(57)【要約】  接着剤により貼り合わされたガラス基板をレーザ加工する際に、接着剤から発生する気泡による製品の不具合を抑えることを目的とする。スクライブ加工方法は、第１ガラス基板３１と、第２ガラス基板３３と、第１ガラス基板３１と第２ガラス基板３３との間で両者を接着すると共に基板切断予定ラインＳに設けられた環状のシール層３５と、を有するガラス基板Ｇにスクライブラインを形成する方法であり、基板切断予定ラインＳ又は近傍から環状のシール層３５の外方に向かって縁まで延びて開放された空間部４３が形成されるように、シール層３５をレーザ加工する空間部形成工程と、基板切断予定ラインＳに沿って、第１ガラス基板３１に空間部４３と連通するように加工痕３９が形成されるように、第１ガラス基板３９をレーザ加工するスクライブライン形成工程とを備えている。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ガラス基板と、第２ガラス基板と、前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板との間で両者を接着すると共に基板切断予定ラインに設けられた環状の接着層と、を有する複合ガラス基板にスクライブラインを形成する方法であって、
前記基板切断予定ライン又は近傍から前記環状の接着層の外方に向かって縁まで延びて開放された空間部が形成されるように、前記環状の接着層をレーザ加工する空間部形成工程と、
前記基板切断予定ラインに沿って、前記第１ガラス基板に前記空間部と連通するように加工痕が形成されるように、前記第１ガラス基板をレーザ加工する第１スクライブライン形成工程と、
前記基板切断予定ラインに沿って、前記第２ガラス基板に加工痕を形成するように、前記第２ガラス基板をレーザ加工する第２スクライブライン形成工程と、
を備えたスクライブ加工方法。
【請求項２】
前記第１スクライブライン形成工程は、前記基板切断予定ラインに沿って互いに離れた位置にレーザパルスを順番に照射する、請求項１に記載のスクライブ加工方法。
【請求項３】
前記空間部形成工程では、前記第１スクライブライン形成工程のレーザパルス照射前に、当該レーザパルスの照射予定位置に対応する位置に前記空間部を形成する、請求項１又は２に記載のスクライブ加工方法。
【請求項４】
前記空間部は、前記環状の接着層の幅方向に延びる複数の加工痕からなる複数の第１の空間部を有しており、
前記第１スクライブラインは、前記第１ガラス基板に上下方向に延びる複数の加工痕からなる複数の第２の空間部を有しており、
前記第１の空間部と前記第２の空間部は各々が連通している、請求項１〜３のいずれかに記載のスクライブ加工方法。
【請求項５】
レーザ装置と、
第１ガラス基板と、第２ガラス基板と、前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板との間で両者を接着すると共に基板切断予定ラインに設けられた環状の接着層と、を有する複合ガラス基板にスクライブラインを形成するスクライブ加工方法を前記レーザ装置に実行させるコントローラと、
を備え、
前記スクライブ加工方法は、
前記基板切断予定ライン又は近傍から前記環状の接着層の外方に向かって縁まで延びて開放された空間部が形成されるように、前記環状の接着層をレーザ加工する空間部形成工程と、
前記基板切断予定ラインに沿って、前記第１ガラス基板に前記空間部と連通するように加工痕が形成されるように、前記第１ガラス基板をレーザ加工する第１スクライブライン形成工程と、
前記基板切断予定ラインに沿って、前記第２ガラス基板に加工痕を形成するように、前記第２ガラス基板をレーザ加工する第２スクライブライン形成工程と含む、
スクライブ加工装置。
【請求項６】
前記第１スクライブライン形成工程は、前記基板切断予定ラインに沿って互いに離れた位置にレーザパルスを順番に照射する、請求項５に記載のスクライブ加工装置。
【請求項７】
前記空間部形成工程では、前記第１スクライブライン形成工程のレーザパルス照射前に、当該レーザパルスの照射予定位置に対応する位置に前記空間部を形成する、請求項５又は６に記載のスクライブ加工装置。
【請求項８】
前記空間部は、前記環状の接着層の幅方向に延びる複数の加工痕からなる複数の第１空間部を有しており、
前記第１スクライブラインは、前記第１ガラス基板に上下方向に延びる複数の加工痕からなる複数の第２空間部を有しており、
