(57)【要約】  式（１）2019177049.tif 000033〔Ｒ1〜Ｒ5は、互いに独立して水素原子または式（２）2019177049.tif 000034（Ａｒ1，Ａｒ2はアリール基を、Ａｒ3はアリーレン基を表すが、Ａｒ1〜Ａｒ3のいずれか２つが結合して環を形成していてもよい。）で表される基を表すが、Ｒ1〜Ｒ5の少なくとも１つは水素原子である。〕で表されるアミン化合物を、触媒および塩基の存在下、式（３）2019177049.tif 000035（Ｘはハロゲン原子等を、Ｒ6〜Ｒ8はアルキル基等を表す。）で表される化合物と反応させた後、脱保護する式（４）2019177049.tif 000036〔Ｒ1’〜Ｒ5’は、水素原子、式（２）または式（５）を表すが、Ｒ1’〜Ｒ5’の少なくとも１つは、式（５）で表される基である。2019177049.tif 000037（Ａｒ1〜Ａｒ3は前記と同じ。）〕で表される化合物の製法は、脱保護の過程で大過剰の塩基および酸素を必要としない、効率的かつ工業的製法に適したアニリン誘導体の製法である。
2019177049.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）
【化１】
2019177049.tif 000028
〔式中、Ｒ1〜Ｒ5は、互いに独立して、水素原子または式（２）
【化２】
2019177049.tif 000029
（式中、Ａｒ1およびＡｒ2は、互いに独立して、炭素数６〜２０のアリール基を表し、Ａｒ3は、炭素数６〜２０のアリーレン基を表すが、Ａｒ1〜Ａｒ3のいずれか２つが結合して窒素原子とともに環を形成していてもよい。）
で表される基を表すが、Ｒ1〜Ｒ5の少なくとも１つは、水素原子である。〕
で表されるアミン化合物を、触媒および塩基の存在下、式（３）
【化３】
2019177049.tif 000030
（式中、Ｘは、ハロゲン原子または擬ハロゲン基を表し、Ｒ6〜Ｒ8は、Ｚ1で置換されてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を表し、Ｚ1は、炭素数１〜２０のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基またはシアノ基を表す。）
で表されるカルバゾール化合物とカップリング反応させた後、シリル基を脱保護することを特徴とする式（４）
【化４】
2019177049.tif 000031
〔式中、Ｒ1’〜Ｒ5’は、互いに独立して、水素原子、式（２）で表される基、または式（５）で表される基を表すが、Ｒ1’〜Ｒ5’の少なくとも１つは、式（５）で表される基である。
【化５】
2019177049.tif 000032
（式中、Ａｒ1〜Ａｒ3は、前記と同じ意味を表す。）〕
で表されるアニリン誘導体の製造方法。
【請求項２】
前記Ｒ6〜Ｒ8が、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数６〜１０のアリール基である請求項１記載のアニリン誘導体の製造方法。
【請求項３】
前記Ｒ6〜Ｒ8の２つがメチル基で、残りの１つがｔ−ブチル基である請求項２記載のアニリン誘導体の製造方法。
【請求項４】
前記塩基が、ｔ−ブトキシナトリウムである請求項１〜３のいずれか１項記載のアニリン誘導体の製造方法。
【請求項５】
前記触媒が、パラジウム触媒である請求項１〜４のいずれか１項記載のアニリン誘導体の製造方法。
【請求項６】
前記カップリング反応が、４０〜１００℃で行われる請求項１〜５のいずれか１項記載のアニリン誘導体の製造方法。
【請求項７】
前記脱保護が、フッ化物イオンを用いて行われる請求項１〜６のいずれか１項記載のアニリン誘導体の製造方法。
【請求項８】
前記Ｒ1〜Ｒ5が、すべて水素原子である請求項１〜７のいずれか１項記載のアニリン誘導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アニリン誘導体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという）素子には、発光層や電荷注入層として、有機化合物からなる電荷輸送性薄膜が用いられる。特に、正孔注入層は、陽極と、正孔輸送層あるいは発光層との電荷の授受を担い、有機ＥＬ素子の低電圧駆動および高輝度を達成するために重要な機能を果たす。
正孔注入層の形成方法は、蒸着法に代表されるドライプロセスと、スピンコート法に代表されるウェットプロセスとに大別され、これら各プロセスを比べると、ウェットプロセスの方が大面積に平坦性の高い薄膜を効率的に製造できる。それゆえ、有機ＥＬディスプレイの大面積化が進められている現在、ウェットプロセスで形成可能な正孔注入層が望まれている。【０００３】
