【手続補正書】
【提出日】平成21年9月3日(2009.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保護層として有用な感光性組成物であって、溶媒系に溶解または分散したポリマーおよび光酸発生剤を含み、前記ポリマーは
【化１】
2009508165.tif 000001
【化２】
2009508165.tif 000002
および
（ＩＩＩ）少なくとも１個のエポキシ基を有するモノマーを含み、
（Ｉ）および（ＩＩ）において
各Ｒ１は水素およびＣ１〜Ｃ８アルキルから成る群から独立に選択され、
各Ｒ２は水素、Ｃ１〜Ｃ８アルキルおよびＣ１〜Ｃ８アルコキシから成る群から独立に選択される組成物。
【請求項２】
前記モノマー（ＩＩＩ）がメタクリル酸グリシジル、アクリル酸グリシジルおよびビニルベンジルグリシジルエーテルモノマーから成る群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記モノマー（ＩＩＩ）が式
【化３】
2009508165.tif 000003
を有し、式中各Ｒ１は水素およびＣ１〜Ｃ８アルキルから成る群から独立に選択される、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
前記光酸発生剤がトリアリールスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリアリールスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ジアリールヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジアリールヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、
【化４】
2009508165.tif 000004
および
【化５】
2009508165.tif 000005
から成る群から選択され、前記式中各Ｒ３はＣ３Ｈ７、Ｃ８Ｈ１７、ＣＨ３Ｃ６Ｈ４およびショウノウから成る群から独立に選択される、請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。
【請求項５】
前記ポリマーが、該ポリマーの総重量を１００重量％としてその重量に基づき３５〜７５重量％の（Ｉ）、２０〜４０重量％の（ＩＩ）、および５〜１５重量％の（ＩＩＩ）を含む、請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
【請求項６】
超小型電子構造体を形成する方法であって、
超小型電子基板を用意し、
前記基板上に、溶媒系に分散または溶解したシランを含むプライマー層を設け、
前記プライマー層上に、溶媒系に分散または溶解した光酸発生剤およびポリマーを含む感光層を設けることを含み、前記ポリマーは
【化６】
2009508165.tif 000006
【化７】
2009508165.tif 000007
および
（ＩＩＩ）少なくとも１個のエポキシ基を有するモノマーを含み、
（Ｉ）および（ＩＩ）において
各Ｒ１は水素およびＣ１〜Ｃ８アルキルから成る群から独立に選択され、
各Ｒ２は水素、Ｃ１〜Ｃ８アルキルおよびＣ１〜Ｃ８アルコキシから成る群から独立に選択される方法。
【請求項７】
前記モノマー（ＩＩＩ）がメタクリル酸グリシジル、アクリル酸グリシジルおよびビニルベンジルグリシジルエーテルモノマーから成る群から選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記モノマー（ＩＩＩ）が式
【化８】
2009508165.tif 000008
を有し、式中各Ｒ１は水素およびＣ１〜Ｃ８アルキルから成る群から独立に選択される、請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
前記光酸発生剤がトリアリールスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリアリールスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ジアリールヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジアリールヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、
【化９】
2009508165.tif 000009
および
【化１０】
2009508165.tif 000010
から成る群から選択され、前記式中各Ｒ３はＣ３Ｈ７、Ｃ８Ｈ１７、ＣＨ３Ｃ６Ｈ４およびショウノウから成る群から独立に選択される、請求項６〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記ポリマーが、該ポリマーの総重量を１００重量％としてその重量に基づき３５〜７５重量％の（Ｉ）、２０〜４０重量％の（ＩＩ）、および５〜１５重量％の（ＩＩＩ）を含む、請求項６〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記シランが
【化１１】
2009508165.tif 000011
〔式中、
【化１２】
2009508165.tif 000012
ここで、
ｉ、ｊおよびｋは０および１から成る群からそれぞれ独立に選択され、ｉおよびｊの一方が１の時ｉおよびｊの他方は０であり、
