(57)【要約】本発明のセラミック電子部品は、セラミック層を含む部品本体と、上記部品本体の一方主面に設けられた少なくとも１つの端子電極と、上記端子電極の周縁部の全周ではなく一部を覆うように、上記セラミック層及び上記端子電極に跨って設けられた絶縁性の被覆層とを備え、上記部品本体の一方主面から平面視したとき、上記被覆層で覆われていない上記端子電極と上記被覆層とが交わる交差部分において、上記被覆層は、上記端子電極と垂直でない角度で交わっている。
2020095813.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック層を含む部品本体と、
前記部品本体の一方主面に設けられた少なくとも１つの端子電極と、
前記端子電極の周縁部の全周ではなく一部を覆うように、前記セラミック層及び前記端子電極に跨って設けられた絶縁性の被覆層とを備え、
前記部品本体の一方主面から平面視したとき、前記被覆層で覆われていない前記端子電極と前記被覆層とが交わる交差部分において、前記被覆層は、前記端子電極と垂直でない角度で交わっている、セラミック電子部品。
【請求項２】
前記部品本体の一方主面から平面視したとき、前記交差部分において、前記被覆層は、前記被覆層と前記端子電極とのなす角度が鋭角となるように、前記端子電極と交わっている、請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項３】
前記交差部分に向かって、前記被覆層が湾曲形状を有している、請求項２に記載のセラミック電子部品。
【請求項４】
前記部品本体の一方主面から平面視したとき、前記被覆層の先端部は、前記端子電極から突出し、前記セラミック層の表面に設けられている、請求項１〜３のいずれか１項に記載のセラミック電子部品。
【請求項５】
前記被覆層の先端部が湾曲形状を有している、請求項４に記載のセラミック電子部品。
【請求項６】
前記セラミック層の線膨張率をα１、前記端子電極の線膨張率をα２、前記被覆層の線膨張率をα３としたとき、α３＜α１＜α２の関係が成り立つ、請求項１〜５のいずれか１項に記載のセラミック電子部品。
【請求項７】
前記部品本体の一方主面から平面視したとき、前記交差部分において、前記被覆層は、前記被覆層と前記端子電極とのなす角度が鈍角となるように、前記端子電極と交わっている、請求項１に記載のセラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
実装基板上に実装されるセラミック電子部品の一例として、特許文献１には、部品本体と、上記部品本体の主面に沿って設けられた外部端子電極と、を備えるセラミック電子部品であって、上記外部端子電極は、周縁部と上記周縁部によって囲まれた中央部とを備え、上記周縁部の厚みは、上記中央部の厚みよりも厚く、かつ、上記周縁部の少なくとも一部が上記部品本体に埋め込まれている、セラミック電子部品が開示されている。特許文献１には、外部端子電極の周縁部の少なくとも一部を覆うように部品本体の主面に沿って電気絶縁性の被覆層が形成されることが好ましいと記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１２／１５７４３６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載されているように、外部端子電極（以下、単に端子電極という）の周縁部の全周又は一部を被覆層で覆うことによって、端子電極の密着強度を向上させることができる。【０００５】
図１１は、端子電極の周縁部の全周が被覆層で覆われている従来のセラミック電子部品の一例を模式的に示す平面図である。図１２は、端子電極の周縁部の一部が被覆層で覆われている従来のセラミック電子部品の一例を模式的に示す平面図である。
図１１に示すように端子電極２０の周縁部の全周を被覆層３０で覆う場合には、図１２に示すように端子電極２０の周縁部の一部を被覆層３０で覆う場合に比べて、部品本体１０に対する端子電極２０の密着強度は高くなる。【０００６】
しかしながら、所定の寸法を有する部品本体に形成可能な端子電極の面積は限られているため、端子電極の周縁部の全周を被覆層で覆う場合には、端子電極の露出面積が小さくなるため、抵抗が高くなる等して、電気特性が低下する。また、部品本体の端面付近に端子電極を形成する場合、被覆層の幅を考慮に入れて端子電極を形成する必要があるため、部品本体の端面と端子電極との距離を小さくすることができない。【０００７】
