偏光板の法線とがなす角度を意味する。また、偏光軸のずれθとは、入射側透過軸と出射側吸収軸のなす角度を意味する。
【００２３】
屈折率の異なる材料の表面に斜めから光が入射した場合、図２に示すように、電界が入射面と平行なＰ波と入射面に垂直なＳ波は異なる反射率を有する。したがって、透過した直線偏光は、入射した光とはＰ波とＳ波の強度が変化し、その結果偏光軸が変化する。このことを利用して、直線偏光の偏光軸のずれθが小さくなるように補正することができる。偏光軸補正部３としては、誘電体からなる薄膜をワイヤグリッド部２に対して光が入射する側に配置すれば良い。当該薄膜は、ワイヤグリッド部２の基板１側に配置しても良いし、逆側、すなわち、ワイヤグリッド部２の基板１と対向する側に配置しても良い。また、ワイヤグリッド部２の基板１と対向する側に設ける場合、ワイヤグリッド部２の各ワイヤ21の頂部に配置しても良い。この場合、偏光軸補正部３の断面形状は、ワイヤ21の幅より大きい部分を有する方が好ましい。なお、本明細書中において断面形状とは、ワイヤ21の延在方向に垂直な断面の形状を意味する。
【００２４】
また、偏光軸補正部３は、使用帯域の直線偏光がワイヤ21に対する方位角４５度で入射したときに偏光軸のずれθを十分に補正できる厚みに形成する方が良い。具体的には、使用帯域の直線偏光がワイヤ21に対する方位角４５度、入射角５０度で入射したときに、偏光軸のずれθを使用帯域の総ての波長において７度以下、好ましくは４度以下、更に好ましくは３度以下、更に好ましくは２度以下に補正できる厚みが良い。
【００２５】
また、偏光軸補正部３の誘電体としては使用帯域の光をワイヤ21に対する方位角４５度から入射させたときにワイヤグリッド部２の偏光軸を補正することができればどのようなものでもよい。例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）や二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）などを使用することができる。偏光軸補正部３の厚みは、偏光軸補正部３が窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる場合には４０〜９０ｎｍ、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる場合には６０〜１２０、酸化チタン（ＴｉＯ２）からなる場合には２０〜６０ｎｍにするのが良い。なお、この他にも、偏光軸補正部３の誘電体として、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）などの金属酸化物や種々のガラス等を使用することができることは自明である。
【００２６】
また、偏光軸補正部３は、使用帯域の直線偏光がワイヤ21に対する方位角４５度、入射角４０度で入射したときに、使用帯域の総ての光のクロスニコル透過率が１．０％以下、好ましくは０．８％以下、更に好ましくは、０．７％以下となる厚みに形成する方が良い。
【００２７】
また、偏光軸補正部３は、使用帯域の直線偏光がワイヤ21に対する方位角４５度、入射角４０度で入射しときに、使用帯域の光のクロスニコル透過率の最小値が０．２％以下となる厚みに形成する方が良い。特に、クロスニコル透過率を抑制したい光の波長がわかっている場合には、クロスニコル透過率の最小値を示す波長を、クロスニコル透過率を抑制したい光の波長に合わせると良い。例えば、人の目が光の波長ごとの明るさを感じる強さを数値で表した比視感度というものがある。これによると、人は波長が４９５ｎｍ〜５７０ｎｍである緑色の光を最も強く感じるとされる。特に、人は、明るいところでは５５５ｎｍ付近の光を最も強く感じ、暗いところでは５０７ｎｍ付近の光を最も強く感じるとされる。したがって、偏光板の使用帯域が可視光域である場合、偏光軸補正部３の厚みは、クロスニコル透過率の最小値をとる光の波長が４９５ｎｍ以上５７０ｎｍ以下、好ましくは、５０７ｎｍ以上５５５ｎｍ以下の範囲となるように調節するのが好ましい。
【００２８】
上述した偏光軸補正部３の厚みは、様々な厚みを実際に作成して検証したり、光学シミュレーションソフトを用いて計算したりして決定することができる。
【００２９】
次に、シミュレーションを用いて、本発明の偏光板の光学特性を計算した。シミュレーションには、シノプシス社（synopsys, Inc）製のソフトDiffractMODを用いた。
【００３０】
［シミュレーション１］
まず、偏光板の偏光軸補正部３による偏光軸のずれθや位相差への影響についてシミュレーションソフトを用いて計算した。偏光板としては、図３に示すように、ワイヤグリッド部２の上部に偏光軸補正部３として窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる薄膜を形成したもの（モデル１）を想定した。
【００３１】
◎シミュレーション１−１
まず、当該偏光板に方位角４５度、入射角５０度で偏光軸補正部３側からワイヤグリッド部２に直線偏光を入射させた場合の当該直線偏光の波長に対する入射側透過軸と出射側吸収軸の角度のずれθを、偏光軸補正部３の膜厚ごとにシミュレーションした。その結果を図４に示す。
【００３２】
図４に示すように、偏光軸補正部３の膜厚が大きくなるにつれ偏光軸のずれθを低減できることがわかった。具体的には、偏光軸補正部３がない場合には、偏光軸のずれθは１２度以上あるが、偏光軸補正部３の膜厚が２０ｎｍになると、可視光域の波長に対して偏光軸のずれθを７度以下に低減できることがわかった。また、偏光軸補正部３の膜厚が６０ｎｍになると、可視光域の波長に対して偏光軸のずれθを２度以下にまで低減できることがわかった。
【００３３】
◎シミュレーション１−２
次に、上記偏光板の偏光軸補正部３の膜厚を６０ｎｍとし、当該偏光板に方位角４５度で偏光軸補正部３側からワイヤグリッド部２に直線偏光を入射させた場合の当該直線偏光の波長に対する入射側透過軸と出射側吸収軸の角度のずれθを入射角ごとにシミュレーションした。その結果を図５に示す。
【００３４】
図５に示すように、偏光軸補正部３がない場合には、入射角が大きくなるほど偏光軸のずれθの値が大きくなるが、偏光軸補正部３がある場合には、入射角が大きくなっても十分に偏光軸のずれθを低減できることがわかった。
【００３５】
◎シミュレーション１−３
次に、上記偏光板の偏光軸補正部３の膜厚を６０ｎｍとし、当該偏光板に方位角４５度で偏光軸補正部３側からワイヤグリッド部２に直線偏光を入射させた場合の当該直線偏光の波長に対する位相差の変化を入射角ごとにシミュレーションした。その結果を図６に示す。
【００３６】
図６に示すように、偏光軸補正部３の有無によって位相差の違いはほとんどない。したがって、偏光軸補正部３を有していても直線偏光が保たれることがわかった。
