(57)【要約】  樹脂基板（１０１）は樹脂基材（１０）を備える。樹脂基材（１０）は、少なくとも一部が曲げ加工される第１樹脂部（Ｆ１）と、第１樹脂部（Ｆ１）とは異なる第２樹脂部（Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂ）とを有する。第１樹脂部（Ｆ１）の弾性率は第２樹脂部（Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂ）の弾性率よりも低く、第１樹脂部（Ｆ１）の融点は第２樹脂部（Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂ）の融点よりも低い（または、第１樹脂部（Ｆ１）の曲げ加工時の損失正接は、第２樹脂部（Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂ）の曲げ加工時の損失正接よりも高い）。
2020045402.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部が曲げ加工される第１樹脂部と、前記第１樹脂部とは異なる第２樹脂部とを有する樹脂基材を備え、
前記第１樹脂部の弾性率は、前記第２樹脂部の弾性率よりも低く、
前記第１樹脂部の融点は、前記第２樹脂部の融点よりも低い、樹脂基板。
【請求項２】
前記樹脂基材は、互いに対向する第１主面および第２主面を有し、
前記第１樹脂部と前記第２樹脂部との界面は、前記第１主面および前記第２主面に対して斜めである、請求項１に記載の樹脂基板。
【請求項３】
前記第２樹脂部の数は複数であり、
前記樹脂基材は、前記樹脂基材の厚み方向に直交する平面方向に、前記第２樹脂部、前記第１樹脂部および前記第２樹脂部の順に配置され、
前記樹脂基材は、前記第１樹脂部を前記平面方向に三分割したときに、前記第２樹脂部に隣接する第１領域と、前記第２樹脂部から離れた第２領域と、を有し、
前記第１領域の弾性率は、前記第２領域の弾性率よりも高く、前記第２樹脂部の弾性率よりも低い、請求項１または２に記載の樹脂基板。
【請求項４】
前記第１樹脂部は、前記樹脂基材の前記平面方向の外側に位置する部分の弾性率が、前記平面方向の中央寄りに位置する部分の弾性率よりも高い、請求項３に記載の樹脂基板。
【請求項５】
前記第１樹脂部は、前記樹脂基材の前記平面方向の外側に位置する部分の融点が、前記平面方向の中央寄りに位置する部分の融点よりも高い、請求項４に記載の樹脂基板。
【請求項６】
前記第１領域の融点は、前記第２領域の融点よりも高く、前記第２樹脂部の融点よりも低い、請求項３から５のいずれかに記載の樹脂基板。
【請求項７】
前記樹脂基材は、前記第１樹脂部を前記樹脂基材の厚み方向に三分割したときに、前記厚み方向の中央に位置する第３領域と、前記第３領域よりも前記厚み方向の外側に位置する第４領域と、を有し、
前記第４領域の弾性率は、前記第３領域の弾性率よりも低い、請求項１から６のいずれかに記載の樹脂基板。
【請求項８】
前記第１樹脂部は、前記樹脂基材の前記厚み方向の外側に位置する部分の弾性率が、前記厚み方向の中央寄りに位置する部分の弾性率よりも低い、請求項７に記載の樹脂基板。
【請求項９】
前記第１樹脂部は、前記樹脂基材の前記厚み方向の外側に位置する部分の融点が、前記厚み方向の中央寄りに位置する部分の融点よりも低い、請求項８に記載の樹脂基板。
【請求項１０】
少なくとも一部が曲げ加工される第１樹脂部と、前記第１樹脂部とは異なるとは第２樹脂部とを有する樹脂基材を備え、
曲げ加工するときの前記第１樹脂部の損失正接は、前記第２樹脂部の損失正接よりも高い、樹脂基板。
【請求項１１】
前記第２樹脂部の数は複数であり、
前記樹脂基材は、前記樹脂基材の厚み方向に直交する平面方向に、前記第２樹脂部、前記第１樹脂部および前記第２樹脂部の順に配置され、
前記樹脂基材は、前記第１樹脂部を前記平面方向に三分割したときに、前記第２樹脂部に隣接する第１領域と、前記第２樹脂部から離れた第２領域と、を有し、
前記第１領域の損失正接は、前記第２領域の損失正接よりも低く、前記第２樹脂部の損失正接よりも高い、請求項１０に記載の樹脂基板。
【請求項１２】
前記第１樹脂部は、前記樹脂基材の前記平面方向の外側に位置する部分の損失正接が、前記平面方向の中央寄りに位置する部分の損失正接よりも低い、請求項１１に記載の樹脂基板。
【請求項１３】
前記樹脂基材は、前記第１樹脂部を前記樹脂基材の厚み方向に三分割したときに、前記厚み方向の中央に位置する第３領域と、前記第３領域よりも前記厚み方向の外側に位置する第４領域と、を有し、
前記第４領域の損失正接は、前記第３領域の損失正接よりも高い、請求項１０から１２のいずれかに記載の樹脂基板。
【請求項１４】
前記第１樹脂部は、前記樹脂基材の前記厚み方向の外側に位置する部分の損失正接が、前記厚み方向の中央寄りに位置する部分の損失正接よりも高い、請求項１３に記載の樹脂基板。
【請求項１５】
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
前記樹脂基材に形成され、前記導体パターンに接続される複数の層間接続導体と、
を備え、
前記複数の層間接続導体は前記第２樹脂部に配置される、請求項１から１４のいずれかに記載の樹脂基板。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれかに記載の樹脂基板と、
前記第１樹脂部が折り曲げられた状態で、前記樹脂基板を接続する回路基板と、
を備え、
前記樹脂基板は、前記第２樹脂部の主面に形成される実装電極をさらに備え、
前記実装電極は、導電性接合材を介して前記回路基板に接続される、電子機器。
【請求項１７】
少なくとも一部が曲げ加工される第１樹脂部と、前記第１樹脂部とは異なる第２樹脂部とを有する樹脂基材を備える、樹脂基板の製造方法において、
樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層のうち、加熱プレス後に前記第１樹脂部となる部分の弾性率が前記第２樹脂部の弾性率よりも低くなり、且つ、前記複数の絶縁基材層のうち、加熱プレス後に前記第１樹脂部となる部分の融点が、前記第２樹脂部の融点よりも低くなるように、樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層に変質処理を行う、第１変質処理工程と、
前記第１変質処理工程の後に、前記複数の絶縁基材層を積層し、積層した前記複数の絶縁基材層を加熱プレスすることにより樹脂基材を形成する、第１基材形成工程と、
を備える、樹脂基板の製造方法。
【請求項１８】
前記第１変質処理工程は、前記第１基材形成後に、前記第１樹脂部と前記第２樹脂部との界面が前記樹脂基材の主面に対して斜めとなるよう、前記前記複数の絶縁基材層に変質処理を行う工程を含む、請求項１７に記載の樹脂基板の製造方法。
【請求項１９】
前記第１変質処理工程は、前記複数の絶縁基材のうち、前記樹脂基材の前記第１樹脂部となる部分に、プラズマ放電、コロナ放電またはＵＶ処理のいずれかを行う工程を含む、請求項１７または１８に記載の樹脂基板の製造方法。
【請求項２０】
前記第１変質処理工程は、前記複数の絶縁基材のうち、前記樹脂基材の前記第２樹脂部となる部分に、光焼成処理を行う工程を含む、請求項１７または１８に記載の樹脂基板の製造方法。
【請求項２１】
少なくとも一部が曲げ加工される第１樹脂部と、前記第１樹脂部とは異なる第２樹脂部とを有する樹脂基材を備える、樹脂基板の製造方法であって、
前記樹脂基材を形成する、第２基材形成工程と、
前記第２基材形成工程の後に、前記第１樹脂部の弾性率が前記第２樹脂部の弾性率よりも低くなり、前記第１樹脂部の融点が前記第２樹脂部の融点よりも低くなるように、前記樹脂基材に変質処理を行う、第２変質処理工程と、
を備える、樹脂基板の製造方法。
【請求項２２】
前記第２変質処理工程は、前記第１樹脂部と前記第２樹脂部との主面が、前記樹脂基材の主面に対して斜めとなるように、前記樹脂基材に変質処理を行う工程を含む、請求項２１に記載の樹脂基板の製造方法。
【請求項２３】
前記第２変質処理工程は、前記樹脂基材のうち前記第１樹脂部となる部分にプラズマ放電、コロナ放電またはＵＶ処理のいずれかを行う工程を含む、請求項２１または２２に記載の樹脂基板の製造方法。
【請求項２４】
前記第２変質処理工程は、前記樹脂基材のうち前記第２樹脂部となる部分に、光焼成処理を行う工程を含む、請求項２１または２２に記載の樹脂基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂基板に関し、特に樹脂基材を備える樹脂基板、その樹脂基板を備える電子機器、およびその樹脂基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、樹脂基材と、樹脂基材に形成される導体パターンと、を備えた樹脂基板が知られている。例えば、特許文献１には、複数の絶縁基材層を積層してなる樹脂基材を、曲げ加工した樹脂基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３４２８８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、樹脂基板を曲げた場合に曲げ応力が生じ、この曲げ応力によって樹脂基材に亀裂が生じる虞がある。また、樹脂基板を曲げた後にスプリングバックが生じて、他の回路基板等への実装性が低下する虞がある。【０００５】
本発明の目的は、曲げ加工する際に生じる曲げ応力による亀裂の発生や、スプリングバックを抑制した樹脂基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の樹脂基板は、
