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【手続補正書】
【提出日】平成21年5月12日(2009.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その表面上に形成される第１ボンド・パッドおよび第２ボンド・パッドを有する基板と、
放射素子としての少なくとも１つのボンド・ワイヤを有するアンテナであって、前記少なくとも１つのボンド・ワイヤが、前記基板の前記表面上の前記第１ボンド・パッドに結合される第１端と前記第２ボンド・パッドに結合される第２端とを有する、前記アンテナと、
前記基板の前記表面上に形成される金属遮蔽と、を備え、
前記金属遮蔽が、前記基板の前記表面上の前記第１ボンド・パッドと前記第２ボンド・パッドの間に配置され、さらに前記金属遮蔽が、前記基板の前記表面と、前記第１端と前記第２端の間で前記ボンド・ワイヤの少なくとも一部分との間で挟まれる、
アンテナ・デバイス。
【請求項２】
前記少なくとも１つのボンド・ワイヤを封入する、前記基板の前記表面上に形成された誘電体材料をさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記基板および前記アンテナの上に形成されたカバーをさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記アンテナがモノポール・アンテナ、ダイポール・アンテナ、ループ・アンテナ、およびエンド・ファイア（end-fire）アンテナを含む群から選択される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記アンテナがアンテナ・アレイを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記少なくとも１つのボンド・ワイヤが、前記基板の前記表面の上にループ部分を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記金属遮蔽が、前記ボンド・ワイヤの前記ループ部分の少なくとも一部の下に配置される、請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
前記基板が、前記アンテナに接続されたフィード・ネットワークをさらに有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
前記フィード・ネットワークがインピーダンス整合ネットワークを含む、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記フィード・ネットワークが、前記少なくとも１つのワイヤを集積回路チップの集積回路に接続する、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記集積回路が、受信機、送信機、またはトランシーバ回路を含む。請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
一体型通信デバイスであって、
その能動面上に形成される第１ボンド・パッドおよび第２ボンド・パッドを有するＩＣ（集積回路）チップと、
放射素子としての少なくとも１つのボンド・ワイヤを有するアンテナであって、前記少なくとも１つのボンド・ワイヤが、前記ＩＣチップの前記能動面上の前記第１ボンド・パッドに結合される第１端と前記第２ボンド・パッドに結合される第２端とを有する、前記アンテナと、
前記ＩＣチップの前記能動面上に形成される金属遮蔽と、を備え、
前記金属遮蔽が、前記ＩＣチップの前記能動面上の前記第１ボンド・パッドと前記第２ボンド・パッドの間に配置され、さらに前記金属遮蔽が、前記ＩＣチップの前記能動面と、前記第１端と前記第２端の間で前記ボンド・ワイヤの少なくとも一部分との間に挟まれる、
前記一体型通信デバイス。
【請求項１３】
前記ＩＣチップおよび前記アンテナを封入するカバーをさらに備える、請求項１２に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記ＩＣチップが、トランシーバ、受信機、または送信機を含む集積回路を備える、請求項１２に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記ＩＣチップが、少なくとも１つのボンド・ワイヤを前記集積回路に接続するアンテナ・フィード・ネットワークを含む、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
キャリア基板と、
その能動面上に形成される第１ボンド・パッドおよび第２ボンド・パッドを有し、前記キャリア基板に取り付けられる非能動面を有する、ＩＣチップと、
放射素子としての少なくとも１つのボンド・ワイヤを有するアンテナであって、前記少なくとも１つのボンド・ワイヤが、前記ＩＣチップの前記能動面上の前記第１ボンド・パッドに結合される第１端と前記第２ボンド・パッドに結合される第２端とを有する、前記アンテナと、
前記ＩＣチップの前記能動面上に形成される金属遮蔽であって、前記金属遮蔽が、前記ＩＣチップの前記能動面上の前記第１ボンド・パッドと前記第２ボンド・パッドの間に配置され、さらに前記金属遮蔽が、前記ＩＣチップの前記能動面と、前記第１端と前記第２端の間で前記ボンド・ワイヤの少なくとも一部分との間に挟まれる、前記金属遮蔽と、
前記ＩＣチップおよび前記アンテナを封入するパッケージ・カバーと、
を備えるＩＣ（集積回路）パッケージ装置。
【請求項１７】
前記ＩＣチップが、トランシーバ、受信機、または送信機を含む集積回路を備える、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記ＩＣチップが、前記少なくとも１つのボンド・ワイヤを前記集積回路に接続するアンテナ・フィード・ネットワークを備える、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記アンテナが、前記チップの前記能動面上に結合される第１端と前記キャリア基板に結合される第２端とを有する、第２ボンド・ワイヤを備える、請求項１６に記載の装置。
【請求項２０】
前記第２ボンド・ワイヤの前記第２端が前記キャリア基板のリード・フレームに結合される、請求項１６に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月12日(2009.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラミペキソール又はその医薬品として許容される塩を、アルファ化したデンプン以外の少なくとも２つの水膨潤性ポリマーを含むマトリックス中に含み、かつ該少なくとも２つのポリマーの少なくとも１つが、アニオン性ポリマーである、放出が延長された錠剤調合物。
【請求項２】
該アニオン性ポリマーが、任意で架橋したアクリル酸ポリマー、メタクリル酸ポリマー、アルギン酸塩及びカルボキシメチルセルロースの群より選択される、請求項１の放出が延長された錠剤調合物。
