【手続補正書】
【提出日】平成23年5月31日(2011.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】  薄膜を堆積する方法であって、  基板を堆積チャンバ内に配置するステップと、 混合ガスを堆積チャンバへ供給するステップであって、当該混合ガスはアルキル基及びＳｉ−H結合を有するフェニル基を有するシラン化合物を有し、及び当該フェニル基を有するシラン化合物は約４００ｍｇｍ〜約１０００ｍｇｍの流量で堆積チャンバへ供給されるステップと、  堆積チャンバ内で混合ガスに電界を印加して、有機ケイ酸塩層を基板上に形成するステップとを有する方法。    【請求項２】  混合ガスが更に、酸化性ガスを含有する請求項１に記載の方法。    【請求項３】 薄膜を堆積する方法であって、 基板を堆積チャンバ内に配置するステップと、 混合ガスを堆積チャンバへ供給するステップであって、当該混合ガスはフェニルシラン（ＳｉＣ６Ｈ９）と、フェニルメチルシラン（ＳｉＣ７Ｈ１１）と、フェニルエチルシラン（ＳｉＣ８Ｈ１３）と、フェニルメチルエチルシラン（ＳｉＣ９H１５）と、フェニルメトキシシラン（ＳｉＣ７ＯＨ１１）と、フェニルエトキシシラン（ＳｉＣ８ＯＨ１３）と、フェニルメチルエトキシシラン（ＳｉＣ９ＯＨ１３）と、フェニルメトキシエトキシシラン（ＳｉＣ９Ｏ２Ｈ１３）と、これらの混合物とから成る群より選択されたフェニル基を有するシラン化合物を有するステップと、 堆積チャンバ内で混合ガスに電界を印加して、有機ケイ酸塩層を基板上に形成するステップとを有する方法。    【請求項４】  酸化性ガスが、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）と、酸素（Ｏ２）と、オゾン（Ｏ３）と、一酸化炭素（ＣＯ）と、二酸化炭素（ＣＯ２）と、窒素（Ｎ２）と、これらの混合物とから成る群より選択される請求項２に記載の方法。    【請求項５】  堆積チャンバ内で混合ガスへ印加される電界が、高周波（ＲＦ）電力である請求項１に記載の方法。    【請求項６】  ＲＦ電力が、約５０ワット〜約５００ワットである請求項５に記載の方法。    【請求項７】  堆積チャンバが、約１Ｔｏｒｒ〜約１０Ｔｏｒｒの圧力に維持される請求項１に記載の方法。    【請求項８】  酸化性ガスが、約１ｓｃｃｍ〜５００ｓｃｃｍの流量で堆積チャンバへ供給される請求項２に記載の方法。    【請求項９】  堆積チャンバの温度が、約１００℃〜約４００℃に維持される請求項１に記載の方法。    【請求項１０】  基板上へ有機ケイ酸塩層を形成する方法であって、  基板を堆積チャンバ内へ配置するステップと、 混合ガスを堆積チャンバへ供給するステップであって、当該混合ガスはアルキル基及びＳｉ−H結合を有するフェニル基を有するシラン化合物を有し、及び当該フェニル基を有するシラン化合物は約４００ｍｇｍ〜約１０００ｍｇｍの流量で堆積チャンバへ供給されるステップと、  堆積チャンバ内で混合ガスに電界を印加して、有機ケイ酸塩層を基板上に形成するステップとを有する方法。    【請求項１１】  混合ガスが更に、酸化性ガスを含有する請求項１０に記載の方法。    【請求項１２】 基板上へ有機ケイ酸塩層を形成する方法であって、 基板を堆積チャンバ内に配置するステップと、 混合ガスを堆積チャンバへ供給するステップであって、当該混合ガスはフェニルシラン（ＳｉＣ６Ｈ９）と、フェニルメチルシラン（ＳｉＣ７Ｈ１２）と、フェ��ルエチルシラン（ＳｉＣ８Ｈ１３）と、フェニルメチルエチルシラン（ＳｉＣ９H１５）と、フェニルメトキシシラン（ＳｉＣ７ＯＨ１１）と、フェニルエトキシシラン（ＳｉＣ８ＯＨ１３）と、フェニルメチルエトキシシラン（ＳｉＣ９ＯＨ１３）と、フェニルメトキシエトキシシラン（ＳｉＣ９Ｏ２Ｈ１３）と、これらの混合物とから成る群より選択されたフェニル基を有するシラン化合物を有するステップと、 堆積チャンバ内で混合ガスに電界を印加して、有機ケイ酸塩層を基板上に形成するステップとを有する方法。    【請求項１３】  酸化性ガスが、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）と、酸素（Ｏ２）と、オゾン（Ｏ３）と、一酸化炭素（ＣＯ）と、二酸化炭素（ＣＯ２）と、窒素（Ｎ２）と、これらの混合物とから成る群より選択される請求項１１に記載の方法。    