Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月22日(2010.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属材料からなる基材と、
前記基材の一部に設けられ、半導体素子を搭載可能な素子搭載部と、
前記基材の表面の一部であって、前記素子搭載部に搭載される前記半導体素子を封止する封止材が接触する領域の少なくとも一部に設けられる粗化面と
を備え、さらに、
前記粗化面は、前記基材の前記表面よりも前記基材の内側に位置するリードフレーム。
【請求項２】
前記粗化面は、前記基材の前記表面の粗さより粗い粗さを有する請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記基材の前記表面の一部に設けられる導電層を更に備える請求項２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
金属材料からなる基材と、
前記基材の一部に設けられる素子搭載部に搭載される半導体素子と、
前記半導体素子を封止する封止部と、
前記基材の表面の一部であって、前記封止部が接触する領域の少なくとも一部に設けられる粗化面と
を備え、さらに、
前記粗化面は、前記基材の前記表面よりも前記基材の内側に位置する半導体装置。
【請求項５】
前記粗化面は、前記基材の前記表面の粗さより粗い粗さを有する請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記基材の前記表面の一部に設けられる導電層を更に備える請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
金属材料からなる基材を準備する基材準備工程と、
前記基材の表面の予め定められた領域にマスク部材を設けるマスク工程と、
前記マスク部材をマスクとして前記基材の表面に粗化処理を施して粗化処理済み基材を形成する粗化工程と、
前記粗化処理済み基材にプレス処理を施すプレス加工工程と
を備え、さらに、
前記粗化工程は、前記基材の前記表面よりも前記基材の内側に位置する粗化面を前記基材の前記表面の一部に形成するリードフレームの製造方法。
【請求項８】
前記粗化工程は、前記基材の前記表面の粗さより粗い粗さを有する前記粗化面を形成する請求項７に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項９】
前記マスク工程は、前記マスク部材を前記基材の前記表面に設けるリールめっき装置にて実施され、
前記粗化工程は、前記リールめっき装置内で実施される請求項８に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１０】
前記基材の表面の一部に導電層を形成する導電層形成工程
を更に備える請求項９に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１１】
前記基材準備工程は、前記基材がコイル状に巻かれたコイル状の基材を準備し、
前記プレス加工工程後に前記プレス処理が施された前記粗化処理済み基材をコイル状に巻き取る巻取り工程
を更に備える請求項１０に記載のリードフレームの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月9日(2011.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素の基板上に形成された第１導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の上部に選択的に形成された第２導電型領域とを有し、
前記第２導電型領域と前記ドリフト層との境界のｐｎ接合に降伏電圧が印加されたとき当該ｐｎ接合から伸びる空乏層が前記ドリフト層を突き抜けないノンパンチスルー型の半導体素子を備える半導体装置であって、
前記第２導電型領域は、
端部に、中央部よりも第２導電型不純物濃度プロファイルの前記ドリフト層の深さ方向への裾引きが長い部分を有している
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子はＩＧＢＴであり、
前記第２導電型領域は、前記ＩＧＢＴのボディ層であり、
前記第２導電型領域の端部は、前記ＩＧＢＴのチャネル形成領域である
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体素子はＩＧＢＴであり、
前記第２導電型領域は、前記ＩＧＢＴのボディ層であり、
前記第２導電型領域の端部は、前記ＩＧＢＴの形成領域の外周部である終端領域である
請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記終端領域は、外側が深く形成された段階的な構造を有している
請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体素子はダイオード素子であり、
前記ｐｎ接合の中央部は、当該ダイオード素子の活性領域であり、
前記ｐｎ接合の端部は、前記活性領域の外周部である終端領域である
請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記終端領域は、外側が深く形成された段階的な構造を有している
請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
基準面である結晶面から所定のオフ角だけ傾いた表面を有する炭化珪素の基板を準備する工程と、
前記基板上に第１導電型のドリフト層を形成する工程と、
前記ドリフト層の上部に第２導電型領域を選択的に形成するイオン注入工程とを備え、
前記イオン注入工程は、
前記第２導電型領域の中央部を含む領域を形成するための第１のイオン注入と、
前記第２導電型領域の端部を形成するための第２のイオン注入とを含み、
前記第１のイオン注入の注入方向が前記基準面の垂線と成す角は、前記第２のイオン注入の注入方向が前記基準面の垂線と成す角度よりも大きい
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２導電型領域は、ＩＧＢＴのボディ層であり、
前記第２導電型領域の端部は、前記ＩＧＢＴのチャネル形成領域である
請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２導電型領域は、ＩＧＢＴのボディ層であり、
前記第２導電型領域の端部は、前記ＩＧＢＴの形成領域の外周部である終端領域である
請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記終端領域の外側の部分に、イオン注入によって前記終端領域より深く第２導電型の領域を形成する工程をさらに備える
請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記ドリフト層と前記第２導電型領域とはダイオード素子を構成し、
