Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月17日(2011.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
次に図２１を参照して、レジスト２６を除去し、基板５０を熱処理する。これにより、基板５０上面に注入されたＰ型不純物イオンが熱拡散し、Ｐ型不純物領域２３ａ〜２３ｃの各々が形成される。ここで、図２０に示す工程における開口部２６ａ〜２６ｃの各々の間隔は、熱処理の際のＰ型不純物イオンの拡散距離に基づいて予め適切に設計される。これにより、Ｐ型不純物領域２３ａとＰ型不純物領域２３ｂとの境界面、およびＰ型不純物領域２３ｂとＰ型不純物領域２３ｃとの境界面の各々において、基板５０上面に平行な方向（図２１中横方向）のＰ型不純物濃度が連続的に減少し、これらの境界面においてＰ型不純物濃度が局所的に増加または減少することが抑制される。また、Ｐ型不純物領域２３ａ〜２３ｃの各々が開口部２６ａ〜２６ｃの幅Ｗ５〜Ｗ７の各々に対応するＰ型不純物濃度となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
次に図２５を参照して、レジスト２８をマスクとしてＰ型不純物イオンを基板５０上面に注入する。続いて、レジスト２６を除去し、基板５０を熱処理する。これにより、基板５０上面に注入されたＰ型不純物イオンが熱拡散し、Ｐ型不純物領域１８ａ〜１８ｃの各々が形成される。ここで、図２４に示す工程における開口部２８ａ〜２８ｃの各々の間隔は、熱処理の際のＰ型不純物イオンの拡散距離に基づいて予め適切に設計される。これにより、Ｐ型不純物領域１８ａとＰ型不純物領域１８ｂとの境界面、およびＰ型不純物領域１８ｂとＰ型不純物領域１８ｃとの境界面の各々において、基板５０上面に平行な方向（図２５中横方向）のＰ型不純物濃度が一定となり、これらの境界面においてＰ型不純物濃度が局所的に増加または減少することが抑制される。また、Ｐ型不純物領域１８ａ〜１８ｃの各々が開口部２８ａ〜２８ｃの幅Ｗ８の各々に対応するＰ型不純物濃度となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
始めに、図７および図８に示す実施の形態２の製造方法と同様の工程を経る。次に図２６を参照して、通常の写真製版技術およびエッチング技術を用いて絶縁膜１９ａを選択的にエッチングすることにより、孔３１ｃ（図２３）を形成する領域の絶縁膜１９ａに孔３１ａを形成する。孔３１ａの底部には基板５０が露出していてもよいし、絶縁膜１９ａが残っていてもよい。次に、レジストを絶縁膜１９ａ上に塗布し、通常の写真製版技術を用いてこのレジストをパターニングすることにより、レジスト２９を絶縁膜１９ａ上に形成する。レジスト２９は開口部２９ａ〜２９ｇを有している。開口部２９ａ〜２９ｃの各々は幅Ｗ５〜Ｗ７の各々を有している。幅Ｗ５は幅Ｗ６よりも大きく、幅Ｗ６は幅Ｗ７よりも大きい。開口部２９ｄ〜２９ｆの各々は同一の幅Ｗ８を有している。開口部２９ａ〜２９ｆの幅Ｗ５〜Ｗ８の各々は、図２５に示す工程における熱処理の際のＰ型不純物イオンの拡散深さよりも狭くなるように設定される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
本実施の形態における半導体装置およびその製造方法によれば、実施の形態７における半導体装置と同様の効果が得られる。加えて、Ｐ型ウェル２側からＰ型リサーフ層１８側へ向かって、Ｐ型緩衝領域２３内部の平均のＰ型不純物濃度が低下していくことにより、Ｐ型ウェル２とＰ型リサーフ層１８との接合部の電界集中を効果的に緩和することができる。また、Ｐ型不純物領域２３ａ〜２３ｃが同一工程にて形成されるので、製造工程の簡略化を図ることができる。さらに、Ｐ型ウェル２、Ｐ型不純物領域２３ａ〜２３ｃ、Ｐ型不純物領域１８ａ〜１８ｃが同一工程にて形成される場合には、製造工程の簡略化を一層図ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記基板と前記下部フィールドプレートとの間に形成された下部誘電体膜と、
前記下部フィールドプレートと前記上部フィールドプレートとの間に形成され、かつ前記下部誘電体膜とは異なる材質よりなる上部誘電体膜とをさらに備える、請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記下部誘電体膜の厚さは前記上部誘電体膜の厚さよりも大きい、請求項２に記載の半導体装置。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記上部誘電体膜の誘電率は前記下部誘電体膜の誘電率よりも大きい、請求項２または３に記載の半導体装置。
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
前記第２不純物領域を形成する工程は、ウェル領域を形成する工程と、前記ウェル領域および前記リサーフ層と接触して形成され、かつ前記ウェル領域よりも低い不純物濃度を有する緩衝領域を形成する工程とを含み、
前記緩衝領域を形成する工程は、前記主表面に配列し、かつ互いに接触した第２導電型の複数の緩衝用不純物領域を形成する工程を含み、
前記複数の緩衝用不純物領域を同一工程にて形成する、請求項１８に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2010245281.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月18日(2011.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
こうしたビット数の減数にあたっては、例えばｎビットのディジタル信号に「２−ｍ（ｍ＜ｎ）」を乗算することにより、ビット数をｍビット分落とすことができる。  
ここで本発明者は、ＤＤＳの性能の向上を追及する一連の解析作業の中で、ビット数の減数処理を行う前後のディジタル信号の周波数解析を行ったところ、減数処理を行った後のディジタル信号には、減数処理前には見られなかった不要な周波数成分（スプリアス）が発生していることを確認した。こうしたスプリアスは、アナログ変換後にも維持され装置の特性を劣化させる要因となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係るディジタル信号処理装置は、周波数信号をビットデータからなるディジタル信号により出力する信号出力部と、
この信号出力部からのビットデータに、不要周波数成分の発生を抑制するためにノイズデータを加算する加算部と、
この加算部により得られたビットデータに対し、
（１）当該ビットデータが正の値であればそのままの状態で、
（２）当該ビットデータが負の値であれば「１」を差し引いた後の状態で、
