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【手続補正書】
【提出日】平成22年12月22日(2010.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水溶性脂肪族系有機酸、水溶性有機モノアミン化合物、水溶性有機溶剤及び水を含有するインクジェット用前処理液であって、
前記水溶性脂肪族系有機酸に含まれる酸基に対し１モル当量以上の前記水溶性有機モノアミン化合物を含有することを特徴とするインクジェット用前処理液。
【請求項２】
前記水溶性脂肪族系有機酸が（Ｉ）〜（ＩＩＩ）式から選ばれることを特徴とする請求項１に記載のインクジェット用前処理液。
【化１】
2010241068.tif 000001
［（Ｉ）式中、Ｒ１は水素原子または水酸基もしくはカルボキシル基により置換されたメチル基を示し、Ｒ２はメチル基、カルボキシル基により置換されたメチル基、または水酸基及びカルボキシル基により置換されたメチル基を示す。］
【化２】
2010241068.tif 000002
［（ＩＩ）式中、ｎは０〜４の整数を示す。］
【化３】
2010241068.tif 000003
［（ＩＩＩ）式中、ｎは０〜４の整数を示す。］
【請求項３】
前記水溶性有機モノアミン化合物が（ＩＶ）又は（Ｖ）式から選ばれることを特徴とする請求項１又は２に記載のインクジェット用前処理液。
【化４】
2010241068.tif 000004
［（ＩＶ）式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は水素原子、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルキル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基を示す。但し、全て水素原子である場合を除く。］
【化５】
2010241068.tif 000005
［（Ｖ）式中、Ｒ６はヒドロキシメチル基を示し、Ｒ７はメチル基、エチル基、又はヒドロキシメチル基を示し、Ｒ８は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はヒドロキシメチル基を示す。］
【請求項４】
脂肪族系有機酸塩化合物又は無機金属塩化合物を含有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のインクジェット用前処理液。
【請求項５】
静的表面張力が３０ｍＮ／ｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のインクジェット用前処理液。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のインクジェット用前処理液を記録用メディアに塗布する前処理工程と、
水分散性着色剤、水溶性有機溶剤、界面活性剤、浸透剤及び水を含有するインクジェット用インクに刺激を印加し、前記インクジェット用前処理液を塗布した記録用メディアに、前記インクジェット用インクを飛翔させて画像を形成するインク飛翔工程と、
を有することを特徴とする画像形成方法。
【請求項７】
前記水分散性着色剤が顔料であり、
該顔料が自己分散可能な顔料及び樹脂により被覆された顔料からなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項６に記載の画像形成方法。
【請求項８】
前記インクジェット用インクの静的表面張力が２０〜３５ｍＮ／ｍであることを特徴とする請求項６又は７に記載の画像形成方法。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項に記載の画像形成方法により作製されたことを特徴とする画像形成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【化１】
2010241068.tif 000006
［（Ｉ）式中、Ｒ１は水素原子または水酸基もしくはカルボキシル基により置換されたメ
チル基を示し、Ｒ２はメチル基、カルボキシル基により置換されたメチル基、または水酸基及びカルボキシル基により置換されたメチル基を示す。］
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【化６】
2010241068.tif 000007
［（Ｉ）式中、Ｒ１は水素原子または水酸基もしくはカルボキシル基により置換されたメ
チル基を示し、Ｒ２はメチル基、カルボキシル基により置換されたメチル基、または水酸基及びカルボキシル基により置換されたメチル基を示す。］
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月7日(2011.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
励起光を放出するための励起光源と、
前記励起光源から放出された励起光の少なくとも一部を吸収し、異なる波長の光を複数箇所から発光するための複数の波長変換部と、
一端が前記波長変換部と接続され、前記励起光源からの励起光を前記波長変換部に導くための導光部と、
前記励起光源を冷却するための冷却機構と、
前記励起光源に電力を供給するための電源手段と、
を備え、
前記励起光源は、半導体レーザであり、
１つの前記冷却機構により冷却された前記半導体レーザから放出された励起光を前記導光部により前記複数の波長変換部に導いて複数箇所から発光させることを特徴とする、照明冷却システム。
【請求項２】
前記冷却機構は貯蔵物を冷却するための冷蔵庫であることを特徴とする請求項１に記載の照明冷却システム。
【請求項３】
前記半導体レーザを内蔵するための容器をさらに備え、
前記容器は、前記冷蔵庫に着脱可能であり、前記冷蔵庫に設置された場合に、前記導光部の他端と接続される、請求項２に記載の照明冷却システム。
【請求項４】
前記容器は、前記半導体レーザから放出された励起光を前記導光部に導くためのレンズをさらに含むことを特徴とする、請求項３に記載の照明冷却システム。
【請求項５】
前記冷蔵庫には、前記導光部と接続するための光接続部をさらに備え、
前記容器は、前記半導体レーザから放出された励起光を前記導光部に導くための窓部をさらに含み、
前記光接続部は、前記窓部と対向し、前記窓部から透過される励起光を前記導光部に導くためのレンズを有することを特徴とする、請求項３に記載の照明冷却システム。
【請求項６】
前記半導体レーザの発光を制御するための制御手段と、
前記半導体レーザに電力を供給するための電源手段とをさらに備え、