前記ドリフト層と前記第２導電型領域との間のｐｎ接合の中央部は、当該ダイオード素子の活性領域であり、
前記ｐｎ接合の端部は、前記活性領域の外周部である終端領域である
請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記終端領域の外側の部分に、イオン注入によって前記終端領域より深く第２導電型の領域を形成する工程をさらに備える
請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記イオン注入工程は、
当該イオン注入工程で行う各イオン注入の注入方向を設定する工程を含み、
前記注入方向の設定工程では、
前記基準面の垂線に対する所望の注入角度を得ることが可能な注入方向が複数存在する場合、そのうち前記ドリフト層上面の垂線に近いものが選定される
請求項７から請求項１２のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月9日(2011.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素の基板上に形成された第１導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の上部に選択的に形成された第２導電型領域とを有し、
前記第２導電型領域と前記ドリフト層との境界のｐｎ接合に降伏電圧が印加されたとき当該ｐｎ接合から伸びる空乏層が前記ドリフト層を突き抜けるパンチスルー型の半導体素子を備える半導体装置であって、
前記第２導電型領域は、
中央部に、端部よりも第２導電型不純物濃度プロファイルの前記ドリフト層の深さ方向への裾引きが長い部分を有している
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子はＭＯＳＦＥＴであり、
前記第２導電型領域は、前記ＭＯＳＦＥＴのボディ層であり、
前記第２導電型領域の端部は、前記ＭＯＳＦＥＴのチャネル形成領域である
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体素子はＭＯＳＦＥＴであり、
前記第２導電型領域は、前記ＭＯＳＦＥＴのボディ層であり、
前記第２導電型領域の端部は、前記ＭＯＳＦＥＴの形成領域の外周部である終端領域である
請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記終端領域は、外側が浅く形成された段階的な構造を有している
請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ＭＯＳＦＥＴは、
前記第２導電型領域内に形成されたソース領域に接続するソース電極をさらに備え、
前記第２導電型領域は、
当該第２導電型領域の中央部に配設され、前記ソース電極に接続するコンタクト領域を含んでおり、
前記コンタクト領域の第２導電型不純物濃度プロファイルの前記ドリフト層の深さ方向への裾引きが、前記第２導電型領域の他の部分よりも長い
請求項２から請求項４のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項６】
基準面である結晶面から所定のオフ角だけ傾いた表面を有する炭化珪素の基板を準備する工程と、
前記基板上に第１導電型のドリフト層を形成する工程と、
前記ドリフト層の上部に第２導電型領域を選択的に形成するイオン注入工程とを備え、
前記イオン注入工程は、
前記第２導電型領域の中央部を含む領域を形成するための第１のイオン注入と、
前記第２導電型領域の端部を形成するための第２のイオン注入とを含み、
前記第１のイオン注入の注入方向が前記基準面の垂線と成す角は、前記第２のイオン注入の注入方向が前記基準面の垂線と成す角度よりも小さい
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２導電型領域は、ＭＯＳＦＥＴのボディ層であり、
前記第２導電型領域の端部は、前記ＭＯＳＦＥＴのチャネル形成領域である
請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２導電型領域は、ＭＯＳＦＥＴのボディ層であり、
前記第２導電型領域の端部は、前記ＭＯＳＦＥＴの形成領域の外周部である終端領域である
請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記終端領域の外側の部分に、イオン注入によって前記終端領域より浅く第２導電型の領域を形成する工程をさらに備える
請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２導電型領域内に、イオン注入によって第１導電型のソース領域を形成する工程と、
前記ソース領域に接続するソース電極を形成する工程とをさらに備え、
前記イオン注入工程は、
前記第２導電型領域の中央部に、前記ソース電極に前記ソース領域と共に接続する第２導電型のコンタクト領域を形成する第３のイオン注入を含み、
前記第３のイオン注入の注入方向が前記基準面の垂線と成す角は、前記第１のイオン注入の注入方向が前記基準面の垂線と成す角よりも小さい
請求項７から請求項９のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記イオン注入工程は、
当該イオン注入工程で行う各イオン注入の注入方向を設定する工程を含み、
前記注入方向の設定工程では、
前記基準面の垂線に対する所望の注入角度を得ることが可能な注入方向が複数存在する場合、そのうち前記ドリフト層上面の垂線に近いものが選定される
請求項６から請求項１０のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月28日(2011.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上述の課題を解決するために、本発明に係る光半導体装置モジュールは、光半導体装置と、光半導体装置を実装搭載するための少なくとも2つの配線パッド及び熱引き用パッドが形成された配線基板と、配線パッドの少なくとも１つと熱引き用パッドとの間の配線基板上に設けられた熱伝導チップとを具備し、熱伝導チップが、少なくとも第１、第２の電極と、第１、第２の電極間に設けられた絶縁性高熱伝導部材とを具備し、第１の電極が配線パッドの少なくとも１つに接続され、第２の電極が熱引き用パッドに接続されたものである。これにより、光半導体装置からの熱は、配線パッドの少なくとも１つ及び熱伝導チップを介して熱引き用パッドに放熱され、この結果、発光効率が向上する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、光半導体装置に用いられる熱伝導チップは、少なくとも第１、第２の電極と、第１、第２の電極間に設けられた絶縁性高熱伝導部材とを具備する。これにより、電気的接続の影響を受けずに種々の放熱接続が可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体装置と、
