Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月18日(2011.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内燃機関のシリンダヘッドに締結される筒状の主体金具と、この主体金具の内周部に配設される柱状の中心電極と、前記主体金具に取り付けられるとともに前記中心電極の軸方向端部と対向する接地電極とを備え、前記接地電極を前記中心電極の中心軸方向から視た場合、前記接地電極の前記中心電極と対向する部分である先端部を、前記シリンダヘッドの燃焼室に設けられた吸気バルブから排気バルブヘの空気の流れ方向と直交する方向に延びるように配設した内燃機関用スパークプラグにおいて、前記中心電極の中心軸方向から視た前記接地電極の前記先端部を、前記中心電極の軸心を通るとともに前記空気の流れ方向と直交する仮想平面によって、前記空気の流れ方向の上流側の先端上流部と前記空気の流れ方向の下流側の先端下流部とに分割した場合に、前記先端下流部の面積を前記先端上流部の面積と比べて大きく設定したことを特徴とする内燃機関用スパークプラグ。
【請求項２】
前記先端上流部の体積を、前記先端下流部の面積を増加させたことによる前記先端下流部の体積増加と略一致する分だけ減少したことを特徴とする請求項１に記載の内燃機関用スパークプラグ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで、この発明の目的は、スパークが発生する箇所の接地電極の面積を増加させ、接地電極の磨耗を抑制して長寿命化を図る内燃機関用スパークプラグを提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、この場合、先端上流部１７の体積Ａ１は、先端下流部１８の面積を増加させたことによる接地電極１１の先端下流部１８の体積増加と略一致する分だけ減少されている。
つまり、図６に示すように、接地電極１１の先端部１３において、従来（図面上では「従来品」と記する）では、先端上流部１１０の体積Ａ２と先端下流部１１１の体積Ｂ２とが同一でトータル（ＴＯＴＡＬ）の体積Ａ２＋Ｂ２があったが、この実施例（図面上では「提案品」と記する）では、先端下流部１８の体積Ｂ１で従来の体積Ｂ２よりも増加した分（Ｇ）、先端上流部１７で体積（Ｇ）だけ減少されるが、トータルの体積Ａ１＋Ｂ１が従来のトータルの体積Ａ２＋Ｂ２と同一である。よって、接地電極１１の先端部１３においては、前記空気の流れ方向Ｆの先端下流部１８に体積（Ｇ）を増やした形状へ変更しつつ、トータルの体積が同じであるため、初期火炎の成長への影響がない。この実施例における前記トータル（ＴＯＴＡＬ）の体積Ａ１＋Ｂ１は、従来のトータル（ＴＯＴＡＬ）の体積Ａ２＋Ｂ２と同一になるように、前記先端面１４の位置Ｄを基点とする前記角度θによって設定される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この実施例においては、従来と同じ条件下でスパークプラグ８でスパークさせると、図１〜図３に示すように、従来と同様に（図８参照）、スパークは、前記空気の流れ方向Ｆの下流側に流され、面積の増加した先端下流部１８ヘ拡がる。そして、接地電極１１の先端部１３のプラグ対向面１６が磨耗するが、図２に示すように、磨耗範囲Ｋが絶縁体１２の外周面１２ｓに位置する切欠斜面１９の略中間部位Ｍから絶縁体１２の外周面１２ｓに沿って延びる曲線に囲まれた範囲となる。この際、スパークが集中する先端下流部１８の面積を従来と比べ増加させるために、図３に示すように、中心電極１０の軸心１０ｃを通る断面において、中心電極１０の電極端面１５と先端部１３のプラグ対向面１６での磨耗面２２との間のギャップ（隙間）の拡大進行を遅延し、スパークプラグ８の使用寿命を長くできる。
つまり、前記空気の流れ方向Ｆに合わせて接地電極１１の先端部１３の配置を行うことにより、スパークが流される方向を特定することができる。また、先端部１３の前記空気の流れ方向Ｆの下流側の先端下流部１８の面積を大きくすることにより、接地電極１１の先端部１３の磨耗を遅延できる。この場合でも、接地電極１１の先端部１３の体積は従来と同等であることにより、接地電極１１の熱容量の増加を防止できる。よって、接地電極１１が火炎核から奪う熱量を低減でき、初期火炎の成長を妨げるおそれがない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
以上、この発明の実施例について説明してきたが、上述の実施例の構成を請求項毎に当てはめて説明する。
先ず、請求項１に係る発明において、中心電極１０の中心軸方向から視た接地電極１１の先端部１３を、中心電極１０の軸心１０ｃを通るとともに吸気バルブ６から排気バルブ７に向かう空気の流れ方向Ｆと直交する仮想平面Ｐによって前記空気の流れ方向Ｆの上流側の先端上流部１７と前記空気の流れ方向Ｆの下流側の先端下流部１８とに分割した場合に、先端下流部１８の面積を先端上流部１７の面積と比べて大きく設定している。
これにより、スパークが集中する接地電極１１の先端部１３の先端下流部１８の面積を先端上流部１７の面積と比べて大きくしてスパークが発生する箇所の面積を増加させたため、先端下流部１８の磨耗を抑制でき、スパークプラグ８の長寿命化を図ることができる。
請求項２に係る発明において、先端上流部１７の体積を、先端下流部１８の面積を増加させたことによる接地電極１１の先端下流部１８の体積増加と略一致する分だけ減少している。
これにより、接地電極１１の先端部１３の熱容量の増加を防止でき、よって、接地電極１１の先端部１３が火炎核から奪う熱量を低減でき、初期火炎の成長を妨げることがない。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月1日(2011.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極および負極と共に電解液を備え、
前記負極は、負極集電体上に負極活物質層を有し、
前記負極活物質層は、ケイ素（Ｓｉ）を構成元素として有する結晶性の負極活物質を含むと共に、前記負極集電体に連結されている、二次電池。
【請求項２】
前記負極活物質は、ケイ素の単体、合金および化合物からなる群のうちの少なくとも１種であり、前記負極活物質層は、前記負極集電体との界面のうちの少なくとも一部において合金化している、請求項１記載の二次電池。
【請求項３】
前記負極活物質層は、多層構造を有する部分を含む、請求項１記載の二次電池。
【請求項４】
前記負極活物質層は、その内部に空隙を有する、請求項１記載の二次電池。
【請求項５】
前記負極活物質層は、前記負極集電体に接触している部分と、前記負極集電体に接触していない部分とを有する、請求項１記載の二次電池。
【請求項６】
前記負極活物質は、複数の粒子状であり、前記負極活物質のうちの少なくとも一部は、前記負極集電体の表面に沿った方向において扁平状をなしている、請求項１記載の二次電池。
