Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月25日(2011.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上式を任意の制御時点ｎとｎ−１について記載すると、以下のような（８）式で表され、上述のように、２つの制御時点における血液変化量の割合、２つの制御時点の間における除水速度、透析時間Ｔの計測値、および前記血液指標値の目標制御線に基づいて決定される前記両制御時点の次の計測時点（制御時点）の設定された血液変化量の割合に基づいて、次の時点で血液指標値を目標に近づけるために設定すべき除水速度が定まる。
ＢＶ0｛−（％ΔＢＶn-1−％ΔＢＶn）＋（％ΔＢＶn−％ΔＢＶn+1）｝＋ＵＦＲn×Ｔ＝ＵＦＲn+1×Ｔ・・・・・・・・・（８）
前式（８）において、ＢＶ0は透析開始時の血液量、％ΔＢＶnは選択された任意の制御時点ｎにおける血液変化量の割合、％ΔＢＶn-1は選択された制御時点ｎの一つ前の制御時点における血液変化量の割合、％ΔＢＶnは制御時点ｎにおける血液変化量の割合％、△ＢＶn+1はフィードフォワード制御をかけるべき選択された制御時点ｎの一つ次の制御時点ｎ＋１における設定された血液変化量の割合、Ｔは計測時間、ＵＦＲnは選択された制御時点における除水速度、ＵＦＲn+1は選択されたｎ制御時点から次の制御時点ｎ＋１において、目標となる血液指標値に到達するため、実働部に対し制御をかける際に設定される除水速度をそれぞれ意味する。但し、前記（７）式および（８）式が成立するためには、これらの式を導出するために仮定した「各制御時点におけるＰＲＲに差が無い」という条件が前提であり、その条件を満たすためには、ＰＲＲに差が無い程度に各計測時点（制御時点）の間隔（ΔＴ）を短くすることが重要となる。さらに、この制御方法では、透析開始時ＢＶ0の誤差、制御遅れ、その他の要因によって、制御に誤差が生じる可能性があるが、実際の制御においては、各時点（計測時点）毎に除水速度を設定しなおすことで、制御を確実なものとしている。例えば各計測時点（制御時点）の間隔を短くして、その都度、除水速度を設定すれば生じる誤差は実質的に問題にならない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
前式（ａ）における前記制御時点ｎ−１の制御遅れを考慮した血液変化量の割合（％ΔＢＶn-1'）の算出方法を図２に基づいて説明をする。
制御遅れ期間Ｂ１を除く制御周期Ｔ１において複数の％ΔＢＶデータであるｐ１〜ｐ６のサンプリングデータを計測し、これらサンプリングデータに基づいて線形最小二乗法に基づいて血液変化量の割合の継時的な変化を示す直線Ｂ３を求める。該直線Ｂ３を同じ傾きで制御時点ｎ−１まで延長して制御時点ｎ−１の制御遅れを考慮した血液指標値％ΔＢＶn-1'を求めることができる。図２の横軸は血液透析操作の経過時間で、また縦軸は％ΔＢＶである。前記最小二乗法としては計測データの整理に採用される慣用の方法を採用することができ、制御遅れ期間Ｂ１としては制御周期Ｔ１内において任意の期間を設定できる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月19日(2010.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクを吐出して記録を行なう複数の記録素子で構成される記録素子アレイと前記複数の記録素子を駆動する複数の駆動素子で構成される駆動素子アレイとを有するインクジェット記録ヘッドに用いられる、矩形形状のヘッド基板であって、
前記ヘッド基板の長辺方向に沿って予め定められた長さを有する矩形形状の複数のインク供給口と、
前記複数のインク供給口それぞれの少なくとも一方の側に設けられた、前記記録素子アレイと前記駆動素子アレイとを備えた複数の素子アレイと、
前記ヘッド基板の前記長辺方向に沿って配され、前記複数の素子アレイに信号を送信する信号線とを有し、
前記複数のインク供給口から前記ヘッド基板の長辺に向かって、前記素子アレイ、前記信号線の順に配列され、
前記インク供給口と該インク供給口に対応する前記素子アレイとの組が複数、前記ヘッド基板の長辺方向に千鳥状に配列され、
前記千鳥状に配列された複数の素子アレイの内、１つ置きに配置された素子アレイと前記信号線とで囲まれた領域に、隣接した２つの前記素子アレイに接続された構成要素が設けられていることを特徴とするヘッド基板。
【請求項２】
前記構成要素は外部との接続に用いる２つのパッドを含み、
前記２つのパッドの内、１つは前記記録素子アレイに対して電力を供給するための電源パッドであり、もう１つは前記記録素子アレイに対して供給された電力が帰還するためのグランドパッドであることを特徴とする請求項１に記載のヘッド基板。
【請求項３】
前記電源パッドと前記グランドパッドはそれぞれ、共通に前記隣接した２つの素子アレイに接続されることを特徴とする請求項２に記載のヘッド基板。
【請求項４】
前記電源パッドが接続される隣接した２つの素子アレイの内の１つの素子アレイと、前記グランドパッドが接続される隣接した２つの素子アレイの内の１つの素子アレイとは、共通であることを特徴とする請求項２又は３に記載のヘッド基板。
【請求項５】
前記電源パッドと前記グランドパッドとは前記複数の素子アレイが備えられる面とは反対側の面に備えられ、前記ヘッド基板を貫通する穴を介して前記複数の素子アレイへの電気的接続を行うことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載のヘッド基板。
【請求項６】
前記複数の素子アレイに送信される信号の電圧を前記複数の駆動素子を駆動させる電圧に変換する電圧変換回路をさらに有し、
前記構成要素は、前記電圧変換回路に供給するための電圧を発生するＶＨＴバッファを含むことを特徴とする請求項１に記載のヘッド基板。
【請求項７】
前記ヘッド基板の長辺方向の端部には、
前記記録素子を駆動するための記録データと制御信号とを入力する入力パッドと、
前記入力パッドにより入力される記録データと制御信号とに基づいて前記複数の駆動素子とを駆動し制御する制御回路とが備えられ、
前記記録データと前記制御信号は前記信号線により供給されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のヘッド基板。
【請求項８】
前記入力パッドは前記ヘッド基板の長辺方向の両端に備えられ、
前記両端の内の一端に備えられた入力パッドより記録データが入力され、
前記両端の内の他端に備えられた入力パッドより制御信号が入力されることを特徴とする請求項７に記載のヘッド基板。
【請求項９】
前記制御回路は、
前記入力パッドより入力された記録データを一時的に格納するシフトレジスタと、
前記シフトレジスタに格納された記録データをラッチして記録データ信号を出力するラッチ回路と、
前記入力パッドより入力された制御信号を入力して前記複数の記録素子を選択して駆動するための信号を生成するデコーダとを含むことを特徴とする請求項７又は８に記載のヘッド基板。
