【手続補正書】
【提出日】平成23年4月21日(2011.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極および陰極と、前記陽極および陰極の間に形成された複数の機能層とを具備し、前記機能層は少なくとも１種類の有機半導体からなる発光機能を有した層と、前記陽極と前記発光機能を有した層との間に少なくとも１種類の遷移金属酸化物層からなる電荷注入層を有するエレクトロルミネッセント素子であって、
該遷移金属酸化物層の前記陽極に接する側における当該遷移金属と酸素の比が化学量論比よりも酸素含有率が小さくなるように酸素が含まれ、
かつ、前記遷移金属酸化物層の前記機能層に接する側の表面部分における当該遷移金属と酸素の比が、前記陽極に接する側における前記遷移金属と前記酸素との比よりも大きくなっている、有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項２】
請求項１記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記遷移金属酸化物層のうち、前記陽極側に位置する遷移金属酸化物層の比抵抗が１×１０ｅｘｐ（５）Ωｃｍ以上である有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項３】
請求項１または２記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、前記遷移金属酸化物層が複数の画素にわたって一体的に形成された有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項４】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記遷移金属酸化物層は、成膜後、表面酸化処理を行うことで形成された遷移金属酸化物層である有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項５】
請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記遷移金属酸化物層は、熱処理によって表面を酸化処理された遷移金属酸化物層を含有する有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項６】
請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記遷移金属酸化物層は、紫外線処理によって表面を酸化処理された遷移金属酸化物層を含有する有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項７】
請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記遷移金属酸化物層は、酸素を含むプラズマによって表面を酸化処理された遷移金属酸化物層を含有する有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記遷移金属酸化物層がドライプロセスで形成された有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記金属酸化物層の可視光透過率が７０%以上であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記遷移金属酸化物層は前記機能層のうち前記発光層に接している、有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記機能層は、前記発光層に接する中間層をさらに有し、
遷移金属酸化物層は前記中間層に接している、有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１２】
陽極および陰極と、前記陽極および陰極の間に形成された複数の機能層とを具備し、前記機能層は少なくとも１種類の有機半導体からなる発光機能を有した層と、前記陽極と前記発光機能を有した層との間に少なくとも１種類の遷移金属酸化物層からなる電荷注入層を有するエレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、
前記遷移金属酸化物層を形成する工程が、該遷移金属酸化物層の前記陽極に接する側における遷移金属と酸素の比が化学量論比よりも酸素含有率が小さくなるように酸素を含み、かつ、前記機能層に接する側の表面部分における前記遷移金属と酸素の比が陽極に接する側における前記遷移金属と前記酸素との比よりも大きくなるように形成する工程である有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、
前記遷移金属酸化物層を形成する工程は、遷移金属酸化物層を成膜する工程と、前記遷移金属酸化物層表面を酸化する、表面酸化処理工程を含む有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、
前記表面酸化処理工程は、熱処理によって表面を酸化処理する工程を含む有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、
前記表面酸化処理工程は、紫外線処理によって表面を酸化処理する工程を含む有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、
前記表面酸化処理工程は、酸素を含むプラズマによって表面を酸化処理する工程を含む有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項１７】
請求項１２乃至１６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、
前記遷移金属酸化物層を形成する工程はドライプロセスである有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項１８】
請求項１２乃至１７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、