少なくとも一部が曲げ加工される第１樹脂部と、前記第１樹脂部とは異なる第２樹脂部とを有する樹脂基材を備え、
前記第１樹脂部の弾性率は、前記第２樹脂部の弾性率よりも低く、
前記第１樹脂部の融点は、前記第２樹脂部の融点よりも低いことを特徴とする。【０００７】
少なくとも一部が曲げ加工される第１樹脂部と、前記第１樹脂部とは異なる第２樹脂部とを有する樹脂基材を備え、
曲げ加工するときの前記第１樹脂部の損失正接は、前記第２樹脂部の損失正接よりも高いことを特徴とする。【０００８】
この構成によれば、相対的に弾性率および融点の低い（または、相対的に損失正接が高い）第１樹脂部を曲げ加工するので、第２樹脂部を曲げ加工する場合に比べて、塑性変形させやすくなり、樹脂基材の亀裂やスプリングバックの発生が抑制される。【０００９】
本発明の樹脂基板の製造方法は、
少なくとも一部が曲げ加工される第１樹脂部と、前記第１樹脂部とは異なる第２樹脂部とを有する樹脂基材を備える、樹脂基板の製造方法であって、
樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層のうち、加熱プレス後に前記第１樹脂部となる部分の弾性率が、前記第２樹脂部となる部分の弾性率よりも低くなり、且つ、前記複数の絶縁基材層のうち、前記第１樹脂部となる部分の融点が、前記第２樹脂部となる部分の融点よりも低くなるように、樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層に変質処理を行う、第１変質処理工程と、
前記第１変質処理工程の後に、前記複数の絶縁基材層を積層し、積層した前記複数の絶縁基材層を加熱プレスすることにより樹脂基材を形成する、第１基材形成工程と、
を備えることを特徴とする。【００１０】
本発明の樹脂基板の製造方法は、
少なくとも一部が曲げ加工される第１樹脂部と、前記第１樹脂部とは異なる第２樹脂部とを有する樹脂基材を備える、樹脂基板の製造方法であって、
前記樹脂基材を形成する、第２基材形成工程と、
前記第２基材形成工程の後に、前記第１樹脂部の弾性率が前記第２樹脂部の弾性率よりも低くなり、前記第１樹脂部の融点が前記第２樹脂部の融点よりも低くなるように、前記樹脂基材に変質処理を行う、第２変質処理工程と、
を備えることを特徴とする。【００１１】
この製造方法によれば、曲げ加工する際の亀裂の発生や、スプリングバックを抑制した樹脂基板を容易に製造できる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、曲げ加工する際に生じる曲げ応力による亀裂の発生や、スプリングバックを抑制した樹脂基板を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１の断面図である。
【図２】図２は、第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部の断面図である。
【図３】図３は、樹脂基板１０１の曲げ加工を順に示す断面図である。
【図４】図４は、積層前の絶縁基材層１１の製造工程を順に示す断面図である。
【図５】図５は、樹脂基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。
【図６】図６は、第２の実施形態に係る樹脂基板１０２の断面図である。
【図７】図７は、第３の実施形態に係る樹脂基板１０３の断面図である。
【図８】図８は、樹脂基板１０３の分解平面図である。
【図９】図９は、第３の実施形態に係る電子機器３０２の主要部の断面図である。
【図１０】図１０は、第４の実施形態に係る樹脂基板１０４の断面図である。
【図１１】図１１は、積層前の絶縁基材層１１の製造工程を順に示す断面図である。
【図１２】図１２は、樹脂基板１０４の製造工程を順に示す断面図である。
【図１３】図１３は、第５の実施形態に係る樹脂基板１０５の断面図である。
【図１４】図１４は、樹脂基板１０５の製造工程を順に示す断面図である。
【図１５】図１５は、第６の実施形態に係る樹脂基板１０６の断面図である。
【図１６】図１６は、第７の実施形態に係る樹脂基板１０７の断面図である。
【図１７】図１７は、樹脂基板１０７の分解平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００１５】
《第１の実施形態》
図１は、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１の断面図である。図１では、構造を分かりやすくするため、変質部ＲＰ１をクロスハッチングで示している。
【００１６】
樹脂基板１０１は、樹脂基材１０、信号導体３１、導体４１，４２、実装電極Ｐ１，Ｐ２、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３、保護層１，２等を備える。
【００１７】
樹脂基材１０は、長手方向がＸ軸方向に一致する直方体状の樹脂素体であり、互いに対向する第１主面Ｓ１および第２主面Ｓ２を有する。樹脂基材１０は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリイミド（ＰＩ）またはポリアリレート（ＰＡＲ）等を主材料とする平板である。
【００１８】
樹脂基材１０は、少なくとも一部が曲げ加工される第１樹脂部Ｆ１（後に詳述する）と、第１樹脂部Ｆ１とは異なる第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂとを有する。樹脂基材１０は、平面方向（例えば、Ｘ軸方向）に第２樹脂部Ｆ２Ａ、第１樹脂部Ｆ１および第２樹脂部Ｆ２Ｂの順に配置されている。また、樹脂基材１０は一部に変質部ＲＰ１を有する。後に詳述するように、変質部ＲＰ１は、樹脂基材１０のうち他の部分とは物性（弾性率、融点または損失正接など）が異なる部分である。本実施形態では、変質部ＲＰ１が第１樹脂部Ｆ１に一致している。
【００１９】
樹脂基材１０の第１主面Ｓ１には、実装電極Ｐ１，Ｐ２および保護層１が形成されている。実装電極Ｐ１は第２樹脂部Ｆ２Ａに配置されており、実装電極Ｐ２は第２樹脂部Ｆ２Ｂに配置されている。樹脂基材１０の第２主面Ｓ２には、信号導体３１および保護層２が形成されている。樹脂基材１０の内部には、導体４１，４２および層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３が形成されている。
【００２０】
樹脂基材１０は、樹脂（熱可塑性樹脂）を主材料とする複数の絶縁基材層１１，１２，１３をこの順に積層して形成される。複数の絶縁基材層１１，１２，１３は、それぞれ可撓性を有し、長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の平板である。複数の絶縁基材層１１，１２，１３は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリイミド（ＰＩ）またはポリアリレート（ＰＡＲ）等を主材料とするシートである。
【００２１】
絶縁基材層１１の裏面には、実装電極Ｐ１，Ｐ２が形成されている。実装電極Ｐ１は、絶縁基材層１１の第１端（図１における絶縁基材層１１の左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。実装電極Ｐ２は、絶縁基材層１１の第２端（図１における絶縁基材層１１の右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。実装電極Ｐ１，Ｐ２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。また、絶縁基材層１１には、複数の層間接続導体Ｖ１１，Ｖ２１が形成されている。
【００２２】
絶縁基材層１２の表面には、導体４１，４２が形成されている。導体４１は、絶縁基材層１２の第１端（図１における絶縁基材層１２の左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。導体４２は、絶縁基材層１２の第２端（図１における絶縁基材層１２の右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。導体４１，４２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。また、絶縁基材層１２には、複数の層間接続導体Ｖ１２，Ｖ２２が形成されている。
【００２３】
絶縁基材層１３の表面には、信号導体３１が形成されている。信号導体３１は、Ｘ軸方向に延伸する線状の導体パターンである。信号導体３１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。また、絶縁基材層１３には、複数の層間接続導体Ｖ１３，Ｖ２３が形成されている。
【００２４】
保護層１は、絶縁基材層１１の裏面に積層される保護膜であり、平面形状が絶縁基材層１１と略同じである。保護層１は、実装電極Ｐ１，Ｐ２の位置に応じた位置にそれぞれ開口を有する。そのため、絶縁基材層１１の裏面（樹脂基材１０の第１主面Ｓ１）に保護層１が形成された場合でも、上記開口から実装電極Ｐ１，Ｐ２が外部に露出する。保護層２は、絶縁基材層１３の表面に積層される保護膜であり、平面形状が絶縁基材層１３と略同じである。保護層１，２は、例えばカバーレイフィルムやソルダーレジスト膜、エポキシ樹脂膜等である。
【００２５】
図１に示すように、実装電極Ｐ１は、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３および導体４１を介して、信号導体３１の一端に接続される。信号導体３１の他端は、層間接続導体Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３および導体４２を介して、実装電極Ｐ２に接続される。このように、実装電極Ｐ１，Ｐ２は電気的に接続されている。
