Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月8日(2009.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記第２の加熱表面要素が、横方向に並べて配置された複数の波形を備え、前記波形の縦方向の広がりが、０°より大きく、前記１次方向に対して９０°より小さいか、０°未満で、前記１次方向に対して−９０°を超える、前記請求項のいずれか１項に記載のスタック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の実施形態によれば、１次方向の加熱表面要素のスタックが提供され、上記スタックは、ヘリングボーン構造を有する第１の加熱表面要素を備え、上記ヘリングボーン構造は、複数の領域を有し、上記複数の領域は、領域の境界が上記１次方向に沿っているように配置され、上記複数の領域は、横方向に並んで配置された複数の波形を有し、上記第１の領域内の上記波形の縦方向の広がりは、０°より大きく、上記１次方向に対して９０°より小さく、上記複数の領域は、さらに、上記第１の領域に隣接する第２の領域を備え、上記第２の領域は、横方向に並んで配置された複数の波形を有し、上記第２の領域内の上記波形の縦方向の広がりは、０°より小さく、上記１次方向に対して−９０°を超え、上記スタックは、第２の加熱表面要素をさらに備え、上記第２の加熱表面要素は、上記１次方向に沿って延びる切り欠きを備え、上記切り欠きは、上記第１の領域と第２の領域との境界に対して真向かいにならないように配置される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月23日(2009.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窓部（５４）を通る放射を遠隔プローブボリューム内の複数の点に送信するための走査機構を備えた送信部（６６）と、遠隔プローブボリュームから前記窓部を通ってリターンされる放射を検出するための受信部（６６）と、検出されたリターン放射を分析するためのプロセッサ（６６）とを備え、前記窓部が洗浄活動化信号に応答して、前記窓部を洗浄するための関連の窓洗浄装置（５６；５８；６０；６２；６４）を有しており、遠隔プローブボリュームからリターンされた、前記検出された放射の特性が、前記窓部の少なくとも一部分を通る送信の低下を示したときに、プロセッサが、窓洗浄装置を活動状態にするための洗浄活動化信号を生成するように構成されている、測定デバイス（５０）であって、プロセッサが、複数の相互排他的な角度セグメント（Ａ−Ｈ）のそれぞれから回収の検出されたリターン放射の平均リターンパワーを判定するように構成され、それぞれの角度セグメントが、デバイスからの放射の送信角度の範囲に対応しており、検出されたリターン放射のパワーが、デバイスからの放射の送信角度に応じて変動するときに、プロセッサが、洗浄活動化信号を生成するように構成されていることを特徴とする、測定デバイス（５０）。
【請求項２】
前記複数の角度セグメント（Ａ−Ｈ）が、少なくとも４個の角度セグメントからなる、請求項１に記載の測定デバイス。
【請求項３】
プロセッサが、最高平均リターンパワーを有する第１の角度セグメント（Ａ）と、最低平均リターンパワーを有する第２の角度セグメント（Ｃ）とを判定するように構成され、プロセッサが、第１の角度セグメントの平均リターンパワーが第２の角度セグメントの平均リターンパワーを実質的に超えた場合に、洗浄活動化信号を生成する、請求項１または２に記載の測定デバイス。
【請求項４】
洗浄活動化信号が、第１の角度セグメントの平均リターンパワーが第２の角度セグメントの平均リターンパワーを２より大きな因数だけ超えた場合に、生成される、請求項３に記載の測定デバイス。
【請求項５】
プロセッサが、すべてのセグメントの算術平均リターン強度から、それぞれのセグメントについて、平均リターンパワーの標準偏差を計算するように構成され、洗浄活動化信号は、標準偏差が所定値を超えた場合に、生成される、請求項１から４のいずれか一項に記載の測定デバイス。
【請求項６】
プロセッサが、それぞれの測定結果について、正規化されたリターンパワーを判定するように構成され、前記正規化されたリターンパワーが検出されたリターンのパワーおよび関連のリターンパワー参照値から計算される、請求項１から５のいずれか一項に記載の測定デバイス。
【請求項７】
プロセッサが、洗浄活動化信号が持続的に生成された場合に、エラー信号を出力するように構成されている、請求項１から６のいずれか一項に記載の測定デバイス。
【請求項８】
遠隔センタとコンタクトを取るための通信手段を備えた、請求項１から７のいずれか一項に記載の測定デバイス。
【請求項９】
送信部によって形成される送信ビームと、受信部によって規定される受信ビームとが、使用中に遠隔プローブボリュームの中で継続的に交差するように構成されている、請求項１から８のいずれか一項に記載の測定デバイス。
【請求項１０】
前記送信部および前記受信部が、モノスタティックな送受信部を備えた、請求項１から９のいずれか一項に記載の測定デバイス。
【請求項１１】
プロセッサが、受信部によって検出されるリターン放射のいずれのドップラーシフトも判定するように構成されている、請求項１から１０のいずれか一項に記載の測定デバイス。
【請求項１２】
プロセッサが、受信部によって回収される後方散乱の放射のドップラーシフトから風速を計算するように構成されている、請求項１１に記載の測定デバイス。
【請求項１３】
プロセッサが、雨の存在について、それぞれの測定結果のドップラーパワースペクトルを分析するように構成されている、請求項１１または１２に記載の測定デバイス。
【請求項１４】
ドップラースペクトルの分析が、それぞれのドップラースペクトルの「鋭さ」を分析するステップを含む、請求項１３に記載の測定デバイス。
【請求項１５】
使用中に、送信部が継続波放射を遠隔プローブボリュームに送信する、請求項１から１４のいずれか一項に記載の測定デバイス。
【請求項１６】
使用中に、送信部が遠隔プローブボリュームにパルス放射を送信する、請求項１から１４のいずれか一項に記載の測定デバイス。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか一項に記載の測定デバイスと、耐候性筺体とを備えた耐候性デバイスであって、前記耐候性筺体が実質的に透明な窓部と、窓洗浄機構とを備え、デバイスが耐候性筺体の窓部を通る放射を送受信するように構成されている、耐候性デバイス。
【請求項１８】
窓洗浄機構がウォッシュとワイプの機構を備えた、請求項１７に記載の耐候性デバイス。
【請求項１９】
（ｉ）遠隔プローブボリューム内の複数の点に放射を送信して走査するステップと、
（ｉｉ）遠隔プローブボリュームからリターンされる放射を検出するステップと、
（ｉｉｉ）検出されたリターン放射を分析するステップとを含み、
