(57)【要約】  積層体（１１０）と、第１の電極（１０７）と、第２の電極（１０８）と、第３の電極（１０９）と、側面配線（１０６）とを具備し、前記積層体は、第１の半導体層（１０１）と発光層（１０２）と第２の半導体層（１０３）とがこの順で積層され、光出射面（１０１ａ）と非光出射面（１０３ａ）と側面（１１０ａ）とを有し、前記側面は、積層体の層面方向に対して垂直な方向から側面間の距離が光出射面に向かって広がるように傾斜しており、前記第１の電極（１０７）は第１の半導体層（１０１）に電気的に接続され、前記第１の半導体層（１０１）の周縁において光出射面に設けられた凹部（１０１ｂ）に配置され光出射面よりも発光層側に位置する部分を有し、前記第２の電極（１０８）は第２の半導体（１０３）に電気的に接続されており、前記第３の電極は前記第２の電極と絶縁されており、前記側面配線（１０６）は側面を介して第１の電極と第３の電極を電気的に接続し、素子面積の低減が可能であり安定した電気的接続を実現することが可能な、発光素子。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体型を有する第１の半導体層と、発光層と、第２の半導体型を有する第２の半導体層とがこの順で積層された積層体であって、前記第１の半導体層の前記発光層とは反対側の面であり、前記発光層において生じた光が出射する光出射面と、前記第２の半導体層の前記発光層とは反対側の面である非光出射面と、前記光出射面と前記非光出射面の間を接続する側面とを有し、前記側面は前記積層体の層面方向に対して垂直な方向から前記側面間の距離が前記光出射面に向かって広がるように傾斜している積層体と、  前記第１の半導体層に電気的に接続された第１の電極であって、前記第１の半導体層の周縁において前記光出射面に設けられた凹部に配置され、前記光出射面よりも前記発光層側に位置する部分を有する第１の電極と、  前記積層体の前記非光出射面側に設けられ、前記第２の半導体に電気的に接続された第２の電極と、  前記積層体の前記非光出射面側に設けられ、前記第２の電極と絶縁された第３の電極と、  前記側面を介して前記第１の電極と前記第３の電極を電気的に接続する側面配線と  を具備する発光素子。
【請求項２】
請求項１に記載の発光素子であって、  前記凹部の前記光出射面からの深さは、前記第１の電極と前記発光層の間の前記第１の半導体層の厚みより大きい  発光素子。
【請求項３】
請求項１に記載の発光素子であって、  前記第１の電極は、全体が前記光出射面よりも前記発光層側に位置する  発光素子。
【請求項４】
請求項１に記載の発光素子であって、  前記第１の電極は、前記光出射面よりも前記発光層側に位置する第１の部分と、前記光出射面上に設けられ、前記光出射面に被さる第２の部分とを有する  発光素子。
【請求項５】
請求項４に記載の発光素子であって、  前記第１の半導体層は、前記光出射面側に高純度不純物領域を有し、前記第２の部分は前記高純度不純物領域に接触する  発光素子。
【請求項６】
請求項４に記載の発光素子であって、  前記光出射面上に積層された透明導電性材料からなる透明導電層をさらに具備し、前記第２の部分は前記透明導電層に接触する  発光素子。
【請求項７】
請求項１に記載の発光素子であって、  前記第１の電極は、前記側面配線の前記光出射面側の端面に接触する  発光素子。
【請求項８】
請求項１に記載の発光素子であって、  前記第１の電極は、前記側面配線の前記積層体側の面である内面に接触する  発光素子。
【請求項９】
請求項４に記載の発光素子であって、  前記第１の部分は、前記側面配線の前記積層体側の面である内面と、前記側面配線の前記光出射面側の端面に接触する  発光素子。
【請求項１０】
請求項１に記載の発光素子であって、  複数の前記第１の電極を備える  発光素子。
【請求項１１】