前記冷蔵庫は、前記電源手段と電気的に接続され、前記容器を接続するための容器接続部を含む、請求項３〜５のいずれかに記載の照明冷却システム。
【請求項７】
前記容器接続部は、前記電源手段と電気的に接続された端子を含み、
前記容器は、
前記半導体レーザと電気的に接続された電気回路と、
前記端子を差込むための差込部とを有し、
前記端子が端子差込部に差し込まれた場合に、前記端子と前記電気回路とが電気的に接続されることを特徴とする、請求項３〜６のいずれかに記載の照明冷却システム。
【請求項８】
前記容器接続部は、前記容器を設置するための設置部を含み、
前記設置部は、前記電源手段と電気的に接続された第１電極を有し、
前記容器は、
前記半導体レーザと電気的に接続された電気回路と、
前記電気回路と電気的に接続され、かつ、前記容器が載置部に載置された場合に前記第１電極と接続するための第２電極とを有する、請求項３〜６のいずれかに記載の照明冷却システム。
【請求項９】
前記容器接続部は、前記冷蔵庫の冷蔵室内に設けられることを特徴とする、請求項６〜８のいずれかに記載の照明冷却システム。
【請求項１０】
前記容器接続部は、前記冷蔵庫の冷凍室内に設けられることを特徴とする、請求項６〜８のいずれかに記載の照明冷却システム。
【請求項１１】
前記容器接続部は、前記冷蔵庫のチルド室内に設けられることを特徴とする、請求項６〜８のいずれかに記載の照明冷却システム。
【請求項１２】
前記電源手段は、前記冷蔵庫の駆動系の電源を兼ねており、
前記電源手段は、交流電流を直流電流に変換するための変換手段を有する、請求項５〜１１のいずれかに記載の照明冷却システム。
【請求項１３】
前記容器内は、露点温度が−２５℃以下の乾燥空気が充填されていることを特徴とする、請求項３〜１２のいずれかに記載の照明冷却システム。
【請求項１４】
前記波長変換部および前記導光部は、それぞれ複数設けられ、
少なくとも１つの前記半導体レーザを用いて、複数の前記波長変換部に励起光を照射することを特徴とする、請求項１〜１３のいずれかに記載の照明冷却システム。
【請求項１５】
前記導光部を分離可能にするための一対のコネクタをさらに備え、
前記コネクタにより前記導光部が光学的に接続されていることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれかに記載の照明冷却システム。
【請求項１６】
前記導光部を巻き付けるためのコードリールをさらに備える、請求項１〜１４のいずれかに記載の照明冷却システム。
【請求項１７】
前記波長変換部が設置される箇所の近傍に、前記波長変換部の発光のオン／オフを指示するための照明スイッチをさらに備え、
前記照明スイッチは、無線により前記冷蔵庫内の前記半導体レーザの発光を指示することを特徴とする、請求項１〜１６のいずれかに記載の照明冷却システム。
【請求項１８】
照明冷却システムに用いられる冷蔵庫であって、
励起光源である半導体レーザを内蔵する容器を接続するための容器接続部と、
前記半導体レーザから放出された励起光を外部に導くための導光部と接続するための光接続部と、
前記半導体レーザの発光を制御するための制御手段と、
前記半導体レーザに電力を供給するための電源手段とを備え、
前記電源手段は、前記冷蔵庫の駆動系の電源を兼ねており、
前記電源手段は、交流電流を直流電流に変換するための変換手段を有し、
前記容器接続部は、前記電源手段と電気的に接続される、冷蔵庫。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月15日(2011.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
平板状の正極又は平板状の負極のいずれか一方は袋状セパレータに収納されており、
前記袋状セパレータの接合部の稜を越えた両面には前記セパレータの熱収縮応力よりも接着強度が大きく、
軟化点が前記セパレータよりも高い合成樹脂フィルムが貼着されており、
前記袋状セパレータに収納した前記正極又は前記負極を、
前記袋状セパレータに収納していない対極とを対向させて積層した電池要素の積層体をフィルム状外装材によって封口したことを特徴とする積層型二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月6日(2011.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に複数の接続パッドを有する半導体基板上に、前記接続パッドに対応する部分に開口部を有する樹脂からなる保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜の開口部を介して露出された前記接続パッドの上面に残存された前記保護膜の残渣をドライエッチング法により除去する残渣除去工程と、
前記保護膜の開口部を介して露出された前記接続パッドの上面に形成された酸化膜を前記残渣除去工程時とは異なるドライエッチング法により除去する酸化膜除去工程と、
前記保護膜の開口部を介して露出された前記接続パッドの上面および前記残渣除去工程および前記酸化膜除去工程に起因して前記保護膜の表面に形成された変質層の上面に銅を含む金属からなる配線を形成し、且つ、前記配線の接続パッド部上面に銅からなる柱状電極を形成する柱状電極形成工程と、
前記配線下以外の領域における前記変質層を除去する変質層除去工程と、
前記配線の表面および前記柱状電極の表面に酸化銅膜を形成する酸化銅膜形成工程と、
を有し、前記変質層除去工程は前記酸化銅膜形成工程よりも前の工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記変質層除去工程は、前記配線下以外の領域における前記保護膜の上面側の一部を含んで除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の発明において、前記酸化銅形成工程は、水酸化ナトリウムを含む第１の処理液と亜塩素酸ナトリウムを含む第２の処理液との混合液からなる処理液を用いて行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、前記第１の処理液は１０〜２０ｗｔ％程度の水酸化ナトリウムを含み、前記第２の処理液は１５〜２５ｗｔ％程度の亜塩素酸ナトリウムを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、上面に複数の接続パッドを有する半導体基板上に、前記接続パッドに対応する部分に開口部を有する樹脂からなる保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記保護膜の開口部を介して露出された前記接続パッドの上面に残存された前記保護膜の残渣をドライエッチング法により除去する残渣除去工程と、前記保護膜の開口部を介して露出された前記接続パッドの上面に形成された酸化膜を前記残渣除去工程時とは異なるドライエッチング法により除去する酸化膜除去工程と、前記保護膜の開口部を介して露出された前記接続パッドの上面および前記残渣除去工程および前記酸化膜除去工程に起因して前記保護膜の表面に形成された変質層の上面に銅を含む金属からなる配線を形成し、且つ、前記配線の接続パッド部上面に銅からなる柱状電極を形成する柱状電極形成工程と、前記配線下以外の領域における前記変質層を除去する変質層除去工程と、前記配線の表面および前記柱状電極の表面に酸化銅膜を形成する酸化銅膜形成工程と、を有し、前記変質層除去工程は前記酸化銅膜形成工程よりも前の工程であることを特徴とするものである。 
