【手続補正書】
【提出日】平成21年4月10日(2009.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
検査対象物の第１の位置について走査干渉計によって生成される走査干渉計信号を供給すること、
１つまたは複数のパラメータ値によってパラメータ化され、該走査干渉計によって生成される該走査干渉計信号のモデル関数を与えること、
該モデル関数と該走査干渉計信号との間の１連の走査位置のシフトそれぞれについて、該パラメータ値を変化させることにより、該モデル関数を該走査干渉計信号にフィッティングすること、
該フィッティングすることに基づいて該第１の位置における該検査対象物についての情報を決定すること
を備える方法。
【請求項２】
前記検査対象物の追加の位置それぞれについて前記走査干渉計によって生成される走査干渉計信号を供給すること、
前記モデル関数と該走査干渉計信号それぞれとの間の１連の走査位置のシフトそれぞれについて、前記パラメータ値を変化させることにより、前記モデル関数を前記検査対象物の該追加の位置に対応する該走査干渉計信号それぞれにフィッティングすること、
追加の該フィッティングすることに基づいて、該追加の位置での前記検査対象物についての情報を決定すること
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記検査対象物の位置それぞれについての前記干渉計信号は、前記走査干渉計の１連のグローバル走査位置それぞれについての強度値を備えているものとして表現可能であり、前記モデル関数は、１連の局在走査位置それぞれについての強度値を備えているものとして表現可能であり、前記フィッティングすることは、前記モデル関数と前記走査干渉計信号それぞれとの間の１連の走査位置のシフトに対応して、前記グローバル走査位置それぞれの上で前記モデル関数が中心となるように前記パラメータ値を変化させることにより、前記モデル関数を前記干渉計信号それぞれにフィッティングすることを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記検査対象物の位置それぞれについて、前記フィッティングすることは、前記モデル関数と前記走査干渉計信号それぞれとの間の１連の走査位置のシフトのうち、どれが最適フィットを生成するのかを決定することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記情報を決定することは、前記位置それぞれについて前記最適フィットに対応する走査位置におけるシフトに基づいて前記検査対象物の表面高さプロファイルを決定することを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記検査対象物は薄膜からなり、前記情報を決定することは、前記位置それぞれについての前記最適フィットに対応する走査位置におけるシフトに基づいて該薄膜の厚さプロファイルを決定することからなる、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
１連の走査位置のシフトのうちどれが前記最適フィットを生成するのかを前記決定することは、前記モデル関数と前記各干渉計信号それぞれとを比較して、前記モデル関数と前記干渉計信号それぞれとの間の類似性の程度を決定することを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
１連の走査位置のシフトのうちどれが前記最適フィットを生成するのかを決定することは、前記モデル関数と前記各干渉計信号それぞれとの間の前記類似性の程度を示すメトリックを計算することを含み、前記メトリックはさらに、前記モデル関数の大きさに基づいている、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記検査対象物は薄膜からなり、
前記フィッティングすることは、前記位置それぞれについて、第１の最適フィットに対応する前記１連の走査位置のシフトの第１のシフトを決定すること、第２の最適フィットに対応する前記１連の走査位置のシフトの第２のシフトを決定することを含み、
前記情報を決定することは、前記位置それぞれについて走査位置における前記第１および第２のシフトに基づいて該薄膜についての厚さプロファイルを決定することを含む、
請求項３に記載の方法。
【請求項１０】
前記検査対象物は、前記検査対象物の外面である第１の界面および前記検査対象物の下方にある第２の界面を含み、前記第１および第２の界面は、１０００ｎｍ以下で隔てられている、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記位置それぞれについて、前記フィッティングすることは、前記最適フィットに基づいて１つまたは複数の前記パラメータ値について推定値を決定することをさらに備える、請求項４に記載の方法。
【請求項１２】
前記検査対象物についての前記情報を前記決定することは、前記位置それぞれについて前記最適フィットに対応する走査位置におけるシフトおよび前記パラメータ値の推定値のうち少なくとも１つに基づく、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記走査干渉計は、コヒーレンス長を有する低コヒーレンス走査干渉計であり、前記検査対象物の前記干渉計信号は、該低コヒーレンス走査干渉計の該コヒーレンス長より大きい範囲に及ぶ、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記位置それぞれについて、前記フィッティングすることは、前記モデル関数の前記干渉計信号それぞれへの最適フィットに基づく１つまたは複数の前記パラメータ値の推定値を決定することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１５】
前記フィッティングすることは、前記位置それぞれについて平均の大きさのパラメータ値の推定値を決定し、前記検査対象物について前記情報を決定することは、該平均の大きさのパラメータ値についての該推定値に基づいて前記検査対象物のフリンジの無いイメージを決定することを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記検査対象物は、前記対象物の外面である第１の界面と該外面の下方にある第２の界面とを含み、前記外面は、基板を覆うフォトレジスト層の外面であり、前記第２の界面は、該フォトレジストの前記外面と前記基板の間で画定される、請求項２に記載の方法。
【請求項１７】
