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【手続補正書】
【提出日】平成22年12月22日(2010.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
屋根又は屋上に敷設される緑化構造体の延焼防止構造において、
前記緑化構造体の植物層の下端から植物層の高さと同一又は植物層よりも高い位置まで上方に突出する仕切壁部を設けて、前記植物層を複数の領域に区画したことを特徴とする緑化構造体の延焼防止構造。
【請求項２】
屋根又は屋上に敷設される緑化構造体の延焼防止構造において、
前記屋根の上に不燃性の仕切壁部材を設けて、該仕切壁部材により前記緑化構造体を複数の領域に区画したことを特徴とする緑化構造体の延焼防止構造。
【請求項３】
前記仕切壁部は、
上下に延在する縦壁部と、該縦壁部の上端で折曲されて突出する上端片部とを有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の緑化構造体の延焼防止構造。
【請求項４】
前記仕切壁部は、
上下に延在する縦壁部と、該縦壁部の下端で折曲されて突出する下端片部とを有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の緑化構造体の延焼防止構造。
【請求項５】
前記仕切壁部は、前記仕切壁部の断面がコ字型を有する一対の長尺部材であり、
該長尺部材の開放部分が側方に向かって開口するように互いに背中合わせの状態に組み合わせて形成されることを特徴とする請求項４に記載の緑化構造体の延焼防止構造。
【請求項６】
前記仕切壁部は、
前記上端片部の横幅が、前記上端片部の上を歩行可能な大きさに設定されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一つに記載の緑化構造体の延焼防止構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の緑化構造体の延焼防止構造は、屋根又は屋上に敷設される緑化構造体の延焼防止構造において、緑化構造体の植物層の下端から植物層の高さと同一又は植物層よりも高い位置まで上方に突出する仕切壁部を設けて、植物層を複数の領域に区画したことを特徴としている（請求項１）。
また、本発明の緑化構造体の延焼防止構造は、屋根又は屋上に敷設される緑化構造体の延焼防止構造において、屋根の上に不燃性の仕切壁部材を設けて、仕切壁部材により緑化構造体を複数の領域に区画したことを特徴としている（請求項２）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の緑化構造体の延焼防止構造が有する好ましい態様の一つとして、仕切壁部は、上下に延在する縦壁部と、縦壁部の上端で折曲されて突出する上端片部とを有することを特徴としている（請求項３）。かかる構成によれば、上端縁部によって火炎や火の粉を植物層が燃えている領域内に戻るように折り返させることができ、仕切壁部で隔てられた隣接する他の領域に、火炎や火の粉が進入するのを防ぐことができる。従って、延焼の拡大を確実に防止できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の緑化構造体の延焼防止構造が有する好ましい態様の一つとして、仕切壁部は、上下に延在する縦壁部と、縦壁部の下端で折曲されて突出する下端片部とを有することを特徴とする（請求項４）。
さらに、本発明の緑化構造体の延焼防止構造が有する好ましい態様の一つとして、仕切壁部は、断面がコ字型を有する一対の長尺部材を、その長尺部材の開放部分が側方に向かって開口するように互いに背中合わせの状態に組み合わせて形成した構成としてもよい（請求項５）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の緑化構造体の延焼防止構造が有する好ましい態様の一つとして、仕切壁部は、上端片部の横幅が上端片部の上を歩行可能な大きさに設定されていることを特徴としている（請求項６）。かかる構成とすることにより、作業者等は、上端片部の上を歩行することができる。従って、例えば植物層の植物を傷つけずに植物の管理を行うことができ、管理作業の簡単化を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月17日(2011.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）図２（配列番号２）に示すポリペプチドをコードするヌクレオチド配列に対して、少なくとも８０％の核酸配列同一性を有する単離された核酸。
【請求項２】
図１（配列番号１）に示すヌクレオチド配列に対して、少なくとも８０％の核酸配列同一性を有する単離された核酸。
【請求項３】
図１（配列番号１）に示すヌクレオチド配列の全長コード化配列に対して、少なくとも８０％の核酸配列同一性を有する単離された核酸。
【請求項４】
請求項１の核酸を含んでなるベクター。
【請求項５】
ベクターで形質転換された宿主細胞によって認識されるコントロール配列に作用可能に結合している請求項４のベクター。
【請求項６】
請求項４のベクターを含んでなる宿主細胞。
【請求項７】
前記細胞がＣＨＯ細胞、大腸菌、又は酵母細胞である、請求項６の宿主細胞。
【請求項８】
ＰＲＯポリペプチドの発現に適した条件下で請求項７の宿主細胞を培養すること、及び細胞培養物から前記ＰＲＯポリペプチドを回収することを含んでなる、ＰＲＯポリペプチドの製造方法。
【請求項９】
図２（配列番号２）に示すポリペプチドのアミノ酸配列に対して、少なくとも８０％のアミノ酸配列同一性を有する単離されたポリペプチド。
【請求項１０】
異種アミノ酸配列と融合した請求項９に記載のポリペプチドを含んでなるキメラ分子。
【請求項１１】
前記異種アミノ酸配列がエピトープタグ配列又はイムノグロブリンのＦｃ領域である、請求項１０のキメラ分子。
【請求項１２】
請求項９に記載のポリペプチドと特異的に結合する抗体。
【請求項１３】
前記抗体がモノクローナル抗体、ヒト化抗体又は一本鎖抗体である、請求項１２の抗体。
【請求項１４】
担体と組み合わせて、（ａ）請求項９のポリペプチド、（ｂ）前記ポリペプチドのアゴニスト、（ｃ）前記ポリペプチドのアンタゴニスト、或いは（ｄ）前記ポリペプチドと結合する抗体を含んでなる組成物。
【請求項１５】
前記担体が製薬的に許容可能な担体である、請求項１４の組成物。
【請求項１６】
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）又は（ｄ）の治療的有効量を含む、請求項１４の組成物。
【請求項１７】
容器；
前記容器上のラベル；並びに
