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【手続補正書】
【提出日】平成23年10月6日(2011.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
一方、磁気記録層は、記録時以外では温度が下がり、保磁力Ｈｃが高い状態Ｈｃ０に戻るため、記録時以外は高い保磁力により熱揺らぎの耐性を持つことができる。このように、ＨＡＭＲの基本的な概念は、磁気ディスクを加熱することで記録層の保磁力を低下させ、記録素子が発生できる記録磁界強度で記録を行うものである。このようなＨＡＭＲは、磁気ディスク記録層の保磁力とヘッド素子部からの記録磁界強度、媒体を加熱する構成の種類やサイズなどにより、以下の３種類に分けることができる。本明細書において、これらを、それぞれ、磁界方式、熱スポット方式、そしてハイブリッド方式と呼ぶ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
ヘッド・スライダは、図の上側から下側に移動（飛行）する。データ記録域３２２は、熱スポット位置と記録磁界とが同時に重なっている位置に形成される。図４において、記録素子のトレーリング・エッジと熱スポットが重なる位置で、最終的な記録幅が決まる。なお、本図では、記録素子位置３０２と記録磁界の位置とは一致しているとする。この点は、以下の各図の説明において同様である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
その後、ｎ＋Ｘ−１番トラック５５２を記録する際には、ｎ＋Ｘ番トラック５５１の一部を重ねて記録するが、ｎ＋Ｘ番トラック５５１は記録磁界の内周側端部５７１ｂまで情報が記録されているため、ｎ＋Ｘ−１番トラック５５２が記録されても、情報が失われることがない。また、熱スポット５５２の内周側端部５６２ｂを記録磁界の内周側端部５７２ｂよりも外周側に位置する、好ましくは、それにそろえるように制御することで、ｎ＋Ｘ−１番トラック５５２を記録する際の熱スポット５６２により減磁されることはない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
１０１：記録パターン、１０２：消去幅、１０３：オフトラック・プロファイル
１０４：熱スポット、１０５：磁気記録素子、１０７：熱スポットによる消去領域
１０８：熱スポットにより消去されたオフトラック・プロファイル
１０９：磁界による消去領域
１１０：磁界により消去されたオフトラック・プロファイル
１１１：スキューが付いた熱スポットにより消去されたオフトラック・プロファイル
１１２：スキューが付いた場合の磁界により消去されたオフトラック・プロファイル
１２３：熱スポット径、１２４：磁界幅、１２５：熱スポット中心
１２６：熱スポットと磁界との位置ずれ、１２７：記録磁界中心、２０１:熱スポット径
２０２:磁気記録素子、２０３:プロファイル、２０４：熱スポット径
２０５:磁気記録素子、２０５：プロファイル、２０６：トラック幅が減少する点
２２１:記録幅、２２２：半値幅、２２４：半値幅
３０１、３０３、３０５：熱スポット径、３０２、３０４、３０６：磁気記録素子
３２１、３２３、３２５：トラック幅、３２２、３２４、３２６：記録トラック
３３１、３３３、３３５：熱スポット径、３３２、３３４、３３６：磁気記録素子
３４１、３４３、３４５：トラック幅、３４２、３４４、３４６：記録トラック
３５１、３５３、３５５：熱スポット径、３５２、３５４、３５６：磁気記録素子
３６０、３６４：隣接トラック、３６１、３６２、３６３：記録トラック
４０１〜４０６：熱スポット、４１１〜４１６：磁気記録素子
４２１：ｎｉ番目の位置決め信号、４２２：ｎｉ＋１番目の位置決め信号
４２３：ｎｍ番目の位置決め信号、４２４：ｎｍ＋１番目の位置決め信号
４２５：ｎo番目の位置決め信号、４２６：ｎo＋１番目の位置決め信号
５０１：ｍ番目のトラック、５０２：ｍ＋１番目のトラック、５０３：ｎ番目のトラック
５０４：ｎ＋１番目のトラック５５１：ｎ＋Ｘ番目のトラック
５５２：ｎ＋Ｘ−１番目のトラック、５５３：ｍ＋Ｘ番目のトラック
５５４：ｍ＋Ｘ−１番目のトラック、５１１〜５１４、５６１〜５６４：熱スポット
５２１〜５２４、５７１〜５７４：磁気記録素子
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１Ｂ】
2010123232.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８Ａ】
2010123232.tif 000002
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８Ｂ】
2010123232.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月20日(2011.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも２層の発電セル層を備える光電変換層と、前記発電セル層の間に介在する中間コンタクト層とを含む光電変換装置であって、
前記中間コンタクト層が、Ｚｎ１−ｘＭｇｘＯ（０．０９６≦ｘ≦０．１８３）で表される化合物を主として含むことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記中間コンタクト層が、Ｇａ２Ｏ３が添加されたＺｎ１−ｘＭｇｘＯ（０．０９６≦ｘ≦０．１８３）で表される化合物を主として含むことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
水素プラズマ曝露後の前記中間コンタクト層のシート抵抗が、１０ｋΩ／□以上１００ｋΩ／□以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記基板側の前記発電セル層と前記中間コンタクト層との間に、ＺｎＯまたはＺｎ１−ｘＭｇｘＯ（０＜ｘ≦０．０９６）で表される化合物を主として含む界面層を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記界面層が、Ｇａ２Ｏ３が添加されたＺｎＯまたはＺｎ１−ｘＭｇｘＯ（０＜ｘ≦０．０９６）で表される化合物を主として含むことを特徴とする請求項４に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記界面層の膜厚が、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の光電変換装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明は、基板上に、少なくとも２層の発電セル層を備える光電変換層と、隣り合う前記発電セル層の間に介在する中間コンタクト層とを含む光電変換装置であって、前記中間コンタクト層が、Ｚｎ１−ｘＭｇｘＯ（０．０９６≦ｘ≦０．１８３）で表される化合物を主として含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記発明において、導電率制御を目的として、前記中間コンタクト層が、Ｇａ２Ｏ３が添加されたＺｎ１−ｘＭｇｘＯ（０．０９６≦ｘ≦０．１８３）で表される化合物を主として含んでも良い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
