【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年2月6日(2009.2.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に材料をスパッタリングする半導体製造システムであって、
半導体製造チャンバ内にプラズマ発生領域を有する半導体製造チャンバと、
スパッタリング用の前記材料のターゲットを有する前記チャンバと、
前記チャンバの内部に保持されるコイルであって、エネルギーを前記プラズマ発生領域に結び付けるように位置決めされ、前記基板上に前記スパッタリングターゲット材料の層を形成する為に前記スパッタリングターゲット材料をイオン化するコイルと、
前記コイルに組み合わされたインピーダンス整合ボックスであって、前記コイルに沿った電圧分布を時間平均する為にリアクタンスの供給を変化させる第１回転コア片を有する第１誘導子を持ったインピーダンス整合ボックスと
を含む半導体製造システム。
【請求項２】  前記インピーダンス整合ボックスが第２回転コア片を備えた第２誘導子を有する請求項１に記載のシステム。
【請求項３】  前記第１及び第２回転コア片が互いに相関して方向付けされ、前記第１及び第２回転コア片は、それぞれ前記第１及び第２誘導子内に配置されている請求項２に記載のシステム。
【請求項４】  前記第１及び第２回転コア片が互いに直角に相関して方向付けられた請求項２に記載のシステム。
【請求項５】  更に、回転自在に装着されたシャフトを包含し、前記第１及び第２回転コア片が共に前記シャフトによって保持されている請求項２に記載のシステム。
【請求項６】  更に、前記シャフトを回転させる為に前記シャフトに結合されたモーターを含む請求項５に記載のシステム。
【請求項７】  更に、前記第１回転コア片を回転させるために前記第１回転コア片に結合された第１回転作動装置と、前記第２回転コア片を回転させる為に前記第２回転コア片に結合された第２回転作動装置を含む請求項２に記載のシステム。
【請求項８】  前記第２作動装置が前記第２回転コア片の予め定められた回転を供することにより、前記第２誘導子の第２誘導リアクタンスを変化させ、前記第１作動装置による前記第１誘導子の前記第１回転コア片が回転することによって生じた第１誘導リアクタンスにおける第１変化を補償して、前記第１及び第２誘導リアクタンスの合計値を実質的に一定に維持する請求項７に記載のシステム。
【請求項９】  前記第２作動装置がプログラム可能なステップモーターを含む請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】  前記第１回転コア片が実質的に強磁性体からなる請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】  前記第１回転コア片が電気的伝導体からなる請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】  前記第１回転コア片が銅の成形品である請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】  前記第２回転コア片が前記第１回転コア片に機械的に連結している請求項２に記載のシステム。
【請求項１４】  半導体製造システムであって、
半導体製造チャンバ内にプラズマ発生領域を有する半導体製造チャンバと、
前記チャンバの内部に保持され、前記プラズマ発生領域にエネルギーを結び付ける様に位置決めされ、前記プラズマ発生領域にプラズマを維持する為のコイルであって、前記コイルに沿って分布した複数の電圧を有するコイルと、
前記コイルに結合されたリアクタンス手段であって、前記コイルに沿って前記電圧分布を連続的に変化させる為に、第１誘導子と前記第１誘導子内に位置決めされた第１回転コアと前記第１回転コアを回転させる手段とを有するリアクタンス手段と
を含む半導体製造システム。
【請求項１５】  前記リアクタンス手段が、前記第１回転コアを回転させることによって、前記コイルに沿って前記電圧分布を周期的に変化させるようにした請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】  更に、ＲＦ発生装置と前記発生装置と前記コイルとの間に結合された、連続可変の第２誘導子とを含む請求項１４に記載のシステム。
