【手続補正書】
【提出日】平成21年9月28日(2009.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホウ素含有イオンを注入する方法であって、
B2F4、BBr3、B2Cl2、B(BF2)3CO、BF2CH3、BF2CF3、BF2Cl、BFCl2、BF(CH3)2、NOBF4、H2BF7、H2B2F6、H4B4F10、H2BFO2、H2B2F2O3、H2B2F2O6、H2B2F4O2、H3BF2O2、H4BF3O3、B10F12、(F2B)3BCO、CB5H9、C2B4H8、C3B3H7、C4B2H6、C2B3H7、C2B3H7、CB5H9、C2B4H8、C3B3H7、C4B2H6、C2B7H13、C2B3H5、C2B4H6、C2B5H7、CB5H7、C2B6H8、C2B7H9、C2B8H10、C2B9H11、C2B10H12、(Cl2B)3BCO、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される、ホウ素含有ドーパント種を含むホウ素含有前駆体を、ホウ素含有イオンを生成するイオン化条件で、イオン化すること、および
ホウ素含有イオンを、電場により加速して、ホウ素含有イオンを基体に注入すること
を含む、方法。
【請求項２】
ホウ素含有イオンを注入する方法であって、
B2F4を含むホウ素含有前駆体を、ホウ素含有イオンを生成するイオン化条件で、イオン化すること、および
ホウ素含有イオンを、電場により加速して、ホウ素含有イオンを基体に注入すること
を含む、方法。
【請求項３】
ホウ素含有前駆体を、保管およびデリバリ容器から、前記イオン化のために供給する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記保管およびデリバリ容器が、吸着物質を含まない、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記保管およびデリバリ容器が、容器の内部体積内に圧力調節器を含む、請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
前記保管およびデリバリ容器が、シリンダを含む、請求項３〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
ホウ素含有前駆体がBF3を含まない、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
ホウ素含有イオンが、B+およびBF2+イオンを含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
ホウ素含有イオンが、基体に浅いｐ型のドープ領域を形成するために、基体に注入される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
イオン化を、１００ボルトよりも低いアーク電圧で実施する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
イオン化を、イオン供給源を含む真空チャンバーで実施する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
フッ素含有種を、前記イオン化の間に真空チャンバーを清浄にするために、前記イオン化に導入する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記イオン化中に又は前記イオン化の前に、希ガスを、ホウ素含有ドーパント種と混合する、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記イオン化が、B2F4のB-B結合におけるホモリティックな劈開を含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
