【手続補正書】
【提出日】平成21年7月27日(2009.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波プラズマ反応装置であって、
反応チャンバと、
反応チャンバの内部に配置され、ガス入口及びガス出口を有してなるマイクロ波共鳴キャビティと、
マイクロ波放射を共鳴キャビティに導くための導波管であって、収束性のテーパ部分を有してなる導波管と、
共鳴キャビティの内部にプラズマを開始及び持続させるために、共鳴キャビティの内部にマイクロ波放射から電磁定在波を形成するための手段と、
共鳴キャビティの内部の電磁場の中に突出してなる導電部材であって、共鳴キャビティの中に突出してなる交換可能なチップを備えている導電部材と、
前記ガス入口から前記ガス出口へ流れるガスと共に、共鳴キャビティから運ばれたプラズマを収容すべくガス出口から延びてなる導管手段と、を備えていることを特徴とする反応装置。
【請求項２】
導波管におけるテーパ部分は、実質的に矩形である第１の端面をその一端に有し、実質的に矩形である第２の端面をその他端に共鳴キャビティに近接させて有し、マイクロ波放射の伝播方向に対して直交する高さを有し、導波管におけるテーパ部分の高さは、第１の端面部分から第２の端面部分へ向けて減少していることを特徴とする請求項１に記載の反応装置。
【請求項３】
導波管におけるテーパ部分は、２つの収束する側面を備え、それぞれ端面間に延在し、第１の端面に対して鋭角に傾斜しており、第１の端部部分の高さは、第２の端部部分の高さの略３倍であることを特徴とする請求項２に記載の反応装置。
【請求項４】
第２の端部部分の高さは、共鳴キャビティの高さと、略等しくなっていることを特徴とする請求項２又は３に記載の反応装置。
【請求項５】
導波管におけるテーパ部分は、反応チャンバに隣接して配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の反応装置。
【請求項６】
導波管におけるテーパ部分の長さは、マイクロ波放射の伝播方向において、マイクロ波放射の波長の略半分の長さに等しいことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の反応装置。
【請求項７】
導波管は、第１の本体部分と第２の本体部分とを備え、これを通して伝播したマイクロ波放射は共鳴キャビティに入り、導波管におけるテーパ部分は、導波管における本体部分同士の間に配置されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の反応装置。
【請求項８】
導管手段を冷却するための手段を備えていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の反応装置。
【請求項９】
冷却手段は、導管手段の外面に冷媒を噴霧するための手段を備えていることを特徴とする請求項８に記載の反応装置。
【請求項１０】
共鳴キャビティの内部に電磁定在波を形成する手段は、共鳴キャビティからマイクロ波放射を受けるために、反応チャンバにおける導波管とは反対側に取り付けられた第２のチャンバを備え、マイクロ波放射を反射して共鳴キャビティの中へ戻すために、このチャンバを通るマイクロ波の伝播の方向に対して実質的に垂直に延びてなる端面を有していることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の反応装置。
【請求項１１】
第２のチャンバは、第２のチャンバの端面から間隔を隔てられた同調手段を収容しており、同調手段は、第２のチャンバを通るマイクロ波放射の伝播方向に対して垂直に延びてなる導電同調器を備えていることを特徴とする請求項１０に記載の反応装置。
【請求項１２】
導電同調器は、第２のチャンバに対して可動になっていることを特徴とする請求項１１に記載の反応装置。
【請求項１３】
同調器は、実質的に円筒形であることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の反応装置。
【請求項１４】
ガス出口は、チャンバを通るマイクロ波の伝播方向に対して直交するように延びていることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の反応装置。
【請求項１５】
共鳴キャビティは、内部に配置された少なくともひとつの誘電性インサートを備え、これはガス入口からガスを受けてガス出口へガスを運ぶために、実質的に円筒形のガスチャンバを形成しており、ガス出口はガスチャンバと実質的に同軸的になっていることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の反応装置。
【請求項１６】
ガスチャンバは、円形又は楕円形の横断面を有していることを特徴とする請求項１５に記載の反応装置。
【請求項１７】
前記少なくともひとつの誘電性インサートは、２枚の誘電性プレート部材を備え、それぞれが湾曲した側壁部分を有していることを特徴とする請求項１５又は１６に記載の反応装置。
【請求項１８】
ガス入口は、前記少なくともひとつの誘電性インサートを通って延びていることを特徴とする請求項１５乃至１７のいずれか１項に記載の反応装置。
【請求項１９】
ガス入口は、ガスチャンバの中に実質的に接線方向にガスを導入するように配置されていることを特徴とする請求項１５乃至１８のいずれか１項に記載の反応装置。
【請求項２０】
反応チャンバは、その側壁に配置された透明な点検窓を備え、前記少なくともひとつの誘電性インサートは、ガスチャンバと窓との間に延びるように形成されたボア孔を有していることを特徴とする請求項１５乃至１９のいずれか１項に記載の反応装置。
【請求項２１】
チップは中空であり、そのまわりに延在する複数の開口部を備えていることを特徴とする請求項１に記載の反応装置。
【請求項２２】
それぞれの開口部は、マイクロ波放射が通過できるサイズの直径を有していることを特徴とする請求項２１に記載の反応装置。
【請求項２３】
チップは、タングステン、銅、又はタングステン合金から形成されていることを特徴とする請求項１乃至２２のいずれか１項に記載の反応装置。
【請求項２４】
導電部材は、チップに係合してなる導電本体部分を備えていることを特徴とする請求項１乃至２３のいずれか１項に記載の反応装置。
【請求項２５】
導電本体部分のまわりに延在してなる環状の冷媒通路を備え、冷媒を環状通路に及び環状通路から運ぶ手段を備えていることを特徴とする請求項２４に記載の反応装置。
【請求項２６】
導電本体部分は、共鳴キャビティを通って運ばれたガスと反応するための反応物を受け入れるためのガス入口ポートを備え、導電本体部分は、反応物を共鳴キャビティの中に運ぶための通路を備えていることを特徴とする請求項２５に記載の反応装置。
【請求項２７】
導電部材は、反応チャンバを通るマイクロ波の伝播の方向に対して実質的に垂直に、電磁場の中に延入していることを特徴とする請求項１乃至２６のいずれか１項に記載の反応装置。
【請求項２８】
導電部材は、ガス出口とは反対側に配置されていることを特徴とする請求項１乃至２７のいずれか１項に記載の反応装置。
【請求項２９】
導電部材は、共鳴キャビティの内部にプラズマを点火するための手段を収容していることを特徴とする請求項１乃至２８のいずれか１項に記載の反応装置。
【請求項３０】
マイクロ波放射を発生するマイクロ波発生器を備え、発生器は、共鳴キャビティの内部にプラズマを開始するのに充分な出力にて、マイクロ波放射を発生させるように構成されていることを特徴とする請求項１乃至２９のいずれか１項に記載の反応装置。
【請求項３１】
発生器は、所定の時間期間の後に、マイクロ波放射を発生させる出力を減少させるように構成されていることを特徴とする請求項３０に記載の反応装置。
【請求項３２】
処理ツールからのガス流れ排気を処理するための装置であって、請求項１乃至３１のいずれか１項に記載のマイクロ波プラズマ反応装置を備えてなる装置。