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【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年6月8日(2009.6.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
図８に示すように、２つの攪拌器２３０は螺旋状攪拌ブレード体２３４で構成され、このブレードは２つの部品に分かれておりそれぞれが回転軸２３２の終端に配置している。ブレード体２３４の螺旋方向は互い違いである。２つのリング２３８は螺旋状攪拌ブレード体２３４の外側にスポークで固定されており、リングには複数の攪拌ブロック部材２３９がある。このブロック部材２３９がおが屑が塊になるのを防ぐ。この実施例では、上述の実施例とは異なり、２つの螺旋状攪拌ブレード体２３４はオーバラップするのではなく図９に示すように空間的に離れている。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年3月16日(2009.3.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２０℃／分の加熱速度にて、示差走査熱量測定法により２７０℃の融点（分解）を有し、Ｘ線回折図において以下の特徴的回折線（２θ（度で表記する）±０.２°）７.２°、９.３°、１２.０°、１２.８°、１３.１°、１４.５°、１７.４°、２０.４°、２３.２°および２５.８°を有する結晶形Ｂの、式Ｉ
【化１】
2006501207.tif 000001
で示される化合物。
【請求項２】
所望により医薬上許容される担体とともに、活性成分として、請求項１において定義した結晶形Ｂの式Ｉの化合物の有効量を含む、炎症性または閉塞性気道疾患を処置するための医薬組成物。
【請求項３】
吸入可能な形態である、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
抗炎症性または気管支拡張性の別の医薬物質と組み合わせた請求項１において定義した式Ｉの化合物を含む医薬組成物。
【請求項５】
別の医薬物質が遊離形または医薬上許容される塩もしくは溶媒和物形のサルブタモール、テルブタリン、サルメテロール、ホルモテロールおよび式
【化２】
2006501207.tif 000002
の化合物からなる群から選択されるβ２アドレナリンレセプターアゴニストである、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
請求項１において定義した結晶形Ｂの式Ｉの化合物の製造方法であって、そのエタノール、メタノールまたは塩化メチレン溶液から請求項１において定義した式Ｉの化合物を結晶化させることを含む方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
結晶形ＡまたはＢの式Ｉの化合物は、また、気道の疾患の処置のための他の医薬物質、特に気管支拡張性または抗炎症性医薬物質と共に使用するための共治療剤として、特に上記したような閉塞性または炎症性気道疾患の処置において、たとえばかかる医薬の治療効果の増強物質として、またはかかる医薬の必要とされる投薬量もしくは潜在的な副作用を減らす手段として使用される。結晶形ＡまたはＢの式Ｉの化合物は、固定された医薬組成物において他の医薬と混合され得るか、またはそれは他の医薬と別個に、他の医薬の前に、他の医薬と同時にもしくは他の医薬の後に投与され得る。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月17日(2008.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークにプロセス工程を実行するステップと、
前記ワーク上の相互接続部位に関連する製造データを取得するステップと、
前記製造データに基づいて相互接続特性制御プロセスを実行するステップとを有し、
前記相互接続特性制御プロセスは、前記ワーク上の前記相互接続部位に関連する特性を制御するために、前記相互接続部位に付随する構造に関連するバリヤ層プロセス、プリ絶縁体（pre-dielectric）プロセス、層間絶縁体（ＩＬＤ）層プロセス、および金属成膜プロセスのうちの少なくとも１つを制御するステップを含む方法。
【請求項２】
前記ワークに前記プロセス工程を実行する前記ステップは、半導体ウェハに前記プロセス工程を実行するステップをさらに有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ワークに前記プロセス工程を実行する前記ステップは、前記半導体ウェハに相互接続部位を形成するステップを有する請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記半導体ウェハに相互接続部位を形成する前記ステップは、前記半導体ウェハにビアを形成するステップを有する請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記半導体ウェハに相互接続部位を形成する前記ステップは、前記半導体ウェハにコンタクト領域を形成するステップを有する請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記ワーク上の相互接続部位に関連する製造データを取得する前記ステップは、処理済みの前記半導体ウェハに関連する計測データを取得するステップをさらに有する請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記ワーク上の相互接続部位に関連する製造データを取得する前記ステップは、処理済みの前記半導体ウェハに関連するウェハ電気的試験データを取得するステップをさらに有する請求項１に記載の方法。
【請求項８】
相互接続特性制御プロセスを実行する前記ステップは、バリヤ層プロセス、層間絶縁体（ＩＬＤ）層プロセス、プリメタル絶縁層（ＰＭＤ）プロセス、および金属成膜プロセスのうちの少なくとも１つを制御するステップをさらに有する請求項１に記載の方法。
【請求項９】
相互接続特性制御プロセスを実行する前記ステップは、前記相互接続部位の抵抗率を変えるステップをさらに有する請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ワークを処理するための処理装置、および、
前記処理装置に動作可能に結合されたプロセスコントローラ、を有し、前記プロセスコントローラは、前記ワークに関連する製造データに基づいて相互接続特性制御プロセスを実行することができ、相互接続特性制御プロセスは、相互接続部位に関連する特性を制御するために、ワーク上の前記相互接続部位に付随する構造に関連するバリア層プロセス、プリ絶縁体プロセス、ＩＬＤプロセス、および金属成膜プロセスのうちの少なくとも１つを制御するステップを含む、システム。
【請求項１１】
命令で符号化されたコンピュータ可読プログラム記憶装置であって、コンピュータによって実行されると、
ワークにプロセス工程を実行するステップと、
前記ワーク上の相互接続部位に関連する製造データを取得するステップと、
前記製造データに基づいて相互接続特性制御プロセスを実行するステップと、を有し、前記相互接続特性制御プロセスは、前記ワーク上の前記相互接続部位に関連する特性を制御するために、前記相互接続部位に付随する構造に関連するバリヤ層プロセス、プリ絶縁体プロセス、ＩＬＤプロセス、および金属成膜プロセスのうちの少なくとも１つを制御するステップを有する、命令で符号化されたコンピュータ可読プログラム記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月19日(2008.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
