(57)【要約】  実施形態の一態様に係る電子部品搭載用基板（Ａ）は、板状体の基台（１）を有しており、基台（１）の第１面（１ａ）は、第１面（１ａ）と対向している第２面（１ｂ）に対して傾斜しており、基台（１）を、傾斜方向に二等分した一方を低位部（１Ｌ）とし、他方を高位部（１Ｈ）としたときに、低位部（１Ｌ）の熱伝導率は、高位部（１Ｈ）の熱伝導率よりも高い。また、実施形態の電気装置は、上記の電子部品搭載用基板（Ａ）と、第１面（１ａ）上に搭載されている電子部品と、を有している。また、実施形態の発光装置は、上記の電子部品搭載用基板（Ａ）と、第１面（１ａ）上に搭載されている発光素子（４）と、を有しており、電子部品搭載用基板（Ａ）は、第１面（１ａ）上に、発光素子（４）を囲むように配置されている堤部（５）を有しており、堤部（５）は、第１面（１ａ）の平面方向に貫通する開口部（５ａ）を有している。
2020070946.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状体の基台を有しており、
前記基台の第１面は、該第１面と対向している第２面に対して傾斜しており、
前記基台を、傾斜方向に二等分した一方を低位部とし、他方を高位部としたときに、
前記低位部の熱伝導率は、前記高位部の熱伝導率よりも高い、電子部品搭載用基板。
【請求項２】
前記基台は、第１材料と、該第１材料よりも熱伝導率の低い第２材料と、を含有しており、
前記低位部における前記第２材料の含有率は、前記高位部における前記第２材料の含有率よりも低い、請求項１に記載の電子部品搭載用基板。
【請求項３】
前記基台は、基台本体とビア導体とを有しており、
該ビア導体の熱伝導率は、前記基台本体の熱伝導率よりも低く、
前記低位部に配置されている前記ビア導体の体積は、前記高位部に配置されている前記ビア導体の体積よりも小さい、請求項１または２に記載の電子部品搭載用基板。
【請求項４】
前記基台は、基台本体とビア導体とを有しており、
該ビア導体の熱伝導率は、前記基台本体の熱伝導率よりも低く、
前記低位部に配置されている前記ビア導体の数は、前記高位部に配置されている前記ビア導体の数よりも少ない、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の電子部品搭載用基板。
【請求項５】
前記ビア導体の熱伝導率は、前記基台本体の熱伝導率よりも低く、
前記ビア導体が、前記高位部のみに配置されている、請求項３または４に記載の電子部品搭載用基板。
【請求項６】
前記ビア導体の熱伝導率は、前記基台本体の熱伝導率よりも低く、
平面視したとき、前記ビア導体が、前記基台の周縁部のみに配置されている、請求項３乃至５のいずれか一つに記載の電子部品搭載用基板。
【請求項７】
前記ビア導体の熱伝導率は、前記基台本体の熱伝導率よりも低く、
平面視したとき、前記ビア導体が、前記基台の角部のみに配置されている、請求項３乃至６のいずれか一つに記載の電子部品搭載用基板。
【請求項８】
前記ビア導体の熱伝導率は、前記基台本体の熱伝導率よりも低く、
前記基台は、前記第１面上に導体パターンを有しており、
平面視したとき、前記ビア導体は、前記導体パターンの周縁部のみにおいて、前記導体パターンと接続されている、請求項３乃至５のいずれか一つに記載の電子部品搭載用基板。
【請求項９】
前記ビア導体の熱伝導率は、前記基台本体の熱伝導率よりも低く、
前記基台は、前記第１面上に導体パターンを有しており、
平面視したとき、前記ビア導体は、前記導体パターンの角部のみにおいて、前記導体パターンと接続されている、請求項３乃至５および８のいずれか一つに記載の電子部品搭載用基板。
【請求項１０】
前記基台は、基台本体とビア導体とを有しており、
該ビア導体の熱伝導率は、前記基台本体の熱伝導率よりも高く、
前記低位部に配置されている前記ビア導体の体積は、前記高位部に配置されている前記ビア導体の体積よりも大きい、請求項１または２に記載の電子部品搭載用基板。
【請求項１１】
前記基台は、基台本体とビア導体とを有しており、
該ビア導体の熱伝導率は、前記基台本体の熱伝導率よりも高く、
