(57)【要約】高周波の伝送効率が高い誘電体線路を有する配線板を提供することを目的とする。樹脂（Ａ）を含む誘電体線路と、誘電体線路を覆い、樹脂（Ｂ）を含む誘電体外装部とを備え、前記誘電体外装部は、６ＧＨｚ、２５℃における比誘電率が前記誘電体線路よりも低いことを特徴とする配線板である。【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂（Ａ）を含む誘電体線路と、該誘電体線路を覆い、樹脂（Ｂ）を含む誘電体外装部とを備え、
前記誘電体外装部は、６ＧＨｚ、２５℃における比誘電率が前記誘電体線路よりも低いことを特徴とする配線板。
【請求項２】
６ＧＨｚ、２５℃における誘電体外装部の比誘電率と誘電体線路の比誘電率との比（誘電体外装部の比誘電率／誘電体線路の比誘電率）が、０．６０〜０．９０である請求項１記載の配線板。
【請求項３】
前記樹脂（Ａ）は、６ＧＨｚ、２５℃における比誘電率が３．０以下であり、誘電正接が０．００３以下である請求項１又は２記載の配線板。
【請求項４】
前記樹脂（Ａ）は、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体、ポリプロピレン及びポリエチレンからなる群より選択される少なくとも１種である請求項１〜３のいずれかに記載の配線板。
【請求項５】
前記誘電体線路は、更に、無機粉体（Ｃ）を含み、６ＧＨｚ、２５℃における比誘電率が２．２以上である請求項１〜４のいずれかに記載の配線板。
【請求項６】
無機粉体（Ｃ）は、セラミック粉体である請求項５記載の配線板。
【請求項７】
無機粉体（Ｃ）は、チタン酸バリウム系、チタン酸ストロンチウム系、チタン酸カルシウム系、チタン酸マグネシウム系、チタン酸ジルコニウム系、チタン酸ランタン系、チタン酸ビスマス系、Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３系、Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３系、ＣａＴｉＯ３−（Ｌｉ１／２Ｎｄ１／２）ＴｉＯ３−（Ｌｉ１／２Ｂｉ１／２）ＴｉＯ３系、タンタル酸マグネシウム系、ニオブ酸マグネシウム系、アルミナ系、マグネシア系、チタニア系、酸化タンタル系、酸化ニオブ系、フェライト系、ジルコニア系、及び、希土類複合酸化物系からなる群より選択される少なくとも１種である請求項５又は６記載の配線板。
【請求項８】
前記樹脂（Ｂ）は、６ＧＨｚ、２５℃における誘電体線路の比誘電率よりも小さく、誘電正接が０．００１２以下である請求項１〜７のいずれかに記載の配線板。
【請求項９】
前記樹脂（Ｂ）は、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリスチレン及びポリスチロールからなる群より選択される少なくとも１種である請求項１〜８のいずれかに記載の配線板。
【請求項１０】
前記誘電体外装部は、更に、無機粉体（Ｄ）を含み、６ＧＨｚ、２５℃における比誘電率が２．２以上である請求項１〜９のいずれかに記載の配線板。
【請求項１１】
無機粉体（Ｄ）は、セラミック粉体である請求項１０記載の配線板。
【請求項１２】
無機粉体（Ｄ）は、チタン酸バリウム系、チタン酸ストロンチウム系、チタン酸カルシウム系、チタン酸マグネシウム系、チタン酸ジルコニウム系、チタン酸ランタン系、チタン酸ビスマス系、Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３系、Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３系、ＣａＴｉＯ３−（Ｌｉ１／２Ｎｄ１／２）ＴｉＯ３−（Ｌｉ１／２Ｂｉ１／２）ＴｉＯ３系、タンタル酸マグネシウム系、ニオブ酸マグネシウム系、アルミナ系、マグネシア系、チタニア系、酸化タンタル系、酸化ニオブ系、フェライト系、ジルコニア系、及び、希土類複合酸化物系からなる群より選択される少なくとも１種である請求項１０又は１１記載の配線板。
【請求項１３】
前記誘電体外装部は、誘電体線路を収納する溝を有する下部層と、前記下部層上に形成された上部層との積層構造を有する請求項１〜１２のいずれかに記載の配線板。
【請求項１４】
前記誘電体外装部は、下部層と上部層との間に接着層を有する請求項１３記載の配線板。
【請求項１５】
前記接着層を構成する材料は、６ＧＨｚ、２５℃における誘電正接が０．００３以下である請求項１４記載の配線板。
【請求項１６】
前記接着層を構成する材料は、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体、ポリエチレン、及び、ポリプロピレンからなる群より選択される少なくとも１種である請求項１４又は１５記載の配線板。
【請求項１７】
前記誘電体外装部は、下部層と、該下部層上に形成された誘電体線路を収納する空洞を有する中間層と、該中間層上に形成された上部層との積層構造を有する請求項１〜１２のいずれかに記載の配線板。
【請求項１８】
前記誘電体外装部は、下部層と中間層との間、又は、中間層と上部層との間に接着層を有する請求項１７記載の配線板。
【請求項１９】
前記接着層を構成する材料は、６ＧＨｚ、２５℃における誘電正接が０．００３以下である請求項１８記載の配線板。
【請求項２０】
前記接着層を構成する材料は、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体、ポリエチレン、及び、ポリプロピレンからなる群より選択される少なくとも１種である請求項１８又は１９記載の配線板。
【請求項２１】
誘電体外装部は、板状であり、長辺の長さが厚みの３倍以上である請求項１〜２０のいずれかに記載の配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波やミリ波の高周波信号を伝送させるための伝送線路として、従来は金属導波管が用いられてきたが、近年の高周波モジュール小型化の要求等により、誘電体線路を導波路として用いることが検討されている。【０００３】
特許文献１には、第１の導体板と、第２の導体板と、少なくとも一つの誘電体ストリップ線路と、誘電体スラブとを含む誘電体線路結合装置であって、前記第１の導体板及び前記第２の導体板は、互いに間隔を隔て、かつ、対向して配置されており、前記誘電体ストリップ線路は、前記第１の導体板と第２の導体板との間に配置されており、前記誘電体スラブは、誘電体の薄板からなり、前記第１、第２の導体板のいずれかの側面と面接触し、且つ、端部が前記誘電体ストリップ線路の側面と接触している誘電体線路結合装置が記載されている。【０００４】
ところで、特許文献２には、（１）未焼成ポリテトラフルオロエチレン樹脂をポリテトラフルオロエチレン樹脂の融点以上の温度で焼成し、この焼成したポリテトラフルオロエチレン樹脂を粉砕して焼成ポリテトラフルオロエチレン樹脂粉末とし、次いで、この粉末を１ｇ／ｃｍ２〜８００ｋｇ／ｃｍ２の圧力で所定形状に成形し、再度ポリテトラフルオロエチレンの融点以上の温度で焼成することを特徴とするポリテトラフルオロエチレン樹脂多孔質体の製造方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１８６８１８号公報
