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【手続補正書】
【提出日】平成23年5月16日(2011.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極層及び表示層を含む表示素子を有し、
前記一対の電極層のうち少なくとも一方は導電性高分子を含み、
前記導電性高分子を含む電極層は、前記導電性高分子と相溶又は混合分散が可能である有機樹脂を含み、
前記導電性高分子を含む電極層と前記表示層との間に無機絶縁膜を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
一対の電極層及び表示層を含む表示素子を有し、
前記一対の電極層はそれぞれ導電性高分子を含み、
前記導電性高分子を含む電極層は、前記導電性高分子と相溶又は混合分散が可能である有機樹脂を含み、
前記導電性高分子を含む電極層と前記表示層との間に無機絶縁膜を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
一対の電極層及び表示層を含む表示素子を有し、
前記一対の電極層のうち少なくとも一方は導電性高分子を含み、
前記導電性高分子を含む電極層は、ドーパントとしてハロゲン類、ルイス酸、無機酸、有機酸、遷移金属ハロゲン化物、有機シアノ化合物、及び非イオン性界面活性剤のうち一種又は複数種を含み、
前記導電性高分子を含む電極層と前記表示層との間に無機絶縁膜を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
一対の電極層及び表示層を含む表示素子を有し、
前記一対の電極層はそれぞれ導電性高分子を含み、
前記導電性高分子を含む電極層は、ドーパントとしてハロゲン類、ルイス酸、無機酸、有機酸、遷移金属ハロゲン化物、有機シアノ化合物、及び非イオン性界面活性剤のうち一種又は複数種を含み、
前記導電性高分子を含む電極層と前記表示層との間に無機絶縁膜を有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
一対の電極層及び表示層を含む表示素子を有し、
前記一対の電極層のうち少なくとも一方は導電性高分子を含み、
前記導電性高分子を含む電極層と前記表示層との間に無機絶縁膜を有することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
一対の電極層及び表示層を含む表示素子を有し、
前記一対の電極層はそれぞれ導電性高分子を含み、
前記導電性高分子を含む電極層と前記表示層との間に無機絶縁膜を有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記導電性高分子を含む電極層と前記絶縁膜とが接することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記表示層は液晶層であり、
前記無機絶縁膜と前記液晶層との間に配向膜として機能する絶縁層を有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記無機絶縁膜は窒化珪素膜又は窒化酸化珪素膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記無機絶縁膜は、膜厚が５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、
前記導電性高分子はポリチオフェン、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン、ポリアニリン誘導体、ポリピロール、ポリピロール誘導体のうちの一種、又は二種以上の共重合体であることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月12日(2011.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワックス、バインダー樹脂及び着色剤を含有するトナー粒子であって、前記トナー粒子の表面上の全ての元素の合計原子百分率を１００として、前記トナー粒子の表面上の酸素原子百分率が９以下である、トナー粒子。
【請求項２】
バインダー樹脂、ワックス及び着色剤を含むエマルジョンを製造することと、
前記エマルジョン中の粒子を、３ミクロン〜２０ミクロンのサイズにまで凝集させることと、
前記粒子の前記凝集を停止することと、
前記粒子を合一して、トナー粒子を形成することと、
前記トナー粒子の表面上の酸素原子百分率を測定し、かつ前記トナー粒子の表面上の前記酸素原子百分率を制御することにより、前記トナー粒子の前記表面上の全ての元素の合計原子百分率を１００として、前記トナー粒子の前記表面上の酸素原子百分率を９以下にすることと、
を含む、乳化凝集トナー粒子の製造方法。
【請求項３】
光導電性部材上に静電画像を形成することと、
前記静電画像を現像して、前記光導電性部材の表面上に乳化凝集トナー粒子を付与することによって可視画像を形成することと、
前記可視画像を支持体に転写し、かつ前記可視画像を、定着部材によって前記支持体に定着させることと、
を含む画像形成方法であって、
前記エマルジョン凝集トナー粒子が、バインダー樹脂、ワックス及び着色剤を含有し、
前記トナー粒子の表面上の全ての元素の合計原子百分率を１００として、前記トナー粒子の前記表面上の酸素原子百分率が９以下であり、かつ
前記定着部材が、硬質定着部材であるか、又は支持体と、フルオロポリマーを含む外側層とを含むヒューザ−部材である、
画像形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月5日(2011.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に配置されている複数の有機発光素子と、
隣り合う前記有機発光素子の間に配置され、傾斜面を有する素子分離層と、
前記有機発光素子および素子分離層を覆う保護層と、
前記有機発光素子の発光部以外の表示領域における前記保護層の上であって、かつ、前記傾斜面を覆うように配置されている遮光層と、を有することを特徴とするトップエミッション型の有機発光パネル。
【請求項２】
前記基板の上に、さらに薄膜トランジスタが配置され、
前記遮光層は導電材料からなり、
前記遮光層と前記薄膜トランジスタとの距離は、１μｍ以上７μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載に有機発光パネル。
【請求項３】
前記遮光層は前記薄膜トランジスタの一部を覆っていることを特徴とする請求項２に記載の有機発光パネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記課題を解決するための手段として、本発明は、基板と、
前記基板の上に配置されている複数の有機発光素子と、
隣り合う前記有機発光素子の間に配置され、傾斜面を有する素子分離層と、
前記有機発光素子および素子分離層を覆う保護層と、
