【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年4月30日(2009.4.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＨＣＮの調製のための高温、気相、触媒化学反応を実施する装置であって、
ガス不透過性の非導電性材料を含む中空円筒である反応チャンバーと、
前記反応チャンバー内に配置され、多孔性発泡体、またはブレードワイヤメッシュ、織ワイヤメッシュ、網ワイヤ織物、ボビン巻きワイヤフィラメントならびに螺旋巻きソックスまたはスリーブから選択される形状の、１または複数の白金族金属からなる導電性のガス透過性の中空円筒である触媒／サセプタと、
前記触媒／サセプタの周りの誘導コイルであって、交流を供給可能な電源により励磁可能な誘導コイルと、
を含み、
前記触媒／サセプタが、化学反応を生じさせるのに十分な温度まで交番磁場から誘導されることにより加熱され、
前記触媒／サセプタの外形対誘導コイルの内径の比率は０．５を超えることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記誘導コイルは、それぞれが別々の電源により電圧を加えることが可能な、２またはそれ以上のセクションから構成されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記誘導コイルは、２またはそれ以上のセクションから構成され、前記セクションの一つのコイルの間隔は、他の１またはそれ以上のセクションのコイルの部分のいずれかのコイルの間隔と異なることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記触媒／サセプタは、異なるバルク導電率を有する同心の環状層から構成されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
本発明は、以降「触媒／サセプタ」と呼ばれる装置、触媒構成、および白金族金属触媒を存在させて気相中でアンモニアと低級アルカンを反応させることによりＨＣＮを調製するプロセスに関する。本発明によれば、ガス透過性円筒の形態で１種類以上の白金族金属を含む触媒／サセプタは、誘導加熱用のサセプタと、ＨＣＮの調製のための触媒としての２つの機能を果たす。このように、触媒／サセプタを誘導加熱により加熱すると、加熱された触媒がＨＣＮの調製に必要な熱を反応物質に与える。円筒形状の触媒／サセプタは、多孔性発泡体のようなガス透過性固体、または多層のガス透過性フィラメント構造から構成されていてもよい。本発明の触媒／サセプタは触媒活性を有しているばかりでなく、低周波数で誘導加熱されるのに十分に長く、同時に反応器体積当たり十分な表面積の導電性通路を有している。反応容器またはその一部等を加熱することなどによって伝導、放射および／または対流により触媒を加熱する先行技術のプロセスよりも、触媒の誘導加熱に頼ることによって、かなりの利点が実現される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
本発明によれば、触媒／サセプタとして機能する白金族金属対象物における導電性通路の有効長を増大するように、プロセスおよび反応器が設計されている。本発明の目的は、この増大した効率的な導電性通路長を利用して、可能な最低誘導周波数で誘導加熱をすることである。さらに、本発明の目的は、触媒／サセプタにおける温度変化を最小にし、かつ触媒／サセプタのガスフロー変化を最小にすることである。さらに本発明の他の目的は、資本費と製造コストの低いプロセスおよび装置を提供することである。本発明のさらに他の目的は、滞留時間を短くし、ＨＣＮの収率を上げ、コーク、Ｎ２、Ｈ２Ｏ、ＣＯおよびＣＯ２をはじめとする副生成物を削減または排除することである。前述した目的は全て本発明により実現される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
本発明は、誘導コイルで周囲を囲んだ円筒形態の触媒／サセプタを利用するものである。触媒／サセプタの外径はできる限り大きいのが好ましい。触媒／サセプタの外径対誘導コイルの内径の比率は０．０５と小さくすることができるが、この比率は０．５を超えるのが好ましく、実用上は１．０に近いのが最も好ましい。このように、触媒／サセプタ内の渦電流通路ができる限り長いと、あるサイズの反応器について可能な最低誘導周波数を用いることができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
