【手続補正書】
【提出日】平成21年3月27日(2009.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図１の第１ＣＳＰパッケージで、ダイは基板の上部金属層上のワイヤボンド部位にワイヤボンディングされて電気接続を確立する。ダイ１１４およびワイヤボンド１１６は、周囲からおよび機械的応力からの保護を提供して取扱い作業を容易化しかつ第２パッケージをその上に積層することのできる第１パッケージ上面１２９を提供する成形コンパウンド１１７で、マトリックス成形およびソー分離によって封止される。ボンディングパッド１１９は、例えばマザーボード（図示せず）の下位回路構造へのアセンブリの第２レベル相互接続のために、基板１１２の下部金属層１２３に設けられる。ソルダマスク１１５、１２７は、電気接続のために下にある金属のボンディング部位を露出させるように、例えばワイヤボンド１１６およびソルダボール３１８（図３に示すように）を結合するためにワイヤボンド部位およびボンディングパッドを露出させるように、金属層１２１、１２３上にパターン形成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
図２の実施例では、第２基板１０は図１の第２基板１０と実質的に同じである。積層パッケージアセンブリ２では、第２基板１０は、第１パッケージの成形物またはモールドキャップの対合される上部表面２２９と、第２基板の下向きの表面２１９との間に接着剤１０３を使用して、第１パッケージ１２０上に貼付される。ｚ相互接続ワイヤボンド２１８が形成される。積層された第１および第２パッケージを接続するｚ配線ワイヤボンドがひとたび形成されると、ｚ配線ワイヤボンドを封入して保護し、かつ完成したアセンブリの機械的完全性を達成するために、アセンブリ封止２０７が形成される。アセンブリ封止２０７は、第２基板の下向きの第１面の周縁領域を被覆し、かつｚ相互接続ワイヤボンドおよびワイヤループならびにボトムパッケージの垂直壁および縁部を封入し、かつワイヤループ、およびワイヤボンドが接続されたワイヤボンドパッドを含め、ボトムパッケージ基板のランド面の周縁領域を被覆する。これは、ボトムパッケージ基板のランド面の領域を第２レベル相互接続のために露出したまま残す。ソルダボールは、露出した下部パッケージ基板の下部金属層上のボンディングパッド１１９上にリフローして、実施例として図３に示すように、コンピュータのような最終製品の例えばマザーボード（図示せず）の下位
回路構造への相互接続を達成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
これは事実上第１パッケージ基板の露出領域の周囲に低い壁を立設し、第１パッケージ基板のランド面上に積層することのできるデバイスの寸法および構成を制限することができる。第１パッケージ基板のランド面の露出領域で第２レベル相互接続が行なわれる、例えば図３の３に示す実施形態は、例えば図７Ｂおよび８Ｂに示すように、アセンブリ上にずっと大きい追加コンポーネントを積層することが可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
第２パッケージ基板のランド面で第２レベル相互接続が行なわれる、図４の４に示す実施形態は、例えば図１６および１７に示される。下でさらに詳述するように、１つまたはそれ以上の追加コンポーネントを、封止のキャビティ内の第１パッケージ基板のランド面上に取付け、それと電気的に接続することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
第２基板のｚ配線パッド（ボンドフィンガ）６６は、第２パッケージ基板１２の第１面の周縁部に位置する金属層の領域をパターン形成することによって形成される。周縁部は、マトリックス成形されソー分離されたＣＳＰ第１パッケージの場合、ＣＳＰパッケージ成形物２１７と実質的に同一である、積層第１パッケージ基板１１２の設置面積を超えて延びる。この設置面積は図６Ｂにパッケージフットプリント６８を示す破線によって示される。周縁部の幅は約１ｍｍ未満とすることができ、ワイヤボンディングに適切な離間距離を提供するために、周縁部の幅は約０．２ｍｍより大きいことが好ましいかもしれない。名目上、一部の実施形態では、周縁部は約０．５ｍｍである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
図７Ａおよび８Ａに示すように、より大きい追加パッケージが積層型パッケージアセンブリ上に取り付けられる構成は、例えば第１パッケージ１０にプロセッサを含み、かつ追加パッケージ７２０または８２０としてメモリパッケージを含むことができる。アセンブリ内のＣＳＰ１００および第２基板１０の設置面積の最小サイズは主として、第１パッケージ内のダイの寸法によって決定され、これは一般的にダイの機能に関係する。ＡＳＩＣは例えばかなり小さいものにすることができ、異なるプロセッサはかなり異なるサイズとすることができる。他方、メモリダイは比較的大きくすることができる。例えばデジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）パッケージは、一般的に１２×１２ｍｍから１６×１６ｍｍの
範囲の設置面積を有する。他方、メモリパッケージは例えば、一般的に８×１０ｍｍから１８×１８ｍｍの範囲の設置面積を有する。したがって、図３のアセンブリがアセンブリの第１パッケージ１０内にＤＳＰを含み、アセンブリ３に対し１６×１６ｍｍの設置面積が確立される場合、製造者は顧客の仕様に従って、より小さいＬＧＡメモリパッケージ（例えばモジュール８０をもたらす図８ＡのＬＧＡパッケージ８１０）またはより大きいＬＧＡメモリパッケージ（例えばモジュール８２をもたらす図８Ｂの８２０）のいずれかを選択することができる。したがって、図７Ａ、７Ｂ、８Ａ、８Ｂのような実施形態の場合、製造者はアセンブリプラットフォームを、機能（メモリ容量および速度；メモリ型）に応じかつ様々な供給者からのコストに応じて選択されたメモリＢＧＡまたはＬＧＡとうまく組み合わせることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
