Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月18日(2009.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一の構造化導電層を有するフレキシブル基板と、
前記基板に配置された複数のＬＥＤとを備え、前記構造化導電層が前記ＬＥＤを駆動するための電極を形成している発光デバイスにおいて、
前記構造化導電層は、複数の熱放散パッドを備え、各パッドは、各ＬＥＤの面積よりもかなり広い面積を有し、
各ＬＥＤは、前記パッドの少なくとも１つに熱接続されていると共に、２つのパッドの間に電気的に直列に接続されていることを特徴とする発光デバイス。
【請求項２】
ＬＥＤのターミナルの１つが前記パッドに電気的に接続され、他方のターミナルが別のパッドに至る導電トラックに電気接続された状態となるよう、前記パッドのうちの１つの頂部に各ＬＥＤが取り付けられている請求項１記載のデバイス。
【請求項３】
前記ＬＥＤが複数の異なるカラーの光を発生するようになっているＬＥＤを備え、同じカラーを有するＬＥＤだけを含む組として直列に接続されている請求項１又は請求項２記載のデバイス。
【請求項４】
前記ＬＥＤは、グループに配置されており、各グループは、異なるカラーの光を発生するようになっていると共に、好ましくは組み合わせによって白色光を発光するように選択されたＬＥＤを含む請求項３記載のデバイス。
【請求項５】
各パッドは、１つのＬＥＤにしか熱接続されていない請求項１乃至４の何れか１項に記載のデバイス。
【請求項６】
各ＬＥＤがパッドに非対称に位置決めされており、隣接するパッド上に位置する数個のＬＥＤがグループとして密に配置されるよう、パッドが配置されている請求項５記載のデバイス。
【請求項７】
パッドは基本的には四角形であり、直線グリッドパターンに配置されており、２つずつのアレイとなっている４つのパッドに接続されたＬＥＤは、各パッドの内側に向いているコーナーに位置している請求項６記載のデバイス。
【請求項８】
各パッドが、パッドの周辺のまわりに配置された複数のＬＥＤに熱接続されており、隣接するパッド上に位置する数個のＬＥＤが、グループ内で密に配置されるよう、パッドが配置されている請求項１乃至４の何れか１項に記載のデバイス。
【請求項９】
前記ＬＥＤは、パッドの周辺に対称的に位置している請求項８記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月19日(2009.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機電子素子の電気的に直列に結合された複数のグループを備える有機電子パッケージであって、有機電子素子の前記複数のグループのうちの少なくとも１つは、有機電子素子の電気的に並列に結合された複数のサブグループを備え、さらに、有機電子素子の前記複数のサブグループの少なくとも１つは、電気的に直列に結合された複数の有機電子素子を備える有機デバイスパッケージ。
【請求項２】
前記複数の有機電子素子の各々が有機電子デバイスを備える、請求項１記載の有機デバイスパッケージ。
【請求項３】
前記複数の有機電子デバイスの各々が、有機発光デバイス、有機光起電力セル、有機エレクトロクロミックデバイス、有機センサ又はこれらの組合せのうちの１つを備える、請求項２記載の有機デバイスパッケージ。
【請求項４】
前記複数の有機電子素子の各々が下部電極及び上部電極を備える、請求項１記載の有機デバイスパッケージ。
【請求項５】
前記下部電極が陽極であり、前記上部電極が陰極である、請求項４記載の有機デバイスパッケージ。
【請求項６】
前記下部電極が、前記有機デバイスパッケージによって放射、吸収又は変調された光又はこれらの組合せに対して透明な第１の導電性材料を含む、請求項４記載の有機デバイスパッケージ。
【請求項７】
前記第１の導電性材料が酸化インジウム錫を含む、請求項６記載の有機デバイスパッケージ。
【請求項８】
前記上部電極が、前記有機デバイスパッケージによって放射、吸収又は変調された光、又はこれらの組合せに対して透明な第２の導電性材料を含む、請求項４記載の有機デバイスパッケージ。
【請求項９】
前記有機デバイスパッケージが、少なくとも第１の有機電子素子及び第２の有機電子素子を備え、前記第１の有機電子素子の上部電極が、第１の有機電子素子の下部電極の一部及び前記第２の有機電子素子の下部電極の一部の上に広がることによって、前記第１及び第２の有機電子素子のそれぞれの下部電極を電気的に結合するように構成されている、請求項１記載の有機デバイスパッケージ。
【請求項１０】
前記有機電子素子の前記複数のサブグループのうちの少なくとも１つが、電気的に並列に結合された複数の有機電子素子を備える、請求項１記載の有機デバイスパッケージ。
【請求項１１】
前記有機デバイスパッケージが、少なくとも第１の有機電子素子及び第２の有機電子素子を備え、前記第１の有機電子素子の上部電極が、第１の有機電子素子の下部電極の一部及び前記第２の有機電子素子の下部電極の一部の上に広がることによって、前記第１及び第２の有機電子素子のそれぞれの下部電極を電気的に結合するように構成されている、請求項１０記載の有機デバイスパッケージ。
【請求項１２】
第１の有機電子素子が第１のノードと第２のノードの間に結合し、
第２の有機電子素子が第２のノードと第３のノードの間に結合していて、前記第１及び第２の有機電子素子が電気的に直列に結合されて第１のサブグループを形成しており、
第３の有機電子素子が前記第１のノードと第４のノードの間に結合し、
第４の有機電子素子が前記第４のノードと前記第３のノードの間に結合していて、前記第３及び第４の有機電子素子が電気的に直列に結合されて第２のサブグループを形成し、前記第１及び第２のサブグループが電気的に並列に結合されてグループを形成している、請求項１記載の有機デバイスパッケージ。
【請求項１３】
有機デバイスパッケージを製作する方法であって、
基板を設けるステップと、
前記基板に複数の下部電極をパターン形成するステップと、
前記複数の下部電極の上に有機層を配置するステップと、
複数の開口を形成するように前記有機層をパターン形成するステップであって、前記開口が、前記有機デバイスパッケージの前記下部電極と上部電極の間の電気的結合を容易にするように構成されるステップと、
前記有機層の上に複数の上部電極をパターン形成するステップと、を含み、前記下部電極又は上部電極の少なくとも２つが電気的に並列に結合される方法。
【請求項１４】
複数の有機電子素子を電気的に直列に結合してサブグループを形成するステップと、
複数のサブグループを電気的に並列に結合してグループを形成するステップと、
複数のグループを電気的に直列に結合するステップと
をさらに含む、請求項１３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月16日(2009.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを形成する方法であって、
