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【手続補正書】
【提出日】平成23年11月1日(2011.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自発光素子により発光する画素が複数配置されているパネルと、
前記画素の発光輝度を測定する受光センサと、
前記受光センサにより測定された前記画素の発光輝度を用いて、経時劣化による輝度低下の補正データを演算する演算手段と、
前記補正データに基づいて、経時劣化による輝度低下を補正する駆動制御手段と
を備え、
前記受光センサは、前記パネルを構成する最も外側の基板に、前記基板の屈折率以下の材料を用いて接着される
表示装置。
【請求項２】
前記パネルを構成する最も外側の基板は支持基板であり、
前記受光センサは、前記支持基板の屈折率以下の材料を用いて前記支持基板と接着される
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記支持基板の材料はガラスであり、
前記受光センサは、前記ガラスの屈折率以下の材料を用いて前記支持基板と接着される
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記パネルを構成する最も外側の基板は対向基板であり、
前記受光センサは、前記対向基板の屈折率以下の材料を用いて前記対向基板と接着される
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記対向基板の材料はガラスであり、
前記受光センサは、前記ガラスの屈折率以下の材料を用いて前記対向基板と接着される
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
自発光素子により発光する画素が複数配置されているパネルと、
前記画素の発光輝度を測定する受光センサと、
前記受光センサにより測定された前記画素の発光輝度を用いて、経時劣化による輝度低下の補正データを演算する演算手段と、
前記補正データに基づいて、経時劣化による輝度低下を補正する駆動制御手段と
を備え、
前記受光センサは、前記パネルを構成する最も外側の基板に、前記基板の屈折率以下の材料を用いて接着される
電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置および電子機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、表示装置および電子機器に関し、特に、高速かつ高精度な焼き付き補正を行うことができるようにする表示装置および電子機器に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一側面の表示装置および電子機器それぞれは、自発光素子により発光する画素が複数配置されているパネルと、前記画素の発光輝度を測定する受光センサと、前記受光センサにより測定された前記画素の発光輝度を用いて、経時劣化による輝度低下の補正データを演算する演算手段と、前記補正データに基づいて、経時劣化による輝度低下を補正する駆動制御手段とを備え、前記受光センサは、前記パネルを構成する最も外側の基板に、前記基板の屈折率以下の材料を用いて接着される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
発光期間Ｔ１が終了した時刻ｔ１から時刻ｔ４までは、駆動用トランジスタ３２のゲート電位Ｖｇ及びソース電位Ｖｓを初期化することで閾値補正動作の準備を行う閾値補正準備期間Ｔ２である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
補正演算部５３は、画素アレイ部１０２の各画素１０１について、初期状態（出荷状態）時の輝度データと、所定期間経過後（経時劣化後）の輝度データを比較することにより、各画素１０１の輝度低下量を算出する。そして、補正演算部５３は、算出した輝度低下量に基づいて、輝度低下を補正する補正データを画素１０１ごとに演算する。演算された各画素１０１の補正データは、補正データ記憶部５４に供給される。補正演算部５３は、例えば、FPGA（Field Programmable Gate Array）、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)などの信号処理ICで構成することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
その他の画素１０１の回路構成としては、例えば、２個のトランジスタと１個のキャパシタの構成（以下、２Ｔｒ／１Ｃ画素回路とも称する）の他に、次のような回路構成を採用できる。即ち、第１乃至第３のトランジスタを加えた、５個のトランジスタと１個のキャパシタの構成（以下、５Ｔｒ／１Ｃ画素回路とも称する）を採用することもできる。５Ｔｒ／１Ｃ画素回路を採用した画素１０１では、水平セレクタ１０３から映像信号線ＤＴＬ１０を介してサンプリング用トランジスタ３１に供給される信号電位がＶｓｉｇ固定となる。その結果、サンプリング用トランジスタ３１は駆動用トランジスタ３２への信号電位Ｖｓｉｇの供給をスイッチングする機能としてのみ動作する。また、電源線ＤＳＬ１０を介して駆動用トランジスタ３２に供給される電位が第１電位Ｖｃｃ固定となる。そして、追加された第１のトランジスタは、駆動用トランジスタ３２への第１電位Ｖｃｃの供給をスイッチングする。第２のトランジスタは、駆動用トランジスタ３２への第２電位Ｖｓｓの供給をスイッチングする。また、第３のトランジスタは、駆動用トランジスタ３２への基準電位Ｖｏｆｓの供給をスイッチングする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月2日(2011.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
官能基としてアミノメチル基および／またはアミノメチル窒素複素環式基を含む単分散キレート樹脂を製造する方法であって、
ハロアルキル化中間体を避けて、フタルイミド法によりそれらを製造し、そして、ハロメチル窒素複素環との反応の際にｐＨを４〜９の範囲内に維持することを特徴とする、方法。
【請求項２】
ａ）少なくとも１種のモノビニル芳香族化合物、少なくとも１種のポリビニル芳香族化合物、および１種の重合開始剤または重合開始剤の組合せ、さらには場合によってはポロゲンのモノマーの微小液滴を反応させて、単分散架橋ポリマービーズを得ること、
ｂ）それらの単分散架橋ポリマービーズを、フタルイミド誘導体を用いて、アミドメチル化すること、
