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【手続補正書】
【提出日】平成23年7月7日(2011.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
充電によりリチウムと合金化することのできる元素およびその化合物より選ばれる少なくとも１種の合金化材料と、炭素材料とを活物質とする負極と、正極と、非水電解液とを備えた非水二次電池であって、
前記合金化材料として、前記元素の酸化物を含み、
前記合金化材料と前記炭素材料との総量における前記合金化材料の割合が１〜３０重量％であり、
前記合金化材料の平均粒径が、前記炭素材料の平均粒径の２／５以下であることを特徴とする非水二次電池。
【請求項２】
前記充電によりリチウムと合金化することのできる元素が、ＳｉまたはＳｎである請求項１に記載の非水二次電池。
【請求項３】
前記合金化材料としてＳｉまたはＳｎの酸化物を含む請求項１に記載の非水二次電池。
【請求項４】
前記合金化材料としてＳｉの酸化物を含む請求項１に記載の非水二次電池。
【請求項５】
前記合金化材料と前記炭素材料との総量における前記合金化材料の割合が５重量％以上である請求項１〜４のいずれかに記載の非水二次電池。
【請求項６】
前記負極が導電助剤を含み、前記合金化材料が前記導電助剤と複合化されている請求項１〜５のいずれかに記載の非水二次電池。
【請求項７】
前記導電助剤として炭素を用い、前記合金化材料の表面に、前記導電助剤である炭素の被覆層が形成されている請求項６に記載の非水二次電池。
【請求項８】
前記合金化材料と前記活物質である炭素材料との総量における前記合金化材料の割合が１３．０重量％以下である請求項１〜７のいずれかに記載の非水二次電池。
【請求項９】
前記活物質である炭素材料の平均粒径が２５μｍ以下である請求項１〜８のいずれかに記載の非水二次電池。
【請求項１０】
前記活物質である炭素材料の平均粒径が８μｍ以上である請求項１〜９のいずれかに記載の非水二次電池。
【請求項１１】
前記合金化材料の平均粒径が０．１μｍ以上である請求項１〜１０のいずれかに記載の非水二次電池。
【請求項１２】
前記合金化材料の平均粒径が、前記活物質である炭素材料の平均粒径の１／３以下である請求項１〜１１のいずれかに記載の非水二次電池。
【請求項１３】
前記活物質である炭素材料の平均粒径に対する前記合金化材料の平均粒径の比が、０．０１３以上である請求項１〜１２のいずれかに記載の非水二次電池。
【請求項１４】
前記負極が、導電助剤としてカーボンブラックまたは炭素繊維を含む請求項１〜１３のいずれかに記載の非水二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月23日(2011.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた第一絶縁膜と、
前記第一絶縁膜に被覆されたゲート電極及び前記第一絶縁膜を介して前記ゲート電極に相対して設けられている半導体膜を有する画素トランジスタと、
前記第一絶縁膜上に設けられた第一電極と、
前記第一電極と対向する第二電極と、
前記第一電極と前記第二電極との間に設けられた有機発光層と、
を備え、
前記第一絶縁膜は、前記ゲート電極と前記第一電極との間で分断されていることを特徴とするＥＬパネル。
【請求項２】
前記ゲート電極と前記第一電極との間で分断されている部位には、導光ストッパが設けられていることを特徴とする請求項１記載のＥＬパネル。
【請求項３】
前記導光ストッパは、前記画素トランジスタの電極を介して前記第一電極に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のＥＬパネル。
【請求項４】
前記画素トランジスタの前記電極を覆う遮光性の隔壁が、前記画素トランジスタと前記第二電極との間に設けられていることを特徴とする請求項３に記載のＥＬパネル。
【請求項５】
基板上に設けられた第一絶縁膜と、
前記第一絶縁膜に被覆されたゲート電極及び前記第一絶縁膜を介して前記ゲート電極に相対して設けられている半導体膜を有する画素トランジスタと、
前記第一絶縁膜上に設けられた第一電極と、
前記第一電極と対向する第二電極と、
前記第一電極と前記第二電極との間に設けられた有機発光層と、
を備えるＥＬパネルの製造方法であって、
前記ゲート電極と前記第一電極との間で前記第一絶縁膜を分断することを特徴とするＥＬパネルの製造方法。
【請求項６】
前記ゲート電極と前記第一電極との間で分断されている部位に導光ストッパを形成することを特徴とする請求項５記載のＥＬパネルの製造方法。
【請求項７】
前記ゲート電極及び前記導光ストッパは、導電膜をパターニングすることによって一括して形成されることを特徴とする請求項６記載のＥＬパネルの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以上の課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、ＥＬパネルであって、
基板上に設けられた第一絶縁膜と、
前記第一絶縁膜に被覆されたゲート電極及び前記第一絶縁膜を介して前記ゲート電極に相対して設けられている半導体膜を有する画素トランジスタと、
前記第一絶縁膜上に設けられた第一電極と、
前記第一電極と対向する第二電極と、
前記第一電極と前記第二電極との間に設けられた有機発光層と、
を備え、
前記第一絶縁膜は、前記ゲート電極と前記第一電極との間で分断されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記ゲート電極と前記第一電極との間で分断されている部位には、導光ストッパが設けられていてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記導光ストッパは、前記画素トランジスタの電極を介して前記第一電極に接続されていてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記画素トランジスタの前記電極を覆う遮光性の隔壁が、前記画素トランジスタと前記第二電極との間に設けられていてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
そして、基板上に設けられた第一絶縁膜と、
前記第一絶縁膜に被覆されたゲート電極及び前記第一絶縁膜を介して前記ゲート電極に相対して設けられている半導体膜を有する画素トランジスタと、
前記第一絶縁膜上に設けられた第一電極と、
前記第一電極と対向する第二電極と、
前記第一電極と前記第二電極との間に設けられた有機発光層と、
を備えるＥＬパネルの製造方法であって、
前記ゲート電極と前記第一電極との間で前記第一絶縁膜を分断することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記ゲート電極と前記第一電極との間で分断されている部位に導光ストッパを形成してもよく、前記ゲート電極及び前記導光ストッパは、導電膜をパターニングすることによって一括して形成されてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月15日(2011.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子が実装される実装基板と、
