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【手続補正書】
【提出日】平成21年4月10日(2009.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホジキン病の治療において被験者に投与するための医薬の製造における抗体−薬剤コンジュゲートの使用であって、該抗体が、キメラ抗体またはヒト化抗体であり、およびリンカーを介して薬剤とコンジュゲートされており、ならびに該抗体が、
（ａ）配列番号４、配列番号６および配列番号８のアミノ酸配列を有する相補性決定領域を含む重鎖可変領域、および
（ｂ）配列番号１２、配列番号１４および配列番号１６のアミノ酸配列を有する相補性決定領域を含む軽鎖可変領域
を含み、該リンカーが、下記の式：
―Ｔａ―Ｗｗ―Ｙｙ―
（式中、−Ｔ−はストレッチャーユニットであり；ａは０または１であり；各−Ｗ−は独立的にアミノ酸ユニットであり；ｗは独立的に２〜１２の範囲の整数であり；−Y−はスペーサーユニットであり；そしてｙは１または２である。）のリンカーであり、
該薬剤が、ＭＭＡＥまたはＡＥＦＰである、上記使用。
【請求項２】
前記薬剤がＭＭＡＥである、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
前記抗体がキメラまたはヒト化ＡＣ１０抗体である、請求項１または２に記載の使用。
【請求項４】
前記抗体がキメラ抗体である場合に、該抗体が、配列番号２のアミノ酸配列を含む重鎖可変領域、配列番号１０のアミノ酸配列を含む軽鎖可変領域、ＳｗｉｓｓＰｒｏｔ受託番号Ｐ０１８５７のアミノ酸配列を有するヒトＩｇＧ１定常領域、およびＧｅｎＢａｎｋ受託番号ＰＩＤ：Ｇ１８５９４５のアミノ酸配列を有するヒト軽鎖κ定常領域を含む、請求項３に記載の使用。
【請求項５】
前記抗体−薬剤コンジュゲートが化学療法剤と組合せて被験者に投与される、請求項1または２に記載の使用。
【請求項６】
ホジキン病の予防において被験者に投与するための医薬の製造における抗体−薬剤コンジュゲートの使用であって、該抗体が、キメラ抗体またはヒト化抗体であり、およびリンカーを介して薬剤とコンジュゲートされており、ならびに該抗体が、
（ａ）配列番号４、配列番号６および配列番号８のアミノ酸配列を有する相補性決定領域を含む重鎖可変領域、および
（ｂ）配列番号１２、配列番号１４および配列番号１６のアミノ酸配列を有する相補性決定領域を含む軽鎖可変領域
を含み、該リンカーが、下記の式：
―Ｔａ―Ｗｗ―Ｙｙ―
（式中、−Ｔ−はストレッチャーユニットであり；ａは０または１であり；各−Ｗ−は独立的にアミノ酸ユニットであり；ｗは独立的に２〜１２の範囲の整数であり；−Y−はスペーサーユニットであり；そしてｙは１または２である。）のリンカーであり、
該薬剤が、ＭＭＡＥである、上記使用。
【請求項７】
ホジキン病患者における腫瘍の再発の予防のためである、請求項６に記載の使用。
【請求項８】
前記抗体がキメラまたはヒト化ＡＣ１０抗体である、請求項６に記載の使用。
【請求項９】
前記抗体がキメラ抗体である場合に、該抗体が、配列番号２のアミノ酸配列を含む重鎖可変領域、配列番号１０のアミノ酸配列を含む軽鎖可変領域、ＳｗｉｓｓＰｒｏｔ受託番号Ｐ０１８５７のアミノ酸配列を有するヒトＩｇＧ１定常領域、およびＧｅｎＢａｎｋ受託番号ＰＩＤ：Ｇ１８５９４５のアミノ酸配列を有するヒト軽鎖κ定常領域を含む、請求項６に記載の使用。
【請求項１０】
キメラ抗体またはヒト化抗体である抗体がリンカーを介して薬剤とコンジュゲートされている抗体−薬剤コンジュゲートであって、該抗体が、
（ａ）配列番号４、配列番号６および配列番号８のアミノ酸配列を有する相補性決定領域を含む重鎖可変領域、および
（ｂ）配列番号１２、配列番号１４および配列番号１６のアミノ酸配列を有する相補性決定領域を含む軽鎖可変領域
を含み、該リンカーが、下記の式：
―Ｔａ―Ｗｗ―Ｙｙ―
（式中、−Ｔ−はストレッチャーユニットであり；ａは０または１であり；各−Ｗ−は独立的にアミノ酸ユニットであり；ｗは独立的に２〜１２の範囲の整数であり；−Y−はスペーサーユニットであり；そしてｙは１または２である。）のリンカーであり、
該薬剤が、ＭＭＡＥまたはＡＥＦＰである、上記抗体−薬剤コンジュゲート。
【請求項１１】
前記抗体がキメラまたはヒト化ＡＣ１０抗体である、請求項１０に記載の抗体−薬剤コンジュゲート。
【請求項１２】
前記抗体がキメラ抗体である場合に、該抗体が、配列番号２のアミノ酸配列を含む重鎖可変領域、配列番号１０のアミノ酸配列を含む軽鎖可変領域、ＳｗｉｓｓＰｒｏｔ受託番号Ｐ０１８５７のアミノ酸配列を有するヒトＩｇＧ１定常領域、およびＧｅｎＢａｎｋ受託番号ＰＩＤ：Ｇ１８５９４５のアミノ酸配列を有するヒト軽鎖κ定常領域を含む、請求項１１に記載の抗体−薬剤コンジュゲート。
【請求項１３】
前記薬剤がＭＭＡＥである、請求項１０に記載の抗体−薬剤コンジュゲート。
【請求項１４】
請求項１０に記載の抗体−薬剤コンジュゲートの治療上の有効量と製薬上許容される担体とを含む医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月3日(2009.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体上に形成され、第１端部と第２端部を含み、少なくともその一部が半導体デバイス中のチャネルとして働くフィン構造を有し、
前記フィン構造の少なくとも一部の上に形成される、アモルファスシリコン層を有し、
アモルファスシリコン層の少なくとも一部の周辺に形成されるポリシリコン層を有し、前記アモルファスシリコン層は、フィン構造の上方の領域においてポリシリコン層を突出するものであり、
前記フィン構造の前記第１端部に接続されるソース領域を有し、
前記フィン構造の前記第２端部に接続されるドレイン領域を有する、半導体デバイス。
【請求項２】
前記半導体デバイスはＦｉｎＦＥＴである、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記アモルファスシリコン層の厚みは、前記フィン構造上の前記領域において約３００Åである、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記アモルファスシリコン層と前記ポリシリコン層とは、半導体デバイスのゲート材料層を形成する、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記フィン構造の周辺に形成される絶縁層をさらに含む、請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記絶縁層の厚みは約５０〜１００Åである、請求項５記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記絶縁層は、シリコン基板上に形成される埋込酸化膜を含む、請求項１記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月14日(2009.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オートノミック・フェイルオーバのための方法であって、
