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【手続補正書】
【提出日】平成23年6月28日(2011.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に絶縁膜を成膜し、
前記基板を真空チャンバー内に導入し、
前記真空チャンバー内に材料ガスを導入し、
前記真空チャンバー内にグロー放電プラズマを生成する電極に、波長１０ｍ以上の周波数を有する第１の高周波電力と、波長１０ｍ未満の周波数を有する第２の高周波電力とを重畳印加してグロー放電プラズマを生成する第１の成膜条件により微結晶半導体膜の下部を成膜し、
前記第１の成膜条件と、基板温度、電力、周波数、前記材料ガスの流量、または真空度の少なくとも１つの条件が異なる第２の成膜条件で前記真空チャンバーと同一チャンバー内で前記微結晶半導体膜の上部を堆積し、
前記微結晶半導体膜上にバッファ層を成膜する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に絶縁膜を成膜し、
前記基板を真空チャンバー内に導入し、
前記真空チャンバー内に材料ガスを導入し、
前記真空チャンバー内にグロー放電プラズマを生成する電極に、３ＭＨｚ〜３０ＭＨｚの第１の高周波電力と、３０ＭＨｚ〜３００ＭＨｚの第２の高周波電力とを重畳印加してグロー放電プラズマを生成する第１の成膜条件により微結晶半導体膜の下部を成膜し、
前記第１の成膜条件と、基板温度、電力、周波数、前記材料ガスの流量、または真空度の少なくとも１つの条件が異なる第２の成膜条件で前記真空チャンバーと同一チャンバー内で前記微結晶半導体膜の上部を堆積し、
前記微結晶半導体膜上にバッファ層を成膜する半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記バッファ層は非晶質半導体膜であり、
前記真空チャンバーと異なる真空チャンバーで成膜を行い、
基板温度が３００℃以上４００℃未満の成膜条件により成膜する半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記基板を前記真空チャンバー内に導入する前に、前記真空チャンバー内の雰囲気中を１×１０−８Ｐａを超え１×１０−５Ｐａ以下の真空度に真空排気した後、前記材料ガスを導入して前記真空チャンバー内壁に成膜を行う半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記基板を前記真空チャンバー内に導入する前に、前記真空チャンバー内の雰囲気中を１×１０−８Ｐａを超え１×１０−５Ｐａ以下の真空度に真空排気した後、水素ガスまたは希ガスを導入してプラズマを発生させる半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記基板を前記真空チャンバー内に導入した後、水素ガスまたは希ガスを導入してプラズマを発生させる半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
さらに、前記バッファ層上にｎ型を付与する不純物元素を含む半導体膜を成膜し、
前記ｎ型を付与する不純物元素を含む半導体膜上にソース電極またはドレイン電極を形成し、
前記ｎ型を付与する不純物元素を含む半導体膜をエッチングして、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域と重なる領域を残存させて前記バッファ層の一部をエッチングして除去する半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
高周波電源をパルス発振させて前記第２の高周波電力を得る半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記微結晶半導体膜を成膜する材料ガスは、シランガス、水素ガス、及びトリメチルボロンガスを含む半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記第１の成膜条件の基板温度は１００℃以上３００℃未満である半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記第１の成膜条件は、前記第１の高周波電力と、前記第１の高周波電力よりも電力の大きい前記第２の高周波電力とを重畳印加し、
前記第２の成膜条件は、前記第１の高周波電力よりも大きい第３の高周波電力と、前記第３の高周波電力よりも電力の小さい第４の高周波電力を印加し、
前記第３の高周波電力の周波数は前記第１の高周波電力と同じであり、
前記第４の高周波電力の周波数は前記第２の高周波電力と同じである半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記第１の成膜条件は、前記第１の高周波電力と前記第２の高周波電力とを重畳印加し、
前記第２の成膜条件は、重畳印加することなく、前記第１の高周波電力と同じ周波数の第３の高周波電力を印加する半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月1日(2011.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成される第１の微結晶半導体膜と、
前記第１の微結晶半導体膜上に形成される第１の非晶質半導体膜と、
前記第１の非晶質半導体膜上に形成される一対のｎ型半導体膜と、
前記一対のｎ型半導体膜上に形成される一対の第１の配線とを有するｎチャネル型薄膜トランジスタと、
第２のゲート電極と、
前記第２のゲート電極上に形成される前記ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成される第２の微結晶半導体膜と、
前記第２の微結晶半導体膜上に形成される第２の非晶質半導体膜と、
前記第２の非晶質半導体膜上に形成される一対のｐ型半導体膜と、
前記一対のｐ型半導体膜上に形成される一対の第２の配線とを有するｐチャネル型薄膜トランジスタと、
を有し、
前記第１の微結晶半導体膜及び前記第２の微結晶半導体膜は、１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の酸素を含み、
前記ｎ型半導体膜はｎ型非晶質半導体膜又はｎ型微結晶半導体膜であり、
前記ｐ型半導体膜はｐ型非晶質半導体膜又はｐ型微結晶半導体膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、前記ｎチャネル型薄膜トランジスタの移動度は１０以上４５ｃｍ２／Ｖ・ｓであり、前記ｐチャネル型薄膜トランジスタの移動度は０．３ｃｍ２／Ｖ・ｓ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記ｎチャネル型薄膜トランジスタまたはｐチャネル型薄膜トランジスタの一方に接続する画素電極を有する画素を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１または２において、前記ｎチャネル型薄膜トランジスタ及び前記ｐチャネル薄膜トランジスタは保護回路を構成し、前記ｎチャネル型薄膜トランジスタ及び前記ｐチャネル薄膜トランジスタはそれぞれダイオード接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記表示装置は液晶表示装置であることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記一対の第１の配線の一方と、前記第２のゲート電極とが接続することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項６において、前記表示装置は発光表示装置であることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１の凸部を有する第１のボンド基板を、前記複数の第１の凸部において分離させることで、複数の第１の半導体膜を形成し、
