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【手続補正書】
【提出日】平成23年4月4日(2011.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）配列番号６で示すエピトープ62PQPQLPY68中に少なくとも１つの突然変異を有する突然変異グリアジンタンパク質であって、該突然変異はT細胞応答を誘導するエピトープの能力を低下させるものである前記タンパク質；又は
（ｂ）少なくとも15アミノ酸長であり、かつ突然変異したPQPQLPY配列を含む（ａ）の突然変異タンパク質の断片；
を含むタンパク質。
【請求項２】
グルタミン残基が65位で突然変異している、請求項１に記載のタンパク質。
【請求項３】
65位のグルタミン残基が、ヒスチジン、チロシン、トリプトファン、リジン、プロリン又はアルギニン残基に置換されている、請求項２に記載のタンパク質。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に定義されるタンパク質をコードするコーディング配列を含むポリヌクレオチド。
【請求項５】
コーディング配列に機能的に連結される１つ以上の調節配列をさらに含み、該調節配列が細胞中での該コーディング配列の発現を確実なものとすることができる、請求項４に記載のポリヌクレオチド。
【請求項６】
ベクターであるか、又はベクターの形態にある、請求項４〜５のいずれか１項に記載のポリヌクレオチド。
【請求項７】
請求項４〜６のいずれか１項に定義されるポリヌクレオチドを含むか、又はそのようなポリヌクレオチドで形質転換されている細胞。
【請求項８】
イネ科（graminaceous）単子葉種の細胞である、請求項７に記載の細胞。
【請求項９】
コムギ、トウモロコシ、カラスムギ、ライムギ、イネ、オオムギ、ライコムギ、ソルガム、又はサトウキビの細胞である、請求項８に記載の細胞。
【請求項１０】
請求項４に定義されるコーティング配列によってコードされるタンパク質の産生方法であって：
（ａ）請求項７〜９のいずれか１項に記載の細胞を、該タンパク質の発現を可能にする条件下で培養し；さらに、任意に、
（ｂ）発現したタンパク質を回収することを含む、前記方法。
【請求項１１】
トランスジェニック植物細胞を得る方法であって：
（ａ）請求項６に記載のベクターで植物細胞を形質転換して、トランスジェニック植物細胞を得ることを含む、前記方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法により得ることができるトランスジェニック植物細胞。
【請求項１３】
請求項７〜９のいずれか１項に記載の植物細胞を含むトランスジェニック植物又は植物種子。
【請求項１４】
請求項８、９又は１２に定義されるトランスジェニック植物細胞から得ることができる、請求項８又は９に記載の植物細胞を含むトランスジェニック植物細胞カルス。
【請求項１５】
請求項８又は９に定義される種のものである、請求項１３又は１４のいずれか１項に記載の植物又はカルス。
【請求項１６】
作物またはその製品を得る方法であって、請求項１３又は１５に記載の植物から作物産物を収穫し、かつ、任意に、収穫した産物をさらに加工することを含む、前記方法。
【請求項１７】
植物がコムギ植物であり、かつ収穫した産物が穀粒であり；任意に、穀粉又は他の穀粒製品にさらに加工する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１６又は１７に記載の方法によって得ることができる作物製品。
【請求項１９】
請求項１〜３のいずれか１項に定義されるタンパク質を含む食品。
【請求項２０】
野生型グリアジンの代わりに請求項１〜３のいずれか１項に定義されるタンパク質が用いられる、請求項１９に記載の食品。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月29日(2011.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号７に記載のアミノ酸配列を有する、αアミラーゼ活性を有する単離、合成又は組換えポリペプチド。
【請求項２】
有効量の請求項１のポリペプチドを用いてデンプンを液化し可溶性デンプン加水分解物を得ること、及び、前記可溶性デンプン加水分解物を糖化することによってシロップを得ることを含む、高マルトースシロップ又は高グルコースシロップ又は混合シロップを製造するための方法。
【請求項３】
デンプンが、コメ、発芽米、トウモロコシ、オオムギ、コムギ、マメ科植物及びサツマイモより選択される原料に由来する、請求項２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月4日(2011.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
候補化合物をスクリーニングして、内在性ヒトＴＤＡＧ８受容体を含む細胞においてｃＡＭＰを増大させるための製薬学的物質を同定する方法であって、該方法は、
（ａ）該候補化合物と、リガンド非依存性の活性なｈＴＤＡＧ８受容体を含む、宿主細胞、または宿主細胞の膜とを接触させる工程、
（ｂ）該化合物の、該受容体の機能性を刺激する能力を測定する工程
を包含し、該スクリーニングは、該受容体のアゴニストまたは部分的アゴニストを同定することを含む、方法。
【請求項２】
前記スクリーニングはｃＡＭＰの検出を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記リガンド非依存性の活性なｈＴＤＡＧ８受容体は、配列番号８２のアミノ酸２２５位に対応するアミノ酸位置においてイソロイシン以外のアミノ酸を含む、非内在性の構成的に活性なｈＴＤＡＧ８受容体である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記イソロイシン以外のアミノ酸は、リシンである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記宿主細胞は発現ベクターを含み、該発現ベクターは、前記Ｇタンパク質共役型受容体をコードするポリヌクレオチドを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記宿主細胞は哺乳動物宿主細胞である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記宿主細胞は酵母宿主細胞である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
