【手続補正書】
【提出日】平成20年11月12日(2008.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の微小造形物内にシリコン含有物質を堆積する方法であって：
前記微小造形物を有する前記基板を処理システムの処理チャンバー内に設置する設置工程；
ＨＣＤ、ＤＣＳ、ＳｉＣｌ４及びＳｉＨＣｌ３、又はこれらの組み合わせから成るグループの内の少なくとも１つであるシリコン含有処理ガスに、前記微小造形物を晒す暴露工程；及び
前記処理チャンバー内の処理ガスの割合として、前記シリコン含有処理ガスの割合を低下させ、且つ、より高い堆積速度の、前記微小造形物を晒す第２の処理ガスの割合を増大させながら、前記シリコン含有ガスから得られる前記シリコン含有物質を前記微小造形物内に堆積する堆積工程；
を有する方法。
【請求項２】
前記暴露工程は更に、前記シリコン含有処理ガスを約５ｓｃｃｍと約１０００ｓｃｃｍとの間の流量で流すことを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記暴露工程は更に、前記シリコン含有処理ガスを約８０ｓｃｃｍの流量で流すことを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記暴露工程は更に、水素含有ガスに前記微小造形物を晒すことを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記暴露工程は更に、Ｈ２、ＧｅＨ４、Ｂ２Ｈ６、ＰＨ３及びＳｉＨ４の少なくとも１つ又はこれらの任意の組み合わせを有する水素含有ガスに、前記微小造形物を晒すことを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記シリコン含有ガスと前記水素含有ガスとの比は約２：１と約１：２との間である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記暴露工程は更に、水素含有ガスを約５ｓｃｃｍと約５０００ｓｃｃｍとの間の流量で流すことを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
基板上の微小造形物内にシリコン含有物質を堆積する方法であって：
前記微小造形物を有する前記基板を処理システムの処理チャンバー内に設置する設置工程；
ＨＣＤ、ＤＣＳ、ＳｉＣｌ４及びＳｉＨＣｌ３、又はこれらの組み合わせから成るグループの内の少なくとも１つであるシリコン含有処理ガスに、前記微小造形物を晒す暴露工程；及び
前記シリコン含有ガスから得られる前記シリコン含有物質を前記微小造形物内に堆積する堆積工程；
を有し、
前記暴露工程は更に、第２のシリコン含有ガスに前記微小造形物を晒すことを有する、方法。
【請求項９】
前記暴露工程は更に、前記第２のシリコン含有ガスを約５ｓｃｃｍと約１０００ｓｃｃｍとの間の流量で流すことを有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
基板上の微小造形物内にシリコン含有物質を堆積する方法であって：
前記微小造形物を有する前記基板を処理システムの処理チャンバー内に設置する設置工程；
ＨＣＤ、ＤＣＳ、ＳｉＣｌ４及びＳｉＨＣｌ３、又はこれらの組み合わせから成るグループの内の少なくとも１つであるシリコン含有処理ガスに、前記微小造形物を晒す暴露工程；及び
前記シリコン含有ガスから得られる前記シリコン含有物質を前記微小造形物内に堆積する堆積工程；
を有し、
前記暴露工程は更に、ＨＣＤ、（ＳｉＨ４＋ＨＣｌ）、ＤＣＳ、ＳｉＣｌ４、（ＨＣＤ＋ＳｉＨ４）、及びＳｉＨＣｌ３の何れか２つに、前記微小造形物を晒すことを有する、方法。
【請求項１１】
基板上の微小造形物内にシリコン含有物質を堆積する方法であって：
前記微小造形物を有する前記基板を処理システムの処理チャンバー内に設置する設置工程；
