(57)【要約】  検査対象物（１００）の検査点１０１に導通接続される一端部Ｐａと、当該一端部Ｐａに連なる胴体部Ｐｃと、当該胴体部Ｐｃに連なる他端部Ｐｂとを有する略棒状のプローブＰｒと、当該プローブＰｒを支持する支持部材３１とを備え、前記プローブは、前記支持部材に設けられた当接部に係脱可能に係止される係止部を有し、当該係止部は、前記プローブを使用した検査時に、当該プローブの軸方向に一定値以上の圧縮荷重が作用した際に、前記当接部から離脱するように構成されている。
2020012799.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象物の検査点に導通接続される一端部と、当該一端部に連なる胴体部と、当該胴体部に連なる他端部とを有する略棒状のプローブと、
当該プローブを支持する支持部材とを備え、
前記プローブは、前記支持部材に設けられた当接部に係脱可能に係止される係止部を有し、
当該係止部は、前記プローブを使用した検査時に、当該プローブの軸方向に一定値以上の圧縮荷重が作用した際に、前記当接部から離脱するように構成されている検査治具。
【請求項２】
前記支持部材は、前記プローブが挿通されて支持される支持孔が形成された支持板を有し、
前記係止部は、前記支持孔の周壁からなる前記当接部に当接することにより係止され、かつ前記支持孔内に没入することにより、前記当接部との係合が解除さるように構成されている請求項１記載の検査治具。
【請求項３】
前記支持部材は、前記プローブの一端部を支持する第一支持板と、前記プローブの他端部を支持する第二支持板と、前記プローブの胴体部を支持する第三支持板とを有し、
前記当接部は、前記第三支持板に形成された第三支持孔の周壁からなっている請求項２記載の検査治具。
【請求項４】
前記係止部は、前記プローブの一部を当該プローブの径方向に突出させてなる突部により構成されている請求項２又は３記載の検査治具。
【請求項５】
前記突部は、前記プローブの径方向に延びる係止面と、当該係止面の先端から前記プローブの一端部側に向けて延びる先窄まりの傾斜面とを有する三角形状に形成され、
前記係止面が前記当接部に当接することにより係脱可能に係止されている請求項４記載の検査治具。
【請求項６】
前記プローブは、径方向寸法が大きい大径部と、径方向寸法が小さい小径部とを有し、
前記係止部は、前記大径部と小径部との間に形成された段部からなっている請求項２又は３記載の検査治具。
【請求項７】
前記大径部は、前記胴体部の一部に形成された膨出部からなっている請求項６記載の検査治具。
【請求項８】
前記大径部は、前記胴体部の軸方向中間部から前記一端部にかけて連続して形成され、
前記小径部は、前記胴体部の軸方向中間部から前記他端部にかけて連続して形成されている請求項６記載の検査治具。
【請求項９】
前記プローブは、その軸方向の一部を径方向に凹入させた凹入部を有し、
前記係止部は、前記凹入部と前記プローブの周面との間に形成された段部からなっている請求項２又は３記載の検査治具。
【請求項１０】
前記プローブは、その軸方向の一部を径方向に屈曲させた屈曲部を有し、
前記係止部は、前記屈曲部からなっている請求項２又は３記載の検査治具。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の検査治具を備え、当該検査治具に支持された前記プローブを、検査対象物に接触させることによって、当該検査対象物を検査する検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検査対象物の検査に用いられる検査治具、及び検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、回路や配線等が形成された半導体チップや基板等の検査対象物の検査点に、複数の針状のプローブを当接させて、そのプローブ間に電気信号を付与したり、プローブ間の電圧を測定したりすることによって、検査対象物を検査することが行われている。このように複数のプローブを検査点に当接させた際に、プローブが撓んで隣接するプローブに接触するおそれがある。【０００３】
そこで、針先部と、該針先部に続く針中間部と、該針中間部に続く針後部とを含み、針先部、針中間部及び針後部はそれぞれ板状領域を有し、針先部及び針後部の板状領域の幅方向が針先端側又は針後端側から見て針中間部の板状領域の幅方向に対しほぼ９０度の角度に設定されたプローブを有する検査治具（プローブユニット）が知られている（例えば、特許文献１参照。）。【０００４】
特許文献１には、針先部及び針後部の板状領域をスリットに差し込むことによって各プローブの向きを規定し、針中間部の板状領域によってプローブの撓み方向を制御すること、オーバードライブの発生時に隣り合うプローブを同じ向きに弾性変形させることによって、プローブを狭ピッチで配置可能とすること、板状領域を弾性変形させることによって、針先を電極表面に沿って滑らせ、検査対象物の電極表面に形成された酸化膜を除去可能とすることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−７４７７９号公報
【発明の概要】
【０００６】
しかしながら、上述の特許文献１に記載された検査治具のように、プローブの針先を電極表面に沿って滑らせたとしても、検査対象物の電極表面に対するプローブの圧接力が不十分であると電極表面の酸化膜を適正に除去することは困難である。このため、電極に対するプローブの圧接力を十分に確保する必要がある。しかしながら、この圧接力が過度に高くなると、検査対象物に悪影響が与えられる可能性があった。
【０００７】
本発明の目的は、検査対象物の電極に対するプローブの圧接力が過度に高くなるのを抑制しつつ、電極表面の酸化膜を適正に除去することが可能な検査治具、及び検査装置を提供することである。
【０００８】
本発明に係る検査治具は、検査対象物の検査点に導通接続される一端部と、当該一端部に連なる胴体部と、当該胴体部に連なる他端部とを有する略棒状のプローブと、当該プローブを支持する支持部材とを備え、前記プローブは、前記支持部材に設けられた当接部に係脱可能に係止される係止部を有し、当該係止部は、前記プローブを使用した検査時に、当該プローブの軸方向に一定値以上の圧縮荷重が作用した際に、前記当接部から離脱するように構成されている。
【０００９】