【請求項１０】
前記シフトレジスタとラッチ回路とは前記記録データが入力される入力パッドが備えられる側に設けられ、
前記デコーダは前記制御信号が入力される入力パッドが備えられる側に設けられることを特徴とする請求項９に記載のヘッド基板。
【請求項１１】
前記素子アレイは、前記複数のインク供給口それぞれの両側に設けられることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のヘッド基板。
【請求項１２】
前記複数の記録素子それぞれはインクを吐出するために利用される熱エネルギーを発生する電気熱変換素子であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のヘッド基板。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のヘッド基板を用いた記録ヘッド。
【請求項１４】
請求項１３に記載の記録ヘッドと、該記録ヘッドに供給するためのインクを収容したインクタンクとを一体化したヘッドカートリッジ。
【請求項１５】
請求項１３に記載の記録ヘッド又は請求項１４に記載のヘッドカートリッジを搭載した記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
即ち、インクを吐出して記録を行なう複数の記録素子で構成される記録素子アレイと前記複数の記録素子を駆動する複数の駆動素子で構成される駆動素子アレイとを有するインクジェット記録ヘッドに用いられる、矩形形状のヘッド基板であって、前記ヘッド基板の長辺方向に沿って予め定められた長さを有する矩形形状の複数のインク供給口と、前記複数のインク供給口それぞれの少なくとも一方の側に設けられた、前記記録素子アレイと前記駆動素子アレイとを備えた複数の素子アレイと、前記ヘッド基板の前記長辺方向に沿って配され、前記複数の素子アレイに信号を送信する信号線とを有し、前記複数のインク供給口から前記ヘッド基板の長辺に向かって、前記素子アレイ、前記信号線の順に配列され、前記インク供給口と該インク供給口に対応する前記素子アレイとの組が複数、前記ヘッド基板の長辺方向に千鳥状に配列され、前記千鳥状に配列された複数の素子アレイの内、１つ置きに配置された素子アレイと前記信号線とで囲まれた領域に、隣接した２つの前記素子アレイに接続された構成要素が設けられていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月4日(2011.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の熱処理方法であって、
放射エネルギー源、反射室、及び放射アウトレットチャネルを含む室を提供する過程であって、前記反射室の内部に前記放射エネルギー源が配置され、前記放射アウトレットチャネルは、その一端にスリットを有し、前記反射室内からの放射エネルギーのビームを前記室の外部に出力するように構成されている、該過程と、
前記放射エネルギーを前記スリットを通してビームとして出力できるようにする過程と、
前記基板のアクティブ層を加熱するべく、放射エネルギーが基板表面にに衝当するように前記放射エネルギー源をフラッシュする過程とを含む方法。
【請求項２】
前記放射エネルギー源が、ランプを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ランプが、冷却流体を含むフローチューブを有することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記高輝度ランプが、キセノンアークランプを有することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記放射エネルギーが、０．５Ｊ／ｃｍ２から１００Ｊ／ｃｍ２の間の平均的なパワーを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記アクティブ層が、前記基板表面下の０．０５μｍから１ｍｍの部分を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記アクティブ層の温度が、５００℃から１４００℃の間であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記放射エネルギー源のフラッシュが、１ナノ秒から１０秒の間行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記リフレクタが、金及び銀を含む一群より選択される材料でコーティングを施された内部表面を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記リフレクタが、９００ｎｍより短い波長を反射することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記リフレクタが、平面、球形、放物線形、及び楕円形を含む一群より選択された形状を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記フラッシュする過程が、焦点合わせされた放射エネルギーのビームが第１の焦点より前記基板表面へと発光される過程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
基板の熱処理方法であって、
放射エネルギー源、反射室、及び放射アウトレットチャネルを含む室を提供する過程であって、前記反射室の内部に前記放射エネルギー源が配置され、前記放射アウトレットチャネルは、その一端にスリットを有し、前記反射室内からの放射エネルギーのビームを前記室の外部に出力するように構成されている、該過程と、
前記放射エネルギーを前記スリットを通してビームとして出力できるようにする過程と、
第１の持続時間に、第１の放射エネルギーに対して前記基板のアクティブ層を露出し、前記基板のアクティブ層を加熱するべく、ピークとなるパワーレベルまで前記放射エネルギー源のレベルを上げる過程と、
その後、前記第１のパワーレベルより低い値に前記放射エネルギー源の第２のパワーレベルを維持し、第２の持続時間に、第２の放射エネルギーに対して、前記基板全体を露出させる過程とを有し、
前記第１の持続時間が１ナノ秒から１０秒の間であり、前記第２の持続時間が０秒から３６００秒の間であることを特徴とする方法。
【請求項１４】
前記放射エネルギー源が、ランプを含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記放射エネルギーが、０．５Ｊ／ｃｍ２から１００Ｊ／ｃｍ２の間の平均的なパワーを有することを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記アクティブ層が、前記基板表面下の０．０５μｍから１ｍｍの部分を有することを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月10日(2010.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造式（Ｉ）の半導体を含む電子デバイス。
