【手続補正書】
【提出日】平成20年12月22日(2008.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって：
高圧プロセスチャンバにおいて、前記基板を支持するよう構成されるプラッテンに基板を置く工程；
流体の圧力を該流体の臨界圧力より高く調整し、前記流体の温度を該流体の臨界温度より高く調整して、該流体から超臨界流体を生成する工程；
前記超臨界流体を前記高圧プロセスチャンバへ導入する工程；
前記超臨界流体に対してプロセス過酸化物を有するプロセス成分を導入する工程；
前記超臨界流体に対して前記プロセス過酸化物のラジカルの生成を促進する開始剤を導入する工程；
前記超臨界流体、前記プロセス成分、および前記開始剤に前記基板を晒す工程；並びに
前記基板を通り過ぎるように前記超臨界流体を循環する工程、
を有する方法。
【請求項２】
前記プロセス過酸化物を有する前記プロセス成分を導入する工程が：２−ブタノンペルオキシド；２，４−ペンタンジオンペルオキシド；過酢酸；ｔ−ブチルヒドロペルオキシド；ベンゾイルペルオキシド；ｍ−クロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）；過酸化水素；過酸化デカノイル；過酸化ラウロイル；過酸化コハク酸；過酸化ジクミル；２，５−ジ（ｔ−ブチルペロキシ）−２，５−ジメチルヘキサン；ｔ−ブチルクミルペルオキシド；α，α−ビス（ｔ−ブチルペロキシ）ジイソプロピルベンゼンの異性体混合物；ジ（ｔ−アミル）ペルオキシド；ジ（ｔ−ブチル）ペルオキシド；２，５−ジ（ｔ−ブチルペロキシ）−２，５−ジメチル−３−ヘキシン；１，１−ジ（ｔ−ブチルペロキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン；１，１−ジ（ｔ−ブチルペロキシ）シクロヘキサン；１，１−ジ（ｔ−アミルペロキシ）−シクロヘキサン；ｎ−ブチル４，４−ジ（ｔ−ブチルペロキシ）吉草酸塩；エチル３，３−ジ−（ｔ−アミルペロキシ）−ブタン酸塩；ｔ−ブチルペロキシ−２−エチルヘキサン酸塩；エチル３，３−ジ（ｔ−ブチルペロキシ）ブチレート；クメンヒドロペルオキシド；ｔ−ブチルヒドロペルオキシド；過酸化メチルエチルケトン；ジ（ｎ−プロピル）ペロキシジカーボネート；ジ（ｓｅｃ−ブチル）ペロキシジカーボネート；ジ（２−エチルヘキシル）ペロキシジカーボネート；３−ヒドロキシル−１，１−ジメチルブチルペロキシネオデカン酸塩；α−クミルペロキシネオデカン酸塩；ｔ−アミルペロキシネオデカン酸塩；ｔ−ブチルペロキシネオデカン酸塩；ｔ−ブチルペロキシビバル酸；２，５−ジ（２−エチルヘキサノールペロキシ）−２，５−ジメチルヘキサン；ｔ−アミルペロキシ２−エチルヘキサン酸塩；ｔ−ブチルペロキシ−２−エチルヘキサン酸塩；ｔ−アミルペロキシアセテート；ｔ−ブチルペロキシアセテート；ｔ−ブチルペロキシ安息香酸塩；ＯＯ−（ｔ−アミル）Ｏ−（２−エチルヘキシル）モノペロキシカーボネート；ＯＯ−（ｔ−ブチル）Ｏ−イソプロピルモノペロキシカーボネート；ＯＯ−（ｔ−ブチル）Ｏ−（２−エチルヘキシル）モノペロキシカーボネート；ポリエーテルポリ−ｔ−ブチルペロキシカーボネート；若しくは、ｔ−ブチルペロキシ−３，３，５−トリメチルヘキサン酸塩；または、これらの任意の組み合わせの少なくとも一つを有するプロセス成分を導入するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記プロセス過酸化物を有する前記プロセス成分を導入する工程が、過酸化ジアシル、過酸化ジアルキル、ジペロキシケタル、ハイドロペルオキシド、過酸化ケトン、ペロキシジカーボネート、若しくはペロキシエステル、またはこれらの任意の組み合わせの少なくとも一つを有するプロセス成分を導入するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記プロセス過酸化物を有するプロセス成分を導入する工程が、有機ペルオキシド、若しくは無機ペルオキシド、またはこれらの組み合わせを導入するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記開始剤を導入する工程が、アゾ化合物、二硫化物、若しくはテトラゼン、またはこれらの組み合わせを導入するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記開始剤を導入する工程が、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル（ＡｌＢＮ）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルペンタンニトリル）、若しくは１，１’−アゾビス（シクロヘキサンカーボニトリル）、またはこれらの組み合わせを導入するステップを有し、
約５０℃から約７０℃までの範囲の最善の温度へ前記開始剤の温度を上げる工程を更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記開始剤を導入する工程が、Ｆｅ２＋、Ｃｒ２＋、Ｖ２＋、Ｔｉ３＋、Ｃｏ２＋、またはＣｕ＋を有する化合物を導入するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記開始剤を導入する工程が、ＨＳＯ３−、ＳＯ３２−、Ｓ２Ｏ３２−、またはＳ２Ｏ５２−を有する無機還元剤と、Ａｇ＋、Ｃｕ２＋、Ｆｅ３＋、ＣｌＯ３−、またはＨ２Ｏ２を有する無機酸化剤との混合物を導入するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記開始剤を導入する工程が、
Ｃｅ４＋、Ｖ５＋、Ｃｒ６＋、若しくはＭｎ３＋を含有する化合物とアルコール；
ＣｒＯ４−、ＳｅＯ８−、Ｍｎ３＋、若しくはＦｅ３＋を含有する化合物とチオール；
Ｃｅ４＋若しくはＭｎ３＋を含有する化合物とカルボン酸；および
有機金属化合物、
