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【手続補正書】
【提出日】平成23年3月8日(2011.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
複数の光電変換手段と、電荷を電圧に変換する電荷電圧変換手段と、前記複数の光電変換手段のそれぞれにより蓄積された電荷を前記電荷電圧変換手段へ順次に転送する転送手段と、前記転送手段を駆動する駆動手段と、前記電荷電圧変換手段により変換された電圧に応じた信号から画像データを生成する生成手段と、前記画像データから、スミアが発生したスミア領域を検出するとともに、前記スミア領域に含まれるスミア成分の大きさを示すスミアレベルを検出するスミア検出手段とを有する撮像装置の制御方法であって、
判断手段が、前記スミアレベルの大きさを判断する判断ステップと、
制御手段が、前記判断ステップで判断した結果に応じて、スミアの影響を低減するための制御を行う制御ステップと、
を備え、
前記制御ステップで前記制御手段は、
前記スミアレベルが第１の閾値以下である場合、前記複数の光電変換手段のそれぞれにより蓄積された電荷を転送する前における前記転送手段における不要電荷を掃き出すための掃出し駆動を行い、前記スミアレベルが前記第１の閾値より大きい場合、前記掃出し駆動を行わない
ことを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
複数の光電変換手段と、電荷を電圧に変換する電荷電圧変換手段と、前記複数の光電変換手段のそれぞれにより蓄積された電荷を前記電荷電圧変換手段へ順次に転送する転送手段と、前記転送手段を駆動する駆動手段と、前記電荷電圧変換手段により変換された電圧に応じた信号から画像データを生成する生成手段と、前記画像データから、スミアが発生したスミア領域を検出するとともに、前記スミア領域に含まれるスミア成分の大きさを示すスミアレベルを検出するスミア検出手段とを有する撮像装置の制御方法であって、
判断手段が、前記スミアレベルの大きさを判断する判断ステップと、
制御手段が、前記判断ステップで判断した結果に応じて、スミアの影響を低減するための制御を行う制御ステップと、
を備え、
前記制御ステップで前記制御手段は、
前記スミアレベルが第１の閾値以下である場合、前記複数の光電変換手段のそれぞれにより蓄積された電荷を転送する前における前記転送手段における不要電荷を掃き出すための掃出し駆動を行い、前記スミアレベルが前記第１の閾値より大きな第２の閾値より大きい場合、前記掃出し駆動を行わない
ことを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第３側面に係る撮像装置の制御方法は、複数の光電変換手段と、電荷を電圧に変換する電荷電圧変換手段と、前記複数の光電変換手段のそれぞれにより蓄積された電荷を前記電荷電圧変換手段へ順次に転送する転送手段と、前記転送手段を駆動する駆動手段と、前記電荷電圧変換手段により変換された電圧に応じた信号から画像データを生成する生成手段と、前記画像データから、スミアが発生したスミア領域を検出するとともに、前記スミア領域に含まれるスミア成分の大きさを示すスミアレベルを検出するスミア検出手段とを有する撮像装置の制御方法であって、判断手段が、前記スミアレベルの大きさを判断する判断ステップと、制御手段が、前記判断ステップで判断した結果に応じて、スミアの影響を低減するための制御を行う制御ステップとを備え、前記制御ステップで前記制御手段は、前記スミアレベルが第１の閾値以下である場合、前記複数の光電変換手段のそれぞれにより蓄積された電荷を転送する前における前記転送手段における不要電荷を掃き出すための掃出し駆動を行い、前記スミアレベルが前記第１の閾値より大きい場合、前記掃出し駆動を行わないことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第４側面に係る撮像装置の制御方法は、複数の光電変換手段と、電荷を電圧に変換する電荷電圧変換手段と、前記複数の光電変換手段のそれぞれにより蓄積された電荷を前記電荷電圧変換手段へ順次に転送する転送手段と、前記転送手段を駆動する駆動手段と、前記電荷電圧変換手段により変換された電圧に応じた信号から画像データを生成する生成手段と、前記画像データから、スミアが発生したスミア領域を検出するとともに、前記スミア領域に含まれるスミア成分の大きさを示すスミアレベルを検出するスミア検出手段とを有する撮像装置の制御方法であって、判断手段が、前記スミアレベルの大きさを判断する判断ステップと、制御手段が、前記判断ステップで判断した結果に応じて、スミアの影響を低減するための制御を行う制御ステップとを備え、前記制御ステップで前記制御手段は、前記スミアレベルが第１の閾値以下である場合、前記複数の光電変換手段のそれぞれにより蓄積された電荷を転送する前における前記転送手段における不要電荷を掃き出すための掃出し駆動を行い、前記スミアレベルが前記第１の閾値より大きな第２の閾値より大きい場合、前記掃出し駆動を行わないことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月10日(2011.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像を結像させるための光学系と、
前記光学系により結像された被写体像を光電変換する撮像手段と、
前記撮像手段の出力から得られる被写体である物体の形状の情報および位置の情報の少なくとも一方に基づいて、特定の物体を認識するための物体認識手段と、
予め記憶されている前記光学系の収差情報に基づいて、前記物体認識手段により前記特定の物体を認識するための前記撮像手段の画面上の範囲を、該画面上の範囲内での前記光学系の収差量が所定の閾値以下となるように決定する決定手段と、
前記決定手段により決定された前記撮像手段の画面上の範囲内で前記特定の物体を認識するように前記物体認識手段を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記光学系の収差情報とは、前記光学系の歪曲収差の情報であることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記決定手段は、前記撮像手段の画面が前記光学系の光軸と交わる点からの前記画面上での距離に基づいて、前記画面上の範囲を決定することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記決定手段は、メモリに記憶されている前記画面上の範囲の始まりの点および終わりの点の座標、あるいは該座標に相当するメモリ上でのオフセットアドレス値に基づいて、矩形形状の前記画面上の範囲を決定することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記決定手段は、前記光学系の焦点距離あるいは前記光学系のレンズの位置に応じて、前記画面上の範囲を決定することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記決定手段は、前記光学系の焦点距離と前記画面上の範囲の関係を直線近似または曲線近似して、前記画面上の範囲を決定することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項７】