また、本発明に係る検査装置は、上述の検査治具を備え、当該検査治具に支持された前記プローブを、検査対象物に接触させることによって、当該検査対象物を検査する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第一実施形態に係る検査治具を備えた半導体検査装置の構成を概略的に示す概念図である。
【図２】検査治具に設けられたプローブの一例を示す側面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
【図４】検査装置に設けられた検査部の構成を示す断面図である。
【図５】検査部に設けられた検査治具の構成を示す断面図である。
【図６】プローブを使用した検査の初期段階を示す断面図である。
【図７】プローブを使用した検査の後期段階を示す断面図である。
【図８】プローブの圧縮変形量と圧縮応力の関係を示すグラフである。
【図９】本発明の第二実施形態に係る検査治具の構成を示す断面図である。
【図１０】本発明の第二実施形態に係る検査治具の変形例を示す断面図ある。
【図１１】本発明の第三実施形態に係る検査治具の構成を示す断面図である。
【図１２】第三実施形態における検査の後期段階を示す断面図である。
【図１３】本発明の第四実施形態に係る検査治具の構成を示す断面図である。
【図１４】検査治具の第四実施形態における検査の後期段階を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明に係る実施形態を図面に基づいて説明する。なお、各図において同一の符号を付した構成は、同一の構成であることを示し、その説明を省略する。
（第一実施形態）
【００１２】
図１は、本発明の第一実施形態に係る検査治具３を備えた半導体検査装置１の構成を概略的に示す概念図である。図１に示す半導体検査装置１は本発明に係る検査装置の一例に相当し、検査対象物の一例である半導体ウェハ１００に形成された回路を検査するものである。
【００１３】
半導体ウェハ１００には、例えばシリコンなどの半導体基板に、複数の半導体チップに対応する回路が形成されている。なお、検査対象物は、半導体チップ、CSP(Chip size package)、半導体素子（ＩＣ：Integrated Circuit）等の電子部品であってもよく、その他電気的な検査を行う対象となるものであればよい。
【００１４】
また、検査装置は半導体検査装置１に限られず、例えば基板を検査する基板検査装置であってもよい。検査対象物となる基板は、例えばプリント配線基板、ガラスエポキシ基板、フレキシブル基板、セラミック多層配線基板、半導体パッケージ用のパッケージ基板、インターポーザ基板、フィルムキャリア等の基板であってもよく、液晶ディスプレイ、ＥＬ（Electro-Luminescence）ディスプレイ、タッチパネルディスプレイ等のディスプレイ用の電極板や、タッチパネル用等の電極板であってもよく、種々の基板であってよい。
【００１５】
図１に示す半導体検査装置１は、検査部４と、試料台６と、検査処理部８とを備えている。試料台６の上面には、半導体ウェハ１００が所定の位置に載置されて固定される載置部６ａが設けられている。
【００１６】
載置部６ａは、例えば昇降可能に支持され、試料台６内に収容された半導体ウェハ１００を検査位置に上昇させ、検査済の半導体ウェハ１００を試料台６内に格納し得るように構成されている。また、載置部６ａは、例えば半導体ウェハ１００を回転させて、オリエンテーション・フラットを所定の方向に向けることが可能な回転機構を有している。また、半導体検査装置１は、半導体ウェハ１００を載置部６ａに載置したり、検査済の半導体ウェハ１００を載置部６ａから搬出したりすることが可能な図略のロボットアーム等からなる搬送機構を備えている。
【００１７】
検査部４は、検査治具３、第一ピッチ変換ブロック３５、第二ピッチ変換ブロック３６、及び接続プレート３７を備えている。検査治具３は、半導体ウェハ１００に複数のプローブＰｒを接触させて検査するための治具であり、例えば、いわゆるプローブカードとして構成されている。
【００１８】
半導体ウェハ１００には、複数のチップが形成されている。各チップには、例えば電極、配線パターン、半田バンプ、接続端子等の検査点が設けられている。検査治具３は、半導体ウェハ１００に形成された複数のチップのうち一部の領域（例えば図１にハッチングで示す検査領域）に設けられた各検査点に対応するように配設された複数のプローブＰｒを保持している。
【００１９】
検査領域内の各検査点にプローブＰｒを接触させて当該検査領域内の検査が終了すると、載置部６ａとともに半導体ウェハ１００を下降させ、試料台６を平行移動させて検査領域を移動させる。そして、載置部６ａが半導体ウェハ１００を上昇させて新たな検査領域にプローブＰｒを接触させて検査を行う。このように、検査領域を順次移動させつつ検査を行うことにより、半導体ウェハ１００全体の検査が実行される。
【００２０】
なお、図１は、半導体検査装置１の構成の一例を、発明の理解を容易にする観点から簡略的及び概念的に示した説明図であり、プローブＰｒの本数、密度、配置や、検査部４及び試料台６の各部の形状、大きさの比率、等についても、簡略化、概念化して記載している。例えば、プローブＰｒの配置の理解を容易にする観点で、一般的な半導体検査装置よりも検査領域を大きく強調して記載しており、検査領域はもっと小さくてもよく、あるいはもっと大きくてもよい。
【００２１】
接続プレート３７には、第二ピッチ変換ブロック３６と接続される図略の複数の電極が設けられている。接続プレート３７の各電極は、例えば図略のケーブルや接続端子等によって、検査処理部８と電気的に接続されている。第一ピッチ変換ブロック３５及び第二ピッチ変換ブロック３６は、プローブＰｒ相互間の間隔を、接続プレート３７の電極ピッチに変換するためのピッチ変換部材である。
【００２２】
検査治具３には、後述するように検査対象物の検査点に導通接続される一端部Ｐａ、他端部Ｐｂ、及び胴体部Ｐｃを有する複数のプローブＰｒと、各プローブＰｒの一端部Ｐａを半導体ウェハ１００に向けた状態で各プローブＰｒを保持する支持部材３１とが設けられている。なお、検査治具３は、検査対象物の半導体ウェハ１００に応じて取り替え可能に構成されている。
【００２３】
第一ピッチ変換ブロック３５は、各プローブＰｒの他端部Ｐｂと接触して導通する後述の電極３５２を有している。検査部４は、接続プレート３７、第二ピッチ変換ブロック３６、及び第一ピッチ変換ブロック３５を介して、検査治具３の各プローブＰｒを、検査処理部８と電気的に接続したり、その接続を切り替えたりする図略の接続回路を備えている。
