Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月11日(2011.2.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタを有する増幅回路と、
光電変換層と、
第１の端子と、第２の端子と、
第１の電極と、第２の電極と、
第１の配線と、第２の配線と、を有し、
前記増幅回路は、前記第１の電極を介して前記光電変換層と電気的に接続され、
前記光電変換層は、前記第２の電極を介して前記第１の端子と電気的に接続され、
前記第１の端子は、前記第１の配線を介して前記増幅回路と電気的に接続され、
前記増幅回路は、前記第２の配線を介して前記第２の端子と電気的に接続され、
前記第１の配線及び前記第２の配線は屈曲させた領域を有することにより、配線抵抗が高められていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の薄膜トランジスタと、第２の薄膜トランジスタと、
光電変換層と、
第１の端子と、第２の端子と、
第１の電極と、第２の電極と、
第１の配線と、第２の配線と、を有し、
前記第１の薄膜トランジスタのゲートは、前記第１の薄膜トランジスタのドレイン、前記第２の薄膜トランジスタのゲート、及び前記第１の電極と電気的に接続され、
前記第１の電極は、前記光電変換層と電気的に接続され、
前記光電変換層は、前記第２の電極と電気的に接続され、
前記第２の電極は、前記第１の端子と電気的に接続され、
前記第１の端子は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第１の配線は、前記第２の薄膜トランジスタのドレインと電気的に接続され、
前記第１の薄膜トランジスタのソースは、前記第２の薄膜トランジスタのソースと電気的に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタのソースは、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第２の端子と電気的に接続され、
前記第１の配線及び前記第２の配線は屈曲させた領域を有することにより、配線抵抗が高められていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
第３の電極と、第４の電極と、を有し、
前記屈曲させた領域において、前記第１の配線は、前記第３の電極と互い違いに接続され、前記第２の配線は、前記第４の電極と互い違いに接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板上に、第１の薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタと、
前記第１の薄膜トランジスタ及び前記第２の薄膜トランジスタを覆う、端部がテーパー状の第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に、前記第１の薄膜トランジスタのソース領域と電気的に接続されるソース電極と、前記第１の薄膜トランジスタのドレイン領域と電気的に接続されるドレイン電極と、第１の電極と、第２の電極と、第３の電極と、
前記ドレイン電極と前記第３の電極を電気的に接続する第１の配線と、前記ソース電極と前記第１の電極とを電気的に接続する第２の配線と、
前記第１の層間絶縁膜上に、前記第２の電極と重なる光電変換層と、
前記基板に、前記第１の層間絶縁膜、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極及び前記光電変換層を覆う保護膜と、
前記保護膜上に、第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に、前記第１の電極と電気的に接続される第４の電極と、前記光電変換層及び前記第３の電極と電気的に接続される第５の電極と、を有し、
前記第１の配線及び第２の配線は屈曲させた領域を有することにより、配線抵抗が高められていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記光電変更層と重なる領域の前記第２の電極は矩形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記第２の層間絶縁膜上に、第６の電極と、第７の電極と、を有し、
前記屈曲させた領域において、前記第１の配線は、前記第６の電極と互い違いに接続され、前記第２の配線は、前記第７の電極と互い違いに接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項４または請求項５において、
前記ドレイン電極、前記ソース電極、前記第１の電極、前記第３の電極、前記第１の配線及び前記第２の配線は、同一材料及び同一工程で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記屈曲させた領域において、前記第１の配線及び前記第２の配線はコの字型、波形型又は蛇行形状であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月31日(2011.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板またはＳＯＩ基板を用いて形成された半導体素子を有する基板上に繊維体を設け、
前記繊維体上から有機樹脂を含む組成物を塗布して有機樹脂層を形成した後、加熱して、前記基板上に前記繊維体及び前記繊維体に含浸された有機樹脂を含む封止層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板またはＳＯＩ基板を用いて形成された半導体素子を有する基板の一方の面に第１の繊維体を設け、
前記第１の繊維体上から第１の有機樹脂を含む組成物を塗布して第１の有機樹脂層を形成した後、加熱して、前記基板の一方の面に前記第１の繊維体及び前記第１の繊維体に含浸された第１の有機樹脂を含む第１の封止層を形成し、
前記基板の他方の面に第２の繊維体を設け、
前記第２の繊維体上から第２の有機樹脂を含む組成物を塗布して第２の有機樹脂層を形成した後、加熱して、前記基板の他方の面に前記第２の繊維体及び前記第２の繊維体に含浸された第２の有機樹脂を含む第２の封止層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
単結晶半導体基板またはＳＯＩ基板を用いて形成された半導体素子を有する基板上に有機樹脂層を形成し、
前記有機樹脂層上に繊維体を設けた後、加熱して、前記基板上に前記繊維体及び前記繊維体に含浸された有機樹脂を含む封止層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
単結晶半導体基板またはＳＯＩ基板を用いて形成された半導体素子を有する基板の一方の面に第１の有機樹脂層を形成し、