被写体像を結像させるための光学系と、前記光学系により結像された被写体像を光電変換する撮像手段と、を備える撮像装置を制御する方法であって、
前記撮像手段の出力から得られる被写体である物体の形状の情報および位置の情報の少なくとも一方に基づいて、特定の物体を認識するための物体認識工程と、
予め記憶されている前記光学系の収差情報に基づいて、前記物体認識工程において前記特定の物体を認識するための前記撮像手段の画面上の範囲を、該画面上の範囲内での前記光学系の収差量が所定の閾値以下となるように決定する決定工程と、
前記決定工程において決定された前記撮像手段の画面上の範囲内で前記特定の物体を認識するように前記物体認識工程を制御する制御工程と、
を備えることを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項８】
請求項７に記載の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係わる撮像装置は、被写体像を結像させるための光学系と、前記光学系により結像された被写体像を光電変換する撮像手段と、前記撮像手段の出力から得られる被写体である物体の形状の情報および位置の情報の少なくとも一方に基づいて、特定の物体を認識するための物体認識手段と、予め記憶されている前記光学系の収差情報に基づいて、前記物体認識手段により前記特定の物体を認識するための前記撮像手段の画面上の範囲を、該画面上の範囲内での前記光学系の収差量が所定の閾値以下となるように決定する決定手段と、前記決定手段により決定された前記撮像手段の画面上の範囲内で前記特定の物体を認識するように前記物体認識手段を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明に係わる撮像装置の制御方法は、被写体像を結像させるための光学系と、前記光学系により結像された被写体像を光電変換する撮像手段と、を備える撮像装置を制御する方法であって、前記撮像手段の出力から得られる被写体である物体の形状の情報および位置の情報の少なくとも一方に基づいて、特定の物体を認識するための物体認識工程と、予め記憶されている前記光学系の収差情報に基づいて、前記物体認識工程において前記特定の物体を認識するための前記撮像手段の画面上の範囲を、該画面上の範囲内での前記光学系の収差量が所定の閾値以下となるように決定する決定工程と、前記決定工程において決定された前記撮像手段の画面上の範囲内で前記特定の物体を認識するように前記物体認識工程を制御する制御工程と、を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図４において、５１は本実施形態の撮像装置が出力する画像の有効範囲、５２は本実施形態の撮像装置が出力する焦点距離３５ｍｍの際の探索枠、及び、物体認識の探索範囲を示す。また、５３は本実施形態の撮像装置が出力する焦点距離２４ｍｍの際の探索枠、及び、物体認識の探索範囲を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月13日(2011.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
a)式：
M[M'(CN)4]
〔式中、Ｍは、金属Zn(II)、Fe(II)、Ni(II)、Mn(II)、Co(II)、Sn(II)、Pb(II)、Sr(II)、Cu(II)、Cd(II)、Hg(II)、Pd(II)、Pt(II)、V(II)、Mg(II)、Ca(II)およびBa(II)から選択され、および、
M'は、金属Zn(II)、Fe(II)、Ni(II)、Mn(II)、Co(II)、Sn(II)、Pb(II)、Sr(II)、Cu(II)、Cd(II)、Hg(II)、Pd(II)、Pt(II)、V(II)、Mg(II)、Ca(II)およびBa(II)から選択される。〕
で示される一以上の二重金属シアン化物化合物、
b)アルコール、アルデヒド、ケトン、エーテル、エステル、アミド、尿素、ニトリルおよび硫化物からなる群から選択される一以上の有機錯化配位子、および
必要に応じて、
c)b)とは異なり、およびポリエーテル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアルキレングリコールソルビタンエステル、ポリアルキレングリコールグリシジルエーテル、ポリアクリルアミド、ポリ(アクリルアミド-コ-アクリル酸)、ポリアクリル酸、ポリ(アクリル酸-コ-マレイン酸)、ポリアクリロニトリル、ポリアルキルアクリレート、ポリアルキルメタクリレート、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチルエーテル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリ-N-ビニルピロリドン、ポリ(N-ビニルピロリドン-コ-アクリル酸)、ポリビニルメチルケトン、ポリ(4-ビニルフェノール)、ポリ(アクリル酸-コ-スチレン)、オキサゾリンポリマー、ポリアルキレンイミン、マレイン酸と無水マレイン酸とのコポリマー、ヒドロキシエチルセルロース、ポリアセタール、グリシジルエーテル、グリコシド、多価アルコールのカルボン酸エステル、胆汁酸またはその塩、そのエステルまたはそのアミド、シクロデキストリン、リン化合物、α,β-不飽和カルボン酸エステルおよびイオン性表面-または界面活性化合物の化合物クラスから選択される一以上の錯化成分
を含んでなる、二重金属シアン化物(DMC)触媒。
【請求項２】
活性水素原子を含有するスターター化合物へのアルキレンオキシドの重付加によるポリエーテルポリオールの改良された製造方法であって、請求項１に記載の一以上のDMC触媒の存在下、該方法を行うことを含む、方法。
【請求項３】
二重結合含量が約1 mmol/kg未満である請求項２にしたがって製造されたポリエーテルポリオール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
本発明を上記で例示の目的をもって詳細に説明したが、このような詳説が単にその目的のためであって、本発明は、特許請求の範囲によって限定され得る場合を除いて、本発明の精神および範囲を逸脱することなく、当業者によって変形がなされ得ると理解されるべきである。
本発明の好ましい態様は、以下を包含する。
［１］  a)式：
M[M'(CN)4]
〔式中、Ｍは、金属Zn(II)、Fe(II)、Ni(II)、Mn(II)、Co(II)、Sn(II)、Pb(II)、Sr(II)、Cu(II)、Cd(II)、Hg(II)、Pd(II)、Pt(II)、V(II)、Mg(II)、Ca(II)およびBa(II)から選択され、および、
