【手続補正書】
【提出日】平成21年6月29日(2009.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の導電体の間にあり且つ前記一対の導電体と接触する誘電体基板の上または内部に配置されたセラミックエレメントを備えた電気コンポーネントであって、
前記セラミックエレメントは、当該セラミックエレメント全体にわたって、金属酸化物組成均一性の変動が１．５ｍｏｌ％以下である一種又はそれ以上の金属酸化物を含む、電気コンポーネント。
【請求項２】
前記一種以上の金属酸化物は、ほぼ均一の粒径を有する粒子からなる、請求項１に記載の電気コンポーネント。
【請求項３】
前記粒径は、各粒子の長径に沿って測定され、さらに、前記粒径は、前記セラミックエレメント中に含まれる粒子の平均粒径の１．５倍よりも小さく、且つ０．５倍よりも大きい、請求項２に記載の電気コンポーネント。
【請求項４】
前記粒径は、作製時において熱処理を制御することによって決定される、請求項２に記載の電気コンポーネント。
【請求項５】
前記セラミックエレメントは、特定の前記一種以上の金属酸化物が含まれることによって決定される電気特性を有する、請求項１に記載の電気コンポーネント。
【請求項６】
前記電気特性は、作製時において熱処理を用いて平均粒径を制御することによってもたらされる、請求項５に記載の電気コンポーネント。
【請求項７】
前記セラミックエレメントの前記電気特性は、温度範囲４０℃〜１２０℃において、変化が１％以下のほぼ一定値を示す、請求項６に記載の電気コンポーネント。
【請求項８】
前記セラミックエレメントは、金属有機前駆体の同時分解を生じさせることにより作製される、請求項１に記載の電気コンポーネント。
【請求項９】
前記同時分解は、沈着された前記金属有機前駆体に対する高速熱アニーリングによって達成される、請求項８に記載の電気コンポーネント。
【請求項１０】
前記セラミックエレメントは、前記同時分解前にカルボン酸塩前駆体を沈着させることにより作製される、請求項７に記載の電気コンポーネント。
【請求項１１】
前記前駆体は、ワックス化合物として沈着される、請求項９に記載の電気コンポーネント。
【請求項１２】
前記沈着された前駆体に放射エネルギーを付与して前記同時分解を発生させる、請求項１０に記載の電気コンポーネント。
【請求項１３】
前記一種以上の金属酸化物は、ルチル、パイロクロア、ペロブスカイト、体心立方、菱形１２面体、菱形偏四角多面体結晶相またはそれらの混合物を有し、
前記ルチル、前記パイロクロア、前記ペロブスカイト、前記体心立方、前記菱形１２面体、前記菱形偏四角多面体結晶相またはそれらの混合物は、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）、酸化イリジウム（ＩｒＯ２）、酸化ロジウム（Ｒｈ２Ｏ３）、酸化オスミウム（ＯｓＯ２）、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）および酸化ケイ素（ＳｉＯ４）のうちの１つ以上を含む、請求項１に記載の電気コンポーネント。
【請求項１４】
前記セラミックエレメントは、固有シート抵抗が２５μΩｃｍよりも高い抵抗金属酸化物材料を含む、請求項１に記載の電気コンポーネント。
【請求項１５】
前記セラミックエレメントはまた、導電性金属酸化物をも含み、さらに、前記電気コンポーネントはレジスタである、請求項１４に記載の電気コンポーネント。
【請求項１６】
前記一種以上の金属酸化物は、ルチル、パイロクロアまたはペロブスカイト結晶相を有し、
前記ルチル、前記パイロクロアまたは前記ペロブスカイト結晶相は、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）、酸化イリジウム（ＩｒＯ２）、酸化ロジウム（Ｒｈ２Ｏ３）、酸化オスミウム（ＯｓＯ２）、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）およびインジウムスズ酸化物のうちの１つ以上を含む、請求項１４に記載の電気コンポーネント。
【請求項１７】
前記一種以上の金属酸化物は、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、酸化ランタン（Ｌａ２Ｏ３）、酸化セリウム（Ｃｅ２Ｏ３）、酸化鉛（ＰｂＯ）および酸化ネオジム（Ｎｄ２Ｏ３）からなる群から選択されるものである、請求項１６に記載の電気コンポーネント。