ｃＡＭＰの検出は、抗ｃＡＭＰ抗体を使用するＥＬＩＳＡを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項９】
前記細胞は、レポーター遺伝子に作動可能に連結された複数のｃＡＭＰ応答要素を含むレポーター系を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
前記アゴニストまたは部分的アゴニストを提供する工程をさらに包含する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記候補化合物が前記受容体に結合することを確認する工程をさらに包含する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記アゴニストまたは部分的アゴニストを医薬として処方する工程をさらに包含する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記リガンド非依存性の活性なｈＴＤＡＧ８受容体は、配列番号８２を含む内在性の構成的に活性なｈＴＤＡＧ８受容体である、請求項１、２、または５〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１、２、または５〜１２のいずれか１項に記載の方法であって、前記リガンド非依存性の活性なｈＴＤＡＧ８受容体は、配列番号８２を含む内在性の構成的に活性なｈＴＤＡＧ８受容体であり、配列番号８２のアミノ酸は、
（ｉ）配列番号８２のアミノ酸４３位でのアラニンによるプロリンの置換、
（ｉｉ）配列番号８２のアミノ酸９７位でのアスパラギンによるリシンの置換、および
（ｉｉｉ）配列番号８２のアミノ酸１３０位でのフェニルアラニンによるイソロイシンの置換
からなる群より選択される１または複数の置換を含む、方法。
【請求項１５】
前記リガンド非依存性の活性なｈＴＤＡＧ８受容体は、特異的プライマー配列番号７９および配列番号８０を使用して、ヒトＤＮＡサンプルにおいてＰＣＲを行うことによって得ることができる核酸配列を含むポリヌクレオチドによってコードされるアミノ酸配列を含む、請求項１、２、または５〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
請求項３に記載の方法であって、前記リガンド非依存性の活性なｈＴＤＡＧ８受容体は、
（ｉ）配列番号８２のアミノ酸４３位でのアラニンによるプロリンの置換、
（ｉｉ）配列番号８２のアミノ酸９７位でのアスパラギンによるリシンの置換、および
（ｉｉｉ）配列番号８２のアミノ酸１３０位でのフェニルアラニンによるイソロイシンの置換
からなる群より選択される置換を必要に応じて含む、配列番号８２を含む非内在性の構成的に活性なｈＴＤＡＧ８受容体であり、ここで、配列番号８２のアミノ酸配列は、配列番号８２のアミノ酸２２５位におけるイソロイシンの、イソロイシン以外のアミノ酸での置換を有する、方法。
【請求項１７】
前記イソロイシン以外のアミノ酸は、リシンである、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記非内在性の構成的に活性な受容体は、配列番号１３４を含む受容体である、請求項１６〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
配列番号８２の２２５位に対応するアミノ酸位置においてリシンを含み、かつ必要に応じて、配列番号８２のアミノ酸４３位に対応するアミノ酸位置にアラニン残基、配列番号８２のアミノ酸９７位に対応するアミノ酸位置にアスパラギン残基、および／または配列番号８２のアミノ酸１３０位に対応するアミノ酸位置にフェニルアラニン残基を含む、リガンド非依存性の活性なｈＴＤＡＧ８受容体である、単離または組み換えＧタンパク質共役型受容体。
【請求項２０】
前記リガンド非依存性の活性なｈＴＤＡＧ８受容体は、配列番号１３４を含む、請求項１９に記載の単離または組み換えＧタンパク質共役型受容体。
【請求項２１】
Ｇタンパク質およびＧタンパク質共役型受容体を含む融合タンパク質であって、該Ｇタンパク質共役型受容体は請求項１９または２０のいずれか１項に記載のものである、融合タンパク質。
【請求項２２】
前記Ｇタンパク質がＧｓαである、請求項２１に記載の融合タンパク質。
【請求項２３】
請求項１９〜２２のいずれか１項に記載のＧタンパク質共役型受容体または融合タンパク質をコードする、単離ポリヌクレオチド。
【請求項２４】
請求項２３に記載のポリヌクレオチドを含む、ベクター。
【請求項２５】
請求項２４に記載のベクターを含む、宿主細胞。
【請求項２６】
内在性ヒトＴＤＡＧ８受容体を含む細胞においてｃＡＭＰを増大させるための製薬学的物質として候補化合物をスクリーニングするための、Ｇタンパク質共役型受容体の使用であって、該Ｇタンパク質共役型受容体は、請求項１９または２０に記載のものであり、該スクリーニングは、該受容体のアゴニストまたは部分的アゴニストについてのものである、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月9日(2011.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記エミッタ材料供給ユニット（４）は、前記貯溜容器（４１）または前記再利用容器（８３）に選択的に接続される低圧ガスシステム（７２）に接続され、前記エミッタ材料（２）を前記貯溜容器（４１）から前記圧力容器（４４、４４’）の一方に輸送するか、あるいは前記貯溜容器（４１）に再利用のエミッタ材料（２）を充填することを特徴とする請求項２に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月9日(2011.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アゾールから選択される少なくとも一つを含む保護膜形成剤、
ポリカルボン酸、ポリカルボン酸の塩、ビニル系ポリマー、スルホン酸、スルホン酸の塩及びアミドから選択される少なくとも一種を含む界面活性剤、
酸化した金属を金属用研磨液に溶解させる酸化金属溶解剤、
及び水を含有してなり、
水又は水溶液によって希釈され、さらに金属の酸化剤と混合されて、前記保護膜形成剤を、金属の酸化剤、酸化金属溶解剤、保護膜形成剤、界面活性剤及び水の総量１００ｇに対して０．０００５ｍｏｌ以上０．０５ｍｏｌ以下含有し且つ前記界面活性剤を、金属の酸化剤、酸化金属溶解剤、保護膜形成剤、界面活性剤及び水の総量１００ｇに対して０．０１ｇ以上３ｇ以下含有する金属用研磨液とされることを特徴とする、
金属研磨濃縮液。
【請求項２】
水によって重量で１０倍以上に希釈される請求項１に記載の金属研磨濃縮液。
