(57)【要約】本開示の液晶表示装置は、画素電極及び第１の配向膜が形成された第１の基板、共通電極及び第２の配向膜が形成された第２の基板、並びに、第１の配向膜と第２の配向膜との間に設けられた液晶層を備える。そして、表示領域における液晶層内に、セルギャップの形成に寄与しない突起を有し、突起は、下地膜と同じ無機材料から成る。本開示の電子機器は、上記の構成の液晶表示装置を有する。
2020012859.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極及び第１の配向膜が形成された第１の基板、
共通電極及び第２の配向膜が形成された第２の基板、並びに、
第１の配向膜と第２の配向膜との間に設けられた液晶層を備え、
表示領域における液晶層内に、セルギャップの形成に寄与しない突起を有し、
突起は、下地膜と同じ無機材料から成る、
液晶表示装置。
【請求項２】
突起は、その底部平坦面が画素電極直下の層間絶縁膜の平坦面と同一面となるように形成されている、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
突起は、平面視で一部に凹み部を有する、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
突起は、その底部平坦面が画素電極直下の層間絶縁膜の平坦面よりも液晶層側に位置するように形成されている、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
突起は、表示領域の遮光部に対して平面視で重ねて配置されている、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
セルギャップを決めるセルギャップスペーサーが設けられており、
突起は、セルギャップスペーサーに対して平面視で重ねて配置されている、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
突起は、表示領域と同一工程で非表示領域にも形成されている、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
非表示領域の突起は、画素電極と同一工程で形成された配線と平面視で重ならないように形成されている、
請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
セルギャップを決めるセルギャップスペーサーが設けられており、
非表示領域の突起は、セルギャップスペーサーを内包するように平面視で重ねて形成されている、
請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
非表示領域の突起は、液晶層のシール領域に形成されている、
請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
突起は、平面視形状が矩形であり、画素の周りの遮光部において、１つの画素の縦横２辺に沿って配置されている、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
突起は、平面視で配向膜の蒸着方向に沿って、画素の開口部に部分的に跨って配置されている、
請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
画素電極及び第１の配向膜が形成された第１の基板、
共通電極及び第２の配向膜が形成された第２の基板、並びに、
第１の配向膜と第２の配向膜との間に設けられた液晶層を備え、
表示領域における液晶層内に、セルギャップの形成に寄与しない突起を有し、
突起は、下地膜と同じ無機材料から成る、
液晶表示装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、液晶表示装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置では、白黒の表示境界において、液晶のドメイン（画素間の横電界による配向乱れ）が視認されることによって画質が劣化する。このドメインに起因する画質の劣化を抑制するために、液晶のセルギャップスペーサーを利用してドメインのつながりを物理的に断ち切る手法が用いられている。【０００３】
しかし、例えば斜方蒸着膜を配向膜とする場合、セルギャップスペーサー上にも斜方蒸着膜が形成され、これによって液晶の配向が乱れてコントラストが悪化する（光抜け）。光抜けを減らすには、セルギャップスペーサーの径を小さくすることが効果的であるが、一般的に、スペーサーは有機材料を用いてリソグラフィにて形成されるため、ギャップの高さを保ちつつスペーサー径を小さくすることが困難である。【０００４】
そのため、従来は、セルギャップスペーサーよりも高さの低いドメイン抑制用の突起構造を、セルギャップスペーサーと同一工程にて形成し、この突起構造によってドメインを分断しつつ、突起の高さと平面寸法をセルギャップスペーサーよりも小さくすることで、光抜けを軽減するようにしている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２０１７５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記の特許文献１に記載の従来技術では、解像限界以下のリソグラフィにてパターニングした有機材料を突起として使用することになるため、形状の制御性が十分ではなく、寸法の微細化にも限界がある。また、突起の寸法を微細化するほど、無機材料から成る下地膜との界面密着性が悪化するため、例えば液晶の前洗浄によって突起の形成不良（倒れ、消失）を招きやすい。そして、突起が倒れると、画素欠陥として歩留まりが悪化し、突起が消失すると、ドメイン抑制効果を失うこととなる。従って、特許文献１に記載の従来技術の場合、素子の微細化が求められる狭ピッチ画素の高開口化には限界がある。【０００７】
本開示は、ドメインを抑制するための突起に関するものであり、形状の制御性、及び、無機材料から成る下地膜との界面密着性に優れた突起を有する液晶表示装置、及び、当該液晶表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するための本開示の液晶表示装置は、
画素電極及び第１の配向膜が形成された第１の基板、
共通電極及び第２の配向膜が形成された第２の基板、並びに、
第１の配向膜と第２の配向膜との間に設けられた液晶層を備え、
表示領域における液晶層内に、セルギャップの形成に寄与しない突起を有し、
突起は、下地膜と同じ無機材料から成る。
また、上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、上記の構成の液晶表示装置を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、アクティブマトリクス型液晶表示装置のシステム構成の一例を示すシステム構成図である。
【図２】図２は、液晶表示装置の表示部の基本的な構造の一例を示す部分模式断面図である。
【図３】図３Ａは、従来例に係る突起構造を示す平面図であり、図３Ｂは、図３Ａの破線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【図４】図４Ａは、実施例１に係る突起構造を示す平面図であり、図４Ｂは、図４Ａの破線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。
【図５】図５は、実施例１に係る突起構造を形成する処理を示す工程図（その１）である。
【図６】図６は、実施例１に係る突起構造を形成する処理を示す工程図（その２）である。