【００２４】
支持部材３１は、半導体ウェハ１００に対向するように配置された第一支持板３２と、第一ピッチ変換ブロック３５に対向するように配置された第二支持板３３と、第一支持板３２及び第二支持板３３の間に配設された第三支持板３４とを備えている。第一支持板３２、第二支持板３３、及び第三支持板３４は、所定距離隔てて互いに平行に配設された状態で、連結部材３８により連結されている。
【００２５】
第一支持板３２、第二支持板３３、及び第三支持板３４には、後述するように、プローブＰｒを支持する複数の挿通孔からなる支持孔が形成されている。第一支持板３２の支持孔は、検査対象物となる半導体ウェハ１００の配線パターン上に設定された検査点と対応した位置に配置されている。これにより、プローブＰｒの一端部Ｐａが半導体ウェハ１００の検査点に接触可能とされている。
【００２６】
図２は、検査治具に設けられたプローブＰｒの一例を示す側面図、図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。プローブＰｒは、先端が先窄まりの円錐状に形成された一端部Ｐａと、この一端部Ｐａに連なる胴体部Ｐｃと、この胴体部Ｐｃに連なる他端部Ｐｂとを有し、導電性を有する金属材料により、その全体形状が略棒状に形成されている。
【００２７】
プローブＰｒの胴体部Ｐｃには、その軸方向の中間部を側方から鍛圧する等によりプローブＰｒの径方向に突出させてなる突部Ｐｄが形成されている。この突部Ｐｄは、胴体部Ｐｃの径方向に延びる係止面Ｐｄ１と、係止面Ｐｄ１の先端部からプローブＰｒの一端部Ｐａ側に位置する胴体部Ｐｃの周面に向けて延びる先窄まりの傾斜面Ｐｄ２とを有する三角形に形成されている。
【００２８】
プローブＰｒの他端部Ｐｂには、後述するようにプローブＰｒの抜け落ちを防止するための左右一対の膨出部、又は円板状のフランジ部等からなる抜け止め部Ｐｊが設けられている。なお、プローブＰｒの断面形状は円形に限られず、角形又は楕円形であってもよい。また、一端部Ｐａの先端は、先窄まりの円錐状に限られず、球面状、あるいは複数の突起が設けられたいわゆるクラウン状であってもよく、種々の形状とすることができる。図例では、他端部Ｐｂの先端が、平坦面に形成されているが、これに限られず、円錐状、球面状、あるいはクラウン状であってもよい。
【００２９】
プローブＰｒの長さは、例えば３．０〜８．０ｍｍであり、プローブＰｒの直径ｄは、例えば３０〜１００μｍであり、あるいは５０〜６５μｍである。プローブＰｒの一端部Ｐａ及び他端部Ｐｂの長さは、例えば０．８〜１．６ｍｍであり、あるいは０．３〜０．６ｍｍである。
【００３０】
胴体部Ｐｃに形成された突部Ｐｄの突出量ｓの好ましい値は、プローブＰｒの直径ｄの０．３倍から０．５倍である。また、突部Ｐｄの幅寸法ｔの好ましい値は、プローブＰｒの直径ｄの０．３倍から０．５倍である。
【００３１】
図４は、半導体検査装置１に設けられた検査部４の構成を示す断面図、図５は、検査部４に設けられた検査治具３の構成の一例を示す断面図である。なお、図４では、検査治具３と第一ピッチ変換ブロック３５とを分離した状態で示している。
【００３２】
図４及び図５の下方に位置する第一支持板３２は、半導体ウェハ１００と対向して配置される対向面Ｆ１を有している。また、図４及び図５の上方に位置する第二支持板３３は、第一ピッチ変換ブロック３５の下面と密着される背面Ｆ２を有している。
【００３３】
第一支持板３２の上方に配設される第一ピッチ変換ブロック３５の下面には、支持部材３１に支持された各プローブＰｒの他端部Ｐｂに対応する位置に、複数の電極３５２が設けられている。一方、第一ピッチ変換ブロック３５の上面には、下面の電極３５２に比べて設置間隔が拡げられた複数の電極が設けている。そして、第一ピッチ変換ブロック３５の下面側の電極３５２と、上面側の電極とは、配線３５１で接続されている。
【００３４】
第一ピッチ変換ブロック３５の上方に配設される第二ピッチ変換ブロック３６の下面には、第一ピッチ変換ブロック３５の上面に配置された電極に対応する位置に、複数の電極が設けられている。一方、第二ピッチ変換ブロック３６の上面には、上述の接続プレート３７に配置された電極に対応する位置に、複数の電極３６２が設けられている。第二ピッチ変換ブロック３６の下面の電極と上面の電極３６２とは、配線３６１で接続されている。
【００３５】
上述の検査治具３、第一ピッチ変換ブロック３５、及び第二ピッチ変換ブロック３６が組み立てられるとともに、第二ピッチ変換ブロック３６が接続プレート３７の下面に取り付けられることにより、検査処理部８と各プローブＰｒとの間で信号を入出力する検査部４が構成される。
【００３６】
第一ピッチ変換ブロック３５及び第二ピッチ変換ブロック３６は、例えば、ＭＬＯ（Multi-Layer Organic）又はＭＬＣ（Multi-Layer Ceramic）等の多層配線基板を用いて構成することができる。
【００３７】
検査治具３の第一支持板３２には、図５に示すように、プローブＰｒの一端部Ｐａが挿通されて支持される複数の挿通孔からなる第一支持孔３２１が形成されている。この各第一支持孔３２１は、プローブＰｒの一端部Ｐａを支持した状態で、半導体ウェハ１００に設けられた各検査点１０１に対向する位置に配置されている。
【００３８】
プローブＰｒの一端部Ｐａは、その先端が第一支持板３２の対向面Ｆ１から所定距離だけ突出した状態で設置されている。そして、後述の検査時に、一端部Ｐａの先端と、半導体ウェハ１００等からなる検査対象物の検査点１０１とが当接して、互いに導通接続されるように構成されている。
【００３９】
第二支持板３３は、図５の上方に位置する面が、第一ピッチ変換ブロック３５に対向する背面Ｆ２とされている。第二支持板３３には、プローブＰｒの他端部Ｐｂが挿通されて支持される複数の挿通孔からなる第二支持孔３３１が形成されている。この第二支持孔３３１にプローブＰｒの他端部Ｐｂが挿入された状態で支持されるようになっている。
【００４０】
また、プローブＰｒの抜け止め部Ｐｊは、第二支持板３３の背面Ｆ２の上方側に配設されている。これにより、プローブＰｒの他端部Ｐｂが第二支持板３３の第二支持孔３３１内に没入する抜け落ちの発生が防止されるとともに、他端部Ｐｂの頂点が、第二支持板３３の背面Ｆ２から突出した状態で支持されている。そして、他端部Ｐｂの頂点が、第一ピッチ変換ブロック３５の電極３５２に圧接されて、互いに導通接続されるように構成されている。