【請求項７】
Ｘ線回折によって得られる前記負極活物質の（１１１）結晶面における回折ピークの半値幅（２θ）は、２０°以下である、請求項１記載の二次電池。
【請求項８】
Ｘ線回折によって得られる前記負極活物質の（１１１）結晶面に起因する結晶子サイズは、１０ｎｍ以上である、請求項１記載の二次電池。
【請求項９】
Ｘ線回折によって得られる前記負極活物質の（１１１）結晶面に起因する結晶子サイズは、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である、請求項１記載の二次電池。
【請求項１０】
前記負極活物質は、酸素を構成元素として有し、前記負極活物質中における酸素の含有量は、１．５原子数％以上４０原子数％以下である、請求項１記載の二次電池。
【請求項１１】
前記負極活物質は、その厚さ方向において、酸素を含有する酸素含有領域を有し、前記酸素含有領域中における酸素の含有量は、それ以外の領域における酸素の含有量よりも高い、請求項１記載の二次電池。
【請求項１２】
前記負極活物質は、鉄、ニッケル、モリブデン、チタン、クロム、コバルト、銅、マンガン、亜鉛、ゲルマニウム、アルミニウム、ジルコニウム、銀、スズ、アンチモンおよびタングステンからなる群のうちの少なくとも１種の金属元素を構成元素として有する、請求項１記載の二次電池。
【請求項１３】
前記負極活物質は、金属元素を構成元素として有する部分を含み、その部分は、合金状態あるいは化合物状態である、請求項１記載の二次電池。
【請求項１４】
前記負極活物質層は、溶射法によって形成されている、請求項１記載の二次電池。
【請求項１５】
前記負極集電体の表面の十点平均粗さＲｚは、１．５μｍ以上である、請求項１記載の二次電池。
【請求項１６】
前記負極集電体の表面の十点平均粗さＲｚは、３μｍ以上３０μｍ以下である、請求項１記載の二次電池。
【請求項１７】
前記正極、前記負極および前記電解液は、円筒型あるいは角型の外装部材の内部に収納され、前記外装部材は、鉄あるいは鉄合金を含有する、請求項１記載の二次電池。
【請求項１８】
リチウムイオン二次電池である、請求項１記載の二次電池。
【請求項１９】
負極集電体上に負極活物質層を有し、
前記負極活物質層は、ケイ素を構成元素として有する結晶性の負極活物質を含むと共に、前記負極集電体に連結されている、二次電池用負極。
【請求項２０】
請求項１ないし請求項１８のうちのいずれか１項に記載された二次電池を備えた、電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】二次電池用負極および二次電池  
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、負極集電体上に負極活物質層を有する二次電池用負極、およびそれを備えた二次電池に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、サイクル特性および初回充放電特性を向上させることが可能な二次電池用負極および二次電池を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の二次電池用負極は、負極集電体上に負極活物質層を有し、負極活物質層がケイ素を構成元素として有する結晶性の負極活物質を含むと共に負極集電体に連結されているものである。また、本発明の二次電池は、正極および負極と共に電解液を備えたものであって、負極が上記した構成を有するものである。また、本発明の電子機器は、本発明の二次電池を備えたものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の二次電池用負極によれば、負極活物質層がケイ素を構成元素として有する結晶性の負極活物質を含むと共に負極集電体に連結されている。この場合には、負極活物質が非結晶性（非晶質）である場合や、負極活物質層が負極集電体に連結されていない場合と比較して、負極活物質の物性が経時変化しにくくなると共に、電極反応時において負極活物質層が膨張および収縮しにくくなる。したがって、本発明の二次電池用負極を用いた二次電池およびその二次電池を備えた電子機器によれば、サイクル特性および初回充放電特性を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月17日(2010.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
燃料電池と、
前記燃料電池を、当該燃料電池を通常に発電させる通常発電モード、又は、当該燃料電池内に付着あるいは残留する水分の排出を優先する水分排出発電モードで発電させる発電制御手段と、
前記燃料電池内に付着あるいは残留する水分量を算出する水分量算出部と、
を備え、
前記燃料電池が通常発電モードで発電している場合において、前記水分量算出部で算出された前記燃料電池内の水分量が、水分排出発電モードに移行させるべき第１所定値以上であるとき、前記発電制御手段は、通常発電モードから水分排出発電モードに移行させる
ことを特徴とする燃料電池システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記課題を解決するための手段として、本発明は、燃料電池と、前記燃料電池を、当該燃料電池を通常に発電させる通常発電モード、又は、当該燃料電池内に付着あるいは残留する水分の排出を優先する水分排出発電モードで発電させる発電制御手段と、前記燃料電池内に付着あるいは残留する水分量を算出する水分量算出部と、を備え、前記燃料電池が通常発電モードで発電している場合において、前記水分量算出部で算出された前記燃料電池内の水分量が、水分排出発電モードに移行させるべき第１所定値以上であるとき、前記発電制御手段は、通常発電モードから水分排出発電モードに移行させることを特徴とする燃料電池システムである。
なお、水分量算出部は、例えば、後記する実施形態のように、電流検出手段が検出した燃料電池の出力電流に基づいて、燃料電池内の水分量を算出する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月18日(2011.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
しきい値設定手段が、解析対象となる記録媒体の種類及びしきい値を設定するしきい値設定ステップと、
算出手段が、設計された搬送経路内を前記記録媒体が搬送される際の前記記録媒体に関する物理量を時間刻みで算出し、その結果を記憶手段に記憶させる算出ステップと、
出力手段が、前記算出ステップにおいて算出した物理量の連続する時間刻みの間での変化量が前記しきい値以下の時間帯では、前記変化量が前記しきい値を超える時間帯よりも多い時間刻み毎に前記物理量を出力する出力ステップと、