前記有機発光素子の発光部以外の表示領域における前記保護層の上であって、かつ、前記傾斜面を覆うように配置されている遮光層と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月13日(2011.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体が一端側から他端側へ流通するキャピラリと、
このキャピラリの両端側における圧力差を測定する圧力センサと、
前記液体が流通する第１流路、第２流路およびそれら流路と前記圧力センサとを連通させるための連通部が設けられるブロックと、
前記圧力センサで測定される圧力差に基づいて前記液体の流量を求める演算処理部と、を有し、
前記キャピラリの前記一端側および他端側は、それぞれ前記第１流路および第２流路と連通するように設けられ、前記第１流路に流入した前記液体が前記キャピラリの前記一端側から他端側を通じて前記第２流路へ流れるよう構成されていることを特徴とする差圧流量計。
【請求項２】
前記圧力センサとして、前記第１流路に連通する第１圧力センサおよび前記第２流路に連通する第２圧力センサ、または、前記第１流路と第２流路を橋渡しするように配置された差圧センサが少なくとも設けられることを特徴とする請求項１に記載の差圧流量計。
【請求項３】
前記キャピラリは、前記ブロックの前記第１流路および第２流路に着脱可能に取付けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の差圧流量計。
【請求項４】
前記圧力センサは、前記ブロックに着脱可能に取付けられていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の差圧流量計。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の差圧流量計は、液体が一端側から他端側へ流通するキャピラリと、
このキャピラリの両端側における圧力差を測定する圧力センサと、
前記液体が流通する第１流路、第２流路およびそれら流路と前記圧力センサとを連通させるための連通部が設けられるブロックと、
前記圧力センサで測定される圧力差に基づいて前記液体の流量を求める演算処理部と、を有し、
前記キャピラリの前記一端側および他端側は、それぞれ前記第１流路および第２流路と連通するように設けられ、前記第１流路に流入した前記液体が前記キャピラリの前記一端側から他端側を通じて前記第２流路へ流れるよう構成されていることを特徴としている。（請求項１）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明では、前記圧力センサとして、前記第１流路に連通する第１圧力センサおよび前記第２流路に連通する第２圧力センサ、または、前記第１流路と第２流路を橋渡しするように配置された差圧センサが少なくとも設けられるのが好ましい（請求項２）。そして、前記圧力センサが前記差圧センサである場合には、１つの圧力センサを用いてキャピラリの上流側と下流側における圧力差を確実に測定でき、２つの圧力センサを用いてキャピラリの上流側と下流側における圧力を測定して減算する場合に比べて、圧力センサの固体差による影響を最小限に抑えることができる。また、圧力センサの数を削減することで、製造コストの削減をはかることができる。また、本発明では、前記キャピラリは、前記ブロックの前記第１流路および第２流路に着脱可能に取付けられているのが好ましい（請求項３）。さらに、本発明では、前記圧力センサは、前記ブロックに着脱可能に取付けられているのが好ましい（請求項４）。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月5日(2011.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する第１及び第２主面を有し、それぞれ前記第１及び第２主面を提供する第１及び第２導電型半導体層との間に形成された活性層を含む半導体積層体と、
前記第２導電型半導体層と前記活性層を貫通して前記第１導電型半導体層の一領域に連結された複数の導電性ビアと、
前記半導体積層体に対し、前記第２主面側に配置され、前記第１導電型半導体層の一領域に前記導電性ビアを通して連結された第１電極と、
前記半導体積層体に対し、前記第２主面側に配置され、前記第２導電型半導体層に連結された第２電極と
を含み、
前記第２主面を基準として前記第２電極及び第１電極の順に積層されたことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記第１及び第２電極の間に配置された絶縁体をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記導電性ビアは前記第２電極を貫通して前記第１電極と連結されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記第２電極は前記第２導電型半導体層と界面を成す表面のうち一部が露出された領域を少なくとも一つ含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記第２電極の露出された領域上に形成された電極パッド部をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記第２電極の露出された領域は前記第１導電型半導体層、活性層、第２導電型半導体層を貫通して形成されてビアホールにより露出された領域であることを特徴とする請求項４に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記ビアホールの直径は前記第２電極から前記第１導電型半導体層の方向に増加することを特徴とする請求項６に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記第２電極の露出された領域は前記半導体発光素子の角部に形成されることを特徴とする領域であること特徴とする請求項４に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記第２電極は前記活性層から発生した光を反射させることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記第２電極はAg、Al及びPtのいずれか一つの金属を含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
前記第１導電型半導体層の表面には凹凸パターンが形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
前記半導体積層体の一面に形成され、前記第１電極と連結された導電性基板をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項１３】
前記第２主面を基準として前記第２電極、前記第１電極及び前記導電性基板の順に積層されたことを特徴とする請求項１２に記載の半導体発光素子。
【請求項１４】
前記導電性基板はAu、Ni、Cu及びWのいずれか一つの金属を含む金属性基板であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体発光素子。
【請求項１５】