M'は、金属Zn(II)、Fe(II)、Ni(II)、Mn(II)、Co(II)、Sn(II)、Pb(II)、Sr(II)、Cu(II)、Cd(II)、Hg(II)、Pd(II)、Pt(II)、V(II)、Mg(II)、Ca(II)およびBa(II)から選択される。〕
で示される一以上の二重金属シアン化物化合物、
b)アルコール、アルデヒド、ケトン、エーテル、エステル、アミド、尿素、ニトリルおよび硫化物からなる群から選択される一以上の有機錯化配位子、および
必要に応じて、
c)b)とは異なり、およびポリエーテル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアルキレングリコールソルビタンエステル、ポリアルキレングリコールグリシジルエーテル、ポリアクリルアミド、ポリ(アクリルアミド-コ-アクリル酸)、ポリアクリル酸、ポリ(アクリル酸-コ-マレイン酸)、ポリアクリロニトリル、ポリアルキルアクリレート、ポリアルキルメタクリレート、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチルエーテル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリ-N-ビニルピロリドン、ポリ(N-ビニルピロリドン-コ-アクリル酸)、ポリビニルメチルケトン、ポリ(4-ビニルフェノール)、ポリ(アクリル酸-コ-スチレン)、オキサゾリンポリマー、ポリアルキレンイミン、マレイン酸と無水マレイン酸とのコポリマー、ヒドロキシエチルセルロース、ポリアセタール、グリシジルエーテル、グリコシド、多価アルコールのカルボン酸エステル、胆汁酸またはその塩、そのエステルまたはそのアミド、シクロデキストリン、リン化合物、α,β-不飽和カルボン酸エステルおよびイオン性表面-または界面活性化合物の化合物クラスから選択される一以上の錯化成分
を含んでなる、二重金属シアン化物(DMC)触媒。
［２］  d)水および／またはe)水溶性金属塩をさらに含んでなる、［１］に記載のDMC触媒。
［３］  二重金属シアン化物化合物がテトラシアノニッケル(II)酸コバルト(II)である、［１］に記載のDMC触媒。
［４］  有機錯化配位子がtert-ブタノールである、［１］に記載のDMC触媒。
［５］  触媒が、錯化成分c)として約1重量%〜約80重量%のポリエーテルを含んでなる、［１］に記載のDMC触媒。
［６］  活性水素原子を含有するスターター化合物へのアルキレンオキシドの重付加によるポリエーテルポリオールの改良された製造方法であって、［１］に記載の一以上のDMC触媒の存在下、該方法を行うことを含む、方法。
［７］  ［６］に記載の方法により製造されたポリエーテルポリオール。
［８］  二重結合含量が約2 mmol/kg未満である［６］にしたがって製造されたポリエーテルポリオール。
［９］  約1 mmol/kg未満の二重結合含量を有する［８］に記載のポリエーテルポリオール。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月11日(2011.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
血管内システムであって、
遠位端部分および近位端部分を備えかつ患者の血管構造の一部を通って血管内を前進できる細長い部材を備えたカテーテルであって、少なくとも１つの電磁コイルが電磁場に曝されたとき信号処理装置に信号を送信するように前記遠位端部分に固定されているカテーテルと、
遠位端部分および近位端部分を備えかつ患者の血管構造の一部を通って血管内を前進できる第二細長い部材と、備えた血管内システムにおいて、
前記細長い部材の少なくとも一方の遠位端部分が、記憶形状と変形形状とを有し、
前記遠位端部分が、前記変形形状から前記記憶形状に向けて動くように構成され、
前記遠位端部分は、中心部材と、該中心部材の回りに周方向に配置された複数のアームとを備え、該複数のアームは、前記変形形状において互いに向けて付勢され、該変形形状から前記記憶形状にむけて動く傾向があり、
少なくとも１つの検出コイルが前記第２の細長い部材の中心部材の端部分に固定され、
前記システムは、更に、前記複数のアームに連結された複数のマーカを備えている、
ことを特徴とする血管内システム。
【請求項２】
前記細長い部材の遠位端部分が、穴あきである、
請求項１に記載の血管内システム
【請求項３】
前記カテーテルが、血管造影カテーテルである、
請求項１または２に記載の血管内システム。
【請求項４】
前記細長い部材が、操舵可能カテーテルである、
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の血管内システム。
【請求項５】
前記細長い部材が、マイクロカテーテルである、
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の血管内システム。
【請求項６】
前記細長い部材が、ガイドワイヤである、
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の血管内システム。
【請求項７】
前記細長い部材の少なくとも１つが、前記遠位端部分の前記コイルの近位側に形成された、約９０度の予成形屈曲部を有している、
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の血管内システム。
【請求項８】
前記記憶形状が尖った形状である、
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の血管内システム。
【請求項９】
プロテーゼデリバリシステムであって、
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の血管内システムを備え、
前記カテーテルがプロテーゼデリバリカテーテルであって、
管状プロテーゼが、前記デリバリカテーテル内に配置され、
前記第２の細長い部材が、移植片材料に穿孔するように構成された穿孔端部を有する操舵可能穿孔カテーテルであり、
前記少なくとも１つの検出コイルが、前記操舵可能穿孔カテーテルの遠位端部分に取付けられている、
ことを特徴とするプロテーゼデリバリシステム。
【請求項１０】
前記細長い部材の遠位端部分の回りの摺動可能に配置されたシースをさらに備え、
該シースが、前記変形形状においては前記遠位端部分を拘束し、
前記遠位端部分を露出させて該遠位端部分を記憶形状に向けて動かすように、引込み可能である、
請求項９に記載のプロテーゼデリバリシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月23日(2011.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に、それぞれ蒸着温度の異なる複数の蒸着材料を含有する第１の有機化合物層を形成し、