を有することを特徴とする解析方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る解析方法は、しきい値設定手段が、解析対象となる記録媒体の種類及びしきい値を設定するしきい値設定ステップと、算出手段が、設計された搬送経路内を前記記録媒体が搬送される際の前記記録媒体に関する物理量を時間刻みで算出し、その結果を記憶手段に記憶させる算出ステップと、出力手段が、前記算出ステップにおいて算出した物理量の連続する時間刻みの間での変化量が前記しきい値以下の時間帯では、前記変化量が前記しきい値を超える時間帯よりも多い時間刻み毎に前記物理量を出力する出力ステップと、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月31日(2011.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
参照光と信号光を光情報記録媒体に照射し、ホログラフィを利用してデジタル情報を記録および再生する光情報記録再生装置であって、
参照光と信号光を光情報記録媒体に照射するピックアップと、
前記光ピックアップから照射された前記参照光の位相共役光を生成する位相共役光学系と、
前記光情報記録媒体のプリキュア及びポストキュアに用いる光ビームを生成するディスクキュア光学系と、
前記光情報記録媒体の欠陥の識別に用いる光ビームを生成する欠陥識別光学系とを備え、
前記欠陥識別光学系から出射され光情報記録媒体を透過もしくは反射した光を受ける光検出器を備える事を特徴とする光情報記録再生装置。
【請求項２】
前記欠陥識別光学系から出射され光情報記録媒体を透過もしくは反射した光の光量に基づき、情報記録可能かどうかを検知することを特徴とする請求項１に記載の光情報記録再生装置。
【請求項３】
参照光と信号光を光情報記録媒体に照射し、ホログラフィを利用してデジタル情報を記録および再生する光情報記録再生装置であって、
参照光と信号光を光情報記録媒体に照射するピックアップと、
前記光ピックアップから照射された前記参照光の位相共役光を生成する位相共役光学系と、
前記光情報記録媒体のプリキュア及びポストキュアに用いる光ビームを生成するディスクキュア光学系とを備え、
前記ディスクキュア光学系から出射され光情報記録媒体を透過もしくは反射した光を受ける光検出器を備える事を特徴とする光情報記録再生装置。
【請求項４】
前記ディスクキュア光学系から出射され光情報記録媒体を透過もしくは反射した光の光量に基づき情報記録可能かどうかを検知することを特徴とする請求項３に記載の光情報記録再生装置。
【請求項５】
参照光と信号光を光情報記録媒体に照射し、ホログラフィを利用してデジタル情報を記録および再生するホログラフィ記録再生装置であって、
参照光と信号光を光情報記録媒体に照射するピックアップと、
前記光ピックアップから照射された前記参照光の位相共役光を生成する位相共役光学系とを備え、
ホログラフィ記録時に情報記録媒体へ出射された参照光もしくは信号光の透過光もしくは反射光の光量に基づき情報の記録を続けるか、中断するかを判断することを特徴とする光情報記録再生装置。
【請求項６】
前記光情報記録媒体を透過もしくは反射した光の光量により情報の記録を行わなかった位置情報を、光情報記録媒体の光情報記録媒体に関する情報を記録するコントロールデータ領域に記録することを特徴とする、請求項２、請求項４又は請求項５いずれか１項に記載の光情報記録再生装置。
【請求項７】
前記コントロールデータ領域への情報の記録が、記録処理が終わった後に行われることを特徴とする請求項６に記載の光情報記録再生装置。
【請求項８】
前記コントロールデータ領域への情報の記録が、前記光情報記録媒体の媒体取り出し操作を契機に行われることを特徴とする請求項６に記載の光情報記録再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
例えば一例として、参照光と信号光を光情報記録媒体に照射し、ホログラフィを利用してデジタル情報を記録および再生する光情報記録再生装置であって、参照光と信号光を光情報記録媒体に照射するピックアップと、前記光ピックアップから照射された前記参照光の位相共役光を生成する位相共役光学系および／または前記光情報記録媒体のプリキュア及びポストキュアに用いる光ビームを生成するディスクキュア光学系および／または前記光情報記録媒体の欠陥の識別に用いる光ビームを生成する欠陥識別光学系とを備え、前記欠陥識別光学系から出射され光情報記録媒体を透過もしくは反射した光を受ける光検出器を備える事を特徴とする光情報記録再生装置等を用いる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月30日(2011.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部装置が再生したストリームの蓄積部への蓄積と再生表示を実行する映像蓄積再生装置であって、
前記外部装置から受信したストリームの再生表示を実行する再生表示手段と、
前記外部装置から受信したストリームが通常再生によるストリームであるか否かを前記受信したストリームに含まれる識別情報から判断する判断手段と、
前記判断手段により、前記受信したストリームが通常再生によるストリームであると判断された場合には、前記再生表示手段による再生表示と並行して前記蓄積部に当該ストリームを蓄積し、前記受信したストリームが通常再生以外のストリームであると判断された場合には、前記再生表示手段による再生表示と並行して前記蓄積部に当該ストリームを蓄積しない蓄積手段と、
前記蓄積手段によって蓄積されなかった未蓄積ストリームが存在する場合に、当該未蓄積ストリームを伝送するよう前記外部装置に要求するとともに、当該要求に基づいて送信された未蓄積ストリームを前記蓄積部に蓄積するよう蓄積手段を制御する制御手段と、を有することを特徴とする映像蓄積再生装置。
【請求項２】
前記蓄積手段は、前記判断手段が通常再生によるストリームであると判断した場合であっても、当該ストリームが既に蓄積済みのストリームと同じである場合には、当該ストリームを前記蓄積部に蓄積しないことを特徴とする請求項１に記載の映像蓄積再生装置。
【請求項３】
前記外部装置から送信されるストリームには、所定のサイズ単位のデータに対して、ストリームの順序を識別するための識別情報が付与されており、前記判断手段は当該識別情報に基づいて、受信したストリームが通常再生によるストリームであるか否かを判断することを特徴とする請求項１又は２に記載の映像蓄積再生装置。
【請求項４】
前記通常再生以外のストリームは、早送りまたは巻き戻しによりトリックプレイされたストリームであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の映像蓄積再生装置。
【請求項５】
外部装置が再生したストリームの蓄積部への蓄積と再生表示を実行する映像蓄積再生装置の制御方法であって、
前記外部装置から受信したストリームの再生表示を実行する再生表示ステップと、
