Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月5日(2011.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１無線基地局が、第２無線基地局との間でコネクションを確立する際に、該第２無線基地局に対して、該第１無線基地局配下のセルの登録グループ識別情報を通知する工程と、
前記第２無線基地局が、通知された前記第１無線基地局配下のセルの登録グループ識別情報を管理する工程と、
前記第２無線基地局が、管理している前記第１無線基地局配下のセルの登録グループ識別情報及びアクセスモードに基づいて、移動局の該第２無線基地局配下のセルから該第１無線基地局配下のセルへのハンドオーバの実施方法を決定する工程とを有することを特徴とする移動通信方法。
【請求項２】
第１無線基地局が、該第１無線基地局配下のセルの登録グループ識別情報を変更した場合に、第２無線基地局に対して、変更された該第１無線基地局配下のセルの登録グループ識別情報を含む構成変更信号を送信する工程と、
前記第２無線基地局が、受信した前記構成変更信号に含まれる前記第１無線基地局配下のセルの登録グループ識別情報を管理する工程と、
前記第２無線基地局が、管理している最新の前記第１無線基地局配下のセルの登録グループ識別情報及びアクセスモードに基づいて、移動局の該第２無線基地局配下のセルから該第１無線基地局配下のセルへのハンドオーバの実施方法を決定する工程とを有することを特徴とする移動通信方法。
【請求項３】
無線基地局であって、
周辺無線基地局との間でコネクションを確立する際に、該周辺無線基地局から、該周辺無線基地局配下のセルの登録グループ識別情報を取得するように構成されている取得部と、
前記取得部によって取得された前記周辺無線基地局配下のセルの登録グループ識別情報を管理するように構成されている管理部と、
前記管理部によって管理されている前記周辺無線基地局配下のセルの登録グループ識別情報及びアクセスモードに基づいて、移動局の前記無線基地局配下のセルから該周辺無線基地局配下のセルへのハンドオーバの実施方法を決定するように構成されているハンドオーバ処理部とを具備することを特徴とする無線基地局。
【請求項４】
無線基地局であって、
周辺無線基地局によって送信された構成変更信号に含まれる該周辺無線基地局配下のセルの登録グループ識別情報を取得するように構成されている取得部と、
前記取得部によって取得された前記周辺無線基地局配下のセルの登録グループ識別情報を管理するように構成されている管理部と、
前記管理部によって管理されている前記周辺無線基地局配下のセルの登録グループ識別情報及びアクセスモードに基づいて、移動局の前記無線基地局配下のセルから該周辺無線基地局配下のセルへのハンドオーバの実施方法を決定するように構成されているハンドオーバ処理部とを具備することを特徴とする無線基地局。
【請求項５】
前記管理部は、前記周辺無線基地局配下のセルの登録グループ識別情報が前記無線基地局配下のセルの登録グループ識別情報と同じであるか否かについて示す情報を管理するように構成されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の無線基地局。
【請求項６】
前記ハンドオーバ処理部は、前記周辺無線基地局配下のセルの登録グループ識別情報と前記無線基地局配下のセルの登録グループ識別情報とが同じであり、該周辺無線基地局配下のセルのアクセスモードが全ての移動局に対して差別化することなくアクセスを許容するアクセスモードでない場合、前記ハンドオーバの実施方法を、該無線基地局と該周辺無線基地局との間のインターフェイスを介したハンドオーバとするように構成されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の無線基地局。
【請求項７】
前記ハンドオーバ処理部は、前記周辺無線基地局配下のセルの登録グループ識別情報と前記無線基地局配下のセルの登録グループ識別情報とが異なり、該周辺無線基地局配下のセルのアクセスモードが全ての移動局に対して差別化することなくアクセスを許容するアクセスモードでない場合、前記ハンドオーバの実施方法を、該無線基地局と交換局との間のインターフェイス及び該交換局と該周辺無線基地局との間のインターフェイスを介したハンドオーバとするように構成されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の無線基地局。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月25日(2011.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スポロラクトバチルス属細菌の増殖が抑制されている炭酸含有飲料であって、乳酸および任意にエタノールが、乳酸含有量とエタノール含有量との関係が下記式：
式ＣL≧−０．０２ｘＣE＋０．０８，ＣL＞０，ＣE≧０  （ＣL：乳酸含量（mass％），
ＣE：エタノール（度数））を満たすように配合されており、２０℃における密閉容器内の炭酸ガスの内圧が０．２ｋｇｆ/ｃｍ2〜２．７ｋｇｆ/ｃｍ2、およびｐＨが２．７〜４．５に調整されていることを特徴とする炭酸含有飲料。
【請求項２】
スポロラクトバチルス属細菌の増殖が抑制されている炭酸含有飲料であって、乳酸および任意にエタノールが、乳酸含有量とエタノール含有量が下記の関係：
３≧ＣL＞０であり、かつ２０≧ＣE≧０であり；
（ＣL：乳酸含量（mass％），ＣE：エタノール（度数））
２＞ＣE≧０のとき、ＣL≧０．０８であり；
３＞ＣE≧２のとき、ＣL≧−０．０６ｘＣE＋０．２０であり；
４＞ＣE≧３のとき、ＣL≧−０．０２ｘＣE＋０．０８であり；
ＣE≧４のとき、ＣL＞０である；
を満たすように配合されており、２０℃における密閉容器内の炭酸ガスの内圧が０．２ｋｇｆ/ｃｍ2〜２．７ｋｇｆ/ｃｍ2、およびｐＨが２．７〜４．５に調整されていることを特徴とする炭酸含有飲料。
【請求項３】
乳酸含有量とエタノール含有量が下記の関係：
３＞ＣE≧０のとき、ＣL≧０．０８であり；
４＞ＣE≧３のとき、ＣL≧０．０２であり；
ＣE≧４のとき、ＣL＞０である；
を満たすように配合されている、請求項２記載の炭酸含有飲料。
【請求項４】
スポロラクトバチルス属細菌の増殖が抑制されている炭酸含有飲料の製造方法であって、炭酸含有飲料に乳酸および任意にエタノールを、乳酸含有量とエタノール含有量との関係が下記式：
式ＣL≧−０．０２ｘＣE＋０．０８、ＣL＞０，ＣE≧０  （ＣL：乳酸含量（mass％），
