(57)【要約】［課題］高周波数帯においても著しく低い誘電正接および高耐熱性を有する、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を含む樹脂成形品の提供。［解決手段］本発明による全芳香族液晶ポリエステル樹脂を含み、熱処理が施されてなる樹脂成形品は、示差走査熱量計で測定した昇温過程の１サイクル目の融点でのエンタルピー変化ΔＨ１と２サイクル目の融点でのエンタルピー変化ΔＨ２が、ΔＨ１／ΔＨ２≧２．０を満たし、かつ、測定周波数１０ＧＨｚにおけるＳＰＤＲ法で測定した誘電正接が、０．８５×１０−３以下であることを特徴とする。
2020003690.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
全芳香族液晶ポリエステル樹脂を含み、熱処理が施されてなる樹脂成形品であって、
示差走査熱量計で測定した昇温過程の１サイクル目の融点でのエンタルピー変化ΔＨ１と２サイクル目の融点でのエンタルピー変化ΔＨ２が、ΔＨ１／ΔＨ２≧２．０を満たし、
測定周波数１０ＧＨｚにおけるＳＰＤＲ法で測定した誘電正接が、０．８５×１０−３以下であることを特徴とする、樹脂成形品。
【請求項２】
示差走査熱量計で測定した昇温過程の1サイクル目の融点でのエンタルピー変化ΔＨ１が３．５Ｊ/ｇ以上である、請求項１に記載の樹脂成形品。
【請求項３】
前記全芳香族液晶ポリエステル樹脂が、３種以上の構成単位を含む、請求項１または２に記載の樹脂成形品。
【請求項４】
前記全芳香族液晶ポリエステル樹脂が、前記全芳香族液晶ポリエステル樹脂全体の構成単位に対して、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸に由来する構成単位（Ｉ）を１０モル％以上含む、請求項３に記載の樹脂成形品。
【請求項５】
前記全芳香族液晶ポリエステル樹脂が、芳香族ジオール化合物に由来する構成単位（ＩＩ）および芳香族ジカルボン酸に由来する構成単位（ＩＩＩ）をさらに含む、請求項４に記載の樹脂成形品。
【請求項６】
前記全芳香族液晶ポリエステル樹脂が、ｐ−ヒドロキシ安息香酸に由来する構成単位（ＩＶ）をさらに含む、請求項５に記載の樹脂成形品。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の樹脂成形品を備える、電気電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱処理により誘電正接を低減できる全芳香族液晶ポリエステル樹脂を含む樹脂成形品に関し、より詳細には、とりわけ低い誘電正接を有する全芳香族液晶ポリエステル樹脂を含む樹脂成形品および該成形品を備える電気電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信分野における情報通信量の増加に伴い、電子機器や通信機器等において高周波数帯の周波数を有する信号の使用が増加しており、特に、周波数が１０９Ｈｚ以上であるギガヘルツ（ＧＨｚ）帯の周波数を有する信号の使用が盛んに行われている。例えば、自動車分野においてＧＨｚ帯の高周波数帯が使用されている。具体的には、自動車の衝突防止目的で搭載されるミリ波レーダー、準ミリ波レーダーにおいては、それぞれ７６〜７９ＧＨｚ、２４ＧＨｚの高周波数が使用されており、今後更なる普及が進んでいくことが予想される。【０００３】
しかしながら、使用される信号の周波数が高くなるに伴い、情報の誤認識を招きうる出力信号の品質低下、すなわち、伝送損失が大きくなる。この伝送損失は、導体に起因する導体損失と、電子機器や通信機器における基板等の電気電子部品を構成する絶縁用の樹脂に起因する誘電損失とからなるが、導体損失は使用する周波数の０．５乗、誘電損失は周波数の１乗に比例するため、高周波数帯、とりわけＧＨｚ帯においては、この誘電損失による影響が非常に大きくなる。また、誘電損失は、樹脂の誘電正接にも比例して増大するため、情報の劣化を防ぐため低誘電正接性能を有する樹脂が求められている。【０００４】
上記課題に対し、特許文献１では、高周波数帯において低誘電正接を示す液晶性芳香族ポリエステルとして、ｐ−又はｍ−ヒドロキシ安息香酸に由来する構成単位およびヒドロキシナフトエ酸に由来する構成単位の２種以上を含む液晶性芳香族ポリエステルが提案されている。【０００５】
ところで、電気電子部品を構成する樹脂には、成形時の加熱に対する高い耐熱性が要求され、また、これを用いて作成したフィルム等の樹脂成形品には、はんだ等を用いた加熱加工に対する高い耐熱性が要求される。そこで、例えば、特許文献２では、フィルムの熱処理により、フィルムの結晶化度や密度を調節して、耐熱性を向上させることが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−２５０６２０号公報
【特許文献２】特開２００３−２９２６３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、情報通信量は急速に増加し続け、使用される信号の周波数はさらに高まっており、高周波数帯において更に低い誘電正接を有する樹脂が求められている。本発明者は、特許文献１において提案されるポリエステル樹脂を用いたとしても、高周波数帯において要求される十分な低誘電正接を示さないことを見出した。また、従来、フィルムの熱処理は、特許文献２のように耐熱性向上を目的とするものであったが、本発明者は、樹脂が特定の条件を満たすことで、熱処理により誘電特性を大幅に向上できることを見出した。【０００８】
したがって、本発明の目的は、高周波数帯においても著しく低い誘電正接および高耐熱性を有する、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を含む樹脂成形品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を含み、熱処理が施されてなる樹脂成形品において、示差走査熱量計で測定した昇温過程の１サイクル目の結晶相から液晶相への転移温度（以下、「融点」と言う）でのエンタルピー変化ΔＨ１と２サイクル目の融点でのエンタルピー変化ΔＨ２が、特定の関係を満たすことにより、著しく低い誘電正接を有する樹脂成形品が得られることを知見した。本発明は、かかる知見に基づいて完成されたものである。【００１０】
すなわち、本発明の一態様によれば、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を含み、熱処理が施されてなる樹脂成形品であって、
示差走査熱量計で測定した昇温工程の１サイクル目の融点でのエンタルピー変化ΔＨ１と２サイクル目の融点でのエンタルピー変化ΔＨ２が、ΔＨ１／ΔＨ２≧２．０を満たし、
測定周波数１０ＧＨｚにおけるＳＰＤＲ法で測定した誘電正接が、０．８５×１０−３以下であることを特徴とする、樹脂成形品が提供される。【００１１】
本発明の様態においては、示差走査熱量計で測定した昇温過程の1サイクル目の融点でのエンタルピー変化ΔＨ１が３．５Ｊ/ｇ以上であることが望ましい。【００１２】
本発明の態様においては、前記全芳香族液晶ポリエステル樹脂が、３種以上の構成単位を含むことが好ましい。【００１３】
本発明の態様においては、前記全芳香族液晶ポリエステル樹脂が、前記全芳香族液晶ポリエステル樹脂全体の構成単位に対して、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸に由来する構成単位（Ｉ）を１０モル％以上含むことが好ましい。【００１４】
本発明の態様においては、前記全芳香族液晶ポリエステル樹脂が、芳香族ジオール化合物に由来する構成単位（ＩＩ）および芳香族ジカルボン酸に由来する構成単位（ＩＩＩ）をさらに含むことが好ましい。【００１５】
本発明の態様においては、前記全芳香族液晶ポリエステル樹脂が、ｐ−ヒドロキシ安息香酸に由来する構成単位（ＩＶ）をさらに含んでもよい。【００１６】