を含み、
前記発光素子は、
活性層と、
前記活性層を挟む２つのクラッド層と、
を有し、
前記活性層のうちの少なくとも一部は、電流が注入されて光を発生し増幅する利得領域を構成し、
前記利得領域は、前記活性層と前記クラッド層との積層方向からの平面視にて、前記活性層の第１側面から当該第１側面に対向する前記活性層の第２側面にわたって、前記第１側面の垂線に対して傾いた方向に延在して設けられ、
前記実装基板は、
前記利得領域の前記第１側面側の第１端面から出射される第１出射光を、前記実装基板の前記発光素子が実装される面から離間する方向に反射させる第１反射面と、
前記利得領域の前記第２側面側の第２端面から出射される第２出射光を、前記実装基板の前記発光素子が実装される面から離間する方向に反射させる第２反射面と、
を有する、発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１反射面によって反射される光の進む向きと、前記第２反射面によって反射される光の進む向きとは、同じである、発光装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１反射面によって反射される光の進む向き、および、前記第２反射面によって反射される光の進む向きは、前記活性層の上面に対して垂直上向きである、発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記第１出射光の進む向きは、前記積層方向からの平面視にて、前記活性層の上面に平行な面と前記第１反射面との交線に対して直角を成し、
前記第２出射光の進む向きは、前記積層方向からの平面視にて、前記活性層の上面に平行な面と前記第２反射面との交線に対して直角を成す、発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記利得領域では、前記第１側面側からの平面視にて、前記第１端面と前記第２端面とは重なっていない、発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記発光素子は、
前記２つのクラッド層に電気的に接続された電極を有する、発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記利得領域は、複数設けられ、
複数の前記利得領域の前記第１端面に対する前記第１反射面の各々は、全体として１つの平面を構成し、
前記複数の利得領域の前記第２端面に対する前記第２反射面の各々は、全体として１つの平面を構成する、発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記利得領域は、複数設けられ、
複数の前記利得領域の前記第１端面に対する前記第１反射面の各々は、前記第１出射光の前記第１端面から前記第１反射面までの光路長が同じになる位置に設けられ、
前記複数の利得領域の前記第２端面に対する前記第２反射面の各々は、前記第２出射光の前記第２端面から前記第２反射面までの光路長が同じになる位置に設けられている、発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記第１反射面および前記第２反射面の各々の反射率は、５０％より高く、１００％以下である、発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかにおいて、
前記実装基板は、前記発光素子を支持する支持部材を有し、
前記支持部材の熱伝導率は、前記発光素子の熱伝導率よりも高い、発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかにおいて、
前記発光素子は、前記活性層を直接的または間接的に支持する支持基板をさらに有し、
前記活性層は、前記支持基板に対して前記実装基板側に設けられている、発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれかにおいて、
前記発光素子を封止する封止部材を含み、
前記第１反射面によって反射される光および前記第２反射面によって反射される光は、前記封止部材を透過する、発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月8日(2011.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１クラッド層と、
前記第１クラッド層の上方に形成された活性層と、
前記活性層の上方に形成された第２クラッド層と、
前記第１クラッド層に電気的に接続された第１電極と、
前記第２クラッド層に電気的に接続された第２電極と、
を含み、
前記活性層の一部は、電流が注入されることにより光を発生し増幅する利得領域を構成し、
前記利得領域は、第１利得部分と、前記第１利得部分と離間して配置された第２利得部分と、を有し、
前記第２利得部分は、光を出射する出射端面を有し、
前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方は、第１部分と、前記第１部分と電気的に分離された第２部分と、を有し、
前記第１部分は、前記第１利得部分の上方に位置し、
前記第２部分は、前記第２利得部分の上方に位置している、発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記利得領域は、前記活性層の第１側面側の端面と、前記第１側面と平行な前記活性層の第２側面側の端面と、を有し、
前記利得領域では、前記第１側面側から見て、前記第１側面側の端面と、前記第２側面側の端面とは、重なっておらず、
少なくとも前記第２側面側の端面は、前記出射端面である、発光装置。
【請求項３】
請求項１または２において、レーザ光でない光を発する発光装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記第２利得部分の面積は、前記第１利得部分の面積より小さい、発光装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記第２利得部分を構成する層構造は、前記第１利得部分を構成する層構造と異なる、発光装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、
前記第２利得部分を構成する量子井戸構造は、前記第１利得部分を構成する量子井戸構造と異なる、発光装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、
前記第１側面の反射率は、前記利得領域に生じる光の波長帯において、前記第２側面の反射率よりも高く、
前記利得領域は、複数設けられ、
複数の前記利得領域は、少なくとも１つの利得領域の対をなし、
