(57)【要約】  蒸留器１を含む蒸留設備１０で溶剤を蒸留して精製溶剤を得る溶剤の精製方法である。蒸留設備１０を構成する蒸留器１、凝縮器２、受器３およびその他の構成部材の接液面および接気面の表面の中心平均粗さ（Ｒａ）を１μｍ以下とする。そして、蒸留設備１０を用いて、溶剤をガス流速１００ｍｍ／秒以下で蒸留する溶剤の精製方法とする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸留器を含む蒸留設備で溶剤を蒸留して精製溶剤を得る溶剤の精製方法であって、
前記蒸留設備を構成する各構成部材の接液面および接気面の表面の中心平均粗さ（Ｒａ）を１μｍ以下とし、且つ、
前記溶剤を蒸留する際のガス流速を１００ｍｍ／秒以下とする、溶剤の精製方法。
【請求項２】
前記溶剤が、炭化水素類、アルコール類、エーテル類、ケトン類、アミド類、エステル類、ニトリル類、ハイドロフルオロカーボン類、ハイドロフルオロエーテル類、パーフルオロカーボン類およびハイドロフルオロオレフィン類からなる群より選択される１種以上を含む、請求項１に記載の溶剤の精製方法。
【請求項３】
前記溶剤が、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンを含む、請求項１または２に記載の溶剤の精製方法。
【請求項４】
前記溶剤が、共沸組成物または共沸様組成物である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の溶剤の精製方法。
【請求項５】
前記共沸組成物が、ハイドロフルオロカーボン類とアルコール類とを含む、請求項４に記載の溶剤の精製方法。
【請求項６】
前記共沸組成物が、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンとｔｅｒｔ−アミルアルコールとを含む、請求項４または５に記載の溶剤の精製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、溶剤中に含まれる微粒子を低減するための溶剤の精製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造や洗浄を行う際に、微粒子等の不純物が低減された溶剤が使用されている。そこで、特許文献１では、有機溶剤中の金属不純物を除去するための装置として、フィルターを備えた濾過手段と、金属吸着手段とを具備する有機溶剤の精製装置が提案されている。【０００３】
また、環境負荷を低減する観点から、フッ素系溶剤を含む有機溶剤が、上述した半導体デバイスの製造や洗浄に使用されている。そして、特許文献２では、フッ素系溶剤を、フッ素原子を有しない材料からなるフィルターで濾過するフッ素系溶剤の精製方法が提案されている。この精製方法によれば、粒径２００ｎｍ以上の微粒子を効果的に除去することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−７３９２２号公報
【特許文献２】特開２００５−２３９６１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記従来の精製装置や精製方法では、フィルターで濾過して溶剤を精製するため、フィルターからの溶出物が精製された溶剤に混入し、それにより溶剤中で微粒子が生成される虞があった。そのため、フィルターを用いることなく溶剤中の微粒子を低減する溶剤の精製方法が求められていた。また、半導体デバイスの製造や洗浄に用いられる溶剤は、当該溶剤中に含まれる微粒子、具体的には粒径１００ｎｍ以下の微粒子を低減するという点において改善の余地があった。【０００６】
そこで、本発明は、フィルターを用いずに溶剤を精製する方法であって、当該溶剤中の微粒子を低減するための溶剤の精製方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った。そして、本発明者らは、蒸留設備を構成する各構成部材の接液面および接気面の表面が所定の粗さである蒸留設備を用い、且つ、所定のガス流速で溶剤を蒸留すれば、溶剤中に含まれる微粒子、特に、粒径３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の微粒子を効果的に除去できることを見出し、本発明を完成させた。【０００８】
即ち、この発明は、上記課題を有利に解決することを目的とするものであり、本発明の溶剤の精製方法は、蒸留器を含む蒸留設備で溶剤を蒸留して精製溶剤を得る溶剤の精製方法であって、前記蒸留設備を構成する各構成部材の接液面および接気面の表面の中心平均粗さ（Ｒａ）を１μｍ以下とし、且つ、前記溶剤を蒸留する際のガス流速を１００ｍｍ／秒以下とすることを特徴とする。このように、蒸留設備を構成する各構成部材の接液面および接気面の表面の中心平均粗さ（Ｒａ）を１μｍ以下とし、且つ、溶剤を蒸留する際のガス流速を１００ｍｍ／秒以下とすれば、微粒子、特に、粒径１００ｎｍ以下の微粒子が低減された精製溶剤が得られる。【０００９】
なお、本明細書において、「接液面」とは、蒸留設備を構成する構成部材の表面であって、液状の溶剤または液化した溶剤と接触し得る表面をいう。また、「接気面」とは、蒸留設備を構成する構成部材の表面であって、気化した溶剤と接触し得る表面をいう。