第１の半導体型を有する第１の半導体層と、発光層と、第２の半導体型を有する第２の半導体層とがこの順で積層された積層体であって、前記第１の半導体層の前記発光層とは反対側の面であり、前記発光層において生じた光が出射する光出射面と、前記第２の半導体層の前記発光層とは反対側の面である非光出射面と、前記光出射面と前記非光出射面の間を接続する側面とを有し、前記側面は前記積層体の層面方向に対して垂直な方向から前記側面間の距離が前記光出射面に向かって広がるように傾斜している積層体と、前記第１の半導体層に電気的に接続された第１の電極であって、前記第１の半導体層の周縁において前記光出射面に設けられた凹部に配置され、前記光出射面よりも前記発光層側に位置する部分を有する第１の電極と、前記積層体の前記非光出射面側に設けられ、前記第２の半導体に電気的に接続された第２の電極と、前記積層体の前記非光出射面側に設けられ、前記第２の電極と絶縁された第３の電極と、前記側面を介して前記第１の電極と前記第３の電極を電気的に接続する側面配線とを備える発光素子  を具備する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本技術は、片面電極構造を有する発光素子及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】  マイクロＬＥＤ（light emitting diode)等の発光素子では、ｐ型電極とｎ型電極を素子の片面に形成した片面電極構造が多く用いられる。片面電極構造とすることにより、フリップチップ実装等が利用でき、実装が容易となる。【０００３】  通常、ｐ型半導体層とｎ型半導体層は発光素子の表裏面の位置関係となるため、ｐ型電極とｎ型電極を片面に配置させるには、一方の電極を他方の面に電気的に接続する必要がある。【０００４】  例えば特許文献１には、発光層を挟んでｎ型クラッド層とｐ型クラッド層が積層された発光素子であって、発光素子の側面に設けられた配線によってｎ型クラッド層側の素子表面とp型クラッド層を電気的に接続した発光素子が開示されている。ｎ型電極とp型電極はｎ型クラッド層側の素子表面に設けられ、片面電極構造が実現されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１５７４９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】  しかしながら、特許文献１に記載のような構造では、素子面積の低減に限界がある上、ｐ型クラッド層への側面配線の接続面積が限られ、電気的接続が安定化しないという問題がある。【０００７】  以上のような事情に鑑み、本技術の目的は、素子面積の低減が可能であり、安定した電気的接続を実現することが可能な発光素子及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】  上記目的を達成するため、本技術に係る発光素子は、積層体と、第１の電極と、第２の電極と、第３の電極と、側面配線とを具備する。  上記積層体は、第１の半導体型を有する第１の半導体層と、発光層と、第２の半導体型を有する第２の半導体層とがこの順で積層された積層体であって、上記第１の半導体層の上記発光層とは反対側の面であり、上記発光層において生じた光が出射する光出射面と、上記第２の半導体層の上記発光層とは反対側の面である非光出射面と、上記光出射面と上記非光出射面の間を接続する側面とを有し、上記側面は上記積層体の層面方向に対して垂直な方向から上記側面間の距離が上記光出射面に向かって広がるように傾斜している。  上記第１の電極は、上記第１の半導体層に電気的に接続された第１の電極であって、上記第１の半導体層の周縁において上記光出射面に設けられた凹部に配置され、上記光出射面よりも上記発光層側に位置する部分を有する。  上記第２の電極は、上記積層体の上記非光出射面側に設けられ、上記第２の半導体に電気的に接続されている。  上記第３の電極は、上記積層体の上記非光出射面側に設けられ、上記第２の電極と絶縁されている。  上記側面配線は、上記側面を介して上記第１の電極と上記第３の電極を電気的に接続する。【０００９】  この構成によれば、積層体の側面を上記のように傾斜させることにより、第１の電極を発光素子の中央部に寄せることができ、発光素子の素子面積の縮小（チップシュリンク）が可能である。また、第１の電極と第１の半導体層の接触面積が増加し、第１の電極と第１の半導体層の電気的接続を安定化することが可能である。【００１０】  上記凹部の上記光出射面からの深さは、上記第１の電極と上記発光層の間の上記第１の半導体層の厚みより大きくてもよい。【００１１】  上記第１の電極は、全体が上記光出射面よりも上記発光層側に位置してもよい。【００１２】  上記第１の電極は、上記光出射面よりも上記発光層側に位置する第１の部分と、上記光出射面上に設けられ、上記光出射面に被さる第２の部分とを有してもよい。【００１３】  上記第１の半導体層は、上記光出射面側に高純度不純物領域を有し、上記第２の部分は上記高純度不純物領域に接触してもよい。