他の追加コンポーネントまたはデバイスをアセンブリ上に取り付けることができ、必要なことは、コンポーネントからの電気的相互接続を受け入れるように、第２基板のランド面を適切に経路選択するだけである。図９は、一般的に図３と同様に構成された半導体アセンブリ上に取り付けられ、受動デバイス９６を随伴する、積層ダイクワッドフラットパッケージ９００を有するモジュール９０を示す。図１０は、一般的に図３と同様に構成された半導体アセンブリ上に取り付けられ、受動デバイス１０６を随伴する、積層ダイクワッドフラットノンリード型リードフレームチップスケールパッケージ１０００を有するモジュール１０２を示す。図１１は、一般的に図３と同様に構成された半導体アセンブリ上に取り付けられ、受動デバイス１１０６を随伴する、ワイヤボンドダイ１１００を有するモジュール１１０を示す。ダイおよびワイヤは、封止樹脂をシリンジ分注することによって形成される、いわゆる「グロップトップ」封止によって被覆される。図１２は、一般的に図３と同様に構成された半導体アセンブリ上に取り付けられ、受動デバイス１２０６を随伴する、フリップチップマウントダイ１２００を有するモジュール１２４を示す。アンダーフィルはフリップチップ配線を保護する。図１３は、一般的に図３と同様に構成された半導体アセンブリ上に取り付けられ、受動デバイス１３０６を随伴する、画像形成装置とすることのできる光センサパッケージ１３００を有するモジュール１３０を示す。光は、矢印１３２０によって示されるように透明なカバーまたはレンズ１３０２を通過して、ワイヤボンド光センサダイの能動面に到達する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
例えば、図１６に示す通り、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージは、図４に関連して上述したように構成されたアセンブリ上に取り付けることができる。図１６では、配線ソルダボール７１８を有するＢＧＡパッケージ７１０は、第１パッケージ１００の基板のランド面の露出領域と整列してその上に取り付けることができ、ソルダボールは金属層１２３内のボールパッド上にリフローして、モジュール１６０を形成する。また、例えば図１７に示す通り、追加ダイは、図４に関連して上述したように構成されたアセンブリ上に、フリップチップのように取り付けて電気的に接続することができる。図１７で、フリップチップ１２００はキャビティ内で、第１パッケージ１００の基板のランド面の露出領域と整列してそれに取り付けられ、パッド１２３に接続されてモジュール１７０を形成する。また、例えば図１８に示す通り、図４に関連して上述したように構成されたアセン
ブリ上に、追加受動デバイスを取り付けて電気的に接続することができる。図１８で、受動デバイス１８２はキャビティ内で、第１パッケージ１００の基板のランド面の露出領域上に取り付けられ、パッド１２３に接続されてモジュール１８０を形成する。また、例えば図１９に示す通り、図４に関連して上述したように構成されたアセンブリ上に、積層ダイクワッドフラットパッケージを取り付けて電気的に接続することができる。図１９で、積層ダイクワッドフラットパッケージ９００はキャビティ内で、第１パッケージ１００の基板のランド面の露出領域上に取り付けられ、パッド１２３に接続されてモジュール１９０を形成する。また、例えば図２０に示す通り、図４に関連して上述したように構成されたアセンブリ上に、追加ダイを取り付けてワイヤボンディングによって電気的に接続することができる。図２０で、ダイ１１００はキャビティ内で能動面を上向きにして、第１パッケージ１００の基板のランド面の露出領域上に取り付けられ、ワイヤボンドによってパッド１２３に接続されて２００を形成する。また、例えば図２１に示す通り、一般的に図４に関連して上述したように構成されたアセンブリ上に、積層ダイクワッドフラットノンリード型リードフレームチップスケールパッケージ１０００が取り付けられる。図２１で、積層ダイクワッドフラットノンリード型リードフレームＣＳＰ１０００はキャビティ内で、第１パッケージ１００の基板のランド面の露出領域上に取り付けられ、パッド１２３に接続されて２１０を形成する。また、例えば図２２に示す通り、一般的に図４に関連して上述したように構成された積層型パッケージアセンブリ上に、画像形成装置とすることのできる光センサパッケージ１３００が取り付けられる。図２２で、光センサパッケージ１３００はキャビティ内で、第１パッケージ１００の基板のランド面の露出領域上に取り付けられ、パッド１２３に接続されて２２０を形成する。光は、矢印１３２０によって示されるように透明なカバーまたはレンズ１３０２を介して、ワイヤボンド光センサダイの能動面に到達する。また、例えば図２３に示す通り、一般的に図４に関連して上述したように構成された積層型パッケージアセンブリ上に、画像形成装置とすることのできる光センサダイが取り付けられる。図２３で、ダイはワイヤボンドによってパッド１２３に接続されてモジュール２３０を形成する。透明なカバーまたはレンズ１４０２は、アセンブリ封止１０７上に取り付けられたフレーム１４０４によって支持される。光は、矢印１４２０によって示されるように透明なカバーまたはレンズ１４０２を介して、ワイヤボンド光センサダイの能動面に到達する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
図２４に示す通り、キャビティアセンブリ封止２０７は、図２３に示す積層型パッケージアセンブリ上に取り付けられかつそれと電気的に接続された光センサダイの厚さを受け入れるように構成され、かつ寸法が決定され、また透明なカバーまたはレンズ２４０２は、アセンブリ封止２０７内の凹部内に取り付けられた外周シール２４０４によって支持される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2008535264.tif 000001
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2008535264.tif 000002