【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年2月27日(2009.2.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材、
第１の方向に沿って光信号が内部を伝搬すると共に、全反射領域における前記基材の第１の表面から離れて光信号が全反射するよう構成されて前記基材内に設けられた第１の埋没光導波路、
前記第１の方向とは異なる第２の方向へ延びるように前記基材内に設けられた第２の埋没光導波路、及び
前記基材の全反射領域上に配置され、前記第１の埋没光導波路から前記第２の埋没光導波路へ前記光信号が切り替えられるスイッチング・ポジションと、全反射によって且つ前記第１の埋没光導波路内において前記第１の表面から離れて光信号が反射する非スイッチング・ポジションとの間で可動である光学回折素子
を備え、
前記スイッチング・ポジションでは、前記光学回折素子が、前記基材の上方であって且つ前記第１の表面から離れた全反射によって伝搬する前記光信号とエバネッセント結合する領域内に存在することを特徴とする光学スイッチ。
【請求項２】
前記第１の埋没光導波路及び前記第２の埋没光導波路は共に、前記基材中において全反射により光信号を伝搬すべく前記基材中に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の光学スイッチ。
【請求項３】
前記第１の埋没光導波路及び前記第２の埋没光導波路のいずれか１つに接続された光ファイバーを更に備えることを特徴とする請求項１に記載の光学スイッチ。
【請求項４】
前記光ファイバーはシングル・モード・光ファイバーであることを特徴とする請求項３に記載の光学スイッチ。
【請求項５】
前記全反射領域に近接して配置された第３の埋没光導波路を更に備え、前記非スイッチング・ポジションにある前記光学回折素子は、全反射によって、第１の埋没光導波路からの光信号を前記第３の光導波路へ接続することを特徴とする請求項１に記載の光学スイッチ。
【請求項６】
前記光学回折素子は、前記基材中の光信号の波長に等しい格子周期を有することを特徴とする請求項１に記載の光学スイッチ。
【請求項７】
前記光学回折格子は、回折格子を形成する複数のストリップによって形成されており、各ストリップは等しい幅を有し、且つ、等しい間隔を空けて設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光学スイッチ。
【請求項８】
前記回折格子は、前記基材に固定して取り付けられたアンカーに吊設してあることを特徴とする請求項７に記載の光学スイッチ。
【請求項９】
前記回折格子は、前記基材に固定して取り付けられた第１のアンカー及び第２のアンカーから可撓性部材によって吊設されており、該可撓性部材によって前記回折格子はスイッチング・ポジションと非スイッチング・ポジションとの間を移動可能になっていることを特徴とする請求項７に記載の光学スイッチ。
【請求項１０】
前記回折格子に近接して配置された静電アクチュエータを更に備えることを特徴とする請求項７に記載の光学スイッチ。
【請求項１１】
前記ストリップは、アモルファスシリコン，結晶シリコン，及びポリシリコンから成る群から選択された材料によって形成されていることを特徴とする請求項７に記載の光学スイッチ。
【請求項１２】
前記回折格子は、前記第１の埋没光導波路及び前記第２の埋没光導波路の屈折率と等しい屈折率を有することを特徴とする請求項１に記載の光学スイッチ。
【請求項１３】
前記第１の埋没光導波路及び第１の方向は第１の平面内に存在し、前記第２の埋没光導波路及び第２の方向は、前記第１の平面と鋭角を形成する第２の平面内に存在することを特徴とする請求項１に記載の光学スイッチ。
【請求項１４】
複数の交差部を有する基材、
全反射によって光信号を伝搬する前記基材内に設けられた入力用埋没光導波路、
光信号を伝搬する前記基材内に設けられ、複数の前記交差部の１つにおいて前記入力用埋没光導波路に近接して配置された複数の出力用埋没光導波路、及び
複数の前記交差部の夫々の上に配置され、スイッチング・ポジションと非スイッチングポジションとの間で前記基材に対して独立して可動である複数の光学回折素子
を備え、
前記スイッチング・ポジションでは、前記基材の第１の表面から離れて全反射することにより伝搬される光信号とエバネッセント結合して、複数の前記出力用埋没光導波路の１つに前記光信号を接続するよう構成されている
ことを特徴とする光学スイッチ。
【請求項１５】
複数の前記光学回折素子の夫々は一組のストリップによって形成され、一組のストリップにおける各ストリップは、等しい幅寸法を有し、且つ、近接するストリップとの間に等しい間隔を空けられていることを特徴とする請求項１４に記載の光学スイッチ。
【請求項１６】
前記入力用光導波路は、前記基材内にて全反射伝搬が生じるよう、前記基材の前記第１の表面近傍から対向する第２の表面近傍まで延設されていることを特徴とする請求項１４に記載の光学スイッチ。
