【手続補正書】
【提出日】平成23年7月19日(2011.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の解像度を有する第１の測定システムを用いて、サンプルオブジェクトの表面に生じるパラメータ変動の参照較正テーブルを生成するステップと、
パラメータ変動によって特徴化される画素に前記サンプルオブジェクトの前記表面を分割するステップと、
前記表面のブロックを前記画素のそれぞれのグループとして定義するステップと、
前記第１の解像度より低い第２の解像度を有する第２の測定システムを用いて、（ｉ）異なるそれぞれのタイプの偏向を有する放射によって前記表面の複数の走査の際に前記画素を照射し、（ｉｉ）前記走査の各々に応答して前記画素からのはね返り放射を検出するステップと、
走査ごとに、（ｉ）各ブロックにおける前記画素グループからの前記はね返り放射に応答して、前記ブロックのそれぞれのブロック署名を構築し、（ｉｉ）前記ブロックの前記それぞれのブロック署名を使用してブロック署名変動を判断するステップと、
前記第１の解像度での測定に基づくパラメータ変動の前記参照較正テーブルと、前記第１の解像度より低い前記第２の解像度で測定に基づく前記ブロック署名変動との間の相関に応じて、前記ブロック署名変動に応答して、テストオブジェクトの次の調査で使用するために、前記偏向タイプのうちの１つを選択するステップと、
を備える方法。
【請求項２】
前記画素が前記表面をタイル張りにし、前記ブロックがそれぞれの隣接画素グループを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記偏向タイプが、第１の偏向方向を有する第１の線形偏向、前記第１の偏向方向とは異なる第２の偏向を有する第２の線形偏向、左円形偏向、右円形偏向、第１の楕円形偏向、および前記第１の楕円形偏向と異なる第２の楕円形偏向のうちの少なくとも２つを備えており、前記第１および第２の楕円形偏向が０〜１の偏心率を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記はね返り放射を検出するステップが、ブライトフィールド放射、グレーフィールド放射およびダークフィールド放射のうちの少なくとも１つを検出する工程を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記それぞれのブロック署名を構築するステップが、所与のブロックにおける前記画素からの前記はね返り放射のそれぞれの強度のブロック署名関数を定義する工程と、前記ブロックについて前記ブロック署名関数を評価する工程とを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ブロック署名関数が前記それぞれの強度の算術的平均を備える、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記テストオブジェクトの調査が、
テストオブジェクト画素のテストオブジェクトブロックを形成するステップと、
前記テストオブジェクト画素からのはね返り放射のそれぞれのテストオブジェクト強度について前記ブロック署名関数を評価するステップと、
を備える、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記ブロック署名変動を判断するステップが、最高ブロック署名変動を判断する工程を備えており、前記偏向タイプのうちの１つを選択するステップが、前記最高ブロック署名変動を有する前記走査について前記偏向タイプを選択する工程を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
第１の解像度を有する第１の測定システムを用いて、サンプルオブジェクトの表面に生じるパラメータ変動の参照較正テーブルを生成するステップと、
パラメータ変動によって特徴化される画素に前記サンプルオブジェクトの前記表面を分割するステップと、
前記表面のブロックを前記画素のそれぞれのグループとして定義するステップと、
前記第１の解像度より低い第２の解像度を有する第２の測定システムを用いて、（ｉ）異なるそれぞれのタイプの偏向を有する放射によって前記表面の複数の走査の際に前記画素を照射し、（ｉｉ）前記走査の各々に応答して前記画素からのはね返り放射を検出するステップと、
