【手続補正書】
【提出日】平成21年3月30日(2009.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素質キャリヤー及びナノサイズ炭素構造体を含み、該ナノサイズ炭素構造体が該炭素質キャリヤー上で成長する炭素−炭素複合物質であって、前記炭素質キャリヤーが、（ｉ）シリケートを含有する植物性ソースから得られる活性炭及び（ｉｉ）一次カーボンブラック粒子の少なくとも大部分が非凝集形で存在するカーボンブラックから選択されることを特徴とする炭素−炭素複合物質。
【請求項２】
該植物性ソースがパーム核シェルである、請求項１記載の炭素−炭素複合物質。
【請求項３】
該キャリヤーが、直径５０μｍ〜５ｍｍ、特に＞１００μｍ〜２ｍｍを有する活性炭粒子である、請求項１記載の炭素−炭素複合物質。
【請求項４】
該カーボンブラックが親水性であり、水中で酸性反応を示し、中性点（ｐＨ７）から１〜４単位、特に２〜３単位だけ異なる等電点を有する、請求項１記載の炭素−炭素複合物質。
【請求項５】
一次カーボンブラック粒子が平均直径１０〜５００ｎｍ、特に２５〜１００ｎｍを有する、請求項１記載の炭素−炭素複合物質。
【請求項６】
前記カーボンブラックが、一次粒子の凝集体を塩基で処理することによって得られる、請求項１又は５のいずれかに記載の炭素−炭素複合物質。
【請求項７】
ナノサイズ炭素構造体が、炭素ナノファイバー（ＣＮＦ）及び炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）から選択される、請求項１〜６のいずれかに記載の炭素−炭素複合物質。
【請求項８】
炭素質キャリヤーが活性炭であり、ナノサイズ炭素構造体が該活性炭の孔中にネストしている、及び／又は該活性炭の外面上に存在する、請求項１のいずれかに記載の炭素−炭素複合物質。
【請求項９】
ナノ炭素構造体の量が、炭素質キャリヤー物質１００重量部を基準にして０．１〜１０重量部である、請求項１〜８のいずれかに記載の炭素−炭素複合物質。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかで定義したとおりの炭素−炭素複合物質の製造方法であって、下記工程：
請求項１で定義したとおりの炭素質キャリヤー物質を、ナノサイズ炭素構造体を形成することができる金属を含有する触媒物質によって処理する工程；及び
炭素含有ガスを含むガス雰囲気中で、該処理済みキャリヤー上にＣＶＤ（化学的蒸着）法によってナノサイズ炭素構造体を成長させる工程
を含む方法。
【請求項１１】
該キャリヤーが、シリケートを含有する植物性ソースから得られる活性炭である請求項１０記載の方法であって、下記工程：
（ａ）該活性炭に、炭素の酸化及びナノサイズ炭素構造体の形成を触媒することができる金属を含有する触媒物質を含浸させる工程；
（ｂ）該含浸済み活性炭を酸化性条件下でか焼する工程；
（ｃ）得られた活性炭に、任意に前記触媒物質を新たに含浸させ、新たに含浸させた活性炭を酸化条件下でか焼する工程；
（ｄ）該触媒物質を還元し、任意に活性化する工程；
（ｅ）炭素含有ガスを含むガス雰囲気下で、該活性炭上にＣＶＤ法によってナノサイズ炭素構造体を成長させる工程；及び
（ｆ）これによって得られた炭素−炭素複合体に対して、任意に表面修飾を行なう工程
を含む方法。
【請求項１２】
該キャリヤーが、シリケートを含有する植物性ソースから得られる活性炭である請求項１０記載の方法であって、下記工程：
（ａ’）該活性炭に、少なくとも炭素の酸化を触媒することができる第１金属を含有する触媒物質を含浸させる工程；
（ｂ’）該含浸済み活性炭を酸化条件下でか焼する工程；
（ｃ’）該活性炭に、少なくともナノサイズ炭素構造体の形成を触媒することができる第２金属を含有する触媒物質を含浸させ、含浸された触媒物質を酸化条件下でか焼する工程；
（ｄ’）この第２触媒物質を還元し、任意に活性化する工程；
（ｅ’）炭素含有ガスを含むガス雰囲気下で、該活性炭上にＣＶＤ法によってナノサイズ炭素構造体を成長させる工程；及び
（ｆ’）これによって得られた炭素−炭素複合体に対して、任意に表面修飾を行なう工程
を含む方法。
【請求項１３】
該活性炭がパーム核シェルから得られる、請求項１１又は１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
該キャリヤーが、直径５０μｍ〜５ｍｍ、特に＞１００μｍ〜２ｍｍを有する活性炭である、請求項１１又は１２のいずれかに記載の炭素−炭素複合物質。
【請求項１５】
前記含浸工程（単数又は複数）が、キャリヤー物質を予め湿潤させた後に、行なわれる、請求項１１又は１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
前記含浸工程（単数又は複数）が、加熱時に揮発性成分を形成する塩によって行なわれる、請求項１１又は１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