【図７】図７は、層間絶縁膜が積層構造の場合の処理の一部を示す工程図である。
【図８】図８は、実施例２に係る突起構造を形成する処理の要部を示す工程図である。
【図９】図９は、実施例３に係る突起構造を形成する処理の要部を示す工程図である。
【図１０】図１０Ａは、実施例４に係る突起構造における突起形状の第１例を示す平面図であり、図１０Ｂは、突起形状の第２例を示す平面図である。
【図１１】図１１Ａは、実施例５に係る突起構造を示す平面図であり、図１１Ｂは、図１１Ａの要部の断面構造を示す切断部端面図である。
【図１２】図１２Ａは、実施例６に係る突起構造の非表示領域の断面構造を示す切断部端面図であり、図１２Ｂは、図１２Ａの要部の平面図である。
【図１３】図１３は、実施例７に係る突起構造の非表示領域の断面構造を示す切断部端面図である。
【図１４】図１４は、実施例８に係る突起構造の非表示領域の断面構造を示す切断部端面図である。
【図１５】図１５Ａは、実施例９に係る突起構造の第１配置例を示す平面図であり、図１５Ｂは、実施例９に係る突起構造の第２配置例を示す平面図である。
【図１６】図１６は、実施例９に係る突起構造と配向膜の蒸着方向との関係を示す図である。
【図１７】図１７は、本開示の電子機器の具体例１に係る投射型表示装置（プロジェクタ）の基本的な構成を示す概略構成図である。
【図１８】図１８Ａは、本開示の電子機器の具体例２に係るスマートフォンの第１例を示す外観図であり、図１８Ｂは、スマートフォンの第２例を示す外観図である。
【図１９】図１９は、本開示の電子機器の具体例３に係るヘッドマウントディスプレイを示す外観図である。
【図２０】図２０Ａは、本開示の電子機器の具体例４に係るデジタルスチルカメラの正面図であり、図２０Ｂは、デジタルスチルカメラの背面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本開示の技術を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。本開示の技術は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料などは例示である。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．本開示の液晶表示装置及び電子機器、全般に関する説明
２．本開示の技術が適用される液晶表示装置
３．液晶表示装置の基本的な構成
３−１．システム構成
３−２．液晶パネルの構成
３−３．液晶のドメインについて
４．実施形態に係る液晶表示装置
４−１．実施例１（基本的な突起構造の例）
４−２．実施例２（突起に凹み部を設ける例）
４−３．実施例３（突起の底部平坦面が、画素電極直下の層間絶縁膜平坦面よりも基板上方に位置する例）
４−４．実施例４（突起の他の形状の例）
４−５．実施例５（突起をセルギャップスペーサーと平面視で重ねて形成する例）
４−６．実施例６（突起を表示領域と同一工程で非表示領域にも形成する例）
４−７．実施例７（非表示領域の突起を、セルギャップスペーサーを内包するように平面視で重ねて形成する例）
４−８．実施例８（非表示領域の突起を、シール領域に形成する例）
４−９．実施例９（突起の平面視形状を矩形とする例）
５．本開示の電子機器
５−１．具体例１（投射型表示装置の例）
５−２．具体例２（スマートフォンの例）
５−３．具体例３（ヘッドマウントディスプレイの例）
５−４．具体例４（デジタルスチルカメラの例）
６．本開示がとることができる構成
【００１１】
＜本開示の液晶表示装置及び電子機器、全般に関する説明＞
本開示の液晶表示装置及び電子機器にあっては、突起について、その底部平坦面が画素電極直下の層間絶縁膜の平坦面と同一面となるように形成された構成、あるいは又、その底部平坦面が画素電極直下の層間絶縁膜の平坦面よりも液晶層側に位置するように形成された構成とすることができる。また、突起について、平面視で一部に凹み部を有する構成とすることができる。
【００１２】
上述した好ましい構成を含む本開示の液晶表示装置及び電子機器にあっては、突起について、表示領域の遮光部に対して平面視で重ねて配置された構成とすることができる。また、突起について、セルギャップを決めるセルギャップスペーサーに対して平面視で重ねて配置された構成とすることができる。
【００１３】
また、上述した好ましい構成を含む本開示の液晶表示装置及び電子機器にあっては、突起について、表示領域と同一工程で非表示領域にも形成された構成とすることができる。そして、非表示領域の突起について、画素電極と同一工程で形成された配線と平面視で重ならないように形成された構成とすることができる。また、非表示領域の突起について、セルギャップスペーサーを内包するように平面視で重ねて形成された構成、あるいは、液晶層のシール領域に形成された構成とすることができる。
【００１４】
また、上述した好ましい構成を含む本開示の液晶表示装置及び電子機器にあっては、突起について、平面視形状が矩形であり、画素の周りの遮光部において、１つの画素の縦横２辺に沿って配置されている構成とすることができる。また、突起について、平面視で配向膜の蒸着方向に沿って、画素の開口部に部分的に跨って配置されている構成とすることができる。
【００１５】
＜本開示の技術が適用される液晶表示装置＞
先ず、本開示の技術が適用される液晶表示装置について説明する。
【００１６】
液晶表示装置は、表示方式について、透過型、反射型、半透過型に分類される。また、画素に用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）に使われる材料として、シリコン、透明酸化物半導体（ＴＯＳ：Transparent Oxide Semiconductor）、有機半導体などを例示することができる。
【００１７】
また、シリコン材料として、透過型液晶表示装置では、アモルファスシリコン（非結晶半導体）やポリシリコン（多結晶半導体）が用いられることが多い。反射型液晶表示装置では、単結晶シリコンが用いられることが多い。尚、ポリシリコンは、摂氏１０００度以上の高温環境下で薄膜を形成する高温ポリシリコン（ＨＴＰＳ：High Temperature Poly-Silicon）、及び、摂氏６００度以下の低温環境下で薄膜を形成する低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Low Temperature Poly-Silicon）に分類される。
【００１８】
液晶パネルでは、液晶を配置する基板に、石英基板、ガラス基板、シリコン基板などの基板が用いられる。一般的に、アモルファスシリコン−透過型液晶パネルや、低温ポリシリコン−透過型液晶パネルでは、ガラス基板が用いられ、高温ポリシリコン−透過型液晶パネルでは、石英基板が用いられ、単結晶シリコン−反射型液晶パネルでは、シリコン基板が用いられる。シリコン基板上に液晶を配置したデバイスは、一般的に、ＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）と呼称されている。
【００１９】
液晶モード（液晶分子配列）には、ＶＡ（Vertical Alignment）モード、ＴＮ（Twisted Nematic）モードがある。ＶＡモードは、液晶に電圧がかかっていないときに、透過率あるいは反射率が最小となり、黒画面になるノーマリーブラックである。ＴＮモードは、液晶に電圧がかかっていないときに、透過率あるいは反射率が最大となり、白画面になるノーマリーホワイトである。
【００２０】
