(57)【要約】  本発明は、基板（３）上に、導電性材料（９）から成る少なくとも１つの構造化された層（１５）を含む電子構成部分に関する。ここでは導電性材料（９）から成る構造化された層（１５）の上に、第２の材料（１１）から成る保護層（１７）が被着される。この第２の材料（１１）は、前記構造化された層（１５）の導電性材料（９）よりも、よりイオン化傾向が大きい。さらに本発明は、電子構成部分（１）の製造方法に関する。ここでは第１のステップにおいて、導電性材料（９）から成る構造化された層（１５）を基板（３）上に被着し、第２のステップにおいて、前記構造化された層（１５）の導電性材料（９）よりもイオン化傾向がより大きい第２の材料（１１）から成る保護層（１７）を、前記構造化された層（１５）の上に被着する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（３）上に、導電性材料（９）から成る少なくとも１つの構造化された層（１５）を含む電子構成部分であって、
前記導電性材料（９）から成る構造化された層（１５）上に、第２の材料（１１）から成る保護層（１７）が設けられており、
当該第２の材料（１１）は、前記構造化された層（１５）の導電性材料（９）よりもイオン化傾向がより大きい、
ことを特徴とする電子構成部分。
【請求項２】
前記導電性材料（９）は、アルミニウム、金および白金から成るグループから選択される、請求項１記載の電子構成部分。
【請求項３】
前記構造化された層（１５）の導電性材料（９）よりもイオン化傾向が大きい前記材料（１１）は、マグネシウム、亜鉛、アルミニウム、チタンから成るグループおよびその混合物並びにそれらの酸化物から選択される、請求項１または２記載の電子構成部分。
【請求項４】
導電性材料（９）から成る前記構造化された層（１５）と前記基板（３）との間に接着仲介剤（５）が設けられている、請求項１から３までのいずれか１項記載の電子構成部分。
【請求項５】
前記基板（３）は半導体材料を含んでいる、請求項１から４までのいずれか１項記載の電子構成部分。
【請求項６】
導電性材料（９）から成る前記構造化された層（１５）は、０．１〜５μｍの範囲の層厚を有している、請求項１から６までのいずれか１項記載の電子構成部分。
【請求項７】
前記第２の材料（１１）から成る前記保護層（１７）は、１０ｎｍ〜１００μｍの領域の層厚を有している、請求項１から６までのいずれか１項記載の電子構成部分。
【請求項８】
前記電子構成部分の表面は、パッシベーション層によって覆われている、請求項１から７までのいずれか１項記載の電子構成部分。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか１項に記載された電子構成部分（１）の製造方法であって：
（ａ）導電性材料（９）から成る構造化された層（１５）を基板（３）上に被着するステップと、
（ｂ）前記構造化された層（１５）の導電性材料（９）よりもイオン化傾向の大きい第２の材料（１１）から成る保護層（１７）を、前記構造化された層（１５）の上に被着するステップとを有する、電子構成部分（１）の製造方法。
【請求項１０】
前記保護層（１７）を蒸着、スパッタリングまたは電気化学的な析出によって、前記構造化された層（１５）の上に被着する、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記保護層（１７）の材料（１１）を、ステップ（ｂ）における被着の後、酸化させる、請求項９または１０記載の方法。
【請求項１２】
前記保護層（１７）の材料（１１）の前記酸化を、酸化雰囲気において前記電子構成部分（１）を１００〜６００℃の領域の温度に加熱することによって行う、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
ステップ（ｂ）において、前記構造化された層（１５）の上に前記保護層を被着した後、パッシベーション層を、電子構成部材全体の表面上に被着する、請求項９または１０記載の方法。
【請求項１４】
前記電子構成部分を、前記パッシベーション層を被着する前に、まずは保護ガス雰囲気下で５０℃〜６５０℃の領域の温度まで加熱し、次に大気中で５０℃〜６５０℃の領域の温度まで加熱する、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記保護ガスはアルゴンまたは窒素またはアルゴンと窒素の混合物である、請求項１４記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
従来技術
