(57)【要約】  応力センサ（１０）は、第１強磁性層（３１）、第１非磁性層（３０）、第２強磁性層（３２）、及び反強磁性層（３３）を積層してなる積層体を含む応力検出層（３）を備える。反強磁性層（３３）は、Ｍｎを含み、第２強磁性層（３２）の磁化方向は、反強磁性層（３３）との交換結合によって生み出される交換バイアスによって固定されている。応力センサ（１０）は、外部から加えられた応力に依存して変化する第１強磁性層（３１）及び第２強磁性層（３２）の磁化方向の相対角度に依存した電気抵抗によって応力を検出する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１強磁性層、第１非磁性層、第２強磁性層、及び反強磁性層を積層してなる積層体を含む応力検出層を備え、
前記反強磁性層は、Ｍｎを含み、
前記第２強磁性層の磁化方向は、前記反強磁性層との交換結合によって生み出される交換バイアスによって固定され、
外部から加えられた応力に依存して変化する前記第１強磁性層及び前記第２強磁性層の磁化方向の相対角度に依存した電気抵抗によって応力を検出する、
応力センサ。
【請求項２】
前記第１強磁性層及び前記第２強磁性層は、応力が加えられていない初期状態において、磁化方向が互いに平行あるいは反平行配列している、
請求項１に記載の応力センサ。
【請求項３】
前記応力検出層は、前記積層体に加えて、第３強磁性層、第２非磁性層、及び第４強磁性層をさらに備え、
前記第３強磁性層の磁化方向は、前記反強磁性層との交換結合によって生み出される交換バイアスによって固定される、
請求項１又は２に記載の応力センサ。
【請求項４】
前記応力検出層を支持する基板をさらに有する、
請求項１から３のいずれか１項に記載の応力センサ。
【請求項５】
前記基板は、フレキシブル基板である、
請求項４に記載の応力センサ。
【請求項６】
前記第１強磁性層は、前記第１非磁性層の前記基板側に設けられ、
前記第２強磁性層及び前記反強磁性層は、前記第１非磁性層の前記基板側とは反対側に設けられる、
請求項４又は５に記載の応力センサ。
【請求項７】
前記第１強磁性層及び前記第２強磁性層は、金属の磁性体からなる、
請求項１から６のいずれか１項に記載の応力センサ。
【請求項８】
前記第１強磁性層及び前記第２強磁性層は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ又はそれらのうち少なくとも１つを含む合金からなる、
請求項７に記載の応力センサ。
【請求項９】
前記第１非磁性層は、金属、絶縁体、又はこれらの組合せからなる、
請求項１から８のいずれか１項に記載の応力センサ。
【請求項１０】
第１強磁性層を設ける工程と、
非磁性層を設ける工程と、
第２強磁性層を設ける工程と、
反強磁性層を設ける工程と、
少なくとも第２強磁性層及び前記反強磁性層を磁界中でアニールする工程と、
を備える応力センサの製造方法であって、
前記磁界中でアニールする工程は、被処理物を磁界中で熱処理したのちにさらに磁界中で室温に冷却する工程を含み、
前記磁界中でアニールする工程において、前記第２強磁性層と前記反強磁性層との間に交換結合が形成され、前記交換結合によって生み出される交換バイアスによって前記第２強磁性層の磁化方向が固定され、
前記応力センサは、外部から加えられた応力に依存して変化する前記第１強磁性層及び前記第２強磁性層の磁化方向の相対角度に依存した電気抵抗によって応力を検出する、
応力センサの製造方法。
【請求項１１】
フレキシブル基板を準備する工程をさらに備え、
前記第１強磁性層、前記非磁性層、前記第２強磁性層、及び前記反強磁性層は、それぞれ前記フレキシブル基板の上方に成膜され、
前記磁界中でアニールする工程において、前記フレキシブル基板も一緒にアニールされる、
請求項１０に記載の応力センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、応力センサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、応力の大きさに応じた素子の変形量に相関する抵抗値変化をもって応力を検出する応力センサが知られている（例えば、特許文献１）。【０００３】
特許文献１には、応力のベクトル方向を検出可能な応力センサの一例であって、第１磁性層、第１非磁性層、及び第２磁性層を積層してなる積層体を含む応力検出層を有し、第１磁性層及び第２磁性層は互いに異なる磁気弾性結合定数を有し、外部から加えた応力に依存して変化する第１磁性層及び第２磁性層の磁化方向の相対角度に依存した電気抵抗によって応力を検出する応力センサが開示されている。また、特許文献１には、第１磁性層及び第２磁性層のうち一方が外部から加えられた応力に依存する磁化方向の変化が小さい歪鈍感層であり、他方は外部から加えられた応力に依存する磁化方向の変化が大きい歪敏感層である応力センサが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１８／１５１０８３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の応力センサにおいては、歪みが加わると歪鈍感層の単磁区状態が維持しにくくなる場合がある。歪鈍感層の単磁区状態を安定させるために補助磁界を加えると、歪敏感層の磁化方向が補助磁界に影響されて変化しにくくなる場合がある。