(57)【要約】  本開示のセラミック焼結体は、酸化アルミニウムを主成分とし、チタンの酸化物を含む。そして、カソードルミネッセンス法を用いた測定における、波長７００〜８００ｎｍにおける第１ピークの強度をＡ、波長４００〜４５０ｎｍにおける第２ピークの強度をＢとしたとき、比率Ｂ／Ａが０．７７以下である。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化アルミニウムを主成分とし、チタンの酸化物を含むセラミック焼結体であって、カソードルミネッセンス法を用いた測定における、波長７００〜８００ｎｍにおける第１ピークの強度をＡ、波長４００〜４５０ｎｍにおける第２ピークの強度をＢとしたとき、比率Ｂ／Ａが０．７７以下であるセラミック焼結体。
【請求項２】
珪素および周期表第２族元素の少なくともいずれかを含み、その含有量の合計が酸化物に換算して３質量％以上である請求項１に記載のセラミック焼結体。
【請求項３】
スキューネスＲｓｋの平均値が０．０４以上０．４５以下である部分を有する請求項１または２に記載のセラミック焼結体。
【請求項４】
クルトシスＲｋｕの平均値が４．１以上６．５以下である部分を有する請求項１〜３のいずれかに記載のセラミック焼結体。
【請求項５】
表面が黒色系の色調を呈する請求項１〜４のいずれかに記載のセラミック焼結体。
【請求項６】
前記カソードルミネッセンス法による測定対象面のＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色差Δ＊Ｅａｂが４．５以下である請求項１〜５のいずれかに記載のセラミック焼結体。
【請求項７】
前記カソードルミネッセンス法による測定対象面のＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における明度指数Ｌ＊の変動係数が０．０２以下（但し、０を除く）である請求項１〜６のいずれかに記載のセラミック焼結体。
【請求項８】
前記カソードルミネッセンス法による測定対象面は開気孔を有し、該開気孔の円相当径の歪度が０．１以上である請求項１〜７のいずれかに記載のセラミック焼結体。
【請求項９】
電子管用である請求項１〜８のいずれかに記載のセラミック焼結体。
【請求項１０】
車載光学機器用である請求項１〜８のいずれかに記載のセラミック焼結体。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれかに記載のセラミック焼結体を具備する光学品の保持部材。
【請求項１２】
請求項１〜８のいずれかに記載のセラミック焼結体を具備する筐体。
【請求項１３】
請求項１〜８のいずれかに記載のセラミック焼結体を具備する基板。
【請求項１４】
請求項１〜８のいずれかに記載のセラミック焼結体を具備する遮光部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、セラミック焼結体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩの高速化や通信分野における情報量の増加により、高周波領域での損失が少ない材料が求められている。このような高周波領域で用いられるセラミックスとして、高純度のアルミナ粉体からなるアルミナ質焼結体がある。高純度のアルミナ粉体は白色であることから、アルミナ質焼結体の表面は白色を呈している。しかし、電子部品、半導体製造用部品などの各種測定を行う装置で用いられるアルミナ質焼結体は、その表面が黒色系であることが求められている。この理由は、わずかな塵埃がこれらの部品の精度や性能に大きく影響するため、黒色系のアルミナ質焼結体を用いると、このような塵埃を容易に発見することができ、また、アルミナ質焼結体を用いた部品が摩耗したり破損したりしても、その部分を容易に識別できるからである。【０００３】
例えば、黒色系のアルミナ質焼結体を配線部材の絶縁基板として用いると、導体層とのコントラストが高くなり、チップ部品などを実装する場合、画像の二値化処理の速度を高めることが可能となり量産性を向上させることができる。【０００４】
このようなアルミナ質焼結体として、特許文献１では、Ｔｉを酸化物換算で０．５〜５重量％と、Ｃｒを酸化物換算で５〜１５重量％の割合で含有し、残部が主成分Ａｌ2Ｏ3と、焼結助剤成分ＣａＯ、ＳｉＯ2およびＭｇＯとからなり、還元性雰囲気中で焼成された着色アルミナ質焼結体が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３２７４０５号公報
【発明の概要】
【０００６】
本開示のセラミック焼結体は、酸化アルミニウムを主成分とし、チタンの酸化物を含む。そして、カソードルミネッセンス法を用いた測定における、波長７００〜８００ｎｍにおける第１ピークの強度をＡ、波長４００〜４５０ｎｍにおける第２ピークの強度をＢとしたとき、比率Ｂ／Ａが０．７７以下である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本開示の実施形態に係るセラミック焼結体を備える光電子増倍管（電子管）の要部の構成を示す模式図である。
【図２】図２は、本開示の実施形態に係るセラミック焼結体を備えるランプ装置であって車両の右前方に搭載されるランプ装置の構成を示す模式図である。
【図３】図３は、図２に示すランプ装置内に配置された第１センサモジュールの構成を示す模式図である。
【図４】図４は、本開示の実施形態に係るセラミック焼結体を備えるヘッドアップディスプレイの構成を示す模式図である。
【図５】図５は、本開示の実施形態に係るセラミック焼結体を備える半導体製造装置の構成を示す、（ａ）は模式図であり、（ｂ）は（ａ）の二点鎖線で囲んだ部分の拡大図である。
【図６】図６は、実施例における測定結果であってカソードルミネッセンス法を用いた測定における各セラミック焼結体の発光スペクトルを示すグラフである。
【図７】図７は、実施例における測定結果であって波長とセラミック焼結体の表面における反射率との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
＜セラミック焼結体＞
以下、本開示の実施形態に係るセラミック焼結体について詳細に説明する。