操作レシピに従って半導体デバイスの構造を形成するプロセスを少なくとも１つ実行するステップと、
前記構造の電気的性能特性を測定するステップと、
測定で求めた前記電気的性能特性と前記電気的性能特性の目標値とを比較するステップと、
前記比較に基づいて前記操作レシピの少なくとも１つのパラメータを決定するステップとを有する方法。
【請求項２】
前記構造を形成するために、それぞれが操作レシピを有する複数のプロセスを実行するステップと、
前記比較に基づいて前記複数のプロセスからなるサブセットの前記操作レシピの少なくとも１つの操作パラメータを決定するステップとをさらに有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記操作レシピのパラメータのベース値を決定するステップと、
前記比較に基づいて前記ベース値に対するオフセットを決定するステップとをさらに有する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記プロセスは前記構造の物理的特性と関連するベース目標値を有し、前記方法は、
前記比較に基づいて前記ベース目標値に対するオフセットを決定するステップと、
前記ベース目標値と前記オフセットとに基づいて前記操作レシピの前記少なくとも１つのパラメータを決定するステップとをさらに有する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記構造はコンタクトを備えており、前記電気的性能特性を測定するステップは、接触抵抗パラメータを測定するステップをさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記構造は、第１の操作レシピに従って絶縁層に形成されたコンタクト開口部を含むコンタクトと、第２の操作レシピに従って形成された前記コンタクト開口部を覆う第１のプロセス層と、第３の操作レシピに従って前記第１のプロセス層上に形成された第２のプロセス層と、第４の操作レシピに従って形成され、第５の操作レシピに従って導電層の前記コンタクト開口部を超えて延在する部分が除去されるように研磨された、前記コンタクト開口部を実質的に埋め込む導電層と、を有するものであり、
前記電気的性能特性として前記コンタクトの接触抵抗を測定するステップと、
前記比較に基づいて、前記第１の操作レシピ、前記第２の操作レシピ、前記第３の操作レシピ、前記第４の操作レシピ、および前記第５の操作レシピの少なくとも１つの少なくとも１つのパラメータを決定するステップと、を有する請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記構造はトランジスタを備えており、前記電気的性能特性を測定するステップは、ゲート電圧パラメータを測定するステップをさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
操作レシピに従って半導体デバイスの構造を形成するプロセスを少なくとも１つ実行するように構成されたプロセス装置と、
前記構造の電気的性能特性を測定するように構成された計測装置と、
測定で求めた前記電気的性能特性と前記電気的性能特性の目標値とを比較して、前記比較に基づいて前記操作レシピの少なくとも１つのパラメータを決定するように構成されたコントローラと、を備えたシステム。
【請求項９】
前記構造はトランジスタを有し、前記電気的性能特性はゲート電圧パラメータをさらに有する、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記構造を形成するために複数のプロセスを実行するように構成された複数のプロセス装置をさらに備え、各プロセス装置は操作レシピを有し、前記コントローラは、前記比較に基づいて前記複数のプロセスからなるサブセットの前記操作レシピの少なくとも１つの操作パラメータを決定するように構成されている、請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
前記コントローラは第１のコントローラを備え、前記システムは前記プロセス装置に関連付けられ、かつ前記操作レシピのパラメータのベース値を決定するように構成された第２のコントローラをさらに備え、前記第１のコントローラは前記比較に基づいて前記ベース値に対するオフセットを決定するように構成されている、請求項８に記載のシステム。
【請求項１２】
前記コントローラは第１のコントローラを備え、前記システムは前記構造の物理的特性に関連するベース目標値に従って前記プロセス装置を制御するように構成された第２のコントローラを備え、前記第１のコントローラは前記比較に基づいて前記ベース目標値に対するオフセットを決定するようにさらに構成されており、前記第２のコントローラは前記ベース目標値および前記オフセットに基づいて前記操作レシピの前記少なくとも１つのパラメータを決定するように構成されている、請求項８に記載のシステム。
【請求項１３】
前記構造はコンタクトを備えており、前記電気的性能特性は接触抵抗パラメータをさらに含む、請求項８に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月14日(2008.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御可能に製造プロセスを実行するコントローラと、
測定情報を取得すると共に前記コントローラによって制御されるプロセス装置と、
前記測定情報を総括的に解析して、前記情報を適切に重み付けし、前記製造プロセスが許容できるかどうかを判定し、前記測定情報から決定されたクリティカルパラメータに基づき品質行列を生成する監視コンポーネントと、を備え、
前記クリティカルパラメータは、微小寸法、欠陥、およびレイアウト寸法のうちの少なくとも２つを含む、プロセス制御システム。
【請求項２】
前記品質行列は複数のクリティカルパラメータと重み付けされた係数とを有し、前記クリティカルパラメータは前記測定情報に直接的および／または間接的に関連している、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記測定情報はインサイチュで取得される、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記測定情報は、後プロセス検査から取得される、請求項1に記載のシステム。
【請求項５】
前記監視コンポーネントは、前記製造プロセスが許容できないと判定して、前記コントローラによって使用される試験パラメータを変更するようにさらに動作可能である、請求項1に記載のシステム。
【請求項６】
前記監視コンポーネントは、前記製造プロセスが許容できないと判定して、前記試験パラメータを変更し、前記コントローラに前記製造プロセスを再実行させるようにさらに動作可能である、請求項1に記載のシステム。
【請求項７】
前記製造プロセスはパターニングプロセスである、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記製造プロセスはエッチングプロセスである、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記製造プロセスはメタライゼーションプロセスである、請求項1に記載のシステム。