このような事情に鑑み、本発明者らは、各種ウェットプロセスに適用可能であるとともに、有機ＥＬ素子の正孔注入層に適用した場合に優れたＥＬ素子特性を実現できる薄膜を与えるアニリン誘導体や、それに用いる有機溶媒に対する溶解性の良好なアニリン誘導体を開発してきている（例えば特許文献１参照）。【０００４】
上記特許文献１には、そのようなアニリン誘導体の製造方法の１つとして、例えば、下記スキームに示されるように、アミン化合物（Ａ）と、ＮＨ基をベンジル基で保護したハロゲン化カルバゾール化合物（Ｂ）とを、触媒存在下でカップリングさせた後、ベンジル基を脱保護する手法が開示されている。【０００５】
【化１】
2019177049.tif 000003
【０００６】
【化２】
2019177049.tif 000004
【０００７】
しかしながら、上記ベンジル基で保護したカルバゾール化合物を用いた場合、脱保護の工程で大過剰の塩基と酸素が必要であり、工業的製法としては適していないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２０１５／０５０２５３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、脱保護の過程で大過剰の塩基および酸素を必要としない、効率的かつ工業的製法に適したアニリン誘導体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、アミン化合物と、ＮＨ基を所定のシリル基で保護したカルバゾール化合物とをカップリング反応させた後、脱シリル化することで、大過剰の塩基や酸素を必要とせず、効率的にアニリン誘導体が製造できることを見出し、本発明を完成させた。【００１１】
すなわち、本発明は、
１．  式（１）
【化３】
2019177049.tif 000005
〔式中、Ｒ1〜Ｒ5は、互いに独立して、水素原子または式（２）
【化４】
2019177049.tif 000006
（式中、Ａｒ1およびＡｒ2は、互いに独立して、炭素数６〜２０のアリール基を表し、Ａｒ3は、炭素数６〜２０のアリーレン基を表すが、Ａｒ1〜Ａｒ3のいずれか２つが結合して窒素原子とともに環を形成していてもよい。）
で表される基を表すが、Ｒ1〜Ｒ5の少なくとも１つは、水素原子である。〕
で表されるアミン化合物を、触媒および塩基の存在下、式（３）
【化５】
2019177049.tif 000007
（式中、Ｘは、ハロゲン原子または擬ハロゲン基を表し、Ｒ6〜Ｒ8は、Ｚ1で置換されてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を表し、Ｚ1は、炭素数１〜２０のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基またはシアノ基を表す。）
で表されるカルバゾール化合物とカップリング反応させた後、シリル基を脱保護することを特徴とする式（４）
【化６】
2019177049.tif 000008
〔式中、Ｒ1’〜Ｒ5’は、互いに独立して、水素原子、式（２）で表される基、または式（５）で表される基を表すが、Ｒ1’〜Ｒ5’の少なくとも１つは、式（５）で表される基である。
【化７】
2019177049.tif 000009
（式中、Ａｒ1〜Ａｒ3は、前記と同じ意味を表す。）〕
で表されるアニリン誘導体の製造方法、
２．  前記Ｒ6〜Ｒ8が、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数６〜１０のアリール基である１のアニリン誘導体の製造方法、
３．  前記Ｒ6〜Ｒ8の２つがメチル基で、残りの１つがｔ−ブチル基である２のアニリン誘導体の製造方法、
４．  前記塩基が、ｔ−ブトキシナトリウムである１〜３のいずれかのアニリン誘導体の製造方法、
５．  前記触媒が、パラジウム触媒である１〜４のいずれかのアニリン誘導体の製造方法、
６．  前記カップリング反応が、４０〜１００℃で行われる１〜５のいずれかのアニリン誘導体の製造方法、
７．  前記脱保護が、フッ化物イオンを用いて行われる１〜６のいずれかのアニリン誘導体の製造方法、
８．  前記Ｒ1〜Ｒ5が、すべて水素原子である１〜７のいずれかのアニリン誘導体の製造方法
を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のアニリン誘導体の製造方法では、カルバゾール化合物のＮＨ基をシリル基で保護した原料を用いているため、脱保護の過程で大過剰の塩基および酸素を必要とすることがなく、効率的に目的のアニリン誘導体を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施例１で得られたＣＺ５のＨＰＬＣチャートを示す図である。
