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【手続補正書】
【提出日】平成23年4月20日(2011.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の工程を含む方法により製造されるアルキル化ヒドロキシ芳香族化合物：
少なくとも一種のヒドロキシ芳香族化合物を、酸触媒の存在下で炭素原子数２０〜８０の分枝オレフィン系プロピレンオリゴマーと反応させることにより、ヒドロキシ芳香環に結合したベンジル炭素が、炭素原子数１〜５の１個のアルキル基と、炭素原子数が少なくとも１８で、平均して炭素原子２個毎に１個の分枝を持ち、かつ各分枝は炭素原子１〜２個を含んでなる第二のアルキル基とで置換された、アルキル化ヒドロキシ芳香族化合物とする工程。
【請求項２】
少なくとも一種のヒドロキシ芳香族化合物が、１〜４個のヒドロキシル基を持つ単核ヒドロキシ芳香族炭化水素である請求項１に記載の方法により製造されるアルキル化ヒドロキシ芳香族化合物。
【請求項３】
少なくとも一種のヒドロキシ芳香族化合物が、１〜３個のヒドロキシル基を持つ単核ヒドロキシ芳香族炭化水素である請求項２に記載の方法により製造されるアルキル化ヒドロキシ芳香族化合物。
【請求項４】
少なくとも一種のヒドロキシ芳香族化合物がフェノールである請求項３に記載の方法により製造されるアルキル化ヒドロキシ芳香族化合物。
【請求項５】
酸触媒が、トリフルオロメタンスルホン酸、または商品名アンバリストAmberlyst３６
スルホン酸である請求項１に記載の方法により製造されるアルキル化ヒドロキシ芳香族化合物。
【請求項６】
分枝オレフィン系プロピレンオリゴマーの炭素原子数が２０〜６０である請求項１に記載の方法により製造されるアルキル化ヒドロキシ芳香族化合物。
【請求項７】
分枝オレフィン系プロピレンオリゴマーの炭素原子数が２０〜４０である請求項６に記載の方法により製造されるアルキル化ヒドロキシ芳香族化合物。
【請求項８】
少なくとも一種のヒドロキシ芳香族化合物を、酸触媒の存在下で炭素原子数２０〜８０の分枝オレフィン系プロピレンオリゴマーと反応させる工程を含むヒドロキシ芳香族化合物のアルキル化方法により、下記の構造を持つアルキル化ヒドロキシ芳香族化合物を含む生成物を得る方法：
【化１】
2008273967.tif 000001
（ただし、Ｒ1は、炭素原子数が少なくとも１８で、平均して炭素原子２個毎に少なくと
も１個の分枝を持ち、かつ各分枝は炭素原子１〜２個を含む分枝アルキル基であり、Ｒ2
は、炭素原子数１〜５のアルキル基であり、そしてＲ3は、水素またはアルキル基である
）。
【請求項９】
得られる生成物がオルト異性体とパラ異性体の混合物である請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
生成物が、１乃至９９％のオルト異性体と９９乃至１％のパラ異性体とからなる請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
得られる生成物が、５乃至７０％のオルト異性体と９５乃至３０％のパラ異性体とからなる請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
分枝オレフィン系プロピレンオリゴマーの炭素原子数が２０〜６０である請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
分枝オレフィン系プロピレンオリゴマーの炭素原子数が２０〜４０である請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
下記の成分を含む潤滑油組成物：
ａ）主要量の潤滑粘度の油、および
ｂ）下記の工程を含む方法により製造されるアルキル化ヒドロキシ芳香族化合物：
少なくとも一種のヒドロキシ芳香族化合物を、酸触媒の存在下で炭素原子数２０〜８０の分枝オレフィン系プロピレンオリゴマーと反応させる工程、ただし、得られた生成物は、下記の構造を持つアルキル化ヒドロキシ芳香族化合物を含んでいる：
【化２】
2008273967.tif 000002
（ただし、Ｒ1は、炭素原子数が少なくとも１８で、平均して炭素原子２個毎に少なくと
も１個の分枝を持ち、かつ各分枝は炭素原子１〜２個を含む分枝アルキル基であり、Ｒ2
は、炭素原子数１〜５のアルキル基であり、そしてＲ3は、水素またはアルキル基である
）。
【請求項１５】
得られる生成物がオルト異性体とパラ異性体の混合物である請求項１４に記載の潤滑油組成物。
【請求項１６】
得られる生成物が、１乃至９９％のオルト異性体と９９乃至１％のパラ異性体とからなる請求項１５に記載の潤滑油組成物。
【請求項１７】
得られる生成物が、５乃至７０％のオルト異性体と９５乃至３０％のパラ異性体とからなる請求項１６に記載の潤滑油組成物。
【請求項１８】
分枝オレフィン系プロピレンオリゴマーの炭素原子数が２０〜６０である請求項１４に記載の潤滑油組成物。
【請求項１９】
分枝オレフィン系プロピレンオリゴマーの炭素原子数が２０〜４０である請求項１８に記載の潤滑油組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月28日(2010.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体収容容器の前面壁が対向する壁の２箇所にピンが設けられた液体消費装置の容器装着部に着脱自在に装着可能な液体収容容器であって、
液体を貯留している液体収容部と、
前記液体収容部に設けられ、前記液体を導出する接続口と、
前記前面壁に設けられ、前記液体を前記液体消費装置に供給するための液体導出部と、
前記前面壁に、前記液体導出部を挟むように１つずつ設けられ、前記容器装着部の２箇所に設けられたピンが入る２つの孔と、を備え、
前記液体導出部が、前記２つの孔のうちいずれか一つに近接するように設けられ、
前記液体導出部が、前記接続口の開口の中心線に対してずれた位置に設けられ、
前記接続口と前記液体導出部の間を連通する流路を有するオフセット流路部材を備えることを特徴とする液体収容容器。
【請求項２】
前記容器本体と前記オフセット流路部材との連結部に、前記容器本体と前記オフセット流路部材とが相対的に回転して着脱可能な嵌合手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の液体収容容器。
【請求項３】