ＣE：エタノール（度数））を満たすように配合し、２０℃における密閉容器内の炭酸ガスの内圧を０．２ｋｇｆ/ｃｍ2〜２．７ｋｇｆ/ｃｍ2に、ｐＨを２．７〜４．５にそれぞれ調整し、密閉充填後に６０〜７５℃の温度で殺菌することを特徴とする炭酸含有飲料の製造方法。
【請求項５】
スポロラクトバチルス属細菌の増殖が抑制されている炭酸含有飲料の製造方法であって、炭酸含有飲料に乳酸および任意にエタノールを、乳酸含有量とエタノール含有量が下記の関係：
３≧ＣL＞０であり、かつ２０≧ＣE≧０であり；
（ＣL：乳酸含量（mass％），ＣE：エタノール（度数））
２＞ＣE≧０のとき、ＣL≧０．０８であり；
３＞ＣE≧２のとき、ＣL≧−０．０６ｘＣE＋０．２０であり；
４＞ＣE≧３のとき、ＣL≧−０．０２ｘＣE＋０．０８であり；
ＣE≧４のとき、ＣL＞０である；
を満たすように配合し、２０℃における密閉容器内の炭酸ガスの内圧を０．２ｋｇｆ/ｃｍ2〜２．７ｋｇｆ/ｃｍ2に、ｐＨを２．７〜４．５にそれぞれ調整し、密閉充填後に６０〜７５℃の温度で殺菌することを特徴とする炭酸含有飲料の製造方法。
【請求項６】
乳酸含有量とエタノール含有量が下記の関係：
３＞ＣE≧０のとき、ＣL≧０．０８であり；
４＞ＣE≧３のとき、ＣL≧０．０２であり；
ＣE≧４のとき、ＣL＞０である；
を満たすように配合される、請求項５記載の炭酸含有飲料の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月26日(2011.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技に関する抽選結果が遊技者に有利な所定結果である場合に作動することによりその旨を予告的に報知する予告報知手段（１６）と、外部操作可能な演出用操作手段（１２）と、該演出用操作手段（１２）の操作が有効となる操作有効期間中であることを報知する有効期間報知手段（５７）とを備えた遊技機において、前記予告報知手段（１６）を前記演出用操作手段（１２）上に配置し、前記有効期間報知手段（５７）は、前記操作有効期間中に、前記予告報知手段（１６）が作動していない状態の前記演出用操作手段（１２）を表した非作動状態画像を表示するように構成されていることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、遊技に関する抽選結果が遊技者に有利な所定結果である場合に作動することによりその旨を予告的に報知する予告報知手段１６と、外部操作可能な演出用操作手段１２と、該演出用操作手段１２の操作が有効となる操作有効期間中であることを報知する有効期間報知手段５７とを備えた遊技機において、前記予告報知手段１６を前記演出用操作手段１２上に配置し、前記有効期間報知手段５７は、前記操作有効期間中に、前記予告報知手段１６が作動していない状態の前記演出用操作手段１２を表した非作動状態画像を表示するように構成されているものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
演出用操作手段１２は、例えばドーム型の操作ボタン部１５を有する押しボタン式の操作手段で、例えば操作ボタン部１５の内側に回転灯１６が設けられている。この回転灯１６は、遊技に関する抽選結果が遊技者に有利な所定結果である場合に作動して所定態様で発光することによりその旨を予告的に報知する予告報知用発光手段（予告報知手段）を構成するもので、複数種類の予告演出のうちのボタン操作演出が選択され、その操作有効期間内に演出用操作手段１２が操作されることを条件に作動するようになっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
１２  演出用操作手段
１６  回転灯（予告報知手段）
２５  ＬＥＤ（発光体）
２８  反射板
５７  報知画像表示手段（有効期間報知手段）
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月14日(2011.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】  前出願（特願２００９ー１７５８２７）では桧の球体に粘りの強いベンゾイン樹脂を染み込ませ吸気中の浮遊物を吸着させた。樹脂は呼気の水分を吸い液化し、その界面張力によって木玉中心部に集まり、木玉表面に樹脂が無くなった。樹脂が表面を覆っている間が使用可能時間で、およそ５時間程度であった。１日使う場合は２個必要となり、費用の面で困難があった。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月8日(2011.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査物の少なくとも２次元の断層画像を生成する光断層画像生成方法であって、強度信号を取得する工程、フーリエ変換を行なう工程、２次元の断層画像を得る工程、及び２次元の断層画像を取得する際の測定光の走査速度に基づいて得られる所定時間に取得した複数の強度信号を平均する工程を含むことを特徴とする光断層画像生成方法。
【請求項２】
前記所定時間は、前記走査速度と強度信号の取得に用いる測定光の横分解能から計算されることを特徴とする請求項１に記載の光断層画像生成方法。
【請求項３】
前記平均する工程が、前記所定時間に取得した複数の強度信号を重みつけ平均する工程であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光断層画像生成方法。
【請求項４】
前記平均する工程が、前記所定時間に取得した複数の強度信号を複素数の状態で平均するものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光断層画像生成方法。
【請求項５】
前記平均する工程が、前記所定時間に取得した複数の強度信号を実数の状態で平均するものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光断層画像生成方法。
【請求項６】
前記平均する工程が、フーリエ変換した後に前記所定時間に取得した複数の強度信号の位相の調整を行うことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の光断層画像生成方法。
【請求項７】
前記位相の調整が前記平均した強度信号を最大になるように調整することを特徴とする請求項６に記載の光断層画像生成方法。
【請求項８】
測定光を照射した被検査物からの戻り光と、前記測定光に対応する参照光とによる合波光に基づいて前記被検査物の少なくとも２次元の断層画像を生成する光断層画像生成装置であって、