これら（１）または（２）の状態のビットデータの各ビットを予め設定されたｍ桁（ｍは前記ビットデータのビット数よりも小さい整数）ずつ右へシフトさせてｍビット分切り落として減数し、切り落とされたビットのうち最大ビットを「０」捨「１」入するビット数の減数処理部と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
１０        出力部
１１        減数処理部
１２        第１の演算部
１３        第２の演算部
１４        掛け算部
１５        第２の加算部
１６        第１の加算部
１７        Ｄ／Ａ変換部
２          ＤＤＳ装置
３          基準クロック発生部
４          累積加算部
４１        加算部
４２        レジスタ
５          波形テーブル
６          ローパスフィルタ
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2010245973.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月13日(2011.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無極性面もしくは半極性面を主面とする窒化物半導体基板上に、井戸層を有する発光層と、該発光層を挟むｎ型半導体層およびｐ型半導体層とを形成する窒化物半導体発光素子の製造方法において、
前記発光層より上部に形成される、Ａｌを有する第一ｐ型窒化物半導体層と、第二ｐ型窒化物半導体層を、６００℃以上９００℃未満の成長温度で形成することを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記Ａｌを有する第一ｐ型窒化物半導体層を、成長速度を１．０ Å／ｓ以上、１０ Å／s以下にして形成することを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記第二ｐ型窒化物半導体層を、成長速度を１．０ Å／ｓ以上、１５Å／ｓ以下にして形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記基板と前記発光層との間に形成されたＡｌを有するｎ型窒化物半導体層を、９００℃以上１１００℃以下の成長温度で形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記発光層と第一ｐ型窒化物半導体層との間に、該第一ｐ型窒化物半導体よりもＡｌ組成比の高いＡｌを有する第三ｐ型窒化物半導体層を、前記第一ｐ型窒化物半導体層の成長温度よりも高い温度で形成する工程をさらに備えることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記井戸層を、Ｉｎ組成比ｘが０．１５以上、０．５０以下、Ａｌ組成比ｙが０．０以上１．０以下のＩｎｘＡｌｙＧａ１-ｘ-ｙＮ、又はＩｎ組成比ｘが０．１５以上、０．５０以下のＩｎｘＧａ１-ｘＮで形成することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記井戸層を、６００℃以上７２０℃以下の成長温度にて形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記井戸層を、０．０５Å／秒以上０．７Å／秒以下の成長速度にて形成することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記井戸層を、０．０５Å／秒以上０．２Å／秒以下の成長速度にて形成することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記井戸層の製造時に、キャリアガスとして水素を含め、その流量を、０．００５Ｌ／分以上０．２００Ｌ／分未満にすることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記発光層を、前記井戸層と障壁層から構成し、該障壁層の成長温度を、前記井戸層の成長温度よりも、１０℃以上８０℃以内の範囲で高く設定することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記無極性面もしくは半極性面を主面とする窒化物半導体基板として、無極性基板のｍ面基板を用いることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記無極性面もしくは半極性面を主面とする窒化物半導体基板として、ａ軸[１１−２０]方向に、０．１°より大きく１０．０°以下のオフ角度を有する無極性基板のｍ面基板を用いることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記無極性面もしくは半極性面を主面とする窒化物半導体基板として、ａ軸[１１−２０]方向に、１．０°より大きく１０．０°以下のオフ角度を有する無極性基板のｍ面基板を用いることを特徴とする請求項１３に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記無極性面もしくは半極性面を主面とする窒化物半導体基板として、その表面に溝が形成されたものを用いることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月9日(2011.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に光電変換部と信号走査回路を含む単位画素を配置してなる画素領域と、
前記画素領域の一部に形成され、暗時レベル設定用のオプティカルブラック画素を配置してなるオプティカルブラック画素領域と、
前記画素領域の各単位画素から信号を読み出す信号線と、
前記オプティカルブラック画素領域で前記半導体基板の前記オプティカルブラック画素領域の下部に形成され、前記半導体基板の不純物濃度より高い不純物濃度を有するバリア層と
を具備することを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記バリア層は、さらに前記オプティカルブラック画素領域内の有効オプティカルブラック画素領域を平面的に囲む周辺部にも形成されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記オプティカルブラック画素領域の周辺部に形成されているバリア層の領域内に、前記オプティカルブラック画素領域の一部のオプティカルブラック画素が存在することを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記オプティカルブラック画素領域は、素子分離領域を含み、前記バリア層は、前記素子分離領域の下方に形成されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記バリア層は、前記素子分離領域に接して形成されていることを特徴とする請求項４記載の固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の固体撮像装置は、半導体基板上に光電変換部と信号走査回路を含む単位画素を配置してなる画素領域と、前記画素領域の一部に形成され、暗時レベル設定用のオプティカルブラック画素を配置してなるオプティカルブラック画素領域と、前記画素領域の各単位画素から信号を読み出す信号線と、前記オプティカルブラック画素領域で前記半導体基板の前記オプティカルブラック画素領域の下部に形成され、前記半導体基板の不純物濃度より高い不純物濃度を有するバリア層とを具備する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月2日(2011.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料ガスと水蒸気との水蒸気改質反応により水素を含む燃料ガスを生成する水素生成装置本体と、