昨今、さらに室温における電気抵抗が高く、しかも表面が黒色系の色調を呈することのできるセラミック焼結体が求められている。本実施形態のセラミック焼結体は、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を主成分とし、チタンの酸化物を含むセラミック焼結体である。そして、カソードルミネッセンス法を用いた測定における、波長７００〜８００ｎｍにおける第１ピークの強度をＡ、波長４００〜４５０ｎｍにおける第２ピークの強度をＢとしたとき、比率Ｂ／Ａが０．７７以下である（図６参照）。このような構成によれば、室温（５〜３５℃）における電気抵抗が高く、しかも表面が黒色系の色調を呈することができる。以下、本実施形態のセラミック焼結体の構成について具体的に説明する。
【０００９】
セラミック焼結体における主成分とは、セラミック焼結体を構成する成分１００質量％のうち、８５質量％以上を占める成分をいう。セラミック焼結体を構成する各成分の含有量は、Ｘ線回折装置（ＸＲＤ）を用い、ＪＣＰＤＳカードと照合して成分を同定した後、蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ）またはＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）発光分析装置（ＩＣＰ）を用いて、元素の含有量を求め、同定された成分の含有量に換算すればよい。
【００１０】
チタンの酸化物とは、酸化チタン（ＴｉＯ2）のみならず、上述した効果を得るために必要な限度において、酸化チタンがわずかに還元されたものも含む概念である。チタンの酸化物の含有量は、セラミック焼結体を構成する成分１００質量％のうち、例えば、０．５質量％以上４質量％以下である。含有量を判断するときは、酸化チタンの含有量をチタンの酸化物の含有量とみなすことができる。なお、酸化チタンの結晶構造は、ルチル型であってもよい。結晶構造は、ＸＲＤによって同定することができる。
【００１１】
ここで、カソードルミネッセンス法とは、試料（本実施形態においてはセラミック焼結体）の表面に電子線を照射した際に放出される光を検出する手法である。そして、この測定によって得られた結果は、横軸を光の波長、縦軸を光の強度とした発光スペクトルのグラフで確認することができる。
【００１２】
カソードルミネッセンス法を用いた測定における波長７００〜８００ｎｍにおける第１ピークの強度を選んだ理由は、この第１ピークの強度がチタンの酸化物を含むセラミック焼結体の表面における、Ｔｉ3+の存在を表しているからである。
【００１３】
また、波長４００〜４５０ｎｍにおける第２ピークの強度を選んだ理由は、この第２ピークの強度が、セラミック焼結体の表面に存在する、電子１個を捕獲可能な酸素欠陥（Ｆ＋センター）の量を表しているからである。そのため、第２ピークの強度が小さければ、放出された電子が放電を繰り返す要因となる酸素欠陥（Ｆ＋センター）が少ないことを示し、電圧がセラミック焼結体に印加された場合、電子の流れの発生を抑制することができる。すなわち、第２ピークの強度が小さければ、セラミック焼結体の電気抵抗は高くなり、併せて、瞬時電圧降下の発生を抑制することができる。
【００１４】
本実施形態のセラミック焼結体は、上述のとおり、カソードルミネッセンス法を用いた測定における、波長７００〜８００ｎｍにおける第１ピークの強度をＡ、波長４００〜４５０ｎｍにおける第２ピークの強度をＢとしたとき、比率Ｂ／Ａが０．７７以下である。比率Ｂ／Ａがこの範囲であると、酸化チタンがわずかに還元されながらも、酸素欠陥がほとんどなくなるため、室温における電気抵抗が高く、表面は黒色系の色調を呈することができる。
【００１５】
第１ピークは、波長７００〜８００ｎｍにおいて最大強度を有するピークであり、第２ピークは、波長４００〜４５０ｎｍにおいて最大強度を有するピークである。比率Ｂ／Ａの下限値は、例えば、０．７３である。
ここで、第１ピークの強度は、例えば、１１３００〜１２０００であり、第２ピークの強度は、例えば、８７００〜９２００である。
【００１６】
ここで、カソードルミネッセンス法における測定システムとしては、例えば、走査型電子顕微鏡（日本電子(株)製、ＪＳＭ−７１００Ｆ）に装着されたカソードルミネッセンス測定システム（回折格子：１００ｇｒ／ｍｍ、ブレーズ波長：４５０ｎｍ、検出器：ＣＣＤ、（株）堀場製作所製、ＭＰ−３２Ｓ）を用い、以下の条件で測定することができる。
＜条件＞
・測定温度：室温（２０℃）
・検出器：ＣＣＤ
・回折格子の単位長さ当りの溝本数：１００ｇｒ／ｍｍ
・ブレーズ波長：４５０ｎｍ
・スリット幅：１０００μｍ
・倍率：３０００倍
・照射電流：１８
【００１７】
本実施形態のセラミック焼結体は、波長２００ｎｍ〜２５００ｎｍにわたる反射率の最大値Ｒｍａｘが２４％以下であり、最大値Ｒｍａｘと最小値Ｒｍｉｎとの差であるΔＲが１５．３％以下である（図７参照）。すなわち、本実施形態のセラミック焼結体は、波長２００ｎｍ〜２５００ｎｍの範囲において、反射率が低く、照射光に対する反射光の光強度の波長分布のばらつきが小さい。本実施形態のセラミック焼結体は、このように広い波長範囲にわたって反射率が一様に低くなっており、様々な種類の入射光が表面に入射するような条件下でも、光を吸収することができる。
【００１８】
また、本実施形態のセラミック焼結体は、比較的広い波長範囲の光に対して反射率が十分に低い黒色を呈する。具体的には、ＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における明度指数Ｌ＊が４８以下であり、クロマティクネス指数ａ＊、ｂ＊がそれぞれ−２以上５以下、−１０以上０以下である。ＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における明度指数Ｌ＊の値、クロマティクネス指数ａ＊およびｂ＊の値は、ＪＩＳ  Ｚ  ８７２２：２００９に準拠して求めることができる。例えば、分光色差計（日本電色工業（株）製ＮＦ７７７またはその後継機種）を用い、測定条件としては、光源をＣＩＥ標準光源Ｄ６５、視野角度を２°に設定すればよい。
【００１９】