【請求項１７】
複数の前記出力用光導波路は、全反射によって光信号を伝搬すべく、前記基材の前記第１の表面近傍から対向する第２の表面近傍まで延設されていることを特徴とする請求項１６に記載の光学スイッチ。
【請求項１８】
前記入力用光導波路は、前記基材の前記第１の表面に平行な第１の範囲と、前記基材の前記第１の表面に垂直な第２の範囲とを有することを特徴とする請求項１４に記載の光学スイッチ。
【請求項１９】
複数の前記出力用光導波路のうち少なくとも１つは、前記基材の前記第１の表面に平行な第１の範囲と、前記基材の前記第１の表面に垂直な第２の範囲とを有することを特徴とする請求項１４に記載の光学スイッチ。
【請求項２０】
基材内に第１の方向へ延びる入力用埋没光導波路を形成するステップ、
前記基材内に前記第１の方向とは異なる第２の方向へ延びる出力用埋没光導波路を形成するステップ、及び
前記基材の上方であって且つ全反射によって伝搬する光信号とエバネッセント結合する位置であり、前記入力用埋没光導波路内を伝搬する光信号が前記出力用埋没光導波路に接続するスイッチング・ポジションと、前記基材の上方であり、前記入力用埋没光導波路内を伝搬する光信号が前記出力用埋没光導波路に接続しない非スイッチングポジションとの間で移動する光学回折素子を、前記基材に近接して配置するステップ
を備えることを特徴とする光信号の切り替え方法。
【請求項２１】
前記入力用埋没光導波路を形成するステップは、該入力用埋没光導波路を前記基材の上面から底面まで延設するステップを含むことを特徴とする請求項２０に記載の光信号の切り替え方法。
【請求項２２】
前記出力用埋没光導波路を形成するステップは、該入力用埋没光導波路を上面と下面との間に延設するステップを含むことを特徴とする請求項２１に記載の光信号切り替え方法。
【請求項２３】
前記基材内の光信号の波長に等しい格子周期を有する回折格子としての光学回折素子を備えるステップを更に備えることを特徴とする請求項２０に記載の光信号切り替え方法。
【請求項２４】
前記光学回折素子は複数のストリップを有し、各ストリップは等しい幅寸法を有すると共に近接するストリップとの間に等しい間隔を空けていることを特徴とする請求項２３に記載の光信号切り替え方法。
【請求項２５】
スイッチング・ポジションと非スイッチング・ポジションとの間で前記光学回折素子を動作させる静電アクチュエータを、該光学回折素子の近傍に配置するステップを更に備えることを特徴とする請求項２０に記載の光信号切り替え方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の詳細な説明】
【発明の名称】三次元導光板を有する光学スイッチ
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に光学素子に関するものであり、更に詳しくは、光学スイッチ機能として作用する光学回折格子及び光学回折素子に関する。
【０００２】
この出願では、米国での仮出願（No. 60/360,946，2002年3月1日出願）の利益を主張する。
【背景技術】
【０００３】
光ファイバー通信システムにおいては、信号の経路決定のために光学スイッチが必要とされる。２つの基本的な操作原理が公知のデバイスには使用されている。これらの原理とは、フリー・スペース・オプティクス（Free Space Optics）及び二次元光導波路である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
フリー・スペース・スイッチは、自由空間内を伝わる光学ビームを生成するためにコリメータを用いる。このビームは、可動式のミラーや同様のデバイスにより、希望する出力用ファイバーに配置された受け入れコリメータへ送られる。小さな光学ビームは、移動するに従って回折に起因して分散することが知られている。この分散は、現実的なサイズの装置においては大きな損失となる。加えて、可動式のミラーの平坦さに課せられる現実的な制限は、更なる分散と損失の原因になる。更にまた、コリメータは大きく、高価で、配設が困難であり、全ての要因はフリー・スペース・スイッチの製造コストを高くしている。
【０００５】
二次元光学光導波路は、上述したフリー・スペース・デバイスに内在するビームの分散を排除するために用いられている。二次元光学光導波路はまた入出力コリメータの必要性を排除でき、その結果、製造コストの削減と共に構造の小型化をもたらす。公知の構造の様々の光導波路は基材の表面に形成されているものである。様々のスイッチング機構は、これら表面の光導波路における交差箇所において信号の経路を決定するために用いられている。一般にこれらのデバイスの二次元的性質は、スイッチング機構を挿入すべく前記交差箇所においてエアギャップを要求する。光学指数整合結合流体内の可動式のミラー及び気泡が、このスイッチング機構の作成に用いられている。
【０００６】
