(57)【要約】  （１）成分及び（２）成分を有し、前記（２）成分は、前記（１）成分の表面の少なくとも一部を覆い、前記（２）成分は、シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物の層と、シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の層と、を有する粒子。  （１）成分：発光性の半導体粒子  （２）成分：被覆層
2020085513.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）成分及び（２）成分を有し、
前記（２）成分は、前記（１）成分の表面の少なくとも一部を覆い、
前記（２）成分は、シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物の層と、シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の層と、を有する粒子。
（１）成分：発光性の半導体粒子
（２）成分：被覆層
【請求項２】
前記シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物が、シラザン改質体、下記式（Ｃ１）で表される化合物（ただし、Ｙ５が単結合であるもの）の改質体、下記式（Ａ５−５１）で表される化合物の改質体、及び下記式（Ａ５−５２）で表される化合物の改質体からなる群より選択される１種以上の化合物であり、
前記シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物が、シラザン改質体、下記式（Ｃ１）で表される化合物の改質体（ただし、Ｙ５が単結合であるものを除く）、下記式（Ｃ２）で表される化合物の改質体、及びケイ酸ナトリウム改質体からなる群より選択される１種以上の化合物である請求項１に記載の粒子。
【化１】
2020085513.tif 000029
（式（Ｃ１）中、Ｙ５は単結合、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｙ５が酸素原子の場合、Ｒ３０及びＲ３１は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。
Ｙ５が単結合又は硫黄原子の場合、Ｒ３０は炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表し、Ｒ３１は水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。
式（Ｃ２）中、Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。
式（Ｃ１）及び式（Ｃ２）において、
Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるアルキル基、シクロアルキル基及び不飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。
ａは１〜３の整数である。
ａが２又は３のとき、複数存在するＹ５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ａが２又は３のとき、複数存在するＲ３０は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ａが２又は３のとき、複数存在するＲ３２は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ａが１又は２のとき、複数存在するＲ３１は、同一であってもよく、異なっていてもよい。）
【化２】
2020085513.tif 000030
（式（Ａ５−５１）及び式（Ａ５−５２）中、ＡＣは２価の炭化水素基であり、Ｙ１５は酸素原子又は硫黄原子である。
Ｒ１２２及びＲ１２３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基を表し、Ｒ１２４は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基を表し、Ｒ１２５及びＲ１２６は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、又は炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基を表す。
Ｒ１２２〜Ｒ１２６で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。）
【請求項３】
前記（１）成分がＡ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物である請求項１又は２に記載の粒子。
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする六面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする八面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する六面体、及びＸを頂点に配置する八面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）
【請求項４】
前記（１）成分の表面の少なくとも一部を覆う表面修飾剤層を有し、
前記表面修飾剤層は、アンモニウムイオン、アミン、第１級〜第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩、式（Ｘ１）〜（Ｘ６）でそれぞれ表される化合物、及び式（Ｘ２）〜（Ｘ４）でそれぞれ表される化合物の塩からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオンを形成材料とする請求項１から３のいずれか１項に記載の粒子。
【化３】
2020085513.tif 000031
【化４】
2020085513.tif 000032
【化５】
2020085513.tif 000033
【化６】
2020085513.tif 000034
【化７】
2020085513.tif 000035
【化８】
2020085513.tif 000036
（式（Ｘ１）中、Ｒ１８〜Ｒ２１はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。Ｍ−はカウンターアニオンを表す。
式（Ｘ２）中、Ａ１は単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２２は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ３）中、Ａ２及びＡ３はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２３及びＲ２４はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ４）中、Ａ４は単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２５は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ５）中、Ａ５〜Ａ７はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２６〜Ｒ２８はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、又は炭素原子数２〜２０のアルキニル基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ６）中、Ａ８〜Ａ１０はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２９〜Ｒ３１はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、又は炭素原子数２〜２０のアルキニル基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
Ｒ１８〜Ｒ３１でそれぞれ表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよい。）
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の粒子と、（３）成分、（４）成分及び（４−１）成分からなる群から選ばれる少なくとも一種の成分を含む組成物。
（３）成分：溶媒
（４）成分：重合性化合物
（４−１）成分：重合体
【請求項６】
請求項５に記載の組成物を形成材料とするフィルム。
【請求項７】
請求項６に記載のフィルムを含む積層構造体。
【請求項８】
請求項７に記載の積層構造体を備える発光装置。
【請求項９】
請求項７に記載の積層構造体を備えるディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粒子、組成物、フィルム、積層構造体、発光装置及びディスプレイに関する。
本願は、２０１８年１０月２６日に、日本に出願された特願２０１８−２０２３５６号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光材料として、高い量子収率を有する発光性の半導体粒子に対する関心が高まっている。一方、発光材料には安定性が求められており、ペロブスカイト化合物を含む組成物として、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシランで被覆されているペロブスカイト化合物が報告されている（非特許文献１）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】Advanced Materials 2016, 28, p.10088−10094
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、非特許文献１に記載されたペロブスカイト化合物を含む組成物は、必ずしも光に対する耐久性が十分ではなかった。すなわち、上述の組成物は、励起光を受光することにより、劣化が進行し、量子収率が低下していた。そのため、光に対する耐久性が高い発光材料が求められている。【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、発光性を有し、光に対する耐久性が高い粒子を提供することを目的とする。また、このような粒子を含む組成物、フィルム、積層構造体を提供することを併せて目的とする。また、このような積層構造体を含む発光装置、ディスプレイを提供することを併せて目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するため、本発明の一態様は、（１）成分及び（２）成分を有し、前記（２）成分は、前記（１）成分の表面の少なくとも一部を覆い、前記（２）成分は、シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物の層と、シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の層と、を有する粒子を提供する。
（１）成分：発光性の半導体粒子
（２）成分：被覆層【０００７】
本発明の一態様においては、前記シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物が、シラザン改質体、下記式（Ｃ１）で表される化合物（ただし、Ｙ５が単結合であるもの）の改質体、下記式（Ａ５−５１）で表される化合物の改質体、及び下記式（Ａ５−５２）で表される化合物の改質体からなる群より選択される１種以上の化合物であり、前記シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物が、シラザン改質体、下記式（Ｃ１）で表される化合物の改質体（ただし、Ｙ５が単結合であるものを除く）、下記式（Ｃ２）で表される化合物の改質体、及びケイ酸ナトリウム改質体からなる群より選択される１種以上の化合物である構成としてもよい。
【化１】
2020085513.tif 000003
（式（Ｃ１）中、Ｙ５は単結合、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｙ５が酸素原子の場合、Ｒ３０及びＲ３１は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。
Ｙ５が単結合又は硫黄原子の場合、Ｒ３０は炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表し、Ｒ３１は水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。
式（Ｃ２）中、Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。
式（Ｃ１）及び式（Ｃ２）において、
Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるアルキル基、シクロアルキル基、不飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。
ａは１〜３の整数である。
ａが２又は３のとき、複数存在するＹ５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ａが２又は３のとき、複数存在するＲ３０は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ａが２又は３のとき、複数存在するＲ３２は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ａが１又は２のとき、複数存在するＲ３１は、同一であってもよく、異なっていてもよい。）
【化２】
2020085513.tif 000004
（式（Ａ５−５１）及び式（Ａ５−５２）中、ＡＣは２価の炭化水素基であり、Ｙ１５は酸素原子又は硫黄原子である。
Ｒ１２２及びＲ１２３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基を表し、Ｒ１２４は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基を表し、Ｒ１２５及びＲ１２６は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、又は炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基を表す。
Ｒ１２２〜Ｒ１２６で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。【０００８】
本発明の一態様においては、前記（１）がＡ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物である構成としてもよい。
（Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする六面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする八面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する六面体、及びＸを頂点に配置する八面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。）【０００９】
本発明の一態様においては、前記（１）の表面の少なくとも一部を覆う表面修飾剤層を有し、前記表面修飾剤層は、アンモニウムイオン、アミン、第１級〜第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩、式（Ｘ１）〜（Ｘ６）でそれぞれ表される化合物、及び式（Ｘ２）〜（Ｘ４）でそれぞれ表される化合物の塩からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオンを形成材料とする構成としてもよい。
【化３】
2020085513.tif 000005
【化４】
2020085513.tif 000006
【化５】
2020085513.tif 000007
【化６】
2020085513.tif 000008
【化７】
2020085513.tif 000009
【化８】
2020085513.tif 000010
（式（Ｘ１）中、Ｒ１８〜Ｒ２１はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。Ｍ−はカウンターアニオンを表す。
式（Ｘ２）中、Ａ１は単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２２は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ３）中、Ａ２及びＡ３はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２３及びＲ２４はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ４）中、Ａ４は単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２５は、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数６〜３０のアリール基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ５）中、Ａ５〜Ａ７はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２６〜Ｒ２８はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、又は炭素原子数２〜２０のアルキニル基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
式（Ｘ６）中、Ａ８〜Ａ１０はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。Ｒ２９〜Ｒ３１はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、又は炭素原子数２〜２０のアルキニル基を表し、それらは置換基を有していてもよい。
Ｒ１８〜Ｒ３１でそれぞれ表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよい。）【００１０】
上記の粒子と、（３）成分、（４）成分及び（４−１）成分からなる群から選ばれる少なくとも一種の成分を含む組成物を提供する。
（３）成分：溶媒
（４）成分：重合性化合物
（４−１）成分：重合体【００１１】
上記の組成物を形成材料とするフィルムを提供する。【００１２】
上記のフィルムを含む積層構造体を提供する。【００１３】
上記の積層構造体を備える発光装置を提供する。【００１４】
上記の積層構造体を備えるディスプレイを提供する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、発光性を有し、光に対する耐久性が高い粒子を提供することができる。また、このような粒子を含み、光に対する耐久性が高い組成物、フィルム、積層構造体を提供することができる。また、このような積層構造体を含み、光に対する耐久性が高い発光装置、ディスプレイを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に係る積層構造体の一実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明に係るディスプレイの一実施形態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、実施形態を示して本発明に係る粒子を詳細に説明する。以下の説明においては、粒子の構造について説明した後、粒子の形成材料、製造方法について順に説明する。
【００１８】
＜＜粒子＞＞
本実施形態の粒子は、発光性を有する。「発光性」とは、光を発する性質を指す。発光性は、電子の励起により発光する性質であることが好ましく、励起光による電子の励起により発光する性質であることがより好ましい。励起光の波長は、例えば、２００ｎｍ〜８００ｎｍであってもよく、２５０ｎｍ〜７５０ｎｍであってもよく、３００ｎｍ〜７００ｎｍであってもよい。
【００１９】
本実施形態の粒子は、（１）発光性の半導体粒子（以下、単に「（１）半導体粒子」ともいう。）及び（２）被覆層を有している。（２）被覆層は、（１）半導体粒子の表面の少なくとも一部を覆っている。
【００２０】
以下の説明においては、本実施形態に係る粒子と、粒子を構成する（１）半導体粒子とを文言上分けるため、本実施形態に係る粒子を「発光性粒子」と称する。
【００２１】
なお、（２）被覆層が（１）半導体粒子の「表面」を覆うとは、（２）被覆層が（１）半導体粒子に直接接して覆うことの他、（２）被覆層が（１）半導体粒子の表面に形成された他の層の表面に直接接して形成され、（１）半導体粒子の表面に直接接することなく覆うことも含む。
【００２２】
（２）被覆層は、（２−１）シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物の層と、（２−２）シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の層とを含む。詳しくは、発光性粒子は、（１）半導体粒子と、（２−１）シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物の層と、（２−２）シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の層と、を有する。
【００２３】
本明細書において、「シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物」とは、シロキサン結合を有するケイ素化合物であって、ケイ素原子から脱離しない有機基を有する化合物をいう。
【００２４】
本明細書において、「シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物」とは、シロキサン結合を有するケイ素化合物であって、ケイ素原子から脱離しない有機基を有しない化合物をいう。
【００２５】
（１）半導体粒子の表面は、少なくとも一部が（２−１）シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物の層で覆われた後に、（２−２）シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の層で覆われているとよい。この場合、（２−１）シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物の層に、（２−２）シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の層が重なっていてもよい。
【００２６】
本実施形態の発光性粒子は、（１）半導体粒子の表面の全体が、（２−１）シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物の層で覆われた後に、さらに（２−１）シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物の層の表面が、（２−２）シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の層で覆われているとよい。
【００２７】
本実施形態の発光性粒子は、（１）半導体粒子と（２）被覆層との間に、表面修飾剤層を有していてもよい。詳しくは、（１）半導体粒子の表面の少なくとも一部を表面修飾剤層で覆い、さらに、表面修飾剤層の表面の少なくとも一部を（２）被覆層が覆っていてもよい。
【００２８】
本実施形態の発光性粒子の形状は球状、歪んだ球状、碁石状、又はラグビーボール状など、特に制限は無い。発光性粒子の平均サイズに、特に制限は無いが、平均のフェレー径が０．１〜３０μｍであり、０．１〜１０μｍが好ましい。平均のフェレー径を算出する方法としては、例えば、透過型電子顕微鏡（以下、ＴＥＭともいう）、又は走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭともいう）を用いて観察した発光性粒子のＴＥＭ像又はＳＥＭ像において、発光性粒子を任意に２０個観察し、その平均値を取る方法が挙げられる。
【００２９】
なお、本明細書において「フェレー径」とは、ＴＥＭ画像又はＳＥＭ画像上において、発光性粒子の像を２本の平行線で挟んだときの平行線の間隔を意味する。
【００３０】
平均のフェレー径を求める際には、複数の発光性粒子のフェレー径を測定する際の平行線を相互に平行とする。例えば、ＳＥＭ画像の視野が矩形である場合、矩形の視野において対向する二辺に平行な２本の平行線で、測定対象となる発光性粒子を挟んだときのフェレー径を求める。
【００３１】
このような本実施形態の発光性粒子においては、以下のような効果が期待できる。
まず、本実施形態の発光性粒子に含まれる（１）発光性の半導体粒子は、水分と反応して劣化し、性能が低下するおそれがある。そのため、本実施形態の発光性粒子では、（１）半導体粒子の表面を（２）被覆層で覆い、（１）半導体粒子と水分との接触を抑制している。
【００３２】
ここで、本実施形態の発光性粒子においては、（２）被覆層が、（２−１）シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物の層と、（２−２）シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の層とを有する。
【００３３】
シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物は、有機基を有する。そのため、発光性粒子が（２）被覆層として（２−１）シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物の層を有する場合、発光性粒子は有機溶媒中に分散しやすく、凝集が抑制されやすい。
【００３４】
一方、シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物は、３次元構造を形成する際に立体障害の原因となる有機基を有さない。そのため、（２−２）シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の層は、（２−１）シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物の層と比べて緻密な層となりやすく、水分を透過させにくい。
【００３５】
本実施形態の発光性粒子は、（２−１）シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物の層の特性と、（２−２）シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の層の特性との相乗効果によって、凝集を抑制しつつ、緻密な保護層を形成することができるため、光照射によって促進される半導体粒子と水分との反応が起こりにくく、光に対する耐久性が高くなると考えられる。
【００３６】
以下、各構成の詳細について説明する。
【００３７】
＜＜（１）半導体粒子＞＞
本実施形態の発光性粒子に含まれる半導体粒子としては、下記（ｉ）〜（viii）を挙げることができる。
（ｉ）ＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体粒子
（ii）ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体を含む半導体粒子
（iii）ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体を含む半導体粒子
（iv）ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体を含む半導体粒子
（ｖ）ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体粒子
（vi）ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体粒子
