Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月19日(2011.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素をマトリックス状に配置して表示部が形成され、
各画素は、
垂直方向に延長する細長い形状により全体形状が形成され、
垂直方向に延長する形状の分割領域に分割されて、各分割領域がそれぞれ減点化可能に作成された
画像表示装置。
【請求項２】
前記画素は、
カラー画像の１画素を形成するサブ画素である
請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記表示部は、
画素回路をマトリックス状に配置して形成され、
前記画素回路は、
発光素子と、
ゲートソース間電圧に応じた駆動電流により前記発光素子を電流駆動する駆動トランジスタと、
前記ゲートソース間電圧を保持する保持容量と、
前記保持容量を信号線に接続して前記保持容量の端子間電圧を設定する書込トランジスタとを少なくとも有する
請求項１または２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記発光素子は、
有機ＥＬ素子である
請求項３に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記有機ＥＬ素子は、
下部電極及び上部電極で有機ＥＬ素子材料層を挟持して形成され、
前記画素を囲む形状により前記下部電極材料で、前記上部電極の補助電極が形成され、
前記補助電極と前記下部電極とを絶縁する絶縁材料層が、前記下部電極の前記上部電極側に部分的に設けられて前記分割領域が形成された
請求項４に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記画素回路は、
前記発光素子を発光させる発光期間と、前記発光素子の発光を停止させる非発光期間とを交互に繰り返し、
前記非発光期間において、前記保持容量の端子間電圧を前記駆動トランジスタのしきい値電圧以上の電圧に設定した後、前記駆動トランジスタのしきい値電圧に応じた電圧に設定し、
続いて前記保持容量の端子電圧を前記信号線の電圧に設定して、続く前記発光期間を開始する
請求項３〜５のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記画素回路は、
前記駆動トランジスタのドレイン電圧の立ち下げと共に、前記書込トランジスタを介して前記信号線により前記保持容量の端子電圧をばらつき補正用の電圧に設定することにより、前記保持容量の端子間電圧を前記駆動トランジスタのしきい値電圧以上の電圧に設定する
請求項６に記載の画像表示装置。
【請求項８】
表示部に設けられた画素から欠陥画素を検出する欠陥検出ステップと、
前記欠陥検出ステップで検出した欠陥画素を修復する修復ステップとを有し、
前記画素は、
垂直方向に延長する細長い形状により全体形状が形成され、
垂直方向に延長する形状の分割領域に分割されて、各分割領域がそれぞれ減点化可能に作成され、
前記欠陥検出ステップは、
前記欠陥画素における欠陥の分割領域を検出し、
前記修復ステップは、
前記欠陥の分割領域を減点化して前記欠陥画素を修復する
画像表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月24日(2011.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮影するための撮像素子と、
前記撮像素子へ入射する被写体光束を遮るように走行する幕を有するシャッタと、
前記幕の走行時に当該幕の通過を検出するための検出手段と、
前記幕を電磁力により走行前の初期位置に保持する幕保持機構と、
前記被写体の明るさに応じて、前記撮像素子の撮影時の露光時間を決定する決定手段と、
前記幕保持機構への通電を切ってから前記検出手段で前記幕の通過を検出するまでの時間を計時する計時手段と、
前記計時手段により計時された時間に基づいて、撮影時に前記撮像素子の所定領域の露光を開始してから当該所定領域へ入射する被写体光束を前記幕により遮るまでの時間が前記決定手段により決定された撮影時の露光時間となるように、撮影時の前記幕保持機構への通電を切る通電解除タイミングを制御する制御手段と
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記制御手段は、撮影を行う前に前記幕を走行させたときに前記計時手段により計時された時間に基づいて、当該撮影時の前記幕保持機構への通電を切る通電解除タイミングを制御することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記決定手段により決定された撮影時の露光時間が同じ場合、前記計時手段により計時された時間が長いほど前記通電解除タイミングを早くすることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
被写体を撮影するための撮像素子と、前記撮像素子へ入射する被写体光束を遮るように走行する幕を有するシャッタと、前記幕の走行時に当該幕の通過を検出するための検出手段と、前記幕を電磁力により走行前の初期位置に保持する幕保持機構と、を有する撮像装置の制御方法であって、
決定手段が、前記被写体の明るさに応じて、前記撮像素子の撮影時の露光時間を決定する決定工程と、
計時手段が、前記幕保持機構への通電を切ってから前記検出手段で前記幕の通過を検出するまでの時間を計時する計時工程と、
制御手段が、前記計時工程により計時された時間に基づいて、撮影時に前記撮像素子の所定領域の露光を開始してから当該所定領域へ入射する被写体光束を前記幕により遮るまでの時間が前記決定工程により決定された撮影時の露光時間となるように、撮影時の前記幕保持機構への通電を切る通電解除タイミングを制御する制御工程と
を有することを特徴とする制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の撮像装置は、被写体を撮影するための撮像素子と、前記撮像素子へ入射する被写体光束を遮るように走行する幕を有するシャッタと、前記幕の走行時に当該幕の通過を検出するための検出手段と、前記幕を電磁力により走行前の初期位置に保持する幕保持機構と、前記被写体の明るさに応じて、前記撮像素子の撮影時の露光時間を決定する決定手段と、前記幕保持機構への通電を切ってから前記検出手段で前記幕の通過を検出するまでの時間を計時する計時手段と、前記計時手段により計時された時間に基づいて、撮影時に前記撮像素子の所定領域の露光を開始してから当該所定領域へ入射する被写体光束を前記幕により遮るまでの時間が前記決定手段により決定された撮影時の露光時間となるように、撮影時の前記幕保持機構への通電を切る通電解除タイミングを制御する制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、上記目的を達成するために、本発明の撮像装置の制御方法は、被写体を撮影するための撮像素子と、前記撮像素子へ入射する被写体光束を遮るように走行する幕を有するシャッタと、前記幕の走行時に当該幕の通過を検出するための検出手段と、前記幕を電磁力により走行前の初期位置に保持する幕保持機構と、を有する撮像装置の制御方法であって、決定手段が、前記被写体の明るさに応じて、前記撮像素子の撮影時の露光時間を決定する決定工程と、計時手段が、前記幕保持機構への通電を切ってから前記検出手段で前記幕の通過を検出するまでの時間を計時する計時工程と、制御手段が、前記計時工程により計時された時間に基づいて、撮影時に前記撮像素子の所定領域の露光を開始してから当該所定領域へ入射する被写体光束を前記幕により遮るまでの時間が前記決定工程により決定された撮影時の露光時間となるように、撮影時の前記幕保持機構への通電を切る通電解除タイミングを制御する制御工程とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月19日(2011.