容器内に包含された、（ａ）請求項９のポリペプチド、（ｂ）前記ポリペプチドのアゴニスト、（ｃ）前記ポリペプチドのアンタゴニスト、或いは（ｄ）前記ポリペプチドと結合する抗体を含む組成物を含む製造品であって、前記容器上のラベルによって前記組成物が免疫関連疾患の治療に用いることが可能であることが示される、製造品。
【請求項１８】
（ａ）請求項９のポリペプチド、（ｂ）前記ポリペプチドのアゴニスト、（ｃ）前記ポリペプチドのアンタゴニスト、或いは（ｄ）前記ポリペプチドと結合する抗体の、治療的有効量を含んでなる、哺乳動物の免疫関連疾患を治療するための医薬。
【請求項１９】
免疫関連疾患が、全身性エリテマトーデス、Ｘ染色体連鎖の乳児性低ガンマグロブリン症、多糖体抗原無応答性、選択性ＩｇＡ欠乏、選択性ＩｇＭ欠乏、ＩｇＧサブクラスの選択性欠乏、高ＩｇＭを伴う免疫不全、一過性乳児期低ガンマグロブリン症、バーキットリンパ腫、中間リンパ腫、濾胞性リンパ腫、２型過敏症、リウマチ様関節炎、自己免疫性溶血性貧血、重症筋無力症、低副腎皮質、糸球体腎炎及び強直性脊椎炎である、請求項１８の方法。
【請求項２０】
ＰＲＯポリペプチドを含むと思われる試料中の前記ポリペプチドの存在を決定する方法であって、抗ＰＲＯ７１０６１抗体を曝露すること、及び前記試料の成分に対する前記抗体の結合を決定することを含んでなる方法。
【請求項２１】
哺乳動物の免疫関連疾患を診断するためのキットであって、（ａ）哺乳動物から採取した組織細胞の試験試料中、及び（ｂ）同じ細胞型の既知の正常組織細胞である対照試料中における、ＰＲＯ７１０６１ポリペプチドをコードする遺伝子の発現レベルを検出するための手段を含んでなり、対照試料と比較して試験試料中における前記遺伝子の発現レベルが高い又は低いことにより、試験組織細胞が得られた哺乳動物における免疫関連疾患の存在が示されるキット。
【請求項２２】
哺乳動物の免疫関連疾患を診断するためのキットであって、（ａ）前記哺乳動物から採取した組織細胞の試験試料と抗ＰＲＯ７１０６１抗体を接触させるための手段、及び（ｂ）抗体と試験試料中のポリペプチドの間の複合体の形成を検出するための手段を含み、前記複合体の形成により、試験組織細胞が得られた哺乳動物における免疫関連疾患の存在が示されるキット。
【請求項２３】
ＰＲＯ７１０６１ポリペプチドの活性を阻害する化合物を同定する方法であって、通常は前記ポリペプチドへ応答する細胞を（ａ）前記ポリペプチド、及び（ｂ）候補化合物と接触させ、前記細胞の（ａ）に対する応答性の欠乏を測定することを含んでなる方法。
【請求項２４】
ＰＲＯ７１０６１ポリペプチドをコードする遺伝子の発現を阻害する化合物を同定する方法であって、通常は前記ポリペプチドを発現する細胞を候補化合物と接触させ、前記遺伝子の発現の欠乏を測定する方法。
【請求項２５】
前記候補化合物がアンチセンス核酸である、請求項２４の方法。
【請求項２６】
ＰＲＯ７１０６１ポリペプチドの活性を模倣する化合物を同定する方法であって、通常は前記ポリペプチドへ応答する細胞を候補化合物と接触させ、前記細胞による前記候補化合物への応答性を測定することを含んでなる方法。
【請求項２７】
哺乳動物の免疫応答を刺激する方法であって、前記哺乳動物に対し、ＰＲＯ７１０６１ポリペプチドアンタゴニストの有効量を投与することを含み、前記免疫応答が刺激される方法。
【請求項２８】
哺乳動物のＢ細胞媒介免疫応答を診断するためのキットであって、（ａ）哺乳動物から採取された組織細胞の試験試料中、及び（ｂ）同じ細胞型の既知の正常組織細胞である対照試料中における、ＰＲＯ７１０６１ポリペプチドをコードする遺伝子の発現レベルを検出するための手段を含み、対照試料と比較して試験試料中における前記遺伝子の発現レベルが高い又は低いことにより、試験組織細胞が得られた哺乳動物における炎症性免疫応答の存在が示されるキット。
【請求項２９】
哺乳動物のＢ細胞媒介疾患を診断するためのキットであって、（ａ）哺乳動物から採取された組織細胞の試験試料中、及び（ｂ）同じ細胞型の既知の正常組織細胞である対照試料中における、ＰＲＯ７１０６１ポリペプチドをコードする遺伝子の発現レベルを検出するための手段を含み、対照試料と比較して試験試料中における前記遺伝子の発現レベルが高い又は低いことにより、試験組織細胞が得られた哺乳動物における炎症性免疫応答の存在が示されるキット。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月14日(2011.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来、この種のロータリカッタとしては、リールにナイロンコードを収納し、コードが摩耗した時、これを引き出すために、回転中にカッターを地面に押圧したり、叩いてコードを引き出すか、あるいはカッターの回転を上げることによりコードを引出す方式のものが知られている。この種のロータリカッタは、コードが摩耗しリールに収納されているコードが消耗すると、ロータリカッタを分解してリールを取出し、新しいコードを巻付けて、再び構成部品を組み直す必要があった。しかしながら、このような方式では、刈払いの作業中にこのような作業を行うことは非常に面倒であり刈払い作業上不都合であるのみならず、ロータリカッタを分解してリールを取出す際に、リールの関連部品や他の構成部品も同時に取り外されるため、これらの構成部品を紛失するおそれが多分にあった。このため、コードが消耗した場合の取替え作業を簡易化したものや、ロータリカッタの組立分解を行うことなくコードの取替えを行うことが可能なロータリカッタとして、例えば、リールの筒体部（コード巻回部）に貫通孔を穿設し、コードを前記貫通孔に通してリールの筒体部に巻付けるように構成したロータリカッタが提案されている（特許文献１〜３等参照。）。
【特許文献１】実用新案登録第２５０９１９９号公報
【特許文献２】特開２００５−１２４５０１号公報
【特許文献３】特表２００６−５１４８３７号公報
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月5日(2011.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸素含有量５０ｐｐｍ以下の鉄鋼試料を黒鉛るつぼに入れて不活性ガス中で加熱融解し、発生した一酸化炭素または二酸化炭素のいずれかひとつあるいは両方の赤外線吸収度から該試料中の酸素濃度を測定する方法であって、
該試料表面の酸化皮膜を除去、清浄化する前処理として真空アークプラズマ処理をアークプラズマ放電開始時の真空度を５Ｐａ以上３５Ｐａ以下かつ、アークプラズマ出力電流を１５Ａ以上５５Ａ以下とする条件下において、
溶鋼から採取した鋼塊に対して、高さ１.５ｍｍ以上７ｍｍ以下、表面積Ｓと体積Ｖの比（Ｓ／Ｖ）が１.０５以上１.３０以下となるように機械加工して得た小片を試料とし、
前記アークプラズマ放電を前記試料に、合計４回以下であって、かつ合計処理時間として０.２秒以上１.２秒以下施した後、
