(57)【要約】  ＭＩ素子１の製造方法は、アモルファスワイヤ２の外周に絶縁体層３を形成する絶縁工程と、絶縁体層３の外周面に無電解めっき層４を形成する無電解めっき工程と、無電解めっき層４の外周面に電解めっき層５を形成する電解めっき工程と、電解めっき層５の外周面にレジスト層Ｒを形成するレジスト工程と、レジスト層Ｒをレーザーで露光してレジスト層Ｒの外周面に螺旋状の溝条部ＧＲを形成する露光工程と、レジスト層Ｒをマスキング材としてエッチングして溝条部ＧＲにおける無電解めっき層４及び電解めっき層５を除去し残存する無電解めっき層４及び電解めっき層５でコイル６を形成するエッチング工程と、を備える。
2019111744.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アモルファスワイヤの外周に絶縁体層を形成する、絶縁工程と、
前記絶縁体層の外周面に無電解めっき層を形成する、無電解めっき工程と、
前記無電解めっき層の外周面に電解めっき層を形成する、電解めっき工程と、
前記電解めっき層の外周面にレジスト層を形成する、レジスト工程と、
前記レジスト層をレーザーで露光することにより、前記レジスト層の外周面に螺旋状の溝条部を形成する、露光工程と、
前記レジスト層をマスキング材としてエッチングを行い、前記溝条部における前記無電解めっき層及び前記電解めっき層を除去することにより、残存する前記無電解めっき層及び前記電解めっき層でコイルを形成する、エッチング工程と、を備える、ＭＩ素子の製造方法。
【請求項２】
前記エッチング工程で形成した前記コイルを樹脂層で被覆し、前記コイルの間に樹脂を充填する、被覆工程を備える、請求項１に記載のＭＩ素子の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁工程において、前記絶縁体層の厚さを周方向で均一に形成する、請求項１又は請求項２に記載のＭＩ素子の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁工程において、前記アモルファスワイヤの両端部は絶縁体層から露出され、
前記無電解めっき工程において、前記無電解めっき層は前記アモルファスワイヤの両端部と接触するように形成され、
前記露光工程において、前記溝条部と、前記溝条部の両端部よりも外端側に離間して前記レジスト層を一周する一対の環状溝と、が形成され、
前記エッチング工程において、前記一対の環状溝より外端側で残存する前記無電解めっき層及び前記電解めっき層が前記アモルファスワイヤの電極として形成され、前記一対の環状溝の間で残存する前記無電解めっき層及び前記電解めっき層が前記コイルとして形成され、前記コイルの両端部が前記絶縁体層を一周する環状のコイル電極として形成される、請求項１から請求項３の何れか１項に記載のＭＩ素子の製造方法。
【請求項５】
アモルファスワイヤと、
前記アモルファスワイヤの外周に形成される絶縁体層と、
前記絶縁体層の外周面に螺旋状に形成されるコイルと、を備えるＭＩ素子であって、
前記コイルは、無電解めっき層と、前記無電解めっき層の外周面に形成される電解めっき層と、の二層で形成される、ＭＩ素子。
【請求項６】
前記コイルが樹脂層で被覆され、前記コイルの間に樹脂が充填される、請求項５に記載のＭＩ素子。
【請求項７】
前記絶縁体層の厚さが周方向で均一に形成される、請求項５又は請求項６に記載のＭＩ素子。
【請求項８】
前記アモルファスワイヤの両端部は、前記絶縁体層の端部を被覆する無電解めっき層と、前記無電解めっき層の外周面に形成される電解めっき層と、の二層で形成された電極と接続される、請求項５から請求項７の何れか１項に記載のＭＩ素子。
【請求項９】
