【手続補正書】
【提出日】平成21年7月10日(2009.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共役ジエンのホモポリマー又はコポリマーの製造方法であって、少なくとも１つの共役ジエンを含むモノマー材料を、２つ以上の異なる遷移金属化合物を含み、触媒系と接触させる工程を含み前記遷移金属化合物が、異なる遷移金属を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記遷移金属が、３〜１０族の遷移金属、ランタニド及びアクチニドから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記遷移金属化合物が、中性、モノアニオン性又はジアニオン性配位子を含有する錯体から選択される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記配位子が、単座、二座、三座又は四座である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記配位子が少なくとも１つのＮ、Ｐ、Ｏ又はＳ原子を含む、請求項３又は４に記載の方法。
【請求項６】
前記遷移金属が、Cr、Mo及びＷから選択される第１遷移金属と、Fe、Co及びNiから選択される第２遷移金属を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記遷移金属がコバルト及びクロムを含む請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記遷移金属化合物のそれぞれの量が、前記化合物のいずれの化合物の濃度も、触媒として用いる遷移金属化合物の総モルに対して0.01モル％より高い量である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記遷移金属化合物のそれぞれの量が、前記化合物のいずれの化合物の濃度も、触媒として用いる遷移金属化合物の総モルに対して少なくとも0.10モル％である量である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記遷移金属化合物の少なくとも１つがメタロセンである、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記遷移金属化合物の少なくとも１つが一般的に下記式(I)で表される、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【化１】
2009503219.tif 000001
（式中、MはY[II]、Y[III]、Sc[II]、Sc[III]、Ti[II]、Ti[III]、Ti[IV]、Zr[II]、Zr[III]、Zr[IV]、Hf[II]、Hf[III]、Hf[IV]、V[II]、V[III]、V[IV]、Nb[II]、Nb[III]、Nb[IV]、Nb[V]、 Ta[II]、Ta[III]、Ta[IV]、Cr[II]、Cr[III]、Mn[II]、Mn[III]、Mn[IV]、Fe[II]、Fe[III]、Ru[II]、Ru[III]、Ru[IV]、Co[II]、Co[III]、Rh[II]、Rh[III]、Ni[II]、Pd[II]であり、Xは、遷移金属Mに共有結合又はイオン結合している原子又は基を表し；Y1はC又はP(Rc)であり；Y2は-O(R7)、-O(この場合、OからMへの結合は共有結合である)、-C(Rb)=O、-C(Rb)=N(R7)、-P(Rb)(Rd)=N(R7)又は-P(Rb)(Rd)=Oであり；Ra、Rb、Rc、Rd、R5及びR7は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル、置換ヘテロヒドロカルビル又はSiR′3から選択され（ここで、各R′は独立に水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル及び置換ヘテロヒドロカルビルから選択される）、かついずれの隣接するRa、Rb、Rc、Rd、R5及びR7も結合して環を形成してよく；Gは、Y1とY2の間の直接結合であるか、又はqが1の場合は架橋基であり；Lは、Mに供与結合している基であり；nは0〜5であり；mは1〜3であり、かつqは1又は2である。）
【請求項１２】
前記遷移金属化合物の少なくとも１つが下記一般式(II)で表される、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【化２】
2009503219.tif 000002
