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【手続補正書】
【提出日】平成20年11月27日(2008.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁化された場合に磁化可能物体により発生される浮遊磁界を感知すると共に該感知された浮遊磁界に依存する電気目的信号を発生する磁気抵抗素子を有する磁気センサであって、該センサが、前記磁化可能物体を磁化するための第１周波数を持つ磁界を発生する磁界発生器と、前記磁気抵抗素子を介して第２周波数を持つＡＣ電流を少なくとも発生させる電流源と、前記電気目的信号から導出された電気出力信号を発生する電子手段とを有し、該電子手段が前記電気出力信号の振幅を安定化させる安定化手段を有し、該安定化手段が前記安定化に要する情報を、動作中の前記電気目的信号に存在する信号成分の前記磁気抵抗素子の急峻度にリニアに依存する振幅から導出し、該急峻度が前記磁気抵抗素子を該磁気抵抗素子の磁気的感知方向に経る磁界の関数としての該磁気抵抗素子の抵抗値の導関数として定義される磁気センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気センサにおいて、前記信号成分が、前記磁気抵抗素子を経る前記ＡＣ電流における前記第２周波数に関係する二次高調波成分であることを特徴とする磁気センサ。
【請求項３】
請求項１に記載の磁気センサにおいて、前記安定化手段が前記磁気抵抗素子を介して第３周波数を持つ他のＡＣ電流を発生させる手段を有し、前記信号成分が、前記磁気抵抗素子を経る電流における前記第３周波数に、又は前記第３周波数と前記第２周波数との差に、又は前記第３周波数と前記第２周波数との和に等しい周波数を持つ高調波成分であることを特徴とする磁気センサ。
【請求項４】
請求項３に記載の磁気センサにおいて、該センサが、前記他のＡＣ電流を生じさせるために、前記第３周波数を持つような他の磁界を発生させる他の磁界発生器を有していることを特徴とする磁気センサ。
【請求項５】
請求項１ないし４の何れか一項に記載の磁気センサにおいて、前記安定化手段が、前記磁気抵抗素子の急峻度を調整する急峻度調整手段を有していることを特徴とする磁気センサ。
【請求項６】
請求項５に記載の磁気センサにおいて、前記急峻度の調整が前記磁気抵抗素子を経るＤＣ電流の値を変化させることにより実行されることを特徴とする磁気センサ。
【請求項７】
請求項４に記載の磁気センサにおいて、前記安定化手段が前記磁気抵抗素子の急峻度を調整する急峻度調整手段を有し、該急峻度の調整が前記他の磁界におけるＤＣ値成分を変化させることにより実行されることを特徴とする磁気センサ。
【請求項８】
請求項６又は請求項７に記載の磁気センサにおいて、前記急峻度調整手段が、前記信号成分を同期検波する同期検波器と、該検波された信号成分を前記磁気抵抗素子の急峻度の目標値と比較すると共に該比較の結果として誤差信号を供給する手段とを有し、該誤差信号が前記磁気抵抗素子を経る前記ＤＣ電流の値又は前記他の磁界における前記ＤＣ値成分を変化させるための基礎を形成することを特徴とする磁気センサ。
【請求項９】
請求項１ないし４の何れか一項に記載の磁気センサにおいて、前記安定化手段が、前記電気目的信号から前記電気出力信号への電子的伝達の利得値を調整する利得調整手段を有することを特徴とする磁気センサ。
【請求項１０】
請求項９に記載の磁気センサにおいて、前記利得調整手段が、前記信号成分を同期検波する同期検波器と、該検波された信号成分を前記磁気抵抗素子の急峻度の目標値と比較すると共に該比較の結果として制御信号を供給する手段とを有し、該制御信号が前記利得値を変化させるための基礎を形成することを特徴とする磁気センサ。
【請求項１１】
請求項１ないし１０の何れか一項に記載の磁気センサにおいて、前記電子手段が、前記電気目的信号又は該電気目的信号の利得調整されたバージョンを、前記第１周波数及び／又は前記第１周波数と前記第２周波数との差及び／又は前記第１周波数と前記第２周波数との和において同期検波する他の同期検波器と、該他の同期検波器からの結果的信号をフィルタ処理すると共に該フィルタ処理の結果として前記電気出力信号を供給する周波数ローパスフィルタとを有することを特徴とする磁気センサ。
【請求項１２】
請求項１ないし１１の何れか一項に記載の磁気センサを有するバイオチップ。
【請求項１３】
複数の磁気センサを有するバイオチップであって、請求項１ないし１２の何れか一項に記載の少なくとも１つの磁気センサが基準センサとして使用され、他の磁気センサにおける前記磁気抵抗素子の急峻度の調整又は前記電気目的信号から前記電気出力信号への電子的伝達の利得値を調整する利得調整が、前記基準センサから導出された情報を用いて実行されるバイオチップ。
【請求項１４】
磁化された場合に磁化可能物体により発生される浮遊磁界を感知すると共に該感知された浮遊磁界に依存する電気目的信号を発生する磁気センサにおける磁気抵抗素子の急峻度を安定化させる方法であって、該急峻度は前記磁気抵抗素子を該磁気抵抗素子の磁気的感知方向に経る磁界の関数としての該磁気抵抗素子の抵抗値の導関数として定義され、該方法が、
−  前記磁化可能物体を磁化するための第１周波数を持つ磁界を発生させるステップと、
−  前記磁気抵抗素子を介して第２周波数を持つＡＣ電流を発生させるステップと、
−  前記電気目的信号から電気出力信号を発生するステップと、
−  前記電気出力信号の振幅を、前記電気目的信号に存在すると共に前記磁気抵抗素子の急峻度にリニアに依存する信号成分を検出することにより安定化させるステップと、
を有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月18日(2008.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
補強すべき配管の一部分に繊維構造体を樹脂なしで取り付ける段階と；
乾燥した前記繊維構造体に浸透させるために、樹脂を前記配管における前記繊維構造体に塗布する段階と；
を含んでいる、配管の一部分を補強する方法。
【請求項２】
対象物を補強する方法であって：
対象物の表面に繊維構造体を取り付ける段階と；
格納要素を前記繊維構造体に隣接して取り付ける段階と；
前記繊維構造体に浸透させるために、高分子材料を前記格納要素と前記繊維構造体との間に配設する段階と；
前記繊維構造体と前記高分子材料との複合材料を前記対象物の前記表面に形成するために、前記高分子材料を硬化させる段階と；
を含んでいる対象物を補強する方法。
【請求項３】
配管ラインを補修する方法であって：
配管ラインの一部分における欠陥を囲んで乾燥繊維材料を取り付ける段階と；
前記欠陥があり、かつ前記乾燥繊維材料を取り付けられた前記配管ラインの一部分を囲んで胴を取り付ける段階と；
液体樹脂を、前記乾燥繊維材料に十分に浸透させるために、胴の内側に注入する段階と；
補修複合材料を前記配管ラインの一部分における欠陥をおおって形成するために、前記液体樹脂を硬化させる段階と；
を含んでいる配管ラインを補修する方法。
【請求項４】