前記第１の空間部と前記第２の空間部は各々が連通している、請求項５〜７のいずれかに記載のスクライブ加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スクライブ加工方法及びスクライブ加工装置、特に、接着層により貼り合わされた２枚のガラス基板をスクライブ加工する方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス基板をスクライブ加工する方法として、レーザ加工が知られている。レーザ加工の対象物として、液晶表示パネルが区画形成されたマザー基板のように、接着剤によって貼り合わされた基板が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−６３３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の基板をレーザ加工する場合に下記の問題がある。つまり、基板に対してレーザを照射すると、接着剤がレーザ光の熱で膨張し、それにより接着剤と基板との間に隙間が生じて、その結果、接着剤と基板との間に液晶表示パネルの画素領域まで達する気泡が発生してしまう。このように気泡が発生すると、液晶表示パネルに表示不良を生じる可能性がある。
そこで、特許文献１に示す技術では、上記問題を解決するために、接着剤に改質領域を形成するときに、レーザ光のパワーを他の層に改質領域を形成するときより小さくした。
しかし、上記方法では接着剤からの気泡発生を十分に防止できない可能性がある。【０００５】
本発明の目的は、接着剤により貼り合わされたガラス基板をレーザ加工する際に、接着剤から発生する気泡による製品の不具合を抑えることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以下に、課題を解決するための手段として複数の態様を説明する。これら態様は、必要に応じて任意に組み合せることができる。【０００７】
本発明の一見地に係るスクライブ加工方法は、第１ガラス基板と、第２ガラス基板と、第１ガラス基板と第２ガラス基板との間で両者を接着すると共に基板切断予定ラインに設けられた環状の接着層と、を有する複合ガラス基板にスクライブラインを形成する方法である。この方法は、下記の工程を備えている。
◎基板切断予定ライン又は近傍から環状の接着層の外方に向かって縁まで延びて外側に開放された空間部が形成されるように、環状の接着層をレーザ加工する空間部形成工程
◎基板切断予定ラインに沿って、第１ガラス基板に前記空間部と連通するように加工痕が形成されるように、第１ガラス基板をレーザ加工するスクライブライン形成工程
◎基板切断予定ラインに沿って、第２ガラス基板に加工痕を形成するように、第２ガラス基板をレーザ加工する第２スクライブライン形成工程
この方法では、最初に空間部形成工程において接着層をレーザ加工することで、接着層に空間部が形成される。次に第１スクライブライン形成工程において第１ガラス基板をレーザ加工することで、第１ガラス基板に加工痕が形成される。この場合、加工痕が空間部に連通するので、第１スクライブライン形成工程において接着層から発生するガスが、空間部を通って環状の接着層の外側に出て行く。したがって、製品に残ったシール層においてガスによるシール剥がれが生じにくい。【０００８】
第１スクライブライン形成工程は、基板切断予定ラインに沿って互いに離れた位置にレーザパルスを順番に照射してもよい。
この方法では、複数の加工痕によってスクライブラインが形成される。【０００９】
空間部形成工程では、第１スクライブライン形成工程のレーザパルス照射前に、当該レーザパルスの照射予定位置に対応する位置に空間部を形成してもよい。照射予定位置に対応する位置とは、少なくとも一部同士が互いに近接又は重なる位置である。
この方法では、各加工痕に対応して空間部が形成されるので、上記効果が高くなる。
一例としては空間部形成工程において複数の空間部を形成した後に第１スクライブライン形成工程において複数の加工痕を形成することで、複数の空間部と複数の加工痕とを形成してもよい。他の例としては、１つの空間部を形成した後に１つの加工痕を形成することを繰り返すことで、複数の空間部と複数の加工痕とを形成してもよい。
空間部は、環状の接着層の幅方向に延びる複数の加工痕からなる複数の第１の空間部を有していてもよい。
第１スクライブラインは、第１ガラス基板に上下方向に延びる複数の加工痕からなる複数の第２の空間部を有していてもよい。
第１の空間部と第２の空間部は各々が連通していてもよい。【００１０】
本発明の他の見地に係るスクライブ加工装置は、レーザ装置と、コントローラとを備えている。コントローラは、第１ガラス基板と、第２ガラス基板と、第１ガラス基板と第２ガラス基板との間で両者を接着すると共に基板切断予定ラインに設けられた環状の接着層と、を有する複合ガラス基板にスクライブラインを形成するスクライブ加工方法をレーザ装置に実行させる。
スクライブ加工方法は、下記の工程を有している。
◎基板切断予定ライン又は近傍から環状の接着層の外方に向かって縁まで延びて外側に開放された空間部が形成されるように、環状の接着層をレーザ加工する空間部形成工程
◎基板切断予定ラインに沿って、第１ガラス基板に空間部と連通するように加工痕が形成されるように、第１ガラス基板をレーザ加工する第１スクライブライン形成工程
◎基板切断予定ラインに沿って、第２ガラス基板に加工痕を形成するように、第２ガラス基板をレーザ加工する第２スクライブライン形成工程