これらの場合、歪み方向に対する磁化方向の相対角度の変化が不安定となり動作安定性が低下するという課題が生じる。【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、動作安定性の向上した応力センサ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係る応力センサは、第１強磁性層、第１非磁性層、第２強磁性層、及び反強磁性層を積層してなる積層体を含む応力検出層を備え、反強磁性層は、Ｍｎを含み、第２強磁性層の磁化方向は、反強磁性層との交換結合によって生み出される交換バイアスによって固定され、外部から加えられた応力に依存して変化する第１強磁性層及び第２強磁性層の磁化方向の相対角度に依存した電気抵抗によって応力を検出する。【０００８】
本発明の他の一態様に係る応力センサの製造方法は、第１強磁性層を設ける工程と、非磁性層を設ける工程と、第２強磁性層を設ける工程と、反強磁性層を設ける工程と、少なくとも第２強磁性層及び反強磁性層を磁界中でアニールする工程と、を備える応力センサの製造方法であって、磁界中でアニールする工程は、被処理物を磁界中で熱処理したのちにさらに磁界中で室温に冷却する工程を含み、磁界中でアニールする工程において、第２強磁性層と反強磁性層との間に交換結合が形成され、交換結合によって生み出される交換バイアスによって第２強磁性層の磁化方向が固定され、応力センサは、外部から加えられた応力に依存して変化する第１強磁性層及び第２強磁性層の磁化方向の相対角度に依存した電気抵抗によって応力を検出する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、動作安定性の向上した応力センサ及びその製造方法が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態に係る応力センサの構成を概略的に示す断面図である。
【図２】低抵抗状態における磁化方向の一例を概略的に示す断面図である。
【図３】高抵抗状態における磁化方向の一例を概略的に示す断面図である。
【図４】第１実施形態に係る応力センサの製造方法を概略的に示すフローチャートである。
【図５】第１実施形態の実施例に係る応力センサの構成を概略的に示す断面図である。
【図６】第１実施形態の実施例に係る応力センサの歪方向と磁化方向の関係を示す図である。
【図７】第１実施形態の実施例と比較例における歪量と抵抗変化率の関係を示すグラフである。
【図８】第２実施形態に係る応力センサの構成を概略的に示す断面図である。
【図９】第３実施形態に係る応力センサの構成を概略的に示す断面図である。
【図１０】第４実施形態に係る応力センサの構成を概略的に示す断面図である。
【図１１】第５実施形態に係る応力センサの構成を概略的に示す断面図である。
【図１２】第６実施形態に係る応力センサの構成を概略的に示す断面図である。
【図１３】第７実施形態に係る応力センサの構成を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の構成要素は同一又は類似の符号で表している。図面は例示であり、各部の寸法や形状は模式的なものであり、本発明の技術的範囲を当該実施形態に限定して解するべきではない。
【００１２】
＜第１実施形態＞
図１を参照しつつ、本発明の第１実施形態に係る応力センサ１０の構成について説明する。第１実施形態に係る応力センサの構成を概略的に示す断面図である。
【００１３】
図１に示すとおり、応力センサ１０は、基板１と、基板１の上に形成された下地層２と、下地層２の上に形成された応力検出層３と、応力検出層３の上に形成された保護層４と、保護層４の上であって互いに離れた位置に形成された電極５ａ及び電極５ｂとを備える。
【００１４】
基板１は、樹脂基板からなり、中でも、可擁性や伸縮性を有するフレキシブル基板を用いると、人体の動きを感知するセンサなどの用途に用いることができる。このようなフレキシブル基板として、例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミドなどからなる基板が用いられる。基板１は、応力検出層３のアニールの実施可能性の観点から好ましくは高い耐熱性を有し、応力検出層３の各層の結晶配向性を向上させる観点及び各層の界面の平坦性を向上させる観点から好ましくは高い平坦性を有する。
【００１５】
下地層２は、応力検出層３の結晶配向性を決め、また応力検出層３と基板１との密着性を高めるものであり、非磁性体であればよい。例えば、下地層２は、３ｄ，４ｄ，５ｄ遷移金属非磁性体である、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕなどからなる。下地層２は、種類の異なる金属層を積層したものでもよい。また、検出電流が下地層２を通過しなくてもよい構成の場合、下地層２は絶縁体により構成されてもよく、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムや酸化マグネシウムであってもよい。
【００１６】
