(57)【要約】  高速伝送に適した放熱性の高いモジュール構造を実現する。  電子モジュールは、デバイスと、そのデバイスを搭載する基板とがスタックされた構造を備える。基板は、デバイスの搭載面から相対する面に貫通する貫通孔を備える。貫通孔は、デバイスの搭載面においては、全体がデバイスに覆われる。貫通孔は、デバイスの搭載面から相対する面にかけて開口面積が広がるテーパ形状を有してもよい。貫通孔には、放熱部材を形成することができる。
2019193930.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスと、前記デバイスを搭載する基板とを具備する電子モジュールであって、
前記基板は、前記デバイスの搭載面においては全体が前記デバイスに覆われる孔であって前記デバイスの搭載面から相対する面に貫通する貫通孔を備える
電子モジュール。
【請求項２】
前記貫通孔の開口幅は、前記デバイスの搭載面において前記デバイスの幅よりも狭い
請求項１記載の電子モジュール。
【請求項３】
前記貫通孔は、前記デバイスの搭載面から相対する面にかけて開口面積が広がるテーパ形状を備える
請求項１記載の電子モジュール。
【請求項４】
前記貫通孔の開口幅は、前記デバイスの搭載面から深さ方向に２０μｍ未満の位置において前記デバイスの幅よりも狭い
請求項３記載の電子モジュール。
【請求項５】
前記基板は、ガラス基板である
請求項１記載の電子モジュール。
【請求項６】
前記基板は、キャビティを備え、
前記デバイスは、前記基板における前記キャビティに埋め込まれる
請求項１記載の電子モジュール。
【請求項７】
前記基板は、有機基板であって、
前記デバイスは、前記有機基板に内蔵される
請求項１記載の電子モジュール。
【請求項８】
前記貫通孔に形成された放熱部材をさらに具備する請求項１記載の電子モジュール。
【請求項９】
前記基板における前記デバイスの搭載面に形成された配線層と、
前記配線層に接続して前記基板の前記デバイスの搭載面から相対する面に貫通する貫通配線と、
前記貫通配線と接続する電子接続部材と
をさらに具備する請求項１記載の電子モジュール。
【請求項１０】
前記基板における前記デバイスの搭載面に形成された配線層と、
前記配線層に接続する電子接続部材と
をさらに具備する請求項１記載の電子モジュール。
【請求項１１】
基板にデバイスを搭載する手順と、
エッチングにより前記基板において前記デバイスの搭載面に相対する面から前記デバイスの搭載面まで開孔させて、前記デバイスの搭載面において前記デバイスに覆われる開孔部を生成する手順と、
電界めっきにより前記開孔部に放熱金属を生成する手順と
を具備する電子モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、電子モジュールに関する。詳しくは、発熱源であるデバイスを基板に搭載した電子モジュール、および、その製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
モバイル機器の代表的なスマートフォンに使用される通信用の小型・高周波フロントエンドモジュールでは、搭載する半導体の消費電力が高くなるため、モジュールからの放熱性が要求される。また、次世代５Ｇ通信モジュールでは数十ＧＨｚの高周波を伝送するため、有機基板、セラミックおよびガラス基板などによるモジュールが用いられる。【０００３】
そこで、従来は、ガラス基板にキャビティを設け、その中にＩＣ（Integrated Circuit）チップを埋め込むようにダイボンドしたモジュールが提案されている（例えば、非特許文献１参照。）。これにより、ＩＣチップ表面とガラス表面が同一面になり、その上に必要な数の絶縁層や配線層が形成される。この場合のＩＣチップ実装構造では、絶縁層のＩＣパッド部分に開口部を設け、絶縁層とＩＣパッド上部にめっき下地膜のスパッタ膜などを形成し、めっきレジスト形成後に電解めっき電解や銅めっきによって厚付け配線層を形成する。これにより、半田バンプなどの実装と比較して、接合部のインダクタ、キャパシタおよびインピーダンスが小さくなり、高速伝送時に有利な接合が可能となる。また、同様の構造として、ガラスに埋め込まれたＩＣチップの裏面に銅のヒートシンクが接着剤などを介して形成された実装構造が提案されている（例えば、非特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Tailong Shi, et al. : "First Demonstration of Panel Glass Fan-out (GFO) Packages for High I/O Density and High Frequency Multi-Chip Integration", pp.41-46, IEEE 67th Electronic Components and Technology Conference (2017).