また、本発明において、「中心平均粗さ（Ｒａ）」は、表面の粗さを示す指標であって、日本工業規格ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２０１３で規定されている。
そして、本発明において、「ガス流速」は、下記式に基づいて求めることができる。
ガス流速（ｍｍ／秒）＝［単位時間当たりに蒸留器から減少する溶剤の液量（ｍｍ３／秒）／蒸留器の液面の面積（ｍｍ２）］【００１０】
ここで、本発明の溶剤の精製方法において、前記溶剤が、炭化水素類、アルコール類、エーテル類、ケトン類、アミド類、エステル類、ニトリル類、ハイドロフルオロカーボン類、ハイドロフルオロエーテル類、パーフルオロカーボン類およびハイドロフルオロオレフィン類からなる群より選択される１種以上を含むことが好ましい。溶剤が、上述した群より選択される１種以上を含んでいれば、本発明の精製方法によって得られる精製溶剤を、微細な半導体デバイスの製造や洗浄のための溶剤として好適に用いることができる。【００１１】
そして、本発明の溶剤の精製方法は、前記溶剤が、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンを含むことが好ましい。１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンは、不燃性、且つ、低毒性であり、水存在下での安定性に優れており、オゾン係数がゼロであり、溶剤として取り扱うのに適度な沸点を有している。したがって、溶剤として１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンを用いれば、本発明の溶剤の精製方法によって、環境負荷が低減された精製溶剤を効率的に得ることができる。【００１２】
更に、本発明の溶剤の精製方法は、前記溶剤が、共沸組成物または共沸様組成物であることが好ましい。溶剤が共沸組成物または共沸様組成物であれば、蒸留によって溶剤の組成が変化しないため、溶剤の精製をより効率的に行うことができる。
なお、本発明において「共沸組成物」とは、液相と平衡にある気相が液相と同一の組成を示す混合物を意味し、「共沸様組成物」とは、液相と平衡にある気相が液相と類似の組成を示す混合物を意味する。【００１３】
そして、本発明の溶剤の精製方法は、前記共沸組成物が、ハイドロフルオロカーボン類とアルコール類とを含むことが好ましく、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンとｔｅｒｔ−アミルアルコールとを含むことがより好ましい。ハイドロフルオロカーボン類とアルコール類とを含む共沸組成物を用いれば、溶剤の精製をより安定的に行うことができる。更に、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンとｔｅｒｔ−アミルアルコールとを含む共沸組成物は、不燃性である。そのため、溶剤として１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンとｔｅｒｔ−アミルアルコールとを含む共沸組成物を用いれば、溶剤の精製を更に安定的に行うことができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の溶剤の精製方法によれば、フィルターを用いずに、微粒子が低減された精製溶剤を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の溶剤の精製方法で使用し得る蒸留設備の概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の溶剤の精製方法について、図面に基づき詳細に説明する。
ここで、本発明の溶剤の精製方法は、蒸留設備で溶剤を精製して精製溶剤を得る方法であって、微粒子を含む溶剤の精製に用いることができる。そして、本発明の溶剤の精製方法によって得られる精製溶剤は、特に限定されることなく、例えば、半導体デバイスの製造や洗浄のための溶剤として好適に用いることができる。なお、本発明の溶剤の精製方法は、通常、クリーンルーム内で実施するものである。
【００１７】
（溶剤の精製方法）
本発明の溶剤の精製方法では、蒸留設備を構成する各構成部材の接液面および接気面の表面を所定の粗さとし、当該蒸留設備を用いて所定のガス流速で溶剤を蒸留して精製溶剤を得る。
【００１８】
＜蒸留設備＞
ここで、図１に、本発明の溶剤の精製方法で使用し得る蒸留設備の概略構成を示す。
図１に示す蒸留設備１０は、蒸留設備１０を構成する構成部材として、溶剤を加熱して気化する蒸留器１と、気化した溶剤を冷却して液化する凝縮器２と、液化した溶剤を貯蔵する受器３と、蒸留器１と凝縮器２とを接続する第１配管および第１継手（いずれも図示せず）と、凝縮器２と受器３とを接続する第２配管および第２継手（いずれも図示せず）と、蒸留器１と凝縮器２との間に設けられ、凝縮器２への気化した溶剤の流れを調節する第１バルブ（図示せず）と、凝縮器２と受器３との間に設けられ、受器３への液化した溶剤の流れを調節する第２バルブ（図示せず）と、を備えている。