配管の表面に乾燥状態で取り付けられそして高分子材料で浸透された補強材料を具備していて；
前記補強材料は、前記高分子材料なしに前記配管の前記表面に取り付けられるように形成されていて、そして前記高分子材料は、前記補強材料が前記配管の前記表面に取り付けられた後に、前記補強材料に浸透するように形成されている；
補修された配管。
【請求項５】
配管の外表面に配設された自己湿潤式の補強構造体と；
前記補強構造体を有している前記配管の一部分を囲んで取り付けられた外部格納コンポーネントと；
前記格納コンポーネントの内側に配設され、そして前記自己湿潤式の補強構造体に浸透している硬化された高分子材料と；
を具備する補修された配管。
【請求項６】
配管を囲んで巻き付けるために、かつ乾燥繊維を配管に取り付けた後に樹脂を受容するために形成された乾燥繊維と；
前記乾燥繊維を有している前記配管の−部分を囲むために形成されたコンテナと；
前記乾燥繊維に浸透するために、かつ前記配管の部分に浸透された前記乾燥繊維との複合材料を形成するために前記コンテナの内側に注入されるようになっている流動樹脂と；
を具備する配管補修装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月1日(2008.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機械的入力を感知して、少なくとも２つの相対的に移動可能な部分の機械的移動を電気出力に変換するための装置であって、
シリコン基板と、
相対的に移動可能な部分を形成する前記基板の一部分を横切って延びる間隙、及びその間に延びる、該基板と同じ材料から得られる撓み断面と、
前記シリコン基板の表面上に設けられた少なくとも１つの歪み感応素子と、
を含み、
前記歪み感応素子は、中間ネック部分によって相互接続された２つの端部部分を有し、該ネック部分は、歪みを集中させる構造体上に支持され、該構造体は、前記間隙にわたって延び、かつ該間隙における前記断面まで延びる垂直壁を有し、かつ該構造体は、前記基板と同じ材料から得られ、
前記基板部分の前記相対的な移動から生じる前記歪み感応素子を通る電流の方向に前記ネック部分が応力を受ける時の前記端部部分間の電気抵抗の変化を検出するために該端部部分に電気的に接続した電極手段、
を更に含むことを特徴とする装置。
【請求項２】
機械的入力を感知して、少なくとも２つの相対的に移動可能な部分の機械的移動を電気出力に変換するための装置であって、
シリコン基板と、
相対的に移動可能な部分を形成する前記基板の一部分を横切って延びる間隙、及びその間に延びる、該基板と同じ材料から得られる撓み断面と、
前記シリコン基板の表面上に設けられ、かつ直列に接続した少なくとも２つの歪み感応素子と、
を含み、
前記歪み感応素子の各々は、中間ネック部分によって相互接続された２つの端部部分を有し、各ネック部分は、歪みを集中させる対応する構造体上に支持され、該構造体は、前記間隙にわたって延び、かつ該間隙における前記断面まで延びる垂直壁を有し、かつ該構造体は、前記基板と同じ材料から得られ、
前記基板部分の前記相対的な移動から生じる前記歪み感応素子を通る電流の方向に前記ネック部分が応力を受ける時の前記端部部分間の電気抵抗の変化を検出するために該端部部分に電気的に接続した電極手段、
を更に含むことを特徴とする装置。
【請求項３】
機械的入力を感知して、少なくとも２つの相対的に移動可能な部分の機械的移動を電気出力に変換するための装置であって、
（１１０）平面内に配向されたｎ型半導体材料から得られるシリコン基板と、
リムと、該リムを横切って延びるダイヤフラムと、中央突起と、該中央突起の両側及び該リムの内側の２つの外側突起とを含む、前記基板の片側上に彫刻された３点突起ダイヤフラムと、
相対的に移動可能な部分を形成する前記基板の一部分を横切って延びる４つの間隙、及び該間隙の２つが前記外側突起の外側に位置し、かつ該間隙の２つが前記中央突起の両側及びいずれかの外側突起の内側に位置するように対応する間隙の間に延びる撓み断面と、  前記間隙の回りの前記シリコン基板の表面上に設けられた４つ歪み感応素子対と、
を含み、
各対は、直列に接続した２つの歪み感応素子を含み、各歪み感応素子は、中間ネック部分によって相互接続された２つの端部部分を有し、該ネック部分は、歪みを集中させる対応する構造体上に支持され、該構造体は、前記間隙にわたって延び、かつ前記対応する間隙における前記断面まで延びる垂直壁を有し、該歪み感応素子は、ｐ型半導体材料から得られ、かつ［１１１］方向に配向され、前記４つの歪み感応素子対は、ブリッジ回路として接続されており、
前記基板部分の前記相対的な移動から生じる前記歪み感応素子を通る電流の方向に前記ネック部分が応力を受ける時の前記端部部分間の電気抵抗の変化を検出するために該歪み感応素子の該端部部分に電気的に接続した電極手段、
を更に含むことを特徴とする装置。
【請求項４】
機械的入力を感知して少なくとも２つの相対的に移動可能な部分の機械的移動を電気出力に変換するための装置を製作する方法であって、
センサウェーハ及びサポートウェーハを製作する段階と、
ダイヤフラム及び歪み感応素子がそこから製作される前記センサウェーハを、該センサの機械的剛性及びそれへの電気接続のために前記サポートウェーハに整列させる段階と、  前記整列したサポート及びセンサウェーハを結合する段階と、
前記ダイヤフラム及び歪み感応素子区域を深反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月1日(2008.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図２には、スクラップ予熱を用いた溶解工程の開放型の予熱処理と廃ガス処理による本発明による廃ガス処理システム４０の単純化された概略図を示してある。さらに、ここで、スクラップ１０は装入装置１を経由してスクラップ予熱装置２に供給され、そこではもはや溶解ユニット３のプロセスガス１９’により直接加熱はされず、熱交換器５内でプロセスガス１９により空気１８を加熱した高温空気１８’により間接的に加熱される。さらに高温のスクラップ１０は図１で示したように、溶解ユニット３内に達し、そこで高温のスクラップは骨材１３を使用して、そして場合によっては有害物質を含む吸着剤、酸素及び場合によっては戻ってきたプロセスガス１９を使用して、もっぱら化石エネルギーによって溶湯１１とスラグ１２に溶解される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月20日(2008.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