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記変質層除去工程は、前記配線下以外の領域における前記保護膜の上面側の一部を含んで除去することを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明において、前記酸化銅形成工程は、水酸化ナトリウムを含む第１の処理液と亜塩素酸ナトリウムを含む第２の処理液との混合液からなる処理液を用いて行うことを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記第１の処理液は１０〜２０ｗｔ％程度の水酸化ナトリウムを含み、前記第２の処理液は１５〜２５ｗｔ％程度の亜塩素酸ナトリウムを含むことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月23日(2011.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記電解液の量が、正極シート、負極シート及びセパレータが有する空孔体積の１．２５倍以上、１．６５倍以下であることを特徴とする請求項１記載のリチウムイオン二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月26日(2010.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超短光出力パルスを発生するモードロック偏波保持８の字型ファイバレーザであって、前記レーザが、
偏波保持光ファイバからなる双方向ループと、
偏波保持ファイバからなる単一方向ループと、
前記双方向ループか前記単一方向ループかのいずれかに沿って挿入される偏波保持増幅媒体の第一の部分とを含み、前記増幅媒体は、入射する光ポンプ信号に応答して、伝播する光信号の増幅されたものを発生し、さらに、
前記偏波保持ファイバの双方向と単一方向ループとの両方の間に配置され且つ結合された偏波保持方向性結合器を含み、前記伝播する光信号の保持された偏波状態は、安定かつ一定のモードロック状態を提供するものであり、さらに、
超短光出力パルスを発生させるのに十分な、前記伝播する信号間の位相差の蓄積を生成する、前記双方向ループに沿って配置された光損失要素を含むことを特徴とするファイバレーザ。
【請求項２】
前記偏波保持増幅媒体は偏波保持ファイバ増幅器からなることを特徴とする請求項１に記載のファイバレーザ。
【請求項３】
前記偏波保持ファイバ増幅器はエルビウムドープファイバ増幅器からなることを特徴とする請求項２に記載のファイバレーザ。
【請求項４】
前記偏波保持増幅媒体は半導体光増幅器からなることを特徴とする請求項１に記載のファイバレーザ。
【請求項５】
前記伝播する光信号に微小変動を導入し且つモードロックを開始させる外部の微小変動源をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のファイバレーザ。
【請求項６】
前記外部の微小変動源が、
前記伝播する光信号に変調の微小変動を導入する偏波保持変調要素と、
前記変調要素に入力変調信号を供給する、前記変調要素に結合された外部駆動源とを含むことを特徴とする請求項５に記載のファイバレーザ。
【請求項７】
前記光損失要素が、前記双方向ループと前記単一方向ループとの間に配置される非対称の方向性結合器を含むことを特徴とする請求項１に記載のファイバレーザ。
【請求項８】
前記光損失要素が、モードロック条件を生成するために十分な減衰量を提供するよう前記双方向ループに沿って挿入された光減衰器を含むことを特徴とする請求項１に記載のファイバレーザ。
【請求項９】
前記光損失要素が、前記ファイバレーザに沿って配置される前記偏波保持増幅媒体の第二の部分を含み、モードロックを生成し且つ超短光出力パルスを発生させるのに十分な位相差を生成するよう、前記偏波保持増幅媒体の第一および第二の部分の利得が調節されることを特徴とする請求項１に記載のファイバレーザ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月6日(2011.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＩＭＯＸウェーハの埋め込み酸化膜下のシリコン層に存在する結晶欠陥を低減する方法であって、
前記ウェーハの表面から前記シリコン層に注入したイオンを前記結晶欠陥に衝突させて該結晶欠陥を壊す第１の工程と、該第１の工程で得られた前記ウェーハを加熱して前記シリコン層を再結晶させる第２の工程とを含むことを特徴とするＳＩＭＯＸウェーハの結晶欠陥の低減方法。
【請求項２】
ＳＩＭＯＸウェーハの埋め込み酸化膜下のシリコン層に存在する結晶欠陥を低減する方法であって、
前記ウェーハの表面から前記埋め込み酸化膜よりも設定深さの前記シリコン層までイオンを注入する第１の工程と、該第１の工程で得られた前記ウェーハを加熱して前記イオンが注入された部位の結晶性を回復させる第２の工程とを含むことを特徴とするＳＩＭＯＸウェーハの結晶欠陥の低減方法。
【請求項３】
前記第１の工程は、前記シリコン層に注入するイオンを酸素イオンとするとき、前記ＳＩＭＯＸウェーハの温度が５０℃以下の状態から前記イオンの注入を開始し、イオンドーズ量を５×１０１５〜１．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ2、注入エネルギを１５０ｋｅＶ以上２２０ｋｅＶ以下とすることを特徴とする請求項１又は２に記載のＳＩＭＯＸウェーハの結晶欠陥の低減方法。
【請求項４】
前記第１の工程で前記シリコン層に注入するイオンは、元素周期表の水素からアルゴンまでの元素のうちいずれかのイオンであることを特徴とする請求項１又は２に記載のＳＩＭＯＸウェーハの結晶欠陥の低減方法。
【請求項５】