（vii）遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体を含む半導体粒子
（viii）ペロブスカイト構造を有する化合物半導体を含む半導体粒子
【００３８】
＜（ｉ）ＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体粒子＞
ＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体としては、周期表の第２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体と、周期表の第１２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体とを挙げることができる。
なお、本明細書において、「周期表」とは、長周期型周期表を意味する。
【００３９】
以下の説明では、第２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体を「化合物半導体（ｉ−１）」、第１２族元素と第１６族元素とを含む化合物半導体を「化合物半導体（ｉ−２）」と称することがある。
【００４０】
化合物半導体（ｉ−１）のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＳ、ＣａＳｅ、ＣａＴｅ、ＳｒＳ、ＳｒＳｅ、ＳｒＴｅ、ＢａＳ、ＢａＳｅ、又はＢａＴｅが挙げられる。
【００４１】
また、化合物半導体（ｉ−１）としては、
（ｉ−１−１）第２族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体（ｉ−１−２）第２族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体（ｉ−１−３）第２族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体であってもよい。
【００４２】
化合物半導体（ｉ−２）のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、又はＨｇＴｅが挙げられる。
【００４３】
また、化合物半導体（ｉ−２）としては、
（ｉ−２−１）第１２族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体（ｉ−２−２）第１２族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体（ｉ−２−３）第１２族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体であってもよい。
【００４４】
ＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体は、第２族元素、第１２族元素、及び第１６族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
【００４５】
＜（ii）ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体を含む半導体粒子＞
ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体は、第１２族元素と、第１５族元素とを含む。
【００４６】
ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、Ｚｎ３Ｐ２、Ｚｎ３Ａｓ２、Ｃｄ３Ｐ２、Ｃｄ３Ａｓ２、Ｃｄ３Ｎ２、又はＺｎ３Ｎ２が挙げられる。
【００４７】
また、ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体としては、
（ii−１）第１２族元素を１種類、第１５族元素を２種類含む三元系の化合物半導体（ii−２）第１２族元素を２種類、第１５族元素を１種類含む三元系の化合物半導体（ii−３）第１２族元素を２種類、第１５族元素を２種類含む四元系の化合物半導体であってもよい。
【００４８】
ＩＩ族−Ｖ族化合物半導体は、第１２族元素、及び第１５族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
【００４９】
＜（iii）ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体を含む半導体粒子＞
ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体は、第１３族元素と、第１５族元素とを含む。
【００５０】
ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＢＰ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＮ、又はＢＮが挙げられる。
【００５１】
また、ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体としては、
（iii−１）第１３族元素を１種類、第１５族元素を２種類含む三元系の化合物半導体（iii−２）第１３族元素を２種類、第１５族元素を１種類含む三元系の化合物半導体（iii−３）第１３族元素を２種類、第１５族元素を２種類含む四元系の化合物半導体であってもよい。
【００５２】
ＩＩＩ族−Ｖ族化合物半導体は、第１３族元素、及び第１５族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
【００５３】
＜（iv）ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体を含む半導体粒子＞
ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体は、第１３族元素と、第１４族元素とを含む。
【００５４】
ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、Ｂ４Ｃ３、Ａｌ４Ｃ３、Ｇａ４Ｃ３が挙げられる。
【００５５】
また、ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体としては、
（iv−１）第１３族元素を１種類、第１４族元素を２種類含む三元系の化合物半導体（iv−２）第１３族元素を２種類、第１４族元素を１種類含む三元系の化合物半導体（iv−３）第１３族元素を２種類、第１４族元素を２種類含む四元系の化合物半導体であってもよい。
【００５６】
ＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体は、第１３族元素、及び第１４族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
【００５７】
＜（ｖ）ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体粒子＞
ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体は、第１３族元素と、第１６族元素とを含む。
【００５８】
ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、Ａｌ２Ｓ３、Ａｌ２Ｓｅ３、Ａｌ２Ｔｅ３、Ｇａ２Ｓ３、Ｇａ２Ｓｅ３、Ｇａ２Ｔｅ３、ＧａＴｅ、Ｉｎ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｓｅ３、Ｉｎ２Ｔｅ３、又はＩｎＴｅが挙げられる。
【００５９】
また、ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体としては、
（ｖ−１）第１３族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体（ｖ−２）第１３族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体（ｖ−３）第１３族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体であってもよい。
【００６０】
ＩＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体は、第１３族元素、及び第１６族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
【００６１】
＜（vi）ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体を含む半導体粒子＞
ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体は、第１４族元素と、第１６族元素とを含む。
【００６２】
ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、又はＳｎＴｅが挙げられる。
【００６３】
また、ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体としては、
（vi−１）第１４族元素を１種類、第１６族元素を２種類含む三元系の化合物半導体（vi−２）第１４族元素を２種類、第１６族元素を１種類含む三元系の化合物半導体（vi−３）第１４族元素を２種類、第１６族元素を２種類含む四元系の化合物半導体であってもよい。
【００６４】
ＩＶ族−ＶＩ族化合物半導体は、第１４族元素、及び第１６族元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
【００６５】
＜（vii）遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体を含む半導体粒子＞
遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体は、遷移金属元素と、ｐ−ブロック元素とを含む。「ｐ−ブロック元素」とは、周期表の第１３族から第１８族に属する元素である。
【００６６】
遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体のうち、二元系の化合物半導体としては、例えば、ＮｉＳ、ＣｒＳが挙げられる。
【００６７】
また、遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体としては、（vii−１）遷移金属元素を１種類、ｐ−ブロック元素を２種類含む三元系の化合物半導体（vii−２）遷移金属元素を２種類、ｐ−ブロック元素を１種類含む三元系の化合物半導体（vii−３）遷移金属元素を２種類、ｐ−ブロック元素を２種類含む四元系の化合物半導体であってもよい。
【００６８】
遷移金属−ｐ−ブロック化合物半導体は、遷移金属元素、及びｐ−ブロック元素以外の元素をドープ元素として含んでいてもよい。
【００６９】
上述の三元系の化合物半導体や四元系の化合物半導体の具体例としては、ＺｎＣｄＳ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＺｎＣｄＳＳｅ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＰＡｓ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＰＡｓ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＰＡｓ、ＧａＡｌＮＰ、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＣｕＩｎＳ２、又はＩｎＡｌＰＡｓ等が挙げられる。
【００７０】
本実施形態の発光性粒子においては、上述の化合物半導体の中でも、第１２族元素であるＣｄを含む化合物半導体、及び第１３族元素であるＩｎを含む化合物半導体が好ましい。また、本実施形態の発光性粒子においては、上述の化合物半導体の中でも、ＣｄとＳｅとを含む化合物半導体、及びＩｎとＰとを含む化合物半導体が好ましい。
【００７１】
ＣｄとＳｅとを含む化合物半導体は、二元系の化合物半導体、三元系の化合物半導体、四元系の化合物半導体のいずれも好ましい。中でも、二元系の化合物半導体であるＣｄＳｅが特に好ましい。
【００７２】
ＩｎとＰとを含む化合物半導体は、二元系の化合物半導体、三元系の化合物半導体、四元系の化合物半導体のいずれも好ましい。中でも、二元系の化合物半導体であるＩｎＰが特に好ましい。
【００７３】
＜（viii）ペロブスカイト構造を有する化合物半導体を含む半導体粒子＞
ペロブスカイト構造を有する化合物半導体は、Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト型結晶構造を有する。以下の説明においては、ペロブスカイト構造を有する化合物半導体を、単に「ペロブスカイト化合物」と称することがある。
【００７４】
Ａは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする六面体の各頂点に位置する成分であって、１価の陽イオンである。
Ｂは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ａを頂点に配置する六面体、及びＸを頂点に配置する八面体の中心に位置する成分であって、金属イオンである。ＢはＸの八面体配位をとることができる金属カチオンである。
Ｘは、ペロブスカイト型結晶構造において、Ｂを中心とする八面体の各頂点に位置する成分を表し、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンである。
【００７５】
Ａ、Ｂ、及びＸを構成成分とするペロブスカイト化合物としては、特に限定されず、３次元構造、２次元構造、疑似２次元（ｑｕａｓｉ−２Ｄ）構造のいずれの構造を有する化合物であってもよい。
３次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、ＡＢＸ（３＋δ）で表される。
２次元構造の場合、ペロブスカイト化合物の組成式は、Ａ２ＢＸ（４＋δ）で表される。
【００７６】
ここで、δは、Ｂの電荷バランスに応じて適宜変更が可能な数であり、−０．７以上０．７以下である。例えば、Ａが１価の陽イオン、Ｂが２価の陽イオン、Ｘが１価の陰イオンである場合、ペロブスカイト化合物が電気的に中性となるようにδを選択することができる。ペロブスカイト化合物が電気的に中性とは、ペロブスカイト化合物の電荷が０であることを意味する。
【００７７】
ペロブスカイト化合物は、Ｂを中心とし、頂点をＸとする八面体を含む。八面体は、ＢＸ６で表される。
ペロブスカイト化合物が３次元構造を有する場合、ペロブスカイト化合物に含まれるＢＸ６は、八面体（ＢＸ６）において頂点に位置する１つのＸを、結晶中で隣り合う２つの八面体（ＢＸ６）で共有することで、３次元ネットワークを構成する。
【００７８】
ペロブスカイト化合物が２次元構造を有する場合、ペロブスカイト化合物に含まれるＢＸ６は、八面体（ＢＸ６）において頂点に位置する２つのＸを、結晶中で隣り合う２つの八面体（ＢＸ６）で共有することで八面体の稜線を共有し、２次元的に連なった層を構成する。ペロブスカイト化合物では、２次元的に連なったＢＸ６からなる層と、Ａからなる層と、が交互に積層された構造を有する。
【００７９】
本明細書において、ペロブスカイト化合物の結晶構造は、Ｘ線回折パターンにより確認することができる。
【００８０】
ペロブスカイト化合物が３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、通常、Ｘ線回折パターンにおいて、２θ＝１２〜１８°の位置に、（ｈｋｌ）＝（００１）に由来するピークが確認される。又は２θ＝１８〜２５°の位置に、(ｈｋｌ)＝（１１０）に由来するピークが確認される。
【００８１】
ペロブスカイト化合物が３次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、２θ＝１３〜１６°の位置に、(ｈｋｌ)＝（００１）に由来するピークが確認される、又は２θ＝２０〜２３°の位置に、(ｈｋｌ)＝（１１０）に由来するピークが確認されることが好ましい。
【００８２】
ペロブスカイト化合物が２次元構造のペロブスカイト型結晶構造を有する場合、通常、Ｘ線回折パターンにおいて、２θ＝１〜１０°の位置に、(ｈｋｌ)＝（００２）由来のピークが確認される。また、２θ＝２〜８°の位置に、(ｈｋｌ)＝（００２）由来のピークが確認されることが好ましい。
【００８３】
ペロブスカイト化合物は、３次元構造を有することが好ましい。
【００８４】
（構成成分Ａ）
ペロブスカイト化合物を構成するＡは、１価の陽イオンである。Ａとしては、セシウムイオン、有機アンモニウムイオン、又はアミジニウムイオンが挙げられる。
【００８５】
（有機アンモニウムイオン）
Ａの有機アンモニウムイオンとして具体的には、下記式（Ａ３）で表される陽イオンが挙げられる。
【００８６】
【化９】
2020085513.tif 000011
【００８７】
式（Ａ３）中、Ｒ６〜Ｒ９は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。但し、Ｒ６〜Ｒ９は、少なくとも１つがアルキル基又はシクロアルキル基であり、Ｒ６〜Ｒ９の全てが同時に水素原子となることはない。
【００８８】
Ｒ６〜Ｒ９で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。また、Ｒ６〜Ｒ９で表されるアルキル基は、それぞれ独立に置換基としてアミノ基を有していてもよい。
【００８９】
Ｒ６〜Ｒ９がアルキル基である場合、炭素原子数は、それぞれ独立に通常１〜２０であり、１〜４であることが好ましく、１〜３であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。
【００９０】
Ｒ６〜Ｒ９で表されるシクロアルキル基は、それぞれ独立に置換基として、アミノ基を有していてもよい。
【００９１】
Ｒ６〜Ｒ９で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常３〜３０であり、３〜１１であることが好ましく、３〜８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
【００９２】
Ｒ６〜Ｒ９で表される基としては、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。
【００９３】
ペロブスカイト化合物が、Ａとして上記式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンを含む場合、式（Ａ３）に含まれ得るアルキル基及びシクロアルキル基の数は少ないとよい。また、式（Ａ３）に含まれ得るアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数は小さいとよい。これにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト化合物を得ることができる。
【００９４】
式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンにおいて、Ｒ６〜Ｒ９で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子数の合計数は１〜４であることが好ましい。また、式（Ａ３）で表される有機アンモニウムイオンにおいて、Ｒ６〜Ｒ９のうちの１つが炭素原子数１〜３のアルキル基であり、Ｒ６〜Ｒ９のうちの３つが水素原子であることがより好ましい。
【００９５】
Ｒ６〜Ｒ９のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基が例示できる。
【００９６】
Ｒ６〜Ｒ９のシクロアルキル基としては、それぞれ独立にＲ６〜Ｒ９のアルキル基で例示した炭素原子数３以上のアルキル基が環を形成したものが挙げられる。一例として、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基等を例示できる。
【００９７】
Ａで表される有機アンモニウムイオンとしては、ＣＨ３ＮＨ３＋（メチルアンモニウムイオンともいう。）、Ｃ２Ｈ５ＮＨ３＋（エチルアンモニウムイオンともいう。）又はＣ３Ｈ７ＮＨ３＋（プロピルアンモニウムイオンともいう。）であることが好ましく、ＣＨ３ＮＨ３＋又はＣ２Ｈ５ＮＨ３＋であることより好ましく、ＣＨ３ＮＨ３＋であることがさらに好ましい。
【００９８】
（アミジニウムイオン）
Ａで表されるアミジニウムイオンとしては、例えば、下記式（Ａ４）で表されるアミジニウムイオンが挙げられる。
（Ｒ１０Ｒ１１Ｎ＝ＣＨ−ＮＲ１２Ｒ１３）＋・・・（Ａ４）
【００９９】
式（Ａ４）中、Ｒ１０〜Ｒ１３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基としてアミノ基を有していてもよいアルキル基、又は置換基としてアミノ基を有していてもよいシクロアルキル基を表す。
【０１００】
Ｒ１０〜Ｒ１３で表されるアルキル基は、それぞれ独立に直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。また、Ｒ１０〜Ｒ１３で表されるアルキル基は、それぞれ独立に置換基としてアミノ基を有していてもよい。
【０１０１】
Ｒ１０〜Ｒ１３で表されるアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常１〜２０であり、１〜４であることが好ましく、１〜３であることがより好ましい。
【０１０２】
Ｒ１０〜Ｒ１３で表されるシクロアルキル基は、それぞれ独立に置換基として、アミノ基を有していてもよい。
【０１０３】
Ｒ１０〜Ｒ１３で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に通常３〜３０であり、３〜１１であることが好ましく、３〜８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
【０１０４】
Ｒ１０〜Ｒ１３のアルキル基の具体例としては、それぞれ独立にＲ６〜Ｒ９において例示したアルキル基と同じ基が挙げられる。
Ｒ１０〜Ｒ１３のシクロアルキル基の具体例としては、それぞれ独立にＲ６〜Ｒ９において例示したシクロアルキル基と同じ基が挙げられる。
【０１０５】
Ｒ１０〜Ｒ１３で表される基としては、それぞれ独立に水素原子又はアルキル基が好ましい。
【０１０６】
式（Ａ４）に含まれる、アルキル基及びシクロアルキル基の数を少なくすること、並びにアルキル基及びシクロアルキル基の炭素原子数を小さくすることにより、発光強度が高い３次元構造のペロブスカイト化合物を得ることができる。
【０１０７】
アミジニウムイオンにおいて、Ｒ１０〜Ｒ１３で表されるアルキル基及びシクロアルキル基に含まれる炭素原子数の合計数は１〜４であることが好ましく、Ｒ１０が炭素原子数１〜３のアルキル基であり、Ｒ１１〜Ｒ１３が水素原子であることがより好ましい。
【０１０８】
ペロブスカイト化合物において、Ａがセシウムイオン、炭素原子数が３以下の有機アンモニウムイオン、又は炭素原子数が３以下のアミジニウムイオンである場合、一般的にペロブスカイト化合物は３次元構造を有する。
【０１０９】
ペロブスカイト化合物において、Ａが炭素原子数４以上の有機アンモニウムイオン、又は炭素原子数４以上のアミジニウムイオンである場合、ペロブスカイト化合物は、２次元構造及び擬似２次元（ｑｕａｓｉ−２Ｄ）構造のいずれか一方又は両方を有する。この場合、ペロブスカイト化合物は、２次元構造又は疑似２次元構造を、結晶の一部又は全体に有することができる。
２次元のペロブスカイト型結晶構造が複数積層すると３次元のペロブスカイト型結晶構造と同等になる（参考文献：Ｐ．ＰＢｏｉｘら、Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．２０１５，６，８９８−９０７など）。
【０１１０】
ペロブスカイト化合物中のＡは、セシウムイオン、又はアミジニウムイオンが好ましい。
【０１１１】
（構成成分Ｂ）
ペロブスカイト化合物を構成するＢは、１価の金属イオン、２価の金属イオン、及び３価の金属イオンからなる群より選ばれる１種類以上の金属イオンであってよい。Ｂは２価の金属イオンを含むことが好ましく、鉛、及びスズからなる群より選ばれる１種類以上の金属イオンを含むことがより好ましく、鉛がさらに好ましい。
【０１１２】
（構成成分Ｘ）
ペロブスカイト化合物を構成するＸは、ハロゲン化物イオン、及びチオシアン酸イオンからなる群より選ばれる少なくとも一種の陰イオンであってよい。
【０１１３】
ハロゲン化物イオンとしては、塩化物イオン、臭化物イオン、フッ化物イオン、ヨウ化物イオンを挙げることができる。Ｘは、臭化物イオンであることが好ましい。
【０１１４】
Ｘが２種以上のハロゲン化物イオンである場合、ハロゲン化物イオンの含有比率は、発光波長により適宜選ぶことができる。例えば、臭化物イオンと塩化物イオンとの組み合わせ、又は、臭化物イオンとヨウ化物イオンとの組み合わせとすることができる。
【０１１５】
Ｘは、所望の発光波長に応じて適宜選択することができる。
【０１１６】
Ｘが臭化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常４８０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以上、より好ましくは５２０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
【０１１７】
また、Ｘが臭化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常７００ｎｍ以下、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは５８０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
【０１１８】
ペロブスカイト化合物中のＸが臭化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常４８０〜７００ｎｍであり、５００〜６００ｎｍであることが好ましく、５２０〜５８０ｎｍであることがより好ましい。
【０１１９】
Ｘがヨウ化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常５２０ｎｍ以上、好ましくは５３０ｎｍ以上、より好ましくは５４０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
【０１２０】
また、Ｘがヨウ化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常８００ｎｍ以下、好ましくは７５０ｎｍ以下、より好ましくは７３０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
【０１２１】
ペロブスカイト化合物中のＸがヨウ化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常５２０〜８００ｎｍであり、５３０〜７５０ｎｍであることが好ましく、５４０〜７３０ｎｍであることがより好ましい。
【０１２２】
Ｘが塩化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常３００ｎｍ以上、好ましくは３１０ｎｍ以上、より好ましくは３３０ｎｍ以上の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
【０１２３】
また、Ｘが塩化物イオンであるペロブスカイト化合物は、通常６００ｎｍ以下、好ましくは５８０ｎｍ以下、より好ましくは５５０ｎｍ以下の波長範囲に強度の極大ピークがある蛍光を発することができる。
上記波長範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
【０１２４】
ペロブスカイト化合物中のＸが塩化物イオンの場合、発する蛍光のピークは、通常３００〜６００ｎｍであり、３１０〜５８０ｎｍであることが好ましく、３３０〜５５０ｎｍであることがより好ましい。
【０１２５】
（３次元構造のペロブスカイト化合物の例示）
ＡＢＸ（３＋δ）で表される３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＣｌ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＢｒ（３−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）ＰｂＢｒ３、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）ＰｂＣｌ３、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）ＰｂＩ３を挙げることができる。