本発明者によって既にされた特許出願（U. S. Application Serial Nos. 09/905, 736 entitled "Optical Switch with Moveable Holographic Optical Element" and 09/905,769 entitled "Integrated Transparent Substrate AND DIFFRACTIVE OPTICAL ELEMENT, "EACH EXPRESSLY INCORPORATED HEREIN BY reference）では、フリー・スペース・デバイスと光導波路デバイスとの有利な点を組み合わせたスイッチを開示している。この取り組みについては一般に図１及び図２によって説明される。これらの出願には、透明基材中での全反射（TIR）によって光信号の経路決定をすることを基礎とするスイッチが開示されている。この構成によれば、フリー・スペースに比べて基材中での屈折率が高いため、ビームの分散を低減することができる。また、これらの構成によれば、各要素の全てが基材によって頑強に且つ精密に配置されるため、配設及び位置決めに関する問題を最小限に抑えることができる。このデバイスでは全反射が信号の経路決定に用いられるため、スイッチの基礎であって公知の二次元光導波路に要求されるエア・ギャップは排除される。全反射は損失が非常に少ないことが知られており、そして、この機構は上述したような光導波路スイッチに固有に損失問題を排除する。
【０００７】
作動中、回折格子100は光学基材102に近接して配置され、該光学基材102内には全反射（TIR）の条件下で入射光ビーム104が移動しており、この入射光ビーム104は重要な入射角を生じている。回折格子100は基材102に対して可動であり、基材102の上面106に生成されて全反射が生じるエバネッセント領域に回折格子100は選択的に案内される。図１及び図２に示された回折格子100は何れも平行なストリップ（strips）108によって形成されている。図１では、回折格子100の第１のスイッチング・ポジションが示されており、ここでは入力信号104が出力ビーム110に切り替わる。図２では、第２の非スイッチング・ポジションが示されており、ここでは回折格子100が入力波104に作用を及ぼさず、該入力波104は全反射によって出力ビーム112として伝搬し続ける。ビーム104から光ビーム110への偏差はビーム切り替えを意味する一方、光ビーム112への反射は作用無しの伝搬を意味する。
【０００８】
回折格子100は典型的には単独の回折モード、即ち１つの回折モードを有するように設計される。その結果、最大のパワーは希望する方向、即ち光ビーム110又は光ビーム112に導かれる。これは、実質的に損失の無い非スイッチング・ポジションと比較して、スイッチング・ポジションでの損失を最小限に抑える。格子ストリップ108の厚みは、回折格子100からの反射光と表面106での反射光とが所望する方向において同位相になるように適合させてあってもよい。これにより強め合う干渉が生じ、回折格子100は全体として約９０パーセントの能力を有することができる。
【０００９】
このような優越性にもかかわらず、一般に、図１及び図２に示すようなデバイスでは依然としてコリメータによるビームの分散を小さくするようにとの要望がある。加えて、回折格子と出力ファイバーとの間の比較的長い経路は、波長依存損失（WDL: wavelength dependent loss）を生じさせる場合がある。これは電気通信において望ましいことではなく、最小限に抑える必要がある。この波長依存損失（WDL）は回折格子のばらつきに起因するものであり、そこでは異なる波長がわずかに異なる方向へ伝搬する。この効果によって、このようなアプローチを用いるN×Nスイッチの実用上のNの値が制限されていたであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
１つの例に基づき、基材と、第１の方向に沿って光信号が内部を伝搬する第１の埋没光導波路と、前記第１の方向とは異なる第２の方向へ延びる第２の埋没光導波路とを備える光学スイッチを提供する。該光学スイッチは更に、前記基材の全反射領域上に配置され、前記第１の埋没光導波路から前記第２の埋没光導波路へ前記光信号が切り替えられるスイッチング・ポジション、及び、全反射によって前記全反射領域にて光信号が反射する非スイッチング・ポジションの間で可動である光学回折素子を備える。
【００１１】
他の例に基づき、光学スイッチは、複数の交差部を有する基材と、全反射によって光信号を伝搬する前記基材内に設けられた入力用埋没光導波路と、光信号を伝搬する前記基材内に設けられ、複数の前記交差部の１つにおいて前記入力用埋没光導波路に近接して配置された複数の出力用埋没光導波路とを備える。前記スイッチは更に、複数の前記交差部のうちの１つの上に配置され、前記入力用埋没光導波路内を伝搬する光信号が複数の前記出力用埋没光導波路のうちの１つに接続するスイッチング・ポジションと、非スイッチングポジションとの間で、前記基材に対して独立して可動である複数の光学回折素子を備える。
【００１２】