（式中、Xは、遷移金属Mに共有結合又はイオン結合している原子又は基を表し；Lは、Mに供与結合している基であり；Rxは、水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル、置換ヘテロヒドロカルビル又はSiR′3から選択され（ここで、各R′は独立に水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル及び置換ヘテロヒドロカルビルから選択される）；Ra、Rb及びR5は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル、置換ヘテロヒドロカルビル又はSiR′3から選択され；nは0〜5であり；mは1〜3であり、かつqは1又は2である。）
【請求項１３】
前記遷移金属化合物の少なくとも１つが下記式(IV)を有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【化３】
2009503219.tif 000003
（式中、M[T]はTi[II]、Ti[III]、Ti[IV]、Zr[II]、Zr[III]、Zr[IV]、Hf[II]、Hf[III]、Hf[IV]、V[II]、V[III]、V[IV]、Nb[II]、Nb[III]、Nb[IV]、Nb[V]、 Ta[II]、Ta[III]、Ta[IV]、Cr[II]、Cr[III]、Mn[II]、Mn[III]、Mn[IV]、Fe[II]、Fe[III]、Ru[II]、Ru[III]、Ru[IV]、Co[II]、Co[III]、Rh[II]、Rh[III]、Ni[II]、Pd[II]であり；Xは、遷移金属Mに共有結合又はイオン結合している原子又は基を表し；Tは遷移金属Mの酸化状態であり、かつbは原子又は基Xの原子価であり；Y1はC又はP(Rc)であり、A1〜A3は、それぞれ独立にN又はP又はCRであり（但し、少なくとも1つはCRである）；R、Rc、R4及びR6は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル、置換ヘテロヒドロカルビル又はSiR′3から選択され（ここで、各R′は独立に水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル及び置換ヘテロヒドロカルビルから選択される）；R5及びR7は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル、置換ヘテロヒドロカルビル又はSiR′3から選択される（ここで、各R′は独立に水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル及び置換ヘテロヒドロカルビルから選択される）。）
【請求項１４】
前記遷移金属化合物の少なくとも１つが下記式Ｚを有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【化４】
2009503219.tif 000004
（式中、R1、R2及びR3は、それぞれ独立にH、又はC1-C10アルキル、アリール又はアラルキルであり、かつ
R19〜R28は、独立に水素、ハロゲン、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル又は置換ヘテロヒドロカルビルから選択され；R1〜R4、R6及びR19〜R28のいずれか2つ以上がヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル又は置換ヘテロヒドロカルビルの場合、前記R1〜R4、R6及びR19〜R28の2つ以上が結合して1つ以上の環式置換基を形成し得る。）
【請求項１５】
前記遷移金属化合物の少なくとも１つが下記式Ａを有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【化５】
2009503219.tif 000005
（式中、飽和又は不飽和でよく、かつ無置換又はハライド若しくはヒドロカルビル基で置換されていてもよい5員ヘテロ環式基K中、原子A1〜A4は、少なくとも2個の炭素原子と、N、O、P及びSから選択される少なくとも1個の原子とを含み、もしあれば、前記環の残りの原子は窒素及び炭素から選択され；いずれの2つ以上のA1〜A4が1つ以上のさらなる環系を形成してもよく；Mは、周期表の3〜11族の金属又はランタニド金属であり；E1及びE2は単結合及び/又は二重結合連結を有し、かつ置換若しくは無置換炭素原子、又は(i)脂肪族ヒドロカルビル、(ii)脂環式ヒドロカルビル、(iii)芳香族ヒドロカルビル、(iv)アルキル置換芳香族ヒドロカルビル、(v)ヘテロ環式基及び(vi)前記基(i)〜(v)のヘテロ置換誘導体から独立に選択され；Jは、1つ以上の炭素原子を含み；D1及びD2は供与原子又は基であり；Xはアニオン性基、Lは中性供与基であり；m、n及びpは、独立に0又は1であり；y及びzは、独立にゼロ、又はX及びL基の数が金属Mの原子価と酸化状態を満たすような整数である。）
【請求項１６】
Ｄ2とＫが同一のイミダゾール含有基である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記イミダゾール含有基Ｋが下記式Ia〜VIaから選択される基である、請求項１５又は１６に記載の方法。