前記利得領域の対の一方の第１利得領域は、一の方向に向かって設けられ、
前記利得領域の対の他方の第２利得領域は、前記一の方向とは異なる他の方向に向かって設けられ、
前記第１利得領域の前記第１側面側の端面のうちの少なくとも一部と、前記第２利得領域の前記第１側面側の端面のうちの少なくとも一部とは、重なっている、発光装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記利得領域の対は、複数配列されている、発光装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかにおいて、
前記第１電極は、オーミックコンタクトする第１層と接しており、
前記第２電極は、オーミックコンタクトする第２層と接しており、
前記第１電極と前記第１層との接触面、および、前記第２電極と前記第２層との接触面のうちの少なくとも一方は、前記利得領域と同じ平面形状を有する、発光装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記活性層は、前記第１利得部分と前記第２利得部分とに挟まれた接続部分を有し、
前記第１層および前記第２層のうちの少なくとも一方は、柱状部の少なくとも一部を構成し、
前記柱状部は、前記利得領域の平面形状と、前記接続部分の平面形状と、を合わせた平面形状を有し、
前記柱状部の側方には、絶縁部が設けられており、
前記絶縁部は、平面的に見て、前記第１側面と前記第２側面との間において、前記柱状部の側面に接している、発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月14日(2011.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリックス状に画素を配置した表示部によりトップエミッション方式で所望の画像を表示する画像表示装置において、
前記画素は、
有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子の下層側に配置されて、前記有機ＥＬ素子の出射光の一部を受光する受光素子と、
前記有機ＥＬ素子の下層側に配置されて、前記受光素子の受光結果に基づいて光フィードバック方式により前記有機ＥＬ素子を駆動する半導体素子とを備え、
前記画素には、前記有機ＥＬ素子の出射光の一部を前記受光素子に導く光導光部が設けられている、画像表示装置。
【請求項２】
前記光導光部は、
前記有機ＥＬ素子からの出射光の波長帯域における前記受光素子の感度が小さくなるほど光量が大きくなるように、前記有機ＥＬ素子の出射光を前記受光素子に導く、請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記光導光部は、
前記有機ＥＬ素子からの出射光の波長帯域における前記受光素子の感度に反比例する光量により、前記有機ＥＬ素子の出射光を前記受光素子に導く、請求項１または２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記有機ＥＬ素子が、
前記半導体素子側の下部電極と、
前記下部電極に対向するように設けられた上部電極と、
前記下部電極及び上部電極とにより挟持された有機ＥＬ層とにより形成され、
前記下部電極の透過率を局所的に増大させて、前記光導光部が形成された、請求項１から３のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記下部電極が、
前記有機ＥＬ層の出射光を透過する透過電極と、
前記透過電極の透過光を反射する反射電極との積層により形成され、
前記反射電極が設けられない部位が局所的に作成されて、前記光導光部が形成された、請求項４に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記有機ＥＬ素子が、
前記半導体素子側の下部電極と、
前記下部電極に対向するように設けられた上部電極と、
前記下部電極及び上部電極とにより挟持された有機ＥＬ層とにより形成され、
前記上部電極側の部位における反射率を局所的に増大させて、前記光導光部が形成され
た、請求項１から３のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記上部電極の上に、前記上部電極の透過光を反射する反射部材が局所的に設けられて、前記光導光部が形成された、請求項５に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記光導光部が、隣接する画素との間に設けられる隔壁の下に設けられた、請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記光導光部が、前記有機ＥＬ素子の有機ＥＬ層より上層に反射膜を設けて作成された、請求項８に記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記反射膜に、対応する画素に向かって徐々に前記有機ＥＬ層から遠ざかるテーパーが
形成された、請求項９に記載の画像表示装置。
【請求項１１】
前記反射膜の表面が凹凸形状により作成された、請求項９に記載の画像表示装置。
【請求項１２】
前記光導光部が、前記有機ＥＬ素子の有機ＥＬ層より上層に反射膜を設けて作成された、請求項１に記載の画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月17日(2011.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子搭載用基板を構成する配線層と電気的に接続され、前記配線層から突出している突起電極の構造であって、
前記突起電極の側面の所定範囲に括れ部が設けられたことを特徴とする突起電極の構造。
【請求項２】
前記突起電極の頂部面と、前記突起電極の側面における先端側端部から所定高さまでとを被覆する金属層をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の突起電極の構造。
【請求項３】
前記括れ部の突起電極先端側の端部位置と前記金属層の配線層側の端部位置とが一致していることを特徴とする請求項２に記載の突起電極の構造。
【請求項４】
前記括れ部の突起電極先端側の端部位置と前記金属層の配線層側の端部位置とが不一致であることを特徴とする請求項２に記載の突起電極の構造。
【請求項５】
前記括れ部の表面に微細凹凸が形成され、前記突起電極の頂部面よりも前記括れ部の表面の方が表面粗さが大きいことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の突起電極の構造。
【請求項６】
絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層の一方の主表面に設けられた配線層と、
前記配線層と電気的に接続され、前記配線層から前記絶縁樹脂層側に突出している突起電極と、を備え、
