【手続補正書】
【提出日】平成21年11月6日(2009.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(i)  透明な第１電極、
(ii)  エレクトロルミネセンス物質の層、および、
(iii)  第２電極
を連続的に備え、
電極のうちの一つとエレクトロルミネセンス物質の層の間に反射影響物質の層があり、前記反射影響物質が昇華可能な化合物である
ことを特徴とするエレクトロルミネセンスデバイス。
【請求項２】
前記反射影響物質が半透明であることを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記反射影響物質が銅キノラート（Cuq2）を含むことを特徴とする、請求項１もしくは２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記反射影響物質がVOq2を含むことを特徴とする、請求項１もしくは２に記載のデバイス。
【請求項５】
前記反射影響物質がVOTPOPcを含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項６】
前記反射影響物質が
（ａ）Sn(II)、Sn(IV)、Cr(III)、NbOもしくは希土類のキノラート
（ｂ）リチウムフタロシアニン、銅フタロシアニン、マグネシウムフタロシアニン、バリウムフタロシアニン、ジルコニルフタロシアニン、もしくは、希土類フタロシアニン、
（ｃ）M(DBM)xの構造式の金属錯体（ここで、Mは、クロム、銅、スズ(II)、スズ(IV)、鉛、パラジウム、白金、ニッケルを含む遷移金属、xはMの価数、DBMはジベンゾイルメタンである）、
（ｄ）テトラシアノキニドジメタンの金属錯体、または、
（ｅ）C60の金属錯体（ここでC60は、バックミンスターフラーレンもしくは「バッキーボール」と呼ばれる）
の任意のものを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項７】
前記反射影響物質の層が、少なくとも一つの介在する層によって、前記エレクトロルミネセンス物質の層から隔離されている
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項８】
前記反射影響物質の層は、エレクトロルミネセンス層よりもアノードに近く、正孔輸送層によりエレクトロルミネセンス層から隔離されている
ことを特徴とする請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
芳香族アミンを含む正孔輸送層を備えることを特徴とする、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記芳香族アミンは、N,N’-ジフェニル-N,N’-ジ(ナフタレン-1-イル)-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン（α-NBP）、N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス(3-メチルフェニル)-1,1’-ビフェニル-4,4’-ジアミン（TPD）、トリ[4-(N-フェニル-N-m-トリル)アミノ]フェニルアミン（mTADATA）、
【化１】
2009515331.tif 000001
および
【化２】
2009515331.tif 000002
のいずれかを含む請求項９に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記正孔輸送層は、ポリ(ビニルカルバゾール)、ポリアニリン、ポリチオフェン、ならびに、ポリ(p-フェニレンビニレン)-PPVおよびPPVを含むコポリマーからなる群から選択された物質を含むことを特徴とする請求項９に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記反射影響物質の層は、前記エレクトロルミネセンス層よりもカソードに近く、電子輸送層によりエレクトロルミネセンス層から隔離されている
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記電子輸送層は、金属キノラート、シアノアントラセン、および、ポリスチレンスルホン酸から選択された物質を含むことを特徴とする請求項１２に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記電子輸送層は、アルミニウムキノラートもしくはジルコニウムキノラートであることを特徴とする請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記エレクトロルミネセンス物質が
（ａ）エレクトロルミネセンス有機ポリマー、
（ｂ）蛍光物質もしくはリン光物質とドープされたホスト、
（ｃ）金属錯体もしくは有機金属化合物、
（ｄ）低分子の共役芳香族
（ｅ）以下の構造の有機金属錯体であって、
【化３】
2009515331.tif 000003
ここで、LαおよびLpが有機配位子で、Mが希土類金属、遷移金属、ランタニドもしくはアクチニドで、nが金属Mの価数であり、配位子Lαが同じであるか、もしくは異なっており、複数の配位子Lpは、同じであるか、もしくは異なっており、
（ｆ）構造式(Ln)nM1M2もしくは(Ln)nM1M2(Lp)の有機金属錯体であり、
ここで、LnはLα、Lpは中性配位子であり、M1は希土類金属、遷移金属、ランタニドもしくはアクチニドであり、M2は非希土類金属であり、そして、nがM1とM2を組み合わせた価数である
（ｇ）以下の構造式
【化４】
2009515331.tif 000004
（ここで、Lは架橋する配位子であり、M1は希土類金属であり、そして、M2はM1もしくは非希土類金属であり、LmおよびLnは上述で定義したような同じもしくは異なる有機配位子Lαであり、xがM1の価数であり、yがM2の価数である）、
または、
【化５】
2009515331.tif 000005
（ここで、M1、M2およびM3は、同じもしくは異なる希土類金属であり、Lm、LnおよびLpは有機配位子Lαであり、そして、xがM1の価数であり、yがM2の価数であり、zがM3の価数であり、さらに、LpがLmとLnと同じもしくは異なっていてもよい）か、
あるいは、
【化６】
2009515331.tif 000006
（ここで、M4はM1であり、Lは架橋する配位子であり、そして、希土類金属および非希土類金属は、金属−金属結合すること、および／または、中間で架橋する原子、配位子もしくは分子基を介することによってともに結合することができ、あるいは、金属−金属結合すること、および／もしくは、中間の配位子を介することによって結合する3つ以上の金属を有する）、
2核、3核、もしくは多核の有機金属錯体であり、前記非希土類金属が、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、銅、銀、金、亜鉛、カドミウム、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ゲルマニウム、スズ、アンチモン、鉛、ならびに、マンガン、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ニッケル、パラジウム、白金、カドミウム、クロム、チタン、バナジウム、ジルコニウム、タンタル、モリブデン、ロジウム、イリジウム、チタン、ニオブ、スカンジウム、およびイットリウムなどの遷移金属の第1、第2ならびに第3族の金属から選択され、前記希土類金属、もしくは、遷移金属が、Sm(III)、Eu (II)、Eu(III)、Tb(III)、Dy(III)、Yb(III)、Lu(III)、Gd(III)、U(III)、Tm(III)、Ce(III)、Pr(III)、Nd(III)、Pm(III)、Dy(III)、Ho(III)、およびEr(III)から選択され、前記Lαが本明細書中の構造式(IV)から(XVII)であり、前記Lpが、前述のスキーム１〜７、もしくは、本明細書中(XVIII)から(XXV)の構造式のいずれかである物質、
（ｈ）金属キノラート、特にリチウムキノラート、
（ｉ）非希土類金属の錯体、特にアルミニウム錯体、マグネシウム錯体、亜鉛錯体もしくはスカンジウム錯体、
（ｊ）β-ジケトン錯体、あるいは
（ｋ）Al(DBM)3、Zn(DBM)2およびMg(DBM)2、Sc(DBM)3、（ここで、(DBM)は1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオンである）
を含むことを特徴とする前述の請求項のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記第１電極が透明な導電性ガラスもしくはプラスチック物質、導電性ポリマー、または、導電性ポリマーを被覆したガラスもしくはプラスチック物質であることを特徴とする、前述の請求項のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記第２電極がアルミニウム、カルシウム、リチウム、もしくは銀/マグネシウム合金であることを特徴とする、前述の請求項のいずれか一項に記載のデバイス。