【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年12月3日(2008.12.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板をあるプロセス温度まで加熱する熱処理チャンバにおいて温度プローブ読み出しを補正する方法であって、
前記基板の片側上に反射キャビティを形成するステップと、
前記反射キャビティからエネルギーを抽出するために、第１のプローブを使用し、前記第１のプローブから抽出したエネルギーが、第１の有効反射率で測定された第１の温度指示値を発生させるステップと、
前記第１のプローブの有効反射率を変更するステップと、
前記第１のプローブを使用し、前記第１の有効反射率と異なる第２の有効反射率で第２の温度指示値を発生させるステップと、
前記反射キャビティからエネルギーを抽出するために、第２のプローブを使用し、前記第２のプローブから抽出したエネルギーが、第３の温度指示値を発生させるステップと、
前記第２のプローブの放射率の感度係数を導出するために、前記熱処理チャンバを検量するステップと、
前記第１のプローブの有効反射率から、前記基板の有効放射率を導出するステップと、
前記第１の温度指示値及び第２の温度指示値並びに前記基板の有効放射率から前記第１のプローブの調節温度を導出するステップと、
前記第２のプローブの放射率の感度係数と前記調節温度から、前記第２のプローブの放射率の感度調節温度を導出するステップと、
前記第２のプローブの放射率の感度調節温度と前記第３の温度指示値から、前記第２のプローブの補正された温度読み出しを導出するステップであって、前記第２のプローブの補正された温度読み出しが、前記第２のプローブが発生する補正されない温度指示値よりも、前記第２のプローブの環境下における前記基板の実際の温度のより正確な指示値である前記読み出しを導出するステップとを備える方法。
【請求項２】  各プローブに結合された光ファイバを介して、前記反射キャビティからパイロメータへ放射を伝達するステップを更に含み、
前記第１のプローブの前記有効反射率を変更する前記ステップが、前記第１のプローブに結合された前記光ファイバの出力端で視野角を減少させるステップを含む請求項１記載の方法。
【請求項３】  前記基板の反対側に位置する反射器に配置された少なくとも１つの導管を介して放射を収集するために各プローブを使用するステップを更に含み、
前記第１のプローブの前記有効反射率を変更する前記ステップが、前記第１のプローブの開口数を変更するステップを含む請求項１記載の方法。
【請求項４】  前記少なくとも１つの導管が１本の導管であると共に、前記導管を介して放射を方向付けるために、前記導管を２本の光ファイバに結合するステップを更に含み、前記２本の光ファイバがパイロメータに結合される請求項３記載の方法。
【請求項５】  前記２本の光ファイバを結合する前記ステップが、各光ファイバを前記パイロメータの異なるチャネルに結合するステップを含むと共に、前記第１の温度指示値及び第２の温度指示値のそれぞれのための異なる有効反射率を設定できるように、前記異なるチャネルの開口数をユーザが選択できる請求項４記載の方法。
【請求項６】  基板を加熱するための熱処理チャンバにおいて温度プローブ読み出しを補正する方法であって、
前記基板の片側上に反射キャビティを形成するステップと、
前記基板をあるプロセス温度まで加熱するステップと、
第１のプローブがそれと関連する第１の有効反射率と第２の有効反射率を有し、前記第１の有効反射率及び前記第２の有効反射率は異なるものであり、前記反射キャビティからエネルギーを抽出するために、前記第１のプローブと、第２のプローブを使用して、前記第１のプローブから抽出したエネルギーが、それぞれ第１の温度指示値及び第２の温度指示値を発生させ、前記第２のプローブから抽出したエネルギーが、第３の温度指示値を発生させるステップと、
前記第２のプローブの放射率の感度係数を導出するために、前記熱処理チャンバを検量するステップと、
前記第１の有効反射率及び前記第２の有効反射率から、前記基板の有効放射率を導出するステップと、
前記第１の温度指示値及び前記第２の温度指示値と前記基板の前記有効放射率から、前記第１のプローブの補正された温度読み出しを導出するステップであって、前記補正された温度読み出しが、前記第１の温度指示値と調節温度の合計であり、前記第１のプローブの補正された温度読み出しが、前記第１のプローブが発生する補正されない温度指示値よりも、前記第１のプローブの環境下における前記基板の実際の温度のより正確な指示値である前記読み出しを導出するステップと、
