Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月10日(2010.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体の一方の側面に取り付けられる画像表示部と、
前記本体の上面に前記画像表示部よりに配置され、レンズ光軸方向と平行に延びる第１の指掛け部と、
前記本体の底面に前記画像表示部よりに配置され、前記レンズ光軸方向と平行に延びる第２の指掛け部
とを具備することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る撮像装置は、本体の一方の側面に取り付けられる画像表示部と、前記本体の上面に前記画像表示部よりに配置され、レンズ光軸方向と平行に延びる第１の指掛け部と、前記本体の底面に前記画像表示部よりに配置され、前記レンズ光軸方向と平行に延びる第２の指掛け部とを具備することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
ビデオカメラ１０の被写体側を前面部１２と呼び、前面部１２に対向する面（通常の撮影形態では撮影者がいる側の面）を背面部１４と呼ぶ。ビデオカメラ１０は他に、上面部１６及び底面部１８を具備する。使用者又は撮影者が把持する本体後方から見て右側を右側面２０とし、右側面２０と対向する面を左側面２２とする。右側面２０は、右手で把持する場合に右手で覆われる面、即ち、把持面となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本実施例では、上面部１６の指掛け部１６ｃ（第１の指掛け部）と、底面部１８の指掛け部１８ａ（第２の指掛け部）が、背面から見てレンズ光軸より左側、即ち、表示パネル２８側に寄り、且つ、鉛直方向のほぼ同位置に対をなして配置されている。換言すると、指掛け部１６ｃ，１８ａは、レンズ光軸を含む鉛直面と平行な面上に配置される。これにより、図１０に示すように、人差指５０ａ及び中指５０ｂの力Ｆ１と、親指５０ｅの力Ｆ２が、鉛直方向のほぼ同一線上に対向する力で働く。力Ｆ３と力Ｆ４のように本体を回転させる力が発生せず、安定した撮影が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月25日(2010.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを送信する送信装置と前記データを受信する受信装置間のネットワークを構築するネットワーク管理装置であって、
前記受信装置からネットワークの接続要求を受け付ける受付手段と、
前記送信装置にて設定される前記データの送信時刻を取得する取得手段と、
前記取得手段にて取得された前記送信時刻までに前記受付手段によりネットワークの接続要求を受け付けた受信装置と前記送信装置間におけるネットワークを構築する構築手段とを有することを特徴とするネットワーク管理装置。
【請求項２】
前記構築手段は、前記送信時刻までにネットワークの接続要求を受け付けた受信装置と前記送信装置間でネットワークが構築されるように、前記送信時刻までにネットワークの接続要求を受け付けた受信装置にネットワークアドレスを割り当てることを特徴とする請求項１に記載のネットワーク管理装置。
【請求項３】
前記取得手段により取得された前記送信時刻を前記受信装置に対して送信する送信手段を更に有することを特徴とする請求項１に記載のネットワーク管理装置。
【請求項４】
データを送信する送信装置と前記データを受信する受信装置間のネットワークを構築するネットワーク管理装置であって、
一定時間を計時する計時手段と、
前記受信装置からネットワークの接続要求を受け付ける受付手段と、
前記計時手段により前記一定時間が計時されるまでに前記受付手段によりネットワークの接続要求を受け付けた受信装置と前記送信装置間におけるネットワークを構築する構築手段とを有することを特徴とするネットワーク管理装置。
【請求項５】
前記計時手段は、前記一定時間の計時をしていないときに受信装置からのネットワークの接続要求の受け付けると前記一定時間の計時を開始することを特徴とする請求項４に記載のネットワーク管理装置。
【請求項６】
前記構築手段は、前記一定時間が計時されるまでにネットワークの接続要求を受け付けた受信装置と前記送信装置間でネットワークが構築されるように、前記一定時間が計時されるまでにネットワークの接続要求を受け付けた受信装置にネットワークアドレスを割り当てることを特徴とする請求項４に記載のネットワーク管理装置。
【請求項７】
前記一定時間の計時中に前記受付手段によりネットワークの接続要求を受け付けた前記受信装置の数が一定数に達したか否かを判定する判定手段を更に有し、
前記構築手段は、前記計時手段により前記一定時間が計時される前に、前記受付手段によりネットワークの接続要求を受け付けた前記受信装置の数が一定数に達したと前記判定手段により判定された場合、前記一定数に達した前記受信装置と前記送信装置間におけるネットワークを構築することを特徴とする請求項４に記載のネットワーク管理装置。
【請求項８】
データを送信する送信装置と前記データを受信する受信装置間のネットワークを構築するネットワーク管理装置の制御方法であって、
前記受信装置からネットワークの接続要求を受け付ける受付ステップと、
前記送信装置にて設定される前記データの送信時刻を取得する取得ステップと、
前記取得ステップにて取得された前記送信時刻までに前記受付ステップによりネットワークの接続要求を受け付けた受信装置と前記送信装置間におけるネットワークを構築する構築ステップとを含むことを特徴とするネットワーク管理装置の制御方法。
【請求項９】
データを送信する送信装置と前記データを受信する受信装置間のネットワークを構築するネットワーク管理装置の制御方法であって、
一定時間を計時する計時ステップと、
前記受信装置からネットワークの接続要求を受け付ける受付ステップと、
前記計時ステップにより前記一定時間が計時されるまでに前記受付ステップによりネットワークの接続要求を受け付けた受信装置と前記送信装置間におけるネットワークを構築する構築ステップとを含むことを特徴とするネットワーク管理装置の制御方法。
【請求項１０】
データを送信する送信装置と前記データを受信する受信装置間のネットワークを構築するネットワーク管理装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記受信装置からネットワークの接続要求を受け付ける受付ステップと、
前記送信装置にて設定される前記データの送信時刻を取得する取得ステップと、