被検査物上で前記測定光を走査する手段と、撮像のタイミングを制御する手段と、を有し、
さらに２次元の断層画像を取得する際の前記測定光の走査速度に基づいて得られる所定時間に取得した複数の強度信号を平均する手段を有することを特徴とする光断層画像生成装置。
【請求項９】
前記所定時間は、前記走査速度と前記測定光の横分解能から計算されることを特徴とする請求項８に記載の光断層画像生成装置。
【請求項１０】
前記走査がステップ状であることを特徴とする請求項８又は９に記載の光断層画像生成装置。
【請求項１１】
前記撮像のタイミングが複数の間隔の組み合わせであることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか一項に記載の光断層画像生成装置。
【請求項１２】
被検査物の少なくとも２次元の断層画像を取得するために、前記被検査物を走査して得られる複数の強度信号を取得する手順と、
フーリエ変換する手順と、
２次元の断層画像を得る手順と、
２次元の断層画像を取得する際の測定光の走査速度に基づいて得られる所定時間に取得した複数の強度信号を平均する手順をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の光断層画像生成方法は、被検査物の少なくとも２次元の断層画像を生成する光断層画像生成方法であって、強度信号を取得する工程、フーリエ変換を行なう工程、２次元の断層画像を得る工程、及び２次元の断層画像を取得する際の測定光の走査速度に基づいて得られる所定時間に取得した複数の強度信号を平均する工程を含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明の光断層画像生成装置は、測定光を照射した被検査物からの戻り光と、前記測定光に対応する参照光とによる合波光に基づいて前記被検査物の少なくとも２次元の断層画像を生成する光断層画像生成装置であって、被検査物上で前記測定光を走査する手段と、撮像のタイミングを制御する手段と、を有し、さらに２次元の断層画像を取得する際の前記測定光の走査速度に基づいて得られる所定時間に取得した複数の強度信号を平均する手段を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月10日(2011.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各画素が第１乃至第３の色成分のうちのいずれかの色成分、および光強度に対する複数の感度特性のうちのいずれかの感度特性を有し、画素の色成分だけに注目した場合、第１乃至３の色成分を有する画素がベイヤ配列に従って配置され、第１の色成分を有する画素に注目した場合、その感度特性がライン毎に異なり、第２の色成分を有する画素に注目した場合、その感度特性が市松模様状に配置され、第３の色成分を有する画素に注目した場合、その感度特性が市松模様状に配置された色・感度モザイク画像に基づき、各画素の感度が均一化されており、かつ、各画素が前記複数の色成分の全ての色成分を有する復元画像を復元する復元手段を
備える画像処理装置。
【請求項２】
被写体を撮像し、前記色・感度モザイク画像を生成する撮像手段を
さらに備える請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記復元手段は、
前記色・感度モザイク画像の感度特性の配列を示す感度モザイクパターン情報、および前記色・感度モザイク画像の色成分の配列を示す色モザイクパターン情報に基づき、前記色・感度モザイク画像に対応する輝度画像を生成する輝度画像生成手段と、
前記感度モザイクパターン情報、前記色モザイクパターン情報、および前記輝度画像に基づき、前記色・感度モザイク画像に対応する単色画像を生成する複数の単色画像生成手段とを
含む請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
各画素が第１乃至第３の色成分のうちのいずれかの色成分、および光強度に対する複数の感度特性のうちのいずれかの感度特性を有し、画素の色成分だけに注目した場合、第１乃至３の色成分を有する画素がベイヤ配列に従って配置され、第１の色成分を有する画素に注目した場合、その感度特性がライン毎に異なり、第２の色成分を有する画素に注目した場合、その感度特性が市松模様状に配置され、第３の色成分を有する画素に注目した場合、その感度特性が市松模様状に配置された色・感度モザイク画像に基づき、各画素の感度が均一化されており、かつ、各画素が前記複数の色成分の全ての色成分を有する復元画像を復元する復元ステップを
含む画像処理方法。
【請求項５】
被写体を撮像し、前記色・感度モザイク画像を生成する撮像ステップを
さらに含む請求項３に記載の画像処理方法。
【請求項６】
前記復元ステップは、
前記色・感度モザイク画像の感度特性の配列を示す感度モザイクパターン情報、および前記色・感度モザイク画像の色成分の配列を示す色モザイクパターン情報に基づき、前記色・感度モザイク画像に対応する輝度画像を生成する輝度画像生成ステップと、
前記感度モザイクパターン情報、前記色モザイクパターン情報、および前記輝度画像に基づき、前記色・感度モザイク画像に対応する単色画像を生成する複数の単色画像生成ステップと
を含む請求項４に記載の画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の一側面である画像処理装置は、各画素が第１乃至第３の色成分のうちのいずれかの色成分、および光強度に対する複数の感度特性のうちいずれかの感度特性を有し、画素の色成分だけに注目した場合、第１乃至３の色成分を有する画素がベイヤ配列に従って配置され、第１の色成分を有する画素に注目した場合、その感度特性がライン毎に異なり、第２の色成分を有する画素に注目した場合、その感度特性が市松模様状に配置され、第３の色成分を有する画素に注目した場合、その感度特性が市松模様状に配置された色・感度モザイク画像に基づき、各画素の感度が均一化されており、かつ、各画素が前記複数の色成分の全ての色成分を有する復元画像を復元する復元手段を備える。
本発明の一側面である画像処理装置は、被写体を撮像し、前記色・感度モザイク画像を生成する撮像手段をさらに備えることができる。