各ブロックにおける前記画素グループからの前記はね返り放射に応答して、前記ブロックのそれぞれの複合ブロック署名を構築するステップと、
前記ブロックの前記複合ブロック署名を使用して複合ブロック署名変動を判断するステップと、
前記第１の解像度での測定に基づくパラメータ変動の前記参照較正テーブルと、前記第１の解像度より低い前記第２の解像度で測定に基づく前記複合ブロック署名変動との間の相関に応じて、テストオブジェクトの次の調査に使用するために前記偏向タイプのうちの２つ以上を選択するステップと、
を備える方法。
【請求項１０】
前記それぞれの複合ブロック署名を構築するステップが、
前記複数の走査のうちの少なくとも２つ、および所与のブロックにおける前記画素からの前記はね返り放射の強度の複合ブロック署名関数を定義する工程と、
前記ブロックについて前記複合ブロック署名関数を評価する工程と、
を備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記テストオブジェクトの調査が、
テストオブジェクト画素のテストオブジェクトブロックを形成するステップと、
前記テストオブジェクト画素からのはね返り放射のそれぞれのテストオブジェクト強度について前記複合ブロック署名関数を評価するステップと、
を備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記複合ブロック署名変動を判断するステップが、最高複合ブロック署名変動を判断する工程を備えており、前記２つ以上の偏向タイプを選択するステップが、前記最高複合ブロック署名変動を形成する前記走査に対応する前記偏向タイプを選択する工程を備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
第１の解像度での測定に基づいてサンプルオブジェクトの表面に生じるパラメータ変動の参照較正テーブルを生成し、前記パラメータ変動によって特徴化される画素に前記サンプルオブジェクトの前記表面を分割し、前記表面のブロックを前記画素のそれぞれのグループとして定義するように構成されているプロセッサと、
異なるそれぞれのタイプの偏向を有する放射によって前記表面の複数の走査の際に前記画素を照射し、前記走査の各々に応答して前記画素からのはね返り放射を検出するように構成されている、前記第１の解像度より低い第２の解像度を有する放射スキャナーと、
を備えており、
前記プロセッサがさらに、
走査ごとに、（ｉ）各ブロックにおける前記画素グループからの前記はね返り放射に応答して前記ブロックのそれぞれのブロック署名を構築し、（ｉｉ）前記ブロックの前記ブロック署名を使用してブロック署名変動を判断するように、さらに、
前記第１の解像度での測定に基づくパラメータ変動の前記参照較正テーブルと、前記第１の解像度より低い前記第２の解像度で測定に基づく前記ブロック署名変動との間の相関に応じて、テストオブジェクトの次の調査に使用するために前記偏向タイプのうちの１つを選択するように構成されている装置。
【請求項１４】
第１の解像度での測定に基づいてサンプルオブジェクトの表面に生じるパラメータ変動の参照較正テーブルを生成し、前記パラメータ変動によって特徴化される画素に前記サンプルオブジェクトの前記表面を分割し、前記表面のブロックを前記画素のそれぞれのグループとして定義するように構成されているプロセッサと、
異なるそれぞれのタイプの偏向を有する放射によって前記表面の複数の走査の際に前記画素を照射し、前記走査の各々に応答して前記画素からのはね返り放射を検出するように構成されている、前記第１の解像度より低い第２の解像度を有する放射スキャナーと、
を備えており、
前記プロセッサがさらに、
各ブロックにおける前記画素グループからの前記はね返り放射に応答して前記ブロックのそれぞれの複合ブロック署名を構築するように、
前記ブロックの前記複合ブロック署名を使用して複合ブロック署名変動を判断するように、さらに、
前記第１の解像度での測定に基づくパラメータ変動の前記参照較正テーブルと、前記第１の解像度より低い前記第２の解像度で測定に基づく前記複合ブロック署名変動との間の相関に応じて、テストオブジェクトの次の調査に使用するために、前記偏向タイプのうちの２つ以上を選択するように構成されている装置。
【請求項１５】
第１の解像度でのシミュレーション測定に基づいてサンプルオブジェクトの表面に生じるパラメータ変動の参照較正テーブルを生成するステップと、