この装置では、上記方法と同じ効果が得られる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係るスクライブ加工方法及び装置では、接着剤により貼り合わされたガラス基板をレーザ加工する際に、接着剤から発生する気泡による製品の不具合が抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態のレーザ加工装置の模式図。
【図２】第１実施形態のガラス基板の平面図。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ断面図。
【図４】パルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分平面図。
【図５】ガラス基板の部分断面図。
【図６】ガラス基板の部分断面図。
【図７】パルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分平面図。
【図８】ガラス基板の部分断面図。
【図９】パルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分平面図。
【図１０】ガラス基板の部分断面図。
【図１１】第２実施形態のパルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分平面図。
【図１２Ａ】第２実施形態のパルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分平面図。
【図１２Ｂ】第２実施形態のパルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分平面図。
【図１２Ｃ】第２実施形態のパルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分平面図。
【図１３】第２実施形態のパルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分平面図。
【図１４】第３実施形態のパルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分平面図。
【図１５】第４実施形態のパルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分平面図。
【図１６】第５実施形態のパルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分平面図。
【図１７】第６実施形態のパルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分平面図。
【図１８】第７実施形態のパルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分平面図。
【図１９】第８実施形態のパルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分平面図。
【図２０】第９実施形態のレーザ加工装置の模式図。
【図２１】第９実施形態のパルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分斜視図。
【図２２】第９実施形態のパルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分側面図。
【図２３】第９実施形態のパルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分正面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
１．第１実施形態
（１）レーザ加工装置の全体構成
図１に、本発明の一実施形態によるガラス基板切断用のレーザ加工装置１の全体構成を示す。図１は、本発明の第１実施形態のレーザ加工装置の模式図である。
【００１４】
レーザ加工装置１は、レーザ装置３を備えている。レーザ装置３は、ガラス基板Ｇにレーザ光を照射するためのレーザ発振器１５と、レーザ制御部１７とを有している。レーザ発振器１５は、例えば、波長３４０〜１１００ｎｍのピコ秒レーザである。レーザ制御部１７はレーザ発振器１５の駆動及びレーザパワーを制御できる。
レーザ装置３は、レーザ光を後述する機械駆動系に伝送する伝送光学系５を有している。伝送光学系５は、例えば、集光レンズ１９、複数のミラー（図示せず）、プリズム（図示せず）等を有する。
【００１５】
レーザ加工装置１は、レンズの位置を光軸方向に移動させることによって、レーザ光の集光角を変更する駆動機構１１を有している。