【００１９】
そして、蒸留器１、凝縮器２、受器３、第１配管および第２配管、第１継手および第２継手、第１バルブおよび第２バルブは、いずれも、接液面および接気面の表面の中心平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下であることを必要とする。更に、接液面および接気面の表面の中心平均粗さ（Ｒａ）は０．７μｍ以下であることが好ましく、０．５μｍ以下であることがより好ましく、また、０．００１μｍ以上であることが好ましく、０．００２μｍ以上であることがより好ましい。このように、蒸留設備１０を構成する各構成部材の接液面および接気面の表面の中心平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下であれば、各構成部材の接液面および接気面の表面に吸着している不純物や粒子が、気化した溶剤や液化した溶剤中に混入するのを抑制することができる。
【００２０】
なお、接液面および接気面を構成し得る材質としては、表面処理によって中心平均粗さ（Ｒａ）を１μｍ以下に調整可能な材質であれば特に限定されず、例えば、ステンレス鋼、アルミニウム含有ステンレス鋼、アルミニウム合金、アルミニウム、銅等が挙げられる。そして、ステンレス鋼としては、例えば、オーステナイト系、フェライト系、オーステナイト・フェライト系およびマルテンサイト系ステンレス鋼等が挙げられる。更に、オーステナイト系のステンレス鋼としては、例えば、ＳＵＳ（stainless steel）３０４、ＳＵＳ３０４Ｌ、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１６Ｌ、ＳＵＳ３１７、ＳＵＳ３１７Ｌ等が好適に用いられる。
【００２１】
また、中心平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下の接液面および接気面を得るための表面処理方法としては、特に限定されず、例えば、酸洗、機械研磨、ベルト研磨、バレル研磨、バフ研磨、流動砥粒研磨、ラップ研磨、バニシング研磨、化学研磨、電解研磨、電解複合研磨等を好適に用いることができる。中でも、接液面および接気面の表面の中心平均粗さ（Ｒａ）の値をより低くすることにより、接液面および接気面の表面に吸着している不純物や粒子が、気化または液化した溶剤中に混入するのをより抑制する観点からは、表面処理方法として電解研磨または電解複合研磨が好ましい。
なお、蒸留設備１０を構成する各構成部材において、接液面および接気面の表面と、接液面および接気面の表面以外の他の部分とは、互いに異なる材質から構成されていてもよいし、同一の材質から構成されていてもよい。
【００２２】
更に、接液面および接気面の表面には、酸化物不働態膜が形成されていてもよい。ここで、酸化物不働態膜は、特に限定されないが、酸化アルミニウム、酸化クロム、酸化チタン、酸化イットリウムおよび酸化マグネシウムからなる群から選択される少なくとも１種の酸化物からなることが好ましく、酸化アルミニウム、酸化クロムからなることがより好ましい。接液面および接気面の表面に酸化物不働態膜が形成されることにより、接液面および接気面の表面の中心平均粗さ（Ｒａ）の値を更に低くして、接液面および接気面の表面に吸着している不純物や粒子が、気化または液化した溶剤中に混入するのを更に抑制できるとともに、接液面および接気面の表面の耐食性を向上させることができる。
【００２３】
ここで、構成部材の接液面および接気面の表面に酸化物不働態膜を形成する方法は、特に限定されず、例えば、構成部材の接液面および接気面の表面に酸化性ガスを接触させて熱処理を行う方法が挙げられ、具体的には、例えば、国際公開第２００５／０８８１８５号に記載の方法が挙げられる。
【００２４】
なお、本発明の溶剤の精製方法において使用する蒸留設備は、少なくとも蒸留器を含み、且つ、蒸留設備を構成する各構成部材の接液面および接気面の表面の中心平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下であれば特に限定されない。したがって、蒸留設備は、図１に示した構成部材の他に、例えば、接液面および接気面の表面の中心平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下の圧力計、液レベル計、温度計等を更に含み得る。
【００２５】
＜溶剤＞
そして、本発明の溶剤の精製方法で用いる溶剤は、通常、微粒子を含むものである。ここで、溶剤は、特に限定されないが、例えば、炭化水素類、アルコール類、エーテル類、ケトン類、アミド類、エステル類、ニトリル類、ハイドロフルオロカーボン類、ハイドロフルオロエーテル類、パーフルオロカーボン類およびハイドロフルオロオレフィン類からなる群より選択される１種以上を含むことが好ましい。上述した群より選択される１種以上を含む溶剤を用いれば、本発明の精製方法によって得られる精製溶剤を、微細な半導体デバイスの製造や洗浄のための溶剤として好適に用いることができる。
【００２６】
そして、炭化水素類としては、例えば、ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等が挙げられる。
