【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年7月24日(2009.7.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】プラズマ真空ポンプセル
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを有する第１の領域と第２の領域との間に置かれているとき、前記第１の領域から前記第２の領域にイオンを送るためのプラズマポンプセルであって、
前記第１の領域と第２の領域との間に位置付け可能であり、管路を規定する貫通開口を有する仕切り部材であって、前記仕切り部材が、前記第２の領域と第１の領域とにそれぞれ面する上部壁と底部壁とを有し、前記貫通開口が、前記管路の境界を規定し、前記上部壁と底部壁との間に延在する管路の壁を有する、仕切り部材と、
前記管路を通って、前記管路の壁とほぼ平行に延びる磁力線を与えるように前記管路に対して位置付けされた複数の磁石であって、前記複数の磁石が、前記管路の周りに少し離れた所に互いに間隔が開けられて、そして前記管路の周りに互い違いに磁気極性を有するように方向付けられている永久磁石である、複数の磁石と、
前記管路と連通した自由電子のソースと、
前記管路から前記第２の領域へとイオンを加速する静電界を発生するように、前記管路に対して配置された電気ポテンシャルソースとを備えているプラズマポンプセル。
【請求項２】
前記管路が、長手方向中央軸を有し、前記複数の永久磁石によって発生される磁界が、前記中央軸に沿って最小強さを有する請求項１に記載のポンプセル。
【請求項３】
前記自由電子のソースは、プラズマを含む請求項１に記載のポンプセル。
【請求項４】
前記電気ポテンシャルソースは、前記管路の上部壁に隣り合って位置されて、負のポテンシャルで維持されるカソード要素を備えている請求項１に記載のポンプセル。
【請求項５】
プラズマを有する第１の領域と第２の領域との間に置かれているとき、前記第１の領域から前記第２の領域にイオンを送るためのプラズマポンプセルであって、
前記第１の領域と第２の領域との間に位置付け可能であり、管路を規定する貫通開口を有する仕切り部材であって、前記仕切り部材が、前記第２の領域と第１の領域とにそれぞれ面する上部壁と底部壁とを有し、前記貫通開口が、前記管路の境界を規定し、前記上部壁と底部壁との間に延在する管路の壁を有し、前記管路の壁の断面形状が、前記上部壁と底部壁とに平行であり、これらの間に位置された平面において最小の直径を前記管路に与えるほぼ凸面体形状を有する、仕切り部材と、
前記管路を通って、前記管路の壁とほぼ平行に延びる磁力線を与えるように前記管路に対して位置付けされた複数の磁石と、
前記管路と連通した自由電子のソースと、
前記管路から前記第２の領域へとイオンを加速する静電界を発生するように、前記管路に対して配置された電気ポテンシャルソースとを備えているプラズマポンプセル。
【請求項６】
前記管路の壁の断面形状が、台形によって規定される形状を有している請求項５に記載のポンプセル。
【請求項７】
前記管路の壁の断面形状が、なめらかな曲線によって規定される形状を有している請求項５に記載のポンプセル。
【請求項８】
前記仕切り部材が、電気的に導電性物質の本体と、前記貫通開口を取り囲むセラミックインサートとを備えている請求項５に記載のポンプセル。
【請求項９】
プラズマを有する第１の領域と第２の領域との間に置かれているとき、前記第１の領域から前記第２の領域にイオンを送るためのプラズマポンプセルであって、
前記第１の領域と第２の領域との間に位置付け可能であり、管路を規定する貫通開口を有する仕切り部材と、
前記管路を通って延びる磁力線を与えるように前記管路に対して位置付けされた複数の磁石と、
前記管路と連通し、熱電子電子エミッタを有する自由電子のソースと、
前記管路から前記第２の領域へとイオンを加速する静電界を発生するように、前記管路に対して配置された電気ポテンシャルソースとを備えているプラズマポンプセル。
【請求項１０】
プラズマを有する第１の領域と第２の領域との間に置かれているとき、前記第１の領域から前記第２の領域にイオンを送るためのプラズマポンプセルであって、
前記第１の領域を前記第２の領域から分離し、また、前記第１の領域と第２の領域との間に管路を規定する仕切り手段であって、前記仕切り手段が、前記第２の領域と第１の領域とにそれぞれ面する上部壁と底部壁とを備え、前記管路が、前記管路の境界を規定し、前記上部壁と底部壁との間で延びた壁を有する、仕切り手段と、
前記第１の領域から第２の領域に前記管路を通ってイオンを誘導するための前記管路を通って延びた磁力線を有する磁界を発生させる手段であって、前記管路の周りで少し離れた所に互いに間隔が開けられて、そして前記管路の周りに互い違いに磁気極性を有するように方向付けられている複数の永久磁石を含む、磁界を発生させる手段と、
前記第１の領域から前記第２の領域に前記管路を通って流れるイオンを中性化するように前記第２の領域に自由電子を供給する手段と、
