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【手続補正書】
【提出日】平成21年2月10日(2009.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の軸線方向端と、冷却媒体または処理すべき媒体を案内する内部空間と、を備えた誘電バリア放電ランプのためのランプホルダであって、
それぞれが前記ランプの第１および第２の軸線方向端部に軸線方向にあたる第１および第２の端キャップと、
電極と、を備え、該電極が、
それぞれが前記第１および第２の端キャップを貫通して延び且つそれぞれが前記第１および第２の端キャップに軸線方向にあたる第１および第２の接続部分であって、各接続部分が前記内部空間に前記媒体を出し入れする少なくとも実質的に軸線方向のボアを備えている接続部分と、
それぞれが前記第１および第２の接続部分に続き前記ランプの内部空間に入る第１および第２のリンクと、を備え、締め付けにより前記ランプの前記第１および第２の軸線方向端に前記第１および第２の接続部分および前記第１および第２の端キャップを介して軸線方向圧力をかけることができるように前記両リンクがネジ取付部によって互いに連結可能である、
ことを特徴とするランプホルダ。
【請求項２】
第１および第２の軸線方向端と、冷却媒体または処理すべき媒体を案内する内部空間と、を備えた誘電バリア放電ランプのためのランプホルダであって、
前記ランプの第１の軸線方向端に軸線方向にあたる第１の端キャップであって、前記内部空間に前記媒体を出し入れする第１および第２の貫通孔を備えた第１の端キャップと、
前記ランプの第２の軸線方向端に軸線方向にあたり、ネジ付きボアを備えた第２の端キャップと、
第１の軸線方向端に前記第１の端キャップの第１の貫通孔を貫通して延びる第１の開口を備えた中空チューブの形状の電極と、を備え、前記第２の軸線方向端が、
前記第２の端キャップのネジ付きボアに前記チューブをねじ込むことができるネジ取付部と、前記ランプの内部空間への第２の開口とを、備えている、
ことを特徴とするランプホルダ。
【請求項３】
前記第１及び第２の接続部分が、前記第１および第２の端キャップにあたる径方向に延びる肩部を、それぞれ、備えている、
請求項１に記載のランプホルダ。
【請求項４】
前記軸線方向ボアは、一方の軸線方向の端に設けられた前記ランプ外への第１の開口と、略径方向に延び前記軸線方向ボアを前記ランプの内部空間に接続する孔の形態の第２の開口とを備えている、
請求項１に記載のランプホルダ。
【請求項５】
前記電極の第１の端は、締め付けにより前記ランプの第１および第２の軸線方向端に前記第１および第２のキャップを介して軸線方向圧力をかけるため、カウンタナットをねじ込んで第１の端キャップに当接させるネジ部を備えている、
請求項２に記載のランプホルダ。
【請求項６】
少なくとも一方の端キャップが、前記内部空間の領域内に延び前記媒体が該領域に入らないように形成された細長い部分を備えている、
請求項１または２に記載のランプホルダ。
【請求項７】
第１の密封リングが、前記第１及び第２の端キャップのそれぞれと前記ランプの軸線方向端との間に設けられている、
請求項１に記載のランプホルダ。
【請求項８】
第２の密封リングが、第１及び第２の端キャップのそれぞれと電極との間に設けられている、
請求項１に記載のランプホルダ。
【請求項９】
前記第３の密封リングが、部分の内側軸線方向端と、ランプの内管の内面との間に設けられている、
請求項６に記載のランプホルダ。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載のランプホルダを備え、ＤＢＤランプによって、流体及び／又はガス及び／又は固体物質のような媒体に放射を行うする処理システム又は反応装置又はハウジング又は放射装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月18日(2008.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記ランプホルダは、第１及び第２の端部パネルを有し、
前記ランプリセプタクルは、第１及び第２の開放溝を有し、
該開放溝は、端壁（５１６）と、１対の対向する側壁とを有し、
前記側壁の各々は、該側壁から延びるアーム（５２４）を有し、
前記端部パネルの各々は、前記リセプタクル内に前記ランプ組立体を安定化させるために前記アームに係合する側縁を有することを特徴とする請求項１記載のソケット組立体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図１０は、ハウジング４２２の一部を切除した状態のランプ及びソケット組立体４００を示す斜視図である。図１０において、ランプ組立体４２０は、ソケットハウジング４２２のランプ側４２６のランプリセプタクル５００内に着座する。単一コンタクト端子５７２，５７４は、２枚コンタクト４４６（図８参照）と共に配線キャビティ４４０から床５２０の開口５７８を通って挿入され、ランプ延長部４８０内のコンタクト４８２（図８参照）と電気接触する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月21日(2009.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のシリコン含有層の選択的堆積方法であって、
第１表面形態を有する第１表面と第１表面形態とは異なる第２表面形態を有する第２表面とを含む基板を供給すること、
トリシランと塩素ガスを混合することによって供給ガスを形成すること、
前記供給ガスを、化学気相成長条件下で、基板に導入すること、および
前記導入によって、Ｓｉ含有層を、第２表面に堆積させることなく第１表面に選択的に堆積させること
を含む方法。
【請求項２】
前記化学気相成長条件が、約４５０℃〜約７００℃の範囲の温度を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記化学気相成長条件が、約０．２５Ｔｏｒｒ〜約１００Ｔｏｒｒの範囲の圧力を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記トリシランおよび塩素ガスの混合が、トリシランの約１０ｇ／分〜約２００ｇ／分の流れを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記トリシランおよび塩素ガスの混合が、塩素の約２０ｓｃｃｍ〜約２００ｓｃｃｍの流れを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記供給ガスを形成するための混合の少なくとも一部がチャンバ内で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記供給ガスを形成するためのドーパントガスの混合をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ドーパントガスが、炭素ソース、ゲルマニウムソース、ｎ型ドーパント、およびｐ型ドーパントの少なくとも１つを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ドーパントガスが、モノシリルメタン、ジシリルメタン、トリシリルメタン、テトラシリルメタン、モノメチルシラン、ジメチルシランおよび１，３−ジシラブタンからなる群から選択される炭素ソースを含む、請求項８に記載の方法。