【００２７】
また、アルコール類としては、例えば、シクロペンタノール、ブタノール、イソプロパノール、２−ブタノール、メチルブタノール、ｔｅｒｔ−アミルアルコール、プロパノール、ヘプタノール、ヘキサノール、デカノール、ノナノール等の脂肪族アルコール類やベンジルアルコール、メチルベンジルアルコール、エチルベンジルアルコール、メトキシベンジルアルコール、エトキシベンジルアルコール、ヒドロキシベンジルアルコール、３−フェニルプロパノール、クミルアルコール、フルフリルアルコール、フェネチルアルコール、メトキシフェネチルアルコール、エトキシフェネチルアルコール等の芳香族アルコール類等が挙げられる。
【００２８】
また、エーテル類としては、例えば、シクロペンチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、３−メトキシ−３−メチルブタノール等のグリコールエーテル類等が挙げられる。
【００２９】
そして、ケトン類としては、例えば、シクロペンタノン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等が挙げられる。
【００３０】
また、アミド類としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホルトリアミド、Ｎ−メチルピロリドン等が挙げられる。
【００３１】
そして、エステル類としては、例えば、酢酸ブチル、酢酸イソプロピル、プロピオン酸ブチル、カプロン酸メチル、カプロン酸ブチル等が挙げられる。
【００３２】
また、ニトリル類としては、例えば、アセトニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられる。
【００３３】
そして、ハイドロフルオロカーボン類としては、例えば、下記式（１）または下記式（２）で表されるハイドロフルオロカーボン類が挙げられる。
【００３４】
ＣｎＨｍＦ２ｎ＋２−ｍ      ・・・（１）
ＣｎＨｍＦ２ｎ−ｍ          ・・・（２）
上記式（１）および（２）中、いずれもｎは４以上６以下であり、ｍは１以上であり、３以上であることが好ましい。
【００３５】
また、上記式（１）で表されるハイドロフルオロカーボン類としては、特に限定されるものではないが、１，１，１，３，３−ペンタフルオロブタンが好ましい。
【００３６】
そして、上記式（２）で表されるハイドロフルオロカーボン類としては、例えば、１，１，２，２，３−ペンタフルオロシクロブタン、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン、１，１，２，２，３，３，４，４，５−ノナフルオロシクロヘキサン等が挙げられる。
【００３７】
また、ハイドロフルオロエーテル類としては、例えば、メチルパーフルオロブチルエーテル、メチルパーフルオロイソブチルエーテル、メチルパーフルオロペンチルエーテル、エチルパーフルオロブチルエーテル、エチルパーフルオロイソブチルエーテル等が挙げられる。
【００３８】
そして、パーフルオロカーボン類としては、例えば、パーフルオロヘキサン、パーフルオロヘプタン等が挙げられる。
【００３９】
また、ハイドロフルオロオレフィン類としては、例えば、１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペン等が挙げられる。
【００４０】
そして、上述した溶剤の中でも、ハイドロフルオロカーボン類を用いることがより好ましい。ハイドロフルオロカーボン類は、不燃性であり、水存在下での安定性に優れており、低毒性であり、オゾン破壊係数がゼロである。そのため、溶剤がハイドロフルオロカーボン類であれば、本発明の溶剤の精製方法によって得られる精製溶剤を、環境負荷が低減された溶剤として好適に用いることができる。更に、ハイドロフルオロカーボン類は、環状のハイドロフルオロカーボン類であることがより好ましく、溶剤として取り扱うのに適度な沸点を有しているという観点から、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンであることが更に好ましい。
なお、上述した溶剤は、１種単独で、または、２種以上を混合して用いることができる。
【００４１】
更に、本発明の溶剤の精製方法で用いる溶剤は、共沸組成物または共沸様組成物であることが更に好ましい。溶剤が共沸組成物または共沸様組成物であれば、蒸留によって溶剤の組成が変化しないため、溶剤の精製をより効率的に行うことができる。
なお、共沸組成物または共沸様組成物は、種類や濃度等が異なる２種以上の溶剤を適宜組み合わせることにより調製することができる。
【００４２】