前記突起電極は、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の構造を有することを特徴とする素子搭載用基板。
【請求項７】
請求項６に記載の素子搭載用基板と、
前記突起電極に対向する素子電極が設けられた半導体素子と、
を備え、
前記突起電極が前記絶縁樹脂層を貫通し、前記突起電極と前記素子電極とが電気的に接
続されていることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項８】
金属板の一方の主表面に、突起電極を形成する突起電極形成工程と、
前記突起電極の側面の所定範囲に括れ部を形成する括れ部形成工程と、
前記突起電極が形成された側の前記金属板の主表面に絶縁樹脂層を積層する樹脂積層工程と、
前記金属板を選択的に除去して配線層を形成する配線層形成工程と、
を含むことを特徴とする素子搭載用基板の製造方法。
【請求項９】
前記突起電極の頂部面と、前記突起電極の側面における先端側端部から所定高さまでとに金属層を被覆する金属層被覆工程をさらに含み、
前記括れ部形成工程において、前記金属層をマスクとして前記突起電極の側面をエッチングすることにより括れ部を形成することを特徴とする請求項８に記載の素子搭載用基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月11日(2011.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示面内に配置され、画像データに基づく可視光領域の光と、非可視光領域の光とを生体へ向けて照射する発光素子と、
前記表示面内に配置され、前記生体からの光を集光する複数のマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイ部と、
前記表示面内に配置され、前記マイクロレンズアレイ部において集光された光に基づき、非可視光領域の光による前記生体の撮像データを取得する受光素子と、
前記表示面から可視光領域の光が表示光として照射されるように、前記画像データに基づいて前記発光素子を表示駆動する表示駆動手段と、
前記表示面から照射されて前記生体から得られた非可視光領域の光を検出光として前記表示面上で受光するように、前記受光素子を受光駆動する受光駆動手段と、
前記受光素子で得られた撮像データに基づき、少なくとも前記生体の静脈を利用する静脈認証を行う認証部と
を備えたことを特徴とする生体認証装置。
【請求項２】
前記マイクロレンズが、印加電圧に応じて入射光線の屈折方向を変位可能なものであり、
前記マイクロレンズに電圧を印加するための駆動を行うマイクロレンズ駆動手段を備えた
ことを特徴とする請求項１に記載の生体認証装置。
【請求項３】
前記マイクロレンズ駆動手段は、前記発光素子による照射動作の際には、前記マイクロレンズによる集光機能を発揮させないようにする一方、前記受光素子による撮像動作の際には、前記マイクロレンズによる集光機能を発揮させるように、前記マイクロレンズを駆動する
ことを特徴とする請求項２に記載の生体認証装置。
【請求項４】
前記マイクロレンズ駆動手段は、前記撮像動作の際に、前記マイクロレンズに印加する電圧を多段階に変化させ、
前記認証部は、多段階の印加電圧に基づく複数の撮像データを用いることにより、前記静脈認証に加え、前記生体の指紋を利用する指紋認証を考慮した生体認証を行う
ことを特徴とする請求項３に記載の生体認証装置。
【請求項５】
前記マイクロレンズが、液晶マイクロレンズまたは液体マイクロレンズである
ことを特徴とする請求項２に記載の生体認証装置。
【請求項６】
前記発光素子および前記受光素子が、前記表示面内で画素ごとに配置されている
ことを特徴とする請求項１に記載の生体認証装置。
【請求項７】
前記マイクロレンズが、前記表示面内で画素ごとに配置されている
ことを特徴とする請求項６に記載の生体認証装置。
【請求項８】
前記発光素子による照射動作の際には前記マイクロレンズによる集光機能が発揮しない一方、前記受光素子による撮像動作の際には前記マイクロレンズによる集光機能が発揮するように、各画素が構成されている
ことを特徴とする請求項７に記載の生体認証装置。
【請求項９】
前記発光素子が、一対の第１偏光子を有する液晶素子を用いて構成され、
前記受光素子上に、第２偏光子が設けられている
ことを特徴とする請求項８に記載の生体認証装置。
【請求項１０】
前記第２偏光子が、前記受光素子と前記マイクロレンズアレイとの間に配置されている
ことを特徴とする請求項９に記載の生体認証装置。
【請求項１１】
前記マイクロレンズが、前記表示面内で複数画素ごとに配置されている
ことを特徴とする請求項６に記載の生体認証装置。
【請求項１２】
前記発光素子による照射動作の際には前記マイクロレンズによる集光機能が発揮しない一方、前記受光素子による撮像動作の際には前記マイクロレンズによる集光機能が発揮するように、各画素が構成されている
ことを特徴とする請求項１１に記載の生体認証装置。
【請求項１３】
前記発光素子が、一対の第１偏光子を有する液晶素子を用いて構成され、
前記受光素子と前記マイクロレンズアレイとの間に、第２偏光子が設けられている
ことを特徴とする請求項１２に記載の生体認証装置。
【請求項１４】
前記発光素子が、一対の第１偏光子を有する液晶素子を用いて構成され、
前記受光素子上に、第２偏光子が設けられ、
前記一対の第１偏光子および前記第２偏光子が、波長依存性の偏光特性を有する
ことを特徴とする請求項１２に記載の生体認証装置。
【請求項１５】
前記受光素子上に、近傍の他の画素からの入射光を遮断する遮光部が設けられている
ことを特徴とする請求項６に記載の生体認証装置。
【請求項１６】
前記発光素子からの非可視光領域の光について、その照射領域、照射タイミングおよび照射強度のうちの少なくとも１つを制御する非可視光制御手段を備えた
ことを特徴とする請求項６に記載の生体認証装置。
【請求項１７】
前記発光素子が、可視光領域の光を発する第１発光素子と、非可視光領域の光を発する第２発光素子とにより構成され、
前記第１発光素子および前記受光素子が、前記表示面内で画素ごとに配置され、
前記第２発光素子が、前記表示面内の表示領域外に配置されている
ことを特徴とする請求項１に記載の生体認証装置。
【請求項１８】
前記第２発光素子が、近赤外光を発するものである
ことを特徴とする請求項１７に記載の生体認証装置。
【請求項１９】
前記発光素子および前記受光素子がそれぞれ、前記表示面内でマトリクス状に配置され、
前記表示駆動手段は、線順次表示動作を行うように前記発光素子を表示駆動し、
前記受光駆動手段は、線順次受光動作を行うように前記受光素子を受光駆動する
ことを特徴とする請求項１に記載の生体認証装置。
【請求項２０】
前記受光駆動手段は、前記発光素子の線順次表示動作に同期して線順次受光動作を行うように、前記受光素子を受光駆動する
ことを特徴とする請求項１９に記載の生体認証装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月25日(2011.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリに記憶されたデータの読み出しに関する指示を操作者から受け付ける操作子であって、中心に設けられた固定部と、外周縁に設けられた周縁部とを備える取付テーブルと、
