Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月1日(2011.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一のパネルを含む面積に分割された複数の単結晶半導体層を、絶縁層を介して絶縁表面を有する基板上に接合し、
前記複数の単結晶半導体層から選択された一のまとまりを同時に露光して回路パターンを形成することにより、個々の前記単結晶半導体層を用いてトランジスタを含む回路を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記絶縁層は、有機シランを原料ガスとして化学気相成長法により成膜する酸化シリコン層であることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記有機シランとしては、テトラエトキシシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルジシラザン、トリエトキシシラン、又はトリスジメチルアミノシランを用いることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記複数の単結晶半導体層から選択された一のまとまりは、露光装置が１回に露光する範囲のまとまりとすることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記露光装置が１回に露光する範囲のまとまりは、アライメントマーカーを有し、
前記アライメントマーカーを用いて、前記単結晶半導体層の位置合わせを行うことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記絶縁表面を有する基板として、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はバリウムホウケイ酸ガラス、石英基板、サファイヤ基板、又はセラミック基板を用いることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記一のパネルのサイズは、対角１０インチ未満であることを特徴とする表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月24日(2010.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
前記省エネナビは、例えば、現在の電力使用量や電気代等をリアルタイムで表示し、また、電機の使い過ぎを検知し、さらには、特定の電気機器を自動的に停止させる等の機能を備えている。なお、関連する発明が特許文献１，２及び３に記載されている。
【特許文献１】特開２００５−２０１４８２号公報
【特許文献２】特開２００１−１０１２９２号公報
【特許文献３】実用新案登録第３０９６８４０号公報
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月29日(2011.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面、及びリセスを有する単結晶半導体表面を含む基板を、化学気相成長チャンバ内に提供するステップと、
前記リセスに半導体ストレッサーを選択的に形成するステップと、を含み、
前記半導体ストレッサーが、前記リセス内の前記半導体ストレッサーの上部部分が下部部分より高いひずみを有するように傾斜され、
前記上部部分が前記リセスの側壁へ伸びる
半導体物質を選択的に形成する方法。
【請求項２】
前記半導体ストレッサーが、離散的な膜を含む
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記半導体ストレッサーを選択的に形成する前記ステップが、
前記基板の前記絶縁表面及び前記単結晶半導体表面上に半導体物質をブランケット成膜するステップと、
前記リセスの底部にエピタキシャル物質を残しながら、前記絶縁表面から非エピタキシャル半導体物質を選択的に除去し、且つ、前記リセスの前記側壁からエピタキシャル物質を選択的に除去するステップと、を含む
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ブランケット成膜するステップ及び前記選択的に除去するステップを複数のサイクル繰り返すステップをさらに含み、
各前記サイクルが、前記リセスの底部でのエピタキシャル物質の厚さを増し、
前記リセス内において、ブランケット成膜された半導体物質の膜が、該膜の下にあるブランケット成膜された半導体物質の膜よりも高い濃度のドーパントを含有する
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ブランケット成膜するステップが、非選択的に成膜するステップを含む
請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記ブランケット成膜するステップが、前記絶縁表面上に主に非晶質の半導体物質を形成するステップを含む
請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記ブランケット成膜するステップが、トリシラン及び炭素の前駆体を前記化学気相成長チャンバに流すステップを含む
請求項３に記載の方法。
【請求項８】
前記半導体物質が、炭素不純物添加のシリコンを含む
請求項１に記載の方法。
【請求項９】
堆積された前記半導体ストレッサーの膜が、離散的に傾斜されている
請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
前記半導体ストレッサーを堆積する前記ステップが、各サイクルにおいて１〜１００ｎｍの厚さに前記半導体ストレッサーを形成する
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記リセスされた領域中の前記半導体ストレッサーの前記膜が、前記基板の隣接領域にひずみを生じさせる
請求項２に記載の方法。
【請求項１２】
前記ひずみが、前記リセスされた領域のトップ部分で最も大きい
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
絶縁領域及びリセスが形成されている基板を提供するステップと、
前記リセスを部分的に埋め込み、ひずみを引き起こす不純物を含むヘテロエピタキシャル・シリコン含有物質のライナー層を前記リセスに形成するステップと、
前記ライナー層より低い濃度の不純物を有するシリコン含有物質を含むフィラーを前記ライナー層上に形成することによって、前記ライナー層を覆うステップと、を含む
リセス内に半導体物質を形成する方法。
【請求項１４】
基板中のリセスと、
前記リセスの単結晶側壁表面のすべてを実質的に覆い、格子定数を変更させる不純物を含むヘテロエピタキシャル・シリコン含有ライナーと、
