【手続補正書】
【提出日】平成21年1月21日(2009.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バルク基板の上面上に形成された絶縁層と前記絶縁層の上面上に形成された単結晶半導体層を有する基板とを準備するステップと、
第２のフォトマスク上の第２のフィンパターンを第１のフォトマスク上の第１のフィンパターンに位置合わせするステップであって、前記第１のフィンパターンは第１及び第２の遠位端を有し、前記第２のフィンパターンは第１及び第２の遠位端を有する、ステップと、
前記半導体層内に第１のｆｉｎＦＥＴのフィンを形成するステップであって、前記第１のｆｉｎＦＥＴの前記フィンは前記第１のフィンパターンによって定められる、ステップと、
前記半導体層内に第２のｆｉｎＦＥＴのフィンを形成するステップであって、前記第２のｆｉｎＦＥＴの前記フィンは前記第２のフィンパターンによって定められる、ステップと
を含む方法。
【請求項２】
バルク基板の上面上に形成された絶縁層を有する基板と、
前記絶縁層の上面上の単結晶半導体の第１のフィンであって、前記第１のフィンは第１及び第２の遠位端を有する、単結晶半導体の第１のフィンと、
前記絶縁層の前記上面上の単結晶半導体の第２のフィンであって、前記第２のフィンは第１及び第２の遠位端を有する、単結晶半導体の第２のフィンと、
前記第１のフィンの前記第２の端部と前記第２のフィンの前記第１の端部との間の単結晶シリコン・ブロックであって、前記ブロックは前記第１及び第２のフィンと一体であり、かつ、前記第１のフィンと同じ結晶構造を有する、単結晶シリコン・ブロックと、
前記第１のフィンの上面に対してほぼ垂直な前記第１のフィンの結晶面と
を備え、
前記第１のフィンの長手方向軸及び前記第２のフィンの長手方向軸は、前記結晶面及び前記第１のフィンの前記上面に対してほぼ平行に位置合わせされ、
前記第１のフィンの前記長手方向軸及び前記第２のフィンの前記長手方向軸は、前記結晶面に対してほぼ垂直方向にオフセットされる、構造体。
【請求項３】
前記第１のフィンの前記第２の遠位端は、前記第２のフィンの前記第１の遠位端に当接し、前記第２のフィンは前記第１のフィンと一体である、請求項２に記載の構造体。
【請求項４】
前記第１のフィンの側壁及び前記上面に接触する第１のゲート、及び、前記第２のフィンの側壁及び上面と接触する第２のゲートであって、前記第１のゲートの長手方向軸は前記第１のフィンの前記長手方向軸と直交せず、前記第２のゲートの長手方向軸は前記第２のフィンの前記長手方向軸と直交せず、前記第１のゲートの前記長手方向軸は前記第２のゲートの前記長手方向軸に対してほぼ平行であり、前記第１及び第２のゲートはゲート誘電体の上にゲート電極を含む、第１のゲート及び第２のゲートをさらに含む、請求項２に記載の構造体。
【請求項５】
前記第１のフィンの前記上面上の第１の誘電体キャップと、前記第２のフィンの上面上の第２の誘電体キャップとをさらに含む、請求項２に記載の構造体。
【請求項６】
前記第１のフィンの側壁及び上面に接触する第１のゲート、及び、前記第２のフィンの側壁及び上面と接触する第２のゲートであって、前記第１のゲートの長手方向軸は前記第１のフィンの前記長手方向軸と直交せず、前記第２のゲートの長手方向軸は前記第２のフィンの前記長手方向軸と直交せず、前記第１のゲートの前記長手方向軸は前記第２のゲートの前記長手方向軸に対してほぼ平行であり、前記第１及び第２のゲートはゲート誘電体の上にゲート電極を含む、第１のゲート及び第２のゲートをさらに含む、請求項５に記載の構造体。
【請求項７】
前記第１及び第２のフィンは単結晶シリコンであり、前記第１及び第２のフィンの前記上面は（１００）面にあり、前記第１のフィンの長手方向軸及び前記第２のフィンの長手方向軸は、前記第１及び第２のフィンのそれぞれの{１００}面及び前記第１及び第２のフィンのそれぞれの上面に対してほぼ平行に位置合わせされる、請求項２に記載の構造体。
【請求項８】
前記第１のフィンの上の第１のゲート及び前記第２のフィンの上の第２のゲートであって、前記第１のゲートの長手方向軸は前記第１のフィンの前記長手方向軸から反時計周りに６７．５°回転され、前記第２のゲートの長手方向軸は前記第２のフィンの前記長手方向軸から時計回りに６７．５°回転され、前記第１のゲートの前記長手方向軸は前記第２のゲートの前記長手方向軸に対してほぼ平行である、第１のゲート及び第２のゲートをさらに含む、請求項７に記載の構造体。
【請求項９】
前記第１及び第２のフィンは単結晶シリコンであり、前記第１及び第２のフィンの前記上面は（１１０）面にあり、前記第１のフィンの長手方向軸及び前記第２のフィンの長手方向軸は、第１及び第２のフィンのそれぞれ{１１０}面及び前記第１及び第２のフィンのそれぞれ上面に対してほぼ平行に位置合わせされる、請求項２に記載の構造体。