【化１】
2008153667.tif 000001
（式中、Ｘは、ＯまたはＮＲ′の一つであり、ｍは、１または２であり、Ｍは、共役部分であり、ａは、１から２０であり、ｂは、共役部分の数を表し、ｎは、高分子の繰り返し単位の数を表し、
ＲおよびＲ′は、独立に、水素、アルキル、置換アルキル、アリール、置換アリール、ベンジル、ヘテロアリール及び置換ヘテロアリールからなる群から選ばれる。）
【請求項２】
基板と、ゲート電極と、ゲート誘電体層と、ソース電極およびドレイン電極と、前記ソース／ドレイン電極および前記ゲート誘電体層に接触し、
【化２】
2008153667.tif 000002
式中、Ｘは、ＯまたはＮＲ′であり、ｍは、１または２であり、Ｍは、共役部分であり、ａは、１から２０であり、ｎは、高分子の繰り返し単位の数を表し、
ＲおよびＲ′は、独立に、水素、アルキル、置換アルキル、アリール、置換アリール、ベンジル、ヘテロアリール及び置換ヘテロアリールからなる群から選択される高分子で構成される半導体層と、で構成される薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記ｎは２から５００の数を表し、前記ｍは１であり、前記ａは１から５であり、前記ｂは０から７であり、前記Ｘは酸素原子である、請求項２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記共役部分Ｍは、以下の構造式、
【化３】
2008153667.tif 000003
式中、Ｒ′′は、水素、アルキル、アリールおよびヘテロアリールの少なくとも一つである、
の一つから選択される、請求項２に記載の薄膜トランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
［付記］
（１）構造式（Ｉ）の前記ｎは５から約５００の数を表し、前記ｍは１であり、前記ａは１から約５であり、前記ｂは０から約７であり、前記Ｘは、酸素原子（Ｏ）である、請求項１に記載のデバイス。
（２）構造式（Ｉ）の前記適当な炭化水素は、１から約２５個の炭素原子を有するアルキルである、請求項１に記載のデバイス。
（３）前記半導体高分子は、
【化１４】
2008153667.tif 000004
【化１５】
2008153667.tif 000005
【化１６】
2008153667.tif 000006
【化１７】
2008153667.tif 000007
【化１８】
2008153667.tif 000008
【化１９】
2008153667.tif 000009
および
【化２０】
2008153667.tif 000010
式中、Ｒ′′′およびＲ′′′′は、それぞれ独立に、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、エイコサニル、ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシプロピル、ヒドロキシブチル、ヒドロキシペンチル、ヒドロキシヘキシル、ヒドロキシヘプチル、ヒドロキシオクチル、ヒドロキシノニル、ヒドロキシデシル、ヒドロキシウンデシル、ヒドロキシドデシル、メトキシエチル、メトキシプロピル、メトキシブチル、メトキシペンチル、メトキシオクチル、トリフルオロメチル、ペルフルオロエチル、ペルフルオロプロピル、ペルフルオロブチル、ペルフルオロペンチル、ペルフルオロヘキシル、ペルフルオロヘプチル、ペルフルオロオクチル、ペルフルオロノニル、ペルフルオロデシル、ペルフルオロウンデシルまたはペルフルオロドデシルのアルキルまたは置換アルキルを表し、ｎは、２から約５，０００の数である、
からなる群から選択される、請求項２に記載の薄膜トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月10日(2010.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体が、以下の構造式（２）、（３）及び（５）から（１５）より選択される化合物を含むことを特徴とする電子デバイス。
【化１】
2008153666.tif 000001
【化２】
2008153666.tif 000002
【化３】
2008153666.tif 000003
【化４】
2008153666.tif 000004
【化５】
2008153666.tif 000005
（式中、Ｒ′は、独立に、水素、アルキル、置換アルキル、アルコキシ、置換アルコキシ、アリール、置換アリールから選択され、Ｒは、アルキル、置換アルキル、アルコキシ、置換アルコキシ、アリール、置換アリール、ハロゲンおよび水素から選択され、ｍおよびｎは、置換基の数を表し、Ａｒは、アリールであり、ｘ、ｙ、ｚは、繰り返し単位の数を表す。）
【請求項２】
式中、前記アルキルは、１個から１８個の炭素原子を有し、前記アルコキシは、１個から１８個の炭素原子を有し、前記アリールは、フェニル、ナフチル、メチルフェニル（トリル）、エチルフェニル、プロピルフェニル、ブチルフェニル、ペンチルフェニル、ヘキシルフェニル、ヘプチルフェニル、オクチルフェニル、ノニルフェニル、デシルフェニル、ウンデシルフェニル、ドデシルフェニル、トリデシルフェニル、テトラデシルフェニル、ペンタデシルフェニル、ヘキサデシルフェニル、ヘプタデシルフェニル、オクタデシルフェニルまたはハロフェニルである、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
式中、ｍは、０、１、２、３または４であり、ｎは、０、１、２、３または４であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項４】
半導体が、以下の構造式（ａ）から（ｒ）より選択される化合物を含むことを特徴とする電子デバイス。
【化６】
2008153666.tif 000006
【化７】
2008153666.tif 000007
【化８】
2008153666.tif 000008
【化９】
2008153666.tif 000009
（式中、Ｒ′′、Ｒ′′′およびＲ′′′′は、独立に、１個から３５個の炭素原子を有するアルキル、１個から３５個の炭素原子を有する置換アルキル、１個から１２個の炭素原子を有するペルフルオロアルキル、１個から１８個の炭素原子を有するアルコキシである。）
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月15日(2011.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される基を有する繰り返し単位を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び