前記低位部に配置されている前記ビア導体の数は、前記高位部に配置されている前記ビア導体の数よりも多い、請求項１、２および１０のいずれか一つに記載の電子部品搭載用基板。
【請求項１２】
前記ビア導体の熱伝導率は、前記基台本体の熱伝導率よりも高く、
前記ビア導体が、前記低位部のみに配置されている、請求項１０または１１に記載の電子部品搭載用基板。
【請求項１３】
前記ビア導体の熱伝導率は、前記基台本体の熱伝導率よりも高く、
平面視したとき、前記ビア導体が、前記基台の中央部のみに配置されている、請求項１０乃至１２のいずれか一つに記載の電子部品搭載用基板。
【請求項１４】
前記ビア導体の熱伝導率は、前記基台本体の熱伝導率よりも高く、
前記基台は、前記第１面上に導体パターンを有しており、
平面視したとき、前記ビア導体は、前記導体パターンの中央部のみにおいて、前記導体パターンと接続されている、請求項１０乃至１２のいずれか一つに記載の電子部品搭載用基板。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一つに記載の電子部品搭載用基板と、前記第１面上に搭載されている電子部品と、を有している、電気装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１４のいずれか一つに記載の電子部品搭載用基板と、前記第１面上に搭載されている発光素子と、を有しており、
前記電子部品搭載用基板は、前記第１面上に、前記発光素子を囲むように配置されている堤部を有しており、
前記堤部は、前記第１面の平面方向に貫通する開口部を有している、発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、電子部品搭載用基板、電気装置および発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体素子、発光素子および水晶振動子等の電子部品を搭載するための筐体として、セラミック等からなる電子部品搭載用基板が開示されている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−２３１００９号公報
【発明の概要】
【０００４】
本実施形態の一態様に係る電子部品搭載用基板は、板状体の基台を有しており、前記基台の第１面は、該第１面と対向している第２面に対して傾斜しており、前記基台を、傾斜方向に二等分した一方を低位部とし、他方を高位部としたときに、前記低位部の熱伝導率は、前記高位部の熱伝導率よりも高い。
【０００５】
本実施形態の電気装置は、上記の電子部品搭載用基板と、前記第１面上に搭載されている電子部品と、を有している。
【０００６】
本実施形態の発光装置は、上記の電子部品搭載用基板と、前記第１面上に搭載されている発光素子と、を有しており、前記電子部品搭載用基板は、前記第１面上に、前記発光素子を囲むように配置されている堤部を有しており、前記堤部は、前記第１面の平面方向に貫通する開口部を有している。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本実施形態の電子部品搭載用基板の一例を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１のｉ−ｉ線断面図である。
【図３】図３は、電子部品搭載用基板の他の態様の斜視図である。
【図４】図４は、図３のｉｉ−ｉｉ線断面図である。
【図５】図５は、電子部品搭載用基板の他の態様の斜視図である。
【図６】図６は、図５に示した電子部品搭載用基板の平面視図である。
【図７】図７は、電子部品搭載用基板の他の態様の斜視図である。
【図８】図８は、本実施形態の発光装置の一例を示す分解斜視図である。
【図９】図９は、本実施形態の電子部品搭載用基板の一製造工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照して、本実施形態の電子部品搭載用基板、電気装置および発光装置の一態様について説明する。ここで、電子部品としては、半導体素子、発光素子および水晶振動子等を挙げることができる。
