(57)【要約】  本実施形態の一態様に係る発光素子収納用基板（Ａ）は、基材（１）の第１面（１ａ）に開口部（１０ａ）を備えた、底面（１０ｂ）を有する凹部（１０）を備えており、凹部（１０）に隣接する側壁（３）の少なくとも一部が、凹部（１０）の底面（１０ｂ）側の幅が凹部（１０）の開口部（１０ａ）側の幅よりも大きい第１側壁（３０）とされていることを特徴とする。また、本実施形態の発光装置（Ａ１）は、上記の発光素子収納用基板（Ａ）と、凹部（１０）の底面（１０ｂ）上に搭載されている発光素子（１００）とを備えていることを特徴とする。
2020095481.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の第１面に開口部を備えた、底面を有する凹部を備えており、
該凹部に隣接する側壁の少なくとも一部が、前記底面側の幅が前記開口部側の幅よりも大きい第１側壁とされている、発光素子収納用基板。
【請求項２】
前記第１側壁の幅が、前記開口部側より前記底面側に向けて連続して広くなっている、請求項１に記載の発光素子収納用基板。
【請求項３】
前記第１側壁の内壁面が、凹凸部を有している、請求項１に記載の発光素子収納用基板。
【請求項４】
前記第１側壁の前記底面側の端縁は、前記底面よりも深い位置にある、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の発光素子収納用基板。  
【請求項５】
前記第１側壁の内壁面と、前記底面とが連続した凹状の湾曲面を成している、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の発光素子収納用基板。  
【請求項６】
前記第１側壁は、内壁面と上面とが連続した凸状の湾曲面を成している、請求項１乃至５のいずれか一つに記載の発光素子収納用基板。
【請求項７】
前記基材は、外形が直方体状であり、前記底面を有する底部基板と、該底部基板の４辺に沿って配置される４つの壁部材と、を備え、
４つの前記壁部材のうち、前記第１側壁を有する前記壁部材の幅が、他の前記壁部材の幅よりも大きい、請求項１乃至６のいずれか一つに記載の発光素子収納用基板。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一つに記載の発光素子収納用基板の前記底面上に発光素子を備えている、発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光素子収納用基板および発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光素子を収納するための基板として、発光素子から放射される光を例えば上方に反射させるための反射体を、平板状の基材上に備えている発光素子収納用基板が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平８−１１６１２７号公報
【発明の概要】
【０００４】
本実施形態の一態様に係る発光素子収納用基板は、基材の第１面に開口部を備えた、底面を有する凹部を備えており、該凹部に隣接する側壁の少なくとも一部が、前記底面側の幅が前記開口部側の幅よりも大きい第１側壁とされている。
【０００５】
本実施形態の発光装置は、上記の発光素子収納用基板の前記底面上に発光素子を備えている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本実施形態の発光装置の一例を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示した発光装置の平面図である。
【図３】図３は、図２のｉ−ｉ線断面図である。
【図４】図４は、発光装置の他の態様の断面図である。
【図５】図５は、図４の拡大図である。
【図６】図６は、発光装置の他の態様の断面図である。
【図７】図７は、図６の拡大図である。
【図８】図８は、発光装置の他の態様の断面図である。
【図９】図９は、図８の拡大図である。
【図１０】図１０は、発光装置の他の態様の断面図である。
【図１１】図１１は、図１０の拡大図である。