前記ライナー上に形成され、前記リセスを埋め込むフィラーと、
前記リセスに隣接するトランジスタ・チャネルと、を含み、
前記フィラーが、前記ライナーより低い濃度の前記不純物を有するシリコン含有物質を含む半導体装置。
【請求項１５】
ヘテロエピタキシャル・ストレッサー物質で埋め込まれたリセスと、
前記リセスに隣接するトランジスタ・チャネルと、を含み、
前記リセス内の前記ストレッサー物質の上部が、第１の不純物濃度を有し、
前記リセス内の前記ストレッサー物質の下部が、第２の不純物濃度を有し、
前記第１の不純物濃度が、第２の不純物濃度より高く、
前記上部が、伸びて前記リセスの側壁と接続する半導体装置。
【請求項１６】
前記ストレッサー物質が、底面よりも上面のほうが高い不純物濃度を有する
請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記ストレッサー物質が、シリコン・ゲルマニウムである
請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記ストレッサー物質が、炭素不純物添加のシリコンである
請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記ストレッサー物質が、離散的な膜を含み、
各前記膜が、各前記膜の下の膜より高い不純物濃度を有する
請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記ストレッサー物質が、引っ張りひずみを有する
請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項２１】
前記リセスの単結晶側壁表面のすべてを実質的に覆うシリコン含有ライナーを更に含み、
前記ヘテロエピタキシャル・ストレッサー物質は、シリコン含有ライナー層により規定される前記リセスの内部領域を充填する
請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項２２】
前記ひずみは、前記リセスが形成された領域の上部部分の前記リセス内で最も大きい
請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
少なくとも１つの前記半導体ストレッサーの最上層は、引っ張りひずみを有する
請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
前記ブランケット成膜するステップは、ゲルマニウムソースを流すステップを含む
請求項３に記載の方法。
【請求項２５】
前記ブランケット成膜するステップは、前記絶縁表面に主に多結晶物質を形成するステップを含む
請求項３に記載の方法。
【請求項２６】
前記ブランケット成膜するステップは、少なくともいくつかのエッチャントを流すステップを含む
請求項３に記載の方法。
【請求項２７】
前記非エピタキシャル半導体物質及び前記エピタキシャル物質を選択的に除去するステップは、ゲルマニウムソースを含むエッチング化学物質を導入するステップを含む
請求項３に記載の方法。
【請求項２８】
前記ゲルマニウムソースは、ＧｅＣｌ４を含む
請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
選択的に形成された前記半導体ストレッサーにシリコンキャップ層を形成するステップを更に含む
請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月22日(2011.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
選択可能な第一階層に属する複数の項目群と、該項目群を構成する選択可能な第二階層に属する複数の候補データの中から、選択された項目群に対応する複数の候補データをモニター部にメニュー表示するメニュー表示手段と、
前記複数の候補データから１つを選択するための所定操作を受け付ける操作受付手段と、
選択された候補データを制御データとして決定する決定手段と、
該制御データに基づいて機器本体の動作制御を行う動作制御手段と、
前記所定操作が第１操作形態でなされたとき、現在選択されている項目群に対応する第二階層の複数の候補データの中で選択可能とさせ、該所定操作が第２操作形態でなされたとき、現在選択されている項目群と現在選択されていない項目群に対応する第二階層の候補データを選択可能とさせる制御を行う制御手段を備える、情報表示装置。
【請求項２】
前記第１操作形態は該所定操作が非連続的に行われる形態であり、前記第２操作形態は該所定操作が連続的に行われる形態であることを特徴とする、請求項１記載の情報表示装置。
【請求項３】
前記第１操作形態における所定操作は短時間操作であり、前記第２操作形態における所定操作は長時間操作であることを特徴とする、請求項１または２記載の情報表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月30日(2011.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルスレーザーダイオード（１）を作動させるための回路装置であって、
前記パルスレーザーダイオード（１）に電流を給電するパルス発生回路（５）と、
前記パルスレーザーダイオード（１）に直流電流を給電する直流電流源（２）と、
前記直流電流源（２）に電気的な線路を介して接続されている温度測定装置（４）とを備えている、回路装置において、
温度測定装置（４）から供給される、パルスレーザーダイオード（１）の温度に関する測定値を、前記直流電流源（２）の制御に利用し、さらに、
前記直流電流源（２）は、前記パルスレーザーダイオード（１）のチップ内の温度を少なくとも１０Ｋ（ケルビン）高めるのに十分な電流を前記パルスレーザーダイオード（１）に給電するように構成されていることを特徴とする回路装置。
【請求項２】
給電される直流電流（ＩBIAS）を、パルスレーザーダイオード（１）のレーザー閾値よりも小さい値まで制限する、電流制限器（３）が設けられている、請求項１記載の回路装置。
【請求項３】
パルスレーザーダイオード（１）を作動させるための方法であって、
パルスレーザーダイオード（１）に電流を給電するパルス発生回路（５）と、
パルスレーザーダイオード（１）に直流電流を給電する直流電流源（２）とを有し、
電気的な線路を介して温度測定装置（４）が前記直流電流源（２）に接続され、
パルスレーザーダイオード（１）のパルス波長（λ）が、パルスレーザーダイオード（１）への直流電流（ＩBIAS）の給電によって制御される、方法において、
温度測定装置（４）から供給される、パルスレーザーダイオード（１）の温度に関する測定値を、前記直流電流源（２）の制御に利用し、さらに、
