【手続補正書】
【提出日】平成23年5月23日(2011.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路と、前記集積回路に接続されるように、前記集積回路上に直接形成された第１のアンテナと、前記集積回路及び前記第１のアンテナを間に挟んでおり、なおかつ少なくとも片面に帯電防止膜が形成されている一対の構造体と、前記第１のアンテナとの間に前記一対の構造体の一つを挟んでいる第２のアンテナと、を有し、
前記一対の構造体のそれぞれは、繊維体に樹脂を含浸することで形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
集積回路と、前記集積回路に接続されるように、前記集積回路上に直接形成された第１のアンテナと、前記集積回路及び前記第１のアンテナを間に挟んでおり、なおかつ前記集積回路及び前記第１のアンテナとは反対側の面に帯電防止膜が形成されている一対の構造体と、前記第１のアンテナとの間に前記一対の構造体の一つを挟んでいる第２のアンテナと、を有し、
前記一対の構造体のそれぞれは、繊維体に樹脂を含浸することで形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
集積回路と、前記集積回路に接続されるように、前記集積回路上に直接形成された第１のアンテナと、前記集積回路及び前記第１のアンテナを間に挟んでおり、なおかつ前記集積回路及び前記第１のアンテナ側の面に帯電防止膜が形成されている一対の構造体と、前記第１のアンテナとの間に前記一対の構造体の一つを挟んでいる第２のアンテナと、を有し、
前記一対の構造体のそれぞれは、繊維体に樹脂を含浸することで形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
集積回路と、前記集積回路に接続されるように、前記集積回路上に直接形成された第１のアンテナと、前記集積回路及び前記第１のアンテナを間に挟んでおり、なおかつ両面に帯電防止膜が形成されている一対の構造体と、前記第１のアンテナとの間に前記一対の構造体の一つを挟んでいる第２のアンテナと、を有し、
前記一対の構造体のぞれぞれは、繊維体に樹脂を含浸することで形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記一対の構造体は、絶縁性を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記帯電防止膜は、界面活性剤、導電性ポリマー、導電性を有する粒子が分散された樹脂、またはシロキサン系樹脂であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記帯電防止膜は表面抵抗値が１０６Ω／ｃｍ２乃至１０１４Ω／ｃｍ２であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
前記第１のアンテナは、ループ状であり、前記第２のアンテナの一部は、ループ状であり、前記第１のアンテナの幅は、前記第２のアンテナの一部の幅よりも小さく、前記第１のアンテナは、内縁及び外縁が前記第２のアンテナと重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
前記第１のアンテナは、巻き数が一のループ状であり、前記第２のアンテナの一部は、巻き数が一のループ状であり、前記第１のアンテナの幅は、前記第２のアンテナの一部の幅よりも小さく、前記第１のアンテナは、内縁及び外縁が前記第２のアンテナと重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、
前記集積回路は薄膜トランジスタを用いていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナは、いずれか一方に交流の電流が流れると、電磁誘導により他方に誘導起電力が生じることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項において、
前記繊維体は、有機化合物または無機化合物の単糸が複数束ねられた経糸及び緯糸を有しており、
前記一対の構造体は、前記経糸及び前記緯糸の方向が互いにずれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項において、
前記繊維体は、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維を用いることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項において、
前記繊維体に含浸された樹脂は、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１４において、前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、またはシアネート樹脂であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１４において、前記熱可塑性樹脂は、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、またはフッ素樹脂であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
集積回路と、前記集積回路に接続されるように、前記集積回路上に直接形成された第１のアンテナとを、少なくとも片面に帯電防止膜が形成されている一対の構造体の間に挟み、前記第１のアンテナとの間に前記一対の構造体の一つを挟むように、前記一対の構造体の一つに第２のアンテナを貼り合わせ、
前記一対の構造体のそれぞれは、繊維体に樹脂を含浸することで形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
集積回路と、前記集積回路に接続されるように、前記集積回路上に直接形成された第１のアンテナとを、前記集積回路及び前記第１のアンテナとは反対側の面に帯電防止膜が形成されている一対の構造体の間に挟み、前記第１のアンテナとの間に前記一対の構造体の一つを挟むように、前記一対の構造体の一つに第２のアンテナを貼り合わせ、
前記一対の構造体のそれぞれは、繊維体に樹脂を含浸することで形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
集積回路と、前記集積回路に接続されるように、前記集積回路上に直接形成された第１のアンテナとを、前記集積回路及び前記第１のアンテナ側の面に帯電防止膜が形成されている一対の構造体の間に挟み、前記第１のアンテナとの間に前記一対の構造体の一つを挟むように、前記一対の構造体の一つに第２のアンテナを貼り合わせ、
前記一対の構造体のそれぞれは、繊維体に樹脂を含浸することで形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
集積回路と、前記集積回路に接続されるように、前記集積回路上に直接形成された第１のアンテナとを、両面に帯電防止膜が形成されている一対の構造体の間に挟み、前記第１のアンテナとの間に前記一対の構造体の一つを挟むように、前記一対の構造体の一つに第２のアンテナを貼り合わせ、
前記一対の構造体のそれぞれは、繊維体に樹脂を含浸することで形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１７乃至請求項２０のいずれか１項において、前記一対の構造体は、絶縁性を有していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１７乃至請求項２１のいずれか１項において、前記帯電防止膜は、界面活性剤、導電性ポリマー、導電性を有する粒子が分散された樹脂、またはシロキサン系樹脂であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１７乃至請求項２２のいずれか１項において、前記帯電防止膜は表面抵抗値が１０６Ω／ｃｍ２乃至１０１４Ω／ｃｍ２であることを特徴とする半導体装置の作製方法。