【手続補正書】
【提出日】平成21年5月14日(2009.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）：
【化００１】
2009500407.tif 000001
（式中、ＡｒＦＺは、１つ又はそれ以上のフッ素化芳香族基を包含し；そして
Ｒは、１つ又はそれ以上のイオン性基を包含する）
で表される少なくとも１つの極性溶媒に溶解する架橋化合物。
【請求項２】
前記極性溶媒が、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンよりなる群から選ばれる、請求項１に記載の架橋化合物。
【請求項３】
１つ又はそれ以上のフッ素化芳香族基が、２つのフッ素化芳香族化合物（fluorinated aromatics）を包含する、請求項１に記載の架橋化合物。
【請求項４】
２つのフッ素化芳香族化合物に結合しているリンカーを更に包含する、請求項３に記載の架橋化合物。
【請求項５】
１つ又はそれ以上のフッ素化芳香族基の各々が、フッ素化フェニル及びフッ素化ナフチルよりなる群から、それぞれ独立して選ばれる、請求項１に記載の架橋化合物。
【請求項６】
１つ又はそれ以上のフッ素化芳香族基の各々が、アジド基に対してオルト位にフッ素原子を有する、請求項５に記載の架橋化合物。
【請求項７】
２つのフッ素化芳香族化合物が,フッ素化フェニルである、請求項３に記載の架橋化合物。
【請求項８】
前記イオン性基が、酸基、カチオン基、塩基性基及びアニオン基よりなる群から選ばれる、請求項１に記載の架橋化合物。
【請求項９】
前記イオン性基が、スルホン酸、リン酸、カルボン酸よりなる群から選ばれる酸基である、請求項８に記載の架橋化合物。
【請求項１０】
前記イオン基が、４級アンモニウム基及びピリジニウム基よりなる群から選ばれるカチオン基である、請求項８に記載の架橋化合物。
【請求項１１】
前記イオン基が、アミンからなる基から選ばれる塩基性基である、請求項８に記載の架橋化合物。
【請求項１２】
前記イオン基が、スルホネート、ホスホネート及びカルボキシレートよりなる群から選ばれるアニオン基である、請求項８に記載の架橋化合物。
【請求項１３】
前記リンカーが、電子吸引性基によって２つのフッ素化芳香族化合物のそれぞれに結合している、請求項４に記載の架橋化合物。
【請求項１４】
前記電子吸引性基が、カルボニル、エステル及びアミドよりなる群から選ばれる、請求項１３に記載の架橋化合物。
【請求項１５】
前記リンカーが、Ｃ１〜Ｃ８アルキレン、シクロへキシレン及びアルキリデンよりなる群から選ばれる、請求項４に記載の架橋化合物。
【請求項１６】
前記イオン性基が、リンカーに結合している、請求項４に記載の架橋化合物。
【請求項１７】
吸収バンドが、２５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲上に生じる、請求項１に記載の架橋化合物。
【請求項１８】
式（２）：
【化００２】
2009500407.tif 000002
（式中のＸは、Ｉ、ＰＦ６、ＢＦ４、ＣｌＯ４及びＣＦ３ＣＯＯよりなる群から選ばれる）
で表される、請求項１に記載の架橋化合物。
【請求項１９】
架橋化合物の濃度が、ポリマーの０．１％〜２０％（ｗ／ｗ）の範囲である、ポリマー及び請求項１に記載の架橋化合物を包含する混合物。
【請求項２０】
架橋化合物の濃度が、０．１％〜５．０％の範囲である、請求項１９に記載の架橋化合物。
【請求項２１】
前記ポリマーが、１つ又はそれ以上の極性溶媒に溶解するポリマーよりなる群から選ばれる、請求項１９に記載の混合物。
【請求項２２】
前記極性溶媒が、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンよりなる群から選ばれる、請求項２１に記載の混合物。
【請求項２３】
前記ポリマーが、ポリ（スチレンスルホン酸）、ポリ（スチレンスルホン酸塩）、ポリ（ジアリルジメチルアンモニウム塩）、ポリ（アリルアミン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（ポリスチレンスルホン酸）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（ポリスチレンスルホン酸塩）よりなる群から選ばれる、請求項２１に記載の混合物。
【請求項２４】
（ｉ）請求項１に記載の架橋化合物を、相性のよい溶媒中で請求項２３に記載のポリマーに加え、溶液にすること、そして
（ｉｉ）基板の上に溶液から得られるフィルムを堆積させること、そして