前記取得ステップにて取得された前記送信時刻までに前記受付ステップによりネットワークの接続要求を受け付けた受信装置と前記送信装置間におけるネットワークを構築する構築ステップとをコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１１】
データを送信する送信装置と前記データを受信する受信装置間のネットワークを構築するネットワーク管理装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
一定時間を計時する計時ステップと、
前記受信装置からネットワークの接続要求を受け付ける受付ステップと、
前記計時ステップにより前記一定時間が計時されるまでに前記受付ステップによりネットワークの接続要求を受け付けた受信装置と前記送信装置間におけるネットワークを構築する構築ステップとをコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月1日(2010.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
環境音を入力し、電気信号に変換するマイクロホンと、
前記マイクロホンの出力信号に基づいて、付加信号を作成する付加波形作成手段と、
前記マイクロホンの出力信号および前記付加信号の合成信号を作成する合成手段と、
前記合成信号を音響信号に変換するイヤホンと
を備え、
前記付加信号は、複数のサンプリングデータごとに、同一のサンプリングデータを連続させた信号である
ことを特徴とした補聴器。
【請求項２】
前記付加信号は、外有毛細胞の機能による蝸牛基底板振動の周波数成分を有する
ことを特徴とした請求項１記載の補聴器。
【請求項３】
前記付加波形作成手段は、
前記マイクロホンの出力信号をフーリエ変換するフーリエ変換手段と、
前記フーリエ変換で得られた各周波数成分を、それぞれ低い周波数成分に変換する成分調節手段と、
前記成分調節手段の出力信号を逆フーリエ変換する逆フーリエ変換手段と
を備えたことを特徴とした請求項１または２記載の補聴器。
【請求項４】
前記マイクロホンの出力信号に基づいて、前記付加信号を調整する調節手段を備えた
ことを特徴とした請求項１〜３のいずれかに記載の補聴器。
【請求項５】
前記マイクロホンの出力信号を所定時間遅延させる遅延手段を備え、
前記合成手段は、前記遅延手段の出力信号および前記付加信号の合成信号を作成する
ことを特徴とした請求項１〜４のいずれかに記載の補聴器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
さらに、前記付加信号は、複数のサンプリングデータごとに、同一のサンプリングデータを連続させた信号である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このようにすることで、減弱ないし消失された音を付加信号により補うことができるので、内耳性難聴者が、環境音をより本来の音に近い音として聞くことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、内耳性難聴者の劣化した外有毛細胞の機能による音を生成することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明では、前記の補聴器において、前記付加信号は、外有毛細胞の機能による蝸牛基底板振動の周波数成分を有してもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このようにすることで、内耳性難聴者の劣化した外有毛細胞の機能による音を付加信号により補うことができるので、内耳性難聴者が、環境音をより本来の音に近い音として聞くことができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明では、前記の補聴器において、前記付加波形作成手段は、前記マイクロホンの出力信号をフーリエ変換するフーリエ変換手段と、前記フーリエ変換で得られた各周波数成分を、それぞれ低い周波数成分に変換する成分調節手段と、前記成分調節手段の出力信号を逆フーリエ変換する逆フーリエ変換手段とを備えてもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
このようにすることで、内耳性難聴者の劣化した外有毛細胞の機能による音を生成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月13日(2010.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振回路を集積化して一主面に水晶端子を含むＩＣ端子を有するＩＣチップと、水晶片を密閉封入して外底面に実装端子を有する水晶振動子とを備えた表面実装用の水晶発振器において、前記水晶端子が貫通電極によって他主面に延出されて前記ＩＣチップの他主面にも別の前記水晶端子が形成され、前記他主面に形成された水晶端子が前記水晶振動子の実装端子と接続されることを特徴とする表面実装用の水晶発振器。
【請求項２】
請求項１において、前記ＩＣチップが、温度補償機構を集積化して温度補償型とした表面実装用の水晶発振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
表面実装発振器はＩＣチップ２と水晶振動子１２とを接合してなる。ここでは、ＩＣチップ２は水晶振動子１２の平面外形よりも大きくする。ＩＣチップ２は前述同様に発振回路を構成する各素子を集積化し、回路機能面となる一主面にＩＣ端子５を有する。ＩＣチップ２は、ここでも水晶発振器を温度補償型とする温度補償機構をも集積化する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月7日(2010.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部装置に接続可能であって、該外部装置にデータの属性情報を送信することが可能な画像処理装置であって、
前記属性情報を、前記データを解析せずに読み込み可能な属性情報の属する第１のグループと、前記データを解析することで読み込み可能な属性情報の属する第２のグループとに分類し、グループを識別するためのグループ識別情報と対応付ける分類手段と、
前記外部装置と接続された状態において、前記外部装置から、前記グループ識別情報を含み、前記属性情報の取得を要求する取得要求を受信する受信手段と、
前記受信手段により受信した取得要求に含まれるグループ識別情報に対応付けられた属性情報を、前記外部装置に送信する送信手段と、
