【手続補正書】
【提出日】平成21年2月9日(2009.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可逆的に変化することができ、光学的に読み取ることができる光学特性を有するデバイスにおいて、
電子密度および酸化状態の少なくとも１つを含む少なくとも１つの所定の電子特性を有するように設計された酸化還元活性層構造体を担持する、導電性表面を有する基体であって、前記の少なくとも１つの電子特性は、前記層構造体を電場にさらすことによって変化することが可能であり、しかも、前記層構造体の光学特性は、前記層構造体の前記電子特性によって規定されており、そうされることによって、ある入射光に対する前記層構造体の光学的応答が決定されている前記基体を備えており；前記層構造体の前記光学的応答の検出可能な変化を引き起こす前記電子特性の変化をもたらすことができる；上記デバイス。
【請求項２】
前記酸化還元活性層構造体は、１種以上の金属を含有する金属ベース構造体であり、好ましくは、前記１種以上の金属は、独立に、好ましくはＯｓ、Ｒｕ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｔｃ、Ｍｎ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、ＴｉおよびＺｎから選ばれる遷移金属である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記金属ベース酸化還元活性構造体層は、ルテニウムベース酸化還元活性単層、好ましくはルテニウム（ＩＩ）ベース酸化還元活性単層またはルテニウム（ＩＩＩ）ベース酸化還元活性単層、として設計されており、より好ましくは、前記ルテニウム単層は、前記デバイスの前記導電性基体の表面に共有結合的に結合されるように設計されたリンカーユニットに結合された荷電トリスビピリジルルテニウムユニットから成る、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記酸化還元活性層構造体は、酸化還元活性な有機分子、好ましくはチオフェン、キノン、または、それらの組合せ、を含有している、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記酸化還元活性層構造体は、酸化還元活性な有機分子を更に含有している、請求項２に記載のデバイス。
【請求項６】
前記電子特性の前記変化は、前記導電性表面と前記層構造体に連結された１つ以上の電極とを通して、１個以上の電子を前記酸化還元活性層構造体に加えること、または、１個以上の電子を前記酸化還元活性層構造体から取り去ることによって電気化学的に引き起こされる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記酸化還元活性層構造体は、複数の電子特性領域の所定のパターンを規定するように設計されており、好ましくは、前記パターンは、異なる識別可能な電子特性を有する前記層構造体の前記複数の領域の配列の形態であるか、又は、ある電子特性を有する、一定間隔を置いて離れた前記複数の領域の配列の形態である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記パターンは、前記複数の領域の１次元配列、２次元配列または３次元配列を包含する、請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
前記酸化還元活性層構造体に前記電場を印加するための電極集成装置を備えており、
好ましくは、前記電極集成装置は、前記導電性表面によって形成されている少なくとも１つの第１の電極集成装置と、前記酸化還元活性層構造体と関連する少なくとも１つの第２の電極とを有しており、
より好ましくは：
（ｉ）前記導電性表面は、前記基体の複数の非導電性領域によって一定間隔を置いて離されている複数の導電性領域の配列を有するパターンの形態であり、そうであることによって、前記導電性表面によって担持されている前記層構造体の複数の領域の配列であって、前記層構造体の複数の領域の前記電子特性に影響を及ぼすように選択的に処理されるべき前記複数の領域の配列を規定している前記複数の第１の電極の配列を規定しているか；又は、
（ｉｉ）前記第２の電極は、前記層構造体に連結された複数の電極の配列として形成されており、そうされていることによって、前記層構造体の複数の領域の前記電子特性に影響を及ぼすように選択的に処理されるべき前記複数の領域の配列を規定している、
請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記酸化還元活性層構造体は、
（ｉ）１種類の金属ベース酸化還元活性物質の単層、酸化還元有機分子の単層、または、それらの混合物；
（ｉｉ）１種類の金属ベース酸化還元活性物質の単層、または、複数種類の金属ベース酸化還元活性物質の混合物の単層；
（ｉｉｉ）少なくとも１種類の金属を含有する金属ベース酸化還元活性錯体の単層；
（ｉｖ）異なる種類の金属を含有する金属ベース酸化還元活性錯体の単層；又は
（ｖ）同一種類の金属を含有する金属ベース酸化還元活性錯体の単層
を有している、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記酸化還元活性層構造体は、
（ｉ）複数個の同一又は異なる種類の層であって、各々の層が、金属ベース酸化還元活性物質、酸化還元活性有機分子、または、それらの混合物によって形成されている前記複数個の同一又は異なる種類の層；
（ｉｉ）複数個の異なる種類の層であって、各々の層が、１種類の金属ベース酸化還元活性物質の層、または、複数種類の金属ベース酸化還元活性物質の混合物の層を有している前記複数個の異なる種類の層；
（ｉｉｉ）複数個の異なる種類の層であって、各々の層が、少なくとも１種類の金属を含有する金属ベース酸化還元活性錯体の単層を有している前記複数個の異なる種類の層；
（ｉｖ）複数個の異なる種類の層であって、各々の層が、同一又は異なる種類の金属を含有する金属ベース酸化還元活性錯体の層を有している前記複数個の同一又は異なる種類の層；又は