【請求項１８】
前記一種以上の金属酸化物は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化スカンジウム（Ｓｃ２Ｏ３）、酸化チタン（Ｔｉ２Ｏ３）、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ３）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、酸化マンガン（Ｍｎ２Ｏ３）および酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）からなる群から導出されたアルカリ土類金属酸化物を含む、請求項１６に記載の電気コンポーネント。
【請求項１９】
前記一種以上の金属酸化物は、ほぼ均一の粒径を有する粒子からなる、請求項１４に記載の電気コンポーネント。
【請求項２０】
前記セラミックエレメントは、動作温度範囲−４０℃〜１２５℃において変化が５％以下である抵抗または抵抗値を有する、請求項１４に記載の電気コンポーネント。
【請求項２１】
前記セラミックエレメントは、動作温度範囲−４０℃〜１２５℃において変化が１％以下である抵抗または抵抗値を有する、請求項１８に記載の電気コンポーネント。
【請求項２２】
前記セラミックエレメントは、１０オーム〜５０メガオームの抵抗値を持ち得る、請求項１４に記載の電気コンポーネント。
【請求項２３】
前記セラミックエレメントは、１オーム〜５００メガオームの抵抗値を持ち得る、請求項２０に記載の電気コンポーネント。
【請求項２４】
前記電気コンポーネントは、前記一対の導電体が対向電極を形成すると共に前記セラミックエレメントが誘電体を形成するコンデンサである、請求項１に記載の電気コンポーネント。
【請求項２５】
前記一種以上の金属酸化物は、ほぼ均一の粒径を有する粒子からなる、請求項２４に記載の電気コンポーネント。
【請求項２６】
前記コンデンサは、０．０１ｐＦ〜９００μＦのキャパシタンス値を持ち得る、請求項２４に記載の電気コンポーネント。
【請求項２７】
前記一対の導電体はそれぞれ、前記セラミックエレメントが間に配置された状態で、互いに反対側の方向付けを有する別個の拡大領域を含んでいる、請求項２４に記載の電気コンポーネント。
【請求項２８】
前記導電体および前記セラミックエレメントは、２０ｎＦ／平方インチを超えるキャパシタンスを有するシートコンデンサを形成する、請求項２７に記載の電気コンポーネント。
【請求項２９】
前記一対の導電体は、回路基板トレースの形態をなしており、前記対向電極用の、近接した間隔で設けられた指組み状の多数のフィンガー部を生成する、請求項２４に記載の電気コンポーネント。
【請求項３０】
前記セラミックエレメントは、前記指組み状の多数のフィンガー部間に形成された蛇行ギャップ中に設置され、さらに、前記蛇行ギャップは、当該蛇行ギャップの曲線状領域または角領域においてもほぼ一定のスペースを維持する、請求項２９に記載の電気コンポーネント。
【請求項３１】
前記金属酸化物は、比誘電率εＲ≧１０を有する、請求項２４に記載の電気コンポーネント。
【請求項３２】
前記金属酸化物は、比誘電率εＲ≧１００を有する、請求項３１に記載の電気コンポーネント。
【請求項３３】
前記セラミックエレメントは、４０℃〜１２０℃の動作温度範囲において変化が５％以下である誘電率値を有する、請求項２４に記載の電気コンポーネント。
【請求項３４】
前記一種以上の金属酸化物は、ほぼ均一の粒径を有する粒子からなり、その粒径の平均が７０ナノメートル未満である、請求項３３に記載の電気コンポーネント。
【請求項３５】
前記セラミックエレメントは、４０℃〜１２０℃の動作温度範囲において変化が１％以下である誘電率値を有する、請求項３３に記載の電気コンポーネント。
【請求項３６】
前記一種以上の金属酸化物は、ほぼ均一の粒径を有する粒子からなり、その粒径の平均が５０ナノメートル未満である、請求項３５に記載の電気コンポーネント。
【請求項３７】
前記セラミックエレメントは高誘電率を有し、さらに、前記一種以上の金属酸化物は、ペロブスカイト結晶構造を有しており、化学式Ｍ（１）Ｍ（２）Ｏ３で表されるものであって、グループＭ（１）およびＭ（２）の金属は１：１のモル比で含まれている、請求項２４に記載の電気コンポーネント。