前記第１のグループに属する属性情報を前記外部装置に送信している間に前記第２のグループの解析を行う解析手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記画像処理装置は、デジタルカメラであり、前記第１のグループに属する情報が、前記デジタルカメラ内のファイルシステムが保持する管理情報から取得される情報であることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記受信手段により前記取得要求を受信する前に、前記第１のグループに属する属性情報を主記憶部に読み込む読み込み手段をさらに有する請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記送信手段は、前記属性情報を送信する前に、当該属性情報に対応付けられたグループ識別情報を前記外部装置に送信することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記画像処理装置と前記外部装置は、ＭＴＰ(Ｍｅｄｉａ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｐｒｏｔｏｃｏｌ)にしたがい通信することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか1項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記グループ識別情報は、ＭＴＰで規定されたグループコードであることを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項７】
外部装置に接続可能であって、該外部装置にデータの属性情報を送信することが可能な画像処理装置を制御する方法であって、
分類手段が、前記属性情報を、前記データを解析せずに読み込み可能な属性情報の属する第１のグループと、前記データを解析することで読み込み可能な属性情報の属する第２のグループとに分類し、グループを識別するためのグループ識別情報と対応付ける分類工程と、
受信手段が、前記外部装置と接続された状態において、前記外部装置から、前記グループ識別情報を含み、前記属性情報の取得を要求する取得要求を受信する受信工程と、
送信手段が、前記受信工程において受信した取得要求に含まれるグループ識別情報に対応付けられた属性情報を、前記外部装置に送信する送信工程と、
解析手段が、前記第１のグループに属する属性情報を前記外部装置に送信している間に前記第２のグループの解析を行う解析工程と、
を備えることを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項８】
請求項７に記載の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係わる画像処理装置は、外部装置に接続可能であって、該外部装置にデータの属性情報を送信することが可能な画像処理装置であって、前記属性情報を、前記データを解析せずに読み込み可能な属性情報の属する第１のグループと、前記データを解析することで読み込み可能な属性情報の属する第２のグループとに分類し、グループを識別するためのグループ識別情報と対応付ける分類手段と、前記外部装置と接続された状態において、前記外部装置から、前記グループ識別情報を含み、前記属性情報の取得を要求する取得要求を受信する受信手段と、前記受信手段により受信した取得要求に含まれるグループ識別情報に対応付けられた属性情報を、前記外部装置に送信する送信手段と、前記第１のグループに属する属性情報を前記外部装置に送信している間に前記第２のグループの解析を行う解析手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明に係わる画像処理装置の制御方法は、外部装置に接続可能であって、該外部装置にデータの属性情報を送信することが可能な画像処理装置を制御する方法であって、分類手段が、前記属性情報を、前記データを解析せずに読み込み可能な属性情報の属する第１のグループと、前記データを解析することで読み込み可能な属性情報の属する第２のグループとに分類し、グループを識別するためのグループ識別情報と対応付ける分類工程と、受信手段が、前記外部装置と接続された状態において、前記外部装置から、前記グループ識別情報を含み、前記属性情報の取得を要求する取得要求を受信する受信工程と、送信手段が、前記受信工程において受信した取得要求に含まれるグループ識別情報に対応付けられた属性情報を、前記外部装置に送信する送信工程と、解析手段が、前記第１のグループに属する属性情報を前記外部装置に送信している間に前記第２のグループの解析を行う解析工程と、を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
次に、デジタルカメラ２１０がＰＣ２００に接続されてから、ＰＣ２００が、デジタルカメラ２１０内のファイルの情報を取得するまでの流れを示したシーケンス図、フローチャート図をそれぞれ図７、図８に示す。以下の説明において、ＰＣ２００での処理は、ロードされたＯＳ、ドライバソフト２０２、アプリケーションソフト２０１にしたがい、ＣＰＵ３０３がＰＣ２００の各部を制御することで実現される。また、デジタルカメラ２１０での処理は、ＣＰＵ１０３がデジタルカメラ２１０の各部を制御することで実現される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月4日(2011.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが複数の基地局を収容可能な無線通信方式の異なる複数の基地局制御装置と、上記複数の基地局制御装置に接続されたホームエージェント装置と、上記基地局および基地局制御装置に接続された監視ノードとからなる無線通信システムにおける最適無線通信方式の選択方法であって、
無線端末と上記各基地局制御装置との間で上記何れかの基地局を介して行なわれる通信路の確立過程で、上記監視ノードが、上記無線端末を特定するために上記基地局が使用する無線通信方式に固有の第１端末識別子と、上記無線端末を特定するために上記ホームエージェント装置が使用する第２端末識別子とを取得するステップと、
上記監視ノードが、無線通信方式の異なる複数の基地局で使用される上記無線端末用の複数の第１端末識別子を上記第２端末識別子と対応付けて記憶するステップと、
上記監視ノードが、上記複数の基地局から、上記無線端末を上記第１端末識別子で特定した形式で通信品質情報を取得し、上記第１端末識別子と上記第２端末識別子との対応関係を利用して、上記各基地局から取得した上記無線端末の通信品質情報を上記第２端末識別子と対応付けて記憶するステップとからなり、
上記監視ノードが、同一の第２端末識別子に対応付けて記憶された無線通信方式の異なる複数基地局の通信品質情報を比較して、上記無線端末に最適な無線通信路をもつ無線通信方式を選択することを特徴とする最適無線通信方式の選択方法。