前記外部装置から受信したストリームが通常再生によるストリームであるか否かを前記受信したストリームに含まれる識別情報から判断する判断ステップと、
前記判断ステップにより、前記受信したストリームが通常再生によるストリームであると判断された場合には、前記再生表示ステップでの再生表示と並行して前記蓄積部に当該ストリームを蓄積し、前記受信したストリームが通常再生以外のストリームであると判断された場合には、前記再生表示ステップでの再生表示と並行して前記蓄積部に当該ストリームを蓄積しない制御を行う蓄積ステップと、
前記蓄積ステップによって蓄積されなかった未蓄積ストリームが存在する場合に、当該未蓄積ストリームを伝送するよう前記外部装置に要求するとともに、当該要求に基づいて送信された未蓄積ストリームを前記蓄積部に蓄積するよう蓄積手段を制御する制御ステップと、を有することを特徴とする映像蓄積再生装置の制御方法。
【請求項６】
前記蓄積ステップでは、前記判断ステップで通常再生によるストリームであると判断した場合であっても、当該ストリームが既に蓄積済みのストリームと同じである場合には、当該ストリームを前記蓄積部に蓄積しないことを特徴とする請求項５に記載の映像蓄積再生装置の制御方法。
【請求項７】
前記外部装置から送信されるストリームには、所定のサイズ単位のデータに対して、ストリームの順序を識別するための識別情報が付与されており、
前記判断ステップでは、当該識別情報に基づいて、受信したストリームが通常再生によるストリームであるか否かを判断することを特徴とする請求項５又は６に記載の映像蓄積再生装置の制御方法。
【請求項８】
前記通常再生以外のストリームは、早送りまたは巻き戻しによりトリックプレイされたストリームであることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の映像蓄積再生装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、請求項１記載の映像蓄積再生装置は、外部装置が再生したストリームの蓄積部への蓄積と再生表示を実行する映像蓄積再生装置であって、前記外部装置から受信したストリームの再生表示を実行する再生表示手段と、前記外部装置から受信したストリームが通常再生によるストリームであるか否かを前記受信したストリームに含まれる識別情報から判断する判断手段と、前記判断手段により、前記受信したストリームが通常再生によるストリームであると判断された場合には、前記再生表示手段による再生表示と並行して前記蓄積部に当該ストリームを蓄積し、前記受信したストリームが通常再生以外のストリームであると判断された場合には、前記再生表示手段による再生表示と並行して前記蓄積部に当該ストリームを蓄積しない蓄積手段と、前記蓄積手段によって蓄積されなかった未蓄積ストリームが存在する場合に、当該未蓄積ストリームを伝送するよう前記外部装置に要求するとともに、当該要求に基づいて送信された未蓄積ストリームを前記蓄積部に蓄積するよう蓄積手段を制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項５記載の映像蓄積再生装置の制御方法は、外部装置が再生したストリームの蓄積部への蓄積と再生表示を実行する映像蓄積再生装置の制御方法であって、前記外部装置から受信したストリームの再生表示を実行する再生表示ステップと、前記外部装置から受信したストリームが通常再生によるストリームであるか否かを前記受信したストリームに含まれる識別情報から判断する判断ステップと、前記判断ステップにより、前記受信したストリームが通常再生によるストリームであると判断された場合には、前記再生表示ステップでの再生表示と並行して前記蓄積部に当該ストリームを蓄積し、前記受信したストリームが通常再生以外のストリームであると判断された場合には、前記再生表示ステップでの再生表示と並行して前記蓄積部に当該ストリームを蓄積しない制御を行う蓄積ステップと、前記蓄積ステップによって蓄積されなかった未蓄積ストリームが存在する場合に、当該未蓄積ストリームを伝送するよう前記外部装置に要求するとともに、当該要求に基づいて送信された未蓄積ストリームを前記蓄積部に蓄積するよう蓄積手段を制御する制御ステップと、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月28日(2011.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
好ましくは、前記リミッタは、前記マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システムに形成され、面内において前記クランプ力の方向と垂直な双方向への前記クランパの動きを規制する第１のリミッタと、前記ジンバルに形成され、前記面内における前記クランプ力の方向と垂直な双方向への前記クランパの動きを規制する第２のリミッタとを有する。これにより、クランパの状態にかかわらず効果的にクランパの動きを規制することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
本明細書において、ヘッド・スライダ２とベース・プレート１４とを結ぶ方向を前後方向（図２（ｃ）におけるＹ）、ヘッド・スライダのＡＢＳに平行であって前後方向に垂直な方向を左右方向（図２（ｃ）におけるＸ）と呼ぶ。また、Ｘ、Ｙ方向に対して垂直方向をＺと呼ぶ（図２（ｂ）におけるＺ）。ヘッド・スライダ２が磁気ディスク上を浮上しているとき、円周方向が前後方向であり、半径方向が左右方向である。あるいは、磁気ディスク上で揺動するＨＧＡの揺動方向が左右方向であり、遥動軸（図２（ａ）におけるＰ）とヘッド・スライダ２とを結ぶ方向が前後方向である。これらは、サスペンション１の主面（磁気ディスクと対向する面）に平行な面内において互いに垂直な方向である。また、ベース・プレート１４に対してヘッド・スライダ２は前側にあり、ベース・プレート１４はヘッド・スライダ２の後側にある。ヘッド・スライダ２と磁気ディスクとを結ぶ方向がＺ方向である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
一方、図４（ｂ）に示す本形態のＭＥＭＳ１５は、クランパ５１の凸部５１１が接続端子５３ａ〜５３ｆの当接位置（金属層５３３）よりも下側（ジンバル１２側）にあるので、ヘッド・スライダ２のクランパ５１側が下（ジンバル１２）に向かうような回転力が加わり、ヘッド・スライダ２２をサスペンション１の方向に押し付ける力が働くため、衝撃や振動によりヘッド・スライダ２がＭＥＭＳ１５から外れにくくなり、ヘッド・スライダ２をより確実に保持することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
１  サスペンション、２  ヘッド・スライダ、１１  トレース、１２  ジンバル
１３  ロード・ビーム、１４  ベース・プレート
１５  マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム、２１  リーディング端面