B2F4のB-B結合におけるホモリティックな劈開が、前記ホウ素含有イオンにおいて、BF2+分子イオンを生成し、当該BF2+分子イオンが基体に注入される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
保管およびデリバリ容器、容器の上側部分に取り付けられたバルブヘッドアセンブリ、当該保管およびデリバリ容器内のホウ素含有前駆体を含む、ホウ素含有前駆体供給であって、当該ホウ素含有前駆体が、B2F4、BBr3、B2Cl2、B(BF2)3CO、BF2CH3、BF2CF3、BF2Cl、BFCl2、BF(CH3)2、NOBF4、H2BF7、H2B2F6、H4B4F10、H2BFO2、H2B2F2O3、H2B2F2O6、H2B2F4O2、 H3BF2O2、H4BF3O3、B10F12、(F2B)3BCO、CB5H9、C2B4H8、C3B3H7、C4B2H6、C2B3H7、C2B3H7、CB5H9、C2B4H8、C3B3H7、C4B2H6、C2B7H13、C2B3H5、C2B4H6、C2B5H7、CB5H7、C2B6H8、C2B7H9、C2B8H10、C2B9H11、C2B10H12、(Cl2B)3BCO、およびそれらの組み合わせから成る群より選択されるホウ素含有ドーパント種を含む、ホウ素含有前駆体供給装置。
【請求項１７】
保管およびデリバリ容器、容器の上側部分に取り付けられたバルブヘッドアセンブリ、当該保管およびデリバリ容器内のホウ素含有前駆体を含む、ホウ素含有前駆体供給であって、当該ホウ素含有前駆体がB2F4を含む、ホウ素含有前駆体供給装置。
【請求項１８】
前記ホウ素含有前駆体が液体のB2F4を含む、請求項１７に記載のホウ素含有前駆体供給装置。
【請求項１９】
前記保管およびデリバリ容器が吸着物質を含まない、請求項１６〜１８のいずれか１項に記載のホウ素含有前駆体供給装置。
【請求項２０】
前記保管およびデリバリ容器が、容器の内部体積内に圧力調節器を含む、請求項１６〜１９のいずれか１項に記載のホウ素含有前駆体供給装置。
【請求項２１】
前記保管およびデリバリ容器がシリンダを含む、請求項１６〜２０のいずれか１項に記載のホウ素含有前駆体供給装置。
【請求項２２】
イオン注入器のユニット、またはマイクロ電子デバイスを製造するツールに接続されており、それらに前記ホウ素含有前駆体を輸送するようになっている、請求項１６〜２１のいずれか１項に記載のホウ素含有前駆体供給装置。
【請求項２３】
請求項１６〜２１のいずれか１項に記載のホウ素含有前駆体供給装置、
ホウ素含有前駆体供給からホウ素含有前駆体を受け入れるように配置され、ホウ素含有前駆体をイオン化して、ホウ素含有イオンを生成するイオン供給源、および
基体へのホウ素含有イオンの注入のために配置されたイオン注入ユニット
を含む、半導体製造システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
したがって、当該分野において、クラスターホウ素注入のための新しいシステム、方法、および前駆体に対する要求があり、当該要求には、従来のホウ素含有イオンの注入と比較して、クラスターホウ素注入のための前駆体を注入のためのツールに送る、改良された方法であって、前駆体がツールへ容易に輸送をされることおよびホウ素イオン注入の増加を可能にする方法に対する要求も含まれている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
一つの要旨において、本発明は、クラスターホウ素注入のための水素化ホウ素前駆体を製造する方法を提供する。当該方法は、ホウ素含有ガスを供給（または用意）すること、およびホウ素含有ガスのより高次のホウ素含有クラスターへの変換を誘発することを含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