前記基板側の前記発電セル層と前記中間コンタクト層との間に、ＺｎＯまたはＺｎ１−ｘＭｇｘＯ（０＜ｘ≦０．０９６）で表される化合物を主として含む界面層を備えても良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
このように、基板側に形成された発電セル層上に、ＺｎＯ、または、本発明の中間コンタクト層よりもＭｇ濃度が低い上記組成範囲とされるＺｎ１−ｘＭｇｘＯを主とする界面層を形成すると、膜積層方向のコンタクト抵抗をさらに低減させることができる。その結果、形状因子を更に向上させることができ、より高い光電変換効率を有する光電変換装置とすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この場合、界面層の導電率を調整するために、前記界面層が、Ｇａ２Ｏ３が添加されたＺｎＯまたはＺｎ１−ｘＭｇｘＯ（０＜ｘ≦０．０９６）で表される化合物を主として含んでも良い。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
隣り合う発電セル層の間に、Ｚｎ１−ｘＭｇｘＯ（０．０９６≦ｘ≦０．１８３）で表される化合物を主として含む中間コンタクト層とすることにより、セル接続部における漏れ電流を抑制することができるとともに、膜垂直方向のコンタクト抵抗が低くすることができる。そのため、形状因子が向上し、高い光電変換効率を有する光電変換装置とすることができる。
また、基板側の発電セル層と中間コンタクト層との間に、ＺｎＯまたは中間コンタクト層よりもＭｇ濃度が低いＺｎ１−ｘＭｇｘＯを主とする界面層を形成することにより、コンタクト層をより低減させることも可能である。この結果、光電変換効率を更に向上させることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
第１発電セル層９１と第２発電セル層９２の間に、接触性を改善するとともに電流整合性を取るために半反射膜となる中間コンタクト層５を設ける。ＲＦマグネトロンスパッタリング装置を用い、ターゲット：Ｇａ２Ｏ３ドープＺｎＯ−ＭｇＯ混合ターゲット（ＭｇＯ比率：５〜１０質量％）、ＲＦパワー：１．１〜４．４Ｗ／ｃｍ２、製膜圧力：０．１３〜０．６７Ｐａ、基板温度：２５℃（室温付近）の条件で製膜する。これにより、膜厚：２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下のＺｎ１−ｘＭｇｘＯ（０．０９６≦ｘ≦０．１８３）を主とする中間コンタクト層が形成される。製膜直後の中間コンタクト層５のシート抵抗は、１０ＭΩ／□程度である。なお、中間コンタクト層は、Ｇａ２Ｏ３を含まなくても良い。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
＜第２実施形態＞
第２実施形態に係る光電変換装置は、図１における第１発電セル層９１と中間コンタクト層５との間に、界面層を備える。
界面層は、ＺｎＯ、または、Ｚｎ１−ｘＭｇｘＯ（ただし、０＜ｘ≦０．０９６を満たす）で表される化合物を主として含む。すなわち、界面層は、Ｍｇを含まないか、中間コンタクト層よりもＭｇ含有量が少ない。界面層としてのＺｎＯまたはＺｎ１−ｘＭｇｘＯは、ドーパントとしてＧａ２Ｏ３を含んでも良い。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
界面層と中間コンタクト層とをそれぞれ異なる製膜室で製膜する場合、以下の工程により界面層及び中間コンタクト層が形成される。
界面層の製膜は、ＲＦマグネトロンスパッタリング装置を用い、ターゲット：Ｇａ２Ｏ３ドープＺｎＯ焼結体またはＧａ２Ｏ３ドープＺｎＯ−ＭｇＯ混合ターゲット（ＭｇＯ比率：０〜５質量％、但し０質量％を含まず）、ＲＦパワー：１．１〜４．４Ｗ／ｃｍ２、製膜圧力：０．１３〜０．６７Ｐａ、基板温度：２５℃（室温付近）の条件で実施する。上記条件での製膜により、ＺｎＯまたはＺｎ１−ｘＭｇｘＯ（０＜ｘ≦０．０９６）を主とする界面層を形成する。第１セル層と界面層とのコンタクト抵抗、及び、セル接続部における漏れ電流を考慮すると、界面層の膜厚は、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましい。
界面層形成後、第１実施形態と同様の条件により、界面層よりもＭｇＯ含有量が多い中間コンタクト層を形成する。本実施形態において、界面層及び中間コンタクト層の合計膜厚は、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とされる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月30日(2010.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力フィールドに逐次入力される文字列に基づく検索結果を選択可能な一覧として逐次表示して入力支援を行う情報処理装置であって、
前記入力フィールドに文字入力があるごとに該入力フィールドから文字列を取得する入力文字列取得手段と、
前記文字列取得手段により取得した文字列に応じた検索結果を取得する検索結果取得手段と、
前記検索結果取得手段により取得される検索結果の件数が所定数を超えるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記検索結果の件数が前記所定数を越えないと判定された場合、前記検索結果の全てを選択可能な一覧として表示し、一方、前記判定手段により前記検索結果の件数が前記所定数を超えると判定された場合、前記検索結果の中から前記所定数の検索結果を選択可能な一覧として表示するとともに、該一覧に表示されない検索結果を表示するための追加表示用選択肢も表示するように制御する表示制御手段と、
