(57)【要約】  本発明に係る誘電エラストマートランスデューサーの製造方法は、対象物に第１電極層を固定する第１電極層固定工程と、前記第１電極層に誘電エラストマー層を固定する誘電エラストマー層固定工程と、前記誘電エストマー層に第２電極層を固定する第２電極層固定工程と、を備える。このような構成により、対象物への追従性を高めることができる。
2020090561.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物に第１電極層を固定する第１電極層固定工程と、
前記第１電極層に誘電エラストマー層を固定する誘電エラストマー層固定工程と、
前記誘電エストマー層に第２電極層を固定する第２電極層固定工程と、
を備える、誘電エラストマートランスデューサーの製造方法。
【請求項２】
前記第１電極層固定工程において、塗布を用いて前記第１電極層を固定する、請求項１に記載の誘電エラストマートランスデューサーの製造方法。
【請求項３】
前記第１電極層固定工程において、接合を用いて前記第１電極層を固定する、請求項１に記載の誘電エラストマートランスデューサーの製造方法。
【請求項４】
前記誘電エラストマー層固定工程および前記第２電極層固定工程の少なくともいずれかにおいて、塗布を用いた固定を行う、請求項２または３に記載の誘電エラストマートランスデューサーの製造方法。
【請求項５】
前記誘電エラストマー層固定工程および前記第２電極層固定工程の少なくともいずれかにおいて、接合を用いた固定を行う、請求項２または３に記載の誘電エラストマートランスデューサーの製造方法。
【請求項６】
導体によって構成され且つ第１電極層として機能する表面を有する対象物に誘電エラストマー層を固定する誘電エラストマー層固定工程と、
前記誘電エラストマー層に第２電極層を固定する第２電極層固定工程と、
を備える、誘電エラストマートランスデューサーの製造方法。
【請求項７】
内圧が高められることにより球殻状の形態をとりうる誘電エラストマー層の内面に第１電極層を固定する第１電極層固定工程と、
前記誘電エラストマー層の外面に第２電極層を固定する第２電極層固定工程と、
を備える、誘電エラストマートランスデューサーの製造方法。
【請求項８】
対象物に塗布により形成された第１電極層と、
前記第１電極層に固定された誘電エラストマー層と、
前記誘電エラストマー層に固定された第２電極層と、
を備える、誘電エラストマートランスデューサー。
【請求項９】
対象物の表面であって導体からなる第１電極層と、
前記第１電極層に固定された誘電エラストマー層と、
前記誘電エラストマー層に固定された第２電極層と、
を備える、誘電エラストマートランスデューサー。
【請求項１０】
内圧が高められることにより球殻状の形態をとりうる誘電エラストマー層と、
前記誘電エラストマー層の内面に固定された第１電極層と、
前記誘電エラストマー層の外面に固定された第２電極層と、
を備える、誘電エラストマートランスデューサー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電エラストマートランスデューサーの製造方法および誘電エラストマートランスデューサーに関する。
【背景技術】
【０００２】
エネルギーの変換効率に優れたトランスデューサーとして、誘電エラストマー層を有する誘電エラストマートランスデューサーが注目されている。この誘電エラストマートランスデューサーは、誘電エラストマー層の変形（伸縮及び収縮）を利用して、任意のエネルギーを他のエネルギーに変換する。【０００３】
たとえば、外力を受けた際の誘電エラストマー層の変形を用いて発電を行うことにより、力学的エネルギーを電気エネルギーに変換する場合、誘電エラストマートランスデューサーは、発電素子として機能する。また、一対の電極に電荷を付与した際の誘電エラストマー層の変形を利用して駆動力を発揮させる場合、誘電エラストマートランスデューサーは、アクチュエーターとして機能する。また、コンデンサ（キャパシタ）としての誘電エラストマートランスデューサーの静電容量の変化を利用して、誘電エラストマートランスデューサーをセンサ素子として用いることもできる。【０００４】