【請求項３】
該アニオン性ポリマーが、任意で架橋したアクリル酸ポリマーであって、かつ該任意で架橋したアクリル酸ポリマーの該マトリックス中における含量が、約０．２５ｗｔ％から約２５ｗｔ％、好ましくは約０．５ｗｔ％から約１５ｗｔ％、より好ましくは約１ｗｔ％から約１０ｗｔ％である、請求項２の放出が延長された錠剤調合物。
【請求項４】
該少なくとも２つのポリマーの少なくとも１つが、アルファ化したデンプン以外の実質的に中性のポリマーである、請求項１の放出が延長された錠剤調合物。
【請求項５】
該実質的に中性のポリマーが、ヒドロキシプロピルセルロース及びヒドロキシプロピルメチルセルロースから選択される、請求項４の放出が延長された錠剤調合物。
【請求項６】
該実質的に中性のポリマーがヒドロキシプロピルメチルセルロースであり、かつヒドロキシプロピルメチルセルロースの該マトリックス中における含量が、約１０ｗｔ％から約７５ｗｔ％、好ましくは約２５ｗｔ％から約６５ｗｔ％である、請求項４の放出が延長された錠剤調合物。
【請求項７】
該マトリックスが以下を含む、請求項４の放出が延長された錠剤調合物：
（ａ）プラミペキソール又はその塩            約０．０５から５ｗｔ％
（ｂ）アニオン性水膨潤性ポリマー（群）      約０．２５から２５ｗｔ％
（ｃ）中性水膨潤性ポリマー（群）            約１０から７５ｗｔ％
（ｄ）さらなる賦形剤                        加えて１００ｗｔ％となる量
【請求項８】
プラミペキソールジヒドロクロライド一水和物、Ｈｙｐｒｏｍｅｌｌｏｓｅ２２０８、トウモロコシデンプン、カルボマー９４１、コロイド状二酸化ケイ素及びステアリン酸マグネシウムから成る、請求項１の放出が延長された錠剤調合物。
【請求項９】
結果得られる錠剤が、ｐＨ＜４．５の範囲においてより速い放出特性を有するｐＨ依存性の放出特性、及びｐＨ４．５から７．５の範囲において、より遅い及びさらにｐＨ独立性の放出特性を提供する、請求項１の放出が延長された錠剤調合物。
【請求項１０】
プラミペキソール又はその医薬品として許容される塩の含有量が、１回で１日投与量を提供するために充分である、請求項１〜９の放出が延長された錠剤調合物。
【請求項１１】
以下の工程を含む直接圧縮法を介した、請求項１から１０のいずれか１項に記載する、放出が延長された錠剤調合物の製造方法：
（１）プラミペキソール又はその医薬品として許容される塩を、ミキサー中で水膨潤性ポリマー（群）の一部及び／又は賦形剤（群）とプレブレンドすることにより、活性成分がプラミペキソール又はその医薬品として許容される塩である活性成分の粉砕物を製造し、ここでプラミペキソール又はその医薬品として許容される塩を、使用する前に製粉し、好ましくはピンミルにかける工程；
（２）工程（１）の活性成分の粉砕物、水膨潤性ポリマー（群）の主要部分及び／又は賦形剤を、ミキサー中でプレミックスして、プレ混合物を得る工程；
（３）任意で、ふるいを通してプレ混合物を乾燥ふるい分けして、粘着性の粒子を取り除き、及び含有物の均一性を向上させる工程；
（４）工程（２）又は（３）のプレ混合物をミキサー中で混合し、任意で残りの賦形剤を該混合物に添加して、攪拌を継続する工程；及び
（５）適切な打錠機上で最終混合物を圧縮することにより、最終混合物を錠剤化して、マトリックス錠剤を製造する工程。
【請求項１２】
以下の工程を含む湿式造粒法を介した、請求項１から１０のいずれか１項に記載する、放出が延長された錠剤調合物の製造方法：
（１）プラミペキソール又はその医薬品として許容される塩を、ミキサー中で一部の賦形剤（群）とブレンドすることにより、活性成分がプラミペキソール又はその医薬品として許容される塩である活性成分の粉砕物を製造し、ここでプラミペキソール又はその医薬品として許容される塩を、使用する前に製粉し、好ましくはピンミルにかける工程；
（２）工程（１）の活性成分の粉砕物を、造粒液体、好ましくは水を添加することにより造粒する工程；
（３）工程（２）の粒を、流動床乾燥機又は乾燥オーブン中で乾燥する工程；
（４）工程（３）の乾燥した粒と、水膨潤性ポリマー（群）及び／又は賦形剤をミキサー中で混合して、最終的な混合物を得る工程；
（５）工程（４）の最終的な混合物を、適切な打錠機上で圧縮して錠剤化し、マトリックス錠剤を製造する工程。
【請求項１３】
以下の工程を含む乾式造粒法を介した、請求項１から１０のいずれか１項に記載する、放出が延長された錠剤調合物の製造方法：
（１）活性成分であるプラミペキソール又はその医薬品として許容される塩を、一部のフィラー又は全ての賦形剤と共にミキサー中で混合し、ここでプラミペキソール又はその医薬品として許容される塩を、使用する前に製粉し、好ましくはピンミルにかける工程；
（２）工程（１）の混合物を、適切なローラーコンパクター（ｒｏｌｌａｒ ｃｏｍｐａｃｔｏｒ）上で圧縮する工程；
（３）工程（１）の間に得られたリボンを、適切な粉砕又はふるい分け工程により減少させて小さな粒にする工程；
（４）任意で、工程（３）の粒を、残りの賦形剤と共にミキサー中で混合して、最終的な混合物を得る工程；
（５）工程（３）の粒、又は工程（４）の最終混合物を、適切な打錠機上で圧縮することにより錠剤化し、マトリックス錠剤を製造する工程。
【請求項１４】
請求項１から１０のいずれかに記載する放出が延長された錠剤調合物の、パーキンソン病及び合併症又はそれに付随する疾患の治療のための医療組成物の調製のための使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年4月13日(2009.4.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
歯列矯正器具の第１セットと歯列矯正器具の第２セットとを備える歯列矯正ブレースであって、該ブレースが、中央切歯用の中央切歯器具と、側切歯用の側切歯器具と、犬歯用の犬歯器具と、第１双頭歯用の第１双頭歯器具と、第２双頭歯用の第２双頭歯器具と、を備え、
各器具が、基部と、該基部から延在する本体と、該本体を横切って略近心−遠心方向に延在するアーチワイヤスロットと、該本体に結合され、該アーチワイヤスロットにアーチワイヤを解放自在に保持するラッチと、を有し、該アーチワイヤが該ラッチに対して一定値を超える力を加える場合に、該ラッチが該アーチワイヤスロットから該アーチワイヤを解放し、
該第２セットが、該犬歯器具と、該第１双頭歯器具と、該側切歯器具と、のうちの少なくとも１つを含み、該第１セットが、当該ブレースの残りの器具を含み、該第２セットの少なくとも１つの器具の該一定値が、該第１セットの少なくとも１つの器具の該一定値より大きい、
歯列矯正ブレース。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
