(57)【要約】  本開示のボンディングツールは、本体部と、該本体部に接続した押圧部とを備え、押圧部は、複数の第１溝および第１溝と交差する複数の第２溝を有する先端面と、先端面に接続する斜面とを備えてなり、先端面の粗さ曲線における２５％の負荷長さ率での切断レベルと、粗さ曲線における７５％の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す、粗さ曲線における切断レベル差（Ｒδｃ）が０．１５μｍ〜２μｍである。【選択図】  図３
2020158621.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体部と、該本体部に接続した押圧部とを備え、
前記押圧部は、複数の第１溝および該第１溝と交差する複数の第２溝を有する先端面と、該先端面に接続する斜面とを備えてなり、
前記先端面の粗さ曲線における２５％の負荷長さ率での切断レベルと、前記粗さ曲線における７５％の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す、前記粗さ曲線における切断レベル差（Ｒδｃ）が０．１５μｍ〜２μｍである、ボンディングツール。
【請求項２】
前記先端面の二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）が０．１μｍ〜１．５μｍである、請求項1に記載のボンディングツール。
【請求項３】
本体部と、該本体部に接続した押圧部とを備え、
前記押圧部は、複数の第１溝および該第１溝と交差する複数の第２溝を有する先端面と、該先端面に接続する斜面とを備えてなり、
前記第１溝および前記第２溝のそれぞれの表面の粗さ曲線における２５％の負荷長さ率での切断レベルと、前記粗さ曲線における７５％の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す、前記粗さ曲線における切断レベル差（Ｒδｃ）が０．６μｍ〜４μｍである、ボンディングツール。
【請求項４】
前記表面の二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）が０．２μｍ〜１．５μｍである、請求項３に記載のボンディングツール。
【請求項５】
本体部と、該本体部に接続した押圧部とを備え、
前記押圧部は、複数の第１溝および該第１溝と交差する複数の第２溝を有する先端面と、該先端面に接続する斜面とを備えてなり、
前記斜面の少なくとも一部は、前記先端面の近傍部に第３溝を有する、ボンディングツール。
【請求項６】
前記近傍部は、前記第３溝と交差する第４溝を有する、請求項５に記載のボンディングツール。
【請求項７】
前記第３溝および前記第４溝の少なくともいずれかは、前記近傍部に複数設けられる、請求項６に記載のボンディングツール。
【請求項８】
前記第３溝および前記第４溝の少なくともいずれかは、それぞれの長手方向に垂直な断面が半円状またはＵ字状である、請求項６または請求項７に記載のボンディングツール。
【請求項９】
前記押圧部は、酸化アルミニウムが６８質量％〜７６質量％、酸化ジルコニウムが７質量％〜１５質量％、酸化コバルトが６質量％〜１４質量％、酸化鉄が３質量％〜８質量％、酸化チタンが1質量％〜３質量％であるセラミック焼結体からなる、請求項１〜８のいずれかに記載のボンディングツール。
【請求項１０】
請求項１または請求項２に記載のボンディングツールの製造方法であって、前記先端面は、研削加工、バフ研磨またはブラシ研磨によって形成される、ボンディングツールの製造方法。
【請求項１１】
請求項３、請求項４または請求項９に記載のボンディングツールの製造方法であって、前記第１溝および前記第２溝は、レーザー加工、電子ビーム加工またはワイヤー放電加工によって形成される、ボンディングツールの製造方法。
【請求項１２】
前記レーザー加工は、ピコ秒レーザーおよびフェムト秒レーザーの少なくともいずれかを照射することによってなされる、請求項１１に記載のボンディングツールの製造方法。
【請求項１３】
請求項５または請求項９に記載のボンディングツールの製造方法であって、円柱状のセラミック焼結体の先端側を研削加工によって斜面を形成した後、レーザー加工、電子ビーム加工またはワイヤー放電加工によって第１溝、第２溝および第３溝を形成する、ボンディングツールの製造方法。
【請求項１４】
請求項６〜９のいずれかに記載のボンディングツールの製造方法であって、円柱状のセラミック焼結体の先端側を研削加工によって斜面を形成した後、レーザー加工、電子ビーム加工またはワイヤー放電加工によって第１溝、第２溝、第３溝および第４溝を形成する、ボンディングツールの製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜９のいずれかに記載のボンディングツールを備えてなる、ボンディング装置。
