【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年5月13日(2009.5.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板又はスーパーストレート支持材料の透明シート上に薄膜光電池装置を製造する方法であって、
ａ）ＳｉＯ２ゾル−ゲル内に所定濃度のテクスチャリング粒子の混合物を含む液状の薄膜材料の容器内に支持材料をディップする段階と；
ｂ）露出された表面上に、単一層にテクスチャリング粒子を堆積するように支持材料を取り出す段階であって、単一層内の粒子間隔が、ゾルーゲル内の粒子の濃度及び溶液からの支持材料の引き出し速度を調整することによって制御される段階と；
ｃ）支持材料上にテクスチャーされた膜を形成するように液体膜材料を硬化する段階であって、硬化後に、テクスチャリング膜が、ＳｉＯ２マトリックス内に束縛されたテクスチャリング粒子を含む段階と；
ｄ）テクスチャーされた膜上に半導体材料薄膜を形成する段階と；及び
ｅ）半導体材料薄膜の中に光電池装置を作製する段階と；
を備えた方法。
【請求項２】
硬化後におけるテクスチャリング粒子の直径が、ＳｉＯ２膜の厚さよりも大きい請求項１に記載の方法。
【請求項３】
テクスチャーされる膜が、滑らかなＳｉＯ２膜に配置された単球ＳｉＯ２粒子を含むＳｉＯ２層である請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
単球粒子が硬化後に直径０．１−２μｍの範囲である請求項３に記載の方法。
【請求項５】
単球粒子が硬化後に直径０．５−０．９μｍの範囲である請求項３に記載の方法。
【請求項６】
単球粒子が硬化後に直径０．６５−０．７５μｍの範囲である請求項３に記載の方法。
【請求項７】
滑らかなＳｉＯ２膜が硬化後に、単球粒子の直径の０．２−０．８倍の範囲の膜厚を有する請求項３から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
ＳｉＯ２膜が硬化後に、粒子直径の０．３５−０．５倍の範囲である請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ＳｉＯ２膜が硬化後に、０．２５−０．３５μｍの範囲である請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
硬化段階が、３００℃−６００℃の範囲の温度でテクスチャーされた膜を焼結することを含む請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
独立した反射防止層は、テクスチャーされた膜と半導体膜との間に配置してバリア層として作用する請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
独立した反射防止層は、１／４波長±２０％に等しい層厚を有する請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
半導体膜はシリコンであり、独立した反射防止層は窒化シリコンであり、窒化シリコン層の層厚は７０ｎｍ±２０％である請求項１１または１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
破砕クォーツをガラスゾルの中に混合し、その混合物を支持材料の基板表面に付け、さらにガラスゾルを焼結して誘電体層を形成するために加熱することによって、テクスチャーされた膜を表面支持材料に付ける請求項１又は２に記載の方法。
【請求項１５】
破砕クォーツが０．５−３μｍのオーダーの粒子直径を有する請求項３に記載の方法。
【請求項１６】
破砕クォーツが１−２μｍのオーダーの粒子直径を有する請求項３に記載の方法。
【請求項１７】
ゾル−ゲルテクスチャリング溶液が、特定の用途に使用するための所要膜厚にできるように調整された低粘度を有する請求項１から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
ＳｉＯ２層の膜厚は、基板材料がテクスチャリング溶液から引き出す速度によって決定される請求項１から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
ＳｉＯ２粒子を、各粒子が粒子直径の０倍−５倍の長さ範囲の距離だけ周囲の粒子から離隔するように、堆積する請求項２から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
各粒子が、粒子直径の０倍−３倍の範囲の距離だけ周囲の粒子から離隔している請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
薄膜を乾燥する大気中の湿度によって粒子間隔を制御する請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２２】
シートが複数の点で支持されるように支持フレーム上に支持材料シートを配置し、支持材料シートを浸すことができるのに十分なテクスチャリング溶液のベッセル内に、フレーム及び支持されたシートを降ろしそして引き上げることによって、支持材料のディッピングを実施する請求項１から２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
シートが４点だけで支持される請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
薄膜光電池装置が結晶シリコン薄膜太陽電池である請求項１から２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
薄膜太陽電池がアモルファスシリコン薄膜太陽電池である請求項１から２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
透明導電膜をテクスチャーされた膜上に形成し、シリコン薄膜を透明導電膜上に形成する請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
テクスチャリング粒子を含むテクスチャリング膜が透明導電膜である請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