ウエハにトレンチ分離を形成し、ウエハのＰＭＯＳ領域からＮＭＯＳ領域を隔てるトレンチ分離形成工程と、ウエハはインシュレータの上方に半導体層を含むセミコンダクタ・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）構成を有することと、トレンチ分離は半導体層を通じて少なくともインシュレータまで延びていることと、
ＮＭＯＳ領域に第１のチャンネル領域を形成する第１チャンネル領域形成工程と、第１のチャンネル領域は第１の歪み特性を有することと、
ＰＭＯＳ領域に第２のチャンネル領域を形成する第２チャンネル領域形成工程と、第２のチャンネル領域は第２の歪み特性を有することと、第２の歪み特性は第１の歪み特性より小さい引張であることと、第１及び第２の歪み特性はそれぞれＮＭＯＳ領域及びＰＭＯＳ領域に形成されるＮＭＯＳ及びＰＭＯＳデバイス構造において同時の性能向上を可能とすることと、を備え、さらに、
トレンチ分離形成工程に先立って、
半導体層の上に重なる保護層を形成する工程と、
保護層の上に重なる窒化物層を形成する工程と、トレンチ分離は、窒化物層、保護層、及び半導体層を通じて少なくともインシュレータまで延びていることと、を含む方法。
【請求項２】
半導体デバイスを形成する方法であって、
ウエハにトレンチ分離を形成し、ウエハのＰＭＯＳ領域からＮＭＯＳ領域を隔てるトレンチ分離形成工程と、ウエハはインシュレータの上方に半導体層を含むセミコンダクタ・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）構成を有することと、トレンチ分離は半導体層を通じて少なくともインシュレータまで延びていることと、
ＮＭＯＳ領域に第１のチャンネル領域を形成する第１チャンネル領域形成工程と、第１のチャンネル領域は第１の歪み特性を有することと、
ＰＭＯＳ領域に第２のチャンネル領域を形成する第２チャンネル領域形成工程と、第２のチャンネル領域は第２の歪み特性を有することと、第２の歪み特性は第１の歪み特性より小さい引張であることと、第１及び第２の歪み特性はそれぞれＮＭＯＳ領域及びＰＭＯＳ領域に形成されるＮＭＯＳ及びＰＭＯＳデバイス構造において同時の性能向上を可能とすることと、を備え、
半導体層は、（ｉ）二軸性引張歪みシリコン、（ｉｉ）緩和シリコンゲルマニウム、（ｉｉｉ）部分緩和シリコンゲルマニウム、及び（ｉｖ）シリコンの上に重なる圧縮歪みシリコンゲルマニウムからなる群から選択されるものを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月16日(2009.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化膜の引張応力を増大させる方法であって：
水素を含有するＳｉＮ膜が上に形成された基板を設ける設置工程；及び
前記ＳｉＮ膜の引張応力を増大させるように、平行にされた電磁放射線に前記ＳｉＮ膜を曝す曝露工程；
を有する方法。
【請求項２】
前記電磁放射線は、約５００ｎｍ未満の波長を有する成分を含む多周波電磁放射線である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記電磁放射線は、約１２５ｎｍと約５００ｎｍとの間の波長を有する成分を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記電磁放射線は１５７ｎｍ、１７２ｎｍ、１９３ｎｍ、２２２ｎｍ、２４８ｎｍ、３０８ｎｍ若しくは３５１ｎｍの波長、又はこれらの２つ以上の組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記電磁放射線の強度は約１０ｍＷ／ｃｍ２と約１０００ｍＷ／ｃｍ２との間である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記電磁放射線の強度は約５０ｍＷ／ｃｍ２と約５００ｍＷ／ｃｍ２との間である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記設置工程は、約１ＧＰａと約１．５ＧＰａとの間の引張応力を有するＳｉＮ膜を設けることを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記曝露工程は、約１．５ＧＰａより大きい引張応力を有するＳｉＮ膜を形成することを有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記曝露工程は、約１．５ＧＰａと約３ＧＰａとの間の引張応力を有するＳｉＮ膜を形成することを有する、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記電磁放射線は前記基板の表面に垂直な方向で平行にされる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記基板は更に、該基板に形成された少なくとも１つのドープト領域及びゲートスタックを含むデバイスを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記電磁放射線は前記基板の表面に垂直な方向で平行にされる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記曝露工程の前、最中若しくは後、又はこれらの２つ以上の組み合わせにおいて、前記ＳｉＮ膜をアニールするアニール工程；
を更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記設置工程は、原子百分率で約１０％と約５０％との間の水素を含有するＳｉＮ膜を設けることを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記設置工程は、原子百分率で約２０％と約４０％との間の水素を含有するＳｉＮ膜を設けることを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記基板は約２００℃と約１０００℃との間の温度範囲内に維持される、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記基板は約４００℃と約７００℃との間の温度範囲内に維持される、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記ＳｉＮ膜が所定の厚さになるまで前記設置工程と前記曝露工程とを繰り返す反復段階を更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記反復段階後の前記ＳｉＮ膜の厚さは約１００Åと約１μｍとの間である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記曝露工程は約１０−５Ｔｏｒｒと約３０００ｍＴｏｒｒとの間の圧力で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
基板；及び
