(57)【要約】  基板と、前記基板上に設けられた発光素子と、前記基板上に設けられ、前記基板側から多層配線層および半導体層をこの順に有し、かつ、前記発光素子からの光の入射を抑える遮光部を有する半導体素子とを備え、前記遮光部は、前記半導体層を間にして前記基板に対向する第１遮光面と、前記第１遮光面と前記多層配線層との間に、前記第１遮光面に交差する方向に配置された第２遮光面とを含む発光装置。
2020045147.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた発光素子と、
前記基板上に設けられ、前記基板側から多層配線層および半導体層をこの順に有し、かつ、前記発光素子からの光の入射を抑える遮光部を有する半導体素子とを備え、
前記遮光部は、
前記半導体層を間にして前記基板に対向する第１遮光面と、
前記第１遮光面と前記多層配線層との間に、前記第１遮光面に交差する方向に配置された第２遮光面とを含む
発光装置。
【請求項２】
前記遮光部は、前記半導体素子の周縁よりも内側に設けられている
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第２遮光面は、前記半導体素子のうち、少なくとも前記発光素子に臨む位置に設けられている
請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第２遮光面は、前記半導体素子の全周にわたって設けられている
請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
複数の前記第２遮光面を有する
請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
複数の前記第２遮光面は、互いに接して配置されている
請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記半導体層は溝を有し、
前記溝内に、前記第２遮光面が配置されている
請求項１に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第２遮光面は前記第１遮光面に接している
請求項１に記載の発光装置。
【請求項９】
前記遮光部は、更に、前記第２遮光面を間にして前記第１遮光面に対向する第３遮光面を有する
請求項１に記載の発光装置。
【請求項１０】
更に、前記発光素子と前記半導体素子との間に設けられ、前記発光素子から前記半導体素子への光の入射を抑える遮光部材を有する
請求項１に記載の発光装置。
【請求項１１】
更に、前記基板上に設けられ、前記発光素子および前記半導体素子を覆う保護層と、
前記保護層を間にして前記基板に対向し、かつ、前記発光素子に対向する位置に開口を有する遮光膜とを有する
請求項１に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記遮光膜は、前記発光素子と前記半導体素子との間の前記保護層の厚み方向に埋設されている
請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記保護層は、前記半導体素子に対向する厚膜部と、前記発光素子に対向するとともに、前記厚膜部よりも厚みの小さい薄膜部とを有する
請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１４】
前記遮光膜は、前記薄膜部と前記厚膜部との間の段差を覆っている
請求項１３に記載の発光装置。
【請求項１５】
前記保護層の表面には、複数の凹凸が設けられている
請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１６】
前記保護層は、前記基板側から順に、低屈折率膜および高屈折率膜を含む
請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１７】
前記遮光部は、金属材料または樹脂材料を含む
請求項１に記載の発光装置。
【請求項１８】
前記遮光部は、無機絶縁材料を含む
請求項１に記載の発光装置。
【請求項１９】
前記遮光部の少なくとも一部は、厚み５００ｎｍ以上を有する
請求項１８に記載の発光装置。
【請求項２０】
発光装置を備え、
前記発光装置は、
基板と、
前記基板上に設けられた発光素子と、
前記基板上に設けられ、前記基板側から多層配線層および半導体層をこの順に有し、かつ、前記発光素子からの光の入射を抑える遮光部を有する半導体素子とを備え、
前記遮光部は、
前記半導体層を間にして前記基板に対向する第１遮光面と、
前記第１遮光面と前記多層配線層との間に、前記第１遮光面に交差する方向に配置された第２遮光面とを含む
表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、基板上に発光素子および半導体素子を有する発光装置および表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）等の発光素子は、様々な装置に適用されている（例えば、特許文献１参照）。このような装置では、例えば、基板上に、複数の発光素子とともに、複数の半導体素子が設けられている。半導体素子は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）チップ等である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−９８５７１号公報
【発明の概要】
【０００４】
このような発光素子および半導体素子を有する発光装置では、信頼性の低下を抑えることが望まれている。
【０００５】
したがって、信頼性の低下を抑えることが可能な発光装置、およびこの発光装置を備えた表示装置を提供することが望ましい。
【０００６】
本技術の一実施の形態に係る発光装置は、基板と、基板上に設けられた発光素子と、基板上に設けられ、基板側から多層配線層および半導体層をこの順に有し、かつ、発光素子からの光の入射を抑える遮光部を有する半導体素子とを備え、遮光部は、半導体層を間にして基板に対向する第１遮光面と、第１遮光面と多層配線層との間に、第１遮光面に交差する方向に配置された第２遮光面とを含むものである。
【０００７】
本技術の一実施の形態に係る表示装置は、上記本技術の一実施の形態に係る発光装置を備えたものである。
【０００８】
本技術の一実施の形態に係る発光装置または表示装置では、半導体素子に、発光素子からの光の入射を抑える遮光部が設けられているので、発光素子から半導体素子への光の入射が抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本技術の第１の実施の形態に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。
【図２】図１に示した表示装置の全体の回路構成の一例を表す図である。
【図３】図１に示した駆動ＩＣを拡大して表す断面模式図である。
【図４Ａ】図３に示した駆動ＩＣの端子領域の構成を表す断面模式図である。
【図４Ｂ】図３に示した駆動ＩＣと基板とを接続するバンプの構成を表す断面模式図である。
【図５】図３に示した第１遮光面の構成を表す平面模式図である。
【図６】図３に示した溝の構成を表す平面模式図である。
【図７】図６に示した溝の平面構成の他の例（１）を表す模式図である。
【図８】図６に示した溝の平面構成の他の例（２）を表す模式図である。
【図９Ａ】図３に示した溝の断面構成の他の例（１）を表す模式図である。
【図９Ｂ】図３に示した溝の断面構成の他の例（２）を表す模式図である。
【図９Ｃ】図３に示した溝の断面構成の他の例（３）を表す模式図である。
【図１０】図３に示した遮光部の断面構成の他の例（１）を表す模式図である。
【図１１】図３に示した遮光部の断面構成の他の例（２）を表す模式図である。
【図１２Ａ】図３に示した遮光部の断面構成の他の例（３）を表す模式図である。
【図１２Ｂ】図３に示した遮光部の断面構成の他の例（４）を表す模式図である。
【図１３Ａ】図３に示した駆動ＩＣの製造方法の一工程を表す断面模式図である。
【図１３Ｂ】図１３Ａに続く工程を表す断面模式図である。
【図１３Ｃ】図１３Ｂに続く工程を表す断面模式図である。
【図１３Ｄ】図１３Ｃに続く工程を表す断面模式図である。
【図１３Ｅ】図１３Ｄに続く工程を表す断面模式図である。
【図１３Ｆ】図１３Ｅに続く工程を表す断面模式図である。
【図１４】比較例に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。
【図１５】図１に示した発光素子から出射される光の経路の一例について説明するための断面模式図である。
【図１６】変形例１に係る駆動ＩＣの構成を表す断面模式図である。
【図１７】変形例２に係る駆動ＩＣの構成を表す断面模式図である。
【図１８】図１７に示した駆動ＩＣの構成の他の例を表す断面模式図である。
【図１９】図１８に示した遮光部の厚みと半導体層への光の透過率との関係を表す図である。
【図２０】図１７等に示した駆動ＩＣの製造方法の一工程を表す断面模式図である。
【図２１】図２０に示した駆動ＩＣの製造方法の他の例を表す断面模式図である。
【図２２】本技術の第２の実施の形態に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。
【図２３】図２２に示した表示装置の他の例を表す断面模式図である。
【図２４Ａ】図２２に示した表示装置の製造方法の一工程を表す断面模式図である。
【図２４Ｂ】図２４Ａに続く工程を表す断面模式図である。
【図２５】変形例３に係る表示装置の構成を表す断面模式図である。
【図２６】変形例４に係る表示装置の構成を表す断面模式図である。
【図２７】図２５に示した表示装置の他の例を表す断面模式図である。
【図２８】図２６に示した表示装置の他の例を表す断面模式図である。
【図２９】本技術の第３の実施の形態に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。
【図３０】図２９に示した表示装置の他の例を表す断面模式図である。
【図３１Ａ】図２９等に示した溝の平面構成を表す模式図である。
【図３１Ｂ】図２９等に示した溝の平面構成の他の例を表す模式図である。
【図３２】図２９等に示した溝の断面構成の他の例（１）を表す模式図である。
【図３３】図２９等に示した溝の断面構成の他の例（２）を表す模式図である。
【図３４Ａ】図２９等に示した表示装置が反射防止膜を有する例を表す断面模式図である。
【図３４Ｂ】図３４Ａに示した反射防止膜の構成の他の例を表す断面模式図である。
【図３５Ａ】図２９に示した表示装置の製造方法の一工程を表す断面模式図である。
【図３５Ｂ】図３５Ａに続く工程を表す断面模式図である。
【図３６】変形例５に係る表示装置の構成を表す断面模式図である。
【図３７】図３６に示した表示装置の他の例を表す断面模式図である。
【図３８】本技術の第４の実施の形態に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。