【請求項３】
前記酸化金属溶解剤が、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２−メチル酪酸、ｎ−ヘキサン酸、３，３−ジメチル酪酸、２−エチル酪酸、４−メチルペンタン酸、ｎ−ヘプタン酸、２−メチルヘキサン酸、ｎ−オクタン酸、２−エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸及びクエン酸から選択される有機酸、該有機酸の塩、硫酸、硝酸、アンモニア、過硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、塩化アンモニウム及びクロム酸からなる群より選択される少なくとも一つを含む酸化金属溶解剤である、請求項１又は２に記載の金属研磨濃縮液。
【請求項４】
前記水溶液が、酸化金属溶解剤、保護膜形成剤及び界面活性剤からなる群より選ばれる少なくとも１つの水溶液である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の金属研磨濃縮液。
【請求項５】
前記アゾールが、ベンゾトリアゾール及びトリルトリアゾールから選択される少なくとも一つである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の金属研磨濃縮液。
【請求項６】
前記金属が、銅、銅合金、銅の酸化物及び銅合金の酸化物から選択される少なくとも一つである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の金属研磨濃縮液。
【請求項７】
アゾールから選択される少なくとも一つを含む保護膜形成剤、
ポリカルボン酸、ポリカルボン酸の塩、ビニル系ポリマー、スルホン酸、スルホン酸の塩及びアミドから選択される少なくとも一種を含む界面活性剤、
酸化した金属を金属用研磨液に溶解させる酸化金属溶解剤、
及び水を含有してなる金属研磨濃縮液を調製し、
金属研磨濃縮液を水又は水溶液によって希釈し、さらに金属の酸化剤を配合して、前記保護膜形成剤を、金属の酸化剤、酸化金属溶解剤、保護膜形成剤、界面活性剤及び水の総量１００ｇに対して０．０００５ｍｏｌ以上０．０５ｍｏｌ以下含有し且つ前記界面活性剤を、金属の酸化剤、酸化金属溶解剤、保護膜形成剤、界面活性剤及び水の総量１００ｇに対して０．０１ｇ以上３ｇ以下含有する金属用研磨液とすることを特徴とする、
金属用研磨液の調製方法。
【請求項８】
前記酸化金属溶解剤が、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２−メチル酪酸、ｎ−ヘキサン酸、３，３−ジメチル酪酸、２−エチル酪酸、４−メチルペンタン酸、ｎ−ヘプタン酸、２−メチルヘキサン酸、ｎ−オクタン酸、２−エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸及びクエン酸から選択される有機酸、該有機酸の塩、硫酸、硝酸、アンモニア、過硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、塩化アンモニウム及びクロム酸からなる群より選択される少なくとも一つを含む酸化金属溶解剤である、請求項７に記載の金属用研磨液の調製方法。
【請求項９】
前記水溶液が、酸化金属溶解剤、保護膜形成剤及び界面活性剤からなる群より選ばれる少なくとも１つの水溶液である、請求項７又は８に記載の金属用研磨液の調製方法。
【請求項１０】
前記アゾールが、ベンゾトリアゾール及びトリルトリアゾールから選択される少なくとも一つである、請求項７〜９のいずれか１項に記載の金属研研磨液の調製方法。
【請求項１１】
前記金属が、銅、銅合金、銅の酸化物及び銅合金の酸化物から選択される少なくとも一つである、請求項７〜１０のいずれか１項に記載の金属研研磨液の調製方法。
【請求項１２】
請求項７〜１１のいずれか１項に記載の金属用研磨液の調製方法により調製された金属用研磨液を使用して金属膜を研磨することを特徴とする金属研磨方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月28日(2011.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】映像情報受信装置、映像情報受信方法および映像情報送受信方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
[課題を解決するための手段]
上記課題を達成するために本発明の一実施の態様は、例えば特許請求の範囲に記載されている技術的思想を用いればよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
以上説明したとおり本発明によれば、高精細（ＨＤ）映像情報など情報量の多いものを、特にアナログ情報として出力する際に、ある程度の解像度などの制限を施せるため、良質な複製を作成することが困難となり、著作権者などの権利を保護することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放送あるいは通信手段を介してコピー制御情報とともに伝送された映像情報を受信して出力する映像情報受信装置において、
前記映像情報と前記コピー制御情報とを受信する受信手段と、
前記受信手段で受信した前記映像情報を外部装置へ出力する出力手段と、
前記受信手段および前記出力手段を制御する制御手段とを備え、
前記出力手段は、
受信した前記映像情報をディジタル信号として、暗号化して出力可能な第１の出力と、
受信した前記映像情報をアナログ信号として出力可能な第２の出力とを有し、
前記出力手段からの出力状態は、
前記コピー制御情報がコピー可である前記映像情報を前記第１の出力よりディジタル信号として出力する場合に、前記映像情報を暗号化しないで、かつ、前記映像情報の解像度の制限を行わないで出力可能な第１の状態と、
前記コピー制御情報がコピー可である前記映像情報を前記第２の出力よりアナログ信号として出力する場合に、前記映像情報の解像度の制限を行わないで出力可能な第２の状態と、
前記コピー制御情報がコピーの制限を示している前記映像情報を前記第１の出力よりディジタル信号として出力する場合に、前記映像情報を暗号化し、かつ、前記映像情報の解像度の制限を行わないで出力可能な第３の状態と、
前記コピー制御情報がコピーの制限を示している前記映像情報を前記第２の出力よりアナログ信号として出力する場合に、前記映像情報の解像度を制限して出力する第４の状態とを有することを特徴とする映像情報受信装置。
【請求項２】
放送あるいは通信手段を介してコピー制御情報とともに伝送された映像情報を受信装置において受信して出力する映像情報受信方法において、