ここで、共沸組成物または共沸様組成物は、特に限定されないが、ハイドロフルオロカーボン類とアルコール類とを含むことがより好ましい。ハイドロフルオロカーボン類とアルコール類とを含む共沸組成物を用いれば、溶剤の精製をより安定的に行うことができる。そして、共沸組成物は、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンとｔｅｒｔ−アミルアルコールとを含むことが更に好ましい。１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンとｔｅｒｔ−アミルアルコールとを含む共沸組成物は、不燃性である。そのため、溶剤として１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンとｔｅｒｔ−アミルアルコールとを含む共沸組成物を用いれば、溶剤の精製を更に安定的に行うことができる。
【００４３】
そして、共沸組成物中に含まれる１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンとｔｅｒｔ−アミルアルコールとの質量比は特に限定されないが、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンとｔｅｒｔ−アミルアルコールは、質量比（１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン／ｔｅｒｔ−アミルアルコール）が９４〜９８／６〜２であることが好ましく、９５〜９７／５〜３であることがより好ましく、共沸組成物を形成しうる質量比である９５．８／４．２であることが更に好ましい。
【００４４】
＜ガス流速＞
そして、本発明の溶剤の精製方法では、上述した蒸留設備、すなわち、少なくとも蒸留器を含み、且つ、蒸留設備を構成する各構成部材の接液面および接気面の表面の中心平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下である蒸留設備を用いて、溶剤をガス流速１００ｍｍ／秒以下で蒸留することを必要とする。ここで、ガス流速は５０ｍｍ／秒以下であることが好ましく、３０ｍｍ／秒以下であることがより好ましく、また、０．１ｍｍ／秒以上であることが好ましく、１ｍｍ／秒以上であることがより好ましい。上述した蒸留設備を用い、且つ、溶剤をガス流速１００ｍｍ／秒以下で蒸留することにより、溶剤中に含まれる微粒子が気化した溶剤に同伴することが抑制されるため、結果として、微粒子が低減された精製溶剤を得ることができる。
なお、ガス流速の調整は、蒸留温度や蒸留器のサイズ等を調整することによって行うことができる。
【００４５】
そして、蒸留を行う際の留出率は、用いる溶剤の種類等に応じて適宜調整すればよいが、通常は、１質量％以上９９．５質量％以下である。
なお、「留出率」は、本明細書の実施例に記載の方法によって求めることができる。
【００４６】
また、蒸留圧力は、加圧、常圧、減圧でもよいが、通常は、−０．１０２ＭＰａＧ以上１ＭＰａＧ以下であり、好ましくは−０．０９ＭＰａＧ以上０．８ＭＰａＧ以下である。
【００４７】
本発明の溶剤の精製方法によれば、溶剤中に含まれる粒径１００ｎｍ以下の微粒子を、効果的に低減することができる。そして、溶剤を精製して得られる精製溶剤中に含まれる粒径３０ｎｍ以上の微粒子は、１００個／ｍＬ以下であることが好ましく、９５個／ｍＬ以下であることがより好ましい。
なお、溶剤中に含まれる「微粒子数」は、本明細書の実施例に記載の方法によって測定することができる。
【００４８】
そして、本発明の溶剤の精製方法により得られた精製溶剤は、例えば、半導体デバイスの製造や洗浄に用いられる溶剤として好適に使用し得る。
【実施例】
【００４９】
以下、本発明について実施例に基づき具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以下の説明において、量を表す「％」は、特に断らない限り、質量基準である。
ここで、実施例および比較例において、ガス流速、留出率および微粒子数は、下記の方法で測定した。【００５０】
＜ガス流速＞
ガス流速は、下記式に基づいて算出した。
ガス流速（ｍｍ／秒）＝［単位時間当たりに蒸留器から減少する溶剤の液量（ｍｍ３／秒）／蒸留器の液面の面積（ｍｍ２）］【００５１】
＜留出率＞
下記式に基づいて、留出率を算出した。
留出率（％）＝（留出した溶剤の量／蒸留器に仕込んだ溶剤の量）×１００【００５２】
＜微粒子数＞
液中微粒子カウンター（ＲＩＯＮ社製「ＫＳ−１９Ｆ」）を使用して、温度２３℃にて、仕込液（溶剤）中および留分（精製溶剤）中に含まれる粒径３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の微粒子数を測定した。【００５３】
（実施例１）
＜蒸留設備の構成＞
電解研磨により接液面および接気面の表面の中心平均粗さ（Ｒａ）が０．４μｍ以下に調整された蒸留器、凝縮器および受器を準備した。そして、蒸留器および凝縮器、ならびに、凝縮器および受器を、それぞれ、配管およびＵＰＧ継手またはＩＣＦフランジにより接続した。その際、配管として、接液面および接気面の表面に酸化クロムからなる酸化物不働態膜が形成されており、且つ、接液面および接気面の表面の中心平均粗さ（Ｒａ）が０．７μｍ以下に調整された配管（Ａ）を使用した。また、ＵＰＧ継手として、電解研磨により接液面および接気面の表面の中心平均粗さ（Ｒａ）が０．７μｍ以下に調整されたものを使用した。そして、ＩＣＦフランジとして、接液面および接気面の表面の中心平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下に調整されたものを使用した。更に、蒸留器と凝縮器との間、および、凝縮器と受器との間に、接液面および接気面の表面に摺動部のない、デッドスペースを極小にした電解研磨仕様のダイヤフラムバルブ［フジキン社製「ＮＥＷ  ＭＥＧＡシリーズ」、ダイヤフラムバルブの接液面および接気面の表面の中心平均粗さ（Ｒａ）：０．１μｍ以下］を設け、蒸留設備を構成した。【００５４】