【請求項１６】
請求項１〜９のいずれかに記載のボンディングツールが有する前記押圧部で被接合部材を前記半導体素子上の電極に押圧し、超音波振動を付与し、かつ半導体素子の裏面側から半導体素子を加熱して、前記被接合部材を前記半導体素子に接合する、ボンディング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体チップの電極とリード等の被接合部材とを接合するためのボンディングツールおよびその製造方法、並びにボンディング装置およびボンディング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置は高密度化、高集積化が進み、半導体チップの電極（バンプ）の数やリードの本数が増加し、さらにそれらのピッチも狭まってきている。このように高密度化、高集積化が進むと、半導体チップの電極とリードとの位置決めや接合はさらに高精度化が求められつつある。このような要求に応えるツールとして、特許文献１では、複数の突起物によって圧力を加える先端部を備えたボンディングツールが提案され、その一例として、格子状の溝を備えた先端面を有するボンディングツールが図示されている。超音波振動をボンディングツールに負荷するとともに、半導体チップの電極を加熱することによって、リードと電極は接合されるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−２１５４１号公報
【発明の概要】
【０００４】
本開示の第１のボンディングツールは、本体部と、該本体部に接続した押圧部とを備え、押圧部は、複数の第１溝および該第１溝と交差する複数の第２溝を有する先端面と、該先端面に接続する斜面とを備えてなり、先端面の粗さ曲線における２５％の負荷長さ率での切断レベルと、前記粗さ曲線における７５％の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す、前記粗さ曲線における切断レベル差（Ｒδｃ）が０．１５μｍ〜２μｍである。
【０００５】
本開示の第２のボンディングツールは、本体部と、該本体部に接続した押圧部とを備え、押圧部は、複数の第１溝および該第１溝と交差する複数の第２溝を有する先端面と、該先端面に接続する斜面とを備えてなり、第１溝および前記第２溝のそれぞれの表面の粗さ曲線における２５％の負荷長さ率での切断レベルと、前記粗さ曲線における７５％の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す、前記粗さ曲線における切断レベル差（Ｒδｃ）が０．６μｍ〜４μｍである。
本開示の第３のボンディングツールは、本体部と、該本体部に接続した押圧部とを備え、押圧部は、複数の第１溝および該第１溝と交差する複数の第２溝を有する先端面と、該先端面に接続する斜面とを備えてなり、斜面の少なくとも一部は、前記先端面の近傍部に第３溝を有する。
【０００６】
本開示の第１のボンディングツールの製造方法によれば、先端面が、研削加工、バフ研磨またはブラシ研磨によって形成される。
【０００７】
本開示の第２のボンディングツールの製造方法によれば、第１溝および第２溝は、レーザー加工、電子ビーム加工またはワイヤー放電加工によって形成される。
【０００８】
本開示の第３のボンディングツールの製造方法によれば、円柱状のセラミック焼結体の先端側を研削加工によって斜面を形成した後、レーザー加工、電子ビーム加工またはワイヤー放電加工によって第１溝、第２溝および第３溝を形成する。
【０００９】
本開示のボンディング装置は、上記ボンディングツールを備えてなる。
【００１０】
本開示のボンディング方法は、上記ボンディングツールが有する押圧部で被接合部材を半導体素子上の電極に押圧し、超音波振動を付与し、かつ半導体素子の裏面側から半導体素子を加熱して、被接合部材を半導体素子に接合する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本開示のボンディングツールを装着したボンディング装置の概略構成例を示す模式図である。
【図２】本開示のボンディングツールを用いて被接合部材を接合する状態を示す斜視図である。
【図３】（ａ）は本開示のボンディングツールの一例を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の先端面の拡大図である。
【図４】（ａ）は本開示のボンディングツールの他の例を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の先端面の拡大図であり、（ｃ）は押圧部の斜面を示す側面図である。
