【手続補正書】
【提出日】平成20年11月11日(2008.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体グレードの顆粒状シリコン粒状物を製造する方法であって、
第１の化学気相蒸着（ＣＶＤ）反応装置の中に、破砕方法にて製造され、及び第１の平均寸法を有する一次シードを導入する工程；
第１のＣＶＤ反応装置の中を通って流れるシリコン・デポジションガスから化学気相成長法によって追加のシリコンを前記一次シードにデポジットさせて、その寸法を増大させ、二次シードを形成する工程；
第１のＣＶＤ反応装置内での均一な分解によって、追加の二次シードを形成する工程；
第１のＣＶＤ反応装置内で製造され、一次シードの第１の平均寸法よりも大きい第２の平均寸法を有する二次シードを、第２のＣＶＤ反応装置に導入する工程；並びに
第２のＣＶＤ反応装置の中を通って流れるシリコン・デポジションガスから化学気相成長法によって追加のシリコンを二次シードにデポジットさせて、その平均寸法を増大させ、二次シードの第２の平均寸法よりも大きい第３の平均寸法を有する顆粒状シリコン粒状物を形成する工程
を含んでなり、第１のＣＶＤ反応装置に添加した一次シードの質量の、第２のＣＶＤ反応装置内で形成される第３の平均寸法を有する顆粒状シリコン粒状物の質量に対する割合が約０．０７より小さいことを特徴とする方法。
【請求項２】
第１の化学気相蒸着反応装置に添加される一次シードの質量の、第２の化学気相蒸着反応装置で形成される第３の平均寸法を有する顆粒状シリコン粒状物の質量に対する割合が約０．０５未満であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
一次シードの第１の平均寸法が約５０〜約１５０ミクロンの範囲であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
二次シードの第２の平均寸法が約３００〜約６００ミクロンの範囲であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
顆粒状シリコン粒状物の第３の平均寸法が約８００〜約１２００ミクロンの範囲であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
第１のＣＶＤ反応装置及び第２のＣＶＤ反応装置内で粒状物にシリコンをデポジットさせる工程がそれぞれ前記粒状物に少なくとも１種のシリコン・デポジションガスを接触させることを含んでなり、前記少なくとも１種のシリコン・デポジションガスはシランを含んでなり、第１のＣＶＤ反応装置のデポジションガスは約１６〜約２４モル・パーセントの範囲でシランを含んでおり、第２のＣＶＤ反応装置のデポジションガスは約７〜約１３モル・パーセントの範囲でシランを含んでいることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
第１のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程は、一次シードを含む第１の粒状物床を通してデポジションガスを流して、第１の粒状物床を流動化させることを含んでおり、第２のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程は、二次シードを含む第２の粒状物床を通してデポジションガスを流して、第２の粒状物床を流動化させることを含んでおり、第１のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程は、第１の反応装置についての最小床流動化速度を越える速度で第１の粒状物床の中を上向きにデポジションガスを流れさせることを含んでなり、第１の粒状物床の中を流れるガスの速度の、第１の反応装置についての最小床流動化速度に対する割合は１〜約５の範囲であり、第２のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程は、第２の反応装置についての最小床流動化速度を越える速度で第２の粒状物床の中を上向きにデポジションガスを流れさせることを含んでなり、第２の粒状物床の中を流れるガスの速度の、第２の反応装置についての最小床流動化速度に対する割合は１〜約３の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