【請求項１０】
前記第１のフィンの上の第１のゲート及び前記第２のフィンの上の第２のゲートであって、前記第１のゲートの長手方向軸は前記第１のフィンの前記長手方向軸から時計周りに６７．５°回転され、前記第２のゲートの長手方向軸は前記第２のフィンの前記長手方向軸から時計回りに６７．５°回転され、前記第１のゲートの前記長手方向軸は前記第２のゲートの前記長手方向軸に対してほぼ平行である、第１のゲート及び第２のゲートをさらに含む、請求項９に記載の構造体。
【請求項１１】
バルク基板の上面上に形成された絶縁層を有する基板と、
前記絶縁層の上面上の単結晶シリコンの第１のフィンであって、前記第１のフィンは第１及び第２の遠位端を有し、前記第１のフィンの上面は前記第１のフィンの結晶構造の（１００）面と同一平面上にあり、前記第１のフィンの長手方向軸は前記第１のフィンの前記結晶構造の｛１００｝面に対してほぼ平行である、単結晶シリコンの第１のフィンと、
前記絶縁層の上面上の単結晶シリコンの第２のフィンであって、前記第２のフィンは第１及び第２の遠位端を有し、前記第２のフィンの上面は前記第２のフィンの結晶構造の（１００）面と同一平面上にあり、前記第１のフィンの長手方向軸は前記第２のフィンの前記結晶構造体の｛１００｝面に対してほぼ平行である、単結晶シリコンの第２のフィンと、
前記第１のフィンの前記第２の端部と前記第２のフィンの前記第１の端部との間の第１の単結晶シリコン・ブロックであって、前記第１のブロックは前記第１及び第２のフィンと一体であり、かつ、前記同じ結晶構造を有する、第１の単結晶シリコン・ブロックと、
前記絶縁層の上面上の単結晶シリコンの第３のフィンであって、前記第３のフィンは第１及び第２の遠位端を有し、前記第３のフィンの上面は前記第３のフィンの結晶構造の（１１０）面と同一平面上にあり、前記第１のフィンの長手方向軸は前記第３のフィンの前記結晶構造の{１１０}面に対してほぼ平行である、単結晶シリコンの第３のフィンと、
前記絶縁層の上面上の単結晶シリコンの第４のフィンであって、前記第４のフィンは第１及び第２の遠位端を有し、前記第４のフィンの上面は前記第４のフィンの結晶構造の（１１０）面と同一平面上にあり、前記第４のフィンの長手方向軸は前記第４のフィンの前記結晶構造の{１１０}面に対してほぼ平行であり、前記第３のフィンの前記第２の遠位端は前記第４のフィンの前記第１の遠位端に当接し、前記第４のフィンは前記第３のフィンと一体である、単結晶シリコンの第４のフィンと、
前記第４のフィンの前記第２の端部と前記第３のフィンの前記第１の端部との間の第２の単結晶シリコン・ブロックであって、前記第２のブロックは前記第３及び第４のフィンと一体であり、かつ、前記同じ結晶構造を有する、第２の単結晶シリコン・ブロックと
を備え、
前記第１のフィンの前記長手方向軸及び前記第２のフィンの前記長手方向軸は、共通の{１００}面に対してほぼ垂直方向にオフセットされ、
前記第３のフィンの前記長手方向軸及び前記第４のフィンの前記長手方向軸は、共通の{１１０}面に対してほぼ垂直方向にオフセットされ、
前記第１、第２、第３及び第４のフィンは同じ結晶構造を有する、構造体。
【請求項１２】
１つ又は複数の層を有する基板を準備するステップと、
前記１つ又は複数の層の最上層上の第１のフォトレジスト層内に第１の像及び第１の位置合わせターゲット像を形成するステップと、
前記１つ又は複数の層の前記最上層上の第２のフォトレジスト層内に第２の像及び第２の位置合わせターゲット像を形成するステップと、
前記第１の像及び前記第１の位置合わせターゲット像を前記１つ又は複数の層の１つ又は複数に転写し、これにより、前記１つ又は複数の層の少なくとも１つの中に第１のフィーチャ及び第１の位置合わせターゲットが形成されるステップと、
前記第２の像及び前記第２の位置合わせターゲット像を前記１つ又は複数の層の１つ又は複数に転写し、これにより、前記１つ又は複数の層の少なくとも１つの中に第２のフィーチャ及び第２の位置合わせターゲットが形成されるステップと、
前記第１及び第２のフォトレジスト層を除去するステップと、
前記最上層上に形成された付加的な層上、又は、前記１つ又は複数の層の残りの最上層上に第３のフォトレジスト層を形成するステップと、
フォトマスクの位置合わせマークを前記第１及び第２の位置合わせターゲットに同時に位置合わせするステップであって、前記フォトマスクは第３及び第４の像を含む、ステップと、
前記第３及び第４の像を前記付加的な層に転写し、これにより、前記付加的な層内に第３及び第４のフィーチャが形成されるステップと
含む方法。
【請求項１３】