前記導電性基板はSi、Ge及びGaAsのいずれか一つを含む半導体基板であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月20日(2011.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係るプリント配線基板は、絶縁基板上に固着された配線パターンに電子部品が接続されるプリント配線基板において、電子部品の接続部近傍の配線パターンに、隙間を有して互いに対向する一対のランド部が設けられ、さらに、一対のランド部を前記隙間を跨がるようにして接続する溶融可能な部材が設けられ、電子部品に過電流が流れた際に発生する熱により前記部材が溶融して、前記一対のランド部の双方を分離する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明においては、電子部品の接続部近傍の配線パターンに隙間を有して互いに対向する一対のランド部を設け、その一対のランド部を溶融可能な部材で接続したので、配線パターンの長さや太さに影響されることなく、その溶融可能な部材を一定の時間で溶解させて配線パターンの導通状態を遮断することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に固着された配線パターンに電子部品が接続されるプリント配線基板において、
電子部品の接続部近傍の配線パターンに、隙間を有して互いに対向する一対のランド部が設けられ、さらに、該一対のランド部を前記隙間を跨がるようにして接続する溶融可能な部材が設けられ、
電子部品に過電流が流れた際に発生する熱により前記部材が溶融して、前記一対のランド部の双方を分離することを特徴とするプリント配線基板。
【請求項２】
前記配線パターンの各ランド部は、当該配線パターンの長手方向において互いに反対方向に凹んで形成され、該凹みにより形成された隙間を跨がる前記溶融可能な部材によって接続されていることを特徴とする請求項１記載のプリント配線基板。
【請求項３】
前記溶融可能な部材は、低融点部材であることを特徴とする請求項１又は２記載のプリント配線基板。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月5日(2011.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１クロック信号が供給される複数の第１フリップフロップと、前記複数の第１フリップフロップの間に接続される第１論理回路とを有する第１ＬＳＩと、
前記第１ＬＳＩとは異なるチップに形成され、第２クロック信号が供給される複数の第２フリップフロップと、前記複数の第２フリップフロップの間に接続される第２論理回路とを具備し、
前記第１ＬＳＩと前記第２ＬＳＩは、一つの半導体パッケージ内に積層され、
前記第１ＬＳＩは、前記第１クロック信号に基づいて前記第２ＬＳＩにデータを送信し、
前記第２ＬＳＩは、前記第２クロック信号に基づいて前記第１ＬＳＩから送信されたデータを受信し、
前記第２クロック信号は、前記第１クロック信号と同期するように制御され、
前記第１ＬＳＩの前記第１クロック信号は、前記第２ＬＳＩを貫通して設けられ、前記第１、及び第２ＬＳＩを互いに電気的に接続するための第１貫通電極により、前記第２ＬＳＩに送信され、
前記第２ＬＳＩは、第１ＤＬＬ回路を有し、前記第１ＤＬＬ回路は、前記第１貫通電極を介して供給された前記第１クロック信号に基づいて前記第２クロック信号の位相を制御することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１ＬＳＩは、第１回路ブロックと、第２回路ブロックを有し、
前記第２ＬＳＩは、前記第１回路ブロックから送信されたデータを受信する第３回路ブロックと、前記第２回路ブロックから送信されたデータを受信する第４回路ブロックを有し、
前記第２ＬＳＩは、前記第１ＬＳＩから受信したクロック信号に前記第２クロック信号が同期するように制御し、前記第３回路ブロックに前記第２クロック信号を供給する第１ＤＬＬ回路と、前記第１ＬＳＩから受信したクロック信号に第３クロック信号が同期するように制御し、前記第４回路ブロックに前記第３クロック信号を供給する第２ＤＬＬ回路とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１ＬＳＩは、前記第１ＬＳＩから前記第２ＬＳＩに対して送信する前記第１クロック信号を制御するクロックコントローラ回路を具備し、
前記クロックコントローラ回路は、前記第１ＬＳＩと前記第２ＬＳＩが通信を行うときのみ、前記第１クロック信号を送信することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記第２ＬＳＩの上方に配置され第４クロック信号が供給される複数の第３フリップフロップと、前記第３フリップフロップの間に接続される論理回路とを有する第３ＬＳＩを更に具備し、
前記第１貫通電極は、更に前記第３ＬＳＩを貫通し、前記第１、第２ＬＳＩ及び第３ＬＳＩを互いに電気的に接続し、前記第１ＬＳＩの前記第１クロック信号は、前記第１貫通電極により、前記第２ＬＳＩ及び第３ＬＳＩに送信され、
前記第３クロック信号は、前記第１クロック信号に同期するように制御されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１において、
前記第２ＬＳＩの上方に配置され、第４クロック信号が供給される複数の第３フリップフロップと、前記第３フリップフロップの間に接続される論理回路とを有する第３ＬＳＩと、
前記第２ＬＳＩ及び第３ＬＳＩを貫通して設けられ、第２ＬＳＩ及び第３ＬＳＩを互いに電気的に接続するための第２貫通電極とを更に具備し、
前記第２ＬＳＩの前記第２クロック信号は、前記第２貫通電極により、前記第３ＬＳＩに送信され、
前記第３クロック信号は、前記第２クロック信号に同期するように制御されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載において、
前記第１ＬＳＩから前記第３ＬＳＩへのデータ送信は、前記複数の第２フリップフロップの一部を介して行われることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１において、
前記第１ＬＳＩは、前記第１クロック信号を送信する第１無線通信回路をさらに有し、
前記第２ＬＳＩは、前記第１クロック信号を受信する第２無線通信回路をさらに有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第２ＬＳＩは、前記第２クロック信号を送信する第３無線通信回路を更に有し、
前記第１無線通信回路は、前記第１クロック信号に対応した第１磁場を生成することで前記第１クロック信号を送信し、
前記第２無線通信回路は、前記第２クロック信号に対応した第２磁場を生成することで前記第２クロック信号を送信し、
前記第２無線通信回路は、前記第１磁場及び前記第２磁場の両方を受けて、誘導起電力信号を生成することで、前記第１クロック信号及び前記第２クロック信号の位相差を比較することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１において、