更に他の例に基づき、光信号切り替え方法は、基材内に第１の方向へ延びる入力用埋没光導波路を形成するステップ、前記基材内に前記第１の方向とは異なる第２の方向へ延びる出力用埋没光導波路を形成するステップ、及び前記入力用埋没光導波路内を伝搬する光信号が前記出力用埋没光導波路に接続するスイッチング・ポジションと、前記入力用埋没光導波路内を伝搬する光信号が前記出力用埋没光導波路に接続しない非スイッチングポジションとの間で移動する光学回折素子を、前記基材に近接して配置するステップを備える。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本願は、図１及び図２に示されたデバイスの改良されたものを開示する。改良されたデバイスの作用については図３に示す。一般に、光学基材に埋め込まれた光導波路はビームの分散と関連する損失とを排除するために用いられる。このような埋没光導波路が基材内の大部分に延びており、従って基材の上面に平行な範囲と垂直な他の範囲とを有する。これらの光導波路は、全反射が生じ得る全反射領域のすぐ近傍位置に終端がある。このような終端は、上面に近ければ幅広い角度範囲で光導波路が光を捕捉するため、波長依存損失（WDL）は最小限に抑えられる。上記終端はまた、光ビームに案内が無い状態の距離が最小限に維持されるため、入力用光導波路と出力用光導波路とが交わる交差箇所において、損失を非常に低く維持する。その結果、改良されたデバイス中の案内されたビームは、図１及び図２において示すような案内の無い波に比べて非常に小径になり得る。図１及び図２に示すような従来のデバイスにおける典型的なビーム径は約200マイクロメータである。ここで説明する典型的なビーム径は非常に小さく、例えば、約10ミクロンである。これにより、デバイスの全体的なサイズとコストとが削減される。また、デバイスのWDL損失を実質的に削減し、且つ、スイッチ(N)の“サイズ”に対して無関心にさせる。
【００１４】
図３に光学スイッチ200のスイッチング・ポジションを示す。光ビーム202は光導波路204に案内されて基材206の表面205へ導かれる。この光ビーム202は、表面205の法線から測った全反射の臨界角を超えるある角度で入射する。この角度は、基材206及び光導波路204が望ましくは臨界角43度の石英ガラスから構成されているため、典型的には45度である。示したようなスイッチング・ポジションにおいては、回折格子208及び基材206の間隔が縮められて、回折格子208としての光学回折素子が全反射エバネッセント領域内に収められる。図３に示すスイッチング・ポジションでの両者の間隔は、典型的には約0.1マイクロメータである。実施の形態において、回折格子208は、基材206及び光導波路204と同様の屈折率を有している。下記例にて説明する格子と同様に、この格子208は光学回折素子である。
【００１５】
回折格子208は、基材206内においてもまた、出力用光導波路210によって捕捉されるように光ビーム202を回折する。出力用光導波路210は紙面外に延びる平面であって、仮想線によって示している。屈折した光ビームは光ビーム212である。図示した例では、２つの光導波路204,210は基材206の交差部211において交差している。光導波路204,210の交差箇所と上面205との距離は、典型的には10マイクロメータ未満である。光導波路204から光導波路210への光信号のスイッチングは、交差部211において生じる。
【００１６】
回折格子208は好ましくは石英ガラスによって構成され、格子周期（grating period）は、所望する回折方向における１つの回折モードを提供するように適合されている。この周期は、多くの実施例において約2マイクロメータである。格子厚さは、最大効率及び他の性能パラメータに一致する最小厚さであり、典型的には約0.6マイクロメータである。より厚みのある格子は高効率を有するが、光路に共鳴を生じさせる傾向にあるため、寸法及び特性の変動に対して非常に敏感であるという傾向にある。格子208は、光導波路204内を伝搬する光信号の波長と略等しい周期であることが好ましい。
【００１７】
図４には非スイッチング・ポジション（又はオフ・ポジション）が示されており、上面205から距離Dだけ格子208は引き上げられている。この距離Dは、典型的には10〜20マイクロメータである。図示するポジションでは、光ビーム202は全反射領域（TIR）213にてTIRにより反射し、第２の出力用光導波路214によって捕捉されて光ビーム216として伝搬する。出力用光導波路210,214は入力用光導波路204に直接に接続されているが、これに換えて入力用光導波路204に直接接触させずに近接配置してもよい。更に、出力用光導波路214は入力用光導波路204から分離されていても、又は入力用光導波路204の延長であってもよい。
【００１８】
１つの実施例において、光導波路204,210,214は埋没光導波路であって、それぞれは上面205及び底面216から離れてTIR条件下で信号を伝搬する。
【００１９】