該試料を大気と接触させることなく、直接、分析時の温度よりも高い温度で加熱、清浄化した後、分析する温度に下げて待機させた黒鉛るつぼへ投入することによって、
前記鋼塊を受け取ってから、前記機械加工、前記前処理を経て、分析により酸素濃度が判明するまでの時間が５分以下で、酸素濃度の分析誤差が±２ｐｐｍ以内に収まる、
ことを特徴とする鉄鋼中酸素分析方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（１）酸素含有量５０ｐｐｍ以下の鉄鋼試料を黒鉛るつぼに入れて不活性ガス中で加熱融解し、発生した一酸化炭素または二酸化炭素のいずれかひとつあるいは両方の赤外線吸収度から該試料中の酸素濃度を測定する方法であって、該試料表面の酸化皮膜を除去、清浄化する前処理として真空アークプラズマ処理をアークプラズマ放電開始時の真空度を５Ｐａ以上３５Ｐａ以下かつ、アークプラズマ出力電流を１５Ａ以上５５Ａ以下とする条件下において、溶鋼から採取した鋼塊に対して、高さ１.５ｍｍ以上７ｍｍ以下、表面積Ｓと体積Ｖの比（Ｓ／Ｖ）が１.０５以上１.３０以下となるように機械加工して得た小片を試料とし、前記アークプラズマ放電を前記試料に、合計４回以下であって、かつ合計処理時間として０.２秒以上１.２秒以下施した後、該試料を大気と接触させることなく、直接、分析時の温度よりも高い温度で加熱、清浄化した後、分析する温度に下げて待機させた黒鉛るつぼへ投入することによって、前記鋼塊を受け取ってから、前記機械加工、前記前処理を経て、分析により酸素濃度が判明するまでの時間が５分以下で、酸素濃度の分析誤差が±２ｐｐｍ以内に収まることを特徴とする鉄鋼中酸素分析方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月8日(2011.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも冷媒を圧縮する圧縮機、室外熱交換器、減圧装置が順に接続された室外冷媒回路であって、当該室外冷媒回路の両端部にガス側バルブ及び液側バルブを有する室外冷媒回路と、前記圧縮機の吐出側の冷媒温度を検出する第１の温度センサと、前記室外熱交換器の略中間部に設置され、冷媒の温度を検出する第４の温度センサと、前記圧縮機の密閉容器の温度を検出する第６の温度センサと、前記室外熱交換器の周囲の空気温度を検出する第５の温度センサとを有する室外機と、
少なくとも室内熱交換器が接続された室内冷媒回路であって、当該室内冷媒回路の両端部にガス側接続部及び液側接続部を有する室内冷媒回路と、前記室内熱交換器の略中間部に設置され、冷媒の温度を検出する第２の温度センサと、当該室内機に吸い込まれる空気温度を検出する第３の温度センサとを有する室内機と、
前記ガス側バルブと前記ガス側接続部とを接続するガス管と、
前記液側バルブと前記液側接続部とを接続する液管と、
当該空気調和機の運転を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、
当該空気調和機の運転開始時に、以下の（ａ）から（ｃ）の少なくともいずれかに示す現象を一定時間連続して検知した場合は、前記ガス側バルブ又は前記液側バルブの開け忘れと判断して、前記圧縮機の運転を停止することを特徴とする空気調和機。
（ａ）前記第６の温度センサが検出する前記圧縮機の密閉容器の温度が前記第１の温度センサが検出する吐出温度よりも所定値以上高くなる；
（ｂ）前記第３の温度センサが検出する室内空気温度と、前記第２の温度センサが検出する前記室内熱交換器の略中間部の温度との差の絶対値が、所定値以下になる；
（ｃ）前記第５の温度センサが検出する室外空気温度と、前記第４の温度センサが検出する前記室外熱交換器の略中間部の温度との差の絶対値が、所定値以下になる。
【請求項２】
前記制御部は、前記空気調和器の冷房運転又は暖房運転を開始してから所定時間経過後に、前記（ａ）から（ｃ）の少なくともいずれかに示す現象を一定時間連続して検知した場合は、前記ガス側バルブ又は前記液側バルブの開け忘れと判断して、前記圧縮機の運転を停止することを特徴とする請求項１に記載の空気調和機。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月16日(2011.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を介して庫内に被収容物が収容される冷蔵庫本体と、
前記開口部を開閉する扉と、
前記庫内に設けられた庫内灯と、
前記庫内状態を検知して、それに応じて前記庫内灯の点灯及び消灯を制御し、前記庫内灯による情報通信を行う第１制御部と、
前記庫内灯の点灯及び消灯を検知する受光部と、
前記受光部で検知された前記庫内灯の点灯及び消灯に基づいて、前記庫内状態を求める第２制御部と、
前記第２制御部により求められた前記庫内状態をユーザーに認識可能な形式で表示する表示部と
を有すること
を特徴とする冷蔵庫。
【請求項２】
前記受光部、前記第２制御部及び前記表示部を備えた通信装置を別体として有し、
前記通信装置は前記冷蔵庫の内部に設置されること
を特徴とする請求項１に記載の冷蔵庫。
【請求項３】
前記冷蔵庫は前記庫内の温度変化を検知するセンサ部を有し、
前記通信装置は、前記第２制御部からの指令に基づいて前記通信装置の表面の一部を温度変化させる加熱又は冷却手段を有し、
前記センサ部が前記温度変化を検知することで、前記庫内灯による情報通信が開始されること
を特徴とする請求項２に記載の冷蔵庫。
【請求項４】
前記冷蔵庫内に、前記通信装置の設置に適した位置がマークにより明示されていること
を特徴とする請求項２又は３に記載の冷蔵庫。
【請求項５】
前記冷蔵庫に電源を供給することで、前記庫内灯による情報通信が開始されること
を特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の冷蔵庫。
【請求項６】
前記扉が前記開口部を閉めることで、前記庫内灯による情報通信が開始されること
を特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の冷蔵庫。
【請求項７】
ユーザーからの入力情報を受け付ける操作部を備え、
前記操作部に入力された入力情報に基づいて、前記庫内灯による情報通信が開始されること
を特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の冷蔵庫。
【請求項８】
開口部を介して庫内に被収容物が収容される冷蔵庫本体と、
前記開口部を開閉する扉と、
前記庫内に設けられた庫内灯と、
ユーザーからの入力情報を受け付ける操作部と、
前記入力情報に基づいて前記庫内灯の点灯及び消灯を制御し、前記庫内灯による情報通信を行う第１制御部とを有すること
を特徴とする冷蔵庫。
【請求項９】