【図１２】図１２は、発光装置の他の態様の平面図である。
【図１３】図１３は、図１２のｉｉ−ｉｉ線断面図である。
【図１４】図１４は、本実施形態の発光素子収納用基板の一製造工程を示す斜視図である。
【図１５】図１５は、本実施形態の発光素子収納用基板の一製造工程を示す断面図である。
【図１６】図１６は、光軸精度の評価装置を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、添付図面を参照して、本実施形態の発光素子収納用基板および発光装置の一態様について説明する。ここで、発光素子としては、レーザーダイオード（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ）および発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）等を挙げることができる。以下に示す各実施形態は、とりわけレーザーダイオード用として有用なものとなる。
【０００８】
図１および図２は、本実施形態の発光素子収納用基板を用いた発光装置の一例を示す斜視図および平面図である。図３は、図２のｉ−ｉ線断面図である。
【０００９】
図１〜図３に示すように、本実施形態に係る発光素子収納用基板Ａは、基材１の第１面１ａに開口部１０ａを備えた、底面１０ｂを有する凹部１０を備えている。さらに基材１は、底部基板２と、底部基板２上に配置された側壁３とを備えている。側壁３は凹部１０に隣接しており、凹部１０を囲むように存在している。凹部１０の開口部１０ａは、基材１の第１面１ａと等しい高さにあり、凹部１０の端部をなしている。凹部１０の底面１０ｂは、基材１の第１面１ａに対して所定の深さにあり、底部基板２の表面の一部をなしている。側壁３のうち、基材１の第１面１ａの一部をなしている部分を、ここでは第１端部３ａとする。また、側壁３のうち、第１端部３ａの反対側に位置しており、基材１において側壁３と底部基板２との境界となっている部分を、ここでは第２端部３ｂとする。
【００１０】
発光素子収納用基板Ａでは、側壁３の少なくとも一部が第１側壁３０とされている。ここで、第１側壁３０とは、側壁３において、凹部１０の底面１０ｂ側における側壁３の幅ＬＬが、凹部１０の開口部１０ａ側における側壁３の幅ＨＬよりも大きい側壁をいう。凹部１０の底面１０ｂ側における側壁３の幅ＬＬとは、図３に示すように、基材１を断面視したときの、側壁３の第２端部３ｂの長さをいう。また、凹部１０の開口部１０ａ側における側壁３の幅ＨＬとは、基材１を断面視したときの、側壁３の第１端部３ａの長さをいう。
【００１１】
凹部１０の底面１０ｂ上には、例えばレーザーダイオード等の発光素子１００が搭載される。この場合、第１側壁３０は、発光素子１００から放射された光（以下、放射光とよぶことがある）を反射させる反射体とすることができる。第１側壁３０を反射体とする場合には、第１側壁３０の内壁面３０ｃ上にＮｉめっき膜やＡｕめっき膜等を形成してもよい。
【００１２】
発光素子収納用基板Ａでは上述のように、凹部１０の底面１０ｂ上に発光素子１００が搭載される。さらに凹部１０に隣接しており、凹部１０を囲むように存在している側壁３の少なくとも一部（第１側壁３０）を、発光素子１００から放射される光の反射体としている。発光素子収納用基板Ａがこのような構造を有すると、反射体（第１側壁３０）に曲げモーメント等の応力が働いた場合に、その応力が周囲の側壁３に分散される。この結果、反射体（第１側壁３０）の変形を低減することができる。したがって、反射体（第１側壁３０）の変形による反射光の光軸ずれを低減することができるため、信頼性の高い発光素子収納用基板Ａを実現することができる。
【００１３】