前記取付テーブルの上方に配置され、操作者による回転操作を受け付ける回転可能な操作円盤部と、前記操作円盤部の下方に前記取付テーブルの前記固定部と前記周縁部との間に配置される、静電容量を検出するためのセンサパターンと、前記操作円盤部の下方に前記センサパターンを覆うように設けられ、その内周縁が前記固定部に固定されて前記取付テーブルの前記周縁部の内側に配置される円板状の導電カバー部と、を備える、ことを特徴とする操作子。
【請求項２】
前記固定部は、ネジ止め溝を備え、前記導電カバー部は、その内周縁が折り曲げられて形成された屈曲部を備え、前記導電カバー部は、前記屈曲部が前記ネジ止め溝にネジ止めされて固定される、ことを特徴とする請求項１に記載の操作子。
【請求項３】
前記固定部は、サポート溝を備え、前記導電カバー部は、その内周縁が前記屈曲部よりも深く折り曲げられて形成されたサポート部を備え、前記導電カバー部は、前記サポート部が前記サポート溝と嵌合するよう配置される、ことを特徴とする請求項１又は２記載の操作子。
【請求項４】
メモリに記憶されたデータの読み出し関する指示を操作子を介して操作者から受け付ける操作部と、前記操作部が受け付けた指示に基づいてメモリに記憶されたデータの読出し制御を行う制御部と、を備える再生装置であって、前記操作子は、中心に設けられた固定部と、外周縁に設けられた周縁部とを備える取付テーブルと、前記取付テーブルの上方に配置され、操作者による回転操作を受け付ける回転可能な操作円盤部と、前記操作円盤部の下方に前記取付テーブルの前記固定部と前記周縁部との間に配置される、静電容量を検出するためのセンサパターンと、前記操作円盤部の下方に前記センサパターンを覆うように設けられ、その内周縁が前記固定部に固定されて前記取付テーブルの前記周縁部の内側に配置される円板状の導電カバー部と、を備える、ことを特徴とする再生装置。
【請求項５】
前記固定部は、ネジ止め溝を備え、前記導電カバー部は、その内周縁が折り曲げられて形成された屈曲部を備え、前記導電カバー部は、前記屈曲部が前記ネジ止め溝にネジ止めされて固定される、ことを特徴とする請求項４に記載の再生装置。
【請求項６】
前記固定部は、サポート溝を備え、前記導電カバー部は、その内周縁が前記屈曲部よりも深く折り曲げられて形成されたサポート部を備え、前記導電カバー部は、前記サポート部が前記サポート溝と嵌合するよう配置される、ことを特徴とする請求項５に記載の再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月4日(2011.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】普遍言語による表現をコンピュータにより生成するための変換規則とプログラムとを記録した記録媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
次に、番号３では、名詞句に相当するＮＰがＤＥＴと結合する関係にあることを示している。番号４では、他動詞に相当するＶＴが、ＶＴＳＴＭとＥＮＤＩＮＧと結合する関係にあることを示している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
保存処理部４００は、演算装置１０において処理された結果を記憶装置４０に記憶させる処理を行う。この処理は、演算装置１０により行われ、記憶装置４０がこの処理に応答して演算装置から出力されるデータを記憶する。データは、必要に応じて読み出される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータによって取り扱うことができ、かつ、他の言語への変換の基礎とすることができる普遍言語による表現の生成をコンピュータに実行させる際に、自然言語による表現を普遍言語による表現に変換するために参照される変換規則と、与えられた自然言語による表現を、前記記憶される変換規則を参照して普遍言語による表現に変換処理するプログラムと、を記憶する記録媒体であって、
前記変換規則として、
自然言語を構成する自然言語要素について、それぞれが有する情報に対応する、普遍言語を構成する普遍言語要素で定義した普遍語辞書と、
自然言語の文構造に対応して配列される前記普遍言語要素の結合関係を規定すると共に、結合関係を二つの普遍言語要素とそれらが特定の関係にあることを示す関係子とを含む二項関係で表記するための書替規則とを有し、
前記普遍語辞書には、自然言語の構成要素に対応する普遍言語が、
Ｘ（“Ｙ”），Ｚ
の形式で記録され、
Ｘには、自然言語の構成要素が表記され、Ｙには、前記Ｘに表記される構成要素が表す意味を特定する情報、および、前記Ｘに表記される構成要素についての評価を特定する情報のうち、少なくとも一方がそれぞれ普遍言語要素で表記され、Ｚには、前記Ｘに表記される構成要素が文の要素のいずれに相当するかを示す文要素記号が付記され、
前記プログラムは、与えられた自然言語による表現について、当該自然言語に対応する普遍語辞書を参照して、当該自然語表現を構成する構成要素を、前記普遍語辞書における対応する普遍言語要素に書き替える処理と、書き替えられた複数の普遍言語要素について、その配列に従って前記書替規則を適用して結合させ、かつ、前記二項関係で表記するための規則に従って、二項関係で表記される普遍言語による表現を生成する処理と、を前記コンピュータに行わせることを特徴とする、変換規則とプログラムとを記録した記録した記録媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の記録媒体において、
前記普遍言語要素を構成する普遍語は、
それを表す文字列と、
当該普遍語について、１以上の束縛が存在する場合には、それぞれ普遍言語で定義される１以上の束縛を併記した束縛リストと、
当該普遍語を定義することに他の１以上の普遍語が用いられる場合には、その普遍語を識別する普遍語ＩＤと、
当該普遍語について１以上の属性が特定されている場合には、それぞれ普遍言語で定義される１以上の属性を併記した属性リストとで定義され、次の形式で記録されていることを特徴とする記録媒体。
＜普遍語＞：：＝ ＜見出し＞［＜束縛リスト＞］
［“：”＜普遍語ＩＤ＞］［“．”＜属性リスト＞］
ここで、：：＝ は、…が…と定義されることを表す。
［ ］ は、任意的に追加可能な要素を示す。
“    ”  は、文字・記号が入ることを示す。
＜ｘｘｘ＞は、変数名である。
＜見出し＞は、文字列で構成される。
【請求項３】
請求項２に記載の記録媒体において、
前記普遍語の定義に用いられる束縛リストは、次式の形式を有することを特徴とする記録媒体。
＜束縛リスト＞：：＝“（”＜束縛＞［“，”＜束縛＞］…“）”
ここで、…は、そのものが１以上出現することを意味する。
【請求項４】
請求項３に記載の記録媒体において、
前記束縛リストに挙げられる束縛は、次の形式で定義されることを特徴とする記録媒体。
