【手続補正書】
【提出日】平成21年10月23日(2009.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の研磨ステーションを有する基板研磨システムにおける基板処理時間を調整する方法であって、
ａ）較正基板が前記基板ステーションのうちの１つにある間に、前記較正基板の処理前の厚さ測定値を採取することと、
ｂ）前記研磨システム内で前記較正基板を処理することであって、前記較正基板が少なくとも１つの研磨ステーションにおいて所定の処理時間だけ処理され、前記処理が電気化学機械研磨ステーションにおいて実行されることと、
ｃ）前記較正基板が前記研磨ステーションのうちの１つにある間に、前記較正基板の処理後の厚さ測定値を採取することと、
ｄ）前記処理前および処理後測定値と前記所定の処理時間とに基づいて除去速度を計算することと、
ｅ）１つ以上の研磨ステーションの処理時間を前記除去速度に基づいて調整することであって、前記調整された処理時間が次の製造基板の処理において使用されることと、を備える方法。
【請求項２】
１つ以上の研磨ステーションを有する基板研磨システムにおける基板処理時間を調整する方法であって、
ａ）較正基板が前記基板ステーションのうちの１つにある間に、前記較正基板の処理前の厚さ測定値を採取することと、
ｂ）前記研磨システム内で前記較正基板を処理することであって、前記較正基板が少なくとも１つの研磨ステーションにおいて所定の処理時間だけ処理されることと、
ｃ）前記較正基板が前記研磨ステーションのうちの１つにある間に、前記較正基板の処理後の厚さ測定値を採取することであって、前記厚さ測定値の採取が、１つ以上の光学監視システムから受信した信号に基づくことと、
ｄ）前記処理前および処理後測定値と前記所定の処理時間とに基づいて除去速度を計算することと、
ｅ）１つ以上の研磨ステーションの処理時間を前記除去速度に基づいて調整することであって、前記調整された処理時間が次の製造基板の処理において使用されることと、を備える方法。
【請求項３】
前記厚さ測定値を採取することが、光ビームを生成して、研磨オペレーションの最中に、前記光ビームをアパーチャにより、前記較正基板上に衝突するように案内することを備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記厚さ測定値を採取することが、反射率計または干渉計を利用して厚さ測定値を採取するステップを備える、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
１つ以上の研磨ステーションを有する基板研磨システムにおける基板処理時間を調整する方法であって、
ａ）較正基板が前記基板ステーションのうちの１つにある間に、前記較正基板の処理前の厚さ測定値を採取することと、
ｂ）前記研磨システム内で前記較正基板を処理することであって、前記較正基板が少なくとも１つの研磨ステーションにおいて所定の処理時間だけ処理さることと、
ｃ）前記較正基板が前記研磨ステーションのうちの１つにある間に、前記較正基板の処理後の厚さ測定値を採取することと、
ｄ）前記処理前および処理後測定値と前記所定の処理時間とに基づいて除去速度を計算することと、
ｅ）１つ以上の研磨ステーションの処理時間を前記除去速度に基づいて調整することであって、前記調整された処理時間が次の製造基板の処理において使用されることと、
ｆ）除去速度計算のログを維持することと、
ｇ）厚さ測定のログを維持することと、
ｈ）ステップｂ）〜ｅ）を、少なくとも一部が除去速度計算のログの変化に応じて決定された頻度で繰り返すことと、をさらに備える、方法。
【請求項６】
２またはこれ以上の研磨ステーションを有する基板研磨システムにおいて複数の除去速度を測定する方法であって、
ａ）較正基板を第１研磨ステーションにおいて処理する前に、前記較正基板の第１処理前の厚さ測定値を採取することと、
ｂ）前記第１研磨ステーションにおいて前記較正基板の１回目の処理を行った後に、前記較正基板の第１処理後の厚さ測定値を採取することと、
ｃ）前記第２研磨ステーションにおいて前記較正基板を第２処理時間だけ処理した後に、前記較正基板の第２処理後の厚さ測定値を採取することと、
ｄ）前記第１および第２処理時間を、前記第１処理前の厚さ測定値と前記第１および第２処理後の厚さ測定とに基づいて調整することであって、前記第１および第２処理時間が、次の、前記第１および第２ステーションでの製造基板の研磨において使用されることと、
