【手続補正書】
【提出日】平成21年8月3日(2009.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再プログラム可能な不揮発性メモリシステムであって、
物理ブロックアドレスによって識別される、メモリセルのブロックにグループ分けされ、前記ブロックのページにデータを再プログラムする前に同時に消去されるメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイと動作可能に接続しているコントローラであって、前記コントローラを、
メモリシステム外部からデータを受信し、前記受信済みデータをブロックのうちの１つ以上のブロックに記憶するように操作し、
複数のブロックのための複数のレコードを保守するように操作し、前記レコードが、前記ブロックのアドレスによって識別されるように前記レコードが関係する複数のブロックのうちの１つのブロックに記憶されるデータの異なった態様の複数の記述子の値を個々に含み、さらに対応するブロック内の有効データ量であるレコード内の第１の記述子の値を書き込み、かつ対応するブロック内の消去済み容量の量であるレコード内の第２の記述子の値を書き込むように操作し、
複数のブロックのアドレスによるポインタを含む第１のリストを保守するように操作し、前記ポインタが、前記１つのブロックのアドレスを受信することに応じて、ブロックの１つのためのレコードの１つをメモリセルアレイ内に位置するように個々に指示し、かつそれぞれの複数のブロックのアドレスの順序にポインタのリスト内に置かれ、
複数のブロックのアドレスの対応するレコードが少なくとも第１と第２の記述子の値を収容する第２のリストを保守するように操作し、前記第２のリスト内の複数のブロックのアドレスがそれぞれの対応するレコード内の第１の記述子の値の順序に置かれ、
複数のブロックのアドレスの対応するレコードが対応するブロック内の少なくとも有効データ量と対応するブロック内の用済みデータの量の少なくとも記述子の値を収容する第３のリストを保守するように操作し、さらに対応するブロック内の有効データ量の値の順序に前記第３のリスト内の複数のブロックのアドレスが置かれるように操作し、かつ
前記第２のリストに出現する順序に前記第２のリスト内の複数のブロックの個々のブロックに記憶されるデータ上で動作を遂行させるように操作する、コントローラと、
を備えるメモリシステム。
【請求項２】
請求項１記載のメモリシステムにおいて、
複数のブロックの個々のブロック上のコントローラ操作が、個々のブロックからの有効データを消去済みの空間を有する他のブロックにコピーし、その後前記個々のブロックを消去することを含むメモリシステム。
【請求項３】
請求項１記載のメモリシステムにおいて、
前記コントローラを、第２の記述子の値を収容する対応するレコードを有する前記第３のリストからブロックを省くように操作するメモリシステム。
【請求項４】
再プログラム可能な不揮発性メモリシステムであって、
物理ブロックアドレスよって識別される、メモリセルのブロックにグループ分けされ、前記ブロックのページにデータを再プログラムする前に同時に消去されるメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイと動作可能に接続しているコントローラであって、前記コントローラを、
複数のブロックのうちの前記メモリシステムによって受信されたデータを記憶するように操作し、
複数のブロックのための複数のレコードを保守するように操作し、前記レコードが、前記ブロックのアドレスによって識別されるように前記レコードが関係する複数のブロックの個々のブロック内の有効データ量、用済みデータの量、および消去済み容量の量のしるしを個々に含み、
複数のブロックのアドレスによるポインタを含む第１のリストを保守するように操作し、前記ポインタが、前記１つのブロックのアドレスを受信することに応じて、ブロックの１つのためのレコードの１つをメモリシステム内に位置するように個々に指示し、かつそれぞれの複数のブロックのアドレスの順序にポインタのリスト内に置かれ、
複数のブロックのアドレスの対応するレコードが少なくとも有効データと消去済み容量の正の値を収容する第２のリストを保守するように操作し、前記第２のリスト内の複数のブロックのアドレスがそれぞれの対応するレコード内の有効データ量の順序に置かれ、
複数のブロックのアドレスの対応するレコードが少なくとも有効データと用済みデータの正の値を収容するが、消去済みデータは収容しない第３のリストを保守するように操作し、前記第３のリスト内の複数のブロックのアドレスが対応するレコード内の有効データ量の順序に置かれ、かつ
第２および第３のリスト上にある前記ブロックのアドレスを、前記第２および第３のリストに出現する順序に複数のブロックの個々のブロックに記憶されるデータ上で前記メモリシステムの動作を遂行するためにアクセスさせるように操作する、コントローラと、