２２  トレーリング端面、２３  接続パッド、５１  クランパ
５２ａ、５２ｂ  クランプばね、５３ａ〜５３ｆ  接続端子、５４ａ〜５４ｆ  伝送線
５５ａ〜５５ｆ  接続パッド、５６ａ、５６ｂ  リミッタ・バー、５７  孔
５８  固定本体部、１２１  リミッタ、１２２  ジンバル・タング、１２３  胴部
１２４  孔、１２５ａ、１２５ｂ  リミッタ、１２６ａ、１２６ｂ  アーム
２１１  柔軟樹脂部材、２１２  本体部分、２５１ａ、２５１ｂ  柔軟樹脂部材
５１１  凸部、５１２ａ、５１２ｂ  凹部、５１２  凹部、５３１  シリコン層
５３２  酸化絶縁層、５３３  金属層
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月28日(2011.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
次に、図１に示すグルーピング生成部２は、所定の基準に基づき図２に示すフロアプランのブロック回路１１をグループ化する。ブロック回路１１をグループ化した例が図３（ａ）〜（ｂ）に図示されている。まず、図３（ａ）の基準では、距離制約として１ユニット内に含まれるブロック回路１１をグループ化する。つまり、図３（ａ）では、IとIIのブロック回路１１がグループａに、III〜VIのブロック回路１１がグループｃに、VII〜Xのブロック回路１１がグループｂに、XIとXIIのブロック回路１１がグループｄにそれぞれグループ化されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
次に、グルーピング生成部２は、回路仕様に記載された制御回路を階層的にグループ化する。具体的に説明すると、図３（ａ）でグループ化されたブロック回路１１に対して、接続する最大ブロック数を２個と回路仕様に記載された第１階層目の制御回路は、図４（ａ）のグループツリーのＸ，Ｙのように示される。制御回路Ｘは、グループａとグループｃとが接続され、制御回路Ｙは、グループｂとグループｄとが接続されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、グルーピング生成部２は、図３（ｃ）のフロアプランに対して、ブロック回路１１と制御回路とを含む３層構造のグループツリーを生成する（図４（ｃ））。なお、図４（ｃ）のグループツリーに示すように、ブロック回路１１の階層は最大ブロック数を３個に制約されているが、第１及び第２階層目の制御回路は、回路仕様において接続する最大ブロック数を２個に制約されているので、制御回路Ｐはグループａとグループｂに接続され、制御回路Ｑはグループｃとグループｄに接続され、制御回路Ｒは制御回路Ｐと制御回路Ｑとが接続されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
具体的に説明すると、図３（ａ）のフロアプランに対して、図４（ａ）のグループツリーに従って制御回路を配置した図が図５（ａ）である。図５（ａ）では、制御回路Ｘが、グループａとグループｃとの間に配置されることになるが、制御回路Ｘとグループａとの制御信号数（接続数）が２つ、制御回路Ｘとグループｃとの制御信号数（接続数）が４つなので、よりグループｃに近い側に制御回路Ｘが配置される。同様に、図５（ａ）では、制御回路Ｙが、グループｂとグループｄとの間に配置されることになるが、制御回路Ｙとグループｂとの制御信号数（接続数）が４つ、制御回路Ｙとグループｄとの制御信号数（接続数）が２つなので、よりグループｂに近い側に制御回路Ｙが配置される。さらに、図５（ａ）では、制御回路Ｚが、制御信号数（接続数）を考慮した制御回路Ｘと制御回路Ｙとの間に配置されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
一方、本実施の形態に係る配置検証方法では、図６に示すように、ＲＴＬ設計前に制御回路の配置を検証することができるため、処理完了までの時間が短く、且つ良否判定の結果による設計手戻りが少ない。本実施の形態に係る配置検証方法では、処理完了までの時間が短いので、より多くの配置を検証することができるので、より最適な制御回路の配置が可能で設計品質が向上する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
当該回路仕様に基づきフロアプラン生成部１が生成したフロアプランを図８に示す。図８では、２ユニット×２ユニットのフロア１０に１２個のブロック回路１１がドメインＡとドメインＢとに分かれて４つの塊として配置されている。つまり、IとIIのブロック回路１１とIII〜VIのブロック回路１１とがドメインＡに属し、VII〜Xのブロック回路１１とXIとXIIのブロック回路１１とがドメインＢに属することが図８に図示されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
次に、図１に示すグルーピング生成部２は、所定の基準に基づき図８に示すフロアプランのブロック回路１１をグループ化する。ブロック回路１１をグループ化した例が図９（ａ）〜（ｃ）に図示されている。まず、図９（ａ）の基準では、ドメイン毎に距離制約として１ユニット内に含まれるブロック回路１１をグループ化する。つまり、図９（ａ）では、IとIIのブロック回路１１がグループａに、III〜VIのブロック回路１１がグループｃに、VII〜Xのブロック回路１１がグループｂに、XIとXIIのブロック回路１１がグループｄにそれぞれグループ化されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
具体的に説明すると、図９（ａ）のフロアプランに対して、図１０（ａ）のグループツリーに従って制御回路を配置した図が図１１（ａ）である。図１１（ａ）では、制御回路Ｘが、グループａとグループｃとの間に配置されることになるが、制御回路Ｘとグループａとの制御信号数（接続数）が２つ、制御回路Ｘとグループｃとの制御信号数（接続数）が４つなので、よりグループｃに近い側に制御回路Ｘが配置される。同様に、図１１（ａ）では、制御回路Ｙが、グループｂとグループｄとの間に配置されることになるが、制御回路Ｙとグループｂとの制御信号数（接続数）が４つ、制御回路Ｙとグループｄとの制御信号数（接続数）が２つなので、よりグループｂに近い側に制御回路Ｙが配置される。なお、図１１（ａ）に示すように、制御回路Ｘと制御回路Ｙとは別ドメインであるため接続しない。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月4日(2011.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック誘電体層と、前記セラミック誘電体層の内部に形成されたビアや配線パターンからなる内部電極と、前記セラミック誘電体層の主表面に形成され、少なくとも前記内部電極の一部と電気的に接続された端子電極とを有するセラミック多層デバイスにおいて、前記セラミック誘電体層は、酸化チタン及び希土類の少なくとも一方を含んで形成されるとともに、主表面部に圧縮応力が導入され、かつこの主表面部の密度が、前記セラミック誘電体層の内部の密度に比べて高密度であるセラミック多層デバイス。