【００３７】
［シミュレーション２］
次に、偏光板の偏光軸補正部３によるＴＥ透過率（すなわち、クロスニコル透過率）への影響についてシミュレーションソフトを用いて計算した。偏光板としては、図７に示すように、二酸化ケイ素からなる基板１上に、中心部がアルミニウム、その側面が自然酸化膜の酸化アルミニウムであるワイヤグリッド部２が形成され、更にその上部に窒化ケイ素（ＳｉＮ）の薄膜である偏光軸補正部３を形成したものを想定した。ここで、ワイヤグリッド部２のワイヤ21は、ピッチが１００ｎｍで、当該ワイヤ21の延在方向に垂直な断面形状が台形状の基部と四角形状の本体部とからなるものとした。また、基部は、高さが１５ｎｍで、幅は基材側が５８ｎｍ、本体部側が４６ｎｍとした。また、本体部は、高さが１９０ｎｍで、幅は基部側から表面側まで４６ｎｍとした。また、酸化アルミニウムの幅は両側共に７ｎｍとした。偏光軸補正部３は、膜厚が４０ｎｍの薄膜をワイヤ21の直上に配置したもの（モデル２）と、膜厚が２０ｎｍの薄膜をワイヤ21の頂部側に３０ｎｍの隙間を空けて配置したもの（モデル３）を想定した。また、比較例として、偏光軸補正部３を配置しないもの（モデル４）も想定した。
【００３８】
上記各偏光板に方位角４５度で偏光軸補正部３側からワイヤグリッド部２に直線偏光を入射させた場合の当該直線偏光の波長に対するＴＥ透過率を入射角ごとにシミュレーションした。その結果を図８〜１０に示す。
【００３９】
図８、９に示すように、偏光軸補正部３を有する偏光板では、図１０に示す偏光軸補正部３のない偏光板に比べてＴＥ透過率が低いことがわかる。また、偏光軸補正部３は、ワイヤグリッド部２との間に隙間があっても効果があることがわかった。
【００４０】
［シミュレーション３］
次に、吸収型ワイヤグリッドからなる偏光板において、偏光軸補正部３によるＴＥ透過率（すなわち、クロスニコル透過率）への影響についてシミュレーションソフトを用いて計算した。偏光板としては、図１１に示すように、二酸化ケイ素からなる基板１上に、中心部がアルミニウム、その側面が自然酸化膜の酸化アルミニウムであり、その頂部にゲルマニウムからなる吸収層22を有するワイヤグリッド部２が形成され、更にその上部に窒化ケイ素（ＳｉＮ）又は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の薄膜である偏光軸補正部３を形成したものを想定した。ここで、ワイヤグリッド部２のワイヤ21は、ピッチが１００ｎｍで、当該ワイヤ21の延在方向に垂直な断面形状が台形状の基部と四角形状の本体部とからなるものとした。また、基部は、高さが１５ｎｍで、幅は基材側が５８ｎｍ、本体部側が４６ｎｍとした。また、本体部は、高さが１９０ｎｍで、幅は基部側から表面側まで４６ｎｍとした。また、酸化アルミニウムの幅は両側共に７ｎｍとした。また、吸収層22は、断面形状が四角形状で高さが１０ｎｍ、幅が４６ｎｍとした。偏光軸補正部３は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなり、膜厚が４０ｎｍの薄膜をワイヤ21の頂部側に配置したもの（モデル５）と、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる１０ｎｍの薄膜をワイヤ21の頂部側に配置したもの（モデル６）および９０ｎｍの薄膜をワイヤ21の頂部側に配置したもの（モデル７）を想定した。
【００４１】
上記各偏光板に方位角４５度で偏光軸補正部３側からワイヤグリッド部２に直線偏光を入射させた場合の当該直線偏光の波長に対するＴＥ透過率を入射角ごとにシミュレーションした。その結果を図１２〜１４に示す。
【００４２】
図１２〜１４に示すように、ワイヤグリッド部２に吸収層22を有していてもＴＥ透過率を低減できることがわかった。また、モデル２の反射型偏光板と比較して吸収層22のあるモデル５の吸収型偏光板の方がＴＥ透過率の低減効果が高いこともわかった。
【００４３】
［シミュレーション４］
次に、吸収型ワイヤグリッドからなる偏光板において、基板１とワイヤグリッド部２の間に偏光軸補正部３を配置した場合のＴＥ透過率（すなわち、クロスニコル透過率）についてシミュレーションソフトを用いて計算した。偏光板としては、図１５に示すように、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる基板１上に、中心部がアルミニウム、その側面が自然酸化膜の酸化アルミニウムであり、その偏光軸補正部３側にゲルマニウムからなる吸収層22を有するワイヤグリッド部２が形成されたものを想定した。偏光軸補正部３は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）の薄膜であるものを想定した。ここで、ワイヤグリッド部２のワイヤ21は、ピッチが１００ｎｍで、当該ワイヤ21の延在方向に垂直な断面形状が四角形状で、高さが２０５ｎｍで、幅は４６ｎｍとした。また、酸化アルミニウムの幅は両側共に７ｎｍとした。また、吸収層22は、高さが１０ｎｍで幅が４６ｎｍとした。偏光軸補正部３は、厚さが６０ｎｍの薄膜とした（モデル８）。
【００４４】
上記各偏光板に方位角４５度で基板１側からワイヤグリッド部２に直線偏光を入射させた場合の当該直線偏光の波長に対するＴＥ透過率を入射角ごとにシミュレーションした。その結果を図１６に示す。
【００４５】
図１６に示すように、基板１とワイヤグリッド部２の間に偏光軸補正部３を配置してもＴＥ透過率を低減できることがわかった。
【００４６】
［シミュレーション５］
次に、ワイヤグリッドからなる偏光板において、偏光軸補正部３によるＴＥ透過率（すなわち、クロスニコル透過率）への影響についてシミュレーションソフトを用いて計算した。偏光板としては、図１７、１８に示すように、二酸化ケイ素からなる基板１上に、中心部がアルミニウム、その側面が自然酸化膜の酸化アルミニウムであるワイヤグリッド部２が形成され、更に各ワイヤ21の頂部に二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の層からなる偏光軸補正部３を形成したものを想定した。ここで、ワイヤグリッド部２のワイヤ21は、ピッチが１００ｎｍで、当該ワイヤ21の延在方向に垂直な断面形状が台形状の基部と四角形状の本体部とからなるものとした。また、基部は、高さが１５ｎｍで、幅は基材側が６８．３ｎｍ、本体部側が５６．３ｎｍとした。また、本体部は、高さが１９０ｎｍで、幅は基部側から表面側まで５６．３ｎｍとした。また、酸化アルミニウムの幅は両側共に７ｎｍとした。偏光軸補正部３は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなり、断面形状が四角形状で、幅が５６．３ｎｍ、高さが２０ｎｍから１２０ｎｍまで２０ｎｍずつを変えた層をワイヤ21の頂部に配置したもの（モデル９〜１４）と、断面形状がテーパ状で、幅はワイヤ21側が５６．３ｎｍ、頂上側が４１．３ｎｍ、高さが１２０ｎｍの層をワイヤ21の頂部に配置したもの（モデル１５）と、断面形状が四角形状で、幅が５６．３ｎｍ、高さが１２０ｎｍの層をワイヤ21の頂部に配置したもの（モデル１６）と、断面形状が逆テーパ状で、幅はワイヤ21側が５６．３ｎｍ、頂上側が１０１．３ｎｍ、高さが１２０ｎｍの層をワイヤ21の頂部に配置したもの（モデル１７）を想定した。