【０００９】
図１は、本実施形態の電子部品搭載用基板の一例を示す斜視図である。図２は、図１のｉ−ｉ線断面図である。
【００１０】
本実施形態に係る電子部品搭載用基板Ａは、板状体の基台１を有している。なお、本実施形態においては、基台１は基台本体６にて構成されている例を示している。基台１の第１面１ａの中央部上には、電子部品が搭載される（不図示）。
【００１１】
図２に示すように、基台１の第１面１ａは、対向している基台１の第２面１ｂに対して、傾斜している。第１面１ａの第２面１ｂに対する傾斜角度は、５°〜４５°程度としてもよい。また、第１面１ａの第２面１ｂに対する傾斜は一定でなくてもよく、傾斜角度の異なる部位を含んでいてもよい。以下、第１面１ａの傾斜方向の長さが二等分されるように、基台１を、第２面１ｂに直交する面で二分割したうち、平均高さの低い一方を低位部１Ｌ、平均高さの高い一方を高位部１Ｈと表記する。
【００１２】
ここで、平均高さとは、第２面１ｂに対する第１面１ａの高さの平均値をいう。高さの測定にあたっては、第１面１ａの傾斜方向に沿って、一定幅毎に１０点以上の高さを測定してもよい。
【００１３】
また、第１面１ａの端と端とを結ぶ、第１面１ａの傾斜方向に平行な線分のうちに、長さの異なるものがある場合（例えば、第１面１ａが三角形状である場合等）には、かかる線分のうち最長となる線分の長さを、第１面１ａの傾斜方向の長さという。
【００１４】
低位部１Ｌおよび高位部１Ｈを上述のように規定した場合、熱抵抗の観点から、第１面１ａの中央部上に搭載される電子部品から発せられる熱は、高位部１Ｈよりも、低位部１Ｌに流れやすくなる。換言すれば、低位部１Ｌを通過する熱流量は、高位部１Ｈを通過する熱流量よりも大きくなりやすい。
【００１５】
このため、低位部１Ｌまたは高位部１Ｈの熱伝導率を、選択的に高めることができる場合には、低位部１Ｌの熱伝導率を高めなければならない。すなわち、低位部１Ｌの熱伝導率を、高位部１Ｈの熱伝導率よりも高くしなければならない。低位部１Ｌを通過する熱流量は、高位部１Ｈを通過する熱流量よりも大きくなりやすいため、低位部１Ｌの熱伝導率を高めることで、電子部品搭載用基板Ａの熱放散性をより向上させることができる。
【００１６】
低位部１Ｌおよび高位部１Ｈの熱伝導率は、例えば基台１をダイシングによって低位部１Ｌと高位部１Ｈに分割した後、それぞれにレーザーフラッシュ法を適用して測定することができる。第１面１ａが、第２面１ｂに対して一定以上傾斜しているために、レーザーフラッシュ法の適用が困難となる場合には、次のように計測してもよい。まず、基台１をダイシングによって低位部１Ｌと高位部１Ｈに分割した後、それぞれに熱過渡解析を行うことで、低位部１Ｌおよび高位部１Ｈの熱抵抗を計測する。熱過渡解析は、第１面１ａの、第２面１ｂに対する傾斜角度に関わらず実施可能である。その後、測定した低位部１Ｌおよび高位部１Ｈの熱抵抗を、前述した低位部１Ｌおよび高位部１Ｈの平均高さでそれぞれ割ることにより、低位部１Ｌおよび高位部１Ｈの単位高さあたりの熱抵抗を求める。単位高さあたりの熱抵抗の小さい一方が、熱伝導率が高いと判断できる。
【００１７】
基台１には主として、セラミック材料を適用してもよいが、その他に金属材料、有機材料およびガラス材料を主として適用してもよい。また、基台１は上記の材料を複数種類含有していてもよい。基台１には、種々のセラミックを適用することが可能であるが、高い熱伝導率を有するという点から窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分として含んでいてもよい。
【００１８】
ここで、「窒化アルミニウムを主成分として含んでいる」とは、基台１が窒化アルミニウムを８０体積％以上、さらには９０体積％以上含んでいることをいう。基台１が窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分として含んでいると、より熱放散性に優れた電子部品搭載用基板Ａとすることができる。
【００１９】