第１の電極を有する第２の基板を前記第１の基板と対向する位置に配置し、前記第１の電極と前記第１の有機化合物層とを対向させ、
前記第１の有機化合物層を加熱して蒸発させることにより、前記第２の基板に設けられた前記第１の電極上に第２の有機化合物層を形成し、
前記第２の有機化合物層上に第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板上にホスト材料及び前記ホスト材料よりも蒸着温度が高いドーパント材料を含有する第１の有機化合物層を形成し、
第１の電極を有する第２の基板を前記第１の基板と対向する位置に配置し、前記第１の電極と前記第１の有機化合物層とを対向させ、
前記第１の有機化合物層を、前記ホスト材料の蒸着温度以上前記ドーパント材料の蒸着温度未満の温度で加熱して蒸発させることにより、前記第２の基板に設けられた前記第１の電極上に第２の有機化合物層を形成し、
前記第２の有機化合物層上に第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記ホスト材料として、前記ドーパント材料の分解温度よりも蒸着温度が低い材料を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記ドーパント材料は、（アセチルアセトナート）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウムであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の有機化合物層を加熱する手段は、ヒーターまたはランプであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の基板は導電性基板であり、
前記第１の基板に電流を流して、前記第１の有機化合物を加熱することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に、開口部を有するマスクを配置して、前記第２の基板上に設けられた前記第１の電極上に、前記第２の有機化合物を選択的に形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の有機化合物層は湿式法で形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第２の有機化合物層は、前記第１の有機化合物層と同じ材料を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月23日(2011.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に第１の電極を形成し、
第２の基板上に光重合開始剤、前記光重合開始剤と重合する材料、及び有機化合物を含む第１の層を形成し、
前記第１の層の露光及び現像を選択的に行い、
前記第１の基板の前記第１の電極が形成されている面と前記第２の基板の前記第１の層が形成されている面とを向かい合わせ、
現像された前記第１の層を加熱して、前記第１の層に含まれる有機化合物を蒸発させ、前記第１の電極上に前記有機化合物を含む第２の層を選択的に形成し、
前記第２の層上に第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記有機化合物は低分子の発光材料であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
第１の基板上に第１の電極を形成し、
第２の基板上に光重合開始剤、前記光重合開始剤と重合する材料、及び第１の有機化合物及び第２の有機化合物を含む第１の層を形成し、
前記第１の層の露光及び現像を選択的に行い、
前記第１の基板の前記第１の電極が形成されている面と前記第２の基板の前記第１の層が形成されている面とを向かい合わせ、
現像された前記第１の層を加熱して、前記第１の層に含まれる前記第１の有機化合物及び前記第２の有機化合物を蒸発させ、前記第１の電極上に前記第１の有機化合物及び前記第２の有機化合物を含む第２の層を選択的に形成し、
前記第２の層上に第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記第１の有機化合物及び前記第２の有機化合物は低分子の発光材料であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
第１の基板上に第１の電極を形成し、
第２の基板上に有機化合物及び光重合開始剤を含む第１の層を形成し、
前記第１の層の露光を選択的に行って前記第１の層の露光した領域に含まれる前記有機化合物を重合させ、
前記第１の基板の前記第１の電極が形成されている面と前記第２の基板の前記第１の層が形成されている面とを向かい合わせ、
前記第１の層を加熱して、前記第１の層の露光した領域以外に含まれる前記有機化合物を蒸発させ、前記第１の電極上に前記有機化合物を含む第２の層を選択的に形成し、
前記第２の層上に第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、前記有機化合物はモノマーであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記第２の基板は、石英基板、ガラス基板、または金属基板であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記第１の層の露光は、露光マスクを用いた露光装置で行うことを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月19日(2011.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基体、その上に化学的に生成された、金属基体との関係で結晶学的に回転しないで成長した緩衝層及びその上に化学的に生成された超伝導性被覆よりなる、高温超伝導性薄膜ストリップ導体のための原料として二軸組織化された金属基体を加工する方法において、金属基体のカルコゲニド超格子を、緩衝層を生成する前に除くことを特徴とする、上記方法。
【請求項２】
金属基体が、Ｒｑ＜５０ｎｍ、好ましくはＲｑ＜２０ｎｍで、特に好ましくはＲｑ＜１０ｎｍの自乗平均表面粗さ(ＲＭＳ粗さ)に加工される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項３】
超格子が研磨によって除かれる請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
緩衝層のために、格子定数が金属基体の格子定数から±１５％より少なく、好ましくは±１０％より少なくしかずれていない材料を用いる、請求項１〜３のいずれか一つに記載の方法。
【請求項５】
金属基体を超格子の除去後に清浄化する、請求項１〜４のいずれか一つに記載の方法。
【請求項６】