前記基板上に配置されたＳｉＮ膜であり、水素を含有するＳｉＮ膜を前記基板上に設ける設置工程と、この設けられたＳｉＮ膜を、該ＳｉＮ膜の引張応力を増大させるように、平行にされた電磁放射線に曝す曝露工程とによって形成されたＳｉＮ膜；
を有する半導体デバイス。
【請求項２２】
前記曝露工程前の前記ＳｉＮ膜は約１ＧＰａと約１．５ＧＰａとの間の引張応力を有する、請求項２１に記載の半導体デバイス。
【請求項２３】
前記曝露工程後の前記ＳｉＮ膜は約１．５ＧＰａより大きい引張応力を有する、請求項２２に記載の半導体デバイス。
【請求項２４】
前記曝露工程後の前記ＳｉＮ膜は約１．５ＧＰａと約３ＧＰａとの間の引張応力を有する、請求項２２に記載の半導体デバイス。
【請求項２５】
前記基板は更に、該基板に形成された少なくとも１つのドープト領域及びゲートスタックを含むデバイスを有する、請求項２１に記載の半導体デバイス。
【請求項２６】
前記電磁放射線は前記基板の表面に垂直な方向で平行にされる、請求項２１に記載の半導体デバイス。
【請求項２７】
前記曝露工程前の前記ＳｉＮ膜は原子百分率で約１０％と約５０％との間の水素を含有する、請求項２１に記載の半導体デバイス。
【請求項２８】
前記曝露工程前の前記ＳｉＮ膜は原子百分率で約２０％と約４０％との間の水素を含有する、請求項２１に記載の半導体デバイス。
【請求項２９】
前記ＳｉＮ膜の厚さは約１００Åと約１μｍとの間である、請求項２１に記載の半導体デバイス。
【請求項３０】
前記曝露工程は更に、前記ＳｉＮ膜内の水素含有率を非等方的に低下させるように、平行にされた電磁放射線に前記ＳｉＮ膜を曝すことを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３１】
前記設けられたＳｉＮ膜は、当該ＳｉＮ膜内の水素含有率を非等方的に低下させるように、平行にされた電磁放射線に曝される、請求項２１に記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月25日(2008.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細長部と、
共通の焦点にエネルギを発射するように構成された複数の実質的にフラットなクリスタルを有する先端部とを具えた医療装置。
【請求項２】
複数の実質的にフラットなクリスタルが、前記先端部の凹面上に配置されている、請求項１に記載の医療装置。
【請求項３】
前記先端部が音波透過性カバーを具えている、請求項１に記載の医療装置。
【請求項４】
前記音波透過性カバーが複数の実質的にフラットなクリスタルを被覆している、請求項３に記載の医療装置。
【請求項５】
前記共通の焦点が前記先端部の側面に隣接して位置決めされている、請求項１に記載の医療装置。
【請求項６】
前記共通の焦点が前記先端部の先端に位置決めされている、請求項１に記載の医療装置。
【請求項７】
前記先端部が、流体を入れるための空洞を形成している、請求項１に記載の医療装置。
【請求項８】
前記細長部が、流体を前記空洞に循環させるように構成された一つ以上の管孔を有する、請求項７に記載の医療装置。
【請求項９】
前記音波透過性カバーが前記空洞の少なくとも一部を形成している、請求項７に記載の医療装置。
【請求項１０】
前記先端部の凹面が前記空洞の少なくとも一部を形成し、複数の実質的にフラットなクリスタルが前記凹面に配置されている、請求項７に記載の医療装置。
【請求項１１】
前記細長部が光ファイバ装置を収容するように構成された管孔を有する、請求項１に記載の医療装置。
【請求項１２】
前記管孔の先端が前記細長部の側面に形成されている、請求項１１に記載の医療装置。
【請求項１３】
更に、前記管孔内に配置された光ファイバ装置を含む、請求項１１に記載の医療装置。
【請求項１４】
前記先端部の周囲の領域が前記光ファイバ装置を介して観察可能である、請求項１３に記載の医療装置。
【請求項１５】
前記エネルギが超音波エネルギである、請求項１に記載の医療装置。
【請求項１６】
前記細長部は、患者の曲がりくねった解剖学的構造を通れるように可撓性である、請求項１に記載の医療装置。
【請求項１７】
複数の実質的にフラットなクリスタルが二次元アレイに配置されている、請求項１に記載の医療装置。
【請求項１８】
複数の実質的にフラットなクリスタルが三次元アレイに配置されている、請求項１に記載の医療装置。
【請求項１９】
超音波エネルギを共通の焦点に対して発射して組織を治療するように構成された実質的に平らな複数の分離した結晶を有する先端部と、
超音波エネルギの発射を制御するように構成された基端部と、
前記基端部を前記先端部に連結する細長部とを具えた医療装置。
【請求項２０】
複数の実質的にフラットなクリスタルが前記先端部の凹面に配置されている、請求項１９に記載の医療装置。
【請求項２１】
前記先端部が音波透過性カバーを具えている、請求項１９に記載の医療装置。
【請求項２２】
前記音波透過性カバーが複数の実質的にフラットなクリスタルを被覆している、請求項２１に記載の医療装置。
【請求項２３】
前記共通の焦点が前記先端部の側面に隣接して設けられている、請求項１９に記載の医療装置。
【請求項２４】
前記共通の焦点が前記先端部の先端に設けられている、請求項１９に記載の医療装置。
【請求項２５】
前記先端部が流体を入れるための空洞を形成している、請求項１９に記載の医療措置。
【請求項２６】
前記細長部が、流体を前記空洞に循環させるように構成された一つ以上の管孔を有する、請求項２５に記載の医療装置。
【請求項２７】
前記音波透過性カバーが、前記空洞の少なくとも一部を形成している、請求項２５に記載の医療装置。
【請求項２８】
前記先端部の凹面が、前記空洞の少なくとも一部を形成し、複数の実質的にフラットなクリスタルが前記凹面に配置されている、請求項２５に記載の医療装置。
【請求項２９】
前記細長部が光ファイバ装置を収容するように構成された管孔を有する、請求項１９に記載の医療装置。
【請求項３０】
前記管孔の先端が前記細長部の側面に位置している、請求項２９に記載の医療装置。
【請求項３１】
更に、前記管孔内に光ファイバ装置を含む、請求項２９に記載に医療装置。
【請求項３２】
前記先端部の周囲の領域が前記光ファイバ装置を介して観察可能である、請求項３１に記載の医療装置。
【請求項３３】
前記エネルギが超音波エネルギである、請求項１９に記載の医療装置。
【請求項３４】
前記細長部は、患者の曲がりくねった解剖学的構造を通るように、可撓性である、請求項１９に記載の医療装置。
【請求項３５】
複数の実質的にフラットなクリスタルが二次元アレイに配置されている、請求項１９に記載の医療装置。
【請求項３６】
複数の実質的にフラットなクリスタルが三次元アレイに配置されている、請求項１９に記載の医療装置。
【請求項３７】
前記流体の温度を調整するように構成された温度調整器を更に含む、請求項７に記載の医療装置。
【請求項３８】
前記細長部が、人体の空洞の壁に対して充分な角度を形成するように、可撓性である、請求項１に記載の医療装置。
【請求項３９】
更に、前記細長部の外部に別の細長部を有し、かつ
前記別の細長部は管孔を有する、請求項１に記載の医療装置。
【請求項４０】