【請求項１７】  前記第２誘導子が第２回転コアを有する請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】  前記第１回転コアが機械的に前記第２回転コアに連結され、それによって前記第２回転コアの回転が前記第１回転コアの回転に対応しているようにした請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】  前記リアクタンス手段が更に前記第１及び第２回転コアを同一回転させるためのモーターを含む請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】  前記第１及び第２誘導子のインダクタンスの合計が前記第１及び第２回転コアの回転中に本質的に一定であるように前記第１回転コアが前記第２回転コアと機械的に連結している請求項１７に記載のシステム。
【請求項２１】  半導体製造システムであって、
半導体製造チャンバ内にプラズマ発生領域を有する前記チャンバと、
前記チャンバの内部に保持され、エネルギーを前記プラズマ発生領域と結び付けるように位置決めされ、前記プラズマ発生領域にプラズマを維持するためのコイルであって、前記コイルに沿って分布した複数の電圧を有するコイルと、
前記コイルと接地導体間を結合した第１誘導子と、
前記コイルに沿って電圧分布を変化させるように前記第１誘導子のインダクタンスを変化させるためのコア回転手段と、
を含む半導体製造システム。
【請求項２２】  前記コア回転手段が、第１回転コアと、前記第１誘導子内で前記第１回転コアを回転させる手段とを含む請求項２１に記載のシステム。
【請求項２３】  更に、前記コイルに結合されたＲＦ発生装置と、前記発生装置と前記コイルの間に結合された第２誘導子とを含む請求項２２に記載のシステム。
【請求項２４】  前記第２誘導子が第２回転コアを有し、且つ前記コア回転手段が、前記第２誘導子内の前記第２回転コアを回転する為の手段を含む請求項２３に記載のシステム。
【請求項２５】  コア回転手段が、前記第２誘導子内で前記第２回転コアを回転させるのと同時に、前記第１誘導子内で前記第１回転コアを回転させる手段を含む請求項２４に記載のシステム。
【請求項２６】  前記コア回転手段が、前記第１誘導子内で前記第１回転コアを回転させ、且つ前記第２誘導子内で前記第２回転コアを回転させ、前記第１及び第２誘導子のインダクタンスを互いに補足変換する請求項２４に記載のシステム。
【請求項２７】  前記コア回転手段が、前記第１誘導子内で前記第１回転コアを回転させ、且つ前記第２誘導子内で前記第２回転コアを回転させ、前記第１及び第２誘導子のインダクタンスの合計を実質的に一定に維持する請求項２４に記載のシステム。
【請求項２８】  前記コア回転手段が、前記第１及び第２回転コアが同一回転をするように前記第１及び第２回転コアを機械的に結合する連結装置を含む請求項２４に記載のシステム。
【請求項２９】  ＲＦ発生装置を使用する半導体製造システムであって、
半導体製造チャンバ内にプラズマ発生領域を有する前記チャンバと、
前記チャンバの内部に保持されるコイルであって、エネルギーを前記プラズマ発生領域に結び付け前記プラズマ発生領域にプラズマを維持するように位置決めされ、前記コイルは第１終端と第２終端を有し、前記第１終端が前記ＲＦ発生装置に結合されることに適合した前記コイルと、
前記コイル第２終端と接地導体間に結合された第１可変誘導子であって、前記第１誘導子内で回転することに適合した第１コアを有する前記第１誘導子と、
前記コイル第１終端と前記ＲＦ発生装置間に結合された第２可変誘導子であって、前記第２誘導子内で回転することに適合した第２コアを有し、前記第２コアは前記第１コアに機械的に結合されていて、前記第１及び第２コアが同一回転をするようにした前記第２誘導子と
を含む半導体製造システム。
【請求項３０】  半導体基板上に材料をスパッタリングする為の半導体製造方法であって、
半導体製造チャンバの内部に保持されたコイルの励磁であって、前記チャンバは前記チャンバ内にプラズマ発生領域を有し、前記チャンバはスパッタリング用前記材料のターゲットを有し、前記コイルはエネルギーを前記プラズマ発生領域に結びつける様に位置決めされ、前記スパッタリングターゲット材料をイオン化して前記基板上に前記スパッタリングターゲット材料の層を形成するためのコイルを励磁する工程と、
前記コイルに沿った電圧分布を時間平均するために、前記コイルに接続されたインピーダンス整合ボックスの第１調整可能誘導子の第１コア片を回転させる工程と
を含む半導体製造方法。