前記直流電流源（２）が、前記パルスレーザーダイオード（１）のチップ内の温度を少なくとも１０Ｋ（ケルビン）高めるのに十分な電流をパルスレーザーダイオード（１）に給電するようにしたことを特徴とする方法。
【請求項４】
前記電流は、少なくとも３０ｍＡから最大で１５０ｍＡの電流強度で給電される、請求項３記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
前記課題は本発明により、温度測定装置から供給される、パルスレーザーダイオードの温度に関する測定値を、前記直流電流源の制御に利用し、さらに、前記直流電流源は、前記パルスレーザーダイオードのチップ内の温度を少なくとも１０Ｋ（ケルビン）高めるのに十分な電流を前記パルスレーザーダイオードに給電するように構成されている構成によって解決される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月15日(2011.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個々のチップを、拘束基板（４４）に集合的にボンディングする方法であって、
機能性層（４０）を、二つの隣接する層（４０）間にスペースeで隣接する非接触状態で支持体（４１）に配列し、
接着剤（４３）を前記機能性層のそれぞれに付着し、
前記拘束基板（４４）を前記接着剤の上に搬送し、
こうして形成されたアセンブリを、拘束基板に結合されたチップ（４５）を形成する部分に単一化し、
各機能性層に付着された接着剤が、調整された接着剤（４３）の滴であり、且つ基板（４４）が前記スペース（４６）の上方に配置された開口（４８）を有することを特徴とするボンディング方法。
【請求項２】
前記機能性層が接着支持体（４１）に配列されていることを特徴とする請求項１記載のボンディング方法。
【請求項３】
前記スペースeが４０μｍと５００μｍとの間にあることを特徴とする請求項１記載のボンディング方法。
【請求項４】
前記機能性層（４０）がシリコンで形成されていることを特徴とする請求項１記載のボンディング方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項記載の方法を実行するため異なる膨張係数の材料の基板によって半導体読み取り回路を拘束の下で配置する方法。
【請求項６】
材料が、ゲルマニュウム、サファイヤ、BeOから選択されることを特徴とする請求項５記載のボンディング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、個々のチップを拘束基板に集合的にボンディングする方法に関し、この方法は、機能性層を、二つの隣接する層間にスペースeで隣接する非接触状態で支持体上に、例えば、接着剤を介して配列し、接着剤の調整された滴を前記機能性層のそれぞれに付着し、前記拘束基板を前記接着剤の滴の上に搬送し、こうして形成されたアセンブリを、拘束基板に結合されたチップを形成する部分に単一化し、各機能性層に付着された接着剤が、調整された接着剤の滴であり、且つ基板が前記スペースeの上方に配置された開口を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月4日(2011.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナと、
前記アンテナに接続され、ｎ段（ｎは２以上の自然数）のチャージポンプを有する昇圧回路と、
参照電圧を生成する参照電圧回路と、
前記ｎ段のチャージポンプの各出力電圧と、前記参照電圧とを比較する電圧比較回路と、
前記昇圧回路からの出力電圧が入力される論理回路と、を有し、
前記電圧比較回路の出力信号に基づいて、いずれかの段の前記チャージポンプの出力電圧が前記論路回路に入力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
アンテナと、
前記アンテナに接続され、ｎ段（ｎは２以上の自然数）のチャージポンプ及び前記ｎ段のチャージポンプの間に設けられたスイッチを有する昇圧回路と、
参照電圧を生成する参照電圧回路と、
前記ｎ段のチャージポンプの各出力電圧と、前記参照電圧とを比較する電圧比較回路と、
前記昇圧回路からの出力電圧が入力される論理回路と、を有し、
前記スイッチは、前記ｎ段のチャージポンプの各間に設けられ、
前記電圧比較回路の出力信号に基づいて、前記スイッチのオン又はオフが選択され、いずれかの段のチャージポンプの出力電圧が前記論路回路に入力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
アンテナと、
前記アンテナに接続され、ｎ段（ｎは２以上の自然数）のチャージポンプ及び前記ｎ段のチャージポンプの間に設けられたスイッチを有する昇圧回路と、
参照電圧を生成する参照電圧回路と、
前記ｎ段のチャージポンプの各出力電圧と、前記参照電圧とを比較する電圧比較回路と、
前記昇圧回路からの出力電圧が入力される論理回路と、を有し、
前記スイッチは、複数の前記チャージポンプ毎に設けられ、
前記電圧比較回路の出力信号に基づいて、前記スイッチのオン又はオフが選択され、いずれかの段のチャージポンプの出力電圧が前記論路回路に入力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
アンテナと、
前記アンテナに接続され、第１のチャージポンプ、第２のチャージポンプ、第３のチャージポンプ、及び前記第２のチャージポンプと前記第３のチャージポンプとの間のスイッチを有する昇圧回路と、
参照電圧を生成する参照電圧回路と、
前記第１乃至前記第３のチャージポンプの各出力電圧と、前記参照電圧とを比較する電圧比較回路と、
前記昇圧回路からの出力電圧が入力される論理回路と、を有し、
前記第１のチャージポンプの出力端子は、前記第２のチャージポンプの入力端子に電気的に接続され、
前記第２のチャージポンプの出力端子は、前記スイッチを介して前記第３のチャージポンプの入力端子に電気的に接続され、
前記電圧比較回路の出力信号に応じて、前記スイッチのオン又はオフが選択されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記電圧比較回路は、前記ｎ段のチャージポンプに対応したｎ個のコンパレータを有するものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一に記載の半導体装置を具備することを特徴とするＩＣラベル、ＩＣタグ、ＩＣカード。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月18日(2011.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を形成し、
前記半導体膜に、一導電性を有する不純物元素を添加して、前記半導体膜中に、不純物領域、及びチャネル形成領域を形成し、