【図３９】図３８に示した表示装置の他の例を表す断面模式図である。
【図４０Ａ】図３８に示した表示装置の製造方法の一工程を表す断面模式図である。
【図４０Ｂ】図４０Ａに続く工程を表す断面模式図である。
【図４１】図４０Ａ，図４０Ｂに示した表示装置の製造方法の他の例（１）を表す断面模式図である。
【図４２Ａ】図３８に示した表示装置の製造方法の他の例（２）を表す断面模式図である。
【図４２Ｂ】図４２Ａに続く工程を表す断面模式図である。
【図４３Ａ】図３８に示した表示装置の製造方法の他の例（３）を表す断面模式図である。
【図４３Ｂ】図４３Ａに続く工程を表す断面模式図である。
【図４４】本技術の第５の実施の形態に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。
【図４５】図４４に示した表示装置の他の例（１）を表す断面模式図である。
【図４６】図４４に示した表示装置の他の例（２）を表す断面模式図である。
【図４７】本技術の第６の実施の形態に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。
【図４８】図４７に示した表示装置の他の例を表す断面模式図である。
【図４９】図４７等に示した遮光部材の断面構成の他の例を表す模式図である。
【図５０Ａ】図４７等に示した遮光部材の平面構成の一例を表す模式図である。
【図５０Ｂ】図５０Ａに示した遮光部材の平面構成の他の例（１）を表す模式図である。
【図５０Ｃ】図５０Ａに示した遮光部材の平面構成の他の例（２）を表す模式図である。
【図５１Ａ】図５０Ａに示した遮光部材の平面構成の他の例（３）を表す模式図である。
【図５１Ｂ】図５０Ａに示した遮光部材の平面構成の他の例（４）を表す模式図である。
【図５２Ａ】図４７等に示した表示装置の製造方法の一工程を表す断面模式図である。
【図５２Ｂ】図５２Ａに続く工程を表す断面模式図である。
【図５２Ｃ】図５２Ｂに続く工程を表す断面模式図である。
【図５２Ｄ】図５２Ｃに続く工程を表す断面模式図である。
【図５２Ｅ】図５２Ｄに続く工程を表す断面模式図である。
【図５３Ａ】図５２Ａ〜図５２Ｅに示した表示装置の製造方法の他の例を表す断面模式図である。
【図５３Ｂ】図５３Ａに続く工程を表す断面模式図である。
【図５３Ｃ】図５３Ｂに続く工程を表す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（遮光部を有する半導体素子を含む表示装置）
２．変形例１（遮光部が、第１遮光面および第２遮光面に加えて第３遮光面を有する例）
３．変形例２（遮光部が無機絶縁材料により構成されている例）
４．第２の実施の形態（厚膜部および薄膜部が設けられた保護層を有する表示装置）
５．変形例３（薄膜部の表面がレンズ形状を有する例）
６．変形例４（薄膜部内に掘込部を有する例）
７．第３の実施の形態（保護層の溝に埋設された遮光膜を有する表示装置）
８．変形例５（遮光膜が保護層の開口に埋設されている例）
９．第４の実施の形態（表面に複数の凹凸が設けられた保護層を有する表示装置）
１０．第５の実施の形態（低屈折率膜および高屈折率膜を含む保護層を有する表示装置）
１１．第６の実施の形態（発光素子と半導体素子との間に遮光部材を有する表示装置）
【００１１】
＜第１の実施の形態＞
（表示装置１の全体構成）
図１は、本技術の第１の実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の要部の断面構成を模式的に表したものである。この表示装置１は、例えば、基板１１上に、パッケージ１２および駆動ＩＣ１３を有している。パッケージ１２は、例えば、３つの発光素子（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）と、この発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂを被覆する保護体Ｐを含んでいる。表示装置１は、更に、基板１１上に、パッケージ１２および駆動ＩＣ１３を覆う保護層１４と、この保護層１４上の遮光膜１５とを有している。遮光膜１５には、パッケージ１２に対向する領域に開口１５Ａが設けられている。ここでは、駆動ＩＣ１３が、本技術の半導体素子の一具体例であり、表示装置１が、本技術の発光装置の一具体例である。
【００１２】
図２は、表示装置１の全体の回路構成の一例を表している。表示装置１には、例えば、複数の画素１０が行列状に配置されている。この複数の画素１０各々が、パッケージ１２および駆動ＩＣ１３を含んでいる。
【００１３】
表示装置１は、例えば列方向に延在する複数の信号線（データ線Ｓｉｇ）と、例えば行方向に延在する複数の選択線（ゲート線Ｇａｔｅ）とを有している。データ線Ｓｉｇおよびゲート線Ｇａｔｅは、例えば銅によって形成されている。
【００１４】
例えば、表示装置１は、更に、複数ののこぎり電圧線Ｓａｗと、複数の電源線ＶＤＤ１，ＶＤＤ２と、複数の参照電圧線Ｒｅｆ１，Ｒｅｆ２と、複数のグラウンド線ＧＮＤとを有している。各のこぎり電圧線Ｓａｗは、例えば、行方向に延在している。各電源線ＶＤＤ１、各電源線ＶＤＤ２、各参照電圧線Ｒｅｆ１、各参照電圧線Ｒｅｆ２および各グラウンド線ＧＮＤは、それぞれ、例えば、列方向に延在している。のこぎり電圧線Ｓａｗ、電源線ＶＤＤ１，ＶＤＤ２、参照電圧線Ｒｅｆ１，Ｒｅｆ２およびグラウンド線ＧＮＤの少なくとも１つについては、駆動方式によっては省略され得る。のこぎり電圧線Ｓａｗ、電源線ＶＤＤ１，ＶＤＤ２、参照電圧線Ｒｅｆ１，Ｒｅｆ２およびグラウンド線ＧＮＤは、例えば、銅によって形成されている。
【００１５】
各データ線Ｓｉｇは、映像信号に応じた信号が制御回路（図示せず）によって入力される配線である。映像信号に応じた信号は、例えば、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの発光輝度を制御するものである。複数のデータ線Ｓｉｇは、例えば、パッケージ１２の発光色数に対応した種類の配線からなる。パッケージ１２が、例えば３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の発光色を有する場合には、複数のデータ線Ｓｉｇは、例えば、複数のデータ線ＳｉｇＲと、複数のデータ線ＳｉｇＧと、複数のデータ線ＳｉｇＢとを含む。各データ線ＳｉｇＲは、赤色の映像信号に応じた信号が制御回路によって入力される配線である。各データ線ＳｉｇＧは、緑色の映像信号に応じた信号が制御回路によって入力される配線である。各データ線ＳｉｇＢは、青色の映像信号に応じた信号が制御回路によって入力される配線である。
【００１６】
パッケージ１２の発光色は、３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）に限られず、４色以上（Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｗ）であってもよい。複数のデータ線Ｓｉｇが、複数のデータ線ＳｉｇＲと、複数のデータ線ＳｉｇＧと、複数のデータ線ＳｉｇＢとを含む場合には、１つのデータ線ＳｉｇＲ、１つのデータ線ＳｉｇＧおよび１つのデータ線ＳｉｇＢからなる一組のデータ線Ｓｉｇが、例えば、１画素列ごとに割り当てられる。駆動方式によっては、上記の一組のデータ線Ｓｉｇは、複数画素列ごとに割り当てられる。また、駆動方式によっては、上記の一組のデータ線Ｓｉｇは、単一のデータ線Ｓｉｇに置き換えられ得る。
【００１７】
各ゲート線Ｇａｔｅは、パッケージ１２を選択する信号が制御回路によって入力される配線である。パッケージ１２を選択する信号は、例えば、データ線Ｓｉｇに入力された信号のサンプリングを開始するとともに、サンプリングされた信号をパッケージ１２に入力させ、パッケージ１２の発光を開始させる信号である。１つのゲート線Ｇａｔｅが、例えば、１画素行ごとに割り当てられる。
【００１８】
各のこぎり電圧線Ｓａｗは、例えば、のこぎり状の波形を有する信号が制御回路によって入力される配線である。のこぎり状の波形を有する信号は、サンプリングされた信号と対比され、例えば、のこぎり状の波形を有する信号の波高値が、サンプリングされた信号の波高値よりも高くなっている期間だけ、サンプリングされた信号がパッケージ１２に入力される。１つののこぎり電圧線Ｓａｗが、例えば、２画素行ごとに割り当てられる。
【００１９】
各電源線ＶＤＤ２は、パッケージ１２に対して供給される駆動電流が制御回路によって入力される配線である。１つの電源線ＶＤＤ２が、例えば、２画素列ごとに割り当てられる。各電源線ＶＤＤ１、各参照電圧線Ｒｅｆ１、各参照電圧線Ｒｅｆ２および各グラウンド線ＧＮＤは、固定の電圧が制御回路によって入力される配線である。
【００２０】
各グラウンド線ＧＮＤには、グラウンド電位が入力される。１つの電源線ＶＤＤ１が、例えば、２画素列ごとに割り当てられる。１つの参照電圧線Ｒｅｆ１が、例えば、２画素列ごとに割り当てられている。１つの参照電圧線Ｒｅｆ２が、例えば、２画素列ごとに割り当てられている。１つのグラウンド線ＧＮＤが、例えば、２画素列ごとに割り当てられる。
【００２１】
（表示装置１の各部の構成）
以下では、図１および図２を用いて、表示装置１の各部について具体的に説明する。
【００２２】
基板１１（図１）は、複数のパッケージ１２および複数の駆動ＩＣ１３を実装するためのものであり、例えばガラス基板または樹脂基板等により構成されている。プリント基板により基板１１が構成されていてもよい。基板１１には、上記回路を構成する配線が設けられていてもよい。
【００２３】
パッケージ１２の発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ（図１）は、例えば、互いに異なる波長域の光を出射する発光素子であり、無機半導体材料を含んでいる。例えば、発光素子１２Ｒは赤色波長域の光を出射するＬＥＤチップであり、発光素子１２Ｇは緑色波長域の光を出射するＬＥＤチップであり、発光素子１２Ｂは青色波長域の光を出射するＬＥＤチップである。この発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、例えば、ｎ型半導体層、ｐ型半導体層、ｎ型電極およびｐ型電極を含んでいる。発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂを覆う保護体Ｐは、例えば樹脂材料等により構成されている。
【００２４】
各画素１０では、パッケージ１２が駆動ＩＣ１３に電気的に接続されている（図２）。発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ各々の一方の電極（例えば、ｎ型電極）は、例えばパッド電極（図示せず）を介して駆動ＩＣ１３に電気的に接続されている。発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ各々の他方の電極（例えば、ｐ型電極）は、例えばパッド電極（図示せず）を介してグラウンド線ＧＮＤに電気的に接続されている。