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相対向する第一の接続端子を有する第一の回路部材の第一の接続端子と、第二の接続端子を有する第二の回路部材の第二の接続端子との間に介在され、加圧により相対向する第一の接続端子と第二の接続端子を電気的に接続する回路接続材料であって、
前記第一の回路部材及び第二の回路部材の少なくとも一方がＣＯＦであり、
下記（１）〜（４）の成分を必須とし、アクリルゴムを含まない回路接続材料。
（１）エポキシ樹脂
（２）アニオン重合型硬化剤
（３）ラジカル重合性物質
（４）遊離ラジカルを発生する硬化剤
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月9日(2011.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】タイヤ用ゴム組成物及びそれを使用した空気入りタイヤ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
天然ゴム及び合成ゴムからなる群から選ばれた少なくとも１種のゴム成分１００質量部に対して、ダイポーラー窒素を含む部分Ｑ、及び酸素又は硫黄を含む４〜６の窒素含有複素環を含む部分Ｂを有する化合物Ｄを０．１〜３０質量部とシリカを配合し、同時にマレイン酸と（ポリ）オキシプロピレン誘導体との部分エステル化合物Ｍを０．１〜１０質量部含むことを特徴とするタイヤ用ゴム組成物。
【請求項２】
上記化合物Ｄのダイポーラー窒素部分Ｑが、Ａ１−Ｃ（Ａ２）＝Ｎ（Ａ３）→Ｏ、Ａ１−Ｃ≡Ｎ→Ｏ、及びＡ１−Ｃ≡Ｎ→Ｎ−Ａ４の少なくとも１以上から選択され、該Ａ１〜Ａ４はそれぞれ異なっていても良い水素又は炭素数が２０以下の基又は上記Ｂを連結する連結鎖であり、上記化合物が少なくともＡ１〜Ａ４の１つ以上に上記Ｂが連結している化合物である請求項１記載のタイヤ用ゴム組成物。
【請求項３】
上記化合物ＤのＡ１〜Ａ４は、水素、炭素数が１〜２０の範囲にあるアルキル基、及び炭素数が６〜２０の範囲にあるアリール基（但し、芳香族環にはニトロ基、シアノ基、クロロ基、ブロモ基、アシル基、カルボニルアルキル基、アルキル基、及びアルコキシル基を有してよい。）の何れか１つから選択される基、又はそれらの連結鎖である請求項２記載のタイヤ用ゴム組成物。
【請求項４】
上記化合物ＤのＢ部分の窒素含有複素環がオキサゾリン又はチアゾリンである請求項１記載のタイヤ用ゴム組成物。
【請求項５】
上記化合物Ｄが、４−(２−オキサゾリル）−フェニル−Ｎ−メチル−ニトロン、４−(２−チアゾリル）−フェニル−Ｎ−メチル−ニトロン、４−(２−オキサゾリル）−フェニル−Ｎ−フェニル−ニトロン、４−(２−チアゾリル）−フェニル−Ｎ−フェニル−ニトロン、フェニル−Ｎ−４−(２−オキサゾリル）−フェニル−ニトロン、フェニル−Ｎ−４−(２−チアゾリル）−フェニル−ニトロン、４−トリル−Ｎ−４−(２−オキサゾリル）−フェニル−ニトロン、４−トリル−Ｎ−４−(２−チアゾリル）−フェニル−ニトロン、４−メトキシフェニル−Ｎ−４−(２−オキサゾリル）−フェニル−ニトロン、４−メトキシフェニル−Ｎ−４−(２−チアゾリル）−フェニル−ニトロン、４−(２−オキサゾリル）−フェニル−ニトリルオキシド、４−(２−チアゾリル）−フェニル−ニトリルオキシド、４−(２−オキサゾリル）−フェニル−Ｎ−メチル−ニトリルイミン、４−(２−チアゾリル）−フェニル−Ｎ−メチル−ニトリルイミン、４−(２−チアゾリル）−フェニル−ニトリルオキシド、４−(２−オキサゾリル）−フェニル−Ｎ−フェニル−ニトリルイミン、４−(２−チアゾリル）−フェニル−Ｎ−フェニル−ニトリルイミン、フェニル−Ｎ−４−(２−オキサゾリル）−フェニル−ニトリルイミン、フェニル−Ｎ−４−(２−チアゾリル）−フェニル−ニトリルイミンから選ばれる１以上である請求項４記載のタイヤ用ゴム組成物。
【請求項６】
上記ゴム組成物に、さらにヒドラジド化合物Ｚを０．１〜５．０質量部含有する請求項１〜５のいずれか１つに記載のタイヤ用ゴム組成物。
【請求項７】
上記ゴム組成物中のゴム成分１００質量部中、天然ゴムを５０質量部以上含有する請求項１〜６のいずれか１つに記載のタイヤ用ゴム組成物。
【請求項８】
上記ゴム組成物中のシリカの含有量が、ゴム成分１００質量部に対して、２〜５０質量部配合されている請求項１〜７のいずれか１つに記載のタイヤ用ゴム組成物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１つに記載のタイヤ用ゴム組成物をタイヤ部材に使用した空気入りタイヤ。
【請求項１０】
上記空気入りタイヤが、重荷重用空気入りタイヤである請求項９に記載の空気入りタイヤ。
【請求項１１】
上記重荷重用空気入りタイヤが、オフロードタイヤである請求項１０記載の空気入りタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月9日(2011.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】タイヤ用ゴム組成物及びそれを使用した空気入りタイヤ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
天然ゴム及び合成ゴムからなる群から選ばれた少なくとも１種のゴム成分１００質量部に対して、ダイポーラー窒素を含む部分Ｑ、及び酸素又は硫黄を含む４〜６の窒素含有複素環を含む部分Ｂを有する化合物Ｄを０．３〜８０質量部とシリカを配合し、同時に同一分子内に天然ゴムまたはジエン系合成ゴムに反応する反応基Ｚを１個以上、シリカに対する吸着基Ｙを２個以上有する化合物Ｗを０．１〜２０質量部含むことを特徴とするタイヤ用ゴム組成物。
【請求項２】
上記化合物Ｄのダイポーラー窒素部分Ｑが、Ａ１−Ｃ（Ａ２）＝Ｎ（Ａ３）→Ｏ、Ａ１−Ｃ≡Ｎ→Ｏ、及びＡ１−Ｃ≡Ｎ→Ｎ−Ａ４の少なくとも１以上から選択され、該Ａ１〜Ａ４はそれぞれ異なっていても良い水素又は炭素数が２０以下の基又は上記Ｂを連結する連結鎖であり、上記化合物が少なくともＡ１〜Ａ４の１つ以上に上記Ｂが連結している化合物である請求項１記載のタイヤ用ゴム組成物。