前記冷蔵庫は前記冷蔵庫本体の運転状況を示す本体表示部を有し、
前記庫内灯による情報通信が終了した時点で、通信終了のサインがユーザーに認識可能な形式で前記本体表示部に表示されること
を特徴とする請求項１乃至８の何れかに記載の冷蔵庫。
【請求項１０】
前記冷蔵庫には、前記開口部を開閉する扉を開放させる駆動部が備えられ、
前記庫内灯による情報通信が終了した時点で、前記駆動部により前記通信装置が収納された収納室の扉を開放させること
を特徴とする請求項１乃至８の何れかに記載の冷蔵庫。
【請求項１１】
前記庫内灯の個数は任意に選択可能であり、前記庫内灯が複数個設けられた場合、前記第１制御部が前記庫内灯を複数同時に又は異なるタイミングで点灯及び消灯させること
を特徴とする請求項１乃至１０の何れかに記載の冷蔵庫。
【請求項１２】
前記庫内灯による情報通信が行われる場合、前記庫内灯の照度が庫内照明用の照度よりも強く又は弱く設定されること
を特徴とする請求項１乃至１１の何れかに記載の冷蔵庫。
【請求項１３】
前記庫内灯の近傍に設けられた、シボ部を有したパネルが取り外し可能であること
を特徴とする請求項１乃至１２の何れかに記載の冷蔵庫。
【請求項１４】
前記庫内灯の近傍に設けられた、シボ部を有したパネルがスライド又は開閉可能であること
を特徴とする請求項１乃至１２の何れかに記載の冷蔵庫。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月14日(2011.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項１記載の発明は、
１分桁と１０分桁のコードが含まれるタイムコードの判別を行うタイムコード判別装置において、
前記１分桁のコードを１分桁の値が所定パターンで変化する時間間隔で複数組取得する第２コード取得手段と、
この第２コード取得手段により取得された複数組のコードと、本来の１分桁コードの遷移パターンとを比較位置をずらしながら互いの相関を演算して、前記複数組のコードが本来の１分桁コードの遷移パターンのどの位置に当てはまるかを探索することで、取得した１分桁のコードを判別する第２コード判別手段と、
を備えたことを特徴とするタイムコード判別装置である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項２記載の発明は、請求項１記載のタイムコード判別装置において、
前記第２コード取得手段は、
１分間隔で１分桁のコードを複数組取得する構成であることを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項３記載の発明は、請求項１記載のタイムコード判別装置において、
前記第２コード判別手段は、
前記第２コード取得手段により取得された前記複数組のコードの波形データを、本来の１分桁のコードの波形データの遷移パターンと比較する構成であることを特徴としている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項４記載の発明は、請求項１記載のタイムコード判別装置において、
前記第２コード判別手段は、
前記第２コード取得手段により取得された前記複数組のコードにより示される１分桁の値の数列を、本来の１分桁のコードが示す１分桁の値の遷移パターンと比較する構成であることを特徴としている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項５記載の発明は、請求項１記載のタイムコード判別装置において、
１分桁のコードの判別結果から求められる１分桁の値に基づいて１０分桁の値が同一値となる期間を算出する期間算出手段と、
前記期間算出手段により算出された期間において１０分桁のコードを複数組取得する第３コード取得手段と、
この第３コード取得手段により取得された複数組のコードからコードの誤判別の確率を低減させる処理を行って１０分桁のコードを判別する第３コード判別手段と、
を備えたことを特徴としている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項６記載の発明は、請求項５記載のタイムコード判別装置において、
前記第３コード判別手段は、
前記第３コード取得手段により取得された複数組のコードを平均化処理して１０分桁のコードを判別する構成であることを特徴としている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項７記載の発明は、
標準電波を受信してタイムコードの復調を行う電波受信手段と、
請求項１〜６何れか１項に記載のタイムコード判別装置と、
を備えたことを特徴とする電波時計である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１分桁と１０分桁のコードが含まれるタイムコードの判別を行うタイムコード判別装置において、
前記１分桁のコードを１分桁の値が所定パターンで変化する時間間隔で複数組取得する第２コード取得手段と、
この第２コード取得手段により取得された複数組のコードと、本来の１分桁コードの遷移パターンとを比較位置をずらしながら互いの相関を演算して、前記複数組のコードが本来の１分桁コードの遷移パターンのどの位置に当てはまるかを探索することで、取得した１分桁のコードを判別する第２コード判別手段と、
を備えたことを特徴とするタイムコード判別装置。
【請求項２】
前記第２コード取得手段は、
１分間隔で１分桁のコードを複数組取得する構成であることを特徴とする請求項１記載のタイムコード判別装置。
【請求項３】
前記第２コード判別手段は、
前記第２コード取得手段により取得された前記複数組のコードの波形データを、本来の１分桁のコードの波形データの遷移パターンと比較する構成であることを特徴とする請求項１記載のタイムコード判別装置。
【請求項４】
前記第２コード判別手段は、
前記第２コード取得手段により取得された前記複数組のコードにより示される１分桁の値の数列を、本来の１分桁のコードが示す１分桁の値の遷移パターンと比較する構成であることを特徴とする請求項１記載のタイムコード判別装置。
【請求項５】
１分桁のコードの判別結果から求められる１分桁の値に基づいて１０分桁の値が同一値となる期間を算出する期間算出手段と、
前記期間算出手段により算出された期間において１０分桁のコードを複数組取得する第３コード取得手段と、
この第３コード取得手段により取得された複数組のコードからコードの誤判別の確率を低減させる処理を行って１０分桁のコードを判別する第３コード判別手段と、
を備えたことを特徴とする請求項１記載のタイムコード判別装置。
【請求項６】
前記第３コード判別手段は、
前記第３コード取得手段により取得された複数組のコードを平均化処理して１０分桁のコードを判別する構成であることを特徴とする請求項５記載のタイムコード判別装置。
【請求項７】