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記表示制御手段は、前記一覧から前記追加表示用選択肢が選択された場合、前記一覧に表示されなかった検索結果を選択可能な一覧として表示することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記表示制御手段は、前記判定手段により前記検索結果の件数が前記所定数を超えると判定された場合、前記検索結果の件数も表示することを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記検索結果取得手段は、前記文字列取得手段により取得した文字列に応じた検索要求をサーバに要求し、該検索要求に応じて前記サーバから検索結果を取得することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記表示制御手段は、前記検索結果取得手段により検索結果が取得できなかった場合、エラーメッセージを表示することを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記サーバは、前記検索結果の数が所定の検索制限件数を超えた場合には、検索制限件数を超えたため検索を中止した旨のメッセージを前記検索結果取得手段に返信するものであり、
前記表示制御手段は、前記検索結果取得手段により前記メッセージを取得した場合、前記メッセージを表示することを請求項４又は５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記所定数を設定する設定手段を設けたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
サーバと、入力フィールドに逐次入力される文字列に基づく検索結果を選択可能な一覧として逐次表示して入力支援を行う情報処理装置とが通信可能な情報処理システムであって、
前記情報処理装置は、
前記入力フィールドに文字入力があるごとに該入力フィールドから文字列を取得する入力文字列取得手段と、
前記文字列取得手段により取得した文字列に応じた検索要求をサーバに要求し、該検索要求に応じて前記サーバから検索結果を取得する検索結果取得手段と、
前記検索結果取得手段により取得される検索結果の件数が所定数を超えるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記検索結果の件数が前記所定数を越えないと判定された場合、前記検索結果の全てを選択可能な一覧として表示し、一方、前記判定手段により前記検索結果の件数が前記所定数を超えると判定された場合、前記検索結果の中から前記所定数の検索結果を選択可能な一覧として表示するとともに、該一覧に表示されない検索結果を表示するための追加表示用選択肢も表示するように制御する表示制御手段とを有し、
前記サーバは、
検索結果取得手段による検索要求に応じた検索結果を前記情報処理装置へ送信する送信手段と、
を有することを特徴とする情報処理システム。
【請求項９】
入力フィールドに逐次入力される文字列に基づく検索結果を選択可能な一覧として逐次表示して入力支援を行う情報処理装置の制御方法であって、
入力文字列取得手段が、前記入力フィールドに文字入力があるごとに該入力フィールドから文字列を取得する入力文字列取得ステップと、
検索結果取得手段が、前記文字列取得ステップで取得した文字列に応じた検索結果を取得する検索結果取得ステップと、
判定手段が、前記検索結果取得ステップで取得される検索結果の件数が所定数を超えるか否かを判定する判定ステップと、
表示制御手段が、前記判定ステップで前記検索結果の件数が前記所定数を越えないと判定された場合、前記検索結果の全てを選択可能な一覧として表示し、一方、前記判定ステップで前記検索結果の件数が前記所定数を超えると判定された場合、前記検索結果の中から前記所定数の検索結果を選択可能な一覧として表示するとともに、該一覧に表示されない検索結果を表示するための追加表示用選択肢も表示するように制御する表示制御手段と、
を有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１０】
入力フィールドに逐次入力される文字列に基づく検索結果を選択可能な一覧として逐次表示して入力支援を行う情報処理装置を、
前記入力フィールドに文字入力があるごとに該入力フィールドから文字列を取得する入力文字列取得手段、
前記文字列取得手段により取得した文字列に応じた検索結果を取得する検索結果取得手段、
前記検索結果取得手段により取得される検索結果の件数が所定数を超えるか否かを判定する判定手段、
前記判定手段により前記検索結果の件数が前記所定数を越えないと判定された場合、前記検索結果の全てを選択可能な一覧として表示し、一方、前記判定手段により前記検索結果の件数が前記所定数を超えると判定された場合、前記検索結果の中から前記所定数の検索結果を選択可能な一覧として表示するとともに、該一覧に表示されない検索結果を表示するための追加表示用選択肢も表示するように制御する表示制御手段、
として機能させるためのプログラム。
【請求項１１】
請求項１０に記載されたプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置、情報処理システム、情報処理装置の制御方法、プログラム、及び、記録媒体
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月2日(2011.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザプログラムを実行可能なＣＰＵと、
ユーザプログラムが上記ＣＰＵで実行された場合のトレースデータを収集可能なトレース回路と、
上記トレースデータを取り込んで上記ユーザプログラムのデバッグを可能とするエミュレータを接続可能な外部端子と、を含む半導体装置であって、
上記トレース回路は、収集されたトレースデータを記憶可能な記憶部と、
上記記憶部内のトレースデータの有効ビットを検索し、その有効ビット検索結果に基づいて上記記憶部内のトレースデータのうち、有効ビットのみを上記エミュレータに出力させるための有効ビット検索回路と、を含み、
上記有効ビット検索回路の有効ビット検索結果に基づいて上記エミュレータに出力されるトレースデータと同一の外部端子を介してステータス情報の外部出力が可能とされ、上記トレースデータとステータス情報とを区別するための同期信号が上記トレースデータとは異なる外部端子を介して上記エミュレータに出力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記記憶部は、先入れ先出しメモリであることを特徴とする、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記有効ビット検索回路は、前記記憶部内のトレースデータの下位ビットから有効ビット数を検出し、データの上位ビットが、同一数字の連続であった場合に、連続している部分をマスクして、有効ビットのみを情報として出力することを特徴とする、請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記トレース回路は、さらに複数のアドレス指定レジスタを含み、