本発明は、請求項１の上位概念に記載された電子的な構成部分を基礎とする。さらに本発明は、電子構成部分の製造方法に関する。
【０００２】
電子構成部分では、通常、導電性材料から成る構造化された層が基板上に被着される。この構造化された層はここで、一般的に、導体路ないしは導体路結合部として用いられ、種々異なる機能によって実現される、または複数の機能的な部材が構造化された層の上で相互に接続される。殊に、電子構成部分が高温領域で使用される場合には、この構造化された層は一般的にアルミニウム、金および／または白金から製造される。これによって、構造化された層が酸化されるのが回避される。
【０００３】
基板が半導体材料、例えば窒化ガリウムまたはシリコンカーバイドから成る場合には、しばしばチタン、タンタルケイ化物、ニッケルクロム合金または他の適切な材料、殊にその相応する酸化物が接着仲介剤として使用され、これによって、貴金属から成る構造化された層をより良好に半導体材料上に接着することができる。
【０００４】
しかし酸化雰囲気において（例えば空気がある場合に）温度が高いと、接着仲介剤として使用される、イオン化傾向が大きい材料、ひいては酸化しやすい材料（unedleren Material）がしばしば酸化されてしまい、構造化された層ひいては、構造化された層である導体路および金属製給電線の電気機能が失われることがある。
【０００５】
腐食から保護するために、例えば保護層または、誘電材料から成るパッシベーション部分を電子構成部分の上に被着することが知られている。しかしこのような保護層はしばしば、気密性に製造されているのではない。殊に高温負荷時には、種々の保護層材料と構造化された層の金属ないしは、基板材料との間の異なる熱膨張係数によって熱による応力が生じる。これは、亀裂ないしは故障を生じさせる恐れがある。これによって、殊に温度が高い場合には、酸素が給電線または構造化された層まで広がり、電気化学的なポテンシャルに応じて、イオン化傾向が大きい材料が相応する酸化化合物に酸化されてしまう。
【０００６】
ＤＥ−Ａ１０２００５０３４６６７号には例えば、半導体構成部分の製造が開示されている。ここでは、構造化された磁石積層体上にマスキング層が被着されている。このマスキング層は、有利には誘電材料を有している。マスキング材料を被着した後、エッチングステップが行われる。次に、別の絶縁層を被着することが開示されている。しかし、開示されている、誘電材料から成る保護層は、後続の製造ステップの間は、半導体構成部分を不所望な酸化から保護することはできない。長期安定性も、腐食環境および高温で作動される半導体構成部分では高くならない。
【０００７】
本発明の開示
発明の利点
本発明に相応して構成される電子構成部分は、基板上に、導電性材料から成る少なくとも１つの構造化された層を含んでいる。導電性材料から成るこの層上に、第２の材料から成る別の層が被着される。ここでこの第２の材料は、構造化された層の導電性材料よりも、イオン化傾向がより大きい。
【０００８】
構造化された層の導電性材料上に被着される第２の、イオン化傾向がより大きい材料は、犠牲アノードとして作用し、酸素が存在する場合に反応して、相応した酸化物になる。この酸化物はアクティブな保護層を形成し、その下にある材料ないしは材料結合体をパッシベーションし、これらをさらなる酸素侵入から保護する。このようにして、殊に酸化しやすい接着仲介剤が保護される。この接着仲介剤は、構造化された層を基板上により良好に接着するために用いられる。しかし、接着仲介剤を省略した場合にも、構造化された層を酸化から保護することができる。このような場合には例えば、構造化された層を、それ程、イオン化傾向が小さくない材料から製造することもできる。被着された保護層のまだイオン化傾向が大きい材料が酸化され、半導体材料に対して保護層を形成する。形成されたこの酸化層は一般的に気密性であり、その下に位置する構造化された層に対するさらなる酸素浸透を阻止する。一般的に、第２の材料の酸化は体積増大および質量増大と関連するので、パッシベーション作用は、酸化層がより厚くなるにつれて増大する。これによって、酸化が減速または停止する。このようにして形成された電子構成部分は、温度が高い場合にも使用可能であり、このような温度のもとで、酸化に対して安定した、構造化された層を有することができる。高い温度とは本願発明では、３００℃を上回る温度である。
【０００９】