【非特許文献２】Venky Sundaram, et al. : "Integrated Copper Heat Slugs and EMI Shields in Panel Laminate (LFO) and Glass Fanout (GFO) Packages for High Power RF ICs", pp.300-305, IEEE 67th Electronic Components and Technology Conference (2017).
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の従来技術では、ガラス基板にキャビティを設けて、電解めっきにより厚付け配線層を形成することにより、高速伝送可能な構造となっている。しかしながら、ガラスの熱伝導率は低く、ＩＣチップで発生する熱を、ガラスを通じて放熱することがほとんどできない。また、ＩＣチップ表面の絶縁層も熱伝導率は低いため、ＩＣチップから発生する熱は、配線層のみからしか高熱伝導率で放熱できない。したがって、ＩＣチップの放熱性がほとんど得られないという問題点がある。【０００６】
また、ヒートシンクを設けた構造においては、ＩＣチップはＴＩＭ（Thermal Interface Material）などの接着剤を介して、銅などの放熱金属にダイボンディングされている。ここで、ＴＩＭは一般的に樹脂を介在した接着剤であり、金属に比較して熱伝導率が１桁低くなる。したがって、この構造に関しても、ＩＣチップの十分な放熱性が得られないという問題点がある【０００７】
本技術はこのような状況に鑑みて生み出されたものであり、高速伝送に適した放熱性の高いモジュール構造を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本技術は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第１の側面は、デバイスと、上記デバイスを搭載する基板とを具備する電子モジュールであって、上記基板は、上記デバイスの搭載面においては全体が上記デバイスに覆われる孔であって上記デバイスの搭載面から相対する面に貫通する貫通孔を備える電子モジュールである。これにより、デバイスから発生した熱を、貫通孔を介して放熱させるという作用をもたらす。【０００９】
また、この第１の側面において、上記貫通孔の開口幅は、上記デバイスの搭載面において上記デバイスの幅よりも狭く形成してもよい。これにより、製造時のダイボンディングおよびレジストパターンニングの精度を確保するという作用をもたらす。【００１０】
また、この第１の側面において、上記貫通孔は、上記デバイスの搭載面から相対する面にかけて開口面積が広がるテーパ形状を備えてもよい。これにより、放熱をより促進させるという作用をもたらす。【００１１】
また、この第１の側面において、上記貫通孔の開口幅は、上記デバイスの搭載面から深さ方向に２０μｍ未満の位置において上記デバイスの幅よりも狭く形成してもよい。これにより、貫通孔に放熱部材を形成する場合でも配線との距離を確保するという作用をもたらす。【００１２】
また、この第１の側面において、上記基板は、ガラス基板であってもよい。【００１３】
また、この第１の側面において、上記基板は、キャビティを備え、上記デバイスは、上記基板における上記キャビティに埋め込まれる構造であってもよい。【００１４】
また、この第１の側面において、上記基板は、有機基板であって、上記デバイスは、上記有機基板に内蔵される構造であってもよい。【００１５】
また、この第１の側面において、上記貫通孔に形成された放熱部材をさらに具備してもよい。これにより、貫通孔を介した放熱をより促進するという作用をもたらす。【００１６】
また、この第１の側面において、上記基板における上記デバイスの搭載面に形成された配線層と、上記配線層に接続して上記基板の上記デバイスの搭載面から相対する面に貫通する貫通配線と、上記貫通配線と接続する電子接続部材とをさらに具備してもよい。これにより、デバイスの搭載面に相対する面から電子接続部材を介して外部と接続するという作用をもたらす。【００１７】
また、この第１の側面において、上記基板における上記デバイスの搭載面に形成された配線層と、上記配線層に接続する電子接続部材とをさらに具備してもよい。これにより、デバイスの搭載面から電子接続部材を介して外部と接続するという作用をもたらす。【００１８】
