Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月5日(2009.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送出装置を使用する患者に対して送出される骨セメントを保持するカートリッジであって、
近位端と遠位端とを有する壁であって、前記壁は第１の結合部分を有する、壁と、
前記骨セメントを保持するチャンバを形成するため、前記遠位端周辺にて、着脱可能に前記壁に対してロック状態に固定されたピストンと、
前記チャンバを真空吸引するチューブを受け入れる、前記チャンバに連通している真空ポートと、
前記ロック位置に前記ピストンを着脱可能に固定する、前記第１の結合部分と結合する第２の結合部分を有し、前記ピストンに動作可能に結合された、ロック部材と、
前記壁から前記ピストンを取り外す、前記送出装置に係合し、前記第１及び第２の結合部分から離間している解放機構と
を備える、カートリッジ。
【請求項２】
骨セメントを収容したカートリッジを受け入れて、カートリッジから骨セメントを吐出させて、解剖学的部位へ骨セメントを送り届けるための送出ガンであって、
ケーシングと、
前記ケーシングに支持されて、カートリッジから骨セメントを吐出すべく、前記ケーシングに対して前進可能であるような駆動機構と、
前記ケーシングにピボット支持されたトリガであって、前記駆動機構に対して結合されていて、前記トリガが動作すると前記駆動機構を動作させる、トリガと、
前記駆動機構を動作させるべく前記トリガを前記駆動機構に相互結合してなるリンク装置であって、前記リンク装置は、前記ケーシングにピボット結合された第１のリンクと、前記第１のリンクと前記トリガとを相互にピボット結合する第２のリンクとを備え、前記トリガを動作させると、前記第２のリンクと前記第１のリンクとが前記駆動機構を動作させ、前記駆動機構を前進させて、もってカートリッジから骨セメントを吐出させる、リンク装置と
を備えている、送出ガン。
【請求項３】
骨セメントを収容したカートリッジを受け入れて、カートリッジから骨セメントを吐出させて、解剖学的部位へ骨セメントを送り届けるための送出ガンであって、
ケーシングと、
前記ケーシングに支持されて、カートリッジから骨セメントを吐出すべく、前記ケーシングに対して前進可能であるような駆動ロッドと、
前記ケーシングにピボット支持されたトリガと、
前記トリガの動作に応答する第１の把持板であって、前記駆動ロッドを取り巻いて、前記駆動ロッドに対して摩擦的に係合していて、前記トリガを動作させると前記駆動ロッドが前進する、第１の把持板と
を備えている、送出ガン。
【請求項４】
骨セメント混合物を作成するために骨セメントの成分を混合すると共に、骨セメント混合物を標的部位に送り届ける、骨セメントを混合及び送出するシステムであって、
近位端と遠位端とを有するカートリッジであって、
前記両端部間に延在する壁と、
前記遠位端周辺にて、着脱可能に前記壁に対してロック状態に固定されたピストンと、
前記遠位端周辺にて、前記ピストンを着脱可能に前記ロック状態に固定するロック部材と
を有するカートリッジと、
前記カートリッジを保持すべく適合してなる送出装置であって、
ケーシングと、
前記ケーシングに支持されて、前記カートリッジから前記骨セメント混合物を吐出すべく、前記ケーシングに対して前進可能である駆動機構であって、前記駆動機構は、前記ピストンを解放する前記ロック部材に係合する解放機構を有する、駆動機構と
を有する送出装置と
を備えている、システム。
【請求項５】
骨セメントの液体成分及び粉末成分を受け入れて、医療用に混合するための骨セメントのローディング・システムであって、
開いた近位端と閉じた遠位端とを備え、前記両端の間に混合チャンバを形成しているようなシリンダと、
前記閉じた遠位端を形成すべく、前記シリンダにロックされているピストンと、
液体成分及び粉末成分をローディングする間に前記シリンダを支持すべく、前記シリンダにおける前記閉じた遠位端を受け入れて固定するキャビティを形成してなる基部と、
前記シリンダにおける前記開いた近位端に対して結合し、骨セメントの粉末成分を前記混合チャンバの中へ案内する漏斗であって、前記漏斗は、近位端と遠位端とを有し、前記遠位端は、丸い周囲をもっていて、前記シリンダにおける前記開いた近位端にぴったりと取り付けられ、前記近位端は、骨セメントの粉末成分を前記混合チャンバの中へ容易に移せるように、楕円卵形の周辺部を有している、漏斗と
を備えている、骨セメントのローディング・システム。
【請求項６】
骨セメントの液体成分及び粉末成分を、医療用に混合するための骨セメント混合システムであって、
近位端と遠位端とを有するシリンダを備え、前記両端の間に混合チャンバを形成してなるカートリッジと、
軸線を中心として回転すべく、前記カートリッジに回転可能に支持されてなる混合軸であって、前記混合チャンバの外部に延在した部分を備えている、混合軸と、
前記部分に結合されたブレードであって、前記軸線を中心として前記混合軸と共に回転すべく、前記混合チャンバの中に配置され、前記ブレードは、前記混合軸に結合される中心ハブと、前記中心ハブから延びたアウターリングとを備え、前記アウターリングは、前記軸線に対して鋭角をなし、前記鋭角は、骨セメントを確実に適切に混合できるように２０〜７０度になっている、ブレードと
を備えている、骨セメント混合システム。
【請求項７】
医療用に人体の中に流動可能物質を注入するための注入システムであって、
遠位端及び近位端を備えるカートリッジであって、前記近位端から延びるコネクターと、流動可能な物質を含有するための、前記両端の間に構成されたチャンバとを有する、カートリッジと、
前記カートリッジを前記コネクターに取り付けるための注入ノズルと
を有し、前記注入ノズルは、第１ロック部材を有し、前記カートリッジは、前記注入ノズルの部分的な回転の際、前記第１ロック部材とともに前記カートリッジに対してロックし、それにより、前記注入ノズルを前記カートリッジに対してロックするための第２ロック部材を有する、注入システム。
【請求項８】
医療用に注入されるべき骨セメントを含有するための骨セメント注入システムであって、
遠位端及び近位端を有するカートリッジであって、前記近位端に構成されたオリフィスと、前記骨セメントを含有するための前記両端の間に構成されたチャンバとを有する、カートリッジと、
前記近位端において前記オリフィス内に配置されたシールと、
前記オリフィスの中に挿入し、且つ前記シールに対して密封するための混合シャフトと、
注入ノズルであって、前記駆動シャフトが前記オリフィスから取り出され前記注入ノズルが前記カートリッジに取り付けられた後に、前記オリフィスの中に挿入し且つ前記シールに対して密封するための表面を有する、注入ノズルと
を有する、骨セメント注入システム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月6日(2009.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信ネットワーク内で１つ以上のユーザ装置を接続するための複数のエントリーポイントを与えるシステムにおいて、
前記１つ以上のユーザ装置と通信するサーバーであって、該サーバーが接続データセットを含み、且つ前記１つ以上のユーザ装置が前記接続データセットの部分を共有するようにしたサーバーと、
前記複数のエントリーポイントの１つから前記接続データセットにアクセスする要求をユーザ装置から受け取るためのロジックと、
前記ユーザ装置の属性を自動的に決定するためのロジックと、