前記第１ＬＳＩから前記第２ＬＳＩへのデータ送信は、前記複数の第１フリップフロップの一部と前記複数の第２フリップフロップの一部の間で行われることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月3日(2011.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の空孔を有する単層構造の層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の少なくとも上部に形成された配線と、
前記層間絶縁膜の少なくとも下部に形成され且つ前記配線と接続するビアとを備え、
前記層間絶縁膜における単位体積当たりの空孔占有率が膜厚方向に変化しており、
前記配線の上面から前記配線の下面までの高さ範囲に位置する前記層間絶縁膜の前記空孔占有率は、前記ビアにおける前記配線との接続面から前記ビアの下面までの高さ範囲に位置する前記層間絶縁膜の前記空孔占有率よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記ビアにおける前記配線との前記接続面の高さ近傍に位置する前記層間絶縁膜の前記空孔占有率は連続的に変化している。
【請求項３】
複数の空孔を有する単層構造の層間絶縁膜を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記層間絶縁膜における単位体積当たりの空孔占有率を膜厚方向に変化させることにより、前記空孔占有率が相対的に高い第１の領域と、前記空孔占有率が相対的に低い第２の領域とを少なくとも含む前記層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の領域にビアを形成する工程と、
前記第１の領域に配線を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記層間絶縁膜を形成する工程で、前記第１の領域と前記第２の領域との間に介在し且つ前記空孔占有率が連続的に変化する第３の領域を有するように前記層間絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記層間絶縁膜を形成する工程で、化学的気相成長法により前記層間絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項３〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記層間絶縁膜を形成する工程は、
前記層間絶縁膜の少なくとも膜骨格を形成するプリカーサ、及び空孔形成剤を、前記プリカーサ及び前記空孔形成剤の少なくとも一方の流量を時間的に変化させながら用いることにより、前記空孔形成剤を含有する膜を形成する第１の工程と、
前記空孔形成剤を含有する膜に対して熱処理を行うか又は電子線若しくは紫外線を照射することにより、当該膜中から前記空孔形成剤を除去して前記層間絶縁膜を形成する第２の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月5日(2011.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像を撮像する撮像素子と、
蛍光灯の明滅周期の整数倍の蓄積時間で前記撮像素子で撮像した補助画像と、前記蛍光灯の明滅周期に制限されない蓄積時間で前記撮像素子で撮像した本画像とを生成する撮像手段と、
前記補助画像の蓄積時間と前記本画像の蓄積時間の大小関係に基づいて、前記撮像素子の露出制御を行う露出制御手段と、
前記露出制御手段により制御された露出で撮像された前記補助画像と前記本画像を比較することにより、前記本画像に現れる前記蛍光灯によるフリッカの補正を行なうフリッカ補正手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記露出制御手段は、前記補助画像の蓄積時間と前記本画像の蓄積時間の大小関係に基づいて、前記露出制御のための評価値を取得する画像を切り替えることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記露出制御手段は、前記補助画像の蓄積時間と前記本画像の蓄積時間の差分に応じて、前記露出制御の目標値を変更することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記露出制御手段は、前記補助画像の蓄積時間よりも前記本画像の蓄積時間が短くなり、且つ前記補助画像の蓄積時間と前記本画像の蓄積時間の差分が大きくなるにつれて、前記目標値を低く設定することを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記撮像素子は、蓄積時間が独立して設定可能な複数の画素群を有し、所定期間内で蓄積時間の異なる画像を同時に取得可能であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記撮像素子は、所定期間ごとに蓄積時間の異なる画像を順次取得することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
画像を記憶する記憶手段をさらに備え、前記所定期間ごとに蓄積時間の異なる画像を記憶することを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月23日(2011.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１無線基地局が、配下の第１セルにおいて通信中の第１移動局が下り制御情報又は上り制御情報を送信する制御チャネル用の無線リソースを割り当てている場合、該無線リソースを特定する情報を含むスケジューリング情報を、第２無線基地局に対して通知する工程Ａと、
前記第２無線基地局が、前記スケジューリング情報に基づいて、配下の第２セルにおいて通信中の第２移動局が下り制御情報又は上り制御情報を送信する制御チャネル用の無線リソースを割り当てる工程Ｂとを有し、
前記工程Ｂにおいて、前記第２無線基地局は、前記第１移動局が前記下り制御情報を受信するために探索する領域と前記第２移動局が前記下り制御情報を受信するために探索する領域とが重複しないように、前記無線リソースを割り当てることを特徴とする移動通信方法。
【請求項２】
ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ  Ｔｅｒｍ  Ｅｖｏｌｕｒｉｏｎ）方式の移動通信システムで用いられる移動通信方法であって、
前記上り制御情報を送信する制御チャネルは、ＰＵＣＣＨ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｕｐｌｉｎｋ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｃｈａｎｎｅｌ）を含み、
前記下り制御情報を送信する制御チャネルは、ＰＤＣＣＨ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｄｏｗｎｌｉｎｋ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｃｈａｎｎｅｌ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の移動通信方法。
【請求項３】
第１無線基地局及び第２無線基地局が混在する移動通信システムにおいて該第１無線基地局として機能する無線基地局であって、
配下の第１セルにおいて通信中の第１移動局に対して、下り制御情報又は上り制御情報を送信する制御チャネル用の無線リソースを割り当てるように構成されている無線リソース割当部と、
前記無線リソース割当部によって割り当てられている前記無線リソースを特定する情報を含むスケジューリング情報を、前記第２無線基地局に対して通知するように構成されている通知部とを具備することを特徴とする無線基地局。
【請求項４】
第１無線基地局及び第２無線基地局が混在する移動通信システムにおいて該第２無線基地局として機能する無線基地局であって、
前記第１無線基地局が、配下の第１セルにおいて通信中の第１移動局が下り制御情報又は上り制御情報を送信する制御チャネル用の無線リソースを割り当てている場合、該第１無線基地局から、該無線リソースを特定する情報を含むスケジューリング情報を受信するように構成されているスケジューリング情報受信部と、
前記スケジューリング情報に基づいて、配下の第２セルにおいて通信中の第２移動局が下り制御情報又は上り制御情報を送信する制御チャネル用の無線リソースを割り当てるように構成されている無線リソース割当部とを具備し、
前記無線リソース割当部は、前記第１移動局が前記下り制御情報を受信するために探索する領域と前記第２移動局が前記下り制御情報を受信するために探索する領域とが重複しないように、前記無線リソースを割り当てるように構成されていることを特徴とする無線基地局。
【請求項５】
前記移動通信システムは、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ  Ｔｅｒｍ  Ｅｖｏｌｕｒｉｏｎ）方式の移動通信システムであり、
前記上り制御情報を送信する制御チャネルは、ＰＵＣＣＨ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｕｐｌｉｎｋ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｃｈａｎｎｅｌ）を含み、
前記下り制御情報を送信する制御チャネルは、ＰＤＣＣＨ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｄｏｗｎｌｉｎｋ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｃｈａｎｎｅｌ）を含むことを特徴とする請求項４に記載の無線基地局。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月12日(2010.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信地域を限定する放送を受信して表示手段に表示する受信システムにおいて、
前記受信システムの所在する地域の地域情報を登録して記憶する地域情報登録手段と、
放送先とは異なる外部から送信される、前記受信システムが所在する地域が確認された地域情報を受信する地域情報確認手段と、を備え、
前記地域情報登録手段に登録した地域情報が前記地域情報確認手段で受信された地域情報でない場合、登録した地域情報が地域外であることを前記表示手段に表示することを特徴とする受信システム。
【請求項２】
受信地域を限定する放送を中継して外部機器へ出力する中継システムにおいて、
前記中継システムの所在する地域の地域情報を登録して記憶する地域情報登録手段と、
放送先とは異なる外部から送信される、前記中継システムが所在する地域が確認された地域情報を受信する地域情報確認手段と、を備え、
前記地域情報登録手段に登録した地域情報が前記地域情報確認手段で受信された地域情報でない場合、入力する放送を前記外部機器へ出力しないようにすることを特徴とする受信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、例えば、特許請求の範囲に記載されるように構成すればよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月12日(2011.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型トランジスタ領域およびｎ型トランジスタ領域を有する半導体基板と、
前記ｐ型トランジスタ領域の前記半導体基板上に形成された第１の結晶層と、
前記第１の結晶層上に第１のゲート絶縁膜を介して形成された第１のゲート電極と、
前記半導体基板と前記第１の結晶層との間に形成された、前記第１のゲート電極の下方の領域において第１の不純物を含むＣ含有Ｓｉ系結晶からなる第１の不純物拡散抑制層と、
前記ｐ型トランジスタ領域の前記半導体基板、前記第１の不純物拡散抑制層、および前記第１の結晶層内の、前記第１のゲート電極の両側に形成され、前記第１の結晶層内にエクステンション領域を有する、ｐ導電型を有する第２の不純物を含むｐ型ソース・ドレイン領域と、
前記ｐ型ソース・ドレイン領域の間に形成されたｎ型チャネル領域と、
前記ｎ型トランジスタ領域の前記半導体基板上に形成された第２の結晶層と、
前記第２の結晶層上に第２のゲート絶縁膜を介して形成された第２のゲート電極と、
前記半導体基板と前記第２の結晶層との間に形成された、前記第２のゲート電極の下方の領域において前記第１の不純物を含む前記Ｃ含有Ｓｉ系結晶からなる第２の不純物拡散抑制層と、
前記ｎ型トランジスタ領域の前記半導体基板、前記第２の不純物拡散抑制層、および前記第２の結晶層内の、前記第２のゲート電極の両側に形成されたｎ型ソース・ドレイン領域と、
前記ｎ型ソース・ドレイン領域の間に形成され、前記第２の不純物を含み、前記第２の不純物拡散抑制層上の領域における前記第２の不純物の濃度が、前記第２の不純物拡散抑制層下の領域における前記第２の不純物の濃度よりも小さいｐ型チャネル領域と、
を有し、
前記Ｃ含有Ｓｉ系結晶は前記第２の不純物の拡散を抑制する機能を有し、
前記第１の不純物は、前記Ｃ含有Ｓｉ系結晶内の固定電荷の発生を抑制する機能を有する、半導体装置。
【請求項２】
半導体基板上に形成された結晶層と、
前記結晶層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記半導体基板と前記結晶層との間に形成された、前記ゲート電極の下方の領域において第１の不純物を含むＣ含有Ｓｉ系結晶からなる不純物拡散抑制層と、
前記半導体基板、前記不純物拡散抑制層、および前記結晶層内の前記ゲート電極の両側に形成され、前記結晶層内にエクステンション領域を有する、ｐ導電型を有する第２の不純物を含むｐ型ソース・ドレイン領域と、
を有し、
前記Ｃ含有Ｓｉ系結晶は前記第２の不純物の拡散を抑制する機能を有し、
前記第１の不純物は、前記Ｃ含有Ｓｉ系結晶内の固定電荷の発生を抑制する機能を有する、半導体装置。
【請求項３】
前記第１の不純物は、Ｓｉ系結晶の格子間に侵入することができる程度に原子半径が小さく、かつＣと結合する性質を有する元素である、