ステップ（ｉ）および（ｉｉ）が、洗浄活動化信号に応答して、前記窓部を洗浄するための関連の窓洗浄装置を有する窓部を通る放射を送受信するステップを含んでおり、ステップ（ｉｉｉ）は、前記検出されたリターン放射の特性が、前記窓部の少なくとも一部分を通る送信の低下を示したとき、窓洗浄装置を活動状態にするための洗浄活動化信号を生成するステップを含んでいる、測定結果を得る方法であって、プロセッサが、複数の相互排他的な角度セグメント（Ａ−Ｈ）のそれぞれから回収の検出されたリターン放射の平均リターンパワーを判定し、それぞれの角度セグメントが、デバイスからの放射の送信角度の範囲に対応しており、検出されたリターン放射のパワーが、デバイスからの放射の送信角度に応じて変動するときに、プロセッサが、洗浄活動化信号を生成することを特徴とする、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月4日(2009.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板からエッチング残渣を除去する方法であって：
誘電体層を有する前記基板をプラズマ処理システム内に配置する段階であり、該誘電体層は、その内部に、エッチングプロセスを用いて形成された造形部を有し、且つ該造形部は、その上に、前記エッチングプロセスによって形成された前記エッチング残渣を有する、段階；
窒素含有ガス、水素含有ガス及び酸素含有ガスを含むプロセスガスを導入する段階であり、該酸素含有ガスは、Ｏ２、ＣＯ、若しくはＣＯ２、又はこれらの組み合わせを含む、段階；
前記プラズマ処理システム内で前記プロセスガスからプラズマを形成する段階；及び
前記エッチング残渣を除去するために前記プラズマに前記基板を晒す段階；
を有し、
前記誘電体層はＳｉＯ２の誘電率より低い誘電率を有する、方法。
【請求項２】
前記プロセスガスを導入する段階は更に、不活性ガスを導入する段階を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記不活性ガスを導入する段階は、希ガスを導入することを有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記窒素含有ガス及び前記水素含有ガスを導入する段階は、ＮＨ３を導入することを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記窒素含有ガス及び前記水素含有ガスを導入する段階は、Ｎ２及びＨ２を導入することを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記プロセスガスを導入する段階は、ＮＨ３及びＣＯを導入することを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記プロセスガスを導入する段階は、ＮＨ３及びＯ２を導入することを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記誘電体層は多孔質誘電体層を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記誘電体層は２．５未満の誘電率を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記プラズマを形成する段階は、前記基板が置かれた基板ホルダーにＲＦ電力を結合させることを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
基板からエッチング残渣を除去する方法であって：
誘電体層を有する前記基板をプラズマ処理システム内に配置する段階であり、該誘電体層は、その内部に、エッチングプロセスを用いて形成された造形部を有し、該造形部は、その上に、前記エッチングプロセスによって形成された前記エッチング残渣を有し、且つ前記誘電体層はＳｉＯ２の誘電率より低い誘電率を有する、段階；
窒素含有ガス、水素含有ガス及び酸素含有ガスを含むプロセスガスを導入する段階であり、該酸素含有ガスは、ＣＯ、若しくはＣＯ２、又はこれら双方を含む、段階；
前記プラズマ処理システム内で前記プロセスガスからプラズマを形成する段階；及び
前記誘電体層の誘電率に実質的な変化を生じさせずに前記エッチング残渣を除去するために前記プラズマに前記基板を晒す段階；
を有する方法。
【請求項１２】
前記誘電体層を有する前記基板を配置する段階は、前記誘電体層と該誘電体層の下に位置するエッチング停止層とを有する前記基板を配置することを有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記エッチング停止層は窒化シリコン又は炭化シリコンから成る、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記プラズマに前記基板を晒す段階は、前記エッチング停止層の厚さのおよそ１０％未満の、前記エッチング停止層の喪失を生じさせる、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月12日(2009.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プローバに対してテストヘッドを配置するための装置であって、
フレームと、
第１及び第２の細長いリードスクリュー(elongate lead screws)であって、各リードスクリューは、一端が前記フレームに枢着(pivotably coupled)され、第１リードスクリューは、第１ピボット軸の周りでピボット運動でき、第２リードスクリューは、第１ピボット軸に平行に延びる第２ピボット軸の周りでピボット運動でき、第１及び第２のリードスクリューは、第１及び第２の各回転軸の周りで回転可能であり、第１回転軸は、第１ピボット軸に垂直に延び、又、第２回転軸は、第２ピボット軸に垂直に延びるような第１及び第２のリードスクリューと、
前記第１リードスクリューに回転可能に結合された第１端部、及び前記第２リードスクリューに回転可能に結合された第２端部を有するリンクと、
前記第１回転軸の周りで第１及び第２の互いに逆の方向に前記第１リードスクリューを回転すると共に、前記第２回転軸の周りで第１及び第２の互いに逆の方向に前記第２リードスクリューを回転するために、前記第１及び第２のリードスクリューに結合された少なくとも１つのアクチュエータと、
前記リンクに結合され且つ前記テストヘッドを支持するようにされたアームと、