本発明の別の実施形態は、歯列矯正器具の第１セットと歯列矯正器具の第２セットとを備える歯列矯正ブレースに関する。本ブレースは、中央切歯用の中央切歯器具と、側切歯用の側切歯器具と、犬歯用の犬歯器具と、第１双頭歯用の第１双頭歯器具と、第２双頭歯用の第２双頭歯器具と、を備える。各器具は、基部と、基部から延在する本体と、本体を横切って略近心−遠心方向に延在するアーチワイヤスロットと、本体に結合されアーチワイヤスロットにアーチワイヤを解放自在に保持するラッチと、を有する。ラッチは、アーチワイヤがラッチに対して一定値を超える力を加える場合に、アーチワイヤスロットからアーチワイヤを解放する。第２セットは、犬歯器具と、第１双頭歯器具と、側切歯器具と、のうちの少なくとも１つを含み、第１セットは、ブレースの残りの器具を含む。第２セットの少なくとも１つの器具に対する一定値は、第１セットの少なくとも１つの器具の一定値より大きい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
自己解放式器具の代表的な例は、図３〜図５の拡大図に示す器具６０である。図示する器具６０は、特に上中央切歯で使用するのに適しているが、器具４４〜５２等の残りの器具に略類似している。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
器具６０は、器具６０を上中央切歯のエナメルに接着剤を用いて直接接合するための基部６２を有する。基部６２は、歯表面の凸状の複合彎曲に一致する外側に面する凹状の複合彎曲を有することが好ましい。任意に、基部６２に、器具６０を歯表面に直接接合するのを容易にする、溝、粒子、凹部、アンダーカット、化学結合強化材料もしくは他の任意の材料または構造もしくは上述したものの任意の組合せを設けてもよい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
左および右象限２６、２８に関連する器具４４、４６、４８は、下歯列弓の前歯（すなわち、中央切歯、側切歯および犬歯）のための器具の第１セットを備える。下の左および右象限２６、２８に関連する器具５０、５２および５４は、下歯列弓の後歯（すなわち、双頭歯および臼歯）のための器具の第２セットを備える。上述したように、各器具４４〜５２は、アーチワイヤスロットにアーチワイヤ５８を解放自在に保持するラッチを有する。ラッチは、アーチワイヤが、解放値、すなわち「Ｒ」としても知られる一定の値を超える力をラッチに加えた場合に、アーチワイヤスロットからアーチワイヤを解放する。この解放値は、第２セット（すなわち、後歯のための器具のセット）のうちの少なくとも１つの器具に対する方が、第１セット（すなわち、前歯のための器具のセット）のうちの少なくとも１つの器具の解放値より大きい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年6月25日(2009.6.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
車に締結することができ且つブレーキの前側部及び後側部にボルトを有するブレーキキャリアを備え、前記ボルトが、ブレーキを掛ける間、少なくとも１つのブレーキライニング（３２；３２ａ、３２ｂ）に張力及び／又は圧縮力を加え、前記ブレーキライニングが前記ボルトに対する受容部（４０、４０´；５４ａ、５４ｂ）を有し、これにより張力及び圧縮力が前記受容部の内面にて吸収され、前記ボルト（１６ａ、１６ｂ）及びブレーキライニングの相対的寸法及び配置は、０．１Ｇの範囲の最大値まで車を減速させることのできるブレーキ力が導入されたときに前記ブレーキライニングに張力のみが作用するようなものとした、ディスクブレーキにおいて、
前記ボルト（１６ａ、１６ｂ）の中心線が、ブレーキライニング（３２ｂ）の摩擦ライニング（３６ｂ）の領域の中心（Ｆ）よりもディスクの軸線（Ａ）からの半径方向間隔（Ｄ）が小さい平面（Ｐ）を画成することを特徴とするディスクブレーキ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項８】
ブレーキライニングを２つのボルト（１６ａ、１６ｂ、１８ａ、１８ｂ）上に支持するディスクブレーキ用のブレーキライニング（３２ａ、３２ｂ）であって、前記ブレーキライニングはボルト用の受容部（４０、４０´；５４ａ、５４ｂ）を有し、ブレーキを掛ける間、前記受容部の内面に張力及び圧縮力が加えられるようになっており、０．１Ｇの範囲の最大値まで車を減速させることのできるブレーキ力が導入されたとき、ブレーキライニングに張力のみが作用するような寸法とされた、ブレーキライニングにおいて、
前記受容部（４０、４０´）は、ボルトの中心線が前記ブレーキライニング（３２ｂ）の摩擦ライニング（３６ｂ）の領域の中心（Ｆ）よりもディスクの軸線（Ａ）からの半径方向間隔（Ｄ）が小さい平面（Ｐ）を画成するような仕方にて提供されることを特徴とするブレーキライニング。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月27日(2009.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
管からなる石油化学クラッカーであって、前記管は、中心線（４０）がほぼ螺旋の経路をたどる螺旋管部分を含み、その螺旋の振幅（Ａ）は前記螺旋管部分の内径（Ｄ１）の半分以下であり、前記管部分の内腔に沿って見通し線を与えるようにされている石油化学クラッカー。
【請求項２】
請求項1に記載の石油化学クラッカーであって、前記管部分は複数の螺旋ターンを持つ石油化学クラッカー。
【請求項３】
請求項1又は２に記載の石油化学クラッカーであって、前記管部分はその長さに沿って変動する振幅及び／又は変動するネジレ角を持つ石油化学クラッカー。
【請求項４】
請求項1又は２に記載の石油化学クラッカーであって、前記管部分はその長さに沿って実質的に同じ振幅とネジレ角を持つ石油化学クラッカー。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の石油化学クラッカーであって、前記管部分は前記管の全長に沿って延伸する石油化学クラッカー。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の石油化学クラッカーであって、前記管部分は前記管の一部に沿ってのみ延伸する石油化学クラッカー。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の石油化学クラッカーであって、前記螺旋回転の軸（３０）は直線である石油化学クラッカー。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の石油化学クラッカーであって、前記螺旋回転の軸は曲がっている石油化学クラッカー。
【請求項９】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の石油化学クラッカーであって、前記管部分はほぼ円形の断面を有する石油化学クラッカー。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の石油化学クラッカーであって、前記螺旋の振幅は前記管部分の内径（Ｄ１）の０．４以下である石油化学クラッカー。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の石油化学クラッカーであって、前記螺旋の角度は１５°以下である石油化学クラッカー。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の石油化学クラッカーであって、前記管部分は、溝又はリブがない内面を有する石油化学クラッカー。