前記細長部が、把持部、カッタ、針、ナイフ、ピンセットの少なくとも一つを収容するように構成された管孔を有する、請求項１に記載の医療装置。
【請求項４１】
流体の温度を調整するように構成された温度調整器を更に具えている、請求項２５に記載の医療装置。
【請求項４２】
前記細長部は、人体の空洞に対して充分な角度を形成するように、可撓性である、請求項１９に記載の医療装置。
【請求項４３】
更に、前記細長部の外側に別の細長部を有し、かつ
前記別の細長部は管孔を有する、請求項１９に記載の医療装置。
【請求項４４】
前記細長部が、把持部、カッタ、針、ナイフ、ピンセットの少なくとも一つを収容するように構成された管孔を有する、請求項１９に記載の医療装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月20日(2009.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製造過程において炭化に供された暗褐色糖、
架橋剤およびマグネシウム塩のいずれか又は両方である増補成分、
界面活性剤、および
水
を含む泡形成組成物の水性希釈溶液。
【請求項２】
増補成分が、架橋剤としての尿素又は尿素誘導体のである請求項１に記載の水性希釈溶液。
【請求項３】
暗褐色糖が、糖液で着色された１種以上の単糖結晶と炭化糖との混合物である請求項１に記載の水性希釈溶液。
【請求項４】
単糖が、サッカロース、グルコース、フルクトース、マンノースおよび転化糖からなる群から選ばれる請求項３に記載の水性希釈溶液。
【請求項５】
暗褐色糖が、８５重量％より多い単糖、１５重量％未満の糖液および１０重量％未満の炭化糖の混合物を含む請求項３に記載の水性希釈溶液。
【請求項６】
暗褐色糖が、８６〜９９．７重量％のサッカロース、０〜７重量％の還元したフラクトースおよびグルコース、０．０１〜１０重量％の残部としての糖液と炭化糖の混合物からなり、暗褐色糖が６〜２５重量％の量である請求項５に記載の水性希釈溶液。
【請求項７】
水が５〜８９．９重量％の量である請求項６に記載の水性希釈溶液。
【請求項８】
界面活性剤が３〜３３重量％の量である請求項６に記載の水性希釈溶液。
【請求項９】
増粘剤および、任意に、有機溶媒、高分子安定剤、防腐剤、緩衝剤、腐食防止剤、抗菌剤、二価のイオン塩、泡安定剤、保湿剤および希釈剤からなる群から選ばれる１種以上の成分をさらに含む請求項８に記載の水性希釈溶液。
【請求項１０】
増粘剤が１０重量％以下の量である請求項９に記載の水性希釈溶液。
【請求項１１】
界面活性剤が、水溶性炭化水素界面活性剤又はシリコーン界面活性剤であって、且つ界面活性剤が非イオン、アニオン、カチオン又は両性である請求項８に記載の水性希釈溶液。
【請求項１２】
増粘剤が、ポリヒドロキシポリマー、ポリアクリルアミド、セルロース樹脂、ポリアクリル酸、ポリエチレンオキシド及びそれらの混合物である請求項９に記載の水性希釈溶液。
【請求項１３】
有機溶媒が、グリコールおよびグリコールエーテルからなる群から選ばれる請求項９に記載の水性希釈溶液。
【請求項１４】
フッ素系化合物を含まない請求項１に記載の水性希釈溶液。
【請求項１５】
請求項１に記載の泡形成組成物の水性希釈溶液のエアレーション工程を含む泡組成物の製造方法。
【請求項１６】
泡形成組成物が圧縮ガス泡立方式によってエアレーションされる請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
泡形成組成物が水の流れへの泡形成組成物の添加およびノズルからの放出によってエアレーションされる請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の泡形成組成物の水性希釈溶液から得られた泡立て組成物を火災に適用する工程を含む消火方法。
【請求項１９】
請求項１に記載の泡形成組成物の水性希釈溶液から得られた泡立て組成物を火災又は熱い又は可燃性の表面に適用する工程を含む火災の抑制又は消火のための方法。
【請求項２０】
火災が極性溶媒火災である請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
極性溶媒が、エタノール、メタノール又はアセトンである請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
火災が非極性溶媒火災である請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
非極性溶媒が、航空ガソリン、ジェット燃料、石油、ＭＴＢＥ又はエーテル／ガソリン混合物である請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
架橋剤が尿素であり、尿素が０．５〜１０重量％の量である請求項６に記載の水性希釈溶液。
【請求項２５】
増補成分が、マグネシウム塩である請求項１に記載の水性希釈溶液。
【請求項２６】
マグネシウム塩が硫酸マグネシウムであり、硫酸マグネシウムが０．１〜２重量％の量である請求項２５に記載の水性希釈溶液。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】水性希釈溶液及び消火方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
ＣＳＲオーストラリアによって供給される暗褐色糖はこの発明の組成物およびこの発明の方法への使用にとって特に適している。ＣＳＲのブラウンシュガーは糖液シロップで着色されたサッカロース結晶を含んでいる。割合は、＞約８５ｗｔ．％のサトウキビ糖（サッカロースおよび還元糖、例えばグルコース／フラクトース）、＜１５ｗｔ．％の糖液、および＜１０ｗｔ．％の灰分（炭化糖）と水分、加えてデキストリンおよび他のサトウキビ関連物質を含む他の有機物である。ブラウンシュガーの製造において、炭化サッカリド混合物は加熱と乾燥の工程に供される。この処理工程が本発明の水性泡立て組成物の火災抵抗特性を改良すると考えられる。
同様に、糖の炭化は糖を焦がす鉱酸、例えばギ酸、二酸化炭素そして導き出される二酸化硫黄を用いて、そして黒焦げになった炭素主要部を残して、処理することによって可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月19日(2009.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気分障害および／または不安障害を処置するための装置であって、
所定の領域と連絡した状態にするように構成された電極；
該電極をパルス発生ソースに結合するための手段；および
該パルス発生ソースを用いて電気信号を発生させるための手段であって、該信号は、該領域を電気的に刺激し、それによって該気分障害および／または不安障害を処置する、手段、
を含む、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
近位端を有するカテーテルであって、該近位端は、一定投薬量の医薬を注入するためのポンプおよび放出部分に結合されており、該カテーテルの放出部分は、前記領域と連絡状態になるように構成されている、カテーテル；および