応力検出層３は、基板１側（下層）から順に、第１強磁性層３１、第１非磁性層３０、第２強磁性層３２、及び反強磁性層３３からなる積層体を備える。なお、応力検出層３は、第２強磁性層３２と反強磁性層３３との積層によって第２強磁性層３２に及ぼされる交換バイアス磁界（Ｈｅｂ）を強める層や、第１強磁性層３１と第２強磁性層３２との層間結合磁界（Ｈｉｎ）を弱める層や、第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２の磁化方向の相対角度に依存した電気抵抗の変化率を増大させるための層など、図１に図示しない層を備えてもよい。これらの図示しない層は、積層体の外部に設けられてもよく、積層体の内部、すなわち、第１強磁性層３１と第１非磁性層３０との層間、第１非磁性層３０と第２強磁性層３２との層間、又は、第２強磁性層３２と反強磁性層３３との層間に設けられてもよい。
【００１７】
応力検出層３の各層の膜厚は、３０ｎｍ以下に設定される。各層の膜厚を３０ｎｍ以下と薄くすることにより、応力検出層３は、応力の存在により伸縮し、応力がなくなれば元に復元する特性を発揮することができる。
【００１８】
第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２は互いに異なる磁気弾性結合定数Ｂを有する。第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２の磁化方向（磁気モーメントの向き）は、応力が加えられていない初期状態で平行、あるいは反平行に配列している。言い換えると、第１強磁性層３１の磁化方向と第２強磁性層３２の磁化方向とがなす角度（以下、「磁化方向の相対角度」とする。）は、初期状態では０°あるいは１８０°である。但し、初期状態における磁化方向の相対角度は上記に限定されるものではなく、０°よりも大きく１８０°よりも小さくてもよい。
【００１９】
第１強磁性層３１は歪敏感層であり、第２強磁性層３２は歪鈍感層である。歪鈍感層とは、応力（歪）が加わった場合でも歪鈍感層の磁化方向が実質的に変化しない層であり、歪敏感層とは、応力（歪）が加わった場合に歪敏感層の磁化方向が歪方向に対して平行または垂直に向く層をいう。磁気弾性結合定数Ｂが正の場合には歪敏感層の磁化方向が歪方向に対して平行に向き、磁気弾性結合定数Ｂが負の場合には歪敏感層の磁化方向が歪方向に対して垂直に向くこととなる。歪敏感層との相対値から定義すると、歪鈍感層は、歪敏感層よりもその磁気弾性結合定数Ｂの絶対値が十分に小さく、好ましくは、歪鈍感層の磁気弾性結合定数Ｂの絶対値は、歪敏感層の磁気弾性結合定数Ｂの絶対値の１／５以下と定義される。また、磁気弾性結合定数Ｂの絶対値から定義すると、歪鈍感層の磁気弾性結合定数の絶対値は実質的に０であることが好ましく、具体的には、好ましくは０．５ＭＪ／ｍ３以下、さらに好ましくは０．４ＭＪ／ｍ３以下、さらに好ましくは０．３ＭＪ／ｍ３以下、さらに好ましくは０．２ＭＪ／ｍ３以下、さらに好ましくは０．１ＭＪ／ｍ３以下であり、できる限り０に近いことが好ましい。また好ましくは、歪敏感層の磁気弾性結合定数Ｂの絶対値は、１ＭＪ／ｍ３以上である。なお、応力（歪）とは、引張、圧縮、たわみ、などの各種応力を含む。
【００２０】
第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２を含めた磁性層は、それぞれ、金属（合金を含む）の強磁性体からなり、好ましくは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの３ｄ遷移金属又はそれらのうち少なくとも１つを含む合金（３ｄ遷移金属合金）からなる。第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２は、それぞれ、種類の異なる金属磁性層を積層したものでもよい。
【００２１】
第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２は、同一の磁性材料で構成されていても異なる磁性材料で構成されていてもよい。また、第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２は、同一の厚さであっても異なる厚さであってもよい。また、他の強磁性層（例えば、後述する第３強磁性層）を備える場合、当該他の強磁性層は第１強磁性層３１又は第２強磁性層３２と同一材料で構成されていてもよく、第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２とは異なる材料で構成されていてもよい。また、当該他の強磁性層は第１強磁性層３１又は第２強磁性層３２と同じ厚さであってもよく、第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２とは異なる厚さであってもよい。
【００２２】
反強磁性層３３は、第２強磁性層３２との交換結合によって生み出される交換バイアスによって第２強磁性層３２の磁化方向を固定する。つまり、第２強磁性層３２に交換バイアス磁界（Ｈｅｂ）が加わる。交換バイアスは歪鈍感であるため、第２強磁性層３２と反強磁性層３３とを積層することにより、結果として第２強磁性層３２を歪鈍感とならしめる。したがって、第２強磁性層３２は、反強磁性層３３が存在しなければ第１強磁性層３１と同等かそれ以上の磁気弾性結合定数Ｂを有することとなる材料や形状・寸法に設定されたとしても、歪鈍感層として機能させられる。
【００２３】