各Ｒ４は水素、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ８ハロアルキル、アミノおよびＣ１〜Ｃ８アルキルアミノから成る群から独立に選択され、
各Ｒ５はＣ１〜Ｃ８脂肪族基から成る群から独立に選択され、
各Ｒ６は水素およびハロアルキルから成る群から独立に選択され、
各Ｘはハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシおよびＣ１〜Ｃ４カルボキシから成る群から独立に選択され、
Ｙは酸素および硫黄から成る群から選択され、
Ｚは窒素およびリンから成る群から選択され、
各ｄは０および１から成る群から独立に選択される〕；および
【化１３】
2009508165.tif 000013
〔式中、
各Ｒ７は水素、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ８ハロアルキル、アミノおよびＣ１〜Ｃ８アルキルアミノから成る群から独立に選択され、
各Ｒ８はＣ１〜Ｃ８脂肪族基から成る群から独立に選択される〕
から成る群から選択される式を有する、請求項６〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記シランがアミノアルコキシシラン、フェニルシランおよびジフェニルシランから成る群から選択される、請求項６〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記シランがアミノアルキルアルコキシシランおよびフェニルアミノアルキルアルコキシシランから成る群から選択される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記シランがアミノプロピルトリメトキシシラン、アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニルアミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピル−トリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリアセトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジクロロシラン、ジフェニルシランジオール、２−フェニルエチルトリアルコキシシラン、ｐ／ｍ−クロロフェニルトリメトキシシラン、ｐ／ｍ−ブロモフェニルトリメトキシシラン、（ｐ／ｍ−クロロメチル）フェニルトリメトキシシラン、２−（ｐ／ｍ−メトキシ）フェニルエチルトリメトキシシラン、２−（ｐ／ｍ−クロロメチル）フェニルエチルトリメトキシシラン、３，４−ジクロロフェニルトリクロロシラン、３−フェノキシプロピルトリクロロシラン、３−（Ｎ−フェニルアミノ）プロピルトリメトキシシランおよび２−（ジフェニルホスフィノ）エチルトリエトキシシランから成る群から選択される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記プライマー層を設けた後該プライマー層をベークすることをさらに含む、請求項６〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
前記プライマー層が触媒をも含み、前記プライマー層のベーキングによって前記シランが架橋する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記感光層を設けた後該感光層をベークすることをさらに含む、請求項６〜１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
前記ベーキングによって前記感光層のポリマーを前記プライマー層のシランと共有結合させる、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記感光層の第１の部分を化学線で露光し、前記感光層の第２の部分を化学線で露光しないことをさらに含む、請求項６〜１６のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
前記感光層の前記第１の部分が前記露光時に架橋する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記感光層を前記化学線での露光後にベークすることをさらに含む、請求項１９または２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記感光層を現像することをさらに含む、請求項２０または２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記現像工程の間にこの現像によって前記感光層の第２の部分が実質的に除去され、その結果パターン形成された感光層を含む積層体が形成される、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記感光層を前記現像後にベークすることをさらに含む、請求項２２または２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記積層体をＫＯＨでエッチングし、それによって前記感光層のパターンを前記基板に転写することをさらに含む、請求項２３または２４に記載の方法。
【請求項２６】