前記ユーザ装置の属性を使用して所定のクライアント装置のデータベースから通信メソッドを選択するためのロジックと、
前記通信メソッドに基づき前記ユーザ装置をプロビジョニングするためのロジックと、を備えたシステム。
【請求項２】
前記１つ以上のユーザ装置は、少なくとも１つ以上のセルラー電話、ワイヤレスパーソナルデジタルアシスタント、ナビゲーション装置、パーソナルコンピュータ、ゲームコンソール、インターネットターミナル、及びキオスクを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記接続データセットは、少なくとも１つ以上のｅメール、連絡先、カレンダー、タスク、ノート、ピクチャー、音楽、ドキュメント、ビデオ、ブックマーク、及びリンクを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記サーバーは、多数の地理的位置に分散された１つ以上のコンピュータ及びデータ記憶システムを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記属性は、
装置タイプ記述と、
サービス記述と、
トランスコーディングと、
アカウントテンプレートと、
を含む請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記ユーザ装置をプロビジョニングするためのロジックは、
ＳＭＳベースのプロビジョニングを遂行するロジックと、
装置ブラウザベースのプロビジョニングを遂行するロジックと、
実行可能なプログラムベースのプロビジョニングを遂行するロジックと、
ＡｃｔｉｖｅＸベースのプロビジョニングを遂行するロジックと、
を含む請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
ＳＭＳベースのプロビジョニングを遂行する前記ロジックは、
証明書を要求しているユーザ装置へＵＲＬを送出するロジックであって、この証明書がｅメールアドレス及びパスワードを含むようなロジックと、
前記ユーザ装置から前記証明書を受け取るロジックと、
前記ユーザ装置からの前記証明書を検証するときに前記ユーザ装置へプロビジョニングＳＭＳを送出するロジックと、
を含む請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
装置ブラウザベースのプロビジョニングを遂行する前記ロジックは、
証明書を要求しているユーザ装置へ新たな装置インジケータを送出するロジックであって、この証明書が電話番号を含むようなロジックと、
前記ユーザ装置から前記証明書を受け取るロジックと、
前記ユーザ装置からの前記証明書を検証するときに前記ユーザ装置へプロビジョニングＳＭＳを送出するロジックと、
を含む請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
実行可能なプログラムベースのプロビジョニングを遂行する前記ロジックは、
前記ユーザ装置がＳＤＫ装置であるかどうか決定するロジックと、
前記ユーザ装置を構成しそして証明書を要求するために前記ユーザ装置に実行可能なプログラムを送出するロジックであって、前記証明書が電話番号を含むようなロジックと、  前記ユーザ装置から前記証明書を受け取るロジックと、
前記ユーザ装置からの前記証明書を検証するときに前記ユーザ装置へ前記構成をダウンロードするロジックと、
を含む請求項６に記載のシステム。
【請求項１０】
構成をダウンロードする前記ロジックは、
コンピュータプログラムをインストールするロジックと、
フィルタを適用するロジックと、
前記接続データセットに接続を適用するロジックと、
を備えた請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
ＡｃｔｉｖｅＸベースのプロビジョニングを遂行する前記ロジックは、
ユーザ装置がＡｃｔｉｖｅＸイネーブルされたかどうか決定するロジックと、
ユーザ装置がＡｃｔｉｖｅＸイネーブルされた場合には、前記ユーザ装置にＡｃｔｉｖｅＸローダーをインストールするロジックと、
前記ユーザ装置において前記ＡｃｔｉｖｅＸローダーを実行するロジックと、
を備えた請求項６に記載のシステム。
【請求項１２】
ユーザ装置をプロビジョニングする前記ロジックは、更に、
前記ユーザ装置へサービスをアクチベートするロジックと、
前記ユーザ装置からデータをインポートするロジックと、
前記ユーザ装置を所定のアカウントに接続するロジックと、
複写レコードを取り扱うロジックと、
前記レコードを前記ユーザ装置へ送出するロジックと、
を含む請求項６に記載のシステム。
【請求項１３】
通信ネットワーク内で１つ以上のユーザ装置を接続するための複数のエントリーポイントを与える方法において、
前記１つ以上のユーザ装置と通信するサーバーを用意するステップであって、該サーバーが接続データセットを含み、且つ前記１つ以上のユーザ装置が前記接続データセットの部分を共有するようにしたステップと、
前記複数のエントリーポイントの１つから前記接続データセットにアクセスする要求をユーザ装置から受け取るステップと、
前記ユーザ装置の属性を自動的に決定するステップと、
前記ユーザ装置の属性を使用して所定のクライアント装置のデータベースから通信メソッドを選択するステップと、
前記通信メソッドに基づいてユーザ装置をプロビジョニングするステップと、
を備えた方法。
【請求項１４】
通信ネットワーク内で１つ以上のユーザ装置を接続するための複数のエントリーポイントを与えるコンピュータプログラムであって、少なくともプロセッサユニット、ユーザインターフェイス及びメモリを有する１つ以上のコンピュータシステムにより実行するためのコンピュータプログラムにおいて、
サーバーと前記１つ以上のユーザ装置との間で通信するためのコードであって、前記サーバーが接続データセットを含み、且つ前記１つ以上のユーザ装置が前記接続データセットの部分を共有するようにしたコードと、
前記複数のエントリーポイントの１つから前記接続データセットにアクセスする要求をユーザ装置から受け取るためのコードと、
前記ユーザ装置の属性を自動的に決定するためのコードと、
前記ユーザ装置の属性を使用して所定のクライアント装置のデータベースから通信メソッドを選択するためのコードと、
前記通信メソッドに基づき前記ユーザ装置をプロビジョニングするためのコードと、
を備えたコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月17日(2009.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
約１００℃以上までダイを加熱する工程と、
加熱したダイに約０．６８９ＭＰａ（約１００ｐｓｉ）以上の圧力を加え、光電池を支持する第１の層に加熱したダイを接触させ、光電池を第２の層へ転写させる工程とを含む方法。
【請求項２】
第１の層に接触させられる前にダイは約３００℃以上まで加熱される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ダイに約６．８９５ＭＰａ（約１，０００ｐｓｉ）以上の圧力が加えられる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ダイに約３４．４７ＭＰａ（約５，０００ｐｓｉ）以上の圧力が加えられる請求項１に記載の方法。
【請求項５】
１つの光電池と第１の層との間に放出層を配置する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