また、本技術の第２の側面は、基板にデバイスを搭載する手順と、エッチングにより上記基板において上記デバイスの搭載面に相対する面から上記デバイスの搭載面まで開孔させて、上記デバイスの搭載面において上記デバイスに覆われる開孔部を生成する手順と、電界めっきにより上記開孔部に放熱金属を生成する手順とを具備する電子モジュールの製造方法である。これにより、デバイスの搭載面から裏面まで開孔部を設けて、デバイスにおいて発生した熱を、放熱金属を介して放熱するモジュール構造を製造するという作用をもたらす。
【発明の効果】
【００１９】
本技術によれば、高速伝送に適した放熱性の高いモジュール構造を実現することができるという優れた効果を奏し得る。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本技術の第１の実施の形態における電子モジュールの断面図の一例を示す図である。
【図２】本技術の第１の実施の形態における電子モジュールの寸法の一例を示す図である。
【図３】本技術の第１の実施の形態における電子モジュールの製造方法の一例を示す図の前半である。
【図４】本技術の第１の実施の形態における電子モジュールの製造方法の一例を示す図の後半である。
【図５】本技術の第２の実施の形態における電子モジュールの断面図の一例を示す図である。
【図６】本技術の第２の実施の形態における電子モジュールの製造方法の一例を示す図の前半である。
【図７】本技術の第２の実施の形態における電子モジュールの製造方法の一例を示す図の後半である。
【図８】本技術の第３の実施の形態における電子モジュールの断面図の一例を示す図である。
【図９】本技術の第４の実施の形態における電子モジュールの断面図の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態と称する）について説明する。説明は以下の順序により行う。
１．第１の実施の形態（ガラス基板の開孔部に放熱金属を設けた例）
２．第２の実施の形態（ガラス基板の表面側から外部と接続する例）
３．第３の実施の形態（ガラス基板にキャビティを有する構造への適用例）
４．第４の実施の形態（有機基板にＩＣチップを内蔵した構造への適用例）
【００２２】
＜１．第１の実施の形態＞
［構造］
図１は、本技術の第１の実施の形態における電子モジュールの断面図の一例を示す図である。
【００２３】
この第１の実施の形態における電子モジュールは、ガラス基板１１０とＩＣチップ１４０とがスタックされた構造を備える。すなわち、ＩＣチップ１４０は、ガラス基板１１０にダイボンドされている。なお、ＩＣチップ１４０は、特許請求の範囲に記載のデバイスの一例である。また、ガラス基板１１０は、特許請求の範囲に記載の基板の一例である。
【００２４】
ＩＣチップ１４０上には、配線１３０を備える配線層や絶縁層１５０が、めっきやスパッタにより実装される。これにより、ＩＣチップ１４０の実装面では、高速伝送性は確保される。なお、配線１３０の材料としては銅（Ｃｕ）などが想定される。
【００２５】
なお、ガラス基板１１０は一例であり、比誘電率が１２以下、特に６以下の中心の高周波向け基板であれば適用可能である。
【００２６】
ガラス基板１１０のＩＣチップ１４０の搭載面（同図における上面）から相対する面（同図における下面）には、放熱のための貫通孔として開孔部１７０が形成される。この開孔部１７０には、放熱金属２００が形成される。開孔部１７０および放熱金属２００は、ＩＣチップ１４０の裏面よりガラス基板１１０の裏面にかけて、テーパ形状を有する。なお、開孔部１７０は、特許請求の範囲に記載の貫通孔の一例である。
【００２７】
放熱金属２００は、発熱源であるＩＣチップ１４０からの熱を放熱するための金属部材である。放熱金属２００の材料としては銅（Ｃｕ）などが想定される。この放熱金属２００が実装される際には、ＴＩＭ（Thermal Interface Material）などの接着剤は介さずに、ＩＣチップ１４０の裏面に直接スパッタやめっきなどによって形成される。すなわち、ＩＣチップ１４０の裏面にはガラスのような熱伝導率の悪い材料が存在せず、ＴＩＭのような接着剤および接着剤との界面を有することなく直接、放熱金属２００に接続される。これにより、金属の高い熱伝導性を利用して、高い放熱性を発揮することができる。なお、放熱金属２００は、特許請求の範囲に記載の放熱部材の一例である。
