【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年1月27日(2009.1.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームにさらされる物体（１１）により生成されるＸ線の放射を測定する装置であって、
電子放射手段と第１の発生器（１４）によって電子に電位差ΔＶ１をかける加速ステージとを含むサブアセンブリ（１３）と；
前記電子ビームが適切な手段（１８、１９、１１、１１６、１１９）により形作られかつ制御される３つの区域（１５、１１０、１１４）を含んでおり、その第３の区域（１１４）が該電子ビームを取り囲み前記第１の発生器（１４）の参照電位に引き上げられる導電筐体（１１５）によって取り囲まれているゼロ電界空間と；
前記第１の発生器（１４）の参照電位と比較してΔＶ１と同じ符号の電位差ΔＶ２が前記物体（１１）と前記導電筐体（１１５）との間に印加され、前記電子が減速させられる空間と；
前記物体（１１）を前記電子ビームの真下に位置決めする支持体（１２）と；
分析される前記物体により放射されるＸ線を分析するスペクトル分析手段（１１１３）と
を少なくとも含むことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記電位差ΔＶ１及びΔＶ２が、同じ参照電位を有する前記第１の発生器（１４）及び第２の発生器（１１９）である２つの発生器（１４及び１１９）を使用して印加され、前記第１の発生器（１４）が前記電子放射手段を電位ＨＶ１に引き上げ、前記第２の発生器（１１９）が前記分析される物体（１１）を電位ＨＶ２に引き上げることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記２つの発生器（１４及び１１９）の参照電位（１１１１）が当該装置のアースに接続されていることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記ゼロ電界空間（１５、１１０、１１４）が、前記２つの発生器（１４及び１１９）の前記参照電位（１１１１）に引き上げられている筐体（１６、１１１及び１１５）を含むことを特徴とする請求項２及び３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
試料支持体（１２）と前記ゼロ電界空間との間に配置されており、任意の電位に引き上げ可能な電極（１１８）を含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記電極（１１８）が、冷却できる多孔板であることを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記ゼロ電界空間（１５、１１０、１１４）が、ビーム電流の強度を測定する手段（１１３）を含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記ビーム電流の強度を測定する装置（１１３）が、前記ビームを該電子流を測定する手段上に指向可能とする電子ビーム偏向手段（１１２）と関連していることを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記偏向手段（１１２）が、分析の間にサンプリングにより得られる電子ビームの強度の測定を可能にする非常に短いターンオン時間及びターンオフ時間を有する制御装置によって作動することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記スペクトル分析手段（１１１３）が、少なくとも１つのＷＤＳ分光計を含むことを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
乾燥した高真空内に配置されるオブジェクトチャンバー（１１１２）を含むことを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１２】
前記オブジェクトチャンバー（１１１２）が、マイクロリークを含むことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記分析された物体（１１）の位置を観察する光学手段を含むことを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】
前記光学手段が、前記物体近くに配置された少なくとも１つの反射屈折光学機器（１１１４）と、孔のあいた偏向ミラー（１１１５）と、外部光学システム（１１１６）とを含むことを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
当該装置の様々な要素と接続されており、当該装置の遠隔制御と実行される測定に対応するデータの取得とを可能にする電子コマンド及び取得インターフェース（４１）を含むことを特徴とする請求項１から１４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１６】
前記電子インターフェース（４１）に接続されており、当該装置の様々な要素を遠隔的に制御すると共に、行われた測定を自動的に活用するマンマシンインターフェースを装備するコンピュータ（４２）を含むことを特徴とする請求項１５に記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
電子ビームを放射し及び加速させるサブアセンブリ１３は、最も遠い上流に配置されたカラムの要素である。それは特に、電位ＨＶ１に引き上げられる電子ソース及び電子加速ステージを含む。電子ソースは、様々な型があり、具体的にはコールド電界放出ソース、ポイント陰極ショットキーソース又は熱陰極ソースである。電位ＨＶ１は、発生器１４を用いてソースに印加される。加速ステージでは、電子に例えば発生器１４により送られる電圧に等しい電位差ΔＶ１がかけられる。この電位差は、ソースにより放射された電子を加速させる電界を作り出すようなものである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
最初に、ビーム成形区域１５は、放射装置のすぐ下流に位置する。この区域は、例えば管状をした内部を金属化された筐体１６により取り囲まれている。この筐体は、発生器１４の参照電位１１１１に引き上げられる。参照電位は、例えば本発明による装置全体のアースである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
ゼロ電界空間は、電子流を測定する第２の区域１１０を含む。この区域は、例えば、絞りの下流に置かれる。この区域は、筐体１６のように発生器１４の参照電位に引き上げられる導電筐体１１１に取り囲まれる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
ゼロ電界空間は、ビームを集束する第３の区域１１４を含む。この区域は、例えば、上述の区域１１０の下流に配置される。この区域は、ビームを取り囲み、筐体１６及び１１のように、発生器１４の参照電位に引き上げられる導電筐体１１５により取り囲まれる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
図１に示されるように、分析される試料は、導電要素である支持体１２上に配置される。試料は発生器１１９により電位ＨＶ１と同一の符号の電位ＨＶ２に引き上げられる。発生器１１９の参照電位は、発生器１４の参照電位と接続される。このようにして、試料１１と筐体１１５間に印加される電圧ΔＶ２は、電子放射装置に印加される電圧ΔＶ１と同じ符号の電圧である。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
試料が収容されているオブジェクトチャンバー１１１２は、１０−７から１０−８トルの桁の、乾燥した高真空中に置かれる。この真空は、例えばチタン昇華装置により助けられるターボ分子ポンプを使用して作り出される。マイクロリークは試料の上に置かれる。その役割は、所定の場合に、任意の特定の気体の注入を可能にすること、及び真空を局部的に低下させることである。これは、帯電及び試料の表面上で捕捉される任意の残った汚染要素の除去を促進する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
１１  試料
１２  試料支持体
１３  サブアセンブリ
１４  発生器
１５  ビーム形成区域
１６  筐体
１７  偏向要素
１８  磁気レンズ
１９  絞り
２１  ソース
２２  レンズ
２３  レンズ
２４  ソースの像
３１  スポット
３３  ビーム
３４  ビーム
３５  平面
４１  インターフェース
４２  コンピュータ
４３  電子カード
４４  電子カード
４５  電子カード
４６  電子カード
４７  サーバーカード
１１０  第２の区域
１１１  導電筐体
１１２  偏向手段
１１３  電子の流束密度を測定する装置
１１４  第３の区域
１１５  導電筐体
１１６  磁気レンズ
１１７  偏向装置
１１８  多孔板
１１９  発生器
１１１１  参照電位
１１１２  オブジェクトチャンバー
１１１３  スペクトル分析手段
１１１４  反射屈折対物レンズ
１１１５  孔のあいた偏向ミラー
１１１６  外部光学システム