標準電波を受信してタイムコードの復調を行う電波受信手段と、
請求項１〜６の何れか１項に記載のタイムコード判別装置と、
を備えたことを特徴とする電波時計。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月27日(2011.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプル中のグリコアルブミンを検出し、グリコアルブミンの割合を測定するシステムであって、該システムは、
側方流動膜を含む固相支持体、
該固相支持体に配置されたサンプルウェルを有する一つの適用パッド、ここで、該適用パッドは、該サンプル中の赤血球を該適用パッドに保持する多孔性材料を含む、
該サンプル中のグリコアルブミンを測定する第１検査ストリップを含む第１アッセイ、ここで、該第１検査ストリップは逐次的な複数のバンドを含み、該複数バンドの一つは第１対照バンドである、
該第１アッセイと同一のサンプル中の全アルブミンを測定する第２検査ストリップを含む第２アッセイ、ここで、該検査ストリップは逐次的な複数のバンドを含み、該複数バンドの一つは第２対照バンドである、及び
グリコアルブミンの割合を計算するための手段、
を含み、
ここで、該第１検査ストリップは該サンプル中のグリコアルブミンと特異的に結合する微粒子をその中に含み、該第２検査ストリップは該サンプル中の全アルブミンと特異的に結合する微粒子をその中に含む、
システム。
【請求項２】
免疫クロマトグラフィーシステムである、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
グリコアルブミンの割合を計算するための手段が、サンプル中の全アルブミンに対するグリコアルブミンの割合の結果を読み取り、計算し、表示する測定デバイスを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
測定デバイスが、
グリコアルブミンの検査結果を測定する検出器、
グリコアルブミンの対照バンドを測定する検出器、
全アルブミンの検査結果を測定する検出器、
全アルブミンの対照バンドを測定する検出器、
測定と計算のための内部コンピューターチップ、
液晶ディスプレー、
外部コンピューターおよび／またはプリンターにデータを転送するための外部ポート、
電池および／または外部電源、および
検査カセット挿入用の開口を備えた剛直な外部ケース
を含む反射率分光計または蛍光光度計である、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
１またはそれ以上の検査結果を前記測定デバイスの液晶ディスプレー上に数値形式またはグラフ形式で表示させる、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
１またはそれ以上の検査結果を蓄積できる内部メモリーチップを更に含む、請求項４に記載のシステム。
【請求項７】
１またそれ以上の検査結果が外部コンピューターまたはプリンターに転送される、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
第１検査ストリップが、
グリコアルブミンに対する第１の抗体でコーティングされた微粒子を含む第１複合バンド、
該検査ストリップに共有結合した、グリコアルブミンに特異的な固定化剤、を含む第１検査バンド、及び
第１対照バンド
を含むバンドをその中に有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
固定化剤がグリコアルブミンに対する抗体である、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
微粒子が金コロイド粒子、ラテックス粒子、ポリスチレン粒子、アクリル粒子、およびその他の固相微粒子からなる群から選択される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
第２検査ストリップが、
アルブミンに対する第１の抗体でコーティングされた微粒子を含む第２複合バンド、
該第２検査ストリップに共有結合した、アルブミンに対する第２の抗体、を含む第２検査バンド、及び
第２対照バンド
を含むバンドをその中に有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
微粒子が金コロイド粒子、ラテックス粒子、ポリスチレン粒子、アクリル粒子、およびその他の固相微粒子からなる群から選択される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
微粒子が着色され、または蛍光性化合物によって標識化されている、請求項１０または１２に記載のシステム。
【請求項１４】
第１検査ストリップおよび第２検査ストリップが、平行に、または互いに向かい合わせで、または互いに角度をもたせて配置される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
第１検査ストリップおよび第２検査ストリップが剛直なカセットに収容されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項１６】
グリコアルブミンのモニタリングおよびグリコアルブミンレベルの測定のための方法であって、
請求項１に記載の免疫クロマトグラフィーシステムの検査カセットのサンプルウェルに一滴の血液を滴下すること、
前記血液をサンプル適用パッドに移して、血漿を第１検査ストリップの第１複合バンドおよび第２検査ストリップの第２複合バンドに通過させること、
前記血漿のグリコアルブミンを前記第１複合バンド中の抗グリコアルブミン抗体でコーティングされた微粒子に結合させること、
前記血漿のアルブミンを前記第２複合バンド中の抗全アルブミン抗体でコーティングされた微粒子に結合させること、
前記第１検査ストリップ及び第２検査ストリップのそれぞれで、グリコアルブミン及びアルブミンが結合した、抗体でコーティングされた微粒子を、前記複合バンドに通して、膜に結合した抗体の固定バンドまで移動させること、
前記第１検査ストリップ及び第２検査ストリップのそれぞれで、前記グリコアルブミン及びアルブミンが結合した抗体でコーティングされた微粒子を前記膜に結合した抗体に結合させ、着色または蛍光バンドを生じること、
グリコアルブミン及びアルブミンが結合していない抗体でコーティングされた微粒子を、前記第１検査ストリップの第１対照バンド及び前記第２検査ストリップの第２対照バンドに通過させること、
前記免疫クロマトグラフィーシステムの検査カセットを測定デバイスに挿入すること、
第１検査ストリップからのグリコアルブミンのレベル及び第２検査ストリップからの全アルブミンのレベルの数値結果を提供すること、及び
グリコアルブミンの割合を計算すること