（ｖ）１種以上の金属
を含有している、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記伝導性表面は、配位結合することのできる官能基、または、共有結合的もしくは非共有結合的にもしくはそれらの組合せによって、前記酸化還元活性層構造体に結合することのできる官能基を担持している、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記基体は、親水性基体、疎水性基体、または、それらの組合せである、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記基体は、導電性材料で作られているか；又は、前記基体は、非導電性材料で作られており、かつ、導電性表面コーティングを有しており、好ましくは、ガラス；金属酸化物；ＩＶ族元素；石英；雲母；金属および金属酸化物の混合物；ポリマー；プラスチックス；合金、有機物質又は無機物質を含有する物質の混合物；から選ばれた１種の物質を含有しており、しかも、必要な時は、金属；金属酸化物；ＩＶ族元素；金属および金属酸化物の混合物；ポリマー；プラスチックス；合金、有機物質、無機物質を含有する物質の混合物；または、半導体；で作られた導電性表面を有している、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記基体は、紫外線、可視光線、赤外線又は近赤外線のスペクトル範囲に対して光学的に透明である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記の変化することができる電子特性を有する、一定間隔を置いて離されている複数の領域の配列を規定するように設計されており；しかも、導電性の基体表面によって形成されている第１の電極集成装置と、前記酸化還元活性層構造体に連結されている第２の電極集成装置とを有する、前記電場を印加するための電極集成装置を備えており、
好ましくは、前記電極集成装置は、前記の変化することができる電子特性を有する領域の前記配列を規定する複数の電極要素の配列として設計されており、
より好ましくは、前記基体は、複数の非導電性領域によって一定間隔を置いて離されている、一定間隔を置いて離されている導電性領域の配列を規定するようにパターン化されている、
請求項１に記載のデバイス。
【請求項１７】
表示デバイスとして作動することができ、好ましくは、エレクトロルミネッセント表示デバイスとして又は静的ディスプレイとして作動することができる、請求項４１に記載のデバイス。
【請求項１８】
表示デバイスの複色を提供するように設計されており、好ましくは、前記酸化還元活性層構造体は、複数の異なる発色団モジュールと、周期表での前記金属の位置の差異とを有する金属ベース混合膜を有している、請求項１７に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記酸化還元活性層構造体は、複数のインク粒子であって、各々の粒子が、前記酸化還元活性物質で被覆されたコアから作られた前記複数のインク粒子を含有する少なくとも１個の層によって形成されており、好ましくは、しかも：
（ｉ）前記複数のインク粒子は、高度に散乱を起こすように設計されており、そうされていることによって、複反射が作り出されて、前記の少なくとも１個のインク粒子層の内部での光路長さが増大されており、好ましくは、しかも、前記粒子のコアは、少なくとも１種の金属で作られており；
（ｉｉ）前記粒子のコアは、比較的高い屈折率を有する少なくとも１種の物質で作られており；
（ｉｉｉ）前記粒子のコアは、二酸化チタンで作られており、；
（ｉｖ）前記粒子のコアは、絶縁物質および半導体物質の少なくとも１種を含有する少なくとも１種の物質で作られており；
（ｖ）前記の少なくとも１個のインク粒子層は、異なる発色団を含有しており、そうすることによって、複色インクを提供しており；又は
（ｖｉ）前記複数のインク粒子は、寸法、コアの組成、屈折率および酸化還元活性組成の少なくとも１つが異なっている、
請求項１７に記載のデバイス。
【請求項２０】
複数の異なる色成分が活性化するように設計されており、かつ、複数の異なる色成分が活性化するように作動することができ、好ましくは、（ｉ）前記複数の異なる色成分は、各々の発色団の電気化学反応が起こるのに必要な、複数の異なる電圧によって活性化することができるか、又は、（ｉｉ）前記複数の異なる色成分は、複数の異なるインク粒子であって、各々のインク粒子が異なる発色団を含有している前記複数のインク粒子を、複数の異なる位置であって、各々の位置が各々の色のための異なる画素を決定する前記複数の位置に選択的に使用することによって提供される、請求項１９に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記電極集成装置は、複数の電気化学的セルの配列を規定するように設計されており、
好ましくは、前記電気化学的セルのための電解質は、固体電解質、液体電解質、または、それらの組合せであり、
より好ましくは、前記固体電解質または液体電解質は、溶媒および前記複数のインク粒子と一緒に混合されて、前記基体の表面に施される液体インク混合物を作り出し、前記溶媒が蒸発することにより、結果的に、固体電解質マトリックスまたは液体電解質マトリックスの中に複数の粒子層を作り出している、
請求項１９に記載のデバイス。
【請求項２２】
光学的に読み取り可能な記憶デバイスとして作動することができ、好ましくは、書き換え可能な記憶装置、読取り専用記憶装置、および、ライトワンス・リードメニー記憶装置、の１つとして作動することが可能であり；データ書き込みは、前記複数の領域の１つ以上の電子特性に影響を及ぼすことによって行われ；かつ、データ読み取りは、前記複数の領域の１つ以上に前記入射光を当てることによって行われる、請求項１６に記載のデバイス。
【請求項２３】
（ｉ）前記層構造体は、複数の異なる金属中心を有する混合された金属ベース膜を有しており、好ましくは、前記デバイスは、複数の異なる電場値によって前記複数の異なる金属中心を処理するように設計された電極集成装置を備えており；