ＨＣＤ、ＤＣＳ、ＳｉＣｌ４及びＳｉＨＣｌ３、又はこれらの組み合わせから成るグループの内の少なくとも１つであるシリコン含有処理ガスに、前記微小造形物を晒す暴露工程；及び
前記シリコン含有ガスから得られる前記シリコン含有物質を前記微小造形物内に堆積する堆積工程；
を有し、
前記暴露工程は更に、水素含有ガス及び第２のシリコン含有ガスに前記微小造形物を晒すことを有する、方法。
【請求項１２】
基板上の微小造形物内にシリコン含有物質を堆積する方法であって：
前記微小造形物を有する前記基板を処理システムの処理チャンバー内に設置する設置工程；
ＨＣＤ、ＤＣＳ、ＳｉＣｌ４及びＳｉＨＣｌ３、又はこれらの組み合わせから成るグループの内の少なくとも１つであるシリコン含有処理ガスに、前記微小造形物を晒す暴露工程；及び
前記シリコン含有ガスから得られる前記シリコン含有物質を前記微小造形物内に堆積する堆積工程；
を有し、
前記暴露工程は更に、シリコン含有処理ガスと、リン含有ガス、ボロン含有ガス及びゲルマニウム含有ガスの少なくとも１つとに前記微小造形物を晒すことを有する、方法。
【請求項１３】
前記暴露工程は更に、水素含有ガス及びゲルマニウム含有ガスに前記微小造形物を晒すことを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
基板上の微小造形物内にシリコン含有物質を堆積する方法であって：
前記微小造形物を有する前記基板を処理システムの処理チャンバー内に設置する設置工程；
ＨＣＤ、ＤＣＳ、ＳｉＣｌ４及びＳｉＨＣｌ３、又はこれらの組み合わせから成るグループの内の少なくとも１つであるシリコン含有処理ガスに、前記微小造形物を晒す暴露工程；及び
前記シリコン含有ガスから得られる前記シリコン含有物質を前記微小造形物内に堆積する堆積工程；
を有し、
前記暴露工程は更に、Ｈ２及びＧｅＨ４に前記微小造形物を晒すことを有する、方法。
【請求項１５】
基板上の微小造形物内にシリコン含有物質を堆積する方法であって：
前記微小造形物を有する前記基板を処理システムの処理チャンバー内に設置する設置工程；
ＨＣＤ、ＤＣＳ、ＳｉＣｌ４及びＳｉＨＣｌ３、又はこれらの組み合わせから成るグループの内の少なくとも１つであるシリコン含有処理ガスに、前記微小造形物を晒す暴露工程；及び
前記シリコン含有ガスから得られる前記シリコン含有物質を前記微小造形物内に堆積する堆積工程；
を有し、
前記暴露工程は更に、前記シリコン含有処理ガスを用いた第１の処理と、その後、前記微小造形物が実質的に充填される前に、該処理ガスを別のシリコン含有ガスに変更することとを有する、方法。
【請求項１６】
前記暴露工程は更に、前記シリコン含有処理ガスを用いた第１の処理と、その後、前記微小造形物が実質的に充填される前に、該処理ガスをＨＣＤ及び別のシリコン含有ガスに変更することとを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記暴露工程は更に、前記シリコン含有処理ガスを用いた第１の処理と、その後、前記微小造形物が実質的に充填された時点付近で、該処理ガスを別のシリコン含有ガスに変更することとを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記暴露工程は更に、前記シリコン含有処理ガスを用いた第１の処理と、その後、前記微小造形物が実質的に充填された時点付近で、該処理ガスをＨＣＤ及び別のシリコン含有ガスに変更することとを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記暴露工程は更に、前記シリコン含有処理ガスを用いた第１の処理と、その後、該シリコン含有処理ガスの割合を徐々に変化させ且つ別のシリコン含有ガスに徐々に置き換えることとを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