【特許文献２】特開昭６１−６６７３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本開示は、高周波の伝送効率が高い誘電体線路を有する配線板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示は、樹脂（Ａ）を含む誘電体線路と、該誘電体線路を覆い、樹脂（Ｂ）を含む誘電体外装部とを備え、前記誘電体外装部は、６ＧＨｚ、２５℃における比誘電率が前記誘電体線路よりも低いことを特徴とする配線板に関する。【０００８】
本開示の配線板は、６ＧＨｚ、２５℃における誘電体外装部の比誘電率と誘電体線路の比誘電率との比（誘電体外装部の比誘電率／誘電体線路の比誘電率）が、０．６０〜０．９０であることが好ましい。【０００９】
上記樹脂（Ａ）は、６ＧＨｚ、２５℃における比誘電率が３．０以下であり、誘電正接が０．００３以下であることが好ましい。上記樹脂（Ａ）は、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体、ポリプロピレン及びポリエチレンからなる群より選択される少なくとも１種であることがより好ましい。【００１０】
上記誘電体線路は、更に、無機粉体（Ｃ）を含み、６ＧＨｚ、２５℃における比誘電率が２．２以上であることが好ましい。上記無機粉体（Ｃ）は、セラミック粉体であることが好ましく、チタン酸バリウム系、チタン酸ストロンチウム系、チタン酸カルシウム系、チタン酸マグネシウム系、チタン酸ジルコニウム系、チタン酸ランタン系、チタン酸ビスマス系、Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３系、Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３系、ＣａＴｉＯ３−（Ｌｉ１／２Ｎｄ１／２）ＴｉＯ３−（Ｌｉ１／２Ｂｉ１／２）ＴｉＯ３系、タンタル酸マグネシウム系、ニオブ酸マグネシウム系、アルミナ系、マグネシア系、チタニア系、酸化タンタル系、酸化ニオブ系、フェライト系、ジルコニア系、及び、希土類複合酸化物系からなる群より選択される少なくとも１種であることがより好ましい。【００１１】
上記樹脂（Ｂ）は、６ＧＨｚ、２５℃における誘電体線路の比誘電率よりも小さく、誘電正接が０．００１２以下であることが好ましく、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリスチレン及びポリスチロールからなる群より選択される少なくとも１種であることがより好ましい。【００１２】
上記誘電体外装部は、更に、無機粉体（Ｄ）を含み、６ＧＨｚ、２５℃における比誘電率が２．２以上であることが好ましい。無機粉体（Ｄ）は、セラミック粉体であることが好ましく、チタン酸バリウム系、チタン酸ストロンチウム系、チタン酸カルシウム系、チタン酸マグネシウム系、チタン酸ジルコニウム系、チタン酸ランタン系、チタン酸ビスマス系、Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３系、Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３系、ＣａＴｉＯ３−（Ｌｉ１／２Ｎｄ１／２）ＴｉＯ３−（Ｌｉ１／２Ｂｉ１／２）ＴｉＯ３系、タンタル酸マグネシウム系、ニオブ酸マグネシウム系、アルミナ系、マグネシア系、チタニア系、酸化タンタル系、酸化ニオブ系、フェライト系、ジルコニア系、及び、希土類複合酸化物系からなる群より選択される少なくとも１種であることがより好ましい。【００１３】
本開示の配線板は、上記誘電体外装部が、誘電体線路を収納する溝を有する下部層と、該下部層上に形成された上部層との積層構造を有することが好ましい形態の一つである。
上記誘電体外装部は、下部層と上部層との間に接着層を有することが好ましい。上記接着層を構成する材料は、６ＧＨｚ、２５℃における誘電正接が０．００３以下であることが好ましく、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体、ポリエチレン、及び、ポリプロピレンからなる群より選択される少なくとも１種であることがより好ましい。【００１４】
本開示の配線板は、上記誘電体外装部が、下部層と、該下部層上に形成された誘電体線路を収納する空洞を有する中間層と、該中間層上に形成された上部層との積層構造を有することも好ましい形態の一つである。上記誘電体外装部は、下部層と中間層との間、又は、中間層と上部層との間に接着層を有することが好ましい。上記接着層を構成する材料は、６ＧＨｚ、２５℃における誘電正接が０．００３以下であることが好ましく、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体、ポリエチレン、及び、ポリプロピレンからなる群より選択される少なくとも１種であることがより好ましい。【００１５】
上記誘電体外装部は、板状であり、長辺の長さが厚みの３倍以上であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本開示の配線板は、誘電体線路の高周波の伝送効率が高い。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本開示の配線板の一例を示す模式図である。（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は断面図である。
【図２】本開示の配線板の一例を示す模式図である。（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は断面図である。
【図３】本開示の配線板の一例を示す模式図である。（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は断面図である。
【図４】本開示の配線板の一例を示す模式図である。（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は断面図である。
【図５】本開示の配線板の一例を示す模式図である。（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は断面図である。
【図６】本開示の配線板において、誘電体線路を曲げた時の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本開示の配線板を具体的に説明する。
【００１９】
本開示の配線板は、樹脂（Ａ）を含む誘電体線路と、該誘電体線路を覆い、樹脂（Ｂ）を含む誘電体外装部とを備え、該誘電体外装部は、６ＧＨｚ、２５℃における比誘電率が前記誘電体線路よりも低いことを特徴とする。