前記映像情報を受信する受信ステップと、
受信した前記映像情報をディジタル信号として第１の出力から出力する、または、アナログ信号として第２の出力から出力する出力ステップとを備え、
前記出力ステップにおける出力状態は、
前記コピー制御情報がコピー可である前記映像情報を前記第１の出力よりディジタル信号として出力する場合に、前記映像情報を暗号化しないで、かつ、前記映像情報の解像度の制限を行わないで出力可能な第１の状態と、
前記コピー制御情報がコピー可である前記映像情報を前記第２の出力よりアナログ信号として出力する場合に、前記映像情報の解像度の制限を行わないで出力可能な第２の状態と、
前記コピー制御情報がコピーの制限を示している前記映像情報を前記第１の出力よりディジタル信号として出力する場合に、前記映像情報を暗号化し、かつ、前記映像情報の解像度の制限を行わないで出力可能な第３の状態と、
前記コピー制御情報がコピーの制限を示している前記映像情報を前記第２の出力よりアナログ信号として出力する場合に、前記映像情報の解像度を制限して出力する第４の状態とを有することを特徴とする映像情報受信方法。
【請求項３】
放送あるいは通信手段を介して映像情報を送信装置から送信し、受信装置において受信する映像情報送受信方法において、
前記送信装置において、前記映像情報をコピー制御情報とともに送信する送信ステップと、
前記受信装置において、前記コピー制御情報とともに送信された前記映像情報を受信する受信ステップと、
受信した前記映像情報をディジタル信号として第１の出力から、または、アナログ信号として第２の出力から出力する出力ステップとを備え、
前記出力ステップにおける出力状態は、
前記コピー制御情報がコピー可である前記映像情報を前記第１の出力よりディジタル信号として出力する場合に、前記映像情報を暗号化しないで、かつ、前記映像情報の解像度の制限を行わないで出力可能な第１の状態と、
前記コピー制御情報がコピー可である前記映像情報を前記第２の出力よりアナログ信号として出力する場合に、前記映像情報の解像度の制限を行わないで出力可能な第２の状態と、
前記コピー制御情報がコピーの制限を示している前記映像情報を前記第１の出力よりディジタル信号として出力する場合に、前記映像情報を暗号化し、かつ、前記映像情報の解像度の制限を行わないで出力可能な第３の状態と、
前記コピー制御情報がコピーの制限を示している前記映像情報を前記第２の出力よりアナログ信号として出力する場合に、前記映像情報の解像度を制限して出力する第４の状態とを有することを特徴とする映像情報送受信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月2日(2010.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の太陽電池モジュールを直列に接続した太陽電池ストリングを複数持ち、前記太陽電池ストリングの各々の電力出力端に逆流防止用ダイオードを接続した太陽電池発電システムの異常検出装置において、前記逆流防止用ダイオードに流れる電流を測定するための測定手段を含み、前記測定手段が、前記逆流防止用ダイオードの両端より取り出された電圧を電圧昇圧用ＤＣコンバータにおいて必要な電圧に変換した電力を供給されていることを特徴とする太陽電池発電システムの異常検出装置。
【請求項２】
前記逆流防止用ダイオードの両端より取り出された電圧が逆耐圧保護ダイオードを介して電圧昇圧用ＤＣコンバータに供給されていることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池発電システムの異常検出装置。
【請求項３】
測定手段が、逆流防止用ダイオードの両端の電圧を測定し、測定電圧から演算により前記逆流防止用ダイオードに流れる電流を求めることを特徴とする請求項１又は２に記載の太陽電池発電システムの異常検出装置。
【請求項４】
測定手段が、逆流防止用ダイオードの周囲温度を測定するための測定機能と、測定手段で測定された電圧の値と前記測定機能で測定された周囲温度に基づいて正確な電流値を算出するための演算機能とをさらに有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の太陽電池発電システムの異常検出装置。
【請求項５】
測定したデータを送信するための無線通信手段をさらに含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の太陽電池発電システムの異常検出装置。
【請求項６】
無線通信手段が、その通信範囲内に存在する別の無線通信手段に測定データを伝達することができ、各無線通信手段を順に介して最終的に中央情報管理装置に伝達することができることを特徴とする請求項５に記載の太陽電池発電システムの異常検出装置。
【請求項７】
逆流防止用ダイオード、測定手段、及び無線通信手段が、単一の防水構造を持つ箱内に入れられていることを特徴とする請求項５又は６に記載の太陽電池発電システムの異常検出装置。
【請求項８】
太陽電池発電システムが１ＭＷ以上のメガソーラーシステムであることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の太陽電池発電システムの異常検出装置。
【請求項９】
複数の太陽電池モジュールを直列に接続した太陽電池ストリングを複数持ち、前記太陽電池ストリングの各々の電力出力端に逆流防止用ダイオードを接続した太陽電池発電システムの異常検出方法において、前記逆流防止用ダイオードの両端より取り出された電圧を電圧昇圧用ＤＣコンバータにおいて必要な電圧に変換して供給される電力を電源として前記逆流防止用ダイオードに流れる電流を測定し、測定したデータをマルチホップ無線通信手段によって中央情報管理装置に送信することを特徴とする太陽電池発電システムの異常検出方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