【００４７】
上記各偏光板に方位角４５度で偏光軸補正部３側からワイヤグリッド部２に直線偏光を入射させた場合の当該直線偏光の波長に対するＴＥ透過率を入射角ごとにシミュレーションした。その結果を図１９〜２７に示す。
【００４８】
図１９〜２７に示すように、偏光軸補正部３を各ワイヤ21の頂部のみに配置するものであっても、ＴＥ透過率を十分に低減できることがわかった。また、偏光軸補正部３の厚みが変わるとＴＥ透過率の最小値をとる光の波長が変化することがわかった。更に、偏光軸補正部３の断面形状は、モデル１４のようにワイヤ21の幅より小さい部分を有する形状や、モデル１６のようにワイヤ21の幅と同じ幅である形状よりも、モデル１７のようにワイヤ21の幅より大きい部分を有する形状の方が良いことがわかった。
【００４９】
［シミュレーション６］
次に、吸収型ワイヤグリッドからなる偏光板において、偏光軸補正部３によるＴＭ透過率、ＴＥ透過率（すなわち、クロスニコル透過率）および消光比への影響についてシミュレーションソフトを用いて計算した。偏光板としては、図２８に示すように、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる基板１上に、中心部がアルミニウム、その側面が自然酸化膜の酸化アルミニウムであり、その偏光軸補正部３側にゲルマニウムからなる吸収層22を有するワイヤグリッド部２が形成されたものを想定した。偏光軸補正部３は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の薄膜であるもの（モデル１８，１９）と窒化ケイ素（ＳｉＮ）の薄膜であるものを想定した。ここで、ワイヤグリッド部２のワイヤ21は、ピッチが１００ｎｍで、当該ワイヤ21の延在方向に垂直な断面形状が台形状の基部と四角形状の本体部とからなるものとした。また、基部は、高さが１５ｎｍで、幅は基材側が５８ｎｍ、本体部側が４６ｎｍとした。また、本体部は、高さが１９０ｎｍで、幅は基部側から表面側まで４６ｎｍとした。また、酸化アルミニウムの幅は両側共に７ｎｍとした。偏光軸補正部３は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなり、断面形状が四角形状で、幅が４６ｎｍ、高さが１０ｎｍの層をワイヤ21の頂部に配置したもの（モデル１８）と、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなり、断面形状が逆テーパ状で、幅はワイヤ21側が４６ｎｍ、頂上側が５６ｎｍ、高さが９０ｎｍの層をワイヤ21の頂部に配置したもの（モデル１９）と、窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなり、断面形状が逆テーパ状で、幅はワイヤ21側が４６ｎｍ、頂上側が５４ｎｍ、高さが６０ｎｍの層をワイヤ21の頂部に配置したもの（モデル２０）を想定した。
【００５０】
上記各偏光板に方位角４５度で偏光軸補正部３側からワイヤグリッド部２に直線偏光を入射させた場合の当該直線偏光の波長に対するＴＭ透過率、ＴＥ透過率および消光比を入射角ごとにシミュレーションした。その結果を図２９〜３７に示す。また、上記各偏光板に方位角４５度で偏光軸補正部３側からワイヤグリッド部２に波長が４５０ｎｍの直線偏光を入射させた場合の当該直線偏光の入射角に対するＴＥ透過率および消光比をシミュレーションした。その結果を図３８，３９に示す。
【００５１】
図２９〜３４に示すように、モデル１８に対してモデル１９，２０を比べると、ＴＭ透過率に大きな違いはないが、ＴＥ透過率は大きく低下していることがわかる。その結果、図３５〜３７に示すように、消光比が向上していることがわかる。特に、波長が４５０ｎｍの光に対しては、図３８に示すように、入射角が大きくなってもモデル２０のＴＥ透過率は十分に低く抑えられており、図３９に示すように、消光比も高く維持されていることがわかる。更に吸収型ワイヤグリッドでは、補正層を有するモデル１９、モデル２０は、モデル１８に比べて図４０に示すようにＴＥ波に対する吸収層の吸収率を増加し、反射率を低下するという吸収型ワイヤグリッドとして望ましい第二の効果もあることが確認できる。
【００５２】
［シミュレーション７］
次に、ワイヤグリッドからなる偏光板において、紫外線の偏光軸補正部３によるＴＭ透過率、ＴＥ透過率（すなわち、クロスニコル透過率）および消光比への影響についてシミュレーションソフトを用いて計算した。偏光板としては、図４１に示すように、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる基板１上に、中心部がアルミニウム、その側面が自然酸化膜の酸化アルミニウムであるワイヤグリッド部２が形成されたものを想定した。偏光軸補正部３は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の薄膜であるものを想定した。ここで、ワイヤグリッド部２のワイヤ21は、ピッチが１００ｎｍで、当該ワイヤ21の延在方向に垂直な断面形状が台形状の基部と四角形状の本体部とからなるものとした。また、基部は、高さが１５ｎｍで、幅は基材側が５８ｎｍ、本体部側が４６ｎｍとした。また、本体部は、高さが１９０ｎｍで、幅は基部側から表面側まで４６ｎｍとした。また、酸化アルミニウムの幅は両側共に７ｎｍとした。偏光軸補正部３は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなり、断面形状が四角形状で、幅が４６ｎｍ、高さが２０ｎｍの層をワイヤ21の頂部に配置したもの（モデル２１）と、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなり、断面形状が逆テーパ状で、幅はワイヤ21側が４６ｎｍ、頂上側が５６ｎｍ、高さが６０ｎｍの層をワイヤ21の頂部に配置したもの（モデル２２）を想定した。
【００５３】
上記各偏光板に方位角４５度で偏光軸補正部３側からワイヤグリッド部２に直線偏光を入射させた場合の当該直線偏光の波長に対するＴＭ透過率、ＴＥ透過率および消光比を入射角ごとにシミュレーションした。その結果を図４２〜４７に示す。また、上記各偏光板に方位角４５度で偏光軸補正部３側からワイヤグリッド部２に波長が２５０ｎｍ又は３００ｎｍの直線偏光を入射させた場合の当該直線偏光の入射角に対する消光比をシミュレーションした。その結果を図４８，４９に示す。