【図２】図１において縦軸０〜３００ｍＡＵの範囲を示す拡大図である。
【図３】比較例１で得られたＣＺ５のＨＰＬＣチャートを示す図である。
【図４】図３において縦軸０〜３００ｍＡＵの範囲を示す拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
本発明に係るアニリン誘導体の製造方法は、式（１）で表されるアミン化合物を、触媒および塩基の存在下、式（３）で表されるカルバゾール化合物とカップリング反応させた後、カルバゾール部位の窒素原子上のシリル基を脱保護することを特徴とする。
【００１５】
【化８】
2019177049.tif 000010
【００１６】
上記式（１）において、Ｒ1〜Ｒ5は、互いに独立して、水素原子または式（２）で表される基を表すが、式（３）で表されるカルバゾール化合物とカップリング反応させるためには、Ｒ1〜Ｒ5の少なくとも１つが水素原子である必要がある。
【００１７】
【化９】
2019177049.tif 000011
【００１８】
式（２）中、Ａｒ1およびＡｒ2は、互いに独立して、炭素数６〜２０のアリール基を表し、Ａｒ3は、炭素数６〜２０のアリーレン基を表すが、Ａｒ1〜Ａｒ3のいずれか２つが結合して窒素原子とともに環を形成していてもよい。
炭素数６〜２０のアリール基の具体例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基等が挙げられる。
炭素数６〜２０のアリーレン基の具体例としては、ベンゼン−１，２−ジイル（ｏ−フェニレン）基、ベンゼン−１，３−ジイル（ｍ−フェニレン）基、ベンゼン−１，４−ジイル（ｐ−フェニレン）基、ナフタレン−１，２−ジイル基、ナフタレン−１，３−ジイル基、ナフタレン−１，４−ジイル基、ナフタレン−１，５−ジイル基、ナフタレン−１，６−ジイル基、ナフタレン−１，７−ジイル基、ナフタレン−１，８−ジイル基等が挙げられる。
【００１９】
また、Ａｒ1〜Ａｒ3のいずれか２つが結合して窒素原子とともに形成する環としては、カルバゾール環等が挙げられる。
【００２０】
これらの中でも、Ａｒ1およびＡｒ2は、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。
また、Ａｒ3は、ベンゼン−１，２−ジイル基、ベンゼン−１，３−ジイル基、ベンゼン−１，４−ジイル基が好ましく、ベンゼン−１，４−ジイル基がより好ましい。
したがって、式（２）で表される基は、式（２Ａ）で表される基が好ましく、式（２Ａ−１）で表される基がより好ましい。
【００２１】
【化１０】
2019177049.tif 000012
【００２２】
【化１１】
2019177049.tif 000013
【００２３】
本発明の製法で好適に用いることができる式（１）で表される化合物としては、上記Ｒ1〜Ｒ5がすべて水素原子である下記式（１Ａ）で示される化合物、Ｒ2およびＲ4が４−ジフェニルアミノフェニル基である下記式（１Ｂ）で示される化合物、Ｒ1、Ｒ2およびＲ4が４−ジフェニルアミノフェニル基である下記式（１Ｃ）で示される化合物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２４】
【化１２】
2019177049.tif 000014
【００２５】
一方、式（３）におけるＸは、ハロゲン原子または擬ハロゲン基を表し、Ｒ6〜Ｒ8は、Ｚ1で置換されてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を表し、Ｚ1は、炭素数１〜２０のアルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基またはシアノ基を表す。
【００２６】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
擬ハロゲン基としては、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、ノナフルオロブタンスルホニルオキシ基等の（フルオロ）アルキルスルホニルオキシ基；ベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスルホニルオキシ基等の芳香族スルホニルオキシ基などが挙げられる。
これらの中でも、原料の入手性や反応性等を考慮すると、Ｘは、ハロゲン原子が好ましく、臭素原子、ヨウ素原子がより好ましい。
また、Ｘの置換位置は特に限定されるものではないが、カルバゾールの窒素原子に対してパラ位が好ましい。
【００２７】