以上のことから展開して、柔軟な使用が可能な地震警報システムを提供することが本発明の課題である。これに関連して、かかるコストをできる限り低く抑えて、大いに異なる形式の構造物（例えば、建築物、橋梁、トンネル、道路、下水道、など）を監視可能とすることを想定している。さらに、冗長な、したがって確実かつ安全な地震警報を可能にすることを想定する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明によるモジュール式の地震警報システムが、地震警報システムを介して監視されている建造物の建築技術の少なくとも一部分の構成要素を制御するためのデータバスに接続されている少なくとも１つの建築技術ユニットを有する場合に、特に実用的である。例えば、潜在的に破壊的な地震の縦波が建築技術ユニットを介して検出されると、ガス管線、送電線、さらに水道を遮断又は止めることができる。さらに、本発明による地震警報システムの建築技術ユニットを利用して、エレベータを安全な停止位置に移動させ、又は、例えば、問題となっている建築物内に設置されているデータ処理システムにデータバックアップを開始させることができる。さらにまた、建築技術ユニットは、データバスから対応する信号を受容すると、非常用電源ユニットを作動させ、非常灯をつけ、及び/又は自動的に非常口や安全な出口を開放することができる。工場においては、さらに、地震警報システムの建築技術ユニットを利用して、機械又は他の製造システムを制御することができ、それによって、差し迫った地震の場合にも、人体損傷又は物的損害をできる限り回避することが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
他の発展した局面では、本発明によるシステムの検出ユニットにより検出された地面の振動の信号を連続して記録して、格納するためのメモリユニットを設けることができる。これに関連して、さらにまた、空間的に遠隔のシステム間、又はシステムとセントラルサーバ間のデータ通信を可能とするために、遠隔データ通信ユニットを有するシステムを備えることが実用的である。このようにして、地震警報システムの地域ネットワーク及び広域ネットワークでさえも構築することができ、絶え間なく獲得される振動の計測データを科学的な目的で入手することができる。地震の場合には、必要とされる大災害予防及びそれに基づく救援対策を効果的に調整するために、記録されたデータを一元的に集め、解析することができる。地震の危険性がある地域では、効果的な早期の警戒時間を著しく増大させることができるので、警報システムの地域リンクは極めて有効である。特定の場所でＰ波が検出されると、予め決められた周囲の領域内の危険性のある他の地域でも警報が発せられ、これは、それらの場所で何らかの地面の振動が記録されるよりもかなり以前に行うことが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月27日(2008.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
公称光路を有し、パルスバースト中の出力レーザ光パルスビームパルスを生成する狭帯域ＤＵＶ高出力高繰返し率ガス放電レーザ用の線狭帯域化モジュールであって、
前記線狭帯域化モジュールの光路に沿って固定的に取り付けられた分散中心波長選択光学体であって、各々のパルスを含む前記レーザ光パルスビームの前記分散中心波長選択光学体上への入射角によって少なくとも部分的に求められる少なくとも１つの中心波長を各パルスについて選択する分散中心波長選択光学体と、
前記分散中心波長選択光学体に向けた前記パルスを含む前記レーザ光パルスビームの伝送角度を選択することによって、各々のパルスを含む前記レーザ光パルスビームの前記分散中心波長選択光学体への前記入射角を選択するように部分的に動作する第１の同調機構と、
前記第１の同調機構に向けた前記パルスを含む前記レーザ光パルスビームの少なくとも空間的に定義された部分の伝送角度を変えることによって、各々のパルスを含む前記レーザ光パルスビームの少なくとも１つの入射角を選択するように部分的に動作する第２の同調機構と、
を備え、
前記第１の同調機構が、前記中心波長の値を粗く選択し、前記第２の同調機構が、前記中心波長の値を微細に選択することを特徴とする線狭帯域化モジュール。
【請求項２】
前記第１及び第２の同調機構が、屈折光学素子を別個に選択的に含み、前記第１及び第２の同調機構が、前記線狭帯域化モジュールの公称光路に対して前記第１のビーム拡大機構及び前記第２のビーム拡大機構のそれぞれの位置を変えることによって、前記光分散型光学素子への前記レーザ光パルスビームの入射角を選択することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１及び第２の同調機構が、前記パルスバースト中の少なくとも１つの他のパルスの中心波長を検出する中心波長検出器からのフィードバックに基づいて、前記バースト中に中心波長制御装置によって制御され、前記制御装置が、前記バースト中の前記少なくとも１つの他のパルスについて前記検出中心波長を採用するアルゴリズムに基づいて前記フィードバックを提供することを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記第１及び第２の同調機構が各々、電気機械コース位置決め機構と、作動時に位置又は形状を変える作動可能材料を含む微細位置決め機構とを備えることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記作動可能材料が、電気作動可能材料と、磁気作動可能材料と、音響作動可能材料とからなるグループから選択されることを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記作動可能材料が圧電材料であることを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記第１及び第２の同調機構が各々、ビーム拡大プリズムを含むことを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記第１の同調機構が、微同調位置決め機構なしに電気機械位置決め機構を含む第１の伝送角度選択機構を含み、
前記第２の同調機構が、コース同調位置決め機構なしに作動材料位置決め機構を含む第２の伝送角度選択機構を含む、
ことを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項９】
前記作動可能材料位置決め機構が、作動時に位置又は形状を変える作動可能材料を含むことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記作動可能材料が、圧電材料を含むことを特徴とする請求項９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月27日(2008.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力レーザ光パルスビームのパルスをパルスバーストで生成する、狭帯域ＤＵＶ高出力高繰り返し率ガス放電レーザのための線幅狭小化モジュールであって、
線幅狭小化モジュール内に収容される分散中央波長選択光学部品
を含み、
分散波長選択光学部品の分散表面上にそれぞれのパルスを含む前記レーザ光パルスビームの入射角により少なくとも一部が求められる各々のパルスに対する少なくとも１つの中央波長を選択し、
前記分散中央波長選択光学部品に作動的に連結され、第１の寸法において、前記分散表面の曲率を変化させるように作動する第１の分散光学部品曲げ機構と、