【請求項３１】  更に、前記インピーダンス整合ボックスの第２調整可能誘導子の第２コア片を回転させる工程を含む請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】  前記第２コア片が、前記第１調整可能誘導子の第１誘導リアクタンスにおける第１の変化を、前記第２調整可能誘導子の第２誘導リアクタンスにおける第２の変化によって補償をして、前記第１および第２誘導リアクタンスの合計値を実質的に一定に保つ請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】  前記第１及び第２調整可能誘導子が実質的に同一のものである請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】  前記第１コア片が実質的に強磁性体である請求項３０に記載の方法。
【請求項３５】  前記第１コア片が実質的に電気伝導体である請求項３０に記載の方法。
【請求項３６】  前記第２コア片が前記第１コア片に機械的に結合されている請求項３１に記載の方法。
【請求項３７】  半導体製造方法であって、
半導体製造チャンバの内部に保持されたコイルの励磁であって、前記チャンバは前記チャンバ内にプラズマ発生領域を有し、前記コイルはエネルギーを前記プラズマ発生領域に結び付ける様に位置決めされ、前記プラズマ発生領域にプラズマを維持するべく前記コイルを励磁する工程と、
前記コイルに沿って電圧分布を変化させるために、前記コイルに結合された第１誘導子のコアを回転させる工程と
を含む半導体製造方法。
【請求項３８】  更に、前記コイルに結合された第２誘導子のコアを回転させる工程を含む請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】  前記第２誘導子のコアの回転が前記第１誘導子のコアの回転と同時に起こる請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】  前記第１及び第２誘導子のインダクタンスの合計が実質的には一定に維持される請求項３８に記載の方法。
【請求項４１】  半導体製造方法であって、
半導体製造チャンバの内部に保持されたコイルの励磁であって、前記チャンバは前記チャンバ内にプラズマ発生領域を有し、前記コイルはエネルギーを前記プラズマ発生領域に結び付ける様に位置決めされ、前記プラズマ発生領域にプラズマを維持し、更に、前記コイルは前記コイルに沿って分布した複数の電圧を有している、前記コイルを励磁する工程と、
前記コイルに沿って前記電圧の分布を変化させる為に、前記コイルに結合された誘導子のコアを周期的且つ連続的に回転させる工程と
を含む半導体製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】半導体製造システム及び半導体製造方法
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
図４は誘導子３２０のインピーダンスが蒸着期間に変化するとき、ＲＦ電圧分布がいかにＲＦコイルに沿いシフトされるかを推量する一例を示す線図である。図４では、ＲＦコイル１０４のピークピークＲＦ電圧Ｖppがコイル角度α（図２）で表される単巻ＲＦコイル１０４上の位置関数として示されるが、ここでコイル角度α=０°はＲＦコイルの一端ｄ（図３）に対応し、コイル角度α=３６０°は各ＲＦ貫通接続部がＲＦコイルに接続されるＲＦコイル１０４の一端ｂに対応する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７８】
図に記載の実施形態にあっては、誘導子３１８のインダクタンスが中間値ＭＬにあるとき、誘導子３１８の可変インダクタンスＬtune1の中間値ＭLはＲＦ電圧のゼロ点がＲＦコイル１０４の二端ｂ、ｄ間にあって、ＲＦコイル１０４上のほぼ中間点（図８にＭｃで示す）に位置するよう選択することが好ましい。誘導子３１８のインダクタンスＬtune1の変化総量△ＬがＲＦコイル１０４の端部ｂ、ｄを超えたところにあるＲＦ電圧ゼロ点の掃引に十分であることが更に好ましい。このような構成はＲＦコイル１０４の端部ｂ、ｄに隣接する各コイル位置でのＲＦゼロ点の停滞時間をＲＦコイル中間点Ｍｃに隣接する各コイル位置でのＲＦゼロ点に一層厳密に一致させると考えられる。その結果、時間平均されたＲＦ電圧分布はＲＦコイルの各端部を含むコイルの全長に亘り一層均一にすることができると考えられる。多くの用途にあって、ＲＦコイルの各端をコイル全長の約５〜３０％に等しい距離だけ超えたＲＦ電圧ゼロ点を掃引すると好ましい結果が得られるであろうと考えられる。