前記管路内から前記第２の領域へとイオンを加速するための位置で電界を発生させる手段とを具備しているプラズマポンプセル。
【請求項１１】
前記管路が、長手方向中央軸を有し、前記複数の永久磁石によって発生される磁界が、前記中央軸に沿って最小強さを有する請求項１０に記載のポンプセル。
【請求項１２】
前記管路の壁の断面形状が、前記上部壁と底部壁とに平行であり、これらの間に位置されたけ平面において最小の直径を前記管路に与えるほぼ凸面体形状を有する請求項１１に記載のポンプセル。
【請求項１３】
前記管路の壁の断面形状が、台形によって規定される形状を有している請求項１２に記載のポンプセル。
【請求項１４】
前記管路の壁の断面形状が、なめらかな曲線によって規定される形状を有している請求項１２に記載のポンプセル。
【請求項１５】
前記仕切り手段が、電気的に導電性物質の本体と、前記貫通開口を取り囲むセラミックインサートとを備えている請求項１２に記載のポンプセル。
【請求項１６】
前記自由電子のソースを供給する前記手段は、プラズマを含む請求項１０に記載のポンプセル。
【請求項１７】
前記電気ポテンシャルソースを発生させる前記手段は、前記管路の上部壁に隣り合って位置されて、負のポテンシャルで維持されるカソード要素を備えている請求項１０に記載のポンプセル。
【請求項１８】
プラズマを有する第１の領域と第２の領域との間に置かれているとき、前記第１の領域から前記第２の領域にイオンを送るためのプラズマポンプ電池であって、
前記第１の領域を前記第２の領域から分離し、また、前記第１の領域と第２の領域との間に管路を規定する仕切り手段と、
前記第１の領域から第２の領域に前記管路を通ってイオンを誘導するための前記管路を通って延びた磁力線を有する磁界を発生させる手段と、
前記第１の領域から前記第２の領域に前記管路を通って流れるイオンを中性化するように前記第２の領域に自由電子を供給する手段であって、熱電子電子エミッタを備えている、自由電子を供給する手段と、
前記管路内から前記第２の領域へとイオンを加速するための位置で電界を発生させる手段とを具備しているプラズマポンプセル。
【請求項１９】
前記複数の磁石は、前記管路の周りで互いに離間して配設された永久磁石である請求項５に記載のポンプセル。
【請求項２０】
前記管路が、長手方向中央軸を有し、前記複数の永久磁石によって発生される磁界が、前記中央軸に沿って最小強さを有する請求項１９に記載のポンプセル。
【請求項２１】
前記自由電子のソースは、前記第１の領域にあるプラズマを生成する請求項５に記載のポンプセル。
【請求項２２】
第１の領域にプラズマを発生させる無線周波数電源と組み合わされた請求項１に記載のポンプセル。
【請求項２３】
前記仕切り部材は、少なくとも前記貫通開口を囲む領域では電気絶縁材で形成されている請求項１に記載のポンプセル。
【請求項２４】
前記複数の磁石は、前記管路の周りで互いに離間して配設された永久磁石である請求項１０に記載のポンプセル。
【請求項２５】
前記管路が、長手方向中央軸を有し、前記複数の永久磁石によって発生される磁界が、前記中央軸に沿って最小強さを有する請求項２４に記載のポンプセル。
【請求項２６】
前記自由電子のソースは、前記第１の領域にあるプラズマを生成する請求項５に記載のポンプセル。
【請求項２７】
第１の領域にプラズマを発生させる無線周波数電源と組み合わされた請求項５に記載のポンプセル。
【請求項２８】
前記仕切り手段は、少なくとも前記貫通開口を囲む領域では電気絶縁材で形成されている請求項１０に記載のポンプセル。
【請求項２９】
プラズマを含有する第１の領域から第２の領域にイオンを送る方法であって、この方法は、
前記第１の領域と第２の領域との間に仕切り部材を配置し、この仕切り部材が、前記第１の領域と第２の領域との間に延在して、それらの間を連通する管路を有するようにさせる工程と、
前記第１の領域から第２の領域へと前記管路を通るイオンを誘導するための前記管路を通って延びた磁力線を有する磁界を発生させる工程と、
前記第１の領域から第２の領域へと前記管路を通って流れるイオンを中性化するように前記第２の領域に自由電子を供給する工程と、
前記管路内から前記第２の領域にイオンを加速するための位置に電界を発生させる工程と、
前記第１の領域にプラズマを発生させる工程とを具備している方法。
【請求項３０】
電界を発生させる前記工程が、前記管路を通るイオンのフローの速度を制御するために、前記電界の強さを調節することを含んでいる請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記プラズマを発生させる工程は、第１の領域に無線周波数パワーを印加することによりなされる請求項２９に記載の方法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
