【手続補正書】
【提出日】平成21年11月6日(2009.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ化水素酸、少なくとも１種の有機溶媒および水を含む除去組成物であって、
前記除去組成物が、低ｋ誘電体材料、エッチング停止材料、金属スタック材料およびこれらの組み合わせからなる群から選択される材料を、前記材料をその上に有する微小電子素子から除去するために好適である除去組成物。
【請求項２】
少なくとも１種の酸化剤、少なくとも１種の追加の酸、少なくとも１種のキレート化剤、少なくとも１種の界面活性剤、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種の追加の種をさらに含む、請求項１に記載の除去組成物。
【請求項３】
少なくとも１種の有機溶剤が、アルコール、エーテル、ピロリジノン、グリコール、硫黄含有溶剤、グリコールエーテル、カルボン酸およびこれらの組み合わせからなる群から選択される種を含む、請求項１に記載の除去組成物。
【請求項４】
少なくとも１種の有機溶剤が、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、ジオール、トリオール、２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール、１Ｈ，１Ｈ，９Ｈ−パーフルオロ−１−ノナノール、パーフルオロヘプタン酸、１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ−ドデカフルオロ−１−ヘプタノール、パーフルオロペンタン酸、１Ｈ，１Ｈ，８Ｈ，８Ｈ−ドデカフルオロ−１，８−オクタンジオール、２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１，６−ヘキサンジオール、５Ｈ−パーフルオロペンタン酸、Ｎ−ブチルヘプタフルオロブチレート、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、Ｎ−メチルピロリジノン（ＮＭＰ）、シクロヘキシルピロリジノン、Ｎ−オクチルピロリジノン、Ｎ−フェニルピロリジノン、ギ酸メチル、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、テトラメチレンスルホン（スルホラン）、ジエチルエーテル、フェノキシ−２−プロパノール（ＰＰｈ）、プロプリオフェネオン、エチル乳酸塩、酢酸エチル、エチル安息香酸塩、アセトニトリル、アセトン、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジオキサン、ブチリルラクトン、ブチレンカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジプロピレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル（ＤＰＧＰＥ）、トリプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテルおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される化合物を含む、請求項１に記載の除去組成物。
【請求項５】
少なくとも１種の有機溶剤が、ジエチレングリコールブチルエーテル、テトラメチレンスルホンおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される種を含む、請求項１に記載の除去組成物。
【請求項６】
その中に溶解された材料をさらに含み、前記材料が、低ｋ誘電体材料、金属スタック材料およびこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の除去組成物。
【請求項７】
前記組成物が、ＨＦ、水、テトラメチレンスルホンおよび少なくとも１種のグリコールエーテルを含む、請求項１に記載の除去組成物。
【請求項８】
前記組成物が、ＨＦ、水、テトラメチレンスルホン、およびジエチレングリコールブチルエーテルを含む、請求項１に記載の除去組成物。
【請求項９】
前記組成物の総重量に基づいて、水の量が８０重量％未満であり、ＨＦの量が約１０重量％を超える、請求項１に記載の除去組成物。
【請求項１０】
キレート化剤を含み、前記キレート化剤が、ａｃａｃ、ｈｆａｃ、ｔｆａｃ、ギ酸、アセテート、ビス（トリメチルシリルアミド）四量体、アミン、グリシン、アラニン、クエン酸、酢酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、ニトリロ三酢酸、イミノ二酢酸、エチドロン酸、エチレンジアミン、ＥＤＴＡ、ＣＤＴＡ、モノエタノールアミンおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される種を含む、請求項３に記載の除去組成物。
【請求項１１】
キレート化剤を含み、前記キレート化剤がＣＤＴＡを含む、請求項３に記載の除去組成物。
【請求項１２】
酸化剤を含み、前記酸化剤が、過酸化水素、オキソン、オキソンテトラブチルアンモニウム塩、硝酸第二鉄、ヨウ素酸カリウム、過マンガン酸カリウム、硝酸、亜塩素酸アンモニウム、塩素酸アンモニウム、ヨウ素酸アンモニウム、過ホウ酸アンモニウム、過塩素酸アンモニウム、アンモニウム過ヨウ素酸、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、亜塩素酸テトラメチルアンモニウム、塩素酸テトラメチルアンモニウム、ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム、過ホウ酸テトラメチルアンモニウム、過塩素酸テトラメチルアンモニウム、過ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム、過硫酸テトラメチルアンモニウム、尿素過酸化水素、ペルオキシ酢酸およびこれらの組み合わせからなる群から選択される種を含む、請求項３に記載の除去組成物。
【請求項１３】
前記組成物が、ＨＦ、水、スルホラン、ＣＤＴＡ、過酸化水素およびジエチレングリコールブチルエーテルを含む、請求項３に記載の除去組成物。
【請求項１４】
水中における除去組成物の２０：１希釈物のｐＨが約２．５〜約４．５の範囲である、請求項３に記載の除去組成物。
【請求項１５】
材料を、前記材料をその上に有する微小電子素子から除去する方法であって、前記方法が、微小電子素子構造と除去組成物とを、低ｋ誘電体材料、エッチング停止材料、金属スタック材料およびこれらの組み合わせからなる群から選択される材料を、微小電子素子構造から少なくとも部分的に除去するに十分な時間接触させる工程を含み、除去組成物がフッ化水素酸、少なくとも１種の有機溶媒および水を含む、方法。
【請求項１６】
前記接触させる工程が、約３０秒〜約６０分間の時間、約２０℃〜約９０℃の範囲の温度、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される条件を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
少なくとも１種の酸化剤、少なくとも１種の追加の酸、少なくとも１種のキレート化剤およびこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１種の追加の種をさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
低ｋ誘電体材料が、シリコン含有有機ポリマー、シリコン含有ハイブリッド有機材料、シリコン含有ハイブリッド無機材料、有機ケイ酸ガラス（ＯＳＧ）、ＴＥＯＳ、フッ素化ケイ酸ガラス（ＦＳＧ）、窒化シリコン、および炭素ドープ酸化物（ＣＤＯ）ガラスからなる群から選択される誘電体材料を含み、
エッチング停止材料が、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、窒化炭化シリコン（ＳｉＣＮ）、酸化炭化シリコン（ＳｉＣＯ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、銅、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、ＳｉＧｅＢ、ＳｉＧｅＣ、ＡｌＡｓ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含み、
金属スタック材料が、タンタル、窒化タンタル、窒化チタン、チタン、ニッケル、コバルト、タングステン、およびこれらのシリサイド；銅；アルミニウム；Ａｌ／Ｃｕ；Ａｌの合金；Ｃｕの合金；酸化ハフニウム；ハフニウムオキシシリケート；酸化ジルコニウム；酸化ランタニド；チタン酸塩；およびこれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
他の多層微小電子素子生産プロセスにおいて、微小電子素子から前記低ｋ誘電体材料を少なくとも部分的に除去した後に、この微小電子素子を再使用する工程をさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
微小電子素子構造を微小電子素子に組み込む工程をさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
請求項１５に記載の方法を用いて製造される微小電子素子基板。
【請求項２２】
前記組成物は、実質的にアミン種を含まない、請求項１に記載の除去組成物。
【請求項２３】
さらにアミンを含む、請求項１に記載の除去組成物。