上記誘電体線路は、誘電体線路よりも低い比誘電率を有する誘電体外装部に覆われていることによって、ミリ波、サブミリ波等の高周波を効率よく伝送することができる。誘電体外装部は、誘電体線路の表面積の９５％以上を覆っていることが好ましく、９９％以上を覆っていることがより好ましく、実質的に全面を覆っていることが好ましい。
【００２０】
上記誘電体線路及び誘電体外装部の比誘電率は、６ＧＨｚ、２５℃における比誘電率である。
誘電体線路および誘電体外装部の比誘電率は、直径２ｍｍの円柱状に加工し、空洞共振器を使用して測定することができる。
【００２１】
本開示の配線板は、電磁波の伝送効率をより優れたものとできることから、６ＧＨｚ、２５℃における誘電体外装部の比誘電率と誘電体線路の比誘電率との比（誘電体外装部の比誘電率／誘電体線路）が、０．６０〜０．９０であることが好ましい。上記比は、配線板内で直線が多い場合は０．８０〜０．９０であることがより好ましく、曲率半径３０ｍｍの曲がりが多い場合は０．６０〜０．７０であることがより好ましい。比誘電率の比を上記範囲とすることで、誘電体線路が曲がっている場合でも損失を小さくして電磁波を通過させることができる。
【００２２】
誘電体の中での電磁波の速度は、光速Ｃ／｛（比誘電率）１／２｝である。誘電体線路（内層）が直線の場合、内層と誘電体外装部（外層）間で、比誘電率の関係が、内層比誘電率＞外層比誘電率である場合、内層を伝わる電磁波の速度よりも、外層を伝わる電磁波の速度が速くなり、電磁波は内層内壁での全反射となり伝送する。
図６に示すように、断面積がｄ１（ｍｍ）×ｄ２（ｍｍ）である線路６１が曲線である場合、曲率半径ａ（ｍｍ）で配線板内での曲がりを表すことができる。比誘電率の比と配線板内での曲がりによる伝送損失の関係を表１に示す。
【００２３】
【表１】
2020158868.tif 000002
【００２４】
比誘電率の比が、０．６０〜０．９０であることで、直線を含んでおおよそ曲率半径が３０ｍｍの曲げに、−３．０ｄＢ以下の伝送損失で対応できる誘電体線路を作製できる。
【００２５】
上記誘電体線路の６ＧＨｚ、２５℃における比誘電率は、２．０５以上が好ましく、２．１０以上がより好ましく、２．１６以上が更に好ましい。上限は、特に限定されないが、２．２０であってよい。
【００２６】
上記誘電体線路の６ＧＨｚ、２５℃における誘電正接としては、１．２０×１０−４以下が好ましく、１．００×１０−４以下がより好ましく、０．９５×１０−４以下が更に好ましい。下限は、特に限定されないが、０．１０×１０−４であってよく、０．８０×１０−４であってよい。
【００２７】
上記誘電体線路は樹脂（Ａ）を含む。上記樹脂（Ａ）は、誘電体外装部の比誘電率が誘電体線路の比誘電率よりも低くなるように、誘電体外装部との関係で適宜選択すればよく限定されるものではないが、伝送効率の観点から、６ＧＨｚ、２５℃における比誘電率が３．０以下であり、誘電正接が０．００３以下であることが好ましい。また、上記比誘電率が１．９以上であり、誘電正接が０．０００２以下であることが好ましい。より好ましくは、比誘電率が２．０以上であり、誘電正接が０．０００１５以下である。上記樹脂（Ａ）の比誘電率は、２．８以下であってよく、２．５以下であってもよい。
【００２８】
上記樹脂（Ａ）は、低損失の観点からは、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体、ポリプロピレン及びポリエチレンからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。より好ましくは、ポリテトラフルオロエチレン、ポリプロピレン、及び、ポリエチレンからなる群より選択される少なくとも１種であり、更に好ましくはポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）である。
誘電体線路におけるＰＴＦＥは、比重が２．１６０以上であることが好ましく、２．１６５以上であることがより好ましく、２．１７０以上であることが更に好ましい。上限は、特に限定されないが、２．３０であってよい。
【００２９】
上記ＰＴＦＥは、ＴＦＥの単独重合体であっても、他の単量体で変性された変性ＰＴＦＥであってもよい。
【００３０】
上記変性ＰＴＦＥは、テトラフルオロエチレン〔ＴＦＥ〕とＴＦＥ以外のモノマー（以下、「変性剤」ともいう。）とからなるＰＴＦＥである。変性ＰＴＦＥは、均一に変性されたものであってもよいし、後述するコアシェル構造を有する変性ＰＴＦＥであってもよい。
【００３１】
上記変性ＰＴＦＥは、ＴＦＥに基づくＴＦＥ単位と変性剤に基づく変性剤単位とからなるものである。上記変性ＰＴＦＥは、変性剤単位が全単量体単位の０．００５〜１質量％であることが好ましい。より好ましくは、０．０２〜０．５質量％である。
【００３２】
本明細書において、「変性剤単位」は、変性ＰＴＦＥの分子構造上の一部分であって、変性剤として用いた共単量体に由来する繰り返し単位を意味する。上記変性剤単位は、例えば、変性剤としてパーフルオロプロピルビニルエーテルを用いた場合、−［ＣＦ２−ＣＦ（−ＯＣ３Ｆ７）］−で表され、ヘキサフルオロプロピレンを用いた場合、−［ＣＦ２−ＣＦ（−ＣＦ３）］−で表される。
【００３３】
上記変性剤としては、ＴＦＥとの共重合が可能なものであれば特に限定されず、例えば、ヘキサフルオロプロピレン〔ＨＦＰ〕等のパーフルオロオレフィン；クロロトリフルオロエチレン〔ＣＴＦＥ〕等のクロロフルオロオレフィン；トリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン〔ＶＤＦ〕等の水素含有フルオロオレフィン；パーフルオロビニルエーテル；パーフルオロアルキルエチレン、エチレン等が挙げられる。また、用いる変性剤は１種であってもよいし、複数種であってもよい。
【００３４】
上記パーフルオロビニルエーテルとしては特に限定されず、例えば、下記一般式：
ＣＦ２＝ＣＦ−ＯＲｆ  
（式中、Ｒｆは、パーフルオロ有機基を表す。）で表されるパーフルオロ不飽和化合物等が挙げられる。本明細書において、上記「パーフルオロ有機基」とは、炭素原子に結合する水素原子が全てフッ素原子に置換されてなる有機基を意味する。上記パーフルオロ有機基は、エーテル酸素を有していてもよい。
【００３５】
上記パーフルオロビニルエーテルとしては、例えば、上記一般式において、Ｒｆが炭素数１〜１０のパーフルオロアルキル基であるパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）〔ＰＡＶＥ〕が挙げられる。上記パーフルオロアルキル基の炭素数は、好ましくは１〜５である。
【００３６】
上記ＰＡＶＥにおけるパーフルオロアルキル基としては、例えば、パーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基等が挙げられるが、パーフルオロアルキル基がパーフルオロプロピル基であることが好ましい。すなわち、上記ＰＡＶＥは、パーフルオロプロピルビニルエーテル〔ＰＰＶＥ〕が好ましい。
【００３７】
