【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年8月3日(2009.8.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平滑な平坦な成長表面を有する非極性の窒化ガリウムフィルムを、基板上で、金属・有機化学蒸着によって成長させる方法であって、以下の工程：
（ａ）窒化物ベースの緩衝層を、該基板上に堆積させる工程；ならびに
（ｂ）該非極性の窒化ガリウムフィルムを、該緩衝層上で成長させる工程であって、ここで、工程（ａ）および（ｂ）から得られる該非極性の窒化ガリウムフィルムが、緩衝層なしで成長した非極性の窒化ガリウムフィルムと比較して、平滑な平坦な成長表面を有し、そしてデバイス品質の（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層の引き続く成長のために適切である、工程、を包含する、方法。
【請求項２】
前記基板が、ｒ平面サファイア基板である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記非極性の窒化ガリウムフィルムの、前記ｒ平面基板に対する面内配向が、
【数１】
2005522889.tif 000001
である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記基板が、炭化ケイ素、窒化ガリウム、ケイ素、酸化亜鉛、窒化ホウ素、アルミン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ゲルマニウム、窒化アルミニウム、およびガリウム酸リチウムを含む群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記堆積させる工程（ａ）の前に、前記基板を１０００℃より高温でアニールする工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記堆積させる工程（ａ）が、前記成長させる工程（ｂ）の前に、前記窒化物ベースの緩衝層を、前記基板上に４００℃〜９００℃で堆積させる工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記堆積させる工程（ａ）が、前記窒化物ベースの緩衝層を、前記基板上へ大気圧で堆積させる工程を包含する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記堆積させる工程（ａ）が、前記基板上での窒化ガリウムの成長を開始させる、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記窒化物ベースの緩衝層が、１〜１００ナノメートルの窒化ガリウムを含有する、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記成長させる工程（ｂ）が、前記非極性の窒化ガリウムフィルムを、前記窒化物ベースの緩衝層上で、該窒化物ベースの緩衝層の温度より高温で成長させる工程を包含する、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記成長させる工程（ｂ）が、前記非極性の窒化ガリウムフィルムを、前記窒化物ベースの緩衝層上で、０．２気圧以下で成長させる工程を包含する、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
前記成長させる工程（ｂ）が、前記非極性の窒化ガリウムフィルムを、前記窒化物ベースの緩衝層上で、１分間あたり約３０μｍｏｌのガリウムフロー、および１分間あたり４０，０００μｍｏｌの窒素フローで成長させる工程を包含する、請求項６に記載の方法。
【請求項１３】
前記成長させる工程（ｂ）が、前記平坦な非極性の窒化ガリウムフィルムを生じる、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記非極性の窒化ガリウムフィルムが、光学的に反射性の表面により特徴付けられる平滑な平坦な成長表面を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記非極性の窒化ガリウムフィルムが、ｃ軸に対して垂直であるわずかな段により特徴付けられる平滑な平坦な成長表面を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記堆積させる工程が、前記窒化物ベースの緩衝層を前記基板上に、およそ大気圧で堆積させる工程を包含し、そして前記成長させる工程（ｂ）が、前記非極性の窒化ガリウムフィルムを、該窒化物ベースの緩衝層上に、約０．２気圧以下で成長させる工程を包含する、請求項６に記載の方法。
【請求項１７】
工程（ａ）および（ｂ）から得られる前記非極性の窒化ガリウムフィルムが、３．８×１０５ｃｍ−１以下の積層欠損密度を有する平滑な平坦な成長表面を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
工程（ａ）および（ｂ）から得られる前記非極性の窒化ガリウムフィルムが、２．６×１０１０ｃｍ−２以下の螺旋転位密度を有する平滑な平坦な成長表面を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記基板がミスカット基板である、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