【００１４】  上記発光素子は、上記光出射面上に積層された透明導電性材料からなる透明導電層をさらに具備し、上記第２の部分は上記透明導電層に接触してもよい。【００１５】  上記第１の電極は、上記側面配線の上記光出射面側の端面に接触してもよい。【００１６】  上記第１の電極は、上記側面配線の上記積層体側の面である内面に接触してもよい。【００１７】  上記第１の部分は、上記側面配線の上記積層体側の面である内面と、上記側面配線の上記光出射面側の端面に接触してもよい。【００１８】  上記発光素子は、複数の上記第１の電極を備えてもよい。【００１９】  上記目的を達成するため、本技術に係る電子機器は、発光素子を具備する。上記発光素子は、第１の半導体型を有する第１の半導体層と、発光層と、第２の半導体型を有する第２の半導体層とがこの順で積層された積層体であって、上記第１の半導体層の上記発光層とは反対側の面であり、上記発光層において生じた光が出射する光出射��と、上記第２の半導体層の上記発光層とは反対側の面である非光出射面と、上記光出射面と上記非光出射面の間を接続する側面とを有し、上記側面は上記積層体の層面方向に対して垂直な方向から上記側面間の距離が上記光出射面に向かって広がるように傾斜している積層体と、上記第１の半導体層に電気的に接続された第１の電極であって、上記第１の半導体層の周縁において上記光出射面に設けられた凹部に配置され、上記光出射面よりも上記発光層側に位置する部分を有する第１の電極と、上記積層体の上記非光出射面側に設けられ、上記第２の半導体に電気的に接続された第２の電極と、上記積層体の上記非光出射面側に設けられ、上記第２の電極と絶縁された第３の電極と、上記側面を介して上記第１の電極と上記第３の電極を電気的に接続する側面配線とを備える。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本技術の実施形態に係る発光素子の断面図である。
【図２】本技術の実施形態に係る発光素子の平面図である。
【図３】本技術の実施形態に係る発光素子が備える積層体の断面図である。
【図４】本技術の実施形態に係る発光素子の効果を示す模式図である。
【図５】本技術の実施形態に係る発光素子の断面図である。
【図６】本技術の実施形態に係る発光素子が備える積層体の断面図である。
【図７】本技術の実施形態に係る発光素子の断面図である。
【図８】本技術の実施形態に係る発光素子の断面図である。
【図９】本技術の実施形態に係る発光素子の断面図である。
【図１０】本技術の実施形態に係る発光素子の断面図である。
【図１１】本技術の実施形態に係る発光素子の断面図である。
【図１２】本技術の実施形態に係る発光素子の断面図である。
【図１３】本技術の実施形態に係る発光素子の平面図である。
【図１４】本技術の実施形態に係る発光素子の平面図である。
【図１５】本技術の実施形態に係る発光素子の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】  本技術の実施形態に係る発光素子について説明する。
【００２２】  ［発光素子の構造］  図１は本技術の実施形態に係る発光素子１００の構造を示す断面図であり、図２は発光素子の平面図である。図１は、図２のＡ−Ａ線での断面図である。
【００２３】  発光素子１００はＬＥＤ（light emitting diode）であり、特に好適にはマイクロＬＥＤである。
【００２４】  図１及び図２に示すように、発光素子１００は、第１半導体層１０１、発光層１０２、第２半導体層１０３、コンタクト層１０４、絶縁層１０５、側面配線１０６、第１電極１０７、第２電極１０８及び第３電極１０９を備える。
【００２５】  第１半導体層１０１、発光層１０２及び第２半導体層１０３はこの順で積層され、積層体１１０を構成する。以下、第１半導体層１０１、発光層１０２及び第２半導体層１０３の層面方向をＸ−Ｙ方向とし、積層方向をＺ方向とする。
【００２６】  第１半導体層１０１は、ｐ型半導体又はｎ型半導体からなる。第１半導体層１０１はｐ型半導体の場合、例えばキャリア濃度１×１０１７〜１×１０１８ｃｍ3のｐ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなるものとすることができる。また、第１半導体層１０１がｎ型半導体の場合、例えばキャリア濃度１×１０１８ｃｍ3のｎ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなるものとすることができる。