発光素子収納用基板Ａでは、図３等に示すように、第１側壁３０の幅が、凹部１０の開口部１０ａ側より、凹部１０の底面１０ｂ側に向けて連続して広くなっていてもよい。すなわち、第１側壁３０の内壁面３０ｃは、凹部１０の底面１０ｂに対して傾斜面をなしていてもよい。この場合、第１側壁３０を反射体とすれば、例えば凹部１０の底面１０ｂに平行に発せられた放射光を上方に反射させることができる。ここで、「上方に反射させることができる」とは、凹部１０の底面１０ｂ側から、凹部１０の開口部１０ａ側に向かう方向に、放射光が反射することをいう。第１側壁３０の構造は、第１側壁３０の幅が、凹部１０の開口部１０ａ側より、凹部１０の底面１０ｂ側に向けて連続して広くなっているものに限られず、その他種々の構造が適用可能である。例えば後述するように、第１側壁３０の幅が段階的に変化する構造であってもよい。
【００１４】
底部基板２と側壁３とは、一体的に形成されていてもよい。この場合、反射体（第１側壁３０）に働いた応力が底部基板２まで分散されるようになるため、反射体（第１側壁３０）の変形をより効果的に低減することができる。したがって、信頼性のより高い発光素子収納用基板Ａを実現することができる。
【００１５】
さらに、底部基板２と側壁３とは、同一の材料により、一体的に形成されていてもよい。この場合、底部基板２と側壁３との間に熱抵抗を生じさせる界面が生じないため、基材１の熱抵抗を小さくすることができる。したがって、放熱性の高い発光素子収納用基板Ａを実現することができる。
【００１６】
側壁３は凹部１０を囲むように存在しているのがよいが、凹部１０の周囲において、側壁３同士がつながっていない部分を有していてもよい。すなわち、側壁３の端部と端部とが離隔された状態であってもよい。この場合側壁３は、凹部１０の外周のうち、少なくとも半分以上を囲むものであるとよい。また、側壁３の内壁面は、角をなす部分を有していてもよいが、角部を有さない滑らかな状態であってもよい。
【００１７】
基材１（底部基板２および側壁３）には主として、セラミック材料を適用してもよいが、その他に金属材料、有機材料およびガラス材料を主として適用してもよい。また、上述のように底部基板２および側壁３は同一の材料により一体的に形成されていてもよい。基材１には、種々のセラミックを適用することが可能であるが、高い熱伝導率を有するという点から窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分として含んでいてもよい。
【００１８】
ここで、「窒化アルミニウムを主成分として含んでいる」とは、基材１が窒化アルミニウムを８０質量％以上、さらには９０質量％以上含んでいることをいう。基材１が窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分として含んでいると、より熱放散性に優れた発光素子収納用基板Ａとすることができる。
【００１９】
発光素子収納用基板Ａでは必要に応じて、底部基板２および側壁３の内部および表面上にビア導体４および導体パターン５が設けられる。ビア導体４および導体パターン５には、種々の金属材料、合金および複合材料が適用される。基材１が窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含有する場合には、同時焼成が可能であるという点から、タングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）と、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の複合材料を適用してもよい。導体パターン５の表面には、Ｎｉなどのめっき膜を形成してもよい。さらに、かかるめっき膜の表面に、ハンダやＡｕ−Ｓｎめっき膜を設けてもよい。
【００２０】
発光素子１００は、凹部１０の底面１０ｂ上にハンダなどの導電性接合材を用いて接合される。この際に、発光素子１００の上面に設けられる第２電極（不図示）と、導体パターン５とが、ワイヤボンディングなどで電気的に接続されていてもよい。発光素子１００の下面に設けられる第１電極（不図示）と、導体パターン５とが、上記の導電性接合材を介して電気的に接続されていてもよい。
【００２１】
図４は、実施形態の発光素子収納用基板を用いた発光装置の一例を示す断面図である。図４の断面位置は、図２のｉ−ｉ断面線にならっている。図５は図４の第１側壁３０の内壁面３０ｃ付近を拡大した図である。図４および図５に示す発光素子収納用基板Ｂは、上述の発光素子収納用基板Ａを変形した形態であり、共通の構成については同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