固体円筒形状の触媒／サセプタの最内領域は、外側領域よりもあまり効率的に誘導加熱されない。この加熱効率の減少は、（１）円筒の内側部分の短い電流通路長さ、および（２）円筒の外側部分の遮蔽効果によるものである。従って、環形状の断面を有する中空円筒形状が触媒／サセプタに好ましい。円筒の壁の内側部分はあまり効率的に誘導加熱されないため、中空円筒形状の触媒／サセプタの壁の厚さは、一般的に、外径の約四分の一以下である。誘導加熱効率の減少を部分的に補うために、円筒形状の触媒／サセプタの内側部分は、任意で、円筒の外側部分よりも高い導電性を有する材料から構成されていてもよい。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
本発明の円筒形状の触媒／サセプタの構造はいくつかの形態を採り得る。円筒形状の触媒／サセプタは、多孔性発泡体のようなガス透過性固体、または多層のガス透過性フィラメント構造から構成されていてもよい。フィラメント構造は、ブレード、織または編布（例えば、ガーゼ）またはボビン巻きフィラメントであってもよい。ガス透過性多層は、互いに積み重ねたリングの形態、同心の円筒の形態であってもよいし、または互いに巻き付けられた触媒／サセプタ多層の形態を採ることもできる。巻き付けられた多層は、効率的な誘導加熱が生じる良好な層間導電性を有していなければならない。このように、円筒形状の触媒／サセプタは、反応器周囲の寸法に匹敵する渦電流通路を有している。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
（図面の詳細な説明）
図１は、本発明の原理を示す概略図である。実質的に円筒形状の触媒／サセプタ１が、実質的に非導電性の反応器壁２内に配置されている。前記円筒形状の触媒／サセプタ１はガス透過性で、環形触媒／サセプタ周囲およびその内部を円形通路で流れる渦電流を誘導するのに必要な電気的特性（バルク導電性および円筒周囲の連続した導電性通路）を有している。誘導コイル３（一般的に流体冷却されている）が触媒／サセプタ１と反応器壁２を囲んでいる。コイル３中の交流Ｉｃは、交番磁場Ｂを誘導し、これが交流Ｉｃに実質的に平行な面で触媒／サセプタ１中に渦電流Ｉｅを誘導する。誘導電流Ｉｅが加熱を生じさせ、渦電流が大きければ大きいほど熱が発生する。触媒／サセプタ１の半径が増大するにつれて、大きな渦電流が生成される。触媒／サセプタ環周１の外径が反応器２の直径に近づくにつれて、低周波数を用いると触媒／サセプタ環周を効率的に加熱することができる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
図２において、ガス透過性触媒／サセプタ１は、ボビン巻きワイヤ、編ワイヤメッシュ、織ワイヤメッシュ、螺旋巻きソックスまたはスリーブ、またはブレードワイヤから構成されている。ワイヤは、白金族金属または合金、例えば、白金または白金／ロジウム金属合金から構成されている。触媒／サセプタ１は、水晶またはセラミックのような環形ガス不透過性、非導電性の耐高温性円筒４と５の間に配置されている。円筒４は両端で開いているが、円筒５は上端部で閉じている。円筒４と５は、反応ガス６を導いて、触媒／サセプタ１を流れることができるように配置され、協働する。水冷誘導コイル３により誘導される交番磁場は、触媒／サセプタ１中に電流を誘導し、これを加熱する。反応物質６は、封じ込め容器７の上部に入り、軸方向に円筒４と５の間を通過して、熱い触媒／サセプタ１と接触して、所望の反応を引き起こす。ＨＣＮおよび水素を含む製品ガス８が、封じ込め容器７を出る。壁４および５が非導電性であるため、誘導磁界は触媒／サセプタを加熱するが、壁は加熱しない。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
図３に、本発明の他の実施形態を示す。触媒／サセプタ１は、ガス透過性で、ボビン巻きワイヤ、編ワイヤメッシュ、織ワイヤメッシュ、螺旋巻きソックスまたはスリーブ、またはブレードワイヤから構成されている。触媒／サセプタ１は、ガス不透過性円筒９とガス透過性円筒１０との間に配置されている。ガス不透過性の円筒９は上端部で開いており、ガス不透過性環形ショルダ１１に接続されている。円筒１０は上部でガス不透過性蓋１２により閉じている。触媒／サセプタ１の外径は、円筒９の内径より小さいため、環形通路１３が得られる。反応物質６は、通路１３に入って、誘導加熱されるにつれて、ガス透過性触媒／サセプタ１を放射状に通過する。その後、生成物ＨＣＮおよび水素８が、円筒１０のガス透過性壁から中央通路１４へと出る。反応物質ガスが触媒／サセプタ１を均一に流れるように、ガス透過性円筒１０の特性を選ぶ。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
図５に、図４の反応器と同様の構成および操作の反応器を示す。しかしながら、図５においては、積み重ねられたリング１５が自立形であるためガス透過性円筒１０はない。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