【００５４】
図４２〜４５に示すように、モデル２１に対してモデル２２を比べると、波長が２５０ｎｍ〜３００ｎｍの紫外線に対して、ＴＭ透過率に大きな違いはないが、ＴＥ透過率は大きく低下していることがわかる。その結果、図４６、４７に示すように、消光比が向上していることがわかる。特に、モデル２２は、図４９に示すように、波長が３００ｎｍの光に対して入射角が大きくなっても消光比を高く維持していることがわかる。
【００５５】
［実施例］
次に、実際に偏光軸補正部３を有する偏光板を作成し、当該偏光板の偏光軸補正部３によるＴＭ透過率、ＴＥ透過率（すなわち、クロスニコル透過率）および消光比への影響について調べた。偏光板としては、図５０の写真に示すように、二酸化ケイ素からなる基板１上に、アルミニウムからなるワイヤグリッド部２を形成し、更に各ワイヤ21の頂部に酸化ケイ素素（ＳｉＯ２）の偏光軸補正部３を形成したものを用いた。ここで、ワイヤグリッド部２のワイヤ21は、ピッチを１００ｎｍ、高さを２００ｎｍ、幅を５０ｎｍとした。偏光軸補正部３の高さは、３１ｎｍ（実施例１）、９８ｎｍ（実施例２）と、１４４ｎｍ（実施例３）と、１６３ｎｍ（実施例４）の４種類とした。
【００５６】
上記各偏光板に方位角４５度で偏光軸補正部３側からワイヤグリッド部２に直線偏光を入射させた場合の当該直線偏光の波長に対するＴＭ透過率、ＴＥ透過率および消光比を入射角ごとに測定した。その結果を図５１〜６２に示す。
【００５７】
図５１〜６２に示すように、偏光軸補正部３の厚みが変わっても、ＴＭ透過率に大きく影響しないが、ＴＥ透過率については、ＴＥ透過率の最小値を示す光の波長が変化することがわかった。また、消光比についても、高い消光比を示す光の波長が変化することがわかった。
【００５８】
次に、本発明の偏光板の作成方法の一例を以下に示す。図６３に示すように、まず使用帯域の光に対して透明な基板１上に金属層29を形成する。例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる基板１上にスパッタリング法にてアルミニウム（Ａｌ）を堆積させれば良い。次に、金属層29上に偏光軸補正部３に用いる材料と同じ誘電体からなるマスク用薄膜39を形成する。例えば、前記アルミニウム層上にスパッタリング等を用いて二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなるマスク用薄膜39を形成する。さらにレジストを塗布して、ナノインプリントやフォトリソグラフィー等の技術によりレジストにマスクパターン49を形成する（図６２（ａ）参照）。このマスクパターン49を用いてマスク用薄膜39をエッチングしてハードマスク38を形成する（図６２（ｂ）、（ｃ）参照）。このハードマスク38を用いて金属層29をエッチングしワイヤグリッド部２を形成する（図６２（ｄ）参照）。最後に、ハードマスク38上に誘電体を堆積する事で偏光軸補正部３の形状や厚みを調節する（図６２（ｅ）参照）。例えば、マスクパターン上に二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）をスパッタすることで偏光軸補正部３の形状や厚みを調節する。これにより、所望のパターンを持った偏光板を形成することができる。
【００５９】
また、本発明の偏光板の作成方法の別の一例を以下に示す。図６４に示すように、まず使用帯域の光に対して透明な基板１上に偏光軸補正部３となる所望の厚みの誘電体層37を形成する。例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる基板１上にＣＶＤ法等により窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる膜を堆積させる。次に、誘電体層37上に金属層29を形成する（図６３（ａ）参照）。例えば、前記窒化ケイ素膜上にスパッタリング法にてアルミニウム（Ａｌ）を堆積させる。さらにレジストを塗布して、ナノインプリントやフォトリソグラフィー等の技術によりマスクパターン49を形成し（図６３（ｂ）参照）、これをマスクとして金属層29をエッチングしワイヤグリッド部２を形成する（図６３（ｃ）、（ｄ）参照）。これにより、所望のパターンを持った偏光板を形成することができる。
【００６０】
次に、本発明の偏光板の利用例として、ディスプレイおよび紫外線照射装置について説明する。
【００６１】
まず、本発明のディスプレイ、例えば、量子ドットディスプレイは、図６５に示すように、青色の光を発光する光源51と、光源51の光を直線偏光にする光源側偏光板52と、直線偏光の偏光方向を変える液晶53と、上述した本発明の偏光板50と、光を赤色および緑色の波長に変える波長変換部54と、で主に構成される。
【００６２】
ここで、量子ドットディスプレイの場合、偏光板50を透過するのは青色の光のみである。赤色や緑色の光は、偏光板50を通過した後、波長変換部54の量子ドットが発光することで着色される。そのため、偏光板50の使用帯域は青色の光ということになる。したがって、ワイヤ21に対する方位角４５度から入射させた青色の光に対してクロスニコル透過率が低ければ、広視野角でコントラストを維持することができる。そこで、本発明の偏光板50の偏光軸補正部３は、直線偏光がワイヤ21に対する方位角４５度、入射角４０度で入射したときに、ＴＥ透過率の最小値をとる光の波長を４５０ｎｍ以上４９５ｎｍ以下にする厚みである方が好ましい。例えば、上述したシミュレーションでは、モデル１８やモデル１９の偏光板が該当する。
【００６３】
また、紫外線照射装置は、図６６に示すように、紫外線を照射する光源61と、光源61から照射された紫外線を対象物69に向けて反射させる曲面状のミラー62と、上述した本発明の偏光板60とで主に構成されている。そして、光源61が照射する紫外線のうち所定方向の偏光軸の紫外線のみを偏光板60によって通過させ、通過させた紫外線を対象物69に照射することにより配向膜の配向処理を行なっている。ここで、光源61から偏光板60に照射される光の方向は様々であり、偏光板60に方位角度４５度で斜め入射した光の偏光度は低くなる。したがって、ワイヤ21に対する方位角４５度から入射させた紫外線に対してクロスニコル透過率が低ければ、より良い配光処理を行うことができる。そこで、本発明の偏光板60の偏光軸補正部３は、直線偏光がワイヤ21に対する方位角４５度、入射角４０度で入射したときに、ＴＥ透過率の最小値をとる光の波長を３８０ｎｍ以下にする厚みである方が好ましい。例えば、上述したシミュレーションでは、モデル２２の偏光板が該当する。
【００６４】
次に、ビームスプリッターに用いる偏光板について、消光比向上のための最適構造を検討した。