前記第２の工程は、前記ウェーハを１１５０℃以上１３５０℃以下の温度に加熱することを特徴とする請求項１又は２に記載のＳＩＭＯＸウェーハの結晶欠陥の低減方法。
【請求項６】
ＳＩＭＯＸウェーハの内部に形成される埋め込み酸化膜と該埋め込み酸化膜下のシリコン層との境界から２００ｎｍ深さの前記シリコン層の範囲における空孔型の積層欠陥の密度が１×１０７／ｃｍ２以下であるＳＩＭＯＸウェーハ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月9日(2011.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極と、これらの電極間に挟持された有機発光媒体層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機発光媒体層が、
（Ａ）一般式（Ｖ）
【化１】
2010062572.tif 000001
（式中、Ｘ3 はピレン残基であり、該ピレン残基は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基から選ばれる基で置換されていてもよく、Ａｒ5 及びＡｒ6 は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ピレニル基、コロニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、フラニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基から選ばれる１価の芳香族基を示し、ｐは１〜４の整数を示す。）
で表される炭素数１００以下のアリールアミン化合物から選ばれた少なくとも一種の化合物と、
（Ｂ）下記一般式（II）
Ａ3 −Ａｎ−Ａ4 ・・・(II)
（式中、Ａｎは置換もしくは無置換の２価のアントラセン残基を示し、Ａ3 及びＡ4 は、それぞれ独立に、炭素数６〜４０のアリール基であり、該アリール基は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、フェニル基、ナフチル基から選ばれる基で置換されていてもよく、Ａ3 及びＡ4 の少なくとも一方は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、フェニル基、ナフチル基から選ばれる基で置換されていてもよい１価の縮合芳香族環基又は炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、フェニル基、ナフチル基から選ばれる基で置換されていてもよい炭素数１０以上のアリール基を示し、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。）
で表されるアントラセン誘導体から選ばれた少なくとも一種の化合物とを含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
（Ａ）成分が、下記一般式（Ｖ−ａ) 
【化２】
2010062572.tif 000002
（式中、Ｘ3 は、ピレン残基であり、該ピレン残基は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基から選ばれる基で置換されていてもよく、Ａｒ15〜Ａｒ18は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数３〜６のシクロアルキル基を示し、ｇ、ｈ、ｉ及びｊは、それぞれ０〜５の整数を示し、ｎは０〜３の整数を示す。ｇ、ｈ、ｉ、ｊが２以上の場合、複数のＡｒ15〜Ａｒ18は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに結合して飽和もしくは不飽和の環を形成していてもよい。ただし、Ａｒ15〜Ａｒ18のうち少なくとも１つは炭素数３〜６の２級又は３級アルキル基である。）
で表されるアリールアミン化合物から選ばれた少なくとも一種である請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
（Ａ）成分が、下記一般式（Ｖ−ｂ) 
【化３】
2010062572.tif 000003
（式中、Ｘ3 は、ピレン残基であり、Ａｒ15〜Ａｒ18は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数３〜６のシクロアルキル基を示し、ｇ、ｈ、ｉ及びｊは、それぞれ０〜５の整数を示す。ｇ、ｈ、ｉ、ｊが２以上の場合、複数のＡｒ15〜Ａｒ18は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに結合して飽和もしくは不飽和の環を形成していてもよい。
Ｒ24及びＲ25は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基を示し、ｋ及びｍは、それぞれ０〜２の整数を示す。ただし、Ｒ24及びＲ25のうち少なくとも１つは炭素数３〜６の２級又は３級アルキル基である。）
で表されるアリールアミン化合物から選ばれた少なくとも一種である請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記有機発光媒体層が、（Ａ）成分と（Ｂ）成分とを、重量比１：９９〜２０：８０の割合で含む請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
一対の電極の少なくとも一方の表面に、カルコゲナイド層、ハロゲン化金属層又は金属酸化物層を配置する請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
一対の電極の少なくとも一方の表面に、還元性ドーパントと有機物の混合領域又は酸化性ドーパントと有機物の混合領域を配置することを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
前記有機発光媒体層が、厚さ１０〜４００ｎｍである請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
（Ａ）一般式（Ｖ）
【化４】
2010062572.tif 000004
（式中、Ｘ3 はピレン残基であり、該ピレン残基は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基から選ばれる基で置換されていてもよく、Ａｒ5 及びＡｒ6 は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ピレニル基、コロニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、フラニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基から選ばれる１価の芳香族基を示し、ｐは１〜４の整数を示す。）
