【手続補正書】
【提出日】平成21年6月17日(2009.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃ３〜Ｃ１０アルキルエポキシドをイソ特異的触媒の存在下で単独重合する工程を含んでなり、該触媒はＣｏ（ＩＩＩ）とシッフ塩基を含む、８１％より大きいｍ−ｄｙａｄ含量を有するイソタクチックポリ（Ｃ３〜Ｃ１０アルキレンオキシド）の製造方法。
【請求項２】
ｒａｃ−ＰＯをＮ，Ｎ’−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルサリシリジン）−ベンゼンジアミン−Ｃｏ−開始配位子の存在下で単独重合する工程を含んでなる、８１％より大きいｍ−ｄｙａｄ含量を有するイソタクチックポリプロピレンオキシドの製造方法。
【請求項３】
分画を要さずに前記ｍ−ｄｙａｄ含量を達成する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
イソ特異的触媒は、
ａ）ｓａｌｐｈ−Ｃｏ−（開始配位子）；
ｂ）メトキシｓａｌｐｈ−Ｃｏ−（開始配位子）；および
ｃ）（ａ）と（ｂ）の組み合わせ
からなる群から選択される請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ｓａｌｐｈは、式：
【化１】
2008546785.tif 000001
〔式中、Ｒは
ａ）メチル；
ｂ）エチル；
ｃ）イソプロピル；および
ｄ）ｔｅｒｔ−ブチル
からなる群から選択される。〕
を有する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
メトキシｓａｌｐｈは、式：
【化２】
2008546785.tif 000002
〔式中、Ｒ１は
ａ）メチル；
ｂ）エチル；
ｃ）イソプロピル；および
ｄ）ｔｅｒｔ−ブチル
からなる群から選択される。〕
を有する、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
開始配位子は、
ａ）ハロゲン化物；
ｂ）シアノ；
ｃ）アジド；
ｄ）ヒドロキシド；
ｅ）Ｃ０〜Ｃ２０アミド；
ｆ）Ｃ１〜Ｃ２０カルボキシレート；
ｇ）Ｃ２〜Ｃ２０ジカルボキシレート；
ｈ）Ｃ４〜Ｃ２０トリカルボキシレート；
ｉ）Ｃ６〜Ｃ２０アリールカルボキシレート；
ｊ）Ｃ１〜Ｃ２０アルコキシド；
ｋ）フェノキシド；および
ｌ）（ａ）ないし（ｋ）の任意の２以上の組み合わせ；
からなる群から選択され、開始配位子（ｆ）〜（ｈ）のいずれかが所望によりヒドロキシル基によって置換されていてよい、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
開始配位子は、
ａ）−Ｂｒ；
ｂ）−Ｃｌ；
ｃ）−ＯＨ；
ｄ）−ＯＭｅ；
ｅ）−ＯＣＯＭｅ；
ｆ）−ＯＣＯＢｎ；
ｇ）
2008546785.tif 000003
ｈ）
2008546785.tif 000004
ｉ）
2008546785.tif 000005
ｊ）
2008546785.tif 000006
ｋ）
2008546785.tif 000007
ｌ）
2008546785.tif 000008
ｍ）
2008546785.tif 000009
からなる群から選択される、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
Ｃ３〜Ｃ１０アルキルエポキシドはプロピレンオキシドである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
Ｃ３〜Ｃ１０アルキルエポキシドはブチレンオキシドである、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
生成したポリ（Ｃ３〜Ｃ１０アルキレンオキシド）は少なくとも１５０，０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
ポリ（Ｃ３〜Ｃ１０アルキレンオキシド）のｍ−ｄｙａｄ含量は少なくとも９０％である、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
ポリ（Ｃ３〜Ｃ１０アルキレンオキシド）のｍ−ｄｙａｄ含量は少なくとも９９％である、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
Ｃ３〜Ｃ１０アルキルエポキシドを含むモノマーを、構造：
【化３】
2008546785.tif 000010
〔Ｒ２は
ａ）メチル；
ｂ）エチル；
ｃ）イソプロピル；および
ｄ）ｔｅｒｔ−ブチル
からなる群から選択され、
Ｒ３は−Ｈまたは−ＯＭｅであり；および
Ｘは
ａ）ハロゲン化物；
ｂ）シアノ；
ｃ）アジド；
ｄ）ヒドロキシド；
ｅ）Ｃ０〜Ｃ２０アミド；