【００２２】
発光素子収納用基板Ｂでは、図４および図５に示すように、第１側壁３０の内壁面３０ｃが、内壁凸部６ａと内壁凹部６ｂとを有している。
【００２３】
第１側壁３０の内壁面３０ｃをこのような構造にすると、例えば反射用ミラー７を第１側壁３０の内壁面１０ｃ上に設置したときに、内壁凸部６ａは反射用ミラー７に接する部分となるが、内壁凹部６ｂは反射用ミラー７に接しない部分となる。この場合、図示はしていないが、反射用ミラー７を接合するための接合材が内壁凹部６ｂに充填されて、内壁凸部６ａ上には塗布されない状態にすることができる。これにより反射用ミラー７を内壁凸部６ａの一部に直に接触させた状態で第１側壁３０の内壁面３０ｃに接合することが可能になるため、放射光により高温となった反射用ミラー７から、第１側壁３０への熱放散を促進することができる。この結果、温度変化に起因する反射用ミラー７の変形を低減することができるため、反射光の光軸ずれを低減することができる。さらに、内壁凹部６ｂに十分な量の接合材を充填できるため、第１側壁３０の内壁面３０ｃと、反射用ミラー７との接着性を向上させることができる。この結果、反射用ミラー７を第１側壁３０の内壁面３０ｃ上に搭載したときの位置決め精度を向上させることができるため、反射光の光軸ずれを低減することができる。第１側壁３０の内壁面３０ｃの表面粗さとしては、１〜３μｍであってもよい。
【００２４】
反射用ミラー７としては、金属またはガラスからなる基板の表面上に、誘電体多層膜を蒸着させたものを用いることができる。また、接合材としては、Ａｕ−Ｓｎ材の他、樹脂製の接着材を用いることができる。Ａｕ−Ｓｎ材を適用した場合、耐熱性を向上させることができる。
【００２５】
図６は、実施形態の発光素子収納用基板を用いた発光装置の一例を示す断面図である。図６の断面位置は、図２のｉ−ｉ断面線にならっている。図７は図６の第１側壁３０の内壁面３０ｃ付近を拡大した図である。図６および図７に示す発光素子収納用基板Ｃは、上述の発光素子収納用基板Ａを変形した形態であり、共通の構成については同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
【００２６】
発光素子収納用基板Ｃでは、図６および図７に示すように、第１側壁３０の内壁面３０ｃにおける、底部基板２側の端縁３０ｄが、底面１０ｂに対して深い位置にある。この場合、底部基板２は、端縁３０ｄと底面１０ｂとをつなぐ、接続面１０ｂｂを有している。そして、第１側壁３０の内壁面３０ｃと、接続面１０ｂｂとが、溝部８を形成している。この場合溝部８は、凹部１０の一部をなしている。溝部８が形成されていると、反射用ミラー７の端部が、凹部１０の底面１０ｂよりも深い位置をとるように、反射用ミラー７を設置できる。この結果、凹部１０の底面１０ｂ上に搭載された発光素子１００から放射される光を、反射用ミラー７の中心部に集光させやすくなる。放射光を反射用ミラー７の中心部に集光させる場合には、放射光を反射用ミラー７の端部に集光させる場合に比べて、放射光により発生する熱を反射用ミラー７全体に効率よく伝導させる（逃がす）ことができる。したがって、反射用ミラー７が局所的に高温となることを防ぐことができるため、反射用ミラー７の変形および反射光の光軸ずれを低減することができる。
【００２７】
溝部８において、第１側壁３０の内壁面３０ｃと、接続面１０ｂｂとは、略直角をなしていてもよい。この場合、反射用ミラー７の端部が、溝部８に突き当たる状態となるため、反射用ミラー７を第１側壁３０の内壁面３０ｃ上に設置したときに、安定した状態で固定することができる。これにより反射用ミラー７を第１側壁３０の内壁面３０ｃ上に搭載したときの位置決め精度を向上させることができるため、反射光の光軸ずれを低減することができる。ここで略直角とは、例えば８５°〜９５°のことをいう。この場合、第１側壁３０の内壁面３０ｃおよび接続面１０ｂｂは、反射用ミラー７の外形に沿う形状であるとよい。例えば、第１側壁３０の内壁面３０ｃおよび接続面１０ｂｂは、平坦（まっすぐ）な面であるとよい。