前記分散中央波長選択光学部品に作動的に連結され、前記第１の寸法に対して一般に直角である第２の寸法において、前記分散表面の曲率を変化させるように作動する第２の分散光学部品曲げ機構と、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記第１の寸法における曲率の変化は帯域幅の第１の測定値を変更し、前記第２の寸法における曲率の変化は帯域幅の第２の測定値を変更して、前記第１の測定値と前記第２の測定値の比率が実質的に変化するようにすることをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１の測定値はスペクトルピーク値の選択された割合におけるスペクトル幅であり（ＦＷＸ％Ｍ）、前記第２の測定値はスペクトル強度の幾つかの選択された割合が含まれる幅（ＥＸ％）であることをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記第１の曲げ機構及び前記第２の曲げ機構の少なくとも一方は、前記パルスバーストにおける少なくとも１つの他のパルスにおけるビームパラメータを検出するビームパラメータ検出器からのフィードバックに基づいて、バースト中に、波面コントローラにより制御され、前記コントローラは、前記バーストにおける少なくとも１つの他のパルスの前記検出されたビームパラメータを用いるアルゴリズムに基づいて、フィードバックを与えることをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記第１の寸法における曲率の変化は前記第１の寸法における円筒形曲率を変化させ、前記第２の寸法における曲率の変化は前記第２の寸法における円筒形の曲率を変化させることをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記第１の寸法における曲率の変化は前記第１の寸法におけるカテナリ曲率を変化させ、前記第２の寸法における曲率の変化は前記第２の寸法におけるカテナリ曲率を変化させることをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記第１の寸法における曲率の変化は前記第１の寸法における円筒形曲率及びカテナリ曲率の一方を変化させ、前記第２の寸法における曲率の変化は前記第２の寸法における円筒形曲率及びカテナリ曲率の他方を変化させることをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記第１の寸法における曲率の変化は前記第１の寸法における円筒形曲率及びカテナリ曲率の一方を変化させ、前記第２の寸法における曲率の変化は前記第２の寸法における円筒形曲率及びカテナリ曲率の他方を変化させることをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項９】
前記第１の寸法における曲率の変化は前記第１の寸法における円筒形曲率及びカテナリ曲率の一方を変化させ、前記第２の寸法における曲率の変化は前記第２の寸法における円筒形曲率及びカテナリ曲率の他方を変化させることをさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項１０】
前記第１の寸法における曲率の変化は前記第１の寸法における円筒形曲率及びカテナリ曲率の一方を変化させ、前記第２の寸法における曲率の変化は前記第２の寸法における円筒形曲率及びカテナリ曲率の他方を変化させることをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月1日(2008.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極を定義するためにステップおよびスキャン露出ツールとパターン・レチクルとを使用して、サイドウォールを有するゲート電極を形成するステップと、
サイドウォールスペーサを定義するために前記同一の露出ツールと、前記ゲート電極を形成するステップにおいて使用されるのと同じパターン・レチクルを使用して、前記ゲート電極の前記サイドウォール上にサイドウォールスペーサを形成するステップと、
を含む、半導体アレンジメントを形成する方法。
【請求項２】
前記サイドウォールスペーサを形成するステップは、前記ゲート電極上にスペーサ層をたい積するステップと、前記パターン・レチ クルによって定義された前記スペーサ層上にフォトレジストマスクを形成するステップと、を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記フォトレジストマスクにしたがって前記サイドウォールスペーサを形成するように、前記スペーサ層を非対称にエッチングするステップをさらに含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
その上に前記ゲート電極が形成される基板上に選択的エピタキシャル成長を実行するステップをさらに含んでおり、
前記サイドウォールスペーサは、前記選択的エピタキシャル成長を実行する間に選択的エピタキシャル成長から前記ゲート電極の前記サイドウォールを保護する、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記ゲート電極の前記サイドウォール上の前記サイドウォールスペーサは、対称な幅を有する、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記ゲート電極の前記サイドウォール上の前記サイドウォールスペーサは、非対称な幅を有する、請求項４記載の方法。
【請求項７】
前記サイドウォールスペーサを形成する際、前記露出ツールの配列をオフセットするステップをさらに含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記オフセットするステップは、前記露出ツールの配列パラメータにオフセット値を加えるステップを含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
サイドウォールを有するゲート電極を形成するステップと、
前記ゲート電極上にスペーサ層をたい積し、前記スペーサ層上にパターン・レジストマスクを形成し、前記パターン・レジストマスクに従って前記スペーサ層をエッチングすることによって、前記サイドウォール上にサイドウォールスペーサを形成するステップと、を含み、
前記ゲート電極を形成するステップは、露出ツールおよびパターン・レチクルで前記ゲート電極を定義するステップを含んでおり、
前記サイドウォールスペーサを形成するステップは、同一の前記露出ツールおよび前記パターン・レチクルを使用して、前記パターン・レジストマスクを定義するステップを含んでいる、半導体製造中にサイドウォールスペーサ・ディメンションを制御する方法。
【請求項１０】