【請求項３８】
グループＭ（１）およびＭ（２）の各々は、複数の金属を含み、各グループのモル濃度は同一である、請求項３７に記載の電気コンポーネント。
【請求項３９】
２個の金属Ｍ（１ａ）およびＭ（１ｂ）がグループＭ（１）から選択され、２つの他の金属がグループＭ（２）から選択されるとき、前記一種以上の金属酸化物は、
化学式：Ｍ（１ａ）（１−ｘ）Ｍ（１ｂ）（ｘ）Ｍ（２ａ）（１−ｙ）Ｍ（２ｂ）（ｙ）Ｏ３
を有する、請求項３８に記載の電気コンポーネント。
【請求項４０】
前記一種以上の金属酸化物のグループＭ（１）は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）および酸化バリウム（ＢａＯ）から選択されるアルカリ土類金属酸化物；酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）および酸化ルビジウム（Ｒｂ２Ｏ）から選択されるアルカリ金属酸化物；並びに、酸化ランタン（Ｌａ２Ｏ３）、酸化セリウム（Ｃｅ２Ｏ３）、酸化鉛（ＰｂＯ）および酸化ネオジム（Ｎｄ２Ｏ３）を含む群から選択される重金属酸化物を含む、
請求項３７に記載の電気コンポーネント。
【請求項４１】
前記一種以上の金属酸化物のグループＭ（２）は、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）および酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を含む、請求項３７に記載の電気コンポーネント。
【請求項４２】
前記一対の導電体は、１つ以上の追加の導電体によって接続され、
さらに前記１つ以上の追加の導電体は、前記セラミックエレメントを包囲してインダクタを形成する、請求項１に記載の電気コンポーネント。
【請求項４３】
前記インダクタは、０．１ｐＨ〜５００ｎＨの範囲のインダクタンスを示す、請求項４２に記載の電気コンポーネント。
【請求項４４】
前記インダクタは、４０℃〜１２０℃の動作温度範囲において±１％以内のインダクタンス値を維持する、請求項４３に記載の電気コンポーネント。
【請求項４５】
請求項４２に記載の電気コンポーネントにおいて、前記一種以上の金属酸化物は、体心立方晶相を有し、その体心立方晶相は、酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）と、
一酸化コバルト（ＣｏＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化マンガン（ＭｎＯ）、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化バナジウム（ＶＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）および酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）のうちの１つ又はそれ以上を含むこと、
並びに、
請求項４２に記載の電気コンポーネントにおいて、前記一種以上の金属酸化物のうちの１つの金属酸化物は酸化ケイ素（ＳｉＯ４）であり、前記セラミックエレメントは、菱形１２面体または菱形偏四角多面体結晶相を採用しており、
その他の金属酸化物は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化コバルト（Ｃｏ３Ｏ４）、酸化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ３）酸化ネオジム（Ｎｄ２Ｏ３）および酸化ホルミウム（Ｈｏ２Ｏ３）のうちの１つ以上を含むこと。
【請求項４６】
前記１つ以上のさらなる導電体は、前記セラミックエレメント周囲のコイルを形成する、請求項４２に記載の電気コンポーネント。
【請求項４７】
前記１つ以上の追加の導電体は、回路基板トレースとして形成され且つ前記セラミックエレメントの下側に配置された１つ以上の第２の導電体を含むところの多数の追加の導体を含む、請求項４２に記載の電気コンポーネント。
【請求項４８】
前記１つ以上の第２の導電体はそれぞれ、細長に延びると共に、その対向端部に設置された接触パッドを有しており、