【請求項１３】
石油化学クラッカーにおける管として使用され、中心線（４０）がほぼ螺旋の経路をたどる管部分を含み、前記管は、中心線（４０）がほぼ螺旋の経路をたどる螺旋管部分を含み、その螺旋の振幅（Ａ）は前記螺旋管部分の内径（Ｄ１）の半分以下である管を製造する方法であって、可撓管部分を別の真直の可撓部材に隣接させ、前記可撓管部分と前記可撓部材を互いの周りにねじり、前記可撓管部分がその形状を維持するように前記可撓管部分を処理する段階を含む方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、ねじられる際に前記可撓管部分にキンクその他の好ましくない変形を生じることを防止する方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、ねじる前に前記管部分にとまりばめコイルバネを挿入する方法。
【請求項１６】
請求項１３乃至１５のいずれか一項に記載の方法であって、前記可撓管部分は、熱硬化性プラスチック、ＵＶ硬化樹脂等の、該可撓管部分の形状を維持する処理が可能な材料から形成される方法。
【請求項１７】
請求項１３乃至１６のいずれか一項に記載の方法であって、前記真直の可撓部材は第２可撓管部分である方法。
【請求項１８】
石油化学クラッカーにおける管として使用され、中心線（４０）がほぼ螺旋の経路をたどる管部分を含み、その螺旋中心線（４０）の振幅（Ａ）は前記管部分の内径（Ｄ１）の半分以下である管を製造する方法であって、
直管（２１０）を押し出す押出機（２００）を配設する段階と、；
前記押出された管を螺旋形状に形成して、前記螺旋中心線（４０）の振幅（Ａ）を前記管部分の内径（Ｄ１）の半分以下にする形つくり機（２２０）を前記押出機の下流に配設する段階と、；
前記押出機から直管を押し出し、前記形つくり機を使用して前記直管を螺旋形状（２３０）に形成する段階とを含んでなる方法。
【請求項１９】
請求１８に記載の方法において、前記形つくり機（２２０）は、前記押出の軸にほぼ平行な回転軸を有する回転部材（２２２）を含み、その回転部材は、前記管が通る孔（２２４）を有し、該孔は前記回転軸が通るが、該孔の中心が前記回転軸からオフセットするように位置されて、螺旋部分を生成するようにされており、その螺旋部分においては、前記螺旋の振幅が、前記管の内径の半分以下であり、且つ前記螺旋部分の長さにわたって比較的に一定である方法。
【請求項２０】
石油化学クラッカーにおける管として使用され、中心線（４０）がほぼ螺旋の経路をたどる管部分を含み、その螺旋中心線（４０）の振幅（Ａ）は前記管部分の内径（Ｄ１）の半分以下である管を製造する方法であって、
螺旋状マンドレルを与える段階と、；
前記螺旋状マンドレルの周りに可撓管を巻きつけて、前記管が螺旋状をなすようにする段階と、；
前記管がその形状を維持するように処理する段階と、； 
前記管を前記マンドレルから取り外す段階とを含んでなる方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法であって、前記管は前記螺旋状マンドレルよりかなり長く、一端で前記マンドレルに巻きつけられ、前記螺旋状マンドレルに沿って動かされ、且つその形状を維持するように処理されて、他端において前記螺旋状マンドレルからほどかれる方法。
【請求項２２】
請求項２０又は２１に記載の方法であって、前記管の外径は前記マンドレルの内径より大きくして前記生産された螺旋管の振幅が前記管の内径の半分以下となる方法。
【請求項２３】
石油化学クラッカーにおける管として使用され、中心線（４０）がほぼ螺旋の経路をたどる管部分を含み、その螺旋中心線（４０）の振幅（Ａ）は前記管部分の内径（Ｄ１）の半分以下である管を製造する方法であって、
各々が真直な中心線と、互いに平行でない端面を有する複数の短い管部分を与えることにより、側部が、長い側部と、この長い側部とは正反対の短い側部とを有するようにする段階と、；
二つの前記短い管部分を、一方の管部分の長い方の側部が次の他方の管部分の長い方の側部から回転方向に僅かにオフセットするように接続する段階と、；
さらに別の短い管部分を先行する前記管部分から同じ量だけ回転方向にオフセットさせて次々と接続する段階とを含んでなる方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年1月28日(2009.1.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
本明細書で用いる「トランソルビリティー」なる用語は、試薬が以下の溶媒の３つの型：水性溶媒、非水性溶媒、例えば有機溶媒、および水性溶媒と非水性溶媒の混合物の１つしか、またはどれにも溶解しないことと対照的に、これらの３つの型の溶媒の２つ以上に溶解することを示す。目的の試薬に関して適切な対イオンを選択することによりトランソルビリティーを達成することができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年4月16日(2009.4.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
柔軟なポリマーまたは磁気検出可能量のフェライトを含有する磁石は１９６０年代から知られている。手袋を磁気的に検出可能とする目的でフェライトを含有する手袋は、記載されている。添加剤としてフェライトを添加したポリマー物質は、フェライト中の鉄の酸化状態に応じて暗い赤色になるかまたは黒くなる。食品または製薬商品の調製に赤いまたは黒い色の手袋を使用することは、用途によっては反対されるであろう。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年8月17日(2009.8.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の構造：
【化１】
2005519889.tif 000001
を有する、化合物。
【請求項２】
以下の構造を有する化合物ＶＤ  １２０７Ｄ：
【化２】
2005519889.tif 000002
を作製する方法であって、以下：
以下の構造を有する化合物３０ｄ：
【化３】
2005519889.tif 000003
を、酸化開裂試薬と反応させ、次いで、還元剤と反応させて、化合物ＶＤ  １２０７Ｄを生成する工程
を包含する、方法。
【請求項３】
