Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月3日(2009.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッチから反射された周期的なパルス反射波からパッチの探索モード合成開口画像を生成し、第１のアレイから反射される第１の数の前記周期的なパルスの反射波と、第２のアレイから反射される第２の数の周期的なパルスの反射波とを有し、前記第１のアレイはオーバーラップにより第２のアレイとオーバーラップし、前記第１のアレイと前記第２のアレイは前記パッチをカバーしている運動しているレーダにおいて、
前記第１のアレイからの前記パルス反射波を第１の距離ビンを有する第１のデジタルアレイへ変換し、前記第２のアレイからの前記パルス反射波を第２の距離ビンを有する第２のデジタルアレイへ変換するアナログデジタル変換器と、
コンピュータとを具備し、このコンピュータは、
前記第１のデジタルアレイ内で第１の強力な散乱体の位置を突き止め、
前記第２のデジタルアレイ内で第２の強力な散乱体の位置を突き止め、
前記第１のデジタルアレイと前記第１の強力な散乱体が、運動補償された第１のデジタルアレイを獲得する期間中に前記運動に関して前記第１のデジタルアレイの運動を補償し、
前記第２のデジタルアレイが運動補償された第２のデジタルアレイを獲得する期間中に前記運動に関して前記第２のデジタルアレイの運動を補償し、
前記運動補償された第１のデジタルアレイをオートフォーカスして、前記第１のデジタルアレイにおける第１の位相誤差評価を獲得し、
前記運動補償された第２のデジタルアレイをオートフォーカスして、前記第２のデジタルアレイにおける第２の位相誤差評価を獲得し、
最適化された位相を前記第２の誤差評価に加算して、前記第２のアレイに対するシフトされた誤差評価を獲得し、
前記第１の位相誤差評価と、前記シフトされた誤差評価とを前記オーバーラップにわたってマージして接続された位相誤差評価を獲得し、
前記接続された位相誤差評価を前記運動補償された第１のデジタルアレイと前記運動補償された第２のデジタルアレイに供給して前記パッチの画像を計算するレーダ。
【請求項２】
前記第１の強力な散乱体は、前記第１のデジタルアレイ内の各前記第１の距離ビンの第１の距離ビンパワーを計算し、前記第１の距離ビンの中から最高の第１の距離ビンパワーを有している前記第１の距離ビンの１つを選択することによって突き止められる請求項１記載のレーダシステム。
【請求項３】
第２の強力な散乱体は、前記第２のデジタルアレイ内の各第２の距離ビンの第２の距離ビンパワーを計算し、前記第２の距離ビンの中から最高の第２の距離ビンパワーを有している前記第２の距離ビンの１つを選択することによって突き止められる請求項２記載のレーダシステム。
【請求項４】
前記最適化された位相は、最小二乗法則を使用して前記オーバーラップにわたって前記第１の誤差評価と前記第２の誤差評価との間の差を最小にする請求項３記載のレーダシステム。
【請求項５】
前記オーバーラップは、前記第１のアレイにおける第３の数のパルスと、前記第２のアレイにおける第３の数のパルスとを含んでいる請求項４記載のレーダシステム。
【請求項６】
前記オーバーラップに含まれる前記第３の数のパルスは、前記第１のアレイ中に含まれる第１の数のパルスの１０％以上である請求項５記載のレーダシステム。
【請求項７】
レーダを使用してパッチから反射された周期的なパルス反射波からパッチの探索モード合成開口画像を生成する方法において、
前記レーダは運動しており、第１のアレイから反射される第１の数の前記周期的なパルスの反射波と、第２のアレイから反射される第２の数の周期的なパルスの反射波とを有しており、前記第１のアレイはオーバーラップにより第２のアレイとオーバーラップし、前記第１のアレイと前記第２のアレイは前記パッチをカバーしており、
前記第１のアレイからの前記パルス反射波を第１の距離ビンを有する第１のデジタルアレイへ変換し、前記第２のアレイからの前記パルス反射波を第２の距離ビンを有する第２のデジタルアレイへ変換し、
前記第１のデジタルアレイ内で第１の強力な散乱体の位置を突き止め、
前記第２のデジタルアレイ内で第２の強力な散乱体の位置を突き止め、
前記第１のデジタルアレイと前記第１の強力な散乱体が運動補償された第１のデジタルアレイを獲得する期間中に前記運動に関して前記第１のデジタルアレイの運動を補償し、
前記第２のデジタルアレイが運動補償された第２のデジタルアレイを獲得する期間中に前記運動に関して前記第２のデジタルアレイを運動補償し、
前記運動補償された第１のデジタルアレイをオートフォーカスして、前記第１のデジタルアレイにおける第１の位相誤差評価を獲得し、
前記運動補償された第２のデジタルアレイをオートフォーカスして、前記第２のデジタルアレイにおける第２の位相誤差評価を獲得し、
最適化された位相を前記第２の誤差評価に加算して前記第２のアレイに対するシフトされた誤差評価を獲得し、
前記第１の位相誤差評価と、前記シフトされた誤差評価を前記オーバーラップにわたってマージして接続された位相誤差評価を獲得し、
前記接続された位相誤差評価を前記運動補償された第１のデジタルアレイと前記運動補償された第２のデジタルアレイに供給し、前記パッチの画像を計算するステップを含んでいる方法。
【請求項８】
前記第１の強力な散乱体は、前記第１のデジタルアレイ内の各前記第１の距離ビンの第１の距離ビンパワーを計算し、前記第１の距離ビンの中から最高の第１の距離ビンパワーを有している前記第１の距離ビンの１つを選択することによって位置を突き止められる請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記第２の強力な散乱体は、前記第２のデジタルアレイ内の各第２の距離ビンの第２の距離ビンパワーを計算し、前記第２の距離ビンの中から最高の第２の距離ビンパワーを有している前記第２の距離ビンの１つを選択することによって位置を突き止められる請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記最適化された位相は最小二乗法則を使用して前記オーバーラップで前記第１の誤差評価と前記第２の誤差評価との間の差を最小にする請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記オーバーラップは、前記第１のアレイにおける第３の数のパルスと、前記第２のアレイにおける第３の数のパルスとを含んでいる請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記オーバーラップに含まれる前記第３の数のパルスは前記第１のアレイ中に含まれる前記第１の数のパルスの１０％以上である請求項１１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月7日(2009.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光信号が少なくとも第２の光信号の波長と異なる波長を含む少なくとも第１及び第２の光信号の信号源を準備する段階であって、第１及び第２の光信号が異なる時点に拘束信号原から発生し、かつ第１及び第２の光信号が反応性化学種に由来する前記段階；
第１及び第２の光信号を分岐経路で伝送する光学素子列に光信号を通過させる段階と；
第１及び第２の光信号を単一光検出器上の異なる位置で受光する段階を含む光信号の検出方法。
【請求項２】