炭素数１〜２０のアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等の炭素数１〜２０の直鎖または分岐鎖状アルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ビシクロブチル基、ビシクロペンチル基、ビシクロヘキシル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、ビシクロノニル基、ビシクロデシル基等の炭素数３〜２０の環状アルキル基などが挙げられる。
炭素数６〜２０のアリール基としては、上記と同様のものが挙げられる。
【００２８】
炭素数１〜２０のアルコキシ基としては、その中のアルキル基が直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等の炭素数１〜２０の直鎖または分岐鎖状のアルコキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素数３〜２０の環状アルキルオキシ基などが挙げられる。
【００２９】
これらの中でも、Ｒ6〜Ｒ8は、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が好ましく、炭素数１〜５のアルキル基がより好ましい。
より具体的には、Ｒ6〜Ｒ8の２つがメチル基で、残りの１つがｔ−ブチル基の組み合わせ、Ｒ6〜Ｒ8の２つがフェニル基で、残りの１つがｔ−ブチル基の組み合わせ、Ｒ6〜Ｒ8がすべてイソプロピル基のものが好ましく、Ｒ6〜Ｒ8の２つがメチル基で、残りの１つがｔ−ブチル基の組み合わせがより好ましい。
【００３０】
本発明の製法に好適に用いることができる式（３）で示される化合物としては、下記式（３Ａ）で表される化合物、特に、式（３Ａ−１）で示される化合物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
なお、式（３）で表される化合物は、対応するカルバゾールを、ＮａＨ等の塩基存在下、トリアルキルシリルクロライド等のトリオルガノハライドと反応させる公知の手法によって得ることができる。
【００３１】
【化１３】
2019177049.tif 000015
（式中、Ｒ6〜Ｒ8およびＸは、上記と同じ意味を表す。）
【００３２】
【化１４】
2019177049.tif 000016
【００３３】
上記式（１）で表されるアミン化合物と式（３）で表されるカルバゾール化合物とのカップリング反応において、式（１）で表されるアミン化合物と、式（３）で表されるカルバゾール化合物との仕込み比は、物質量（ｍｏｌ）比で、アミン化合物の反応させたい目的とするＮＨ基１に対して、カルバゾール化合物１〜５程度が好ましく、１．１〜２程度がより好ましい。
【００３４】
上記反応に用いられる触媒としては、例えば、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅等の銅触媒；Ｐｄ（ＰＰｈ3）4（テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム）、Ｐｄ（ＰＰｈ3）2Ｃｌ2（ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム）、Ｐｄ（ｄｂａ）2（ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム）、Ｐｄ2（ｄｂａ）3（トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム）、Ｐｄ（Ｐ−ｔ−Ｂｕ3）2（ビス（トリ（ｔ−ブチルホスフィン））パラジウム）、Ｐｄ（ＯＡｃ）2（酢酸パラジウム）等のパラジウム触媒などが挙げられる。これらの触媒は、単独で用いてもよく、２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００３５】
また、これらの触媒は、公知の適切な配位子とともに使用してもよい。
このような配位子としては、トリフェニルホスフィン、トリ−ｏ−トリルフォスフィン、ジフェニルメチルホスフィン、フェニルジメチルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ−ｔ−ブチルホスフィン、ジ−ｔ−ブチル（フェニル）ホスフィン、ジ−ｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン等の３級ホスフィン、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリフェニルホスファイト等の３級ホスファイトなどが挙げられるが、本発明では、ジ−ｔ−ブチル（フェニル）ホスフィンが好適に用いられる。
【００３６】
触媒の使用量は、それぞれ式（１）で表されるアミン化合物の反応させたい目的とするＮＨ基１ｍｏｌに対して、０．１〜１００ｍｏｌ％程度とすることができるが、１〜１０ｍｏｌ％程度が好ましく２〜５ｍｏｌ％程度がより好ましく、２ｍｏｌ％程度がより一層好ましい。