上記の問題を解決するには、端子電極の周縁部の全周ではなく一部を被覆層で覆うことが有効である。しかしながら、被覆層で覆われていない端子電極の周縁部では、端子電極の密着強度が低くなる。【０００８】
また、端子電極の周縁部の全周ではなく一部を被覆層で覆う場合、例えば図１２に示す矢印の向きに収縮しようとする端子電極に対して、端子電極と被覆層が重なる箇所において、応力が集中するため、端子電極が剥離しやすくなる。【０００９】
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、端子電極の周縁部の一部が被覆層で覆われていながら、端子電極が剥離しにくいセラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のセラミック電子部品は、セラミック層を含む部品本体と、上記部品本体の一方主面に設けられた少なくとも１つの端子電極と、上記端子電極の周縁部の全周ではなく一部を覆うように、上記セラミック層及び上記端子電極に跨って設けられた絶縁性の被覆層とを備え、上記部品本体の一方主面から平面視したとき、上記被覆層で覆われていない上記端子電極と上記被覆層とが交わる交差部分において、上記被覆層は、上記端子電極と垂直でない角度で交わっている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、端子電極の周縁部の一部が被覆層で覆われていながら、端子電極が剥離しにくいセラミック電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係るセラミック電子部品を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、図１に示すセラミック電子部品の端子電極付近を拡大した断面図の一例である。
【図３】図３は、図１に示すセラミック電子部品の端子電極付近を拡大した平面図の一例である。
【図４】図４は、図３に示す交差部分付近の拡大図である。
【図５】図５は、図１に示すセラミック電子部品の端子電極付近を拡大した平面図の別の一例である。
【図６】図６は、先端部が端子電極から突出している被覆層の別の一例を模式的に示す平面図である。
【図７】図７は、先端部が端子電極から突出していない被覆層の一例を模式的に示す平面図である。
【図８】図８は、セラミック層、端子電極及び被覆層の線膨張率の関係を説明するための断面図である。
【図９】図９は、被覆層と端子電極とのなす角度が鈍角となるように端子電極と交わっている被覆層の一例を模式的に示す平面図である。
【図１０】図１０は、図９に示す交差部分付近の拡大図である。
【図１１】図１１は、端子電極の周縁部の全周が被覆層で覆われている従来のセラミック電子部品の一例を模式的に示す平面図である。
【図１２】図１２は、端子電極の周縁部の一部が被覆層で覆われている従来のセラミック電子部品の一例を模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明のセラミック電子部品について説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
【００１４】
本発明のセラミック電子部品は、実装基板上に実装可能なセラミック電子部品である。本発明は、例えば、多層セラミック基板等の種々の積層セラミック電子部品に対して適用することが可能である。ただし、本発明のセラミック電子部品は、積層構造に限ったものではなく、単層構造でもよい。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態に係るセラミック電子部品を模式的に示す断面図である。
図１に示すセラミック電子部品１は、積層セラミック電子部品である。セラミック電子部品１は、積層された複数のセラミック層１１を含む部品本体１０を備えている。部品本体１０の内部には、内部導体として、内部導体膜１２がセラミック層１１間の特定の界面に沿って設けられ、また、ビア導体１３が特定のセラミック層１１を貫通するように設けられている。ただし、セラミック電子部品１は、積層構造に限ったものではなく、単層構造でもよい。すなわち、部品本体１０は、複数のセラミック層１１を含んでもよいし、１層のセラミック層１１を含んでもよい。
【００１６】