レーザ加工装置１は、ガラス基板Ｇが載置される加工テーブル７を有している。加工テーブル７は、テーブル駆動部１３によって移動される。テーブル駆動部１３は、加工テーブル７をベッド（図示せず）に対して水平方向に移動させる移動装置（図示せず）を有している。移動装置は、ガイドレール、モータ等を有する公知の機構である。
【００１６】
レーザ加工装置１は、制御部９を備えている。制御部９は、プロセッサ（例えば、ＣＰＵ）と、記憶装置（例えば、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＨＤＤ、ＳＳＤなど）と、各種インターフェース（例えば、Ａ／Ｄコンバータ、Ｄ／Ａコンバータ、通信インターフェースなど）を有するコンピュータシステムである。制御部９は、記憶部（記憶装置の記憶領域の一部又は全部に対応）に保存されたプログラムを実行することで、各種制御動作を行う。
制御部９は、単一のプロセッサで構成されていてもよいが、各制御のために独立した複数のプロセッサから構成されていてもよい。
【００１７】
制御部９は、レーザ制御部１７を制御できる。制御部９は、駆動機構１１を制御できる。制御部９は、テーブル駆動部１３を制御できる。
制御部９には、図示しないが、ガラス基板Ｇの大きさ、形状及び位置を検出するセンサ、各装置の状態を検出するためのセンサ及びスイッチ、並びに情報入力装置が接続されている。
【００１８】
（２）ガラス基板
図２〜図４を用いて、ガラス基板Ｇを説明する。図２は、第１実施形態のガラス基板の平面図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ断面図である。図４は、パルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分平面である。
ガラス基板Ｇは、例えば、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（以下ＦＰＤという）を製造するための大面積の貼り合わせガラス基板である。ガラス基板Ｇには、１つ１つがＦＰＤとなる単位表示基板３７を複数個形成しておき、その後、単位表示基板３７ごとに分割される。
【００１９】
ガラス基板Ｇは、図３に示すように、第１ガラス基板３１と、第２ガラス基板３３とを有している。第１ガラス基板３１及び第２ガラス基板３３は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラスである。第１ガラス基板３１及び第２ガラス基板３３は、例えば、厚みが０．１〜０．７ｍｍの範囲にある。第１ガラス基板３１と第２ガラス基板は重ねて配置されており、両者の間にはシール層３５（後述）の厚みだけの隙間が確保されている。
【００２０】
ガラス基板Ｇは、図２〜図４に示すように、シール層３５を有している。シール層３５は、通常の接着剤であり、ガラス基板Ｇの第１ガラス基板３１と第２ガラス基板３３との間で、単位表示基板３７の環状縁（基板切断予定ラインＳに一致）に沿って配置されている。これにより、第１ガラス基板３１と第２ガラス基板３３が互いに接着されている。なお、シール層３５の幅方向領域内に、環状の基板切断予定ラインＳが設けられている。
シール層３５の幅は、例えば、１００〜１６０μｍである。シール層３５の厚みは、例えば、２〜６μｍである。
【００２１】
（３）スクライブライン形成方法の概略説明
図４〜図６を用いて、レーザ装置３によるスクライブライン形成方法を概略的に説明する。図５及び図６は、ガラス基板の部分断面図である。
【００２２】
レーザ加工装置１は、ガラス基板Ｇを環状縁に沿って（つまりシール層３５上を）レーザ照射することで、第１スクライブラインＳ１及び第２スクライブラインＳ２を第１ガラス基板３１及び第２ガラス基板３３にそれぞれ形成する（図６、図９、図１０）。シール層３５上にレーザ照射される理由は、液晶表示パネル等の狭額縁化の要請のためである。その後、第１スクライブラインＳ１及び第２スクライブラインＳ２を分断することで、縁同士がシール層３５によって接着された第１ガラス基板３１及び第２ガラス基板３３からなる単位表示基板３７が得られる。
より具体的には、第１スクライブラインＳ１及び第２スクライブラインＳ２を形成する工程は、図４及び図５の状態から、レーザ装置３を用いたパルスによって第１ガラス基板３１及び第２ガラス基板３３の内部加工を平面方向に断続的に行う（つまり、基板切断予定ラインＳに沿って互いに離れた位置にレーザパルスを順番に照射する）工程である。各レーザ照射部分には、図６に示すように、第１ガラス基板３１及び第２ガラス基板３３内部に光軸に沿って長く延びる加工痕３９、４１がそれぞれ形成される。なお、加工痕３９は、第１ガラス基板３１の表面間に延びている。加工痕４１は、第２ガラス基板３３の表面間に延びている。
【００２３】
（４）スクライブライン形成方法の詳細説明
図７〜図１０を用いて、スクライブライン形成方法を詳細に説明する。図７及び図９は、パルス加工の順序を説明するためのガラス基板の平面図である。図８及び図１０は、ガラス基板の部分断面図である。