ノード内のサービス・インスタンスについてのメトリックスを収集するステップと、
前記ノード内の障害を検出するステップと、
前記障害を検出することに応じて、１組の交換ノードを突き止め、及び前記交換ノードのそれぞれについてのプラットフォーム・メトリックスを決定するステップと、
前記収集されたメトリックス及び前記プラットフォーム・メトリックスに基づいて前記交換ノードのうちの選択されたノードにおいて新しい交換サービス・インスタンスを作成するステップと
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記メトリックスが、グリッド・ホスト内で消費されるリソース、好ましいオペレーティング・システム・プラットフォーム、グリッド・ホスト内で必要な最小リソース、グリッド・ホスト内での消費のために利用可能な好ましいリソースからなる群から選択された少なくとも１つのメトリックを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記メトリックスが、パフォーマンス単位当たりのコスト、リソース消費単位当たりのコスト、パフォーマンス単位当たりの収益、及びリソース消費単位当たりの収益からなる群から選択された少なくとも１つのメトリックをさらに有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記作成するステップが、
前記収集されたメトリックスと前記プラットフォーム・メトリックスとの間で最良適合分析を実行し、新しい交換サービス・インスタンスをそこで作成するための交換ノードを識別するステップと、
前記識別された交換ノードにおいて新しい交換サービス・インスタンスを作成するステップと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記作成するステップが、
交換ノード内の既存のサービス・インスタンスについてのメトリックスをさらに収集するステップと、
前記交換ノードについて前記収集された前記メトリックス及び前記さらに収集された前記メトリックスの両方と前記プラットフォーム・メトリックスとの間で最良適合分析を実行するステップと、
前記既存のサービス・インスタンスの一部分と共存するために前記交換ノードにおいて１組の新しい交換サービス・インスタンスを作成するステップであって、前記交換ノードにおいて、前記１組の新しい交換サービス・インスタンスと前記既存のサービス・インスタンスの前記一部分が該交換ノードにおいて結合されるように計算される、前記作成するステップと、
前記既存のサービス・インスタンスのうちの他のインスタンスを他の交換ノードに変位し、及び残りの１組の新しい交換サービス・インスタンスを前記他の交換ノード内で作成するステップと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記作成するステップが、
交換ノード内の既存のサービス・インスタンスについてのメトリックスをさらに収集するステップと、
パフォーマンス単位当たりのコスト、リソース消費単位当たりのコスト、パフォーマンス単位当たりの収益、及びリソース消費単位当たりの収益からなる群から選択された少なくとも１つのメトリックを加重しながら、前記交換ノードについて前記収集された前記メトリックス及び前記さらに収集された前記メトリックスの両方と前記プラットフォーム・メトリックスとの間で最良適合分析を実行するステップと、
前記既存のサービス・インスタンスの一部分と共存するために前記交換ノードにおいて１組の新しい交換サービス・インスタンスを作成するステップであって、前記交換ノードにおいて、前記１組の新しい交換サービス・インスタンスと前記既存のサービス・インスタンスの前記一部分が、前記加重された少なくとも１つのメトリックに従い、該交換ノードにおいて結合されるように計算される、前記作成するステップと、
前記既存のサービス・インスタンスのうちの他のインスタンスを他の交換ノードに変位し、及び残りの１組の新しい交換サービス・インスタンスを前記他の交換ノード内で作成するステップと
を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
グリッド・コーディネータのための装置であって、
サービス・グリッド内の複数のグリッド・ホストに通信可能にリンクされたモニターと、
前記モニターに結合されたメトリックス・ストアであって、前記グリッド・ホスト内の個々のサービス・インスタンスについてのサービス・メトリックスを保管するメトリックス・ストアと、
障害のあるグリッド・ホスト内の１組のサービス・インスタンスについて保管されたメトリックスと、提案された交換グリッド・ホストについて決定されたプラットフォーム・メトリックスとの間の最良適合を計算するようにプログラミングされた最適化ロジックと、
前記モニター及び前記最適化ロジックに結合され且つ前記グリッド・ホストに通信可能にリンクされたフェイルオーバ・プロセッサであって、前記提案された交換グリッド・ホスト内で新しい１組のサービス・インスタンスを作成し、前記最適化ロジックにおいて計算された前記最良適合に従い前記障害のあるグリッド・ホスト内の前記１組のサービス・インスタンスを交換する、前記フェイルオーバ・プロセッサと
を備える、前記装置。
【請求項８】
前記モニターが前記グリッド・ホスト内に配置された複数の連携モニター・プロセスを有し、前記連携モニター・プロセスのそれぞれが、対応するグリッド・ホストの状態を前記フェイルオーバ・プロセッサに報告するための構成を有する、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記サービス・メトリックスが、グリッド・ホスト内で消費されるリソース、好ましいオペレーティング・システム・プラットフォーム、グリッド・ホスト内で必要な最小リソース、グリッド・ホスト内での消費のために利用可能な好ましいリソースからなる群から選択された少なくとも１つのメトリックを有する、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記サービス・メトリックスが、パフォーマンス単位当たりのコスト、リソース消費単位当たりのコスト、パフォーマンス単位当たりの収益、及びリソース消費単位当たりの収益からなる群から選択された少なくとも１つのメトリックを有する、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
