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【手続補正書】
【提出日】平成23年1月27日(2011.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アニリンと活物質原料を含有する溶液に、酸化剤を加えて活物質微粒子を生成させるとともに、該微粒子の表面でアニリンを重合させることを特徴とする、活物質コアがポリアニリンで被覆されたコア・シェル構造を有する電極材料前駆体の製造方法。
【請求項２】
前記電極材料前駆体の平均粒径が５〜１，０００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の電極材料前駆体の製造方法。
【請求項３】
前記活物質原料として燐酸塩を使用し、前記酸化剤として三価の鉄の塩を使用することにより、コアがＦｅＰＯ４燐酸鉄（ＩＩＩ）である電極材料前駆体を得ることを特徴とする請求項１又は２に記載の電極材料前駆体の製造方法。
【請求項４】
前記活物質原料としてＴｉ（ＯＣｎＨ２ｎ＋１）４を使用し（式中、ｎ＝１〜５の整数を表す）、前記酸化剤として（ＮＨ４）２Ｓ２Ｏ８又は三価の鉄の塩を使用することにより、コアがＴｉＯ２である電極材料前駆体を得ることを特徴とする請求項１又は２に記載の電極材料前駆体の製造方法。
【請求項５】
アニリンを含有する有機溶媒溶液に、過マンガン酸塩の水溶液を加えることにより、活物質コアがＭｎＯ２である電極材料前駆体を得ることを特徴とする請求項１又は２に記載の電極材料前駆体の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載された製造方法で得られた電極材料前駆体を、還元雰囲気中３００〜９００℃で熱処理することを特徴とする、活物質コアが炭素で被覆されたコア・シェル構造を有する電極材料の製造方法。
【請求項７】
前記熱処理を、０．１〜１０％（容量％）の水素を含有する還元雰囲気中で行うことを特徴とする請求項６に記載の電極材料の製造方法。
【請求項８】
請求項３に記載された製造方法で得られた電極材料を、リチウム塩及び砂糖の存在下に、前記還元雰囲気中で熱処理することにより、活物質コアがＬｉＦｅＰＯ４である電極材料を得ることを特徴とする請求項６又は７に記載の電極材料の製造方法。
【請求項９】
請求項４に記載された製造方法で得られた電極材料を、リチウム塩の存在下に、前記還元雰囲気中で熱処理することにより、活物質コアがＬｉ４Ｔｉ５Ｏ１２である電極材料を得ることを特徴とする請求項６又は７に記載の電極材料の製造方法。
【請求項１０】
請求項５に記載された製造方法で得られた電極材料を、前記還元雰囲気中で熱処理することにより、活物質コアがＭｎ３Ｏ４である電極材料を得ることを特徴とする請求項６又は７に記載の電極材料の製造方法。
【請求項１１】
前記電極材料の平均粒径が５〜１，０００ｎｍであることを特徴とする請求項６〜１０のいずれか１項に記載の電極材料の製造方法。
【請求項１２】
請求項６〜１１のいずれか１項に記載の電極材料の製造方法により得られる電極材料を用いた電極。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電極を用いた電池。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月22日(2010.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
半導体基板（４、１１）を用意する工程と、
前記半導体基板（４、１１）に素子形成領域を形成するためのトレンチ（５）を形成す
る工程と、
前記素子形成領域に第１導電型拡散層（８）を形成する工程と、
前記第１導電型拡散層（８）の表層部に第２導電型拡散層（９）および第１導電型高濃度層（１０）を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１導電型拡散層（８）を形成する工程では、前記半導体基板（４、１１）に不純
物をイオン注入する工程と、熱処理により前記不純物を熱拡散させる熱処理工程と、を有し、前記不純物をイオン注入する工程および前記熱処理工程では、前記不純物をイオン注入する際のドーズ量をＳ、前記不純物を熱処理する際の熱拡散係数をＤ、前記不純物の熱処理時間をｔ、前記半導体基板（４、１１）の表面のうち前記不純物を注入する部分と前記トレンチ（５）との最短距離をＬとし、
【数１】
2010040980.tif 000001
となるように、前記ドーズ量および前記半導体基板（４、１１）における前記不純物をイオン注入する位置を設定して前記不純物をイオン注入する工程を行うと共に、前記熱処理する温度に基づいて前記熱拡散係数および前記熱処理時間を設定して前記熱処理工程を行い、前記第１導電型拡散層（８）を前記トレンチ（５）から離間して形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【数２】
2010040980.tif 000002
となるように、ドーズ量および半導体基板（４、１１）における不純物をイオン注入する位置を設定して不純物をイオン注入する工程を行うと共に、熱処理する温度に基づいて熱拡散係数および熱処理時間を設定して熱処理工程を行い、第１導電型拡散層（８）をトレンチ（５）から離間して形成することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【数３】
2010040980.tif 000003
具体的には、このような式を満たすように、リンをイオン注入する工程および熱処理する工程では、ドーズ量およびＳＯＩ基板４におけるリンをイオン注入する位置を設定してリンをイオン注入する工程を行うと共に、熱処理する温度に基づいて熱拡散係数および熱処理時間を設定して熱処理する工程を行っている。なお、本実施形態では、ｎ型拡散層８を形成した際に、ｎ型拡散層８が埋込絶縁膜２にも到達しないように、リンをイオン注入する工程および熱処理する工程を行っている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図３（ａ）は、トレンチ５とリンをイオン注入する部分との最短距離を１．４μｍとして半導体装置を製造したときの欠陥の存否をカソードルミネッセンス法で測定した結果を示す図であり、図３（ｂ）はトレンチ５とリンをイオン注入する部分との最短距離を８．４μｍとして半導体装置を製造したときの欠陥の存否をカソードルミネッセンス法で測定した結果を示す図である。図３（ａ）および図３（ｂ）中の実線Ａはｐ型拡散層９の表面を計測したものであり、実線Ｂはｎ型拡散層８の表面のうちｐ型拡散層９とｎ＋型高濃度層１０との間の部分を計測したものである。なお、図３（ａ）および図３（ｂ）は、リンをイオン注入する工程および熱処理する工程において、ドーズ量Ｓを２×１０15cm-2、熱処理する温度を１１７０℃、熱拡散係数Ｄを６．５×１０−１３ｃｍ2/秒、熱処理時間ｔを２４０分として行っている。