を備え、前記第１及び第２のリードスクリューを前記第１方向に回転すると、前記リンクを前記第１及び第２のリードスクリューに対して並進移動させ、前記テストヘッドを前記フレームに対して並進移動させると共に、前記第１リードスクリューを前記第１方向に回転し且つ前記第２リードスクリューを前記第２方向に回転すると、前記リンクを前記第１及び第２のリードスクリューに対して回転し、前記テストヘッドを前記フレームに対してピボット運動させるようにした装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つのアクチュエータは、前記第１リードスクリューに結合された第１アクチュエータと、前記第２リードスクリューに結合された第２アクチュエータを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記アームは、前記テストヘッドを前記アームに沿って第１及び第２の互いに逆の方向に移動するための並進移動メカニズムを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記並進移動メカニズムは、直線的ガイドレールを含む、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記リードスクリューは、ローリング要素スクリュー(rolling element screws)である、請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月23日(2009.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスであって、
第１の壁を有する、基板内のトレンチと、
第１の方向に実質的に沿って配向された第１のメモリセルのセットと、
前記第１の方向に実質的に沿って配向された第２のメモリセルのセットと、
前記第１のメモリセルのセットに電気的に接続された選択ゲート線である第１のゲート線と、
前記第２のメモリセルのセットに電気的に接続された制御ゲート線である第２のゲート線であって、前記第１のゲート線に比べて第２のゲート線は、前記第１の方向に沿って存在する、より多くのメモリセルのセットに電気的に接続されているとともに、前記第１及び第２のメモリセルのセットを含むメモリアレイ内で前記第１のゲート線が第２のゲート線に実質的に平行である、第２のゲート線と、
複数の不連続記憶素子であって、前記第１のメモリセルのセット内の各メモリセルにおいて前記複数の不連続記憶素子のうちの第１のセットが、前記第２のゲート線と前記トレンチの第１の壁との間に存在しており、かつ前記複数の不連続記憶素子のうちの第１のセットが、前記第１の壁に沿って存在する第１及び第２記憶素子を含み、全ての前記第１記憶素子が全ての前記第２記憶素子よりも高い位置に存在している、複数の不連続記憶素子と、
を備える電子デバイス。
【請求項２】
前記第１のゲート線は選択ゲート線であるとともに、前記第１のゲート線の少なくとも一部が前記トレンチの外側に存在し、前記第２のゲート線は制御ゲート線であるとともに、前記第２のゲート線の少なくとも一部が前記トレンチ内部に存在する、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記第１および第２のメモリセルのセット内の各メモリセルは、選択ゲート電極および制御ゲート電極を含む不揮発性メモリセルからなり、
前記第１のゲート線は、前記第１のメモリセルのセットの前記選択ゲート電極に電気的に接続されており、
前記第２のゲート線は、前記第２のメモリセルのセットの前記制御ゲート電極に電気的に接続されている、請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
電子デバイスであって、
第１の壁を有する、基板内のトレンチと、
第１の方向に実質的に沿って配向された第１のメモリセルのセットと、
前記第１の方向に実質的に沿って配向された第２のメモリセルのセットと、
前記第１のメモリセルのセットに電気的に接続された第１のビット線であって、他の２つのビット線の間に存在する第１のビット線と、
前記第２のメモリセルのセットに電気的に接続された第２のビット線であって、前記第１のビット線に比べて第２のビット線は、前記第１の方向に沿った、より多くのメモリセルのセットに電気的に接続されているとともに、前記第１及び第２のメモリセルのセットを含むメモリアレイ内で前記第１のビット線が第２のビット線に実質的に平行である、第２のビット線と、
複数の不連続記憶素子であって、前記第１のメモリセルのセット内の各メモリセルにおいて前記複数の不連続記憶素子のうちの第１のセットが、前記トレンチの第１の壁に隣接して前記トレンチ内に存在しており、かつ前記複数の不連続記憶素子のうちの第１のセットが、前記第１の壁に沿って存在する第１及び第２記憶素子を含み、全ての前記第１記憶素子が全ての前記第２記憶素子よりも高い位置に存在している、複数の不連続記憶素子と、
を備える電子デバイス。
【請求項５】
前記第１および第２のメモリセルのセット内の各メモリセルは、選択ゲート電極および制御ゲート電極を含む不揮発性メモリセルからなる、請求項４に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記第１および第２のメモリセルのセットのチャネル領域と前記制御ゲート電極との間に前記不連続記憶素子が存在し、
前記第１および第２のメモリセルのセットのチャネル領域と前記選択ゲート電極との間には前記不連続記憶素子が実質的に存在しない、請求項５に記載の電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月21日(2009.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スプリットゲート記憶装置であって、
第１ゲート誘電体に接触した第１ゲート電極と、
第２ゲート誘電体に接触した第２ゲート電極と、
半導体基板中に画成された溝の一部の下に横たわる第１拡散領域及び前記基板の上部を占有する第２拡散領域と、が含まれ、
前記第１及び第２ゲート誘電体の内の１つには、一層の不連続記憶素子（ＤＳＥ）が含まれるスプリットゲート記憶装置。
【請求項２】
請求項１に記載のスプリットゲート記憶装置であって、前記第１ゲート電極は制御ゲートであり、前記第１ゲート誘電体には一層のＤＳＥが含まれるスプリットゲート記憶装置。
【請求項３】
請求項２に記載のスプリットゲート記憶装置であって、前記制御ゲートは、少なくとも部分的に前記溝内に配置されるスプリットゲート記憶装置。
【請求項４】
請求項３に記載のスプリットゲート記憶装置であって、前記制御ゲートには、前記溝の側壁に形成された前記一層のＤＳＥの一部に隣接して形成された制御ゲートスペーサが含まれるスプリットゲート記憶装置。
【請求項５】
記憶装置をアレイ状の記憶装置に組み立てる方法であって、
半導体基板に溝を形成する段階と、
第１誘電体で前記溝を内張りする段階と、
前記第１誘電体に隣接し、また、前記溝の側壁に隣接して、第１導電ゲートを前記溝に形成する段階と、
前記基板上面を覆う第２ゲート誘電体を覆って第２導電ゲートを形成する段階と、
前記溝の下に横たわる第１拡散を形成する段階と、
前記基板上部の中に第２拡散領域を形成する段階と、が含まれ、
前記第１又は前記第２ゲート誘電体のいずれかには、一層のＤＳＥが含まれる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月12日(2009.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第一及び第二主平面、第一主平面と電気的に密接接触し第一主平面に形成される第一電極シート、及び第二主平面と電気的に密接接触し第二主平面に形成される第二電極シートを有するポリマー正温度係数（ＰＰＴＣ）要素；