前記液体導出部が、前記前面壁の略中心に対して前記液体収容容器が前記液体消費装置に装着された時の高さ方向上側に設けられることを特徴とする請求項１または２に記載の液体収容容器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の上記目的は、液体収容容器の前面壁が対向する壁の２箇所にピンが設けられた液体消費装置の容器装着部に着脱自在に装着可能な液体収容容器であって、
液体を貯留している液体収容部と、
前記液体収容部に設けられ、前記液体を導出する接続口と、
前記前面壁に設けられ、前記液体を前記液体消費装置に供給するための液体導出部と、
前記前面壁に、前記液体導出部を挟むように１つずつ設けられ、前記容器装着部の２箇所に設けられたピンが入る２つの孔と、を備え、
前記液体導出部が、前記２つの孔のうちいずれか一つに近接するように設けられ、
前記液体導出部が、前記接続口の開口の中心線に対してずれた位置に設けられ、
前記接続口と前記液体導出部の間を連通する流路を有するオフセット流路部材を備えることを特徴とする液体収容容器により達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、上記構成の液体収容容器によれば、前記液体導出部が、前記接続口の中心線に対してずれた位置に設けられるので、接続口と液体導出部の間に、容器本体の幅方向に延びる流路が形成される。そこで、容器本体の長手方向（奥行き方向）の拡大寸法を最小限としながら、この流路の一部に付加機能部を設けることができる。従って、残量検出手段や気泡トラップ室等の付加機能部を備えたコンパクトな液体収容容器を構成することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、上記構成の液体収容容器によれば、前記接続口と前記液体導出部の間を連通する流路を有するオフセット流路部材を備えることで、接続口の開口の中心線に対してずれた位置に、液体導出部を容易に設けることができる。そこで、液体導出部の形成位置の自由度が増す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記構成の液体収容容器において、前記容器本体と前記オフセット流路部材との連結部に、前記容器本体と前記オフセット流路部材とが相対的に回転して着脱可能な嵌合手段を備えることが望ましい。このような構成の液体収容容器によれば、容器本体へのオフセット流路部材の取り付けは、互いの連結部に装備された嵌合手段により、相互の連結部を嵌合させた後に、相互を相対回転させるという単純な操作で完了させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、上記構成の液体収容容器において、前記液体導出部が、前記前面壁の略中心に対して前記液体収容容器が前記液体消費装置に装着された時の高さ方向上側に設けられることが望ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月14日(2011.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録を行なうための複数の発熱用抵抗体と、前記複数の発熱用抵抗体を複数のブロックに分割し、前記複数の発熱用抵抗体をブロック単位で時分割駆動する論理回路とを有し、前記複数の発熱用抵抗体において隣接する複数の発熱用抵抗体単位で複数のグループを構成する記録ヘッド用の素子基板であって、
前記発熱用抵抗体の駆動期間を規定するヒートイネーブル信号を前記複数のグループの各々に供給するための前記複数のグループに共通のヒートイネーブル信号線と、
前記ヒートイネーブル信号線に配され、入力された前記ヒートイネーブル信号の論理を反転出力する反転手段とを有することを特徴とする記録ヘッド用の素子基板。
【請求項２】
前記反転手段は、奇数個のインバータで構成されることを特徴とする請求項１に記載の記録ヘッド用の素子基板。
【請求項３】
前記インバータの数は１つであることを特徴とする請求項２に記載の記録ヘッド用の素子基板。
【請求項４】
前記インバータの数は３つ以上の奇数であることを特徴とする請求項２に記載の記録ヘッド用の素子基板。
【請求項５】
前記複数の発熱用抵抗体の各々はインクを吐出するために利用される熱エネルギーを発生することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の記録ヘッド用の素子基板。
【請求項６】
細長いインク供給口をさらに有し、
前記複数の発熱用抵抗体は前記インク供給口の長手方向に沿って配列されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の記録ヘッド用の素子基板。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の記録ヘッド用の素子基板を用いた記録ヘッド。
【請求項８】
請求項７に記載の記録ヘッドと、該記録ヘッドに供給するためのインクを収容したインクタンクとを一体化したヘッドカートリッジ。
【請求項９】
請求項７に記載の記録ヘッドと、ヒートイネーブル信号を前記記録ヘッドに供給するためのコントローラとを搭載した記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
即ち、記録を行なうための複数の発熱用抵抗体と、前記複数の発熱用抵抗体を複数のブロックに分割し、前記複数の発熱用抵抗体をブロック単位で時分割駆動する論理回路とを有し、前記複数の発熱用抵抗体において隣接する複数の発熱用抵抗体単位で複数のグループを構成する記録ヘッド用の素子基板であって、前記発熱用抵抗体の駆動期間を規定するヒートイネーブル信号を前記複数のグループの各々に供給するための前記複数のグループに共通のヒートイネーブル信号線と、前記ヒートイネーブル信号線に配され、入力された前記ヒートイネーブル信号の論理を反転出力する反転手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月29日(2011.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサ対向ローラを含む複数のローラに懸架されたベルト状移動媒体と、
前記ベルト状移動媒体にトナー像を形成する画像形成手段であって、複数色分の検出用トナーパッチ像を前記ベルト状移動媒体に形成する画像形成手段と、
発光素子及び受光素子を含み、前記センサ対向ローラに対向して設けられ、前記発光素子から前記ベルト状移動媒体へ向けて光を照射し、反射された光を前記受光素子により受光し、その受光量に応じた信号を出力する光学センサと、