別の要旨において、本発明は、クラスターホウ素注入のための水素化ホウ素前駆体を供給する方法を提供する。当該方法は、ホウ素含有ガスを供給（または用意）すること、ホウ素含有ガスのより高次のホウ素含有クラスターへの変換を誘発すること、および当該より高次のホウ素含有クラスターをクラスターホウ素注入のためのツールに供給することを含む。一つの形態において、変換は、ツールに隣り合う反応器において、実施される。別の形態において、反応器は、ツール内にある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
クラスターホウ素注入は、従来のホウ素前駆体（例えば、三フッ化ホウ素、ジボラン等）の使用に対し、イオン注入の効率を増大させる。プロセスで使用される注入器は、そのようなホウ素前駆体を使用する従来のドーパント供給プロセスよりも、低いエネルギで作動し得る。クラスターの使用は、複数のホウ素の供給を一回で行うことを可能にする。本発明は、種々の要旨において、水素化ホウ素前駆体を形成する方法、水素化ホウ素前駆体の供給源、およびホウ素クラスター注入のために水素化ホウ素前駆体を供給（又は運ぶ）する方法を提供する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
水素化ホウ素のジボラン（６）は、毒性を有し、可燃性であり、自燃性（または自前発火性）を有し、危険であり、かつひどく不快な臭いを有する気体である。室温で分解して、より高次のボラン、例えば、ＢＨ３、Ｂ３Ｈ７、Ｂ４Ｈ８等を生成する。分解反応は、下記の反応を含み得る。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
別法として、好ましさの程度はより小さいが、容器は、固体の状態のホウ素供給物質を含み、固体を気化させるために、ガスボックス内部で容器を加熱して、前駆体蒸気を形成してよい。容器は、任意の適切な方法（図１に示されていない加熱部品および／またはデバイス）、例えば、加熱ジャケット、ガスボックス内の対流式熱伝導を使用することにより、あるいは、所望の量のホウ素前駆体蒸気を生成するのに適した他の任意の方法で、加熱することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
輸送ライン１８は、その下流側の端部において、反応器２２に結合されて、当該容器の中で、ホウ素前駆体は、より高次のボラン種、例えば、ＢＨ３、Ｂ３Ｈ７、Ｂ４Ｈ８等の生成をもたらすプロセス条件に付される。図示するように、反応器２２は、半導体ツール２４に隣り合うように配置され、反応器はツールと流体供給の関係にあり、より高次のボランが直接的に反応器からツールに流れるようにされている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
好ましい実施において、ボラン供給源はガスである。そのようなホウ素含有ガスは、輸送するのが容易である。供給源物質（またはソース・マテリアル）であるホウ素含有ガスは、当業者に知られている任意の方法で、使用する前に、保管することができる。そのような保管方法として、不活性ガス（例えば、水素、アルゴン、ヘリウムまたは窒素）中で、希釈された形態のガスの保管、および純ガスの保管を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。例示的なボラン供給ガスとして、ジボランおよびペンタボランが挙げられるが、それらに限定されるものではない。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
ボラン含有ガスに加えて、追加の一または複数の反応体を供給してよい。そのような追加の反応体は、ガス供給源から反応器への輸送の任意のポイントにて加えてよく、あるいは、反応器それ自体に加えてよい。そのような一または複数の反応体は、したがって、反応の動力学（もしくは速度）または効率を向上させるために、用いることができ、あるいはより複雑なより高次のホウ素種を形成するために、用いることができる。そのような反応体の使用は、ホウ素に対する水素の比を最適化して、所望の生成物を形成することを許容する。例えば、不揮発性のホウ素ポリマーの形成は、適切なＨ２混合物であって、詰まらない物質の収率を最大にする混合物を使用することにより、抑えられる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