で表される炭素数１００以下のアリールアミン化合物から選ばれた少なくとも一種の化合物と、
（Ｂ）下記一般式（II）
Ａ3 −Ａｎ−Ａ4 ・・・(II)
（式中、Ａｎは置換もしくは無置換の２価のアントラセン残基を示し、Ａ3 及びＡ4 は、それぞれ独立に、炭素数６〜４０のアリール基であり、該アリール基は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、フェニル基、ナフチル基から選ばれる基で置換されていてもよく、Ａ3 及びＡ4 の少なくとも一方は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、フェニル基、ナフチル基から選ばれる基で置換されていてもよい１価の縮合芳香族環基又は炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、フェニル基、ナフチル基から選ばれる基で置換されていてもよい炭素数１０以上のアリール基を示し、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。）
で表されるアントラセン誘導体から選ばれた少なくとも一種の化合物とを含む有機発光媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
例えば、４．０９６ＭｅｇＨｚで０．５ｍＳｅｃ、２＾１１＝２０４８回積分した場合、Ｃｉ＊Ｖｉの積分動作にだけ着目するならば、この積分器の伝達関数は、
Vsout= 2048 * (Ci/Co) * Vi * [1+Z^(-11)] [1+Z^(-10)] [1+Z^(-9)] 
* [1+Z^(-8)] [1+Z^(-7)][1+Z^(-6)] [1+Z^(-5)]
* [1+Z^(-4)] [1+Z^(-3)] [1+Z^(-2)] [1+Z^(-1)]
…（１）
つまり、２０４８＊（Ｃｉ／Ｃｏ）と高いＤＣゲイン（Ｇａｉｎ）が得られ、高周波の帯域制限においてはｆｃ＝１ｋＨｚのＬＰＦ相当の周波数特性が得られる。また、折り返し雑音もオペアンプのＡＣ特性により帯域制限される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
このチョッパー動作の伝達関数は、
Vnout= (2048^0.5) * (Ci/Co) *Vn * [1+Z^(-11)] [1+Z^(-10)] [1+Z^(-9)] 
* [1+Z^(-8)] [1+Z^(-7)][1+Z^(-6)] [1+Z^(-5)]
* [1-Z^(-4)] [1+Z^(-3)] [1+Z^(-2)] [1+Z^(-1)]
…（２）
Ｖｎｏｕｔ：増幅経路で積分動作とチョッパー動作した時に発生するノイズ
Ｖｎ：増幅経路で連続動作した時に発生するノイズ
となる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月8日(2011.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像信号を入力して映像を表示すると共にシャッタ開閉用の制御情報を出力する表示装置と、
前記表示装置に内蔵又は外付けされ、前記表示装置から出力された前記シャッタ開閉用の制御情報をＲＦ（radio frequency）信号として送信する送信器と、
前記送信器から送信された前記ＲＦ信号を受信し、該ＲＦ信号のシャッタ開閉用の制御情報に基づいて左右のシャッタを開閉するシャッタメガネとを備える
立体映像表示システム。
【請求項２】
前記表示装置は、
所定の周波数の基準クロックを発生する第１のクロック発生部と、
前記クロック発生部から前記基準クロックを入力し、かつ前記映像信号に係る垂直同期信号を入力して、該垂直同期信号を基準にして前記基準クロックにより数えてカウンタ値を求めるカウンタと、
前記シャッタメガネの開閉タイミングを記憶する記憶部とを備え、
前記カウンタは、前記映像信号に係る垂直同期信号、前記カウンタ値及び前記シャッタメガネの開閉タイミングを前記シャッタ開閉用の制御情報として前記送信器に出力する
請求項１に記載の立体映像表示システム。
【請求項３】
前記送信器は第１の無線部を備え、前記第１の無線部はＭＡＣ層と物理層の間に設置されて接続された第１の切り替え器を有し、
前記カウンタは、前記シャッタ開閉用の制御情報を前記第１の切り替え器に出力し、
前記第１の切り替え器は、前記カウンタから出力された前記シャッタ開閉用の制御情報を前記物理層に出力するように切り替える
請求項２に記載の立体映像表示システム。
【請求項４】
前記シャッタメガネは、
前記第１のクロック発生部が発生する基準クロックと同一周波数の基準クロックを発生する第２のクロック発生部と、
垂直同期信号を生成する垂直同期信号生成部と、
前記垂直同期信号生成部から出力された垂直同期信号と前記第２のクロック発生部から発生された基準クロックからカウンタ値を求めるオフセットカウンタと、
前記オフセットカウンタにより求めたカウンタ値と前記表示装置から送信されたカウンタ値とを比較して差分値を求める演算器と、
前記演算器により求めた差分値と第２のクロック発生部からの基準クロックから、前記垂直同期信号生成部により生成する垂直同期信号の位相を調整する位相調整部とを備える
請求項２または請求項３に記載の立体映像表示システム。
【請求項５】
前記シャッタメガネは、
光を透過又は遮断する左シャッタ及び右シャッタと、
前記左シャッタと右シャッタを開閉駆動制御するシャッタ駆動部とを備え、
前記シャッタ駆動部は、
前記垂直同期信号生成部により生成した垂直同期信号及び前記シャッタ開閉用の制御情報に基づいてシャッタ開閉タイミングを求め、該シャッタ開閉タイミングに基づいて前記シャッタメガネの左シャッタと右シャッタを開閉駆動制御する
請求項４に記載の立体映像表示システム。
【請求項６】
前記シャッタメガネは前記ＲＦ信号を受信する第２の無線部を備え、前記第２の無線部はＭＡＣ層と物理層の間に設置されて接続された第２の切り替え器を有し、
前記第２の切り替え器は、前記物理層から出力される前記シャッタ開閉用の制御情報を前記演算器に出力するように切り替える
請求項４または請求項５に記載の立体映像表示システム。
【請求項７】
前記シャッタメガネの第２の無線部は、
受信割り込み用のタイマを設定して該第２の無線部の電源をＯＦＦに設定して、前記シャッタ開閉用の制御情報を間欠的に受信する
請求項６に記載の立体映像表示システム。
