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【手続補正書】
【提出日】平成21年7月9日(2009.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨層、可撓性の材料で製造されている実質的に平面の前記研磨層の支持体、前記支持体の裏面に塗布された接着層、及び前記接着層に塗布された可剥性の層を含む、指に接着しうる研磨パッドであって、サンディング作業の開始前に前記接着層により指先に貼り付けうる研磨パッド。
【請求項２】
前記支持体が、サンディング作業中に指先への損傷を防ぐように十分な寸法であり、かつ指先に接着しうる請求項１記載の研磨パッド。
【請求項３】
前記支持体が、実質的に前記研磨層と同一の寸法である請求項２記載の研磨パッド。
【請求項４】
前記支持体が、ストリップの形態で又はロールで製造される請求項２記載の研磨パッド。
【請求項５】
複数の研磨パッドが、共有の可剥性の層に剥離できるように付着している請求項１記載の研磨パッド。
【請求項６】
宝石類の研磨又は磨き作業、マニキュア、パンクした自転車のタイヤの修理、電子装置のケーシングの平滑化、金属加工用途、及び木工用途の群から選択されるサンディング作業に適する請求項１記載の研磨パッド。
【請求項７】
前記研磨層が、平均粒径が約６０乃至１０００μの、酸化アルミニウム、ガーネット、セラミック、及び炭化珪素の群から選択される研磨粒子から製造される請求項１記載の研磨パッド。
【請求項８】
実質的に記載され説明されたような指に接着しうる研磨パッド。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月6日(2009.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各種の特性を有する準結晶ヘテロ構造を組み立てる方法であって、特定の複数の粒子を供給するステップと、ホログラフィック光トラップを形成するステップとを含み、
前記粒子が流体媒質中に懸濁されるとともに、前記ホログラフィック光トラップの少なくとも一部が前記特定の粒子に付属され、次いで、前記ホログラフィック光トラップが前記付属された特定の粒子とともに前記準結晶ヘテロ構造を画定する所定の３次元位置に移動させられ、それによって、前記各種の特性が定められることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記複数の粒子の前記準結晶ヘテロ構造は、結晶材料によって得ることができない予め選択された対称性を与える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記粒子は、ミクロ粒子、ナノ粒子、巨大分子、生体細胞のうちの少なくとも１つを含む光トラップにより操作できる対象物のグループから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記各種の特性は、所望の化学的特徴、光学的特徴、生物学的特徴、磁気的特徴、電子的特徴、および、機械的特性のうちの少なくとも１つを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記各種の特性は、フォトニックバンドギャップ、化学的機能性、導電属性、生物学的属性、および、磁的気属性からなるグループから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記フォトニックバンドギャップは、誘電体の複合物中での光伝搬を制御する請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記化学的機能性が触媒作用を備える、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記導電性は、金属、半導体、超電導のグループから選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記磁気的属性は、前記複数の粒子によって示される高磁束を備える、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
前記化学的機能性は、予め選択され変化した化学的特性を備える、請求項５に記載の方法。
【請求項１１】
前記化学的機能性は、同じ化学組成からなる対応する結晶構造にわたる特性の変化を備える、請求項５に記載の方法。
【請求項１２】
選択された用途における前記各種の特性のうちの異なる特性を得るために前記準結晶ヘテロ構造を動的に変えるステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記選択された用途は、機械的特性、電気的特性、化学的特性、磁気的特性、および、生物学的特性からなるグループから選択される準結晶特性を変えることのうちの少なくとも１つを備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
電磁場、電場、および、磁場のうちの少なくとも１つを印加して前記準結晶ヘテロ構造の各種の特性を更に変えるステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
工業的用途を果たすためにシステム内に前記準結晶ヘテロ構造を組み込むステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
各種の特性を有しかつ特定の粒子を用いて調製される準結晶ヘテロ構造の製造物品であって、前記製造物品の調製方法が、
前記粒子を流体媒質中に懸濁させるステップと、
前記各種の特性を定めるために、前記粒子を保持した後に、前記準結晶ヘテロ構造を画定する所定の３次元位置に前記粒子を移動させるように粒子駆動力を用いるステップと、
を含む、製造物品。
【請求項１７】
その対応する結晶化学相対物とは異なる前記各種の特性は、フォトニックバンドギャップ、機械的特性、生物学的特性、磁気的特性、電気的特性、および、化学的特性のうちの少なくとも１つを備える、請求項１６に記載の製造物品。
【請求項１８】
前記準結晶ヘテロ構造は、プログラムされた欠陥、サイズまたは形状が異なる粒子のうちの置換粒子、位相スリップ境界、および、準結晶領域および結晶領域のうちの少なくとも一方の異なる領域の混合物のうちの少なくとも１つを含む、請求項１６に記載の製造物品。
【請求項１９】
前記粒子駆動力が複数のホログラフィック光トラップを含む、請求項１６に記載の製造物品。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月26日(2009.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
器具に、飾り、絵、図形又はテキストのような装飾を備えるための方法であって、
前記器具は、柔軟なスタンプの配置により光学干渉格子を生成するためにエンボスされた層を形成する第１のゾルゲル前駆物質を備え、