本発明の実施に際して有用に用いられる触媒反応器は、反応器内で反応を促進する、いずれの反応器をも含み得る。触媒は、反応に加えてよく、または反応器それ自体の一体化された部分にあってよい。触媒として、金属、例えば、鉄、アルミニウム、銅、アルミナ、白金、ホウ素、炭素、炭素吸着剤、および活性炭を挙げることができるが、これらに限定されない。触媒が反応器の一部である場合、それらは、反応器の構造的な表面に取り付けられてよく、またはビーズもしくはペレットとして反応器に充填してよく、あるいは反応器は任意の公知のフロー構成、例えば、チューブ、ハニカムまたはビーズ（もしくは玉状物）を備える、触媒が含浸された媒体を含んでよい。広く様々なタイプの触媒反応器を用いてよい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
本発明の方法またはシステムで使用される充填反応器には、充填物質を含む任意の反応器が含まれ得る。充填物質は、反応が起きるように表面反応を単純に増加させて、熱伝導を向上させる、あるいは触媒効果を提供するために、用いることができる。充填物質にはまた、公知のフロー設計（またはフロー構成）、例えば、チューブ、ハニカム、またはビーズを有する、触媒を含浸させた媒体が含まれ得る。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
本発明の様々な形態において、反応器は、加熱反応器；触媒反応器；加熱触媒反応器；ＵＶランプ；電気的、マイクロ波もしくは高周波放電、またはプラズマを含む反応器；充填された反応器；多段階加熱反応器；ホットプレート；高圧反応器；および同心管状反応器の中から、選択される。反応器は、触媒、例えば、鉄、アルミニウム、銅、アルミナ、白金、ホウ素、炭素、および活性炭を、さらに含んでよい。より高次のホウ素含有クラスターの誘発は、反応器内でホウ素含有ガスを加熱すること、熱的なプラズマエネルギをホウ素含有ガスに反応器内で供給すること、多段階の温度勾配を反応器内のホウ素含有ガスに与えること、室温〜４００℃の範囲内の温度にて、および／または、真空から１０００psiの範囲内にある圧力にて、より高次のホウ素含有クラスターの誘発のために反応を実施することを、含み得る。反応は、より高次のホウ素含有クラスターを形成する前に又はそれと同時に、さらに一または複数の反応体を反応器に加えて、実施することができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
したがって、本発明は、種々の特定の形態を参照して説明したが、本発明はそのように限定されず、当業者によって理解されるように、種々の他の改変および形態に及び、またそれらを包含していることが理解されるであろう。したがって、本発明は、後の請求の範囲に従って、広く解釈されることを意図している。
本発明は、下記の態様のものを含む。
（態様１）
ホウ素含有イオンを注入する方法であって、
気化したホウ素含有ドーパント種を真空チャンバー内で、イオン化条件にて、イオン化して、ホウ素含有イオンを生成すること；および
ホウ素含有イオンを電場により加速して、ホウ素含有イオンをデバイスの基体に注入すること
を含み、
ホウ素含有ドーパント種が三フッ化ホウ素を含まない、
方法。
（態様２）
ホウ素含有ドーパント種が、Ｂ2Ｆ4、Ｂ(ＢＦ2)3ＣＯ、ＢＦ2ＣＨ3、ＢＦ2ＣＦ3、ＢＦ2Ｃl、ＢＦＣl2、ＢＦ(ＣＨ3)2、ＮＯＢＦ4、ＮＨ4ＢＦ4、Ｈ2ＢＦ7、Ｈ2Ｂ2Ｆ6、Ｈ4Ｂ4Ｆ10、Ｈ2ＢＦＯ2、Ｈ2Ｂ2Ｆ2Ｏ3、Ｈ2Ｂ2Ｆ2Ｏ6、Ｈ2Ｂ2Ｆ4Ｏ2、Ｈ3ＢＦ2Ｏ2、Ｈ4ＢＦ3Ｏ2、Ｈ4ＢＦ3Ｏ3、Ｂ8Ｆ12、Ｂ10Ｆ12、および（Ｆ2Ｂ）3ＢＣＯから成る群より選択される化合物を含む、態様１に記載の方法。
