【手続補正書】
【提出日】平成21年6月4日(2009.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極を形成する方法であって、
半導体基板上に誘電体層を形成するステップと；
原子層堆積によって該誘電体層上に第一金属領域を形成するステップと；
該第一金属領域上に第二金属領域を形成するステップと、
を含み、
該第一金属領域と該第二金属領域がクラスタシステム内に形成され、該第一金属領域が該第二金属領域の堆積前に空気に曝されず、
該第一金属領域の厚さを約０〜８０オングストロームの第一量だけ変化させることによって、組み合わせた該第一金属領域と第二金属領域の有効仕事関数が、該第一金属領域の厚さを該第二金属領域の形成前に空気に曝した以外は同じ該第一量だけ変化させた場合と比較して、組み合わせた該第一金属領域と第二金属領域の有効仕事関数の変化より少なくとも約２０％だけ大きくなる、前記方法。
【請求項２】
該第一金属領域がＴａＮを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
該第二金属領域がＴａを含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
該第一金属領域の厚さを約０〜８０オングストロームの第一量だけ変化させることによって、組み合わせた該第一金属領域と第二金属領域の有効仕事関数が、該第一金属領域の厚さを該第二金属領域の形成前に空気に曝した以外は同じ該第一量だけ変化させた場合と比較して、組み合わせた該第一金属領域と第二金属領域の有効仕事関数の変化より少なくとも約４０％だけ大きくなる、請求項１記載の方法。
【請求項５】
該第一金属領域の該厚さを約０〜８０オングストロームの第一量だけ変化させることによって、組み合わせた該第一金属領域と第二金属領域の有効仕事関数が、該第一金属領域の厚さを該第二金属領域の形成前に空気に曝した以外は同じ該第一量だけ変化させた場合と比較して、組み合わせた該第一金属領域と第二金属領域の有効仕事関数の変化より少なくとも約６０％だけ大きくなる、請求項１記載の方法。
【請求項６】
該第一金属領域の該厚さを約０〜８０オングストロームの第一量だけ変化させることによって、組み合わせた該第一金属領域と第二金属領域の有効仕事関数が該第一金属領域の厚さを該第二金属領域の形成前に空気に曝した以外は同じ該第一量だけ変化させた場合と比較して組み合わせた該第一金属領域と第二金属領域の有効仕事関数の変化より少なくとも約８０％だけ大きくなる、請求項１記載の方法。
【請求項７】
電界効果トランジスタを形成する方法であって：
半導体基板において一組のソース領域とドレイン領域を形成するステップと；
該半導体基板上に誘電体層を形成するステップと；
原子層堆積を用いて該ゲート誘電体層の上に第一金属領域を堆積させるステップ、更に  
該第一金属層の上に第二金属領域を形成するステップと、
を含み、
該第一金属領域の厚さを約０〜８０オングストロームの第一量だけ変化させることによって、組み合わせた該第一金属領域と第二金属領域の有効仕事関数が、該第一金属領域の厚さを該第二金属領域の形成前に空気に曝した以外は同じ該第一量だけ変化させた場合と比較して、組み合わせた該第一金属領域と第二金属領域の有効仕事関数の変化より少なくとも約２０％だけ大きくなる、前記方法。
【請求項８】
第一金属領域がＴａＮを含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
該第一金属領域と該第二金属領域がクラスタシステム内に形成され、該第一金属領域が該第二金属領域の堆積前に空気に曝されない、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
該第二金属領域がＴａを含む、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
該第一金属領域の厚さを約０〜８０オングストロームの第一量だけ変化させることによって、組み合わせた該第一金属領域と第二金属領域の有効仕事関数が、該第一金属領域の厚さを該第二金属領域の形成前に空気に曝した以外は同じ該第一量だけ変化させた場合と比較して、組み合わせた該第一金属領域と第二金属領域の有効仕事関数の変化より少なくとも約４０％だけ大きくなる、請求項７記載の方法。
【請求項１２】
該第一金属領域の厚さを約０〜８０オングストロームの第一量だけ変化させることによって、組み合わせた該第一金属領域と第二金属領域の有効仕事関数が、該第一金属領域の厚さを該第二金属領域の形成前に空気に曝した以外は同じ該第一量だけ変化させた場合と比較して、組み合わせた該第一金属領域と第二金属領域の有効仕事関数の変化より少なくとも約６０％だけ大きくなる、請求項７記載の方法。
【請求項１３】
該第一金属領域の厚さを約０〜８０オングストロームの第一量だけ変化させることによって、組み合わせた該第一金属領域と第二金属領域の有効仕事関数が、該第一金属領域の厚さを該第二金属領域の形成前に空気に曝した以外は同じ該第一量だけ変化させた場合と比較して、組み合わせた該第一金属領域と第二金属領域の有効仕事関数の変化より少なくとも約８０％だけ大きくなる、請求項７記載の方法。
【請求項１４】
第一ドーパントプロファイルとゲートスタックとを有し、前記ゲートスタックは、誘電体層と、該誘電体層の上に第一金属領域と、該第一金属領域の上に第二金属領域とを備える、第一導電型の少なくとも第一電界トランジスタと；
第二ドーパントプロファイルとゲートスタックとを有し、前記ゲートスタックは、誘電体層と、該誘電体層の上に第一金属領域と、該第一金属領域の上に第二金属領域とを備える、第一導電型の少なくとも第二電界効果トランジスタとを備え、
ここで、該第一ドーパントプロファイルと該第二ドーパントプロファイルが実質的に同じであり、該第一電界効果トランジスタと該第二電界効果トランジスタの該ゲートスタックの組成が同一であり、該第一電界効果トランジスタと該第二電界効果トランジスタの該第二金属領域の厚さが実質的に同じであり、第一電界効果トランジスタの第一金属領域の厚さが該第二電界効果トランジスタの該第一金属領域の厚さと異なり、該第一電界効果トランジスタのゲートスタックの仕事関数が第二電界効果トランジスタの仕事関数と少なくとも約２０％だけ異なる、集積回路。
【請求項１５】
該第一電界効果トランジスタのゲートスタックの仕事関数が、該第二電界効果トランジスタの仕事関数と少なくとも４０％だけ異なる、請求項１４記載の集積回路。
【請求項１６】
該第一電界効果トランジスタのゲートスタックの仕事関数が、該第二電界効果トランジスタの仕事関数と少なくとも６０％だけ異なる、請求項１４記載の集積回路。
【請求項１７】
該第一電界効果トランジスタのゲートスタックの仕事関数が、該第二電界効果トランジスタの仕事関数と少なくとも８０％だけ異なる、請求項１４記載の集積回路。
【請求項１８】
ゲート電極を形成する方法であって：
半導体基板上に誘電体層を形成するステップと；
該誘電体層上に第一金属領域を形成するステップと；
その上に該第一金属領域を有する該半導体基板を空気に曝す前に、該第一金属領域上に第二金属領域を形成するステップと、
を含み、
該第一金属領域の厚さを第一量だけ変化させて、組み合わせた該第一金属領域と第二金属領域の有効仕事関数が、該第一金属領域の厚さを該第二金属領域の形成前に空気に曝した以外は同じ該第一量だけ変化させた場合と比較して、組み合わせた該第一金属領域と第二金属領域の有効仕事関数の変化より少なくとも約２０％だけ大きくなる
前記方法。
【請求項１９】
クラスタシステムを用いて該第一金属領域と該第二金属領域を形成するステップを更に含み；ここで、該第一金属領域の形成の間、該第二金属領域の形成の少なくとも完了まで、該半導体基板が該クラスタシステム内に配置されたままである、請求項１８記載の方法。