ｃ）前記アミドメチル化ポリマービーズを転化させてアミノメチル化ポリマービーズとすること、および
ｄ）前記アミノメチル化ポリマービーズを反応させて、後架橋させることなく、官能基としてアミノメチル基および／またはアミノメチル窒素複素環式基を含むキレート交換樹脂を形成させることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記モノマーの微小液滴がポロゲンを含み、重合させた後にはマクロポーラス架橋ポリマービーズを形成することを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記モノマーの微小液滴が、複合コアセルベートを用いてマイクロカプセル化されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
方法工程ａ）が保護コロイドの存在下に実施されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
モノビニル芳香族化合物として、モノエチレン性不飽和化合物が使用されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
方法工程ｂ）において、フタルイミドエーテルが最初に形成されることを特徴とする、請求項２〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
ａ）少なくとも１種のモノビニル芳香族化合物、少なくとも１種のポリビニル芳香族化合物、および１種の重合開始剤または重合開始剤の組合せ、さらには場合によってはポロゲンのモノマーの微小液滴を反応させて、単分散架橋ポリマービーズを得る工程、
ｂ）それらの単分散架橋ポリマービーズを、フタルイミド誘導体を用いて、アミドメチル化する工程、
ｃ）前記アミドメチル化ポリマービーズを転化させてアミノメチル化ポリマービーズとする工程、および
ｄ）前記アミノメチル化ポリマービーズをハロメチル窒素複素環と、４〜９の範囲内のｐＨを維持しながら反応させて、後架橋なしで、アニオン交換基としてアミノメチル基および／またはアミノメチル窒素複素環式基を含むキレート交換樹脂を形成させる工程
により得られる、単分散キレート交換樹脂。
【請求項９】
蒸気、アルカリ土類金属もしくはアルカリ金属の水溶液、アルカリ金属塩化物電気分解の塩性溶液、塩酸水溶液、廃水もしくは煙道ガススクラバー、地下水もしくは埋立て廃水、液状もしくはガス状炭化水素、カルボン酸、または液状もしくはガス状のハロゲン化炭化水素から重金属または貴金属を除去する方法であって、
請求項８に記載のイオン交換樹脂を使用することを特徴とする、方法。
【請求項１０】
前記除去される重金属または貴金属が、水銀、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、鉛、カドミウム、マンガン、ウラン、バナジウム、白金族の元素、金または銀であることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月28日(2011.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
本発明の樹脂組成物において、上記（Ｃ）成分の使用量は、本発明の樹脂組成物の固形分を１００重量％とした場合、分散媒を除いた固形分として１重量％以上７０重量％以下であり、好ましくは５重量％以上５０重量％以下である。１重量％以上７０重量％以下では膜の強度が向上するため、高硬度となるが、この範囲外、特に７０重量％より多く加えられると、膜が脆くなるために、耐擦傷性が低下し、成形時にクラックが入りやすくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月9日(2010.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を処理するための、界面活性剤を含まない、増粘貯蔵安定性液体クレンジング及び多機能性被覆組成物であって、
前記表面に結合することができるカチオン性有機シラン第四級アンモニウム化合物、
研磨材固体粒子であって、前記第四級化合物に対して非反応性の研磨材固体粒子、
水溶性アルキルアリールスルホネート及び約７〜約１１のＨＬＢ数を有するエトキシル化アルコールの増粘剤組成物、及び
液体希釈剤、
から本質的になり、前記組成物は界面活性剤を含まず、かつ前記成分は、前記表面をクレンジングし、前記表面に多機能性被覆を結合し、それにより、その表面を水反撥性及び汚染物反撥性にするのに有効な量で存在する、前記組成物。
【請求項２】
第四級化合物が、Ｃ８〜Ｃ２２飽和又は不飽和炭化水素基を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
第四級化合物が約５重量％までの量で存在し、研磨材粒子が約３５重量％までの量で存在し、増粘剤組成物が約２５重量％までの量で存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
非反応性研磨材粒子が、シリカ、珪酸塩、金属酸化物、金属炭酸塩、粘土、炭化物、金属水酸化物、尿素、セラミック微小球、中空ガラス微小球、及びプラスチックからなる群から選択されている、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
アルキルアリールスルホネートが、デシルベンゼンスルホン酸ナトリウム及びドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウムからなる群から選択されており、
エトキシル化アルコールが、次の式：
Ｒ−Ｏ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ)ｘＨ
（式中、Ｒ＝Ｃ９〜Ｃ１５、及びｘ＝約２．５〜約１２である。）
により定義される基から選択されている、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
第四級化合物が、式：
【化１】
2009024164.tif 000001
（式中、Ｒ１＝水素及び／又はＣ１〜Ｃ４アルキル；Ｒ２＝Ｃ１〜Ｃ８個の炭素原子を有する二価炭化水素ラジカル；Ｒ３＝水素、又はＣ１〜Ｃ４アルキル；Ｒ４＝水素、又はＣ１〜Ｃ１０アルキル；Ｒ５＝Ｃ８〜Ｃ２２飽和又は不飽和炭化水素ラジカル；及びＸ＝ハロゲン基、カルボン酸基、スルホン酸基、水酸化物基、硫酸基、又は燐酸基である。）
によって定義される、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
過酸化水素又はその錯体を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