前記第１の有機樹脂層上に第１の繊維体を設けた後、加熱して、前記基板の一方の面に前記第１の繊維体及び前記第１の繊維体に含浸された第１の有機樹脂を含む第１の封止層を形成し、
前記基板の他方の面に第２の有機樹脂層を形成し、
前記第２の有機樹脂層上に第２の繊維体を設けた後、加熱して、前記基板の他方の面に前記第２の繊維体及び前記第２の繊維体に含浸された第２の有機樹脂を含む第２の封止層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１または請求項３において、前記繊維体に表面処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項２または請求項４において、前記第１の繊維体及び前記第２の繊維体に表面処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、前記表面処理は、コロナ放電処理、プラズマ放電処理、シランカップリング剤を用いた表面処理、またはチタネートカップリング剤を用いた表面処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１、請求項３、または請求項５において、前記繊維体の糸束内に、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素、アルミナ、銀、または銅が含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項２、請求項４、または請求項６において、前記第１の繊維体の糸束内及び前記第２の繊維体の糸束内に、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素、アルミナ、銀、または銅が含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１、請求項３、または請求項５において、前記有機樹脂層に、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素、アルミナ、銀、または銅が含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項２、請求項４、または請求項６において、前記第１の有機樹脂層及び前記第２の有機樹脂層に、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素、アルミナ、銀、または銅が含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記半導体素子は、ＭＯＳトランジスタ、不揮発性記憶素子、またはダイオードの一つ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月7日(2011.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に、有機物で被覆された導電性材料よりなるナノ粒子が溶媒に分散された組成物を吐出し、
前記組成物を乾燥し、
表面側に位置する前記ナノ粒子を被覆する前記有機物を分解し、
前記表面側に位置するナノ粒子を焼結することにより第２の導電層を形成すると共に、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持された未焼結の前記ナノ粒子よりメモリ層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項２】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に、有機物で被覆された導電性材料よりなるナノ粒子が溶媒に分散された組成物を吐出し、
前記組成物を乾燥することにより前記溶媒を気化し、
前記組成物に活性酸素を晒し、
表面側に位置する前記ナノ粒子を焼結することにより第２の導電層を形成すると共に、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持された未焼結の前記ナノ粒子よりメモリ層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項３】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に、有機物で被覆された導電性材料よりなるナノ粒子が溶媒に分散された組成物を吐出し、
前記組成物を乾燥することにより前記溶媒を気化し、
前記組成物にオゾン雰囲気下で紫外線を照射し、
表面側に位置する前記ナノ粒子を焼結することにより第２の導電層を形成すると共に、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持された未焼結の前記ナノ粒子よりメモリ層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項４】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に、有機物で被覆された導電性材料よりなるナノ粒子が溶媒に分散された組成物を吐出し、
前記組成物を乾燥することにより前記溶媒を気化し、
前記組成物に空気中で波長２４０ｎｍ以下の紫外線を照射し、
表面側に位置する前記ナノ粒子を焼結することにより第２の導電層を形成すると共に、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持された未焼結の前記ナノ粒子よりメモリ層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項５】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に、有機物で被覆された導電性材料よりなるナノ粒子が溶媒に分散された組成物を吐出し、
前記組成物を乾燥することにより前記溶媒を気化し、
前記組成物に空気中で波長１７５ｎｍ以下の紫外線を照射し、
表面側に位置する前記ナノ粒子を焼結することにより第２の導電層を形成すると共に、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持された未焼結の前記ナノ粒子よりメモリ層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項６】
請求項３又は請求項４において、
低圧水銀ランプを用いて前記紫外線を照射することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項７】
請求項３乃至請求項５のいずれか一項において、