即ち、本発明は、複数の太陽電池モジュールを直列に接続した太陽電池ストリングを複数持ち、前記太陽電池ストリングの各々の電力出力端に逆流防止用ダイオードを接続した太陽電池発電システムの異常検出装置において、前記逆流防止用ダイオードに流れる電流を測定するための測定手段を含み、前記測定手段が、前記逆流防止用ダイオードの両端より取り出された電圧を電圧昇圧用ＤＣコンバータにおいて必要な電圧に変換した電力を供給されていることを特徴とする太陽電池発電システムの異常検出装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明は、複数の太陽電池モジュールを直列に接続した太陽電池ストリングを複数持ち、前記太陽電池ストリングの各々の電力出力端に逆流防止用ダイオードを接続した太陽電池発電システムの異常検出方法において、前記逆流防止用ダイオードの両端より取り出された電圧を電圧昇圧用ＤＣコンバータにおいて必要な電圧に変換して供給される電力を電源として前記逆流防止用ダイオードに流れる電流を測定し、測定したデータをマルチホップ無線通信手段によって中央情報管理装置に送信することを特徴とする太陽電池発電システムの異常検出方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月29日(2011.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
なお、呼受付優先制御判定装置４での判定方法は、図８を用いて後述する。図７を参照して、端末への着信する処理を説明する。図７において、ネットワーク１は、呼び出しされている端末７０−１が位置するマクロセル基地局２０−１を記憶している。このため、ネットワーク１は、マクロセル基地局制御装置２に対して呼出要求を送信する（Ｓ８４０）。マクロセル基地局制御装置２は、配下の複数のマクロセル基地局２０に呼出要求を送信する（Ｓ８４１）。マクロセル基地局２０−１は、端末７０−１に到達した呼出要求を送信する（Ｓ８４２）。ここでは、端末７０−１がマクロセル基地局２０−１配下に位置しているので、呼出要求は端末７０−１で受信される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2010263513.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月2日(2011.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質及び非水溶媒を含む非水系電解液において、該非水系電解液が、置換基を有していてもよいアルキル基で置換されたフェニル基を有するリン酸エステル化合物および／またはカルボン酸エステル化合物を含有しており、該フェニル基に置換されたアルキル基の炭素数は全て４以上であることを特徴とする非水系電解液。
【請求項２】
非水系電解液に占める、リン酸エステル化合物および／またはカルボン酸エステル化合物の合計の割合が、０．００１〜１０重量％であることを特徴とする請求項１に記載の非水系電解液。
【請求項３】
炭素−炭素不飽和結合を有する環状カーボネート化合物、フッ素原子を有する環状カーボネート化合物、モノフルオロリン酸塩、ジフルオロリン酸塩から選ばれる少なくとも一種の化合物を含有することを特徴とする請求項１または２に記載の非水系電解液。
【請求項４】
炭素−炭素不飽和結合を有する環状カーボネート化合物を非水系電解液中に０．０１〜８重量％含有することを特徴とする請求項３に記載の非水系電解液。
【請求項５】
フッ素原子を有する環状カーボネート化合物を非水系電解液中に０．０１〜２０重量％含有することを特徴とする請求項３または４に記載の非水系電解液。
【請求項６】
少なくともモノフルオロリン酸塩またはジフルオロリン酸塩の何れか一種の化合物を非水系電解液中に０．０１〜５重量％含有することを特徴とする請求項３〜５に記載の非水系電解液。
【請求項７】
リチウムイオンを吸蔵・放出可能な負極及び正極、並びに非水系電解液を含む非水系電解液電池であって、該非水系電解液が請求項１〜６のいずれかに記載の非水系電解液であることを特徴とする非水系電解液電池。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月13日(2011.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に行列状に位置する複数の発光部材と、
各々が、列方向に隣接する少なくとも２つの前記発光部材を覆っている被覆部分と、該被覆部分どうしを列方向で接続する接続部分とからなる複数の電極と、
行方向に隣接する前記接続部分どうしを接続する行方向抵抗体とを有する発光体基板であって、
前記被覆部分の行方向の幅が前記接続部分の行方向の幅よりも大きいことを特徴とする発光体基板。
【請求項２】
列方向に隣接する前記電極どうしを接続する列方向抵抗体をさらに有する請求項１に記載の発光基板。
【請求項３】
複数の電子放出素子を備えた電子源基板と、
請求項１又は２に記載の発光体基板とを有し、前記電子放出素子から放出された電子によって前記発光部材が発光する画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の発光体基板は、基板と、基板上に行列状に位置する複数の発光部材と、各々が、列方向に隣接する少なくとも２つの発光部材を覆っている被覆部分と、被覆部分どうしを列方向で接続する接続部分とからなる複数の電極と、行方向に隣接する接続部分どうしを接続する行方向抵抗体とを有する発光体基板であって、被覆部分の行方向の幅が接続部分の行方向の幅よりも大きいことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の画像表示装置は、複数の電子放出素子を備えた電子源基板と、上述の発光体基板とを有し、電子放出素子から放出された電子によって発光部材が発光する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月28日(2011.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極および負極を備える電極体と電解質とが外装ケースに収容された形態の密閉型電池を製造する方法に用いるための封止フィルムであって、
前記密閉型電池製造方法は：
貫通孔を有する外装ケースに前記電極体および前記電解質を収容して電池組立体を構築する工程；
前記ケースの外表面であって前記貫通孔の前記ケース外部への開口端を囲む環状部分にレーザ照射処理を施して形成された溶着基面に直接または該溶着基面に予め溶着されたベースフィルムを介して封止フィルムを溶着することにより、前記貫通孔を仮封止する工程、ここで、前記ケースのうち少なくとも前記環状部分はアルミニウムまたはアルミニウム合金製であり、前記レーザ照射処理は前記環状部分にレーザを照射して表面を粗化する処理である；
前記貫通孔を仮封止した状態で前記電池組立体の初期充電を行う工程；および、
前記初期充電工程の後、前記フィルムに孔を開けて前記ケースの内外を連通するガス抜き通路を形成することにより該ケース内の余剰ガスを外部に排出するガス抜き工程；
を包含する方法であり、
ここで、前記封止フィルムは、組成の異なる二以上の樹脂層が積層された積層フィルムからなることを特徴とする、密閉型電池を製造する方法に用いるための封止フィルム。