放出層はポリエステルまたはポリエチレンを含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
光電池は接触層と第１の層との間に配置される請求項１に記載の方法。
【請求項８】
接触層は接着剤を含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
光電池は電子供与性材料および電子受容性材料を含む光活性材料を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
電子受容性材料は、フラーレン、無機ナノ粒子、オキサジアゾール、ディスコティック
液晶、カーボンナノロッド、無機ナノロッド、ＣＮ基含有ポリマー、ＣＦ３基含有ポリマーおよびそれらの組み合わせから選択された材料を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
電子供与性材料は、ディスコティック液晶、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニルビニレン、ポリシラン、ポリチエニルビニレンおよびポリイソチアナフタレンから選択された材料を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
光電池は相互接続した感光性ナノ粒子材料を含む光活性材料を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
光電池はアモルファスシリコンまたはＣＩＧＳを含む光活性材料を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
ダイは、少なくとも一部が湾曲しているダイ上の表面で、第１の層と接触する請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
第２の層は、少なくとも一部が湾曲している第２の層上の表面で、光電池を受容する請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
第１の層または第２の層はフレキシブル基板を含む請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月15日(2009.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル基材上に配置した少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスと、
前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを取り囲む金属構造であって、前記フレキシブル基材に前記金属構造の底面が取り付けられ、前記フレキシブル基材が前記金属構造の上面の上に折り畳まれ、前記金属構造の前記上面に取り付けられることによってＭＥＭＳパッケージを形成する金属構造と、
を備えるＭＥＭＳパッケージ。
【請求項２】
前記金属構造が、銅、銅合金、アルミニウム合金、ハンダ付け可能な金属仕上げを備えた鉄合金、無電解メッキまたは塗装のいずれかによって形成された金属仕上げを施したプラスチック、もしくは射出成形またはトランスファ成形のいずれかによって形成した導電性複合材を有する請求項１記載のパッケージ。
【請求項３】
前記フレキシブル基材が、その両側に銅層とハンダレジスト層とを備えたコアフィルムを有し、前記コアフィルムが、ポリイミド、ポリエチレンポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、または液晶ポリマを有し、前記ハンダレジスト層が、カバーレイまたは感光性エポキシを有する請求項１記載のパッケージ。
【請求項４】
前記金属構造が、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを取り囲む金属リングを有し、前記金属リングが、銅、銅合金、アルミニウム合金、ハンダ付け可能な金属仕上げを備えた鉄合金、無電解メッキまたは塗装のいずれかによって形成された金属仕上げを備えたプラスチック、もしくは射出成形またはトランスファ成形のいずれかによって形成された導電性複合材を有する請求項１記載のパッケージ。
【請求項５】
前記フレキシブル基材がさらに、その上に金属層を有し、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスの上下の前記金属層と前記金属リングとが共に、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスのＥＭＩシールドを提供する請求項４記載のパッケージ。
【請求項６】
導電性接着剤、または共融ＰｂＳｎ、任意の鉛フリーＳｎＡｇまたはＳｎＡｇＣｕを含むハンダ材料によって、もしくは導電性接着剤または非導電性接着剤を備えたハンダの組み合わせによって、前記フレキシブル基材に前記金属リングが取り付けられる請求項４記載のパッケージ。
【請求項７】
前記金属構造が、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスを収容する金属キャップを有し、前記金属キャップが、銅、銅合金、アルミニウム合金、ハンダ付け可能な金属仕上げを備えた鉄合金、無電解メッキまたは塗装のいずれかによって形成された金属仕上げを備えたプラスチック、もしくは射出成形またはトランスファ成形のいずれかによって形成された導電性複合材を有する請求項１記載のパッケージ。
【請求項８】
前記フレキシブル基材がさらに、その上に金属層を有し、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスの下の前記金属層と前記金属キャップが共に、前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスのＥＭＩシールドを提供する請求項７記載のパッケージ。
【請求項９】
導電性接着剤、またはハンダ、または導電性接着剤またはハンダと非導電性接着材料の組み合わせによって、もしくは導電性接着剤または非導電性接着剤を備えたハンダの組み合わせによって、前記金属キャップの前記底面において前記フレキシブル基材の一部に前記金属キャップが取り付けられた請求項７記載のパッケージ。
【請求項１０】
接着剤によって、前記金属キャップの前記上面において前記フレキシブル基材に前記キャップが取り付けられた請求項７記載のパッケージ。
【請求項１１】
さらに、前記フレキシブル基材上および前記金属構造内に配置された１つ以上の電子部品を有する請求項１記載のパッケージ。
【請求項１２】
さらに、前記１つ以上の電子部品と前記少なくとも１つのＭＥＭＳデバイスの間にワイヤボンディング接続部を有する請求項１１記載のパッケージ。
【請求項１３】
前記フレキシブル基材が、前記ＭＥＭＳデバイスと前記パッケージの外側の環境との間の相互作用を可能にする開口部を有し、前記開口部が前記フレキシブル基材上の前記金属層用のビア接続としても機能する請求項１記載のパッケージ。
【請求項１４】
さらに、前記フレキシブル基材の外面上に表面実装パッドを有し、前記開口部と反対側の前記フレキシブル基材の側面に前記表面実装パッドが配置された請求項１３記載のパッケージ。
【請求項１５】
前記フレキシブル基材がさらにフレキシブル層上に積層したリジッド層を有し、前記折り畳み部がフレキシブルであり、他の部分がリジッドである請求項１記載のパッケージ。
【請求項１６】
前記リジッド層が、ＦＲ−４層を有する請求項１５記載のパッケージ。
【請求項１７】