前記酸化開裂試薬が、オゾンを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記酸化開裂試薬と反応させる工程が、極性溶媒系において実行される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記溶媒系が少なくとも１つの塩素化溶媒を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記塩素化溶媒が、塩化メチレンである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記還元剤が、ジメチルスルフィドである、請求項２に記載の方法。
【請求項８】
前記酸化開裂試薬と反応させる工程が、約−７８℃の温度で行われる、請求項２に記載の方法。
【請求項９】
請求項２に記載の方法の方法であって、前記酸化開裂試薬がオゾンを含み、前記酸化開裂試薬と反応させる工程が約−７８℃の温度で塩化メチレン中で行われ、そして前記還元剤がジメチルスルフィドである、方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１８０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１８０】
【化７２】
2005519889.tif 000004
ベンゾフラン３０ｄ（０．０１２ｍｍｏｌ）をＣＨ２Ｃｌ２（２ｍＬ）に溶解し、そして−７８℃まで冷却した。次いで、その反応混合物に、２０秒間にわたって、Ｏ３を泡立たせた。質量分析およびＴＬＣ分析により、出発物質は存在しておらず、質量分析により、ＶＤ−１２０７Ｄについて、Ｍ−Ｈが明らかとなった。このとき、Ｍｅ２Ｓ（０．２ｍＬ）を−７８℃で添加し、次いで、室温までゆっくり温め、３０分間撹拌した。次いで、その反応物を濃縮した。精製は、分取ＴＬＣ（アセトンで予め溶出したプレート）（これは、７：３のヘキサン：アセトンで溶出する）またはＨＰＬＣ（ＯＤＳカラム、ＣＨ３ＣＮ  ５０％、ＫＨ２ＰＯ４緩衝液（ｐＨ＝３．５）５０％、１ｍＬ／分）により、達成した。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年7月24日(2009.7.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
本発明の方法では、非毒性の水溶性化合物を使用し、アモルファス状生成物を得るために、選択的にスプレー乾燥又は凍結乾燥手法を用いることにより上記の効果が得られる。アモルファス状生成物は、水性環境下でより良好な溶解性を有することがわかっている。本発明に係る組成物では、湿潤剤や、生理活性に関する錯体試薬のようなその他の物質を使用することなく、より高い溶解性（及びより高い生物学的利用効率）が達成される。その結果、不所望の副反応やフラバノリグナン製品の効果の低減を防ぐことができる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
本発明に係る方法は、湿潤剤や錯体化試薬によらない。湿潤剤や錯体化試薬は、不所望の副反応を引き起こしたり、最終的なフラバノリグニンを含有する生成物の効果を減ずることとなるものである。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年5月28日(2009.5.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エキシマ放電により紫外放射を発生する装置であって、その放電空間が封入ガスで満たされた少なくとも部分的にＵＶ透明の放電容器と、該放電空間内にエキシマ放電をトリガし維持する手段と、ホスト格子とネオジム(III)を活性化物質として含む蛍光体を含有する被膜とを備え、前記蛍光体がMgO、SiO2及びAl2O3からなる群から選択される酸化物を含む被膜を具えることを特徴とする紫外放射発生装置。
【請求項２】
前記蛍光体は活性化物質としてプラセオジム(III)を含有することを特徴とする請求項１記載の紫外放射発生装置。
【請求項３】
前記蛍光体は、(La1-xYx)PO4：Nd（ここで０≦ｘ≦１）、(La1-xYx)PO4：Nd，Pr（ここで０≦ｘ≦１）、SrAl12O19：Nd、LaBＯ3O6：Nd、LaMgB5O10：Nd、SrAl12O19：Nd,Pr、LaBO3O6：Nd,Pr、LaMgB5O10：Nd,Pr及びGdPO4：Ndからなる群から選択されることを特徴とする請求項１記載の紫外放射発生装置。
【請求項４】
前記封入ガスは、キセノン、クリプトン、アルゴン、ネオン及びヘリウムからなる群から選択されるガスを含むことを特徴とする請求項１記載の紫外放射発生装置。
【請求項５】
前記封入ガスはキセノンを含むことを特徴とする請求項１記載の紫外放射発生装置。
【請求項６】
前記電極はＵＶ−Ｃ光を反射する金属または合金からなることを特徴とする請求項１記載の紫外放射発生装置。
【請求項７】
前記放電容器の一部分にはＶＵＶ及びＵＶ−Ｃ光の反射体として作用する被膜が設けられていることを特徴とする請求項１記載の紫外放射発生装置。
【請求項８】
光分解処理に使用することを特徴とする請求項１記載の紫外放射発生装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
反射体として作用する被膜の他の好適例は、MgO、SiO2、Al2O3、(La1-xYx)PO4（ここで０≦ｘ≦１）、SrAl12O19、LaB3O6、LaMgB5O10及びCdPO4からなる群から選ばれる材料の粒子を含む被膜である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年5月27日(2009.5.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体本体を供給する工程と、
前記半導体本体の上にゲート構造を形成する工程と、
前記半導体本体中にソース領域とドレイン領域を形成する工程であって、ソース領域はゲート構造近傍の一方の側面にあり、ドレイン領域はゲート構造近傍の他方の側面にあることと、
前記ゲート構造の上、および前記ソース領域近傍の前記半導体本体の一部分の上に第１の誘電体層を形成する工程と、
前記ソース領域に電気的接続して、前記ゲート構造と前記ドレイン領域との間の誘電体層の静電容量を減らすための第１の接地シールドを、第１の誘電体層の上に形成してパターン化する工程と、
前記ソース領域近傍の前記第１の誘電体層上に、ゲート構造とパラレルにゲートバスを形成する工程と、
前期ゲートバスと前記第１の接地シールドの上に第２の誘電体層を形成する工程と、
前記ゲートバス上の第２誘電体部分と前記ドレイン領域近傍の第２誘電体部分の静電容量を減らす為の第２の接地シールドを提供する金属層、を第２の誘電体層の上部に形成しパターン化して、第１の接地シールドと電気接続させる工程と、
プラスチックパッケージのモールド化合物を第２の接地シールドとドレイン接触の間に形成する工程と、
からなる半導体デバイスの作製方法。
【請求項２】
半導体本体を供給する工程と、
前記半導体本体の上にゲート構造を形成する工程と、
前記半導体本体中にソース領域とドレイン領域を形成する工程であって、ソース領域はゲート構造近傍の一方の側面にあり、ドレイン領域はゲート構造近傍の他方の側面にあることと、