たとえば、誘電エラストマートランスデューサーを、発電素子やセンサ素子として用いる場合、発電の駆動力を発揮する対象物や検知の対象物に、誘電エラストマートランスデューサーを密着させることが望まれる場合がある。誘電エラストマー層は、比較的変形に富んだ材質からなるものの、一対の電極層が設けられた誘電エラストマートランスデューサーを、対象物の形状や動きに十分追従するように対象物に固定することは困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１２４８７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、対象物への追従性を高めることが可能な誘電エラストマートランスデューサーの製造方法および誘電エラストマートランスデューサーを提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の側面によって提供される誘電エラストマートランスデューサーの製造方法は、対象物に第１電極層を固定する第１電極層固定工程と、前記第１電極層に誘電エラストマー層を固定する誘電エラストマー層固定工程と、前記誘電エストマー層に第２電極層を固定する第２電極層固定工程と、を備える。【０００８】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第１電極層固定工程において、塗布を用いて前記第１電極層を固定する。【０００９】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記第１電極層固定工程において、接合を用いて前記第１電極層を固定する。【００１０】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記誘電エラストマー層固定工程および前記第２電極層固定工程の少なくともいずれかにおいて、塗布を用いた固定を行う。【００１１】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記誘電エラストマー層固定工程および前記第２電極層固定工程の少なくともいずれかにおいて、接合を用いた固定を行う。【００１２】
本発明の第２の側面によって提供される誘電エラストマートランスデューサーの製造方法は、導体によって構成され且つ第１電極層として機能する表面を有する対象物に誘電エラストマー層を固定する誘電エラストマー層固定工程と、前記誘電エラストマー層に第２電極層を固定する第２電極層固定工程と、を備える。【００１３】
本発明の第３の側面によって提供される誘電エラストマートランスデューサーの製造方法は、内圧が高められることにより球殻状の形態をとりうる誘電エラストマー層の内面に第１電極層を固定する第１電極層固定工程と、前記誘電エラストマー層の外面に第２電極層を固定する第２電極層固定工程と、を備える。【００１４】
本発明の第４の側面によって提供される誘電エラストマートランスデューサーは、対象物に塗布により形成された第１電極層と、前記第１電極層に固定された誘電エラストマー層と、前記誘電エラストマー層に固定された第２電極層と、を備える。【００１５】
本発明の第５の側面によって提供される誘電エラストマートランスデューサーは、対象物の表面であって導体からなる第１電極層と、前記第１電極層に固定された誘電エラストマー層と、前記誘電エラストマー層に固定された第２電極層と、を備える。【００１６】
本発明の第６の側面によって提供される誘電エラストマートランスデューサーは、内圧が高められることにより球殻状の形態をとりうる誘電エラストマー層と、前記誘電エラストマー層の内面に固定された第１電極層と、前記誘電エラストマー層の外面に固定された第２電極層と、を備える。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、対象物への追従性を高めることができる。【００１８】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る誘電エラストマートランスデューサーの製造方法の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る誘電エラストマートランスデューサーの製造方法の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る誘電エラストマートランスデューサーの製造方法の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る誘電エラストマートランスデューサーの一例を示す断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る誘電エラストマートランスデューサーの製造方法の変形例を示す断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る誘電エラストマートランスデューサーの製造方法の変形例を示す断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係る誘電エラストマートランスデューサーの製造方法の変形例を示す断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る誘電エラストマートランスデューサーの製造方法の一例を示す断面図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る誘電エラストマートランスデューサーの製造方法の一例を示す断面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態に係る誘電エラストマートランスデューサーの一例を示す断面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に係る誘電エラストマートランスデューサーの一例を示す断面図である。