【請求項１４】  堆積チャンバ内で混合ガスへ印加される電界が高周波（ＲＦ）電力である請求項１０に記載の方法。    【請求項１５】  ＲＦ電力が、約５０ワット〜約５００ワットある請求項１４に記載の方法。    【請求項１６】  堆積チャンバが、圧力約１Ｔｏｒｒ〜約１０Ｔｏｒｒに維持される請求項１０に記載の方法。    【請求項１７】  酸化性ガスが、約１ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍの流量で堆積チャンバに供給される請求項１１に記載の方法。    【請求項１８】  堆積チャンバの温度が、約１００℃〜約４００℃に維持される請求項１０に記載の方法。    【請求項１９】  デバイスを形成する方法であって、 アルキル基及びＳｉ−H結合を有するフェニル基を有するシラン化合物を有する混合ガスに電界を印加して、有機ケイ酸塩層を基板上に形成するステップと、  有機ケイ酸塩層の少なくとも１つの区域にパターンを形成するステップと、 有機ケイ酸塩層をマスクとして使用して、有機ケイ酸塩層の少なくとも１つの区域に形成されたパターンを、基板内へ転写するステップとを有する方法。    【請求項２０】  有機ケイ酸塩層を基板から除去するステップを更に有する請求項１９に記載の方法。    【請求項２１】  基板が、自身の上に形成される１つ以上の材料層を有する請求項１９に記載の方法。    【請求項２２】  有機ケイ酸塩層の少なくとも１つの区域におけるパターンの形成の工程が、  エネルギー感応性レジスト材料の層を、有機ケイ酸塩層上に形成するステップと、  エネルギー感応性レジスト材料を、パターニングを有する放射に曝露して、エネルギー感応性レジスト材料の層にパターン画像を導入するステップと、  エネルギー感応性レジスト材料の層に導入されたパターンの画像を現像するステップと、 有機ケイ酸塩層の中にパターンを転写するステップとを有する請求項１９に記載の方法。    【請求項２３】  エネルギー感応性レジスト材料の層を形成する前に有機ケイ酸塩層上に中間層を形成し、そこにパターンの画像を導入し、パターンを現像するステップと、 エネルギー感応性レジスト材料の層に現像されたパターンの画像を中間層の中に転写するステップとを更に有する請求項２２に記載の方法。    【請求項２４】  該中間層が酸化物である請求項２３に記載の方法。    【請求項２５】  該酸化物が、二酸化ケイ素と、フルオロケイ酸塩ガラス（ＦＳＧ）と、酸窒化ケイ素とから成る群より選択される請求項２４に��載の方法。    【請求項２６】  有機ケイ酸塩層が、フッ素ベースの化合物を用いて基板より除去される請求項２０に記載の方法。    【請求項２７】  フッ素基を有する化合物が、四フッ化炭素（ＣＦ４）と、フルオロメタン（ＣＦ４）と、フルオロエタン（Ｃ２Ｆ６）と、フルオロブテン（Ｃ４Ｈ８）とから成る群より選択される請求項２６に記載の方法。    【請求項２８】  有機ケイ酸塩層が、約２５０ｎｍ（ナノメートル）未満の波長に対する反射防止皮膜である請求項１９に記載の方法。    【請求項２９】  有機ケイ酸塩層が、約２５０ｎｍ未満の波長に対して、約０．１〜約０．７の光吸収係数を有する請求項１９に記載の方法。    【請求項３０】  該光吸収係数が、有機ケイ酸塩層の厚み方向に対して約０．１〜約０．７で変化する請求項２９に記載の方法。    【請求項３１】  有機ケイ酸塩層が、約１．２〜約１．７の屈折率を有する請求項１９に記載の方法。    【請求項３２】  混合ガスが、更に酸化性ガスを有する請求項１９に記載の方法。    【請求項３３】  フェニル基を有するシラン化合物が、フェニルシラン（ＳｉＣ６Ｈ９）と、フェニルメチルシラン（ＳｉＣ７Ｈ１１）と、フェニルエチルシラン（ＳｉＣ８Ｈ１３）と、フェニルメチルエチルシラン（ＳｉＣ９H１５）と、フェニルメトキシシラン（ＳｉＣ７ＯＨ１１）と、フェニルエトキシシラン（ＳｉＣ８ＯＨ１３）と、フェニルメチルエトキシシラン（ＳｉＣ９ＯＨ１３）と、フェニルメトキシエトキシシラン（ＳｉＣ９Ｏ２Ｈ１３）と、これらの混合物とから成る群より選択される請求項１９に記載の方法。    