【請求項３】
上記化合物ＤのＡ１〜Ａ４は、水素、炭素数が１〜２０の範囲にあるアルキル基、及び炭素数が６〜２０の範囲にあるアリール基（但し、芳香族環にはニトロ基、シアノ基、クロロ基、ブロモ基、アシル基、カルボニルアルキル基、アルキル基、及びアルコキシル基を有してよい。）の何れか１つから選択される基、又はそれらの連結鎖である請求項２記載のタイヤ用ゴム組成物。
【請求項４】
上記化合物ＤのＢ部分の窒素含有複素環がオキサゾリン又はチアゾリンである請求項１記載のタイヤ用ゴム組成物。
【請求項５】
上記化合物Ｄが、４−(２−オキサゾリル）−フェニル−Ｎ−メチル−ニトロン、４−(２−チアゾリル）−フェニル−Ｎ−メチル−ニトロン、４−(２−オキサゾリル）−フェニル−Ｎ−フェニル−ニトロン、４−(２−チアゾリル）−フェニル−Ｎ−フェニル−ニトロン、フェニル−Ｎ−４−(２−オキサゾリル）−フェニル−ニトロン、フェニル−Ｎ−４−(２−チアゾリル）−フェニル−ニトロン、４−トリル−Ｎ−４−(２−オキサゾリル）−フェニル−ニトロン、４−トリル−Ｎ−４−(２−チアゾリル）−フェニル−ニトロン、４−メトキシフェニル−Ｎ−４−(２−オキサゾリル）−フェニル−ニトロン、４−メトキシフェニル−Ｎ−４−(２−チアゾリル）−フェニル−ニトロン、４−(２−オキサゾリル）−フェニル−ニトリルオキシド、４−(２−チアゾリル）−フェニル−ニトリルオキシド、４−(２−オキサゾリル）−フェニル−Ｎ−メチル−ニトリルイミン、４−(２−チアゾリル）−フェニル−Ｎ−メチル−ニトリルイミン、４−(２−チアゾリル）−フェニル−ニトリルオキシド、４−(２−オキサゾリル）−フェニル−Ｎ−フェニル−ニトリルイミン、４−(２−チアゾリル）−フェニル−Ｎ−フェニル−ニトリルイミン、フェニル−Ｎ−４−(２−オキサゾリル）−フェニル−ニトリルイミン、フェニル−Ｎ−４−(２−チアゾリル）−フェニル−ニトリルイミンから選ばれる１以上である請求項４記載のタイヤ用ゴム組成物。
【請求項６】
上記化合物Ｗの吸着基Ｙが、カルボキシル基である請求項１〜５のいずれか１つに記載のタイヤ用ゴム組成物。
【請求項７】
上記化合物Ｗの反応基Ｚが、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、アクリル酸、メタクリル酸およびソルビン酸から選ばれる不飽和カルボン酸から誘導される基である請求項１〜６のいずれか１つに記載のタイヤ用ゴム組成物。
【請求項８】
上記化合物Ｗが、さらにオキシアルキレン基を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載のタイヤ用ゴム組成物。
【請求項９】
上記化合物Ｗが、多塩基酸の部分エステルであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載のタイヤ用ゴム組成物。
【請求項１０】
上記化合物Ｗが、化学式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される化合物である請求項１〜９のいずれか１つに記載のタイヤ用ゴム組成物。
【化１】
2007224070.tif 000001
式中、Ａ５、Ａ６及びＡ７はこれらのうち一つが式（ＲａＯ）ｎ−ＣＯ−ＣＲｂ＝ＣＲｃＲｄで表される基であり、他は水素原子である。ここでＲａは炭素数２〜４のアルキレン基である。またＲｂ、Ｒｃ及びＲｄはそれぞれ独立に水素原子又はメチル基である。ｎはオキシアルキレン基の平均付加モル数を示す１〜３０の数である。
【化２】
2007224070.tif 000002
式中、Ｒｅは、式ＲｆＯで示される基、式（ＲｇＯ）ｓで示される基、式ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏで示される基又は式（ＲｈＯ−ＣＯＲｊ−ＣＯＯ−）ｔＲｈＯで示される基である。ここでＲｆは炭素数２〜３６のアルキレン基，アルケニレン基又は２価の芳香族炭化水素基である。またＲｇは炭素数２〜４のアルキレン基であり、Ｓはオキシアルキレン基の平均付加モル数を示す１〜６０の数である。Ｒｈは炭素数２〜１８のアルキレン基、アルケニレン基、２価の芳香族炭化水素基又は（ＲｋＯ）ｕＲｋであり（Ｒｋは炭素数２〜４のアルキレン基、ｕはオキシアルキレン基の平均付加モル数を示す１〜３０の数である）、Ｒｊは炭素数２〜１８のアルキレン基、アルケニレン基又は２価の芳香族炭化水素基である。ｔは平均値で１〜３０である。
【請求項１１】
上記ゴム組成物中のゴム成分１００質量部中、天然ゴムを２０質量部以上含有する請求項１〜１０のいずれか１つに記載のタイヤ用ゴム組成物。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１つに記載のタイヤ用ゴム組成物をタイヤ部材に使用した空気入りタイヤ。
【請求項１３】
空気入りタイヤが、重荷重用空気入りタイヤである請求項１２記載の空気入りタイヤ。
【請求項１４】
上記重荷重用空気入りタイヤが、オフロードタイヤである請求項１３記載の空気入りタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月18日(2010.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
通常、動作パラメータの制限値は制限値を超過した大きさと期間との両方により定義される。短い時間期間であれば、パラメータが設定された制限値を超えても悪影響が生じないと考えられるが、このパラメータが長い時間期間にわたって制限値を超えると、装置が損傷する可能性が生じる。同様に、パラメータの変化の速度が緩やかであれば、悪影響が生じないと考えられるが、その一方で、パラメータの大きさが急激に増加または減少した場合、装置が損傷する可能性が生じる。例えば、タービンの蒸気温度の増加が緩やかであれば、装置に損傷が生じないと考えられるが、蒸気温度の増加が急激であれば蒸気タービンに重大な損傷が発生する可能性が生じる。
【特許文献１】米国特許第６６４７７２８号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月23日(2011.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第２の発明の光プリントヘッドは、共通端子に分岐接続されて配列された複数の発光素子と、前記第１の発明の駆動装置と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
次の時刻ｔ３において、駆動指令信号ＤＲＶＯＮが立ち下がり、これがＣＭＯＳインバータ７１で反転され、データ端子ＤＡがＨレベルへ遷移する。これにより、発光サイリスタ２１０−１のアノード・カソード間電圧が略０Ｖとなって、この発光サイリスタ２１０−１はオフし、ｃ部に示すように、駆動電流Ｉoutが略ゼロとなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