金属基体を超音波浴中で清浄化する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
金属基体を脱脂する、特にアセトン及びイソプロパノールを用いて脱脂する、請求項５又は６に記載の方法。
【請求項８】
金属基体が少なくとも８５原子％、好ましくは９０原子％のニッケルを含有する、請求項１〜７のいずれか一つに記載の方法。
【請求項９】
金属基体、その上に化学的に生成された、金属基体との関係で結晶学的に回転しないで成長した緩衝層及びその上に化学的に生成された超伝導性被覆よりなる、高温超伝導性薄膜ストリップ導体のための原料としての、カルコゲニド超格子を有さず、かつ、Ｒｑ＜５０ｎｍの自乗平均表面粗さ(ＲＭＳ粗さ)を有する二軸組織化された金属基体の使用。
【請求項１０】
Ｒｑ＜２０ｎｍの自乗平均表面粗さ(ＲＭＳ粗さ)を有する請求項９に記載の使用。
【請求項１１】
Ｒｑ＜１０ｎｍの自乗平均表面粗さ(ＲＭＳ粗さ)を有する請求項９に記載の使用。
【請求項１２】
緩衝層が、格子定数が金属基体の格子定数から±１５％より少なく、好ましくは±１０％より少なくしかずれていない材料よりなる、請求項８〜１１のいずれか一つに記載の金属基体の使用。
【請求項１３】
金属基体、その上に化学的に生成された緩衝層及びその上に化学的に生成された超伝導性被覆よりなる高温超伝導性薄膜ストリップ導体において、金属基体がＲｑ＜５０ｎｍの自乗平均表面粗さ(ＲＭＳ粗さ)を有しそして緩衝層が、金属基体の表面上にカルコゲニド中間層なしに直接的に、金属基体の結晶構造に対して回転しないで成長していることを特徴とする、上記高温超伝導性薄膜ストリップ導体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
以下の基体を後続の実験のために使用することができた： 
基体１：ＲＭＳ  ＝  ４０ｎｍ；硫黄超格子 
基体２：ＲＭＳ  ＝    ５ｎｍ；硫黄超格子 
基体３：ＲＭＳ  ＝    ５ｎｍ；硫黄超格子なし（すなわち、研磨していない基体１） 
三種類の被覆用溶液を製造した： 
溶液１：純粋のチタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ） 
溶液２：ＮｂでドープしたＳＴＯ（電導性） 
溶液３：ＣｄでドープしたＳＴＯ（Ｎｉ基体に対してより良好な格子適合性あり） 
溶液１の為に、０．１５モルのＴｉ（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）４をアセチルアセトン中に１：２のモル比で溶解した。次いで０．１５モルの酢酸ストロンチウムを氷酢酸中に１：５のモル比で溶解した。両方の溶液を一緒にしそして氷酢酸とメトキシエタノールとの混合物で希釈して５００ｍＬとする。その際に氷酢酸とメトキシエタノールとの総量比は１：２である。この溶液を次に濾過して、場合によって生じる沈殿物を除いた。ＩＣＰ−ＯＥＳ分析（SPECTRO Genesis社）で化学量論的に０．３モル溶液が得られた。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月24日(2011.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源供給板と、前記電源供給板の第１方向の中心から一側に片寄るように前記電源供給板上に配置され前記電源供給板と電気的に接続される発光チップと、前記発光チップが露出するように前記電源供給板と結合する本体モールドとを含む光源モジュールと、
前記発光チップと向い合うように配置され前記発光チップから発生した光を入射する側面と該側面から入射した光を出射する光出射面とを含む導光板とを有することを特徴とするバックライトアセンブリ。
【請求項２】
前記電源供給板は、前記第１方向と直交する第２方向に長く延長された形状を有することを特徴とする請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項３】
前記導光板の厚さは、前記発光チップの前記第１方向の幅と同一であるか、或いは大きいことを特徴とする請求項２に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項４】
前記導光板の厚さは、前記本体モールドに形成される開口部の前記第１方向の幅と同一であるか、或いは大きいことを特徴とする請求項２に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項５】
前記導光板の一面に配置され、前記一面から出射される光の特性を向上させる少なくとも一枚の光学シートを更に有し、
前記少なくとも一枚の光学シートと前記導光板の合計厚さは、前記光源モジュールの第１方向の幅と同一であるか、或いは小さいことを特徴とする請求項２に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項６】
前記光源モジュールと電気的に接続され、前記光源モジュールに電源を供給する可撓性回路基板を更に有することを特徴とする請求項２に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項７】
前記可撓性回路基板は、前記電源供給板の一側に片寄るように配置された前記発光チップと対向する電源供給板の他側に前記本体モールドと向い合うように配置されることを特徴とする請求項６に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項８】
光を用いて画像を表示する表示パネルと、
電源供給板と、前記電源供給板の第１方向の中心から一側に片寄るように前記電源供給板上に配置され前記電源供給板と電気的に接続される発光チップと、前記発光チップが露出するように前記電源供給板と結合する本体モールドとを含む光源モジュールと、
前記発光チップと向い合うように配置され前記発光チップから発生した光を入射する側面と該側面から入射した光を出射する光出射面とを含む導光板とを含むバックライトアセンブリとを有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
前記バックライトアセンブリは、前記光源モジュールと電気的に接続され前記光源モジュールに電源を供給する可撓性回路基板を更に含み、
前記可撓性回路基板は、前記一側に片寄るように配置された前記発光チップと対向する他側に前記本体モールドと向い合うように配置されることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記可撓性回路基板は、前記表示パネルの下面に少なくとも一部分が付着されて固定されることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記導光板の厚さは、前記本体モールドに形成される開口部の前記第１方向の幅と同一であるか、或いは大きいことを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記バックライトアセンブリは、前記導光板上に配置され、前記導光板から出射される光の特性を向上させる少なくとも一枚の光学シートを更に含み、