前記ベルト状移動媒体上のトナー像が存在しない領域で検出された前記光学センサの出力であって、前記センサ対向ローラの各位置に対応した出力を記憶する記憶手段と、
前記複数色分の検出用トナーパッチ像を前記光学センサにより検出したときの前記光学センサの出力を、前記記憶手段に記憶された記憶値であって前記検出用トナーパッチ像が検出されたときの前記センサ対向ローラの位置に対応した記憶値に基づいて補正する補正手段と、を備え、
前記トナー像が存在しない領域の前記ベルト状移動媒体の移動方向の長さは、前記複数色分の検出用トナーパッチ像の前記ベルト状移動媒体の移動方向の長さよりも短いことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記トナー像が存在しない領域の前記ベルト状移動媒体の移動方向の長さは、少なくとも前記センサ対向ローラの周長と同じ、或いは略同じであることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記画像形成手段は、複数の条件で形成されたトナーパッチ郡を、複数色分、前記検出用トナーパッチ像として形成し、
前記複数色分のトナーパッチ群の先頭間の距離が前記センサ対向ローラの周長に従った長さであることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記ベルト状移動媒体のトナー像が存在しない状態の前記光学センサの出力を取得し、前記ベルト状移動媒体上に検出用トナーパッチ像のトナー像が存在しない状態の前記光学センサの出力を取得し、前記ベルト状移動媒体に付着したトナーを静電回収方式により回収する請求項１乃至３の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
センサ対向ローラを含む複数のローラに懸架されたベルト状移動媒体と、
前記ベルト状移動媒体にトナー像を形成する画像形成手段であって、複数色分の検出用トナーパッチ像を前記ベルト状移動媒体に形成する画像形成手段と、
発光素子及び受光素子を含み、前記センサ対向ローラに対向して設けられ、前記発光素子から前記ベルト状移動媒体へ向けて光を照射し、反射された光を前記受光素子により受光し、その受光量に応じた信号を出力する光学センサと、
前記光学センサの出力を、前記ベルト状移動媒体の対応する位置におけるトナー像が存在しない状態の前記光学センサの出力に基づいて校正する校正手段と、
前記ベルト状移動媒体上のトナー像が存在しない領域で検出された前記光学センサの出力についての前記校正手段による校正結果を記憶する記憶手段と、
前記検出用トナーパッチ像を前記光学センサが検出したときの前記校正結果を、該校正結果のセンサ対向ローラの位置に対応して前記記憶手段に記憶された記憶値に基づいて補正する補正手段と、を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項６】
前記センサ対向ローラの位置は、前記センサ対向ローラの回転位相であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、濃度センサ対向ローラ上に異物が付着する等の問題が生じた場合でも、中間転写ベルト、転写搬送ベルト等のベルト状移動媒体上のトナーパッチ像の計測を正確におこなうことを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明は、センサ対向ローラを含む複数のローラに懸架されたベルト状移動媒体と、前記ベルト状移動媒体にトナー像を形成する画像形成手段であって、複数色分の検出用トナーパッチ像を前記ベルト状移動媒体に形成する画像形成手段と、発光素子及び受光素子を含み、前記センサ対向ローラに対向して設けられ、前記発光素子から前記ベルト状移動媒体へ向けて光を照射し、反射された光を前記受光素子により受光し、その受光量に応じた信号を出力する光学センサと、前記ベルト状移動媒体上のトナー像が存在しない領域で検出された前記光学センサの出力であって、前記センサ対向ローラの各位置に対応した出力を記憶する記憶手段と、前記複数色分の検出用トナーパッチ像を前記光学センサにより検出したときの前記光学センサの出力を、前記記憶手段に記憶された記憶値であって前記検出用トナーパッチ像が検出されたときの前記センサ対向ローラの位置に対応した記憶値に基づいて補正する補正手段と、を備え前記トナー像が存在しない領域の前記ベルト状移動媒体の移動方向の長さは、前記複数色分の検出用トナーパッチ像の前記ベルト状移動媒体の移動方向の長さよりも短いことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明は、センサ対向ローラを含む複数のローラに懸架されたベルト状移動媒体と、
前記ベルト状移動媒体にトナー像を形成する画像形成手段であって、複数色分の検出用トナーパッチ像を前記ベルト状移動媒体に形成する画像形成手段と、発光素子及び受光素子を含み、前記センサ対向ローラに対向して設けられ、前記発光素子から前記ベルト状移動媒体へ向けて光を照射し、反射された光を前記受光素子により受光し、その受光量に応じた信号を出力する光学センサと、前記光学センサの出力を、前記ベルト状移動媒体の対応する位置におけるトナー像が存在しない状態の前記光学センサの出力に基づいて校正する校正手段と、前記ベルト状移動媒体上のトナー像が存在しない領域で検出された前記光学センサの出力についての前記校正手段による校正結果を記憶する記憶手段と、前記検出用トナーパッチ像を前記光学センサが検出したときの前記校正結果を、該校正結果のセンサ対向ローラの位置に対応して前記記憶手段に記憶された記憶値に基づいて補正する補正手段と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明によれば、トナーパッチ像の計測精度を向上させることが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月7日(2010.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
従来のシールはかかる用途には不十分であることが判明している。例えば、従来のロープシールの概念では、部品のシールを達成するために複数のセラミック繊維からなる１本の「ロープ」を利用する。しかし、ロープは多孔質構造であるので有効なシールは得られない。さらに、使用時にロープシールで起こる化学的及び機械的劣化のためシールの完全性がさらに損なわれ、ロープシールは長期耐久性の目標を満足できなくなる。さらに、ガスタービン内の高温ガス経路温度は高温化の一途にある。そのため、従来の金属シールの用途は極めて限定的なものとなっている。