請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の不純物は、Ｂ、Ｎ、およびＦのうち、少なくともいずれか１つから選択される、
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記不純物拡散抑制層の下に前記第１の不純物を含む不純物供給層が形成され、
前記不純物拡散抑制層内の前記第１の不純物の濃度分布は、前記不純物拡散抑制層の厚さ方向の中間よりも下側にピークがある、
請求項２に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月1日(2011.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査部の載置台に配置された被検査対象の基板の電極パッドとプローブカードのプローブとを接触させて前記基板の被検査部の電気的特性を測定するプローブ装置において、
複数の基板を収納した搬送容器を載置するためのロードポートと、
このロードポートに載置された前記搬送容器と前記検査部の載置台との間で前記基板の受け渡しを行い、互いに独立して進退自在な複数の基板支持部材を有すると共に、未検査の前記基板を支持して待機しているときに空になる前記基板支持部材が１個になる基板搬送機構と、
前記ロードポートと前記検査部とを接続し、その内部を前記基板搬送機構が移動する搬送室と、
前記搬送容器から取り出した基板の向きと中心の位置合わせとを行うために、基板を保持して回転する回転ステージとこの回転ステージ上の基板の周縁を検出する周縁検出部とを有する、前記搬送室内に設けられたプリアライメント機構と、
前記搬送室内に設けられた、前記検査部の保守作業を行うための保守用基板が収納された基板収納部と、
前記搬送室内に設けられ、前記基板搬送機構から前記基板を受け取って吸着して保持する吸着機構を有する基板保持装置と、
前記検査部の載置台に基板が載置されているときに、当該検査部の保守作業の割込み処理が発せられたときに、前記基板支持部材に支持されている前記基板を前記基板保持装置に保持させると共に、前記基板支持部材により基板収納部から前記保守用基板を取り出して前記載置台の基板と交換するように、前記基板搬送機構を制御する制御部と、
を備えたことを特徴とするプローブ装置。
【請求項２】
前記保守用基板は、前記プローブカードのプローブ針を研磨する専用の基板であることを特徴とする請求項１に記載のプローブ装置。
【請求項３】
前記基板保持装置は、前記基板収納部の上下左右に隣接して設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載のプローブ装置。
【請求項４】
前記検査部は、複数台設けられており、前記制御部は、第１の検査部から検査済みの前記基板を前記基板支持部材で搬出したときに、第２の検査部で前記保守作業の割り込み処理が発せられた場合、前記基板支持部材で支持している検査済みの前記基板を前記基板保持装置に保持させて、前記保守作業を行うことを特徴とする請求項１ないし３の何れか一項に記載のプローブ装置。
【請求項５】
前記プリアライメント機構に加えて、前記基板保持装置に更にプリアライメント機構が設けられ、当該基板保持装置はプリアライメントのための回転ステージとして機能し、保持している前記基板のプリアライメントを行うことを特徴とする請求項４に記載のプローブ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明のプローブ装置は、
検査部の載置台に配置された被検査対象の基板の電極パッドとプローブカードのプローブとを接触させて前記基板の被検査部の電気的特性を測定するプローブ装置において、
複数の基板を収納した搬送容器を載置するためのロードポートと、
このロードポートに載置された前記搬送容器と前記検査部の載置台との間で前記基板の受け渡しを行い、互いに独立して進退自在な複数の基板支持部材を有すると共に、未検査の前記基板を支持して待機しているときに空になる前記基板支持部材が１個になる基板搬送機構と、
前記ロードポートと前記検査部とを接続し、その内部を前記基板搬送機構が移動する搬送室と、
前記搬送容器から取り出した基板の向きと中心の位置合わせとを行うために、基板を保持して回転する回転ステージとこの回転ステージ上の基板の周縁を検出する周縁検出部とを有する、前記搬送室内に設けられたプリアライメント機構と、
前記搬送室内に設けられた、前記検査部の保守作業を行うための保守用基板が収納された基板収納部と、
前記搬送室内に設けられ、前記基板搬送機構から前記基板を受け取って吸着して保持する吸着機構を有する基板保持装置と、
前記検査部の載置台に基板が載置されているときに、当該検査部の保守作業の割込み処理が発せられたときに、前記基板支持部材に支持されている前記基板を前記基板保持装置に保持させると共に、前記基板支持部材により基板収納部から前記保守用基板を取り出して前記載置台の基板と交換するように、前記基板搬送機構を制御する制御部と、
を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月19日(2011.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の領域を有する半導体基板上にマスク材を形成する工程と、
前記第１の領域の前記マスク材上に芯材をパターン形成する工程と、
前記芯材の両側面に側壁マスクを形成した後、前記芯材を除去する工程と、
前記芯材を除去した後、前記第１の領域の前記マスク材に前記側壁マスクのパターンを転写する工程と、
前記第１の領域の前記側壁マスクのパターンを転写された前記マスク材のトリミングと、前記第２の領域の前記マスク材への所定のパターンの形成とを同時に行う工程と、
を含み、
前記芯材のパターン形成は、クリティカルデザインレベルのフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ技術を用いて行われ、
前記第１の領域の前記マスク材への前記側壁マスクのパターンの転写は、ノンクリティカルデザインレベルのフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ技術を用いて前記第２の領域の前記マスク材上に前記所定のパターンよりも大きいパターンを有するレジスト膜を形成した後、前記レジスト膜をマスクとして用いたエッチングにより行われ、
前記第１の領域の前記側壁マスクのパターンを転写された前記マスク材のトリミングと、前記第２の領域の前記マスク材への所定のパターンの形成とは、クリティカルデザインレベルのフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ技術を用いて行われる半導体装置の製造方法。
【請求項２】
第１および第２の領域を有する半導体基板上にマスク材を形成する工程と、
前記第１の領域の前記マスク材上に芯材をパターン形成する工程と、
前記芯材の両側面に側壁マスクを形成した後、前記芯材を除去する工程と、
前記芯材を除去した後、前記第１の領域の前記マスク材に前記側壁マスクのパターンを転写する工程と、