したがって、トレンチ５とリンをイオン注入する部分との最短距離Ｌが６μｍ以上のときにｎ型拡散層８がトレンチ５に到達しないようにすることができる。また、カソードルミネッセンス法でＳｉを測定した場合には、Ｓｉ結晶中に欠陥が存在すると波長が１３８０ｎｍ付近より大きい波長にてピークが測定されることが知られている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、図４は、ＳＯＩ層３のうちトレンチ５から距離Ｌ以上離れた部分にリンをイオン注入したときの半導体装置の特性変動発生率を示す図である。なお、図４では、図３と同様に、リンをイオン注入する工程および熱処理する工程において、ドーズ量Ｓを２×１０15cm-2、熱処理する温度を１１７０℃、熱拡散係数Ｄを６．５×１０−１３ｃｍ2/秒、熱処理時間ｔを２４０分として行っている。したがって、トレンチ５とリンをイオン注入する部分との最短距離Ｌが６μｍ以上のときにｎ型拡散層８がトレンチ５に到達しないようにすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月5日(2011.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
始端端子から終端端子まで１本の又は複数の導体を１本にした導体を備えるアンテナであって、
前記導体は、内周部及び外周部を有し、前記内周部で形成される磁界の向きと前記外周部で形成される磁界の向きとが同相となるように配線されることを特徴とするアンテナ。
【請求項２】
前記導体は、前記外周部の巻数が前記内周部の巻数よりも多くなるように配線されることを特徴とする請求項１記載のアンテナ。
【請求項３】
前記導体は、前記内周部から前記外周部に電流を流す第１の経路と、前記外周部から前記内周部に電流を流し、前記第１の経路と対になる第２の経路と、を有することを特徴とする請求項１記載のアンテナ。
【請求項４】
前記導体は、複数の前記一対の第１の経路及び第２の経路を有することを特徴とする請求項３記載のアンテナ。
【請求項５】
始端端子から終端端子まで１本の又は複数の導体を１本にした導体を備えるアンテナであって、
前記導体は、内周部及び外周部を有し、前記内周部を流れる電流の方向と前記外周部を流れる電流の方向とが反対方向となるように配線されることを特徴とするアンテナ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アンテナ
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光電変換素子と、
前記第１の光電変換素子の出力電流を増幅した第１の電流を出力する第１の増幅回路と、
前記第１の光電変換素子とは異なる分光感度特性を有する第２の光電変換素子と、
前記第２の光電変換素子の出力電流を増幅した第２の電流を出力する第２の増幅回路と、
第１のスイッチを介して供給される第１の電位に応じて第１の電荷を蓄積し、第２のスイッチを介して供給される前記第１の電流に応じて前記第１の電荷を放電する第１の容量素子と、
前記第１の容量素子の一方の電極の電位と第２の電位とを比較する第１のコンパレータと、
第１のクロック信号を生成する第１のクロック生成回路と、
前記第１のクロック信号をカウントアップして得られる第１のカウント値を出力する第１のカウンター回路と、
前記第１のコンパレータより出力される信号に応じて前記第１のカウント値をラッチし、前記ラッチした前記第１のカウント値を第１のデジタル信号として出力するラッチ回路と、
第３のスイッチを介して供給される前記第１の電位に応じて第２の電荷を蓄積し、第４のスイッチを介して供給される前記第２の電流に応じて前記第２の電荷を放電する第２の容量素子と、
前記第２の容量素子の一方の電極の電位と前記第２の電位とを比較する第２のコンパレータと、
第２のクロック信号を生成する第２のクロック生成回路と、
前記第２のクロック信号をカウントアップして得られる第２のカウント値を出力する第２のカウンター回路と、
前記第２のコンパレータより出力される信号に応じて前記第２のカウント値をラッチし、前記ラッチした前記第２のカウント値を第２のデジタル信号として出力するラッチ回路と、
前記第１のデジタル信号と前記第２のデジタル信号との差分を出力するための減算回路と、を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の容量素子に前記第１の電荷が蓄積された後、前記第１のカウンタ回路がリセットされ、
前記第２の容量素子に前記第２の電荷が蓄積された後、前記第２のカウンタ回路がリセットされることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１のラッチ回路は、前記第１のカウント値が最大値に達した場合に、前記第１のカウント値をラッチし、
前記第２のラッチ回路は、前記第２のカウント値が最大値に達した場合に、前記第２のカウント値をラッチすることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
第１の光電変換素子と、
前記第１の光電変換素子の出力電流を増幅した第１の電流を出力する第１の増幅回路と、
前記第１の光電変換素子とは異なる分光感度特性を有する第２の光電変換素子と、
前記第２の光電変換素子の出力電流を増幅した第２の電流を出力する第２の増幅回路と、
前記第１の電流と前記第２の電流との差分を電圧値として出力する減算回路と、
前記電圧値に応じた第３の電流を出力する電圧電流変換回路と、
第１のスイッチを介して供給される第１の電位に応じて電荷を蓄積し、第２のスイッチを介して供給される前記第３の電流に応じて前記電荷を放電する容量素子と、
前記容量素子の一方の電極の電位と第２の電位とを比較するコンパレータと、
クロック信号を生成するクロック生成回路と、
前記クロック信号をカウントアップして得られるカウント値を出力するカウンター回路と、
前記コンパレータより出力される信号に応じて、前記カウント値をラッチして出力するラッチ回路と、を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
第１の光電変換素子と、
前記第１の光電変換素子の出力電流を増幅した第１の電流を出力する第１の増幅回路と、
前記第１の光電変換素子とは異なる分光感度特性を有する第２の光電変換素子と、
前記第２の光電変換素子の出力電流を増幅した第２の電流を出力する第２の増幅回路と、
前記第２の電流を、前記第１の増幅回路に向けて流れるように変換するカレントミラー回路と、
第１のスイッチを介して供給される第１の電位に応じて電荷を蓄積し、第２のスイッチを介して供給される第３の電流に応じて前記電荷を放電する容量素子と、
前記容量素子の一方の電極の電位と第２の電位とを比較するコンパレータと、
クロック信号を生成するクロック生成回路と、
前記クロック信号をカウントアップして得られるカウント値を出力するカウンター回路と、
前記コンパレータより出力される信号に応じて、前記カウント値をラッチして出力するラッチ回路と、を有し、