【特許文献１】米国特許第７２３８００２号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月6日(2011.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＩＣカードの処理装置、ＩＣカード、及びＩＣカードの処理システム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えば、コマンドを送受信することにより種々の処理を実現するＩＣカードの処理装置、ＩＣカード、及びＩＣカードの処理システムに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
そこで、本発明の目的は、より高速に処理を行う事ができるＩＣカードの処理装置、ＩＣカード、及びＩＣカードの処理システムを提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一実施形態としてのＩＣカードの処理装置は、ＩＣカードと相互認証を行う端末装置であって、前記ＩＣカードとデータの送受信を行う送受信部と、前記送受信部により前記ＩＣカードに初期設定コマンドを送信する初期設定処理部と、前記初期設定処理部により送信する初期設定コマンドに相互認証コマンドのすくなくとも一部を格納する認証コマンド処理部と、を具備する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明の一形態によれば、より高速に処理を行う事ができるＩＣカードの処理装置、ＩＣカード、及びＩＣカードの処理システムを提供することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣカードと相互認証を行う端末装置であって、
前記ＩＣカードとデータの送受信を行う送受信部と、
前記送受信部により前記ＩＣカードに初期設定コマンドを送信する初期設定処理部と、
前記初期設定処理部により送信する初期設定コマンドに相互認証コマンドのすくなくとも一部を格納する認証コマンド処理部と、
を具備することを特徴とするＩＣカードの処理装置。
【請求項２】
前記相互認証コマンドは、第１の認証コマンドと第２の認証コマンドとを備え、
前記初期設定コマンドは、起動コマンドと選択コマンドとを備え、
前記認証コマンド処理部は、前記第１の認証コマンドを前記選択コマンド内に格納することを特徴とする請求項１に記載のＩＣカードの処理装置。
【請求項３】
前記認証コマンド処理部は、前記起動コマンドに対する前記ＩＣカードからのレスポンスに含まれるカード識別情報を認証データとして前記第１の認証コマンドを生成することを特徴とする請求項２に記載のＩＣカードの処理装置。
【請求項４】
前記相互認証コマンドは、第１の認証コマンドと第２の認証コマンドとを備え、
前記初期設定コマンドは、起動コマンドと選択コマンドとを備え、
前記認証コマンド処理部は、前記第１の認証コマンドを前記起動コマンドに付加し、前記第２の認証コマンドを前記選択コマンド内に格納することを特徴とする請求項１に記載のＩＣカードの処理装置。
【請求項５】
ＩＣカードの処理装置と相互認証を行うＩＣカードであって、
前記処理装置とデータの送受信を行う送受信部と、
前記送受信部により受信する初期設定コマンドに基づいて初期設定処理を行い、レスポンスを前記処理装置に送信する初期設定処理部と、
前記初期設定コマンドに相互認証コマンドの少なくとも一部が格納されているか否か判定する判定部と、
前記判定部により初期設定コマンドに相互認証コマンドの少なくとも一部が格納されていると判定した場合、前記相互認証コマンドに基づいて認証処理を行う認証処理部と、
前記認証処理部の処理結果を前記初期設定コマンドに対するレスポンス内に格納するレスポンス処理部と、
を具備することを特徴とするＩＣカード。
【請求項６】
カード識別情報を記憶する記憶部をさらに具備し、
前記認証処理部は、前記処理装置から受信する前記初期設定コマンドに格納されている前記相互認証コマンドにカード識別情報が格納されている場合、前記記憶部に記憶されているカード識別情報と前記相互認証コマンドに格納されているカード識別情報とが一致するか否かに基づいて前記処理装置におけるＩＣカードの誤認識を検知することを特徴とする請求項５に記載のＩＣカード。
【請求項７】
相互認証を行うＩＣカード及びＩＣカードの処理装置を備えるＩＣカードの処理システムであって、
前記処理装置は、
前記ＩＣカードとデータの送受信を行う第１の送受信部と、
前記第１の送受信部により前記ＩＣカードに初期設定コマンドを送信する第１の初期設定処理部と、
前記初期設定処理部により送信する初期設定コマンドに相互認証コマンドのすくなくとも一部を格納する認証コマンド処理部と、
を具備し、
前記ＩＣカードは、
前記処理装置とデータの送受信を行う第２の送受信部と、
前記第２の送受信部により受信する初期設定コマンドに基づいて初期設定処理を行い、レスポンスを前記処理装置に送信する初期設定処理部と、
前記初期設定コマンドに相互認証コマンドの少なくとも一部が格納されているか否か判定する判定部と、
前記判定部により初期設定コマンドに相互認証コマンドの少なくとも一部が格納されていると判定した場合、前記相互認証コマンドに基づいて認証処理を行う認証処理部と、
前記認証処理部の処理結果を前記初期設定コマンドに対するレスポンス内に格納するレスポンス処理部と、
を具備することを特徴とするＩＣカードの処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月11日(2011.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ内のプロセッサにより実行されるプログラムによって、ガベージコレクションの対象となる対象メモリと、ガベージコレクションの対象とならない対象外メモリと、の領域を確保可能なメモリの管理を行うメモリ管理方法であって、
前記対象外メモリに関して、配置された全データ、あるいは、前記全データのうちの参照関係の起点データに対して、当該対象外メモリ以外に配置されたデータからの参照がないと判定した場合、当該対象外メモリを解放可能と判定する
ことを特徴とするメモリ管理方法。
【請求項２】
請求項１のメモリ管理方法において、前記対象外メモリに配置したデータの情報を、前記プログラムの起動オプションまたは外部入力ファイルを用いて取得する
ことを特徴とするメモリ管理方法。