【図１２】本発明の第４実施形態に係る誘電エラストマートランスデューサーの一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００２１】
＜第１実施形態＞
図１〜図３は、本発明の第１実施形態に係る誘電エラストマートランスデューサーの製造方法の一例を示している。
【００２２】
図１に示すように、第１電極層固定工程を行う。対象物８１は、たとえば誘電エラストマートランスデューサーが発電素子として用いられる場合に、発電の駆動力を発揮する物体である。また、対象物８１は、誘電エラストマートランスデューサーがセンサ素子として用いられる場合、検出対象である変形が生じる物体である。本実施形態においては、対象物８１は、例えば絶縁体からなるが、対象物８１の材質は特に限定されない。
【００２３】
次いで、対象物８１に導電性材料を固定する。導電性材料は特に限定されず、導電性を有しつつ誘電エラストマー層の変形に十分に追従し得る第１電極層１２１を構成し可能な様々な材料が採用される。第１電極層１２１の材質としては、たとえば、炭素材料、導電性高分子化合物及び金属材料等の導電性材料のうちのいずれか１種類又は２種類以上を含んでいる。炭素材料は、例えば、黒鉛、フラーレン、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）及びグラフェン等である。この炭素材料には、例えば、金属ドープ処理、金属内包処理及び金属鍍金処理等の処理のうちのいずれか１種類または２種類以上が施されていてもよい。導電性高分子化合物は、例えば、ポリアセチレン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリベンゾチアゾールなどである。金属材料は、例えば、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）及びアルミニウム（Ａｌ）等であり、合金でもよい。
【００２４】
図示された例においては、第１電極層１２１の固定を、塗布によって行う。具体的には、塗布ノズル９１から導電性材料を噴射する等の手法によって、対象物８１の表面に導電性材料を塗布する。この導電性材料を必要に応じて固体化等させることにより、対象物８１に第１電極層１２１を固定する。
【００２５】
導電性材料を塗布する場合、たとえば導電性材料とバインダとを混合した塗布材料を用いてもよい。バインダとしては、たとえばトルエンにスチレン−イソプレン−スチレンのブロックポリマを溶解させたものが挙げられる。
【００２６】
次いで、図２に示すように、誘電エラストマー層固定工程を行う。すなわち、第１電極層１２１上に誘電エラストマー層１１を固定する。誘電エラストマー層１１は、エラストマー（ゴム状弾性を有する高分子化合物）のうちのいずれか１種類又は２種類以上を含んでいる。エラストマーの種類は、特に限定されないが、例えば、熱硬化性エラストマー、熱可塑性エラストマー等である。
【００２７】
熱硬化性エラストマーの種類は、特に限定されないが、例えば、天然ゴム、合成ゴム、シリコーンゴム系エラストマー、ウレタンゴム系エラストマー及びフッ素ゴム系エラストマー等である。
【００２８】
熱可塑性エラストマーとしては、芳香族ビニル系モノマーと共役ジエン系モノマーとの共重合体が挙げられる。具体的には、例えば芳香族ビニル系モノマーと共役ジエン系モノマーとの共重合体としては、スチレン−ブタジエンブロック共重合体、スチレン−イソプレンブロックポリマー等のジブロック型ブロックポリマー；スチレン−ブタジエン−スチレンブロックポリマー、スチレン−イソプレン−スチレンブロックポリマー（ＳＩＳ）、スチレン−ブタジエン−イソプレンブロックポリマー、スチレン−イソブチレン−スチレンブロックポリマー（ＳＩＢＳ）等のトリブロック型ブロックポリマー；スチレン−ブタジエン−スチレン−ブタジエンブロックポリマー、スチレン−イソプレン−スチレン−イソプレンブロックポリマー、スチレン−ブタジエン−イソプレン−スチレンブロックポリマー、スチレン−ブタジエン−スチレン−イソプレンブロックポリマー、スチレン−イソブチレン−ブタジエン−スチレンなどのようなマルチブロック型スチレン含有ブロックポリマーおよびこれらの水素添加物または部分水素添加物などが挙げられる。これらの中でも、ＳＩＳなどのブロックポリマーがより好ましく用いられる。