該ポンプを作動させて、該カテーテルの該放出部分を通って該医薬を放出するための手段、
をさらに含む、装置。
【請求項３】
前記所定の領域は、眼窩前頭皮質、前島、内側前頭皮質、背外側前前頭野、後帯状野（ｐｏｓｔｅｒｉｏｒ  ｃｉｎｇｕｌａｔｅ  ａｒｅａ）、前運動皮質、頭頂部、腹外側前前頭皮質、尾状核、腹側視床（ａｎｔｅｒｉｏｒ  ｔｈａｌａｍｕｓ）、側坐核（ＮＡｃｃ）；中脳水道周囲灰白質（ｐｅｒｉａｑｕｅｄｕｃｔａｌ  ｇｒａｙ  ａｒｅａ）（ＰＡＧ）、および脳幹からなる群より選択される、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記気分障害は、大鬱病性障害、双極性障害、および気分変調性障害からなる群より選択される、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記気分障害は大鬱病性障害である、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記不安障害は、恐慌性障害、心的外傷後ストレス障害、強迫性障害および恐怖障害（ｐｈｏｂｉｃ  ｄｉｓｏｒｄｅｒ）からなる群より選択される、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記医薬は、阻害性神経伝達物質アゴニスト、興奮性神経伝達物質アゴニスト、阻害性神経伝達物質のレベルを増大させる薬剤、興奮性神経伝達物質のレベルを減少させる薬剤、および局所麻酔剤からなる群より選択される、請求項２に記載の装置。
【請求項８】
気分障害および／または不安障害を処置するための装置であって、
所定の領域と連絡した状態にするように構成された電極；
近位端を有するカテーテルであって、該近位端は、一定投薬量の医薬を注入するためのポンプおよび放出部分に結合されており、該カテーテルの放出部分は、前記領域と連絡状態になるように構成されている、カテーテル；および
リード線の近位端をパルス発生ソースに結合するための手段；
該パルス発生ソースを用いて電気信号を発生させるための手段であって、該信号は、該領域を電気的に刺激する手段；および
該ポンプを作動させて、該カテーテルの該放出部分を通って該医薬を放出するための手段、
を含む、装置。
【請求項９】
神経心理学的障害を処置するためのシステムであって、該システムは、
患者の前前頭皮質において異常な神経生理学的活動を同定するように構成された位置決めシステム；
頭蓋下の該前前頭皮質に移植されるように構成された電極；および
該異常な神経生理学的活動に関連した信号の変化を生じる電気信号を発生させるようにプログラムされた移植可能なパルス発生器、
を含む、システム。
【請求項１０】
前記異常な神経生理学的活動は気分障害であり、前記移植可能なパルス発生器は、該気分障害と関連した前前頭皮質におけるニューロン活動を刺激および／または阻害する電気信号を発生させるようにプログラムされている、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記気分障害は鬱病を含み、前記移植可能なパルス発生器は、前記前前頭皮質におけるニューロン活動に影響を及ぼす電気信号を発生させるようにプログラムされている、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記電極は、ブロードマン野９／４６に移植されるように構成されており、前記パルス発生器は、該ブロードマン野９／４６におけるニューロン活動に影響を及ぼす電気信号を発生させるようにプログラムされている、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記異常な神経生理学的活動は不安障害であり、前記移植可能なパルス発生器は、該気分勝敗と関連する前前頭皮質における活動を刺激および／または阻害する電気振動を発生させるようにプログラムされている、請求項９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月2日(2009.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
揮発性の液体を周囲環境に放出するのに適合したデバイスであって、２層の状態の揮発性液体を含有する容器を具備し、該容器からは、第１および第２のキャピラリ要素が延在し、各要素は、前記液体の両方の層に含浸された下部および周囲環境に突出する上部を有し、第１のキャピラリ要素は、上層を構成する液体のみに対して浸透性を有し、第２のキャピラリ要素は、両方の層の液体に対して浸透性を有し、第２のキャピラリ要素は、上層を構成する液体に対し不浸透性を有する障壁層をその表面に有する、前記デバイス。
【請求項２】
第１および第２のキャピラリ要素を用いて、容器から周囲環境に液体を輸送することによって、２層の状態の揮発性液体を周囲環境に分配する方法であって、各要素は、液体の両方の層に含浸された下部および周囲環境に突出する上部を有し、第１のキャピラリ要素は、上層を構成する液体のみに対して浸透性を有し、第２のキャピラリ要素は、両方の層の液体に対して浸透性を有し、第２のキャピラリ要素は、上層を構成する液体に対し不浸透性を有する障壁層をその表面に有する、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月24日(2009.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非外傷性関節鏡器具シースにおいて、
壁、第１径を持つ先端チップを有する先端部、基端部、外面、内面、内径及び外径によって特徴づけられているチューブであって、
前記チューブ内径は、関節鏡器具が前記チューブの中に配置されるとき、前記チューブの内面と関節鏡器具の外面との間に液体を流すことができるように大きさと寸法が決められ、
前記チューブの前記先端チップの第１径は、関節鏡器具の外形より小さく、関節鏡器具が前記チューブの中に配置されるとき、前記チューブの先端チップでシールを形成するチューブと、
前記チューブの内面から内側に延び、前記チューブに沿って長手方向に連続している複数のリブとからなり、
前記リブがさらに、関節鏡器具の外面と前記チューブの内面との間の管腔を規定し、
前記先端部はさらに、前記チューブの先端部の側壁に複数の穴を有し、
前記穴は一つ以上の外側の管腔と手術部位とに液体連通することを特徴とする非外傷性関節鏡器具シース。
【請求項２】
前記基端部は液体源または真空源に取付可能なハブをさらに有し、前記ハブは外側の管腔と液体連通している請求項１に記載の非外傷性関節鏡器具シース。
【請求項３】
前記チューブの内面に沿って長手方向に延び、内側に突出するランドの内部に配置された作業チャンネルをさらに有し、前記チャンネルは開放された基端及び先端を有する管腔によって特徴づけられている請求項１に記載の非外傷性関節鏡器具シース。
【請求項４】
前記チューブの外面に沿って長手方向に延び、外側に突出するランドの内部に配置された作業チャンネルをさらに有し、前記チャンネルは開放された基端及び先端を有する管腔によって特徴づけられている請求項１に記載の非外傷性関節鏡器具シース。