該光半導体装置を実装搭載するための少なくとも2つの配線パッド及び熱引き用パッドが形成された配線基板と、
前記配線パッドの少なくとも１つと前記熱引き用パッドとの間の前記配線基板上に設けられた熱伝導チップと
を具備し、
前記熱伝導チップが、
少なくとも第１、第２の電極と、
該第１、第２の電極間に設けられた絶縁性高熱伝導部材と
を具備し、
前記第１の電極が前記配線パッドの少なくとも１つに接続され、
前記第２の電極が前記熱引き用パッドに接続された光半導体装置モジュール。
【請求項２】
前記絶縁性高熱伝導部材が絶縁耐圧が1kV/mm以上かつ空気の熱伝導率より大きい熱伝導率を有する請求項１に記載の光半導体装置モジュール。
【請求項３】
前記絶縁性高熱伝導部材がアルミナ及び窒化アルミニウムの1つよりなる請求項２に記載の光半導体装置モジュール。
【請求項４】
前記絶縁性高熱伝導部材の表面に放熱加工部を設けた請求項１〜３のいずれかに記載の光半導体装置モジュール。
【請求項５】
前記放熱加工部が前記絶縁性高熱伝導部材の上面、側面、裏面のいずれか1つ以上に前記第１、第２の電極間を接続しないように設けられた金属めっき層である請求項４に記載の光半導体装置モジュール。
【請求項６】
前記放熱加工部が前記絶縁性高熱伝導部材の上面、側面、裏面のいずれか1つ以上に設けられた凹凸面である請求項４に記載の光半導体装置モジュール。
【請求項７】
前記放熱加工部が前記絶縁性高熱伝導部材の上面、側面、裏面のいずれか1つ以上に前記第１、第２の電極間を接続しないように貼り付けられた金属板である請求項４に記載の光半導体装置モジュール。
【請求項８】
前記第１、第２の電極間ギャップがスパークギャップとして作用する請求項１〜７のいずれかに記載の光半導体装置モジュール。
【請求項９】
前記熱引き用パッドが接地電極パッドである請求項８に記載の光半導体装置モジュール。
【請求項１０】
前記配線パッドの他の1つと前記熱引き用パッドとの間にさらに熱伝導チップが設けられた請求項１〜９のいずれかに記載の光半導体装置モジュール。
【請求項１１】
少なくとも第１、第２の電極と、
該第１、第２の電極間に設けられた絶縁性高熱伝導部材と
を具備する熱伝導チップ。
【請求項１２】
前記絶縁性高熱伝導部材が絶縁耐圧が1kV/mm以上かつ空気の熱伝導率より大きい熱伝導率を有する請求項１１に記載の熱伝導チップ。
【請求項１３】
前記絶縁性高熱伝導部材がアルミナ及び窒化アルミニウムの1つよりなる請求項１１に記載の熱伝導チップ。
【請求項１４】
前記絶縁性高熱伝導部材の表面に放熱加工部を設けた請求項１０に記載の熱伝導チップ。
【請求項１５】
前記放熱加工部が前記絶縁性高熱伝導部材の上面、側面、裏面のいずれか1つ以上に前記第１、第２の電極間を接続しないように設けられた金属めっき層である請求項１４に記載の熱伝導チップ。
【請求項１６】
前記放熱加工部が前記絶縁性高熱伝導部材の上面、側面、裏面のいずれか1つ以上に設けられた凹凸面である請求項１４に記載の熱伝導チップ。
【請求項１７】
前記放熱加工部が前記絶縁性高熱伝導部材の上面、側面、裏面のいずれか1つ以上に前記第１、第２の電極間を接続しないように貼り付けられた金属板である請求項１４に記載の熱伝導チップ。
【請求項１８】
前記第１、第２の電極間ギャップがスパークギャップとして作用する請求項１１〜１７のいずれかに記載の熱伝導チップ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月25日(2010.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録素子を有する変換ヘッドを形成するための方法であって、
縁部を有する台座部を、記録ポールおよびギャップ層を含む構造の上に形成するステップと、
前方シールドを前記台座部上に堆積するステップと、
前記前方シールドをエッチングするステップとを含み、前記縁部の上の前記前方シールドはエッチングの後に残存し、前記方法はさらに、
前記エッチングの後、バックフィル層を前記前方シールド上に堆積するステップを含む、方法。
【請求項２】
ＡＢＳを規定するよう前記変換ヘッドをラッピングするステップをさらに含み、前記変換ヘッドをラッピングするステップは前記バックフィル層の少なくとも一部を取除く、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記変換ヘッドをラッピングするステップは前記ＡＢＳにて前記前方シールドを露出させる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記前方シールドの厚さはラッピングの前に規定され、ラッピングの間、一定のままである、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記変換ヘッドをラッピングするステップは、前記ＡＢＳと前記前方シールドとの間の前記バックフィル層の一部を残す、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記前方シールドはイオンビーム堆積技術およびプラズマ気相堆積技術のいずれかを用いて堆積される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記前方シールドは、イオンミリング技術、反応イオンエッチング技術、および反応イオンビームエッチング技術のいずれかを用いてエッチングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記台座部を形成するステップは、前記ギャップ層が前記記録ポールと前記台座部との間を延在するように行われる、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月10日(2011.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングと、
ハウジング内に収容され、外部からの電波を受信するためのアンテナと、
ハウジング内に配置された文字板と、
を備えた無線機能付き時計であって、
前記アンテナの少なくとも一方の開放端部の少なくとも一部が、
断面視において、前記文字板の外周端部から鉛直方向に延ばした文字板外周端延長線と、
前記ハウジングの導電性部位の内周端部のうち内周径が最も小さい内周端部から鉛直方向に延ばしたハウジング内周端延長線との間に位置するように配置することを特徴とする無線機能付き時計。
【請求項２】
前記ハウジング内における文字板の上方に、非導電性の見返しリングを備え、
前記見返しリングが、光を透過する透光性材料によって構成され、
前記ハウジング内における見返しリングの半径方向外側に、ソーラーセルが備えられることを特徴とする請求項１に記載の無線機能付き時計。
【請求項３】
前記文字板が導電性部材によって構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の無線機能付き時計。