反強磁性層３３は、Ｍｎを含む反強磁性体からなり、好ましくはＦｅＭｎ、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎなどのＭｎ合金からなる。なお、後述する第７実施形態のように検出電流が反強磁性層３３を通過しなくてもよい構成の場合、反強磁性層３３の材料は金属（合金）に限定されるものではなく、絶縁体であってもよい。
【００２４】
第１非磁性層３０は、非磁性体であればよく、３ｄ，４ｄ，５ｄ遷移金属非磁性体、例えば、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕ、Ｃｒ、Ａｇなどからなる。また、第１非磁性層３０は絶縁体であってもよく、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムや酸化マグネシウムなどからなってもよい。第１非磁性層３０の厚さは１０ｎｍ以下である。また、他の非磁性層（例えば、後述する第２非磁性層）を備える場合、当該他の非磁性層は第１非磁性層３０と同一材料で構成されていても異なる材料で構成されていてもよいし、同じ厚さであっても異なる厚さであってもよい。
【００２５】
保護層４は、応力検出層３を保護するものであり、非磁性体であればよい。例えば、保護層４は、３ｄ，４ｄ，５ｄ遷移金属非磁性体である、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕ、Ｒｕなどからなる。保護層４は、種類の異なる金属層を積層したものでもよい。また、後述する第７実施形態のように検出電流が保護層４を通過しない場合、保護層４は絶縁体により構成されていてもよく、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムなどによって構成されてもよい。
【００２６】
電極５ａ，５ｂの材料に限定はなく、例えばＰｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉなどからなる金属又はこれらの金属を含む導電体が使用される。電極５ａ，５ｂを通じて応力検出層３に電流が供給され、応力検出層３の電気抵抗値が検出される。本実施形態では、応力検出層３の上部に互いに離れて形成された電極５ａと電極５ｂとの間に電圧を印加することで、結果的に応力検出層の全ての層に電流が流れ込むことから、後述する巨大磁気抵抗効果を検出可能である。
【００２７】
次に、図２及び図３を参照しつつ、第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２の磁化方向の相対角度と電気抵抗の関係について説明する。図２は、低抵抗状態における磁化方向の一例を概略的に示す断面図である。図３は、高抵抗状態における磁化方向の一例を概略的に示す断面図である。
【００２８】
第１強磁性層３１の磁化方向（磁気モーメント）をＭ１とし、第２強磁性層３２の磁化方向（磁気モーメント）をＭ２とする。第２強磁性層３２及び反強磁性層３３の互いに対向する表面の磁化が交換結合ＣＰを形成し、反強磁性層３３と第２強磁性層３２とを積層することによって第２強磁性層３２に及ぼされる交換バイアス磁界（Ｈｅｂ）に従って、第２強磁性層３２の磁化方向Ｍ２が一方向に固定される。
【００２９】
図２に示すように、磁化方向Ｍ１と磁化方向Ｍ２とが平行配列され、第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２の磁化方向の相対角度（Ｍ１とＭ２とが成す角度）が０°であるとき、応力検出層３が低抵抗状態となる。また、図３に示すように、磁化方向Ｍ１と磁化方向Ｍ２とが反平行配列され、第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２の磁化方向の相対角度（Ｍ１とＭ２とが成す角度）が１８０°であるとき、応力検出層３は高抵抗状態となる。
【００３０】
本実施形態に係る応力センサ１０では、応力検出層３の全ての層に流れ込む検出電流Ｉｄの大きさによって応力検出層３の電気抵抗値を検出する。この電気抵抗値は、第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２の磁化方向の相対角度に応じて変化する。図２に示すように第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２の磁化方向の相対角度が０°となった低抵抗状態の場合、第１強磁性層３１と第２強磁性層３２との間での電子の界面散乱が減少し、検出電流Ｉｄの大きさが最大（電気抵抗値が最小）となる。図３に示すように第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２の磁化方向の相対角度が１８０°となった高抵抗状態の場合、第１強磁性層３１と第２強磁性層３２との間での電子の界面散乱が増大し、検出電流Ｉｄの大きさが最小（電気抵抗値が最大）となる。第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２の磁化方向の相対角度が０°よりも大きく１８０°よりも小さい中間状態の場合、検出電流Ｉｄの大きさは低抵抗状態よりも大きく高抵抗状態よりも小さい値であり、当該磁化方向の相対角度に依存した値となる。このように、第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２の磁化方向の相対角度に応じて、応力検出層３の電気抵抗値は異なる値となる。これはいわゆる巨大磁気抵抗効果（２００７年ノーベル物理学賞）である。本実施形態に係る応力センサ１０は、この巨大磁気抵抗効果を利用したものである。