構造化された層のための導電性材料は有利には、アルミニウム、金、白金、ロジウムから成るグループから、並びにこれらの金属の合金から選択される。殊に電子構成部分を高温領域において使用する場合には、構造化される層のための導電性材料として、金または白金が使用される。金または白金を使用することによって、構造化された層が酸素作用によって酸化され、その電気機能が失われしまうことが回避される。アルミニウム使用時の利点は、金または白金に比べて、アルミニウムの導電性がより良好である、ということである。しかしアルミニウムは一般的に表面に酸化層を形成してしまう。この酸化層は、導電性を低下させ、構成部分の適切な接触接続を弱めるないしは阻止してしまう。
【００１０】
構造化された層の導電性材料よりもイオン化傾向の大きい保護層用材料は有利には、マグネシウム、亜鉛、アルミニウム、チタンから成るグループから、およびそれらの混合物並びにその酸化物から選択される。一般的に、まずは金属から成る保護層が構造化された層の上に被着される。構成部分の作動時に通常は保護層の金属が酸化され、酸化物となる。しかし択一的に、所期のように金属を被着後に既に酸化することも可能である。金属の酸化によって一般的に、体積および質量が増大し、これによって、パッシベーション作用が、酸化物層が厚くなるにつれて増大する。
【００１１】
構造化された層のための導電性材料として例えばアルミニウムが選択される場合には、保護層の材料としては一般的に、アルミニウムよりもイオン化傾向が大きい材料が選択される。
【００１２】
基板上の導電性材料から成る構造化された層の接着を改善するために、有利には接着仲介剤が使用される。これは、導電性材料から成る構造化された層と基板との間に入れられる。接着仲介剤としては、例えばチタン、窒化チタン、タンタルケイ化物、ニッケル−クロム合金または、構造化された層の導電性材料を基板上により良く接着させることができる、当業者に公知の別の材料が適している。接着仲介剤の材料は一般的に、構造化された層の材料よりも、イオン化傾向がより大きい。これによって、酸素が存在する場合に、接着仲介剤は酸化する傾向を有する。しかし一般的には接着仲介剤の酸化によって、接着仲介剤は電気的に絶縁性になる。しかし、殊に、導電性材料から成る構造化された層と基板との間に電気的な接続が望まれている電気的な構成部分の場合にはこれによって、不所望な作用が生じてしまう。構造化された層の導電性材料よりもイオン化傾向の大きい第２の材料からなる保護層によって、接着仲介剤が酸化されるのが阻止される。これによって、構成部分の電気機能が、接着仲介剤の酸化によって失われてしまうことが阻止される。
【００１３】
その上に構造化された層が被着されている基板は、有利には半導体材料である。適切な半導体材料は例えば、窒化ガリウムまたはシリコンカーバイドである。基板が半導体材料である電子構成部分は殊に、マイクロエレクトロニクスモジュールでもある。これらは例えば半導体チップである。このような電子構成部分は例えば、高温電界効果トランジスタであり、例えばガスセンサとして使用される。
【００１４】
導電性材料から成る構造化された層は一般的に、０．１〜５μｍの層厚を有している。このような層厚は、一般的に、電子構成部分の機能を保護するのに充分である。これに加えて、相応する構成部分を狭い空間上に位置付けすることが可能である。
【００１５】
第２の材料から成る保護層は有利には、１０ｎｍ〜１００μｍの領域の層厚を有する。有利には、保護層の層厚は、１００ｎｍ〜１０μｍの範囲の領域にある。このような層厚は、電子構成部分の機能を保護するために、構造化された層および場合によっては接着仲介層をパッシベーションをするのに既に充分である。
【００１６】
腐食環境、殊に高温環境において電子構成部分を使用することによって、基板の半導体材料が損傷を受ける恐れがある場合には、有利には半導体材料上にパッシベーション層が被着される。しかし、従来技術から公知の方法では、析出されたパッシベーション層は殊にアルミニウム含有導体路、金含有導体路および／または白金含有導体路上で、不十分にしか接着されない。殊に半導体基板、導体路および気相の間の縁部では、パッシベーション層は、自身の接着が不良であるために崩壊し、電子構成部分の別の領域が、取り囲んでいるガス雰囲気にさらされてしまうことがある。このような欠点は、構造化された層の導電性材料よりもイオン化傾向が大きい第２の材料から成る本発明の保護層によって除去される。パッシベーションのために、電子構成部分の表面が、保護層を被着した後に、パッシベーション層によって覆われる。よりイオン化傾向の大きい材料から成る保護層は同時に、パッシベーション層に対する接着仲介剤の機能を有する。これによって、パッシベーション層の崩壊が殊に、導電性材料から成る構造化された層の領域において回避される。
