Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月7日(2011.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装面となる下面に陽極端子と陰極端子が夫々対向する２箇所に露呈するように構成された４端子構造のチップ形固体電解コンデンサの電気特性を検査する検査装置であって、信号ラインとしてのマイクロストリップラインとグランドをそれぞれ表面に形成した基板と、この基板上に被検査体となるコンデンサを載置して位置決め保持する測定部と、ネットワークアナライザからの信号をネットワークアナライザの入力ポート及び出力ポートとの間でマイクロストリップラインとグランドの２端子で接続される同軸ケーブルを経由して入出力する信号入力部ならびに信号出力部からなり、上記信号入力部ならびに信号出力部で４端子回路網を構成するように接続されたコンデンサの検査装置において、前記基板に形成されたグランドは、前記マイクロストリップラインの両側に形成され、上記測定部内のマイクロストリップラインならびにグランドに上記コンデンサの下面に設けられた４つの端子と夫々当接して信号を入出力するためのピン状の測定端子を植設したコンデンサの検査装置。
【請求項２】
マイクロストリップラインならびにグランドに植設された測定端子のコンデンサの端子との当接部を円錐状にした請求項１に記載のコンデンサの検査装置。
【請求項３】
マイクロストリップラインならびにグランドに植設された測定端子が、コンデンサの各端子に対して２本以上植設したものである請求項１に記載のコンデンサの検査装置。
【請求項４】
測定部の基板上に被検査体となるコンデンサを載置して位置決め保持するガイド板を配設した請求項１に記載のコンデンサの検査装置。
【請求項５】
測定部の基板上に載置された被検査体となるコンデンサを基板に押し付けるように付勢する加圧部を設けた請求項１に記載のコンデンサの検査装置。
【請求項６】
測定部の基板上に被検査体となるコンデンサを搬入して載置し、また、取り出しを行う供給部を設けた請求項１に記載のコンデンサの検査装置。
【請求項７】
ネットワークアナライザから信号を付加した時に、ネットワークアナライザの入力ポート及び出力ポートへの入射波と反射波の比により算出されるＳパラメータを用いて演算を行って被検査体であるコンデンサのインピーダンス（等価直列インダクタンス）を算出する演算部を設けた請求項１に記載のコンデンサの検査装置。
【請求項８】
演算部により算出されたインピーダンス、またはインピーダンスに関連した情報を表示する表示部を設けた請求項７に記載のコンデンサの検査装置。
【請求項９】
演算部により算出されたインピーダンス、またはインピーダンスに関連した情報に基づいて加圧部または供給部の制御を行う制御部を設けた請求項７に記載のコンデンサの検査装置。
【請求項１０】
演算部により算出されたインピーダンス、またはインピーダンスに関連した情報を記録する記録部を設け、この記録部での統計を元に、被検査体であるコンデンサの検査及び特性等の管理を制御部で行うようにした請求項９に記載のコンデンサの検査装置。
【請求項１１】
実装面となる下面に陽極端子と陰極端子が夫々対向する２箇所に露呈するように構成された４端子構造のチップ形固体電解コンデンサの検査方法であって、
ネットワークアナライザに接続されて４端子回路網を構成するように形成された基板の表面に、信号ラインとしてのマイクロストリップラインと、このマイクロストリップラインの両側にグランドを形成し、この基板に設けたマイクロストリップラインに被検査体であるコンデンサの前記陽極端子を接続し、基板に設けたグランドにコンデンサの前記陰極端子を接続することにより、コンデンサをマイクロストリップラインとグランド間に接続してインピーダンスを測定するようにしたコンデンサの検査方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記課題を解決するために本発明は、実装面となる下面に陽極端子と陰極端子が夫々対向する２箇所に露呈するように構成された４端子構造のチップ形固体電解コンデンサの電気特性を検査する検査装置であって、信号ラインとしてのマイクロストリップラインとグランドをそれぞれ表面に形成した基板と、この基板上に被検査体となるコンデンサを載置して位置決め保持する測定部と、ネットワークアナライザからの信号をネットワークアナライザの入力ポート及び出力ポートとの間でマイクロストリップラインとグランドの２端子で接続される同軸ケーブルを経由して入出力する信号入力部ならびに信号出力部からなり、上記信号入力部ならびに信号出力部で４端子回路網を構成するように接続されたコンデンサの検査装置において、前記基板に形成されたグランドは、前記マイクロストリップラインの両側に形成され、上記測定部内のマイクロストリップラインならびにグランドに上記コンデンサの下面に設けられた４つの端子と夫々当接して信号を入出力するためのピン状の測定端子を植設した構成のものである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月3日(2011.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に設けられた多層配線と、
前記多層配線を覆うように前記半導体基板上に設けられた無機系絶縁膜と、
前記無機系絶縁膜上に設けられた第１有機系絶縁膜と、
前記第１有機系絶縁膜上に設けられた再配線と、
前記再配線を覆うように前記第１有機系絶縁膜上に設けられた第２有機系絶縁膜と、
を含み、
前記再配線は、前記半導体基板の面内において、互いに電気的に分離された第１パターンおよび第２パターンを有しており、
前記多層配線の最上配線の一部上であって前記無機系絶縁膜および前記第１有機系絶縁膜に設けられた第１開口部で、前記第１パターンは、前記多層配線と電気的に接続されており、
前記第２パターンは、前記多層配線と電気的に分離されており、
前記第１パターンの一部上であって前記第２有機系絶縁膜に設けられた第２開口部で、前記第１パターンの一部が露出しており、
前記第１パターンと前記第２パターンとが、前記半導体基板の面内で混在して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１パターンの一部上には、前記第１パターンと電気的に接続されるバンプ電極が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、
前記半導体基板は、第１領域およびその周囲の第２領域を面内で有する半導体チップを構成しており、
前記第１パターンは、前記第２領域に設けられており、
前記第２パターンは、前記第１領域および前記第２領域に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２パターンの平面形状が、円形状または全ての角が鈍角の多角形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２パターンの加工寸法は、前記第１パターンの加工寸法以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置において、