【請求項２】
前記監視ノードが、前記各基地局からスループット情報を取得し、基地局識別子と対応付けて記憶するステップを有し、
前記監視ノードが、上記スループット情報と前記通信品質情報とを参照して、前記無線端末に最適な無線通信路をもつ無線通信方式を選択することを特徴とする請求項１に記載の最適無線通信方式の選択方法。
【請求項３】
前記監視ノードが、前記無線端末と接続される特定の無線通信方式の基地局と、該基地局を収容している前記基地局制御装置との少なくとも一方から、前記第１、第２端末識別子を取得することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の最適無線通信方式の選択方法。
【請求項４】
前記監視ノードが、前記無線端末と接続される特定の無線通信方式の基地局から、前記第１端末識別子と上記無線端末で使用される第３端末識別子とを取得し、上記基地局を収容している前記基地局制御装置から、前記第２端末識別子と上記第３端末識別子とを取得し、該第３端末識別子を介して前記第１、第２端末識別子を対応づけることを特徴とする請求項３に記載の最適無線通信方式の選択方法。
【請求項５】
前記監視ノードが、前記無線端末を示す第２端末識別子と、前記選択された最適無線通信方式を示す識別情報との対応関係を前記ホームエージェント装置に通知し、
上記ホームエージェントが、上記無線端末用の通信パケットを上記最適無線通信方式の基地局制御装置を経由させることを特徴とする請求項１〜請求項４の何れかに記載の最適無線通信方式の選択方法。
【請求項６】
前記無線通信システムが、前記複数の基地局制御装置と前記ホームエージェント装置との間にパケットスイッチを有し、
前記監視ノードが、前記無線端末を示す第２端末識別子と、前記選択された無線通信方式を示す識別情報との対応関係を上記パケットスイッチに通知し、
上記パケットスイッチが、上記無線端末用の通信パケットを上記最適無線通信方式の基地局制御装置を経由させることを特徴とする請求項１〜請求項４の何れかに記載の最適無線通信方式の選択方法。
【請求項７】
前記第１端末識別子が、前記無線端末に割り当てられたＵＡＴＩ（Unicast Access Terminal Identifier）、ＩＰｓｅｃ用のＩＰアドレス、ＭＡＣアドレスの何れかであり、前記ホームエージェントが使用する前記第２端末識別子が、前記無線端末にホームアドレスとして割り当てられたＩＰアドレスであることを特徴とする請求項１〜請求項６の何れかに記載の最適無線通信方式の選択方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】最適無線通信方式の選択方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月21日(2011.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
波長クロスコネクト装置２００Ｂは、表２、表４、表５に示す情報を図示しないメモリに格納する。コントローラ５は、このメモリに格納された情報を参照してＷＳＳ１やＷＳＳ２、ＲＧＮ３−１、ＲＧＮ３−２に各設定を行なう。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月9日(2011.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定規則の識別情報と測定対象の識別情報と関連付け情報とを関連付けて記憶するように構成されている測定情報記憶部と、
前記測定情報記憶部に記憶されている前記測定対象の識別情報によって規定されている周波数が用いられているセルにおける無線品質の測定を行うように構成されている測定部と、
前記無線品質の測定結果に基づいて、前記測定対象の識別情報に関連付けられている前記測定規則の識別情報によって定義されている判定条件が満たされると判定した場合に、無線基地局に対して測定報告を送信するように構成されている測定報告送信部と、
前記無線基地局からの指示に応じて、異周波数ハンドオーバを行うように構成されているハンドオーバ処理部とを具備し、
前記異周波数ハンドオーバが行われる場合、前記測定情報記憶部は、現在通信中のセルに対応する第１測定対象の識別情報と第１関連付け情報との関連付けを、ハンドオーバ先のセルに対応する第２測定対象の識別情報と該第１関連付け情報との関連付けに変更し、該第２測定対象の識別情報と第２関連付け情報の関連付けを、該第１測定対象の識別情報と該第２関連付け情報の関連付けに変更するように構成されていることを特徴とする移動局。
【請求項２】
測定規則の識別情報と測定対象の識別情報と関連付け情報とを関連付けて記憶するように構成されている測定情報記憶部と、
前記測定情報記憶部に記憶されている前記測定対象の識別情報によって規定されている周波数が用いられているセルにおける無線品質の測定を行うように構成されている測定部と、
前記無線品質の測定結果に基づいて、前記測定対象の識別情報に関連付けられている前記測定規則の識別情報によって定義されている判定条件が満たされると判定した場合に、無線基地局に対して測定報告を送信するように構成されている測定報告送信部と、
前記無線基地局からの指示に応じて、異周波数ハンドオーバを行うように構成されているハンドオーバ処理部とを具備し、
前記測定情報記憶部は、前記異周波数ハンドオーバが行われる場合で、かつ、ハンドオーバ先のセルに対応する第２測定対象の識別情報を記憶していない場合、現在通信中のセルに対応する第１測定対象の識別情報に関連付けられている第１関連付け情報を削除するように構成されていることを特徴とする移動局。
【請求項３】
前記無線基地局からの指示において、前記異周波数ハンドオーバを行うことに加えて、前記測定情報記憶部における記憶内容に対する変更を指示している場合、前記測定情報記憶部は、前記変更を行った後に、前記測定情報記憶部における記憶内容に対する変更を行うように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の移動局。
【請求項４】
無線基地局が、測定規則と測定対象とを関連付けて記憶するように構成されている移動局に対して、測定規則を追加或いは削除するように指定する測定規則指定コマンド、及び、測定対象を追加或いは削除するように指定する測定対象指定コマンドを送信する工程Ａと、
前記移動局が、記憶している前記測定対象によって規定されている周波数が用いられているセルにおける無線品質の測定を行う工程Ｂと、
前記移動局が、前記無線品質の測定結果に基づいて、前記測定対象に関連付けられている前記測定規則によって定義されている判定条件が満たされると判定した場合に、前記無線基地局に対して測定報告を送信する工程Ｃと、