【請求項３】
請求項１のメモリ管理方法において、前記対象外メモリに関する解放可能か否かの判定を、前記ガベージコレクションの終了時に行う
ことを特徴とするメモリ管理方法。
【請求項４】
請求項１のメモリ管理方法において、前記対象外メモリに関する解放可能か否かの判定を、前記プログラムの起動オプションまたは外部入力ファイルに記述されたメモリ使用量に関する閾値を実際の前記メモリの使用量が超えた場合に行う
ことを特徴とするメモリ管理方法。
【請求項５】
請求項１のメモリ管理方法において、前記対象外メモリに関して、配置された全データのうちの参照関係の起点データに対して、当該対象外メモリ以外に配置されたデータからの参照がないと判定した場合、当該メモリを解放可能と判定するとき、
前記起点データを参照するデータが当該対象外メモリ以外に配置されていた場合、当該データの必要性を判定し、当該データを必要性がないと判定したとき、当該データから前記起点データへの参照をないものと見なし、当該対象外メモリを解放可能と判定する
ことを特徴とするメモリ管理方法。
【請求項６】
請求項５のメモリ管理方法において、前記必要性の判定を、前記ガベージコレクションの終了時に行う
ことを特徴とするメモリ管理方法。
【請求項７】
請求項５のメモリ管理方法において、前記必要性の判定を、前記プログラムの起動オプションまたは外部入力ファイルに記述されたメモリ使用量に関する閾値を実際の前記メモリの使用量が超えた場合に行う
ことを特徴とするメモリ管理方法。
【請求項８】
請求項５のメモリ管理方法において、当該データの必要性を判定するとき、
前記対象メモリの領域を２つ以上の領域に分割し、分割領域ごとに、他の分割領域のデータからの参照について調べ、直接的もしくは間接的に参照される可能性があるデータ以外のデータを必要性がないと判定する
ことを特徴とするメモリ管理方法 。
【請求項９】
請求項８のメモリ管理方法において、前記分割領域のうち、前記対象外メモリに配置されたデータを参照するデータが配置されている領域を、前記必要性を調べる領域として選択する
ことを特徴とするメモリ管理方法。
【請求項１０】
請求項８のメモリ管理方法において、前記対象メモリの領域を２つ以上の領域に分割する際の分割領域のサイズを、前記プログラムの起動オプションまたは外部入力ファイルに記述している
ことを特徴とするメモリ管理方法。
【請求項１１】
請求項８のメモリ管理方法において、前記対象メモリの領域を２つ以上の領域に分割した後、相互参照関係にある２つのデータが異なる分割領域に存在する場合に、少なくともいずれかのデータを移動することで、当該２つのデータが同一の分割領域にあるようにする
ことを特徴とするメモリ管理方法。
【請求項１２】
請求項１のメモリ管理方法であって、前記プログラムの起動オプションまたは外部入力ファイルの情報を読み込み、その結果を用いて前記対象外メモリの領域を生成する
ことを特徴とするメモリ管理方法。
【請求項１３】
ガベージコレクションの対象となる対象メモリと、ガベージコレクションの対象とならない対象外メモリと、の領域を確保可能なメモリと、
前記対象外メモリに関して、配置された全データ、あるいは、前記全データのうちの参照関係の起点データに対して、当該対象外メモリ以外に配置されたデータからの参照がないと判定した場合、当該対象外メモリを解放可能と判定するプロセッサと、
を備えることを特徴とするコンピュータ。
【請求項１４】
コンピュータ内のプロセッサに、ガベージコレクションの対象となる対象メモリと、ガベージコレクションの対象とならない対象外メモリと、の領域を確保可能なメモリの管理を行うメモリ管理方法を実行させるためのメモリ管理プログラムであって、
前記対象外メモリに関して、配置された全データ、あるいは、前記全データのうちの参照関係の起点データに対して、当該対象外メモリ以外に配置されたデータからの参照がないと判定した場合、当該対象外メモリを解放可能と判定する処理を、前記プロセッサに実行させるためのメモリ管理プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】メモリ管理方法、コンピュータ、及び、メモリ管理プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明に係るメモリ管理方法などを実施するための形態（以下、実施形態という。）について、図面を用いて説明する。なお、複数の図面にわたっての同一の構成や処理には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。また、本実施形態はＪａｖａ言語に対して本発明を適用した場合の説明となっているが、ガベージコレクション機能を有する他の言語に対しても有効である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月29日(2011.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
以上のように、本発明では、複数のダイヤル操作装置が実装される回路基板が、そのダイヤル操作装置毎に分割されているため、各ダイヤル操作装置とパネルとの相対位置を個別に設定することが可能である。しかも、その分割された回路基板のうち、外部回路との接続部を有する回路基板を特定のメイン基板のみに特定し、このメイン基板とそれ以外の回路基板（少なくとも第１のサブ基板および第２のサブ基板）とを配線材を介して接続することにより、簡素な配線構造で各回路基板と外部回路との接続を行うことが可能である。さらに、各ダイヤル装置のレイアウトの都合上、前記メイン基板、前記第１のサブ基板、および前記第２のサブ基板をこれらの順に特定の基板配列方向に配列しなければならない場合でも、前記メイン基板の本体部から前記第１のサブ基板に隣接する領域を通って前記第２のサブ基板へ延びる延長部の存在により、当該メイン基板と当該第１のサブ基板との接続のみならず、当該メイン基板と当該第２のサブ基板との接続も簡素な配線構造で行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月30日(2011.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る薄膜トランジスタは、
微結晶シリコンから形成された半導体層と、
前記半導体層上に設けられたドレイン電極と、
前記半導体層上に設けられたソース電極と、
前記半導体層と、前記ドレイン電極及び前記ソース電極との間に、それぞれ設けられたオーミックコンタクト層と、を備え、