本発明の別の態様によれば、上記樹脂成形品を備える電気電子部品が提供される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、示差走査熱量計で測定した昇温過程の１サイクル目の融点でのエンタルピー変化ΔＨ１と２サイクル目の融点でのエンタルピー変化ΔＨ２が、特定の関係を満たすことにより、著しく低い誘電正接を有しながら、耐熱性に優れる全芳香族液晶ポリエステル樹脂を含む樹脂成形品を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】全芳香族ポリエステル樹脂の３４ＧＨｚにおける誘電正接の測定結果（３０℃から１００℃の温度依存性）を示した図である。
【発明を実施するための態様】
【００１９】
（樹脂成形品）
本発明による樹脂成形品は、下記の全芳香族液晶ポリエステル樹脂を含むものであり、熱処理（アニーリング）を施されてなる。樹脂成形品を適切に熱処理することで高分子の結晶化度を上げ、それに伴い成形品の耐熱性を向上させることができる。結晶化度の上昇度合いは、樹脂成形品を示差走査熱量計（ＤＳＣ）で評価できる。例えば、昇温過程の１サイクル目の融点でのエンタルピー変化ΔＨ１は熱処理によって得られた結晶化度の程度を示す。一度融解させた後の２サイクル目の融点は樹脂の熱処理履歴を取り除いたバルク状態の相転移現象に相当するため、この点におけるエンタルピー変化ΔＨ２に対するΔＨ１の上昇度合いΔＨ１／ΔＨ２はその成形品の評価部分における結晶化度の上昇度合いの指標となる。
本発明においては、樹脂成形品を熱処理することによって上記ΔＨ１／ΔＨ２を特定の数値範囲内に調節することで、意外にも高周波数帯においても著しく低い誘電正接を実現することができる。
【００２０】
樹脂成形品は、示差走査熱量計で測定した昇温工程の１サイクル目の融点でのエンタルピー変化ΔＨ１と２サイクル目の融点でのエンタルピー変化ΔＨ２が、ΔＨ１／ΔＨ２≧２．０を満たし、好ましくはΔＨ１／ΔＨ２≧２．５を満たし、より好ましくはΔＨ１／ΔＨ２≧３．０を満たし、さらに好ましくはΔＨ１／ΔＨ２≧４．０を満たし、さらにより好ましくはΔＨ１／ΔＨ２≧５．０を満たす。樹脂成形品は、ΔＨ１／ΔＨ２≧２．０であれば、熱処理前の状態に比べ、明らかに優位な結晶化度の上昇と言え、それに伴い材料内全体での分子振動を抑制できるため誘電正接が低下する。
樹脂成形品は、示差走査熱量計で測定した昇温工程の１サイクル目の融点でのエンタルピー変化ΔＨ１が、好ましくは３．５Ｊ／ｇ以上であり、より好ましくは４Ｊ／ｇ以上であり、さらに好ましくは５Ｊ／ｇ以上であり、さらにより好ましくは７Ｊ／ｇ以上であり、特に好ましくは８Ｊ／ｇ以上である。樹脂成形品は、ΔＨ１が、３．５Ｊ／ｇ以上であれば、全芳香族液晶ポリエステル樹脂としては絶対値として高い結晶化度を有していると言え、誘電正接の低下を実現することができる。
なお、本明細書において、示差走査熱量計の測定条件は、窒素雰囲気下で昇温速度１０℃／分で３０℃から３６０〜３８０℃まで昇温させる過程と、降温速度１０℃／分で３６０〜３８０℃から３０℃まで降温させる過程とを１サイクルとして、２サイクル行う。
【００２１】
上記の融点でのエンタルピー変化ΔＨ１は、下記で詳述する全芳香族液晶ポリエステル樹脂の製造方法における重合反応の重合条件（温度や時間）や、下記で詳述する樹脂成形品の製造方法における成形品の加熱処理（アニーリング）の条件を変更することによって、調節することができる。
【００２２】
樹脂成形品の融点は実使用の耐熱性の観点から、下限値としては、好ましくは２９０℃以上であり、より好ましくは２９５℃以上であり、さらに好ましくは３００℃以上であり、さらにより好ましくは３１０℃以上であり、また、成形加工上の上限値としては、好ましくは３７０℃以下であり、より好ましくは３６０℃以下であり、さらに好ましくは３５０℃以下である。本発明による樹脂成形品の融点が上記数値範囲内であれば、耐熱性と加工性に優れ、さらに熱処理により耐熱性と誘電正接を優位に向上させることができる。なお、本明細書において、樹脂成形品の融点は、ＩＳＯ１１３５７、ＡＳＴＭ  Ｄ３４１８の試験方法に準拠するものであり、日立ハイテクサイエンス（株）製の示差走査熱量計（ＤＳＣ）等を用いて測定することができ、ＤＳＣで測定した昇温過程の２サイクル目の結晶相から液晶相への転移に伴う吸熱ピークの頂点（Ｔｍ２）の温度（℃）とした。
【００２３】
熱処理後の樹脂成形品のＳＰＤＲ法で測定した誘電正接（測定周波数：１０ＧＨｚ）は、０．８５×１０−３以下であり、好ましくは０．８０×１０−３以下であり、より好ましくは０．７５×１０−３以下であり、さらに好ましくは０．７０×１０−３以下である。
熱処理後の樹脂成形品の円筒空洞共振器法で測定した２５℃での誘電正接（測定周波数：３４ＧＨｚ）は、１．５×１０−３以下であり、好ましくは１．２×１０−３以下であり、より好ましくは１．０×１０−３以下である。
熱処理後の樹脂成形品の円筒空洞共振器法で測定した２５℃での誘電正接（測定周波数：８１ＧＨｚ）は、３．０×１０−３以下であり、好ましくは２．５×１０−３以下であり、より好ましくは２．０×１０−３以下である。
また、熱処理後の樹脂成形品は、３０℃および１００℃の誘電正接（測定周波数：３４ＧＨｚ）が、それぞれ、好ましくは２．０×１０−３以下および３．０×１０−３以下であり、より好ましくは１．５×１０−３以下および２．５×１０−３以下であり、さらに好ましくは１．０×１０−３以下および２．０×１０−３以下である。
さらに、熱処理後の樹脂成形品について、測定周波数３４ＧＨｚにおける３０℃から１００℃までの誘電正接の変化率は、好ましくは２．５×１０−５／℃以下であり、より好ましくは２．０×１０−５／℃以下であり、さらに好ましくは１．５×１０−５／℃以下である。温度に依存した誘電正接の変化率が小さいことで、材料使用時に温度が変わった場合にも設計に準じた物性を安定して発現させることができる。ゆえに各環境における当該材料を使用したデバイスの動作安定性に寄与できる。
なお、本明細書において、全芳香族液晶ポリエステル樹脂の１０ＧＨｚにおける誘電正接は、キーサイト・テクノロジー社のネットワークアナライザーＮ５２４７Ａ等を用いて、スプリットポスト誘電体共振器法（ＳＰＤＲ法）により測定することができる。それ以外の誘電正接測定は円筒空洞共振器法により測定することができる。また、特別に指定がない場合、誘電正接の値は、２３℃、大気雰囲気下、湿度６０％での測定値である。
【００２４】
（全芳香族液晶ポリエステル樹脂）
本発明の樹脂成形品に用いる全芳香族液晶ポリエステル樹脂は、好ましくは３種以上、より好ましくは４種以上の構成単位を含むものである。全芳香族液晶ポリエステル樹脂の構成単位としては、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸に由来する構成単位（Ｉ）、芳香族ジオール化合物に由来する構成単位（ＩＩ）、および芳香族ジカルボン酸に由来する構成単位（ＩＩＩ）が挙げられる。以下、全芳香族液晶ポリエステル樹脂に含まれる各構成単位について説明する。
【００２５】
（６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸に由来する構成単位（Ｉ））
全芳香族液晶ポリエステル樹脂は、下記式（Ｉ）で表される６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸に由来する構成単位（Ｉ）を含むことが好ましい。全芳香族液晶ポリエステル樹脂全体の構成単位に対する構成単位（Ｉ）の組成比（モル％）は、樹脂成形品の誘電正接の低下という観点から、好ましくは１０モル％以上であり、より好ましくは３０モル％以上であり、さらに好ましくは４０モル％以上であり、さらにより好ましくは５０モル％以上であり、上限値としては、好ましくは７０モル％以下であり、より好ましくは６５モル％以下であり、さらに好ましくは６０モル％以下である。
【化１】
2020003690.tif 000003
【００２６】
構成単位（Ｉ）を与えるモノマーとしては、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸（ＨＮＡ、下記式（１））、およびそのアセチル化物、エステル誘導体、酸ハロゲン化物等が挙げられる。