過酸化水素が約８重量％までの量で存在し、第四級化合物が約５重量％までの量で存在し、研磨材粒子が約３５重量％までの量で存在し、増粘剤が約２５重量％までの量で存在する、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
成分が、表面をクレンジングし、前記表面に多機能性被覆を結合し、それにより、その表面を（ａ）水反撥性及び汚染物反撥性、及び（ｂ）抗菌性にするのに有効な量で存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
表面を処理するための、界面活性剤を含まない増粘貯蔵安定性クレンジング及び多機能性液体被覆組成物であって、
次の式：
【化２】
2009024164.tif 000002
（式中、Ｒ１＝水素及び／又はＣ１〜Ｃ４アルキル；Ｒ２＝Ｃ１〜Ｃ８個の炭素原子を有する二価炭化水素ラジカル；Ｒ３＝水素、又はＣ１〜Ｃ４アルキル；Ｒ４＝水素、又はＣ１〜Ｃ１０アルキル；Ｒ５＝Ｃ８〜Ｃ２２飽和又は不飽和炭化水素ラジカル；及びＸ＝ハロゲン基、カルボン酸基、スルホン酸基、水酸化物基、硫酸基、又は燐酸基である。）
によって定義される、約５重量％までの量の、前記表面に結合することができる単量体カチオン性有機シラン第四級アンモニウム化合物、
研磨材固体粒子で、前記第四級化合物に対して非反応性であって、約３５重量％までの量の、研磨材固体粒子、
水溶性アルキルアリールスルホネート及び約７．５〜約９のＨＬＢ数を有するエトキシル化アルコールの増粘剤組成物、
前記表面をクレンジングし、前記表面に多機能性被覆を結合し、それにより、その表面を水反撥性及び汚染物反撥性にするのに有効な量の前記成分、及び
液体希釈剤、
から本質的になり、然も、前記組成物が界面活性剤を含まない、前記組成物。
【請求項１１】
有機シラン第四級アンモニウム化合物が、次の群：
塩化３−（トリメトキシシリル）プロピルジメチルオクタデシルアンモニウム、
塩化３−（トリメトキシシリル）プロピルジデシルメチルアンモニウム、
塩化３−（トリメトキシシリル）プロピルテトラデシルジメチルアンモニウム、
塩化３−（トリメトキシシリル）プロピルジメチルソイヤアンモニウム、
塩化３−（トリメトキシシリル）プロピルジメチルオレイルアンモニウム、
塩化３−（トリメトキシシリル）プロピルオクタデシルアンモニウム、
塩化３−（トリメトキシシリル）プロピルオレイルアンモニウム、
塩化３−（トリヒドロキシシリル）プロピルジメチルオクタデシルアンモニウム、
塩化３−（トリメトキシシリル）プロピルドコサンアンモニウム、及び
塩化３−（トリメトキシシリル）プロピルジメチルオクチルアンモニウム、
からなる群から選択されている、請求項１０に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月24日(2011.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非金属繊維遮断物からなり、ロータまたはステータに固定された繊維遮断物（４）の収容体を備える、ロータ（１８）とステータとの間の空隙の封止を実現できるブラシ付きシールにして、繊維遮断物が、片側では上流側圧力、他方側では下流側圧力を受け、上流側圧力は下流側圧力より高い、シールであって、
繊維遮断物（４）が圧力が低い位置の、すなわち下流側のシール面とある角度を有するようにしてステータまたはロータ（１８）上に支持されていることを特徴とする、ブラシ付きシール。
【請求項２】
繊維遮断物（４）が５°から４５°（それぞれの角度を含む）の間の角度αで、より好ましくは、１０°から３０°の角度で、流れの方向に傾斜していることを特徴とする、請求項１に記載のブラシ付きシール。
【請求項３】
収容体がその上に繊維遮断物を巻き付ける内部包囲体（２）と、繊維遮断物を取り囲む外部包囲体（１０）とを備えることを特徴とする、請求項１に記載のブラシ付きシール。
【請求項４】
外部包囲体（１０）と繊維遮断物（４）との間に配置された、上流側リング（６）と下流側リング（８）とを備えることを特徴とする、請求項３に記載のブラシ付きシール。
【請求項５】
内部包囲体（２）と外部包囲体（１０）とがＣ字型を有することを特徴とする、請求項３または４に記載のブラシ付きシール。
【請求項６】
内部包囲体（２）の中心に置かれたコイルばね（１２）を備えることを特徴とする、請求項５に記載のブラシ付きシール。
【請求項７】
下流側リング（８）が面取り部（３０）を備えることを特徴とする、請求項４から６のいずれか一項に記載のブラシ付きシール。
【請求項８】
支持体（３２）に取り付けられ、前記支持体がハウジング（３４）を備え、ハウジング（３４）内に収容体および収容体を固定するストップ（３６）が収容されていることを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載のブラシ付きシール。
【請求項９】
下流側リング（８）が支持体（３２）より短く、支持体がその上に繊維遮断物（４）を支持して、皿形状を形成するシェルフ（３８）を有することを特徴とする、請求項８に記載のブラシ付きシール。
【請求項１０】
ストップ（３６）が収容体を押し付けることにより、収容体を変形させて、収容体と収容体のハウジング（３４）との間の固定的なシールを実現することを特徴とする、請求項８に記載のブラシ付きシール。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載のブラシ付きシールを備えることを特徴とする、タービンまたはターボ機械コンプレッサ。
【請求項１２】
請求項１１に記載のタービンおよび／またはコンプレッサを組み込んでいることを特徴とする、ターボ機械。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月23日(2010.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線装置のアームを、身体に対して相対的な軌跡に沿って移動させるステップであって、前記Ｘ線装置が、Ｘ線管と、該Ｘ線管に対向するように配置されている検出器とを担持し、前記検出器が昇降装置に固定され、前記昇降装置が前記アームに接続する、前記移動させるステップと、
前記昇降装置と前記検出器を前記身体に向けて降下させるステップと、
前記検出器の縁に配置されているセンサを用いてＸ線照射野の外部に位置している前記身体の複数の部分と前記検出器との間の距離を測定するステップと、
前記測定された距離に従って前記身体に対する前記昇降装置の接近速度を制御するステップと、