前記原料ガスを前記水素生成装置本体に供給する原料供給器と、
前記水蒸気改質反応のための水を前記水素生成装置本体に供給する水供給器と、
前記水素生成装置本体の前記燃料ガスの出口に燃料ガス経路を通じて接続され、前記燃料ガスの出口から送出されたガスを燃焼することによって前記水素生成装置本体に前記水蒸気改質反応に必要な熱を供給する燃焼器と、
前記燃焼器に燃焼空気を供給する空気供給器と、
前記原料供給器、前記水供給器、及び前記空気供給器の動作を制御する制御器と、を備え、
前記燃焼器が、前記燃料ガス経路を通じて流入したガスを燃焼している状態において停止処理が開始された場合、前記制御器は、前記原料供給器による前記原料ガスの供給及び前記水供給器による前記水の供給を停止し、その後、前記燃焼器において前記燃焼が継続するよう前記空気供給器による前記燃焼空気の供給を継続するように構成されている、水素生成装置。
【請求項２】
前記燃料ガス経路に設けられた燃料ガス弁を備え、前記制御器は、前記燃焼が継続している期間において、前記水素生成装置本体の前記燃料ガスの出口が前記燃料ガス経路を通じて前記燃焼器に連通されるよう前記燃料ガス弁を開くように構成されている、請求項１に記載の水素生成装置。
【請求項３】
前記燃焼器における失火を検知する失火検知器を備え、前記制御器は、前記失火検知器により前記失火を検知すると、前記燃料ガス弁を閉じるよう構成されている、請求項１または２に記載の水素生成装置。
【請求項４】
前記燃焼器に設けられた着火器を備え、前記原料供給器による前記原料ガスの供給及び前記水供給器による前記水の供給を停止後において、前記着火器を着火動作させるよう構成されている、請求項１乃至３のいずれかに記載の水素生成装置。
【請求項５】
前記燃焼器における失火を検知する失火検知器を備え、前記制御器は、前記失火検知器により前記失火を検知すると、前記着火器の着火動作を停止するよう構成されている、請求項４に記載の水素生成装置。
【請求項６】
前記制御器は、前記燃料ガス弁を閉じた後、前記空気供給器による前記燃焼空気の供給を継続するよう構成されている、請求項３乃至５のいずれかに記載の水素生成装置。
【請求項７】
前記制御器は、前記燃料ガス弁を閉じた後、前記空気供給器の操作量を増加させるよう構成されている、請求項３乃至６のいずれかに記載の水素生成装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の水素生成装置と、前記水素生成装置から供給された前記燃料ガスを用いて発電する燃料電池と、を備える燃料電池システム。
【請求項９】
前記水素生成装置本体内の温度を検知する温度検知器をさらに備え、前記燃料電池システムは、前記水素生成装置の前記停止処理を含むその停止処理において、前記制御器が前記温度検知器により閾値以下の温度を検知すると、前記原料供給器により前記原料ガスを前記燃料電池のカソードに供給するカソードパージを行うよう構成されており、前記制御器は、前記燃料ガス弁を閉じた後、少なくとも前記カソードパージを開始するまでの間、前記空気供給器による前記燃焼空気の供給を継続するよう構成されている、請求項８に記載の燃料電池システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月13日(2011.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（１）相対密度は、密度の絶対値の理論値に対する比率である。理論値は各成分の理論密度の加重平均で求められる。密度の絶対値は、測定容易な形状に加工して体積と重量を求め、体積を密度で割って求める簡易的な方法もあるが、ＪＩＳ  Ｒ  ２２０５に準拠して、試片を空気中と水中に浸かっている状態で秤量し、空気中の質量を浮力（体積に相当）で除することにより求められる（アルキメデス法）。（２）ＳｉＣの最大粒子径は、破断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察することで求められる。破断面は、粗大粒子が存在する確率が高い面で、十分多数の粒子から最大粒子をカウントする。具体的には、４．０μｍ以下でも粒径が十分確認できるような倍率（２０００から１００００倍）を選び、１０００ケの粒子を測定して、その中の最大のものを最大粒子径とする。粒子径の測定方法には各種の方法が提案されているが、本願発明では、インタセプト法を取る。直径法とも言い、ＳＥＭ写真上で各粒子の同一方向における最大長さを測る方法である。比較的簡便で、本願発明のように異方性が殆ど出ない粒子の場合は、分布を正確に測定することが出来る。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月27日(2011.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配送拠点で集荷作業を行い、複数の納入先に配送する車両の運行計画を作成する方法において、
運ぶべき荷物に関するデータすなわち配送オーダデータの入力および選択を促す計画作成データの選択処理工程と、
前記配送オーダデータ、車両運行計画作成に必要なマスタデータ、および、積荷を探索単位とした最適化処理，納入先を探索単位とした最適化処理，1車両と1車両を探索単位とした最適化処理，2車両と1車両を探索単位とした最適化処理，運行サイクルを探索単位とした最適化処理および運行サイクルの平準化処理の組合せ、繰り返し回数、条件分岐、初期解作成および終了条件を記述した探索シナリオを読み込むデータ読み込み処理工程と、
各車両が得る車両収入と、各車両を運用する際にかかる車両運用コストとの差を合計したものを目的関数とし、前記車両収入は配送運賃収入である配送料金と、ボーナスとして仮想的に組入れる仮想収入との和であり、また前記車両運用コストは、輸送に直接かかるコストとして計上される輸送コストと、ペナルティとして仮想的に組入れる仮想コストとの和であり、該目的関数を最大化する探索処理を用い、前記配送オーダデータと前記マスタデータから前記探索シナリオに基づき、車両運行計画を作成する最適運行計画作成処理工程と、