【００３１】
一例として、初期状態において、第１強磁性層３１の磁化方向Ｍ１は、第２強磁性層３２の磁化方向Ｍ２に対して平行配列（図２の低抵抗状態）、あるいは反平行配列（図３の高抵抗状態）となるように設計されている。この状態で、応力センサ１０の面内に応力が作用すると、反強磁性層３３との交換結合によって生み出される歪鈍感な交換バイアスによって固定された第２強磁性層３２の磁化方向Ｍ２は安定しており変化しないのに対し、第１強磁性層３１の磁化方向Ｍ１は歪みに対して敏感に反応して変化する。具体的には、第１強磁性層３１の磁化方向Ｍ１は、第１強磁性層３１の歪み方向（伸長方向）に対して、磁気弾性結合定数Ｂが正の場合には平行に配列し、磁気弾性結合定数Ｂが負の場合には垂直に配列する。すなわち、歪み方向（応力方向）に依存して第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２の磁化方向の相対角度が変化し、巨大磁気抵抗効果により当該磁化方向の相対角度に応じた電気抵抗値を示すこととなる。この電気抵抗値を電極５ａ，５ｂにより検出電流Ｉｄの大きさとして検出することにより、第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２の磁化方向の相対角度を検出でき、歪みのベクトル方向を検出することができる。なお、第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２の磁化方向の相対角度の測定方法は上記に限定されるものではなく、例えば、応力検出層３に一定電流を印加して第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２の磁化方向の相対角度に依存した電圧変化を検出し、当該電圧変化から歪みのベクトル方向を検出してもよい。
【００３２】
以上のように、第１実施形態に係る応力センサによれば、第２強磁性層の磁化方向が反強磁性層との交換結合により生み出される歪鈍感な交換バイアスによって固定される。これにより、歪み測定時の第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２の磁化方向の相対角度が安定し、応力センサ１０の動作安定性が向上する。また、第２強磁性層は反強磁性層との間で交換結合を形成するものであればよいため、第２強磁性層の材料選択や形状・寸法などの設計自由度が向上する。例えば、第１強磁性層と第２強磁性層とが同じ材料且つ同じ形状であっても、応力センサを機能させることができる。
【００３３】
（製造方法）
次に、図４を参照しつつ、第１実施形態に係る応力センサ１０の製造方法について説明する。図４は、第１実施形態に係る応力センサの製造方法を概略的に示すフローチャートである。
【００３４】
まず、フレキシブル基板を準備する（Ｓ１１）。次に、フレキシブル基板の上に下地層を設ける（Ｓ１２）。次に、下地層の上に第１強磁性層を設ける（Ｓ１３）。次に、第１強磁性層の上に第１非磁性層を設ける（Ｓ１４）。次に、第１非磁性層の上に第２強磁性層を設ける（Ｓ１５）。次に、第２強磁性層の上に反強磁性層を設ける（Ｓ１６）。以上、工程Ｓ１３から工程Ｓ１６までが応力検出層の製造工程に相当する。次に、反強磁性層の上にキャップ層を設ける（Ｓ１７）。工程Ｓ１２〜Ｓ１７における各層を設ける方法は特に限定されるものではなく、例えば、スパッタリング法や分子線エピタキシ法（ＭＢＥ）などの物理蒸着法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）や、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）や原子層堆積法（ＡＬＤ）などの化学蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）など、各種蒸着法から適宜選択可能である。
【００３５】
キャップ層を設ける工程Ｓ１７の次には、電極を設ける工程や素子形状に加工する工程が実施される。なお、電極を設ける工程や素子形状に加工する工程は、後述する磁界中でアニールする工程Ｓ１８の次に実施されてもよい。
【００３６】
次に、応力検出層をフレキシブル基板と一緒に磁界中（「外部磁界が印加された状態」ともいう。）でアニールする（Ｓ１８）。本工程Ｓ１８においては、被処理物（第２強磁性層及び反強磁性層）を磁界中で熱処理したのちにさらに磁界中で室温に冷却する。具体的には、磁界中でアニールする工程Ｓ１８は、真空中の被処理物に外部磁界を印加する工程と、外部磁界が印加された状態の被処理物を処理温度まで加熱する工程と、外部磁界が印加された状態の被処理物を処理時間の間だけ処理温度に保持する工程と、外部磁界が印加された状態の被処理物を室温に冷却する工程と、を含む。ここでいう室温は、例えば、０℃〜４０℃程度である。好ましくは、外部磁界は０．０５Ｔ〜３Ｔ、処理温度は１５０℃〜５００℃、処理時間は１０分〜１２０分の範囲で条件設定される。より好ましくは、外部磁界は０．２Ｔ〜２Ｔ、処理温度は２００℃〜４５０℃、処理時間は３０分〜６０分の範囲で条件設定される。磁界中でアニールする工程Ｓ１８によって、第２強磁性層と反強磁性層との間に交換結合が形成され、第２強磁性層に及ぼされる交換バイアス磁界（Ｈｅｂ）に従って第２強磁性層の磁化方向が固定される。以上に説明したように、フレキシブル基板に応力検出層が成膜可能であり且つフレキシブル基板と一緒に第２強磁性層及び反強磁性層がアニール可能である場合、アニールされた応力検出層をフレキシブル基板に転写する製造方法に比べて、製造工程を簡略化できる。