【請求項４】
前記文字板の一部が、非導電性部材によって構成されていることを特徴とする請求項３に記載の無線機能付き時計。
【請求項５】
前記文字板の、前記アンテナの上方近傍の部分が、非導電性部材によって構成されていることを特徴とする請求項４に記載の無線機能付き時計。
【請求項６】
前記文字板の、前記アンテナの少なくとも一方の開放端部に対向して、該開放端部の上方近傍の部分が、非導電性部材によって構成されていることを特徴とする請求項４に記載の無線機能付き時計。
【請求項７】
前記文字板が、円盤状の導電性部材と、前記導電性部材の外周部を囲繞する非導電性部材とから構成されることを特徴とする請求項４から６のいずれかに記載の無線機能付き時計。
【請求項８】
前記アンテナが、断面視において、前記文字板の下面から水平方向に延ばした文字板下面延長線とハウジング内部下端線とから等距離の位置にある中間仮想線よりも上側に位置することを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の無線機能付き時計。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月18日(2011.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図１０は、第１、第２の実施の形態において温度測定を行うときに一台の温度測定装置１１から送信される掃引信号波の周波数の変化図であり、各チャンネルＣｈ毎に階段状に変換していることを示している。
図示する掃引信号波は、任意の周波数帯から始まり段階的にステップアップしながら先ずチャンネル１へ送信されるものである。そして、図示するチャンネルＣｈ１での受信タイミングで圧電素子温度センサ１６からの残響振動波を待機する。この受信期間に残響振動波を受信することが出来たら、次のチャンネルＣｈ２へ切り換えて掃引信号波を送信し、同様にチャンネルＣｈ２において残響振動を波を検出し、以下、全てのチャンネルの残響振動波の検出から、測定用シリコンウエハ１８上の各点の温度情報を取得する。
図１０では、温度測定装置１１から各チャンネルＣｈへ掃引信号波を送信する前の期間ｔは、受信した残響振動波を基に温度の計測と演算を行うための時間としている。
なお、図１０では、第１、第２の実施の形態における掃引信号波の周波数変化について説明したが、単一の大型送受信アンテナ２０で全てのチャンネルＣｈを掃引する第３の実施の形態については、温度測定装置１１は、全てのチャンネルＣｈからの残響振動波が受信できるように、周波数を徐々に変化させながらより広い掃引幅で掃引信号波を送信し続けるようにする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2009229428.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月18日(2011.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
潜像担持体上に形成された静電潜像をトナーを用いて現像してトナー像を形成する現像工程、及び前記トナー像を、中間転写体を介してまたは介さずに被転写材に転写する転写工程を有する画像形成方法であって、
前記転写工程は、弾性固定転写部材を用いてトナー像を転写させる工程であり、
前記弾性固定転写部材は、シート部材を介して前記潜像担持体と接触しており、
前記シート部材は、中間転写体または被転写材搬送体の裏面に転写電界を付与し、
前記中間転写体または被転写材搬送体と前記シート部材が接触する接触領域が前記潜像担持体と前記中間転写体または被転写材搬送体との接触領域より長く、
前記トナーは、前記トナーのＢＥＴ比表面積をＡ（ｍ２／ｇ）、前記トナーの重量平均粒径Ｄ４をＢ（μｍ）としたときに、前記Ｂが、３．０≦Ｂ≦９．０、の関係を満たし、前記Ａを前記Ｂで除した値（Ａ／Ｂ）が、０．２５≦（Ａ／Ｂ）≦０．６０、の関係を満たすことを特徴とする、画像形成方法。
【請求項２】
前記トナーの体積抵抗値をＣ（Ω・ｃｍ）、前記中間転写体または被転写材搬送体の体積抵抗値をＤ（Ω・ｃｍ）、及び前記シート部材の体積抵抗値をＥ（Ω・ｃｍ）としたときに、前記Ｃを前記Ｄで除した値（Ｃ／Ｄ）が、１．０×１０３≦（Ｃ／Ｄ）≦１．０×１０７、の関係を満たし、前記Ｃを前記Ｅで除した値（Ｃ／Ｅ）が、１．０×１０７≦（Ｃ／Ｅ）≦１．０×１０１２、の関係を満たすことを特徴とする、請求項１に記載の画像形成方法。
【請求項３】
前記トナーのフロー式粒子像測定装置で計測される平均円形度が、０．９５０〜０．９９５であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の画像形成方法。      
【請求項４】
前記トナーの１００℃における溶融粘度が１００００Ｐａ・ｓ〜８００００Ｐａ・ｓであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の画像形成方法。
【請求項５】
前記トナーのＢＥＴ比表面積をＡ（ｍ２／ｇ）、前記トナーの重量平均粒径Ｄ４をＢ（μｍ）としたときに、前記Ａを前記Ｂで除した値（Ａ／Ｂ）が、０．３１≦（Ａ／Ｂ）≦０．６０、の関係を満たすことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の画像形成方法。
【請求項６】
前記トナーの重量平均粒径Ｄ４をＢ（μｍ）、前記トナーを温度４０℃で３時間放置し、２０００Ｐａで１分間加圧した後の促進凝集度をＦとしたときに、前記Ｆを前記Ｂで除した値（Ｆ／Ｂ）が、３．０≦（Ｆ／Ｂ）≦７．０、の関係を満たすことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の画像形成方法。
【請求項７】
前記中間転写体または被転写材搬送体と前記シート部材の接触領域の長さが、前記弾性固定転写部材の幅の長さ以上であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の画像形成方法。
【請求項８】
前記中間転写体または被転写材搬送体の回転方向下流側の前記シート部材の端部が前記中間転写体または被転写材搬送体と接触していることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の画像形成方法。
【請求項９】
前記潜像担持体と前記中間転写体または被転写材搬送体との接触領域内で前記シート部材と前記中間転写体または被転写材搬送体が接触を開始することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の画像形成方法。
【請求項１０】
前記弾性固定転写部材が発泡スポンジ体を有していることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の画像形成方法。
【請求項１１】