【請求項２】
正極および負極を備える電極体と電解質とが外装ケースに収容された形態の密閉型電池を製造する方法に用いるための封止フィルムであって、
前記密閉型電池製造方法は：
貫通孔を有する外装ケースの外表面であって該貫通孔の前記ケース外部への開口端を囲む環状部分にレーザ照射処理を施して溶着基面を形成する工程、ここで、前記ケースのうち少なくとも前記環状部分はアルミニウムまたはアルミニウム合金製であり、前記レーザ照射処理は前記環状部分にレーザを照射して表面を粗化する処理である；
前記外装ケースに前記電極体および前記電解質を収容して電池組立体を構築する工程；
前記溶着基面に直接または該溶着基面に予め溶着されたベースフィルムを介して封止フィルムを溶着することにより、前記貫通孔を仮封止する工程；
前記貫通孔を仮封止した状態で前記電池組立体の初期充電を行う工程；および、
前記初期充電工程の後、前記フィルムに孔を開けて前記ケースの内外を連通するガス抜き通路を形成することにより該ケース内の余剰ガスを外部に排出するガス抜き工程；
を包含する方法であり、
ここで、前記封止フィルムは、組成の異なる二以上の樹脂層が積層された積層フィルムからなることを特徴とする、密閉型電池を製造する方法に用いるための封止フィルム。
【請求項３】
請求項１または２に記載の封止フィルムであって、
該封止フィルムは、下面および上面にポリオレフィン層が配置され、それらポリオレフィン層の間にポリエチレンナフタレート層が配置された積層フィルムからなることを特徴とする、密閉型電池を製造する方法に用いるための封止フィルム。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の封止フィルムであって、
該封止フィルムの下面を構成する樹脂層および上面を構成する樹脂層のうち少なくとも一方にはレーザ吸収材が添加されており、且つ前記封止フィルム全体の厚み方向に対するレーザ透過率が７０〜９５％であることを特徴とする、密閉型電池を製造する方法に用いるための封止フィルム。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の封止フィルムであって、
前記密閉型電池製造方法において、前記溶着基面には、前記レーザ照射処理により、微細な枝状構造を備えた酸化アルミニウム層が形成されていることを特徴とする、密閉型電池を製造する方法に用いるための封止フィルム。
【請求項６】
請求項５に記載の封止フィルムであって、
前記酸化アルミニウム層の厚さが１００ｎｍ〜５００ｎｍであることを特徴とする、密閉型電池を製造する方法に用いるための封止フィルム。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の封止フィルムであって、
前記密閉型電池製造方法は、前記ガス抜き工程の後、前記封止フィルムの上面に第二の封止フィルムを溶着することにより前記貫通孔を封止する工程をさらに包含する方法であることを特徴とする、密閉型電池を製造する方法に用いるための封止フィルム。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の封止フィルムであって、
前記密閉型電池製造方法は、前記封止フィルムの溶着をレーザ透過溶着法により行う方法であることを特徴とする、密閉型電池を製造する方法に用いるための封止フィルム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】密閉型電池を製造する方法に用いるための封止フィルム
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月30日(2011.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理に用いられる微小気泡を含む液体を生成する微小気泡生成装置であって、
前記微小気泡を含む液体を生成する微小気泡液生成部と、
前記微小気泡液生成部から供給される前記微小気泡を含む液体から、異物を除去する異物除去機構部と、
を備え、
前記異物除去機構部は、前記微小気泡を含む液体から有機系の汚染物を除去する有機汚染除去装置を含むことを特徴とする微小気泡生成装置。
【請求項２】
前記微小気泡液生成部と前記異物除去機構部は、前記異物除去機構部を通過した前記微小気泡を含む液体を前記微小気泡液生成部に戻すための循環用の配管により接続されていることを特徴とする請求項１に記載の微小気泡生成装置。
【請求項３】
基板処理に用いられる微小気泡を含む液体を生成する微小気泡生成方法であって、
微小気泡液生成部が前記微小気泡を含む液体を生成し、
前記異物除去機構部が前記微小気泡液生成部から供給される前記微小気泡を含む液体から有機系の汚染物を除去することを特徴とする微小気泡生成方法。
【請求項４】
基板処理に用いられる微小気泡を含む液体を生成する微小気泡生成装置を用いた基板処理装置であって、
前記微小気泡生成装置は、
前記微小気泡を含む液体を生成する微小気泡液生成部と、
前記微小気泡液生成部から供給される前記微小気泡を含む液体から、有機系の汚染物を除去する異物除去機構部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その目的は、異物を確実に除去することができる微小気泡生成装置、微小気泡生成方法および基板処理装置を提供することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、異物を確実に除去することができる微小気泡生成装置、微小気泡生成方法および基板処理装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月25日(2011.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基台と、
前記基台に支持され、該基台に対して上下方向に相対移動可能な複数の基板支持部材と、
前記基板支持部材の上端にそれぞれ設けられた基板把持部と、
前記基板支持部材を上下動させる駆動機構と、
前記基板支持部材の下降と連動して、少なくとも１つの前記基板支持部材上の前記基板把持部を基板に押圧し、前記基板支持部材の上昇と連動して、前記基板把持部を基板から離間させる押圧機構とを備えることを特徴とする基板把持機構。
【請求項２】
前記押圧機構は、前記基板支持部材の上下動と連動して、前記少なくとも１つの基板支持部材をその軸心周りに回転させる回転機構であることを特徴とする請求項１に記載の基板把持機構。
【請求項３】
前記押圧機構は、
前記少なくとも１つの前記基板支持部材および前記基台のうちのいずれか一方に取り付けられた第１の磁石と、