テクスチャーされた表面フィーチャーのスケールが０．０１−１０μｍの範囲である請求項２４から２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
フィーチャーサイズの下部リミットが結晶シリコン中の光の波長のオーダーである請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
フィーチャーサイズの下部リミットが０．０３μｍのオーダーである請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
テクスチャリングが、シリコン膜の膜厚より大きな寸法を有する大きなスケールフィーチャーを含む請求項２８から３０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３２】
テクスチャリング層が、シリコン膜の膜厚の０．５−０．２倍の範囲のスケールを有する表面フィーチャーを含む請求項２８から３１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３３】
シリコン膜の膜厚は５μｍより薄い請求項２４から３２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３４】
シリコン膜の膜厚は２μｍ若しくはそれ以下である請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
シリコン膜の膜厚は少なくとも０．５μｍ若しくはそれ以上である請求項２４から３４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３６】
シリコン膜の膜厚は１μｍ若しくはそれ以上である請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
支持材料から遠い側のシリコン膜の表面がその上に形成されて反射材料を有する請求項２４から２７のいずれかに一項に記載の方法。
【請求項３８】
反射材料は電池のアクティブ領域に接触させるために使用されるメタライゼーション構造である請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
メタライゼーション構造が、絶縁層の分だけシリコンの背面の大部分から離間している請求項３８に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
本発明の好適な実施形態では、基板又はスーパーストレートのテクスチャリングは、０．１−２μｍの範囲の直径の単球ＳｉＯ２粒子を含むＳｉＯ２層によって実施される。好適には単球粒子は０．５−０．９μｍの範囲であり、特に好適には単球粒子は約０．７μｍ（例えば、０．６５−０．７５μｍ）である。粒子は、単球粒子の直径の０．２−０．８倍の範囲の厚さを有する滑らかなＳｉＯ２膜に配置する。好適にはＳｉＯ２層は粒子直径の０．３５−０．５倍の範囲であり、特に好適には約０．３μｍである（例えば、０．２５−０．３５μｍ）。粒子の寸法と膜厚との間の差によってテクスチャーされた膜が形成され、この場合、フィーチャーは、それらが大きいほど大きく離隔させることができる。ＳｉＯ２粒子と膜のいずれもゾル−ゲル工程で作製される。
注：本明細書を通じて単球ＳｉＯ２粒子及び膜の寸法は全て焼結後のものである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
シリコン膜は典型的には５μｍ厚より薄く、好適には２μｍ以下である。シリコン膜は典型的には少なくとも０．５μｍ以上であり、好適には１μｍ以上である。典型的には、テクスチャーされた表面フィーチャーのスケールは０．０１−１０μｍの範囲である。フィーチャーサイズの有効な下部リミットは結晶シリコンにおける波長のリミットのオーダーであり、典型的には有効な下部リミットは０．０３μｍである。テクスチャリングはシリコン薄膜の膜厚より大きな寸法を有する大きなスケールフィーチャーも含むが、これらは達せられた光トラッピングの量をあまり変えない。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
図６，図７及び図８の実施形態を形成する段階は、ゾル−ゲル工程によってＳｉＯ２ゾルを形成することを含み、ここで、その準備（作製）中にＳｉＯ２ゾルにはＳｉＯ２の単球粒子が形成され、出来たＳｉＯ２層３２は薄膜太陽電池製造のためのテクスチャーされた面３９を生成するように基板又はスーパーストレート１１に付けられる。上面３５を有する反射防止コーティング３８も通常付けられる。好適な実施形態では、ＳｉＯ２層３２は約０．７μｍ直径の単球ＳｉＯ２粒子３７と、ＳｉＯ２粒子３７を被覆する約０．３μｍ厚の滑らかなＳｉＯ２膜３２を含む。粒子の直径と薄膜の膜厚との間の差がテクスチャーされた面を形成することになる。しかしながら、約０．５−２μｍの範囲の粒子は、単球の直径の０．２−０．８倍の範囲のＳｉＯ２薄膜の膜厚と共に使用することができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
本発明はアモルファスシリコンセルにも適用でき、この場合、アモルファスシリコンセルの製造のための従来の処理段階を以下のように変更する：
１）ガラス基板又はスーパーストレートの表面に対して、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）マトリックスにおいて束縛されるテクスチャリング粒子を備えたテクスチャリング層を付ける。透明導電材料をディップゾル−ゲル工程によって付けることができ、テクスチャリング粒子はＳｉＯ２ビーズ、クラッシュ（破砕）クォーツ若しくはＴＣＯ材料粒子であってもよい；
２）ＴＣＯマトリックス上にアモルファスシリコン膜を形成する：
又は、この替わりに：
１）ガラス基板又はスーパーストレートの表面に対して、上述の図４から図８に示したように、ＳｉＯ２マトリックスにおいて束縛されるテクスチャリング粒子を備えたテクスチャリング層を付ける；
２）ＳｉＯ２マトリックス上にＴＣＯ膜を形成し；
３）ＴＣＯ膜上にアモルファスシリコン膜を形成する。