前記再配線は、前記半導体基板の面内における占有率が、３５％以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置において、
前記再配線は、前記半導体基板の面内における占有率が、６０％以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
（ａ）半導体基板上に多層配線を形成した後、前記多層配線を覆うように前記半導体基板上に第１絶縁膜を形成する工程、
（ｂ）前記第１絶縁膜上に第２絶縁膜を形成する工程、
（ｃ）前記多層配線の最上配線の一部上の前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜に、前記最上配線の一部を露出する第１開口部を形成する工程、
（ｄ）電解メッキ法を用いて、前記第１開口部の内部を埋め込むように前記第２絶縁膜上に第１パターンを構成する再配線を形成すると共に、前記第１パターンとは電気的に分離されるように前記第２絶縁膜上に第２パターンを構成する前記再配線を形成する工程、
（ｅ）前記再配線を覆うように前記半導体基板上に第３絶縁膜を形成した後、前記第１パターンの一部上であって、前記第１パターンの一部を露出する第２開口部を前記第３絶縁膜に形成する工程、
を含み、
前記工程（ｄ）では、前記第１パターンと前記第２パターンとが前記半導体基板の面内で混在するように前記再配線を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
（ｆ）前記工程（ｄ）前に、計算機を用いた自動設計によって、前記第１パターンおよび前記第２パターンを前記半導体基板の面内で位置決めする工程、
を更に含み、
前記工程（ｆ）は、
（ｆ１）前記半導体基板の面内に前記第１パターンを配置した第１処理パターンを形成する工程、
（ｆ２）前記半導体基板の全面に前記第２パターンを配置した第２処理パターンを形成する工程、
（ｆ３）前記第１処理パターンと前記第２処理パターンを合成する工程、
（ｆ４）前記工程（ｆ３）の後、前記第１パターンから一定の間隔内にある前記第２パターンを算出し、削除する工程、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
（ａ）第１チップ領域および第２チップ領域から構成されるショット領域を有する半導体ウエハを準備する工程、
（ｂ）前記半導体ウエハ上に多層配線を形成した後、前記多層配線を覆うように前記半導体ウエハ上に第１絶縁膜を形成する工程、
（ｃ）前記第１絶縁膜上に第２絶縁膜を形成する工程、
（ｄ）前記第１チップ領域において、前記多層配線の最上配線の一部上の前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜に、前記最上配線の一部を露出する第１開口部を形成する工程、
（ｅ）メッキ法を用いて、前記第１チップ領域において、前記第１開口部の内部を埋め込むように前記第２絶縁膜上に第１パターンを構成する再配線を形成すると共に、前記第１パターンとは電気的に分離されるように前記第２絶縁膜上に第２パターンを構成する前記再配線を形成する工程、
（ｆ）前記再配線を覆うように前記半導体基板上に第３絶縁膜を形成した後、前記第１パターンの一部上であって、前記第１パターンの一部を露出する第２開口部を前記第３絶縁膜に形成する工程、
を含み、
前記工程（ｅ）では、前記第１チップ領域において、前記第１パターンと前記第２パターンとが前記半導体基板の面内で混在するように前記再配線を形成すると共に、前記第２チップ領域において、前記第１パターンとは電気的に分離された第３パターンを構成する前記再配線を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体基板上に設けられた多層配線と、
前記多層配線を覆うように前記半導体基板上に設けられたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に設けられた再配線と、
前記再配線を覆うように前記パッシベーション膜上に設けられた第１絶縁膜と、
を含み、
前記再配線は、前記半導体基板の面内において、互いに電気的に分離された第１パターンおよび第２パターンを有しており、
前記多層配線の最上配線の一部上であって前記第１絶縁膜に設けられた第１開口部で、前記第１パターンは、前記多層配線と電気的に接続されており、
前記第２パターンは、前記多層配線と電気的に分離されており、
前記第１パターンの一部上であって前記第１絶縁膜に設けられた第２開口部で、前記第１パターンの一部が露出しており、
前記第１パターンと前記第２パターンとが、前記半導体基板の面内で混在して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置において、
前記第２パターンの一部上には、前記第２パターンと電気的に接続されるバンプ電極が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月22日(2010.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
近年の電子機器は、小型化・薄型化に加え、高性能化・多機能化が進んでいる。そのような電子機器の仕様を実現させるために、電子機器において最も重要な構成要素である半導体装置についても、小型化・薄型化が進み、さらに端子数も増加する傾向にある。このような状況下における半導体装置の構造として、従来のＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）型パッケージのように封止樹脂部分の外周に突出していた外部リードをなくした、いわゆるＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型のパッケージやＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型のパッケージなどが一般的によく知られている。これらのパッケージは、半導体装置の下面側に、電気的接続を行うための外部電極としての半田ボールをマトリクス状に配置している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図１Ａ（ｂ）は、図１Ａ（ａ）に示すプリント配線板１−１をＡ−Ｂ線で切断したときの断面図である。さらに、図１Ｂは、図１Ａ（ｂ）に示したプリント配線板１−１の断面拡大図である。図１Ｂにおいて、基板コア７の上下両面には、パターニングされた導体層２が積層されている。また、基板コア７には、穴が開けられて貫通している部分があり、ビア３を形成している。基板コア７が貫通しているビア３の表面には、銅箔メッキが施されているため、基板コア７の上下両面の導体層２は、電気的に接続される。