第三及び第四電極主平面を有する金属酸化物バリスタ（ＭＯＶ）要素；
ＭＯＶ要素が故障温度に達する前に、ＰＰＴＣ要素が高抵抗状態になるように、ＭＯＶ要素からＰＰＴＣ要素への熱移動を制御するための、及び第二電極シートと第三電極主平面を電気的に接続するための、ＰＰＴＣ要素とＭＯＶ要素の対向する第二及び第三主平面の間の所定の厚さ及び形状の熱質量体；
第一電極にデバイス第一端子接続部；及び
第四電極主平面にデバイス第二端子接続部
を含んで成る複合回路保護デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
公称量の動作電力を供給する電源装置；
動作電力を受容するために通常接続される電気負荷；及び
電源装置と電気負荷の間に接続される直列シャント複合回路保護デバイスであって、そのデバイスと電源装置の間の電気回路に生ずる過渡的過電圧／過電流条件発生源に応答するためのデバイス
を含んで成る電気回路であって、
該複合回路保護デバイスは、
電源装置と電気負荷の間に直列に接続されるポリマー正温度係数（ＰＰＴＣ）要素であって、第一及び第二主平面、第一主平面と電気的に密接接触し第一主平面に形成される第一電極シート、及び第二主平面と電気的に密接接触し第二主平面に形成される第二電極シートを有するポリマー正温度係数要素；
電気負荷に並列に接続され、第三及び第四電極主平面を有する金属酸化物バリスタ（ＭＯＶ）要素；及び
ＭＯＶ要素が故障温度に達する前に、ＰＰＴＣ要素が高抵抗状態になるように、該過電圧／過電流状態から結果として生ずるＭＯＶ要素からＰＰＴＣ要素への熱移動を制御するための、及び第二電極シートと第三電極主平面を電気的に接続するための、ＰＰＴＣ要素とＭＯＶ要素の対向する第二及び第三主平面の間の所定の厚さ及び形状の熱質量体
を含んで成る、電気回路。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月14日(2009.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転非対称結像誤差を低減させるためのマニピュレータ（Ｍ１〜Ｍ１１）を備えるマイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズであって、マニピュレータは、
ａ）屈折形式の第１の光学素子（５２；２５２；３５２、４５２；５５２；６５２；７５２；８５２；９５０；１０５２；１１５２）と、
ｂ）第２の光学素子（５０；２５０；３５０；５５０；６５０；７５０；８５０；９５０；１０５０；１１５０）と、
ｃ）第１の光学素子と第２の光学素子との間に形成された間隙（５４；２５４；３５４；５５４；６５４；７５４；８５４；９５４’；１０５４）と、
ｄ）間隙を満たしている液体（６２；６２’）と、
ｅ）アクチュエータの動作が第１の光学素子の回転非対称変形を生じるように第１の光学素子と結合されたアクチュエータ（７１１〜７１８；２７１１、２７１２；３７１１〜３７１８；４７１；５７１；６７１；７７１１〜７７１８；８７１１〜８７１４；９７１１〜９７１４；１０７１１〜１０７１５；１１７１１〜１１７１５）とを備える、投影対物レンズ。
【請求項２】
第１の光学素子は平行平面板（５２；３５２；５５２；６５２；７５２）である請求項１に記載の投影対物レンズ。
【請求項３】
第１の光学素子はメニスカスレンズ（２５２；８５２；１１５２）である請求項１に記載の投影対物レンズ。
【請求項４】
第１の光学素子は膜（８５０）である請求項１に記載の投影対物レンズ。
【請求項５】
第１の光学素子（５２）の屈折率と液体（６２）の屈折率との比率は０．９ないし１．１である請求項１〜４のいずれか１項に記載の投影対物レンズ。
【請求項６】
第１の光学素子（５２）の変形は、ｍ＝２、３、４、…によるｍ回対称性又は複数のｍ回対称性の重ね合せを有する上記請求項のいずれか１項に記載の投影対物レンズ。
【請求項７】
第１の光学素子（５２）に曲げモーメントを行使するように構成されている少なくとも２個のアクチュエータ（７１１〜７１８）を備え、少なくとも２個のアクチュエータ（７１１〜７１８）は第１の光学素子（５２）の円周に沿って配置されている請求項６に記載の投影対物レンズ。
【請求項８】
アクチュエータ（７１１〜７１８）は第１の光学素子（５２）の少なくとも２つの変形が異なるｍ回対称性を持って生成されるように構成されている請求項７に記載の投影対物レンズ。
【請求項９】
第２の光学素子（２５０；７５０；８５０；９５０）の変形を生成するためにもっぱら第２の光学素子（２５０；７５０；８５０；９５０）だけに作用する第２のアクチュエータ（２７１１、２７１２；７７１１’〜７７１８’；８７１１’〜８７１４’；９７１１〜９７１４）を備える上記請求項のいずれか１項に記載の投影対物レンズ。
【請求項１０】
第１の光学素子（５２）は瞳平面（３２）に、又はそのごく近傍に配置されている、上記請求項のいずれか１項に記載の投影対物レンズ。
【請求項１１】
アクチュエータ（３７１１〜３７１８；４７１）は第１の光学素子（３５２；４５２）の前面又は背面（３７２；４７２）に設けられており、アクチュエータ（３７１１〜３７１８；４７１）は、表面（３７２；４７２）に対し少なくとも実質的に接線方向である方向に沿って圧縮力及び／又は引張り力を第１の光学素子（３５２；４５２）で発生させるように構成されている上記請求項のいずれか１項に記載の投影対物レンズ。
【請求項１２】
アクチュエータ（３７１１〜３７１８；４７１）は表面に施された層によって形成されており、前記層は少なくとも１つの方向に沿って可変の寸法を有する請求項１１に記載の投影対物レンズ。
【請求項１３】
層は第１の光学素子の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する材料によって形成される請求項１２に記載の投影対物レンズ。
【請求項１４】
層の温度を制御可能に変化させる装置を備える請求項１３に記載の投影対物レンズ。
【請求項１５】
複数の層（３７１１〜３７１８）はリングセグメントの形状を有しており、前記リングセグメントが投影対物レンズ（２０）の光軸（ＯＡ）に関して中心に位置する円形リングを形成する請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の投影対物レンズ。
【請求項１６】
複数のアクチュエータ（４７１）が、投影光が伝播する領域内の表面（４７２）にわたって分散されている請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の投影対物レンズ。
【請求項１７】
複数のアクチュエータは投影光の波長で不透明であり、マニピュレータは投影対物レンズの瞳平面に、又はそのごく近傍に配置されている請求項１６に記載の投影対物レンズ。
【請求項１８】
