【手続補正書】
【提出日】平成20年11月10日(2008.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のパターンを有する第１の電極と、
第２のパターンを有する絶縁体層と、
エレクトロルミネセント層と、
第２の非パターン化電極とを含むことを特徴とする非ピクセル化エレクトロルミネセントディスプレイ。
【請求項２】
前記第１のパターンの少なくとも一部が、前記第２のパターンの相応する部分のネガであることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項３】
前記第２のパターンが多数の不連続な領域を有することを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項４】
前記第２のパターンが、２０ミクロン以下の幅を有する少なくとも１つのセグメントを有することを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項５】
１８ｍｍ×１８ｍｍ以下の表示領域を有することを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項６】
セグメント化されることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項７】
基材とカバーとをさらに含み、前記カバーがゲッタリング材料をその上に有することを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項８】
５ミクロン以下のディスプレイ厚さを有することを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ。
【請求項９】
２ｍｍ以下の拡大ディスプレイ厚さを有することを特徴とする請求項７に記載のディスプレイ。
【請求項１０】
表示領域と非表示領域とを有する非ピクセル化ディスプレイの製造方法であって、
第１の電極層を表示領域にパターン化して第１の電極パターンを形成する工程と、
絶縁層を付着する工程と、
前記絶縁層をパターン化して絶縁層パターンを形成する工程と、
有機エレクトロルミネセント材料を付着する工程と、
第２の電極を全体にわたり付着する工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
表示領域と非表示領域とを有する非ピクセル化ディスプレイの製造方法であって、
第１の電極を少なくとも表示領域において基材上に付着する工程と、
絶縁層を付着する工程と、
前記絶縁層をパターン化して絶縁層パターンを形成する工程と、
有機エレクトロルミネセント材料を付着する工程と、
第２の電極を付着する工程と、
前記第２の電極をパターン化して第２の電極パターンを形成する工程とを含み、前記第２の電極を付着する工程と前記第２の電極をパターン化する工程とが同時に行われてもよいことを特徴とする方法。
【請求項１２】
導電性金属を少なくとも前記非表示領域に付着する工程と、
前記導電性金属をパターン化して導電性金属パターンを形成する工程とをさらに含むことを特徴とする請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
１８ｍｍ×１８ｍｍ以下の表示領域を有することを特徴とする非ピクセル化エレクトロルミネセントディスプレイ。
【請求項１４】
５ミクロン以下のディスプレイ厚さを有することを特徴とする非ピクセル化エレクトロルミネセントディスプレイ。
【請求項１５】
２ｍｍ以下の拡大ディスプレイ厚さを有することを特徴とする非ピクセル化エレクトロルミネセントディスプレイ。
【請求項１６】
セグメント化されることを特徴とする請求項１３、１４、または１５に記載のディスプレイ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
３．５の電圧を電極間に印加し、画像領域を照明した。
本発明は、以下の態様を包含する。
[１]  第１のパターンを有する第１の電極と、
第２のパターンを有する絶縁体層と、
エレクトロルミネセント層と、
第２の非パターン化電極とを含むことを特徴とする非ピクセル化エレクトロルミネセントディスプレイ。
[２]前記第１のパターンの少なくとも一部が、前記第２のパターンの相応する部分のネガであることを特徴とする[１]に記載のディスプレイ。
[３]前記第２のパターンが多数の不連続な領域を有することを特徴とする[１]に記載のディスプレイ。
[４]前記第２のパターンが、２０ミクロン以下の幅を有する少なくとも１つのセグメントを有することを特徴とする[１]に記載のディスプレイ。
[５]１８ｍｍ×１８ｍｍ以下の表示領域を有することを特徴とする[１]に記載のディスプレイ。
[６]セグメント化されることを特徴とする[１]に記載のディスプレイ。
[７]基材とカバーとをさらに含み、前記カバーがゲッタリング材料をその上に有することを特徴とする[１]に記載のディスプレイ。
[８]５ミクロン以下のディスプレイ厚さを有することを特徴とする[１]に記載のディスプレイ。
[９]２ｍｍ以下の拡大ディスプレイ厚さを有することを特徴とする[７]に記載のディスプレイ。
[１０]表示領域と非表示領域とを有する非ピクセル化ディスプレイの製造方法であって、
第１の電極層を表示領域にパターン化して第１の電極パターンを形成する工程と、
絶縁層を付着する工程と、
前記絶縁層をパターン化して絶縁層パターンを形成する工程と、
有機エレクトロルミネセント材料を付着する工程と、
第２の電極を全体にわたり付着する工程とを含むことを特徴とする方法。
[１１]表示領域と非表示領域とを有する非ピクセル化ディスプレイの製造方法であって、
第１の電極を少なくとも表示領域において基材上に付着する工程と、
絶縁層を付着する工程と、
前記絶縁層をパターン化して絶縁層パターンを形成する工程と、
有機エレクトロルミネセント材料を付着する工程と、
第２の電極を付着する工程と、
前記第２の電極をパターン化して第２の電極パターンを形成する工程とを含み、前記第２の電極を付着する工程と前記第２の電極をパターン化する工程とが同時に行われてもよいことを特徴とする方法。
[１２]導電性金属を少なくとも前記非表示領域に付着する工程と、
前記導電性金属をパターン化して導電性金属パターンを形成する工程とをさらに含むことを特徴とする[１０]または[１１]に記載の方法。
[１３]緩衝層を前記有機エレクトロルミネセント材料と前記第１の電極との間に付着する工程をさらに含むことを特徴とする[１０]または[１１]に記載の方法。
[１４]前記絶縁材料がフォトレジストであり、前記フォトレジストのパターン化が画像様露光と現像とによって行われることを特徴とする[１０]または[１１]に記載の方法。
[１５]前記フォトレジストの前記現像後に焼成する工程をさらに含むことを特徴とする[１４]に記載の方法。
[１６]ゲッタリング材料をその上に有するカバーを適用する工程をさらに含むことを特徴とする[１０]または[１１]に記載の方法。
[１７]前記ディスプレイの活性領域が１８ｍｍ×１８ｍｍ以下であることを特徴とする[１０]または[１１]に記載の方法。
[１８]前記ディスプレイが５ミクロン以下のディスプレイ厚さを有することを特徴とする[１０]または[１１]に記載の方法。
[１９]前記ディスプレイが２ｍｍ以下の拡大ディスプレイ厚さを有することを特徴とする[１０]または[１１]に記載の方法。
[２０]１８ｍｍ×１８ｍｍ以下の表示領域を有することを特徴とする非ピクセル化エレクトロルミネセントディスプレイ。
[２１]５ミクロン以下のディスプレイ厚さを有することを特徴とする非ピクセル化エレクトロルミネセントディスプレイ。
[２２]２ｍｍ以下の拡大ディスプレイ厚さを有することを特徴とする非ピクセル化エレクトロルミネセントディスプレイ。
[２３]セグメント化されることを特徴とする[２０]、[２１]、または [２２]に記載のディスプレイ。