前記無線基地局が、前記測定報告に基づいて、前記移動局が異周波数ハンドオーバを行うべきであるか否かについて決定する工程Ｄと、
前記移動局が、前記無線基地局からの指示に応じて、異周波数ハンドオーバを行う場合、前記異周波数ハンドオーバが行われる場合、現在通信中のセルに対応する第１測定対象の識別情報と第１関連付け情報との関連付けを、ハンドオーバ先のセルに対応する第２測定対象の識別情報と該第１関連付け情報との関連付けに変更し、該第２測定対象の識別情報と第２関連付け情報の関連付けを、該第１測定対象の識別情報と該第２関連付け情報の関連付けに変更する工程Ｅとを有することを特徴とする移動通信方法。
【請求項５】
無線基地局が、測定規則と測定対象とを関連付けて記憶するように構成されている移動局に対して、測定規則を追加或いは削除するように指定する測定規則指定コマンド、及び、測定対象を追加或いは削除するように指定する測定対象指定コマンドを送信する工程Ａと、
前記移動局が、記憶している前記測定対象によって規定されている周波数が用いられているセルにおける無線品質の測定を行う工程Ｂと、
前記移動局が、前記無線品質の測定結果に基づいて、前記測定対象に関連付けられている前記測定規則によって定義されている判定条件が満たされると判定した場合に、前記無線基地局に対して測定報告を送信する工程Ｃと、
前記無線基地局が、前記測定報告に基づいて、前記移動局が異周波数ハンドオーバを行うべきであるか否かについて決定する工程Ｄと、
前記移動局が、前記無線基地局からの指示に応じて、異周波数ハンドオーバを行う場合、かつ、ハンドオーバ先のセルに対応する第２測定対象の識別情報を記憶していない場合、現在通信中のセルに対応する第１測定対象の識別情報に関連付けられている第１関連付け情報を削除する工程Ｅとを有することを特徴とする移動通信方法。
【請求項６】
前記工程Ｅにおいて、前記無線基地局からの指示において、前記異周波数ハンドオーバを行うことに加えて、前記移動局における記憶内容に対する変更を指示している場合、前記移動局は、前記変更を行った後に、前記移動局における記憶内容に対する変更を行うことを特徴とする請求項４に記載の移動通信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
例えば、異周波数ハンドオーバが行われる場合、測定情報記憶部１３の記憶内容は、図１２に示す状態から図１３に示す状態に遷移する。すなわち、異周波数ハンドオーバが行われる場合、測定情報記憶部１３が、現在通信中のセルに対応する第１測定対象（ＬＴＥ/ｆ１）の識別情報（ＭＯ＃０）と、ハンドオーバ先のセルに対応する第２測定対象（ＬＴＥ/ｆ２）の識別情報（ＭＯ＃１）とを入れ替えることによって、ハンドオーバ先のセルに対応する第２測定対象（ＬＴＥ/ｆ２）の識別情報が「ＭＯ＃０」となり、現在通信中のセルに対応する第１測定対象（ＬＴＥ/ｆ１）の識別情報が「ＭＯ＃１」となる。ここで、ＭＩＤについては変更されない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
なお、測定情報記憶部１３は、異周波数ハンドオーバが行われる場合、ハンドオーバ先のセルに対応する第２測定対象の識別情報を記憶していない場合、第１測定対象の識別情報と第１測定規則の識別情報とを関連付ける前記第１関連付け情報を削除するように構成されていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月19日(2010.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリエステルフィルムの少なくとも片面に積層膜を有し、該積層膜上に金属層がパターン形状に加工された金属パターン層を有する光透過性電磁波シールドフィルムであって、
前記金属層が前記ポリエステルフィルムの積層膜上に気相製膜法で形成されたものであり、
前記積層膜が側鎖にカルボン酸基を有するポリエステル樹脂とメラミン系架橋剤を主たる構成成分とすることを特徴とする、光透過性電磁波シールドフィルム。
【請求項２】
前記側鎖にカルボン酸基を有するポリエステル樹脂が、ガラス転移点が０〜４０℃のポリエステル樹脂である、請求項１に記載の光透過性電磁波シールドフィルム。
【請求項３】
前記積層膜が、側鎖にカルボン酸基を有するポリエステル樹脂１００質量％に対してメラミン系架橋剤を０．５〜４０質量％含有する、請求項１または２に記載の光透過性電磁波シールドフィルム。
【請求項４】
前記側鎖にカルボン酸基を有するポリエステル樹脂が、実質的にスルホン酸基を含有しないポリエステル樹脂である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光透過性電磁波シールドフィルム。
【請求項５】
前記気相製膜法が、真空蒸着法、スパッタリング法、及びイオンプレート法の中のいずれかの方法である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光透過性電磁波シールドフィルム。
【請求項６】
前記金属層の厚みが１〜４μｍである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光透過性電磁波シールドフィルム。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の光透過性電磁波シールドフィルムの金属パターン層上に、機能性表面層が直接に配置されたことを特徴とする、ディスプレイ用フィルター。
【請求項８】
前記機能性表面層が、反射防止機能、防眩機能、及びハードコート機能の中から選ばれる少なくとも１つの機能を有する機能層である、請求項７に記載のディスプレイ用フィルター。
【請求項９】
更に、赤外線遮蔽機能、色調調整機能、可視光透過率調整機能及び紫外線遮蔽機能の中から選ばれる少なくとも１つの機能を有する、請求項７または８に記載のディスプレイ用フィルター。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月10日(2010.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ダイパッド部および前記ダイパッド部の近傍に配置された第１リードを有するリードフレームを用意する工程と、
（ｂ）表面に第１パッドが形成された半導体チップを用意する工程と、
（ｃ）前記ダイパッド部上に前記半導体チップを搭載する工程と、
（ｄ）超音波振動を利用したウェッジボンディング法によって、前記第１パッドの表面に金属リボンの一端を電気的に接続する工程と、
（ｅ）超音波振動を利用したウェッジボンディング法によって、前記第１リードの表面に前記金属リボンの他端を電気的に接続する工程と、