前記第２のプローブの放射率の感度係数と前記調節温度から、前記第２のプローブの放射率の感度調節温度を導出するステップと、
前記第２のプローブの放射率の感度調節温度と前記第３の温度指示値から、前記第２のプローブの補正された温度読み出しを導出するステップであって、前記第２のプローブの補正された温度読み出しが、前記第２のプローブが発生する補正されない温度指示値よりも、前記第２のプローブの環境下における前記基板の実際の温度のより正確な指示値である前記読み出しを導出するステップとを備える方法。
【請求項７】  前記第２のプローブの放射率の感度調節温度を導出する前記ステップが、前記調節温度に第２のプローブの放射率の感度係数を掛けるステップを含む請求項６記載の方法。
【請求項８】  基板を加熱するための熱処理チャンバにおいて温度プローブ読み出しを補正する方法であって、
前記基板の片側上に反射キャビティを形成するステップと、
前記基板をあるプロセス温度まで加熱するステップと、
前記反射キャビティからエネルギーを抽出するために、第１のプローブを使用し、前記第１のプローブから抽出したエネルギーが、第１の有効反射率で測定される第１の温度指示値を発生させるステップと、
第２のプローブの放射率の感度係数を導出するために、前記熱処理チャンバを検量するステップと、
前記第１のプローブの有効反射率を変更するステップと、
前記第１のプローブを使用し、前記第１の有効反射率と異なる第２の有効反射率で第２の温度指示値を発生させるステップと、
前記反射キャビティからエネルギーを抽出するために、第２のプローブを使用し、前記第２のプローブから抽出したエネルギーが、第３の温度指示値を発生させるステップと、
前記第１プローブの有効反射率から、前記基板の有効放射率を導出するステップと、
前記第１の温度指示値及び前記第２の温度指示値と前記基板の前記有効放射率から、前記第１のプローブの調節温度を導出するステップであって、それにより前記調節温度が前記第１の温度指示値と組み合わされるとき、前記第１のプローブが発生する補正されない温度指示値よりも、前記第１のプローブの環境下における前記基板の実際の温度のより正確な指示値が実現される前記調節温度を導出するステップと、
前記第２のプローブの放射率の感度係数と、前記第１のプローブの前記調節温度と、前記第３の温度指示値とから、前記第２のプローブの補正された温度読み出しを導出するステップであって、前記第２のプローブの補正された温度読み出しが、前記第２のプローブが発生する補正されない温度指示値よりも、前記第２のプローブの環境下における前記基板の実際の温度のより正確な指示値である前記読み出しを導出するステップとを備える方法。
【請求項９】  熱処理チャンバにおいて基板の温度を測定する装置であって、
前記基板を前記チャンバに位置させたときに、反射キャビティを形成するように前記熱処理チャンバに配置された反射板と、
前記反射キャビティからのエネルギーを受け、第１の温度指示値と第２の温度指示値を発生させるように位置させた第１のプローブであって、前記第１の温度指示値が、前記反射キャビティについて前記第２の温度指示値と異なる有効反射率と関連している第１のプローブと、
前記反射キャビティからのエネルギーを受け、第３の温度指示値を発生させるように位置させた第２のプローブと、
前記第１のプローブ及び前記第２のプローブからの前記第１の温度指示値、前記第２の温度指示値及び前記第３の温度指示値と、前記第２のプローブと関連する放射率の感度係数とを受ける温度測定モジュールであって、前記温度測定モジュールが、前記第１のプローブの有効反射率に基づいて前記基板の有効放射率を導出し、前記第１のプローブの補正された温度読み出しを導出するようにプログラムされ、前記第１のプローブの前記補正された温度読み出しが、前記第１の温度の指示値と調節温度の合計であり、前記調節温度が、前記第１の温度指示値及び前記第２の温度指示値並びに前記基板の有効放射率から計算され、前記補正された温度読み出しが、前記第１のプローブの補正されない温度指示値よりも、前記第１のプローブと関連する領域で前記基板の実際の温度のより正確な指示値であり、前記温度測定モジュールが、前記調節温度と、前記放射率の感度係数と、前記第３の温度指示値から前記第２のプローブの補正された温度読み出しを導出するようにプログラムされ、前記第２のプローブの補正された温度読み出しが、前記第２のプローブが発生する補正されない温度指示値よりも、前記第２のプローブの領域における前記基板の実際の温度のより正確な指示値である温度測定モジュールとを備える装置。