また、配位子を用いる場合、その使用量は、使用する金属錯体に対し０．１〜５当量とすることができるが、１〜２当量が好適である。
【００３７】
また、塩基としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水酸化カリウム、ｔ−ブトキシリチウム、ｔ−ブトキシナトリウム、ｔ−ブトキシカリウム、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属単体、水酸化アルカリ金属、アルコキシアルカリ金属、炭酸アルカリ金属、炭酸水素アルカリ金属；炭酸カルシウム等の炭酸アルカリ土類金属などが挙げられるが、カップリング反応を効率的に進行させることを考慮すると、ｔ−ブトキシナトリウムが好ましい。
【００３８】
塩基の使用量は、それぞれ、式（１）で表されるアミン化合物の反応させたい目的とするＮＨ基に対して１〜２当量程度が好ましく、１．２〜１．５当量程度がより好ましい。
【００３９】
原料化合物が全て固体である場合や、目的とするカップリング生成物を効率よく得る観点から、上記反応は溶媒中で行う。溶媒を使用する場合、その種類は、反応に悪影響を及ぼさないものであれば特に制限はない。その具体例としては、脂肪族炭化水素類（ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン、デカリン等）、ハロゲン化脂肪族炭化水素類（クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素等）、芳香族炭化水素類（ベンゼン、ニトロベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、メシチレン等）、ハロゲン化芳香族炭化水素類（クロロベンゼン、ブロモベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン、ｐ−ジクロロベンゼン等）、エーテル類（ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン、１，２−ジエトキシエタン等）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジ−ｎ−ブチルケトン、シクロヘキサノン等）、アミド類（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等）、ラクタムおよびラクトン類（Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン等）、尿素類（Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン、テトラメチルウレア等）、スルホキシド類（ジメチルスルホキシド、スルホラン等）、ニトリル類（アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル等）などが挙げられ、これらの溶媒は単独で用いても、２種以上混合して用いてもよい。
これらの中でも、特に、芳香族炭化水素類が好ましく、トルエンがより好ましい。
【００４０】
反応温度は、用いる溶媒の融点から沸点までの範囲で適宜設定すればよいが、特に、０〜２００℃程度が好ましく、２０〜１５０℃程度がより好ましく、カップリング生成物の収率をより高めることを考慮すると、４０〜１００℃程度がより一層好ましい。
反応終了後は、常法にしたがって後処理をし、カップリング生成物を得ることができる。
【００４１】
続いて、得られたカップリング生成物におけるカルバゾール部位の窒素原子上のシリル基を脱保護する。
脱保護は公知の手法から適宜選択して行うことができるが、本発明では、フッ化物イオンによって脱保護することが好ましい。
フッ化物イオン源となる脱シリル化剤としては、特に限定されるものではなく、公知のものから適宜選択して用いることができる。
その具体例としては、テトラブチルアンモニウムフルオライド（ＴＢＡＦ），テトラエチルアンモニウムフルオライド，テトラメチルアンモニウムフルオライドおよびそれらの水和物、フッ化水素ピリジンコンプレックス、フッ化セシウム、フッ化カリウム、フッ化水素カリウム、フッ化ナトリウム、フッ化リチウム、フッ化カルシウム等が挙げられるが、これらの中でも、ＴＢＡＦが好適である。
脱シリル化剤の使用量は、カップリング生成物中の全Ｎ−Ｓｉ結合に対し、１〜５当量程度とすることができるが、１．２〜２当量程度が好ましい。
【００４２】
この反応の際も溶媒を用いることができ、使用可能な溶媒の具体例としては上述のとおりであるが、エーテル類が好ましく、テトラヒドロフランがより好ましい。