【００４１】
また、第一支持板３２と第二支持板３３との間に配設された第三支持板３４には、プローブＰｒの胴体部Ｐｃが挿通されて支持される複数の挿通孔からなる第三支持孔３４１が形成されている。この第三支持孔３４１の口径Ｄは、プローブＰｒの直径ｄと、突部Ｐｄの突出量ｓとを加算した値ｄ＋ｓ（図３参照）よりも僅かに大きな値に設定されている。
【００４２】
プローブＰｒは、その突部Ｐｄが第三支持孔３４１の下方に配設された状態で、支持部材３１に支持されている。そして、後述の検査の初期段階では、突部Ｐｄの係止面Ｐｄ１が、第三支持孔３４１の下部に位置する周壁からなる当接部３４２に当接することにより、突部Ｐｄの上方移動が規制される。また、プローブＰｒの軸方向に一定値以上の圧縮荷重が作用した時点で、突部Ｐｄが、当接部３４２から離脱して第三支持孔３４１内に没入可能に構成されている。
【００４３】
第一支持板３２、第二支持板３３、及び第三支持板３４は、対応する第一支持孔３２１、第二支持孔３３１、及び第三支持孔３４１が、図５の左右方向、つまり各プローブＰｒの軸方向と直交する方向に少しずつ位置ずれするように配置されている。これにより、第一支持板３２の対向面Ｆ１及び第二支持板３３の背面Ｆ２の垂直方向に延びる垂線Ｖに対して所定角度θで傾斜した傾斜線Ｋに沿って、プローブＰｒが設置されるようになっている。
【００４４】
なお、上述の垂線Ｖ上に、対応する第一支持孔３２１、第二支持孔３３１、及び第三支持孔３４１を位置させた状態で、これらにプローブＰｒを挿通させるようにしてもよい。そして、第一支持板３２、第二支持板３３、及び第三支持板３４を、図５の左右方向に相対変位させて、各第一支持孔３２１、第二支持孔３３１、及び第三支持孔３４１を互いに位置ずれさせることにより、プローブＰｒを傾斜線Ｋに沿って設置させるようにしてもよい。
【００４５】
図５に示す実施形態では、第一支持板３２に支持された各プローブＰｒの一端部Ｐａが、半導体ウェハ１００の検査点１０１に接触した状態で支持された例を示している。この構成に代え、各プローブＰｒの一端部Ｐａと、半導体ウェハ１００の検査点１０１とを所定距離を置いて離間させた状態で、各プローブＰｒを支持部材３１に支持させように構成してもよい。
【００４６】
図６は、プローブＰｒを使用した検査の初期段階を示す断面図であり、図７は、プローブＰｒを使用した検査の後期段階を示す断面図、図８は、プローブＰｒの圧縮変形量λと圧縮応力σとの関係を示すグラフである。
【００４７】
図６に示す検査の初期段階では、上述の試料台に載置された半導体ウェハ１００が上昇駆動されて、検査点１０１がプローブＰｒの一端部Ｐａに所定の押圧力Ａで圧接される。この押圧力Ａに応じ、プローブＰｒの一端部Ｐａを軸方向に圧縮する圧縮荷重Ａ１と、プローブＰｒの一端部Ｐａを斜めに押し上げる押上荷重Ａ２とが作用する。
【００４８】
プローブＰｒの一端部Ｐａは、圧縮荷重Ａ１に応じて軸方向に圧縮されることにより弾性変形する。また、押上荷重Ａ２に応じ、一端部Ｐａの周面Ｐａ２が第一支持孔３２１の下部周壁からなる当接部３２２に圧接されるとともに、この当接部３２２を支点にプローブＰｒの一端部Ｐａが円弧状に湾曲するように弾性変形する。
【００４９】
そして、プローブＰｒの一端部Ｐａから突部Ｐｄの設置部に伝達された圧縮荷重Ｂに応じ、突部Ｐｄの上面からなる係止面Ｐｄ１が、第三支持孔３４１の当接部３４２に圧接されることにより、突部Ｐｄの上方移動が規制される。この結果、プローブＰｒの一端部Ｐａと、突部Ｐｄよりも下方側に位置する胴体部ＰｃとからなるプローブＰｒの一端部側部分が、圧縮荷重Ｂに応じて軸方向に圧縮されることにより弾性変形し、このプローブＰｒの一端部側部分に圧縮応力σが生じる。
【００５０】
また、プローブＰｒの上下方向中間部には、圧縮荷重Ｂに対向する反力、つまり突部Ｐｄを下方に押圧してその上方移動を規制する反力Ｂ１と、突部Ｐｄの側方移動を規制して、図６の左方向に突部Ｐｄを押圧する反力Ｂ２とが作用する。この反力Ｂ２に応じて、プローブＰｒの上下方向中間部が側方に押圧されることにより、その傾斜角度が、当初の傾斜線Ｋよりも小さくなるように弾性変形する。
【００５１】
検査の進行に応じて、半導体ウェハ１００の検査点１０１が徐々に上方へ駆動されることにより、図８に示すように、プローブＰｒの一端部側部分における圧縮変形量λが次第に増大する。圧縮変形量λの増大に比例してプローブＰｒの一端部側部分に生じる圧縮応力σが上昇する。
【００５２】
検査の初期段階では、プローブＰｒの一端部側部分に圧縮荷重Ｂが集中して作用するため、プローブＰｒに生じる圧縮応力σは、急角度の応力線σ１に沿って変化し、圧縮変形量λがわずかに大きくなるだけで、プローブＰｒの一端部側部分に生じる圧縮応力σが急激に上昇する。したがって、プローブＰｒの一端部Ｐａと半導体ウェハ１００の検査点１０１との圧接力が十分に確保され、この検査点１０１に位置する電極表面の酸化膜を除去することが可能となる。
【００５３】
プローブＰｒの一端部側部分に作用する圧縮荷重Ｂがさらに上昇すると、これに対応して、プローブＰｒの突部Ｐｄを側方へ押圧する反力Ｂ２が次第に増大するため、プローブＰｒの軸方向中間部における傾斜角度が徐々に小さくなるように変形する。例えば、図７に示すように、プローブＰｒの軸方向中間部が略鉛直状態となるように変形した時点で、プローブＰｒの突部Ｐｄが、第三支持板３４の当接部３４２から離脱して、第三支持孔３４１内に没入する。その結果、第三支持板３４の当接部３４２とプローブＰｒの突部Ｐｄとの係合が解除される。
【００５４】
上述のようにして第三支持板３４の当接部３４２による突部Ｐｄの係止状態が解放されると、第三支持板３４の上方側に位置するプローブＰｒの他端側部分、つまり突部Ｐｄの上方側に位置する胴体部Ｐｃ、及びプローブＰｒの他端部Ｐｂにも、プローブＰｒの一端側部分と同等の圧縮荷重Ｃが伝達される。これにより、プローブＰｒの全長に亘って圧縮荷重が分散され、プローブＰｒの全体に略均等な圧縮応力σが発生する。
【００５５】
この結果、図８に示すように、第三支持板３４の当接部３４２とプローブＰｒの突部Ｐｄとの係合が解除された時点Ｔ１で、プローブＰｒに生じる圧縮応力σの変化率を示す応力線σ２の傾斜角度が、検査の初期段階に比べて小さくなる。したがって、検査の後期段階では、半導体ウェハ１００の検査点１０１に対するプローブＰｒの圧接力が急上昇することはなく、この圧接力が過度に高くなることに起因した弊害の発生が抑制される。