コンピュータに、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法の各ステップを実行させるコンピュータ・プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月9日(2009.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浸漬リソグラフィシステムを監視する方法であって、
浸漬媒体中で露光されるウェハの少なくとも一部を浸漬する工程；
露光パターンが通過する通過部の浸漬媒体の反射率を検出する工程；及び、
ｉ）前記通過部の反射率が均一であるか、ｉｉ）前記通過部の反射率が妥当範囲内にあるか、または、ｉｉｉ）これらｉ）及びｉｉ）の両方を満たすか、を判定することにより、前記ウェハに前記露光パターンを露光するのに、前記反射率が妥当であるかどうか判定する工程、
を備える方法。
【請求項２】
前記判定する工程は、前記通過部の第１地点から第２地点までの前記反射率が均一であるかどうかを判定する工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記判定する工程は、測定装置の波長において測定された反射率を、露光パターンの波長における露光反射率に相関させる工程を含む、請求項１ないし２のいずれか一項記載の方法。
【請求項４】
前記反射率は、前記通過部の全体にわたって測定される、請求項１ないし３のいずれか一項記載の方法。
【請求項５】
前記反射率は、干渉計アセンブリによって測定される、請求項１ないし４のいずれか一項記載の方法。
【請求項６】
前記通過部の全体にわたる反射率の検出に複数のビームを用いる、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記通過部の全体にわたる反射率を求めるために、少なくとも一つのビームで前記通過部をスキャンする、請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記反射率が妥当でないと判定された場合に、前記ウェハを露光する工程を遅延させるように前記浸漬リソグラフィシステムを制御する工程をさらに備える、請求項１ないし７のいずれか一項記載の方法。
【請求項９】
前記浸漬リソグラフィシステムは、前記反射率が妥当でないと判定された場合に、所定時間待機した後に、前記反射率を検出する工程と前記反射率が妥当であるかどうか判定する工程とを繰り返すように制御される、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記浸漬リソグラフィシステムは、前記反射率が妥当でないと判定された場合に、浸漬メディア制御サブシステムにコマンドを送信するように制御される、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも前記通過部内における外来物質の存在を判定するために、前記浸漬媒体を監視する工程をさらに備える、請求項１ないし８のいずれか記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月3日(2008.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
ＡＲＱモードが「０」の場合、セクタは、バイポーラキーイング、すなわち＋１＝＞ＡＣＫ、−１＝＞ＮＡＫを用いて、リバーストラヒックチャネルパケット送信の第１、第２又は第３のサブパケットの受信に続いてフォワードＡＲＱチャネルを送信するが、それはフォワードチャネル上のサービス中のセルの一部である場合であって、それがフォワードチャネル上のサービス中のセルの一部でない場合、ＡＣＫ志向のオン・オフ・キーイング、すなわち＋１＝＞ＡＣＫ、０＝＞ＮＡＫを用いる。ＡＲＱモードはリバーストラヒックチャネルＭＡＣプロトコルの公衆データである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月6日(2009.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体上にフィン構造を形成するステップと、
前記フィン構造の少なくとも一部および前記絶縁体の一部上にゲート構造を形成するステップと、
第１スラリーを使用して前記ゲート構造の化学機械研磨（ＣＭＰ）を実行することにより、前記ゲート構造をプレーナ化するステップと、
前記第１スラリーと異なる第２スラリーを使用して前記ゲート構造のＣＭＰを実行することにより、前記フィン構造を囲む前記ゲート構造の高さを上げる一方で前記半導体デバイスのチャネル領域中の前記フィン構造上の前記ゲート構造の高さを低くする第２プレーナ化において前記ゲート構造をプレーナ化するステップと、を含む、
半導体デバイスを製造する方法。
【請求項２】
前記フィンに隣接してソース及びドレイン領域を形成するステップを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第１スラリーを使用する前記ゲート構造のＣＭＰは、前記第２スラリーを使用する前記ゲート構造のＣＭＰより速い速度でゲート材料を除去するように作用する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第１スラリーを使用する前記ゲート構造のＣＭＰを実行することにより前記ゲート構造をプレーナ化した後、前記ゲート材料層は前記半導体デバイスのチャネル領域中の前記フィン構造上に５００Åから約１５００Åの範囲にわたり延在する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記第２スラリーを使用する前記ゲート構造のＣＭＰを実行することにより前記ゲート構造（３２０）をプレーナ化した後、前記ゲート材料層は前記半導体デバイスのチャネル領域中の前記フィン構造上に約３００Å延在する、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記半導体デバイスはＦｉｎＦＥＴである、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記第１スラリーは、約１０．５から１１．５の範囲のｐＨを有しており、約０．１％から４％の範囲の濃度のアルカリ成分を含んだ、シリカベースの緩衝スラリーである、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記第２スラリーは、約１０．５から１１．５の範囲のｐＨを有しており、約０．１％から１％の範囲の濃度のアルカリ成分を含んだ、シリカベースの緩衝スラリーである、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記第２スラリーを用いた前記ゲート構造の除去レートは、略２００Å／分である、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
絶縁層上にその一部がＭＯＳＦＥＴのチャネルとして機能するフィン構造、ドレイン、およびソースを形成し、前記フィン構造の周りに絶縁層を形成するステップと、