前記複数のアドレス指定レジスタで指定されたトレース出力空間のみトレースデータの出力を行うことを特徴とする、請求項１乃至３の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体装置は、前記ＣＰＵで実行されるプログラムやデータが格納されているＲＯＭを含み、
前記トレース回路は、さらにＲＯＭ領域終了アドレスレジスタ、ＲＯＭ領域先頭アドレスレジスタを含み、
ＲＯＭ領域終了アドレスレジスタには、ＲＯＭ領域終了アドレスが設定され、
ＲＯＭ領域先頭アドレスレジスタには、ＲＯＭ領域先頭アドレスが設定され、
リードされたデータのアドレスが前記ＲＯＭ領域終了アドレスレジスタ、前記ＲＯＭ領域先頭アドレスレジスタで指定された間の、ＲＯＭデータアドレスであるか否かの判別を行い、
リードされたデータのアドレスが前記指定されたＲＯＭ領域のアドレスであった場合に、前記トレースデータが前記エミュレータに出力されないことを特徴とする、請求項１乃至４の何れか１項に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月5日(2011.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記処理戻しステップは、前記基本統計量を前記類似度の最小値として、該最小値に応じて、評価カテゴリに分類することを特徴とする請求項３記載の文字列認識方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月17日(2011.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
球面、曲面、または凹凸をもつ立体物に貼り付けることができる印刷物を得る画像処理装置であって、
前記立体物を撮影した画像データに基づいて前記立体物の３次元モデルを作成する手段と、
前記立体表面形状の３次元モデルに近似した立体表面を複数の多角形の組み合わせにより構成された仮想の多面体立体モデルを生成する手段と、
前記立体物の表面に印刷すべく入力された原稿画像データを、画像処理により、所定の視点位置から前記仮想の多面体立体モデルの表面に投影変換し３次元曲面の表面上の画像データに変換する手段と、
該３次元曲面表面上の画像データを、前記仮想の多面体立体の表面を構成する複数の多角形領域に分割する手段と、
前記複数の多角形領域に分割された画像データと前記仮想の多面体立体の表面を構成する各面の画像データに基づき、２次元平面に展開された表面形状の２次元展開図形式の印刷用画像データを生成する手段と、
を備えていることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の画像処理装置において、
前記３次元モデル作成、選択手段は、被印刷物が一般的な立体物である場合には、予め準備したデータベースから３次元形状モデルデータを選択することを特徴とする画像処理装置。
【請求項３】
請求項１記載の画像処理装置において、
前記３次元モデル作成、選択手段は、被印刷物の立体形状が自由曲面や複雑な立体形状などである場合には、被印刷物を異なる視点から見る複数枚の画像データを準備し、これらの画像データに基づいて立体形状表面の３次元モデルを作成することを特徴とする画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
このような目的に応えるために本発明（請求項１記載の発明）に係る画像処理装置は、球面、曲面、または凹凸をもつ立体物に貼り付けることができる印刷物を得る画像処理装置であって、前記立体物を撮影した画像データに基づいて前記立体物の３次元モデルを作成する手段と、前記立体表面形状の３次元モデルに近似した立体表面を複数の多角形の組み合わせにより構成された仮想の多面体立体モデルを生成する手段と、前記立体物の表面に印刷すべく入力された原稿画像データを、画像処理により、所定の視点位置から前記仮想の多面体立体モデルの表面に投影変換し３次元曲面の表面上の画像データに変換する手段と、該３次元曲面表面上の画像データを、前記仮想の多面体立体の表面を構成する複数の多角形領域に分割する手段と、前記複数の多角形領域に分割された画像データと前記仮想の多面体立体の表面を構成する各面の画像データに基づき、２次元平面に展開された表面形状の２次元展開図形式の印刷用画像データを生成する手段とを備えていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月1日(2011.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蓄勢されたばねの放勢力を利用して開閉器の接点を開閉動作させる開閉器の操作装置において、
一つの蓄勢ばねと、
駆動力を発生させる駆動機構と、
前記駆動力を前記蓄勢ばねに蓄勢するとともに該蓄勢ばねの放勢力を出力軸を介して開閉器本体に伝達する出力伝達機構とを備え、
前記出力伝達機構は、
前記出力軸を中心として回動し放勢力を該出力軸に伝達する伝達レバーと、
前記伝達レバーの先端に第二連結ピンにより一端を連結されたリンクと、
前記出力軸とは別位置に設けられた主軸に軸支され前記リンクの他端に第一連結ピンにより連結され前記蓄勢ばねの放勢力で回動する放勢レバーとを有し、
前記開閉器本体が開路状態にあるときは、前記伝達レバー、前記リンク及び前記放勢レバーが相互に折れ曲がるように配列され、前記開閉器本体が閉路状態にあるときは、前記主軸、前記第一連結ピン及び前記第二連結ピンが直線に近づくように配列される
ことを特徴とする開閉器の操作装置。
【請求項２】
前記開閉器本体が完全閉路位置にあるとき、前記放勢レバーと前記リンクが成す第一の角度（θ１）は、１８０°より数度小さい
ことを特徴とする請求項１記載の開閉器の操作装置。
【請求項３】
前記伝達レバーと前記リンクとが成す第二の角度（θ２）は、前記開閉器本体が完全閉路位置にあるとき、鋭角（０°＜θ２＜９０°）、前記開閉器本体が完全開路位置にあるとき、鈍角（９０°＜θ２＜１８０°）である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の開閉器の操作装置。
【請求項４】
前記駆動機構から回転力として伝達される前記駆動力の回転数を減速する減速歯車列を少なくとも一組有し、該減速歯車列の出力側歯車が前記主軸に軸支されている
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の開閉器の操作装置。
【請求項５】
前記主軸に軸支され端部に前記蓄勢ばねが接続ピンにより連結されたばねレバーを有し、前記減速歯車列の出力側歯車には、円周方向に沿って円弧長の切り欠きが形成されており、前記切り欠きに前記接続ピンが係合することによって前記蓄勢ばねが蓄勢され、前記蓄勢ばねの放勢時に前記接続ピンが前記切り欠き内を空走して前記放勢レバーに当接することにより、前記放勢レバーが回動する