図８（ｂ）は、前記過程を示す電圧波形であって、出力端子ＣＫ１ＲがＬレベルへ遷移する時、クロック端子ＣＫ１にはａ部に示すようにアンダシュート部を生じて、グランドＧＮＤ電位よりも電圧Ｖｐ分低くすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
クロック駆動回路８０Ｂは、矩形波信号Ｓ６２−１を駆動する出力バッファ８１Ｂと、矩形波信号Ｓ６２−２を駆動する出力バッファ８２Ｂと、この出力バッファ８１Ｂ，８２Ｂの出力側にそれぞれ接続された２相の第２クロック出力用の出力端子ＣＫ１Ｒ，ＣＫ２Ｒとにより構成されている。各出力バッファ８１Ｂ，８２Ｂは、同一の回路構成であって、スイッチ素子（例えば、第１導電型のＭＯＳトランジスタであるＮＭＯＳ）を用いたオープンドレーン構成となっており、後述するように、低いＬレベル出力電圧を維持しつつ、自己走査サイリスタ１１１Ｂのゲートトリガに適した微分波形（例えば、オーバシュート波形）を発生させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６６】
次の時刻ｔ３において、駆動指令信号ＤＲＶＯＮ−Ｎが立ち上がり、これがＣＭＯＳインバータ７１で反転され、データ端子ＤＡがＬレベルへ遷移する。これにより、発光サイリスタ２１０Ｂ−１のアノード・カソード間電圧が略０Ｖとなって、この発光サイリスタ２１０Ｂ−１はオフし、ｃ部に示すように、駆動電流Ｉoutが略ゼロとなる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８５】
図１４（ｂ）は、前記過程を示す電圧波形であって、出力端子ＣＫ１ＲがＨレベルへ遷移する時、クロック端子ＣＫ１にはａ部に示すようにオーバシュート部を生じて、電源電圧ＶＤＤよりも電圧Ｖｐ分高くすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
共通端子に分岐接続されて配列された複数の発光素子と、前記複数の発光素子を駆動する駆動装置と、を備えた光プリントヘッドにおいて、
前記駆動装置は、
各々、第１電源と接続される第１端子と、クロック端子と接続される第２端子と、前記第１端子及び前記第２端子間のオン／オフ状態を制御する制御端子と、を有する複数の３端子スイッチ素子が配列され、前記クロック端子から供給される第１クロック信号に基づき前記３端子スイッチ素子がオン／オフ動作して前記制御端子に流れる信号を前記発光素子に与え、前記複数の発光素子を順に走査して駆動する走査回路と、
駆動用矩形波の信号を駆動してデータ信号を前記共通端子へ供給するデータ駆動回路と、
走査用矩形波の信号を駆動して第２クロック信号を出力するクロック駆動回路と、
前記第２クロック信号をインダクタにより微分して、前記第２クロック信号のエッジに微分波形が形成された前記第１クロック信号を生成し、前記クロック端子へ供給する微分回路と、
を備えたことを特徴とする光プリントヘッド。
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
光プリントヘッドを備え、
前記光プリントヘッドにより露光されて記録媒体に画像を形成する画像形成装置において、
前記光プリントヘッドは、
共通端子に分岐接続されて配列された複数の発光素子と、
前記複数の発光素子を駆動する駆動装置と、を備え、
前記駆動装置は、
各々、第１電源と接続される第１端子と、クロック端子と接続される第２端子と、前記第１端子及び前記第２端子間のオン／オフ状態を制御する制御端子と、を有する複数の３端子スイッチ素子が配列され、前記クロック端子から供給される第１クロック信号に基づき前記３端子スイッチ素子がオン／オフ動作して前記制御端子に流れる信号を前記発光素子に与え、前記複数の発光素子を順に走査して駆動する走査回路と、
駆動用矩形波の信号を駆動してデータ信号を前記共通端子へ供給するデータ駆動回路と、
走査用矩形波の信号を駆動して第２クロック信号を出力するクロック駆動回路と、
前記第２クロック信号をインダクタにより微分して、前記第２クロック信号のエッジに微分波形が形成された前記第１クロック信号を生成し、前記クロック端子へ供給する微分回路と、
を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月2日(2011.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、車体の下部に搭載され、燃料電池に供給される燃料ガスを高圧状態で貯蔵するタンクと、タンクを覆って保護するカバーと、を有する燃料電池車両において、カバーは、タンクより車両前方側に形成され、カバー内に空気を導入する導入口と、タンクより車両後方側に形成され、導入口からカバー内に導入された空気を排出する排出口と、を有し、車体には、複数のタンクが車両前方から後方に向けて順に並んで搭載され、カバー内部には、導入口から導入された空気を、最も車両前方側に位置するタンクより後方へ導くダクトが設けられていることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車体の下部に搭載され、燃料電池に供給される燃料ガスを高圧状態で貯蔵するタンクと、
タンクを覆って保護するカバーと、
を有する燃料電池車両において、
カバーは、
タンクより車両前方側に形成され、カバー内に空気を導入する導入口と、
タンクより車両後方側に形成され、導入口からカバー内に導入された空気を排出する排出口と、
を有し、
車体には、複数のタンクが車両前方から後方に向けて順に並んで搭載され、
カバー内部には、導入口から導入された空気を、最も車両前方側に位置するタンクより後方へ導くダクトが設けられている、
ことを特徴とする燃料電池車両。
【請求項２】
請求項１に記載の燃料電池車両において、
燃料電池と導入口とを接続し、燃料電池から排出される排ガスが流れる排ガス路を有する、
ことを特徴とする燃料電池車両。
【請求項３】
請求項１または２に記載の燃料電池車両において、
カバー内部には、さらに、ダクトの出口から出た空気を、この出口より後方のタンクに案内するガイド部が設けられている、
ことを特徴とする燃料電池車両。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１つに記載の燃料電池車両において、
排出口が、カバーの下面と後面の少なくとも一方に形成される、
ことを特徴とする燃料電池車両。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１つに記載の燃料電池車両において、
導入口と排出口は、同じ形状である、
ことを特徴とする燃料電池車両。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月29日(2010.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
反射鏡と、この反射鏡内に組み込まれ、かつ内部にフィラメントが配置されたバルブを有するハロゲン電球とを備えた定格電圧が１１０［Ｖ］であり、定格電力が略４０［Ｗ］の反射鏡付き管球であって、