【００２７】  発光層１０２は、電子と正孔の再結合による発光を生じる層である。発光層１０２は、例えばＩｎＧａＰからなる量子井戸層と（Ａｌ０．６Ｇａ０．４）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる障壁層を交互に複数層積層した量子井戸構造を有するものとすることができる。また、発光層１０２はこの他にも再結合による発光を生じる構造であればよい。
【００２８】  第２半導体層１０３は、ｎ型半導体又はｐ型半導体のうち、第１半導体層１０１とは半導体型が異なる半導体からなる。第２半導体層１０３はｎ型半導体からなる場合、例えばキャリア濃度１×１０１８ｃｍ3のｎ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなるものとすることができる。また、第２半導体層１０３はｐ型半導体からなる場合、例えばキャリア濃度１×１０１７〜１×１０１８ｃｍ3のｐ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなるものとすることができる。
【００２９】  積層体１１０では、第１半導体層１０１と第２半導体層１０３の間に電圧が印加されると、発光層１０２において発光が生じる。光は第１半導体層１０１を透過して出射される。以下、第1半導体層１０１の表面であって、発光層１０２とは反対側の面を光出射面１０１ａとする。また、第２半導体層１０３の表面であって発光層１０２とは反対側の面を非光出射面１０３ａとする。
【００３０】  図３は、積層体１１０のみを示す断面図である。同図に示すように、積層体１１０は、光出射面１０１ａと非光出射面１０３ａの間を接続する側面１１０ａを有する。
【００３１】  側面１１０ａは、積層体１１０の層面方向（Ｘ−Ｙ方向）に対して垂直な方向（Ｚ方向）から、側面１１０ａ間の距離が光出射面１０１ａに向かって広がるように傾斜している。即ち、層面方向（Ｘ−Ｙ方向）と側面１１０ａがなす角をθとすると、θは９０°未満である。
【００３２】  また、図３に示すように、第１半導体層１０１の周縁には凹部１０１ｂが設けられている。凹部１０１ｂは光出射面１０１ａから所定の深さに掘り下げられて形成され、凹部１０１ｂの深さｔは光出射面１０１ａから発光層１０２の間とすることができる。具体的には、深さｔは３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下とすることができる。
【００３３】  図３に示すように凹部１０１ｂの内周面のうち、層面方向（Ｘ−Ｙ方向）に平行な面を底面１０１ｃとし、積層方向（Ｚ方向）に平行な面を側面１０１ｄとする。
【００３４】  図１に示すように凹部１０１ｂには第１電極１０７が設けられる。凹部１０１ｂの数や配置は後述するように種々の構成とすることができる。
【００３５】  コンタクト層１０４は、第２半導体層１０３と第２電極１０８の間に設けられ、第２半導体層１０３と第２電極１０８を電気的に接続する。コンタクト層１０４は導電性材料からなり、第２半導体層１０３がｎ型半導体の場合にはｎ型ＧａＡｓ、第２半導体層１０３がｐ型半導体の場合にはｐ型ＧａＡｓ、ｐ型ＧａＰ又はｐ型ＡｌＧａＡｓ等からなるものとすることができる。
【００３６】  絶縁層１０５は、積層体１１０の非光出射面１０３ａ及び側面１１０ａを被覆し、絶縁する。絶縁層１０５は、透明絶縁性材料からなり、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮ又はＡｌ２Ｏ３等からなるものとすることができる。非光出射面１０３ａ上では非光出射面１０３ａに連通する開口１０５ａが設けられ、開口１０５ａ内にコンタクト層１０４が設けられている。
【００３７】  側面配線１０６は、側面１１０ａ上において絶縁層１０５上に配置され、側面１１０ａを介して第１電極１０７と第３電極１０９を電気的に接続する。側面配線１０６は、図１に示すように、光出射面１０１ａ側の端面１０６ａが第１電極１０７に接触することにより、第１電極１０７に接続されている。また、側面配線１０６は、発光層１０２から放出された光を光出射面１０１ａ側に反射する光反射体としても機能する。