エキシマランプを用いて前記紫外線を照射することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記有機物は、アミン系化合物、アルコール類、アルカンチオール類、ジチオール類、グリコール類、ポリアクリル酸、カルボキシメチルセルロース、アニオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、フッ素系界面活性剤、又は、ポリエチレンイミンとポリエチレンオキサイドとを有する共重合体であることを特徴とする記憶素子の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月24日(2011.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに発光色が異なる第１の発光素子、第２の発光素子及び第３の発光素子を少なくとも有し、
前記第１の発光素子は、
第１の陽極と第１の陰極との間に、第１の発光層と第２の発光層とを有し、
前記第１の発光層は、第１の発光物質と、第１の有機化合物とを有し、
前記第２の発光層は、第１の発光物質と、第２の有機化合物とを有し、
前記第１の発光層は、前記第２の発光層の前記第１の陽極側に接して設けられ、
前記第１の有機化合物は正孔輸送性の有機化合物であり、
前記第２の有機化合物は電子輸送性の有機化合物であり、
前記第１の有機化合物および前記第２の有機化合物は、３環以上６環以下の縮合芳香族化合物であり、
前記第２の発光素子は、
第２の陽極と第２の陰極の間に、第３の発光層とキャリアの移動を制御する層とを有し、
前記第３の発光層は、第２の発光物質を有し、
前記キャリアの移動を制御する層は、前記第３の発光層に接して設けられ、
前記キャリアの移動を制御する層は、第３の有機化合物と、第４の有機化合物とを有し、
前記キャリアの移動を制御する層は、前記第３の発光層と前記第２の陰極の間に設けられており、
前記第３の有機化合物は、電子輸送性の有機化合物であり、
前記第４の有機化合物は、電子トラップ性の有機化合物であり、
前記第４の有機化合物は前記第３の有機化合物の最低空軌道準位より０．３ｅＶ以上低い最低空軌道準位を有し、
前記キャリアの移動を制御する層において、前記第４の有機化合物よりも前記第３の有機化合物が多く含まれており、
前記第３の発光素子は、
第３の陽極と第３の陰極との間に、第４の発光層を有し、
前記第４の発光層は、第５の有機化合物と、第６の有機化合物と、第３の発光物質とを含み、
前記第５の有機化合物は正孔輸送性の有機化合物であり、
前記第６の有機化合物は電子輸送性の有機化合物であり、
前記第３の発光物質は、燐光を発光する有機金属錯体であり、
前記有機金属錯体の配位子はピラジン骨格を有する配位子であり、前記有機金属錯体の中心金属は第９族または第１０族元素である、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記中心金属がイリジウムまたは白金であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第５の有機化合物は芳香族アミン化合物またはカルバゾール誘導体であることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第６の有機化合物は複素芳香族化合物または金属錯体であることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第２の発光物質と前記第４の有機化合物とは異なる有機化合物であることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第３の有機化合物は、金属錯体であることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第４の有機化合物は、クマリン誘導体であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第４の有機化合物のエネルギーギャップは前記第２の発光物質のエネルギーギャップよりも大きいことを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第４の有機化合物のエネルギーギャップが３．０ｅＶ以上であることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第３の発光層は電子輸送性であることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第３の発光層は、前記第２の発光物質と第７の有機化合物とを有し、
前記第７の有機化合物は、前記第２の発光物質よりも多く含まれており、
前記第７の有機化合物は電子輸送性であることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記キャリアの移動を制御する層の膜厚は、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第１の有機化合物の最高被占軌道準位（ＨＯＭＯ準位）は−６．０ｅＶ以上−５．０ｅＶ以下であり、最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）は、−３．０ｅＶ以上−２．０ｅＶ以下であり、
前記第２の有機化合物の最高被占軌道準位（ＨＯＭＯ準位）は−６．０ｅＶ以上−５．０ｅＶ以下であり、最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）は、−３．０ｅＶ以上−２．０ｅＶ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記第１の有機化合物の最高被占軌道準位と前記第２の有機化合物の最高被占軌道準位との差が０．３ｅＶ以下であり、
前記第１の有機化合物の最低空軌道準位と前記第２の有機化合物の最低空軌道準位との差が０．３ｅＶ以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記第１の発光素子は青色発光素子であり、
前記第２の発光素子は緑色発光素子であり、
前記第３の発光素子は赤色発光素子であることを特徴とする発光装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項に記載の発光装置を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月20日(2011.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式Ａ３Ｂ２Ｃ３Ｏ１２（陽イオンの占めるサイトが、Ａ、Ｂ、Ｃの３サイトである結晶構造を有し、ＡはＡサイトを占める元素を示し、ＢはＢサイトを占める元素を示し、ＣはＣサイトを占める元素を示し、Ｏは酸素原子を示す。）で表されるガーネット型単結晶であって、前記ガーネット型単結晶は、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２および（Ｙ１−ｘＬｕｘ）３Ａｌ５Ｏ１２（０＜ｘ＜１）からなる群から選択される単結晶であり、前記酸素原子と置換するかまたは酸素欠損を埋めるかのいずれか一方または両方を行う元素としてフッ素を含有していることを特徴とするガーネット型単結晶。