【００２６】
樹脂基材１０の第１樹脂部Ｆ１（変質部ＲＰ１）の弾性率（Ｅ１）は、第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの弾性率（Ｅ２）よりも低い（Ｅ１＜Ｅ２）。弾性率は、例えばナノインデンターや原子間力顕微鏡（ＡＭＦ）等で各部毎に測定を行う。本実施形態では、樹脂基材１０の第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂ（液晶ポリマー）のヤング率は、約１５ＧＰａである。また、第１樹脂部Ｆ１の融点（Ｔｍ１）は第２樹脂部の融点（Ｔｍ２）よりも低い（Ｔｍ１＜Ｔｍ２）。融点は、例えば各部においてナノインデンターを用いて温度と弾性率の相関関係から、弾性率が０になるときの温度、もしくは弾性率が０に外挿されるときの温度として求めてもよく、各部の表面および裏面から１００ｍｇ程度のサンプルを採取して示差走査熱量分析（ＤＳＣ）を行うことによって測定してもよい。さらに、曲げ加工時の第１樹脂部Ｆ１の損失正接（ｔａｎδ１）は、第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの損失正接（ｔａｎδ２）よりも高い（ｔａｎδ１＞ｔａｎδ２）。
【００２７】
損失正接（ｔａｎδ）は、以下に示す式で求められる。
【００２８】
【数１】
2020045402.tif 000003
【００２９】
Ｅ”：複素弾性率の虚数部（損失弾性率）  
Ｅ’：複素弾性率の実数部（貯蔵弾性率）  
損失弾性率（Ｅ”）、貯蔵弾性率（Ｅ’）および損失正接（ｔａｎδ）は、例えば動的粘弾性測定で測定される。
【００３０】
次に、本実施形態に係る樹脂基板の実装例について、図を参照して説明する。図２は、第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部の断面図である。
【００３１】
本実施形態に係る電子機器３０１は、樹脂基板１０１Ａおよび回路基板２０１，２０２等を備える。なお、電子機器３０１はこれ以外の素子も備えているが、図２では図示省略している。樹脂基板１０１Ａは、第１樹脂部Ｆ１が曲げ加工（塑性変形）されている点で樹脂基板１０１と異なる。その他の構成については樹脂基板１０１と同じである。
【００３２】
回路基板２０１は第１面ＰＳ２１を有し、回路基板２０２は第２面ＰＳ２２を有する。図２に示すように、第１面ＰＳ２１および第２面ＰＳ２２は、Ｚ軸方向における高さが互いに異なる。樹脂基板１０１Ａは、第１樹脂部Ｆ１が折り曲げられた状態で回路基板２０１，２０２に実装されている。具体的には、樹脂基板１０１Ａの実装電極Ｐ１は、はんだ等の導電性接合材５を介して、回路基板２０１の第１面ＰＳ２１に形成された外部電極ＥＰ１に接続されている。また、樹脂基板１０１Ａの実装電極Ｐ２は、導電性接合材５を介して、回路基板２０２の第２面ＰＳ２２に形成された外部電極ＥＰ２に接続されている。
【００３３】
このように、樹脂基板１０１Ａは、第１樹脂部Ｆ１がＺ軸方向に折り曲げられているため（塑性変形されているため）、Ｚ軸方向における高さが互いに異なる面を有した回路基板２０１，２０２への実装が容易となる。
【００３４】
本実施形態に係る樹脂基板１０１は、例えば次の工程で曲げ加工（塑性変形）される。図３は、樹脂基板１０１の曲げ加工を順に示す断面図である。
【００３５】
まず、図３中の（１）（２）に示すように、樹脂基板１０１を準備し、上部金型３および下部金型４を用いて、Ｚ軸方向に樹脂基材１０の第１主面Ｓ１および第２主面Ｓ２を加熱加圧する。なお、加熱加圧する位置は、図３に示すように、樹脂基材１０の第１樹脂部Ｆ１である。上部金型３および下部金型４は、断面形状がＬ字形の金属構造体である。
【００３６】
樹脂基材１０の熱可塑性樹脂が冷えて固化した後、上部金型３および下部金型４から樹脂基材１０を取り外して樹脂基板１０１Ａを得る。このような製造方法により、図３中の（３）に示すような、曲げ加工（塑性変形）された形状を維持（保持）した樹脂基板１０１Ａを得ることができる。
【００３７】
本実施形態では、相対的に弾性率および融点の低い（または、相対的に損失正接が高い）第１樹脂部Ｆ１を曲げ加工するため、第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂを曲げ加工する場合に比べて、塑性変形させやすくなり、曲げ加工時の樹脂基材１０の亀裂の発生やスプリングバックの発生を抑制できる。
【００３８】
なお、曲げ加工時の樹脂基材１０の亀裂の発生やスプリングバックの発生を抑制のため、第１樹脂部Ｆ１の弾性率および融点は、第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの弾性率および融点の９割以下であることが好ましい。
【００３９】
本実施形態に係る樹脂基板１０１は、例えば次の工程で製造される。図４は、積層前の絶縁基材層１１の製造工程を順に示す断面図である。図５は、樹脂基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。なお、図４では、説明の都合上、絶縁基材層１１のみ説明するが、絶縁基材層１２，１３も同様の製造工程で製造される。また、図４および図５では、説明の都合上ワンチップ（個片）での製造工程で説明するが、実際の樹脂基板の製造工程は集合基板状態で行われる。
【００４０】
まず、図４中の（１）に示すように、樹脂（熱可塑性樹脂）を主材料とする絶縁基材層１１を準備し、裏面に金属箔３０をラミネートする。絶縁基材層１１は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）を主材料とするシートである。
【００４１】
次に、図４中の（２）に示すように、絶縁基材層１１の裏面に実装電極Ｐ１，Ｐ２を形成する。具体的には、絶縁基材層１１の裏面にラミネートされた金属箔３０を、フォトリソグラフィでパターニングすることで、絶縁基材層１１の裏面に実装電極Ｐ１，Ｐ２を形成する。同様に、絶縁基材層１２の表面に導体４１，４２を形成し、絶縁基材層１３の表面に信号導体３１を形成する（図示省略）。
【００４２】
また、絶縁基材層１１に複数の層間接続導体Ｖ１１，Ｖ２１を形成する。これら層間接続導体Ｖ１１，Ｖ２１は、絶縁基材層１１に孔（貫通孔）を設けた後、その孔にＣｕ，Ｓｎもしくはそれらの合金等の金属粉と樹脂材料とを含む導電性ペーストを配設（充填）し、後の加熱プレスによって導電性ペーストを固化させることにより設けられる。同様に、絶縁基材層１２に複数の層間接続導体Ｖ１２，Ｖ２２を形成し、絶縁基材層１３に複数の層間接続導体Ｖ１３，Ｖ２３を形成する（図示省略）。
【００４３】
次に、図４中の（３）に示すように、絶縁基材層１１に変質処理を行う。これにより、絶縁基材層１１の一部は改質され、変質部ＲＰ１１となる。具体的には、絶縁基材層１１のうち、樹脂基材を形成した際に第１樹脂部となる部分に、プラズマ放電、コロナ放電またはＵＶ処理のいずれかを行う（図４中の（３）に示す白抜き矢印を参照）。これにより、絶縁基材層１１のうち加熱プレス後に第１樹脂部となる部分の弾性率（Ｅ１１）は、第２樹脂部となる部分の弾性率（Ｅ２１）よりも低くなる（Ｅ１１＜Ｅ２１）。また、加熱プレス後に第１樹脂部となる部分の融点（Ｔｍ１１）は、第２樹脂部となる部分の融点（Ｔｍ２１）よりも低くなる。なお、図示省略するが、絶縁基材層１２，１３にも変質処理を行う。
【００４４】
樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層１１，１２，１３に変質処理を行うこの工程が、本発明における「第１変質処理工程」の一例である。
【００４５】
次に、図５中の（１）に示すように、導体および層間接続導体を形成した複数の絶縁基材層１１，１２，１３をこの順に積層する。その後、積層した複数の絶縁基材層１１，１２，１３を加熱プレスすることにより、図５中の（２）に示す樹脂基材１０を形成する。
【００４６】
「第１変質処理工程」の後に、複数の絶縁基材層１１，１２，１３を積層し、積層した複数の絶縁基材層１１，１２，１３を加熱プレスすることにより樹脂基材１０を形成するこの工程が、本発明の「第１基材形成工程」の一例である。
【００４７】
その後、樹脂基材１０の第１主面Ｓ１に保護層１を形成し、樹脂基材１０の第２主面Ｓ２に保護層２を形成して、図５中の（３）に示す樹脂基板１０１を得る。保護層１，２は、例えばカバーレイフィルムやソルダーレジスト膜、エポキシ樹脂膜等である。
【００４８】
上記製造方法によれば、曲げ加工する際の亀裂の発生や、スプリングバックを抑制した樹脂基板を容易に製造できる。
【００４９】
また、上記製造方法によれば、熱可塑性樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層１１，１２，１３を積層して加熱プレス（一括プレス）することによって、樹脂基板１０１を容易に形成できるため、製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。
【００５０】
さらに、上記製造方法では、積層する前の絶縁基材層１１，１２，１３にそれぞれ変質処理を行うため、複数の絶縁基材層を積層して形成された樹脂基材に変質処理を行う場合に比べて、変質処理を均一に行うことができる。
【００５１】
