【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年4月28日(2011.4.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動機能と、制御機能と、変換機能とを有する複数の制御部材が組み込まれている電子回路が、一体的に集積されたガス検知装置を備えているスマートセンサーであって、
上記スマートセンサーは、タングステンの層を塗布して、
（i）上記電子回路における制御部材同士の間の接続および内部接触部としての金属層、および、
（ii）前記ガス検知装置のヒーター（６）
を同時に形成する製造工程を含むＣＭＯＳ、Ｂｉ−ＣＭＯＳまたはＳＯＩ技術を用いて製造されたものであるスマートセンサー。
【請求項２】
半導体基板（２）を備え、
上記ガス検知装置が、少なくとも１領域の検知領域および検知手段を有すると共に、
上記少なくとも１領域の検知領域は、ガス感受性層（９）とガスとの反応を促進するためにヒーター（６）によって加熱されるガス感受性層（９）によって構成されるものであり、
上記検知手段は、ガスと前記ガス感受性層（９）との反応を提示する電気出力を提供するように構成されている請求項１に記載のスマートセンサー。
【請求項３】
前記半導体基板（２）の片側に、絶縁層（３）を備えている請求項２に記載のスマートセンサー。
【請求項４】
絶縁層（３）の上に、受動層（４）を備え、
上記受動層（４）は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、ガラス又は有機物を含み、少なくとも金属膜表面を含むパッドを除いたスマートセンサーを覆っている請求項３に記載のスマートセンサー。
【請求項５】
前記受動層（４）の上に、ガス感受性層（９）膜が形成されていることを特徴とする請求項４に記載のスマートセンサー。
【請求項６】
前記絶縁層（３）内に前記ヒーター（６）が埋め込まれていることを特徴とする請求項３、４、５のうちのいずれか１項に記載のスマートセンサー。
【請求項７】
前記絶縁層（３）が酸化ケイ素からなる層であることを特徴とする請求項３〜６のうちのいずれか１項に記載のスマートセンサー。
【請求項８】
導電性高分子層が、前記ガス感受性層（９）として設けられていることを特徴とする請求項４に記載のスマートセンサー。
【請求項９】
前記ヒーター（６）は、蛇行形状を有するタングステンヒーターであることを特徴とする請求項１〜８のうちのいずれか１項に記載のスマートセンサー。
【請求項１０】
前記ヒーター（６）は、２層以上の加熱層（２０、２１；２３、２４；２５、２６；２７、２８；３３、３４、３５；３８）を備えていることを特徴とする請求項１〜９のうちのいずれか１項に記載のスマートセンサー。
【請求項１１】
前記２層以上の加熱層（２５、２６；３３、３４、３５）は、複数の加熱層の平面において、互いが、側方に間隔をあけて設けられている請求項１０に記載のスマートセンサー。
【請求項１２】
前記２層以上の加熱層（２３、２４；２３’、２４’）は、互いが交錯するように配設されていることを特徴とする請求項１０に記載のスマートセンサー。
【請求項１３】
前記ヒーター（６）は、前記ガス感受性層（９）の方向へ熱を拡散させるタングステン拡散板（２２；２９；３１）を組み合わせた構成であることを特徴とする請求項２〜１２のうちのいずれか１項に記載のスマートセンサー。
【請求項１４】
半導体基板（２）を備え、
上記ガス検知装置が、少なくとも１領域の検知領域および検知手段を有すると共に、
上記少なくとも１領域の検知領域は、ガス感受性層（９）とガスとの反応を促進するためにヒーター（６）によって加熱されるガス感受性層（９）によって構成されるものであり、
上記検知手段は、ガスと前記ガス感受性層（９）との反応を提示する電気出力を提供するように構成されており、
前記検知手段には、前記ガス感受性層（９）近傍に、側方に間隔をあけて設けられた複数の電極（８）が組み込まれていることを特徴とする請求項２〜１３のうちのいずれか１項に記載のスマートセンサー。
【請求項１５】
前記電極（８）が、タングステン電極であることを特徴とする請求項１４に記載のスマートセンサー。
【請求項１６】
前記ガス感受性層（３６）は、前記電極（８）と電極（８）との間に配設されていることを特徴とする請求項１４又は１５に記載のスマートセンサー。
【請求項１７】
前記電極には、互いに垂直方向に間隔をあけて設けられた２つ以上の電極（３７；３８）を有していることを特徴とする請求項１４〜１６のうちのいずれか１項に記載のスマートセンサー。
【請求項１８】
前記ガス感受性層（３９）は、膜に広がる空隙の周縁部を囲むように設けられていることを特徴とする請求項２〜１７のうちのいずれか１項に記載のスマートセンサー。