（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。
【化１】
2009086646.tif 000001
一般式（Ｉ）において
Ｒ１及びＲ２は一価の有機基を表し、Ｒ１とＲ２は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環状構造を形成していても良い。
Ｒ３〜Ｒ６は水素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ３〜Ｒ６は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環状構造を形成していても良い。
Ｌ１は２価の連結基を示す。Ｌ２は単結合又は２価の連結基を示す。
ｍ及びｎは０〜５の整数を表し、ｍ+ｎ＝３以上である。
Ｒ７は水素原子、アルキル基又は−ＣＨ2−Ｏ−Ｒａ基を表す。
式中、Ｒａは、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。
ｐは１〜３の整数を示す。
【請求項２】
前記樹脂（Ａ）が、さらにラクトン構造を有する繰り返し単位を有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型感光性組成物。
【請求項３】
前記樹脂（Ａ）が、さらに酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基を有する繰り返し単位を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型感光性組成物。
【請求項４】
下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有することを特徴とする樹脂。
【化２】
2009086646.tif 000002
一般式（Ｉ）において
Ｒ１及びＲ２は一価の有機基を表し、Ｒ１とＲ２は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環状構造を形成していても良い。
Ｒ３〜Ｒ６は水素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ３〜Ｒ６は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環状構造を形成していても良い。
Ｌ１は２価の連結基を示す。Ｌ２は単結合又は２価の連結基を示す。
ｍ及びｎは０〜５の整数を表し、ｍ+ｎ＝３以上である。
Ｒ７は水素原子、アルキル基又は−ＣＨ2−Ｏ−Ｒａ基を表す。
式中、Ｒａは、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。
ｐは１〜３の整数を示す。
【請求項５】
下記一般式（Ｉ’）で表される重合性化合物。
【化３】
2009086646.tif 000003
一般式（Ｉ’）において
Ｒ１及びＲ２は一価の有機基を表し、Ｒ１とＲ２は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環状構造を形成していても良い。
Ｒ３〜Ｒ６は水素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ３〜Ｒ６は同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環状構造を形成していても良い。
Ｌ１は２価の連結基を示す。Ｌ２は単結合又は２価の連結基を示す。
ｍ及びｎは０〜５の整数を表し、ｍ+ｎ＝３以上である。
Ｒ７は水素原子、アルキル基又は−ＣＨ2−Ｏ−Ｒａ基を表す。
式中、Ｒａは、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。
ｐは１〜３の整数を示す。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のポジ型感光性組成物により、膜を形成し、該膜を露光、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
〔２〕前記（Ａ）成分の樹脂が、さらにラクトン構造を有する繰り返し単位を有することを特徴とする上記〔１〕に記載のポジ型感光性組成物。
〔３〕前記（Ａ）成分の樹脂が、さらに酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基を有する繰り返し単位を有することを特徴とする上記〔１〕又は〔２〕に記載のポジ型感光性組成物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
多環式炭化水素基には環集合炭化水素基、架橋環式炭化水素基が含まれ、環集合炭化水素基の例としては、ビシクロヘキシル基、パーヒドロナフタレニル基などが含まれる。架橋環式炭化水素環として、例えば、ピナン、ボルナン、ノルピナン、ノルボルナン、ビシクロオクタン環（ビシクロ［２．２．２］オクタン環、ビシクロ［３．２．１］オクタン環等）などの２環式炭化水素環及び、ホモブレダン、アダマンタン、トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカン、トリシクロ［４．３．１．１2,5］ウンデカン環などの３環式炭化水素環、テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］ドデカン、パーヒドロ−１，４−メタノ−５，８−メタノナフタレン環などの４環式炭化水素環などが挙げられる。また、架橋環式炭化水素環には、縮合環式炭化水素環、例えば、パーヒドロナフタレン（デカリン）、パーヒドロアントラセン、パーヒドロフェナントレン、パーヒドロアセナフテン、パーヒドロフルオレン、パーヒドロインデン、パーヒドロフェナレン環などの５〜８員シクロアルカン環が複数個縮合した縮合環も含まれる。好ましい架橋環式炭化水素環としてノルボニル基が挙げられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２８７】
＜レジスト評価＞
（露光条件（１）通常のドライ露光）
シリコンウエハー上に有機反射防止膜ＡＲＣ２９Ａ（日産化学社製）を塗布し、２０５℃で、６０秒間ベークを行い、膜厚７８ｎｍの反射防止膜を形成した。その上に調製したポジ型レジスト組成物を塗布し、１３０℃で、６０秒間ベークを行い、膜厚１２０ｎｍのレジスト膜を形成した。得られたウエハーＡｒＦエキシマレーザースキャナー（ＡＳＭＬ社製  ＰＡＳ５５００／１１００、ＮＡ０．７５）を用い、線幅６５ｎｍのラインアンドスペースパターン（ライン：スペース＝１：１）の６％ハーフトーンマスクを通して露光した。その後１３０℃で、６０秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液（２．３８質量％）で３０秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥してレジストパターンを得た。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月13日(2011.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