複数の第２の凸部を有する第２のボンド基板を、前記複数の第２の凸部において分離させることで、複数の第２の半導体膜を形成し、
前記複数の第１の半導体膜とベース基板とを貼り合わせ、前記複数の第２の半導体膜と前記ベース基板とを貼り合わせ、
前記複数の第１の半導体膜と前記複数の第２の半導体膜は、互いに異なる結晶面方位を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
複数の第１の凸部を有する第１のボンド基板を、前記複数の第１の凸部において分離させることで、複数の第１の半導体膜を形成し、
複数の第２の凸部を有する第２のボンド基板を、前記複数の第２の凸部において分離させることで、複数の第２の半導体膜を形成し、
前記複数の第１の半導体膜とベース基板とを、前記分離により露出した面が前記ベース基板側を向くように貼り合わせ、
前記複数の第２の半導体膜と前記ベース基板とを、前記分離により露出した面が前記ベース基板側を向くように貼り合わせ、
前記複数の第１の半導体膜と前記複数の第２の半導体膜は、互いに異なる結晶面方位を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
複数の第１の凸部を有する第１のボンド基板を、前記複数の第１の凸部において分離させることで、複数の第１の半導体膜を形成し、
複数の第２の凸部を有する第２のボンド基板を、前記複数の第２の凸部において分離させることで、複数の第２の半導体膜を形成し、
前記複数の第１の半導体膜とベース基板とを、前記分離により露出した面の反対側の面がベース基板側を向くように貼り合わせ、
前記複数の第２の半導体膜と前記ベース基板とを、前記分離により露出した面の反対側の面がベース基板側を向くように貼り合わせ、
前記複数の第１の半導体膜と前記複数の第２の半導体膜は、互いに異なる結晶面方位を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
レーザ光を第１のボンド基板に選択的に照射することにより、前記第１のボンド基板に第１の欠陥層を形成し、
前記第１の欠陥層において前記第１のボンド基板を分離させることで、複数の第１の半導体膜を形成し、
前記レーザ光を第２のボンド基板に選択的に照射することにより、前記第２のボンド基板に第２の欠陥層を形成し、
前記第２の欠陥層において前記第２のボンド基板を分離させることで、複数の第２の半導体膜を形成し、
前記複数の第１の半導体膜とベース基板とを貼り合わせ、前記複数の第２の半導体膜と前記ベース基板とを貼り合わせ、
前記レーザ光は、前記第１のボンド基板および前記第２のボンド基板において多光子吸収される高さのエネルギー密度を有しており、
前記複数の第１の半導体膜と前記複数の第２の半導体膜は、互いに異なる結晶面方位を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
第１のドーピングにより第１のボンド基板に第１の欠陥層を形成し、
前記第１のボンド基板を部分的にエッチングすることで、前記第１の欠陥層を有する複数の第１の凸部を形成し、
前記第１のボンド基板に熱処理を行い、前記第１の欠陥層において前記第１のボンド基板を分離させることで、複数の第１の半導体膜を形成し、
第２のドーピングにより第２のボンド基板に第２の欠陥層を形成し、
前記第２のボンド基板を部分的にエッチングすることで、前記第２の欠陥層を有する複数の第２の凸部を形成し、
前記第２のボンド基板に熱処理を行い、前記第２の欠陥層において前記第２のボンド基板を分離させることで、複数の第２の半導体膜を形成し、
前記複数の第１の半導体膜とベース基板とを貼り合わせ、前記複数の第２の半導体膜と前記ベース基板とを貼り合わせ、
前記複数の第１の半導体膜と前記複数の第２の半導体膜は、互いに異なる結晶面方位を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
第１のドーピングにより第１のボンド基板に第１の欠陥層を形成し、
第２のドーピングにより前記第１のボンド基板に第２の欠陥層を選択的に形成し、
前記第１のボンド基板に熱処理を行い、前記第１の欠陥層および前記第２の欠陥層において前記第１のボンド基板を分離させることで、複数の第１の半導体膜を形成し、
第３のドーピングにより第２のボンド基板に第３の欠陥層を形成し、
第４のドーピングにより前記第２のボンド基板に第４の欠陥層を選択的に形成し、
前記第２のボンド基板に熱処理を行い、前記第３の欠陥層および前記第４の欠陥層において前記第２のボンド基板を分離させることで、複数の第２の半導体膜を形成し、
前記複数の第１の半導体膜とベース基板とを貼り合わせ、前記複数の第２の半導体膜と前記ベース基板とを貼り合わせ、
前記複数の第１の半導体膜と前記複数の第２の半導体膜は、互いに異なる結晶面方位を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４において、前記第１のボンド基板に熱処理を行うことで、前記第１の欠陥層において前記第１のボンド基板を分離させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項４または請求項５において、前記第２のボンド基板に熱処理を行うことで、前記第２の欠陥層において前記第２のボンド基板を分離させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項４、請求項７、または請求項８のいずれか一項において、
前記レーザ光のパルス幅は、ナノ秒以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記複数の第１の半導体膜とベース基板とを貼り合わせ、前記複数の第２の半導体膜と前記ベース基板とを貼り合わせた後、前記複数の第１の半導体膜の少なくとも端部をエッチングすることで複数の第３の半導体膜を形成し、前記複数の第２の半導体膜の少なくとも端部をエッチングすることで複数の第４の半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、
