【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年7月15日(2009.7.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタニアもしくはチタニア含有物を光触媒性の薄膜として基板の上に堆積させる方法であって、下記の工程：
前記基板を２５０℃を下回る温度で加熱するとき、主たる反応源として常圧グロー放電プラズマを使用して薄膜の性状及び薄膜成長速度を改良すること（ここで、グロー放電プラズマが、電極間に、低周波によって発生され、その周波数は３０ＫＨｚ未満であり、プラズマの出力密度は５Ｗｃｍ−２である）、
反応性チタニアＣＶＤ前駆体を、コーティング領域を流動するガス中に導入すること（ここで、反応性チタニアＣＶＤ前駆体は導入されたガス流中に予備蒸発されている）、
薄膜を成長させること（ここで、水及び酸素のレベルを入念に調整して目的の成長速度を達成しかつ不所望な副反応をコントロールし、その際、酸素レベルは５％未満であり、かつ水蒸気レベルを１％未満に調整する）、
前記コーティングを常圧グロー放電プラズマで後処理して前記薄膜の光触媒的性質及び構造を変更すること、
を含んでなる方法。
【請求項２】
低周波がＡＦまたはＲＦ源の低周波である請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記グロー放電後処理で前記薄膜の化学量論を変えて薄膜の性状をコントロールする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記コーティング領域中にかつそれを通して層流を導入する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記コーティング領域を通るガス流をコントロールしてそのコントロールされた流れを支持するために抽気システムを使用する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記基板の温度を所望のレベルで保持するために前記コーティング領域に熱コントロールシステムを組み込み、かつ前記熱コントロールシステムをガス、水又は液体冷却材ベースの冷却もしくはその組み合わせによって達成する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記熱コントロールシステムを前記コーティング領域を冷却するために組み込み、不所望の副反応を低減する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記コーティング領域に導入される反応性チタニアＣＶＤ前駆体が、チタンもしくは四塩化チタンのアルコキシドである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記基板の移動方向に沿って逐次のコーティング領域を配列することによって肉厚層または異なる組成をもった層を構成するために該方法を使用する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
異なるコーティング方法と組み合わせて該方法を使用する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
発熱を低下させる材料から前記金属電極を選択する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記電極を真鍮から作製する、請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
プラズマの出力密度が、１Ｗｃｍ−２未満である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
プラズマの出力密度が０．５Ｗｃｍ−２未満である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
予備成形された及び（又は）熱的に強化された基板の上に前記薄膜を堆積させる、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
熱的に予備成形された基板及びプラスチック基板材料を含めた広範囲の温度感応性基板の上に前記薄膜を堆積させる、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
水及び酸素のレベルを入念に調整して目的の成長速度を達成しかつ不所望な副反応をコントロールし、その際、酸素レベルは１％未満であり、かつ水蒸気レベルを１％未満に調整する、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
水蒸気レベルを０．１％未満に調整する、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
基板が移動しており、また該基板が連続したフィルムもしくはシートまたは半連続的に供給される一連の基板である請求項１７または１８に記載の方法。
【請求項２０】
１つもしくはそれ以上のガスフラッシング領域を使用して、コーティング領域のガス組成の完全性を保持しながら基板の導入及び取り出しを行う、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
これらの性質を達成するため、本発明者らは、反応領域を流れるガスの流れができる限り層流に近くなるようなプロセスを定義する。そのためには、ガスを導入するためにディストリビュータ（分配器）を使用すること、また、好ましくは、抽出領域において別のディストリビュータを使用することが必要である。さらに、導入されるべき反応ガスはすべて、反応領域に導入される前、予備混合されることが必要である。プラズマの種類、出力、周波数及びプラズマガスを適宜選択することが必要である。本発明者らが使用したものは、１０〜２５ＫＨｚの周波数、１Ｗｃｍ−２未満ないし約１０Ｗｃｍ−２の出力レベルである。供給されたプラズマガスは、ヘリウム、アルゴン及び窒素であった。ヘリウムは、最も安定であり、フレキシブルに設定できるプラズマシステム及び一般的に最良の薄膜品質を提供するけれども、もしもデザインの制約や薄膜の性質の目的が十分にフレキシブルであるのならば、その他のガスを成功裡に使用することができる。また、反応性前駆体や酸化性ガスも、最適な挙動を考慮して入念に選択しなければならない。チタニア成長に係る研究で本発明者らが使用したものは、四塩化チタン及びチタンのアルコキシドである。