【００２８】
放熱金属２００は、ＩＣチップ１４０の裏面よりガラス基板１１０の裏面にかけて、テーパ形状を有する。そして、ガラス基板１１０の裏面部分では、放熱金属２００は、ＩＣチップ１４０の幅よりも十分に広い幅を形成している。
【００２９】
ガラス基板１１０は、ＩＣチップ１４０の搭載面から相対する面に貫通するスルーグラスビア（ＴＧＶ：Through Glass Via）１２０を備える。このＴＧＶ１２０は、ＩＣチップ１４０の搭載面における配線１３０に接続し、ＩＣチップ１４０の搭載面に相対する面の配線１３１に接続する。すなわち、このＴＧＶ１２０は、ガラス基板１１０の両面の配線を接続する接続配線として機能する。なお、ＴＧＶ１２０は、特許請求の範囲に記載の貫通配線の一例である。
【００３０】
ＩＣチップ１４０の搭載面に相対する面の配線１３１には、半田ボール１９０が接続される。この半田ボール１９０は、この電子モジュールの外部と電子的に接続するための電子接続部材として機能する。なお、半田ボール１９０は、特許請求の範囲に記載の電子接続部材の一例である。
【００３１】
図２は、本技術の第１の実施の形態における電子モジュールの寸法の一例を示す図である。
【００３２】
開孔部１７０の幅は、ＩＣチップ１４０のガラス基板１１０へのダイボンディング精度とガラス基板１１０に開孔部１７０を形成するためのレジストのパターニング精度とを考慮する必要がある。例えば、この開孔部１７０の幅は、ＩＣチップ１４０の幅よりも片側につき２乃至３μｍ以上小さい幅とすることが望ましい。
【００３３】
放熱金属２００のテーパ形状は、基板厚みが深さ方向に２０μｍ未満の範囲ではＩＣチップ１４０の幅を超えて外にはみ出さないようにすることが望ましい。これにより、放熱金属２００とＩＣチップ１４０の実装面の配線１３０との距離として、常に２０μｍ以上の基板厚みを確保することができる。そのため、ガラス基板１１０の低誘電率や低誘電正接という高周波特性を生かすことができ、ＩＣチップ１４０の実装面の配線１３０の高速伝送に悪影響を与えることを回避することができる。
【００３４】
［製造方法］
図３および４は、本技術の第１の実施の形態における電子モジュールの製造方法の一例を示す図である。
【００３５】
図３におけるａに示すように、ガラス基板１１０にＩＣチップ１４０をダイボンディングする。このとき、ガラス基板１１０上の放熱が必要なＩＣチップ１４０の裏面は、シリコン部分が露出していてもよい。また、ＩＣチップ１４０の裏面に銅が形成されていてもよい。
【００３６】
次に、図３におけるｂに示すように、ＩＣチップ１４０が実装されているガラス基板１１０の表面および裏面に、絶縁層１５０や銅の配線１３０による配線層を必要層数分、形成する。
【００３７】
次に、図３におけるｃに示すように、ガラス基板１１０をエッチングするためのレジスト１６０をパターニングする。その際、ガラス基板１１０の厚みが２０μｍ未満の範囲ではガラス基板１１０のテーパ形状がＩＣチップ１４０の幅以下になるように、レジスト１６０に開孔部１６１を設ける。このとき、ガラス基板１１０に形成されるテーパ形状の角度は、ガラス基板１１０のガラスの種類およびエッチング液を適宜選定することにより、一義的に決まる。
【００３８】
次に、図４におけるｄに示すように、ガラス基板１１０に対してフッ酸などのエッチング液によってウェットエッチングを行う。このエッチングの後、レジスト１６０は剥離される。
【００３９】
ここで、ガラス基板１１０がエッチングされてＩＣチップ１４０の裏面が露出するとき、ＩＣチップ１４０の裏面は上述のようにシリコンや銅が露出していれば、エッチングの進行をＩＣチップ１４０の裏面において止めることができる。これにより、ガラス基板１１０にテーパ形状が形成され、そのテーパ形状としてはガラス厚みが２０μｍまではＩＣチップ１４０の幅を超えないように形成される。
【００４０】
このように、ガラス基板１１０には、ＩＣチップ１４０をダイボンディングした後に、後孔加工にて開孔部１７０が形成される。これは、上述のようにＩＣチップ１４０の裏面にシリコンや銅が露出していることによって、フッ酸などのガラスのエッチング液がＩＣチップ１４０の裏面に触れてもエッチングのストッパーとしての役目を果たすものである。