【００２８】
図８は、実施形態の発光素子収納用基板を用いた発光装置の一例を示す断面図である。図８の断面位置は、図２のｉ−ｉ断面線にならっている。図９は図８の第１側壁３０の内壁面３０ｃ付近を拡大した図である。図８および図９に示す発光素子収納用基板Ｄは、上述の発光素子収納用基板Ａを変形した形態であり、共通の構成については同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
【００２９】
発光素子収納用基板Ｄでは、図８および図９に示すように、第１側壁３０の内壁面３０ｃと、凹部１０の底面１０ｂとが連続した凹状の湾曲面を成している。すなわち、第１側壁３０の内壁面３０ｃは凹部１０の底面１０ｂにかけて滑らかな曲面をなしており、第１側壁３０の内壁面３０ｃと凹部１０の底面１０ｂとの接続部ＳＬが角部を有していない構造となっている。これにより接続部ＳＬ付近において応力が発生した場合にも、接続部ＳＬの無数の法線方向に応力が分散されるため、第１側壁３０におけるクラックの発生を抑制することができる。この結果、第１側壁３０が放射光に対する反射体を成す場合に、クラックの発生による反射光の光軸ずれを低減することができる。
【００３０】
図１０は、実施形態の発光素子収納用基板を用いた発光装置の一例を示す断面図である。図１０の断面位置は、図２のｉ−ｉ断面線にならっている。図１１は図１０の第１側壁３０の内壁面３０ｃ付近を拡大した図である。図１０および図１１に示す発光素子収納用基板Ｅは、上述の発光素子収納用基板Ａを変形した形態であり、共通の構成については同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
【００３１】
図１０および図１１に示す発光素子収納用基板Ｅにおいて、第１側壁３０のうち、基材１の第１面１ａの一部をなしている部分を、ここでは第１端部３０ａとする。発光素子収納用基板Ｅでは、第１側壁３０の内壁面３０ｃと、第１側壁３０の第１端部３０ａとが連続した凸状の曲面をなしている。すなわち、第１側壁３０の内壁面３０ｃは第１側壁３０の第１端部３０ａにかけて滑らかな曲面をなしており、第１側壁３０の内壁面３０ｃと、第１側壁３０の第１端部３０ａとの接続部ＳＨが角部を有していない構造となっている。この場合、例えば第１側壁３０の第１端部３０ａ上に蓋体９を接合する際に、接続部ＳＨが角部を有する場合に比べて、第１側壁３０の第１端部３０ａと蓋体９との接合面積を小さくすることができる。これにより、蓋体９を接合するためのシーム溶接における加熱および冷却等により、蓋体９と第１側壁３０との間に熱応力が働いた場合に、第１側壁３０におけるクラックの発生を抑制することができる。この結果、第１側壁３０が放射光に対する反射体を成す場合に、クラックの発生による反射光の光軸ずれを低減することができる。
【００３２】
図１２は、本実施形態の発光素子収納用基板を用いた発光装置の一例を示す平面図である。図１３は、図１２のｉｉ−ｉｉ線断面図である。図１２および図１３に示す発光素子収納用基板Ｆは、上述の発光素子収納用基板Ａを変形した形態であり、共通の構成については同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
【００３３】
発光素子収納用基板Ｆでは、図１２および図１３に示すように、基材１の外形が直方体状となっている。さらに基材１は直方体状の底部基板２と、底部基板２の４辺に沿って、底部基板２上に配置された４つの壁部材３３とを備えている。そして、図１３等に示すように、第１側壁３０を有している壁部材３３の幅ＴＬは、他の壁部材３３の幅ＴＬよりも大きくなっている。ここで壁部材３３の幅ＴＬとは、基材１を断面視したときの、壁部材３３の第１端部３３ａの長さをいう。この場合、第１端部３３ａとは、壁部材３３のうち、基材１の第１面１ａの一部をなしている部分をいう。
【００３４】