膜の成長の間の、プラズマ条件及びガス組成の注意深いコントロールは、所望の機能的膜特性を得るための、非常に有利な層組成の化学量論的コントロールの制御度を得るために重要である可能性がある。これを得るのは、所望の化学的及び構造的特性を得るのに十分な反応（例えば、プラズマエネルギー、時間、酸化源、反応種の濃度など）を起こすことと、一方で不所望の反応（例えば、前反応、及び強化された均一系反応）を回避することとの均衡である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
実施例８：別の前駆体の使用
別の前駆体（四塩化チタンの代わり）の例として、チタンテトライソプロポキシドを試験した。実施例１の条件を使用したけれども、本例の場合、この前駆体が反応に十分な酸素を含有するので、酸素を使用しなかった。前駆体の濃度は、実施例１の四塩化チタンと同一レベルに設定した。本例でも再び、良好な品質の薄膜が迅速に成長した。
本発明の要旨は下記の通りである。
（１）チタニアもしくはチタニア含有物を薄膜として基板の上に堆積させる方法であって、下記の工程：
前記基板を２５０℃を下回る温度で加熱するとき、主たる反応源として常圧グロー放電プラズマを使用して薄膜の性状及び薄膜成長速度を改良すること、
導入されたガス流中に予備蒸発させた反応性チタニアＣＶＤ前駆体を、コーティング領域を流動するガス中に導入すること、
基板表面上の有機材料の分解能力及び（又は）ＵＶもしくは可視光の照射による表面エネルギーの改変能力によって立証される光活性を備えた薄膜を形成すること、
を含んでなる方法。
（２）前記コーティングを常圧グロー放電プラズマで後処理して前記薄膜の性状及び構造を変更する、上記（１）に記載の方法。
（３）前記後処理で前記薄膜の化学量論を変えて薄膜の性状をコントロールする、上記（２）に記載の方法。
（４）前記コーティング領域中にかつそれを通して層流を導入する、上記（１）に記載の方法。
（５）前記コーティング領域を通るガス流をコントロールしてそのコントロールされた流れを支持するために抽気システムを使用する、上記（１）〜（４）のいずれかに記載の方法。
（６）前記基板の温度を所望のレベルで保持するために前記コーティング領域に熱コントロールシステムを組み込み、かつ前記熱コントロールシステムをガス、水又は液体冷却材ベースの冷却もしくはその組み合わせを含むさまざまな技術によって達成する、上記（１）〜（５）のいずれかに記載の方法。
（７）前記熱コントロールシステムを前記コーティング領域を冷却するために組み込み、不所望の副反応を低減する、上記（６）に記載の方法。
（８）前記コーティング領域に導入される反応性チタニアＣＶＤ前駆体が、チタンもしくは四塩化チタンのアルコキシドである、上記（１）に記載の方法。
（９）前記薄膜を、少なくとも±２０％の均一性、好ましくは少なくとも±１０％の均一性、さらに好ましくは少なくとも±５％の均一性で堆積させる、上記（１）〜（８）のいずれかに記載の方法。
（１０）前記基板の移動方向に沿って逐次のコーティング領域を配列することによって肉厚層または異なる組成をもった層を構成するために該方法を使用する、上記（１）〜（９）のいずれかに記載の方法。
（１１）異なるコーティング方法と組み合わせて該方法を使用する、上記（１）〜（１０）のいずれかに記載の方法。
（１２）周波数が１００ＫＨｚ未満、好ましくは３０ＫＨｚ未満である低周波数、例えばＡＦ又はＲＦによって電極間にグロー放電プラズマを発生させる、上記（１）に記載の方法。
（１３）発熱を低下させる材料から金属電極を選択する、上記（１２）に記載の方法。
（１４）前記電極を真鍮から作製する、上記（１２）又は（１３）に記載の方法。
（１５）プラズマの出力密度が、５Ｗｃｍ−２未満、好ましくは１Ｗｃｍ−２未満、さらに好ましくは０．５Ｗｃｍ-2未満である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
（１６）最大成長速度が、少なくとも１０ｎｍ／秒であり、かつ数十ｎｍ／秒まで、１００ｎｍ／秒以上である、上記（１）〜（１５）のいずれかに記載の方法。
（１７）予備成形された及び（又は）熱的に強化された基板の上に前記薄膜を堆積させる、上記（１）〜（１６）のいずれかに記載の方法。
（１８）熱的に予備成形された基板及びプラスチック基板材料を含めた広範囲の温度感応性基板の上に前記薄膜を堆積させる、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の方法。
（１９）水及び酸素のレベルを入念に調整して目的の成長速度を達成しかつ不所望な副反応をコントロールし、その際、酸素レベルは５％未満、さらに好ましくは１％未満であり、かつ水蒸気レベルを好ましくは１％未満、さらに好ましくは０．１％未満に調整する、上記（１）〜（１８）のいずれかに記載の方法。
（２０）移動中の基板−連続したフィルムもしくはシートあるいは半連続的に供給される一連の基板の両方−のコーティングを施すのに適当である、上記（１９）に記載の方法。
（２１）１つもしくはそれ以上のガスフラッシング領域を使用して、コーティング領域のガス組成の完全性を保持しながら基板の導入及び取り出しを行う、上記（１）〜（２０）のいずれかに記載の方法。
（２２）前記薄膜が結晶化される、上記（２１）に記載の基板。
（２３）堆積せしめられた薄膜が、肉眼に対して実質的に透明でありかつ透視できることが必要である基板上で使用するのに適当な良好な光学的性質を有し、かつ典型的には数％から１未満までの低い吸収レベルを備えている、上記（２２）に記載の基板。