【化２】
2020003690.tif 000004
【００２７】
（芳香族ジオール化合物に由来する構成単位（ＩＩ））
全芳香族液晶ポリエステル樹脂は、芳香族ジオール化合物に由来する構成単位（ＩＩ）を含むことが好ましい。全芳香族液晶ポリエステル樹脂全体の構成単位に対する構成単位（ＩＩ）の組成比（モル％）は、全芳香族液晶ポリエステル樹脂の誘電正接の低下の観点からは、下限値としては、好ましくは１５モル％以上であり、より好ましくは１７．５モル％以上であり、さらに好ましくは２０モル％以上であり、上限値としては、好ましくは４５モル％以下であり、より好ましくは３５モル％以下であり、さらに好ましくは３０モル％以下である。芳香族ジオール化合物に由来する構成単位（ＩＩ）が２種以上含まれる場合、それらの合計モル比が上記組成比の範囲であればよい。
【００２８】
一実施態様において、構成単位（ＩＩ）は下記式（ＩＩ）で表される。    
【化３】
2020003690.tif 000005
上記式中Ａｒ１は、所望により置換基を有するフェニル基、ビフェニル基、４，４’−イソプロピリデンジフェニル基、ナフチル基、アントリル基およびフェナントリル基からなる群より選択される。これらの中でもフェニル基およびビフェニル基がより好ましい。置換基としては、水素、アルキル基、アルコキシ基、ならびにフッ素等が挙げられる。アルキル基が有する炭素数は、１〜１０であることが好ましく、１〜５であることがより好ましい。また、直鎖状のアルキル基であっても、分岐鎖状のアルキル基であってもよい。アルコキシ基が有する炭素数は、１〜１０であることが好ましく、１〜５であることがより好ましい。
【００２９】
構成単位（ＩＩ）を与えるモノマーとしては、例えば、４，４−ジヒドロキシビフェニル（ＢＰ、下記式（２））、ハイドロキノン（ＨＱ、下記式（３））、メチルハイドロキノン（ＭｅＨＱ、下記式（４））、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（ＢｉｓＰＡ、下記式（５））およびこれらのアシル化物等が挙げられる。
【化４】
2020003690.tif 000006
【化５】
2020003690.tif 000007
【化６】
2020003690.tif 000008
【化７】
2020003690.tif 000009
【００３０】
（芳香族ジカルボン酸に由来する構成単位（ＩＩＩ））
全芳香族液晶ポリエステル樹脂は、芳香族ジカルボン酸に由来する構成単位（ＩＩＩ）を含むことが好ましい。全芳香族液晶ポリエステル樹脂全体の構成単位に対する構成単位（ＩＩＩ）の組成比（モル％）は、全芳香族液晶ポリエステル樹脂の誘電正接の低下の観点からは、下限値としては、好ましくは１５モル％以上であり、より好ましくは１７．５モル％以上であり、さらに好ましくは２０モル％以上であり、上限値としては、好ましくは４５モル％以下であり、より好ましくは３５モル％以下であり、さらに好ましくは３０モル％以下である。芳香族ジカルボン酸に由来する構成単位（ＩＩＩ）が２種以上含まれる場合、それらの合計モル比が上記組成比の範囲内であればよい。
【００３１】
一実施態様において、構成単位（ＩＩＩ）は下記式（ＩＩＩ）で表される。
【化８】
2020003690.tif 000010
上記式中Ａｒ２は、所望により置換基を有するフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基およびフェナントリル基からなる群より選択される。これらの中でもフェニル基がより好ましい。置換基としては、水素、アルキル基、アルコキシ基ならびにフッ素等が挙げられる。アルキル基が有する炭素数は、１〜１０であることが好ましく、１〜５であることがより好ましい。また、直鎖状のアルキル基であっても、分岐鎖状のアルキル基であってもよい。アルコキシ基が有する炭素数は、１〜１０であることが好ましく、１〜５であることがより好ましい
【００３２】
構成単位（ＩＩＩ）を与えるモノマーとしては、テレフタル酸（ＴＰＡ、下記式（６））、イソフタル酸（ＩＰＡ、下記式（７））、２，６−ナフタレンジカルボン酸（ＮＡＤＡ、下記式（８））、およびこれらのエステル誘導体、酸ハロゲン化物等が挙げられる。
【化９】
2020003690.tif 000011
【化１０】
2020003690.tif 000012
【化１１】
2020003690.tif 000013
【００３３】
（ｐ−ヒドロキシ安息香酸に由来する構成単位（ＩＶ））
全芳香族液晶ポリエステル樹脂は、下記式（ＩＶ）で表されるｐ−ヒドロキシ安息香酸に由来する構成単位（ＩＶ）をさらに含んでもよい。全芳香族液晶ポリエステル樹脂全体の構成単位に対する構成単位（ＩＶ）の組成比（モル％）は、全芳香族液晶ポリエステル樹脂の誘電正接の低下と高耐熱性の観点からは、上限値としては、好ましくは１０モル％以下であり、より好ましくは８モル％以下であり、さらに好ましくは５モル％以下である。
【化１２】
2020003690.tif 000014
【００３４】
構成単位（ＩＶ）を与えるモノマーとしては、ｐ−ヒドロキシ安息香酸（ＨＢＡ、下記式（９））、およびそのアセチル化物、エステル誘導体、酸ハロゲン化物等が挙げられる。
【化１３】
2020003690.tif 000015
【００３５】
全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性は、メトラー製の顕微鏡用ホットステージ（商品名：ＦＰ８２ＨＴ）を備えたオリンパス（株）製の偏光顕微鏡（商品名：ＢＨ−２）等を用い、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を顕微鏡加熱ステージ上にて加熱溶融させた後、光学異方性の有無を観察することにより確認することができる。
【００３６】
（全芳香族液晶ポリエステル樹脂の製造方法）
本発明に係る全芳香族液晶ポリエステル樹脂は、所望により構成単位（Ｉ）〜（ＩＶ）を与えるモノマーを、溶融重合、固相重合、溶液重合およびスラリー重合等、従来公知の方法で重合することにより製造することができる。一実施態様において、本発明に係る全芳香族液晶ポリエステル樹脂は、溶融重合のみによって製造することができる。また、溶融重合によりプレポリマーを作製し、これをさらに固相重合する２段階重合によっても製造することができる。
【００３７】
溶融重合は、本発明に係るポリエステル化合物が効率よく得られる観点から、所望により上記構成単位（Ｉ）〜（ＩＶ）を与えるモノマーを、所定の配合で合わせて１００モル％として、モノマーが有する全水酸基に対し、１．０５〜１．１５モル当量の無水酢酸を存在させて酢酸還流下において行うことが好ましい。
【００３８】
溶融重合とこれに続く固相重合の二段階により重合反応を行う場合は、溶融重合により得られたプレポリマーを冷却固化後に粉砕してパウダー状もしくはフレーク状にした後、公知の固相重合方法、例えば、窒素等の不活性雰囲気下、または真空下において２００〜３５０℃の温度範囲で１〜３０時間プレポリマー樹脂を熱処理する等の方法が好ましくは選択される。固相重合は、攪拌しながら行ってもよく、また攪拌することなく静置した状態で行ってもよい。本発明においては、重合反応の重合条件（温度や時間）を変更することによって、樹脂成形品に関する上記の結晶化度の指標となるエンタルピーΔＨ１を調節することができる。
【００３９】
重合反応において触媒は使用してもよいし、また使用しなくてもよい。使用する触媒としては、ポリエステルの重合用触媒として従来公知のものを使用することができ、酢酸マグネシウム、酢酸第一錫、テトラブチルチタネート、酢酸鉛、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、三酸化アンチモン等の金属塩触媒、Ｎ−メチルイミダゾール等の窒素含有複素環化合物等、有機化合物触媒等が挙げられる。触媒の使用量は、特に限定されるものではないが、モノマーの総量１００重量部に対して、０．０００１〜０．１重量部であることが好ましい。