前記少なくとも１つの前記基板支持部材および前記基台のうちの他方に取り付けられた第２の磁石とを備え、
前記第１の磁石は、前記基板支持部材の上下動に伴って、前記第２の磁石と近接した位置となるように配置され、
前記第１の磁石と前記第２の磁石が近接したときに、前記第１の磁石と前記第２の磁石との間に発生する磁力により前記基板把持部が基板の周端部を押圧する方向に前記基板支持部材を移動させることを特徴とする請求項１に記載の基板把持機構。
【請求項４】
前記第２の磁石が取り付けられている前記少なくとも１つの前記基板支持部材または前記基台には、第３の磁石がさらに取り付けられており、
前記第１の磁石は、前記基板支持部材の上下動に伴って、前記第２の磁石および前記第３の磁石のいずれか一方と近接した位置となるように配置されていることを特徴とする請求項３に記載の基板把持機構。
【請求項５】
前記少なくとも１つの基板支持部材には、その軸心に沿って延びる溝が形成されており、
前記基台には、前記溝に緩やかに係合する突起部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板把持機構。
【請求項６】
前記押圧機構は、
前記少なくとも１つの基板支持部材に形成された螺旋溝と、
前記基台に設けられた、前記螺旋溝に係合するピンとを有することを特徴とする請求項１に記載の基板把持機構。
【請求項７】
前記基台および前記複数の基板支持部材を回転させる機構をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の基板把持機構。
【請求項８】
基台と、
前記基台に支持された複数の基板支持部材と、
前記基板支持部材の上端にそれぞれ設けられた基板把持部および位置決め部と、
前記基板支持部材の少なくとも１つをその軸心周りに回転させる回転機構とを備え、
前記基板把持部は、前記基板支持部材の軸心から偏心して配置され、
前記位置決め部は、前記基板支持部材と同心の円に沿って湾曲する側面を有することを特徴とする基板把持機構。
【請求項９】
基板を把持する方法において、
複数の基板支持部材の上端に設けられた基板把持部により基板を押圧することで該基板を把持する把持工程と、
該複数の基板支持部材を上昇させて前記基板把持部を基板から離間させる離間工程とを有し、
前記把持工程と前記離間工程とが、前記複数の基板支持部材を上下動させる動作により行われることを特徴とする基板把持方法。
【請求項１０】
前記把持工程は、前記複数の基板支持部材の少なくとも１つを回転させることにより、前記基板把持部を基板に押圧することを特徴とする請求項９に記載の基板把持方法。
【請求項１１】
基板を把持しながら洗浄する方法において、
回転カバーに覆われた複数の基板支持部材の上端に設けられた基板把持部により基板を押圧することで該基板を把持する把持工程と、
前記基板把持部に把持された基板を回転させながら、該基板上に洗浄液を供給して該基板を洗浄する洗浄工程と、
前記複数の基板支持部材を上昇させて前記基板把持部を基板から離間させる離間工程とを有し、
前記把持工程と前記離間工程とが、前記複数の基板支持部材を上下動させる動作により行われることを特徴とする方法。
【請求項１２】
基板を把持しながら乾燥する方法において、
回転カバーに覆われた複数の基板支持部材の上端に設けられた基板把持部により基板を押圧することで該基板を把持する把持工程と、
前記基板把持部に把持された基板を回転させて該基板を乾燥する乾燥工程と、
前記複数の基板支持部材を上昇させて前記基板把持部を基板から離間させる離間工程とを有し、
前記把持工程と前記離間工程とが、前記複数の基板支持部材を上下動させる動作により行われることを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の他の態様は、基板を把持する方法において、複数の基板支持部材の上端に設けられた基板把持部により基板を押圧することで該基板を把持する把持工程と、該複数の基板支持部材を上昇させて前記基板把持部を基板から離間させる離間工程とを有し、前記把持工程と前記離間工程とが、前記複数の基板支持部材を上下動させる動作により行われることを特徴とする。
本発明の一参考例は、基板を把持する方法において、複数の基板支持部材上に基板を載置する工程と、前記複数の基板支持部材を下降させて、該複数の基板支持部材の上端に設けられた基板把持部により基板を押圧することで該基板を把持する把持工程と、前記複数の基板支持部材を上昇させて、前記基板把持部を基板から離間させる離間工程とを有し、前記把持工程と前記離間工程とが、前記複数の基板支持部材を上下動させる動作により行われることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の他の態様は、基板を把持しながら洗浄する方法において、回転カバーに覆われた複数の基板支持部材の上端に設けられた基板把持部により基板を押圧することで該基板を把持する把持工程と、前記基板把持部に把持された基板を回転させながら、該基板上に洗浄液を供給して該基板を洗浄する洗浄工程と、前記複数の基板支持部材を上昇させて前記基板把持部を基板から離間させる離間工程とを有し、前記把持工程と前記離間工程とが、前記複数の基板支持部材を上下動させる動作により行われることを特徴とする。
本発明の他の態様は、基板を把持しながら乾燥する方法において、回転カバーに覆われた複数の基板支持部材の上端に設けられた基板把持部により基板を押圧することで該基板を把持する把持工程と、前記基板把持部に把持された基板を回転させて該基板を乾燥する乾燥工程と、前記複数の基板支持部材を上昇させて前記基板把持部を基板から離間させる離間工程とを有し、前記把持工程と前記離間工程とが、前記複数の基板支持部材を上下動させる動作により行われることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月18日(2011.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のパラメータにより外部機器の動作を制御する動作制御ユニットが接続されてなる中央制御装置とデータ通信することが可能な設定支援装置であって、
前記外部機器の動作の種類ごとに、設定するべき複数のパラメータ及び該パラメータごとの初期値を含むパラメータ値を記憶する記憶手段と、
動作の種類の選択を受け付ける動作選択受付手段と、
選択を受け付けた動作の種類に基づいて前記記憶手段から複数のパラメータ及び該パラメータごとの初期値を含むパラメータ値を抽出する抽出手段と、
抽出された複数のパラメータのうちの少なくとも一部のパラメータの入力領域を含む第一の画面を表示する第一表示手段と、
前記入力領域にて複数のパラメータの選択を受け付けるパラメータ選択受付手段と、