【０１２６】
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＣａａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＳｒａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＬａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＢａａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＤｙａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７）も挙げることができる。
【０１２７】
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）も挙げることができる。
【０１２８】
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣｓＰｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、ＣｓＰｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）も挙げることができる。
【０１２９】
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）も挙げることができる。
【０１３０】
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７，−０．７≦δ＜０，０＜ｙ＜３）も挙げることができる。
【０１３１】
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣｓＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＣｌ３、ＣｓＰｂＩ３、ＣｓＰｂＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）、ＣｓＰｂＢｒ（３−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜３）も挙げることができる。
【０１３２】
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７、０≦δ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。
【０１３３】
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣｓＰｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１−ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ）（０＜ａ≦０．７、０＜δ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、ＣｓＰｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。
【０１３４】
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，０＜δ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７，０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ（３−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＡｌａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜δ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ（３＋δ−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ（３−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、ＣＨ３ＮＨ３Ｐｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ（３−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）も挙げることができる。
【０１３５】
３次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）ＺｎａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）ＭｇａＢｒ３（０＜ａ≦０．７）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ（３−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜３）も挙げることができる。
【０１３６】
上述した３次元構造のペロブスカイト化合物の中でも、ＣｓＰｂＢｒ３、ＣｓＰｂＢｒ（３−ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜３）、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）ＰｂＢｒ３がより好ましく、（Ｈ２Ｎ＝ＣＨ−ＮＨ２）ＰｂＢｒ３がさらに好ましい。
【０１３７】
（２次元構造のペロブスカイト化合物の例示）
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＣｌ４、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＩ４、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２ＰｂＣｌ４、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２ＰｂＩ４、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）を挙げることができる。
【０１３８】
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ）（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０）も挙げることができる。
【０１３９】
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。
【０１４０】
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＮａａＢｒ（４＋δ−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＬｉａＢｒ（４＋δ−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＲｂａＢｒ（４＋δ−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、−０．７≦δ＜０、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。
【０１４１】
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２ＰｂＢｒ４も挙げることができる。
【０１４２】
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＢｒ（４−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２ＰｂＢｒ（４−ｙ）Ｉｙ（０＜ｙ＜４）も挙げることができる。
【０１４３】
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。
【０１４４】
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）、（Ｃ７Ｈ１５ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ４（０＜ａ≦０．７）も挙げることができる。
【０１４５】
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ（４−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ（４−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ（４−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ（４−ｙ）Ｉｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。
【０１４６】
２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい例としては、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＺｎａＢｒ（４−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＭｇａＢｒ（４−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＣｏａＢｒ（４−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）、（Ｃ４Ｈ９ＮＨ３）２Ｐｂ（１−ａ）ＭｎａＢｒ（４−ｙ）Ｃｌｙ（０＜ａ≦０．７、０＜ｙ＜４）も挙げることができる。
【０１４７】
（半導体粒子の粒径）
発光性粒子に含まれる（１）半導体粒子の平均粒径は、特に限定されるものではないが、良好に結晶構造を維持させることができるため、１ｎｍ以上であることが好ましい。半導体粒子の平均粒径は、２ｎｍ以上であることがより好ましく、３ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
【０１４８】
また、半導体粒子の平均粒径は、所望の発光特性を維持しやすくなるため、１０μｍ以下であることが好ましい。半導体粒子の平均粒径は、１μｍ以下であることがより好ましく、５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。なお、「発光特性」とは、発光性の半導体粒子に励起光を照射して得られる変換光の量子収率、発光強度、色純度などの光学物性を指す。色純度は、変換光のスペクトルの半値幅で評価することができる。
【０１４９】
半導体粒子の平均粒径の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
例えば、半導体粒子の平均粒径は、１ｎｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、２ｎｍ以上１μｍ以下であることがより好ましく、３ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【０１５０】
本明細書において、半導体粒子の平均粒径は、例えばＴＥＭ、又はＳＥＭにより測定することができる。具体的には、ＴＥＭ、又はＳＥＭにより、２０個の半導体粒子の最大フェレー径を測定し、測定値の算術平均値である平均最大フェレー径を計算することにより、平均粒径を求めることができる。
本明細書において「最大フェレー径」とは、ＴＥＭ又はＳＥＭ画像上において、半導体粒子を挟む２本の平行な直線の最大距離を意味する。
【０１５１】
また、発光性粒子に含まれる（１）半導体粒子の平均粒径については、例えば走査透過電子顕微鏡法（ＳＴＥＭ）を用いたエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）測定（ＳＴＥＭ−ＥＤＸ測定）により、（１）半導体粒子に含まれる元素の元素分布を求め、得られる元素分布像から求めることができる。元素分布像から、２０個の半導体粒子の最大フェレー径を測定し、測定値の算術平均値である平均最大フェレー径を計算することにより、平均粒径を求めることができる。
【０１５２】
（１）半導体粒子のメディアン径（Ｄ５０）は、特に限定されるものではないが、良好に結晶構造を維持させることができるため、３ｎｍ以上であることが好ましい。半導体粒子のメディアン径は、４ｎｍ以上であることがより好ましく、５ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
【０１５３】
また、半導体粒子のメディアン径（Ｄ５０）は、所望の発光特性を維持しやすくなるため、５μｍ以下であることが好ましい。半導体粒子の平均粒径は、５００ｎｍ以下であることがより好ましく、１００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【０１５４】
半導体粒子のメディアン径（Ｄ５０）の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
例えば、半導体粒子のメディアン径（Ｄ５０）は、３ｎｍ以上５μｍ以下であることが好ましく、４ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることがより好ましく、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【０１５５】
本明細書において、半導体粒子の粒度分布は、例えばＴＥＭ、ＳＥＭにより測定することができる。具体的には、ＴＥＭ、又はＳＥＭにより、２０個の半導体粒子の最大フェレー径を観察し、最大フェレー径の分布から、メディアン径（Ｄ５０）を求めることができる。
【０１５６】
本実施形態の粒子においては、上述の半導体粒子を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【０１５７】
＜＜（２）被覆層＞＞
本実施形態の発光性粒子は、上述の半導体粒子の表面の少なくとも一部を覆う被覆層を有する。被覆層は、下記（２−１）及び下記（２−２）を含む。
（２−１）シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物の層
（２−２）シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の層
【０１５８】
本明細書において、「シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物」とは、シロキサン結合を有するケイ素化合物であって、ケイ素原子から脱離しない有機基を有する化合物をいう。
【０１５９】
本明細書において、「シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物」とは、シロキサン結合を有するケイ素化合物であって、ケイ素原子から脱離しない有機基を有しない化合物をいう。
【０１６０】
本実施形態の粒子が有する被覆層は、後述のシロキサン結合を有する有機ケイ素化合物を１種のみ有していてもよく、２種以上を併用してもよい。
【０１６１】
本実施形態の粒子が有する被覆層は、後述のシロキサン結合を有する無機ケイ素化合物を１種のみ有していてもよく、２種以上を併用してもよい。
【０１６２】
シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物、及びシロキサン結合を有する無機ケイ素化合物としては、シラザン改質体、下記式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、下記式（Ｃ２）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５−５１）で表される化合物の改質体、下記式（Ａ５−５２）で表される化合物の改質体、及びケイ酸ナトリウム改質体からなる群より選択される１種以上の化合物を挙げることができる。
【０１６３】
本明細書において「改質」とは、Ｓｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−ＳＲ結合（Ｒは水素原子又は有機基）又はＳｉ−ＯＲ結合（Ｒは水素原子又は有機基）を有するケイ素化合物が加水分解し、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有するケイ素化合物が生成することをいう。Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合は、分子間の縮合反応で生成してもよく、分子内の縮合反応で生成してもよい。
【０１６４】
本明細書において「改質体」とは、Ｓｉ−Ｎ結合、Ｓｉ−ＳＲ結合又はＳｉ−ＯＲ結合を有するケイ素化合物を改質することにより得られた化合物をいう。
【０１６５】
以下、「シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物」、「シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物」である各改質体について順に説明する。
【０１６６】
（１．シラザン改質体）
シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物、及びシロキサン結合を有する無機ケイ素化合物としては、シラザン改質体であってもよい。
【０１６７】
シラザンは、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合を有する化合物である。シラザンは、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のいずれであってもよい。
【０１６８】
シラザンは、低分子シラザンであっても、高分子シラザンであってもよい。本明細書では、高分子シラザンをポリシラザンと記載することがある。
【０１６９】
本明細書において「低分子」とは、数平均分子量が６００未満であることを意味する。
また、本明細書において「高分子」とは、数平均分子量が６００以上２０００以下であることを意味する。
【０１７０】
本明細書において「数平均分子量」とは、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値を意味する。
【０１７１】
（１−１．低分子シラザンの改質体１）
シラザン改質体としては、例えば、低分子シラザンである下記式（Ｂ１）で表されるジシラザンの改質体であることが好ましい。
【０１７２】
【化１０】
2020085513.tif 000012
【０１７３】
式（Ｂ１）中、Ｒ１４及びＲ１５は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルケニル基、炭素原子数３〜２０のシクロアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、又は炭素原子数１〜２０のアルキルシリル基を表す。
【０１７４】
Ｒ１４及びＲ１５は、アミノ基などの置換基を有していてもよい。複数あるＲ１５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１７５】
式（Ｂ１）で表される低分子シラザンとしては、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシラザン、１，３−ジフェニルテトラメチルジシラザン、及び１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザンが挙げられる。
【０１７６】
上記式（Ｂ１）において、複数あるＲ１５のうち、少なくともいずれか１つが上述のアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、又はアルキルシリル基であるジシラザンの改質体は、「シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物」に該当する。
【０１７７】
また、上記式（Ｂ１）において、複数あるＲ１５の全てが水素原子であるジシラザンの改質体は、「シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物」に該当する。
【０１７８】
（１−２．低分子シラザンの改質体２）
シラザン改質体としては、例えば、下記式（Ｂ２）で表される低分子シラザンの改質体も好ましい。
【０１７９】
【化１１】
2020085513.tif 000013
【０１８０】
式（Ｂ２）中、Ｒ１４、及びＲ１５は、上記式（Ｂ１）におけるＲ１４、及びＲ１５と同様である。
【０１８１】
複数あるＲ１４は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
複数あるＲ１５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１８２】
式（Ｂ２）中、ｎ１は１以上２０以下の整数を表す。ｎ１は、１以上１０以下の整数でもよく、１又は２でもよい。
【０１８３】
式（Ｂ２）で表される低分子シラザンとしては、オクタメチルシクロテトラシラザン、２，２，４，４，６，６−ヘキサメチルシクロトリシラザン、及び２，４，６−トリメチル−２，４，６−トリビニルシクロトリシラザンが挙げられる。
【０１８４】
上記式（Ｂ２）において、複数あるＲ１５のうち、少なくともいずれか１つが上述のアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、又はアルキルシリル基である低分子シラザンの改質体は、「シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物」に該当する。
【０１８５】
また、上記式（Ｂ２）において、複数あるＲ１５の全てが水素原子である低分子シラザンの改質体は、「シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物」に該当する。
【０１８６】
低分子のシラザンとしては、オクタメチルシクロテトラシラザン、及び１，３−ジフェニルテトラメチルジシラザンが好ましく、オクタメチルシクロテトラシラザンがより好ましい。
【０１８７】
（１−３．高分子シラザンの改質体１）
シラザン改質体としては、例えば、下記式（Ｂ３）で表される高分子シラザン（ポリシラザン）の改質体が好ましい。
【０１８８】
ポリシラザンは、Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ結合を有する高分子化合物である。式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位は、一種であっても、複数種であってもよい。
【０１８９】
【化１２】
2020085513.tif 000014
【０１９０】
式（Ｂ３）中、Ｒ１４、及びＲ１５は、上記式（Ｂ１）におけるＲ１４、及びＲ１５と同様である。
【０１９１】
式（Ｂ３）中、＊は、結合手を表す。分子鎖末端のＮ原子の結合手には、Ｒ１４が結合している。
分子鎖末端のＳｉ原子の結合手には、Ｒ１５が結合している。
【０１９２】
複数あるＲ１４は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
複数あるＲ１５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１９３】
ｍは、２以上１００００以下の整数を表す。
【０１９４】
式（Ｂ３）で表されるポリシラザンは、例えば、Ｒ１４、及びＲ１５のすべてが水素原子であるパーヒドロポリシラザンでもよい。
【０１９５】
また、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンは、例えば、少なくとも１つのＲ１５が水素原子以外の基であるオルガノポリシラザンであってもよい。用途に応じて、適宜にパーヒドロポリシラザンとオルガノポリシラザンを選択してよく、混合して使用することもできる。
【０１９６】
上記式（Ｂ３）において、複数あるＲ１５のうち、少なくともいずれか１つが上述のアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、又はアルキルシリル基である高分子シラザンの改質体は、「シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物」に該当する。
【０１９７】
また、上記式（Ｂ３）において、複数あるＲ１５の全てが水素原子である高分子シラザンの改質体は、「シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物」に該当する。
【０１９８】
（１−４．高分子シラザンの改質体２）
シラザン改質体としては、例えば、下記式（Ｂ４）で表される構造を有するポリシラザンの改質体も好ましい。
【０１９９】
ポリシラザンは、分子内の一部に環構造を有していてもよく、例えば、式（Ｂ４）で表される構造を有していてもよい。
【０２００】
【化１３】
2020085513.tif 000015
【０２０１】
式（Ｂ４）中、＊は、結合手を表す。
式（Ｂ４）の結合手は、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの結合手、又は式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位の結合手と結合していてもよい。
【０２０２】
また、ポリシラザンが、分子内に複数の式（Ｂ４）で表される構造を含む場合、式（Ｂ４）で表される構造の結合手は、他の式（Ｂ４）で表される構造の結合手と直接結合していてもよい。
【０２０３】
式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの結合手、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位の結合手、及び他の式（Ｂ４）で表される構造の結合手のいずれとも結合していないＮ原子の結合手には、Ｒ１４が結合している。
【０２０４】
式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの結合手、式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの構成単位の結合手、及び他の式（Ｂ４）で表される構造の結合手のいずれとも結合していないＳｉ原子の結合手には、Ｒ１５が結合している。
【０２０５】
ｎ２は、１以上１００００以下の整数を表す。ｎ２は、１以上１０以下の整数でもよく、１又は２でもよい。
【０２０６】
一般的なポリシラザンは、例えば、直鎖構造と、６員環、又は８員環等の環構造とが存在した構造、すなわち上記（Ｂ３）及び上記（Ｂ４）で表される構造を有する。一般的なポリシラザンの分子量は、数平均分子量（Ｍｎ）で６００〜２０００程度（ポリスチレン換算）であり、分子量によって液体又は固体の物質でありうる。
【０２０７】
ポリシラザンは、市販品を使用してもよく、市販品としては、ＮＮ１２０−１０、ＮＮ１２０−２０、ＮＡＸ１２０−２０、ＮＮ１１０、ＮＡＸ１２０、ＮＡＸ１１０、ＮＬ１２０Ａ、ＮＬ１１０Ａ、ＮＬ１５０Ａ、ＮＰ１１０、ＮＰ１４０（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製）並びに、ＡＺＮＮ−１２０−２０、Ｄｕｒａｚａｎｅ（登録商標）１５００  Ｓｌｏｗ  Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００  Ｒａｐｉｄ  Ｃｕｒｅ、Ｄｕｒａｚａｎｅ１８００、及びＤｕｒａｚａｎｅ１０３３（メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）等が挙げられる。
【０２０８】
上述のポリシラザンのうち、ＡＺＮＮ−１２０−２０は、シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の原料として好ましい。
【０２０９】
