【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年2月27日(2009.2.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
関連出願
本出願は、共に係属する米国仮出願番号Ｎｏ．６０／３３１／８６８の米国特許法第１１９条（ｅ）の利益を主張し、それはLeo J. Schowalter、J. Carlos Rojo、Javier Martinez LopezおよびKenneth Morganにより、２００１年１１月２０日に出願され、タイトルが“化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程”であって、ここでは参考として内容が組み込まれている。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明の他の面によれば、下処理する行為が、基板の表面を研磨する前に、実質的な研磨表面の汚染を減少させるため、研磨装置を洗浄することを含む。本発明の一面によれば、基板表面を仕上げる行為が、基板の表面から、研磨懸濁液を実質的にリンス（すすぐ）する行為を含む。本発明の他の面によれば、下処理行為中に、基板を溶媒で洗浄することをさらに含む。本発明の他の面によれば、基板が、軸上、Ａｌ−極性、ｃ−面表面であり、および研磨懸濁液のｐＨ値が約１０．５またはそれ以上である。本発明の他の面によれば、基板は前記方法により製造される。本発明の他の面によれば、前記方法により製造される基板が提供される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明の他の面によれば、方法は、基板表面を下処理するために提供される。その方法は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程のために基板表面を下処理する行為、基板の配向を決定する行為、および配向に基づき基板表面の除去を施すことを含む。本発明の他の面によれば、基板はＡｌＮであり、および  配向を決定する行為が、ＡｌＮ基板のために、少なくとも１つの面および磨くべき表面への配向を決定する行為を含む。本発明の他の面によれば、除去を施す行為が、配向に基づいた除去時間を決定する行為を含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
図面の簡単な説明
本発明は、付加したクレームで詳細に説明される。本発明の上記したおよび更なる利点は、類似する参照番号が同様または類似の要素を示すことを併せて、以下の記載を参照してより理解することができる。
図中、
図１は、通常のＣＭＰ装置は、本発明の一つの態様によれば、ＣＭＰ工程における基板表面を研磨するために用いることができることを示し、
図２は、本発明の一つの態様により、基板表面を研磨するために用いられる工程のフローチャートを示し、
図３は、本発明の一つの態様により、基板表面を研磨するためのより詳細な工程を示し、
図４は、本発明の一つの態様により、ＣＭＰ研磨を施した後にＡＩＮ基板のＡｌ−極性ｃ面をＡＦＭイメージを示し、および
図５は、ＡＩＮ基板のｃ軸方向に関し、４５度傾いたＡＩＮ基板表面のＡＦＭイメージを示し、本発明の一態様により、ＣＭＰ研磨を施した後の画像表面を示す。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
ＡｌＮ基板のデバイス製造は、一般的にデバイス層のエピタキシャル成長を含む。このデバイス層の質は、ＡｌＮ基板表面の質に依存する。最善の研磨技術であっても、ウエハー表面は、マイクロダメージおよび表面粗さなどの研磨欠陥がある。表面欠陥は、エピタキシャル成長で下処理され、仕上げられた半導体の質に影響することが知られている。通常の研磨手段は、サブミクロンスケールおよびＡｌＮ表面直下の双方で、その基板がエピタキシャル成長に適さないように、ＡｌＮ表面にダメージを与える。ＡｌＮ表面は、通常のＣＭＰ工程を用いて表面欠陥を起こさずに研磨することはできないから、そのような表面を下処理する際に困難が生じる。通常のＣＭＰ技術はＡｌＮ表面にダメージを与えるため、ＡｌＮ結晶に対しエピタキシャル成長に適した、原子レベルで平坦な表面を製造する方法が希求されている。
本発明の一面によれば、基板表面を下処理する改善された工程が提供され、ここで該基板表面は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程のために下処理され、該ＣＭＰ工程は基板上で施され、および基板表面は、ＣＭＰ工程からの如何なる活性原料をも基板表面から洗浄し、仕上げられる。また、該方法により製造された改善された基板が提供される。本発明の一面によれば、特別な研磨物質および研磨手段を用いることができ、ＡｌＮ基板表面の質を改善することを可能にする。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