第１のＣＶＤ反応装置内で粒状物にシリコンをデポジットさせる工程は、一次シードを含む第１の粒状物床を通して上向きに第１の速度にてガスを流れさせることを含んでなり、第２のＣＶＤ反応装置内の第２の粒状物床で二次シードにシリコンをデポジットさせる工程は、第２の粒状物床を通して上向きに第２の速度にてガスを流れさせることを含んでなり、前記第１の速度は第２の速度よりも遅いことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
組み合わせられた第１の反応装置と第２の反応装置は、約６５〜約２００の範囲の全体としての成長比を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
第２の反応装置のスループットは少なくとも約１４０ｋｇ／ｈ／ｍ２であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも３００ｋｇの顆粒状シリコン粒状物を製造する工程を更に含んでなり、顆粒状シリコン粒状物の１０パーセント以下のものが約６００ミクロン未満の寸法を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
少なくとも３００ｋｇの総重量を有する複数の易流動性シリコン粒状物を含んでなり、前記粒状物は０．２ｐｐｂａ未満の平均遷移金属濃度を有することを特徴とする顆粒状シリコン構成物。
【請求項１３】
粒状物の総重量は少なくとも約１メートルトンであることを特徴とする請求項１２に記載の顆粒状シリコン構成物。
【請求項１４】
粒状物が約０．１５ｐｐｂａ〜約０．１ｐｐｂａの範囲の平均遷移金属濃度を有することを特徴とする請求項１２に記載の顆粒状シリコン構成物。
【請求項１５】
粒状物が約０．１ｐｐｂａ以下の平均ホウ素濃度を有することを特徴とする請求項１２に記載の顆粒状シリコン構成物。
【請求項１６】
粒状物が約０．１ｐｐｂａ以下の平均リン濃度を有することを特徴とする請求項１２に記載の顆粒状シリコン構成物。
【請求項１７】
粒状物が約０．０２〜約０．１ｐｐｂａの範囲の平均炭素濃度を有することを特徴とする請求項１２に記載の顆粒状シリコン構成物。
【請求項１８】
粒状物が約０．３〜約１．５ｐｐｍｗの範囲の平均水素濃度を有することを特徴とする請求項１２に記載の顆粒状シリコン構成物。
【請求項１９】
粒状物が約８００〜約１２００ミクロンの範囲の平均寸法を有することを特徴とする請求項１２に記載の顆粒状シリコン構成物。
【請求項２０】
重量の約０．００６〜約０．０２パーセントが表面粉塵成分に起因することを特徴とする請求項１２に記載の顆粒状シリコン構成物。
【請求項２１】
少なくとも３００ｋｇの全重量を有する複数の易流動性シリコン粒状物であって、その少なくとも９９パーセントが約２５０〜約３５００ミクロンの範囲の寸法である易流動性シリコン粒状物を含んでなることを特徴とする顆粒状シリコン構成物。
【請求項２２】
粒状物の全重量は少なくとも１メートルトンであることを特徴とする請求項２１に記載の顆粒状シリコン構成物。
【請求項２３】
粒状物が約０．１ｐｐｂａ以下の平均遷移金属濃度を有することを特徴とする請求項２１に記載の顆粒状シリコン構成物。
【請求項２４】
粒状物が約０．１ｐｐｂａ以下の平均ホウ素濃度を有することを特徴とする請求項２１に記載の顆粒状シリコン構成物。
【請求項２５】
粒状物が約０．１ｐｐｂａ以下の平均リン濃度を有することを特徴とする請求項２１に記載の顆粒状シリコン構成物。
【請求項２６】
粒状物が約０．０２〜約０．１ｐｐｍａの範囲の平均炭素濃度を有することを特徴とする請求項２１に記載の顆粒状シリコン構成物。
【請求項２７】
粒状物が約０．３〜約１．５ｐｐｍｗの範囲の平均水素濃度を有することを特徴とする請求項２１に記載の顆粒状シリコン構成物。
【請求項２８】
粒状物が約８００〜約１２００ミクロンの範囲の平均寸法を有することを特徴とする請求項２１に記載の顆粒状シリコン構成物。
【請求項２９】
重量の約０．００６〜約０．０２パーセントの範囲が表面粉塵成分に起因することを特徴とする請求項２１に記載の顆粒状シリコン構成物。