また、上述のポリシラザンのうち、Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００  Ｓｌｏｗ  Ｃｕｒｅ、及びＤｕｒａｚａｎｅ１５００  Ｒａｐｉｄ  Ｃｕｒｅは、シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物の原料として好ましく、Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００  Ｓｌｏｗ  Ｃｕｒｅがより好ましい。
【０２１０】
上述した式（Ｂ４）で表される構造を有するポリシラザンにおいて、複数あるＲ１５のうち、少なくともいずれか１つが上述のアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、又はアルキルシリル基である高分子シラザンの改質体は、「シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物」に該当する。
【０２１１】
また、上述した式（Ｂ４）で表される構造を有するポリシラザンにおいて、複数あるＲ１５の全てが水素原子である高分子シラザンの改質体は、「シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物」に該当する。
【０２１２】
式（Ｂ２）で表される低分子シラザンの改質体について、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は全ケイ素原子に対して０．１〜１００％であることが好ましい。また、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は、１０〜９８％であることがより好ましく、３０〜９５％であることがさらに好ましい。
【０２１３】
なお、「窒素原子と結合していないケイ素原子の割合」は、後述する測定値を用いて、（（Ｓｉ（モル））−（ＳｉＮ結合中のＮ（モル）））／Ｓｉ（モル）×１００で求められる。改質反応を考慮すると、「窒素原子と結合していないケイ素原子の割合」とは、「改質処理にて生じるシロキサン結合に含まれるケイ素原子の割合」を意味する。
【０２１４】
式（Ｂ３）で表されるポリシラザンの改質体について、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は全ケイ素原子に対して０．１〜１００％であることが好ましい。また、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は、１０〜９８％であることがより好ましく、３０〜９５％であることがさらに好ましい。
【０２１５】
式（Ｂ４）で表される構造を有するポリシラザンの改質体について、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は全ケイ素原子に対して０．１〜９９％であることが好ましい。また、窒素原子と結合していないケイ素原子の割合は、１０〜９７％であることがより好ましく、３０〜９５％であることがさらに好ましい。
【０２１６】
改質体中のＳｉ原子数、ＳｉＮ結合の数は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定することができる。
【０２１７】
改質体について、上述の方法による測定値を用いて求められる「窒素原子と結合していないケイ素原子の割合」は、全ケイ素原子に対して０．１〜９９％であることが好ましく、１０〜９９％であることがより好ましく、３０〜９５％であることがさらに好ましい。
【０２１８】
被覆層において用いられるシラザンの改質体について、シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物は、１種類であっても２種類以上の混合物であってもよい。
【０２１９】
また、被覆層において用いられるシラザンの改質体について、シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物は、１種類であっても２種類以上の混合物であってもよい。
【０２２０】
（２．式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、式（Ｃ２）で表される化合物の改質体）
シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物、及びシロキサン結合を有する無機ケイ素化合物としては、下記式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、下記式（Ｃ２）で表される化合物の改質体であってもよい。
【０２２１】
【化１４】
2020085513.tif 000016
【０２２２】
式（Ｃ１）において、Ｙ５は単結合、酸素原子又は硫黄原子を表す。
【０２２３】
Ｙ５が酸素原子の場合、Ｒ３０、Ｒ３１は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。
【０２２４】
Ｙ５が単結合又は硫黄原子の場合、Ｒ３０は炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表し、Ｒ３１は水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。
【０２２５】
式（Ｃ２）において、Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数が１〜２０のアルキル基、炭素原子数が３〜３０のシクロアルキル基、又は炭素原子数が２〜２０の不飽和炭化水素基を表す。
【０２２６】
式（Ｃ１）及び式（Ｃ２）において、Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるアルキル基、シクロアルキル基、不飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。
【０２２７】
Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるアルキル基、シクロアルキル基、不飽和炭化水素基に含まれる水素原子を置換してもよいハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点からフッ素原子が好ましい。
【０２２８】
式（Ｃ１）及び式（Ｃ２）において、ａは１〜３の整数である。
ａが２又は３のとき、複数存在するＹ５は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ａが２又は３のとき、複数存在するＲ３０は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ａが２又は３のとき、複数存在するＲ３２は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
ａが１又は２のとき、複数存在するＲ３１は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０２２９】
Ｒ３０及びＲ３１で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
【０２３０】
式（Ｃ１）で表される化合物において、Ｙ５が酸素原子である場合、Ｒ３０で表されるアルキル基の炭素原子数は、改質が素早く進行することから、１〜２０であることが好ましい。また、Ｒ３０で表されるアルキル基の炭素原子数は、１〜３であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。
【０２３１】
式（Ｃ１）で表される化合物において、Ｙ５が単結合、又は硫黄原子である場合、Ｒ３０で表されるアルキル基の炭素原子数は、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。
【０２３２】
式（Ｃ１）で表される化合物において、Ｙ５は、改質が素早く進行することから、酸素原子が好ましい。
【０２３３】
式（Ｃ２）で表される化合物において、Ｒ３０及びＲ３２で表されるアルキル基の炭素原子数は、改質が素早く進行することから、それぞれ独立に１〜２０であることが好ましい。また、Ｒ３０及びＲ３２で表されるアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立に１〜３であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。
【０２３４】
式（Ｃ１）で表される化合物、及び式（Ｃ２）で表される化合物ともに、Ｒ３１で表されるアルキル基の炭素原子数は、１〜５であることが好ましく、１〜２であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。
【０２３５】
Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ６〜Ｒ９で表される基において例示したアルキル基が挙げられる。
【０２３６】
Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
【０２３７】
Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるシクロアルキル基にある水素原子が、それぞれ独立に、アルキル基で置換されている場合、シクロアルキル基の炭素原子数は、４以上である。シクロアルキル基にある水素原子が置換されてもよいアルキル基は、炭素原子数が１〜２７である。
【０２３８】
Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６〜Ｒ９で表される基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
【０２３９】
Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表される不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよく、環状であってもよい。
【０２４０】
Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表される不飽和炭化水素基の炭素原子数は、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。
【０２４１】
Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表される不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましく、炭素原子数８〜２０のアルケニル基であることがより好ましい。
【０２４２】
Ｒ３０、Ｒ３１及びＲ３２で表されるアルケニル基としては、Ｒ６〜Ｒ９で表される基において例示した直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基において、いずれか一つの炭素原子間の単結合（Ｃ−Ｃ）が、二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換されたものが例示できる。アルケニル基において、二重結合の位置は限定されない。
【０２４３】
このようなアルケニル基の好ましいものとしては、例えば、エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、２−ノネニル基、２−ドデセニル基、９−オクタデセニル基が挙げられる。
【０２４４】
Ｒ３０及びＲ３２は、アルキル基、又は不飽和炭化水素基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。
【０２４５】
Ｒ３１は、水素原子、アルキル基、又は不飽和炭化水素基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。
【０２４６】
Ｒ３１で表されるアルキル基、シクロアルキル基及び不飽和炭化水素基が上述の炭素原子数であると、式（Ｃ１）で表される化合物、式（Ｃ２）で表される化合物が加水分解されやすく、改質体を生じやすい。そのため、式（Ｃ１）で表される化合物の改質体、及び式（Ｃ２）で表される化合物の改質体が（１）半導体粒子の表面を覆いやすい。その結果、熱環境下においても（１）半導体粒子が劣化しにくく、耐久性が高い粒子が得られると考えられる。
【０２４７】
式（Ｃ１）で表される化合物としては、具体的に、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシフェニルシラン、エトキシトリエチルシラン、メトキシトリメチルシラン、メトキシジメチル（フェニル）シラン、ペンタフルオロフェニルエトキシジメチルシラン、トリメチルエトキシシラン、３−クロロプロピルジメトキシメチルシラン、（３−クロロプロピル）ジエトキシ（メチル）シラン、（クロロメチル）ジメトキシ（メチル）シラン、（クロロメチル）ジエトキシ（メチル）シラン、ジエトキシジメチルシラン、ジメトキシジメチルシラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、ジエトキシジフェニルシラン、ジメトキシメチルビニルシラン、ジエトキシ（メチル）フェニルシラン、ジメトキシ（メチル）（３，３，３−トリフルオロプロピル）シラン、アリルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、（３−ブロモプロピル）トリメトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、（クロロメチル）トリエトキシシラン、（クロロメチル）トリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、トリエトキシエチルシラン、デシルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、トリメトキシ（メチル）シラン、トリエトキシメチルシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ヘプタデカフルオロデシル）シラン、トリエトキシ−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−トリデカフルオロ−ｎ−オクチルシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ノナフルオロヘキシル）シラン、トリメトキシ（３，３，３−トリフルオロプロピル）シラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルトリエトキシシラン等が挙げられる。
【０２４８】
なかでも、式（Ｃ１）で表される化合物としては、トリメトキシフェニルシラン、メトキシジメチル（フェニル）シラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ヘプタデカフルオロデシル）シラン、トリエトキシ−１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−トリデカフルオロ−ｎ−オクチルシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ノナフルオロヘキシル）シラン、トリメトキシ（３，３，３−トリフルオロプロピル）シラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルトリエトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトライソプロポキシシランが好ましく、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトライソプロポキシシランがより好ましく、テトラメトキシシランがもっとも好ましい。
【０２４９】
さらに、式（Ｃ１）で表される化合物としては、ドデシルトリメトキシシラン、トリメトキシフェニルシラン、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロオクチルトリエトキシシラン、トリメトキシ（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ノナフルオロヘキシル）シランでもよい。
【０２５０】
上述した式（Ｃ１）で表される化合物において、Ｙ５が単結合である化合物の改質体は、「シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物」に該当する。
【０２５１】
また、上述した式（Ｃ１）で表される化合物においてＹ５が酸素原子、又は硫黄原子である化合物の改質体、及び式（Ｃ２）で表される化合物の改質体は、「シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物」に該当する。
【０２５２】
（３．式（Ａ５−５１）で表される化合物の改質体、式（Ａ５−５２）で表される化合物の改質体）
シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物としては、下記式（Ａ５−５１）で表される化合物の改質体、式（Ａ５−５２）で表される化合物の改質体であってもよい。すなわち、下記式（Ａ５−５１）及び下記式（Ａ５−５２）で表される化合物の改質体は、「シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物」に該当する。
【０２５３】
【化１５】
2020085513.tif 000017
【０２５４】
式（Ａ５−５１）及び式（Ａ５−５２）において、ＡＣは２価の炭化水素基であり、Ｙ１５は酸素原子又は硫黄原子である。
【０２５５】
式（Ａ５−５１）及び式（Ａ５−５２）において、Ｒ１２２及びＲ１２３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。
【０２５６】
式（Ａ５−５１）及び式（Ａ５−５２）において、Ｒ１２４は、アルキル基、又はシクロアルキル基を表す。
【０２５７】
式（Ａ５−５１）及び式（Ａ５−５２）において、Ｒ１２５及びＲ１２６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、又はシクロアルキル基を表す。
【０２５８】
Ｒ１２２〜Ｒ１２６がアルキル基である場合、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
アルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。
【０２５９】
Ｒ１２２〜Ｒ１２６がシクロアルキル基である場合、シクロアルキル基は、置換基としてアルキル基を有していてもよい。シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
【０２６０】
Ｒ１２２〜Ｒ１２６で表されるアルキル基、シクロアルキル基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子又はアミノ基で置換されていてもよい。
【０２６１】
Ｒ１２２〜Ｒ１２６で表されるアルキル基、シクロアルキル基に含まれる水素原子を置換してもよいハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点からフッ素原子が好ましい。
【０２６２】
Ｒ１２２〜Ｒ１２６のアルキル基の具体例としては、Ｒ６〜Ｒ９において例示したアルキル基が挙げられる。
【０２６３】
Ｒ１２２〜Ｒ１２６のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６〜Ｒ９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
【０２６４】
Ｒ１２５及びＲ１２６のアルコキシ基としては、Ｒ６〜Ｒ９に例示した直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が酸素原子に結合した１価の基が例示できる。
【０２６５】
Ｒ１２５及びＲ１２６がアルコキシ基である場合、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられ、好ましくはメトキシ基である。
【０２６６】
ＡＣで表される２価の炭化水素基は、炭化水素化合物から２個の水素原子を除去した基であればよく、前記炭化水素化合物は、脂肪族炭化水素であってもよく、芳香族炭化水素であってもよく、飽和脂肪族炭化水素であってもよい。ＡＣがアルキレン基である場合、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。アルキレン基の炭素原子数は、通常１〜１００であり、１〜２０であることが好ましく、１〜５であることがより好ましい。
【０２６７】
式（Ａ５−５１）で表される化合物としては、トリメトキシ［３−（メチルアミノ）プロピル］シラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルジメトキシメチルシラン、３−アミノプロピルジエトキシメチルシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシランが好ましい。
【０２６８】
また、式（Ａ５−５１）で表される化合物としては、Ｒ１２２及び１２３が水素原子であり、Ｒ１２４がアルキル基であり、Ｒ１２５及びＲ１２６がアルコキシ基である化合物が好ましい。例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシランがより好ましい。
【０２６９】
式（Ａ５−５１）で表される化合物としては、３−アミノプロピルトリメトキシシランがさらに好ましい。
式（Ａ５−５２）で表される化合物としては、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシランがさらに好ましい。
【０２７０】
（ケイ酸ナトリウム改質体）
シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物としては、ケイ酸ナトリウム（Ｎａ２ＳｉＯ３）の改質体であってもよい。すなわち、ケイ酸ナトリウムの改質体は、「シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物」に該当する。
【０２７１】
ケイ酸ナトリウムは、酸で処理することにより加水分解が進行し、改質される。
【０２７２】
本実施形態の（１）半導体粒子の表面積に対する、（２）被覆層の被覆率としては、例えば１〜１００％であることが好ましく、５〜１００％であることが好ましく、３０〜１００％であることがさらに好ましい。
本実施形態の（１）半導体粒子の表面積に対する、シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物の層の被覆率としては、例えば１〜１００％であることが好ましく、５〜１００％であることが好ましく、５０〜１００％であることがさらに好ましい。
本実施形態の（１）半導体粒子の表面積に対する、シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の層の被覆率としては、例えば１〜１００％であることが好ましく、３〜１００％であることが好ましく、１０〜１００％であることがさらに好ましい。
発光性粒子において、（１）半導体粒子の表面を被覆する（２）被覆層は、例えば、発光性粒子をＳＥＭ、又はＴＥＭなどを用いて観察することによって確認することができる。さらに、ＳＴＥＭ−ＥＤＸ測定によって、発光性粒子の表面の詳細な元素分布を解析することができる。
【０２７３】
＜＜表面修飾剤層＞＞
表面修飾剤層は、アンモニウムイオン、アミン、第１級〜第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩、式（Ｘ１）〜（Ｘ６）でそれぞれ表される化合物、及び式（Ｘ２）〜（Ｘ４）でそれぞれ表される化合物の塩からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオンを形成材料とする。
中でも、表面修飾剤層は、アミン、第１級〜第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩、カルボン酸、及びカルボキシレートイオン及びカルボキシレート塩からなる群より選ばれる少なくとも一種を形成材料とすることが好ましく、アミン、及びカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物又はイオンを形成材料とすることがより好ましい。
以下、表面修飾剤層の形成材料を「表面修飾剤」と称することがある。
【０２７４】
表面修飾剤は、後述する製造方法で本実施形態の発光性粒子を製造する際に、半導体粒子の表面に吸着して、半導体粒子を組成物中に安定して分散させる作用を有する化合物である。
【０２７５】
＜アンモニウムイオン、第１級〜第４級アンモニウムカチオン、アンモニウム塩＞
表面修飾剤であるアンモニウムイオン及び第１級〜第４級アンモニウムカチオンは、下記式（Ａ１）で表される。表面修飾剤であるアンモニウム塩は、下記式（Ａ１）で表されるイオンを含む塩である。
【０２７６】
【化１６】
2020085513.tif 000018
【０２７７】
式（Ａ１）で表されるイオンにおいて、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立に、水素原子、又は１価の炭化水素基を表す。
【０２７８】
Ｒ１〜Ｒ４で表される炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよく、不飽和炭化水素基であってもよい。飽和炭化水素基としては、アルキル基、又はシクロアルキル基を挙げることができる。
【０２７９】
Ｒ１〜Ｒ４で表されるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
Ｒ１〜Ｒ４で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。
【０２８０】
シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
【０２８１】
Ｒ１〜Ｒ４の不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
【０２８２】
Ｒ１〜Ｒ４の不飽和炭化水素基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。
【０２８３】
Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、アルキル基、又は不飽和炭化水素基であることが好ましい。
不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましい。Ｒ１〜Ｒ４は、炭素原子数８〜２０のアルケニル基であることが好ましい。
【０２８４】
Ｒ１〜Ｒ４のアルキル基の具体例としては、Ｒ６〜Ｒ９において例示したアルキル基が挙げられる。
【０２８５】
Ｒ１〜Ｒ４のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６〜Ｒ９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
【０２８６】
Ｒ１〜Ｒ４のアルケニル基としては、Ｒ６〜Ｒ９において例示した前記直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基において、いずれか一つの炭素原子間の単結合（Ｃ−Ｃ）が、二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換されたものが例示でき、二重結合の位置は限定されない。
【０２８７】
Ｒ１〜Ｒ４のアルケニル基の好ましいものとしては、例えば、エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、２−ノネニル基、２−ドデセニル基、９−オクタデセニル基が挙げられる。
【０２８８】
式（Ａ１）で表されるアンモニウムカチオンが塩を形成する場合、カウンターアニオンとしては、特に制限は無い。カウンターアニオンとしては、ハロゲン化物イオンや、カルボキシレートイオンなどが好ましい。ハロゲン化物イオンとしては、臭化物イオン、塩化物イオン、ヨウ化物イオン、フッ化物イオンが挙げられる。
【０２８９】