ことを特徴とする請求項４に記載の開閉器の操作装置。
【請求項６】
前記駆動機構は、電力を前記駆動力に変換する電動機を有し、該電動機には前記蓄勢ばねを放勢した後の前記駆動機構の惰性回転を制動する制動回路が設けられている
ことを特徴とする請求項５に記載の開閉器の操作装置。
【請求項７】
蓄勢されたばねの放勢力を利用して開閉器の接点を開閉動作させる開閉器の操作装置において、
一つの蓄勢ばねと、
駆動力を発生させる駆動機構と、
前記駆動力を前記蓄勢ばねに蓄勢するとともに該蓄勢ばねの放勢力を出力軸を介して開閉器本体に伝達する出力伝達機構とを備え、
前記駆動機構は、手動操作力を前記駆動力に変換する手動ハンドルと、該手動ハンドルが装着される駆動操作軸と、前記手動ハンドルを一方向にのみに回転させる一方向クラッチとを有し、前記駆動操作軸は、反対方向の回転力を付与できるように両端部に前記手動ハンドルの装着部が着脱可能に設けられている
ことを特徴とする開閉器の操作装置。
【請求項８】
前記駆動機構は、減速歯車列を少なくとも一組有し、前記駆動操作軸は、前記減速歯車列の入力側歯車のいずれか１つの回転軸に連結される
ことを特徴とする請求項７に記載の開閉器の操作装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の開閉器の操作装置は、蓄勢されたばねの放勢力を利用して開閉器の接点を開閉動作させる開閉器の操作装置において、一つの蓄勢ばねと、駆動力を発生させる駆動機構と、前記駆動力を前記蓄勢ばねに蓄勢するとともに該蓄勢ばねの放勢力を出力軸を介して開閉器本体に伝達する出力伝達機構とを備え、前記出力伝達機構は、前記出力軸を中心として回動し放勢力を該出力軸に伝達する伝達レバーと、前記伝達レバーの先端に第二連結ピンにより一端を連結されたリンクと、前記出力軸とは別位置に設けられた主軸に軸支され前記リンクの他端に第一連結ピンにより連結され前記蓄勢ばねの放勢力で回動する放勢レバーとを有し、前記開閉器本体が開路状態にあるときは、前記伝達レバー、前記リンク及び前記放勢レバーが相互に折れ曲がるように配列され、前記開閉器本体が閉路状態にあるときは、前記主軸、前記第一連結ピン及び前記第二連結ピンが直線に近づくように配列されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の開閉器の操作装置は、蓄勢されたばねの放勢力を利用して開閉器の接点を開閉動作させる開閉器の操作装置において、一つの蓄勢ばねと、駆動力を発生させる駆動機構と、前記駆動力を前記蓄勢ばねに蓄勢するとともに該蓄勢ばねの放勢力を出力軸を介して開閉器本体に伝達する出力伝達機構とを備え、前記駆動機構は、手動操作力を前記駆動力に変換する手動ハンドルと、該手動ハンドルが装着される駆動操作軸と、前記手動ハンドルを一方向にのみに回転させる一方向クラッチとを有し、前記駆動操作軸は、反対方向の回転力を付与できるように両端部に前記手動ハンドルの装着部が着脱可能に設けられていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月17日(2011.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の撮像領域に形成された光電変換手段と、
前記半導体基板の前記撮像領域に隣接するオプティカルブラック領域に形成されている黒基準観測用光電変換手段と、
前記半導体基板の前記撮像領域及び前記オプティカルブラック領域上に形成される絶縁膜と、
前記半導体基板の面から前記絶縁膜の表面まで前記絶縁膜の堆積方向についてコンタクト及び配線を連接して形成される遮光手段と
を具備する撮像装置。
【請求項２】
前記遮光手段は、前記オプティカルブラック領域内に、前記半導体基板における前記撮像領域と前記黒基準観測用光電変換手段の形成位置との間に、形成されることを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記絶縁膜は、前記オプティカルブラック領域において複数の層の堆積により形成されており、
前記遮光手段は、前記複数の層のそれぞれに対して形成された配線を、前記複数の層の堆積方向において複数のコンタクトで連結して形成される
ことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記遮光手段は、前記撮像領域の外周の全体又は選択的な一部にそって、少なくとも一部が壁状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記撮像領域における前記絶縁膜の厚さは、前記オプティカルブラック領域における前記絶縁膜の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記オプティカルブラック領域の最上層の配線は遮光膜であり、前記遮光手段は前記遮光膜と接続されることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月22日(2011.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
定電位が付与される導電領域を含む複数の導電層を有するプリント基板の設計をコンピュータに支援させるプログラムであって、
コンピュータに、
前記導電領域を前記複数の導電層毎に特定する導電領域特定ステップと、
前記導電領域特定ステップにおいて特定した導電領域のうち、前記複数の導電層で互いに重なる領域を抽出する抽出ステップと、
前記抽出ステップにおいて抽出した領域内で前記複数の導電層のうちの少なくとも２つを電気的に接続する第１の層間接続部材を特定する第１の層間接続部材特定ステップと、
前記複数の導電層毎に所定の信号線を特定する信号線特定ステップと、
前記信号線特定ステップにより特定された信号線のうち少なくとも２つを電気的に接続する第２の層間接続部材を特定する第２の層間接続部材特定ステップと、
前記抽出ステップにおいて抽出した領域内で、前記第１の層間接続部材特定ステップにおいて特定した第１の層間接続部材から所定の範囲外にあり、かつ前記第２の層間接続部材特定ステップにおいて特定した第２の層間接続部材から所定の範囲内にある第２の領域を特定する第２の領域特定ステップと、
を実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項２】
コンピュータに、前記所定の配線の入力を受け付ける入力ステップを更に実行させることを特徴とする請求項１に記載のプログラム。
【請求項３】
コンピュータに、前記導電領域特定ステップにおける特定の対象を前記複数の導電層のうちの一部の複数層に限定する限定ステップを更に実行させることを特徴とする請求項１又は２に記載のプログラム。
