【手続補正書】
【提出日】平成21年8月19日(2009.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室内の処理区域を少なくとも部分的に排気し、プロセスガスを該処理区域内に、特に前記加工物のキャビティ内に導入し、かつ、注入される電磁エネルギーを用いて前記処理区域内に導入された前記プロセスガスでプラズマを点火する、中空体の形態の加工物のプラズマ処理の方法であって、前記プロセスガスは、該プラズマ処理中に前記処理区域の両端間を通って流れ、前記加工物は、第１の円筒形又は準円筒形表面と、該加工物よりも小径、かつ、短寸であり第２の円筒形又は準円筒形表面を有する円筒形又は準円筒形の付属物とを有し、該付属物の直径及び高さは、最大直径及び高さよりも少なくとも２０％、好ましくは５０％小さいことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記加工物は、
ｉ）円筒形又は準円筒形であり、最大外径が１ｍｍ〜５０ｍｍ、好ましくは３ｍｍ〜３０ｍｍ、特に好ましくは５ｍｍ〜２０ｍｍであり、高さが１０ｍｍ〜２００ｍｍ、好ましくは３０ｍｍ〜１５０ｍｍ、特に好ましくは５０ｍｍ〜１００ｍｍであるか、又は
ｉｉ）最大内径が１ｍｍ〜５０ｍｍ、好ましくは２ｍｍ〜２９ｍｍ、特に好ましくは４ｍｍ〜２０ｍｍであり、高さが１０ｍｍ〜２００ｍｍ、好ましくは３０ｍｍ〜１５０ｍｍ、特に好ましくは５０ｍｍ〜１００ｍｍであり、壁厚が０．２ｍｍ〜１０ｍｍ、好ましくは０．３ｍｍ〜８ｍｍ、特に好ましくは２ｍｍ〜５ｍｍであるか、又は
ｉｉｉ）０．０１ｍｍ〜５ｍｍ、特に好ましくは０．０５ｍｍ〜４ｍｍの好ましくは狭いカニューレ状の内径を有する、小径、かつ、短寸の第２の円筒形又は準円筒形の付属物を有するか、又は
ｉｖ）０．１ｍｌ〜１００ｍｌ、好ましくは０．２ｍｌ〜４０ｍｌ、特に好ましくは０．５ｍｌ〜２０ｍｌの容量を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記加工物は、第１の円筒形又は準円筒形表面を有する円筒形又は準円筒形であり、第２の円筒形又は準円筒形表面を有する円筒形又は準円筒形の付属物を有し、層厚Ｄ１を有する少なくとも１つの薄層が前記第１の円筒形又は準円筒形表面に施され、厚さＤ２を有する層が前記第２の準円筒形表面に施され、前記厚さＤ１対Ｄ２の比が、０．２≦Ｄ２／Ｄ１≦５、好ましくは０．４≦Ｄ２／Ｄ１≦１．５、特に好ましくは０．７≦Ｄ２／Ｄ１≦１．２の関係を満足する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記プロセスガスは、少なくとも１つのカニューレを通して前記処理区域内に入れられ、該カニューレの開口内径は、０．１ｍｍ〜５．０ｍｍ、好ましくは０．２ｍｍ〜３．０ｍｍ、特に好ましくは０．３ｍｍ〜２．０ｍｍであり、前記カニューレの壁厚は、０．０５ｍｍ〜３．０ｍｍ、好ましくは０．１ｍｍ〜２．０ｍｍ、特に好ましくは０．１５ｍｍ〜１．０ｍｍである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記加工物は、第１の端の開口を通して排気され、前記プロセスガスは、該第１の端の反対側にある前記加工物の第２の端の別の開口を通して導入され、前記電磁エネルギーは、軸方向に、特に好ましくは前記加工物に対して軸対称に入力される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
シリンジ体の内部がプラズマ処理される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記シリンジのキャビティが、そのプランジャ開口を通して排気される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記プラズマ処理を用いて、
ｉ）ガスに対するバリヤー効果を有する少なくとも１つの層、又は
ｉｉ）前記加工物からの成分、例えば該加工物の製造により生じる初期化合物、副生化合物、若しくは最終化合物に対するバリヤー効果を有する少なくとも１つの層
を堆積させるか、又は
ｉｉｉ）化学的バリヤー効果を有するバリヤー層を堆積させるか、又は
ｉｖ）防傷層を堆積させるか、又は
ｖ）ＵＶ反射層又はＵＶ吸収層を堆積させるか、又は
ｖｉ）着色層、好ましくは青色層を堆積させるか、又は
ｖｉｉ）ミラー層又はブルーミング層を堆積させる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記加工物の前記キャビティを通る前記プロセスガスの軸対称流が形成され、前記電磁エネルギーは、軸方向に、特に好ましくは軸対称に前記加工物内に入力される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
反応室のうちの少なくとも１つの区域を少なくとも部分的に排気し、プロセスガスを該区域に導入し、かつ、注入される電磁エネルギーを用いて導入中の前記プロセスガス中で加工物の表面の少なくとも一部の付近においてプラズマを発生させ、前記プラズマは、該プラズマを発生させるための前記電磁エネルギーが導入中の前記プロセスガスに注入されている間に、前記反応室から離れた前記装置の空間におけるガスの励起によって点火され、前記プラズマを発生させるための前記電磁エネルギーが導入中の前記プロセスガスに注入されている間に、前記反応室から離れた空間におけるガスの励起によって前記プラズマが点火され、
ｉ）励起電子、
ｉｉ）励起イオン、
ｉｉｉ）励起中性粒子、
ｉｖ）紫外線
等の高エネルギー種又は高エネルギー放射線が、前記励起中に形成され、前記プラズマの点火は、これらによって補助され、かつ、前記プラズマは、前記離れた空間におけるグロー放電を用いて環境中で点火され、該グロー放電は、以下のパラメータ：
ｉ）０．１ｋＶ〜１００ｋＶの範囲の高電圧、