なお、本実施形態では、第１樹脂部Ｆ１が、Ｘ軸方向における層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３と層間接続導体Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３との間に位置している。また、本実施形態では、第１樹脂部Ｆ１が、Ｘ軸方向における実装電極Ｐ１，Ｐ２間に位置している。変質処理される範囲（第１樹脂部Ｆ１）は、層間接続導体Ｖ１１〜Ｖ１３，Ｖ２１〜Ｖ２３や実装電極Ｐ１，Ｐ２等によって、制御することができる。
【００５２】
《第２の実施形態》
第２の実施形態では、樹脂基材を形成する複数の絶縁基材層の一つのみ変質処理された樹脂基板の例を示す。
【００５３】
図６は、第２の実施形態に係る樹脂基板１０２の断面図である。図６では、構造を分かりやすくするため、変質部ＲＰ１をクロスハッチングで示している。
【００５４】
樹脂基板１０２は、樹脂基材１０Ａを備える点で第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と異なる。樹脂基材１０Ａは、複数の絶縁基材層１１〜１３のうち、１つの絶縁基材層１３のみ変質されている点で、第１の実施形態で説明した樹脂基材１０と異なる。樹脂基板１０２の他の構成については、樹脂基板１０１と同じである。
【００５５】
本実施形態では、絶縁基材層１３のみ変質処理されている（絶縁基材層１３のみ変質部ＲＰ１３が形成されている）。
【００５６】
第１の実施形態では、樹脂基材１０を形成する複数の絶縁基材層１１〜１３全てが「変質処理されている例を示したが、本実施形態で示したように、少なくとも１層が変質処理されていてもよい。なお、本実施形態に係る樹脂基板１０２のように、少なくとも表層（第１主面Ｓ１または第２主面Ｓ２を有する絶縁基材層１１，１３）が変質処理されていることが好ましい。この構成によれば、曲げ加工時に最も応力が集中する表層側に亀裂が生じることを抑制できる。なお、このような樹脂基板は、例えば、複数の絶縁基材層のうち表層側に位置する絶縁基材層１１，１３にプラズマ放電、コロナ放電またはＵＶ処理のいずれかを行うことで製造可能である（第１変質処理工程）。
【００５７】
また、本実施形態に係る樹脂基板１０２では、変質部ＲＰ１３が、第１樹脂部Ｆ１の第２主面Ｓ２（天面）側のみに形成され、第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの第１主面Ｓ１（実装面）には形成されていない。この構成によれば、樹脂基板１０２を曲げ加工した際の曲げ応力等を、実装電極Ｐ１，Ｐ２に掛かり難くできるため、樹脂基板１０２の実装性等が確保される。
【００５８】
《第３の実施形態》
第３の実施形態では、第１樹脂部と第２樹脂部との界面が、樹脂基材の主面に対して斜めである樹脂基板の例を示す。
【００５９】
図７は、第３の実施形態に係る樹脂基板１０３の断面図である。図８は、樹脂基板１０３の分解平面図である。図７では、構造を分かりやすくするため、変質部ＲＰ１をクロスハッチングで示している。
【００６０】
樹脂基板１０３は、樹脂基材１０Ｂを備える点で、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と異なる。樹脂基材１０Ｂは、第１樹脂部Ｆ１と第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂとの界面が、樹脂基材１０Ｂの第１主面Ｓ１および第２主面Ｓ２に対して斜めになっている（第１主面Ｓ１および第２主面Ｓ２に非垂直である）点で、第１の実施形態で説明した樹脂基材１０と異なる。樹脂基板１０３の他の構成については、樹脂基板１０１と同じである。
【００６１】
図７に示すように、樹脂基材１０Ｂの変質部ＲＰ１（第１樹脂部Ｆ１）は、第１主面Ｓ１（実装面）から第２主面Ｓ２（天面）側に向かって、平断面積が徐々に大きくなっている。言い換えると、変質部ＲＰ１（第１樹脂部Ｆ１）は、第１主面Ｓ１から第２主面Ｓ２に向かって（＋Ｚ方向に向かって）逆テーパー形状になっている。
【００６２】
次に、本実施形態に係る樹脂基板の実装例について、図を参照して説明する。図９は、第３の実施形態に係る電子機器３０２の主要部の断面図である。
【００６３】
電子機器３０２は、樹脂基板１０３Ａおよび回路基板２０１，２０２等を備える。なお、電子機器３０２はこれ以外の素子も備えているが、図９では図示省略している。回路基板２０１，２０２は、第１の実施形態で説明したものと同じである。
【００６４】
樹脂基板１０３Ａは、第１樹脂部Ｆ１が折り曲げられた状態で回路基板２０１，２０２に実装されている。具体的には、樹脂基板１０３Ａの実装電極Ｐ１は、導電性接合材５を介して、回路基板２０１の外部電極ＥＰ１に接続されている。また、樹脂基板１０３Ａの実装電極Ｐ２は、導電性接合材５を介して、回路基板２０２の外部電極ＥＰ２に接続されている。
【００６５】
第１の実施形態では、第１樹脂部Ｆ１と第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの界面が、第１主面Ｓ１および第２主面Ｓ２に垂直である（Ｚ軸方向に平行である）例を示したが、本発明の樹脂基板はこれに限定されるものではない。本実施形態で示したように、第１樹脂部Ｆ１と第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂとの界面が、第１主面Ｓ１および第２主面Ｓ２に対して斜め（Ｚ軸方向に非平行）であってもよい。
【００６６】
上記界面は、樹脂基材に対する変質処理（第２変質処理工程）時のプラズマ放電、コロナ放電またはＵＶ処理の強度分布を制御することによって形成される。また、上記界面は、複数の絶縁基材層に対する変質処理（第１変質処理工程）時のプラズマ放電等の強度分布を制御することによって形成してもよい。
【００６７】
本実施形態に係る樹脂基板１０３Ａは、第１主面Ｓ１（実装面）から第２主面Ｓ２（天面）に向かって逆テーパー形状の変質部ＲＰ１（第１樹脂部Ｆ１）が形成されている。具体的には、本実施形態に係る樹脂基板１０３は、回路基板２０１，２０２に接続される部分（第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの第２主面Ｓ２側）付近は弾性率が高く、曲げられる部分（第１樹脂部Ｆ１）は曲げ性が高い。この構成によれば、樹脂基板１０３を曲げ加工した際の曲げ応力等を、第１主面Ｓ１に形成された実装電極Ｐ１，Ｐ２に掛かり難くできる。そのため、第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂが変形し難く、樹脂基板１０３，１０３Ａの実装性は向上する。
【００６８】
なお、第１樹脂部Ｆ１と第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂとの界面が、第１主面Ｓ１および第２主面Ｓ２に対して斜めであるか否かについては、例えば、Ｚ軸方向の表面（例えば、第１主面Ｓ１）と裏面（例えば、第２主面Ｓ２）における弾性率を、ナノインデンター等で測定することにより判別可能である。
【００６９】
なお、本実施形態では、変質部ＲＰ１（第１樹脂部Ｆ１）が、第１主面Ｓ１から第２主面Ｓ２に向かって、平断面積が徐々に大きくなった逆テーパー状である例を示したが、この構成に限定されるものではない。変質部の平断面積は、複数の絶縁基材層ごとにそれぞれ異なっていてもよく、例えば変質部の平断面積の大きい部分と小さい部分とが、Ｚ軸方向に交互に配置された構造でもよい。
【００７０】
《第４の実施形態》
第４の実施形態では、樹脂基材の第２樹脂部が変質部である例を示す。
【００７１】
図１０は、第４の実施形態に係る樹脂基板１０４の断面図である。図１０では、構造を分かりやすくするため、変質部ＲＰ２Ａ，ＲＰ２Ｂをクロスハッチングで示している。
【００７２】
樹脂基板１０４は、樹脂基材１０Ｃを備える点で、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と異なる。樹脂基材１０Ｃは、一部に変質部ＲＰ２Ａ，ＲＰ２Ｂを有する点で、第１の実施形態に係る樹脂基材１０と異なる。樹脂基板１０４の他の構成については、樹脂基板１０１と実質的に同じである。
【００７３】
樹脂基材１０Ｃは、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）を主材料とする平板である。本実施形態では、変質部ＲＰ２Ａが第２樹脂部Ｆ２Ａに一致し、変質部ＲＰ２Ｂが第２樹脂部Ｆ２Ｂに一致している。
【００７４】
樹脂基材１０Ｃの第１樹脂部Ｆ１の弾性率（Ｅ１）は、第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂ（変質部ＲＰ２Ａ，ＲＰ２Ｂ）の弾性率（Ｅ２）よりも低い（Ｅ１＜Ｅ２）。また、第１樹脂部Ｆ１の融点（Ｔｍ１）は、第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの融点（Ｔｍ２）よりも低い（Ｔｍ１＜Ｔｍ２）。さらに、曲げ加工時の第１樹脂部Ｆ１の損失正接（ｔａｎδ１）は、第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの損失正接（ｔａｎδ２）よりも高い（ｔａｎδ１＞ｔａｎδ２）。
【００７５】
本実施形態に係る樹脂基板１０４は、例えば次の工程で製造される。図１１は、積層前の絶縁基材層１１の製造工程を順に示す断面図である。図１２は、樹脂基板１０４の製造工程を順に示す断面図である。なお、図１１では、説明の都合上、絶縁基材層１１のみ説明するが、絶縁基材層１２，１３も同様の製造工程で製造される。また、図１１および図１２では、説明の都合上ワンチップ（個片）での製造工程で説明するが、実際の樹脂基板の製造工程は集合基板状態で行われる。
