【手続補正書】
【提出日】平成23年11月8日(2011.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置が形成される半導体装置形成領域を有しており、半導体チップを配置するための貫通部と、複数の貫通孔を有するシート状の絶縁基材の上面に、前記貫通部の上端及び前記複数の貫通孔の上端を覆う金属部材を形成する金属部材形成工程と、
前記金属部材から、前記貫通孔の上端を覆う配線パターンと、前記貫通部の上端を覆うと共に、前記配線パターンとは電気的に絶縁された金属母材を形成する配線パターン及び金属母材形成工程と、
前記金属母材と接触した状態で前記貫通部に挿入される突出部を有しており、前記突出部の前記金属母材と接触する部分に凹部又は凸部を有する上部金型と、前記絶縁基材の下面に配置され、絶縁基材と接触する面が平坦な下部金型とを用いたプレス加工によって、前記金属母材を曲げ、かつ、前記突出部に設けられた前記凹部又は前記凸部に対応する形状を前記金属母材に付与し、前記貫通部の下端に対応する部分に前記半導体チップが搭載されるチップ搭載面を有する放熱支持部材を形成する放熱支持部材形成工程と、
前記貫通孔に前記配線パターンと接続される貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記チップ搭載面に、接着材を介して、前記半導体チップを接着するチップ接着工程を有しており、
前記接着材の厚さは、前記凹部又は前記凸部により前記放熱支持部材に形成される凹部の深さの値よりも厚いことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体装置が形成される半導体装置形成領域を有しており、半導体チップを配置するための貫通部と、複数の貫通孔を有するシート状の絶縁基材の上面に、前記貫通部の上端及び前記複数の貫通孔の上端を覆う金属部材を形成する金属部材形成工程と、
前記金属部材から、前記貫通孔の上端を覆う配線パターンと、前記貫通部の上端を覆うと共に、前記配線パターンとは電気的に絶縁された金属母材を形成する配線パターン及び金属母材形成工程と、
前記金属母材と接触した状態で前記貫通部に挿入され、前記金属母材の上面と接触する面が平坦な面とされた突出部を有する上部金型と、前記絶縁基材の下面に配置され、前記貫通部と対向する部分に凸部を有する下部金型とを用いたプレス加工によって、前記金属母材を曲げ、かつ、前記下部金型に設けられた前記凸部に対応する形状を前記金属母材に付与し、前記貫通部の下端に対応する部分に前記半導体チップが搭載されるチップ搭載面を有する放熱支持部材を形成する放熱支持部材形成工程と、
前記貫通孔に前記配線パターンと接続される貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体装置が形成される半導体装置形成領域を有しており、半導体チップを配置するための貫通部と、複数の貫通孔を有するシート状の絶縁基材の上面に、前記貫通部の上端及び前記複数の貫通孔の上端を覆う金属部材を形成する金属部材形成工程と、
前記金属部材から、前記貫通孔の上端を覆う配線パターンと、前記貫通部の上端を覆うと共に、前記配線パターンとは電気的に絶縁された金属母材を形成する配線パターン及び金属母材形成工程と、
前記金属母材と接触した状態で前記貫通部に挿入され、前記金属母材の上面と接触する面が平坦な面とされた突出部を有する上部金型と、前記絶縁基材の下面に配置され、前記貫通部と対向する部分に前記突出部の幅よりも小さい幅とされた貫通部を有する下部金型とを用いたプレス加工によって、前記金属母材を曲げ、かつ、前記下部金型に設けられた前記貫通部に対応する形状を前記金属母材に付与し、前記絶縁基板の貫通部の下端に対応する部分に前記半導体チップが搭載されるチップ搭載面を有する放熱支持部材を形成する放熱支持部材形成工程と、
前記貫通孔に前記配線パターンと接続される貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記金属部材形成工程では、前記絶縁基材の上面に、前記貫通部の上端及び前記複数の貫通孔の上端を覆う金属箔を貼り付けた後、前記金属箔の上面に、Ｎｉ層と、Ａｕ層とを順次積層させることを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体装置形成領域に形成された半導体装置を個片化する切断工程を有しており、