【図５】本開示のボンディングツールのさらに他の例を示す、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の先端面の拡大図であり、（ｃ）は押圧部の斜面を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本開示の一実施形態について詳細に説明する。ただし、本明細書の全図において、混同を生じない限り、同一部分には同一符号を付し、その説明を適時省略する。
【００１３】
図１は、本開示のボンディングツールを装着したボンディング装置の概略構成を示す模式図である。図２は、本開示のボンディングツールを用いて被接合部材を接合する状態を示す斜視図である。
【００１４】
図１に示すボンディング装置２０は、インナーリード１を半導体素子２上の電極３に接合するボンディングツール１０と、ボンディングツール１０を先端側で固定して超音波振動を伝える超音波ホーン４と、超音波ホーン４を支持する駆動機構５と、駆動機構５を駆動させる駆動部６と、超音波ホーン４に振動を与える振動付与部７と、駆動部６、振動付与部７等の駆動系に動作指示を与える制御部８と、半導体素子２の裏面側から半導体素子２を加熱するヒーター等の加熱部９と、を備えている。
【００１５】
ボンディングツール１０は、駆動部６からの駆動指示により、図２に示すように下降した後、インナーリード１を電極３に押圧した状態で、超音波振動および加熱を併用することにより、インナーリード１を電極３に接合する。
【００１６】
図３（ａ）は、本開示のボンディングツールの一例を示す斜視図であり、図３（ｂ）は（ａ）の先端面の拡大図である。
【００１７】
図３（ａ）に示すように、ボンディングツール１０は、円柱状の本体部１０ａと、本体部１０ａに接続するとともにインナーリード１等の被接合部材を押圧する楔状の押圧部１０ｂとからなる。また、図３（ｂ）に示すように、押圧部１０ｂは、複数の第１溝１１および第１溝１１と交差する複数の第２溝１２を有する矩形状の先端面１３と、先端面１３の各辺ごとに接続する斜面１４とを備えている。
【００１８】
なお、押圧部１０ｂは円状の先端面１３を有する円錐台状であってもよく、その場合、斜面１４が先端面１３の外周に接続した曲面となっていてもよい。
【００１９】
本体部１０ａは、例えば、長さが7ｍｍ〜１０ｍｍ、直径が１ｍｍ〜２ｍｍである。押圧部１０ｂは、例えば、軸方向に沿った高さが２ｍｍ〜３ｍｍであり、先端面１３の１辺の長さは０．２ｍｍ〜０．４ｍｍである。
【００２０】
図３（ａ）、（ｂ）に示すボンディングツール１０は、斜面１４が等脚台形状であって４面備えているが、３面あるいは５面以上であってもよい。
【００２１】
先端面１３は複数の第１溝１１および複数の第２溝１２によって複数の押圧面１３ａに分割されている。第１溝１１および第２溝１２の各幅は、インナーリード１の幅よりも狭い。例えば、第１溝１１および第２溝１２の各幅は、１０μｍ〜２０μｍであり、各深さは、５μｍ〜１０μｍである。インナーリード１は超音波振動の付加により横方向に振れを生じるが、第１溝１１および第２溝１２によって、その振れが抑制され、位置ずれが発生しないようになっている。
【００２２】
本開示のボンディングツール１０は、先端面１３の粗さ曲線における２５％の負荷長さ率での切断レベルと、粗さ曲線における７５％の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す、粗さ曲線における切断レベル差（Ｒδｃ）が０．１５μｍ〜２μｍである。
【００２３】
負荷長さ率Ｒｍｒとは、以下の式（１）に示されるように、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１で規定されている粗さ曲線から、その平均線の方向に基準長さＬだけ抜き取り、この抜き取り部分の粗さ曲線を山頂線に平行な切断レベルで切断したときに得られる切断長さη１，η２，・・・、ηｎの和（負荷長さηp）の、基準長さＬに対する比を百分率で表した値であり、高さ方向およびこの高さ方向に垂直な方向の表面性状を示すものである。
Ｒｍｒ＝ηp／Ｌ×１００・・・（１）
ηｐ：η１＋η２＋・・・・＋ηｎ
このような負荷長さ率Ｒｍｒに対応する、２種類の負荷長さ率それぞれに対応する切断レベルＣ（Ｒｒｍｒ）およびこれら切断レベルＣ（Ｒｒｍｒ）同士の差を表す切断レベル差（Ｒδｃ）も、先端面の高さ方向およびこの高さ方向に垂直な方向の表面性状に対応する。切断レベル差（Ｒδｃ）が大きい場合、測定の対象とする先端面の凹凸は大きいが、小さい場合には、その先端面の凹凸は小さく比較的平坦といえる。