また、ＴＦＴプロセスには、高温ポリシリコン、低温ポリシリコン、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）がある。投射型表示装置（プロジェクタ）向けの液晶パネルでは、液晶モードにＶＡモードが選択され、ＴＦＴプロセスにＨＴＰＳ（高温ポリシリコン）が選択されることが多い（所謂、ＨＴＰＳ−液晶パネル）。中小型直視の液晶パネルでは、液晶モードにＶＡモードが選択され、ＴＦＴプロセスにＬＴＰＳ（低温ポリシリコン）が選択されることが多い（所謂、ＬＴＰＳ−液晶パネル）。大型直視の液晶パネルでは、液晶モードにＶＡモードが選択され、ＴＦＴプロセスにアモルファスシリコンが選択されることが多い（所謂、ａＳｉ−液晶パネル）。
【００２１】
以下に説明する本開示の技術は、表示方式が透過型、反射型、半透過型のいずれの方式の場合にも適用できるし、液晶モードがＶＡモード、ＴＮモードのいずれのモードの場合にも適用できる。更に、本開示の技術は、薄膜トランジスタの材料が、シリコン、透明酸化物半導体、有機半導体のいずれの材料の場合にも適用できる。
【００２２】
＜液晶表示装置の基本的な構成＞
本開示の液晶表示装置の基本的な構成について、アクティブマトリクス型液晶表示装置を例に挙げて説明する。アクティブマトリクス型液晶表示装置は、画素の各々に対して独立した画素電極を配置し、これら画素電極の各々にスイッチング素子を接続して画素を選択的に駆動する、所謂、アクティブマトリクス駆動方式の表示装置である。
【００２３】
アクティブマトリクス型液晶表示装置では、第１の基板及び第２の基板の２枚の基板間に液晶を封入することによって液晶パネルが構成される。第１の基板は、スイッチング素子として例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が形成されたＴＦＴ基板である。第２の基板は、カラーフィルタや対向電極などが形成され、ＴＦＴ基板に対して対向して設けられる対向基板である。そして、液晶パネルにおいて、スイッチング素子によるスイッチング制御と映像信号に基づく電圧印加によって液晶の配向を制御し、光の透過率を変えることによって画像の表示が行われる。
【００２４】
［システム構成］
アクティブマトリクス型液晶表示装置のシステム構成の一例を図１に示す。図１に示すように、本例に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置１は、画素１０が行方向及び列方向に２次元配列されて成る画素アレイ部２０、及び、画素アレイ部２０の各画素１０を駆動する画素駆動部を有する。画素駆動部は、走査線駆動部３０及び信号線駆動部４０等から構成されている。
【００２５】
画素アレイ部２０は、ｍ行ｎ列の画素配列となっている。このｍ行ｎ列の画素配列に対して、画素行毎に走査線５１1〜５１mが配線され、画素列毎に信号線５２1〜５２nが配線されている。走査線５１の一端は、走査線駆動部３０の対応する行の出力端に接続されている。信号線５２の一端は、信号線駆動部４０の対応する列の出力端に接続されている。
【００２６】
［液晶パネルの構成］
続いて、一例として、透過型の液晶表示装置１の表示部（液晶パネル）の基本的な構成について、図２を用いて説明する。図２は、液晶表示装置１の表示部の基本的な構造の一例を示す部分模式断面図である。
【００２７】
図２に示すように、液晶表示装置１は、内側に画素電極２１及び第１の配向膜２２が形成された第１の基板２３と、内側に共通電極２４及び第２の配向膜２５が形成された第２の基板２６との間に液晶層２７を挟み込み、周辺をシール材２７Ａで封止したパネル構造（液晶パネル）となっている。尚、第１の基板２３上には、走査線５１1〜５１mや信号線５２1〜５２nなどを含む配線層２９が形成されている。そして、配線層２９と画素電極２１及び第１の配向膜２２との間には、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料から成る層間絶縁膜２８が介在している。
【００２８】
第１の基板２３は、スイッチング素子として、例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が形成されたＴＦＴ基板である。第２の基板２６は、第１の基板２３に対して対向配置された対向基板である。第１の基板２３及び第２の基板２６は、ガラス基板などの透明な基板から成る。尚、図示を省略するが、第１の基板２３及び第２の基板２６の外側には、偏光板が配置されることになる。
【００２９】
液晶層２７は、第１の基板２３と第２の基板２６との間の空隙に液晶を封入することによって形成される。画素電極２１及び共通電極２４は、第１の基板２３及び第２の基板２６の各対向面側に配置されている。画素電極２１及び共通電極２４については、透明導電体、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）などで構成することが好ましい。
【００３０】
第１の配向膜２２及び第２の配向膜２５は、第１の基板２３及び第２の基板２６の各内側面、即ち、液晶層２７に隣接する側の面を覆った状態で設けられており、液晶層２７に含有される液晶分子を所定の配向状態となるように配向させるためのものである。
【００３１】
上記の構成の液晶パネルにおいて、スイッチング素子によるスイッチング制御と映像信号とに基づいて、画素電極２１−共通電極２４間に電圧を印加することによって液晶の配向を制御し、光の透過率を変えることによって画像の表示が行われる。
【００３２】
［液晶のドメインについて］
液晶表示装置では、白黒の表示境界において、画素間の横電界による配向乱れ、即ち、液晶のドメインが視認されることによって画質が劣化する。このドメインについては、その発生個所に、画素部の配線などから成る遮光部を重ねて配置することによって視認され難くすることができる。
【００３３】
一方で、液晶表示装置に対する高輝度化の要望が高く、特に透過型液晶表示装置においては、画素の開口率を向上させる必要がある。開口率を向上させることは、ドメインを視認され難くするための遮光部の面積を減少させることであるため、特に狭ピッチ画素において、ドメインは開口率とトレードオフの関係となる。
【００３４】
また、液晶層中に、ある高さを有する突起状の構造物を形成することで、配向乱れの連鎖を断ち切ることができるが、この構造物は同時に周囲の液晶の配向乱れを発生させ、これが光抜けの原因になるため黒表示時にコントラストが悪化する。突起状の構造物、即ち光抜けの箇所を、画素部の配線などから成る遮光部と重ねて配置することによってコントラストの悪化を抑制することができるが、ドメイン同様に、コントラストも開口率とトレードオフの関係となる。そこで、特に狭ピッチ画素の高開口時にドメイン、コントラストを両立することが求められる。
【００３５】
また、ドメインに起因する画質の劣化を抑制するために、液晶のセルギャップスペーサーを利用してドメインのつながりを物理的に断ち切る手法がある。しかし、例えば斜方蒸着膜を配向膜とする場合、セルギャップスペーサー上にも斜方蒸着膜が形成され、これによって液晶の配向が乱れてコントラストが悪化する（光抜け）。光抜けを減らすには、セルギャップスペーサーの径を小さくすることが効果的であるが、一般的に、セルギャップスペーサーは有機材料を用いてリソグラフィにて形成されるため、ギャップの距離を保ちつつスペーサー径を小さくすることが困難である。
【００３６】
これに対し、従来は、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、第１の基板２３と第２の基板２６との間の距離（以下、「セルギャップ」と記述する）を決めるセルギャップスペーサー６１とは異なる突起６２を、セルギャップスペーサー６１と同一工程にて形成するようにしている（特許文献１参照）。そして、この突起構造によってドメインを分断しつつ、突起６２の高さと平面寸法をセルギャップスペーサー６１よりも小さくすることで、光抜けを軽減するようにしている。