（ｉｉ）前記デバイスは、前記酸化還元活性層構造体の分子の双極子モーメントまたは複層構造体の複層の分子の双極子モーメントの変化に基づく読み取り可能な記憶デバイスとして作動することができ；又は
（ｉｉｉ）前記デバイスは、光学的に読み取ることができる複層記憶デバイスとして設計されており；前記層構造体が複数の金属ベース酸化還元活性層を有している、
請求項２２に記載のデバイス。
【請求項２４】
前記光学的応答は、前記入射光の反射、または、励起入射光によって励起された光の放出を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２５】
光センサとして作動することができ、好ましくは、前記光センサは、前記電場を変化させることにより、前記層構造体の少なくとも１つの選択領域の電子特性を変化させることによってチューナブルである、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２６】
スペクトルフィルタとして作動することが可能であり；前記層構造体の少なくとも１つの領域の電子特性は、前記入射光のスペクトル範囲であって、前記層構造体の前記少なくとも１つの領域が光学的に反応する前記スペクトル範囲を決定する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２７】
光スイッチとして作動することができる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２８】
発光素子として作動することができ、
好ましくは、（ｉ）前記発光素子は、前記入射光によって光学的にポンピングされるか；又は（ｉｉ）前記発光素子は、前記電子特性を変化させ、その結果として、前記電場が変化することにより、前記光学応答のスペクトル範囲を変化させることによって、チューナブルである、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２９】
前記放出された光から複色を生じるように設計されており、好ましくは、前記層構造体は、複数の異なる発色団モジュールと、周期表での前記金属の位置の差異とを有する金属ベース混合膜を有している、請求項２８に記載のデバイス。
【請求項３０】
前記酸化還元活性層構造体の少なくとも１つの領域の電子特性の変化が、前記層構造体の前記少なくとも１つの領域の屈折率の変化に影響を及ぼすような具合に、前記層構造体は設計されており、好ましくは、前記層構造体は、非線形媒体として作動することができるか、又は、前記デバイスは、周波数重複デバイス、光スイッチ、変調器、空間光変調器および位相マスクの少なくとも１つとして作動することができる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３１】
データ転送デバイス、データ記憶デバイス、パルス整形器および光プロセッサーの少なくとも１つとして作動することができ、好ましくは、前記層構造体は、前記電場によって作動することが可能であり、一定間隔を置いて離された複数の領域であって異なる屈折率を有する前記複数の領域の所定のパターンを規定している、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３２】
前記酸化還元活性層構造体の選択領域の電子特性は、単一分子金属領域によって規定されており、好ましくは、前記酸化還元活性層構造体は、一定間隔を置いて離された関係で配置されている前記単一分子金属領域の配列を規定するようにパターン化されている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３３】
分子電子デバイスとして作動することができる、請求項３２に記載のデバイスであって、
好ましくは、前記金属ベース発色団層構造体は、スイッチング特性を有し、半導体デバイスの形成に対応でき、
更に好ましくは、前記層構造体は、電荷を保存するように設計されており、かつ、電荷を保存するように作動することができ、
最も好ましくは、前記デバイスは、（ｉ）スイッチデバイス、記憶デバイス、トランジスタ、ダイオード、超小型回路の導体の少なくとも１つとして設計されており、かつ、それらの少なくとも１つとして作動することができるか、又は、（ｉｉ）単一電子トンネリングデバイスとして設計されており、かつ、単一電子トンネリングデバイスとして作動することができる、請求項３２に記載のデバイス。
【請求項３４】
ナノスケールの電気光学デバイスとして設計されており、かつ、ナノスケールの電気光学デバイスとして作動することができる、請求項３２に記載のデバイス。
【請求項３５】
ダイオードとして設計されており、かつ、ダイオードとして作動することができる、請求項１に記載のデバイスであって、
好ましくは、フォトダイオードとして設計されており、かつ、フォトダイオードとして作動することができるか、又は、
前記酸化還元活性層構造体は、複数の異なる金属および／または発色団で調製された金属ベース膜を有しており；該層構造体がある周波数範囲の入射光で照射されれば、結果的に、該層構造体の前記電子特性が電気化学的に処理されることによって、可逆的な方法で制御可能なように変化させることのできるアノード光電流が生じる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３６】
光電池または太陽電池として設計されており、かつ、光電池または太陽電池として作動することができる、請求項１に記載のデバイスであって、好ましくは、前記酸化還元活性層構造体は、１種以上の導電性（メソポーラス）金属酸化物で形成された前記基体の上に少なくとも１つの金属ベース膜を有している、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３７】
制御可能な金属・半導体接合として設計されており、かつ、制御可能な金属・半導体接合として作動することができる、請求項１に記載のデバイスであって、好ましくは、前記酸化還元活性層構造体は、前記金属ベース膜の双極子モーメントを変化させるように、電場によって作動することができ、結果的に、該膜の双極子モーメントによってチューナブルな有効障壁高さを有する複数のダイオードが作り出される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３８】