【請求項５】
前記シースの先端部の内部に配置された圧力ポートをさらに有し、前記ポートは圧力変換器と液体連通して置かれるようにされている請求項１に記載の非外傷性関節鏡器具シース。
【請求項６】
前記壁の内部に配置される一つ以上の光ファイバーをさらに有する請求項１に記載の非外傷性関節鏡器具シース。
【請求項７】
前記チューブの内面に沿って長手方向に延び、内側に突出するランドの内部に配置される一つ以上の光ファイバーをさらに有する請求項１に記載の非外傷性関節鏡器具シース。
【請求項８】
前記リブの内部に配置される一つ以上の光ファイバーをさらに有する請求項１に記載の非外傷性関節鏡器具シース。
【請求項９】
非外傷性関節鏡器具シースにおいて、
壁、先端部、基端部、外面、内面、内径及び外径によって特徴づけられているチューブであって、
前記チューブ内径は、関節鏡器具が前記チューブの中に配置されるとき、前記チューブの内面と関節鏡器具の外面との間に液体を流すことができるように大きさと寸法が決められているチューブと、
前記チューブの内面から内側に延び、前記チューブに沿って長手方向に連続している複数のリブであって、
前記リブがさらに、関節鏡器具の外面と前記チューブの内面との間の管腔を規定している複数のリブと、
前記チューブの内面に沿って長手方向に延び、内側に突出するランドの内部に配置される一つ以上の光ファイバとからなることを特徴とする非外傷性関節鏡器具シース。
【請求項１０】
非外傷性関節鏡器具シースにおいて、
壁、先端部、基端部、外面、内面、内径及び外径によって特徴づけられているチューブであって、
前記チューブ内径は、関節鏡器具が前記チューブの中に配置されるとき、前記チューブの内面と関節鏡器具の外面との間に液体を流すことができるように大きさと寸法が決められているチューブと、
前記チューブの内面から内側に延び、前記チューブに沿って長手方向に連続している複数のリブであって、
前記リブがさらに、関節鏡器具の外面と前記チューブの内面との間の管腔を規定している複数のリブと、
前記リブの内部に配置される一つ以上の光ファイバとからなることを特徴とする非外傷性関節鏡器具シース。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月2日(2009.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
医療リードが組み込まれた圧力センサモジュールであって、
内部に形成されたキャビティを有するカプセルと、
前記カプセルのキャビティ内に配設された圧力変換器と、
前記カプセル内へ伸長し前記カプセルに固定状態に連結されたフィードスルーピンとを備え、
前記フィードスルーピンは前記圧力変換器に電気的に連結される、圧力センサモジュール。
【請求項２】
ワイヤー導体を有する医療リード内において使用される圧力センサモジュールであって、
内部に形成されたキャビティを有するカプセルと、
前記カプセルの前記キャビティ内に配設された生物適合性媒体と、
前記生物適合性媒体内に配設された圧力変換器と、
前記カプセルに固定状態に連結され、ワイヤー導体に連結し得る形態とされた第一の端部と、前記圧力変換器に撓み可能に連結された前記第二の端部とを有するフィードスルーピンと、を備える、圧力センサモジュール。
【請求項３】
圧力センサモジュールを製造する方法であって、
変換器をカプセルのキャビティ内に撓み可能に取り付けるステップと、
圧力変換器及びカプセルに固定状態に連結されたフィードスルーピンの間に導体を接合するステップとを含む、圧力センサモジュールを製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月16日(2009.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
心臓の心室機能を評価する方法であって、
前記心臓の第１の位置に第１のセンサを、該心臓の第２の位置に第２のセンサを配置することであって、該第１の位置及び該第２の位置は心室の一部にわたる、配置すること、
前記心臓の心周期にわたって、前記第１のセンサと前記第２のセンサとの間の距離を測定することであって、それによって、時間の関数として心室寸法信号を生成し、前記心周期は、心室充満段階及び心室駆出段階を含む、測定することであって、
ａ）前記心室寸法信号の期外収縮（ＰＳ）であって、該期外収縮（ＰＳ）の値は、前記心周期の前記心室充満段階の終わりに、又はその近くで生じる第１の極大値から、前記心周期の前記心室充満段階から前記心室駆出段階への移行中に生じる相対的な最小値又は変曲点までの、前記心室寸法信号の減少に等しい、期外収縮（ＰＳ）、及び
ｂ）前記心室寸法信号の等容性拡張（ＩＬ）であって、該等容性拡張（ＩＬ）の値は、前記心周期の前記心室充満段階から前記心室駆出段階への移行中に生じる前記相対的な最小値又は変曲点から、前記心周期の前記心室駆出段階の始まり、又はその近くで生じる第２の極大値までの、前記心室寸法信号の増加に等しい、等容性拡張（ＩＬ）
のうちの少なくとも一方の値を測定すること、及び
前記期外収縮（ＰＳ）又は前記等容性拡張（ＩＬ）のうちの少なくとも一方の測定値と、少なくとも１つの基準値又は前記ＰＳ若しくは前記等容性拡張（ＩＬ）のうちの少なくとも一方の前の測定値とを比較すること
を含む、心臓の心室機能を評価する方法。
【請求項２】
複数のリード線を有すると共に気密封止されたハウジング内に封入される埋め込み可能医療デバイス回路を有する埋め込み可能医療デバイスを動作させる方法であって、
心臓の第１の位置に第１のソノマイクロメータ結晶を支持する第１のリード線を埋め込むこと、
前記心臓の第２の位置に第２のソノマイクロメータ結晶を支持する第２のリード線を埋め込むことであって、前記第１の位置及び該第２の位置は左心室の一部にわたる、埋め込むこと、
前記第１のリード線及び前記第２のリード線を前記埋め込み可能医療デバイス回路に接続すると共に前記ハウジングを患者に埋め込むこと、及び
前記埋め込み可能医療デバイスを動作させることであって、
１つ又は複数の心周期中に、前記第１のソノマイクロメータ結晶及び前記第２のソノマイクロメータ結晶のうちの一方に周期的にエネルギーを供給することであって、それによって、前記第１のソノマイクロメータ結晶及び前記第２のソノマイクロメータ結晶のうちの他方に超音波周波数センス信号を生成させる、超音波周波数で放射される信号を放射する、供給すること、
前記放射される信号の放射と、それぞれの前記センス信号のセンシングとの間の時間遅延の関数として前記第１のソノマイクロメータ結晶と前記第２のソノマイクロメータ結晶との間の距離を求めること、
測定することであって、
ａ）前記心室寸法信号の期外収縮（ＰＳ）であって、該期外収縮（ＰＳ）の値は、前記心周期の心室充満段階の終わりに、又はその近くで生じる第１の極大値から、前記心周期の前記心室充満段階から心室駆出段階への移行中に生じる相対的な最小値又は変曲点までの、前記心室寸法信号の減少に等しい、期外収縮（ＰＳ）、及び