【００３７】
しかし、上記の従来例に係る突起構造の場合にも、例えば斜方蒸着膜を第１の配向膜２２とする場合、セルギャップスペーサー６１上にも斜方蒸着膜が形成されることになるため、液晶の配向が乱れてコントラストが悪化する。また、解像限界以下のリソグラフィにてパターニングした有機材料を突起６２として使用することになるため、突起６２の形状の制御性が十分ではなく、寸法の微細化にも限界がある。また、突起６２の寸法を微細化するほど、無機材料から成る下地の層間絶縁膜２８あるいは画素電極２１との界面密着性が悪化するため、例えば液晶の前洗浄によって突起の形成不良（倒れ、消失）を招きやすい。
【００３８】
＜実施形態に係る液晶表示装置＞
そこで、本開示の実施形態では、表示領域における液晶層内に、セルギャップの形成に寄与しない突起を、配向膜直下の下地膜と同じ無機材料を用いて形成するようにする。具体的には、無機材料から成る下地膜を直接加工し、ＣＭＯＳ半導体プロセスにて無機材料を用いて、表示領域における液晶層内に、ドメインを抑制するための突起を形成するようにする。
【００３９】
ここで、「セルギャップの形成に寄与しない突起」とは、セルギャップを決める、即ちセルギャップの形成に寄与する突起物であるセルギャップスペーサー６１とは異なる突起物であるという意味である。具体的には、無機材料から成る突起は、高さと平面寸法（平面視での寸法）がセルギャップスペーサー６１よりも小さい形状を有している。セルギャップスペーサー６１を用いない場合は、無機材料から成る突起は、表示部のセルギャップ高さよりも低い高さを有している。この突起の作用により、ドメインを抑制することができる。
【００４０】
ＣＭＯＳ半導体プロセスにて、一般的に用いられる無機膜加工技術を適用して突起を形成する手法を採ることにより、当該手法を採らない従来技術に比べて、より微細な突起構造を形成することができる。これにより、突起の形状の制御性に優れ、突起の寸法の微細化を図ることができるため、光抜けを低減できる。また、突起を下地膜と同じ無機材料を用いて形成することで、突起の下地膜との界面密着性に優れた、ドメイン抑制のための突起構造を形成することができる。その結果、ドメインを抑制し、当該ドメインに起因する画質の劣化を抑えることができるため、画質の向上を図ることができるとともに、ドメイン及びコントラストと、開口率とのトレードオフを解消することができる。
【００４１】
以下に、ドメインを抑制するための突起の形状の制御性、及び、無機材料から成る下地膜との界面密着性に優れた、ドメイン抑制のための突起構造を実現するための本実施形態の具体的な実施例について説明する。
【００４２】
以下の各実施例では、ドメイン抑制のための突起構造を、ＴＦＴ基板である第１の基板２３側に形成する場合を例に挙げて説明するが、対向基板である第２の基板２６側、あるいはその両方に形成するようにしてもよい。
【００４３】
［実施例１］
実施例１は、本実施形態の基本的な突起構造の例である。実施例１に係る突起構造の平面図を図４Ａに示し、図４Ａの破線Ｂ−Ｂに沿った断面図を図４Ｂに示す。
【００４４】
第１の基板２３と第２の基板２６とが対向配置され、両基板２３，２６間の空隙に液晶が封入されて液晶層２７が形成されて成る液晶表示装置において、液晶層２７内には、セルギャップを決める（即ち、セルギャップの形成に寄与する）セルギャップスペーサー６１が所定の間隔で配置されている。
【００４５】
上記の構成の液晶表示装置において、本実施形態では、液晶層２７内に、ドメイン抑制のための突起６２が、下地膜である層間絶縁膜２８と同じ無機材料を用いて形成されている。図４Ａに示すように、突起６２は、表示領域（有効画素領域）の画素１０の周りの遮光部に、平面視で重ねて多数形成されている。層間絶縁膜２８及び突起６２の無機材料としては、酸化シリコンや窒化シリコンなどを例示することができる。
【００４６】
突起６２の形成に当たっては、ＣＭＯＳ半導体プロセスにて、一般的に用いられる無機膜加工技術を適用して、突起６２の高さと平面寸法が、セルギャップスペーサー６１よりも小さい形状となるように形成するようにする。セルギャップスペーサー６１よりも高さが低いことで、突起６２は、セルギャップの形成に寄与しない突起物ということになる。突起６２のサイズについては、セルギャップスペーサー６１に対して高さが半分以下程度、平面寸法が半分以下程度であることが好ましい。
【００４７】
実施例１に係る突起構造によれば、ＣＭＯＳ半導体プロセスにて、一般的に用いられる無機膜加工技術を適用することで、突起６２の形状の制御性に優れ、突起６２の寸法の微細化を図ることができるため、光抜けを低減できる。また、微細加工が可能になる分、図４Ａに示すように、画素１０の高開口化に伴って微細化された、配線層２９から成る遮光部にも、突起６２を多数形成することができるため、ドメインを抑制する効果が大きい。また、無機材料から成る層間絶縁膜２８を直接加工し、無機材料から成る突起６２を形成することにより、当該突起６２の形成不良を低減することができるため、画質・歩留りの向上を図ることができる。
【００４８】
次に、実施例１に係る突起構造を形成する処理について、図５及び図６の工程図を用いて説明する。以下に説明する処理では、ＣＭＯＳ半導体プロセスにて一般的に用いられる無機膜加工技術を適用することにより、突起構造の形成処理が行われる。後述する各実施例においても同様である。
【００４９】
（工程１）
図２に示すＴＦＴ基板（第１の基板２３）上に、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）などの金属膜、あるいは、これらの合金膜をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）、スパッタなどの手法により形成し、パターニングを行って配線層２９を形成する。
【００５０】
続いて、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機膜、あるいは、これらの積層膜をＣＶＤ法などを用いて、例えば２００−２０００ｎｍ程度の膜厚で成膜し、層間絶縁膜２８を形成する。必要に応じて、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械研磨）などの手法を用いて層間絶縁膜２８を平坦化する。
【００５１】
（工程２）
次に、層間絶縁膜２８上に、突起形成部分を覆うようにレジスト６３を形成し、このレジスト６３をマスクとしてＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）やウエットエッチングにて突起６２を形成する。突起６２は、平面視で遮光部分と重なるように形成し、その平面寸法は遮光幅と同等以下程度であることが望ましい。本例では、配線層２９を遮光部とし、当該配線層２９と重なるように突起６２を配置しているが、遮光性を有する領域であれば、対象は配線層２９に限定されない。
【００５２】
（工程３）
次に、突起６２を形成するためのレジスト６３を剥離した後、レジスト６４をマスクとして、層間絶縁膜２８中に配線層２９に至るコンタクトホール６５を形成する。突起６２及びコンタクトホール６５の形成順は逆であってもよいが、層間絶縁膜２８の厚さを薄くできるため、コンタクトホール６５を後に形成する方が加工上有利となる。
【００５３】
（工程４）
次に、コンタクトホール６５を形成するためのレジスト６４を剥離した後、画素電極材料を成膜し、パターニングを行って画素電極２１を形成する。本例では、画素電極材料にて配線層２９と接続しているが、コンタクトホール６５中に別の導電膜（図示せず）を成膜し、当該導電膜を介して画素電極２１と配線層２９とを接続するようにしてもよい。また、本例では、突起６２上に画素電極材料が残るようにパターニングしているが、これを除去してもよいし、あるいは、画素電極２１と繋がっていてもよい。