信号源が夫々第１及び第２の光信号を発生する少なくとも第１及び第２の蛍光成分を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１及び第２の蛍光成分が少なくとも第１及び第２の異なるヌクレオチドポリリン酸又はヌクレオチドポリリン酸アナログと共有結合した第１及び第２の蛍光ラベルを含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
信号源が拘束ゼロモード導波管を含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
信号源がゼロモード導波管内に固定化されたポリメラーゼ、鋳型核酸及び鋳型核酸の一部に相補的なプライマー配列を含む複合体を含み、夫々第１及び第２の蛍光ラベルをもつ第１及び第２の異なるヌクレオチドポリリン酸又はヌクレオチドポリリン酸アナログが複合体と結合するときに第１及び第２の光信号が発生される請求項４に記載の方法。
【請求項６】
第１の光信号が少なくとも第２の光信号の波長と異なる波長を含む少なくとも第１及び第２の光信号を発生する反応混合物を収容するための拘束反応領域であって、第１及び第２の光信号が異なる時点に拘束信号原から発生し、かつ第１及び第２の光信号が反応性化学種に由来する前記拘束反応領域；
拘束反応領域と光学的に連携しており、第１及び第２の光信号を受光し、第１及び第２の光信号を空間分離し、光検出器上の異なる位置に誘導するための光学素子列を含む分析システム。
【請求項７】
光学素子列が少なくとも第１及び第２の光信号を空間分離する第１のプリズムを含み、光学素子列が更に第１のプリズムと直列に配置された少なくとも第２のプリズムを含み、第１及び第２のプリズムの少なくとも一方が光学素子列を通過する光信号の分散プロファイルを調節するように光学素子列の光軸の周囲に回転可能である請求項６に記載の分析システム。
【請求項８】
第１の光信号が少なくとも第２の光信号の波長と異なる波長を含む少なくとも第１及び第２の光信号を発生する反応混合物を収容するための拘束反応領域であって、第１及び第２の光信号が異なる時点に拘束信号原から発生し、かつ第１及び第２の光信号が反応性化学種に由来する前記拘束反応領域；
拘束反応領域と光学的に連携しており、第１及び第２の光信号を受光し、第１及び第２の光信号を空間分離し、光検出器上の異なる位置に誘導するための光学素子列を含み、前記光学素子列がこの光学素子列を通過する第１及び第２の光信号を空間分離する交換可能なモジュラー光コンポーネントを含む分析システム。
【請求項９】
第１の光信号が少なくとも第２の光信号の光学特性と異なる光学特性を含む少なくとも第１及び第２の光信号の信号源を準備する段階であって、第１及び第２の光信号が異なる時点に拘束信号原から発生し、かつ第１及び第２の光信号が反応性化学種に由来する前記段階；
第１及び第２の光信号を分岐経路で伝送する光学素子列に光信号を通過させる段階と；
単一光検出器上の異なる位置で第１及び第２の光信号を受光する段階を含む光信号の検出方法。
【請求項１０】
第１の光信号が少なくとも第２の光信号の波長と異なる波長を含む少なくとも第１及び第２の光信号の信号源を準備する段階であって、第１及び第２の光信号が異なる時点に拘束信号原から発生し、かつ第１及び第２の光信号が反応性化学種に由来する前記段階；
第１及び第２の光信号を単一光検出器上の異なる位置に誘導する段階を含む光信号の検出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月25日(2009.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モニタを有するコンピュータを使用して実際の色の色偏差を可視化する方法において、
基準色を該コンピュータに入力するステップと、
該基準色の基準色値を得るステップと、
該モニタ上に、該基準色値に相応する基準色イメージを表示するステップと、
表示されている該基準色イメージと該実際の色との間の色差を該コンピュータに入力するステップと、
入力された該色差に基づいて該コンピュータを使用することによって、該基準色値を修正色値に変換するステップと、
表示されている該基準色イメージと表示されている該修正色イメージとの間の入力された色差を視覚的に比較するために、該修正色値に相応する修正色イメージを該モニタ上に、該基準色イメージとともに表示するステップ
とを有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記色差を入力するステップにおいて、仮想的な調整ツールを操作する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
表示されている前記基準色イメージの所定のパラメータにそれぞれが相応する複数の仮想的な調整ツールを前記モニタ上に表示するステップを有する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記基準色イメージを前記モニタに表示するステップにおいて、該基準色イメージを球面の形状で表示する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記修正色イメージを前記モニタ上に前記基準色イメージとともに表示するステップにおいて、該修正色イメージおよび基準色イメージを同一のモニタ上で同時に表示する、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記基準色を入力するステップにおいて、前記基準色をコンピュータデータベースに入力し、
前記基準色値を得るステップにおいて、該データベースにおいて探索を行い、該当の基準色値を得る、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記イメージを表示するステップの前に、前記色値をイメージに変換するステップを有する、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記修正色値をコンピュータデータベースに入力し、該データベースにおいて修正色処方の探索を行うステップを有する、請求項１記載の方法。
【請求項９】
モニタを有するコンピュータを使用して実際の色の色偏差を可視化する方法において、
車両データを該コンピュータに入力するステップと、
入力された該車両データに基づいて、基準色と相応の基準色値とを得るステップと、
該モニタ上に、該基準色値に相応する基準色イメージを表示するステップと、
表示されている該基準色イメージと該実際の色との間の色差を該コンピュータに入力するステップと、
入力された該色差に基づいて該コンピュータを使用して、該基準色値を修正色値に変換するステップと、
表示されている該基準色イメージと表示されている該修正色イメージとの間の入力された色差を視覚的に比較するために、該修正色値に相応する修正色イメージを該モニタ上に、該基準色イメージとともに表示するステップ
とを有することを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記色差を入力するステップにおいて、仮想的な調整ツールを操作する、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
表示されている前記基準色イメージの所定のパラメータにそれぞれが相応する複数の仮想的な調整ツールを前記モニタ上に表示するステップを有する、請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記修正色イメージを前記モニタ上に前記基準色イメージとともに表示するステップにおいて、該修正色イメージと基準色イメージとを相互に隣接して、該モニタ上で同時に表示する、請求項９記載の方法。
【請求項１３】
前記基準色値に相応する基準色処方を得るステップと、