前記金属構造に取り付けられるように、少なくとも一つの側から前記フレキシブル基材を折り畳むことができる請求項１記載のパッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月10日(2009.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データをクライアントに送信する方法であって、
（ａ）前記データを前記クライアントに送信するステップと、
（ｂ）前記クライアントの状態の関数である結果を有するアルゴリズムを含むソフトウェア・コードをセキュリティ・サーバから前記クライアントに送信するステップと、
（ｃ）前記クライアントにおいて前記コードを実行し、結果を前記セキュリティ・サーバに返すステップと、
（ｄ）前記結果が未修正のクライアントを示すかどうかを判定するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記データがメディア著作物である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記データは前記著作物の時間的に区切られた複数のセグメントの一つであり、各セグメントは暗号化キーを使用して暗号化される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ステップ（ｄ）において前記結果が未修正のクライアントを示すと判定された場合に、前記送信されたセグメントに対応する復号化キーを前記クライアントに送信するステップをさらに含む、請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
ステップ（ｄ）が実行されるまで前記クライアントが前記データを使用することが防止される、請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記結果が未修正のビューアを示さない場合に前記データの及び／又は前記データを復号化するために必要なキーの送信を停止するステップ（ｅ）をさらに含む、請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記コードが、前記クライアントのプログラム・コード及び／又はメモリ・イメージが入力されるチェックサムの計算を含む、請求項１乃至６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記チェックサムの計算は前記チェックサムの計算の入力に乱数を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記クライアントは前記乱数を前記セキュリティ・サーバの公開キーを用いて暗号化し、前記暗号化された乱数はメディア・キーの要求及び計算されたチェックサムと共に前記セキュリティ・サーバに送信され、前記セキュリティ・サーバは前記乱数を復号化し、前記復号化された乱数を使用して前記メディア・キーを暗号化し、前記セキュリティ・サーバは前記乱数を使用して前記セキュリティ・サーバ自身の前記チェックサムの計算を更新し、続いて前記セキュリティ・サーバは前記チェックサムの２つの値を比較する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記２つの値が等しい場合かつその場合に限り、前記暗号化されたメディア・キーが前記クライアントに送信され、その結果、前記クライアントは前記メディア・キーを復号化することができる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記２つの値が等しくない場合に、前記クライアント・ビューアが不正に変更されたと判定される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記コードが前記ビューア上で（１つ又は複数の）難読化タスクを実行する、請求項１乃至１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記（１つ又は複数の）難読化タスクが、実行中のビューアのメモリ・イメージをランダム化することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記難読化タスクが以下のこと、すなわち、全て明細書において定義される、コード再配置、コード多様化、コード再配置、及びデータ隠蔽のうちの１つ又は複数を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記モバイル・ガードが難読化される、請求項１乃至１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
実行中のビューアを難読化する方法であって、前記実行中のビューアのメモリ・イメージをランダム化することを含む、請求項１乃至１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記データの送信前に、前記データのそれぞれの時間的に区切られたセグメントに対応する一連の異なるキーを使用して前記データを暗号化するステップをさらに含み、
前記データを前記クライアントに送信するステップは、前記時間的に区切られたセグメントの一つを送信するステップを含み、
ステップ（ｄ）で判定された前記結果が未修正のクライアントを示す場合に、
前記送信されたセグメントに対応するキーを安全なリモート・サーバから前記クライアントに安全にストリーミングするステップと、
前記キーを使用して前記セグメントを復号化するステップと、
をさらに含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項１８】
それぞれのアルゴリズムを含むソフトウェア・コードが関連する信頼できる間隔を有し、前記信頼できる間隔の間に複数のキーが前記クライアントにストリーミングされる、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
メディア著作物をクライアントに送信する方法であって、
（ａ）ドキュメントのそれぞれの時間的に区切られたセグメントに対応する一連の異なるキーを使用して前記著作物を暗号化するステップと、
（ｂ）前記クライアントの状態の関数である結果を有するアルゴリズムを含むソフトウェア・コードをセキュリティ・サーバから前記クライアントに送信するステップと、
（ｃ）前記クライアントにおいて前記コードを実行し、結果を前記セキュリティ・サーバに返すステップと、
（ｄ）前記結果が未修正のクライアントを示すかどうかを判定するステップと
を含み、
（ｅ）セグメントをサーバから前記クライアントに送信するステップと、
（ｆ）前記送信されたセグメントに対応するキーを安全なリモート・サーバから前記クライアントに安全にストリーミングするステップと、
（ｇ）前記取得されたメディア・キーを使用して前記セグメントを復号化するステップと、
（ｈ）ステップ（ｄ）が修正されたクライアントを示す場合にさらなるキーが送信されることを防止し、ステップ（ｄ）が修正されたクライアントを示さない場合にステップ（ｅ）から（ｇ）までを繰り返すステップと
をさらに含む、方法。
【請求項２０】
ステップ（ｂ）から（ｄ）までを繰り返すステップ（ｉ）をさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