【請求項３０】
顆粒状シリコン粒状物を製造する方法であって、
第１の化学気相蒸着（ＣＶＤ）反応装置の中に、第１の平均寸法を有する一次シードを導入する工程；
第１のＣＶＤ反応装置の中を通って流れるシリコン・デポジションガスから化学気相成長法によって追加のシリコンを前記一次シードにデポジットさせて、その寸法を増大させ、一次シードの第１の平均寸法よりも大きい第２の平均寸法を有する二次シードを形成する工程；
第１のＣＶＤ反応装置内で製造され、第２の平均寸法を有する二次シードを、第２のＣＶＤ反応装置に導入する工程；
第２のＣＶＤ反応装置の中を通って流れるシリコン・デポジションガスから化学気相成長法によって追加のシリコンを二次シードにデポジットさせて、その平均寸法を増大させ、二次シードの第２の平均寸法よりも大きい第３の平均寸法を有する顆粒状シリコン粒状物を形成する工程であって、前記第２のＣＶＤ反応装置内のガスは少なくとも約７モル・パーセントのシリコン化合物を含んでなる工程；
第２のＣＶＤ反応装置内で製造され、第３の平均寸法を有する顆粒状シリコン粒状物を、第３のＣＶＤ反応装置に導入する工程；並びに
第３の反応装置内で第３の平均寸法を有する顆粒状シリコン粒状物に付随する粉塵成分を減少させる工程
を含んでなることを特徴とする方法。
【請求項３１】
顆粒状シリコン粒状物に付随する粉塵成分を減少させる工程が、第３の反応装置内で、顆粒状シリコン粒状物に付随する粉塵成分の重量パーセントを少なくとも８０パーセント減少させることを含んでなることを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
追加のシリコンを一次シードにデポジットさせる工程が、二次シードの第２の平均寸法が少なくとも約２５０ミクロンであるように追加のシリコンをデポジットさせることを含んでなることを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
第１のＣＶＤ反応装置内のガスが、少なくとも約１６モル・パーセントのシリコン化合物を含んでなることを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３４】
第２のＣＶＤ反応装置内のガスが、約７〜１３モル・パーセントのシリコン化合物を含んでなることを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３５】
第１及び第２のＣＶＤ反応装置内におけるガスのシリコン化合物がシランであることを特徴とする請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
第１の反応装置及び第２の反応装置が、約６５〜約２００の範囲の合成した成長比を有することを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３７】
一次シードの第１の平均寸法が約５０〜約１５０ミクロンの範囲であることを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３８】
顆粒状シリコン粒状物の第３の平均寸法が約８００〜約１２００ミクロンの範囲であることを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３９】
第１のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程が、一次シードを含む第１の流動床の中を通してデポジションガスを通過させて、第１の流動床を流動化状態にすることを含んでなり、並びに第２のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程が、二次シードを含む第２の流動床の中を通してデポジションガスを通過させて、第２の流動床を流動化状態にすることを含んでなることを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項４０】