前記第３の電流は、前記第１の電流と前記カレントミラー回路により変換された前記第２の電流との差分であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記容量素子に前記電荷が蓄積された後、前記カウンタ回路がリセットされることを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一において、
前記ラッチ回路は、前記カウント値が最大値に達した場合に、前記カウント値をラッチすることを特徴とする光電変換装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の光電変換素子及び前記第２の光電変換素子は単結晶シリコン基板に形成されたものであることを特徴とする光電変換装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１の増幅回路および前記第２の増幅回路は、照度に応じて増幅率を切り替える機能を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１の増幅回路および前記第２の増幅回路のそれぞれは、複数の増幅回路を有し、
前記第１の増幅回路および前記第２の増幅回路のそれぞれにおいて、
前記複数の増幅回路の増幅率は、それぞれ異なっており、
前記複数の増幅回路は、照度に応じて切り替えられることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記第１の光電変換素子及び前記第２の光電変換素子は、同じ大きさの開口部を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記第２の光電変換素子の光が入射される側には、赤外光透過フィルタが設けられていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記第２の電位は、前記第１の電位よりも低いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３に記載の光電変換装置を具備することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月2日(2011.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子線源と、
前記電子線源から発生された電子線を試料上に集束させる対物レンズと、
前記試料を載置する試料台と、
前記試料に接触する探針と、
を備えた検査装置において、
前記試料台は、試料を載置する導電性の板と、絶縁材製の板から構成され、
前記導電性の板を、抵抗を介して接地することを特徴とする検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の検査装置において、
前記抵抗は、前記試料の有する配線の抵抗値より高いことを特徴とする検査装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の検査装置において、
前記抵抗は、可変抵抗であることを特徴とする検査装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１つの検査装置において、
前記導電性の板を接地する側と、抵抗を介して接地する側とを切換えるスイッチを有し、
前記試料の有する配線が前記導電性の板に接触するときに、前記スイッチを前記抵抗を介して接地する側に切換えることを特徴とする検査装置。
【請求項５】
請求項４に記載の検査装置において、
前記探針を試料に接触させるときに、前記スイッチを接地する側に切換えること
を特徴とする検査装置。
【請求項６】
電子線源と、
前記電子線源から発生された電子線を試料上に集束させる対物レンズと、
前記試料を載置する試料台と、
前記試料に接触する探針と、
を備えた検査装置において、
前記検査装置は、信号処理装置とスイッチを有し、
前記探針は、スイッチを介して接地側或いは信号処理装置と接続し、
前記探針を試料に接触させる前に、前記スイッチを接地側に切換え、前記探針を試料に
接触させた後に、前記スイッチを信号処理装置側に切換えること
を特徴とする検査装置。
【請求項７】
電子線源と、
前記電子線源から発生された電子線を試料上に集束させる対物レンズと、
前記試料を載置する試料台と、
前記試料台が内部に配置される試料室と、
前記電子線を試料上で走査する電子線偏向手段と、
前記試料に接触する探針と、
前記探針に流れる電流を検出できる吸収電流検出器と、
を備えた検査装置において、
前記吸収電流像の観察や試料の電気的特性を測定する信号処理装置を有し、
前記吸収電流検出器を通して前記探針と前記信号処理装置とを繋ぐ信号経路と、前記探針と前記信号処理装置とを繋ぐ信号経路とを切換えるスイッチを有すること
を特徴とする試料検査装置。
【請求項８】
請求項７に記載の試料検査装置において、
前記吸収電流検出器が、試料室内の金属ケース内に配置され、当該金属ケースは試料室
の内壁に接触しており、内部に気体が充填されていることを特徴とする試料検査装置。
【請求項９】
電子線源と、
前記電子線源から発生された電子線を試料上に集束させる対物レンズと、
前記試料を載置する試料台と、
前記試料台が内部に配置される試料室と、
前記電子線を試料上で走査する電子線偏向手段と、
前記試料に接触する探針と、
前記探針に流れる電流を検出できる吸収電流検出器と、
前記吸収電流検出器の出力を前記試料の吸収電流像として表示するモニタと、
を備えた検査装置において、
前記吸収電流検出器の出力を前記電子線の走査と同期させてモニタに表示する制御回路
を備え、
前記制御回路は、前記電子線の現在走査位置を示す情報を有し、その情報に従い現在走
査位置を示す目印を、前記吸収電流像と併せてモニタに表示することを有すること
を特徴とする試料検査装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、電子線源と、前記電子線源から発生された電子線を試料上に集束させる対物レンズと、前記試料を載置する試料台と、前記試料に接触する探針と、を備えた検査装置において、前記試料台は、試料を載置する導電性の板と、絶縁材製の板から構成され、前記導電性の板を、抵抗を介して接地する構成とした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに、電子線源と、前記電子線源から発生された電子線を試料上に集束させる対物レンズと、前記試料を載置する試料台と、前記試料台が内部に配置される試料室と、前記電子線を試料上で走査する電子線偏向手段と、前記試料に接触する探針と、前記探針に流れる電流を検出できる吸収電流検出器と、を備えた検査装置において、前記吸収電流像の観察や試料の電気的特性を測定する信号処理装置を有し、前記吸収電流検出器を通して前記探針と前記信号処理装置とを繋ぐ信号経路と、前記探針と前記信号処理装置とを繋ぐ信号経路とを切換えるスイッチを有する構成とした。そして、前記吸収電流検出器は、試料室内の金属ケース内に配置され、当該金属ケースは試料室の内壁に接触しており、内部に気体が充填されている構成とした。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月2日(2011.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と前記透明基板上に形成された薄膜トランジスタとを有する表示装置であって、