【請求項２】
セラミック誘電体層の主表面部の熱膨張係数が、前記セラミック誘電体層の内部の熱膨張係数に比べて小さい請求項１記載のセラミック多層デバイス。
【請求項３】
酸化チタン及び希土類の少なくとも一方を含むセラミックグリーンシートに、ビアや配線パターンを形成する加工工程と、この加工されたセラミックグリーンシートを積層する積層工程と、この積層されたセラミックグリーンシート積層体を焼成する焼成工程と、前記セラミックグリーンシートもしくは前記セラミックグリーンシート積層体を所定の大きさに分割する分割工程と、前記セラミックグリーンシート積層体の主表面に端子電極を形成する端子電極形成工程とを含み、前記焼成工程において、焼成温度から降温する際に、前記セラミックグリーンシート積層体の主表面部をこのセラミックグリーンシート積層体の内部に比べて急冷することを特徴とするセラミック多層デバイスの製造方法。
【請求項４】
酸化チタン及び希土類の少なくとも一方を含むセラミックグリーンシートに、ビアや配線パターンを形成する加工工程と、この加工されたセラミックグリーンシートを積層する積層工程と、この積層されたセラミックグリーンシート積層体を焼成する焼成工程と、この焼成工程後に、前記セラミックグリーンシート積層体を焼成温度より低い温度で熱処理する熱処理工程と、前記セラミックグリーンシートもしくは前記セラミックグリーンシート積層体を所定の大きさに分割する分割工程と、前記セラミックグリーンシート積層体の主表面に端子電極を形成する端子電極形成工程とを含み、前記熱処理工程において、熱処理温度から降温する際に、前記セラミックグリーンシート積層体の主表面部をこのセラミックグリーンシート積層体の内部に比べて急冷することを特徴とするセラミック多層デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項１記載のものは、セラミック誘電体層と、前記セラミック誘電体層の内部に形成されたビアや配線パターンからなる内部電極と、前記セラミック誘電体層の主表面に形成され、少なくとも前記内部電極の一部と電気的に接続された端子電極とを有するセラミック多層デバイスにおいて、前記セラミック誘電体層は、酸化チタン及び希土類の少なくとも一方を含んで形成されるとともに、主表面部に圧縮応力が導入され、かつこの主表面部の密度が、前記セラミック誘電体層の内部の密度に比べて高密度であることを特徴とするセラミック多層デバイスである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
以上のように本発明は、セラミック誘電体層の材料として希土類及び酸化チタンの少なくとも一方を用いることでセラミック誘電体層の誘電率の温度特性を向上させ、またセラミック誘電体層の主表面部に圧縮応力を導入し、かつこの主表面部の密度が、前記セラミック誘電体層の内部の密度に比べて高密度とすることで機械的強度を向上させているので、機械的強度向上と誘電率の温度特性向上の２つを同時に満たすことが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月5日(2011.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子を含む画素が複数配された第１領域と、前記第１領域の駆動のための周辺回路を含む第２領域と、前記光電変換素子の上部に配された層内レンズと、前記層内レンズの上部に配されたレンズと、を有する固体撮像装置の製造方法であって、
前記第１領域及び前記第２領域の上に少なくとも第１金属配線層を形成する工程と、
前記第１金属配線層の上にエッチングストップ層を形成する工程と、
前記エッチングストップ層の上に第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第２領域の前記第１絶縁膜の上部に、前記第１金属配線層とは異なる第２金属配線層を形成する工程と、
前記エッチングストップ層を用いて前記第１領域の前記第１絶縁膜を除去する工程と、
前記第１絶縁膜が除去された第１領域と、前記第２領域とに第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第１領域の前記第２絶縁膜から、前記層内レンズを形成する工程と、を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記エッチングストップ層は、有機系低誘電率膜であることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１領域の前記第１絶縁膜を除去する工程において、フォトレジストをマスクとして用いて前記第１絶縁膜を除去し、
前記第１絶縁膜を除去する工程の後、前記フォトレジストと同時に前記エッチングストップ層を除去する工程を有する請求項２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記エッチングストップ層は、窒化シリコン系膜であることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記エッチングストップ層は、前記第１金属配線層の拡散防止膜を兼ねることを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記光電変換素子の受光面から前記層内レンズまでに前記第１絶縁膜を含む複数の絶縁膜が形成され、前記複数の絶縁膜の屈折率が、前記受光面から前記層内レンズに向かって同じもしくは順次大なる関係を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
更に、前記第２領域の上であって、前記第１金属配線層と前記第２金属配線層との間に、第３金属配線層を形成する工程を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の絶縁膜は、前記第１領域及び前記第２領域の保護膜として機能することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２領域は、オプティカルブラック領域を有し、
前記第１絶縁膜を除去する工程において、前記第２金属配線層よりも前記第１絶縁膜が前記第１領域に向って延在していることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
光電変換素子を含む画素が複数配された第１領域と、前記第１領域の駆動のための周辺回路を含む第２領域と、前記光電変換素子の上部に配された層内レンズと、前記層内レンズの上部に配されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタの上部に配されたレンズと、を有する固体撮像装置において、
