【手続補正書】
【提出日】平成20年11月14日(2008.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理領域を形成する１つ以上のチャンバ壁部と、
プラズマ処理領域に取り付けられ、垂直方向の間隔を空けた複数のプラズマ処理位置で基板を支持するよう用いられる基板支持部材と、
ＲＦエネルギーをプラズマ処理領域に伝達するために位置されたＲＦ伝達デバイスと、
ＲＦ伝達デバイスに連結されたＲＦ電源と、
プラズマ処理領域と連通した酸化ガス供給源を含む基板をプラズマ処理するためのチャンバ。
【請求項２】
ＲＦ伝達デバイスが誘導結合ＲＦエネルギー伝達デバイスである請求項１記載の装置。
【請求項３】
ＲＦ伝達デバイスが容量結合ＲＦエネルギー伝達デバイスであり、プラズマ処理領域と接触している接地表面の表面積とプラズマ処理領域と接触しているＲＦ伝達デバイスの表面積との比が約１：１〜約２：１である請求項１記載の装置。
【請求項４】
ＲＦ電源とガス供給源に接続された制御装置を備え、制御装置はＲＦ伝達デバイスに供給されるＲＦエネルギーと、酸化ガス供給源からプラズマ処理領域に供給されるガスを制御するよう用いられる請求項１記載の装置。
【請求項５】
プラズマ処理領域を形成する１つ以上のチャンバ壁部と、
プラズマ処理領域に取り付けられ、垂直方向の間隔を空けた複数のプラズマ処理位置で基板を支持するよう用いられる基板支持部材と、
ＲＦエネルギーをプラズマ処理領域に伝達するために位置された第１ＲＦ伝達デバイスと、
第１ＲＦ伝達デバイスに連結された第１ＲＦ電源と、
プラズマ処理領域にＲＦエネルギーを伝達するために位置された第２ＲＦ伝達デバイスと、
第２ＲＦ伝達デバイスに連結された第２ＲＦ電源と、
プラズマ処理領域と連通した酸化ガス供給源と、
第１ＲＦ電源、第２ＲＦ電源、ガス供給源に連結され、第１ＲＦ伝達デバイスに供給されるＲＦエネルギー、第２ＲＦ伝達デバイスに供給されるＲＦエネルギー、酸化ガス供給源からプラズマ処理領域に供給されるガスを制御するよう用いられる制御装置を備えた基板をプラズマ処理するためのチャンバ。
【請求項６】
プラズマ処理領域にＲＦエネルギーを伝達するために位置された第３ＲＦ伝達デバイスと、
第３ＲＦ伝達デバイスに連結された第３ＲＦ電源を備え、
該制御装置が第１ＲＦ電源、第２ＲＦ電源、第３ＲＦ電源、ガス供給源に連結されており、制御装置は第１ＲＦ伝達デバイスに供給されるＲＦエネルギー、第２ＲＦ伝達デバイスに供給されるＲＦエネルギー、第３ＲＦ伝達デバイスに供給されるＲＦエネルギー、酸化ガス供給源からプラズマ処理領域に供給されるガスを制御するよう用いられる請求項５記載の装置。
【請求項７】
第１ＲＦ伝達デバイスがＲＦコイルであり、第２ＲＦ伝達デバイスがガス分布プレートであり、第３ＲＦ伝達デバイスが基板支持体である請求項６記載の装置。
【請求項８】
基板上に酸化表面を形成し、基板上に誘電体層を堆積してゲート誘電体層を形成するよう用いられる複数のプラズマ処理チャンバと、
基板を約５５０℃以下の温度で維持するように構成された制御装置とを含む基板上に高品質ゲート酸化物層を形成するためのクラスタツール。
【請求項９】
基板上にゲート誘電体層を形成するに先立って基板を予備洗浄するよう用いられる第２チャンバを含む請求項８記載のクラスタツール。
【請求項１０】
基板上にゲート誘電体層を形成した後に約６０℃〜約５５０℃で基板をアニーリングするよう用いられる第２チャンバを含む請求項８記載のクラスタツール。
【請求項１１】
基板上にゲート誘電体層を形成するに先立って約６０℃〜約５５０℃まで基板を予備加熱するよう用いられる第２チャンバを含む請求項８のクラスタツール。
【請求項１２】
複数のプラズマ処理チャンバが複数の高密度プラズマ酸化（ＨＤＰＯ）チャンバであり、