上記パーフルオロビニルエーテルとしては、更に、上記一般式において、Ｒｆが炭素数４〜９のパーフルオロ（アルコキシアルキル）基であるもの、Ｒｆが下記式：
【００３８】
【化１】
2020158868.tif 000003
【００３９】
（式中、ｍは、０又は１〜４の整数を表す。）で表される基であるもの、Ｒｆが下記式：
【００４０】
【化２】
2020158868.tif 000004
【００４１】
（式中、ｎは、１〜４の整数を表す。）で表される基であるもの等が挙げられる。
【００４２】
パーフルオロアルキルエチレン（ＰＦＡＥ）としては特に限定されず、例えば、（パーフルオロブチル）エチレン（ＰＦＢＥ）、（パーフルオロヘキシル）エチレン等が挙げられる。
【００４３】
上記変性ＰＴＦＥにおける変性剤としては、ＨＦＰ、ＣＴＦＥ、ＶＤＦ、ＰＡＶＥ、ＰＦＡＥ及びエチレンからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。より好ましくは、ＰＡＶＥであり、更に好ましくは、ＰＰＶＥである。
【００４４】
上記変性ＰＴＦＥは、粒子芯部と粒子殻部とからなるコアシェル構造を有するものであってもよい。
【００４５】
上記ＰＴＦＥは、フィブリル化性を有することが好ましい。フィブリル化性の有無は、ＴＦＥの重合体から作られた粉末である「高分子量ＰＴＦＥ粉末」を成形する代表的な方法である「ペースト押出し」で判断できる。通常、ペースト押出しが可能であるのは、高分子量のＰＴＦＥがフィブリル化性を有するからである。ペースト押出しで得られた未焼成の成形物に実質的な強度や伸びがない場合、例えば伸びが０％で引っ張ると切れるような場合はフィブリル化性がないとみなすことができる。
【００４６】
上記ＰＴＦＥは、非溶融加工性を有することが好ましい。上記非溶融加工性とは、ＡＳＴＭ  Ｄ−１２３８及びＤ−２１１６に準拠して、結晶化融点より高い温度でメルトフローレートを測定できない性質を意味する。
【００４７】
上記ＰＴＦＥは、標準比重〔ＳＳＧ〕が２．１３〜２．２３であることが好ましく、２．１５〜２．１９であることがより好ましい。上記標準比重は、ＡＳＴＭ  Ｄ−４８９５  ９８に準拠して、水中置換法により測定する値である。
【００４８】
上記ＰＴＦＥは、第一融点が３３３〜３４７℃であることが好ましい。より好ましくは、３３５〜３４５℃である。上記第一融点は、３００℃以上の温度に加熱した履歴がないＰＴＦＥについて示差走査熱量計〔ＤＳＣ〕を用いて１０℃／分の速度で昇温したときの融解熱曲線における極大値に対応する温度である。
【００４９】
また、上記ＰＴＦＥとして、高分子量ＰＴＦＥと低分子量ＰＴＦＥとを使用することも可能である。上記高分子量ＰＴＦＥは、第一融点が３３３〜３４７℃であることが好ましく、３３５〜３４５℃であることがより好ましい。上記低分子量ＰＴＦＥは、第一融点が３２２〜３３３℃であることが好ましく、３２４〜３３２℃であることがより好ましい。上記第一融点は、３００℃以上の温度に加熱した履歴がないＰＴＦＥについて示差走査熱量計〔ＤＳＣ〕を用いて１０℃／分の速度で昇温したときの融解熱曲線における極大値に対応する温度である。
【００５０】
上記高分子量ＰＴＦＥと上記低分子量ＰＴＦＥとの質量比は、８０／２０〜９９／１であることが好ましく、８５／１５〜９７／３であることがより好ましく、９０／１０〜９５／５であることが更に好ましい。
【００５１】
上記誘電体線路は、樹脂（Ａ）の含有率が６０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上が好ましく、８０質量％以上が特に好ましく、実質的に１００質量％であってもよい。
【００５２】
上記誘電体線路は、樹脂（Ａ）に加えて、無機粉体（Ｃ）を含み、６ＧＨｚ、２５℃における比誘電率が２．２以上であることも好ましい。樹脂（Ａ）と無機粉体（Ｃ）とを併用することによって、誘電体線路の比誘電率を調整することができる。上記比誘電率は３．０以上が好ましく、４．０以上がより好ましく、４．５以上が更に好ましく、５．０以上が特に好ましい。
【００５３】
上記無機粉体（Ｃ）としては、セラミック粉体が好ましく、例えば、チタン酸バリウム系、チタン酸ストロンチウム系、チタン酸カルシウム系、チタン酸マグネシウム系、チタン酸ジルコニウム系、チタン酸ランタン系、チタン酸ビスマス系、Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３系、Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３系、ＣａＴｉＯ３−（Ｌｉ１／２Ｎｄ１／２）ＴｉＯ３−（Ｌｉ１／２Ｂｉ１／２）ＴｉＯ３系、タンタル酸マグネシウム系、ニオブ酸マグネシウム系、アルミナ系、マグネシア系、チタニア系、酸化タンタル系、酸化ニオブ系、フェライト系、ジルコニア系、及び、希土類複合酸化物系からなる群より選択される少なくとも１種がより好ましい。更に好ましくは、チタン酸バリウム系、及び、アルミナ系からなる群より選択させる少なくとも１種である。
【００５４】
上記誘電体線路が無機粉体（Ｃ）を含む場合、上記誘電体線路に対して無機粉体（Ｃ）の含有率は４０質量％以下が好ましく、３０質量％以下がより好ましく、２０質量％以下が更に好ましく、１０質量％以下が特に好ましい。
【００５５】
上記誘電体線路は、本開示の目的を損なわない範囲で他の成分を含むものであってもよい。上記他の成分としては、界面活性剤、酸化防止剤、光安定剤、蛍光増白剤、着色剤、顔料、染料、フィラー等も挙げられる。また、カーボンブラック、グラファイト、アルミナ、マイカ、炭化珪素、窒化硼素、酸化チタン、酸化ビスマス、ブロンズ、金、銀、銅、ニッケル等の粉末又は繊維粉末等も挙げられる。
【００５６】
上記誘電体線路は、比重が２．１６０以上であることが好ましい。上記比重は、２．１６５以上であることがより好ましく、２．１７０以上であることが更に好ましい。上限は、特に限定されないが、２．３０であってよい。上記誘電体線路の比重が上記範囲内であると、高い比誘電率を有すると同時に、低い誘電正接を有する誘電体線路を容易に実現することができる。
上記比重は、液中ひょう量法（ＪＩＳ  Ｚ  ８８０７準拠）により測定する。
【００５７】
上記誘電体線路は、樹脂（Ａ）の結晶化度が７０％以上であることが好ましい。上記結晶化度は、７３％以上であることがより好ましく、７５％以上であることが更に好ましい。上限は、特に限定されないが、９９％であってよい。結晶化度が上記範囲内であると、高い比誘電率を有すると同時に、低い誘電正接を有する誘電体線路を実現することができる。
上記結晶化度は、比重法により測定する。
【００５８】
上記誘電体線路の断面形状としては、真円状、楕円状などの円形であってもよいし、正方形、長方形などの方形であってもよい。誘電体線路の断面積は、使用される電磁波の周波数により適宜選択され、例えば、２８ＧＨｚの高周波を伝送する場合には、２〜１０ｍｍ２であることが好ましく、５〜９ｍｍ２であることがより好ましい。