【００４０】
溶融重合における重合反応装置は特に限定されるものではないが、一般の高粘度流体の反応に用いられる反応装置が好ましく使用される。これらの反応装置の例としては、例えば、錨型、多段型、螺旋帯型、螺旋軸型等、あるいはこれらを変形した各種形状の攪拌翼をもつ攪拌装置を有する攪拌槽型重合反応装置、又は、ニーダー、ロールミル、バンバリーミキサー等の、一般に樹脂の混練に使用される混合装置等が挙げられる。
【００４１】
（他の成分）
本発明による成形品は、本発明の効果を損なわない範囲において、全芳香族液晶ポリエステル樹脂以外の樹脂を含んでいてもよい。例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアリレートおよびポリブチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン樹脂、シクロオレフィンポリマー、ポリ塩化ビニル等のビニル樹脂、ポリアクリレート、ポリメタアクリレートおよびポリメチルメタアクリレート等の（メタ）アクリル樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドおよびポリエーテルイミド等のイミド樹脂、ポリスチレン、高衝撃ポリスチレン、ＡＳ樹脂およびＡＢＳ樹脂等のポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化樹脂、セルロース樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、フッ素樹脂ならびにポリカーボネート樹脂等が挙げられ、成形品は、これらを1種または２種以上含んでいてもよい。
【００４２】
本発明による成形品は、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤、例えば、着色剤、分散剤、可塑剤、酸化防止剤、硬化剤、難燃剤、熱安定剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、界面活性剤を含んでいてもよい。
【００４３】
（樹脂成形品の製造方法）
本発明による樹脂成形品は、上記の全芳香族液晶ポリエステル樹脂および所望によりその他の樹脂や添加剤等を含む樹脂組成物を、従来公知の方法で成形した後、加熱処理（アニーリング）を施して得ることができる。なお、樹脂組成物は、全芳香族液晶ポリエステル樹脂等をバンバリーミキサー、ニーダー、一軸または二軸押出機等を用いて、溶融混練することにより得ることができる。
【００４４】
上記の成形方法としては、例えば、プレス成形、発泡成形、射出成形、押出成形、打ち抜き成形等が挙げられる。上記のようにして製造される成形品は、用途に応じて、様々な形状に加工することができる。成形品の形状としては、例えば、板状やフィルム状等とすることができる。
【００４５】
上記の加熱処理（アニーリング）の温度は、下限値としては、好ましくは「Ｔｍ２−５０℃」以上、より好ましくは「Ｔｍ２−４０℃」以上、さらに好ましくは「Ｔｍ２−３０℃以上、さらにより好ましくは「Ｔｍ２−２０℃」以上、上限値としては、好ましくは「Ｔｍ２＋１０℃」以下、より好ましくは「Ｔｍ２＋５℃」以下、さらに好ましくは「Ｔｍ２」以下、さらにより好ましくは「Ｔｍ２−５℃」以下である。また、例えば、熱処理の時間は、下限値としては、好ましくは３０分以上、１時間以上、より好ましくは２時間以上、であり、上限値としては、好ましくは１０時間以下、より好ましくは５時間以下である。加熱時の雰囲気としては、好ましくは空気雰囲気下、より好ましくは減圧下、さらに好ましくは窒素雰囲気下である。加熱処理の温度、時間、ならびに雰囲気が上記範囲内であれば、上記の結晶化度の指標となるエンタルピーΔＨ１を所望の範囲に調節し易く、また、成形品表面の膨れ（ブリスター）や反りの発生を抑制することもできる。
【００４６】
（電気電子部品）
本発明による電気電子部品は、上記の樹脂成形品を備えてなる。電気電子部品としては、例えば、ＥＴＣ、ＧＰＳ、無線ＬＡＮおよび携帯電話等の電子機器や通信機器に使用されるアンテナ、高速伝送用コネクタ、ＣＰＵソケット、回路基板、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）、積層用回路基板、衝突防止用レーダーなどのミリ波および準ミリ波レーダー、ＲＦＩＤタグ、コンデンサー、インバーター部品、絶縁フィルム、ケーブルの被覆材、リチウムイオン電池等の二次電池の絶縁材、スピーカー振動板等が挙げられる。
【実施例】
【００４７】
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。【００４８】
［試験例１］熱処理による誘電特性の変化検討
試験例１では、様々なモノマー組成の全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、熱処理を施した樹脂成形品の誘電特性の変化を確認した。【００４９】
（実施例１−１）
＜全芳香族液晶ポリエステル樹脂の製造＞
攪拌翼を有する重合容器に、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸（ＨＮＡ）４８モル％、４，４−ジヒドロキシビフェニル（ＢＰ）２３．５モル％、テレフタル酸（ＴＰＡ）２３．５モル％、およびｐ−ヒドロキシ安息香酸（ＨＢＡ）５モル％を加え、触媒として酢酸カリウムおよび酢酸マグネシウムを仕込み、重合容器の減圧−窒素注入を３回行って窒素置換を行った後、無水酢酸（水酸基に対して１．０８モル当量）を更に添加し、１５０℃まで昇温し、還流状態で２時間アセチル化反応を行った。【００５０】
アセチル化終了後、酢酸留出状態にした重合容器を０．５℃／分で昇温して、槽内の溶融体温度が３０７℃になったところで重合物を抜き出し、冷却固化した。得られた重合物を粉砕し目開き２．０ｍｍの篩を通過する大きさに粉砕してプレポリマーを得た。【００５１】
次に、上記で得られたプレポリマーを、ヤマト科学（株）製のオーブンでヒーターにより、温度を室温から１４時間かけて３００℃まで昇温した後、３００℃で温度を２時間保持して固相重合を行った。その後室温で自然放熱し、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。メトラー製の顕微鏡用ホットステージ（商品名：ＦＰ８２ＨＴ）を備えたオリンパス（株）製の偏光顕微鏡（商品名：ＢＨ−２）を用い、全芳香族液晶ポリエステル樹脂試料を顕微鏡加熱ステージ上にて加熱溶融させ、光学異方性の有無から液晶性を確認した。【００５２】
＜樹脂成形品の製造＞
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を融点〜融点＋３０℃条件で加熱溶融、射出成形し、３０ｍｍ×３０ｍｍ×０．４ｍｍの平板状試験片を作製した。得られた平板状試験片にヤマト科学（株）社製イナートオーブンＤＮ４１１Ｉを用いて３０Ｌ／分の窒素フロー下において３１５℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００５３】
（実施例１−２）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ４５モル％、ＢＰ２７．５モル％、ＴＰＡ１９．５モル％、２，６−ナフタレンジカルボン酸（ＮＡＤＡ）８モル％に変更した以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【００５４】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に３００℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００５５】
（実施例１−３）