【請求項２】
前記フッ素の含有量が５ｍｏｌ％以下であることを特徴とする請求項１に記載のガーネット型単結晶。
【請求項３】
前記Ａサイトを占める元素、前記Ｂサイトを占める元素、前記Ｃサイトを占める元素と置換するかまたは欠損を埋めるかのいずれか一方または両方を行う元素として、１価の元素、２価の元素および３価の元素からなる群から少なくとも１つ選択され、かつ、電気陰性度が１．３５以下である元素を含有していることを特徴とする請求項１または２に記載のガーネット型単結晶。
【請求項４】
前記１価の元素はＬｉであることを特徴とする請求項３に記載のガーネット型単結晶。
【請求項５】
前記２価の元素はＭｇまたはＣａのいずれか一方または両方であることを特徴とする請求項３に記載のガーネット型単結晶。
【請求項６】
真空紫外域における光を透過させる光学部品であって、請求項１または２に記載のガーネット型単結晶から形成されていることを特徴とする光学部品。
【請求項７】
真空紫外域における光を透過させる光学部品を有する半導体関連機器であって、前記光学部品が請求項６に記載の光学部品であることを特徴とする半導体関連機器。
【請求項８】
真空紫外域における光を透過させる光学部品を有する光学関連機器であって、前記光学部品が請求項６に記載の光学部品であることを特徴とする光学関連機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、上記の課題を解決するために、以下の特徴を有している。
第１の発明は、一般式Ａ３Ｂ２Ｃ３Ｏ１２（陽イオンの占めるサイトが、Ａ、Ｂ、Ｃの３サイトである結晶構造を有し、ＡはＡサイトを占める元素を示し、ＢはＢサイトを占める元素を示し、ＣはＣサイトを占める元素を示し、Ｏは酸素原子を示す。）で表されるガーネット型単結晶であって、前記ガーネット型単結晶は、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２および（Ｙ１−ｘＬｕｘ）３Ａｌ５Ｏ１２（０＜ｘ＜１）からなる群から選択される単結晶であり、前記酸素原子と置換するかまたは酸素欠損を埋めるかのいずれか一方または両方を行う元素としてフッ素を含有していることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第６の発明は、真空紫外域における光を透過させる光学部品であって、上記第１または第２の発明の特徴を有するガーネット型単結晶から形成されていることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第７の発明は、真空紫外域における光を透過させる光学部品を有する半導体関連機器であって、前記光学部品が上記第６の発明の特徴を有する光学部品であることを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第８の発明は、真空紫外域における光を透過させる光学部品を有する光学関連機器であって、前記光学部品が上記第６の発明の特徴を有する光学部品であることを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により融液から引き上げるシリコン単結晶引上装置であって、
引上炉と、
前記引上炉に外付けされ昇華性ドーパントを収容する試料室と、
前記試料室の内部と前記引上炉の内部との間を昇降可能な試料管と、
前記試料管を昇降させる昇降手段と、
前記引上炉の内部に設けられ、前記試料管から排出される前記昇華性ドーパントを前記融液に供給する供給管と、
前記試料管と前記供給管とを接合する接合手段と、を含み、
前記接合手段は、前記試料管の一端に設けられる凸部又は凹部のいずれか一方と、前記供給管の一端に設けられる凸部又は凹部のいずれか他方と、からなり、前記凸部と前記凹部との接触面が曲面となるように形成され、前記凸部が前記凹部に嵌合して接合されるボールジョイント構造により構成され、
前記試料管と前記供給管との間には、流路が形成されることを特徴とするシリコン単結晶引上装置。
【請求項２】
前記接合手段は、前記試料管の一端から突出する凸部と、前記供給管の一端に設けられ前記凸部が嵌合可能に形成された凹部と、からなる請求項１に記載のシリコン単結晶引上装置。
【請求項３】
前記接合手段は、前記試料管の一端に設けられる凹部と、前記供給管の一端に設けられ前記凹部が嵌合可能に形成された凸部と、からなる請求項１に記載のシリコン単結晶引上装置。
【請求項４】
前記凸部の外面は略球状を有し、前記凹部の内面は、前記凸部の外面に対応する湾曲形状を有する請求項１から３のいずれかに記載のシリコン単結晶引上装置。
【請求項５】
前記昇降手段は、前記試料管が摺動可能なガイドレールを備え、
前記試料管は、前記ガイドレールに案内されて前記凸部を前記凹部に嵌合する請求項１から４のいずれかに記載のシリコン単結晶引上装置。
【請求項６】
前記昇華性ドーパントは砒素又は赤燐である請求項１から５のいずれかに記載のシリコン単結晶引上装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月20日(2011.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（イ）ポリフェニレンサルファイド樹脂組成物と（ロ）金属とを接合させた複合体であって、（イ）ポリフェニレンサルファイド樹脂組成物の塩素含有量が１０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする複合体。
【請求項２】
（イ）ポリフェニレンサルファイド樹脂組成物に含まれる（Ａ）ポリフェニレンサルファイドのクロロホルム抽出量が１．８重量％以下であることを特徴とする請求項１記載の複合体。
【請求項３】
（イ）ポリフェニレンサルファイド樹脂組成物に含まれる（Ａ）ポリフェニレンサルファイドの塩素含有量が１５００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１〜２いずれか記載の複合体。
【請求項４】
（イ）ポリフェニレンサルファイド樹脂組成物が、（Ｂ）ポリオレフィン系樹脂を配合してなることを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の複合体。
【請求項５】
（ロ）金属を射出成形金型にインサートし、当該射出成形金型に、（イ）ポリフェニレンサルファイド樹脂組成物を射出することにより得られる請求項１〜４いずれか記載の複合体。
【請求項６】
（ロ）金属が、アンモニア、ヒドラジン、および水溶性アミン化合物から選ばれる少なくとも１種を含有する溶液で処理されていることを特徴とする請求項１〜５いずれか記載の複合体。
【請求項７】
（ロ）金属が、アルミニウムまたはアルミニウム合金であることを特徴とする請求項１〜６いずれか記載の複合体。
【請求項８】