【請求項４】
コンピュータに、前記第２の領域特定ステップにおいて、前記抽出ステップにおいて抽出した領域内で、前記第１の層間接続部材特定ステップにおいて特定した第１の層間接続部材から所定の範囲内にあり、かつ前記第２の層間接続部材特定ステップにおいて特定した第２の層間接続部材から所定の範囲外にある領域をも特定させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプログラム。
【請求項５】
コンピュータに、前記第２の領域特定ステップにおいて特定した第２の領域内への第１の層間接続部材の追加を要求する要求ステップを更に実行させることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプログラム。
【請求項６】
定電位が付与される導電領域を含む複数の導電層を有するプリント基板の設計を支援するプリント基板設計支援方法であって、
前記導電領域を前記複数の導電層毎に特定する導電領域特定ステップと、
前記導電領域特定ステップにおいて特定した導電領域のうち、前記複数の導電層で互いに重なる領域を抽出する抽出ステップと、
前記抽出ステップにおいて抽出した領域内で前記複数の導電層のうちの少なくとも２つを電気的に接続する第１の層間接続部材を特定する第１の層間接続部材特定ステップと、
前記複数の導電層毎に所定の信号線を特定する信号線特定ステップと、
前記信号線特定ステップにより特定された信号線のうち少なくとも２つを電気的に接続する第２の層間接続部材を特定する第２の層間接続部材特定ステップと、
前記抽出ステップにおいて抽出した領域内で、前記第１の層間接続部材特定ステップにおいて特定した第１の層間接続部材から所定の範囲外にあり、かつ前記第２の層間接続部材特定ステップにおいて特定した第２の層間接続部材から所定の範囲内にある第２の領域を特定する第２の領域特定ステップと、
を有することを特徴とするプリント基板設計支援方法。
【請求項７】
定電位が付与される導電領域を含む複数の導電層を有するプリント基板の設計を支援するプリント基板設計支援装置であって、
前記導電領域を前記複数の導電層毎に特定する導電領域特定手段と、
前記導電領域特定手段により特定された導電領域のうち、前記複数の導電層で互いに重なる領域を抽出する抽出手段と、
前記抽出手段により抽出された領域内で前記複数の導電層のうちの少なくとも２つを電気的に接続する第１の層間接続部材を特定する第１の層間接続部材特定手段と、
前記複数の導電層毎に所定の信号線を特定する信号線特定手段と、
前記信号線特定手段により特定された信号線のうち少なくとも２つを電気的に接続する第２の層間接続部材を特定する第２の層間接続部材特定ステップと、
前記抽出手段により抽出された領域内で、前記第１の層間接続部材特定手段により特定された第１の層間接続部材から所定の範囲外にあり、かつ前記第２の層間接続部材特定手段により特定された第２の層間接続部材から所定の範囲内にある第２の領域を特定する第２の領域特定手段と、
を有することを特徴とするプリント基板設計支援装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係るプリント基板設計支援用のプログラムは、定電位が付与される導電領域を含む複数の導電層を有するプリント基板の設計をコンピュータに支援させるプログラムであって、コンピュータに、前記導電領域を前記複数の導電層毎に特定する導電領域特定ステップと、前記導電領域特定ステップにおいて特定した導電領域のうち、前記複数の導電層で互いに重なる領域を抽出する抽出ステップと、前記抽出ステップにおいて抽出した領域内で前記複数の導電層のうちの少なくとも２つを電気的に接続する第１の層間接続部材を特定する第１の層間接続部材特定ステップと、前記複数の導電層毎に所定の信号線を特定する信号線特定ステップと、前記信号線特定ステップにより特定された信号線のうち少なくとも２つを電気的に接続する第２の層間接続部材を特定する第２の層間接続部材特定ステップと、前記抽出ステップにおいて抽出した領域内で、前記第１の層間接続部材特定ステップにおいて特定した第１の層間接続部材から所定の範囲外にあり、かつ前記第２の層間接続部材特定ステップにおいて特定した第２の層間接続部材から所定の範囲内にある第２の領域を特定する第２の領域特定ステップと、を実行させることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月5日(2011.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象領域におけるディジタル情報の開示を実施する方法であって、
対象領域中のトピックのそれぞれと、前記トピックに対する訓練マテリアルと、ディジタル情報を含むコーパスとを指定し、
前記トピックのそれぞれについてのトピックモデルを構築し、
前記トピックモデルを前記訓練マテリアルに対して評価し、
前記トピックモデルを使用して前記コーパスからの前記ディジタル情報を前記トピックによってエバーグリーンインデックスに編成する、
ことを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
性能、単純さ、および偏向のうちの少なくとも１つに関して前記トピックモデルを評価することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
各トピックモデルを有限状態言語の述語として形成し、
各述語を、前記述語が合致する前記コーパス中の位置を返すクエリとして前記コーパスに適用する、
ことをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記コーパス中の記事を前記エバーグリーンインデックス中の前記トピックモデルに対して分類し、
前記分類した記事を前記エバーグリーンインデックス中で提示する、
ことをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記トピックの少なくとも１つの下に１つ以上のサブトピックを階層的に構築することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
各トピックモデルについての正しい引用に対応する前記コーパス中の記事を含む正の訓練例のセットを定義することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
各トピックモデルについての正しくない引用に対応する前記コーパス中の記事を含む負の訓練例のセットを定義することをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法であって、
各トピックの特性を表し、前記正の訓練例セット中の前記記事に基づく、基底単語を識別し、