また、本実施形態のセラミック焼結体は、珪素および周期表第２族元素の少なくともいずれかを含み、その含有量の合計が酸化物に換算して３質量％以上であってもよい。このような構成であると、これらの酸化物は、酸化アルミニウムの結晶内に固溶しにくいので、電気抵抗をさらに高くすることができる。上述した含有量の上限値は、例えば、１５質量％である。なお、セラミック焼結体が珪素および周期表第２族元素のそれぞれを含むとき、珪素の含有量が周期表第２族元素の含有量よりも多くてもよい。
【００２０】
本実施形態のセラミック焼結体は、室温（５〜３５℃）における体積固有抵抗が１０9Ω・ｍ以上であってもよい。このような構成を満たすときは、室温における電気抵抗が高いといえる。また、より絶縁性を高めるという観点からは、本実施形態のセラミック焼結体の体積固有抵抗は、例えば、２００℃にて１０8Ω・ｍ以上あってもよい。通常、温度が高くなると体積固有抵抗は低下するが、本実施形態のセラミック焼結体は、２００℃の高温においても絶縁性を有する。体積固有抵抗は、ＪＩＳ  Ｃ  ２１４１：１９９２に準拠して求めることができる。なお、体積固有抵抗の上限値は、特に限定されない。
【００２１】
本実施形態のセラミック焼結体は、スキューネスＲｓｋの平均値が０．０４以上０．４５以下である部分を有していてもよい。セラミック焼結体がこのような部分を有しているときには、反射率が低くなる。なお、セラミック焼結体におけるすべてのスキューネスＲｓｋの平均値が０．０４以上０．４５以下であってもよい。
【００２２】
また、本実施形態のセラミック焼結体は、クルトシスＲｋｕの平均値が４．１以上６．５以下である部分を有していてもよい。セラミック焼結体がこのような部分を有しているときには、反射率が低くなる。なお、セラミック焼結体におけるすべてのクルトシスＲｋｕの平均値が４．１以上６．５以下であってもよい。
【００２３】
さらに、本実施形態のセラミック焼結体は、算術平均粗さＲａの平均値が１μｍ以上２μｍ以下である部分を有していてもよい。セラミック焼結体がこのような部分を有しているときには、反射率が低くなる。なお、セラミック焼結体におけるすべての算術平均粗さＲａの平均値が１μｍ以上２μｍ以下であってもよい。
【００２４】
スキューネスＲｓｋ、クルトシスＲｋｕおよび算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：２００１に準拠し、例えば、レーザー顕微鏡（（株）キーエンス社製（ＶＫ−９５１０））を用いて求めることができる。測定条件は、測定モードをカラー超深度、測定倍率を４００倍、測定範囲を６９８μｍ×５２２μｍ、測定ピッチを０．０５μｍ、λｓ輪郭曲線フィルタを２．５μｍ、λｃ輪郭曲線フィルタを０．０８ｍｍとし、上記測定範囲８箇所から得られる測定値の平均値を、スキューネスＲｓｋ、クルトシスＲｋｕおよび算術平均粗さＲａのそれぞれの平均値とすればよい。
【００２５】
また、カソードルミネッセンス法による測定対象面のＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色差Δ＊Ｅａｂが４．５以下であってもよい。
【００２６】
色差Δ＊Ｅａｂは、色調感のばらつきを示す指標であり、以下の式（１）で示される。
ΔＥ＊ａｂ＝〔（ΔＬ＊）2＋（Δａ＊）2＋（Δｂ＊）2〕1/2      （１）
（ΔＬ＊は、測定対象面の第１測定対象点の明度指数Ｌ1＊と第２測定対象点の明度指数Ｌ2＊との差、Δａ＊は測定対象面の第１測定対象点のクロマティクネス指数ａ1＊と第２測定対象点の明度指数ａ2＊との差、Δｂ＊は測定対象面の第１測定対象点のクロマティクネス指数ｂ1＊と第２測定対象点の明度指数ｂ2＊との差である。）
【００２７】
色差Δ＊Ｅａｂが上記範囲であると、測定対象面の色調感のばらつきが低減して、そのばらつきを視認しにくくなるので、商品価値が向上する。
【００２８】
また、カソードルミネッセンス法による測定対象面のＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における明度指数Ｌ＊の変動係数が０．０２以下（但し、０を除く）であってもよい。
【００２９】
明度指数Ｌ＊の変動係数が上記範囲であると、測定対象面が繰り返して光の照射を受けても変色しにくい状態になっているので、経時変化しにくい。ここで、測定対象面の明度指数Ｌ＊の平均値は、例えば、４８以下である。
【００３０】
なお、測定対象面のＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における明度指数Ｌ＊の値、クロマティクネス指数ａ＊およびｂ＊の値は、ＪＩＳ  Ｚ  ８７２２：２００９に準拠して求めることができる。例えば、分光色差計（日本電色工業（株）製ＮＦ７７７またはその後継機種）を用い、測定条件としては、光源をＣＩＥ標準光源Ｄ６５、視野角度を２°に設定すればよい。
【００３１】
また、カソードルミネッセンス法による測定対象面は、開気孔を有し、開気孔の円相当径の歪度が０．１以上であってもよい。
【００３２】
開気孔の円相当径の歪度が上記範囲であると、円相当径の分布が小さな方向に移動し、浮遊する金属粉や白色系の明色を呈する紛体が開気孔に侵入しにくくなるので、測定対象面の色調感のばらつきが低減し、商品価値が向上する。
【００３３】
開気孔の円相当径の平均値は、例えば、４μｍ以上６μｍ以下である。また、開気孔の気孔率は、３面積％以上６面積％以下である。
【００３４】
開気孔の円相当径および気孔率を求めるには、まず、平均粒径Ｄ50が３μｍのダイヤモンド砥粒を用いて鋳鉄製定盤にて保持部材を研磨した後、平均粒径Ｄ50が０．５μｍのダイヤモンド砥粒を用いて錫定盤にて研磨して、測定面を得る。
【００３５】
そして、光学顕微鏡を用いて、倍率を１００倍として、ＣＣＤカメラで、測定面のうち、平均的な部分を選択して撮影する。次に、撮影した画像のうち、１範囲当りの面積が２．２７×１０2μｍである範囲を４カ所設定して、画像解析ソフト（例えば、三谷商事（株）製、Ｗｉｎ  ＲＯＯＦ）を用いて解析することによって、開気孔の円相当径および気孔率を得ることができる。なお、解析するに当たり、開気孔の円相当径の閾値は、０．８μｍとし、０．８μｍ未満の円相当径は解析の対象とはしない。