（態様３）
前記ホウ素含有ドーパント種が、Ｂ2Ｆ4を含む、態様１に記載の方法。
（態様４）
前記ホウ素含有ドーパント種が、ガスを含む、態様２に記載の方法。
（態様５）
前記ホウ素含有ドーパント種が、固体および液体から成る群より選択される、物理的な相を含む、態様２に記載の方法。
（態様６）
前記ホウ素含有ドーパント種を含む原料を、気化条件にて気化して、気化したホウ素含有ドーパント種を生成することをさらに含む、態様５に記載の方法。
（態様７）
前記気化条件が、前記原料を圧力差に付すことを含む、態様５に記載の方法。
（態様８）
前記気化条件が、前記原料を加熱することを含む、態様５に記載の方法。
（態様９）
前記イオン化条件が、電気アークで誘発されるイオン化を含む、態様１に記載の方法。
（態様１０）
前記基体が、半導体の基体、フラットパネルディスプレイ、およびマイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）から成る群より選択される物品を構成する、態様１に記載の方法。
（態様１１）
ホウ素含有イオン注入の後に、基体をアニーリングすることをさらに含む、態様１に記載の方法。
（態様１２）
希ガスを、真空チャンバーにて、又は真空チャンバーの上流にて、導入することをさらに含む、態様１に記載の方法。
（態様１３）
前記希ガスが、前記ホウ素含有ドーパント種のイオン化を助ける、態様１２に記載の方法。
（態様１４）
前記希ガスが、ネオン、アルゴン、クリプトンおよびキセノンから成る群より選択される種を含む、態様１２に記載の方法。
（態様１５）
前記ホウ素含有イオンが、Ｂ＋およびＢＦ２＋から成る群より選択されるカチオンを含む、態様１に記載の方法。
（態様１６）
ホウ素含有イオンを注入する方法であって、
気化したフッ化ホウ素ドーパント種を、真空チャンバーで、イオン化条件にてイオン化して、ホウ素含有イオンを生成すること；および
前記ホウ素含有イオンを電場により加速して、ホウ素含有イオンをデバイスの基体に注入すること
を含み、
フッ化ホウ素ドーパント種が、Ｂ2Ｆ4、Ｂ(ＢＦ2)3ＣＯ、ＢＦ2ＣＨ3、ＢＦ2ＣＦ3、ＢＦ2Ｃl、ＢＦＣl2、ＢＦ(ＣＨ3)2、ＮＯＢＦ4、ＮＨ4ＢＦ4、Ｈ2ＢＦ7、Ｈ2Ｂ2Ｆ6、Ｈ4Ｂ4Ｆ10、Ｈ2ＢＦＯ2、Ｈ2Ｂ2Ｆ2Ｏ3、Ｈ2Ｂ2Ｆ2Ｏ6、Ｈ2Ｂ2Ｆ4Ｏ2、Ｈ3ＢＦ2Ｏ2、Ｈ4ＢＦ3Ｏ2、Ｈ4ＢＦ3Ｏ3、Ｂ8Ｆ12、Ｂ10Ｆ12、（Ｆ2Ｂ）3ＢＣＯおよびそれらの組み合わせから成る群より選択される化合物を含む、
方法。
（態様１７）
前記フッ化ホウ素ドーパント種が、Ｂ2Ｆ4を含む、態様１６に記載の方法。
（態様１８）
前記フッ化ホウ素ドーパント種が、ガスを含む、態様１６に記載の方法。
（態様１９）
前記フッ化ホウ素ドーパント種が、固体および液体から成る群より選択される、物理的な相を含む、態様１６に記載の方法。
（態様２０）
前記フッ化ホウ素ドーパント種を含む原料を、気化条件にて気化して、気化したフッ化ホウ素ドーパント種を生成することをさらに含む、態様１９に記載の方法。
（態様２１）
前記気化条件が、前記原料を圧力差に付すことを含む、態様２０に記載の方法。
（態様２２）
前記気化条件が、前記原料を加熱することを含む、態様２０に記載の方法。
（態様２３）
前記イオン化条件が、電気アークで誘発されるイオン化を含む、態様１６に記載の方法。
（態様２４）
前記基体が、半導体の基体、フラットパネルディスプレイ、およびマイクロ電子機械システム（ＭＥＭＳ）から成る群より選択される物品を構成する、態様１６に記載の方法。
（態様２５）
前記ホウ素含有イオン注入の後に、基体をアニーリングすることをさらに含む、態様１６に記載の方法。
（態様２６）