プリント配線板１−１の上面のボンディングパッド配置領域５以外の部分、およびプリント配線板１−１の下面のボール配置領域１０以外の部分には、ソルダーレジスト４が塗布されている。また、基板コア７の表面に銅箔メッキが施されたビア３は、ソルダーレジスト４で埋められている。ここで、ソルダーレジスト４は、ボンディングパッド配置領域５よりプリント配線板１−１の中心側である中央部分において凸部４０を形成している。つまり、プリント配線板１−１の中央部分において、塗布されたソルダーレジスト４の厚みは、ソルダーレジスト４が塗布されるその他の領域よりも厚くなっている。一方、開口されたボンディングパッド配置領域５には、ボンディングパッド６が配置され、さらに、ボンディングパッド６の表面は、Ｎｉメッキ８とＡｕメッキ９とで被服されている。また、ボール配置領域１０の導体層２の表面は、Ｎｉメッキ８とＡｕメッキ９とで被服されている。このように、図１Ａおよび図１Ｂに示すプリント配線板１−１は、図１１に示す従来のプリント配線板１０１に比べて、ソルダーレジスト４が形成する凸部４０を構成する点で異なる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2009194079.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月14日(2011.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハのバンプ電極面に形成される半導体用接着組成物であって、（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミド、（ｂ）エポキシ化合物、（ｃ）潜在性硬化剤を含有し、（ｂ）エポキシ化合物が固形エポキシ化合物と液状エポキシ化合物を含有し、（ｂ）エポキシ化合物１００重量部に対し（ｃ）潜在性硬化剤が１０重量部以上３５重量部以下であることを特徴とする半導体用接着組成物。
【請求項２】
（ｃ）潜在性硬化剤がアミンアダクト型潜在性硬化剤をイソシアネートで処理したマイクロカプセル型潜在性硬化剤である請求項１記載の半導体用接着組成物。
【請求項３】
（ｂ）エポキシ化合物において、液状エポキシ化合物が全エポキシ化合物に対し、２０重量％以上８０重量％以下であり、（ｂ）エポキシ化合物１００重量部に対し（ａ）有機溶媒可溶性ポリイミドが１０重量部以上１００重量部以下である請求項１または２記載の半導体用接着組成物。
【請求項４】
バンプ電極が形成された半導体素子を複数個形成した半導体ウェハの上に、請求項１〜３のいずれか記載の半導体用接着組成物を仮接着し、その後ダイシングにより個片化を行い、個片化した半導体用接着組成物付き半導体素子を回路基板に搭載し、半導体素子上に形成された電極と回路基板上の電極を直接接触させることで電気的接続を行う半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか記載の半導体用接着組成物の硬化物を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月16日(2010.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ搭載部と、
前記チップ搭載部を支持する複数の吊りリードと、
第１辺を備えた表面、および前記表面に形成され、かつ、平面視において前記第１辺に沿って配置された複数の電極パッドを有し、前記チップ搭載部上に搭載された半導体チップと、
平面視において前記半導体チップの前記第１辺に沿って配置され、かつ、平面視において前記複数の吊りリードのうちの互いに隣り合う吊りリード間に配置された複数のリードと、
前記複数の電極パッドと前記複数のリードとをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する封止体と、
を含み、
前記複数のリードのうちの互いに隣り合うリード間のピッチは、前記複数の電極パッドのうちの互いに隣り合う電極パッド間のピッチよりも大きく、
前記複数の吊りリードは、第１吊りリードと、前記第１吊りリードの隣に配置された第２吊りリードとを有し、
前記複数のリードは、前記第１吊りリードと前記第２吊りリードとの間に配置された第１リードと、前記第１リードと前記第１吊りリードとの間に配置された第２リードと、前記第２リードと前記第１吊りリードとの間に配置された第３リードと、前記第１リードと前記第２吊りリードとの間に配置された第４リードと、前記第４リードと前記第２吊りリードとの間に配置された第５リードとを有し、
前記第２及び第４リードのそれぞれの先端部は、平面視において、前記第１リードの先端部よりも前記半導体チップから遠くに位置し、
前記第３及び第５リードのそれぞれの先端部は、平面視において、前記第２及び第４リードのそれぞれの先端部よりも前記半導体チップから遠くに位置し、
前記複数のワイヤは、前記第１リードと電気的に接続される第１ワイヤと、前記第２リードと電気的に接続される第２ワイヤと、前記第３リードと電気的に接続される第３ワイヤと、前記第４リードと電気的に接続される第４ワイヤと、前記第５リードと電気的に接続される第５ワイヤとを有し、
前記半導体チップの第１辺と前記第２ワイヤとの平面視において成す広角度は、前記半
導体チップの前記第１辺と前記第１ワイヤとの平面視において成す広角度よりも大きく、
前記半導体チップの第１辺と前記第３ワイヤとの平面視において成す広角度は、前記半
導体チップの前記第１辺と前記第２ワイヤとの平面視において成す広角度よりも大きく、
前記半導体チップの第１辺と前記第４ワイヤとの平面視において成す広角度は、前記半
導体チップの前記第１辺と前記第１ワイヤとの平面視において成す広角度よりも大きく、
前記半導体チップの第１辺と前記第５ワイヤとの平面視において成す広角度は、前記半導体チップの前記第１辺と前記第４ワイヤとの平面視において成す広角度よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記複数のリードのそれぞれは、第１部分と、平面視において前記第１部分よりも前記半導体チップから遠くに位置する第２部分とを有し、
前記複数のリードのそれぞれの前記第１部分の前記先端部は、平面視において、前記半導体チップと対向し、
前記複数のワイヤのそれぞれは、前記複数のリードのそれぞれの前記第１部分と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記チップ搭載部の平面視における外形寸法は、前記半導体チップの平面視における外形寸法よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記複数の吊りリードは、第１吊り部と、第２吊り部とを有し、
前記第１吊り部の平面視における幅は、前記第２吊り部の平面視における幅よりも大きく、
前記複数のワイヤは、前記第１ワイヤと、前記第２ワイヤと、前記第３ワイヤと、前記第４ワイヤと、前記第５ワイヤと、第６ワイヤと、第７ワイヤとを有し、