【請求項８】
映像信号を入力して映像を表示すると共にシャッタ開閉用の制御情報を表示装置から出力するステップと、
出力された前記シャッタ開閉用の制御情報をＲＦ信号として送信するステップと、
送信された前記ＲＦ信号を受信し、該ＲＦ信号のシャッタ開閉用の制御情報に基づいてシャッタメガネの左右のシャッタを開閉するステップとを有する
立体映像表示方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月8日(2011.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板に周辺部よりも厚みが厚く、厚み滑り振動が励振する振動部を配置し、
前記圧電基板の長辺は水晶基板のＸ軸方向に沿い、
前記圧電基板の短辺は前記Ｘ軸方向に対して直交する方向に沿い、
前記圧電基板の短辺の長さをＺ、
前記振動部の厚みをｔ、
前記振動部の短辺の長さをＭｚ、
としたとき、
１５．６８≦Ｚ／ｔ≦１５．８４、
０．７７≦Ｍｚ／Ｚ≦０．８２
を満足することを特徴とする圧電振動片。
【請求項２】
導電性接着材を塗布することにより前記圧電基板を実装基板に実装する際に、前記振動部の中心から前記導電性接着剤の外周までの最短距離をＬとしたとき、
７＜Ｌ／ｔ＜２１
を満足することを特徴とする請求項１に記載の圧電振動片。
【請求項３】
前記圧電基板がＡＴカット水晶基板であることを特徴とする請求項１又は２に記載の圧電振動片。
【請求項４】
請求項１乃至３のうち何れか一項に記載の圧電振動片をパッケージに実装したことを特徴とする圧電振動子。
【請求項５】
請求項１乃至３のうち何れか一項に記載の圧電振動片と、
集積回路素子と、
をパッケージに実装したことを特徴とする発振器。
【請求項６】
請求項４に記載の圧電振動子と、
集積回路素子と、
を備えたことを特徴とする発振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】圧電振動片、圧電振動子及び発振器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、特に振動部の厚み寸法を周辺部よりも大きくした圧電振動片、圧電振動子及び発振器に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そこで本発明では、ＣＩ値の低減、不要モードを抑制して特に優位な効果を奏する構成を備えた圧電振動片、圧電振動子及び発振器を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、上記の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
上記課題を解決するために本発明の第１の形態に係る圧電振動片は、圧電基板に周辺部よりも厚みが厚く、厚み滑り振動が励振する振動部を配置し、前記圧電基板の長辺は水晶基板のＸ軸方向に沿い、前記圧電基板の短辺は前記Ｘ軸方向に対して直交する方向に沿い、前記圧電基板の短辺の長さをＺ、前記振動部の厚みをｔ、前記振動部の短辺の長さをＭｚ、としたとき、１５．６８≦Ｚ／ｔ≦１５．８４、０．７７≦Ｍｚ／Ｚ≦０．８２を満足することを特徴とする。
本発明の第２の形態に係る圧電振動片は、導電性接着材を塗布することにより前記圧電基板を実装基板に実装する際に、前記振動部の中心から前記導電性接着剤の外周までの最短距離をＬとしたとき、７＜Ｌ／ｔ＜２１を満足することを特徴とする。
本発明の第３の形態に係る圧電振動片は、前記圧電基板がＡＴカット水晶基板であることを特徴とする。
本発明の第４の形態に係る圧電振動子は、第１乃至３のうち何れかの形態に係る圧電振動片をパッケージに実装したことを特徴とする。
本発明の第５の形態に係る発振器は、第１乃至３のうち何れかの形態に係る圧電振動片と、集積回路素子と、をパッケージに実装したことを特徴とする。
本発明の第６の形態に係る発振器は、第４の形態に係る圧電振動子と、集積回路素子と、を備えたことを特徴とする。
［適用例１］本発明のＡＴカット水晶振動片は、厚み滑り振動を主振動とする圧電基板の板面に、周辺部よりも厚み寸法の大きい振動部を形成し、前記圧電基板および前記振動部の長辺を水晶結晶のＸ軸方向とし、前記圧電基板および前記振動部の短辺が前記Ｘ軸方向に対して直交する方向に沿ったメサ型の圧電振動片であって、前記圧電基板の短辺の寸法をＺとし、前記振動部における前記圧電基板の厚み寸法をｔとし、前記振動部における短辺の寸法をＭｚとした場合に、１５．６８≦Ｚ／ｔ≦１５．８４、かつ、０．７７≦Ｍｚ／Ｚ≦０．８２の関係を満足するように定められていることを特徴とするＡＴカット水晶振動片。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
以下、本発明の圧電振動片、圧電振動子及び発振器に係る実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施の形態は、本発明の一部の実施形態に過ぎない。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月31日(2011.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レンズ光学系と、可視光域から赤外にわたる広い感度領域を持ち前記レンズ光学系からの光を受光する撮像部と、前記撮像部に可視光画像を結像させるべき前記レンズ光学系の位置および前記撮像部に赤外光画像を結像させるべき前記レンズ光学系の位置を検出する焦点位置検出部と、前記焦点位置検出部の出力に基づいて前記レンズ光学系を駆動する制御部とを有することを特徴とする可視光画像が撮像可能なカメラ。
【請求項２】
レンズ光学系と、可視光域から赤外にわたる広い感度領域を持ち前記レンズ光学系からの光を受光する撮像部と、前記撮像部に可視光画像を結像させるべき前記レンズ光学系の位置および前記撮像部に赤外光画像を結像させるべき前記レンズ光学系の位置を検出する焦点位置検出部と、前記焦点位置検出部の出力に基づいて前記レンズ光学系を可視光像と赤外光像の焦点位置の差分だけ前記焦点検出位置から補正駆動する制御部と、前記制御部による補正駆動後に前記撮像部の出力に基づいて可視光画像を記録する記録部とを有することを特徴とする可視光画像が撮像可能なカメラ。
【請求項３】
レンズ光学系と、可視光域から赤外にわたる広い感度領域を持ち前記レンズ光学系からの光を受光する撮像部と、前記撮像部に可視光画像を結像させるべき前記レンズ光学系の位置および前記撮像部に赤外光画像を結像させるべき前記レンズ光学系の位置を検出する焦点位置検出部と、前記焦点検出部の出力に基づいて前記レンズ光学系を可視光像にピントが合い赤外光像のピントがずれる位置に駆動する制御部とを有することを特徴とする可視光画像が撮像可能なカメラ。