クライアント・プログラムの状態に依存するアルゴリズムを含むソフトウェア・コードを安全なソースから、前記クライアント・プログラムを実行するクライアント・コンピュータに送信するステップと、前記ソフトウェア・コードを実行するステップと、それによって前記ソースが前記クライアント・プログラムのインテグリティを判定することができる結果を前記ソースに返すステップとを含む、クライアント・プログラムのインテグリティをチェックする方法。
【請求項２２】
前記クライアント・プログラムが以下のこと、すなわち、インターネット・バンキング、オンライン・ゲーム、及び分散計算のうちの１つにおいて使用される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記請求項のいずれかに記載の方法に従って動作するように構成された装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月9日(2009.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のネットワークを第２のネットワークに接続する相互接続装置であって、
前記相互接続装置を前記第１のネットワークに接続する第１の接続手段と、
前記相互接続装置を前記第２のネットワークに接続し、前記第１の接続手段に接続される第２の接続手段と
を有し、
前記第１の接続手段及び第２の接続手段は、前記第１のネットワークにある第１の端末と前記第２のネットワークにある第２の端末との間の通信を許容し、
前記第２の接続手段は、
前記第２の端末による音声通信の終了を検出する手段と、
前記音声通信が前記第１の端末により初期化されている場合、前記第２のネットワークにある端末が遅延期間の終了前に前記音声通信を再開することを可能にするために、前記第１の端末への終了の指示の送信を遅延する遅延期間を開始する手段と
を有する相互接続装置。
【請求項２】
第１のネットワークに接続する第１の接続手段と、第２のネットワークに接続する第２の接続手段とを有する相互接続装置での方法であって、
前記第１のネットワークにある第１の端末により開始された音声通信を、前記第１の端末と前記第２のネットワークにある第２の端末との間で設定するステップを有し、
前記第２の端末により開始された前記第２のネットワークでの音声通信の終了を検出するステップと、
前記第２のネットワークにある端末が遅延期間の終了前に前記音声通信を再開することを可能にするために、前記第１の端末への前記終了の指示の送信を遅延するステップと
を有することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月8日(2009.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の共通セル識別情報基地局（BTS）への移動局（MS）のセルラ無線通信ハンドオーバ方法であって、
(i)前記MSから測定レポートを受信し、前記測定レポートは、少なくとも１つの共通セル識別情報BTSに関する情報を有し、これによって、対象のBTSを特定するステップと、
(ii)ハンドオーバリソースを使用して前記共通セル識別情報BTSと通信するように前記移動局に命令するステップと、
(iii)前記ハンドオーバリソースを使用して前記移動局から通信するために、少なくともいずれかの前記共通セル識別情報BTSでチャネルを走査するステップと、
(iv)１つの前記共通セル識別情報BTSで前記移動局から通信を受信し、その共通セル識別情報BTSを前記対象のBTSとして定め、前記移動局と前記対象のBTSとの間でハンドオーバを完了するステップと
を有する方法。
【請求項２】
前記複数の共通基地局BTSは、共通のセル識別情報を共有する低電力アクセスポイントのネットワークである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ハンドオーバリソースは、実行されるハンドオーバに一意であるが、可能な対象のBTSの間で共通である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記MSは、前記可能な対象のBTSの一部のみに接続することを許容される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ハンドオーバに対応するデータをコントローラに渡し、前記共通のセル識別情報を有する対象でないBTSに関連するハンドオーバリソースを更新するステップを更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ハンドオーバリソースは、所定のハンドインチャネルを有し、前記対象のBTSは、トラヒックチャネルへの前記移動局のセル内ハンドオーバを起動し、所定のハンドインチャネルを他の移動局のハンドオーバに対して未使用に保持する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記BTSが使用中であるときに常に前記移動局から通信するために、それぞれの共通セル識別情報BTSで前記所定のハンドインチャネルを走査することを有する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
１つより多くのBTSが前記MSから通信を受信したか否かを決定するステップと、これが生じた場合に、前記方法のステップ(iv)を完了するために前記複数のBTSのうち１つを選択するステップとを更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
１つより多くのMSが前記BTSに同時に通信を送信したか否かを決定するステップと、１つより多くのMSが前記BTSに同時に通信を送信した場合に、前記MSのうち少なくとも１つが前のBTSに戻るステップとを更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
セルラ無線通信ハンドオーバシステムであって、
関連するハンドオーバリソースをそれぞれ有する複数の共通セル識別情報基地局（BTS）と、
個別のセル識別情報をそれぞれ有する複数の個別基地局（BTS）と、
移動局とを有し、
前記移動局は、範囲内の前記共通セル識別情報及び個別BTSの測定レポートを発行するように構成され、前記複数の共通セル識別情報BTSの１つにハンドオーバが必要になった場合に、前記移動局は、前記ハンドオーバリソースを使用して通信するように構成され、前記移動局から通信を受信する共通セル識別情報BTSは、前記移動局のハンドオーバを完了するように構成されるシステム。
【請求項１１】
前記複数の共通基地局（BTS）は、共通のセル識別情報を共有する低電力アクセスポイントのネットワークである、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記ハンドオーバリソースは、可能な対象のBTSに一意である、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記MSは、前記可能な対象のBTSの一部のみに接続することを許容されるように構成される、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
ハンドオーバに対応するデータを受信するように構成され、前記共通のセル識別情報を有する対象でないBTSに関連するハンドオーバリソースを更新するように更に構成されたコントローラを更に有する、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１５】
前記ハンドオーバリソースは、専用のハンドオーバチャネルを有する、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１６】