法。
【請求項１０】
前記ドーパントガスが、ゲルマンおよびジゲルマンからなる群から選択されるゲルマニウムソースを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記ドーパントガスが、堆積中に堆積表面から塩素をゲッターする電気的ドーパント水素化物を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１表面形態が、単結晶である、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２表面形態が、無定形、多結晶または無定形と結晶材料の混合である、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１表面が半導体材料を含み、前記第２表面が誘電材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１表面が、部分的に加工したトランジスタのチャンネル表面に比較して陥凹(recess)している、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記Ｓｉ含有層が、引っ張りひずみを前記チャンネル領域に導入する、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記Ｓｉ含有層が、圧縮ひずみを前記チャンネル領域に導入する、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
キャリアガスを混合して前記供給ガスを形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記キャリアガスが、非水素不活性ガスである、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
選択的堆積中に、ＨＣｌがチャンバに供給されない、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
集積回路を形成する方法であって、
基板をパターン化して露出した半導体表面と絶縁領域を画定すること、および
トリシランと塩素ガスを供給することによってＳｉ含有エピタキシャル膜を、露出した半導体表面上に選択的に堆積させること
を含む方法。
【請求項２２】
パターン化が、ソースおよびドレイン領域を陥凹することを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
シリコン含有層を基板上に堆積させる方法であって、
チャンバ内で堆積される基板を供給すること、
トリシラン、ハロゲン含有エッチャントガスおよび非水素キャリアガスを混合して供給ガスを形成すること、および
前記供給ガスを前記基板に導入することによって基板上にシリコン含有層を堆積させること
を含む方法。
【請求項２４】
ハロゲン含有エッチャントガスが塩素である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記基板が、フィールド絶縁領域に囲まれた半導体ウィンドウを含み、導入することが半導体ウィンドウ中の選択的堆積を含む、請求項２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
非水素キャリアガスを用いた炭素ソースを導入することをさらに含み、前記シリコン含有層がＸ線回折によって決定して、少なくとも２．４原子％の置換炭素を含む、請求項２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２７】
電気的ドーパント水素化物を、非水素キャリアガスを用いて導入することをさらに含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２８】
半導体膜を堆積させるための装置であって、
トリシラン蒸気ソース、
塩素ガスソース、
キャリアガスソース、
トリシラン、塩素およびキャリアガスのソースを、化学気相成長チャンバに接続するガス分布ネットワーク、および
シリコン含有層を、基板の他の部分に堆積させることなく、チャンバ内の基板部分に選択的に堆積させるのに適した条件下で、トリシランおよび塩素をガス分布ネットワークに送るように構成された制御システム
を含む装置。
【請求項２９】
前記ガス分布ネットワークに接続している炭素ソースをさらに含む、請求項２８に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月28日(2009.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
置換型炭素を含み、５．３８Å以下の格子間隔を有する単結晶シリコン膜。
【請求項２】
前記格子間隔が５．３４Å以下である、請求項１に記載の単結晶シリコン膜。
【請求項３】
リンおよびヒ素からなる群から選択されるドーパントをさらに含む、請求項１から２のいずれか一項に記載の単結晶シリコン膜。
【請求項４】
約０．７ｍΩ・ｃｍ以下の抵抗率を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の単結晶シリコン膜。
【請求項５】
Ｘ線回折法によって決定された、２．４原子％以上の置換型炭素を含む単結晶シリコン膜。
【請求項６】
３．０原子％以上の置換型炭素を含む、請求項５に記載の単結晶シリコン膜。
【請求項７】
約０．３原子％未満の非置換型炭素を含む、請求項５から６のいずれか一項に記載の単結晶シリコン膜。
【請求項８】
約１．０ＧＰａ以上の引張応力を有する、請求項５から７のいずれか一項に記載の単結晶シリコン膜。
【請求項９】
約２．０ＧＰａ以上の引張応力を有する、請求項５から８のいずれか一項に記載の単結晶シリコン膜。
【請求項１０】
膜が、約５．４３Åの格子間隔を有する単結晶シリコン基板のすぐ上にある、請求項５に記載の単結晶シリコン膜。
【請求項１１】
チャンバ内に配置された基板を提供すること、
化学気相成長条件下で、該チャンバにトリシランおよび炭素源を導入すること、および
Ｘ線回折法によって決定される、少なくとも約１．０原子％の置換型炭素を含む単結晶シリコン膜を、少なくとも毎分約５ｎｍの堆積速度で該基板上に堆積させること
を含む単結晶シリコン膜を堆積させる方法。
【請求項１２】
単結晶シリコン膜が、２．４原子％以上の置換型炭素を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
単結晶シリコン膜を、少なくとも毎分約２０ｎｍの堆積速度で基板上に堆積させることを含む、請求項１１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