［シミュレーション８］
まず、図６７に示すように、ビームスプリッターに用いる偏光板において、ワイヤグリッド部２のパターンの延伸する方向が光の入射方向に対して横（方位角０度）、縦（方位角９０度）、斜め４５度（方位角４５度）の３種の構造に対して、光を入射角４５度で照射した場合の反射特性及び透過特性についてシミュレーションソフトを用いて計算した。偏光板としては、図６８に示すように、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる基板１上に、中心部がアルミニウム、その側面が自然酸化膜の酸化アルミニウムであるワイヤグリッド部２が形成されたものを想定した。偏光軸補正部３は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の薄膜であるものを想定した。ここで、ワイヤグリッド部２のワイヤ21は、ピッチが１００ｎｍで、当該ワイヤ21の延在方向に垂直な断面形状が四角形状のものとした。また、幅は５５ｎｍとした。また、ワイヤ21の高さは７０ｎｍから１８０ｎｍまで１０ｎｍずつ変えた１２種類とした。また、酸化アルミニウムの幅は両側共に７ｎｍとした。偏光軸補正部３は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなり、断面形状が四角形状で、幅が５５ｎｍ、高さが２０ｎｍの層をワイヤ21の頂部に配置したもの（モデル２３）を想定した。
【００６５】
上記モデルのＴＥ反射率、ＴＭ反射率、反射消光比、ＴＭ透過率、ＴＥ透過率、透過消光比をアルミニウム（Ａｌ）の高さ毎にシミュレーションした。結果を図６９〜８６に示す。
【００６６】
反射率、透過率、およびその消光比において、全て横ライン型（入射する光の方位角０度）が優れた特性を示した。また、横ライン構造において、Ａｌの高さは１１０〜１３０ｎｍで最も反射の消光比が高く、波長が５００〜６００ｎｍ付近でピークを持つことがわかった。また、Ａｌの高さが増加すると透過消光比も単調増加することがわかった。したがって、透過、反射の特性を鑑み、ビームスプリッターのような反射消光比が重要な偏光板では、Ａｌの高さは１２０ｎｍ前後が望ましいこともわかった。
【００６７】
［シミュレーション９］
シミュレーション８で良い特性を示した横ライン構造（入射する光の方位角０度）で、ワイヤグリッド部２のフィルファクター（Fill factor）をパラメーターとした光学特性と、偏光軸補正部３の厚さをパラメーターとした光学特性のシミュレーションを行った。ここで、フィルファクターとは、ワイヤグリッド部２のワイヤ21のピッチに対する幅の比を意味する。
【００６８】
偏光板としては、図８７に示すように、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる基板１上に、中心部がアルミニウム、その側面が自然酸化膜の酸化アルミニウムであるワイヤグリッド部２が形成されたものを想定した。酸化アルミニウムの幅は両側共に７ｎｍとした。また、ワイヤグリッド部２のワイヤ21は、その延在方向に垂直な断面形状が四角形状のものとし、ピッチを１００ｎｍ、高さを１２０ｎｍとした。また、偏光軸補正部３は、その延在方向に垂直な断面形状が四角形状で、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の薄膜であるものを想定した。
【００６９】
ここで、フィルファクターをパラメーターとする場合には、図８７のモデル２４に示すように、ワイヤ21の幅を３０〜７０ｎｍまで５ｎｍずつ変えた９種類とした。また、偏光軸補正部３の二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の厚さは２０ｎｍとした。
【００７０】
また、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の厚さをパラ-メータとする場合には、図８７のモデル２５に示すように、偏光軸補正部３の二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の厚さを１〜１００ｎｍまで９ｎｍずつ変えた１２種類とした。また、ワイヤ21の幅は５５ｎｍとした。
【００７１】
上記モデルのＴＥ反射率、ＴＭ反射率、反射消光比、ＴＭ透過率、透過消光比の結果を図８８〜９７に示す。なお、光の入射角は４５度である。
【００７２】
その結果、フィルファクターは０．５から０．６の間で反射の消光比が高い値を示すことがわかった。透過率、反射率なども鑑み、フィルファクターは０．５５が最も望ましい構造であると考えられる。このフィルファクターの値は通常の透過型ワイヤグリッドに比べて大きい。それでも透過率があまり落ちないのはＡｌの厚さが薄いためと考えられる。
【００７３】
偏光軸補正部は、厚みが大きくなるにしたがいＴＥ反射率は数％低下する。反射の消光比はピーク値がハードマスクのＳｉＯ２の膜厚によって大きく変化し２０ｎｍで最大になるが、ピークの波長以外の特性は大きく変化しないことがわかった。
【００７４】
［シミュレーション１０］
シミュレーション８、９で得られた最適構造にて、ワイヤグリッド部２のワイヤ21の高さを上下１０ｎｍずつ変えて、その光学特性についてシミュレーションを行った。
【００７５】
偏光板としては、図９８に示すように、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる基板１上に、中心部がアルミニウム、その側面が自然酸化膜の酸化アルミニウムであるワイヤグリッド部２が形成されたものを想定した。偏光軸補正部３は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の薄膜であるものを想定した。ここで、ワイヤグリッド部２のワイヤ21は、ピッチが１００ｎｍで、当該ワイヤ21の延在方向に垂直な断面形状が四角形状のものとした。また、幅は５５ｎｍとした。また、ワイヤ21の高さは１１０（モデル２６）、１２０（モデル２７）、１３０ｎｍ（モデル２８）とした。また、酸化アルミニウムの幅は両側共に７ｎｍとした。偏光軸補正部３は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなり、断面形状が四角形状で、幅が５５ｎｍ、高さが２０ｎｍの層をワイヤ21の頂部に配置したものを想定した。
【００７６】
また、光の入射角は、３３〜５７度まで３度ずつ変えた９種類とした。
【００７７】
上記各モデルにおいて、光の入射角ごとのＴＥ反射率、ＴＭ透過率、反射消光比、透過消光比の結果を図９９〜１１０に示す。
【００７８】
その結果、Ａｌ厚さを変化させた場合、反射の消光比のピーク値とピーク位置は変化するが他の特性の変化は小さいことがわかる。
【００７９】
［シミュレーション１１］