【００４１】
次に、図４におけるｅに示すように、ガラス基板１１０の裏面とＩＣチップ１４０の裏面に、スパッタ膜などのめっき下地１８０を全面形成する。このめっき下地１８０の材料としては、Ｔｉ／Ｃｕなどが想定される。このめっき下地１８０は放熱金属２００を電解めっきで形成する際の下地層となるものである。
【００４２】
次に、図４におけるｆに示すように、めっき下地１８０の金属を用いて放熱金属２００の必要なところにのみ、電解めっきにて銅めっきを施す。この放熱金属２００はＩＣチップ１４０の裏面に直接接触することにより、接地（ＧＮＤ）端子として用いることも可能である。また、ガラス基板１１０の裏面の配線に半田ボール１９０が接続される。これにより、ガラス基板１１０の裏面側から、この電子モジュールの外部と電子的に接続することが可能となる。
【００４３】
このように、本技術の第１の実施の形態では、ガラス基板１１０のＩＣチップ１４０の搭載面から相対する面に開孔部１７０を形成し、この開孔部１７０に放熱金属２００を形成する。これにより、高速伝送に適したモジュール構造において、ＩＣチップ１４０から発生した熱に対して十分な放熱性を確保することができる。すなわち、高速伝送と高放熱という二律背反を両立させることができる。
【００４４】
＜２．第２の実施の形態＞
上述の第１の実施の形態では、ガラス基板１１０の裏面（ＩＣチップ１４０の搭載面に相対する面）にも配線層を設けて、この配線層を介して半田ボールを接続していたが、本技術はガラス基板１１０の表面にのみ配線層がある場合にも適用可能である。この第２の実施の形態では、ガラス基板１１０の表面の配線層を介して半田ボールを接続する例を示す。
【００４５】
［構造］
図５は、本技術の第２の実施の形態における電子モジュールの断面図の一例を示す図である。
【００４６】
この第２の実施の形態における電子モジュールは、上述の第１の実施の形態と同様に、ガラス基板１１０とＩＣチップ１４０とがスタックされた構造を備える。ＩＣチップ１４０上には、配線１３０を備える配線層や絶縁層１５０が、めっきやスパッタにより実装される。
【００４７】
この第２の実施の形態では、ガラス基板１１０の裏面には配線層が設けられず、ガラス基板１１０の表面の配線１３０に、外部と電子的に接続するための半田ボール１９１が接続される。なお、半田ボール１９１は、特許請求の範囲に記載の電子接続部材の一例である。
【００４８】
ガラス基板１１０のＩＣチップ１４０の搭載面から相対する面には、放熱のための貫通孔として開孔部１７０が形成される。この開孔部１７０には、放熱金属２０１が形成される。なお、放熱金属２０１は、特許請求の範囲に記載の放熱部材の一例である。
【００４９】
開孔部１７０および放熱金属２０１は、上述の第１の実施の形態と同様に、ＩＣチップ１４０の裏面よりガラス基板１１０の裏面にかけて、テーパ形状を有する。開孔部１７０の幅は、ガラス基板１１０の表面においてはＩＣチップ１４０の幅よりも狭い。そして、ガラス基板１１０の裏面部分では、放熱金属２００は、ＩＣチップ１４０の幅よりも十分に広い幅を形成している。
【００５０】
この第２の実施の形態においては、上述のように半田ボール１９１がガラス基板１１０の表面側に設けられるため、放熱金属２０１の領域を広く確保することが可能である。これにより、より高い放熱性を得ることができる。
【００５１】
［製造方法］
図６および７は、本技術の第２の実施の形態における電子モジュールの製造方法の一例を示す図である。
【００５２】
図６におけるａに示すように、第１の実施の形態と同様に、ガラス基板１１０にＩＣチップ１４０をダイボンディングする。
【００５３】
次に、図６におけるｂに示すように、ＩＣチップ１４０が実装されているガラス基板１１０の表面に、絶縁層１５０や銅の配線１３０による配線層を必要層数分、形成する。上述の第１の実施の形態ではガラス基板１１０の裏面にも絶縁層および配線層を形成していたが、この第２の実施の形態ではガラス基板１１０の表面のみに絶縁層および配線層が形成される。
【００５４】
次に、図６におけるｃに示すように、第１の実施の形態と同様に、ガラス基板１１０をエッチングするためのレジスト１６０をパターニングする。
【００５５】
次に、図７におけるｄに示すように、第１の実施の形態と同様に、ガラス基板１１０に対してフッ酸などのエッチング液によってウェットエッチングを行う。