図３〜７の放射状フロー反応器構成の場合には、反応器の化学反応効率を更に高めるために、中空円筒触媒／サセプタ１の内部を、任意で、導電性とする必要のないガス透過性触媒材料で充填してもよい。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
１． 実質的にガス不透過性の非導電性材料から構成された反応チャンバー（４）と、
前記反応チャンバー（４）内に配置された導電性のガス透過性の触媒／サセプタ（１、１５、１６）と
を含み、
前記反応チャンバー（４）は、交流を供給可能な電源により励磁可能な誘導コイル（３）に囲まれており、
前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）は化学反応を生じさせるのに十分な温度まで前記誘導コイル（３）により生成された交番磁場により誘導加熱可能であり、
前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）は、実質的に環形断面を有する中空円筒として成形されていて、前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）が、前記ガス（６）が前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）の中を流れることを可能とする非導電性円筒（５）を囲んでいることを特徴とするＨＣＮ調製のための高温、気相、触媒化学反応を実施する装置。
２． 前記非導電性円筒（５）が実質的にガス不透過性であって、前記ガス（６）を前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）を通して軸状に流れさせることができることを特徴とする１．に記載の装置。
３． 前記非導電性円筒（１０）が実質的にガス透過性であって、前記ガス（６）を前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）を通して放射状に流れさせることができることを特徴とする１．に記載の装置。
４． 前記誘導コイル（３）が長さ全体にわたって均一な間隔を有することを特徴とする１．に記載の装置。
５． 前記誘導コイル（３）のエネルギー沈積強度が、前記円筒状触媒／サセプタ（１、１５、１６）の長さに沿って変わることを特徴としている１．に記載の装置。
６． 前記誘導コイル（３）は、２つ以上のセクション（３Ａ'、３Ｂ'）から構成され、ここで、前記セクションの各々が、他の１つまたは複数のセクションの各々と異なる大きさの電流を流すことを特徴とする５．に記載の装置。
７． 前記誘導コイル（３）は、２つ以上のセクション（３Ａ、３Ｂ）から構成され、ここで、前記セクションの１つのコイル間隔が、他の１つまたは複数のセクションの各々のコイル間隔と異なることを特徴とする５．に記載の装置。
８． 前記触媒／サセプタ（１）が、多数の連続的なラップガーゼから構成されることを特徴とする１．に記載の装置。
９． 前記触媒／サセプタ（１６）が、触媒金属発泡体から構成されることを特徴とする１．に記載の装置。
１０． 前記触媒／サセプタ（１５）が、互いに積み重ねられた複数の環形状のガーゼのリングから構成されることを特徴とする１．に記載の装置。
１１． 前記触媒／サセプタ（１）が、異なるバルク導電率を有する同心の環状層（１Ａ、１Ｂ）から構成されることを特徴とする１．に記載の装置。
１２． 前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）が、１つ以上の白金族金属から構成されることを特徴とする１．に記載の装置。
１３． 前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）の外径が、前記誘導コイル（３）の内径の０．１〜０．９であることを特徴とする１．に記載の装置。
１４． アンモニアと、１〜６個の炭素原子を有するガス状炭化水素とを、実質的に円筒状の導電性ガス透過性触媒白金族金属触媒／サセプタ（１、１５、１６）を含む触媒構造に通過させる工程を含み、前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）が、円周の軸に垂直な面においてその円周をまわる連続した導電性経路を有していて、５０Ｈｚ〜３０ＭＨｚの周波数で、前記反応物質を反応させるのに十分な温度まで誘導加熱コイル（３）により加熱され、前記円筒状触媒／サセプタが、触媒活性を促進させるのに十分な誘導加熱効率を有するのに十分なバルク電気抵抗を有しており、
前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）が、中空であり、前記ガス（６）が前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）の中を流れることを可能とする非導電性円筒（５）を囲んでいることを特徴とするＨＣＮの調製方法。