標本を載置するベース部と、
前記ベース部に設けられた支柱部と、
前記支柱部に設けられた顕微鏡本体と、
標本を照明する照明部とを備え、
前記支柱部は、前記顕微鏡本体を前記支柱部に沿って昇降させる焦準操作部と前記照明部の照明光量を調節する調光操作部とを有することを特徴とする顕微鏡。
【請求項２】
前記焦準操作部及び前記調光操作部は前記支柱部の側面に設けられていることを特徴とする請求項１記載の顕微鏡。
【請求項３】
前記照明部は第１照明部と第２証明部とからなり、
前記調光操作部は、前記第１照明部の照明光量を調節する第１調光操作部と前記第２照明部の照明光量を調節する第２調光操作部とからなり、
前記第１、第２調光操作部は、それぞれ前記支柱の右側面又は左側面に設けられていることを特徴とする請求項２記載の顕微鏡。
【請求項４】
前記焦準操作部は、回転操作により駆動力を与える回転部を有し、
前記調光操作部は、回転操作により前記照明部の光量を調整する回転部を有することを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の顕微鏡。
【請求項５】
前記第１調光操作部を時計方向へ回転させたとき前記第１照明部の照明光量が増加し、前記第２調光操作部を反時計方向へ回転させたとき前記第２照明部の照明光量が増加する、又は前記第１調光操作部を反時計方向に回転させたとき前記第１照明部の照明光量が増加し、前記第２調光操作部を反時計方向に回転させたとき前記第２照明部の照明光量が増加するようにしたことを特徴とする請求項４記載の顕微鏡。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】顕微鏡
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は顕微鏡に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題を解決するため請求項１に記載の発明は、標本を載置するベース部と、前記ベース部に設けられた支柱部と、前記支柱部に設けられた顕微鏡本体と、標本を照明する照明部とを備え、前記支柱部は、前記顕微鏡本体を前記支柱部に沿って昇降させる焦準操作部と前記照明部の照明光量を調節する調光操作部とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月5日(2011.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を載置するステージと、
前記試料を照明する光源と、
前記光源からの光束を前記ステージに載置された試料に導く照明光学系と、
前記ステージに載置された試料からの光束を集光する対物レンズと、
前記対物レンズで集光された光束を接眼レンズに導く結像光学系とを備えた顕微鏡において、
当該顕微鏡を上方から見て、当該顕微鏡に対して前記接眼レンズの接眼位置に向かう方向を前後方向とした場合、前記接眼レンズ及び前記光源は前記ステージ上の前記試料の載置される位置に対して左右の一方に配置される
ことを特徴とする顕微鏡。
【請求項２】
更に、前記対物レンズの光軸上に、前記照明光学系の光路と前記結像光学系の光路と分岐するハーフミラーを配置し、
前記ハーフミラーと前記光源の間の前記照明光学系の光路と、前記ハーフミラーと前記接眼レンズの間の前記結像光学系の光路とが、交差するように光路を偏向する光路偏向手段を有している
ことを特徴とする請求項１に記載の顕微鏡。
【請求項３】
前記光路偏向手段は、前記結像光学系の光路のうち、前記ハーフミラーと前記接眼レンズの間の光路を偏向する
ことを特徴とする請求項２に記載の顕微鏡。
【請求項４】
前記光路偏向手段は、複数の光路偏向部からなり、
前記結像光学系の光路において、前記ハーフミラーから前記複数の光路偏向部のうちの一つである第１の光路偏向部までは、前記対物レンズの光軸方向に光路が形成され、
前記第１の光路偏向部から前記複数の光路偏向部のうちの一つである第２の光路偏向部までは、前記対物レンズの光軸に対して直交し、かつ前記照明光学系の前記ハーフミラーから前記光源側までの光路の方向と同一方向に光路が形成され、
前記第２の光路偏向部から前記接眼光学系までは、前記対物レンズの光軸方向と平行に光路が形成されており、かつ当該前記第２の光路偏向部から前記接眼光学系までの光路の間で、前記結像光学系の光路が前記照明光学系の光路と交差している
ことを特徴とする請求項３に記載の顕微鏡。
【請求項５】
前記照明光学系は、前記光源の像を形成するリレーレンズ群と、前記光源の像を前記対物レンズに導くフィールドレンズ群を有し、
前記光源の像が形成される位置と、前記フィールドレンズ群との間に、前記光源の像からの光束を平行光束にするレンズを配置し、
前記照明光学系と前記結像光学系の光路が交差する位置は、前記開口絞りの前記光源の像からの光束を平行にするレンズの間に位置する
ことを特徴とする請求項４に記載の顕微鏡。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の顕微鏡は、試料を載置するステージと、前記試料を照明する光源と、前記光源からの光束を前記ステージに載置された試料に導く照明光学系と、前記ステージに載置された試料からの光束を集光する対物レンズと、前記対物レンズで集光された光束を接眼レンズに導く結像光学系とを備えた顕微鏡において、当該顕微鏡を上方から見て、当該顕微鏡に対して前記接眼レンズの接眼位置に向かう方向を前後方向とした場合、前記接眼レンズ及び前記光源は前記ステージ上の前記試料の載置される位置に対して左右の一方に配置される
ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
更に、前記対物レンズの光軸上に、前記照明光学系の光路と前記結像光学系の光路と分岐するハーフミラーを配置し、前記ハーフミラーと前記光源の間の前記照明光学系の光路と、前記ハーフミラーと前記接眼レンズの間の前記結像光学系の光路とが、交差するように光路を偏向する光路偏向手段を有しているようにすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記光路偏向手段は、前記結像光学系の光路のうち、前記ハーフミラーと前記接眼レンズの間の光路を偏向するようにすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記光路偏向手段は、複数の光路偏向部からなり、前記結像光学系の光路において、前記ハーフミラーから前記複数の光路偏向部のうちの一つである第１の光路偏向部までは、前記対物レンズの光軸方向に光路が形成され、前記第１の光路偏向部から前記複数の光路偏向部のうちの一つである第２の光路偏向部までは、前記対物レンズの光軸に対して直交し、かつ前記照明光学系の前記ハーフミラーから前記光源側までの光路の方向と同一方向に光路が形成され、前記第２の光路偏向部から前記接眼光学系までは、前記対物レンズの光軸方向と平行に光路が形成されており、かつ当該前記第２の光路偏向部から前記接眼光学系までの光路の間で、前記結像光学系の光路が前記照明光学系の光路と交差しているようにすることができる。
