(57)【要約】  低屈折率で、耐熱性、耐薬品性、塗布性に優れ、かつパターン加工性に優れた樹脂組成物を提供する。（Ａ）ポリシロキサン、（Ｂ）溶剤を含有する樹脂組成物であって、前記（Ａ）ポリシロキサンが、特定の一般式（１）〜（３）のいずれかで表される構造および特定の下記一般式（４）または（５）のいずれかで表される構造を含むことを特徴とする樹脂組成物である。【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ポリシロキサンおよび（Ｂ）溶剤を含有する樹脂組成物であって、前記（Ａ）ポリシロキサンが、下記一般式（１）〜（３）で表される構造を少なくとも一つ以上、および、下記一般式（４）〜（５）で表される構造を少なくとも一つ以上含むことを特徴とする、樹脂組成物。
【化１】
2020045214.tif 000023
（Yは炭素数５〜１０の脂環族または芳香族の連結基である。Ｒ１は、単結合または炭素数１〜４のアルキレン基、Ｒ２は互いに独立して、水素または炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ３は互いに独立して炭素数１〜８の有機基、Ｘは水素原子または酸解離性基、aは１〜３の整数、ｎは１〜１０の整数を示す。）
【請求項２】
（Ａ）ポリシロキサンが、下記一般式（６）〜（８）で表される構造を少なくとも一つ以上含む請求項１記載の樹脂組成物。
【化２】
2020045214.tif 000024
（Ｒ１は、単結合または炭素数１〜４のアルキレン基、Ｒ２は互いに独立して、水素または炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ３は互いに独立して炭素数１〜８の有機基、Ｘは水素原子または酸解離性基、aは１〜３の整数、ｎは１〜１０の整数を示す。）
【請求項３】
（Ａ）ポリシロキサン骨格中に、前記一般式（４）〜（５）で表される構造の少なくとも一つ以上を５〜５０ｍｏｌ％有する請求項１または２に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
（Ａ）ポリシロキサンが、下記一般式（９）〜（１１）で表される構造を少なくとも一つ以上含む請求項１〜３のいずれかに記載の樹脂組成物。
【化３】
2020045214.tif 000025
（Ｒ２は互いに独立して、水素または炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ３は互いに独立して炭素数１〜８の有機基、Ｒ４はフルオロ基を有する炭素数１〜１０の有機基を示す。）
【請求項５】
（Ｃ）ナフトキノンジアジド化合物を含む請求項１〜４のいずれかに記載の樹脂組成物。
【請求項６】
（Ａ）ポリシロキサン１００質量部に対して、（Ｃ）ナフトキノンジアジド化合物が１〜１５質量部である請求項５に記載の樹脂組成物。
【請求項７】
ヘテロ原子を有する芳香族炭化水素系の（Ｂ）溶剤を１種類以上含有する請求項１〜６のいずれかに記載の樹脂組成物。
【請求項８】
（Ｄ）金属化合物粒子を含有する請求項１〜７のいずれかに記載の樹脂組成物。
【請求項９】
前記（Ｄ）金属化合物粒子が、シリカ粒子である請求項８に記載の樹脂組成物。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化膜。
【請求項１１】
請求項１０に記載の硬化膜を具備する固体撮像素子。
【請求項１２】
請求項１０に記載の硬化膜を具備する有機EL素子。
【請求項１３】
請求項１０に記載の硬化膜を具備する表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂組成物、その硬化膜、ならびにそれを具備する固体撮像素子、有機ＥＬ素子、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイや有機ＥＬテレビなどにおいて、ＬＥＤ光源等を用いて、側面から光を導入し、狭額縁化、薄型化を実現している。特に、最近、液晶ディスプレイにおいて、透明液晶ディスプレイが新しい表示装置として、各社で精力的に検討、開発されている。その際側面から入射した光を効率よく一定方向に導光するため、低屈折率で、透明性が高く、加工プロセスに使用される薬品への耐薬品性に優れ、加熱工程において、黄変等の劣化を起こさない、耐熱性良好な新規材料が求められている。高透明で、低屈折率材料としては、特許文献１、２、３に示すように、ポリシロキサン材料が知られており、液晶ディスプレイやタッチパネル、固体撮像素子等に広く使用されている。しかしこれらの材料には、低屈折率にするため、フッ素含有シロキサン化合物の大量添加やシリカナノ粒子や中空シリカ等の粒子添加が採用されているが、フッ素含有シロキサン化合物の大量添加では、耐薬品性、耐熱性の低下は避けられず、粒子添加ではパターン状に加工した際、表面やエッジでの微細な凹凸が避けられなかった。粒子添加無しで、耐熱性、耐薬品性に優れた低屈折率材料が強く求められた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１１９７４４号公報
【特許文献２】特開２０１３−０１４６８０号公報
【特許文献３】特開２０１５−１２９９０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記で述べた課題を解決するために、本発明は、粒子添加無しで、耐熱性、耐薬品性に優れ、かつパターン加工性にも優れた低屈折率材料である樹脂組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
すなわち、本発明は、（Ａ）ポリシロキサン、（Ｂ）溶剤を含有する樹脂組成物であって、前記（Ａ）ポリシロキサンが、下記一般式（１）〜（３）で表される構造を少なくとも一つ以上、および、下記一般式（４）〜（５）で表される構造を少なくとも一つ以上含むことを特徴とする樹脂組成物である。【０００６】
【化１】
2020045214.tif 000002
【０００７】
（Ｙは炭素数５〜１０の脂環族または芳香族の連結基である。Ｒ１は、単結合または炭素数１〜４のアルキレン基、Ｒ２は互いに独立して、水素または炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ３は互いに独立して炭素数１〜８の有機基、Ｘは水素原子または酸解離性基、ａは１〜３の整数、ｎは１〜１０の整数を示す。）
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、低屈折率で、耐熱性、耐薬品性、塗布性に優れ、かつパターン加工性に優れた樹脂組成物を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施の形態に係る樹脂組成物を用いた硬化膜の作製例を示す工程図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る樹脂組成物を用いた硬化膜の作製例を示す工程図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る樹脂組成物を用いた硬化膜の作製例を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１１】
＜（Ａ）ポリシロキサン＞
本発明の樹脂組成物は、下記一般式（１）〜（３）で表される構造を少なくとも一つ以上、および、下記一般式（４）〜（５）で表される構造を少なくとも一つ以上含むポリシロキサンを含有する。ポリシロキサン中に（１）〜（３）で表される構造を少なくとも一つ以上、および、（４）〜（５）で表される構造を少なくとも一つ以上、含有することで、ポリシロキサンのアルカリ溶解性を高めつつ、感光剤とシラノールの相互作用によるアルカリ溶解抑止効果が発現できるため、現像前後において露光部と未露光部のコントラストを高め、解像度に優れた膜を得ることができる。
【００１２】
【化２】
2020045214.tif 000003
【００１３】
（Ｙは炭素数５〜１０の脂環族または芳香族の連結基である。Ｒ１は、単結合または炭素数１〜４のアルキレン基、Ｒ２は互いに独立して、水素または炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ３は互いに独立して炭素数１〜８の有機基、Ｘは水素原子または酸解離性基、ａは１〜３の整数、ｎは１〜１０の整数を示す。）
一般式（１）〜（３）で表される構造において、Ｙは炭素数５〜１０の脂環族または芳香族の連結基である。Ｒ１は単結合または炭素数１〜４のアルキレン基、Ｒ２は互いに独立して水素または炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ３は互いに独立して炭素数１〜８の有機基、Ｘは水素原子または酸解離性基、ａは１〜３の整数、ｎは１〜１０の整数を示す。
【００１４】
Ｒ１のアルキレン基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、イソプロピレン基、ｎ−ブチレン基、ｔ−ブチレン基などが挙げられる。
【００１５】
Ｒ２のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブトキシ基、ｔ−ブチル基などが挙げられる。
【００１６】
Ｒ３の有機基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
【００１７】
Ｘは水素原子または酸解離性基であり、Ｘが複数個存在する場合は、Ｘは互いに同じでも異なっていてもよい。ここで、酸解離性基とは、酸の存在下で解離して極性基を生じる基である。上記酸解離性基は、アルカリに対しては比較的安定なアセタール構造又はケタール構造を有しており、これらが酸の作用によって、解離することとなる。具体的に例示すると、アルコキシカルボニル基、アセタール基、シリル基、アシル基等を挙げることができるがこの限りではない。アルコキシカルボニル基としては、例えば、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−アミルオキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基等を例示できる。アセタール基としては、メトキシメチル基、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、シクロヘキシルオキシエチル基、ベンジルオキシエチル基、フェネチルオキシエチル基、エトキシプロピル基、ベンジルオキシプロピル基、フェネチルオキシプロピル基、エトキシブチル基、エトキシイソブチル基などが挙げられる。シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジエチルシリル基、トリエチルシリル基、ｉ−プロピルジメチルシリル基、メチルジ−ｉ−プロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、メチルジ−ｔｅｒｔ−ブチルシリル基、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルシリル基、フェニルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等を挙げることができる。アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウリロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、フマロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基等を挙げることができる。これらの酸解離性基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたものを使用することもできる。また、これらの酸解離性基は単種類が（Ａ）ポリシロキサン化合物に導入されていてもよいし、複数種類が導入されていてもよい。
【００１８】
一般式（１）〜（３）で表される構造は、同じものであるが下記の（１’）〜（３’）とも表記される。
【００１９】
【化２−１】
2020045214.tif 000004
【００２０】
また、一般式（４）、（５）で表される構造は、同じものであるが下記の（４’）、（５’）とも表記される。
【００２１】
【化２−２】
2020045214.tif 000005
【００２２】
前記一般式（１）〜（３）で表される構造は下記一般式（６）〜（８）で示される構造が好ましい。下記の構造であることで感光剤とシロキサンの相溶性が向上するため、熱硬化時に各々が相分離することによる膜の白濁化を防止し、透明性を損なうことなく硬化膜を形成できる。