【００２５】
パッケージ１２に電気的に接続された駆動ＩＣ１３は、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの発光を制御するためのものである。この駆動ＩＣ１３は、パッケージ１２に電気的に接続されるとともに、データ線Ｓｉｇ、電源線ＶＤＤ１およびゲート線Ｇａｔｅに電気的に接続されている（図２）。駆動ＩＣ１３の具体的な構成については、後述する。
【００２６】
保護層１４は、複数のパッケージ１２および複数の駆動ＩＣ１３を覆うように、例えば、基板１１の全面にわたって設けられている（図１）。この保護層１４は、パッケージ１２および駆動ＩＣ１３を保護するためのものであり、絶縁性の有機材料または絶縁性の無機材料等により構成されている。絶縁性の有機材料としては、例えば、シリコーン等が挙げられる。絶縁性の無機材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）および窒化シリコン（ＳｉＮ）等が挙げられる。
【００２７】
遮光膜１５は、保護層１４を間にして基板１１に対向している。この遮光膜１５は、いわゆるブラックマスクである。遮光膜１５に設けられた開口１５Ａは、各々のパッケージ１２（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）から出射された光を取り出すためのものであり、各々のパッケージ１２に対向する領域に配置されている。この開口１５Ａの大きさは、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから出射された光を十分に取り出すことができる程度の大きさである。遮光膜１５は、例えば、例えば、カーボンブラックを含有する樹脂材料等により構成されている。遮光膜１５は、例えば、チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），ニッケル（Ｎｉ），タングステン（Ｗ）およびモリブデン（Ｍｏ）等の金属材料により構成されていてもよい。
【００２８】
（駆動ＩＣ１３の構成）
次に、駆動ＩＣ１３の具体的な構成について説明する。
【００２９】
図３は、図１に示した駆動ＩＣ１３を基板１１とともに、拡大して表したものである。駆動ＩＣ１３は、例えば、基板１１側から、多層配線層１３１、半導体層１３２、無機絶縁層１３３および有機絶縁層１３４をこの順に有している。駆動ＩＣ１３は、例えば、２００μｍ四方程度の大きさを有している。
【００３０】
多層配線層１３１は、例えば、複数の配線１３１Ｗおよび層間絶縁膜１３１Ｚを含んでいる。複数の配線１３１Ｗは、互いに層間絶縁膜１３１Ｚにより分離されている。この多層配線層１３１の配線１３１Ｗが、例えば、上記データ線ＳｉｇＧ，ＳｉｇＲ，ＳｉｇＢ等に電気的に接続されている。例えば、駆動ＩＣ１３は、多層配線層１３１により基板１１に電気的に接続されている。
【００３１】
図４Ａ，図４Ｂは、基板１１に電気的に接続された駆動ＩＣ１３の構成の一例を表している。駆動ＩＣ１３は、図４Ａに示した多層配線層１３１の端子領域１３１ＷＡにより基板１１に電気的に接続されていてもよい。端子領域１３１ＷＡでは、例えば、配線１３１Ｗの一部が、層間絶縁膜１３１Ｚから露出されている。駆動ＩＣ１３は、図４Ｂに示したように、バンプ１３６により基板１１に電気的に接続されていてもよい。バンプ１３６は、例えば、多層配線層１３１と基板１１との間に配置されている。
【００３２】
多層配線層１３１と無機絶縁層１３３との間に設けられた半導体層１３２は、例えばシリコン（Ｓｉ）等により構成されている。無機絶縁層１３３は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）等により構成され、有機絶縁層１３４は、例えば、樹脂材料等により構成されている。
【００３３】
本実施の形態では、この駆動ＩＣ１３が、更に、遮光部１３５を有している。この遮光部１３５は、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ各々から出射された光が、当該駆動ＩＣ１３に入射するのを抑えるためのものである。詳細は後述するが、これにより、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから駆動ＩＣ１３に入射する光に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生を抑えることができる。
【００３４】
遮光部１３５は、例えば、半導体層１３２を間にして基板１１に対向する第１遮光面Ｓ１と、第１遮光面Ｓ１に交差する方向に配置された第２遮光面Ｓ２を含んでいる。第２遮光面Ｓ２は、第１遮光面Ｓ１と多層配線層１３１との間に設けられている。
【００３５】
図５は、第１遮光面Ｓ１の平面（図３のＸＹ平面）構成の一例を表している。
【００３６】
第１遮光面Ｓ１は、例えば、半導体層１３２と有機絶縁層１３４との間に、基板１１に略平行に設けられている（図３）。この第１遮光面Ｓ１は、無機絶縁層１３３に埋め込まれており、第１遮光面Ｓ１と半導体層１３２との間、および、第１遮光面Ｓ１と有機絶縁層１３４との間に無機絶縁層１３３が設けられている。第１遮光面Ｓ１は、例えば、四角形の平面形状を有している（図５）。第１遮光面Ｓ１は、駆動ＩＣ１３の周縁１３Ｅよりも内側に設けられている。周縁１３Ｅは、例えば、駆動ＩＣ１３を形成する際のチップ分離（後述の図１３Ｆの分離溝Ｇ）によって露出された面である。
【００３７】
第２遮光面Ｓ２は、例えば、第１遮光面Ｓ１に略垂直に設けられている（図３）。この第２遮光面Ｓ２は、無機絶縁層１３３から半導体層１３２にわたって設けられた溝１３２ｇに埋設されている。溝１３２ｇには、例えば、無機絶縁層１３３を介して第２遮光面Ｓ２が設けられている。溝１３２ｇは、例えば、無機絶縁層１３３から、多層配線層１３１と半導体層１３２との界面近傍まで設けられている。溝１３２ｇは、例えば、無機絶縁層１３３から多層配線層１３１に向かうに連れて徐々に細くなっている。即ち、溝１３２ｇに埋設された遮光材料の厚みは、無機絶縁層１３３から多層配線層１３１に向かうに連れて徐々に薄くなっている。第２遮光面Ｓ２の一端（図３の上側の端）は、例えば、第１遮光面Ｓ１に接しており、他端（図３の下側の端）は、多層配線層１３１と半導体層１３２との界面近傍に設けられていることが好ましい。これにより、遮光部１３５が当該駆動ＩＣ１３を十分に遮光することが可能となる。
【００３８】
図６は、溝１３２ｇの平面（図３のＸＹ平面）構成の一例を表している。
【００３９】
溝１３２ｇは、例えば、第１遮光面Ｓ１の周囲に沿って設けられ、四角形の平面形状を有している。溝１３２ｇは、駆動ＩＣ１３の全周にわたって設けられ、周縁１３Ｅよりも内側に配置されている。例えば、この溝１３２ｇに４つの第２遮光面Ｓ２（第２遮光面Ｓ２Ａ，Ｓ２Ｂ，Ｓ２Ｃ，Ｓ２Ｄ）が設けられている。換言すれば、この第２遮光面Ｓ２Ａ，Ｓ２Ｂ，Ｓ２Ｃ，Ｓ２Ｄは、駆動ＩＣ１３の全周にわたって設けられている。
【００４０】
第２遮光面Ｓ２Ａ，Ｓ２Ｂは、互いに略平行に設けられている。第２遮光面Ｓ２Ｃ，Ｓ２Ｄは、第２遮光面Ｓ２Ａと第２遮光面Ｓ２Ｂとの間に設けられ、第２遮光面Ｓ２Ａ，Ｓ２Ｂに接している。第２遮光面Ｓ２Ｃ，Ｓ２Ｄは、互いに略平行に設けられている。即ち、複数の第２遮光面Ｓ２（第２遮光面Ｓ２Ａ，Ｓ２Ｂ，Ｓ２Ｃ，Ｓ２Ｄ）は、互いに接している。これにより、駆動ＩＣ１３の全周にわたって第２遮光面Ｓ２Ａ，Ｓ２Ｂ，Ｓ２Ｃ，Ｓ２Ｄが隙間なく設けられるので、当該駆動ＩＣ１３が十分に遮光される。
【００４１】
図５および図６に示したＩＩＩ−ＩＩI’線に沿った断面構成が図３に対応している。
【００４２】
図７および図８は、溝１３２ｇの平面構成の他の例を表している。
【００４３】
図７に示したように、溝１３２ｇは、駆動ＩＣ１３の全周にわたって設けられていなくてもよい。例えば、略四角形の平面形状を有する駆動ＩＣ１３の３辺にわたって溝１３２ｇが設けられ、この溝１３２ｇに３つの第２遮光面Ｓ２（第２遮光面Ｓ２Ｂ，Ｓ２Ｃ，Ｓ２Ｄ）が設けられていてもよい。このとき、第２遮光面Ｓ２Ｂ，Ｓ２Ｃ，Ｓ２Ｄ（または溝１３２ｇ）は、駆動ＩＣ１３の周囲のうち、パッケージ１２に臨む位置（図７の右側）に設けられていることが好ましい。これにより、第２遮光面Ｓ２Ｂ，Ｓ２Ｃ，Ｓ２Ｄが、パッケージ１２（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）からの光を効果的に遮光することができる。
【００４４】
図８に示したように、溝１３２ｇは、連続して設けられていなくてもよい。互いに分断された複数の溝１３２ｇ各々に第２遮光面Ｓ２Ａ，Ｓ２Ｂ，Ｓ２Ｃ，Ｓ２Ｄが設けられていてもよい。
【００４５】
図９Ａ，図９Ｂおよび図９Ｃは、溝１３２ｇの断面構成の他の例を表している。
【００４６】
図９Ａに示したように、溝１３２ｇ（第２遮光面Ｓ２）は、無機絶縁層１３３から半導体層１３２を貫通して多層配線層１３１に達していてもよい。あるいは、図９Ｂに示したように、溝１３２ｇ（第２遮光面Ｓ２）は、無機絶縁層１３３から半導体層１３２と多層配線層１３１との間の界面近傍まで延在していなくてもよい。換言すれば、半導体層１３２の厚み方向の少なくとも一部に沿って、第２遮光面Ｓ２が設けられていればよい。
【００４７】
図９Ｃに示したように、溝１３２ｇは、無機絶縁層１３３から多層配線層１３１に向かうに連れて徐々に太くなっていてもよい。即ち、溝１３２ｇに埋設された遮光材料の厚みは、無機絶縁層１３３から多層配線層１３１に向かうに連れて徐々に厚くなっていてもよい。溝１３２ｇの形成方向によって、テーパの向きを変えることができる（後述）。
【００４８】
図１０，図１１，図１２Ａおよび図１２Ｂは、遮光部１３５（第１遮光面Ｓ１および第２遮光面Ｓ２）の断面構成の他の例を表している。
【００４９】
図１０に示したように、第１遮光面Ｓ１と第２遮光面Ｓ２とが離れ、これらの間に隙間が生じていてもよい。上記のように、第１遮光面Ｓ１と第２遮光面Ｓ２とが接していることにより、遮光部１３５は当該駆動ＩＣ１３を十分に遮光することが可能となる。しかし、駆動ＩＣ１３への光の入射量によっては、第１遮光面Ｓ１と第２遮光面Ｓ２との間に隙間が生じていても、十分な遮光が可能となる。
【００５０】
図１１に示したように、第１遮光面Ｓ１は、駆動ＩＣ１３の上面に露出されていてもよい。換言すれば、第１遮光面Ｓ１を覆う無機絶縁層１３３および有機絶縁層１３４が設けられていなくてもよい。
【００５１】
図１２Ａに示したように、第１遮光面Ｓ１が駆動ＩＣ１３の周縁１３Ｅに露出されていてもよい。あるいは、図１２Ｂに示したように、第２遮光面Ｓ２が駆動ＩＣ１３の周縁１３Ｅに露出されていてもよい。しかし、駆動ＩＣ１３の周縁１３Ｅの内側に遮光部１３５（第１遮光面Ｓ１および第２遮光面Ｓ２）を設けることにより、駆動ＩＣ１３の製造が容易となる（後述）。
【００５２】