前記照明光学系は、前記光源の像を形成するリレーレンズ群と、前記光源の像を前記対物レンズに導くフィールドレンズ群を有し、前記光源の像が形成される位置と、前記フィールドレンズ群との間に、前記光源の像からの光束を平行光束にするレンズを配置し、前記照明光学系と前記結像光学系の光路が交差する位置は、前記開口絞りの前記光源の像からの光束を平行にするレンズの間に位置するようにすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の顕微鏡においては、当該顕微鏡を上方から見て、当該顕微鏡に対して前記接眼レンズの接眼位置に向かう方向を前後方向とした場合、前記接眼レンズ及び前記光源は前記ステージ上の前記試料の載置される位置に対して左右の一方に配置される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月1日(2010.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
〔式中、Ｒ８は炭素数３〜２０のパーフルオロアルキル基である。〕
で表される繰り返し単位との共重合体が好適に使用される。
前記共重合体の具体例としては、例えば、セイミケミカル(株)製のサーフロン（登録商標）Ｓ−３８１が挙げられる。サーフロンＳ−３８１は、前記共重合体を、有効成分として、７０重量％の割合で、酢酸エチルに溶解した、淡黄色粘調液体〔比重（２０℃）：１．１１〕の状態で提供される。サーフロンＳ−３８１の有効成分である共重合体の、重量平均分子量Ｍｗは５００〜２０，０００、フッ素の含有割合は５〜３０重量％である。また、前記共重合体を、純水に溶解した、０．２重量％濃度の水溶液の表面張力（測定温度２５℃）は、１５．２ｍＮ／ｍである。なおこの場合、表面張力は、ＫＲＵＳＳ（クラス）社製の自動表面張力計Ｋ１０ＳＴを用いて、プレート法の原理に基づいて測定した値でもって表すこととする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
〈顔料〉
顔料としては、水性のインクジェットインクに通常に使用される任意の無機顔料および／または有機顔料を用いることができる。顔料は、インクジェットインクの色目に応じて、１種または２種以上を用いることができる。顔料の含有割合は、インクジェットインクの総量の０．５〜１０質量％、特に１〜５質量％であるのが好ましい。無機顔料としては、例えば、酸化チタン、酸化鉄等の金属化合物や、あるいはコンタクト法、ファーネス法、サーマル法等の公知の方法によって製造されたカーボンブラック等の１種または２種以上が挙げられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
また有機顔料としては、例えば、アゾ顔料（アゾレーキ、不溶性アゾ顔料、縮合アゾ顔料、またはキレートアゾ顔料等を含む）、多環式顔料（例えば、フタロシアニン顔料、ペリレン顔料、ペリノン顔料、アントラキノン顔料、キナクリドン顔料、ジオキサジン顔料、チオインジゴ顔料、イソインドリノン顔料、またはキノフタロン顔料等）、染料キレート（例えば、塩基性染料型キレート、酸性染料型キレート等）、ニトロ顔料、ニトロソ顔料、アニリンブラック等の１種または２種以上が挙げられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
有機酸のエチレンオキシド付加物としては、式(9)中のＭ１〜Ｍ３がいずれもナトリウム、ｒが６である、クエン酸ナトリウムのエチレンオキシド付加物を用い、ポリオキシエチレンフェニルエーテルとしては、式(12)で表される化合物を用い、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルとしては、式(13)で表される化合物を用いた。アセチレングリコール類としては、エアープロダクツ  アンド  ケミカルズ社製のサーフィノール６１を用い、殺生剤としては、ゼネカ社製のプロキセル（登録商標）ＸＬ−２を用いた。そして、前記各成分を、イオン交換水およびイソプロパノールと共に、下記表２に示す割合で配合し、かく拌して混合した後、５μｍのメンブランフィルタを用いてろ過してインクジェットインクを製造した。前記イオン交換水、および各成分中に含まれる水の総量Ｈと、非プロトン性極性有機溶媒Ｐとの質量比Ｈ／Ｐ＝３．４であった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
有機酸のエチレンオキシド付加物としては、式(9)中のＭ１〜Ｍ３がいずれもナトリウム、ｒが６である、クエン酸ナトリウムのエチレンオキシド付加物を用い、ポリオキシエチレンフェニルエーテルとしては、式(12)で表される化合物を用い、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルとしては、式(13)で表される化合物を用いた。アセチレングリコール類としては、エアープロダクツ  アンド  ケミカルズ社製のサーフィノール６１を用い、殺生剤としては、ゼネカ社製のプロキセル（登録商標）ＸＬ−２を用いた。そして、前記各成分を、イオン交換水およびイソプロパノールと共に、下記表４に示す割合で配合し、かく拌して混合した後、５μｍのメンブランフィルタを用いてろ過してインクジェットインクを製造した。前記イオン交換水、および各成分中に含まれる水の総量Ｈと、非プロトン性極性有機溶媒Ｐとの質量比Ｈ／Ｐ＝０．８であった。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月22日(2010.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理チャンバであって、
側壁と後壁とを有する電気的に接地されたチャンバと、
前記チャンバ内の第１の電極と、
少なくとも１３ＭＨｚの周波数で動作し、前記第１の電極に接続されたＲＦ電源と、
前記チャンバ内で、前記第１の電極に対向して、処理される矩形の基板に対して並置されるよう構成された第２の電極と、
前記第２の電極の周囲を前記チャンバへ接続し、前記周囲の本体に非対称な接地コンダクタンスを生成する複数の電気ストラップとを含むプラズマ処理チャンバ。
【請求項２】
前記第２の電極に接続され、前記第２の電極を、前記第１の電極に向けて、且つ前記第１の電極から離れるように動かす運動機構を含む請求項１記載のチャンバ。
【請求項３】
前記電気ストラップが可撓性であり、前記第２の電極の動きに応じて曲がる請求項２記載のチャンバ。
【請求項４】
前記第２の電極の前記周囲に接続された前記電気ストラップが、複数の形状を有する請求項１記載のチャンバ。
【請求項５】