（ｉｉｉ）１００℃〜１３０℃の範囲の温度で、フィルムをソフトに処理すること、そして
（ｉｖ）フィルムを光架橋して、不溶性の架橋ポリマーを形成すること、
の各工程を含む、ポリマーを架橋する方法。
【請求項２５】
（ｉ）ポリマー及び請求項１に記載の架橋化合物を包含する溶液から得られるフィルムを、基板の上に堆積させること、そして
（ｉｉ）１００℃〜１３０℃の範囲の温度で、フィルムをソフトに処理すること、そして
（ｉｉｉ）工程（ｉｉ）のフィルムを全体的に光架橋して、不溶性の架橋ポリマーを形成すること、
の各工程を含む、デバイスを形成する方法。
【請求項２６】
工程（ｉｉ）が、１００ｐｐｍ以下の湿気及び酸素を有する不活性雰囲気下でソフトに処理することを包含する、請求項２５に記載のデバイスを形成する方法。
【請求項２７】
工程（ｉｉｉ）が、工程（ｉｉ）のフィルムを、不活性雰囲気下で２５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲の波長を有する照射に曝露することを包含する、請求項２５に記載のデバイスを形成する方法。
【請求項２８】
（ｉ）ポリマー及び請求項１に記載の架橋化合物を包含する溶液から得られるフィルムを、基板の上に堆積させること、そして
（ｉｉ）１００℃〜１３０℃の範囲の温度で、フィルムをソフトに処理すること、そして
（ｉｉｉ）工程（ｉｉ）でソフトに処理されたフィルムを、パターンマスクを通して光架橋して、不溶性の架橋ポリマーを形成すること、そして
（ｉｖ）工程（ｉｉｉ）のポリマーを現像すること：
の各工程を含む、デバイスを形成する方法。
【請求項２９】
工程（ｉｉ）が、１００ｐｐｍ以下の湿気及び酸素を有する不活性雰囲気下でソフトに処理することを包含する、請求項２８に記載のデバイスを形成する方法。
【請求項３０】
工程（ｉｉｉ）が、フォトマスクを通して、不活性雰囲気下で２５０ｎｍ〜４５０ｎｍの波長を有する深紫外線（ＤＵＶ；Deep UV）の照射に曝露することを包含する、請求項２８に記載のデバイスを形成する方法。
【請求項３１】
デバイスが、有機半導体デバイスである、請求項２５に記載の方法で得られる少なくとも１つの層を包含するデバイス。
【請求項３２】
デバイスが、有機化学センサー及びアクチュエータである、請求項２５に記載の方法で得られる少なくとも１つの層を包含するデバイス。
【請求項３３】
デバイスが、有機半導体デバイスである、請求項２８に記載の方法で得られる少なくとも１つの層を包含するデバイス。
【請求項３４】
デバイスが、有機化学センサー及びアクチュエータである、請求項２８に記載の方法で得られる少なくとも１つの層を包含するデバイス。
【請求項３５】
層が、低仕事関数の導電性ポリマーである、請求項２５又は請求項２８に記載の方法で得られる少なくとも１つの層を包含するデバイス。
【請求項３６】
請求項２５及び２８に記載の何れか１つの方法で得られるデバイスの使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第五態様の一形態では、工程（ｉｉ）が、１００ｐｐｍ以下の湿気及び酸素を有する不活性雰囲気下でソフトに処理することを包含してもよい。
第五態様の別の形態では、工程（ｉｉｉ）が、工程（ｉｉ）のフィルムを不活性雰囲気下で２５０ｎｍ〜４５０ｎｍの範囲の波長を有する照射に曝露することを包含してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
第六の態様では、デバイスを形成する方法が提供され、この方法は、（ｉ）ポリマーと第一態様の架橋化合物を包含する溶液から得られるフィルムを、基板の上に堆積させること、（ｉｉ）１００℃〜１３０℃の範囲の温度で、フィルムをソフトに処理すること、そして（ｉｉｉ）工程（ｉｉ）でソフトに処理されたフィルムを、パターンマスクを通して光架橋して、不溶性の架橋ポリマーを形成すること、そして（ｉｖ）工程（ｉｉｉ）のポリマーを現像すること、の各工程を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
スルホン化ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）］
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
スルホン化ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ａｌｔ−フェニレン−（Ｎ−フェニル）−イミノフェニレン）］