【請求項１０】
半導体デバイスに製造プロセスを実行する方法であって、
前記半導体デバイスの測定に基づいてクリティカルパラメータを取得するステップと、
そのそれぞれの点が前記クリティカルパラメータおよび重み付けされた係数のうちの一方を含む品質行列を生成するステップと、
前記製造プロセスが総括的にみて許容できるかどうかを示す品質指標を前記品質行列の関数として生成するステップと、を有し、
前記クリティカルパラメータは、微小寸法、欠陥情報、およびレイアウト寸法のうちの少なくとも２つを含む、製造監視方法。
【請求項１１】
前記クリティカルパラメータの取得前に前記製造プロセスのための試験パラメータを決定するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記品質指標を比較して前記製造プロセスが許容できるかどうかを決定するための許容できる指標値の範囲を決定するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記品質行列と前記品質指標とに少なくとも部分的に基づいて前記製造プロセスのための試験パラメータを変更するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記製造プロセスが許容できないことを前記品質指標が示す場合に、前記半導体デバイスに対する前記製造プロセスの効果を逆転させるステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
プロセス後検査中に前記測定を行うステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記製造プロセスはパターニングプロセスである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記製造プロセスの実行が許容できるものであったことを前記品質指標が示す場合に、前記半導体デバイスに対してエッチングプロセスを実行するステップをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
製造プロセスを容易にするシステムであって、
半導体デバイスの前記製造プロセスのためのクリティカルパラメータを取得する手段と、
そのそれぞれの点が前記クリティカルパラメータおよび重み付けされた係数のうちの一方を含む品質行列を生成する手段と、
前記重み付けされた係数を決定するための手段と、
前記製造プロセスが総括的にみて許容できるかどうかを示す品質指標を前記品質行列の関数として生成する手段と、を有し、
前記クリティカルパラメータは、微小寸法、欠陥情報、および、オーバーレイ寸法のうちの少なくとも２つを含む、システム。
【請求項１９】
前記品質行列の生成、前記重み付けされた係数の決定、および、前記品質指標の生成、のうちの少なくとも１つに関連したベイジアン信念ネットワークを使用するステップを含む、請求項１８に記載のシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年3月10日(2009.3.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
ステップ６
スケジューリングされたプリフェッチに加えて、ステップ３で導出されたルールを使用して、ジャストインタイムのプリフェッチが行われうる。
これらのルールがＰＳＡによってＣＳＡに伝えられると、このプリフェッチは、より効率的に行われうる。
その場合に、ＣＳＡがＵＲＬ  Ｘに対する要求を取得すると、ＣＳＡは、ステップ３のクラスタリングルールに従って、関連したＵＲＬ  Ｗがストレージの階層のどこかに存在するかどうかをチェックできる。
存在しない場合には、ＣＳＡは、Ｗのオリジンサーバに要求を送信できる。
ＣＳＡからオリジンサーバへの往復待ち時間がＡミリ秒であり、クライアントからのＷの要求がＢミリ秒後にＣＳＡに達するとすると、Ａ>Ｂの場合には、クライアントは、この待ち時間のうち（Ａ−Ｂ）ミリ秒のみに立ち会うことになり、Ｂ≧Ａの場合には、待ち時間に立ち会うことはない。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年5月26日(2009.5.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５】
冷却段階中に、ウェブ温度が１０℃／秒より低い平均冷却速度でＴ１からＴ２に低下され、ここでＴ１はＴｇより高く、Ｔ２はＴｇより低く、Ｔｇはフェノール樹脂を含んで成る被膜のガラス転移温度である請求項４に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年4月6日(2009.4.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
互いに接合されたポリマーフィルムを含んでなる交差積層材であって、なお、この際、
・そのポリマーフィルムのうち少なくとも二つの隣り合うフィルムＡ及びＢは、各々共押出しされそして単軸配向もしくはアンバランスド二軸配向されたものであり、かつ
・Ａの主配向方向（２）はＢの主配向方向（３）と交差し、そして
・各フィルムは、高い引張り強さを得るために選択されたポリマー材料からなる層（以下、主層と称する）、及び各々の主層の隣のフィルムＡもしくはＢに向かい合う側に少なくとも第一の表面層を含み、そして
・この第一の表面層は、共押出しされた薄いストランド（１０１、１０２）の配列からなる不連続な層であり、
・Ａ上のストランド（１０１）は、Ｂのストランド（１０２）と交差するように配置され、そして
・これらのストランドは、各々のフィルムの表面の特性を改良するために選択された材料からなり、そして
・この改良はＡとＢとの接合に関連するものである、
交差積層材において、
隣り合うフィルムＡ及びＢうちの少なくとも一つのフィルムの主層上に、前記隣り合うフィルムの他方と向き合う側に第二表面層（１０４、１０５）が設けられ、この際、この第二表面層は連続層であり、主層と第一表面層との間に配置され、そしてＡとＢとの接合の制御のために選択されることを特徴とする、上記交差積層材。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１８】
互いに接合されたポリマーフィルムを含んでなる交差積層材であって、なお、この際、
・そのポリマーフィルムのうち少なくとも二つの隣り合うフィルムＡ及びＢは、各々共押出しされそして単軸配向もしくはアンバランスド二軸配向されたものであり、かつ
・Ａの主配向方向（２）はＢの主配向方向（３）と交差し、そして
・各フィルムは、高い引張り強さを得るために選択されたポリマー材料からなる層（以下、主層と称する）、及び各々の主層の隣のフィルムＡもしくはＢに向かい合う側に少なくとも第一の表面層を含み、そして
・この第一の表面層は、共押出しされた薄いストランド（１０１、１０２）の配列からなる不連続な層であり、
・Ａ上のストランド（１０１）は、Ｂのストランド（１０２）と交差するように配置され、そして
・これらのストランドは、各々のフィルムの表面の特性を改良するために選択された材料からなる、
交差積層材において、
前記改良は、積層材の外観または色に関連するものであることを特徴とする、上記交差積層材。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２０】
以下の更なる特徴、すなわち、
ａ）  約０．３ｍｍ以下の一般厚さを有すること；
ｂ）  Ａが、積層材の一つの表面を形成すること；