該基準色処方を前記モニタ上に表示するステップとを有する、請求項９記載の方法。
【請求項１４】
前記車両データを前記コンピュータに入力するステップにおいて、該車両データをコンピュータデータベースに入力し、
前記基準色および基準色値を得るステップにおいて、該車両データに基づいて該データベースにおいて探索を行う、請求項９記載の方法。
【請求項１５】
前記修正色値をコンピュータデータベースに入力し、該データベースにおいて修正色処方の探索を行うステップを有する、請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月3日(2009.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の電極と、
第１および第２の電極の間の光活性層と、
第１の電極と電気的に接続された導電層と、
導電層および第１の電極の間の第１の基板とを備え、
第１の電極は導電層を介して外部負荷に電気的に接続されるように構成され、光起電力電池として構成されるシステム。
【請求項２】
導電層は、真鍮、スズめっき銅、スズめっきステンレススチール、またはスズめっきニッケルからなる、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
導電層はテープ状、またはメッシュ状をなす、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
導電層はバスを有する請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
導電層は、第１の基板内の開口に配置された導電性接着材料を介して、第１の電極に電気的に接続される、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
導電性接着材料は金属添加ポリマーからなる、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
導電層は、さらに金属円板を介して第１の電極に電気的に接続される、請求項５に記載のシステム。
【請求項８】
金属円板は、チタン、ステンレススチール、パラジウム、白金、銅、スズ、アルミニウム、インジウム、金、銀、ニッケル、またはこれらの合金からなる、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
導電層は、第１の基板内の開口に配置された導電性パッドを介して、第１の電極に電気的に接続される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
導電性パッドは、金属ばねまたは炭素を含有するポリマーからなる、請求項９に記載の
システム。
【請求項１１】
前記ポリマーは、ゴム、シリコーン、または硬化性弾性ポリマーである、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
導電層は、第１の基板内の開口に配置された低融点金属または低融点合金を介して、第１の電極に電気的に接続される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
導電層は、第１の電極上の２箇所以上の位置において、第１の電極に電気的に接続される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
導電層は第１の基板と第２の基板との間に配置される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
第１または第２の基板は、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、炭化水素ポリマー、セルロース系ポリマー、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、およびこれらの組合せから選択されたポリマーからなる、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
第１の基板と第１の電極との間の第１の接着層、および第１の基板と導電層との間の第２の接着層をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１７】
第１または第２の接着層は、エポキシ、ポリウレタン、ポリ尿素、ポリエステル、スチレン−アクリロニトリルコポリマー、ポリエチレン系ポリマー、またはポリプロピレン系ポリマーからなる、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
第１の電極は金属箔からなる請求項１に記載のシステム。
【請求項１９】
金属箔はチタン、ステンレススチール、パラジウム、白金、銅、アルミニウム、インジウム、金、銀、ニッケル、またはこれらの合金からなる、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
光活性材料は電子供与体材料と電子受容体材料とを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項２１】
電子受容体材料は、フラーレン、無機ナノ粒子、オキサジアゾール、ディスコティック液晶、炭素ナノロッド、無機ナノロッド、ＣＮ基含有ポリマー、ＣＦ３基含有ポリマー、およびこれらの組合せから選択された材料からなる、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２２】
電子供与体材料は、ディスコティック液晶、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニルビニレン、ポリシラン、ポリチエニルビニレン、およびポリイソチアナフタレンから選択された材料からなる、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２３】
光活性材料は光増感凝集ナノ粒子材料を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項２４】
光増感凝集ナノ粒子材料は、セレン化物、硫化物、テルル化物、酸化チタン、酸化タングステン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、およびこれらの組合せから選択された材料からなる、請求項２３に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月30日(2009.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を研磨するための化学的機械的研磨システムであって、
（ａ）水溶性シリケート化合物、
（ｂ）基板の少なくとも一部を酸化する酸化剤、
（ｃ）水、及び
（ｄ）研磨パッド
を含み、そして該研磨システムが砥材粒子を有していないことを特徴とする化学的機械的研磨システム。
【請求項２】
前記水溶性シリケート化合物が、ケイ酸カリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸カリウム及びメタケイ酸ナトリウムからなる群から選ばれる、請求項１に記載の研磨システム。
【請求項３】
前記水溶性シリケート化合物がケイ酸カリウムであり、前記ケイ酸カリウムが２．８〜３．９のＳｉＯ２：Ｋ２Ｏモル比を有している、請求項２に記載の研磨システム。
【請求項４】
前記酸化剤が、過酸化水素、ヨウ素酸カリウム、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、水素ペルオキシ一硫酸硫酸カリウム、モリブデン酸アンモニウム、硝酸第二鉄、硝酸カリウム及びそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の研磨システム。