【００５６】
なお、図７に示すように、プローブＰｒの他端部側部分に伝達された圧縮荷重Ｃに応じ、プローブＰｒの他端部Ｐｂが第一ピッチ変換ブロック３５の下面に圧接されることにより、プローブＰｒの他端部Ｐｂの上方移動を規制する押圧力Ｅが他端部Ｐｂの頂点に付与される。この押圧力Ｅに応じ、プローブＰｒの他端部側部分、つまり突部Ｐｄの上方側に位置する胴体部Ｐｃ及びプローブＰｒの他端部Ｐｂが、プローブＰｒの一端部側部分とは点対称の形状に弾性変形して円弧状に湾曲するため、プローブＰｒの一端部側部分及び他端部側部分からなるプローブＰｒの全体が略Ｓ字状に変形する。
【００５７】
上述のように検査対象物の検査点１０１に導通接続される一端部Ｐａと、この一端部Ｐａに連なる胴体部Ｐｃと、この胴体部Ｐｃに連なる他端部Ｐｂとを有する略棒状のプローブＰｒと、このプローブＰｒを支持する支持部材３１とを備えた検査治具３、及びこの検査治具３を備えた検査装置において、支持部材３１の当接部３４２に係脱可能に係止される突部Ｐｄからなる係止部をプローブＰｒに設けた構成としたため、検査点１０１に設けられた電極に対するプローブＰｒの圧接力が過度に高くなるのを抑制しつつ、電極表面に対するプローブＰｒの圧接力を十分に確保して電極表面の酸化膜を除去することが可能である。
【００５８】
すなわち、上述の第一実施形態では、プローブＰｒの一端部Ｐａを支持する第一支持板３２と、プローブＰｒの他端部Ｐｂを支持する第二支持板３３との間に配設された第三支持板３４に、プローブＰｒの胴体部Ｐｃが挿通されて支持される第三支持孔３４１を形成している。そして、胴体部Ｐｃの一部をプローブＰｒの径方向に突出させた突部Ｐｄを第三支持孔３４１の下方に位置させるとともに、第三支持孔３４１の口径Ｄを、プローブＰｒの直径ｄと突部Ｐｄの突出量ｓとを加算した値（ｄ＋ｓ）よりも僅かに大きな値に設定している。
【００５９】
上述の構成によれば、プローブＰｒの一端部側部分に作用する圧縮荷重Ｂが小さい検査の初期段階では、第三支持孔３４１の下部周壁からなる当接部３４２に、プローブＰｒの突部Ｐｄからなる係止部が当接して係止される。そして、プローブＰｒの圧縮荷重Ｂが所定値以上となった検査の後期段階では、プローブＰｒの胴体部Ｐｃを弾性変形させて突部Ｐｄを第三支持孔３４１内に没入させることにより、この突部Ｐｄと当接部３４２との係合を解除することができる。
【００６０】
このため、検査の初期段階では、プローブＰｒの一端部Ｐａと、胴体部Ｐｃの突部Ｐｄよりも下方側に位置する部位とからなるプローブＰｒの一端部側部分に圧縮荷重Ｂが集中的に作用し、主にプローブＰｒの一端部側部分だけが弾性変形して圧縮変形量λが生じることになる。したがって、図８に示す応力線σ１のように、プローブＰｒの一端部側部分に生じる圧縮応力σを圧縮変形量λに比例して急上昇させることができ、検査対象物の検査点１０１に設けられた電極表面に対するプローブＰｒの圧接力を十分に確保して電極表面の酸化膜を効果的に除去することができる。
【００６１】
また、検査の後期段階において、プローブＰｒの突部Ｐｄと第三支持板３４の当接部３４２との係合が解除された時点Ｔ１で、プローブＰｒに作用する圧縮荷重をプローブＰｒの全長に亘って均等に分散させることができる。したがって、応力線σ２のように、プローブＰｒの圧縮変形量λが増大するのに対応して上昇する圧縮応力σの変化率が顕著に低減され、検査対象物の検査点１０１に対するプローブＰｒの圧接力が過度に高くなるのを効果的に抑制できるという利点がある。
【００６２】
上述のようにプローブＰｒの支持部材３１に設けられた当接部、具体的には、第三支持板３４に形成された第三支持孔３４１の下部周壁からなる当接部３４２にプローブＰｒの係止部（突部Ｐｄ）を係脱可能に係止するように構成した上述の第一実施形態に代え、プローブＰｒの係止部を係脱可能に係止する別体の係止プレートを支持部材３１に設けた構成としてもよい。
【００６３】
しかし、第一実施形態に示すように、プローブＰｒの胴体部Ｐｃを支持する第三支持板３４に形成された第三支持孔３４１の下部周壁により、プローブＰｒの突部Ｐｄを係脱可能に係止する当接部３４２を構成した場合には、支持部材３１を構成する第三支持板３４に、プローブＰｒの胴体部Ｐｃを支持する機能と、プローブＰｒの突部Ｐｄを係脱可能に係止する機能とを兼ね備えさせることができる。したがって、簡単な構成で、プローブＰｒを安定して支持しつつ、検査点１０１に設けられた電極表面の酸化膜を適正に除去することができるとともに、電極に対するプローブＰｒの圧接力が過度に高くなるのを抑制できるという利点がある。
【００６４】
なお、例えば第三支持板３４を省略し、第一支持板３２に形成された第一支持孔３２１の下部周壁からなる当接部に、プローブＰｒの一端部Ｐａに設けられた突部からなる係止部を係脱可能に係止するように構成してもよい。しかし、この構成では、検査の初期段階に、プローブＰｒの圧縮応力σが急激に上昇して検査対象物の電極表面に対するプローブＰｒの圧接力が過度に高くなる可能性がある。
【００６５】
また、第二支持板３３に形成された第二支持孔３３１の下部周壁からなる当接部３４２に、プローブＰｒの他端部Ｐｂの近傍に設けられた突部からなる係止部を係脱可能に係止することも可能である。しかし、この構成では、検査の初期段階に、プローブＰｒの圧縮応力σが緩やかに上昇するため、検査対象物の電極表面に対するプローブＰｒの圧接力を十分に確保することができず、電極表面の酸化膜を適正に除去することが困難である。
【００６６】
このため、上述の第一実施形態に示すように、第三支持孔３４１の下部周壁からなる当接部３４２に、係脱可能に係止される突部ＰｄをプローブＰｒの胴体部Ｐｃに設けた構成することが望ましい。これにより、検査の初期段階において、検査対象物の電極表面に対するプローブＰｒの圧接力を十分に確保することができるとともに、検査の後期段階において、プローブＰｒの係止部と支持部材３１の当接部３４２との係合を適正時期に解除することにより、検査対象物に対するプローブＰｒの圧接力が過度に高くなるのを効果的に抑制することができる。
【００６７】