【００３７】
磁界中でアニールする工程Ｓ１８では、少なくとも第２強磁性層及び反強磁性層を磁界中でアニールできればよく、キャップ層を設ける工程Ｓ１７の前に磁界中でアニールする工程Ｓ１８が実施されてもよい。
【００３８】
（第１実施形態の実施例）
以下、図５〜図７を参照しつつ、本発明の第１実施形態に係る応力センサの実施例について説明する。図５は、第１実施形態の実施例に係る応力センサの構成を概略的に示す断面図である。図６は、第１実施形態の実施例に係る応力センサの歪方向と磁化方向の関係を示す図である。図７は、第１実施形態の実施例と比較例におけるひずみ量と抵抗変化率の関係を示すグラフである。図７の横軸はひずみ量（％）であり、縦軸は抵抗変化率（％）である。なお、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【００３９】
本実施例の応力センサ１０は、基板１と、基板１の上に成膜された下地層２ａと、下地層２ａの上に成膜された下地層２ｂと、下地層２ｂの上に成膜された第１強磁性層３１と、第１強磁性層３１の上に成膜された第１非磁性層３０と、第１非磁性層３０の上に成膜された追加第２強磁性層３２ａと、追加第２強磁性層３２ａの上に成膜された第２強磁性層３２と、第２強磁性層３２の上に成膜された反強磁性層３３と、反強磁性層３３の上に成膜された保護層４と、保護層４の上に互いに離れて成膜された電極５ａ，５ｂと、を備える。
【００４０】
実施例の応力センサ１０を構成する各層の材料及び膜厚は、以下の通りである。
基板１：ポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製ＵＰＩＬＥＸ（登録商標））
下地層２ａ：２．２ｎｍ  Ｔａ
下地層２ｂ：２．０ｎｍ  Ｐｔ
第１強磁性層３１：２．１ｎｍ  Ｃｏ
第１非磁性層３０：４．０ｎｍ  Ｃｕ
追加第２強磁性層３２ａ：０．５ｎｍ  Ｃｏ
第２強磁性層３２：２．０ｎｍ  ＮｉＦｅ
反強磁性層３３：１０．０ｎｍ  ＦｅＭｎ
保護層４：２．２ｎｍ  Ｐｔ
電極５ａ，５ｂ：導電性エポキシ樹脂
【００４１】
比較例の応力センサにおける実施例の応力センサ１０との主な相違点は、反強磁性層を備えておらず、弱い補助磁界を加えることで第２強磁性層を歪鈍感層として機能させている点である。比較例の応力センサを構成する各層の材料及び膜厚は、具体的には以下の通りである。
基板：ポリエチレンナフタレート
下地層：２．５ｎｍ  Ｔａ
下地層：２．０ｎｍ  Ｐｔ
第１強磁性層：３．５ｎｍ  Ｃｏ（歪敏感層）
第１非磁性層：４．０ｎｍ  Ｃｕ
追加第２強磁性層：０．４ｎｍ  Ｃｏ
第２強磁性層：３．８ｎｍ  ＮｉＦｅ（歪鈍感層）
保護層：２．０ｎｍ  Ｃｕ
電極５ａ，５ｂ：導電性エポキシ樹脂
【００４２】
本実施例においては、図６に示すように、歪鈍感層であるＮｉＦｅ層は応力が加わっても磁化方向が変化せず、一方、歪敏感層であるＣｏ層は応力方向に対して平行に向く。実施例及び比較例の応力センサは、初期状態（ひずみ量＝０％）におけるＮｉＦｅ層及びＣｏ層の磁化方向の相対角度が０°となるように設計した。図７に示すように、初期状態のＮｉＦｅ層及びＣｏ層の磁化方向に対して引張方向０°、３０°、６０°、９０°に引張ひずみを与え、ひずみ量が０％〜１．０％程度の範囲での抵抗変化率を測定した。
【００４３】
ひずみ量が１．０％未満のとき、実施例における引張ひずみの方向変化に依存する抵抗変化率の差異が、比較例におけるものよりも大きい。具体例として、ひずみ量が０．３％のとき、実施例における引張方向６０°の抵抗変化率と引張方向９０°の抵抗変化率とには有意な差がみられるが、比較例における引張方向６０°の抵抗変化率と引張方向９０°の抵抗変化率とには有意な差がみられなかった。このように、比較例の応力センサでは引張ひずみの方向の検出が難しい微小なひずみ量であっても、実施例の応力センサならば引張ひずみの方向が検出可能である。
【００４４】
以下に、本発明の他の実施形態に係る応力センサの構成について説明する。なお、下記の実施形態では、上記の第１実施形態と共通の事柄については記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については逐次言及しない。
【００４５】
＜第２実施形態＞
図８を参照しつつ、第２実施形態に係る応力センサ１０の構成について説明する。図８は、第２実施形態に係る応力センサの構成を概略的に示す断面図である。
【００４６】
第２実施形態の第１実施形態との相違点は、下地層２の上であって応力検出層３から離れた位置に電極５ａが形成され、保護層４の上に電極５ｂが形成されている点である。電極５ａと電極５ｂの間に電圧を印加すると応力検出層３の各層の界面に垂直な方向に沿って電流が流れることから、巨大磁気抵抗効果を検出可能である。なお、応力検出層３の各層の界面に垂直な方向に沿って流れる電流を検出可能であれば電極５ａ，５ｂの構成は特に限定されるものではない。例えば、下地層２が電極５ａとして用いられてもよく、保護層４が電極５ｂとして用いられてもよい。