図５は、スイッチング構成の一例として、N×N光学スイッチにおける2×2区域300の平面図を示している。２つの入力用光導波路302,304は２つの出力用光導波路306,308に接続され、全ては基材309内に形成されている。回折格子310,312は、交差部上方における基材309上に配置され、スイッチング・ポジション（又はオン・ポジション）に位置している。回折格子314,316は交差部上方の基材309上に配置され、非スイッチング・ポジション（又はオフ・ポジション）に位置している。入力用光導波路302に沿って伝搬する光信号は、光路318を経由して出力用光導波路308に接続される。光路318は、非スイッチング・ポジションにおいて回折格子314の影響を受けない。光路318は、基材309の上面及び下面から離れてTIR条件下で格子312へ延びている。格子312は光路318を角度320で回折し、TIRによって、非スイッチング・ポジションの格子316を超えて出力用光導波路308へ延びている。
【００２０】
入力用光導波路304へ伝搬する信号は、光路322を経由して出力用光導波路306へ接続される。光路322はオン・ポジションにある格子310に達して角度320で回折し、光信号は出力用光導波路306に接続される。前記角度320は好ましくは約68度である。図示したスイッチング構造において、光導波路324,326内には光は伝搬されない。
【００２１】
図６は、ある特定のスイッチ構成における2×2スイッチ400を三次元表示している。光導波路403（入力用光導波路403a及び出力用光導波路403b）は基材402に形成された埋没光導波路である。一般に、ここに記載した他の光導波路と同様にこれらの光導波路403は、公知の技術（例えば、D. Homoelle 他、"Infrared photosensitivity in silica glasses exposed to femtosecond laser pulses"、Optics Letters、 Vol. 24、No. 18，1999年9月15日、に記載された技術）によって基材402内に書き込まれる。
【００２２】
簡潔に説明すると、赤外線パルス・レーザは基材402内で１点に集約され、そこでの屈折率が恒久的に増大するような点まで加熱する。基材402は、望ましい光導波路のパターンを生成するために、三次元位置決めシステムによって移動させられる。数々のパラメータは、典型的には1550nmであって好ましい作用を生じる波長のためのシングル・モード・光導波路を製造するように合わせられている。形成された光導波路は、約3.5%の屈折率の増大を有する直径8マイクロメータであることが好ましい。これは、典型的な光ファイバーに適合した直径約10nmの案内されたビームを生成する。望むのであれば、より大きな直径を有するビームを生成するようにパラメータを調整することができる。明らかになるように、最大で４つの光導波路を基材402中の１つの箇所に集約することも可能である。光導波路は基材402の表面までずっと延設してもよく、又は、表面の下、数ミクロンのところで終端させてもよい。光導波路の位置と終端箇所とは、最高性能に併せて調整する。
【００２３】
移動可能な回折格子404,406,408,410はそれぞれ、ビーム径よりも若干だけ大きい必要があり、典型的には、円形の場合には直径20マイクロメータであり、矩形の場合には交差する各辺が20マイクロメータである。この構造は基材402において交差部の近傍に配置されている。基材402は好ましくは約200マイクロメータの厚みであり、回折格子404〜410は基材402の上面412上において互いに約400マイクロメータの間隔を空けて設けられている。１つの実施例において、格子404〜410は、図８及び図９に示す実施例と同様に基材402に取り付けられた石英ガラス・カンチレバー上に備えられている。格子404〜410は他の構成であってもよく、図１０〜図１２は他の例について示している。格子404〜410のそれぞれは、カンチレバーの表面上に蒸着された金属膜と表面412の上方に間隔を空けて設けられた電極とにより、個々に静電気的に動作される。
【００２４】
全反射（TIR）が生じる部分であって且つ格子404〜410が位置している複数の全反射領域の間における上面412の未使用部分には、光吸収被覆を施すことが好ましい。このような吸収被覆はこれらの全反射領域から逸脱した迷光を吸収し、望ましくない混信を防止する。加えて、このデバイス400は、いずれの格子によっても回折しなかった光を集め且つ分散するよう修正される。この光はゼロ次モード光として知られている。それぞれの光導波路403は、基材402の側面又は底面へ延びる埋没光導波路であって且つ基材402の外部のエネルギーに接続されることが好ましい。説明したように、入力用光導波路403は第１の平面内に存在し、出力用光導波路403bは前記第１の平面との間に角度を形成する第２の平面内に存在している。
【００２５】