【請求項５】
９もしくはそれ以上のｐＨを有している、請求項１〜４のいずれか１項に記載の研磨システム。
【請求項６】
４もしくはそれ未満のｐＨを有している、請求項１〜４のいずれか１項に記載の研磨システム。
【請求項７】
１〜５０ｐｐｍのカルシウムイオンをさらに含んでいる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の研磨システム。
【請求項８】
（ｉ）基板に、
（ａ）水溶性シリケート化合物、
（ｂ）基板の少なくとも一部を酸化する酸化剤、
（ｃ）水、及び
（ｄ）研磨パッド
を含み、そして砥材粒子を有していない研磨システムを接触させること、
（ii）前記研磨パッドを前記基板に関して移動させること、及び
（iii）前記基板の少なくとも一部を砥磨して前記基板を研磨すること
を含む、基板を研磨する方法。
【請求項９】
前記水溶性シリケート化合物が、ケイ酸カリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸カリウム及びメタケイ酸ナトリウムからなる群から選ばれる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記水溶性シリケート化合物がケイ酸カリウムであり、前記ケイ酸カリウムが２．８〜３．９のＳｉＯ２：Ｋ２Ｏモル比を有している、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記酸化剤が、過酸化水素、ヨウ素酸カリウム、過マンガン酸カリウム、過硫酸アンモニウム、水素ペルオキシ一硫酸硫酸カリウム、モリブデン酸アンモニウム、硝酸第二鉄、硝酸カリウム及びそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記研磨システムが９もしくはそれ以上のｐＨを有している、請求項８〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記研磨システムが４もしくはそれ未満のｐＨを有している、請求項８〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記研磨システムが１〜５０ｐｐｍのカルシウムイオンをさらに含んでいる、請求項８〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記基板がタンタルを含む、請求項８〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月17日(2009.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの導電性アルミ箔担体、少なくとも一つの導電性拡散障壁層、および前記拡散障壁層上に少なくとも一つの導電性電極層を備える担体を提供する工程であって、前記拡散障壁層が前記アルミ箔担体および前記電極層の間の化学的な相互作用を防止する担体を提供する工程と、
前記担体上に吸収層を形成する工程と
を含む方法。
【請求項２】
前記形成工程は、最初に新生吸収層を形成する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
緻密なフィルムを形成するため前記新生吸収層を反応させる工程をさらに含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
緻密なフィルムを形成するため前記新生吸収層を加熱する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記拡散障壁層は、加熱時における前記箔担体中のアルミニウムおよび前記電極層中の金属の相互拡散を妨げる請求項１に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも一つの導電性アルミ箔担体、少なくとも一つの導電性拡散障壁層、および前記拡散障壁層上に少なくとも一つの導電性電極層を備え、前記拡散障壁層が前記アルミ箔担体および前記電極層の間の化学的な相互作用を防止する担体と、
前記担体上に吸収層と
を備える光電池装置。
【請求項７】
請求項６に記載の装置を含む光電池装置モジュールであって、
絶縁層および導電性バックプレーンであって、前記絶縁層が前記担体および前記バックプレーンの間に挟まれる絶縁層および導電性バックプレーンと、
前記吸収層が前記担体および前記透明導電膜の間にあるように配置される透明導電膜と、
前記透明導電膜および前記バックプレーンの間における一つ以上の電気接点であって、前記電気接点が前記透明導電膜、前記吸収層、前記担体、および前記絶縁層を通じて形成され、前記電気接点が前記吸収層、前記担体、および前記絶縁層から絶縁されている電気接点と
をさらに備える光電池装置モジュール。
【請求項８】
光電池装置の吸収層を形成する方法であって、
少なくとも一つの導電性の金属化ポリマー箔担体、少なくとも一つの導電性拡散障壁層、および前記拡散障壁層上に少なくとも一つの導電性背面電極層を備える担体を提供する工程であって、前記拡散障壁層が前記金属化ポリマー箔担体および上前記背面電極層の間の化学的な相互作用を防止する工程と、
前記担体上に吸収層を形成する工程と
を含む方法。
【請求項９】
前記箔担体は、ポリエステル、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、および／または前記の組み合わせよりなる群から選択されたポリマーである請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも一つの導電性アルミ箔担体、少なくとも一つの導電性拡散障壁層、および前記拡散障壁層上に少なくとも一つの導電性背面電極層を備える担体であって、前記拡散障壁層が前記アルミ箔担体および前記電極層の間の化学的な相互作用を防止する担体と、
前記担体上に吸収層と
を備える光電池装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の装置を含む光電池装置モジュールであって、
絶縁層および導電性バックプレーンであって、前記絶縁層は前記担体および前記バックプレーンの間に挟まれる絶縁層および導電性バックプレーンと、
前記吸収層が前記担体および前記透明導電膜の間にあるように配置される透明導電膜と、
前記透明導電膜および前記バックプレーンの間における一つ以上の電気接点であって、前記電気接点が前記透明導電膜、前記吸収層、前記担体、および前記絶縁層を通じて形成され、前記電気接点が前記吸収層、前記担体、および前記絶縁層から絶縁されている電気接点と
をさらに備える光電池装置モジュール。
【請求項１２】
前記担体と結合した第二の拡散障壁層をさらに含む請求項１，６，７，８又は１０に記載の方法、装置又は装置モジュール。
【請求項１３】
前記拡散障壁層は、クロム、バナジウム、タングステン、ガラス、窒化物、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム、窒化シリコン、酸化物、炭化物、または上記の組み合わせのうちの一つ以上を含む請求項１，６，７，８又は１０に記載の方法、装置又は装置モジュール。
【請求項１４】