前記フィン構造上に、前記ＭＯＳＦＥＴのゲート領域として機能するポリシリコン層をたい積するステップと、
前記ポリシリコン層を第１速度でプレーナ化するステップと、
前記ポリシリコン層を前記第１速度よりも遅い第２速度でさらにプレーナ化するステップと、を含み、
前記ポリシリコン層のさらなるプレーナ化は、前記フィン構造に隣接する領域における前記ポリシリコン層の高さを上げる一方で前記フィン構造上の前記ポリシリコン層の高さを低くする、
ＭＯＳＦＥＴデバイスを形成する方法。
【請求項１１】
前記ポリシリコン層を第１速度および第２速度でプレーナ化するステップは、第１スラリーおよび第２スラリーを使用した前記ポリシリコン層の化学機械研磨（ＣＭＰ）ステップを含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記ＭＯＳＦＥＴデバイスはＦＩＮＦＥＴである、請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
前記ポリシリコン層を第１速度でプレーナ化するステップでは、前記ポリシリコン層から略８００Åが除去される、請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
前記第２速度で前記ポリシリコン層をプレーナ化した後における前記フィン構造上の前記ポリシリコン層の厚みは、略３００Åである、請求項１０記載の方法。
【請求項１５】
絶縁層上にソース領域を形成し、
前記絶縁層上にドレイン領域を形成し、
前記絶縁層上に、その一部がＭＯＳＦＥＴのチャネルとして機能するフィン構造を形成し、
前記フィン構造と前記絶縁層との少なくとも一部の上に、前記ＭＯＳＦＥＴのゲート領域として機能するとともに前記フィン構造の上に延びるポリシリコン層をたい積し、
前記ポリシリコン層の第１プレーナ化を第１速度で実行し、
前記ポリシリコン層の第２プレーナ化を前記第１速度よりも遅い第２速度で実行し、
前記ポリシリコン層の第２プレーナ化は、前記フィン構造に隣接する領域における前記ポリシリコン層の高さを上げる一方で前記フィン構造の上の前記ポリシリコン層の高さを低くし、
前記ソース及びドレイン領域のドーピングを行う、
ＭＯＳＦＥＴデバイスを形成する方法。
【請求項１６】
前記ポリシリコン層を第１速度および第２速度でプレーナ化するステップは、第１スラリーおよび第２スラリーを使用した前記ポリシリコン層の化学機械研磨（ＣＭＰ）ステップを含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記ＭＯＳＦＥＴデバイスはＦＩＮＦＥＴである、請求項１５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月22日(2009.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のプロセッサを有するシステムであって、各々が１つのサービス・ポイントを持つ少なくとも１つのクラスタを備えたシステム、を提供するように該システムを構成する方法であって、
前記システムにおける各プロセッサから他のプロセッサまでの距離を計算するステップと、
各合計距離が１つのプロセッサに関連する、複数の合計距離を計算するステップと、
前記複数の合計距離から最小合計距離を決定するステップと、
前記最小合計距離に関連するプロセッサをサービス・ポイントとして割り当てるステップと、
前記システムを複数のクラスタに区分するステップであって、
各プロセッサに関連した合計距離に従ってプロセッサを分類するステップと、
各プロセッサを２つのクラスタの一方に割り当てるステップと、
各クラスタにおけるプロセッサに対する最小合計距離を、当該クラスタにおけるプロセッサに関連した複数の合計距離に従って決定するステップと、
各クラスタに対するサービス・ポイントとして、当該クラスタにおける最小合計距離に関連するプロセッサを割り当てるステップと、
を含むステップと、
前記２つのクラスタの１つを２つのクラスタに分割し、それによって前記システムを３つのクラスタに区分するステップと、
前記３つのクラスタにおけるプロセッサに関連した複数の合計距離に従って、前記３つのクラスタの各々におけるプロセッサに対する最小合計距離を決定するステップと、
前記最小合計距離に従って前記３つのクラスタにプロセッサを割り当てるステップと、
前記３つのクラスタの各々に対するサービス・ポイントとして、当該クラスタにおける最小合計距離に関連するプロセッサを割り当てるステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記構成する動作は、プロセッサがシステムに加えられるとき、動的に実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記構成する動作は、プロセッサがシステムから取り除かれるとき、動的に実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記システムの区分は、プロセッサがシステムから取り除かれるとき、動的に変更される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
別のプロセッサをバックアップ・サービス・ポイントとして割り当てるステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年8月3日(2009.8.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８６】
一つの態様では、上記反応は、触媒量のＣｕ＋またはＺｎ２＋の存在下に行われる。Ｃｕ＋及びＺｎ２＋の触媒量とは、それぞれ、０．１〜５モル、好ましくは１〜３モルなどの不足化学量論量を意味する。好都合には、当量のＰｄに対し約１／２当量の量で使用される。Ｃｕ＋及びＺｎ＋＋の如何なる簡便な源でも使用することができる。Ｃｕ＋は好ましくはＣｕＩの形で使用され、そしてＺｎ２＋は好都合にはＺｎ（ＣＮ）２塩として使用される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９２】
Ｃｕ＋及びＺｎ２＋の触媒量とは、それぞれ、０．１〜５％、好ましくは１〜３％などの不足化学量論量を意味する。Ｃｕ＋  及びＺｎ２＋の如何なる簡便な源でも使用できる。Ｃｕ＋は好ましくはＣｕＩの形で使用され、そしてＺｎ２＋は好都合にはＺｎ（ＣＮ）２  塩として使用されるかまたは亜鉛を用いてニッケル（ＩＩ）化合物を還元することによってその場で形成される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年5月22日(2009.5.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルス幅変調される画像表示装置のノイズを減少させる方法にあって、画像を任意に表示できる１つの期間が連続して重み付けされた複数の部分期間に分割され、１つの信号データストリームを構成し、多数のビット語の形態で存在する輝度信号が、表示すべき画像の画素に付随している方法において、