ｃ）  少なくともＡ側の積層材表面が、Ａにおける対応する厚さのバラツキを有する表面波形によって構成される、一つの方向に沿う筋（１０３）の可視パターンを示し、この際、前記パターンにおける各区画は約３ｍｍ以下であること；
ｄ）  フィルムＡの薄いストランドは着色され、そしてフィルムＡの残りは、積層材をＡ側から観察した際に、前記着色されたストランドが見えるように十分に透明であり、この際、波形は、ストランドが筋から少なくとも約０．５ｍｍ離れているかのように見せるのに十分な深さを有すること、
を特徴とする、請求項１８または１９の交差積層材。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
本発明は、互いに接合されたポリマーフィルムを含んでなる交差積層材であって、これらのフィルムのうち、各々共押出しされた少なくとも二つの隣り合うフィルムＡ及びＢが単軸配向されているかまたはアンバランスド二軸配向されており、この際、フィルムＡにおける主配向方向が、フィルムＢにおける主配向方向と交差しており、そして各々、高い引張り強さを得るために選択されたポリマー材料からなる層（以下、主層という）、及び各々の主層上に隣のフィルムＡもしくはＢと向かい合う側で、少なくとも一つの第一表面層を含む、上記交差積層材に関する。フィルムＡ及びＢの各々の上に設けられる上記第一表面層は、各フィルムの表面の特性を改良するために選択された材料からなる共押出しされた薄いストランドの配列からなる不連続層である。この改良は、積層材の外観またはＡ及びＢの間の接合のいずれかに関係する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月30日(2009.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオ画像に透かしを施す方法であって、
係数集合を選択するステップと、
係数を変更するステップであって、前記変更された係数が前記選択された係数集合を置き換えるステップと、
透かしを生成するステップと、
鍵およびビデオのボリュームに挿入される前記透かしに基づいて、前記選択された係数集合の属性値の間に制約ベースの関係を確立するステップであって、前記選択された係数集合は互いに素であり、前記制約ベースの関係は前記選択された互いに素の係数集合の前記属性値の間の不等式であるステップと、
前記ビデオのボリューム内の選択された係数集合の属性値の間に関係を強制することによって、前記生成された透かしをビデオ画像に埋め込むステップであって、属性が輝度およびエッジ測定値の少なくとも一方を含むステップと、
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記関係が、鍵に基づいて事前定義される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記選択された係数集合の前記属性値が、平均値、最大値、および最小値のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記選択された係数集合が、ベースバンド領域および変換領域の一方におけるビデオ・ボリュームの任意の部分を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ビデオのボリュームが、フレームの幅、前記フレームの高さ、および前記ビデオ内の前記フレームの数によって定義される３Ｄボリュームである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記係数集合が、空間領域におけるピクセル値に対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記係数集合が、ウェーブレット係数に対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記生成するステップが、
鍵を受け取るステップと、
情報を受け取るステップと、
前記受け取った情報をペイロードに変換するステップと、
前記ペイロードを符号化するステップと、
鍵を使用して前記符号化ペイロードを暗号化するステップと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記符号化ペイロードを暗号化するのに先立って、前記符号化ペイロードを反復化するステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
同期ビットを生成するステップと、
前記符号化され、反復化され、暗号化されたペイロード内の様々な場所に前記同期ビットを挿入することによって、前記透かしを組み立てるステップと、
をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記同期ビットが、鍵に基づいて生成される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記同期ビットを同期系列に組み立てるステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記情報が、タイムスタンプを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記情報が、装置を識別する位置識別情報およびシリアル番号の少なくとも一方をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ビデオ画像に透かしを施すシステムであって、
係数集合を選択する手段と、
係数を変更する手段であって、前記変更された係数が前記選択された係数集合を置き換える手段と、
透かしを生成する手段と、
鍵およびビデオのボリュームに挿入される前記透かしに基づいて、前記選択された係数集合の属性値の間に制約ベースの関係を確立する手段であって、前記選択された係数集合は互いに素であり、前記制約ベースの関係は前記選択された互いに素の係数集合の前記属性値の間の不等式である手段と、
前記ビデオのボリューム内の選択された係数集合の属性値の間に関係を強制することによって、前記生成された透かしをビデオ画像に埋め込む手段であって、属性が輝度およびエッジ測定値の少なくとも一方を含む手段と、
を含む、前記システム。
【請求項１６】
前記関係が、鍵に基づいて事前定義される、請求項１５に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月20日(2009.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク内のケーブルインタフェース接続を監視し、個別ケーブルインタフェース接続は、ネットワーク内のケーブルと関連装置の間の接続を含むシステムであって、
ネットワーク内のケーブルと関連装置の間の接続を監視する第２のインタフェース制御装置から装置の種類を識別するデータを自動的に取得する第１のインタフェース制御装置を含む複数の個別インタフェース制御装置であって、前記装置の種類を識別するデータは、前記ケーブルならびに第１のケーブルインタフェース接続および第２のケーブルインタフェース接続を介して前記ケーブルの端部で取得され、前記第２のケーブルインタフェース接続に関連する装置の識別を支援し、前記ネットワーク内の個別インタフェース制御装置間の通信を第１の通信リンクで支援する複数の個別インタフェース制御装置と、
前記第１の通信リンクと異なり、前記ネットワークの複数の前記ケーブルインタフェース接続を確立する第２の通信リンクとを含むシステム。
【請求項２】