一のパラメータの選択を受け付けた場合、前記第一の画面に表示されたパラメータに基づいて、選択を受け付けた一のパラメータのパラメータ値を入力する第二の画面を、該パラメータ及び該パラメータに関連するパラメータの入力領域を含めて表示する第二表示手段と
を備えることを特徴とする設定支援装置。
【請求項２】
前記第二表示手段は、前記第二の画面を活動化した状態で表示するようにしてあることを特徴とする請求項１記載の設定支援装置。
【請求項３】
前記第二表示手段は、前記パラメータ選択受付手段にて選択を受け付けた一のパラメータの入力領域の始点にカーソルを移動させるようにしてあることを特徴とする請求項２記載の設定支援装置。
【請求項４】
前記抽出手段にて抽出した複数のパラメータについて、前記第一の画面及び前記第二の画面にて設定したパラメータのパラメータ値並びに未設定のパラメータの初期値を、前記外部機器の所定の動作を制御する複数のパラメータのパラメータ値として前記動作制御ユニットへ送信する送信手段を備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の設定支援装置。
【請求項５】
前記第一の画面は、
前記第二の画面より小さい面積を有し、前記第一表示手段は、前記第一の画面を、前記第二の画面の前記一のパラメータの入力領域に重ならない位置に表示するようにしてあり、
前記第二の画面の前方に表示するようにしてあることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の設定支援装置。
【請求項６】
前記第一の画面は、動作の種類ごとに設定するべき複数のパラメータの一部のパラメータの入力領域を有し、
前記第一の画面に表示されていないパラメータに、記憶してある初期値を設定する初期値設定手段を備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の設定支援装置。
【請求項７】
前記第一の画面の入力領域は、パラメータごとにパラメータ値を設定する領域を含むことを特徴とする請求項６記載の設定支援装置。
【請求項８】
複数のパラメータにより外部機器の動作を制御する動作制御ユニットが接続されてなる中央制御装置とデータ通信することが可能な設定支援装置で実行することが可能なコンピュータプログラムであって、
前記設定支援装置を、
前記外部機器の動作の種類ごとに、設定するべき複数のパラメータ及び該パラメータごとの初期値を含むパラメータ値を記憶する記憶手段、
動作の種類の選択を受け付ける動作選択受付手段、
選択を受け付けた動作の種類に基づいて前記記憶手段から複数のパラメータ及び該パラメータごとの初期値を含むパラメータ値を抽出する抽出手段、
抽出された複数のパラメータのうちの少なくとも一部のパラメータの入力領域を含む第一の画面を表示する第一表示手段、
前記入力領域にて複数のパラメータの選択を受け付けるパラメータ選択受付手段、及び
一のパラメータの選択を受け付けた場合、前記第一の画面に表示されるパラメータに基づいて、選択を受け付けた一のパラメータのパラメータ値を入力する第二の画面を、該パラメータ及び該パラメータに関連するパラメータの入力領域を含めて表示する第二表示手段
として機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月24日(2011.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第１の側面によって提供される流体供給装置は、流体を昇圧して供給する昇圧機と、昇圧機が供給する流体が分配されて流れる複数の配管とを備え、各配管内を流れる流体の流量がそれぞれ独立に調節される流体供給装置であって、昇圧機から供給される流体が各配管に分配される前の分配前圧力が予め設定された圧力設定値と一致するように余剰流量を排出するための圧力調節弁と、圧力調節弁の開度が予め設定された開度設定値と一致するように、昇圧機の出力を調節する昇圧機制御部と、を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月15日(2011.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
反射防止膜として一般に用いられているシリコン窒化膜は水素を透過しにくい膜であるため、このような反射防止膜を用いている場合に本発明の効果が顕著に表れる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月5日(2011.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた少なくとも活性層を含む窒化物半導体層と、該窒化物半導体層に形
成された一対の共振器端面と、前記基板の一部が該共振器端面から突出した突出部とを有
する窒化物半導体レーザ素子の製造方法であって、
前記基板上に前記窒化物半導体層を形成する工程と、
少なくとも前記窒化物半導体層をエッチングして第１の溝部を形成する第１のエッチン
グ工程と、
前記共振器端面を形成する第２のエッチング工程とを含み、
該第２のエッチング工程において、前記第１の溝部の内壁と、該第１の溝部に隣接する
窒化物半導体層表面の一部をエッチングすることで第２の溝部を形成し、前記突出部の上
面を形成することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項２】
前記第１の溝部を、溝底部が溝上部より幅狭に形成する半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項３】
前記第２の溝部の幅を、前記第１の溝部の幅よりも大きく形成する請求項１又は２に記
載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項４】
前記突出部の上面と基板の水平面とのなす角度を、７５°以下にする請求項１から３の
いずれか１つに記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項５】
前記共振器端面の反射側に、テラス状水平面が形成される請求項１から４のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項６】
前記共振器端面を形成した後、さらに、該共振器端面と溝との全面に、端面保護膜を形
成する請求項１から５のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項７】
さらに、前記第２の溝部を分割補助溝として利用して、前記基板を分割する請求項１か
ら６のいずれか１つに記載の半導体レーザ素子の製造方法。