前記層が硬化される
方法において、
前記干渉格子は、ゾルゲル層の屈折率よりも高い屈折率を持つ物質から成る第２のゾルゲル前駆物質を備え、
前記第２の前駆物質が硬化されて高い屈折率の格子を形成することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記高い屈折率の格子が、透明な非散乱性の上塗りを備える、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のゾルゲル前駆物質は、前記干渉格子が屈折させるように設計された波長範囲における光を吸収する化合物を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のゾルゲル前駆物質は、オルガノシラン化合物を有する混成ゾルゲル前駆物質である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記オルガノシラン化合物は、メチルトリメトキシシラン又はメチルトリエトキシシランを有する、請求項３又は４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のゾルゲル前駆物質はメタクリロキシプロピルトリメトキシシランを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第２のゾルゲル前駆物質はオルトチタン酸テトラアルキルを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記上塗りは、シリカ及びＰＴＦＥ懸濁液で満たされたオルガノシラン化合物を有する、請求項２乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
装飾を有するアイロンであって、前記装飾は請求項１に記載の方法によって得られるアイロン。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月7日(2009.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
安全剃刀（５０）と該安全剃刀（５０）を保持する、壁に取り付けることのできる剃刀ホルダー（１０）との組立体において、前記剃刀ホルダー（１０）は、
壁取り付け構造（１４、１００、１１０）を有し、壁に取り付けられている状態での高さを規定する背板（１２）と、
水平方向に間隔を空けて配置されている第１対のアーム（１６、１７）であって、前記第１対のアーム（１６、１７）は、前記背板（１２）から前方に伸張しており、その自由端（２０、２２）は、互いに向き合っており、その自由端（２０、２２）の間に第１幅を画定し、各アーム（１６、１７）は、前記アームから内向きに伸張するリップ（２４）を有しており、前記リップ（２４）は内側縁部（２６）を有している、第１対のアーム（１６、１７）と、
水平方向に間隔を空けて配置されている第２対のアーム（４０、４２）であって、前記第２対のアーム（４０、４２）は、前記背板（１２）から前方に伸張しており、その自由端（４４、４６）は、前記背板（１２）の前方に向けられており、その自由端（４４、４６）の間に空間を、そしてその自由端（４４、４６）の間に第２幅を画定しており、前記第２対のアームは、前記背板（１２）上に、前記第１対のアーム（１６、１７）より高く配置されている、第２対のアーム（４０、４２）と、を備え、
前記安全剃刀（５０）が、第１端部（５２）、中間区画（５６）、及び第２端部（５４）を有し、更に前記第１端部（５２）に支持表面（８０）を有しているハンドル（５１）と、前記ハンドル（５１）の前記第１端部（５２）に取り外し可能に連結されている剃刀カートリッジ（６０）と、を備えており、
前記背板（１２）が壁に取り付けられている状態において、前記剃刀ホルダー（１０）が２つの位置のうちの１つの位置で安全剃刀（５０）を着脱自在に保持していることを特徴とする組立体。
【請求項２】
前記第１幅は、前記第２幅より広い、請求項１に記載の組立体。
【請求項３】
前記第１対のアーム（１６、１７）は湾曲している、請求項１または２のいずれかに記載の組立体。
【請求項４】
前記第２対のアーム（４０、４２）は湾曲している、請求項１ないし３のいずれか１つの請求項に記載の組立体。
【請求項５】
前記剃刀ホルダー（１０）内に保持されている前記剃刀（５０）の質量の中心の位置は、前記ハンドル（５１）の前記中間区画（５６）を、概ね前記第２対のアーム（４０、４２）の間の空間に向けて押し付けるモーメントを生じさせる、請求項１ないし４のいずれか１つの請求項に記載の組立体。
【請求項６】
前記剃刀は、更に、前記ハンドル（５１）の前記第１端部に取り外し可能に連結されている無駄毛剃り支援体（７０）を備えている、請求項１ないし５のいずれか１つの請求項に記載の組立体。
【請求項７】
前記無駄毛剃り支援体（７０）は、側面と上面を有しており、前記剃刀（５０）は、前記剃刀ホルダー（１０）内に、前記上面を前記第１対のアーム（１６、１７）より低い位置にして、取り外し可能に保持されている、請求項６に記載の組立体。
【請求項８】
前記無駄毛剃り支援体（７０）の前記側面（７２）は、前記リップ（２４）の前記内側縁部（２６）から間隔を空けて配置されている、請求項７に記載の組立体。
【請求項９】
前記剃刀ホルダー（１０）は、成形された熱可塑性プラスチックである、請求項１ないし８のいずれか１つの請求項に記載の組立体。
【請求項１０】
前記壁取り付け構造は、少なくとも１つの吸着カップを備えている、請求項１に記載の組立体。
【請求項１１】
前記壁取り付け構造は、少なくとも１つのねじ込みファスナー（１００）を備えている、請求項１に記載の組立体。
【請求項１２】
前記壁取り付け構造は、両面接着テープ（１１０）を備えている、請求項１に記載の組立体。
【請求項１３】
前記剃刀ホルダー（１０）は、安全剃刀（５０）を、少なくとも２つの位置の内の１つで取り外し可能に保持するようになっており、
前記剃刀（５０）は、第１端部（５２）、中間区画（５６）、及び第２端部（５４）を有し、更に前記第１端部（５２）に支持表面（８０）を有しているハンドル（５１）と、前記ハンドル（５１）の前記第１端部（５２）に取り外し可能に連結されている剃刀カートリッジ（６０）と、を備えており、
第１位置では、前記剃刀（５０）は、前記剃刀ホルダー（１０）内に、前記ハンドル（５１）の第１端部（５２）を前記第２端部（５４）より低い位置にして、取り外し可能に保持され、前記第１対のアームは、前記ハンドルの前記第１端部を部分的に取り囲み、前記支持表面は、前記リップに当接しており、前記第２対のアーム（４０、４２）は、前記ハンドルの前記中間区画を部分的に取り囲んでおり、
