【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年9月21日(2011.9.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
・熱処理によって２つの基板を貼り合わせるステップと、
・貼り合わせられるべき表面を前記基板ごとにプラズマ活性化するステップであり、前記２つの基板の中の第１の基板の前記貼り合わせられるべき表面が酸化物層を備える、前記プラズマ活性化するステップと、
を実行する、半導体材料の中から選択された材料に実施される２つの基板を貼り合わせる方法において、
前記酸化物層の前記プラズマ活性化が、酸素を含む雰囲気中において実行され、第２の基板の前記貼り合わせられるべき表面の前記プラズマ活性化が、不活性雰囲気中において実行され、
前記酸化物層の厚さが、５００Å未満であることを特徴とする、方法。
【請求項２】
表面が酸化物層を備えた前記基板が、レシーバ基板へ層を転写するためのドナー基板であることを特徴とする、請求項１に記載の貼り合わせる方法。
【請求項３】
前記酸化物層が、前記ドナー基板の熱酸化によって得られることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記酸化物層が、前記ドナー基板上に堆積されることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記転写によって、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）型構造が得られることを特徴とする、請求項２〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記レシーバ基板が、シリコンであることを特徴とする、請求項２〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記不活性雰囲気に含まれる不活性ガスが、アルゴンであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
プラズマ活性化中の電力密度が、０．４Ｗ／ｃｍ２であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記不活性雰囲気に含まれる不活性ガスが、窒素であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
プラズマ活性化中の電力密度が、０．８Ｗ／ｃｍ２であることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記レシーバ基板が、前記プラズマ活性化ステップの前に、洗浄ステップを施されることを特徴とする、請求項２と組み合わせた、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記ドナー基板が、前記プラズマ活性化ステップの前に、洗浄ステップを施されることを特徴とする、請求項２と組み合わせた、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記熱貼り合わせ処理が、２５℃と１，１００℃との間に存在する温度において実行されることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記熱貼り合わせ処理が、２００℃と６００℃との間に存在する温度において実行されることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記熱貼り合わせ処理が、３０分から５時間までの期間にわたって実行されることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記熱貼り合わせ処理が、約２時間にわたって実行されることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
実際に、プラズマ活性化は、２つの基板間に大きな貼り合わせエネルギーをもたらし、貼り合わせられる前に、それらの基板の少なくとも一方は、比較的に低い温度（例えば、約６００℃またはそれ未満の温度）で比較的に短時間（例えば、約２時間）にわたって実行される熱処理の後にすでに活性化されたものである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
この方法の好ましいが限定するものではない態様には、以下のものがある。
・表面が酸化物層を備えた基板は、レシーバ基板へ層を転写するためのドナー基板である。
・酸化物層は、ドナー基板の熱酸化によって得られる。
・酸化物層は、ドナー基板上に堆積される。
