【手続補正書】
【提出日】平成21年3月9日(2009.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２６０℃又はそれ以上の融点を有するポリエステルから製造された二軸延伸ポリエステルフィルムを含んでなる、２４０℃又はそれ以上の温度において導電性被膜で被覆することができるフィルム。
【請求項２】
（ａ）テレフタル酸残基、ナフタレンジカルボン酸残基又はそれらの組合せを９０〜９９．５モル％含む二酸残基；及び
（ｂ）１，４−シクロヘキサンジメタノール残基を少なくとも９０モル％含むジオール残基を含むポリエステル（このポリエステルは合計１００モル％の二酸残基及び合計１００モル％のジオール残基を含み且つ前記ポリエステルは２６０℃又はそれ以上の融点を有する）から製造された二軸延伸ポリエステルフィルムを含んでなり、２４０℃又はそれ以上の温度において導電被膜で被覆できるフィルム。
【請求項３】
２．０倍より高い伸張比及び９０℃より高い伸張温度において伸張された請求項２に記載のフィルム。
【請求項４】
式：
（２７×Ｒ）−（１．３×（Ｔ−Ｔｇ））≧２７
［式中、Ｔは縦方向及び横断方向の伸張温度（℃）の平均であり、Ｔｇはポリマーフィルムのガラス転移温度（℃）であり、Ｒは縦方向及び横断方向の伸張比の平均である］を満たす条件において二軸伸張され、そして２５０℃〜Ｔｍ［Ｔｍは示差走査熱量測定法（ＤＳＣ）によって測定されたポリマーの融点である］の実際フィルム温度においてヒートセットされた請求項３に記載のフィルム。
【請求項５】
Ｔｇ及びＴｇ＋２０℃の間の温度において２．５〜３．０倍伸張され、そして２５０℃又はそれ以上の実際フィルム温度においてヒートセットされた請求項２に記載のフィルム。
【請求項６】
（ａ）透明な導電性無機酸化物層；並びに
（ｂ）（ｉ）テレフタル酸残基、ナフタレンジカルボン酸残基又はそれらの組合せを９０〜９９．５モル％含む二酸残基；及び
（ii）１，４−シクロヘキサンジメタノール残基を少なくとも９０モル％含むジオール残基を含むポリエステル（このポリエステルは合計１００モル％の二酸残基及び合計１００モル％のジオール残基を含み且つ２６０℃又はそれ以上の融点を有する）から製造された二軸延伸ポリエステルフィルム
を含んでなる透明な導電性被覆基板。
【請求項７】
前記の透明な導電層がインジウム錫酸化物である請求項６に記載の基板。
【請求項８】
前記ポリエステルフィルムが９５〜９９．５モル％のテレフタル酸残基を含む二酸残基を含む請求項６に記載の基板。
【請求項９】
前記ポリエステルフィルムが９０〜９９モル％のナフタレンジカルボン酸残基を含む二酸残基を含む請求項６に記載の基板。
【請求項１０】
前記の透明な導電層が２３５℃より高温で適用された請求項６に記載の基板。
【請求項１１】
前記の透明な導電層が２５０℃より高温で適用された請求項６に記載の基板。
【請求項１２】
請求項６に記載の基板を含む液晶ディスプレイアセンブリ。
【請求項１３】
請求項６に記載の基板を含む有機発光ダイオードディスプレイアセンブリ。
【請求項１４】
請求項６に記載の基板を含む光起電力装置アセンブリ。
【請求項１５】
請求項６に記載の基板を含む建築用窓ガラス又は透明板ガラス。
【請求項１６】
請求項６に記載の基板を含むタッチスクリーン・ディスプレイ。
【請求項１７】
（ａ）透明な導電性無機酸化物層；並びに
（ｂ）（ｉ）テレフタル酸残基、ナフタレンジカルボン酸残基又はそれらの組合せを９０〜９９．５モル％含む二酸残基；及び
（ii）１，４−シクロヘキサンジメタノール残基を少なくとも９０モル％含むジオール残基を含むポリエステル（前記ポリエステルは合計１００モル％の二酸残基及び合計１００モル％のジオール残基を含み且つ２６０℃又はそれ以上の融点を有する）から製造された二軸延伸ポリエステルフィルム
を含んでなる透明な導電性被覆基板であって、前記ポリエステルフィルムが、式：
（２７×Ｒ）−（１．３×（Ｔ−Ｔｇ））≧２７
［式中、Ｔは縦方向及び横断方向の伸張温度（℃）の平均であり、Ｔｇはポリマーフィルムのガラス転移温度（℃）であり、Ｒは縦方向及び横断方向の伸張比の平均である］を満たす伸張比及び伸張温度において二軸伸張され、そして前記伸張ポリエステルフィルムが、前記伸張フィルムの寸法を保持しながら、２５０℃〜Ｔｍ［Ｔｍは示差走査熱量測定法（ＤＳＣ）によって測定されたポリマーの融点である］の実際フィルム温度において１〜１２０秒間ヒートセットされた基板。
【請求項１８】
前記の透明な導電層がインジウム錫酸化物である請求項１７に記載の基板。
【請求項１９】
前記ポリエステルフィルムが９５〜９９．５モル％のテレフタル酸残基を含む二酸残基を含む請求項１７に記載の基板。
【請求項２０】
前記ポリエステルフィルムが９０〜９９モル％のナフタレンジカルボン酸残基を含む二酸残基を含む請求項１７に記載の基板。
【請求項２１】
請求項１７に記載の基板を含む液晶ディスプレイアセンブリ。