単結晶シリコン膜が、約０．１５原子％未満の非置換型炭素を含む、請求項１１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
単結晶シリコン膜が、堆積された場合に電気的に活性なドーパントを含む、請求項１１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
化学気相成長条件が、約４５０℃〜約６００℃の範囲の温度を含む、請求項１１から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
化学気相成長条件が、約２０Ｔｏｒｒ〜約２００Ｔｏｒｒの範囲のチャンバ圧力を含む、請求項１１から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
炭素源が、モノシリルメタン、ジシリルメタン、トリシリルメタンおよびテトラシリルメタン、モノメチルシラン、ジメチルシランおよび１，３−ジシラブタンからなる群から選択される、請求項１１から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
炭素源が、式（ＳｉＨ３−ＺＣ１ｚ）ｘＣＨ４−ｘ−ｙＣｌｙ（式中、ｘは１〜４の範囲の整数であり、ｙおよびｚは、それぞれ独立に、０または１〜３の範囲の整数であり、但し、ｘ＋ｙ≦４であり、ｙおよびｚの少なくとも１つは０でない）のクロロシリルメタンを含む、請求項１１から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
炭素源が、式ＸａＳｉＨｂ（ＣｎＨ２ｎ＋１）４−ａ−ｂ（式中、Ｘはハロゲンであり；ｎは、１または２であり；ａは、１または２であり；ｂは、０、１または２であり；ａとｂの合計は４未満である）のアルキルハロシランを含む、請求項１１から１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
単結晶シリコン膜が引張りひずみを受ける、請求項１１から２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
基板が、ソース領域とドレイン領域の間に配置されるチャネル領域を含む、請求項１１〜２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
第１の単結晶Ｓｉ含有領域および第２の単結晶Ｓｉ含有領域を含む集積回路であって、第１の単結晶Ｓｉ含有領域および第２の単結晶Ｓｉ含有領域の少なくとも一方が、第１の単結晶Ｓｉ含有領域と第２の単結晶Ｓｉ含有領域の間に配置される第３の単結晶Ｓｉ含有領域に引張応力を及ぼすのに有効な置換型炭素の量を含み、第３の単結晶Ｓｉ含有領域が、応力を受けていない相当する領域に比較して少なくとも約１０％のキャリア移動度の増加を示す集積回路。
【請求項２４】
第１の単結晶Ｓｉ含有領域および第２の単結晶Ｓｉ含有領域の両方が、第３の単結晶Ｓｉ含有領域に引張応力を及ぼすのに有効な置換型炭素の量を含む、請求項２３に記載の集積回路。
【請求項２５】
キャリア移動度の増加が電子移動度の増加である、請求項２３から２４のいずれか一項に記載の集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月29日(2009.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光軸、マスク位置及び像位置を有し、放射ビームでマスクを照らしてマスク像を基板上に投影する装置であって；
前記像を形成する対物鏡であって、離間し対面する凸面第１鏡と凹面第２鏡を含み、前記第２鏡は前記第１鏡より大きく、かつ、前記第１鏡への光アクセスを提供する孔を有する対物鏡と；
前記放射ビームの通路において前記マスク位置の前に位置し複数のフェーセットを有するプリズムであって、前記複数のフェーセットは、それらによって前記放射ビームを複数のビーム部分に分割し該複数のビーム部分が前記プリズムを出るときに互いに集束するように構成され配置されているプリズムと；
を含み、
前記複数のビーム部分のほぼすべての放射を前記第１鏡の前記凸面上の環状ゾーンに入射させ、そこから前記第２鏡へ反射させ、さらにそこから前記基板位置の像点へ反射させるために、前記互いに集束する複数のビーム部分が前記マスク位置で交差し、その後互いに開いて前記第２鏡の前記孔を通るように設けた装置。
【請求項２】
請求項１の装置であって、前記第１鏡、前記第２鏡及び前記第２鏡の前記孔が前記光軸上に一直線上に並べられ、かつ、前記プリズムの前記複数のフェーセットは、前記光軸上に置かれたフェーセット頂点で合う装置。
【請求項３】
請求項１の装置であって、前記プリズムは平面表面を有し、前記複数のフェーセットが前記平面表面の反対側に位置する装置。
【請求項４】
請求項３の装置であって、前記プリズムは、大きさと形状が等しく共通点で合う４つの長方形のフェーセットを有する装置。
【請求項５】
請求項３の装置であって、前記放射ビームは、前記プリズムの前記平面表面を通って前記プリズムに入り、前記フェーセットを通って前記プリズムを出る装置。
【請求項６】
請求項１の装置であって、前記放射ビームの前記通路において前記プリズムの前に設けられ前記放射ビームが前記プリズムへ入射する前に前記放射ビームの断面形状を変える光学装置をさらに含んでなる装置
【請求項７】
請求項１の装置であって、前記複数のビーム部分の通路において前記プリズムと前記マスク位置の間に位置するレンズをさらに含んでなる装置。
【請求項８】
請求項７の装置であって、前記互いに開くビーム部分は、前記第２鏡の前記孔に入るときに個別に収束する装置。
【請求項９】
請求項１の装置であって、前記放射ビームは前記プリズムに入るときにコリメートされ、前記互いに開くビーム部分は、前記第２鏡の前記孔に入るときにコリメートされている装置。
【請求項１０】
請求項１の装置であって、前記第１及び第２鏡は球面状反射面を持つ装置。
【請求項１１】
光軸、マスク位置及び像位置を有し、放射ビームでマスクを照らしてマスク像を基板上に投影する装置であって；
前記像を形成する対物鏡であって、離間し対面する凸面第１鏡と凹面第２鏡を含み、前記第２鏡は前記第１鏡より大きく、かつ、前記第１鏡への光アクセスを提供する孔を有する対物鏡と；
前記放射ビームの通路において前記マスク位置の前に位置し複数のフェーセットを有するプリズムであって、前記複数のフェーセットは、それらによって前記放射ビームを複数のビーム部分に分割し該複数のビーム部分が前記プリズムを出るときに互いに集束するように構成され配置されたプリズムと；
を含み、
前記第１鏡の中央ゾーンの照射を最小にするように前記中央ゾーンを囲む環状ゾーンに前記ビーム部分を入射させ、そこから前記第２鏡へ反射させ、そこからさらに前記基板位置の像点へ反射させるために、前記互いに集束する複数のビーム部分が前記マスク位置で交差し、その後、開いて前記第２鏡の前記孔を通るように設けた装置。
【請求項１２】
請求項１１の装置であって、前記第１鏡、前記第２鏡及び前記第２鏡の前記孔が前記光軸上に一直線上に並べられ、かつ、前記プリズムの前記複数のフェーセットは、前記光軸上に置かれた前記プリズムの頂点で合う装置。
