(57)【要約】  Ｂｉを０．００１ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％、Ｃｒを４５ｍｏｌ％以下、Ｐｔを４５ｍｏｌ％以下、Ｒｕを６０ｍｏｌ％以下、金属酸化物を合計１ｍｏｌ％〜３５ｍｏｌ％で含有し、残部にＣｏ及び不可避的不純物を含んでなるスパッタリングターゲットである。【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｂｉを０．００１ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％、Ｃｒを４５ｍｏｌ％以下、Ｐｔを４５ｍｏｌ％以下、Ｒｕを６０ｍｏｌ％以下、金属酸化物を合計１ｍｏｌ％〜３５ｍｏｌ％で含有し、残部にＣｏ及び不可避的不純物を含んでなるスパッタリングターゲット。
【請求項２】
Ｂｉを０．００５ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％で含有してなる請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
Ｂｉを０．０１ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％で含有してなる請求項２に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】
前記金属酸化物には、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ及びＢからなる群から選択される少なくとも一種の元素の酸化物が含まれる請求項１〜３のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５】
さらに、Ａｕ、Ａｇ、Ｂ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ及びＶからなる群から選択される少なくとも一種を、１ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％含有してなる請求項１〜４のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６】
金属酸化物を合計１０体積％〜５５体積％で含有してなる請求項１〜５のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項７】
Ｂｉを０．００１ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％、Ｃｒを４５ｍｏｌ％以下、Ｐｔを４５ｍｏｌ％以下、Ｒｕを６０ｍｏｌ％以下、金属酸化物を合計１ｍｏｌ％〜３５ｍｏｌ％で含有し、残部にＣｏ及び不可避的不純物を含んでなる磁性膜。
【請求項８】
Ｂｉを０．００５ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％で含有してなる請求項７に記載の磁性膜。
【請求項９】
Ｂｉを０．０１ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％で含有してなる請求項８に記載の磁性膜。
【請求項１０】
前記金属酸化物には、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ及びＢからなる群から選択される少なくとも一種の元素の酸化物が含まれる請求項７〜９のいずれか一項に記載の磁性膜。
【請求項１１】
さらに、Ａｕ、Ａｇ、Ｂ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ及びＶからなる群から選択される少なくとも一種を、１ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％含有してなる請求項７〜１０のいずれか一項に記載の磁性膜。
【請求項１２】
金属酸化物を合計１０体積％〜５５体積％で含有してなる請求項７〜１１のいずれか一項に記載の磁性膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この明細書は、スパッタリングターゲット及び磁性膜に関する技術について開示するものである。
【背景技術】
【０００２】
たとえば、磁気記録媒体を製造するに当り、当該磁気記録媒体を構成する記録層及びその他の所定の複数の層はそれぞれ、それらの各層に応じた複数のスパッタリングターゲットを用いて、基板上にスパッタリングすることにより順次に成膜されて形成される。そのなかで、Ｃｏを主成分としＣｒ及びＰｔを含有する金属相に所定の酸化物粒子を分散させてなるスパッタリングターゲットが用いられることがある（たとえば特許文献１〜１０参照）。【０００３】
ところで、スパッタリングによる成膜時には、異常放電、いわゆるアーキングが生じることがあり、それにより基板上への付着物としてのパーティクルが発生し、これが成膜の歩留まりを低下させるという問題がある。
特に、上述したような磁性材料用のスパッタリングターゲットでは、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合金に添加する酸化物が、アーキングの際にスパッタリングターゲットから脱落し、これがパーティクル発生の原因になると考えられている。【０００４】