このような第１遮光面Ｓ１および第２遮光面Ｓ２を含む遮光部１３５は、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから出射される波長域の光（例えば、可視領域の波長の光）に対して遮光性を有する材料により構成されている。例えば、遮光部１３５は、タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ）および銅（Ｃｕ）等の金属材料により構成されている。あるいは、遮光部１３５は、カーボンブラック等を含む樹脂材料等により構成されていてもよい。
【００５３】
（駆動ＩＣ１３の製造方法）
このような遮光部１３５を有する駆動ＩＣ１３は、例えば、以下のような方法で製造することができる（図１３Ａ〜図１３Ｆ）。
【００５４】
まず、図１３Ａに示したように、例えば、シリコン（Ｓｉ）からなる半導体層１３２上に多層配線層１３１を形成する。
【００５５】
図示は省略するが、多層配線層１３１を形成する前に、多層配線層１３１を形成する側の面から半導体層１３２に溝１３２ｇを形成するようにしてもよい。これにより、多層配線層１３１に向かうに連れて徐々に太くなる溝１３２ｇ（図９Ｃ）が形成される。
【００５６】
半導体層１３２上に多層配線層１３１を形成した後、図１３Ｂに示したように、例えば、接着剤５２を用いて、多層配線層１３１および半導体層１３２の積層体を仮基板５１に貼り合わせる。仮基板５１は、例えば、石英基板により構成されている。このとき、多層配線層１３１を間にして仮基板５１に半導体層１３２が対向するように貼り合わせる。次いで、半導体層１３２を所望の厚みまで薄くする。
【００５７】
続いて、図１３Ｃに示したように、無機絶縁層１３３および遮光部１３５を形成する。具体的には、半導体層１３２に溝１３２ｇを形成した後、半導体層１３２の全面に、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）およびタングステン（Ｗ）をこの順に成膜する。これにより、酸化シリコンおよびタングステンは、半導体層１３２上に成膜されるとともに、溝１３２ｇに埋め込まれる。半導体層１３２上に成膜されたタングステンにより第１遮光面Ｓ１が形成され、溝１３２ｇに埋め込まれた遮光材料により第２遮光面Ｓ２が形成される。酸化シリコンにより、半導体層１３２と第１遮光面Ｓ１との間、および溝１３２ｇ内に無機絶縁層１３３が形成される。
【００５８】
遮光部１３５を形成した後、図１３Ｄに示したように、更に、第１遮光面Ｓ１を覆う無機絶縁層１３３を形成する。このとき、第１遮光面Ｓ１を所望の大きさにエッチングしておき、第１遮光面Ｓ１の端部を無機絶縁層１３３で覆うようにする。無機絶縁層１３３の表面には、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Planarization）等の平坦化処理を施しておく。
【００５９】
第１遮光面Ｓ１を覆う無機絶縁層１３３を形成した後、図１３Ｅに示したように、多層配線層１３１、半導体層１３２および無機絶縁層１３３の積層体を反転させて、別の仮基板（仮基板５１Ａ）に貼り合わせる。このとき、無機絶縁層１３３および半導体層１３２を間にして、多層配線層１３１が仮基板５１Ａに対向している。積層体は、例えば、接着剤５２Ａにより、仮基板５１Ａに貼り合わされる。
【００６０】
積層体を仮基板５１Ａに貼り合わせた後、図１３Ｆに示したように、分離溝Ｇにより、チップ分離を行う。チップ分離は、例えば、ドライエッチングを用いて行う。このとき、分離溝Ｇは例えば、溝１３２ｇの外側に形成する。これにより、駆動ＩＣ１３の周縁１３Ｅの内側に遮光部１３５が形成される（図３等）。分離溝Ｇを溝１３２ｇの外側に形成することにより、遮光部１３５を構成する金属材料等がエッチングされないので、容易にチップ分離を行うことができる。製造条件によっては、分離溝Ｇに第１遮光面Ｓ１および第２遮光面Ｓ２が重なってもよい（図１２Ａ，図１２Ｂ参照）。例えば、金属加工によって発生する２次生成物および処理時間の長さ等の点を考慮すればよい。あるいは、レーザ加工または機械加工等を用いて分離溝Ｇを形成する場合には、分離溝Ｇに第１遮光面Ｓ１および第２遮光面Ｓ２が重なってもよい。
【００６１】
例えば、チップ分離を行った後に、分離溝Ｇに遮光材料を成膜することも考えうる。この場合には、例えばタングステン（Ｗ）等の遮光材料が仮基板５１Ａに接するため、駆動ＩＣ１３を基板１１に実装（ピックアップ）する際に、不具合が生じやすい。したがって、チップ分離の前に遮光部１３５を形成しておくことが好ましい。
【００６２】
例えば、このようにして図３等に示した駆動ＩＣ１３を形成することができる。
【００６３】
（表示装置１の動作）
表示装置１では、例えば、駆動ＩＣ１３を介して各々の発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂに駆動信号が入力されると、発光素子１２Ｒからは赤色波長域の光、発光素子１２Ｇからは緑色波長域の光、発光素子１２Ｂからは青色波長域の光が各々出射される。この光は、遮光膜１５の開口１５Ａを介して取り出される。即ち、表示装置１では、遮光膜１５側が、表示面となる。
【００６４】
（表示装置１の作用・効果）
本実施の形態の表示装置１では、駆動ＩＣ１３に、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂからの光の入射を抑える遮光部１３５が設けられているので、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから駆動ＩＣ１３への光の入射が抑えられる。これにより、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから駆動ＩＣ１３に入射する光に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生を抑えることができる。以下、この作用および効果について説明する。
【００６５】
図１４は比較例に係る表示装置（表示装置１００）の要部の模式的な断面構成を表したものである。この表示装置１００は、基板１１上に、パッケージ１２および駆動ＩＣ（駆動ＩＣ１１３）を有している。この駆動ＩＣ１１３は、基板１１側から、多層配線層１３１、半導体層１３２および無機絶縁層１３３をこの順に有している。この駆動ＩＣ１１３は、遮光部（図３の遮光部１３５）を有していない。この点において、表示装置１００の駆動ＩＣ１１３は、表示装置１の駆動ＩＣ１３と異なっている。表示装置１００は、基板１１上に、パッケージ１２および駆動ＩＣ１１３を覆う保護層１４と、保護層１４上の遮光膜１５とを有している。遮光膜１５には、パッケージ１２に対向する位置に開口１５Ａが設けられている。
【００６６】
発光素子１２Ｒ，１２Ｇ、１２Ｂから出射された光のほとんど（光Ｌ１）は、遮光膜１５の開口１５Ａから取り出される。一方、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ、１２Ｂから出射された光の一部（光Ｌ２）は、横方向への漏れ光となり、駆動ＩＣ１１３に向かって伝搬される。表示装置１００では、駆動ＩＣ１１３に遮光部が設けられていないので、この光Ｌ２が駆動ＩＣ１１３に入射しやすい。この駆動ＩＣ１１３に入射した光Ｌ２は、駆動ＩＣ１１３の特性変動を引き起こすおそれがある。
【００６７】
駆動ＩＣ１１３を、遮光性の保護体によりパッケージングする方法も考えうる。しかし、例えば、２００μｍ四方程度の駆動ＩＣ１１３は非常に小さい。また、表示装置１００では、基板１１に実装する駆動ＩＣ１１３の数も多い。この小さい駆動ＩＣ１１３各々をパッケージングして、基板１１に多数実装することは、実装難易度が高い。更に、この製造工程では、コストがかかる。
【００６８】
これに対し、表示装置１では、図１５に示したように、駆動ＩＣ１３が遮光部１３５を有しているので、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから駆動ＩＣ１３への光Ｌ２の入射が抑えられる。これにより、光Ｌ２に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生が抑えられる。
【００６９】
また、駆動ＩＣ１３各々を、遮光性の保護体によりパッケージングする必要がないので、基板１１への実装も容易となる。更に、製造に要するコストも抑えることができる。
【００７０】
このように本実施の形態では、駆動ＩＣ１３に、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂからの光（光Ｌ２）の入射を抑える遮光部１３５を設けるようにしたので、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから駆動ＩＣ１３に入射する光に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生を抑えることができる。よって、信頼性の低下を抑えることが可能となる。
【００７１】
また、遮光部１３５は、半導体層１３２を間にして基板１１に対向する第１遮光面Ｓ１と、第１遮光面Ｓ１に交差する方向に配置された第２遮光面Ｓ２とを有している。これにより、多方向で駆動ＩＣ１３への光の入射が抑えられる。したがって、より効果的に駆動ＩＣ１３の特性変動の発生を抑えることができる。
【００７２】
更に、駆動ＩＣ１３の周縁１３Ｅよりも内側に遮光部１３５を設けることにより、駆動ＩＣ１３を形成する際のチップ分離の工程（図１３Ｆ）が容易となる。よって、駆動ＩＣ１３を容易に製造することができる。
【００７３】
以下、上記第１の実施の形態の変形例および他の実施の形態について説明するが、以降の説明において上記第１の実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
【００７４】
上記第１の実施の形態に係る表示装置１は、駆動ＩＣ１３に代えて、以下の変形例（変形例１，２）に係る駆動ＩＣ（駆動ＩＣ１３Ａ，１３Ｂ）を有していてもよい。
【００７５】
＜変形例１＞
図１６は、変形例１に係る駆動ＩＣ１３Ａの模式的な断面構成を表している。駆動ＩＣ１３Ａの遮光部１３５は、第１遮光面Ｓ１および第２遮光面Ｓ２に加えて、第３遮光面Ｓ３を有している。
【００７６】
第３遮光面Ｓ３は、例えば、多層配線層１３１に設けられている。この第３遮光面Ｓ３は、第２遮光面Ｓ２を間にして第１遮光面Ｓ１に対向しており、第２遮光面Ｓ２に接している。
【００７７】
遮光部１３５が、第１遮光面Ｓ１および第２遮光面Ｓ２に加えて、第３遮光面Ｓ３を有することにより、より効果的に発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから当該駆動ＩＣ１３への光の入射が抑えられる。
【００７８】
＜変形例２＞
図１７は、変形例２に係る駆動ＩＣ１３Ｂの模式的な断面構成を表している。駆動ＩＣ１３Ｂの遮光部１３５は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ）等の無機絶縁材料により構成されている。
【００７９】