１５． 前記アンモニアと前記炭化水素を前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）を通して軸方向に流れさせることを特徴とする１４．に記載の方法。
１６． 前記アンモニアと前記炭化水素を前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）を通して放射状に流れさせることを特徴とする１４．に記載の方法。
１７． 前記誘導コイル（３）が長さ全体にわたって均一な間隔を有することを特徴とする１４．に記載の方法。
１８． 前記誘導コイル（３）のエネルギー沈積強度が、前記円筒状触媒／サセプタ（１、１５、１６）の長さに沿って変わることを特徴としている１４．に記載の方法。
１９． 前記誘導コイル（３）は、２つ以上のセクション（３Ａ'、３Ｂ'）から構成され、ここで、前記セクションの各々が、他の１つまたは複数のセクションの各々と異なる大きさの電流を流すことを特徴とする１８．に記載の方法。
２０． 前記誘導コイル（３）は、２つ以上のセクション（３Ａ、３Ｂ）から構成され、ここで、前記セクションの１つのコイル間隔が、他の１つまたは複数のセクションの各々のコイル間隔と異なることを特徴とする１８．に記載の方法。
２１． 前記触媒／サセプタ（１）が、多数の連続的なガーゼラップから構成されることを特徴とする１４．に記載の方法。
２２． 前記触媒／サセプタ（１６）が、触媒金属発泡体から構成されることを特徴とする１４．に記載の方法。
２３． 前記触媒／サセプタ（１５）が、互いに積み重ねられた複数の環形状のガーゼのリングから構成されることを特徴とする１４．に記載の方法。
２４． 前記触媒／サセプタ（１）が、異なるバルク導電率を有する同心の環状層（１Ａ、１Ｂ）から構成されることを特徴とする１４．に記載の方法。
２５． 前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）が、１つまたは複数の白金族金属から構成されることを特徴とする１４．に記載の方法。
２６． 前記触媒／サセプタ（１、１５、１６）の外径が、前記誘導コイル（３）の内径の０．１〜０．９であることを特徴とする１４．に記載の方法。
２７． 前記炭化水素がメタンを含む１４．に記載の方法。
２８． 前記中空円筒状触媒／サセプタ（１、１５、１６）の壁厚がその外径の約四分の一以下であることを特徴とする１．に記載の装置。
２９． 前記中空円筒状触媒／サセプタ（１、１５、１６）の壁厚がその外径の約四分の一以下であることを特徴とする１４．に記載の方法。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
（実施例１）
本実施例は、本発明の触媒／サセプタを、低誘導周波数での誘導加熱により均一かつ高効率的に加熱できることを示すものである。図２と同様にして、円筒形状の触媒／サセプタを、白金合金ガーゼ片を水晶管の周囲に３６回巻きつけることにより構築した。白金合金は９０％の白金と１０％のロジウムを含んでいた。ガーゼは８０メッシュ織であり、幅は４０．６ｃｍ（１６インチ）、ワイヤサイズは０．０７６ｍｍ（０．００３インチ）であった。白金ガーゼのバルク固有抵抗を測定したところ８５×１０−６オーム−ｃｍであった。従って、最大誘導加熱効率が、誘導加熱工業で用いられる最低周波数である周波数４２５Ｈｚで得られる。水晶管の外径は３０．５ｃｍ（１２インチ）であった。得られた触媒／サセプタの内側半径は１５．２４ｃｍ、厚さは約０．６ｃｍであった。触媒／サセプタ構造を、水冷誘導コイルに配置した。このコイルは１７巻きで銅管直径１．９ｃｍ（０．７５インチ）、高さ５５．９ｃｍ（２２インチ）、内径４３ｃｍであった。誘導コイルを、３５キロワット（ｋＷ）の電力レベルで周波数３ｋＨｚで操作される誘導電源、ニュージャージー州ランコカスのインダクトサームコーポレーション（Ｉｎｄｕｃｔｏｔｈｅｒｍ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，Ｒａｎｃｏｃａｓ，ＮＪ）製型番ＶＩＰパワートラック（Ｍｏｄｅｌ ＶＩＰ Ｐｏｗｅｒ−Ｔｒａｋ）（１７０ｋＷの最大電力）に接続した。誘導加熱効率は約８９％であった。本実施例のいわゆる「参照深さ」（円筒の外側表面から渦電流が表面値の３７％まで減じる深さまでの距離）を計算したところ２．１ｃｍであり、全厚０．６ｃｍより実質的に大きかった。本実施例によれば、環周厚さにわたる誘導加熱は実質的に均一であるということが示されている。このように、円筒形状の触媒／サセプタの内側表面での加熱は、外側表面での加熱より僅か１１パーセント低いだけである。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
（実施例２〜８）