前記検出器の１つの面上のアンテナを用いて前記Ｘ線照射野内に位置している前記身体の複数の部分と前記検出器との間の距離を測定するステップと、
前記検出器と前記Ｘ線照射野内に位置している前記身体の前記複数の部分との間の測定された前記距離、及び前記検出器と前記Ｘ線照射野の外部に位置している前記身体の前記部分との間の測定された前記距離を、測定された距離を前記身体の各々のピクセルに割り当てる画像学習ベースへ伝送するステップと、
前記身体の各ピクセルに対する前記測定された距離に少なくとも基づいて、前記身体マップの前記３Ｄ再構成パラメータを出力するステップと、
を備えた方法。
【請求項２】
前記検出器の前記身体への接近速度を前記測定された距離から算出するステップと、
前記算出された接近速度及び前記身体マップの前記３Ｄ再構成に従って前記昇降装置の運動速度を制御するステップと、
を含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記検出器と前記身体マップの前記３Ｄ再構成との間の衝突の危険性に従って前記検出器から前記身体までの検出位置を制御するステップ
を含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記身体マップの前記３Ｄ再構成に応じて、前記身体の厚みを決定するステップと、
前記身体の前記厚み及び前記測定された距離に従って、前記身体が受けるＸ線の強度を調節するステップと、
を含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項５】
Ｘ線放出を行なわずに、前記検出器と前記身体との間の距離の少なくとも２種の測定を行なうステップと、
該測定を前記学習ベースへ伝送するステップと、
前記身体マップの前記３Ｄ再構成に従って、被検査器官を前記Ｘ線装置のアイソセンタに配置するステップと、
を含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項６】
行ないたい検査に従って、管又は前記身体を予め決められた位置に配置するステップと、
前記管のコリメータにより画定される寸法を有するＸ線ビームを再構成された身体マップに放出するステップと、
前記Ｘ線ビームによるこの表面の曝射時間を測定するステップと、
該測定された曝射時間及び前記Ｘ線ビームの前記寸法に従って、前記表面での積算Ｘ線量を算出するステップと、
を含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項７】
画像の減算を必要とする検査において、前記身体を前記行ないたい検査に従って予め決められた位置に配置するステップと、
前記身体の外被の第一の再構成を決定するステップと、
前記検出器により検出されたＸ線から前記身体の第一のラジオグラフィ画像を形成するステップと、
前記身体マップの第二の再構成を決定するステップと、
前記身体マップの前記第一の再構成を前記身体マップの前記第二の再構成と比較するステップと、
前記身体マップの前記第二の再構成が前記身体マップの前記第一の再構成に対して移動していた場合には、新たなラジオグラフィ画像及び前記身体マップの新たな再構成を決定して、前記身体マップの該新たな再構成を前記身体マップの前記第二の再構成と比較するステップと、
他の場合には、前記身体に造影剤を注入して、前記身体の第二のラジオグラフィ画像を決定するステップと、
前記第一のラジオグラフィ画像を前記第二のラジオグラフィ画像と比較するステップと、
を含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項８】
放出方向に沿ってＸ線ビームを放出するＸ線管と、
前記管に対向するように配置されており、前記放出方向に配置された面を有しているＸ線検出器と、
該Ｘ線検出器を前記放出方向に上下させるのに用いられる昇降装置と、
前記検出器及び前記Ｘ線管を担持したアームと、
回転アームにより前記アームに連結されている支柱と、
前記検出器の縁に配置されているセンサと、
前記検出器の前記面上のアンテナと、
を備えたＸ線装置であって、
当該装置は、前記検出器の前記センサ及び前記アンテナにより与えられる前記検出器と前記身体との間の距離の同時測定に基づいて、学習ベースから得たデータを使用して前記身体の三次元（３Ｄ）再構成を生成するように構成された回路を有する、
Ｘ線装置。
【請求項９】
前記再構成及び前記測定された距離に基づいて前記回転アーム及び／又は前記アーム及び／又は前記支柱及び／又は前記昇降装置の速度の自動制御を行なう回路
を含んでいる請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記再構成及び前記測定された距離に基づいて前記Ｘ線の強度を調節する回路と、
前記Ｘ線による前記再構成された身体マップの表面の曝射時間を算出する回路と、
前記表面が受ける積算Ｘ線量を算出する回路と、
を含んでいる請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記アンテナは、導電性材料で製造された複数の容量型電極を含むと共に、Ｘ線透過性材料で製造された可撓性印刷回路をさらに含んでいる、
請求項８に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
仮想的な患者のモデルと組み合わされるＸ線装置のモデルは、仮想的な患者の身体の近接の検出の事象時、又はＸ線装置の要素の一つの仮想的な患者の身体との接触の事象時に、Ｘ線装置の移動部品の運動を減速させることを狙いとしたものである。Ｘ線装置のモデルと仮想的な患者との間の接触によって装置は停止する訳ではなく、単に減速するだけである。従って、衝突防止システム１０は、Ｘ線装置のモデルと仮想的な患者の身体のモデルとの組み合わせに関連付けされていなければならない。この衝突防止システム１０は、近接検出器及び／又は接触検出器であってよい。この衝突防止システムは、実際の患者との接触の事象時には装置の移動部品の運動を停止させる。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００７／００１４４５２号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月2日(2011.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
禁煙区域と喫煙区域とを分割するべき屋内空間に設置されて、喫煙区域を画成するための空間分煙対策用喫煙装置であって、