次に、標準型ワイヤグリッド構造と高反射消光比ワイヤグリッド構造（シミュレーション８、９で得られた最適構造）と、高視野角反射消光比ワイヤグリッド構造の３種についてワイヤグリッドの特性比較を行った。パラメーターとして光の入射角を３３〜５７度まで３度ずつ変えた９種類を用いた。
【００８０】
標準型ワイヤグリッド構造の偏光板としては、図１１１のモデル２９に示すように、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる基板１上に、中心部がアルミニウム、その側面が自然酸化膜の酸化アルミニウムであるワイヤグリッド部２が形成されたものを想定した。偏光軸補正部３は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の薄膜であるものを想定した。ここで、ワイヤグリッド部２のワイヤ21は、ピッチが１００ｎｍで、当該ワイヤ21の延在方向に垂直な断面形状が四角形状のものとした。また、幅は４０ｎｍとした。また、ワイヤ21の高さは１８０ｎｍとした。また、酸化アルミニウムの幅は両側共に７ｎｍとした。偏光軸補正部３は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなり、断面形状が四角形状で、幅が４０ｎｍ、高さが２０ｎｍの層をワイヤ21の頂部に配置したものを想定した。
【００８１】
また、高反射消光比ワイヤグリッド構造の偏光板としては、図１１１のモデル３０に示すように、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる基板１上に、中心部がアルミニウム、その側面が自然酸化膜の酸化アルミニウムであるワイヤグリッド部２が形成されたものを想定した。偏光軸補正部３は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の薄膜であるものを想定した。ここで、ワイヤグリッド部２のワイヤ21は、ピッチが１００ｎｍで、当該ワイヤ21の延在方向に垂直な断面形状が四角形状のものとした。また、幅は５５ｎｍとした。また、ワイヤ21の高さは１２０ｎｍとした。また、酸化アルミニウムの幅は両側共に７ｎｍとした。偏光軸補正部３は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなり、断面形状が四角形状で、幅が５５ｎｍ、高さが２０ｎｍの層をワイヤ21の頂部に配置したものを想定した。
【００８２】
また、高視野角反射消光比ワイヤグリッド構造の偏光板としては、図１１１のモデル３１に示すように、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる基板１上に、中心部がアルミニウム、その側面が自然酸化膜の酸化アルミニウムであるワイヤグリッド部２が形成されたものを想定した。偏光軸補正部３は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の薄膜であるものを想定した。ここで、ワイヤグリッド部２のワイヤ21は、ピッチが１００ｎｍで、当該ワイヤ21の延在方向に垂直な断面形状が四角形状のものとした。また、幅は５５ｎｍとした。また、ワイヤ21の高さは１２０ｎｍとした。また、酸化アルミニウムの幅は両側共に７ｎｍとした。偏光軸補正部３は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなり、断面形状が四角形状で、幅が５５ｎｍ、高さが１００ｎｍの層をワイヤ21の頂部に配置したものを想定した。
【００８３】
上記モデルのＴＥ反射率、ＴＭ反射率、反射消光比、ＴＭ透過率、透過消光比の結果を図１１２〜１２６に示す。
【００８４】
その結果、標準型ワイヤグリッド構造（モデル２９）は反射の消光比が極めて低い。一方、高反射消光比ワイヤグリッド構造（モデル３０）は、反射率が高く、４５度での反射消光比は非常に良いが、入射角が大きくなると消光比が低下することがわかった。また、高視野角反射消光比ワイヤグリッド構造（モデル３１）はＴＥ反射率がやや低いが、入射角を変化させた時の反射消光比の低下は小さいことがわかった。
【００８５】
［シミュレーション１２］
次に、図１２７に示す高反射消光比ワイヤグリッド構造（モデル３０）、高視野角用反射消光比ワイヤグリッド構造（モデル３１）、および当該モデル３１のＳｉＯ２の厚さを１２０ｎｍに変えたワイヤグリッド構造（モデル３２）について入射角度３５〜５５度の範囲で方位角度を０〜２０度まで変化させて光学特性のシミュレーションを行った。
【００８６】
上記モデルのそれぞれの角度の反射消光比、透過消光比の結果を図１２８〜１５７に示す。
【００８７】
その結果、入射角が一定で方位角を変化させた場合、反射消光比だけでなく透過消光比でも高視野角用の厚いＳｉＯ２をつけた構造の優位性が顕著になる。また、モデル３２のように、高視野角用の厚いＳｉＯ２の厚さを調整して消光比のピーク波長が５００ｎｍ程度にすると特性は最も良くなる。
【符号の説明】
【００８８】
１  基板
２  ワイヤグリッド部
３  偏光軸補正部
21  ワイヤ
22  吸収層
50  偏光板
51  光源
52  光源側偏光板
53  液晶
54  波長変換部
60  偏光板
61  光源
62  ミラー
69  対象物
【図１】
2020044751.tif 000003
【図２】
2020044751.tif 000004
【図３】
2020044751.tif 000005
【図４】
2020044751.tif 000006
【図５】
2020044751.tif 000007
【図６】
2020044751.tif 000008
【図７】
2020044751.tif 000009
【図８】
2020044751.tif 000010
【図９】
2020044751.tif 000011
【図１０】
2020044751.tif 000012
【図１１】
2020044751.tif 000013
【図１２】
2020044751.tif 000014
【図１３】
2020044751.tif 000015
【図１４】
2020044751.tif 000016
【図１５】
2020044751.tif 000017
【図１６】
2020044751.tif 000018
【図１７】
2020044751.tif 000019
【図１８】
2020044751.tif 000020
【図１９】
2020044751.tif 000021
【図２０】
2020044751.tif 000022
【図２１】
2020044751.tif 000023
【図２２】
2020044751.tif 000024
【図２３】
2020044751.tif 000025
【図２４】
2020044751.tif 000026
【図２５】