【００３６】
そして、開気孔の円相当径の歪度は、Excel（登録商標、Microsoft Corporation）に備えられている関数ＳＫＥＷを用いて求めればよい。
【００３７】
（セラミック焼結体の製造方法）
次に、本実施形態のセラミック焼結体の製造方法の一例を説明する。
【００３８】
まず、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末を準備する。
【００３９】
炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化珪素の粉末の含有量の合計は、上記粉末の合計１００質量％のうち、例えば、６．５質量％以上１２．９質量％以下である。そして、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化珪素の粉末の含有量は、これら粉末の合計１００質量％のうち、炭酸カルシウムの粉末の含有量は１７．８質量％以上５３．４質量％以下であり、水酸化マグネシウムの粉末の含有量は１４．４質量％以上４３．２質量％以下であり、残部が酸化珪素の粉末である。
【００４０】
特に、水酸化マグネシウムの含有量は、酸化チタンの含有量の３０質量％以上４４質量％以下であるとよい。水酸化マグネシウムの含有量が上記範囲であると、後述する還元処理で生じやすいアノーサイトおよびムライトの生成が抑制される。アノーサイトやムライトは酸化アルミニウムに対して平均線膨張率が異なっているため、これらの化合物の生成が抑制されると、繰り返して加熱および冷却に曝される環境でセラミック焼結体が用いられてもクラックが生じにくくなる。
【００４１】
酸化チタンの粉末の含有量は、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末の合計１００質量％のうち、例えば、０．５質量％以上４質量％以下であり、残部が酸化アルミニウムの粉末である。
【００４２】
そして、これら粉末をバレルミル、回転ミル、振動ミル、ビーズミル、アジテーターミル、アトマイザー、アトライターなどの粉砕機によって湿式混合して粉砕し、スラリーを得る。なお、上記粉砕にあたっては、溶媒、この溶媒１００質量部に対して１質量部以上１．５質量部以下のポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などの有機結合剤、溶媒１００質量部に対して０．１質量部以上０．５質量部以下の分散剤を併せて粉砕機内に投入する。次に、得られたスラリーを脱磁処理した後、噴霧乾燥して、顆粒を得る。脱磁処理によって、不可避不純物であって、強磁性を示すＦｅ、ＮｉおよびＣｏは除去される。
【００４３】
そして、この顆粒を用いて乾式加圧成形法あるいは冷間等方圧加圧法（ＣＩＰ）により成形した後に必要に応じて切削加工を施して成形体を得る。ここで、開気孔の平均気孔径の歪度が０．１以上であるセラミック焼結体を得るには、成形圧を、例えば、１５００ＭＰａ以上４０００ＭＰａ以下にすればよい。その後、得られた成形体を大気（酸化）雰囲気中、温度を１５００℃以上１７００℃以下として所定時間保持して焼成することによって焼結体を得ることができる。
【００４４】
なお、焼成後においては、研削加工を行なってもよい。また、必要に応じて振動バレル研磨機を用いて、研磨材、振動数および研磨時間を調整した研磨を行なって、所定の表面性状としてもよい。
【００４５】
そして、上述した方法によって得られた焼結体を、還元雰囲気として、例えば、窒素：水素の比率が８７〜９０体積％：１０〜１３体積％である混合ガス中において、１３００℃以上１４００℃以下の温度で１時間以上２時間以下保持（還元処理）することによって、本実施形態のセラミック焼結体を得ることができる。
【００４６】
カソードルミネッセンス法による測定対象面のＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色差Δ＊Ｅａｂが４．５以下であるセラミック焼結体を得るには、酸化チタンの粉末の含有量を、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末の合計１００質量％のうち、１．８質量％以上３質量％以下とし、１３３０℃以上１４００℃以下の温度で１時間以上２時間以下保持すればよい。
【００４７】
測定対象面のＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における明度指数Ｌ＊の変動係数が０．０２以下（但し、０を除く）である光学品の保持部材を得るには、酸化チタンの粉末の含有量を、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末の合計１００質量％のうち、１．８質量％以上３質量％以下とし、１３５０℃以上１４００℃以下の温度で１時間以上２時間以下保持すればよい。
【００４８】
上述した本実施形態のセラミック焼結体は、可視光線領域および（近）赤外線領域における反射率が低く、室温における電気抵抗が高く、しかも表面が黒色系の色調を呈することから、例えば、電子管または車載光学機器などに用いることができる。
【００４９】
＜電子管＞
次に、本実施形態のセラミック焼結体を備える電子管の一例として、光電子増倍管を例に挙げて、図面を用いて説明する。但し、以下で参照する図は、説明の便宜上、実施形態を説明する上で必要な構成のみを簡略化して示したものである。したがって、本開示の電子管は、参照する図に示されていない任意の構成を備え得る。また、図中の構成の寸法は、実際の構成の寸法および寸法比率などを忠実に表したものではない。これらの点は、後述する車載光学機器においても同様である。
【００５０】
（光電子増倍管）
図１に示す本開示の実施形態に係る光電子増倍管１０は、入射した光を電子に変換しつつ、その電子を所定の増幅割合で増幅させて、電気信号として取り出すための装置であり、入射光の有無や光量を計測するために用いられる。
【００５１】
光電子増倍管１０は、入射窓１２から入射する光を受けて光電子を放出する光電面１３を備える容器１１と、容器１１内に位置する複数の電極体１６と、容器１１内において複数の電極体１６を支持するセラミック絶縁部材１７とを備える。また、光電子増倍管１０は、光電面１３から放出された光電子を二次電子放出作用により増倍する電子増倍部１４および電子増倍部１４で増倍された電子を取り出すアノード１５を備える。
