【手続補正書】
【提出日】平成21年4月24日(2009.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）アルカノールアミンと（ｉｉ）水酸化４級アンモニウムと（ｉｉｉ）錯化剤とを含む組成物であって、
前記錯化剤がクエン酸及び没食子酸を含まないことを条件として、前記錯化剤が酢酸、アセトンオキシム、アラニン、５−アミノテトラゾール、アンモニウムベンゾエート、アルギニン、アスパラギン、アスパラギン酸、安息香酸、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）、ベタイン、ジメチルグリオキシム、フマル酸、グルタミン酸、グルタミン、グルタル酸、グリセロール、グリシン、グリコール酸、グリオキシル酸、ヒスチジン、イミダゾール、イミノ二酢酸、イソフタル酸、イタコン酸、乳酸、ロイシン、リシン、マレイン酸、リンゴ酸、マロン酸、２−メルカプトベンズイミダゾール、シュウ酸、２，４−ペンタンジオン、フェニル酢酸、フェニルアラニン、フタル酸、プロリン、ピロメリット酸、キナ酸、セリン、ソルビトール、コハク酸、テレフタル酸、１，２，４−トリアゾール、トリメリット酸、トリメシン酸、チロシン、バリン、キシリトール及び前述したアミノ酸の誘導体からなる群から選択された少なくとも１つの成分を含む、
組成物。
【請求項２】
前記組成物の全重量を基準にして約０．００１〜約９０重量％のアルカノールアミン、約０．００００１〜約４０重量％の水酸化４級アンモニウム及び約０．００００１〜約２０重量％の錯化剤を含む、
請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
水を更に含む、
請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記アルカノールアミンがアミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチルアミノエタノール、アミノエトキシエタノール、ジメチルアミノエトキシエタノール、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、モノエタノールアミン、トリエタノールアミン及びＣ１〜Ｃ８アルカノールアミンからなる群から選択された少なくとも１種の化学種を含み、
前記水酸化４級アンモニウムがコリン、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、
請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記組成物が９〜１４の範囲内のｐＨを有する、
請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記組成物が没食子酸及びアスコルビン酸を含まない、
請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記組成物が（I）、（II）又は（III）で更に特徴付けられる、
（I）  乳酸とＭＢＩとを含む、
（II） 前記組成物がモノエタノールアミンとトリエタノールアミンとを含む、
（III）前記組成物が安息香酸を含む、
請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記組成物がポストＣＭＰ残渣、ポストエッチング残渣、ポスト灰残渣及びベンゾトリアゾールからなる群から選択された残渣材料を更に含む、
請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
超小型電子装置基材から望ましくない材料を除去するか又は後続の処理のために前記超小型電子装置基材の表面を調製する、超小型電子装置基材の処理方法であって、
（ｉ）アルカノールアミンと（ｉｉ）水酸化４級アンモニウムと（ｉｉｉ）錯化剤とを含む組成物であって、前記錯化剤がクエン酸を含まないことを条件として、前記錯化剤が酢酸、アセトンオキシム、アラニン、５−アミノテトラゾール、アンモニウムベンゾエート、アルギニン、アスパラギン、アスパラギン酸、安息香酸、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）、ベタイン、ジメチルグリオキシム、フマル酸、グルタミン酸、グルタミン、グルタル酸、グリセロール、グリシン、グリコール酸、グリオキシル酸、ヒスチジン、イミダゾール、イミノ二酢酸、イソフタル酸、イタコン酸、乳酸、ロイシン、リシン、マレイン酸、リンゴ酸、マロン酸、２−メルカプトベンズイミダゾール、シュウ酸、２，４−ペンタンジオン、フェニル酢酸、フェニルアラニン、フタル酸、プロリン、ピロメリット酸、キナ酸、セリン、ソルビトール、コハク酸、テレフタル酸、１，２，４−トリアゾール、トリメリット酸、トリメシン酸、チロシン、バリン、キシリトール及び前述したアミノ酸の誘導体からなる群から選択された少なくとも１つの成分を含む組成物の有効量に超小型電子装置基材を接触させることを含む、
方法。
【請求項１０】
前記望ましくない材料がエッチング残渣、灰残渣、化学的機械的研磨残渣及びＢＴＡからなる群から選択される、
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記組成物が前記組成物の全重量を基準にして約０．００１〜約９０重量％のアルカノールアミン、約０．００００１〜約４０重量％の水酸化４級アンモニウム及び約０．００００１〜約２０重量％の錯化剤を含む、
請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記組成物が水を含む、
請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記組成物がアミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチルアミノエタノール、アミノエトキシエタノール、ジメチルアミノエトキシエタノール、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、モノエタノールアミン、トリエタノールアミン及びＣ１〜Ｃ８アルカノールアミンからなる群から選択された少なくとも１種の化学種を含むアルカノールアミンを含み、
前記組成物がコリン、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム及びそれらの組み合わせからなる群から選択された水酸化４級アンモニウムを含む、
請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記組成物が９〜１４の範囲内のｐＨを有する、
請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記接触が５秒〜約２０分の時間、約２０℃〜約５０℃の範囲の温度及びそれらの組み合わせからなる群から選択された条件を含む、
請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
超小型電子装置を製造する方法であって、
望ましくない材料を上に有する超小型電子装置基材から前記望ましくない材料を除去するか又は後続の処理のために前記超小型電子装置基材の表面を調製することを含み、
請求項１に記載の組成物を用いることを含む、
超小型電子装置を製造する方法。
【請求項１７】
組成物を形成するための２種以上の成分を１以上の容器内に含むキットであって、
前記組成物が、（ｉ）アルカノールアミンと（ｉｉ）水酸化４級アンモニウムと（ｉｉｉ）錯化剤とを含み、
前記錯化剤がクエン酸を含まないことを条件として、前記錯化剤が酢酸、アセトンオキシム、アラニン、５−アミノテトラゾール、アンモニウムベンゾエート、アルギニン、アスパラギン、アスパラギン酸、安息香酸、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）、ベタイン、ジメチルグリオキシム、フマル酸、グルタミン酸、グルタミン、グルタル酸、グリセロール、グリシン、グリコール酸、グリオキシル酸、ヒスチジン、イミダゾール、イミノ二酢酸、イソフタル酸、イタコン酸、乳酸、ロイシン、リシン、マレイン酸、リンゴ酸、マロン酸、２−メルカプトベンズイミダゾール、シュウ酸、２，４−ペンタンジオン、フェニル酢酸、フェニルアラニン、フタル酸、プロリン、ピロメリット酸、キナ酸、セリン、ソルビトール、コハク酸、テレフタル酸、トリメリット酸、１，２，４−トリアゾール、トリメシン酸、チロシン、バリン、キシリトール及び前述したアミノ酸の誘導体からなる群から選択された少なくとも１つの成分を含み、
望ましくない材料を上に有する超小型電子装置基材から前記望ましくない材料を除去するか又は後続の処理のために前記超小型電子装置基材の表面を調製するのに適した組成物を形成するように適応されている、
キット。