式（Ａ１）で表されるアンモニウムカチオンと、カウンターアニオンとを有するアンモニウム塩としては、ｎ−オクチルアンモニウム塩、オレイルアンモニウム塩が好ましい例として挙げられる。
【０２９０】
＜アミン＞
表面修飾剤であるアミンとしては、下記式（Ａ１１）で表すことができる。
【０２９１】
【化１７】
2020085513.tif 000019
【０２９２】
上記式（Ａ１１）において、Ｒ１〜Ｒ３は、上記式（Ａ１）が有するＲ１〜Ｒ３と同じ基を表す。ただし、Ｒ１〜Ｒ３のうち少なくとも１つは１価の炭化水素基である。
【０２９３】
表面修飾剤であるアミンとしては、第１級〜第３級アミンのいずれであってもよいが、第１級アミン及び第２級アミンが好ましく、第１級アミンがより好ましい。
【０２９４】
表面修飾剤であるアミンとしては、オレイルアミンが好ましい。
【０２９５】
＜カルボン酸、カルボキシレートイオン、カルボキシレート塩＞
表面修飾剤であるカルボキシレートイオンは、下記式（Ａ２）で表される。表面修飾剤であるカルボキシレート塩は、下記式（Ａ２）で表されるイオンを含む塩である。
Ｒ５−ＣＯ２−・・・（Ａ２）
【０２９６】
表面修飾剤であるカルボン酸は、上記（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンにプロトン（Ｈ＋）が結合したカルボン酸が挙げられる。
【０２９７】
式（Ａ２）で表されるイオンにおいて、Ｒ５は、一価の炭化水素基を表す。Ｒ５で表される炭化水素基は、飽和炭化水素基であってもよく、不飽和炭化水素基であってもよい。
飽和炭化水素基としては、アルキル基、又はシクロアルキル基を挙げることができる。
【０２９８】
Ｒ５で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
【０２９９】
Ｒ５で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。
【０３００】
シクロアルキル基の炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数も含む。
【０３０１】
Ｒ５で表される不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であってもよい。
【０３０２】
Ｒ５で表される不飽和炭化水素基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。
【０３０３】
Ｒ５はアルキル基又は不飽和炭化水素基であることが好ましい。不飽和炭化水素基としては、アルケニル基が好ましい。
【０３０４】
Ｒ５のアルキル基の具体例としては、Ｒ６〜Ｒ９において例示したアルキル基が挙げられる。
Ｒ５のシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６〜Ｒ９において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
【０３０５】
Ｒ５のアルケニル基の具体例としては、Ｒ１〜Ｒ４において例示したアルケニル基が挙げられる。
【０３０６】
式（Ａ２）で表されるカルボキシレートアニオンは、オレイン酸アニオンが好ましい。
【０３０７】
カルボキシレートアニオンが塩を形成する場合、カウンターカチオンとしては、特に制限は無いが、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン、アンモニウムカチオンなどが好ましい例として挙げられる。
【０３０８】
表面修飾剤であるカルボン酸としては、オレイン酸が好ましい。
【０３０９】
＜式（Ｘ１）で表される化合物＞
【化１８】
2020085513.tif 000020
【０３１０】
式（Ｘ１）で表される化合物（塩）において、Ｒ１８〜Ｒ２１はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基を表す。
【０３１１】
Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
【０３１２】
Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるアルキル基は、置換基としてアリール基を有することが好ましい。Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるアルキル基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、５〜２０であることが好ましく、８〜２０であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
【０３１３】
Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるシクロアルキル基は、置換基としてアリール基を有することが好ましい。Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、通常３〜３０であり、３〜２０であることが好ましく、３〜１１であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
【０３１４】
Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるアリール基は、置換基としてアルキル基を有することが好ましい。Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるアリール基の炭素原子数は、通常６〜３０であり、６〜２０であることが好ましく、６〜１０であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
【０３１５】
Ｒ１８〜Ｒ２１で表される基は、アルキル基であることが好ましい。
【０３１６】
Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるアルキル基の具体例としては、Ｒ６〜Ｒ９で表されるアルキル基において例示したアルキル基が挙げられる。
【０３１７】
Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるシクロアルキル基の具体例としては、Ｒ６〜Ｒ９で表されるシクロアルキル基において例示したシクロアルキル基が挙げられる。
【０３１８】
Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるアリール基の具体例としては、フェニル基、ベンジル基、トリル基、ｏ−キシリル基等が挙げられる。
【０３１９】
Ｒ１８〜Ｒ２１で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよい。ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。ハロゲン原子で置換した化合物の化学的安定性が高いため、置換するハロゲン原子としてはフッ素原子が好ましい。
【０３２０】
式（Ｘ１）で表される化合物において、Ｍ−はカウンターアニオンを表す。カウンターアニオンとしては、ハロゲン化物イオンや、カルボキシレートイオンなどが好ましい。ハロゲン化物イオンとしては、臭化物イオン、塩化物イオン、ヨウ化物イオン、フッ化物イオンが挙げられ、臭化物イオンが好ましい。
【０３２１】
式（Ｘ１）で表される化合物の具体例としては、テトラエチルホスホニウムクロリド、テトラエチルホスホニウムブロミド、テトラエチルホスホニウムヨージド；テトラブチルホスホニウムクロリド、テトラブチルホスホニウムブロミド、テトラブチルホスホニウムヨージド：テトラフェニルホスホニウムクロリド、テトラフェニルホスホニウムブロミド、テトラフェニルホスホニウムヨージド；テトラ−ｎ−オクチルホスホニウムクロリド、テトラ−ｎ−オクチルホスホニウムブロミド、テトラ−ｎ−オクチルホスホニウムヨージド；トリブチル−ｎ−オクチルホスホニウムブロミド；トリブチルドデシルホスホニウムブロミド；トリブチルヘキサデシルホスホニウムクロリド、トリブチルヘキサデシルホスホニウムブロミド、トリブチルヘキサデシルホスホニウムヨージドが挙げられる。
【０３２２】
発光性粒子の熱耐久性が高まることが期待できるため、式（Ｘ１）で表される化合物としてはトリブチルヘキサデシルホスホニウムブロミド、トリブチル−ｎ−オクチルホスホニウムブロミドが好ましく、トリブチル−ｎ−オクチルホスホニウムブロミドがより好ましい。
【０３２３】
＜式（Ｘ２）で表される化合物、式（Ｘ２）で表される化合物の塩＞
【化１９】
2020085513.tif 000021
【０３２４】
式（Ｘ２）で表される化合物において、Ａ１は単結合又は酸素原子を表す。
【０３２５】
式（Ｘ２）で表される化合物において、Ｒ２２は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基を表す。
【０３２６】
Ｒ２２で表されるアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
【０３２７】
Ｒ２２で表されるアルキル基としては、Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。
【０３２８】
Ｒ２２で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。
【０３２９】
Ｒ２２で表されるアリール基としては、Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。
【０３３０】
Ｒ２２で表される基は、アルキル基であることが好ましい。
【０３３１】
Ｒ２２で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。
【０３３２】
式（Ｘ２）で表される化合物の塩において、陰イオン性基は下記式（Ｘ２−１）で表される。
【０３３３】
【化２０】
2020085513.tif 000022
【０３３４】
式（Ｘ２）で表される化合物の塩において、式（Ｘ２−１）の対となるカウンターカチオンとしては、例えば、アンモニウムイオンが挙げられる。
【０３３５】
式（Ｘ２）で表される化合物の塩において、式（Ｘ２−１）の対となるカウンターカチオンとしては、特に制限は無いが、例えばＮａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋等の一価のイオンが挙げられる。
【０３３６】
式（Ｘ２）で表される化合物、及び式（Ｘ２）で表される化合物の塩としては、りん酸フェニル、りん酸フェニル二ナトリウム水和物、１−ナフチルりん酸二ナトリウム水和物、１−ナフチルりん酸一ナトリウム一水和物、ラウリルリン酸、ラウリルリン酸ナトリウム、オレイルリン酸、ベンズヒドリルホスホン酸、デシルホスホン酸、ドデシルホスホン酸、エチルホスホン酸、ヘキサデシルホスホン酸、ヘプチルホスホン酸、ヘキシルホスホン酸、メチルホスホン酸、ノニルホスホン酸、オクタデシルホスホン酸、ｎ−オクチルホスホン酸、ベンゼンホスホン酸、フェニルホスホン酸二ナトリウム水和物、フェネチルホスホン酸、プロピルホスホン酸、ウンデシルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸、シンナミルホスホン酸が挙げられる。
【０３３７】
発光性粒子の熱耐久性が高まることが期待できるため、式（Ｘ２）で表される化合物としては、オレイルリン酸、ドデシルホスホン酸、エチルホスホン酸、ヘキサデシルホスホン酸、ヘプチルホスホン酸、ヘキシルホスホン酸、メチルホスホン酸、ノニルホスホン酸、オクタデシルホスホン酸、ｎ−オクチルホスホン酸、がより好ましく、オクタデシルホスホン酸がさらに好ましい。
【０３３８】
＜式（Ｘ３）で表される化合物、式（Ｘ３）で表される化合物の塩＞
【化２１】
2020085513.tif 000023
【０３３９】
式（Ｘ３）で表される化合物において、Ａ２及びＡ３はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。
【０３４０】
式（Ｘ３）で表される化合物において、Ｒ２３及びＲ２４はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基を表す。
【０３４１】
Ｒ２３及びＲ２４で表されるアルキル基はそれぞれ独立に、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
【０３４２】
Ｒ２３及びＲ２４で表されるアルキル基としては、Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。
【０３４３】
Ｒ２３及びＲ２４で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。
【０３４４】
Ｒ２３及びＲ２４で表されるアリール基としては、Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。
【０３４５】
Ｒ２３及びＲ２４はそれぞれ独立に、アルキル基であることが好ましい。
【０３４６】
Ｒ２３及びＲ２４で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。
【０３４７】
式（Ｘ３）で表される化合物の塩において、陰イオン性基は下記式（Ｘ３−１）で表される。
【０３４８】
【化２２】
2020085513.tif 000024
【０３４９】
式（Ｘ３）で表される化合物の塩において、式（Ｘ３−１）対となるカウンターカチオンとしては、例えば、アンモニウムイオンが挙げられる。
【０３５０】
式（Ｘ３）で表される化合物の塩において、式（Ｘ３−１）の対となるカウンターカチオンとしては、特に制限は無いが、例えばＮａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋等の一価のイオンが挙げられる。
【０３５１】
式（Ｘ３）で表される化合物としては、ジフェニルホスフィン酸、りん酸ジブチル、りん酸ジデシル、りん酸ジフェニルが挙げられる。式（Ｘ３）で表される化合物の塩としては上記化合物の塩が挙げられる。
【０３５２】
発光性粒子の熱耐久性が高まることが期待できるため、ジフェニルホスフィン酸、りん酸ジブチル、りん酸ジデシルが好ましく、ジフェニルホスフィン酸及びこれらの塩がより好ましい。
【０３５３】
＜式（Ｘ４）で表される化合物、式（Ｘ４）で表される化合物の塩＞
【化２３】
2020085513.tif 000025
【０３５４】
式（Ｘ４）で表される化合物において、Ａ４は単結合又は酸素原子を表す。
【０３５５】
式（Ｘ４）で表される化合物において、Ｒ２５で表される基は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基を表す。
【０３５６】
Ｒ２５で表されるアルキル基としては、Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。
【０３５７】
Ｒ２５で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。
【０３５８】
Ｒ２５で表されるアリール基としては、Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。
【０３５９】
Ｒ２５で表される基は、アルキル基であることが好ましい。
【０３６０】
Ｒ２５で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。
【０３６１】
式（Ｘ４）で表される化合物としては、１−オクタンスルホン酸、１−デカンスルホン酸、１−ドデカンスルホン酸、ヘキサデシル硫酸、ラウリル硫酸、ミリスチル硫酸、ラウレス硫酸、ドデシル硫酸が挙げられる。
【０３６２】
式（Ｘ４）で表される化合物の塩において、陰イオン性基は下記式（Ｘ４−１）で表される。
【０３６３】
【化２４】
2020085513.tif 000026
【０３６４】
式（Ｘ４）で表される化合物の塩において、式（Ｘ４−１）対となるカウンターカチオンとしては、例えば、アンモニウムイオンが挙げられる。
【０３６５】
式（Ｘ４）で表される化合物の塩において、式（Ｘ４−１）の対となるカウンターカチオンとしては、特に制限は無いが、例えばＮａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋等の一価のイオンが挙げられる。
【０３６６】
式（Ｘ４）で表される化合物の塩としては、１−オクタンスルホン酸ナトリウム、１−デカンスルホン酸ナトリウム、１−ドデカンスルホン酸ナトリウム、ヘキサデシル硫酸ナトリウム、ラウリル硫酸ナトリウム、ミリスチル硫酸ナトリウム、ラウレス硫酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウムが挙げられる。
【０３６７】
発光性粒子の熱耐久性が高まることが期待できるため、ヘキサデシル硫酸ナトリウム、ドデシル硫酸ナトリウムが好ましく、ドデシル硫酸ナトリウムがより好ましい。
【０３６８】
＜式（Ｘ５）で表される化合物＞
【化２５】
2020085513.tif 000027
【０３６９】
式（Ｘ５）で表される化合物において、Ａ５〜Ａ７はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。
【０３７０】
式（Ｘ５）で表される化合物において、Ｒ２６〜Ｒ２８はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０のアルケニル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０のアルキニル基を表す。
【０３７１】
Ｒ２６〜Ｒ２８で表されるアルキル基はそれぞれ独立に、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
【０３７２】
Ｒ２６〜Ｒ２８で表されるアルキル基としては、Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。
【０３７３】
Ｒ２６〜Ｒ２８で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。
【０３７４】
Ｒ２６〜Ｒ２８で表されるアリール基としては、Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。
【０３７５】
Ｒ２６〜Ｒ２８で表されるアルケニル基はそれぞれ独立に、置換基としてアルキル基、又はアリール基を有することが好ましい。Ｒ２６〜Ｒ２８で表されるアルケニル基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、６〜２０であることが好ましく、１２〜１８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
【０３７６】
Ｒ２６〜Ｒ２８で表されるアルキニル基はそれぞれ独立に、置換基としてアルキル基、又はアリール基を有することが好ましい。Ｒ２６〜Ｒ２８で表されるアルキニル基の炭素原子数は、通常２〜２０であり、６〜２０であることが好ましく、１２〜１８であることがより好ましい。炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含む。
【０３７７】
Ｒ２６〜Ｒ２８で表される基はそれぞれ独立に、アルキル基であることが好ましい。  
【０３７８】
Ｒ２６〜Ｒ２８で表されるアルケニル基の具体例としては、ヘキセニル基、オクテニル基、デセニル基、ドデセニル基、テトラデセニル基、ヘキサデセニル基、オクタデセニル基、イコセニル基が挙げられる。
【０３７９】
Ｒ２６〜Ｒ２８で表されるアルキニル基の具体例としては、ヘキシニル基、オクチニル基、デシニル基、ドデシニル基、テトラデシニル基、ヘキサデシニル基、オクタデシニル基、イコシニル基が挙げられる。
【０３８０】
Ｒ２６〜Ｒ２８で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。
【０３８１】
式（Ｘ５）で表される化合物としては、亜りん酸トリオレイル、亜りん酸トリブチル、亜りん酸トリエチル、亜りん酸トリヘキシル、亜りん酸トリイソデシル、亜りん酸トリメチル、シクロヘキシルジフェニルホスフィン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、ジエチルフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリ−ｎ−オクチルホスフィン、トリフェニルホスフィンが挙げられる。
【０３８２】
発光性粒子の熱耐久性が高まることが期待できるため、亜りん酸トリオレイル、トリブチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、亜りん酸トリヘキシルが好ましく、亜りん酸トリオレイルがより好ましい。
【０３８３】
＜式（Ｘ６）で表される化合物＞
【化２６】
2020085513.tif 000028
【０３８４】
式（Ｘ６）で表される化合物において、Ａ８〜Ａ１０はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を表す。
【０３８５】
式（Ｘ６）で表される化合物において、Ｒ２９〜Ｒ３１はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜３０のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０のアルケニル基、又は置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０のアルキニル基を表す。
【０３８６】
Ｒ２９〜Ｒ３１で表されるアルキル基はそれぞれ独立に、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
【０３８７】
Ｒ２９〜Ｒ３１で表されるアルキル基としては、Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるアルキル基と同じ基を採用することができる。
【０３８８】
Ｒ２９〜Ｒ３１で表されるシクロアルキル基としては、Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるシクロアルキル基と同じ基を採用することができる。
【０３８９】
Ｒ２９〜Ｒ３１で表されるアリール基としては、Ｒ１８〜Ｒ２１で表されるアリール基と同じ基を採用することができる。
【０３９０】
Ｒ２９〜Ｒ３１で表されるアルケニル基としては、Ｒ２６〜Ｒ２８で表されるアルケニル基と同じ基を採用することができる。
【０３９１】
Ｒ２９〜Ｒ３１で表されるアルキニル基としては、Ｒ２６〜Ｒ２８で表されるアルキニル基と同じ基を採用することができる。
【０３９２】
Ｒ２９〜Ｒ３１で表される基はそれぞれ独立に、アルキル基であることが好ましい。  
【０３９３】
Ｒ２９〜Ｒ３１で表される基に含まれる水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよく、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、化学的安定性の観点から、フッ素原子が好ましい。
【０３９４】
式（Ｘ６）で表される化合物としては、トリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシド、メチル（ジフェニル）ホスフィンオキシド、トリフェニルホスフィンオキシド、トリ−ｐ−トリルホスフィンオキシド、シクロヘキシルジフェニルホスフィンオキシド、りん酸トリメチル、りん酸トリブチル、りん酸トリアミル、りん酸トリス（２−ブトキシエチル）、りん酸トリフェニル、りん酸トリ−ｐ−クレジル、りん酸トリ−ｍ−クレジル、りん酸トリ−ｏ−クレジルが挙げられる。
【０３９５】
発光性粒子の熱耐久性が高まることが期待できるため、トリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシドが好ましく、トリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシドがより好ましい。
【０３９６】
上述した表面修飾剤の中では、アンモニウム塩、アンモニウムイオン、第１級〜第４級アンモニウムカチオン、カルボキシレート塩、カルボキシレートイオンが好ましい。
【０３９７】
アンモニウム塩、アンモニウムイオンの中では、オレイルアミン塩、オレイルアンモニウムイオンがより好ましい。
【０３９８】
カルボキシレート塩、カルボキシレートイオンの中では、オレイン酸塩、オレイン酸カチオンがより好ましい。
【０３９９】
本実施形態の粒子においては、上述の表面修飾剤を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【０４００】
＜各成分の配合比について＞
本実施形態の発光性粒子において、（１）半導体粒子と（２）被覆層との配合比は、（１）及び（２）被覆層の種類等に応じて、適宜定めることができる。
【０４０１】
本実施形態の発光性粒子において、（１）半導体粒子がペロブスカイト化合物の粒子である場合、ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、（２）被覆層のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、０．００１〜５００であってもよく、０．０１〜３００であってもよく、１〜１００であってもよい。
【０４０２】
本実施形態の発光性粒子において、（２）被覆層の形成材料が、式（Ｂ１）又は（Ｂ２）で表されるシラザンの改質体である場合、ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、改質体のＳｉとのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、０．００１〜５００であってもよく、０．００１〜３００であってもよく、１〜１００であってもよい。
【０４０３】
本実施形態の発光性粒子において、（２）被覆層が、式（Ｂ３）で表される構成単位を有するポリシラザンの改質体である場合、ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、改質体のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、０．００１〜５００であってもよく、０．０１〜３００であってもよく、０．１〜２００であってもよく、１〜１００であってもよく、１〜８０であってもよい。
【０４０４】
（１）半導体粒子と（２）被覆層との配合比に係る範囲が上記範囲内である発光性粒子は、（２）被覆層による、光に対する耐久性向上の作用が、特に良好に発揮される点で好ましい。
【０４０５】
本実施形態の発光性粒子において、（２）被覆層中、シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物がシラザン改質体である場合、ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、改質体のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、０．００１〜５００であってもよく、０．０１〜３００であってもよく、０．１〜２００であってもよく、１〜１００であってもよく、１〜８０であってもよい。
【０４０６】
本実施形態の発光性粒子において、（２）被覆層中、シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物がシラザン改質体である場合、ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、改質体のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、０．０００１〜５００であってもよく、０．００１〜１００であってもよく、０．０１〜２０であってもよく、１．０〜１０であってもよく、１．０〜５であってもよく、１．０〜３．５であってもよい。
【０４０７】
（１）半導体粒子と（２）被覆層との配合比に係る範囲が上記範囲内である発光性粒子は、（２）被覆層による、光に対する耐久性向上の作用が、特に良好に発揮される点で好ましい。
【０４０８】
上記ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンと、改質体のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］は、以下のような方法で求めることができる。