第１の光学素子（３５２）の前面又は背面（３６４）に締結されたセンサ（３８０）を備えており、センサ（３８７０）はアクチュエータ（３７１１〜３７１８）によって生成された第１の光学素子（３５２）の変形を測定するように構成されている上記請求項のいずれか１項に記載の投影対物レンズ。
【請求項１９】
複数のアクチュエータ（６７１）が、液体（６２）と接触している表面（６６４）の反対側にある第１の光学素子（６５２）の表面（６７２）の、投影光が通ることができる領域にわたって分散されている上記請求項のいずれか１項に記載の投影対物レンズ。
【請求項２０】
第１の光学素子（９５２）はその非変形状態において回転非対称である形状を有する上記請求項のいずれか１項に記載の投影対物レンズ。
【請求項２１】
第１の光学素子（９５２）はその非変形状態において回転非対称である厚さ分布を有する請求項２０に記載の投影対物レンズ。
【請求項２２】
第１の光学素子（９５２）は、液体（６２）と接触しており回転非対称の形状を有する第１の表面（９６４）及び、第１の表面（９６４）の反対側に第２の表面（９７２）を有しており、第２の表面（９７２）は回転対称の形状を有する請求項２１に記載の投影対物レンズ。
【請求項２３】
結像誤差を低減させるためのマニピュレータ（Ｍ３）を備えるマイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズであって、マニピュレータ（Ｍ３）は、
ａ）屈折形式の可変形光学素子（３５２）と、
ｂ）アクチュエータの動作が光学素子の変形を生じるように光学素子と結合されたアクチュエータ（３７１１〜３７１８）とを備えており、
アクチュエータは光学素子の前面（３６４）又は背面（３７２）に設けられており、
アクチュエータ（３７１１〜３７１８）は、表面に対し少なくとも実質的に接線方向である方向に沿って圧縮力及び／又は引張り力を光学素子で発生させるように構成されている、投影対物レンズ。
【請求項２４】
結像誤差を低減させるためのマニピュレータ（Ｍ９）を備えるマイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズであって、マニピュレータは、
ａ）非変形状態において回転非対称である厚さ分布を有している屈折形式の第１の光学素子（９５２）と、
ｂ）第２の光学素子（９８６）と、
ｃ）第１の光学素子（９５２）と第２の光学素子（９８６）との間に形成された間隙（９５４）と、
ｄ）間隙を満たしている流体（６２）と、
ｅ）第１の光学素子を変形させるための手段（９６０）とを備える、投影対物レンズ。
【請求項２５】
上記請求項のいずれか１項に記載の投影対物レンズを備える投影露光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月17日(2009.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極及び第２の電極並びに中間の自己組織化システムを有する電気素子を製造する方法において、
基板に前記第１の電極を設けるステップと、
前記第１の電極上に前記自己組織化システムを設けるステップと、
高分子接触層を形成するように、前記自己組織化システム上の湿性化学堆積により有機材料を有する組成物を付着するステップと、
導電性の前記接触層上に前記第２の電極を堆積するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記自己組織化システムが、自己組織化により前記第１の電極上に形成される単分子層を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記組成物が、極性溶媒を有する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
パターニングされた誘電層が、前記第１の電極が少なくとも部分的に露出されるように前記第１の電極を持つ前記基板上に設けられ、この後に、前記自己組織化システムが、前記第１の電極の露出部分に設けられ、前記高分子接触層が、前記自己組織化システム及び前記誘電層上に延在するように設けられる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記有機材料が導電性高分子である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項６】
前記組成物が、前記導電性高分子に対するドーパントとして機能する高分子酸材料を更に有する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記導電性高分子が、ポリ（３，４−アルキレンジオキシチオフェン）であり、アルキレン基が、随意にＣ1ないしＣ12−アルキル又はフェニル置換メチレン基、随意にＣ1ないしＣ12−アルキル又はフェニル置換１，２−エチレン基、１，３−プロピレン基及び１，２−シクロヘキシレン基からなるグループから選択される、請求項５又は６に記載の方法。
【請求項８】
前記自己組織化システムが、第１の官能基及び第２の官能基を備え、前記第１の官能基が、前記単分子層を形成する化合物の一部であり、前記自己組織化後に前記第１の電極に結合され、前記第２の官能基が、前記自己組織化システム上で露出され、前記有機接触層との結合の形成を可能にする、請求項２に記載の方法。
【請求項９】
複数の電気素子を備えた電子装置を製造する方法において、請求項１ないし８のいずれか一項に記載の素子を製造する方法を有する方法。
【請求項１０】
第１の電極及び第２の電極並びに中間の自己組織化システムを有する電気素子において、高分子導電性接触層が、前記自己組織化システムと前記第２の電極との間に存在する素子。
【請求項１１】
前記自己組織化システムが接合部を有する、請求項１０に記載の素子。
【請求項１２】
前記自己組織化システムが、カーボンナノチューブ又はナノワイヤを有する、請求項１０に記載の素子。
【請求項１３】
請求項１０ないし１２のいずれか一項に記載の電気素子を有する電子装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月22日(2009.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
型を整合配置する方法であって、
微細構造化表面を有するフレキシブルな型を用意するステップと、
前記微細構造化表面を実質的に整合配置するために、前記型の一部分を、前記型の前記一部分と異なる部分に対して独立に延伸するステップと、を含む、方法。
【請求項２】
前記型は、第１の軸線の方向と、該第１の軸線に実質直交する第２の軸線の方向とに延伸される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
型を整合配置する方法であって、
微細構造化表面を有するフレキシブルな型を機構内に設けるステップと、
前記微細構造化表面を実質的に整合配置するために、前記機構によって前記型を延伸するステップと、を含み、
前記型、前記機構、またはそれらの組み合わせはリリーフ領域を備える、方法。