このような問題に関し、特許文献１１には、「ボールミル等により原料粉末を混合、粉砕する際に、予め原料粉末を混合、焼結、粉砕して得た一次焼結体粉末を混合することで、ターゲット組織がより微細化されることを見出した。」とし、この知見を用いた磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法が記載されている。具体的には、「非磁性酸化物、ＣｒおよびＰｔを含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法であって、Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔの各元素を単体として又はこれらのうち２種以上の元素を含む合金として粉末にした原料粉末と非磁性酸化物の原料粉末との各原料粉末が混合された一次混合粉末を焼結させて一次焼結体を得る一次焼結工程と、前記一次焼結体を粉砕して一次焼結体粉末を得る粉砕工程と、前記各原料粉末が混合された二次混合粉末と前記一次焼結体粉末とを混合および粉砕後、焼結させる二次焼結工程と、を有し、前記二次混合粉末の平均粒径が０．０５〜３０μｍであり、前記一次焼結体粉末の最大粒径が２００μｍ未満であることを特徴とする磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法」が提案されている。そして、これによれば、「高品質な膜を均一に得ることができると共にパーティクルの発生を低減することができ、特に高密度の垂直磁気記録方式の媒体を作製可能である。」とされている。【０００５】
また特許文献１２には、「金属相と酸化物相が均一分散した組織を有する焼結体スパッタリングターゲットであって、該金属相が成分としてＣｏとＰｔとＭｎを含有し、該酸化物相が少なくともＭｎを構成成分とする酸化物を含有することを特徴とするスパッタリングターゲット」が開示されている。特許文献１２のスパッタリングターゲットによると、「スパッタ時に発生するパーティクル量を低減することができ、成膜時における歩留まりを向上することができるという優れた効果を有する。」とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−２０８１６９号公報
【特許文献２】特開２０１１−１７４１７４号公報
【特許文献３】特開２０１１−１７５７２５号公報
【特許文献４】特開２０１２−１１７１４７号公報
【特許文献５】特許第４８８５３３３号公報
【特許文献６】米国特許出願公開第２０１３／０１３４０３８号明細書
【特許文献７】国際公開第２０１２／０８６３８８号
【特許文献８】米国特許出願公開第２０１３／０２１３８０２号明細書
【特許文献９】国際公開第２０１５／０６４７６１号
【特許文献１０】米国特許出願公開第２０１６／０２７６１４３号明細書
【特許文献１１】特開２０１１−２０８１６９号公報
【特許文献１２】国際公開第２０１４／１４１７３７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１１のように、スパッタリングターゲットの組織を微細化することはパーティクル発生の低減に有効であるが、スパッタリングターゲット中の酸化物相の組織が十分に微細化されていても、金属相によってはスパッタリング時に放電が不安定になる場合がある。特許文献１１の提案技術では、このような問題には対応できない。なお放電が不安定になると、たとえばアーキングが発生しやすくなってパーティクルが増大する等といった懸念がある。また、ある一定以上の更なる組織の微細化は実現性及び生産性の観点から容易ではない。【０００８】
特許文献１２には、スパッタリングターゲットの金属相及び酸化物相にＭｎを含ませることが記載されているが、用途等によっては、比較的多い量でＭｎを含ませることが好ましくない場合がある。【０００９】
この明細書は、上述したような問題を解決するため、スパッタリング時の放電の安定性を向上させることができるスパッタリングターゲット及び磁性膜を提案するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この明細書で開示するスパッタリングターゲットは、Ｂｉを０．００１ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％、Ｃｒを４５ｍｏｌ％以下、Ｐｔを４５ｍｏｌ％以下、Ｒｕを６０ｍｏｌ％以下、金属酸化物を合計１ｍｏｌ％〜３５ｍｏｌ％で含有し、残部にＣｏ及び不可避的不純物を含んでなるものである。【００１１】
また、この明細書で開示する磁性膜は、Ｂｉを０．００１ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％、Ｃｒを４５ｍｏｌ％以下、Ｐｔを４５ｍｏｌ％以下、Ｒｕを６０ｍｏｌ％以下、金属酸化物を合計１ｍｏｌ％〜３５ｍｏｌ％で含有し、残部にＣｏ及び不可避的不純物を含んでなるものである。
【発明の効果】
【００１２】
上述したスパッタリングターゲットによれば、Ｂｉを０．００１ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％で含有することにより、スパッタリング時の放電の安定性を向上させることができる。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