前記第二の拡散障壁層は、クロム、バナジウム、タングステン、ガラス、窒化物、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム、窒化シリコン、酸化物、炭化物、または上記の組み合わせのうちの一つ以上を含む請求項１２に記載の方法、装置又は装置モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月23日(2009.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラインエッジ粗さを低減させて層内に特徴を形成するための方法であって、
前記層の上に、フォトレジスト層を形成し、
フォトレジスト側壁をともなうフォトレジスト特徴を形成するために、前記フォトレジスト層をパターン形成し、
各サイクルは、前記フォトレジスト層上に層を堆積させる工程を含み、前記堆積層は、単分子層から２０ｎｍまでの厚さとなる複数のサイクルを実施することにより、前記フォトレジスト特徴の前記側壁の上に、厚さ１００ｎｍ未満の側壁層を形成し、
前記フォトレジスト特徴を通して前記層内に特徴をエッチングし、
前記フォトレジスト層および前記側壁層を剥ぎ取る
方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記側壁層を形成する各サイクルは、更に、側壁層を残しつつ、前記フォトレジスト特徴の底部の上に形成された前記堆積層の部分を除去するために前記堆積層をエッチバックする方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の方法であって、
前記フォトレジスト層上への前記層の堆積は、原子層成長、化学気相成長、スパッタリング蒸着、プラズマ蒸着、およびプラズマ化学気相成長のうちの少なくとも１つを、１２０ボルト未満のバイアス電位で実施することにより行なわれる方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の方法であって、更に、
前記フォトレジスト層上に前記層を堆積させる間に、前記基板を摂氏−８０〜１２０度の温度に加熱する方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の方法であって、
前記側壁の上への前記側壁層の堆積は、３〜１０サイクルにわたって実施される方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の方法であって、
前記フォトレジスト層上への前記層の堆積は、ポリマー、ＴＥＯＳ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ2、ＳｉＣ、Ｓｉ、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、Ｃｕ、ＨｆＯ2、Ｍｏ、Ｔａ、ＴａＮ、ＴａＯ2、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＯ2、ＴｉＳｉＮ、およびＷのうちの少なくとも１つの層を堆積させることを含む方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の方法であって、更に、
残留するあらゆる堆積層をエッチングするために、ブレイクスルーエッチングを実施することを備える方法。
【請求項８】
請求項２ないし請求項７のいずれかに記載の方法であって、
前記フォトレジスト層上に前記層を堆積させること、前記エッチバックすること、前記ブレイクスルーすること、および前記特徴をエッチングすることは、単一のプラズマチャンバ内で、ｉｎ−ｓｉｔｕで行なわれる方法。
【請求項９】
請求項２ないし請求項８のいずれかに記載の方法であって、
前記エッチバックすることは、更に、前記フォトレジスト層の頂部の上の前記堆積層の部分を除去する方法。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の方法によって形成される半導体デバイス。
【請求項１１】
エッジ粗さを低減させてエッチング層内に特徴を形成するための方法であって、
フォトレジスト側壁をともなうフォトレジスト特徴を形成するために、前記エッチング層の上に、パターン形成されたフォトレジスト層を形成し、
複数のサイクルを実施することにより、前記フォトレジスト特徴の前記側壁の上に、厚さ１００ｎｍ未満の側壁層を形成し、
前記各サイクルは、
単分子層から２０ｎｍまでの厚さを有する層をフォトレジスト層上に堆積させる工程と、
側壁層を残しつつ、前記フォトレジスト特徴の底部の上に形成された前記堆積層の部分を除去するために前記堆積層をエッチバックする工程と
を含み、
前記フォトレジスト特徴を通して前記エッチング層内に特徴をエッチングし、
前記フォトレジスト層および前記側壁層を剥ぎ取り、
前記フォトレジスト層上への前記層の堆積と、前記エッチバック、前記特徴のエッチング、および前記剥ぎ取りは、単一のプラズマチャンバ内で、ｉｎ−ｓｉｔｕでなされる方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記フォトレジスト層上への前記層の堆積は、原子層成長、化学気相成長、スパッタリング蒸着、プラズマ蒸着、およびプラズマ化学気相成長のうちの少なくとも１つを、１２０ボルト未満のバイアス電位で実施することにより行なわれる
方法。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２のいずれかに記載の方法であって、更に、
前記フォトレジスト層上に前記層を堆積させる間に、前記基板を８０〜１２０℃の温度に加熱する方法。
【請求項１４】
請求項１１ないし請求項１３のいずれかに記載の方法であって、
前記側壁の上への前記側壁層の堆積は、３〜１０サイクルにわたって実施される
方法。
【請求項１５】
請求項１１ないし請求項１４のいずれかに記載の方法であって、
前記フォトレジスト層上への前記層の堆積は、ポリマー、ＴＥＯＳ、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ2、ＳｉＣ、Ｓｉ、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、Ｃｕ、ＨｆＯ2、Ｍｏ、Ｔａ、ＴａＮ、ＴａＯ2、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＯ2、ＴｉＳｉＮ、およびＷのうちの少なくとも１つの層を堆積させることを含む
方法。
【請求項１６】
請求項１１ないし請求項１５のいずれかに記載の方法によって形成される半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月9日(2009.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレスネットワーク内のノードにアドレスを割り当てるための方法であって、
アドレス空間をｎ次元格子として定義するステップと、
親ノードから前記ワイヤレスネットワークに参加する子ノードに対して、子ノードアドレスの１つの成分が、前記親ノードの対応する成分よりも１だけ大きくなるように、割り当てられていない論理アドレスを前記子ノードアドレスとして割り当てるステップと、
を含み、
前記格子の交点のそれぞれは、前記ワイヤレスネットワークの対応する取り得るノードの座標を有し、前記座標の成分の数は、前記格子の次元数に等しく、前記座標は、前記対応する取り得るノードの論理アドレスを形成することを特徴とするワイヤレスネットワーク内のノードにアドレスを割り当てるための方法。
【請求項２】
前記各成分の取り得る値の範囲は、前記成分を表現するために用いられるビットの数によって決定されることを特徴とする請求項１に記載のワイヤレスネットワーク内のノードにアドレスを割り当てるための方法。
【請求項３】
前記格子は、平行六面体の形状を有することを特徴とする請求項１に記載のワイヤレスネットワーク内のノードにアドレスを割り当てるための方法。