前記貫通電極形成工程と前記切断工程との間に、前記絶縁基材の下面側に位置する前記貫通電極の端部に、外部接続端子を形成する外部接続端子形成工程を設けたことを特徴とする請求項１ないし５のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明の一観点によれば、半導体装置が形成される半導体装置形成領域を有しており、半導体チップを配置するための貫通部と、複数の貫通孔を有するシート状の絶縁基材の上面に、前記貫通部の上端及び前記複数の貫通孔の上端を覆う金属部材を形成する金属部材形成工程と、前記金属部材から、前記貫通孔の上端を覆う配線パターンと、前記貫通部の上端を覆うと共に、前記配線パターンとは電気的に絶縁された金属母材を形成する配線パターン及び金属母材形成工程と、前記金属母材と接触した状態で前記貫通部に挿入される突出部を有しており、前記突出部の前記金属母材と接触する部分に凹部又は凸部を有する上部金型と、前記絶縁基材の下面に配置され、絶縁基材と接触する面が平坦な下部金型とを用いたプレス加工によって、前記金属母材を曲げ、かつ、前記突出部に設けられた前記凹部又は前記凸部に対応する形状を前記金属母材に付与し、前記貫通部の下端に対応する部分に前記半導体チップが搭載されるチップ搭載面を有する放熱支持部材を形成する放熱支持部材形成工程と、前記貫通孔に前記配線パターンと接続される貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、を備えた半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本発明の他の観点によれば、半導体装置が形成される半導体装置形成領域を有しており、半導体チップを配置するための貫通部と、複数の貫通孔を有するシート状の絶縁基材の上面に、前記貫通部の上端及び前記複数の貫通孔の上端を覆う金属部材を形成する金属部材形成工程と、前記金属部材から、前記貫通孔の上端を覆う配線パターンと、前記貫通部の上端を覆うと共に、前記配線パターンとは電気的に絶縁された金属母材を形成する配線パターン及び金属母材形成工程と、前記金属母材と接触した状態で前記貫通部に挿入され、前記金属母材の上面と接触する面が平坦な面とされた突出部を有する上部金型と、前記絶縁基材の下面に配置され、前記貫通部と対向する部分に凸部を有する下部金型とを用いたプレス加工によって、前記金属母材を曲げ、かつ、前記下部金型に設けられた前記凸部に対応する形状を前記金属母材に付与し、前記貫通部の下端に対応する部分に前記半導体チップが搭載されるチップ搭載面を有する放熱支持部材を形成する放熱支持部材形成工程と、前記貫通孔に前記配線パターンと接続される貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
を備えた半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
本発明のその他の観点によれば、半導体装置が形成される半導体装置形成領域を有しており、半導体チップを配置するための貫通部と、複数の貫通孔を有するシート状の絶縁基材の上面に、前記貫通部の上端及び前記複数の貫通孔の上端を覆う金属部材を形成する金属部材形成工程と、前記金属部材から、前記貫通孔の上端を覆う配線パターンと、前記貫通部の上端を覆うと共に、前記配線パターンとは電気的に絶縁された金属母材を形成する配線パターン及び金属母材形成工程と、前記金属母材と接触した状態で前記貫通部に挿入され、前記金属母材の上面と接触する面が平坦な面とされた突出部を有する上部金型と、前記絶縁基材の下面に配置され、前記貫通部と対向する部分に前記突出部の幅よりも小さい幅とされた貫通部を有する下部金型とを用いたプレス加工によって、前記金属母材を曲げ、かつ、前記下部金型に設けられた前記貫通部に対応する形状を前記金属母材に付与し、前記絶縁基板の貫通部の下端に対応する部分に前記半導体チップが搭載されるチップ搭載面を有する放熱支持部材を形成する放熱支持部材形成工程と、前記貫通孔に前記配線パターンと接続される貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、を備えた半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
本発明によれば、金属母材と接触した状態で貫通部に挿入され、金属母材の上面と接触する面が平坦な面とされた突出部を有する上部金型と、絶縁基材の下面に配置されると共に、貫通部と対向する部分に突出部の幅よりも小さい幅とされた貫通部を有する下部金型との間に、配線パターン及び金属母材が形成された絶縁基材を配置した後、突出部と下部金型との間に金属母材が挟み込まれるまで上部金型を押圧することで放熱支持部材を形成することにより、突出部と下部金型との間に形成される金属母材の一部（放熱支持部材の一部）を押し潰して、引き伸ばすことで、放熱支持部材を形成する際に発生するストレス（応力）を低減することが可能となる。これにより、複数の半導体装置形成領域を有した絶縁基材にうねりが発生することがなくなるため、半導体装置の生産性を向上できると共に、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
貫通電極２７は、貫通孔３４に設けられている。貫通電極２７の上端は、配線パターン２９（具体的には、後述するパッド部４７）と接続されている。貫通電極２７の下端には、外部接続端子１９が設けられている。貫通電極２７は、配線パターン２９と外部接続端子１９とを電気的に接続している。貫通電極２７の材料としては、例えば、Ｃｕ、Ａｇ等を用いることができる。