【請求項４】
前記撮像部は、規則的に配列された複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部から選ばれた第１のグループにそれぞれ設けられた緑透過カラーフィルタと、前記複数の光電変換部から選ばれた第２のグループにそれぞれ設けられた赤透過フィルタと、前記複数の光電変換部から選ばれた第３のグループにそれぞれ設けられた青透過フィルタと、前記複数の光電変換部から前記第２のグループよりも密度が小さくなるよう選ばれた第４のグループにそれぞれ設けられた赤外光透過フィルタとを有することを特徴とする撮像センサを有することを特徴とする請求項３記載のカメラ。
【請求項５】
前記撮像部は、可視光域において６０％以上の量子効率を有することを特長とする請求項１から４のいずれかに記載の可視光画像および赤外光画像が撮像可能なカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月3日(2011.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスを供給するガス供給部材であって、
環状に延びるガスの流路がその内部に設けられた一重の円環状の環状部と、
前記環状部の外径面から外径側に延び、前記環状部を支持する支持部とを含み、
前記環状部には、ガスを供給する複数の供給孔が設けられており、
前記環状部は、平板部を含む環状の第一の部材と、前記第一の部材との間に前記流路を形成する環状の第二の部材とを備え、
前記第一の部材と前記第二の部材とは、接合されている、ガス供給部材。
【請求項２】
前記第二の部材の断面は、略コ字状である、請求項１に記載のガス供給部材。
【請求項３】
ガスを供給する複数の前記供給孔は、断面が略コ字状の部材に設けられている、請求項１または２に記載のガス供給部材。
【請求項４】
前記第一の部材には、ガスを供給する複数の前記供給孔が設けられている、請求項１に記載のガス供給部材。
【請求項５】
複数の前記供給孔は、それぞれ周方向に等配に設けられている、請求項１〜４のいずれかに記載のガス供給部材。
【請求項６】
前記第一および第二の部材の材質は、石英である、請求項１〜５のいずれかに記載のガス供給部材。
【請求項７】
その内部で被処理基板にプラズマ処理を行う処理容器と、
前記処理容器内に配置され、その上に前記被処理基板を保持する保持台と、
前記処理容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記処理容器内にプラズマ処理用の反応ガスを供給するガス供給部材とを備えるプラズマ処理装置であって、
前記ガス供給部材は、環状に延びるガスの流路がその内部に設けられた一重の円環状の環状部と、
前記環状部の外径面から外径側に延び、前記環状部を支持する支持部とを含み、
前記環状部には、ガスを供給する複数の供給孔が設けられており、
前記環状部は、平板部を含む環状の第一の部材と、前記第一の部材との間に前記流路を形成する環状の第二の部材とを備え、
前記第一の部材と前記第二の部材とは、接合されている、プラズマ処理装置。
【請求項８】
前記プラズマ発生手段は、プラズマ励起用のマイクロ波を発生させるマイクロ波発生器と、前記保持台と対向する位置に設けられ、マイクロ波を前記処理容器内に導入する誘電体板とを含む、請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記第一および第二の部材は共に、断面略Ｌ字状である、請求項１に記載のガス供給部材。
【請求項１０】
環状に延びるガスの流路がその内部に設けられた円環状の環状部と、前記環状部の外径面から外径側に延び、前記環状部を支持する支持部とを含み、前記環状部にガスを供給する複数の供給孔が設けられているガス供給部材の製造方法であって、
平板部を含む環状の第一の部材と、前記第一の部材との間に前記流路を形成する環状の第二の部材とを接合して形成される、ガス供給部材の製造方法。
【請求項１１】
板厚の異なる２枚の平板状部材を準備し、
２枚の平板状部材を環状に切り出して第一および第二の部材を形成し、
板厚の厚い方となる第二の部材において、平板状部材の板厚方向の一方の面を削るようにして、その断面が略コ字状となるように加工し、
反応ガスの流路を形成するように、第一および第二の部材を接合する、請求項１０に記載のガス供給部材の製造方法。
【請求項１２】
前記第一および第二の部材の材質は、石英である、請求項１０または１１に記載のガス供給部材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ガス供給部材、プラズマ処理装置、およびガス供給部材の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月4日(2011.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明では更に必要に応じ、リン拡散用塗布液の基本物性を損なわない範囲で種々の添加剤を配合することができる。添加物としては、例えば粘性改良剤としてのポリビニルイミダゾール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルカプロラクタムなどのビニル系高分子化合物；ポリエチレンオキシドやポリプロピレンオキシド、ポリエチレンオキシド−ポリプロピレンオキシドの交互またはブロック共重合体などのポリアルキレンオキシド化合物；ポリヒドロキシメチルアクリレート、ポリヒドロキシエチルアクリレート、ポリヒドロキシプロピルアクリレートまたはこれらに相当するメタクリレートなどのポリヒドロキシアルキルアクリレートまたはメタクリレート類；メチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロースなどのセルロース系高分子化合物；各種ｐＨ調整剤；防腐剤；難燃化剤；ウェーハへの拡散濃度調整を目的としてｐ型領域を形成しうる化合物、例えば無水ホウ酸、ホウ酸、ホウ酸ニ水素アンモニウム、ホウ酸水素二アンモニウム、ホウ酸メラミン、アッシドホスホオキシエチルメタクリレートおよびそのアミン塩などのリン化合物又はホウ素化合物などを配合することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月31日(2011.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１００）面を主面とする単結晶シリコン基板上に、凸部コーナーを有する部分を含む目標形状に対応する基本エッチングマスクと、第１の部分と第２の部分と開口部とを有する補正エッチングマスクと、を形成する第１の工程と、