（ロ）金属を射出成形金型にインサートし、当該射出成形金型に、塩素含有量が１０００ｐｐｍ以下である（イ）ポリフェニレンサルファイド樹脂組成物を射出することを特徴とする請求項１〜７いずれか記載の複合体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
しかしながら、（イ）ポリフェニレンサルファイド（以下ＰＰＳと略す場合もある）樹脂組成物と（ロ）金属を接着剤によって接合する場合、ポリフェニレンサルファイド樹脂は耐薬品性が非常に高いため、適用可能な接着剤種が限定されるとの問題があった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そこで接着剤を使用しないで接合させる方法も従来から種々研究されてきた。特にマグネシウム、アルミニウムやその合金の表面を薬液処理し、かかる金属側に樹脂成分を射出する等の成形と同時に接着する方法が種々提案されている（特許文献１〜６）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は下記を提供するものである。
１．（イ）ポリフェニレンサルファイド樹脂組成物と（ロ）金属とを接合させた複合体であって、（イ）ポリフェニレンサルファイド樹脂組成物の塩素含有量が１０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする複合体。
２．（イ）ポリフェニレンサルファイド樹脂組成物に含まれる（Ａ）ポリフェニレンサルファイドのクロロホルム抽出量が１．８重量％以下であることを特徴とする１記載の複合体。
３．（イ）ポリフェニレンサルファイド樹脂組成物に含まれる（Ａ）ポリフェニレンサルファイドの塩素含有量が１５００ｐｐｍ以下であることを特徴とする１〜２いずれか記載の複合体。
４．（イ）ポリフェニレンサルファイド樹脂組成物が、（Ｂ）ポリオレフィン系樹脂を配合してなることを特徴とする１〜３いずれか記載の複合体。
５．（ロ）金属を射出成形金型にインサートし、当該射出成形金型に、（イ）ポリフェニレンサルファイド樹脂組成物を射出することにより得られる１〜４いずれか記載の複合体。
６．（ロ）金属が、アンモニア、ヒドラジン、および水溶性アミン化合物から選ばれる少なくとも１種を含有する溶液で処理されていることを特徴とする１〜５いずれか記載の複合体。
７．（ロ）金属が、アルミニウムまたはアルミニウム合金であることを特徴とする１〜６いずれか記載の複合体。
８．（ロ）金属を射出成形金型にインサートし、当該射出成形金型に、塩素含有量が１０００ｐｐｍ以下である（イ）ポリフェニレンサルファイド樹脂組成物を射出することを特徴とする請求項１〜７いずれか記載の複合体の製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
本発明で使用するアルミニウム合金としては、日本工業規格ＪＩＳの展伸用合金Ａ１０００〜７０００番系のもの、又鋳造用合金のＡＤＣ１〜１２等が挙げられる。射出成形により樹脂との接合を行う場合、アルミニウム合金は、この素材から、鋸加工、フライス加工、放電加工、ドリル加工、鍛造、プレス加工、研削加工、研磨加工、等の機械加工により、所望の形状に加工され、射出成形金型へのインサート部品として必要な形状に仕上げられる。必要な形状に仕上げられた物の多くは、一般に機械加工のときに用いた油材が表面に付着している。そのような場合、下記の工程へ送る前に、トリクレン、メチレンクロライド、灯油、パラフィン系油剤等の溶剤を使用した溶剤脱脂装置を使用して加工油剤を除去しておくのが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
［測定方法］
（１）ＰＰＳ樹脂のクロロホルム抽出量
ソックスレー抽出器を用い、ＰＰＳサンプル量約１０ｇ、クロロホルム２００ｍｌを用い５時間抽出し、その抽出液を５０℃で乾燥し、得られた残さを仕込みＰＰＳサンプル量で割り返し、１００をかけてパーセンテージ表記としたものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
［参考例３］ＰＰＳの重合（ＰＰＳ−３）
攪拌機を装備する７０リットルオートクレーブに、Ｎａ２Ｓ・２．９Ｈ２Ｏを８６９９．６ｇ、及びＮ−メチル−２−ピロリドンを２３８００ｇ仕込み、窒素気流下攪拌しながら徐々に２０５℃まで昇温して、１８９７ｇの水を留去した。この系を１４０℃まで冷却した後、ｐ−ジクロロベンゼン１００２４ｇとＮ−メチル−２−ピロリドン７０００ｇを添加し、窒素気流下に系を封入した。この系を２時間かけて２２５℃に昇温し、２２５℃にて２時間重合させた後、３０分かけて２５０℃に昇温し、さらに２５０℃にて３時間重合を行った。重合終了後、室温まで冷却しポリマーを遠心分離機により単離した。該固形分を温水でポリマーを繰り返し洗浄し１００℃で一昼夜乾燥した。このＰＰＳを、さらに窒素雰囲気下２５０℃で３時間硬化を行った。得られたＰＰＳの溶融粘度は、クロロホルム抽出量２．２０％、塩素含有量２３００ｐｐｍであった。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４１】
【図１】実施例で使用した接合強度評価試験片を作成した金型を示す図である。
【図２】実施例で接合強度評価を行った試験片（複合体）を示す図である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月25日(2011.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主走査方向に走査する記録ヘッドを構成する複数の記録素子群それぞれが、記録媒体上の同一の領域を重複して走査することにより、該記録媒体上に画像を形成する画像形成装置であって、
いずれかの記録素子群により前記領域に記録が行われるべき濃度を入力する入力手段と、
前記記録ヘッドの主走査方向の記録に対して先行する側に配置され、前記いずれかの記録素子群により記録が行われる前の前記領域の濃度を検出する検出手段と、
前記入力手段により入力された濃度と、前記検出手段により検出された濃度とに基づいて算出される差分値を用いて、前記いずれかの記録素子群により行われる記録を制御する制御手段と、を備え、
前記検出手段は、前記記録ヘッドを構成する複数の記録素子群のうちの少なくとも１の記録素子群の位置に対応する副走査方向の位置に配置され、かつ、該１の記録素子群が１回の走査で記録を行う領域よりも、副走査方向に広い領域の濃度を検出することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記検出手段により検出された濃度をフィルタ処理または解像度変換処理する処理手段を更に備え、