2020044751.tif 000027
【図２６】
2020044751.tif 000028
【図２７】
2020044751.tif 000029
【図２８】
2020044751.tif 000030
【図２９】
2020044751.tif 000031
【図３０】
2020044751.tif 000032
【図３１】
2020044751.tif 000033
【図３２】
2020044751.tif 000034
【図３３】
2020044751.tif 000035
【図３４】
2020044751.tif 000036
【図３５】
2020044751.tif 000037
【図３６】
2020044751.tif 000038
【図３７】
2020044751.tif 000039
【図３８】
2020044751.tif 000040
【図３９】
2020044751.tif 000041
【図４０】
2020044751.tif 000042
【図４１】
2020044751.tif 000043
【図４２】
2020044751.tif 000044
【図４３】
2020044751.tif 000045
【図４４】
2020044751.tif 000046
【図４５】
2020044751.tif 000047
【図４６】
2020044751.tif 000048
【図４７】
2020044751.tif 000049
【図４８】
2020044751.tif 000050
【図４９】
2020044751.tif 000051
【図５０】
2020044751.tif 000052
【図５１】
2020044751.tif 000053
【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
2020044751.tif 000056
【図５５】
2020044751.tif 000057
【図５６】
2020044751.tif 000058
【図５７】
2020044751.tif 000059
【図５８】
2020044751.tif 000060
【図５９】
2020044751.tif 000061
【図６０】
2020044751.tif 000062
【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
2020044751.tif 000069
【図６８】
2020044751.tif 000070
【図６９】
2020044751.tif 000071
【図７０】
2020044751.tif 000072
【図７１】
2020044751.tif 000073
【図７２】
2020044751.tif 000074
【図７３】
2020044751.tif 000075
【図７４】
2020044751.tif 000076
【図７５】
2020044751.tif 000077
【図７６】
2020044751.tif 000078
【図７７】
2020044751.tif 000079
【図７８】
2020044751.tif 000080
【図７９】
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【図８０】
2020044751.tif 000082
【図８１】
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【図８２】
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【図８３】
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【図８４】
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【図８５】
2020044751.tif 000087
【図８６】
2020044751.tif 000088
【図８７】
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【図８８】
2020044751.tif 000090
【図８９】
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【図９０】
2020044751.tif 000092
【図９１】
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【図９２】
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【図９３】
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【図９４】
2020044751.tif 000096
【図９５】
2020044751.tif 000097
【図９６】
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【図９７】
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【図９８】
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【図９９】
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【図１００】
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【図１０１】
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【図１０２】
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【図１０３】
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【図１０４】
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【図１０５】
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【図１０６】
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【図１０７】
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【図１０８】
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【図１０９】
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【図１１０】
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【図１１１】
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【図１１２】
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【図１１３】
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【図１１４】
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【図１１５】
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【図１１６】
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【図１１７】
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【図１１８】
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【図１１９】
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【図１２０】
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【図１２１】
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【図１２２】
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【図１２３】
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【図１２４】
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【図１２５】
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【図１２６】
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【図１２７】
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【図１２８】
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【図１２９】
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【図１３０】
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【図１３１】
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【図１３２】
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【図１３３】
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【図１３４】
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【図１３５】
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【図１３６】
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【図１３７】
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【図１３８】
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【図１３９】
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【図１４０】
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【図１４１】
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【図１４２】
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【図１４３】
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【図１４４】
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【図１４５】
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【図１４６】
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【図１４７】
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【図１４８】
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【図１４９】
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【図１５０】
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【図１５１】
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【図１５２】
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【図１５３】
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【図１５４】
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【図１５５】
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【図１５６】
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【図１５７】
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【図１５８】
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【国際調査報告】
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