【００２３】
【化３】
2020045214.tif 000006
【００２４】
上記一般式で表される部分の具体例としては、ａは１〜３の整数であるが、溶解性、耐薬性の観点からａは１〜２が好ましく、ａが１であるとさらに好ましい。
これらの具体例を一般式で示すと以下の構造が挙げられる。
【００２５】
【化４】
2020045214.tif 000007
【００２６】
ここで＊はＲ１に直結する結合を示す。Ｒ１が単結合の場合にはケイ素原子に直結する結合を示す。これらの構造を含有することにより、低屈折率で塗布性に優れ、さらにパターン加工性にも優れた組成物を得ることができる。これらの構造は、（Ａ）ポリシロキサン中に５〜５０ｍｏｌ％含有することが好ましく、５〜３０ｍｏｌ％含有するとさらに好ましい。上記一般式（１）〜（３）で表されるオルガノシラン単位の含有比率は、ポリシロキサンの２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定し、芳香族基が結合したＳｉのピーク面積と、芳香族基が結合していないオルガノシラン単位由来のＳｉのピーク面積の比から求めることができる。
【００２７】
また、一般式（１）〜（３）で表されるオルガノシラン単位は１Ｈ−ＮＭＲ、１９Ｆ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ、ＩＲ、ＴＯＦ−ＭＳ等を用いて同定することができる。
【００２８】
次に一般式（４）または（５）で表される構造において、式中Ｒ２は互いに独立して、水素、または炭素数１〜４のアルキル基を示す。一般式（４）または（５）で表される構造を有するシロキサンの具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラターシャリブトキシシラン、メチルシリケート５１（扶桑化学工業株式会社製）、Ｍシリケート５１、シリケート４０、シリケート４５（多摩化学工業株式会社製）、メチルシリケート５１、メチルシリケート５３Ａ、エチルシリケート４８（コルコート株式会社製）等が挙げられる。これらのオルガノシランを含有することにより、耐薬品性を向上させることができる。望ましい含有量は加水分解縮合物であるポリシロキサン中に５〜５０ｍｏｌ％、より好ましくは５〜３０ｍｏｌ％である。一般式（４）または（５）で表されるオルガノシラン単位の含有比率は、１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ、ＩＲ、ＴＯＦ−ＭＳ、元素分析法、灰分測定などを組み合わせて求めることができる。
【００２９】
さらに（Ａ）ポリシロキサンは下記一般式（９）〜（１１）で表される構造を含有してもよい。
【００３０】
【化５】
2020045214.tif 000008
【００３１】
（Ｒ２は互いに独立して、水素または炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ３は互いに独立して炭素数１〜８の有機基、Ｒ４はフルオロ基を有する炭素数１〜１０の有機基を示す。）
一般式（９）〜（１１）の構造を有する、フッ素含有シラン化合物の具体例としては、トリフルオロエチルトリメトキシシラン、トリフルオロエチルトリエトキシシラン、トリフルオロエチルトリイソプロポキシシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、トリフルオロプロピルトリイソプロポキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルトリイソプロポキシシラン、トリデカフルオロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロオクチルトリイソプロポキシシラン、トリフルオロエチルメチルジメトキシシラン、トリフルオロエチルメチルジエトキシシラン、トリフルオロエチルメチルジイソプロポキシシラン、トリフルオロプロピルメチルジメトキシシラン、トリフルオロプロピルメチルジエトキシシラン、トリフルオロプロピルメチルジイソプロポキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルメチルジメトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルメチルジエトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルメチルジイソプロポキシシラン、トリデカフルオロオクチルメチルジメトキシシラン、トリデカフルオロオクチルメチルジエトキシシラン、トリデカフルオロオクチルメチルジイソプロポキシシラン、トリフルオロエチルエチルジメトキシシラン、トリフルオロエチルエチルジエトキシシラン、トリフルオロエチルエチルジイソプロポキシシラン、トリフルオロプロピルエチルジメトキシシラン、トリフルオロプロピルエチルジエトキシシラン、トリフルオロプロピルエチルジイソプロポキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルエチルジメトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルエチルジエトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルエチルジイソプロポキシシラン、トリデカフルオロオクチルエチルジエトキシシラン、トリデカフルオロオクチルエチルジメトキシシラン、トリデカフルオロオクチルエチルジイソプロポキシシランなどが挙げられる。これらを２種以上用いてもよい。
【００３２】
これらのうち、耐薬品性の観点から、トリフルオロエチルトリメトキシシラン、トリフルオロエチルトリエトキシシラン、トリフルオロエチルトリイソプロポキシシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、トリフルオロプロピルトリイソプロポキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルトリイソプロポキシシラン、トリデカフルオロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロオクチルトリイソプロポキシシランを用いることが好ましい。また、均一なコーティング膜を形成する観点から、トリフルオロエチルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシラン、トリデカフルオロオクチルトリメトキシシランを用いることが特に好ましい。ポリシロキサン（Ａ）中の含有量としては耐薬性の観点から５〜５０ｍｏｌ％が好ましく、１０〜４０ｍｏｌ％がより好ましい。
本発明の樹脂組成物に用いられる（Ａ）ポリシロキサンには、上記オルガノシラン化合物に加えて、他のオルガノシラン化合物を共重合してもよい。共重合可能なオルガノシラン化合物の具体例としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ（メトキシエトキシ）シラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−（Ｎ，Ｎ−グリシジル）アミノプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、β−シアノエチルトリエトキシシラン、グリシドキシメチルトリメトキシシラン、グリシドキシメチルトリエトキシシラン、α−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、α−グリシドキシエチルトリエトキシシラン、β−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリプロポキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリイソプロポキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリブトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリ（メトキシエトキシ）シラン、α−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、α−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、β−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、β−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、σ−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、σ−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルトリメトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリプロポキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリブトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリフェノキシシラン、３−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピルトリメトキシシラン、３−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピルトリエトキシシラン、４−（３，４−エポキシシクロヘキシル）ブチルトリメトキシシラン、４−（３，４−エポキシシクロヘキシル）ブチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル��−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、グリシドキシメチルジメトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジエトキシシラン、α−グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、α−グリシドキシエチルメチルジエトキシシラン、β−グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、β−グリシドキシエチルメチルジエトキシシラン、α−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、α−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジプロポキシシラン、β−グリシドキシプロピルメチルジブトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジ（メトキシエトキシ）シラン、γ−グリシドキシプロピルエチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルエチルジエトキシシラン、３−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、オクタデシルメチルジメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、γ−アクリロイルプロピルトリメトキシシラン、γ−アクリロイルプロピルトリエトキシシラン、γ−アクリロイルプロピルトリ（メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロイルプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロイルプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロイルプロピルトリ（メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロイルプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロイルプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アクリロイルプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アクリロイルプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロイルプロピル（メトキシエトキシ）シランなどが挙げられる。