前記復元手段は、前記色・感度モザイク画像の感度特性の配列を示す感度モザイクパターン情報、および前記色・感度モザイク画像の色成分の配列を示す色モザイクパターン情報に基づき、前記色・感度モザイク画像に対応する輝度画像を生成する輝度画像生成手段と、前記感度モザイクパターン情報、前記色モザイクパターン情報、および前記輝度画像に基づき、前記色・感度モザイク画像に対応する単色画像を生成する複数の単色画像生成手段とを含むことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の一側面である画像処理方法は、各画素が第１乃至第３の色成分のうちのいずれかの色成分、および光強度に対する複数の感度特性のうちいずれかの感度特性を有し、画素の色成分だけに注目した場合、第１乃至３の色成分を有する画素がベイヤ配列に従って配置され、第１の色成分を有する画素に注目した場合、その感度特性がライン毎に異なり、第２の色成分を有する画素に注目した場合、その感度特性が市松模様状に配置され、第３の色成分を有する画素に注目した場合、その感度特性が市松模様状に配置された色・感度モザイク画像に基づき、各画素の感度が均一化されており、かつ、各画素が前記複数の色成分の全ての色成分を有する復元画像を復元する復元ステップを含む。
本発明の一側面である画像処理方法は、被写体を撮像し、前記色・感度モザイク画像を生成する撮像ステップをさらに含むことができる。
前記復元ステップは、前記色・感度モザイク画像の感度特性の配列を示す感度モザイクパターン情報、および前記色・感度モザイク画像の色成分の配列を示す色モザイクパターン情報に基づき、前記色・感度モザイク画像に対応する輝度画像を生成する輝度画像生成ステップと、前記感度モザイクパターン情報、前記色モザイクパターン情報、および前記輝度画像に基づき、前記色・感度モザイク画像に対応する単色画像を生成する複数の単色画像生成ステップとを含むことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月7日(2011.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
室内にミストを噴出するミスト噴出手段を有する湯水噴出装置と、
前記浴室内の所定方向へ空気を送風する送風手段を有する空調装置とを備え、
前記湯水噴出装置と前記空調装置は、前記浴室の天井に設置され、前記湯水噴出装置を前記空調装置よりも前記浴室の洗い場側に設置可能とした
ことを特徴とする湯水噴出空調システム。
【請求項２】
前記空調装置は、空気の送風方向を浴槽側と洗い場側との間で選択可能にした
ことを特徴とする請求項１記載の湯水噴出空調システム。
【請求項３】
前記湯水噴出装置は、ミストの噴出方向を浴槽側と洗い場側との間で選択可能にした
ことを特徴とする請求項１又は２記載の湯水噴出空調システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
別体に構成された浴室空調装置及び湯水噴出装置を備える従来の湯水噴出空調システムは、浴室空調装置から浴室内へ送風する空気の送風方向の切り換えが行われない構成である。このため、ミストサウナの使用時に、浴室空調装置からの送風方向が、使用者にとって好ましいものとならない問題があった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述した課題を解決するため、本発明に係る湯水噴出空調システムは、室内にミストを噴出するミスト噴出手段を有する湯水噴出装置と、浴室内の所定方向へ空気を送風する送風手段を有する空調装置とを備え、湯水噴出装置と空調装置は、浴室の天井に設置され、湯水噴出装置を空調装置よりも浴室の洗い場側に設置可能としたことを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る湯水噴出空調システムでは、湯水噴出装置のミスト噴出手段により室内へミストが噴出される。また、本発明に係る湯水噴出空調システムでは、空調装置の送風手段により室内へ空気が送風される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
更に、本発明に係る湯水噴出空調システムでは、ミスト噴出手段によるミストの噴出と、送風手段による空気の送風が連動して行われるミストモードが実行される。またミストモードの実行時には、空調装置は、浴室内の所定方向へ空気を送風する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の湯水噴出空調システムによれば、湯水噴出装置によるミストの噴出と、空調装置による空気の送風が連動して行われるミストモードが実行される。またこの時、空調装置は、浴室内の所定方向へ空気を送風する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月19日(2011.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の内視鏡システムは、独自のリアルタイムクロックを有し、内視鏡画像データを出力する内視鏡装置と、患者情報を収集すると共にそれぞれ独自のリアルタイムクロックを有する複数の医療機器と、前記内視鏡装置および前記複数の医療機器と通信可能であると共に独自のリアルタイムクロックを有する第１のシステムコントローラと、前記第１のシステムコントローラとネットワークを介して通信可能な第２のシステムコントローラと、前記第１のシステムコントローラ内に設置され、当該第１のシステムコントローラ自身のリアルタイムクロックを有すると共に連続的なタイムスタンプを生成可能とする制御手段と、を有する内視鏡システムにおいて、
前記第１のシステムコントローラは、予め前記内視鏡装置および前記複数の医療機器との通信により、前記内視鏡装置または前記複数の医療機器それぞれの医療機器側のリアルタイムクロックと前記第１のシステムコントローラ側のリアルタイムクロックとの時間差を第１の時間差情報として取得し、当該第１の時間差情報と、前記内視鏡装置または前記複数の医療機器と当該第１のシステムコントローラとの通信に伴う第２の時間差情報とに応じた補正値を算出し、その後、前記複数の医療機器における所定のパラメータの変化が発生したタイミングに相当する医療機器側時間情報を当該患者情報と共に記録し、
かつ、前記ネットワークを介して記録した当該患者情報を前記第２のシステムコントローラに送信する際には、当該ネットワークを介して当該第２のシステムコントローラに送信するタイミングに相当するタイムスタンプ情報と共に、前記医療機器側時間情報、前記補正値、および、当該第１のシステムコントローラ側のリアルタイムクロック情報を送信し、
前記第２のシステムコントローラは、受信した前記タイムスタンプ情報、前記医療機器側時間情報、前記補正値、および前記第１のシステムコントローラ側のリアルタイムクロック情報に基づいて、前記内視鏡画像データと同期した前記医療機器における実時間情報を算出する
ことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
独自のリアルタイムクロックを有し、内視鏡画像データを出力する内視鏡装置と、
患者情報を収集すると共にそれぞれ独自のリアルタイムクロックを有する複数の医療機器と、
前記内視鏡装置および前記複数の医療機器と通信可能であると共に独自のリアルタイムクロックを有する第１のシステムコントローラと、
前記第１のシステムコントローラとネットワークを介して通信可能な第２のシステムコントローラと、
前記第１のシステムコントローラ内に設置され、当該第１のシステムコントローラ自身のリアルタイムクロックを有すると共に連続的なタイムスタンプを生成可能とする制御手段と、
を有する内視鏡システムにおいて、
前記第１のシステムコントローラは、予め前記内視鏡装置および前記複数の医療機器との通信により、前記内視鏡装置または前記複数の医療機器それぞれの医療機器側のリアルタイムクロックと前記第１のシステムコントローラ側のリアルタイムクロックとの時間差を第１の時間差情報として取得し、当該第１の時間差情報と、前記内視鏡装置または前記複数の医療機器と当該第１のシステムコントローラとの通信に伴う第２の時間差情報とに応じた補正値を算出し、その後、前記複数の医療機器における所定のパラメータの変化が発生したタイミングに相当する医療機器側時間情報を当該患者情報と共に記録し、
かつ、前記ネットワークを介して記録した当該患者情報を前記第２のシステムコントローラに送信する際には、当該ネットワークを介して当該第２のシステムコントローラに送信するタイミングに相当するタイムスタンプ情報と共に、前記医療機器側時間情報、前記補正値、および、当該第１のシステムコントローラ側のリアルタイムクロック情報を送信し、
前記第２のシステムコントローラは、受信した前記タイムスタンプ情報、前記医療機器側時間情報、前記補正値、および前記第１のシステムコントローラ側のリアルタイムクロック情報に基づいて、前記内視鏡画像データと同期した前記医療機器における実時間情報を算出する
ことを特徴とする内視鏡システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月23日(2011.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子と該光電変換素子で生じた電荷に基づく信号を読み出す複数の第１のＭＯＳトランジスタとを含む画素が複数配された光電変換領域と、
前記画素に含まれる複数の第１のＭＯＳトランジスタのうちのいずれかのＭＯＳトランジスタの駆動もしくは前記光電変換領域から読み出される信号の処理の少なくとも一方を行なう複数の第２のＭＯＳトランジスタが配された周辺回路領域とが、同一の半導体基板に配された光電変換装置であって、
前記複数の第１のＭＯＳトランジスタのうちいずれかのドレインの不純物濃度は、前記第２のＭＯＳトランジスタのドレインの不純物濃度よりも低いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
光電変換素子と該光電変換素子で生じた電荷に基づく信号を読み出す複数の第１のＭＯＳトランジスタとを含む画素が複数配された光電変換領域と、
前記複数の第１のＭＯＳトランジスタのうちのいずれかのＭＯＳトランジスタの駆動もしくは前記光電変換領域から読み出される信号の処理の少なくとも一方を行なう複数の第２のＭＯＳトランジスタが配された周辺回路領域とが、同一の半導体基板に配された光電変換装置であって、
前記第１、第２のＭＯＳトランジスタのドレインは、導電体と直接接触している第１の領域と、該第１の領域と前記第１、第２のＭＯＳトランジスタのそれぞれのチャネルとの間に配された第２の領域とを有し、前記第２のＭＯＳトランジスタの第２の領域は、更に、チャネルに近接した第３の領域と、該第３の領域と第１の領域の間に配された第４の領域を有しており、
前記第１のＭＯＳトランジスタの第２の領域の不純物濃度は、前記第２のＭＯＳトランジスタの第４の領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
前記第２のＭＯＳトランジスタのドレインは、ＬＤＤ構造であることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第２のＭＯＳトランジスタのゲート電極の側壁にサイドスペーサが配されており、前記第１のＭＯＳトランジスタのゲート電極の側壁にはサイドスペーサが配されていないことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記光電変換領域の全体を覆って絶縁膜が配されており、前記第２のＭＯＳトランジスタのサイドスペーサは、前記絶縁膜と同じ層構成であることを特徴とする請求項４に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記絶縁膜は前記光電変換素子表面での入射光の反射を低減する反射防止膜であることを特徴とする請求項５に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記反射防止膜は水素分子を含むシリコン窒化膜である請求項６記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記画素に含まれる複数の第１のＭＯＳトランジスタは、
前記光電変換素子で生じた電荷に基づく信号を増幅する増幅ＭＯＳトランジスタと、
前記光電変換素子で生じた電荷を前記増幅ＭＯＳトランジスタの入力部に転送する転送ＭＯＳトランジスタと、
前記増幅ＭＯＳトランジスタのゲートに電気的に接続されたリセットＭＯＳトランジスタと、を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項９】
光電変換素子と、該光電変換素子で生じた電荷を浮遊拡散領域に転送する転送ＭＯＳトランジスタと、前記浮遊拡散領域とゲートが接続された増幅ＭＯＳトランジスタとを含む画素が複数配された光電変換領域と、
前記転送ＭＯＳトランジスタの駆動もしくは前記光電変換領域から読み出される信号の処理の少なくとも一方を行なう複数の周辺ＭＯＳトランジスタが配された周辺回路領域とが、同一の半導体基板に配された光電変換装置であって、
前記浮遊拡散領域の不純物濃度は、前記第２のＭＯＳトランジスタのドレインの不純物濃度よりも低いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項１０】