【００５２】
電子増倍部１４は、ボックス型のダイノード１４ａを多段に配置してなり、平板状の電極体１６によって、各段のダイノード１４ａを個々に支持している。ダイノード１４ａとそれを支持する電極体１６とは、個別に電気的に接続されている。複数の電極体１６は、セラミック絶縁部材１７によって挟持されている。
【００５３】
そして、光電子増倍管１０においては、セラミック絶縁部材１７が、上述した本実施形態のセラミック焼結体からなる。言い換えれば、本実施形態のセラミック焼結体は、電子管のセラミック絶縁部材用であってもよい。本実施形態のセラミック焼結体は、上述のとおり、広い波長範囲にわたって反射率が一様に低くなっている。それゆえ、本実施形態のセラミック焼結体でセラミック絶縁部材１７が構成されていると、様々な種類の入射光が光電面１３に入射するような条件下でも、光の検出精度および測定精度が比較的高い。
【００５４】
＜車載光学機器＞
次に、本実施形態のセラミック焼結体を備える車載光学機器の一例として、ランプ装置およびヘッドアップディスプレイを例に挙げて、図面を用いて順に説明する。
【００５５】
（ランプ装置）
以下の説明では、ランプ装置が車両の右前方に搭載される構成を例にとって説明するが、本開示のランプ装置は、その機能を奏する限り、車両の右前方に搭載される構成に限定されない。
【００５６】
図２に示すように、本開示の実施形態に係るランプ装置２０は、車両の進行方向に位置する透光カバー２１と、透光カバー２１の反対側に位置するハウジング２２と、透光カバー２１およびハウジング２２によって囲まれる灯室２３の内部にそれぞれ位置する、前照灯２４と、第１センサモジュール２５と、第２センサモジュール２６と、を備えている。
【００５７】
前照灯２４は、レンズおよびリフレクタの少なくともいずれかを含む光学系部品を備えている。前照灯２４から出射された光は、透光カバー２１を透過して車両の右前方を照明する。ランプ装置２０は、このような前照灯２４を備えていることから、ヘッドライトとして機能する。
【００５８】
第１センサモジュール２５は、第１基板２５１（支持部材）を備えている。第１基板２５１は、第１可視光カメラ２５２、第１ＬｉＤＡＲ（Light Detection and Ranging）センサ２５３、第１遮光部材２５４（遮蔽部材）を支持しており、さらに図３に示すように、制御部２５５、通信部２５６および給電部２５７を支持している。第１基板２５１は、第１可視光カメラ２５２、第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３、制御部２５５、通信部２５６および給電部２５７を含むセンサ回路を実装する基板である。すなわち、検出方法が異なる複数のセンサ（第１可視光カメラ２５２および第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３）、これらのセンサを包囲する筒状の中空部材である第１遮光部材２５４、およびこれらのセンサを動作させる回路が、第１基板２５１上にモジュール化されている。
【００５９】
図２に示すように、第１可視光カメラ２５２は、車両の右側を撮影する。すなわち、第１可視光カメラ２５２は、車両の右側の情報を検出するセンサである。
【００６０】
図３に示すように、第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３は、赤外光を出射する発光部２５３ａおよび赤外光が車両の右側に存在する物体に当たってはね返った反射光を検出する受光部２５３ｂを備えている。
【００６１】
第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３は、ある方向へ赤外光を出射した後、物体からの反射光を検出するまでの時間に基づいて、物体までの距離を求めることができる。また、距離の測定値を検出位置と関連付けて集積、解析することにより、物体の形状に係る情報を得ることができる。また、出射光と反射光の波長の相違に基づいて、反射に関連付けられた物体の材質などの情報を得ることができる。さらに、反射光の反射率の相違に基づいて、対象物の色（路面における白線など）に係る情報を得ることができる。すなわち、第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３は、第１可視光カメラ２５２とは異なる方法で車両の右側の様々な情報を得ることができる。
【００６２】
なお、図２に示すように、第１センサモジュール２５は、第１基板２５１に結合された第１アクチュエータ２５８（調節機構の一例）を備えている。第１アクチュエータ２５８は、車両に対する第１基板２５１の位置および姿勢の少なくともいずれかを調節する。
【００６３】
また、第２センサモジュール２６は、第２基板２６１を備えている。第２基板２６１は、第２可視光カメラ２６２、第２ＬｉＤＡＲセンサ２６３、ミリ波レーダ２６４、およびこれらを包囲する筒状の中空部材である第２遮光部材２６５を支持しており、いずれも図示しない制御部、通信部および給電部をさらに支持している。
【００６４】
第２可視光カメラ２６２および第２ＬｉＤＡＲセンサ２６３の各機能は、それぞれ第１可視光カメラ２５２および第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３の各機能と同じなので、その説明を省略する。
【００６５】
ミリ波レーダ２６４は、ミリ波を発信する発信部およびミリ波が少なくとも車両の右前方に存在する物体に当たってはね返った反射波を受信する受信部を備えている。ミリ波の周波数は、例えば、２４ＧＨｚ、２６ＧＨｚ、７６ＧＨｚまたは７９ＧＨｚである。
【００６６】
ミリ波レーダ２６４は、ある方向へ赤外光を出射した後、物体からの反射光を検出するまでの時間に基づいて、物体までの距離を求めることができる。また、距離の測定値を検出位置と関連付けて集積、解析することにより、物体の動きに係る情報を得ることができる。すなわち、ミリ波レーダ２６４は、第２可視光カメラ２６２または第２ＬｉＤＡＲセンサ２６３とは異なる方法で車両の右前方の情報を得ることができる。