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極の上側に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上側に微結晶シリコン又は多結晶シリコンを含んで形成された半導体膜と、２つのオーミックコンタクト層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、
前記半導体膜は、チャネル領域と、前記チャネル領域の両側に不純物が打ち込まれて形成された２つの不純物領域とを有し、
前記チャネル領域と前記２つの不純物領域の各々は、前記ゲート絶縁膜に接する面と、前記ゲート絶縁膜に接する面と対向する上面とを有し、
前記２つの不純物領域の各々は、前記チャネル領域に接する面と、前記チャネル領域に接する面と対向する側面とを有し、
前記チャネル領域の前記上面には、絶縁膜が形成され、
前記絶縁膜は、前記チャネル領域に接する面と、前記チャネル領域に接する面と対向する上面と、側面とを有し、
前記２つのオーミックコンタクト層の各々は、前記不純物領域の前記上面と前記側面とを覆うと共に、前記絶縁膜の前記上面と前記側面と接して形成され、
前記ソース電極と前記ドレイン電極とは、前記オーミックコンタクト層を介して前記不純物領域と接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置であって、
前記２つのオーミックコンタクト層は、不純物が打ち込まれた非晶質シリコンで形成され、
前記２つのオーミックコンタクト層の不純物濃度は、前記２つの不純物領域の不純物濃度よりも高いことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載された表示装置であって、
前記ソース電極と前記ドレイン電極とは、前記絶縁膜の前記上面で互いに対向していることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
透明基板と前記透明基板上に形成された薄膜トランジスタとを有する表示装置の製造方法であって、
透明基板の上側にゲート電極を積層するゲート電極積層工程と、
前記ゲート電極の上側に、微結晶シリコン又は多結晶シリコンを含む半導体膜を積層する半導体膜積層工程と、
前記半導体膜の上面の一部を覆う絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜をマスクとして、前記半導体膜の内、前記絶縁膜に覆われていない領域に不純物を注入して不純物領域を形成する不純物領域形成工程と、
前記半導体膜と前記絶縁膜との上層にオーミックコンタクト層を形成し、前記オーミックコンタクト層の上層に金属膜を形成するオーミックコンタクト層及び金属膜形成工程と、
前記金属膜をパターニングしてソース電極とドレイン電極を形成するソース電極及びドレイン電極形成工程と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極とをマスクとして、前記オーミックコンタクト層をパターニングするオーミックコンタクト層パターニング工程とを有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４の表示装置の製造方法であって、
前記絶縁膜形成工程は、前記半導体膜の全域に絶縁膜を形成し、前記全域に形成された絶縁膜の一部にパターニングされたレジスト膜を形成し、前記レジスト膜をマスクとして、前記全域に形成された絶縁膜が前記レジスト膜よりも内側にパターニングされるようにエッチングをする工程を含み、
前記絶縁膜形成工程の後に、前記レジスト膜をマスクとして前記半導体膜をパターニングする半導体膜パターニング工程を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４の表示装置の製造方法であって、
前記オーミックコンタクト層は、不純物が打ち込まれた非晶質シリコンで形成され、
前記オーミックコンタクト層の不純物濃度は、前記不純物領域の不純物濃度よりも高いことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項４の表示装置の製造方法であって、
前記ソース電極及びドレイン電極形成工程は、前記絶縁膜の上面で前記ソース電極と前記ドレイン電極とが互いに対向するように前記金属膜をパターニングすることを特徴とする表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月19日(2011.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（ａ）で表される化合物から導かれる少なくとも１種の重合単位（Ａ）と、下記式（ｂ）で表される化合物または不飽和結合を有する環状のカルボン酸無水物から導かれる少なくとも１種の重合単位（Ｂ）とを含有する重合体を含むはんだ用フラックス這い上がり防止組成物：
ＣＨ２＝Ｃ（Ｒ1）−ＣＯＯ−Ｑ１−Ｒｆ  （ａ）
式中、Ｒ１：水素原子またはメチル基、
Ｑ１：単結合または２価の連結基、
Ｒｆ：主鎖の鎖長が炭素数１〜６のポリフルオロアルキル基またはポリフルオロエーテル基を示す。
ＣＨ２＝Ｃ（Ｒ1）−ＣＯＯ−Ｑ２−ＣＯＯＨ  （ｂ）
式中、Ｒ１：前記式（ａ）と同じ、Ｑ２：２価の連結基。
【請求項２】
前記Ｒｆ基が炭素数１〜６の直鎖のパーフルオロアルキル基またはパーフルオロエーテル基である請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記重合体中の前記重合単位（Ｂ）の割合が１０質量％以下である請求項１、２のいずれかに記載の組成物。
【請求項４】
前記式（ｂ）で表される化合物が、下記式（ｂ１）で表される化合物である、請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。
ＣＨ２＝Ｃ（Ｒ１）−ＣＯＯ−Ｑ３−ＣＯＯＨ  （ｂ１）
（式中、Ｒ１は前記と同じである。Ｑ３は、アルキレン基、フェニレン基、シクロヘキシレン基、エステル結合、アミド結合、−ＣＯ−、−Ｏ−、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ−、−（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ−、またはこれらの組合せであり（ここでのｎは１〜３０の整数）、これらの基は、置換基を有していてもよい。）