前記少なくとも一枚の光学シートと前記導光板の合計厚さは、前記光源モジュールの第１方向の幅と同一であるか、或いは小さいことを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】バックライトアセンブリ及びこれを有する表示装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、バックライトアセンブリ及びこれを有する表示装置に関し、より詳細には、導光板の厚さを減少して表示装置をスリム化することのできるバックライトアセンブリ及びこれを有する表示装置の厚さを減少させる方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで、本発明は上記従来の液晶表示装置における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、導光板の厚さを減少して表示装置をスリム化することのできる光源モジュールを具備するバックライトアセンブリを提供することにある。
本発明の他の目的は、上記バックライトアセンブリを具備する表示装置を提供することにある。  
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月24日(2011.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、該基材中に分散された該基材よりも導電率が大きい導体粒子とを有する導電性部材であって、
上記導体粒子は上記基材中において、当該導電性部材の抵抗温度特性により決定した活性化エネルギーが０．３ｅＶ以下で、且つ体積抵抗率が１０5Ωｃｍ以上となるような分散状態を呈していることを特徴とする導電性部材。
【請求項２】
上記導体粒子は上記基材中において、当該導電性部材の抵抗温度特性により決定した活性化エネルギーが０．２ｅＶ以下となるような分散状態を呈している請求項１に記載の導電性部材。
【請求項３】
上記導体粒子は上記基材中において、当該導電性部材の体積抵抗率が１０8Ωｃｍ以上となるような分散状態を呈している請求項１又は２に記載の導電性部材。
【請求項４】
上記導体粒子の粒径が０．５ｎｍ乃至５０μｍである請求項１乃至３のいずれかに記載の導電性部材。
【請求項５】
上記導体粒子が導電性部材全体に占める割合が体積率で５０体積％以下である請求項１乃至４のいずれか一項に記載の導電性部材。
【請求項６】
上記導体粒子が、金、白金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミウム、イリジウム、から選ばれる少なくとも１種類の貴金属で構成されている請求項１乃至５のいずれか一項に記載の導電性部材。
【請求項７】
電子源が配置された第１の基板と、該電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器を備えた画像表示装置の、上記第１の基板と第２の基板との間に配置されるスペーサであって、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の導電性部材であることを特徴とするスペーサ。
【請求項８】
電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器と、上記第１の基板と第２の基板との間に配置されたスペーサとを備えた画像表示装置であって、前記スペーサが請求項１乃至６のいずれか一項に記載の導電性部材であることを特徴とする画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第１は、基材と、該基材中に分散された該基材よりも導電率が大きい導体粒子とを有する導電性部材であって、
上記導体粒子は上記基材中において、当該導電性部材の抵抗温度特性により決定した活性化エネルギーが０．３ｅＶ以下で、且つ体積抵抗率が１０5Ωｃｍ以上となるような分散状態を呈していることを特徴とする導電性部材。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の導電性部材においては、
上記導体粒子は上記基材中において、当該導電性部材の抵抗温度特性により決定したＥａ（活性化エネルギー）が０．２ｅＶ以下となるような分散状態を呈していること、
上記導体粒子は上記基材中において、当該導電性部材の体積抵抗率が１０8Ωｃｍ以上となるような分散状態を呈していること、
上記導体粒子の粒径が０．５ｎｍ乃至５０μｍであること、
上記導体粒子が導電性部材全体に占める割合が体積率で５０体積％以下であること、
上記導体粒子が、金、白金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミウム、イリジウム、から選ばれる少なくとも１種類の貴金属で構成されていること、
を好ましい態様として含む。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月4日(2011.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
基板と、前記基板の上に形成される有機発光素子と、前記有機発光素子の周囲に形成される素子分離膜とを有し、
前記有機発光素子は、基板側から順に下部電極と、有機化合物層と、上部電極とを有する有機発光装置の製造方法において、
少なくとも前記下部電極及び前記素子分離膜が形成された基板を、１０Ｐａ以上１００００Ｐａ以下の範囲内の圧力下で、少なくとも酸素を含む気体を雰囲気中に導入及び排気しながらＵＶ光を照射する洗浄工程と、
前記洗浄工程により洗浄された前記下部電極の上に有機化合物層を形成する工程と、
前記有機化合物層の上に上部電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機発光装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記目的を達成するため、本発明は、
基板と、前記基板の上に形成される有機発光素子と、前記有機発光素子の周囲に形成される素子分離膜とを有し、
前記有機発光素子は、基板側から順に下部電極と、有機化合物層と、上部電極とを有する有機発光装置の製造方法において、
少なくとも前記下部電極及び前記素子分離膜が形成された基板を、１０Ｐａ以上１００００Ｐａ以下の範囲内の圧力下で、少なくとも酸素を含む気体を雰囲気中に導入及び排気しながらＵＶ光を照射する洗浄工程と、
前記洗浄工程により洗浄された基板の前記下部電極の上に有機化合物層を形成する工程と、
前記有機化合物層の上に上部電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極に電圧を印加することで階調を表現する液晶表示装置の駆動方法であって、