第２位置では、前記剃刀は、前記剃刀ホルダー（１０）内に、前記ハンドル（５１）の第１端部（５２）を前記第２端部（５４）より高い位置にして、取り外し可能に保持され、前記第１対のアーム（１６、１７）は、前記ハンドル（５１）の前記第１端部（５２）を部分的に取り囲み、前記リップ（２４）の前記内側縁部（２６）の少なくとも一部分は、前記ハンドル（５１）の前記第１端部（５２）に当接している、請求項１に記載の組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月29日(2009.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の成形ステーション（１１、１２）において平らな薄板金ストリップからその長さ方向に沿って変化する形状を備え、中央フランジ（１３）、２つのウェブ（１４、１５）および２つの側フランジ（１６、１７）を有するハット・ビームを連続的にロール成形する方法であって、
各側フランジ（１６，１７）を成形ステーション（１１、１２）において対のクランピング・ローラ（２１、２２；２３、２４）間に固定し、ハット・ビームの４つのコーナ（２７〜３０）すべてを、前記２対のクランピング・ローラ（２１、２２および２３、２４）と、中央フランジ（１３）用の少なくとも１つの支持ローラ（２５、２６）との間で同時に成形し、
これらのコーナをクランピング・ローラの周縁および支持ローラの周縁で折り曲げ、ウェブをそれぞれのコーナ間に延在させ、
成形過程でクランピング・ローラ対および支持ローラのうち少なくとも一方を変位させてハット・ビームの形状を変えること
を特徴とする方法。
【請求項２】
クランピング・ローラ対（２１、２２および２３、２４）を成形作業中に水平方向、垂直方向の両方に変位させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
中央フランジ（１３）用の一つまたはそれ以上の支持ローラ（２５、２６）を中央フランジに対して垂直な方向に変位させることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
中央フランジ（１３）の各コーナ（２７、２８）のために支持ローラ（２５、２６）を使用し、中央フランジの幅を変化させるために成形作業中にこれらを側方へ変位させ、それにより関連した支持ローラと接触するコーナ（２８、２７）に対して直角に軸線（VII、VIII）を維持するように支持ローラを回転させることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
軸線（Ｉ、II）をハット・ビームのコーナ（２８、２７）に対して直角に維持するように、かつクランピング・ローラ対の軸線間のラインを側フランジ（１６、１７）に対して
直角に維持するようにクランピング・ローラ対（２１、２２および２３、２４）を回転させることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項６】
予めプログラムされたアルゴリズムに従ってコンピュータ制御される動力装置によって並進移動および回転を実施することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
コイルから繰り出される金属ストリップを第１成形ステーション内に直接導入し、成形作業の前または後に成形作業と直接連動させてストリップの縁を切断し、成形作業の前後に成形作業と直接連動させてストリップを切断することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
中央フランジ（１３）、２つのウェブ（１４、１５）および２つの側フランジ（１６、１７）を有し、その長さ方向に沿って変化する横断面を有するハット・ビームを、平らな薄板金ストリップから連続的に成形する多数の成形ステーション（１１、１２）を有するロール成形機であって、成形ステーション（１１，１２）が、各側フランジ（１６、１７）用の対のクランピング・ローラ（２１、２２および２３、２４）と、中央フランジ（１３）用の少なくとも１つの支持ローラ（２５、２６）とを有し、クランピング・ローラ対が、成形ステーションにおいて成形作業中に水平方向、垂直方向の両方に変位可能であるように配置することを特徴とするロール成形機。
【請求項９】
支持ローラ（２５、２６）が垂直方向に変位可能であることを特徴とする請求項８に記載のロール成形機。
【請求項１０】
中央フランジ用の２つの支持ローラ（２５、２６）が互いに隣り合って位置し、これらの支持ローラが、個別に、互いに対して前後方向に変位可能であり、ローラの軸線に対して直角な軸線（それぞれＶ、VI）まわりに回転可能であることを特徴とする請求項９に記載のロール成形機。
【請求項１１】
各対のクランピング・ローラ（２１、２２および２３、２４）が、個別に、互いに対して直角な２つの軸線（III、IV）まわりに回転可能であり、これらの軸線の一方がクランピング・ローラの軸線に対して平行であることを特徴とする請求項１０に記載のロール成形機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
クランピング・ローラ２３、２４は、その水平軸線Ｉ、IIに対して直角な方向に動けるように垂直方向案内レール３５によって支持されている。案内レール３５は、支持体３１、３２によって支持されており、クランピング・ローラの水平軸線Ｉ、IIと平行な水平軸線IIIまわりに回転できる。また、支持体３１、３２の下方部分３２は、並進移動可能なようにフレーム２０にある横方向水平レール３３上に支持されている。支持体３１、３２の上方部分３１は、垂直軸線IVまわりに回転できるように下方部分３２によって支持されている。クランピング・ローラ間の距離は、側フランジ１７に対して適切なクランプ力を与えることができるように手動設定ネジ３４によって調節できる。クランピング・ローラ対２１、２２もクランピング・ローラ２３、２４と同じ要領ではあるが鏡像の関係に支持されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、中央フランジの幅を変えながらビームを成形することも可能である。この場合、成形作業中に支持ローラ２５、２６は案内レール４２に沿って変位させられる。支持ローラは、それらの軸線を常にハット状ビームのコーナ２７、２８に対して直角に維持するように軸線Ｖ、VIまわりに旋回（回転）させられる。クランピング・ローラ対２３、２４も同様に軸線を常にハット状ビームの縁に対して直角に維持するように軸線IVまわりに回転させられる。クランピング・ローラ対２１、２２も同様に回転させられる。案内レール４２に沿って非対称に支持ローラ２５、２６を変位させることによって水平方向に湾曲したハット状ビームを製造することさえ可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2009500180.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月26日(2009.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
枠、及び前記枠によって支持された第一シートを含み、
前記第一シートが第一層を含み、且つ
前記第一層が、下記の構造Ｉ：
【化１】