一の実施形態のスパッタリングターゲットは、Ｂｉを０．００１ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％、Ｃｒを４５ｍｏｌ％以下、Ｐｔを４５ｍｏｌ％以下、Ｒｕを６０ｍｏｌ％以下、金属酸化物を合計１ｍｏｌ％〜３５ｍｏｌ％で含有し、残部がＣｏ及び不可避的不純物からなるものである。
【００１４】
特に、Ｂｉを所定の量で含有することにより、スパッタリングターゲットに仕事関数の低い金属相が存在することになって、陽イオンの衝突による二次電子の放出率が上がる。このため、より電子密度の少ない条件、つまり低いガス圧、低いスパッタ電力などでも放電状態を安定させることができる。その結果として、アーキングの発生及び、それによるパーティクルの発生を有効に低減することができる。
【００１５】
（スパッタリングターゲットの組成）
スパッタリングターゲットの金属成分は、主としてＣｏからなり、それに加えてＰｔ、Ｃｒ及びＲｕからなる群から選択される少なくとも一種を含むことがある。特に金属成分は、Ｐｔ、Ｃｒ及びＲｕからなる群から選択される少なくとも一種を含有するＣｏ合金である場合がある。たとえば、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金またはＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｒｕ合金等である。あるいは、Ｃｏ以外のＲｕ等が主成分となるものもある。Ｐｔ、Ｃｒ及びＲｕのうちの一種以上、なかでもＣｒ及びＲｕは含まれないこともある。
【００１６】
Ｐｔを含む場合、Ｐｔの含有量は４５ｍｏｌ％以下とする。なお実施形態によっては、Ｐｔの含有量が０ｍｏｌ％、つまりＰｔを含まないスパッタリングターゲットもある。Ｃｒを含む場合、Ｃｒの含有量は４５ｍｏｌ％以下とする。Ｒｕを含む場合、Ｒｕの含有量は６０ｍｏｌ％以下とする。これらのＰｔやＣｒ、Ｒｕの含有量は、メディアの使用する層その他の用途やメディアの設計等に応じて変えることがあるが、この実施形態では、上述した上限値以下とする。
【００１７】
この実施形態のスパッタリングターゲットは、上述した金属元素の他、金属成分として、Ｂｉを０．００１ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％で含有することを特徴とするものである。
Ｂｉは、仕事関数がＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｒｕと比べて低いので、スパッタリングターゲット中に含有させることによって仕事関数の低い金属相が存在することになるため、スパッタリング中に電子がターゲットから遊離しやすくなり、スパッタリング時の放電状態が安定化するので、金属側の組成によるアーキングの発生を有効に防止することができる。それ故に、パーティクルの発生が効果的に抑制されることになる。
【００１８】
先に述べた提案技術のような酸化物相の組織の微細化では、金属相の組成のいかんによっては、スパッタリング時に放電が不安定になってアーキングが発生しやすくなることから、それに起因して発生し得るパーティクルには対応することができなかった。これに対し、この実施形態のスパッタリングターゲットでは、Ｂｉを含むことにより、金属相の組成によるアーキング及び、それに伴うパーティクルの発生を有効に抑制することが可能になる。
【００１９】
またＢｉは、仕事関数がＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｒｕと比べて低い金属のなかでも、取り扱いが比較的容易である。言い換えれば、Ｂｉ以外の仕事関数が低い金属は、毒性の強いものや水分と激しく反応するものがあり、取り扱いに危険が伴うことがある。
【００２０】
Ｂｉの含有量は、０．００１ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％とする。これはすなわち、Ｂｉを０．００１ｍｏｌ％未満とした場合は、含有量が少なすぎることから、仕事関数の低い金属相が存在することによる放電状態安定化の作用を十分に得ることができない。
ところで、Ｃｏ−Ｐｔ合金では、ＣｒやＲｕなどの非磁性金属を加えることで飽和磁化の低減、磁気異方性の低減などの磁気特性の調整を行えることが広く知られている。当該Ｂｉについても０．５ｍｏｌ％より多くした場合、膜の飽和磁化、磁気異方性が小さくなる方向に磁気特性が変化する。このような観点から、上記のＢｉの含有量は、０．００５ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％とすることが好適であり、さらに０．０１ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％とすることがより一層好適である。
【００２１】
この実施形態のスパッタリングターゲットは、必要に応じて、金属成分としてさらに、Ａｕ、Ａｇ、Ｂ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ及びＶからなる群から選択される少なくとも一種を含有することができる。Ａｕ、Ａｇ、Ｂ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ及びＶからなる群から選択される少なくとも一種の含有量は合計で、好ましくは１ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％とする。