１フレーム期間をｎ個（ｎ：整数，３≦ｎ）のサブフレーム期間に分割し、
前記ｎ個のサブフレーム期間のうち第ｍサブフレーム期間（ｍ：整数，２≦ｍ≦ｎ）以外のサブフレーム期間において、前記液晶表示装置の外部から入力される信号に対応した信号電圧を前記画素電極に印加し、
前記ｎ個のサブフレーム期間のうち第ｍサブフレーム期間において、液晶の応答量に対する不足又は過剰の応答量を補償するための補償電圧を前記信号電圧に加えて前記画素電極に印加することを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
【請求項２】
請求項１において、
任意の１フレーム期間の第ｎサブフレーム期間に印加される電圧と、前記任意の１フレーム期間の次の１フレーム期間の第１サブフレーム期間に印加される電圧との差が小さくなるように、前記補償電圧を加える前記第ｍサブフレーム期間を選択することを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
【請求項３】
画素電極に電圧を印加することで階調を表現する液晶表示装置の駆動方法であって、
１フレーム期間をｎ個（ｎ：整数，３≦ｎ）のサブフレーム期間に分割し、
前記ｎ個のサブフレーム期間のうち第１サブフレーム期間以外のサブフレーム期間をｋ個（ｋ：整数，１≦ｋ≦ｎ−１）選択し、
前記選択されたｋ個のサブフレーム期間以外のｎ−ｋ個のサブフレーム期間において、前記液晶表示装置の外部から入力される信号に対応した信号電圧を前記画素電極に印加し、
前記選択されたｋ個のサブフレーム期間において、液晶の応答量に対する不足又は過剰の応答量を補償するための補償電圧を前記信号電圧に加えて前記画素電極に印加することを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
【請求項４】
請求項３において、
任意の１フレーム期間の第ｎサブフレーム期間に印加される電圧と、前記任意の１フレーム期間の次の１フレーム期間の第１サブフレーム期間に印加される電圧との差が小さくなるように、前記補償電圧を加える前記ｋ個のサブフレーム期間を選択することを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記ｎ個のサブフレーム期間のうちの第１サブフレーム期間においては、バックライトを消灯することを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記ｎ個のサブフレーム期間のうちの第１サブフレーム期間においては、前記信号電圧に代えてオーバードライブ電圧を印加することを特徴とする液晶表示装置の駆動方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一に記載の液晶表示装置の駆動方法を用いた液晶表示装置。
【請求項８】
請求項７に記載の液晶表示装置を用いた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月20日(2011.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸芯体と、弾性体層と、該弾性層を被覆する表面層としての被覆層とを有し、該被覆層の表面におけるＡｓｋｅｒ−Ｃ硬度が４０°以上、８５°以下である現像ローラであって、
該被覆層は、厚さ１５ｎｍ以上、５０００ｎｍ以下であって、かつ、
該現像ローラの表面におけるマルテンス硬度Ｈ１（Ｎ／ｍｍ2）と、前記弾性体層のマルテンス硬度Ｈ２（Ｎ／ｍｍ2）と、前記被覆層の膜厚ｄ（ｍｍ）とが下記式（１）の関係を満たすことを特徴とする現像ローラ：
４００ ≦ （Ｈ１−Ｈ２）／ｄ ≦ ２０００ （１）。
【請求項２】
前記被覆層の表面のジヨードメタンに対する接触角が４０°以上、７０°以下である請求項１に記載の現像ローラ。
【請求項３】
前記被覆層は、前記現像ローラから切り取った被覆層及び弾性体層を含む短冊状の被験試料を５％延伸変形させたときに、割れを生じないものである請求項１または２に記載の現像ローラ。
【請求項４】
前記被覆層が、ＳｉＯｘを主成分とする材料を含み、プラズマＣＶＤ法を用いて形成されたものである請求項１乃至３のいずれか一項に記載の現像ローラ。
【請求項５】
前記弾性体層が、架橋ゴムまたは熱可塑性エラストマーを含み、また、ＤＢＰ吸収量が５０ｍｌ／１００ｇ以上、１１０ｍｌ／１００ｇ以下であるカーボンブラックを導電剤として含有している請求項１乃至４のいずれか一項に記載の現像ローラ。
【請求項６】
静電潜像を担持する潜像担持体に対向した状態でトナーを担持する現像ローラと、該現像ローラに担持されたトナーを摩擦帯電しながら該トナーの層厚を規制する規制ブレードとを備え、該現像ローラが前記潜像担持体にトナーを付与することにより静電潜像を現像する現像装置であって、前記現像ローラが、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の現像ローラであることを特徴とする現像装置。
【請求項７】
潜像担持体と、該潜像担持体の表面を帯電する手段と、該潜像担持体に形成された静電潜像を現像する手段とを備えたプロセスカートリッジであって、該静電潜像を現像する手段が請求項６に記載の現像装置であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項８】
電子写真方式により静電潜像が形成される潜像担持体、該潜像担持体を帯電する手段、該潜像担持体の帯電領域に静電潜像を形成する手段、該静電潜像にトナーを付着させて該静電潜像をトナーの像として顕像化する手段、及び該トナーの像を転写材に転写する手段を有する画像形成装置であって、前記静電潜像をトナーの像として顕像化する手段が、請求項６に記載の現像装置であることを特徴とする電子写真画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月17日(2011.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体に設けられた磁気ストライプに対して磁気ヘッドを接触させて磁気情報を書込み／読取る磁気記録装置において、
複数種類の磁気ストライプを磁気ヘッドで読み取った場合の読取出力が同一となるような書き込み電流値を磁気ストライプの種類ごとに格納する電流値格納手段と、
磁気ストライプの種類を示す情報に基づいて前記電流値格納手段に格納された電流値を磁気ヘッドに設定する設定手段とを設けたことを特徴とする磁気記録装置。
【請求項２】
媒体の識別情報を読取る読取手段を備え、
前記読取手段により読取った媒体の識別情報に基づいて磁気ストライプの種類を判断する請求項１記載の磁気記録装置。
【請求項３】
磁気ストライプの種類を判断する判断手段を備えた上位装置に接続され、
前記読取手段により読取った媒体の識別情報を前記上位装置に送信し、前記判断手段で磁気ストライプの種類を判断した判断結果を受信する請求項２記載の磁気記録装置。
【請求項４】
磁気ストライプの種類を判断する判断手段を備え、