例えば、方形の場合、２８ＧＨｚの高周波を伝送するためには、各辺の長さが６．９〜７．５ｍｍであることが好ましく、この好適な値は周波数と反比例し、例えば、８４ＧＨｚである場合には２．３〜２．５ｍｍであることが好ましい。
【００５９】
上記誘電体線路の長さ（電磁波の進行方向の長さ）は限定されず、配線板の大きさ、用途によって適宜設定すればよい。
【００６０】
上記誘電体線路の両端は、同軸構造へ変換するために、１／４λの金属棒でのアンテナや、ループ状アンテナ、一端導波管への変換を行ってもよい。
【００６１】
上記誘電体外装部は、６ＧＨｚ、２５℃における比誘電率が、１．６０以下が好ましく、１．４３以下がより好ましく、１．３５以下であることが更に好ましく、１．３０以下であることが特に好ましい。
【００６２】
上記誘電体外装部の６ＧＨｚ、２５℃における誘電正接としては、１．５０×１０−４以下が好ましく、１．００×１０−４以下がより好ましく、０．６０×１０−４以下が更に好ましく、０．３０×１０−４以下が更により好ましい。
【００６３】
上記誘電体外装部は樹脂（Ｂ）を含む。上記樹脂（Ｂ）は、誘電体外装部の比誘電率が誘電体線路の比誘電率よりも低くなるように、誘電体線路との関係で適宜選択すればよく限定されるものではないが、伝送効率の観点から、６ＧＨｚ、２５℃における比誘電率が１．９以下であり、誘電正接が０．００１２以下であることが好ましい。より好ましくは、比誘電率が１．６以下であり、誘電正接が０．０００２０以下である。
誘電体外装部の材料である樹脂（Ｂ）の比誘電率及び誘電正接は、樹脂（Ｂ）を直径２ｍｍの円柱状に加工し、空洞共振器を使用して測定することができる。
【００６４】
上記樹脂（Ｂ）は、低比誘電率、低誘電正接（ｔａｎδ）の観点からは、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリスチレン及びポリスチロールからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。より好ましくは、ポリテトラフルオロエチレン、ポリプロピレン、及び、ポリエチレンからなる群より選択される少なくとも１種であり、更に好ましくは、ポリテトラフルオロエチレンである。誘電体外装部におけるＰＴＦＥは、比重が１．５以下であることが好ましい。上記比重は、１．３以下であることがより好ましく、１．０以下であることが更に好ましい。下限は、特に限定されないが、０．１であってよい。
上記誘電体外装部を構成する材料としてより具体的には、ＰＴＦＥの焼結粉砕粉を圧縮成形したものや、延伸ＰＴＦＥ多孔質体、発泡ポリエチレン等が挙げられる。
上記ＰＴＦＥの焼結粉砕粉を圧縮成形したものについては、後述する。
上記延伸ＰＴＦＥ多孔質体は、シート状のＰＴＦＥ成形体を延伸することによって得られる延伸ＰＴＦＥ多孔質膜であってもよい。上記延伸ＰＴＦＥ多孔質体は、従来公知の方法で作製することができる。上記延伸ＰＴＦＥ多孔質体の比誘電率及び誘電正接は、延伸倍率、延伸速度、延伸温度等の延伸条件によって適宜コントロールすることができる。例えば、延伸倍率が高いほど、比誘電率及び誘電正接はともに低下する。
【００６５】
上記誘電体外装部は、樹脂（Ｂ）の含有率が６０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上が好ましく、８０質量％以上が特に好ましく、実質的に１００質量％であってもよい。
【００６６】
上記誘電体外装部は、樹脂（Ｂ）に加えて、無機粉体（Ｄ）を含み、６ＧＨｚ、２５℃における比誘電率が２．２以上であることも好ましい。樹脂（Ｂ）と無機粉体（Ｄ）とを併用することによって、誘電体外装部の比誘電率を調整することができる。上記比誘電率は、３．０以上が好ましく、４．０以上がより好ましく、４．５以上が更に好ましく、５．０以上が特に好ましい。
【００６７】
上記無機粉体（Ｄ）としては、セラミック粉体が好ましく、例えば、チタン酸バリウム系、チタン酸ストロンチウム系、チタン酸カルシウム系、チタン酸マグネシウム系、チタン酸ジルコニウム系、チタン酸ランタン系、チタン酸ビスマス系、Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３系、Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３系、ＣａＴｉＯ３−（Ｌｉ１／２Ｎｄ１／２）ＴｉＯ３−（Ｌｉ１／２Ｂｉ１／２）ＴｉＯ３系、タンタル酸マグネシウム系、ニオブ酸マグネシウム系、アルミナ系、マグネシア系、チタニア系、酸化タンタル系、酸化ニオブ系、フェライト系、ジルコニア系、及び、希土類複合酸化物系からなる群より選択される少なくとも１種の粉体がより好ましい。更に好ましくは、チタン酸バリウム系、及び、アルミナ系からなる群より選択させる少なくとも１種である。
【００６８】
上記誘電体外装部が無機粉体（Ｄ）を含む場合、上記誘電体外装部に対して無機粉体（Ｄ）の含有率は４０質量％以下が好ましく、３０質量％以下がより好ましく、２０質量％以下が更に好ましく、１０質量％以下が特に好ましい。
【００６９】
上記誘電体外装部は、比重が１．５以下であることが好ましい。上記比重は、１．３以下であることがより好ましく、１．０以下であることが更に好ましい。下限は、特に限定されないが、０．１であってよい。上記誘電体外装部の比重が上記範囲内であると、比誘電率が低くなると同時に、低い誘電正接を有する誘電体外装部を容易に実現することができる。
上記比重は、液中ひょう量法（ＪＩＳ  Ｚ  ８８０７準拠）により測定する。
【００７０】
上記誘電体外装部は、樹脂（Ｂ）の結晶化度が７０％以上であることが好ましい。上記結晶化度は、７３％以上であることがより好ましく、７５％以上であることが更に好ましい。上限は、特に限定されないが、９９％であってよい。結晶化度が上記範囲内であると、高い比誘電率を有すると同時に、低い誘電正接を有する誘電体外装部を実現することができる。
上記結晶化度は、比重法により測定する。
【００７１】
上記誘電体外装部は、誘電体線路を覆う空洞を有するものであってよく、通常、板状である。
上記誘電体外装部が板状である場合、誘電体外装部の厚みは、誘電体線路の断面が方形である場合はその長辺、円形である場合は長径の０．５〜１．５倍であることが好ましい。
上記誘電体外装部が板状である場合、長辺の長さが厚みの３倍以上であることが好ましい。長辺の長さは、厚みの４倍以上であることが好ましく、５倍以上であることがより好ましい。
【００７２】
上記誘電体外装部は、硬度が４０以上であることが好ましい。上記硬度は、４５以上であることがより好ましく、５０以上であることが更に好ましい。上限は、特に限定されないが、５５であってよい。誘電体外装部の硬度が上記範囲であることによって、低密度、低誘電率であっても自立可能であり、電子部品を保持可能となる。
上記硬度は、ＪＩＳ  Ｋ６２５３−２０１２に規定されていたデュロメータ  タイプＤにより測定する。
以下、本開示の配線板の構成についてより詳細に説明する。
【００７３】