【請求項２２】
請求項１７に記載の基板を含む有機発光ダイオードディスプレイアセンブリ。
【請求項２３】
請求項１７に記載の基板を含む光起電力装置アセンブリ。
【請求項２４】
請求項１７に記載の基板を含む建築用窓ガラス又は透明板ガラス。
【請求項２５】
請求項１７に記載の基板を含むタッチスクリーン・ディスプレイ。
【請求項２６】
（ａ）非晶質シリコン又は多結晶シリコン導電層；並びに
（ｂ）（１）テレフタル酸残基、ナフタレンジカルボン酸残基又はそれらの組合せを９０〜９９．５モル％含む二酸残基；及び
（２）１，４−シクロヘキサンジメタノール残基を少なくとも９０モル％含むジオール残基を含むポリエステル（このポリエステルは合計１００モル％の二酸残基及び合計１００モル％のジオール残基を含み且つ２６０℃又はそれ以上の融点を有する）から製造された二軸延伸ポリエステルフィルム
を含んでなる導電被覆基板。
【請求項２７】
前記導電層が非晶質シリコンである請求項２６に記載の基板。
【請求項２８】
前記ポリエステルフィルムが９５〜９９．５モル％のテレフタル酸残基を含む二酸残基を含む請求項２６に記載の基板。
【請求項２９】
前記ポリエステルフィルムが９０〜９９モル％のナフタレンジカルボン酸残基を含む二酸残基を含む請求項２６に記載の基板。
【請求項３０】
前記導電層が２３５℃より高温で適用された請求項２６に記載の基板。
【請求項３１】
前記導電層が２５０℃より高温で適用された請求項２６に記載の基板。
【請求項３２】
請求項２６に記載の基板を含む液晶ディスプレイアセンブリ。
【請求項３３】
請求項２６に記載の基板を含む有機発光ダイオードディスプレイアセンブリ。
【請求項３４】
請求項２６に記載の基板を含む光起電力装置アセンブリ。
【請求項３５】
請求項２６に記載の基板を含む建築用窓ガラス又は透明板ガラス。
【請求項３６】
請求項２６に記載の基板を含むタッチスクリーン・ディスプレイ。
【請求項３７】
（ａ）非晶質シリコン又は多結晶シリコン導電層；並びに
（ｂ）（ｉ）テレフタル酸残基、ナフタレンジカルボン酸残基又はそれらの組合せを９０〜９９．５モル％含む二酸残基；及び
（ii）１，４−シクロヘキサンジメタノール残基を少なくとも９０モル％含むジオール残基を含むポリエステル（このポリエステルは合計１００モル％の二酸残基及び合計１００モル％のジオール残基を含み且つ２６０℃又はそれ以上の融点を有する）から製造された二軸延伸ポリエステルフィルム
を含んでなる導電被覆基板であって、前記ポリエステルフィルムが、式：
（２７×Ｒ）−（１．３×（Ｔ−Ｔｇ））≧２７
［式中、Ｔは縦方向及び横断方向の伸張温度（℃）の平均であり、Ｔｇはポリマーフィルムのガラス転移温度（℃）であり、Ｒは縦方向及び横断方向の伸張比の平均である］を満たす伸張比及び伸張温度において二軸伸張され、そして前記伸張ポリエステルフィルムが、前記伸張フィルムの寸法を保持しながら、２５０℃〜Ｔｍ［Ｔｍは示差走査熱量測定法（ＤＳＣ）によって測定されたポリマーの融点である］の実際フィルム温度において１〜１２０秒間ヒートセットされた基板。
【請求項３８】
前記導電層が非晶質シリコンである請求項３７に記載の基板。
【請求項３９】
前記ポリエステルフィルムが９５〜９９．５モル％のテレフタル酸残基を含む二酸残基を含む請求項３７に記載の基板。
【請求項４０】
前記ポリエステルフィルムが９０〜９９モル％のナフタレンジカルボン酸残基を含む二酸残基を含む請求項３７に記載の基板。
【請求項４１】
請求項３７に記載の基板を含む液晶ディスプレイアセンブリ。
【請求項４２】
請求項３７に記載の基板を含む有機発光ダイオードディスプレイアセンブリ。
【請求項４３】
請求項３７に記載の基板を含む光起電力装置アセンブリ。
【請求項４４】
請求項３７に記載の基板を含む建築用窓ガラス又は透明板ガラス。
【請求項４５】
請求項３７に記載の基板を含むタッチスクリーン・ディスプレイ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
ＰＣＴポリエステル（Ｉ．Ｖ．  ０．７４，Ｔｍ  ２９３℃，Ｔｇ  ９４℃）のペレットを、溶融相重縮合法でＴｉ  １００ｐｐｍの触媒（チタンイソブトキシドとして）を用いて製造した。ペレットを１３５℃において６時間乾燥させ、続いてポリエステルバリヤ型スクリューを装着したＤａｖｉｓ  Ｓｔａｎｄａｒｄ  ５．１ｃｍ（２．０インチ）押出機上で厚さ０．２０３ｍｍ（８ｍｉｌ）のフィルムに押出した。融解温度及びダイ温度は２９３℃に保持した。フィルムは、６６℃（１５０°Ｆ）に設定したロール温度を有する二本ロール・ダウンスタック上にキャストした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
比較例Ｃ−１のフィルムは、国際出願公開番号ＷＯ９６／０６１２５号の実施例３に報告されたのと同一の条件下で伸張及びヒートセットを行った。