前記厚さ測定値のそれぞれが、前記較正基板が研磨ステーションのうちの１つ以上にある間に採取されることと、を備える方法。
【請求項７】
前記第１研磨ステーション及び前記第２研磨ステーションのうち少なくとも一つが電気化学機械研磨ステーションである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１および第２処理時間を調整することが、前記処理前および処理後測定値に基づいた除去速度の計算に基づいている、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記厚さ測定値の採取することが、１つ以上の光学監視システムから受信した信号に基づいて行われている、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記厚さ測定値の採取することが、光ビームを生成して、研磨オペレーションの最中に、前記光ビームをアパーチャによって、前記較正基板上に衝突するように案内するステップを備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記厚さ測定の採取することが、反射計、干渉計または分光光度計を利用して厚さ測定値を採取するステップを備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
基板研磨装置であって、
１つ以上の研磨ステーションであって、少なくとも１つの前記研磨ステーションが、前記較正基板上に形成された１つ以上の層の処理前および処理後の厚さを表す１つ以上の信号を提供するために、プラテンおよび測定デバイスを備えており、前記処理中に前記厚さ測定デバイスがプラテンと共に回転し、前記信号が、前記較正基板が前記研磨ステーションにある間に提供される研磨ステーションと、
１つ以上の研磨ステーションの処理時間を、前記処理前および処理後の厚さを表す前記信号に基づいて調整するために適合された制御装置であって、前記調整された処理時間が、次の製造基板の処理において使用される制御装置と、
を備える基板研磨装置。
【請求項１３】
基板研磨装置であって、
１つ以上の研磨ステーションであって、少なくとも１つの前記研磨ステーションが、較正基板上に形成された１つ以上の層の処理前および処理後の厚さを表す１つ以上の信号を提供するための測定デバイスを含み、前記信号が、前記較正基板が前記研磨ステーションにある間に提供される研磨ステーションと、
１つ以上の研磨ステーションの処理時間を、前記処理前および処理後厚さを表す信号に基づいて調整するように適合された制御装置であって、前記調整された処理時間が、次の製造基板の処理において使用され、さらに、除去速度のログ又は処理後の厚さ測定値のログを維持しそれぞれの除去速度又は処理後の厚さ測定値の後に前記ログを更新するように適合されている制御装置と、
を備える基板研磨装置。
【請求項１４】
基板研磨装置であって、
１つ以上の研磨ステーションを備え、少なくとも１つの前記研磨ステーションが、較正基板上に形成された１つ以上の層の処理前および処理後の厚さを表す１つ以上の信号を提供するための測定デバイスを含み、前記信号が、前記較正基板が前記研磨ステーションにある間に提供され、
１つ以上の研磨ステーションの処理時間を、前記処理前および処理後厚さを表す信号に基づいて調整するように適合された制御装置をさらに備え、前記調整された処理時間が、次の製造基板の処理において使用され、前記制御装置がさらに、処理時間を、除去速度のログの変化に基づいて決定された頻度で調整するように適合されている、基板研磨装置。
【請求項１５】
基板研磨装置であって、
１つ以上の研磨ステーションであって、少なくとも１つの前記研磨ステーションが、較正基板上に形成された１つ以上の層の処理前および処理後の厚さを表す１つ以上の信号を提供するための測定デバイスを含み、前記信号が、前記較正基板が前記研磨ステーションにある間に提供される、研磨ステーションと、
１つ以上の研磨ステーションの処理時間を、前記処理前および処理後厚さを表す信号に基づいて調整するように適合された制御装置であって、前記調整された処理時間が、次の製造基板の処理において使用され、さらに、前記除去速度が閾値除去速度から所定量だけ異なる場合に警告を生成するように適合されている、制御装置と、
を備える基板研磨装置。