【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年5月14日(2009.5.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）多孔質基板を得るべく結晶性の基板をエッチングし、当該エッチングにより細孔が形成された前記多孔質基板の表面を金属で被覆することにより金属被覆された結晶性多孔質基板を準備する段階と、
ｂ）前記基板を少なくとも１個の被分析試料試を含む試料にさらす段階と、
ｃ）少なくとも１個の被分析試料を検出および／または同定のためにレーザー励起および分光を用いる段階と
を備える、方法。
【請求項２】
前記結晶性の基板がナノ結晶性シリコン、単結晶シリコン、多結晶シリコンからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
金属ナノ粒子が前記金属被覆された結晶性多孔質基板に添加される、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記金属被覆が銀、金、白金、銅および／またはアルミニウムを含む、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記分光がラマン分光である、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記ラマン分光が表面増強ラマン分光（ＳＲＲＳ）、表面増強共鳴ラマン分光（ＳＥＲＲＳ）、ハイパーラマンおよび／または反ストークスラマン分光（ＣＡＲＳ）である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記被分析試料がアミノ酸、ペプチド、ポリペプチド、タンパク質、糖タンパク質、リポタンパク質、ヌクレオシド、ヌクレオシド、オリゴヌクレオチド、核酸、糖、炭水化物、オリゴ糖、多糖、脂肪酸、脂質、ホルモン、代謝物、サイトカイン、ケモカイン、受容体、神経伝達物質、抗原、抗体、基質、代謝物、コファクター、阻害剤、薬剤、医薬品、栄養物、プリオン、毒素、毒、爆発性物質、殺虫剤、化学兵器、生物兵器、バクテリア、ウイルス、放射性同位元素、ビタミン、複素環式芳香族化合物、発癌性物質、突然変異原、麻酔剤、アンフェタミン、バルビツール酸塩、幻覚発現物質、廃棄物および／または汚染物を含む群から選ばれる、請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記被分析試料がヌクレオシド、ヌクレオチド、オリゴヌクレオチド、核酸、アミノ酸、ペプチド、ポリペプチドまたはタンパク質である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１個の被分析試料が少なくとも１個のラマン標識でラベルされている、請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
各被分析試料が識別可能なラマン標識でラベルされている、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１個の捕捉分子が前記金属被覆された結晶性多孔質基板に付着している、請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記捕捉分子がオリゴヌクレオチド、核酸、抗体、抗体断片、抗原、エピトープ、レシチン、タンパク質、ポリペプチド、ペプチド、受容体タンパク質、リガンド、ホルモン、ビタミン、代謝物、基質、阻害剤、コファクター、医薬品、アプタマー、サイトカインおよび神経伝達物質を含む群から選ばれる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記金属被覆された結晶性多孔質基板を準備する段階は、前記結晶性の基板をエッチングした後、当該基板を酸化する段階を有する、
請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記金属被覆された結晶性多孔質基板を準備する段階は、
前記結晶性の基板を電気化学セル中でエッチングして、前記細孔を形成する段階と、
前記細孔を形成する段階の後、当該基板をエッチングして、前記細孔を広げる段階と、
を有する、請求項１から請求項１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記結晶性の基板が、シリコン、窒化シリコンおよびゲルマニウムからなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記多孔質基板における前記細孔は２ｎｍ〜２００ｎｍのサイズを有する請求項１から請求項１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記金属ナノ粒子は、前記金属被覆された結晶性多孔質基板の前記細孔の内部に入り込むことのできる直径を有する請求項３に記載の方法。
【請求項１８】
前記金属ナノ粒子は、直径１ｎｍ〜２μｍの直径を有する請求項３または請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記多孔質基板が、シリコン、酸化シリコン、二酸化シリコンおよび／または窒化シリコンを含む請求項１から請求項１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
ａ）多孔質基板を得るべく結晶性の基板をエッチングし、当該エッチングにより細孔が形成された前記多孔質基板の表面を金属で被覆することにより金属被覆された結晶性多孔質基板と、
ｂ）前記金属被覆された結晶性多孔質基板へ励起光線を放射するレーザーと
ｃ）前記金属被覆された結晶性多孔質基板からのラマン信号を検出するラマン検出器と
を備える、装置。
【請求項２１】