前記コイルの両端部が前記絶縁体層を一周する環状のコイル電極として形成される、請求項５から請求項８の何れか１項の何れか１項に記載のＭＩ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＭＩ素子の製造方法、及び、ＭＩ素子に関し、詳細には、ＭＩ素子を製造する際の設備構成を簡素化する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、アモルファスワイヤからなる感磁体と、絶縁体を介して感磁体の周囲に巻回される電磁コイルと、を備えたＭＩ（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ：磁気インピーダンス）素子が知られている（例えば、特許文献１を参照）。上記の特許文献には、絶縁体の外周面に銅を含む金属材料を真空蒸着して金属膜を形成し、その後選択エッチングにより電磁コイルを形成する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３７８１０５６号公報
【発明の概要】
【０００４】
上記従来技術の如く、金属膜を形成する際に真空蒸着を用いる場合は、金属膜の膜厚を大きくすることが難しい。ＭＩ素子において金属膜の膜厚が小さい場合、電磁コイルを流れる電流の電流路断面積を十分に確保することができず、ＭＩ素子の性能が不十分となる可能性がある。
【０００５】
本発明は以上の如き状況に鑑みてなされたものであり、本発明が解決しようとする課題は、金属膜の膜厚を大きく形成して電磁コイルを流れる電流の電流路断面積を確保することにより、性能を確保することのできる、ＭＩ素子の製造方法、及び、ＭＩ素子を提供することである。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するために、以下に構成するＭＩ素子の製造方法、及び、ＭＩ素子を提供する。
【０００７】
本発明の一例に係るＭＩ素子の製造方法は、アモルファスワイヤの外周に絶縁体層を形成する、絶縁工程と、前記絶縁体層の外周面に無電解めっき層を形成する、無電解めっき工程と、前記無電解めっき層の外周面に電解めっき層を形成する、電解めっき工程と、前記電解めっき層の外周面にレジスト層を形成する、レジスト工程と、前記レジスト層をレーザーで露光することにより、前記レジスト層の外周面に螺旋状の溝条部を形成する、露光工程と、前記レジスト層をマスキング材としてエッチングを行い、前記溝条部における前記無電解めっき層及び前記電解めっき層を除去することにより、残存する前記無電解めっき層及び前記電解めっき層でコイルを形成する、エッチング工程と、を備えるものである。
【０００８】
また、本発明の一例に係るＭＩ素子は、アモルファスワイヤと、前記アモルファスワイヤの外周に形成される絶縁体層と、前記絶縁体層の外周面に螺旋状に形成されるコイルと、を備えるＭＩ素子であって、前記コイルは、無電解めっき層と、前記無電解めっき層の外周面に形成される電解めっき層と、の二層で形成されるものである。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第一実施形態に係るＭＩ素子を示す平面図。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線断面図。
【図３】図１中のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図。
【図４】第一実施形態に係るＭＩ素子の各製造工程を示す図。
【図５】第一実施形態に係るＭＩ素子の表面部分を示す拡大断面図。
【図６】第二実施形態に係るＭＩ素子を示す平面図。
【図７】図６中のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面図。
【図８】第二実施形態に係るＭＩ素子の各製造工程を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜ＭＩ素子１（第一実施形態）＞
まず、図１から図３を用いて、本発明の第一実施形態に係る磁気インピーダンス素子（以下、単に「ＭＩ素子」と記載する）１の構成について説明する。ＭＩ素子１は、感磁体（本実施形態においてはアモルファスワイヤ２）に通電する電流の変化に応じてコイル６に誘起電圧が生じる、いわゆるＭＩ現象を利用して磁気センシングを行うものである。
【００１１】
上記のＭＩ現象は、供給する電流方向に対して周回方向に電子スピン配列を有する磁性材料からなる感磁体について生じるものである。この感磁体の通電電流を急激に変化させると、周回方向の磁界が急激に変化し、その磁界変化の作用によって周辺磁界に応じて電子のスピン方向の変化が生じる。そして、その際の感磁体の内部磁化及びインピーダンス等の変化が生じる現象がＭＩ現象である。