前記複数の第１の半導体膜と前記複数の第２の半導体膜に１０ＭＨｚ〜１ＴＨｚの高周波数の振動を加えることで、前記複数の第１の半導体膜と前記ベース基板との間、及び前記複数の第２の半導体膜と前記ベース基板との間に摩擦熱を生じさせ、前記摩擦熱により前記複数の第１の半導体膜と前記複数の第２の半導体膜を部分的に溶融させて、前記複数の第１の半導体膜と前記複数の第２の半導体膜を前記ベース基板に貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を含む薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
前記薄膜トランジスタは、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられ、トリメチルボロンを用いてボロンが添加された微結晶半導体からなり、かつ前記チャネル形成領域を含む第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に設けられ、非晶質半導体からなる第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上に設けられ、前記ソース領域または前記ドレイン領域を含む一対の第３の半導体層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の半導体層の酸素濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第２の半導体層は、前記一対の第３の半導体層と重ならない領域に凹部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１の半導体層は前記第２の半導体層よりも薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１の半導体層は微結晶シリコン層であり、
前記第２の半導体層は非晶質シリコン層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
ゲート電極、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を含む薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、
前記薄膜トランジスタは、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられ、ボロンおよび酸素を含む微結晶半導体からなり、かつ前記チャネル形成領域を含む第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に設けられ、非晶質半導体からなる第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上に設けられ、前記ソース領域または前記ドレイン領域を含む一対の第３の半導体層と、を有し、
前記第１の半導体層を形成する工程は、
トリメチルボロン、およびシリコンソースガスを含むプロセスガスを用いて、化学気相成長法により、前記ボロンおよび酸素を含む微結晶半導体層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１の半導体層は前記第２の半導体層より薄いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月28日(2011.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に絶縁膜を成膜し、
前記絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、
前記微結晶半導体膜上にバッファ層を成膜し、
前記微結晶半導体膜の成膜は、前記バッファ層との界面付近の第１領域の成膜速度が前記絶縁膜との界面付近の第２領域の成膜速度よりも速くなるように成膜条件を段階的または連続的に変化させる半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に絶縁膜を成膜し、
前記基板を真空チャンバー内に導入し、
前記真空チャンバー内に材料ガスを導入して基板温度が１００℃以上３００℃未満の第１の成膜条件により第１の微結晶半導体膜を成膜し、
前記第１の成膜条件での成膜直後に、前記第１の成膜条件とは基板温度、電力、前記材料ガスの流量、または真空度の少なくとも１つの条件が異なる第２の成膜条件で前記真空チャンバーと同一チャンバー内で第２の微結晶半導体膜を堆積し、
前記第２の微結晶半導体膜上にバッファ層を成膜する半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記バッファ層は非晶質半導体膜であり、前記真空チャンバーと異なる真空チャンバー内で基板温度が３００℃以上４００℃未満の成膜条件により成膜する半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記基板を前記真空チャンバー内に導入する前に、前記真空チャンバー内の雰囲気中を１×１０−８Ｐａを超え１×１０−５Ｐａ以下の真空度に真空排気した後、前記材料ガスを導入して真空チャンバー内壁に成膜を行う半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２または請求項３において、
前記基板を前記真空チャンバー内に導入する前に、前記真空チャンバー内の雰囲気中を１×１０−８Ｐａを超え１×１０−５Ｐａ以下の真空度に真空排気した後、水素ガスまたは希ガスを導入してプラズマを発生させる半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項２または請求項３において、
前記基板を前記真空チャンバー内に導入した後、水素ガスまたは希ガスを導入してプラズマを発生させる半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
さらに、前記バッファ層上にｎ型を付与する不純物元素を含む半導体膜を成膜し、
前記ｎ型を付与する不純物元素を含む半導体膜上にソース電極またはドレイン電極を形成し、
前記ｎ型を付与する不純物元素を含む半導体膜をエッチングして、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域と重なる領域を残存させて前記バッファ層の一部をエッチングして除去する半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項２乃至６のいずれか一において、
前記第２の成膜条件は、基板１枚当たりの成膜期間内に高周波電力をオフ状態として放電を停止する期間を複数有する半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記微結晶半導体膜を成膜する材料ガスは、シランガス、水素ガス、及びトリメチルボロンガスを含む半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記微結晶半導体膜を成膜する真空チャンバーの内壁を基板温度よりも高い温度に加熱し、前記微結晶半導体膜を成膜する半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を含む薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