【請求項１０】  前記第１のプローブ及び第２のプローブが、光パイプを備える請求項９記載の装置。
【請求項１１】  前記温度測定モジュールが、前記第２のプローブの放射率の感度係数を計算し、前記第２のプローブの前記感度係数と、前記調節温度との積が、前記第３の温度指示値と合計されて、前記第２のプローブの補正された温度読み出しを生じる請求項９記載の装置。
【請求項１２】  前記反射キャビティからパイロメータへ放射を伝達するために各プローブに結合された光ファイバを含み、前記第１のプローブのための前記光ファイバが、前記第１のプローブの有効反射率を変更するために視野角を減少された出力端を含む請求項９記載の装置。
【請求項１３】  各プローブと関連し、前記反射板に配置されて、放射を収集するために前記基板の反対側に位置する導管を更に含む請求項９記載の装置。
【請求項１４】  前記第１のプローブの有効反射率が、前記第１のプローブの開口数を変更することによって変更可能である請求項９記載の装置。
【請求項１５】  前記第１のプローブが、１本の導管に結合された少なくとも２つの光ファイバを備え、各光ファイバがパイロメータに結合される請求項９記載の装置。
【請求項１６】  各光ファイバが、前記パイロメータの異なるチャネルに結合され、前記第１の温度指示値及び前記第２の温度指示値のそれぞれのための異なる有効反射率を設定できるように、前記異なるチャネルの開口数をユーザが選択できる請求項１５記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
（放射率補正温度の測定）
プローブの端部の周囲の反射器の表面でマイクロキャビティを用いることにより仮想的な黒体に非常に近接した反射キャビティを作り出してはいるにもかかわらず、依然として有効放射率は１に等しくはならないだろう。換言すれば、測定温度は、基板から基板への放射率の変化に起因する未知の誤差成分を有しているからである。更に、放射率感度が変化する際に、あるいは「有効放射率」が変化する際に、未知の誤差成分により基板表面にわたって変化するだろう。従って、基板の局所領域に対する有効放射率の変化を測定し且つ補正する事により、それぞれの温度測定に対する正確さを更に改善することが望ましいだろう。異なる有効放射率（又は等価な意味で、異なる有効反射率）を有する２つの温度プローブ（又は、２つの異なる開口数で抽出された１つの温度プローブ）を用いて、基板の特定の局所領域における温度を測定することにより、リアルタイム且つインシチュウの温度測定が改善されてもよい。そして、これらのプローブにより測定された温度を用いて、局所的な温度に対する初期の測定の補正が得られる。そして、それぞれの局所温度読み出しに対する精密な温度補正は、それぞれの局所温度領域に対して導出される放射感度係数による初期の補正を調節することにより得られる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
プローブ１５２は、非反射コーティングを有するマイクロキャビティの中に配置される代わりに、基板１０６の裏側で約３〜４ミリメートル以内の長さだけ反射器表面の上方に突き出ている。しかし、第２のプローブ（即ちプローブ１５２）は、処理中に熱い基板からの放射により加熱されることを防止するため、基板の裏側に近付き過ぎて（及び、冷却された反射プレートから離れて）配置されてはならない。プローブの温度が高すぎるようにならざるを得ない場合は、プローブはダメージを受け、及び／又は、プローブに材料が堆積してその性能を下げてしまうだろう。更に、プローブを基板裏側に近付け過ぎれば、基板の温度に影響を与えてしまうだろう。更に、マイクロキャビティの中にプローブ１５２を配置する代わりに、（異なる開口数に設定されたパイロメータの別々のチャネルによって処理されるように放射を通過させるための２本の光ファイバを含む）仮想マイクロキャビティ効果が生じるように構成された１つのプローブを上述のように使用することができる。２つのプローブ（又は測定）が異なる有効放射率を生じさせるのであれば、他の幾何的関係の組合わせも可能である。後に明らかにするが、２つの選択されたプローブの幾何関係は、関連する有効放射率の差を最大になるように与える。