作成した車両運行計画を出力するための車両運行計画出力工程とを有し、
前記計画作成データの選択処理工程と前記データ読み込み処理工程では、前回作成された計画の少なくとも最終運行サイクルの最終納入先を前記配送オーダデータ、もしくは車両運行計画作成に必要なマスタデータに加えて車両運行計画を作成することを特徴とする車両運行計画作成方法。
【請求項２】
複数の配送拠点で集荷作業を行い、複数の納入先に配送する車両の運行計画を作成する装置において、
運ぶべき荷物に関するデータすなわち配送オーダデータの入力および選択を促す計画作成データの選択処理手段と、
前記配送オーダデータ、車両運行計画作成に必要なマスタデータ、および、積荷を探索単位とした最適化処理，納入先を探索単位とした最適化処理，1車両と1車両を探索単位とした最適化処理，2車両と1車両を探索単位とした最適化処理，運行サイクルを探索単位とした最適化処理および運行サイクルの平準化処理の組合せ、繰り返し回数、条件分岐、初期解作成および終了条件を記述した探索シナリオを読み込むデータ読み込み処理手段と、
各車両が得る車両収入と、各車両を運用する際にかかる車両運用コストとの差を合計したものを目的関数とし、前記車両収入は配送運賃収入である配送料金と、ボーナスとして仮想的に組入れる仮想収入との和であり、また前記車両運用コストは、輸送に直接かかるコストとして計上される輸送コストと、ペナルティとして仮想的に組入れる仮想コストとの和であり、該目的関数を最大化する探索処理を用い、前記配送オーダデータと前記マスタデータから前記探索シナリオに基づき、車両運行計画を作成する最適運行計画作成処理手段と、
作成した車両運行計画を出力するための車両運行計画出力手段とを備え、
前記計画作成データの選択処理手段と前記データ読み込み処理手段では、前回作成された計画の少なくとも最終運行サイクルの最終納入先を前記配送オーダデータ、もしくは車両運行計画作成に必要なマスタデータに加えて車両運行計画を作成することを特徴とする車両運行計画作成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項１に係る発明は、複数の配送拠点で集荷作業を行い、複数の納入先に配送する車両の運行計画を作成する方法において、
運ぶべき荷物に関するデータすなわち配送オーダデータの入力および選択を促す計画作成データの選択処理工程と、
前記配送オーダデータ、車両運行計画作成に必要なマスタデータ、および、積荷を探索単位とした最適化処理，納入先を探索単位とした最適化処理，1車両と1車両を探索単位とした最適化処理，2車両と1車両を探索単位とした最適化処理，運行サイクルを探索単位とした最適化処理および運行サイクルの平準化処理の組合せ、繰り返し回数、条件分岐、初期解作成および終了条件を記述した探索シナリオを読み込むデータ読み込み処理工程と、
各車両が得る車両収入と、各車両を運用する際にかかる車両運用コストとの差を合計したものを目的関数とし、前記車両収入は配送運賃収入である配送料金と、ボーナスとして仮想的に組入れる仮想収入との和であり、また前記車両運用コストは、輸送に直接かかるコストとして計上される輸送コストと、ペナルティとして仮想的に組入れる仮想コストとの和であり、該目的関数を最大化する探索処理を用い、前記配送オーダデータと前記マスタデータから前記探索シナリオに基づき、車両運行計画を作成する最適運行計画作成処理工程と、
作成した車両運行計画を出力するための車両運行計画出力工程とを有し、
前記計画作成データの選択処理工程と前記データ読み込み処理工程では、前回作成された計画の少なくとも最終運行サイクルの最終納入先を前記配送オーダデータ、もしくは車両運行計画作成に必要なマスタデータに加えて車両運行計画を作成することを特徴とする車両運行計画作成方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また請求項２に係る発明は、複数の配送拠点で集荷作業を行い、複数の納入先に配送する車両の運行計画を作成する装置において、
運ぶべき荷物に関するデータすなわち配送オーダデータの入力および選択を促す計画作成データの選択処理手段と、
前記配送オーダデータ、車両運行計画作成に必要なマスタデータ、および、積荷を探索単位とした最適化処理，納入先を探索単位とした最適化処理，1車両と1車両を探索単位とした最適化処理，2車両と1車両を探索単位とした最適化処理，運行サイクルを探索単位とした最適化処理および運行サイクルの平準化処理の組合せ、繰り返し回数、条件分岐、初期解作成および終了条件を記述した探索シナリオを読み込むデータ読み込み処理手段と、
各車両が得る車両収入と、各車両を運用する際にかかる車両運用コストとの差を合計したものを目的関数とし、前記車両収入は配送運賃収入である配送料金と、ボーナスとして仮想的に組入れる仮想収入との和であり、また前記車両運用コストは、輸送に直接かかるコストとして計上される輸送コストと、ペナルティとして仮想的に組入れる仮想コストとの和であり、該目的関数を最大化する探索処理を用い、前記配送オーダデータと前記マスタデータから前記探索シナリオに基づき、車両運行計画を作成する最適運行計画作成処理手段と、
作成した車両運行計画を出力するための車両運行計画出力手段とを備え、
前記計画作成データの選択処理手段と前記データ読み込み処理手段では、前回作成された計画の少なくとも最終運行サイクルの最終納入先を前記配送オーダデータ、もしくは車両運行計画作成に必要なマスタデータに加えて車両運行計画を作成することを特徴とする車両運行計画作成装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月3日(2011.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ１）直鎖の分子構造を有するポリアセタール樹脂30〜95重量％、
（Ａ２）分岐又は架橋構造を有するポリアセタール樹脂0.05〜10重量％、
（Ｂ）粉粒状ガラス系無機充填材５〜50重量％、
（Ｃ）３官能イソシアネート化合物0.1〜10重量％、
（Ｄ）アミン系化合物（Ｄ１）及びSn、Zn、Pbより選ばれた金属を含有する有機金属化合物（Ｄ２）より選ばれた化合物0.05〜２重量％、及び
（Ｅ）任意の添加物０〜20重量％
からなり、合計量が100重量％であるポリアセタール樹脂組成物。
【請求項２】
分岐又は架橋構造を有するポリアセタール樹脂（Ａ２）が、トリオキサン（ａ）99.89〜88.0重量％、置換基を持たない環状エーテル化合物及び環状ホルマール化合物から選ばれた化合物（ｂ）0.1〜10.0重量％及び多官能グリシジルエーテル化合物（ｃ）0.01〜2.0重量％を共重合して得られ、メルトインデックスが0.1〜10ｇ／10minの架橋ポリアセタール共重合体である請求項１に記載のポリアセタール樹脂組成物。
【請求項３】
多官能グリシジルエーテル化合物（ｃ）が、３官能又は４官能のグリシジルエーテル化合物から選ばれたものである請求項２に記載のポリアセタール樹脂組成物。
【請求項４】