図１に示すセラミック電子部品１は、さらに、部品本体１０の一方主面１０ａに設けられた端子電極２０を備えている。セラミック電子部品１は、図示しない実装基板に端子電極２０が電気的に接続され、かつ機械的に固定されながら、実装基板上に実装される。
【００１７】
図２は、図１に示すセラミック電子部品の端子電極付近を拡大した断面図の一例である。図２では、図１と比べて端子電極２０を天地逆にして示している。また、図３は、図１に示すセラミック電子部品の端子電極付近を拡大した平面図の一例である。図３では、積層方向から部品本体の一方主面を平面視したときの平面図を示している。
【００１８】
図２及び図３に示すように、図１に示すセラミック電子部品１では、端子電極２０の周縁部の全周ではなく一部を覆うように、セラミック層１１及び端子電極２０に跨って絶縁性の被覆層３０が設けられている。
【００１９】
端子電極２０の平面形状は特に限定されないが、図３に示すように方形状又は略方形状であることが好ましい。図３では、被覆層３０は、端子電極２０の２辺を覆っているが、端子電極２０の３辺を覆っていてもよいし、１辺を覆っていてもよい。また、被覆層３０は、端子電極２０の辺の途中までを覆っていてもよい。
【００２０】
図示されていないが、端子電極２０の表面には、めっき膜が形成されていることが好ましい。この場合、めっき膜は、端子電極２０の全体に加えて、被覆層３０の一部を覆うように形成されることが好ましい。
【００２１】
本実施形態では、図２に示すように、端子電極２０は部品本体１０に埋め込まれており、端子電極２０の表面は部品本体１０の一方主面１０ａと同一面上に位置している。また、被覆層３０も部品本体１０に埋め込まれており、被覆層３０の表面は端子電極２０の表面及び部品本体１０の一方主面１０ａと同一面上に位置している。ただし、端子電極２０及び被覆層３０は、部品本体１０に埋め込まれていなくてもよい。また、端子電極２０及び被覆層３０が部品本体１０に埋め込まれている場合であっても、端子電極２０の表面及び被覆層３０の表面は部品本体１０の一方主面１０ａと同一面上に位置していなくてもよい。
【００２２】
図３に示すように、被覆層３０で覆われていない端子電極２０と被覆層３０とが交わる交差部分（図３中、点Ｘで示す部分）において、被覆層３０は、端子電極２０と垂直でない角度で交わっている。すなわち、被覆層３０は、端子電極２０と垂直には交わっていない。
【００２３】
このように、本発明のセラミック電子部品では、部品本体の一方主面から平面視したとき、被覆層で覆われていない端子電極と被覆層とが交わる交差部分において、被覆層が端子電極と垂直でない角度で交わっていることを特徴としている。
【００２４】
図３に示すように端子電極２０の周縁部の一部を被覆層３０で覆うことにより、図１１に示すように端子電極２０の周縁部の全周を被覆層３０で覆う場合に比べて、端子電極２０の露出面積を大きくできるため、電気特性の低下を抑えることができる。また、部品本体１０の端面付近に端子電極２０を形成する場合、部品本体１０の端面に近い端子電極２０の周縁部を被覆層３０で覆わないことにより、部品本体１０の端面と端子電極２０との距離を小さくすることができる。
【００２５】
さらに、図１２に示すように端子電極２０と垂直に交わるように被覆層３０で覆う場合と異なり、図３に示すように端子電極２０と垂直に交わらないように被覆層３０で覆うことにより、端子電極２０を剥離しにくくすることができる。
その理由の１つとしては、図１２の場合と異なり、図３に示す矢印の向きに収縮しようとする端子電極２０に対して、交差部分Ｘに向かう被覆層３０が斜めに交わることで、応力集中を防ぐことができるためと考えられる。
【００２６】
図４は、図３に示す交差部分付近の拡大図である。
図４では、被覆層３０と端子電極２０とのなす角度（図４中、θ１で示す角度）が鋭角となっている。すなわち、被覆層３０と、被覆層３０に覆われた端子電極２０の縁端（図４中、端子電極２０の延長線として示す部分）とが、鋭角に交わっている。そのため、交差部分Ｘに向かって被覆層３０の幅が広くなっている。
【００２７】
本発明のセラミック電子部品では、図４に示すように、被覆層で覆われていない端子電極と被覆層との交差部分において、被覆層は、被覆層と端子電極とのなす角度が鋭角となるように、端子電極と交わっていることが好ましい。
図１２に示す構造では交差部分に応力が集中しやすいのに対し、図３及び図４に示す構造では交差部分に応力が集中せず、分散しやすくなる。