【００５４】
（工程５）
次に、セルギャップスペーサー６１を形成し、次いで、第１の配向膜２２を形成する。セルギャップスペーサー６１は、図２に示す対向基板（第２の基板２６）との間のセルギャップ形成のプロセスに応じて形成しなくてもよいし、形成する場合でも有効画素領域外にのみ形成するようにしてもよい。
【００５５】
以上の説明から明らかなように、実施例１に係る突起構造では、ドメインを抑制するための突起６２を、配向膜（第１の配向膜２２）直下の層間絶縁膜２８と同一の無機材料で一体的に形成するようにしている。これにより、図６から明らかなように、突起６２はその底部平坦面が、画素電極２１の直下の下地膜である層間絶縁膜２８の平坦面と同一面となるように形成される。
【００５６】
尚、実施例１に係る突起構造においては、無機材料から成る層間絶縁膜２８を単層構造としたが、単層構造に限られるものではなく、複数の層間絶縁膜が積層されて成る積層構造としてもよい。例えば、図７に示すように、無機材料から成る第１の層間絶縁膜２８1及び第２の層間絶縁膜２８2が積層されて成る積層構造とする場合、両者のエッチング選択比の差を活かして、突起６２の高さの制御を容易に行うことができる。図７は、層間絶縁膜２８が積層構造の場合の工程図の一部であり、図７の工程１及び工程２は、図５の工程１及び工程２に対応している。
【００５７】
［実施例２］
実施例２は、実施例１の変形例であり、平面視で突起６２の中央部に凹み部を設ける例である。実施例２に係る突起構造を形成する処理の要部の工程図を図８に示す。以下に、実施例２に係る突起構造を形成する処理について説明する。
【００５８】
（工程１）
実施例１の工程１と同様に、Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕなどの金属膜、あるいは、これらの合金膜をＣＶＤ、スパッタなどの手法により形成し、パターニングを行って配線層２９を形成し、次いで、無機膜、あるいは、これらの積層膜をＣＶＤ法などを用いて、層間絶縁膜２８を成膜する。そして、必要に応じてＣＭＰなどの手法を用いて層間絶縁膜２８を平坦化する。
【００５９】
（工程２）
次に、層間絶縁膜２８上に、突起６２の形成部分を覆うようにレジスト６３を形成し、このレジスト６３をマスクとしてＲＩＥやウエットエッチングにて突起部分６２Ａを形成する。突起部分６２Ａは、平面視で遮光部分と重なるように形成する。この点については、実施例１の場合と同様である。
【００６０】
（工程３）
次に、実施例１の工程３と同様に、レジスト６４をマスクとして、層間絶縁膜２８中に配線層２９に至るコンタクトホール６５を形成する。このとき、工程２で形成した突起部分６２Ａと平面視で重なるように、レジスト６４を開口することで、突起部分６２Ａに凹み部６６を形成する。これにより、突起部分６２Ａから凹み部６６を除いた領域に、ドメイン抑制のための突起６２が形成される。
【００６１】
以降、画素電極２１、セルギャップスペーサー６１、及び、第１の配向膜２２を形成する処理が実行されるが、これらの処理については、実施例１の工程４及び工程５の処理と基本的に同じである。
【００６２】
以上の説明から明らかなように、実施例２に係る突起構造では、突起６２の形成とコンタクトホール６５の形成のプロセスを組み合わせることで、平面視で突起６２の中央部に凹み部６６を設けた構成となっている。尚、ここでは、平面視で中央部に凹み部６６を設ける場合を例示したが、凹み部６６を設ける位置は、必ずしも平面視で中央部に限定されるものではない。例えば、図の左の部分だけを残すように凹み部６６を設けるようにしてもよく、要は、突起６２が平面視で一部に凹み部６６を有する構成であればよい。このように、突起６２に凹み部６６を設けることで、ドメイン抑制の作用をなす突起６２の寸法の微細化を図ることができるため、光抜けをより確実に低減できることになる。
【００６３】
［実施例３］
実施例３は、実施例１の変形例であり、突起６２の底部平坦面が、画素電極２１の直下の層間絶縁膜２８の平坦面よりも基板上方（液晶層２７側）に位置する例である。実施例３に係る突起構造を形成する処理の要部の工程図を図９に示す。以下に、実施例３に係る突起構造を形成する処理について説明する。
【００６４】
（工程１）
実施例１の工程１と同様に、Ｗ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕなどの金属膜、あるいは、これらの合金膜をＣＶＤ、スパッタなどの手法により形成し、パターニングを行って配線層２９を形成し、次いで、無機膜、あるいは、これらの積層膜をＣＶＤ法などを用いて、層間絶縁膜２８を成膜する。
【００６５】
（工程２）
次に、実施例１の工程３と同様に、レジスト６４をマスクとして、層間絶縁膜２８中に配線層２９に至るコンタクトホール６５を形成する。
【００６６】
（工程３）
次に、実施例１の工程４と同様に、レジスト６４を剥離した後、画素電極材料を成膜し、パターニングを行って画素電極２１を形成する。
【００６７】
（工程３）
次に、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機膜、あるいは、これらの積層膜をＣＶＤ法などを用いて、例えば１００−２０００ｎｍ程度の膜厚で成膜し、層間絶縁膜２８Ａを形成する。必要に応じて、ＣＭＰなどの手法を用いて層間絶縁膜２８Ａを平坦化する。
【００６８】
（工程４）
次に、実施例１の工程２と同様に、層間絶縁膜２８Ａ上に、突起６２の形成部分を覆うようにレジスト６３を形成し、このレジスト６３をマスクとしてＲＩＥやウエットエッチングにて突起６２を形成する。
【００６９】
以上の説明から明らかなように、実施例３に係る突起構造では、画素電極２１上に成膜した層間絶縁膜２８Ａを利用して突起６２を形成しているために、突起６２の底部平坦面が、画素電極２１の直下の下地膜である層間絶縁膜２８の平坦面よりも液晶層２７側に位置することになる。このように、突起６２の底部平坦面が、層間絶縁膜２８の平坦面よりも液晶層２７側に位置するように突起６２を形成することで、突起６２が画素電極２１の形成層よりも上層に位置することになるため、画素電極２１に対する突起６２の配置の制約を緩和することができる。
【００７０】
［実施例４］
実施例４は、実施例１乃至実施例３の変形例であり、表示領域（有効画素領域）の遮光部に平面視で重ねて配置される突起６２の形状の例である。実施例４に係る突起構造における突起６２の形状の第１例及び第２例の平面図を図１０Ａ及び図１０Ｂに示す。
【００７１】
（第１例）
図１０Ａに示すように、第１例に係る突起形状では、表示領域の画素１０の周りの遮光部において、セルギャップスペーサー６１が、画素１０の角部の一方の対角線上の位置に配置されているのに対し、平面視形状が円形の突起６２ａが、画素１０の角部の他方の対角線上の位置に配置されている。また、画素１０の４辺に対応する位置に、平面視形状が楕円形の突起６２ｂが配置されている。すなわち、第１例に係る突起形状においては、平面視形状が円形の突起６２ａと、平面視形状が楕円形の突起６２ｂとの組み合わせとなっている。
【００７２】
（第２例）
図１０Ｂに示すように、第２例に係る突起形状では、セルギャップスペーサー６１が、画素１０の角部の一方の対角線上の位置に配置されているのに対し、平面視形状が十字形の突起６２ｃが、画素１０の角部の他方の対角線上の位置に配置されている。また、画素１０の４辺に対応する位置に、平面視形状が円形の突起６２ａが配置されている。すなわち、第２例に係る突起形状においては、平面視形状が円形の突起６２ａと、平面視形状が十字形の突起６２ｃとの組み合わせとなっている。