前記ゲート構造の上、および前記ソース領域近傍の前記半導体本体の一部分の上に第１の中間誘電体層を形成する工程と、
前記ゲート構造の上に、前記ゲート構造と前記ドレイン領域との間の静電容量を減らすための第１の接地シールドを、、第１の誘電体層の上に形成してパターン化して、前記ソース領域と電気的接続している第１の接地シールドを形成する工程と、
前記ソース領域近傍の前記第１の誘電体層の上に、ゲート構造とパラレルにゲートバスを形成する工程と、
前記ゲートバスと前記第１の接地シールドの上に第２の中間誘電体層を形成する工程と、
前記ゲートバス上の前記第２の誘電体層の一部分の上に、前記第１の接地シールドと電気的接続をしている、前記ゲートバス上の第２誘電体部分と前記ドレイン領域近傍の第２誘電体部分の静電容量を減らすための第２の接地シールドを提供する金属層で第２の接地シールドを形成してパターン化する工程と、
プラスチックパッケージのモールド化合物を第２の接地シールドとドレイン接触の間に形成する工程と、
からなる半導体デバイスの作製方法。
【請求項３】
半導体本体と、
前記半導体本体の上のゲート構造と、
前記半導体本体中にあるソース領域とドレイン領域であり、ソース領域はゲート構造近傍の一方の側面にあり、ドレイン領域はゲート構造近傍の他方の側面にあることと、
前記ゲート構造上および前記ソース領域近傍の前記半導体本体の一部分の表面上にある第１の誘電体層と、
前記ソース領域と電気的接続して、第１の誘電体層の上に形成してパターン化して、前記ゲート構造と前記ドレイン領域との間の静電容量を減らすための第１の接地シールドと；
前記ソース領域近傍の前記第１の誘電体層の上にあるゲートバスであって、同ゲートバスはゲート構造とパラレルになっていることと、
前記ゲートバスおよび前記第１の接地シールドの上の第２の誘電体層と、
前記ゲートバスの上の第２の誘電体層の一部分の上にあり、前記第１の接地シールドと電気的接続している、前記ゲートバス上の第２誘電体部分と前記ドレイン領域近傍の第２誘電体部分の静電容量を減らすための、パターン化された第２の接地シールドを提供する金属層と、
第２の接地シールドとドレイン接触の間に形成されたプラスチックパッケージのモールド化合物と、
からなる半導体デバイス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
ソース接触、あるいは第１の接地シールド２４はソース領域１９と電気的接触をしている。第１の接地シールド２４はゲート構造１５上にあり、それはドレイン領域２０（第１のドレイン接触２６と第２のドレイン接触３３を含む：図３に示す）と、ゲート構造１５との間の寄生静電容量を減少させる。本実施例において、第１の接地シールド２４はゲート構造１５とＩＬＤ０層２２の上に形成される。しかし、第１の接地シールド層２４はソース接触としてのみ動作するので、ＩＬＤ０層２２の一部分に配置されてもよいし、ゲート構造１５の上全体には伸びていなくてもよい。この第１の接地シールド２４がゲート構造１５の上にあるということは、本発明においてはさして重要ではない。なぜならば、第２の接地シールド３１（以下に説明（図３参照））が形成されるからである。ゲートバス２５はゲート構造１５の突起部分に挟まれたＩＬＤ０層２２の上に配置されている。各々のドレイン接触２６はドレイン領域２０と電気的接触している。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年10月21日(2009.10.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
【化３１】
2005519113.tif 000001
を表し；
Ｒ９は、水素を表すか；あるいはそれぞれ置換されていても良いアルキル、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルチオ、アルキルスルフィニル、アルキルスルホニル、アルケニル、アルケニルカルボニル、アルケニルオキシカルボニル、アルキニル、アルケニルカルボニル、アルキニルオキシカルボニル、シクロアルキル、シクロアルキルカルボニル、シクロアルキルオキシカルボニル、シクロアルキルアルキル、シクロアルキルアルキルカルボニル、シクロアルキルアルコキシカルボニル、アリール、アリールカルボニル、アリールオキシカルボニル、アリールアルキル、アリールアルキルカルボニル、アリールアルコキシカルボニル、複素環、複素環カルボニルまたは複素環アルキルを表し、あるいは
Ｒ９はＲ２およびそれらが結合している窒素とともに、置換されていても良い複素環を表し；
Ｒ１０は、水素を表し；ホルミルを表し；あるいはそれぞれ置換されていても良いアルキル、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、アルケニル、アルケニルカルボニル、アルケニルオキシカルボニル、アルキニル、アルキニルカルボニル、アルキニルオキシカルボニル、シクロアルキル、シクロアルキルカルボニル、シクロアルキルオキシカルボニル、シクロアルキルアミノカルボニル、シクロアルキルアルキル、アリール、アリールカルボニル、アリールオキシカルボニル、アリールアミノカルボニル、アリールアルキル、アリールアルキルカルボニル、アリールアルコキシカルボニル、複素環、複素環カルボニルまたは複素環アルキルを表し；
Ｒ１は、水素を表し；あるいはそれぞれ置換されていても良いアルキル、アルキルチオ、アルキルスルフィニル、アルキルスルホニル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、シクロアルキルアルキル、アリール、アリールアルキル、アリールカルボニルアルキル、複素環または複素環アルキルを表し；
Ｒ２は、水素を表し；ホルミルを表し；あるいはそれぞれ置換されていても良いアルキル、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、アルケニル、アルケニルカルボニル、アルケニルオキシカルボニル、アルキニル、アルキニルカルボニル、アルキニルオキシカルボニル、シクロアルキル、シクロアルキルカルボニル、シクロアルキルオキシカルボニル、シクロアルキルアミノカルボニル、シクロアルキルアルキル、アリール、アリールカルボニル、アリールオキシカルボニル、アリールアミノカルボニル、アリールアルキル、アリールアルキルカルボニル、アリールアルコキシカルボニル、複素環、複素環カルボニルまたは複素環アルキルを表し；
Ｘは、水素、ニトロ、シアノ、カルボキシル、カルバモイル、チオカルバモイル、ハロゲンを表し；あるいはそれぞれ置換されていても良いアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、アルキルスルフィニル、アルキルスルホニル、アルキルアミノ、ジアルキルアミノまたはジアルキルアミノスルホニルを表し；
Ｙは、水素、ニトロ、シアノ、カルボキシル、カルバモイル、チオカルバモイル、ハロゲンを表し；あるいはそれぞれ置換されていても良いアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、アルキルスルフィニル、アルキルスルホニル、アルキルアミノ、ジアルキルアミノまたはジアルキルアミノスルホニルを表し；