前記薄膜トランジスタは、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられ、ボロンを含む微結晶半導体からなり、かつ前記チャネル形成領域を含む第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に設けられ、非晶質半導体からなる第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上に設けられ、前記ソース領域または前記ドレイン領域を含む一対の第３の半導体層と、を有し、
前記第１の半導体層を形成する工程は、
トリメチルボロンを少なくとも含むプロセスガスを用いて、プラズマ励起化学気相成長法により、ボロンを含む微結晶半導体層を形成し、
前記プロセスガスに周波数の異なる２以上の高周波電力を供給してプラズマを生成して、前記微結晶半導体層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ゲート電極、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を含む薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に前記ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
トリメチルボロンを少なくとも含むプロセスガスを用いて、プラズマ励起化学気相成長法により、ボロンを含む微結晶半導体層を形成し、
前記微結晶半導体層上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層上にｎ型またはｐ型の半導体層を形成し、
前記微結晶半導体層、前記非晶質半導体層、および前記ｎ型またはｐ型の半導体層を、それぞれ、同じマスクを用いてエッチングして、前記ゲート絶縁層上に、前記微結晶半導体層からなる第１の半導体層、前記非晶質半導体層からなる第２の半導体層、および前記ｎ型またはｐ型の半導体層からなる第３の半導体層を形成し、
前記第３の半導体層をエッチングにより分割して、前記ソース領域、前記ドレイン領域を形成し、
前記微結晶半導体層の形成は、前記プロセスガスに周波数の異なる２以上の高周波電力を供給してプラズマを生成することにより行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
ゲート電極、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を含む薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
基板上に前記ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
トリメチルボロン、およびシリコンソースガスを少なくとも含むプロセスガスを用いて、プラズマ励起化学気相成長法により、ボロンを含む微結晶半導体層を形成し、
前記微結晶半導体層上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層上に、島状の絶縁層からなる保護層を形成し、
前記微結晶半導体層、および前記非晶質半導体層を、それぞれ、同じマスクを用いてエッチングして、前記ゲート絶縁層上に、前記微結晶半導体層からなる第１の半導体層、前記非晶質半導体層からなる第２の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層、前記第２の半導体層、および前記保護層を覆って、ｎ型またはｐ型の半導体層を形成し、
前記ｎ型またはｐ型の半導体層をエッチングにより分割して、前記ソース領域、および前記ドレイン領域を形成し、
前記微結晶半導体層の形成は、前記プロセスガスに周波数の異なる２以上の高周波電力を供給してプラズマを生成することにより行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２または３において、
前記非晶質半導体層はプラズマ励起化学気相成長法により形成され、
前記非晶質半導体層を形成するためのプロセスガスに周波数の異なる２以上の高周波電力を供給してプラズマを生成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一項において、
前記ゲート絶縁層はプラズマ励起化学気相成長法により形成され、
前記ゲート絶縁層を形成するためのプロセスガスに周波数の異なる２以上の高周波電力を供給してプラズマを生成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月16日(2011.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成する第１の工程と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を形成する第３の工程と、を有する表示装置の作製方法であって、
前記第３の工程は、
反応室内を真空排気し、
前記真空排気が行われた前記反応室内においてプレコートを行い、
前記プレコートが行われた前記反応室内に前記基板を搬入し、
前記基板を搬入した後に前記微結晶半導体膜を形成することによって行われ、
前記プレコートは、前記反応室内に希ガスを導入してプラズマ処理を行った後に、シランガスを導入し、且つ、シランプラズマを生成することにより行われ、
前記微結晶半導体膜の形成は、珪素気体の流量に対する水素の流量比の増減を繰り返すことによって行われることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２】
基板上にゲート電極を形成する第１の工程と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を形成する第３の工程と、を有する表示装置の作製方法であって、
前記第３の工程は、
反応室内を真空排気し、
真空排気が行なわれた前記反応室内に前記基板を搬入し、
前記基板を搬入した後に前記微結晶半導体膜を形成することによって行われ、
前記微結晶半導体膜の形成は、珪素気体の流量に対する水素の流量比の増減を繰り返すことによって行われることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記真空排気は、ターボ分子ポンプ及びクライオポンプの双方を用いることにより行われることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記微結晶半導体膜の形成時において、表面定在波を引き起こさない第１の高周波電力と、プラズマの高密度化を図るための第２の高周波電力と、の双方を重畳印加することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記微結晶半導体膜の形成時において、ＨＦ帯の第１の高周波電力と、ＶＨＦ帯の第２の高周波電力と、の双方を重畳印加することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記基板の搬入後であって前記微結晶半導体膜の形成前に、ゲート絶縁膜の表面に水素プラズマ処理又はヘリウムプラズマ処理を行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記水素プラズマ処理及び前記ヘリウムプラズマ処理の双方を行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記ゲート絶縁膜表面に形成される反応生成物に水素プラズマを作用させてエッチングを行いながら成膜を行うことによって、前記微結晶半導体膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記微結晶半導体膜を形成するために用いる反応ガスはヘリウムを含むことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記微結晶半導体膜を形成するために用いる反応ガスはトリメチルボロンを含むことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記微結晶半導体膜上に非晶質半導体膜を形成する第４の工程と、