研削工程において、研削に用いられる粉末は、粉状結晶の微小硬度と同じかそれ以上の微小硬度を有すべきである。基本的な目的は、短時間で結晶から物質を除去することである。研磨は、表面に対しミラーのような仕上がりを与え、および表面下をダメージのない結晶にすることを目的とする。この研磨は、“化学的機械的平坦化”工程に酷似しており、多層デバイスのウエハー表面を平坦化するために、最も頻繁に用いられる技術として知られている。この工程において、研磨滑剤は実際に研磨される表面とゆっくり反応する。スラリーおよび研磨パッドは、下にある結晶に感知できるほどのダメージを与えることなく、反応生成物を継続的に除去するようにデザインされる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
本発明の一面によれば、配向性は、ＣＭＰ処理の前の基板表面の機械的下処理に影響を与えることを理解する。ＡｌＮ結晶を結晶のｃ−軸と直角に薄く切るときに、いわゆるｃ−面基板が製造される。これらのｃ−面基板は有極性であり、および基板の両側の表面は全く異なる性質を有するだろう。基板の一方の側面はアルミニウム（Ａｌ）で終結しており（またはいわゆるＡｌ―極性、ｃ―面）、および他の側面は窒素で終結している（またはいわゆるＮ−極性、ｃ−面）。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
本発明の一つの態様によれば、基板表面の最適な下処理と、異なる結晶配向とに実質的な差異が存在することを理解する。ＡｌＮ基板の場合、Ａｌで終結したｃ−面は水と反応しないが、Ｎで終結したｃ−面は、非極性面とともに水と反応することを理解する。ウエットラッピングおよび研磨の間、Ａｌ−極性面は、機械的に非Ａｌ−極性面、およびＡｌ−極性面を研磨するのに適した同一条件下で削り続けられ、ここでｃ−軸は、基板の表面法線から２０度またはそれ以上配向している。（効果的に、軸上ｃ−面以外の配向に用いられるウエットメカニカル処理は、実際、固定研磨剤を伴う化学的機械的処理である。）本発明の一つの態様によれば、乾式研削およびポリマーダイアモンド懸濁液が、ほぼ軸上の（約２０°未満のミス配向（misorientation））ｃ―面基板のＡｌ―極性側を下処理するために用いられる。厳密な機械的研磨でも、軸上Ａｌ−極性表面で観察される除去割合は、他のすべての結晶配向よりも低い。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
本発明の一つの態様によれば、精密機械的研磨およびＣＭＰより前の機械的処理中で除去されるべき物質量は、ソーカット（saw  cut）の質に依存する。輪状ソーに対し、ソーの不規則なカットを平坦化するために、典型的に５０〜１００μｍ除去しなければならない。この点において、サンプルは平面であり、および低い窪み密度を有すべきであり、ならびにサンプルは精密機械的処理を受けることができる。この段階で、一つの態様によれば、サンプルの平坦化は、ｃ−面、Ａｌ−極性基板表面に対する最も高いレベルに提供されることを理解するが、それは露出された如何なる軸外物質もＣＭＰ中、所望の表面の価値を低下させる原因となることを理解するからである。非極性表面に対して、高い化学的反応性は、ＣＭＰ中で平坦化を可能とし（微視的に認識可能な窪みおよびかすり傷は許容できる）、およびＣＭＰがＡｌ−極性表面の効果を低下させることを引き起こさない。精密機械的処理は、一般的に、サンプル厚みの全体的に１０〜２０μｍの除去を含む。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
図２は、本発明の一つの態様により、基板を研磨するための工程２００を示す。ブロック２０１で、工程２００は開始される。ブロック２０２において、基板は研磨のために下処理される。これは、基板表面、研磨装置、および周囲からの汚染除去を含むことができる。そのような汚染は、一般的に研磨工程中の表面欠陥の誘発原因となる。ブロック２０３において、ＣＭＰ工程が基板表面に施される。ＡｌＮの場合において、ＣＭＰ工程は、水酸化物溶液を有するスラリーを用いて、表面を研磨することを含むことができる。例えば、Cabot  Microelecronicsから入手可能なＳＳ−２５を用いることができる。当然のことながら、本発明は、スラリーのタイプに限定されず、および上記したように、他の適切なスラリーを用いることができる。ブロック２０４において、研磨サンプルは仕上げられる。これは、例えば、研磨装置からのサンプル除去を含み、および研磨工程により誘発される如何なる反応性剤を除去するための注意深い洗浄も含むことができる。ブロック２０５において、工程２００が終了する。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
図３は、本発明の一つの態様により、基板を研磨するためのより詳細な工程３００を示す。ブロック３０１において、工程３００が開始される。本発明の一つの態様によれば、ＡｌＮ基板はＣＭＰ工程のために下処理される。より詳しくは、周囲およびウエハーの可能な汚染物を洗浄し、および研磨装置は、ウエハーに正確な研磨圧力を適用するために隣接する。以下の例は、本発明の一つの態様により基板を下処理するための手段である。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
Ｉ  基板の下処理およびＣＭＰ工程のための装置