前記第６ワイヤは、前記第１吊りリードの前記第１吊り部と電気的に接続されており、
前記第７ワイヤは、前記第２吊りリードの前記第１吊り部と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月13日(2011.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換により電荷を生成及び蓄積する複数の光電変換素子と、
電荷を保持するための一のフローティングディフュージョン部と、
前記複数の光電変換素子に蓄積された電荷を前記一のフローティングディフュージョン部にそれぞれ転送する複数の転送スイッチと、
前記一のフローティングディフュージョン部に保持された電荷に対応する電圧を増幅する増幅トランジスタと
を含む画素回路を２次元に配列した撮像領域と、
前記複数の転送スイッチを制御する垂直走査回路と、
前記増幅トランジスタにより増幅された電圧を読み出すための水平走査回路と、
前記増幅トランジスタに供給する電源電圧を制御することにより前記増幅トランジスタを活性状態にし、前記増幅トランジスタに供給する電源電圧を制御することにより前記増幅トランジスタを不活性状態にする電源回路とを有し、
前記増幅トランジスタの活性状態を維持したまま前記複数の転送スイッチが前記複数の光電変換素子の電荷を順次前記一のフローティングディフュージョン部に転送し、前記水平走査回路により前記複数の光電変換素子の電荷に応じた電圧を順次読み出すことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記増幅トランジスタの活性状態を維持する期間は、水平走査期間の少なくとも一部を含むことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記水平走査回路は、前記一のフローティングディフュージョン部の電圧をリセットした状態で前記増幅トランジスタが出力するリセット出力電圧と前記光電変換素子の電荷を前記一のフローティングディフュージョン部に転送した状態で前記増幅トランジスタが出力する信号出力電圧との差分を出力し、
前記増幅トランジスタを活性状態にした後において、前記一のフローティングディフュージョン部をリセットしてから前記複数の光電変換素子のうちの最初の光電変換素子の前記リセット出力電圧のサンプルホールドまでの期間と、前記複数の光電変換素子のうちの最初の光電変換素子の電荷の転送から２番目の光電変換素子の前記リセット出力電圧のサンプルホールドまでの期間とが同じ長さであることを特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記画素回路は、さらに前記一のフローティングディフュージョン部の電圧をリセットするリセットトランジスタを有し、
前記複数の光電変換素子の電荷を前記一のフローティングディフュージョン部に転送し、該フローティングディフュージョン部に転送された電荷に対応する電圧を増幅した出力電圧をサンプルホールドしてから、前記一のフローティングディフュージョン部をリセットすることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
光電変換により電荷を生成及び蓄積する複数の光電変換素子と、
電荷を保持するための一のフローティングディフュージョン部と、
前記複数の光電変換素子に蓄積された電荷を前記一のフローティングディフュージョン部にそれぞれ転送する複数の転送スイッチと、
前記一のフローティングディフュージョン部に保持された電荷に対応する電圧を増幅する増幅トランジスタと
を含む画素回路を２次元に配列した撮像領域と、
前記複数の転送スイッチを制御する垂直走査回路と、
前記増幅トランジスタにより増幅された電圧を読み出すための水平走査回路と、
前記増幅トランジスタに供給する電源電圧を制御することにより前記増幅トランジスタを活性状態にして前記増幅トランジスタに供給する電源電圧を制御することにより前記増幅トランジスタを不活性状態にする電源回路とを有する固体撮像装置の駆動方法であって、
前記増幅トランジスタの活性状態を維持したまま前記複数の転送スイッチが前記複数の光電変換素子の電荷を順次前記一のフローティングディフュージョン部に転送し、前記水平走査回路により前記複数の光電変換素子の電荷に応じた電圧を順次読み出すことを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の固体撮像装置は、光電変換により電荷を生成及び蓄積する複数の光電変換素子と、電荷を保持するための一のフローティングディフュージョン部と、前記複数の光電変換素子に蓄積された電荷を前記一のフローティングディフュージョン部にそれぞれ転送する複数の転送スイッチと、前記一のフローティングディフュージョン部に保持された電荷に対応する電圧を増幅する増幅トランジスタとを含む画素回路を２次元に配列した撮像領域と、前記複数の転送スイッチを制御する垂直走査回路と、前記増幅トランジスタにより増幅された電圧を読み出すための水平走査回路と、前記増幅トランジスタに供給する電源電圧を制御することにより前記増幅トランジスタを活性状態にし、前記増幅トランジスタに供給する電源電圧を制御することにより前記増幅トランジスタを不活性状態にする電源回路とを有し、前記増幅トランジスタの活性状態を維持したまま前記複数の転送スイッチが前記複数の光電変換素子の電荷を順次前記一のフローティングディフュージョン部に転送し、前記水平走査回路により前記複数の光電変換素子の電荷に応じた電圧を順次読み出すことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の固体撮像装置の駆動方法は、光電変換により電荷を生成及び蓄積する複数の光電変換素子と、電荷を保持するための一のフローティングディフュージョン部と、前記複数の光電変換素子に蓄積された電荷を前記一のフローティングディフュージョン部にそれぞれ転送する複数の転送スイッチと、前記一のフローティングディフュージョン部に保持された電荷に対応する電圧を増幅する増幅トランジスタとを含む画素回路を２次元に配列した撮像領域と、前記複数の転送スイッチを制御する垂直走査回路と、前記増幅トランジスタにより増幅された電圧を読み出すための水平走査回路と、前記増幅トランジスタに供給する電源電圧を制御することにより前記増幅トランジスタを活性状態にして前記増幅トランジスタに供給する電源電圧を制御することにより前記増幅トランジスタを不活性状態にする電源回路とを有する固体撮像装置の駆動方法であって、前記増幅トランジスタの活性状態を維持したまま前記複数の転送スイッチが前記複数の光電変換素子の電荷を順次前記一のフローティングディフュージョン部に転送し、前記水平走査回路により前記複数の光電変換素子の電荷に応じた電圧を順次読み出すことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月15日(2011.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置であって、
