【手続補正書】
【提出日】平成22年12月20日(2010.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に、複数の端子電極が設けられた面が上方を向くよう、半導体チップを実装する工程と、
前記支持基板上に、前記半導体チップの前記端子電極が設けられた面と側面とを覆う絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記端子電極と接続する金属配線を形成する工程と、
前記金属配線上に複数の外部端子電極を形成する工程と、を有し、
隣接する前記外部端子電極の間隔が、隣接する前記端子電極の間隔より大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体チップを実装する工程の前に、
前記支持基板上に、嵌合孔を有する金属膜を形成する工程を有し、
前記半導体チップを実装する工程において、前記嵌合孔内に前記半導体チップを実装することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記金属膜を形成する工程において、
前記支持基板上に、前記金属膜を形成する工程と、
前記金属膜をエッチングし、前記嵌合孔を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記金属膜を形成する工程において、
前記支持基板上に、第１の金属膜を形成する工程と、
前記第１の金属膜上に、第２の金属膜を形成する工程と、を有し、
前記第２の金属膜に、前記嵌合孔が形成されることを特徴とする請求項２または３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記金属膜を形成する工程において、
前記支持基板上に、めっきにより前記金属膜を形成することを特徴とする請求項２から４のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体チップを実装する工程の前に、
前記支持基板に、嵌合孔を形成する工程を有し、
前記半導体チップを実装する工程において、前記嵌合孔内に前記半導体チップを実装することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記支持基板が、金属板または絶縁板からなることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
支持基板と、
前記支持基板上に、複数の端子電極が設けられた面が上方を向くよう実装された半導体チップと、
前記支持基板上に、前記半導体チップの前記端子電極が設けられた面と側面とを覆うよう形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に、前記端子電極と接続して形成された金属配線と、
前記金属配線上に複数形成された外部端子電極と、を有し、
隣接する前記外部端子電極の間隔が、隣接する前記端子電極の間隔より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
前記支持基板上に、嵌合孔を有する金属膜が形成されており、
前記嵌合孔内に前記半導体チップが実装されていることを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記金属膜が、
前記支持基板上に形成された第１の金属膜と、
前記第１の金属膜上に形成された第２の金属膜と、からなり、
前記第２の金属膜に、前記嵌合孔が形成されていることを特徴とする請求項９記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記金属膜がめっき金属からなることを特徴とする請求項９または１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記支持基板に、嵌合孔が形成されており、
前記嵌合孔内に前記半導体チップが実装されていることを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記支持基板が、金属板または絶縁板からなることを特徴とする請求項８から１２のいずれか１項記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法及び半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に係り、特に半導体チップの端子電極の間隔を配線基板の端子電極の間隔に対応させるための半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
このうち、半導体チップの端子電極の間隔が、配線基板の端子電極の間隔と比べて小さい場合には、直接配線基板に実装することは困難である。図１に、半導体チップ１２０の端子電極１４０の間隔Ｄ１が、配線基板１７０の端子電極１５０の間隔Ｄ２と比べて小さい場合の半導体チップ１２０及び配線基板１７０の模式的な断面図を示す。このような場合、半導体チップと配線基板との間に、絶縁層と配線層を複雑に積層した高密度多層配線基板を介し、半導体チップをフリップチップにより高密度多層配線基板に実装し、半導体チップを実装した高密度多層配線基板をＢＧＡ接合により一般配線基板（マザーボード）に実装する実装方法が行われる。これがＦＣＢＧＡ（Flip Chip Ball Grid Array）である。ＦＣＢＧＡにおいては、高密度多層配線基板を一般配線基板に実装する実装方法がＢＧＡであるが、ＢＧＡではなくＰＧＡ（Pin Grid Array）、ＬＧＡ（Land Grid Array）の場合もあり、それぞれＦＣＰＧＡ、ＦＣＬＧＡ、と呼ばれる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、複雑な構造の高密度配線基板を用いずに、半導体チップの端子電極の間隔をＣ４バンプピッチ等の一般的な端子間隔に対応させることができ、その結果、従来の配線基板を用いながら、半導体チップを支持する機械的強度や半導体チップからの発熱を放散させるための熱伝導性を向上させることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第１の発明に係る半導体装置の製造方法は、支持基板上に、複数の端子電極が設けられた面が上方を向くよう、半導体チップを実装する工程と、前記支持基板上に、前記半導体チップの前記端子電極が設けられた面と側面とを覆う絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に、前記端子電極と接続する金属配線を形成する工程と、前記金属配線上に複数の外部端子電極を形成する工程と、を有し、隣接する前記外部端子電極の間隔が、隣接する前記端子電極の間隔より大きいことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第２の発明は、第１の発明に係る半導体装置の製造方法において、前記半導体チップを実装する工程の前に、前記支持基板上に、嵌合孔を有する金属膜を形成する工程を有し、前記半導体チップを実装する工程において、前記嵌合孔内に前記半導体チップを実装することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
第３の発明は、第２の発明に係る半導体装置の製造方法において、前記金属膜を形成する工程において、前記支持基板上に、前記金属膜を形成する工程と、前記金属膜をエッチングし、前記嵌合孔を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
第４の発明は、第２又は第３の発明に係る半導体装置の製造方法において、前記金属膜を形成する工程において、前記支持基板上に、第１の金属膜を形成する工程と、前記第１の金属膜上に、第２の金属膜を形成する工程と、を有し、前記第２の金属膜に、前記嵌合孔が形成されることを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
第５の発明は、第２から第４のいずれか１つの発明に係る半導体装置の製造方法において、前記金属膜を形成する工程において、前記支持基板上に、めっきにより前記金属膜を形成することを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
第６の発明は、第１の発明に係る半導体装置の製造方法において、前記半導体チップを実装する工程の前に、前記支持基板に、嵌合孔を形成する工程を有し、前記半導体チップを実装する工程において、前記嵌合孔内に前記半導体チップを実装することを特徴とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
第７の発明は、第１から第６のいずれか１つの発明に係る半導体装置の製造方法において、前記支持基板が、金属板または絶縁板からなることを特徴とする。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
第８の発明に係る半導体装置は、支持基板と、前記支持基板上に、複数の端子電極が設けられた面が上方を向くよう実装された半導体チップと、前記支持基板上に、前記半導体チップの前記端子電極が設けられた面と側面とを覆うよう形成された絶縁層と、前記絶縁層上に、前記端子電極と接続して形成された金属配線と、前記金属配線上に複数形成された外部端子電極と、を有し、隣接する前記外部端子電極の間隔が、隣接する前記端子電極の間隔より大きいことを特徴とする。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
第９の発明は、第８の発明に係る半導体装置において、前記支持基板上に、嵌合孔を有する金属膜が形成されており、前記嵌合孔内に前記半導体チップが実装されていることを特徴とする。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
第１０の発明は、第９の発明に係る半導体装置において、前記金属膜が、前記支持基板上に形成された第１の金属膜と、前記第１の金属膜上に形成された第２の金属膜と、からなり、前記第２の金属膜に、前記嵌合孔が形成されていることを特徴とする。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
第１１の発明は、第９又は第１０の発明に係る半導体装置において、前記金属膜がめっき金属からなることを特徴とする。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
第１２の発明は、第８の発明に係る半導体装置において、前記支持基板に、嵌合孔が形成されており、前記嵌合孔内に前記半導体チップが実装されていることを特徴とする。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
第１３の発明は、第８から第１２のいずれか１つの発明に係る半導体装置において、前記支持基板が、金属板または絶縁板からなることを特徴とする。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】