【請求項１９】
ＣＭＯＳ、Ｂｉ−ＣＭＯＳおよびＳＯＩ ＣＭＯＳプロセスのうちの何れか、または、ポストＣＭＯＳプロセスエッチバックが続いて行われるＢｉ−ＣＭＯＳプロセスを利用して製造されたものであることを特徴とする請求項１〜１８のうちのいずれか１項に記載のスマートセンサー。
【請求項２０】
半導体基板（２）を備え、
上記ガス検知装置が、少なくとも１領域の検知領域および検知手段を有すると共に、
上記少なくとも１領域の検知領域は、ガス感受性層（９）とガスとの反応を促進するためにヒーター（６）によって加熱されるガス感受性層（９）によって構成されるものであり、
上記検知手段は、ガスと前記ガス感受性層（９）との反応を提示する電気出力を提供するように構成されており、
前記ガス感受性層が、酸化スズであることを特徴とする請求項２〜１９のうちのいずれか１項に記載のスマートセンサー。
【請求項２１】
半導体基板（２）を備え、
上記ガス検知装置が、少なくとも１領域の検知領域および検知手段を有すると共に、
上記少なくとも１領域の検知領域は、ガス感受性層（９）とガスとの反応を促進するためにヒーター（６）によって加熱されるガス感受性層（９）によって構成されるものであり、
上記検知手段は、ガスと前記ガス感受性層（９）との反応を提示する電気出力を提供するように構成されており、
記検知領域、又は複数の前記検知領域の各々には、温度検知手段が組み込まれていることを特徴とする請求項２〜２０のうちのいずれか１項に記載のスマートセンサー。
【請求項２２】
半導体基板（２）を備え、
上記ガス検知装置が、少なくとも１領域の検知領域および検知手段を有すると共に、
上記少なくとも１領域の検知領域は、ガス感受性層（９）とガスとの反応を促進するためにヒーター（６）によって加熱されるガス感受性層（９）によって構成されるものであり、
上記検知手段は、ガスと前記ガス感受性層（９）との反応を提示する電気出力を提供するように構成されており、
前記検知領域を含む膜を残すために、少なくとも１つの検知領域における前記半導体基板の材料が取り除かれていることを特徴とする請求項２〜２１のうちのいずれか１項に記載のスマートセンサー。
【請求項２３】
半導体基板（２）を備え、
上記ガス検知装置が、少なくとも１領域の検知領域および検知手段を有すると共に、
上記少なくとも１領域の検知領域は、ガス感受性層（９）とガスとの反応を促進するためにヒーター（６）によって加熱されるガス感受性層（９）によって構成されるものであり、
上記検知手段は、ガスと前記ガス感受性層（９）との反応を提示する電気出力を提供するように構成されており、
少なくとも１つの検知領域における前記半導体基板の材料が、エッチバックによって取り除かれていることを特徴とする請求項２〜２２のうちのいずれか１項に記載のスマートセンサー。
【請求項２４】
半導体基板（２）を備え、
上記ガス検知装置が、少なくとも１領域の検知領域および検知手段を有すると共に、
上記少なくとも１領域の検知領域は、ガス感受性層（９）とガスとの反応を促進するためにヒーター（６）によって加熱されるガス感受性層（９）によって構成されるものであり、
上記検知手段は、ガスと前記ガス感受性層（９）との反応を提示する電気出力を提供するように構成されており、
少なくとも１つの検知領域は、関連する回路を含む少なくとも１つの電子回路領域と集積されたものであることを特徴とする請求項２〜２３のうちのいずれか１項に記載のスマートセンサー。
【請求項２５】
抵抗性ガス検知装置であることを特徴とする請求項１〜２４のうちのいずれか１項に記載のスマートセンサー。
【請求項２６】
熱量測定ガス検知装置であり、
ヒーターまたは温度感知手段がガス感受性膜の温度の上昇又は、降下の測定に用いられることを特徴とする請求項１〜２４のうちのいずれか１項に記載のスマートセンサー。
【請求項２７】
半導体基板（２）を備え、
上記ガス検知装置が、少なくとも１領域の検知領域および検知手段を有すると共に、
上記少なくとも１領域の検知領域は、ガス感受性層（９）とガスとの反応を促進するためにヒーター（６）によって加熱されるガス感受性層（９）によって構成されるものであり、
上記検知手段は、ガスと前記ガス感受性層（９）との反応を提示する電気出力を提供するように構成されており、
膜を残すように、ポストＣＭＯＳプロセスにおいて少なくとも一部の領域における基板材料が取り除かれている請求項２〜２６の何れか１項に記載のスマートセンサー。
【請求項２８】
前記膜を規定するための前記基板材料の除去は、深堀り反応性イオンエッチングによって行われたものである請求項２７に記載のスマートセンサー。
【請求項２９】
前記基板材料の除去が、異方性ウェットエッチングによって行われたものである請求項２７に記載のスマートセンサー。