希ガスを、真空チャンバーにて、又は真空チャンバーの上流にて、導入することをさらに含む、態様１６に記載の方法。
（態様２７）
前記希ガスが、前記フッ化ホウ素ドーパント種のイオン化を助ける、態様２６に記載の方法。
（態様２８）
前記希ガスが、ネオン、アルゴン、クリプトンおよびキセノンから成る群から選択される種を含む、態様２６に記載の方法。
（態様２９）
前記ホウ素含有イオンが、Ｂ＋およびＢＦ２＋から成る群より選択されるカチオンを含む、態様２６に記載の方法。
（態様３０）
前記フッ化ホウ素ドーパント種が、ＢＦ３をさらに含む、態様１６に記載の方法。
（態様３１）
Ｂ2Ｆ4、Ｂ(ＢＦ2)3ＣＯ、ＢＦ2ＣＨ3、ＮＯＢＦ4、ＮＨ4ＢＦ4、Ｈ2ＢＦ7、Ｈ2Ｂ2Ｆ6、Ｈ4Ｂ4Ｆ10、Ｈ2ＢＦＯ2、Ｈ2Ｂ2Ｆ2Ｏ3、Ｈ2Ｂ2Ｆ2Ｏ6、Ｈ2Ｂ2Ｆ4Ｏ2、Ｈ3ＢＦ2Ｏ2、Ｈ4ＢＦ3Ｏ2、Ｈ4ＢＦ3Ｏ3、Ｂ8Ｆ12、Ｂ10Ｆ12、（Ｆ2Ｂ）3ＢＣＯ、およびそれらの組み合わせから成る群より選択される、少なくとも一つのフッ化ホウ素ドーパント種を含み、
ホウ素イオンを基体に注入するための供給源として使用するのに適している、
試薬組成物。
（態様３２）
前記組成物が、実質的に三フッ化ホウ素を含まない、態様３１に記載の試薬組成物。
（態様３３）
希ガスをさらに含む、態様３１に記載の試薬組成物。
（態様３４）
ＢＦ３をさらに含む、態様３１に記載の試薬組成物。
（態様３５）
ホウ素含有ドーパント種がおよび希ガスを含む、気相試薬組成物。
（態様３６）
ＢＦ3、Ｂ2Ｆ4、Ｂ(ＢＦ2)3ＣＯ、ＢＦ2ＣＨ3、ＢＦ2ＣＦ3、ＢＦ2Ｃl、ＢＦＣl2、ＢＦ(ＣＨ3)2、ＮＯＢＦ4、ＮＨ4ＢＦ4、Ｈ2ＢＦ7、Ｈ2Ｂ2Ｆ6、Ｈ4Ｂ4Ｆ10、Ｈ2ＢＦＯ2、Ｈ2Ｂ2Ｆ2Ｏ3、Ｈ2Ｂ2Ｆ2Ｏ6、Ｈ2Ｂ2Ｆ4Ｏ2、Ｈ3ＢＦ2Ｏ2、Ｈ4ＢＦ3Ｏ2、Ｈ4ＢＦ3Ｏ3、Ｂ8Ｆ12、Ｂ10Ｆ12、および（Ｆ2Ｂ）3ＢＣＯ、およびそれらの組み合わせから成る群より選択される、少なくとも一つのフッ化ホウ素ドーパント種；および
希ガス
を含み、
ホウ素含有イオンをマイクロ電子デバイスの基体に注入する供給源として使用するのに適した
気相試薬組成物。
（態様３７）
ａ）ホウ素含有ガスを供給すること；および
ｂ）前記ホウ素含有ガスを、より高次のホウ素含有クラスターに変換することを誘発すること
を含む、クラスターホウ素を注入するための水素化ホウ素前躯体を生成する方法。
（態様３８）
前記ホウ素含有ガスが、ジボランおよびペンタボランから成る群より選択される、態様３７に記載の方法。
（態様３９）
前記ホウ素含有ガスのより高次のホウ素含有クラスターへの変換を誘発することを、反応器において実施し、
前記反応器を、加熱反応器；触媒反応器；加熱触媒反応器；ＵＶランプ；電気的放電、マイクロ波放電もしくは高周波放電またはプラズマを含む反応器；充填反応器；多段階加熱反応器；ホットプレート；高圧反応器；および同心管状反応器から成る群より選択する、
態様３７に記載の方法。
（態様４０）
前記ホウ素含有ガスのより高次のホウ素含有クラスターへの変換を誘発することを、反応器内において実施し、反応器がさらに触媒を含む、
態様３７に記載の方法。
（態様４１）
触媒を、鉄、アルミニウム、銅、アルミナ、白金、ホウ素、炭素、及び活性炭から成る群より選択する、態様４０に記載の方法。
（態様４２）
より高次なホウ素含有クラスターへの変換を誘発することが、ホウ素含有ガスを加熱することを含む、態様３７に記載の方法。
（態様４３）
より高次なホウ素含有クラスターへの変換を誘発することが、熱エネルギまたはプラズマエネルギを、前記ホウ素含有ガスに、反応器内で供給することを含む、態様３７に記載の方法。
（態様４４）
より高次なホウ素含有クラスターへの変換を誘発することが、反応器内で、ホウ素含有ガスに、多段階温度勾配を与えることを含む、態様３７に記載の方法。
（態様４５）
より高次なホウ素含有クラスターへの変換を誘発することを、室温から４００℃の範囲内にある温度にて実施する、態様３７に記載の方法。