【００２８】
なお、図４に示すように被覆層が湾曲形状を有している場合、被覆層と端子電極とのなす角度とは、被覆層の接線と、被覆層に覆われた端子電極の縁端とのなす角度を意味する。
【００２９】
本発明のセラミック電子部品において、被覆層と端子電極とのなす角度θ１が鋭角である場合、上記角度θ１は、２０°以上であることが好ましく、６０°以下であることが好ましい。
【００３０】
本発明のセラミック電子部品では、図３及び図４に示すように、交差部分Ｘに向かって、被覆層３０が湾曲形状を有していることが好ましい。この場合、交差部分Ｘにかかる応力をより分散させることができる。
【００３１】
交差部分Ｘに向かって被覆層３０が湾曲形状を有する場合、上に凸の湾曲形状でもよいし、下に凸の湾曲形状であってもよい。湾曲形状の頂部は、端子電極２０の外側に位置してもよいし、内側に位置してもよい。また、複数の屈曲部を有する湾曲形状であってもよい。
【００３２】
図５は、図１に示すセラミック電子部品の端子電極付近を拡大した平面図の別の一例である。
図５に示すように、交差部分Ｘに向かって、被覆層３０が直線形状を有していてもよい。
【００３３】
交差部分Ｘに向かって被覆層３０が直線形状を有する場合、複数の屈曲部を有する直線形状であってもよい。
【００３４】
本発明のセラミック電子部品では、図３及び図５に示すように、部品本体１０の一方主面から平面視したとき、被覆層３０の先端部は、端子電極２０から突出し、セラミック層１１の表面に設けられていることが好ましい。
被覆層３０の先端部が端子電極２０から突出していると、被覆層３０によって応力を受ける面積が増加するため、応力を分散させることができる。
【００３５】
被覆層３０の先端部が端子電極２０から突出し、セラミック層１１の表面に設けられている場合、被覆層３０の先端部が湾曲形状を有していることが好ましい。この場合、被覆層３０の先端部にかかる応力をより分散させることができる。
【００３６】
被覆層３０の先端部が湾曲形状を有する場合、図３及び図５に示すように端子電極２０に対して上に凸の湾曲形状であることが好ましいが、端子電極２０に対して下に凸の湾曲形状であってもよい。また、複数の屈曲部を有する湾曲形状であってもよい。
【００３７】
図６は、先端部が端子電極から突出している被覆層の別の一例を模式的に示す平面図である。
図６に示すように、被覆層３０の先端部が端子電極２０から突出し、セラミック層１１の表面に設けられている場合、被覆層３０の先端部が直線形状を有していてもよい。
【００３８】
被覆層３０の先端部が直線形状を有する場合、複数の屈曲部を有する直線形状であってもよい。
【００３９】
図７は、先端部が端子電極から突出していない被覆層の一例を模式的に示す平面図である。
図７に示すように、被覆層３０の先端部は、端子電極２０から突出せず、端子電極２０の端面と同じ位置にあってもよい。
【００４０】
被覆層の先端部が端子電極から突出する場合、端子電極から突出している被覆層の長さ（図３中、Ｄ１で示す長さ）は、端子電極を被覆している被覆層の幅（図３中、Ｗ１で示す長さ）よりも長いことが好ましい。端子電極を被覆している被覆層の幅Ｗ１とは、図３に示すように、端子電極２０側の被覆層３０の端部から端子電極２０の端部までの長さである。
【００４１】
端子電極から突出している被覆層の長さＤ１は特に限定されず、例えば、端子電極を被覆している被覆層の幅Ｗ１の４倍以下であってもよいし、２倍以下であってもよい。また、端子電極から突出している被覆層の長さＤ１は、端子電極を被覆している被覆層の幅Ｗ１と同等以上であってもよい。
【００４２】
本発明のセラミック電子部品においては、セラミック層の線膨張率をα１、端子電極の線膨張率をα２、被覆層の線膨張率をα３としたとき、α３＜α１＜α２の関係が成り立つことが好ましい。
【００４３】
図８は、セラミック層、端子電極及び被覆層の線膨張率の関係を説明するための断面図である。図８では、線膨張率の大きさを矢印の長さで表している。
一般に、セラミック層１１の線膨張率α１は、端子電極２０の線膨張率α２よりも小さい。そのため、図８に示す矢印の向きに端子電極２０が収縮した際には、端子電極２０周辺のセラミック層１１が引張応力を受ける。そこで、最も小さい線膨張率α３を有する被覆層３０で端子電極２０を覆うことにより、図８に破線の矢印で示すように、端子電極２０の収縮による引張応力に対して対抗する力が発生する。その結果、端子電極２０の収縮による応力の集中を防ぎ、強度を向上させることができる。