この遮光部１３５は、例えば、第１遮光面Ｓ１および第２遮光面Ｓ２を有している。第１遮光面Ｓ１は、半導体層１３２を間にして基板１１に対向している。この第１遮光面Ｓ１は、駆動ＩＣ１３の上面に露出されている。第２遮光面Ｓ２は、例えば、多層配線層１３１と第１遮光面Ｓ１との間に、第１遮光面Ｓ１にほぼ垂直に配置されている。この第２遮光面Ｓ２は、例えば、駆動ＩＣ１３Ｂの周縁１３Ｅに露出されている。即ち、駆動ＩＣ１３Ｂの上面から側面を覆うように遮光部１３５が設けられている。多層配線層１３１および半導体層１３２の側面には、テーパが設けられていてもよい。これにより、第２遮光面Ｓ２を形成しやすくなる。
【００８０】
図１８は、駆動ＩＣ１３Ｂの他の例を表している。駆動ＩＣ１３Ｂの遮光部１３５は、第１遮光面Ｓ１により構成されていてもよい。換言すれば、遮光部１３５は、第２遮光面（図１７の第２遮光面Ｓ２）を有していなくてもよい。
【００８１】
遮光部１３５を構成する無機絶縁材料は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒化シリコン（ＳｉＮ），酸窒化シリコン（ＳｉＮ）およびＳＯＧ（Spin On Glass）等である。遮光部１３５は、複数の無機絶縁材料を含んでいてもよい。
【００８２】
遮光部１３５のうち、少なくとも第１遮光面Ｓ１を構成する無機絶縁材料の厚みは、５００ｎｍ以上であることが好ましい。
【００８３】
図１９は、第１遮光面Ｓ１を構成する酸化シリコンの厚みと、半導体層１３２への光の透過率との関係を表すシミュレーション結果である。このシミュレーションは、駆動ＩＣ１３Ｂの上面に７５°〜８９°の入射角で光が入射する場合を想定している。この結果より、第１遮光面Ｓ１を構成する無機絶縁材料の厚みが５００ｎｍ以上であるとき、半導体層１３２への光の透過率が０．５％と小さくなることがわかった。
【００８４】
図２０は、駆動ＩＣ１３Ｂの製造方法の一工程を表している。仮基板５１に、多層配線層１３１および半導体層１３２の積層体を貼り合わせた後（図１３Ｂの工程の後）、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて、半導体層１３２上に無機絶縁材料を成膜する。これにより、遮光部１３５が形成される。この後は、上記第１の実施の形態で説明したのと同様の方法で駆動ＩＣ１３Ｂを形成することができる。
【００８５】
図２１は、駆動ＩＣ１３Ｂの製造方法の他の例を表している。遮光部１３５は、基板１１に多層配線層１３１および半導体層１３２の積層体を実装した後（図２１の工程の後）、形成するようにしてもよい。遮光部１３５は、例えば、スパッタ法，インクジェット印刷法またはスクリーン印刷法等により形成することができる。チップ分離の工程（図１３Ｆ参照）で、半導体層１３２および多層配線層１３１の側面にテーパを形成しておくことにより、この遮光部１３５の形成工程で第２遮光面Ｓ２が形成され易くなる。
【００８６】
駆動ＩＣ１３Ｂでは、遮光部１３５が無機絶縁材料により形成されているので、金属材料等により遮光部１３５を形成する駆動ＩＣ１３に比べて、製造工程を簡便にすることが可能となる。
【００８７】
＜第２の実施の形態＞
図２２および図２３は、本技術の第２の実施の形態に係る表示装置（表示装置２）の要部の模式的な断面構成を表している。この表示装置２では、駆動ＩＣ１３，１１３に対向する部分の保護層１４の厚みと、パッケージ１２（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）に対向する部分の保護層１４の厚みとが異なっている。表示装置２は、駆動ＩＣ１１３（図１４参照）を有していてもよく（図２２）、駆動ＩＣ１３（図１参照）を有していてもよい（図２３）。この点を除き、表示装置２は上記第１の実施の形態の表示装置１と同様の構成および効果を有している。
【００８８】
保護層１４は、パッケージ１２および駆動ＩＣ１３，１１３を覆うように、例えば、基板１１の全面にわたって設けられている。表示装置２では、この保護層１４が、駆動ＩＣ１３，１１３およびその周囲を覆う厚膜部１４Ｓと、パッケージ１２およびその周囲を覆う薄膜部１４Ｒとを有している。換言すれば、厚膜部１４Ｓは、駆動ＩＣ１３，１１３に対向して設けられ、薄膜部１４Ｒは、パッケージ１２（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）に対向して設けられている。
【００８９】
厚膜部１４Ｓは、駆動ＩＣ１３，１１３上に、厚みＴＳを有している。薄膜部１４Ｒは、パッケージ１２上に、厚みＴＳより小さい厚みＴＲを有している（ＴＲ＜ＴＳ）。厚みＴＳは例えば２μｍ〜１０μｍであり、厚みＴＲは例えば０．５μｍ〜３μｍである。このように、パッケージ１２（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）の直上の保護層１４の厚みＴＲを小さくすることにより、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから出射されて保護層１４内に拡散される光を少なくすることができる。よって、保護層１４を伝搬する光（図１４の光Ｌ２）に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生が抑えられる。
【００９０】
遮光膜１５は、保護層１４を間にして基板１１に対向している。この遮光膜１５は、パッケージ１２に対向する位置に開口１５Ａを有している。例えば、平面（図２２，図２３のＸＹ平面）視での開口１５Ａの大きさは、平面視での薄膜部１４Ｒの大きさよりも小さくなっている。換言すれば、遮光膜１５は、厚膜部１４Ｓから薄膜部１４Ｒの一部を覆うように設けられている。即ち、遮光膜１５は、厚膜部１４Ｓと薄膜部１４Ｒとの間の段差を覆っている。これにより、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから出射され、開口１５Ａを介して取り出された光（例えば、図１４の光Ｌ１）が、保護層１４内に戻りにくくなる。よって、より効果的に駆動ＩＣ１３の特性変動の発生が抑えられる。
【００９１】
例えば、表示装置２は以下のようにして製造することができる（図２４Ａ，図２４Ｂ）。
【００９２】
まず、図２４Ａに示したように、基板１１上にパッケージ１２および駆動ＩＣ１１３（または、駆動ＩＣ１３）を実装した後、保護層１４を形成する。例えば、パッケージ１２はバンプ１２１により基板１１に実装され、駆動ＩＣ１１３はバンプ１３６により基板１１に実装される。保護層１４は、例えば、基板１１の全面にわたって略均一な厚みで形成する。
【００９３】
次いで、図２４Ｂに示したように、保護層１４のうち、パッケージ１２およびその周囲を覆う部分を選択的にエッチングする。これにより、パッケージ１２およびその周囲を覆う部分の保護層１４の厚みが小さくなり、薄膜部１４Ｒおよび厚膜部１４Ｓが形成される。この保護層１４のエッチングの際には、パッケージ１２の上面が露出されてもよい。
【００９４】
薄膜部１４Ｒおよび厚膜部１４Ｓを形成した後、保護層１４上に遮光膜１５を形成する。この後、この遮光膜１５に開口１５Ａを形成する。例えば、このようにして図２２，図２３に示した表示装置２を形成することができる。
【００９５】
本実施の形態では、保護層１４が、パッケージ１２（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）に対向する薄膜部１４Ｒを有しているので、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから駆動ＩＣ１３に入射する光に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生を抑えることができる。よって、信頼性の低下を抑えることが可能となる。
【００９６】
また、厚膜部１４Ｓと薄膜部１４Ｒとの段差を覆うように、遮光膜１５を設けることにより、より効果的に駆動ＩＣ１３の特性変動の発生を抑えることができる。
【００９７】
＜変形例３＞
図２５は、上記第２の実施の形態の変形例（変形例３）に係る表示装置（表示装置２Ａ）の要部の模式的な断面構成を表している。このように、保護層１４の薄膜部１４Ｒの表面が凸レンズ形状を有していてもよい。これにより、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから出射された光が、保護層１４（薄膜部１４Ｒ）の表面で全反射しにくくなる。したがって、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから出射され、保護層１４内に拡散される光を更に、少なくすることができる。
【００９８】
＜変形例４＞
図２６は、上記第２の実施の形態の変形例（変形例４）に係る表示装置（表示装置２Ｂ）の要部の模式的な断面構成を表している。このように、薄膜部１４Ｒ内に掘込部１４Ｈが設けられていてもよい。
【００９９】
掘込部１４Ｈは、例えば、薄膜部１４Ｒのうち、厚膜部１４Ｓとの境界近傍に配置されている。即ち、掘込部１４Ｈは、薄膜部１４Ｒの縁に配置されている。この掘込部１４Ｈでは、薄膜部１４Ｒの一部が溝状に掘りこまれている。掘込部１４Ｈは、遮光膜１５の平坦性を維持可能な範囲で深く設けることが好ましい。掘込部１４Ｈには、例えば、厚膜部１４Ｓから延在する遮光膜１５が埋め込まれている。
【０１００】
このような掘込部１４Ｈを薄膜部１４Ｒの縁に設けることにより、パッケージ１２の上層で生じた反射光が、掘込部１４Ｈに埋め込まれた遮光膜１５に吸収される。パッケージ１２の上層で生じる反射光は、例えば、パッケージ１２（保護体Ｐ）と保護層１４との界面で反射される光、および、保護層１４の表面で反射される光等である。したがって、掘込部１４Ｈを設けることにより、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから出射されて保護層１４内に拡散される光を更に、少なくすることができる。薄膜部１４Ｒの表面をレンズ形状にし（図２５）、かつ、掘込部１４Ｈを設けるようにしてもよい。
【０１０１】
図２７は表示装置２Ａの他の例を表し、図２８は表示装置２Ｂの他の例を表している。このように、基板１１の全面にわたって保護層１４の厚みを小さくするようにしてもよい。この保護層１４のうち、パッケージ１２に対向する部分の表面をレンズ形状にし（図２７）、あるいは、パッケージ１２の周囲に掘込部１４Ｈを設けるようにしてもよい（図２８）。
【０１０２】
このような保護層１４は、例えば、基板１１の全面に保護層１４の構成材料を成膜した後、この膜をエッチバック等の方法により薄膜化して形成する。このような保護層１４の形成工程では、選択的に薄膜部（図２５および図２６の薄膜部１４Ｒ）を形成するためのパターニング工程が不要となる。よって、製造工程が簡便となり、生産性を向上させることができる。
【０１０３】
＜第３の実施の形態＞