また、プローブＰｒの一部を、その径方向に突出させてなる突部Ｐｄにより、上述の当接部に係脱可能に係止される係止部を構成した場合には、プローブＰｒの一端部側部分に作用する圧縮荷重Ｂが小さい検査の初期段階では、プローブＰｒの突部Ｐｄを当接部に係止させて、プローブＰｒの一端部側部分に圧縮荷重を集中的に作用させることにより、電極表面の酸化膜を効果的に除去することができる。また、プローブＰｒの圧縮荷重Ｂが所定値以上となった検査の後期段階では、プローブＰｒを弾性変形させて突部Ｐｄと当接部との係合を容易に解除することにより、検査対象物に対するプローブの圧接力が過度に高くなるのを、簡単な構成で効果的に抑制できるという利点がある。
【００６８】
なお、プローブＰｒに形成された突部Ｐｄは、必ずしも上述の三角形状とする必要はなく、半円形、台形、又は長方形等の種々の形状に変更することができる。
【００６９】
しかし、上述の第一実施形態に示すように、プローブＰｒに形成された突部Ｐｄを、胴体部Ｐｃの径方向に延びる係止面Ｐｄ１と、この係止面Ｐｄ１の先端からプローブＰｒの一端部側に向けて延びる先窄まりの傾斜面Ｐｄ２とを有する三角形状に形成した場合には、支持部材３１にプローブＰｒを支持させる際に、第三支持孔３４１等の壁面に沿って傾斜面Ｐｄ２を摺動させることにより、突部Ｐｄを第三支持板３４の下方に移動させる作業等を容易に行うことができる。
【００７０】
また、検査の初期段階では、図６に示すように、第三支持孔３４１の下部周壁からなる当接部３４２に、突部Ｐｄの係止面Ｐｄ１を当接させて係止することにより、プローブＰｒの一端部側部分に圧縮荷重を集中的に作用させることができる。しかも、検査の終了後に、半導体ウェハ１００を図７に示す上昇位置から下降させて、プローブＰｒの一端部Ｐａを上方に押圧する押圧力Ａを解除すれば、プローブＰｒの復元力に応じ、第三支持孔３４１の壁面に沿って傾斜面Ｐｄ２を摺動させることにより、突部Ｐｄを第三支持板３４の下方にスムーズに移動させることができるという利点がある。
（第二実施形態）
【００７１】
図９は、本発明の第二実施形態に係る検査治具３ａの構成を示す断面図、図１０は、検査治具の変形例３ｂを示す断面図である。
【００７２】
図９に示す検査治具３ａに設けられたプローブＰｒａは、径方向寸法が大きい大径部Ｐｅと、その上方側に位置する径方向寸法が小さい小径部Ｐｆとを有している。プローブＰｒａの大径部Ｐｅは、例えばプローブＰｒａの軸方向中間部に、アクリル系樹脂やテフロン（登録商標）をコーティングし、あるいはＮｉ電鋳によりリング形状の部材を電着させる等により容易に形成される。
【００７３】
大径部Ｐｅの外径ｄａは、第三支持孔３４１の口径Ｄよりもやや小さい値に設定され、第三支持孔３４１の下方に位置した状態で支持されている。これにより、大径部Ｐｅと、小径部Ｐｆとの間に形成された段部Ｐｅ１が、例えば第三支持孔３４１の下部周壁からなる当接部３４２に当接して、係脱可能に係止されるようになっている。
【００７４】
すなわち、プローブＰｒａを使用した検査の初期段階では、第三支持孔３４１の下部周壁（当接部３４２）に段部Ｐｅ１が当接して、その上方移動が規制される。そして、プローブＰｒａの軸方向に作用する圧縮荷重Ｂが一定値以上となった時点で、プローブＰｒａの段部Ｐｅ１に作用する反力Ｂ２に応じてプローブＰｒａを弾性変形させて、段部Ｐｅ１からなる係止部を第三支持孔３４１内に没入させる。その結果、プローブＰｒａの係止部（段部Ｐｅ１）と支持部材３１の当接部３４２との係合を解除することができる。
【００７５】
したがって、プローブＰｒａを使用した検査の初期段階において、検査点１０１に対するプローブＰｒａの圧接力を十分に確保することにより、検査点１０１に位置する電極表面の酸化膜を適正に除去することが可能である。しかも、プローブＰｒａを使用した検査の後期段階では、半導体ウェハ１００等からなる検査対象物の検査点１０１に対するプローブＰｒａの圧接力が過度に高くなるのを抑制することができる。
【００７６】
一方、図１０に示す検査治具の変形例３ｂには、胴体部Ｐｃの軸方向中間部から一端部Ｐａにかけて連続して形成された大径部Ｐｆａと、胴体部Ｐｃの軸方向中間部から他端部Ｐｂにかけて連続して形成された小径部Ｐｆｂを有するプローブＰｒｂが配設されている。例えば、所定の外径を有する棒状体を切削加工し、又は大径部Ｐｆａを構成する筒状体内に、小径部Ｐｆｂを構成する棒状体を挿入する等により、適度の剛性を備えた大径部Ｐｆａと小径部Ｐｆｂとを有するプローブＰｒｂを容易に形成することができる。
【００７７】
そして、大径部Ｐｆａの外径ｄｂが第三支持孔３４１の口径Ｄよりもやや小さい値に設定されることにより、プローブＰｒｂを使用した検査の初期段階では、大径部Ｐｆａと小径部Ｐｆｂとの間に形成された段部Ｐｅ２が、第三支持孔３４１の下部周壁（当接部３４２）に当接して、段部Ｐｅ２の上方移動が規制される。また、プローブＰｒｂの軸方向に作用する圧縮荷重Ｂが一定値以上となった時点で、プローブＰｒｂの段部Ｐｅ２に作用する反力Ｂ２に応じてプローブＰｒｃを弾性変形させることにより、段部Ｐｅ２を第三支持孔３４１内に没入させる。その結果、プローブＰｒｃの係止部（段部Ｐｅ２）と、支持部材３１の当接部３４２との係合を解除することができる。
【００７８】
したがって、プローブＰｒｂを使用した検査の初期段階において、検査点１０１に対するプローブＰｒｂの圧接力を十分に確保することにより、検査点１０１に位置する電極表面の酸化膜を適正に除去することが可能である。しかも、プローブＰｒｂを使用した検査の後期段階において、半導体ウェハ１００等からなる検査対象物の検査点１０１に対するプローブＰｒｂの圧接力が過度に高くなるのを効果的に抑制することができる。
（第三実施形態）
【００７９】
図１１は、本発明の第三実施形態に係る検査治具３ｃの構成を示す断面図、図１２は、検査治具３ｃの第三実施形態における検査の後期段階を示す断面図である。
【００８０】
検査治具３ｃに設けられたプローブＰｒｃは、その軸方向の一部を径方向に凹入させた凹入部Ｐｇを有している。第三支持板３４に形成された第三支持孔３４１は、プローブＰｒｃの直径ｄよりもやや大きい口径Ｄを有している。そして、図１１に示すように、プローブＰｒｃの凹入部Ｐｇ内に第三支持孔３４１の周壁部が嵌入された状態で、プローブＰｒｃの軸方向中間部が、第三支持板３４に支持されるように構成されている。
【００８１】
