【手続補正書】
【提出日】平成23年6月10日(2011.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理される基板を収納する金属製の処理容器と、前記処理容器内にプラズマを励起させるために必要な電磁波を供給する電磁波源とを備え、前記電磁波源から供給される電磁波を前記処理容器の内部に透過させる、前記処理容器の内部に一部を露出した１または２以上の誘電体を前記処理容器の蓋体下面に備え、
前記処理容器の内部に露出した金属面に沿って電磁波を伝搬させる表面波伝搬部が、前記誘電体に隣接して設けられているプラズマ処理装置であって、
所望のガスを供給するガス供給源と、
前記ガス供給源から供給されたガスを前記処理容器の内部に放出する複数のガス放出穴と、を更に備えるプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記誘電体板に隣接した金属電極を備え、
前記複数のガス放出穴は、前記金属電極に開口した複数の第１のガス放出穴を含み、
前記複数の第１のガス放出穴から前記処理容器内にガスを導入する請求項１に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記誘電体板が設けられていない前記処理容器の蓋体の下面にて、前記誘電体板に隣接して金属カバーを備え、
前記複数のガス放出穴は、前記金属カバーに開口した複数の第２のガス放出穴を含み、
前記金属カバーの複数の第２のガス放出穴から前記処理容器内にガスを導入する請求項１に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記誘電体板が設けられていない前記処理容器の蓋体の下面にて、前記誘電体板に隣接して前記誘電体板より外側の前記処理容器の蓋体にサイドカバーを備え、
前記複数のガス放出穴は、前記サイドカバーに開口した複数の第２のガス放出穴を含み、
前記サイドカバーの複数の第２のガス放出穴から前記処理容器内にガスを導入する請求項１に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記金属電極の内部には、第１のガス流路が設けられ、
前記第１のガス流路を介して前記複数の第１のガス放出穴から前記処理容器内にガスを導く請求項２に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記金属電極と前記誘電体板との間には、第１のガス流路が設けられ、
前記第１のガス流路を介して前記複数の第１のガス放出穴から前記処理容器内にガスを導く請求項２に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記第１のガス流路は、前記金属電極の前記誘電体板に隣接した面又は前記誘電体板の前記金属電極に隣接した面の少なくともいずれかに形成された溝である請求項６に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記金属カバー又はサイドカバーの少なくともいずれかの内部には、第２のガス流路が設けられ、
前記第２のガス流路を介して前記複数の第２のガス放出穴から前記処理容器内にガスを導く請求項４〜７のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記金属カバー又はサイドカバーの少なくともいずれかと前記蓋体との間に第２のガス流路が設けられ、
前記第２のガス流路を介して前記複数の第２のガス放出穴から前記処理容器内にガスを導く請求項４〜７のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記第２のガス流路は、前記金属カバー及びサイドカバーの前記蓋体に隣接した面又は前記蓋体の前記金属カバー及びサイドカバーに隣接した面の少なくともいずれかに形成された溝である請求項９に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記溝の深さは、０．２ｍｍ以下である請求項７又は請求項１０のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記誘電体及び前記金属電極は前記蓋体に螺子で固定され、
前記金属カバー及びサイドカバーは前記蓋体の本体部分に螺子で固定され、
前記第１及び第２のガス流路は、前記螺子の内部または側面に設けられた第３のガス流路又は第５のガス流路に連結する請求項４〜１１のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項１３】
前記第１のガス放出穴及び前記金属カバー又はサイドカバーの少なくともいずれかに設けられた第２のガス放出穴は、概ね等ピッチで配置されている請求項４〜１２のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項１４】
前記誘電体及び前記金属電極を前記蓋体に固定する螺子には、前記枝ガス流路が形成され、
前記複数の螺子の内部には、第３のガス流路が設けられ、
前記複数のガス放出穴は、前記複数の螺子に開口した複数の第３のガス放出穴を含み、
前記第３のガス流路を介して前記複数の第３のガス放出穴から前記処理容器内にガスを導入する請求項１２又は請求項１３のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項１５】