さらに、前記多数の追加の導体は、前記接触パッド上で前記セラミックエレメントに隣接して配置された複数の電気接触ポストを含む、請求項４２に記載の電気コンポーネント。
【請求項４９】
前記多数の追加の導体は、１つ以上のワイヤボンドを含み、そのワイヤボンドは、前記セラミックエレメント上に配置され且つ前記導電体ポストを接続させる、請求項４２に記載の電気コンポーネント。
【請求項５０】
前記セラミックエレメントは、複数のセラミックエレメントを含み、当該複数のセラミックエレメントは、前記誘電体基板中に埋設されると共に動作可能に相互接続されている、請求項１に記載の電気コンポーネント。
【請求項５１】
前記複数のセラミックエレメントは、第１のセラミックエレメントおよび第２のセラミックエレメントを含み、前記第１のセラミックエレメントおよび前記第２のセラミックエレメントはそれぞれ、異なる種類のパッシブコンポーネントを形成する、請求項５０に記載の電気コンポーネント。
【請求項５２】
前記第１のセラミックエレメントおよび前記第２のセラミックエレメントは、それぞれコンデンサおよびインダクタを形成する、請求項５１に記載の電気コンポーネント。
【請求項５３】
前記複数のセラミックエレメントは、電子フィルタを形成する、請求項５０に記載の電気コンポーネント。
【請求項５４】
集積回路をさらに含み、その集積回路は、前記誘電体基板上に取り付けられると共に、前記一対の導電体のうちの１つと動作可能に接続されている、請求項１に記載の電気コンポーネント。
【請求項５５】
前記セラミックエレメントは、前記誘電体基板中に埋設された複数のセラミックエレメントを含み、さらに、前記複数のセラミックエレメントは電子フィルタを形成する、請求項５４に記載の電気コンポーネント。
【請求項５６】
電子フィルタに動作可能に接続されたアンテナエレメントをさらに含む、請求項５５に記載の電気コンポーネント。
【請求項５７】
前記誘電体基板は、多層回路基板における複数の層のうちの１つである、請求項１に記載の電気コンポーネント。
【請求項５８】
前記導電体のうちの１つ以上は接触パッドを含み、
前記接触パッド上に配置された導電体ポストを更に備えており、当該導電体ポストは、前記誘電体基板を通じて前記回路基板中の隣接層への電気接続を提供するためのものである、請求項５９に記載の電気コンポーネント。
【請求項５９】
前記多層回路基板中の１つ以上の他の層は、埋設型電気コンポーネントを含む、請求項５９に記載の電気コンポーネント。
【請求項６０】
前記多層回路基板の１つの層上に設けられると共に前記一対の導電体のうちの１つに動作可能に接続された集積回路を更に備えた、請求項５９に記載の電気コンポーネント。
【請求項６１】
前記誘電体基板は、前記セラミックエレメントの周囲に形成されている、請求項１に記載の電気コンポーネント。
【請求項６２】
前記導電体および前記セラミックエレメントのうちの１つ以上は、最初にベース基板上に形成される、請求項６１に記載の電気コンポーネント。
【請求項６３】
前記ベース基板を除去した後、前記誘電体基板と他の誘電体基板とを結合して多層回路基板を形成する、請求項６２に記載の電気コンポーネント。
【請求項６４】
１つ以上の追加の電気コンポーネントが、前記多層回路基板の第２の層のレベルにおいて前記誘電体基板の上部上に形成され、
さらに、第２の誘電層が前記１つ以上の追加の電気コンポーネントの周囲に形成されて、前記多層回路基板を形成する、請求項６１に記載の電気コンポーネント。
【請求項６５】
電気コンポーネントを作製する方法であって、
基板上の一対の導電体の間に当該一対の導電体と接触させた状態でセラミックエレメントを形成する工程を備え、
この工程は、金属有機前駆体の混合物を沈積させること、及び、前記金属酸化物前駆体の同時分解を発生させて、一種以上の金属酸化物を含む前記セラミックエレメントを形成することを含んでいる、電気コンポーネントの作製方法。
【請求項６６】
前記同時分解は、沈着された前記金属有機前駆体の高速熱アニーリングによって達成される、請求項６５に記載の電気コンポーネントの作製方法。
【請求項６７】
前記セラミックエレメントは、前記同時分解の前にカルボン酸塩前駆体を沈着させることにより作製される、請求項６５に記載の電気コンポーネントの作製方法。
【請求項６８】