前記複数の個別インタフェース制御装置の各々は、前記ネットワーク内の複数の個別装置を示すデータを含むマップを編集する際に、得られた前記装置の種類を識別するデータを用い、
前記マップは、装置の種類に対応する消費電力を関連付ける所定のデータから前記複数の個別装置の消費電力を特定するデータを含み、
前記マップは、装置の種類を対応する消費電力を関連付ける所定のデータから前記複数の個別装置の物理的な位置を特定するデータを含み、
前記所定のデータは、装置の種類を個別ケーブルインタフェース接続および関連する電子アドレスならびに物理的位置に関連付けられる、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記複数の個別インタフェース制御装置の各々は、前記ネットワーク内の複数の個別装置を示すデータを含むマップを編集する際に、得られた前記装置の種類を識別するデータを用い、
少なくとも１つのインタフェース制御装置は、前記インタフェース制御装置内で構成される少なくとも１つのジャンパ接続によって、複数のインタフェース制御装置の階層内で特定される、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記複数の個別インタフェース制御装置の各々は、前記ネットワーク内の複数の個別装置を示すデータを含むマップを編集する際に、得られた前記装置の種類を識別するデータを用い、
少なくとも１つのインタフェース制御装置は、前記インタフェース制御装置内で構成される少なくとも１つのジャンパ接続によって、階層内の複数のインタフェース制御装置のうち特定の種類のインタフェース制御装置に関連付けられる、請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記複数の個別インタフェース制御装置の各々は、前記ネットワークの複数の個別装置を示すマップを含むデータを編集する際に取得した前記装置の種類の識別データを用い、前記第２の通信リンクを介する通信に対する応答に失敗する前記ネットワーク内の特定の装置を特定する際に前記マップを用い、
前記第２の通信リンクは、（ａ）ＩＥＥＥイーサネット（登録商標）標準、（ｂ）Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）標準および（ｃ）ＩＰプロトコル標準のうち少なくとも１つに互換性があり、
特定の装置を前記第２の通信リンクに関連付けることによって個別装置の状態を診断できるようにするため、前記第２の通信リンクに使用可能な状態で接続される少なくとも１つのスイッチをさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
患者の監視信号は、前記第１の通信リンクを介して前記複数の個別インタフェース制御装置に送信され、
前記患者の監視信号は、（ａ）警報信号および／または（ｂ）患者のバイタルサインを示す信号のうち少なくとも１つであり、
前記患者の監視信号は、前記複数の個別インタフェース制御装置のあらゆるインタフェース制御装置によって起動警報状態に設定できる警報信号であり、
前記患者の監視信号は、前記ネットワークの装置によって起動するために用いられる警報信号である、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
ネットワークのケーブルインタフェース接続を監視し、個別ケーブルインタフェース接続は、ネットワーク内のケーブルと関連装置の間の接続を含むシステムであって、
前記ネットワーク内のケーブルと関連装置の間の接続を監視する第２のインタフェース制御装置から装置の種類を識別するデータを自動的に取得する第１のインタフェース制御装置を含む複数の個別インタフェース制御装置であって、前記装置の種類を識別するデータは、前記ケーブルならびに第１のケーブルインタフェース接続および第２のケーブルインタフェース接続を介して前記ケーブルの端部で取得され、前記第２のケーブルインタフェース接続と関連する前記装置の識別を支援し、前記ネットワーク内の個別インタフェース制御装置間の通信を第１の通信リンクで支援する複数の個別インタフェース制御装置と、
前記ネットワークの前記複数の個別装置を特定するマップを含むデータを編集する際に取得した前記装置の種類を識別するデータを用い、前記第１の通信リンクと異なり、前記ネットワークの前記複数のケーブルインタフェース接続を確立する第２の通信リンクを介する通信に対する応答に失敗するネットワーク内の特定の装置を特定する際に前記マップを用いる前記複数の個別インタフェース制御装置の個別インタフェース制御装置とを含むシステム。
【請求項８】
患者の監視信号は、前記第１の通信リンクを介して前記複数の個別インタフェース制御装置に送信され、
前記患者の監視信号は、（ａ）警報信号および／または（ｂ）患者のバイタルサインを示す信号のうち少なくとも１つであり、
前記患者の監視信号は、前記複数の個別インタフェース制御装置のあらゆるインタフェース制御装置によって起動警報状態に設定できる警報信号である、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
患者の監視信号は、前記第１の通信リンクを介して前記複数の個別インタフェース制御装置に送信され、
前記患者の監視信号は、ネットワークの装置によって起動するために用いられる警報信号である、請求項７に記載のシステム。
【請求項１０】
ネットワークのケーブルインタフェース接続を監視し、個別ケーブルインタフェース接続は、ネットワーク内のケーブルと関連装置の間の接続を含む方法であって、
第１のインタフェース制御装置によってネットワークの複数のケーブルインタフェース接続を監視するステップと、
ネットワーク内のケーブルと関連装置の間の接続を監視する第２のインタフェース制御装置から装置の種類を識別するデータを自動的に取得するステップであって、前記装置の種類を識別するデータは、ケーブルと第１のケーブルインタフェース接続および第２のケーブルインタフェース接続を介してケーブルの端部で取得され、前記第２のケーブルインタフェース接続と関連する前記装置の識別を支援するステップと、
ネットワーク内の個別インタフェース制御装置間の通信を第１の通信リンクで支援するステップと、
前記第１の通信リンクと異なる第２の通信リンクを支援するステップと、
インタフェース制御装置内で構成される少なくとも１つのハードウェア設定によって、複数のインタフェース制御装置の階層内で、マスタインタフェース制御装置として１つのインタフェース制御装置を特定するステップとを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月14日(2009.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質キャパシタを製造する方法であって、
ａ）電極材料の多孔性電極本体（２）を陽極酸化させて、この電極材料の表面を覆う誘電体（３）を形成させることと、
ｂ）電極材料の多孔性電極本体（２）および誘電体（３）を少なくとも含有する多孔性本体の上に、導電性ポリマーの粒子Ｂ）および分散剤Ｄ）を少なくとも含有する分散液Ａ）を適用することと、
ｃ）分散剤Ｄ）を、少なくとも部分的に除去および／または硬化させて、誘電体表面を完全にまたは部分的に覆う固体電解質（４）を形成させることと、
を少なくとも含む電解質キャパシタを製造する方法において、
多孔性電極本体（２）の陽極酸化中の最大陽極処理電圧が３０Ｖより高く、かつ分散液Ａ）における導電性ポリマーの粒子Ｂ）が、１から１００ｎｍの平均直径を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