前記非晶質半導体膜上に一導電型を付与する不純物が添加された半導体膜を形成する第５の工程と、
前記一導電型を付与する不純物が添加された半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成するとともに、前記一導電型を付与する不純物が添加された半導体膜上をエッチングして分離することによりソース領域及びドレイン領域を形成する第６の工程と、を有し、
前記ソース電極の端部と前記ソース領域の端部はずれており、且つ、前記ドレイン電極の端部と前記ドレイン領域の端部は、ずれていることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記非晶質半導体膜を形成するために用いる反応ガスはアンモニア、窒素、又はＮ２Ｏのいずれかを含むことを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月16日(2011.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コントローラを備える電子デバイスであって、
前記コントローラは、
少なくとも１つのプロセッサを有するファームウェアと、
セキュリティ・フィーチャーとを含み、
前記セキュリティ・フィーチャーは、
内部に記憶されたルート鍵値を有するプログラマブル・メモリと、
利用回路へのアクセスを制御するアクセス制御モジュールとを含み、前記アクセス制御モジュールは、
第１のパスワードを受信し、
第１の暗号化されたパスワードを生成するために、前記第１のパスワードを暗号化し、
前記第１の暗号化されたパスワードを、前記電子デバイス内に記憶された第２の暗号化されたパスワードと比較するよう適合されており、前記第２の暗号化されたパスワードは前記ルート鍵値を用いて暗号化されており、前記アクセス制御モジュールは更に、
前記第１の暗号化されたパスワードが前記第２の暗号化されたパスワードと一致しない場合、前記利用回路へのアクセスを拒否し、
前記第１の暗号化されたパスワードが前記第２の暗号化されたパスワードと一致する場合、前記利用回路へのアクセスを許可するよう適合されており、前記セキュリティ・フィーチャーは更に、
前記ルート鍵値へのアクセスから前記ファームウェアをアイソレートするよう適合されたルート鍵セキュリティ・エレクトロニクスを含む、電子デバイス。
【請求項２】
前記電子デバイスはデータ記憶デバイスであり、前記コントローラはデータ記憶コントローラであり、前記利用回路は少なくとも１つのデータ記憶媒体を備える、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
更に、前記セキュリティ・フィーチャーは記憶されたルート鍵テスト値を備え、前記コントローラは、前記ルート鍵テスト値を用いて前記ルート鍵値をテストするよう適合されている、請求項１または２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
更に、前記セキュリティ・フィーチャーはメモリに記憶されたデータ暗号化鍵を備え、前記データ暗号化鍵は前記ルート鍵値により暗号化される、請求項３に記載の電子デバイス。
【請求項５】
更に、メモリに記憶された暗号化鍵テスト値鍵を備え、前記コントローラは、前記暗号化鍵テスト値を用いて前記データ暗号化鍵をテストするよう適合されている、請求項４に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記コントローラは、ある機能を行なうために前記コントローラが受信したコマンドの数のカウントを含む再利用値を判断し、前記再利用値が所定の値よりも大きい場合、前記電子デバイスへのアクセスをディスエーブルするよう適合されている、請求項１から５のいずれかに記載の電子デバイス。
【請求項７】
データを記憶するように構成されているメモリと、
セキュリティ・エレクトロニクスとを備え、
前記セキュリティ・エレクトロニクスは、
第１の暗号化されたパスワードを第２の暗号化されたパスワードと比較し、
前記第１の暗号化されたパスワードが前記第２の暗号化されたパスワードと一致しない場合、前記メモリへのアクセスを拒否し、
前記第１の暗号化されたパスワードが前記第２の暗号化されたパスワードと一致する場合、前記メモリへのアクセスを許可するよう適合されている、デバイス。
【請求項８】
更に、ファームウェアと、内部にルート鍵値を有するワンタイム・プログラマブル・メモリとを備え、
前記ルート鍵値を前記ファームウェアに提供していない間、前記ルート鍵値の露出を伴うコマンドを処理し、状態値を前記ファームウェアに提供するよう更に適合された前記セキュリティ・エレクトロニクスによって、前記ルート鍵値が前記ファームウェアからアイソレートされる、請求項７に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項９】
更に、第１のパスワードを受信し、
前記第１の暗号化されたパスワードを生成するために、前記第１のパスワードを暗号化するよう適合された前記セキュリティ・エレクトロニクスを備える、請求項７または８に記載のデータ記憶デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月2日(2011.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク管理装置とネットワーク構成要素と別のネットワーク構成要素とを有するネットワークにおいて各ネットワーク資源を管理する方法であって、
前記ネットワーク構成要素が、ネットワーク資源の事前予約の要求であり予約開始時間と予約終了時間とに関する情報を含む前記要求を前記ネットワーク管理装置に送信するステップと、
前記別のネットワーク構成要素が、別のネットワーク資源のアドホック予約の要求を前記ネットワーク管理装置に送信するステップと、
前記ネットワーク管理装置が前記別のネットワーク資源を前記別のネットワーク構成要素に割り当てるステップと、
前記ネットワーク管理装置が、前記予約開始時間において、前記別のネットワーク資源の一部又は全部を含む前記ネットワーク資源を前記ネットワーク構成要素に割り当てるステップと、