【請求項４】
前記型は、延伸されている間は、中央成形領域に実質的にネッキングを生じない、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
微細構造化された型の中央成形領域の少なくとも２つの周囲部分に取り付けられた枠機構であって、
前記枠機構は複数のセグメントを備え、あるセグメントが該セグメントと異なるセグメントに対して独立に移動することができる、枠機構。
【請求項６】
周囲１００ｍｍから５００ｍｍ当たり少なくとも１つのセグメントを備える、請求項５に記載の枠機構。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月24日(2009.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）伝導体と、
（ｂ）櫛歯状電極と、
（ｃ）前記伝導体と前記櫛歯状電極とを電気的に接続するために、これらの間に十分な圧力を適用したもとで、前記伝導体と前記櫛歯状電極との間に配置される複合材料であって、
前記複合材料が、少なくとも部分的に電気絶縁層に埋め込まれる導電性粒子を含み、
前記導電性粒子が、相対的な配向を有さず、前記伝導体と前記櫛歯状電極との間でなされる実質的な全ての電気的接続がｚ方向になるように配置される複合材料とを備え、
前記伝導体及び前記櫛歯状電極の少なくとも一方が他方に向って移動可能である、櫛歯状電子デバイス。
【請求項２】
前記電気絶縁層が、圧力の解除により実質的にその本来の寸法に戻ることができる、請求項１に記載の櫛歯状電子デバイス。
【請求項３】
前記デバイスのいたる所で動的電気応答を測定する手段を更に備える、請求項２に記載の櫛歯状電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月27日(2009.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子基板の電子部品処理用の電子部品製作工程において稼動する移送コンテナにおける環境から分子種を除去する方法であって、
電子基板と同一の表面積を有さない捕獲基板を設けるステップと、
捕獲基板を電子基板の電子部品処理用の電子部品製作工程において稼動する移送コンテナにおける環境に曝露するステップと、
環境から捕獲基板に分子種を移送し、それによって環境から分子種を除去するステップとを含む、分子種を除去する方法。
【請求項２】
電子基板が、シリコンウェハである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
シリコンウェハが、電子部品処理を施される未処理の単結晶シリコンウェハである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
捕獲基板の表面積が、シリコンウェハより大きい、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
捕獲基板の表面積が、（ａ）シリコンウェハの表面積の少なくとも約１０倍、（ｂ）シリコンウェハの表面積の少なくとも約２５倍、または（ｃ）シリコンウェハの表面積の少なくとも約１００倍である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
捕獲基板が、シリコンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
捕獲基板が、低いｋの誘電体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
捕獲基板が銅を含み、捕獲基板を曝露するステップが、銅を環境に曝露するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
捕獲基板が、電子基板の表面特性を模倣する表面を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
環境が、フロントオープン一体型ポッド内にある、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
フロントオープン一体型ポッドが、少なくとも２６枚のウェハ形状の基板を保持するように構成される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
分子種が、汚染物質である、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
分子種の移送によって、汚染物質の環境を浄化する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
環境が、流れている流体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
環境が、実質的に静止している、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
捕獲基板に移送される分子種の特性を識別し、それによって分子種を検出するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
電子基板の電子部品処理用の電子部品製作工程において稼動する移送コンテナにおける環境から分子種を除去しかつ検出する方法であって、
電子基板と同一の表面積を有さない捕獲基板を設けるステップと、
捕獲基板を電子基板の電子部品処理用の電子部品製作工程において稼動する移送コンテナにおける環境に曝露するステップと、
環境から捕獲基板に分子種を移送するステップと、
捕獲基板に移送される分子種の特性を識別し、それによって分子種を検出するステップとを含む、分子種を除去しかつ検出する方法。
【請求項１８】
電子基板の電子部品製作用の電子部品製作工程において稼動する移送コンテナにおける環境における分子種の存在を診断するためのシステムであって、
電子基板の電子部品処理用の電子部品製作工程において稼動する移送コンテナにおける環境を包囲する移送コンテナと、
移送コンテナ内に収容される捕獲基板とを含み、捕獲基板が、電子基板と同一の表面積を有さないシステム。
【請求項１９】
ミニエンバイロメントに位置する熱脱離デバイスをさらに含み、熱脱離デバイスは、捕獲基板が熱脱離デバイスに実装される場合に、捕獲基板から少なくとも１つの分子種を除去するように構成される、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
少なくとも２つのミニエンバイロメントの間で稼動する移送コンテナにおける分子種の存在を決定する方法であって、
ａ）第１のミニエンバイロメントから移送コンテナに捕獲基板を装填するステップを含み、移送コンテナが、また、第１のミニエンバイロメントから装填される少なくとも１枚の電子基板を保持し、前記方法がさらに、
ｂ）第１のミニエンバイロメントから第２のミニエンバイロメントに移送コンテナを運搬するステップと、
ｃ）移送コンテナから捕獲基板を除去するステップと、