前記オーミックコンタクト層は、前記半導体層の一部の領域上に直接設けられた第１のオーミックコンタクト層と、該第１のオーミックコンタクト層上に設けられた第２のオーミックコンタクト層と、を備え、
前記第１のオーミックコンタクト層の不純物濃度は、前記第２のオーミックコンタクト層の不純物濃度より低く、前記第１のオーミックコンタクト層の膜厚は、前記第２のオーミックコンタクト層の膜厚より厚いことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記第１のオーミックコンタクト層の膜厚は１０００から２０００Åであり、前記第２のオーミックコンタクト層は略２５０Åの膜厚を有してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明の第２の観点に係る薄膜トランジスタの製造方法は、
微結晶シリコンから形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたドレイン電極と、前記半導体層上に形成されたソース電極と、を備えた薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記半導体層と、前記ドレイン電極及び前記ソース電極との間に、それぞれ第１のオーミックコンタクト層と、前記第１のオーミックコンタクト層上に前記第１のオーミックコンタクト層よりも不純物濃度が低い第２のオーミックコンタクト層と、を形成し、前記第１のオーミックコンタクト層を、前記第２のオーミックコンタクト層よりも厚く形成するオーミックコンタクト層形成工程と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記第１のオーミックコンタクト層を１０００から２０００Åの膜厚に形成し、前記第２のオーミックコンタクト層を略２５０Åの膜厚に形成してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微結晶シリコンから形成された半導体層と、
前記半導体層上に設けられたドレイン電極と、
前記半導体層上に設けられたソース電極と、
前記半導体層と、前記ドレイン電極及び前記ソース電極との間に、それぞれ設けられたオーミックコンタクト層と、を備え、
前記オーミックコンタクト層は、前記半導体層の一部の領域上に直接設けられた第１のオーミックコンタクト層と、該第１のオーミックコンタクト層上に設けられた第２のオーミックコンタクト層と、を備え、
前記第１のオーミックコンタクト層の不純物濃度は、前記第２のオーミックコンタクト層の不純物濃度より低く、前記第１のオーミックコンタクト層の膜厚は、前記第２のオーミックコンタクト層の膜厚より厚いことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記第１のオーミックコンタクト層の膜厚は１０００から２０００Åであり、前記第２のオーミックコンタクト層は略２５０Åの膜厚を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記第１のオーミックコンタクト層及び前記第２のオーミックコンタクト層は、アモルファスシリコンから形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
微結晶シリコンから形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたドレイン電極と、前記半導体層上に形成されたソース電極と、を備えた薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記半導体層と、前記ドレイン電極及び前記ソース電極との間に、それぞれ第１のオーミックコンタクト層と、前記第１のオーミックコンタクト層上に前記第１のオーミックコンタクト層よりも不純物濃度が低い第２のオーミックコンタクト層と、を形成し、前記第１のオーミックコンタクト層を、前記第２のオーミックコンタクト層よりも厚く形成するオーミックコンタクト層形成工程と、
を備えることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記第１のオーミックコンタクト層を１０００から２０００Åの膜厚に形成し、前記第２のオーミックコンタクト層を略２５０Åの膜厚に形成することを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記第１のオーミックコンタクト層と、前記第２のオーミックコンタクト層は連続的に成膜されることを特徴とする請求項４又は５に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記第１のオーミックコンタクト層及び前記第２のオーミックコンタクト層を、アモルファスシリコンから形成することを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月30日(2011.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
以上の課題を解決するため、本発明の一の態様は、薄膜トランジスタの製造方法であって、
基板の一面側に半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層上にレジスト膜を成膜し、前記半導体層におけるチャネルとなる領域上の前記レジスト膜に、前記半導体層から離間するほど一の方向に沿った幅が広くなるテーパ形状を有する開口を形成するレジスト膜形成工程と、
前記開口内および前記レジスト膜上に保護絶縁膜を成膜する保護絶縁膜成膜工程と、
前記開口内の前記保護絶縁膜部分を残すように、前記レジスト膜上の前記保護絶縁膜を除去する保護絶縁膜除去工程と、
前記レジスト膜を除去して、前記半導体層におけるチャネルとなる領域を覆い、前記半導体層から離間する上面側ほど前記一の方向に沿った方向の長さが長くなる逆テーパ形状を有する保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜が形成された前記半導体層上に、前記保護膜の周囲を覆う不純物半導体層を成膜し、前記不純物半導体層及び前記半導体層をパターニングして、前記保護膜の側面を覆うとともに該保護膜の上面の一部を覆い、該保護膜の上面で互いに離間して前記一の方向において対向する一対の不純物半導体膜と、その下に配される半導体膜と、を形成する半導体膜形成工程と、
を備えることを特徴としている。
好ましくは、