前記第１領域における金属配線の層数は前記第２領域における金属配線の層数より少なく、前記第１領域における最上層の金属配線と、前記第２領域における最上層の金属配線との間であって、前記第１領域に前記層内レンズが形成されていることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１１】
前記第２領域の最上層の金属配線層の上に絶縁膜が設けられ、前記層内レンズは前記絶縁膜と同一の膜からなることを特徴とする請求項１０に記載の固体撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月31日(2011.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両端面に一対の電極が設けられた素子を複数個並列して外部接続用の端子部を一端に設けたバスバーで夫々接続し、これらをケース内に収容して少なくとも上記バスバーの端子部を除いて樹脂モールドしたケースモールド型コンデンサにおいて、上記ケースの開口端の、上面視、素子と重ならない位置で、かつ、素子間の境界線上に位置するように、ケースを被装着体に取り付けるための取り付け脚を設けたケースモールド型コンデンサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記課題を解決するために本発明は、バスバーにより接続された複数の素子をケース内に収容して樹脂モールドしたケースモールド型コンデンサにおいて、上記ケースの開口端の、上面視、素子と重ならない位置で、かつ、素子間の境界線上に位置するように、ケースを被装着体に取り付けるための取り付け脚を設けた構成にしたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月4日(2011.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部と、
光を前記光電変換部へ導く光導波路と、
を備え、
前記光導波路は、
前記光が前記光電変換部へ向かうように、第１の絶縁部より屈折率の高い物質がその側面を前記第１の絶縁部で囲まれて構成された上部導波構造と、
前記光電変換部と前記上部導波構造との間に部材が配され、前記部材と第２の絶縁部との間に隙間が設けられたエアギャップ構造と、
を含む
ことを特徴とする撮像センサー。
【請求項２】
前記部材は、前記第２の絶縁部と同じ物質で形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像センサー。
【請求項３】
前記光電変換部の上方に配されたマイクロレンズと、
前記光電変換部と前記マイクロレンズとの間に配された複数の配線層と、
をさらに備え、
前記エアギャップ構造は、前記光電変換部の受光面を含む第１の平面と前記複数の配線層における最下の配線層の下面を含む第２の平面との間に配されている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像センサー。
【請求項４】
前記光導波路は、前記上部導波構造と前記エアギャップ構造との間に配された反射防止膜をさらに含む
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の撮像センサー。
【請求項５】
前記上部導波構造は、上部の幅が下部の幅より広い
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の撮像センサー。
【請求項６】
前記上部導波構造は、上面縁部から下面縁部へ前記光電変換部の受光面の中心を通る法線に近づくように傾斜しながら延びた前記側面を有する
ことを特徴とする請求項５に記載の撮像センサー。
【請求項７】
光電変換部と、
光を前記光電変換部へ導く光導波路と、
を備え、
前記光導波路は、
前記光が前記光電変換部へ向かうように、第１の絶縁部より屈折率の高い物質がその側面を前記第１の絶縁部で囲まれて構成された上部導波構造と、
前記光電変換部と前記上部導波構造との間における絶縁層が前記光電変換部の受光面における内側領域を露出せずに外側領域を露出するようにエッチングされることにより、前記絶縁層のうち前記内側領域の上の部分である部材と、前記絶縁層のうち前記外側領域の周辺の部分である第２の絶縁部との隙間が設けられたエアギャップ構造と、
を含む
ことを特徴とする撮像センサー。
【請求項８】
光電変換部を有する撮像センサーの製造方法であって、
前記光電変換部を覆うように第１の絶縁層を形成する第１の工程と、
前記光電変換部の受光面における内側領域を露出せずに外側領域を露出するように前記第１の絶縁層をエッチングすることにより、前記第１の絶縁層のうち前記内側領域の上の部分である部材と、前記第１の絶縁層のうち前記外側領域の周辺の部分である第１の絶縁膜との隙間が設けられたエアギャップ構造を形成する第２の工程と、
前記エアギャップ構造の上に反射防止膜を形成する第３の工程と、
前記反射防止膜の上に第２の絶縁層を形成する第４の工程と、
前記第２の絶縁層における前記エアギャップ構造の上方に位置する部分に開口を形成することにより、第２の絶縁膜を形成する第５の工程と、
前記第２の絶縁膜よりも屈折率の高い物質を前記開口に埋め込むことにより、上部導波構造を形成する第６の工程と、
前記上部導波構造の上方にマイクロレンズを形成する第７の工程と、
を備え、
前記上部導波構造、前記反射防止膜、及び前記エアギャップ構造は、前記マイクロレンズを通過した光を前記光電変換部へ導く光導波路として形成される
ことを特徴とする撮像センサーの製造方法。
【請求項９】
前記第５の工程では、前記反射防止膜が、前記開口を形成するように前記第２の絶縁層をエッチングする際におけるエッチングストッパーとして機能する
ことを特徴とする請求項８に記載の撮像センサーの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本発明の第１側面に係る撮像センサーは、光電変換部と、光を前記光電変換部へ導く光導波路と、備え、前記光導波路は、前記光が前記光電変換部へ向かうように、第１の絶縁部より屈折率の高い物質がその側面を前記第１の絶縁部で囲まれて構成された上部導波構造と、前記光電変換部と前記上部導波構造との間に部材が配され、前記部材と第２の絶縁部との間に隙間が設けられたエアギャップ構造と、
を含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明の第２側面に係る撮像センサーは、光電変換部と、光を前記光電変換部へ導く光導波路と、備え、前記光導波路は、前記光が前記光電変換部へ向かうように、第１の絶縁部より屈折率の高い物質がその側面を前記第１の絶縁部で囲まれて構成された上部導波構造と、前記光電変換部と前記上部導波構造との間における絶縁層が前記光電変換部の受光面における内側領域を露出せずに外側領域を露出するようにエッチングされることにより、前記絶縁層のうち前記内側領域の上の部分である部材と、前記絶縁層のうち前記外側領域の周辺の部分である第２の絶縁部との隙間が設けられたエアギャップ構造と、を含むことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