【００７３】
上述したように、表示領域の画素１０の周りの遮光部に平面視で重ねて、種々の形状の突起６２ａ，６２ｂ，６２ｃを配置することで、光抜けを抑えることができ、且つ、突起６２（６２ａ，６２ｂ，６２ｃ）を１画素当たり複数形成することで、ドメインの抑制効果の向上を図ることができる。
【００７４】
尚、突起６２の平面視形状について、第１例では、円形及び楕面の組み合わせ、第２例では、円形及び十字形の組み合わせとしたが、これらの組み合わせに限られるものではなく、円形、楕面、及び、十字形の組み合わせとしてもよい。また、突起６２の平面視形状について、円形、楕面、及び、十字形の形状に限られるものではなく、他の形状（例えば、矩形）であってもよいし、上記の組み合わせに他の形状を組み合わせるようにしてもよい。
【００７５】
［実施例５］
実施例５は、実施例１の変形例であり、突起６２をセルギャップスペーサー６１と平面視で重ねて形成する例である。実施例５に係る突起構造の平面図を図１１Ａに示し、その要部の切断部端面図を図１１Ｂに示す。
【００７６】
図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、実施例５に係る突起構造は、例えば画素１０の角部の一方の対角線上の位置に配置されたセルギャップスペーサー６１に対して、例えば平面視形状が円形の突起６２が平面視で重ねて配置された構成となっている。この構成により、実施例１に係る突起構造（図４参照）の場合よりも、セルギャップスペーサー６１の数の分だけ、突起６２の配置数を増やすことができる。
【００７７】
尚、図１１Ｂにおいて、突起６２上の画素電極材料については、突起６２上に残してもよいし、除去してもよいし、あるいは、画素電極２１と繋がっていてもよい。
【００７８】
上述したように、突起６２をセルギャップスペーサー６１と平面視で重ねて配置することにより、セルギャップスペーサー６１の下地膜に対する接触面積を増やすことができるため、例えば液晶の前洗浄の際のセルギャップスペーサー６１の倒れを抑制することができる。また、その分、セルギャップスペーサー６１を微細化し易くなるため、光抜けをより確実に低減することができる。
【００７９】
［実施例６］
実施例６は、ドメインを抑制する突起６２を、表示領域と同一工程で非表示領域にも形成する例である。実施例６に係る突起構造の非表示領域の断面構造の切断部端面図を図１２Ａに示し、図１２Ａの要部の平面図を図１２Ｂに示す。
【００８０】
図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、実施例６に係る突起構造は、ダミー画素などが形成される、画像表示に寄与しない非表示領域に、表示領域と同一工程で突起６２が形成された構成となっている。非表示領域の突起６２は、画素電極２１と同一工程で形成された非表示領域の配線６７と平面視で重ならないように形成される。
【００８１】
上述したように、突起６２を表示領域と同一工程で非表示領域にも形成することにより、突起６２の形成時のレジスト被覆率を上げることができるため、突起６２の加工の制御性を上げることができる。その際に、突起部を画素電極配線が跨ぐと断線する懸念ががあるため、突起６２が、非表示領域の配線６７と平面視で重ならないように配置する。因みに、実施例３の場合は、画素電極配線との配置制約はない。例えば、ＳｉＯ2膜をエッチングする際に、ＣＦ系ラジカルで加工するとＳｉＦｘとＯ2が排出される。このとき、Ｏ2がレジストと反応してレジストの加工レートが高くなる。そのため、レジスト被覆率が少ないとレジストが保てなくなり、必要な加工性が得られなくなる。
【００８２】
［実施例７］
実施例７は、実施例６の変形例であり、非表示領域の突起６２を、セルギャップスペーサー６１を内包するように平面視で重ねて形成する例である。実施例７に係る突起構造の非表示領域の切断部端面図を図１３に示す。
【００８３】
図１３に示すように、実施例７に係る突起構造は、画像表示に寄与しない非表示領域において、ドメインを抑制する突起６２上に、セルギャップを決めるセルギャップスペーサー６１が、突起６２よりも小さい平面寸法にて形成された構成となっている。これにより、突起６２とセルギャップスペーサー６１とは、平面視で突起６２がセルギャップスペーサー６１を内包する関係となる。対向基板である第２の基板２６の周縁部（シール領域）には、液晶を封止するシール材２７Ａが設けられている。
【００８４】
上述したように、突起６２上にセルギャップスペーサー６１を形成し、セルギャップの形成に突起６２の段差を用いることにより、セルギャップの制御性の向上を図ることができる。
【００８５】
［実施例８］
実施例８は、実施例６の変形例であり、非表示領域の突起６２を、非表示領域の外周部のシール領域に形成する例である。実施例８に係る突起構造の非表示領域の切断部端面図を図１４に示す。
【００８６】
図１４に示すように、実施例８に係る突起構造は、非表示領域の突起６２が、非表示領域の外周部において、シール材２７Ａが設けられた液晶層２７のシール領域に形成された構成となっている。そして、液晶を封止するシール材２７Ａは、その一部が突起６２上に重なった状態で設けられている。
【００８７】
上述したように、突起６２をシール領域に配置し、対向基板である第２の基板２６を、突起６２の形状に沿わせて設けることにより、セルギャップの制御性の向上を図ることができる。
【００８８】
［実施例９］
実施例９は、実施例１の変形例であり、突起６２の平面視形状を矩形とする例である。実施例９に係る突起構造の第１配置例及び第２配置例の平面図を図１５Ａ及び図１５Ｂに示す。第１配置例及び第２配置例のいずれの場合にも、突起６２の平面視形状は矩形となっている。
【００８９】
（第１配置例）
図１５Ａに示すように、第１配置例では、平面視形状が矩形の突起６２が、画素１０の周りの遮光部１１において、１つの画素１０の縦横２辺に沿って配置された構成となっている。以下では、画素１０の縦の辺に沿って配置された突起６２を突起６２Ａとし、横の辺に沿って配置された突起６２を突起６２Ｂとする。突起６２Ａ及び突起６２Ｂは、画素１０の角部において繋がっていることが好ましい。また、突起６２Ａ及び突起６２Ｂは、平面視で隣接画素との間で繋がっていても構わない。第１配置例において、セルギャップスペーサー６１については、平面視で突起６２Ａ及び突起６２Ｂと重なるように配置しても構わない。
【００９０】
実施例９に係る突起構造の第１配置例によれば、突起６２Ａ及び突起６２Ｂの平面視形状を矩形とすることで、液晶配向を乱す領域、即ち、光抜けが生じる領域を上下左右につなげることができるために、より効果的にドメインを抑制することができる。
【００９１】
また、突起６２Ａ及び突起６２Ｂを、画素１０の縦横に繋がる矩形形状とすることでリソグラフィにてパターニングする際や、液晶の前洗浄時のパターン倒れを抑制することができるため、より微細な突起線幅にて突起６２Ａ及び突起６２Ｂの形成が可能となる。これにより、突起６２Ａ及び突起６２Ｂに起因する光抜けを低減することができる。
【００９２】
（第２配置例）
図１５Ｂに示すように、第２配置例では、画素１０の周りの遮光部１１に配置された突起６２Ａ及び突起６２Ｂが、平面視で画素１０の開口部１０ａに部分的に跨って配置された構成となっている。より具体的には、突起６２Ａ及び突起６２Ｂは、図１６に示すように、平面視で配向膜の蒸着方向に沿って、画素１０の開口部１０ａに部分的に跨って配置される。
【００９３】