前記酸化還元活性層構造体は、電荷または電荷パターンを貯蔵するように設計されており、かつ、電荷または電荷パターンを貯蔵するために、電場によって作動することができる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３９】
電池アセンブリとして設計されており、かつ、電池アセンブリとして作動することができる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４０】
前記酸化還元活性層構造体は、エネルギー変換を行うように設計されており、かつ、エネルギー変換のために、電場を印加することによって作動することができる、請求項１に記載のデバイスであって、好ましくは、前記デバイスは、水の光化学開裂を行い、結果的に、Ｏ２、Ｈ２またはＨ＋が形成されるように作動することができる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４１】
前記酸化還元活性層構造体の少なくとも１つの領域の内部の金属は、選択されたＤＮＡに結合するように選択されており；したがって、前記デバイスは、選択的ＤＮＡの開裂および分析を行うために作動することができる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４２】
請求項１に記載のデバイスにおいて、
該デバイスが外部磁場にさらされる時、該デバイスは、該デバイスの少なくとも１つの領域の磁気双極子の変化であって、前記少なくとも１つの領域における金属中心の酸化と還元とから生じる該変化によって引き起こされる磁化率を有することを特徴とし、しかも、
上記デバイスは、好ましくは、記憶デバイス；２進法記憶デバイス；非２進法記憶デバイス；情報を、印加された電場の関数として貯蔵することのできる記憶デバイス；又は、分子ベース磁石として作動することができる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４３】
酸化還元活性層構造体を担持する基体を備えている表示デバイスにおいて、
該酸化還元活性層構造体は、複数のインク粒子であって、各々のインク粒子が、酸化還元活性物質で被覆されたコアを有している該複数のインク粒子を含有する少なくとも１個の層を有しており；前記酸化還元活性層構造体は、電子密度および酸化状態の少なくとも１つを含む少なくとも１つの所定の電子特性を有するように設計されており；前記少なくとも１つの電子特性は、前記層構造体を電場にさらすことによって変化することができ；前記層構造体の前記少なくとも１つの電子特性は、該層構造体のある光学的特性を規定し、そうすることによって、ある入射光に対する該層構造体の光学応答を決定しており、そうすることによって、前記デバイスは、該層構造体の光学応答の変化を生じさせる、前記電子特性の変化をもたらすことが可能である、上記表示デバイス。
【請求項４４】
電気光学デバイスを製造する方法において、
金属ベース酸化還元活性層構造体を、基体の導電性表面に化学的に結合させる工程を含み；前記層構造体は、前記デバイスの意図された作動に関連して選定された少なくとも１種の金属を含有し；前記層構造体は、該層構造体を電場にさらすことによって変化することのできる酸化状態および電子密度の少なくとも１つによって規定された、少なくとも１つの所定の電子特性を有するように設計されており；前記層構造体の前記電子特性は、該層構造体のある光学特性を規定し、そうすることによって、ある入射光に対する該層構造体のある光学応答を決定して、該電子特性の変化をもたらし、結果的に、該層構造体の光学応答の可逆変化を生じさせる、上記製造方法。
【請求項４５】
【化１】
2008539448.tif 000001
（式中、ｎ＝０〜６；Ｒ１＝アルキレン基、アリーレン基、ベンジレン基、アルケニレン基、Ｏ−アルキレン基、Ｎ−アルキレン基、Ｓ−アルキレン基、ペプチド残基、アミノ酸残基、アルキレン−Ｏ−アルキレン基、−Ｃ＝Ｎ、又は−Ｎ＝Ｃ；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、Ｃｌ、Ｉ、Ｆ、Ｂｒ、アルコキシ基、アルキル基、アリール基、フルオロアリール基、フルオロアルキル基、水素基、ヒドロキシル基、アミノ基、トリフラート基、アリールオキシ基、アセテート基から独立的に選ばれており；Ｘは、Ｂｒ−、Ｃｌ−、Ｆ−、Ｉ−、ＰＦ６−、ＢＦ４−、ＯＨ−、ＣｌＯ４−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＣＮ−、アルキルＣＯＯ−、アリールＣＯＯ−から選ばれた対イオンである）の一般式の化合物。
【請求項４６】
ｎが１であり、Ｒ１がプロピレンであり、Ｒ２、Ｒ３Ｒ４が各々メトキシであり、ＸがＩ−であり、以下の式を有する、請求項４５に記載の化合物。
【化２】
2008539448.tif 000002
【請求項４７】
一般式Ｉ：
【化３】
2008539448.tif 000003
［式中、Ｍは、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｆｅ、ＣｕおよびＣｏから選ばれており；ｎは、前記金属の形式的酸化状態であり、ｎ＝０〜４；Ｘは、Ｂｒ−、Ｃｌ−、Ｆ−、Ｉ−、ＰＦ６−、ＢＦ４−、ＯＨ−、ＣｌＯ４−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−、ＣＮ−、アルキルＣＯＯ−、アリールＣＯＯ−、または、それらのいずれかの組合せから選ばれた対イオンであり；Ｒ４〜Ｒ２７はそれぞれ、水素基、ハロゲン基、ヒドロキシル基、アジド基、ニトロ基、シアノ基、アミン基、チオール基、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、ハロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アルケン基、アルキン基、アミド基、カルボン酸基、保護されたカルボン酸基、保護されたアミン基、スルホニル基、置換アリール基、置換シクロアルキル基および置換ヘテロシクロアルキル基から独立的に選ばれており；前記Ｒ４〜Ｒ２７の少なくとも１つは、基Ａ：