前記複数の第３のガス放出穴のガスコンダクタンスは、前記第３のガス流路のガスコンダクタンスよりも小さい請求項１４に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項１６】
前記第３のガス放出穴は円筒形であり、前記第１のガス放出穴、前記第２のガス放出穴及び前記第３のガス放出穴の直径及び長さはそれぞれ概ね等しい請求項１５に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項１７】
前記第１のガス放出穴及び前記第２のガス放出穴は、概ね等ピッチで配置されている請求項４〜１６のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項１８】
前記第１のガス放出穴、前記第２のガス放出穴及び前記第３のガス放出穴は、概ね等ピッチで配置されている請求項１４〜１７のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項１９】
前記第１のガス放出穴、前記第２のガス放出穴又は第３のガス放出穴の少なくともいずれかは、前記金属電極、前記金属カバー又はサイドカバーの少なくともいずれかの金属面に形成された凸部に設けられている請求項１４〜１８のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項２０】
前記螺子の内部側面には、第４のガス流路が設けられ、
前記第３のガス流路を通過したガスを前記第４のガス流路を介して前記第１のガス流路又は前記第２のガス流路に導く請求項１２〜１９のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項２１】
前記第１のガス流路、前記第２のガス流路及び前記第３のガス流路のガスコンダクタンスは、前記第４のガス流路のガスコンダクタンスよりも大きい請求項２０に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項２２】
前記第３のガス放出穴のコンダクタンスは、前記第４のガス流路のコンダクタンスに概ね等しい請求項２１に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項２３】
前記第４のガス流路及び前記第３のガス放出穴は円筒形であり、前記第４のガス流路の直径及び長さは、前記第３のガス放出穴の直径及び長さに概ね等しい請求項２２に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項２４】
前記螺子と前記蓋体との間には、第５のガス流路が設けられ、
前記第５のガス流路を介して前記第１のガス流路及び前記第２のガス流路から前記複数の第１のガス放出穴及び前記複数の第２のガス放出穴にガスを導く請求項４〜２３のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項２５】
主ガス流路を通過したガスを前記第５のガス流路に導く第６のガス流路が設けられている請求項２４に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項２６】
前記第６のガス流路は、被処理体に向かって斜めに配置されている請求項２５に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項２７】
前記絞り部は、前記第６のガス流路のガスコンダクタンスが前記主ガス流路のガスコンダクタンスよりも小さくなるように前記主ガス流路に隣接して配置されている請求項２５又は請求項２６のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項２８】
前記絞り部は、前記第３のガス流路のガスコンダクタンスが前記主ガス流路のガスコンダクタンスよりも小さくなるように前記主ガス流路に隣接して配置されている請求項１２〜２７のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項２９】
前記複数のガス放出穴は、前記処理容器に露出した蓋体に開口した複数の第５のガス放出穴を含み、
前記複数の第５のガス放出穴から前記処理容器内にガスを導入する請求項１、６、７、１１，１４、１５に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項３０】
前記誘電体板の各々には容器内側に金属電極が設けられ、
前記複数のガス放出穴は、前記金属電極に開口した複数の第１のガス放出穴を含み、
前記複数の第５のガス放出穴及び第１のガス放出穴から前記処理容器内にガスを導入する請求項２９に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項３１】
前記蓋体の内部には、第７のガス流路が設けられ、
前記第７のガス流路を介して前記第５のガス放出穴から前記処理容器内にガスを導く請求項２９又は請求項３０のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項３２】
前記第１のガス放出穴及び前記第５のガス放出穴は円筒形であり、前記第１のガス放出穴及び前記第５のガス放出穴の直径及び長さはそれぞれ概ね等しい請求項２９〜３１のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項３３】