【請求項１３】
請求項１１の装置であって、前記プリズムは平面表面を有し、前記複数のフェーセットが前記平面表面の反対側に位置する装置。
【請求項１４】
請求項１３の装置であって、前記プリズムは、大きさと形状が等しく共通点で合う４つの長方形のフェーセットを有する装置。
【請求項１５】
光軸を有しマスク像を基板上に投影する光学システムであって；
光ビームを提供する光源と；
像が形成されるマスクが置かれる対象平面に前記光ビームを指向させる光学素子と；
主鏡と副鏡を含み前記マスク像を形成する対物鏡であって、前記主鏡は前記対物鏡の入口孔をなす入口孔を有する対物鏡と；
前記対象平面に指向された前記光ビームの通路に位置するプリズムであって、互いに角度をなす複数のフェーセットを含むプリズムと；
を含んでなり、
前記光ビームが前記複数のプリズムフェーセットによって対応する複数のビーム部分に分割され、該ビーム部分が光学システムの前記光軸に関してかつ互いに角度をなして伝播し前記対象平面における前記マスク位置で重なり、その後に開いて前記対物鏡の前記入口孔に入るように、前記光ビームを指向させる光学素子と、前記プリズムと、前記対物鏡とが相関的に構成され配置されている光学システム。
【請求項１６】
請求項１５の光学システムであって、前記副鏡は、開いて前記対物鏡の前記入口孔に入る前記ビーム部分の通路において前記光軸上に位置し、前記ビーム部分の発散は、前記ビーム部分による前記副鏡の中央ゾーンの照射が最小になるように選択される光学システム。
【請求項１７】
請求項１６の光学システムであって、前記複数のフェーセットは、前記光軸上に置かれた前記プリズムの頂点で合う光学システム。
【請求項１８】
請求項１７の光学システムであって、前記プリズムは平面表面を有し、前記複数のフェーセットが前記平面表面の反対側に位置する光学システム。
【請求項１９】
請求項１８の光学システムであって、前記プリズムは、大きさと形状が等しく共通なポイントで合う４つの長方形のフェーセットを有する光学システム。
【請求項２０】
請求項１６の光学システムであって、前記開くビーム部分は前記主鏡の前記入口孔に入るときに個別に収束する光学システム。
【請求項２１】
請求項１６の光学システムであって、前記光ビームは前記プリズムに入るときにコリメートされ、前記開くビーム部分は前記主鏡の前記入口孔に入るときにコリメートされる光学システム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月21日(2009.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信端末（２）により受信されたテキストメッセージを表示する方法であって：
前記端末に所定のアニメーションでテキストメッセージの動画再現をコントロールする少なくとも一つのディスプレイモジュール（１１）をインストールすること、；
少なくとも一つのディスプレイモジュール選択基準を記録し、および少なくとも一つの記録された前記基準を前記端末にインストールされたディスプレイモジュールに関連付けること；
表示させるテキストメッセージの特徴を分析し、前記ディスプレイモジュールで関連付けられる選択基準が分析された前記特徴により満たされる場合に、前記端末にインストールされたディスプレイモジュールを選択し、および前記テキストメッセージを選択された前記ディスプレイモジュールに提示すること
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
ディスプレイモジュール（１１）をインストールする前記ステップは、前記ディスプレイモジュールをサーバ（１６）からダウンロードすることを含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法において、
記録された前記選択基準は、メッセージタイプ、メッセージクラス、メッセージサイズ、メッセージの送信および／または受信の時間、メッセージの送信者の素性、メッセージの重要レベル、メッセージの他の受信者の数および／または素性を包含する特徴の群を含むテキストメッセージの特徴に関連することを特徴とする方法。
【請求項４】
受信されたテキストメッセージを表示する手段（６、８、１０）を含む通信端末であって、
前記表示する手段（１０）は、
所定のアニメーションでテキストメッセージの動画再現をコントロールする少なくとも一つのディスプレイモジュール（１１）と；
ディスプレイモジュールと関連付けられた少なくとも一つのディスプレイモジュール選択基準を記録するデータベース（１３）と；
前記ディスプレイモジュールと関連づけられた選択基準が分析された特徴により満たされた場合にディスプレイモジュールを選択し、および前記テキストメッセージを前記選択されたディスプレイモジュールに提示するために、表示されるテキストメッセージの特徴を分析する手段（１２）と
を含むことを特徴とする通信端末。
【請求項５】
請求項４に記載の通信端末において、
前記端末（２）に新しいディスプレイモジュールをインストールするためのディスプレイモジュール（１１）を、少なくとも一つのサーバ（１６）からダウンロードする手段（１５）をさらに含むことを特徴とする通信端末。
【請求項６】
請求項４または５に記載の通信端末において、
記録された前記選択基準は、メッセージタイプ、メッセージサイズ、メッセージの送信および／または受信の時間、メッセージの送信者の素性、メッセージの重要レベル、メッセージの他の受信者の数および／または素性を包含する特徴の群に含まれるテキストメッセージの特徴に関連することを特徴とする通信端末。
【請求項７】
通信端末（２）にインストールするコンピュータプログラム（１０）であって、
その実行により、所定のアニメーションでテキストメッセージの動画再現をコントロールする少なくとも一つのディスプレイモジュール（１１）と；
ディスプレイモジュールと関連付けられた選択基準が分析された特徴により満たされた場合にディスプレイモジュールを選択し、および前記テキストメッセージについて選択されたディスプレイモジュールを実行するように、表示されるテキストメッセージの特徴との関連において、前記端末にディスプレイモジュールと関連付けて記録された少なくとも一つのディスプレイモジュール選択基準を審査する指示と
を含む、前記端末の処理部によるプログラムの実行の間テキストメッセージの表示をコントロールするコンピュータプログラム。
【請求項８】
請求項７に記載のコンピュータプログラムにおいて、
新しいディスプレイモジュール（１１）をインストールするためのディスプレイモジュールを、少なくとも一つのサーバ（１６）からダウンロードするモジュール（１５）をさらに含むことを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項９】
請求項７または８に記載のコンピュータプログラムにおいて、
ダウンロードによって通信端末（２）にインストールされることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１０】
請求項２に記載の方法の実行のためのディスプレイモジュールサーバ（１６）であって、