【請求項３４】  酸化性ガスが、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）と、酸素（Ｏ２）と、オゾン（Ｏ３）と、一酸化炭素（ＣＯ）と、二酸化炭素（ＣＯ２）と、窒素（Ｎ２）と、これらの混合物とから成る群より選択される請求項３２に記載の方法。    【請求項３５】  混合ガスへ印加される電界が、高周波（ＲＦ）電力である請求項１９に記載の方法。    【請求項３６】  ＲＦ電力が、約５０ワット〜約５００ワットである請求項３５に記載の方法。    【請求項３７】  有機ケイ酸塩層が、約１Ｔｏｒｒ〜約１０Ｔｏｒｒに圧力が維持される堆積チャンバ内で形成される請求項１９に記載の方法。    【請求項３８】  フェニル基を有するシラン化合物が、約４００ｍｇｍ〜約１０００ｍｇｍの流量で堆積チャンバに供給される請求項１９に記載の方法。    【請求項３９】  酸化性ガスが、約１ｓｃｃｍ〜５００ｓｃｃｍの流量で堆積チャンバに供給される請求項３７に記載の方法。    【請求項４０】  堆積チャンバの温度が、約１００℃〜約４００℃に維持される請求項３７に記載の方法。    【請求項４１】  ダマシン構造を製造する方法であって、  第１誘電体層を基板上に形成するステップと、 アルキル基及びＳｉ−H結合を有するフェニル基を有するシラン化合物を有する混合ガスに電界を印加することにより、有機ケイ酸塩層を第１誘電体層上に形成するステップと、  有機ケイ酸塩層をパターニングし、その中にコンタクト／バイアを形成するステップと、  第２誘電体層を、パターニングされた有機ケイ酸塩層層上に形成するステップと、  第２誘電体層をパターニングし、そこに、有機ケイ酸塩層に形成された該コンタクト／バイヤの上に配置される配線を形成するステップと、  第１誘電体層をエッチングし、そこにコンタクト／バイアを形成するステップと、  該コンタクト／バイア及び該配線を導電性材料で充填するステップとを有する方法。    【請求項４２】  第１誘電体層及び第２誘電体層のそれぞれが、アモルファスカーボンと、フッ素化アモルファスカーボンと、パリレンと、フッ素化ケイ酸塩ガラス（ＦＳＧ）と、ＡＦ４と、ＢＣＢと、炭化ケイ素と、酸窒化物（オキシナイトライド）と、これらの混合物とから成る群より選択される請求項４１に記載の方法。    【請求項４３】  コンタクト／バイア及び配線を充填する導電性材料が、銅と、アルミニウムと、タングステンと、これらの混合物とから成る群より選択される請求項４１に記載の方法。    【請求項４４】  混合ガスが更に、酸化性ガスを有する請求項４１に記載の方法。    【請求項４５】  フェニル基を有するシラン化合物が、フェニルシラン（ＳｉＣ６Ｈ９）と、フェニルメチルシラン（ＳｉＣ７Ｈ１１）と、フェニルエチルシラン（ＳｉＣ８Ｈ１３）と、フェニルメチルエチルシラン（ＳｉＣ９H１５）と、フェニルメトキシシラン（ＳｉＣ７ＯＨ１１）と、フェニルエトキシシラン（ＳｉＣ８ＯＨ１３）と、フェニルメチルエトキシシラン（ＳｉＣ９ＯＨ１３）と、フェニルメトキシエトキシシラン（ＳｉＣ９Ｏ２Ｈ１３）と、これらの混合物とから成る群より選択される請求項４１に記載の方法。    【請求項４６】  酸化性ガスが、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）と、酸素（Ｏ２）と、オゾン（Ｏ３）と、一酸化炭素（ＣＯ）と、二酸化炭素（ＣＯ２）と、窒素（Ｎ２）と、これらの混合物とから成る群より選択される請求項４４に記載の方法。    【請求項４７】  混合ガスに印加される電界が、高周波（ＲＦ）電力である請求項４１に記載の方法。    【請求項４８】  ＲＦ電力が、約５０ワット〜約５００ワットである請求項４７に記載の方法。    【請求項４９】  フェニル基を有するシラン化合物が、約４００ｍｇｍ〜約１０００ｍｇｍの流量で堆積チャンバに供給される請求項４４に記載の方法。    【請求項５０】  酸化性ガスが、約１ｓｃｃｍ〜５００ｓｃｃｍの流量で堆積チャンバに供給される請求項４４に記載の方法。    【請求項５１】  堆積チャンバが、約１Ｔｏｒｒ〜約１０Ｔｏｒｒの圧力に維持される請求項４９に記載の方法。    【請求項５２】  堆積チャンバの温度が、約１００℃〜約４００℃に維持される請求項４９に記載の方法。