【００１７】
本発明による電子構成部分の製造方法は以下のステップを有する：
（ａ）導電性材料から成る第１の層を基板上に被着する
（ｂ）第１の層の導電性材料よりもイオン化傾向がより大きい第２の材料から成る第２の層を第１の層の上に被着する。
【００１８】
ステップ（ａ）における第１の層の被着は、それぞれ任意の、当業者に既知の方法によって行われる。従って例えば、構造化された層をスパッタリングまたは蒸着によって基板上に被着することができる。しかし択一的に、導電性材料から成る第１の層を例えば、電気化学的なプロセス、例えば無電流析出または電気めっき析出等によって基板の上に被着させることができる。構造化された層を形成するために、例えば、まずは、形成されるべき層に相応して露光されるフォトラックを被着することが可能である。露光されなかった領域は通常は除去される。次のステップでは、場合によって、接着仲介剤が被着される。接着仲介剤上に、構造化される層のための導電性材料が析出される。次に、第１の層の導電性材料よりもイオン化傾向がより大きい第２の材料から成る保護層が被着される。次に、接着仲介剤、構造化された層、および保護層用の材料がフォトラック上に析出された領域が、フォトラックとともに除去される。基板上に構造化された層が残される。ここでは、構造化された層と基板の間に接着仲介剤が含まれており、構造化された層の上に保護層が残る。
【００１９】
保護層の被着を例えば同じように蒸着、スパッタリングまたは電気化学的な析出によって行うことができる。
【００２０】
しかし択一的に、ステップ（ｂ）において保護層を被着する前に、第１の層を既に構造化することもできる。これは例えば次のことによって行われる。すなわち、フォトラックの使用時に、導電性材料から成る第１の層の被着後に、構造化された層の所望の構造に属していない領域を除去することによって行われる。すなわち、例えばフォトラックの使用時に、第１の層の材料がフォトラック上に被着された領域である。しかし構造化のためにフォトラックを使用する他に、それぞれ任意の別の、当業者に既知の方法も、構造化された層を基板上に被着するのに適している。
【００２１】
保護層を被着した後、有利には保護層の材料をさらなるステップにおいて酸化させるのは有利である。材料をこのように酸化することによって、気密性の層が生じる。この層は、酸素が接着仲介剤または導電性材料から成る第１の層に達するのを阻止する。保護層の酸化は例えば、酸化雰囲気における電子構成部分の加熱によって行われる。酸化雰囲気としては、有利には大気が使用される。電子構成部分が加熱されて達する温度は一般的に１００〜６００℃の領域にある。ここで温度上方限界は、基板、接着仲介剤および構造化される層に使用される材料によって決まる。電子構成部分が酸化のために加熱される温度は、有利には、相応する材料の溶解温度または崩壊温度を下回る。これによって、電子構成部分の損傷が阻止される。
【００２２】
電子構成部分上にパッシベーション層を被着する場合、ステップ（ｂ）における構造化された層上への保護層の被着の後に、電子構成部分全体の表面上にパッシベーション層が被着される。パッシベーション層のこの被着は、例えばＣＶＤ（化学気相成長）方法によって、例えばＬＰＣＶＤ（減圧化学気相成長）、ＰＥＣＶＤ（プラズマ化学気相成長法）、ＡＬＤ（原子層体積）、熱による酸化、プラズマ方法またはスパッタリング方法ないし蒸着方法によって行われる。
【００２３】
有利な実施形態では、保護層は、パッシベーション層を被着する前に、まずは保護ガス雰囲気下で、５０℃〜６５０℃の領域、殊に２５０℃〜４５０℃の領域の温度まで加熱される。次に電子構成部分が、大気の存在のもとで、５０℃〜６５０℃の領域、殊に２５０℃〜４５０℃の領域の温度まで加熱される。
【００２４】
これによって、パッシベーション層に対する、接着仲介剤層としての保護層の作用がさらに高められる。
【００２５】
雰囲気として使用される保護ガスは、例えばアルゴンまたは窒素またはアルゴンと窒素の混合物である。
【００２６】
本発明の実施形態を図示し、以下の明細書でより詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１．１〜１．４は、本発明による構成部分の製造方法の４つのステップである
【図２】図２．１および２．２は、本発明による構成部分の択一的な製造方法の２つのステップである
【図３】パッシベーション層を備えた本発明による構成部分である
【実施例】
【００２８】
図１．１は、本発明による電子構成部分製造方法の第１のステップを示している。
【００２９】