光電変換素子と、該光電変換素子で生じた電荷を浮遊拡散領域に転送する転送ＭＯＳトランジスタと、前記浮遊拡散領域とゲートが接続された増幅ＭＯＳトランジスタとを含む画素が複数配された光電変換領域と、
前記転送ＭＯＳトランジスタの駆動もしくは前記光電変換領域から読み出される信号の処理の少なくとも一方を行なう複数の周辺ＭＯＳトランジスタが配された周辺回路領域とが、同一の半導体基板に配された光電変換装置であって、
前記浮遊拡散領域及び、前記周辺ＭＯＳトランジスタのドレインは、導電体と直接接触している第１の領域と、
前記浮遊拡散領域の第１の領域と前記転送ＭＯＳトランジスタのチャネルとの間に配された第２の領域と、
前記周辺ＭＯＳトランジスタの第１の領域と前記周辺ＭＯＳトランジスタのチャネルとの間に配された第３の領域と、を有し、
前記第３の領域は、更に、チャネルに近接した第４の領域と、該第４の領域と前記周辺ＭＯＳトランジスタの第１の領域の間に配された第５の領域を有しており、
前記浮遊拡散領域の第２の不純物濃度は、前記周辺ＭＯＳトランジスタの第５の領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項１１】
前記周辺ＭＯＳトランジスタのゲート電極の側壁にサイドスペーサが配されており、前記転送ＭＯＳトランジスタのゲート電極の側壁にはサイドスペーサが配されていないことを特徴とする請求項９または１０のいずれかに記載の光電変換装置。
【請求項１２】
光電変換素子と、該光電変換素子で生じた電荷に基づく信号を読み出すための複数の第１のＭＯＳトランジスタとを含む画素が複数配された光電変換領域と、
前記画素に含まれる複数の第１のＭＯＳトランジスタのうちのいずれかのＭＯＳトランジスタの駆動もしくは前記光電変換領域から読み出される信号の処理の少なくとも一方を行なう複数の第２のＭＯＳトランジスタが配された周辺回路領域とが、同一の半導体基板に配された光電変換装置の製造方法であって、
前記第１、第２のＭＯＳトランジスタのゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極をマスクに第１導電型の不純物を導入する工程と、
前記光電変換領域及び周辺回路領域を覆って、絶縁膜を形成する工程と、
前記光電変換領域に形成された前記絶縁膜をマスクにより保護し、前記周辺回路領域の前記絶縁膜をエッチバックにより除去して、前記第２のＭＯＳトランジスタのゲート電極側壁にサイドウォールを形成する工程と、
前記光電変換領域に配された前記絶縁膜及び前記サイドウォールをマスクに第１導電型の不純物を導入する工程と、
前記光電変換領域及び周辺回路領域全体を覆うように第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜の前記ドレイン領域に対応した領域に、コンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールにセルフアラインで第１導電型の不純物を導入する工程と、を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれかの請求項に記載の光電変換装置と、該光電変換装置へ光を結像する光学系と、該光電変換装置からの出力信号を処理する信号処理回路とを有することを特徴とする撮像システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月17日(2010.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置において、
画像を表示する表示パネルと、
前記表示パネルに光を供給する複数のランプユニットと、
前記複数のランプユニットと其々に電気的に接続される複数のパターンキャパシターが形成されたインバーターとを含んで、
前記パターンキャパシターは印刷回路基板と、前記印刷回路基板の少なくとも一面に形成された複数の導電膜を含んで、
前記複数のパターンキャパシターのうち少なくとも一つのパターンキャパシターは他のパターンキャパシターと相異なる電気容量を持つことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記複数のランプユニットは前記インバーターに並列に接続されたことを特徴とする、請求項１の記載の表示装置。
【請求項３】
前記導電膜は前記印刷回路基板の両面に相互に対応するよう一対に形成されることを特徴とする、請求項１の記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数のパターンキャパシターの中の少なくとも一つのパターンキャパシターの導電膜は他のパターンキャパシターの導電膜と相異なる面積を持つことを特徴とする、請求項１乃至３の中のいずれか一項の記載の表示装置。
【請求項５】
前記表示パネルの一辺に接続されたデータ駆動部を更に含んで、
前記複数のランプユニットは前記表示パネルの背面の全体に渡って配置されて、
前記データ駆動部に隣接する外郭の部分にある前記ランプユニットに接続された前記パターンキャパシターの導電膜の面積は、前記データ駆動部から離れた外郭の部分にある前記ランプユニットに接続された前記パターンキャパシターの導電膜の面積より小さいことを特徴とする、請求項４の記載の表示装置。
【請求項６】
一つの前記パターンキャパシターは前記ランプユニットに接続された主キャパシターと、
前記主キャパシターの回りに配置された少なくとも一つの副キャパシターとを含んで、
一つの前記主キャパシターは一対の主導電膜を含んで、
少なくとも一つの前記副キャパシターは其々に一対の副導電膜を含むことを特徴とする、請求項４の記載の表示装置。
【請求項７】
前記複数のパターンキャパシターの全ての主キャパシターは実質的に同じ面積を持って、
前記少なくとも一つの副キャパシターは前記主キャパシターに選択的に接続あるいは遮断されることを特徴とする、請求項６の記載の表示装置。
【請求項８】
前記表示パネルの一辺に接続されたデータ駆動部を更に含んで、
前記複数のランプユニットは前記表示パネルの背面の全体に渡って配置されて、
前記データ駆動部に隣接する外郭の部分にある前記ランプユニットに接続された前記パターンキャパシターは、前記データ駆動部から離れた外郭の部分にある前記ランプユニットに接続された前記パターンキャパシターより前記主キャパシターに接続された前記副キャパシターの数が少ないことを特徴とする、請求項７の記載の表示装置。
【請求項９】
前記表示パネルの一辺に接続されたデータ駆動部を更に含んで、
前記複数のランプユニットは前記表示パネルの背面の全体に渡って配置されて、