（ｆ）前記半導体チップ、前記第１リードおよび前記金属リボンを樹脂により封止する工程と、
を有する半導体装置の製造方法であって、
前記（ｄ）工程と前記（ｅ）工程とにおいて、前記第１パッドの表面および前記第１リードの表面上の前記金属リボンに前記超音波振動を印加するウェッジツールの先端部は、前記第１パッドから前記第１リードへ向かう第２方向と直交する第１方向に沿って延びる溝によって第１分岐部と第２分岐部とに分岐されており、
前記（ｄ）工程において、前記金属リボンの一端は、前記ウェッジツールの前記第１および第２分岐部を用いて前記第１パッドの表面に電気的に接続され、
前記（ｅ）工程において、前記金属リボンの他端は、前記ウェッジツールの前記第２分岐部は用いず、前記ウェッジツールの前記第１分岐部を用いて前記第１リードの表面に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１リードは、前記樹脂の外部に露出した複数のアウターリード部と、前記樹脂の内部において前記アウターリード部を連結する連結部とで構成され、
前記金属リボンの他端は、前記第１リードの前記連結部に接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１方向における前記第１分岐部の幅は、前記第１方向における前記第１リードの幅よりも狭いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程において、前記半導体チップは、Ａｇペーストを介して前記ダイパッド部に接合されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップの表面には、前記第１パッドよりも面積が小さい第２パッドがさらに形成され、
前記リードフレームは、前記ダイパッド部の近傍に配置された第２リードをさらに有し、
前記（ｅ）工程の後、前記（ｆ）工程に先立って、前記第２パッドの表面にＡｕワイヤの一端を電気的に接続し、前記第２リードの表面に前記Ａｕワイヤの他端を電気的に接続する工程をさらに有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記金属リボンは、Ａｌからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップにはパワーＭＯＳＦＥＴが形成され、前記第１パッドは、前記パワーＭＯＳＦＥＴのソース電極を構成していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記ウェッジツールは、前記溝の内部を減圧するための機構を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１分岐部、前記第２分岐部、および前記溝の前記第２方向における合計幅は、前記第１パッドの前記第２方向における幅に比べて同等以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記金属リボンは、複数のリボンであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程は、前記金属リボンの切断も含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１分岐部の面積は、前記第２分岐部の面積と異なることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１分岐部の面積は、前記第２分岐部の面積よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１分岐部の前記第２方向における幅は、前記２分岐部の前記第２方向における幅よりも狭いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１分岐部の前記第２方向における幅は、前記第１リードの前記第２方向における幅よりも狭いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の半導体装置の製造方法は、（ａ）ダイパッド部および前記ダイパッド部の近傍に配置された第１リードを有するリードフレームを用意する工程と、
（ｂ）表面に第１パッドが形成された半導体チップを用意する工程と、
（ｃ）前記ダイパッド部上に前記半導体チップを搭載する工程と、
（ｄ）超音波振動を利用したウェッジボンディング法によって、前記第１パッドの表面に金属リボンの一端を電気的に接続する工程と、
（ｅ）超音波振動を利用したウェッジボンディング法によって、前記第１リードの表面に前記金属リボンの他端を電気的に接続する工程と、
（ｆ）前記半導体チップ、前記第１リードおよび前記金属リボンを樹脂により封止する工程と、
を有し、
前記（ｄ）工程と前記（ｅ）工程とにおいて、前記第１パッドの表面および前記第１リードの表面上の前記金属リボンに前記超音波振動を印加するウェッジツールの先端部は、前記第１パッドから前記第１リードへ向かう第２方向と直交する第１方向に沿って延びる溝によって第１分岐部と第２分岐部とに分岐されており、
前記（ｄ）工程において、前記金属リボンの一端は、前記ウェッジツールの前記第１および第２分岐部を用いて前記第１パッドの表面に電気的に接続され、
前記（ｅ）工程において、前記金属リボンの他端は、前記ウェッジツールの前記第２分岐部は用いず、前記ウェッジツールの前記第１分岐部を用いて前記第１リードの表面に電気的に接続されるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月9日(2010.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
処理液の供給方法であって、
上記処理液に微細気泡を発生させる工程と、
微細気泡を含む処理液を貯液槽に貯える工程と、
貯液槽に貯えられた処理液にナノバブルよりも大きな気泡が含まれているか否かを光学的に検出する工程と、
上記処理液にナノバブルよりも大きな気泡が含まれていないことが検出されたときに貯えられたその処理液を上記貯液槽から供給可能とする工程と
を具備したことを特徴とする処理液の供給方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この発明は、処理液の供給方法であって、
上記処理液に微細気泡を発生させる工程と、
微細気泡を含む処理液を貯液槽に貯える工程と、
貯液槽に貯えられた処理液にナノバブルよりも大きな気泡が含まれているか否かを光学的に検出する工程と、
上記処理液にナノバブルよりも大きな気泡が含まれていないことが検出されたときに貯えられたその処理液を上記貯液槽から供給可能とする工程と