電子構成部分１を製造するために、基板３上に、フォトラック５が被着される。引き続き、フォトラック５の負の露光が行われ、導電性材料から成る構造化される層を形成すべき領域は露光されず、積層されないまま残るべき領域が露光される。次に露光されなかったフォトラック５が除去される。生成されるべき構造化層のパターニングされた負の層が形成される。
【００３０】
露光されなかったフォトラックを除去した後に、上部にフォトラック５を備えた基板３上に全面で、まずは接着仲介剤７が被着される。接着仲介剤７のこの被着は、当業者に既知の任意の方法で行われる。従って例えば接着仲介剤７を蒸着またはスパッタリングまたは当業者に既知の別の薄膜技術によって被着することができる。接着仲介剤としては、上述のように、例えばチタン、タンタルケイ化物またはニッケル−クロム合金が適している。さらなるステップにおいて同じように、基板３の表面全面に、導電性材料が被着される。この導電性材料は、接着仲介剤７の上に接着する。接着仲介剤７と導電性材料９が、基板３上に全面被着されている電子構成部分１が、図１．２に示されている。導電性材料９が基板３上の良好に接着する場合には、接着仲介剤７を省くことができる。
【００３１】
図１．３に示されているさらなるステップでは、導電性材料９上に、イオン化傾向が大きい材料１１が、保護層の形成のために被着される。イオン化傾向が大きい材料１１の被着は同じように全面で行われ、これは例えば、蒸着またはスパッタリングまたは電子化学析出等の適切な薄膜技術によって行われる。
【００３２】
基板上に被着された導電性材料９の層厚は、有利には０．１〜５μｍの領域にある。イオン化傾向の大きい材料１１から成る、その上に被着されている層は有利には、１０ｎｍ〜１００μｍの間の領域、有利には１００ｎｍ〜１０μｍの領域にある。イオン化傾向がより大きい材料１１を被着することによって、構造化された層の導電性材料はカソードになり、卑金属１１はアノードになる。導電性材料９から成るカソードおよび、イオン化傾向のより大きい材料１１からなるアノードはここで腐食部材を形成する。酸素の襲撃時には、アノードを形成するこのよりイオン化傾向の大きい材料１１は、酸化によって犠牲になる。上述のように、よりイオン化傾向の大きい材料１１としては例えばマグネシウム、亜鉛、アルミニウム、チタンまたはこれらの金属の混合物が適している。
【００３３】
薄膜に基づいた析出プロセスでは、導電性材料９およびよりイオン化傾向の大きい材料１１の被着は、１つの同じプロセスにおいて行われる。これによって、付加的なプロセスコストが回避される。
【００３４】
導電性材料９上によりイオン化傾向の大きい材料１１を被着した後、フォトラック５が基板上に載置されている層の領域が除去される。導電性構造体が残る。ここでは、接着仲介剤７が直接的に基板３上に被着されており、接着仲介剤７上では導電性材料９およびよりイオン化傾向の大きい材料１１が層結合体を形成する。その上に接着仲介剤７、導電性材料９およびよりイオン化傾向の大きい材料１１を有しているフォトラック５の除去は、当業者によって既知のリフトオフプロセスによって行われる。ここでは例えば、適切な溶媒を使用することによってフォトラックが剥がされる。これによってフォトラック５上に載置されている材料もともに除去される。
【００３５】
しかしこの方法によって製造された、構造化された層では、構造化された層１５の側面１３は保護されていない。よりイオン化傾向の大きい材料１１から成る保護層１７は、構造化された層１５の上面上にのみ存在する。場合によって後から行われるパッシベーションに依存して、または電子構成部分１の使用に依存して、構造化された層１５の上面上のみに配置されている保護層１７は既に十分である。
【００３６】
保護層１７を被着する択一的な方法は、図２．１に示されている。
【００３７】
このためにまずは、導電性材料９から成る構造化された層１５が基板３上に被着される。ここで構造化された層１５の被着を、当業者に既知の任意の方法によって行うことができる。従って例えば、構造化された層１５の被着に対しても、リフトオフ方法を使用することができる。ここでは、まずはフォトラックを伴う負の構造が基板３上に被着され、その上に導電性材料９が被着される。導電性材料９を被着した後、フォトラックが基板３から、フォトラック上に載置されている導電性材料とともに除去される。これによって構造化された層１５が基板３上に残る。しかし、それぞれ別の、当業者に既知の方法も、構造化された層１５を形成するために用いることができる。基板３上での構造化された層１５の接着はここでも、構造化された層１５と基板３との間に接着仲介剤７を被着することによって改善される。