【請求項４】
前記ネットワークのコーディネータノードの前記論理アドレスとして、前記格子の１つのコーナの座標を割り当てるステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のワイヤレスネットワーク内のノードにアドレスを割り当てるための方法。
【請求項５】
前記子ノードによって、アドレス要求メッセージを報知するステップと、
１つまたは複数の潜在的な親ノードによって、前記アドレス要求メッセージに応答するステップと、
前記子ノードにおいて、前記潜在的な親ノードのうちの１つを前記親ノードとして選択するステップと、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のワイヤレスネットワーク内のノードにアドレスを割り当てるための方法。
【請求項６】
前記親ノードを選択することは、前記応答するノードの信号強度に基づくことを特徴とする請求項５に記載のワイヤレスネットワーク内のノードにアドレスを割り当てるための方法。
【請求項７】
前記論理アドレスは、前記ノード間の経路を暗示することを特徴とする請求項１に記載のワイヤレスネットワーク内のノードにアドレスを割り当てるための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月18日(2009.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面、下面、および１つ以上の側面を形成する一緒に積層された２層以上の絶縁層と、
前記１つ以上の側面のうち少なくとも１つの側面に位置した１つ以上の半田パッドとを備え、前記半田パッドの少なくとも１つが少なくとも１つのビア（VIA）およびトレースを介して上面および下面の少なくとも一方と電気的に接続することを特徴とするプリント配線基板（ＰＷＢ）。
【請求項２】
前記１つ以上の半田パッドが、前記１つ以上の側面に露出された空隙部を含む請求項１に記載のＰＷＢ。
【請求項３】
前記上面および前記下面の少なくとも一方が１つ以上の半田パッドを有する請求項２に記載のＰＷＢ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月6日(2009.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
一次放射を発する少なくとも１つの発光ダイオードを備えると共に、前記のようなダイオードに接続されている層であって前記一次放射を二次放射に変換する少なくとも１つの発光材料を含んでいる層を有する光源を使用するステップと、
パルス幅（パルス期間）及びパルス間の距離（スイッチングオフ期間）を含むパルス成形された電流によって前記ダイオードを駆動する切換え装置を使用するステップと、
を有する光を生成する方法であって、減衰期間を有する前記発光材料は、前記光源を出る前記一次放射及び／又は前記二次放射を含む光の輝度及び色が互いから独立に変化可能であり、これにより前記パルス幅が前記減衰期間に実質的に等しくなるような仕方で、前記一次放射によって励起されるステップを有する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の光源を使用している請求項９乃至１２の何れか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月10日(2009.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体コンデンサであって、多孔質陽極体と、前記多孔質陽極体の表面上に形成される誘電体層と、前記誘電体層上に形成される陰極層とを含み、前記陽極体が、少なくとも２，０００ｐｐｍの窒素を含有する導電性セラミック材料から形成され、前記陰極層が、導電性ポリマ材料から形成される組合せを特徴とする固体コンデンサ。
【請求項２】
前記導電性セラミック材料は、金属酸化物または金属窒化物であることを特徴とする請求項１に記載の固体コンデンサ。
【請求項３】
前記金属酸化物は、酸化ニオブであることを特徴とする請求項２に記載の固体コンデンサ。
【請求項４】
前記酸化ニオブは、ニオブ：酸素の原子比が１：０．５から１：２．５であることを特徴とする請求項３に記載の固体コンデンサ。
【請求項５】
前記酸化ニオブは、一酸化ニオブを含むことを特徴とする請求項４に記載の固体コンデンサ。
【請求項６】
前記導電性ポリマ層は、導電性ポリマ材料の複数層の積層体を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の固体コンデンサ。
【請求項７】
前記導電性ポリマは、内在的な導電性ポリマを含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の固体コンデンサ。
【請求項８】
前記導電性ポリマは、アセチレン、チオフェン、ピロール、またはアニリンのモノマ単位またはそれらの混合物をベースとしたものであることを特徴とする請求項７に記載の固体コンデンサ。
【請求項９】
前記導電性ポリマは、ポリチオフェンを含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の固体コンデンサ。
【請求項１０】
前記ポリチオフェンは、ポリ３，４−エチレンジオキシチオフェンであることを特徴とする請求項９に記載の固体コンデンサ。
【請求項１１】
前記導電性ポリマは、過剰な電荷を供給し、導電性を可能にするかまたは補助するドープ剤をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の固体コンデンサ。
【請求項１２】
前記ドープ剤は、陰イオンを含むことを特徴とする請求項１１に記載の固体コンデンサ。
【請求項１３】
前記ドープ剤は、陰イオンと陽イオンとを含むイオン化合物を含むことを特徴とする請求項１２に記載の固体コンデンサ。
【請求項１４】
前記ドープ剤は、トシル酸鉄（ＩＩＩ）を含むことを特徴とする請求項１２に記載の固体コンデンサ。
【請求項１５】
前記ドープ剤は、スルホン酸溶液を含むことを特徴とする請求項１３または１４に記載の固体コンデンサ。
【請求項１６】
最終製品の前記固体コンデンサは、５ｎＡ／ＣＶよりも小さなＤＣＬを有することを特徴とする請求項１乃至１５のいずれかに記載の固体コンデンサ。
【請求項１７】
最終製品の前記固体コンデンサは、１，０００ＣＶ／ｇから４００，０００ＣＶ／ｇまでの比電荷を有することを特徴とする請求項１乃至１６のいずれかに記載の固体コンデンサ。
【請求項１８】
前記コンデンサは、陽極および陰極端子を備え、かつ任意選択的に端子の表面が露出して封入されることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれかに記載の固体コンデンサ。
【請求項１９】
固体コンデンサを形成する方法であって、
（ｉ）多孔質陽極体を準備する工程と、
（ｉｉ）前記多孔質陽極体の表面上に誘電体層を形成する工程と、
（ｉｉｉ）前記誘電体層上に陰極層を形成する工程とを含み、
前記陽極体が、少なくとも２，０００ｐｐｍの窒素を含有する導電性セラミック材料から形成され、前記陰極層が、導電性ポリマ材料から形成される組合せを特徴とする方法。
【請求項２０】
