【手続補正書】
【提出日】平成23年11月4日(2011.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理により分離可能状態になる分離層を有する第１の基板の前記分離層上に接合されて配されている第１の機能性領域を第２の基板に移設する機能性領域の移設方法であって、
前記第１の機能性領域と、前記第２の基板上の前記第１の機能性領域が移設される領域との、少なくとも一方に所定の厚さの接合層を設ける第１の工程と、
前記第１の機能性領域と前記第２の基板とを前記接合層により接合する第２の工程と、
前記第１の基板と前記第１の機能性領域とを前記分離層で分離する第３の工程と、
を含むことを特徴とする機能性領域の移設方法。
【請求項２】
前記第２の基板上の、前記第１の機能性領域以外の領域に対応する領域の表面に所定の凹凸を形成する第４の工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項３】
前記分離層を有する第１の基板の前記分離層上には接合されて複数の機能性領域があり、前記第１の機能性領域以外に第２の機能性領域を有し、
前記第４の工程は、前記第２の基板上の、前記第１の基板上に残存する前記第１の機能性領域以外の第２の機能性領域に対応する領域の表面に所定の凹凸を形成する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項４】
前記第１の基板は透光性を有し、
前記分離層は、光の照射により分解、又は、結合強度が低下する材料を含み、
前記第３の工程は、前記第１の機能性領域と前記第１の基板との間の前記分離層に光の照射を行う工程を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項５】
前記分離層は、加熱又は冷却により分解、又は、結合強度が低下する材料を含み、
前記第３の工程は、前記分離層を加熱又は冷却する工程を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項６】
前記第１及び第２の機能性領域は前記第１の基板上に所定の間隔で配列され、
前記第２の基板の前記第１の機能性領域と接合する領域は前記第２の基板上に所定の間隔で配列され、
前記第１の基板上に形成された前記機能性領域の単位領域当たりの幅をｗ、長さをｌとし、その間隔をｓとし、前記第２の基板の複数の前記第１の機能性領域と接合する単位領域当たりの幅をＷ、長さをＬ、その間隔をＳとした場合、前記ｗ、ｌ、ｓ、Ｗ、Ｌ、Ｓは以下の式１から３を満たすことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の機能性領域の移設方法。
（式１）ｌ≦Ｌ
（式２）Ｗ＞ｗ
（式３）Ｗ＋Ｓ＞ｗ＋ｓ
【請求項７】
前記第１の基板に残存する前記第２の機能性領域と、前記第２の基板上の前記第１の機能性領域を移設した領域以外の前記第２の機能性領域が移設される領域又は第３の基板上の前記第２の機能性領域が移設される領域との、少なくとも一方に所定の厚さの接合層を設ける第５の工程と、
前記第２の機能性領域と前記前記第２の基板又は第３の基板とを前記接合層により接合する第６の工程と、
前記第１の基板と前記第２の機能性領域とを前記分離層で分離する第７の工程と、
を更に含むことを特徴とする請求項３から６のいずれか１項に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項８】
前記第２の基板又は前記第３の基板上の、前記第１の基板上に残存する前記第２の機能性領域以外の領域に対応する領域の表面に所定の凹凸を形成する第８の工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項９】
前記第１の基板は透光性を有し、
前記分離層は、光の照射により分解、又は、結合強度が低下する材料を含み、
前記第７の工程は、前記第２の機能性領域と前記第１の基板との間の前記分離層に光の照射を行う工程を含むことを特徴とする請求項７又は８に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項１０】
前記分離層は、加熱又は冷却により分解、又は、結合強度が低下する材料を含み、
前記第７の工程は、前記分離層を加熱又は冷却する工程を含むことを特徴とする請求項７又は８に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項１１】
前記第２の基板は第３の機能性領域を有し、前記第１の機能性領域は、前記第３の機能性領域と前記接合層を介して接合することを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項１２】
前記第２の基板又は前記第３の基板は第４の機能性領域を有し、前記第２の機能性領域は、前記第４の機能性領域と前記接合層を介して接合することを特徴とする請求項７から１１のいずれか１項に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項１３】
前記第２の工程において、前記第１の機能性領域と前記第２の基板とは、処理により分離可能状態になる第２の分離層である前記接合層により接合され、
前記第２の基板上の前記第１の機能性領域と第４の基板との、少なくとも一方に所定の厚さの第２の接合層を設ける第９の工程と、