【００６７】
なお、第２センサモジュール２６は、第２基板２６１に結合された第２アクチュエータ２６６（調節機構の一例）を備えている。第２アクチュエータ２６６は、車両に対する第２基板２６１の位置および姿勢の少なくともいずれかを調節する。
【００６８】
また、ランプ装置２０は、灯室２３の外部に位置する信号処理部２７を備えている。信号処理部２７は、第１アクチュエータ２５８を駆動する第１駆動信号２７１および第２アクチュエータ２６６を駆動する第２駆動信号２７２を出力するように構成されている。第１駆動信号２７１は、第１アクチュエータ２５８の位置および姿勢の少なくともいずれかを、また、第２駆動信号２７２は、第２アクチュエータ２６６の位置および姿勢の少なくともいずれかを調節する情報を含んでいる。
【００６９】
そして、ランプ装置２０においては、第１センサモジュール２５の第１遮光部材２５４および第２センサモジュール２６の第２遮光部材２６５の少なくともいずれかが、上述した本実施形態のセラミック焼結体からなる。本実施形態のセラミック焼結体は、上述のとおり、室温における電気抵抗が高く、表面は黒色系の色調を呈するので、例えば、光線を遮るための遮光部材（遮蔽部材）として用いることができる。それゆえ、第１遮光部材２５４および第２遮光部材２６５の少なくともいずれかが上述した本実施形態のセラミック焼結体からなると、第１センサモジュール２５または第２センサモジュール２６の周辺で散乱する光線を遮ることができ、精度の高い情報を得ることができる。
【００７０】
なお、ランプ装置２０は、上述した構成に加えて次のような構成をさらに備えている。すなわち、ランプ装置２０は、光学品として、前照灯２４における光源素子および上述した光学系部品と、第１可視光カメラ２５２におけるレンズおよびガラスと、第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３におけるレンズおよび光源素子と、受光部２５３ｂにおける受光素子と、を備えており、これらの光学品をそれぞれ保持する保持部材（ホルダ）を備えている。
【００７１】
また、ランプ装置２０は、第１可視光カメラ２５２におけるレンズと、第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３における光源素子と、受光部２５３ｂにおける受光素子と、をそれぞれ収容する筐体を備えている。
【００７２】
ランプ装置２０は、前照灯２４における光源素子（ＬＥＤなど）と、第１可視光カメラ２５２におけるＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサと、受光部２５３ｂにおける受光素子と、をそれぞれ実装する光路周辺の（回路）基板を備えている。
【００７３】
ランプ装置２０は、第１遮光部材２５４および第２遮光部材２６５以外の遮光部材として、前照灯２４の周辺に位置する遮光部材と、第１可視光カメラ２５２に取り付けられる遮光部材と、を備えている。
【００７４】
なお、ランプ装置２０は、第２可視光カメラ２６２および第２ＬｉＤＡＲセンサ２６３についても、上述した第１可視光カメラ２５２および第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３と同様の構成（光学品の保持部材、筐体、基板および遮光部材）を備えている。
【００７５】
そして、ランプ装置２０においては、上述した光学品の保持部材、筐体、基板および遮光部材の少なくともいずれかが、本実施形態のセラミック焼結体からなる。このような構成によれば、例えば、本実施形態のセラミック焼結体の可視光線領域および（近）赤外線領域における低い反射率によって投影像のノイズを低減することができる。
【００７６】
（ヘッドアップディスプレイ）
図４に示すように、本開示の実施形態に係るヘッドアップディスプレイ３０は、画像を投影する側から順に、車載プロジェクターモジュール３１と、反射ミラー３２と、マイクロレンズアレイ３３と、凸レンズ３４と、コンバイナー３５と、を備えている。
【００７７】
車載プロジェクターモジュール３１は、矢印ａ方向に画像を投影する。また、車載プロジェクターモジュール３１は、光学、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）ユニットと、光学、ＭＥＭＳユニットに収容されるＲＧＢ光源モジュールと、を備えている。
【００７８】
反射ミラー３２は、車載プロジェクターモジュール３１から投影された画像をマイクロレンズアレイ３３に向けて反射させる。マイクロレンズアレイ３３は、中間像スクリーンとして機能する。凸レンズ３４は、マイクロレンズアレイ３３に隣接しているとともに、コンバイナー３５の側に凸であって、フィールドレンズとして機能する。コンバイナー３５は、凸レンズ３４によって拡大された画像をドライバーの目に向けて反射させる。
【００７９】
ここで、ヘッドアップディスプレイ３０は、上述した構成に加えて次のような構成をさらに備えている。すなわち、ヘッドアップディスプレイ３０は、光学品の保持部材として、マイクロレンズアレイ３３および凸レンズ３４を保持するレンズ保持部材３６を備えている。また、ヘッドアップディスプレイ３０は、反射ミラー３２およびレンズ保持部材３６にそれぞれ取り付けられる遮光部材を備えている。
【００８０】
そして、ヘッドアップディスプレイ３０においては、反射ミラー３２に取り付けられる遮光部材およびレンズ保持部材３６に取り付けられる遮光部材の少なくともいずれかが、本実施形態のセラミック焼結体からなる。言い換えれば、本実施形態のセラミック焼結体は、ヘッドアップディスプレイ用であってもよい。このような構成によれば、本実施形態のセラミック焼結体の広い波長範囲にわたる低い反射率によって投影像のノイズを低減することができる。
【００８１】
なお、ヘッドアップディスプレイ３０は、上述した構成に加えて次のような構成をさらに備えている。すなわち、ヘッドアップディスプレイ３０は、レンズ保持部材３６以外の光学品の保持部材として、車載プロジェクターモジュール３１のレンズを保持するレンズ保持部材を備えている。また、ヘッドアップディスプレイ３０は、車載プロジェクターモジュール３１（光学、ＭＥＭＳユニット）の光源部材の周辺に位置する筐体を備えており、光路周辺の基板として、ＲＧＢ光源モジュールの光源素子を実装する基板を備えている。