【化６】
2009503219.tif 000006
2009503219.tif 000007
（式中、基R2〜R11は、独立に水素又は一価の(i)脂肪族ヒドロカルビル、(ii)脂環式ヒドロカルビル、(iii)芳香族ヒドロカルビル、(iv)アルキル置換芳香族ヒドロカルビル、(v)ヘテロ環式基、(vi)前記基(i)〜(v)のヘテロ置換誘導体、及び(vii)ヒドロカルビル置換ヘテロ原子基である。）
【請求項１８】
前記遷移金属化合物が、下記コバルト錯体の１つから選択される、請求項１６に記載の方法。
【化７】
2009503219.tif 000008
2009503219.tif 000009
2009503219.tif 000010
【請求項１９】
前記遷移金属化合物が、下記クロム錯体の１つから選択される、請求項１７に記載の方法。
【化８】
2009503219.tif 000011
【化９】
2009503219.tif 000012
【請求項２０】
前記遷移金属化合物の１つ以上が担体材料上に担持されている、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
前記触媒系が、同じ担体材料上に担持された２つ以上の遷移金属化合物とアクチベーターを含む、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
前記担体材料が、シリカ、アルミナ、又はジルコニア、マグネシア、塩化マグネシウム又はポリマー若しくはプレポリマーから選択される、請求項２０又は２１に記載の方法。
【請求項２３】
共役ジエンのホモポリマー又はコポリマーの製造方法であって、少なくとも１つの共役ジエンを含むモノマー材料を、２つ以上の異なる遷移金属化合物を含み、触媒系と接触させる工程を含み前記遷移金属化合物の少なくとも１つが、下式Ａ
【化１０】
2009503219.tif 000013
（式中、飽和又は不飽和でよく、かつ無置換又はハライド若しくはヒドロカルビル基で置換されていてもよい5員ヘテロ環式基K中、原子A1〜A4は、少なくとも2個の炭素原子と、N、O、P及びSから選択される少なくとも1個の原子とを含み、もしあれば、前記環の残りの原子は窒素及び炭素から選択され；いずれの2つ以上のA1〜A4が1つ以上のさらなる環系を形成してもよく；Mは、周期表の3〜11族の金属又はランタニド金属であり；E1及びE2は単結合及び/又は二重結合連結を有し、かつ置換若しくは無置換炭素原子、又は(i)脂肪族ヒドロカルビル、(ii)脂環式ヒドロカルビル、(iii)芳香族ヒドロカルビル、(iv)アルキル置換芳香族ヒドロカルビル、(v)ヘテロ環式基及び(vi)前記基(i)〜(v)のヘテロ置換誘導体から独立に選択され；Jは、1つ以上の炭素原子を含み；D1及びD2は供与原子又は基であり；Xはアニオン性基、Lは中性供与基であり；m、n及びpは、独立に0又は1であり；y及びzは、独立にゼロ、又はX及びL基の数が金属Mの原子価と酸化状態を満たすような整数である。）
を有することを特徴とする方法。
【請求項２４】
Ｄ2とＫが同一のイミダゾール含有基である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記イミダゾール含有基Ｋが下記式Ia〜VIaから選択される基である、請求項２３又は２４に記載の方法。
【化１１】
2009503219.tif 000014
（式中、基R2〜R11は、独立に水素又は一価の(i)脂肪族ヒドロカルビル、(ii)脂環式ヒドロカルビル、(iii)芳香族ヒドロカルビル、(iv)アルキル置換芳香族ヒドロカルビル、(v)ヘテロ環式基、(vi)前記基(i)〜(v)のヘテロ置換誘導体、及び(vii)ヒドロカルビル置換ヘテロ原子基である。）
【請求項２６】
前記遷移金属化合物が、下記コバルト錯体の１つから選択される、請求項２３に記載の方法。
【化１２】
2009503219.tif 000015
2009503219.tif 000016
2009503219.tif 000017
【請求項２７】
前記遷移金属化合物が、下記クロム錯体の１つから選択される、請求項２４に記載の方法。
【化１３】
2009503219.tif 000018
【化１４】
2009503219.tif 000019
【請求項２８】
前記遷移金属化合物の１つ以上が担体材料上に担持されている、請求項２３〜２７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２９】
前記触媒系が、同じ担体材料上に担持された２つ以上の遷移金属化合物とアクチベーターを含む、請求項２３〜２８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３０】
前記担体材料が、シリカ、アルミナ、又はジルコニア、マグネシア、塩化マグネシウム又はポリマー若しくはプレポリマーから選択される、請求項２３〜２７のいずれか１項に記載の方法。