図７は、基材500とシングル・モード・光ファイバー502との典型的な接続を示している。ファイバー502はコア504を有し、該コア504は基材500内を延びる埋没光導波路506と一直線状になっている。光導波路506は上述した光導波路のいずれかと同様であって、従って、基材500の上面505及び底面507から離れてTIR条件下で信号を伝搬することができる。説明した例においては、ファイバー502は45度の角度に研磨され、且つ、フレネル反射損失を削減すると共に後方反射エネルギーがファイバー502内へ侵入するのを防止するための反射防止膜508で覆われている。基材500も同様の膜510を有している。ファイバー502は、例えば取付治具又は陶製材料によって適切な位置に保持されている。
【００２６】
他の材料及び構造を用いることも可能であり、そして、回折格子用の様々の作動手段及び懸架手段を採用することも可能である。更に、格子又は動作構造において基材に対向する面上にはコブが設けられていてもよく、これにより、基材とスイッチング・ポジションにある格子との親密な接触が防止され、追突が最小限に抑制される。回折格子以外のデバイスを用いてビームの方向を切り替えてもよい。小型プリズム又はフレネル・タイプのミラーは、埋没光導波路を有する基材の上方に延びるTIRフィールドに対し、エバネッセント結合することができる。更にまた、望むのであれば、底面でのTIR反射が生じないようにするために、光導波路を曲げることも可能である。基材の厚みは、相対的に低損失の光導波路において曲率半径と一致していなければならない。他の代替手段については当該技術分野における当業者が知るところである。
【００２７】
一般的な回折格子アクチュエータを説明するため、図８に、上述したのと同様の入力用光導波路及び出力用光導波路を有する基材602（一部のみ図示）に備えられた典型的な回折格子600を示す。基材602は、第１の方向および平面内に延びる少なくとも１つの入力用埋没光導波路601と、第２の方向及び前記第１の平面とは異なる第２の平面内に延びる少なくとも１つの出力用埋没光導波路603とを有している。これらの光導波路601,603を図９に示す。出力用光導波路603は紙面外の平面内を延びており、従って、仮想線によって示している。２つの光導波路601,603は互いに近接する部分を有し、例えば、そこでは一方から他方への光信号の切り替えが可能なように互いに直接接続されている。光導波路601,603のそれぞれは、基材602内において全反射条件下で光信号を伝搬する。
【００２８】
ここで、ストリップ（strips）604（一部を図示）は、上面608に付加的に備えられた剛性のあるアンカー部606としてのサスペンション部材から吊られている。これは片持ち支持された構成であって、ストリップ604はアンカー部606から外方へ延び、基材602の上方において自立的に存在している。ストリップ604は基材602に十分に近接し、回折格子600はスイッチング・ポジションにバイアスしている。即ち、ストリップ604は、全反射条件下で基材602内を移動する1550nm〜1310nmの光波のエバネッセントの領域内にある。
【００２９】
構造的な剛性を付加するため、TIR領域610の上方（又は上面領域の上方）で延びるストリップ604間には交差接続部612が形成されている。全反射領域610の下方では、入力用光導波路601と出力用光導波路603とが交差している。交差接続部612があることにより、このような小寸法の構造に影響し得るねじり力を避けてストリップ604は一斉に動くことができる。より長いストリップに対しては、数多くの交差接続部を２つのストリップ間に備えてもよい。しかしながら、交差接続部612は、ストリップ604で形成された格子に対して直交して配置された回折格子として集約的に機能するため、設計配置構成においては、密接した周期態様により交差接続部612を配置するのを避けることが大切である。
【００３０】
ストリップ604は石英（silicon dioxide）で形成されていてもよく、この場合は、赤外線領域において透光性を有し、標準の５：ｍ〜１：ｍのライン幅のフォトリソグラフィであるMEMS製造プロセスにより、短時間で加工することができる。一例として、ストリップ604は基材602上に石英膜の蒸着によって形成することができる。基材602は、光導波路を内部に形成できる他の公知の基材用材料はもとより、水晶（quartz）によって形成してもよい。標準のフォトリソグラフィ技術を用いればフォトレジスト・レイヤーに必要なパターンを形成することが可能であり、市販のマルチユーザMEMSプロセス（MUMPSW）に類似する標準のMEMSエッチング技術を用いて石英内にこのパターンをエッチングすることが可能である。製造時において、サクリフィシャル・レイヤー（sacrificial layer）又はスペーサ・レイヤーは石英と石英ガラスとの間における基材上面に蒸着される。このレイヤーは窒化ケイ素であってもよく、エッチング又は溶解されて基材602からシリコン構造が解き放たれる。水晶のような材料で形成された基材602はエッチングに対する耐性が高く、基材がエッチングされることなくサクリフィシャル・レイヤーを溶解することができる。基材602のいかなるエッチングもわずかの回折格子パターンしか形成できず、この回折格子パターンは完全に曲げられるスイッチを実現できない。回折格子がスイッチング・ポジションに位置するようにサクリフィシャル・レイヤーを寸法決めでき、又は、ポリシリコン・スプリングを用いてスイッチング・ポジションにバイアスされるようにデバイスを構成することができる。ストリップ604、剛性的なアンカー部材606、及び交差接続部612は同じ材料によって構成されることが好ましく、石英ガラス材料が最も好ましい。なお、他の適した材料としては、アモルファス・シリコン、結晶シリコン、アルミナ、サファイヤ、窒化ケイ素、又は、ポリシリコン／ポリギルマニウム合金が含まれる。