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月30日(2010.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トレッド厚さ測定方法およびそれに用いられるトレッド厚さ測定装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【図１】本発明に係る実施形態のトレッド厚さ測定装置を示す概略正面図である。
【図２】トレッド厚さ測定装置を示す概略側面図である。
【図３】タイヤを透過するテラヘルツ波を示す概略図である。
【図４】検知したテラヘルツ波の強度の時間変化を示すグラフである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
そして、時刻t1、t2を検知するには、トレッド部分に対応する検知強度をE0、予め定められた閾値をΔE1、ΔE2として、E0+ΔE1に到達した時刻をt1とし、E0−ΔE2に到達した時刻をt2とすればよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
以上説明した測定原理に従って、トレッド厚さ測定装置１０を用いてトレッドの厚さを測定する方法について説明する。まず、タイヤをタイヤ回転支持台４にセットする。そして、タイヤ１１をこの状態に固定して照射装置１および検出装置２をタイヤの半径方向外側の位置から中心に向かって移動させ、図４に示したようなデータを収集し、先に述べた原理によって、このタイヤの姿勢におけるトレッドの厚さを特定する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
１  照射装置
２  検知装置
３  変位装置
４  タイヤ回転支持台
５  タイヤ回転手段
６  支持ローラ
８  トレッド
９  ベルト
１０  トレッド厚さ測定装置
１１  タイヤ
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2010261902.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月10日(2011.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板及びゲルマニウム、アンチモン、及びテルルを含むカルコゲンターゲットを、前記テルルは揮発されかつ前記アンチモンは揮発されない温度で提供する段階と、
スパッタリング工程を行い、前記基板上にカルコゲン化合物を含む相変化物質層を形成する段階と、を含むことを特徴とする相変化物質層の形成方法。
【請求項２】
前記カルコゲン化合物は、テルルの含量が５〜５０％であることを特徴とする請求項１に記載の相変化物質層の形成方法。
【請求項３】
前記温度条件は、２５０〜３５０℃であることを特徴とする請求項１に記載の相変化物質層の形成方法。
【請求項４】
前記スパッタリング工程を行う段階は、
前記カルコゲンターゲットを構成する粒子を基板上に蒸着して予備カルコゲン化合物を形成する段階と、
前記予備カルコゲン化合物に含まれたテルルが前記温度条件によって少なくとも一部が揮発されることによってテルルの含量が５〜５０％が含まれたカルコゲン化合物を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の相変化物質層の形成方法。
【請求項５】
前記カルコゲンターゲットは、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５の化学式を有するカルコゲン化合物を含むことを特徴とする請求項１に記載の相変化物質層の形成方法。
【請求項６】
前記カルコゲンターゲットは、ＧｅＴｅの化学式を有する第１カルコゲンターゲットとＳｂ２Ｔｅ３の化学式を有する第２カルコゲンターゲットを含むことを特徴とする請求項１に記載の相変化物質層の形成方法。
【請求項７】
前記相変化物質層に含まれたカルコゲン化合物は、ゲルマニウム２５〜３５％、アンチモン２５〜３５％、及びテルル３０〜５０％を含むことを特徴とする請求項１に記載の相変化物質層の形成方法。
【請求項８】
前記ターゲットは、酸素、シリコン、及び炭素からなる群より選択された少なくとも一種の不純物を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の相変化物質層の形成方法。
【請求項９】
前記相変化物質層は、
ゲルマニウム２５〜３５％、アンチモン２５〜３５％、及びテルル３０〜５０％を含むカルコゲン化合物８６〜９８％、
前記不純物２〜１４％を含むことを特徴とする請求項８に記載の相変化物質層の形成方法。
【請求項１０】
前記スパッタリング工程は、
アルゴンガスと窒素ガスを前記基板及び前記カルコゲンターゲットを含む環境に導入する段階と、
前記アルゴンガスと窒素ガスをプラズマ状態に励起させる段階と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の相変化物質層の形成方法。
【請求項１１】
前記アルゴンガスに対する窒素ガスの流量比は、１：０．３〜１：２．０であることを特徴とする請求項１０に記載の相変化物質層の形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月17日(2011.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
湿式電解コンデンサであって、
アノードであって、タンタル、ニオブ、またはそれらの導電性酸化物を含むアノードと、
電流コレクタの表面上に配置されているコーティングを含むカソードと、
を含み、
上記コーティングは複数の電気化学的活性粒子及びバインダーを含み、上記バインダーは100°Ｃまたはそれより高いガラス転移温度を有する非晶質ポリマーから形成され、上記バインダーは、150マイクロメートルまたはそれより小さいＤ90粒子サイズ分布を有する粒子の形状を有し、
上記カソードと上記アノードとの間に配置されている作用電解質であって、酸を含む水溶液を含む作用電解質を更に含む、
ことを特徴とする湿式電解コンデンサ。
【請求項２】
上記非晶質ポリマーは、150°Ｃまたはそれより高いガラス転移温度を有していることを特徴とする請求項１に記載の湿式電解コンデンサ。
【請求項３】
上記非晶質ポリマーは、熱可塑性ポリイミドであることを特徴とする請求項１又は２に記載の湿式電解コンデンサ。
【請求項４】
上記ポリイミドは、ポリ（アミド-イミド）、ポリ（エーテル-イミド）、またはそれらの組合せであることを特徴とする請求項３に記載の湿式電解コンデンサ。
【請求項５】
上記ポリイミドは、トリメリト酸またはその誘導体、及び芳香族ジアミンから形成されたポリ（アミド-イミド）であることを特徴とする請求項４に記載の湿式電解コンデンサ。