＜束縛＞：：＝＜関係子＞｛“＞”｜“＜”｝＜普遍語＞［＜束縛リスト＞］｜
＜関係子＞｛“＞”｜“＜”｝＜普遍語＞［＜束縛リスト＞］
［｛“＞”｜“＜”｝＜普遍語＞［＜束縛リスト＞］］…
ここで、｜ は、離接、“または”を表す。
｛ ｝ は、選択要素を示す。
【請求項５】
請求項２に記載の記録媒体において、
前記普遍語の定義に用いられる属性リストは、次の形式を有することを特徴とする記録媒体。
＜属性リスト＞：：＝＜属性子＞［“．”＜属性子＞］…
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の記録媒体において、
変換規則は、自然言語による表現と、コンピュータによって扱うことができる普遍言語による表現との間で相互に書き替えを行うために参照されるものであることを特徴とする記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月13日(2010.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、軟磁性裏打ち層、中間層、垂直磁気異方性を有する第１記録層、ルテニウムを含んでなる交換結合力制御層、及び垂直磁気異方性を有する第２記録層を順次積層形成する磁気記録媒体の製造方法であって、
前記交換結合力制御層を形成するときのプロセスガスのガス圧を、0.5Ｐａよりも高ガス圧とした磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記交換結合力制御層を形成するときのプロセスガスのガス圧を、2Ｐａ以上5Ｐａ以下に設定することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記交換結合力制御層としてルテニウムのみを積層することを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
基材と、
前記基材の上に形成された軟磁性裏打ち層と、
該軟磁性裏打ち層の上に形成された中間層と、
該中間層の上に形成された垂直磁気異方性を有する第１記録層と、
該第１記録層の上に形成され、ルテニウムを含んでなり膜厚が0.2nm以上0.4nm以下の粒状構造である交換結合力制御層と、
該交換結合力制御層の上に形成され、垂直磁気異方性を有し、前記交換結合力制御層を介して前記第１記録層と強磁性結合してなる第２記録層と、
を有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】
前記交換結合力制御層がルテニウムのみからなることを特徴とする請求項４に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記該交換結合力制御層の上に形成される第２記録層が粒状構造であることを特徴とする請求項５記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一項に記載された磁気記録媒体と、
該磁気記録媒体に対向して設けられた磁気ヘッドとを有することを特徴とする磁気記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の課題は、本発明の第１の観点からは、  基板上に、軟磁性裏打ち層、中間層、垂直磁気異方性を有する第１記録層、ルテニウムを含んでなる交換結合力制御層、及び垂直磁気異方性を有する第２記録層を順次積層形成する磁気記録媒体の製造方法であって、前記交換結合力制御層を形成するときのプロセスガスのガス圧を、０．５Ｐａよりも高ガス圧とした磁気記録媒体の製造方法により解決することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また上記の発明において、前記交換結合力制御層を形成するときのプロセスガスのガス圧を、2Ｐａ以上5Ｐａ以下に設定することが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また上記の課題は、本発明の第３の観点からは、基材と、前記基材の上に形成された軟磁性裏打ち層と、該軟磁性裏打ち層の上に形成された中間層と、該中間層の上に形成された垂直磁気異方性を有する第１記録層と、該第１記録層の上に形成され、ルテニウムを含んでなり膜厚が0.2nm以上0.4nm以下の粒状構造である交換結合力制御層と、該交換結合力制御層の上に形成され、垂直磁気異方性を有し、前記交換結合力制御層を介して前記第１記録層と強磁性結合してなる第２記録層とを有することを特徴とする磁気記録媒体により解決することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また上記発明において、前記交換結合力制御層がルテニウムのみからなることが望ましい。また、前記該交換結合力制御層の上に形成される第２記録層が粒状構造であることが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月26日(2010.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（a）試料を受け入れるための少なくとも1個の試料ウェルと；
（b）分析するべき試料の量を規定するための少なくとも2個の計量ウェルと；
（c）試料を試料ウェルから（b）の少なくとも2個の計量ウェルへ毛細管作用により移すための（a）の少なくとも1個の試料ウェルと連通する毛細管通路と；
（d）少なくとも2個の計量ウェルの各々と毛細管通路を通して連通する少なくとも1個の試薬ウェルと；および
（e）少なくとも2個の計量ウェルの各々から少なくとも1個の試薬ウェルへの試料の移動を防止するため（d）の各毛細管通路内に配設されている毛細管栓と；
を含む、生物学的流体試料を分析するための多目的マイクロ流体デバイス。
【請求項２】
（e）の毛細管栓が親水性栓である、請求項1に記載の多目的デバイス。
【請求項３】
（e）の毛細管栓が疎水性栓である、請求項1に記載の多目的デバイス。
【請求項４】
（b）の試料が約0.3〜2.0μLの容積を有する、請求項1に記載の多目的デバイス。
【請求項５】
試料が、血液、尿、水、唾液、髄液、腸液、食物及び血漿からなる群より選択される、請求項1に記載の多目的デバイス。
【請求項６】
試料が、タンパク質、細胞、小さな有機分子又は金属について分析される、請求項1に記載の多目的デバイス。
【請求項７】
タンパク質が、アルブミン、HbA1c、プロテアーゼ、プロテアーゼ阻害剤、CRP、エステラーゼ及びBNPからなる群より選択される、請求項6に記載の多目的デバイス。
【請求項８】
細胞が、大腸菌（E. coli）、シュードモナス（Pseudomonas）、白血球、赤血球、 H. pylori、連鎖球菌（Strep a）、クラミジア（Chlamdia）及び単核症（Mononucleosis）からなる群より選択される、請求項6に記載の多目的デバイス。
【請求項９】
金属が、鉄、マンガン、ナトリウム、カリウム、リチウム、カルシウム及びマグネシウムからなる群より選択される、請求項6に記載の多目的デバイス。