前記サイドウォールスペーサは、対称である、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記サイドウォールスペーサは、非対称である、請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記非対称のサイドウォールスペーサを形成するステップは、前記露出ツールの配列をオフセットするステップをさらに含む、請求項１１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月13日(2008.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの加熱表面を冷却するための装置であって、
冷却媒体を受入れるように構成された複数の入口マニホルド及び該冷却媒体を排出するように構成された複数の出口マニホルドを形成しかつ前記入口及び出口マニホルドが交互配置された、ベースプレートと、
前記ベースプレートに結合された内側表面及び前記加熱表面と熱接触状態になった外側表面を有し、前記内側表面が前記入口マニホルドから冷却媒体を受入れかつ該冷却媒体を前記出口マニホルドに送出するように構成された複数のマイクロチャネルを形成し、前記マイクロチャネルが前記入口及び出口マニホルドに対してほぼ垂直に配向された、少なくとも１つの基板と、
前記入口マニホルドに冷却媒体を供給するように構成された入口プレナムと、
前記出口マニホルドから冷却媒体を排出するように構成された出口プレナムと、を含み、
前記入口プレナム及び出口プレナムが、前記ベースプレートの平面内に配向されている、
装置。
【請求項２】
前記マイクロチャネルが、連続している、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記マイクロチャネルが、離散配列を形成する、請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記入口マニホルドの各々が、幅広端部及び幅狭端部を含み、前記幅広端部の各々が、前記幅狭端部のそれぞれの１つよりも大きく、
前記入口マニホルドの各々が、前記幅広端部及び幅狭端部のそれぞれの１つ間でテーパになっており、
前記入口マニホルドの各々が、前記入口プレナムから延びかつ該入口プレナムに対してほぼ垂直に配向され、
前記出口マニホルドの各々が、幅広端部及び幅狭端部を含み、前記幅広端部の各々が、前記幅狭端部のそれぞれの１つよりも大きく、
前記出口マニホルドの各々が、前記幅広端部及び幅狭端部のそれぞれの１つ間でテーパになっており、
前記出口マニホルドの各々が、前記出口プレナムから延びかつ該出口プレナムに対してほぼ垂直に配向される、
請求項１記載の装置。
【請求項５】
前記ベースプレートが、熱伝導材料を含み、
前記基板が、少なくとも１つの電気的分離材料を含む、
請求項１記載の装置。
【請求項６】
前記基板が、最上層、絶縁層及び内側層を含み、前記マイクロチャネルが、前記内側層内に形成され、前記絶縁層が、前記最上層と前記内側層との間に配置され、前記内側層が、前記ベースプレートに取付けられ、前記最上層が、前記加熱表面に結合される、請求項１記載の装置。
【請求項７】
前記マイクロチャネルが、前記内側層を貫通して延びる、請求項６記載の装置。
【請求項８】
前記基板が、最上層及び絶縁マイクロチャネル層を含み、前記マイクロチャネルが、前記絶縁マイクロチャネル層内に形成され、前記絶縁マイクロチャネル層が、前記最上層と前記ベースプレートとの間に配置され、前記最上層が、前記加熱表面に結合され、
前記基板が、前記絶縁マイクロチャネル層と前記ベースプレートとの間に配置されかつそれらに取付けられた下層をさらに含む、
請求項１記載の装置。
【請求項９】
前記基板が、内側層を含み、前記マイクロチャネルが、前記内側層内に形成されかつ該内側層を部分的に貫通して延びる、請求項１記載の装置。
【請求項１０】
該装置が、複数の基板をさらに含みかつ複数の加熱表面を冷却するようになっており、前記基板の各々が、内側表面及び外側表面を有し、前記内側表面の各々が、前記ベースプレートのそれぞれの部分に結合されかつ複数の前記マイクロチャネルを形成し、前記外側表面の各々が、前記加熱表面のそれぞれの１つと熱的接触状態になっている、請求項１記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月26日(2008.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着技術を利用して金属基材を被覆する方法において、少なくとも２種の構成要素から成る複合被膜を被覆する工程を含み、ここで少なくとも１種の構成要素はMn+1AzXnの組成を有し、MはTi、Sc、V、Cr、Zr、NbおよびTaの群から選ばれた少なくとも一つの金属であり、AはSi、Al、GeおよびSnからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素であり、Xは非金属CおよびNの少なくとも一つであり、nは0.8-3.2の範囲内にあり、zは0.8-1.2の範囲内にあることを特徴とする金属基材を被覆する方法。
【請求項２】
被覆を連続プロセスで行うことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
蒸着技術がマグネトロンスパッタリングであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
蒸着技術が電子ビーム蒸発であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
電子ビーム蒸発がプラズマ活性化および/あるいはプラズマ反応性であることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
被覆プロセスをロール間プロセスで行うことを特徴とする請求項１あるいは２に記載の方法。
【請求項７】
基材が10 m以上の長さで供給されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
MがTi、Sc、V、Cr、Zr、NbおよびTaの群から選ばれた少なくとも一つの金属であり、AがSi、Al、GeおよびSnからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素であり、Xが非金属CおよびNの少なくとも一つであり、nが0.8-3.2の範囲内にあり、zが0.8-1.2の範囲内にある組成Mn+1AzXnを有するターゲットを製造し、少なくとも１つの被覆チャンバーに挿入し、その後蒸発させ、複合被膜のMn+1AzXnの少なくとも一部の含有量を生成させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
複合被膜を被覆する前に基材上に結合層を施すことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
複合被膜がMn+1AzXn構成要素に基いていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
複合被膜が最大で20%のMn+1AzXn構成要素を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
