【手続補正書】
【提出日】平成23年1月11日(2011.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ダミーチップ２０を製造するには、先ず図３（Ａ）に示すように、ダミーチップ用基板１０を用意する。本実施形態では、このダミーチップ用基板１０としてシリコンウェハを用いている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本実施形態では、製造される配線基板６０に搭載するチップ部品としてシリコン製の半導体チップ１を想定している。よって、ダミーチップ２０の基材となるダミーチップ用基板１０材質としてシリコンを用いることにより、配線基板の製造工程においてダミーチップ２０は半導体チップ１と略同一の動作（例えば、熱膨張等）を行うことになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
尚、ダミーチップ用基板１０の材質はシリコンに限定されるものではなく、搭載が想定されるチップ部品と略同等の特性（例えば、熱膨張率等）を有する材料であれば、他の材質（樹脂、金属、これらの複合材）を用いることも可能である。また、ダミーチップ用基板１０は必ずしもウェハである必要はなく、ウェハ以外の形状（例えば短冊状等）のものをダミーチップ用基板１０として用いてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
このダミーチップ用基板１０は、先ず所定の厚さＬ１となるよう研磨処理が実施される。このダミーチップ用基板１０の厚さＬ１は、後に配線基板６０（図１０（Ｂ）参照）に配設される半導体チップ１の厚さと略同一の厚さとなるよう設定されている。本実施形態では、半導体チップ１の厚さは、Ｌ１＝200〜725μｍの範囲で設定されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
次に、ダミーチップ用基板１０の上部にレジスト１１を形成すると共に、図３（Ｂ）に示すように、このレジスト１１に開口パターン１１ａをパターン形成する。この開口パターン１１ａの形成位置は、半導体チップ１のパッド２の形成位置と対応する位置とされている。また、開口パターン１１ａの直径は、例えば20μｍとされている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
続いて、レジスト１１を加熱して固化した後、これをマスクとしてダミーチップ用基板１０に対してドライエッチング処理を実施する。このドライエッチング法としては、プラズマエッチ或いは反応性イオンエッチ(RIE)のいずれかを用いることが可能である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
このドライエッチング処理を実施することにより、ダミーチップ用基板１０には凹部１２が形成される。この凹部１２は例えばその直径が20μｍ、深さが20μｍとされており、隣接するピッチＰ３は例えば50μｍとされている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
このようにダミーチップ用基板１０に凹部１２が形成されると、図３（Ｄ）に示すように、アッシング等によりレジスト１１が除去される。これにより、ダミーチップ用基板１０の表面に凹部１２が露出した状態となる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
続いて、ダミーチップ用基板１０の主面（凹部１２が形成された面）側に、犠牲層１３が形成される。図４（Ａ）は、ダミーチップ用基板１０上に犠牲層１３が形成された状態を示している。この犠牲層１３は、凹部１２の内面にも形成される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
ダミーチップ用基板１０上に犠牲層１３が形成されると、続いて凹部１２の内部にはんだペースト１５が配設される。このはんだペースト１５は、例えばスクリーン印刷法を用いて凹部１２内に配設することができる。図４（Ｂ）は、凹部１２にはんだペースト１５が配設された状態を示している。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
続いて、ダミーチップ用基板１０に対し、ダシングソーを用いてダイシング処理が実施される。図４（Ｃ）は、ダイシングにより個片化されたダミーチップ２０を示している。このように製造されたダミーチップ２０は、後述する半導体チップ１の形状と同一形状となる。以上説明した工程を実施することにより、ダミーチップ２０が製造される。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
配線基板６０を製造するには、先ず図３及び図４を用いて説明した製造方法により製造されるダミーチップ２０を用意する（請求項に記載の第１の工程）。このダミーチップ２０を上記のようにダミーチップ用基板１０から製造した場合には、ダミーチップ２０に犠牲層１３及びはんだペースト１５は配設された状態となっている。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
スティフナー用基板３０には、続いて所定の厚さＬ２となるよう研磨処理が実施される。このスティフナー用基板３０の厚さＬ２は、ビルドアップ配線層４８を支持（補強）できる厚さとなるよう設定されている。本実施形態では、スティフナー用基板３０の厚さＬ２は、200〜725μｍの範囲で設定されている。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
また、レジスト３３としては、フォトレジストを用いることができ、ポジ型或いはネガ型のいずれのタイプを用いることも可能である。また、レジスト３３のパターニングに用いる光源としては、紫外光を用いることができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
続いて、レジスト３３を加熱して固化した後、これをマスクとしてスティフナー用基板３０に対してドライエッチング処理を実施する。このドライエッチング法に用いるエッチングガスとしては、例えば四フッ化炭素（ＣＦ４）を用いることができる。また、エッチング方法としては、プラズマエッチ或いは反応性イオンエッチ(RIE)を用いることができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
ボール５０が形成されると、続いて図８（Ｃ）に示すように、このボール５０を覆うように保護テープ５１が配設される。この保護テープ５１は、後述するアッシング時に使用されるガスに対し耐性の高い材質が選定されている。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
１０ ダミーチップ用基板
１１，３３，４０ レジスト
１２ 凹部
１３ 犠牲層
１５ はんだペースト
２０ ダミーチップ
３０ スティフナー用基板
３１ のテープ基材
３２ 粘着材
３５ キャビティ
３７，６３ 封止樹脂
３８ 第１絶縁層
３９ 第２絶縁層
４３ ソルダーレジスト
４８ ビルドアップ配線層
５０ ボール
５１ 保護テープ
６０ 配線基板
６２ ガラス板
６５ 貫通電極
７０Ａ〜７０Ｃ 半導体装置