前記サンプルオブジェクトの前記表面をシミュレーション表面としてシミュレーションし、前記シミュレーション表面のシミュレーション特徴を定義するステップと、
前記パラメータ変動によって特徴化される画素に前記シミュレーション表面を分割するステップと、
前記シミュレーション表面のブロックを前記画素のそれぞれのグループとして定義するステップと、
前記第１の解像度より低い第２の解像度で、（ｉ）異なるそれぞれのタイプの偏向を有する放射によって前記シミュレーション表面の複数の走査の際に前記画素の照射をシミュレーションし、（ｉｉ）前記走査の各々に応答して前記画素からのはね返り放射の検出をシミュレーションするステップと、
走査ごとに、（ｉ）各ブロックにおける前記画素グループからの前記はね返り放射に応答して前記ブロックのそれぞれのブロック署名を構築し、（ｉｉ）前記ブロックの前記ブロック署名を使用してブロック署名変動を判断するステップと、
前記第１の解像度での測定に基づくパラメータ変動の前記参照較正テーブルと、前記第１の解像度より低い前記第２の解像度で測定に基づく前記ブロック署名変動との間の相関に応じて、テストオブジェクトの次の物理的調査に使用するために、前記偏向タイプのうちの１つを選択するステップと、
を備える方法。
【請求項１６】
前記ブロック署名変動を判断するステップが、最高ブロック署名変動を判断する工程を備えており、前記偏向タイプのうちの１つを選択するステップが、前記最高ブロック署名変動を有する前記走査について偏向タイプを選択する工程を備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
第１の解像度でのシミュレーション測定に基づいてサンプルオブジェクトの表面に生じるパラメータ変動の参照較正テーブルを生成するステップと、
前記サンプルオブジェクトの前記表面をシミュレーション表面としてシミュレーションし、前記シミュレーション表面のシミュレーション特徴を定義するステップと、
前記パラメータ変動によって特徴化される画素に前記シミュレーション表面を分割するステップと、
前記シミュレーション表面のブロックを前記画素のそれぞれのグループとして定義するステップと、
前記第１の解像度より低い第２の解像度で、（ｉ）異なるそれぞれのタイプの偏向を有する放射によって前記シミュレーション表面の複数の走査の際に前記画素の照射をシミュレーションし、（ｉｉ）前記走査の各々に応答して前記画素からのはね返り放射の検出をシミュレーションするステップと、
各ブロックにおける前記画素グループからの前記はね返り放射に応答して、前記ブロックのそれぞれの複合ブロック署名を構築するステップと、
前記ブロックの前記複合ブロック署名を使用して複合ブロック署名変動を判断するステップと、
前記第１の解像度での測定に基づくパラメータ変動の前記参照較正テーブルと、前記第１の解像度より低い前記第２の解像度で測定に基づく前記複合ブロック署名変動との間の相関に応じて、テストオブジェクトの次の物理的調査に使用するために前記偏向タイプのうちの２つ以上を選択するステップと、
を備える方法。
【請求項１８】
前記ブロック署名変動を判断するステップが、最高複合ブロック署名変動を判断する工程を備えており、前記２つ以上の偏向タイプを選択するステップが、前記最高複合ブロック署名変動を形成する前記走査に対応する前記偏向タイプを選択する工程を備える、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
非変動パラメータによって特徴化される画素にサンプルオブジェクトの表面を分割するステップと、
前記表面のブロックを前記画素のそれぞれのグループとして定義するステップと、
異なるそれぞれのタイプの偏向を有する放射によって前記表面の複数の走査の際に前記画素を照射するステップと、
前記走査の各々に応答して前記画素からのはね返り放射を検出するステップと、
走査ごとに、（ｉ）各ブロックにおける前記画素グループからの前記はね返り放射に応答して前記ブロックのそれぞれのブロック署名を構築し、（ｉｉ）前記ブロックの前記ブロック署名を使用してブロック署名変動を判断し、（ｉｉ）前記ブロックの前記ブロック署名と前記非変動パラメータとの間の相関係数を形成するステップと、
前記ブロック署名変動に応答して、テストオブジェクトの次の検査に使用するために最高相関係数を有する走査に対して前記偏向タイプのうちの１つを選択するステップと、
を備える方法。