ｆ）Ｃ１〜Ｃ２０カルボキシレート；
ｇ）Ｃ２〜Ｃ２０ジカルボキシレート；
ｈ）Ｃ４〜Ｃ２０トリカルボキシレート；
ｉ）Ｃ６〜Ｃ２０アリールカルボキシレート；
ｊ）Ｃ１〜Ｃ２０アルコキシド；
ｋ）フェノキシド；および
ｌ）（ａ）ないし（ｋ）の任意の２以上の組み合わせ；
からなる群から選択され、開始配位子（ｆ）〜（ｈ）のいずれかが所望によりヒドロキシル基によって置換されていてよい。〕
を有する触媒と接触させる工程を含んでなる、イソタクチック的に富んだポリアルキレンオキシドの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
変形
本発明の上述記載は、特定の操作可能で好適な態様を述べるために提示したものである。本発明はそのように限定すべきことを意図するものではなく、その変形および変更は当業者にとって自明であって、その全ては本発明の精神および範囲に含まれる。
本明細書の当初の開示は、少なくとも下記の態様を包含する。
〔１〕（Ｓａｌｐｈまたはメトキシｓａｌｐｈ）Ｃｏ（開始配位子）。
〔２〕〔１〕に記載の化合物であって、開始配位子は、該化合物と溶媒および／またはエポキシドとを混合すると、化合物が部分的に溶解して隣接コバルト中心を含有する非溶解錯体を与えるものである、化合物。
〔３〕凝集またはインサイチュ配位子修飾によってキラル環境で存在する、〔１〕に記載の化合物。
〔４〕開始配位子は、ハロゲン、Ｃ１〜Ｃ２０アミド、シアノ、アジド、Ｃ１〜Ｃ２０カルボキシレート、Ｃ１〜Ｃ２０アリールカルボキシレート、Ｃ１〜Ｃ２０アルコキシド、フェノキシド、およびヒドロキシドからなる群から選択される、〔１〕に記載の化合物。
〔５〕ｓａｌｐｈは、Ｎ，Ｎ’−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルサリシリジン）−ベンゼンジアミンである、〔４〕に記載の化合物。
〔６〕（ｓａｌｐｈ）ＣｏＯＡｃである、〔５〕に記載の化合物。
〔７〕（ｓａｌｐｈ）ＣｏＢｚＯＡｃである、〔５〕に記載の化合物。
〔８〕（ｓａｌｐｈ）ＣｏＮｐＯＡｃである、〔５〕に記載の化合物。
〔９〕（ｓａｌｐｈ）ＣｏＯＭｅである、〔５〕に記載の化合物。
〔１０〕（メトキシｓａｌｐｈ）ＣｏＯＡｃである、〔５〕に記載の化合物。
〔１１〕（ｓａｌｐｈ）Ｃｏまたは（メトキシｓａｌｐｈ）Ｃｏを塩化メチレン中に溶解し、Ｈ（開始配位子）を添加し、および溶液の塩化メチレンを大気中に蒸発させることによって製造された、（Ｓａｌｐｈまたはメトキシｓａｌｐｈ）Ｃｏ（開始配位子）。
〔１２〕ｒａｃ−ＰＯをイソ特異的触媒の存在下で単独重合する工程を含んでなる、純粋イソタクチックＰＰＯの製造方法。
〔１３〕イソ特異的触媒は、（ｓａｌｐｈまたはメトキシｓａｌｐｈ）Ｃｏ（開始配位子）であって、ここで、ｓａｌｐｈはＮ，Ｎ’−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルサリシリジン）−ベンゼンジアミンである、〔１２〕に記載の方法。
〔１４〕ｒａｃ−１−ブチレンオキシドをイソ特異的触媒の存在下で重合する工程を含んでなる、イソタクチックポリ（ブチレンオキシド）の製造方法。
〔１５〕イソ特異的触媒は、（ｓａｌｐｈまたはメトキシｓａｌｐｈ）Ｃｏ（開始配位子）であって、ここで、ｓａｌｐｈはＮ，Ｎ’−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルサリシリジン）−ベンゼンジアミンである、〔１４〕に記載の方法。
〔１６〕８１％より大きいｍ−ｄｙａｄ含量を有し、かつ、重合触媒残渣を含有し、および／またはアタクチックＰＰＯの痕跡を含有せず、および／またはアタクチックイソタクチックＰＰＯ混合物の分画を示す残渣を含有しない、イソタクチックＰＰＯ。
〔１７〕ｍ−ｄｙａｄ含量は９０％より大きい、〔１６〕に記載のイソタクチックＰＰＯ。
〔１８〕ｍ−ｄｙａｄ含量は少なくとも９９％である、〔１６〕に記載のイソタクチックＰＰＯ。
〔１９〕８１％より大きいｍ−ｄｙａｄ含量および１５０，０００ｇ／ｍｏｌより大きいＭｎを有する、イソタクチックＰＰＯ。
〔２０〕２００，０００ｇ／ｍｏｌより大きいＭｎを有する、〔１９〕に記載のイソタクチックＰＰＯ。
〔２１〕８１％より大きいｍ−ｄｙａｄ含量および２．０より小さいＰＤＩを有する、イソタクチックＰＰＯ。
〔２２〕ＰＤＩは１．７５より小さい、〔２１〕に記載のイソタクチックＰＰＯ。
〔２３〕ＰＤＩは１．５０より小さい、〔２２〕に記載のイソタクチックＰＰＯ。
〔２４〕非イソタクチックＰＰＯと未分画イソタクチックＰＰＯとの混合物を与える工程を含んでなる、未分画イソタクチックＰＰＯの性質を変性する方法。
〔２５〕コバルトを３＋酸化状態で含有する金属錯体を含有するシッフ塩基である触媒の存在下でエポキシドを重合する工程を含んでなる、ポリエポキシドの製造方法。