ａ）多数の連続する画素の輝度がプリセットされている１つの輝度閾値よりも大きいかどうかが、第１ステップで検査され、
ｂ）次いで第２ステップで、
−多数の連続する画素の輝度がプリセットされているこの輝度閾値よりも小さいときは、これらの多数の連続する画素の輝度値が平均化され、この平均値は、信号データストリーム内に挿入され、次いで、
−多数の連続する画素の輝度がそれぞれプリセットされている輝度閾値よりも小さくないときは、付随する多数のビット語が、変更されない形態で活性化シーケンス中の変換部に伝達され、
ｃ）この第１ステップ及びこの第２ステップは、連続する画素の各々に対して実行され、
ｄ）第１ステップで検査すべき画素の数は、少なくとも３つであることを特徴とする方法。
【請求項２】
第２ステップでは、多数の連属する画素の輝度がプリセットされている輝度閾値よりも小さいときは、多数の連続する画素の輝度値が重み付けされて平均化されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法を実施する装置において、この装置は：
−輝度信号に相当する信号データストリームを受信する１つの入力端子（Ｅ）を有し、
−多数の連続する画素の輝度がプリセットされている輝度閾値よりも小さいかどうかを検査する検査ユニット（１）を有し、
−この検査ユニット（４）によって制御されるスイッチ（４）を有し、このスイッチ（４）は、その出力側で、多数の連続する画素の輝度がプリセットされている輝度閾値よりも小さくないときは、時間遅延した信号データストリームを変更しない形態で準備し、次いで、多数の連続する画素の輝度がプリセットされている輝度閾値よりも小さいときは、平均値を求める意味で濾波された信号データストリームを準備する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
中央の信号経路内には、遅延要素２が設けられている。入力データストリームが、この遅延要素２内で２つの画素の期間だけ遅延される。遅延要素２の出力信号が、スイッチ４の上の入力部に入力される。
下の信号経路内では、入力信号がフィルタ３を通じて伝達される。３つの連続する画素が、このフィルタ３内で線形に又は重み付けされて平均化される。フィルタ３の出力信号が、スイッチ４の下の入力部に入力される。
スイッチ４の出力部が、プラズマディスプレイ５に接続されている。信号が、このプラズマディスプレイ上に表示される。
図示した回路の場合、３つの連続する画素の輝度がそれぞれ輝度閾値の下にあるときは、下の信号経路が導通する。その結果、平均値信号がディスプレイ５に入力される。３つの連続する画素の輝度がそれぞれ輝度閾値の下にないときは、中央の信号経路が導通する。その結果、遅延したもののさらに変化しなかった入力信号がディスプレイ５上にさらに伝達される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年6月16日(2009.6.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱的に関連した中圧カラム（９）及び低圧カラム（１１）を含む装置を用い、極低温蒸留により空気を分離する方法において、
圧縮され、精製された、多量の空気Ｖは交換ライン（１０）内で極低温まで冷却されて、少なくとも部分的に中圧カラムに送られ、酸素豊富及び窒素豊富ストリームは中圧カラムから低圧カラムに送られ、窒素豊富及び酸素豊富ストリームは低圧カラムから回収されるものであって、前記中圧カラムは６ないし９バールの絶対圧で動作し、交換ラインの全容量に対する交換ラインに入る空気Ｖの全量の比は、３０００ないし６０００Ｎｍ３／時間／ｍ３であることを特徴とする極低温蒸留により空気を分離する方法。
【請求項２】
酸素豊富な液体（２３）が、前記低圧カラム（１１）から槽式再煮沸器（２１）に送られ、ここで、前記中圧カラム（９）から来る窒素豊富ガスを用いて熱交換することにより部分的に気化し、再煮沸器は少なくとも２．５℃のΔＴを有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
圧縮され、精製された空気の一部は、−５０ないし−９０℃の入口温度を有するブロータービン（１９）に送られる請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記ブロータービン（１９）に送られる空気の容量に対する空気Ｖの量の比は２０ないし４０である請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記中圧カラム（９）は、２または３のセクションの構成された充填物（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）を含み、及び／または低圧カラムは、３つのセクションの構成された充填物（Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ）を含む請求１ないし４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも１つの液体ストリーム（２７，３１）は、カラム（９，１１）から回収され、加圧され、気化される請求項１ないし５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
中圧カラム（９）は６．５ないし８．５バールの絶対圧で作動しする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
低圧カラムから来る廃棄窒素ストリーム（３５）の、交換ライン（１０）におけるヘッド損失は、２００ミリバール以上である請求項１ないし７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
低圧空気ストリーム（１３）の交換ラインにおけるヘッド損失は、２５０ミリバール以上である請求項１ないし８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
空気Ｄ（１）の容量に対する空気Ｖの量の比は２０／１ないし４０／１である請求項１ないし９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
ｉ）液体空気膨張タービンには、交換ライン（１０）により産出された液体空気ストリームの全てあるいは部分が送られ；
ｉｉ）冷却セットまたは精製ユニットの入口で空気の冷却に使用されるような同様の水循環であり得る冷却セットにより製造された冷却された水は、空気過給器（５，７）により産出された空気及び／または低圧で空気を冷却し；及び／または