【００３３】
これらを２種以上使用してもよい。さらにポリシロキサンの原料として親水性基を有するオルガノシラン化合物を必要に応じて共重合してもよい。親水性基を有するオルガノシラン化合物としては、カルボン酸構造を有するオルガノシラン化合物またはカルボン酸無水物構造を有するオルガノシラン化合物が好ましく、カルボン酸無水物構造を有するオルガノシラン化合物がより好ましい。
【００３４】
カルボン酸無水物構造を有するオルガノシラン化合物の具体例としては、下記一般式（１２）〜（１４）のいずれかで表されるオルガノシラン化合物が挙げられる。これらを２種以上用いてもよい。
【００３５】
【化６】
2020045214.tif 000009
【００３６】
一般式（１２）〜（１４）中、Ｒ５〜Ｒ７、Ｒ９〜Ｒ１１およびＲ１３〜Ｒ１５は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基または炭素数２〜６のアルキルカルボニルオキシ基を表す。Ｒ８、Ｒ１２およびＲ１６は、単結合、または炭素数１〜１０の鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１６の環状脂肪族炭化水素基、炭素数２〜６のアルキルカルボニルオキシ基、カルボニル基、エーテル基、エステル基、アミド基、芳香族基、もしくはこれらのいずれかを有する２価の基を表す。これらの基は置換されていてもよい。ｈおよびｋは０〜３の整数を表す。
【００３７】
Ｒ８、Ｒ１２およびＲ１６の具体例としては、−Ｃ２Ｈ４−、−Ｃ３Ｈ６−、−Ｃ４Ｈ８−、−Ｏ−、−Ｃ３Ｈ６ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ２Ｃ−、−ＣＯ−、−ＣＯ２−、−ＣＯＮＨ−、以下にあげる有機基などが挙げられる。
【００３８】
【化７】
2020045214.tif 000010
【００３９】
一般式（１２）で表されるオルガノシラン化合物の具体例としては、３−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物、３−トリエトキシシシリルプロピルコハク酸無水物、３−トリフェノキシシリルプロピルコハク酸無水物などが挙げられる。
【００４０】
一般式（１３）で表されるオルガノシラン化合物の具体例としては、３−トリメトキシシリルプロピルシクロヘキシルジカルボン酸無水物などが挙げられる。
【００４１】
一般式（１４）で表されるオルガノシラン化合物の具体例としては、３−トリメトキシシシリルプロピルフタル酸無水物などが挙げられる。
【００４２】
樹脂組成物におけるアルコキシシラン化合物の加水分解・縮合反応生成物（シロキサン化合物）に由来する成分の含有量は、溶剤を除く固形分全量に対して１０質量％以上が好ましく、２０質量％以上がより好ましい。また、８０質量％以下がより好ましい。この範囲でシロキサン化合物を含有することにより、塗膜の透過率とクラック耐性をより高めることができる。
【００４３】
加水分解反応は、溶剤中、上記したアルコキシシラン化合物に酸触媒および水を１〜１８０分かけて添加した後、室温〜１１０℃で１〜１８０分反応させることが好ましい。このような条件で加水分解反応を行うことにより、急激な反応を抑制することができる。反応温度は、より好ましくは４０〜１０５℃である。
【００４４】
また、加水分解反応によりシラノール化合物を得た後、反応液を５０℃以上溶剤の沸点以下で１〜１００時間加熱し、縮合反応を行うことが好ましい。また、縮合反応により得られるシロキサン化合物の重合度を上げるために、再加熱もしくは塩基触媒の添加を行うことも可能である。
【００４５】
加水分解における各種条件は、反応スケール、反応容器の大きさ、形状などを考慮して、たとえば酸濃度、反応温度、反応時間などを設定することによって、目的とする用途に適した物性を得ることができる。
【００４６】
加水分解反応に用いる酸触媒としては、塩酸、酢酸、蟻酸、硝酸、蓚酸、塩酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸、多価カルボン酸あるいはその無水物、イオン交換樹脂などの酸触媒が挙げられる。特に蟻酸、酢酸またはリン酸を用いた酸性水溶液が好ましい。
【００４７】
酸触媒の好ましい含有量としては、加水分解反応時に使用される全アルコキシシラン化合物１００質量部に対して、好ましくは、０．０５質量部以上、より好ましくは０．１質量部以上であり、また、好ましくは１０質量部以下、より好ましくは５質量部以下である。ここで、全アルコキシシラン化合物量とは、アルコキシシラン化合物、その加水分解物およびその縮合物の全てを含んだ量のことを言い、以下同じとする。酸触媒の量を０．０５質量部以上とすることでスムーズに加水分解が進行し、また１０質量部以下とすることで加水分解反応の制御が容易となる。
【００４８】
本発明の樹脂組成物に用いられる（Ａ）ポリシロキサンの重量平均分子量（Ｍｗ）は特に制限されないが、ゲルパーエミッションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算で、好ましくは１，０００以上、より好ましくは２，０００以上である。また、好ましくは１００，０００以下、さらに好ましくは５０，０００以下である。Ｍｗを上記範囲とすることで、良好な塗布特性が得られ、パターン形成する際の現像液への溶解性も良好になる。
【００４９】
本発明の樹脂組成物において、（Ａ）ポリシロキサンの含有量に特に制限はなく、所望の膜厚や用途により任意に選ぶことができるが、樹脂組成中５質量％〜８０質量％が一般的である。また、固形分中５質量％以上５０質量％が好ましく、２０質量％以上４０質量％以下がより好ましい。
【００５０】
加水分解反応に用いる水としては、イオン交換水が好ましい。水の量は任意に選択可能であるが、アルコキシシラン化合物１モルに対して、１．０〜４．０モルの範囲で用いることが好ましい。
【００５１】
また、組成物の貯蔵安定性の観点から、加水分解、部分縮合後のポリシロキサン溶液には上記触媒が含まれないことが好ましく、必要に応じて触媒の除去を行うことができる。除去方法に特に制限は無いが、操作の簡便さと除去性の点で、水洗浄、および／またはイオン交換樹脂の処理が好ましい。水洗浄とは、ポリシロキサン溶液を適当な疎水性溶剤で希釈した後、水で数回洗浄して得られた有機層をエバポレーター等で濃縮する方法である。イオン交換樹脂での処理とは、ポリシロキサン溶液を適当なイオン交換樹脂に接触させる方法である。
【００５２】
本発明の樹脂組成物に用いられる（Ａ）ポリシロキサンが、上記一般式（１）〜（３）のいずれかの構造に由来するオルガノシラン化合物、上記一般式（４）または（５）のいずれかの構造に由来するオルガノシラン化合物、および、好ましくは、上記一般式（９）〜（１１）のいずれかの構造に由来するオルガノシラン化合物を、後述する金属化合物粒子存在下で加水分解し、該加水分解物を縮合して得られるものであると、硬化膜の屈折率、硬度がより向上する。金属化合物粒子存在下でポリシロキサンの重合を行なうことで、ポリシロキサンの少なくとも一部に金属化合物粒子との化学的結合（共有結合）が生じ、金属化合物粒子が均一に分散して塗液の保存安定性や硬化膜の均質性が向上するためと考えられる。また、金属化合物粒子の種類により、得られる硬化膜の屈折率を調整することができる。なお、金属化合物粒子としては、後述の金属化合物粒子として例示するものを用いることができる。
【００５３】
＜（Ｂ）溶剤＞
本発明の樹脂組成物は（Ｂ）溶剤を含む。
【００５４】
本発明の樹脂組成物に用いられる溶剤は特に限定されないが、なかでもヘテロ原子を有する芳香族炭化水素系の溶剤を１種類以上含有することが好ましい。ヘテロ原子を有する芳香族炭化水素系の溶剤は、高い極性を持ちながらも、ナフトキノンジアジドなどの剛直な骨格を有する有機化合物の溶解性が高いため、シロキサンとナフトキノジンアジドの両方と分子間相互作用し、コーティング膜の感光性評価において、現像膜減りを抑制し、未露光部と露光部のコントラストを高くすることができる。また、溶剤としてのハンドリング性を向上するために２３℃１気圧下で液体の性状であることが好ましい。これよりも融点が高くなると、使用時に加温する必要があり、溶剤として扱いづらくなる。さらに、溶剤の沸点は１００℃以上３００℃以下が好ましく、さらに好ましくは１２０℃以上２５０℃以下である。沸点が１００℃以上であることで溶剤の揮発性が適度に抑えられ、コーティング時のレベリング性が向上し、均一な塗膜を形成しやすくなる。また、沸点が３００℃以下であることで、膜の熱硬化後に溶剤が残存しにくく、硬化膜のアウトガスを低減することができる。ヘテロ原子を有する芳香族炭化水素系の溶剤の具体例としては、ベンジルアルコール、２−メチルベンジルアルコール、３−メチルベンジルアルコール、４−メチルベンジルアルコール、４−イソプロピルベンジルアルコール、１−フェニルエチルアルコール、２−フェニル−２−プロパノール、２−エチルベンジルアルコール、３−エチルベンジルアルコール、４−エチルベンジルアルコール、アニソール、１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、１，４−ジメトキシベンゼン、フェニルエーテル、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、ジベンジルエーテル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、１，４−ビス（メトキシメチル）ベンゼンが挙げられる。
【００５５】
これらの溶剤の含有量として好ましくは、樹脂組成物中の全溶剤に対して、１０〜５０質量％が好ましく、さらに好ましくは２０〜４０質量％である。５０質量％以下の含有量にあることで樹脂組成物を塗布して乾燥する際に乾燥性が良くなる。また、１０質量％以上の含有量であることでシロキサンと感光剤の相溶性が向上し、塗布性が向上する。
【００５６】
その他、本発明の樹脂組成物に用いられる好ましい（Ｂ）溶剤としては、具体的には、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｔ−ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル等のエーテル類；エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピルアセテート、ブチルアセテート、イソブチルアセテート、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、アセト酢酸エチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸プロピル、アセト酢酸ブチル、アセト酢酸ベンジル等のアセテート類；アセチルアセトン、メチルプロピルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン等のケトン類；メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、イソブチルアルコール、ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、３−メチル−２−ブタノール、３−メチル−３−メトキシ−１−ブタノール、ジアセトンアルコール、等のアルコール類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；および、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリジノン等が挙げられる。これらは単独あるいは混合して用いてもかまわない。
【００５７】
これらのうち、特に好ましい溶剤の例は、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｔ−ブチルエーテル、ジアセトンアルコール、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル等である。これらは単独あるいは２種以上用いてもかまわない。
【００５８】
本発明の樹脂組成物における全溶剤の含有量は、全アルコキシシラン化合物含有量１００質量部に対して、１００質量部〜９９００質量部の範囲が好ましく、より好ましくは、１００質量部〜５０００質量部の範囲である。
【００５９】
＜（Ｃ）ナフトキノンジアジド化合物＞