【００２４】
切断レベル差（Ｒδｃ）が０．１５μｍ以上であると、インナーリード１等の被接合部材が電極３上で滑りにくくなり、信頼性の高い接合部を得ることができる。
【００２５】
切断レベル差（Ｒδｃ）が２μｍ以下であると、インナーリード１等の被接合部材を押圧して、超音波による振動が加えられても、先端面１３からパーティクルが発生しにくくなる。そのため、パーティクルが接合部に混入するおそれが低減し、信頼性の高い接合部を得ることができる。
【００２６】
また、ボンディングツール１０は、先端面１３の二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）が０．１μｍ〜１．５μｍであってもよい。
【００２７】
上述した作用と同様の作用により、先端面１３の二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）が０．１μｍ以上であると、インナーリード１等の被接合部材が電極３上で滑りにくくなり、信頼性の高い接合部を得ることができる。
【００２８】
先端面１３の二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）が１．５μｍ以下であると、インナーリード１等の被接合部材を押圧して、超音波による振動が加えられても、先端面１３からパーティクルが発生しにくくなる。そのため、パーティクルが接合部に混入するおそれが低減し、信頼性の高い接合部を得ることができる。
【００２９】
また、本開示のボンディングツール１０は、第１溝１１および第２溝１２のそれぞれの表面の粗さ曲線における２５％の負荷長さ率での切断レベルと、粗さ曲線における７５％の負荷長さ率での切断レベルとの差を表す、粗さ曲線における切断レベル差（Ｒδｃ）が０．６μｍ〜４μｍである。
【００３０】
ここで、第１溝１１および第２溝１２のそれぞれの表面とは、これらの溝の内面、すなわち底面および両側面をいう。
【００３１】
切断レベル差（Ｒδｃ）が０．６μｍ以上であると、溝の表面の凹凸の差が大きくなる。そのため、先端面１３の押圧によって異物が発生し、この異物が第１溝１１や第２溝１２の内部に挿入しても、異物が各溝の表面に固着して接合部に混入しにくくなり、信頼性の高い接合部を得ることができる。
【００３２】
切断レベル差（Ｒδｃ）が４μｍ以下であると、溝の表面の凹凸の差が小さくなる。そのため、超音波による振動が加わっても、溝の表面からパーティクルが発生しにくくなる。その結果、パーティクルが接合部に混入するおそれが低減し、信頼性の高い接合部を得ることができる。
【００３３】
また、ボンディングツール１０は、溝の表面の二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）が０．２μｍ〜１．５μｍであってもよい。
【００３４】
二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）が０．２μｍ以上であると、前記と同様に、溝の表面の凹凸の差が大きい。そのため、先端面１３の押圧によって異物が発生して、この異物が第１溝１１や第２溝１２の内部に挿入しても、異物が各溝の表面に固着して接合部に混入しにくくなり、信頼性の高い接合部を得ることができる。
【００３５】
二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）が１．５μｍ以下であると、溝の表面の凹凸の差が小さい。そのため、超音波による振動が加わっても、溝の表面からパーティクルが発生しにくくなる。その結果、パーティクルが接合部に混入するおそれが低減し、信頼性の高い接合部を得ることができる。
【００３６】
本開示では、粗さ曲線における切断レベル差（Ｒδｃ）および二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）は、いずれもＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：２００１に準拠した測定モードを有するレーザー顕微鏡装置（例えば、(株)キーエンス社製（ＶＫ−９５１０））を用いて求めればよい。レーザー顕微鏡ＶＫ−９５１０を用いる場合、例えば、測定モードをカラー超深度、ゲインを９５３、測定倍率を１０００倍、測定ピッチを０．０５μｍ、輪郭曲線フィルタλｓを２．５μｍ、輪郭曲線フィルタλｃを０．０８ｍｍ、１箇所当りの測定範囲を各押圧面１３ａ毎に、直径が、例えば、４μｍ〜１１μｍの円の内部として測定範囲毎に上記各表面性状を示す値を求めればよい。
【００３７】