2009500195.tif 000001
のモノマーから誘導される反復単位を含むポリカーボネートを含む、窓。
【請求項２】
基板及び第一共面層を含む層状シートを含む物品であって、前記第一層が、下記の構造Ｉ：
【化２】
2009500195.tif 000002
のモノマーから誘導される反復単位を含むポリカーボネートを含み、且つその表面積の少なくとも２０％が透明である、物品。
【請求項３】
電気設備、基盤、カバーを含む封入形電気設備であって、前記カバーが基盤によって支持され、且つ前記電気設備は前記カバーと前記基盤との間に封入され、ここで前記カバーが第一層を含み、且つ前記第一層が、下記の構造Ｉ：
【化３】
2009500195.tif 000003
のモノマーから誘導される反復単位を含むポリカーボネートを含む、封入形電気設備。  
【請求項４】
請求項３の封入形電気設備を備えた建造物。
【請求項５】
ポリカーボネートの引掻耐性及びアンモニア耐性を改善する方法であって、下記の構造Ｉ：
【化４】
2009500195.tif 000004
のモノマーから誘導される反復単位をポリカーボネートに導入する工程、及びこれによってポリカーボネートを含むシートの引掻耐性及びアンモニア耐性を改善する工程を含む方法。
【請求項６】
前記第一シートが内側及び外側を有し、且つ前記第一シートが共面基板を更に含み、ここで前記基板は内側表面にあり、前記第一層が外側表面にある、請求項１の窓。
【請求項７】
前記基板がポリカーボネートを含む、請求項２または６の窓。
【請求項８】
前記第一シートが透明である、請求項６の窓。
【請求項９】
前記基板から離れて前記第一層表面に配された共面第二層を更に含み、前記第二層が、シリコーンハードコート、アクリレートハードコート、アクリレート下塗りを用いたシリコーンハードコート、ポリウレタンハードコート、及びメラミンハードコートからなる群より選択されるコーティング層である、請求項２の物品。
【請求項１０】
前記カバーが透明である、請求項３または４の封入形電気設備。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月15日(2009.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）デジタルデータ信号に応答するインクジェットプリンターを設置すること；
ｂ）支持体及びその表面上に多孔のインク液受容層と多孔の上層可融性層とを有し、当該多孔のインク液受容層は当該多孔の上層可融性層に対して隣接してその下層に存在し、そして各層はメジアン孔径に特徴を有し、当該多孔の上層可融性層のメジアン孔径が当該下層にある層のメジアン孔径よりも大きいことを特徴とする可融性インクジェット記録要素をプリンターに装填すること；
ｃ）顔料系インク中に平均顔料粒度の顔料着色剤粒子を含むことに特徴を有する少なくとも一種のインクジェット顔料系インク組成物をプリンターに装填すること；
ｄ）デジタルデータ信号に応答して、当該インク組成物を用いて可融性のインクジェット記録要素上に印刷すること；
ｅ）当該印刷された要素を溶融させて、溶融した上層を得ること、
ここで、当該多孔の上層可融性層及びその下層のメジアン孔径と顔料着色剤粒子の平均顔料粒度とが相俟って、当該インク組成物が記録要素に塗付された後には、当該多孔の上層可融性層のメジアン孔径が十分に大きく、そして当該下層の平均粒度が十分小さいため、その印刷画像では、当該顔料着色剤粒子が溶融上層の厚さの上方半分に比して下方半分に濃縮されて、実質的に当該下層への侵入が拒否されていることは、当該記録要素上の均一な試験領域を前記顔料系インクで塗付して光学濃度１．０〜２．５とした後にその印刷要素を溶融することによって測定でき、その結果として、顔料系インクの５０％を越える顔料着色剤粒子が、溶融した上層の下方半分に保持されていることは、印刷溶融された記録要素の試験領域の断面に係る光学微小濃度計により測定されている、
を含んでなる、インクジェット記録要素上へのカラー画像のインクジェット印刷方法。
【請求項２】
前記多孔の上層可融性層のメジアン孔径が、下層に比して、当該多孔の上層可融性層内で顔料着色剤粒子の自由流動が可能となるように十分に大きく、かつ下層のメジアン孔径が、均一な試験領域に印刷することによって測定して、２０％未満の顔料着色剤粒子が当該試験領域における前記下層に存在するように十分小さい、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記平均顔料粒度が上層可融性層のメジアン孔径の８０％より小さいが、隣接する下層のインク液受容層のメジアン孔径の８０％より大きい、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月24日(2009.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
堆積物制御装置であり、
（１）それぞれの面積が０．０１〜１．０インチ２（６．５〜６５０ｍｍ２）である複数の入口開口を有する開口シートを含む、開口を有する細長い入口部材、と
（２）（ｉ）該堆積物制御装置の総容積の０〜１０％に相当する中空スペースを間に挟んで該入口部材に隣接して配置されており、（ｉｉ）それぞれの面積が０．０１〜１．０インチ２（６．５〜６５０ｍｍ２）である複数の出口開口を有する開口シートを含む、開口を有する細長い出口部材
とを備え、さらに
（ａ）該入口部材の少なくとも第一の部分と該出口部材の少なくとも第一の部分とを含む第一の実質的に平坦な領域、及び
（ｂ）第二の実質的に平坦な領域
を含み、該第一及び第二の領域が、互いに対して多くとも９０度の角度にある面内に位置している、堆積物制御装置。
【請求項２】
（１）前記出力部材と前記入力部材との間に中空スペースを有さず、
（２）第二の平坦な領域中の第一及び第二の開口を有する細長い部材が、前記入口と出口部材との延長部である、
請求項１記載の堆積物制御装置。
【請求項３】
前記第一の実質的に平坦な領域中の前記入力部材と前記出力部材との間にある細長いフィルタ部材を有し、かつ、前記入力部材と前記出力部材との間に中空スペースを有さない、請求項１または２に記載の堆積物制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月18日(2009.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）シリカアルミナ骨格を有するペンタシルゼオライト、
（ｂ）少なくとも５重量パーセントのリン（Ｐ2Ｏ5として）および
（ｃ）ペンタシル骨格の外側に存在する少なくとも１％の酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3として）
を含んでなり、上記のリンおよび酸化鉄の量がペンタシルゼオライトを含有する粒子の量を基準とし、ならびにこの組成物が２０−２００ミクロンの範囲の平均粒子サイズを有する、流動化可能な触媒組成物。
【請求項２】