ｂ）前記心室寸法信号の等容性拡張（ＩＬ）であって、該等容性拡張（ＩＬ）の値は、前記心周期の前記心室充満段階から前記心室駆出段階への移行中に生じる前記相対的な最小値又は変曲点から、前記心周期の前記心室駆出段階の始まり、又はその近くで生じる第２の極大値までの、前記心室寸法信号の増加に等しい、等容性拡張（ＩＬ）
のうちの少なくとも一方の値を測定すること、
前記期外収縮（ＰＳ）又は前記等容性拡張（ＩＬ）のうちの少なくとも一方の測定値と、少なくとも１つの基準値又は前記期外収縮（ＰＳ）若しくは前記等容性拡張（ＩＬ）のうちの少なくとも他方の測定値とを比較すること、及び
前記埋め込み可能医療デバイスの動作を調整すること
によって、前記埋め込み可能医療デバイスを動作させること
を含む、複数のリード線を有すると共に気密封止されたハウジング内に封入される埋め込み可能医療デバイス回路を有する埋め込み可能医療デバイスを動作させる方法。
【請求項３】
心臓の心室機能を評価するための埋め込み可能医療デバイス（ＩＭＤ）であって、
複数のリード線、及び気密封止されたハウジング内に封入される埋め込み可能医療デバイス回路と、
前記心臓の第１の位置に配置されるようになっている第１のソノマイクロメータ結晶を支持する第１のリード線と、
心臓の第２の位置に配置されるようになっている第２のソノマイクロメータ結晶を支持する第２のリード線と
を備え、前記第１の位置及び前記第２の位置は左心室の一部にわたり、前記第１のリード線及び前記第２のリード線は前記埋め込み可能医療デバイス回路に接続されるようになっており、前記埋め込み可能医療デバイスの前記ハウジングは患者に埋め込まれるように構成され、該埋め込み可能医療デバイスは、
１つ又は複数の心周期中に、前記第１のソノマイクロメータ結晶及び前記第２のソノマイクロメータ結晶のうちの一方に周期的にエネルギーを供給することであって、それによって、前記第１のソノマイクロメータ結晶及び前記第２のソノマイクロメータ結晶のうちの他方に超音波周波数センス信号を生成させる、超音波周波数で放射される信号を放射する、供給すること、
前記放射される信号の放射と、前記センス信号のセンシングとの間の時間遅延の関数として前記第１のソノマイクロメータ結晶と前記第２のソノマイクロメータ結晶との間の距離を求めること、
測定することであって、
ａ）前記心室寸法信号の期外収縮（ＰＳ）であって、該期外収縮（ＰＳ）の値は、前記心周期の心室充満段階の終わりに、又はその近くで生じる第１の極大値から、前記心周期の前記心室充満段階から心室駆出段階への移行中に生じる相対的な最小値又は変曲点までの、前記心室寸法信号の減少に等しい、前記期外収縮（ＰＳ）、及び
ｂ）前記心室寸法信号の等容性拡張（ＩＬ）であって、該等容性拡張（ＩＬ）の値は、前記心周期の前記心室充満段階から前記心室駆出段階への移行中に生じる前記相対的な最小値又は変曲点から、前記心周期の前記心室駆出段階の始まり、又はその近くで生じる第２の極大値までの、前記心室寸法信号の増加に等しい、等容性拡張（ＩＬ）
のうちの少なくとも一方の値を測定すること、
前記期外収縮（ＰＳ）又は前記等容性拡張（ＩＬ）のうちの少なくとも一方の測定値と、少なくとも１つの基準値又は前記期外収縮（ＰＳ）若しくは前記等容性拡張（ＩＬ）のうちの少なくとも他方の測定値とを比較すること、及び
該埋め込み可能医療デバイスの動作を調整すること
が可能である、心臓の心室機能を評価するための埋め込み可能医療デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月9日(2009.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外方へ延びている複数のタブを形成している襞付きの裏材を有しているキャリア格子と、
前記襞付きの裏材の前記タブに固定され且つ窓領域を覆うために重なり且つ垂直方向に間隔を開けられた関係にある生地の複数の水平ストリップであって、各々が上方端縁と下方端縁とを有する前記複数の水平ストリップと、を含み、
それによって、前記端縁の少なくとも１つが前記タブの少なくとも１つに固定されるようになされた窓カバー。
【請求項２】
請求項１に記載の窓カバーであり、
前記タブの少なくとも１つが補強材を含んでいる窓カバー。
【請求項３】
請求項２に記載の窓カバーであり、
前記タブの各々が前記襞付きの裏材によって形成された上面と下面とを含んでおり、前記補強材が、前記上面と前記下面との間に配置されている窓カバー。
【請求項４】
請求項１に記載の窓カバーであり、
前記襞付きの裏材がセル状である窓カバー。
【請求項５】
請求項１に記載の窓カバーであり、
前記襞付きの裏材が複数のセルを含んでおり、当該複数のセルが複数のセル壁帯を含んでいる窓カバー。
【請求項６】
請求項１に記載の窓カバーであり、
前記複数の水平ストリップの各々の前記上方端縁及び下方端縁のうちの少なくとも一方が、裏クリップによって前記タブに固定されている窓カバー。
【請求項７】
請求項６に記載の窓カバーであり、
前記裏クリップが少なくとも２つのほぼ“Ｃ”字形状部分を含んでいる窓カバー。
【請求項８】
請求項１に記載の窓カバーであり、
前記複数の水平ストリップの各々が、上方端縁及び下方端縁のうちの少なくとも一方に近接して少なくとも１つの補強材を含んでいる窓カバー。
【請求項９】
請求項８に記載の窓カバーであり、
前記裏クリップが、前記水平ストリップのうちの一つと前記タブのうちの一つとの間に固定されている窓カバー。
【請求項１０】
請求項１に記載の窓カバーであり、
前記複数の水平ストリップの各々が、前記上方端縁に近接して第一の補強材を含み、前記下方端縁に近接して第二の補強材を含んでいる窓カバー。
【請求項１１】
請求項1に記載の窓カバーであり、
前記襞付きの裏材は、前記複数のタブを形成する前に襞がつけられる窓カバー。
【請求項１２】
請求項１に記載の窓カバーであり、
前記襞付きの裏材は、前記複数の水平ストリップを前記複数のタブに固定する前に襞が付けられる窓カバー。
【請求項１３】
請求項１に記載の窓カバーであり、
前記複数の水平ストリップが、当該水平ストリップが連続して昇降できるように前記複数のタブに固定されている窓カバー。
【請求項１４】
請求項１に記載の窓カバーであり、
前記襞付きの裏材が、前記複数のタブを形成している複数の帯を含んでいる窓カバー。
【請求項１５】
請求項１に記載の窓カバーであり、
前記襞付きの裏材が、均一のピッチを有している窓カバー。
【請求項１６】
請求項１に記載の窓カバーであり、
前記襞付きの裏材の前記タブの各々を貫通して延びている間隔開け用コードを更に備えている窓カバー。
【請求項１７】
複数のポケット部分を形成している襞付きの裏材を有しているキャリア格子と、
前記襞付きの裏材の前記ポケット部分に固定された且つ窓領域を覆うために重なり且つ垂直方向に間隔を開けられた関係にある生地の複数の水平ストリップであって、各々が上方端縁と下方端縁とを有し、それによって、前記端縁の少なくとも１つが前記ポケット部分の少なくとも１つに固定されるようになされた前記複数の水平ストリップと、を含む窓カバー。
【請求項１８】
請求項１７に記載の窓カバーであり、