上記並びにその他の目的は、本発明に係われば、プラズマポンプセルが、第１の領域と第２の領域との間に置かれるとき、イオンが第１領域でプラズマによって発生される第１の領域から、第２の領域にイオンを送るポンプセルと新規なプラズマ真空ポンプ方法とを提供することによって達成される。プラズマポンプセルは、第１の領域と第２の領域との間に位置付け可能な仕切り部材であって、管路を規定する貫通開口を有する仕切り部材と、管路に沿って延在する磁力線を与えるように管路に対して位置付けられる複数の磁石と、管路と連通した状態の自由電子のソースと、管路から第２の領域にイオンを加速する静電界を発生させるために、管路に対して配置される電気ポテンシャルソースとで構成されている。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
本発明のさらなる新規な態様によれば、１つのポンプセルあるいは複数のポンプセルは、イオンがその領域から送られることが可能な効率を増加する方法で処理領域に対して位置付けされる。１つのセルあるいは複数のセルが、ポンプ効率を改良するために、最高可能プラズマ密度を形成可能に使用されるように、処理領域のプラズマ近くに配置されることが好ましい。この形状により、ガス分子が処理領域に留まる平均時間を極めて短くすること可能とする。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
本発明による複数のセルで構成されるプラズマ真空ポンプは、処理される基板を備える処理チャンバに配置されている。ポンプ速度を増加して、チャンバのガス分子の滞留時間を減少するために、基板の表面領域より大きい領域を有する仕切り壁内に複数のセルを形成することが望ましい。とはいえ、処理チャンバ内のガスの滞留時間が、チャンバの容量が増加するときに増加するので、処理チャンバの容量をかなり増加することなく、これが達成されるべきである。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
送られるイオンが、プラズマ内に生成されるとき、プラズマ領域の境界に隣接したイオンは、プラズマシースによって影響を及ぼされ、ポンプセルの領域内のイオンは、セルの方へに向けての多少のプレシース移動を受ける。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
これらのイオンは、次に、管路にトラップされる電子によって発生される静電界によってセル管路の方に引き付けられる。この静電界の強さは、本質的に、周囲イオン密度と、電子密度と、電気ポテンシャルソースによって発生される電界とによって測定される。静電界は、管路を通って延在して、仕切り部材近くの第１の領域から管路に加速するように作用する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
このようなポンプあるいはポンプセルは、管路、あるいはバフルによって入口チャンバに連結される入口チャンバ、あるいは空間、また出口チャンバ、あるいは空間で構成されるように明視化されることが可能である。ガスは、入口チャンバに連結されるガス入口を経てポンプに、また出口チャンバに連結されるガス出口を経てポンプから流れる。下記のパラメータは、ポンプのオペレーションを記述するのに使用されている：
Ｑｉｎ＝ガス入口を経て入口チャンバへのガスフロー速度
Ｑｐ＝入口チャンバから出口チャンバへのイオンフロー速度
Ｑｂ＝出口チャンバから入り口チャンバへの中性ガス逆フロー速度
Ｑｏｕｔ＝ガス出口を経て出口チャンバからのガスフロー速度
ｐｉｎ＝入口チャンバ内の圧力
ｐｏｕｔ＝出口チャンバ内の圧力
Ａｐ＝プラズマイオンに対するバフルの有効開口、即ち、領域
Ａｂ＝バフルの物理的な開口、あるいは領域
Ｆ（Ａｂ）＝バフルの物理的形状およびガス圧力によって決まるバフル構造の有効コンダクタンス
Ｒ＝ポンプによって達成される有効圧縮割合
ｎｉ＝入口チャンバ内のプラズマイオンの密度
ｃｓ＝電子温度、あるいはエネルギーによって最初に測定される入口チャンバ
内のイオンのイオン音速
以下に示される式は、種々のパラメータのための測定の首尾一貫した単位を採用している。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
図示されたチャンバにおいて、低圧力領域は、さらに、処理領域とも呼ばれ、ガスイオンは、本発明によるポンプセルで構成されるプラズマ真空ポンプによって、処理領域から送り出されて、そして高圧力領域に送り込まれ、そのポンプは、仕切り壁４と、入れ子状に重ねた環状カソード１２の配列と、カソード１２の上のハウジング２内に取り付けられる多重巻のコイルによって構成される追加の無線周波数プラズマソース１４との構造によって構成されている。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
図２は、本発明によるポンプセルの１つの実施形態の基本的構造を示す斜視図である。図２は、実際には、４つのセルを示し、各セルは、管路２２を規定する１つの貫通開口を有している。管路２２は、円形の外形を有するように示されているが、別の外形も可能である。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