反応温度は、溶媒の融点から沸点まで可能だが、０〜１００℃程度が好ましく、０〜３０℃程度がより好ましく、２５℃程度の室温がより一層好ましい。
反応終了後は、常法にしたがって後処理をし、目的の下記式（４）で表されるアニリン誘導体が得られる。
【００４３】
【化１５】
2019177049.tif 000017
【００４４】
式中、Ｒ1’〜Ｒ5’は、互いに独立して、水素原子、上記式（２）で表される基、または下記式（５）で表される基を表すが、Ｒ1’〜Ｒ5’の少なくとも１つは、式（５）で表される基である。
【化１６】
2019177049.tif 000018
【００４５】
本発明の製法で得られる好適なアニリン誘導体としては、下記式（４Ａ）〜（４Ｄ）で示されるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４６】
【化１７】
2019177049.tif 000019
【実施例】
【００４７】
以下、実施例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
なお、1H-NMRは、ブルカー・バイオスピン（株）製  核磁気共鳴分光計  AVANCE III HD 500MHzを用いて測定した。
高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）は、（株）島津製作所製  Prominenceを用いて以下に示す測定条件で測定した。
溶離液Ａ：０．０５体積％トリフルオロ酢酸水溶液
溶離液Ｂ：アセトニトリル/テトラヒドロフラン（１対１体積換算、０．０５体積％トリフルオロ酢酸添加）
流速：０．５ｍＬ/ｍｉｎ
カラム：Ｐｏｒｏｓｈｅｌｌ  １２０  ＥＣ−Ｃ８（２．７μｍ、３．０×５０ｍｍ、アジレント・テクノロジー（株）
グラデーション条件：溶離液Ｂ：３０％（０−０．０１ｍｉｎ）→３０−１００％（０．０１−１０ｍｉｎ）→１００％（１０−３０ｍｉｎ）【００４８】
［実施例１］アニリン誘導体Ｃｚ５の合成
（１）ＴＢＳＣＺ５の合成
【化１８】
2019177049.tif 000020
【００４９】
フラスコ内に、ＤＡＤＰＡ４．７８ｇ、ＴＢＳＣＺ−Ｂｒ４７．６ｇ、Ｐｄ（ｄｂａ）2１．３８ｇおよびｔ−ブトキシナトリウム１６．６ｇを入れた後、フラスコ内を窒素置換した。次にトルエン２４０ｍＬ、予め調製しておいたジ−ｔ−ブチル（フェニル）ホスフィンのトルエン溶液２０ｍＬ（濃度：５５ｇ／Ｌ）を加え、９０℃で撹拌した。２．５時間後、反応液を室温まで冷却し、イオン交換水２４０ｍＬを混合して分液処理を行った。さらに有機層をイオン交換水、飽和食塩水で分液洗浄後、硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮した。得られた粗物をトルエン２００ｍＬに溶解させ、白鷺Ｐ活性炭（大阪ガスケミカル（株）製）３．５ｇを加え、室温で２時間撹拌後にシリカゲル濾過を行い、トルエンでケーキ洗浄を行った。濾液を２４０ｇまで濃縮後、濃縮液をＮ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物７．０２ｇ、メタノール１．２０Ｌ、酢酸エチル０．４０Ｌの予混合溶液中に滴下し、得られたスラリーを室温で撹拌した。１８時間後、スラリーを濾過し、濾物をメタノールで洗浄後、乾燥してＴＢＳＣＺ５を得た（収量：３６.３ｇ、収率：９５％）。1Ｈ−ＮＭＲの測定結果を以下に示す。【００５０】
1Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ8）δ［ｐｐｍ］：７．８８−７．９８（ｍ，１０Ｈ），７．５５−７．６１（ｍ，１０Ｈ），７．１９−７．３０（ｍ，１０Ｈ），７．１２（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，１Ｈ），７．０５（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，４Ｈ），６．９６−７．００（ｍ，８Ｈ），１．０５（ｓ，３６Ｈ），１．０４（ｓ，９Ｈ），０．７４（ｓ，３０Ｈ）．【００５１】
なお、下記式で示されるＴＢＳＣＺ−Ｂｒは、Chemistry of Materials (2015), 27(19), 6535-6542.に従って合成した（以下、同様）。【００５２】
【化１９】
2019177049.tif 000021
【００５３】
（２）ＣＺ５の合成
【化２０】
2019177049.tif 000022
【００５４】
フラスコ内にＴＨＦ１７８ｍＬ、ＴＢＳＣＺ５  ３３．５ｇを入れた後、氷浴で冷却しながら撹拌し、ＴＢＡＦのＴＨＦ溶液（濃度：１Ｍ）１５８ｍＬを滴下した。滴下終了後に氷浴を外し、室温で１．５時間撹拌した後に反応液をイオン交換水６７０ｍＬ中に滴下してクエンチした。得られた析出物は、濾取後、１３０ｇのＴＨＦ溶液にし、メタノール１Ｌ中に滴下することで再び析出させた。この濾取から晶析までの操作をさらに２回繰り返した後、析出物を濾取・乾燥してＣＺ５を得た（収量：１８．６ｇ、収率：８７％）。