スクライブ加工方法は、空間部形成工程と、スクライブライン形成工程を含んでいる。
【００２４】
（４−１）空間部形成工程
図４及び図５に示す状態から、シール層３５に対して空間部４３を形成する工程を説明する。
空間部形成工程は、基板切断予定ラインＳ又は近傍から環状のシール層３５の外方に向かって縁まで延びて外側に開放された空間部４３が形成されるように、シール層３５をレーザ加工する工程である。空間部４３は、スリット又は溝形状である。空間部４３の形成位置は、図７及び図８に示すように、スクライブライン形成工程のレーザパルスの照射予定位置に対応する位置である。レーザ光は第１ガラス基板３１側から照射される。
【００２５】
より具体的には、空間部４３は、図７に示すように、基板切断予定ラインＳに対して直交する方向に延びている。空間部４３は、図８に示すように、第１ガラス基板３１側に片寄って形成されている。空間部４３は、基板切断予定ラインＳを超えて単位表示基板３７側には形成されていない。したがって、基板切断予定ラインＳを超えて単位表示基板３７側には、シール層３５が残される。なお、空間部４３はわずかであれば基板切断予定ラインＳを超えてもよい。
シール加工条件を説明する。加工速度は、５００〜４０００ｍｍ／ｓである。ラインピッチは、２０〜２００μｍであり、好ましくは４０〜１００μｍである。レーザ出力は、３０〜１００Ｗである。
【００２６】
（４−２）スクライブライン形成工程
第１ガラス基板３１に第１スクライブラインＳ１を形成する工程を説明する。
第１スクライブラインＳ１を形成する工程は、具体的には、レーザ装置３を用いたパルスに第１ガラス基板３１の内部加工を平面方向に断続的に行う（つまり、基板切断予定ラインＳに沿って互いに離れた位置にレーザパルスを順番に照射する）工程である。各レーザ照射部分には、図１０に示すように、第１ガラス基板３１内部に光軸に沿って長く延びる加工痕３９がそれぞれ形成される。なお、加工痕３９は、１本の連続した線として、第１ガラス基板３１の表面間に延びている。
【００２７】
ガラス基板Ｇにおいて、第１スクライブラインＳ１及び第２スクライブラインＳ２は環状に形成される。ただし、スクライブラインは環状以外の形状でもよい。
スクライブラインの加工条件を説明する。加工速度は１００〜５００ｍｍ／ｓである。パルスのピッチは、２〜１０μｍである。レーザ出力は、２０〜１００Ｗである。
【００２８】
以上のスクライブライン形成工程において、レーザパルスが空間部４３又はその近傍に照射されると、図９及び図１０に示すように、加工痕３９が空間部４３と連通する。具体的には、レーザパルスは空間部４３の内側の端部に重なるように又はその近傍に重なるように照射される。その結果、スクライブライン形成工程においてシール層３５から発生するガスが、空間部４３を通って環状のシール層３５の外側に出て行く。したがって、単位表示基板３７に残ったシール層３５においてガスによるシール剥がれ（空気層がシール層３５と第１ガラス基板３１との間に形成されること）が生じにくい。なお、スクライブライン形成工程においてシール層３５からガスが発生する理由は、レーザ光が第１ガラス基板３１に完全に吸収されずにシール層３５を加熱するからである。
【００２９】
具体的には、図９に示すように、空間部４３は一端が加工痕３９に連続している。
第２スクライブラインＳ２を形成する方法でも、上記と同様の加工を行う。
【００３０】
上記のスクライブライン形成の工程の後に、シール層３５を第１スクライブラインＳ１及び第２スクライブラインＳ２に沿って切断するレーザ加工を行ってもよい。そのようなレーザ加工を行わずに、ガラス分断時にシール層３５をちぎるように分断してもよい。
【００３１】
（４−３）変形例
前記実施形態では、空間部４３は一端が基板切断予定ラインＳに到達していたが、空間部４３の一端は、加工痕３９と後から連続するのであれば、基板切断予定ラインＳの手前で近接する位置にあってもよい。
前記実施形態では、空間部４３は第１ガラス基板３１側に片寄って形成されているが、第１ガラス基板３１から第２ガラス基板３３まで貫通していてもよい。
【００３２】
前記実施形態の空間部形成工程では一本のシール層３５に対して連続的に複数の空間部を形成していたが、複数本のシール層３５にまとめて複数の空間部を連続的に形成してもよい。
前記実施形態では空間部は平面視でスクライブライン方向に直交して延びている。しかし、空間部が平面視で延びる方向は特に限定されない。
【００３３】
２．第２実施形態
第１実施形態では、シール層における空間部は平面視で直交方向に延びていたが、シール層の加工方法つまり空間部の形成方法はそれに限定されない。
図１１〜図１３を用いて、空間部の形成方法の変形例として第２実施形態を説明する。具体的には、第２実施形態では、１つの空間部を複数回のレーザ加工で形成する方法を説明する。図１１〜図１３は、第２実施形態のパルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分平面図である。