前記金属被覆が中空のまま残されるべく、前記多孔質基板を更にエッチングする段階を備える請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記金属被覆の前記中空が前記金属とは異なる材料で満たされる請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
金属ナノ粒子を更に有する、請求項２０から請求項２２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２４】
前記金属が銀、金、白金、銅および／またはアルミニウムを有する、請求項２０から請求項２３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２５】
前記ラマン検出器と動作可能に結合するコンピュータを更に備える、請求項２０から請求項２４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２６】
前記ラマン検出器と動作可能に結合するフロースルーセルを更に備え、前記フロースルーセルの内部の前記金属被覆された結晶性多孔質基板を通って流体が流れる、請求項２０から請求項２５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２７】
前記金属被覆された結晶性多孔質基板がマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）中に組み込まれる、請求項２０から請求項２６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２８】
前記金属被覆された結晶性多孔質基板が集積チップの一部として構成される、請求項２７に記載の装置。
【請求項２９】
前記金属被覆された結晶性多孔質基板がウェーハから取り出され、ＭＥＭＳに組み込まれる、請求項２７に記載の装置。
【請求項３０】
前記結晶性多孔質基板が、前記結晶性の基板のエッチング後、当該基板を酸化して得られる、
請求項２０から請求項２９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項３１】
前記多孔質基板は、前記結晶性の基板を電気化学セル中でエッチングして前記細孔を形成した後、前記基板をエッチングして前記細孔を広げることで得られる、
請求項２０から請求項３０のいずれか一項に記載の装置。
【請求項３２】
前記結晶性の基板が、シリコン、窒化シリコンおよびゲルマニウムからなる群から選択される請求項２０に記載の装置。
【請求項３３】
前記多孔質基板における前記細孔は２ｎｍ〜２００ｎｍのサイズを有する請求項２０から請求項３２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項３４】
前記金属ナノ粒子は、前記金属被覆された結晶性多孔質基板の前記細孔の内部に入り込むことのできる直径を有する請求項２３に記載の装置。
【請求項３５】
前記金属ナノ粒子は、直径１ｎｍ〜２μｍの直径を有する請求項２３または請求項３４に記載の装置。
【請求項３６】
前記多孔質基板が、シリコン、酸化シリコン、二酸化シリコンおよび／または窒化シリコンを含む請求項２０から請求項３５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項３７】
多孔質層を得るべく結晶性の基板をエッチングし、当該エッチングにより細孔が形成された当該基板の表面を金属で被覆することにより得られた、金属被覆された結晶性多孔質層を備える基板。
【請求項３８】
前記金属被覆が銀、金、白金、銅および／またはアルミニウムを含む、請求項３７に記載の基板。
【請求項３９】
前記多孔質層がシリコン、酸化シリコン、二酸化シリコンおよび／または窒化シリコンを含む、請求項３７または請求項３８に記載の基板。
【請求項４０】
前記多孔質層が金属で被覆される前に二酸化シリコンによって酸化される、請求項３７から請求項３９のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４１】
前記多孔質層は、前記基板を電気化学セル中でエッチングして前記細孔を形成した後、当該基板をエッチングして前記細孔を広げることで得られる、
請求項３７から請求項４０のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４２】
前記結晶性の基板が、シリコン、窒化シリコンおよびゲルマニウムからなる群から選択される請求項３７に記載の基板。
【請求項４３】
前記多孔質層における前記細孔は２ｎｍ〜２００ｎｍのサイズを有する請求項３７から請求項４２のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４４】
前記金属被覆された結晶性多孔質層の前記細孔の内部に入り込むことのできる直径を有する金属ナノ粒子が添加された請求項３７から請求項４３のいずれか一項に記載の基板。
【請求項４５】
前記金属ナノ粒子は、直径１ｎｍ〜２μｍの直径を有する請求項４４に記載の基板。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
また別な実施形態では、被覆前後に多孔質シリコン基板１１０、２１０の更なる変更が行えると考えられる。例えば、多孔質シリコン基板１１０、２１０をエッチング後、多孔質シリコン基板を公知の方法を用いて酸化シリコンおよび／または二酸化シリコンに酸化し得る。例えば酸化を多孔質シリコン基板１１０、２１０の機械的強度と安定性を増加させるために使用し得る。または、金属被覆シリコン基板２４０、３４０は、金属外皮を残したままシリコンを除去すべく更にエッチングされてよく、この金属外皮は中空のまま残されるか、若しくは追加のラマン活性金属などの他の材料で満たされてもよい。