【請求項５】
前記不飽和結合を有する環状のカルボン酸無水物が、無水マレイン酸または無水イタコン酸である、請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。
【請求項６】
電子部材の少なくともフラックスで処理する部分に、請求項１〜５のいずれかに記載の組成物からなる被膜を有し、はんだ用フラックス這い上がり防止性能を有する電子部材。
【請求項７】
電子部材の少なくともフラックスで処理する部分に、請求項１〜５のいずれかに記載の組成物からなる被膜を形成し、該被膜の上にはんだ用フラックスを塗布した後、はんだ付けする、電子部材のはんだ付け方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法ではんだ付けした電子部材を含む電気製品。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月2日(2011.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）金属板と、前記金属板の片面に形成されたリードとからなる金属基板を用意する工程と、
（ｂ）前記リード上に半導体チップを搭載し、前記半導体チップと前記リードとを電気的に接続する工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記金属基板を成形金型に装着し、前記成形金型のキャビティ内に溶融した樹脂を流し込み、前記樹脂に熱を加えることによって、前記リード、および前記半導体チップを覆う第１封止体と、前記成形金型のカル、ランナおよびゲートに位置し、前記第１封止体と一体の第２封止体とを形成する工程と、
（ｄ）前記第１および第２封止体が形成された前記金属基板を前記成形金型から取り出した後、前記金属基板を室温雰囲気中で徐冷する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第２封止体を前記第１封止体から分離・除去する工程と、
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記第１封止体から前記金属板を剥離する工程と、
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記第１封止体をダイシングすることによって、半導体パッケージを得る工程。
【請求項２】
前記（ｄ）工程において、前記金属基板を前記成形金型から取り出してから、前記金属基板の徐冷が完了するまでの時間は、２０秒以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記リードは、電鋳加工法によって前記金属板の片面に形成された電着層からなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記金属板は、ステンレスからなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
（ａ）金属板と、前記金属板の片面に形成されたリードとからなる金属基板を用意する工程と、
（ｂ）前記リード上に半導体チップを搭載し、前記半導体チップと前記リードとを電気的に接続する工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記金属基板を成形金型に装着し、前記成形金型のキャビティ内に溶融した樹脂を流し込み、前記樹脂に熱を加えることによって、前記リード、および前記半導体チップを覆う第１封止体と、前記成形金型のカル、ランナおよびゲートに位置し、前記第１封止体と一体の第２封止体とを形成する工程と、
（ｄ）前記第１および第２封止体が形成された前記金属基板を前記成形金型から取り出した後、前記金属基板の裏面がゲートブレーク装置の基板ステージの上面と接触するように、前記金属基板を前記基板ステージ上に位置決めし、前記金属基板を前記基板ステージに密着させる工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第２封止体に荷重を印加することによって、前記第２封止体を前記第１封止体から分離・除去する工程と、
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記第１封止体から前記金属板を剥離する工程と、
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記第１封止体をダイシングすることによって、半導体パッケージを得る工程と、
を含む半導体装置の製造方法であって、
前記（ｄ）工程において、前記第１および第２封止体が形成された前記金属基板を前記成形金型から取り出した後、前記金属基板を前記基板ステージに密着させる工程に先だって、前記金属基板を前記基板ステージと非接触の状態に保ちながら、前記金属基板を室温雰囲気中で徐冷する工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記基板ステージは、複数の支持部材を備えており、前記（ｄ）工程において、前記成形金型から取り出した前記金属基板を前記複数の支持部材で支持することによって、前記金属基板を前記基板ステージと非接触の状態に保つことを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記基板ステージは、金属からなることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記支持部材は、板バネ、コイル状の押しバネ、トーションバネ、またはゴム状弾性体で構成されていることを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記（ｄ）工程において、前記金属基板を前記成形金型から取り出してから、前記金属基板の徐冷が完了するまでの時間は、２０秒以上であることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記リードは、電鋳加工法によって前記金属板の片面に形成された電着層からなることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記金属板は、ステンレスからなることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明による半導体装置の製造方法は、以下の工程を含んでいる。
（ａ）金属板と、前記金属板の片面に形成されたリードとからなる金属基板を用意する工程と、
（ｂ）前記リード上に半導体チップを搭載し、前記半導体チップと前記リードとを電気的に接続する工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記金属基板を成形金型に装着し、前記成形金型のキャビティ内に溶融した樹脂を流し込み、前記樹脂に熱を加えることによって、前記リード、および前記半導体チップを覆う第１封止体と、前記成形金型のカル、ランナおよびゲートに位置し、前記第１封止体と一体の第２封止体とを形成する工程と、