粉粒状ガラス系無機充填材（Ｂ）が、ガラスビーズ又はガラスフレークである請求項１〜３の何れか１項に記載のポリアセタール樹脂組成物。
【請求項５】
粉粒状ガラス系無機充填材（Ｂ）が、アミノシラン系化合物又はエポキシシラン系化合物で表面処理されたものである請求項１〜４の何れか１項に記載のポリアセタール樹脂組成物。
【請求項６】
３官能イソシアネート化合物（Ｃ）が、ジイソシアネート化合物の三量体である請求項１〜５の何れか１項に記載のポリアセタール樹脂組成物。
【請求項７】
ジイソシアネート化合物が、４，４’−メチレンビスフェニルイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート及び２，６−トリレンジイソシアネートから選ばれたものである請求項６に記載のポリアセタール樹脂組成物。
【請求項８】
アミン系化合物（Ｄ１）が、アミノ基含有トリアジン系化合物又はその誘導体である請求項１〜７の何れか１項に記載のポリアセタール樹脂組成物。
【請求項９】
有機金属化合物（Ｄ２）が、Sn、Zn、Pbより選ばれた金属の脂肪酸塩である請求項１〜８の何れか１項に記載のポリアセタール樹脂組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
かかるポリアセタールコポリマーとしては、トリオキサン（ａ）99.95〜80.0重量％と
置換基を持たない環状エーテル化合物及び環状ホルマール化合物から選ばれた化合物（ｂ）0.05〜20.0重量％とを共重合して得られるものが好ましく、更に好ましくはトリオキサン（ａ）99.9〜90.0重量％と化合物（ｂ）0.1〜10.0とを共重合して得られるものである
。また、そのメルトインデックス（190℃、荷重2.16kgで測定）は１〜50g/10minであるものが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
次に、本発明に用いる分岐又は架橋構造を有するポリアセタール樹脂（Ａ２）は、上記の如きポリアセタールホモポリマー或いはポリアセタールコポリマーの製造において、ホルムアルデヒド或いはトリオキサン等と共重合可能であり、かつ共重合によって分岐単位或いは架橋単位を形成し得る化合物を更に添加して共重合することによって得られるものである。例えば、トリオキサン（ａ）と置換基を持たない環状エーテル化合物及び環状ホルマール化合物から選ばれた化合物（ｂ）を共重合させるにあたり、置換基を有する単官能グリシジル化合物（例えば、フェニルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル等）を更に加えて共重合することにより分岐構造を有するポリアセタール樹脂が得られ、また、多官能グリシジルエーテル化合物を加えて共重合することにより架橋構造を有するポリアセタール樹脂が得られる。本発明においては、ポリアセタール樹脂（Ａ２）として架橋構造を有するものを使用するのが好ましく、中でも、トリオキサン（ａ）99.89〜88.0重量％、置換基を持たない単官能環状エーテル化合物及び単官能環状ホルマール化合物から選ばれた化合物（ｂ）0.1〜10.0重量％及び多官能グリシジルエーテル化合（ｃ）0.01〜2.0重量％を共重合して得られるものが好ましく、特に好ましくはトリオキサン（ａ）99.28〜96.50重量％、化合物（ｂ）0.7〜3.0重量％及び多官能グリシジルエーテル化合物（ｃ）0.02〜0.5重量％を共重合して得られるものである。また、そのメルトインデックスが0.1〜10ｇ／10minの架橋ポリアセタール樹脂が好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月6日(2011.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０４】
次に、樹脂微粒子分散体と凝集剤とを混合することによる、樹脂微粒子の凝集処理を、図１（Ａ）に示す、接近・離反可能に互いに対向して配設され、少なくとも一方が他方に対して回転する処理用面１，２の間にできる、薄膜流体中で均一に攪拌・混合する反応装置を用いて行った。
（体積平均粒子径）
粒度分布は、レーザー回折方式を用いた粒度分布測定装置〔日機装(株)製の商品名マイクロトラック ＭＴ３３００ＥＸ〕を用いて測定し、体積平均粒子径を採用した。
（実施例１３〜２０）
中央から第１流体として塩化ナトリウム水溶液（凝集剤：塩化ナトリウム）を、供給圧力/背圧力＝０．３０ＭＰａＧ／０．０２ＭＰａＧで送液しながら、第２流体としてポリエステル樹脂微粒子分散体（ｐＨ  １０．６）を処理用面１，２間に導入しポリエステル微粒子の凝集処理を行った。粒度分布測定結果から、凝集処理前のポリエステル樹脂微粒子の体積平均粒子径は、０．１４８μｍであった。以下に、各条件における処理後の粒度分布測定結果を表２に示す。表中におけるＣＶ[％]は粒度分布測定結果における標準偏差と体積平均粒子径を用いて、以下の式により算出した。
ＣＶ＝標準偏差÷体積平均粒子径×１００  [％]
【表２】
2010150560.tif 000001
樹脂微粒子を得る為に要したエネルギー量は、比較例に比べて本発明の実施例１〜１２の方が体積平均粒子径が小さくなっているにもかかわらず全て十分の一以下となった。これより実施例１〜１２の製造方法がエネルギー効率に優れていることがわかる。
また、本発明の実施例１３〜２０においては、図１（Ａ）に示す、接近・離反可能に互いに対向して配設され、少なくとも一方が他方に対して回転する処理用面１，２の間にできる薄膜流体中で、樹脂微粒子を凝集させて、凝集処理前よりも大きな粒子を得ることができた。これにより、目的に応じた樹脂微粒子を作製できることがわかった。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月31日(2011.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板またはＳＯＩ基板を用いて形成された半導体素子を有する基板を有し、