【０４０９】
ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンの物質量（Ｂ）（単位：モル）は、誘導結合プラズマ質量分析（ＩＣＰ−ＭＳ）によって、Ｂ成分である金属の質量を測定し、測定値を物質量に換算して求める。
【０４１０】
改質体のＳｉ元素の物質量（Ｓｉ）は、用いた改質体の原料化合物の質量を物質量に換算した値と、単位質量の原料化合物に含まれるＳｉ量（物質量）とから求める。原料化合物の単位質量とは、原料化合物が低分子化合物であれば原料化合物の分子量であり、原料化合物が高分子化合物であれば原料化合物の繰り返し単位の分子量である。
【０４１１】
Ｓｉ元素の物質量（Ｓｉ）と、ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンの物質量（Ｂ）とから、モル比［Ｓｉ／Ｂ］を算出することができる。
【０４１２】
本実施形態の発光性粒子において、（１）半導体粒子の量に対する（２）被覆層の量に特に制限はない。本実施形態の発光性粒子においては、十分に耐久性を向上させる観点から、（１）半導体粒子の質量部が１に対して（２）被覆層の質量部は０．１質量部以上、１００質量部以下でもよく、より耐久性を向上させる観点から、好ましくは１．５質量部以上４０質量部であり、さらに好ましくは１．９質量部以上２０質量部である。
【０４１３】
以上のような構成の発光性粒子によれば、光に対する耐久性が高い発光性の粒子を提供することができる。
【０４１４】
＜＜組成物＞＞
本実施形態の組成物は、上述の発光性粒子と、（３）溶媒、（４）重合性化合物及び（４−１）重合体からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む。
【０４１５】
また、本実施形態の組成物が、上述の発光性粒子と、（４−１）重合体とを含む場合、発光性粒子及び（４−１）の合計含有割合が、組成物の総質量に対して９０質量％以上であるとよい。
【０４１６】
本実施形態の組成物においては、上述の発光性粒子を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【０４１７】
以下の説明においては、（３）溶媒、（４）重合性化合物、（４−１）重合体を総称して「分散媒」と称することがある。本実施形態の組成物は、これらの分散媒に分散していてもよい。
【０４１８】
本明細書において「分散している」とは、本実施形態の発光性粒子が、分散媒に浮遊している状態、又は本実施形態の発光性粒子が、分散媒に懸濁している状態のことを指す。
発光性粒子が分散媒に分散している場合、発光性粒子の一部は沈降していてもよい。
【０４１９】
＜＜（３）溶媒＞＞
本実施形態の組成物が有する溶媒は、本実施形態の発光性粒子を分散させることができる媒体であれば特に限定されない。本実施形態の組成物が有する溶媒は、本実施形態の発光性粒子を溶解し難いものが好ましい。
【０４２０】
本明細書において「溶媒」とは、１気圧、２５℃において液体状態である物質のことをいう。ただし、溶媒には、後述する重合性化合物及び重合体は含まない。
【０４２１】
溶媒としては、下記（ａ）〜（ｋ）を挙げることができる。
（ａ）エステル
（ｂ）ケトン
（ｃ）エーテル
（ｄ）アルコール
（ｅ）グリコールエーテル
（ｆ）アミド基を有する有機溶媒
（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒
（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒
（ｉ）ハロゲン化炭化水素
（ｊ）炭化水素
（ｋ）ジメチルスルホキシド
【０４２２】
（ａ）エステルとしては、例えば、メチルホルメート、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、ペンチルアセテート等を挙げることができる。
【０４２３】
（ｂ）ケトンとしては、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、アセトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン等を挙げることができる。
【０４２４】
（ｃ）エーテルとしては、ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等を挙げることができる。
【０４２５】
（ｄ）アルコールとしては、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−２−ブタノール、メトキシプロパノール、ジアセトンアルコール、シクロヘキサノール、２−フルオロエタノール、２，２，２−トリフルオロエタノール、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等を挙げることができる。
【０４２６】
（ｅ）グリコールエーテルとしては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル等を挙げることができる。
【０４２７】
（ｆ）アミド基を有する有機溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等を挙げることができる。
【０４２８】
（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒としては、アセトニトリル、イソブチロニトリル、プロピオニトリル、メトキシアセトニトリル等を挙げることができる。
【０４２９】
（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒としては、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等を挙げることができる。
【０４３０】
（ｉ）ハロゲン化炭化水素としては、塩化メチレン、クロロホルム等を挙げることができる。
【０４３１】
（ｊ）炭化水素としては、ｎ−ペンタン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、１−オクタデセン、ベンゼン、トルエン、キシレン等を挙げることができる。
【０４３２】
これらの溶媒の中でも、（ａ）エステル、（ｂ）ケトン、（ｃ）エーテル、（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒、（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒、（ｉ）ハロゲン化炭化水素及び（ｊ）炭化水素は、極性が低く、本実施形態の発光性粒子を溶解し難いと考えられるため好ましい。
【０４３３】
さらに、本実施形態の組成物に用いる溶媒としては、（ｉ）ハロゲン化炭化水素、（ｊ）炭化水素がより好ましい。
【０４３４】
本実施形態の組成物においては、上述の溶媒を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【０４３５】
＜＜（４）重合性化合物＞＞
本実施形態の組成物が有する重合性化合物は、本実施形態の組成物を製造する温度において、本実施形態の発光性粒子を溶解し難いものが好ましい。
【０４３６】
本明細書において「重合性化合物」とは、重合性基を有する単量体化合物（モノマー）を意味する。例えば、重合性化合物は、１気圧、２５℃において液体状態であるモノマーを挙げることができる。
【０４３７】
例えば、室温、常圧下において組成物を製造する場合、重合性化合物としては、特に制限は無い。重合性化合物としては、例えば、スチレン、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、アクリロニトリル等の公知の重合性化合物が挙げられる。なかでも、重合性化合物としては、アクリル系樹脂の単量体であるアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルのいずれか一方又は両方が好ましい。
【０４３８】
本実施形態の組成物においては、重合性化合物を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【０４３９】
本実施形態の組成物において、全ての（４）重合性化合物に対する、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルの合計量の割合は、１０ｍｏｌ％以上であってもよい。同割合は、３０ｍｏｌ％以上であってもよく、５０ｍｏｌ％以上であってもよく、８０ｍｏｌ％以上であってもよく、１００ｍｏｌ％であってもよい。
【０４４０】
＜＜（４−１）重合体＞＞
本実施形態の組成物に含まれる重合体は、本実施形態の組成物を製造する温度において、本実施形態の発光性粒子の溶解度が低い重合体が好ましい。
【０４４１】
例えば、室温、常圧下において製造する場合、重合体としては、特に制限は無いが、例えば、ポリスチレン、アクリル系樹脂、エポキシ樹脂等の公知の重合体が挙げられる。なかでも、重合体としては、アクリル系樹脂が好ましい。アクリル系樹脂は、アクリル酸エステルに由来する構成単位及びメタクリル酸エステルに由来する構成単位のいずれか一方又は両方を含む。
【０４４２】
本実施形態の組成物において、（４−１）重合体に含まれる全ての構成単位に対する、アクリル酸エステルに由来する構成単位及びメタクリル酸エステルに由来する構成単位の合計量の割合は、１０ｍｏｌ％以上であってもよい。同割合は、３０ｍｏｌ％以上であってもよく、５０ｍｏｌ％以上であってもよく、８０ｍｏｌ％以上であってもよく、１００ｍｏｌ％であってもよい。
【０４４３】
（４−１）重合体の重量平均分子量は、１００〜１２０００００であることが好ましく、１０００〜８０００００であることがより好ましく、５０００〜１５００００であることがさらに好ましい。
【０４４４】
本明細書において「重量平均分子量」とは、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算値を意味する。
【０４４５】
本実施形態の組成物においては、上述の重合体を１種のみ用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【０４４６】
＜各成分の配合比について＞
【０４４７】
発光性粒子と、分散媒とを含む組成物において、組成物の総質量に対する発光性粒子の含有割合は、特に限定されるものではない。
【０４４８】
上記含有割合は、濃度消光を防ぐ観点から、９０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることがさらに好ましく、３質量％以下であることが特に好ましい。
【０４４９】
また、上記含有割合は、良好な量子収率を得る観点から、０．０００２質量％以上であることが好ましく、０．００２質量％以上であることがより好ましく、０．０１質量％以上であることがさらに好ましい。
【０４５０】
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
【０４５１】
組成物の総質量に対する発光性粒子の含有割合は、通常０．０００２〜９０質量％である。
【０４５２】
組成物の総質量に対する発光性粒子の含有割合は、０．００１〜４０質量％であることが好ましく、０．００２〜１０質量％であることがより好ましく、０．０１〜３質量％であることがさらに好ましい。
【０４５３】
組成物の総質量に対する発光性粒子の含有割合が上記範囲内である組成物は、（１）半導体粒子の凝集が生じ難く、発光性も良好に発揮される点で好ましい。
【０４５４】
また、上記組成物において、発光性粒子及び分散媒の合計含有割合は、組成物の総質量に対して９０質量％以上であってもよく、９５質量％以上であってもよく、９９質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。
【０４５５】
上記組成物において、分散媒に対する発光性粒子の質量比［発光性粒子／分散媒］は、０．００００１〜２０であってもよく、０．０００１〜１０であってもよく、０．０００５〜３であってもよい。
発光性粒子と分散媒との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、発光性粒子の凝集が生じ難く、良好に発光する点で好ましい。
【０４５６】
本実施形態の組成物は、上述の発光性粒子、（３）溶媒と、（４）重合性化合物、（４−１）重合体以外の成分（以下、「その他の成分」と称する。）を有していてもよい。
その他の成分としては、例えば、若干の不純物、（１）半導体粒子を構成する元素成分からなるアモルファス構造を有する化合物、重合開始剤が挙げられる。
【０４５７】
その他の成分の含有割合は、組成物の総質量に対して１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましい。
【０４５８】
本実施形態の組成物に含まれる（４−１）重合体としては、上述した（４−１）重合体を採用することができる。
【０４５９】
本実施形態の組成物において、発光性粒子は、（４−１）重合体に分散していることが好ましい。
【０４６０】
上記組成物において、発光性粒子と、（４−１）重合体との配合比は、発光性粒子による発光作用が良好に発揮される程度であればよい。上記配合比は、発光性粒子、（４−１）重合体の種類に応じて、適宜定めることができる。
【０４６１】
上記組成物において、組成物の総質量に対する発光性粒子の含有割合は、特に限定されるものではない。上記含有割合は、濃度消光を防ぐことができるため、９０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることがさらに好ましく、３質量％以下であることが特に好ましい。
【０４６２】
また、上記含有割合は、良好な量子収率を得ることができるため、０．０００２質量％以上であることが好ましく、０．００２質量％以上であることがより好ましく、０．０１質量％以上であることがさらに好ましい。
【０４６３】
上記の上限値及び下限値は任意に組み合わせることができる。
【０４６４】
組成物の総質量に対する発光性粒子の含有割合は、通常、０．０００１〜３０質量％である。
【０４６５】
組成物の総質量に対する発光性粒子の含有割合は、０．０００１〜２０質量％であることが好ましく、０．０００５〜１０質量％であることがより好ましく、０．００１〜０．３質量％であることがさらに好ましい。
【０４６６】
上記組成物において、（４−１）重合体に対する発光性粒子の質量比［発光性粒子／（４−１）重合体］は、０．００００１〜２０であってもよく、０．０００１〜１０であってもよく、０．０００５〜３であってもよい。
発光性粒子と、（４−１）重合体との配合比に係る範囲が上記範囲内である組成物は、良好に発光する点で好ましい。
【０４６７】
本実施形態の組成物は、例えば、発光性粒子及び（４−１）重合体の合計量が、組成物の総質量に対して９０質量％以上である。発光性粒子及び（４−１）重合体の合計量は、組成物の総質量に対して９５質量％以上であってもよく、９９質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。
【０４６８】
本実施形態の組成物は、上述のその他の成分と同様の成分を含んでいてもよい。
その他の成分の含有割合は、組成物の総質量に対して１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることがさらに好ましい。
【０４６９】
＜＜発光性粒子の製造方法＞＞
上述した発光性粒子は、（１）半導体粒子を製造した後、（１）半導体粒子の表面に（２）被覆層を形成することで製造することができる。
【０４７０】
＜（１）半導体粒子の製造方法＞
（（ｉ）〜（vii）の半導体粒子の製造方法）
（ｉ）〜（vii）の半導体粒子は、半導体粒子を構成する元素の単体又は半導体粒子を構成する元素の化合物と、脂溶性溶媒とを混合した混合液を加熱する方法で製造することができる。
【０４７１】
半導体粒子を構成する元素を含む化合物の例としては、特に制限は無いが、酸化物、酢酸塩、有機金属化合物、ハロゲン化物、硝酸塩等が挙げられる。
【０４７２】
脂溶性溶媒としては、例えば炭素原子数４〜２０の炭化水素基を有する含窒素化合物、炭素原子数４〜２０の炭化水素基を有する含酸素化合物などが挙げられる。
【０４７３】
炭素原子数４〜２０の炭化水素基としては、飽和脂肪族炭化水素基、不飽和脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基を挙げることができる。
【０４７４】
炭素原子数４〜２０の飽和脂肪族炭化水素基としては、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基などを挙げることができる。
【０４７５】
炭素原子数４〜２０の不飽和脂肪族炭化水素基としては、オレイル基を挙げることができる。
【０４７６】
炭素原子数４〜２０の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などを挙げることができる。
【０４７７】
炭素原子数４〜２０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、ナフチルメチル基などを挙げることができる。
【０４７８】
炭素原子数４〜２０の炭化水素基としては、飽和脂肪族炭化水素基、及び不飽和脂肪族炭化水素基が好ましい。
【０４７９】
含窒素化合物としては、アミン類やアミド類を挙げることができる。
含酸素化合物としては、脂肪酸類を挙げることができる。
【０４８０】
このような脂溶性溶媒のうち、炭素原子数４〜２０の炭化水素基を有する含窒素化合物が好ましい。このような含窒素化合物としては、例えばｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｎ−ペンチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミンなどのアルキルアミンや、オレイルアミンなどのアルケニルアミンが好ましい。
【０４８１】
こうした脂溶性溶媒は、合成により生じる半導体粒子の表面に結合可能である。脂溶性溶媒が半導体粒子の表面に結合する際の結合としては、例えば共有結合、イオン結合、配位結合、水素結合、ファンデルワールス結合等の化学結合が挙げられる。
【０４８２】
上記混合液の加熱温度は、使用する原料（単体や化合物）の種類によって適宜設定すればよい。混合液の加熱温度は、例えば、１３０〜３００℃が好ましく、２４０〜３００℃がより好ましい。加熱温度が上記下限値以上であると結晶構造が単一化しやすいため好ましい。加熱温度が上記上限値以下であると、生じる半導体粒子の結晶構造が崩壊しにくく、目的物が得られやすいため好ましい。
【０４８３】
混合液の加熱時間は、使用する原料（単体や化合物）の種類、加熱温度によって適宜設定すればよい。混合液の加熱時間は、例えば、数秒間〜数時間が好ましく、１〜６０分間がより好ましい。
【０４８４】
上述の半導体粒子の製造方法においては、加熱後の混合液を冷却することにより、目的物である半導体粒子を含む沈殿物が得られる。沈殿物を分離して適宜洗浄することで、目的物である半導体粒子が得られる。
【０４８５】
沈殿物を分離した上澄み液については、合成した半導体粒子が不溶又は難溶な溶媒を添加し、上澄み液における半導体粒子の溶解度を低下させて沈殿物を生じさせ、上澄み液に含まれる半導体粒子を回収してもよい。「半導体粒子が不溶又は難溶な溶媒」としては、例えばメタノール、エタノール、アセトン、アセトニトリルなどを挙げることができる。
【０４８６】
上述の半導体粒子の製造方法においては、分離した沈殿物を有機溶媒（例えばクロロホルム、トルエン、ヘキサン、ｎ−ブタノールなど）に入れて半導体粒子を含む溶液としてもよい。
【０４８７】
（（viii）の半導体粒子の製造方法）
（viii）の半導体粒子の製造方法は、既知文献（Ｎａｎｏ  Ｌｅｔｔ．  ２０１５，１５，  ３６９２−３６９６、ＡＣＳＮａｎｏ，２０１５，９，４５３３−４５４２）を参考に、以下に述べる方法によって製造することができる。
【０４８８】
（第１の製造方法）
ペロブスカイト化合物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するＡ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を第１溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、得られた溶液と第２溶媒とを混合する工程とを含む製造方法が挙げられる。
【０４８９】
第２溶媒は、ペロブスカイト化合物に対する溶解度が第１溶媒よりも低い溶媒である。
なお、溶解度とは、得られた溶液と第２溶媒とを混合する工程を行う温度における溶解度を意味する。
【０４９０】
第１溶媒及び第２溶媒としては、上述の（ａ）〜（ｋ）として挙げる有機溶媒の群から選ばれる少なくとも２種を挙げることができる。
【０４９１】
例えば、室温（１０℃〜３０℃）で溶液と第２溶媒とを混合する工程を行う場合、第１溶媒としては、上述の（ｄ）アルコール、（ｅ）グリコールエーテル、（ｆ）アミド基を有する有機溶媒、（ｋ）ジメチルスルホキシドを挙げることができる。
【０４９２】
また、室温（１０℃〜３０℃）で溶液と第２溶媒とを混合する工程を行う場合、第２溶媒としては、上述の（ａ）エステル、（ｂ）ケトン、（ｃ）エーテル、（ｇ）ニトリル基を有する有機溶媒、（ｈ）カーボネート基を有する有機溶媒、（ｉ）ハロゲン化炭化水素、（ｊ）炭化水素を挙げることができる。
【０４９３】
以下、第１の製造方法を具体的に説明する。
まず、Ａ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を第１溶媒に溶解させ、溶液を得る。「Ａ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。「Ｂ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。
【０４９４】
次いで、得られた溶液と第２溶媒とを混合する。溶液と、第２溶媒とを混合する工程は、（Ｉ）溶液を第２溶媒に加えることとしてもよく、（ＩＩ）第２溶媒を溶液に加えることとしてもよい。第１の製造方法で生じるペロブスカイト化合物の粒子が溶液中に分散しやすいため、（Ｉ）溶液を第２溶媒に加えるとよい。
【０４９５】
溶液と第２溶媒とを混合する際には、一方を他方に滴下するとよい。また、撹拌しながら溶液と第２溶媒とを混合するとよい。
【０４９６】
溶液と第２溶媒とを混合する工程において、溶液と第２溶媒との温度には特に制限は無い。得られるペロブスカイト化合物が析出し易いため、−２０℃〜４０℃の範囲であることが好ましく、−５℃〜３０℃の範囲であることがより好ましい。溶液の温度及び第２溶媒の温度は、同じであってもよく、異なっていてもよい。
【０４９７】
第１溶媒と第２溶媒とのペロブスカイト化合物に対する溶解度の差は（１００μｇ／溶媒１００ｇ）〜（９０ｇ／溶媒１００ｇ）であることが好ましく、（１ｍｇ／溶媒１００ｇ）〜（９０ｇ／溶媒１００ｇ）であることがより好ましい。
【０４９８】
第１溶媒と第２溶媒との組み合わせとして、第１溶媒がＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド基を有する有機溶媒やジメチルスルホキシドであり、第２溶媒がハロゲン化炭化水素や炭化水素であると好ましい。第１溶媒と第２溶媒とがこれらの溶媒の組み合わせであると、例えば、室温（１０℃〜３０℃）で混合する工程を行う場合に、第１溶媒と第２溶媒とのペロブスカイト化合物に対する溶解度の差を（１００μｇ／溶媒１００ｇ）〜（９０ｇ／溶媒１００ｇ）に制御しやすいため好ましい。
【０４９９】
溶液と第２溶媒とを混合することにより、得られる混合液においてはペロブスカイト化合物の溶解度が低下し、ペロブスカイト化合物が析出する。これにより、ペロブスカイト化合物を含む分散液が得られる。
【０５００】
得られたペロブスカイト化合物を含む分散液について固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物を回収することができる。固液分離の方法としては、ろ過、溶媒の蒸発による濃縮などが挙げられる。固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物のみを回収することができる。
【０５０１】
なお、上述した製造方法においては、得られるペロブスカイト化合物の粒子が分散液中で安定して分散しやすいため、上述の表面修飾剤を加える工程を含んでいることが好ましい。
【０５０２】
表面修飾剤を加える工程は、溶液と第２溶媒とを混合する工程の前に行うことが好ましい。具体的には、表面修飾剤は、第１溶媒に添加してもよく、溶液に添加してもよく、第２溶媒に添加してもよい。また、表面修飾剤は、第１溶媒、及び第２溶媒の両方に添加してもよい。
【０５０３】
また、上述した製造方法においては、溶液と第２溶媒とを混合する工程のあと、遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいていることが好ましい。除去する工程によって除去する粗大粒子のサイズは、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、さらに好ましくは５００ｎｍ以上である。
【０５０４】
（第２の製造方法）
ペロブスカイト化合物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するＡ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を高温の第３溶媒に溶解させ溶液を得る工程と、溶液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。
【０５０５】
以下、第２の製造方法を具体的に説明する。
【０５０６】
まず、Ａ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物、及びＸ成分を含む化合物を高温の第３溶媒に溶解させ溶液を得る。「Ａ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。「Ｂ成分を含む化合物」は、Ｘ成分を含んでいてもよい。
本工程は、高温の第３溶媒に各化合物を加えて溶解させ溶液を得ることとしてもよい。
また、本工程は、第３溶媒に各化合物を加えた後、昇温することで溶液を得ることとしてもよい。
【０５０７】
第３溶媒としては、原料であるＡ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物と、Ｘ成分を含む化合物とを溶解することができる溶媒が挙げられる。具体的には、第３溶媒としては、例えば、上述の第１溶媒、第２溶媒が挙げられる。
【０５０８】
「高温」とは、各原料が溶解する温度であればよい。例えば、高温の第３溶媒の温度として、６０〜６００℃であることが好ましく、８０〜４００℃であることがより好ましい。
【０５０９】
次いで、得られた溶液を冷却する。
冷却する温度としては、−２０〜５０℃が好ましく、−１０〜３０℃がより好ましい。
冷却速度としては、０．１〜１５００℃／分が好ましく、１０〜１５０℃／分がより好ましい。
【０５１０】
高温の溶液を冷却することで、溶液の温度差に起因した溶解度の差により、ペロブスカイト化合物を析出させることができる。これにより、ペロブスカイト化合物を含む分散液が得られる。
【０５１１】
得られたペロブスカイト化合物を含む分散液については、固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物を回収することができる。固液分離の方法としては、第１の製造方法で示した方法が挙げられる。
【０５１２】
なお、上述した製造方法においては、得られるペロブスカイト化合物の粒子が分散液中で安定して分散しやすいため、上述の表面修飾剤を加える工程を含んでいることが好ましい。
【０５１３】
表面修飾剤を加える工程は、冷却する工程の前に行うことが好ましい。具体的には、表面修飾剤は、第３溶媒に添加してもよく、Ａ成分を含む化合物、Ｂ成分を含む化合物及びＸ成分を含む化合物のうち少なくとも１種を含む溶液に添加してもよい。
【０５１４】
また、上述した製造方法においては、冷却する工程のあと、第１の製造方法で示した遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいていることが好ましい。
【０５１５】
（第３の製造方法）