少なくとも８重量％のリン好ましくは少なくとも１０重量％のリンを含んでなる、請求項１に記載の触媒組成物。
【請求項３】
マトリックスを更に含んでなり、ならびにリン酸鉄がマトリックス中に存在する、請求項１に記載の触媒組成物。
【請求項４】
流動接触分解法において炭化水素を分解するのに好適な更なるゼオライトを更に含んでなる、請求項１に記載の触媒組成物。
【請求項５】
前記更なるゼオライトがフォージャサイトである、請求項４に記載の触媒組成物。
【請求項６】
更なるゼオライトがＹゼオライト、ＲＥＹ、ＲＥＵＳＹおよびこれらの混合物から選択される、請求項４に記載の触媒組成物。
【請求項７】
更なるゼオライトがペンタシルゼオライトを含む粒子と分離した粒子中に存在する、請求項４に記載の触媒組成物。
【請求項８】
ペンタシルゼオライトがＺＳＭ−５またはＺＳＭ−１１である、請求項１または６に記載の触媒組成物。
【請求項９】
触媒組成物が少なくとも１５重量％のＹゼオライト好ましくは１５％−６０重量％のＹゼオライト特に好ましくは２５％−４０重量％のＹゼオライトを含んでなり、Ｙゼオライトの前記量が全触媒組成物に基づく、請求項８に記載の触媒組成物。
【請求項１０】
リンがペンタシルゼオライトを含有する粒子中に存在する、請求項７に記載の触媒組成物。
【請求項１１】
ペンタシル含有粒子が少なくとも８重量％のリン好ましくは少なくとも１０重量％のリンを含んでなる、請求項１０に記載の触媒組成物。
【請求項１２】
ペンタシル含有粒子がマトリックスを含んでなり、ならびにリン酸鉄がマトリックス中に存在する、請求項１０に記載の触媒組成物。
【請求項１３】
酸化鉄がペンタシルゼオライトを含有する粒子の１−１０重量％の範囲の量で存在する、請求項１または７に記載の触媒組成物。
【請求項１４】
酸化鉄がペンタシル含有粒子中に存在する、請求項７または１３に記載の触媒組成物。
【請求項１５】
（ａ）反応域、ストリッピング域および再生域からなる接触分解ユニットの反応域の中に１２０℃から８５０℃までの終点の初期の沸点を有することを特徴とする炭化水素原料を導入し；
（ｂ）（ｉ）シリカ／アルミナ骨格を有するペンタシルゼオライト
（ｉｉ）少なくとも５重量パーセントのリン（Ｐ2Ｏ5として）および
（ｉｉｉ）ペンタシル骨格の外側に存在する少なくとも１％の酸化鉄
を含んでなる（ここで、リンおよび酸化鉄の量はペンタシルゼオライトを含有する粒子の量に基づく）、流動化可能な分解触媒と接触せしめることにより、前記原料を前記反応域中４００℃−７００℃好ましくは５００℃−５５０℃の温度で接触分解し；
（ｃ）回収された使用済の触媒粒子をストリッピング域中でストリッピング流体によりストリッピングして、若干の炭化水素質材料を除去し；そして
（ｄ）ストリッピングされた炭化水素質材料をストリッピング域から回収し、そしてストリッピングされた使用済の触媒粒子を再生装置または再生域に循環し；そして前記触媒上の実質的な量のコークスを焼き飛ばすことにより、そして接触分解反応器を４００℃−７００℃の温度に維持する温度に再生触媒を維持するための燃料成分を添加して再生域中で前記分解触媒を再生し；そして
（ｅ）前記再生された高温の触媒を反応域に再循環する
ことを含んでなる、接触分解法。
【請求項１６】
流動化可能な分解触媒が請求項１〜１４のいずれか１つに記載の触媒組成物である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
分解触媒が流動接触分解において炭化水素を分解するのに好適な更なるゼオライトを含み、更なるゼオライトが全流動化可能な分解触媒基準で少なくとも１５重量％好ましくは１５％−６０重量％特に好ましくは２５％−４５重量％を占める、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
分解触媒が流動接触分解において炭化水素を分解するのに好適な更なるゼオライトを含み、ペンタシルゼオライトがＺＳＭ−５またはＺＳＭ−１１である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
分解触媒が流動接触分解において炭化水素を分解するのに好適な更なるゼオライトを含み、リンがペンタシルゼオライトを含有する粒子中に存在する、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
（ａ）シリカ／アルミナ骨格を有するペンタシルゼオライト、
（ｂ）流動接触分解において炭化水素を分解するのに好適な更なるゼオライト、
（ｃ）少なくとも０.０１％のリン（Ｐ2Ｏ5として）および
（ｄ）ペンタシル骨格の外側に存在する少なくとも１％酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3として）
を含んでなり、触媒の粒子が同一の粒子中にペンタシル（ａ）および更なるゼオライト（ｂ）を含有し、酸化鉄およびリンの量が全触媒組成物の重量に基づき、そしてこの組成物が２０−２００ミクロンの範囲の平均粒子サイズを有する、流動化可能な触媒組成物。
【請求項２１】
触媒が０.０１−５重量％のリンを含んでなる、請求項２０に記載の触媒組成物。
【請求項２２】
ペンタシルがＺＳＭ−５、ＺＳＭ−１１およびこれらの混合物から選択され、更なるゼオライト（ｂ）がゼオライトＹ、ＲＥＹ、ＲＥＵＳＹおよびこれらの混合物から選択される、請求項２０に記載の触媒組成物。
【請求項２３】
マトリックスを更に含んでなる、請求項２０に記載の触媒組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月9日(2009.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
請求項１に記載のシステムであって、
前記非バブル化チャンバは、ＰＴＦＥ、ＰＶＤＦ、ＰＥＴ（商品名「Ｅｒｔａｌｙｔｅ」（商標））、またはステンレス鋼のうちの少なくとも一つからなるシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月4日(2009.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性メモリセルであって、
切り換え可能な抵抗器メモリ素子と、
チャネル領域を有する薄膜トランジスタと、を備え、
参照線とデータ線の双方は、薄膜トランジスタのチャネル領域の下に配置され、
切り換え可能な抵抗器メモリ素子は、薄膜トランジスタと直列に配置され、
切り換え可能な抵抗器メモリ素子は、セット電圧量が切り換え可能な抵抗器メモリ素子の両端に印加された場合に抵抗を減少させ、
切り換え可能な抵抗器メモリ素子は、リセット電圧量が切り換え可能な抵抗器メモリ素子の両端に印加された場合に抵抗を増加させ、
セット電圧量の極性は、リセット電圧量の極性と逆である不揮発性メモリセル。
【請求項２】
請求項１記載の不揮発性メモリセルにおいて、