【請求項３０】
ＣＭＯＳ、Ｂｉ−ＣＭＯＳまたはＳＯＩ技術を用いる、駆動機能と、制御機能と、変換機能とを有する複数の制御部材が組み込まれている電子回路が、一体的に集積されたガス検知装置を備えているスマートセンサーの製造方法であって、
上記スマートセンサーの製造方法は、タングステンの層を塗布して、
（i）上記電子回路における制御部材同士の間での接続および内部接触部としての金属層、および、
（ii）前記ガス検知装置のヒーター
を同時に形成する工程を含むこと特徴とするスマートセンサーの製造方法。
【請求項３１】
上記ガス検知装置が、少なくとも１領域の検知領域および検知ユニットを備えており、
上記少なくとも１領域の検知領域は、ガス感受性層によって構成されており、
上記ガス感受性層は、ガス感受性層とガスとの反応を促進するためにガス感受性層を加熱するためのヒーターによって加熱されるものであり、
上記検知ユニットは、ガスと前記ガス感受性層との反応を提示する電気出力を提供するように構成されていることを特徴とする請求項３０に記載のスマートセンサーの製造方法。
【請求項３２】
膜を残すように、ポストＣＭＯＳ処理において少なくとも一部の領域における基板材料を取り除く工程を含むことを特徴とする請求項３０または３１に記載のスマートセンサーの製造方法。
【請求項３３】
前記基板材料の除去を、深堀り反応性イオンエッチングによって行う請求項３２に記載のスマートセンサーの製造方法。
【請求項３４】
前記基板材料の除去を、異方性ウェットエッチングによって行う請求項３２に記載のスマートセンサーの製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】スマートセンサーおよびスマートセンサーの製造方法
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
ＣＭＯＳプロセスにおいてタングステン内部接続（回路）を用いることで多様な設計構造の選択が可能になる。いくつかの実現可能なガス検知器の設計構造については後述する。また、後述する設計構造は、用いたタングステン層の数によって列記している。タングステン層の数が最小になるのは、タングステンからなる側方ヒーター（lateral heater）が側方抵抗性ガス検知器に隣接している場合になるだろう。また、ヒーターまたは温度感知手段がガス感受性膜の温度の上昇又は、降下の測定に用いられる以外は、抵抗性ガス検知器の代わりに、同様の構造の熱量測定ガス検知器を用いてもよい。また、場合によっては、電気化学的に蒸着されるガス感受性材料を、金属平板の上に設ける必要があるしかしながら、これは、スパッタリング、非電解メッキ、物理的又は化学的な気相蒸着法などによって蒸着される上記のガス感受性層膜に対しては、通常、必要ない。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
（単層のタングステン層を有するヒーター）
ここでの１つ目の設計構造は、１つ以上の数の側方ガスセンサーと組み合わせて構成される、タングステンからなる（ＣＭＯＳ金属被覆工程による）単層抵抗ヒーターを表している。図１、２そして図３は、３種類の異なる実施形態を示している。すなわち、図１を参照して前述した実施の形態では、テーパー型の側壁１７を形成するために（例えば、シリコン基板（the silicon substrate）のウェットエッチングを用いて）異方性エッチバックを利用しており、図２に示す他の実施形態では、平行な側壁１７’を形成するように（例えば深堀り反応性イオンエッチングのようなドライエッチングを用いて）異方性エッチバックを利用している。そして、図３に示す他の実施の形態では、センサーの電極８’のためにタングステンに替えて、より望ましい金を用いている。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
図１７では、空隙及び垂直抵抗性ガスセンサー３９を囲むように設けられた垂直方向に間隙を有する電極４１を囲むように設けられた単層以上の抵抗性側方ヒーター（resistive lateral heater）３８を示している。この構造は、フローセンサー（flow sensor）やその他の形式の装置に用いることが可能である。図１８は、装置の平面図であり、円形（四角などに置き換えても良い）の空隙、及び一方を他方の上に重ね合わせた（この図では分かれて見えない）２層の抵抗性加熱層（resistive heating layers）を示したものである。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１７】
2006194853.tif 000001