前記半導体膜、前記ゲート絶縁膜、及び前記ゲート電極を覆って、フッ素を含む絶縁膜を形成し、
前記半導体膜、及び前記フッ素を含む絶縁膜を加熱することにより、前記不純物領域中の不純物元素を活性化させ、かつ、前記半導体膜中のダングリングボンドを前記フッ素により終端化させ、
前記フッ素を含む絶縁膜を加熱した後に、前記フッ素を含む絶縁膜上に、前記不純物領域に電気的に接続される配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記フッ素を含む絶縁膜は、フッ素を含む酸化珪素膜、フッ素と窒素を含む酸化珪素膜、及びフッ素を含む窒化珪素膜のいずれかであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記フッ素を含む絶縁膜を加熱する温度は、５５０℃以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記半導体膜に、前記一導電性を有する不純物元素を添加することにより、前記半導体膜中の不純物領域が非晶質化され、
前記半導体膜、及び前記フッ素を含む絶縁膜を加熱することにより、前記非晶質化された不純物領域の結晶性が回復されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記フッ素を含む絶縁膜中に含まれるフッ素の濃度は、５原子％以上、１０原子％以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
高密度プラズマを用いたプラズマＣＶＤを用いて、前記フッ素を含む絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月8日(2011.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種のα−オレフィン−酢酸ビニルコポリマーから構成される少なくとも１層の層を含むソーラーモジュールであって、前記α−オレフィン−酢酸ビニルコポリマーが、前記α−オレフィン−酢酸ビニルコポリマーの全重量を基準にして４０重量％以上の酢酸ビニル含有率を有するとともに、１００〜７００バールの圧力において溶液重合法によって調製されることを特徴とするソーラーモジュール。
【請求項２】
ｉ）前面および背面を有し、前記前面が、完成ソーラーモジュールにおいて太陽の方を向く面であるガラス基材Ａ、
ｉｉ）前記ガラス基材の背面に適用される透明ポリマー層Ｂ、
ｉｉｉ）前記ポリマー層Ｂに適用される１つ以上の太陽電池Ｃ、
ｉｖ）前記太陽電池の上に適用される更なる透明ポリマー層Ｄ、
ｖ）保護層Ｅ
から構成され、前記太陽電池Ｃが前記透明ポリマー層ＢおよびＤに埋め込まれた、請求項１に記載のソーラーモジュールであって、前記透明ポリマー層Ｂおよび／またはＤの少なくとも一方、好ましくは前記透明ポリマー層ＢとＤの両方が、請求項１に記載のα−オレフィン−酢酸ビニルコポリマーから構成されることを特徴とするソーラーモジュール。
【請求項３】
ソーラーモジュールにおける請求項１に記載のα−オレフィン−酢酸ビニルコポリマーの使用。
【請求項４】
固定発電および移動発電のための請求項１又は２に記載のソーラーモジュールの使用。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の少なくとも１つのソーラーモジュールを含む太陽光発電施設。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月26日(2011.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む微結晶半導体膜と、
前記チャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層と、
前記微結晶半導体膜及び前記チャネル保護層上にバッファ層と、
前記バッファ層上にソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域上にソース電極と、前記ドレイン領域上にドレイン電極とを有し、
前記チャネル形成領域は、一導電型を付与する不純物元素を含む領域を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む微結晶半導体膜と、
前記微結晶半導体膜上にバッファ層と、
前記バッファ層上において前記チャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層と、
前記チャネル保護層及び前記バッファ層上にソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域上にソース電極と、前記ドレイン領域上にドレイン電極とを有し、
前記チャネル形成領域は、一導電型を付与する不純物元素を含む領域を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記不純物元素を含む領域は、前記チャネル形成領域において前記ソース電極及び前記ドレイン電極間に設けられることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記バッファ層は、非晶質半導体膜で形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記バッファ層は、窒素を含む非晶質半導体膜で形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記バッファ層は、フッ素、塩素、臭素、またはヨウ素を含む非晶質半導体膜で形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項７】
ゲート電極、ゲート絶縁膜、及び微結晶半導体膜を形成し、
前記微結晶半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層を形成し、
前記微結晶半導体膜及び前記チャネル保護層上にバッファ層を形成し、
前記バッファ層上にソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース領域上にソース電極と、前記ドレイン領域上にドレイン電極とを形成し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして、前記チャネル保護層を通過させて、前記チャネル形成領域に、選択的に一導電型を付与する不純物元素を添加し、不純物領域を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして、前記チャネル保護層を通過させて、前記不純物領域にレーザ光を照射することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項９】