粒子Ｂ）から製造された皮膜が、乾燥状態において１０Ｓ／ｃｍより高い比導電率を有することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
分散液Ａ）における導電性ポリマーの粒子Ｂ）が、１５０ｎｍ未満の直径分布のｄ90値を有することを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
分散液Ａ）が、５０００ｍｇ／ｋｇ未満の金属陽イオンの含有量を有することを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
導電性ポリマーの粒子Ｂ）が、置換されていてよい少なくとも１つのポリチオフェン、ポリピロール、またはポリアニリンを含有することを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
導電性ポリマーの粒子Ｂ）が、一般式（Ｉ）または一般式（ＩＩ）の繰返し単位、あるいは一般式（Ｉ）および（ＩＩ）の繰返し単位
【化１】
2009508342.tif 000001
［式中、
Ａが、置換されていてよいＣ1−Ｃ5−アルキレン基を表し、
Ｒが、線形、または分枝の置換されていてよいＣ1−Ｃ18−アルキル基、置換されていてよいＣ5−Ｃ12−シクロアルキル基、置換されていてよいＣ6−Ｃ14−アリール基、置換されていてよいＣ7−Ｃ18−アラルキル基、置換されていてよいＣ1−Ｃ4−ヒドロキシアルキル基、またはヒドロキシル基を表し、
ｘが、０から８の整数を表し、
複数の基ＲがＡに結合している場合、これらは同一または異なってよい］を有する少なくとも１つのポリチオフェンを含有することを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
粒子Ｂ）に含まれる導電性ポリマーが、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）であることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
粒子Ｂ）が、少なくとも１つの高分子陰イオンをさらに含有することを特徴とする、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
高分子陰イオンが、高分子カルボン酸またはスルホン酸、好ましくはポリスチレンスルホン酸の陰イオンであることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
電極本体（２）の電極材料が、バルブ金属またはバルブ金属に同等な電気特性を有する化合物であることを特徴とする、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法で製造される電解質キャパシタ。
【請求項１２】
電解質キャパシタが、１５Ｖより大きい公称電圧を有することを特徴とする、請求項１１に記載の電解質キャパシタ。
【請求項１３】
電解質キャパシタが、公称電圧の１５０％を超える降伏電圧を有することを特徴とする、請求項１１または１２のいずれか１項に記載の電解質キャパシタ。
【請求項１４】
電解質キャパシタが、陽極処理電圧の４０％を超える降伏電圧を有することを特徴とする、請求項１１から１３までのいずれか１項に記載の電解質キャパシタ。
【請求項１５】
導電性ポリマーを含有する固体電解質および１５Ｖを超える公称電圧を有する電解質キャパシタであって、降伏電圧（ボルトで表される）と酸化物膜の厚さ（ｎｍで表される）および酸化物の層形成因子（ｎｍ／Ｖで表される）の商との比が、０．４より大きいことを特徴とする、電解質キャパシタ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月14日(2009.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解コンデンサの製造方法であって、
ａ）電極物質の多孔電極本体（２）および該電極物質の表面を被覆する誘電体（３）を少なくとも含む多孔質体上に、すくなくとも導電性ポリマーの粒子Ｂ）および分散剤Ｄ）を含む分散液Ａ）を適用する工程、および
ｂ）分散剤Ｄ）を少なくとも部分的に除去および／または硬化させて、完全にまたは部分的に誘電体表面を被覆する固体電解質（４）を形成させる工程、
を少なくとも包含する電解コンデンサの製造方法において、
分散液Ａ）中の導電性ポリマーの粒子Ｂ）の平均粒径が１〜１００ｎｍであり、粒子Ｂ）から製造される被膜の比導電率が乾燥状態で１０Ｓ／ｃｍより大きいことを特徴とする、
電解コンデンサの製造方法。
【請求項２】
分散液Ａ）中の導電性ポリマーの粒子Ｂ）の粒径分布のd90値が、１５０ｎｍ未満であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
分散液Ａ）の金属カチオン含有量が５０００ｍｇ／ｋｇ未満であることを特徴とする、少なくとも請求項１または２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４】
導電性ポリマーの前記粒子Ｂ）が、場合によって置換された、ポリチオフェン、ポリピロール、またはポリアニリンの少なくとも１種を含むことを特徴とする、少なくとも請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
導電性ポリマーの粒子Ｂ）が、一般式（Ｉ）の繰り返し単位または一般式（ＩＩ）の繰り返し単位、あるいは一般式（Ｉ）および（ＩＩ）の繰り返し単位
【化１】
2009508341.tif 000001
［式中
Ａは、場合によって置換されたＣ1〜Ｃ5アルキレン基を表し、
Ｒは、直鎖または分岐鎖の、場合によって置換されたＣ1〜Ｃ18アルキル基、場合によって置換されたＣ5〜Ｃ12シクロアルキル基、場合によって置換されたＣ6〜Ｃ14アリール基、場合によって置換されたＣ7〜Ｃ18アラルキル基、場合によって置換されたＣ1〜Ｃ4ヒドロキシアルキル基またはヒドロキシル基を表し、
ｘは、０〜８の範囲の整数を表し
複数の基ＲがＡと結合している場合、これらは、同じまたは異なるものであり得る］
を有する少なくとも１種のポリチオフェンを含むことを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
粒子Ｂ）中に含まれる導電性ポリマーが、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）であることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
粒子Ｂ）が、さらに少なくとも１種のポリマー性アニオンを含むことを特徴とする、少なくとも請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
ポリマー性アニオンが、ポリマー性カルボン酸またはスルホン酸であり、好ましくはポリスチレンスルホン酸であることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
電極本体（２）の電極物質が、バルブ金属であるか、またはバルブ金属に匹敵する電気特性を有することを特徴とする、少なくとも請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