【００２２】
スパッタリングターゲットは、上述した金属に金属酸化物が分散したグラニュラ構造になるため、金属酸化物を含有する。金属酸化物の合計含有量は１ｍｏｌ％〜３５ｍｏｌ％とする。また、金属酸化物の合計含有量は、体積率で１０体積％〜５５体積％とすることが好ましい。金属酸化物が１０体積％未満である場合は、金属相が多いのでＢｉを添加せずとも放電不安定が起きにくく、Ｂｉ添加による効果が小さくなる可能性がある。一方、金属酸化物が５５体積％を上回ると、酸化物が多すぎて金属同士がつながらないため、Ｂｉ添加して仕事関数の低い金属相を存在させたとしても放電が不安定になることがある。この観点から、金属酸化物の合計含有量は、より好ましくは１５体積％〜５５体積％、さらに好ましくは２０体積％〜５０体積％である。
【００２３】
酸化物体積率は、スパッタリングターゲットに含まれる各成分の密度、分子量から計算によって求めることもできるが、スパッタリングターゲットの任意の切断面における、酸化物相の面積比率から求めることもできる。この場合、スパッタリングターゲット中の酸化物相の体積比率は、切断面での面積比率とすることができる。
【００２４】
上記の金属酸化物として具体的には、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｂの酸化物を挙げることができる。したがって、この実施形態のスパッタリングターゲットでは、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ及びＢからなる群から選択される少なくとも一種の元素の金属酸化物を含んでもよい。
【００２５】
（スパッタリングターゲットの製造方法）
以上に述べたスパッタリングターゲットは、たとえば粉末焼結法により製造することができ、その具体的な製造方法の例を次に述べる。
【００２６】
はじめに、金属粉末として、Ｃｏ粉末と、Ｂｉ粉末と、Ｐｔ粉末、Ｃｒ粉末及びＲｕ粉末からなる群から選択される少なくとも一種の金属粉末とを用意する。必要に応じて、さらに上述したようなＡｕ、Ａｇ、Ｂ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ及びＶからなる群から選択される少なくとも一種の金属の粉末を用意することもできる。
【００２７】
金属粉末は、単元素のみならず合金の粉末であってもよく、その粒径が１μｍ〜１５０μｍの範囲内のものであることが、均一な混合を可能にして偏析と粗大結晶化を防止できる点で好ましい。金属粉末の粒径が１５０μｍより大きい場合は、後述の酸化物粒子が均一に分散しないことがあり、また、１μｍより小さい場合は、金属粉末の酸化の影響でスパッタリングターゲットが所望の組成から外れたものになるおそれがある。
【００２８】
また、酸化物粉末として、たとえば、ＴｉＯ2粉末、ＳｉＯ2粉末及び／又はＢ2Ｏ3粉末等を用意する。酸化物粉末は粒径が１μｍ〜３０μｍの範囲のものとすることが好ましい。それにより、上記の金属粉末と混合して加圧焼結した際に、金属相中に酸化物粒子をより均一に分散させることができる。酸化物粉末の粒径が３０μｍより大きい場合は、加圧焼結後に粗大な酸化物粒子が生じることがあり、この一方で、１μｍより小さい場合は、酸化物粉末同士の凝集が生じることがある。
【００２９】
次いで、上記の金属粉末及び酸化物粉末を、所望の組成になるように秤量し、ボールミル等の公知の手法を用いて混合するとともに粉砕する。このとき、混合・粉砕に用いる容器の内部を不活性ガスで充満させて、原料粉末の酸化をできる限り抑制することが望ましい。これにより、所定の金属粉末と酸化物粉末とが均一に混合した混合粉末を得ることができる。
【００３０】
その後、このようにして得られた混合粉末を、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気下で加圧して焼結させ、円盤状等の所定の形状に成型する。ここでは、ホットプレス焼結法、熱間静水圧焼結法、プラズマ放電焼結法等の様々な加圧焼結方法を使用することができる。なかでも、熱間静水圧焼結法は焼結体の密度向上の観点から有効である。
【００３１】
焼結時の保持温度は、好ましくは６００〜１５００℃の温度範囲とし、より好ましくは７００℃〜１４００℃とする。そして、この範囲の温度に保持する時間は、１時間以上とすることが好適である。また焼結時の加圧力は、好ましくは１０ＭＰａ以上、より好ましくは２０ＭＰａ以上とする。
それにより、安定してスパッタリングを行うのに十分に高い密度の焼結体を得ることができる。
【００３２】
上記の加圧焼結により得られた焼結体に対し、旋盤等を用いて所望の形状にする切削その他の機械加工を施すことにより、円盤状等のスパッタリングターゲットを製造することができる。
【００３３】
（磁性膜）
先に述べたようなスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング装置、一般にはマグネトロンスパッタリング装置にてスパッタリングを行うことにより、磁性膜を成膜することができる。
【００３４】
このような磁性膜は、上述のスパッタリングターゲットと実質的に同様の組成を有するものとなる。