ゲート電極、ゲート絶縁膜、及び微結晶半導体膜を形成し、
前記微結晶半導体膜上にバッファ層を形成し、
前記バッファ層上において前記微結晶半導体膜のチャネル形成領域と重なる領域にチャネル保護層を形成し、
前記チャネル保護層及び前記バッファ層上にソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース領域上にソース電極と、前記ドレイン領域上にドレイン電極とを形成し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして、前記バッファ層及び前記チャネル保護層を通過させて、前記チャネル形成領域に、選択的に一導電型を付与する不純物元素を添加し、不純物領域を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月12日(2011.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
図１６(b)〜(d)に、第２フォトニック結晶層４２２の他の構成例を平面図で示す。(b)は各異周期領域においてx方向の周期を第１フォトニック結晶層４２１の周期と同じa1とし、y方向の周期を異周期領域毎にa21、a22、a23...と異なる値にしたものである。この場合、電圧を印加する上部電極を切り替えることにより、その上部電極の直下にある異周期領域の周期に対応した角度でy方向に傾斜した副ビームが生成される。(c)は、各異周期領域においてx方向とy方向の周期を同じ値（即ち正方格子）にし、異周期領域毎に周期を異なる値にしたものである。この場合、電圧を印加する上部電極を切り替えることにより、その上部電極の直下にある異周期領域の周期に対応した角度でx方向に傾斜した副ビーム及びy方向に傾斜した副ビームが出射される。(d)は、(a)における円形の平面形状を有する空孔を正三角形の平面形状を有する空孔に変更したものである。このように空孔の形状を変えても、副ビームが出射する方向には変化はない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
ここまでに示したように、本発明に係る出射方向可変フォトニック結晶レーザでは複数本のレーザビームが出射される。それら複数本のビームのうちの一部のビーム４９１のみを使用する場合には、それ以外のビームを遮蔽部４９２により遮蔽すればよい（図２１）。例えば、図２１に示すように、１本の副ビーム（第１副ビーム４９１）をθa〜θbの角度範囲で走査する場合には、フォトニック結晶層に対する垂線４９３が走査範囲の中央から(θa+θb)/2だけ傾くように出射方向可変フォトニック結晶レーザ４９を配置し、不要なビームが出射する方向に遮蔽部４９２を置けばよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
(9) 板状部材内にロッドを１方向に並べたフォトニック結晶を用いたフォトニック結晶レーザの例
図２２に板状部材内にロッドを１方向に並べたフォトニック結晶を用いたフォトニック結晶レーザ６０の縦断面図を、図２３にフォトニック結晶レーザ６０における第１フォトニック結晶層６２１及び第２フォトニック結晶層６２２の横断面図を示す。第１フォトニック結晶層６２１には、第１板状部材６２１Ａ内に、x方向に延びるロッド状の空孔６２１Ｂが多数、y方向に並ぶように周期的に配置されている。一方、第２フォトニック結晶層６２２には、第２板状部材６２２Ａ内に、y方向に延びるロッド状の空孔６２２Ｂが多数、x方向に並ぶように周期的に配置されている。そして、第２板状部材６２２Ａ内のロッドのうち１周期分だけ、ロッドが設けられず、ロッドの欠陥６２２Ｃが形成されている。それ以外の構成は上述の２次元フォトニック結晶レーザ１０と同様である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
本実施例のフォトニック結晶レーザ６０では、第１電極１６１−第２電極１６２から活性層１１に電流が注入されることにより生じる光が第１フォトニック結晶層６２１及び第２フォトニック結晶層６２２に導入される点は、他の実施例のフォトニック結晶レーザと同様である。第１フォトニック結晶層６２１に導入された光は、ロッド状空孔６２１Ｂによるy方向の周期性により、y方向の定在波を形成する。それに対して第２フォトニック結晶層６２２に導入された光は、ロッドの欠陥６２２Ｃが存在することにより、ロッド状空孔６２２Ｂが周期性を持つ方向であるx方向だけではなく、y方向にも成分を持つ定在波が形成される。これら第１フォトニック結晶層６２１内のy方向の定在波と、第２フォトニック結晶層６２２内の定在波のy方向成分により、うなりが形成され、それにより主ビーム、及び主ビームに対してy方向に傾斜した２本の副ビームが形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月30日(2011.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を粗面化して誘電体酸化皮膜層が形成された弁作用金属箔からなる陽極体の所定の位置に絶縁部を設けて陽極電極部と陰極形成部に分離し、この陰極形成部の誘電体酸化皮膜層上に導電性高分子からなる固体電解質層、カーボン層と銀ペースト層からなる陰極層を順次積層形成することにより陰極電極部が形成されたコンデンサ素子と、このコンデンサ素子を同一方向にして複数枚積層した素子積層体と、この素子積層体の陽極電極部と陰極電極部の各端面が対向して夫々露呈する状態で素子積層体を被覆し、かつ陽極電極部の素子間に埋設された絶縁性樹脂からなる外装体と、
この外装体の一方の端面に露呈した素子積層体の陽極電極部のそれぞれの弁作用金属箔に拡散層が形成され、この拡散層上並びに素子間に埋設された絶縁性樹脂上に形成された非弁作用金属からなる下地電極と、この下地電極上に形成された外部電極と、
上記外装体の他方の端面に露呈した素子積層体の陰極電極部の表面及び絶縁性樹脂表面に形成された導電性微粒子からなる中間電極と、この中間電極上に形成された外部電極からなるチップ形固体電解コンデンサ。
【請求項２】
非弁作用金属からなる下地電極が、非弁作用金属粒子の衝突速度を２００ｍ／ｓ以上、かつ音速以下で外装体の端面に衝突させて形成された金属間結合した非弁作用金属層からなる請求項１に記載のチップ形固体電解コンデンサ。
【請求項３】
外装体の一方の端面に露呈した素子積層体の陽極電極部に形成された下地電極と、この下地電極上に形成された外部電極との間に中間電極を設けた請求項１に記載のチップ形固体電解コンデンサ。
【請求項４】
陽極電極部の表面に絶縁性の樹脂層を設けた請求項１に記載のチップ形固体電解コンデンサ。
【請求項５】
素子積層体の底面に絶縁性の基板を配設した請求項１に記載のチップ形固体電解コンデンサ。
【請求項６】
陰極電極部とアルミニウム箔からなる陽極電極部とを有するコンデンサ素子と、