【００２９】
但し、誘電エラストマー層１１は、上記したエラストマーと共に、他の材料のうちのいずれか１種類又は２種類以上を含んでいてもよい。この他の材料は、例えば、各種の添加剤等である。
【００３０】
図示された例においては、誘電エラストマー層１１の固定を、塗布によって行う。具体的には、塗布ノズル９２からエラストマー材料を噴射する等の手法によって、第１電極層１２１の表面にエラストマー材料を塗布する。このエラストマー材料を必要に応じて固体化等させることにより、第１電極層１２１に誘電エラストマー層１１を固定する。
【００３１】
次に、図３に示すように、第２電極層固定工程を行う。本工程においては、誘電エラストマー層１１に第２電極層１２２を固定する。本例においては、第２電極層１２２の固定を、第１電極層１２１を固定する第１電極層工程と同様の塗布によって行う。具体的には、塗布ノズル９３から上述した導電性材料を噴射する等の手法によって、誘電エラストマー層１１の表面に導電性材料を塗布する。この導電性材料を必要に応じて固体化等させることにより、誘電エラストマー層１１に第２電極層１２２を固定する。
【００３２】
以上の工程を経ることにより、図４に示す誘電エラストマートランスデューサーＡ１が得られる。誘電エラストマートランスデューサーＡ１は、第１電極層１２１、誘電エラストマー層１１および第２電極層１２２を備えている。これらの第１電極層１２１、誘電エラストマー層１１および第２電極層１２２は、塗布によって形成されている。図示された例においては、誘電エラストマートランスデューサーＡ１に制御部３が接続されている。
【００３３】
制御部３は、誘電エラストマートランスデューサーＡ１を用いた処理を実現するものであり、誘電エラストマートランスデューサーＡ１をアクチュエーターとして用いる場合、制御部３は、第１電極層１２１および第２電極層１２２に電圧（電位差）を付与する電源回路を含む。誘電エラストマートランスデューサーＡ１を発電用途として用いる場合、制御部３は、初期電圧（電位差）を付与する電源回路や電気エネルギーの回収回路を含む。誘電エラストマートランスデューサーＡ１がセンサ素子として用いられる場合、制御部３は、誘電エラストマートランスデューサーＡ１の静電容量の変化を検出する検出回路を含む。  
【００３４】
次に、本実施形態の誘電エラストマートランスデューサーの製造方法および誘電エラストマートランスデューサーＡ１の作用について説明する。
【００３５】
本実施形態によれば、誘電エラストマートランスデューサーＡ１の製造において、まず、第１電極層１２１が対象物８１に固定される。このため、第１電極層１２１の固定において、誘電エラストマー層１１や第２電極層１２２によって第１電極層１２１の変形等が妨げられることを回避可能である。したがって、第１電極層１２１の対象物８１の変形等に対する追従性を高めることが可能である。
【００３６】
第１電極層１２１の固定を塗布によって行うことにより、様々な形状の対象物８１に第１電極層１２１を適切に固定することができる。また、誘電エラストマー層１１および第２電極層１２２を塗布によって固定すれば、誘電エラストマートランスデューサーＡ１全体としての対象物８１への追従性を高めることができる。
【００３７】
図５〜図１２は、本発明の変形例および他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
【００３８】
＜第１実施形態  第１変形例＞
図５は、本発明の第１実施形態に係る誘電エラストマートランスデューサーの製造方法の第１変形例を示している。本変形例では、第１電極層固定工程において接合を用いて第１電極層１２１を対象物８１に固定する。
【００３９】
接合手法は特に限定されず、好ましい例として、たとえば、スチレン−イソプレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエンブロック共重合体などの芳香族−共役ジエン共重合体からなるホットメルト型粘着剤を用いた手法が挙げられる。
【００４０】
このような変形例によっても、第１電極層１２１の追従性を高めることができる。
【００４１】
＜第１実施形態  第２変形例＞
図６は、本発明の第２実施形態に係る誘電エラストマートランスデューサーの製造方法の第２変形例を示している。本変形例では、誘電エラストマー層固定工程において接合を用いて誘電エラストマー層１１を第１電極層１２１に固定する。
【００４２】
第１変形例と同様に、接合手法は特に限定されず、好ましい例として、たとえば、スチレン−イソプレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエンブロック共重合体などの芳香族−共役ジエン共重合体からなるホットメルト型粘着剤を用いた手法が挙げられる。
【００４３】