前記第２の電極が矩形で、少なくとも１ｍの側部を有している請求項１記載のチャンバ。
【請求項６】
前記第１の電極がその中に延在し、ガスソースに接続可能な複数のガス分配アパーチャを含む請求項１記載のチャンバ。
【請求項７】
プラズマ処理チャンバであって、
側壁と後壁とを有するチャンバと、
前記チャンバ内の第１の電極と、
前記チャンバ内で、前記第１の電極に対向して、処理される矩形の基板に対して並置されるよう構成された第２の電極と、
前記第２の電極の周囲を所定の電位で前記チャンバへ接続する複数の形状の複数の電気ストラップと、
前記第２の電極に接続され、前記第２の電極を、前記第１の電極に向けて、且つ前記第１の電極から離れるように動かす、リフト機構とを含み、前記電気ストラップが、可撓性であり、前記第２の電極の動きに応じて曲がるプラズマ処理チャンバ。
【請求項８】
前記電気ストラップが、前記第２の電極の周囲に均一に分配されている請求項７記載のチャンバ。
【請求項９】
前記複数の形状が、複数の幅のストラップを含む請求項７記載のチャンバ。
【請求項１０】
プラズマエンハンスドＣＶＤチャンバであって、
電気的に接地された壁を含む真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に配置され、複数のガス分配穴を有するシャワーヘッド電極と、
前記シャワーヘッド電極に接続され、少なくとも１３ＭＨｚの周波数で動作するＲＦ電源と、
前記チャンバに配置され、処理される矩形の基板に対して並置されるよう構成された矩形サセプタと、
前記サセプタを、前記シャワーヘッド電極に向けて、且つ前記シャワーヘッド電極から離れるように動かす、運動機構と、
前記サセプタの周囲と、前記電気的に接地された壁の間に接続され、前記サセプタと前記壁の間に、前記周囲で異なる非対称コンダクタンスを生成する複数の可撓性接地ストラップとを含むプラズマエンハンスドＣＶＤチャンバ。
【請求項１１】
前記複数のストラップの異なるものが、異なる形状で形成されている請求項１０記載のＣＶＤチャンバ。
【請求項１２】
前記接地された壁が、前記シャワーヘッドの反対の前記サセプタの側部の前記真空チャンバの後壁である請求項１０記載のＣＶＤチャンバ。
【請求項１３】
プラズマエンハンスドＣＶＤプロセスであって、
電気的に接地された壁を含む真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に配置され、複数のガス分配穴を有するシャワーヘッド電極と、
前記シャワーヘッド電極に接続されたＲＦ電源と、
前記チャンバ内に配置され、処理される矩形の基板に対して並置されるよう構成された矩形サセプタとを含むプラズマチャンバを提供する工程と、
前記サセプタの周囲と前記接地された壁の間で、複数の電気ストラップを接続して、前記周囲で異なる非対称のコンダクタンスを生成する工程と、
前記サセプタを、前記シャワーヘッド電極に向けて、且つ前記シャワーヘッド電極から離れるように動かして、前記電気ストラップを曲げる工程と、
化学蒸着のための前駆体ガスを、前記シャワーヘッド電極を通して、前記真空チャンバへ入れる工程と、
前記前駆体ガスを、前記ＲＦ電源からのＲＦ電力により、プラズマへ励起して、前記前駆体ガスから前記パネルへ材料を化学蒸着する工程とを含むプロセス。
【請求項１４】
前記複数のストラップの異なるものが、異なる形状を有する請求項１３記載のプロセス。
【請求項１５】
前記非対称コンダクタンスを選択して、堆積の均一性を改善するよう変化させる請求項１３記載のプロセス。
【請求項１６】
前記電気ストラップは前記第２の電極に固定される請求項１記載のチャンバ。
【請求項１７】
前記第２の電極にねじ止めされ、前記電気ストラップを固定するねじを含む請求項１記載のチャンバ。
【請求項１８】
前記電気ストラップは前記第２の電極に固定される請求項７記載のチャンバ。
【請求項１９】
前記第２の電極のねじ穴にねじ止めされ、前記電気ストラップを固定する部材を含む請求項７記載のチャンバ。
【請求項２０】
前記接続する工程は、電気ストラップをサセプタに固体する請求項１３記載のプロセス。
【請求項２１】
前記接続する工程は、前記サセプタのねじ穴に部材をねじ入れし、これによって前記電気ストラップを固定することを含む請求項１３記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月9日(2010.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エアロゾルデポジション法に用いる粒子群であって、
前記粒子群は、平均一次粒子径が０．１マイクロメータ以上５マイクロメータ以下の複数の脆性材料微粒子を含む微粒子を固めた集合体であり、前記粒子群の平均粒子径が１０マイクロメータ以上５００マイクロメータ以下であること、を特徴とする粒子群。
【請求項２】
前記粒子群に含まれる前記脆性材料微粒子同士が化学的結合をしていないこと、を特徴とする請求項１に記載の粒子群。
【請求項３】
前記粒子群のスパチュラ角が４６．２°以下であること、を特徴とする請求項１または２に記載の粒子群。
【請求項４】
前記粒子群の「粒径の標準偏差／平均粒子径」が３３％以内であること、を特徴とする
請求項１〜３に記載の粒子群。
【請求項５】
収容機構に収容された請求項１〜４のいずれか１つに記載の粒子群を前記収容機構から搬出してガス供給機構から供給されたガスとともにエアロゾル化機構に搬送し、
前記搬送された前記粒子群を解砕させてエアロゾルを形成し、
前記エアロゾルを基材に向けて噴射することにより前記粒子群の構成材料からなる構造
物と前記基材との複合構造物を形成すること、を特徴とする複合構造物形成方法。
【請求項６】
前記エアロゾル化機構への搬送は、前記収容機構から搬出された前記粒子群と、前記ガ
ス供給機構から供給されたガスと、により形成された固気混相流により行われること、を
特徴とする請求項５記載の複合構造物形成方法。
【請求項７】
前記エアロゾル化機構において、機械的衝撃を加えることで前記粒子群を解砕させること、を特徴とする請求項５または６に記載の複合構造物形成方法。
【請求項８】
前記ガスの体積流量は、前記エアロゾル化機構への搬送路の最小断面積に対して、１気
圧２５℃換算において０．０５Ｌ／（分・ｍｍ 2 ）以上、５０．０Ｌ／（分・ｍｍ 2 ）以下であることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１つに記載の複合構造物形成方法。
【請求項９】
微粒子をガス中に分散させたエアロゾルを基材に衝突させて前記微粒子の構成材料から
なる構造物と前記基材との複合構造物を形成する複合構造物形成システムであって、
請求項１〜４のいずれか１つに記載の粒子群を収容する収容機構と、
前記収容機構から前記粒子群を搬出する供給機構と、
前記搬出された粒子群に向けてガスを供給するガス供給機構と、
前記ガスを混流した前記粒子群に対して衝撃を加えることで複数の微粒子に解砕しエアロゾルを形成させるエアロゾル化機構と、