前記制御手段は、前記処理手段によりフィルタ処理または解像度変換処理されることで得られた濃度を、前記差分値の算出に用いることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記検出手段により濃度が検出される前記広い領域は、前記１の記録素子群が１回の走査で記録を行う領域において検出される濃度に対して、前記処理手段がフィルタ処理または解像度変換処理を行うのに必要となる領域であることを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記検出手段は、前記記録ヘッドを挟んで、前記記録ヘッドの両側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記記録ヘッドの両側に配置された各検出手段により検出された２種類の濃度のうち、いずれか一方の濃度を、前記記録ヘッドの走査方向に基づいて選択する切り換え手段を更に備えることを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
主走査方向に走査する記録ヘッドを構成する複数の記録素子群それぞれが、記録媒体上の同一の領域を重複して走査することにより、該記録媒体上に画像を形成する画像形成装置における画像形成方法であって、
入力手段が、いずれかの記録素子群により前記領域に記録が行われるべき濃度を入力する入力工程と、
前記記録ヘッドの主走査方向の記録に対して先行する側に配置され、前記いずれかの記録素子群により記録が行われる前の前記領域の濃度を、検出手段が検出する検出工程と、
制御手段が、前記入力工程において入力された濃度と、前記検出工程において検出された濃度とに基づいて算出される差分値を用いて、前記いずれかの記録素子群により行われる記録を制御する制御工程と、を備え、
前記検出手段は、前記記録ヘッドを構成する複数の記録素子群のうちの少なくとも１の記録素子群の位置に対応する副走査方向の位置に配置され、かつ、該１の記録素子群が１回の走査で記録を行う領域よりも、副走査方向に広い領域の濃度を検出することを特徴とする画像形成方法。
【請求項７】
コンピュータを、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像形成装置の各手段として機能させるためのプログラムを格納したコンピュータ読取可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
上記の目的を達成するために本発明に係る画像形成装置は以下のような構成を備える。即ち、
主走査方向に走査する記録ヘッドを構成する複数の記録素子群それぞれが、記録媒体上の同一の領域を重複して走査することにより、該記録媒体上に画像を形成する画像形成装置であって、
いずれかの記録素子群により前記領域に記録が行われるべき濃度を入力する入力手段と、
前記記録ヘッドの主走査方向の記録に対して先行する側に配置され、前記いずれかの記録素子群により記録が行われる前の前記領域の濃度を検出する検出手段と、
前記入力手段により入力された濃度と、前記検出手段により検出された濃度とに基づいて算出される差分値を用いて、前記いずれかの記録素子群により行われる記録を制御する制御手段と、を備え、
前記検出手段は、前記記録ヘッドを構成する複数の記録素子群のうちの少なくとも１の記録素子群の位置に対応する副走査方向の位置に配置され、かつ、該１の記録素子群が１回の走査で記録を行う領域よりも、副走査方向に広い領域の濃度を検出することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月8日(2011.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紙幅検出器により、長尺状の台紙の表面にラベルを剥離可能に貼り付けた記録紙を検出するラベルプリンタの紙幅検出方法であって、
前記記録紙が搬送される搬送路上の所定の位置において、前記紙幅検出器を紙幅方向に移動させて、前記記録紙の左端よりも更に左側にある第１位置から、前記記録紙の右端よりも更に右側にある第２位置まで走査することにより、当該走査範囲における検出値の変化点を検出し、
当該検出された変化点のうち、前記第１位置に最も近い変化点を前記記録紙の左端位置と判定し、前記第２位置に最も近い変化点を前記記録紙の右端位置と判定することを特徴とするラベルプリンタの紙幅検出方法。
【請求項２】
請求項１に記載のラベルプリンタの紙幅検出方法において、
前記記録紙は、透明台紙にダイカット加工により型抜きされたラベルが貼り付けられているダイカットラベル用紙であり、
前記透明台紙には、前記ラベルの外周端縁に沿ってダイカット加工による所定深さの加工痕が形成されていることを特徴とするラベルプリンタの紙幅検出方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のラベルプリンタの紙幅検出方法において、
前記紙幅検出器は光学方式の反射型検出器で、キャリッジに搭載されて走査することを特徴とするラベルプリンタの紙幅検出方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかの項に記載のラベルプリンタの紙幅検出方法により前記記録紙の左端位置および右端位置を検出して、当該左端位置から当該右端位置までの距離を前記記録紙の紙幅とし、
当該判定した紙幅と、外部装置から受信した印刷対象の記録紙の紙幅とを比較し、当該受信した紙幅が前記判定した紙幅と異なる場合には、用紙サイズエラーであると判定することを特徴とするラベルプリンタの印刷制御方法。
【請求項５】
請求項１ないし３のいずれかの項に記載のラベルプリンタの紙幅検出方法により前記記録紙の左端位置および右端位置を検出して、当該左端位置から当該右端位置までの距離を前記記録紙の紙幅とし、
当該判定した紙幅と、外部装置から受信した印刷データの印刷幅とを比較し、当該印刷幅が前記判定した紙幅よりも大きい場合には、少なくとも前記判定した紙幅からはみ出る部分の前記印刷データのマスク処理を行うことを特徴とするラベルプリンタの印刷制御方法。
【請求項６】
請求項１ないし３のいずれかの項に記載のラベルプリンタの紙幅検出方法による紙幅検出を行うことを特徴とするラベルプリンタ。
【請求項７】
請求項６に記載のラベルプリンタであって、
請求項４または５に記載のラベルプリンタの印刷制御方法による印刷制御を行うことを特徴とするラベルプリンタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
紙幅検出器により、長尺状の台紙の表面にラベルを剥離可能に貼り付けた記録紙を検出するラベルプリンタの紙幅検出方法であって、
前記記録紙が搬送される搬送路上の所定の位置において、前記紙幅検出器を紙幅方向に移動させて、前記記録紙の左端よりも更に左側にある第１位置から、前記記録紙の右端よりも更に右側にある第２位置まで走査することにより、当該走査範囲における検出値の変化点を検出し、
当該検出された変化点のうち、前記第１位置に最も近い変化点を前記記録紙の左端位置と判定し、前記第２位置に最も近い変化点を前記記録紙の右端位置と判定することを特徴としている。