前記保護絶縁膜除去工程は、前記レジスト膜上の前記保護絶縁膜をＣＭＰ法（Chemical Mechanical Polishing）によって研磨して、前記レジスト膜を露出させ、前記保護絶縁膜の厚さを前記レジスト膜の膜厚と同じにする研磨工程を含む。
好ましくは、
前記レジスト膜形成工程は、前記開口のテーパ形状を、前記保護膜形成工程により形成する前記保護膜の下面の前記一の方向に沿う長さが、当該保護膜の上面の前記一の方向に沿う長さの０．７８倍以下となる形状に形成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の他の態様は、薄膜トランジスタであって、
基板の一面側に設けられた半導体膜と、
前記半導体膜のチャネルとなる領域をその下面で覆う保護膜と、
前記半導体膜上で前記保護膜の側面を覆うとともに該保護膜の上面の一部を覆い、該保護膜の上面で互いに離間して一の方向に対向する一対の不純物半導体膜と、
を備え、
前記保護膜は、その保護膜における前記半導体膜から離間する上面側ほど、前記一の方向に沿った方向の長さが長くなる逆テーパ形状を呈することを特徴としている。
好ましくは、
前記保護膜の下面の前記一の方向に沿う長さは、その保護膜の上面の前記一の方向に沿う長さの０．７８倍以下である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一面側に半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層上にレジスト膜を成膜し、前記半導体層におけるチャネルとなる領域上の前記レジスト膜に、前記半導体層から離間するほど一の方向に沿った幅が広くなるテーパ形状を有する開口を形成するレジスト膜形成工程と、
前記開口内および前記レジスト膜上に保護絶縁膜を成膜する保護絶縁膜成膜工程と、
前記開口内の前記保護絶縁膜部分を残すように、前記レジスト膜上の前記保護絶縁膜を除去する保護絶縁膜除去工程と、
前記レジスト膜を除去して、前記半導体層におけるチャネルとなる領域を覆い、前記半導体層から離間する上面側ほど前記一の方向に沿った方向の長さが長くなる逆テーパ形状を有する保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜が形成された前記半導体層上に、前記保護膜の周囲を覆う不純物半導体層を成膜し、前記不純物半導体層及び前記半導体層をパターニングして、前記保護膜の側面を覆うとともに該保護膜の上面の一部を覆い、該保護膜の上面で互いに離間して前記一の方向において対向する一対の不純物半導体膜と、その下に配される半導体膜と、を形成する半導体膜形成工程と、
を備えることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記保護絶縁膜除去工程は、前記レジスト膜上の前記保護絶縁膜をＣＭＰ法によって研磨して、前記レジスト膜を露出させ、前記保護絶縁膜の厚さを前記レジスト膜の膜厚と同じにする研磨工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記レジスト膜形成工程は、前記開口のテーパ形状を、前記保護膜形成工程により形成する前記保護膜の下面の前記一の方向に沿う長さが、当該保護膜の上面の前記一の方向に沿う長さの０．７８倍以下となる形状に形成することを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
基板の一面側に設けられた半導体膜と、
前記半導体膜のチャネルとなる領域をその下面で覆う保護膜と、
前記半導体膜上で前記保護膜の側面を覆うとともに該保護膜の上面の一部を覆い、該保護膜の上面で互いに離間して一の方向に対向する一対の不純物半導体膜と、
を備え、
前記保護膜は、その保護膜における前記半導体膜から離間する上面側ほど、前記一の方向に沿った方向の長さが長くなる逆テーパ形状を呈することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記保護膜の下面の前記一の方向に沿う長さは、その保護膜の上面の前記一の方向に沿う長さの０．７８倍以下であることを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月12日(2011.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上の第１のＦｉｎ型半導体層に形成された第１のトランジスタを含む電気回路と、
前記半導体基板上の第２のＦｉｎ型半導体層に形成され、前記電気回路と電源供給線との間に接続された第２のトランジスタを含む電源回路と、
前記半導体基板に基板電圧を印加するための基板コンタクトとを備え、
前記第１のトランジスタのチャネル長方向に対して垂直な断面における第１のＦｉｎ型半導体層のＦｉｎ幅は、前記第１のトランジスタのチャネル部に形成される最大空乏層幅の２倍以下であり、
前記第２のトランジスタのチャネル長方向に対して垂直な断面における第２のＦｉｎ型半導体層のＦｉｎ幅は、前記第２のトランジスタのチャネル部に形成される最大空乏層幅の２倍よりも大きく、
前記第１のトランジスタは、完全空乏型トランジスタとして機能し、
前記第２のトランジスタは、ボディ部が前記基板コンタクトに電気的に接続された部分空乏型トランジスタとして機能し、
前記電気回路を駆動させるときには、前記第２のトランジスタの閾値電圧を低下させるように、前記基板コンタクトを介して前記半導体基板に第１の基板電圧を印加し、
前記電気回路の待機時または停止時には、前記第２のトランジスタの閾値電圧を上昇させるように、前記基板コンタクトを介して前記半導体基板に第２の基板電圧を印加する第２の制御部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体基板と、
前記半導体基板上の第１のＦｉｎ型半導体層に形成された第１のトランジスタを含む電気回路と、
前記半導体基板上の第２のＦｉｎ型半導体層に形成され、前記電気回路と電源供給線との間に接続された第２のトランジスタを含む電源回路と、
前記半導体基板に基板電圧を印加するための基板コンタクトとを備え、
前記第１のトランジスタのチャネル長方向に対して垂直な断面における第１のＦｉｎ型半導体層のＦｉｎ幅は、前記第１のトランジスタのチャネル部に形成される最大空乏層幅の２倍以下であり、
前記第２のトランジスタのチャネル長方向に対して垂直な断面における第２のＦｉｎ型半導体層のＦｉｎ幅は、前記第２のトランジスタのチャネル部に形成される最大空乏層幅の２倍よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記第１のトランジスタは、完全空乏型トランジスタとして機能し、