【００７６】
まず、図１１中の（１）に示すように、樹脂を主材料とする絶縁基材層１１を準備し、裏面に金属箔３０をラミネートする。絶縁基材層１１は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）を主材料とするシートである。
【００７７】
次に、図１１中の（２）に示すように、絶縁基材層１１の裏面に実装電極Ｐ１，Ｐ２を形成する。同様に、絶縁基材層１２の表面に導体４１，４２を形成し、絶縁基材層１３の表面に信号導体３１を形成する（図示省略）。
【００７８】
次に、絶縁基材層１１に変質処理を行う。これにより、絶縁基材層１１の一部は改質され、変質部ＲＰ２１Ａ，ＲＰ２１Ｂとなる。具体的には、絶縁基材層１１のうち、樹脂基材を形成した際に第２樹脂部となる部分に、光焼成処理を行う（図１１中の（２）に示す白抜き矢印を参照）。光焼成処理は、例えば、絶縁基材層に対して出力３５０Ｗのフラッシュランプでパルス照射（パルス幅３ｍＳ）して加熱することにより行われる。
【００７９】
これにより、絶縁基材層１１のうち加熱プレス後に第２樹脂部となる部分の弾性率（Ｅ２１）は、第１樹脂部となる部分の弾性率（Ｅ１１）よりも高くなる（Ｅ１１＜Ｅ２１）。また、加熱プレス後に第２樹脂部となる部分の融点（Ｔｍ２１）は、第１樹脂部となる部分の融点（Ｔｍ１１）よりも高くなる。なお、図示省略するが、絶縁基材層１２，１３にも変質処理を行う。
【００８０】
このように、樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層１１，１２，１３に変質処理を行うこの工程が、本発明における「第１変質処理工程」の一例である。
【００８１】
その後、図１１中の（３）（４）に示すように、絶縁基材層１１に複数の層間接続導体Ｖ１１，Ｖ２１を形成する。これら層間接続導体Ｖ１１，Ｖ２１は、絶縁基材層１１に孔Ｈ１１，Ｈ２１を設けた後、その孔にＣｕ，Ｓｎもしくはそれらの合金等の金属粉と樹脂材料とを含む導電性ペーストを配設（充填）し、後の加熱プレスによって導電性ペーストを固化させることにより設けられる。同様に、絶縁基材層１２に複数の層間接続導体Ｖ１２，Ｖ２２を形成し、絶縁基材層１３に複数の層間接続導体Ｖ１３，Ｖ２３を形成する（図示省略）。
【００８２】
次に、図１２中の（１）に示すように、複数の絶縁基材層１１，１２，１３をこの順に積層する。その後、積層した複数の絶縁基材層１１，１２，１３を加熱プレスすることにより、図１２中の（２）に示す樹脂基材１０Ｃを形成する。
【００８３】
「第１変質処理工程」の後に、複数の絶縁基材層１１，１２，１３を積層し、積層した複数の絶縁基材層１１，１２，１３を加熱プレスすることにより樹脂基材１０Ｃを形成するこの工程が、本発明の「第１基材形成工程」の一例である。
【００８４】
その後、樹脂基材１０Ｃの第１主面Ｓ１に保護層１を形成し、樹脂基材１０の第２主面Ｓ２に保護層２を形成して、図１２中の（３）に示す樹脂基板１０４を得る。
【００８５】
本実施形態では、第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの融点（Ｔｍ２）が、第１樹脂部Ｆ１の融点（Ｔｍ１）よりも高い。この構成により、ホットバー等を用いて回路基板に樹脂基板１０４を加熱加圧して実装する場合や、リフローはんだ法等を用いて樹脂基板１０４を回路基板に実装する場合に、第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの変形が抑制される。そのため、樹脂基板１０４と回路基板との接合不良が抑制される。
【００８６】
《第５の実施形態》
第５の実施形態では、樹脂基材の第１樹脂部が、平面方向に配置された物性の異なる複数の領域を有している例を示す。
【００８７】
図１３は、第５の実施形態に係る樹脂基板１０５の断面図である。図１３では、構造を分かりやすくするため、変質部ＲＰ１Ａをクロスハッチングで示しており、変質部ＲＰ１Ｂ，ＲＰ１Ｃをハッチングで示している。
【００８８】
樹脂基板１０５は、樹脂基材１０Ｄを備える点で、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と異なる。樹脂基材１０Ｄは、一部に変質部ＲＰ１Ａ，ＲＰ１Ｂ，ＲＰ１Ｃを有する点で、第１の実施形態に係る樹脂基材１０と異なる。樹脂基板１０５の他の構成については、樹脂基板１０１と実質的に同じである。
【００８９】
樹脂基材１０Ｄの第１樹脂部Ｆ１は、第１領域Ｒ１および第２領域Ｒ２を有する。具体的には、第１領域Ｒ１は、第１樹脂部Ｆ１を平面方向（例えば、Ｘ軸方向）に三分割したときに、第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂに隣接する領域を言う。また、第２領域Ｒ２は、第１樹脂部Ｆ１を平面方向に三分割したときに、第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂから離れた領域を言う。本実施形態では、第１領域Ｒ１が変質部ＲＰ１Ｂ，ＲＰ１Ｃに一致しており、第２領域Ｒ２が変質部ＲＰ１Ａに一致している。
【００９０】
第２樹脂部Ｆ２Ａ、第１領域Ｒ１（変質部ＲＰ１Ｂ）、第２領域Ｒ２（変質部ＲＰ１Ａ）、第１領域Ｒ１（変質部ＲＰ１Ｃ）、第２樹脂部Ｆ２Ｂは、平面方向にこの順に配置されている。
【００９１】
第１領域Ｒ１（変質部ＲＰ１Ｂ，ＲＰ１Ｃ）の弾性率（Ｅ１１）は、第２領域Ｒ２（変質部ＲＰ１Ａ）の弾性率（Ｅ１２）よりも高く、第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの弾性率（Ｅ２）よりも低い（Ｅ１２＜Ｅ１１＜Ｅ２）。また、第１領域Ｒ１の融点（Ｔｍ１１）は、第２領域Ｒ２の融点（Ｔｍ１２）よりも高く、第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの融点（Ｔｍ２）よりも低い（Ｔｍ１２＜Ｔｍ１１＜Ｔｍ２）。さらに、曲げ加工時の第１領域Ｒ１の損失正接（ｔａｎδ１１）は、第２領域Ｒ２の損失正接（ｔａｎδ１２）よりも低く、第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの損失正接（ｔａｎδ２）よりも高い（ｔａｎδ１２＞ｔａｎδ１１＞ｔａｎδ２）。
【００９２】
第１樹脂部Ｆ１と第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂとの境界の弾性率および融点の差が大きいと、第１樹脂部Ｆ１を曲げ加工する際に曲げ応力が上記境界に集中しやすく、上記境界付近に亀裂等が生じやすい。一方、本実施形態では、相対的に弾性率および融点が最も低い（または、曲げ加工時の損失正接が最も高い）第２領域Ｒ２と、相対的に弾性率および融点が最も高い（または、曲げ加工時の損失正接が最も低い）第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂとの間に、第１領域Ｒ１が配置されている。そのため、第１樹脂部Ｆ１を曲げ加工する際の曲げ応力が分散され、曲げ応力が集中することに起因する上記境界付近の亀裂の発生は抑制される。
【００９３】
なお、本実施形態では、第１樹脂部Ｆ１が第１領域Ｒ１および２つの第２領域Ｒ２に三分割される例を示したが、第１領域Ｒ１と第２領域Ｒ２とが明確に区別されている必要はない。例えば、第１樹脂部Ｆ１の平面方向（例えば、Ｘ軸方向）の中央付近から第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂに向かって、弾性率および融点（または、損失正接）が連続的に変化する（弾性率および融点が徐々に高くなる、または損失正接が徐々に低くなる）構成でもよい。言い換えると、第１樹脂部Ｆ１は、樹脂基材１０Ｄの平面方向の外側に位置する部分の弾性率および融点（または、損失正接）が、平面方向の中央寄りに位置する部分の弾性率および融点よりも高い（または、平面方向の中央寄りに位置する部分の損失正接よりも低い）構成でもよい。
【００９４】
本実施形態に係る樹脂基板１０５は、例えば次の工程で製造される。図１４は、樹脂基板１０５の製造工程を順に示す断面図である。なお、図１４では、説明の都合上ワンチップ（個片）での製造工程で説明するが、実際の樹脂基板の製造工程は集合基板状態で行われる。
【００９５】
まず、図１４中の（１）に示すように、樹脂を主材料とする絶縁基材層１１，１２，１３を準備する。その後、絶縁基材層１１に実装電極Ｐ１，Ｐ２を形成し、絶縁基材層１２に導体４１，４２を形成し、絶縁基材層１３に信号導体３１を形成する。
【００９６】
また、絶縁基材層１１に層間接続導体Ｖ１１，Ｖ２１を形成し、絶縁基材層１２に層間接続導体Ｖ１２，Ｖ２２を形成し、絶縁基材層１３に層間接続導体Ｖ１３，Ｖ２３を形成する。
【００９７】
次に、複数の絶縁基材層１１，１２，１３をこの順に積層する。その後、積層した複数の絶縁基材層１１，１２，１３を加熱プレス（一括プレス）することにより、図１４中の（２）に示すような樹脂基材１０Ｄを形成する。
【００９８】
このように樹脂基材１０Ｄを形成するこの工程が、本発明の「第２基材形成工程」の一例である。
【００９９】
次に、樹脂基材１０Ｄに変質処理を行う。これにより、樹脂基材１０Ｄの一部は改質され、変質部ＲＰ１Ａ，ＲＰ１Ｂ，ＲＰ１Ｃとなる。具体的には、樹脂基材１０Ｄのうち第１樹脂部となる部分（例えば、樹脂基材１０Ｄの長手方向の中央付近）に、プラズマ放電、コロナ放電またはＵＶ処理のいずれかを行う（図１４中の（２）に示す白抜き矢印を参照）。上記変質処理によれば、温度分布や光度分布等によって、プラズマ放電、コロナ放電またはＵＶ処理を行った位置（図１４中の（２）に示す白抜き矢印を参照）から離れるにしたがって、弾性率および融点が徐々に高くなった樹脂基材を得ることができる。すなわち、第１樹脂部Ｆ１の平面方向（例えば、Ｘ軸方向）の中央付近から第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂに向かって、弾性率および融点が連続的に変化する（徐々に高くなった）樹脂基材を実現できる。