前記BTSは、使用中に、前記移動局からの通信のために所定のハンドオーバチャネルを走査するように構成される、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
複数の共通セル識別情報基地局（BTS）へのセルラ無線通信ハンドオーバを提供するシステムにおける移動局（MS）であって、
前記MSに対して、
前記MSから測定レポートを発行させ、前記測定レポートは、範囲内の少なくとも１つの共通セル識別情報BTSに関する情報を有し、これによって、対象のBTSを特定させ、
ハンドオーバリソースを使用して前記共通セル識別情報BTSと通信させ、チャネルは、少なくともいずれかの前記共通セル識別情報BTSで走査され、
１つの前記共通セル識別情報BTSで通信を提供させ、その共通セル識別情報BTSを前記対象のBTSとして定めさせ、前記移動局と前記対象のBTSとの間でハンドオーバを完了させるプロセッサを有する移動局。
【請求項１８】
移動電話、携帯情報端末、ラップトップコンピュータのうちいずれか１つを有する、請求項１７に記載の移動局。
【請求項１９】
複数の共通セル識別情報基地局（BTS）へのセルラ無線通信ハンドオーバを提供する移動局（MS）を有するシステムにおける基地局であって、
前記BTSに対して、
前記MSから測定レポートを受信させ、前記測定レポートは、範囲内の少なくとも１つの共通セル識別情報BTSに関する情報を有し、これによって、対象のBTSを特定させ、
ハンドオーバリソースを使用して前記共通セル識別情報BTSと通信させ、チャネルは、少なくともいずれかの前記共通セル識別情報BTSで走査され、
１つの前記共通セル識別情報BTSで通信を提供させ、その共通セル識別情報BTSを前記対象のBTSとして定めさせ、前記移動局と前記対象のBTSとの間でハンドオーバを完了させるプロセッサを有する基地局。
【請求項２０】
低電力GSMネットワーク又はUMTSネットワークでのアクセスポイントを有する、請求項１９に記載の基地局。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月29日(2009.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を形成する方法であって、
半導体基板を提供するステップ、
前記半導体基板の上方に、第一側面及び第二側面を備えたゲート電極を形成するステップ、及び
前記ゲート電極の下方にゲート誘電体を形成するステップであって、前記ゲート誘電体は、前記ゲート電極の下方で前記ゲート電極の前記第一側面に隣接した第一領域と、前記ゲート電極の下方で前記ゲート電極の前記第二側面に隣接した第二領域と、前記ゲート電極の下方で前記第一領域及び前記第二領域間にある第三領域とからなるステップを備え、
前記第一領域は前記第二領域よりも薄く、前記第三領域は前記第一領域よりも薄く、更に前記第二領域よりも薄い方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
前記ゲート電極の下方に前記ゲート誘電体を形成するステップは、更に、
第一誘電体層を形成するステップ、
前記半導体基板内に酸化促進種を注入して酸化促進領域を形成するステップ、及び前記酸化促進領域を酸化するステップ
を備える方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、
前記酸化促進種を注入するステップは、更に、前記酸化促進種を前記ゲート電極内に注入して酸化促進領域を形成するステップを備える方法。
【請求項４】
半導体装置の形成方法であって、
半導体基板を提供するステップ、
前記半導体基板の上方に誘電体層を形成するステップ、
前記誘電体層の上方に、第一側面及び前記第一側面と対向する第二側面を備えるゲート電極を形成するステップ、
酸化促進種を前記ゲート電極の前記第一側面及び前記半導体基板の第一領域内に注入するステップであって、前記第一領域は、前記ゲート電極の下方で前記ゲート電極の前記第一側面に隣接するステップ、及び
前記第一領域を第一誘電体に変換し、かつ前記半導体基板の第二領域を第二誘電体に変換するステップであって、前記第二領域は、前記ゲート電極の下方で前記ゲート電極の前記第二側面に隣接し、前記第一誘電体の前記厚さは、前記第二誘電体の前記厚さよりも大きいステップ
を備える方法。
【請求項５】
半導体基板と、
前記半導体基板の上方に、第一側面と第二側面を備えるゲート電極と、
前記ゲート電極の下方のゲート誘電体であって、前記ゲート誘電体は、前記ゲート電極の下方で前記ゲート電極の前記第一側面に隣接した第一領域、前記ゲート電極の下方で前記ゲート電極の前記第二側面に隣接した第二領域、及び前記ゲート電極の下方で前記第一領域及び前記第二領域間にある第三領域とを備え、
前記第一領域は前記第二領域よりも薄く、前記第三領域は前記第一領域よりも薄く、更に前記第二領域よりも薄い半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月16日(2008.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、又は光学の分野で使用するための基板（１）上に堆積された厚い絶縁層（２）の粗さを減少させる方法であって、
２０ｎｍ以上の厚さを有し、２μｍ×２μｍのスキャン幅にわたって３オングストロームＲＭＳ以上の粗さを有する絶縁層（２）を、第１のいわゆる「ドナー」基板（１）上に堆積するステップと、
内部のガス圧力が０．２５Ｐａから３０Ｐａに設定されたチャンバ内で形成されたガスプラズマを用いて、前記絶縁層（２）の自由表面（２０）の平滑化処理（ＳＰ）を行うステップであって、前記プラズマは、無線周波発生器ＲＦを用いて生成され、前記無線周波発生器ＲＦは、前記絶縁層（２）に０．６Ｗ／ｃｍ２から１０Ｗ／ｃｍ２のパワー密度を印加可能なパワーで作動し、前記平滑化処理の継続時間は、１０秒から２００秒の範囲内であるステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ドナー基板（１）の内部に脆化域（１０）が形成され、いわゆる「活性」層（１１）と残りの部分（１２）とが前記ドナー基板（１）内に定められることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記脆化域（１０）が、原子種の注入により形成され、前記平滑化プラズマ処理（ＳＰ）が、前記原子種の注入前に行われることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記絶縁層（２）の前記自由表面（２０）上に、第２のいわゆる「レシーバー」基板（３）を接合させることを更に含むことを特徴とする請求項２又は３に記載の方法。
【請求項５】
前記ドナー基板（１）の前記残りの部分（１２）を前記脆化域で切り離し、前記活性層（１１）及び前記絶縁層（２）を前記レシーバー基板（３）に転写することを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記絶縁層（２）の前記自由表面（２０）を洗浄し、
前記絶縁層（２）の前記自由表面（２０）の活性化プラズマ処理（ＡＰ）を行う、