前記導電性セラミックは、グリーンパウダ微粒子プリフォームの焼結によって陽極体に形成されることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記導電性ポリマは、前記誘電体層の表面上でモノマプリカーサのその場重合によって形成されることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記重合は、電解重合であることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記導電性ポリマは、後で凝固を可能にするかまたは凝固するように誘発される液体プリカーサとして塗布されることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
前記液体プリカーサは、複数の層中に塗布され、そうすることによって、複数の分離した層、好ましくは少なくとも４つの層を含む導電性ポリマ層積層体を形成することを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記導電性ポリマは、第１の層、次に第２の層を塗布し、次に第１の層と第２の層のうちの１つがポリマプリカーサ層となり、もう一方の層がドープ剤層になることによって形成されることを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記ドープ剤層が、前記プリカーサ層の前に塗布されることを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
ドープ剤層とプリカーサ層が交互に順次塗布され、多層陰極層を構築することを特徴とする請求項２５または２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記ドープ剤が、前記プリカーサの重合を誘発するかまたは容易にすることを特徴とする請求項２５乃至２７のいずれかに記載の方法。
【請求項２９】
前記誘電体層は、６Ｖから１５０Ｖまでの電圧での陽極処理によって形成されることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月17日(2009.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式Ｉ：
【化１】
2009505851.tif 000001
〔式中、
Ｒ１は、非置換であることができるか又はＣ１〜Ｃ８アルカリ、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ若しくはハロゲンにより置換されていることができる、フェニル又はナフチルであるか；或いは
非置換であることができるか又はＣ１〜Ｃ８アルコキシ若しくはハロゲンにより置換されていることができる、Ｃ１〜Ｃ２０アルキルであり、
Ｘは、式：−Ｃ（＝ＮＨ）−、−Ｃ（＝Ｓ）−又は−Ｃ（＝Ｏ）−の基であり、
Ａは、非置換又は置換のフェニレン、ナフチレン若しくはＣ１〜Ｃ１２アルキレンであるか、或いは非置換又は置換複素環基であり、
Ｂは、式：−Ｏ−ＳＯ２−、−ＳＯ２−Ｏ−、−ＮＨ−ＳＯ２−、−ＳＯ２−ＮＨ−、−Ｓ−ＳＯ２−、−Ｏ−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＮＨ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｓ−ＣＯ−ＮＨ−、−Ｓ−ＣＳ−ＮＨ−、−ＣＯ−ＮＨ−ＳＯ２−、−Ｏ−ＣＯ−ＮＨ−ＳＯ２−、−ＮＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−ＮＨ−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−ＳＯ２−ＮＨ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−及び−Ｏ−ＰＯ−（ＯＲ２）２の結合基であり、そして
Ｒ２は、非置換であることができるか又はＣ１〜Ｃ８アルキル、ハロゲン置換Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ置換Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ、ハロゲン置換Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ若しくはハロゲンにより置換されていることができる、アリールであるか；或いは
Ｃ１〜Ｃ８アルキル、ハロゲン置換Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ置換Ｃ１〜Ｃ８アルキル、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ、ハロゲン置換Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ又はハロゲンにより置換されていることができる、ベンジルであるか；或いは
非置換であることができるか又はＣ１〜Ｃ８アルコキシ、ハロゲン、フェニル又はナフチルにより置換されていることができるＣ１〜Ｃ２０アルキルである〕
で示される顕色剤を含み、
ａ）顕色剤Ｉの１００乾燥重量部あたり０．１〜５乾燥重量部のアニオン性分散剤と、
ｂ）顕色剤Ｉの１００重量部あたり０．０１〜２．０乾燥重量部の増粘剤と
を含む、組成物。
【請求項２】
Ｒ１が、Ｃ１〜Ｃ４アルキルで置換されているフェニルであり、
Ｘが、式：−Ｃ（＝Ｏ）−の基であり、
Ａが、非置換又はＣ１〜Ｃ４アルキル若しくはハロゲンにより置換されているフェニレンであり、
Ｂが、式：−Ｏ−ＳＯ2−又は−Ｏ−の結合基であり、そして
Ｒ２が、非置換又はＣ１〜Ｃ４アルキル若しくはハロゲンにより置換されているフェニル、ナフチル又はベンジルである
顕色剤Ｉが選択される、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
増粘剤が、キサンタンガム、アルギン酸ナトリウム、水溶性カルボン酸塩か、アクリルアミド、アクリル酸、アクリル酸エチル若しくはメタクリル酸に基づくポリマー又はコポリマーからなる群より選択される、請求項１又は２記載の組成物。
【請求項４】
追加の成分として殺生物剤が添加される、請求項１〜３のいずれか１項記載の組成物。
【請求項５】
ａ）少なくとも５０重量％の顕色剤Ｉと、
ｂ）乾燥顕色剤Ｉの１００部あたり、０．１〜５乾燥部の量のアニオン性分散剤と、
ｃ）乾燥顕色剤Ｉの１００部あたり、０．０１〜２．０乾燥部の量の増粘剤と、
ｄ）場合により殺生物剤と、
ｅ）１００％にする水と
を含む、請求項１〜４のいずれか１項記載の組成物。
【請求項６】
ａ）発色化合物と、
ｂ）請求項１〜５のいずれか１項記載の化合物と
を含む、感熱記録材料。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項記載の組成物の製造方法であって、
ａ）顕色剤Ｉ、アニオン性分散剤及び水、場合により殺生物剤を混合すること、
ｂ）そのようにして得られた混合物を、０．２〜２．０μmの範囲の平均粒径を得るために処理すること、及び
ｃ）工程ｂ）で処理された混合物を増粘剤とブレンドすること
を特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１記載の保存安定顕色剤組成物の製造のための増粘剤の使用。
【請求項９】
請求項１記載の組成物を含む紙。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月22日(2009.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステントと、
近位部分と遠位部分を有するカテーテルと、
近位部分と遠位部分を有するアクセスシースと、
を備えているアクセスキットであって、
該カテーテルは、該アクセスシースに取り外し可能に接続されており、