前記基底単語の１つ以上を、シードワードとして前記トピックについての前記トピックモデルのそれぞれに組み入れる、
ことをさらに含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月10日(2011.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたエピ層と、
前記エピ層のそれぞれ異なる領域上に形成された第１及び第２半導体層と、
前記第１及び第２半導体層上にそれぞれ形成されたＰＭＯＳ及びＮＭＯＳトランジスタと、を備えることを特徴とするＣＭＯＳ素子。
【請求項２】
前記エピ層は、ＳｉＧｅ層であることを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳ素子。
【請求項３】
前記第１半導体層は、順次に積層された下部層と上部層とを備え、前記下部層は、チャンネルが形成される層であり、前記上部層は、キャッピング層であることを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳ素子。
【請求項４】
前記下部層は、圧縮変形されたＧｅ層または圧縮変形されたＧａＡｓ層であることを特徴とする請求項３に記載のＣＭＯＳ素子。
【請求項５】
前記キャッピング層は、Ｓｉ層であることを特徴とする請求項３に記載のＣＭＯＳ素子。
【請求項６】
前記キャッピング層の厚さは、３ないし２０ｎｍであることを特徴とする請求項３に記載のＣＭＯＳ素子。
【請求項７】
前記第２半導体層は、引張変形されたＳｉ層であることを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳ素子。
【請求項８】
基板のそれぞれ異なる領域上に形成された第１及び第２半導体層と、
前記第１及び第２半導体層上にそれぞれ形成されたＰＭＯＳ及びＮＭＯＳトランジスタと、を備え、
前記第１半導体層は、チャンネルが形成される下部層及び前記下部層上にキャッピング層を備え、
前記キャッピング層と前記第２半導体層とは、同じ物質で形成されたことを特徴とするＣＭＯＳ素子。
【請求項９】
前記基板上にＳｉＧｅ層が備えられ、前記ＳｉＧｅ層上に前記第１及び第２半導体層が形成されたことを特徴とする請求項８に記載のＣＭＯＳ素子。
【請求項１０】
前記下部層は、圧縮変形されたＧｅ層または圧縮変形されたＧａＡｓ層であることを特徴とする請求項８に記載のＣＭＯＳ素子。
【請求項１１】
前記第２半導体層は、引張変形されたＳｉ層であることを特徴とする請求項８に記載のＣＭＯＳ素子。
【請求項１２】
前記キャッピング層の厚さは、３ないし２０ｎｍであることを特徴とする請求項８に記載のＣＭＯＳ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月4日(2011.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱拡散部材と、
前記熱拡散部材の上に積層された支持体と、
前記支持体の上に被処理体に向けて取り付けられた複数のＬＥＤと、
を有し、
前記ＬＥＤが発する光により被処理体を加熱し、前記ＬＥＤの熱を前記支持体および前記熱拡散部材を介して拡散させるＬＥＤアレイであって、
前記熱拡散部材は銅で構成され、前記支持体はＡｌＮで構成され、前記支持体にはＴｉＯ２がコーティングされていることを特徴とするＬＥＤアレイ。
【請求項２】
前記ＬＥＤアレイは六角状をなしていることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤアレイ。
【請求項３】
前記ＬＥＤはＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＰのいずれかであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＬＥＤアレイ。
【請求項４】
前記ＬＥＤはそれぞれ個別的にレンズ層で覆われていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のＬＥＤアレイ。
【請求項５】
前記レンズ層は透明樹脂からなることを特徴とする請求項４に記載のＬＥＤアレイ。
【請求項６】
前記レンズ層は半球状をなしていることを特徴とする請求項４または請求項５に記載のＬＥＤアレイ。
【請求項７】
前記レンズ層の隣接しているもの同士は接触していることを特徴とする請求項６に記載のＬＥＤアレイ。
【請求項８】
前記レンズ層の隣接しているもの同士は離隔していることを特徴とする請求項６に記載のＬＥＤアレイ。
【請求項９】
前記レンズ層は前記ＬＥＤと空気との間の屈折率を有していることを特徴とする請求項４から請求項８のいずれか１項に記載のＬＥＤアレイ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＬＥＤアレイ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、被処理体にＬＥＤからの光を照射するＬＥＤアレイに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、複数のＬＥＤから光を効率的に取り出すことができるＬＥＤアレイを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明は、熱拡散部材と、前記熱拡散部材の上に積層された支持体と、前記支持体の上に被処理体に向けて取り付けられた複数のＬＥＤと、を有し、前記ＬＥＤが発する光により被処理体を加熱し、前記ＬＥＤの熱を前記支持体および前記熱拡散部材を介して拡散させるＬＥＤアレイであって、前記熱拡散部材は銅で構成され、前記支持体はＡｌＮで構成され、前記支持体にはＴｉＯ２がコーティングされていることを特徴とするＬＥＤアレイを提供する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記本発明において、前記ＬＥＤアレイは六角状をなしていることが好ましい。また、前記ＬＥＤはＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＰのいずれかであることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明において、前記ＬＥＤはそれぞれ個別的にレンズ層で覆われていることが好ましい。また、前記レンズ層は透明樹脂からなることが好ましい。また、前記レンズ層は半球状をなしていることが好ましい。上記半球状のレンズ層の隣接するもの同士は接触していてもよいし、離隔していてもよい。前記レンズ層は前記ＬＥＤと空気との間の屈折率を有していることが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明によれば、複数のＬＥＤから光を効率的に取り出すことができるＬＥＤアレイを得ることができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超伝導接続部を冷却し、同時にその電圧絶縁を施す方法であって、
