【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年1月28日(2009.1.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
アルカリ現像剤中で現像できそしてネガ型フォトレジストの下にコーティングされているネガ型光像形成底層反射防止膜用組成物において、該反射防止膜用組成物が水性アルカリ現像剤に不溶になるように露光時に転位するアルカリ可溶性水性ポリマーを含むことを特徴とする、上記組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３】
ポリマーが架橋していない、請求項１又は２に記載の組成物。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１７】
反射防止膜が露光段階の前にアルカリ性水溶液に可溶性でありそして現像段階の前に露光域が不溶性である請求項１６に記載の方法。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２３】
段階ａ）において請求項４の膜用組成物を適用する、請求項１５に記載の方法。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
本発明は、アルカリ水性現像剤中で現像することができそしてネガ型フォトレジストの下にコーティングされているネガ型光像形成性底層反射防止膜用組成物において、反射防止膜用組成物が光酸発生剤、およびアルカリ性水性現像剤中に不溶にするために露光時に転位する水性のアルカリ可溶性ポリマーを含有することを特徴とする、上記反射防止膜用組成物にも関する。更に本発明はかゝる組成物を使用する方法にも関する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
本発明は、また、アルカリ水性現像剤中で現像することができそしてネガ型フォトレジストの下にコーティングされるネガ型光像形成性底層反射防止膜用組成物において、反射防止膜用組成物がアルカリ水性現像剤中に不溶にするために露光時に転位する水性のアルカリ可溶性ポリマーを含有することを特徴とする、上記反射防止膜用組成物にも関する。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
発明の説明：
本発明は光酸発生剤、架橋剤、およびアルカリ可溶性ポリマーを含有する新規の吸収性で光像形成性の水性現像性ネガ型反射防止膜用組成物に関する。本発明はまた、かゝる新規の組成物で像形成する新規の方法にも関する。反射防止組成物の吸収性はポリマー中の吸収性発色団としてもまたは添加染料としてもありうる。また本発明は光像形成性の反射防止膜用組成物で像形成する方法にも関する。本発明は、光活性化合物、および水性塩基中でのその溶解性が露光後に可溶性から不溶性に変わるように極性または官能性を変えるポリマーを含有する反射防止膜用組成物にも関する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
本発明の反射防止膜用組成物は、フォトレジスト中での基体からの反射を防止するために基体上にまたはネガ型フォトレジストの下にコーティングされる。この反射防止膜は表面層のフォトレジストと同じ波長の光で光像形成することができそしてフォトレジストを通常に現像するのに使用されるのと同じアルカリ性現像水溶液で現像することもできる。新規の反射防止膜用組成物はアルカリ可溶性ポリマー、架橋剤および光酸発生剤、または光活性化合物、および水性塩基中へのそれの溶解性が現像後に可溶性から不溶性に変化するように極性または官能性を変化するポリマーを含有しておりそして反射性基体にコーティングされそしてコーティング溶液の溶剤を除くためにベーク処理される。層間の混じり込みを防止しまたはその程度を最小限にするために、反射防止膜の各成分を、反射防止膜の表面にコーティングされるフォトレジストの溶剤に実質的に不溶性であるようにする。ネガ型フォトジストを次いで反射防止膜の表面にコーティングしそしてフォトレジスト用溶剤を除くためにベーク処理する。フォトレジストの膜厚は一般に、下にある反射防止膜よりも厚い。フォトレジストと反射防止膜の両方は、露光する前には、フォトレジストのアルカリ現像水性溶液に可溶性である。次いでこの二層系を一つの段階だけで照射して像様露光し、その際に酸を表面フォトレジスト層および底層反射防止膜の両方で発生させる。後続のベーク処理段階でこの酸が反射防止膜において架橋剤およびアルカリ可溶性ポリマーとの間で反応を引き起し、露光された領域のポリマーを現像溶液に不溶にする。続く現像段階でネガ型フォトレジストと反射防止膜との両方の未露光領域を溶解し、基体を更なる加工段階のためにきれいにするためにそれを除く。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
反射防止膜中での光酸発生剤およびフォトレジスト中の光酸発生剤は同じ波長の光に感応し、それ故に同じ露光波長の光が両方の層において酸を形成する原因になりうる。反射防止膜の光酸発生剤は使用すべきフォトレジストに依存して選択される。例として、１９３ｎｍ露光で現像されるフォトレジストについては、反射防止膜の光酸発生剤は１９３ｎｍで吸収し；そしてかゝる光酸発生剤の例にはオニウム塩およびヒドロキシイミド類のスルホナートエステル、特にジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、ジアルキルヨードニウム塩およびトリアルキルスルホニウム塩がある。２４８ｎｍ露光用のフォトレジレジストを用いるために設計された反射防止膜のための光酸発生剤はオニウム塩類、例えばジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩およびヒドロキシイミド類のスルホナートエステルがある。３６５ｎｍでの露光のための光酸発生剤はジアゾナフトキノン類、特にポリマーの酸不安定基と反応し得る強酸を生成し得る２，１，４−ジアゾナフトキノン類がある。オキシムスルホナート類、置換されたまたは非置換のナフタルイミジルトリフラート類またはスルホナート類は光酸発生剤としても公知である。表面層フォトレジストとして同じ波長の光を吸収するあらゆる光酸発生剤を使用することができる。従来公知の光酸発生剤は、米国特許第５，７３１，３８６号明細書、同第５，８８０，１６９号明細書、同第５，９３９，２３６号明細書、同第５，３５４，６４３号明細書、同第５，７１６，７５６号明細書、ドイツ特許第３，９３０，０８６号明細書、同第３，９３０，０８７号明細書、ドイツ特許出願第Ｐ４，１１２，９６７．９；Ｆ．Ｍ．Ｈｏｕｌｉｈａｎ等のＪ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎ．，３：２５９（１９９０）；Ｔ．Ｙａｍａｏｋａ等のＪ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎ．，３：２７５（１９９０）；Ｌ．Ｓｃｈｌｅｇｅｌ等のＪ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎ．，３：２８１（１９９０）またはＭ．Ｓｈｉｒａｉ等のＪ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎ．，３：３０１（１９９０）に記載されているものを使用することができる。これらに記載された内容を全てここに記載したものとする。反射防止膜の露光された領域で発生した酸は酸不安定基を含有するポリマーと反応して、ポリマーを現像剤に可溶性にしそして乾式エッチング段階なしに基体上にポジ型像を生成する。反射防止膜の露光された領域で発生する酸は酸不安定基を含有するポリマーと反応して、ポリマーを現像剤に可溶性にしそしてそれ故に乾式エッチング段階なしに基体上にポジ型像を生成する。