各セルは、さらに、管路２２を取り囲む複数の磁石２４を備えている。各磁石２４は、関連した管路２２の長手方向軸に平行に延在する磁軸を有している。各管路２２の周りに延在する磁石は、関連した管路２２周りの１つの磁石２４から次の磁石へと極性が互い違いになっている。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
図２に図示される実施形態において、各磁石２４は、永久磁石である。とはいえ、磁石２４は、さらに、原則として、電磁石でも可能であり、それは、ポンププロセスを制御するためのより以上の可能性を供給することが可能であるが、またポンプセルの構造上での複雑化をもたらす。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
ここに図示されている実施形態において、仕切り壁４は、アルミニウムなどの電気的に導電性で、非磁気材料で形成されている。各セルの位置に、仕切り壁４には、管路２２を規定する貫通開口を有するセラミックのインサート３０に嵌め込まれる環状の円筒孔が設けられている。その他の孔形状も可能である。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
各セルは、さらに、各カーソード１２の拡大された部分を含んでいる。関連した拡大部分は、円錐体３４の形状を有し、その軸は、関連した管路２２の長手方向中心軸と一直線に並べられ、またその頂点は、管路２２の内部の方に方向付けられている。このように、円錐体３４の壁は、管路２２の軸と、管路２２の壁部分のすべてに同心状である。各カソード１２、従って、各円錐体３４は、負のポテンシャルソースに連結されている。各カソード１２に印加されるポテンシャルの大きさは、個々に選択されることが好ましい。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
図２に図示される実施形態において、各セルは、６つの磁石２４と関連付けられていることは注目すべきである。とはいえ、各磁石は、２つの異なる隣接したセルによって共有されている。各管路２２は、６つの磁石によって取り囲まれるとき、各セルは、６極プラズマポンプセルと同一と見なされる。とはいえ、本発明の実施形態は、例えば、各管路が４つの磁石によって取り囲まれる四角のセルと、各管路が８つの磁石によって取り囲まれる八角形のセルとを含み、各管路が、異なる数の磁石に関連付けられるように構成されることが可能である。とはいえ、望ましい磁界パターンを形成するために、各管路は、同一数の磁石によって取り囲まれることが好ましい。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６１】
隣接したセル間に磁石の最大共有を可能とするために、個々のセルが仕切り壁４を横切って分布されるパターンは、各管路２２を取り囲む磁石の数によって決まる。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
本発明のよるセルは、仕切り壁４の上方の自由電子のソースによって成就され、１つのそのようなソースは、図１を参照にして上記に記述されている。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７０】
本発明によるポンプセルのオペレーションは、図１乃至図３に示される実施形態を参照にしてここに記述されている。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７３】
ここでは特に図２を参照すると、仕切り壁４と基板との間に形成されるプラズマは、入口、あるいは各管路２２の下方末端に近いポイントに延在するイオンを供給する。各ポンプセルにおいて、電界は、関連した円錐体３４と仕切り壁４の下方のプラズマ領域との間に形成され、電界の線は、管路２２を通って延在する。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９１】
本発明による複数のセルを含有するプラズマポンプは、セルを互いに比較的近接して配置させて、仕切り壁４の表面領域の大きい部分を覆うことを可能とする形状を有している。隣接したセルが、磁石を共有するという事実により、セルが互いに比較的近接して配置されることを可能にする。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】図面の簡単な説明
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明による複数のプラズマ真空ポンプセルで構成されるポンプを備える処理チャンバの斜視図である。
【図２】
上方から見た、図１に図示されるポンプの一部を示す部分切り欠き斜視詳細図である。
【図３】
下方から見た、図１に図示されるポンプの一部を示す部分切り欠き斜視詳細図である。
【図４】
本発明によるポンプセルの別の方法の実施形態の断面詳細図である。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図２】
2002519827.tif 000001