内部に喫煙空間を画成するフレームと、フレームに支持されて前記喫煙空間の側方を包囲する側壁と、前記側壁の一部に設けられたドアと、前記喫煙空間内に配置されて、屋外と連通するダクト及び屋外排気設備に連通可能となった吸引口を備えた吸引装置と、を備え、前記喫煙空間の収容定員は一名となっており、フレーム上端または側壁上端によって包囲される天井面が７０％以上の開口率で開口されており、前記フレーム下端または前記側壁下端と設置面との間には隙間が形成されることを特徴とする空間分煙対策用喫煙装置。
【請求項２】
前記喫煙空間の横断面は、一辺が１ｍ以下の矩形形状であることを特徴とする請求項１記載の空間分煙対策用喫煙装置。
【請求項３】
前記吸引装置には、下方から上方に向かって湾曲する湾曲面が形成されて、その湾曲面に吸引口が設けられることを特徴とする請求項１または２記載の空間分煙対策用喫煙装置。
【請求項４】
前記吸引装置は、カウンタ部分と、カウンタ部分から上方へと立設される支柱部分と、支柱部分に連結されて支柱部分よりも水平方向に広がりを持ったフード部分と、ダクト連結部と、を有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の空間分煙対策用喫煙装置。
【請求項５】
前記フレームの下部には、設置面を転動可能なキャスタが設けられることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の空間分煙対策用喫煙装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の前記吸引装置に、下方から上方に向かって湾曲する湾曲面が形成されて、その湾曲面に吸引口が設けられることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項５記載の発明は、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の前記フレームの下部に、設置面を転動可能なキャスタが設けられることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項３記載の発明によれば、煙を湾曲面に沿って誘導して、湾曲面にある吸引口から吸引することができる。湾曲面によってデザイン的要素を与えることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項５記載の発明によれば、キャスタを利用して、空間分煙対策用喫煙装置を簡単に移動することができるので、屋内空間のレイアウト変更に柔軟に対応することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月20日(2011.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リード端子が接続された磁気抵抗効果素子と、
少なくとも前記磁気抵抗効果素子が収納されたセンサケースと、
前記センサケースから前記リード端子が引き出された状態で少なくとも前記磁気抵抗効果素子を前記センサケース内で封止する封止樹脂と、
前記封止樹脂が他の部材と接する位置に配置される緩衝樹脂層と、
を備えることを特徴とする真空用エンコーダセンサ。
【請求項２】
前記緩衝樹脂層は、前記センサケースと前記封止樹脂との境界部、および、前記リード端子と前記封止樹脂との境界部の少なくとも一方に配置されることを特徴とする請求項１記載の真空用エンコーダセンサ。
【請求項３】
前記緩衝樹脂層は、前記センサケースと前記封止樹脂との境界部の全域、および、前記リード端子と前記封止樹脂との境界部の全域の少なくとも一方に配置されることを特徴とする請求項１又は２記載の真空用エンコーダセンサ。
【請求項４】
前記緩衝樹脂層は、前記センサケースと前記封止樹脂との境界部、および、前記リード端子と前記封止樹脂との境界部の少なくとも一方を覆うように、前記封止樹脂が前記センサケースから露出する面に層状に配置されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の真空用エンコーダセンサ。
【請求項５】
前記緩衝樹脂層は、鉛筆硬度３Ｈ以下のエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の真空用エンコーダセンサ。
【請求項６】
前記緩衝樹脂層の厚さは、前記センサケース内壁の対向面間隔の０．２５％〜１０％であることを特徴とする請求項３記載の真空用エンコーダセンサ。
【請求項７】
内周にモータコイル又はマグネットが装着された円筒状のステータと、
前記ステータに対して磁気的空隙を介して同心円状に対向し、かつ、前記ステータと軸受を介して回転自在に配置されたロータと、
前記ステータの内周に固定された真空用エンコーダセンサと、
前記ロータの外周の一部にスリットディスクと、
を備え、前記真空用エンコーダセンサは、請求項１〜６のいずれか１項に記載の真空用エンコーダセンサであることを特徴とする真空用エンコーダセンサ付き真空用モータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記問題を解決するために、本発明のある観点によれば、リード端子を接続された磁気抵抗効果素子と永久磁石とをセンサケース内に封止樹脂で固定された真空用エンコーダセンサにおいて、該センサケースと該封止樹脂との境界部、および該リード端子と該封止樹脂との境界部の２つの境界部のうち少なくともいずれか一方に緩衝樹脂層が設けられている真空用エンコーダセンサが提供される。
また、上記問題を解決するために、本発明の別の観点によれば、リード端子を接続された磁気抵抗効果素子と永久磁石とがセンサケース内に封止樹脂で固定された真空用エンコーダセンサにおいて、該封止樹脂上部に緩衝樹脂層が形成されており、該センサケースと該封止樹脂との境界部、および該リード端子と該封止樹脂との境界部の２つの境界部のうち少なくともいずれか一方が該緩衝樹脂層により覆われている真空用エンコーダセンサが提供される。
また、上記各真空用エンコーダセンサは、一の改良の例として、前記緩衝樹脂層が鉛筆硬度３Ｈ以下のエポキシ樹脂であってもよい。
また、上記各真空用エンコーダセンサは、他の改良の例として、前記緩衝樹脂層の厚さが前記センサケース内壁の対向面間隔の０．２５％〜１０％であってもよい。