本発明の樹脂組成物は、（Ｃ）ナフトキノンジアジド化合物を含有することが好ましい。ナフトキノンジアジド化合物を含有する樹脂組成物は、露光部が現像液で除去されるポジ型を形成する。用いるナフトキノンジアジド化合物に特に制限は無いが、好ましくはフェノール性水酸基を有する化合物にナフトキノンジアジドスルホン酸がエステル結合した化合物であり、当該化合物のフェノール性水酸基のオルト位、およびパラ位がそれぞれ独立して水素、もしくは一般式（１５）で表される置換基のいずれかである化合物が用いられる。
【００６０】
【化８】
2020045214.tif 000011
【００６１】
式中、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９はそれぞれ独立して炭素数１〜１０のアルキル基、カルボキシル基、フェニル基、置換フェニル基のいずれかを表す。また、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９で環を形成してもよい。アルキル基は無置換体、置換体のいずれでもよく、組成物の特性に応じて選択できる。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、トリフルオロメチル基、２−カルボキシエチル基が挙げられる。また、フェニル基上の置換基としては、水酸基、メトキシ基などが挙げられる。また、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９で環を形成する場合の具体例としては、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、アダマンタン環、フルオレン環が挙げられる。
【００６２】
フェノール性水酸基のオルト位、およびパラ位が上記以外、例えばメチル基の場合、熱硬化によって酸化分解が起こり、キノイド構造に代表される共役系化合物が形成され、硬化膜が着色して無色透明性が低下する。なお、これらのナフトキノンジアジド化合物は、フェノール性水酸基を有する化合物と、ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドとの公知のエステル化反応により合成することができる。
【００６３】
フェノール性水酸基を有する化合物の具体例としては、以下の化合物が挙げられる（いずれも本州化学工業（株）製）。
【００６４】
【化９】
2020045214.tif 000012
【００６５】
【化１０】
2020045214.tif 000013
【００６６】
原料となるナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドとしては、４−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドあるいは５−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドを用いることができる。４−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物はｉ線（波長３６５ｎｍ）領域に吸収を持つため、ｉ線露光に適している。また、５−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物は広範囲の波長領域に吸収が存在するため、広範囲の波長での露光に適している。露光する波長によって４−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物、５−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物を選択することが好ましい。４−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物と５−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物を混合して用いることもできる。
本発明で好ましく用いられるナフトキノンジアジド化合物として、下記一般式（１６）で表される化合物が挙げられる。
【００６７】
【化１１】
2020045214.tif 000014
【００６８】
式中、Ｒ２０は水素、または炭素数１〜８から選ばれるアルキル基を示す。Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３は水素原子、炭素数１〜８から選ばれるアルキル基、アルコキシル基、カルボキシル基、エステル基のいずれかを示す。各Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３は同じであっても異なっていても良い。Ｑは５−ナフトキノンジアジドスルホニル基、水素原子のいずれかを表し、Ｑの全てが水素原子になることはない。ｂ、ｃ、ｄ、α、βは０〜４の整数を表す。ただし、α＋β≧３である。一般式（１６）で表されるナフトキノンジアジド化合物を用いることで、パターン加工に於ける感度や、解像度が向上する。
【００６９】
ナフトキノンジアジド化合物の添加量は特に制限されないが、好ましくは樹脂（ポリシロキサン）１００質量部に対して１〜３０質量部であり、さらに好ましくは１〜１５質量部である。ナフトキノンジアジド化合物の添加量が１質量部より少ない場合、露光部と未露光部との溶解コントラストが低すぎて、実用に足る感光性を発現しない。また、さらに良好な溶解コントラストを得るためには５質量部以上が好ましい。一方、ナフトキノンジアジド化合物の添加量が３０質量部より多い場合、ポリシロキサンとナフトキノンジアジド化合物との相溶性が悪くなることによる塗布膜の白化が起こったり、熱硬化時に起こるキノンジアジド化合物の分解による着色が顕著になるために、硬化膜の無色透明性が低下する。また、さらに高透明性の膜を得るためには１５質量部以下が好ましい。
【００７０】
＜（Ｄ）金属化合物粒子＞
本発明には、金属化合物粒子を含有することが好ましい。金属化合物粒子としては、特に限定されないが、（Ｄ）シリカ粒子を含有することが、屈折率調整の観点から好ましい。（Ｄ）シリカ粒子および（Ｂ）溶剤の存在下で上記一般式（１）〜（３）のいずれかの構造に由来するシラン化合物、および、上記一般式（４）、（５）の構造に由来するシラン化合物を加水分解後に縮合反応させた、（Ｄ）シリカ粒子との複合シロキサン系樹脂とすることが相溶性の観点から好ましい。（Ｄ）シリカ粒子は数平均粒子径が１〜２００ｎｍであることが好ましい。可視光透過率の高い硬化膜を得るためには、数平均粒子径１〜１２０ｎｍであることがより好ましい。中でも、中空を有するシリカ粒子の場合は数平均粒子径３０〜１００ｎｍであることがより好ましい。１ｎｍ以上であれば低屈折率性が十分となり、２００ｎｍ以下であれば反射が十分抑制され、膜の硬度が十分高くなる。（Ｄ）シリカ粒子の数平均粒子径は、ガス吸着法や動的光散乱法、Ｘ線小角散乱法、透過型電子顕微鏡や走査型電子顕微鏡により粒子径を直接測定する方法などにより測定することができる。本発明における粒子の数平均粒子径とは、動的光散乱法により測定した値をいう。
【００７１】
本発明で用いる（Ｄ）シリカ粒子は内部が多孔質および／または中空を有するシリカ粒子や内部が多孔質でなく、かつ中空を有しないシリカ粒子が挙げられる。これら（Ｄ）シリカ粒子のうち、コーティング膜の低屈折率化には、内部が多孔質および／または中空を有するシリカ粒子が好ましい。内部が多孔質でなく、かつ中空を有しないシリカ粒子は、粒子自体の屈折率が１．４５〜１．５であるため、期待される低屈折率化効果は小さい。一方、内部が多孔質および／または中空を有するシリカ粒子は、粒子自体の屈折率が１．２〜１．４であるため、低屈折率化効果が大きい。つまり、内部が多孔質および／または中空を有するシリカ粒子は優れた硬度を付与でき、かつ低屈折率性を付与できる点で好ましく用いられる。
【００７２】
本発明で好適に使用される内部に中空を有するシリカ粒子とは、外殻によって包囲された中空部を有するシリカ粒子のことをいう。また本発明で使用される内部が多孔質であるシリカ粒子とは、粒子表面や内部に多数の空洞部を有するシリカ粒子のことをいう。これらのうち、透明被膜の硬度を考慮した場合、粒子自体の強度が高い中空を有するシリカ粒子が好ましい。（Ｄ）シリカ粒子自体の屈折率は１．２〜１．４であることが好ましく、１．２〜１．３５であることがより好ましい。なお、これらの（Ｄ）シリカ粒子は、特許第３２７２１１１号公報、特開２００１−２３３６１１号公報に開示されている方法によって製造できる。またこのような（Ｄ）シリカ粒子としては、例えば特開２００１−２３３６１１号公報に開示されているものや、特許第３２７２１１１号公報等に示された一般に市販されているものを挙げることもできる。
【００７３】
（Ｄ）シリカ粒子の屈折率は以下の方法で測定することができる。（Ｄ）シリカ粒子の含有率を０質量％、２０質量％、３０質量％、４０質量％、５０質量％に調製した固形分濃度１０％のマトリックス樹脂と（Ｄ）シリカ粒子の混合溶液サンプルを作製し、それぞれ、シリコンウエハー上に、厚さが０．３〜１．０μｍとなるように、スピンコーターを用いて塗布し、ついで２００℃のホットプレートで５分間、加熱、乾燥させ、コーティング膜を得る。次に例えばエリプソメータ（大塚電子（株）社製）を用いて波長６３３ｎｍでの屈折率を求め、（Ｄ）シリカ粒子１００質量％の値を外挿して求めることができる。
【００７４】
内部が多孔質および／または中空を有するシリカ粒子をコーティング材料中に導入することは、コーティング材料から得られる膜の屈折率を最適化することができるだけでなく、膜の硬度を高めることができるため好ましい。
【００７５】
内部が多孔質でなく、かつ中空を有しないシリカ粒子とは、例えば、粒子径１２ｎｍのイソプロパノールを分散剤としたＩＰＡ−ＳＴ、粒子径１２ｎｍのメチルイソブチルケトンを分散剤としたＭＩＢＫ−ＳＴ、粒子径４５ｎｍのイソプロパノールを分散剤としたＩＰＡ−ＳＴ−Ｌ、粒子径１００ｎｍのイソプロパノールを分散剤としたＩＰＡ−ＳＴ−ＺＬ（以上、商品名、日産化学工業（株）製）、粒子径１２ｎｍのγ−ブチロラクトンを分散剤としたオスカル１０１、粒子径６０ｎｍのγ−ブチロラクトンを分散剤としたオスカル１０５、粒子径１２０ｎｍのジアセトンアルコールを分散剤としたオスカル１０６（以上、商品名、日揮触媒化成工業（株）製）が挙げられる。なお、中空の有無については、ＴＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真により粒子断面像によって確認できる。
【００７６】
市販されている（Ｄ）シリカ粒子の例としては、オルガノシリカゾルの“ＯＳＣＡＬ”（日揮触媒化成工業（株）製）、コロイダルシリカ“スノーテックス”、オルガノシリカゾル（日産化学工業（株）製）、高純度コロイダルシリカ、高純度オルガノゾル“クォートロン”（扶桑化学工業（株））などが挙げられる。
【００７７】
また、低屈折率の硬化膜を得るには、中空シリカ粒子を含有することが好ましい。中空の有無については、ＴＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真により粒子断面像によって確認できる。（Ｄ）シリカ粒子の含有量に特に制限はなく、用途によって適当な量とすることができるが、シロキサン系樹脂組成物の全固形分の１〜８０質量％程度とするのが一般的である。
【００７８】
本発明の樹脂組成物は、少なくとも上記（Ａ）ポリシロキサン、（Ｂ）溶剤、そして好ましくは（Ｃ）ナフトキノンジアジド化合物、を混合することで得られる。この際、任意の溶剤で希釈してもよい。混合温度に特に制限はないが、操作の簡便さから５〜５０℃の範囲が好ましい。
【００７９】
本発明のシロキサン樹脂組成物は、樹脂組成物の硬化を促進させる、あるいは硬化を容易ならしめる各種の硬化剤を含有してもよい。硬化剤の具体例としては、窒素含有有機物、シリコーン樹脂硬化剤、各種金属アルコレート、各種金属キレート化合物、イソシアネート化合物およびその重合体、メチロール化メラミン誘導体、メチロール化尿素誘導体などがあり、これらを一種類、ないし２種類以上含有してもよい。なかでも、塗膜の透明性、硬化剤の安定性などから金属キレート化合物が好ましく用いられる。
【００８０】