工程（ａ）および（ｂ）から得られる前記非極性の窒化ガリウムフィルムが、２．６ｎｍ以下の表面粗さを有する平滑な平坦な成長表面を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記非極性の窒化ガリウムフィルムが、ａ表面フィルムである、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
工程（ｂ）において形成された前記非極性の窒化ガリウムフィルム上に、１つ以上のデバイス層を成長させる工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
【数２０】
2005522889.tif 000002
に平行な、サファイア／ＧａＮ界面にいて始まる螺旋転位（ｔｈｒｅａｄｉｎｇｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ）（ＴＤ）の大きい密度を明らかにする。平面ＴＥＭによって決定されるＴＤ密度は、２．６×１０１０ｃｍ−２であった。ＴＤ線の方向が成長方向と平行であるので、純粋な螺旋転位（ｓｃｒｅｗ  ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ）は、成長方向
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
【数２１】
2005522889.tif 000003
に沿って整列したバーガースベクトルを有し、一方で、純粋な刃状転位は、ｂ＝±［０００１］を有する。ｃ−ＧａＮに対して減少したａ−ＧａＮ表面の対称性は、混合した転位の特徴付けを複雑にする。なぜなら、結晶学的に等価な
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
【数２３】
2005522889.tif 000004
族として処理され得ないからである。具体的には、混合された転位の可能なバーガースベクトルは、以下の３つの細分：
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
線の欠損に加えて、図３（ｂ）における平面ＴＥＭ画像は、ａ−ＧａＮフィルムにおいて観察される面の欠損を明らかにする。ｃ軸に対して垂直に、３．８×１０５ｃｍ−１の密度で整列した積層欠損が、平面ＴＥＭ画像において観察された。この積層欠損（通常、密に充填された面のエピタキシャル成長に関連する）は、三次元（３Ｄ）の島のｃ面側壁に最も生じやすく、この島は、高温成長の開始段階の間に形成される。その結果、積層欠損は、現在固有であると仮定され、そして逆の符号のショックレー部分転位によって終わる。類似の特徴を有する積層欠損が、ｒ平面サファイア基板上で成長したａ面Ａ１Ｎフィルムにおいて観察された。参考文献１７を参照のこと。積層欠損は、密に充填された（０００１）に対して平行な、約３．８×１０５ｃｍ−１の密度の共通の欠損面を有する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
【数２６】
2005522889.tif 000005
反射の両方について測定し、ａ平面ＧａＮ結晶の質を特徴付けた。オン軸ピークの全半値幅（ＦＷＨＭ）は、０．２９°（１０３７”）であり、一方で、オフ軸ピークは、０．４６°（１６５９”）のＦＷＨＭで間隔を空けた、より大きい配向を示した。大きいＦＷＨＭ値が予測される。なぜなら、微細構造が、かなりの転位密度を含むからである。Ｈｅｙｉｎｇらによって提供された、ｃ−サファイア上のｃ−ＧａＮフィルムについての分析によれば、オン軸ピーク幅は、螺旋転位および混合転位によって広くされ、一方で、オフ軸幅は、刃状成分ＴＤによって広くされる（ＴＤ線がフィルムの法線に平行であると仮定する）。参考文献１８を参照のこと。オン軸ピークと比較したオフ軸ピークの幅広化に起因して、比較的大きい刃状転位密度が、ｒ−サファイア上のａ−ＧａＮについて予測される。さらなる微細構造分析が、ａ−ＧａＮ  ＴＤジオメトリーをロッキングカーブ測定に相関付けるために必要とされる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
２．６ｎｍの表面ＲＭＳ粗さで光学的に透過性（ｓｐｅｃｕｌａｒ）であるが、ａ−ＧａＮの成長表面は、図４（ａ）に示されるＡＦＭ振幅画像に明らかに観察され得るように、ミクロン未満の規模で穴があいている。表面の穴は、表面で転位の終結を修飾していることが提唱されている；平面ＴＥＭによって決定される転位密度は、１桁以内で、表面の穴の密度に相関する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
最後に、サファイア基板以外の基板が、非極性ＧａＮ成長のために使用され得る。これらの基板としては、炭化ケイ素、窒化ガリウム、ケイ素、酸化亜鉛、窒化ホウ素、アルミン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ゲルマニウム、窒化アルミニウム、およびガリウム酸リチウムが挙げられる。