【００３８】  側面配線１０６は、導電性及び光反射性を有する材料からなり、例えばＡｕからなるものとすることができる。側面配線１０６の厚みは例えば３００ｎｍ以上４００ｍ以下とすることができる。なお、側面配線１０６は、スパッタリングにより形成することができるが、上記のように側面１１０ａが傾斜しているため、側面１１０ａが傾斜していない場合に比べて非光出射面１０３ａ側から容易に形成することが可能である。
【００３９】  第１電極１０７は、第１半導体層１０１に電気的に接続され、側面配線１０６を介して第３電極１０９に電気的に接続されている。第１電極１０７は、凹部１０１ｂに配置され、光出射面１０１ａよりも発光層１０２側に位置する。図１では第１電極１０７は全体が光出射面１０１ａよりも発光層１０２側に位置しているが、後述するように第１電極１０７は一部が光出射面１０１ａよりも発光層１０２側に位置するものであってもよい。第１電極１０７は、凹部１０１ｂの底面１０１ｃ及び側面１０１ｄに接触する形状とすることができる。
【００４０】  発光素子１００は、図２に示すように２つの第１電極１０７を備えるものとすることができる。また、発光素子１００は１つの第１電極１０７を備えるものでもよく、３つ以上の第１電極１０７を備えるものであってもよい。
【００４１】  第１電極１０７は、導電性を有する材料からなり、第１半導体層１０１がｐ型の場合にはｐ型ＧａＡｓ、ｐ型ＧａＰ又はｐ型ＡｌＧａＡｓからなり、第１半導体層１０１がｎ型の場合には、ｎ型ＧａＡｓからなるものとすることができる。第１電極１０７の厚みは、凹部１０１ｂの深さと同程度が好適であり、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下とすることができる。
【００４２】  第２電極１０８は、積層体１１０の非光出射面１０３ａ側に設けられ、第２半導体層１０３に電気的に接続される。第２電極１０８は、コンタクト層１０４上に形成され、コンタクト層１０４を介して第２半導体層１０３に電気的に接続されているものとすることができる。第２電極１０８は導電性を有する材料からなり、例えばＡｕからなるものとすることができる。
【００４３】  第３電極１０９は、積層体１１０の非光出射面１０３ａ側に設けられ、第２電極１０８と絶縁されている。第３電極１０９は絶縁層１０５上において第２電極１０８とは離間して設けられているものとすることができる。第３電極１０９は、側面配線１０６を介して第１電極１０７に電気的に接続され、即ち第１半導体層１０１に電気的に接続されている。第３電極１０９は導電性を有する材料からなり、例えばＡｕからなるものとすることができる。
【００４４】  発光素子１００は以上のような構成を有する。第１半導体層１０１及び第２半導体層１０３にそれぞれ電気的に接続された第２電極１０８及び第３電極１０９は、積層体１１０に対して非光出射面１０３ａ側の同一面上に設けられている。これにより、片面電極構造が実現されている。
【００４５】  ［発光素子による効果］  発光素子１００による効果について説明する。図４は、発光素子１００の効果を示す図であり、比較例に係る発光素子２００及び発光素子３００と本実施形態に係る発光素子１００のサイズを比較した図である。
【００４６】  発光素子２００は、第１半導体層２０１、発光層２０２、第２半導体層２０３、コンタクト層２０４、絶縁層２０５、側面配線２０６、第１電極２０７、第２電極２０８及び第３電極２０９を備える。第１半導体層２０１、発光層２０２及び第２半導体層２０３が積層されて積層体２１０が構成されている。
【００４７】  発光素子２００の構造では、積層体２１０の側面２１０ａは層面方向に対して垂直となっている。発光素子２００では製造工程において第１電極２０７を形成後、その上に側面配線２０６を形成する必要がある。
【００４８】  発光素子３００は、第１半導体層３０１、発光層３０２、第２半導体層３０３、コンタクト層３０４、絶縁層３０５、側面配線３０６、第１電極３０７、第２電極３０８及び第３電極３０９を備える。第１半導体層３０１、発光層３０２及び第２半導体層３０３が積層されて積層体３１０が構成されている。
【００４９】  発光素子３００は、発光素子２００と同じ素子幅Ｈ１を有し、積層体３１０の側面３１０ａを傾斜させた構造を有する。この構造では、側面３１０ａを傾斜させることにより、発光層３０２で生じた光を光出射面３０１ａに向けて反射させ、発光効率を向上させることができる。
【００５０】  また、第１電極３０７上に側面配線３０６を形成する必要がなく、製造工程数を削減することができる。
【００５１】  発光素子１００は、この発光素子３００の構成に対してさらに素子幅を縮小することが可能である。