なお、レーザ加工装置１の構成、ガラス基板Ｇの構造や種類、スクライブライン形成工程等は、第１実施形態と共通である。したがって、説明を省略する。
【００３４】
以下、第１実施形態の図４及び図５に示す状態から、シール層３５に対して空間部を形成する工程を説明する。
空間部形成工程は、基板切断予定ラインＳ又は近傍から環状のシール層３５の外方に向かって縁まで延びて外側に開放された空間部４３（第１実施形態の図７及図８を参照）が形成されるように、シール層３５をレーザ加工する工程である。空間部４３は、スリット又は溝形状である。空間部４３の形成位置は、第１実施形態の図７及び図８に示すように、スクライブライン形成工程のレーザパルスの照射予定位置に対応する位置である。レーザ光は第１ガラス基板３１側から照射される。
【００３５】
最初に、図１１を用いて、本実施形態におけるレーザの照射パターンを説明する。本実施形態では、図１１に示すように、第１部分４５、第２部分４７、第３部分４９の３箇所の同時に加工するようにレーザ光を照射する。第１部分４５、第２部分４７、第３部分４９を照射するレーザ光は、例えばＤＯＥや空間光変調器等を用いて、１つのレーザ光を分岐させて形成する。第１部分４５と第２部分４７、第２部分４７と第３部分４９はそれぞれシール層３５の延在方向に所定のピッチＰだけ離れている。第１部分４５、第２部分４７、及び第３部分４９は、各々、シール層３５の幅方向外側縁と基板切断予定ラインＳの間隔の１／３程度の長さである。第１部分４５は、シール層３５の幅方向外側縁に位置し、第２部分４７は、第１部分４５より基板切断予定ラインＳ側に位置し、第３部分４９は第２部分４７より基板切断予定ラインＳ側に位置する。
【００３６】
次に、図１２Ａ〜１２Ｃを用いて、本実施形態におけるレーザ加工方法を説明する。図１１に示したレーザの照射パターンでパルスレーザを照射しながら、シール層３５の外側からシール層３５の延在方向に沿って第１部分４５から第３部分４９に向かう側（矢印Ｖ）に基板を移動させる。このとき、パルスレーザを発振する時間間隔において基板がピッチＰだけ移動するように、パルスレーザの発振間隔及び基板の移動速度を設定する。
図１２Ａは、第１部分４５のレーザ光が最初にシール層３５を加工した状態を示す。このとき、第１部分４５ａ、第２部分４７ａ、及び第３部分４９ａにパルスレーザが照射される。最初に、第１部分４５ａにおいてレーザ光がシール層３５に照射され、それによりシール層３５の一部が除去される。なお、このとき同時に照射された第２部分４７ａ及び第３部分４９ａは、シール層３５の外側に位置している。
【００３７】
図１２Ｂは、次にパルスレーザが発振され、第１部分４５ｂ、第２部分４７ｂ、及び第３部分４９ｂにパルスレーザが照射された状態を示す。第１部分４５ｂは第１部分４５ａからピッチＰだけ離れた位置に形成され、第２部分４７ｂは第１部分４５ａの隣に形成され、第３部分４９ｂはシール層３５の外側に位置している。
図１２Ｃは、図１２Ｂに示した状態の次にパルスレーザが発振され、第１部分４５ｃ、第２部分４７ｃ、及び第３部分４９ｃにパルスレーザが照射された状態を示す。第１部分４５ｃは第１部分４５ｂからピッチＰだけ離れた位置に形成され、第２部分４７ｃは第１部分４５ｂの隣に形成され、第３部分４９ｃは、第２部分４７ｂの隣に位置している。このとき、第１部分４５ａ、第２部分４７ｂ、及び第３部分４９ｃにより、基板切断予定ラインＳ又は近傍からシール層３５の外方に向かって縁まで延びて外側に開放された空間部が形成される。
【００３８】
図１３は、上述した加工を繰り返し、複数の位置において、各部分が連続して、その結果、複数の空間部が形成された状態を示す。
完成した空間部の形状、位置、深さ、加工条件は第１実施形態と同じである。
この実施形態でも、第１実施形態と同じ効果が得られる。
なお、前記実施形態では１つの空間部を３回のレーザ加工で分けて形成したが、レーザ加工の回数は特に限定されない。
【００３９】
３．第３実施形態
図１４を用いて、空間部形成工程の変形例としての第３実施形態を説明する。図１４は、第３実施形態のパルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分平面図である。
図１４に示すように、空間部５１の平面形状は、複数の同じ向きの斜め直線からなる。空間部５１は、基板切断予定ラインＳ又はその近傍から環状のシール層３５の外方に向かって縁まで延びて外側に開放されている。
この実施形態でも、第１実施形態と同じ効果が得られる。
【００４０】
４．第４実施形態
図１５を用いて、空間部形成工程の変形例としての第４実施形態を説明する。図１５は、第４実施形態のパルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分平面図である。