【００４７】
＜第３実施形態＞
図９を参照しつつ、第３実施形態に係る応力センサ１０の構成について説明する。図９は、第３実施形態に係る応力センサの構成を概略的に示す断面図である。
【００４８】
第３実施形態の第２実施形態との相違点は、応力検出層３の構造が上下逆転している点である。具体的には、反強磁性層３３が下地層２の上に設けられ、第２強磁性層３２が反強磁性層３３の上に設けられ、第１非磁性層３０が第２強磁性層３２の上に設けられ、第１強磁性層３１が第１非磁性層３０の上に設けられている。
【００４９】
＜第４実施形態＞
図１０を参照しつつ、第４実施形態に係る応力センサ１０の構成について説明する。図１０は、第４実施形態に係る応力センサの構成を概略的に示す断面図である。
【００５０】
第４実施形態の第３実施形態との相違点は、第１非磁性層３０が金属層３０ａと絶縁体層３０ｂからなる多層構造な点である。言い換えると、第１非磁性層３０は、金属と絶縁体との組合せからなる。絶縁体層３０ｂの厚さはトンネル電流が流れる程度に薄いことが好ましく、５ｎｍ以下に設定されるのが好ましい。絶縁体層３０ｂは、例えば、金属層３０ａの自然酸化膜であり、第１非磁性層３０は金属層３０ａにとっての不動態である。第１非磁性層３０が自然酸化膜を含んでもよいならば、例えば、金属層３０ａを設けた段階で、フォトリソグラフィなどの大気暴露が必要な処理工程を実施することができる。
【００５１】
＜第５実施形態＞
図１１を参照しつつ、第５実施形態に係る応力センサ１０の構成について説明する。図１１は、第５実施形態に係る応力センサの構成を概略的に示す断面図である。
【００５２】
第５実施形態の第２実施形態との相違点は、第１非磁性層３０が絶縁体からなる点である。第５実施形態に係る応力センサ１０は、トンネル磁気抵抗効果を利用する。したがって、第３実施形態の絶縁体層３０ｂと同様に、第４実施形態の第１非磁性層３０の厚さは５ｎｍ以下に設定されるのが好ましい。トンネル磁気抵抗効果によって高い抵抗変化率を得るための好ましい構成の一例としては、第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２がＣｏＦｅＢからなり、第１非磁性層３０がＭｇＯからなる。
【００５３】
＜第６実施形態＞
図１２を参照しつつ、第６実施形態に係る応力センサ１０の構成について説明する。図１２は、第６実施形態に係る応力センサの構成を概略的に示す断面図である。
【００５４】
第６実施形態の第２実施形態との相違点は、反強磁性層３３と保護層４との間に、反強磁性層３３側（下層）から順に第４強磁性層７２と、第２非磁性層７０と、第３強磁性層７１とをさらに備える点である。第４強磁性層７２の磁化方向は、反強磁性層３３との交換結合によって生み出される交換バイアスによって固定される。これによれば、抵抗変化率の上昇を図ることができる。
【００５５】
＜第７実施形態＞
図１３を参照しつつ、第７実施形態に係る応力センサ１０の構成について説明する。図１３は、第７実施形態に係る応力センサの構成を概略的に示す断面図である。
【００５６】
第７実施形態の第１実施形態との相違点は、応力検出層３の側部に電極５ａ，５ｂが形成されている点である。電極５ａと電極５ｂの間に電圧を印加すると結果的に応力検出層３の全層に電流が流れ込むことから、巨大磁気抵抗効果を検出可能である。
【００５７】
以上、本発明の例示的な実施形態及び実施例について説明した。以下に本発明の実施形態の一部又は全部を付記する。なお、本発明は以下の構成に限定されるものではない。
【００５８】
本発明の一態様によれば、第１強磁性層３１、第１非磁性層３０、第２強磁性層３２、及び反強磁性層３３を積層してなる積層体を含む応力検出層３を備え、反強磁性層３３は、Ｍｎを含み、第２強磁性層３２の磁化方向は、反強磁性層３３との交換結合によって生み出される交換バイアスによって固定され、外部から加えられた応力に依存して変化する第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２の磁化方向の相対角度に依存した電気抵抗によって応力を検出する、応力センサ１０が提供される。
これによれば、外部から加えた応力に依存して変化する第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２の磁化方向の相対角度に依存した電気抵抗を検出することによって応力が検出される。このとき、第２強磁性層３２の磁化方向が反強磁性層３３との交換結合により生み出される歪鈍感な交換バイアスによって固定される。これにより、歪み測定時の第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２の磁化方向の相対角度が安定し、応力センサ１０の動作安定性が向上する。また、第２強磁性層３２は反強磁性層３３との間で交換結合を形成するものであればよいため、第２強磁性層３２の材料選択や形状・寸法などの設計自由度が向上する。例えば、第１強磁性層３１と第２強磁性層３２とが同じ材料且つ同じ形状であっても、応力センサを機能させることができる。