ネットワークの識別子を設定する設定手段と、
前記設定された識別子に対応するネットワークに参加し通信する通信手段と、
現在参加している第１のネットワークとは異なる第２のネットワークに参加する場合、該第２のネットワークの識別子として、前記第１のネットワークの識別子と関連する識別子を前記設定手段により設定するよう制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記第１のネットワークの識別子を構成する文字列が前記第２のネットワークの識別子に含まれるよう制御することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記第２のネットワークの識別子として、前記第１のネットワークの識別子を構成する前記文字列に拡張文字列を付加した識別子を前記設定手段により設定するよう制御することを特徴とする請求項２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記拡張文字列は、前記第１のネットワークからの分岐階層を示す文字列を含むことを特徴とする請求項３に記載の通信装置。
【請求項５】
前記拡張文字列は、同じ分岐階層に存在する他のネットワークと区別するための識別文字列を含むことを特徴とする請求項４に記載の通信装置。
【請求項６】
前記拡張文字列は、前記第２のネットワークで利用されるアプリケーションを識別可能な所定の文字列を含むことを特徴とする請求項３に記載の通信装置。
【請求項７】
前記所定の文字列は、前記アプリケーションで用いられるプロトコルを示す文字列を含むことを特徴とする請求項６に記載の通信装置。
【請求項８】
前記拡張文字列は、前記第２のネットワークへの参加を指示したユーザを識別可能な文字列を含むことを特徴とする請求項３に記載の通信装置。
【請求項９】
前記拡張文字列は、前記第１のネットワークの識別子を構成する前記文字列と前記拡張文字列との区切りを識別可能とするためのデリミタを先頭に含むことを特徴とする請求項３乃至８の何れか一項に記載の通信装置。
【請求項１０】
周辺に存在するネットワークを探索し前記第１のネットワークと関連するネットワークを検出する検出手段を更に備え、
前記制御手段は、更に、前記検出手段により検出されたネットワークの識別子と前記第２のネットワークの識別子とが互いに異なるように前記第２のネットワークの識別子を決定する
ことを特徴とする請求項１乃至９の何れか一項に記載の通信装置。
【請求項１１】
前記制御手段は、更に、前記第２のネットワークを新規ネットワークとして構築するよう前記通信手段を制御することを特徴とする請求項１乃至１０何れか一項に記載の通信装置。
【請求項１２】
前記制御手段は、更に、ステーションとして、前記第２のネットワークに参加するよう前記通信手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項１３】
周辺に存在するネットワークを探索し前記第１のネットワークと関連するネットワークを検出する検出手段と
前記検出手段により検出された１以上のネットワークの識別子を一覧表示する表示手段と、
前記表示手段により一覧表示された前記１以上のネットワークの識別子の中からの１つの識別子の選択指定をユーザから受け付ける受付手段と、
を更に備え、
前記制御手段は、前記第２のネットワークの識別子として、前記受付手段により受け付けた前記１つの識別子を前記設定手段により設定するよう制御する
ことを特徴とする請求項１２に記載の通信装置。
【請求項１４】
ネットワークの識別子を設定する設定手段と、前記設定された識別子に対応するネットワークに参加し通信する通信手段と、を備える通信装置の制御方法であって、
現在参加している第１のネットワークとは異なる第２のネットワークに参加する場合、該第２のネットワークの識別子として、前記第１のネットワークの識別子と関連する識別子を前記設定手段により設定するよう制御する制御工程を含むことを特徴とする通信装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信装置およびその制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上述の問題点を解決するために本発明の通信装置は以下の構成を備える。すなわち、通信装置において、ネットワークの識別子を設定する設定手段と、前記設定された識別子に対応するネットワークに参加し通信する通信手段と、現在参加している第１のネットワークとは異なる第２のネットワークに参加する場合、該第２のネットワークの識別子として、前記第１のネットワークの識別子と関連する識別子を前記設定手段により設定するよう制御する制御手段と、を備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上述の問題点を解決するために本発明の通信装置の制御方法は以下の構成を備える。すなわち、ネットワークの識別子を設定する設定手段と、前記設定された識別子に対応するネットワークに参加し通信する通信手段と、を備える通信装置の制御方法において、現在参加している第１のネットワークとは異なる第２のネットワークに参加する場合、該第２のネットワークの識別子として、前記第１のネットワークの識別子と関連する識別子を前記設定手段により設定するよう制御する制御工程を含む。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月18日(2011.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音響発生部と、前記音響発生部の外周を取り囲むフレームとを有するスピーカにおいて、
前記フレームの外周面に、リブ状又は溝状の識別手段が設けられているスピーカ。
【請求項２】
前記フレームの前記外周面にコネクタが設けられ、前記識別手段は前記外周面の周方向における前記コネクタの両側に設けられている請求項１に記載のスピーカ。
【請求項３】
取り付け用のフランジを有し、前記識別手段は前記フランジの表面に設けられている請求項１または２に記載のスピーカ。
【請求項４】
前記識別手段は、前記フレームの中心軸線に対して略平行に配置されている請求項１から３の何れか１項に記載のスピーカ。
【請求項５】
前記識別手段は、その数によって前記スピーカを識別する請求項１から４の何れか１項に記載のスピーカ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月28日(2011.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明者は、前記課題を解決するため巻筒体収納箱の支持部材の折り線傾斜角度を検討することで、飛び出し防止性能と取り出し性という二つの相反する性能を両立し調和が取れることを見出し、本発明をなすに至った。