バルブ金属またはバルブ金属に匹敵する電気特性を有する化合物が、タンタル、ニオブ、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、または該金属の少なくとも１種と他の元素との合金または化合物、またはＮｂＯ、あるいはＮｂＯと他の元素との合金または化合物であることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
電極物質が、ニオブまたはＮｂＯをベースとすることを特徴とする、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
ニオブまたはＮｂＯをベースとする電極物質が、ニオブ、ＮｂＯ、酸化ニオブＮｂＯx（ここで、ｘは０．８〜１．２までの値が想定され得る）、ニオブ窒化物、ニオブ酸窒化物または該物質の混合物、あるいは該物質の少なくとも１種と他の元素との合金または化合物であることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
誘電体が、バルブ金属の酸化物、またはバルブ金属に匹敵する電気特性を有する化合物の酸化物であることを特徴とする、少なくとも請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
分散液Ａ）の適用ならびに分散剤の少なくとも部分的な除去および／または硬化を複数回実施することを特徴とする、少なくとも請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
分散液Ａ）の適用後に、誘電体で被覆された電極本体の外部表面上の導電性ポリマーの粒子Ｂ）を少なくとも部分的に除去することを特徴とする、少なくとも請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
分散液Ａ）の適用および固体電解質の形成の後、コンデンサに、場合によって、さらなる導電性の外部接触（５、６、８）を施し、場合によって、接触を取り封入することを特徴とする、少なくとも請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の方法によって製造された電解コンデンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月12日(2009.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒被覆ポリマー電解質膜に関する方法であって、
幅と長さを有しその幅にわたって可変の触媒活性プロファイルを有する触媒層を、基材の上に形成する工程と、
ポリマー電解質膜（ＰＥＭ）に隣接させて前記触媒層を配置して、中間組立体を形成する工程と、
前記触媒層を前記ＰＥＭに結合するのに十分な圧力を前記中間組立体に加える工程と、
前記基材を取り除いて、複数幅の触媒被覆膜を作製する工程と、
前記触媒層の長さ方向に沿って前記複数幅の触媒被覆膜を切断して、単一幅の触媒被覆膜を形成する工程と
を含む方法。
【請求項２】
幅と長軸を有する触媒層を含む物品であって、前記触媒層がその幅にわたって変動する勾配を有する触媒活性プロファイルを有する、物品。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月27日(2009.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のマイクロテクスチャ面を含むイオン導電性膜；
第２のマイクロテクスチャ面を含むミクロ孔質層、ここで前記第１のマイクロテクスチャ面及び前記第２のマイクロテクスチャ面は相補的な形状部を含み、前記第２のマイクロテクスチャ面の形状部は前記第１のマイクロテクスチャ面の形状部と嵌合するように構成され；及び
前記第１のマイクロテクスチャ面と第２のマイクロテクスチャ面との間に配置される触媒層、を含む膜電極サブアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月14日(2009.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ化ビニル系コポリマーを含み、前記フッ化ビニル系コポリマーが、フッ化ビニル約２５〜約８５モル％と、フッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン、トリフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、フッ素化ビニルエーテル、フッ素化アルキルアクリレート／メタクリレート、３〜１０個の炭素原子を有するパーフルオロオレフィン、パーフルオロＣ１〜Ｃ８アルキルエチレンおよびフッ化ジオキソールからなる群から選択された少なくとも１種のフッ素含有モノマー約７５〜約１５モル％とを含むことを特徴とするバッテリ電極のための結合剤。
【請求項２】
前記結合剤が、フッ化ビニル系コポリマーの少なくとも２つのタイプの混合物を含むことを特徴とする請求項１に記載の結合剤。
【請求項３】
前記フッ化ビニル系コポリマーが、フッ化ビニル−テトラフルオロエチレンコポリマー、フッ化ビニル−テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレンコポリマー、フッ化ビニル−テトラフルオロエチレン−パーフルオロブチルエチレンコポリマーから選択された少なくとも１種のコポリマーであることを特徴とする請求項１に記載の結合剤。
【請求項４】
前記フッ化ビニル系コポリマーが水または有機溶媒に分散されて分散液を形成することを特徴とする請求項１に記載の結合剤。
【請求項５】
前記フッ化ビニル系ポリマーが有機溶媒に溶解されて溶液を形成することを特徴とする請求項１に記載の結合剤。
【請求項６】
前記有機溶媒が、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ケトン、ニトリルおよびエステルからなる群から選択されることを特徴とする請求項４に記載の結合剤。
【請求項７】
前記有機溶媒が、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ケトン、ニトリルおよびエステルからなる群から選択されることを特徴とする請求項５に記載の結合剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
本発明によると、結合剤としてフッ化ビニル系コポリマーを用いることにより、リチウムイオン二次電池などのバッテリ中の活性物質の離層を抑制するとともにより良好な電気化学的安定性を有する電極を作製することが可能である。
本発明は、以下の態様を包含する。
［１］フッ化ビニル系コポリマーを含むことを特徴とするバッテリ電極のための結合剤。
［２］前記結合剤が、フッ化ビニル系コポリマーの少なくとも２つのタイプの混合物を含むことを特徴とする［１］に記載の結合剤。
［３］前記結合剤が、フッ化ビニル系コポリマーと、フッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン、トリフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、フッ素化ビニルエーテル、フッ素化アルキルアクリレート／メタクリレート、３〜１０個の炭素原子を有するパーフルオロオレフィン、パーフルオロＣ１〜Ｃ８アルキルエチレンおよびフッ化ジオキソールからなる群から選択されたモノマーから調製されたホモポリマーまたはコポリマーから選択された少なくとも１種であるフッ素系ポリマーとを含むことを特徴とする［１］に記載の結合剤。