実施例９に係る突起構造の第２配置例によれば、第１配置例の上記の作用、効果に加えて、突起６２Ａ及び突起６２Ｂを、平面視で配向膜の蒸着方向に沿って開口部１０ａに部分的に跨って配置することで、突起６２Ａ及び突起６２Ｂにより生じる光抜けを、画素１０の周りの遮光部１１にて効果的に隠すことができる。これにより、コントラストの劣化を最小限に抑えることができる。
【００９４】
＜本開示の電子機器＞
以上説明した本開示の液晶表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。一例として、投射型表示装置（プロジェクタ）、スマートフォン、ヘッドマウントディスプレイ、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラ、携帯電話機等の携帯端末装置、ノート型パーソナルコンピュータ、テレビジョンセットなどの表示部として用いることができる。
【００９５】
本開示の液晶表示装置は、封止された構成のモジュール形状のものをも含む。一例として、画素アレイ部に透明なガラス等の対向部が貼り付けられて形成された表示モジュールが該当する。尚、表示モジュールには、外部から画素アレイ部への信号等を入出力するための回路部やフレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）などが設けられた構成であってもよい。
【００９６】
本開示の液晶表示装置は、ドメインを抑制し、当該ドメインに起因する画質の劣化を抑えることができる。従って、あらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として、本開示の液晶表示装置を用いることで、高画質の画像を表示することができる。
【００９７】
以下に、本開示の液晶表示装置を用いる電子機器の具体例として、投射型表示装置（プロジェクタ）、スマートフォン、ヘッドマウントディスプレイ、デジタルスチルカメラを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これらの具体例に限られるものではない。
【００９８】
［具体例１：投射型表示装置の例］
投射型表示装置（所謂、プロジェクタ）は、加法混色でカラー表示を行っており、光の三原色、即ち、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）それぞれに液晶パネルを用い、３枚の液晶パネルで各原色の画像を作成し、その後プリズムで画像を合成する３板方式が一般的である。投射型表示装置に用いる液晶パネルは、１．０インチ前後のサイズのパネルが一般的である。本開示の電子機器の具体例１に係る３板式投射型表示装置（プロジェクタ）１００の光学系の概略を図１７に示す。
【００９９】
図１７において、白色ランプ等の光源１０１から発せられる白色光は、偏光変換素子１０２でＰ偏光からＳ偏光に変換された後、フライアイレンズ１０３で照明の均一化が図られてダイクロイックミラー１０４に入射する。そして、特定の色成分、例えばＲ（赤色）の光成分のみがダイクロイックミラー１０４を透過し、残りの色の光成分はダイクロイックミラー１０４で反射される。ダイクロイックミラー１０４を透過したＲの光成分は、ミラー１０５で光路変更された後、レンズ１０６Ｒを通してＲの液晶パネル１０７Ｒに入射する。
【０１００】
ダイクロイックミラー１０４で反射された光成分については、例えばＧ（緑色）の光成分がダイクロイックミラー１０８で反射されるとともに、Ｂ（青色）の光成分が当該ダイクロイックミラー１０８を透過する。ダイクロイックミラー１０８で反射されたＧの光成分は、レンズ１０６Ｇを通してＧの液晶パネル１０７Ｇに入射する。ダイクロイックミラー１０８を透過したＢの光成分は、レンズ１０９を通過した後ミラー１１０で光路変更され、更にレンズ１１１を通過した後ミラー１１２で光路変更され、レンズ１０６Ｂを通してＢの液晶パネル１０７Ｂに入射する。
【０１０１】
尚、図１７には示していないが、液晶パネル１０７Ｒ，１０７Ｇ，１０７Ｂの入射側及び出射側にはそれぞれ偏光板が配置される。周知の通り、入射側及び出射側の一対の偏光板を、偏光方向が互いに垂直（クロスニコル）になるように設置することでノーマリホワイトモードを設定でき、偏光方向が互いに平行（パラレルニコル）になるように設置することでノーマリブラックモードを設定できる。
【０１０２】
液晶パネル１０７Ｒ，１０７Ｇ，１０７Ｂをそれぞれ通過したＲ，Ｇ，Ｂの各光成分は、クロスプリズム１１３に入射し、当該クロスプリズム１１３において合成される。そして、このクロスプリズム１１３で合成された光は、投射レンズ１１４に入射し、当該投射レンズ１１４によってスクリーン（図示せず）上に投射される。
【０１０３】
上記の構成の３板式投射型表示装置１００において、光変調手段（ライトバルブ）である液晶パネル１０７Ｒ，１０７Ｇ，１０７Ｂとして、本開示の液晶表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例１に係る投射型表示装置１００は、液晶パネル１０７Ｒ，１０７Ｇ，１０７Ｂとして、本開示の液晶表示装置を用いることによって作製される。
【０１０４】
［具体例２：スマートフォンの例］
本開示の電子機器の具体例２に係るスマートフォンの外観図を図１８に示す。図１８Ａは、スマートフォンの第１例を示す外観図であり、図１８Ｂは、スマートフォンの第２例を示す外観図である。
【０１０５】
第１例のスマートフォン２００Ａ及び第２例のスマートフォン２００Ｂは、表示部２１０と操作部２２０とを備えている。第１例のスマートフォン２００Ａの場合には、操作部２２０は、筐体２３０の表示部２１０の下方部に設けられている。第２例のスマートフォン２００Ｂの場合には、操作部２２０は、筐体２３０の上面部に設けられている。そして、スマートフォン２００Ａ，２００Ｂの表示部２１０として、本開示の液晶表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例２に係るスマートフォン２００Ａ，２００Ｂは、その表示部２１０として、本開示の液晶表示装置を用いることによって作製される。
【０１０６】
［具体例３：ヘッドマウントディスプレイの例］
本開示の電子機器の具体例３に係るヘッドマウントディスプレイの外観図を図１９に示す。
【０１０７】
具体例３に係るヘッドマウントディスプレイ３００は、本体部３０１、アーム部３０２及び鏡筒３０３を有する透過式ヘッドマウントディスプレイ構成となっている。本体部３０１は、アーム部３０２及び眼鏡３１０と接続されている。具体的には、本体部３０１の長辺方向の端部はアーム部３０２に取り付けられている。また、本体部３０１の側面の一方側は、接続部材（図示せず）を介して眼鏡３１０に連結されている。尚、本体部３０１は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。
【０１０８】
本体部３０１は、ヘッドマウントディスプレイ３００の動作を制御するための制御基板や表示部を内蔵している。アーム部３０２は、本体部３０１と鏡筒３０３とを連結させることで、本体部３０１に対して鏡筒３０３を支える。具体的には、アーム部３０２は、本体部３０１の端部及び鏡筒３０３の端部と結合されることで、本体部３０１に対して鏡筒３０３を固定する。また、アーム部３０２は、本体部３０１から鏡筒３０３に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵している。
【０１０９】
鏡筒３０３は、本体部３０１からアーム部３０２を経由して提供される画像光を、眼鏡３１０のレンズ３１１を透して、ヘッドマウントディスプレイ３００を装着するユーザの目に向かって投射する。このヘッドマウントディスプレイ３００において、本体部３０１に内蔵される表示部として、本開示の液晶表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例３に係るヘッドマウントディスプレイ３００は、その表示部として、本開示の液晶表示装置を用いることによって作製される。
