【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年2月18日(2009.2.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の導電性表面にマイクロ−及び／又はナノ−構造を生成するための方法であって、以下のステップ：
導電性表面及び絶縁パターン層（３）を有するマスター電極（８）を用いてパターンを定めるステップを含み、ここで、前記マスター電極（８）の前記導電性表面第１の材料で作られ、該ステップは、
少なくとも１つのキャビティが前記基材の導電性表面、前記マスター電極の導電性表面及び前記絶縁パターン層によって定められるように、上記マスター電極（８）を上記基材の上記表面と密接に接触させ；そして
電気化学的転写プロセスによって上記基材（９）にパターン付けすることにより実施され、ここで、物質は陽極において溶解し、陰極に堆積し、そして電解質溶液（６）が輸送媒体として使用され、ここで、前記第１の材料は使用の間、前記陽極材料よりも溶解性が低く、さらにここで
（ａ）上記マスター電極の上記導電性表面が上記陽極であり、上記基材の上記表面が上記陰極であり、そして溶解する上記物質が、上記マスター電極（８）中のキャビティ中に先に堆積した陽極材料であるか、又は
（ｂ）上記基材の上記表面が上記陽極であり、そして上記マスター電極の導電性電極表面が上記陰極であることに特徴を有する、前記方法。
【請求項２】
上記マスター電極（８）及び上記基材（９）が一緒に押し付けられるときに局所的なマイクロ及び／又はナノキャビティを形成し、そして上記キャビティが上記マスター電極の電気的絶縁パターン層（３）、上記基材の上記表面、及び上記マスター電極の上記導電性電極表面によって定められることに特徴を有し、ここで、上記パターンを上記マスター電極から上記基材に転写する上記電気化学的プロセスが上記局所的なマイクロ及び／又はナノキャビティ中でのみ起こる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
局所的な電気化学的めっきセル（１４）中で上記基材（９）が陰極となり、そして上記マスター電極（８）が陽極となり、前記セルが上記マスター電極の上記キャビティによって定められ、該キャビティ中で上記陽極材料が先に堆積しているように、外部めっき電圧を接続することに特徴を有する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
上記基材上にめっきされた材料の量が高い精度で制御されるように、上記陽極材料が上記マスター電極の上記キャビティ中に先に堆積していることに特徴を有する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
上記先に堆積した陽極材料が、上記マスター電極（８）の上記キャビティ中で電気化学的セルを用いて電気化学的堆積によって構築され、前記セルが上記局所的なマイクロ及び／又はナノキャビティによって定められていることに特徴を有する、請求項３又は４に記載の方法。
【請求項６】
上記局所的な電気化学的エッチングセル（１２）中で、上記基材（９）が上記陽極となり、そして上記マスター電極（８）が上記陰極となり、前記セルが上記マスター電極の上記キャビティによって定められていることに特徴を有する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項７】
上記マスター電極の上記キャビティ中に堆積した上記材料が、上記パターン付けに引き続くクリーニングプロセスにおいて除去されることに特徴を有する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
上記クリーニングプロセスが、慣用の電気化学的エッチングセル又は局所的な電気化学的セルのいずれかを使用する、上記マスター電極の上記キャビティ中に堆積した上記材料の電気化学的エッチングであり、前記セルが上記マイクロ及び／又はナノキャビティによって定められていることに特徴を有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
上記基材の上記導電性表面が金属を含むことに特徴を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記金属が、銅、金、ニッケル、錫、チタニウム、アルミニウム、クロム、及びそれらの合金から成る群から選ばれることに特徴を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
上記基材の上記導電性表面が半導体であることに特徴を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
上記基材の上記導電性表面が導電性ポリマーであることに特徴を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
上記マスター電極（８）及び上記基材（９）の間に適用されたパルス電圧を使用することに特徴を有する、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
周波数が２〜２０Ｈｚの範囲にあることに特徴を有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
周波数が５Ｈｚであることに特徴を有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
上記パルス電圧がPPR電圧であることに特徴を有する、請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