【００４４】
なお、線膨張率は、熱機械分析（ＴＭＡ）により、室温から５００℃まで５℃／ｍｉｎの昇温速度で測定した値として得られる。
【００４５】
これまでは、被覆層で覆われていない端子電極と被覆層との交差部分において、被覆層と端子電極とのなす角度が鋭角となるように、被覆層が端子電極と交わっている実施形態について説明してきた。しかしながら、被覆層で覆われていない端子電極と被覆層との交差部分において、被覆層と端子電極とのなす角度が鈍角となるように、被覆層が端子電極と交わっていてもよい。
【００４６】
図９は、被覆層と端子電極とのなす角度が鈍角となるように端子電極と交わっている被覆層の一例を模式的に示す平面図である。図１０は、図９に示す交差部分付近の拡大図である。
図９及び図１０においても、図３及び図４と同様、端子電極２０の周縁部の全周ではなく一部を覆うように、セラミック層１１及び端子電極２０に跨って絶縁性の被覆層３０が設けられている。一方、図９及び図１０においては、被覆層３０と端子電極２０とのなす角度（図１０中、θ２で示す角度）が鈍角となっている。すなわち、被覆層３０と、被覆層３０に覆われた端子電極２０の縁端（図１０中、端子電極２０の延長線として示す部分）とが、鈍角に交わっている。そのため、交差部分Ｘに向かって被覆層３０の幅が狭くなっている。
【００４７】
図９及び図１０に示す構造であっても、図３及び図４に示す構造と同様、端子電極２０を剥離しにくくすることができる。
その理由の１つとしては、図３の場合と同様、図９に示す矢印の向きに収縮しようとする端子電極２０に対して、交差部分Ｘに向かう被覆層３０が斜めに交わることで、応力集中を防ぐことができるためと考えられる。
【００４８】
さらに、図９及び図１０に示す構造においては、図３及び図４に示す構造と比べて、端子電極２０の露出面積を大きくすることができる。そのため、電気特性の低下をより抑えることができる。また、部品本体１０の端面付近に端子電極２０を形成する場合、図３及び図４に示す構造と同様、部品本体１０の端面と端子電極２０との距離を小さくすることができる。
【００４９】
本発明のセラミック電子部品において、被覆層と端子電極とのなす角度θ２が鈍角である場合、上記角度θ２は、１２０°以上であることが好ましく、１６０°以下であることが好ましい。
【００５０】
図９及び図１０に示すように、交差部分Ｘに向かって、被覆層３０が湾曲形状を有していることが好ましい。
この場合、上に凸の湾曲形状でもよいし、下に凸の湾曲形状であってもよい。湾曲形状の頂部は、端子電極２０の外側に位置してもよいし、内側に位置してもよい。また、複数の屈曲部を有する湾曲形状であってもよい。
【００５１】
あるいは、交差部分Ｘに向かって、被覆層３０が直線形状を有していてもよい。
この場合、複数の屈曲部を有する直線形状であってもよい。
【００５２】
図９及び図１０に示すように、部品本体１０の一方主面から平面視したとき、被覆層３０の先端部は、端子電極２０から突出し、セラミック層１１の表面に設けられていることが好ましい。この場合、被覆層３０の先端部が湾曲形状を有していることが好ましい。
【００５３】
被覆層３０の先端部が湾曲形状を有する場合、図９に示すように端子電極２０に対して上に凸の湾曲形状であることが好ましいが、端子電極２０に対して下に凸の湾曲形状であってもよい。また、複数の屈曲部を有する湾曲形状であってもよい。
【００５４】
あるいは、被覆層３０の先端部が端子電極２０から突出し、セラミック層１１の表面に設けられている場合、被覆層３０の先端部が直線形状を有していてもよい。被覆層３０の先端部が直線形状を有する場合、複数の屈曲部を有する直線形状であってもよい。また、被覆層３０の先端部は、端子電極２０から突出せず、端子電極２０の端面と同じ位置にあってもよい。
【００５５】
被覆層の先端部が端子電極から突出する場合、端子電極から突出している被覆層の長さ（図９中、Ｄ２で示す長さ）は、端子電極を被覆している被覆層の幅（図９中、Ｗ２で示す長さ）よりも長いことが好ましい。端子電極を被覆している被覆層の幅Ｗ２とは、図９に示すように、端子電極２０側の被覆層３０の端部から端子電極２０の端部までの長さである。
【００５６】