【化４】
2008539448.tif 000004
（式中、Ａは、Ｒ３を介して一般式Ｉの前記化合物の環構造に結合されており；前記Ｒ３は、シス／トランスのＣ＝Ｃ、Ｃ≡Ｃ、Ｎ＝Ｎ、Ｃ＝Ｎ、Ｎ＝Ｃ、Ｃ−Ｎ、Ｎ−Ｃ、アルキレン基、アリーレン基、または、それらのいずれかの組合せから選ばれており；Ｒ２は、存在しないか、または、水素基、アルキル基、アルキレン基、アリール基、アリーレン基、もしくは、それらのいずれかの組合せから選ばれており；Ｒ１は、存在しないか、または、水素基、トリアルコキシシラン基、トリハライドシラン基、チオール基、カルボキシレート基、ＣＯＯＨ、ＣＯＯ−、Ｓｉ（ＯＨ）３およびホスホナート基から選ばれている）であり；Ｒ４〜Ｒ２７のいずれか２つの近隣する置換基は、それら近隣する置換基が結合している炭素原子と一緒に、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、ヘテロアリール基およびアリール基から選ばれる縮合環系を形成している場合があり；前記縮合環系は、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基、アリール基、アジド基、シクロアルキル基、ハロゲン基、ヘテロシクロアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシル基、ハロアルキル基、ヘテロアリール基、アルケン基、アルキン基、ニトロ基、シアノ基、水素基、アミン基、アミド基、カルボン酸基、保護されたカルボン酸基、保護されたアミン基、スルホニル基および置換アリール基から選ばれた１つ以上の基によって置換されている場合があり；前記縮合環系は、Ｎ、ＯおよびＳから選ばれた少なくとも１種のヘテロ原子を更に含有している場合がある］を有する化合物。
【請求項４８】
ＭがＯｓであり、ｎが２であり、ＸがＰＦ６−であり、Ｒ４及びＲ６〜Ｒ２５及びＲ２７が各々水素であり、Ｒ５がメチルであり、Ｒ２６がＡであり、しかもＲ３がＣ＝Ｃであり、Ｒ２及びＲ１が共に存在せず、以下の式を有する、請求項４７に記載の化合物。
【化５】
2008539448.tif 000005
【請求項４９】
ＭがＯｓであり、ｎが２であり、ＸがＰＦ６−又はＩ−であり、Ｒ４及びＲ６〜Ｒ２５及びＲ２７が各々水素であり、Ｒ５がメチルであり、Ｒ２６がＡであり、しかも、ＲがＣ＝Ｃであり、Ｒ２がメチルであり、Ｒ１が存在せず、以下の式を有する、請求項４７に記載の化合物。
【化６】
2008539448.tif 000006
【請求項５０】
ＭがＯｓであり、ｎが２であり、ＸがＰＦ６−又はＩ−であり、Ｒ４及びＲ６〜Ｒ２５及びＲ２７が各々水素であり、Ｒ５がメチルであり、Ｒ２６がＡであり、しかも、Ｒ３がＣ＝Ｃであり、Ｒ２がプロピルであり、Ｒ１がトリメトキシシランであり、以下の式を有する、請求項４７に記載の化合物。
【化７】
2008539448.tif 000007
【請求項５１】
少なくとも１種の所定の液体物質または気体物質を探知するように設計され、かつ、それらを探知するように作動することのできるセンサデバイスにおいて、
前記少なくとも１種の物質との反応に応答して、酸化還元活性層構造体の酸化状態を変化させ、そうさせることによって、該層構造体の光学的特性の変化を生じさせることができるように選ばれた該酸化還元活性層構造体を備えており；前記光学的特性の変化は、可逆的であり、光学的に読み取ることができる、上記センサデバイス。
【請求項５２】
前記少なくとも１種の所定の物質には、水、アニオン、ガス、アルコール、ケトン、アルデヒド、カルボキシル化合物、フェノール、ハロゲン化物、硫化物、ホスホン酸塩、ニトロ含有物質、過酸化物、カチオン、オゾン、糖、炭水化物、ＳＯ２、ＮＯ＋、ＮＯ２、ＮＯＸ、ＣＯ、ＣＯ２、フッ化炭素、ヘテロ環式化合物、マスタードガス、サルファマスタード（ｓｕｌｆｕｒ  ｍｕｓｔａｒｄ）、ＴＮＴ、殺虫剤、マラチオン（ｍａｌａｔｈｉｏｎ）、サリン（ｓａｒｉｎ）、化学兵器（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｗａｒｆａｒｅ  ｒｅａｇｅｎｔｓ）、温室効果ガス（ｇｒｅｅｎｈｏｕｓｅ  ｇａｓ）、ホスフィン、発疱薬（ｖｅｓｉｃａｎｔ）、無能力化剤、催涙ガス、嘔吐ガス、肺毒物（ｌｕｎｇ  ｔｏｘｉｃａｎｔｓ）、アダムサイト（ａｄａｍｓｉｔｅ）、ホスホン酸塩、ホスゲン、ジホスゲン、神経ガス（ｎｅｒｖｅ  ａｇｅｎｔ）ＶＸ、神経ガス・タブン（Ｔａｂｕｎ）、神経ガス・ソマン（Ｓｏｍａｎ）、神経ガスＧＦ、びらん剤（ｂｌｉｓｔｅｒ  ａｇｅｎｔ）ＨＤ、酸、塩基、シアン化合物、シアン化水素、塩化シアン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ホスホルアミドシアニド酸エチル、メチルホスホノフルオリド酸イソプロピル（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ−ｍｅｔｈｙｌｐｈｏｓｐｈｏｎｏｆｌｕｏｒｉｄａｔｅ）、メチルホスホノフルオリド酸１，２，２−トリメチルプロピル、メチルホスホノフルオリド酸シクロヘキシル、ｏ−エチルＳ−［２−（ジイソプロピルアミノ）エチル］メチル−ホスホノチオラート、塩化カルボニル、クロロギ酸トリクロロメチル（ｔｒｉｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈｙｌ  ｃｈｌｏｒｏｆｏｒｍａｔｅ）、ビス（２−クロロエチル）スルフィド（ｂｉｓ−２−ｃｈｌｏｒｏｅｔｈｙｌ  ｓｕｌｆｉｄｅ）、２−クロロビニルジクロロアルシン（２−ｃｈｌｏｒｏｖｉｎｙｌ  ｄｉｃｈｌｏｒｏａｒｓｉｎｅ）、マスタード・ルイサイト混合物（ｍｕｓｔａｒｄ−ｌｅｗｉｓｉｔｅ  ｍｉｘｔｕｒｅ）、３−キヌクリジニルベンジラート（３−ｑｕｉｎｕｃｌｉｄｉｎｙｌ  