ｉｉｉ）ブロータービンに送られる空気Ｄの量に対する交換ラインに送られる空気Ｖの量の比が２０／１以下であるように増加した比で、空気をブロータービン（１９）に送る請求項１ないし８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記低圧カラムから回収された酸素豊富ストリームの酸素純度は、８５ないし１００％である請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
空気からの酸素抽出効率は、８５ないし１００％である請求項１ないし１２のずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
２つまたは３つのセクションの構成された充填物をもつ中圧カラム及び／または３つのセクションの構成された充填物をもつ低圧カラムを含む、請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の方法を用いる空気ガスを製造するための空気分離装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
他の任意の観点によれば、
−交換ラインの冷却端における最大温度差は１０℃であり；
−交換ラインの加温端における最大温度差は３℃であり；
−交換ラインにおける液体酸素の気化開始における最大温度差は３℃であり；
−交換ラインにおける液体酸素の気化終了における最大温度差は１０℃であり；
−酸素豊富な液体は、低圧カラムから排液再煮沸器に送られ、ここで、中圧カラムから来る窒素豊富ガスを用いて熱交換することにより部分的に気化し、再煮沸器は少なくとも２．５ｋのΔＴを有し；
−圧縮され、精製された空気の一部は、−５０ないし−９０℃の入口温度を有するブロータービンに送られ；
−ブロータービンに送られる空気の容量に対する空気Ｖの量の比は約２０ないし４０であり；
−中圧カラムは、構成された充填物の２または３のセクションを含み、及び／または低圧カラムは構成された充填物の３つのセクションを含み；
−少なくとも１つの液体ストリームは、カラムから回収され、任意に、交換ライン中で加圧され、気化され；
−中圧カラムは６．５ないし８．５バールの絶対圧で作動し；
−低圧カラムから来る廃棄窒素ストリームの、交換ラインにおけるヘッド損失は、２００ミリバール以上であり；
−低圧空気ストリームの交換ラインにおけるヘッド損失は、２５０ミリバール以上であり；
−空気Ｄの容量に対する空気Ｖの量の比は２０／１ないし４０／１であり；
ｉ）液体空気膨張タービンは、交換ラインにより産出された液体空気ストリームの全てあるいは部分によって補充され；
ｉｉ）冷却セットまたは（精製ユニットの入口で空気の冷却に使用されるような同様の水循環であり得る）冷却セットにより製造された冷却された水は、空気過給器により産出された空気及び／または低圧で空気を冷却し；及び／または
ｉｉｉ）増加された比の空気は、ブロータービンに送られる空気Ｄの量に対する交換ラインに送られる空気Ｖの量の比は２０／１以下であるようにして、ブロータービンに送られ；
−酸素純度は、８５ないし１００％、好ましくは９５ないし１００％であり、
−酸素抽出効率は、８５ないし１００％である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年3月3日(2009.3.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
有機キャリア物質は、電気的絶縁物質であってもよく、半導体物質であってもよい。電気的絶縁物質の例としては、ポリエチレン（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ポリプロピレン（ｐｏｌｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）、及びポリスチレン（ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）のようなポリビニル化合物（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）と、ポリメタクリル酸メチル（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）、ポリテレフタル酸エチレン（ｐｏｌｙｅｔｈｙｒｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔａｌａｔｅ）、及びジメタクリル酸ポリエチレングリコール（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌｄｉｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）のようなポリエステル（ｐｏｌｙｅｓｔｅｒ）と、ポリビニルアルコールとがある。キャリア物質は、好ましくは１００℃を超えるガラス転移温度（ｇｌａｓｓ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）を有する。その結果、様々な製造及び動作条件下でキャリア物質の安定性（ｓｔａｂｉｌｉｔｙ）が保証される。半導体物質の例としては、ポリチエニレンビニレン、ポリアニリン（ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ）、ポリピロール、及びポリフラニレンビニレンがある。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年5月19日(2009.5.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１３】
少なくとも一つのＣＳＣが、Ｎ−アシルホモセリンラクトン、ヒスチジンプロテインキナーゼフェロモン、Ｎ−アセチル化Ｃ−アミド化Ｄ−アミノ酸ヘキサペプチド、Ｄ−イソロイシンおよび／又はＤ−チロシンを含むＤ−アミノ酸ペプチド、環状ジペプチド、疎水性トリアミン、リポペプチド生物系界面活性剤、脂肪酸誘導体、抗菌ペプチドフラノン、ロードミン１２３および３−ヒドロキシパルミチン酸である、請求項１２の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１６】
少なくとも一つのＣＳＣが、Ｎ−アシルホモセリンラクトン、ヒスチジンプロテインキナーゼフェロモン、Ｎ−アセチル化Ｃ−アミド化Ｄ−アミノ酸ヘキサペプチド、Ｄ−イソロイシンおよび／又はＤ−チロシンを含むＤ−アミノ酸ペプチド、環状ジペプチド、疎水性トリアミン、リポペプチド生物系界面活性剤、脂肪酸誘導体、抗菌ペプチド、ハロゲン化、ヒドロキシル化若しくはアルキル化フラノン、フラノン、ロードミン１２３および３−ヒドロキシパルミチン酸より選択される群から選択される、請求項１４の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年1月29日(2009.1.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