Ｚは、下記の基：
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
Ｒ４は特に好ましくは、ヒドロキシル、ホルミルオキシ、フッ素または塩素を表し；それぞれシアノ−、フッ素−、塩素−、メトキシ−、エトキシ−、ｎ−もしくはｉ−プロポキシ−、メチルチオ−、エチルチオ−、ｎ−もしくはｉ−プロピルチオ−、メチルスルフィニル−、エチルスルフィニル−、メチルスルホニル−またはエチルスルホニル−置換されていても良いメトキシ、エトキシ、ｎ−もしくはｉ−プロポキシ、メチルチオ、エチルチオ、ｎ−もしくはｉ−プロピルチオ、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、メチルスルホニル、エチルスルホニル、アセチルオキシ、プロピオニルオキシ、ｎ−もしくはｉ−ブチロイルオキシ、メトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｎ−もしくはｉ−プロポキシカルボニルオキシ、メチルアミノカルボニルオキシ、エチルアミノカルボニルオキシ、ｎ−もしくはｉ−プロピルアミノカルボニルオキシ、メチルスルホニルオキシ、エチルスルホニルオキシ、ｎ−もしくはｉ−プロピルスルホニルオキシを表し；それぞれフッ素−、塩素−および／または臭素−置換されていても良いプロペニルオキシ、ブテニルオキシ、プロピニルオキシまたはブチニルオキシを表し；それぞれニトロ−、シアノ−、フッ素−、塩素−、臭素−、メチル−、エチル−、ｎ−もしくはｉ−プロピル−、ｎ−、ｉ−、ｓ−もしくはｔ−ブチル−、トリフルオロメチル−、メトキシ−、エトキシ−、ｎ−もしくはｉ−プロポキシ−、ジフルオロメトキシ−、トリフルオロメトキシ−、メチルチオ−、エチルチオ−、ｎ−もしくはｉ−プロピルチオ−、ジフルオロメチルチオ−、トリフルオロメチルチオ−、メチルスルフィニル−、エチルスルフィニル−、トリフルオロメチルスルフィニル−、メチルスルホニル−、エチルスルホニル−またはトリフルオロメチルスルホニル−置換されていても良いフェニルオキシ、フェニルチオ、フェニルスルフィニル、フェニルスルホニル、フェニルカルボニルオキシ、フェニルカルボニルメトキシ、フェニルスルホニルオキシ、フェニルメトキシ、フェニルメチルチオ、フェニルメチルスルフィニルまたはフェニルメチルスルホニルを表し；それぞれシアノ−、オキソ−、フッ素−、塩素−、メチル−、エチル−、メトキシ−、エトキシ−、メチルチオ−、エチルチオ−置換されていても良いピロリル、ピロリニル、ピロリジニル、ピラゾリル、ピラゾリニル、ピラゾリジニル、イミダゾリル、イミダゾリニル、イミダゾリジニル、トリアゾリル、トリアゾリニル、トリアゾリジニル、テトラゾリル、テトラゾリニル、テトラゾリジニル、オキサゾリル、オキサゾリニル、オキサゾリジニル、イソオキサゾリル、イソオキサゾリニル、イソオキサゾリジニル、チアゾリル、チアゾリニル、チアゾリジニル、チアジアゾリル、インドリル、ピペリジニル、ピペラジニル、オキサジニル、チアジニル、モルホリニルを表す。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年4月30日(2009.4.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）マグネシウムハライドまたはその前駆体を含む固形支持体、１以上の１，３−ジエーテル及びチタン化合物を含有する液相を接触させてスラリーを得、次いで、
ｂ）ジエーテルベース触媒成分を単離させるために、得られたスラリーを固／液分離工程に付す、ここで、
工程ｂ）は、０．７〜２．０リットル／（分・Ｋｇ）からなる、固／液分離速度と最終分離固体量の割合で濾過により行う、
ジエーテルベース触媒成分の製造方法。
【請求項２】
濾過器が１以上のフィルター単位を備えた容器であり、開口部が１〜２００μｍであり、そしてフィルターにかかる差圧が５０〜１０００Ｋpａである請求項１に記載の方法。
【請求項３】
濾過器が、ナッチェフィルターと遠心放出フィルターから選択される請求項２に記載の方法。
【請求項４】
工程ａ）を濾過器の上流に位置する反応器中で行う請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
工程ａ）とｂ）の両方を濾過器中で行う請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
工程ａ）で、Ｔｉ化合物を含有する液相の最初の温度が−２０℃から２５℃であり、８０℃から１３５℃の値まで徐々に上昇させる請求項１に記載の方法。
【請求項７】
Ｍｇ／1,3−ジエーテルのモル比が、０．５と５０の間である請求項１に記載の方法。
【請求項８】
工程ａ）と工程ｂ）を逐次何度も繰り返し、最後に分離固形成分を炭化水素またはハロゲン化炭化水素から選択した溶媒で洗浄する請求項１に記載の方法。
【請求項９】
工程ａ）で供給されるチタン化合物が、ＴｉＣｌ４, ＴｉＣｌ３および式Ｔｉ(ＯＲ)n-yＸy(式中、ｎはチタンの原子価、ｙは１とｎ−１の間の数、Ｘはハロゲン、Ｒは１から１０までの炭素原子を有する炭化水素基である)のＴｉ−ハロアルコラートから選択される請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
チタン化合物が、ＴｉＣｌ４である請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
工程ａ）で供給される固形支持体が、マグネシウムハライドまたは塩化剤と反応してＭｇＣｌ2を生じさせ得るＭｇ化合物である請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
固形支持体が、式ＭｇＣｌ2・pＲＯＨ（式中、pは０．１と６の間の数、Ｒは１〜１８の炭素原子を有する炭化水素基である）の球状付加物である請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
固形支持体が、ＭｇＣｌ２／エタノール付加物である請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
工程ａ）で供給される1,3−ジエーテルが、式（Ｉ）：
【化１】
2005519173.tif 000001
（式中、ＲIとＲIIは水素または線状もしくは分枝状Ｃ1〜Ｃ18炭化水素基であり、これらの基は１以上の環状構造も形成できる、但し、ＲIとＲIIが同時に水素でありえない；互いに同一または異なるＲIII基は、水素またはＣ1〜Ｃ18炭化水素基であり；ＲIV基は互いに同一または異なり、水素であり得ないことを除くとＲIIIと同一意味であり；ＲI〜ＲIV基の各々はハロゲン、Ｎ，Ｏ，ＳおよびＳｉから選択された異原子を含有できる）
を有する請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
1,3−ジエーテルが、式