ｂｅｎｚｉｌａｔｅ）（ＱＮＢ）、２−クロロ−１−フェニルエタノン、２−クロロ−ベンザルマロノニトリル（２−ｃｈｌｏｒｏ−ｂｅｎｚａｌｍａｌｏｎｏｎｉｔｒｉｌｅ）、１０−クロロ−５，１０−ジヒドロフェナルサジン（１０−ｃｈｌｏｒｏ−５，１０−ｄｉｈｙｄｒｏｐｈｅｎａｒｓａｚｉｎｅ）、ＤＮＡ、ＲＮＡ、ペプチド、アミノ酸、タンパク質、ステロイド、タンパク同化ステロイド（ａｎａｂｏｌｉｃ−ａｎｄｒｏｇｅｎｉｃ  ｓｔｅｒｏｉｄｓ）、同化ステロイド（ａｎａｂｏｌｉｃ  ｓｔｅｒｏｉｄｓ）、ホルモン、麻薬（ｎａｒｃｉｔｉｃｓ）、ヘロイン、アンフェタミン（ａｍｐｈｅｔａｍｉｎｅ）、メタンフェタミン（ｍｅｔｈａｍｐｈｅｔａｍｉｎｅ）、エクスタシー（ｅｃｓｔａｓｙ）、ＬＳＤ、コデイン（ｃｏｄｅｉｎｅ）、ケシの茎の濃縮物（ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｅ  ｏｆ  ｐｏｐｐｙ  ｓｔｒａｗ）、メタドン（ｍｅｔｈａｄｏｎｅ）、モルヒネ（ｍｏｒｐｈｉｎｅ）、薬用麻薬（ｍｅｄｉｃｉｎａｌ  ｏｐｉｕｍ）、アヘン（ｏｐｉｕｍ）、無水酢酸、塩化アセチル、二酢酸エチリデン、クロルプソイドエフェドリン（ｃｈｌｏｒｐｓｅｕｄｏｅｐｈｅｄｒｉｎｅ）、エルゴメトリン（ｅｒｇｏｍｅｔｒｉｎｅ）、イソサフロール（ｉｓｏｓａｆｒｏｌｅ）、リセルグ酸（ｌｙｓｅｒｇｉｃ  ａｃｉｄ）、ピペロナール（ｐｉｐｅｒｏｎａｌ）、サフロール（ｓａｆｒｏｌｅ）、アジ化物爆薬（ａｚｉｄｅ  ｅｘｐｌｏｓｉｖｅｓ）、ＨＭＴＤ［ヘキサメチレントリペルオキシドジアミン（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｅｎｅｔｒｉｐｅｒｏｘｉｄｅｄｉａｍｉｎｅ）］、硝酸塩混合爆薬、ピクリン酸塩混合爆薬、ＴＡＴＰ（トリアセトントリペルオキシド）、ＤＩＰＡＭ［ジピクラミド（ｄｉｐｉｃｒａｍｉｄｅ）、ジアミノヘキサニトロビフェニル（ｄｉａｍｉｎｏｈｅｘａｎｉｔｒｏｂｉｐｈｅｎｙｌ）］、ＥＤＮＡ［エチレンジニトラミン（ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｎｉｔｒａｍｉｎｅ）］、ＰＢＸ（ｐｌａｓｔｉｃ  ｂｏｎｄｅｄ  ｅｘｐｌｏｓｉｖｅｓ）、ＲＤＸ、酸化酸と窒素塩基との塩を含有する含水爆薬（ｗａｔｅｒ−ｂｅａｒｉｎｇ  ｅｘｐｌｏｓｉｖｅｓ  ｈａｖｉｎｇ  ｓａｌｔｓ  ｏｆ  ｏｘｉｄｉｚｉｎｇ  ａｃｉｄｓ  ａｎｄ  ｎｉｔｒｏｇｅｎ  ｂａｓｅｓ）、硫酸塩、スルファミン酸、トリニトロトルエン、トロチル（ｔｒｏｔｙｌ）、トライライト（ｔｒｉｌｉｔｅ）、トリトン（ｔｒｉｔｏｎ）、重金属のアセチリド、アルミニウム含有ポリマー推進薬（ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ  ｐｏｌｙｍｅｒｉｃ  ｐｒｏｐｅｌｌａｎｔ）、アルミニウムオホライト爆薬（ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｏｐｈｏｒｉｔｅ  ｅｘｐｌｏｓｉｖｅ）、アマテックス（ａｍａｔｅｘ）、アマトール（ａｍａｔｏｌ）、アンモナール（ａｍｍｏｎａｌ）、過塩素酸アンモニウム複合材料推進薬（ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｐｅｒｃｈｌｏｒａｔｅ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ  ｐｒｏｐｅｌｌａｎｔ）、過塩素酸アンモニウム混合爆薬（ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｐｅｒｃｈｌｏｒａｔｅ  ｅｘｐｒｏｓｉｖｅ  ｍｉｘｔｕｒｅｓ）、ピクリン酸アンモニウム（ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｐｉｃｒａｔｅ）、アンモニアのピクリン酸塩（ｐｉｃｒａｔｅ  ｏｆ  ａｍｍｏｎｉａ）、同形置換された無機塩を含有するアンモニウム塩格子、ＡＮＦＯ［硝安油剤（ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｎｉｔｒａｔｅ−ｆｕｅｌ  ｏｉｌ）］、芳香族ニトロ化合物混合爆薬（ａｒｏｍａｔｉｃ  ｎｉｔｒｏ−ｃｏｍｐｏｕｎｄ  ｅｘｐｌｏｓｉｖｅ  ｍｉｘｔｕｒｅｓ）、アジ化物爆薬、バラノール（ｂａｒａｎｏｌ）、バラトール（ｂａｒａｔｏｌ）、ＢＥＡＦ、１，２−ビス（２，２−ジフルオロ−２−ニトロアセトキシエタン）、黒色火薬（ｂｌａｃｋ  ｐｏｗｄｅｒ）、黒色火薬ベース混合爆薬、爆破剤、ニトロ−カルボ−ナイトレート（ｎｉｔｒｏ−ｃａｒｂｏ−ｎｉｔｒａｔｅｓ）、インクルーディング・ノンキャップ・センシティブスラリーおよび水ゲル爆薬（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ  ｎｏｎ−ｃａｐ  ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ｓｌｕｒｒｙ  ａｎｄ  ｗａｔｅｒ  ｇｅｌ  ｅｘｐｌｏｓｉｖｅｓ）、工業雷管（ｂｌａｓｔｉｎｇ  ｃａｐｓ）、爆発性ゼラチン（ｂｌａｓｔｉｎｇ  ｇｅｌａｔｉｎ）、発破用爆薬（ｂｌａｓｔｉｎｇ  ｐｏｗｄｅｒ）、ＢＴＮＥＣ［ビス（トリニトロエチル）カーボネート（ｂｉｓ（ｔｒｉｎｉｔｒｏｅｔｈｙｌ）ｃａｒｂｏｎａｔｅ）］、ＢＴＮＥＮ［ビス（トリニトロエチル）ニトラミン（ｂｉｓ（ｔｒｉｎｉｔｒｏｅｔｈｙｌ）ｎ���ｔｒａｍｉｎｅ）］、ＢＴＴＮ［１，２，４ブタントリオールトリニトレート（１，２，４  ｂｕｔａｎｅｔｒｉｏｌ  ｔｒｉｎｉｔｒａｔｅ）］、バルク・サルート（ｂｕｌｋ  ｓａｌｕｔｅｓ）、ブチルテトリル（ｂｕｔｙｌ  ｔｅｔｒｙｌ）、硝酸カルシウム混合爆薬、六硝酸セルロース（ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ  ｈｅｘａｎｉｔｒａｔｅ）混合爆薬、クロレート（ｃｈｌｏｒａｔｅ）混合爆薬、銅アセチリド（ｃｏｐｐｅｒ  