【０１１０】
［具体例４：デジタルスチルカメラの例］
本開示の電子機器の具体例４に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図を図２０に示す。図２０Ａは、デジタルスチルカメラの正面図であり、図２０Ｂは、デジタルスチルカメラの背面図である。
【０１１１】
レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラ４００は、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）４１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）４１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部４１３を有している。そして、カメラ本体部４１１の背面略中央にはモニタ４１４が設けられている。モニタ４１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）４１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ４１５を覗くことによって、撮影レンズユニット４１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。
【０１１２】
上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラ４００において、そのビューファインダ４１５として、本開示の液晶表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例４に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルカメラ４００は、そのビューファインダ４１５として本開示の液晶表示装置を用いることによって作製される。
【０１１３】
＜本開示がとることができる構成＞
尚、本開示は、以下のような構成をとることもできる。
【０１１４】
≪Ａ．液晶表示装置≫
［Ａ−１］画素電極及び第１の配向膜が形成された第１の基板、
共通電極及び第２の配向膜が形成された第２の基板、並びに、
第１の配向膜と第２の配向膜との間に設けられた液晶層を備え、
表示領域における液晶層内に、セルギャップの形成に寄与しない突起を有し、
突起は、下地膜と同じ無機材料から成る、
液晶表示装置。
［Ａ−２］突起は、その底部平坦面が画素電極直下の層間絶縁膜の平坦面と同一面となるように形成されている、
上記［Ａ−１］に記載の液晶表示装置。
［Ａ−３］突起は、平面視で一部に凹み部を有する、
上記［Ａ−１］に記載の液晶表示装置。
［Ａ−４］突起は、その底部平坦面が画素電極直下の層間絶縁膜の平坦面よりも液晶層側に位置するように形成されている、
上記［Ａ−１］に記載の液晶表示装置。
［Ａ−５］突起は、表示領域の遮光部に対して平面視で重ねて配置されている、
上記［Ａ−１］乃至上記［Ａ−４］のいずれかに記載の液晶表示装置。
［Ａ−６］セルギャップを決めるセルギャップスペーサーが設けられており、
突起は、セルギャップスペーサーに対して平面視で重ねて配置されている、
上記［Ａ−１］に記載の液晶表示装置。
［Ａ−７］突起は、表示領域と同一工程で非表示領域にも形成されている、
上記［Ａ−１］に記載の液晶表示装置。
［Ａ−８］非表示領域の突起は、画素電極と同一工程で形成された配線と平面視で重ならないように形成されている、
上記［Ａ−７］に記載の液晶表示装置。
［Ａ−９］セルギャップを決めるセルギャップスペーサーが設けられており、
非表示領域の突起は、セルギャップスペーサーを内包するように平面視で重ねて形成されている、
上記［Ａ−７］に記載の液晶表示装置。
［Ａ−１０］非表示領域の突起は、液晶層のシール領域に形成されている、
上記［Ａ−７］に記載の液晶表示装置。
［Ａ−１１］
突起は、平面視形状が矩形であり、画素の周りの遮光部において、１つの画素の縦横２辺に沿って配置されている、
上記［Ａ−１］に記載の液晶表示装置。
［Ａ−１２］
突起は、突起は、平面視で配向膜の蒸着方向に沿って、画素の開口部に部分的に跨って配置されている、
上記［Ａ−１１］に記載の液晶表示装置。
【０１１５】
≪Ｂ．電子機器≫
［Ｂ−１］画素電極及び第１の配向膜が形成された第１の基板、
共通電極及び第２の配向膜が形成された第２の基板、並びに、
第１の配向膜と第２の配向膜との間に設けられた液晶層を備え、
表示領域における液晶層内に、セルギャップの形成に寄与しない突起を有し、
突起は、下地膜と同じ無機材料から成る、
液晶表示装置を有する電子機器。
［Ｂ−２］突起は、その底部平坦面が画素電極直下の層間絶縁膜の平坦面と同一面となるように形成されている、
上記［Ｂ−１］に記載の電子機器。
［Ｂ−３］突起は、平面視で一部に凹み部を有する、
上記［Ｂ−１］に記載の電子機器。
［Ｂ−４］突起は、その底部平坦面が画素電極直下の層間絶縁膜の平坦面よりも液晶層側に位置するように形成されている、
上記［Ｂ−１］に記載の電子機器。
［Ｂ−５］突起は、表示領域の遮光部に対して平面視で重ねて配置されている、
上記［Ｂ−１］乃至上記［Ｂ−４］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｂ−６］セルギャップを決めるセルギャップスペーサーが設けられており、
突起は、セルギャップスペーサーに対して平面視で重ねて配置されている、
上記［Ｂ−１］に記載の電子機器。
［Ｂ−７］突起は、表示領域と同一工程で非表示領域にも形成されている、
上記［Ｂ−１］に記載の電子機器。
［Ｂ−８］非表示領域の突起は、画素電極と同一工程で形成された配線と平面視で重ならないように形成されている、
上記［Ｂ−７］に記載の電子機器。
［Ｂ−９］セルギャップを決めるセルギャップスペーサーが設けられており、
非表示領域の突起は、セルギャップスペーサーを内包するように平面視で重ねて形成されている、
上記［Ｂ−７］に記載の電子機器。
［Ｂ−１０］非表示領域の突起は、液晶層のシール領域に形成されている、
上記［Ｂ−７］に記載の電子機器。
［Ｂ−１１］
突起は、平面視形状が矩形であり、画素の周りの遮光部において、１つの画素の縦横２辺に沿って配置されている、
上記［Ｂ−１］に記載の電子機器。
［Ｂ−１２］
突起は、突起は、平面視で配向膜の蒸着方向に沿って、画素の開口部に部分的に跨って配置されている、
上記［Ｂ−１１］に記載の電子機器。
【符号の説明】
【０１１６】
１・・・液晶表示装置、１０・・・画素、２０・・・画素アレイ部、２１・・・画素電極、２２・・・第１の配向膜、２３・・・第１の基板（ＴＦＴ基板）、２４・・・共通電極、２５・・・第２の配向膜、２６・・・第２の基板（対向基板）、２７・・・液晶層、２８・・・層間絶縁膜（下地膜）、２９・・・配線層、３０・・・走査線駆動部、４０・・・信号線駆動部、５１1〜５１m・・・走査線、５２1〜５２n・・・信号線、６１・・・セルギャップスペーサー、６２，６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２Ａ，６２Ｂ・・・突起
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【国際調査報告】
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