モノマー仕込みをＨＮＡ５０モル％、ＢＰ２５モル％、ＮＡＤＡ２５モル％に変更し、実施例１−１と同様にアセチル化を行った後、５時間３０分かけて３６０℃まで昇温した。その後、２０分かけて１０ｔｏｒｒまで減圧したところで重合物を抜き出し、冷却固化した。得られた重合物を粉砕し目開き２．０ｍｍの篩を通過する大きさに粉砕して、固相重合せずに得られた全芳香族ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【００５６】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に３００℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００５７】
（実施例１−４）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ５０モル％、ＢＰ２５モル％、ＴＰＡ２２モル％、ＮＡＤＡ３モル％に変更し、固相重合の最終温度を３１０℃、保持時間を１時間にした以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【００５８】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に３２０℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００５９】
（実施例１−５）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ５０モル％、ＢＰ２０モル％、ハイドロキノン（ＨＱ）５モル％、ＴＰＡ２０．５モル％、ＮＡＤＡ４．５モル％に変更した以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【００６０】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に２８５℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００６１】
（実施例１−６）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ５０モル％、ＢＰ２５モル％、ＴＰＡ１９モル％、ＮＡＤＡ６モル％に変更した以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【００６２】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に３０５℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００６３】
（実施例１−７）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ５０モル％、ＢＰ２５モル％、ＴＰＡ１７モル％、ＮＡＤＡ８モル％に変更した以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【００６４】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に２９０℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００６５】
（実施例１−８）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ５０モル％、ＢＰ２５モル％、ＴＰＡ１５モル％、ＩＰＡ２モル％、ＮＡＤＡ８モル％に変更した以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【００６６】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に２８０℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００６７】
（実施例１−９）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ５０モル％、ＢＰ２４モル％、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（ＢｉｓＰＡ）１モル％、ＴＰＡ２０．５モル％、ＮＡＤＡ４．５モル％に変更し、固相重合の最終温度を３００℃、保持時間を１時間にした以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【００６８】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に３０５℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００６９】
（実施例１−１０）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ５０モル％、ＢＰ２３モル％、ＢｉｓＰＡ２モル％、ＴＰＡ２０．５モル％、ＮＡＤＡ４．５モル％に変更し固相重合の最終温度を３００℃、保持時間を１時間にした以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【００７０】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に３００℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００７１】
（実施例１−１１）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ５２モル％、ＢＰ２４モル％、ＴＰＡ１８モル％、ＩＰＡ３モル％、ＮＡＤＡ３モル％に変更した以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【００７２】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に３０５℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００７３】
（実施例１−１２）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ５５モル％、ＢＰ２２．５モル％、ＴＰＡ１８モル％、ＮＡＤＡ４．５モル％に変更した以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【００７４】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に３０５℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００７５】
（実施例１−１３）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ５５モル％、ＢＰ２２．５モル％、ＴＰＡ１８モル％、イソフタル酸（ＩＰＡ）２モル％、ＮＡＤＡ２．５モル％に変更した以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【００７６】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に３１０℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００７７】
（実施例１−１４）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ５５モル％、ＢＰ２０モル％、ＴＰＡ２０モル％、ＨＢＡ５モル％に変更した以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【００７８】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に３１５℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００７９】