第１側壁３０を有している壁部材３３の幅ＴＬを大きくした場合、第１側壁３０（反射体）に曲げモーメント等の応力が働いた場合に、壁部材３３に応力が分散されやすくなり、第１側壁３０（反射体）の変形を低減することができる。この結果、第１側壁３０（反射体）の変形による反射光の光軸ずれを低減することができる
【００３５】
直方体状の底部基板２の１辺（辺Ｘ）に沿って、底部基板２上に配置された壁部材３３の幅が、辺Ｘに沿う方向で変化する場合には、辺Ｘに沿って一定間隔毎に壁部材３３の幅を計測し、その平均値を壁部材３３の幅ＴＬとしてもよい。この場合、壁部材３３の幅を１０点以上計測するのがよい。
【００３６】
次に、各実施形態に係る発光素子収納用基板の製造方法について説明する。図１４および図１５は、実施形態の発光素子収納用基板Ａの一製造工程を示す斜視図および断面図である。
【００３７】
まず、あらかじめ直方体型に加工したグリーンシート１１０を用意する。次に、プレス金型１２０を用いて、グリーンシート１１０の上方から下方に向けてプレス加工を行い、発光素子収納用基板Ａとなる成形体１３０を形成する。プレス金型１２０は、プレス後に得られる成形体１３０が、凹部１０および第１側壁３０を有するように所定の形状に加工されている。
【００３８】
なお、内部および表面上の少なくとも一方に、ビア導体４および導体パターン５を有する発光素子収納用基板Ａを作成する場合には、グリーンシート１１０の内部および表面上の少なくとも一方に、予め、ビア導体４および導体パターン５を形成したグリーンシート１１０を用いてもよい。
【００３９】
次に、作成した成形体１３０を焼成（最高温度：１５００−１９００℃）して、発光素子収納用基板Ａを得る。
【００４０】
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。
【実施例】
【００４１】
以下、上述の各実施形態に係る発光素子収納用基板Ａ〜Ｆを具体的に作製し、次いで、かかる発光素子収納用基板Ａ〜Ｆを適用した発光装置Ａ１〜Ｆ１を作製した。【００４２】
まず、グリーンシート１１０を形成するための混合粉末として、窒化アルミニウム粉末９４質量％に対して、イットリア粉末を５質量％、カルシア粉末を１質量％の割合で混合した混合粉末を調製した。【００４３】
次に、この混合粉末１００質量部に対して、有機バインダーとしてアクリル系バインダーを２０質量部、トルエンを５０質量部添加してスラリーを調製し、次に、ドクターブレード法を用いて所定の厚みのグリーンシート１１０を作製した。【００４４】
次に、タングステン粉末と窒化アルミニウム粉末を７：３の比率で混合した混合粉末に、アクリル系有機バインダーおよびテルピネオールを適宜添加して導体ペーストを調製し、これを用いてビア導体４および導体パターン５をグリーンシート１１０に形成した。【００４５】
そして、上述のグリーンシート１１０を用いて、図１４等に示した製造方法によって成形体１３０を作製した。【００４６】
作製した成形体１３０を、還元雰囲気中、最高温度が１８００℃となる条件にて２時間の焼成を行って発光素子収納用基板Ａ〜Ｆを作製した。試料数は各構造に対して２０個ずつとした。【００４７】
作製した各発光素子収納用基板Ａ〜Ｆは、焼成後の形状で長さ４ｍｍ×幅３ｍｍ×高さ１．５ｍｍであった。このとき、側壁３は凹部１０を隙間なく囲む形状をなしていた。【００４８】
次に、作製した各発光素子収納用基板Ａ〜Ｆにおける、凹部１０の底面１０ｂ上にレーザーダイオードを実装した。ここで、凹部１０の底面１０ｂへのレーザーダイオードの接合には、Ａｕ−Ｓｎハンダを用いた。【００４９】
次に、１０個の各発光素子収納用基板Ａ〜Ｆについて、第１側壁３０の内壁面３０ｃ上に、Ｎｉめっき膜を約５μｍの厚みで形成し、さらにＡｕめっき膜を約０．１μｍの厚みで形成することで、反射体を形成した。これとは別に、１０個の各発光素子収納用基板Ａ〜Ｆについて、第１側壁３０の内壁面３０ｃ上に反射用ミラー７を設置することで、反射体を形成した。反射用ミラー７は、アルミニウムからなる平板状の基板の表面上に、誘電体膜多層膜を蒸着させることにより作製し、第１側壁３０の内壁面３０ｃとの接合にはＡｕ−Ｓｎハンダを用いた。【００５０】
このようにして、発光装置Ａ１〜Ｆ１を作製した。【００５１】
