【手続補正書】
【提出日】平成23年7月6日(2011.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のボンディングリードが形成された表面、及び前記表面と反対側の裏面を有する基板と、
複数の第１パッドが形成された第１主面、及び前記第１主面とは反対側の第１裏面を有し、平面視において前記基板の前記複数のボンディングリードの内側に位置するように、前記基板の前記表面上に搭載された第１半導体チップと、
複数の第２パッドが形成され、かつ前記第１半導体チップの外形寸法よりも小さい第２主面、及び前記第２主面とは反対側の第２裏面を有し、平面視において前記第１半導体チップの前記複数の第１パッドの内側に位置し、前記第２裏面が前記第１半導体チップと対向するように、前記第１半導体チップ上に搭載された第２半導体チップと、
前記第１半導体チップの前記複数の第１パッドと前記基板の前記複数のボンディングリードのうちの複数の第１ボンディングリードとをそれぞれ電気的に接続する複数の第１接続手段と、
前記第２半導体チップの前記複数の第２パッドと前記基板の前記複数のボンディングリードのうちの複数の第２ボンディングリードとをそれぞれ電気的に接続する複数の第２接続手段と、
前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップ及び前記複数の第２接続手段を封止する封止体と、
前記基板の前記裏面に設けられた複数の外部端子と、
を含み、
前記第２半導体チップは、前記第２半導体チップの端部と前記第１半導体チップの端部との距離が前記第１半導体チップの端部と前記基板の前記ボンディングリードとの距離よりも長くなるように、前記第１半導体チップの前記第１主面上に搭載され、
前記第２接続手段は、ワイヤであり、
前記第２ボンディングリード上における前記ワイヤと前記基板の前記表面との成す角度は、前記第２半導体チップの前記第２パッド上における前記ワイヤと前記第２半導体チップの前記第２主面との成す角度より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記基板の前記表面の平面形状は、一対の第１辺と、前記第１辺と交差する一対の第２辺を有する四角形であり、
前記複数の第２ボンディングリードは、前記基板の前記第１辺に沿って形成され、
前記第２半導体チップの前記第２主面の平面形状は、前記基板の前記第１辺と並ぶ一対の第３辺と、前記第３辺と交差する一対の第４辺を有する四角形であり、
前記複数の第２パッドは、前記第２半導体チップの前記第３辺に沿って形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記複数の第２ボンディングリードは、さらに前記第２辺に沿って形成され、
前記複数の第２パッドは、さらに前記第４辺に沿って形成され、
前記基板の前記第２辺に沿って形成された前記第２ボンディングリード上における前記ワイヤと前記基板の前記表面との成す角度は、前記第２半導体チップの前記第４辺に沿って形成された前記第２パッド上における前記ワイヤと前記第２半導体チップの前記第２主面との成す角度より小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、前記第１半導体チップの前記第１主面の平面形状は、前記基板の前記第１辺と並ぶ一対の第５辺と、前記第５辺と交差する一対の第６辺を有する四角形であり、
前記第１半導体チップの前記第５辺と前記基板の前記第１辺に沿って形成された前記第２ボンディングリードとの距離（Ｍ１）は、前記第１半導体チップの前記第６辺と前記基板の前記第２辺に沿って形成された前記第２ボンディングリードとの距離（Ｍ２）よりも短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、前記第２半導体チップの厚さは、前記第１半導体チップの厚さよりも厚いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
（ａ）複数のボンディングリードが形成された表面、及び前記表面と反対側の裏面を有する基板を準備する工程；
（ｂ）複数の第１パッドが形成された第１主面、及び前記第１主面とは反対側の第１裏面を有する第１半導体チップを、平面視において前記基板の前記複数のボンディングリードの内側に位置するように、前記基板の前記表面上に搭載する工程；
（ｃ）複数の第２パッドが形成され、かつ前記第１半導体チップの外形寸法よりも小さい第２主面、及び前記第２主面とは反対側の第２裏面を有する第２半導体チップを、平面視において前記第１半導体チップの前記複数の第１パッドの内側に位置し、前記第２裏面が前記第１半導体チップと対向するように、前記第１半導体チップ上に搭載する工程；
（ｄ）前記第１半導体チップの前記複数の第１パッドと前記基板の前記複数のボンディングリードのうちの複数の第１ボンディングリードとを、複数の第１接続手段を介してそれぞれ電気的に接続する工程；
（ｅ）前記第２半導体チップの前記複数の第２パッドと前記基板の前記複数のボンディングリードのうちの複数の第２ボンディングリードとを、複数の第２接続手段を介してそれぞれ電気的に接続する工程；
（ｆ）前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップ及び前記複数の第２接続手段を樹脂で封止する工程；
（ｇ）前記基板の前記裏面に複数の外部端子を形成する工程；
を含み、
前記第２半導体チップは、前記第２半導体チップの端部と前記第１半導体チップの端部との距離が前記第１半導体チップの端部と前記基板の前記ボンディングリードとの距離よりも長くなるように、前記第１半導体チップの前記第１主面上に搭載され、
前記第２接続手段は、ワイヤであり、
前記（ｅ）工程では、前記基板の前記第２ボンディングリードに前記ワイヤの一端部を接続した後、前記ワイヤの一端部とは反対側の他端部を前記第２半導体チップの前記第２パッドに接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記基板の前記表面の平面形状は、一対の第１辺と、前記第１辺と交差する一対の第２辺を有する四角形であり、
前記複数の第２ボンディングリードは、前記基板の前記第１辺に沿って形成され、
前記第２半導体チップの前記第２主面の平面形状は、前記基板の前記第１辺と並ぶ一対の第３辺と、前記第３辺と交差する一対の第４辺を有する四角形であり、
前記複数の第２パッドは、前記第２半導体チップの前記第３辺に沿って形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｆ）工程では、前記基板の前記第１辺側から前記樹脂を供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の第２ボンディングリードは、さらに前記第２辺に沿って形成され、
前記複数の第２パッドは、さらに前記第４辺に沿って形成され、
前記基板の前記第２辺に沿って形成された前記第２ボンディングリードと前記第２半導体チップの前記第４辺に沿って形成された前記第２パッドとを電気的に接続する前記ワイヤは、前記第２半導体チップの前記第２パッドに前記ワイヤの一端部を接続した後、前記ワイヤの前記一端部とは反対側の前記他端部を前記基板の前記第２ボンディングリードに接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、前記第１半導体チップの前記第１主面の平面形状は、前記基板の前記第１辺と並ぶ一対の第５辺と、前記第５辺と交差する一対の第６辺を有する四角形であり、
前記第１半導体チップの前記第５辺と前記基板の前記第１辺に沿って形成された前記第２ボンディングリードとの距離（Ｍ１）は、前記第１半導体チップの前記第６辺と前記基板の前記第２辺に沿って形成された前記第２ボンディングリードとの距離（Ｍ２）よりも短いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、前記第２半導体チップの厚さは前記第１半導体チップの厚さより厚いことを特徴とする半導体装置の製造方法。