また、上記問題を解決するために、本発明の更に別の観点によれば、内周にモータコイル又はマグネットが装着された円筒状のステータと、マグネット又はモータコイルが装着されたロータとが、互いに磁気的空隙を介して同心円状に対向配置され、前記ロータが前記ステータと軸受を介して回転自在に軸支持され、前記ステータの内周に真空用エンコーダセンサが固定されるとともに、前記ロータの外周の一部にスリットディスク設けて成る真空用エンコーダセンサ付き真空用モータにおいて、前記真空用エンコーダセンサとして、上記に記載の真空用エンコーダセンサを適用した真空用エンコーダセンサ付き真空用モータが提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記本発明のある観点による真空用エンコーダセンサによると、センサケースと封止樹脂との境界部、リード端子と封止樹脂との境界部の少なくともいずれか一方に緩衝樹脂層として軟らかいエポキシ樹脂を備えているので、ベーキング後に封止樹脂が収縮しても、緩衝樹脂層が伸びてセンサケースと封止樹脂との境界部およびリード端子と封止樹脂との境界部に空隙が生じない。このために、ベーキングにより各構成要素間に溜まったガスが真空環境部に放出されることを防止でき、高い真空度を得ることができる。また、封止樹脂を加熱硬化した後も同様な理由でセンサケースと封止樹脂との境界部およびリード端子と封止樹脂との境界部に空隙が生じないので、ベーキングしない場合にも高い真空度を得ることができる。さらに構造が簡便であり、製造コストを低く抑えることができる。 
また、上記本発明の別の観点による真空用エンコーダセンサによると、封止樹脂上部に緩衝樹脂層を形成しているので、簡単な構造でベーキングにより各構成要素間に溜まったガスが真空環境に放出されることを防止できる。
また、上記各真空用エンコーダに対する一の改良の例によると、緩衝層の硬さを最適化しているので、ベーキングにより各構成要素間に溜まったガスが真空環境に放出されることを防止できる効果がさらに高まる。
また、上記各真空用エンコーダに対する他の改良の例によると、センサケースと封止樹脂との境界部、リード端子と封止樹脂との境界部の緩衝樹脂層の厚さを最適化しているので、より高い真空度を得ることができる。
上記本発明の更に別の観点による真空用エンコーダセンサ付き真空用モータによると、真空用モータにおける真空位置検出装置に、高い真空度を得ることのできる真空用エンコーダセンサを使用しているので、真空モータにおいてもより高い真空度を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月27日(2011.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブレーキパッドをディスクに押圧するピストンが摺動するボアと該ボアの底部側に前記ボアの内径よりも小さい内径で形成された開口部と該開口部の内周に沿って形成される環状底壁とを有するシリンダ本体の前記ボアの内周面を切削加工する工程と、
前記ピストンの前記環状底壁側に形成される平面部の外径よりも大きい前記環状底壁への当接外径を有する支持部材を前記ボアに挿入して前記ボアの内側から前記環状底壁に突き当てる工程と、
前記環状底壁側が該環状底壁と同じ肉厚をなし前記開口部の内径と略同等の外径を有する蓋部材を前記開口部に挿入して前記支持部材に当接させる工程と、
前記蓋部材と前記環状底壁とを摩擦攪拌接合によって接合する工程と、
を有するディスクブレーキの製造方法。
【請求項２】
前記支持部材は、前記ボアの底部側に臨む面の縁部の外形が、前記ピストンの前記ボアの底部側に臨む面の縁部の外形よりも膨出して形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載のディスクブレーキの製造方法。
【請求項３】
前記支持部材と前記ピストンとには、前記ボアの底部側に臨む面の縁部に面取り部が形成されてなり、
前記支持部材は、その前記面取り部の外周径が、前記ピストンにおける前記面取り部の外周径よりも大きく形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載のディスクブレーキの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、本発明は、支持部材は、ボアの底部側に臨む面の縁部の外形が、前記ピストンの前記ボアの底部側に臨む面の縁部の外形よりも膨出して形成されたものとなっている。  
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明は、支持部材とピストンとには、ボアの底部側に臨む面の縁部に面取り部が形成されてなり、前記支持部材は、その前記面取り部の外周径が、前記ピストンにおける前記面取り部の外周径よりも大きく形成されたものとなっている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月1日(2011.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アース用電極が形成された端子部を有する第１のガラス基板と、外表面に静電気防止用透明電極が形成された第２のガラス基板の間に、液晶を封入して液晶表示パネルを作成する工程と、
前記第１のガラス基板に絶縁性のモールド材を供給する工程と、
前記静電気防止用透明電極と前記アース用電極を電気的に接続するために、前記モールド材の上を経由して前記静電気防止用透明電極と前記アース用電極に導電性材料を印刷する接続工程と、を備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記モールド材が前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板の隙間に充填するように供給されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１のガラス基板の端子部にはＩＣチップが実装されており、前記モールド材が前記ＩＣチップの周囲に供給されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記接続工程で印刷された前記導電性材料の厚みが５μｍから２０μｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図１では導電ペースト３を一直線状に印刷したが、図２のようにかぎ形状に印刷してもよい。このようにかぎ形状に印刷することにより静電気防止用電位供給電極２を設ける場所が設定しやすくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月8日(2011.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：
【化１】
2008231102.tif 000001
〔式中、Ｒ１は水素又はハロゲン原子を示し、Ｒ２及びＲ３は、独立に、同一又は異なって水素原子又は水酸基、或いはＲ２とＲ３が一緒になってカルボニル基を示し、Ｒ４及びＲ５は、独立に、水酸基又はＣ１〜Ｃ６アルキルオキシ基を示し、ｍは１〜５の整数を示す〕で表されるフェノール誘導体もしくはその薬理学的に許容しうる塩又はその水和物もしくは溶媒和物。