プラスチックおよびポリマー粒子を着色するための染料およびその使用は公知である。しかし、プラスチックを内部着色するための、公知の染料自体の使用は、ますます高くなる要求を、特に光堅ろう性の点で必ずしも完全に満たしている訳ではない。したがって、高い着色強さならびに特に光堅ろう性および高温光堅ろう性を有し、そして良好な満遍ない堅ろう度特性を示す、内部着色の新規な着色方法が必要とされている。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
本発明は、プラスチックまたはポリマー粒子を着色するための式（１）の染料および／または（４）の染料とＵＶ吸収剤との、組合せの使用にも関する。本発明はさらに、上記の方法により内部着色したプラスチックに関する。
方法に関する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年6月17日(2009.6.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料電池システムであって、
燃料電池スタックであって、燃料流を受け入れるためのアノード入口、酸素流を受け入れるためのカソード入口、カソード排気ガスを排出するためのカソード排出部、及び、冷却液を該燃料電池スタックに通して誘導するための冷却液路、を含む当該燃料電池スタックと、
カソード排気凝縮器及び燃料電池スタック冷却器を含む一体型熱交換器ユニットであって、カソード排気凝縮器及び燃料電池スタック冷却器が該凝縮器及び該冷却器を通って互いに平行に流れる共通冷却空気流によって冷却されるように並列関係に配置される当該一体型熱交換器ユニットとを備え、
前記凝縮器は、カソード排気ガスから前記冷却空気流へ熱を移すために該冷却空気流と熱交換関係にある凝縮路と、カソード排気ガスをカソード排出部から受け入れるためにカソード排出部と流体連通すると共に、カソード排気ガスを該凝縮器へと分配するために該凝縮器と接続される第１入口マニホールドと、カソード排気ガスを該凝縮器から受け入れるために該凝縮器に接続される第１出口マニホールドとを含み、
前記燃料電池スタック冷却器は、冷却液から冷却空気流へ熱を移すために冷却空気流と熱交換関係にある冷却液路と、燃料電池スタックから冷却液を受け入れるために燃料電池スタックの冷却液路と流体連通すると共に、冷却液路へと冷却液を分配するために冷却液路に接続される第２入口マニホールドと、冷却液路から冷却液を受け入れるために冷却液路に接続されると共に、冷却液を燃料電池スタックの冷却液路へと向けるために該冷却液路と流体連通する第２出口マニホールドとを含む燃料電池システム。
【請求項２】
前記一体型熱交換器ユニットは、前記冷却空気流をファンシステムから前記カソード排気凝縮器及び前記燃料電池スタック冷却器に通して誘導するために前記凝縮器及び前記冷却器に取り付けられる共通ファン覆いを更に備える請求項１の燃料電池システム。
【請求項３】
前記凝縮冷却路及び前記冷却液路は、平行で離隔した複数の熱交換管を備え、
前記第１及び第２入口マニホールドは、熱交換管の第１端部に接続された共通入口ヘッダータンクと、カソード排気ガスと冷却液との混合を防ぐため、共通入口ヘッダータンク内において液密封止された第１バッフル板とを備え、
前記第１及び第２出口マニホールドは、熱交換器管の第２端部に接続された共通出口ヘッダータンクと、カソード排気ガスと冷却液との混合を防ぐため、共通出口ヘッダータンク内において液密封止された第２バッフル板とを備える請求項１の燃料電池システム。
【請求項４】
燃料電池システムであって、
燃料電池スタックであって、燃料流を受け入れるためのアノード入口、酸素流を受け入れるためのカソード入口、カソード排気ガスを排出するためのカソード排出部、及び、冷却液を該燃料電池スタックに通して誘導するための冷却液路、を含む当該燃料電池スタックと、
複数の離隔した熱交換管にして該複数の熱交換管に対し共通の共通冷却空気流と熱交換関係にある当該複数の離隔した熱交換管、熱交換管の第１端部と接続される該熱交換管に対し共通の共通入口ヘッダータンク、該入口ヘッダータンクを第１及び第２入口マニホールドへと分割するために該入口ヘッダータンク内において液密封止される第１バッフル板、熱交換管の第２端部と接続される該熱交換管に対し共通の共通出口ヘッダータンク、及び、該出口ヘッダータンクを第１及び第２出口マニホールドへと分割するために該出口ヘッダータンク内において液密封止される第２バッフル板、を含む一体型熱交換器パッケージとを備え、
前記第１入口マニホールドは、カソード排出部と流体連通して、カソード排出部からカソード排気ガスを受け入れると共に、カソード排気ガスを熱交換管の第１の組へと分配し、
前記第１出口マニホールドは、熱交換管の前記第１の組からカソード排気ガスを受け入れ、
前記第２入口マニホールドは、燃料電池スタックの冷却液路と流体連通して、該冷却液路から冷却液を受け入れると共に、熱交換管の第２の組へと冷却液を分配し、
前記第２出口マニホールドは、燃料電池スタックの冷却液路と流体連通して、熱交換管の前記第２の組から該冷却液路へと冷却液を誘導し、
熱交換管の第１及び第２の組は、前記共通冷却空気流が該熱交換管の第１及び第２の組を平行に通過するように配置される燃料電池システム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
一の形態において、一体型熱交換器ユニットは、カソード排気凝縮器及び燃料電池スタック冷却器を含み、これらは、該凝縮器及び該冷却器を平行に通って流れる共通冷却空気流によって冷却されるように並列関係に配置される。上記凝縮器は、カソード排気ガスから冷却空気流へ熱を移すために該冷却空気流と熱交換関係にある凝縮路と、カソード排出部からカソード排気ガスを受け入れるために該カソード排出部と流体連通すると共に、該カソード排気ガスを凝縮路へと分配するために該凝縮路に接続される第１入口マニホールドと、凝縮路からカソード排気ガスを受け入れるために該凝縮路に接続される第１出口マニホールドとを含む。燃料電池スタック冷却器は、冷却液から冷却空気流へ熱を移すために該冷却空気流と熱交換関係にある冷却液路と、燃料電池スタックの冷却液路から冷却液を受け入れるために該冷却液路と流体連通すると共に、冷却液を該冷却液路へと分配するために該冷却液路に接続される第２入口マニホールドと、冷却液を冷却液路から受け入れるために該冷却液路に接続されると共に、燃料電池スタックの冷却液路へと冷却液を誘導するために該冷却液路と流体連通する第２出口マニホールドとを含む。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