金属基材および複合被膜からなる被膜付製品であって、複合被膜が少なくとも２種の構成要素から成り、少なくとも１種の構成要素は組成Mn+1AzXnを有し、MはTi、Sc、V、Cr、Zr、NbおよびTaの群から選ばれた少なくとも一つの遷移金属であり、AはSi、Al、GeおよびSnからなる群から選ばれた少なくとも一つの元素であり、Xは非金属CおよびNの少なくとも一つであり、nは0.8-3.2の範囲内にあり、zは0.8-1.2の範囲内にあることを特徴とする被膜付製品。
【請求項１３】
金属基材が10 m以上の長さであることを特徴とする請求項１２に記載の被膜付製品。
【請求項１４】
複合被膜の構成要素の１種がAg、Au、Ni、Cu、Sn、Pt、MoおよびCoの群から選ばれた一つの元素あるいはこれらのいずれか１種の元素に基く合金から成る金属質構成要素であることを特徴とする請求項１２に記載の被膜付製品。
【請求項１５】
複合被膜の構成要素の１種が非金属Cであることを特徴とする請求項１２に記載の被膜付製品。
【請求項１６】
複合被膜の構成要素の一つが炭化物、窒化物、酸化物あるいはこれらいずれかの組合わせであることを特徴とする請求項１２に記載の被膜付製品。
【請求項１７】
結合層が基材と被膜の間に配置されていることを特徴とする請求項１２に記載の被膜付製品。
【請求項１８】
電気接触材料、耐摩耗性接触子、低摩擦表面、相互接続材、インプラント、装飾表面あるいは非粘着性表面として用いられる請求項１２に記載の被膜付製品。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月14日(2008.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）クロモニック材料を含有する水性組成物を（ｂ）溶液中の金属塩、または金属粒子の懸濁液と混合する工程を含む、金属ナノ構造を製造する方法。
【請求項２】
前記クロモニック材料が、以下の一般構造：
【化１】
2008522032.tif 000001
（式中、Ｒ2はそれぞれ独立して、電子供与基、電子吸引基、および電子中性基からなる群から選択され、
Ｒ3は、置換および非置換芳香族複素環ならびに置換および非置換複素環からなる群から選択され、前記環が、Ｒ3の環における窒素原子を介してトリアジン基に結合している）のうちの１つによって表される化合物、およびその両性イオン、プロトン互変異性体、並びにそれらの塩からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
（ａ）基材の表面に、クロモニック材料を含有する水性組成物を適用する工程と、（ｂ）被覆表面を金属塩を含有する溶液と接触させて配置する工程とを含む、金属ナノ構造を製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月11日(2008.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）セルロース系材料、ｂ）シラン含有ポリマー、ｃ）熱可塑性樹脂、およびｄ）金属ステアリン酸塩を含む潤滑剤の混合物または反応生成物を含む組成物。
【請求項２】
前記セルロース系材料が木部繊維から成る群より選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記組成物が、成分（ａ）、（ｂ）および（ｃ）の合計重量に基づいて約４０〜９８重量％のセルロース系材料を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記シラン含有ポリマーが、約０．１〜約１０重量％の、エチレン性不飽和シランから誘導される基を含有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記シラン含有ポリマーが、不飽和シラン化合物をα−オレフィンホモポリマーまたはコポリマー骨格にグラフトすることによって生成される、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記シラン含有ポリマーが、エチレン性不飽和シランとα−オレフィンとを共重合させることによって生成される、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記エチレン性不飽和シラン化合物が下記の式
ＲＳｉＲ’nＹ3-n
［式中、Ｒは、エチレン性不飽和ヒドロカルビルまたはヒドロカルビルオキシ基であり；各Ｒ’は、独立して、脂肪族飽和ヒドロカルビル基であり；各Ｙは、独立して、加水分解性有機基であり；ｎは０〜２である］
で示される、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
前記組成物が、架橋性であるか、または少なくとも部分的に架橋されている、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
前記組成物が、成分（ａ）、（ｂ）および（ｃ）の重量に基づいて約０．５〜約６０重量％のシラン含有ポリマーを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
前記熱可塑性樹脂が、１つまたはそれ以上の、ポリスチレン、ポリビニルクロリド、ポリエステルおよびそれらの組合せから成る群より選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
前記熱可塑性樹脂が熱可塑性ポリオレフィンを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１２】
前記熱可塑性ポリオレフィンが、エチレンと、Ｃ4〜Ｃ20直鎖、分岐鎖または環状のジエン、ビニルアセテート、および式Ｈ2Ｃ＝ＣＨＲ［式中、Ｒは、水素、Ｃ1〜Ｃ20直鎖、分岐鎖または環状のアルキル基、またはＣ6〜Ｃ20アリール基である］で示される化合物から成る群より選択される少なくとも１つのコモノマーとのインターポリマーを含む、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１３】
前記熱可塑性ポリオレフィンが、プロピレンと、エチレン、Ｃ4〜Ｃ20直鎖、分岐鎖または環状ジエン、および式Ｈ2Ｃ＝ＣＨＲ［式中、ＲはＣ1〜Ｃ20直鎖、分岐鎖または環状アルキル基、またはＣ6〜Ｃ20アリール基である］で示される化合物から成る群より選択される少なくとも１つのコモノマーとのコポリマーを含む、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１４】
前記組成物が、成分（ａ）、（ｂ）および（ｃ）の重量に基づいて、０重量％超〜約６０重量％の熱可塑性樹脂を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１５】
前記セルロース系材料が、前記組成物の５０重量％未満を構成する、請求項１４に記載の組成物。
【請求項１６】
架橋触媒をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１７】