【００３１】
更に、ポリシリコン・レイヤーを蒸着する前にサクリフィシャル・レイヤーに小さな窪みをパターニングすることにより、回折格子600の下側に小さなコブが形成されている。上述しように、これらのコブは、解放動作の間、及びその後のスイッチ動作の間における追突を最小限に抑制する。例えば図９では、ストリップ604に取り付けられたコブ613が示されている。
【００３２】
スイッチング・ポジションから非スイッチング・ポジションへ回折格子600を移動させるために、ストリップ604の上方に配置された電極を通じて電界が加えられる。ストリップ604には付加的な絶縁性レイヤー及び部分的な導電性レイヤーが形成されていてもよく、従って、電界が加えられた状態で基材602の上面から曲げられる。全反射領域610上方のエバネッセント領域は指数関数的に傾斜しており、ストリップ604は非スイッチング・ポジションへ回折格子600を位置させるために少しの距離の屈折しか必要としない。
【００３３】
図９は、少なくともストリップ604の先端部の上方に位置すると共に全てのストリップ604に交差して説明図の内外へ延びる電極614を用い、ストリップ604を屈曲させる技術について示している。電極614は、支持部材618の上に形成された絶縁取付板616の底面に設けられている。支持部材618はアンカー部材606と同じ材料により形成されていてもよく、また、説明図においては反対側も同様である。第２の電極（図示せず）は、例えば、最も外側のストリップ上に又はこれに近接して配置することによって、格子600の周囲を囲むことが可能である。電極614は駆動回路からの命令を受信し、これに対して第２の電極間でストリップ604へ電界を加える。実現の簡単のため、ストリップ604を設置電圧に接続することができる。更に、図示するように電極614はストリップ604の長さ寸法に沿って縦方向に延びている。
【００３４】
図１０及び図１１は、スイッチングさせるために回折格子を動作させる代替手段を示している。これらの実施例において、スイッチングに用いるフレックス（flex）は図９に示したように回折格子を形成するストリップ内にはなく、むしろストリップを基材の上面に接続する構造と共に存在している。例えば、回折格子構造700は、ストリップ702、交差接続部704、及びサイド部706を有し、これらは同じ材料を用いて形成され、且つ、図９にて説明した回折格子構造600と同様の方法により形成されている。格子700は図１１に示すように動作する。
【００３５】
図１１は、基材714上に形成された２つの取付ベース710,712を有する取付構造又はサスペンション部材を示している。取付板716は、高剛性の取付部材であるベース710,712上に形成されている。基材714は、第１の方向及び第１の平面内を延びる少なくとも１つの入力用埋没光導波路713と、第２の方向及び前記第１の平面とは異なる第２の平面内を延びる少なくとも１つの出力用埋没光導波路715を有する。出力用光導波路715は説明図の外へ延びており、従って、仮想線により示している。２つの光導波路713,715は互いに近接した端部を有し、例えば、一方から他方への光信号のスイッチングが可能なように互いに接続されていてもよい。光導波路713,715のそれぞれは、全反射の条件下で光信号を伝搬する。
【００３６】
回折格子700は、可撓性部材718を介して取付ベース710,712に接続されている。この可撓性部材718は、多数のMEMS処理されたスプリング、薄膜、又は屈折可能な構造物であり得る。第１の電極720は取付板716に取り付けられており、この実施例においては、横方向及びストリップ702の交差する縦方向へ延び、接地されている。第２の電極721は、格子700の周囲に、例えば可撓性部材718上に取り付けられている。このような構成の場合、回折格子700はスイッチング・ポジション（オン・ポジション）にバイアスされており、電極720,721間の電界により非スイッチング・ポジションへ動作可能である。また、回折格子700は、電極720,721の制御により上昇又は下降の双方にバイアスすることも可能である。回折格子700は底面に形成されたコブ722を有し、回折格子700と基材714との動作中の追突を防止することができる。
【００３７】