第１のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程が、第１の粒状物床の中を通してデポジションガスを上向きに第１の速度にて流れさせることを含んでなり、第２のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程が、第２の粒状物床の中を通してデポジションガスを上向きに第２の速度にて流れさせることを含んでなり、第１の速度は第２の速度よりも遅いことを特徴とする請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
第２の反応装置のスループットが少なくとも約１４０ｋｇ／ｈ／ｍ２であることを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項４２】
半導体グレードの顆粒状シリコン粒状物を製造する方法であって、
第１の化学気相蒸着（ＣＶＤ）反応装置の中に、破砕方法にて製造され、及び第１の平均寸法を有する一次シードを導入する工程；
第１のＣＶＤ反応装置の中を通って流れるシリコン・デポジションガスから化学気相成長法によって追加のシリコンを前記一次シードにデポジットさせて、その寸法を増大させ、二次シードを形成する工程；
第１のＣＶＤ反応装置内での均一な分解によって、追加の二次シードを形成する工程；
第１のＣＶＤ反応装置内で製造され、一次シードの第１の平均寸法よりも大きい第２の平均寸法を有する二次シードを、第２のＣＶＤ反応装置に導入する工程；並びに
第２のＣＶＤ反応装置の中を通って流れ、少なくとも約７モル・パーセントのシランを含むシリコン・デポジションガスから化学気相成長法によって追加のシリコンを二次シードにデポジットさせて、その平均寸法を増大させ、二次シードの第２の平均寸法よりも大きい第３の平均寸法を有する顆粒状シリコン粒状物を形成する工程
を含んでなることを特徴とする方法。
【請求項４３】
第１の化学気相蒸着反応装置に添加される一次シードの質量の、第２の化学気相蒸着反応装置で形成される第３の平均寸法を有する顆粒状シリコン粒状物の質量に対する割合が約０．０７未満であることを特徴とする請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
一次シードの第１の平均寸法が約５０〜約１５０ミクロンの範囲であることを特徴とする請求項４２に記載の方法。
【請求項４５】
二次シードの第２の平均寸法が約３００〜約６００ミクロンの範囲であることを特徴とする請求項４２に記載の方法。
【請求項４６】
顆粒状シリコン粒状物の第３の平均寸法が約８００〜約１２００ミクロンの範囲であることを特徴とする請求項４２に記載の方法。
【請求項４７】
第１のＣＶＤ反応装置及び第２のＣＶＤ反応装置内で粒状物にシリコンをデポジットさせる工程がそれぞれ前記粒状物に少なくとも１種のシリコン・デポジションガスを接触させることを含んでなり、前記少なくとも１種のシリコン・デポジションガスはシランを含んでなり、第１のＣＶＤ反応装置のデポジションガスは約１６〜約２４モル・パーセントの範囲でシランを含んでおり、第２のＣＶＤ反応装置のデポジションガスは約７〜約１３モル・パーセントの範囲でシランを含んでいることを特徴とする請求項４２に記載の方法。
【請求項４８】
第１のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程は、一次シードを含む第１の粒状物床を通してデポジションガスを流して、第１の粒状物床を流動化させることを含んでおり、第２のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程は、二次シードを含む第２の粒状物床を通してデポジションガスを流して、第２の粒状物床を流動化させることを含んでおり、第１のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程は、第１の反応装置についての最小床流動化速度を越える速度で第１の粒状物床の中を上向きにデポジションガスを流れさせることを含んでなり、第１の粒状物床の中を流れるガスの速度の、第１の反応装置についての最小床流動化速度に対する割合は１〜約５の範囲であり、第２のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程は、第２の反応装置についての最小床流動化速度を越える速度で第２の粒状物床の中を上向きにデポジションガスを流れさせることを含んでなり、第２の粒状物床の中を流れるガスの速度の、第２の反応装置についての最小床流動化速度に対する割合は１〜約３の範囲であることを特徴とする請求項４２に記載の方法。