【００１２】
図２及び図３に示す如く、本実施形態に係るＭＩ素子１には、感磁体として直径数十μｍ以下のＣｏＦｅＳｉＢ等の、外周形状が円形状の線条体であるアモルファスワイヤ２を用いている。アモルファスワイヤ２の外周にはアクリル系樹脂である絶縁体層３が、横断面における外周形状が円形状となるように形成されている。詳細には、絶縁体層３の外周形状は、アモルファスワイヤ２の外周形状と同心円状の円形状に、即ち、絶縁体層３の厚さが周方向で均一となるように形成されている。具体的には、アクリル系の樹脂材が液中にイオン状態で分散している電着塗料の中にアモルファスワイヤ２を浸漬し、アモルファスワイヤ２と槽中の電着塗料との間に電圧を印加することにより、イオン状態のアクリル系樹脂がアモルファスワイヤに電着する。この方法によれば、印加する電圧によって絶縁層の厚みをコントロールできる。このようにしてアモルファスワイヤ２の表面に形成された電着塗料を、例えば１００度以上の高温で焼き固めることにより、絶縁体層３を形成している。
【００１３】
絶縁体層３の外周面には、コイル６が螺旋状に形成されている。コイル６は、無電解めっき層４と、無電解めっき層４の外周面に形成される電解めっき層５と、の二層で形成される。図２に示す如く、コイル６はコイル端子である両端部を除いて樹脂７の層で被覆され、コイル６の間に樹脂７が充填されている。これにより、コイル６の間に樹脂７が入り込み、コイル６を絶縁体層３から離脱し難くしている。
【００１４】
次に、図４を用いて、ＭＩ素子１の製造方法について説明する。図４において、（ａ）は絶縁工程前のアモルファスワイヤ２、（ｂ）は絶縁工程後の状態、（ｃ）は無電解めっき工程後の状態、（ｄ）は電解めっき工程後の状態、（ｅ）はレジスト工程後の状態、（ｆ）は露光工程後の状態、（ｇ）はエッチング工程後の状態、（ｈ）はレジスト除去工程後の状態、（ｉ）は被覆工程後の状態をそれぞれ示している。
【００１５】
本実施形態に係るＭＩ素子１を製造する際には、図４中の（ａ）に示す如く、外周形状が円形状の線条体であるアモルファスワイヤ２を用意する。そして、図４中の（ｂ）に示す如く、アモルファスワイヤ２の外周に絶縁体を塗布し、絶縁体層３を形成する（絶縁工程）。この際、図３に示す如く、絶縁体層３の横断面における外周形状を、アモルファスワイヤ２の外周形状と同心円状の円形状に、即ち、絶縁体層３の厚さが周方向で均一となるように形成する。
【００１６】
次に、図４中の（ｃ）に示す如く、無電解Ｃｕめっきを施すことにより、絶縁体層３の外周面に無電解めっき層４を形成する（無電解めっき工程）。なお、本工程において、無電解Ａｕめっきを採用することも可能である。次に、図４中の（ｄ）に示す如く、電解Ｃｕめっきを施すことにより、無電解めっき層４の外周面に電解めっき層５を形成する（電解めっき工程）。なお、本工程において、電解Ａｕめっきを採用することも可能である。このように、本実施形態においては、無電解めっき及び電解めっきを用いて、絶縁体層３に金属膜を形成している。
【００１７】
次に、電解めっき層５が形成されたアモルファスワイヤ２を、フォトレジスト液の入ったフォトレジスト槽に浸漬した後、所定速度（例えば、１ｍｍ／ｓｅｃの速度）で引き上げることにより、図４中の（ｅ）に示す如く電解めっき層５の外周面にレジスト層Ｒを形成する（レジスト工程）。
【００１８】
次に、図４中の（ｆ）に示す如く、レジスト層Ｒをレーザーで露光し、レーザーで露光した部分を現像液で溶解することにより、レジスト層Ｒの外周面に螺旋状の溝条部ＧＲを形成し、溝条部ＧＲの電解めっき層５を露出させる（露光工程）。
【００１９】
上記の露光工程におけるレーザーによる露光は、レジスト層Ｒが形成されたアモルファスワイヤ２の中心軸を軸として回転させつつ、軸方向に変位させながら行う。本実施形態においては、レーザーで露光した部分が現像液に溶解してレジスト層Ｒに螺旋状の溝条部ＧＲが形成される、ポジ型フォトレジストを採用している。なお、本工程において、レーザーに露光しなかった部分が現像液に溶解してレジスト層に螺旋状の溝条部が形成される、ネガ型フォトレジストを用いることも可能である。
【００２０】