【００８２】
そして、ヘッドアップディスプレイ３０においては、上述した光学品の保持部材、筐体および基板の少なくともいずれかが、本実施形態のセラミック焼結体からなる。このような構成によれば、上述した遮光部材と同様に、本実施形態のセラミック焼結体の広い波長範囲にわたる低い反射率によって投影像のノイズを低減することができる。
【００８３】
＜半導体製造装置＞
本実施形態のセラミック焼結体は、半導体製造装置にも用いることができる。図５に示すように、本開示の実施形態に係る半導体製造装置４０は、原料ガスを供給して基板４１の表面に半導体結晶を成長させる装置である。半導体製造装置４０は、基台４２と、基台４２の法線方向と軸方向が一致するように基台４２上に載置されたチューブ４３と、チューブ４３の下端側でチューブ４３と接続されたフランジ４４と、基台４２とフランジ４４との間に配置され、基台４２とフランジ４４とを気密に封止する、Ｏリング等の封止部材４５と、封止部材４５を上方から押圧するようにフランジ４４を基台４２に向かって押圧する押圧部材４６と、チューブ４３の外周側から内部空間４７に配置された基板４１を加熱するヒータ４８と、内部空間４７を外部空間から断熱してヒータ４８により加熱された基板４１を保温する断熱材４９と、チューブ４３の内部空間４７に原料ガスＧ1を導入するガス導入管５０と、内部空間４７から反応後の反応ガスＧ2を排出するガス排出管５１と、を備えている。
【００８４】
内部空間４７は、供給された原料ガスＧ1によって半導体結晶を成長させる空間である。基板４１は、半導体結晶の成長を開始させるための基板であり、複数の基板４１が一定の間隔を空けて配置される。基台４２は、内部に冷却水を流すための流路５２を備えており、封止部材４５を冷却する機能も備えている。
【００８５】
チューブ４３は、石英ガラスからなり、上端はドーム形状となって閉塞している。チューブ４３は、ヒータ４８から放射された赤外線を基板４１に低損失で伝達して基板４１を効率的に昇温させることができるように、赤外線に対して透明となっている。
【００８６】
基板４１の表面に半導体結晶を成長させる場合、ヒータ４８で基板４１を加熱しながら、ガス供給設備（図示しない）から供給された原料ガスをガス導入管５０を通じて内部空間４７に導入し、基板４１の表面で原料ガスＧ1を反応させて半導体結晶を成長させ、使用後の反応ガスＧ2はガス排出管５１を通じて内部空間４７から排出される。
【００８７】
このとき、半導体結晶の成長温度が１０００℃程度であることから、ヒータ４８により内部空間４７や基板４１も１０００℃程度まで昇温される。この過程で、ヒータ４８から放射された赤外線はチューブ４３を光導波路として伝達されることになるが、この赤外線の伝達が封止部材４５まで至らないように、その途中で遮断されるようになっている。
【００８８】
即ち、図５（ｂ）に示すように、フランジ４４の少なくともチューブ４３側が赤外線５３の封止部材４５への伝達を抑制する、環状の赤外線遮断部４４ａとなっており、この赤外線遮断部４４ａは、本開示のセラミック焼結体からなり、遮光部材として機能する。そして、赤外線遮断部４４ａのチューブ４３に対向する面が赤外線の遮光面であるとともに、カソードルミネッセンス法による測定対象面でもある。
【００８９】
赤外線遮断部４４ａは、鉛直方向の長さＬが２０ｍｍ以上１００ｍｍ以下であるとよい。赤外線遮断部４４ａが長すぎると内部空間４７の温度分布が不均一になるおそれがあり、赤外線遮断部４４ａが短すぎると封止部材４５の表面温度の上昇を抑制する効果が小さくなる。
【００９０】
長さＬが２０ｍｍ以上１００ｍｍ以下であると、内部空間４７の温度分布が比較的均一に維持されるとともに、封止部材４５の表面温度の上昇を抑制することができる。
【００９１】
以上、本開示に係る実施形態について例示したが、本開示は上述した実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない限り任意のものとすることができることはいうまでもない。
【００９２】
例えば、上述した実施形態では、セラミック焼結体が電子管用、車載光学機器用および半導体製造装置用である場合を例にとって説明したが、本実施形態のセラミック焼結体は、電子管用、車載光学機器用および半導体製造装置用に限定されるものではなく、他の用途にも使用することができる。他の用途としては、例えば、電子機器、医療・理化学機器などが挙げられる。具体例を挙げると、例えば、ＣＴスキャンなどの医療機器や透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）などの分析装置の内部において、高い絶縁性が求められる部位などが挙げられる。なお、セラミック焼結体の用途は、例示したものに限定されない。
【００９３】
また、上述した実施形態では、光学品の保持部材、筐体、基板および遮光部材が、本実施形態のセラミック焼結体からなる場合を例にとって説明したが、これらの部材は、その少なくとも一部が本実施形態のセラミック焼結体で構成されていてもよい。本開示の実施形態に係る光学品の保持部材は、上述した本開示に係るセラミック焼結体を具備する。同様に、本開示の実施形態に係る筐体は、上述した本開示に係るセラミック焼結体を具備する。本開示の実施形態に係る基板は、上述した本開示に係るセラミック焼結体を具備する。本開示の実施形態に係る遮光部材は、上述した本開示に係るセラミック焼結体を具備する。
【００９４】
以下、実施例を挙げて本開示を詳細に説明するが、本開示は以下の実施例に限定されるものではない。
【実施例】
【００９５】
まず、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末を準備した。【００９６】
なお、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末の含有量は、セラミック焼結体を構成する成分が表１に示す値になるように調整した。【００９７】