【請求項４９】
第１のＣＶＤ反応装置内で粒状物にシリコンをデポジットさせる工程は、一次シードを含む第１の粒状物床を通して上向きに第１の速度にてガスを流れさせることを含んでなり、第２のＣＶＤ反応装置内の第２の粒状物床で二次シードにシリコンをデポジットさせる工程は、第２の粒状物床を通して上向きに第２の速度にてガスを流れさせることを含んでなり、前記第１の速度は第２の速度よりも遅いことを特徴とする請求項４２に記載の方法。
【請求項５０】
組み合わせられた第１の反応装置と第２の反応装置は、約６５〜約２００の範囲の全体としての成長比を有することを特徴とする請求項４２に記載の方法。
【請求項５１】
第２の反応装置のスループットは少なくとも約１４０ｋｇ／ｈ／ｍ２であることを特徴とする請求項４２に記載の方法。
【請求項５２】
少なくとも３００ｋｇの顆粒状シリコン粒状物を製造する工程を更に含んでなり、顆粒状シリコン粒状物の１０パーセント以下のものが約６００ミクロン未満の寸法を有することを特徴とする請求項４２に記載の方法。
【請求項５３】
半導体グレードの顆粒状シリコン粒状物を製造する方法であって、
第１の化学気相蒸着（ＣＶＤ）反応装置の中に、破砕方法にて製造され、及び第１の平均寸法を有する一次シードを導入する工程；
第１のＣＶＤ反応装置の中を通って流れるシリコン・デポジションガスから化学気相成長法によって追加のシリコンを前記一次シードにデポジットさせて、その寸法を増大させ、二次シードを形成する工程；
第１のＣＶＤ反応装置内での均一な分解によって、追加の二次シードを形成する工程；
第１のＣＶＤ反応装置内で製造され、一次シードの第１の平均寸法よりも大きい第２の平均寸法を有する二次シードを、第２のＣＶＤ反応装置に導入する工程；並びに
第２のＣＶＤ反応装置の中を通って流れるシリコン・デポジションガスから化学気相成長法によって追加のシリコンを二次シードにデポジットさせて、その平均寸法を増大させ、二次シードの第２の平均寸法よりも大きい第３の平均寸法を有する顆粒状シリコン粒状物を形成する工程
を含んでなり、二次シードの第２の平均寸法は約３００〜約６００μｍの範囲にあり、顆粒状シリコン粒状物の第３の平均寸法は約８００〜約１２００μｍの範囲にあることを特徴とする方法。
【請求項５４】
第１の化学気相蒸着反応装置に添加される一次シードの質量の、第２の化学気相蒸着反応装置で形成される第３の平均寸法を有する顆粒状シリコン粒状物の質量に対する割合が約０．０７未満であることを特徴とする請求項５３に記載の方法。
【請求項５５】
一次シードの第１の平均寸法が約５０〜約１５０ミクロンの範囲であることを特徴とする請求項５３に記載の方法。
【請求項５６】
二次シードの第２の平均寸法が約４００〜約５００ミクロンの範囲であることを特徴とする請求項５３に記載の方法。
【請求項５７】
顆粒状シリコン粒状物の第３の平均寸法が約９５０〜約１０５０ミクロンの範囲であることを特徴とする請求項５３に記載の方法。
【請求項５８】
第１のＣＶＤ反応装置及び第２のＣＶＤ反応装置内で粒状物にシリコンをデポジットさせる工程がそれぞれ前記粒状物に少なくとも１種のシリコン・デポジションガスを接触させることを含んでなり、前記少なくとも１種のシリコン・デポジションガスはシランを含んでなり、第１のＣＶＤ反応装置のデポジションガスは約１６〜約２４モル・パーセントの範囲でシランを含んでおり、第２のＣＶＤ反応装置のデポジションガスは約７〜約１３モル・パーセントの範囲でシランを含んでいることを特徴とする請求項５３に記載の方法。
【請求項５９】