上述の構成によれば、プローブＰｒｃの軸方向に作用する圧縮荷重Ｂが小さい検査の初期段階では、凹入部ＰｇとプローブＰｒｃの周面との間に形成された段部Ｐｇ１、つまり図１１の下方側に位置する凹入部Ｐｇの側壁が、第三支持孔３４１の下部周壁からなる当接部３４２に当接して、凹入部Ｐｇの上方移動が規制される。そして、プローブＰｒｃの軸方向に作用する圧縮荷重Ｂが一定値以上となった時点で、プローブＰｒｃの段部Ｐｇ１に作用する反力Ｂ２に応じてプローブＰｒｃを弾性変形させることにより、プローブＰｒｃの段部Ｐｇ１からなる係止部を当接部３４２から離間させる。その結果、プローブＰｒｃの係止部（段部Ｐｇ１）と当接部３４２と係合を解除することができる。
【００８２】
したがって、プローブＰｒｃを使用した検査の初期段階に、検査点１０１に対するプローブＰｒｃの圧接力を十分に確保することにより、検査点１０１に位置する電極表面の酸化膜を適正に除去することが可能である。また、プローブＰｒｃを使用した検査の後期段階では、半導体ウェハ１００等からなる検査対象物の検査点１０１に対するプローブＰｒｃの圧接力が過度に高くなるのを効果的に抑制することができる。
（第四実施形態）
【００８３】
図１３は、本発明の第三実施形態に係る検査治具３ｄの構成を示す断面図、図１４は、検査治具３ｄの第三実施形態における検査の後期段階を示す断面図である。
【００８４】
検査治具３ｄに設けられたプローブＰｒｄは、その軸方向の一部を、径方向に屈曲させた屈曲部Ｐｈを有している。第三支持板３４に形成された第三支持孔３４１は、屈曲部Ｐｈの幅寸法Ｗよりもやや大きい口径Ｄを有している。そして、屈曲部Ｐｈからなる係止部の上面Ｐｈ１が、例えば第三支持孔３４１の下部周壁からなる当接部３４２に係脱可能に係止されるように構成されている。
【００８５】
プローブＰｒｄを使用した検査の初期段階では、図１３に示すように、第三支持孔３４１の下部周壁（当接部３４２）に、屈曲部Ｐｈの上面Ｐｈ１が当接して、その上方移動が規制される。また、プローブＰｒｄを使用した検査時に、プローブＰｒｄの軸方向に一定値以上の圧縮荷重Ｂが作用した際には、図１４に示すように、プローブＰｒｄを弾性変形させることにより、屈曲部Ｐｈを第三支持孔３４１内に没入させることができる。これにより、屈曲部Ｐｈからなる係止部を当接部３４２から離間させて、プローブＰｒｄの係止部と支持部材３１の当接部３４２との係合を解除することができる。
【００８６】
したがって、プローブＰｒｄを使用した検査の初期段階において、検査点１０１に対するプローブＰｒｃの圧接力を十分に確保することにより、検査点１０１に位置する電極表面の酸化膜を適正に除去することが可能である。また、プローブＰｒｄを使用した検査の後期段階では、半導体ウェハ１００等からなる検査対象物の検査点１０１に対するプローブＰｒｄの圧接力が過度に高くなるのを効果的に抑制することができる。
【００８７】
すなわち、本発明に係る検査治具は、検査対象物の検査点に導通接続される一端部と、当該一端部に連なる胴体部と、当該胴体部に連なる他端部とを有する略棒状のプローブと、当該プローブを支持する支持部材とを備え、前記プローブは、前記支持部材に設けられた当接部に係脱可能に係止される係止部を有し、当該係止部は、前記プローブを使用した検査時に、当該プローブの軸方向に一定値以上の圧縮荷重が作用した際に、前記当接部から離脱するように構成されている。
【００８８】
この構成によれば、プローブの一端部側部分に作用する圧縮荷重が小さい検査の初期段階では、プローブの係止部が支持部材の当接部に係止されて、プローブの一端部側部分に圧縮荷重が集中的に作用する。このため、検査対象物の検査点に設けられた電極表面に対するプローブの圧接力が十分に確保されて、電極表面の酸化膜を適正に除去することができる。また、プローブの圧縮荷重が所定値以上となった検査の後期段階では、プローブを弾性変形させて前記係止部と支持部材の当接部との係合を解除することにより、プローブに作用する圧縮荷重をプローブの全長に亘って均等に分散させることができる。したがって、検査対象物に対するプローブの圧接力が過度に高くなるのを効果的に抑制できるという利点がある。
【００８９】
また、前記支持部材は、前記プローブが挿通されて支持される支持孔が形成された支持板を有し、前記係止部は、前記支持孔の周壁からなる前記当接部に当接することにより係止され、かつ前記支持孔内に没入することにより、前記当接部との係合が解除されるように構成されていることが好ましい。
【００９０】
この構成によれば、支持部材を構成する支持板に、プローブを支持する機能と、プローブの係止部を係脱可能に係止する機能とを兼ね備えさせることができる。したがって、簡単な構成で、プローブを安定して支持しつつ、検査点に設けられた電極表面の酸化膜を適正に除去することができるとともに、電極に対するプローブの圧接力が過度に高くなるのを抑制できるという利点がある。
【００９１】
また、前記支持部材は、前記プローブの一端部を支持する第一支持板と、前記プローブの他端部を支持する第二支持板と、前記プローブの胴体部を支持する第三支持板とを有し、前記当接部は、前記第三支持板に形成された第三支持孔の周壁からなっていることが好ましい。
【００９２】
この構成によれば、プローブを使用した検査の初期段階では、第三支持板に設けられた当接部にプローブの係止部を係脱可能に係止することにより、プローブの胴体部に適度の圧縮応力を生じさせて、検査対象物の電極表面に対するプローブの圧接力を十分に確保することができる。しかも、検査の後期段階では、プローブの係止部と支持部材の当接部との係合を適正時期に解除することにより、検査対象物に対するプローブの圧接力が過度に高くなるのを効果的に抑制できるという利点がある。
【００９３】
また、前記係止部は、前記プローブの一部を当該プローブの径方向に突出させてなる突部により構成されていることが好ましい。
【００９４】
この構成によれば、プローブの一端部側部分に作用する圧縮荷重が小さい検査の初期段階では、プローブの突部を当接部に係止させて、プローブの一端部側部分に圧縮荷重を集中的に作用させることにより、電極表面の酸化膜を適正に除去することが可能となる。また、プローブの圧縮荷重が所定値以上となった検査の後期段階では、プローブを弾性変形させて係止部と当接部との係合を容易に解除することにより、検査対象物に対するプローブの圧接力が過度に高くなるのを、簡単な構成で効果的に抑制することができる。
【００９５】
また、前記突部は、前記プローブの径方向に延びる係止面と、当該係止面の先端から前記プローブの一端部側に向けて延びる先窄まりの傾斜面とを有する三角形状に形成され、前記係止面が前記当接部に当接することにより係脱可能に係止されていることが好ましい。
【００９６】