を備えるメモリシステム。
【請求項５】
物理ブロックアドレスよって識別される、メモリセルのブロックにグループ分けされ、前記ブロックのページにデータを再プログラムする前に同時に消去されるメモリセルを有する不揮発性メモリシステムを操作する方法であって、
複数のブロックのうちの前記メモリシステムによって受信されたデータを記憶するステップと、
複数のブロックのうちの対応するブロックのための複数のレコードを保守するステップであって、前記レコードが、前記ブロックのアドレスによって識別されるように前記レコードが関係する複数のブロックのうちの１つのブロックに記憶されるデータの異なった態様の少なくとも第１、第２、および第３の記述子の値を個々に含み、前記第１の記述子が対応するブロック内の有効データ量であり、前記第２の記述子が対応するブロック内の消去済み容量の量であり、前記第３の記述子が対応するブロック内の用済みデータ量である、保守するステップと、
複数のブロックのアドレスによるポインタを含む第１のリストを保守するステップであって、前記ポインタが、前記１つのブロックのアドレスを受信することに応じて、ブロックの１つのためのレコードの１つをメモリシステム内に位置するように個々に指示し、かつそれぞれの複数のブロックのアドレスの順序にポインタのリスト内に置かれる、保守するステップと、
複数のブロックのアドレスの対応するレコードが少なくとも第１と第２の記述子の値を収容する第２のリストを保守するステップであって、前記第２のリスト内の複数のブロックのアドレスがそれぞれの対応するレコード内の第１の記述子の値の順序に置かれる、保守するステップと、
複数のブロックのアドレスの対応するレコードが少なくとも第１と第３の記述子の値を収容する第３のリストを保守するステップであって、前記第３のリスト内の複数のブロックのアドレスがそれぞれの対応するレコード内の第１の記述子の値の順序に置かれる、保守するステップと、
前記第２のリストに出現する順序に前記第２のリスト内の複数のブロックの個々のブロックに記憶されるデータ上でメモリシステムの動作を遂行するステップと、
を含む方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法において、
前記個々のブロック上で動作を遂行するステップが、個々のブロックからの有効データを消去済みの空間を有する他のブロックにコピーし、その後前記個々のブロックを消去するステップを含む方法。
【請求項７】
請求項５記載の方法において、
前記第３のリストが、前記第２の記述子の値を収容する対応するレコードを有する複数のブロックのアドレスを省く方法。
【請求項８】
請求項５記載の方法において、
前記第２のリストが、第３の記述子の値を収容する対応するレコードを有する複数のブロックのアドレスを省く方法。
【請求項９】
物理ブロックアドレスよって識別される、メモリセルのブロックにグループ分けされ、前記ブロックのページにデータを再プログラムする前に同時に消去されるメモリセルを有する不揮発性メモリシステムを操作する方法であって、
複数のブロックのうちの前記メモリシステムによって受信されたデータを記憶するステップと、
複数のブロックのための複数のレコードを保守するステップであって、前記レコードが、前記ブロックのアドレスによって識別されるように前記レコードが関係する複数のブロックの個々のブロック内の有効データ量、用済みデータの量、および消去済み容量の量のしるしを個々に含む、保守するステップと、
複数のブロックのアドレスによるポインタを含む第１のリストを保守するステップであって、前記ポインタが、前記１つのブロックのアドレスを受信することに応じて、ブロックの１つのためのレコードの１つをメモリシステム内に位置するように個々に指示し、かつそれぞれの複数のブロックのアドレスの順序にポインタのリスト内に置かれる、保守するステップと、
複数のブロックのアドレスの対応するレコードが少なくとも有効データと消去済み容量の正の値を収容する第２のリストを保守するステップであって、前記第２のリスト内の複数のブロックのアドレスがそれぞれの対応するレコード内の有効データ量の順序に置かれる、保守するステップと、
複数のブロックのアドレスの対応するレコードが少なくとも有効データと用済みデータの正の値を収容するが、消去済み容量の量は収容しない第３のリストを保守するステップであって、前記第３のリスト内の複数のブロックのアドレスがそれぞれの対応するレコード内の有効データ量の順序に置かれる、保守するステップと、
第２および第３のリスト上にある前記ブロックのアドレスを、前記第２および第３のリストに出現する順序に複数のブロックの個々のブロックに記憶されるデータ上で前記メモリシステムの動作を遂行するためにアクセスするステップと、
を含む方法。