前記基板の片面または両面に、表面処理が施された糸束の繊維体に有機樹脂が含浸された構造体が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記構造体を介して前記基板に保護フィルムが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、前記保護フィルムは、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエチレン系樹脂、アラミド系樹脂、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール樹脂、またはガラス樹脂で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記繊維体は、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記有機樹脂は、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、またはシアネート樹脂であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記有機樹脂は、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、またはフッ素樹脂であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記基板と前記構造体との間に、前記半導体素子に電気的に接続するアンテナが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記半導体素子は、ＭＯＳトランジスタ、不揮発性記憶素子、またはダイオードの一つ以上であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月11日(2011.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体へのデータの書き込み、または記録媒体からのデータの読み取りを行なうシステムにおいて、
データを書き込みまたは読み取りする命令語を生成するホストと、
前記命令語による論理ブロックアドレスを生成し、前記論理ブロックアドレスに対するデータの書き込みまたは読み取りのためにホストと連結可能なメモリ装置と、
を備えることを特徴とする、システム。
【請求項２】
前記ホストは、ターミナルを備え、
前記メモリ装置は、前記ターミナルを通じて前記命令語と前記データとを伝送するために、前記ターミナルと連結されるインターフェースを備えることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記メモリ装置は、前記ホストに分離可能に連結されることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記メモリ装置は、前記ホストからデータの書き込みまたは読み取りのための論理ブロックアドレスを受信しないことを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記メモリ装置は、記録媒体としてディスク、半導体メモリ装置またはフラッシュメモリ装置を備えることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記ホストは、前記メモリ装置へのデータの書き込み、または前記メモリ装置からのデータの読み取りを行なうための論理ブロックアドレスを生成せず、かつ、伝送しないことを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記ホストは、前記メモリ装置へ論理ブロックアドレスを伝送せず、データを書き込み及び読み取りするためにメモリ装置を制御することを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記ホストは、前記メモリ装置へ論理ブロックアドレスを伝送せず、前記メモリ装置から前記メモリ装置の書き込みまたは読み取り動作についての状態情報を受信することを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記メモリ装置は、前記ホストに連結可能な複数個のメモリ装置であることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記複数個のメモリ装置は、互いに同一であるか、または異なる類型またはフォーマットを有することを特徴とする、請求項９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月5日(2011.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リモートデバイスに関連付けられたデジタル証明書を管理するためのコンピュータワークステーションであって、
プロセッサと、
前記プロセッサとリモートデバイスとの間のデジタル通信を実現するための通信インタフェースと、
を有し、
前記プロセッサは、ワークステーションデジタル証明書管理（ＷＫＳＤＣＭ）ソフトウェアを実行し、
前記ソフトウェアは、前記リモートデバイスに対し、デジタル証明書の管理に関連付けられたタスクを実行するよう要求すること、または前記リモートデバイスからの要求に応答してデジタル証明書の管理に関わるタスクを実行すること、のうちの少なくとも一方のために、前記リモートデバイスと通信するウェブサービスアプリケーションプログラミングインタフェース（ＡＰＩ）を構成する一連のプログラム可能な命令を含み、前記ウェブサービスＡＰＩは、前記プロセッサのアーキテクチャとオペレーティングシステム、及び前記プロセッサにより実行されるアプリケーションにより使用されるプログラミング言語で記述されている、ことを特徴とするコンピュータワークステーション。
【請求項２】
リモートデバイスに関連付けられたデジタル証明書を管理する方法であって、
プロセッサのアーキテクチャとオペレーティングシステム、及び前記プロセッサにより実行されるアプリケーションにより使用されるプログラミング言語で記述されているウェブサービスアプリケーションプログラミングインタフェース（ＡＰＩ）を前記プロセッサに実行させるステップと、
前記ウェブサービスＡＰＩを実行する前記プロセッサとリモートデバイスの間で通信インタフェースを介してデジタル通信を行うステップと、
を含み、
前記デジタル通信を行うステップは、前記リモートデバイスに対し、デジタル証明書の管理に関わるタスクを実行するよう前記プロセッサが要求するステップと、デジタル証明書の管理に関わるタスクを実行するために、前記リモートデバイスからの要求に前記プロセッサが応答するステップと、のうちの少なくとも一方を含むことを特徴とするデジタル証明書管理方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
前記要求するステップは、前記リモートデバイスにデータを供給するステップを含み、
前記データは前記要求を検証する管理パスワードと、前記リモートデバイスと前記ワークステーションのうちの少なくとも一方を識別するための識別データと、前記タスクを通じて作成されたエンティティが有効である期間を示す期間データと、を含むデータグループから選択され、
前記ワークステーションは、シンプルオブジェクトアクセスプロトコル（ＳＯＡＰ）を使用して前記リモートデバイスと通信を行うことを特徴とする方法。
【請求項４】
リモートデバイスであって、
プロセッサと、
前記プロセッサとコンピュータから成るワークステーションとの間のデジタル通信を行うための通信インタフェースと、
を有し、
前記プロセッサは、ウェブサービスアプリケーションプログラミングインタフェース（ＡＰＩ）を構成する一連のプログラム可能命令を含むリモートデバイスデジタル証明書管理（ＲＤＤＣＭ）ソフトウェアを実行し、
前記ウェブサービスＡＰＩは、