前記フィラメントは前記反射鏡の光軸方向に延びる略直線状の二重巻きコイル部を有し、かつ前記二重巻きコイル部の素線が前記反射鏡の光軸と交差しており、
前記フィラメントにおける二重巻きコイル部のコイル長をＬ［ｍｍ］、コイル外径をＲ［ｍｍ］とした場合、前記コイル長Ｌおよび前記コイル外径Ｒは座標（Ｌ，Ｒ）で表される点（５．５０，１．８５）、点（７．５０，１．６５）、点（７．５０，０．８５）、点（５．５０，１．０５）を順次結んだ線分で囲まれた範囲内（ただし、前記線分上を含む）から選択された値を有することを特徴とする反射鏡付き管球。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の請求項１記載の管球は、反射鏡と、この反射鏡内に組み込まれ、かつ内部にフィラメントが配置されたバルブを有するハロゲン電球とを備えた定格電圧が１１０［Ｖ］であり、定格電力が略４０［Ｗ］の反射鏡付き管球であって、前記フィラメントは前記反射鏡の光軸方向に延びる略直線状の二重巻きコイル部を有し、かつ前記二重巻きコイル部の素線が前記反射鏡の光軸と交差しており、前記フィラメントにおける二重巻きコイル部のコイル長をＬ［ｍｍ］、コイル外径をＲ［ｍｍ］とした場合、前記コイル長Ｌおよび前記コイル外径Ｒは座標（Ｌ，Ｒ）で表される点（５．５０，１．８５）、点（７．５０，１．６５）、点（７．５０，０．８５）、点（５．５０，１．０５）を順次結んだ線分で囲まれた範囲内（ただし、前記線分上を含む）から選択された値を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月4日(2011.5.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から発振したレーザビームを線状ビームに変える線状光学系と、
前記線状ビームが照射される基板を設置するステージと、
前記ステージに設けられた支持手段とを有し、
前記支持手段は、ビームプロファイラで調べられた前記線状ビームの焦点位置に沿うように前記基板の表面形状を変形させることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記支持手段は、ピエゾアクチュエータであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記レーザ発振器は、ＹＡＧ、ＧｄＶＯ４、ＹＶＯ４、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ３、または、サファイア結晶に、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、または、Ｔｍをドープした結晶を使ったレーザ発振器であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記レーザ発振器は、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、Ｙ２Ｏ３、ガラス、ルビー、あるいは、アレキサンドライトを用いたレーザ発振器であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記支持手段は、オートフォーカス装置に連動して制御されることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
レーザ発振器からレーザビームを発振し、
線状光学系により、前記レーザビームを線状ビームに加工し、
基板をステージ上に設置し、
前記ステージに設けられた支持手段により、ビームプロファイラで調べられた前記線状ビームの焦点位置に沿うように前記基板の表面形状を変形し、
前記表面形状が変形された基板に前記線状ビームを照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記支持手段は、ピエゾアクチュエータであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記レーザ発振器は、ＹＡＧ、ＧｄＶＯ４、ＹＶＯ４、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ３、または、サファイア結晶に、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、または、Ｔｍをドープした結晶を使ったレーザ発振器であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項９】
請求項６または請求項７において、
前記レーザ発振器は、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、Ｙ２Ｏ３、ガラス、ルビー、あるいは、アレキサンドライトを用いたレーザ発振器であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか１項において、
前記支持手段は、オートフォーカス装置に連動して制御されることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１１】
レーザ発振器からレーザビームを発振し、
線状光学系により、前記レーザビームを線状ビームに加工し、
基板上に半導体膜を形成し、
前記基板をステージ上に設置し、
前記ステージに設けられた支持手段により、ビームプロファイラで調べられた前記線状ビームの焦点位置に沿うように前記基板の表面形状を変形し、
前記表面形状が変形された基板に形成された半導体膜に前記線状ビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記半導体膜は、前記線状ビームの照射により結晶化されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１１において、
前記半導体膜に添加された一導電性を付与する不純物元素が、前記線状ビームの照射により活性化されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか１項において、
前記半導体膜は、シリコンを含む半導体膜、または、ゲルマニウムを含む半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至請求項１４のいずれか１項において、
前記支持手段は、ピエゾアクチュエータであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１１乃至請求項１５のいずれか１項において、
前記レーザ発振器は、ＹＡＧ、ＧｄＶＯ４、ＹＶＯ４、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ３、または、サファイア結晶に、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、または、Ｔｍをドープした結晶を使ったレーザ発振器であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１１乃至請求項１５のいずれか１項において、