ａ）前記超伝導接続部を収容するための容器（１０）を準備するステップと、
ｂ）前記容器（１０）を冷却表面（２０）に、電気絶縁層（３０）を介在させて取り付けるステップと、
ｃ）前記容器（１０）内の接続材（７０）に前記超伝導接続部を埋設するステップと
を含む超伝導接続部の冷却および電圧絶縁方法。
【請求項２】
前記容器（１０）が、底部（１２）と、側壁（１４）と、前記超伝導接続部を受け入れる開口（１６）とを備えるカップ状形状を有し、前記容器（１０）の底部が前記冷却表面に取り付けられることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記容器が、側壁（１４）と前記超伝導接続部を受け入れる開口（１６）とを備える管形状を有し、前記容器の側壁が前記冷却表面に取り付けられることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記冷却表面が、前記管状容器を挿入する円筒形キャビティ（７２）を含み、前記電気絶縁層が前記管状容器の側壁と前記円筒形キャビティの壁面との間に配置されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ステップ（ｂ）は、前記容器を前記冷却表面に接着剤（３２）によって取り付けるステップを含み、前記接着剤が前記電気絶縁層（３０）を形成することを特徴とする請求項１乃至４の１つに記載の方法。
【請求項６】
予め定められた厚さの前記電気絶縁層（３０）を形成するのに十分な量の接着剤（３２）を利用することによって、所望の電気絶縁度が確保されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記容器を前記冷却表面に取り付けるステップ（ｂ）は、
前記容器をホルダ装置（２０）に、電気絶縁層（３０）を介在させて取り付けるサブステップと、
前記ホルダ装置を冷却手段（４０）に取り付けるサブステップと
を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記容器が前記ホルダ装置に接着剤（３２）によって取り付けられ、前記接着剤が前記電気絶縁層を形成することを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
予め定められた厚さの前記電気絶縁層を形成するのに十分な量の接着剤を利用することによって、所望の電気絶縁度が確保されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ホルダ装置（２０）が金属から形成されていることを特徴とする請求項７乃至９の１つに記載の方法。
【請求項１１】
前記ホルダ装置（２０）がアルミニウムから製作されるか、または、アルミニウムを大部分含んでいることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ホルダ装置（２０）と前記冷却手段（４０）との間にそれらの熱接触を向上させる媒体（５２）が挿入されることを特徴とする請求項７乃至１１の１つに記載の方法。
【請求項１３】
前記媒体（５２）は炭化水素グリースを含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記容器が熱伝導材料から形成されていることを特徴とする請求項１乃至１３の１つに記載の方法。
【請求項１５】
前記熱伝導材料が黄銅または銅であることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
超伝導接続部を冷却し、同時にその電圧絶縁を施す装置であって、前記超伝導接続部を収容する容器（１０）を備え、前記超伝導接続部が前記容器内の接続材（７０）に埋設されており、前記容器が冷却表面（２０）に電気絶縁層（３０）を介在させて取り付けられることを特徴とする超伝導接続部の冷却および電圧絶縁装置。
【請求項１７】
前記容器が、底部（１２）と、側壁（１４）と、前記接続部を受け入れる開口（１６）とを備えるカップ状形状を有し、前記容器の底部が前記冷却表面に取り付けられることを特徴とする請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記容器が、側壁（１４）と前記接続部を受け入れる開口（１６）とを備える管形状を有し、前記容器の側壁が前記冷却表面に取り付けられることを特徴とする請求項１６に記載の装置。
【請求項１９】
前記冷却表面が前記管状容器を収容する円筒形キャビティ（７２）を含み、前記電気絶縁層が前記管状容器の側壁と前記円筒形キャビティの壁面との間に配置されることを特徴とする請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記容器が前記冷却表面に接着剤（３２）によって取り付けられ、前記接着剤が前記電気絶縁層（３０）を形成することを特徴とする請求項１６乃至１９の１つに記載の装置。
【請求項２１】
前記電気絶縁層が予め定められた厚さに形成されていることを特徴とする請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記容器がホルダ装置（２０）に前記電気絶縁層（３０）を介在させて取り付けられ、前記ホルダ装置が冷却手段（４０）に取り付けられることを特徴とする請求項１６に記載の装置。
【請求項２３】
前記容器が前記ホルダ装置に接着剤によって取り付けられ、前記接着剤が前記電気絶縁層を形成することを特徴とする請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記電気絶縁層が予め定められた厚さに形成されていることを特徴とする請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
前記ホルダ装置（２０）が金属製であることを特徴とする請求項２２乃至２４の１つに記載の装置。
【請求項２６】
前記ホルダ装置がアルミニウムから製作されるか、または、アルミニウムを大部分含んでいることを特徴とする請求項２５に記載の装置。
【請求項２７】
前記ホルダ装置（２０）と前記冷却手段（４０）との間にそれらの熱接触を向上させる媒体（５２）が挿入されていることを特徴とする請求項２２乃至２６の１つに記載の装置。
【請求項２８】
前記媒体（５２）は炭化水素グリースを含むことを特徴とする請求項２７に記載の装置。
【請求項２９】
前記容器が熱伝導材料から形成されていることを特徴とする請求項１６乃至２８の１つに記載の装置。
【請求項３０】
前記熱伝導材料が黄銅または銅であることを特徴とする請求項２９に記載の装置。