図２９および図３０は、本技術の第３の実施の形態に係る表示装置（表示装置３）の要部の模式的な断面構成を表している。この表示装置３では、保護層１４の厚み方向（図２９，図３０のＺ方向）に遮光膜１５が埋め込まれている。表示装置３は、駆動ＩＣ１１３（図１４参照）を有していてもよく（図２９）、駆動ＩＣ１３（図１参照）を有していてもよい（図３０）。この点を除き、表示装置３は上記第１の実施の形態の表示装置１と同様の構成および効果を有している。
【０１０４】
保護層１４は、例えば、パッケージ１２（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）と駆動ＩＣ１３，１１３との間に溝１４Ｇを有している。この溝１４Ｇに遮光膜１５が埋め込まれている。遮光膜１５は、例えば、保護層１４上から溝１４Ｇの底まで連続して設けられている。
【０１０５】
溝１４Ｇは、例えば、保護層１４の表面から、保護層１４と基板１１との界面近傍にわたって設けられている。この溝１４Ｇの断面形状は、保護層１４の表面から基板１１に向かうに連れて徐々に細くなっている。即ち、溝１４Ｇは楔形の断面形状を有している。楔型の断面形状を有する溝１４Ｇを設けることにより、一定の太さの溝１４Ｇ（例えば、後述の図３３）を設ける場合に比べて、保護層１４上の遮光膜１５の平坦性を維持し易くなる。よって、遮光膜１５の平坦性の悪化に起因した表示ムラの発生を抑え、画質を向上させることができる。
【０１０６】
図３１Ａ，図３１Ｂは、溝１４Ｇの平面（図２９，図３０のＸＹ平面）構成の一例を表している。溝１４Ｇは、例えば、図３１Ａに示したように、駆動ＩＣ１３，１１３を囲むように設けられている。あるいは、図３１Ｂに示したように、パッケージ１２を囲むように、溝１４Ｇを設けるようにしてもよい。
【０１０７】
図３２および図３３は、溝１４Ｇの断面形状の他の例を表している。図３２に示したように、溝１４Ｇは、保護層１４の厚み方向の全部にわたって設けられていなくてもよい。溝１４Ｇは、保護層１４の厚み方向の一部に設けられていてもよい。図３３に示したように、溝１４Ｇの深さ方向の太さが一定であってもよい。溝１４Ｇは、例えば矩形の断面形状を有している。
【０１０８】
このような保護層１４の溝１４Ｇに遮光膜１５が埋め込まれることにより、パッケージ１２（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）と駆動ＩＣ１３，１１３との間に遮光膜１５が設けられる。したがって、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから出射され、保護層１４を伝搬する光が溝１４Ｇに埋め込まれた遮光膜１５に吸収される。よって、保護層１４を伝搬する光（図１４の光Ｌ２）に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生が抑えられる。
【０１０９】
図３４Ａ，図３４Ｂは、保護層１４の溝１４Ｇに、遮光膜１５とともに反射防止膜（反射防止膜１６）を有する表示装置３の断面構成を表している。
【０１１０】
反射防止膜１６は、例えば、保護層１４と遮光膜１５との間に設けられており、保護層１４上から溝１４Ｇの底まで連続して設けられている。反射防止膜１６は、例えば、遮光膜１５と同じ平面形状を有しており、遮光膜１５の開口１５Ａに対応する開口を有している（図３４Ａ）。あるいは、反射防止膜１６は、基板１１の全面にわたって設けられていてもよい（図３４Ｂ）。
【０１１１】
反射防止膜１６は、例えば、保護層１４の屈折率とは異なる屈折率を有する材料により構成されている。反射防止膜１６は、例えば、シリコン酸化膜，ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜，ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜，シリコン窒化膜またはアクリル系透明樹脂膜等により構成されている。保護層１４と遮光膜１５との間に、このような反射防止膜１６を設けることにより、保護層１４を伝搬する光を更に少なくすることができる。したがって、より効果的に駆動ＩＣ１３の特性変動の発生が抑えられる。
【０１１２】
例えば、表示装置３は以下のようにして製造することができる（図３５Ａ，図３５Ｂ）。
【０１１３】
まず、基板１１上にパッケージ１２および駆動ＩＣ１１３（または、駆動ＩＣ１３）を実装した後、保護層１４を形成する（図２４Ａ）。
【０１１４】
次いで、図３５Ａに示したように、例えば、駆動ＩＣ１１３の周囲の保護層１４に溝１４Ｇを形成する。溝１４Ｇの形成は、例えば、レーザ光ＬＬを用いて行う。レーザ光ＬＬを用いることにより、溝１４Ｇを短時間、かつ、容易に形成することができる。
【０１１５】
保護層１４に溝１４Ｇを形成した後、図３５Ｂに示したように、保護層１４上から溝１４Ｇを埋め込むように遮光膜１５を形成する。この後、遮光膜１５に開口１５Ａを形成する。例えば、このようにして図２９，図３０に示した表示装置３を形成することができる。
【０１１６】
本実施の形態では、保護層１４の溝１４Ｇに遮光膜１５が埋め込まれているので、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから駆動ＩＣ１３に入射する光に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生を抑えることができる。よって、信頼性の低下を抑えることが可能となる。
【０１１７】
また、溝１４Ｇを保護層１４の厚み方向の略全部にわたって設けることにより、より効果的に駆動ＩＣ１３の特性変動の発生を抑えることができる。
【０１１８】
＜変形例５＞
図３６は、上記第３の実施の形態の変形例（変形例５）に係る表示装置（表示装置３Ａ）の要部の模式的な断面構成を表している。この表示装置３Ａでは、保護層１４の除去領域（除去領域１４Ａ）に遮光膜１５が埋め込まれている。このように、遮光膜１５を保護層１４の厚み方向に埋め込むようにしてもよい。
【０１１９】
除去領域１４Ａは、保護層１４が除去された領域である。この除去領域１４Ａは、駆動ＩＣ１１３（または駆動ＩＣ１３）およびその周辺に対向する領域に設けられている。換言すれば、除去領域１４Ａに駆動ＩＣ１１３が設けられ、この駆動ＩＣ１１３の周囲が遮光膜１５で覆われている。遮光膜１５は、例えば、駆動ＩＣ１１３の上面および側面に接している。
【０１２０】
図３７は、表示装置３Ａの他の例を表している。除去領域１４Ａでは、保護層１４が全て除去されていなくてもよい。例えば、保護層１４が厚み方向に一部残っていてもよい。
【０１２１】
＜第４の実施の形態＞
図３８および図３９は、本技術の第４の実施の形態に係る表示装置（表示装置４）の要部の模式的な断面構成を表している。この表示装置４では、保護層１４の表面（遮光膜１５側の面）に複数の凹凸１４Ｂが設けられている。表示装置４は、駆動ＩＣ１１３（図１４参照）を有していてもよく（図３９）、駆動ＩＣ１３（図１参照）を有していてもよい（図３８）。この点を除き、表示装置４は上記第１の実施の形態の表示装置１と同様の構成および効果を有している。
【０１２２】
保護層１４の表面に設けられた凹凸１４Ｂは、例えば、保護層１４の表面全面に設けられている。凹凸１４Ｂは、例えば、略四角形の断面形状を有している。凹凸１４Ｂは、例えば、略半円形等の曲線を含む断面形状を有していてもよい（後述の図４３Ｂ参照）。凹凸１４Ｂこの複数の凹凸１４Ｂは、例えば、２００ｎｍ程度のピッチ（例えば、図３８，図３９のＸ方向およびＹ方向の大きさ）で設けられており、凹凸１４Ｂの高さ（例えば、図３８，図３９のＺ方向の大きさ）は２００ｎｍ程度である。この凹凸１４Ｂを覆うように遮光膜１５が設けられている。
【０１２３】
保護層１４の表面に複数の微小な凹凸１４Ｂを設けることにより、保護層１４の表面での屈折率の変化が緩やかになる。これにより、パッケージ１２（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）から出射された光の保護層１４の表面での反射が抑えられる。即ち、保護層１４の表面に設けられた複数の凹凸１４Ｂによりモスアイ構造と同様の効果が得られる。よって、保護層１４を伝搬する光（図１４の光Ｌ２）に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生が抑えられる。
【０１２４】
例えば、表示装置４は以下のようにして製造することができる（図４０Ａ，図４０Ｂ）。
【０１２５】
まず、基板１１上にパッケージ１２および駆動ＩＣ１１３（または、駆動ＩＣ１３）を実装した後、保護層１４を形成する（図２４Ａ）。
【０１２６】
次いで、図４０Ａに示したように、保護層１４の表面にレジストパターン６１を形成する。このレジストパターン６１は、複数の凹凸１４Ｂを形成するためのものであり、凹凸１４Ｂの形状に対応している。レジストパターン６１は、例えば、保護層１４の表面にレジスト材料を成膜した後、これを所定の形状にパターニングすることにより形成することができる。
【０１２７】
レジストパターン６１を形成した後、図４０Ｂに示したように、保護層１４の表面に複数の凹凸１４Ｂを形成する。複数の凹凸１４Ｂは、例えば、レジストパターン６１を用いたドライエッチングにより形成する。複数の凹凸１４Ｂを形成した後、レジストパターン６１を除去する。続いて、保護層１４の表面に遮光膜１５を形成する。この後、遮光膜１５に開口１５Ａを形成する。例えば、このようにして図３８，図３９に示した表示装置４を形成することができる。
【０１２８】
図４１〜図４３Ｂは、複数の凹凸１４Ｂの形成方法の他の例を表している。
【０１２９】
図４１に示したように、保護層１４を形成した後、保護層１４の表面にアッシング処理を施すことにより複数の凹凸１４Ｂを形成するようにしてもよい。
【０１３０】
図４２Ａ〜図４３Ｂに示したように、保護層１４を形成した後、保護層１４の表面にナノインプリント用のモールド６２を押し当てることにより、複数の凹凸１４Ｂを形成するようにしてもよい。角型のモールド６２を用いるようにしてもよく（図４２Ａ，図４２Ｂ）、丸形のモールド６２を用いるようにしてもよい（図４３Ａ，図４３Ｂ）。
【０１３１】
本実施の形態では、保護層１４の表面に複数の微小な凹凸１４Ｂが設けられているので、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから駆動ＩＣ１３に入射する光に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生を抑えることができる。よって、信頼性の低下を抑えることが可能となる。
【０１３２】
＜第５の実施の形態＞
図４４および図４５は、本技術の第５の実施の形態に係る表示装置（表示装置５）の要部の模式的な断面構成を表している。この表示装置５の保護層１４は、低屈折率膜１４１および高屈折率膜１４２を含んでいる。表示装置５は、駆動ＩＣ１１３（図１４参照）を有していてもよく（図４５）、駆動ＩＣ１３（図１参照）を有していてもよい（図４４）。この点を除き、表示装置５は上記第１の実施の形態の表示装置１と同様の構成および効果を有している。