より詳細には、磁性膜は、Ｂｉを０．００１ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％、好ましくは０．００５ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％、より好ましくは０．０１ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％で含有するとともに、Ｃｒを４５ｍｏｌ％以下、Ｐｔを４５ｍｏｌ％以下、Ｒｕを６０ｍｏｌ％以下、金属酸化物を合計１ｍｏｌ％〜３５ｍｏｌ％で含有し、残部にＣｏ及び不可避的不純物を含むものである。磁性膜はＰｔを４５ｍｏｌ％以下で含有することがあるが、実施形態によっては、Ｐｔの含有量が０ｍｏｌ％、つまりＰｔを含まない磁性膜もある。
【００３５】
また、磁性膜中の金属酸化物には、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ及びＢからなる群から選択される少なくとも一種の元素の酸化物が含まれる場合がある。金属酸化物の合計含有量は、１０体積％〜５５体積％とすることができる。
磁性膜は、さらに、Ａｕ、Ａｇ、Ｂ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ及びＶからなる群から選択される少なくとも一種を、１ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％含有するものとすることができる。
【００３６】
かかる磁性膜は、種々の用途に用いることができるが、たとえば、垂直磁気記録方式の磁気記録媒体を構成する基板上に密着層、軟磁性層、Ｓｅｅｄ層、Ｒｕ層などの下地層、中間層、記録層および保護層のうち、特に記録層として用いることが好適である。
【００３７】
なお、上記の垂直磁気記録方式の磁気記録媒体は、これまでの記録面に対して水平方向に磁気を記録する水平磁気記録方式とは異なり、記録面に対して垂直方向に磁気を記録することから、より高密度の記録が可能であるとして、ハードディスクドライブ等で広く採用されている。垂直磁気記録方式の磁気記録媒体は具体的には、たとえば、アルミニウムやガラス等の基板上に密着層、軟磁性層、Ｓｅｅｄ層、Ｒｕ層などの下地層、中間層、記録層および保護層等を順次に積層して構成される。
上述したスパッタリングターゲットは、このうちの記録層の成膜に特に適している。
【実施例】
【００３８】
次に、スパッタリングターゲットを試作し、その性能を評価したので以下に説明する。但し、ここでの説明は単なる例示を目的としたものであり、それに限定されることを意図するものではない。【００３９】
表１に記載するそれぞれの組成比となるように金属粉末、金属酸化物粉末を秤量した。
次に、それぞれの粉末を秤量した後、粉砕媒体のジルコニアボールとともに容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２４時間回転させて混合した。そして、ボールミルから取り出した混合粉末を直径１９０ｍｍのカーボン製の円柱状の型に充填し、ホットプレスで焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００℃／時間、保持温度１０００℃、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。これにより得られた焼結体を切削し、スパッタリングターゲットとした。【００４０】
上述した各スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行った。ここで、スパッタ装置はキャノンアネルバ製Ｃ−３０１０を用いた。ターゲット背面に設置されたマグネットの位置を、ターゲット表面の磁束の最大値が３００ガウスとなるように調整した。アルゴンガスを４ｓｃｃｍでフローすることで圧力を約０．３Ｐａとし、設定電力２００Ｗで放電を１０回行った。放電開始時に記録された、開始直後の最大電圧と、放電開始から１秒間までの平均電圧との差が３００Ｖ以上あった場合を放電電圧が不安定になったとみなし、その発生確率によって放電の安定性を評価した。【００４１】
【表１】
2020031461.tif 000002
【００４２】
実施例１〜２０では、スパッタリングターゲットがＢｉを所定の量で含有するものであったことにより、放電不安定の発生確率が、後述の比較例１〜９に比して有効に低減されていることが解かる。【００４３】
比較例１、３〜９は、スパッタリングターゲットがＢｉを含有しなかったことから、放電不安定の発生確率が高くなった。比較例２は、スパッタリングターゲットがＢｉを含有するものであったがその含有量が少なすぎたことにより、放電不安定の発生確率が十分低減されなかった。【００４４】
以上より、実施例１〜２０のスパッタリングターゲットによれば、スパッタリング時の放電の安定性を向上できることが解かった。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月18日(2019.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｂｉを０．００１ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％、Ｃｒを４５ｍｏｌ％以下、Ｐｔを４５ｍｏｌ％以下、Ｒｕを６０ｍｏｌ％以下、金属酸化物を合計１ｍｏｌ％〜３５ｍｏｌ％で含有し、残部にＣｏ及び不可避的不純物を含んでなるスパッタリングターゲット。
【請求項２】