ユーザ端末（２）からのアクセスのためのネットワークインタフェースと、
前記ユーザ端末からダウンロード可能なディスプレイモジュール（１１）群とを含み、
前記各ディスプレイモジュールの前記実行が、所定のアニメーションでテキストメッセージの動画再現をコントロールすることを特徴とするディスプレイモジュールサーバ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
したがって、本発明は、通信端末により受信されたテキストメッセージを表示する方法を提案し、以下のステップを含むことを特徴とする：
端末に所定のアニメーションでテキストメッセージの動画再現をコントロールする少なくとも一つのディスプレイモジュール（１１）をインストールすること、；
少なくとも一つのディスプレイモジュール選択基準を記録し、および少なくとも一つの記録された前記基準を前記端末にインストールされたディスプレイモジュールに関連付けること；
表示させるテキストメッセージの特徴を分析し、前記ディスプレイモジュールで関連付けられる選択基準が分析された特徴により満たされる場合に、前記端末にインストールされたディスプレイモジュールを選択し、および前記テキストメッセージを選択されたディスプレイモジュールに提示すること。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月3日(2008.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイと、コンテンツ再生制御機能選択用のタッチ感知面とを有するコンテンツ再生装置であって、
前記ディスプレイと前記タッチ感知面とは重ね合わされ、
前記装置は、前記タッチ感知面を用いた前記制御機能選択用の入力が有効であり、前記制御機能が表示なしに起動されているとき、前記ディスプレイを無効にする制御手段をさらに有することを特徴とするコンテンツ再生装置。
【請求項２】
第２のディスプレイへの出力をさらに有し、
前記制御手段は前記第２のディスプレイへの出力が有効であるとき、前記第１のディスプレイを無効とするようにプログラムされている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第２のディスプレイへの出力はビデオ信号出力であり、
前記コンテンツはビデオ、写真、またはスライドショーのうちの少なくとも１つを含む、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記制御手段は前記タッチ感知面におけるユーザ入力の位置によらずにユーザが選択した制御機能を決定するように構成されている、請求項１ないし３いずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記ユーザにより選択された制御機能を前記タッチ感知面における前記ユーザの入力の時間的長さ、方向、及び経路のうちの少なくとも１つの関数として決定するように構成されている、請求項１ないし４いずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記ディスプレイが有効であるとき、前記タッチ感知面におけるユーザ入力の位置に応じてユーザが選択した制御機能を決定するように構成されている、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
前記制御手段はビジュアルコンテンツが前記第１のディスプレイまたは前記第２のディスプレイに表示されているとき、前記タッチ感知面におけるユーザ入力の位置によらずにユーザが選択した制御機能を決定するように構成されている、請求項４に記載の装置。
【請求項８】
ディスプレイと、コンテンツ再生制御のためのタッチ感知面とを有するコンテンツ再生装置の制御方法であって、
前記ディスプレイと前記タッチ感知面とは重ね合わされ、
前記方法は、
前記ディスプレイを無効とする段階と、
前記ディスプレイが無効であり、前記制御機能が表示なしに起動されているとき、コンテンツ再生を制御させるため前記タッチ感知面を有効とする段階とを有することを特徴とする方法。
【請求項９】
コンテンツ再生制御の決定は前記タッチ感知面におけるユーザ入力の位置によらない、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
コンテンツ再生制御機能を前記タッチ感知面におけるユーザ入力の時間的長さ、方向、及び経路のうちの少なくとも１つの関数として決定する段階をさらに有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記装置はコンテンツ表示用の第２のディスプレイへの出力を有し、前記方法は前記第２のディスプレイへの出力が有効とされたのに応答して前記第１のディスプレイを無効とする段階をさらに有する、請求項８ないし１０いずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記コンテンツはビデオ、スライドショー、及び写真の少なくとも１つを含む、請求項８ないし１１いずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
ビジュアルコンテンツの再生中に前記タッチ感知面におけるユーザ入力の位置によらずにコンテンツ再生制御機能を決定する段階をさらに有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
ディスプレイとタッチ感知面とを有するコンテンツ再生装置の制御方法であって、
前記ディスプレイと前記タッチ感知面とは重ね合わされ、
前記方法は、
コンテンツを選択する前記タッチ感知面における入力の位置の関数として第１の制御機能を選択させる段階と、
前記タッチ感知面におけるユーザ入力の位置によらずに第２の制御機能を選択させる段階であって、前記第２の制御機能の選択をコンテンツの再生を制御するために前記コンテンツの再生中に使用する段階とを有することを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記第１の制御機能を選択する前に制御機能の入力位置を特定するビジュアル情報の表示をする、請求項１４に記載の方法
【請求項１６】
前記位置によらない制御機能選択は、前記タッチ感知面におけるユーザ入力の時間的長さ、方向、及び経路の関数として制御機能の決定を含む、請求項１４または１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月13日(2009.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶（ＬＣＤ）スクリーンに表示される画像の視覚認知を改善する方法であって、
ａ）所定の複数の画像フレーム（Ｈ）の平均輝度（ｙｉ）を計算するステップと、
ｂ）現在の画像フレーム（Ｈ）の平均輝度（ｙｉ）と前記の所定の複数の画像フレームの平均輝度（Ｓｉ／２Ｎ）との差（ｄｉ）を計算するステップと、
ｃ）前記差（ｄｉ）に基づいて、閾値（ｔＬ）に応じた、前記所定の複数の画像フレームの平均輝度（Ｓｉ／２Ｎ）又は前記現在の画像フレーム（Ｈ）の平均輝度（ｙｉ）の関数としての目標パワー値（ＰＴ）を計算するステップと、