図３に示した誘導加熱連続放射状フロー固定床反応器において、ややモル過剰のアンモニアをメタンと反応することにより、ＨＣＮを調製した。この実験で用いた触媒／サセプタは、直径０．００３インチ、８０メッシュガーゼの９０／１０Ｐｔ／Ｒｈワイヤの単一円筒であった。円筒の外径は１．２５インチ、高さは１．５インチであった。２３層のＰｔ／Ｒｈガーゼを直径１インチの約４０パーセント（％）の開口部でできた穿孔水晶管（図３のガス透過性管１０）周囲に巻きつけることにより円筒を構築した。触媒／サセプタの巻かれた厚さは合計で約０．１２〜０．１３インチであった。触媒／サセプタの単一円筒を同心の円筒として大きな誘導コイル円筒内側に装着した。反応物質を放射状で触媒／サセプタに供給したところ、生成物ガスが穿孔水晶管の中央から排出された。穿孔水晶管中央において単一バルク出口ガス温度をモニタリングし、誘導電源に入力される電力を調整して所望の温度に維持することにより温度を制御した。誘導加熱を９７ｋＨｚの一定周波数で供給した。反応条件、変換率および収率を表１に示す。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
（実施例９〜１６）
実施例９〜１６は、単一触媒／サセプタ円筒を通る軸方向フロー構成の性能を示すものである。図２に示した誘導加熱連続フロー固定床反応器において、ややモル過剰のアンモニアをメタンと反応させることにより、ＨＣＮを調製した。この実験で用いた触媒／サセプタは、外径０．７５インチ×内径０．５０インチ×高さ１．５０インチの９０／１０Ｐｔ／Ｒｈガーゼの単一円筒であった。２３層のＰｔ／Ｒｈのガーゼを直径１．３ｃｍ（０．５０インチ）の固体水晶管周囲に巻きつけることにより触媒／サセプタを構築した。断面積０．２４５インチ２の円筒形状の触媒／サセプタを、内径０．７５インチの水晶反応器管内部に挿入し、密着させた。反応器管をやや大きな誘導コイル円筒内部に配置した。反応物質を軸方向に触媒に供給したところ、生成物ガスが２本の穿孔水晶管間に形成された環周を通して排出された。０．５０インチの水晶管中央において単一バルク出口温度をモニタリングし、誘導発電機に入力される電力を調整して所望の温度に維持することにより温度を制御した。誘導加熱を９０ＫＨｚの一定周波数で供給した。反応条件、変換率および収率を表２に示す。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
（実施例１７〜２６）
図３に示した反応器構成と同様の誘導加熱連続フロー固定床反応器において、過剰のアンモニアをメタンと反応することにより、ＨＣＮを調製した。反応器は、供給マニホルドおよび生成物分配ユニット（図示せず）を接続するための適切な取付部品を備えた直径５．０８ｃｍ、長さ６０ｃｍの外側水晶円筒から構成されていた。外側反応器円筒は、上部が封止された１インチ当たり８０ポア（ｐｐｉ）のアルミナ発泡体管（外径２．５ｃｍ、長さ７．８ｃｍ）で覆われた、厚さ０．０２ｃｍの２０層の４０メッシュ、９０／１０Ｐｔ−Ｒｈガーゼから構成された触媒／サセプタ床を密閉していた。反応物質、メタンおよびアンモニアが上部から反応器に入って、円筒形状の触媒／サセプタ床を放射状に流れた。ＨＣＮ、未反応メタンおよび／またはアンモニア、および副生成物を含む生成物ストリームが、多孔性アルミナ管を透過して、多孔性アルミナ管内部の中空円筒形状の空間を通して反応器から排出された。反応器供給システムは、２種類までのガス供給物を一定のフローレートで反応ゾーンに供給できるように設計されていた。ブルックス質量流量制御器を用いてガスを計量およびモニターした。ガスクロマトグラフィーにより生成物を識別し定量した。触媒床を水冷銅誘導コイルで加熱した。誘導加熱は１２６ｋＨｚの一定周波数で行い、前方反射電力を調整して所望の合計出力を得た。反応条件、変換率および収率等を表３に示す。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
（実施例２７〜３２）
誘導加熱連続フロー固定床反応器において、ややモル過剰のアンモニアをメタンと反応することにより、ＨＣＮを調製した。反応器は、触媒／サセプタ床を密閉している外側水晶円筒からなっていた。それぞれ厚さ０．３ｃｍ、直径２．５４ｃｍ、多孔率４０ｐｐｉの６つの白金発泡体ディスクから構成された触媒／サセプタ床を同心の円筒形状の触媒ホルダーの他方の上部に配置した。ブルックス質量流量制御器により反応物質、メタンおよびアンモニアを計量およびモニターし、表４に示すフローレートで上部から反応器に導入した。ガスは円筒形状の触媒／サセプタ床を通して下方へ流れ、誘導加熱により加熱され、ＨＣＮ、未反応メタンおよび／またはアンモニア、水素およびその他副生成物を含む生成物ストリームは水晶反応器の下部の反応ゾーンに残った。触媒床を１４２ｋＨｚの一定周波数で誘導加熱した。前方反射電力を調整して所望の合計出力を得た。反応条件、変換率および収率等を表４に示す。