【０１００】
このようにして、第１領域Ｒ１（変質部ＲＰ１Ｂ，ＲＰ１Ｃ）の弾性率（Ｅ１１）は第２領域Ｒ２（変質部ＲＰ１Ａ）の弾性率（Ｅ１２）よりも高く、第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの弾性率（Ｅ２）よりも低くなる（Ｅ１２＜Ｅ１１＜Ｅ２）。また、第１領域Ｒ１の融点（Ｔｍ１１）は、第２領域Ｒ２の融点（Ｔｍ１２）よりも高く、第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの融点（Ｔｍ２）よりも低くなる（Ｔｍ１２＜Ｔｍ１１＜Ｔｍ２）。さらに、曲げ加工時の第１領域Ｒ１の損失正接（ｔａｎδ１１）は、第２領域Ｒ２の損失正接（ｔａｎδ１２）よりも低く、第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの損失正接（ｔａｎδ２）よりも高くなる（ｔａｎδ１２＞ｔａｎδ１１＞ｔａｎδ２）。
【０１０１】
「第２基材形成工程」の後に、樹脂基材１０Ｄに変質処理を行うこの工程が、本発明における「第２変質処理工程」の一例である。
【０１０２】
その後、樹脂基材１０Ｄの第１主面Ｓ１に保護層１を形成し、樹脂基材１０Ｄの第２主面Ｓ２に保護層２を形成して、図１４中の（３）に示す樹脂基板１０５を得る。
【０１０３】
上記製造方法では、複数の絶縁基材層１１，１２，１３を積層して形成された樹脂基材１０Ｄに変質処理を行うため、積層する前の絶縁基材層１１，１２，１３にそれぞれ変質処理を行う場合に比べて、製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。
【０１０４】
また、上記製造方法によれば、第１樹脂部Ｆ１の平面方向（例えば、Ｘ軸方向）の外側に位置する部分の弾性率および融点（または、損失正接）が、平面方向の中央寄りに位置する部分の弾性率および融点よりも高い（または、平面方向の中央寄りに位置する部分の損失正接よりも低い）樹脂基材を容易に実現できる。
【０１０５】
なお、本実施形態では、「第２変質処理工程」が、樹脂基材１０Ｄのうち第１樹脂部となる部分にプラズマ放電、コロナ放電またはＵＶ処理のいずれかを行う例を示したが、この方法に限定されるものではない。「第２変質処理工程」は、例えば、樹脂基材１０Ｄのうち第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂとなる部分に、光焼成処理を行ってもよい。
【０１０６】
《第６の実施形態》
第６の実施形態では、樹脂基材の第１樹脂部が、厚み方向に配置された物性の異なる複数の領域を有している例を示す。
【０１０７】
図１５は、第６の実施形態に係る樹脂基板１０６の断面図である。図１５では、構造を分かりやすくするため、変質部ＲＰ１Ｄをクロスハッチングで示しており、変質部ＲＰ１Ｅ，ＲＰ１Ｆをハッチングで示している。
【０１０８】
樹脂基板１０６は、樹脂基材１０Ｅを備える点で、第１の実施形態に係る樹脂基板１０１と異なる。樹脂基材１０Ｅは、一部に変質部ＲＰ１Ｄ，ＲＰ１Ｅ，ＲＰ１Ｆを有する点で、第１の実施形態に係る樹脂基材１０と異なる。樹脂基板１０６の他の構成については、樹脂基板１０１と実質的に同じである。
【０１０９】
樹脂基材１０Ｅの第１樹脂部Ｆ１は、第３領域Ｒ３および第４領域Ｒ４を有する。具体的には、第３領域Ｒ３は、第１樹脂部Ｆ１を厚み方向（Ｚ軸方向）に三分割したときに、厚み方向の中央に位置する領域を言う。また、第４領域Ｒ４は、第１樹脂部Ｆ１を厚み方向に三分割したときに、第３領域Ｒ３よりも厚み方向の外側に位置する領域を言う。本実施形態では、第３領域Ｒ３が変質部ＲＰ１Ｄに一致しており、第４領域Ｒ４が変質部ＲＰ１Ｅ，ＲＰ１Ｆに一致している。
【０１１０】
第１樹脂部Ｆ１において、第４領域Ｒ４（変質部ＲＰ１Ｅ）、第３領域Ｒ３（変質部ＲＰ１Ｄ）、第４領域Ｒ４（変質部ＲＰ１Ｆ）は、厚み方向（Ｚ軸方向）にこの順に配置されている。
【０１１１】
第４領域Ｒ４（変質部ＲＰ１Ｅ，ＲＰ１Ｆ）の弾性率（Ｅ１４）は、第３領域Ｒ３（変質部ＲＰ１Ｄ）の弾性率（Ｅ１３）および第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの弾性率（Ｅ２）よりも低い（Ｅ１４＜Ｅ１３＜Ｅ２）。また、第４領域Ｒ４の融点（Ｔｍ１４）は、第３領域Ｒ３の融点（Ｔｍ１３）および第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの融点（Ｔｍ２）よりも低い（Ｔｍ１４＜Ｔｍ１３＜Ｔｍ２）。さらに、曲げ加工時の第４領域Ｒ４の損失正接（ｔａｎδ１４）は、第３領域Ｒ３の損失正接（ｔａｎδ１３）および第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの損失正接（ｔａｎδ２）よりも高い（ｔａｎδ１４＞ｔａｎδ１３＞ｔａｎδ２）。
【０１１２】
一般的に、樹脂基材を厚み方向（Ｚ軸方向）に曲げた場合に、樹脂基材の厚み方向の外側（表層）のほうが厚み方向の中央付近（内層）よりも伸縮する。本実施形態では、厚み方向の外側に位置する第４領域Ｒ４（樹脂基材を曲げ加工時に大きく伸縮する部分）の弾性率（Ｅ１４）および融点（Ｔｍ１４）が、厚み方向の中央付近に位置する第３領域Ｒ３の弾性率（Ｅ１３）および融点（Ｔｍ１３）よりも低い（Ｅ１４＜Ｅ１３，Ｔｍ１４＜Ｔｍ１３）。また、本実施形態では、第４領域Ｒ４の曲げ加工時の損失正接（ｔａｎδ１４）が、第３領域Ｒ３の曲げ加工時の損失正接（ｔａｎδ１３）よりも高い（ｔａｎδ１４＞ｔａｎδ１３）。したがって、この構成により、樹脂基材を容易に曲げ加工しやすくでき、曲げ加工時の樹脂基材の破損やスプリングバックの発生が抑制される。
【０１１３】
なお、本実施形態では、第１樹脂部Ｆ１が第３領域Ｒ３および２つの第４領域Ｒ４に三分割される例を示したが、第３領域Ｒ３と第４領域Ｒ４とが明確に区別されている必要はない。例えば、第１樹脂部Ｆ１の厚み方向（Ｚ軸方向）の中央付近から第１主面Ｓ１および第２主面Ｓ２に向かって、弾性率および融点（または、損失正接）が連続的に変化する（弾性率および融点が徐々に低くなる、または損失正接が徐々に高くなる）構成でもよい。言い換えると、第１樹脂部Ｆ１は、樹脂基材１０Ｅの厚み方向の外側に位置する部分（表層）の弾性率および融点（または、損失正接）が、厚み方向の中央寄りに位置する部分（内層）の弾性率および融点よりも低い（厚み方向の中央寄りに位置する部分の損失正接よりも高い）構成でもよい。
【０１１４】
本実施形態に係る樹脂基板１０６は、例えば、積層する前の複数の絶縁基材層にそれぞれ変質処理を行った後、複数の絶縁基材層を積層して加熱プレスして製造してもよい。
【０１１５】
また、樹脂基板１０６は、複数の絶縁基材層を積層して形成された樹脂基材に変質処理を行うことによって製造してもよい。その場合には、温度分布や光度分布等によって、プラズマ放電、コロナ放電またはＵＶ処理を行った表層（第１主面Ｓ１または第２主面Ｓ２）から内層に向かって、弾性率および融点が徐々に高くなる樹脂基材を容易に得ることができる。
【０１１６】
《第７の実施形態》
第７の実施形態では、複数の伝送線路を備える樹脂基板の例を示す。
【０１１７】
図１６は、第７の実施形態に係る樹脂基板１０７の断面図である。図１７は、樹脂基板１０７の分解平面図である。図１６では、構造を分かりやすくするため、変質部ＲＰ１をクロスハッチングで示している。
【０１１８】
樹脂基板１０７は、樹脂基材１０Ｆ、信号導体３１，３２、グランド導体５１，５２、実装電極Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２、保護層１等を備える。
【０１１９】
樹脂基材１０Ｆは、長手方向がＸ軸方向に一致する直方体状の樹脂素体であり、互いに対向する第１主面Ｓ１および第２主面Ｓ２を有する。樹脂基材１０Ｆは、少なくとも一部が曲げ加工される第１樹脂部Ｆ１と、第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂとを有する。また、樹脂基材１０Ｆは一部に変質部ＲＰ１を有する。本実施形態では、変質部ＲＰ１が第１樹脂部Ｆ１に一致している。
【０１２０】
樹脂基材１０Ｆの第１主面Ｓ１には、実装電極Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２および保護層１が形成されている。実装電極Ｐ１１，Ｐ２１は第２樹脂部Ｆ２Ａに配置されており、実装電極Ｐ１２，Ｐ２２は第２樹脂部Ｆ２Ｂに配置されている。樹脂基材１０Ｆの内部には、信号導体３１，３２、グランド導体５１，５２および層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２が形成されている。
【０１２１】
樹脂基材１０Ｆは、樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層１１，１２，１３をこの順に積層して形成される。
【０１２２】