【請求項２】
前記式（Ｉ）の化合物が5-ブロモ-2-(4-ヒドロキシフェニル)ベンゾフラン-3-イル-(3,4,5-トリヒドロキシフェニル)メタノン、5-ブロモ-2-(4-メトキシフェニル)ベンゾフラン-3-イル-(3,4,5-トリメトキシフェニル)メタノン、5-ブロモ-2-(4-メトキシフェニル)-3-(α-ヒドロキシ-3,4,5-トリメトキシベンジル)ベンゾフラン、および2-(4-ヒドロキシフェニル)-3-(3,4,5-トリヒドロキシベンジル)ベンゾフランからなる群から選択される少なくとも１種である請求項１に記載のフェノール誘導体もしくはその薬理学的に許容しうる塩又はその水和物もしくは溶媒和物。
【請求項３】
式（II）：
【化２】
2008231102.tif 000002
（式中、Ｘはグルタミン酸残基叉はチロシン残基を示し、ｎは１〜３の整数を示す）で表されるフェノール誘導体もしくはその薬理学的に許容しうる塩又はその水和物もしくは溶媒和物。
【請求項４】
前記式（II）の化合物が(E,E)-4-(2-(2-(2-アミノ-2-オキソエトキシ)エトキシ)エチルカルバモイル)-37-(2,5-ビス(3-カルボキシ-4-ヒドロキシスチリル)ベンズアミド)-7,19,22,34-テトラキス(2-カルボキシエチル)-6,9,18,21,24,33,36-ヘプタオキソ-11,14,26,29-テトラオキサ-5,8,17,20,23,32,35-ヘプタアザテトラコンタン-1,40-ジカルボン酸、(E,E)-4-(2-(2-(2-アミノ-2-オキソエトキシ)エトキシ)エチルカルバモイル)-22-(2,5-ビス(3-カルボキシ-4-ヒドロキシスチリル)ベンズアミド)-7,19-ビス(2-カルボキシエチル)-6,9,18,21-テトラオキソ-11,14-ジオキサ-5,8,17,20-テトラアザペンタコサン-1,25-ジカルボン酸、5,5'-(1E,1'E)-2,2'-(2-(1-アミノ-16-カルボキシ-11-(2-カルボキシエチル)-1,10,13-トリオキソ-3,6-ジオキサ-9,12-ジアザヘキサデカン-14-イルカルバモイル)-1,4-フェニレン)ビス(エテン-2,1-ジイル)ビス(2-ヒドロキシ安息香酸)、および5,5'-(1E,1'E)-2,2'-(2-(1-アミノ-11,14,26,29,42-ペンタキス (4-ヒドロキシベンジル)-46-(4-ヒドロキシフェニル)-1,10,13,16,25,28,32,41,44-ノナオキソ-3,6,18,21,34,37-ヘキサオキサ-9,12,15,24,27,30,40,43-オクタアザヘキサテトラコンタン-45-イルカルバモイル)-1,4-フェニレン)ビス(エテン-2,1-ジイル)ビス(2-ヒドロキシ安息香酸)からなる群から選択される少なくとも１種である請求項３に記載のフェノール誘導体もしくはその薬理学的に許容しうる塩又はその水和物もしくは溶媒和物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のフェノール誘導体を含むことを特徴とするアミロイドベータ凝集阻害薬。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のフェノール誘導体を含むことを特徴とするアルツハイマー型認知症の予防及び／又は治療薬。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【化３】
2008231102.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月4日(2011.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
隙間（８）がターボ機械の二つの周辺方向（３）に隣接した羽根（１、２）の間で軸方向と半径方向に延びていて、
両羽根（１、２）がそれぞれの羽根足（６、７）にはそれぞれに一つの軸方向に延びていて隙間（８）に開放された縦溝（１０、１１）を有し、
バンド状或いは紐状密封要素（１２）が縦側面（１３、１４）により両縦溝（１０、１１）に係合して隙間（８）を覆って、
一方の羽根（１）がその羽根足（６）に羽根足（６）から周辺方向に突き出す突出部（１５）を有し、その突出部がそれぞれの縦溝（１０）の領域において周辺方向（３）且つ半径方向に延びていて、隙間（８）の軸方向長端を覆って、
他方の羽根（２）がその羽根足（７）に一方の羽根（１）の突出部（１５）を補充してステップ状窪み（１６）を有し、その窪みに突出部（１５）が係合する、
前記隙間を半径方向に密封する隙間シールにおいて、
突出部（１５）が周辺方向（３）に延びていて隙間（８）に開放された横溝（１７）有し、
密封要素（１２）が端面により横溝（１７）に係合することを特徴とする隙間シール。
【請求項２】
他方の羽根（２）の縦溝（１１）が端面側に開放した窪み（１６）で終了し、
突出部（１５）は周辺方向（３）において突出部が他方の羽根（２）の縦溝（１１）の端面側に開放した端部を窪み（１６）に重ねるような寸法に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の隙間シール。
【請求項３】
横溝（１７）が端面側端部で閉鎖されていることを特徴とする請求項１或いは２に記載の隙間シール。
【請求項４】
突出部（１５）と窪み（１６）は、突出部（１５）が窪み（１６）には軸方向に他方の羽根（２）の羽根足（７）に当接するように互いに適合されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の隙間シール。
【請求項５】
羽根（１、２）がターボ機械のロータの羽根であるか、或いは羽根（１、２）がターボ機械のステータの羽根であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の隙間シール。
【請求項６】
横溝（１７）と密封要素（１２）は、密封要素（１２）が端面（１８）により全ての期待するべき通常の製造公差と熱膨張過程では所望の密封作用を達成するために十分に深く横溝（１７）に係合できるような寸法に形成されて互いに適合されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の隙間シール。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月19日(2011.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｏ：０．０５乃至０．４質量％、Ｓｎ：０．０５乃至１．０質量％、Ｚｎ：０．００５乃至１．０質量％、Ｎｉ：０．００５乃至０．２質量％、Ｐ：０．０５乃至０．４質量％、Ｓ：０．００５質量％以下、Ｏ：０．００５質量％以下、及びＨ：０．０００２質量％以下を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる組成を有する銅合金管であって、焼鈍後の引張り強さが２６０Ｎ／ｍｍ２以上であり、平均結晶粒径が３０μｍ以下であると共に、前記銅合金管の引張強さをσａ１、破壊圧力をＰＦａ１、前記銅合金管と同一外径及び肉厚のりん脱酸銅管の引張強さをσｄ１、破壊圧力をＰＦｄ１としたとき、ＰＦａ１／σａ１＞ＰＦｄ１／σｄ１であることを特徴とする熱交換器用銅合金管。