（態様４６）
より高次なホウ素含有クラスターへの変換を誘発することを、真空から１０００psiの範囲内にある圧力にて実施する、態様３７に記載の方法。
（態様４７）
より高次なホウ素含有クラスターへの変換を誘発するよりも前に、またはそれと同時に、反応体を加えることをさらに含む、態様３７に記載の方法。
（態様４８）
クラスターホウ素注入のための水素化ホウ素前駆体を供給する方法であって、
ａ）ホウ素含有ガスを供給すること；
ｂ）ホウ素含有ガスをより高次のホウ素含有クラスターへ変換することを誘発すること；および
ｃ）より高次のホウ素含有クラスターを、クラスターホウ素を注入するツールに供給すること
を含む、方法。
（態様４９）
前記ホウ素含有ガスを、ジボランおよびペンタボランから成る群より選択する、態様４８に記載の方法。
（態様５０）
前記変換を、前記ツールに隣り合って配置された反応器において実施する、態様４８に記載の方法。
（態様５１）
前記変換を、前記ツールの内部に配置された反応器において実施する、態様４８に記載の方法。
（態様５２）
前記変換を、加熱反応器；触媒反応器；加熱触媒反応器；ＵＶランプ；電気的放電、マイクロ波放電もしくは高周波放電またはプラズマを含む反応器；充填反応器；多段階加熱反応器；ホットプレート；高圧反応器；および同心管状反応器から成る群より選択する反応器において、実施する、態様４８に記載の方法
（態様５３）
前記変換を、触媒を含む反応器において実施する、態様４８に記載の方法。
（態様５４）
前記触媒を、鉄、アルミニウム、銅、アルミナ、白金、ホウ素、炭素、及び活性炭から成る群より選択する、態様５３に記載の方法。
（態様５５）
より高次のホウ素含有クラスターへの変換を誘発することが、前記ホウ素含有ガスを加熱することを含む、態様４８に記載の方法。
（態様５６）
より高次のホウ素含有クラスターへの変換を誘発することが、ホウ素含有ガスに熱エネルギまたはプラズマエネルギを前記ホウ素含有ガスに供給することを含む、態様４８に記載の方法。
（態様５７）
より高次のホウ素含有クラスターへの変換を誘発することが、前記ホウ素含有ガスに、多段階温度勾配を与えることを含む、態様４８に記載の方法。
（態様５８）
より高次のホウ素含有クラスターへの変換を誘発することを、室温から４００℃の範囲内にある温度にて実施する、態様４８に記載の方法。
（態様５９）
より高次のホウ素含有クラスターへの変換を誘発することを、真空から１０００psiの範囲内にある圧力にて実施する、態様４８に記載の方法。
（態様６０）
反応体を、より高次なホウ素含有クラスターへの変換を誘発することよりも前に、またはそれと同時に、添加することをさらに含む、態様４８に記載の方法。
（態様６１）
ａ）ホウ素含有ガス供給源；
ｂ）前記ホウ素含有ガスの供給源からのホウ素含有ガスが、より高次のホウ素含有クラスタへ変換することを誘発するようにした、反応器；
ｃ）ホウ素含有ガス供給源と反応器を相互に接続するフロー回路；および
ｄ）必要に応じて、フロー回路内の質量または圧力コントローラ
を含む、水素化ホウ素前駆体の供給源。
（態様６２）
前記ホウ素含有ガス供給源が、ジボランを含む、態様６１に記載の水素化ホウ素前駆体の供給源。
（態様６３）
前記ホウ素含有ガス供給源が、ボラン混合物を含む、態様６１に記載の水素化ホウ素前駆体の供給源。
（態様６４）
態様６１に記載の水素化ホウ素前駆体の供給源、および
水素化ホウ素前駆体供給源と流体連通するように接続した、マイクロ電子デバイスの製造ツール
を含む、マイクロ電子デバイスの製造設備。
（態様６５）
前記製造ツールがイオン注入器を含む、態様６４に記載のマイクロ電子デバイスの製造設備。
（態様６６）
態様４８に記載の方法で形成された、クラスターホウ素種を用いて、クラスターホウ素イオン注入を含む、マイクロ電子デバイスの製造方法。
（態様６７）
態様４８に記載の方法で形成された、クラスターホウ素種を利用することを含む、クラスターホウ素イオンを注入する方法。