次に、レジスト層Ｒに溝条部ＧＲが形成されたアモルファスワイヤ２を酸性の電解研磨液中に浸漬して電解研磨することにより、電解めっき層５の外周に残っているレジスト層をマスキング材としたエッチングを行う。これにより、図４中の（ｇ）に示す如く、レジスト層Ｒに溝条部ＧＲが形成されていた部分の無電解めっき層４及び電解めっき層５を除去する（エッチング工程）。
【００２１】
図４中の（ｇ）に示す如く、無電解めっき層４及び電解めっき層５のうち、溝条部ＧＲが形成されていた部分には螺旋状の溝部ＧＰが形成される。即ち、本工程において、残存する無電解めっき層４及び電解めっき層５がコイル６として形成されるのである。
【００２２】
次に、図４中の（ｈ）に示す如く、剥離液等を用いてレジスト層Ｒを除去する（レジスト除去工程）。そして、アモルファスワイヤ２、絶縁体層３、及び、コイル６を所定の長さに切断した後に、図４中の（ｉ）に示す如く、コイル６を、両端部を除いて樹脂７の層で被覆し、コイル６の間に樹脂７を充填する（被覆工程）。
【００２３】
上記の如く、本実施形態に係るＭＩ素子１の製造方法においては、絶縁体層３の外周面に金属膜を形成する際に、真空蒸着を用いずに無電解めっき及び電解めっきを用いている。めっきによれば、金属膜の膜厚を大きく形成することが容易であるため、電磁コイルを流れる電流の電流路断面積を十分に確保することが可能となる。即ち、本実施形態に係るＭＩ素子の製造方法によれば、電磁コイルの電流路断面積を確保することにより、ＭＩ素子の性能を確保することができるのである。
【００２４】
また、金属膜を形成する際に真空蒸着を用いる場合は、対象物（感磁体の周囲に絶縁体を設けたもの）を収容したチャンバーを真空状態とする必要があるため、設備構成が大掛かりとなり、製造コストが嵩んでいた。しかし、本実施形態の如く、金属膜の形成に無電解めっき及び電解めっきを用いた場合は、真空チャンバー等が不要となり、設備構成を簡素化することができるため、ＭＩ素子１の製造コストを抑制することができる。
【００２５】
また、本実施形態に係るＭＩ素子１においては、コイル６は樹脂７の層で被覆され、コイル６の間に樹脂７が充填されている。これにより、コイル６の間に樹脂７が入り込み、コイル６を絶縁体層３から離脱し難くしている。具体的には、エッチング工程においては外側から内側へむけて順次エッチングされるため、エッチング液は電解めっき層５の外側の部分（コイル６の径方向外側の部分）に対する接触時間の方が長くなる。このため、図５に示す如く、電解めっき層５の外側の部分の方が外側の部分よりも多くエッチングされて細くなっている。一方、無電解めっき層４は電解めっき層５よりも密度が疎であるため、図５に示す如く多くエッチングされて内側にえぐれている。その結果、被覆工程においてコイル６が樹脂７で被覆されると、樹脂７が無電解めっき層４の側へ回り込むように充填され、この部分が引っかかるような形状となる。これにより、より強固なアンカー効果を得ることができるのである。
【００２６】
また、本実施形態に係るＭＩ素子１の製造方法においては、絶縁工程において、絶縁体層３の横断面における外周形状を円形状に形成することにより、絶縁体層３の厚さを周方向で均一に形成している。これにより、アモルファスワイヤ２と、絶縁体層３の外周面に形成されるコイル６と、の距離を一定にすることができるため、ＭＩ素子１の感度を向上させることが可能となる。
【００２７】
さらに詳細には、特許文献１に記載の技術では、アモルファスワイヤの横断面が円形状のものに対して絶縁体層の横断面が四角形状となっている。このため、周方向の位置によってはワイヤーとコイルとの距離が大きくなり、その結果センサの感度が低くなる。
【００２８】
一方、本実施形態に係るＭＩ素子１においては、横断面が円形状のアモルファスワイヤ２の表面に円形状の絶縁体層３が形成されることにより、絶縁体層３の厚さが周方向で均一に形成されている。このため、アモルファスワイヤ２とコイル６との距離を、周方向の位置によらず一定とすることができ、その結果、ＭＩセンサ１の感度を高くすることができるのである。
【００２９】