該カテーテルと該アクセスシースは、実質的に同軸であり、
該カテーテルは、該アクセスシースより長く、
該カテーテルの長さは、該アクセスシースの長さの２倍よりも短い、アクセスキット。
【請求項２】
該ステントは、該アクセスシースを通してステントポジショナによって展開可能であり、
該カテーテルは、随意的に該ステントポジショナとしての役割を果たす、請求項１に記載のキット。
【請求項３】
該アクセスシースは、長さが約７０ｃｍである、請求項１に記載のキット。
【請求項４】
該カテーテルは、長さが約５０ｃｍから８５ｃｍである、請求項１に記載のキット。
【請求項５】
該カテーテルと該アクセスシースは、長さが約１４５ｃｍから１５０ｃｍのワイヤガイドと共に使用するようにされている、請求項１に記載のキット。
【請求項６】
該カテーテルの該近位部分は、コネクタを更に備えており、
該アクセスシースの該近位部分は、コネクタを更に備えており、
該カテーテルの該コネクタは、該アクセスシースの該コネクタに取り外し可能に接続できるようにされている、請求項１に記載のキット。
【請求項７】
該カテーテルと該アクセスシースの内の少なくとも一方は、Ｘ線又は蛍光透視によって観察可能な少なくとも１つのマーキングバンドを更に備えている、請求項１に記載のキット。
【請求項８】
該カテーテルとアクセスシースの内の少なくとも一方は、迅速交換システムである、請求項１に記載のキット。
【請求項９】
該ステントとアクセスシースが各々尿管に挿入されるように構成されている、請求項１に記載のキット。
【請求項１０】
該カテーテルは、該カテーテルを通して注入される流体を受け入れるように構成されている、請求項１に記載のキット。
【請求項１１】
該カテーテルは、該カテーテルに流体を注入するように構成されている雌型ルアーロック接続部を更に備える、請求項１０に記載のキット。
【請求項１２】
該ステントが金属製である、請求項１に記載のキット。
【請求項１３】
該ステントが二重ピグテール尿管ステントである、請求項１に記載のキット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アクセスキット
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月2日(2009.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分散剤を含み、かつ連続相としてのハロゲン化有機溶媒、エーテル又はカルボン酸エステルに対して、その分散相として平均径が500nm未満の一次粒子を有する解凝集硫酸バリウムを含み、前記一次粒子は、順次、結晶化抑制剤を含むことを特徴とする分散系。
【請求項２】
前記硫酸バリウムが、一次硫酸バリウム粒子と二次硫酸バリウム粒子を含み、前記二次硫酸バリウム粒子が2000nm未満の平均粒径を有する請求項１に記載の分散系。
【請求項３】
前記結晶化抑制剤が、少なくとも１個のアニオン性基を有する化合物から選択される請求項１又は２に記載の分散系。
【請求項４】
前記結晶化抑制剤中の前記アニオン性基が、少なくとも１個のスルフェート基、少なくとも１個のスルホネート基、少なくとも２個のホスフェート基、少なくとも２個のホスホネート基、少なくとも２個のカルボキシレート基、又はこれらの混合物である請求項３に記載の分散系。
【請求項５】
前記結晶化抑制剤が、炭素鎖Rとn個の置換基[A(O)OH]を有する下記式(I)の化合物又はその塩である請求項１〜３のいずれか１項に記載の分散系。
(I) R[-A(O)OH]n
（式中、Rは疎水性部分及び/又は親水性部分を有する有機基であり、Rは低分子量のオリゴマー又はポリマーの炭素鎖であり、AはC、P(OH)、OP(OH)、S(O)又はOS(O)であり、かつnは1〜10,000である。）
【請求項６】
前記結晶化抑制剤が、炭素鎖Rとn個の置換基[A(O)OH]を有する下記式(I)の化合物又はその塩である請求項１〜３のいずれか１項に記載の分散系。
(I) R[-A(O)OH]n
（式中、Rは酸素、窒素、リン若しくは硫黄を介して基Rに結びつく基で置換されている有機基であり、AはC、P(OH)、OP(OH)、S(O)又はOS(O)であり、かつnは1〜10,000である。）
【請求項７】
前記結晶化抑制剤が、少なくとも２個のカルボキシレート基を有するカルボン酸；アルキルスルフェート；アルキルベンゼンスルホネート；ポリアクリル酸；ポリアスパラギン酸；ジホスホン酸；エチレンジアミン又は少なくとも１個のカルボン酸若しくはホスホン酸を含有するジエチレントリアミン誘導体；又はこれらの塩である請求項１〜６のいずれか１項に記載の分散系。
【請求項８】
前記分散剤が、前記硫酸バリウムの表面と相互作用できるアニオン性基を有する請求項１に記載の分散系。
【請求項９】
前記分散剤が、１以上の有機基R1を有し、R1が低分子量のオリゴマー又はポリマーの炭素鎖であり、酸素、窒素、リン若しくは硫黄ヘテロ原子を含み、及び/又は酸素、窒素、リン若しくは硫黄を介して基R1に結びつく基で置換されている請求項８に記載の分散系。
【請求項１０】
前記分散剤が、部分として、ポリエーテルベース側鎖と、C6-C10アルケニル基とを有するリン酸ジエステルである請求項８又は９に記載の分散系。
【請求項１１】
前記分散剤が、ポリマーに又はポリマー中に結合するための基を有し、ポリマーに又はポリマー中に結合するための前記基が、OH、NH、NH2、SH、O-Oペルオキソ、C-C二重結合、4-オキシベンゾフェノンプロピルホスホネート基又はこれらの混合物から選択される請求項８〜１０のいずれか１項に記載の分散系。
【請求項１２】
前記分散剤がポリエーテル又はポリエステルベース側鎖を有する請求項８に記載の分散系。
【請求項１３】
前記分散剤がポリエーテルポリカルボキシレート（該ポリエーテルベース側鎖上でヒドロキシル基にて末端置換されている）である請求項８に記載の分散系。
【請求項１４】
前記連続相が、脂肪族若しくは芳香族ハロカーボン化合物又は脂肪族若しくは芳香族ヒドロハロカーボン化合物又はこれらの混合物を含む請求項１に記載の分散系。
【請求項１５】
前記連続相が、クロロカーボン、クロロフルオロカーボン、ヒドロクロロカーボン、ヒドロフルオロカーボン及びヒドロクロロフルオロカーボンから成る群より選択される１以上のハロカーボン化合物を含む請求項１４に記載の分散系。
【請求項１６】
前記ハロカーボン化合物が、１〜６個の炭素原子を有する線状及び分岐アルカン化合物から成る群より選択される請求項１５に記載の分散系。
【請求項１７】
前記硫酸バリウムが0.1質量％〜７０質量％の量で存在する請求項１に記載の分散系。
【請求項１８】
a) 0.5μm未満の一次粒径を有する沈殿し、乾燥した硫酸バリウムを、結晶化抑制剤の存在下で沈殿した硫酸バリウムから開始して、分散剤と、ハロゲン化有機溶媒、エーテル、カルボン酸エステル又はこれらの混合物との存在下で解凝集するか、又は
b) 結晶化抑制剤と、凝集を阻止し、及び/又は再凝集を防止する分散剤との存在下で沈殿した0.5μm未満の一次粒径を有する沈殿し、乾燥した硫酸バリウムを、ハロゲン化有機溶媒、エーテル、カルボン酸エステル又はこれらの混合物の存在下で解凝集する、
請求項１〜１７のいずれか１項に記載の解凝集硫酸バリウムの分散系の製造方法。
【請求項１９】
請求項１〜１７のいずれか１項に記載の解凝集硫酸バリウムの分散系の、プラスチック及び接着剤を製造するための使用。
【請求項２０】
解凝集硫酸バリウムの、ハロゲン化有機溶媒、エーテル又はエステルをベースとした分散系中での使用であって、該硫酸バリウムが、500nm未満の平均一次粒径及び2000nm未満の平均二次粒径を有し、かつ分散剤及び結晶化抑制剤を含むことを特徴とする使用。