また、当該検出された変化点のうち、走査方向の最初の変化点を前記記録紙の一方の端位置と判定し、走査方向の最後の変化点を前記記録紙の他方の端位置と判定することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明において、前記記録紙は、透明台紙にダイカット加工により型抜きされたラベルが貼り付けられているダイカットラベル用紙であり、前記透明台紙には、前記ラベルの外周端縁に沿ってダイカット加工による所定深さの加工痕が形成されていてもよい。このように、ダイカット加工による加工痕があるとその部位で紙幅検出器の検出値が大きく変化し、この位置が検出値の変化点として検出されてしまうが、本発明では、この部位よりもさらに走査範囲の端寄りに台紙の端部における検出値の変化点が検出されるので、ダイカット加工による加工痕を記録紙の左端あるいは右端と誤認識する可能性が低い。よって、ダイカット加工に起因する紙幅の誤検出を防止できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明において、前記紙幅検出器は光学方式の反射型検出器で、印刷ヘッドが搭載されているキャリッジに搭載されて走査することを特徴とする。これにより、簡単な構成で検出動作ができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月25日(2011.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクシートが巻かれたカセットを装填するカセット挿入口と、前記カセット挿入口を覆うように開閉可能な開閉蓋とを備え、前記インクシートのインクを印画紙に印画するプリンタ装置におけるカセット装填構造であって、
前記カセットの装填の完了によって位置が切り替わる第一の部材と、
前記開閉蓋に取り付けられた第二の部材とを備え、
前記カセットの装填が完了していない場合に、前記開閉蓋の閉じ動作に連動して、前記第二の部材が前記第一の部材に当接することで、前記カセットの装填を完了させるようにしたことを特徴とするカセット装填構造。
【請求項２】
前記第二の部材は、前記カセットの装填完了前の前記第一の部材の位置において、前記第一の部材と当接することを特徴とする請求項１に記載のカセット装填構造。
【請求項３】
前記カセットの装填が完了していない場合に、前記開閉蓋の閉じ動作によって、前記第二の部材が前記第一の部材に当接することで、前記第二の部材の一部が前記カセットと当接可能な位置まで移動して、前記カセットを装填完了位置まで移動させることで前記カセットの装填を完了させ、
前記カセットの装填完了後、前記第一の部材が移動し、これに連動して、前記第二の部材が前記カセットから退避する位置まで移動することを特徴とする請求項１又は２に記載のカセット装填構造。
【請求項４】
前記第二の部材の前記第一の部材と当接する部分は、カム形状になっていることを特徴とする請求項３に記載のカセット装填構造。
【請求項５】
前記第二の部材の前記第一の部材に当接する部分の前記開閉蓋の回転軸中心からの位置は、前記第二の部材の一部である前記カセットと当接する部分の前記開閉蓋の回転軸中心からの位置よりも近いことを特徴とする請求項３に記載のカセット装填構造。
【請求項６】
前記カセットの装填完了後に、前記カセットと前記第二の部材との当接部を収納する収納部を前記開閉蓋に形成したことを特徴とする請求項３に記載のカセット装填構造。
【請求項７】
前記カセットの装填した場合に開閉蓋と面する前記カセットの面には、前記カセットの装填が完了していない場合に、前記第二の部材と当接可能な突起部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のカセット装填構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】カセット装填構造
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えば記録紙インクシート一体型のカセットを装填して印画を行うプリンタ装置におけるカセット装填構造に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明のカセット装填構造は、インクシートが巻かれたカセットを装填するカセット挿入口と、前記カセット挿入口を覆うように開閉可能な開閉蓋とを備え、前記インクシートのインクを印画紙に印画するプリンタ装置におけるカセット装填構造であって、前記カセットの装填の完了によって位置が切り替わる第一の部材と、前記開閉蓋に取り付けられた第二の部材とを備え、前記カセットの装填が完了していない場合に、前記開閉蓋の閉じ動作に連動して、前記第二の部材が前記第一の部材に当接することで、前記カセットの装填を完了させるようにしたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月10日(2010.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
砥粒と水溶性クーラントを含むスラリーを用いたシリコンインゴットの切断の際に排出される使用済みスラリーを少なくとも蒸留工程に付し、得られた蒸留クーラントから再生クーラントを得るクーラント再生方法であって、
前記蒸留クーラントが少なくとも５重量％の水と少なくとも８０重量％のプロピレングリコールを含有し、前記蒸留クーラントに対して酸を加える酸添加工程とアルカリを加えるアルカリ添加工程を少なくとも１回ずつ行って前記蒸留クーラントのｐＨを４以上９以下に調整する工程を含むクーラント再生方法。
【請求項２】
前記蒸留クーラントに対して前記酸添加工程を行い、次いで前記アルカリ添加工程を行う場合において、前記酸添加工程後であって前記アルカリ添加工程前の蒸留クーラントのｐＨが４未満である請求項１に記載のクーラント再生方法。
【請求項３】
前記蒸留クーラントに対して前記酸添加工程および前記アルカリ添加工程を行う前に微粒子除去処理および還元処理の少なくとも一方を施す前処理工程をさらに含む請求項１または２に記載のクーラント再生方法。
【請求項４】
前記微粒子除去処理が、活性炭処理、濾過および再蒸留のうちの少なくとも１つである請求項３に記載のクーラント再生方法。
【請求項５】
砥粒と水溶性クーラントを含むスラリーを用いたシリコンインゴットの切断の際に排出される使用済みスラリーから再生スラリーを得るスラリー再生方法であって、
請求項１〜４のいずれか１つに記載のクーラント再生方法を用いて得られた再生クーラントに対し、新たな砥粒および／または前記使用済みスラリーから回収した回収砥粒を混合する混合工程を含むスラリー再生方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
かくして、本発明によれば、砥粒と水溶性クーラントを含むスラリーを用いたシリコンインゴットの切断の際に排出される使用済みスラリーを少なくとも蒸留工程に付し、得られた蒸留クーラントから再生クーラントを得るクーラント再生方法であって、