上記パルス電圧が複合的な波形を有することに特徴を有する、請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
電解質溶液（６）中の１０〜１２００ｍＭの濃度の電気的に活性なイオンが使用され、及び／又は金属イオン封鎖剤が使用されることに特徴を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
上記金属イオン封鎖剤がEDTAであることに特徴を有する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
湿潤剤、促進剤、抑制剤及び／又は均展剤を含む付加システムが上記電解質溶液（６）中で使用されることに特徴を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
上記電解質溶液（６）が、支持電解質を含まないか又はより少なく含み、及び／又は化学的酸化剤を含まないことに特徴を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
上記電解質溶液（６）が、酸化銅を含み、且つ上記電解質（６）が２及び５の間のｐH値を有することに特徴を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記電解質溶液（６）が、上記局所的なエッチングセル（１２）又は上記局所的なめっきセル（１４）中の最適化された電解質であることに特徴を有する、請求項２１又は２２に記載の方法。
【請求項２４】
対向電極（１）及び電気化学的エッチングセル又は電気化学的めっきセルのパターン定義構造がマスター電極（８）に一体化されていることに特徴を有し、ここで、上記対向電極（１）が、使用する電解質中で化学的に不活性の材料で作られた伝導電極層（１’）であり、及び上記パターンを定めている構造が前記対向電極（１）上に適用された絶縁パターン層（３）である、請求項１に記載の方法における使用のために構成されたマスター電極。
【請求項２５】
上記マスター電極が曲げ可能性を示し、それが上記マスター電極自体を、上記基材の凹凸にぴったり合った接触をする形状のものとすることに特徴を有する、請求項２４に記載のマスター電極。
【請求項２６】
曲げ可能なエラストマー層（２０）が上記絶縁パターン層（３）上に適用されることに特徴を有する、請求項２４に記載のマスター電極。
【請求項２７】
中間金属層（２２）が、上記絶縁パターン層（３）と上記曲げ可能なエラストマー層（２０）の間に適用されることに特徴を有する、請求項２６に記載の電極。
【請求項２８】
上記対向電極（１）が、機械的支持層（２３）上に適用されることに特徴を有する、請求項２４〜２７のいずれか１項に記載のマスター電極。
【請求項２９】
導電性エラストマー層（２１）が、上記対向電極（１）と上記機械的支持層（２３）の間に適用されることに特徴を有する、請求項２８に記載の電極。
【請求項３０】
上記マスター電極（８）が、その中間に犠牲フォトレジスト層（１７）が適用されてサンドイッチ様構造を形成している２つの対向電極（１）を含み、且つ、上記マスター電極と上記絶縁パターン層（３）の構造の接触部分が電気化学的に陽極酸化されて絶縁層を形成することに特徴を有する、請求項２４に記載の電極。
【請求項３１】
上記対向電極（１）が、曲げ可能な伝導箔（１”）であることに特徴を有する、請求項２４に記載の電極。
【請求項３２】
上記曲げ可能な伝導箔（１”）がチタニウムから作られることに特徴を有する、請求項３１に記載の電極。
【請求項３３】
マスター電極（８）を含む、導電性の材料中にマイクロ及びナノ構造のパターンを生成するための装置であって、圧力を加えられてマスター電極（８）と基材（９）を一緒にして押し付けることのできる流体で満たされた容器、に特徴を有し、ここで、前記マスター電極（８）が請求項２６に記載のマスター電極であり、且つ、前記マスター電極（８）が曲げ可能性も示し、それによって上記マスター電極自体を基材の凹凸にぴったり合った接触をする形状のものとする、前記装置。
【請求項３４】
上記マスター電極（８）が適用された真空によって上記装置に固定されていることに特徴を有する、請求項３３に記載の装置。
【請求項３５】
上記マスター電極（８）が、圧力によって伝導ピースに固定され、前記圧力がマスター電極にぴったり合った膜及び／またはピストンによって生じることに特徴を有する、請求項３３に記載の装置。
【請求項３６】
外部から適用された真空、超音波又は真空及び超音波の組み合わせを使用することによって、気泡が電解質溶液（６）及び／または貯蔵器から除去されることに特徴を有する、請求項３３に記載の装置。
【請求項３７】
外部側面（１０）上の上記マスター電極（８）への電気的接続及び接触面（１１）上の基材（９）への電気的接続のための導電手段を有する、請求項３３に記載の装置。
【請求項３８】
電気的接続のための前記導電手段が、上記マスター電極（８）の上記外部側面（１０）上に適用された伝導ピース（２８）であることに特徴を有する、請求項３７に記載の装置。
【請求項３９】
マスター電極（８）及び上記マスター電極（８）と基材（９）の間にぴったり合った接触を生成するための手段を含むことに特徴を有する、請求項１に記載の方法を実施するための装置。
【請求項４０】
前記手段が、上記マスター電極（８）構造中の１以上のエラストマー層であることに特徴を有する、請求項３９に記載の装置。
【請求項４１】
前記手段が、マスター電極にぴったり合った膜と組み合わせられることに特徴を有する、請求項３９に記載の装置。