【手続補正書】
【提出日】平成22年12月8日(2010.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのゲート電極に接続されたゲート配線と、前記薄膜トランジスタのドレイン電極に接続されたドレイン配線とを備えた薄膜トランジスタパネルの製造方法において、前記ゲート配線および前記ドレイン配線のうちの少なくとも一方の配線を、Ａｌを主成分としてＮｉを含有するＡｌ合金によって形成し、前記一方の配線の上面に変色用処理液を用いてＮｉを含有するＡｌ合金よりも反射率が小さい変色層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、
基板上に前記Ａｌ合金からなる前記ゲート電極および前記ゲート配線を形成する工程と、
前記ゲート電極および前記ゲート配線の上面に変色用処理液を用いてＮｉを含有するＡｌ合金よりも反射率が小さい変色層を形成する工程と、
前記ゲート電極、前記ゲート配線および前記基板上にゲート絶縁膜および半導体薄膜を成膜する工程と、
前記半導体薄膜上にオーミックコンタクト層および金属膜を成膜する工程と、
前記金属膜、前記オーミックコンタクト層および前記半導体薄膜をパターニングして、前記ゲート電極上における前記ゲート絶縁膜上に半導体薄膜を形成し、該半導体薄膜の上面に２つのオーミックコンタクト層を形成すると共に、前記各オーミックコンタクト層上に前記金属膜からなる前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成し、該ドレイン電極に接続されるドレイン配線を形成する工程と、
それらの上にオーバーコート膜を成膜する工程と、
前記オーバーコート膜上に画素電極を前記ソース電極に接続させて形成する工程と、
を有することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の発明において、前記ゲート電極および前記ゲート配線を形成する工程は、前記画素電極下における前記基板上に前記Ａｌ合金からなる反射膜を形成する工程を含み、前記ゲート電極および前記ゲート配線の上面に変色層を形成する工程は、前記反射膜上にレジスト膜をパターン形成した状態で行ない、その後前記レジスト膜を剥離する工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、前記ゲート電極および前記ゲート配線の上面に変色層を形成する工程は、前記変色用処理液として（ＣＨ3）4ＮＯＨとＨ2Ｏとの混合液を用い、この混合液で前記レジスト膜をパターン化するための現像を行なう工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項２に記載の発明において、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ドレイン配線の金属膜は前記Ａｌ合金からなり、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ドレイン配線の上面に変色用処理液を用いて変色層を形成する工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の発明において、前記ゲート電極上における前記ゲート絶縁膜上に半導体薄膜を形成し、該半導体薄膜の上面に２つのオーミックコンタクト層を形成すると共に、前記各オーミックコンタクト層上に前記金属膜からなる前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する工程は、少なくとも前記金属膜からなる反射膜を形成する工程を含み、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ドレイン配線の上面に変色層を形成する工程は、前記反射膜上にレジスト膜をパターン形成した状態で行ない、その後前記レジスト膜を剥離する工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の発明において、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ドレイン配線の上面に変色層を形成する工程は、前記変色用処理液として（ＣＨ3）4ＮＯＨとＨ2Ｏとの混合液を用い、この混合液で前記レジスト膜をパターン化するための現像を行なう工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の発明において、前記変色用処理液は（ＣＨ3）4ＮＯＨとＨ2Ｏとの混合液であることを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の発明において、前記Ａｌ合金は２〜１０重量％のＮｉを含有することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の発明において、前記Ａｌ合金は５重量％のＮｉを含有することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのゲート電極に接続されたゲート配線と、前記薄膜トランジスタのドレイン電極に接続されたドレイン配線とを備えた薄膜トランジスタパネルの製造方法において、前記ゲート配線および前記ドレイン配線のうちの少なくとも一方の配線を、Ａｌを主成分としてＮｉを含有するＡｌ合金によって形成し、前記一方の配線の上面にＮｉを含有するＡｌ合金よりも反射率が小さい変色用処理液を用いて変色層を形成することを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、基板上に前記Ａｌ合金からなる前記ゲート電極および前記ゲート配線を形成する工程と、前記ゲート電極および前記ゲート配線の上面に変色用処理液を用いてＮｉを含有するＡｌ合金よりも反射率が小さい変色層を形成する工程と、前記ゲート電極、前記ゲート配線および前記基板上にゲート絶縁膜および半導体薄膜を成膜する工程と、前記半導体薄膜上にオーミックコンタクト層および金属膜を成膜する工程と、前記金属膜、前記オーミックコンタクト層および前記半導体薄膜をパターニングして、前記ゲート電極上における前記ゲート絶縁膜上に半導体薄膜を形成し、該半導体薄膜の上面に２つのオーミックコンタクト層を形成すると共に、前記各オーミックコンタクト層上に前記金属膜からなる前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成し、該ドレイン電極に接続されるドレイン配線を形成する工程と、それらの上にオーバーコート膜を成膜する工程と、前記オーバーコート膜上に画素電極を前記ソース電極に接続させて形成する工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記ゲート電極および前記ゲート配線を形成する工程は、前記画素電極下における前記基板上に前記Ａｌ合金からなる反射膜を形成する工程を含み、前記ゲート電極および前記ゲート配線の上面に変色層を形成する工程は、前記反射膜上にレジスト膜をパターン形成した状態で行ない、その後前記レジスト膜を剥離する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記ゲート電極および前記ゲート配線の上面に変色層を形成する工程は、前記変色用処理液として（ＣＨ3）4ＮＯＨとＨ2Ｏとの混合液を用い、この混合液で前記レジスト膜をパターン化するための現像を行なう工程を含むことを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ドレイン配線の金属膜は前記Ａｌ合金からなり、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ドレイン配線の上面に変色用処理液を用いて変色層を形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の発明において、前記ゲート電極上における前記ゲート絶縁膜上に半導体薄膜を形成し、該半導体薄膜の上面に２つのオーミックコンタクト層を形成すると共に、前記各オーミックコンタクト層上に前記金属膜からなる前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する工程は、少なくとも前記金属膜からなる反射膜を形成する工程を含み、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ドレイン配線の上面に変色層を形成する工程は、前記反射膜上にレジスト膜をパターン形成した状態で行ない、その後前記レジスト膜を剥離する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ドレイン配線の上面に変色層を形成する工程は、前記変色用処理液として（ＣＨ3）4ＮＯＨとＨ2Ｏとの混合液を用い、この混合液で前記レジスト膜をパターン化するための現像を行なう工程を含むことを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の発明において、前記変色用処理液は（ＣＨ3）4ＮＯＨとＨ2Ｏとの混合液であることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の発明において、前記Ａｌ合金は２〜１０重量％のＮｉを含有することを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明は、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の発明において、前記Ａｌ合金は５重量％のＮｉを含有することを特徴とするものである。