前記基本エッチングマスクと前記補正エッチングマスクを有する前記単結晶シリコン基板を異方性エッチングし前記目標形状を形成する第２の工程と、を含む構造体の作製方法であって、
前記第１の工程において、
前記第１の部分は＜１１０＞方向に伸び、
前記第１の部分は両方の端部が前記基本エッチングマスクに連結され、
前記第１の部分は少なくとも１つの端部が前記基本エッチングマスクの凸部コーナーに連結され、
前記第２の部分は、前記第１の部分の＜１１０＞方向に伸びる辺において前記第１の部分に接合し、
前記第２の部分は少なくとも１つの凸部コーナーを有し、
前記開口部は、前記第１の部分と前記第２の部分とが接合する境界を跨いで伸びていることを特徴とする構造体の作製方法。
【請求項２】
前記第２の工程は、前記補正エッチングマスクを形成した部分の単結晶シリコン基板を除去する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の構造体の作製方法。
【請求項３】
前記第１の工程において、前記基本エッチングマスクと補正エッチングマスクは、前記単結晶シリコン基板の両面に形成され、
前記第２の工程において、異方性エッチング溶液により、前記（１００）面を主面とする単結晶シリコン基板を貫通エッチングし凸部コーナーを有する目標形状を作製することを特徴とする請求項１または２に記載の構造体の作製方法。
【請求項４】
前記第１の工程において、
前記単結晶シリコン基板は厚さtで、
前記第１の部分は、前記基本エッチングマスクの凸部コーナーと接する第１の長辺と、前記第１の長辺と略平行な第２の長辺と、を有し、
前記第１の長辺と前記第２の長辺との距離はt/1.41以上で、
前記第２の部分は、前記第２の長辺或いは前記第１の長辺から＜１１０＞方向に伸び、
前記開口部は前記第１の長辺或いは前記第２の長辺からの距離がt/1.41以下であることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の構造体の作製方法。
【請求項５】
前記第１の工程において、
前記開口部は、前記第１の部分と前記第２の部分とで囲まれる様に形成されることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の構造体の作製方法。
【請求項６】
前記第１の工程において、
前記シリコン基板の裏面の前記補正エッチングマスクは、前記シリコン基板の表面の前記補正エッチングマスクを前記シリコン基板の裏面へ射影した形状で形成されることを特徴とする請求項３から５の何れか１項に記載の構造体の作製方法。
【請求項７】
（１００）面を主面とする単結晶シリコン基板上に、凸部コーナーを有する部分を含む目標形状に対応する基本エッチングマスクと、補正エッチングマスクと、を有し、
前記補正エッチングマスクは第１の部分と第２の部分と開口部とを有し、
前記第１の部分は＜１１０＞方向に伸び、
前記第１の部分は両方の端部が前記基本エッチングマスクに連結され、
前記第１の部分は少なくとも１つの端部が前記基本エッチングマスクの凸部コーナーに連結され、
前記第２の部分は、前記第１の部分の＜１１０＞方向に伸びる辺において前記第１の部分に接合し、
前記第２の部分は少なくとも１つの凸部コーナーを有し、
前記開口部は、前記第１の部分と前記第２の部分とが接合する境界を跨いで伸びていることを特徴とするエッチングマスク付きシリコン基板。
【請求項８】
前記単結晶シリコン基板は厚さtで、
前記第１の部分は、前記基本エッチングマスクの凸部コーナーと接する第１の長辺と、前記第１の長辺と略平行な第２の長辺と、を有し、
前記第１の長辺と前記第２の長辺との距離はt/1.41以上で、
前記第２の部分は、前記第２の長辺或いは前記第１の長辺から＜１１０＞方向に伸び、
前記開口部は前記第１の長辺或いは前記第２の長辺からの距離がt/1.41以下であることを特徴とする請求項７に記載のエッチングマスク付きシリコン基板。
【請求項９】
支持体と、前記支持体に対して可動に支持された可動部と、前記支持体に対して前記可動部をねじり軸回りに揺動可能に弾性的に連結する弾性支持部と、前記可動部を駆動する駆動手段と、を有する揺動体装置であって、
請求項１から６のいずれか１項に記載の構造体の作製方法により前記可動部と前記弾性支持部が作製されたことを特徴とする揺動体装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の揺動体装置と、前記可動部に設けられた光偏向素子と、を有する光偏向器を有し、
前記光偏向器は、光源からの光ビームを反射・偏向し、該光ビームの少なくとも一部を光照射対象物に入射させることを特徴とする光学機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月22日(2011.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース部と蓋部とを接合することにより形成されたパッケージの内部に、励振電極を備えた圧電振動片を有し、
前記圧電振動片を前記パッケージの内部において支持する支持部材を備え、
前記支持部材は、前記圧電振動片の固定端の側であって、前記ベース部と前記圧電振動片との間と、前記蓋部と前記圧電振動片との間とに配置され、
前記圧電振動片が、前記支持部材を介して、前記ベース部と前記蓋部との互いに対向する面により挟持されて、支持されている圧電デバイスであって、
前記圧電振動片は、前記励振電極と接続された引き出し電極が形成され、
前記引き出し電極は、ワイヤを介して前記パッケージの内面に形成された電極に接続されていることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電デバイスであって、
前記ベース部はＩＣであり、
前記ＩＣに形成された回路と、前記圧電振動片とが電気的に接続されていることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載の圧電デバイスであって、
前記ＩＣは、前記パッケージの外側に能動面を向けた状態で前記蓋部と接合され、
前記ＩＣを貫通し、前記能動面に形成された回路とその非能動面とを接続可能な貫通電極が、前記ＩＣに形成され、
前記ＩＣの前記非能動面に露出した前記貫通電極が、前記圧電振動片と電気的に接続されていることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の圧電デバイスであって、
前記支持部材は、弾性部材から形成されることを特徴とする圧電デバイス。