を備えた、前記方法。
【請求項２】
前記別のネットワーク資源を前記別のネットワーク構成要素に割り当てる際に、サービス低下マークを前記別のネットワーク構成要素に送信するステップを更に備え、前記サービス低下マークが、前記別のネットワーク資源の少なくとも一部が後に再割り当てに使用されて前記別のネットワーク構成要素から取り除かれることを前記別のネットワーク構成要素に知らせる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
後に前記別のネットワーク構成要素から取り除かれる前記別のネットワーク資源の一部又は全部の再割り当てに関する別の情報を送信するステップを更に備えた、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ネットワーク資源を前記ネットワーク構成要素に割り当てる際に、前記別のネットワーク構成要素にサービス低下情報を提供するステップを更に備えた、請求項１、請求項２及び請求項３の何れか１つの請求項に記載の方法。
【請求項５】
前記ネットワーク管理装置が、前記別のネットワーク資源を前記別のネットワーク構成要素に割り当てた後、前記予約開始時間において前記ネットワーク資源を前記ネットワーク構成要素に割り当てる前に、所定の保証予約時間の間、待機するステップを更に備えた、請求項１、請求項２、請求項３及び請求項４の何れか１つの請求項に記載の方法。
【請求項６】
前記ネットワーク構成要素が前記ネットワーク資源の事前予約の要求を前記ネットワーク管理装置に送信した後、前記ネットワーク管理装置が、前記予約開始時間において前記ネットワーク資源を前記ネットワーク構成要素に割り当てる前に、所定の保護期間の間、待機するステップを更に備えた、請求項１、請求項２、請求項３、請求項４及び請求項５の何れか１つの請求項に記載の方法。
【請求項７】
前記予約開始時間辺りに予約時間帯を定めるステップと、該予約時間帯内で需要メッセージを前記ネットワーク構成要素から前記ネットワーク管理装置に送信して前記ネットワーク構成要素への前記ネットワーク資源の割り当てを要求するステップと、前記需要メッセージが前記ネットワーク管理装置に受信された時点で前記ネットワーク資源を前記ネットワーク構成要素に割り当てるステップとを更に備えた、請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５及び請求項６の何れか１つの請求項に記載の方法。
【請求項８】
ネットワーク管理装置であって、
ネットワーク構成要素によって送信されたネットワーク資源の事前予約の要求であり予約開始時間と予約終了時間とに関する情報を含む前記要求を受信するように構成されており、且つ、別のネットワーク構成要素によって送信された別のネットワーク資源のアドホック予約の要求を受信するように構成された受信手段と、
前記別のネットワーク資源を前記別のネットワーク構成要素に割り当て、前記別のネットワーク資源の一部又は全部を含む前記ネットワーク資源を前記ネットワーク構成要素に割り当てるように構成された割り当て手段と、
各ネットワーク構成要素について各ネットワーク資源のアドホック予約及び事前予約を示す情報を記憶するように構成された記憶手段と、
を備えた、前記ネットワーク管理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月13日(2011.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記スライダー及び前記カム部材は、前記取付部材に対して前記支持部材を回転させたとき、これら取付部材と支持部材との間に、支持部材を開成方向へ付勢すると共にフリクショントルクを発生させて前記機器本体に対して前記原稿圧着板をフリーストップで停止させるカム形状にそれぞれ形成されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の原稿圧着板開閉装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記の目的を達成するために本発明に係る原稿圧着板開閉装置は、原稿圧着板を有する事務機器の機器本体側に取り付けられる取付部材と、この取付部材に回動可能に取り付けられると共に前記原稿圧着板を支持する支持部材と、前記支持部材及び前記取付部材のいずれか一方のものにスライド可能に収装されたスライダーと、このスライダーと摺接し、前記支持部材及び前記取付部材のいずれか他方のものに設けられるカム部材と、前記スライダーとこのスライダーを収装させた前記支持部材又は前記取付部材との間に設けられ、前記スライダーを前記カム部材に圧接させて前記原稿圧着板の開成動作を制御する弾性部材とを備えた原稿圧着板開閉装置であって、前記スライダー及び前記カム部材のいずれか一方のものに、嵌合凹部を設け、前記スライダー及び前記カム部材の他方のものに、前記嵌合凹部と嵌合する挿入凸部を設け、前記嵌合凹部及び前記挿入凸部の少なくとも一方に回転制御部を設けて、前記取付部材に対して前記支持部材を回転させたとき、この回転途中で大きなフリクショントルクを発生させて前記原稿圧着板の開閉動作を制御するように構成したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る原稿圧着板開閉装置において、前記嵌合凹部は、前記スライダーの摺動方向に延びるスリット状の係合溝部であり、前記挿入凸部は、前記スライダーの摺動方向に延びると共に突出する係合凸片であり、この係合凸片の一部の幅を広くして前記回転制御部を形成することが好ましい。また、本発明に係る原稿圧着板開閉装置において、前記嵌合凹部は、前記スライダーの摺動方向に延びるスリット状の係合溝部であり、この係合溝部の一部の幅を狭くして前記回転制御部を形成することが好ましい。また、本発明に係る原稿圧着板開閉装置において、前記嵌合凹部は、前記スライダーの摺動方向に延びるスリット状の断面凹状の係合溝部であり、この係合溝部の底部の一部を突出させて前記回転制御部を形成したことが好ましい。また、本発明に係る原稿圧着板開閉装置において、前記嵌合凹部及び前記挿入凸部は、それぞれ１つ又は２つ以上設けられていることが好ましい。また、本発明に係る原稿圧着板開閉装置において、前記スライダー及び前記カム部材には、前記取付部材に対して前記支持部材を回転させたとき、これら取付部材と支持部材との間に、支持部材を開成方向へ付勢すると共にフリクショントルクを発生させて前記機器本体に対して前記原稿圧着板をフリーストップで停止させるカム形状にそれぞれ形成されていることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
このように、原稿圧着板１２を閉成方向に回転させてコンタクトガラスに近づくと、回転制御部３０１と挿入凸部３０３とが互いに摺接して大きな回転トルクが発生するので、原稿圧着板１２の回転速度が遅くなり、原稿圧着板１２が勢いよくコンタクトガラスに衝突することがない。また、原稿圧着板１２が閉じられた状態から原稿圧着板１２を開成方向に回転させるときに、原稿圧着板１２を手でちょっと持ち上げた状態で手をなにかの拍子に原稿圧着板１２から離しても、フリクションとコンプレッションスプリング１７ａの付勢力によって原稿圧着板１２をその位置に保持しようとするので、原稿圧着板１２が手を離した拍子にコンタクトガラスに勢いよくぶつかる恐れがない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