図１５に示すように、空間部５３の平面形状は、１本のジグザグ線からなる。空間部５３の各部分は、基板切断予定ラインＳ又はその近傍から環状のシール層３５の外方に向かって縁まで延びて外側に開放されている。
この実施形態でも、第１実施形態と同じ効果が得られる。
【００４１】
５．第５実施形態
図１６を用いて、空間部形成工程の変形例としての第５実施形態を説明する。図１６は、第５実施形態のパルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分平面図である。
図１６に示すように、空間部５５の平面形状は、１本の波線からなる。空間部５５の各部分は、基板切断予定ラインＳ又は近傍から環状のシール層３５の外方に向かって縁まで延びて外側に開放されている。
この実施形態でも、第１実施形態と同じ効果が得られる。
【００４２】
６．第６実施形態
図１７を用いて、空間部形成工程の変形例としての第６実施形態を説明する。図１７は、第６実施形態のパルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分平面図である。
図１７に示すように、空間部５７の平面形状は、互いに交差する２本のジグザグ線からなる。空間部５７の各部分は、基板切断予定ラインＳ又はその近傍から環状のシール層３５の外方に向かって縁まで延びて外側に開放されている。
この実施形態でも第１実施形態と同じ効果が得られる。
【００４３】
７．第７実施形態
図１８を用いて、空間部形成工程の変形例としての第６実施形態を説明する。図１８は、第７実施形態のパルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分平面図である。
図１８に示すように、空間部５９の平面形状は、シール層延長方向に伸ばされた１本の渦巻き線からなる。空間部５９の各部分は、基板切断予定ラインＳ又はその近傍から環状のシール層３５の外方に向かって縁まで延びて外側に開放されている。
この実施形態では、空間部５９のシール層幅方向外側部分は、シール層３５の幅方向外側縁に一致又は近接している。
この実施形態でも第１実施形態と同じ効果が得られる。
【００４４】
８．第８実施形態
図１９を用いて、空間部形成工程の変形例としての第６実施形態を説明する。図１９は、第８実施形態のパルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分平面図である。
図１９に示すように、空間部６１の平面形状は、シール層延長方向に伸ばされた１本の渦巻き線の一部である。空間部６１の各部分は、基板切断予定ラインＳ又はその近傍から環状のシール層３５の外方に向かって縁まで延びて外側に開放されている。
この実施形態では、空間部６１を構成する１本の渦巻き線は、仮想ラインとして、他の単位表示基板３７側にも位置している。つまり、空間部６１は、シール層３５において完全な１本の線ではなく、基板切断予定ラインＳ又は近傍から環状のシール層３５の外方に向かって縁まで延びて外側に開放されている複数の曲線である。
この実施形態でも第１実施形態と同じ効果が得られる。
【００４５】
９．第９実施形態
第１〜第８実施形態では複数の空間部を形成する工程の後に、スクライブラインとして複数の加工痕を形成していたが、空間部形成と加工痕形成を一つの工程として行ってもよい。
そのような実施形態を図２０を用いて説明する。図２０は、第９実施形態のレーザ加工装置の模式図である。
【００４６】
レーザ加工装置１Ａは、レーザ装置３から出射されたレーザ光を変調する空間光変調器２１を有している。空間光変調器２１は、例えば反射型であり、反射型液晶（ＬＣＯＳ：Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  ｏｎ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）の空間光変調器（ＳＬＭ：Ｓｐａｔｉａｌ  Ｌｉｇｈｔ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）であってもよい。空間光変調器２１は、水平方向から入射するレーザ光を変調すると共に、下方に反射する。
【００４７】
レーザ加工装置１Ａは、駆動部２３を有している。駆動部２３は、空間光変調器２１における各画素電極に所定電圧を印加し、液晶層に所定の変調パターンを表示させ、これにより、レーザ光を空間光変調器２１で所望に変調させる。ここで、液晶層に表示される変調パターンは、例えば、加工痕を形成しようとする位置、照射するレーザ光の波長、加工対象物の材料、及び伝送光学系５や加工対象物の屈折率等に基づいて予め導出され、制御部９に記憶されている。
この方法では、レーザ装置３で空間部とスクライブラインとを同時に製造できる。
【００４８】
図２１〜図２３を用いて、空間部形成方法を具体的に説明する。
図２１は第９実施形態のパルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分斜視図であり、図２２は部分側面図であり、図２３は第９実施形態のパルス加工の順序を説明するためのガラス基板の部分正面図である。