ペロブスカイト化合物の製造方法としては、ペロブスカイト化合物を構成するＡ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを溶解させた第１溶液を得る工程と、ペロブスカイト化合物を構成するＸ成分を含む化合物を溶解させた第２溶液を得る工程と、第１溶液と第２溶液を混合して混合液を得る工程と、得られた混合液を冷却する工程とを含む製造方法が挙げられる。
【０５１６】
以下、第３の製造方法を具体的に説明する。
【０５１７】
まず、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを高温の第４溶媒に溶解させ第１溶液を得る。
【０５１８】
第４溶媒としては、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とを溶解することができる溶媒が挙げられる。具体的には、第４溶媒としては、上述の第３溶媒が挙げられる。
【０５１９】
「高温」とは、Ａ成分を含む化合物と、Ｂ成分を含む化合物とが溶解する温度であればよい。例えば、高温の第４溶媒の温度として、６０〜６００℃であることが好ましく、８０〜４００℃であることがより好ましい。
【０５２０】
また、Ｘ成分を含む化合物を第５溶媒に溶解させ、第２溶液を得る。Ｘ成分を含む化合物は、Ｂ成分を含んでいてもよい。
【０５２１】
第５溶媒としては、Ｘ成分を含む化合物を溶解することができる溶媒が挙げられる。
具体的には、第５溶媒としては、上述の第３溶媒が挙げられる。
【０５２２】
次いで、得られた第１溶液と第２溶液を混合して混合液を得る。第１溶液と第２溶液とを混合する際には、一方を他方に滴下するとよい。また、撹拌しながら第１溶液と第２溶液とを混合するとよい。
【０５２３】
次いで、得られた混合液を冷却する。
冷却する温度としては、−２０〜５０℃が好ましく、−１０〜３０℃がより好ましい。
冷却速度としては、０．１〜１５００℃／分が好ましく、１０〜１５０℃／分がより好ましい。
【０５２４】
混合液を冷却することで、混合液の温度差に起因した溶解度の差により、ペロブスカイト化合物を析出させることができる。これにより、ペロブスカイト化合物を含む分散液が得られる。
【０５２５】
得られたペロブスカイト化合物を含む分散液については、固液分離を行うことで、ペロブスカイト化合物を回収することができる。固液分離の方法としては、第１の製造方法で示した方法が挙げられる。
【０５２６】
なお、上述した製造方法においては、得られるペロブスカイト化合物の粒子が分散液中で安定して分散しやすいため、上述の表面修飾剤を加える工程を含んでいることが好ましい。
【０５２７】
表面修飾剤を加える工程は、冷却する工程の前に行うことが好ましい。具体的には、表面修飾剤は、第４溶媒、第５溶媒、第１溶液、第２溶液、混合液のいずれに添加してもよい。
【０５２８】
また、上述した製造方法においては、冷却する工程のあと、第１の製造方法で示した遠心分離、ろ過などの手法により粗大粒子を除去する工程を含んでいていることが好ましい。
【０５２９】
＜（２）被覆層の形成＞
（２）被覆層は、（２）被覆層の原料化合物を改質処理することにより得られる。（２）被覆層の原料化合物としては、シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物の原料化合物と、シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の層の原料化合物とが挙げられる。
【０５３０】
以下の説明では、シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物の原料化合物を「（２Ａ）原料化合物」とする。
【０５３１】
（２Ａ）原料化合物としては、シラザン、上述の式（Ｃ１）で表される化合物（ただし、Ｙ５が単結合であるもの）、上述の式（Ａ５−５１）で表される化合物、上述の式（Ａ５−５２）で表される化合物からなる群から選ばれる１種以上を挙げることができる。
【０５３２】
また、シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の原料化合物を「（２Ｂ）原料化合物」とする。
【０５３３】
（２Ｂ）原料化合物としては、シラザン、上述の式（Ｃ１）で表される化合物（ただし、Ｙ５が単結合であるものを除く）、上述の式（Ｃ２）で表される化合物、ケイ酸ナトリウムを挙げることができる。
【０５３４】
（２）被覆層は、（１）半導体粒子の表面に（２−１）シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物の層と（２−２）シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の層とのいずれか一方を形成する工程（ステップ１）と、他方を形成する工程（ステップ２）とを行うことにより得られる。
【０５３５】
（２）被覆層は、ステップ１において（２−１）シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物の層を形成し、ステップ２において（２−２）シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の層を形成することが好ましい。
【０５３６】
この場合、（２）被覆層は、（１）半導体粒子及び（３）溶媒の混合物と、（２Ａ）原料化合物を混合して混合液を調製し、得られた混合物に改質処理を施す工程（ステップ１）と、改質後の反応液に（２Ｂ）原料化合物を混合して混合液を調製し、得られた混合物に改質処理を施す工程（ステップ２）とを行うことにより得られる。
【０５３７】
又は、（２）被覆層は、（１）半導体粒子及び（２Ａ）原料化合物との混合物と、（３）溶媒の混合物とを混合して混合液を調製し、得られた混合物に改質処理を施す工程（ステップ１）と、改質後の反応液に（２Ｂ）原料化合物を混合して混合液を調製し、得られた混合物に改質処理を施す工程（ステップ２）とを行うことによっても得られる。
【０５３８】
混合液を調製する際には、液を撹拌しながら各原料を混合するとよい。
【０５３９】
混合液を調製する際の温度には、特に制限はない。混合液を均一に混合しやすいため、混合液を調製する際の温度は、０℃〜１００℃の範囲内であることが好ましく、１０℃〜８０℃の範囲内であることがより好ましい。
【０５４０】
（１）半導体粒子の表面に（２）被覆層を効率的に形成させやすいため、ステップ１においては、（１）半導体粒子及び（３）溶媒の混合物と、（２Ａ）原料化合物とを混合して混合液を調製し、得られた混合物に改質処理を施すことが好ましい。
【０５４１】
改質処理の方法は、（２Ａ）原料化合物又は（２Ｂ）原料化合物に対し紫外線を照射する方法、及び、（２Ａ）原料化合物又は（２Ｂ）原料化合物と水蒸気とを反応させる方法等の公知の方法が挙げられる。以下の説明では、（２Ａ）原料化合物又は（２Ｂ）原料化合物と水蒸気とを反応させる処理のことを、「加湿処理」と称することがある。
【０５４２】
紫外線を照射する方法で用いられる紫外線の波長は、通常１０〜４００ｎｍであり、１０〜３５０ｎｍが好ましく、１００〜１８０ｎｍがより好ましい。紫外線の発生させる光源としては、例えば、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、エキシマランプ、ＵＶレーザー光等が挙げられる。
【０５４３】
加湿処理を施す場合、例えば、上述の混合物を、後述する湿度条件下で一定の時間静置してもよく、撹拌してもよい。加湿処理の際には、混合液を撹拌することが好ましい。
【０５４４】
加湿処理における温度は、十分に改質が進行する温度であればよい。加湿処理における温度は、例えば、５〜１５０℃であることが好ましく、１０〜１００℃であることがより好ましく、１５〜８０℃であることがさらに好ましい。
【０５４５】
加湿処理における湿度は、用いる（２Ａ）原料化合物、（２Ｂ）原料化合物に十分に水分が供給される湿度であればよい。加湿処理における湿度は、例えば、３０％〜１００％であることが好ましく、４０％〜９５％であることがより好ましく、６０％〜９０％であることがさらに好ましい。上記湿度は、加湿処理を行う温度における相対湿度を意味する。
【０５４６】
加湿処理に要する時間は、十分に改質が進行する時間であればよい。加湿処理に要する時間は、例えば、１０分間以上１週間以下であることが好ましく、１時間以上５日間以下であることがより好ましく、２時間以上３日間以下であることがさらに好ましい。
【０５４７】
改質処理の方法として加湿処理を用いると、（１）半導体粒子の近傍に強固な保護領域を形成しやすいため好ましい。
【０５４８】
加湿処理における水の供給は、水蒸気を含むガスを反応容器中に流通させることによって行ってもよく、水蒸気を含む雰囲気中で撹拌することで、界面から水分を供給してもよい。
【０５４９】
水蒸気を含むガスを反応容器中に流通させる場合、得られる発光性粒子の耐久性が向上するため、水蒸気を含むガス流量は、０．０１Ｌ／分以上１００Ｌ／分以下が好ましく、０．１Ｌ／分以上１０Ｌ／分以下がより好ましく、０．１５Ｌ／分以上５Ｌ／分以下がさらに好ましい。水蒸気を含むガスとしては、例えば飽和量の水蒸気を含む窒素を挙げることができる。
【０５５０】
本実施形態の発光性粒子は、例えば（１）半導体粒子１質量部に対して、（２Ａ）原料化合物及び（２Ｂ）原料化合物の合計使用量が１．１質量部〜１０質量部であって、温度が６０℃〜１２０℃であるときに得られる。
【０５５１】
本実施形態においては、（１）半導体粒子１質量部に対して、（２Ａ）原料化合物の使用量が１．１〜１０質量部であることが好ましく、１．３〜１０質量部であることがより好ましく、１．５〜１０質量部であることがさらに好ましい。
本実施形態においては、（１）半導体粒子１質量部に対して、（２Ｂ）原料化合物の使用量が０．０１〜１０質量部であることが好ましく、０．０５〜５質量部であることがより好ましく、０．１〜３質量部であることがさらに好ましい。
【０５５２】
上述のステップ１において、上述の方法による（１）半導体粒子の製造を、（２Ａ）原料化合物を混合した状態で行い、得られた（１）半導体粒子を含む分散液に改質処理を施してもよい。（１）半導体粒子を製造する際、表面修飾剤を加える工程を含むこととしてもよい。
【０５５３】
ステップ１において、（２Ａ）原料化合物は、溶液と第２溶媒とを混合する工程（第１の製造方法）、又は冷却する工程（第２の製造方法、第３の製造方法）に先立って、反応液に混合しておくとよい。（２Ａ）原料化合物を含んだ状態で、上記第１〜第３の製造方法のいずれかを実施することで、（２Ａ）原料化合物と（１）半導体粒子とを含む分散液が得られる。得られた分散液に改質処理を施すことで、発光性粒子を得ることとするとよい。
【０５５４】
（２Ｂ）原料化合物としてケイ酸ナトリウムを用いる場合、適宜、酸処理による改質を行って改質体を得るとよい。
【０５５５】
＜＜組成物の製造方法１＞＞
以下、得られる組成物の性状を理解しやすくするため、組成物の製造方法１で得られる組成物を「液状組成物」と称する。
【０５５６】
本実施形態の液状組成物は、発光性粒子と（３）溶媒及び（４）重合性化合物のいずれか一方又は両方と混合することで製造することができる。
また、上述の製造方法で発光性粒子を製造したときに得られる発光性粒子の分散液は、本実施形態における液状組成物に該当する。
【０５５７】
発光性粒子と（４）重合性化合物とを混合する際には、撹拌しながら行うことが好ましい。
【０５５８】
発光性粒子と（４）重合性化合物とを混合する際、混合時の温度には特に制限は無いが、発光性粒子が均一に混合しやすいため、０℃〜１００℃の範囲であることが好ましく、１０℃〜８０℃の範囲であることがより好ましい。
【０５５９】
その他、液状組成物の製造方法は、下記（ｃ１）〜（ｃ３）の製造方法が挙げられる。
【０５６０】
製造方法（ｃ１）：（４）重合性化合物に（１）半導体粒子を分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と（２Ａ）原料化合物とを混合する工程と、改質処理を施す工程と、得られた反応液と（２Ｂ）原料化合物とを混合する工程と、改質処理を施す工程とを含む製造方法。
【０５６１】
一度目の加湿処理までの工程を「ステップ１」、一度目の加湿処理の後から二度目の加湿処理までの工程を「ステップ２」とする。
【０５６２】
製造方法（ｃ２）：（４）重合性化合物に（２）被覆層の原料化合物を分散させ分散体を得る工程と、得られた分散体と（１）半導体粒子を混合する工程と、改質処理を施す工程（ステップ１）と、ステップ２とを含む製造方法。
【０５６３】
製造方法（ｃ３）：（４）重合性化合物に（１）半導体粒子及び（２Ａ）原料化合物を分散させ分散体を得る工程と、改質処理を施す工程（ステップ１）と、ステップ２とを含む製造方法。
【０５６４】
上記（ｃ１）〜（ｃ３）の製造方法のステップ１において、各分散体を得る工程では、（４）重合性化合物を、（１）半導体粒子と（２Ａ）原料化合物とのいずれか一方又は両方に滴下してもよく、（１）半導体粒子と（２Ａ）原料化合物とのいずれか一方又は両方を（４）重合性化合物に滴下してもよい。
【０５６５】
均一に分散しやすいため、（１）半導体粒子と（２Ａ）原料化合物とのいずれか一方又は両方を（４）重合性化合物に滴下することが好ましい。
【０５６６】
上記（ｃ１）〜（ｃ３）の製造方法のステップ１において、各混合する工程では、（１）半導体粒子又は（２Ａ）原料化合物を分散体に滴下してもよいし、分散体を（１）半導体粒子又は（２Ａ）原料化合物に滴下してもよい。
均一に分散しやすいため、（１）半導体粒子又は（２）被覆層の原料化合物を分散体に滴下することが好ましい。
【０５６７】
上記（ｃ１）〜（ｃ３）の製造方法のステップ２において、各混合する工程では、（２Ｂ）原料化合物を反応液に滴下してもよいし、反応液を（２Ｂ）原料化合物に滴下してもよい。
均一に分散しやすいため、（２Ｂ）原料化合物を反応液に滴下することが好ましい。
【０５６８】
（４）重合性化合物には、（４−１）重合体が溶解していてもよい。
また、製造方法（ｃ１）〜（ｃ３）において、（４）重合性化合物の代わりに、溶媒に溶解させた（４−１）重合体を用いてもよい。
【０５６９】
（４−１）重合体を溶解させる溶媒は、（４−１）重合体を溶解しうる溶媒であれば特に限定されない。溶媒としては、（１）半導体粒子を溶解し難いものが好ましい。
（４−１）重合体が溶解している溶媒としては、例えば、上述の第３溶媒と同じ溶媒が挙げられる。
【０５７０】
中でも第２溶媒は極性が低く、（１）半導体粒子を溶解し難いと考えられるため好ましい。
【０５７１】
第２溶媒の中でも、ハロゲン化炭化水素、及び炭化水素がより好ましい。
【０５７２】
本実施形態の液状組成物の製造方法は、下記（ｃ４）の製造方法であってもよい。
製造方法（ｃ４）：（１）半導体粒子を（３）溶媒に分散させ分散液を得る工程と、分散液と（４）重合性化合物とを混合し混合液を得る工程と、混合液と（２Ａ）原料化合物とを混合する工程と、改質処理を施す工程（ステップ１）と、ステップ２とを含む製造方法。
【０５７３】
＜＜組成物の製造方法２＞＞
本実施形態の組成物の製造方法としては、（１）半導体粒子と、（２Ａ）原料化合物と、（４）重合性化合物とを混合する工程と、改質処理を施す工程と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法を挙げることができる。
【０５７４】
また、本実施形態の組成物の製造方法としては、（１）半導体粒子と、（２Ａ）原料化合物と、（３）溶媒に溶解している（４−１）重合体とを混合する工程と、改質処理を施す工程と、（３）溶媒を除去する工程と、を含む製造方法も挙げることができる。
【０５７５】
上述の製造方法に含まれる混合する工程には、上述の組成物の製造方法と同様の混合方法を用いることができる。
【０５７６】
組成物の製造方法は、例えば、下記（ｄ１）〜（ｄ６）の製造方法が挙げられる。
【０５７７】
製造方法（ｄ１）：（４）重合性化合物に、（１）半導体粒子を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と、（２Ａ）原料化合物と表面修飾剤とを混合する工程と、改質処理を施す工程（ステップ１）と、得られた反応液と（２Ｂ）原料化合物とを混合する工程と、改質処理を施す工程（ステップ２）と、（４）重合性化合物を重合させる工程とを含む製造方法。
【０５７８】
製造方法（ｄ２）：（４−１）重合体を溶解させた（３）溶媒に、（１）半導体粒子を分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と、（２Ａ）原料化合物と表面修飾剤とを混合する工程と、改質処理を施す工程（ステップ１）と、得られた反応液と（２Ｂ）原料化合物とを混合する工程と、改質処理を施す工程（ステップ２）と、（３）溶媒を除去する工程と、を含む製造方法。
【０５７９】
製造方法（ｄ３）：（４）重合性化合物に、（２Ａ）原料化合物と表面修飾剤とを分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と（１）半導体粒子とを混合する工程と、改質処理を施す工程（ステップ１）と、得られた反応液と（２Ｂ）原料化合物とを混合する工程と、改質処理を施す工程（ステップ２）と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。
【０５８０】
製造方法（ｄ４）：（４−１）重合体を溶解させた（３）溶媒に、（２Ａ）原料化合物と表面修飾剤とを分散させ、分散体を得る工程と、得られた分散体と、（１）半導体粒子とを混合する工程と、改質処理を施す工程（ステップ１）と、得られた反応液と（２Ｂ）原料化合物とを混合する工程と、改質処理を施す工程（ステップ２）と、（３）溶媒を除去する工程と、を含む製造方法。
【０５８１】
製造方法（ｄ５）：（４）重合性化合物に、（１）半導体粒子と（２Ａ）原料化合物と表面修飾剤との混合物を分散させる工程と、改質処理を施す工程（ステップ１）と、得られた反応液と（２Ｂ）原料化合物とを混合する工程と、改質処理を施す工程（ステップ２）と、（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。
【０５８２】
製造方法（ｄ６）：（４−１）重合体を溶解させた（３）溶媒に、（１）半導体粒子と（２Ａ）原料化合物と表面修飾剤との混合物を分散させる工程と、改質処理を施す工程（ステップ１）と、得られた反応液と（２Ｂ）原料化合物とを混合する工程と、改質処理を施す工程（ステップ２）と、（３）溶媒を除去する工程と、を含む製造方法。
【０５８３】
製造方法（ｄ２）、（ｄ４）及び（ｄ６）に含まれる、（３）溶媒を除去する工程は、室温で静置し、自然乾燥させる工程であってもよいし、真空乾燥機を用いた減圧乾燥や加熱によって（３）溶媒を蒸発させる工程であってもよい。
【０５８４】
（３）溶媒を除去する工程では、例えば、０〜３００℃で、１分間〜７日間乾燥させることで、（３）溶媒を除去することができる。
【０５８５】
製造方法（ｄ１）、（ｄ３）及び（ｄ５）に含まれる、（４）重合性化合物を重合させる工程は、ラジカル重合などの公知の重合反応を適宜用いることで行うことができる。
【０５８６】
例えばラジカル重合の場合は、（１）半導体粒子と、（２）被覆層と、（４）重合性化合物との混合物に、ラジカル重合開始剤を添加し、ラジカルを発生させることで重合反応を進行させることができる。
【０５８７】
ラジカル重合開始剤は特に限定されるものではないが、例えば、光ラジカル重合開始剤等が挙げられる。
【０５８８】
光ラジカル重合開始剤としては、例えば、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキシド等が挙げられる。
【０５８９】
＜＜組成物の製造方法３＞＞
また、本実施形態の組成物の製造方法は、下記（ｄ７）の製造方法も採用することができる。
製造方法（ｄ７）：発光性粒子と（４−１）重合体とを溶融混練する工程を含む製造方法。
【０５９０】
製造方法（ｄ７）においては、発光性粒子と（４−１）重合体との混合物を溶融混練してもよく、溶融した（４−１）重合体に発光性粒子を添加してもよい。
【０５９１】
（４−１）重合体を溶融混練する方法としては、重合体の混練方法として公知の方法を採用することができる。例えば、単軸押出機、又は二軸押出機を用いた押出加工を採用することができる。
【０５９２】
＜＜測定方法＞＞
＜発光性の半導体粒子の測定＞
組成物に含まれる発光性粒子の量は、乾燥重量法によって固形分濃度（質量％）を算出することができる。
【０５９３】
＜量子収率、発光強度、半値幅の測定＞
組成物の量子収率は、絶対ＰＬ量子収率測定装置（例えば、浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０−０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定することにより求めることができる。また、測定で得られた発光スペクトルから、発光強度及び半値幅を求めることができる。
【０５９４】
溶液を含む組成物の場合、測定に際しては、組成物に含まれる発光性粒子の固形分濃度が２３０ｐｐｍ（μｇ／ｇ）となるようにトルエンで調整し、測定する。
【０５９５】
組成物が膜の場合、測定に際しては、発光性粒子と（３）溶媒とからなる組成物を、１ｃｍ×１ｃｍのガラス基板上に、塗布、乾燥させて塗膜を得る。得られた塗膜を、１００℃で１２時間熱処理して発光性粒子の膜を得た後に、測定する。
【０５９６】
上記測定において、発光強度は、２０００以上がよく、２０４０以上が好ましく、２１００以上がさらに好ましい。
【０５９７】
上記測定において、半値幅は、１９．６５ｎｍ以下がよく、１９．５５ｎｍ以下が好ましく、１９．２０ｎｍ以下がさらに好ましい。
【０５９８】
＜耐光性試験１＞
本実施形態の組成物について、光に対する耐久性（耐光性）は、下記の方法で評価することができる。
【０５９９】
発光性粒子と（３）溶媒とからなる組成物を、１ｃｍ×１ｃｍのガラス基板上に、塗布、乾燥させて塗膜を得る。得られた塗膜を、１００℃で１２時間熱処理して発光性粒子の膜を得る。
【０６００】
発光性粒子の膜を、８０℃に加熱しながら、ＬＥＤ光源からピーク波長４５０ｎｍ、３０ｍＷ／ｃｍ２の光を２時間照射する。
【０６０１】
光照射前の組成物の量子収率と、光照射後の組成物の量子収率を測定し、下記式に基づいて維持率を求める。求めた維持率が高いほど、光耐久性が高い組成物であると評価できる。
維持率（％）＝（耐光試験後の組成物の量子収率）÷（耐光試験前の組成物の量子収率）×１００
【０６０２】
本実施形態の組成物は、上記耐久性試験において静置期間を２時間としたとき維持率が４９．０％以上であってもよく、５３．０％以上であってもよく、５５．０％以上であってもよい。
【０６０３】
＜耐光性評価２＞
本実施形態の組成物について、光に対する耐久性（耐光性）は、下記の方法でも評価することができる。
【０６０４】
発光性粒子と（３）溶媒とからなる組成物を、１ｃｍ×１ｃｍのガラス基板上に、塗布、乾燥させて塗膜を得る。
【０６０５】
発光性粒子の膜を、５０℃に加熱しながら、ＬＥＤ光源からピーク波長４５０ｎｍ、８０ｍＷ／ｃｍ２の光を２時間照射する。
【０６０６】
光照射前の組成物の量子収率と、光照射後の組成物の量子収率を測定し、前記式に基づいて維持率を求める。求めた維持率が高いほど、光耐久性が高い組成物であると評価できる。
【０６０７】
本実施形態の組成物は、上記耐久性試験において静置期間を２時間としたとき維持率が８４％以上であってもよく、８５％以上であってもよく、９０％以上であってもよい。
【０６０８】
以上のような構成の組成物によれば、発光性の粒子を含み、光に対する耐久性が高い組成物を提供することができる。
【０６０９】
＜＜フィルム＞＞
本実施形態に係るフィルムは、上述の組成物を形成材料とする。例えば、本実施形態に係るフィルムは、発光性粒子及び（４−１）重合体を含み、発光性粒子及び（４−１）重合体の合計がフィルムの総質量に対しの９０質量％以上である。
【０６１０】
フィルム形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。本明細書において「バー状の形状」とは、例えば、一方向に延在する平面視帯状の形状を意味する。平面視帯状の形状としては、各辺の長さが異なる板状の形状が例示される。
【０６１１】
フィルムの厚みは、０．０１μｍ〜１０００ｍｍであってもよく、０．１μｍ〜１０ｍｍであってもよく、１μｍ〜１ｍｍであってもよい。
【０６１２】
本明細書においてフィルムの厚みは、フィルムの縦、横、高さの中で最も値の小さい辺を「厚さ方向」としたときの、フィルムの厚さ方向のおもて面と裏面との間の距離を指す。具体的には、マイクロメータを用い、フィルムの任意の３点においてフィルムの厚みを測定し、３点の測定値の平均値を、フィルムの厚みとする。
【０６１３】
フィルムは、単層であってもよく、複層であってもよい。複層の場合、各層は同一の種類の組成物が用いられていてもよく、互いに異なる種類の組成物が用いられていてもよい。
【０６１４】
フィルムは、例えば、後述の積層構造体の製造方法（ｅ１）〜（ｅ３）により、基板上に形成されたフィルムとして得ることができる。また、フィルムは基板から剥がして得ることができる。
【０６１５】
＜＜積層構造体＞＞
本実施形態に係る積層構造体は、複数の層を有し、少なくとも一層が、上述のフィルムである。
【０６１６】
積層構造体が有する複数の層のうち、上述のフィルム以外の層としては、基板、バリア層、光散乱層等の任意の層が挙げられる。
積層されるフィルムの形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。
【０６１７】
（基板）
基板は、特に制限はないが、フィルムであってもよい。基板は、光透過性を有するものが好ましい。光透過性を有する基板を有する積層構造体では、発光性粒子が発した光を取り出しやすいため好ましい。
【０６１８】
基板の形成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリマーや、ガラスなどの公知の材料を用いることができる。
例えば、積層構造体において、上述のフィルムを、基板上に設けていてもよい。
【０６１９】
図１は、本実施形態の積層構造体の構成を模式的に示す断面図である。第１の積層構造体１ａは、第１の基板２０及び第２の基板２１の間に、本実施形態のフィルム１０が設けられている。フィルム１０は、封止層２２によって封止されている。
【０６２０】
本発明の一つの側面は、第１の基板２０と、第２の基板２１と、第１の基板２０と第２の基板２１との間に位置する本実施形態に係るフィルム１０と、封止層２２と、を有する積層構造体であって、封止層２２が、フィルム１０の第１の基板２０、及び第２の基板２１と接していない面上に配置されることを特徴とする積層構造体１ａである。
【０６２１】
（バリア層）
本実施形態に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、バリア層が挙げられる。外気の水蒸気、及び大気中の空気から前述の組成物を保護する観点から、バリア層を含んでいてもよい。
【０６２２】
バリア層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出す観点から、透明なものが好ましい。バリア層としては、例えば、ポリエチレンテレフタレートなどのポリマーや、ガラス膜などの公知のバリア層を用いることができる。
【０６２３】
（光散乱層）
本実施形態に係る積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、光散乱層が挙げられる。入射した光を有効に利用する観点から、光散乱層を含んでいてもよい。
光散乱層は、特に制限は無いが、発光した光を取り出す観点から、透明なものが好ましい。光散乱層としては、シリカ粒子などの光散乱粒子や、増幅拡散フィルムなどの公知の光散乱層を用いることができる。
【０６２４】
＜＜発光装置＞＞
本実施形態に係る発光装置は、本実施形態のフィルム又は積層構造体と、光源とを合せることで得ることができる。発光装置は、光源から発光した光を、光源の光射出方向に設置したフィルム又は積層構造体に照射することで、フィルム又は積層構造体を発光させ、光を取り出す装置である。
【０６２５】
発光装置における積層構造体が有する複数の層のうち、上述のフィルム、基板、バリア層、光散乱層以外の層としては、光反射部材、輝度強化部、プリズムシート、導光板、要素間の媒体材料層等の任意の層が挙げられる。
【０６２６】
本発明の一つの側面は、プリズムシート５０と、導光板６０と、第１の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された発光装置２である。