【００５６】
次に、図７におけるｅに示すように、第１の実施の形態と同様に、ガラス基板１１０の裏面とＩＣチップ１４０の裏面に、スパッタ膜などのめっき下地１８０を全面形成する。
【００５７】
次に、図７におけるｆに示すように、第１の実施の形態と同様に、めっき下地１８０の金属を用いて放熱金属２０１の必要なところにのみ、電解めっきにて銅めっきを施す。また、ガラス基板１１０の表面の配線に半田ボール１９１が接続される。これにより、ガラス基板１１０の表面側から、この電子モジュールの外部と電子的に接続することが可能となる。
【００５８】
このように、本技術の第２の実施の形態によれば、ガラス基板１１０の表面側に半田ボール１９１を形成することにより、ガラス基板１１０の表面側からこの電子モジュールの外部と電子的に接続することができる。
【００５９】
＜３．第３の実施の形態＞
上述の第１および第２の実施の形態では、ガラス基板１１０の表面にＩＣチップ１４０をダイボンディングする構造を有していた。これに対して、この第３の実施の形態では、ガラス基板にキャビティを設けて、そのキャビティにＩＣチップをダイボンディングした構造を有する。
【００６０】
［構造］
図８は、本技術の第３の実施の形態における電子モジュールの断面図の一例を示す図である。
【００６１】
この第３の実施の形態における電子モジュールは、ガラス基板１１０にキャビティ１１９を備え、そのキャビティ１１９にＩＣチップ１４０をダイボンディングした構造を有する。そして、その裏面には、放熱金属２００が直接形成される。ガラス基板１１０の表面には、配線１３０を備える配線層や絶縁層１５０が、めっきやスパッタにより実装される。
【００６２】
［製造方法］
この第３の実施の形態における電子モジュールを製造する際には、ガラス基板１１０のキャビティ１１９内に埋め込まれたＩＣチップ１４０の表面に絶縁層１５０や配線１３０による配線層を形成する。その後、ガラス基板１１０のキャビティ１１９の裏面から放熱のための貫通孔である開孔部１７０をエッチングにより形成する。その際、ガラス基板１１０は、上述の第１の実施の形態について示した厚みを保った状態で開孔部１７０が形成される。そして、その開孔部１７０に放熱金属２００を電解めっきなどで形成する。
【００６３】
このように、本技術の第３の実施の形態では、ガラス基板１１０にキャビティ１１９がある構造において、ガラス基板１１０に開孔部１７０を設けて、放熱金属２００をＩＣチップ１４０の表面層の高速伝送に悪影響を与えないように形成する。これにより、ガラス基板１１０にキャビティ１１９がある構造においても、高速伝送と高い放熱性を両立させることができる。
【００６４】
＜４．第４の実施の形態＞
上述の第１乃至第３の実施の形態では、電子モジュールの基板としてガラス基板１１０を用いることを想定していた。これに対し、この第４の実施の形態では、有機基板を用いて、有機基板に埋め込んだＩＣチップに放熱金属を形成した構造を有する。
【００６５】
［構造］
図９は、本技術の第４の実施の形態における電子モジュールの断面図の一例を示す図である。
【００６６】
この第４の実施の形態における電子モジュールは、ＩＣチップ１４０を有機基板１１１に内蔵した構造を有する。ＩＣチップ１４０の下方には開孔部１７０が形成され、その開孔部１７０に放熱金属２０３が形成される。なお、放熱金属２０３は、特許請求の範囲に記載の放熱部材の一例である。
【００６７】
開孔部１７０の幅は、上述の第１の実施の形態と同様に、有機基板１１１の表面においてはＩＣチップ１４０の幅よりも狭い。そして、有機基板１１１の裏面部分では、放熱金属２０３は、ＩＣチップ１４０の幅よりも十分に広い幅を形成している。
【００６８】
この例では、以下に示す製造方法を想定するため、ＩＣチップ１４０の裏面から有機基板１１１の裏面の形状がテーパ形状ではなく、円柱形状となっている。ただし、この形状は、テーパ形状として形成されてもよい。
【００６９】
［製造方法］
この第４の実施の形態における電子モジュールを製造する際には、ＩＣチップ１４０を有機基板１１１内に内蔵した内蔵基板を形成する。その際、有機基板１１１の裏面のプリプレグを貼り合わせる前に、放熱金属２０３の部分だけ抜いたプリプレグを貼り合わせる。このプリプレグは、炭素繊維に樹脂を含浸させたシート状の強化プラスチック成形材料である。
【００７０】