（実施例１−１５）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ６０モル％、ＢＰ２０モル％、ＴＰＡ１７モル％、ＮＡＤＡ３モル％に変更し、固相重合の最終温度を２９５℃、保持時間を１時間にした以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【００８０】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に３１５℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００８１】
（実施例１−１６）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ６０モル％、ＢＰ２０モル％、ＴＰＡ１５．５モル％、ＮＡＤＡ４．５モル％に変更し、固相重合の最終温度を２９５℃、保持時間を１．５時間にした以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【００８２】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に３００℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００８３】
（実施例１−１７）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ６０モル％、ＢＰ２０モル％、ＴＰＡ１５．５モル％、ＮＡＤＡ４．５モル％に変更し、固相重合の最終温度を３１０℃、保持時間を１時間にした以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【００８４】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に３００℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００８５】
（実施例１−１８）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ６０モル％、ＢＰ２０モル％、ＴＰＡ１５．５モル％、ＮＡＤＡ４．５モル％に変更し、固相重合の最終温度を３１０℃、保持時間を４時間にした以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【００８６】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に３００℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００８７】
（実施例１−１９）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ６０モル％、ＢＰ２０モル％、ＴＰＡ１１モル％、ＮＡＤＡ９モル％に変更した以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【００８８】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に２９０℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００８９】
（実施例１−２０）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ６５モル％、ＢＰ１７．５モル％、ＴＰＡ８．５モル％、ＮＡＤＡ９モル％に変更した以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【００９０】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に２９０℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００９１】
（実施例１−２１）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ６５モル％、ＢＰ１４．５モル％、メチルハイドロキノン（ＭｅＨＱ）２モル％、ＴＰＡ１６．５モル％、ＨＢＡ２モル％に変更し、固相重合の最終温度を２９５℃、保持時間を１時間にした以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【００９２】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に３００℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００９３】
（実施例１−２２）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ６５モル％、ＢＰ１５モル％、ＴＰＡ１５モル％、ＨＢＡ５モル％に変更し、固相重合の最終温度を３００℃、保持時間を１時間にした以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【００９４】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に３１０℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００９５】
（実施例１−２３）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ７０モル％、ＢＰ１５モル％、ＴＰＡ１２モル％、ＮＡＤＡ３モル％に変更した以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【００９６】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に３１０℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００９７】
（実施例１−２４）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ５５モル％、ＨＱ２４．７５モル％（等量的には２２．５モル％であり、反応におけるモノマー昇華によるロスを考慮して過剰に用いた）、ＴＰＡ５モル％、ＮＡＤＡ１７．５モル％に変更し、固相重合の最終温度を３１０℃、保持時間を１時間にした以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【００９８】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に３００℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【００９９】
（比較例１−１）
モノマー仕込みを、ＢＰ２０モル％、ＴＰＡ１５モル％、ＩＰＡ５モル％、ＨＢＡ６０モル％に変更した以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【０１００】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に３３５℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【０１０１】
（比較例１−２）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ２７モル％、ＨＢＡ７３モル％に変更し、固相重合の最終温度を２７０℃、保持時間を１時間にした以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【０１０２】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に２７０℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【０１０３】