１．サンプル表面およびマウンティングブロックの実質的にすべての可能な汚染粒子（例えば、ワックス、汚れ、およびより大きな機械的砂粒）を洗浄すべきである。これは典型的には、例えば有機溶媒（例えば、アセトンおよび／またはメタノールにより）でなされ、洗浄はブロック３０２で施される。また、以前の処理から残存する如何なる粒子（例えば流動性残留物）は、研磨面積と接触する全面積で洗浄すべきであり、それにより、研磨表面を汚染する可能性、および基板表面にダメージを与えことになりかねない可能性を低下させる。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
２．マウンティングブロックはその後に準備され、ブロック３０３でサンプルを保持する。例えば、サンプルは、マウンティングブロックの表面に接着することができる。マウンティングブロックはその後に、“機械的”工程治具から“ＣＭＰ”工程治具へ取りかえられる。本発明の一つの態様によれば、これらの治具は同一のものであることができ、それらの使用は、機械的研磨と化学的機械的研磨との二次汚染を避けるために、分離される。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
ブロック３０６で、パッド表面を洗浄することができる。例えば、パッドは、蒸留水で洗浄することができ、水で浸され、ならびに空のパッドおよび圧盤表面は１０〜１５分間パッド上で回転する（例えば、サンプル軌道で４５−６０ＲＰＭまたは１３〜１８ｍ／ｓｅｃ）。この洗浄工程中、サンプル（研磨される基板を備えた）は、研磨表面との接触から持ち上げられるべきである。この間に、パッド表面は、濾過された蒸留水で完全にリンスされるべきである。これは、パッドおよび治具の双方のほこり全て、および二次的汚染粒子を完全に洗浄することを確保するために施される。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
ブロック３０７において、スラリー滴り割合および治具の回転を、研磨のために設定すべきである。表面の回転洗浄中に、滴り割合がコントロールフローディスペンサーを用いて設定されるべきである。最も良好で最も一致した研磨をもたらす該割合は、毎分、ＳＳ−２５スラリーおよび蒸留水の３滴である（直径８．０インチの円形の研磨表面に対し、ＣＭＰ流体および蒸留水それぞれの約０．５ｍＬ／分）。しかしながら、当然のことながら、本発明は、如何なる特別の滴り割合にも限定されず、および滴り割合は、用いられるスラリーのタイプ、適用される圧力、および回転スピードに依存する。この平均的な滴り割合設定と共に、ＳＳ−２５スラリーは、研磨表面に滴らせるべきであり、ラッピング治具を溶液に均等に広げてもよいし、サンプルを、基板表面を研磨する前に、研磨粒子および反応性溶液の一致したレベルで満たしてもよい。研磨パッドは、約３０〜６０分または他の適切な時間の研磨の前に、この方法で前提条件を調整することができ、スラリーおよびエッチング液をパッド表面上に、実質的に均等に分散させることも可能である。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
適切な割合を確認した後、および治具の適切な回転を観察して、サンプルをＣＭＰ工程を開始するために、表面上に降ろすことができる。ブロック３０８においてサンプルは研磨される。
この段階の典型的な工程時間（研磨時間）は約１時間であるが、５分〜１００時間の範囲の工程時間が、表面を十分に研磨するために示されている。本発明は特別な工程時間に限定されず、むしろ例のつもりで、工程時間範囲が提供されると理解すべきである。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
物質除去は、結晶の質およびサンプルの配向に非常に依存するが、通常の値は、１時間の処理に対し、０．１μｍ（Ａｌ表面ｃ−軸）〜６０μｍ（Ｎ面ｃ−軸）の範囲にわたる。
本発明の一つの態様によれば、サンプルは洗浄され、ＣＭＰ工程からの如何なる汚染物を除去され、および基板との残留反応を阻止するため基板表面からの微量の反応性化学物質を除去する。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
２．このリンスの後、サンプルは、ブロック３１０で、適切な有機溶媒で注意深く洗浄され、基板に結合する剤を基板ホルダーに除去する。粘着フィルムおよび真空チャッキング（vacuum  chucking）技術だけでなく、溶媒に可溶なマウンティングワックス、および他の通常のサンプルホールディング（sample  holding）技術も、基板を保持するために用いることができる。これらのホールディング技術の各々は、ブロック３１１で、様々の基板の剥離手段を必要とすることができ、それは当該分野で周知である。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
３．ＣＭＰ処理の後、サンプル表面はブロック３１２で確実に洗浄すべきである。例えば、マウンティングブロックからサンプルを取り外す前に、サンプル表面を洗浄すべきであり、その後、取り外すときに、サンプル全体を洗浄することができる。