すなわち、本発明は前板１、底板２、後板３、脇板８、及び補助脇板９、９´の各面で形成される上部が開口した収納室１２と、その収納室１２の後板３の上端縁から開閉可能で収納室１２を覆う方向に連接した蓋板４、その蓋板４の前端縁から前板１を覆う方向に延出した掩蓋片５、掩蓋片脇板１０、及び掩蓋片補助脇板１１の各面で形成される蓋体１３とからなる直方体の箱体と、上記収納室１２に収納される巻筒体Ｒからなり、補助脇板９には巻筒体Ｒの内部へ挿入可能で巻筒体Ｒを支持するための支持部材１４´が切れ線と、折り線または半切れ線によって形成され、脇板８には折り線または半切れ線を介して収納室１２内部へ押し込み可能で支持部材１４´を巻筒体Ｒの内部へ挿入させるための窓１４が形成された巻筒体収納箱において、上記支持部材１４´を形成する上記折り線または半切れ線は、上記前板１側を上端とし上記後板３側を下端とする傾斜が付与されており、上記底板２に平行な直線となす角度θが、４°以上１２°以下の範囲であることを特徴とする巻筒体収納箱である。
また、本発明は、上記巻筒体収納箱において、前記支持部材１４´の最大横幅がＬ、折り線水平幅がＳ、最大縦幅がＨ、芯体Ｒ１の内径がＤとした時に
０．５≦Ｌ／Ｄ≦０．７        １式
０．４≦Ｓ／Ｄ≦０．６４      ２式
０．４≦Ｈ／Ｄ≦０．７        ３式
の各条件を満たすことを特徴とする巻筒体収納箱である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の巻筒体収納箱において、支持部材１４´の最大横幅Ｌと直交する最大縦幅Ｈと芯体Ｒ１の内径Ｄの関係は、０．４≦Ｈ／Ｄ≦０．７（３式）であることが好ましい。Ｈ／Ｄ＜０．４の時、支持部材１４´と芯体Ｒ１内部との引っ掛かり具合が不十分で、飛び出し防止性能も不十分になる傾向にある。また、Ｈ／Ｄ＞０．７の場合は支持部材１４´の長さが長いために取り出し時に芯体Ｒ１内部と支持部材１４´が接触する距離が長くなり完全に取り出すまでに負荷の掛かる時間が長くなることで消費者に扱いにくさを感じさせる傾向にある。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月17日(2011.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の：
容器；
粉末から離れて配置された振動膜を含む流動化部材により流動化された上記容器内の粉末医薬製剤；及び
上記容器内に粉末医薬製剤を保持するためのシール
を含んでなる、医薬パッケージ。
【請求項２】
前記容器がブリスターパッケージを含んでなる、請求項１に記載の医薬パッケージ。
【請求項３】
前記ブリスターパッケージが凹部を備えた下層を含んでなる、請求項２に記載の医薬パッケージ。
【請求項４】
前記ブリスターパッケージが前記下層上にシール可能な上層を含んでなる、請求項３に記載の医薬パッケージ。
【請求項５】
前記層のうち少なくとも１つが金属を含む、請求項４に記載の医薬パッケージ。
【請求項６】
前記層の両方が金属を含む、請求項４に記載の医薬パッケージ。
【請求項７】
前記容器が少なくともカプセルの一部である、請求項１に記載の医薬パッケージ。
【請求項８】
前記容器が少なくともバイアルの一部である、請求項１に記載の医薬パッケージ。
【請求項９】
前記容器がボトルである、請求項１に記載の医薬パッケージ。
【請求項１０】
前記容器を充填する前に計量チャンバー内の粉末を計量することをさらに含む工程により作られる請求項１に記載の医薬パッケージ。
【請求項１１】
前記計量チャンバーを回転することをさらに含む工程により作られる請求項１０に記載の医薬パッケージ。
【請求項１２】
粉末医薬製剤を、当該粉末と接触する振動部材によって流動化する処理によって作製される請求項１に記載の医薬パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月22日(2011.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、車体フレーム２のセンターフレーム６の後方下部には、ピボットシャフト２４が左右（水平方向）に挿通されている。ピボットシャフト２４には、中空のスイングアーム（リアフォーク）２５が揺動自在に支持されており、スイングアーム２５の上方にはリアクッション２６が、車体フレーム２とスイングアーム２５の後端部とを連結する形で取り付けられている。そして、スイングアーム２５の後端部には、リアフェンダ２０の下方で回転自在に後輪２６が支持されており、スイングアーム２５内には、エンジン１５の動力を後輪２６に伝えるプロペラシャフトが回転自在に設けられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
本実施形態では、カバープレート３５にシフトペダル３８や左ステップ３９を取り付け可能にして、ホーン２８のカバー部材と、シフトペダル３８等の支持部材を兼用した。しかし、本発明は、これに限らず、シフトペダル３８やステップ３９はカバープレート３５とは別の部材を介して車体フレームに取り付けてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2010100195.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2010100195.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2010100195.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月25日(2011.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎｉ；０．５〜４．８質量％，Ｓｉ；０．０８〜１．４質量％を含有する時効析出型銅合金からなり、条材の長手方向に直交する断面において、板厚の厚い厚板部と、この厚板部よりも板厚の薄い薄板部とを備えた銅合金異形条材であって、前記厚板部の板厚ｔ１と前記薄板部の板厚ｔ２との板厚比ｔ１／ｔ２が、１．２≦ｔ１／ｔ２≦２０の範囲となるように設定され、前記厚板部の引張強度ＴＳ１と前記薄板部の引張強度ＴＳ２との比ＴＳ２／ＴＳ１が、１．０５≦ＴＳ２／ＴＳ１≦１．２の範囲内に設定され、前記厚板部の導電率ＥＣ１と前記薄板部の導電率ＥＣ２とが、ＥＣ１＞ＥＣ２の関係とされ、前記厚板部の導電率ＥＣ１が５０％ＩＡＣＳ以上であることを特徴とする銅合金異形条材。
【請求項２】
請求項１に記載の銅合金異形条材であって、
前記時効析出型銅合金が、Ｎｉ及びＳｉの他に、Ｓｎ；０．１〜０．９質量％、Ｚｎ；０．１〜３．０質量％を含有する銅合金であることを特徴とする銅合金異形条材。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の銅合金異形条材であって、
前記時効析出型銅合金が、Ｎｉ及びＳｉの他に、Ｍｇ；０．０５〜０．４５質量％を含有する銅合金であることを特徴とする銅合金異形条材。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の銅合金異形条材の製造方法であって、