【請求項１０】
試料を前調整又は前反応させるため試料ウェルと少なくとも2個の計量ウェルのうちの少なくとも1個との間に配設され、（c）の少なくとも1個の毛細管通路のうちの1個の中に配設されている、調整ウェル又は試薬ウェルをさらに含む、請求項1に記載の多目的デバイス。
【請求項１１】
少なくとも1個の計量ウェルに液体の試薬が供給される、請求項1に記載の多目的デバイス。
【請求項１２】
（b）の一方の計量ウェル中で計量された試料を、二次的計量ウェル中の二次試料に分割する、請求項1に記載の多目的デバイス。
【請求項１３】
試薬ウェルがキャリア上に配設される試薬を含有する、請求項1に記載の多目的デバイス。
【請求項１４】
（d）の試薬ウェルの1個が、試薬ウェル中の試料の少なくとも一部を受け入れるための追加の試薬ウェルと、追加の毛細管通路を通して液体連通し、そして毛細管栓が追加の毛細管通路の中に配設されている、請求項1に記載の多目的デバイス。
【請求項１５】
第1の親水性毛細管通路を通して、毛細管作用により試薬ウェルの1個と液体連通し、そして第2の親水性毛細管通路を通して、毛細管作用により（b）の計量ウェルの1個と液体連通する、試料の容量を調整するための少なくとも1個の調整ウェルをさらに含む、請求項1に記載の多目的デバイス。
【請求項１６】
（d）の試薬ウェルから（a）の試料の一部を受け入れるための少なくとも1個の廃棄物ウェルをさらに含む、請求項1に記載の多目的デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月1日(2011.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測位用衛星からの測位用信号の受信に係る少なくとも受信周波数及びコード位相を含む予測メジャメントを予測することと、
前記測位用衛星から受信した前記測位用信号に基づいて、少なくとも受信周波数及びコード位相を含む観測メジャメントを取得することと、
受信した前記測位用信号の信号強度を測定することと、
前記観測メジャメントと前記予測メジャメントとの差に基づいて、カルマンフィルターを利用した位置算出処理で用いる誤差パラメーターの値を設定することと、
前記誤差パラメーターの値を用いて前記位置算出処理を行って位置を算出することと、
を含む位置算出方法であって、
前記測位用信号の信号強度と、前記観測メジャメント及び前記予測メジャメントの差と、前記観測メジャメントの想定誤差との対応関係が予め定められており、
前記誤差パラメーターの値を設定することは、
前記測定された信号強度、及び、前記観測メジャメントと前記予測メジャメントとの差を用いて前記想定誤差を求めることと、
前記想定誤差に基づいて前記誤差パラメーターの値を設定することと、
を含む、
位置算出方法。
【請求項２】
前記位置算出処理で用いる状態ベクトルの予測を行うことと、
前記予測された状態ベクトルの補正を行うことと、
を更に含み、
前記予測メジャメントを予測することは、前記予測された状態ベクトルに基づいて第１の予測メジャメントを予測する第１の予測処理を含み、
前記位置を算出することは、前記補正された状態ベクトルに基づいて位置を算出することを含む、
請求項１に記載の位置算出方法。
【請求項３】
前記予測メジャメントを予測することは、前記測位用信号を受信した際に取得された過去の観測メジャメントと当該過去の観測メジャメントを観測した時からの経過時間とに基づいて、前記位置算出処理を行う時の第２の予測メジャメントを予測する第２の予測処理を含む、
請求項２に記載の位置算出方法。
【請求項４】
前記第１の予測メジャメント及び前記第２の予測メジャメントの信頼性を判定することを更に含むとともに、
前記誤差パラメーターの値を設定することは、前記信頼性の判定結果に応じて、前記第１の予測メジャメント及び前記第２の予測メジャメントの少なくとも何れかを用いて前記誤差パラメーターの値を設定することを含む、
請求項３に記載の位置算出方法。
【請求項５】
前記判定により前記信頼性が所定の低信頼性条件を満たすと判定された場合に、前記設定された誤差パラメーターの値を過去の値に基づいて調整することを更に含むとともに、
前記位置を算出することは、前記調整された誤差パラメーターの値を用いて前記位置算出処理を行って位置を算出することを含む、
請求項４に記載の位置算出方法。
【請求項６】
測位用衛星からの測位用信号の受信に係る少なくとも受信周波数及びコード位相を含む予測メジャメントを予測することと、
前記測位用衛星から受信した前記測位用信号に基づいて、少なくとも受信周波数及びコード位相を含む観測メジャメントを取得することと、
受信した前記測位用信号の信号強度を測定することと、
受信した前記測位用信号の前記信号品質評価指標値を算出することと、
前記観測メジャメントと前記予測メジャメントとの差に基づいて、カルマンフィルターを利用した位置算出処理で用いる誤差パラメーターの値を設定することと、
前記誤差パラメーターの値を用いて前記位置算出処理を行って位置を算出することと、
を含む位置算出方法であって、
前記測位用信号の信号強度と、前記測位用信号の信号品質の評価指標値である信号品質評価指標値と、前記観測メジャメントの想定誤差との対応関係が予め定められており、
前記誤差パラメーターの値を設定することは、
前記測定された信号強度と前記算出された信号品質評価指標値とを用いて前記想定誤差を求めることと、
前記想定誤差に基づいて前記誤差パラメーターの値を設定することと、
を含む、
位置算出方法。
【請求項７】
測位用衛星からの測位用信号の受信に係る少なくとも受信周波数及びコード位相を含む予測メジャメントを予測する予測部と、
前記測位用衛星から受信した前記測位用信号に基づいて、少なくとも受信周波数及びコード位相を含む観測メジャメントを取得する観測部と、
受信した前記測位用信号の信号強度を測定する信号強度測定部と、
前記観測メジャメントと前記予測メジャメントとの差に基づいて、カルマンフィルターを利用した位置算出処理で用いる誤差パラメーターの値を設定する設定部と、
前記誤差パラメーターの値を用いて前記位置算出処理を行って位置を算出する位置算出部と、
を備えた位置算出装置であって、
前記測位用信号の信号強度と、前記観測メジャメント及び前記予測メジャメントの差と、前記観測メジャメントの想定誤差との対応関係が予め定められており、
前記設定部は、前記測定された信号強度、及び、前記観測メジャメントと前記予測メジャメントとの差を用いて前記想定誤差を求め、求めた想定誤差に基づいて前記誤差パラメーターの値を設定する、
位置算出装置。
【請求項８】
測位用衛星からの測位用信号の受信に係る少なくとも受信周波数及びコード位相を含む予測メジャメントを予測する予測部と、
前記測位用衛星から受信した前記測位用信号に基づいて、少なくとも受信周波数及びコード位相を含む観測メジャメントを取得する観測部と、
受信した前記測位用信号の信号強度を測定する信号強度測定部と、
受信した前記測位用信号の前記信号品質評価指標値を算出する指標値算出部と、