【請求項２】
更に、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＡｇからなる群から選択された１種以上の元素を合計０．０７質量％未満含有することを特徴とする請求項１に記載の熱交換器用銅合金管。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の焼鈍後の熱交換器用銅合金管に、更に、抽伸加工を付加したものであることを特徴とする熱交換器用銅合金管。
【請求項４】
８００℃で１５秒間加熱した後の引張強さが２４０Ｎ／ｍｍ２以上であり、平均結晶粒径が１００μｍ以下であり、引張強さをσａ２、破壊圧力をＰＦａ２、前記銅合金管と同一外径及び肉厚のりん脱酸銅管の引張強さをσｄ２、破壊圧力をＰＦｄ２としたとき、ＰＦａ２／σａ２＞ＰＦｄ２／σｄ２であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の熱交換器用銅合金管。
【請求項５】
８００℃で１０分間加熱した後の引張強さが２３０Ｎ／ｍｍ２以上であり、平均結晶粒径が２００μｍ以下であり、引張強さをσａ３、破壊圧力をＰＦａ３、前記銅合金管と同一外径及び肉厚のりん脱酸銅管の引張強さをσｄ３、破壊圧力をＰＦｄ３としたとき、ＰＦａ３／σａ３＞ＰＦｄ３／σｄ３であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の熱交換器用銅合金管。
【請求項６】
前記銅合金管が内面溝付管であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の熱交換器用銅合金管。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月20日(2011.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｄ）無機充填剤、および（Ｅ）白色顔料を含む樹脂組成物において、前記（Ｄ）無機充填剤および前記（Ｅ）白色顔料の少なくとも一方の成分として、多孔質充填剤または吸油性を有する化合物を含むことを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項２】
前記多孔質充填剤または吸油性を有する化合物の形状が、真球状、破砕状、円盤状、棒状、繊維状からなる群の中から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項３】
前記多孔質充填剤または吸油性を有する化合物が、シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、ゼオライト、ノルボルネンゴム、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合樹脂からなる群の中から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１または２に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項４】
前記多孔質充填剤または吸油性を有する化合物の表面が、疎水化処理または親水化処理されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項５】
前記多孔質充填剤または吸油性を有する化合物の見掛け密度が、０．４ｇ／ｃｍ３以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項６】
前記（Ｄ）無機充填剤および前記（Ｅ）白色顔料の合計量を基準として、前記多孔質充填剤または吸油性を有する化合物の含有量が、０．１体積％〜２０体積％の範囲であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項７】
前記（Ｄ）無機充填剤が、多孔質構造または吸油性を持たないシリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムからなる群の中から選ばれる少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項８】
前記（Ｅ）白色顔料が、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、無機中空粒子からなる群の中から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項９】
前記（Ｅ）白色顔料の平均粒径が、０．１〜５０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項１０】
前記（Ｄ）無機充填剤と前記（Ｅ）白色顔料の合計含有量が、樹脂組成物全体に対して、１０体積％〜８５体積％の範囲であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物を用いてなることを特徴とする光半導体素子搭載用基板。
【請求項１２】
光半導体素子搭載領域となる凹部が１つ以上形成されている光半導体素子搭載用基板であって、少なくとも前記凹部の内周側面が請求項１〜１０のいずれかに記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物からなることを特徴とする光半導体素子搭載用基板。
【請求項１３】
光半導体素子搭載領域となる凹部が１つ以上形成されている光半導体素子搭載用基板の製造方法であって、少なくとも前記凹部を請求項１〜１０のいずれかに記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いたトランスファー成型により形成することを特徴とする光半導体搭載用基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の光半導体素子搭載用基板と、
前記光半導体素子搭載用基板の凹部底面に搭載された光半導体素子と、
前記光半導体素子を覆うように前記凹部内に形成された蛍光体含有透明封止樹脂層と、
を少なくとも備える光半導体装置。