ｄ）捕獲基板を解析して、分子種の存在を決定するステップとを含む、分子種の存在を決定する方法。
【請求項２１】
ｅ）捕獲基板から少なくとも１つの分子種の存在を実質的に除去するステップと、
ｆ）第２のミニエンバイロメントから移送コンテナに捕獲基板を装填するステップとをさらに含み、移送コンテナが、また、第２のミニエンバイロメントから装填される少なくとも１枚の電子基板を保持し、方法がさらに、
ｇ）第２のミニエンバイロメントから第３のミニエンバイロメントに移送コンテナを運搬するステップと、
ｈ）移送コンテナから捕獲基板を除去するステップと、
ｉ）少なくとも１つの分子種の存在に関して捕獲基板を解析するステップとを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
電子部品製作工程において稼動する移送コンテナにおける分子種の存在を決定する方法であって、
ａ）複数のステップを有する電子部品製作工程において、少なくとも１つの処理ステップを終了するステップと、
ｂ）捕獲基板を移送コンテナに装填するステップとを含み、移送コンテナが、また、少なくとも１つの処理ステップ中に処理される少なくとも１枚の電子基板を保持し、前記方法がさらに、
ｃ）移送コンテナを次の処理ステップを行う位置まで運搬するステップと、
ｄ）移送コンテナから捕獲基板および少なくとも１枚の電子基板を除去するステップと、
ｅ）捕獲基板を解析して、分子種の存在を決定するステップと、
ｆ）任意に、少なくとも１つの次の処理ステップを終了し、ステップｂ）、ｃ）、ｄ）およびｅ）を反復するステップとを含む、分子種の存在を決定する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月28日(2009.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）ポリアミン用溶媒中に溶解されたポリアミンを含んでなる溶液によってイオノマーのフィルムを含浸させ、そして
ｂ）前記フィルムを照射すること
を含んでなる固体ポリマー電解質膜の製造方法。
【請求項２】
イオノマーがフッ素化イオノマーである請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ポリアミンが、ポリビニルアミン、アミド、イミンおよびイミドまたはそれらの誘導体である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ポリアミンがポリビニルピロリドンまたはポリエチレンイミンである請求項３に記載の方法。
【請求項５】
イオノマーが高度にフッ素化されたスルホン酸ポリマーである請求項１に記載の方法。
【請求項６】
高度にフッ素化されたスルホン酸ポリマーが、式−（ＯＣＦ２ＣＦＲｆ）ａ−ＯＣＦ２ＣＦＲ’ｆＳＯ２Ｆ（式中、ＲｆおよびＲ’ｆは、独立して、Ｆ、Ｃｌまたは１〜１０個の炭素原子を有する過フッ素化アルキル基から選択され、そしてａ＝０、１または２である）によって表される高度にフッ素化された炭素主鎖および側鎖を含んでなる請求項５に記載の方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法によって製造された膜。
【請求項８】
請求項１に記載の方法によって製造された膜の表面上に形成された導電性で触媒作用的に活性の粒子を含有する層を含んでなる膜および電極アセンブリ。
【請求項９】
請求項１に記載の方法によって製造された膜を含んでなる電気化学的電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
実施例２
上記と同様の電池を使用して、試料１、２および３、ならびに対照餌料ＡおよびＢを使用してもう１組の燃料電池データを作成した。この時、電池を６０℃まで加熱し、アノードに１．５５ｃｃ／分の１Ｍ  ＭｅＯＨ／水混合物を供給し、そしてカソードに２５５ｃｃ／分乾燥空気を供給した。電池から３．７５Ａの電池電流を引き出し、そして電池電圧を監視した。対照Ａおよび対照Ｂ試料と比較してメタノールクロスオーバーはそれぞれ４１％および２５％減少したが、出力密度は１０％および８．２％減少した。
以下、本発明を要約すると下記のとおりである。
１．ａ）ポリアミン用溶媒中に溶解されたポリアミンを含んでなる溶液によってイオノマーのフィルムを含浸させ、そして
ｂ）前記フィルムを照射すること
を含んでなる固体ポリマー電解質膜の製造方法。
２．イオノマーがフッ素化イオノマーである前記１に記載の方法。
３．ポリアミンが、ポリビニルアミン、アミド、イミンおよびイミドまたはそれらの誘導体である前記１に記載の方法。
４．ポリアミンがポリビニルピロリドンまたはポリエチレンイミンである前記３に記載の方法。
５．イオノマーが高度にフッ素化されたスルホン酸ポリマーである前記１に記載の方法。６．高度にフッ素化されたスルホン酸ポリマーが、式−（ＯＣＦ２ＣＦＲｆ）ａ−ＯＣＦ２ＣＦＲ’ｆＳＯ２Ｆ（式中、ＲｆおよびＲ’ｆは、独立して、Ｆ、Ｃｌまたは１〜１０個の炭素原子を有する過フッ素化アルキル基から選択され、そしてａ＝０、１または２である）によって表される高度にフッ素化された炭素主鎖および側鎖を含んでなる前記５に記載の方法。
７．高度にフッ素化されたスルホン酸ポリマーが、式−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２ＳＯ２Ｆによって表されるペルフルオロ炭素主鎖および側鎖を含んでなる前記６に記載の方法。
８．工程ａ）の含浸の前にイオノマーがイオン型または酸型である前記１に記載の方法。９．照射線量が約１〜１５０ｋＧｙである前記１に記載の方法。
１０．工程ａ）の後、フィルムの重量を基準としてポリアミンが約０．１％〜２５重量％の量で存在する前記１に記載の方法。
１１．工程ａ）が約１００℃の温度で実行される前記１に記載の方法。
１２．工程ａ）が室温で実行される前記１に記載の方法。
１３．溶媒が水、または水とテトラヒドロフランとの混合物である前記１に記載の方法。１４．前記１に記載の方法によって製造された膜。
１５．前記１に記載の方法によって製造された膜の表面上に形成された導電性で触媒作用的に活性の粒子を含有する層を含んでなる膜および電極アセンブリ。
１６．ポリアミンが、ポリビニルアミン、アミド、イミンもしくはイミドまたはそれらの誘導体である前記１４に記載の膜。
１７．ポリアミンがポリビニルピロリドンまたはポリエチレンイミンである前記１６に記載の膜。
１８．イオノマーが高度にフッ素化されたスルホン酸ポリマーである前記１４に記載の膜。
１９．高度にフッ素化されたスルホン酸ポリマーが、式−（ＯＣＦ２ＣＦＲｆ）ａ−ＯＣＦ２ＣＦＲ’ｆＳＯ２Ｆ（式中、ＲｆおよびＲ’ｆは、独立して、Ｆ、Ｃｌまたは１〜１０個の炭素原子を有する過フッ素化アルキル基から選択され、そしてａ＝０、１または２である）によって表される高度にフッ素化された炭素主鎖および側鎖を含んでなる前記１８に記載の膜。