前記第２のトランジスタは、ボディ部が前記基板コンタクトに電気的に接続された部分空乏型トランジスタとして機能することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記電気回路を駆動させるときには、前記第２のトランジスタの閾値電圧を低下させるように、前記基板コンタクトを介して前記半導体基板に第１の基板電圧を印加する第１の制御部を有する請求項２または請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記電気回路の待機時または停止時には、前記第２のトランジスタの閾値電圧を上昇させるように、前記基板コンタクトを介して前記半導体基板に第２の基板電圧を印加する第２の制御部を有する請求項２または請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１のＦｉｎ型半導体層の長手方向は、前記第２のＦｉｎ型半導体層の長手方向とほぼ平行であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月27日(2011.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の段階を含む、生物系の実施反応経路を同定する方法：
(a)該生物系を表す反応ネットワークを通して体系的反応経路のセットを提供する段階、
(b)該生物系の現象論的反応経路のセットを提供する段階、
(c)体系的反応経路の該セットを現象論的反応経路の該セットと比較する段階であって、該セットに共通した経路が該生物系の実施反応経路である、段階。
【請求項２】
以下の段階を含む、生物系反応ネットワークを改善する方法：
(a)生物系の数学的表現を提供する段階；
(b)生物系の観察された挙動と、類似した条件下における該生物系の該数学的表現のコンピューター内での挙動との間の差を測定する段階；
(c)該生物系の該数学的表現の構造を改変する段階；
(d)該生物系の該観察された挙動と、類似した条件下における該生物系の該改変された数学的表現のコンピューター内での挙動との間の差を測定する段階、および
(e)挙動の差が最小化されるまで段階(d)および(e)を繰り返す段階であって、予定の正確さ基準の満足が該生物系反応ネットワークにおける向上を示している、段階。
【請求項３】
以下の段階をさらに含む、請求項２記載の方法：
(f)異なる条件下において生物系の挙動を測定する段階、および
(g)該異なる条件下において請求項２記載の段階(b)から(e)までを繰り返す段階。
【請求項４】
最小化される挙動の差が尽きるまで段階(f)および(g)を繰り返す段階をさらに含み、該向上した生物系反応ネットワークが最適な生物系反応ネットワークを表している、請求項３記載の方法。
【請求項５】
（ａ）向上した生物系反応ネットワークが新しい制御ネットワークを同定するか、
（ｂ）向上した生物系反応ネットワークが制御状態を同定するか、または
（ｃ）生物系の数学的表現が制御ネットワークを含む、
請求項２または３記載の方法。
【請求項６】
以下の段階を含む、生物系データセットを調和させる方法：
(a)複数の階層的反応カテゴリーを含む遺産データから再構築された第一反応ネットワークを提供する段階；
(b)経験的データから得られた第二反応ネットワークを提供する段階、および
(c)該第一反応ネットワークにおける該階層的反応カテゴリーと該第二反応ネットワークにおける要素との間の整合性測度を測定する段階であって、該階層的反応カテゴリーについての高程度の該整合性測度が該第一反応ネットワークまたはそのサブコンポーネントの妥当性を示している、段階。
【請求項７】
（ａ）経験的データが一次データを含むか、
（ｂ）経験的データが核酸発現データを含むか、
（ｃ）遺産データが二次データを含むか、
（ｄ）遺産データが公開された報告書およびデータベースから得られるデータをさらに含むか、
（ｅ）階層的反応カテゴリーが反応または制御事象を含むか、
（ｆ）反応ネットワークが、代謝反応ネットワーク、制御反応ネットワーク、転写反応ネットワークおよびゲノム尺度反応ネットワークから選択されるネットワーク、またはそれらの任意の組み合わせを含むか、または
（ｇ）反応ネットワークが数学的または統計学的表現をさらに含む、
請求項６記載の方法。
【請求項８】
階層的制御事象がペアワイズ制御相互作用、標的-制御単位およびレギュロンを含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】
反応ネットワークの妥当なサブコンポーネントを同定する段階をさらに含む、請求項６記載の方法。
【請求項１０】
以下の段階を含む、細胞全体の機能への遺伝子多型の効果を測定する方法：
(a)遺伝子多型媒介性病態をもつ生物系を表す反応ネットワークを作成する段階；
(b)該反応ネットワークの生理学的状態にストレスを加える生化学的または生理学的条件を適用する段階、および
(c)正常な生物系を表す反応ネットワークと比較して該ストレスを加えられた生理学的状態における該適用された生化学的または生理学的条件に対する感受性を測定する段階であって、該感受性が該遺伝子多型媒介性病態の表現型の結果を示している、段階。
【請求項１１】
（ａ）生化学的または生理学的条件が、流束負荷、pH、反応物および生成物における変化から選択されるか、または
（ｂ）生化学または生理学的条件が酸化負荷またはエネルギー負荷を含む、
請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
以下の段階を含む、遺伝子多型媒介性病態を評価する方法：
(a)遺伝子多型媒介性病態をもつ生物系を表す反応ネットワークの生理学的状態にストレスを加える生化学的または生理学的条件を適用する段階であって、該適用された生化学的または生理学的条件が該遺伝子多型媒介性病態と相関している、段階、および
(b)該反応ネットワーク内の該病態の1つもしくは複数の生化学的または生理学的指標を測定する段階であって、ストレスを加えられていない生理学的状態と比較して該ストレスを加えられた状態での該1つもしくは複数の生化学的または生理学的指標における変化が、該病態に対応する遺伝子多型の存在を示している、段階。
【請求項１３】
（ａ）生化学的または生理学的条件が、流束負荷、pH、反応物および生成物における変化から選択されるか、または
（ｂ）生化学的または生理学的条件が、酸化負荷またはエネルギー負荷を含む、
請求項１２記載の方法。