（比較例１−３）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ１０モル％、ＢＰ１０モル％、ＨＱ１５モル％、ＴＰＡ２５モル％、ＨＢＡ４０モル％に変更し、固相重合の最終温度を２８０℃、保持時間を１時間にした以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂を得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の液晶性を確認した。【０１０４】
上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に２８０℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【０１０５】
上記の実施例および比較例で製造した樹脂成形品の全芳香族液晶ポリエステル樹脂のモノマー組成および熱処理条件の一覧を表１に示した。【０１０６】
【表１】
2020003690.tif 000016
【０１０７】
＜性能評価＞
＜示差走査熱量分析（ＤＳＣ）＞
上記の実施例および比較例で得られた熱処理を施した樹脂成形品について、下記の条件で示差走査熱量分析を行った。測定においては熱処理後の成形品の射出成形時の樹脂流入部と反対側の角を２ｍｍ角程度に切り出したものをサンプルとして使用した。昇温過程の１サイクル目および２サイクル目の融点でのエンタルピー変化ΔＨ１およびΔＨ２を測定した。また、昇温過程の１サイクル目および２サイクル目での吸熱ピークの頂点での温度をそれぞれＴｍ１およびＴｍ２とし、Ｔｍ２を融点（℃）とした。
測定条件：昇温速度１０℃／分で３０℃から３６０〜３８０℃まで昇温させる過程と、降温速度１０℃／分で３６０〜３８０℃から３０℃まで降温させる過程とを１サイクルとして、２サイクル行った。【０１０８】
＜誘電正接測定（１０ＧＨｚ）＞
上記の実施例および比較例で得られた熱処理前の平板状試験片および熱処理を施した樹脂成形品についてそれぞれ、キーサイト・テクノロジー社のネットワークアナライザーＮ５２４７Ａを用いて、スプリットポスト誘電体共振器法（ＳＰＤＲ法）により、周波数１０ＧＨｚの面内方向の誘電正接を測定した。なお、各種類のサンプルをＮ＝４ずつ測定し、４回の平均値を表２に示した。【０１０９】
また、樹脂成形品を用いて回路基板を作成した場合、回路基板における誘電損失は、技術文献（高周波用高分子材料の開発と応用、ＣＭＣテクニカルライブラリー２０１、馬場文明監修、１２０頁参照）の記載によると下記式で求められる。
・αＤ＝２７．３×（ｆ/Ｃ）×（Ｅｒ）1/2×ｔａｎδ
αＤ：誘電損失（ｄＢ/ｍ）
ｆ：周波数（Ｈｚ）
Ｃ：光速
Ｅｒ：比誘電率
ｔａｎδ：誘電正接
この式によると、ある周波数における（Ｅｒ）1/2×ｔａｎδの値を材料間で比較することで、材料ごとの誘電損失の低減度合いを知ることができる。そのため、各成形品の比誘電率Ｅｒの値を表２に示す。【０１１０】
＜溶融粘度測定＞
上記の実施例および比較例で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の、せん断速度１０００Ｓ−１における融点＋２０℃での溶融粘度（Ｐａ・ｓ）を、キャピラリーレオメーター粘度計（（株）東洋精機製作所キャピログラフ１Ｄ）と内径１ｍｍキャピラリーを用い、ＪＩＳ  Ｋ７１９９に準拠して測定した。測定結果を表２に示した。なお、測定前に全芳香族液晶ポリエステル樹脂を１５０℃、４時間減圧下で乾燥した。
【０１１１】
【表２】
2020003690.tif 000017
【０１１２】
［試験例２］熱処理条件に対する誘電特性の検討
試験例２では、特定組成を有する樹脂成形品の熱処理条件に対する誘電特性の変化を確認した。
通常、樹脂成形物の熱処理では、成形時の残留応力の影響による成形品のソリや、ガスの発生による製品表面の膨れ（ブリスター）が発生し、製品としての不良を生じうる。一方で本発明による樹脂成形品を用いれば、幅広い熱処理条件において優れた低誘電性を備えた熱処理成形品の良品を得ることができる。【０１１３】
＜樹脂成形品の製造＞
（実施例２−１）
実施例１−１６で得られた平板状試験片に２８０℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【０１１４】
（実施例２−２）
実施例１−１６で得られた平板状試験片に３２５℃で４時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。また、得られた樹脂成形品の表面を目視観察した結果、膨れ（ブリスター）や反りは発生していなかった。【０１１５】
（実施例２−３）
実施例１−２３で得られた平板状試験片に２９０℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【０１１６】
（実施例２−４）
実施例１−２３で得られた平板状試験片に３３５℃で４時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。また、得られた樹脂成形品の表面を目視観察した結果、膨れ（ブリスター）や反りは発生していなかった。【０１１７】
（比較例２−１）
比較例１−１で得られた平板状試験片に３１５℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【０１１８】
（比較例２−２）
比較例１−１で得られた平板状試験片に３６０℃で４時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。また、得られた樹脂成形品の表面を目視観察した結果、膨れ（ブリスター）が発生していた。【０１１９】
（比較例２−３）
比較例１−２で得られた平板状試験片に２５０℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【０１２０】
（比較例２−４）
比較例１−２で得られた平板状試験片に２９５℃で４時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。また、得られた樹脂成形品の表面を目視観察した結果、膨れ（ブリスター）や反りが発生していた。【０１２１】
（比較例２−５）
比較例１−３で得られた平板状試験片に２６０℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【０１２２】
＜性能評価＞
上記の実施例および比較例で得られた熱処理を施した樹脂成形品について、試験例１と同様にして、エンタルピーΔＨ１およびΔＨ２、ならびに温度Ｔｍ１およびＴｍ２を測定した。１０ＧＨｚの誘電特性についても試験例１と同様に各種類のサンプルをＮ＝４ずつ測定し、４回の平均値を表３に示した。また、実施例１−１６および１−２３ならびに比較例１−１〜１−３の測定結果について、参考のために併記した。【０１２３】
【表３】
2020003690.tif 000018
【０１２４】
［試験例３］樹脂混錬物の検討
試験例３では、本発明による樹脂を母材とした樹脂混錬物に対しても熱処理成形品として優れた誘電特性を示すことを確認した。【０１２５】
＜樹脂成形品の製造＞
（実施例３−１）
実施例１−１６で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂９９質量部と、比較例１−２で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂１質量部とを粉体状態で混ぜ、これを株式会社東洋精機製作所社製ラボプラストマイクロを用いて３５０℃で２軸混錬して、樹脂組成物ペレットを得た。得られた樹脂組成物ペレットを用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に３００℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【０１２６】
（実施例３−２）