上記陽極電極部の端面を露呈する状態で上記コンデンサ素子を被覆する絶縁性樹脂からなる外装体と、
上記陽極電極部の端面及び上記絶縁性樹脂上に形成された下地電極と、
上記下地電極上に形成された外部電極と、を備えた固体電解コンデンサの製造方法であって、
コールドスプレー法により亜鉛粒子を２００ｍ／ｓ以上かつ３５０ｍ／ｓ以下の衝突速度で上記外装体の端面に衝突させて、上記下地電極を形成しかつ亜鉛とアルミニウムとの拡散層を上記陽極電極部の端面に形成する固体電解コンデンサの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】チップ形固体電解コンデンサ及び固体電解コンデンサの製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月14日(2011.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にシリコーン層を形成し、
前記シリコーン層の表面をプラズマ処理して脆弱層を形成し、
前記脆弱層上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層を用いて半導体素子を形成した後、前記有機化合物層、及び前記半導体素子を含む積層体を前記基板から剥離する半導体装置の作製方法であって、
前記脆弱層は、前記シリコーン層の表面の有機基が酸化された層でなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上にシリコーン層を形成し、
前記シリコーン層の表面をプラズマ処理して脆弱層を形成し、
前記脆弱層上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に有機化合物を有する半導体層を形成し、
前記有機化合物を有する半導体層を用いて半導体素子を形成した後、前記有機化合物層、及び前記半導体素子を含む積層体を前記基板から剥離する半導体装置の作製方法であって、
前記脆弱層は、前記シリコーン層の表面の有機基が酸化された層でなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上にシリコーン層を形成し、
前記シリコーン層の表面をプラズマ処理して脆弱層を形成し、
前記脆弱層上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に発光層を形成し、
前記発光層上に第２の電極を形成し、
前記第２の電極上に可撓性基板を貼り付けた後、前記有機化合物層、前記第１の電極、前記発光層、及び前記第２の電極を含む積層体を前記基板から剥離する半導体装置の作製方法であって、
前記脆弱層は、前記シリコーン層の表面の有機基が酸化された層でなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上にシリコーン層を形成し、
前記シリコーン層の表面をプラズマ処理して脆弱層を形成し、
前記脆弱層上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に印刷法により導電層を印刷した後焼成し、
前記導電層及び半導体部品を貼り付けた後、前記有機化合物層、及び前記導電層を含む積層体、並びに半導体部品を前記基板から剥離する半導体装置の作製方法であって、
前記脆弱層は、前記シリコーン層の表面の有機基が酸化された層でなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上にシリコーン層を形成し、
前記シリコーン層の表面をプラズマ処理して脆弱層を形成し、
前記脆弱層上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に印刷法により導電層を印刷した後焼成し、前記有機化合物層、及び前記導電層を含む積層体を前記基板から剥離した後、前記導電層に半導体部品を接続する半導体装置の作製方法であって、
前記脆弱層は、前記シリコーン層の表面の有機基が酸化された層でなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４または５において、
前記導電層は、アンテナであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記基板は、ガラス基板、セラミックス基板、或いは石英基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記脆弱層は、酸化珪素層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月12日(2011.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、バッファ層、ｎ型窒化物半導体層、活性層、及びｐ型窒化物半導体層からなる窒化物系発光素子において、
前記ｎ型窒化物半導体層内に、Ａｌ１−ｘＳｉｘＮからなり、前記ｎ型窒化物半導体層の全厚の１／３〜２／３に該当する位置に形成される中間層を有することを特徴とする窒化物系発光素子。
【請求項２】
前記中間層のＳｉ組成比ｘは、０．０２〜０．２の範囲を有することを特徴とする請求項１に記載の窒化物系発光素子。
【請求項３】
前記中間層のＳｉ組成比ｘは、０．０２〜０．１２の範囲を有することを特徴とする請求項２に記載の窒化物系発光素子。
【請求項４】
前記中間層は、１０〜５００ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の窒化物系発光素子。
【請求項５】
前記中間層は、８００〜１０００℃で成長されたものであることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系発光素子。
【請求項６】
前記中間層とｎ型窒化物半導体層は、中間層とｎ型窒化物半導体層が交互に積層された超格子構造で形成されることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系発光素子。
【請求項７】
前記中間層とｎ型窒化物半導体層との厚さ比は、１：１０乃至３：７であることを特徴とする請求項６に記載の窒化物系発光素子。
【請求項８】
前記中間層とｎ型窒化物半導体層の超格子構造は、前記中間層とｎ型窒化物半導体層が２〜１０回交互に積層されて形成されることを特徴とする請求項６に記載の窒化物系発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月22日(2011.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマリアクタであって、
円筒形側壁、天井及び床を有する真空チャンバと、