前記フィッティングすることに基づいて前記外面の空間特性を決定すること、および該空間特性に基づいて前記対象物およびフォトリソグラフィ・システムの相対位置を修正することを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記検査対象物は、第１の界面を含み、
前記第１の界面は、前記対象物の外面であり、
前記走査干渉計信号を前記供給することに先立って、前記対象物の前記外面から物質を取り除くこと、
前記フィッティングすることに基づいて、前記対象物の前記外面の空間特性を決定すること、
該空間特性に基づいて、前記対象物の前記外面から追加の物質を取り除くこと
を備える、請求項２に記載の方法。
【請求項１９】
前記検査対象物は、第１および第２の界面を含み、
前記第１および第２の界面は、液晶セルの界面である、請求項２に記載の方法。
【請求項２０】
前記走査干渉計信号を供給することに先立って、スクライブ線を形成するためにレーザを用いて前記対象物を照射すること、
前記フィッティングすることに基づいて、該スクライブ線を含む前記対象物の１部の空間特性を決定すること、
該空間特性に基づいて、前記同じ対象物または異なる対象物の追加のスクライビングを行うこと
を備える、請求項２に記載の方法。
【請求項２１】
前記走査干渉計信号を供給することに先立って、はんだバンプ工程の間に前記第１および第２の界面を形成すること
を備える、請求項２に記載の方法。
【請求項２２】
それぞれの位置で前記検査対象物について決定される前記情報に基づいて、半導体工程手段の動作を制御することをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項２３】
前記半導体工程手段は、拡散手段、急速熱アニール手段、化学蒸着手段、誘電体エッチング手段、化学的機械的研磨装置、プラズマ堆積手段、プラズマ・エッチング手段、リソグラフィ・トラック手段、リソグラフィ露光手段のうちの１つを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
それぞれの位置で前記検査対象物について決定される前記情報に基づいて、半導体工程を制御することをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項２５】
前記半導体工程は、トレンチおよびアイソレーション、トランジスタ形成、層間絶縁膜形成のうちの１つを備える、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
装置であって、
検査対象物の複数の位置それぞれについて走査干渉計信号を供給するように構成される走査干渉計と、
該干渉計信号を解析するように構成される電子式処理装置と
を備え、該電子式処理装置は、該モデル関数と該走査干渉計信号それぞれとの間の１連の走査位置のシフトそれぞれに対して、該モデル関数をパラメータ化している１つまたは複数のパラメータ値を変化させることにより、該走査干渉計によって生成される該走査干渉計信号のモデル関数を、該検査対象物の１つまたは複数の位置それぞれに対応する該走査干渉計信号にフィットし、該フィットに基づいて該検査対象物についての情報を決定するように構成される、装置。
【請求項２７】
前記電子式処理装置は、前記モデル関数を前記検査対象物の複数の位置それぞれに対応する前記干渉計信号にフィットするように構成される、請求項２６に記載の装置。
【請求項２８】
前記走査干渉計は、コヒーレンス長を有する低コヒーレンス走査干渉計であり、前記検査対象物についての前記干渉計信号は、該低コヒーレンス走査干渉計のコヒーレンス長よりも大きい範囲に及ぶ、請求項２６に記載の装置。
【請求項２９】
前記モデル関数は、１連の局在走査位置それぞれについての強度値を含むものとして表現可能であり、前記フィッティングは、前記モデル関数と前記走査干渉計信号それぞれとの間の１連の走査位置のシフトに対応する前記グローバル走査位置それぞれの上で中心となる前記モデル関数を使って、前記パラメータ値を変化させることにより、前記干渉計信号それぞれに前記モデル関数をフィッティングすることを含む、請求項２７に記載の装置。
【請求項３０】
前記検査対象物の位置それぞれについて、前記フィッティングは、前記モデル関数と前記走査干渉計信号それぞれとの間の１連の走査位置のシフトのうちどれが最適フィットを生成するのかを決定することを含む、請求項２９に記載の装置。
【請求項３１】
前記情報を決定することは、前記位置それぞれについて前記最適フィットに対応する走査位置におけるシフトに基づいて、前記検査対象物の表面高さプロファイルを決定することを含む、請求項３０に記載の装置。
【請求項３２】
前記検査対象物は薄膜を含み、前記情報を決定することは、前記位置それぞれについての前記最適フィットに対応する走査位置におけるシフトに基づいて該薄膜についての厚さプロファイルを決定することを含む、請求項３０記載の装置。
【請求項３３】
１連の走査位置のシフトのうちどれが前記最適フィットを生成するのかを決定することは、前記モデル関数と前記干渉計信号それぞれとの間との類似性の程度を決定するために前記モデル関数および前記干渉計信号それぞれを比較することを含む、請求項３０に記載の装置。
【請求項３４】
１連の走査位置のシフトのうちどれが前記最適フィットを生成するのかを決定することは、前記モデル関数と前記干渉計信号それぞれとの間の前記類似性の程度を示すメトリックを計算することを含み、前記メトリックはさらに、前記モデル関数の大きさに基づいている、請求項３３に記載の装置。
【請求項３５】
前記検査対象物は薄膜を含み、
前記フィッティングは、前記位置それぞれについて、第１の最適フィットに対応する前記１連の走査位置のシフトの第１のシフトを決定することと、第２の最適フィットに対応する前記１連の走査位置のシフトのうちの第２のシフトを決定すること
を含み、
前記情報を決定することは、前記位置それぞれについて走査位置における前記第１のシフトおよび前記第２のシフトに基づいて該薄膜についての厚さプロファイルを決定することを含む、請求項２８に記載の装置。
【請求項３６】
装置であって、走査干渉計によって生成される走査干渉計信号のモデル関数を、該モデル関数と該走査干渉計信号それぞれとの間の１連の走査位置のシフトそれぞれについて、演算処理装置に該モデル関数をパラメータ化している１つまたは複数のパラメータ値を変化させることにより、該走査干渉計によって計測される検査対象物の１つまたは複数の位置それぞれに対応する走査干渉計信号にフィットさせ、該フィットに基づいて該検査対象物についての情報を決定させるように構成されたプログラムを記憶するコンピュータ可読媒体を備える、装置。