前記第１の領域の前記側壁マスクのパターンを転写された前記マスク材のトリミングと、前記第２の領域の前記マスク材への所定のパターンの形成とを同時に行う工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の領域のトリミングされた前記マスク材のパターンと、前記第２の領域の前記マスク材の前記所定のパターンとを前記半導体基板に同時に転写し、前記第１の領域にＳＲＡＭに用いられるフィン、前記第２の領域に周辺回路の形成される活性領域を形成する工程、
をさらに含む請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体基板上にマスク材を形成する工程と、
前記マスク材を加工してリング状パターンが形成された領域とパターンのない領域とを形成する工程と、
被加工材のリング状パターンをトリミングしてラインアンドスペースパターンに加工するためのパターンと、前記被加工材のパターンのない領域にパターンを形成するためのパターンと、を有するフォトマスクを用いたフォトリソグラフィ技術を用いて、
前記マスク材の前記リングパターンのラインアンドスペースパターンへの加工と、前記マスク材の前記パターンのない領域への所定のパターンの形成を同時に行う工程と、
前記マスク材の前記ラインアンドスペースパターンおよび前記所定のパターンを前記半導体基板に転写する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項５】
被加工材のリング状パターンをトリミングしてラインアンドスペースパターンに加工するためのパターンと、
前記被加工材のパターンのない領域にパターンを形成するためのパターンと、
を有するフォトマスク。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年9月5日(2011.9.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  加硫ゴム組成物を含む側壁部を有しており、前記ゴム組成物が、式−O−を有するオキシ基を含み、前記オキシ基の一方の側に式（CnH2nO）xを有する１つのポリオキシアルキレンブロックが結合されたポリマーを０．５〜１０ｐｈｒ(ゴム１００部あたりの重量部)の量で含有しており、
前記式（CnH2nO）xにおいて、
ｎは２または３に等しい整数であり、
ｘは２〜１５の整数または小数であり、
前記１つのブロックは前記ポリマーの末端に位置した水素原子に結合されており、前記水素原子は前記１つのブロックの末端酸素原子とアルコール官能基を形成しており、
前記ポリマーは、
−  １０〜１４の平均炭素原子数を有する脂肪族アルキル鎖の混合鎖と、
−  １３の炭素原子を有するアルキル鎖を含む脂肪族鎖
よりなる群から選択される脂肪族部分が前記オキシ基の他方の側に結合されて含むことを特徴とするタイヤ。
【請求項２】  前記脂肪族部分が、１０〜１４の平均炭素原子数を有する脂肪族アルキル鎖の混合鎖であることを特徴とする請求項１に記載のタイヤ。
【請求項３】  前記平均炭素原子数が１４に等しく、前記１つのブロックが、ｘが４に等しいポリオキシエチレンブロックからなることを特徴とする請求項２に記載のタイヤ。
【請求項４】  前記平均炭素原子数が１２に等しく、前記１つのブロックが、ｘが７に等しいポリオキシエチレンブロックからなることを特徴とする請求項２に記載のタイヤ。
【請求項５】  前記平均炭素原子数が１４に等しく、前記１つのブロックが、ｘが２に等しいポリオキシエチレンブロックからなることを特徴とする請求項２に記載のタイヤ。
【請求項６】  前記平均炭素原子数が１０に等しく、前記１つのブロックがｘが２．５に等しいポリオキシエチレンブロックからなることを特徴とする請求項２に記載のタイヤ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
− シンパロニックA4はHLBが９．１に実質的に等しく、式−O−のオキシ基の一方の側および他方の側にアルキル基の混合基Rおよびポリオキシエチレンの１ブロックがそれぞれ結合された下記式によるポリマーで構成されたUNIQEMAで販売されている表面活性剤の商品名である。
R−O−（C2H4O）4−H
上記式中、上記アルキル基は炭素元素数１３ないし１５（平均１４）の非環式基である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
− シンパロニックLF／RA２８０は参考例であり、HLBが９．５に実質的に等しく、オキシ基−O−の一方の側および他方の側にアルキル基の混合基Rおよび２つのブロック、ポリオキシエチレンおよびポリオキシプロピレンがそれぞれ結合された下記式によるポリマーで構成されたUNIQEMAで販売されている表面活性剤の商品名である。
R−O−（C3H6O）5−（C2H4O）4−H
上記式中、上記アルキル基は炭素原子数が１３ないし１５（平均１４）であり、ポリマーの末端の水素原子は上記ポリオキシプロピレンブロックの末端酸素原子とアルコール官能基を形成している。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
− シンパロニックA2はHLBが５．９に実質的に等しく、オキシ基−O−の一方の側および他方の側にアルキル基の混合基Rおよびポリオキシエチレンの１ブロックがそれぞれ結合された下記式によるポリマーで構成されたUNIQEMAで販売されている表面活性剤の商品名である。
R−O−（C2H4O）2−H
上記式中、上記アルキル基は炭素原子数が実質的に１４に等しく、ポリマーの末端の水素原子は上記ポリオキシエチレンブロックの末端酸素原子とアルコール官能基を形成している。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月26日(2011.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能の異常を検知するステップ（Ｅ３０８）と、
異常が検知された場合にエラーフラグを更新するステップ（Ｅ３１０）と、
異常が検知された場合に実行される中間ステップ（Ｅ３１４）であって、異常が検知されない場合に実行される第１動作と共通の特性を有する第２動作を実行することを含む中間ステップ（Ｅ３１４）と、
前記エラーフラグをテストするステップ（Ｅ３１６）と、
テストするステップが異常が検知されたことを示す場合に実行される処理のステップ（Ｅ３２０）とを含むデータを処理する方法。
【請求項２】
前記共通の特性は前記第１動作を実行する命令のタイプである請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第１動作および前記第２動作は、正常機能においても異常が検知された場合にも実行されるステップである請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第１動作および前記第２動作は書き換え型メモリの或るアドレスにおいて読み出しを行うことにある請求項１記載の方法。
【請求項５】