前記遷移金属酸化物層を形成する工程は、前記遷移金属酸化物層を、前記陽極と、前記機能層のうち前記発光層とに接して形成する工程である、有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項１９】
請求項１２乃至１７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、
前記機能層は、前記発光層に接する中間層をさらに有し、
前記遷移金属酸化物層を形成する工程は、前記遷移金属酸化物層を、前記陽極と、前記中間層とに接して形成する工程である、有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明は、陽極および陰極と、前記陽極および陰極の間に形成された複数の機能層とを具備し、前記機能層は少なくとも１種類の有機半導体からなる発光機能を有した層と、前記陽極と前記発光機能を有した層との間に少なくとも１種類の遷移金属酸化物層からなる電荷注入層を有するエレクトロルミネッセント素子であって、該遷移金属酸化物層の該遷移金属酸化物層の前記陽極に接する側における当該遷移金属と酸素の比が化学量論比よりも酸素含有率が小さくなるように酸素が含まれ、かつ、前記遷移金属酸化物層の前記機能層に接する側の表面部分における当該遷移金属と酸素の比が、前記陽極に接する側における前記遷移金属と前記酸素との比よりも大きくなっていることを特徴とする。
通常、還元雰囲気下で成膜された酸化モリブデンなどの遷移金属酸化物は化学量論比に対して酸素欠損になっており、金属と酸素の比が化学量論比であるものに比べ比抵抗が小さく、ホールは十分に輸送可能な特性を有する。これに反し、化学量論比の酸化モリブデンは絶縁体として知られている。従ってこのようにして作製したホール注入層に、大気中での熱処理、ＵＶ処理、酸素プラズマ処理等の表面酸化処理を施すと表面のみ酸化が進行し相対的に酸素の比率が増加し、化合物の理論比に近づくことで、絶縁性が向上し、その結果電子ブロッキング機能が発揮されるようになる。また、複数の画素にまたがるようにホール注入層を形成した場合は比抵抗が小さい場合はクロストークが起きやすくなり画像のコントラストが低下するため、もともとの成膜時の比抵抗は、コントラストの要求仕様にもよるが、一定以上の抵抗を有することが好ましい。さらに酸化が進んですべてが化学量論比になってしまうと逆に注入効率が大きく損なわれることが実験からわかっており、酸素欠損の領域と化学量論比に近い値を持つ領域とが共存することが必要である。化学量論比に組成が近い場合は前述のように絶縁体であるためホールが注入される機構としては、トンネル電流によると考えられる。従って、この層に電子ブロッキング機能を持たせることも可能となり有機材料から形成される電子ブロッキング層を省略することもでき、より膜厚が薄くなることによって低電圧駆動であってかつ発光効率の高い有機エレクトロルミネッセント素子を提供することが可能となる。
また、本発明は、上記有機エレクトロルミネッセント素子において、前記遷移金属酸化物層のうち、前記陽極側に位置する遷移金属酸化物層の比抵抗が１×１０ｅｘｐ（５）Ωｃｍ以上であるものを含む。
また、本発明は、上記有機エレクトロルミネッセント素子において、前記遷移金属酸化物層が複数の画素にわたって一体的に形成されたものを含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、本発明は、上記有機エレクトロルミネッセント素子において、前記機能層は、前記発光層に接する中間層をさらに有し、遷移金属酸化物層は前記中間層に接しているものを含む。
また、本発明は、陽極および陰極と、前記陽極および陰極の間に形成された複数の機能層とを具備し、前記機能層は少なくとも１種類の有機半導体からなる発光機能を有した層と、前記陽極と前記発光機能を有した層との間に少なくとも１種類の遷移金属酸化物層からなる電荷注入層を有するエレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、前記遷移金属酸化物層を形成する工程が、該遷移金属酸化物層の前記陽極に接する側における遷移金属と酸素の比が化学量論比よりも酸素含有率が小さくなるように酸素を含み、かつ、前記機能層に接する側の表面部分における前記遷移金属と酸素の比が陽極に接する側における前記遷移金属と前記酸素との比よりも大きくなるように形成する工程である。
また、本発明は、上記有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、前記遷移金属酸化物層を形成する工程は、遷移金属酸化物層を成膜する工程と、前記遷移金属酸化物層表面を酸化する、表面酸化処理工程を含む。
また、本発明は、上記有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、前記表面酸化処理工程は、熱処理によって表面を酸化処理する工程を含む。
また、本発明は、上記有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、前記表面酸化処理工程は、紫外線処理によって表面を酸化処理する工程を含む。
また、本発明は、上記有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、前記表面酸化処理工程は、酸素を含むプラズマによって表面を酸化処理する工程を含む。
また、本発明は、上記有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、前記遷移金属酸化物層を形成する工程はドライプロセスである。
また、本発明は、上記有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、前記遷移金属酸化物層を形成する工程は、前記遷移金属酸化物層を、前記陽極と、前記機能層のうち前記発光層とに接して形成する工程である。
また、本発明は、上記有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、前記機能層は、前記発光層に接する中間層をさらに有し、前記遷移金属酸化物層を形成する工程は、前記遷移金属酸化物層を、前記陽極と、前記中間層とに接して形成する工程であるものを含む。