第１のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程は、一次シードを含む第１の粒状物床を通してデポジションガスを流して、第１の粒状物床を流動化させることを含んでおり、第２のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程は、二次シードを含む第２の粒状物床を通してデポジションガスを流して、第２の粒状物床を流動化させることを含んでおり、第１のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程は、第１の反応装置についての最小床流動化速度を越える速度で第１の粒状物床の中を上向きにデポジションガスを流れさせることを含んでなり、第１の粒状物床の中を流れるガスの速度の、第１の反応装置についての最小床流動化速度に対する割合は１〜約５の範囲であり、第２のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程は、第２の反応装置についての最小床流動化速度を越える速度で第２の粒状物床の中を上向きにデポジションガスを流れさせることを含んでなり、第２の粒状物床の中を流れるガスの速度の、第２の反応装置についての最小床流動化速度に対する割合は１〜約３の範囲であることを特徴とする請求項５３に記載の方法。
【請求項６０】
第１のＣＶＤ反応装置内で粒状物にシリコンをデポジットさせる工程は、一次シードを含む第１の粒状物床を通して上向きに第１の速度にてガスを流れさせることを含んでなり、第２のＣＶＤ反応装置内の第２の粒状物床で二次シードにシリコンをデポジットさせる工程は、第２の粒状物床を通して上向きに第２の速度にてガスを流れさせることを含んでなり、前記第１の速度は第２の速度よりも遅いことを特徴とする請求項５３に記載の方法。
【請求項６１】
組み合わせられた第１の反応装置と第２の反応装置は、約６５〜約２００の範囲の全体としての成長比を有することを特徴とする請求項５３に記載の方法。
【請求項６２】
第２の反応装置のスループットは少なくとも約１４０ｋｇ／ｈ／ｍ２であることを特徴とする請求項５３に記載の方法。
【請求項６３】
少なくとも３００ｋｇの顆粒状シリコン粒状物を製造する工程を更に含んでなり、顆粒状シリコン粒状物の１０パーセント以下のものが約６００ミクロン未満の寸法を有することを特徴とする請求項５３に記載の方法。
【請求項６４】
半導体グレードの顆粒状シリコン粒状物を製造する方法であって、
第１の化学気相蒸着（ＣＶＤ）反応装置の中に、破砕方法にて製造され、及び第１の平均寸法を有する一次シードを導入する工程；
第１のＣＶＤ反応装置の中を通って流れるシリコン・デポジションガスから化学気相成長法によって追加のシリコンを前記一次シードにデポジットさせて、その寸法を増大させ、二次シードを形成する工程；
第１のＣＶＤ反応装置内での均一な分解によって、追加の二次シードを形成する工程；
第１のＣＶＤ反応装置内で製造され、一次シードの第１の平均寸法よりも大きい第２の平均寸法を有する二次シードを、第２のＣＶＤ反応装置に導入する工程；並びに
第２のＣＶＤ反応装置の中を通って流れるシリコン・デポジションガスから化学気相成長法によって追加のシリコンを二次シードにデポジットさせて、その平均寸法を増大させ、二次シードの第２の平均寸法よりも大きい第３の平均寸法を有する顆粒状シリコン粒状物を形成する工程
を含んでなり、組み合わせられた第１の反応装置と第２の反応装置は、約６５〜約２００の範囲の全体としての成長比を有することを特徴とする方法。
【請求項６５】
一次シードの第１の平均寸法が約５０〜約１５０ミクロンの範囲であることを特徴とする請求項６４に記載の方法。
【請求項６６】
二次シードの第２の平均寸法が約３００〜約６００ミクロンの範囲であることを特徴とする請求項６４に記載の方法。
【請求項６７】
顆粒状シリコン粒状物の第３の平均寸法が約８００〜約１２００ミクロンの範囲であることを特徴とする請求項６４に記載の方法。
【請求項６８】
第１のＣＶＤ反応装置及び第２のＣＶＤ反応装置内で粒状物にシリコンをデポジットさせる工程がそれぞれ前記粒状物に少なくとも１種のシリコン・デポジションガスを接触させることを含んでなり、前記少なくとも１種のシリコン・デポジションガスはシランを含んでなり、第１のＣＶＤ反応装置のデポジションガスは約１６〜約２４モル・パーセントの範囲でシランを含んでおり、第２のＣＶＤ反応装置のデポジションガスは約７〜約１３モル・パーセントの範囲でシランを含んでいることを特徴とする請求項６４に記載の方法。
【請求項６９】