次に比較例として、平板状の基材上に単独の部材として反射体が配置されている発光装置Ｇ１を作製した。また、平板状の基材上に、単独の部材として反射体が配置されており、さらに反射体および搭載された発光素子を囲むように側壁が配置されている発光装置Ｈ１を作製した。なお発光装置Ｈ１においては、反射体と側壁とは一体化しておらず、別々に形成されている。また、側壁の幅は厚み方向に一定とした。発光装置Ｇ１および発光装置Ｈ１の作製にあたっては、上述の発光装置Ａ１〜Ｆ１と同様の材料・製法を用いた。このとき、発光装置Ｇ１および発光装置Ｈ１についても、めっき膜を形成した反射体を有するものと、反射用ミラーを設置した反射体を有するものとを、各１０個ずつ作製した。【００５２】
次に、各発光装置Ａ１〜Ｈ１に、上面に窓が付いたコバール製のキャップを接合した。ここで、かかる接合にはＡｇ−Ｓｎハンダを用い、キャップの内部雰囲気はＨｅガスで置換した。また、キャップの窓には、反射防止コートを施した所定のサイズのガラス板を、低融点ガラスペーストにより接合した。【００５３】
次に、各発光装置Ａ１〜Ｈ１の裏面に、熱放散性を高める用途でアルミニウムからなるヒートシンクを設けた。【００５４】
次に、各発光装置Ａ１〜Ｈ１の光軸の精度について評価した。かかる光軸の精度については、図１６に示すような評価装置を用いて評価した。具体的には、各発光装置Ａ１〜Ｈ１を基板１４０に実装して外部から電気を供給し、発光素子１００から３ｍｍ離れた受光器１５０に放射された放射光に基づいて光軸の精度を評価した。【００５５】
光軸の精度評価にあたっては、発光素子１００から光が放射され始めてから０．１時間後の、反射光の受光強度分布を評価することで光軸ずれ角を測定した。なお、受光器１５０に放射された放射光の受光強度分布は、かかる受光器１５０に接続されるＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）１６０で評価した。【００５６】
なお、各発光装置Ａ１〜Ｈ１では、放射光が発光素子１００の搭載面に対して垂直上方に反射されるように、発光素子収納用基板Ａ〜Ｈを作製している。すなわち上述の光軸精度評価では、反射光の光軸が発光素子１００の搭載面に対して垂直であるときに、光軸ずれ角は０°とされる。【００５７】
各構造における、光軸精度評価の結果を表１に示す。なお、光軸精度評価は、反射用ミラー７を使用しない場合と、反射用ミラー７を使用する場合の双方で行った。【００５８】
【表１】
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【００５９】
平板状の基材上に単独の部材として反射体が配置されている発光装置Ｇ１と、平板状の基材上に、単独の部材として反射体が配置されており、さらに反射体および搭載された発光素子を囲むように側壁が配置されている発光装置Ｈ１との間においては、発生した光軸ずれ角に有意差は確認できなかった。【００６０】
発光装置Ｇ１および発光装置Ｈ１と、上述の各実施形態に係る発光装置Ａ１〜Ｆ１との比較においては、本実施形態に係る発光装置Ａ１〜Ｆ１（発光素子収納用基板Ａ〜Ｆ）では、光軸ずれを低減できることが分かる。
【符号の説明】
【００６１】
Ａ〜Ｆ    発光素子収納用基板
１        基材
２        底部基板
３        側壁
３０      第１側壁
４        ビア導体
５        導体パターン
６ａ      内壁凸部
６ｂ      内壁凹部
７        反射用ミラー
８        溝部
９        蓋体
１０      凹部
１００    発光素子
１１０    グリーンシート
１２０    プレス金型
１３０    成形体
１４０    （光軸精度評価用）基板
１５０    （光軸精度評価用）受光器
１６０    （光軸精度評価用）ＰＣ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【国際調査報告】
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