ｉｉ）０．２ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ、好ましくは１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの周波数の交流電流、
ｉｉｉ）０．０１ｍＡ〜２Ａの範囲、好ましくは０．１ｍＡ〜５００ｍＡの範囲のＲＭＳ交流電流
のうちの１つによって起こすことが好ましい、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記電磁エネルギーは、同軸ケーブルを通して供給され、前記プロセスガスは、該同軸ケーブルの内側導管を通して供給されるか、又は、前記電磁エネルギーは、同軸ケーブルを通して好ましくは軸方向に注入され、前記処理区域は、該同軸ケーブルを通して排気される、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＣｙ、ＳｉＯｘＮｙ、ＳｉＮｙ、ＴｉＯｘ、ＡｌｘＯｙＮｚ、ＡｌｘＮｚ、ＡｌｘＯｙ、ＣｘＨｙ、ＣｘＦｙ、ＴｉＮｘのうちの少なくとも１つの物質を含有する層を、前記プラズマ処理によって堆積させる、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
処理すべき加工物のキャビティに、フィラー体が少なくとも部分的に充填され、それにより、前記プラズマ処理中及び該プラズマ処理後に前記加工物の温度分布がより均一になる、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法を行うようになっている、中空体の形態の加工物のプラズマ処理装置であって、反応室と、該反応室内の処理区域と、該反応室内の該処理区域を少なくとも部分的に排気する機器と、プラズマを発生させるために該処理区域内に電磁エネルギーを注入する機器と、該処理区域内にプロセスガスを導入する機器とを有し、該プロセスガスを導入する機器及び該処理区域を排気する機器は、動作中に前記プロセスガスが前記処理区域の両端間を通って流れるように配置され、前記加工物は、第１の円筒形又は準円筒形表面と、該加工物よりも小径、かつ、短寸であり第２の円筒形又は準円筒形表面を有する円筒形又は準円筒形の付属物とを有し、該付属物の直径及び高さは、最大直径及び高さよりも少なくとも２０％、好ましくは５０％小さいことを特徴とする装置。
【請求項１５】
前記処理区域内にプロセスガスを導入する機器は、少なくとも１つのカニューレを有し、該カニューレの開口直径は、０．１ｍｍ〜５．０ｍｍ、好ましくは０．２ｍｍ〜３．０ｍｍ、特に好ましくは０．３ｍｍ〜２．０ｍｍであり、前記カニューレの壁厚は、０．０５ｍｍ〜３．０ｍｍ、好ましくは０．１ｍｍ〜２．０ｍｍ、特に好ましくは０．１５ｍｍ〜１．０ｍｍである、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記プロセスガスを導入する機器は、前記第１の端の反対側にある前記加工物の第２の端のさらなる開口を通して前記プロセスガスを導入する機器を有する、請求項１４又は１５に記載の装置。
【請求項１７】
シリンジ体の内部プラズマ処理を行うようになっており、前記シリンジ体の前記キャビティを少なくとも部分的に排気する排気機器を該シリンジ体のプランジャ開口に接続する接続機器を有し、前記シリンジ体のルアーコーンを通して前記プロセスガスを導入する機器を有する、請求項１４〜１６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１８】
前記加工物を取り囲み、かつ、該加工物の前記キャビティの区域を注入される電磁エネルギーから局所的に遮蔽する、少なくとも１つの局所遮蔽材を有する、請求項１４〜１７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１９】
搬送路に沿って可動である反応器と、該反応器に前記加工物を供給する供給位置と、該反応器から該加工物を取り出す取出位置と、前記キャビティ内に電磁エネルギーを注入する機器を有する、前記供給位置と前記取出位置との間でプラズマ処理を行う機器とを有する、請求項１４〜１８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２０】
前記反応空間の前に、前記排気機器が接続される副室を有する、請求項１４〜１９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２１】
コーティングすべき加工物を受け取る反応室と、該反応室のうちの少なくとも１つの区域を少なくとも部分的に排気する機器と、前記反応室及び該反応室から離れた空間内に電磁エネルギーを注入する機器と、前記反応室において前記プラズマを点火する機器とを有し、該点火する機器は、該反応室から離れた前記空間においてガスを励起する機器を有する、請求項１４〜２０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２２】
前記点火する機器は、前記反応室から離れた前記空間においてグロー放電を発生させる機器を有する、請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
前記反応室内に電磁エネルギーを注入する機器は、前記プロセスガスの供給に用いることができる軸方向に延びるチャネルを有する同軸ケーブルを有するか、又は、前記処理区域は、前記同軸ケーブルを通して排気可能である、請求項１４〜２２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２４】
前記加工物のキャビティを少なくとも部分的に充填するフィラー体を有し、前記フィラー体は、高周波電磁エネルギーを吸収又は反射するとともに、前記充填区域のすぐ近くでのプラズマの点火を防止する、請求項１４〜２３のいずれか１項に記載の装置。