ｄ）前記目標パワー値（ＰＴ）の値に応じたバックライトランプの有効調整信号（ＰＥ，ｉ＋１）を生成するステップと、
ｅ）前記バックライトランプの前記有効調整信号（ＰＥ，ｉ＋１）が減少／増加すると、スクリーンに表示される画像のコントラストを増加／減少させるように、前記バックライトランプの前記有効調整信号に応じた有効画像コントラスト制御信号（ＣＥ，ｉ＋１）を生成するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記目標パワー値（ＰＴ）は、異なる輝度を持つ複数のシーンを観測することにより、実験的に得られるテーブルに格納される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記閾値（ｔＬ）により、複数の画像フレーム（Ｈ）の景色の内容を区別することを可能とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記バックライトランプの前記有効調整信号（ＰＥ，ｉ＋１）及び前記有効画像コントラスト制御信号（ＣＥ，ｉ＋１）は、所定の時間間隔で生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記所定の時間間隔は、２００ｍｓである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記有効画像コントラスト制御信号（ＣＥ，ｉ＋１）は、第１の調整可能な固定の加数（Ｃｕｔ，ｉ）と、前記バックライトランプの前記有効調整信号（ＰＥ，ｉ＋１）に応じた第２の可変の加数とにより構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記バックライトランプの前記有効調整信号（ＰＥ，ｉ＋１）及び前記有効画像コントラスト制御信号（ＣＥ，ｉ＋１）が変化したときに、所定のレベルの階調で前記ＬＣＤパネルにより放射された光が、コントラストの変化による飽和をもたらさないで一定となるように決定された定数（ｋｃ）が、前記第２の可変の加数に乗算される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
スクリーンに表示される画像の視覚認知を改善する装置であって、
所定の複数の画像フレーム（Ｈ）の平均輝度（ｙｉ）を計算する計算手段（４）と、
現在の画像フレーム（Ｈ）の平均輝度（ｙｉ）と前記の所定の複数の画像フレームの平均輝度（Ｓｉ／２Ｎ）との差（ｄｉ）を計算する計算手段（５，７，９，１１，１３，１５）と、
前記差（ｄｉ）に基づいて、閾値（ｔＬ）に応じた、前記所定の複数の画像フレームの平均輝度（Ｓｉ／２Ｎ）又は前記現在の画像フレーム（Ｈ）の平均輝度（ｙｉ）の関数としての目標パワー値（ＰＴ）を計算する計算手段（１７）と、
前記目標パワー値（ＰＴ）の値に応じたバックライトランプの有効調整信号（ＰＥ，ｉ＋１）を生成する回路手段（２）と、
前記バックライトランプの前記有効調整信号（ＰＥ，ｉ＋１）が減少／増加すると、表示される画像のコントラストを増加／減少させるように、前記バックライトランプの前記有効調整信号に応じた有効画像コントラスト制御信号（ＣＥ，ｉ＋１）を生成する回路手段（３）と、
を有する装置。
【請求項９】
前記計算手段（４，５，７，９，１１，１３，１５，１７）と前記回路手段（２，３）は、前記装置の専用マイクロプロセッサにより実現される、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９に記載の装置を有する、液晶パネル及び／又は液晶スクリーン。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月6日(2009.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
回折性を示す第１の凹凸構造部（４）が多層体の複製層（３）の第１の領域の中に形成され、
複製層（３）の中で第１の領域および凹凸構造部（４）が形成されていない第２の領域中の複製層（３）に、複製層（３）によって画定された平面に一定の面密度で第１の層（３ｍ）を付与し、
感光層（８）を第１の層（３ｍ）に付与するか、または、複製層として感光性の洗浄マスクを付与し、
前記感光層または前記洗浄マスク（８）を第１の層（３ｍ）を通して露光するので、前記感光層または前記洗浄マスク（８）は、第１および第２の領域中の第１の凹凸構造部により異なる露光がなされ、
第１の層（３ｍ）が、第２の領域中には無いが第１の領域中にはあるか、あるいは、第１の領域中には無いが第２の領域中にあるマスク層としての前記露光された感光層または洗浄マスク（８）を使って取り除かれることを特徴とする、
部分的に形成された第１の層（３ｍ）を有する多層体（１００，１００’）の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月12日(2008.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】誘導焼入れによる大寸法転動軸受の軸受リングの生産方法
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月28日(2009.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行および列の形で配置された画素セルを有する撮像素子をリセットして読み出すための方法であって、
前記撮像素子の画素セルをリセット（Ｒｓｔ）するステップであって、前記画素セルの第１のリセットと後続のリセットの間の時間間隔が主積分期間（Ｔｉｎｔ）として定義されるステップと、
前記主積分期間中に、少なくとも１回（Ｓｅｌ１、Ｓｅｌ２）各画素セルを読み出すために少なくとも２つの時期を設け、１つの画素セル当たり少なくとも１つのピクセル信号（ＶｌｅｓｓｅｒＢｒｉｇｈｔ、Ｖｂｒｉｇｈｔ）を生成するステップとを含む方法において、
前記主積分期間中、少なくとも第１の時期に画素セルの第１のグループをリセットして読み出すステップと、
前記主積分期間中、少なくとも第２の時期に画素セルの第２のグループをリセットして読み出すステップと、
前記画素セルの飽和レベルに従って重み付ける形で、前記画素セルの第１のグループの画素セルの少なくとも１つのピクセル信号と、前記画素セルの第２のグループの画素セルの１つのピクセル信号を結合して出力信号にするステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記画素セルの第１および第２のグループの前記画素セルは、１つおきの行の形でまたは市松模様のパターンで交互に配置されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
１つおきの主積分期間の間、前記ピクセルを読み出すための時期は、前記ピクセルの第１および第２のグループの間で置き換えられることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