【００３８】
構造化された層１５を被着した後、保護層１７が被着される。保護層１７の被着は、例えば図２．１に示されているように、電気化学的な方法によって行われる。これは、無電流析出でも電気めっき析出でもよい。ここでは概略的に、保護層１７に対する電気めっき析出が示されている。
【００３９】
保護層１７を構造化された層１５上に被着するために、電子構成部分１が電解質槽２１内に位置付けされる。電解質槽２１は一般的に、金属塩溶解物を含んでいる。これは、保護層１７として構造化された層１５上に析出されるべきである。保護層１７を構造化された層１５上に析出するために、構造化された層１５は陰極接続される。構造化された層１５の相互に接続されていない部分は有利には、補助コンタクト２３を介して相互に接続される。補助コンタクト２３はここで、例えば同じように、構造化された層１５の形状で構成されてもよい。しかし、構造化された層１５の個々の領域を接続することができる全ての他の接触接続部も可能である。従って、構造化された層１５の個々の領域は例えば、ワイヤーまたは他の接触接続部剤によって相互に接続される。構造化された層１５上に保護層１７を析出するために、付加的にアノード２５が電解質槽２１内に収容される。アノード２５はここで、分解されない金属から製造されるか、または択一的に犠牲アノードとして構成される。アノード２５が犠牲アノードとして構成される場合、これは有利には、保護層１７として構造化された層１５上に析出される材料を含む。ここで、アノード２５から金属イオンが電解質槽２１内で溶液内に出て、次に、構造化された層１５上に析出される。
【００４０】
金属塩は例えば、薄い媒体または有機液体および／またはイオン液体内で溶解される。しかし一般的に金属塩は、薄い媒体内で分解される。
【００４１】
例えば保護層１７を構造化された層１５上に被着するために、例えば、アルミニウム塩、例えば無水アルミニウム塩化物が有機溶媒またはイオン化液体内で溶解される。有機溶媒としては、例えば、ジエチルエーテルまたはトルオールが適している。適切なイオン液体は例えば、エチルピリジニウムクロリドである。電気めっき析出は、約０．５〜２．５Ａ／ｄｍ２の直流電流での保護ガス雰囲気下で行われる。ここで構造化された層１５上には、アルミニウム層が保護層１７として析出される。
【００４２】
析出が、構造化された層１５上でのみ行われるようにするために、保護層１７は、図２．１に示された方法形態において、構造化された層１５の側面でも析出される。これは図２．２において示される。
【００４３】
保護層１７が、構造化された層１５の側面でも析出されることによって、接着仲介剤７も保護層１７によって取り囲まれる。従って、酸素が接着仲介剤７に達することが回避される。保護の改善は、保護層１７の材料が酸化することによって得られる。この場合には一方では、酸化は電子構成部分の作動中に行われる。しかし他方では、保護層１７のよりイオン化傾向の大きい材料１１を所期のように酸化することも可能である。この場合には、保護層１７の材料は、さらなる酸化が行われない状態にされる。保護層１７の材料の所期の酸化は、例えば、酸化雰囲気において電子構成部分を１００〜６００℃の領域の温度まで加熱することによって行われる。酸化雰囲気として例えば、様々な酸素含有ガス、殊に大気が適している。このようにして形成された酸化層によって、保護層１７のパッシベーション作用が改善される。これは保護層１７の層圧が酸化によって増大することに帰する。接着仲介剤７および構造化された層１５の酸化は、このようにして著しく緩慢にされる、または完全に停止される。
【００４４】
図３には、パッシベーション層を伴う電子構成部分が示されている。
【００４５】
殊に、半導体材料から成る基板３を伴う電子構成部分１を腐食環境内で使用する場合、有利には電子構成部分１の表面２７上にパッシベーション層２９が被着される。このパッシベーション層２９は、構造化された層１５も覆う。殊に、導電性材料９から成る構造化された層１５の領域におけるパッシベーション層２９の改善された接着は、よりイオン化傾向の大きい材料から成る保護層１７を被着することによって得られる。パッシベーション層２９が被着される場合には、一般的に、保護層１７を初めに酸化する必要はない。しかし、保護層１７を被着後に、まずは保護ガス雰囲気下で５０℃から６５０℃の領域の温度まで加熱し、次に大気の存在する中で、５０℃から６５０℃の領域の温度まで加熱する場合に、パッシベーション層２９の接着の改善が実現される。保護ガスとしては有利にはアルゴン、窒素またはアルゴンと窒素の混合物が使用される。