前記レーザ発振器は、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、Ｙ２Ｏ３、ガラス、ルビー、あるいは、アレキサンドライトを用いたレーザ発振器であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１１乃至請求項１７のいずれか１項において、
前記支持手段は、前記オートフォーカス装置に連動して制御されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月2日(2011.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器側面の開閉可能な蓋によって基板を密封して収納するフープを載置可能なステージと、前記ステージ上に突出し、前記フープの底面を固定可能なクランプ手段と、前記蓋を吸着して保持する吸着手段と、前記吸着手段が保持した前記蓋を開閉するドアと、を備えたロードポートにおいて、
前記クランプ手段が、前記フープの底面を固定するときの位置よりもさらに下降し、前記基板と同じサイズの基板を収納可能なオープンカセットが前記ステージに搭載されたときに前記オープンカセットの底面と接触しない位置まで下降可能に構成されたこと、を特徴とするロードポート。
【請求項２】
前記クランプ手段に、前記フープの底面を固定するときの位置よりもさらに上昇している状態を検知する第１センサと、前記フープの底面を固定するときの位置を検出する第２センサと、前記オープンカセットの底面と接触しない位置まで下降した状態を検出する第３センサと、が設けられたことを特徴とする請求項１記載のロードポート。
【請求項３】
前記クランプ手段を前記オープンカセットの底面と接触しない位置まで下降させるオペレータ用のスイッチを設けたことを特徴とする請求項１または２記載のロードポート。
【請求項４】
前記スイッチが押下されて前記第１センサが検出されているとき前記フープが前記ステージに搭載可能であり、前記スイッチが押下されて前記第３センサが検出されているとき前記オープンカセットが前記ステージに搭載可能である、ことを前記オペレータに示すインジケータが設けられたことを特徴とする請求項３記載のロードポート。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれかに記載のロードポートが装置壁面に搭載されたことを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記問題を解決するため、本発明は、次のように構成したのである。
請求項１に記載の発明は、容器側面の開閉可能な蓋によって基板を密封して収納するフープを載置可能なステージと、前記ステージ上に突出し、前記フープの底面を固定可能なクランプ手段と、前記蓋を吸着して保持する吸着手段と、前記吸着手段が保持した前記蓋を開閉するドアと、を備えたロードポートにおいて、前記クランプ手段が、前記フープの底面を固定するときの位置よりもさらに下降し、前記基板と同じサイズの基板を収納可能なオープンカセットが前記ステージに搭載されたときに前記オープンカセットの底面と接触しない位置まで下降可能に構成されたことを特徴とするものである。
また、請求項２に記載の発明は、前記クランプ手段に、前記フープの底面を固定するときの位置よりもさらに上昇している状態を検知する第１センサと、前記フープの底面を固定するときの位置を検出する第２センサと、前記オープンカセットの底面と接触しない位置まで下降した状態を検出する第３センサと、が設けられたことを特徴とする請求項１記載のロードポートとするものである。
また、請求項３に記載の発明は、前記クランプ手段を前記オープンカセットの底面と接触しない位置まで下降させるオペレータ用のスイッチを設けたことを特徴とする求項１または２記載のロードポートとするものである。
また、請求項４に記載の発明は、前記スイッチが押下されて前記第１センサが検出されているとき、前記フープが前記ステージに搭載可能であり、前記スイッチが押下されて前記第３センサが検出されているとき前記オープンカセットが前記ステージに搭載可能である、ことを前記オペレータに示すインジケータが設けられたことを特徴とする請求項３記載のロードポートとするものである。
また、請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４いずれかに記載のロードポートが装置壁面に搭載されたことを特徴とする半導体製造装置とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月29日(2011.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
照明領域内に分散させて設置した複数の照明器具と、
少なくとも照明領域内を通行する個人の位置を検出することが可能な人検知部と、
人検知部の出力に応じて個人の周囲にパーソナル照明を行うように照明器具の点消灯又は調光を制御することが可能な制御部とを備えた照明システムにおいて、
照明領域は、個人の位置を認定するための複数のエリアからなり、
制御部は、照明領域内の任意の基点から移動する個人の移動先を、その当人の現在又は過去の位置情報に基づいてエリア単位で予測する位置予測手段を有し、
上記基点を含む基点エリアと移動経路として連なる連続エリアを個人が移動するときに、基点エリアを離れる時点で移動先として予想される連続エリアにある照明器具を作動させることとしたことを特徴とする、パーソナル照明システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
少なくとも上記個人の周囲と行く先との２箇所で照明器具がその個人の移動中常に点灯しているように照明器具を配置したことを特徴とする、請求項１記載のパーソナル照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月11日(2011.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
天井等の部材の装着孔に装着される被装着体に取り付けられ、前記被装着体と前記装着孔の間の隙間を覆うカバーであって、
前記装着孔のバリ等の凹凸により前記被装着体と前記部材との間に生じる隙間を被覆する被覆部を備えることを特徴とするカバー。
【請求項２】
前記被覆部には、切欠き部が設けてあることを特徴とする請求項１に記載のカバー。
【請求項３】
前記切欠き部は、開口側に向けて広がる傾斜面を有することを特徴とする請求項２に記載のカバー。
【請求項４】
前記部材に対向する面の前記切欠き部に対応する部分に、補強部を有していることを特徴とする請求項２または３に記載のカバー。
【請求項５】
前記切欠き部の近傍に、該切欠き部に挿入される工具を所定の位置で止める突起を備えることを特徴とする請求項２から請求項４の何れか一つに記載のカバー。
【請求項６】
請求項１から請求項５の何れか一つに記載のカバーを備えたことを特徴とする照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