【０１３３】
例えば、基板１１側から低屈折率膜１４１および高屈折率膜１４２がこの順に積層されている。低屈折率膜１４１の厚みは、例えば、高屈折率膜１４２の厚みよりも大きくなっている。この低屈折率膜１４１により、基板１１上のパッケージ１２および駆動ＩＣ１３，１１３が覆われている。低屈折率膜１４１は、例えば、樹脂材料等により構成されている。この低屈折率膜１４１の屈折率は、例えば、１．５程度である。
【０１３４】
高屈折率膜１４２は、低屈折率膜１４１の屈折率よりも高い屈折率を有している。高屈折率膜１４２は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）等により構成されている。この高屈折率膜１４２の屈折率は、例えば、２．０程度である。高屈折率膜１４２は、低屈折率膜１４１と遮光膜１５との間に設けられている。
【０１３５】
保護層１４が、このような低屈折率膜１４１および高屈折率膜１４２の積層構造を有することにより、パッケージ１２（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）から出射された光の保護層１４の表面近傍での反射が抑えられる。よって、保護層１４を伝搬する光（図１４の光Ｌ２）に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生が抑えられる。
【０１３６】
図４６は、表示装置５の他の例を表している。表示装置５では、高屈折率膜１４２の表面に複数の微小な凹凸１４Ｂを設けるようにしてもよい。これにより、より効果的に保護層１４の表面近傍での反射が抑えられる。
【０１３７】
例えば、表示装置５は以下のようにして製造することができる。
【０１３８】
まず、基板１１上にパッケージ１２および駆動ＩＣ１１３（または、駆動ＩＣ１３）を実装した後、基板１１の全面にわたって低屈折率膜１４１を形成する。次いで、低屈折率膜１４１上に高屈折率膜１４２を形成する。これにより、保護層１４が形成される。続いて、保護層１４の表面に遮光膜１５を形成する。この後、遮光膜１５に開口１５Ａを形成する。例えば、このようにして図４４，図４５に示した表示装置５を形成することができる。
【０１３９】
本実施の形態では、保護層１４が低屈折率膜１４１および高屈折率膜１４２の積層構造を有しているので、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから駆動ＩＣ１３に入射する光に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生を抑えることができる。よって、信頼性の低下を抑えることが可能となる。
【０１４０】
＜第６の実施の形態＞
図４７および図４８は、本技術の第６の実施の形態に係る表示装置（表示装置６）の要部の模式的な断面構成を表している。この表示装置６は、駆動ＩＣ１３，１１３とパッケージ１２との間に遮光部材（遮光部材１７）を有している。表示装置６は、駆動ＩＣ１１３（図１４参照）を有していてもよく（図４７）、駆動ＩＣ１３（図１参照）を有していてもよい（図４８）。この点を除き、表示装置６は上記第１の実施の形態の表示装置１と同様の構成および効果を有している。
【０１４１】
この遮光部材１７は、例えば、保護層１４の厚み方向に沿って延在しており、遮光部材１７の下面が基板１１に接し、遮光部材１７の上面が遮光膜１５に接している。遮光部材１７にかかるように遮光膜１５が設けられていることが好ましい
【０１４２】
図４９は、遮光部材１７の断面構成の他の例を表している。遮光部材１７は、保護層１４の厚み方向の全部にわたって延在していなくてもよく、例えば、保護層１４の表面側の一部に延在していてもよい。
【０１４３】
図５０Ａ，図５０Ｂ，図５０Ｃは、遮光部材１７の平面（図４７，図４８のＸＹ平面）構成の一例を表している。遮光部材１７は、例えば、駆動ＩＣ１３（または駆動ＩＣ１１３）とパッケージ１２との間を仕切るように、壁状に設けられている。図５０Ａに示したように、遮光部材１７を格子状に設けるようにしてもよい。あるいは、図５０Ｂ，図５０Ｃに示したように、駆動ＩＣ１３またはパッケージ１２のどちらか一方を囲むように、遮光部材１７を設けるようにしてもよい。
【０１４４】
図５１Ａ，図５１Ｂは、遮光部材１７の平面構成の他の例を表している。遮光部材１７は、例えば、柱状であってもよい。駆動ＩＣ１３（または駆動ＩＣ１１３）とパッケージ１２との間に、複数の柱状の遮光部材１７が設けられている。図５１Ａに示したように、遮光部材１７は円柱状であってもよい。あるいは、図５１Ｂに示したように、遮光部材１７は角柱状であってもよい。
【０１４５】
遮光部材１７は、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから出射される波長域の光（例えば、可視領域の波長の光）に対して遮光性を有する材料により構成されている。例えば、遮光部材１７は、タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ）および銅（Ｃｕ）等の金属材料により構成されている。あるいは、遮光部材１７は、カーボンブラック等を含む有機材料等により構成されていてもよく、無機材料により構成されていてもよい。
【０１４６】
このような遮光部材１７を、駆動ＩＣ１３，１１３とパッケージ１２（発光素子１２Ｒ、２Ｇ，１２Ｂ）との間に設けることにより、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから出射され、保護層１４を伝搬する光が遮光部材１７に吸収される。よって、保護層１４を伝搬する光（図１４の光Ｌ２）に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生が抑えられる。
【０１４７】
例えば、表示装置６は以下のようにして製造することができる（図５２Ａ〜図５２Ｅ）。
【０１４８】
まず、図５２Ａに示したように基板１１を形成する。
【０１４９】
次いで、図５２Ｂに示したように、フォトリソグラフィ法を用いて、基板１１上にレジストパターン６４を形成する。このレジストパターン６４は、遮光部材１７に対応するパターンを有している。
【０１５０】
次いで、図５２Ｃに示したように、レジストパターン６４上に、遮光材料１７Ａを成膜する。続いて、図５２Ｄに示したように、例えばエッチングにより不要な遮光材料１７Ａを除去する。これにより、遮光部材１７が形成される。
【０１５１】
次に、図５２Ｅに示したように、レジストパターン６４を除去する。続いて、この遮光部材１７が設けられた基板１１上に、駆動ＩＣ１３，１１３およびパッケージ１２を実装する。次に、保護層１４および遮光膜１５をこの順に形成する。この後、遮光膜１５に開口１５Ａを形成する。例えば、このようにして図４７，図４８に示した表示装置６を形成することができる。
【０１５２】
図５３Ａ〜図５３Ｃは、表示装置６の製造方法の他の例を表している。
【０１５３】
まず、基板１１上にパッケージ１２および駆動ＩＣ１１３（または、駆動ＩＣ１３）を実装した後、保護層１４を形成する（図２４Ａ）。
【０１５４】
次に、図５３Ａに示したように、保護層１４上にレジストパターン６５を形成する。このレジストパターン６４は、遮光部材１７に対応するパターンを有している。続いて、図５３Ｂに示したように、このレジストパターン６４を用いて、保護層１４に溝Ｍを形成する。
【０１５５】
保護層１４に溝Ｍを形成した後、図５３Ｃに示したように、レジストパターン６５上から溝Ｍを埋め込むように遮光材料１７Ａを成膜する。続いて、例えばエッチングにより不要な遮光材料１７Ａおよびレジストパターン６５を除去する。これにより、遮光部材１７が形成される。次に、遮光部材１７および保護層１４を覆うように遮光膜１５を形成する。この後、遮光膜１５に開口１５Ａを形成する。例えば、このような方法でも図４７，図４８に示した表示装置６を形成することができる。
【０１５６】
この方法では、保護層１４の溝Ｍに遮光材料１７Ａを埋め込んで遮光部材１７を形成しているので、複数の遮光部材１７の高さ（例えば、図４７，図４８のＺ方向の大きさ）を揃えるためには、保護層１４の平坦化および溝Ｍの深さが重要となる。したがって、加工難易度が高い。一方、基板１１にパッケージ１２および駆動ＩＣ１３，１１３を実装する前に、遮光部材１７を形成する場合（図５２Ａ〜図５２Ｅ）には、容易に遮光部材１７の高さを調整し、複数の遮光部材１７の高さを揃えやすい。
【０１５７】
本実施の形態では、駆動ＩＣ１３，１１３とパッケージ１２（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）との間に遮光部材１７を設けるようにしたので、発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから駆動ＩＣ１３に入射する光に起因した駆動ＩＣ１３の特性変動の発生を抑えることができる。よって、信頼性の低下を抑えることが可能となる。
【０１５８】
上記第１〜第６の実施の形態等において説明した表示装置１，２，２Ａ，２Ｂ，３，３Ａ，４，５，６（以下、略して表示装置１とする）は、複数の基板１１がタイル状に敷き詰められた表示装置、いわゆる、タイリングディスプレイであってもよい。
【０１５９】
＜適用例＞
上記第１〜第６の実施の形態等において説明した表示装置１は、例えば、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０１６０】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術はこれら実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等において説明した各部の材料および厚みなどは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよい。
【０１６１】
また、上記実施の形態等では、本技術の半導体素子の一具体例として、駆動ＩＣ１３を挙げて本技術を説明したが、本技術の半導体素子はこれに限られない。
【０１６２】
また、上記実施の形態等では、パッケージ１２が３つの発光素子（発光素子１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ）を含む場合について説明したが、パッケージ１２に含まれる発光素子の数は、例えば、１つであってもよく、あるいは、４つ以上であってもよい。
【０１６３】
また、上記実施の形態等では、画素１０毎に駆動ＩＣ１３が設けられている場合について説明したが（図２）、複数の画素１０で駆動ＩＣ１３が共有されていてもよい。
【０１６４】
また、上記実施の形態等では、本技術の発光装置を表示装置に適用する場合について説明したが、本技術は例えば、照明装置等の他のデバイスに適用することも可能である。
【０１６５】
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であってこれに限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