前記中間転写体または被転写材搬送体が中間転写ベルトであることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の画像形成方法。
【請求項１２】
前記中間転写体または被転写材搬送体が、転写材を担持搬送する転写ベルトであることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の画像形成方法。
【請求項１３】
潜像担持体上に形成された静電潜像をトナーを用いて現像してトナー像を形成する現像工程、及び前記トナー像を、中間転写体を介してまたは介さずに被転写材に転写する転写工程を有する画像形成方法に用いられるトナーであって、
前記転写工程は、弾性固定転写部材を用いてトナー像を転写させる工程であり、
前記弾性固定転写部材は、シート部材を介して前記潜像担持体と接触しており、
前記シート部材は、中間転写体または被転写材搬送体の裏面に転写電界を付与し、
前記中間転写体または被転写材搬送体と前記シート部材が接触する接触領域が前記潜像担持体と前記中間転写体または被転写材搬送体との接触領域より長く、
前記トナーは、前記トナーのＢＥＴ比表面積をＡ（ｍ２／ｇ）、前記トナーの重量平均粒径Ｄ４をＢ（μｍ）としたときに、前記Ｂが、３．０≦Ｂ≦９．０、の関係を満たし、前記Ａを前記Ｂで除した値（Ａ／Ｂ）が、０．２５≦（Ａ／Ｂ）≦０．６０、の関係を満たすことを特徴とする、トナー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的は以下の本発明によって達成される。すなわち、
潜像担持体上に形成された静電潜像をトナーを用いて現像してトナー像を形成する現像工程、及び前記トナー像を、中間転写体を介してまたは介さずに被転写材に転写する転写工程を有する画像形成方法であって、前記転写工程は、弾性固定転写部材を用いてトナー
像を転写させる工程であり、前記弾性固定転写部材は、シート部材を介して前記潜像担持体と接触しており、前記シート部材は、中間転写体または被転写材搬送体の裏面に転写電界を付与し、前記中間転写体または被転写材搬送体とシート部材が接触する接触領域が前記潜像担持体と中間転写体または被転写材搬送体との接触領域より長く、前記トナーは、前記トナーのＢＥＴ比表面積をＡ（ｍ２／ｇ）、前記トナーの重量平均粒径Ｄ４をＢ（μｍ）としたときに、前記Ｂが、３．０≦Ｂ≦９．０の関係を満たし、前記Ａを前記Ｂで除した値（Ａ／Ｂ）が、０．２５≦（Ａ／Ｂ）≦０．６０の関係を満たすことを特徴とする、画像形成方法。及び、
潜像担持体上に形成された静電潜像をトナーを用いて現像してトナー像を形成する現像工程、及び前記トナー像を、中間転写体を介してまたは介さずに被転写材に転写する転写工程を有する画像形成方法に用いられるトナーであって、前記転写工程は、弾性固定転写部材を用いてトナー像を転写させる工程であり、前記弾性固定転写部材は、シート部材を介して前記潜像担持体と接触しており、前記シート部材は、中間転写体または被転写材搬送体の裏面に転写電界を付与し、前記中間転写体または被転写材搬送体とシート部材が接触する接触領域が前記潜像担持体と中間転写体または被転写材搬送体との接触領域より長く、前記トナーは、前記トナーのＢＥＴ比表面積をＡ（ｍ２／ｇ）、前記トナーの重量平均粒径Ｄ４をＢ（μｍ）としたときに、前記Ｂが、３．０≦Ｂ≦９．０の関係を満たし、前記Ａを前記Ｂで除した値（Ａ／Ｂ）が、０．２５≦（Ａ／Ｂ）≦０．６０の関係を満たすことを特徴とする、トナー。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月5日(2011.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素領域に画素が配置された表示パネルを含み、当該表示パネルに入射する光を受光するフォトセンサ素子が当該表示パネルに設けられている表示装置であって、
前記フォトセンサ素子は、
第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層と異なる導電型の第２導電型半導体層と、
真性半導体層と
を含み、前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層とが前記真性半導体層を挟むように設けられているフォトダイオードであり、
前記第１導電型半導体層と前記真性半導体層と前記第２導電型半導体層とのそれぞれは、前記表示パネルの法線方向において、前記光が入射する側から、順次、積層されており、
前記真性半導体層は、非晶質半導体または微結晶半導体の少なくとも一方を含む半導体薄膜によって形成されている、
表示装置。
【請求項２】
前記表示パネルは、
前記画素領域において前記画素をスイッチングする画素スイッチング素子
を有し、
前記画素スイッチング素子は、
チャネル領域が形成された半導体層
を有する薄膜トランジスタであり、
前記フォトセンサ素子は、
当該フォトセンサ素子の前記第１導電型半導体層と前記真性半導体層と前記第２導電型半導体層とのいずれかと、前記画素スイッチング素子の半導体層とのそれぞれは、同じ半導体層がパターン加工されることで形成されている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１導電型半導体層は、非晶質半導体であり、
前記第２導電型半導体層は、微結晶半導体または多結晶半導体である、
請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１導電型半導体層は、微結晶半導体であり、
前記第２導電型半導体層は、微結晶半導体または多結晶半導体である、
請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２導電型半導体層は、
高抵抗層と、
前記高抵抗層よりも抵抗率が低い低抵抗層とを有し、
前記高抵抗層は、前記真性半導体層と前記低抵抗層との間に介在するように設けられている、
請求項１から４のいずれかに記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１導電型半導体層は、透明材料で形成されている、
請求項１から５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層と前記真性半導体層とのそれぞれは、シリコン半導体である、
請求項１から６のいずれかに記載の表示装置。
【請求項８】
前記表示パネルの一方の面に照明光を出射する照明部
を含み、
前記照明部は、可視光線と不可視光線とを前記照明光として出射するように構成されており、
前記フォトセンサ素子は、前記表示パネルの他方の面の側において前記画素領域に移動した被検知体によって前記照明光が反射された反射光を受光するように構成されている、
請求項１から７のいずれかに記載の表示装置。
【請求項９】
前記表示パネルは、
第１基板と、
前記第１基板から間隔を隔てて対面している第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間にて挟持されており、液晶分子が配向されている液晶層と