本開示の配線板は、誘電体線路が誘電体外装部に覆われた構造を有していればよく、例えば、図１に示すように、配線板１０が、誘電体外装部１２中に誘電体線路１１を有する構造が挙げられる。
このような構造は、例えば、誘電体外装の側面から、誘電体線路の外形寸法と同じ又はそれより大きい空洞を作成した後、内層を入れることにより作成することができる。
また、レーザーや電子線を用い、内層となる位置の外装部を、外装部構成材料の融点以上の温度とすることで高誘電率化して誘電体線路を形成してもよい。
【００７４】
本開示の配線板は、誘電体外装部が、誘電体線路を収納する溝を有する下部層と、下部層上に形成された上部層との積層構造を有することが好適な態様の１つである。
例えば、図２に示すように、配線板２０が、誘電体線路２１を収納する溝２３を有する下部層２２ａに、誘電体線路２１を収納し、上部層２２ｂを積層した態様が挙げられる。
また、下部層に誘電体線路と同じ形状の金属金型を押し付けることで下部層の一部を焼成し、高誘電率化して誘電体線路を形成してもよい。
【００７５】
また、上記配線板は、誘電体外装部の下部層と上部層との間に、接着層を有することも好ましい。例えば、図３に示すように、配線板３０が誘電体線路３１を収納する溝３３を有する、下部層３２ａと上部層３２ｂとの間に、接着層３４を有する態様が挙げられる。
なお、上記のように誘電体外装部の下部層及び上部層との間に接着層を有する場合、本明細書における誘電体外装部の厚みは、図３のＬ３に示すように、下部層、上部層及び接着層との合計の厚みである。
【００７６】
上記接着層を構成する材料の比誘電率は誘電体線路及び誘電体外装部の比誘電率によって適宜決定すればよく限定されないが、上記材料の比誘電率は、誘電体線路よりも低いことが好ましい。
【００７７】
また、上記接着層を構成する材料の６ＧＨｚ、２５℃における誘電正接は０．００３以下であることが好ましく、０．００２以下であることがより好ましく、０．００１５以下であることが更により好ましい。
上記誘電正接は、空洞共振器を使用して測定することができる。
【００７８】
上記接着層を構成する材料としては、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体、ポリエチレン、及び、ポリプロピレンからなる群より選択される少なくとも１種が好ましい。より好ましくは、テトラフルオロエチレン／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）共重合体（ＰＦＡ）、ポリプロピレン、及び、ポリエチレンからなる群より選択される少なくとも１種である。
【００７９】
上記ＰＦＡを構成するＰＡＶＥとしては、一般式（１）：
ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２ＣＦＹ１Ｏ）ｐ−（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｑ−Ｒｆ１    （１）
（式中、Ｙ１はＦ又はＣＦ３を表し、Ｒｆ１は炭素数１〜５のパーフルオロアルキル基を表す。ｐは０〜５の整数を表し、ｑは０〜５の整数を表す。）、及び、一般式（２）：
ＣＦＸ＝ＣＸＯＣＦ２ＯＲ１      （２）
（式中、Ｘは、同一又は異なり、Ｈ、Ｆ又はＣＦ３を表し、Ｒ１は、直鎖又は分岐した、Ｈ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択される少なくとも１種の原子を１〜２個含んでいてもよい炭素数が１〜６のフルオロアルキル基、若しくは、Ｈ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択される少なくとも１種の原子を１〜２個含んでいてもよい炭素数が５又は６の環状フルオロアルキル基を表す。）
からなる群より選択される少なくとも１種を挙げることができる。
【００８０】
なかでも、上記ＰＡＶＥとしては、バルキーな側鎖を有するものが好ましく、具体的には、パーフルオロ（プロピルビニルエーテル）（ＰＰＶＥ）が好ましい。
【００８１】
上記ＰＦＡは、ＰＡＶＥ単位を全重合単位に対して、１．０質量％超含むことが好ましい。また、ＰＡＶＥ単位を全重合単位に対して、１０質量％以下含むことが好ましい。
上記ＰＡＶＥ単位の量は、全重合単位に対して、２．０質量％以上がより好ましく、３．５質量％以上が更に好ましく、４．０質量％以上が特に好ましく、５．０質量％以上が最も好ましく、８．０質量％以下がより好ましく、７．０質量％以下が更に好ましく、６．５質量％以下が特に好ましく、６．０質量％以下が最も好ましい。
なお、上記ＰＡＶＥ単位の量は、１９Ｆ−ＮＭＲ法により測定する。
【００８２】
上記ＰＦＡは、融点が２８０〜３２２℃であることが好ましい。
上記融点は、２９０℃以上であることがより好ましく、３１５℃以下であることがより好ましい。
上記融点は、示差走査熱量計〔ＤＳＣ〕を用いて１０℃／分の速度で昇温したときの融解熱曲線における極大値に対応する温度である。
【００８３】
上記ＰＦＡは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が７０〜１１０℃であることが好ましい。ガラス転移温度は、８０℃以上がより好ましく、１００℃以下がより好ましい。
上記ガラス転移温度は、動的粘弾性測定により測定して得られる値である。
【００８４】
例えば、上記材料からなるシートを下部層と上部層との間に挿入して、加熱及び加圧することで上部層と下部層との間に接着層を有する配線板を形成することができる。加熱及び加圧条件は材料によって適宜選択すればよいが、例えば、加熱の温度は上記材料の融点以上の温度であることが好ましい。
【００８５】
上記接着層の厚みは１０〜１００μｍであることが好ましい。接着層の厚みが薄すぎると接着性が低下するおそれがあり、厚すぎると伝送損失が大きくなるおそれがある。より好ましくは、２０〜６０μｍである。
【００８６】
本開示の配線板は、誘電体外装部が、下部層と、下部層上に形成された誘電体線路を収納する空洞を有する中間層と、中間層上に形成された上部層との積層構造を有することも好ましい。例えば、図４に示すように、配線板４０が、誘電体線路４１を収納する空洞４３を有する中間層４２ｃに、誘電体線路４１を収納し、上部層４２ｂを積層した態様が挙げられる。
【００８７】
上記誘電体外装部は、下部層と中間層との間、又は、中間層と上部層との間に接着層を有することが好ましく、下部層と中間層との間、及び、中間層と上部層との間の両方に接着層を有することがより好ましい。例えば、図５に示すように、配線板５０が、誘電体線路５１を収納する空洞５３を有する中間層５２ｃに、誘電体線路５１を収納し、上部層５２ｂと中間層５２ｃとの間に接着層５４ｂを有し、中間層５２ｃと下部層５２ａとの間にも接着層５４ａを有する態様が挙げられる。
上記接着層としては上述したものと同じものを採用できる。
上記のように誘電体外装部の下部層と中間層との間、中間層と上部層との間に接着層を有する場合、本明細書における誘電体外装部の厚みは、図５のＬ３に示すように、下部層、中間層、上部層及び接着層との合計の厚みである。