金属キレート化合物としてはチタンキレート化合物、ジルコニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物およびマグネシウムキレート化合物が挙げられる。これらの金属キレート化合物は、金属アルコキシドにキレート化剤を反応させることにより容易に得ることができる。キレート化剤の例としては、アセチルアセトン、ベンゾイルアセトン、ジベンゾイルメタンなどのβ−ジケトン；アセト酢酸エチル、ベンゾイル酢酸エチルなどのβ−ケト酸エステルなどを挙げることができる。金属キレート化合物の好ましい具体的な例としては、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、アルキルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムモノアセチルアセテートビス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）などのアルミニウムキレート化合物、エチルアセトアセテートマグネシウムモノイソプロピレート、マグネシウムビス（エチルアセトアセテート）、アルキルアセトアセテートマグネシウムモノソプロピレート、マグネシウムビス（アセチルアセトネート）などのマグネシウムキレート化合物が挙げられる。硬化剤の含有量は、シロキサン樹脂組成物中の固形分中好ましくは０．１質量％〜１０質量％であり、より好ましくは、０．５質量％〜６質量％である。
【００８１】
ポリシロキサンは酸により硬化が促進されるので、本発明の樹脂組成物中に熱酸発生剤等の硬化触媒を含有してもよい。熱酸発生剤としては、芳香族ジアゾニウム塩、スルフォニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルフォニウム塩、トリアリールセレニウム塩等の各種オニウム塩系化合物、スルホン酸エステル、ハロゲン化合物等が挙げられる。
【００８２】
具体例として、スルフォニウム塩としては、４−ヒドロキシフェニルジメチルスルフォニウムトリフレート（試作品「Ｗ」  三新化学工業（株）製）、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルフォニウムトリフレート（試作品「Ｏ」  三新化学工業（株）製）、２−メチルベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルフォニウムトリフレート（試作品「Ｎ」  三新化学工業（株）製）、４−メチルベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルフォニウムトリフレート、４−ヒドロキシフェニルメチル−１−ナフチルメチルスルフォニウムトリフレート、４−メトキシカルボニルオキシフェニルジメチルスルフォニウム  トリフレート（試作品「Ｊ」  三新化学工業（株）製）、ベンジル−４−メトキシカルボニルオキシフェニルメチルスルフォニウムトリフレート（試作品「Ｔ」  三新化学工業（株）製）、４−アセトキシフェニルベンジルメチルスルフォニウムトリフレート（試作品「Ｕ」  三新化学工業（株）製）、４−アセトキシフェニルメチル−４−メチルベンジルスルフォニウムトリフレート、４−アセトキシフェニルジメチルスルフォニウムトリフレート（試作品「Ｖ」  三新化学工業（株）製）、４−ヒドロキシフェニルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロフォスフェート、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルフォニウムヘキサフルオロフォスフェート、２−メチルベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルフォニウムヘキサフルオロフォスフェート、４−メチルベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルフォニウムヘキサフルオロフォスフェート、４−ヒドロキシフェニルメチル−１−ナフチルメチルスルフォニウムヘキサフルオロフォスフェート、４−メトキシカルボニルオキシフェニルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロフォスフェート、ベンジル−４−メトキシカルボニルオキシフェニルメチルスルフォニウムヘキサフルオロフォスフェート、４−アセトキシフェニルベンジルメチルスルフォニウムヘキサフルオロフォスフェート（試作品「Ａ」  三新化学工業（株）製）、４−アセトキシフェニルメチル−４−メチルベンジルスルフォニウムヘキサフルオロフォスフェート、４−アセトキシフェニルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロフォスフェート（商品名「ＳＩ−１５０」  三新化学工業（株）製）、「ＳＩ−１８０Ｌ」（三新化学工業（株）製）、４−ヒドロキシフェニルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネート、２−メチルベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−メチルベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−ヒドロキシフェニルメチル−１−ナフチルメチルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−メトキシカルボニルオキシフェニルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−メトキシカルボニルオキシフェニルメチルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−アセトキシフェニルベンジルメチルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−アセトキシフェニルメチル−４−メチ���ベンジルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−アセトキシフェニルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−アセトキシフェニルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。
【００８３】
芳香族ジアゾニウム塩としては、クロロベンゼンジアゾニウムヘキサフルオロフォスフェイト、ジメチルアミノベンゼンジアゾニウムヘキサフルオロアンチモネ−ト、ナフチルジアゾニウムヘキサフルオロフォスフェイト、ジメチルアミノナフチルジアゾニウムテトラフルオロボレート等が挙げられる。
【００８４】
ジアリールヨードニウム塩としては、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネ−ト、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロフォスフェイト、ジフェニルヨードニウムトリフレート、４，４’−ジ−ｔ−ブチル−ジフェニルヨードニウムトリフレート、４，４’−ジ−ｔ−ブチル−ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、４，４’−ジ−ｔ−ブチル−ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロフォスフェイト等が挙げられる。
【００８５】
トリアリールスルフォニウム塩としては、トリフェニルスルフォニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロフォスフェイト、トリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネ−ト、トリ（ｐ−クロロフェニル）スルフォニウムテトラフルオロボレート、トリ（ｐ−クロロフェニル）スルフォニウムヘキサフルオロフォスフェイト、トリ（ｐ−クロロフェニル）スルフォニウムヘキサフルオロアンチモネ−ト、４−ｔ−ブチルトリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロフォスフェイト等が挙げられる。
【００８６】
トリアリールセレニウム塩としては、トリフェニルセレニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルセレニウムヘキサフルオロフォスフェイト、トリフェニルセレニウムヘキサフルオロアンチモネ−ト、ジ（クロロフェニル）フェニルセレニウムテトラフルオロボレート、ジ（クロロフェニル）フェニルセレニウムヘキサフルオロフォスフェイト、ジ（クロロフェニル）フェニルセレニウムヘキサフルオロアンチモネ−ト等が挙げられる。
【００８７】
スルホン酸エステルとしては、ベンゾイントシレート、ｐ−ニトロベンジル−９，１０−エトキシアントラセンー２−スルフォネート、２−ニトロベンジルトシレート、２，６−ジニトロベンジルトシレート、２，４−ジニトロベンジルトシレート等が挙げられる。
【００８８】
ハロゲン化合物としては、２−クロロ−２−フェニルアセトフェノン、２，２’，４’−トリクロロアセトフェノン、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−メトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−フェニル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４’−メトキシ−１´−ナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、ビス−２−（４−クロロフェニル）−１，１，１−トリクロロエタン、ビス−１−（４−クロロフェニル）−２，２，２−トリクロロエタノール、ビス−２−（４−メトキシフェニル）−１，１，１−トリクロロエタン等が挙げられる。
【００８９】
その他、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミジルトリフレート（商品名「ＮＤＩ−１０５」  みどり化学（株）製）、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミジルトシレート（商品名「ＮＤＩ−１０１」  みどり化学（株）製）、４−メチルフェニルスルフォニルオキシイミノ−α−（４−メトキシフェニル）アセトニトリル（商品名「ＰＡＩ−１０１」  みどり化学（株）製）、トリフルオロメチルスルフォニルオキシイミノ−α−（４−メトキシフェニル）アセトニトリル（商品名「ＰＡＩ−１０５」  みどり化学（株）製）、９−カンファースルフォニルオキシイミノα−４−メトキシフェニルアセトニトリル（商品名「ＰＡＩ−１０６」  みどり化学（株）製）、１，８−ナフタルイミジルブタンスルフォネート（商品名「ＮＡＩ−１００４」  みどり化学（株）製）、１，８−ナフタルイミジルトシレート（商品名「ＮＡＩ−１０１」  みどり化学（株）製）、１，８−ナフタルイミジルトリフレート（商品名「ＮＡＩ−１０５」  みどり化学（株）製）、１，８−ナフタルイミジルノナフルオロブタンスルフォネート（商品名「ＮＡＩ−１０９」  みどり化学（株）製）等の熱酸発生剤も例として挙げることができる。
【００９０】
本発明の樹脂組成物は、塗布時のフロー性向上のために、各種のフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤などの各種界面活性剤を含有してもよい。界面活性剤の種類に特に制限はなく、例えば、“メガファック（登録商標）”Ｆ１４２Ｄ、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１８３、同Ｆ４３０、同Ｆ４４４、同Ｆ４４５、同Ｆ４７０、同Ｆ４７５、同Ｆ４７７、同Ｆ５５３、同Ｆ５５４、同Ｆ５５５、同Ｆ５５６、同Ｆ５５９、同Ｆ５６０、同Ｆ５６３（以上、大日本インキ化学工業（株）製）、ＮＢＸ−１５、ＦＴＸ−２１８、ＤＦＸ−１８（（株）ネオス製）、ＬＥ−６０４、ＬＥ−６０５、ＬＥ−６０６、ＬＥ−６０７（共栄社化学（株）製）などのフッ素系界面活性剤、ＢＹＫ−３３３、ＢＹＫ−３０１、ＢＹＫ−３３１、ＢＹＫ−３４５、ＢＹＫ−３０７（ビックケミージャパン（株）製）ＫＬ−４０２、ＫＬ−４０３、ＫＬ−４０４、ＫＬ−７００、ＬＥ−３０２、ＬＥ−３０３、ＬＥ−３０４、ＬＥ−６０４、ＬＥ−６０５、ＬＥ−６０６、ＬＥ−６０７（共栄社化学（株）製）などのシリコーン系界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、ポリ（メタ）アクリレート系界面活性剤などを用いることができる。これらを２種以上用いてもよい。
【００９１】
さらに、本発明の樹脂組成物は、必要に応じて、シランカップリング剤、架橋剤、架橋促進剤、増感剤、熱ラジカル発生剤、溶解促進剤、溶解抑止剤、安定剤、消泡剤等の添加剤を含有することもできる。
【００９２】
＜硬化膜の形成方法＞
本発明の硬化膜は、本発明の樹脂組成物、または、本発明の樹脂組成物である感光性樹脂組成物を硬化させてなるものである。ここでは、感光性樹脂組成物について、詳述する。感光性樹脂組成物の硬化膜の製造方法の１つの実施形態としては、以下の工程を含むことが好ましい。