燃料電池スタック１１は、燃料、一般には水素含有アノードガスを燃料電池スタック１１の（複数の）アノードへと供給するためのアノードガス入口３０と、一般に空気の形態の酸素を、燃料電池スタック１１の（複数の）カソードへと供給するためのカソードガス入口３２と、該燃料電池のアノードからガスを排出させるためのアノード排出部３４と、燃料電池スタック１１のカソードからカソード排気ガスを排出するためのカソード排出部３６と、燃料電池スタック１１からの熱が、燃料電池スタック１１を所望の温度に維持するために冷却液に移され得るように、該冷却液を燃料電池スタック１１に通すための冷却液通路３８とを含む。既述したように、本発明は、燃料電池スタックのための所望温度を達成するため、冷却液へ熱を移すどのような燃料電池スタックでの使用をも見出す。例えば、本発明は、固体高分子（陽子交換膜）型燃料電池燃料電池、アルカリ燃料電池、リン酸燃料電池、固体電解質型燃料電池、溶融炭酸型燃料電池、直接メタノール燃料電池、及び再制燃料電離での使用を見出し得る。構成及び操作がよく知られているそのような燃料電池の既知で慣用な多くの形態が存在するので、また、燃料電池スタック１１の特定の細部が、選択された燃料電池の種類及び特定用途の操作パラメーターに大きく依存するので、燃料電池スタック１１の更なる説明は、簡潔さのためにここには記載されない。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年8月10日(2009.8.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
択一的な有利な実施形態は、受信コミュニケーションを操作するためのものである。例えば基地局規則へのアクセス３５０および端末規則へのアクセス３６０は異なる順番で行われてもよいし、また同時に行われてもよい。また端末規則がない場合には端末規則へのアクセス３６０は省かれる。有利な実施例では緊急受信コミュニケーションは適切なあらゆる制約より優先される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
送信コミュニケーションの処理に対して択一的な有利な実施例が存在する。例えば端末規則へのアクセス４２０および基地局規則４３０へのアクセスは、異なる順序で行われてもよいし、または同時に行われてもよい。または端末規則がない場合には端末規則４２０へのアクセスを省いてもよい。有利な実施形態では、緊急送信コミュニケーションは、適切なあらゆる制約より優先される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年1月15日(2009.1.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラクトマンナンを産生するトランスジェニックコーヒー植物細胞であって、α−Ｄ−ガラクトシダーゼ遺伝子由来の、ｍＲＮＡのアンチセンスであるリボ核酸又はその一部に転写される核酸の導入により、α−ガラクトシダーゼ活性の内在レベルが低下し、ガラクトマンナンのガラクトース枝分かれが増加するように改変した上記トランスジェニックコーヒー植物細胞。
【請求項２】
α−Ｄ−ガラクトシダーゼ遺伝子由来の、ｍＲＮＡのアンチセンスであるリボ核酸又はその一部に転写される核酸が構成的又は誘導プロモータの制御下にある、請求項１に記載のコーヒー植物細胞。
【請求項３】
前記プロモータがコーヒーｃｓｐ１プロモータである請求項２に記載の植物細胞。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の植物細胞を含有する、コーヒー植物。
【請求項５】
請求項４に記載のコーヒー植物由来のコーヒー豆を使用する段階を含む、可溶性コーヒーの調製方法。
【請求項６】
請求項４に記載の植物由来のコーヒー豆を使用する段階を含む、コーヒーの溶解度を増大させる方法。
【請求項７】
可溶性コーヒーを調製するための、請求項４に記載のコーヒー植物から得られた豆の使用。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
リボ核酸、α−Ｄ−ガラクトシダーゼ遺伝子によってコードされるｍＲＮＡのアンチセンス、又はその一部をコードする核酸は、構成的又は誘導プロモータの制御下にあることが可能で、したがってアンチセンスＲＮＡのレベルを適切に調節することが可能である。しかし、いかなる場合においても、アンチセンスコピーのレベルは、リボソームに接近できるα−Ｄ−ガラクトシダーゼポリペプチドをコードするｍＲＮＡコピー数を減少させるために十分高くなければならない。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年2月5日(2009.2.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
本明細書では、「生物学的汚染物または病原体」という用語は、１以上の消化酵素の製剤と直接的にまたは間接的に接触した際に、消化酵素、またはその受容者に悪効果を及ぼし得る汚染物または病原体を意味することを意図する。かかる生物学的汚染物または病原体には、一般に、消化酵素製剤中で発見されるか、あるいは前記製剤を感染させることが当業者に知られているウイルス、細菌（マイコプラズマ、ウレアプラズマ、ナノバクテリア、クラミジア、リケッチアのような細胞間および細胞内の細菌を含む）、酵母、カビ、真菌、プリオン、またはＴＳＥおよび／または単細胞しくは多細胞寄生生物に単独もしくは組み合わせて応答しうる同様の作用因が含有される。生物学的汚染物または病原体の例としては、以下のものが含まれるがこれに限定されない。ヒト免疫不全ウイルスおよび他のレトロウイルス、ヘルペスウイルス、フィロウイルス、シルコウイルス、パラミクソウイルス、サイトメガロウイルス、肝炎ウイルス（Ａ型肝炎、Ｂ型肝炎およびＣ型肝炎、）、ポックスウイルス、トーガウイルス、エプスタインバーウイルスおよびパルボウイルスのようなウイルス；エシェリヒア属、バチルス属、カンピロバクター属、ストレプトコッカス属およびスタファロコッカス属のような細菌；トリパノゾーマ属とマラリア原虫（プラズモディウム種を含む）のような寄生生物；酵母；カビ；真菌；マイコプラズマおよびウレアプラズマ；クラミジア；Ｃｏｘｉｅｌｌａ  ｂｕｒｎｅｔｔｉのようなリケッチア；並びに、プリオンおよび動物の伝搬性海綿状脳症（ＴＳＥ）として知られる１以上の疾患状態、例えば、スクラピー、ミンクの伝染性脳症、慢性消耗病（ミュールジカおよびヘラジカで一般に観測される）、ネコの海綿状脳症、ウシの海綿状脳症（狂牛病）、クロイツフェルト−ヤコブ病（変異型または新しい変異型のクロイツフェルト−ヤコブ病を含む）、致命的な家族性不眠症、Ｇｅｒｓｔｍａｎｎ−Ｓｔｒａｅｕｓｓｌｅｒ−Ｓｃｈｅｉｎｋｅｒ症候群、クールー；およびアルパーズ症候群に対して、単独または組み合わせて応答しうる同様の作用因。本明細書では、「活性な生物学的汚染物または病原体」という用語は、単独でまたは他の因子、例えば第２の生物学的汚染物もしくは病原体または天然のタンパク質（野生型または突然変異体）または抗体と組み合わせて、消化酵素製剤および／またはその受容者に悪効果を及ぼす可能性がある生物学的汚染物または病原体を意味することを意図する。