前記第５のガス放出穴のガスコンダクタンスと、前記第３のガス放出穴のガスコンダクタンスが、概ね等しい請求項２９〜３２のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項３４】
前記複数の第３のガス放出穴は、前記第５のガス放出穴と概ね同じ太さである請求項３０〜３３のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項３５】
前記主ガス流路は、前記蓋体の内部に設けられ、
前記複数の主ガス流路は、前記複数の枝ガス流路のガス流路にガスを分流する請求項１に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項３６】
前記蓋体は、上部蓋体と下部蓋体とから構成され、
前記主ガス流路は、前記上部蓋体と前記下部蓋体との境界部分に設けられている請求項１に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項３７】
前記処理容器内の空間であって、前記蓋体下部の空間と前記基板を収納する空間との間の空間に配置され、前記ガス供給源とは異なるガス供給源から供給されるガスを前記基板を収納する空間に向けて放出するガス放出部を有する請求項１に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項３８】
前記ガス供給源と前記ガス放出穴との間を連結するガス流路を有し、前記ガス流路には流路を狭める絞り部が設けられている請求項１に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項３９】
プラズマ処理される基板を収納する金属製の処理容器と、前記処理容器内にプラズマを励起させるために必要な電磁波を供給する電磁波源とを備え、前記電磁波源から供給される電磁波を前記処理容器の内部に透過させる、前記処理容器の内部に一部を露出した１または２以上の誘電体を前記処理容器の蓋体下面に備え、
前記処理容器の内部に露出した金属面に沿って電磁波を伝搬させる表面波伝搬部が、前記誘電体に隣接して設けられているプラズマ処理装置であって、
プラズマ励起用ガスを含む第１のガスを供給する第１のガス供給源と、
所望の第２のガスを供給する第２のガス供給源と、
前記第１のガス供給源から供給された前記第１のガスを前記処理容器の内部空間であって前記蓋体下面に隣接する第１の空間に放出する第１のガス放出部と、
前記処理容器内の空間であって、前記第１の空間と前記基板を収納する空間との間の第２の空間に、前記第２のガス供給源から供給された前記第２のガスを放出する第２のガス放出部とを備えたプラズマ処理装置。
【請求項４０】
前記第２のガス放出部は、
前記蓋体内部を通過して前記第２の空間近傍まで延在する複数のガス導通路と前記ガス導通路の各々に設けられ、前記第２の空間に前記第２のガスを放出する少なくとも１つのガス放出穴とを含む請求項３９に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項４１】
前記第２のガス放出部は、多孔質体から形成されている請求項３９に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項４２】
前記第２のガス放出部は、スリット状の開口である請求項３９に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項４３】
前記複数のガス導通路は、被処理体に概ね垂直な状態で配置された第１のガス管と被処理体に概ね水平な状態で前記第１のガス管に連結された複数の第２のガス管とを含む請求項３９に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項４４】
前記複数の第２のガス管は、前記第１のガス管を中心として概ね等角度に配置されている請求項４３に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項４５】
前記第１のガス管は、等ピッチに複数配置され、
各第１のガス管には、４本の前記第２のガス管が連結されている請求項４３又は請求項４４のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項４６】
前記複数の第２のガス管には、被処理体と対向する面に等間隔に複数の前記ガス放出穴が設けられている請求項４３〜４５のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項４７】
前記複数のガス導通路は、被処理体に所定の角度をなす状態で配置された第３のガス管を含む請求項３９に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項４８】
前記第３のガス管は、前記蓋体の下面の複数の部分から、各部分につき複数本が概ね等角度で異なる方向に伸びて前記第２の空間近傍に達するように配置されている請求項４７に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項４９】
前記複数の第３のガス管の末端部に前記ガス放出穴が設けられ、前記ガス放出穴は被処理体と平行な同一平面上に概ね等間隔に配置されている請求項４７または４８に記載されたプラズマ処理装置。