端子電極から突出している被覆層の長さＤ２は特に限定されず、例えば、端子電極を被覆している被覆層の幅Ｗ２の４倍以下であってもよいし、２倍以下であってもよい。また、端子電極から突出している被覆層の長さＤ２は、端子電極を被覆している被覆層の幅Ｗ２と同等以上であってもよい。
【００５７】
被覆層と端子電極とのなす角度が鈍角である場合であっても、セラミック層の線膨張率をα１、端子電極の線膨張率をα２、被覆層の線膨張率をα３としたとき、α３＜α１＜α２の関係が成り立つことが好ましい。
【００５８】
本発明のセラミック電子部品は、好ましくは、以下のように製造される。以下、図１に示すセラミック電子部品１を製造する方法の一例について説明する。
【００５９】
まず、複数のセラミック層１１となるべき複数のセラミックグリーンシートを準備する。セラミックグリーンシートは、例えば、キャリアフィルム上でセラミックスラリーに対してドクターブレード法等を適用することによって成形される。
【００６０】
セラミックグリーンシートの厚みは、例えば５μｍ以上１００μｍ以下である。
【００６１】
セラミックスラリーには、例えば、セラミック粉末、バインダー及び可塑剤等が含まれる。セラミックグリーンシートに含まれるセラミック材料としては、例えば、低温焼結セラミック（ＬＴＣＣ）材料を用いることができる。低温焼結セラミック材料とは、１０００℃以下の温度で焼結可能であって、比抵抗の小さなＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等と同時焼成が可能なセラミック材料である。低温焼結セラミック材料としては、具体的には、アルミナ、ジルコニア、マグネシア、フォルステライト等のセラミック粉末にホウ珪酸系ガラスを混合してなるガラス複合系低温焼結セラミック材料、ＺｎＯ−ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系の結晶化ガラスを用いた結晶化ガラス系低温焼結セラミック材料、ＢａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系セラミック粉末やＡｌ２Ｏ３−ＣａＯ−ＳｉＯ２−ＭｇＯ−Ｂ２Ｏ３系セラミック粉末等を用いた非ガラス系低温焼結セラミック材料等が挙げられる。
【００６２】
特定のセラミックグリーンシートに対して、導電性ペーストを用いて、内部導体膜１２及びビア導体１３が形成される。内部導体膜１２は、例えば、導電性ペーストをスクリーン印刷等の方法で印刷することによって形成される。ビア導体１３は、例えば、セラミックグリーンシートにレーザ光を照射したり、メカパンチを適用したりして貫通孔を設け、この貫通孔に導電性ペーストを充填することによって形成される。
【００６３】
導電性ペーストには、例えば、導電性金属粉末、バインダー及び可塑剤等が含まれる。導電性ペーストには、収縮率調整用の共素地（セラミック粉末）が添加されていてもよい。導電性ペーストに含まれる導電性金属材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｔ合金、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｍｏ及びＡｕの少なくとも１種を主成分とする金属等を用いることができる。これらの導電性金属材料のうち、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｔ合金、Ａｇ−Ｐｄ合金及びＣｕは、比抵抗が小さいため、特に高周波向けの導体パターンにおいてより好ましく用いることができる。
【００６４】
また、被覆層３０の構成材料として、上述のセラミック層１１用のセラミック粉末に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粉末を適量添加、混合することにより得た混合原料粉末を、有機ビヒクル中に分散、混錬することにより、被覆層用のセラミックペーストを作製する。
【００６５】
有機ビヒクルは、バインダーと溶剤とを混合したものであり、バインダーや溶剤の種類、それらの配合割合は特に限定されない。有機ビヒクルとしては、例えば、テルピネオール、イソプロピレンアルコール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート等のアルコール類に、アクリル樹脂、アルキッド樹脂、ブチラール樹脂、エチルセルロース等を溶解させたものを用いることができる。また、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、活性剤を添加してもよい。