ボンディングツール１０は、セラミック焼結体から形成されているとよい。ボンディングツール１０がセラミック焼結体から形成されている場合、特に、その主成分は、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムまたは炭化珪素であるとよい。主成分が酸化アルミニウムの場合、セラミック焼結体は、酸化ジルコニウム、炭化チタン、炭窒化チタン、窒化チタン、組成式がＴｉＯ２−ｘ（０≦ｘ≦１）として示される酸化チタン、酸化クロム、酸化鉄等を含んでいるとよい。
【００３８】
特に、押圧部１０ｂは、酸化アルミニウムが６８質量％〜７６質量％、酸化ジルコニウムが７質量％〜１５質量％、酸化コバルトが６質量％〜１４質量％、酸化鉄が３質量％〜８質量％、酸化チタンが1質量％〜３質量％であるセラミック焼結体からなるとよい。酸化コバルト、酸化鉄および酸化チタンは、着色剤であるとともに、導電性付与剤である。
【００３９】
酸化ジルコニウムの比率が上記範囲であると、破壊靭性が高くなるので、押圧を繰り返しても第１溝１１および第２溝１２の各縁部から生じる脱粒を低減することができる。
導電性付与剤の比率が上記範囲であると、体積抵抗率は１０４Ω・ｍ〜１０６Ω・ｍとなり、表面の色調は黒色となる。
【００４０】
体積抵抗率が上記範囲であれば、押圧を繰り返すことによって静電気が発生しても徐々に逃がすことができため、被接合部材が接合される電気回路に対して静電的な損傷を抑制することができる。表面の色調が黒色であれば、外部からレーザー光を被接合部材に照射し、その反射光により被接合部材の接合によって生じる厚み方向の変位を検出する場合、レーザー光の散乱が抑制されるため、変位の検出精度を高くすることができる。
【００４１】
本体部１０ａおよび押圧部１０ｂが一体的に形成され、いずれも酸化アルミニウムが６８質量％〜７６質量％、酸化ジルコニウムが７質量％〜１５質量％、酸化コバルトが６質量％〜１４質量％、酸化鉄が３質量％〜８質量％、酸化チタンが1質量％〜３質量％であるセラミック焼結体であるとさらによい。
【００４２】
主成分が酸化ジルコニウムの場合、セラミック焼結体は、酸化イットリウムと、鉄，クロムおよびチタンの酸化物とを含んでいるとよい。主成分が炭化珪素の場合、セラミック焼結体は、炭素（フリーカーボン）および硼素を含んでいるとよい。
【００４３】
また、本体部１０ａと押圧部１０ｂとが異なる材質であってもよく、例えば、本体部１０ａが超硬合金であって、押圧部１０ｂがダイヤモンドからなり、本体部１０ａと押圧部１０ｂとが銀ろうによって接合されていてもよい。
ここで、主成分とは、セラミック焼結体を構成する成分の合計１００質量％のうち、６０質量％以上を占める成分をいう。各成分の同定はＣｕＫα線を用いたＸ線回折装置で行い、各成分の含有量は、例えばＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）発光分光分析装置または蛍光Ｘ線分析装置により求めればよい。なお、炭素（フリーカーボン）の含有量については、炭素分析装置を用いて求めればよい。  上述した本開示のボンディングツールは、円柱状のセラミック焼結体の先端側を研削加工によって斜面および先端面を形成した後、レーザー加工、電子ビーム加工またはワイヤー放電加工によって第１溝および第２溝を形成して得ることができる。
【００４４】
斜面および先端面を研削加工で形成する場合、ＡＳＴＭ  Ｅ１１−６１に記載されている粒度番号が１７０以上４００以下であるダイヤモンド砥粒をレジンで結合した研削砥石を用いるとよい。特に、セラミック焼結体が酸化アルミニウムを主成分として、炭化チタン、炭窒化チタンまたは窒化チタンを含んでいる場合、硬度が高いので、粒度番号が２７０以上４００以下であるダイヤモンド砥粒をレジンで結合した研削砥石を用いるとよい。
【００４５】
また、先端面は研削加工後、バフ研磨またはブラシ研磨を施してもよい。
【００４６】
なお、先端面の二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）が０．１μｍ〜１．５μｍであるボンディングツールを得る場合には、粒度番号が２００〜４００であるダイヤモンド砥粒をレジンで結合した研削砥石を用いるとよい。
【００４７】
また、この場合も先端面を研削加工した後、バフ研磨またはブラシ研磨を施してもよく、バフ研磨をする場合、例えば、ダイヤモンド砥粒等の砥粒を含むフェルトを用いればよい。ブラシ研磨をする場合、リン青銅あるいは真鍮からなるブラシを用いればよい。
【００４８】
また、第１溝１１および第２溝１２を形成する加工がレーザー加工である場合、ピコ秒レーザーおよびフェムト秒レーザーの少なくともいずれかを照射するとよい。
【００４９】