前記第２の基板上の全ての前記第１の機能性領域と前記第４の基板とを前記第２の接合層により接合する第１０の工程と、
前記第２の基板と前記第１の機能性領域とを前記第２の分離層である接合層で分離する第１１の工程と、を更に含むことを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項１４】
前記第１の基板に設けられた第１又は第２の機能性領域は化合物半導体膜を含み、
前記第１の基板は、
前記第１又は第２の機能性領域が、化合物半導体基板上に、エッチング犠牲層と、化合物半導体膜と、前記分離層と、前記第１の基板とを、該化合物半導体基板側からこの順に備えて形成され、且つ前記化合物半導体膜に設けられている第１の溝と、前記第１の溝に連結する様に前記第１の基板と前記化合物半導体基板の少なくとも一方の基板を貫通する様に設けられている第２の溝とを有する部材を用意する工程と、
前記第１の溝と前記第２の溝を通して、エッチング液と前記エッチング犠牲層とを接触させて、該エッチング犠牲層をエッチングし、前記部材から前記化合物半導体基板を分離する工程と、
により用意されることを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項１５】
前記第１の基板に設けられた第１又は第２の機能性領域は化合物半導体膜を含み、
前記第１の基板は、
シード基板上に界面分離層をヘテロエピタキシャル成長させる界面分離層形成工程と、
前記界面分離層上に化合物半導体膜を形成する半導体層形成工程と、
前記界面分離層及び前記化合物半導体膜が形成された前記シード基板を、前記分離層を有する前記第１の基板に前記分離層を介して接合する接合工程と、
前記接合工程を経て形成される複合部材から、前記界面分離層を利用して、前記分離層を有する前記第１の基板とともに前記化合物半導体膜を分離して、前記化合物半導体膜を有する前記第１の基板を得る分離工程と、
により用意されることを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれか１項に記載の機能性領域の移設方法を用いて製造されたことを特徴とするＬＥＤアレイ。
【請求項１７】
請求項１６に記載のＬＥＤアレイに、ロッドレンズアレイが実装されていることを特徴とするＬＥＤプリンタヘッド。
【請求項１８】
請求項１６に記載のＬＥＤアレイを含むＬＥＤプリンタヘッド又は請求項１７に記載のＬＥＤプリンタヘッドと、感光ドラムと、帯電器とを含み、
前記ＬＥＤプリンタヘッドを光源として、前記感光ドラムに静電潜像を書き込む作像ユニットを備えることを特徴とするＬＥＤプリンタ。
【請求項１９】
請求項１６に記載のＬＥＤアレイを含むＬＥＤプリンタヘッド又は請求項１７に記載のＬＥＤプリンタヘッドと、感光ドラムと、帯電器とを含み、
前記ＬＥＤプリンタヘッドを光源として、前記感光ドラムに静電潜像を書き込む作像ユニットを複数備えることを特徴とするカラーＬＥＤプリンタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
この様に、第２の機能性領域１０２を更に他の基板に移設したい場合は、第１の基板に残存する第２の機能性領域と、第３の基板上の第２の機能性領域が移設される領域との、少なくとも一方に所定の厚さの接合層を設ける。そして、第２の機能性領域１０２と第３の基板３００とを接合層３０５により接合する工程と、第１の基板１００と第２の機能性領域１０２とを分離層１１５で分離する工程を更に実行する。この場合も、図４に示す様に、第３の基板３００上の、少なくとも第１の基板１００上の第２の機能性領域以外の領域に対応する表面に、所定の凹凸３０８を形成してもよい（第８の工程）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
また、前記第２の基板や第３の基板を最終的な移設の基板とせず、前記第１の基板と同様に仮の基板とし、第２の基板や第３の基板上に移設された機能性領域を全面的に最終的な第４の基板に移設する様にすることもできる。即ち、図３と図４において、第２の基板２００や第３の基板３００を図１の第１の基板の様な基板とするのである。こうした形態では、次の様な工程が実行される。前記第２の工程において、第１の機能性領域と第２の基板とは、何らかの処理により分離可能となる第２の分離層である接合層により接合される。例えば、図３における有機絶縁層の接合層２０５を図１に示す分離層１１５の様なものに置き換える。そして、以下の第９の工程から第１１の工程が行われる。第９の工程では、第２の基板上の第２の分離層で接合された第１の機能性領域と第４の基板との、少なくとも一方に所定の厚さの第２の接合層を設ける。この第２の接合層の設け方は、前述した接合層の設け方とほぼ同様であるが、パターニングの必要は無い。第１０の工程では、第２の基板上の全ての第１の機能性領域と第４の基板とを第２の接合層により接合する。第１１の工程では、第２の基板と第１の機能性領域とを第２の分離層である接合層で分離する。この第２の分離層である接合層は、選択的に分離可能な状態にする必要がないので前述の分離層より単純な構成で設ければよい。また、仮の基板である第２の基板も、前述の第１の基板と同様な材料で構成できるが、遮光層は設ける必要がない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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