前記エアロゾルを基板上に噴射する吐出口と、を備えることを特徴とする複合構造物形成システム。
【請求項１０】
前記衝撃は、機械的障壁、圧力障壁、前記粒子群同士の衝突の群より選択された少なくとも１つにより加えられること、を特徴とする請求項９記載の複合構造物形成システム。
【請求項１１】
前記ガスの体積流量は、前記エアロゾル化機構への搬送路の最小断面積に対して、１気圧２５℃換算において０．０５Ｌ／（分・ｍｍ 2 ）以上、５０．０Ｌ／（分・ｍｍ 2 ）以下であることを特徴とする請求項９または１０に記載の複合構造物形成システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月17日(2011.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つ又は３つのモノマー末端と、一つの重合可能な官能基とを有する低分子量シロキサンポリマーを有する対称シロキサンマクロモノマーであって、前記重合可能な官能基は、前記２つ又は３つのモノマー末端から等距離に位置し、前記２つ又は３つのモノマー末端は、極性かつ親水性である対称シロキサンマクロモノマー。
【請求項２】
請求項１記載の対称シロキサンマクロモノマーであって、前記極性かつ親水性の末端は、ヒドロキシル、エーテル、及びポリエーテルからなる群から選択される官能基を有している対称シロキサンマクロモノマー。
【請求項３】
請求項１記載のマクロモノマーを含有する生体適合性材料であって、前記少なくとも２つのモノマー末端は、ヒドロキシル基を含有している生体適合性材料。
【請求項４】
請求項３記載の材料であって、該マクロモノマーは、下記構造（Ｖ）を有している材料。
【化１】
2008274278.tif 000001
ここで、ｎは重合度である。
【請求項５】
２つ又は３つのモノマー末端と、一つの重合可能な官能基とを有する低分子量シロキサンポリマーを有する対称シロキサンマクロモノマーであって、前記重合可能な官能基は、前記２つ又は３つのモノマー末端から等距離に位置し、前記２つ又は３つのモノマー末端は、非極性かつ疎水性であってアルキル及びアリールからなる群から選択される官能基を有し、該官能基がアルキル基である場合は、それらの少なくとも１つがメチル基以外の基でなければならない、マクロモノマー。
【請求項６】
請求項１又は５記載の対称シロキサンマクロモノマーであって、前記重合可能な官能基は、ビニル，メタクリロキシアルキル，アクリルオキシアルキル，アリールアミドアルキル，及びスチリルからなる群から選択されるものである対称シロキサンマクロモノマー。
【請求項７】
請求項１又は５記載の対称シロキサンマクロモノマーであって、前記シロキサンポリマーは、約２０，０００ダルトンより小さい分子量を有している対称シロキサンマクロモノマー。
【請求項８】
請求項７記載の対称シロキサンマクロモノマーであって、前記シロキサンポリマーは、約１０，０００ダルトンより小さい分子量を有している対称シロキサンマクロモノマー。
【請求項９】
請求項８記載の対称シロキサンマクロモノマーであって、前記シロキサンポリマーは、約５００〜約５，０００ダルトンの分子量を有している対称シロキサンマクロモノマー。
【請求項１０】
請求項１又は５記載の対称シロキサンマクロモノマーであって、該シロキサンマクロモノマーは、置換又は非置換ポリアルキルメチルシロキサン骨格を有している対称シロキサンマクロモノマー。
【請求項１１】
請求項１又は５記載の対称シロキサンマクロモノマーであって、該シロキサンマクロモノマーは、ポリジメチルシロキサン骨格を有している対称シロキサンマクロモノマー。
【請求項１２】
請求項１又は５記載の対称シロキサンマクロモノマーであって、該シロキサンマクロモノマーは、フッ素化ポリアルキルメチルシロキサン骨格，ポリジフェニルシロキサン骨格，及びポリフェニルメチルシロキサン骨格からなる群から選択される骨格を有している対称シロキサンマクロモノマー。
【請求項１３】
請求項１又は５記載の対称シロキサンマクロモノマーであって、該シロキサンマクロモノマーは、少なくとも２つの異なるブロックを有する骨格を有している対称シロキサンマクロモノマー。
【請求項１４】
請求項１又は５記載の対称シロキサンマクロモノマーであって、前記シロキサンポリマーは、３つのモノマー末端を有しているマクロモノマー。
【請求項１５】
請求項５記載の対称シロキサンマクロモノマーであって、該マクロモノマーは、下記構造（II）を有しているマクロモノマー。
【化２】
2008274278.tif 000002
ここで、ｎは重合度である。
【請求項１６】
少なくとも一つの重合可能な官能基末端と、少なくとも一つの酸素含有極性親水性末端とを有する非対称シロキサンマクロモノマー。
【請求項１７】
請求項１６記載の非対称シロキサンマクロモノマーであって、前記重合可能な官能基末端は、ビニル，メタクリロキシアルキル，アクリルオキシアルキル，アリールアミドアルキル，及びスチリルからなる群から選択されるものである非対称シロキサンマクロモノマー。
【請求項１８】
請求項１６記載の非対称シロキサンマクロモノマーであって、少なくとも一つの酸素含有極性親水性末端は、 ヒドロキシル、エーテル、及びポリエーテルからなる群から選択されるものである非対称シロキサンマクロモノマー。
【請求項１９】
請求項１６記載の非対称シロキサンマクロモノマーであって、該シロキサンマクロモノマーは、置換又は非置換ポリアルキルメチルシロキサン骨格を有している非対称シロキサンマクロモノマー。
【請求項２０】
請求項１９記載の非対称シロキサンマクロモノマーであって、該シロキサンマクロモノマーは、ポリジメチルシロキサン骨格を有している非対称シロキサンマクロモノマー。
【請求項２１】
請求項１９記載の非対称シロキサンマクロモノマーであって、該シロキサンマクロモノマーは、フッ素化ポリアルキルメチルシロキサン骨格，ポリジフェニルシロキサン骨格，及びポリフェニルメチルシロキサン骨格からなる群から選択される骨格を有している非対称シロキサンマクロモノマー。
【請求項２２】
請求項１６記載の非対称シロキサンマクロモノマーであって、該マクロモノマーは、約２０，０００ダルトンより小さい分子量を有している非対称シロキサンマクロモノマー。
【請求項２３】
請求項２２記載の非対称シロキサンマクロモノマーであって、該マクロモノマーは、約１０，０００ダルトンより小さい分子量を有している非対称シロキサンマクロモノマー。
【請求項２４】
請求項２３記載の非対称シロキサンマクロモノマーであって、該マクロモノマーは、約５００〜約５，０００ダルトンの分子量を有している非対称シロキサンマクロモノマー。
【請求項２５】
請求項１６記載の非対称シロキサンマクロモノマーであって、該マクロモノマーは、対称シロキサン骨格を有している非対称シロキサンマクロモノマー。
【請求項２６】
請求項２５記載の非対称シロキサンマクロモノマーであって、該マクロモノマーは、下記構造（III）を有している非対称シロキサンマクロモノマー。
【化３】
2008274278.tif 000003
ここで、ｎは重合度である。