ＨＤＰＯチャンバが、プラズマ処理領域を形成する１つ以上のチャンバ壁部と、
プラズマ処理領域に取り付けられ、垂直方向の間隔を空けた複数のプラズマ処理位置で基板を支持するよう用いられる基板支持部材と、
ＲＦエネルギーをプラズマ処理領域に伝達するために位置されたＲＦ伝達デバイスと、
ＲＦ伝達デバイスに連結されたＲＦ電源と、
プラズマ処理領域と連通した酸化ガス供給源を含む請求項８記載のクラスタツール。
【請求項１３】
基板上に約５５０℃以下で酸化表面を形成するよう用いられる第１チャンバと、
約５５０℃以下で基板上の酸化表面上に誘電体層を堆積するよう用いられる第２チャンバとを含む基板上に高品質ゲート酸化物層を形成するためのクラスタツール。
【請求項１４】
基板上への酸化表面の形成に先立って基板を約６０℃〜約５５０℃に予備加熱するよう用いられる第３チャンバを含む請求項１３記載のクラスタツール。
【請求項１５】
第１チャンバが高密度プラズマ酸化（ＨＤＰＯ）チャンバであり、
ＨＤＰＯチャンバが、プラズマ処理領域を形成する１つ以上のチャンバ壁部と、
プラズマ処理領域に取り付けられ、垂直方向の間隔を空けた複数のプラズマ処理位置で基板を支持するよう用いられる基板支持部材と、
ＲＦエネルギーをプラズマ処理領域に伝達するために位置されたＲＦ伝達デバイスと、
ＲＦ伝達デバイスに連結されたＲＦ電源と、
プラズマ処理領域と連通した酸化ガス供給源を含む請求項１３記載のクラスタツール。
【請求項１６】
該第２チャンバがプラズマ化学気相成長チャンバであり、
第２チャンバが、プラズマ処理領域を形成する１つ以上のチャンバ壁部と、
プラズマ処理領域に取り付けられ、基板を支持するよう用いられる基板支持部材と、
ＲＦエネルギーをプラズマ処理領域に伝達するために位置されたＲＦ伝達デバイスと、
ＲＦ伝達デバイスに連結されたＲＦ電源と、
プラズマ処理領域と連通した酸化ガス供給源を含む請求項１３記載のクラスタツール。
【請求項１７】
第１チャンバ内での処理に先立って基板を予備洗浄するよう用いられる第３チャンバを含む請求項１３記載のクラスタツール。
【請求項１８】
基板上にゲート誘電体層を形成後、約６０℃〜約５５０℃で基板をアニーリングするよう用いられる第３チャンバを含む請求項１３記載のクラスタツール。
【請求項１９】
プラズマ処理領域を形成する１つ以上のチャンバ壁部と、
プラズマ処理領域に取り付けられ、垂直方向の間隔を空けた複数のプラズマ処理位置で基板を支持するよう用いられる基板支持部材と、
ＲＦエネルギーをプラズマ処理領域に伝達するために位置されたＲＦコイルと、
ＲＦコイルに連結されたＲＦ電源と、
ＲＦエネルギーをプラズマ処理領域に伝達するよう位置されたガス分布プレートと、
ガス分布プレートに連結されたＲＦ電源と、
プラズマ処理領域と連通した酸化ガス供給源を含む基板をプラズマ処理するためのチャンバ。
【請求項２０】
ＲＦコイルが単巻コイルである請求項１９記載のチャンバ。
【請求項２１】
ＲＦコイルに隣接しており、プラズマ処理領域で発生したプラズマからＲＦコイルを遮断可能なカバーを含む請求項１９記載のチャンバ。
【請求項２２】
プラズマ処理領域を形成する１つ以上のチャンバ壁部と、
プラズマ処理領域に取り付けられ、垂直方向の間隔を空けた複数のプラズマ処理位置で基板を支持するよう用いられ、ＲＦ電源からプラズマ処理ガス領域へとＲＦエネルギーを伝達するために位置された基板支持部材と、
プラズマ処理領域に取り付けられ、接地されたガス分布プレートと、
プラズマ処理領域と連通した酸化ガス供給源を含む基板をプラズマ処理するためのチャンバ。
【請求項２３】
プラズマ処理領域と接触している接地表面の表面積と基板支持体の表面積との比が約１：１〜約２：１である請求項２２記載のチャンバ。