【００５２】  図４に示すように、発光素子１００では、発光素子３００に対して第１電極１０７が光出射面１０１ａよりも発光層１０２側に移動して配置されている。発光層１０２からの第１電極１０７の移動距離は凹部１０１ｂの深さｔに等しい。
【００５３】  第１電極１０７を発光層１０２側に移動させることにより、光出射面１０１ａの面積（図中、幅Ｓ）を維持したまま、側面１１０ａの傾斜に沿って第１電極１０７を発光素子１００の中央部へ寄せることが可能となる。具体的には、図４に示すように、発光素子３００に対する発光素子１００での寄せ幅を幅ｗとすると、幅ｗはｔ／ｔａｎθとなる。これにより発光素子１００の幅は幅Ｈ１から幅Ｈ２に縮小される。
【００５４】  このように発光素子１００では、素子幅の縮小（チップシュリンク）が可能である。さらに、側面１１０ａを傾斜させることにより、光取出し効率の向上も実現されている。
【００５５】  ［第１電極の配置について］  第１電極１０７は、より発光層１０２に接近させて配置してもよい。図５は、第１電極１０７をより発光層１０２に接近させた発光素子１００の断面図であり、図６はこの場合の積層体１１０の断面図である。
【００５６】  図６に示すように、凹部１０１ｂは、上記深さｔよりさらに深い、深さｔ２を有する。第１電極１０７（図５参照）と発光層１０２の間の第１半導体層１０１の厚みを厚みｄとすると、深さｔ２は厚みｄより大きいものとすることができる。具体的には、深さｔ２は例えば１１００ｎｍ以上１３００ｎｍとすることができる。
【００５７】  なお、深さｔ２は発光層１０２に到達しない深さとする。凹部１０１ｂが発光層１０２に到達すると、発光層１０２の体積が減少し、発光効率が低下するためである。また、凹部１０１ｂの形成時に発光層１０２にダメージが生じるおそれもある。
【００５８】  この構成では、第１電極１０７を発光層１０２により接近させることにより、第１電極１０７をさらに素子中央部に寄せ、素子面積を低減させることが可能である。具体的には、上記比較例に係る発光素子３００の幅Ｈ１に対する縮小幅を幅ｗ２とすると、幅ｗ２はｔ２／ｔａｎθとなる。これにより発光素子１００の幅は幅Ｈ１から幅Ｈ３に縮小される。
【００５９】  さらに、第１電極１０７を発光層１０２により接近させることにより、凹部１０１ｂの側面１０１ｄの面積が増加し、第１電極１０７と第１半導体層１０１の接触面積が増加するため、第１電極１０７と第１半導体層１０１の接触抵抗を低減させることが可能である。
【００６０】  また、第１電極１０７は、凹部１０１ｂの内部から光出射面１０１ａ上にわたって配置してもよい。図７は、光出射面１０１ａ上にわたって形成された第１電極１０７を示す断面図である。
【００６１】  同図に示すように、第１電極１０７は、第１部分１０７ａと第２部分１０７ｂを有する。第１部分１０７ａは、凹部１０１ｂ内に配置され、光出射面１０１ａよりも発光層１０２側に位置する部分である。
【００６２】  第２部分１０７ｂは、第１部分１０７ａから光出射面１０１ａ上に延伸され、光出射面１０１ａに被さる部分である。第２部分１０７ｂは、光出射面１０１ａを遮蔽しないように光出射面１０１ａの周縁上に設けられている。
【００６３】  第２部分１０７ｂが光出射面１０１ａ上にも形成されることにより、第１電極１０７と第１半導体層１０１の接触面積がさらに向上し、第１電極１０７と第１半導体層１０１の接触抵抗をより低減させることが可能である。
【００６４】  また、底面１０１ｃの幅を小さくすることにより、第１電極１０７による光出射面１０１ａの遮蔽面積を抑制し、光出射面１０１ａの面積（図中、幅Ｓ）を維持することが可能である。
【００６５】  さらに、第１電極１０７が光出射面１０１ａ上に形成される場合、第１半導体層１０１の表面に高不純物領域を形成してもよい。図８は、第１半導体層１０１の表面に高不純物領域１０１ｅが形成された発光素子１００の断面図である。
【００６６】  高不純物領域１０１ｅは、不純物を多量にドープした領域である。第１半導体層１０１がｐ型半導体からなる場合には、Ｚｎ又はＣ等のｐ型ドーパントを多量にドープした領域とすることができる。また、第１半導体層１０１がｎ型半導体からなる場合には、Ｓｉ等のｎ型ドーパントを多量にドープした領域とすることができる。
【００６７】  第１半導体層１０１の表面に高不純物領域１０１ｅを設けることにより、第１電極１０７と第１半導体層１０１の接触電圧を安定させ、かつ低減させることが可能である。