実施例１−１６で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂９５質量部と、比較例１−２で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂５質量部とを粉体状態で混ぜ、これを株式会社東洋精機製作所社製ラボプラストマイクロを用いて３５０℃で２軸混錬して、樹脂組成物ペレットを得た。得られた樹脂組成物ペレットを用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に３００℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【０１２７】
（実施例３−３）
モノマー仕込みを、ＨＮＡ２モル％、ＨＱ１４モル％、ＮＡＤＡ１４モル％、ＨＢＡ７０モル％に変更した以外は実施例１−１と同様にして、全芳香族液晶ポリエステル樹脂Ａを得た。続いて、上記と同様にして、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂Ａの液晶性を確認した。【０１２８】
次に、実施例１−１６で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂９０質量部と、上記で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂Ａ１０質量部とを粉体状態で混ぜ、これを株式会社東洋精機製作所社製ラボプラストマイクロを用いて３５０℃で２軸混錬して、樹脂組成物ペレットを得た。得られた樹脂組成物ペレットを用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に３００℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【０１２９】
（実施例３−４）
実施例１−１６で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂９９質量部と、非晶性ポリアクリレート樹脂（ユニチカ株式会社製、ＵパウダーＬタイプ）１質量部とを粉体状態で混ぜ、これを株式会社東洋精機製作所社製ラボプラストマイクロを用いて３５０℃で２軸混錬して、樹脂組成物ペレットを得た。得られた樹脂組成物ペレットを用いて、実施例１−１と同様にして、平板状試験片を作製した。続いて、得られた平板状試験片に３００℃で３時間熱処理を施して、熱処理樹脂成形品を得た。【０１３０】
＜性能評価＞
上記の実施例で得られた熱処理を施した樹脂成形品について、試験例１と同様にして、エンタルピーΔＨ１およびΔＨ２、ならびに温度Ｔｍ１およびＴｍ２を測定した。１０ＧＨｚの誘電特性についても試験例１と同様に各種類のサンプルをＮ＝４ずつ測定し、４回の平均値を表４に示した。【０１３１】
【表４】
2020003690.tif 000019
【０１３２】
［試験例４］フィルム形状における検討
試験例４では、熱処理した樹脂成形品がフィルム形状である場合にも優れた誘電特性を示すことを確認した。【０１３３】
＜樹脂成形品の製造＞
（実施例４−１）
実施例１−１６で得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を（株）東洋精機製作所製ラボプラストマイクロで二軸混練し、混錬部温度３６０℃でペレット化して、樹脂ペレットを得た。続いて、得られた樹脂ペレットを使用し、２軸押し出し機（テクノベル社製：ＫＺＷ−３０ＭＧ：ベントなし）により、ダイ幅１２０ｍｍのＴダイから溶融樹脂を押出して、冷却ロールを通過させた後、巻取りロールで巻取って樹脂フィルムを製膜した。製造時の各設定温度は、ダイ温度：３３７℃、混錬部温度３４０℃、ロール温度５０℃、巻取りロールは室温であった。スクリュー回転１５０ｒｐｍ、巻取り速度が３ｍ／分のとき、幅９０ｍｍ、平均膜厚が５０μｍ程度の均一なフィルムが得られた。続いて、得られた樹脂フィルムに３００℃で３時間熱処理を施して、フィルム状の熱処理樹脂成形品を得た。【０１３４】
（比較例４−１）
攪拌翼を有する重合容器に、ＨＮＡ２７モル％およびＨＢＡ７３モル％を加え、触媒として酢酸カリウムを仕込み、重合容器の減圧−窒素注入を３回行って窒素置換を行った後、１５０℃まで昇温し、還流状態で２時間アセチル化反応を行った。その後、３５０℃まで５時間かけて昇温した後、２０分かけて１０Ｔｏｒｒ（即ち１３３０Ｐａ）まで減圧して、低沸分を留出させながら溶液重合を行った。続いて、窒素を導入して減圧状態から常圧を経て加圧状態にして、重合容器の下部から全芳香族液晶ポリエステル樹脂を排出した。メトラー製の顕微鏡用ホットステージ（商品名：ＦＰ８２ＨＴ）を備えたオリンパス（株）製の偏光顕微鏡（商品名：ＢＨ−２）を用い、全芳香族液晶ポリエステル樹脂試料を顕微鏡加熱ステージ上にて加熱溶融させ、光学異方性の有無から液晶性を確認した。【０１３５】
次に、得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂を用いて、実施例４−１と同様にして、樹脂フィルムを得た。続いて、得られた樹脂フィルムに２５０℃で３時間熱処理を施して、フィルム状の熱処理樹脂成形品を得た。【０１３６】
＜性能評価＞
上記の実施例および比較例で得られた熱処理を施したフィルム状の樹脂成形品について、試験例１と同様にして、エンタルピーΔＨ１およびΔＨ２、ならびに温度Ｔｍ１およびＴｍ２を測定した。なお、示差走査熱量分析については各種類のサンプルをＮ＝１ずつ測定した。１０ＧＨｚの誘電特性についても試験例１と同様に各種類のサンプルをＮ＝４ずつ測定し、４回の平均値を表５に示した。【０１３７】
【表５】
2020003690.tif 000020
【０１３８】
［試験例５］熱処理成形品の８１ＧＨｚと３４ＧＨｚでの誘電正接評価と、３４ＧＨｚにおける誘電正接の温度依存性評価
試験例５では、本発明である熱処理を施した樹脂成形品について、様々な周波数において優れた低い誘電正接を示すことを確認した。また、本発明である熱処理を施した樹脂成形品が特定の周波数において各温度帯で優れた低い誘電正接を示し、温度に対する誘電正接の変化率も小さく安定していることを確認した。【０１３９】
＜誘電正接測定（３４および８１ＧＨｚ）＞
実施例１−２、実施例１−１６ならびに比較例１−１および１−２により得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の３０ｍｍ×３０ｍｍ×０．４ｍｍの熱処理済み射出成形平板の中央から１３ｍｍ角の正方形平板を切削して試験片とした。この試験片を、宇都宮大学大学院工学研究科  古神・清水研究室にて温度２５℃、湿度５０％の環境で１００ＧＨｚ用共振器と３６ＧＨｚ用共振器に装荷し、円筒空洞共振器法により、室温で誘電正接を測定した。１００ＧＨｚと３６ＧＨｚ用の共振器を用いたが、実際の測定周波数は材料の共振特性により、８１ＧＨｚ付近と３４ＧＨｚ付近の測定となった。【０１４０】
【表６】
2020003690.tif 000021
【０１４１】
＜３４ＧＨｚにおける誘電正接測定（温度依存性）＞
実施例１−２、実施例１−１６ならびに比較例１−１および１−２により得られた全芳香族液晶ポリエステル樹脂の３０ｍｍ×３０ｍｍ×０．４ｍｍの熱処理済み射出成形平板の中央から１３ｍｍ角の正方形平板を切削して試験片とした。この試験片を、宇都宮大学大学院工学研究科  古神・清水研究室にて３６ＧＨｚ用共振器を用いて円筒空洞共振器法により、下記の手順で誘電正接測定の測定を行った。具体的には、試験片をセットした該共振器を恒温槽に配置し、恒温槽の設定温度を１０５℃に設定後、２時間経過させた。その後、恒温槽を２０℃に設定し、槽内温度を自然降下させ、この時の誘電正接を１℃間隔で測定した。熱処理後の測定サンプルについて、誘電正接の３０℃から１００℃の温度依存性（変化）を図１に示した。また３０℃および１００℃での誘電正接と３０℃から１００℃までの誘電正接の変化率を表７に示した。なお、３６ＧＨｚ用の共振器を用いたが、実際の測定周波数は材料の共振特性により、３４ＧＨｚ付近での測定となった。【０１４２】
【表７】
2020003690.tif 000022
【図１】
2020003690.tif 000023
【国際調査報告】
2020003690.tif 000024
2020003690.tif 000025
2020003690.tif 000026