前記厚板部と前記薄板部とを形成する異形加工工程の後に、溶体化処理工程及び時効処理工程を有することを特徴とする銅合金異形条材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この課題を解決するために、本発明に係る銅合金異形条材は、Ｎｉ；０．５〜４．８質量％，Ｓｉ；０．０８〜１．４質量％を含有する時効析出型銅合金からなり、条材の長手方向に直交する断面において、板厚の厚い厚板部と、この厚板部よりも板厚の薄い薄板部とを備えた銅合金異形条材であって、前記厚板部の板厚ｔ１と前記薄板部の板厚ｔ２との板厚比ｔ１／ｔ２が、１．２≦ｔ１／ｔ２≦２０の範囲となるように設定され、前記厚板部の引張強度ＴＳ１と前記薄板部の引張強度ＴＳ２との比ＴＳ２／ＴＳ１が、１．０５≦ＴＳ２／ＴＳ１≦１．２の範囲内に設定され、前記厚板部の引張強度ＴＳ１と前記薄板部の引張強度ＴＳ２とが、ＴＳ１＜ＴＳ２の関係とされ、前記厚板部の導電率ＥＣ１と前記薄板部の導電率ＥＣ２とが、ＥＣ１＞ＥＣ２の関係とされ、前記厚板部の導電率ＥＣ１が、５０％ＩＡＣＳ以上であることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る銅合金異形条材によれば、条材の長手方向に直交する断面において互いに厚さの異なる厚板部と薄板部とを備えており、厚板部の板厚ｔ１と薄板部の板厚ｔ２との板厚比ｔ１／ｔ２が、１．２≦ｔ１／ｔ２≦２０の範囲となるように設定されていることにより、薄板部の曲げ加工性及び打ち抜き加工性を確保できるとともに、厚板部の強度向上を図ることができる。板厚比ｔ１／ｔ２は、１．５≦ｔ１／ｔ２≦４．０の範囲内とすることがさらに好ましい。
また、厚板部の引張強度ＴＳ１と薄板部の引張強度ＴＳ２との比ＴＳ２／ＴＳ１が、１．０５≦ＴＳ２／ＴＳ１≦１．２の範囲内に設定されていることにより、薄板部の強度を確保することができ、曲げ加工及び打ち抜き加工等を良好に行うことができるとともに薄板部の板厚を薄くすることができる。この場合、厚板部の引張強度ＴＳ１と薄板部の引張強度ＴＳ２との比ＴＳ２／ＴＳ１が１．０５以上とされているので、薄板部での強度を確保でき、薄板部における曲げ加工性及び打ち抜き加工性の向上を図ることができる。また、厚板部の引張強度ＴＳ１と前記薄板部の引張強度ＴＳ２との比ＴＳ２／ＴＳ１が１．２以下とされているので、この銅合金異形条材を特殊な処理を行うことなく製出することができる。
また、厚板部の導電率ＥＣ１と薄板部の導電率ＥＣ２とが、ＥＣ１＞ＥＣ２の関係とされているので、厚板部の導電率が確保でき、厚板部において熱の放散を促進することが可能となる。この場合、厚板部の導電率ＥＣ１が、５０％ＩＡＣＳ以上であることから、厚板部において導電性及び放熱性を確保することができる。そこで、例えば、厚板部を加工して芯線圧着部を成形することにより接続信頼性の向上を図ることができる。また、厚板部を加工してヒートシンク部を成形することにより、電子部品等から発生する熱を効率良く放散することが可能となる。
ここで、本発明に係る銅合金異形条材は、Ｎｉ；０．５〜４．８質量％，Ｓｉ；０．０８〜１．４質量％を含有する時効析出型銅合金で構成されていることから、厚板部と薄板部とにおいて析出粒子の析出状態をそれぞれ調整することで、前述のように、厚板部と薄板部との特性を互いに異なるものにすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
さらに、前記時効析出型銅合金を、Ｎｉ及びＳｉの他に、Ｓｎ；０．１〜０．９質量％、Ｚｎ；０．１〜３．０質量％を含有する銅合金としてもよい。
また、前記時効析出型銅合金を、Ｎｉ及びＳｉの他に、Ｍｇ；０．０５〜０．４５質量％を含有する銅合金としてもよい。
これらの場合には、強度、曲げ加工性、導電性（放熱性）のバランスに優れた銅合金異形条材を製作することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月27日(2011.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メディエーター遊離抑制薬及び抗コリン薬を含む医薬組成物。
【請求項２】
メディエーター遊離抑制薬がトラニラスト、アンレキサノクス、ペミロラストカリウム又はそれらの塩から選ばれた少なくとも一種である請求項１記載の医薬組成物。
【請求項３】
抗コリン薬が、ベラドンナ総アルカロイド、ベラドンナエキス、アトロピン、ホマトロピン、スコポラミン、ロートエキス、ダツラエキス、ヨウ化イソプロパミド、臭化メチルベナクチジウム及び臭化プロパンテリン又はその塩からなる群から選ばれた少なくとも一種である請求項１又は２記載の医薬組成物。
【請求項４】
鼻炎に対する予防治療薬である請求項１〜３のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項５】
アレルギー性鼻炎に対する予防治療薬である請求項１〜３のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項６】
かぜ症候群における鼻炎症状に対する予防治療薬である請求項１〜３のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項７】
鼻漏症状に対する予防治療薬である請求項１〜３のいずれかに記載の医薬組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
すなわち、本発明の医薬組成物は、メディエーター遊離抑制薬及び抗コリン薬を有効成分として含む。メディエーター遊離抑制薬は、例えば、トラニラスト、アンレキサノクス、ペミロラストカリウム又はそれらの塩から選ばれた少なくとも一種であってもよい。また、抗コリン薬は、例えば、ベラドンナ総アルカロイド、ベラドンナエキス、アトロピン、ホマトロピン、スコポラミン、ロートエキス、ダツラエキス、ヨウ化イソプロパミド、臭化メチルベナクチジウム及び臭化プロパンテリン又はその塩からなる群から選ばれた少なくとも一種であってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月8日(2011.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
気体導入口７４ａに供給管４２ａが接続され、気体導出口７４ｂに供給管４２ｂが接続される。フッ素ガスは、供給管４２ａから気体導入口７４ａを通して気体圧縮室７３に導入され、気体圧縮室７３から気体導出口７４ｂを通して供給管４２ｂに排出される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月12日(2011.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポピドンヨード及びヨウ化カリウムを含有してなる消毒液に放射線を照射して滅菌する滅菌方法。