【図１】本発明に係る原稿圧着板開閉装置を備えた事務機器の一例で原稿圧着板を閉じた状態を示す概略側面図である。
【図２】本発明に係る原稿圧着板開閉装置の一例を示す図で、（ａ）は閉じた状態のときの側面図、（ｂ）は開いた状態のときの斜視図、（ｃ）は開いた状態のときの側面図である。
【図３】本発明に係る原稿圧着板開閉装置の一例を示す断面図で、（ａ）は閉じた状態を示す図、（ｂ）は開いた状態を示す図である。
【図４】本発明に係る取付部材の一例を示す図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は正面図である。
【図５】本発明に係るスライダーの一例を示す斜視図である。
【図６】第２の実施形態におけるスライダーの一例を示す正面図である。
【図７】第２の実施形態における取付部材の一例を示す正面図である。
【図８】第３の実施形態における取付部材の一例を示す斜視図である。
【図９】第４の実施形態における取付部材の一例を示す正面図である。
【図１０】第４の実施形態におけるスライダーの一例を示す正面図である。
【図１１】第５の実施形態における原稿圧着板開閉装置の一例を示す概略断面図である。
【図１２】第６の実施形態における原稿圧着板開閉装置の一例を示す概略断面図である。
【図１３】第７の実施形態における原稿圧着板開閉装置の一例を示す斜視図である。
【図１４】第７の実施形態における取付部材の一例を示す図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は（ｂ）図中のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図１５】第７の実施形態におけるスライダーの一例を示す図で、（ａ）及び（ｂ）は斜視図、（ｃ）は正面図、（ｄ）は側面図である。ある。
【図１６】第７の実施形態における原稿圧着板開閉装置のモーメント曲線とトルク曲線の相関関係を示すグラフである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月28日(2011.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の抵抗を有する第１の電圧分配部と、
前記第１の電圧分配部から分配電圧を印加されて第１のガンマレファレンス電圧を出力する第１のデコーダと、
前記第１のガンマレファレンス電圧が入力され、前記第１のガンマレファレンス電圧のうち連続する２つの電圧を第２及び第３のガンマレファレンス電圧として出力する第２のデコーダと、
複数の抵抗を有し、前記第２及び第３のガンマレファレンス電圧を複数に分配する第２の電圧分配部と、
前記第２の電圧分配部から分配電圧を印加されて単一の第４のガンマレファレンス電圧を出力する第３のデコーダとを有することを特徴とするデジタルアナログ変換器。
【請求項２】
前記第１の電圧分配部は、２Ｌ＋Ｍ個のコース（ｃｏａｒｓｅ）抵抗を有し、
前記第２の電圧分配部は、２Ｎ個のファイン（ｆｉｎｅ）抵抗を有する（Ｌ、Ｍ、Ｎは自然数）ことを特徴とする請求項１に記載のデジタルアナログ変換器。
【請求項３】
前記第１のデコーダには、（Ｌ＋Ｍ＋Ｎ）ビットの画素データが入力されることを特徴とする請求項２に記載のデジタルアナログ変換器。
【請求項４】
前記デジタルアナログ変換器は、（Ｌ＋Ｍ＋Ｎ）ビットのものであることを特徴とする請求項１に記載のデジタルアナログ変換器。
【請求項５】
基準電圧を用い、ガンマレファレンス電圧を生成して出力するソースドライバであって、
複数の抵抗を有する第１の電圧分配部及び第２の電圧分配部と、
前記第１の電圧分配部及び第２の電圧分配部において分配された電圧を選択する第１、第２、及び第３のデコーダとを有することを特徴とするソースドライバ。
【請求項６】
前記第１のデコーダは、前記第１の電圧分配部において分配された電圧に基づき第１のガンマレファレンス電圧を選択し、
前記第２のデコーダは、前記第１のガンマレファレンス電圧に基づき第２及び第３のガンマレファレンス電圧を選択し、
前記第３のデコーダは、前記第２及び第３のガンマレファレンス電圧を前記第２の電圧分配部において分配した電圧に基づき第４のガンマレファレンス電圧を選択することを特徴とする請求項５に記載のソースドライバ。
【請求項７】
前記第１の電圧分配部は、２Ｌ＋Ｍ個のコース抵抗を有し、
前記第２の電圧分配部は、２Ｎ個のファイン抵抗を有する（Ｌ、Ｍ、Ｎは自然数）ことを特徴とする請求項５に記載のソースドライバ。
【請求項８】
画像を表示する表示パネルと、
複数の抵抗を有する第１の電圧分配部及び第２の電圧分配部と、前記第１の電圧分配部及び第２の電圧分配部において分配された電圧を選択する第１、第２、及び第３のデコーダとを備え、基準電圧を用いて前記表示パネルにガンマレファレンス電圧を生成して出力するソースドライバとを有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
複数の分配電圧を生成するステップと、
前記複数の分配電圧のうち第１のガンマレファレンス電圧を選択するステップと、
前記第１のガンマレファレンス電圧のうち連続する第２及び第３のガンマレファレンス電圧を選択するステップと、
前記第２及び第３のガンマレファレンス電圧に基づき複数の分配電圧を生成するステップと、
前記第２及び第３のガンマレファレンス電圧に基づき生成された複数の分配電圧のうち第４のガンマレファレンス電圧を選択するステップとを有することを特徴とするデジタルアナログ変換器の駆動方法。
【請求項１０】
前記第２及び第３のガンマレファレンス電圧に基づき生成された複数の分配電圧のうち第４のガンマレファレンス電圧を選択するステップにおいて、
（Ｌ＋Ｍ＋Ｎ）ビットの画素データのうちＮビットの画素データにより第４のガンマレファレンス電圧を選択することを特徴とする請求項９に記載のデジタルアナログ変換器の駆動方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記第１の電圧分配部は、２Ｌ＋Ｍ個のコース（ｃｏａｒｓｅ）抵抗を有し、前記第２の電圧分配部は、２Ｎ個のファイン（ｆｉｎｅ）抵抗を有する（Ｌ、Ｍ、Ｎは自然数）ことが好ましい。
前記第１のデコーダには、（Ｌ＋Ｍ＋Ｎ）ビットの画素データが入力されることが好ましい。
前記デジタルアナログ変換器は、（Ｌ＋Ｍ＋Ｎ）ビットのものであることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記第１のデコーダは、前記第１の電圧分配部において分配された電圧に基づき第１のガンマレファレンス電圧を選択し、前記第２のデコーダは、前記第１のガンマレファレンス電圧に基づき第２及び第３のガンマレファレンス電圧を選択し、前記第３のデコーダは、前記第２及び第３のガンマレファレンス電圧を前記第２の電圧分配部において分配した電圧に基づき第４のガンマレファレンス電圧を選択することが好ましい。