【００５９】
一態様として、第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２は、応力が加えられていない初期状態において、磁化方向が互いに平行あるいは反平行配列している。
このように初期状態における磁化方向を平行あるいは反平行に揃えておくことにより、応力センサ１０の電気抵抗が初期状態で最大又は最小となる。したがって、応力が加えられた場合と初期状態との電気抵抗の差異が明確となり、応力の検出感度が向上する。
【００６０】
一態様として、応力検出層３は、積層体に加えて、第３強磁性層７１、第２非磁性層７０、及び第４強磁性層７２をさらに備え、第３強磁性層７１の磁化方向は、反強磁性層３３との交換結合によって生み出される交換バイアスによって固定される。
これによれば、抵抗変化率が上昇し、応力の検出感度が向上する。
【００６１】
一態様として、応力センサ１０は応力検出層３を支持する基板１をさらに有する。好ましくは、基板１は、フレキシブル基板である。
これによれば、応力センサ１０に応力が加わった場合に応力検出層３が引張応力ないし圧縮応力を受けやすくなり、応力の検出感度が向上する。
【００６２】
一態様として、第１強磁性層３１は、第１非磁性層３０の基板１側に設けられ、第２強磁性層３２及び反強磁性層３３は、第１非磁性層３０の基板１側とは反対側に設けられる。
【００６３】
一態様として、第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２は、金属の磁性体からなる。第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ又はそれらのうち少なくとも１つを含む合金からなる。
これによれば、巨大磁気抵抗効果を利用した応力センサを実現できる。
【００６４】
一態様として、第１非磁性層３０は、金属、絶縁体、又はこれらの組合せである。
これによれば、巨大磁気抵抗効果又はトンネル磁気抵抗効果を利用した応力センサを実現できる。
【００６５】
本発明の他の一態様によれば、第１強磁性層を設ける工程Ｓ１３と、非磁性層を設ける工程Ｓ１４と、第２強磁性層を設ける工程Ｓ１５と、反強磁性層を設ける工程Ｓ１６と、少なくとも第２強磁性層及び反強磁性層を磁界中でアニールする工程Ｓ１８と、を備える応力センサの製造方法であって、磁界中でアニールする工程は、被処理物を磁界中で熱処理したのちにさらに磁界中で室温に冷却する工程を含み、磁界中でアニールする工程Ｓ１８において、第２強磁性層と反強磁性層との間に交換結合が形成され、交換結合によって生み出される交換バイアスによって第２強磁性層の磁化方向が固定され、応力センサは、外部から加えられた応力に依存して変化する第１強磁性層及び第２強磁性層の磁化方向の相対角度に依存した電気抵抗によって応力を検出する、応力センサの製造方法が提供される。
これによれば、外部から加えた応力に依存して変化する第１強磁性層３１及び第２強磁性層３２の磁化方向の相対角度に依存した電気抵抗を検出することによって応力が検出でき、且つ動作安定性が向上した応力センサを製造できる。
【００６６】
一態様として、フレキシブル基板を準備する工程Ｓ１１をさらに備え、第１強磁性層、非磁性層、第２強磁性層、及び反強磁性層は、それぞれフレキシブル基板の上方に成膜され、磁界中でアニールする工程Ｓ１８において、フレキシブル基板も一緒にアニールされる。
これによれば、アニールされた応力検出層をフレキシブル基板に転写する製造方法に比べて、製造工程を簡略化できる。
【００６７】
以上説明したように、本発明の一態様によれば、動作安定性の向上した応力センサ及びその製造方法が提供できる。
【００６８】
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るとともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素及びその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００６９】
１０…応力センサ
１…基板
２…下地層
３…応力検出層
４…保護層４
5ａ，５ｂ…電極
３０…第１非磁性層
３１…第１強磁性層
３２…第２強磁性層
３３…反強磁性層
【図１】
2020158159.tif 000003
【図２】
2020158159.tif 000004
【図３】
2020158159.tif 000005
【図４】
2020158159.tif 000006
【図５】
2020158159.tif 000007
【図６】
2020158159.tif 000008
【図７】
2020158159.tif 000009
【図８】
2020158159.tif 000010
【図９】
2020158159.tif 000011
【図１０】
2020158159.tif 000012
【図１１】
2020158159.tif 000013
【図１２】
2020158159.tif 000014
【図１３】
2020158159.tif 000015
【国際調査報告】
2020158159.tif 000016
2020158159.tif 000017
2020158159.tif 000018
2020158159.tif 000019
2020158159.tif 000020