＜溶剤の蒸留＞
溶剤としての１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン（１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン中に含まれる粒径３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の微粒子数：２４２０個／ｍＬ、沸点：８２．５℃）を、仕込液として蒸留器に仕込んだ。そして、蒸留圧力が−５０ｋＰａＧの減圧下、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンのガス流速が１０ｍｍ／秒、留出液温度が６６℃となるように蒸留器を加熱して蒸留した。そして留分として、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンを留出させて精製溶剤を得た。その際の留出率を表１に示す。そして、留分(精製溶剤)中に含まれる粒径３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の微粒子数を測定した。結果を表１に示す。【００５５】
（実施例２）
ガス流速を１００ｍｍ／秒に変えた以外は実施例１と同様にして溶剤を蒸留し、留分として、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンを留出させた。そして、得られた留分中に含まれる粒径３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の微粒子数を測定した。結果を表１に示す。【００５６】
（実施例３）
溶剤として、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンとｔｅｒｔ−アミルアルコールとを含む共沸組成物［質量比（１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン／ｔｅｒｔ−アミルアルコール）で９５．８／４．２、共沸組成物中に含まれる粒径３０ｎｍ以上の微粒子数：４３５０個／ｍＬ、共沸組成物の沸点：８２℃）］を使用して、溶剤の留出液温度が６５℃となるように蒸留器を加熱した以外は、実施例１と同様にして溶剤を蒸留し、留分として、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンとｔｅｒｔ−アミルアルコールとを含む共沸組成物を留出させた。その際の留出率を表１に示す。そして、得られた留分中に含まれる粒径３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の微粒子数を測定した。結果を表１に示す。【００５７】
（実施例４）
溶剤として、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンに替えて、シクロペンタノン（シクロペンタノン中に含まれる粒径３０ｎｍ以上の微粒子数：５３２５個／ｍＬ、沸点：１３０．６℃）を使用して、蒸留圧力が−８２ｋＰａＧの減圧下、溶剤の留出液温度が８０℃となるように蒸留器を加熱した以外は、実施例１と同様にして溶剤を蒸留し、留分としてシクロペンタノンを留出させた。その際の留出率を表１に示す。そして、得られた留分中に含まれる粒径３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の微粒子数を測定した。結果を表１に示す。【００５８】
（実施例５）
溶剤として、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンに替えて、シクロペンタノール（シクロペンタノール中に含まれる粒径３０ｎｍ以上の微粒子数：７８９０個／ｍＬ、シクロペンタノールの沸点：１４０．８５℃）を使用して、蒸留圧力が−８８ｋＰａＧの減圧下、溶剤の留出液温度が８６℃となるように蒸留器を加熱した以外は、実施例１と同様にして溶剤を蒸留し、留分としてシクロペンタノールを留出させた。その際の留出率を表１に示す。そして、得られた留分中に含まれる粒径３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の微粒子数を測定した。結果を表１に示す。【００５９】
（実施例６）