前記第１の電圧分配部は、２Ｌ＋Ｍ個のコース抵抗を有し、前記第２の電圧分配部は、２Ｎ個のファイン抵抗を有する（Ｌ、Ｍ、Ｎは自然数）ことが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
前記第２及び第３のガンマレファレンス電圧に基づき生成された複数の分配電圧のうち第４のガンマレファレンス電圧を選択するステップにおいて、（Ｌ＋Ｍ＋Ｎ）ビットの画素データのうちＮビットの画素データにより第４のガンマレファレンス電圧を選択することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月7日(2011.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示する表示パネルと、
第１接地パターンを含む第１パターン構造と、第１配線パターンと該第１配線パターンと電気的に絶縁された第２接地パターンとを含み前記第１パターン構造の上部に形成される第２パターン構造と、第３接地パターンと前記第３接地パターンと電気的に絶縁された第２配線パターンとを含み前記第２パターン構造の上部に形成される第３パターン構造と、第４接地パターンを含み、前記第３パターン構造上に形成される第４パターン構造とを有して前記表示パネルを制御する印刷回路基板とを具備し、
前記第１配線パターンは前記第１接地パターンと前記第３接地パターンとの間に形成配置され、前記第２配線パターンは前記第２接地パターンと前記第４接地パターンとの間に形成配置されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記印刷回路基板は、前記第１パターン構造と第２パターン構造との間に配置される第１絶縁層と、前記第２パターン構造と第３パターン構造との間に配置される第２絶縁層と、前記第３パターン構造と第４パターン構造との間に配置される第３絶縁層とを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記印刷回路基板は、前記第１配線パターン及び第２配線パターンと電気的に接続され、前記第１配線パターンを通じて伝送された第１差動信号を受信して前記第２配線パターンに第２差動信号を供給する制御部と、
前記制御部によって制御されガンマ基準電圧を生成するガンマ電圧生成部とを更に含むことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第４パターン構造は、前記第４接地パターンと電気的に絶縁され、前記ガンマ電圧発生部によって発生したガンマ電圧を伝送する第３配線パターンを更に含むことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第３配線パターンは、前記第２配線パターンと離隔して形成されることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第３配線パターンは、前記第２配線パターンと重畳しないことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
第１絶縁基板の下面上に第１接地パターンを含む第１パターン構造を形成する段階と、
前記下面に対向する前記第１絶縁基板の上面上に前記第１接地パターンと重畳する第１配線パターンと該第１配線パターンと電気的に絶縁される第２接地パターンとを含む第２パターン構造を形成する段階と、
前記第２パターン構造上に第２絶縁基板を配置する段階と、
前記第２絶縁基板上に前記第２接地パターンと重畳する第２配線パターンと、前記第２配線パターンと電気的に絶縁され前記第１配線パターンと重畳する第３接地パターンとを含む第３パターン構造を形成する段階と、
前記第３パターン構造上に第３絶縁基板を配置する段階と、
前記第３絶縁基板上に前記第２配線パターンと重畳する第４接地パターンを含む第４パターン構造を形成する段階とを有することを特徴とする印刷回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記第４パターン構造は、前記第４接地パターンと電気的に絶縁される第３配線パターンを更に含むことを特徴とする請求項７に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記第４パターン構造を形成する段階は、前記第２配線パターンとは離隔して重畳しないように第３配線パターンを形成配置する段階を含むことを特徴とする請求項７に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項１０】
第１絶縁基板の下面上に第１接地パターンを含む第１パターン構造を形成する段階と、
前記第１絶縁基板の上面上に前記第１接地パターンと重畳する第１配線パターンと該第１配線パターンと電気的に絶縁される第２接地パターンとを含む第２パターン構造を形成する段階と、
第２絶縁基板の上に第２配線パターン及び第３接地パターンを含む第３パターン構造を形成する段階と、
第３絶縁基板の上に第４接地パターンを含む第４パターン構造を形成する段階と、
前記第２絶縁基板が前記第２パターン構造と第３パターン構造との間に挟まれ、前記第２配線パターンが前記第２接地パターンと重畳し、前記第３接地パターンが前記第１配線パターンと重畳するように前記第２絶縁基板を前記第２パターン構造上に配置する段階と、
前記第３絶縁基板が前記第３パターン構造と第４パターン構造との間に挟まれ、前記第４接地パターンが前記第２配線パターンと重畳するように前記第３絶縁基板を前記第３パターン構造上に配置する段階とを有することを特徴とする印刷回路基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】印刷回路基板を具備する表示装置及び印刷回路基板の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、印刷回路基板を具備する表示装置及び印刷回路基板の製造方法に関し、特
に、ノイズを減少させることができる印刷回路基板を具備する表示装置及び印刷回路基板
の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで、本発明は上記従来の表示装置における問題点に鑑みてなされたものであって、
本発明の目的は、ノイズを減少させることができる印刷回路基板を有する表示装置を提供
することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
又、本発明の他の目的は、上記印刷回路基板の製造方法を提供することにある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る印刷回路基板を具備する表示装置及び印刷回路基板の製造方法によれば、信号配線パターンを外郭層ではない内部層に形成し、信号配線パターンの上部及び下部に接地パターンを形成することにより、ＥＭＩ現象によるノイズを減少させることができるという効果がある。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
次に、本発明に係る印刷回路基板を具備する表示装置及び印刷回路基板の製造方法を
実施するための最良の形態の具体例を、図面を参照しながら説明する。