なお、図１および図２には図示していないが、電子部品搭載用基板Ａでは必要に応じて、基台１の内部および表面上に導体が設けられてもよい。
【００２０】
図３は、実施形態の電子部品搭載用基板の一例を示す斜視図である。図４は、図３のｉｉ−ｉｉ線断面図である。
【００２１】
図３および図４に示す電子部品搭載用基板Ｂは、上述の電子部品搭載用基板Ａの一形態を示すものであり、共通の構成については同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
【００２２】
電子部品搭載用基板Ｂでは、基台１が、基台本体６、ビア導体２および導体パターン３を有している。ビア導体２は基台１の内部に配置され、導体パターン３は基台１の第１面１ａ上および第２面１ｂ上に配置されている。導体パターン３は、基台１の側面１ｃ上に配置される場合もある。
【００２３】
例えば、電子部品搭載用基板Ｂの熱放散性を向上させるために、基台本体６に主として窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を適用した場合、ビア導体２の熱伝導率が、基台本体６の熱伝導率よりも低くなる場合がある。このような場合には、図３に示すように、低位部１Ｌに配置するビア導体２の数（体積）を、高位部１Ｈに配置するビア導体２の数（体積）よりも少なくしてもよい。上述のように、低位部１Ｌを通過する熱流量は、高位部１Ｈを通過する熱流量よりも大きくなりやすいため、低位部１Ｌに配置するビア導体２の数を少なくする（体積を小さくする）ことで、電子部品搭載用基板Ｂの熱放散性をより向上させることができる。
【００２４】
また、低位部１Ｌに、ビア導体２を配置しなくてもよい。すなわち、ビア導体２が、高位部１Ｈのみに配置されていてもよい。このようにすることで、電子部品搭載用基板Ｂの熱放散性をさらに向上させることができる。
【００２５】
ここでは例示的に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を基台本体６の構成材料として挙げているが、基台本体６にはその他種々の材料が適用可能である。
【００２６】
一方、電子部品搭載用基板Ｂでは、ビア導体２の熱伝導率が、基台本体６の熱伝導率よりも高くなる場合がある。このような場合には、低位部１Ｌに配置するビア導体２の数（体積）を、高位部１Ｈに配置するビア導体２の数（体積）よりも多くしてもよい。このようにすれば、電子部品搭載用基板Ｂの熱放散性を向上させることができる。
【００２７】
さらには、ビア導体２を、低位部１Ｌのみに配置してもよい。このようにすれば、電子部品搭載用基板Ｂの熱放散性をさらに向上させることができる。
【００２８】
ビア導体２および基台本体６の熱伝導率は、レーザーフラッシュ法を用いて測定することができる。ビア導体２および基台本体６の形状および寸法の問題から、レーザーフラッシュ法の適用が困難である場合には、次のように測定してもよい。例えば、ビア導体２および基台本体６と同様の構成材料および製造方法を用いて、レーザーフラッシュ法に適した形状および寸法のサンプルをそれぞれ作成する。かかるサンプルの熱伝導率を測定すれば、ビア導体２および基台本体６の熱伝導率を測定することができる。ここで、同様の構成材料とは、少なくとも小数点１桁以上の範囲で組成が同じということである。
【００２９】
ところで、上述の電子部品搭載用基板Ｂでは、基台１が第１材料と、第１材料よりも熱伝導率の低い第２材料とを含有している。ここで、ビア導体２の熱伝導率が、基台本体６の熱伝導率よりも低い場合には、基台本体６を第１材料とし、ビア導体２を第２材料とすればよい。一方、ビア導体２の熱伝導率が、基台本体６の熱伝導率よりも高い場合には、ビア導体２を第１材料とし、基台本体６を第２材料とすればよい。
【００３０】
なお、基台１が、ビア導体２を有しない場合においては、基台本体６を構成する成分のうち最も含有量の多い成分（主成分）と、その他の成分を、熱伝導率に応じてそれぞれ第１材料または第２材料とすればよい。
【００３１】