ことを更に含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記絶縁層（２）の前記活性化プラズマ処理（ＡＰ）は、内部のガス圧力が約７Ｐａに設定されたチャンバ内で形成されたガスプラズマを用いて行われ、前記絶縁層（２）の前記自由表面（２０）の前記洗浄は、化学的な洗浄を含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記絶縁層（２）は、窒化膜、酸窒化膜、又は酸化膜であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記絶縁層（２）は、減圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ）により堆積される酸化膜であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記絶縁層（２）は、テトラエチルオルトシリケートから出発する減圧化学気相成長法（ＴＥＯＳ  ＬＰＣＶＤ）により得られる二酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）であり、４０Ｐａから２００Ｐａの範囲内の圧力で堆積されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記絶縁層（２）の前記自由表面（２０）の前記平滑化処理（ＳＰ）は、３Ｐａから１３Ｐａの範囲内の前記チャンバ内部のガス圧力で行われ、前記プラズマを形成するのに用いられる前記ガスは、酸素（Ｏ２）、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ２）、及びこれらのガスの混合物の中から選択され、前記平滑化処理の前記継続時間は、３０秒から１２０秒の範囲内であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記絶縁層（２）の緻密化アニーリングを行うことを含み、前記アニーリングは、７００℃から１０００℃の温度で、数分間から数時間の継続時間にわたり、酸化雰囲気中又は中性雰囲気中で行われることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月15日(2009.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品（７）を収めるケーシング（８）と、前記ケーシング（８）における少なくとも一つの空気吸入口（１１）及び少なくとも一つの空気排出口（１２）と、前記空気吸入口（１１）から前記ケーシング（８）を通って前記空気排出口（１２）までの空気の流れを生成する少なくとも一つのファン（６）と、前記ケーシング（８）に入る空気の流れから粒子を除去するための少なくとも前記空気吸入口（１１）の全体を覆う少なくとも一つの保護覆い（１）とを備える、電子部品（７）を冷却するためのファン冷却ユニット（１００）であって、前記保護覆いが、複合フィルター媒体（３）と、前記複合フィルター媒体（３）及びフレーム（２）の間に気密な嵌合を作るように前記複合フィルター媒体（３）が取り付けられるフレーム（２）とを含み、前記フィルター媒体（３）が、
多孔質ポリマー膜を含む、膜フィルター層（２０）と、
繊維を含み、前記フィルターを通る気体の流れの方向に関して前記膜フィルター層（２０）の上流側に配設される、少なくとも一つのデプスフィルター媒体層（１８）と
を含む、ファン冷却ユニット。
【請求項２】
前記デプスフィルター媒体層（１８）の繊維が帯電している、請求項１に記載のファン冷却ユニット。
【請求項３】
前記膜フィルター層（２０）が多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ｅＰＴＦＥ）を含む、請求項１又は２のいずれかに記載のファン冷却ユニット。
【請求項４】
前記膜フィルター層（２０）に隣接してその上流側又は下流側に、支持層（２２）が配設されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載のファン冷却ユニット。
【請求項５】
前記支持層（２２）が前記膜フィルター層（２０）に積層されている、請求項４に記載のファン冷却ユニット。
【請求項６】
前記少なくとも一つのデプスフィルター媒体層（１８）が不織繊維ポリマーウェブを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載のファン冷却ユニット。
【請求項７】
前記不織繊維ポリマーウェブがメルトブローンウェブである、請求項６に記載のファン冷却ユニット。
【請求項８】
前記膜フィルター層の透過性がフレージャー数で少なくとも７である、請求項１〜７のいずれか１項に記載のファン冷却ユニット。
【請求項９】
前記少なくとも一つのデプスフィルター媒体層１８の各々の透過性がフレージャー数で少なくとも３０である、請求項１〜８のいずれか１項に記載のファン冷却ユニット。
【請求項１０】
前記少なくとも一つのデプスフィルター媒体層（１８）における繊維の乱れを防止するために、前記少なくとも一つのデプスフィルター媒体層（１８）に隣接してその上流側に安定化層（２３）を備える、請求項１〜９のいずれか１項に記載のファン冷却ユニット。
【請求項１１】
前記複合フィルター媒体（３）が、０．３μｍ大の粒子に関し１０ｃｍ／秒以下の面速度で少なくとも９０％の粒子濾過効率を有する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のファン冷却ユニット。
【請求項１２】
前記膜フィルター層（２０）と前記少なくとも一つのデプスフィルター媒体層（１８）がプリーツ加工されている、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のファン冷却ユニット。
【請求項１３】
前記フィルター媒体（３）がプリーツパネルとして成形されている、請求項１２に記載のファン冷却ユニット。
【請求項１４】
前記パネルの二つの端部が接合されて円筒状フィルター媒体を形成する、請求項１３に記載のファン冷却ユニット。
【請求項１５】
前記膜フィルター層（２０）が、フィブリルで相互連結された一連の結節（nodes）から本質的になる内部微細構造を有する微多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ｅＰＴＦＥ）膜であって、前記結節は略平行に配置され、非常に細長く、アスペクト比が２５：１以上である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載のファン冷却ユニット。
【請求項１６】
前記結節のアスペクト比が１５０：１以上である、請求項１５に記載のファン冷却ユニット。
【請求項１７】
前記ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）がＰＴＦＥホモポリマーと変性ＰＴＦＥポリマーとのブレンドである、請求項１５又は１６のいずれかに記載のファン冷却ユニット。
【請求項１８】
前記膜フィルター層の平均流れ孔径が１．５μｍより大きい、請求項１５〜１７のいずれか１項に記載のファン冷却ユニット。
【請求項１９】
前記平均流れ孔径が約３μｍである、請求項１８に記載のファン冷却ユニット。
【請求項２０】
前記保護覆い（１）が前記空気吸入口（１１）に取り付けられている、請求項１〜１９のいずれか１項に記載のファン冷却ユニット。
【請求項２１】
前記ファン（６）が、前記空気吸入口（１１）の反対側に位置するケーシング壁（１３）上で前記ケーシング（８）内に取り付けられている、請求項１〜２０のいずれか１項に記載のファン冷却ユニット。
【請求項２２】
前記ケーシング（８）が、全ての天候条件の影響にさらされる場所で使用される全天候用ケーシングである、請求項１〜２１のいずれか１項に記載のファン冷却ユニット。
【請求項２３】