【００４６】
保護層１７を殊に、パッシベーション層２９のための接着仲介剤層として用いる場合にも、保護層１７を形成するよりイオン化傾向の大きい材料は有利には、マグネシウム、亜鉛、アルミニウム、チタンおよびそれらの混合物から成るグループから選択される。
【図１．１】
2012503303.tif 000003
【図１．２】
2012503303.tif 000004
【図１．３】
2012503303.tif 000005
【図１．４】
2012503303.tif 000006
【図２．１】
2012503303.tif 000007
【図２．２】
2012503303.tif 000008
【図３】
2012503303.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月30日(2011.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（３）上に、導電性材料（９）から成る少なくとも１つの構造化された層（１５）を含む電子構成部分であって、
前記導電性材料（９）から成る構造化された層（１５）上に、第２の材料（１１）から成る保護層（１７）が設けられており、
当該第２の材料（１１）は、前記構造化された層（１５）の導電性材料（９）よりもイオン化傾向がより大きい、
ことを特徴とする電子構成部分。
【請求項２】
前記導電性材料（９）は、アルミニウム、金および白金から成るグループから選択される、請求項１記載の電子構成部分。
【請求項３】
前記構造化された層（１５）の導電性材料（９）よりもイオン化傾向が大きい前記材料（１１）は、マグネシウム、亜鉛、アルミニウム、チタンから成るグループおよびその混合物並びにそれらの酸化物から選択される、請求項１または２記載の電子構成部分。
【請求項４】
導電性材料（９）から成る前記構造化された層（１５）と前記基板（３）との間に接着仲介剤（５）が設けられている、請求項１から３までのいずれか１項記載の電子構成部分。
【請求項５】
前記基板（３）は半導体材料を含んでいる、請求項１から４までのいずれか１項記載の電子構成部分。
【請求項６】
導電性材料（９）から成る前記構造化された層（１５）は、０．１〜５μｍの範囲の層厚を有している、請求項１から５までのいずれか１項記載の電子構成部分。
【請求項７】
前記第２の材料（１１）から成る前記保護層（１７）は、１０ｎｍ〜１００μｍの領域の層厚を有している、請求項１から６までのいずれか１項記載の電子構成部分。
【請求項８】
前記電子構成部分の表面は、パッシベーション層によって覆われている、請求項１から７までのいずれか１項記載の電子構成部分。
【請求項９】
電子構成部分（１）の製造方法であって：
（ａ）導電性材料（９）から成る構造化された層（１５）を基板（３）上に被着するステップと、
（ｂ）前記構造化された層（１５）の導電性材料（９）よりもイオン化傾向の大きい第２の材料（１１）から成る保護層（１７）を、前記構造化された層（１５）の上に被着するステップとを有する、電子構成部分（１）の製造方法。
【請求項１０】
前記保護層（１７）を蒸着、スパッタリングまたは電気化学的な析出によって、前記構造化された層（１５）の上に被着する、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記保護層（１７）の材料（１１）を、ステップ（ｂ）における被着の後、酸化させる、請求項９または１０記載の方法。
【請求項１２】
前記保護層（１７）の材料（１１）の前記酸化を、酸化雰囲気において前記電子構成部分（１）を１００〜６００℃の領域の温度に加熱することによって行う、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
ステップ（ｂ）において、前記構造化された層（１５）の上に前記保護層を被着した後、パッシベーション層を、電子構成部材全体の表面上に被着する、請求項９または１０記載の方法。
【請求項１４】
前記電子構成部分を、前記パッシベーション層を被着する前に、まずは保護ガス雰囲気下で５０℃〜６５０℃の領域の温度まで加熱し、次に大気中で５０℃〜６５０℃の領域の温度まで加熱する、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記保護ガスはアルゴンまたは窒素またはアルゴンと窒素の混合物である、請求項１４記載の方法。
【国際調査報告】
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