このとき、低位部１Ｌにおける第２材料の含有率（体積％）を、高位部１Ｈにおける第２材料の含有率よりも低くしてもよい。言い換えれば、低位部１Ｌにおける第１材料の含有率（体積％）を、高位部１Ｈにおける第１材料の含有率よりも高くしてもよい。上述のように、低位部１Ｌを通過する熱流量は、高位部１Ｈを通過する熱流量よりも大きくなりやすい。このため、低位部１Ｌにおける第２材料の含有率を、高位部１Ｈにおける第２材料の含有率よりも低くすることで、電子部品搭載用基板Ｂの熱放散性をより向上させることができる。
【００３２】
基台本体６には主として、セラミック材料を適用してもよいが、その他に金属材料、有機材料およびガラス材料を主として適用してもよい。また、基台本体６は上記の材料を複数種類含有していてもよい。基台本体６には、種々のセラミックを適用することが可能であるが、高い熱伝導率を有するという点から窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分として含んでいてもよい。
【００３３】
ビア導体２および導体パターン３には、種々の金属材料、合金および複合材料が適用される。基台１が窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含有する場合には、同時焼成が可能であるという点から、タングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）と、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の複合材料を適用してもよい。
【００３４】
導体パターン３の表面には、Ｎｉなどのめっき膜を形成してもよい。さらに、かかるめっき膜の表面に、ハンダやＡｕ−Ｓｎめっき膜を設けてもよい。
【００３５】
図５および図７は、実施形態の電子部品搭載用基板の一例を示す斜視図である。図６は、図５の平面視図である。図５〜７に示す、電子部品搭載用基板ＣおよびＤは、上述の電子部品搭載用基板Ｂの一形態を示すものであり、共通の構成については同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
【００３６】
図５に示す電子部品搭載用基板Ｃでは、平面視したとき、ビア導体２が基台１の周縁部のみに配置されている。これにより、熱源である電子部品から、ビア導体２までの距離を長くすることができる。ビア導体２の熱伝導率が、基台本体６の熱伝導率よりも低い場合には、上記のビア導体２の配置を行うことにより、電子部品搭載用基板Ｃの熱放散性を向上させることができる。
【００３７】
また、図７に示す電子部品搭載用基板Ｄでは、平面視したとき、ビア導体２が基台１の角部のみに配置されている。これにより、熱源である電子部品から、ビア導体２までの距離をさらに長くすることができる。ビア導体２の熱伝導率が、基台本体６の熱伝導率よりも低い場合には、上記のビア導体２の配置を行うことにより、電子部品搭載用基板Ｄの熱放散性をさらに向上させることができる。
【００３８】
一方で、ビア導体２の熱伝導率が、基台本体６の熱伝導率よりも高い場合には、平面視したとき、ビア導体２が基台１の中央部のみに配置されているとよい（不図示）。これにより、熱源である電子部品から、ビア導体２までの距離を短くすることができるため、電子部品搭載用基板Ｃの熱放散性を向上させることができる。
【００３９】
ここで、「基台の周縁部」および「基台の中央部」について、以下で説明する。基台１の第１面１ａを、第１面１ａの面積重心からの距離に応じて、３つの領域に分割する。このとき、第１面１ａの面積重心から、第１面１ａの端までの距離が、３等分されるように第１面１ａを分割してもよい。分割された第１面１ａのうち、最も外側の領域を周縁領域とし、最も内側の領域を中央領域とする。基台１を平面視したとき、ビア導体２が、かかる周縁領域の直下のみに配置されていることを、「平面視したとき、ビア導体が基台の周縁部のみに配置されている」という。また、基台１を平面視したとき、ビア導体２が、かかる中央領域の直下のみに配置されていることを、「平面視したとき、ビア導体が基台の中央部のみに配置されている」という。
【００４０】