を具備したことを特徴とする処理液の供給方法にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
上記ナノバブル発生器３に供給される上記第１、第２の貯液槽１，２に貯えられた処理液Ｌ（純水）は、上記液体供給口金１６の傾斜角度θ１によって上記酸素と同様、反時計径方向に旋回し、しかも上記液体供給口金１６の傾斜角度θ２によって前部空間部６ｂ側に向かって進行する方向に流れる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月13日(2010.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランド部を含む複数の配線導体が主表面上に形成されたセラミックス配線基板と、
所定の厚みを有するとともに、前記ランド部の少なくとも一部を露出させる開口部を複数含み、かつ、前記配線導体の一部を覆うように前記セラミックス配線基板の前記主表面上に形成された絶縁体層と、
前記セラミックス配線基板の前記主表面上に実装された複数の電子部品とを備え、
前記複数の電子部品の各々は、導電性接着材を介して、前記開口部から露出された前記ランド部と電気的に接続されていることを特徴とする、モジュール基板。
【請求項２】
ランド部を含む配線導体を有する配線基板と、
前記ランド部を露出させる開口部を含み、かつ、前記配線導体の一部を覆うように前記配線基板の前記主表面上に形成された絶縁体層と、
前記配線基板の前記主表面上に実装された複数の電子部品とを備え、
前記複数の電子部品の各々は、導電性接着材を介して、前記開口部から露出された前記ランド部と電気的に接続されていることを特徴とする、モジュール基板。
【請求項３】
複数の層が積層され、配線導体が形成された配線基板と、
前記配線基板上に形成され、開口部を有する絶縁体層と、
前記開口部を介して、前記配線導体に電気的に接続された電子部品とを備え、
平面視において、前記絶縁体層が前記配線基板と同じ面積を有することを特徴とする、モジュール基板。
【請求項４】
複数の層が積層され、配線導体が形成された配線基板と、
前記配線基板上に形成され、開口部を有する絶縁体層と、
前記開口部を介して、前記配線導体に電気的に接続された電子部品とを備え、
前記開口部が、前記電子部品の電極毎に形成されていることを特徴とする、モジュール基板。
【請求項５】
前記複数の開口部は、前記複数のランド部と対応するように前記絶縁体層の所定領域にそれぞれ形成されており、
前記複数の開口部の各々は、対応する前記ランド部の所定領域のみを露出させるように構成されていることを特徴とする、請求項１に記載のモジュール基板。
【請求項６】
前記絶縁体層は、前記配線基板と実質的に同一の平面形状を有しており、
前記絶縁体層の側面と前記配線基板の側面とは、同一面となっていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のモジュール基板。
【請求項７】
前記配線基板は、多層配線基板から構成されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載のモジュール基板。
【請求項８】
前記絶縁体層は、セラミックス材料から構成されていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載のモジュール基板。
【請求項９】
前記配線導体は、ランド部を含み、
前記絶縁体層の厚みは、前記ランド部の厚みよりも大きいことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載のモジュール基板。
【請求項１０】
前記導電性接着材は、半田であることを特徴とする、請求項１または２に記載のモジュール基板。
【請求項１１】
前記電子部品は、少なくとも、半導体集積回路素子、抵抗素子、インダクタ素子、および、コンデンサ素子のいずれかを含むことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のモジュール基板。
【請求項１２】
前記配線基板および前記絶縁体層は、それぞれ、セラミックス材料から構成されており、
前記絶縁体層が、前記配線基板と同時に焼成されることにより、前記配線基板の前記主表面上に形成されていることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のモジュール基板。
【請求項１３】
前記セラミックス材料は、低温焼成セラミックス材料から構成されていることを特徴とする、請求項１２に記載のモジュール基板。
【請求項１４】
前記配線基板は、複数のセラミックス絶縁層が積層された構成を有しており、
前記セラミックス絶縁層は、低温焼成セラミックス材料から構成されていることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のモジュール基板。
【請求項１５】
前記低温焼成セラミックス材料は、前記配線導体と同時焼成が可能なセラミックス材料であることを特徴とする、請求項１３または１４に記載のモジュール基板。
【請求項１６】
前記低温焼成セラミックス材料は、セラミックス粉末にホウ珪酸系ガラスを混合してなるガラス複合系ＬＴＣＣ材料、ＺｎＯ−ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系の結晶化ガラスを用いた結晶化ガラス系ＬＴＣＣ材料、ＢａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系セラミックス粉末またはＡｌ２Ｏ３−ＣａＯ−ＳｉＯ２−ＭｇＯ−Ｂ２Ｏ３系セラミックス粉末を用いた非ガラス系ＬＴＣＣ材料の少なくとも１つを含んで構成されていることを特徴とする、請求項１５に記載のモジュール基板。
【請求項１７】
前記配線導体は、ＡｇまたはＣｕからなることを特徴とする、請求項１〜１６のいずれか１項に記載のモジュール基板。
【請求項１８】
前記電子部品は、導電性接着材を介して、前記配線導体と電気的に接続されており、
前記導電性接着材が、前記開口部の内側の領域に設けられていることを特徴とする、請求項１〜１７のいずれか１項に記載のモジュール基板。
【請求項１９】
前記電子部品は、フリップチップＩＣを含むことを特徴とする、請求項１〜１８のいずれか１項に記載のモジュール基板。
【請求項２０】
前記フリップチップＩＣは、ＢＧＡパッケージおよびＣＳＰパッケージを含むパッケージ形態に構成されていることを特徴とする、請求項１９に記載のモジュール基板。
【請求項２１】