【００４９】
具体的には、最初に、第１空間部６３ａが形成される。第１空間部６３ａ（第１の空間部の一例）は、シール層３５に形成された複数の加工痕であり、シール層幅方向に並んでいる。
次に、第１スクライブライン形成加工痕６５ａが形成される。第１スクライブライン形成加工痕６５ａは、第１ガラス基板３１に形成された複数の加工痕からなる第２の空間部であり、上下方向に並んでいる。第１スクライブライン形成加工痕６５ａは、シール層幅方向では基板切断予定ラインＳに一致しており、シール層延長方向では第１空間部６３ａからわずかにずれた位置である。
この結果、第１スクライブライン形成加工痕６５ａが第１空間部６３ａと連通する。その結果、スクライブライン形成工程においてシール層３５から発生するガスが、第１空間部６３ａを通って環状のシール層３５の外側に出て行く。したがって、単位表示基板３７に残ったシール層３５においてガスによるシール剥がれ（空気層がシール層３５と第１ガラス基板３１との間に形成されること）が生じにくい。
【００５０】
次に、第２空間部６３ｂ（第１の空間部の一例）が形成される。第２空間部６３ｂは、シール層３５に形成された複数の加工痕であり、シール層幅方向に並んである。第２空間部６３ｂは、第１空間部６３ａからシール層延長方向にずれた位置にある。
次に、第２スクライブライン形成加工痕６５ｂが形成される。第２スクライブライン形成加工痕６５ｂは、第１ガラス基板３１に形成された複数の加工痕からなる第２の空間部であり、上下方向に並んでいる。第２スクライブライン形成加工痕６５ｂは、シール層幅方向では基板切断予定ラインＳに一致しており、シール層延長方向では第２空間部６３ｂからわずかにずれた位置である。
この結果、第２スクライブライン形成加工痕６５ｂが第２空間部６３ｂと連通する。その結果、スクライブライン形成工程においてシール層３５から発生するガスが、第２空間部６３ｂを通って環状のシール層３５の外側に出て行く。
【００５１】
次に、第３空間部６３ｃ（第１の空間部の一例）が形成される。第３空間部６３ｃは、シール層３５に形成された複数の加工痕であり、シール層幅方向に並んでいる。第３空間部６３ｃは、第２空間部６３ｂからシール層延長方向にずれた位置にある。
次に、第３スクライブライン形成加工痕６５ｃが形成される。第３スクライブライン形成加工痕６５ｃは、第１ガラス基板３１に形成された複数の加工痕からなる第２の空間部であり、上下方向に並んでいる。第３スクライブライン形成加工痕６５ｃは、シール層幅方向では基板切断予定ラインＳに一致しており、シール層延長方向では第３空間部６３ｃからわずかにずれた位置である。
この結果、第３スクライブライン形成加工痕６５ｃが第３空間部６３ｃと連通する。その結果、スクライブライン形成工程においてシール層３５から発生するガスが、第３空間部６３ｃを通って環状のシール層３５の外側に出て行く。
以下、同様のプロセスが行われる。
【００５２】
空間部とスクライブライン形成加工痕は、シール層延長方向に一致していてもよい。
空間部とスクライブライン形成加工痕のシール層延長方向のずれ量は、シール層３５から発生するガスが外側に逃げることができれば、特に限定されない。
【００５３】
１０．他の実施形態
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。特に、本明細書に書かれた複数の実施例及び変形例は必要に応じて任意に組み合せ可能である。
第１スクライブライン形成方法と第２スクライブライン形成方法は内容を異ならせてもよい。例えば、第２スクライブライン形成方法は、空間部形成工程を省略したり、第１スクライブライン形成方法の空間部形成工程とは異なる空間部形成工程を採用したりしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、接着層により貼り合わされた２枚のガラス基板をスクライブ加工する方法及び装置に広く適用できる。
【符号の説明】
【００５５】
１    ：レーザ加工装置
３    ：レーザ装置
５    ：伝送光学系
７    ：加工テーブル
９    ：制御部
１１  ：駆動機構
１３  ：テーブル駆動部
１５  ：レーザ発振器
１７  ：レーザ制御部
１９  ：集光レンズ
２１  ：空間光変調器
２３  ：駆動部
３１  ：第１ガラス基板
３３  ：第２ガラス基板
３５  ：シール層
３７  ：単位表示基板
３９  ：加工痕
４３  ：空間部
Ｇ    ：ガラス基板
Ｓ１  ：第１スクライブライン
Ｓ２  ：第２スクライブライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【国際調査報告】
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