なお、アモルファスワイヤ２とコイル６との距離を周方向の位置によらず一定とするために、アモルファスワイヤ２と絶縁体層３との外周形状を円形状に限定する必要はない。例えば、断面矩形状のアモルファスワイヤの表面に、同じく矩形状（詳細には、角部が円形状に面取りされた矩形状）の絶縁体層を厚さが周方向に均一になるように形成することも可能である。この場合でも、アモルファスワイヤとコイルとの距離を周方向の位置によらず一定とすることができ、その結果、ＭＩセンサ１の感度を高くすることができる。
【００３０】
＜ＭＩ素子１０１（第二実施形態）＞
次に、図６及び図７を用いて、本発明の第二実施形態に係るＭＩ素子１０１の構成について説明する。本実施形態においては、前記第一実施形態に係るＭＩ素子１と共通する構成については詳細な説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。
【００３１】
図７に示す如く、本実施形態に係るＭＩ素子１０１についても、第一実施形態に係るＭＩ素子１と同様に、アモルファスワイヤ２の外周に絶縁体層３が形成されている。そして、絶縁体層３の外周面には、コイル１０６が螺旋状に形成されている。コイル１０６は、無電解めっき層４と、無電解めっき層４の外周面に形成される電解めっき層５と、の二層で形成される。本実施形態に係るＭＩ素子１０１は、コイル１０６の両端部が、絶縁体層３を周方向に一周する環状のコイル電極１０６Ｔ・１０６Ｔとして形成され、コイル電極１０６Ｔ・１０６Ｔの間の螺旋部分がコイル部１０６Ｃとして形成されている。図７に示す如く、コイル１０６のコイル部１０６Ｃは樹脂７の層で被覆され、コイル部１０６Ｃの間に樹脂７が充填されている。
【００３２】
また、アモルファスワイヤ２の両端部は、絶縁体層３の端部を被覆する無電解めっき層４と、無電解めっき層４の外周面に形成される電解めっき層５と、の二層で形成された電極８・８と接続されている。
【００３３】
次に、図８を用いて、ＭＩ素子１０１の製造方法について説明する。図８において、（ａ）は絶縁工程前のアモルファスワイヤ２、（ｂ）は絶縁工程後の状態、（ｃ）は無電解めっき工程後の状態、（ｄ）は電解めっき工程後の状態、（ｅ）はレジスト工程後の状態、（ｆ）は露光工程後の状態、（ｇ）はエッチング工程後の状態、（ｈ）はレジスト除去工程後の状態、（ｉ）は被覆工程後の状態をそれぞれ示している。
【００３４】
本実施形態に係るＭＩ素子１を製造する際には、図８中の（ａ）に示す如く所定の長さ（数ｍｍ）に切断したアモルファスワイヤ２を用意する。そして、図８中の（ｂ）に示す如く、アモルファスワイヤ２の外周に、円柱形状にシリコンゴム等の絶縁体を塗布し、絶縁体層３を形成する（絶縁工程）。この際、アモルファスワイヤ２の両端部は絶縁体層３の両端部において露出される。
【００３５】
次に、図８中の（ｃ）に示す如く、無電解Ｃｕめっき（又は無電解Ａｕめっき）を施すことにより、絶縁体層３の外周面に無電解めっき層４を形成する（無電解めっき工程）。この際、無電解めっき層４はアモルファスワイヤ２の両端部と接触するように形成される。次に、図８中の（ｄ）に示す如く、電解Ｃｕめっき（又は電解Ａｕめっき）を施すことにより、無電解めっき層４の外周面に電解めっき層５を形成する（電解めっき工程）。
【００３６】
次に、電解めっき層５が形成されたアモルファスワイヤ２を、フォトレジスト液の入ったフォトレジスト槽に浸漬した後、所定速度（例えば、１ｍｍ／ｓｅｃの速度）で引き上げることにより、図８中の（ｅ）に示す如く電解めっき層５の外周面にレジスト層Ｒを形成する（レジスト工程）。
【００３７】
次に、図８中の（ｆ）に示す如く、レジスト層Ｒをレーザーで露光し、レーザーで露光した部分を現像液で溶解することにより、レジスト層Ｒの外周面に、螺旋状の溝条部ＧＲ１と、溝条部ＧＲ１の両端部よりも外端側に離間してレジスト層Ｒを一周する環状溝ＧＲ２と、を形成し、溝条部ＧＲ１及び環状溝ＧＲ２の電解めっき層５を露出させる（露光工程）。上記の露光工程におけるレーザーによる露光は、レジスト層Ｒが形成されたアモルファスワイヤ２の中心軸を軸として回転させつつ、軸方向に変位させながら、複数回に亘って行う。
【００３８】
次に、エッチング工程において、レジスト層Ｒに溝条部ＧＲ１及び環状溝ＧＲ２が形成されたアモルファスワイヤ２を酸性の電解研磨液中に浸漬して電解研磨することにより、電解めっき層５の外周に残っているレジスト層をマスキング材としたエッチングを行う。これにより、図８中の（ｇ）に示す如く、レジスト層Ｒに溝条部ＧＲ１及び環状溝ＧＲ２が形成されていた部分の無電解めっき層４及び電解めっき層５を除去する（エッチング工程）。