【請求項６】
上記バインダーは、75マイクロメートルまたはそれより小さいＤ90粒子サイズ分布を有する粒子の形状を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の湿式電解コンデンサ。
【請求項７】
上記電気化学的活性粒子は、金属、金属酸化物、炭素質粒子、またはそれらの組合せであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の湿式電解コンデンサ。
【請求項８】
上記電気化学的活性粒子は、活性炭素を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の湿式電解コンデンサ。
【請求項９】
上記コーティングは、導電性充填材を更に含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の湿式電解コンデンサ。
【請求項１０】
上記アノードは、タンタルまたはニオブの導電性酸化物を含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の湿式電解コンデンサ。
【請求項１１】
上記アノードは、該アノードのアノード酸化処理により該アノードの上及び内部に形成される誘電体フィルムを含むことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の湿式電解コンデンサ。
【請求項１２】
上記アノードはニオブの導電性酸化物を含み、上記誘電体フィルムは五酸化ニオブを含むことを特徴とする請求項１１に記載の湿式電解コンデンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月17日(2011.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
湿式電解コンデンサであって、
アノードと、
カソード電流コレクタと、
上記カソード電流コレクタと上記アノードとの間に配置されている作用電解質と、
を含み、
上記電解質は、5.0から8.0までのｐＨと、25°Ｃの温度において決定された10ミリジーメンス／センチメートルまたはそれ以上の導電率とを有していることを特徴とする湿式電解コンデンサ。
【請求項２】
上記ｐＨは、5.5から7.5までであることを特徴とする請求項１に記載の湿式電解コンデンサ。
【請求項３】
上記導電率は、30ミリジーメンス／センチメートルまたはそれ以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の湿式電解コンデンサ。
【請求項４】
上記作用電解質は、水性溶剤からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の湿式電解コンデンサ。
【請求項５】
上記水性溶剤は、脱イオン水を含むことを特徴とする請求項４に記載の湿式電解コンデンサ。
【請求項６】
上記作用電解質はイオン化合物を含み、上記イオン化合物は、無機酸、有機酸、それらの無水物または塩、またはこれらの何れかの混合物を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の湿式電解コンデンサ。
【請求項７】
上記作用電解質は、更に、塩基性ｐＨ調節剤を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の湿式電解コンデンサ。
【請求項８】
上記作用電解質は、−20°Ｃまたはそれより低い凝固点と、85°Ｃまたはそれより高い沸点とを有していることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の湿式電解コンデンサ。
【請求項９】
上記作用電解質は、ニトロ芳香族減極剤を含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の湿式電解コンデンサ。
【請求項１０】
上記ニトロ芳香族減極剤は、アルキル置換ニトロ安息香酸、その無水物または塩、またはこれらの何れかの混合物を含むことを特徴とする請求項９に記載の湿式電解コンデンサ。
【請求項１１】
上記アルキル置換ニトロ安息香酸は、２-メチル-３-ニトロ安息香酸、２-メチル-６-ニトロ安息香酸、３-メチル-２-ニトロ安息香酸、３-メチル-４-ニトロ安息香酸、３-メチル-６-ニトロ安息香酸、または４-メチル-３-ニトロ安息香酸を含むことを特徴とする請求項１０に記載の湿式電解コンデンサ。
【請求項１２】
上記ニトロ芳香族減極剤は、上記作用電解質の１乃至500 ppmを構成していることを特徴とする請求項１１に記載の湿式電解コンデンサ。
【請求項１３】
上記アノードは、タンタル、ニオブ、またはそれらの導電性酸化物を含むことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の湿式電解コンデンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月17日(2011.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解コンデンサのためのアノードを形成する方法であって、
複数のセラミック粒子及び溶剤を含むスリップ組成物を形成するステップ、
を含み、
上記セラミック粒子はバルブ金属の酸化物を含み、
上記方法は、更に、
上記スリップ組成物からセラミック層を形成するステップと、
上記セラミック層を加熱処理して上記セラミック粒子を化学的に還元し、導電性アノードを形成するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
上記バルブ金属は、タンタルまたはニオブであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記導電性アノードは、酸化ニオブを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
上記セラミック粒子は、五酸化ニオブを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
上記スリップ組成物は、更に、バインダー、分散剤、湿潤剤、可塑剤、またはそれらの組合せを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
複数のセラミック層を一緒にラミネートして、モノリシックボディを形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
上記モノリシックボディは、更に、隣接するセラミック層の間に位置決めされた犠牲部材を含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