【００８８】
次に、本開示の配線板のより好適な態様について詳述する。
【００８９】
本開示の配線板は、ポリテトラフルオロエチレンを含む誘電体線路と、ポリテトラフルオロエチレンを含む誘電体線路を覆う誘電体外装部とを備え、該誘電体外装部は、６ＧＨｚ、２５℃における比誘電率が前記誘電体線路よりも低いことが好適な態様の１つである。
上記誘電体線路に含まれるポリテトラフルオロエチレンと誘電体外装部に含まれるポリテトラフルオロエチレンは同じでもよいし異なってもよい。
誘電体線路と誘電体外装部の比誘電率、硬度等は、成形条件やポリテトラフルオロエチレン以外の材料等によって調整することができる。
【００９０】
例えば、誘電体線路を構成するＰＴＦＥに高誘電率の無機粉末を含有させることによって、誘電体線路の比誘電率を誘電体外装部よりも高くしてもよいし、誘電体線路をＰＴＦＥのペースト押出成形及び焼成により作製し、誘電体外装部をＰＴＦＥの焼結粉砕粉を固めて成形して作製することによって、誘電体外装部を低密度化し、誘電体外装部の比誘電率を誘電体線路よりも低くすることもできる。また、低誘電率であっても自立可能であり、電子部品を保持可能となる。
【００９１】
上記誘電体線路に含まれるＰＴＦＥは半焼成ＰＴＦＥであってもよい。半焼成ＰＴＦＥを含む誘電体線路は、例えば、未焼成ＰＴＦＥの粉末をペースト押出成形して未焼成ＰＴＦＥ成形体を得る工程、上記未焼成ＰＴＦＥ成形体を、３２０〜３４０℃で、１０秒〜１８０分間焼成することにより半焼成ＰＴＦＥを含むＰＴＦＥ成形体を得る工程、を含む方法により製造することができる。上記製造方法は、半焼成ＰＴＦＥを含むＰＴＦＥ成形体を成形して誘電体線路の形状にする工程を含んでもよい。
具体的な加熱条件は、ＰＴＦＥ成形体の形状及び大きさにより適宜変更する。例えば、未焼成ＰＴＦＥを３２６〜３４５℃で１０秒〜２時間加熱することにより得られるものであることが好ましい。加熱温度は、３３０℃以上であることがより好ましい。
【００９２】
上記未焼成ＰＴＦＥは、３２６℃以上に加熱した履歴のないＰＴＦＥであり、３００℃以上に加熱した履歴のないＰＴＦＥであることが好ましい。
上記温度で所定時間加熱することにより、未焼成ＰＴＦＥが含んでいた空気が外部に放出されるため、高い比誘電率を有するＰＴＦＥ成形体を得ることができると推測される。また、未焼成ＰＴＦＥを完全に焼成しないので、低い誘電正接を有するＰＴＦＥ成形体を得ることができると推測される。
上記の加熱は、ソルトバス、サンドバス、熱風循環式電気炉等を使用して行うことができる。
【００９３】
上記半焼成ＰＴＦＥ成形体は、未焼成ＰＴＦＥを３４５℃超に加熱することなく得られたものであることが好ましい。一度でも３４５℃超に加熱すると、未焼成ＰＴＦＥがもともと有していた結晶性が崩壊し、高い結晶化度を有するＰＴＦＥ成形体を得ることができないおそれがある。一方、未焼成ＰＴＦＥを３４５℃超に加熱することなく、３２６〜３４５℃で１０秒〜２時間加熱することにより得られるＰＴＦＥ成形体は、未焼成ＰＴＦＥが有していた結晶性と同等の結晶性を有しており、高い比誘電率と低い誘電正接を有する。
【００９４】
上記未焼成ＰＴＦＥ成形体は、未焼成ＰＴＦＥの粉末と押出助剤とからなる混合物をペースト押出成形して得られるものであることが好ましい。また、ペースト押出成形した後、得られた押出物を乾燥することによって押出助剤を除去したものであってもよい。上記混合物は、未焼成ＰＴＦＥの粉末と押出助剤とを公知の方法により混合し、１〜２４時間熟成させ、圧力０．５〜２．０ＭＰａで予備成形して得られたものであってもよい。上記ペースト押出は、押出圧力２〜１００ＭＰａにて行うことができる。
上記未焼成ＰＴＦＥの加熱時間は、上記未焼成ＰＴＦＥの直径、加熱温度、加熱に使用する設備によって異なる。
例えば、熱風循環式電気炉で加熱する場合は３分〜２時間が好ましく、１０分〜３０分がより好ましい。
【００９５】
上記製造方法は、未焼成ＰＴＦＥの粉末と押出助剤とからなる混合物をペースト押出成形して未焼成ＰＴＦＥの成形体を得る工程、上記未焼成ＰＴＦＥの成形体を乾燥して押出助剤を除去する工程、乾燥させた上記成形体を３２６〜３４５℃で１０秒〜２時間加熱する工程、及び、上記ＰＴＦＥ成形体を用いて誘電体線路を製造する工程を含むことが好ましい。
【００９６】
上記製造方法は、高い比誘電率と低い誘電正接を有する成形体を得るために、未焼成ＰＴＦＥを３４５℃超に加熱する工程を一切含まないことが好ましい。
上記ＰＴＦＥ成形体を用いて誘電体線路を製造する方法については、誘電体線路に要求される特性によって相違するので、後述する実験例等で説明する。
【００９７】
上記誘電体外装部は、ＰＴＦＥを成形することで得ることができる。例えば、ＰＴＦＥ粉末を金型に入れ、加熱及び加圧により圧縮成形する方法により得ることができる。
上記加熱温度はＰＴＦＥの融点以上であることが好ましく、３４０℃以上であることがより好ましく、３５０℃以上であることが更に好ましい。また、３８０℃以下が好ましい。
上記加圧の圧力は、例えば、１０ｇ／ｃｍ２以上であることが好ましく、２０ｇ／ｃｍ２以上であることがより好ましく、３０ｇ／ｃｍ２以上であることが更に好ましい。また、３０００ｇ／ｃｍ２以下が好ましい。
【００９８】
上記誘電体外装部に含まれるＰＴＦＥは、ＰＴＦＥの焼結粉砕粉を圧縮成形したものであることが好ましい。
ＰＴＦＥの焼結粉砕粉は、焼結粉砕法により得ることができる。焼結粉砕粉を用いることによって、低比誘電率及び低誘電正接であり、かつ、電子部品を保持可能な硬さを備える誘電体外装部を容易に形成することができる。
【００９９】
上記焼結粉砕粉は、平均粒子径が５０〜３０００μｍであることが好ましい。平均粒子径は１００μｍ以上であることがより好ましく、３００μｍ以上であることが更に好ましく、また、２０００μｍ以下であることがより好ましく、１５００μｍ以下であることが更に好ましい。
上記平均粒子径は、日本電子株式会社製レーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＥＬＯＳ＆ＲＯＤＯＳ）を用いて、カスケードは使用せず、分散圧力３．０ｂａｒで測定を行い、粒度分布積算の５０％に対応する粒子径に等しいとする。
【０１００】
焼結粉砕粉は、例えば、ＰＴＦＥ粉末を融点以上の温度で０．１〜１０時間熱処理を行い、その後、得られた固形物を粉砕することで得ることができる。
上記熱処理の温度は３４０℃以上がより好ましく、３５０℃以上が更に好ましい。また、３８０℃以下がより好ましい。
上記粉砕は、例えば、ミキサー、エアジェットミル等により実施できる。粉砕の条件は特に限定されない。
【０１０１】
上記誘電体外装部が、上述したように上部層及び下部層とからなる場合、上部層と下部層とを上記の方法等によってそれぞれ作製した後、これらを重ねあわせて加熱及び加圧することによって作製することができる。接着層を有する場合にも同様に、上部層と接着層と下部層とを重ねあわせて加熱及び加圧することによって作製することができる。上部層、中間層及び下部層、若しくは、上部層、接着層、中間層、接着層及び下部層からなる場合も同様に作製することができる。