を含む液晶パネルであって、前記第１基板が前記一方の面の側に位置し、前記第２基板が前記他方の面の側に位置しており、
前記フォトセンサ素子は、前記第２基板に設けられている、
請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
画素領域に画素が配置される表示パネルを含み、当該表示パネルに入射する光を受光するフォトセンサ素子が当該表示パネルに設けられる表示装置であって、前記フォトセンサ素子は、第１導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層と異なる導電型の第２導電型半導体層と、真性半導体層とを含み、前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層とが前記真性半導体層を挟むように設けられているフォトダイオードである表示装置の製造方法であって、
前記表示パネルの法線方向において前記光が入射する側から、前記第１導電型半導体層と前記真性半導体層と前記第２導電型半導体層とのそれぞれが、順次、設けられるように、前記第１導電型半導体層と前記真性半導体層と前記第２導電型半導体層とのそれぞれを形成する工程
を有し、当該工程においては、前記真性半導体層を非晶質半導体または微結晶半導体の少なくとも一方を含む半導体によって形成する、
表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月10日(2011.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有する第１のシャッタ羽根と、
導電性を有する第２のシャッタ羽根と、
前記第１のシャッタ羽根および前記第２のシャッタ羽根を回動可能に支持するシャッタ地板と、
前記シャッタ地板に支持される前記第１のシャッタ羽根と前記第２のシャッタ羽根との間に配置されるものであって、導電性を有する仕切り板と、
前記シャッタ地板に前記第１のシャッタ羽根および前記第２のシャッタ羽根が支持され、前記仕切り板が前記第１のシャッタ羽根と前記第２のシャッタ羽根との間に配置される状態で、前記シャッタ地板に固定されるものであって、導電性を有するカバー板とを備え、
前記カバー板と前記仕切り板とは電気的に接続されるとともに、前記カバー板の電位を接地レベルの電位とすることを特徴とするシャッタ装置。
【請求項２】
前記シャッタ地板には第１の突部が形成され、前記カバー板には第２の突部が形成され、前記仕切り板は前記第１の突部と前記第２の突部との間に挟み込まれることを特徴とする請求項１に記載のシャッタ装置。
【請求項３】
前記カバー板は前記シャッタ地板にビス留めされるものであって、前記第１の突起は前記シャッタ地板のビス留め位置近傍に設けられ、前記第２の突起は前記カバー板のビス留め位置近傍に設けられることを特徴とする請求項２の記載のシャッタ装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載のシャッタ装置を備える撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
上記目的を達成するために、本発明のシャッタ装置は、導電性を有する第１のシャッタ羽根と、導電性を有する第２のシャッタ羽根と、前記第１のシャッタ羽根および前記第２のシャッタ羽根を回動可能に支持するシャッタ地板と、前記シャッタ地板に支持される前記第１のシャッタ羽根と前記第２のシャッタ羽根との間に配置されるものであって、導電性を有する仕切り板と、前記シャッタ地板に前記第１のシャッタ羽根および前記第２のシャッタ羽根が支持され、前記仕切り板が前記第１のシャッタ羽根と前記第２のシャッタ羽根との間に配置される状態で、前記シャッタ地板に固定されるものであって、導電性を有するカバー板とを備え、前記カバー板と前記仕切り板とは電気的に接続されるとともに、前記カバー板の電位を接地レベルの電位とすることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月16日(2011.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示画面と、
前記表示画面近傍の照度を測定する画面照度測定部と、
観視者の情報を設定する設定条件入力部と、
前記表示画面近傍の照度と前記観視者の情報および視距離に基づいて、前記観視者が好ましいと感じる前記表示画面の輝度を求める演算部と、
前記観視者が好ましいと感じる前記表示画面の輝度に基づいて、前記表示画面の最大輝度を決定する画面輝度制御部と、
前記観視者が好ましいと感じる前記表示画面の輝度に基づいて、前記表示画面の色味を決定する画面色補正制御部と、
前記表示画面の最大輝度および色補正を前記画面輝度制御部にて決定した前記最大輝度および前記画面色補正制御部にて決定した色味になるように表示パネルを駆動する表示パネル駆動部と
を備えたことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記画面色補正制御部で決定される色味は、前記観視者が好ましいと感じる前記表示画面の輝度を底とし、色味に関係する視覚定数を指数として累乗演算したものを用いて決定される
ことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記観視者の情報は、前記観視者の年齢を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記観視者の情報は、前記観視者の視力を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記観視者の情報は、前記観視者の視距離を含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記画面色補正制御部で決定される色味は、前記設定条件入力部において入力された最大輝度で設定されることを特徴とする請求項１および請求項３から５のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記画面照度測定部より得られた情報をもとに、観視環境の色温度を演算することを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記観視環境の色温度情報をもとに、色補正を行うことを特徴とする請求項１から７の
いずれか１項に記載の画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