そして、これら粉末をバレルミルで湿式混合して粉砕し、スラリーを得た。なお、粉砕にあたっては、溶媒、溶媒１００質量部に対して１．２５質量部のポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、溶媒１００質量部に対して０．３質量部の分散剤も併せて粉砕機内に投入した。次に、得られたスラリーを脱磁処理によって、セラミック焼結体におけるＣｒおよびＦｅの含有量が酸化物に換算して表１に示す値になるように調整した後、噴霧乾燥して、顆粒を得た。【００９８】
そして、顆粒を用いて冷間等方圧加圧法（ＣＩＰ）により成形した後に切削加工を施して成形体を得た。その後、得られた成形体を大気（酸化）雰囲気中、温度を１５７０℃として２時間保持することによって焼結体を得た。次に、振動バレル研磨機を用いて、焼結体の表面を研磨し、試料Ｎｏ．１〜５を得た。【００９９】
試料Ｎｏ．２については、焼結体をさらに熱処理（還元処理）した。具体的には、試料Ｎｏ．２の焼結体を還元雰囲気中（窒素：水素の比率が８８．５体積％：１１．５体積％の混合ガス）、１３５０℃の温度で１時間３０分保持することにより、熱処理した。【０１００】
得られた各試料につき、ＸＲＤを用いて同定を行なった。また、各試料を構成する元素の含有量をＩＣＰを用いて求め、それぞれ同定された成分に換算した。これらの結果を表１に示す。【０１０１】
各試料につき、カソードルミネッセンス法を用いて測定を行った。測定システムは、走査型電子顕微鏡（日本電子（株）製、ＪＳＭ−７１００Ｆ）に装着されたカソードルミネッセンス測定システム（回折格子：１００ｇｒ／ｍｍ、ブレーズ波長：４５０ｎｍ、検出器：ＣＣＤ、（株）堀場製作所製、ＭＰ−３２Ｓ）を用い、以下の条件で測定し、その測定値をグラフとして図６に示した。
＜条件＞
・測定温度：室温（２０℃）
・検出器：ＣＣＤ
・回折格子の単位長さ当りの溝本数：１００ｇｒ／ｍｍ
・ブレーズ波長：４５０ｎｍ
・スリット幅：１０００μｍ
・倍率：３０００倍
・照射電流：１８
また、比率Ｂ／Ａを算出し、表１に示した。【０１０２】
また、各試料につき、２００ｎｍ〜２５００ｎｍの波長における領域の反射率を、紫外可視近赤外分光光度計（日本分光（株）製、Ｖ−６７０）を用いて求め、その測定値をグラフとして図７に示した。【０１０３】
ここで、反射率の測定に用いる積分球ユニットはＩＳＮ−７２３、基準光源は、波長が２００ｎｍ〜３６０ｎｍにおける領域を重水素ランプ、波長が３６０ｎｍ〜２５００ｎｍにおける領域をハロゲンランプとし、測定条件は、測定モードを全反射率、データ取込間隔を１．０ｎｍ、ＵＶ／Ｖｉｓバンド幅を５．０ｎｍ、ＮＩＲバンド幅を２０．０ｎｍとした。【０１０４】
【表１】
2020036097.tif 000003
【０１０５】
表１および図６に示すとおり、試料Ｎｏ．２は、酸化アルミニウムを主成分とし、チタンの酸化物を含むセラミック焼結体であって、比率Ｂ／Ａが０．７７以下であった。また、図７に示すように、試料Ｎｏ．２は、波長２８４ｎｍ〜６９６ｎｍで、試料Ｎｏ．１、３のいずれかよりも反射率がわずかに高くなっているものの、波長２００ｎｍ〜２５００ｎｍで反射率が概ね低く、特に、波長６９７ｎｍ以上では、反射率が他の試料よりも格段に低く、光を吸収する能力が高いことがわかる。【０１０６】
また、試料Ｎｏ．２は、図７に示すように、波長２００ｎｍ〜２５００ｎｍにわたる反射率の最大値Ｒｍａｘが２４％以下であり、最大値Ｒｍａｘと最小値Ｒｍｉｎとの差であるΔＲが１５．３％以下であった。この結果より、試料Ｎｏ．２は、波長２００ｎｍ〜２５００ｎｍの範囲において、反射率が低く、照射光に対する反射光の光強度の波長分布のばらつきが小さいことがわかった。【０１０７】
各試料につき、室温（２０℃）における体積固有抵抗をＪＩＳ  Ｃ  ２１４１：１９９２に準拠して求めた。測定結果は、以下のとおりである。
試料Ｎｏ．１：１０10Ω・ｍ
試料Ｎｏ．２：１０10Ω・ｍ
試料Ｎｏ．３：１０11Ω・ｍ
試料Ｎｏ．４：１０11Ω・ｍ
試料Ｎｏ．５：１０11Ω・ｍ【０１０８】
試料Ｎｏ．１〜５の表面を目視観察した。その結果、試料Ｎｏ．２は、表面が黒色を呈していた。また、各試料の表面は、試料Ｎｏ．１があずき色を、試料Ｎｏ．３が薄灰青色を、試料Ｎｏ．４が白色を、試料Ｎｏ．５が白色を呈していた。
【符号の説明】
【０１０９】
１０  光電子増倍管（電子管）
１１  容器
１２  入射窓
１３  光電面
１４  電子増倍部
１５  アノード
１６  電極体
１７  セラミック絶縁部材
２０  ランプ装置
２１  透光カバー
２２  ハウジング
２３  灯室
２４  前照灯
２５  第１センサモジュール
２５１  第１基板
２５２  第１可視光カメラ
２５３  第１ＬｉＤＡＲセンサ
２５３ａ  発光部
２５３ｂ  受光部
２５４  第１遮光部材
２５５  制御部
２５６  通信部
２５７  給電部
２５８  第１アクチュエータ
２６  第２センサモジュール
２６１  第２基板
２６２  第２可視光カメラ
２６３  第２ＬｉＤＡＲセンサ
２６４  ミリ波レーダ
２６５  第２遮光部材
２６６  第２アクチュエータ
２７  信号処理部
２７１  第１駆動信号
２７２  第２駆動信号
３０  ヘッドアップディスプレイ
３１  車載プロジェクターモジュール
３２  反射ミラー
３３  マイクロレンズアレイ
３４  凸レンズ
３５  コンバイナー
３６  レンズ保持部材
４０  半導体製造装置
４１  基板
４２  基台
４３  チューブ
４４  フランジ
４４ａ  赤外線遮断部
４５  封止部材
４６  押圧部材
４７  内部空間
４８  ヒータ
４９  断熱材
５０  ガス導入管
５１  ガス排出管
５２  流路
５３  赤外線
【図１】
2020036097.tif 000004
【図２】
2020036097.tif 000005
【図３】
2020036097.tif 000006
【図４】
2020036097.tif 000007
【図５】
2020036097.tif 000008
【図６】
2020036097.tif 000009
【図７】
2020036097.tif 000010
【国際調査報告】
2020036097.tif 000011
2020036097.tif 000012