【手続補正書】
【提出日】平成22年12月15日(2010.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
また、アクティブマトリクス液晶表示パネルの狭額縁化のため、ゲート線駆動回路がこの液晶表示パネルの周縁を囲むように形成されるシール材近傍もしくは、駆動回路の一部がシール材の下に配置させることが必要となる。
ゲート線駆動回路には異種の金属配線間を接続するために多数のコンタクトホールを有す。このコンタクトホールは、異なる層に形成された第１金属薄膜と第２金属薄膜を電気的に接続するためのもので、第１金属薄膜上にコンタクトホールが形成されたものと、第２金属薄膜上にコンタクトホールが形成されたものがあり、両コンタクトホール間を導電性膜によってブリッジする。
このコンタクトホールにより開口した金属配線間を接続する上記導電性膜の材料として、一般的にＩＴＯのような透明導電性膜が用いられる。このＩＴＯ膜はカバレッジ特性が悪い（特許文献１参照）ため、コンタクトホールの一部では、金属薄膜が透明導電性膜に覆われず、金属薄膜が露出している箇所がある。
シール材の内側近傍やシール材の下では、水分、不純物等の影響を受けやすいため、シール材の内側近傍もしくはシール材の下に形成されたコンタクトホールによるカバレッジ不良箇所では、金属薄膜と水分、不純物等が接触する。そして、金属薄膜からなる配線、端子、電極等が酸化等により腐食されてしまう。（以後、このコンタクトホール近傍の金属配線などの腐食現象をコンタクトホール腐食と称する。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、このＩＴＯ膜のカバレッジ特性不良は、特にＩＴＯ膜を非晶質で形成し、その後に結晶化させるようなプロセスを用いる場合には非常に高い頻度で発生する。一般的に、ＩＴＯ膜のパターン加工は、薬液によるウェットエッチングがよく用いられる。結晶質のＩＴＯ膜の場合、ウェットエッチングに用いる薬液として塩酸＋硝酸系の水溶液からなる強酸を用いる必要がある。このような場合、ゲート信号線、ソース信号線や、反射電極としてＡｌ、Ａｇ、あるいはＭｏのような金属薄膜が共存すると、ＩＴＯ膜のウェットエッチング時に、これらの金属薄膜を腐食断線させてしまうという恐れがあった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
前記表示パネル３００は、前記表示領域ＤＡ、この表示領域ＤＡを取り囲むように配置された第１周辺領域ＰＡ１、この第１周辺領域ＰＡ１の外側に隣接した第２周辺領域ＰＡ２を含む。
前述したように、前記表示領域ＤＡに対応して、前記アレイ基板１００の第１基板１１０上には、第１〜第ｎゲート線ＧＬ１〜ＧＬｎおよび第１〜第ｍソース線ＳＬ１〜ＳＬｍが形成される。
また前記複数のＴＦＴのうち、第１ＴＦＴ（ＴＲ１）のゲート電極は前記第１ゲート線ＧＬ１と電気的に接続され、前記第１ＴＦＴ（ＴＲ１）のソース電極は前記第１ソース線ＳＬ１と電気的に接続され、前記ＴＦＴ（ＴＲ１）のドレイン電極は前記複数の画素電極のうち、第１画素電極ＰＥ１と第１補助容量Ｃｓ１に接続される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図８に本実施の形態の主要部であるコンタクトホール部の平面図を示す。ゲート配線２１９はゲート線駆動回路１６０内の正側電源電位であるＶＤＤ電位が与えられる（図７は、図８中のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図となる）。図８に示した透明導電膜２１８はコンタクトホール２１７ｂとコンタクトホール２１７aを接続するため、両方のコンタクトホールを覆うように長方形の形状（第一のパターン形状）で形成されており、これによりソース・ドレイン配線２２１とゲート配線２１９が導通状態となり、両配線間の配線層の変換が実現されている。なお、このソース・ドレイン配線２２１はＴＦＴのソース・ドレイン電極２１６になる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