前記前駆体は、ワックス化合物として沈着される、請求項６５に記載の電気コンポーネントの作製方法。
【請求項６９】
前記沈着された前駆体に放射エネルギーを付与して前記同時分解を発生させる、請求項６８に記載の電気コンポーネントの作製方法。
【請求項７０】
前記一種以上の金属酸化物は、ルチル、パイロクロアまたはペロブスカイト結晶相を有し、
前記ルチル、前記パイロクロアまたは前記ペロブスカイト結晶相は、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）、酸化イリジウム（ＩｒＯ２）、酸化ロジウム（Ｒｈ２Ｏ３）、酸化オスミウム（ＯｓＯ２）および酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）のうちの１つ以上を含む、請求項６５に記載の電気コンポーネントの作製方法。
【請求項７１】
前記一種以上の金属酸化物は、前記セラミックエレメント全体にわたって、金属酸化物組成均一性の変動が１．５ｍｏｌ％以下となるように形成される、請求項６５に記載の電気コンポーネントの作製方法。
【請求項７２】
前記一種以上の金属酸化物は、ほぼ均一の粒径を有する粒子からなる、請求項７１に記載の電気コンポーネントの作製方法。
【請求項７３】
前記粒径は各粒子の長径に沿って測定され、さらに、前記粒径は、前記セラミックエレメント中に含まれる粒子の平均粒径の１．５倍よりも小さく、且つ０．５倍よりも大きい、請求項７２に記載の電気コンポーネントの作製方法。
【請求項７４】
前記粒径は、作製時において熱処理を制御することにより決定される、請求項７３に記載の電気コンポーネントの作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
本発明の多様な実施形態について説明してきたが、本発明は、添付の特許請求の精神および範囲の内の多様なさらなる実施形態および他の実施形態も可能であることが、理解されるべきである。
［付記］
［非請求項７５］
アンテナであって、
最大寸法Ｄを有する折り返しアンテナエレメント、及び、メタ物質誘電体を備え、
前記メタ物質誘電体は、その外面から距離Ｓだけ隔てて前記折り返しアンテナエレメントを埋設するものであり、
前記メタ物質誘電体は、比誘電率εＲ≦１０である誘電ホスト、及び比誘電率εＲ＞１０である１つ以上の誘電含有物を含み、
前記距離Ｓは、前記折り返しアンテナエレメントの反応性近接場領域の突出長さｄよりも長く、
前記反応性近接場の突出長さｄは、ｄ＝０．６２√（Ｄ３／λ）として定義され、ここで、λは、前記折り返しアンテナエレメントから送出され、又は前記折り返しアンテナエレメントによって受信される電磁気励起の波長である、アンテナ。
［非請求項７６］
前記誘電ホストは有機誘電体である、非請求項７５に記載のアンテナ。
［非請求項７７］
前記有機誘電体は、ＦＲ４、ロジャーズデュロイドまたはＰＦＴＥテフロン（登録商標）誘電体を含む、非請求項７６に記載のアンテナ。
［非請求項７８］
前記有機誘電体ホストは、損失正接ｔａｎδ≦１０―３を有する、非請求項７６に記載のアンテナ。
［非請求項７９］
前記誘電ホストは無機誘電体である、非請求項７６に記載のアンテナ。
［非請求項８０］
前記無機誘電体ホストは、シリカまたはアルミナの誘電体である、非請求項７９に記載のアンテナ。
［非請求項８１］
前記無機誘電体ホストは、損失正接ｔａｎδ≦１０―３を有する、非請求項７９に記載のアンテナ。
［非請求項８２］
前記無機誘電体ホストは、−１５０℃〜＋２５０℃の動作温度において安定した比誘電率εＲの値を有する、非請求項７５に記載のアンテナ。
［非請求項８３］
アンテナであって、
最大寸法Ｄを有する折り返しアンテナエレメント、及び、メタ物質誘電体を備え、
前記メタ物質誘電体は、その中に含まれる誘電含有物から距離Ｓだけ隔てて前記折り返しアンテナエレメントを埋設するものであり、
前記メタ物質誘電体は、比誘電率εＲ≦１０である誘電ホスト、及び比誘電率εＲ＞１０である１つ以上の誘電含有物を含み、
前記距離Ｓは、前記折り返しアンテナエレメントの反応性近接場領域の前記突出長さｄよりも長く、
前記反応性近接場領域の突出長さｄは、ｄ＝０．６２√（Ｄ３／λ）として定義され、ここで、λは、前記折り返しアンテナエレメントから送出され、又は前記折り返しアンテナエレメントによって受信される電磁気励起の波長である、アンテナ。