切り換え可能な抵抗器メモリ素子は、ペロフスカイト材料を備えるか、Ｖ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｆｅ，およびＭｎからなる群から選ばれた素子でドープされた非晶質シリコンを備えるか、炭素ポリマー膜を備えるか、あるいは固体電解質材料を備える不揮発性メモリセル。
【請求項３】
請求項１記載の不揮発性メモリセルにおいて、
トランジスタおよび切り換え可能な抵抗器メモリ素子は、データ線と、データ線と実質的に平行な参照線との間に電気的に配置され、
トランジスタは、データ線と実質的に垂直な選択線に接続され、選択線は、薄膜トランジスタを制御し、
チャネル領域は、実質的に鉛直ではなく、データ線および参照線は、実質的に同一平面上にあり、
切り換え可能な抵抗器メモリ素子は、チャネル領域と、データ線との間に配置される不揮発性メモリセル。
【請求項４】
請求項１記載の不揮発性メモリセルにおいて、
チャネル領域は、シリコン、ゲルマニウム、またはゲルマニウム合金を備え、
チャネル領域は、多結晶であり、
セット電圧量は、２ボルトより小さく、
リセット電圧量は、２ボルトより小さい不揮発性メモリセル。
【請求項５】
請求項１記載の不揮発性メモリセルにおいて、
セルは、基板の上に形成されたモノリシックな三次元メモリアレイの一部であり、
基板は、単結晶シリコンを備える不揮発性メモリセル。
【請求項６】
請求項１記載の不揮発性メモリセルにおいて、
データ線に垂直に延びるとともに、参照線にも垂直に延びる選択線をさらに備え、
薄膜トランジスタのゲート電極は、選択線に電気的に接続されるか、あるいは選択線の一部を備え、
薄膜トランジスタのソース領域またはドレイン領域のいずれか一方の領域は、データ線上に直接形成されるとともに、データ線に電気的に接続され、
切り換え可能な抵抗器メモリ素子は、参照線に電気的に接続されるとともに、薄膜トランジスタのソース領域またはドレイン領域のいずれかもう一方の領域にも電気的に接続され、
データ線は、参照線と平行に延びる不揮発性メモリセル。
【請求項７】
請求項１記載の不揮発性メモリセルにおいて、
薄膜トランジスタ内のドレイン領域へのソース領域の方向は、データ線および参照線の方向に垂直である不揮発性メモリセル。
【請求項８】
不揮発性メモリセルであって、
切り換え可能な抵抗器メモリ素子と、
チャネル領域、ソース領域、ドレイン領域、およびゲート電極を有する薄膜トランジスタと、
選択線と、
チャネル領域の下に配置されるデータ線と、
チャネル領域の下に配置される参照線と、を備え、
薄膜トランジスタのゲート電極は、選択線に電気的に接続されるか、あるいは選択線の一部を備え、
薄膜トランジスタのソース領域またはドレイン領域のいずれか一方の領域は、データ線に電気的に接続され、
切り換え可能な抵抗器メモリ素子は、参照線に電気的に接続されるとともに、薄膜トランジスタのソース領域またはドレイン領域のいずれかもう一方の領域にも電気的に接続され、
選択線は、データ線に垂直に延びるとともに、参照線にも垂直に延び、
データ線は、参照線と平行に延び、
切り換え可能な抵抗器メモリ素子は、薄膜トランジスタと直列に配置され、
切り換え可能な抵抗器メモリ素子は、セット電圧量が切り換え可能な抵抗器メモリ素子の両端に印加された場合に抵抗を減少させ、
切り換え可能な抵抗器メモリ素子は、リセット電圧量が切り換え可能な抵抗器メモリ素子の両端に印加された場合に抵抗を増加させ、
セット電圧量の極性は、リセット電圧量の極性と逆である不揮発性メモリセル。
【請求項９】
請求項８記載の不揮発性メモリセルにおいて、
切り換え可能な抵抗器メモリ素子は、ペロフスカイト材料を備えるか、Ｖ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｆｅ，およびＭｎからなる群から選ばれた素子でドープされた非晶質シリコンを備えるか、炭素ポリマー膜を備えるか、あるいは固体電解質材料を備える不揮発性メモリセル。
【請求項１０】
請求項８記載の不揮発性メモリセルにおいて、
セルは、基板の上に形成されたモノリシックな三次元メモリアレイの一部である不揮発性メモリセル。
【請求項１１】
請求項８記載の不揮発性メモリセルにおいて、
薄膜トランジスタ内のドレイン領域へのソース領域の方向は、データ線および参照線の方向に垂直であり、
薄膜トランジスタのソース領域またはドレイン領域のいずれか一方の領域は、データ線上に直接形成される不揮発性メモリセル。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月24日(2009.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性複合材料であって、
ポリマーマトリックスと、
該ポリマーマトリックスの中で懸濁される金属ナノ粒子と、
を備え、
該導電性複合材料が１０４S  ｃｍ−１を超える導電率を有し、該金属ナノ粒子に対する粒子該ポリマーマトリックスの体積分率が２０〜８０％の間である導電性複合材料。
【請求項２】
導電性複合材料であって、
ポリマーマトリックスと、
該ポリマーマトリックスの中で懸濁される金属ナノ粒子と、
を備え、
該導電性複合材料が少なくとも２００℃の熱耐性限度を有し、該金属ナノ粒子に対する粒子該ポリマーマトリックスの体積分率が２０〜８０％の間である導電性複合材料。
【請求項３】
該金属ナノ粒子の平均直径が１〜２０ｎｍの間である前記請求項のどれか１つに記載の導電性複合材料。
【請求項４】
該金属ナノ粒子が不活性金属のナノ粒子であり、該不活性金属が、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）及びその任意の組み合わせ又はそれらの合金から成るグループから選択される前記請求項のどれか１つに記載の導電性複合材料。
【請求項５】
該ポリマーマトリックスが導電性ポリマーマトリックスである前記請求項のどれか１つに記載の導電性複合材料。
【請求項６】
複合材料分散液を調製する方法であって、
複数の保護単層を有する金属ナノ粒子を準備することと、
複合材料分散液を形成するために、保護されている該金属ナノ粒子及びポリマーを溶媒中で分散することと、
を備える方法。
【請求項７】
該保護されている金属ナノ粒子の溶解度が１０ｍｇ  ｍＬ−１より大きい請求項６に記載の方法。
【請求項８】
該保護単層が混合物を備える請求項６又は７に記載の方法。
【請求項９】
該保護単層がヒドロキシル、アミン、エステル、アミド、酸、アルキル、アンモニウム、四級化アンモニウム、エチレングリコール及びビニル官能基化基から成るグループから選択される少なくとも１つの端部と、チオール基、アミン基、ホスフィン基、イソニトリル基、ニトリル基、シラン基、ヒドロキシル基、及び酸性基から成るグループから選択され該保護されている金属ナノ粒子と結合できる少なくとも１つのさらなる端部とを備える請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
相分離がない請求項６から９のどれか１つに記載の方法。
【請求項１１】
複合材料を調製する方法であって、
請求項６から１０のどれか１つに記載されたように複合材料分散液を調製することと、