前記プロセッサのアーキテクチャとオペレーティングシステム、及び前記プロセッサにより実行されるアプリケーションにより使用されるプログラミング言語で記述され、
前記ワークステーションからのデータとともに、デジタル証明書の管理に関わるタスクの実行を求める要求を受け取ること、または前記ワークステーションに対しデジタル証明書の管理に関わるタスクを実行するよう要求すること、のために前記ワークステーションと通信し、
前記データを使って前記要求されたタスクを実行する
ことを特徴とするリモートデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月24日(2011.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力回路と、判定回路と、電圧設定回路とを有し、
前記出力回路は、前記電圧設定回路によって値が変化する第１の電圧がゲートに与えられると、画素部及び前記判定回路へ第２の電圧を出力するトランジスタを有し、
前記判定回路は、前記第２の電圧の値に従って、前記第１の電圧の値を一に定めるように前記電圧設定回路を制御することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
出力回路と、判定回路と、電圧設定回路とを有し、
前記出力回路は、前記電圧設定回路によって値が変化する第１の電圧がゲートに与えられると、画素部及び前記判定回路へ第２の電圧を出力するトランジスタを有し、
前記判定回路は、前記第２の電圧の値に従って、前記第１の電圧の値を一に定めるように前記電圧設定回路を制御し、
前記電圧設定回路が有する加算器は、前記値が一に定められた前記第１の電圧に第３の電圧を加算して前記トランジスタのゲートに与えることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
出力回路と、判定回路と、電圧設定回路とを有し、
前記出力回路は、前記電圧設定回路によって値が変化する第１の電圧がゲートに与えられると、画素部及び前記判定回路へ第２の電圧を出力する第１のトランジスタと、クロック信号をサンプリングして前記画素部に与える第２のトランジスタとを有し、
前記判定回路は、前記第２の電圧の値に従って、前記第１の電圧の値を一に定めるように前記電圧設定回路を制御することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
出力回路と、画素部と、判定回路と、電圧設定回路とを有し、
前記画素部は、複数の画素を有し、
前記出力回路は、前記電圧設定回路によって値が変化する第１の電圧がゲートに与えられると、前記画素部及び前記判定回路へ第２の電圧を出力する第１のトランジスタと、クロック信号をサンプリングして前記画素部に与えることで、前記複数の画素をラインごとに選択する第２のトランジスタとを有し、
前記判定回路は、前記第２の電圧の値に従って、前記第１の電圧の値を一に定めるように前記電圧設定回路を制御することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
出力回路と、判定回路と、電圧設定回路とを有し、
前記出力回路は、前記電圧設定回路によって値が変化する第１の電圧がゲートに与えられると、画素部及び前記判定回路へ第２の電圧を出力する第１のトランジスタと、クロック信号をサンプリングして前記画素部に与える第２のトランジスタとを有し、
前記判定回路は、前記第２の電圧の値に従って、前記第１の電圧の値を一に定めるように前記電圧設定回路を制御し、
前記電圧設定回路が有する加算器は、前記値が一に定められた前記第１の電圧に第３の電圧を加算して前記第１のトランジスタのゲートに与えることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
出力回路と、画素部と、判定回路と、電圧設定回路とを有し、
前記画素部は、複数の画素を有し、
前記出力回路は、前記電圧設定回路によって値が変化する第１の電圧がゲートに与えられると、前記画素部及び前記判定回路へ第２の電圧を出力する第１のトランジスタと、クロック信号をサンプリングして前記画素部に与えることで、前記複数の画素をラインごとに選択する第２のトランジスタとを有し、
前記判定回路は、前記第２の電圧の値に従って、前記第１の電圧の値を一に定めるように前記電圧設定回路を制御し、
前記電圧設定回路が有する加算器は、前記値が一に定められた前記第１の電圧に第３の電圧を加算して前記第１のトランジスタのゲートに与えることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１または請求項２において、
前記トランジスタは、薄膜トランジスタであることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１または請求項２において、
前記トランジスタは、酸化珪素よりも誘電率の高い絶縁膜を用いたゲート絶縁膜を有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項３乃至請求項６のいずれか１項において、
前記第１のトランジスタは、薄膜トランジスタであることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項３乃至請求項６のいずれか１項において、
前記第１のトランジスタは、酸化珪素よりも誘電率の高い絶縁膜を用いたゲート絶縁膜を有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月5日(2011.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂モノマーと離型剤モノマーとを含む出発成分から重合されるポリマーを含むケミカルトナー組成物であって、１．３０以下の体積平均粒径分布係数を有する粒子を含むケミカルトナー組成物。
【請求項２】
樹脂モノマーと離型剤モノマーとを含む出発成分から重合されるポリマーを含む乳化重合凝集法トナー組成物であって、１．３０以下の体積平均粒径分布係数を有する粒子を含む乳化重合凝集法トナー組成物。
【請求項３】
（ａ）（ｉ）樹脂モノマーと離型剤モノマーとを含む出発成分を含む分散相、及び（ｉｉ）水と相間移動触媒とを含む出発成分を含む連続相、を含む分散体を形成すること；
（ｂ）前記樹脂モノマーおよび前記離型剤モノマーを重合させてポリマーを形成させること；
（ｃ）前記ポリマーと着色剤とを含むトナー前駆体材料を凝集させて、凝集トナー前駆体材料を得ること；および
（ｄ）前記凝集トナー前駆体材料を合一させて、前記着色剤と前記ポリマーとを含む乳化重合凝集法トナー組成物を得ること、
を含む方法。
【請求項４】
１．３０以下の体積平均粒径分布係数を有する粒子を含む請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月7日(2011.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コヒーレント光源と、
