【手続補正書】
【提出日】平成21年8月3日(2009.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再プログラミングを行う前に消去が行われるメモリセルブロックにグループ化したデータ記憶セルを有する、不揮発性メモリシステムの動作方法であって、
前記ブロックのデータ記憶容量より少ない有効なデータ量を個別に含むブロックを含んでいる少なくとも１つのリストを保持するステップと、
前記少なくとも１つのリストの他のブロックの前記有効なデータ量に対する前記有効なデータ量に基づいて、前記少なくとも１つのリストからブロックを選択するステップと、
前記選択したブロックからの前記有効なデータを別のブロックにコピーするステップと、
その後、前記選択したブロックを消去することにより、前記消去した選択したブロックが他のデータの記憶に利用可能になるステップと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
前記ブロックを選択するステップが、前記リストの他のブロックの前記有効なデータ量に対する前記有効なデータ量だけに基づいて、前記ブロックを前記少なくとも１つのリストから選択するステップを含む方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、
前記ブロックを選択するステップが、前記リストの他のブロックの前記有効なデータ量に対する前記有効なデータ量が最も少ない前記ブロックを前記少なくとも１つのリストから選択するステップを含む方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、
前記ブロックを少なくとも１つのリストから選択するステップが、前記少なくとも１つのリストの他のブロックの消去した記憶容量の量に対する消去した記憶容量の量に基づいて、前記ブロックを前記少なくとも１つのリストから選択するステップをさらに含む方法。
【請求項５】
再プログラミングを行う前に消去が行われるメモリセルブロックにグループ化した記憶セルを有する、不揮発性メモリシステムの動作方法であって、
有効なデータ量と、使われなくなったデータ、または消去したデータ記憶容量、またはこの２つを個別に含むブロックを含んでいる少なくとも１つのリストを保持するステップと、
有効なデータの相対量と、前記少なくとも１つのリストの前記ブロックの前記消去した記憶容量との２つを考慮に入れることにより、前記少なくとも１つのリストからブロックを選択するステップと、
前記選択したブロックからの前記有効なデータを別のブロックにコピーするステップと、
その後、前記選択したブロックを消去することにより、前記消去ブロックが他のデータの記憶に利用可能になるステップと、
を含む方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法において、
前記少なくとも１つのリストからブロックを選択するステップが、前記少なくとも１つのリストの他のブロックに対する有効なデータ量が低い前記選択したブロックと、前記少なくとも１つのリストの他のブロックに対する消去した記憶容量の量が高い前記選択したブロックとのトレードオフの利点を含む方法。
【請求項７】
再プログラミングを行う前に消去が行われるメモリセルブロックにグループ化した記憶セルを有する、不揮発性メモリシステムの動作方法であって、
有効なデータ量と、使われなくなったデータを個別に含んでいるが消去したデータ記憶容量のないブロックすべての第１のリストを保持するステップと、
１つ以上のブロックが前記第１のリストにあるかどうかを判定し、１つ以上のブロックが前記第１のリストにあれば、前記ブロックの前記有効なデータ量に基づいて、前記第１のリストから第１のブロックの識別を行うステップと、
有効なデータ量と、消去したデータ記憶容量を個別に含んでいるブロックすべての第２のリストを保持するステップと、
１つ以上のブロックが前記第２のリストにあるかどうかを判定し、１つ以上のブロックが前記第２のリストにあれば、前記有効なデータ量および前記ブロックの消去した記憶容量の２つに基づいて、前記第２のリストから第２のブロックの識別を行うステップと、
メモリシステムの動作の値に基づいて、前記ブロック解放のために前記第１のブロックまたは第２のブロックのいずれかを選択するステップと、
前記選択したブロックからの前記有効なデータを別のブロックにコピーするステップと、
その後、前記選択したブロックを消去することにより、他のデータの記憶に利用可能な消去ブロックとして、前記選択した第１のブロックまたは第２のブロックを解放するステップと、
を含む方法。
【請求項８】
再プログラミングを行う前に消去が行われるメモリセルブロックにグループ化した記憶セルを有する、不揮発性メモリシステムの動作方法であって、
有効なデータ量と、使われなくなったデータを個別に含んでいるが消去したデータ記憶容量のないブロックすべてを含んでいる第１のリストを保持するステップと、
１つ以上のブロックが前記第１のリストにあるかどうかを判定し、１つ以上のブロックが前記第１のリストにあれば、前記第１のリストから前記ブロックの前記有効なデータ量が最も少ない第１のブロックの識別を行うステップと、
有効なデータ量と、消去したデータ記憶容量を個別に含んでいるブロックすべてを含んでいる第２のリストを保持するステップと、
１つ以上のブロックが前記第２のリストにあるかどうかを判定し、１つ以上のブロックが前記第２のリストにあれば、前記第２のリストから前記ブロックの前記有効なデータ量が最も少ない第２のブロックの識別を行うステップと、
前記第２のブロック内の前記有効なデータ量を前記第２のブロック内の消去したデータ記憶容量の前記量に対し調整を行った後で、前記含まれている有効なデータ量に基づいて、前記第１のブロックまたは第２のブロックのいずれかを選択するステップと、
前記選択したブロックからの前記有効なデータを別のブロックにコピーするステップと、
その後、前記選択したブロックを消去することにより、前記選択した第１のブロックまたは第２のブロックが他のデータの記憶に利用可能な消去ブロックになるステップと、
を含む方法。
【請求項９】
再プログラミングを行う前に消去が行われるメモリセルブロックにグループ化した記憶セルを有する、不揮発性メモリシステムの動作方法であって、