［４］前記フッ化ビニル系コポリマーが、フッ化ビニル約２５〜約８５モル％と、フッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン、トリフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、フッ素化ビニルエーテル、フッ素化アルキルアクリレート／メタクリレート、３〜１０個の炭素原子を有するパーフルオロオレフィン、パーフルオロＣ１〜Ｃ８アルキルエチレンおよびフッ化ジオキソールからなる群から選択された少なくとも１種のフッ素含有モノマー約７５〜約１５モル％とを含むことを特徴とする[１]に記載の結合剤。
［５］前記フッ化ビニル系コポリマーが、フッ化ビニル−テトラフルオロエチレンコポリマー、フッ化ビニル−テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレンコポリマー、フッ化ビニル−テトラフルオロエチレン−パーフルオロブチルエチレンコポリマーから選択された少なくとも１種のコポリマーであることを特徴とする[１]に記載の結合剤。
［６］前記フッ化ビニル系コポリマーが水または有機溶媒に分散されて分散液を形成することを特徴とする[１]に記載の結合剤。
［７］前記フッ化ビニル系ポリマーが有機溶媒に溶解されて溶液を形成することを特徴とする［１］に記載の結合剤。
［８］前記有機溶媒が、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ケトン、ニトリルおよびエステルからなる群から選択されることを特徴とする［６］に記載の結合剤。
［９］前記有機溶媒が、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ケトン、ニトリルおよびエステルからなる群から選択されることを特徴とする[７]に記載の結合剤。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月9日(2009.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の内側接点および複数の外側接点を備えるチップキャリアを有する非接触チップカードを形成するためのチップモジュールであって、複数の前記内側接点が、チップキャリア上に配置されるチップユニットの複数の端子領域に結合され、そして、複数の前記外側接点が、アンテナに結合されるのに役立つところのチップモジュールにおいて、
前記チップユニット（１２）が、前記基板（１３）と繊維強化カバー層（２３）との間にサンドイッチ状で収容され、それにより、前記カバー層が、チップユニット（１２）の少なくとも２つの対向する側縁に隣接して、前記基板（１３）に接続されることを特徴とするチップモジュール。
【請求項２】
前記カバー層の前記基板に対する接続が、前記カバー層と前記基板との間に配置される少なくとも１つの中間材料を介して行われることを特徴とする、請求項１に記載のチップモジュール。
【請求項３】
前記中間材料が外周リングとして構成されていることを特徴とする、請求項２に記載のチップモジュール。
【請求項４】
前記カバー層（２３）が、前記チップユニット（１２）の外周（２４）に沿って、前記基板（１３）に接続されることを特徴とする、請求項１に記載のチップモジュール。
【請求項５】
前記カバー層（２３）が、チップ表面（２２，３３）に接続されることを特徴とする、請求項１または２に記載のチップモジュール。
【請求項６】
前記カバー層の前記チップ表面に対する接続が、前記カバー層と前記チップ表面との間に配置される少なくとも１つの中間材料を介して行われることを特徴とする、請求項５に記載のチップモジュール。
【請求項７】
前記チップユニット（１２）が、特定の相対移動度を伴って、前記基板（１３）または前記カバー層（２３）に接続されることを特徴とする、請求項１ないし６のいずれか１項に記載のチップモジュール。
【請求項８】
前記チップユニット（１２）が、前記基板（１３）と前記カバー層（２３）との間の積層接続体（３５）内に収容されることを特徴とする、請求項１ないし７のいずれか１項に記載のチップモジュール。
【請求項９】
前記カバー層（２３）が、エポキシ樹脂を主成分として形成されることを特徴とする、請求項８に記載のチップモジュール。
【請求項１０】
前記カバー層（２３）および前記基板（１３）が、エポキシ樹脂を主成分として形成されることを特徴とする、請求項８に記載のチップモジュール。
【請求項１１】
端子領域（１９，２０）を有する前記チップユニット（１２）が、チップキャリア（１１）の内側接点（１７）に結合されることを特徴とする、請求項１ないし１０のいずれか１項に記載のチップモジュール。
【請求項１２】
前記チップユニット（１２）が減少された厚さを有していることを特徴とする、請求項１１に記載のチップモジュール。
【請求項１３】
基板上に複数の内側接点および複数の外側接点を備えるチップキャリアと、前記内側接点に結合されるチップユニットとを有するチップモジュールを製造するための方法であって、
第１のプロセスステップにおいて、前記チップユニット（１２）の端子領域（１９，２０）を前記チップキャリア（１１）の内側接点（１７）に結合し、
次いで、繊維強化カバー層（２３）を前記チップユニット（１２）上に設けて、前記チップユニット（１２）を、前記基板（１３）と繊維強化カバー層（２３）との間にサンドイッチ状で配置し、
次いで、前記カバー層（２３）を、前記チップユニット（１２）の少なくとも２つの対向する側縁に隣接して、前記基板（１３）に接続する
ことを特徴とする方法。
【請求項１４】
前記カバー層（２３）を、更に、チップ表面（２２，３３）に接続することを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
カバー層（２３）と基板（１３）との間の接続体を、積層プロセスによって形成することを特徴とする、請求項１３または１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記カバー層（２３）と前記チップ表面（２２，３３）との間の接続体、および、前記カバー層（２３）と前記基板（１３）との間の接続体を、積層プロセスによって形成することを特徴とする、請求項１３ないし１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記カバー層（２３）と前記基板（１３）との間の連続する接続体を、積層プロセス中に、前記チップユニット（１２）の外周（２４）に沿って形成することを特徴とする、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記積層プロセスを、所定の形状を有するチップ封入体（２５）を形成するために金型（３１）によって行なうことを特徴とする、請求項１５ないし１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記チップユニット（１２）の端子領域（１９，２０）の、前記チップキャリア（１１）の内側接点（１７）への結合を、前記チップキャリア（１１）の接点に面する端子領域（１９，２０）を有するチップキャリア（１１）の接点に、前記チップユニット（１２）を結合するように行なうことを特徴とする、請求項１３ないし１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
前記チップユニット（１２）を前記チップキャリア（１１）に結合した後、前記カバー層（２３）をチップユニット（１２）上に設ける前に、前記チップユニット（１２）の厚さを、研磨材処理方法によって減少することを特徴とする請求項１９に記載の方法。