この構成によれば、支持部材にプローブを支持させる際に、支持孔の壁面に沿って傾斜面を摺動させる等により、プローブの突部を支持板の下方に移動させる作業等を容易に行うことができる。さらに、検査の終了後には、プローブの復元力に応じ、支持孔の壁面に沿って傾斜面を摺動させる等により、プローブの突部を支持板の下方にスムーズに移動させることができる等の利点がある。
【００９７】
また、前記プローブは、径方向寸法が大きい大径部と、径方向寸法が小さい小径部とを有し、前記係止部は、前記大径部と小径部との間に形成された段部からなる構成としてもよい。
【００９８】
この構成によれば、プローブを使用した検査の初期段階では、支持部材の当接部に前記段部を当接させて、その上方移動等を規制することができる。そして、プローブの軸方向に作用する圧縮荷重が一定値以上となった時点で、プローブを弾性変形させて前記段部を支持孔内に没入させる等により、前記段部と支持部材の当接部との係合を解除することができる。
【００９９】
また、前記大径部は、前記胴体部の一部に形成された膨出部からなっていることが好ましい。
【０１００】
この構成によれば、例えばプローブの軸方向中間部に、アクリル系樹脂やテフロン（登録商標）をコーティングし、あるいはＮｉ電鋳によりリング形状の部材を電着させる等により、前記大径部を有するプローブを容易に形成することができる。
【０１０１】
また、前記大径部は、前記胴体部の軸方向中間部から前記一端部にかけて連続して形成され、前記小径部は、前記胴体部の軸方向中間部から前記他端部にかけて連続して形成されたものであってもよい。
【０１０２】
この構成によれば、棒状体を切削加工し、又は大径部を構成する筒状体内に、小径部を構成する棒状体を挿入する等により、適度の剛性を備えた大径部と小径部とを有するプローブを容易に形成することができる。
【０１０３】
また、前記プローブは、その軸方向の一部を径方向に凹入させた凹入部を有し、前記係止部は、前記凹入部と前記プローブの周面との間に形成された段部からなる構成であってもよい。
【０１０４】
この構成によれば、プローブの軸方向に作用する圧縮荷重が小さい検査の初期段階では、凹入部とプローブの周面との間に形成された段部が、支持孔の下部周壁からなる当接部に当接する等により、前記段部からなる係止部の上方移動等が規制される。そして、プローブの軸方向に作用する圧縮荷重が一定値以上となった時点で、プローブを弾性変形させることにより、プローブの段部からなるプローブの係止部を前記当接部から離間させて、前記プローブの係止部と支持部材の当接部との係合を解除することができる。
【０１０５】
また、前記プローブは、その軸方向の一部を径方向に屈曲させた屈曲部を有し、前記係止部が、前記屈曲部により構成されたものであってもよい。
【０１０６】
この構成によれば、プローブを使用した検査の初期段階では、支持孔の下部周壁等からなる当接部に、前記屈曲部の上面等からなる係止部を当接させることにより、その上方移動等を規制することができる。また、プローブの軸方向に一定値以上の圧縮荷重が作用した際に、プローブを弾性変形させることにより、プローブの屈曲部を支持孔内に没入させる等により、この屈曲部を当接部から離間させて、プローブの屈曲部と支持部材の当接部との係合を解除することができる。
【０１０７】
また、本発明に係る検査装置は、上述の検査治具を備え、当該検査治具に支持された前記プローブを、検査対象物に接触させることによって、当該検査対象物を検査する。
【０１０８】
この構成によれば、検査装置による検査の初期段階では、検査対象物の検査点に設けられた電極表面に対するプローブの圧接力が十分に確保されることにより、電極表面の酸化膜を適正に除去することができる。また、プローブの圧縮荷重が所定値以上となった検査の後期段階では、プローブに作用する圧縮荷重をプローブの全長に亘って均等に分散させることにより、検査対象物に対するプローブの圧接力が過度に高くなるのを効果的に抑制できるという利点がある。
【０１０９】
このような構成の検査治具、及び検査装置は、検査対象物の電極に対するプローブの圧接力が過度に高くなるのを抑制しつつ、電極表面の酸化膜を除去することが可能である。
【０１１０】
この出願は、２０１８年７月３１日に出願された日本国特許出願特願２０１８−１３３７３７を基礎とするものであり、その内容は、本願に含まれるものである。なお、発明を実施するための形態の項においてなされた具体的な実施態様又は実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、本発明は、そのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではない。
【符号の説明】
【０１１１】
１  半導体検査装置（検査装置）
３  検査治具
４  検査部
６  試料台
６ａ  載置部
８  検査処理部
３１  支持部材
３２  第一支持板
３３  第二支持板
３４  第三支持板
３５  第一ピッチ変換ブロック
３６  第二ピッチ変換ブロック
３７  接続プレート
３８  連結部材
１００  半導体ウェハ（検査対象物）
１０１  検査点
３２１  第一支持孔
３３１  第二支持孔
３４１  第三支持孔
３４２  当接部
３５１  配線
３５２  電極
３６１  配線
３６２  電極
Ｐａ  一端部
Ｐｂ  他端部
Ｐｃ  胴体部
Ｐｄ  突部（係止部）
Ｐｄ１  係止面
Ｐｄ２  傾斜面
Ｐｅ  大径部
Ｐｅ１  段部（係止部）
Ｐｅ２  段部（係止部）
Ｐｅｂ  大径部
Ｐｆ  小径部
Ｐｆｂ  小径部
Ｐｇ  凹入部
Ｐｇ１  段部（係止部）
Ｐｈ  屈曲部（係止部）
【図１】
2020012799.tif 000003
【図２】
2020012799.tif 000004
【図３】
2020012799.tif 000005
【図４】
2020012799.tif 000006
【図５】
2020012799.tif 000007
【図６】
2020012799.tif 000008
【図７】
2020012799.tif 000009
【図８】
2020012799.tif 000010
【図９】
2020012799.tif 000011
【図１０】
2020012799.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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