次に、本開示の他の実施形態を説明する。なお、上記の実施形態と同じ部材、同じ部分については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００５０】
図４（ａ）は、本開示のボンディングツールの他の例を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の先端面の拡大図、（ｃ）は押圧部の斜面を示す側面図である。
【００５１】
図５（ａ）は、本開示のボンディングツールのさらに他の例を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の先端面の拡大図、（ｃ）は押圧部の斜面を示す側面図である。
【００５２】
図４および図５に示す例のボンディングツール２０，３０は、斜面１６が等脚台形状であって４面備えている。斜面１６は、３面あるいは５面以上であってもよい。押圧部１０ｂが円状の先端面１３を有する円錐台状である場合、斜面１６が曲面となっていてもよい。
【００５３】
本開示のボンディングツール２０，３０は、斜面１６の少なくともいずれかが、先端面１３の近傍部１６ａに第３溝１７を有するものである。例えば、第３溝１７は、幅が１０μｍ〜２０μｍであり、深さが５μｍ〜１０μｍである。第３溝１７は、長手方向が先端面１３の辺にほぼ平行である。
【００５４】
第３溝１７が先端面１３の近傍部１６ａにあると、斜面１６内で先端面１３側から本体部１０ａ側に伸びるマイクロクラックが発生しても、その進展を遮ることができるので、加熱および冷却を繰り返しても破損しにくく、交換の頻度を下げることができる。また、第３溝１７が先端面１３の近傍部１６ａにない場合、押圧部１０ｂを形成する成分の熱伝導率が高いと、加熱部９から加えられた熱が押圧部１０ｂを伝わって逃げやすいが、第３溝１７が先端面１３の近傍部１６ａにあれば、熱は逃げにくく、接合効率を向上させることができる。
【００５５】
ここで、先端面１３の近傍部１６ａとは、図４（ｃ）および図５（ｃ）に示すように、斜面１６内において、先端面１３の辺から斜面１６の高さ方向に向かって、斜面１６の高さの４５％以内の領域をいう。
【００５６】
なお、第３溝１７は、図４（ｃ）および図５（ｃ）に示すように、斜面１６内の近傍部１６ａ以外の領域にあってもよい。
【００５７】
また、図５（ｂ）、（ｃ）に示すように、近傍部１６ａは、第３溝１７と交差する第４溝１８を有していてもよい。例えば、第４溝１８は、幅が１０μｍ〜２０μｍであり、深さが５μｍ〜１０μｍである。本実施形態における第４溝１８は、第１溝１１および第２溝１２を斜面まで延長して形成されているが、これに限定されるものではない。
【００５８】
第３溝１７と交差する第４溝１８があると、近傍部１６ａで蓄熱されやすくなるので、接合効率が向上する。
【００５９】
また、図４、図５に示すように、第３溝１７および第４溝１８の少なくともいずれかは、近傍部１６ａに複数設けられていてもよい。
【００６０】
第３溝１７および第４溝１８の少なくともいずれかが近傍部１６ａに複数あると、近傍部１６ａでより蓄熱が進むので、接合効率がさらに向上する。
【００６１】
また、第３溝１７および第４溝１８の少なくともいずれかは、それぞれの長手方向に垂直な断面が半円状またはＵ字状であってもよい。それぞれの長手方向に垂直な断面が半円状またはＵ字状であると、加熱および冷却を繰り返しても、各溝の表面における応力集中が生じにくくなるので、その表面を起点とするクラックが生じにくくなる。
【００６２】
以上、本開示の実施形態を詳細に説明したが、本開示は、前述した実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組合せ等が可能である。
【符号の説明】
【００６３】
１  ：インナーリード
２  ：半導体素子
３  ：電極
４  ：超音波ホーン
５  ：駆動機構
６  ：駆動部
７  ：振動付与部
８  ：制御部
９  ：加熱部
１０  ：ボンディングツール
１０ａ：本体部
１０ｂ：押圧部
１１  ：第１溝
１２  ：第２溝
１３  ：先端面
１３ａ：押圧面
１４  ：斜面
１６  ：斜面
１６ａ：近傍部
１７  ：第３溝
１８  ：第４溝
２０：ボンディングツール
３０：ボンディングツール
【図１】
2020158621.tif 000003
【図２】
2020158621.tif 000004
【図３】
2020158621.tif 000005
【図４】
2020158621.tif 000006
【図５】
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【国際調査報告】
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