【請求項２】
前記消毒液には２０ｇ／Ｌ以下のヨウ化カリウムが含有されることを特徴とする請求項１に記載の滅菌方法。
【請求項３】
前記消毒液に含まれるポピドンヨードの濃度は１０％より高いことを特徴とする請求項１又は２に記載の滅菌方法。
【請求項４】
前記消毒液は容器内に密封された後に放射線を照射されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の滅菌方法。
【請求項５】
請求項４に記載の滅菌方法により滅菌されてなる消毒液収容キット。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の滅菌方法により滅菌されてなる消毒液。
【請求項７】
ポピドンヨード液を放射線照射により滅菌する前に、予めヨウ化カリウムを添加することを特徴とする、ポピドンヨード液の有効ヨウ素量の低減抑制方法。
【請求項８】
請求項７に記載の有効ヨウ素量の低減抑制方法により、放射線照射による有効ヨウ素量の低減が抑制されたポピドンヨード液。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月9日(2011.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記第１案内部は、前記支持部材の反凹部側を支持する複数の第１案内ローラを有し、前記押ローラは前記支持部材の凹部に前記遮煙部材の挿入部を挿入するとともに前記支持部材を直接又は前記遮煙部材を介して支持し、また前記第２案内部は前記挿入部を両側から支持する第２案内ローラを有するとともに前記露出部を支持する第３案内ローラを有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の遮煙部材の挿入治具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
更に本発明は、前記第１案内部は、前記支持部材の反凹部側を支持する複数の第１案内ローラを有し、前記押ローラは前記支持部材の凹部に前記遮煙部材の挿入部を挿入するとともに前記支持部材を直接又は前記遮煙部材を介して支持し、また前記第２案内部は前記挿入部を両側から支持する第２案内ローラを有するとともに前記露出部を支持する第３案内ローラを有している遮煙部材の挿入治具である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月27日(2011.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
板厚が０．１ｍｍ〜０．４ｍｍである薄板ガラス基板のスクライブ予定ラインに対し、基板に熱的損傷を与えない温度で加熱するようにレーザビームを相対移動させながらスクライブ予定ラインに沿って照射し、次いで冷却することにより、基板を貫通しないクラックがスクライブ予定ライン上を進行するようにして、スクライブラインを形成する薄板ガラス基板のスクライブ方法であって、
冷却された前記基板がレーザ照射面側に凹となる変形をする板厚および走査速度の加工条件でスクライブラインを形成する場合には、基板吸着機構を備えたテーブル上に前記基板を吸着させた状態で、レーザ照射と冷却とを行うことを特徴とするスクライブ方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記冷却された基板がレーザ照射面側に凹となる変形をする板厚および走査速度の加工条件は、スクライブラインが形成される前記基板の板厚が前記基板に対するレーザビームの走査速度に対して式（１）を満たす板厚よりも小さい場合である請求項１に記載のスクライブ方法。
ｙ＝７．５ｘ−２．８ ・・・（１）
ここで、ｙは走査速度（ｍｍ／秒）、ｘは板厚（ｍｍ）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
上記課題を解決するためになされた本発明のガラス基板のスクライブ方法は、板厚が０．１ｍｍ〜０．４ｍｍである薄板ガラス基板上のスクライブ予定ラインに対し、基板に熱的損傷を与えない温度で加熱するようにレーザビームを相対移動させながらスクライブ予定ラインに沿って照射し、次いで冷却することにより、基板を貫通しないクラックがスクライブ予定ライン上を進行するようにして、スクライブラインを形成する薄板ガラス基板のスクライブ方法であって、冷却された基板がレーザ照射面側に凹となる変形をする板厚および走査速度の加工条件でスクライブラインを形成する場合には、基板吸着機構を備えたテーブル上に前記基板を吸着させた状態で、レーザ照射と冷却とを行うようにする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月14日(2011.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリアリーレンスルフィド樹脂スラリーを熱交換するにあたり、熱交換器として、スパイラル式熱交換器を使用して熱交換を行うことを特徴とする樹脂スラリーの処理方法。
【請求項２】
ポリアリーレンスルフィド樹脂スラリーを１５０℃以上の温度に加熱し、冷却後、固液分離を行うスラリー処理方法であって、加熱及び冷却にスパイラル式熱交換器を使用することを特徴とする請求項１記載の樹脂スラリーの処理方法。
【請求項３】
ポリアリーレンスルフィド樹脂が重合終了後にフラッシュ法で回収されたポリアリーレンスルフィド樹脂であることを特徴とする請求項１または２記載の樹脂スラリーの処理方法。
【請求項４】
スパイラル式熱交換器が横型スパイラル式熱交換器であることを特徴とする請求項１から３のいずれか記載の樹脂スラリーの処理方法。
【請求項５】
加熱前のポリアリーレンスルフィド樹脂スラリーを加熱されたポリアリーレンスルフィド樹脂スラリーで熱交換することを特徴とする請求項１から４のいずれか記載の樹脂スラリーの処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
すなわち、本発明は、
（１）ポリアリーレンスルフィド樹脂スラリーを熱交換するにあたり、熱交換器として、スパイラル式熱交換器を使用して熱交換を行うことを特徴とする樹脂スラリーの処理方法
（２）ポリアリーレンスルフィド樹脂スラリーを１５０℃以上の温度に加熱し、冷却後、固液分離を行うスラリー処理方法であって、加熱及び冷却にスパイラル式熱交換器を使用することを特徴とする（１）記載の樹脂スラリーの処理方法
（３）ポリアリーレンスルフィド樹脂が重合終了後にフラッシュ法で回収されたポリアリーレンスルフィド樹脂であることを特徴とする（１）または（２）記載の樹脂スラリーの処理方法
（４）スパイラル式熱交換器が横型スパイラル式熱交換器であることを特徴とする（１）から（３）のいずれか記載の樹脂スラリーの処理方法
（５）加熱前のポリアリーレンスルフィド樹脂スラリーを加熱されたポリアリーレンスルフィド樹脂スラリーで熱交換することを特徴とする（１）から（４）のいずれか記載の樹脂スラリーの処理方法
である。