絶縁基材層１１の表面には、グランド導体５１および実装電極Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２が形成されている。グランド導体５１は、絶縁基材層１１の略全面に形成される導体パターンである。実装電極Ｐ１１，Ｐ２１は、絶縁基材層１１の第１端（図１７における絶縁基材層１１の右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。実装電極Ｐ１２，Ｐ２２は、絶縁基材層１１の第２端（図１７における絶縁基材層１１の左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。グランド導体５１および実装電極Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。
【０１２３】
また、絶縁基材層１１には、複数の層間接続導体Ｖ１，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２が形成されている。
【０１２４】
絶縁基材層１２の表面には、信号導体３１，３２が形成されている。信号導体３１，３２は、Ｘ軸方向に延伸する線状の導体パターンであり、互いに並走している。信号導体３１，３２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。また、絶縁基材層１２には、複数の層間接続導体Ｖ２が形成されている。
【０１２５】
絶縁基材層１３の表面には、グランド導体５２が形成されている。グランド導体５２は、絶縁基材層１３の略全面に形成される導体パターンである。
【０１２６】
保護層１は、絶縁基材層１１の表面に積層される保護膜であり、平面形状が絶縁基材層１１と略同じである。保護層１は、実装電極Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２の位置に応じた位置にそれぞれ開口を有する。そのため、絶縁基材層１１の表面（樹脂基材１０Ｆの第１主面Ｓ１）に保護層１が形成された場合でも、上記開口から実装電極Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２が外部に露出する。
【０１２７】
図１７等に示すように、実装電極Ｐ１１は、層間接続導体Ｖ１１を介して、信号導体３１の一端に接続される。信号導体３１の他端は、層間接続導体Ｖ１２を介して、実装電極Ｐ１２に接続される。このように、実装電極Ｐ１１，Ｐ１２は電気的に接続されている。また、実装電極Ｐ２１は、層間接続導体Ｖ２１を介して、信号導体３２の一端に接続される。信号導体３２の他端は、層間接続導体Ｖ２２を介して、実装電極Ｐ２２に接続される。このように、実装電極Ｐ２１，Ｐ２２は電気的に接続されている。グランド導体５１，５２は、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２を介して接続されている。
【０１２８】
本実施形態では、信号導体３１、グランド導体５１，５２、信号導体３１およびグランド導体５１で挟まれる絶縁基材層１１、信号導体３１およびグランド導体５２で挟まれる絶縁基材層１２、を含んだストリップライン構造の第１伝送線路が構成される。また、本実施形態では、信号導体３２、グランド導体５１，５２、信号導体３２およびグランド導体５１で挟まれる絶縁基材層１１、信号導体３２およびグランド導体５２で挟まれる絶縁基材層１２、を含んだストリップライン構造の第２伝送線路が構成される。
【０１２９】
本実施形態では、図１６および図１７に示すように、複数の層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２は、第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂに配置されている。
【０１３０】
層間接続導体が樹脂基材１０Ｆの第１樹脂部Ｆ１に配置されている場合、第１樹脂部Ｆ１の曲げ加工時の曲げ応力によって層間接続導体に破損が生じやすい。また、相対的に融点の低い第１樹脂部Ｆ１は、加熱プレス時に絶縁基材層（樹脂）が流動しやすい。そのため、層間接続導体が第１樹脂部Ｆ１に配置されていると、加熱プレス時の樹脂の流動に伴って層間接続導体が移動し、導体パターンとの間に接続不良を起こす虞がある。一方、本実施形態では、複数の層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２が第２樹脂部Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂに配置されるため、加熱プレス時に生じる層間接続導体と導体パターンとの接続不良が抑制され、且つ、曲げ加工時の層間接続導体の破損も抑制できる。
【０１３１】
《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、樹脂基板が、２つの回路基板同士を接続ケーブルである例を示したが、本発明の樹脂基板はこれに限定されるものではない。本発明の樹脂基板は、例えば、単一の回路基板に面実装される電子部品であってもよい。また、樹脂基板の接続部（第２樹脂部）には必要に応じてコネクタが設けられていてもよい。
【０１３２】
以上に示した各実施形態では、樹脂基材が矩形の平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。樹脂基材の形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。樹脂基材の平面形状は、例えばＬ字形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形等であってもよい。また、以上に示した各実施形態では、樹脂基材がクランク状に曲げ加工された例を示したが、曲げ加工後の形状これに限定されるものではない。樹脂基材が、例えばＬ字状やＵ字状に曲げ加工されていてもよい。
【０１３３】
また、以上に示した各実施形態では、３つの絶縁基材層１１，１２，１３を積層してなる樹脂基材の例を示したが、本発明の樹脂基材はこれに限定されるものではない。樹脂基材を形成する絶縁基材層の層数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、例えば単層でもよい。また、本発明の樹脂基板において、樹脂基材の第１主面Ｓ１および第２主面Ｓ２に形成される保護層は必須ではない。
【０１３４】
以上に示した各実施形態では、樹脂基材が、熱可塑性樹脂を主材料とする平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。樹脂基材は熱硬化性樹脂を主材料とする平板であってもよい。また、樹脂基材は、複数の樹脂の複合積層体であってもよい。さらに、樹脂基材は、複数の絶縁基材層を加熱プレス（一括プレス）してその表面同士を融着するものに限らず、各基材層間に接着材層を有する構成でもよい。
【０１３５】
また、樹脂基板に形成される回路構成は、以上に示した各実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。樹脂基板に形成される回路は、例えば導体パターンで構成されるコイルや、導体パターンで形成されるキャパシタ、各種フィルタ（ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ）等の周波数フィルタが形成されていてもよい。また、樹脂基板には、例えば他の各種伝送線路（マイクロストリップライン、ミアンダ、コプレーナ等）等が、形成されていてもよい。さらに樹脂基板には、チップ部品等の各種電子部品が実装または埋設されていてもよい。
【０１３６】
以上に示した各実施形態では、１または２の伝送線路が構成された樹脂基板の例を示したが、この構成に限定されるものではなく、伝送線路の数は樹脂基板に形成される回路構成によって適宜変更可能である。
【０１３７】
以上に示した各実施形態では、矩形の実装電極が、樹脂基材の第１主面Ｓ１に形成される例を示したが、この構成に限定されるものではない。実装電極の形状・個数・位置は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。実装電極の平面形状は、例えば、多角形、円形、楕円形、円弧状、リング状、Ｌ字形、Ｕ字形、Ｔ字形、Ｙ字形、クランク形等であってもよい。また、実装電極は、樹脂基材の第１主面Ｓ１および第２主面Ｓ２にそれぞれ設けられていてもよい。
【０１３８】
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
【符号の説明】
【０１３９】
ＥＰ１，ＥＰ２…回路基板の外部電極
Ｆ１…樹脂基材の第１樹脂部
Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂ…樹脂基材の第２樹脂部
Ｈ１１，Ｈ２１…孔
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ２１，Ｐ２２…実装電極
ＰＳ２１…回路基板の第１面
ＰＳ２２…回路基板の第２面
Ｒ１…第１領域
Ｒ２…第２領域
Ｒ３…第３領域
Ｒ４…第４領域
ＲＰ１，ＲＰ１Ａ，ＲＰ１Ｂ，ＲＰ１Ｃ，ＲＰ１Ｄ，ＲＰ１Ｅ，ＲＰ１Ｆ，ＲＰ１１，ＲＰ２Ａ，ＲＰ２Ｂ，ＲＰ２１Ａ，ＲＰ２１Ｂ，ＲＰ２２Ａ，ＲＰ２２Ｂ，ＲＰ２３Ａ，ＲＰ２３Ｂ…変質部
Ｓ１…樹脂基材の第１主面
Ｓ２…樹脂基材の第２主面
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３…層間接続導体
１，２…保護層
３…上部金型
４…下部金型
５…導電性接合材
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ…樹脂基材
１１…絶縁基材層
１１，１２，１３…絶縁基材層
３０…金属箔
３１，３２…信号導体
４１，４２…導体
５１，５２…グランド導体