表示画面と、前記表示画面近傍の照度を測定する画面照度測定部と、観視者の情報を設定する設定条件入力部と、前記表示画面近傍の照度と前記観視者の情報および視距離に基づいて、前記観視者が好ましいと感じる前記表示画面の輝度を求める演算部と、前記観視者が好ましいと感じる前記表示画面の輝度に基づいて、前記表示画面の最大輝度を決定する画面輝度制御部と、前記観視者が好ましいと感じる前記表示画面の輝度に基づいて、前記表示画面の色味を決定する画面色補正制御部と、前記表示画面の最大輝度および色補正を前記画面輝度制御部にて決定した前記最大輝度および前記画面色補正制御部にて決定した色味になるように表示パネルを駆動する表示パネル駆動部とを備えた画像表示装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月23日(2011.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
一対の電極間に、コレステリック液晶を含み所定の波長の光を選択反射する１層または２層以上の表示層と、光導電体層とが挟持されてなる光アドレス型の光変調素子に、画像を記録するための光変調素子の駆動方法であって、
前記表示層におけるプレーナからフォーカルコニックへの状態変化の外部印加電圧に対する動作閾値たる下閾値をアドレス光の露光時に超え非露光時に超えない電圧Ｖを前記一対の電極に印加しつつ適宜アドレス光を選択露光して、前記下閾値を超える部位または超えない部位の選択を行う書き込み工程と、
書き込み工程の操作の直前に、前記電圧Ｖよりもパルス幅が短く、かつ、前記電圧Ｖの最初のパルスとは逆極性のパルス電圧Ｖ’を１パルス印加するパルス電圧印加工程と、
を含むことを特徴とする光変調素子の駆動方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
一対の電極間に、コレステリック液晶を含み所定の波長の光を選択反射する１層または２層以上の表示層と、光導電体層とが挟持されてなる光アドレス型の光変調素子に、画像を記録するための光変調素子の駆動装置であって、少なくとも、前記両電極間に電圧を印加し得る電源装置と、前記光変調素子を露光し得る露光装置とを含み、
前記表示層におけるプレーナからフォーカルコニックへの状態変化の外部印加電圧に対する動作閾値たる下閾値をアドレス光の露光時に超え非露光時に超えない電圧Ｖを前記一対の電極に印加しつつ適宜アドレス光を選択露光して、前記下閾値を超える部位または超えない部位の選択を行う書き込み動作と、
書き込み動作の直前に、前記電圧Ｖよりもパルス幅が短く、かつ、前記電圧Ｖの最初のパルスとは逆極性のパルス電圧Ｖ’を１パルス印加するパルス電圧印加動作と、
の各動作が、順次為されるように制御されてなることを特徴とする光変調素子の駆動装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記電圧Ｖの周波数ＦV2が、０〜１００Ｈｚの範囲内であることを特徴とする請求項９に記載の光変調素子の駆動装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記電圧Ｖ２の周波数ＦV2が、０〜１００Ｈｚの範囲内であることを特徴とする請求項１１に記載の光変調素子の駆動装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
上記目的は、以下の本発明により達成される。すなわち本発明の光変調素子の駆動方法は、一対の電極間に、コレステリック液晶を含み所定の波長の光を選択反射する１層または２層以上の表示層と、光導電体層とが挟持されてなる光アドレス型の光変調素子に、画像を記録するための光変調素子の駆動方法であって、
前記表示層におけるプレーナからフォーカルコニックへの状態変化の外部印加電圧に対する動作閾値たる下閾値をアドレス光の露光時に超え非露光時に超えない電圧Ｖを前記一対の電極に印加しつつ適宜アドレス光を選択露光して、前記下閾値を超える部位または超えない部位の選択を行う書き込み工程と、
書き込み工程の操作の直前に、前記電圧Ｖよりもパルス幅が短く、かつ、前記電圧Ｖの最初のパルスとは逆極性のパルス電圧Ｖ’を１パルス印加するパルス電圧印加工程と、
を含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
一方、本発明の光変調素子の駆動装置は、一対の電極間に、コレステリック液晶を含み所定の波長の光を選択反射する１層または２層以上の表示層と、光導電体層とが挟持されてなる光アドレス型の光変調素子に、画像を記録するための光変調素子の駆動装置であって、少なくとも、前記両電極間に電圧を印加し得る電源装置と、前記光変調素子を露光し得る露光装置とを含み、
前記表示層におけるプレーナからフォーカルコニックへの状態変化の外部印加電圧に対する動作閾値たる下閾値をアドレス光の露光時に超え非露光時に超えない電圧Ｖを前記一対の電極に印加しつつ適宜アドレス光を選択露光して、前記下閾値を超える部位または超えない部位の選択を行う書き込み動作と、
書き込み動作の直前に、前記電圧Ｖよりもパルス幅が短く、かつ、前記電圧Ｖの最初のパルスとは逆極性のパルス電圧Ｖ’を１パルス印加するパルス電圧印加動作と、
の各動作が、順次為されるように制御されてなることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明において（閾値シフト法に適用した態様は勿論、適用しない態様をも含む。）、前記表示層としては、２層構成であってもよいし、フルカラー画像を形成することをも可能とする３層構成であってもよい。また、前記表示層（複数層積層される場合には、そのそれぞれの前記表示層）としては、高分子中に前記コレステリック液晶が分散されてなる構造のものが好ましい。
本発明において、前記光導電体層としては、有機光導電体からなることが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
また、本発明に特有の調整電圧印加操作に対する影響を制御するために、以上説明した液晶組成を適宜調整することが好ましい。しかし、液晶材料によって、調整電圧印加操作に対する挙動が異なることから、液晶組成を調整しながら、調整電圧を印加した際に所望の作用が現れるように構成する必要がある。この調整の対象としては、具体的には例えば、液晶材料の選択、液晶の組成、液晶材料の粘度、インピーダンスの調整等が挙げられる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
＜動作＞
本実施形態の反射型液晶表示素子の駆動方法、および反射型液晶表示素子の駆動装置の動作（操作）について、簡単な検証実験を交えて、以下に詳細に説明する。
なお、以下の説明では、図２および図３のグラフ、図８のチャートと共に、背景技術の項において用いた図１８のグラフをも用いて説明する。ここで図８は、表示媒体（光変調素子）１に対して、本実施形態における書き込み操作を行った際のバイアス電圧およびアドレス光の照射光量の推移を時系列で示すチャートである。該チャートでは、下閾値駆動におけるバイアス電圧として直流パルスが印加された例を示している。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月22日(2011.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置本体に回動可能に取付けられ、一方の面が第１の用紙搬送路となる開閉搬送路部材と、