なお、以上の実施の形態においては、光源として複数のＬＥＤ素子が実装されてなるＬＥＤモジュール３、３…を用いているが、これに限定されず、高輝度のＬＥＤチップ、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）、蛍光灯、電球等を用いてもよい。
なお、被覆部は、カバーの外周縁に設けられていることを特徴とする。カバーの外周縁に被覆部を設けており、被覆部を適切に形成することにより、バリ等の凹凸が装着孔の縁部のごく近傍に留まらない場合においても、バリ等の凹凸により被装着体と部材との間に生じる隙間を被覆することが可能となる。
また、カバーは、部材に開口された装着孔に装着された被装着体及び前記装着孔の内面間の隙間を被覆すべきカバーにおいて、前記装着孔の縁部に離隔して対向すべき対向部と、該対向部の外周縁に略全周に亘って設けられた被覆部とを備えることを特徴とする。
部材に開口された装着孔の縁部に離隔して対向すべき対向部と、対向部の外周縁に略全周に亘って設けられた被覆部とをカバーに設けており、該カバーを装着孔及び被装着体に合わせて適切に形成することにより、被装着体及び前記装着孔の内面間の隙間、並びに装着孔の縁部近傍に生じたバリ等の凹凸により被装着体と部材との間に生じる隙間を被覆することが可能となる。また、対向部の外周縁に略全周に亘って設けられた被覆部を適切に形成することにより、バリ等の凹凸が装着孔の縁部のごく近傍に留まらない場合においても、カバーを部材に隙間を生じることなく当接させることが可能となる。この結果、装置の美観に資する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月17日(2011.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒型金属ケ−ス（１）と、この金属ケースの一端側にかしめ固定したリ−ド（２）および他端側に開口閉塞用絶縁ブッシング（９）を貫通し先端に固定接点（１１）を有するリ−ド（１０）を含む導出リード部材と、前記金属ケ−ス（１）に収容する感温ペレット（３）、ケース内壁面と接触する可動接点体（７）、この可動接点体に係留される圧縮ばね部材（６、８）、および圧縮ばね押圧力を感温ペレット（３）に伝達する金属押板（４、５）を具備し、前記金属押板（４，５）および前記感温ペレット（３）は、相互の接触当接部位に経時的変化を伴わない非変質材からなり、それにより前記導出リ−ド部材間を遮断する動作温度の経過時間的な変動をミニマム化したことを特徴とする感温ペレット型温度ヒュ−ズ。
【請求項２】
前記感温ペレットは高温保管および／または高湿保管の環境負荷の耐久試験により変質を生じない熱可塑性樹脂材であり、かつ、前記金属押板は高温保管および／または高湿保管の環境負荷の耐久試験により前記感温ペレットとの当接面で変質を生じない所定の機械的強度を有するステンレス材であることを特徴とする請求項１に記載の感温ペレット型温度ヒュ−ズ。
【請求項３】
前記環境負荷の高温保管による耐久試験は、所定の動作温度より略１０℃低くした５０００時間経過後の変化により選定し、また、前記環境負荷の高湿保管による耐久試験は、所定の動作温度が１００℃以下の場合は、温度６５℃、相対湿度９５％であり、１００℃を越える場合は温度８５℃、相対湿度９５％の設定条件下で５０００時間の経過後の変化により選定し、前記耐久試験の選定基準は、５０００時間経過後の動作温度の変動が５℃以内であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の感温ペレット型温度ヒュ−ズ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月31日(2011.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子源と、
メタルバックと、該メタルバックを介して前記電子源と対向し、該電子源より放出される電子ビームの照射によって発光する蛍光体ドットと、該蛍光体ドットの形成された領域内に開口を有し、前記蛍光体ドットを介して前記電子源に対向して配置された黒色部材と、を有するフェイスプレートと、
を備える電子線ディスプレイにおいて、
前記電子源から放出される電子ビームの照射領域が、前記蛍光体ドットより小さく、前記照射領域内に前記黒色部材の一部が位置し、前記開口の少なくとも一部は、前記照射領域の外側に位置することを特徴とする電子線ディスプレイ。
【請求項２】
前記開口を複数有し、該複数の開口の少なくとも一つは、前記照射領域の外側に位置する、請求項１に記載の電子線ディスプレイ。
【請求項３】
前記複数の開口は、互いに所定の距離を空けて配置されている、請求項２に記載の電子線ディスプレイ。
【請求項４】
前記開口の各形状は長方形である、請求項２または３に記載の電子線ディスプレイ。
【請求項５】
前記所定の距離は、前記蛍光体ドットの膜厚の５倍以下である、請求項３に記載の電子線ディスプレイ。
【請求項６】
前記照射領域内における、前記複数の開口の開口率が３０％以上７０％以下の範囲内である、請求項２ないし５のいずれか１項に記載の電子線ディスプレイ。
【請求項７】
前記黒色部材のうち、少なくとも前記照射領域内に位置する前記黒色部材の前記蛍光体ドットに対向する側に、前記蛍光体ドットを構成する蛍光体からの光を反射する反射部材が形成されている、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電子線ディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月4日(2011.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子源と、
前記荷電粒子源から放出される荷電粒子線を試料に照射する荷電粒子線光学系と、
前記試料から放出される二次電子を検出する検出器と、
前記試料に接触する探針と、
前記探針からの信号に基づいて画像を形成する試料検査装置において、
前記荷電粒子線の照射により前記探針に流入する電流又は探針間の電圧に基づいて試料像を形成し、
前記試料像を複数の異なる試料の温度において取得し、
前記複数の試料像の信号を加算若しくは除算することにより、新たな画像を形成することを特徴とする試料検査装置。
【請求項２】
請求項１記載の試料検査装置において、
前記温度の異なる複数の試料像の、一部または全部について重み付けをした画像の信号に加算または除算をすることにより新たな画像を形成することを特徴とする試料検査装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の試料検査装置において、
前記複数の試料像について、各試料像の位置合わせ及び／又は倍率を補正した画像を用いることを特徴とする試料検査装置。
【請求項４】
荷電粒子源と、
前記荷電粒子源から放出される荷電粒子線を試料に照射する荷電粒子線光学系と、
前記試料から放出される二次電子を検出する検出器と、
前記試料に接触する探針と、
前記探針からの信号に基づいて画像を形成する試料検査装置において、