前記データ駆動部に隣接する外郭の部分にある前記ランプユニットに接続された前記パターンキャパシターは、前記データ駆動部から離れた外郭の部分にある前記ランプユニットに接続された前記パターンキャパシターより小さい電気容量を持って、
前記複数のランプユニットに実質的に同じ管電流が流れることを特徴とする、請求項４の記載の表示装置。
【請求項１０】
前記複数のランプユニットは其々に冷陰極蛍光ランプを含むことを特徴とする、請求項１乃至３の中のいずれか一項の記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月8日(2011.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の部材に、被実装部品と、前記被実装部品の高さより高い複数の導電部材であって、前記導電部材のそれぞれの前記第１の部材に実装する側の端部の径は、逆側の端部の径よりも大きく、さらに前記逆側の端部が互いにつながっていない状態である前記導電部材と、を実装する工程と、
前記第１の部材上の前記導電部材の周囲に、前記導電部材の前記第１の部材と逆側の端部を露出させて補強部材を形成する補強工程と、を備え、
前記補強工程において、前記補強部材の前記第１の部材と逆の面を研磨して平坦化する
と共に導電部材の端部を露出させることを特徴とする積層実装構造体の製造方法。
【請求項２】
前記導電部材の前記第１の部材と逆側の端部を露出させて前記補強部材を形成した後、露出した前記導電部材の端部表面に金属膜を形成する工程と、
前記導電部材端部表面の金属膜上にバンプを形成する工程と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の積層実装構造体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】積層実装構造体の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の積層実装構造体の製造方法は、第１の部材に、被実装部品と、前記被実装部品の高さより高い複数の導電部材であって、前記導電部材のそれぞれの前記第１の部材に実装する側の端部の径は、逆側の端部の径よりも大きく、さらに前記逆側の端部が互いにつながっていない状態である前記導電部材と、を実装する工程と、
前記第１の部材上の前記導電部材の周囲に、前記導電部材の前記第１の部材と逆側の端部を露出させて補強部材を形成する補強工程と、を備え、
前記補強工程において、前記補強部材の前記第１の部材と逆の面を研磨して平坦化する
と共に導電部材の端部を露出させることを特徴とする。
また、本発明の好ましい態様によれば、前記導電部材の前記第１の部材と逆側の端部を露出させて前記補強部材を形成した後、露出した前記導電部材の端部表面に金属膜を形成する工程と、
前記導電部材端部表面の金属膜上にバンプを形成する工程と、を備えることが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明にかかる積層実装構造体の製造方法によれば、狭ピッチ化を実現できるとともに、被実装部品を実装することのできる高さを確保することのできる積層実装構造体の製造方法を提供することができるという効果を奏する。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
以下に、本発明にかかる積層実装構造体の製造方法の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施例によりこの発明が限定されるものではない。
本発明に係る積層実装構造体の製造方法は、回路基板上に被実装部品を実装すると同時に、その中の最も背の高い部品より長い導電部材を、回路基板上の電極に基板と垂直に固定・接続し、導電部材と被実装部品の間隙に樹脂を充填した後、研磨によって導電部材の頭部のみを露出させる。露出した導電部材に対して、第２の基板を接続、もしくは研磨面に印刷によって回路を形成することで、上下の回路基板を電気的、機械的に接続固定するものであって、これにより本発明に係る積層実装構造体が形成される。以下に具体的な実
施例について説明する。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
以上のように、本発明にかかる積層実装構造体の製造方法は、実装構造体の小型化に有用であり、特に、内視鏡先端撮像ユニットの高密度実装に適している。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月19日(2011.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面状、線状又は矩形状のイオンビームを単結晶半導体基板に照射して、前記単結晶半導体基板の表面から所定の深さに第１のイオンを添加することにより剥離層を形成し、
前記単結晶半導体基板に形成された剥離層の一部に第２のイオンを添加し、
前記単結晶半導体基板の表面とベース基板の表面とを対向させ、前記単結晶半導体基板上に形成された絶縁層の表面と前記ベース基板の表面とを接合させ、
前記単結晶半導体基板を、前記剥離層を劈開面として劈開させることにより、前記ベース基板上に単結晶半導体層を形成する工程を含み、
前記第２のイオンの質量数を前記第１のイオンの質量数と同一又は前記第１のイオンの質量数より大きくすることを特徴とする基板の作製方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板の表面に窒素含有層を形成し、
前記窒素含有層を介して面状、線状又は矩形状のイオンビームを単結晶半導体基板に照射して、前記単結晶半導体基板の表面から所定の深さに第１のイオンを添加することにより剥離層を形成し、
前記単結晶半導体基板に形成された剥離層の一部に第２のイオンを添加し、
前記窒素含有層上に絶縁層を形成し、
前記単結晶半導体基板の表面とベース基板の表面とを対向させ、前記絶縁層の表面と前記ベース基板の表面とを接合させ、
前記単結晶半導体基板を、前記剥離層を劈開面として劈開させることにより、前記ベース基板上に単結晶半導体層を形成する工程を含み、
前記第２のイオンの質量数を前記第１のイオンの質量数と同一又は前記第１のイオンの質量数より大きくすることを特徴とする基板の作製方法。
【請求項３】
ハロゲンを含む酸化雰囲気中で熱処理を行い単結晶半導体基板の表面に酸化膜を形成し、
前記酸化膜を介して面状、線状又は矩形状のイオンビームを前記単結晶半導体基板に照射して、前記単結晶半導体基板の表面から所定の深さに第１のイオンを添加することにより剥離層を形成し、
前記単結晶半導体基板に形成された剥離層の一部に第２のイオンを添加し、