【化２】
2005519173.tif 000002
（式中、ＲVIは同一または異なって、水素；ハロゲン（好ましくはＣｌとＦ）；線状または分枝状のＣ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ3〜Ｃ20シクロアルキル、Ｃ6〜Ｃ20アリール、Ｃ7〜Ｃ20アルキルアリールとＣ7〜Ｃ20アラルキル基、これらの基は任意にＮ，Ｏ，Ｓ，Ｐ，Ｓｉとハロゲン（炭素または水素原子または両方の置換基として、特にＣｌとＦ）からなる群より選択された１以上の異原子を含んでもよい）
の化合物である請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
1,3−ジエーテルが、9,9−ビス(メトキシメチル）フルオレン；9,9−ビス(メトキシメチル)−2,3,6,7−テトラメチルフルオレン；9,9−ビス(メトキシメチル)−2,3,4,5,  6,7−ヘキサフルオロフルオレン；9,9−ビス(メトキシメチル)−2,3−ベンゾフルオレン；9,9−ビス(メトキシメチル)−2,3,6,7−ジベンゾフルオレン；9,9−ビス(メトキシメチル)−2,7−ジイソプロピルフルオレン；9,9−ビス(メトキシメチル)−1,8−ジクロロフルオレン；9,9−ビス(メトキシメチル)−2,7−ジシクロペンチルフルオレン；9,9−ビス(メトキシメチル)−1,8−ジフルオロフルオレン；9,9−ビス(メトキシメチル)−1,2,3,4,−テトラヒドロフルオレン；9,9−ビス(メトキシメチル)1,2,3,4,5,6,7,8−オクタヒドロフルオレン；9,9−ビス(メトキシメチル)−4−tert−ブチルフルオレンから選択される請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
式ＣＨ2＝ＣＨＲ（式中、Ｒは水素または１〜１２までの炭素原子を有するアルキル、シクロアルキル、アリール、アリールアルキルまたはアルキルアリール基である）のα−オレフィンの、請求項１〜１６のいずれかに記載の方法によって得られた固形触媒成分からなる触媒系の存在下で行う単独重合または共重合方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
従って、本発明の目的は、
ａ）マグネシウムハライドまたはその前駆体を含む固形支持体、１以上の1,3−ジエーテル及びチタン化合物を含有する液相を接触させてスラリーを得、かつ
ｂ）ジエーテルベース触媒成分を単離させるため、得られたスラリーを固形／液体分離
工程に付し、
工程ｂ）は固／液分離速度と最終分離固体量の割合が０．５リットル／（分・Ｋｇ）以上でなければならず、好ましくは０．７〜２リットル/（分・Ｋｇ）の範囲であることを特徴とするジエーテルベース触媒成分の製造方法である。
【発明を実施するための最良の形態】
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
工程ａ）中に供給される1,3−ジエーテルは、無水マグネシウムクロライドとＴｉＣｌ4に対して特異な反応特性を示す。特に、これらエーテルは、ＭｇＣｌ2１００ｇあたり６０ミリモル以下の量で活性無水マグネシウムジクロライドを用いて錯体を形成でき、５０％以下のモルでＴｉＣｌ4と置換反応する。これらには式（Ｉ）：
【化１】
2005519173.tif 000003
（式中、ＲIとＲIIは水素または線状もしくは分枝状Ｃ1〜Ｃ18炭化水素基であり、これらの基は１以上の環状構造も形成できる、但し、ＲIとＲIIが同時に水素でありえない；互いに同一または異なるＲIII基は、水素またはＣ1〜Ｃ18炭化水素基であり；ＲIV基は互いに同一または異なり、水素であり得ないことを除くとＲIIIと同一意味であり；ＲI〜ＲIV基の各々はハロゲン、Ｎ，Ｏ，ＳおよびＳｉから選択された異原子を含有できる。）
がある。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年5月11日(2009.5.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
別の態様において本発明は、トレイを通過する液体容積流量に適したスカートの高さを提供するようライザーおよびキャップが共に動作する装置および方法を提供する。液体表面下のライザーおよびキャップの部分は、トレイをクロスフローする液体に対するハイドロリック（ｈｙｄｒａｕｌｉｃ）抵抗として機能する。このハイドロリック抵抗は、トレイ上の液体の深さにおける変動を結果として生じる。より深い液体の深さは、液体がトレイ上に導入されているトレイ上のエリアで生じ、一方より浅い液体の深さは、液体がクロスフローによって達するトレイ上のエリアで生じる。液体の深さにおけるこれらの変動は、トレイデック（ｔｒａｙ  ｄｅｃｋ）自体の水平からの物質的変動と同様に、液体分配の均一性にとってまさに有害である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
スカートの高さを増加することにより、液体クロスフローに対するハイドロリック抵抗は軽減される。特定の適用のための好ましいスカートの高さは、数ある中でも、とりわけトレイを通過する液体容積流量に依存する。低液体速度のために、４ｃｍより少なくないスカートの高さを有するバブルキャップが好ましい。高液体速度では、少なくとも５ｃｍのスカートの高さを有するバブルキャップがより好ましく、更に速い高液体速度では少なくとも７ｃｍのスカートの高さを有するバブルキャップがより好ましい。非常に大きいリアクターにおいて直面するかもしれない、極めて速い高液体速度では、８ｃｍ以上のスカートの高さを有するバブルキャップが企図される。異常に高いスカートの高さは、特に短いキャップを使用するよりもむしろ、特に長いライザーを使用することにより好ましくは達成される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
垂直な長方形スロットを有するバブルキャプにおいて、さらされるスロットの高さは次の方程式から概算されることが可能である。
さらされるスロットの高さ（ｃｍ）＝４４．２×Ｘ０．５２
ここで、
Ｘ＝Ｑｖ×（Ｗｓ×Ｎｓ）−１×［ρｖ／（ρｌ−ρｖ）］０．５であり、
Ｑｖ＝キャップを通って流れる蒸気／ガスの容積流量（実際のｍ３／分）
Ｗｓ＝平均スロット幅（ｃｍ）
Ｎｓ＝スロットの数
ρｖ＝蒸気／ガス密度（ｋｇ／ｍ３）、および
ρｌ＝液体密度（ｋｇ／ｍ３）
である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
台形または三角形状スロットのような異なる形状のスロットにおけるさらされるスロットの高さを概算するために、同様な方程式が得られ利用されることが可能である。スロット幅は０．１ｃｍから２．５ｃｍ以上に変動してよい。好ましいスロット幅は０．２５ｃｍから１．２５ｃｍの範囲内である。利用されるスロットの数は、例えばキャップの寸法および幾何学、およびキャップを通って流れるガス容積流量に応じて、１から１０以上に広範囲にわたって変動してよい。