少なくともいくつかの前記ブロックの内容に基づいて、解放動作が行われるブロックを選択するステップであって、前記内容が個別のブロック内の利用可能な消去した容量の量とデータ量を含む、ステップと、
その後、前記選択したブロックの有効なデータを別のブロックにコピーすることにより、前記選択したブロックを解放し、次に、前記選択したブロックの消去を行うステップと、
を含む方法。
【請求項１０】
請求項９記載の方法において、
前記解放動作が行われるブロックを選択するステップが、前記少なくともいくつかのブロックのもののなかのより少ない有効なデータ量とより少ない消去した容量の量との組み合わせを有するブロックを選択するステップをさらに含む方法。
【請求項１１】
再プログラミングを行う前に消去が行われるメモリセルブロックにグループ化した記憶セルを有する、不揮発性メモリシステムの動作方法であって、
少なくともいくつかの前記ブロックの内容に基づいて、解放動作が行われるブロックを選択するステップと、
その後、前記選択したブロックの有効なデータを別のブロックにコピーすることにより、前記選択したブロックを解放し、次に、前記選択したブロックの消去を行うステップと、を含み、
前記解放動作が行われるブロックを選択するステップが、前記少なくともいくつかのブロックの個別のブロック内に前記データを記憶するために残っている消去した容量の量と有効なデータ量に基づいて、選択を行うステップを含む方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の方法において、
前記解放動作が行われるブロックを選択するステップが、それぞれ使われなくなったデータを含んでいない、少なくともいくつかのブロックの前記内容に基づいて、選択を行うステップをさらに含む方法。
【請求項１３】
再プログラミングを行う前に消去が行われるメモリセルブロックにグループ化した記憶セルを有する、不揮発性メモリシステムの動作方法であって、
少なくともいくつかの前記ブロックの内容に基づいて、解放動作が行われるブロックを選択するステップと、
その後、前記選択したブロックの有効なデータを別のブロックにコピーすることにより、前記選択したブロックを解放し、次に、前記選択したブロックの消去を行うステップと、を含み、
前記解放動作が行われるブロックを選択するステップが、前記データを記憶するために前記個別のブロックに残っている消去した容量の量を個別に含んでいる少なくともいくつかのブロックの前記内容に基づいて、選択を行うステップを含む方法。
【請求項１４】
再プログラミングを行う前に消去が行われるメモリセルブロックにグループ化した記憶セルを有する、不揮発性メモリシステムの動作方法であって、
少なくともいくつかの前記ブロックの内容に基づいて、解放動作が行われるブロックを選択するステップと、
その後、前記選択したブロックの有効なデータを別のブロックにコピーすることにより、前記選択したブロックを解放し、次に、前記選択したブロックの消去を行うステップと、を含み、
前記解放動作が行われるブロックを選択するステップが、それぞれ使われなくなったデータを含んでいない、少なくともいくつかのブロックの前記内容に基づいて、選択を行うステップを含む方法。
【請求項１５】
再プログラム可能な不揮発性メモリシステムであって、
データの書き換えを行う前に消去が行われることを特徴とする不揮発性メモリセルのブロックと、
機能上前記ブロックに接続し、記憶している有効なデータの相対量と少なくとも複数のブロックの個別のブロックに残っている消去した容量の相対量との組み合わせに基づいて、その記憶容量の一部分を有効なデータが占有していないブロックを選択して、解放することにより有効なデータの記憶に用いることができるように動作し、次に、前記選択したブロックの有効なデータを別のブロックにコピーするように動作し、さらに前記少なくとも複数のブロックの個別のブロックに含んでいる使われなくなったデータに基づいて、解放すべき前記ブロックを選択するように動作するコントローラと、
を備えるメモリシステム。
【請求項１６】
請求項１５記載のメモリシステムにおいて、
前記コントローラは、前記少なくとも複数のブロックの個別のブロックに記憶している最も少ない有効なデータ量に基づいて、解放すべき前記ブロックを選択するようにさらに動作するメモリシステム。
【請求項１７】
請求項１５記載のメモリシステムにおいて、
前記コントローラは、前記データを記憶するための前記少なくとも複数のブロックの個別のブロックに残っている消去した容量の最も少ない量に基づいて、解放すべき前記ブロックを選択するようにさらに動作するメモリシステム。
【請求項１８】
再プログラム可能な不揮発性メモリシステムであって、
同時に消去可能なメモリセルブロックに構成された不揮発性メモリセルアレイと、
コントローラであって、
有効なデータ量と、使われなくなったデータを個別に含んでいるが消去したデータ記憶容量のないブロックすべてを含んでいる第１のリストを保持し、
１つ以上のブロックが前記第１のリストにあるかどうかを判定し、１つ以上のブロックが前記第１のリストにあれば、前記第１のリストから前記ブロックの前記有効なデータ量が最も少ない第１のブロックの識別を行い、
有効なデータ量と、消去したデータ記憶容量を個別に含んでいるブロックすべてを含んでいる第２のリストを保持し、
１つ以上のブロックが前記第２のリストにあるかどうかを判定し、１つ以上のブロックが前記第２のリストにあれば、前記第２のリストから前記ブロックの前記有効なデータ量が最も少ない第２のブロックの識別を行い、
前記第２のブロック内の前記有効なデータ量を前記第２のブロック内の消去したデータ記憶容量の前記量に対し調整を行った後で、前記含まれている有効なデータ量に基づいて、前記第１のブロックまたは第２のブロックのいずれかを選択し、
前記選択したブロックからの前記有効なデータを別のブロックにコピーし、
その後、前記選択したブロックを消去するように動作する前記アレイと動作可能に接続しているコントローラと、
を備えるメモリシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２５】
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