第１のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程は、一次シードを含む第１の粒状物床を通してデポジションガスを流して、第１の粒状物床を流動化させることを含んでおり、第２のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程は、二次シードを含む第２の粒状物床を通してデポジションガスを流して、第２の粒状物床を流動化させることを含んでおり、第１のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程は、第１の反応装置についての最小床流動化速度を越える速度で第１の粒状物床の中を上向きにデポジションガスを流れさせることを含んでなり、第１の粒状物床の中を流れるガスの速度の、第１の反応装置についての最小床流動化速度に対する割合は１〜約５の範囲であり、第２のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程は、第２の反応装置についての最小床流動化速度を越える速度で第２の粒状物床の中を上向きにデポジションガスを流れさせることを含んでなり、第２の粒状物床の中を流れるガスの速度の、第２の反応装置についての最小床流動化速度に対する割合は１〜約３の範囲であることを特徴とする請求項６４に記載の方法。
【請求項７０】
第１のＣＶＤ反応装置内で粒状物にシリコンをデポジットさせる工程は、一次シードを含む第１の粒状物床を通して上向きに第１の速度にてガスを流れさせることを含んでなり、第２のＣＶＤ反応装置内の第２の粒状物床で二次シードにシリコンをデポジットさせる工程は、第２の粒状物床を通して上向きに第２の速度にてガスを流れさせることを含んでなり、前記第１の速度は第２の速度よりも遅いことを特徴とする請求項６４に記載の方法。
【請求項７１】
第１の反応装置は、約１３〜約２０の範囲の成長比を有することを特徴とする請求項６４に記載の方法。
【請求項７２】
第２の反応装置のスループットは約１４０ｋｇ／ｈ／ｍ２〜約１５５ｋｇ／ｈ／ｍ２の範囲であることを特徴とする請求項６４に記載の方法。
【請求項７３】
少なくとも３００ｋｇの顆粒状シリコン粒状物を製造する工程を更に含んでなり、顆粒状シリコン粒状物の１０パーセント以下のものが約６００ミクロン未満の寸法を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７４】
半導体グレードの顆粒状シリコン粒状物を製造する方法であって、
第１の化学気相蒸着（ＣＶＤ）反応装置の中に、破砕方法にて製造され、及び第１の平均寸法を有する一次シードを導入する工程；
第１のＣＶＤ反応装置の中を通って流れるシリコン・デポジションガスから化学気相成長法によって追加のシリコンを前記一次シードにデポジットさせて、その寸法を増大させ、二次シードを形成する工程；
第１のＣＶＤ反応装置内での均一な分解によって、追加の二次シードを形成する工程；
第１のＣＶＤ反応装置内で製造され、一次シードの第１の平均寸法よりも大きい第２の平均寸法を有する二次シードを、第２のＣＶＤ反応装置に導入する工程；並びに
第２のＣＶＤ反応装置の中を通って流れるシリコン・デポジションガスから化学気相成長法によって追加のシリコンを二次シードにデポジットさせて、その平均寸法を増大させ、二次シードの第２の平均寸法よりも大きい第３の平均寸法を有する顆粒状シリコン粒状物を形成する工程
を含んでなり、第２の反応装置のスループットが少なくとも約１４０ｋｇ／ｈ／ｍ２であることを特徴とする方法。
【請求項７５】
第１の化学気相蒸着反応装置に添加される一次シードの質量の、第２の化学気相蒸着反応装置で形成される第３の平均寸法を有する顆粒状シリコン粒状物の質量に対する割合が約０．０５未満であることを特徴とする請求項７４に記載の方法。
【請求項７６】
一次シードの第１の平均寸法が約５０〜約１５０ミクロンの範囲であることを特徴とする請求項７４に記載の方法。
【請求項７７】
二次シードの第２の平均寸法が約３００〜約６００ミクロンの範囲であることを特徴とする請求項７４に記載の方法。
【請求項７８】
顆粒状シリコン粒状物の第３の平均寸法が約８００〜約１２００ミクロンの範囲であることを特徴とする請求項７４に記載の方法。
【請求項７９】