前記荷電粒子線の照射により前記探針に流入する電流又は探針間の電圧に基づいて試料像を形成し、
前記試料像を複数の異なる荷電粒子光学系の条件において取得し、
前記複数の試料像の信号を加算若しくは除算することにより、新たな画像を形成することを特徴とする試料検査装置。
【請求項５】
請求項４記載の試料検査装置において、
試料に照射される荷電粒子源の加速電圧，荷電粒子線量，荷電粒子線入射角を変更することにより、前記異なる荷電粒子光学系の条件が変更されることを特徴とする試料検査装置。
【請求項６】
請求項４記載の試料検査装置において、
前記複数の試料像の、一部または全部について重み付けをした画像の信号に加算または除算をすることにより新たな画像を形成することを特徴とする試料検査装置。
【請求項７】
請求項４ないし６記載の試料検査装置のいずれか１つにおいて、
前記複数の試料像について、各試料像の位置合わせ及び／又は倍率を補正した画像を用いることを特徴とする試料検査装置。
【請求項８】
荷電粒子源と、
前記荷電粒子源から放出される荷電粒子線を試料に照射する荷電粒子線光学系と、
前記試料から放出される二次電子を検出する検出器と、
前記試料に接触する探針と、
前記探針からの信号に基づいて画像を形成する試料検査装置において、
前記荷電粒子線の照射により前記探針に流入する電流又は探針間の電圧に基づいて試料像を形成し、
前記試料像を複数の異なる探針の位置において取得し、
前記複数の試料像の信号を加算若しくは除算することにより、新たな画像を形成することを特徴とする試料検査装置。
【請求項９】
請求項８記載の試料検査装置において、
前記試料の有する配線上の異なる位置に探針を接触させて試料像を取得することを特徴とする試料検査装置。
【請求項１０】
請求項８又は９記載の試料検査装置において、
前記複数の試料像の、一部または全部について重み付けをした画像の信号に加算または除算をすることにより新たな画像を形成することを特徴とする試料検査装置。
【請求項１１】
請求項８ないし１０記載の試料検査装置のいずれか１つにおいて、
前記複数の試料像について、各試料像の位置合わせ及び／又は倍率を補正した画像を用いることを特徴とする試料検査装置。
【請求項１２】
荷電粒子源と、
前記荷電粒子源から放出される荷電粒子線を試料に照射する荷電粒子線光学系と、
前記試料から放出される二次電子を検出する検出器と、
前記試料に接触する探針と、
前記探針からの信号に基づいて画像を形成する試料検査装置において、
前記荷電粒子線の照射により前記探針に流入する電流又は探針間の電圧に基づいて試料像を形成し、
前記試料像を、試料の深さ方向の異なる位置に荷電粒子線の焦点をあわせて取得し、
前記複数の試料像を試料深さ方向に重ね、各試料像間の信号量を補完することにより、前記試料像と垂直な面を有する新たな画像を形成することを特徴とする試料検査装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の試料検査装置において、
試料に照射される荷電粒子源の加速電圧，荷電粒子線量を変更することにより、
前記異なる荷電粒子光学系の条件が変更されることを特徴とする試料検査装置。
【請求項１４】
請求項１２または１３記載の試料検査装置において、
前記複数の試料像の、一部または全部について重み付けをした画像の信号に加算または除算をすることにより新たな画像を形成することを特徴とする試料検査装置。
【請求項１５】
請求項１２ないし１４記載の試料検査装置のいずれか１つにおいて、
前記複数の試料像について、各試料像の位置合わせ及び／又は倍率を補正した画像を用いることを特徴とする試料検査装置。
【請求項１６】
荷電粒子源と、
前記荷電粒子源から放出される荷電粒子線を試料に照射する荷電粒子線光学系と、
前記試料から放出される二次電子を検出する検出器と、
前記試料に接触する探針と、
前記探針からの信号に基づいて画像を形成する試料検査装置において、
当該試料検査装置は、前記試料の帯電量を検出する検出器を有し、
当該検出器は、探針の移動時の試料の電位を検出し、
当該探針を当該試料の電位に近づけることを特徴とする試料検査装置。
【請求項１７】
請求項１６記載の試料検査装置において、
前記探針の電位を試料の電位に近づけた後に、当該探針を試料に接触させ、更に当該探針の電位を変更することを特徴とする試料検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月3日(2011.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回折格子を有する半導体素子の製造方法であって、
基板上に光ガイド層を形成する工程と、
前記光ガイド層上にキャップ層を形成する工程と、
前記光ガイド層の一部が前記回折格子を形成するように前記光ガイド層と前記キャップ層の一部に開口部を形成する工程と、
前記基板を前記キャップ層の成長温度未満かつ前記キャップ層のマストランスポートが起こる温度以上に昇温し、前記開口部において露出している前記光ガイド層の側面を前記キャップ層の一部で覆うマストランスポート工程と、
前記マストランスポート工程後に前記基板上に前記回折格子の埋め込み層を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記マストランスポート工程後前記埋め込み層を成長させる工程の前に、前記基板を前記キャップ層の成長温度以上まで昇温し基板表面を平坦化する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記マストランスポート工程における前記基板の温度は、前記光ガイド層のマストランスポートが起こる温度より低いことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記光ガイド層はＩｎＧａＡｓＰ層であり、
前記キャップ層はＩｎＰ層であり、
前記埋め込み層はＩｎＰ層であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記マストランスポート工程と前記平坦化する工程はリン雰囲気中で行うことを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記キャップ層を形成する工程で形成される前記キャップ層の層厚を、下記式１を満足するように定めることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
ｄ−ｇ＞ｃ＞ｒｄ／（１＋ｒ）  ・・・式１
ここで、
ｃ：前記キャップ層の層厚
ｄ：前記開口部の深さ
ｇ：前記ガイド層の層厚
ｒ：前記開口部の幅を、前記開口部同士間の凸部の幅で除算した値
【請求項７】
前記光ガイド層と前記キャップ層にキャリア濃度差を持たせ、
前記キャリア濃度差を、前記光ガイド層と前記キャップ層が前記キャリア濃度差を有しない場合よりも前記半導体素子を導波する光と前記回折格子との光結合係数が高くなるように定めることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。