１０１，１０１Ａ，１０２，１０３，１０３Ａ，１０４，１０５，１０６，１０７…樹脂基板
２０１，２０２…回路基板
３０１、３０２…電子機器
【図１】
2020045402.tif 000004
【図２】
2020045402.tif 000005
【図３】
2020045402.tif 000006
【図４】
2020045402.tif 000007
【図５】
2020045402.tif 000008
【図６】
2020045402.tif 000009
【図７】
2020045402.tif 000010
【図８】
2020045402.tif 000011
【図９】
2020045402.tif 000012
【図１０】
2020045402.tif 000013
【図１１】
2020045402.tif 000014
【図１２】
2020045402.tif 000015
【図１３】
2020045402.tif 000016
【図１４】
2020045402.tif 000017
【図１５】
2020045402.tif 000018
【図１６】
2020045402.tif 000019
【図１７】
2020045402.tif 000020
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月22日(2021.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部が曲げ加工される第１樹脂部と、前記第１樹脂部とは異なる第２樹脂部とを有する樹脂基材を備え、
前記第１樹脂部の弾性率は、前記第２樹脂部の弾性率よりも低く、
前記第１樹脂部の融点は、前記第２樹脂部の融点よりも低く、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
前記樹脂基材に形成され、前記導体パターンに接続される複数の層間接続導体と、
を備え、
前記複数の層間接続導体は前記第２樹脂部に配置される、樹脂基板。
【請求項２】
前記樹脂基材は、互いに対向する第１主面および第２主面を有し、
前記第１樹脂部と前記第２樹脂部との界面は、前記第１主面および前記第２主面に対して斜めである、請求項１に記載の樹脂基板。
【請求項３】
前記第２樹脂部の数は複数であり、
前記樹脂基材は、前記樹脂基材の厚み方向に直交する平面方向に、前記第２樹脂部、前記第１樹脂部および前記第２樹脂部の順に配置され、
前記樹脂基材は、前記第１樹脂部を前記平面方向に三分割したときに、前記第２樹脂部に隣接する第１領域と、前記第２樹脂部から離れた第２領域と、を有し、
前記第１領域の弾性率は、前記第２領域の弾性率よりも高く、前記第２樹脂部の弾性率よりも低い、請求項１または２に記載の樹脂基板。
【請求項４】
前記第１樹脂部は、前記樹脂基材の前記平面方向の外側に位置する部分の弾性率が、前記平面方向の中央寄りに位置する部分の弾性率よりも高い、請求項３に記載の樹脂基板。
【請求項５】
前記第１樹脂部は、前記樹脂基材の前記平面方向の外側に位置する部分の融点が、前記平面方向の中央寄りに位置する部分の融点よりも高い、請求項４に記載の樹脂基板。
【請求項６】
前記第１領域の融点は、前記第２領域の融点よりも高く、前記第２樹脂部の融点よりも低い、請求項３から５のいずれかに記載の樹脂基板。
【請求項７】
前記樹脂基材は、前記第１樹脂部を前記樹脂基材の厚み方向に三分割したときに、前記厚み方向の中央に位置する第３領域と、前記第３領域よりも前記厚み方向の外側に位置する第４領域と、を有し、
前記第４領域の弾性率は、前記第３領域の弾性率よりも低い、請求項１から６のいずれかに記載の樹脂基板。
【請求項８】
前記第１樹脂部は、前記樹脂基材の前記厚み方向の外側に位置する部分の弾性率が、前記厚み方向の中央寄りに位置する部分の弾性率よりも低い、請求項７に記載の樹脂基板。
【請求項９】
前記第１樹脂部は、前記樹脂基材の前記厚み方向の外側に位置する部分の融点が、前記厚み方向の中央寄りに位置する部分の融点よりも低い、請求項８に記載の樹脂基板。
【請求項１０】
少なくとも一部が曲げ加工される第１樹脂部と、前記第１樹脂部とは異なるとは第２樹脂部とを有する樹脂基材を備え、
曲げ加工するときの前記第１樹脂部の損失正接は、前記第２樹脂部の損失正接よりも高い、樹脂基板。
【請求項１１】
前記第２樹脂部の数は複数であり、
前記樹脂基材は、前記樹脂基材の厚み方向に直交する平面方向に、前記第２樹脂部、前記第１樹脂部および前記第２樹脂部の順に配置され、
前記樹脂基材は、前記第１樹脂部を前記平面方向に三分割したときに、前記第２樹脂部に隣接する第１領域と、前記第２樹脂部から離れた第２領域と、を有し、
前記第１領域の損失正接は、前記第２領域の損失正接よりも低く、前記第２樹脂部の損失正接よりも高い、請求項１０に記載の樹脂基板。
【請求項１２】
前記第１樹脂部は、前記樹脂基材の前記平面方向の外側に位置する部分の損失正接が、前記平面方向の中央寄りに位置する部分の損失正接よりも低い、請求項１１に記載の樹脂基板。
【請求項１３】
前記樹脂基材は、前記第１樹脂部を前記樹脂基材の厚み方向に三分割したときに、前記厚み方向の中央に位置する第３領域と、前記第３領域よりも前記厚み方向の外側に位置する第４領域と、を有し、
前記第４領域の損失正接は、前記第３領域の損失正接よりも高い、請求項１０から１２のいずれかに記載の樹脂基板。
【請求項１４】
前記第１樹脂部は、前記樹脂基材の前記厚み方向の外側に位置する部分の損失正接が、前記厚み方向の中央寄りに位置する部分の損失正接よりも高い、請求項１３に記載の樹脂基板。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれかに記載の樹脂基板と、
前記第１樹脂部が折り曲げられた状態で、前記樹脂基板を接続する回路基板と、
を備え、
前記樹脂基板は、前記第２樹脂部の主面に形成される実装電極をさらに備え、
前記実装電極は、導電性接合材を介して前記回路基板に接続される、電子機器。
【請求項１６】
少なくとも一部が曲げ加工される第１樹脂部と、前記第１樹脂部とは異なる第２樹脂部とを有する樹脂基材を備える、樹脂基板の製造方法において、
樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層のうち、加熱プレス後に前記第１樹脂部となる部分の弾性率が前記第２樹脂部の弾性率よりも低くなり、且つ、前記複数の絶縁基材層のうち、加熱プレス後に前記第１樹脂部となる部分の融点が、前記第２樹脂部の融点よりも低くなるように、樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層に変質処理を行う、第１変質処理工程と、
前記第１変質処理工程の後に、前記複数の絶縁基材層を積層し、積層した前記複数の絶縁基材層を加熱プレスすることにより樹脂基材を形成する、第１基材形成工程と、
を備え、
前記樹脂基板は、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
前記樹脂基材に形成され、前記導体パターンに接続される複数の層間接続導体と、
を備え、
前記複数の層間接続導体は前記第２樹脂部に配置される、樹脂基板の製造方法。
【請求項１７】
前記第１変質処理工程は、前記第１基材形成後に、前記第１樹脂部と前記第２樹脂部との界面が前記樹脂基材の主面に対して斜めとなるよう、前記複数の絶縁基材層に変質処理を行う工程を含む、請求項１６に記載の樹脂基板の製造方法。
【請求項１８】
前記第１変質処理工程は、前記複数の絶縁基材のうち、前記樹脂基材の前記第１樹脂部となる部分に、プラズマ放電、コロナ放電またはＵＶ処理のいずれかを行う工程を含む、請求項１６または１７に記載の樹脂基板の製造方法。
【請求項１９】
前記第１変質処理工程は、前記複数の絶縁基材のうち、前記樹脂基材の前記第２樹脂部となる部分に、光焼成処理を行う工程を含む、請求項１６または１７に記載の樹脂基板の製造方法。
【請求項２０】
少なくとも一部が曲げ加工される第１樹脂部と、前記第１樹脂部とは異なる第２樹脂部とを有する樹脂基材を備える、樹脂基板の製造方法であって、
前記樹脂基材を形成する、第２基材形成工程と、
前記第２基材形成工程の後に、前記第１樹脂部の弾性率が前記第２樹脂部の弾性率よりも低くなり、前記第１樹脂部の融点が前記第２樹脂部の融点よりも低くなるように、前記樹脂基材に変質処理を行う、第２変質処理工程と、
を備え、
前記樹脂基板は、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
前記樹脂基材に形成され、前記導体パターンに接続される複数の層間接続導体と、
を備え、
前記複数の層間接続導体は前記第２樹脂部に配置される、樹脂基板の製造方法。
【請求項２１】
前記第２変質処理工程は、前記第１樹脂部と前記第２樹脂部との主面が、前記樹脂基材の主面に対して斜めとなるように、前記樹脂基材に変質処理を行う工程を含む、請求項２０に記載の樹脂基板の製造方法。
【請求項２２】
前記第２変質処理工程は、前記樹脂基材のうち前記第１樹脂部となる部分にプラズマ放電、コロナ放電またはＵＶ処理のいずれかを行う工程を含む、請求項２０または２１に記載の樹脂基板の製造方法。
【請求項２３】
前記第２変質処理工程は、前記樹脂基材のうち前記第２樹脂部となる部分に、光焼成処理を行う工程を含む、請求項２０または２１に記載の樹脂基板の製造方法。
【請求項２４】
前記樹脂基材は、熱可塑性樹脂を材料とする、
請求項１乃至請求項２３のいずれかに記載の樹脂基板、電子機器又は樹脂基板の製造方法。
【国際調査報告】
2020045402.tif 000021
2020045402.tif 000022
2020045402.tif 000023
2020045402.tif 000024