得られたＣＺ５のＨＰＬＣチャートを図１，２に示す。【００５５】
［実施例２］アニリン誘導体３Ｃｚ−ＴＲＩ３の合成
（１）３ＴＢＳＣｚ−ＴＲＩ３の合成
【化２１】
2019177049.tif 000023
【００５６】
フラスコ内に、ＴＲＩ３  ５５．１ｇ、ＴＢＳＣＺ−Ｂｒ９５．４ｇ、Ｐｄ（ｄｂａ）2２．７７ｇおよびｔ−ブトキシナトリウム３２．４ｇを入れた後、フラスコ内を窒素置換した。次にトルエン５５０ｍＬ、予め調製しておいたジ−ｔ−ブチル（フェニル）ホスフィンのトルエン溶液２２ｍＬ（濃度：９６ｇ／Ｌ）を加え、９０℃で撹拌した。１．５時間、反応液を室温まで冷却し、イオン交換水５５０ｍＬを混合して分液処理を行った。得られた有機層に白鷺Ｐ活性炭(大阪ガスケミカル（株）製)１１.０ｇを加え、室温で１時間撹拌後、シリカゲル濾過を行い、トルエンでケーキ洗浄を行った。濾液を６６０ｇまで濃縮し、濃縮液をＮ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物２２．０ｇ、メタノール３．３０Ｌ、酢酸エチル１．１０Ｌの予混合溶液中に滴下し、得られたスラリーを室温で撹拌した。１時間後、スラリーを濾過し、濾物をメタノールで洗浄後、乾燥して３ＴＢＳＣＺ−ＴＲＩ３を得た（収量：１１２ｇ、収率：９２％）。1Ｈ−ＮＭＲの測定結果を以下に示す。【００５７】
1Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ8）δ［ｐｐｍ］：７．９３−７．９５（ｍ，３Ｈ），７．８９（ｄ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，３Ｈ），７．５７−７．６２（ｍ，６Ｈ），７．２６−７．３０（ｍ，３Ｈ），７．１５−７．２１（ｍ，１１Ｈ），７．０６−７．１３（ｍ，３Ｈ），６．９６−７．０３（ｍ，２０Ｈ），６．８８−６．９４（ｍ，８Ｈ），１．０５（ｓ，１８Ｈ），１．０４（ｓ，９Ｈ），０．７５（ｓ，１２Ｈ），０．７４（ｓ，６Ｈ）．【００５８】
（３）３Ｃｚ−ＴＲＩ３の合成
【化２２】
2019177049.tif 000024
【００５９】
フラスコ内にＴＨＦ３１５ｍＬ、３ＴＢＳＣＺ−ＴＲＩ３  １０５ｇを入れた後、氷浴で冷却しながら撹拌し、ＴＢＡＦのＴＨＦ溶液（濃度：１Ｍ）３１０ｍＬを滴下した。滴下終了後に氷浴を外し、室温で３時間撹拌した後、反応液を７３５ｇとなるまでＴＨＦで希釈し、これをメタノール１．５７Ｌ中に滴下してクエンチした。得られた析出物は室温で１時間撹拌後に濾取し、メタノールでケーキ洗浄後、さらにメタノール１．０５Ｌで２時間スラリー洗浄した。これを濾取して、メタノールでケーキ洗浄後、乾燥して３ＣＺ−ＴＲＩ３を得た（収量：７５．４ｇ、収率：９３％）。【００６０】
［実施例３］アニリン誘導体３ＴＰＡ−ＣＺ３の合成
（１）ＴＢＳＣＺ３の合成
【化２３】
2019177049.tif 000025
【００６１】
フラスコ内に、ＤＡＤＰＡ１．９９ｇ、ＴＢＳＣＺ−Ｂｒ７．２２ｇ、Ｐｄ（ｄｂａ）2２３３ｍｇおよびｔ−ブトキシナトリウム２．６９ｇを入れた後、フラスコ内を窒素置換した。次にトルエン１００ｍＬ、予め調製しておいたジ−ｔ−ブチル（フェニル）ホスフィンのトルエン溶液３．７ｍＬ（濃度：４９ｇ／Ｌ）を加え、９０℃で撹拌した。２時間後、反応液を室温まで冷却し、イオン交換水１００ｍＬを混合した後、これを濾過した。得られた濾物を熱トルエンで溶解させ、熱時濾過を行い、濾液を室温で撹拌した。１８時間後、析出物を濾取し、これをメタノールで洗浄後、乾燥してＴＢＳＣＺ３を得た（収量：３．８７ｇ、収率：５１％）。1Ｈ−ＮＭＲの測定結果を以下に示す。【００６２】
1Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ6）δ［ｐｐｍ］：７．９９（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），７．６８（ｄ，Ｊ＝２．１Ｈｚ，２Ｈ），７．６３（ｓ，２Ｈ），７．５９（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，２Ｈ），７．５２（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，２Ｈ），７．４９（ｓ，１Ｈ），７．３０−７．３３（ｍ，２Ｈ），７．１２−７．１５（ｍ，２Ｈ），７．０７（ｄｄ，Ｊ＝８．９，２．１Ｈｚ，２Ｈ），６．９４−７．０２（ｍ，８Ｈ），０．９８（ｓ，１８Ｈ），０．７３（ｓ，１２Ｈ）．【００６３】