装置本体に回動可能に取付けられ、前記開閉搬送路部材を覆った状態で該開閉搬送路部材の他方の面との間に第２の用紙搬送路を形成する搬送路部材と、
前記第２の用紙搬送路上に張り出すように前記開閉搬送路部材に取付けられ該開閉搬送路部材を開くための取手と、
を有する搬送路構造。
【請求項２】
前記取手の前記開閉搬送路部材と対向する面に前記第２の用紙搬送路を通過する用紙をガイドする突壁を形成した請求項１に記載の搬送路構造。
【請求項３】
前記突壁は、前記搬送路部材の搬送路面より前記第２の用紙搬送路側へ突出している請求項１又は請求項２に記載の搬送路構造。
【請求項４】
前記搬送路部材に前記取手の把持部が納まる切欠部を形成した請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の搬送路構造。
【請求項５】
前記取手の把持部の上面を凹凸加工した請求項１〜請求項４の何れか１項に記載の搬送路構造。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項の搬送路構造を備え、
用紙に未定着のトナー像を保持させる画像形成部と、
用紙に保持されたトナー像を定着する定着部と、
前記定着部から前記第１の用紙搬送路へ送られた用紙を外部へ排出する排出ローラと、
前記排出ローラを所定のタイミングで逆転させ、先端部分が外部へ排出された用紙を後端部から前記第２の用紙搬送路へ送り戻す駆動部と、
を有する画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の請求項１に記載の搬送路構造は、装置本体に回動可能に取付けられ、一方の面が第１の用紙搬送路となる開閉搬送路部材と、装置本体に回動可能に取付けられ、前記開閉搬送路部材を覆った状態で該開閉搬送路部材の他方の面との間に第２の用紙搬送路を形成する搬送路部材と、前記第２の用紙搬送路上に張り出すように前記開閉搬送路部材に取付けられ該開閉搬送路部材を開くための取手と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測距光を水平方向に偏向して回転照射する回動部と、前記測距光の上下方向の広がり角を大きくする少なくとも１つの拡張部材と、該拡張部材を測距光軸中に挿脱可能とする拡張部材挿脱手段とを具備することを特徴とする測量装置。
【請求項２】
前記回動部が前記測距光軸を水平方向に偏向する高低回動ミラーを有し、該高低回動ミラーは水平軸心を中心に回動可能であり、又前記高低回動ミラーは複数の反射面を有し、少なくとも１つの前記拡張部材が前記高低回動ミラーの一面に対向し該高低回動ミラーと一体に回転する様に設けられ、前記高低回動ミラーの一面で前記測距光軸が偏向される場合は前記測距光は前記拡張部材を透過する様構成した請求項１の測量装置。
【請求項３】
前記回動部が前記測距光軸を水平方向に偏向する高低回動ミラーを有し、前記測距光は該測距光を透過する少なくとも１つの前記拡張部材が設けられた光路を通して照射される様構成した請求項１の測量装置。
【請求項４】
前記高低回動ミラーが水平軸を中心に回動され、前記測距光が照射される光路が選択される請求項３の測量装置。
【請求項５】
前記高低回動ミラーに対して前記拡張部材は拡張部材保持部により保持され、該拡張部材保持部が高低軸心を中心に回転され、前記測距光が照射される光路が選択される請求項２又は請求項３の測量装置。
【請求項６】
測距光を発する光源と、該光源からの前記測距光を測定対象物が存在する空間にスポット光測距光、又は扇状測距光として照射する測距光照射部と、少なくとも１が傾斜した２以上の扇状ビームを回転照射する扇状ビーム回転照射部と、前記扇状ビーム、又は前記測距光の照射方向の水平角を検出する水平角検出部と、前記スポット光測距光の照射方向の高低角を検出する、又は扇状ビーム受光部によって高低角を検出する高低角検出部と、前記測定対象物からの反射測距光を受光して前記測定対象物迄の測距を行う測距部と、前記測定対象物からの前記扇状ビームの反射光を受光する反射扇状ビーム受光部と、前記測距光照射部から照射される前記スポット光測距光、又は扇状測距光のいずれかを選択する測距光切換え部と、前記測距部の測距結果、前記水平角検出部の検出結果、前記高低角検出部の検出結果を基に前記測定対象物の３次元位置を演算する演算部とを具備したことを特徴とする測量装置。
【請求項７】
前記照射光切換え部は、前記測距光の上下方向の広がり角を大きくする拡張部材と、該拡張部材を測距光軸中に挿脱可能とする拡張部材挿脱手段とを有する請求項６の測量装置。
【請求項８】
前記拡張部材は、レンチキュラーレンズである請求項１〜請求項３、請求項７のいずれか１つの測量装置。
【請求項９】
前記拡張部材は、グレーティング部材である請求項１〜請求項３、請求項７のいずれか１つの測量装置。
【請求項１０】
前記拡張部材が脱状態の際は、前記高低回動ミラーが更に上下に回動して測距光軸を偏向する請求項２又は請求項３又は請求項５の測量装置。
【請求項１１】
前記拡張部材が、前記測距光の上下方向の広がり角が異なる複数の拡張部材から選択可能である請求項２又は請求項３又は請求項５又は請求項１０の測量装置。
【請求項１２】
スポット光測距光又は扇状測距光を測定対象物に向けて照射する測距光照射部と、該測距光照射部による照射方向を検出する測距光照射方向検出部と、前記測定対象物から反射された前記スポット光測距光又は前記扇状測距光を受光する測距光受光部と、少なくとも１が傾いた２以上の扇状ビームを回転照射する扇状ビーム回転照射部と、前記扇状ビームの照射方向を検出する扇状ビーム照射方向検出部と、第１通信部と、前記スポット光測距光と前記扇状測距光とを切換える測距光切換え部と、演算部とを有する測量装置と、前記測距光照射部から照射される測距光を反射する反射体と、前記扇状ビーム回転照射部からの前記扇状ビームを受光する扇状ビーム受光部と、該扇状ビーム受光部からの信号を含む信号を前記第１通信部と通信する第２通信部とを有する測定対象物とを具備する測量システムであって、前記演算部は、前記スポット光測距光が選択された場合は、前記測距光照射方向検出部と、前記測距光受光部からの信号に基づき前記測定対象物の３次元位置を演算し、前記扇状測距光が選択された場合は、前記扇状ビーム照射方向検出部又は／及び前記測距光照射方向検出部と、前記測距光受光部と、前記第１通信部で受信した前記第２通信部からの信号に基づき前記測定対象物の３次元位置を演算することを特徴とする測量システム。
【請求項１３】
前記照射光切換え部は、前記測距光の上下方向の広がり角を大きくする拡張部材と、該拡張部材を測距光軸中に挿脱可能とする拡張部材挿脱手段とを有する請求項１２の測量システム。
【請求項１４】
前記拡張部材は、レンチキュラーレンズである請求項１２又は請求項１３の測量システム。
【請求項１５】
前記拡張部材は、グレーティング部材である請求項１２又は請求項１３の測量システム。