前記配線基板の内部に電子部品が埋め込まれていることを特徴とする、請求項１〜２０のいずれか１項に記載のモジュール基板。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月24日(2010.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミド、（ｂ）エポキシ化合物および（ｃ）硬化促進剤を含有し、（ｂ）エポキシ化合物１００重量部に対し、（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドの含有量が１５〜９０重量部、（ｃ）硬化促進剤の含有量が０．１〜１０重量部であり、（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドが一般式（２）〜（７）のいずれかで表される構造を有し、かつエポキシ基と反応可能な官能基を側鎖および末端に各々少なくとも一つ有し、かつ一般式（１）で表される構造を一般式（２）〜（７）中のＲ４としてポリマー全量に対し３０〜５０重量％有するポリマーであり、（ｂ）エポキシ化合物が（ｂ−１）２５℃、１．０１３×１０５Ｎ／ｍ２において液状であるエポキシ化合物と（ｂ−２）２５℃、１．０１３×１０５Ｎ／ｍ２において固形であるエポキシ化合物を含有し、（ｂ−１）液状であるエポキシ化合物の含有量が全エポキシ化合物に対し２０重量％以上６０重量％以下である半導体用接着シート。
【化１】
2009147116.tif 000001
（式中、Ｒ１は２価の炭化水素基を示し、Ｒ２は１価の炭化水素基を示し、同じでも異なっていてもよい。ｎは１〜１０の整数を示す。）
【化２】
2009147116.tif 000002
（式中、Ｒ３は４〜１４価の有機基であり、Ｒ４は２〜１２価の有機基であって、Ｒ３、Ｒ４の少なくとも一つは１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、イソプロピル基、エーテル基、チオエーテル基およびＳＯ２基からなる群より選ばれる基を少なくとも一つ含有する。Ｒ５およびＲ６は、フェノール性水酸基、スルホン酸基およびチオール基からなる群より選ばれる基を少なくとも一つ有する有機基を示し、同じでも異なっていてもよい。Ｘは１価の有機基、Ｙは２価の有機基、Ｚは１価の有機基を示す。ｍは８〜２００の範囲を示す。αおよびβはそれぞれ０〜１０の整数を示し、α＋βは１〜１０の整数である。）
【請求項２】
請求項１記載の半導体用接着シートおよび基材を有する基材付き半導体用接着シート。
【請求項３】
前記半導体用接着シートと基材の間に、さらに粘着剤層を有する請求項２記載の基材付き半導体用接着シート。
【請求項４】
（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミド、（ｂ）エポキシ化合物および（ｃ）硬化促進剤を含有し、（ｂ）エポキシ化合物１００重量部に対し、（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドの含有量が１５〜９０重量部、（ｃ）硬化促進剤の含有量が０．１〜１０重量部であり、（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドが一般式（２）〜（７）のいずれかで表される構造を有し、かつエポキシ基と反応可能な官能基を側鎖および末端に各々少なくとも一つ有し、かつ一般式（１）で表される構造を一般式（２）〜（７）中のＲ４としてポリマー全量に対し３０〜５０重量％有するポリマーであり、（ｂ）エポキシ化合物が（ｂ−１）２５℃、１．０１３×１０５Ｎ／ｍ２において液状であるエポキシ化合物と（ｂ−２）２５℃、１．０１３×１０５Ｎ／ｍ２において固形であるエポキシ化合物を含有し、（ｂ−１）液状であるエポキシ化合物の含有量が全エポキシ化合物に対し２０重量％以上６０重量％以下である半導体用接着組成物。
【化３】
2009147116.tif 000003
（式中、Ｒ１は２価の炭化水素基を示し、Ｒ２は１価の炭化水素基を示し、同じでも異なっていてもよい。ｎは１〜１０の整数を示す。）
【化４】
2009147116.tif 000004
（式中、Ｒ３は４〜１４価の有機基であり、Ｒ４は２〜１２価の有機基であって、Ｒ３、Ｒ４の少なくとも一つは１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、イソプロピル基、エーテル基、チオエーテル基およびＳＯ２基からなる群より選ばれる基を少なくとも一つ含有する。Ｒ５およびＲ６は、フェノール性水酸基、スルホン酸基およびチオール基からなる群より選ばれる基を少なくとも一つ有する有機基を示し、同じでも異なっていてもよい。Ｘは１価の有機基、Ｙは２価の有機基、Ｚは１価の有機基を示す。ｍは８〜２００の範囲を示す。αおよびβはそれぞれ０〜１０の整数を示し、α＋βは１〜１０の整数である。）
【請求項５】
請求項４記載の半導体用接着組成物をシート化したシートおよび基材を有する基材付き半導体用接着シート。
【請求項６】
前記半導体用接着シートと基材の間に、さらに粘着剤層を有する請求項５記載の基材付き半導体用接着シート。
【請求項７】
請求項１記載の半導体用接着シートまたは請求項４記載の半導体用接着組成物から形成された耐熱性樹脂を有する半導体装置。
【請求項８】
電極が形成された半導体素子を複数個形成したウェハの上に、請求項１記載の半導体用接着シートまたは請求項４記載の半導体用接着組成物を半導体素子側にして仮接着し、その後ダイシングにより個片化を行い、個片化した半導体用接着シート付き半導体素子。
【請求項９】
電極が形成された半導体素子を複数個形成したウェハの上に、請求項２、３、５または６のいずれか記載の基材付き半導体用接着シートを、半導体接着シート面を半導体素子側にして仮接着し、続いて半導体素子が形成されていないウェハ面を研磨加工し、その後ダイシングにより個片化を行い、個片化した半導体用接着シート付き半導体素子。
【請求項１０】
電極が形成された半導体素子を複数個形成したウェハの上に、請求項１記載の半導体用接着シートまたは請求項４記載の半導体用接着組成物を半導体素子側にして仮接着し、その後ダイシングにより個片化を行い、個片化した半導体用接着シート付き半導体素子を実装基板に実装することにより、半導体素子上に形成された電極と実装基板の上の電極を直接接触させることで電気的接続を行う半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
電極が形成された半導体素子を複数個形成したウェハの上に、請求項２、３、５または６のいずれか記載の基材付き半導体用接着シートを、半導体接着シート面を半導体素子側にして仮接着し、続いて半導体素子が形成されていないウェハ面を研磨加工し、その後ダイシングにより個片化を行い、個片化した半導体用接着シート付き半導体素子を実装基板に実装することにより、半導体素子上に形成された電極と実装基板の上の電極を直接接触させることで電気的接続を行う半導体装置の製造方法。