続いて、「基台の角部」について、以下で説明する。基台１の第１面１ａにおいて、第１面１ａの各頂点から一定の距離以内である領域を角領域とする。ここで一定の距離とは、第１面１ａの各頂点と、第１面１ａの面積重心とを結ぶ線分の、１／３の長さとしてもよい。基台１を平面視したとき、ビア導体２が、かかる角領域の直下のみに配置されていることを、「平面視したとき、ビア導体が基台の角部のみに配置されている。」という。
【００４１】
図５に示すように、電子部品搭載用基板Ｃでは、平面視したとき、ビア導体２が、導体パターン３の周縁部のみにおいて、導体パターン３と接続されている。このような場合も、熱源である電子部品から、ビア導体３までの距離を長くすることができる。ビア導体２の熱伝導率が、基台本体６の熱伝導率よりも低い場合には、上記のビア導体２の配置を行うことにより、電子部品搭載用基板Ｃの熱放散性を向上させることができる。
【００４２】
また、図７に示すように、電子部品搭載用基板Ｄでは、平面視したとき、ビア導体２が、導体パターン３の角部のみにおいて、導体パターン３と接続されている。これにより、熱源である電子部品から、ビア導体３までの距離をさらに長くすることができる。ビア導体２の熱伝導率が、基台本体６の熱伝導率よりも低い場合には、上記のビア導体２の配置を行うことにより、電子部品搭載用基板Ｄの熱放散性をさらに向上させることができる。
【００４３】
一方で、ビア導体２の熱伝導率が、基台本体６の熱伝導率よりも高い場合には、平面視したとき、ビア導体２が、導体パターン３の中央部のみにおいて、導体パターン３と接続されているとよい（不図示）。これにより、熱源である電子部品から、ビア導体２までの距離を短くすることができるため、電子部品搭載用基板Ｃの熱放散性を向上させることができる。
【００４４】
ここで、「導体パターンの周縁部」および「導体パターンの中央部」について、以下で説明する。図６に示すように、導体パターン３の全体を囲んでいる、基台１の第１面１ａと相似形状の平面形状３３を規定する。平面形状３３の面積重心は、第１面１ａの面積重心と重なるよう配置する。また、平面形状３３は、導体パターン３の全体を囲むことのできる最小の面積とする。ここで、平面形状３３を、平面形状３３の面積重心からの距離に応じて、３つの領域に分割する。このとき、平面形状３３の面積重心から、平面形状３３の端までの距離が、３等分されるように平面形状３３を分割してもよい。分割された平面形状３３のうち、最も外側の領域を周縁領域とし、最も内側の領域を中央領域とする。基台１を平面視したとき、ビア導体２が、かかる周縁領域の直下のみにおいて、導体パターン３と接続されていることを、「平面視したとき、ビア導体が、導体パターンの周縁部のみにおいて、導体パターンと接続されている」という。また、基台１を平面視したとき、ビア導体２が、かかる中央領域の直下のみにおいて、導体パターン３と接続されていることを、「平面視したとき、ビア導体が、導体パターンの中央部のみにおいて、導体パターンと接続されている」という。
【００４５】
続いて、「導体パターンの角部」について、以下で説明する。前述の平面形状３３において、平面形状３３の各頂点から一定の距離以内である領域を角領域とする。ここで一定の距離とは、平面形状３３の各頂点と、平面形状３３の面積重心とを結ぶ線分の、１／３の長さとしてもよい。基台１を平面視したとき、ビア導体２が、かかる角領域の直下のみにおいて、導体パターン３と接続されていることを、「平面視したとき、ビア導体が、導体パターンの角部のみにおいて、導体パターンと接続されている」という。
【００４６】
図８は、実施形態の発光装置を示す分解斜視図である。図８に示す発光装置Ｅでは、上述した電子部品搭載用基板Ａ〜Ｄのいずれか一つを用いることができる。
【００４７】
図８に示すように、発光装置Ｅでは、基台１における、第１面１ａの中央部上に、発光素子４が搭載されている。なお発光素子４としては、例えばレーザーダイオード等を用いることができる。さらに、第１面１ａ上に、搭載された発光素子４を囲むように堤部５が配置されている。図８では便宜上、基台１と堤部５とを、分解した形で示している。堤部５は、第１面１ａの平面方向に貫通する開口部５ａを有している。開口部５ａは、発光素子４からの発光光を、発光装置Ｅの外部に放出するために設けられている。図８では、発光素子４の発光面４ａが、第１面１ａの傾斜方向下向きを向いているが、発光面４ａは、第１面１ａの傾斜方向上向きを向いていてもよい。