前記組成物が、０重量％超〜約１重量％の架橋触媒を含む、請求項１６に記載の組成物。
【請求項１８】
前記触媒が、オルガノチタネートまたはオルガノジルコネートを含む、請求項１６に記載の組成物。
【請求項１９】
前記触媒が、ジブチル錫ジオクトエート、ジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジラウレート、錫ナフトネート、錫オクトエート、オクタン酸鉛、オクタン酸鉄、オクタン酸亜鉛、テトラブチルオルトチタネート、テトライソプロピルオルトチタネート、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、およびアルミニウムトリス（エチルアセテート）から成る群より選択される、請求項１６に記載の組成物。
【請求項２０】
ａ）セルロース系材料、ｂ）シラン含有ポリマー、ｃ）熱可塑性樹脂、およびｄ）金属ステアリン酸塩を含む潤滑剤の混合物または反応生成物を含む組成物であって、室温で１０８０時間の浸漬後に、シラン含有コポリマーを実質的に含有しない比較組成物より少なくとも５０重量％少ない水を吸収する組成物。
【請求項２１】
熱可塑性樹脂が、エチレンのホモポリマー、またはプロピレンのホモポリマーである、請求項１に記載の組成物。
【請求項２２】
前記金属ステアリン酸塩潤滑剤が、０．０１〜約１０重量％のステアリン酸亜鉛またはステアリン酸アルミニウムを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項２３】
シラン含有ポリマーは含有しないことを除いて本発明の組成物と同じ成分を同じ量で含有する比較組成物より２５％〜約７５％、好ましくは少なくとも約５０％速い速度で押し出すことができる、請求項１、６または２２に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月30日(2009.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位置情報要求取消方法であって、
標的端末の位置情報に対するロケーションサーバクライアントからの要求を受信することと、
該標的端末の位置追跡を行うことと、
プライバシープロフィール状態が変更されたとき、該ロケーションサーバクライアントにメッセージを送信することと
を包含し、該メッセージは、該標的端末の位置情報に対する該ロケーションサーバクライアントからの要求が取り消されたことを示す、方法。
【請求項２】
前記ステップは、前記標的端末のローミングをサポートするために、２つ以上のロケーションサーバによって行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記メッセージは、前記位置情報要求が取り消された理由を示すパラメータを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記プライバシープロフィール状態における任意の変更が、プライバシーチェックエンティティ内の前記標的端末に対するプライバシー情報によって示される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
位置情報要求取消方法であって、
標的端末の位置情報に対するロケーションサーバクライアントからのトリガー位置通知を受信することと、
該標的端末と協働させることによって、該標的端末の位置を計算することと、
該ロケーションサーバクライアントからの事前のトリガー位置通知中断要求無しに、該ロケーションサーバクライアントにトリガー位置通知中断応答を伝送することと
を包含し、該トリガー位置通知応答メッセージは、該位置情報要求が取り消された理由を示すパラメータを含む、方法。
【請求項６】
前記ステップは、Ｍｏｂｉｌｅ  Ｌｏｃａｔｉｏｎ  Ｐｒｏｔｏｃｏｌを用いて、前記ロケーションサーバクライアントによって行われる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ステップは、前記標的端末のローミングをサポートするために、２つ以上のロケーションサーバによって行われる、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記ロケーションサーバは、プライバシープロフィールアップデートがあるときに、前記トリガー位置通知中断応答の伝送を開始する、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
位置情報要求取消方法であって、該方法はビジットサーバによって行われ、該方法は、
標的端末の位置情報に対するホームサーバからのトリガー位置通知要求を受信することと、
該標的端末と協働させることによって、該標的端末の位置を計算することと、
該ホームサーバからの事前のトリガー位置通知中断要求メッセージなしに、該ロケーションサーバクライアントに、トリガー位置通知中断応答を伝送することと
を包含し、該トリガー位置通知中断応答メッセージは、該位置情報要求が取り消された理由を示すパラメータを含む、方法。
【請求項１０】
前記ステップは、Ｒｏａｍｉｎｇ  Ｌｏｃａｔｉｏｎ  Ｐｒｏｔｏｃｏｌを用いて前記ホームロケーションサーバによって行われる、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月28日(2008.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を入力するステップと、
前記画像の少なくとも第１の部分に存在する色に基づいて色を取得するステップと、
前記画像の少なくとも第２の部分について、前記色に関して定義された彩度相関を変更するステップと、
を有する電子カラー画像処理の方法。
【請求項２】
前記取得するステップは、コンテンツ適応型の白色点として前記色を特定するステップを有する、請求項１に記載の電子カラー画像処理の方法。
【請求項３】
前記取得するステップは、前記画像の前記第１の部分における全ての画素について平均の色を計算するステップを有する、請求項２に記載の電子カラー画像処理の方法。
【請求項４】
前記変更するステップは、画素の明るさ相関値に依存して前記画像の前記第２の部分を選択するステップを有する、請求項１又は２に記載の電子カラー画像処理の方法。
【請求項５】
前記変更するステップは、画素の色相相関値に依存して前記画像の前記第２の部分を選択するステップを有する、請求項１又は２に記載の電子カラー画像処理の方法。
【請求項６】
前記変更するステップにおいて利用される乗法の彩度変更因子は、前記色に対する、彩度変更されるべき色の距離に依存する、請求項１又は２に記載の電子カラー画像処理の方法。
【請求項７】
前記変更するステップは、画素の長方形のブロックである前記第２の部分を選択するステップを有する、請求項１又は２に記載の電子カラー画像処理の方法。
【請求項８】
前記変更するステップは、画素の長方形のブロックである前記画像の第３の部分を選択するステップを有し、前記第３の部分の彩度相関の変更は、前記第２の部分の彩度相関の変更に依存する、請求項７に記載の電子カラー画像処理の方法。