本発明の第３側面に係る撮像センサーの製造方法は、光電変換部を有する撮像センサーの製造方法であって、前記光電変換部を覆うように第１の絶縁層を形成する第１の工程と、前記光電変換部の受光面における内側領域を露出せずに外側領域を露出するように前記第１の絶縁層をエッチングすることにより、前記第１の絶縁層のうち前記内側領域の上の部分である部材と、前記第１の絶縁層のうち前記外側領域の周辺の部分である第１の絶縁膜との隙間が設けられたエアギャップ構造を形成する第２の工程と、前記エアギャップ構造の上に反射防止膜を形成する第３の工程と、前記反射防止膜の上に第２の絶縁層を形成する第４の工程と、前記第２の絶縁層における前記エアギャップ構造の上方に位置する部分に開口を形成することにより、第２の絶縁膜を形成する第５の工程と、前記第２の絶縁膜よりも屈折率の高い物質を前記開口に埋め込むことにより、上部導波構造を形成する第６の工程と、前記上部導波構造の上方にマイクロレンズを形成する第７の工程と、を備え、前記上部導波構造、前記反射防止膜、及び前記エアギャップ構造は、前記マイクロレンズを通過した光を前記光電変換部へ導く光導波路として形成されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月9日(2011.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の波長の光を通す第１のカラーフィルタと前記第１の波長より長い第２の波長の光を通す第２のカラーフィルタとを含む複数種類のカラーフィルタを有する光電変換装置であって、前記第２のカラーフィルタは、前記複数種類のカラーフィルタのうち最も波長が長い光を通すカラーフィルタであり、
前記光電変換装置は、
前記第１のカラーフィルタと光電変換部とがそれぞれ配された複数の第１の画素と、前記前記第２のカラーフィルタと光電変換部とがそれぞれ配された複数の第２の画素と、が配列された画素領域と、
前記画素領域の上に配された複数の第１の配線と、
前記複数の第１の配線の上に絶縁層を介して配された複数の第２の配線と、
を備え、
前記複数の第２の配線は、
前記第１の画素の開口の一部を構成する部分と、
前記第２の画素の開口の一部を構成する部分と、
を有し、
前記第２の画素の開口の一部を構成する部分の前記複数の第２の配線間の距離は、前記第１の画素の開口の一部を構成する部分の前記複数の第２の配線間の距離に比べて大きい
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記複数の第１の配線は、
前記第１の画素の開口の一部を構成する部分と、
前記第２の画素の開口の一部を構成する部分と、
を有し、
前記第２の画素の開口の一部を構成する部分の前記複数の第１の配線間の距離は、前記第１の画素の開口の一部を構成する部分の前記複数の第１の配線間の距離に比べて大きい
ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記複数の第１の配線は第１の方向に沿って配され、
前記複数の第２の配線は前記第１の方向とは異なる第２の方向に配されている
ことを特徴とする請求項１あるいは２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第２の配線は、前記第１の画素又は前記第２の画素の光電変換部の受光面に垂直な方向から透視した場合に前記第１の配線と交わる部分で曲がっている
ことを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第２の配線の上に絶縁層を介して配された複数の第３の配線を更に備え、
前記複数の第３の配線は、
前記第１の画素の開口の一部を構成する部分と、
前記第２の画素の開口の一部を構成する部分と、
を有し、
前記第２の画素の開口の一部を構成する部分の前記複数の第３の配線間の距離は、前記第１の画素の開口の一部を構成する部分の前記複数の第３の配線間の距離に比べて大きい
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図２は、図１のＸＸ’における断面図である。長波長光（第２の波長の光）を通すレッドカラーフィルタ３６を通る赤い光４０の第２層配線の下方の光路の幅は、短波長光（第１の波長の光）を通すグリーンカラーフィルタ３７を通る緑色光４１の第２層配線の下方の光路の幅より広い。つまり、短波長光を通すカラーフィルタのある第１の画素の上の第２層配線間の距離より、長波長光を通すカラーフィルタのあるカラーフィルタのある第２の画素の上の第２層配線間の距離が大きい。画素上の第２層配線の距離とは、言い換えると開口の一部を構成する部分である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月4日(2011.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
逆スタガ型のＴＦＴを有し、
前記ＴＦＴが有するゲート絶縁膜とｉ型の非晶質半導体層との間に、前記ｉ型の非晶質半導体層よりも薄いｎ型の非晶質半導体層を有する半導体装置。
【請求項２】
逆スタガ型のＴＦＴを有し、
前記ＴＦＴのゲート絶縁膜上のｉ型の非晶質半導体層は、前記ゲート絶縁膜の表面近傍にリンの濃度ピークを有する半導体装置。
【請求項３】
逆スタガ型のＴＦＴを有し、
前記ＴＦＴのゲート絶縁膜上の非晶質半導体層は、前記ゲート絶縁膜との界面から膜厚が５０ｎｍ未満の部分がｎ型であり、他の部分がｉ型である半導体装置。
【請求項４】
逆スタガ型のＴＦＴを有し、
前記ＴＦＴが有するゲート絶縁膜とｉ型の非晶質半導体層との間に、前記ｉ型の非晶質半導体層よりも薄いｎ型の非晶質半導体層を有し、
前記ｎ型の非晶質半導体層中の窒素の濃度は５×１０１８ｃｍ−３以下であり、
前記ｎ型の非晶質半導体層中の酸素の濃度は５×１０１８ｃｍ−３以下であり、
前記ｎ型の非晶質半導体層中の炭素の濃度は５×１０１８ｃｍ−３以下であり、
前記ｎ型の非晶質半導体層中のリンの濃度は６×１０１５以上３×１０１８ｃｍ−３以下である半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記ｉ型の非晶質半導体層上のソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域上のソース電極と、
前記ドレイン領域上のドレイン電極と、を有し、
前記ソース領域及びドレイン領域の端部は、前記ソース電極及びドレイン電極の端部とそれぞれ一致せずずれており、前記ソース電極及びドレイン電極の端部の外側に形成されている半導体装置。