前記第１及び第２のフォトレジスト層は同じ層である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の像はｆｉｎＦＥＴの第１のフィンのものであり、前記第２の像はｆｉｎＦＥＴの第２のフィンのものであり、前記第３の像は前記第１のｆｉｎＦＥＴのゲートのものであり、前記第４の像は前記第２のｆｉｎＦＥＴのゲートのものである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の位置合わせターゲット、前記第２の位置合わせターゲット、及び前記位置合わせマークは第１及び第２の端部を有するバーであり、前記第１及び第２の位置合わせターゲットは列状に配置され、前記第１及び第２の位置合わせターゲットの前記第１の端部は前記列の第１の側上に配置され、前記第１及び第２の位置合わせターゲットの前記第２の端部は前記列の第２の側上に配置され、前記第１の位置合わせターゲットの長手方向軸は前記第２の位置合わせターゲットの長手方向軸とほぼ平行であり、前記第１及び第２の位置合わせターゲットは互いに噛み合わされ、
前記位置合わせマークを、前記第１の位置合わせターゲットと第２の位置合わせターゲットとの間に位置決めし、前記位置合わせマークの長手方向軸を、前記第１又は第２の位置合わせターゲットの前記長手方向軸とほぼ平行に位置合わせするステップと、
前記位置合わせターゲットに対して前記位置合わせマークの前記位置を調整し、前記第１の位置合わせターゲットの前記第１の端部と前記位置合わせマークの前記第１の端部との間の第１の距離が、前記第２の位置合わせターゲットの前記第２の端部と前記位置合わせマークの前記第２の端部との間の第２の距離とほぼ等しくなるようにするステップであって、前記第１及び第２の距離は、前記第１の位置合わせターゲット、前記第２の位置合わせターゲット、又は前記位置合わせマークの前記長手方向軸に対してほぼ平行方向に測定される、ステップと、
をさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記位置合わせマークを前記第１の位置合わせターゲットと前記第２の位置合わせターゲットとの間に位置合わせする前記ステップは、
前記基板に対して前記フォトマスクを移動させて、前記位置決めするステップ及び前記調整するステップに影響を及ぼすステップをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１の位置合わせターゲット、前記第２の位置合わせターゲット、及び前記位置合わせマークは第１及び第２の端部を有するバーであり、前記第１及び第２の位置合わせターゲットは、ターゲット列状に配置され、前記第１及び第２の位置合わせターゲットの前記第１の端部は前記ターゲット列の第１の側上に配置され、前記第１及び第２の位置合わせターゲットの前記第２の端部は前記ターゲット列の第２の側上に配置され、前記第１の位置合わせターゲットの長手方向軸は、前記第２の位置合わせターゲットの長手方向軸とほぼ平行であり、前記第１及び第２の位置合わせターゲットは互いに噛み合わされ、
前記ターゲット列の前記第１の側上に前記位置合わせマークの第１のサブセットの第１の列を位置決めし、前記ターゲット列の前記第２の側上に前記位置合わせマークの第２のサブセットの第２の列を位置決めし、前記位置合わせマークの長手方向軸を、前記第１又は第２の位置合わせターゲットの前記長手方向軸とほぼ平行に位置合わせするステップと、
前記位置合わせターゲットに対して前記位置合わせマークの前記位置を調整し、前記第１の位置合わせターゲットの前記第１の端部と前記第１の列の前記位置合わせマークの前記第２の端部との間の第１の距離が、前記第２の位置合わせターゲットの前記第２の端部と前記位置合わせマークの前記第１の端部との間の第２の距離とほぼ等しくなり、かつ、前記第１の位置合わせターゲットの前記第２の端部と前記第２の列の前記位置合わせマークの前記第１の端部との間の第３の距離が、前記第２の位置合わせターゲットの前記第１の端部と前記第１の列の前記位置合わせマークの前記第２の端部との間の第４の距離とほぼ等しくなるようにするステップであって、前記第１、第２、第３、及び第４の距離は、前記第１の位置合わせターゲット、前記第２の位置合わせターゲット、又は前記位置合わせマークの前記長手方向軸に対してほぼ平行方向に測定される、ステップと
をさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記位置合わせマークを前記位置合わせターゲット間に位置合わせする前記ステップは、
前記基板に対して前記フォトマスクを移動させて、前記位置決めするステップ及び前記調整するステップに影響を及ぼすステップをさらに含む、請求項１７に記載の方法。