ａｃｅｔｙｌｉｄｅ）、シアヌル酸トリアジド（ｃｙａｎｕｒｉｃ  ｔｒａｚｉｄｅ）、サイクロナイト（ｃｙｃｌｏｎｉｔｅ）、ＲＤＸ［シクロトリメチレントリニトラミン（ｃｙｃｌｏｔｒｉｍｅｔｈｙｌｅｎｅｔｒｉｎｉｔｒａｍｉｎｅ）］、ＨＭＸ［シクロテトラメチレンテトラニトラミン（ｃｙｃｌｏｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｔｒａｎｉｔｒａｍｉｎｅ）］、サイクロトール（ｃｙｃｌｏｔｏｌ）、ＤＡＴＢ［ジアミノトリニトロベンゼン（ｄｉａｍｉｎｏｔｒｉｎｉｔｒｏｂｅｎｚｅｎｅ）］、ＤＤＮＰ［ジアゾジニトロフェノール（ｄｉａｚｏｄｉｎｉｔｒｏｐｈｅｎｏｌ）］、ＤＥＧＤＮ［二硝酸ジエチレングリコール（ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌ  ｄｉｎｉｔｒａｔｅ）］、ジメチロールジメチルメタン、二硝酸塩組成物、ジニトロエチレン尿素（ｄｉｎｉｔｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅｕｒｅａ）、ジニトログリセリン、グリセリンジニトラート、ジニトロフェノール、ジニトロフェノラート（ｄｉｎｉｔｒｏｐｈｅｎｏｌａｔｅｓ）、ジニトロフェニルヒドラジン、ジニトロレソルシノール（ｄｉｎｉｔｒｏｒｅｓｏｒｃｉｎｏｌ）、ジニトロトルエン−硝酸ナトリウム（ｄｉｎｉｔｒｏｔｏｌｕｅｎｅ−ｓｏｄｉｕｍ  ｎｉｔｒａｔｅ）混合爆薬、ＤＩＰＡＭ［ジピクラミド（ｄｉｐｉｃｒａｍｉｄｅ）］、ジアミノヘキサニトロビフェニル、ジピクリルスルホン（ｄｉｐｉｃｒｙｌ  ｓｕｌｆｏｎｅ）、ジピクリルアミン、花火（ｄｉｓｐｌａｙ  ｆｉｒｅｗｏｒｋｓ）、ＤＮＰＡ（２，２−ジニトロプロピルアクリレート）、ＤＮＰＤ［ジニトロペンタノニトリル・ダイナマイト（ｄｉｎｉｔｒｏｐｅｎｔａｎｏ  ｎｉｔｒｉｌｅ，ｄｙｎａｍｉｔｅ）］、ＥＤＤＮ（エチレンジアミンジナイトレート）、ＥＤＮＡ（エチレンジニトラミン）、ｅｄｎａｔｏｌ．ＥＤＮＰ（４，４−ジニトロ吉草酸エチル）、ＥＧＤＮ［二硝酸エチレングリコール］、エリトリトールテトラナイトレート（ｅｒｙｔｈｒｉｔｏｌ  ｔｅｔｒａｎｉｔｒａｔｅ）爆薬、ニトロ置換アルコールのエステル、エチル−テトリル（ｅｔｈｙｌ−ｔｅｔｒｙｌ）、爆発性コナイトレート（ｅｘｐｌｏｓｉｖｅ  ｃｏｎｉｔｒａｔｅｓ）、爆発性ゼラチン、爆発性液体、酸素放出性の（ｏｘｙｇｅｎ−ｒｅｌｅａｓｉｎｇ）無機塩と炭化水素とを含有する混合爆薬、酸素放出性の無機塩とニトロ体とを含有する混合爆薬、酸素放出性の無機塩と水不溶性燃料とを含有する混合爆薬、酸素放出性の無機塩と水溶性燃料とを含有する混合爆薬、感作ニトロメタン含有混合爆薬（ｓｅｎｓｉｔｉｚｅｄ  ｎｉｔｒｏｍｅｔｈａｎｅ）、（ニトロ型）テトラニトロメタン含有混合爆薬、芳香族炭化水素の爆発性ニトロ化合物、爆発性有機硝酸塩混合物、爆発性粉末、閃光撮影用マグネシウム粉末（ｆｌａｓｈ  ｐｏｗｄｅｒ）、水銀の雷酸塩（ｆｕｌｍｉｎａｔｅ  ｏｆ  ｍｅｒｃｕｒｙ）、銀の雷酸塩（ｆｕｌｍｉｎａｔｅ  ｏｆ  ｓｉｌｖｅｒ）、雷金（ｆｌｕｍｉｎａｔｉｎｇ  ｇｏｌｄ）、雷汞（ｆｌｕｍｉｎａｔｉｎｇ  ｍｅｒｃｕｒｙ）、雷白金（ｆｌｕｍｉｎａｔｉｎｇ  ｐｌａｔｉｎｕｍ）、雷銀（ｆｌｕｍｉｎａｔｉｎｇ  ｓｉｌｖｅｒ）、ゼラチン化ニトロセルロース、ジェム−ジニトロ脂肪族（ｇｅｍ−ｄｉｎｉｔｒｏ  ａｌｉｐｈａｔｉｃ）混合爆薬、グアニルニトロサミノグアニルテトラセン（ｇｕａｎｙｌ  ｎｉｔｒｏｓａｍｉｎｏ  ｇｕａｎｙｌ  ｔｅｔｒａｚｅｎｅ）、グアニルニトロサミノグアニリデンヒドラジン（ｇｕａｎｙｌ  ｎｉｔｒｏｓａｍｉｎｏ  ｇｕａｎｙｌｉｄｅｎｅ  ｈｙｄｒａｚｉｎｅ）、綿火薬（ｇｕｎｃｏｔｔｏｎ）、重金属アジド、ヘキサナイト（ｈｅｘａｎｉｔｅ）、ヘキサニトロジフェニルアミン、ヘキサニトロスチルベン（ｈｅｘａｎｉｔｒｏｓｔｉｌｂｅｎｅ）、ヘキソーゲン（ｈｅｘｏｇｅｎ）、ヘキソゲン（ｈｅｘｏｇｅｎｅ）、オクトゲン（ｏｃｔｏｇｅｎｅ）、ニトロ化Ｎ−メチルアニリン、ヘキソライト（ｈｅｘｏｌｉｔｅｓ）、ＨＭＴＤ（ヘキサメチレントリペルオキシドジアミン）、ＨＭＸ（シクロ−１，３，５，７−テトラメチレン２，４，６，８−テトラニトラミン）、オクトーゲン（Ｏｃｔｏｇｅｎ）、硝酸ヒドラジニウム／ヒドラジン／アルミニウム爆薬系、アジ化水素酸（ｈｙｄｒａｚｏｉｃ  ａｃｉｄ）、ＫＤＮＢＦ［ジニトロベンゾフロキサンカリウム（ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｄｉｎｉｔｒｏｂｅｎｚｏ−ｆｕｒｏｘａｎｅ）］、アジ化鉛、鉛マンニット（ｌｅａｄ  ｍａｎｎｉｔｅ）、モノニトロレゾルシン酸鉛（ｌｅａｄ  ｍｏｎｏｎｉｔｒｏｒｅｓｏｒｃｉｎａｔｅ）、ピクリン酸鉛（ｌｅａｄ  ｐｉｃｒａｔｅ）、鉛塩、爆薬、スチフニン酸鉛（ｌｅａｄ  ｓｔｙｐｈｎａｔｅ）、鉛のスチフニン酸塩、トリニトロレゾルシン酸鉛、液体ニトロ化ポリオール、トリメチロールエタン、液体酸素爆薬、マグネシウムオホライト（ｍａｇｎｅｓｉｕｍ  ｏｐｈｏｒｉｔｅ）爆薬、六硝酸マンニトール、ＭＤＮＰ（４，４−ジニトロ吉草酸メチル）、ＭＥＡＮ（硝酸モノエタノールアミン）、雷酸水銀（ｍｅｒｃｕｒｉｃ  ｆｕｌｍｉｎａｔｅ）、シュウ酸水銀