・転写によって、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）型構造が得られる。
・前記ＳＯＩは、ＵＴＢＯＸ（Ｕｌｔｒａ  Ｔｈｉｎ  Ｂｕｒｉｅｄ  Ｏｘｉｄｅ）型薄層を備え、その薄層の厚さは、５００Å未満である。
・レシーバ基板は、シリコンである。
・中性ガスは、アルゴンである。
・アルゴンを含む雰囲気中におけるプラズマによる活性化中の電力密度は、０．４Ｗ／ｃｍ２である。
・中性ガスは、窒素である。
・窒素を含む雰囲気中におけるプラズマによる活性化中の電力密度は、０．８Ｗ／ｃｍ２である。
・レシーバ基板は、プラズマ活性化ステップの前に、洗浄ステップを施される。
・ドナー基板は、プラズマ活性化ステップの前に、洗浄ステップを施される。
・貼り合わせ熱処理は、低い温度で実行される。
・貼り合わせ熱処理は、２００℃と６００℃との間に存在する温度で実行される。
・貼り合わせ熱処理は、短い期間にわたって実行される。
・貼り合わせ熱処理は、約２時間にわたって実行される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
この構造の好ましいが限定するものではない特徴には、以下のものがある。
・埋め込み酸化物層の厚さは、５０Åと１，０００Åとの間に存在し、好ましくは、５００Å未満である。
・埋め込み酸化物層の厚さが約２５０Åの場合、層は、０〜１０個の欠陥を有する。
・埋め込み酸化物層の厚さが約１２５Åの場合、層は、０〜３１０個の欠陥を有する。
・埋め込み酸化物層の厚さが約１，０００Åであり、かつ、中性雰囲気中におけるプラズマ活性化がアルゴンによって実行される場合、室温における貼り合わせエネルギーは、約０．１７５Ｊ／ｍ２である。
・埋め込み酸化物層の厚さが約５００Åであり、かつ、中性雰囲気中におけるプラズマ活性化がアルゴンによって実行される場合、室温における貼り合わせエネルギーは、約０．１８０Ｊ／ｍ２である。
・埋め込み酸化物層の厚さが約２５０Åであり、かつ、中性雰囲気中におけるプラズマ活性化がアルゴンによって実行される場合、室温における貼り合わせエネルギーは、約０．２００Ｊ／ｍ２である。
・埋め込み酸化物層の厚さが約１２５Åであり、かつ、中性雰囲気中におけるプラズマ活性化がアルゴンによって実行される場合、室温における貼り合わせエネルギーは、約０．２００Ｊ／ｍ２である。
・埋め込み酸化物層の厚さが約１，０００Åであり、かつ、中性雰囲気中におけるプラズマ活性化が窒素によって実行される場合、室温における貼り合わせエネルギーは、約０．２３５Ｊ／ｍ２である。
・埋め込み酸化物層の厚さが約５００Åであり、かつ、中性雰囲気中におけるプラズマ活性化が窒素によって実行される場合、室温における貼り合わせエネルギーは、約０．２５８Ｊ／ｍ２である。
・埋め込み酸化物層の厚さが約２５０Åであり、かつ、中性雰囲気中におけるプラズマ活性化が窒素によって実行される場合、室温における貼り合わせエネルギーは、約０．２７０Ｊ／ｍ２である。
・埋め込み酸化物層の厚さが約１２５Åであり、かつ、中性雰囲気中におけるプラズマ活性化が窒素によって実行される場合、室温における貼り合わせエネルギーは、約０．２６２Ｊ／ｍ２である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
より正確には、本発明の有益な用途は、ＳＯＩ基板、より正確には、厚さが５００Å未満の、例えば、厚さが約１００Åのきわめて薄い絶縁層を有するＵＴＢＯＸ（Ｕｌｔｒａ  Ｔｈｉｎ  Ｂｕｒｉｅｄ  Ｏｘｉｄｅ）基板を製造することに関連する。本発明の限定するものではない特定の例は、良好な結果が得られたＵＴＢＯＸ基板に関連する。しかしながら、本発明は、厚いＢＯＸ（Ｂｕｒｉｅｄ  Ｏｘｉｄｅ）、すなわち、厚さが５００Åを超えるＢＯＸにも適用されてよいことが説明される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
（ドナー基板の貼り合わせられるべき表面の処理）
ドナー基板の貼り合わせられるべき表面は、厚さが約１００Å〜５，０００Åの範囲にあり、好ましくは、厚さが約２５０Å未満である（とりわけ、ＵＴＢＯＸ（超薄型埋め込み酸化膜）型構造を備えることを意図したきわめて薄い層の場合に）酸化物の薄層から構成される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
図２は、類似する結果を示している。レシーバ基板が、プラズマ活性化されなかった場合、１，０００個を超える欠陥が検出される。それに対して、アルゴンを含む雰囲気中におけるプラズマ処理の場合、約３００個の欠陥しかカウントされず、窒素を含む雰囲気中におけるプラズマ処理の場合、約３０個の欠陥しかカウントされない。