【０１６６】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。以下の構成の本技術によれば、半導体素子に、発光素子からの光の入射を抑える遮光部を設けるようにしたので、発光素子から半導体素子に入射する光に起因した半導体素子の特性変動の発生を抑えることができる。よって、信頼性の低下を抑えることが可能となる。
（１）
基板と、
前記基板上に設けられた発光素子と、
前記基板上に設けられ、前記基板側から多層配線層および半導体層をこの順に有し、かつ、前記発光素子からの光の入射を抑える遮光部を有する半導体素子とを備え、
前記遮光部は、
前記半導体層を間にして前記基板に対向する第１遮光面と、
前記第１遮光面と前記多層配線層との間に、前記第１遮光面に交差する方向に配置された第２遮光面とを含む
発光装置。
（２）
前記遮光部は、前記半導体素子の周縁よりも内側に設けられている
前記（１）に記載の発光装置。
（３）
前記第２遮光面は、前記半導体素子のうち、少なくとも前記発光素子に臨む位置に設けられている
前記（１）または（２）に記載の発光装置。
（４）
前記第２遮光面は、前記半導体素子の全周にわたって設けられている
前記（１）ないし（３）のうちいずれか１つに記載の発光装置。
（５）
複数の前記第２遮光面を有する
前記（１）ないし（４）のうちいずれか１つに記載の発光装置。
（６）
複数の前記第２遮光面は、互いに接して配置されている
前記（５）に記載の発光装置。
（７）
前記半導体層は溝を有し、
前記溝内に、前記第２遮光面が配置されている
前記（１）ないし（６）のうちいずれか１つに記載の発光装置。
（８）
前記第２遮光面は前記第１遮光面に接している
前記（１）ないし（７）のうちいずれか１つに記載の発光装置。
（９）
前記遮光部は、更に、前記第２遮光面を間にして前記第１遮光面に対向する第３遮光面を有する
前記（１）ないし（８）のうちいずれか１つに記載の発光装置。
（１０）
更に、前記発光素子と前記半導体素子との間に設けられ、前記発光素子から前記半導体素子への光の入射を抑える遮光部材を有する
前記（１）ないし（９）のうちいずれか１つに記載の発光装置。
（１１）
更に、前記基板上に設けられ、前記発光素子および前記半導体素子を覆う保護層と、
前記保護層を間にして前記基板に対向し、かつ、前記発光素子に対向する位置に開口を有する遮光膜とを有する
前記（１）ないし（１０）のうちいずれか１つに記載の発光装置。
（１２）
前記遮光膜は、前記発光素子と前記半導体素子との間の前記保護層の厚み方向に埋設されている
前記（１１）に記載の発光装置。
（１３）
前記保護層は、前記半導体素子に対向する厚膜部と、前記発光素子に対向するとともに、前記厚膜部よりも厚みの小さい薄膜部とを有する
前記（１１）に記載の発光装置。
（１４）
前記遮光膜は、前記薄膜部と前記厚膜部との間の段差を覆っている
前記（１３）に記載の発光装置。
（１５）
前記保護層の表面には、複数の凹凸が設けられている
前記（１１）ないし（１４）のうちいずれか１つに記載の発光装置。
（１６）
前記保護層は、前記基板側から順に、低屈折率膜および高屈折率膜を含む
前記（１１）ないし（１５）のうちいずれか１つに記載の発光装置。
（１７）
前記遮光部は、金属材料または樹脂材料を含む
前記（１）ないし（１６）のうちいずれか１つに記載の発光装置。
（１８）
前記遮光部は、無機絶縁材料を含む
前記（１）ないし（１７）のうちいずれか１つに記載の発光装置。
（１９）
前記遮光部の少なくとも一部は、厚み５００ｎｍ以上を有する
前記（１８）に記載の発光装置。
（２０）
発光装置を備え、
前記発光装置は、
基板と、
前記基板上に設けられた発光素子と、
前記基板上に設けられ、前記基板側から多層配線層および半導体層をこの順に有し、かつ、前記発光素子からの光の入射を抑える遮光部を有する半導体素子とを備え、
前記遮光部は、
前記半導体層を間にして前記基板に対向する第１遮光面と、
前記第１遮光面と前記多層配線層との間に、前記第１遮光面に交差する方向に配置された第２遮光面とを含む
表示装置。
（２１）
基板と、
前記基板上に設けられた発光素子と、
前記基板上に設けられ、前記基板側から多層配線層および半導体層をこの順に有する半導体素子と、
前記発光素子と前記半導体素子との間に設けられ、前記発光素子から前記半導体素子への光の入射を抑える遮光部材と
を備えた発光装置。
（２２）
基板と、
前記基板上に設けられた発光素子と、
前記基板上に設けられ、前記基板側から多層配線層および半導体層をこの順に有する半導体素子と、
前記基板上に設けられ、前記発光素子および前記半導体素子を覆う保護層と、
前記保護層を間にして前記基板に対向し、かつ、前記発光素子に対向する位置に開口を有する遮光膜とを備え、
前記遮光膜は、前記発光素子と前記半導体素子との間の前記保護層の厚み方向に埋設されている
発光装置。
（２３）
基板と、
前記基板上に設けられた発光素子と、
前記基板上に設けられ、前記基板側から多層配線層および半導体層をこの順に有する半導体素子と、
前記基板上に設けられ、前記発光素子および前記半導体素子を覆う保護層と、
前記保護層を間にして前記基板に対向し、かつ、前記発光素子に対向する位置に開口を有する遮光膜とを備え、
前記保護層は、前記半導体素子に対向する厚膜部と、前記発光素子に対向するとともに、前記厚膜部よりも厚みの小さい薄膜部とを有する
発光装置。
（２４）
基板と、
前記基板上に設けられた発光素子と、
前記基板上に設けられ、前記基板側から多層配線層および半導体層をこの順に有する半導体素子と、
前記基板上に設けられ、前記発光素子および前記半導体素子を覆う保護層と、
前記保護層を間にして前記基板に対向し、かつ、前記発光素子に対向する位置に開口を有する遮光膜とを備え、
前記保護層の表面には、複数の凹凸が設けられている
発光装置。
（２５）
基板と、
前記基板上に設けられた発光素子と、
前記基板上に設けられ、前記基板側から多層配線層および半導体層をこの順に有する半導体素子と、
前記基板上に設けられ、前記発光素子および前記半導体素子を覆う保護層と、
前記保護層を間にして前記基板に対向し、かつ、前記発光素子に対向する位置に開口を有する遮光膜とを備え、
前記保護層は、前記基板側から順に、低屈折率膜および高屈折率膜を含む
発光装置。
【０１６７】
本出願は、日本国特許庁において２０１８年８月３１日に出願された日本特許出願番号第２０１８−１６３０２３号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願の全ての内容を参照によって本出願に援用する。
【０１６８】
当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１３Ｄ】
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【図１３Ｅ】
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【図１３Ｆ】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４Ａ】
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【図２４Ｂ】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１Ａ】
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【図３１Ｂ】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４Ａ】
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【図３４Ｂ】
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【図３５Ａ】
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【図３５Ｂ】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０Ａ】
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【図４０Ｂ】
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【図４１】
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【図４２Ａ】
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【図４２Ｂ】
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【図４３Ａ】
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【図４３Ｂ】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０Ａ】
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【図５０Ｂ】
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【図５０Ｃ】
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【図５１Ａ】
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【図５１Ｂ】
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【図５２Ａ】
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【図５２Ｂ】
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【図５２Ｃ】
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【図５２Ｄ】
2020045147.tif 000076
【図５２Ｅ】
2020045147.tif 000077
【図５３Ａ】
2020045147.tif 000078
【図５３Ｂ】
2020045147.tif 000079
【図５３Ｃ】
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【国際調査報告】
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2020045147.tif 000082
2020045147.tif 000083
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