前記チャンバ中のワークピースサポート台座であって、前記台座と前記側壁の間のポンピングアニュラスが画定されていて、前記床に近接する接地表面を含むワークピースサポート台座と、
ＲＦ電力印加装置及び前記天井と前記台座の間に画定されたプロセスゾーンと、
前記床を通るポンピングポートと、
前記台座の前記接地表面と前記床の間の誘電体要素と、
前記ポンピングアニュラス中で、グリルから床まで間隙をあけて前記床より上に配置された環形導電性グリルであって、前記側壁から前記台座の前記接地表面まで電流路を提供し、前記チャンバの対称軸に対して略対称であるグリルと、
前記円筒形側壁の周囲部分を通るスリットバルブ開口部であって、前記円筒形側壁の環形部分内に軸方向に制限されたスリットバルブ開口部と、
前記側壁の前記環形部分の軸方向境界に近接する前記円筒形側壁にある少なくとも１つの第１の誘電体円形リングと、
前記円筒形側壁の前記環形部分をバイパスする軸方向電流路を提供する列をなす導電性ストラップであって、前記導電性ストラップの夫々が一対の端部を有し、一方の端部は、前記環形部分の上の前記側壁に電気的に接続されており、他方の端部は、前記環形部分の下の前記側壁に電気的に接続されていて、前記ストラップは前記スリットバルブ開口部へのアクセスを妨げないように迂回されている導電性ストラップとを含むプラズマリアクタ。
【請求項２】
前記台座が、前記床の中央開口部を通して延在しており、前記台座の前記接地表面が、前記中央開口部により画定された前記床の端部に対向する前記台座の外側円筒形表面を含む請求項１記載のリアクタ。
【請求項３】
前記円筒形側壁に第２の誘電体リングを含み、前記第１の誘電体リングは、前記側壁の前記環形部分の上部軸方向境界に近接しており、前記第２の誘電体リングは、前記側壁の前記環形部分の下部軸方向境界に近接している請求項１記載のリアクタ。
【請求項４】
前記ストラップが、均一な間隔で、前記側壁周囲に周期的に間隔をあけている請求項１記載のリアクタ。
【請求項５】
前記ストラップが、ＲＦ電流に均一なインダクタンスを与えるように構成されており、
前記スリットバルブに近接するストラップが、前記スリットバルブの周囲を迂回するだけの十分な長さがあり、残りのストラップはこれより短い長さである請求項４記載のリアクタ。
【請求項６】
前記ストラップが、前記側壁の周囲に沿って互いに間隔があいており、これは、前記台座のウェハサポート表面と前記複数のストラップの間の軸方向距離よりも短い周方向距離である請求項１記載のリアクタ。
【請求項７】
前記周方向距離が、前記軸方向距離より少なくとも３倍短い請求項６記載のリアクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月16日(2011.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセス制御システムの制御装置のためのソフトウェアをアップグレードする方法であって、
ソフトウェアの置換構成部分をインスタンス化することと、
既存の構成部分から置換構成部分に状態データをコピーすることと、
前記置換構成部分の第１の状態が前記既存の構成部分の第２の状態と一致する場合に置換構成部分を能動モードに変更することと、を含む方法。
【請求項２】
前記既存の構成部分が現在アクティブ（能動）状態であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記既存の構成部分の実行を終了させることをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第１の制御アプリケーションが置換構成部分を構成する間、第２の制御アプリケーションは引続き既存の構成部分を構成することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の制御アプリケーションを、前記既存の構成部分を使用する状態に戻すことを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記置換構成部分が前記既存の構成部分のための冗長モジュールとしてインスタンス化されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記置換構成部分が実時間オペレーティングシステムにより隔離されたプロセスとしてインスタンス化されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
プロセス間通信が状態データをコピーするために使用されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記プロセス間通信が携帯型オペレーティングシステム・インターフェース呼出しを含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の状態が前記第２の状態と一致することを確認することと、
前記第１の状態と前記第２の状態が一致しない場合に、付加的な状態データをコピーすることと、
をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
アクティブ（能動）モードに前記置換構成部分を変更する前に前記置換構成部分のテストを行うことをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
ソフトウェアのアップグレードが、プロセス制御システムの制御時間の損失を伴うことなくもたらされることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記置換構成部分が、制御アプリケーションのサブシステムを備えることを特徴とし、且つ、
前記制御アプリケーションのその他のサブシステムがアップグレードされないことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
プロセス工場の制御システムに対して制御冗長性を提供するための方法であって、
制御ソフトウェアサブシステムの第１のインスタンスに、および制御ソフトウェアサブシステムの第２のインスタンスに、制御入力を提供し、第１および第２のインスタンスが制御入力を実質的に並行して処理することと、
第１のインスタンスの出力又は第２のインスタンスの出力のいずれかをプロセス工場のフィールド装置に提供することと、を含む方法。
【請求項１５】
前記第１および第２のインスタンスが異なる制御装置を介して実行されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
異なる制御装置が各々少なくとも一つの制御アプリケーション用の能動コントローラであることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記制御装置の処理負荷に基づいてどの制御装置が前記第１および第２のインスタンスを実行するかを選択することを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