Ｂｉを０．００５ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％で含有してなる請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
Ｂｉを０．０１ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％で含有してなる請求項２に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】
前記金属酸化物には、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ及びＢからなる群から選択される少なくとも一種の元素の酸化物が含まれる請求項１〜３のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５】
さらに、Ａｕ、Ａｇ、Ｂ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ及びＶからなる群から選択される少なくとも一種を、１ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％含有してなる請求項１〜４のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６】
金属酸化物を合計１０体積％〜５５体積％で含有してなる請求項１〜５のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項７】
垂直磁気記録方式の磁気記録媒体用の磁性膜であって、Ｂｉを０．００１ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％、Ｃｒを４５ｍｏｌ％以下、Ｐｔを４５ｍｏｌ％以下、Ｒｕを６０ｍｏｌ％以下、金属酸化物を合計１ｍｏｌ％〜３５ｍｏｌ％で含有し、残部にＣｏ及び不可避的不純物を含んでなる磁性膜。
【請求項８】
Ｂｉを０．００５ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％で含有してなる請求項７に記載の磁性膜。
【請求項９】
Ｂｉを０．０１ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％で含有してなる請求項８に記載の磁性膜。
【請求項１０】
前記金属酸化物には、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ及びＢからなる群から選択される少なくとも一種の元素の酸化物が含まれる請求項７〜９のいずれか一項に記載の磁性膜。
【請求項１１】
さらに、Ａｕ、Ａｇ、Ｂ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ及びＶからなる群から選択される少なくとも一種を、１ｍｏｌ％〜３０ｍｏｌ％含有してなる請求項７〜１０のいずれか一項に記載の磁性膜。
【請求項１２】
金属酸化物を合計１０体積％〜５５体積％で含有してなる請求項７〜１１のいずれか一項に記載の磁性膜。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
特許文献１０：米国特許出願公開第２０１６／０２７６１４３号明細書
特許文献１１：特開２０１１−２０８１６９号公報
特許文献１２：国際公開第２０１４／１４１７３７号
発明の概要
発明が解決しようとする課題
［０００７］
特許文献１１のように、スパッタリングターゲットの組織を微細化することはパーティクル発生の低減に有効であるが、スパッタリングターゲット中の酸化物相の組織が十分に微細化されていても、金属相によってはスパッタリング時に放電が不安定になる場合がある。特許文献１１の提案技術では、このような問題には対応できない。なお放電が不安定になると、たとえばアーキングが発生しやすくなってパーティクルが増大する等といった懸念がある。また、ある一定以上の更なる組織の微細化は実現性及び生産性の観点から容易ではない。
［０００８］
特許文献１２には、スパッタリングターゲットの金属相及び酸化物相にＭｎを含ませることが記載されているが、用途等によっては、比較的多い量でＭｎを含ませることが好ましくない場合がある。
［０００９］
この明細書は、上述したような問題を解決するため、スパッタリング時の放電の安定性を向上させることができるスパッタリングターゲット及び磁性膜を提案するものである。
課題を解決するための手段
［００１０］
この明細書で開示するスパッタリングターゲットは、Ｂｉを０．００１ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％、Ｃｒを４５ｍｏｌ％以下、Ｐｔを４５ｍｏｌ％以下、Ｒｕを６０ｍｏｌ％以下、金属酸化物を合計１ｍｏｌ％〜３５ｍｏｌ％で含有し、残部にＣｏ及び不可避的不純物を含んでなるものである。
［００１１］
また、この明細書で開示する磁性膜は、垂直磁気記録方式の磁気記録媒体用の磁性膜であって、Ｂｉを０．００１ｍｏｌ％〜０．５ｍｏｌ％、Ｃｒを４５ｍｏｌ％以下、Ｐｔを４５ｍｏｌ％以下、Ｒｕを６０ｍｏｌ％以下、金属酸化物を合計１ｍｏｌ％〜３５ｍｏｌ％で含有し、残部にＣｏ及び不可避的不純物を含んでなるものである。
【国際調査報告】
2020031461.tif 000003
2020031461.tif 000004
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