から選択される有機−無機酸化還元対を導入するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記チオールの導入が、チオレン（ｔｈｉｏｕｒｅｎ）またはチオグリコール酸の導入である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記カルボン酸の導入が、シュウ酸またはクエン酸の導入である、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記有機金属化合物の導入が、Ｒを有機基としＸをハロゲン化合物とした場合のＲ−Ｘ化合物を有するコバルトセン（ｃｏｂａｌｔｏｃｅｎｅ）、フェロセン、Ｍｎ２（ＣＯ）１０、またはＭｏ（ＣＯ）６の導入である、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記開始剤を導入する工程が、アクリアミドとチオサルフェート；メチルアクリル酸；メチルアクリレートとＮ，Ｎ−ジメチルアニリン；プロトン酸；ルイス酸；ハロゲン化合物；または求核試薬を導入するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記超臨界流体を生成する工程が、
二酸化炭素流体から超臨界二酸化炭素を生成するステップを含み、
前記圧力を、約１０７０ｐｓｉ（７．３８ＭＰａ）から約１０，０００ｐｓｉ（６８．９ＭＰａ）までの範囲の圧力に調整し、
前記温度を、約３１℃より高い温度に調整する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記温度を前記臨界温度より高く調整することが、前記温度を約４０℃より高く調整することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記温度を前記臨界温度より高く調整することが、前記温度を約８０℃より高く調整することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記温度を前記臨界温度より高く調整することが、前記温度を約１００℃から約３００℃までの範囲の温度に調整することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記プロセス成分を前記超臨界流体に導入するに先立って該プロセス成分を予加熱するステップを更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記プロセス過酸化物を有する前記プロセス成分を導入する工程が、溶剤、共溶剤、界面活性剤、またはエッチャントとともに前記プロセス過酸化物を導入することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記圧力を前記臨界圧力より高く調整することが、前記圧力を約２０００ｐｓｉ（１３．８ＭＰａ）から約１０，０００ｐｓｉ（６８．９ＭＰａ）までの範囲の圧力に調整することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記基板を晒す工程に引き続き、一連の減圧サイクルを行う工程；および
前記高圧プロセスシステムを換気する工程、
を更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記基板をオゾンに晒す工程を更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記基板を前記オゾンに晒す工程が、前記超臨界流体、前記プロセス成分、および前記開始剤に前記基板を晒す工程に先行する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記開始剤を導入する工程が、約１９０ｎｍから約８００ｎｍまでの範囲の波長を有する光を含む電磁（ＥＭ）放射を導入するステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
前記開始剤を導入する工程が、前記プロセス過酸化物の量の約１０重量パーセントに等しいか又は少ない量で、前記プロセス過酸化物と異なる、前記プロセス過酸化物が分解する温度よりも低い第２の温度で分解する第２の過酸化物を導入するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項２６】
基板を処理する高圧プロセスシステムであって：
前記基板を処理するよう構成されるプロセスチャンバ；
前記プロセスチャンバに結合され、前記基板を支持するよう構成されるプラッテン；
超臨界流体を前記プロセスチャンバへ導入するよう構成される高圧流体供給システム；
前記プロセスチャンバに結合され、前記プロセスチャンバにおいて前記基板の上に前記超臨界流体を流すよう構成される流体フローシステム；
前記プロセスチャンバにプロセス過酸化物を導入するように構成される過酸化物源を有するプロセス成分供給システム；
前記プロセスチャンバに開始剤を導入して前記プロセス過酸化物のラジカルの生成を促進するよう構成される開始剤源；
前記プロセスチャンバ、前記プラッテン、前記高圧流体供給システム、前記流体フローシステム、および前記プロセス成分供給システムの１又は２以上へ結合され、前記超臨界流体を約４０℃または約４０℃より高い温度に上げる温度調節システム；並びに
前記プロセスチャンバに結合され、前記基板をオゾンに晒すように構成されるオゾンプロセスチャンバ、
を備える高圧プロセスシステム。
【請求項２７】
前記流体フローシステムが、前記プロセスチャンバへ結合されて前記プロセスチャンバと循環ループを形成する循環システムであって、前記基板の上を通るよう、前記プロセスチャンバを通して前記超臨界流体を循環させるよう構成される循環システムを備える、請求項２６に記載の高圧プロセスシステム。
【請求項２８】
前記プラッテンが、前記基板を処理するための高圧プロセス空間を構成するため、前記高圧チャンバに密閉を提供する、請求項２６に記載の高圧プロセスシステム。
【請求項２９】
前記高圧流体供給システムが、超臨界二酸化炭素（ＣＯ２）流体を導入する二酸化炭素源を含む、請求項２６に記載の高圧プロセスシステム。
【請求項３０】
前記開始剤源が、化学開始剤を導入するよう構成される化学物質源を備える、請求項２６に記載の高圧プロセスシステム。
【請求項３１】
前記開始剤源が、電磁放射を導入するよう構成される電磁放射源を備える、請求項２６に記載の高圧プロセスシステム。