このような変形例によっても、誘電エラストマー層１１の追従性を高めることができる。
【００４４】
＜第１実施形態  第３変形例＞
図７は、本発明の第１実施形態に係る誘電エラストマートランスデューサーの製造方法の第３変形例を示している。本変形例では、第２電極層固定工程において接合を用いて第２電極層１２２を誘電エラストマー層１１に固定する。
【００４５】
第１および第２変形例と同様に、接合手法は特に限定されず、好ましい例として、たとえば、スチレン−イソプレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエンブロック共重合体などの芳香族−共役ジエン共重合体からなるホットメルト型粘着剤を用いた手法が挙げられる。あるいは、誘電エラストマー層１１または第２電極層１２２のいずれかに粘着性を付与することによって接合を行ってもよい。
【００４６】
このような変形例によっても、第２電極層１２２の追従性を高めることができる。
【００４７】
＜第２実施形態＞
図８および図９は、本発明の第２実施形態に係る誘電エラストマートランスデューサーの製造方法を示している。
【００４８】
まず、図８に示すように、誘電エラストマー層固定工程を行う。本工程においては、対象物８２を用意する。対象物８２は、上述した実施形態と同様の対象である。ただし、本実施形態の対象物８２は、少なくとも表面が導体からなる。対象物８２の表面は、第１電極層１２１として機能する。
【００４９】
次いで、対象物８２の表面に誘電エラストマー層１１を固定する。図示された例においては、誘電エラストマー層１１の固定を塗布によって行っている。すなわち、図２を参照して説明した工程と同様に、塗布ノズル９２を用いたエラストマー材料の塗布を行い、対象物８２上に誘電エラストマー層１１を固定する。ただし、誘電エラストマー層固定工程は、たとえば図６を参照して説明した工程と同様に、接合を用いてもよい。
【００５０】
次いで、図９に示すように、第２電極層固定工程を行う。この工程では、誘電エラストマー層１１上に第２電極層１２２を固定する。図示された例においては、第２電極層１２２の固定を塗布によって行っている。すなわち、図３を参照して説明した工程と同様に、塗布ノズル９３を用いた導電性材料の塗布を行い、誘電エラストマー層１１上に第２電極層１２２を固定する。ただし、第２電極層固定工程は、たとえば図７を参照して説明した工程と同様に、接合を用いてもよい。
【００５１】
図１０は、本発明の第２実施形態に係る誘電エラストマートランスデューサーを示している。本実施形態の誘電エラストマートランスデューサーＡ２は、対象物８２によって構成された第１電極層１２１と誘電エラストマー層１１および第２電極層１２２とを備えている。誘電エラストマー層１１および第２電極層１２２は、塗布によって形成されている。
【００５２】
本実施形態の制御部３は、誘電エラストマートランスデューサーＡ１に接続された制御部３と同様の機能を果たす。ただし、制御部３は、第１電極層１２１としての対象物８２と第２電極層１２２とに接続される。
【００５３】
本実施形態によれば、誘電エラストマー層１１および第２電極層１２２の対象物８２に対する追従性を高めることができる。また、導体からなる対象物８２の表面を第１電極層１２１として用いることにより、対象物８２とは別体の第１電極層１２１を設ける必要がない。これにより、誘電エラストマートランスデューサーＡ２は、その一部が対象物８２の変形等に直接追従する構成となる。これは、誘電エラストマートランスデューサーＡ２の追従性の向上の好ましい。
【００５４】
図１１は、本発明の第３実施形態に係る誘電エラストマートランスデューサーを示している。本実施形態の誘電エラストマートランスデューサーＡ３は、対象物８３としてゴム風船が採用されており、この対象物８３に第１電極層１２１、誘電エラストマー層１１および第２電極層１２２が積層されている。第１電極層１２１、誘電エラストマー層１１および第２電極層１２２は、塗布によって形成されている。
【００５５】
ゴム風船からなる対象物８３は、球殻状とされたゴム膜が、内圧によって張力が付与されている。誘電エラストマートランスデューサーＡ３の製造においては、所定の内圧とされたゴム風船からなる対象物８３に第１電極層１２１、誘電エラストマー層１１および第２電極層１２２を印刷によって積層させた後に、栓８３１から対象物８３内にさらに気体を注入することにより、内圧を高める。これにより、対象物８３の張力が高められるとともに、誘電エラストマー層１１に張力が付与される。この状態が、誘電エラストマートランスデューサーＡ３の動作の初期状態となる。第１電極層１２１および第２電極層１２２に制御部３から電圧を印加すると、誘電エラストマー層１１が伸長し、ゴム風船からなる対象物８３が拡大する挙動を示す。したがって、第１電極層１２１および第２電極層１２２への電圧印加を制御することにより、ゴム風船からなる対象物８３を任意に拡大および縮小させることができる。