前記ポケット部分のうちの少なくとも１つが補強材を含んでいる窓カバー。
【請求項１９】
請求項１８に記載の窓カバーであり、
前記襞付きの裏材が、前記ポケット部分を形成している複数のセルを含んでいる窓カバー。
【請求項２０】
請求項１７に記載の窓カバーであり、
前記複数の水平ストリップの各々の前記上方端縁と下方端縁とのうちの少なくとも一方が、裏クリップによって前記ポケット部分に固定されている窓カバー。
【請求項２１】
請求項２０に記載の窓カバーであり、
前記裏クリップが少なくとも２つのほぼ“Ｃ”字形状部分を含んでいる窓カバー。
【請求項２２】
請求項１７に記載の窓カバーであり、
前記複数の水平ストリップの各々が、上方端縁及び下方端縁のうちの少なくとも一方に近接して少なくとも１つの補強材を含んでいる窓カバー。
【請求項２３】
請求項２２に記載の窓カバーであり、
前記水平ストリップのうちの一つと前記ポケット部分のうちの一つとの間に裏クリップが固定されている窓カバー。
【請求項２４】
請求項１７に記載の窓カバーであり、
前記複数の水平ストリップの各々が、当該水平ストリップの少なくとも１つの前記上方端縁に近接して第一の補強材を含み、前記下方端縁に近接して第二の補強材を含んでいる窓カバー。
【請求項２５】
請求項１７に記載の窓カバーであり、
前記襞付きの裏材に襞が付けられた後、前記複数のポケット部分が形成される窓カバー。
【請求項２６】
請求項１７に記載の窓カバーであり、
前記襞付きの裏材に襞が付けられた後、前記複数の水平ストリップが前記複数のポケット部分に固定される窓カバー。
【請求項２７】
請求項１７に記載の窓カバーであり、
前記複数の水平ストリップが連続して昇降させることができるように、当該複数の水平ストリップが前記複数のポケット部分に固定されている窓カバー。
【請求項２８】
請求項１７に記載の窓カバーであり、
前記襞付きの裏材の前記ポケット部分の各々を貫通しているコードを更に含んでいる窓カバー。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月5日(2009.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
図２３に示すように、カバーがノブ５０８によって引かれて、ニードルが図２１の構成へと配置されてから（この過程中に、カバー５０４がニードルハブ５３６を覆ってヒンジで動く）、軸方向にスライド可能な中央ニードル５１４は、図２２に示す後退した状態と、図２３に示す延ばした状態との間でスライド可能とされ、その際、ニードル５１２、５１４が組織内に配置され、適切な周波数と電圧をもって電磁パワーがケーブル５１６に供給された状態となり、加熱ゾーン、つまりアブレーション領域を、さす股状に広がった外側ニードル５１２及び導電部分５４４、５４６又は中央ニードル５１４の近辺の組織において形成できる。中央ニードル５１４の絶縁部５４０は一連の吸引口５５０を有しており、吸引口５５０による吸引と共に、ニードル５１４の先端の吸引口５５２による吸引が可能である。絶縁により、ポート５５０の領域に組織が付着しないように防止する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
図２４ａは、第１ステップにおいて、環状の加熱／アブレーション領域５６０が組織に形成されることを示しており、その際には、互いに反対電荷を付与されるニードルを交互に用いて外側ニードル５１２の間でスイッチングを行うが、中央ニードル５１４には電荷を与えない。このステップを行う前又はその後に、中央ニードル５１４が、図２２に示す後退位置から図２４ａに示す、延ばした位置へと配置される。従って、組織中の腫瘍５６２は、円筒状のアブレーション領域５６０によって取り囲まれる。過程の本ステップについては、図２７ａ及び２７ｂにおいて軸方向から見ることができ、後述するように、これらの図において、円筒状をしたアブレーション領域５６０の異なる円周部分については、必要に応じて、対をなす外側ニードル５１２の間で段階的に形成でき、円周方向のリング全体について同時に焼灼を行う訳ではない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
図２５ａは、外側ニードル５１２に対して吸引ニードル５１４を更に延ばすことによって、中空のアブレーション領域６００が、腫瘍６０２の周囲に形成される様子を示している。これによって、２つの末端領域、つまり円盤６０４、６０６を円筒状アブレーション領域５６０の両端に形成して、腫瘍６０２を隔離し、腫瘍６０２をニードル５１２、５１４によって吸引することができる。図２５ｂに示すように、中央ニードル５１４が完全に後退した場合に、一方の電極リング５４４のみにより（すなわちニードル５１４の先端において）、第２のリング５４６が組織から離隔した状態で、電磁パワーが組織に伝えられ、その結果、外科医によって、必要に応じて、円筒状をした側路及び１つの末端円盤６０６を有するアブレーション構造を提供できる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月27日(2009.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロニードルアレイを標的皮膚の位置に向かって移動させるマイクロニードル適用デバイスであって、
該マイクロニードル適用デバイスに動作可能に接続されたフィードバックセンサを有し、
該フィードバックセンサは、前記標的皮膚の位置と前記マイクロニードル適用デバイスとの間の力に対応する出力を発生させることができる、マイクロニードル適用デバイス。
【請求項２】
マイクロニードル適用装置であって、
少なくともマイクロニードルの適用前に皮膚と接触するように構成された部分を有するマイクロニードル適用デバイスと、
皮膚と接触するように構成されたマイクロニードル適用デバイスの前記部分と標的適用部位との間の力を感知する力感知要素と、を含むマイクロニードル適用装置。
【請求項３】
前記力感知要素に動作可能に接続された表示器をさらに有し、
該表示器は、前記マイクロニードル適用デバイスが前記標的適用部位に対してマイクロニードルの適用のための望ましい向きにあるときを指示することができる、請求項２に記載のマイクロニードル適用装置。
【請求項４】
前記マイクロニードル適用デバイスのピストンに動作可能に接続された追加の力感知要素をさらに有する、請求項２又は３に記載のマイクロニードル適用装置。
【請求項５】
前記力感知要素に動作可能に接続され、該力感知要素からのデータを処理するプロセッサをさらに有する、請求項２又は３記載のマイクロニードル適用装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
図１１Ａは、ピストンが作動していない場合の、ツールのカラーのところに位置する単一のセンサ（例えば、図７Ａのセンサ領域１１０Ａ参照）で感知される力と、カラー部が皮膚表面に当てられて位置決め及び調整されるときの時間との対比（例えば、図２参照）を示す曲線２４２のグラフ２４０である。マイクロニードル適用に許容可能な力の範囲２４４が示されている。