どの制御装置が第１および第２のインスタンスを実行するかを一定の時間後に変更させることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１および第２のインスタンスが同じ制御装置上で実行されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記制御ソフトウェアサブシステムが、プロセス工場制御システムのための制御アプリケーションの一部であることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
前記制御ソフトウェアサブシステムの第３のインスタンスに制御入力を提供することと、
前記第１、第２および第３のインスタンスの出力を収集することと、
どの出力がプロセス工場フィールド装置に提供されるかを判断するために投票を行うことと、
をさらに含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】
前記制御ソフトウェアサブシステムの第３のインスタンスに制御入力を提供することと、
前記第１、第２および第３のインスタンスの出力を交換することと、をさらに含み、
どのインスタンスがプロセス工場フィールド装置にそれの出力を提供することかを判断するために前記第１、第２および第３のインスタンスが投票を行うことを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月31日(2011.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この課題は、安全指向の自動化装置の制御装置の作動方法であって、
制御装置に、自動化システムを記述する情報が予め与えられ、
この情報は、自動化システムがどのような要素を有するか、自動化システムの要素がどのように協働するか、どのような安全関連の信頼性情報が自動化システムの個々の要素に割り当てられているかを含み、
制御装置が、予め与えられた情報に基づいて自動的に自動化システム全体の信頼性情報を求めることによって解決される（請求項１）。
本発明の有利な実施態様は次の通りである。
・制御装置は、自動化システムを記述する情報を、少なくとも部分的に制御装置の内部メモリから読み出す（請求項２）。
・自動化システムを記述する情報が、制御装置に、少なくとも部分的に制御装置の使用者によって予め与えられる（請求項３）。
・自動化システムを記述する情報が、制御装置に、少なくとも部分的にコンピュータネットワーク接続を介して予め与えられる（請求項４）。
・自動化システムは自動化装置と同一であり、制御装置は自動化システムを記述する情報を少なくとも部分的に自動的に求める（請求項５）。
・制御装置は、制御装置によって求められた自動化システム全体の信頼性情報を、制御装置の使用者に対して出力する（請求項６）。
・制御装置が、少なくとも２チャネルにて互いに独立に自動化システム全体についてそれぞれ１つの信頼性情報を求め、少なくとも２チャネルにて求められた信頼性情報を互いに比較し、比較結果自体を制御装置の使用者に対して出力する（請求項７）。
・少なくとも２チャネルにて信頼性情報を求めることがダイバーシティ方式のソフトウェアの処理によって行なわれる（請求項８）。
・制御装置は少なくとも２つの部分制御装置を有し、各部分制御装置が、それぞれ他の部分制御装置に関係なく、それぞれ自動化システム全体の信頼性情報を求める（請求項９）。
・部分制御装置はダイバーシティに構成されている（請求項１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月9日(2011.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子を集積したチップと、
繊維体と有機樹脂とを含む基体上の、凹部を有するアンテナと、を有し、
前記チップは、前記アンテナの表面が平坦になるように前記凹部に埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
薄膜トランジスタを有する半導体素子層と、
前記半導体素子層に電気的に接続する導電性樹脂と、
前記半導体素子層及び前記導電性樹脂を覆い、繊維体に有機樹脂が含浸された１０μｍ以上１００μｍ以下の厚さの封止層と、を有するチップと、
前記導電性樹脂を介して前記半導体素子層と電気的に接続された、凹部を有するアンテナと、を有し、
前記チップは、前記チップの厚さと前記凹部の深さとが等しくなるように前記凹部に埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
薄膜トランジスタを有する半導体素子層と、
前記半導体素子層に電気的に接続する導電性樹脂と、
前記半導体素子層及び前記導電性樹脂を覆い、繊維体に有機樹脂が含浸された１０μｍ以上１００μｍの厚さの封止層と、を有するチップと、
繊維体と有機樹脂とを含む基体上の、前記導電性樹脂を介して前記半導体素子層と電気的に接続された、凹部を有するアンテナと、を有し、
前記チップは前記凹部に埋め込まれ、前記チップの厚さは前記基体の厚さの２／３以上４／３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記繊維体は、有機化合物材料又は無機化合物材料の単糸を複数本束ねた経糸及び緯糸が織り込まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記繊維体は、織布又は不織布であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記繊維体は、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、又は炭素繊維で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記有機樹脂は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、又はＵＶ硬化性樹脂を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、又はシアネート樹脂であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７において、
前記熱可塑性樹脂は、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、又はフッ素樹脂であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記アンテナは、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする半導体装置。