【０６２７】
（光源）
本実施形態の発光装置を構成する光源としては、上記発光性粒子の吸収波長帯に含まれる光を射出する光源を用いる。例えば、上述のフィルム、又は積層構造体中の半導体粒子を発光させるという観点から、６００ｎｍ以下の発光波長を有する光源が好ましい。光源としては、例えば、青色発光ダイオードなどの発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザー、ＥＬなどの公知の光源を用いることができる。
【０６２８】
（光反射部材）
本実施形態の発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、光反射部材が挙げられる。光反射部材を有する発光装置は、光源の光を効率的にフィルム、又は積層構造体に向かって照射することができる。
【０６２９】
光反射部材は、特に制限は無いが、反射フィルムであってもよい。反射フィルムとしては、例えば、反射鏡、反射粒子のフィルム、反射金属フィルムや反射体などの公知の反射フィルムを用いることができる。
【０６３０】
（輝度強化部）
本実施形態の発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、輝度強化部が挙げられる。光の一部分を、光が伝送された方向に向かって反射して戻す観点から、輝度強化部を含んでいてもよい。
【０６３１】
（プリズムシート）
本実施形態の発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、プリズムシートが挙げられる。プリズムシートは、代表的には、基材部とプリズム部とを有する。なお、基材部は、隣接する部材に応じて省略してもよい。
【０６３２】
プリズムシートは、任意の適切な接着層（例えば、接着剤層、粘着剤層）を介して隣接する部材に貼り合わせることができる。
【０６３３】
発光装置を後述のディスプレイに用いる場合、プリズムシートは、視認側とは反対側（背面側）に凸となる複数の単位プリズムが並列されて構成されている。プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置することにより、プリズムシートを透過する光が集光されやすくなる。また、プリズムシートの凸部を背面側に向けて配置すれば、凸部を視認側に向けて配置する場合と比較して、プリズムシートに入射せずに反射する光が少なく、輝度の高いディスプレイを得ることができる。
【０６３４】
（導光板）
本実施形態の発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、導光板が挙げられる。導光板としては、例えば、横方向からの光を厚さ方向に偏向可能となるよう、背面側にレンズパターンが形成された導光板、背面側と視認側とのいずれか一方又は両方にプリズム形状等が形成された導光板など、任意の適切な導光板が用いることができる。
【０６３５】
（要素間の媒体材料層）
本実施形態の発光装置を構成する積層構造体が有していてもよい層としては、特に制限は無いが、隣接する要素（層）間の光路上に１つ以上の媒体材料からなる層（要素間の媒体材料層）が挙げられる。
【０６３６】
要素間の媒体材料層に含まれる１つ以上の媒体には、特に制限は無いが、真空、空気、ガス、光学材料、接着剤、光学接着剤、ガラス、ポリマー、固体、液体、ゲル、硬化材料、光学結合材料、屈折率整合又は屈折率不整合材料、屈折率勾配材料、クラッディング又は抗クラッディング材料、スペーサー、シリカゲル、輝度強化材料、散乱又は拡散材料、反射又は抗反射材料、波長選択性材料、波長選択性抗反射材料、色フィルター、又は上記技術分野で既知の好適な媒体、が含まれる。
【０６３７】
本実施形態の発光装置の具体例としては、例えば、ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイ用の波長変換材料を備えたものが挙げられる。
具体的には、以下の（Ｅ１）〜（Ｅ４）の各構成を挙げることができる。
【０６３８】
構成（Ｅ１）：本実施形態の組成物をガラスチューブ等の中に入れて封止し、これを導光板の端面（側面）に沿うように、光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンエッジ方式のバックライト）。
【０６３９】
構成（Ｅ２）：本実施形態の組成物をシート化し、これを２枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを、導光板の上に設置して、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（表面実装方式のバックライト）。
【０６４０】
構成（Ｅ３）：本実施形態の組成物を、樹脂等に分散させて青色発光ダイオードの発光部近傍に設置し、照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト（オンチップ方式のバックライト）。
【０６４１】
構成（Ｅ４）：本実施形態の組成物を、レジスト中に分散させて、カラーフィルター上に設置し、光源から照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換するバックライト。
【０６４２】
また、本実施形態に係る発光装置の具体例としては、本実施形態の組成物を成形し、光源である青色発光ダイオードの後段に配置して、青色光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発する照明が挙げられる。
【０６４３】
＜＜ディスプレイ＞＞
図２に示すように、本実施形態のディスプレイ３は、液晶パネル４０と、前述の発光装置２とを視認側からこの順に備える。発光装置２は、第２の積層構造体１ｂと光源３０とを備える。第２の積層構造体１ｂは、前述の第１の積層構造体１ａが、プリズムシート５０と、導光板６０と、をさらに備えたものである。ディスプレイは、任意の適切なその他の部材をさらに備えていてもよい。
【０６４４】
本発明の一つの側面は、液晶パネル４０と、プリズムシート５０と、導光板６０と、第１の積層構造体１ａと、光源３０と、がこの順に積層された液晶ディスプレイ３である。
【０６４５】
（液晶パネル）
上記液晶パネルは、代表的には、液晶セルと、液晶セルの視認側に配置された視認側偏光板と、液晶セルの背面側に配置された背面側偏光板とを備える。視認側偏光板及び背面側偏光板は、それぞれの吸収軸が実質的に直交又は平行となるようにして配置され得る。
【０６４６】
（液晶セル）
液晶セルは、一対の基板と、一対の基板間に挟持された表示媒体としての液晶層とを有する。一般的な構成においては、一方の基板に、カラーフィルター及びブラックマトリクスが設けられており、他方の基板に、液晶の電気光学特性を制御するスイッチング素子と、このスイッチング素子にゲート信号を与える走査線及びソース信号を与える信号線と、画素電極及び対向電極とが設けられている。上記基板の間隔（セルギャップ）は、スペーサー等によって制御できる。上記基板の液晶層と接する側には、例えば、ポリイミドからなる配向膜等を設けることができる。
【０６４７】
（偏光板）
偏光板は、代表的には、偏光子と、偏光子の両側に配置された保護層とを有する。偏光子は、代表的には、吸収型偏光子である。
【０６４８】
偏光子としては、任意の適切な偏光子が用いられる。例えば、ポリビニルアルコール系フィルム、部分ホルマール化ポリビニルアルコール系フィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体系部分ケン化フィルム等の親水性高分子フィルムに、ヨウ素や二色性染料等の二色性物質を吸着させて一軸延伸したもの、ポリビニルアルコールの脱水処理物やポリ塩化ビニルの脱塩酸処理物等ポリエン系配向フィルム等が挙げられる。これらの中でも、ポリビニルアルコール系フィルムにヨウ素などの二色性物質を吸着させて一軸延伸した偏光子が、偏光二色比が高く、特に好ましい。
【０６４９】
＜＜組成物の用途＞＞
本実施形態の組成物の用途としては、以下のような用途を挙げることができる。
【０６５０】
＜ＬＥＤ＞
本実施形態の組成物は、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）の発光層の材料として用いることができる。
【０６５１】
本実施形態の組成物を含むＬＥＤとしては、例えば、本実施形態の組成物とＺｎＳなどの導電性粒子を混合して膜状に積層し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面にｐ型輸送層を積層した構造をしており、電流を流すことで、ｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面の組成物に含まれる発光性粒子中で電荷を打ち消すことで発光する方式が挙げられる。
【０６５２】
＜太陽電池＞
本実施形態の組成物は、太陽電池の活性層に含まれる電子輸送性材料として利用することができる。
【０６５３】
前記太陽電池としては、構成は特に限定されないが、例えば、フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板、酸化チタン緻密層、多孔質酸化アルミニウム層、本発明の組成物を含む活性層、２，２’，７，７’−ｔｅｔｒａｋｉｓ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−ｐ−ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）−９，９’−ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ（Ｓｐｉｒｏ−ＭｅＯＴＡＤ）などのホール輸送層、及び、銀（Ａｇ）電極をこの順で有する太陽電池が挙げられる。
【０６５４】
酸化チタン緻密層は、電子輸送の機能、ＦＴＯのラフネスを抑える効果、及び、逆電子移動を抑制する機能を有する。
【０６５５】
多孔質酸化アルミニウム層は、光吸収効率を向上させる機能を有する。
【０６５６】
活性層に含まれる、本実施形態の組成物は、電荷分離及び電子輸送の機能を有する。
【０６５７】
＜センサー＞
本実施形態の組成物は、Ｘ線撮像装置及びＣＭＯＳイメージセンサーなどの固体撮像装置用のイメージ検出部（イメージセンサー）、指紋検出部、顔検出部、静脈検出部及び虹彩検出部などの生体の一部分の所定の特徴を検出する検出部、パルスオキシメーターなどの光学バイオセンサーの検出部に使用する含まれる光電変換素子（光検出素子）材料として利用することができる。
【０６５８】
＜＜フィルムの製造方法＞＞
フィルムの製造方法は、例えば、下記（ｅ１）〜（ｅ３）の製造方法が挙げられる。
【０６５９】
製造方法（ｅ１）：液状組成物を塗工して塗膜を得る工程と、塗膜から（３）溶媒を除去する工程と、を含むフィルムの製造方法。
【０６６０】
製造方法（ｅ２）：（４）重合性化合物を含む液状組成物を塗工して塗膜を得る工程と、得られた塗膜に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含むフィルムの製造方法。
【０６６１】
製造方法（ｅ３）：上述の製造方法（ｄ１）〜（ｄ６）で得られた組成物を成形加工するフィルムの製造方法。
【０６６２】
＜＜積層構造体の製造方法＞＞
積層構造体の製造方法は、例えば、下記（ｆ１）〜（ｆ３）の製造方法が挙げられる。
【０６６３】
製造方法（ｆ１）：液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物を基板上に塗工する工程と、得られた塗膜から（３）溶媒を除去する工程と、を含む積層構造体の製造方法。
【０６６４】
製造方法（ｆ２）：フィルムを基板に張り合わせる工程を含む積層構造体の製造方法。
【０６６５】
製造方法（ｆ３）：（４）重合性化合物を含む液状組成物を製造する工程と、得られた液状組成物を基板上に塗工する工程と、得られた塗膜に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と、を含む製造方法。
【０６６６】
製造方法（ｆ１）及び（ｆ３）における液状組成物を製造する工程は、上述の製造方法（ｃ１）〜（ｃ４）を採用することができる。
【０６６７】
製造方法（ｆ１）及び（ｆ３）における液状組成物を基板上に塗工する工程は、特に制限は無いが、グラビア塗布法、バー塗布法、印刷法、スプレー法、スピンコーティング法、ディップ法、ダイコート法などの、公知の塗布、塗工方法を用いることができる。
【０６６８】
製造方法（ｆ１）における（３）溶媒を除去する工程は、上述した製造方法（ｄ２）、（ｄ４）及び（ｄ６）に含まれる（３）溶媒を除去する工程と同様の工程とすることができる。
【０６６９】
製造方法（ｆ３）における（４）重合性化合物を重合させる工程は、上述した製造方法（ｄ１）、（ｄ３）及び（ｄ５）に含まれる（４）重合性化合物を重合させる工程と同様の工程とすることができる。
【０６７０】
製造方法（ｆ２）におけるフィルムを基板に張り合わせる工程では、任意の接着剤を用いることができる。
【０６７１】
接着剤は、発光性粒子を溶解しない物であれば特に制限は無く、公知の接着剤を用いることができる。
【０６７２】
積層構造体の製造方法は、得られた積層構造体に、さらに任意のフィルムを張り合わせる工程を含んでいてもよい。
【０６７３】
張り合わせる任意のフィルムとしては、例えば、反射フィルム、拡散フィルムが挙げられる。
【０６７４】
フィルムを張り合わせる工程では、任意の接着剤を用いることができる。
【０６７５】
上述の接着剤は、発光性粒子を溶解しない物であれば特に制限は無く、公知の接着剤を用いることができる。
【０６７６】
＜＜発光装置の製造方法＞＞
例えば、上述の光源と、光源から射出される光の光路上に上述のフィルム、又は積層構造体を設置する工程とを含む製造方法が挙げられる。
【０６７７】
なお、本発明の技術範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【実施例】
【０６７８】
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。【０６７９】
本実施例においては、（１）半導体粒子として、上述の（viii）ペロブスカイト化合物を含む半導体粒子を用いた。【０６８０】
（ペロブスカイト化合物の濃度測定）
実施例１、２、及び比較例１で得られた組成物におけるペロブスカイト化合物の濃度は下記の方法により測定した。【０６８１】
まず、後述の方法で得られた（１）半導体粒子（ペロブスカイト化合物）を、精秤したトルエンに再分散させることで分散液を得た。次いで、得られた分散液に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを添加することでペロブスカイト化合物を溶解させた。【０６８２】
その後、ＩＣＰ−ＭＳ（ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ社製、ＥＬＡＮ  ＤＲＣＩＩ）を用いて分散液に含まれるＣｓ、Ｐｂを定量した。また、イオンクロマトグラフ（サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製、Ｉｎｔｅｇｒｉｏｎ）を用いて分散液に含まれるＢｒを定量した。各測定値の合計から分散液に含まれるペロブスカイト化合物の質量を求め、ペロブスカイト化合物の質量とトルエン量とから分散液濃度を求めた。【０６８３】
（量子収率、発光強度、半値幅の測定）
実施例１、２、及び比較例１で得られた組成物の量子収率を、絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス株式会社製、Ｃ９９２０−０２）を用いて、励起光４５０ｎｍ、室温、大気下で測定した。また、測定で得られた発光スペクトルから、発光強度及び半値幅を求めた。【０６８４】
（耐光性評価１）
実施例１、２、及び比較例１で得られた組成物５０μＬを１ｃｍ×１ｃｍサイズのガラス基板上に塗布し、自然乾燥させたのち、１００℃１２時間で熱処理して発光性粒子の膜を得た。得られた膜を８０℃に加熱しながら、ＬＥＤ光源からピーク波長４５０ｎｍ、３０ｍＷ／ｃｍ２の光を２時間照射した。【０６８５】
（耐光性評価２）
実施例３で得られた組成物５０μＬを１ｃｍ×１ｃｍサイズのガラス基板上に塗布し、自然乾燥させた。得られた膜を５０℃に加熱しながら、ＬＥＤ光源からピーク波長４５０ｎｍ、８０ｍＷ／ｃｍ２の光を２時間照射した。【０６８６】
光照射前の組成物の量子収率と、光照射後の組成物の量子収率を測定し、下記式に基づいて維持率を求めた。求めた維持率が高いほど、耐光性が高い組成物であると評価できる。
維持率（％）＝（耐光試験後の組成物の量子収率）÷（耐光試験前の組成物の量子収率）×１００【０６８７】
（透過型電子顕微鏡による（１）半導体粒子の観察）
（１）半導体粒子は、透過型電子顕微鏡（日本電子株式会社製、ＪＥＭ−２２００ＦＳ）を用いて観察した。観察用の試料は、組成物から支持膜付きグリッドに（１）半導体粒子を採取することで得た。観察条件は、加速電圧２００ｋＶとした。【０６８８】
得られた電子顕微鏡写真に写る半導体粒子の像を、２本の平行線で挟んだときの平行線の間隔をフェレー径として求めた。２０個の半導体粒子のフェレー径の算術平均値を求め、平均のフェレー径を求めた。【０６８９】
（ペロブスカイト化合物のＢ成分と、改質体のＳｉ元素とのモル比［Ｓｉ／Ｂ］の算出）
ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンの物質量（Ｂ）（単位：モル）は、誘導結合プラズマ質量分析（ＩＣＰ−ＭＳ）によって、Ｂ成分である金属の質量を測定し、測定値を物質量に換算して求めた。【０６９０】
改質体のＳｉ元素の物質量（Ｓｉ）は、用いた改質体の原料化合物の質量を物質量に換算した値と、単位質量の原料化合物に含まれるＳｉ量（物質量）とから求めた。原料化合物の単位質量とは、原料化合物が低分子化合物であれば原料化合物の分子量であり、原料化合物が高分子化合物であれば原料化合物の繰り返し単位の分子量である。【０６９１】
Ｓｉ元素の物質量（Ｓｉ）と、ペロブスカイト化合物のＢ成分である金属イオンの物質量（Ｂ）とから、モル比［Ｓｉ／Ｂ］を算出した。【０６９２】
［実施例１］
（（１）半導体粒子の製造）
炭酸セシウム０．８１４ｇと、１−オクタデセンの溶媒４０ｍＬと、オレイン酸２．５ｍＬとを混合した。得られた混合液をマグネチックスターラーで撹拌し、窒素を流しながら１５０℃で１時間加熱して、炭酸セシウム溶液を調製した。【０６９３】
臭化鉛（ＰｂＢｒ２）０．２７６ｇと、１−オクタデセンの溶媒２０ｍＬとを混合した。得られた混合液をマグネチックスターラーで撹拌し、窒素を流しながら１２０℃の温度で１時間加熱した後、オレイン酸２ｍＬ、及びオレイルアミン２ｍＬを添加して臭化鉛分散液を調製した。【０６９４】
臭化鉛分散液を１６０℃の温度に昇温した後、上述の炭酸セシウム溶液を１．６ｍＬ添加した。添加後、反応容器を氷水に漬けることで、室温まで冷却し、（１）半導体粒子を含む分散液を得た。【０６９５】
次いで、得られた分散液を１００００ｒｐｍ、５分間遠心分離し、沈殿物を分離することで、ペロブスカイト化合物の粒子（（１）半導体粒子）を得た。得られたペロブスカイト化合物をトルエン５ｍＬに分散させた後、分散液５００μＬを分取して、トルエン４．５ｍＬに再分散させることで、ペロブスカイト化合物及び溶媒を含む分散液を得た。【０６９６】
ＩＣＰ−ＭＳ、及びイオンクロマトグラフによって測定したペロブスカイト化合物の濃度は、２０００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）であった。【０６９７】
溶媒を自然乾燥させて回収した化合物について、Ｘ線回折パターンをＸ線回折測定装置（ＸＲＤ、ＣｕＫα線、Ｘ’ｐｅｒｔ  ＰＲＯ  ＭＰＤ、スペクトリス社製）で測定した所、ＸＲＤスペクトルは２θ＝１４°の位置に（ｈｋｌ）＝（００１）由来のピークを有していた。測定結果より、回収した化合物は、３次元のペロブスカイト型結晶構造を有する化合物であることを確認した。【０６９８】
ＴＥＭで観察したペロブスカイト化合物の平均のフェレー径は１１ｎｍであった。【０６９９】
トルエンでペロブスカイト化合物の濃度が２００ｐｐｍ（μｇ／ｇ）になるように希釈した後、量子収率測定装置によって測定した量子収率は３０％であった。【０７００】
（発光性粒子の製造）
次いで、上述のペロブスカイト化合物及び溶媒を含む分散液に、オルガノポリシラザン（Ｄｕｒａｚａｎｅ１５００  Ｓｌｏｗ  Ｃｕｒｅ、メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製）を１００μＬ混合し、第１分散液を得た。用いたオルガノポリシラザンの密度は、０．９６７ｇ／ｃｍ３であった。第１分散液において、オルガノポリシラザンに含まれるＳｉ元素とペロブスカイト化合物に含まれるＰｂ元素とのモル比はＳｉ／Ｐｂ＝７６であった。【０７０１】
第１分散液を２５℃、８０％の湿度条件で、スターラーで撹拌しながら、１日間改質処理した。この改質処理により、（１）半導体粒子の表面に（２−１）シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物の層が形成された第１粒子を得た。また、第１粒子が分散した第２分散液を得た。【０７０２】
次いで、第２分散液にパーヒドロポリシラザン（ＡＺＮＮ−１２０−２０、メルクパフォーマンスマテリアルズ株式会社製、２０質量％濃度、ジブチルエーテル溶液、ポリシラザン成分の比重１．３ｇ／ｃｍ３）を５μＬ混合し、第３分散液を得た。第３分散液において、パーヒドロポリシラザンに含まれるＳｉ元素とペロブスカイト化合物に含まれるＰｂ元素とのモル比はＳｉ／Ｐｂ＝１．５６であった。【０７０３】
第３分散液を２５℃、８０％の湿度条件で、スターラーで撹拌しながら、１日間改質処理した。この改質処理により、第１粒子の表面に（２−２）シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の層が形成された発光性粒子を得た。また、発光性粒子が分散した液状組成物を得た。【０７０４】
得られた液状組成物について、上述の方法で発光強度、半値幅を評価すると、半値幅１９．２５ｎｍ、発光強度２０４２であった。【０７０５】
得られた液状組成物について耐光性評価１を行ったところ、維持率は５５．７％であった。【０７０６】
［実施例２］
（１）半導体粒子の表面に（２−２）シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の層を形成する際に用いたパーヒドロポリシラザンを１０μＬ用いたこと以外は、実施例１と同様にして組成物を作製した。【０７０７】
発光性粒子と（３）溶媒との分散液において、無機ポリシラザンに含まれるＳｉ元素と、ペロブスカイト化合物に含まれるＰｂ元素とのモル比はＳｉ／Ｐｂ＝３．１３であった。【０７０８】
得られた組成物について、発光強度、半値幅を評価すると、半値幅１９．６０ｎｍ、発光強度２０１９であった。【０７０９】
組成物から得られる組成物について耐光性評価１を行ったところ、維持率は５２．８％であった。【０７１０】
［実施例３］
実施例１と同様の方法で（１）半導体粒子の表面に（２−１）シロキサン結合を有する有機ケイ素化合物の層が形成された第１粒子を得た。また、第１粒子が分散した第２分散液を得た。
次いで、第２分散液５ｇにオルトケイ酸テトラエチルを１７．５ｍｇ混合し、第３分散液を得た。第３分散液において、オルトケイ酸テトラエチルに含まれるＳｉ元素とペロブスカイト化合物に含まれるＰｂ元素とのモル比はＳｉ／Ｐｂ＝３．５であった。
第３分散液を２５℃、８０％の湿度条件で、スターラーで撹拌しながら、４時間改質処理した。この改質処理により、第１粒子の表面に（２−２）シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の層が形成された発光性粒子を得た。また、発光性粒子が分散した液状組成物を得た。
得られた液状組成物について耐光性評価２を行ったところ、維持率は９０％であった。【０７１１】
［比較例１］
（１）半導体粒子の表面に（２−２）シロキサン結合を有する無機ケイ素化合物の層を形成しなかった（パーヒドロポリシラザン０μＬ）こと以外は、実施例１と同様にして組成物を作製した。【０７１２】
得られた組成物について、発光強度、半値幅を評価すると、半値幅１９．６９ｎｍ、発光強度１８８９であった。【０７１３】
組成物から得られる組成物について、耐光性評価を行ったところ、維持率は４８．７％であった。【０７１４】
以上により、本発明が有用であることが分かった。【０７１５】
［参考例１］
実施例１〜３に記載の組成物を、ガラスチューブ等の中に入れて封止した後に、これを光源である青色発光ダイオードと導光板の間に配置することで、青色発光ダイオードの青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。【０７１６】
［参考例２］
実施例１〜３に記載の組成物をシート化する事でフィルムを得ることができ、これを２枚のバリアーフィルムで挟んで封止したフィルムを導光板の上に設置することで、導光板の端面（側面）に置かれた青色発光ダイオードから導光板を通して前記シートに照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。【０７１７】
［参考例３］
実施例１〜３に記載の組成物を、青色発光ダイオードの発光部近傍に設置することで照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。【０７１８】
［参考例４］
実施例１〜３に記載の組成物とレジストを混合した後に、溶媒を除去する事で波長変換材料を得ることができる。得られた波長変換材料を光源である青色発光ダイオードと導光板の間や、光源であるＯＬＥＤの後段に配置することで、光源の青色光を緑色光や赤色光に変換することができるバックライトを製造する。【０７１９】
［参考例５］
実施例１〜３に記載の組成物をＺｎＳなどの導電性粒子を混合して成膜し、片面にｎ型輸送層を積層し、もう片面をｐ型輸送層で積層することでＬＥＤを得る。電流を流すことによりｐ型半導体の正孔と、ｎ型半導体の電子が接合面のペロブスカイト化合物中で電荷を打ち消されることで発光させることができる。【０７２０】
［参考例６］
フッ素ドープされた酸化スズ（ＦＴＯ）基板の表面上に、酸化チタン緻密層を積層させ、その上から多孔質酸化アルミニウム層を積層し、その上に実施例１〜３に記載の組成物を積層し、溶媒を除去した後にその上から２，２’，７，７’−ｔｅｔｒａｋｉｓ−（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−ｐ−ｍｅｔｈｏｘｙｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）−９，９’−ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ（Ｓｐｉｒｏ−ＯＭｅＴＡＤ）などのホール輸送層を積層し、その上に銀（Ａｇ）層を積層し、太陽電池を作製する。【０７２１】
［参考例７］
実施例１〜３に記載の組成物の溶媒を除去して成形する事で本発明の組成物を得ることができ、これを青色発光ダイオードの後段に設置することで、青色発光ダイオードから組成物に照射される青色の光を緑色光や赤色光に変換して白色光を発するレーザーダイオード照明を製造する。【０７２２】
［参考例８］
実施例１〜３に記載の組成物の溶媒を除去して成形する事で本実施形態の組成物を得ることができる。得られた組成物を光電変換層の一部とすることで、光を検知する検出部に使用する含まれる光電変換素子（光検出素子）材料を製造する。光電変換素子材料は、Ｘ線撮像装置及びＣＭＯＳイメージセンサーなどの固体撮像装置用のイメージ検出部（イメージセンサー）、指紋検出部、顔検出部、静脈検出部及び虹彩検出部などの生体の一部分の所定の特徴を検出する検出部、パルスオキシメーターなどの光学バイオセンサーに用いられる。
【符号の説明】
【０７２３】
１ａ…第１の積層構造体、１ｂ…第２の積層構造体、１０…フィルム、２０…第１の基板、２１…第２の基板、２２…封止層、２…発光装置、３…ディスプレイ、３０…光源、４０…液晶パネル、５０…プリズムシート、６０…導光板
【図１】
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【図２】
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【国際調査報告】
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