前記観測メジャメントと前記予測メジャメントとの差に基づいて、カルマンフィルターを利用した位置算出処理で用いる誤差パラメーターの値を設定する設定部と、
前記誤差パラメーターの値を用いて前記位置算出処理を行って位置を算出する位置算出部と、
を備えた位置算出装置であって、
前記測位用信号の信号強度と、前記測位用信号の信号品質の評価指標値である信号品質評価指標値と、前記観測メジャメントの想定誤差との対応関係が予め定められており、
前記設定部は、前記測定された信号強度と前記算出された信号品質評価指標値とを用いて前記想定誤差を求め、求めた想定誤差に基づいて前記誤差パラメーターの値を設定する、
位置算出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月21日(2011.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図６（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、厚さ検出センサ２０Ｒ、２０Ｃ、２０Ｌの出力電圧波形を示している。第１の例における紙幣ＢＬは正常な状態であるため、全ての厚さ検出センサにおいて、出力電圧の検出開始タイミング（ＴＲ１、ＴＣ１、ＴＬ１）および検出終了タイミング（ＴＲ２、ＴＣ２、ＴＬ２）はほぼ同じである。また出力電圧値（ＶＲ、ＶＣ、ＶＬ）もほぼ同じである。制御部は、この３つの出力電圧値から、紙幣ＢＬの３箇所の厚さを求める。具体的には、図６（Ｂ）に示す出力電圧値から紙幣ＢＬのＳＲ部分の厚さｄ１を求める。同様に、図６（Ｃ）に示す出力電圧値からＳＣ部分の厚さｄ２を、図６（Ｄ）に示す出力電圧値からＳＬ部分の厚さｄ３を求める。この厚さ（ｄ１、ｄ２、ｄ３）の算出は、例えば、制御部内に出力電圧値と厚さの対応関係を示すテーブルを予め用意することにより実現可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
（Ａ−３）紙幣チェック処理：
図１３は、入金収納処理における紙幣チェック処理（図１９：ステップＳ４０３）の手順を示すフローチャートである。本処理における制御主体は紙幣取扱制御部３１０である。まず、紙幣取扱制御部３１０は、搬送順序を記憶するための内部カウンタＴＤを初期化する（ステップＳ５０１）。そして、紙幣取扱制御部３１０は、本体制御部６００からの紙幣チェック処理の停止指示があるか否かを確認する（ステップＳ５０２）。紙幣チェック処理の停止指示がある場合は（ステップＳ５０２：ＹＥＳ）、処理を終了する。紙幣チェック処理の停止指示がない場合は（ステップＳ５０２：ＮＯ）、紙幣判別部３３０に対して紙幣が搬送されたか否かを確認する（ステップＳ５０３）。紙幣が搬送された場合（ステップＳ５０３：ＹＥＳ）は、紙幣の判別を行う（ステップＳ５０４）。具体的には、現在処理している紙幣を紙幣ＮＢとしたとき、紙幣ＮＢの種類や、紙幣ＮＢが真正であるか否か、およびその体積を判別する。なお、紙幣の体積の算出方法は図６〜図１０で説明した通りである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
紙幣判別部３３０によって紙幣ＮＢが正しく判定できない場合（ステップＳ５０６：ＮＯ）は、紙幣の体積がほぼ一致しているかを判定する（ステップＳ５０８）。この判定は、次のようにして行う。
手順１−１）第１搬送時における紙幣ＮＢの体積ＳＡ１を入金計数テーブル９０１（図１１）から検索する。具体的には、入金計数テーブル９０１の紙幣番号ＴＡフィールドの値が内部カウンタＴＤと同じレコードを抽出し、当該レコードの体積情報ＴＶフィールドの値を参照する。なお、入金計数テーブル９０１への紙幣情報の登録処理については後述する。
手順１−２）ステップＳ５０４において算出した紙幣ＮＢの体積ＳＤと、体積ＳＡ１とを比較処理する。この比較処理の際は、紙幣取扱制御部３１０による体積の計測誤差を考慮することが好ましい。例えば、体積ＳＤが下式を満たす場合に、「ほぼ一致している」と判定することができる。
ＳＡ１−α１≦ＳＤ≦ＳＡ１＋α１
なお、α１は誤差であり、例えば、ＳＡ１の１０％とすることができる。紙幣の体積がほぼ一致している場合（ステップＳ５０８：ＹＥＳ）は、内部カウンタＴＤに１を加えて（ステップＳ５０９）、ステップＳ５０２へ遷移する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
入金計数処理を中断すると判定した場合（ステップＳ１０６：ＹＥＳ）、入出金口３２０の紙幣を抜き取り、再セットを促すガイダンスを表示する（ステップＳ１２１）。なお、入金計数処理を中断する場合には、例えば、紙幣取扱機構３００の故障を検出した場合や、投入された紙幣が詰ってしまった場合等がある。次に、入出金受付口３０１のシャッタを空け（ステップＳ１２２）、紙幣の抜き取りを待つ（ステップＳ１２３）。紙幣が抜き取られたことを検知した場合、入出金受付口３０１のシャッタを閉める（ステップＳ１２４）。その後、紙幣の再投入を受け付ける場合（ステップＳ１２５：ＹＥＳ）、ステップＳ１０１の処理に遷移する。紙幣の再投入を受け付けない場合（ステップＳ１２５：ＮＯ）、ステップＳ１０７の処理に遷移する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
（Ａ−６）入金収納処理：
図１９は、入金収納処理の手順を示すフローチャートである。本処理における制御主体は紙幣取扱制御部３１０である。まず、紙幣取扱制御部３１０は、紙幣を搬送する準備のために上流搬送部３５０ａと下流搬送部３５０ｂとを駆動する（ステップＳ４０１）。次に、一時保管庫分離処理（ステップＳ４０２）と、紙幣チェック処理（ステップＳ４０３）と、ゲート処理（ステップＳ４０４）とを起動する。一時保管庫分離処理は、一時保管庫３４０に保管された紙幣を一枚ずつ分離して、搬送部３５０へ送り出す。紙幣チェック処理についての詳細は図１３で説明した通りである。ゲート処理は、図１７で説明した通りである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
一時保管庫３４０の紙幣が全て搬送部３５０へ送り出されていない場合（ステップＳ４０５：ＮＯ）もしくは、全ての紙幣が紙幣判別部３３０を通過していない場合（ステップＳ４０６：ＮＯ）は、処理を継続する。一方、一時保管庫３４０の紙幣が全て搬送部３５０へ送り出され（ステップＳ４０５：ＹＥＳ）かつ、全ての紙幣が紙幣判別部３３０を通過している（ステップＳ４０６：ＹＥＳ）場合は、紙幣判別処理（ステップＳ４０７）と、ゲート処理（ステップＳ４０８）を停止する。その後、上流搬送部３５０ａと下流搬送部３５０ｂとを停止して（ステップＳ４０９）、入金計数処理と入金収納処理とにおける紙幣の枚数一致チェックを行う（ステップＳ４１０）。なお、枚数一致チェックについての詳細は前述の通りである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１９】
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