【００５６】
図１２は、本発明の第４実施形態に係る誘電エラストマートランスデューサーを示している。本実施形態の誘電エラストマートランスデューサーＡ４は、第１電極層１２１、誘電エラストマー層１１および第２電極層１２２が積層されて構成されている。誘電エラストマー層１１は、第２実施形態における対象物８３と同様の、いわゆる風船として構成されている。誘電エラストマー層１１の内面には、第１電極層１２１が設けられている。第１電極層１２１は、誘電エラストマー層１１の内面に導電性材料を噴射する等の塗布の手法によって形成される。誘電エラストマー層１１の外面には、第２電極層２２が設けられている。第２電極層１２２は、誘電エラストマー層１１の外面に導電性材料を噴射する等の塗布の手法によって形成される。
【００５７】
誘電エラストマー層１１は、内圧を大気圧より高められた状態で球殻状の形態をとり、たとえば栓１１１によって密封されている。なお、栓１１１は、制御部３と第１電極層１２１とを接続する配線を通過させる構成が好ましい。内圧が大気圧より高められた状態を初期状態として、第１電極層１２１および第２電極層１２２に制御部３から電圧を印加すると、誘電エラストマー層１１が伸長し、誘電エラストマートランスデューサーＡ４が拡大する挙動を示す。したがって、第１電極層１２１および第２電極層１２２への電圧印加を制御することにより、誘電エラストマートランスデューサーＡ４を拡大および縮小させることが可能であり、誘電エラストマートランスデューサーＡ４をたとえばアクチュエーターとして用いることができる。
【００５８】
本発明に係る誘電エラストマートランスデューサーの製造方法および誘電エラストマートランスデューサーは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る誘電エラストマートランスデューサーの製造方法および誘電エラストマートランスデューサーの具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【００５９】
〔付記１〕
対象物に第１電極層を固定する第１電極層固定工程と、
前記第１電極層に誘電エラストマー層を固定する誘電エラストマー層固定工程と、
前記誘電エストマー層に第２電極層を固定する第２電極層固定工程と、
を備える、誘電エラストマートランスデューサーの製造方法。
〔付記２〕
前記第１電極層固定工程において、塗布を用いて前記第１電極層を固定する、付記１に記載の誘電エラストマートランスデューサーの製造方法。
〔付記３〕
前記第１電極層固定工程において、接合を用いて前記第１電極層を固定する、付記１に記載の誘電エラストマートランスデューサーの製造方法。
方法。
〔付記４〕
前記誘電エラストマー層固定工程および前記第２電極層固定工程の少なくともいずれかにおいて、塗布を用いた固定を行う、付記２または３に記載の誘電エラストマートランスデューサーの製造方法。
〔付記５〕
前記誘電エラストマー層固定工程および前記第２電極層固定工程の少なくともいずれかにおいて、接合を用いた固定を行う、付記２または３に記載の誘電エラストマートランスデューサーの製造方法。
〔付記６〕
導体によって構成され且つ第１電極層として機能する表面を有する対象物に誘電エラストマー層を固定する誘電エラストマー層固定工程と、
前記誘電エラストマー層に第２電極層を固定する第２電極層固定工程と、
を備える、誘電エラストマートランスデューサーの製造方法。
〔付記７〕
内圧が高められることにより球殻状の形態をとりうる誘電エラストマー層の内面に第１電極層を固定する第１電極層固定工程と、
前記誘電エラストマー層の外面に第２電極層を固定する第２電極層固定工程と、
を備える、誘電エラストマートランスデューサーの製造方法。
〔付記８〕
対象物に塗布により形成された第１電極層と、
前記第１電極層に固定された誘電エラストマー層と、
前記誘電エラストマー層に固定された第２電極層と、
を備える、誘電エラストマートランスデューサー。
〔付記９〕
対象物の表面であって導体からなる第１電極層と、
前記第１電極層に固定された誘電エラストマー層と、
前記誘電エラストマー層に固定された第２電極層と、
を備える、誘電エラストマートランスデューサー。
〔付記１０〕
内圧が高められることにより球殻状の形態をとりうる誘電エラストマー層と、
前記誘電エラストマー層の内面に固定された第１電極層と、
前記誘電エラストマー層の外面に固定された第２電極層と、
を備える、誘電エラストマートランスデューサー。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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