実施の形態４．
図１１は、実施の形態４によるコンタクトホール部の平面図を示す。前述の実施の形態２における図９では、バス配線２２３を犠牲電極２２４と同じ透明導電膜により構成したものであるが、本実施の形態４では、バス配線２２３として金属配線を用いたものである。その他の構成は、前述の実施の形態１と同様であるので、冗長になるのを避けるため説明は省略する。
図１１に示したように、犠牲電極２２４はコンタクトホール２２２（第三のコンタクトホール）を介して当該バス配線２２３と接続され、高電位（ＶＤＤ）が供給される。ＩＴＯなどの透明導電膜は厚さが１０ｎｍ程度と薄く、また構造上、最上層にあること、またカバレッジも良くないことより、他の金属配線とクロス領域で段切れ不良が発生する可能性がある。
本実施の形態では、バス配線２２３として金属配線を用いているため、この段切れ不良が抑制される。コンタクトホール２２２は電気分解により腐食が発生する可能性があるが、当該コンタクトホール２２２は、駆動回路の動作に関係なく、当該コンタクトホール２２２が腐食しても駆動回路の動作には影響しない。なお、前記金属配線（バス配線２２３）はゲート配線であっても、ソース・ドレイン配線であっても良い。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
実施の形態５．
図１２は、実施の形態５による表示装置４００の断面図を示す。前述の実施の形態１における図２に対し、図１２では、カラーフィルタ基板２００上の透明電極をパターニングすることで、表示領域ＤＡの上部の透明電極２５０と、ゲート線駆動回路１６０の上部であってシール位置およびシール材３５０の近傍の透明電極２７０を分離し、当該分離された駆動回路１６０上でありシール位置およびシール材３５０の近傍の透明電極２７０にＶＤＤトランスファ２７１を通じて高電位（ＶＤＤ）を印加するものである。その他の構成は、前述の実施の形態１と同様であるので、冗長になるのを避けるため説明は省略する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
ここで、ゲート線駆動回路１６０内に配設された正側電源電位ＶＤＤが与えられたコンタクトホール（非図示）と低電位（例えば接地電位ＶＳＳ）が与えられたコンタクトホール（非図示）との距離は、最小で１５ｕｍ程度である。一方、アレイ基板１００とカラーフィルタ基板２００の距離は４ｕｍ程度である。従って、ゲート線駆動回路１６０内に配設された前記低電位コンタクトホールと前記高電位コンタクトホール間の電界は緩和され、前記低電位コンタクトホールとカラーフィルタ基板２００上の高電位が与えられた透明電極２７０間に電界が集中する。
この結果、前記高電位コンタクトホールでは電気分解が発生せず、腐食が抑制される。
本実施の形態により、駆動回路には犠牲電極を形成する必要がなく、狭額縁化に対し有利となる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
【図１】この発明の実施の形態１ないし５に係る液晶表示装置の平面回である。
【図２】この発明の実施の形態１ないし４に係る液晶表示装置の断面図である。
【図３】図１におけるゲート線駆動回路の構成図である。
【図４】図３におけるシフトレジスタ１段分の回路図である。
【図５】図３における単位シフトレジスタの動作を示すタイミング図である。
【図６】図１における走査線駆動回路の動作を示すタイミング図である。
【図７】図４に示したシフトレジスタ回路のＴＦＴを含む一部断面図である。
【図８】この発明の実施の形態１に係るシフトレジスタ回路のコンタクトホール近傍の平面図である。
【図９】この発明の実施の形態２に係るシフトレジスタ回路のコンタクトホール近傍の平面図である。
【図１０】この発明の実施の形態３に係るシフトレジスタ回路のコンタクトホール近傍の平面図である。
【図１１】この発明の実施の形態４に係るシフトレジスタ回路のコンタクトホール近傍の平面図である。
【図１２】この発明の実施の形態５における液晶表示装置の断面図である。