【請求項９】
前記色の取得は、第２の画像の第４の部分に更に基づく、画像のセットを処理するために利用可能な、請求項１に記載の電子カラー画像処理の方法。
【請求項１０】
前記変更するステップは、異なる色空間への変換を有する、請求項１に記載の電子カラー画像処理の方法。
【請求項１１】
前記変更するステップは、輝度及び２つの色差により定義された色空間において実行される、請求項１に記載の電子カラー画像処理の方法。
【請求項１２】
前記変更するステップは、略知覚的に均一な色空間において実行される、請求項１に記載の電子カラー画像処理の方法。
【請求項１３】
前記変更するステップは、彩度変更された色に対してゲインを加えるステップを有し、該増加は、彩度変更の前の前記色の３つのＲ、Ｇ及びＢ色成分のうちの最大のものと、彩度変更された色の３つのＲ、Ｇ及びＢ色成分のうちの最大のものとの比較に依存する、請求項１に記載の電子カラー画像処理の方法。
【請求項１４】
画像のための入力部と、
前記画像の少なくとも第１の部分に存在する色に基づいて色を取得するように構成された取得手段と、
前記画像の少なくとも第２の部分について、前記色に関して定義された彩度相関を変更するように構成された変更手段と、
を有する電子カラー画像処理のための装置。
【請求項１５】
前記取得手段は、コンテンツ適応型の白色点として前記色を特定するように構成された特定手段を有する、請求項１４に記載の電子カラー画像処理のための装置。
【請求項１６】
前記変更手段は、前記第２の部分である画素の長方形のブロックを選択するための選択手段を有する、請求項１４に記載の電子カラー画像処理のための装置。
【請求項１７】
請求項１４に記載の装置を有する、彩度変更された画像を表示するように構成された電子ディスプレイ。
【請求項１８】
請求項１４に記載の装置を有する、彩度変更された画像をメモリに保存するように構成された電子記憶ユニット。
【請求項１９】
請求項１４に記載の装置を有する、彩度変更された画像をネットワーク接続によって伝送するように構成されたネットワークユニット。
【請求項２０】
請求項１８に記載の電子記憶ユニット又は請求項１９に記載のネットワークユニットを有する静止画像又はビデオ画像カメラ。
【請求項２１】
プロセッサが請求項１に記載の方法を実行できるようにするプロセッサ読み取り可能なコードを有するコンピュータプログラムであって、前記プロセッサ読み取り可能なコードは、
画像の少なくとも第１の部分に存在する色に基づいて色を取得するためのコードと、
前記画像の少なくとも第２の部分について、前記色に関して定義された彩度相関を変更するためのコードと、
を有するコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月20日(2008.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基材からなる燃料電池構成部品であって、
該金属基材は、
金属または合金をベースにした少なくとも1つの金属層と、
酸化時に該金属または合金と共に少なくとも1つの複合混合酸化物を形成する少なくとも1つの元素または化合物を含む少なくとも1つの反応層と
を含む被膜を備えたことを特徴する燃料電池構成部品。
【請求項２】
複合混合酸化物はスピネルおよび/またはペロブスカイトを含む請求項1に記載の燃料電池構成部品。
【請求項３】
金属層はAl、Cr、Co、Mo、Ni、Ta、W、Zrまたはこれらの元素のいずれか1つをベースにした合金からなる群より選択される金属をベースにする請求項1に記載の燃料電池構成部品。
【請求項４】
各層は厚さが20μm未満である請求項1または2に記載の燃料電池構成部品。
【請求項５】
被膜は、反応層に加えて、少なくとも2つの別々の金属層を含む、請求項1〜4のいずれかに記載の燃料電池構成部品。
【請求項６】
金属基材は0.1〜5重量%のMnおよび/または0.01〜3重量%の単数または複数の希土類金属を含む、請求項1〜5のいずれかに記載の燃料電池構成部品。
【請求項７】
金属層はCrまたはCr系合金であり、反応層は少なくとも1つの遷移金属、周期律表2A族または3A族の元素、および/または単数または複数の希土類金属を含む、請求項1〜6のいずれかに記載の燃料電池構成部品。
【請求項８】
反応層は金属層の金属または合金とは別の金属または合金である請求項1〜7のいずれかに記載の燃料電池構成部品。
【請求項９】
基材はコバルト層およびニッケル層で被覆する請求項1〜6または8のいずれかに記載の燃料電池構成部品。
【請求項１０】
反応層は基板の前酸化処理により得られる酸化物であり、金属層はNi層またはCo層である、請求項1〜6のいずれかに記載の燃料電池構成部品。
【請求項１１】
反応層はLa、Y、Ce、Bi、Sr、Ba、Ca、Mg、Mn、Co、Ni、Feおよびそれらの混合物からなる群より選択される少なくとも1つの元素を含む請求項1〜7のいずれかに記載の燃料電池構成部品。
【請求項１２】
金属基材はステンレス鋼である、請求項1〜11のいずれかに記載の燃料電池構成部品。
【請求項１３】
発電および/または発熱装置として機能する固体酸化物燃料電池に用いるインターコネクトである、請求項1〜12のいずれかに記載の燃料電池構成部品。
【請求項１４】
電解装置として機能する固体酸化物燃料電池に用いるインターコネクトである、請求項1〜13のいずれかに記載の燃料電池構成部品。
【請求項１５】
請求項1に記載の燃料電池構成部品を具備する発電および/または発熱装置。
【請求項１６】
請求項1に記載の燃料電池構成部品を具備する電解装置。
【請求項１７】
金属基材からなる燃料電池構成部品の製造方法であって、下記の工程：
(i)  該金属基材表面に、少なくとも1つの金属層と、酸化時に該金属または合金と共に少なくとも1つの複合混合酸化物構造を形成する少なくとも1つの元素または化合物層とを施す工程、
(ii)  前記の諸層を互いに反応させる、または互いに拡散させる工程、
(iii)  該金属基材を該諸層と共に酸化させ、以って少なくとも1つの複合混合酸化物構造を該基材の表面に形成させる工程
を含む方法。
【請求項１８】
複合混合酸化物はスピネルおよび/またはペロブスカイトを含む請求項17に記載の方法。
【請求項１９】
金属層はAl、Cr、Co、Ni、Mo、Ta、W、Zrまたはこれらの元素のいずれか1つをベースにした合金からなる群より選択される金属または合金をベースにする請求項17に記載の方法。
【請求項２０】
金属層は被覆法で金属基材表面に施す請求項17〜19のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
反応層は被覆法で金属基材表面に施す請求項17〜20のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
酸化時に金属または合金と共に複合混合酸化物を形成する化合物は酸化物である請求項17〜20のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
酸化物は基材の前酸化処理により基材ストリップ表面に少なくとも50nmの厚さに施す請求項22に記載の方法。