、酒石酸水銀、三硝酸メトリオール（ｍｅｔｒｉｏｌ  ｔｒｉｎｉｔｒａｔｅ）、マイノール−２（ｍｉｎｏｌ−２）、ＭＭＡＮ（硝酸モノメチルアミン）、硝酸メチルアミン、モノニトロトルエン−ニトログリセリン混合物、一元推進薬（ｍｏｎｏｐｒｏｐｅｌｌａｎｔｓ）、ＮＩＢＴＮ［三硝酸ニトロイソブタメトリオール（ｎｉｔｒｏｉｓｏｂｕｔａｍｅｔｒｉｏｌ  ｔｒｉｎｉｔｒａｔｅ）］、硝酸塩混合爆薬、ゲル化ニトロパラフィンで感作される硝酸塩、ニトロ化炭水化物爆薬、ニトロ化グルコシド爆薬、ニトロ化多価アルコール爆薬、硝酸とニトロ芳香族化合物との爆薬、硝酸とカルボン酸燃料との爆薬、硝酸混合爆薬、ニトロ芳香族化合物混合爆薬、フラン（ｆｕｒａｎｅ）のニトロ化合物の混合爆薬、ニトロセルロース爆薬、尿素混合爆薬のニトロ誘導体（ｎｉｔｒｏｄｅｒｉｖａｔｉｖｅ  ｏｆ  ｕｒｅａ  ｅｘｐｌｏｓｉｖｅ  ｍｉｘｔｕｒｅ）、ニトロゼラチン爆薬、三塩化窒素、三ヨウ化窒素、ニトログリセリン、ＮＧ、ＲＮＧ、ニトロ、三硝酸ニトログリセリル、トリニトログリセリン、ニトログリシド、ニトログリコール、二硝酸エチレングリコール、ＥＧＤＮ、ニトログアニジン（ｎｉｔｒｏｇｕａｎｉｄｉｎｅ）爆薬、過塩素酸ニトロニウム（ｎｉｔｒｏｎｉｕｍ  ｐｅｒｃｈｌｏｒａｔｅ）混合推進薬、ニトロパラフィン爆薬級と硝酸アンモニウムとの混合物、硝酸デンプン、ニトロ置換カルボン酸、ニトロ尿素、オクトゲン（ｏｃｔｏｇｅｎ）、ＨＭＸ、オクトール（ｏｃｔｏｌ）、硝酸有機アミン、有機ニトラミン、ＰＢＸ（ｐｌａｓｔｉｃ  ｂｏｎｄｅｄ  ｅｘｐｌｏｓｉｖｅｓ）、ペレット粉末、ペントリナイト（ｐｅｎｔｒｉｎｉｔｅ）組成物、ペントライト（ｐｅｎｔｏｌｉｔｅ）、過塩素酸塩混合爆薬、過酸化物ベース混合爆薬、ＰＥＴＮ、ニトロペンタエリスライト（ｎｉｔｒｏｐｅｎｔａｅｒｙｔｈｒｉｔｅ）、ペンタエリスライト、四硝酸塩、ペンタエリトリトール、ピクラミン酸およびその塩、ピクラマイド（ｐｉｃｒａｍｉｄｅ）、ピクリン酸塩爆薬、ピクリン酸カリウムの混合爆薬、ピクラトール（ｐｉｃｒａｔｏｌ）、ピクリン酸、塩化ピクリル（ｐｉｃｒｙｌ  ｃｈｌｏｒｉｄｅ）、フッ化ピクリル、ＰＬＸ、ニトロメタン、エチレンジアミン、ポリニトロ脂肪族化合物、ポリオールポリニトレート−ニトロセルロース爆薬ゲル、塩素酸カリウムとスルホシアン酸鉛との爆薬、硝酸カリウム混合爆薬、ニトロアミノテトラゾールカリウム塩（ｐｏｔａｓｓｉｕｍ  ｎｉｔｒｏａｍｉｎｏｔｅｔｒａｚｏｌｅ）、ピロテクニック組成物（ｐｙｒｏｔｅｃｈｎｉｃ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｓ）、ＰＹＸ、２，６−ビス（ピクリルアミノ）−３，５−ジニトロピリジン、ＲＤＸ、サイクロナイト（ｃｙｃｌｏｎｉｔｅ）、ヘキソゲン（ｈｅｘｏｇｅｎ）、Ｔ４、シクロ−１，３，５−トリメチレン−２，４，６−トリニトラミン、ヘキサヒドロ−１，３，５−トリニトロ−Ｓ−トリアジン、有機アミノスルホン酸塩混合爆薬、サルート（ｓａｌｕｔｅｓ）（バルク）、アセチル化銀、アジ化銀、雷酸銀（ｓｉｌｖｅｒ  ｆｕｍｉｎａｔｅ）、シュウ酸銀混合爆薬、スチフニン酸銀（ｓｉｌｖｅｒ  ｓｔｙｐｈｎａｔｅ）、酒石酸銀混合爆薬、銀テトラゼン（ｓｉｌｖｅｒ  ｔｅｔｒａｚｅｎｅ）、水のスラリー化混合爆薬（ｓｌｕｒｒｉｅｄ  ｅｘｐｌｏｓｉｖｅ  ｍｉｘｔｕｒｅｓ  ｏｆ  ｗａｔｅｒ）、無機酸化性塩、ゲル化剤、燃料、増感剤（ｓｅｎｓｉｔｉｚｅｒ）、無煙火薬（ｓｍｏｋｅｌｅｓｓ  ｐｏｗｄｅｒ）、ソーダトール（ｓｏｄａｔｏｌ）、アマトールナトリウム塩（ｓｏｄｉｕｍ  ａｍａｔｏｌ）、アジ化ナトリウム混合爆薬、ジニトロ−オルト−クレゾラートナトリウム塩（ｓｏｄｉｕｍ  ｄｉｎｉｔｒｏ−ｏｒｔｈｏ−ｃｒｅｓｏｌａｔｅ）、硝酸ナトリウム混合爆薬、硝酸ナトリウム−硝酸カリウム混合爆薬、ピクラミン酸ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ  ｐｉｃｒａｍａｔｅ）、特殊花火（ｓｐｅｃｉａｌ  ｆｉｒｅｗｏｒｋｓ）、小花火（ｓｑｕｉｂｓ）、スチフニン酸爆薬、タコット（ｔａｃｏｔ）、テトラニトロ−２，３，５，６−ジベンゾ−１，３ａ，４，６ａテトラザ−ペンタレン、ＴＡＴＢ（トリアミノトリニトロベンゼン）、ＴＡＴＰ（トリアセトントリペルオキシド）、ＴＥＧＤＮ（二硝酸トリエチレングリコール）、テトラニトロカルバゾール、テトラゼン・テトラセン（ｔｅｔｒａｚｅｎｅ  ｔｅｔｒａｃｅｎｅ）、テトラジン、１（５−テトラゾリル）−４−グアニルテトラゼン水和物、テトリル［２，４，６テトラニトロ−Ｎ−メチルアニリン］、テトリトール（ｔｅｔｒｙｔｏｌ）、濃縮された無機酸化剤塩のスラリー化混合爆薬、ＴＭＥＴＮ（三硝酸トリメチロールエタン）、ＴＮＥＦ［トリニトロエチルフォーマル（ｔｒｉｎｉｔｒｏｅｔｈｙｌ  ｆｏｒｍａｌ）］、ＴＮＥＯＣ（トリニトロエチル−オルトカーボネート）、ＴＮＥＯＦ［トリニトロエチルオルトホルマート（ｔｒｉｎｉｔｒｏｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏｆｏｒｍａｔｅ）］、トルペックス（ｔｏｒｐｅｘ）、トリダイト（ｔｒｉｄｉｔｅ）、三硝酸トリメチロールエチルメタン組成物、三硝酸トリメチロールエタン−ニトロセルロース、トリモナイト（ｔｒｉｍｏｎｉｔｅ）、トリニトロアニソール（ｔｒｉｎｉｔｒｏａｎｉｓｏｌｅ）、トリニトロベンゼン、トリニトロ安息香酸、トリニトロクレゾール、トリニトロ−メタ−クレゾール、トリニトロナフタレン、トリニトロフェネトール（ｔｒｉｎｉｔｒｏｐｈｅｎｅｔｏｌ）、トリニトロフロログルシノール（ｔｒｉｎｉｔｒｏｐｈｌｏｒｏｇｌｕｃｉｎｏｌ）、トリニトロレゾルシノール（ｔｒｉｎｉｔｒｏｒｅｓｏｒｃｉｎｏｌ）、トリトナール（ｔｒｉｔｏｎａｌ）、硝酸尿素、酸化性酸と窒素塩基との塩を含有する含水爆薬、硫酸塩またはスルファミン酸塩、油中水型エマルション爆薬組成物、キサンタンモナス親水性コロイド（ｘａｎｔｈａｍｏｎａｓ  ｈｙｄｒｏｐｈｉｌｉｃ  ｃｏｌｌｏｉｄ）混合爆薬、他のあらゆる炭素含有有機物質、の少なくとも１種が包含される、請求項５１に記載のセンサデバイス。
【請求項５３】
前記層構造体は、請求項４７に記載の化合物を含有している、請求項５１に記載のセンサデバイス。
【請求項５４】
電子密度および酸化状態の少なくとも１つを含む少なくとも１つの所定の電子特性であって、酸化還元活性層構造体を電場にさらすことによって変化することが可能である該電子特性を有するように設計された該層構造体を担持する、導電性表面を有する基体を備えた記憶デバイスにおける非２進法データの書き込み／読み取りを行うための方法において、
前記の少なくとも１つ電子特性の様々な状態に対応して、前記酸化還元活性層構造体の各々の位置に電圧を加えるように作動することができる原子間力顕微鏡の探針により該層構造体を走査し、そうすることによって、該層構造体における非２進法データのパターンを作り出し／検出する段階を含む、上記方法。