（Ｉ）感光性樹脂組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程、
（ＩＩ）その塗膜を露光および現像する工程、および
（ＩＩＩ）その現像後の塗膜を加熱する工程。
以下に例を挙げて説明する。
【００９３】
感光性樹脂組成物を、スピン塗布やスリット塗布等の公知の方法によって基板上に塗布し、ホットプレート、オーブン等の加熱装置を用いて加熱（プリベーク）する。プリベークは、５０〜１５０℃の温度範囲で３０秒〜３０分間行うことが好ましい。プリベーク後の膜厚は０．１〜１５μｍが好ましい。
【００９４】
プリベーク後、ステッパー、ミラープロジェクションマスクアライナー（ＭＰＡ）、パラレルライトマスクアライナー（ＰＬＡ）等の紫外可視露光機を用い、所望のマスクを介して１０〜４０００Ｊ／ｍ２程度（波長３６５ｎｍ露光量換算）パターン露光する。
【００９５】
露光後、現像により（未）露光部を溶解除去し、ネガまたはポジパターンを得る。パターンの解像度は、好ましくは１５μｍ以下である。現像方法としては、シャワー、ディップ、パドル等の方法で現像液に５秒〜１０分間浸漬することが好ましい。現像液としては、公知のアルカリ現像液を用いることができ、例えば、アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、リン酸塩、ケイ酸塩、ホウ酸塩等の無機アルカリ、２−ジエチルアミノエタノール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン等のアミン類、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、コリン等の４級アンモニウム塩の水溶液等が挙げられる。これらを２種以上用いてもよい。また、現像後は水でリンスすることが好ましく、必要であればホットプレート、オーブン等の加熱装置で５０〜１５０℃の温度範囲で脱水乾燥ベークを行ってもよい。膜を、必要であればホットプレート、オーブン等の加熱装置で５０〜３００℃の温度範囲で３０秒〜３０分間加熱（ソフトベーク）を行った後、ホットプレート、オーブン等の加熱装置で１５０〜４５０℃の温度範囲で３０秒〜２時間程度加熱（キュア）することで、硬化膜を得る。
【００９６】
感光性樹脂組成物は、パターン形成における生産性の観点から、露光時の感度が１５００Ｊ／ｍ２以下であることが好ましく、１０００Ｊ／ｍ２以下であることがより好ましい。  露光時の感度は、以下の方法により求められる。感光性樹脂組成物をシリコンウエハー上にスピンコーターを用いて任意の回転数でスピン塗布し、ホットプレートを用いて１２０℃で３分間プリベークし、膜厚１μｍのプリベーク膜を作製する。ＰＬＡ（キヤノン（株）製ＰＬＡ−５０１Ｆ）を用いて、超高圧水銀灯により感度測定用の１〜１０μｍのライン・アンド・スペースパターンを有するグレースケールマスクを介してプリベーク膜を露光した後、自動現像装置（滝沢産業（株）製ＡＤ−２０００）を用いて２．３８質量％ＴＭＡＨ水溶液で９０秒間シャワー現像し、次いで水で３０秒間リンスする。形成されたパターンにおいて、１０μｍのライン・アンド・スペースパターンを１対１の幅で解像する露光量を感度として求める。
【００９７】
その後、熱硬化工程として、ホットプレートを用いて２２０℃で５分間キュアして硬化膜を作製し、感度における最小パターン寸法をキュア後解像度として求める。
【００９８】
図１に本実施形態による硬化膜の製造方法の具体例を示す。まず、本発明の樹脂組成物を基板１の上に塗布して塗膜２を形成する。これを過熱硬化することで硬化膜３が得られる。
【００９９】
図２に本実施形態による硬化膜の製造方法の具体例を示す。最初の塗膜２の形成までは前述の通りに行う。次に、塗膜２に活性光線４を照射して露光する。これを加熱硬化することで硬化膜３が得られる。
【０１００】
図３に本実施形態による硬化膜の製造方法の具体例を示す。最初の塗膜２の形成までは前述の通りに行う。次にマスク５を介して塗膜２に活性光線４を照射して露光する。露光した塗膜を現像することでパターン６が得られる。このパターンに活性光線５を照射し、これを加熱硬化することで硬化膜３が得られる。
【０１０１】
本発明の脂組成物を硬化させてなる硬化膜は、波長４００ｎｍにおける膜厚１μｍあたりの光透過率が９０％以上であることが好ましく、９２％以上であることがより好ましい。このような高い透過率は、例えば透明性の高いポリシロキサンを樹脂成分として用いた感光性樹脂組成物により容易に得ることができる。
【０１０２】
硬化膜の波長４００ｎｍにおける膜厚１μｍあたりの透過率は、以下の方法により求められる。感光性樹脂組成物をテンパックスガラス板にスピンコーターを用いて任意の回転数でスピンコートし、ホットプレートを用いて１００℃で３分間プリベークする。ホットプレートを用いて大気中２２０℃で５分間熱硬化して膜厚１μｍの硬化膜を作製する。得られた硬化膜の紫外可視吸収スペクトルを（株）島津製作所製ＭｕｌｔｉＳｐｅｃ−１５００を用いて測定し、波長４００ｎｍでの透過率を求める。別の方法としては、対象硬化膜の各波長による消衰係数、膜厚を大塚電子（株）製分光エリプソメータＦＥ５０００により測定し、下記式により求めることができる。
【０１０３】
透過率＝ｅｘｐ（−４πｋｔ／λ）
ただし、ｋは消衰係数、ｔは膜厚、λは測定波長を表す。
【０１０４】
本発明の樹脂組成物およびそれを硬化させた硬化膜は、固体撮像素子、光学フィルター、有機ＥＬ素子、および表示装置である液晶ディスプレイ、有機ＥＬテレビ、特に透明液晶テレビ等に好適に用いられる。より具体的には、裏面照射型ＣＭＯＳイメージセンサなどの固体撮像素子光学フィルターの反射防止膜、混色防止壁、透明画素、ディスプレイ用ＴＦＴ基板の平坦化材、液晶ディスプレイ、シースルーディスプレイ等のカラーフィルターおよびその保護膜、位相シフター、反射防止膜、等が挙げられる。また、半導体装置のバッファコート、層間絶縁膜や、各種保護膜として用いることもできる。
【実施例】
【０１０５】
以下、実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。合成例および実施例に用いた化合物のうち、略語を使用しているものについて、以下に示す。
ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
ＣＰＮ：シクロペンタノン
ｇＢＬ：ガンマブチロラクトン
ＢｚＯＨ：ベンジルアルコール
ＢｚＭＥ：ベンジルメチルエーテル
ＭＢｚ：安息香酸メチル
ＭＴＭＳ：メチルトリメトキシシラン
ＰｈＴＭＳ：フェニルトリメトキシシラン
ＴＥＳ：テトラエトキシシラン
ＨｆＴＭＳ：４−（２−ヒドロキシ−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロイソプロピル）−１−トリエトキシシリルベンゼン
ＣＦＴＭＳ：トリフルオロプロピルトリメトキシシラン。【０１０６】
＜置換基の比率測定＞
２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定を行い、全体の積分値から、それぞれのオルガノシランに対する積分値の割合を算出して、比率を計算した。試料（液体）は直径１０ｍｍの“テフロン”（登録商標）製ＮＭＲサンプル管に注入し測定に用いた。２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定条件を以下に示す。【０１０７】
装置：日本電子社製ＪＮＭ  ＧＸ−２７０、測定法：ゲーテッドデカップリング法
測定核周波数：５３．６６９３ＭＨｚ（２９Ｓｉ核）、スペクトル幅：２００００Ｈｚ
パルス幅：１２μsec（４５°パルス）、パルス繰り返し時間：３０．０ｓｅｃ
溶剤：アセトン−ｄ６、基準物質：テトラメチルシラン
測定温度：室温、試料回転数：０．０Ｈｚ。【０１０８】
＜固形分濃度の測定＞
ポリシロキサン溶液の固形分濃度は、以下の方法により求めた。アルミカップにポリシロキサン溶液を１．５ｇ秤取し、ホットプレートを用いて２５０℃で３０分間加熱して液分を蒸発させた。加熱後のアルミカップに残った固形分を秤量して、ポリシロキサン溶液の固形分濃度を求めた。【０１０９】
合成例１  ＨｆＴＭＳ（Ｈｆ−１）の合成
Ｈｆ化合物（Ｈ１）を合成するために以下の反応を行った。【０１１０】
【化１２】
2020045214.tif 000015
【０１１１】
還流管を取り付けた３００ｍＬ三口フラスコ内に、予め乾燥させておいたＨｆ化合物（Ｈ−１）６．４６ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）、テトラブチルアンモニウムヨージド７．３８ｇ（４０．０ｍｍｏｌ）、およびビス（アセトニトリル）（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフルオロボラート０．２２８０ｇ（０．６０ｍｍｏｌ）を室温で採取した。次いで、アルゴン雰囲気下で、脱水処理したＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１２０ｍＬ、脱水処理したトリエチルアミン１１．１ｍＬ（８０．０ｍｍｏｌ）、およびトリエトキシシラン７．４０ｍＬ（４０．０ｍｍｏｌ）を加えて、８０℃に昇温し、４時間攪拌した。反応系を室温までに自然冷却した後、溶剤であるＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを留去し、次いでジイソプロピルエーテルを２００ｍＬ加えた。生じた沈殿に、セライトを接触させて濾過した後、濾液を１００ｍＬの水で３回洗浄し、Ｎａ２ＳＯ４を加えて脱水乾燥させ、さらに濾過した後、溶剤を留去した。反応物である残渣を、クーゲルロール装置を用いて１４０℃〜１９０℃、２００Ｐａの条件にて蒸留生成し、無色液体としてＨｆＴＭＳ（Ｈｆ−１）を得た。得られたＨｆＴＭＳ（Ｈｆ−１）の、１Ｈ−ＮＭＲ測定結果は以下のようになった。【０１１２】
１Ｈ−ＮＭＲ（溶剤ＣＤＣｌ３（重水素化クロロホルム）、ＴＭＳ（テトラメチルシラン））：δ８．０３（１Ｈ,ｓ）,７．７９（２Ｈ,ｄ,Ｊ＝７．６Ｈｚ）,７．４７（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ）,４．１６（１Ｈ,ｓ）,３．８８（６Ｈ，ｑ,Ｊ＝５．０Ｈｚ）,１．２４（９Ｈ，ｔ,Ｊ＝７．４Ｈｚ）。【０１１３】
合成例２  ＨｆＴＭＳ（Ｈｆ−２）の合成
Ｈｆ化合物（Ｈ１）を合成するために以下の反応を行った。【０１１４】
【化１３】
2020045214.tif 000016
【０１１５】
Ｈｆ化合物（Ｈ−１）の代わりにＨｆ化合物（Ｈ−２）を用いた以外は、合成例１と同様の手順で、ＨｆＴＭＳ（Ｈｆ−２）を得た。得られたＨｆＴＭＳ（Ｈｆ−１）の、１Ｈ−ＮＭＲ測定結果は以下のようになった。
１Ｈ−ＮＭＲ（溶剤ＣＤＣｌ３（重水素化クロロホルム）、ＴＭＳ（テトラメチルシラン））：δ７．７４（４Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝１８．６,１８．３Ｈｚ）,３．８９（６Ｈ，ｑ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）,３．５７（１Ｈ，ｓ）,１．２６（９Ｈ，ｔ,Ｊ＝７．０Ｈｚ）。【０１１６】
合成例３  ポリシロキサン（Ｐ−１）の合成
５００ｍｌの三口フラスコにＭＴＭＳを１０９．２５ｇ（０．５６５ｍｏｌ）、ＨｆＴＭＳ（Ｈｆ−１）を８４．６７ｇ（０．０４９ｍｏｌ）、ＴＥＳを６．５１ｇ（０．０１４ｍｏｌ）、ＰＧＭＥＡを１９１．７５ｇ仕込み、室温で攪拌しながら水５６．８２ｇにリン酸１．００ｇ（仕込みモノマーに対して０．５０質量％）を溶かしたリン酸水溶液を３０分間かけて添加した。その後、フラスコを７０℃のオイルバスに浸けて９０分間攪拌した後、オイルバスを３０分間かけて１１５℃まで昇温した。昇温開始１時間後に溶液の内温が１００℃に到達し、そこから２時間過熱攪拌し（内温は１００〜１１０℃）、ポリシロキサン（Ｐ−１）を得た。なお、昇温および加熱攪拌中、窒素を０．０５ｌ（リットル）／分、流した。反応中に副生成物であるメタノール、水が合計１５４．４１ｇ留出した。得られたポリシロキサン（Ｐ−１）の固形分濃度は４３．１質量％であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定により、一般式（１）〜（３）のいずれかで表される構造、および一般式（４）または（５）のいずれかで表される構造の、（Ａ）ポリシロキサン中のモル量は、それぞれ２０ｍｏｌ％、３ｍｏｌ％であった。【０１１７】
合成例４  ポリシロキサン（Ｐ−２）の合成
