【手続補正書】
【提出日】平成21年9月14日(2009.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）  工作物の面に入射する放射フラッシュを発生する放射装置に関連する少なくとも１つの熱効率パラメータを監視する段階と、
ｂ）  熱効率パラメータの監視に応じて、前記放射フラッシュを発生する放射装置が用いる制御情報を自動的に更新する段階と、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、前記監視する段階は放射フラッシュにより起こる工作物の面の実際の温度上昇の測定に応じて少なくとも１つの熱効率パラメータを計算する段階を含む前記方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の方法であって、前記監視する段階は、前記面に到着するフラッシュの放射エネルギのエネルギ密度を監視する段階を含む前記方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の方法であって、前記自動的に更新する段階は、放射フラッシュの出力エネルギを自動的に変える段階を含む前記方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の方法であって、さらに、
ａ）  前記面の加熱パラメータの測定に応じて工作物の面への放射フラッシュの加熱効果を予測する段階と、
ｂ）  予測加熱効果に応じて放射フラッシュを事前調整する段階と、
を含む前記方法。
【請求項６】
ａ）  工作物の面に入射する放射フラッシュの加熱効果を前記面の加熱パラメータの測定に応じて予測する段階と、
ｂ）  予測加熱効果に応じて放射フラッシュを事前調整する段階と、
ｃ）  工作物の面に入射する事前調整済みの放射フラッシュを生成する段階と、
ｄ）  前記面に入射する放射フラッシュの最初の部分の間の工作物の面の温度を測定する段階と、
ｅ）  前記温度に応じて放射フラッシュの残りの部分の電力を制御する段階と、
を含む方法。
【請求項７】
請求項５または６記載の方法であって、前記予測する段階は、複数の同様の工作物の各面に入射する同様の放射フラッシュの各加熱効果を各面の各加熱パラメータの各測定に応じて予測する段階を含み、前記工作物は見かけ上同じである前記方法。
【請求項８】
請求項５から７のいずれかに記載の方法であって、前記放射フラッシュの加熱効果を予測する段階は、前記面のピーク温度と前記面が吸収する放射フラッシュのエネルギの量の少なくとも１つを予測する段階を含む前記方法。
【請求項９】
請求項５から８のいずれかに記載の方法であって、さらに、前記面の加熱パラメータを測定する段階を含み、前記加熱パラメータを測定する段階は、前記面の反射率と前記面の放射率の少なくとも１つを測定する段階を含む前記方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、前記加熱パラメータを測定する段階は、加熱パラメータ内の小規模の角変動を補償する段階を含む前記方法。
【請求項１１】
請求項５から１０のいずれかに記載の方法であって、前記事前調整する段階は、第１の工作物の第１の面に入射する将来の放射フラッシュを第２の工作物の同様の面に現在の放射フラッシュを入射させるのと同時に事前調整する段階を含む前記方法。
【請求項１２】
請求項５から１０のいずれかに記載の方法であって、前記加熱効果を予測する段階は、前記面の放射率の測定値および放射フラッシュが前記面に伝達するエネルギの量に応じて加熱効果を予測する段階を含む前記方法。
【請求項１３】
請求項５から１０のいずれかに記載の方法であって、前記加熱効果を予測する段階は、放射フラッシュのスペクトルの複数の各波長での前記面の複数の吸収率の値と、前記フラッシュが前記面に伝達する各波長での放射エネルギの各量を表す複数の放射エネルギの値とを畳み込む段階と、畳み込みから得られる複数の吸収エネルギの値を合計する段階を含む前記方法。
【請求項１４】
請求項５から１３のいずれかに記載の方法であって、前記事前調整する段階は、放射フラッシュを生成するのに用いる蓄積電気エネルギの量を事前調整する段階を含む前記方法。