図１２は、光学回折素子800の他の駆動構造を示している。光回折格子800は上述したのと同じ材料で同様の手法により形成されている。光学回折素子800の典型的な横方向寸法は20〜1000マイクロメータである。ストリップ802は回折格子800の長さ方向に沿って延び、構造的剛性を付与するために接続部804に交差している。図示する例においてスプリング・アームという形の複数の可撓性部材806が、光学回折素子800に接続されている。可撓性部材806は基材808の上面にも接続されている。この基材808は、既に述べたように、全反射の条件下で光信号を伝搬する入力用光導波路及び出力用光導波路を有している。具体的に言うと、複数のフート（feet）810は、アーム806のための支柱としての役目を果たすと共に高さを有し、好ましい実施例においては、光学回折素子800をオン・ポジションにバイアスするよう十分に小さい。
【００３８】
スプリング・アーム806の構成と寸法とは、電界の適用下で光学回折素子800をオフ・ポジションに屈折できるように選択される。当該技術分野における当業者にもわかるように、他の多くの構成が、スイッチング動作用の望ましいフレックス及びスプリング・バイアスを実現するために用いることができる。作動するために、例えば図１１にて示したのと同様の構成を有する適切な取付構造を用い、第１の電極が光学回折素子800の上方に取り付けられている。第２の電極は、光学回折素子800上に配設され、又は、同じ動作をするように素子800の側方に又は近接して配置されてもよい。
【００３９】
光学回折素子800の動作に係る好ましい実施例においては静電気作動が用いられるが、これに代えて熱性作動、圧電性作動、電気光学作動を用いてもよい。
【００４０】
図１２から分かるように、ここでは回折格子のミクロンレベルの寸法に起因して、回折格子は多くのストリップを有し、且つ、そこでは多くの交差接続部が用いられている。従って、光学回折素子800のような多くのストリップが実際に使用されているということを理解しつつ、上記図面は一般的なストリップの数を典型的に示しているものと考えられる。
【００４１】
本発明が教示するところに基づいて構成された確かな装置をここで説明したが、この特許の範囲はそれに限定されるものではない。これに対してこの特許は、文字通りに又は均等の原則に従って、添付した各請求項の適正な範囲内の発明が教示するところにより全ての実施形態を対象としている。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】スイッチング・ポジションでの回折格子を示す断面図である。
【図２】図１に示す回折格子の非スイッチング・ポジションでの断面図である。
【図３】光導波路を有する光学基材に近接して配置された実施の形態に係る回折格子を示す断面図である。
【図４】光学基材に関する第２のポジションに配置された、図３に示す実施の形態に係る回折格子を示す断面図である。
【図５】N×N光学スイッチにおける2×2部分の例を示す平面図である。
【図６】実施の形態に係る2×2スイッチの斜視図である。
【図７】シングル・モード・ファイバーと基材内の光導波路との接続例を示す断面図である。
【図８】アンカー部を用いる片持ち支持された典型的なマウントを示す回折格子の斜視図である。
【図９】基材の上面に対して回折格子を移動させるべく該回折格子の上方に配設された実施例に係る電極を示す図８に示す回折格子の平面図である。
【図１０】実施の形態に係る他の典型的な回折格子の部分平面図である。
【図１１】図１０に示す回折格子の側面図であり、取付構造と回折格子の上方に配置された電極とを示す。
【図１２】可撓性のアーム及び取付用のフートから形成された作動部を有する実施の形態に係る回折格子を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４３】
200  光学スイッチ
202,212,216  光ビーム
204  入力用光導波路
206  基材
208  回折格子
210  出力用光導波路
211  交差部
214  出力用光導波路
302,304  入力用光導波路
306,308  出力用光導波路
309  基材
310,312,314,316  回折格子
324,326  光導波路
402  基材
403  光導波路
403a  入力用光導波路
403b  出力用光導波路
404,406,408,410  回折格子
500  基材
502  シングル・モード・光ファイバー
506  埋没光導波路
508  反射防止膜
600  回折格子
601  入力用埋没光導波路
602  基材
603  出力用埋没光導波路
604  ストリップ
606  アンカー部
610  全反射領域
612  交差接続部
613  コブ
614  電極
700  回折格子構造
702  ストリップ
704  交差接続部
714  基材
713  入力用埋没光導波路
715  出力用埋没光導波路
720  第１の電極
721  第２の電極
800  光学回折素子
802  ストリップ
804  接続部
808  基材