合成例１と同様の手順で、ＭＴＭＳを１１２．２２ｇ（０．５５１ｍｏｌ）、ＨｆＴＭＳ（Ｈｆ−１）を６６．９７ｇ（０．０３７ｍｏｌ）、ＴＥＳを２２．８８ｇ（０．０４８ｍｏｌ）、ＰＧＭＥＡを１８５．６２ｇ仕込み、水６１．３０ｇにリン酸１．０１ｇ（仕込みモノマーに対して０．５０質量％）を溶かしたリン酸水溶液を添加して、ポリシロキサン（Ｐ−２）を得た。得られたポリシロキサン（Ｐ−２）の固形分濃度は４２．８質量％であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定により、一般式（１）〜（３）のいずれかで表される構造、および一般式（４）または（５）のいずれかで表される構造の、（Ａ）ポリシロキサン中のモル量は、それぞれ１５ｍｏｌ％、１０ｍｏｌ％であった。【０１１８】
合成例５  ポリシロキサン（Ｐ−３）の合成
合成例１と同様の手順で、ＭＴＭＳを４５．１４ｇ（０．２５７ｍｏｌ）、ＨｆＴＭＳ（Ｈｆ−１）を５７．７２ｇ（０．０３７ｍｏｌ）、ＴＥＳを９８．６１ｇ（０．２４０ｍｏｌ）、ＰＧＭＥＡを１８７．８７ｇ仕込み、水５９．６５ｇにリン酸１．０１ｇ（仕込みモノマーに対して０．５０質量％）を溶かしたリン酸水溶液を添加して、ポリシロキサン（Ｐ−３）を得た。得られたポリシロキサン（Ｐ−３）の固形分濃度は４３．５質量％であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定により、一般式（１）〜（３）のいずれかで表される構造、および一般式（４）または（５）のいずれかで表される構造の、（Ａ）ポリシロキサン中のモル量は、それぞれ１５ｍｏｌ％、５０ｍｏｌ％であった。【０１１９】
合成例６  ポリシロキサン（Ｐ−４）の合成
合成例１と同様の手順で、ＭＴＭＳを３１．１６ｇ（０．１８４ｍｏｌ）、ＨｆＴＭＳ（Ｈｆ−１）を５５．７９ｇ（０．０３７ｍｏｌ）、ＴＥＳを１１４．３９ｇ（０．２８８ｍｏｌ）、ＰＧＭＥＡを１８８．３４ｇ仕込み、水５９．３１ｇにリン酸１．０１ｇ（仕込みモノマーに対して０．５０質量％）を溶かしたリン酸水溶液を添加して、ポリシロキサン（Ｐ−４）を得た。得られたポリシロキサン（Ｐ−４）の固形分濃度は４２．５質量％であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定により、一般式（１）〜（３）のいずれかで表される構造、および一般式（４）または（５）のいずれかで表される構造の、（Ａ）ポリシロキサン中のモル量は、それぞれ１５ｍｏｌ％、６０ｍｏｌ％であった。【０１２０】
合成例７  ポリシロキサン（Ｐ−５）の合成
合成例１と同様の手順で、ＭＴＭＳを６６．１８ｇ（０．３６７ｍｏｌ）、ＨｆＴＭＳ（Ｈｆ−１）を５９．２４ｇ（０．０３７ｍｏｌ）、ＴＥＳを１０．１２ｇ（０．０２４ｍｏｌ）、ＣＦＴＭＳを６３．６３ｇ（０．１３７ｍｏｌ）、ＰＧＭＥＡを１９６．４９ｇ仕込み、水５３．３５ｇにリン酸１．００ｇ（仕込みモノマーに対して０．５０質量％）を溶かしたリン酸水溶液を添加して、ポリシロキサン（Ｐ−５）を得た。得られたポリシロキサン（Ｐ−５）の固形分濃度は４３．７質量％であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定により、一般式（１）〜（３）のいずれかで表される構造、および一般式（４）または（５）のいずれかで表される構造の、（Ａ）ポリシロキサン中のモル量は、それぞれ１５ｍｏｌ％、５ｍｏｌ％であった。【０１２１】
合成例８  ポリシロキサン（Ｐ−６）の合成
合成例１と同様の手順で、ＭＴＭＳを５８．５２ｇ（０．３３０ｍｏｌ）、ＨｆＴＭＳ（Ｈｆ−１）を５８．２１ｇ（０．０３７ｍｏｌ）、ＴＥＳを１９．８９ｇ（０．０４８ｍｏｌ）、ＣＦＴＭＳを６２．５２（０．１３７ｍｏｌ）、ＰＧＭＥＡを１９６．５９ｇ仕込み、水５３．２８ｇにリン酸１．００ｇ（仕込みモノマーに対して０．５０質量％）を溶かしたリン酸水溶液を添加して、ポリシロキサン（Ｐ−６）を得た。得られたポリシロキサン（Ｐ−６）の固形分濃度は４２．９質量％であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定により、一般式（１）〜（３）のいずれかで表される構造、および一般式（４）または（５）のいずれかで表される構造の、（Ａ）ポリシロキサン中のモル量は、それぞれ１５ｍｏｌ％、１０ｍｏｌ％であった。【０１２２】
合成例９  ポリシロキサン（Ｐ−７）の合成
合成例１と同様の手順で、ＭＴＭＳを４６．１４ｇ（０．２５７ｍｏｌ）、ＨｆＴＭＳ（Ｈｆ−１）を５９．０１ｇ（０．０３７ｍｏｌ）、ＴＥＳを３０．２４ｇ（０．０７２ｍｏｌ）、ＣＦＴＭＳを６３．３８（０．１３７ｍｏｌ）、ＰＧＭＥＡを１９７．９７ｇ仕込み、水５２．２７ｇにリン酸０．９９ｇ（仕込みモノマーに対して０．５０質量％）を溶かしたリン酸水溶液を添加して、ポリシロキサン（Ｐ−７）を得た。得られたポリシロキサン（Ｐ−７）の固形分濃度は４３．１質量％であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定により、一般式（１）〜（３）のいずれかで表される構造、および一般式（４）または（５）のいずれかで表される構造の、（Ａ）ポリシロキサン中のモル量は、それぞれ１５ｍｏｌ％、２０ｍｏｌ％であった。【０１２３】
合成例１０  ポリシロキサン（Ｐ−８）の合成
合成例１と同様の手順で、ＭＴＭＳを３０．４０ｇ（０．１８４ｍｏｌ）、ＨｆＴＭＳ（Ｈｆ−１）を５４．４２ｇ（０．０３７ｍｏｌ）、ＴＥＳを５５．７８ｇ（０．１４４ｍｏｌ）、ＣＦＴＭＳを５８．４５（０．１３７ｍｏｌ）、ＰＧＭＥＡを１９６．９４ｇ仕込み、水５３．０２ｇにリン酸１．００ｇ（仕込みモノマーに対して０．５０質量％）を溶かしたリン酸水溶液を添加して、ポリシロキサン（Ｐ−８）を得た。得られたポリシロキサン（Ｐ−８）の固形分濃度は４３．２質量％であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定により、一般式（１）〜（３）のいずれかで表される構造、および一般式（４）または（５）のいずれかで表される構造の、（Ａ）ポリシロキサン中のモル量は、それぞれ１５ｍｏｌ％、３０ｍｏｌ％であった。【０１２４】
合成例１１  ポリシロキサン（Ｐ−９）の合成
合成例１と同様の手順で、ＭＴＭＳを５．７１ｇ（０．０３７ｍｏｌ）、ＨｆＴＭＳ（Ｈｆ−１）を５１．０９ｇ（０．０３７ｍｏｌ）、ＴＥＳを８７．２９ｇ（０．２４０ｍｏｌ）、ＣＦＴＭＳを５４．８８（０．１３７ｍｏｌ）、ＰＧＭＥＡを１９７．２４ｇ仕込み、水５２．８０ｇにリン酸０．９９ｇ（仕込みモノマーに対して０．５０質量％）を溶かしたリン酸水溶液を添加して、ポリシロキサン（Ｐ−９）を得た。得られたポリシロキサン（Ｐ−９）の固形分濃度は４２．８質量％であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定により、一般式（１）〜（３）のいずれかで表される構造、および一般式（４）または（５）のいずれかで表される構造の、（Ａ）ポリシロキサン中のモル量は、それぞれ１５ｍｏｌ％、５０ｍｏｌ％であった。【０１２５】
合成例１２  ポリシロキサン（Ｐ−１０）の合成
合成例１と同様の手順で、ＭＴＭＳを５４．０２ｇ（０．２９４ｍｏｌ）、ＨｆＴＭＳ（Ｈｆ−１）を４０．３０ｇ（０．０２５ｍｏｌ）、ＴＥＳを４１．３１ｇ（０．０９６ｍｏｌ）、ＣＦＴＭＳを６４．９２（０．１３７ｍｏｌ）、ＰＧＭＥＡを１９１．３５ｇ仕込み、水５７．１１ｇにリン酸１．００ｇ（仕込みモノマーに対して０．５０質量％）を溶かしたリン酸水溶液を添加して、ポリシロキサン（Ｐ−１０）を得た。得られたポリシロキサン（Ｐ−１０）の固形分濃度は４３．１質量％であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定により、一般式（１）〜（３）のいずれかで表される構造、および一般式（４）または（５）のいずれかで表される構造の、（Ａ）ポリシロキサン中のモル量は、それぞれ１０ｍｏｌ％、２０ｍｏｌ％であった。【０１２６】
合成例１３  ポリシロキサン（Ｐ−１１）の合成
合成例１と同様の手順で、ＭＴＭＳを３５．２６ｇ（０．２２０ｍｏｌ）、ＨｆＴＭＳ（Ｈｆ−１）を７０．１３ｇ（０．０４９ｍｏｌ）、ＴＥＳを３５．９５ｇ（０．０９６ｍｏｌ）、ＣＦＴＭＳを５６．４９（０．１３７ｍｏｌ）、ＰＧＭＥＡを２０１．４８ｇ仕込み、水４９．７０ｇにリン酸０．９９ｇ（仕込みモノマーに対して０．５０質量％）を溶かしたリン酸水溶液を添加して、ポリシロキサン（Ｐ−１１）を得た。得られたポリシロキサン（Ｐ−１１）の固形分濃度は４３．４質量％であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定により、一般式（１）〜（３）のいずれかで表される構造、および一般式（４）または（５）のいずれかで表される構造の、（Ａ）ポリシロキサン中のモル量は、それぞれ２０ｍｏｌ％、２０ｍｏｌ％であった。【０１２７】
合成例１４  ポリシロキサン（Ｐ−１２）の合成
合成例１と同様の手順で、ＭＴＭＳを２０．８０ｇ（０．１４７ｍｏｌ）、ＨｆＴＭＳ（Ｈｆ−１）を９３．１１ｇ（０．０７４ｍｏｌ）、ＴＥＳを３１．８２ｇ（０．０９６ｍｏｌ）、ＣＦＴＭＳを５０．００（０．１３７ｍｏｌ）、ＰＧＭＥＡを２０９．２９ｇ仕込み、水４３．９９ｇにリン酸０．９８ｇ（仕込みモノマーに対して０．５０質量％）を溶かしたリン酸水溶液を添加して、ポリシロキサン（Ｐ−１２）を得た。得られたポリシロキサン（Ｐ−１２）の固形分濃度は４３．０質量％であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定により、一般式（１）〜（３）のいずれかで表される構造、および一般式（４）または（５）のいずれかで表される構造の、（Ａ）ポリシロキサン中のモル量は、それぞれ３０ｍｏｌ％、２０ｍｏｌ％であった。【０１２８】
合成例１５  ポリシロキサン（Ｐ−１３）の合成
５００ｍｌの三口フラスコにＭＴＭＳを１０９．２５ｇ（０．５６５ｍｏｌ）、ＨｆＴＭＳ（Ｈｆ−２）を８４．６７ｇ（０．０４９ｍｏｌ）、ＴＥＳを６．５１ｇ（０．０１４ｍｏｌ）、ＰＧＭＥＡを１９１．７５ｇ仕込み、室温で攪拌しながら水５６．８２ｇにリン酸１．００ｇ（仕込みモノマーに対して０．５０質量％）を溶かしたリン酸水溶液を３０分間かけて添加した。その後、フラスコを７０℃のオイルバスに浸けて９０分間攪拌した後、オイルバスを３０分間かけて１１５℃まで昇温した。昇温開始１時間後に溶液の内温が１００℃に到達し、そこから２時間過熱攪拌し（内温は１００〜１１０℃）、ポリシロキサン（Ｐ−１３）を得た。なお、昇温および加熱攪拌中、窒素を０．０５ｌ（リットル）／分、流した。反応中に副生成物であるメタノール、水が合計１５４．４１ｇ留出した。得られたポリシロキサン（Ｐ−１）の固形分濃度は４３．０質量％であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定により、一般式（１）〜（３）のいずれかで表される構造、および一般式（４）または（５）のいずれかで表される構造の、（Ａ）ポリシロキサン中のモル量は、それぞれ２０ｍｏｌ％、３ｍｏｌ％であった。【０１２９】
合成例１６  ポリシロキサン（Ｒ−１）の合成
合成例１と同様の手順で、ＨｆＴＭＳ（Ｈｆ−１）を１８８．８２ｇ（０．２４６ｍｏｌ）、ＰＧＭＥＡを２３５．１４ｇ仕込み、水２５．０９ｇにリン酸０．９４ｇ（仕込みモノマーに対して０．５０質量％）を溶かしたリン酸水溶液を添加して、ポリシロキサン（Ｒ−１）を得た。得られたポリシロキサン（Ｒ−１）の固形分濃度は４３．２質量％であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定により、一般式（１）〜（３）のいずれかで表される構造、および一般式（４）または（５）のいずれかで表される構造の、（Ａ）ポリシロキサン中のモル量は、それぞれ１００ｍｏｌ％、０ｍｏｌ％であった。【０１３０】
合成例１７  ポリシロキサン（Ｒ−２）の合成
合成例１と同様の手順で、ＭＴＭＳを４１．５４ｇ（０．３３０ｍｏｌ）、ＨｆＴＭＳ（Ｈｆ−１）を１５１．４９ｇ（０．１３５ｍｏｌ）、ＰＧＭＥＡを２１９．４０ｇ仕込み、水３６．６０ｇにリン酸０．９７ｇ（仕込みモノマーに対して０．５０質量％）を溶かしたリン酸水溶液を添加して、ポリシロキサン（Ｒ−２）を得た。得られたポリシロキサン（Ｒ−２）の固形分濃度は４３．５質量％であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定により、一般式（１）〜（３）のいずれかで表される構造、および一般式（４）または（５）のいずれかで表される構造の、（Ａ）ポリシロキサン中のモル量は、それぞれ５５ｍｏｌ％、０ｍｏｌ％であった。【０１３１】
合成例１８  ポリシロキサン（Ｒ−３）の合成