（２）３ＴＰＡ−ＴＢＳＣＺ３の合成
【化２４】
2019177049.tif 000026
【００６４】
フラスコ内に、ＴＢＳＣＺ３  ２．６５ｇ、ＴＰＡ−Ｂｒ３．７４ｇ、Ｐｄ（ｄｂａ）2１２１ｍｇおよびｔ−ブトキシナトリウム１．４２ｇを入れた後、フラスコ内を窒素置換した。次にトルエン８０ｍＬ、予め調製しておいたジ−ｔ−ブチル（フェニル）ホスフィンのトルエン溶液１．６ｍＬ（濃度：６０ｇ／Ｌ）を加え、９０℃で撹拌した。４時間後、反応液を室温まで冷却し、イオン交換水１００ｍＬを混合して分液処理を行った。さらに有機層を５％Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物の水溶液、イオン交換水、飽和食塩水で洗浄後、白鷺Ｐ活性炭（大阪ガスケミカル（株））０．１ｇを加え、室温で１時間撹拌後にシリカゲル濾過を行い、トルエンでケーキ洗浄を行った。濾液を濃縮後、得られた粗物をトルエン５０ｍＬに溶解し、メタノール３７５ｍＬ、酢酸エチル１２５ｍＬの予混合液に滴下し、得られたスラリーを室温で撹拌した。３日後、スラリーを濾過し、濾物を乾燥して３ＴＰＡ−ＴＢＳＣＺ３を得た（収量：４．８０ｇ、収率：９２％）。1Ｈ−ＮＭＲの測定結果を以下に示す。【００６５】
1Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ8）δ［ｐｐｍ］：７．９４（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），７．８９（ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，２Ｈ），７．６１（ｔ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，４Ｈ），７．２９（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），７．１６−７．２０（ｍ，１４Ｈ），７．１０（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），６．９８−７．０４（ｍ，２６Ｈ），６．８９−６．９４（ｍ，１２Ｈ）．【００６６】
（３）３ＴＰＡ−ＣＺ３の合成
【化２５】
2019177049.tif 000027
【００６７】
フラスコ内にＴＨＦ２２．５ｍＬ、３ＴＰＡ−ＴＢＳＣＺ３  ３．７２ｇを入れた後、撹拌しながらＴＢＡＦのＴＨＦ溶液（濃度：１Ｍ）７．５ｍＬを滴下した。滴下終了から１時間後、反応液をメタノール３００ｍＬ中に滴下してクエンチし、得られた析出物を濾取した。これをトルエン９０ｍＬ、１，４−ジオキサン１０ｍＬの混合液に加熱溶解し、熱時濾過を行った後、再結晶した。この結晶をさらにメタノール５０ｍＬでスラリー洗浄し、濾取後、乾燥することで３ＴＰＡ−ＣＺ３を得た（収量：１．７８ｇ、収率：５７％）。1Ｈ−ＮＭＲの測定結果を以下に示す。【００６８】
1Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ6）δ［ｐｐｍ］：１１．２６（ｓ，２Ｈ），８．０３（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），７．９５（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，２Ｈ），７．４７（ｔ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，４Ｈ），７．３６（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），７．１７−７．２６（ｍ，１４Ｈ），７．０８（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），６．８８−６．９７（ｍ，３８Ｈ）．【００６９】
［比較例１］
国際公開第２０１５／０５０２５３号（特許文献１）に従ってＣｚ５を合成した。得られたＣＺ５のＨＰＬＣチャートを図３，４に示す。【００７０】
図１〜４に示されるように、実施例１で合成したＣｚ５（図１，２）と比較例１で合成したＣｚ５（図３，４）とを比較すると、実施例１で合成したＣｚ５のＨＰＬＣ面積百分率は９９．９％に対して比較例１で合成したＣｚ５は９３．５％であった。
得られたＣｚ５のＨＰＬＣ面積百分率の違いから、本発明は大量製造に適した効率良いアニリン誘導体の製法を与えると同時に高純度な化合物を与えることがわかった。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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