【００６８】  なお、高不純物領域１０１ｅに代えて第１半導体層１０１上に透明導体層を積層してもよい。図９は、透明導体層１１１を備える発光素子１００の断面図である。透明導体層１１１はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の光透過性を有する導電性誘電材料からなるものとすることができる。
【００６９】  第１電極１０７の第２部分１０７ｂを透明導体層１１１に接触させることにより、第１電極１０７と第１半導体層１０１の接触電圧を安定させ、かつ低減させることが可能である。
【００７０】  ［第１電極と側面配線の接続について］  上記説明では、第１電極１０７は側面配線１０６の端面１０６ａに接触する（図１参照）としたが、側面配線１０６の端面１０６ａ以外の部分に接触する構成であってもよい。
【００７１】  図１０は、第１電極１０７が側面配線１０６の内面１０６ｂに接触する構成を示す模式図である。内面１０６ｂは、側面配線１０６の表面のうち積層体１１０側の面である。同図に示すように、側面配線１０６を第１電極１０７よりも光出射面１０１ａ側に延伸させ、第１電極１０７の端面を内面１０６ｂ（膜面）に接触させることができる。
【００７２】  第１電極１０７が端面１０６ａに接触する構成では、側面配線１０６の厚みを薄くすると第１電極１０７と側面配線１０６の接触面積が減少する。これに対し、第１電極１０７が内面１０６ｂに接触する構成では、側面配線１０６の厚みを薄くしても第１電極１０７と側面配線１０６の接触面積が減少しない。
【００７３】  このため、第１電極１０７と側面配線１０６の電気的接続の安定性を維持したままで側面配線１０６を薄くすることができ、その分素子面積を低減させることが可能となる。
【００７４】  さらに、第１電極１０７は、側面配線１０６の内面１０６ｂと端面１０６ａの両者に接触させてもよい。図１１は、第１電極１０７が側面配線１０６の内面１０６ｂ及び端面１０６ａに接触する構成を示す模式図である。
【００７５】  この構成では、第１電極１０７と側面配線１０６の電気的接続を安定させ、接触抵抗をさらに低減することが可能である。
【００７６】  また、この構成において第１電極１０７は、光出射面１０１ａに被さる第２部分１０７ｂを有してもよい。図１２は、第１電極１０７が内面１０６ｂ及び端面１０６ａに接触し、かつ光出射面１０１ａに被さる構成を示す模式図である。
【００７７】  光出射面１０１ａには高不純物領域１０１ｅが設けられている。この構成では、高不純物領域１０１ｅと第１電極１０７の接触抵抗を低減し、かつ第１電極１０７と側面配線１０６の接触抵抗を低減させることが可能である。
【００７８】  なお、光出射面１０１ａには高不純物領域１０１ｅに代えて透明導体層１１１を積層してもよく、高不純物領域１０１ｅ及び透明導体層１１１が設けられてなくてもよい。
【００７９】  ［第１電極の平面配置について］  第１電極１０７の平面配置は図２に示すものに限られない。図１３乃至図１５は第１電極１０７の配置例を示す模式図である。図１３及び図１４に示すように第１電極１０７は発光素子１００の４辺にそれぞれ設けられてもよい。また、図１５に示すように、発光素子１００の周縁を囲むように設けられてもよい。
【００８０】  それぞれの第１電極１０７は、上記説明したいずれかの構造とすることができる。４辺の全てに第１電極１０７を設けることより４辺の全てで素子幅を縮小させることが可能となる。なお、発光素子１００の平面形状は四角形に限られず、多角形や円形であってもよい。
【００８１】  ［電子機器について］  発光素子１００は、ディスプレイの画素や照明の光源、その他の各種電子機器に搭載される発光素子として利用することが可能である。上述のように発光素子１００は光出射面１０１ａの面積を維持したまま素子面積の縮小が可能であり、高密度で実装することができる。また、安定した電気的接続が実現されており、消費電力の低減も可能である。
【００８２】  なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