合成例１と同様の手順で、ＭＴＭＳを６８．１５ｇ（０．３３０ｍｏｌ）、ＣＦＴＭＳを１３３．４７ｇ（０．２５２ｍｏｌ）、ＰＧＭＥＡを１８７．３４ｇ仕込み、水６０．０４ｇにリン酸１．０１ｇ（仕込みモノマーに対して０．５０質量％）を溶かしたリン酸水溶液を添加して、ポリシロキサン（Ｒ−３）を得た。得られたポリシロキサン（Ｒ−３）の固形分濃度は４３．２質量％であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定により、一般式（１）〜（３）のいずれかで表される構造、および一般式（４）または（５）のいずれかで表される構造の、（Ａ）ポリシロキサン中のモル量は、それぞれ０ｍｏｌ％、０ｍｏｌ％であった。【０１３２】
合成例１９  ポリシロキサン（Ｒ−４）の合成
合成例１と同様の手順で、ＭＴＭＳを７３．１１ｇ（０．３３０ｍｏｌ）、ＰｈＴＭＳを１３０．１０ｇ（０．２７７ｍｏｌ）、ＰＧＭＥＡを１８１．３６ｇ仕込み、水６４．４２ｇにリン酸１．０２ｇ（仕込みモノマーに対して０．５０質量％）を溶かしたリン酸水溶液を添加して、ポリシロキサン（Ｒ−４）を得た。得られたポリシロキサン（Ｒ−４）の固形分濃度は４２．８質量％であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定により、一般式（１）〜（３）のいずれかで表される構造、および一般式（４）または（５）のいずれかで表される構造の、（Ａ）ポリシロキサン中のモル量は、それぞれ０ｍｏｌ％、０ｍｏｌ％であった。【０１３３】
合成例２０  ポリシロキサン（Ｒ−５）の合成
合成例１と同様の手順で、ＨｆＴＭＳを１２０．７０ｇ（０．１１１ｍｏｌ）、ＰｈＴＭＳを７１．９８ｇ（０．２７７ｍｏｌ）、ＰＧＭＥＡを２２０．７１ｇ仕込み、水３５．６４ｇにリン酸０．９７ｇ（仕込みモノマーに対して０．５０質量％）を溶かしたリン酸水溶液を添加して、ポリシロキサン（Ｒ−５）を得た。得られたポリシロキサン（Ｒ−５）の固形分濃度は４３．２質量％であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定により、一般式（１）〜（３）のいずれかで表される構造、および一般式（４）または（５）のいずれかで表される構造の、（Ａ）ポリシロキサン中のモル量は、それぞれ４５ｍｏｌ％、０ｍｏｌ％であった。【０１３４】
合成例２１  ポリシロキサン（Ｒ−６）の合成
合成例１と同様の手順で、ＨｆＴＭＳを６６．３２ｇ（０．０４９ｍｏｌ）、ＰｈＴＭＳを１２９．４４ｇ（０．４０３ｍｏｌ）、ＰＧＭＥＡを２０９．２０ｇ仕込み、水４４．０６ｇにリン酸０．９８ｇ（仕込みモノマーに対して０．５０質量％）を溶かしたリン酸水溶液を添加して、ポリシロキサン（Ｒ−６）を得た。得られたポリシロキサン（Ｒ−６）の固形分濃度は４３．２質量％であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定により、一般式（１）〜（３）のいずれかで表される構造、および一般式（４）または（５）のいずれかで表される構造の、（Ａ）ポリシロキサン中のモル量は、それぞれ２０ｍｏｌ％、０ｍｏｌ％であった。合成例１〜１８で得られた（Ａ）ポリシロキサンの原料であるアルコキシシランの仕込み量を表１に示す。【０１３５】
合成例２２  ポリシロキサン（Ｒ−７）の合成
合成例１と同様の手順で、ＭＴＭＳを１５．４６ｇ（０．０１１ｍｏｌ）、ＣＦＴＭＳを１９．２７ｇ（０．０８８ｍｏｌ）、ＴＥＳを１０．５１ｇ（０．０５０ｍｏｌ）、ＰＧＭＥＡを４０．０１ｇ仕込み、水１４．５３ｇにリン酸０．２３ｇ（仕込みモノマーに対して０．５０質量％）を溶かしたリン酸水溶液を添加して、ポリシロキサン（Ｒ−７）を得た。得られたポリシロキサン（Ｒ−６）の固形分濃度は４３．２質量％であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定により、一般式（１）〜（３）のいずれかで表される構造、および一般式（４）または（５）のいずれかで表される構造の、（Ａ）ポリシロキサン中のモル量は、それぞれ０ｍｏｌ％、２０ｍｏｌ％であった。合成例１〜２２で得られた（Ａ）ポリシロキサンの原料であるアルコキシシランの仕込み量を表１に示す。【０１３６】
【表１】
2020045214.tif 000017
【０１３７】
合成例２２  ナフトキノンジアジド化合物（Ｃ−１）の合成
乾燥窒素気流下、フェノール性水酸基を有する化合物ＴｒｉｓＰ−ＰＡ（商品名、本州化学工業（株）製）２１．２３ｇ（０．０５ｍｏｌ）と５−ナフトキノンジアジドスルホニル酸クロリド３７．６２ｇ（０．１４ｍｏｌ）を１，４−ジオキサン４５０ｇに溶解させ、室温にした。ここに、１，４−ジオキサン５０ｇと混合させたトリエチルアミン１５．５８ｇ（０．１５４ｍｏｌ）を系内が３５℃以上にならないように滴下した。滴下後３０℃で２時間攪拌した。トリエチルアミン塩を濾過し、濾液を水に投入させた。その後、析出した沈殿を濾過で集めた。この沈殿を真空乾燥機で乾燥させ、下記構造のナフトキノンジアジド化合物Ｃ−１を得た。【０１３８】
【化１４】
2020045214.tif 000018
【０１３９】
［金属化合物粒子の溶剤置換］
溶剤置換例１  “スルーリア”４１１０の溶剤置換
金属酸化物粒子として、“スルーリア”４１１０（商品名、日揮触媒化成（株）製）の溶剤をイソプロパノールからＰＧＭＥＡに置換した。５００ｍｌのナスフラスコに“スルーリア４１１０のイソプロパノールゾル（固形分濃度２０％）を１００ｇ、ＰＧＭＥＡを８０ｇ仕込み、エバポレーターにて３０℃で３０分間減圧し、ＩＰＡを除去した。得られたスルーリア４１１０のＰＧＭＥＡ溶液Ｄ−１の固形分濃度を測定したところ、２０．１％であった。【０１４０】
得られた樹脂組成物の各評価は、以下の方法で行った。【０１４１】
（１）膜厚測定
シリコンウエハー上に形成した膜について、ラムダエースＳＴＭ−６０２（商品名、大日本スクリーン製）を用いて、屈折率１．４０でプリベーク膜、現像後膜および硬化膜の厚さを測定した。【０１４２】
（２）屈折率の測定
得られた硬化膜について、大塚電子（株）製分光エリプソメータＦＥ５０００を用いて、２２℃での６３３ｎｍにおける屈折率を測定した。【０１４３】
（３）耐薬品性の評価
得られた硬化膜の膜厚を（１）膜厚測定し、膜厚ｔ１とした。続いて、硬化膜をアセトンに５分間浸漬させた後、ホットプレート（アズワン（株）製ＨＰ−１ＳＡ）を用いて１００℃で１分間加熱した。加熱後、硬化膜の膜厚をサーフコムにより測定し、膜厚ｔ２とした。下記式により、アセトン浸漬前後での膜厚変化率Ｘを算出し、耐薬品性を評価した。評価基準を下記Ａ〜Ｅとする。【０１４４】
膜厚変化率  Ｘ（％）＝（ｔ１−ｔ２）／ｔ１×１００
Ａ：膜厚変化率Ｘが、Ｘ＜５％
Ｂ：膜厚変化率Ｘが、５％≦Ｘ＜１５％
Ｃ：膜厚変化率Ｘが、１５％≦Ｘ＜３０％
Ｄ：膜厚変化率Ｘが、３０％≦Ｘ＜６０％
Ｅ：膜厚変化率Ｘが、６０％≦Ｘ。【０１４５】
（４）クラック耐性の評価
得られた硬化膜を顕微鏡で観察することにより、クラックの有無を確認した。
評価基準を下記Ａ〜Ｃとする。
Ａ：全面にクラックは観察されない
Ｂ：ウエハー基板の端にのみクラックが見られる
Ｃ：全面にクラックが見られる。【０１４６】
（５）塗布性の評価
得られた硬化膜を顕微鏡で観察することにより、異物、ハジキの有無を評価した。
Ａ：全面に異物、ハジキは観察されない。
Ｂ：ウエハーの中央部のみ異物、ハジキが見られる。
Ｃ：ウエハー全面に異物、ハジキが見られる。【０１４７】
（６）透過率の測定（４００ｎｍ波長、１μｍ換算）
得られた硬化膜の４００ｎｍ波長による消衰係数を大塚電子（株）製分光エリプソメータＦＥ５０００により測定し、下記式により４００ｎｍ波長における膜厚１μｍ換算での光透過率（％）を求めた。
光透過率＝ｅｘｐ（−４πｋｔ／λ）
ただし、ｋは消衰係数、ｔは換算膜厚（μｍ）、λは測定波長（ｎｍ）を表す。なお本測定では１μｍ換算の光透過率を求めるため、ｔは１（μｍ）となる。【０１４８】
（７）解像度
得られた硬化膜について、全ての露光量での正方形パターンを観察し、最小パターン寸法を解像度として観察を行った。評価基準を以下のように定めた。
Ａ：最小パターン寸法ｘが、ｘ＜１５μｍ
Ｂ：最小パターン寸法ｘが、１５μｍ≦ｘ＜５０μｍ
Ｃ：最小パターン寸法ｘが、５０μｍ≦ｘ＜１００μｍ
Ｄ：最小パターン寸法ｘが、１００μｍ≦ｘ。【０１４９】
（８）現像膜減り評価
実施例１９〜４０および比較例７〜１２について、現像時の膜減り量を算出した。
現像膜減り＝（プリベーク膜の膜厚−現像後膜の膜厚）／プリベーク膜の膜厚×１００
なお、プリベーク膜の膜厚および現像後の膜厚は前述の（１）膜厚測定に記載の方法に従って行った。【０１５０】
実施例１
表２の（Ｉ）樹脂組成物の比率にて調合を行い、黄色灯下で混合、撹拌して均一溶液とした後、０．２０μｍのフィルターで濾過して組成物１を調製した。【０１５１】
組成物１を調製直後に４インチシリコンウエハーにスピンコーター（ミカサ（株）製１Ｈ−３６０Ｓ）を用いてスピン塗布した後、ホットプレート（大日本スクリーン製造（株）製ＳＣＷ−６３６）を用いて１２０℃で３分間加熱し、膜厚１．０μｍのプリベーク膜を作製した。その後、プリベーク膜をホットプレートを用いて２３０℃で５分間キュアして硬化膜１を作製した。【０１５２】
硬化膜１を用いて（２）屈折率の測定と（３）耐薬品性の評価、（４）クラック耐性の評価、（５）塗布性の評価を行なった。これらの結果を表３に示す。【０１５３】
実施例２〜１８、比較例１〜７
樹脂組成物（Ｉ）と同様にして、表２に示す組成の組成物２〜２４を調製した。得られた各組成物を用いて、実施例１と同様にして硬化膜１を作製し、評価を行なった。評価結果を表３に示す。【０１５４】
実施例１９
表４の（Ｉ）樹脂組成物の比率にて調合を行い、黄色灯下で混合、撹拌して均一溶液とした後、０．２０μｍのフィルターで濾過して組成物２５を調製した。【０１５５】
組成物２５を調製直後、４インチシリコンウエハーとガラス基板それぞれに、スピンコーター（ミカサ（株）製１Ｈ−３６０Ｓ）を用いてスピン塗布した後、ホットプレート（大日本スクリーン製造（株）製ＳＣＷ−６３６）を用いて１２０℃で３分間加熱し、プリベーク膜を作製し、（１）膜厚測定を行った。プリベーク膜を、自動現像装置（滝沢産業（株）製ＡＤ−２０００）を用いて２．３８質量％ＴＭＡＨ水溶液で３０秒間シャワー現像し、次いで水で３０秒間リンスして、ウエハー上およびガラス基板上にそれぞれ現像後膜１と現像後膜２を得て、現像後膜１について（１）膜厚測定を行った。その後、現像後膜１と現像後膜２を、ホットプレートを用いて２３０℃で５分間キュアして、硬化膜２と硬化膜３をそれぞれ作製した。硬化膜２について（１）膜厚測定を行った。【０１５６】
また、得られたプリベーク膜をｉ−線ステッパー（ニコン（株）製ｉ９Ｃ）を用いて、１００ｍｓｅｃ〜１０００ｍｓｅｃまで５０ｍｓｅｃ刻みで露光を行ない、次いで上記と同様の方法で現像、キュアを行ない硬化膜４を得た。【０１５７】
硬化膜２を用いて（２）屈折率の測定と（３）耐薬品性の評価を、硬化膜３を用いて（６）透過率の測定を、硬化膜４を用いて（７）解像度の評価を行なった。これらの結果を表５に示す。【０１５８】
実施例２０〜４０、比較例８〜１２
組成物２５と同様にして、表４に示す組成の樹脂組成物２６〜４６を調製した。樹脂組成物４４〜４６では、ナフトキノンジアジド化合物として、ＰＣ−５（東洋合成株式会社製）を使用した。得られた各組成物を用いて、実施例１９と同様にしてプリベーク膜、硬化膜２〜４を作製し、評価を行った。評価結果を表５に示す。【０１５９】
なお（２）屈折率の測定、（６）透過率の測定において、現像して膜が全部溶解して評価が出来なかった場合は、現像を行わない以外は実施例１と同様にして硬化膜を作製し評価を行った。【０１６０】
【表２】
2020045214.tif 000019
【０１６１】
【表３】
2020045214.tif 000020
【０１６２】
【表４】
2020045214.tif 000021
【０１６３】
【表５】
2020045214.tif 000022
【符号の説明】
【０１６４】
１    基板
２    塗膜
３    硬化膜
４    活性光線
５    マスク
６    パターン
７    硬化膜パターン
【図１】
2020045214.tif 000026
【図２】
2020045214.tif 000027
【図３】
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【国際調査報告】
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2020045214.tif 000031
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