処理チャンバー圧力を約０．１Ｔｏｒｒと１Ｔｏｒｒとの間にする工程、を更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
処理チャンバー圧力を約０．２Ｔｏｒｒにする工程、を更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
プロセッサ上で実行されるプログラム命令を格納するコンピュータ可読媒体であって、前記プログラム命令は、前記プロセッサによって実行されるとき、処理装置に請求項１に記載の方法の工程群を実行させる、コンピュータ可読媒体。
【請求項２３】
微小造形物内にシリコン含有膜を堆積する処理ツールであって：
処理システム；
微小造形物を有する基板を前記処理システムの処理チャンバー内に設置するように構成された搬送系；
前記処理システム内で、ＨＣＤ、ＤＣＳ、ＳｉＣｌ４及びＳｉＨＣｌ３から成るグループから選択されたシリコン含有処理ガスに、前記微小造形物を晒すように構成されたガス注入系であり、前記処理チャンバー内の処理ガスの割合として、前記シリコン含有処理ガスの割合を低下させながら、前記シリコン含有処理ガスより高い堆積速度を有する、前記微小造形物を晒す第２の処理ガスの割合を増大させるように更に構成されたガス注入系；及び
当該処理ツールを制御するように構成された制御器；
を有する処理ツール。
【請求項２４】
前記処理システムはバッチ式処理システム又は枚葉式処理システムを有する、請求項２３に記載の処理ツール。
【請求項２５】
前記処理システムは、処理チューブを含むバッチ式処理システムを有する、請求項２３に記載の処理ツール。
【請求項２６】
微小造形物内にシリコン含有膜を堆積する処理ツールであって：
処理システム；
微小造形物を有する基板を前記処理システムの処理チャンバー内に設置するように構成された搬送系；
前記処理システム内で、ＨＣＤ、ＤＣＳ、ＳｉＣｌ４及びＳｉＨＣｌ３から成るグループから選択されたシリコン含有処理ガスに、前記微小造形物を晒すように構成されたガス注入系；及び
当該処理ツールを制御するように構成された制御器；
を有し、
前記処理システムは熱処理システム、プラズマ処理システム、又は原子層堆積システムを有する、処理ツール。
【請求項２７】
処理監視系を更に有する請求項２３に記載の処理ツール。
【請求項２８】
前記ガス注入系は、前記シリコン含有処理ガスと、水素含有ガス及びゲルマニウム含有ガスの少なくとも一方とに、前記微小造形物を晒すように構成されている、請求項２３に記載の処理ツール。
【請求項２９】
基板上の微小造形物内にシリコン含有物質を堆積する方法であって：
前記微小造形物を有する前記基板を処理システムの処理チャンバー内に設置する設置工程；
前記微小造形物を実質的に充填するのに十分なだけ、ＨＣＤ、ＤＣＳ、ＳｉＣｌ４及びＳｉＨＣｌ３、又はこれらの組み合わせから成るグループの内の少なくとも１つであるシリコン含有処理ガスに、前記微小造形物を晒す暴露工程であり、前記処理チャンバー内の処理ガスの割合として、前記シリコン含有処理ガスの割合を低下させ、且つ、より高い堆積速度の、前記微小造形物を晒す第２の処理ガスの割合を増大させながら行う暴露工程；及び
前記シリコン含有ガスから得られるシリコン含有物質を前記微小造形物内に堆積する堆積工程；
を有する方法。
【請求項３０】
前記シリコン含有ガスの前記割合は徐々に低下させられる、請求項１に記載の方法。
【請求項３１】
前記シリコン含有ガスの前記割合は緩やかな曲線に沿って低下させられる、請求項１に記載の方法。
【請求項３２】
前記暴露工程は更に、水素含有ガスに前記微小造形物を晒すことを有する、請求項８に記載の方法。
【請求項３３】
前記暴露工程は更に、Ｈ２、ＧｅＨ４、Ｂ２Ｈ６、ＰＨ３及びＳｉＨ４の少なくとも１つ又はこれらの任意の組み合わせを有する水素含有ガスに、前記微小造形物を晒すことを有する、請求項８に記載の方法。
【請求項３４】
前記暴露工程は更に、水素含有ガスに前記基板を晒すことを有する、請求項１２に記載の方法。