（ｄ）前記第１および第２封止体が形成された前記金属基板を前記成形金型から取り出した後、前記金属基板を室温雰囲気中で徐冷する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第２封止体を前記第１封止体から分離・除去する工程と、
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記第１封止体から前記金属板を剥離する工程と、
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記第１封止体をダイシングすることによって、半導体パッケージを得る工程。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月15日(2011.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銘板が貼付された電池パックにおいて、
前記銘板は、該銘板に対する第１の視点で電池情報を表示する第１の表示像と、該銘板に対する第２の視点で電池情報を表示する第２の表示像とを有することを特徴とする電池パック。
【請求項２】
前記第１の表示像の前記電池情報は、電池の安全に関する情報を含む請求項１に記載の電池パック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】銘板が貼付された電池パック
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
すなわち、本発明の技術的課題は、文字や図形などの大きさを変えることなく、単位面積当りの情報量を２倍以上に増加させることが可能な銘板が貼付された電池パックを提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の電池パックは、銘板が貼付された電池パックにおいて、銘板が、銘板に対する第１の視点で電池情報を表示する第１の表示像と、銘板に対する第２の視点で電池情報を表示する第２の表示像とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
リチウムと遷移金属の複合酸化物を含む正極と、ＡxＳｉ1-x （ただし、ＡはＢｉ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｚｎから選ばれる一種、原子比ｘは、０．１から０．４）である組成を有し、かつ、ケイ素微結晶とＢｉ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｚｎから選ばれる一種であるケイ素含有負極材料を含む負極をセパレータを介して対向させたことを特徴とする非水電解液二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、リチウムと遷移金属の複合酸化物を含む正極と、ＡxＳｉ1-x （ただし、ＡはＢｉ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｚｎから選ばれる一種、原子比ｘは、０．１から０．４）である組成を有し、かつ、ケイ素微結晶とＢｉ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｚｎから選ばれる一種であるケイ素含有負極材料を含む負極をセパレータを介して対向させた非水電解液二次電池である。
また、ケイ素含有負極材料が、個数平均粒径が１０μｍ〜２５μｍである前記の非水電解液二次電池である。
負極が、ケイ素含有負極材料に炭素を被覆または、ケイ素含有負極材料を炭素と混合したものである前記の非水電解液二次電池である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月29日(2011.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のリチウムイオン二次電池を収納し、前記複数のリチウムイオン二次電池を互いに電気的接続した電動工具用電池パックにおいて、
前記複数のリチウムイオン二次電池は、第１の容量を有する第１の二次電池と、該第１の容量より小さい第２の容量を有する第２の二次電池とから構成されていることを特徴とする電動工具用電池パック。
【請求項２】
前記第２の二次電池を少なくとも２つ備え、前記第２の二次電池は電気的に並列接続されていることを特徴とする請求項１に記載された電動工具用電池パック。
【請求項３】
前記第１の二次電池と前記並列接続された前記第２の二次電池は、電気的に直列接続されていることを特徴とする請求項２に記載された電動工具用電池パック。
【請求項４】
前記第１の容量と前記並列接続された前記第２の容量は略等しいことを特徴とする請求項３に記載された電動工具用電池パック。
【請求項５】
前記複数のリチウムイオン二次電池は円筒形状であり、前記第１の二次電池の直径と前記第２の二次電池の直径は異なることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載された電動工具用電池パック。
【請求項６】
モータと、
該モータを収納する胴体ハウジング部と、
該胴体ハウジング部と連結され、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載された前記電動工具用電池パックが着脱可能に装着されるハンドルハウジング部と、を備えることを特徴とする電動工具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電動工具用電池パック及びその電池パックを備えた電動工具
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の一つの特徴によれば、複数のリチウムイオン二次電池を収納し、前記複数のリチウムイオン二次電池を互いに電気的接続した電動工具用電池パックにおいて、前記複数のリチウムイオン二次電池は、第１の容量を有する第１の二次電池と、該第１の容量より小さい第２の容量を有する第２の二次電池とから構成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の他の特徴によれば、前記第２の二次電池を少なくとも２つ備え、前記第２の二次電池は電気的に並列接続されている。さらに、本発明の他の特徴によれば、前記第１の二次電池と前記並列接続された前記第２の二次電池は、電気的に直列接続されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１の容量と前記並列接続された前記第２の容量は略等しい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記複数のリチウムイオン二次電池は円筒形状であり、前記第１の二次電池の直径と前記第２の二次電池の直径は異なる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月23日(2011.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンを発生する複数のイオン発生部と、該複数のイオン発生部の駆動を制御する制御部とを備えるイオン発生ユニットにおいて、前記制御部は、その起動時に、前記複数のイオン発生部を駆動し、所定時間経過した後、前記複数のイオン発生部の駆動時間を略同一とすべく前記複数のイオン発生部の一つを駆動するように制御することを特徴とするイオン発生ユニット。