【００８３】  （１）  第１の半導体型を有する第１の半導体層と、発光層と、第２の半導体型を有する第２の半導体層とがこの順で積層された積層体であって、上記第１の半導体層の上記発光層とは反対側の面であり、上記発光層において生じた光が出射する光出射面と、上記第２の半導体層の上記発光層とは反対側の面である非光出射面と、上記光出射面と上記非光出射面の間を接続する側面とを有し、上記側面は上記積層体の層面方向に対して垂直な方向から上記側面間の距離が上記光出射面に向かって広がるように傾斜している積層体と、  上記第１の半導体層に電気的に接続された第１の電極であって、上記第１の半導体層の周縁において上記光出射面に設けられた凹部に配置され、上記光出射面よりも上記発光層側に位置する部分を有する第１の電極と、  上記積層体の上記非光出射面側に設けられ、上記第２の半導体に電気的に接続された第２の電極と、  上記積層体の上記非光出射面側に設けられ、上記第２の電極と絶縁された第３の電極と、  上記側面を介して上記第１の電極と上記第３の電極を電気的に接続する側面配線と  を具備する発光素子。
【００８４】  （２）  上記（１）に記載の発光素子であって、  上記凹部の上記光出射面からの深さは、上記第１の電極と上記発光層の間の上記第１の半導体層の厚みより大きい  発光素子。
【００８５】  （３）  上記（１）又は（２）に記載の発光素子であって、  上記第１の電極は、全体が上記光出射面よりも上記発光層側に位置する  発光素子。
【００８６】  （４）  上記（１）又は（２）に記載の発光素子であって、  上記第１の電極は、上記光出射面よりも上記発光層側に位置する第１の部分と、上記光出射面上に設けられ、上記光出射面に被さる第２の部分とを有する  発光素子。
【００８７】  （５）  上記（４）に記載の発光素子であって、  上記第１の半導体層は、上記光出射面側に高純度不純物領域を有し、上記第２の部分は上記高純度不純物領域に接触する  発光素子。
【００８８】  （６）  上記（４）に記載の発光素子であって、  上記光出射面上に積層された透明導電性材料からなる透明導電層をさらに具備し、上記第２の部分は上記透明導電層に接触する  発光素子。
【００８９】  （７）  上記（１）から（４）のいずれか一つに記載の発光素子であって、  上記第１の電極は、上記側面配線の上記光出射面側の端面に接触する  発光素子。
【００９０】  （８）  上記（１）から（７）のいずれか一つに記載の発光素子であって、  上記第１の電極は、上記側面配線の上記積層体側の面である内面に接触する  発光素子。
【００９１】  （９）  上記（４）から（６）のいずれか一つに記載の発光素子であって、  上記第１の部分は、上記側面配線の上記積層体側の面である内面と、上記側面配線の上記光出射面側の端面に接触する  発光素子。
【００９２】  （１０）  上記（１）から（９）のいずれか一つに記載の発光素子であって、  複数の上記第１の電極を備える  発光素子。
【００９３】  （１１）  第１の半導体型を有する第１の半導体層と、発光層と、第２の半導体型を有する第２の半導体層とがこの順で積層された積層体であって、上記第１の半導体層の上記発光層とは反対側の面であり、上記発光層において生じた光が出射する光出射面と、上記第２の半導体層の上記発光層とは反対側の面である非光出射面と、上記光出射面と上記非光出射面の間を接続する側面とを有し、上記側面は上記積層体の層面方向に対して垂直な方向から上記側面間の距離が上記光出射面に向かって広がるように傾斜している積層体と、上記第１の半導体層に電気的に接続された第１の電極であって、上記第１の半導体層の周縁において上記光出射面に設けられた凹部に配置され、上記光出射面よりも上記発光層側に位置する部分を有する第１の電極と、上記積層体の上記非光出射面側に設けられ、上記第２の半導体に電気的に接続された第２の電極と、上記積層体の上記非光出射面側に設けられ、上記第２の電極と絶縁された第３の電極と、上記側面を介して上記第１の電極と上記第３の電極を電気的に接続する側面配線とを備える発光素子  を具備する電子機器。
【符号の説明】
【００９４】  １００…発光素子  １０１…第１半導体層  １０１ａ…光出射面  １０１ｂ…凹部  １０１ｅ…高不純物領域  １０２…発光層  １０３…第２半導体層  １０３ａ…非光出射面  １０６…側面配線  １０６ａ…端面  １０６ｂ…内面  １０７…第１電極  １０７ａ…第１部分  １０７ｂ…第２部分  １０８…第２電極  １０９…台電極  １１０…積層体  １１０ａ…側面  １１１…透明導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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