【手続補正書】
【提出日】平成23年2月24日(2011.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクに用いられるマスクブランク用基板の製造方法であって、主表面が精密研磨された基板を準備する工程と、前記主表面における実測領域内のチャック前主表面形状を測定する工程と、前記基板のチャック前主表面形状および前記マスクステージの形状に基づいて、前記基板から作製されたフォトマスクを前記露光装置にセットしたときにおける前記基板のチャック後主表面形状をシミュレーションにより得る工程と、前記チャック後主表面形状の仮想算出領域内での平坦度が第１閾値以下である基板を選定する工程と、前記選定された基板について、チャック後主表面形状の補正領域内で第１の方向に沿う断面形状に近似する第１近似曲線を算出し、前記第１近似曲線から近似曲面を算出して前記チャック後主表面形状から差し引く補正を行い、補正後主表面形状を算出する工程と、前記補正後主表面形状の補正領域内での平坦度が、第２閾値以下であるものを選定する工程と、を有することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項２】
前記補正後主表面形状を算出する工程は、第１の方向に直交する第２の方向に沿う断面形状に近似する第２近似曲線を算出し、前記第２近似曲線から近似曲面を算出し、第１の近似曲線から算出された近似曲面を差し引く補正を行った後のチャック後主表面形状からさらに前記第２近似曲面から算出された近似曲面を差し引く補正を行うことを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項３】
露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクに用いられるマスクブランク用基板の製造方法であって、主表面が精密研磨された基板を準備する工程と、前記主表面における実測領域内のチャック前主表面形状を測定する工程と、前記基板のチャック前主表面形状および前記マスクステージの形状に基づいて、前記基板から作製されたフォトマスクを前記露光装置にセットしたときにおける前記基板のチャック後主表面形状をシミュレーションにより得る工程と、前記チャック後主表面形状の仮想算出領域内での平坦度が第１閾値以下である基板を選定する工程と、前記選定された基板について、チャック後主表面形状の補正領域内で第１の方向に沿う断面形状に近似する第１近似曲線を算出し、第１の方向に直交する第２の方向に沿う断面形状に近似する第２近似曲線を算出し、前記第１近似曲線および第２近似曲線から近似曲面を算出して前記チャック後主表面形状から差し引く補正を行い、補正後主表面形状を算出する工程と、前記補正後主表面形状の補正領域内での平坦度が、第２閾値以下であるものを選定する工程と、を有することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１近似曲線は、２次曲線または４次曲線であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項５】
前記第２近似曲線は、２次曲線または４次曲線であることを特徴とする請求項２から求項４のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１閾値が０．３２μｍであり、前記第２閾値が０．１６μｍであることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１閾値が０．２４μｍであり、前記第２閾値が０．０８μｍであることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項８】
前記実測領域は、前記仮想算出領域および補正領域を含む領域であり、前記仮想算出領域は、補正領域を含む領域であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項９】
前記仮想算出領域は、１４２ｍｍ角内の領域であることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記補正領域は、１３２ｍｍ角内の領域であることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記チャック前主表面形状の実算出領域内での平坦度が０．４μｍ以下である基板を選定する工程を有することを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１２】
前記実算出領域は、前記仮想算出領域および補正領域を含む領域であることを特徴とする請求項１１記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１３】
前記実算出領域は、１４２ｍｍ角内の領域であることを特徴とする請求項１１記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１４】
前記露光装置は、第１の方向に移動可能であって第２の方向に延在するスリットを介してフォトマスクに対して露光光が照射されることを特徴とする請求項１から請求項１３のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１から請求項１４のいずれかに記載の方法で得られたマスクブランク用基板のチャック前主表面形状を測定した側の主表面に薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の方法で得られたマスクブランクの薄膜に転写パターンを形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の方法で得られたフォトマスクを主表面形状補正を行うことが可能な露光装置のマスクステージにチャックし、フォトマスクのパターンをウェハのレジスト膜に露光転写する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のマスクブランク用基板の製造方法は、露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクに用いられるマスクブランク用基板の製造方法であって、主表面が精密研磨された基板を準備する工程と、前記主表面における実測領域内のチャック前主表面形状を測定する工程と、前記基板のチャック前主表面形状および前記マスクステージの形状に基づいて、前記基板から作製されたフォトマスクを前記露光装置にセットしたときにおける前記基板のチャック後主表面形状をシミュレーションにより得る工程と、前記チャック後主表面形状の仮想算出領域内での平坦度が第１閾値以下である基板を選定する工程と、前記選定された基板について、チャック後主表面形状の補正領域内で第１の方向に沿う断面形状に近似する第１近似曲線を算出し、第１の方向に直交する第２の方向に沿う断面形状に近似する第２近似曲線を算出し、前記第１近似曲線および第２近似曲線から近似曲面を算出して前記チャック後主表面形状から差し引く補正を行い、補正後主表面形状を算出する工程と、前記補正後主表面形状の補正領域内での平坦度が、第２閾値以下であるものを選定する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
あるいは、本発明のマスクブランク用基板の製造方法においては、露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクに用いられるマスクブランク用基板の製造方法であって、主表面が精密研磨された基板を準備する工程と、前記主表面における実測領域内のチャック前主表面形状を測定する工程と、前記基板のチャック前主表面形状および前記マスクステージの形状に基づいて、前記基板から作製されたフォトマスクを前記露光装置にセットしたときにおける前記基板のチャック後主表面形状をシミュレーションにより得る工程と、前記チャック後主表面形状の仮想算出領域内での平坦度が第１閾値以下である基板を選定する工程と、前記選定された基板について、チャック後主表面形状の補正領域内で第１の方向に沿う断面形状に近似する第１近似曲線を算出し、第１の方向に直交する第２の方向に沿う断面形状に近似する第２近似曲線を算出し、前記第１近似曲線および第２近似曲線から近似曲面を算出して前記チャック後主表面形状から差し引く補正を行い、補正後主表面形状を算出する工程と、前記補正後主表面形状の補正領域内での平坦度が、第２閾値以下であるものを選定する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
次いで、チャック後主表面形状の補正領域において、第１の方向に沿った断面形状に近似する第１近似曲線を算出し、この第１近似曲線から近似曲面を算出し、さらにチャック後主表面形状から近似曲面を差し引く形状補正をおこなって、補正後主表面形状を算出する（ＳＴ１８）。また、スキャン方向とスリット方向の２方向での主表面形状補正が可能なタイプの露光装置を対象とする場合は、第１の方向に沿った断面形状に近似する第１近似曲線を算出し、補正領域の第１の方向に直交する第２の方向に沿った断面形状に近似する第２近似曲線を算出し、この第１近似曲線と第２近似曲線とから近似曲面を算出し、さらにチャック後主表面形状から近似曲面を差し引く形状補正をおこなって、補正後主表面形状を算出する。