溶剤として、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンに替えて、シクロペンチルメチルエーテル（シクロペンチルメチルエーテル中に含まれる粒径３０ｎｍ以上の微粒子数：７５７０個／ｍＬ、シクロペンチルメチルエーテルの沸点：１０６℃）を使用して、蒸留圧力が−４８ｋＰａＧの減圧下、溶剤の留出液温度が８５℃となるように蒸留器を加熱した以外は、実施例１と同様にして溶剤を蒸留し、留分としてシクロペンチルメチルエーテルを留出させた。その際の留出率を表１に示す。そして、得られた留分中に含まれる粒径３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の微粒子数を測定した。結果を表１に示す。【００６０】
（実施例７）
溶剤として、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンに替えて、Ｎ−メチルピロリドン（Ｎ−メチルピロリドン中に含まれる粒径３０ｎｍ以上の微粒子数：９８００個／ｍＬ、Ｎ−メチルピロリドンの沸点：２０２℃）を使用して、蒸留圧力が−１００ｋＰａＧの減圧下、溶剤の留出液温度が８５℃となるように蒸留器を加熱した以外は、実施例１と同様にして溶剤を蒸留し、留分として、Ｎ−メチルピロリドンを留出させた。その際の留出率を表１に示す。そして、得られた留分中に含まれる粒径３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の微粒子数を測定した。結果を表１に示す。【００６１】
（比較例１）
ガス流速を３００ｍｍ／秒に変えた以外は実施例１と同様にして溶剤を蒸留し、留分として、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンを留出させた。その際の留出率を表１に示す。そして、得られた留分中に含まれる粒径３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の微粒子数を測定した。結果を表１に示す。【００６２】
（比較例２）
＜蒸留設備の構成＞
配管として、配管（Ａ）に替えて配管（Ｂ）［接液面および接気面の表面の中心平均粗さ（Ｒａ）が３〜４．５μｍ程度のステンレスＢＡ管（光輝焼鈍管）］を備える以外は、実施例１と同様の構成を有する蒸留設備を使用した。そして、この蒸留設備を用いたこと、および、溶剤のガス流速を３００ｍｍ／秒としたこと以外は、実施例１と同様に溶剤を蒸留し、留分として、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンを留出させた。その際の留出率を表１に示す。そして、得られた留分中に含まれる粒径３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の微粒子数を測定した。結果を表１に示す。【００６３】
【表１】
2020044825.tif 000003
【００６４】
なお、表１中、
「溶剤Ａ」は、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンを表し、
「溶剤Ｂ」は、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンとｔｅｒｔ−アミルアルコールとを含む共沸組成物［質量比（１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン/ｔｅｒｔ−アミルアルコール）で９５．８／４．２］を表し、
「溶剤Ｃ」は、シクロペンタノンを表し、
「溶剤Ｄ」は、シクロペンタノールを表し、
「溶剤Ｅ」は、シクロペンチルメチルエーテルを表し、
「溶剤Ｆ」は、Ｎ−メチルピロリドンを表す。【００６５】
実施例１〜７より、接液面および接気面の表面の中心平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下に調整された構成部材を備えた蒸留設備を用いて、ガス流速１００ｍｍ／秒以下で溶剤を蒸留すると、粒径３０ｎｍ以上の微粒子を十分に低減できることが分かる。
これに対して、比較例１より、蒸留設備を構成する各構成部材の接液面および接気面の表面の中心平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下であっても、１００ｍｍ／秒を上回るガス流速で溶剤を蒸留すると、粒径３０ｎｍ以上の微粒子を十分に低減できないことが分かる。
また、比較例２より、接液面および接気面の表面の中心平均粗さ（Ｒａ）が１μｍを上回る構成部材を備えた蒸留設備を用いて、１００ｍｍ／秒を上回るガス流速で溶剤を蒸留すると、粒径３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の微粒子をほとんど低減することができないことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明の溶剤の精製方法によって得られる精製溶剤は、半導体デバイスの製造や洗浄に使用される溶剤として用いることができる。
【符号の説明】
【００６７】
１      蒸留器
２      凝縮器
３      受器
１０      蒸留設備
【図１】
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【国際調査報告】
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