暗い信号（Ｖｄａｒｋ）を得るために前記主積分期間中の別の時期に前記画素セルを読み出すステップをさらに含み、前記暗い信号（Ｖｄａｒｋ）は、前記主積分期間の始めに読み出されることが好ましく、前記暗い信号は、前記それほど明るくない信号（Ｖｌｅｓｓｅｒｂｒｉｇｈｔ）から、または前記明るい信号（Ｖｂｒｉｇｈｔ）から減算されることを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記結合ステップは、前記それほど明るくない信号の短縮された露光時間を補償するステップを含み、前記それほど明るくない信号は、前記主積分期間（Ｔｉｎｔ）と、第１のリセットと前記それほど明るくない信号（Ｔｓｅｌ２）の前記読み出しの間の時間間隔との比に依存した係数だけ増幅されることを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記結合ステップは、拡張された遷移区間を含む重み関数を使用するステップを含み、前記それほど明るくない信号（ＶｌｅｓｓｅｒＢｒｉｇｈｔ）および前記明るい信号（Ｖｂｒｉｇｈｔ）は、それほど明るくない利得および明るい利得によってそれぞれ増幅されることを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記遷移領域は、前記明るい信号の最大読み出し値と同値の閾値において、またはそれより下で終了することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
２つの後続の主積分期間からの画素セル信号は、結合されることを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記それほど明るくない信号（ＶｌｅｓｓｅｒＢｒｉｇｈｔ）を読み出すための時間および／または前記明るい信号（Ｖｂｒｉｇｈｔ）を読み出すための時間を、前の主積分期間中に所定の値を超えた全画像にわたるそれほど明るくない信号および／または明るい信号の数に従って適応的に設定するステップをさらに含むことを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
複数の実際の画素セルの前記信号を結合して仮想の画素セルの対応する信号にするステップをさらに含むことを特徴とする前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記請求項のいずれか１項に記載の方法を実施するように適合された撮像素子読み出し回路。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月2日(2009.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号：１、２、４〜３１、９１、９３、９５、９７、１０２、１０４、１０８、１０９、１１１、１１６〜１２０、１２２、１２３、１２４、１２６、１２７、１３７、１４６、１４７および１５１〜２５３のいずれか１つのアミノ酸配列を含むアミリン、アミリンアゴニスト、アミリンアナログ又はアミリン誘導体を有効成分として含む認知症または認知欠損の治療のための医薬品組成物。
【請求項２】
認知症または認知欠損が、注意、覚醒状態、ワーキングメモリ、推理、問題解決、処理速度、視覚学習、言語学習又は社会認知におけるものである請求項１記載の医薬品組成物。
【請求項３】
認知症または認知欠損が、ワーキングメモリにおけるものである請求項１又は２記載の医薬品組成物。
【請求項４】
認知症または認知欠損が、精神疾患及び障害に伴う請求項１、２又は３記載の医薬品組成物。
【請求項５】
精神疾患及び障害が、気分障害、不安障害、統合失調症、化学物質中毒、睡眠障害、身体表現性障害、摂食障害又はパーソナリティ障害である請求項４記載の医薬品組成物。
【請求項６】
アミリン、アミリンアゴニスト、アミリンアナログ又はアミリン誘導体が、配列番号：１、２、６、１５９、２３１、２３３、２４３、２４７または２５３のアミノ酸配列を含む請求項１記載の医薬品組成物。
【請求項７】
アミリン、アミリンアゴニスト、アミリンアナログ又はアミリン誘導体が、配列番号：１、２、６、１５９または２５３のアミノ酸配列を含む請求項１又は６記載の医薬品組成物。
【請求項８】
少なくとも１つの他の精神医薬が患者に投与されることを特徴とする請求項１、４又は５記載の医薬品組成物。
【請求項９】
三環系抗うつ剤、モノアミンオキシダーゼ阻害剤、選択的セロトニン再取り込み阻害剤、セロトニン及びノルアドレナリン再取り込み阻害剤、並びに第２世代抗精神医薬からなる群から選ばれる少なくとも１つの他の精神医薬が、患者に投与されることを特徴とする請求項１、４、５又は８記載の医薬品組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月17日(2009.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
このベクターには、全長遺伝子のアミノ酸1〜239位（SEQ ID NO：14のアミノ酸1〜239位）を含むB7H1細胞外ドメインのコード配列（これは遺伝子の最初の18アミノ酸の天然のシグナル配列を含む）、フレキシブルリンカーGSGG（SEQ ID NO：2またはSEQ ID NO：11のアミノ酸1〜4位）、VASP四量体化ドメイン（SEQ ID NO：2のアミノ酸5〜38位）、フレキシブルリンカーGSGG（SEQ ID NO：2またはSEQ ID NO：11のアミノ酸39〜42位）、およびHis6タグアミノ酸残基（SEQ ID NO：2またはSEQ ID NO：12のアミノ酸43〜48位）が含まれる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
実施例8
罹患していない組織と比較して、コラーゲン誘導関節炎（CIA）を患うマウス由来の組織内で制御されるB7R1
実験プロトコール：
コラーゲン誘導関節炎（CIA）モデルにおける疾患の様々な程度で、マウスから組織を得た。コラーゲンによりオスDBA/1Jマウスを免疫化する以下の標準的な手順（下記実施例9参照）で、モデルを実施し、これには罹患していない適切な対照が含まれた。単離した組織には、罹患した足および膝窩のリンパ節が含まれた。標準的な手順を用いて、全ての組織からRNAを単離した。簡潔には、組織を回収して、液体N2中で直ちに凍結し、次いで処理まで-80℃に移した。処理のため、組織をQiazol試薬（Qiagen, Valencia, CA）内に移し、Qigen Rneasyキットを用いて製造業者の推奨に従い、RNAを単離した。多重リアルタイム定量的RT-PCR方法（TaqMan）およびABI PRISM 7900配列検出システム（PE Applied Biosystems）によって、マウスのzB7R1 mRNA発現を測定した。マウスのzB7R1 mRNAレベルを、マウスのヒポキサンチングアニンホスホリボシルトランスフェラーゼmRNAの発現に対して正規化し、比較閾値サイクル法（User Bullein 2: PE Applied Biosystems）によって決定した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】配列表