異常が検知された場合、前記アドレスは見掛けゾーンを指している請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記処理ステップはロックデータを物理的メモリに書き込むことを含む請求項１〜５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
超小型回路カードのマイクロプロセッサによって実施される請求項１〜６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
機能の異常を検知する手段と、
異常が検知された場合にエラーフラグを更新する手段と、
異常が検知された場合中間ステップ（Ｅ３１４）を実行する手段であって、該実行する手段は、異常が検知されない場合に実行される第１動作と共通の特性を有する第２動作を実行するよう適合されている、手段と、
エラーフラグをテストする手段と、
前記テスト手段が異常が検知されたことを示す場合に起動されるよう適合された処理手段と、を含むデータ処理のための装置。
【請求項９】
装置が超小型回路カードである請求項８記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月16日(2011.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶セル用の配向層を製造する方法であって、
基板上の材料の層に、ある特性を与える工程を含み、
前記特性が、前記材料の層上に配置された液晶分子が、選択チルト及び選択方位配列を包含する選択配列を採択することであり、
前記選択配列は、帯状様式にパターン化されるものであり、
前記方法が
単一の放射線源から偏光されず又は円形に偏光された放射線を提供する工程、
局所的に異なる斜めの放射線が生成するように、前記放射線を光学マイクロエレメントの配列へ照射する工程、
前記材料の層を、局所的に異なる斜めの放射線にさらして、前記特性を単一の照射工程で与える工程
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
マイクロエレメント配列が、マイクロレンズ配列である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
マイクロエレメント配列が、マイクロプリズム配列である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
マイクロエレメント配列が、ホログラムエレメントである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
マイクロエレメント配列が、光スイッチの配列である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記照射エネルギー（前記放射線に直交に測定される）が、２J/cm2未満である請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記放射線が、紫外線である請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記選択配列が、前記液晶分子の長軸が、前記層の法線と前記放射線の方向とを含む平面内にあるような配列である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記付与される選択チルトが、前記層の平面に対して45°を超える、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記付与される選択チルトが、75°を超える、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記材料が、実質的にホメオトロピックに配向する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記放射線の前記層の法線に対する入射角φが、５°≦φ＜７０°の範囲内である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記入射角が、φ＞４５°である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記材料が、前記放射線で架橋される、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
液晶セル用の配向層であって、前記層が、該層上に配置された液晶分子が、選択配列を採択するという特性を有し、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法で、前記層に前記特性が与えられたことを特徴とする液晶セル用の配向層。
【請求項１６】
液晶材料と接触する少なくとも１つの配向層が、請求項１５に従う液晶セル。
【請求項１７】
垂直配列ネマチックである請求項１６に記載の液晶セル。
【請求項１８】
ハイブリッド配列ネマチックである請求項１６に記載の液晶セル。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月30日(2011.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材、および前記基材上に形成された第１電極層を有する色素増感型太陽電池用基材と、
前記色素増感型太陽電池用基材に対向するように配置され、電極としての機能を備える対電極基材と、
前記色素増感型太陽電池用基材および前記対電極基材の間に形成された電解質層と、
前記色素増感型太陽電池用基材の第１電極層上に積層され、かつ前記電解質層と接するように形成されており、表面に色素増感剤が担持された金属酸化物半導体微粒子を含む多孔質層と、
前記電解質層を封止するように形成されたシール材と、
を有する色素増感型太陽電池であって、
前記電解質層と前記多孔質層の幅が異なっており、かつ前記シール材が前記電解質層および前記多孔質層の端部を覆い、さらに前記第１電極層に前記電解質層が接しないように形成されており、
前記電解質層の幅が前記多孔質層の幅よりも広いことを特徴とする色素増感型太陽電池。
【請求項２】
基材、および前記基材上に形成された第１電極層を有する色素増感型太陽電池用基材と、
前記色素増感型太陽電池用基材に対向するように配置され、電極としての機能を備える対電極基材と、
前記色素増感型太陽電池用基材および前記対電極基材の間に形成された電解質層と、
前記対電極基材上に積層され、かつ前記電解質層と接するように形成されており、表面に色素増感剤が担持された金属酸化物半導体微粒子を含む多孔質層と、
前記電解質層を封止するように形成されたシール材と、
を有する色素増感型太陽電池であって、
前記電解質層と前記多孔質層の幅が異なっており、かつ前記シール材が前記電解質層および前記多孔質層の端部を覆い、さらに前記対電極基材の表面に前記電解質層が接しないように形成されており、
前記電解質層の幅が前記多孔質層の幅よりも広いことを特徴とする色素増感型太陽電池。
【請求項３】
前記電解質層と前記多孔質層との幅の差が０．５ｍｍ〜５ｍｍの範囲内であることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の色素増感型太陽電池。