エッチング時に前記感光層が１００μｍ未満のアンダーカットしか示さない、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記感光層が基板１ｃｍ２当たり約０．１個未満のピンホールしか示さない、請求項２５または２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記基板がＳｉ基板、ＳｉＯ２基板、Ｓｉ３Ｎ４基板、ＳｉＯ２被覆シリコン基板、Ｓｉ３Ｎ４被覆シリコン基板、ガラス基板、石英基板、セラミック基板、半導体基板および金属基板から成る群から選択される、請求項６〜２７のいずれかに記載の方法。
【請求項２９】
超小型電子基板と、
前記基板に隣接する、架橋シランを含むプライマー層と、
前記プライマー層に隣接する感光層と
を含む超小型電子構造体であって、前記感光層がポリマーを含み、このポリマーは
【化１４】
2009508165.tif 000014
【化１５】
2009508165.tif 000015
および
（ＩＩＩ）少なくとも１個の架橋エポキシ基を有するモノマーを含み、
（Ｉ）および（ＩＩ）において
各Ｒ１は水素およびＣ１〜Ｃ８アルキルから成る群から独立に選択され、
各Ｒ２は水素、Ｃ１〜Ｃ８アルキルおよびＣ１〜Ｃ８アルコキシから成る群から独立に選択される超小型電子構造体。
【請求項３０】
前記架橋エポキシ基が
【化１６】
2009508165.tif 000016
を含む、請求項２９に記載の超小型電子構造体。
【請求項３１】
前記シランがアミンを含み、前記感光層のポリマーは前記アミンと共有結合したエポキシ基を含む、請求項２９または３０に記載の超小型電子構造体。
【請求項３２】
前記ポリマーが、該ポリマーの総重量を１００重量％としてその重量に基づき３５〜７５重量％の（Ｉ）、２０〜４０重量％の（ＩＩ）、および５〜１５重量％の（ＩＩＩ）を含む、請求項２９〜３１のいずれかに記載の超小型電子構造体。
【請求項３３】
前記シランが
【化１７】
2009508165.tif 000017
〔式中、
【化１８】
2009508165.tif 000018
ここで、
ｉ、ｊおよびｋは０および１から成る群からそれぞれ独立に選択され、ｉおよびｊの一方が１の時ｉおよびｊの他方は０であり、
各Ｒ４は水素、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ８ハロアルキル、アミノおよびＣ１〜Ｃ８アルキルアミノから成る群から独立に選択され、
各Ｒ５はＣ１〜Ｃ８脂肪族基から成る群から独立に選択され、
各Ｒ６は水素およびハロアルキルから成る群から独立に選択され、
各Ｘはハロゲン、ヒドロキシ、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシおよびＣ１〜Ｃ４カルボキシから成る群から独立に選択され、
Ｙは酸素および硫黄から成る群から選択され、
Ｚは窒素およびリンから成る群から選択され、
各ｄは０および１から成る群から独立に選択される〕；および
【化１９】
2009508165.tif 000019
〔式中、
各Ｒ７は水素、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ、Ｃ１〜Ｃ８ハロアルキル、アミノおよびＣ１〜Ｃ８アルキルアミノから成る群から独立に選択され、
各Ｒ８はＣ１〜Ｃ８脂肪族基から成る群から独立に選択される〕
から成る群から選択される式を有する、請求項２９〜３２のいずれかに記載の超小型電子構造体。
【請求項３４】
前記シランがアミノアルコキシシラン、フェニルシランおよびジフェニルシランから成る群から選択される、請求項２９〜３２のいずれかに記載の超小型電子構造体。
【請求項３５】
前記シランがアミノアルキルアルコキシシランおよびフェニルアミノアルキルアルコキシシランから成る群から選択される、請求項３４に記載の超小型電子構造体。
【請求項３６】
前記シランがアミノプロピルトリメトキシシラン、アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニルアミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピル−トリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリアセトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジクロロシラン、ジフェニルシランジオール、２−フェニルエチルトリアルコキシシラン、ｐ／ｍ−クロロフェニルトリメトキシシラン、ｐ／ｍ−ブロモフェニルトリメトキシシラン、（ｐ／ｍ−クロロメチル）フェニルトリメトキシシラン、２−（ｐ／ｍ−メトキシ）フェニルエチルトリメトキシシラン、２−（ｐ／ｍ−クロロメチル）フェニルエチルトリメトキシシラン、３，４−ジクロロフェニルトリクロロシラン、３−フェノキシプロピルトリクロロシラン、３−（Ｎ−フェニルアミノ）プロピルトリメトキシシランおよび２−（ジフェニルホスフィノ）エチルトリエトキシシランから成る群から選択される、請求項３４に記載の超小型電子構造体。
【請求項３７】
前記基板がＳｉ基板、ＳｉＯ２基板、Ｓｉ３Ｎ４基板、ＳｉＯ２被覆シリコン基板、Ｓｉ３Ｎ４被覆シリコン基板、ガラス基板、石英基板、セラミック基板、半導体基板および金属基板から成る群から選択される、請求項２９〜３６のいずれかに記載の超小型電子構造体。