前記読取手段により読取った媒体の識別情報に基づいて、前記判断手段で磁気ストライプの種類を判断する請求項２記載の磁気記録装置。
【請求項５】
前記電流値格納手段は、装置ごとに電流値の補正値を格納する補正値格納手段を備え、
前記設定手段により設定された電流値を、前記補正値格納手段に格納された補正値により補正する請求項１から４記載の磁気記録装置。
【請求項６】
前記媒体は冊子状媒体であり、
前記電流値格納手段は、前記冊子状媒体の頁ごとに電流値の補正値を格納する頁補正値格納手段を備え、
前記設定手段により設定された電流値を、前記頁補正値格納手段に格納された補正値により補正する請求項１から４記載の磁気記録装置。
【請求項７】
前記媒体の識別情報は、抗磁力に関する情報又は顧客情報であることを特徴とする請求項１から６記載の磁気記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月3日(2010.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電動送風機ならびにこの電動送風機の上流側で集塵をおこなう集塵部を備えた掃除機本体と、
吸込下流側の端部が前記集塵部に接続され、吸込上流側が、前記掃除機本体の下部に向けて下方に延在する部分を有するとともに、掃除機本体下部に取り付けられた吸込口体に接続された第１分岐路と、前記吸込口体とは別の吸込風路体に連通接続された第２分岐路とに分岐された吸塵路と、
を備え、前記吸込口体と前記吸込風路体とから選択的に吸込可能なアップライト式電気掃除機であって、
掃除機本体を起立させた状態において、前記第１分岐路の前記下方に延在する部分の下方基端部と第２分岐路の分岐基端部とを上下方向で重ならないようにずらして配置するとともに、前記第２分岐路側から塵埃が落下した場合にこの塵埃を受け止める部分よりも前記下方基端部が高い位置にあることを特徴とするアップライト式電気掃除機。
【請求項２】
前記吸塵路において、前記第２分岐路の分岐基端部が、前記第１分岐路の下方基端部よりも吸込下流側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のアップライト式電気掃除機。
【請求項３】
前記吸塵路が、前記集塵部から横方向に延在されて先端が前記第１分岐路に連通する横方向部を備え、
この横方向部は、掃除機本体を起立させた状態において、水平方向に配置されるか、または、塵埃落下部よりも前記下方基端部が高くなるように配置されていることを特徴とする請求項２に記載のアップライト式電気掃除機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述の目的を達成するために、本発明は、電動送風機ならびにこの電動送風機の上流側で集塵をおこなう集塵部を備えた掃除機本体と、吸込下流側の端部が前記集塵部に接続され、吸込上流側が、前記掃除機本体の下部に向けて下方に延在する部分を有するとともに、掃除機本体下部に取り付けられた吸込口体に接続された第１分岐路と、前記吸込口体とは別の吸込風路体に連通接続された第２分岐路とに分岐された吸塵路とを備え、前記吸込口体と前記吸込風路体とから選択的に吸込可能なアップライト式電気掃除機であって、掃除機本体を起立させた状態において、前記第１分岐路の前記下方に延在する部分の下方基端部と第２分岐路の分岐基端部とを上下方向で重ならないようにずらして配置するとともに、前記第２分岐路側から塵埃が落下した場合にこの塵埃を受け止める部分よりも前記下方基端部が高い位置にあることを特徴とするアップライト式電気掃除機とした。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月10日(2011.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＲ信号発生材料を含むＭＲＩ用ファントムに管路を設け、ＭＲＩ用コイルに対して電気的ロードとなるロード材料を含んだロード液を前記管路に充填し、前記管路に充填する前記ロード液の量および種類の少なくとも一方を変えて前記ＭＲＩ用コイルから見た前記ＭＲＩ用ファントムの電気的ロードの大きさを調整することを特徴とするＭＲＩ用ファントムの電気的ロード調整方法。
【請求項２】
ＭＲ信号発生材料を含むＭＲＩ用ファントムに多数の挿入孔を設け、ＭＲＩ用コイルに対して電気的ロードとなるロード材料を含んだロードロッドを前記挿入孔に挿入し、挿入するロードロッドの数、種類および場所の少なくとも一つを変えて前記ＭＲＩ用コイルから見た前記ＭＲＩ用ファントムの電気的ロードの大きさを調整することを特徴とするＭＲＩ用ファントムの電気的ロード調整方法。
【請求項３】
ＭＲ信号発生材料を含むＭＲＩ用ファントムに、ＭＲＩ用コイルに対して電気的ロードとなるロード材料を含んだロードリングを嵌め、嵌めるロードリングの数、種類および場所の少なくとも一つを変えて前記ＭＲＩ用コイルから見た前記ＭＲＩ用ファントムの電気的ロードの大きさを調整することを特徴とするＭＲＩ用ファントムの電気的ロード調整方法。
【請求項４】
ＭＲ信号発生材料を含むＭＲＩ用ファントムに、ＭＲＩ用コイルに対して電気的ロードとなるロード材料を含んだロードパッドを貼り付け、貼り付けるロードパッドの数、種類および場所の少なくとも一つを変えて前記ＭＲＩ用コイルから見た前記ＭＲＩ用ファントムの電気的ロードの大きさを調整することを特徴とするＭＲＩ用ファントムの電気的ロード調整方法。
【請求項５】
ＭＲ信号発生材料を含むと共に管路を有するＭＲＩ用ファントムと、ＭＲＩ用コイルに対して電気的ロードとなるロード材料を含んだロード液を前記管路に充填すると共に前記管路に充填する前記ロード液の量および種類の少なくとも一方を変えることが出来るロード液充填手段とを具備したことを特徴とするＭＲＩ用ファントム装置。
【請求項６】
ＭＲ信号発生材料を含むと共に多数の挿入孔を有するＭＲＩ用ファントムと、ＭＲＩ用コイルに対して電気的ロードとなるロード材料を含むと共に前記挿入孔に挿入されうるロードロッドとを具備したことを特徴とするＭＲＩ用ファントム装置。
【請求項７】
ＭＲ信号発生材料を含むＭＲＩ用ファントムと、ＭＲＩ用コイルに対して電気的ロードとなるロード材料を含むと共に前記ＭＲＩ用ファントムに嵌めうるロードリングとを具備したことを特徴とするＭＲＩ用ファントム装置。
【請求項８】
ＭＲ信号発生材料を含むＭＲＩ用ファントムと、ＭＲＩ用コイルに対して電気的ロードとなるロード材料を含むと共に前記ＭＲＩ用ファントムに貼り付けうるロードパッドとを具備したことを特徴とするＭＲＩ用ファントム装置。
【請求項９】
ＭＲ信号発生材料を含むＭＲＩ用ファントムに面したＭＲＩ用コイルの表面に、前記ＭＲＩ用コイルに対して電気的ロードとなるロード材料を含んだロードパッドを貼り付け、貼り付けるロードパッドの数、種類および場所の少なくとも一つを変えて前記ＭＲＩ用コイルから見た前記ＭＲＩ用ファントムの電気的ロードの大きさを調整することを特徴とするＭＲＩ用ファントムの電気的ロード調整方法。