前記コヒーレント光源からの光を空間的に変調する空間光変調素子と、
前記空間光変調素子で変調された光をホログラム媒体に集光するフーリエ変換レンズとを備え、
前記空間光変調素子は、参照光領域と信号光領域とに分割され、
前記参照光領域から出射される参照光の発散角は、前記信号光領域から出射される信号光の発散角より大きいことを特徴とするホログラム記録装置。
【請求項２】
前記参照光領域及び前記信号光領域は、複数の画素に分割されており、
前記参照光領域の画素の開口は、前記信号光領域の画素の開口より小さいことを特徴とする請求項１記載のホログラム記録装置。
【請求項３】
前記参照光領域の画素は、前記信号光領域の画素より小さいことを特徴とする請求項２記載のホログラム記録装置。
【請求項４】
前記参照光領域の画素の一片の長さは、前記信号光領域の画素の一片の長さの整数分の１であることを特徴とする請求項３記載のホログラム記録装置。
【請求項５】
前記空間光変調素子に近接して配置される拡散板をさらに備え、
前記参照光領域に対向する前記拡散板の拡散角は、前記信号光領域に対向する前記拡散板の拡散角より大きいことを特徴とする請求項１記載のホログラム記録装置。
【請求項６】
前記拡散板は、通過する光に異なる位相変位を与える複数の画素領域に分割されており、
前記信号光領域において、前記空間光変調素子の画素と前記拡散板の画素領域とが１対１に対応しており、前記参照光領域において、前記空間光変調素子の各画素に前記拡散板の複数の画素領域が対応していることを特徴とする請求項５に記載のホログラム記録装置。
【請求項７】
前記空間光変調素子は、液晶層を封止する少なくとも一つの透明基板を含み、
前記透明基板は、前記拡散板として機能する凹凸面を有し、
前記参照光領域に対向する前記凹凸面の拡散角は、前記信号光領域に対向する前記凹凸面の拡散角より大きいことを特徴とする請求項５記載のホログラム記録装置。
【請求項８】
前記凹凸面は、矩形形状の凹凸面を含み、
前記参照光領域に対向する前記凹凸面の凹凸の幅及び／又は高さは、前記信号光領域に対向する前記凹凸面の凹凸の幅及び／又は高さより小さいことを特徴とする請求項７記載のホログラム記録装置。
【請求項９】
前記参照光領域及び前記信号光領域は、複数の画素に分割されており、
前記複数の画素に対応して設けられた複数の要素レンズを有し、前記空間光変調素子に近接して配置されるマイクロレンズアレイをさらに備え、
前記参照光領域に対向する前記マイクロレンズアレイの要素レンズの焦点距離は、前記信号光領域に対向する前記マイクロレンズアレイの要素レンズの焦点距離より短いことを特徴とする請求項１記載のホログラム記録装置。
【請求項１０】
前記空間光変調素子は、液晶層を封止する少なくとも一つの透明基板を含み、
前記透明基板は、前記マイクロレンズアレイの要素レンズとして機能する凸状曲面部分を有し、
前記参照光領域に対向する前記凸状曲面部分の焦点距離は、前記信号光領域に対向する前記凸状曲面部分の焦点距離より短いことを特徴とする請求項９記載のホログラム記録装置。
【請求項１１】
前記空間光変調素子は、光の強度を変調する第１の液晶層と、光の位相を変調する第２の液晶層とを含み、
前記第２の液晶層は、前記参照光領域に位置する参照光領域側液晶層と、前記信号光領域に位置する信号光領域側液晶層とに分割され、
前記参照光領域側液晶層における光の位相変化量は、前記信号光領域側液晶層における光の位相変化量より大きいことを特徴とする請求項１記載のホログラム記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月19日(2010.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
塩基性高分子型分散剤を添加した炭化水素系溶媒中に炭素材料を分散させ、この溶媒中でその片面側に撥水層を形成させたガス拡散電極を陽極として電圧を印加し、陽極材撥水層上に炭素材料薄膜を形成せしめ、次いで該炭素材料薄膜中に触媒層を形成させ、得られた積層体2枚を用いて、これら積層体の触媒層側が高分子電解質膜に接するように高分子電解質膜を挟み込み、ホットプレスすることを特徴とする高分子電解質膜-電極接合体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
100〜1000nmへの炭素材料の平均粒子径の調整が超音波ホモジナイザを用いて行われる請求項７または８記載の高分子電解質膜-電極接合体の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本出願人は先に、塩基性高分子型分散剤を添加した炭化水素系溶媒中に炭素材料を分散させ、この溶媒中で被被覆材を陽極として電圧を印加し、陽極材表面に炭素材料表面上に炭素材料薄膜を形成させる炭素材料薄膜の製膜方法を提案している。
【特許文献４】特開２００６−６３４３６号公報
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
被被覆材としての陽極材としては、ガス拡散層を形成し得る炭素繊維系不織布等の多孔質炭素材料が用いられ、この表面上にカーボンナノチューブ(CNT)を均質に担持させ、このCNT担持表面にさらに触媒を担持させ、これを高分子電解質膜と一体化させてMEAを構成した場合には、初期には発電が起こるが、時間の経過と共に発電量が低下することが新たに判明した。その原因としては、触媒の拡散または脱離など高分子電解質膜との触媒の接触密度の低下が影響していると考えられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
陽極材撥水層上に炭素材料薄膜を形成せしめ、次いでこの炭素材料薄膜中に触媒層を形成させた得られた積層体は、それぞれ燃料電池の燃料極および空気極として作用する2枚の積層体として用いられ、これら2枚の積層体の触媒層側が高分子電解質膜に接するように高分子電解質膜を挟み込み、ホットプレスされる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月12日(2010.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
合成樹脂製の保持体中に先端部を挿入して、ピン端子と接続する電線端子であって、前記ピン端子と接続する接続部を有する先端部を中間部から直角方向に折り曲げ、前記中間部の後方に電線を圧接接続するための圧着部を有し、前記先端部の折曲部に補強用リブを形成したことを特徴とする電線端子。
【請求項２】
前記中間部の両側に側壁を設けたことを特徴とする請求項１に記載の電線端子。
【請求項３】
前記接続部は円筒接点とし、前記ピン端子を前記円筒接点に挿入することにより接続することを特徴とする請求項１又は２に記載の電線端子。
【請求項４】
前記先端部は前記保持体の端子挿入孔に係止するための係止部を設けたことを特徴とする請求項１〜３の何れか１つの請求項に記載の電線端子。