２０．高度にフッ素化されたスルホン酸ポリマーが、式−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２ＳＯ２Ｆによって表されるペルフルオロ炭素主鎖および側鎖を含んでなる前記１８に記載の膜。
２１．イオノマーが加水分解され、そして酸交換される前記１４に記載の膜。
２２．前記１に記載の方法によって製造された膜を含んでなる電気化学的電池。
２３．燃料電池である前記２２に記載の電気化学的電池。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月27日(2009.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向に延びる軸線を有する内側トラッピング容積部を構成する複数のロッドを備え、これら１つ以上のロッドは、ロッドを径方向に貫通するアパーチャーを含み、イオンが内側トラッピング容積部からこのアパーチャーを通って、前記内側トラッピング容積部の外部の領域まで移動できるように、前記アパーチャーは構成されており、
更に前記１つ以上のロッド内で形成され、前記アパーチャーに直接接続され、前記ロッドに沿って長手方向に延び、前記内側トラッピング容積部に開口し、前記ロッドを径方向には貫通しない少なくとも１つのリセスを備えた、イオンをトラップし、次にイオンを放出するためのリニアイオントラップ。
【請求項２】
前記複数のロッドは、前記内側トラッピング容積部内に実質的に四極の電位を生じるような形状の多極ロッドとなっている、請求項１記載のリニアイオントラップ。
【請求項３】
前記少なくとも１つのリセスが少なくとも２つのリセスとなっている、請求項１記載のリニアイオントラップ。
【請求項４】
前記リセスは、ロッド内に径方向に延びる深さを有し、この深さはリセスの幅よりも広くなっている、請求項１記載のリニアイオントラップ。
【請求項５】
前記リセスの深さは、前記リセスの幅よりも少なくとも３倍大きくなっている、請求項４記載のリニアイオントラップ。
【請求項６】
前記リセスは、前記ロッド内部から前記内側トラッピング容積部に向かう方向に外側に開口する、請求項１記載のリニアイオントラップ。
【請求項７】
前記開口部は、２つの端部を有する細長いスロットである、請求項１記載のリニアイオントラップ。
【請求項８】
前記リセスは、前記スロットの一端を越えて長手方向に延びている、請求項７記載のリニアイオントラップ。
【請求項９】
前記リセスは、前記スロットの２つの端部のうちの一方に配置されている、請求項７記載のリニアイオントラップ。
【請求項１０】
前記少なくとも１つのリセスが２つのリセスとなっており、前記細長いスロットの各端部に１つのリセスが配置されている、請求項７記載のリニアイオントラップ。
【請求項１１】
前記細長いスロットは、ある幅を有し、前記リセスの幅は、前記細長いスロットの幅と実質的に同じである、請求項７記載のリニアイオントラップ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月21日(2009.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも約１８ｐｓｉの耐破壊性を有する導電性デバイスであって、
Ａ．少なくとも１つの導電性基材を含む導電性部材と、
Ｂ．導電性部材を実質的に取り囲み、
１．少なくとも約５０重量％のポリプロピレン、および
２．少なくとも約１０重量％のエラストマー
を含むポリマーブレンドを含む少なくとも１つの電気絶縁部材と
を含む導電性デバイス。
【請求項２】
前記エラストマーがエチレンとＣ４〜１０α−オレフィンのコポリマーである、請求項１に記載の導電性デバイス。
【請求項３】
前記ポリプロピレンがプロピレンとエチレンおよびＣ４〜２０α−オレフィンの少なくとも１つとのコポリマーである、請求項２に記載の導電性デバイス。
【請求項４】
前記ポリプロピレンが、少なくとも約６５モルパーセント（モル％）のプロピレン誘導単位、約０．１〜３５モル％のエチレン誘導単位および０〜約３５モル％の１種または複数の不飽和コモノマー誘導単位を含むことを特徴とし、但し、エチレン誘導単位と不飽和コモノマー誘導単位の合計モル％が約３５を超えない、請求項３に記載の導電性デバイス。
【請求項５】
前記ポリプロピレンがホモポリマーである、請求項２に記載の導電性デバイス。
【請求項６】
前記ポリプロピレンを非メタロセン系金属中心ピリジニルの触媒反応によって調製する、請求項２に記載の導電性デバイス。
【請求項７】
前記ポリプロピレンがポリマーブレンドの少なくとも約７０重量％を構成する、請求項１に記載の導電性デバイス。
【請求項８】
前記絶縁部材が、充填剤、顔料、架橋剤、酸化防止剤、加工助剤、金属不活性化剤、エキステンダー油、安定剤および潤滑剤の少なくとも１つをさらに含む、請求項１に記載の導電性デバイス。
【請求項９】
前記ポリマーブレンドが絶縁部材の少なくとも約３０重量％を構成する、請求項１に記載の導電性デバイス。
【請求項１０】
前記ポリマーブレンドが、前記デバイスの湿潤電気特性に悪影響を及ぼす水溶性塩を無視できる程度の量しか含まない、請求項１に記載の導電性デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月3日(2009.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３，１１ｂ−シス−ジヒドロテトラベナジンまたはその薬学上許容可能な塩を含んでなる、増殖性疾患または炎症性疾患の予防または治療のための医薬組成物。
【請求項２】
炎症性疾患の予防または治療のための、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
炎症性疾患が、関節リウマチ、変形性関節症、外傷性関節炎、痛風性関節炎、風疹関節炎、乾癬性関節炎、および他の関節炎症状；急性または慢性炎症性疾患状態；ライター症候群、痛風、リウマチ様脊椎炎、慢性肺炎症性疾患、クローン病および潰瘍性大腸炎から選択される、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
炎症性疾患が、関節リウマチである、請求項３に記載の医薬組成物。
【請求項５】
炎症性疾患が、内毒素または炎症性腸疾患によって誘発される炎症性反応である、急性または慢性炎症疾患状態である、請求項３に記載の医薬組成物。
【請求項６】
３，１１ｂ−シス−ジヒドロテトラベナジンが、本明細書で定義された異性体Ｂまたは異性体Ｄである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項７】
３，１１ｂ−シス−ジヒドロテトラベナジンが、式（Ｉａ）：
【化１】
2009503045.tif 000001
を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
３，１１ｂ−シス−ジヒドロテトラベナジンが、酸付加塩の形態である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
塩が、メタンスルホン酸塩である、請求項８に記載の医薬組成物。