【００４８】
発光装置Ｅでは、基台１と堤部５とが、セラミックスで一体的に形成されていてもよい。そのような構成にすれば、発光装置Ｅには、基台１と堤部５との間に、異種材料で構成され大きな熱抵抗を生じさせる界面が生じない。これにより、基台１と堤部５との間の熱抵抗を小さくすることができるため、発光装置Ｅの熱放散性を向上させることができる。
【００４９】
発光素子４は、第１面１ａの中央部上にハンダなどの導電性接合材を用いて接合される。この際に、かかる導電性接合材により、発光素子４の下面に設けられる第１電極（不図示）と、導体パターン３とが電気的に接続されていてもよい。
【００５０】
発光素子４の上面に設けられる第２電極（不図示）と、導体パターン３とが、ワイヤボンディングなどで電気的に接続されていてもよい。
【００５１】
電子部品搭載用基板Ａ〜Ｄの第１面１ａの中央部上に電子部品が搭載され、電気装置が構成される場合も、かかる電子部品は上述のように導体パターン３と電気的に接続される。
【００５２】
次に、各実施形態に係る電子部品搭載用基板の製造方法について説明する。図９は、実施形態の電子部品搭載用基板Ａの一製造工程を示す断面図である。
【００５３】
まず、図９に示すように、あらかじめ直方体型に加工したグリーンシート１１を用意する。次に、プレス金型１２を用いて、グリーンシート１１の上方から下方に向けてプレス加工を行い、電子部品搭載用基板Ａとなる成形体１０を形成する。プレス金型１２は、プレス後に得られる成形体１０の第１面が、第１面に対向している第２面に対して傾斜するように、所定の形状に加工されている。
【００５４】
なお、内部および表面上の少なくとも一方に、ビア導体２および導体パターン３を有する電子部品搭載用基板Ａを作成する場合には、グリーンシート１１の内部および表面上の少なくとも一方に、予め、ビア導体２および導体パターン３を形成したグリーンシート１１を用いてもよい。
【００５５】
次に、作成した成形体１０を焼成（最高温度：１５００−１９００℃）して、電子部品搭載用基板Ａを得る。
【００５６】
発光装置Ｅを作製する場合には、形状の異なる金型を用いて堤部５を成形し、成形体１０と一体で焼成を行うことで得ることができる。
【００５７】
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。
【実施例】
【００５８】
基台１の第１面１ａが、対向している第２面１ｂに対して傾斜している電子部品搭載用基板を作成し、これに電子部品としてレーザーダイオードを搭載して、試料番号１〜５の電気装置（以下、単に試料１〜５ということがある）を作製した。試料１〜５では、基台１の形状はすべて同一であるが、基台１におけるビア導体２の配置がそれぞれ異なっている。以下に、試料１〜５の製造方法を示す。【００５９】
まず、グリーンシート１１を形成するための混合粉末として、窒化アルミニウム粉末９４質量％に対して、イットリア粉末を５質量％、カルシア粉末を１質量％の割合で混合した混合粉末を調製した。【００６０】
次に、この混合粉末１００質量部に対して、有機バインダーとしてアクリル系バインダーを２０質量部、トルエンを５０質量部添加してスラリーを調製し、次に、ドクターブレード法を用いて所定の厚みのグリーンシート１１を作製した。【００６１】
次に、タングステン粉末と窒化アルミニウム粉末を７：３の比率で混合した混合粉末に、アクリル系有機バインダーおよびテルピネオールを適宜添加して導体ペーストを調製し、これを用いてビア導体２および導体パターン３をグリーンシート１１に形成した。【００６２】
そして、上述のグリーンシート１１を用いて、図８などに示した製造方法によって成形体１０を作製した。【００６３】
作製した成形体１０を、還元雰囲気中、最高温度が１８００℃となる条件にて２時間の焼成を行って電子部品搭載用基板を作製した。【００６４】