複合フィルムを形成するために基板上に該複合材料分散液を蒸着することと、
焼き入れされていない複合材料を形成するために該複合フィルムから該溶媒を蒸発させることと、
導電率が１０−６Ｓ  ｃｍ−１を超える導電性複合材料を形成するために該焼き入れされていない複合材料を焼きなますことと、
を備える方法。
【請求項１２】
焼きなましが、１６０℃で又は１６０℃を超えて該焼き入れされていない複合材料を加熱することを備える請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１から５のどれか１つに記載の導電性複合材料又は請求項１１又は１２に記載の方法に従って調製された複合材料を備える相互接続、バイア接点、電界効果トランジスタ、発光ダイオード、フォトダイオード、コンデンサ、ＲＦアンテナ、抵抗器、抵抗素子又はメモリ素子。
【請求項１４】
メモリセルのマトリックスを形成するために該ポリマーマトリックスの回りに直角に配列されている少なくとも２つの電極アレイを有し、選択されたメモリセルにおける該導電性複合材料の該平均導電率が、電圧パルスの印加により少なくとも１桁分、恒久的に高められることができる請求項１３に記載のメモリ素子。
【請求項１５】
複合材料分散液であって、
複数の保護単層で保護されている金属ナノ粒子と、
ポリマーと、
溶媒と
を備え、
該金属ナノ粒子に対する粒子該ポリマーマトリックスの体積分率が２０〜８０％の間である複合材料分散液。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月13日(2009.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ｐｎ接合を形成する半導体層のスタックと、
前記半導体層のスタックの上に配置された誘電体層と、
を含み、
前記誘電体層は、前記半導体層のスタックの屈折率と実質的に符合した屈折率を有し、該誘電体層は、該半導体層のスタックから遠位の主面を有し、該遠位主面は、該半導体層のスタックに発生した光の抽出を容易にするように構成されたパターン化、粗面化、又は模様付けを含む、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記半導体層のスタックが基板上に形成された堆積基板とは異なる、該半導体層のスタックが配置されたホスト基板又はサブマウント、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記半導体層のスタックは、窒化ガリウム（ＧａＮ）層、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層、窒化インジウム（ＩｎＮ）層、ＧａＮ、ＡｌＮ、又はＩｎＮの三元合金を含む層、及びＧａＮ、ＡｌＮ、及びＩｎＮの四元合金を含む層から成る群から選択された半導体層を含むことを特徴とする請求項１から請求項２のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項４】
前記誘電体層は、前記半導体層のスタックを完全には覆っておらず、前記遠位主面の前記パターン化、粗面化、又は模様付けは、該半導体層のスタックの該不完全な覆いによって形成されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記誘電体層は、下に重なる半導体層のスタックを露出して前記遠位主面の前記パターン化、粗面化、又は模様付けを形成する開口部を含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記誘電体層は、前記半導体層のスタックに接触する近位主面を有し、該近位主面は、前記遠位主面の前記パターン化、粗面化、又は模様付けを含まずに該半導体層のスタックに接触することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記遠位主面の前記パターン化、粗面化、又は模様付けは、少なくとも１つの横方向周期性を含むことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記遠位主面の前記パターン化、粗面化、又は模様付けは、実質的に不規則かつ非周期性であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記パターン化、粗面化、又は模様付けは、マイクロレンズを形成することを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記パターン化、粗面化、又は模様付けは、抽出光を選択された視角の方向に偏向させることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記誘電体層の前記遠位主面上に配置された反射防止コーティング、
を更に含むことを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１２】
発光装置を製造する方法であって、
発光ｐｎ接合を形成する半導体層のスタックを堆積基板上に形成する段階と、
前記形成された半導体層のスタックを前記堆積基板からホスト基板又はサブマウントに移動し、この移動が、該半導体層のスタックが該堆積基板上に形成された時に露出していなかった該半導体層のスタックの新しい主面を露出する段階と、
前記半導体層のスタックの前記新しい主面上に該半導体層のスタックに発生した光の抽出を容易にするように構成されたパターン化、粗面化、又は模様付けを生成する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１３】
前記移動する段階は、
前記半導体層のスタックの第２の主面を前記ホスト基板又はサブマウントに付着させる段階と、
前記第２の主面の反対側の第１の主面を前記堆積基板から分離する段階と、
を含む、
ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記分離する段階は、
前記堆積基板を実質的に減衰せずに通過し、前記半導体層のスタックの前記第１の主面の近くで吸収されるレーザビームを該堆積基板に印加する段階、
を含む、
ことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記半導体層のスタックの上に前記誘電体層を配置する前記段階は、
前記誘電体層を前記配置する段階の後に前記遠位主面内に前記パターン化、粗面化、又は模様付けを形成する段階、
を含む、
ことを特徴とする請求項１２から請求項１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記パターン化、粗面化、又は模様付けを形成する前記段階は、
前記配置した誘電体層の選択された部分をエッチングで除去する段階、
を含む、
ことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記選択された部分は、下に重なる半導体層のスタックまで延びて前記配置した誘電体層に開口部を形成することを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記遠位主面内に前記パターン化、粗面化、又は模様付けを形成する前記段階は、
前記配置した誘電体層上にポリスチレン部材を配置し、該配置されたポリスチレン部材が前記選択された部分を形成する段階、
を更に含む、
ことを特徴とする請求項１５から請求項１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
発光ｐｎ接合を形成する半導体層のスタックと、
前記半導体層のスタックが基板上に形成された堆積基板とは異なる、該半導体層のスタックが配置されたホスト基板又はサブマウントと、
前記ホスト基板又はサブマウントから遠位にある前記半導体層のスタックの遠位主面上に形成された該半導体層のスタックに発生した光の抽出を容易にするように構成されたパターン化、粗面化、又は模様付けと、
を含むことを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月12日(2009.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つのベースと、前記ベースに固定されて、縦方向に平行な配列で複数のウエハを着脱可能に直接に支持し、隣接するウエハの間で隙間を介して複数のエッジリングを着脱可能に直接に支持し、前記ウエハの直径外に半径方向外向きに延びる複数の脚と、を含むタワーを備えるタワーアセンブリ。
【請求項２】
前記複数のエッジリングを更に備えることを特徴とする請求項１記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記タワーと前記エッジリングはシリコンからなることを特徴とする請求項２記載のアセンブリ。
【請求項４】
前記エッジリングは、ランダム配向多結晶シリコンを含むことを特徴とする請求項３記載のタワーアセンブリ。
【請求項５】
前記タワーは、石英、炭化ケイ素、およびシリコン含浸炭化ケイ素からなるグループから選択された材料を含むことを特徴とする請求項１または２記載のアセンブリ。
【請求項６】
各指は、ウエハ支持面と、下部の半径方向外向きのエッジリング支持面とを含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載のタワーアセンブリ。
【請求項７】
前記指の傾斜面は、ウエハとエッジ支持面とをつなげることを特徴とする請求項６記載のタワーアセンブリ。
【請求項８】
各エッジリングは、おおむね環状であり、複数の半径方向内向きの凹部を含んで、指と各リングのセグメント部とが前記エッジリング支持面に支持可能な凹部の半径方向外向きに係合することを特徴とする請求項６記載のタワーアセンブリ。
【請求項９】
各指は、ウエハ支持面と、上部の半径方向外向きのエッジリング支持面とを含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載のタワーアセンブリ。
【請求項１０】
各エッジリングは、大略環状であり、半径方向外向きの、片側または両側の複数の凹部を含んで、前記指と各リングのセグメント部とが前記エッジリング支持面に支持可能な凹部の半径方向内向きに係合することを特徴とする請求項９記載のタワーアセンブリ。
【請求項１１】
ウエハ支持タワーの脚に着脱可能に支持されるエッジリングであって、前記脚は処理ウエハを個別に支持し、前記エッジリングは、ウエハの直径より大きい外径を有するおおむね環状の部材と、タワーの脚と協働する、重力で着脱可能な受動的係止機構とを備え、少なくとも９９ａｔ％のシリコン、石英、炭化ケイ素、およびシリコン含浸炭化ケイ素からなるグループから選択された材料を含むことを特徴とするエッジリング。
【請求項１２】
略円形の基板を支持する支持タワーであって、中心軸の周りに配列される複数の脚を固定する２つのベースを含んでおり、前記脚のうちで少なくとも２本は、それぞれ前記基板を支持するように脚に沿って軸方向に配列され、中心軸から、第１の半径長さから第２の半径長さに延びる複数の第１の支持面と、リング状の部材を支持するように前記第１の支持面が軸方向に挿入され、前記第１の半径長さより長い第３の半径長さから第４の半径長さに延びる複数の第２の支持面とを含むことを特徴とする支持タワー。
【請求項１３】
前記第３の半径長さは、少なくとも前記第２の半径長さと同程度の長さであることを特徴とする請求項１２記載のタワー。
【請求項１４】
１つの前記第１の支持面と前記第２の支持面のそれぞれは、脚の軸方向に延びるステム部から延びる各指に形成されることを特徴とする請求項１２または１３記載のタワー。
【請求項１５】
前記第１および第２の支持面は、脚の軸方向に延びるステム部から延びる各第１および第２の指に形成されることを特徴とする請求項１２または１３記載のタワー。
【請求項１６】
加熱炉内に取り付け可能なシリコンライナと、前記ライナ内に取り付け可能で、複数のウエハを支持するシリコンタワーと、タワーとタワーとの間に取り付け可能な少なくとも１つのシリコンガス注入器と、ウエハより大きい外径を有し、ウエハが隙間を介して挿入されたタワーに着脱可能に支持可能な複数のシリコンエッジリングと、を備える加熱炉アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月20日(2009.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
疎水的に改質されるシート状ケイ酸塩に基づくチキソトロープ剤の含有率が、配合物を基準として０．０１から１０質量％であることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の磁性流体配合物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
請求項１〜８の何れか１項に記載の磁性流体配合物の製造方法において、
適切であれば分散剤及びチキソトロープ剤の存在下で、磁性粒子を基油内で分散させることを特徴とする製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
請求項１〜８の何れか１項に記載の磁性流体配合物を、ショックアブソーバー、クラッチ、ブレーキ、及びフィットネス装置、ハプティック装置、維持システム、クラッシュアブソーバー、ワイヤ操縦による操縦システム、ギア及びワイヤブレーキシステム、封止装置、人工補装器及び／又は、ベアリング等の他の制御装置に使用する方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
請求項１〜８の何れか１項に記載の磁性流体配合物を含有する、ショックアブソーバー、クラッチ、ブレーキ、及びフィットネス装置、ハプティック装置、維持システム、クラッシュアブソーバー、ワイヤ操縦による操縦システム、ギア及びワイヤブレーキシステム、封止装置、人工補装器及び／又はベアリング等の他の制御装置。