【０１０２】
誘電体線路及び誘電体外装部がポリテトラフルオロエチレンを含むものである場合、伝送効率、低損失性等が優れることから、接着層はＰＦＡからなる層であることが好ましい。
上記加熱及び加圧は上部層と下部層、上部層と中間層、中間層と下部層とが接着するものであればよく、例えば、接着層を構成する材料の融点以上の温度であることが好ましく、圧力は１０ｇ／ｃｍ２以上であることが好ましい。
【０１０３】
［端部処理方法］
誘電体線路の端部は、例えば、特開平１１−１８６８１８号公報に記載された誘電体線路結合装置と同様に、１／４λの金属棒を誘電体線路端に添わせることにより処理してもよい。また、導波管同軸変換を行う方法等によって同軸ケーブルと接続してもよい。
【０１０４】
本開示の配線板は、例えば、高周波伝送用のプリント配線板として用いることができ、上記プリント基板は銅箔等の金属箔を接着して構成されていてもよい。
【実施例】
【０１０５】
つぎに本開示の配線板を実施例をあげて説明するが、本開示の配線板はかかる実施例のみに限定されるものではない。【０１０６】
実施例の各数値は以下の方法により測定した。【０１０７】
比誘電率及び誘電正接（ｔａｎδ）
誘電体線路及び外装の比誘電率測定及び誘電正接（ｔａｎδ）の測定は、株式会社関東電子応用開発製空洞共振器（６ＧＨｚ）と計算ソフトによる。【０１０８】
硬度
ＪＩＳ  Ｋ６２５３−２０１２に規定されていたデュロメータ  タイプＤにより硬さを測定した。【０１０９】
比重
液中ひょう量法（ＪＩＳ  Ｚ  ８８０７準拠）により測定した。【０１１０】
実施例１
［誘電体線路の作製方法］
標準比重（ＳＳＧ）が２．１７５であるポリテトラフルオロエチレンファインパウダー１ｋｇに、炭化水素系溶剤を４１０ｇ混合して、ＰＴＦＥペーストを作製した。次に、１０ｍｍ×１０ｍｍの押出形状をもつ押出ダイを用いて、ペースト押出成形により上記ＰＴＦＥペーストを成形して、断面が１０ｍｍ×１０ｍｍのＰＴＦＥ成形体を得た。得られたＰＴＦＥ成形体を熱風電気炉内に設置して、１００℃から２５０℃へ段階的に温度上昇させ、炭化水素系溶剤を蒸散除去させた。
乾燥後の円柱状ＰＴＦＥ成形体を３３７℃に熱した熱風電気炉へ入れて２時間焼成を行い、円柱状ＰＴＦＥ成形体を得た。焼成後の断面は１０．５ｍｍ×１０．５ｍｍであった。この成形体を１００ｍｍに切断して誘電体線路（内層）とした。
得られた誘電体線路の６ＧＨｚ、２５℃における比誘電率及び誘電正接はそれぞれ２．１８、０．０００１０であった。誘電体線路の比重は、２．１９５であった。【０１１１】
［誘電体外装の作製方法］
標準比重（ＳＳＧ）が２．１７５であるポリテトラフルオロエチレンファインパウダー１ｋｇをステンレス容器に入れて、熱風電気炉によって３６０℃３時間熱処理する。できた固形物をさらに食品ミキサーに入れ粉砕し、８メッシュのステンレスメッシュに通すことで粒径が１．７ｍｍ以下であるＰＴＦＥ焼結粉砕粉を作製した。
この焼結粉砕粉１０８ｇを、１１０ｍｍ×１１０ｍｍのステンレス金型で均一に入れて４４１６ｇの上金型で加圧（３６．５ｇ／ｃｍ２）しながら３６０℃の熱風電気炉に３時間入れ、常温まで放熱後に成形物を取り出した。
その結果、１０ｍｍ厚みの１００ｍｍ×１００ｍｍ、重量１０８ｇ、比重１．０、６ＧＨｚ、２５℃における比誘電率１．５０、誘電正接０．０００１、硬度９５である誘電体外装部の外層Ａを得た。
同様にこの焼結粉砕粉７８ｇを加圧熱処理することで７．５ｍｍ厚みの１００ｍｍ×１００ｍｍ、重量１０８ｇ、比重１．０、６ＧＨｚ、２５℃における比誘電率１．５０、誘電正接０．０００１、硬度７５である外層Ｂを得た。【０１１２】
［組立方法］
外層Ａの中心部に１０．５ｍｍ×７０ｍｍの穴を厚み方向にくりぬいてその部分に上記で作製した誘電体線路（内層）をはめ込んで、組立品Ｄを得た。その後、７．５ｍｍ厚の外層Ｂ／ＰＦＡシート（比誘電率２．１２、誘電正接０．００１２）２５μｍ／組立品Ｄ／ＰＦＡシート（比誘電率２．１２、誘電正接０．００１２）２５μｍ／７．５ｍｍ厚外層Ｂを上記の上金型（４４１６ｇ）で加圧（３６．５ｇ／ｃｍ２）しながら、３５０℃３時間熱風電気炉にて加圧加熱した。得られた配線板において、誘電体線路部を除いた部分の比誘電率及び誘電正接を６ＧＨｚ空洞共振器法で測定することにより求めた誘電体外装部の比誘電率及び誘電正接は、それぞれ１．５２、０．０００１５であった。【０１１３】
［端部処理方法］
上記で成形した１０ｍｍ×１０ｍｍ長さ１００ｍｍの誘電体線路の両端１０ｍｍを四角錐状に切断し、方形導波管同軸変換器内へ挿入し、伝送損失を測定したところ、２８ＧＨｚにおいて伝送損失が−２ｄＢであった。
（参考：通常高周波で使われるＬＣＰ基板１００ｍｍに、２８ＧＨｚの電磁波を通すと、−５〜−７ｄＢの伝送損失となる。）【０１１４】
参考例１
［誘電体線路の高誘電率化］
標準比重（ＳＳＧ）が２．１７５であるポリテトラフルオロエチレンファインパウダーに、比重３．９７のアルミナを１０ｖｏｌ％となるように混合し、炭化水素系溶剤を混合して、ＰＴＦＥペーストを作製した。次に、シリンダー径２５ｍｍの金型にＰＴＦＥペーストを充填し、直径１．８ｍｍの押出形状を持つ押出ダイを用いて、ペースト押出成形によりＰＴＦＥペーストを成形して、直径１．８ｍｍのＰＴＦＥ成形体を得た。得られたＰＴＦＥ成形体を熱風電気炉内に設置して、１００℃から２５０℃へ段階的に温度上昇させ、炭化水素系溶剤を蒸散除去させた。その後、３６０℃に設定した熱風電気炉内に設置して５分間焼成後、１時間あたり５℃の速度で２７０℃まで降温し、さらに１時間あたり２０℃の速度で室温まで降温した。
アルミナは１ＭＨｚにおける比誘電率、誘電正接がそれぞれ１０、０．０００２のものを用いた。
得られたＰＴＦＥ成形体の電気特性を比誘電率測定及び誘電正接（ｔａｎδ）の測定は、株式会社関東電子応用開発製空洞共振器により測定した。
上記で成形したＰＴＦＥ成形体の６ＧＨｚ、２５℃における比誘電率及び誘電正接はそれぞれ２．３６、０．０００２だった。【０１１５】
参考例２
参考例１にアルミナを添加しないこと以外はすべて同じ操作を行いＰＴＦＥ成形体を得た。
上記で成形したＰＴＦＥ成形体の６ＧＨｚ、２５℃における比誘電率及び誘電正接はそれぞれ２．０１、０．０００２だった。
【符号の説明】
【０１１６】
１０、２０、３０、４０、５０：配線板
１１、２１、３１、４１、５１：誘電体線路
１２：誘電体外装部
２２ａ、３２ａ、４２ａ、５２ａ：誘電体外装部の下部層
２２ｂ、３２ｂ、４２ｂ、５２ｂ：誘電体外装部の上部層
４２ｃ、５２ｃ：中間層
３４、５４ａ、５４ｂ：接着層
２３、３３、４３、５３：溝
Ｌ１：誘電体外装部の長辺
Ｌ２：誘電体外装部の短辺
Ｌ３：誘電体外装部の厚み
Ｌａ：誘電体線路の厚み
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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