【００３９】
図８中の（ｇ）に示す如く、無電解めっき層４及び電解めっき層５のうち、溝条部ＧＲ１が形成されていた部分には螺旋状の溝部ＧＰ１が形成される。また、環状溝ＧＲ２が形成されていた部分には環状溝部ＧＰ２が形成される。この環状溝部ＧＰ２により、無電解めっき層４及び電解めっき層５は、コイル１０６を形成する中央部と、電極８・８を形成する両端部とに分断される。即ち、本工程において、環状溝部ＧＰ２より外端側で残存する無電解めっき層４及び電解めっき層５がアモルファスワイヤ２の電極８・８として形成され、環状溝部ＧＰ２の間で残存する無電解めっき層４及び電解めっき層５がコイル１０６として形成される。
【００４０】
本実施形態において、溝条部ＧＲ１と環状溝ＧＲ２とは離間して形成されているため、溝部ＧＰ１は環状溝部ＧＰ２と離間して形成される。これにより、コイル１０６の両端部は、絶縁体層３を一周する環状のコイル電極１０６Ｔ・１０６Ｔとして形成され、コイル電極１０６Ｔ・１０６Ｔの間の螺旋部分がコイル部１０６Ｃとして形成される。
【００４１】
次に、図８中の（ｈ）に示す如く、剥離液等を用いてレジスト層Ｒを除去する（レジスト除去工程）。そして、図８中の（ｉ）に示す如く、コイル１０６を樹脂７の層で被覆し、コイル１０６の間に樹脂７を充填する（被覆工程）。
【００４２】
本実施形態に係るＭＩ素子１０１の製造方法によれば、アモルファスワイヤ２の電極８・８を、環状溝部ＧＰＬより外端側で残存する無電解めっき層４及び電解めっき層５で形成する（アモルファスワイヤ２の両端部が、無電解めっき層４及び電解めっき層５の二層で形成された電極８と接続される）構成としている。このため、別途電極を形成する必要がなくなり、ＭＩ素子１の製造プロセスを簡素化することが可能となる。
【００４３】
本実施形態に係るＭＩ素子１０１の製造方法によれば、コイル電極１０６Ｔ・１０６Ｔを、絶縁体層３を一周する環状に形成することができる。このため、ＭＩ素子１０６の姿勢に関わらずコイル電極１０６Ｔ・１０６Ｔを基板と対向させることができるため、基板に実装することが可能となる。
【００４４】
上記の如く、本発明の一例に係るＭＩ素子の製造方法は、アモルファスワイヤの外周に絶縁体層を形成する、絶縁工程と、前記絶縁体層の外周面に無電解めっき層を形成する、無電解めっき工程と、前記無電解めっき層の外周面に電解めっき層を形成する、電解めっき工程と、前記電解めっき層の外周面にレジスト層を形成する、レジスト工程と、前記レジスト層をレーザーで露光することにより、前記レジスト層の外周面に螺旋状の溝条部を形成する、露光工程と、前記レジスト層をマスキング材としてエッチングを行い、前記溝条部における前記無電解めっき層及び前記電解めっき層を除去することにより、残存する前記無電解めっき層及び前記電解めっき層でコイルを形成する、エッチング工程と、を備えるものである。
【００４５】
この構成によれば、金属膜の膜厚を大きく形成して電磁コイルを流れる電流の電流路断面積を確保することにより、ＭＩ素子の性能を確保することができる。
【００４６】
また、前記ＭＩ素子の製造方法は、前記エッチング工程で形成した前記コイルを樹脂層で被覆し、前記コイルの間に樹脂を充填する、被覆工程を備えることが好ましい。
【００４７】
この構成によれば、コイルの間に樹脂が入り込むことによりコイルを離脱し難くすることが可能となる。
【００４８】
また、前記ＭＩ素子の製造方法は、前記絶縁工程において、前記絶縁体層の厚さを周方向で均一に形成することが好ましい。
【００４９】
この構成によれば、ＭＩ素子の感度を向上させることが可能となる。
【００５０】
また、前記ＭＩ素子の製造方法は、前記絶縁工程において、前記アモルファスワイヤの両端部は絶縁体層から露出され、前記無電解めっき工程において、前記無電解めっき層は前記アモルファスワイヤの両端部と接触するように形成され、前記露光工程において、前記溝条部と、前記溝条部の両端部よりも外端側に離間して前記レジスト層を一周する一対の環状溝と、が形成され、前記エッチング工程において、前記一対の環状溝より外端側で残存する前記無電解めっき層及び前記電解めっき層が前記アモルファスワイヤの電極として形成され、前記一対の環状溝の間で残存する前記無電解めっき層及び前記電解めっき層が前記コイルとして形成され、前記コイルの両端部が前記絶縁体層を一周する環状のコイル電極として形成されることが好ましい。