前記蒸留クーラントが少なくとも５重量％の水と少なくとも８０重量％のプロピレングリコールを含有し、前記蒸留クーラントに対して酸を加える酸添加工程とアルカリを加えるアルカリ添加工程を少なくとも１回ずつ行って前記蒸留クーラントのｐＨを４以上９以下に調整する工程を含むクーラント再生方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月21日(2011.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吐出液を貯留する吐出液貯留室が形成された基板と、前記吐出液を液滴として吐出するノズル孔を備え、前記吐出液貯留室を覆うように前記基板の一方の面に設けられるノズルプレートと、前記吐出液貯留室を覆うように前記基板の他方の面に設けられる封止板とを用意する第１の工程と、
前記基板および前記ノズルプレートの各対向面の一方または双方と、前記基板および前記封止板の各対向面の一方または双方とに、それぞれ接合膜を形成する第２の工程と、
前記各接合膜にエネルギーを付与するとともに、前記各接合膜を介して、前記基板と前記ノズルプレートとの接合、および、前記基板と前記封止板との接合を行う第３の工程とを有し、
前記各接合膜は、プラズマ重合法により形成されたものであり、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含むランダムな原子構造を有するＳｉ骨格と、該Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含み、前記第３の工程において、前記各接合膜にエネルギーを付与することにより、前記各接合膜に存在する前記脱離基が前記Ｓｉ骨格から脱離することにより接着性を発現するものであり、
前記第３の工程において、前記基板と前記ノズルプレートとの接合および前記基板と前記封止板との接合を同時に行うことを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記接合膜を構成する全原子からＨ原子を除いた原子のうち、Ｓｉ原子の含有率とＯ原子の含有率の合計が、１０〜９０原子％である請求項１に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記接合膜中のＳｉ原子とＯ原子の存在比は、３：７〜７：３である請求項１または２に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下である請求項１ないし３のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記接合膜は、Ｓｉ−Ｈ結合を含んでいる請求項１ないし４のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記Ｓｉ−Ｈ結合を含む接合膜についての赤外光吸収スペクトルにおいて、シロキサン結合に帰属するピーク強度を１としたとき、Ｓｉ−Ｈ結合に帰属するピーク強度が０．００１〜０．２である請求項５に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記脱離基は、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Ｓｉ骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものである請求項１ないし６のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記脱離基は、アルキル基である請求項７に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記脱離基としてメチル基を含む接合膜についての赤外光吸収スペクトルにおいて、シロキサン結合に帰属するピーク強度を１としたとき、メチル基に帰属するピーク強度が０．０５〜０．４５である請求項８に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されている請求項１ないし９のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物を主成分とするものである請求項１０に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記基板は、シリコン材料またはステンレス鋼を主材料として構成されている請求項１ないし１１のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記ノズルプレートは、シリコン材料またはステンレス鋼を主材料として構成されている請求項１ないし１２のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記封止板は、樹脂材料を主材料として構成されている請求項１ないし１３のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および、前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項１ないし１４のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記エネルギーの付与は、前記基板、前記ノズルプレートおよび前記封止板を、それぞれ前記各接合膜を介して重ね合わせ、仮接合体とした後、該仮接合体に対して行う請求項１ないし１５のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記仮接合体の前記吐出液貯留室に対応する位置を避けるようにして、圧縮力を付与する請求項１６に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記第１の工程において、さらに、前記封止板の前記基板と反対側に設けられ、前記封止板を振動させる振動手段を用意し、
前記第２の工程において、前記封止板および前記振動手段の各対向面の一方または双方に、前記接合膜と同様の第２の接合膜を形成し、
前記第３の工程において、前記基板と前記ノズルプレートとの接合および前記基板と前記封止板との接合と同時に、前記第２の接合膜を介して、前記封止板と前記振動板とを接合する請求項１ないし１７のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１９】
前記第１の工程において、さらに、前記封止板の前記基板と反対側に設けられるケースヘッドを用意し、
前記第２の工程において、前記封止板および前記ケースヘッドの各対向面の一方または双方に、前記接合膜と同様の第３の接合膜を形成し、
前記第３の工程において、前記基板と前記ノズルプレートとの接合および前記基板と前記封止板との接合と同時に、前記第３の接合膜を介して、前記封止板と前記ケースヘッドとを接合する請求項１ないし１８のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドの製造方法。