【００６６】
被覆層用のセラミックペーストを作製する際、アルミナ粉末の添加量を調整することにより、被覆層の線膨張率を調整することができる。その結果、セラミック層の線膨張率をα１、端子電極の線膨張率をα２、被覆層の線膨張率をα３としたとき、α３＜α１＜α２の関係とすることが好ましい。例えば、セラミック層の線膨張率α１：１０ｐｐｍ／℃、端子電極の線膨張率α２：１６ｐｐｍ／℃、被覆層の線膨張率α３：９ｐｐｍ／℃とすることが好ましい。
【００６７】
積層後に一方主面に配置されるセラミックグリーンシートに対して、上述の導電性ペーストを用いて端子電極２０を形成する。端子電極２０は、例えば、導電性ペーストをスクリーン印刷等の方法で印刷することによって形成される。
【００６８】
端子電極２０の印刷後の厚みは、例えば１０μｍ以上２０μｍ以下である。
【００６９】
その後、スクリーン印刷等の方法により、端子電極２０の周縁部の全周ではなく一部を覆うように、被覆層用のセラミックペーストを印刷する。例えば、図３等の形状を有する被覆層３０が形成されるようなスクリーン版を用いて印刷する。
【００７０】
被覆層３０の印刷後の厚みは、例えば２０μｍ以上３０μｍ以下である。また、被覆層３０と端子電極２０の重なり量は、例えば３０μｍ以上２００μｍ以下である。
【００７１】
なお、被覆層用のセラミックペーストを印刷する工程は、上記のようにセラミックグリーンシートに対して実施してもよく、また、後述する積層工程が完了した後、焼成工程を開始するまでの間に実施してもよい。
【００７２】
複数のセラミックグリーンシートを所定の順序で積層し、圧着することにより、未焼成の部品本体１０を作製する。
【００７３】
得られた未焼成の部品本体１０を焼成することにより、焼結した部品本体１０が得られる。ここで、内部導体膜１２、ビア導体１３及び端子電極２０も焼結する。  
【００７４】
必要に応じて、めっき工程が実施され、端子電極２０上にめっき膜が形成される。
以上により、図１に示すセラミック電子部品１が得られる。
【００７５】
図１に示すセラミック電子部品１では、例えば、ＩＣチップ又は受動素子のような表面実装部品が部品本体１０の上面（一方主面１０ａと反対側の主面）に実装され、また、表面実装部品を覆うように、金属カバーが部品本体１０に装着される。
【００７６】
なお、上述した工程が複数のセラミック電子部品１を取り出すことができるマザー電子部品の状態で実施される場合には、マザー電子部品を分割して個々のセラミック電子部品１を取り出す工程がさらに実施される。
【００７７】
本発明のセラミック電子部品は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、セラミック電子部品の構成、製造条件等に関し、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【００７８】
本発明のセラミック電子部品においては、被覆層で覆われていない端子電極と被覆層との交差部分のうち、全ての交差部分において、被覆層が端子電極と垂直に交わっていないことが好ましいが、少なくとも１つの交差部分において、被覆層が端子電極と垂直に交わっていなければよい。
【００７９】
被覆層の先端部の平面形状は、それぞれ同じであってもよいし、異なっていてもよい。例えば、ある交差部分において、被覆層と端子電極とのなす角度が鋭角となるように被覆層が端子電極と交わっている場合、他の交差部分において、被覆層と端子電極とのなす角度が鈍角となるように被覆層が端子電極と交わっていてもよい。
【符号の説明】
【００８０】
１  セラミック電子部品
１０  部品本体
１０ａ  部品本体の一方主面
１１  セラミック層
１２  内部導体膜
１３  ビア導体
２０  端子電極
３０  被覆層
Ｄ１，Ｄ２  端子電極から突出している被覆層の長さ
Ｗ１，Ｗ２  端子電極を被覆している被覆層の幅
Ｘ  被覆層で覆われていない端子電極と被覆層との交差部分
θ１，θ２  被覆層と端子電極とのなす角度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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