【００５１】
この構成によれば、コイル電極を、絶縁体層を一周する環状に形成することができるため、ＭＩ素子の姿勢に関わらず基板に実装することが可能となる。
【００５２】
また、本発明の一例に係るＭＩ素子は、アモルファスワイヤと、前記アモルファスワイヤの外周に形成される絶縁体層と、前記絶縁体層の外周面に螺旋状に形成されるコイルと、を備えるＭＩ素子であって、前記コイルは、無電解めっき層と、前記無電解めっき層の外周面に形成される電解めっき層と、の二層で形成されるものである。
【００５３】
この構成によれば、金属膜の膜厚を大きく形成して電磁コイルを流れる電流の電流路断面積を確保することにより、ＭＩ素子の性能を確保することができる。
【００５４】
また、前記ＭＩ素子は、前記コイルが樹脂層で被覆され、前記コイルの間に樹脂が充填されることが好ましい。
【００５５】
この構成によれば、コイルの間に樹脂が入り込むことによりコイルを離脱し難くすることが可能となる。
【００５６】
また、前記ＭＩ素子は、前記絶縁体層の厚さが周方向で均一に形成されることが好ましい。
【００５７】
この構成によれば、ＭＩ素子の感度を向上させることが可能となる。
【００５８】
また、前記ＭＩ素子は、前記アモルファスワイヤの両端部は、前記絶縁体層の端部を被覆する無電解めっき層と、前記無電解めっき層の外周面に形成される電解めっき層と、の二層で形成された電極と接続されることが好ましい。
【００５９】
この構成によれば、アモルファスワイヤの電極を、環状溝より外端側で残存する無電解めっき層及び電解めっき層で形成することができるため、ＭＩ素子の製造プロセスを簡素化することが可能となる。
【００６０】
また、前記ＭＩ素子は、前記コイルの両端部が前記絶縁体層を一周する環状のコイル電極として形成されることが好ましい。
【００６１】
この構成によれば、コイル電極を、絶縁体層を一周する環状に形成することができるため、ＭＩ素子の姿勢に関わらず基板に実装することが可能となる。
【００６２】
本発明に係るＭＩ素子の製造方法、及び、ＭＩ素子によれば、金属膜の膜厚を大きく形成して電磁コイルを流れる電流の電流路断面積を確保することにより、ＭＩ素子の性能を確保することができる。
【００６３】
この出願は、２０１７年１２月８日に出願された日本国特許出願特願２０１７−２３６３４６を基礎とするものであり、その内容は、本願に含まれるものである。なお、発明を実施するための形態の項においてなされた具体的な実施態様又は実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、本発明は、そのような具体例のみに限定して狭義に解釈されるべきものではない。
【符号の説明】
【００６４】
１        磁気インピーダンス素子（ＭＩ素子）
２        アモルファスワイヤ         ３        絶縁体層
４        無電解めっき層             ５        電解めっき層
６        コイル                     ７        樹脂
８        電極
１０１        磁気インピーダンス素子（ＭＩ素子）
１０６        コイル                 １０６Ｃ      コイル部
１０６Ｔ      コイル電極         
Ｒ        レジスト層             ＧＰ        溝部
ＧＰ１      溝部                   ＧＰ２      環状溝部
ＧＲ        溝条部                 ＧＲ１      溝条部
ＧＲ２      環状溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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