ルーバーパネル（５）が前記保護覆い（１）の前方外側に取り付けられている、請求項１〜２２のいずれか１項に記載のファン冷却ユニット。
【請求項２４】
電子部品（７）を冷却するための、請求項１〜２３のいずれか１項に記載のファン冷却ユニットの使用。
【請求項２５】
空冷電気通信基地局のための、請求項２４に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月11日(2009.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨された表面を有する基板；
前記基板の研磨された表面上に形成された平坦化層；
前記平坦化層に結合した単結晶層
を含む半導体装置。
【請求項２】
前記研磨された表面が、１０ｎｍ以下の２乗平均表面粗さ値を有する請求項１の半導体装置。
【請求項３】
少なくとも１つのトレンチが、少なくとも１つの平坦化層又は単結晶層に形成される請求項１又は２の半導体装置。
【請求項４】
前記トレンチが、２０００μｍまで離れたピッチを有する請求項３の半導体装置。
【請求項５】
前記トレンチが、約１５００〜１７００μｍのピッチを有する請求項３又は４の半導体装置。
【請求項６】
前記基板が、ＳｉＣ、グラファイト、ダイヤモンド、ＡｌＮ、ＺｎＳｅ、ＢＮ、ＧａＮ又はこれらの混合物からなる群から選択されるアモルファス、単結晶又は多結晶材料を含む請求項１〜５のいずれか１つの半導体装置。
【請求項７】
前記基板が、多結晶ＳｉＣを含む請求項１〜６のいずれか１つの半導体装置。
【請求項８】
前記平坦化層が、Ｓｉを含む請求項１〜７のいずれか１つの半導体装置。
【請求項９】
前記単結晶層が、Ｓｉを含む請求項１〜８のいずれか１つの半導体装置。
【請求項１０】
前記単結晶層上にエピタキシャル層を更に含む請求項１〜９のいずれか１つの半導体装置。
【請求項１１】
基板を提供し；
前記基板表面を研磨し；
前記基板の表面上に平坦化層を形成し；
前記平坦化層に単結晶層をボンディングすることを含む半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記単結晶層を前記平坦化層にボンディングする段階の前に、少なくとも１つの前記平坦化層又は前記単結晶層に少なくとも１つのトレンチを形成することを更に含む請求項１１の方法。
【請求項１３】
前記研磨が、ダイヤモンドベース機械研磨を使用して行われる請求項１１又は１２の方法。
【請求項１４】
前記単結晶層の前記平坦化層へのボンディングが、真空下、約２０〜５０℃の温度で、前記平坦化層に前記単結晶層を加圧することにより行われる請求項１１〜１３のいずれか１つの方法。
【請求項１５】
前記平坦化層の前記単結晶層へのボンディング工程の後、約１１５０℃までの温度でのアニールを更に含む請求項１１〜１４のいずれか１つの方法。
【請求項１６】
前記研磨された表面が、１０ｎｍ以下の２乗平均表面粗さ値を有する請求項１１〜１５のいずれか１つの方法。
【請求項１７】
前記トレンチが、２０００μｍまで離れたピッチを有する請求項１２〜１６のいずれか１つの方法。
【請求項１８】
前記基板が、ＳｉＣ、グラファイト、ダイヤモンド、ＡｌＮ、ＺｎＳｅ、ＢＮ、ＧａＮ又はこれらの混合物からなる群から選択されるアモルファス、単結晶又は多結晶材料を含む請求項１１〜１７のいずれか１つの方法。
【請求項１９】
前記基板が多結晶ＳｉＣを含み、前記平坦化層がＳｉを含み、前記単結晶層がＳｉを含む請求項１１〜１８のいずれか１つの方法。
【請求項２０】
単結晶層上にエピタキシャル層を形成することを更に含む請求項１１〜１９のいずれか１つの方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月2日(2009.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体フィルム、
前記誘電体フィルム上の金属の酸化物を備える結合層、および
前記結合層上の金属の層を備え、
酸化物の酸素を提供する反応性ガス成分少なくとも１つの他は不活性な雰囲気の存在下で、前記フィルムの表面上に前記酸化物の金属をスパッタリングすることにより、前記金属酸化物層が形成された、回路基板。
【請求項２】
結合層が、ニッケル、クロム、コバルト、モリブデン、銅、およびそれらの合金の酸化物を含む、請求項１に記載の基板。
【請求項３】
結合層が厚み１３オングストロームから３００オングストロームを有する、請求項１に記載の基板。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月6日(2009.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１平面内に所定の態様で配置された光源のアレイを備え、ここで前記第１平面内の光源の空間配置の特徴的寸法をｄsourceとし、
更に第２平面内に実質的に同じ所定の態様で配置された関連するレンズのアレイを備え、各レンズは、実質的に同じ焦点距離ｆｌｅｎｓを有し、
前記第２平面は、前記第１平面に実質的に平行に配置されており、
前記レンズのアレイは、前記光源のアレイから平面距離ｄplaneに設けられており、この平面距離ｄplaneはレンズの焦点距離ｆlensに実質的に等しくなっている照明システムであって、
この照明システムは、更に前記第１平面に平行な前記光源のアレイに対してレンズのアレイを変位するための変位手段を備え、よってこの照明システムから投影距離ｄprojectionに配置された投影平面にスポットを投影する複数の指向性光ビームを得るようになっており、ここで、ｄprojection≧１０×ｄsourceおよびｄprojection≧１０×ｄplaneであり、ｄlens＜ｄsourceであり、ｄlensは前記レンズの空間配置の特徴的寸法である、照明システム。
【請求項２】
前記第１平面における前記光源の空間配置の特徴的寸法と前記第２平面内の前記レンズの空間配置の特徴的寸法との比は、次の関係
【数１】
2009501418.tif 000001
を満たす、請求項１記載の照明システム。
【請求項３】
前記光源および前記レンズは、六角形の構造に配置されている、請求項２記載の照明システム。
【請求項４】
前記変位手段は、前記スポットを協働並進変位させるよう、前記レンズのアレイを並進変位させるように構成されている、請求項１記載の照明システム。
【請求項５】
前記並進変位は、前記レンズのうちの少なくとも１つのレンズの光軸が前記光源のうちの少なくとも１つの光源の光軸と一致し、前記投影平面に実質的に一致したスポットを生じさせる位置を含み、前記レンズのアレイの前記並進運動によって、前記一致したスポットの対応する変位が生じ、
前記レンズの光軸と前記光源の光軸とは、前記第２平面および前記第２平面にそれぞれ垂直となっている、請求項４記載の照明システム。
【請求項６】
前記変位手段は、前記レンズのアレイを回転変位させるように構成されており、よって前記スポットの回転変位を生じさせ、回転時に前記第２平面に垂直な軸線に対する前記光ビームの角度が変化するようになっている、請求項１記載の照明システム。
【請求項７】
前記レンズの前記アレイは、フレンネルレンズのアレイを含む、請求項１記載の照明システム。
【請求項８】
前記光源の前記アレイは、発光ダイオードのアレイを含む、請求項１記載の照明システム。
【請求項９】
前記発光ダイオードのアレイは、異なる原色の複数の発光ダイオードを含む、請求項８記載の照明システム。
【請求項１０】
前記光源のアレイは、光ガイド内に配置された光出力結合構造体のアレイを備え、前記光ガイドには少なくとも１つの主要光源が設けられている、請求項１記載の照明システム。