【請求項２】
前記制御部は、前記複数のイオン発生部の駆動時間を略同一とすべく、前記複数のイオン発生部を順次駆動するように制御することを特徴とする請求項１に記載のイオン発生ユニット。
【請求項３】
前記制御部は、前記複数のイオン発生部をそれぞれ断続的に駆動して、前記複数のイオン発生部を順次駆動するように制御することを特徴とする請求項１又は２に記載のイオン発生ユニット。
【請求項４】
前記制御部は、前記複数のイオン発生部を連続的に駆動することが選択的に可能なように構成してあることを特徴とする請求項１に記載のイオン発生ユニット。
【請求項５】
光源と、請求項１から４の何れか一つに記載のイオン発生ユニットとを備えることを特徴とする照明装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記光源の点灯に応じて前記複数のイオン発生部を駆動するように構成してあることを特徴とする請求項５に記載の照明装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記光源の点灯／消灯、及び／又は照度の高／低に応じて発生するイオン量が大／小となるように前記複数のイオン発生部を駆動するように構成してあることを特徴とする請求項５に記載の照明装置。
【請求項８】
前記光源はＬＥＤであることを特徴とする請求項５から７の何れか一つに記載の照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係るイオン発生ユニットは、イオンを発生する複数のイオン発生部と、該複数のイオン発生部の駆動を制御する制御部とを備えるイオン発生ユニットにおいて、前記制御部は、その起動時に、前記複数のイオン発生部を駆動し、所定時間経過した後、前記複数のイオン発生部の駆動時間を略同一とすべく前記複数のイオン発生部の一つを駆動するように制御することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明にあっては、イオン発生ユニットの起動時に複数のイオン発生部を駆動して所定時間駆動するように構成してあるから、起動時に空間内のイオン濃度を所定濃度まで速やかに上昇させることができる。そして所定時間経過した後に、複数のイオン発生部の駆動時間を略同一とすべく前記複数のイオン発生部の一つを駆動しているから、複数のイオン発生部の交換時期を同じにすることができ、イオン発生ユニット全体として所定のイオン濃度を維持することができる期間を長くすることができ、結果として、長寿命化を図ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明に係る照明装置は、前記制御部は、前記光源の点灯に応じて前記複数のイオン発生部を駆動するように構成してあることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明に係る照明装置は、前記制御部は、前記光源の点灯／消灯、及び／又は照度の高／低に応じて発生するイオン量が大／小となるように前記複数のイオン発生部を駆動するように構成してあることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子接触部とリード線接触部とを有する複数の端子と、
複数の探針挿入部を有し、前記複数の端子を収容するハウジングと、
前記ハウジングに収容され、前記複数の端子に電気的に接続されている抵抗素子と、
を備え、
前記複数の端子の少なくとも一部が前記複数の探針挿入部内に位置している、
終端コネクタ。
【請求項２】
前記複数の探針挿入部は、終端コネクタの挿入方向に延在する孔である、請求項１記載の終端コネクタ。
【請求項３】
前記複数の探針挿入部は、前記終端コネクタの嵌合部とは反対側の端部で開口している、請求項１または２に記載の終端コネクタ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年6月30日(2011.6.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
これらの流れを混合するのを促進するにもかかわらず、上述されたパターンは欠点を呈する。ノズルの少なくとも一つのカウルの後縁における（三角形状またはクレネレーションのような）対称形状のパターンは、各パターンに、互いに比較的近接して、等価な強度の２つの長手方向反転渦を発生させる。ノズルカウルの全周にわたって、それは相互に相殺する複数の対をなす渦と等価である。そのことは、結果として、特に噴出から最も離れたゾーンにおいて、あまり効率的でない、流れ間における混合を生じる。
【特許文献１】欧州特許出願公開第０９１３５６７号明細書
【特許文献２】英国特許出願公開第２３５５７６６号明細書
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
各パターンにて、生成される２つの渦は、異なる強度であるから、渦はもはや、カウルの全周にわたって相殺することはない。このことは、結果として、流れ全体が、排出のポイントから最も遠いゾーンにおいて回転させられ、その結果、流れの間でより効果的に混合が行われ、そしてジェットノイズについては、特に低周波において、より良く低減される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
さらに、図３を参照すれば、本発明の特定の形状のノズルノイズ低減パターン２６は、各パターンについて異なる強度の２つの長手方向反転渦を生成することが、明確に理解し得る。これら２つの渦の強度は、それゆえ相殺しない。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月3日(2011.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
医療装置において、
移植可能な構造、
第１の高分子材料の中に組み込まれている治療の用量におけるラパマイシンおよびクラドリビンの組み合わせ物を含有している基部被膜基材を備えており、この基部被膜基材が前記移植可能な医療装置の表面に固定されており、さらに
前記ラパマイシンおよびクラドリビンの溶出速度を制御するために前記基部被膜基材に固定されている第２の高分子材料を含有している上部被膜を備えている医療装置。
【請求項２】