前記酸化膜の表面に絶縁層を形成し、
前記単結晶半導体基板の表面とベース基板の表面とを対向させ、前記絶縁層の表面と前記ベース基板の表面とを接合させ、
前記単結晶半導体基板を、前記剥離層を劈開面として劈開させることにより、前記ベース基板上に単結晶半導体層を形成する工程を含み、
前記第２のイオンの質量数を前記第１のイオンの質量数と同一又は前記第１のイオンの質量数より大きくすることを特徴とする基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１のイオンの添加はイオンドーピング法を用い、前記第２のイオンの添加はイオン注入法を用いることを特徴とする基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第２のイオンは、前記単結晶半導体基板の周縁又は前記半導体基板の周縁付近に選択的に添加することを特徴とする基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１のイオンとして、Ｈ＋、Ｈ２＋、Ｈ３＋を用いることを特徴とする基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第２のイオンとして、質量分離して得られたＨ３＋又はＨｅ＋を用いることを特徴とする基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記ベース基板上に前記単結晶半導体層を形成した後に、前記単結晶半導体層の表面に不活性雰囲気下でレーザー光を照射することを特徴とする基板の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記単結晶半導体基板の表面を｛１１０｝面とすることを特徴とする基板の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記ベース基板として、ガラス基板を用いることを特徴とする基板の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記絶縁層は、有機シランガスを用いて化学気相成長法により形成される酸化シリコン膜を用いることを特徴とする基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月23日(2011.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体層を有する第１の電界効果トランジスタと、第２の半導体層を有する第２の電界効果トランジスタと、表示素子と、を有し、
前記第１の電界効果トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記表示素子と電気的に接続され、
前記第１の電界効果トランジスタのゲートは、前記第２の電界効果トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続された表示装置であって、
前記第１の電界効果トランジスタ上には第１の平坦化層が設けられ、
前記第１の平坦化層上には前記第２の電界効果トランジスタが設けられ、
前記第２の電界効果トランジスタ上には第２の平坦化層が設けられ、
前記第２の平坦化層上には配線が設けられ、
前記配線上には第３の平坦化層が設けられ、
前記第３の平坦化層上には前記表示素子が設けられ、
前記第１の電界効果トランジスタのゲートと、前記第２の電界効果トランジスタのソース又はドレインの一方と、は前記配線により電気的に接続されており、
前記配線は、前記第２の平坦化層、前記第２の半導体層、及び前記第１の平坦化層を貫通して形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の平坦化層上であって前記第２の平坦化層下には、第３の電界効果トランジスタが設けられ、
前記配線は前記第３の電界効果トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の半導体層と同一層の第３の半導体層を有する容量素子を有し、
前記容量素子は、前記第１の電界効果トランジスタのゲートと電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の電界効果トランジスタはｐチャネル型電界効果トランジスタであり、
前記第２の電界効果トランジスタはｎチャネル型電界効果トランジスタであり、
前記第１の半導体層はチャネル長方向が＜１１０＞軸となるように形成されており、
前記第２の半導体層はチャネル長方向が＜１００＞軸となるように形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の半導体層は、｛１１０｝面の第１の半導体基板より分離して設けられたものであり、
前記第２の半導体層は、｛１００｝面の第２の半導体基板より分離して設けられたものであることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板上に、
第１の半導体層、第１のゲート絶縁層、第１のゲート電極層、第１のソース電極層及び第１のドレイン電極層を含む第１の電界効果トランジスタと、
前記第１の電界効果トランジスタ上に平坦化層と、
前記平坦化層上に、第２の半導体層、第２のゲート絶縁層、第２のゲート電極層、第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層を含む第２の電界効果トランジスタと、を積層構造で有する画素を複数有し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は半導体基板より分離して設けられており、
前記第１の電界効果トランジスタは、前記第１の半導体層と前記絶縁表面を有する基板との間に形成された第１の絶縁層と接合して前記絶縁表面を有する基板上に設けられ、
前記第２の電界効果トランジスタは、前記平坦化層上に設けられた第２の絶縁層と接合して前記第１の電界効果トランジスタ上に設けられ、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は平坦化層を介して一部重なっており、前記第２の半導体層、前記第２の絶縁層、前記平坦化層を貫通し前記第１のゲート電極層に達する開口に形成された配線によって、前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第２の電界効果トランジスタは電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。