その上に、ＩＣチップ１４０のダイボンディングを実施して、絶縁層１５０や配線１３０の配線層を形成する。その後、ＩＣチップ１４０の裏面のプリプレグが開口された部分に、無電解および電解銅めっきの組み合わせで放熱金属２０３を形成する。これにより、ＩＣチップ１４０を内蔵した有機基板１１１に対して、放熱金属２０３の形成が可能となる。
【００７１】
このように、本技術の第４の実施の形態によれば、有機基板１１１にＩＣチップ１４０を内蔵した構造においても、放熱金属２０３を形成することができ、高速伝送と高い放熱性を両立させることができる。
【００７２】
なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。
【００７３】
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
【００７４】
なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）デバイスと、前記デバイスを搭載する基板とを具備する電子モジュールであって、
前記基板は、前記デバイスの搭載面においては全体が前記デバイスに覆われる孔であって前記デバイスの搭載面から相対する面に貫通する貫通孔を備える
電子モジュール。
（２）前記貫通孔の開口幅は、前記デバイスの搭載面において前記デバイスの幅よりも狭い
前記（１）に記載の電子モジュール。
（３）前記貫通孔は、前記デバイスの搭載面から相対する面にかけて開口面積が広がるテーパ形状を備える
前記（１）または（２）に記載の電子モジュール。
（４）前記貫通孔の開口幅は、前記デバイスの搭載面から深さ方向に２０μｍ未満の位置において前記デバイスの幅よりも狭い
前記（３）に記載の電子モジュール。
（５）前記基板は、ガラス基板である
前記（１）から（４）のいずれかに記載の電子モジュール。
（６）前記基板は、キャビティを備え、
前記デバイスは、前記基板における前記キャビティに埋め込まれる
前記（１）から（５）のいずれかに記載の電子モジュール。
（７）前記基板は、有機基板であって、
前記デバイスは、前記有機基板に内蔵される
前記（１）から（４）のいずれかに記載の電子モジュール。
（８）前記貫通孔に形成された放熱部材をさらに具備する前記（１）から（７）のいずれかに記載の電子モジュール。
（９）前記基板における前記デバイスの搭載面に形成された配線層と、
前記配線層に接続して前記基板の前記デバイスの搭載面から相対する面に貫通する貫通配線と、
前記貫通配線と接続する電子接続部材と
をさらに具備する前記（１）から（８）のいずれかに記載の電子モジュール。
（１０）前記基板における前記デバイスの搭載面に形成された配線層と、
前記配線層に接続する電子接続部材と
をさらに具備する前記（１）から（８）のいずれかに記載の電子モジュール。
（１１）基板にデバイスを搭載する手順と、
エッチングにより前記基板において前記デバイスの搭載面に相対する面から前記デバイスの搭載面まで開孔させて、前記デバイスの搭載面において前記デバイスに覆われる開孔部を生成する手順と、
電界めっきにより前記開孔部に放熱金属を生成する手順と
を具備する電子モジュールの製造方法。
【符号の説明】
【００７５】
１１０  ガラス基板
１１１  有機基板
１１９  キャビティ
１３０、１３１  配線
１４０  ＩＣチップ
１５０  絶縁層
１６０  レジスト
１６１  開孔部（レジスト）
１７０  開孔部（ガラス基板）
１８０  めっき下地
１９０、１９１  半田ボール
２００、２０１、２０３  放熱金属
【図１】
2019193930.tif 000003
【図２】
2019193930.tif 000004
【図３】
2019193930.tif 000005
【図４】
2019193930.tif 000006
【図５】
2019193930.tif 000007
【図６】
2019193930.tif 000008
【図７】
2019193930.tif 000009
【図８】
2019193930.tif 000010
【図９】
2019193930.tif 000011
【国際調査報告】
2019193930.tif 000012
2019193930.tif 000013
2019193930.tif 000014
2019193930.tif 000015