前記移植可能な構造がステントを含む請求項１に記載の医療装置。
【請求項３】
前記移植可能な構造がステント移植片を含む請求項１に記載の医療装置。
【請求項４】
前記移植可能な構造が吻合装置を含む請求項１に記載の医療装置。
【請求項５】
前記第２の高分子材料が前記第１の高分子材料に対して非相容性であり、これにより、前記ラパマイシンおよびクラドリビンの溶出に対する物理的且つ化学的なバリアが形成されている請求項１に記載の医療装置。
【請求項６】
前記第１の高分子材料がフルオロポリマーを含む請求項５に記載の医療装置。
【請求項７】
前記第２の高分子材料がアクリル樹脂を含む請求項５に記載の医療装置。
【請求項８】
医療装置において、
移植可能な構造、および
脈管の傷害後の再狭窄の治療のために前記移植可能な構造に放出可能に固定されている治療の用量におけるラパマイシンおよびクラドリビンの組み合わせ物を備えている医療装置。
【請求項９】
前記移植可能な構造がステントを含む請求項８に記載の医療装置。
【請求項１０】
前記移植可能な構造がステント移植片を含む請求項８に記載の医療装置。
【請求項１１】
前記移植可能な構造が吻合装置を含む請求項８に記載の医療装置。
【請求項１２】
さらに、高分子の被膜を備えており、前記ラパマイシンおよびクラドリビンの組み合わせ物がこの高分子の被膜の中に組み込まれている請求項８に記載の医療装置。
【請求項１３】
治療の用量のラパマイシンおよびクラドリビンの組み合わせ物の局所的投与を含む再狭窄を治療するための方法。
【請求項１４】
治療の用量のラパマイシンおよびクラドリビンの組み合わせ物の投与を含む再狭窄を治療するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月24日(2011.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動力車の各軸それぞれを駆動する電動機を個別にトルク制御する電気車制御方法であって、
各軸の引張力と軸重の比の指令値、走行加速度、及び、前記動力車の車両固有定数を用いて、軸重移動を考慮した各軸の引張力と軸重の比を前記指令値通りとさせるためのトルク指令を演算するトルク指令演算ステップと、
空転滑走した軸を検出する検出ステップと、
前記検出ステップによる検出がなされた場合に少なくとも空転滑走した軸の前記トルク指令を変更して前記トルク指令を更新する変更ステップと、
前記トルク指令に基づいて、対応する電動機を個別に駆動制御する駆動制御ステップと、
を含む電気車制御方法。
【請求項２】
前記トルク指令演算ステップで演算されたトルク指令と前記駆動制御ステップで用いたトルク指令との差、各軸の加速度、及び、前記動力車の前記車両固有定数を用いて、当該トルク指令の差の分のトルク指令を与えた場合に生じる各軸それぞれの軸重移動の変動量を算出する変動量算出ステップを更に含み、
前記トルク指令演算ステップでは、前記変動量算出ステップで算出された軸重移動の変動量で、対応する各軸の軸重を補正して各軸それぞれのトルク指令を演算する、
請求項１に記載の電気車制御方法。
【請求項３】
前記トルク指令演算ステップは、以下１）〜５）の運動量を表す各軸それぞれ個別の数式モデルでなる軸重移動量数式モデルに基づく所定の軸重移動補償トルク演算を行って、各軸それぞれのトルク指令を算出するステップである請求項１又は２に記載の電気車制御方法。
１）電動機トルクによって歯車の間に伝わる力の車軸伝達成分
２）電動機トルクによって歯車の間に伝わる力の反力のうちの電動機支持部への伝達成分３）２）の力による台車枠重心回り回転モーメントにより作用する力
４）引張力による台車枠重心回り回転モーメントによる軸重移動量
５）全軸の引張力による車体重心回り回転モーメントによる軸重移動量
【請求項４】
前記変動量算出ステップは、以下１）〜５）の運動量を表す各軸それぞれ個別の数式モデルでなる軸重移動量数式モデルに基づいて、前記トルク指令の差の分のトルク指令を与えた場合に生じる各軸それぞれの軸重移動の変動量を算出するステップである請求項１又は２に記載の電気車制御方法。
１）電動機トルクによって歯車の間に伝わる力の車軸伝達成分
２）電動機トルクによって歯車の間に伝わる力の反力のうちの電動機支持部への伝達成分３）２）の力による台車枠重心回り回転モーメントにより作用する力
４）引張力による台車枠重心回り回転モーメントによる軸重移動量
５）全軸の引張力による車体重心回り回転モーメントによる軸重移動量
【請求項５】
前記変更ステップは、
空転滑走した軸のトルクを一時的に引き下げて再粘着させる制御を行う再粘着制御ステップと、
空転滑走した軸の空転滑走の程度を表す加速度、空転滑走速度又はこれらの相当値でなる空転滑走指標値を用いて空転滑走していない健全軸のトルク変更量を算出する算出ステップと、
前記健全軸のトルクを一時的に前記トルク変更量分変更して空転滑走の誘発を抑制する制御を行う誘発抑制制御ステップと、
を含む請求項１〜４の何れか一項に記載の電気車制御方法。
【請求項６】
前記算出ステップは、前記空転滑走指標値と、動力車の各台車及び当該台車内の各軸の配置構成によって定まる空転滑走した軸と健全軸間の動的な軸重移動量を考慮した軸重移動係数とを用いて、健全軸の前記トルク変更量を算出するステップである請求項５に記載の電気車制御方法。
【請求項７】
動力車の各軸それぞれを駆動する電動機を個別にトルク制御する電気車制御装置であって、
各軸の引張力と軸重の比の指令値、走行加速度、及び、前記動力車の車両固有定数を用いて、軸重移動を考慮した各軸の引張力と軸重の比を前記指令値通りとさせるためのトルク指令を演算するトルク指令演算部と、
空転滑走した軸を検出する検出部と、
前記検出部による検出がなされた場合に、少なくとも空転滑走した軸の前記トルク指令を変更して前記トルク指令を更新するトルク指令変更部と、
前記トルク指令に基づいて、対応する電動機を個別に駆動制御する駆動制御部と、
を備えた電気車制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月12日(2011.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電振動子と発振用トランジスタとを有するコルピッツ型発振回路であって、
前記発振用トランジスタのエミッタと接地間に接続した抵抗値が負の温度係数を有する第１の抵抗回路を備えたことを特徴とするコルピッツ型発振回路。
【請求項２】
前記第１の抵抗回路は、エミッタ抵抗と第１のサーミスタの並列回路からなることを特徴とする請求項１に記載のコルピッツ型発振回路。
【請求項３】
前記第１の抵抗回路は、エミッタ抵抗に、第１のサーミスタと第１の抵抗との直列回路を並列に接続したことを特徴とする請求項１に記載のコルピッツ型発振回路。
【請求項４】
請求項１乃至３に記載のコルピッツ型発振回路を備えたことを特徴とする圧電発振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】コルピッツ型発振回路および圧電発振器