作製した各電子部品搭載用基板は、焼成後の形状で長さ４ｍｍ×幅３ｍｍであり、基台１の第１面１ａは、対向している第２面１ｂに対して、長手方向に傾斜していた。第１面１ａの、第２面１ｂに対する傾斜角度は、約１５°に設定した。高さは、最も低い点で１ｍｍ、最も高い点で２ｍｍであり、前述した平均高さは、基台１全体で１．５ｍｍ、低位部１Ｌが１．２５ｍｍ、高位部１Ｈが１．７５ｍｍであった。【００６５】
焼成後のビア導体２の直径は０．１ｍｍ、ボイド率は１０％であった。【００６６】
次に、作製した電子部品搭載用基板の第１面１ａの中央部上にレーザーダイオードを実装した。ここで、第１面１ａへの電子部品の接合には、Ａｕ−Ｓｎハンダを用いた。【００６７】
このようにして、試料１〜５を作製した。【００６８】
次に、作製した各試料１〜５に対して、基板以外の外部から電気を供給し、熱過渡解析を行うことにより、熱抵抗を測定した。ここで、試料数は各構造に対してｎ＝５とした。【００６９】
その後、試料１〜５の作成に用いた、電子部品搭載用基板と同じものを、ダイシングによって低位部１Ｌと高位部１Ｈに分割した。そしてそれぞれついてレーザーダイオードを実装し基板以外の外部から電気を供給し、再度熱過渡解析を行うことにより、低位部１Ｌおよび高位部１Ｈの熱抵抗を測定した。【００７０】
次に、作製した各試料１〜５における、基台本体６およびビア導体２それぞれの熱伝導率を測定するために、上記と同様の組成および焼成条件で、サンプル基台本体およびサンプルビア導体を作製した。サンプル基台本体およびサンプルビア導体は、直径が１０ｍｍ、厚さが１ｍｍの円柱状とした。作製したサンプル基台本体およびサンプルビア導体の熱伝導率を、レーザーフラッシュ法を用いて測定したところ、それぞれ１７０Ｗ／ｍ・Ｋ、１００Ｗ／ｍ・Ｋであった。【００７１】
各構造における熱抵抗評価の結果を表１に示す。表１では、測定した熱抵抗を、それぞれの平均高さで割った、単位高さあたりの熱抵抗の値が示されている。単位高さあたりの熱抵抗が小さいほど、熱伝導率は高い。なお、基台１および低位部１Ｌ、高位部１Ｈの平均高さはそれぞれ、１．５ｍｍ、１．２５ｍｍ、１．７５ｍｍとした。【００７２】
また表１における、電子部品からビア導体までの距離とは、基台１の第１面１ａに沿って、第１面１ａの中心と、ビア導体２の断面の中心とを結んだ距離のことである。【００７３】
【表１】
2020070946.tif 000003
【００７４】
表１の試料番号１，４および５の測定結果より、低位部１Ｌまたは高位部１Ｈの熱伝導率を、選択的に高めることのできる場合には、低位部１Ｌの熱伝導率を高めたほうが、基台１全体での熱伝導率は高くなることが分かる（単位高さあたりの熱抵抗が小さいほど、熱伝導率は高い）。【００７５】
同様に、試料番号１，４および５の測定結果より、低位部１Ｌに配置されているビア導体２の数が、高位部１Ｈに対して少ないほど（体積が小さいほど）、基台１全体での熱伝導率は高くなることが分かる。【００７６】
また、試料番号１〜３の測定結果より、ビア導体２と、熱源である電子部品との距離が長いほど、基台１全体での熱伝導率は高くなることが分かる。
【符号の説明】
【００７７】
Ａ〜Ｄ    電子部品搭載用基板
Ｅ        発光装置
１        基台
１ａ      （基台の）第１面
１ｂ      （基台の）第２面
１ｃ      （基台の）側面
１Ｌ      （基台の）低位部
１Ｈ      （基台の）高位部
２        ビア導体
３        導体パターン
４        発光素子
４ａ      （発光素子の）発光面
５        堤部
５ａ      （堤部の）開口部
６        基台本体
１０      成形体
１１      グリーンシート
１２      プレス金型
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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