工程（ｂ）又は（ｂ’）が、０．５体積％未満の少量で酸素を含有する不活性ガスの存在下、４５０〜５５０℃において行なわれる、請求項１１又は１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
工程（ｂ）又は（ｂ’）において、新しい孔が形成される及び／又は既存の孔が拡大される、請求項１１、１２又は１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
工程（ｃ）又は（ｃ’）において、触媒物質粒子のサイズが制御される、請求項１１又は１２のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
工程（ｃ）又は（ｃ’）において、該炭素質キャリヤーに触媒金属の水溶液を含浸させるが、この溶液のｐＨを前記キャリヤー物質の等電点に関して調節して、前記キャリヤーの表面及び／又は孔の優先的含浸を制御する、請求項１１又は１２のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
孔の内側の含浸に有利に作用するように条件を選択し、続いて、乾燥工程及び酸化性酸による洗浄工程を行なう、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
触媒物質を工程（ｄ）又は（ｄ’）において、該触媒物質を不活性ガス中で、工程（ｅ）又は（ｅ’）において用いられるナノサイズ炭素構造体が成長する温度を３００Ｋより大きく下回る温度にまで冷却し、そして不活性ガス及び／又は水素中で前記成長温度までに該触媒物質を再加熱することによって、活性化する、請求項１１又は１２のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
ナノサイズ炭素構造体を成長させる前に、特に、請求項１１で定義された工程（ｄ）と（ｅ）の間で又は請求項１２で定義された工程（ｄ’）と（ｅ’）の間で、該炭素表面にくぼみを生成することによって、該金属触媒を固定する、請求項１０〜２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】
ナノサイズ炭素構造体の成長の終了時に、触媒不動態化工程が行なわれる、請求項１１又は１２のいずれかに記載の方法。
【請求項２５】
前記不動態化工程が下記サブ工程：
（ｉ）形成された炭素−炭素複合体を、工程（ｅ）又は（ｅ’）において用いられた炭素含有ガスを欠いている非酸化性ガス雰囲気中で、該成長温度からＴ２＝３５０〜４５０℃に冷却する副工程；及び
（ｉｉ）該炭素−炭素複合体をＴ２からＴ１＝１５０〜２５０℃にさらに冷却し、その間にＴ２において又は前記のさらなる冷却中に炭素含有ガスを欠いている前記非酸化性ガス雰囲気を、炭素含有ガスを含む雰囲気に取り替えて、該触媒金属粒子の周囲に炭化物及び／又は黒鉛シェルを形成する副工程
を含む、請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
該触媒金属を含有するガス状化合物の存在下で、ＣＶＤ法を用いて、該キャリヤー上に金属触媒を沈着させることによって、該炭素質キャリヤーを処理する、請求項１０記載の方法。
【請求項２７】
前記キャリヤーがカーボンブラックである、請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
前記カーボンブラックが親水性であり、水中で酸性反応を示し、中性点（ｐＨ７）から１〜４単位、特に２〜３単位異なる等電点を有する、請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
該一次カーボンブラック粒子が、平均直径１０〜５００ｎｍ、特に２５〜１００ｎｍを有する、請求項１０記載の方法。
【請求項３０】
前記カーボンブラックが、一次粒子の凝集体を塩基によって処理することによって得られる、請求項１０記載の方法。
【請求項３１】
請求項１〜９のいずれかで定義したとおりの炭素−炭素複合体の、触媒、充填剤物質、吸着剤としての、酸化的水処理のため、大きい分子の濾過のための、バイオコンクリートとしての、透析における、スーパーキャパシター又は電池電極における使用。
【請求項３２】
該炭素−炭素複合体、特に、請求項１、２又は３のいずれかで定義したとおりの炭素質キャリヤーとして活性炭を含む炭素−炭素複合体が、飲料水若しくは例えば工業用水のような廃水の精製のために、環境浄化のために、流出物の磁気回収のために、又は鉱業において、特定金属種の富化若しくは減少のために用いられる、請求項３１記載の使用。
【請求項３３】
該炭素−炭素複合体、特に、請求項１、４、５又は６のいずれかで定義したとおりの炭素質キャリヤーとしてカーボンブラックを含む炭素−炭素複合体が、タイヤ若しくは強化プラスチックの充填剤として、又は電子産業におけるデバイス・パッケージングのために用いられる、請求項３１記載の使用。