第１のＣＶＤ反応装置及び第２のＣＶＤ反応装置内で粒状物にシリコンをデポジットさせる工程がそれぞれ前記粒状物に少なくとも１種のシリコン・デポジションガスを接触させることを含んでなり、前記少なくとも１種のシリコン・デポジションガスはシランを含んでなり、第１のＣＶＤ反応装置のデポジションガスは約１６〜約２４モル・パーセントの範囲でシランを含んでおり、第２のＣＶＤ反応装置のデポジションガスは約７〜約１３モル・パーセントの範囲でシランを含んでいることを特徴とする請求項７４に記載の方法。
【請求項８０】
第１のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程は、一次シードを含む第１の粒状物床を通してデポジションガスを流して、第１の粒状物床を流動化させることを含んでおり、第２のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程は、二次シードを含む第２の粒状物床を通してデポジションガスを流して、第２の粒状物床を流動化させることを含んでおり、第１のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程は、第１の反応装置についての最小床流動化速度を越える速度で第１の粒状物床の中を上向きにデポジションガスを流れさせることを含んでなり、第１の粒状物床の中を流れるガスの速度の、第１の反応装置についての最小床流動化速度に対する割合は１〜約５の範囲であり、第２のＣＶＤ反応装置内で追加のシリコンをデポジットさせる工程は、第２の反応装置についての最小床流動化速度を越える速度で第２の粒状物床の中を上向きにデポジションガスを流れさせることを含んでなり、第２の粒状物床の中を流れるガスの速度の、第２の反応装置についての最小床流動化速度に対する割合は１〜約３の範囲であることを特徴とする請求項７４に記載の方法。
【請求項８１】
第１のＣＶＤ反応装置内で粒状物にシリコンをデポジットさせる工程は、一次シードを含む第１の粒状物床を通して上向きに第１の速度にてガスを流れさせることを含んでなり、第２のＣＶＤ反応装置内の第２の粒状物床で二次シードにシリコンをデポジットさせる工程は、第２の粒状物床を通して上向きに第２の速度にてガスを流れさせることを含んでなり、前記第１の速度は第２の速度よりも遅いことを特徴とする請求項７４に記載の方法。
【請求項８２】
組み合わせられた第１の反応装置と第２の反応装置は、約６５〜約２００の範囲の全体としての成長比を有することを特徴とする請求項７４に記載の方法。
【請求項８３】
第２の反応装置のスループットは約１４０ｋｇ／ｈ／ｍ２〜約１５５ｋｇ／ｈ／ｍ２の範囲であることを特徴とする請求項７４に記載の方法。
【請求項８４】
少なくとも３００ｋｇの顆粒状シリコン粒状物を製造する工程を更に含んでなり、顆粒状シリコン粒状物の１０パーセント以下のものが約６００ミクロン未満の寸法を有することを特徴とする請求項７４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
流動床反応装置についての粒状物成長の程度は、一般に成長比（growth ratio）として表現される。成長比は、取り出されたシリコン粒状物の質量の、反応装置に追加されたシードの質量に対する割合（または比）である。第１の反応装置２０１の成長比は約１３〜約２０の範囲にある。その成長ファクターの範囲は、二次シードの質量の約１／１３〜１／２０が一次シードに起因することを示している。質量の残部はシリコン・デポジションガスの分解に起因し、一次シードよりも高い純度を有している。第１の反応装置２０１の成長比は、以下により詳細に説明するように、第１の反応装置内で均一に分解された粒状物の融合によって形成される追加のシードが作られることによって、増大する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
第２の反応装置３０１の成長比は、約５〜約１０の範囲にある。第１の反応装置２０１と第２の反応装置３０１の合成した成長比（即ち、第２の反応装置３０１から取り出された顆粒状シリコン粒状物の質量の、第１の反応装置２０１に供給された一次シードの質量に対する比）は、約６５〜約２００の範囲にある。第１の反応装置２０１と第２の反応装置３０１の合成した成長比が約９０〜１５０の範囲にあることは、より好ましい。