【請求項１５】
請求項６から１４のいずれかに記載の方法であって、工作物は半導体ウェアを含み、前記放射フラッシュは工作物の熱伝導時間より短い継続時間を有し、前記最初の部分は約１ｍｓより短い継続時間を有し、前記測定する段階は放射フラッシュの最初の部分の間の複数の各時刻に前記面の温度の複数の測定値を得ることを含む前記方法。
【請求項１６】
請求項６から１４のいずれかに記載の方法であって、前記制御する段階は、放射フラッシュの残りの部分のエネルギ出力を減らすことを含む前記方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の方法であって、前記減らす段階は、放射フラッシュの放射源および放射源の電源と通信するグローバ回路を点火することを含む前記方法。
【請求項１８】
請求項６から１４のいずれかに記載の方法であって、前記制御する段階は、放射フラッシュの残りの部分のピーク電力出力を増やすことを含む前記方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の方法であって、前記増やす段階は、放射フラッシュの放射源および放射源の電源と通信する誘導グローバ回路を点火することを含む前記方法。
【請求項２０】
請求項１８記載の方法であって、前記放射フラッシュは、放電電流により電力を供給されたアーク・ランプによって発生され、放電電流は、第１のインダクタンスを有する第１の電気路を通して流れて放射フラッシュの最初の部分を生成し、また前記増やす段階は、第１のインダクタンスより小さな第２のインダクタンスを有する第２の電気路を通して放電電流を流すことを含む前記方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の方法であって、前記増やす段階は、アーク・ランプを通してコンデンサを放電することを更に含む前記方法。
【請求項２２】
請求項１から２１のいずれか一項記載の方法であって、さらに、前記工作物に入射する放射フラッシュを発生する放射装置に電気パルスを供給する段階を含み、前記パルスの立ち下り時間は、パルスの立ち上がり時間より短い前記方法。
【請求項２３】
請求項２２記載の方法であって、前記供給する段階は、パルスを立ち上がり時間から立ち下り時間に急に移行させることを含む前記方法。
【請求項２４】
ａ）  工作物の面に入射する放射フラッシュを発生する放射装置に関連する少なくとも１つの熱効率パラメータを監視する測定装置と、
ｂ）  前記測定装置と通信するプロセッサ回路であって、前記熱効率パラメータの監視に応じて、前記放射フラッシュを発生する放射装置が用いる制御情報を自動的に更新するプロセッサ回路と、
を含む機器。
【請求項２５】
請求項２４記載の機器であって、前記工作物の面に入射する放射フラッシュを発生する放射装置を更に含み、前記プロセッサ回路は、前記放射装置と通信し、前記プロセッサ回路は、
１）  前記面の加熱パラメータの測定値に応じて放射フラッシュの加熱効果を予測し、
２）  予測加熱効果に応じて放射フラッシュを事前調整する、
よう構成される前記機器。
【請求項２６】
請求項２４または２５記載の機器であって、
前記測定装置は、前記面に入射する放射フラッシュの最初の部分の間の工作物の面の温度を測定し、前記プロセッサ回路は、測定装置および放射装置と通信し、前記プロセッサ回路は、前記温度に応じて放射フラッシュの残りの部分の電力を制御する前記機器。
【請求項２７】
請求項２４から２６のいずれかに記載の方法であって、前記機器は、工作物の面に入射する放射フラッシュを発生する放射装置に電気パルスを供給する電気パルス供給装置を含み、前記パルスの立ち下がり時間は前記パルスの立ち上がり時間より短い前記機器。
【請求項２８】
熱処理装置を制御して請求項１から２３のいずれかに記載の方法を実行するプロセッサ回路を含む機器。
【請求項２９】
熱処理装置を制御して請求項１から２３のいずれかに記載の方法を実行するようプロセッサ回路に指示する命令コードを記憶するコンピュータ読取り可能な媒体。
【請求項３０】
プロセッサ回路が実行すると請求項１から２３のいずれかに記載の方法を実行するコード手段を含むコンピュータ・プログラム。