【補正方法】追加
【補正の内容】
【配列表】
2009538120000001.app
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月25日(2009.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
血中グルコースレベルを決定するための非侵襲的方法であって、
a.血中の音の速度の非侵襲的測定ステップと、
b.血液の導電率の非侵襲的測定ステップと、
c.血液の熱容量の非侵襲的測定ステップと、
d.前記血中の音の速度、前記導電率及び前記熱容量のそれぞれの測定に対する対応グルコースレベルの計算ステップと、
e.それら３計算グルコースレベルの比較ステップと、
f.1.それら３計算グルコースレベルが所定の許容レベル範囲内で類似していれば、それら３計算グルコースレベルの加重平均値を決定することで最終グルコースレベルを計算するステップと、
f.2. それら３計算グルコースレベルの２つのみが所定の許容レベル範囲内で類似していれば、それら２つの類似計算グルコースレベルのみの加重平均値を決定することで最終グルコースレベルを計算するステップと、
を含んで成る非侵襲的方法。
【請求項２】
g.音の速度、導電率または熱容量であるパラメータの１つの測定をaからcの１つに従って繰り返すステップと、
h.ステップgのパラメータの測定に対する対応グルコースレベルを計算するステップと、
i.ステップaからfを定期的に繰り返し、グルコースレベル計算の精度を確認するステップと、
をさらに含んでいることを特徴とする請求項１記載の非侵襲的方法。
【請求項３】
音の速度は、超音波信号を測定することによって決定されることを特徴とする請求項１記載の非侵襲的方法。
【請求項４】
血液の導電率は電磁インダクタンスで決定されることを特徴とする請求項１記載の非侵襲的方法。
【請求項５】
血液の熱容量は測定対象物の温度変化手段によって決定されることを特徴とする請求項１記載の非侵襲的方法。
【請求項６】
血中グルコースレベルを決定するための非侵襲的方法であって、
a.グルコースレベルを計算する３つのパラメータの非侵襲的測定ステップと、
b.それら３測定のそれぞれに対する対応グルコースレベルの計算ステップと、
c.それら３計算グルコースレベルの比較ステップと、
d.1.それら３計算グルコースレベルが所定の許容レベル範囲内で類似していれば、それら３計算グルコースレベルの加重平均値を決定することで最終グルコースレベルを計算するステップと、
d.2. それら３計算グルコースレベルの２つのみが所定の許容レベル範囲内で類似していれば、それら２つの類似計算グルコースレベルのみの加重平均値を決定することで最終グルコースレベルを計算するステップと、
を含んで成る非侵襲的方法。
【請求項７】
e.パラメータの１つの測定を繰り返すステップと、
f.ステップeのパラメータの測定に対する対応グルコースレベルを計算するステップと、
g.ステップaからdを定期的に繰り返し、グルコースレベル計算の精度を確認するステップと、
をさらに含んでいることを特徴とする請求項６記載の非侵襲的方法。
【請求項８】
グルコースレベルを計算する３つの異なるパラメータは、血中の音の速度、血液導電率、血液熱容量、音響インピーダンス、電気/磁気率、熱伝導率、柔軟性、血液濃度、比重、極性率、光拡散率、核磁気共鳴、分析物、血液温度及び体温、熱波の影響、身体からの赤外線、刺激に対する皮膚の反応、及び起電力や電流等の電気特性で成る群から選択されることを特徴とする請求項６記載の非侵襲的方法。
【請求項９】
それぞれの計算グルコースレベルの加重値は計算された血糖値のそれぞれの非侵襲的測定の信頼性に基づくことを特徴とする請求項１記載の非侵襲的方法。
【請求項１０】
それぞれの計算グルコースレベルの加重値は対応パラメータの測定の信頼性に基づくことを特徴とする請求項６記載の非侵襲的方法。
【請求項１１】
ステップaからfを所定時間経過後に繰り返すことを特徴とする請求項２記載の非侵襲的方法。
【請求項１２】
ステップaからfを所定側定数後に繰り返すことを特徴とする請求項２記載の非侵襲的方法。
【請求項１３】
ステップaからdを所定時間経過後に繰り返すことを特徴とする請求項７記載の非侵襲的方法。
【請求項１４】
ステップaからdを所定側定数後に繰り返すことを特徴とする請求項７記載の非侵襲的方法。
【請求項１５】
計算グルコースレベルの１つが所定許容レベル範囲内に存在しない場合、残り２つの計算グルコースレベルをチェックして、それらがさらに狭い許容範囲内に存在することを確認し、それら２つの類似した計算グルコースレベルのみの加重平均値を決定することで最終グルコースレベルを計算することを特徴とする請求項１記載の非侵襲的方法。
【請求項１６】
計算グルコースレベルの１つが所定許容レベル範囲内に存在しない場合、残り２つの計算グルコースレベルをチェックして、それらがさらに狭い許容範囲内に存在することを確認し、それら２つの類似した計算グルコースレベルのみの加重平均値を決定することで最終グルコースレベルを計算することを特徴とする請求項６記載の非侵襲的方法。
【請求項１７】
計算グルコースレベルの１つが許容範囲内に存在しない場合毎にカウンターを増分するステップと、計算グルコースレベルが許容レベル範囲内に存在しないと前記カウンターが所定回数示したとき、測定プロセスを再補正するステップとの追加ステップを含んでいることを特徴とする請求項１記載の非侵襲的方法。
【請求項１８】
計算グルコースレベルの１つが許容範囲内に存在しない場合毎にカウンターを増分するステップと、計算グルコースレベルが許容レベル範囲内に存在しないと前記カウンターが所定回数示したとき、測定プロセスを再補正するステップとの追加ステップを含んでいることを特徴とする請求項６記載の非侵襲的方法。
【請求項１９】
血中グルコースレベルを決定するための非侵襲的方法であって、
a.グルコースレベルを計算する３つの異なるパラメータの非侵襲的測定ステップと、
b.それら３測定のそれぞれに対する対応グルコースレベルの計算ステップと、
c.それら３計算グルコースレベルの加重平均値の決定ステップと、
d.前記パラメータの１つの測定を繰り返す反復ステップと、
e.ステップdのパラメータの測定に対する対応グルコースレベルの計算ステップと、
f.ステップaからcを定期的に繰り返し、グルコースレベル精度を確認する確認ステップと、
を含んで成る非侵襲的方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年4月6日(2009.4.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
発明の特定の記載：
本明細書においては使用される場合、用語、周囲温度とは、約0℃〜約40℃、好ましくは約10℃〜約35℃の温度に関する。
本明細書において使用される場合、用語、低められた圧力とは、約760mmHg以下の圧力を言及する。
本明細書において使用される場合、用語、抗−溶媒とは、マクロライドを精々僅かに溶解する物質、通常、周囲温度での液体を意味する。