上記モノリシックボディを加熱して上記犠牲部材を除去し、それによって空間を残すステップを更に含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
上記空間内に、アノードリード線を挿入するステップを更に含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
上記導電性アノードに、リード線を溶接するステップを更に含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
上記セラミック層の加熱処理は、ゲッター材料が存在する中で行われることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
上記セラミック層の加熱処理は、還元雰囲気内で行われることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
上記アノードを焼結するステップを更に含むことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
上記スリップ組成物は、キャリヤー基体上にキャストされたテープであることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
上記アノードは、1500μｍまたはそれより小さい厚みを有していることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
上記アノードは、100μｍまたはそれより大きいアスペクト比を有していることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか１項に記載されている方法により製造されることを特徴とするアノード。
【請求項１８】
更に、上記アノード上に重ねられた誘電体フィルムを含むことを特徴とする請求項１７に記載のアノード。
【請求項１９】
請求項１８に記載されているアノード、カソード電流コレクタ、及び上記カソード電流コレクタと上記アノード酸化処理された電極との間に配置されている作用電解質を含むことを特徴とする湿式電解コンデンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月11日(2011.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体の加工方法であって、
反応チャンバ内で、少なくとも２原子％の炭素を含むシリコン膜を基板上に形成すること、
金属膜を前記シリコン膜上に、かつこれに接触して堆積させること、
前記金属膜及び前記シリコン膜をアニールし、金属シリサイドを形成すること、
誘電体層を前記金属シリサイド上に堆積させること、及び
前記誘電体層を８００℃以上でアニールすることによって該誘電体層を平坦化すること
を含む、方法。
【請求項２】
前記誘電体層がＢＰＳＧ層であり、該誘電体層を平坦化することが、ＢＰＳＧをリフローすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記金属膜を堆積させることが、ニッケル膜を堆積させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記シリコン膜が、２．７原子％以上の炭素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記シリコン膜が単結晶性シリコン膜であり、前記炭素が、該単結晶性シリコン膜中に置換的にドープされる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
温度の関数である前記金属シリサイドのシート抵抗が、８００〜９００℃の任意の温度におけるアニール後に実質的に一定であり、前記ＢＰＳＧ層を平坦化することが、８００℃以上で該ＢＰＳＧ層をアニールすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
シリコン膜を形成することが、該シリコン膜を選択的に堆積させることを含み、該シリコン膜を選択的に堆積させることが、
１つ又は複数の凹部を前記基板に形成すること、及び
２原子％以上の炭素を含む前記シリコン膜を、前記１つ又は複数の凹部中に選択的に堆積させること
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記シリコン膜を形成することが、トリシラン及び炭素前駆体を前記反応チャンバ内に流入させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記炭素前駆体が、モノシリルメタン、ジシリルメタン、トリシリルメタン及びテトラシリルメタン、並びに／又はアルキルシランから成る群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記金属膜及び前記シリコン膜をアニールして前記金属シリサイドを形成する前に、該シリコン膜を電気的ドーパントでドープすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記シリコン膜を前記電気的ドーパントでドープすることが、
前記シリコン膜を形成した後に前記電気的ドーパントを注入すること、及び
続いて、前記シリコン膜をアニールすること
を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記シリコン膜を前記電気的ドーパントでドープすることが、該シリコン膜を形成しながら、ドーパント前駆体を前記反応チャンバ内に流入させることを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記電気的ドーパントが水素化物である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記電気的ドーパントが、アルシン、ホスフィン及びジボランから成る群から選択される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記反応チャンバが、単一基板の層流コールドウォールチャンバである、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
半導体の加工方法であって、
炭素でドープされたシリコン膜を有する基板を準備すること、
ニッケルを前記シリコン膜上に、かつこれに接触して堆積させること、
前記シリコン膜とニッケルとを反応させて、ニッケルシリサイドを形成すること、及び
続いて、前記ニッケルシリサイドを８００℃以上でアニールすること
を含み、前記ニッケルシリサイドをアニールした後の該ニッケルシリサイドのシート抵抗が、１２Ω／ｓｑ未満である、方法。
【請求項１７】
前記シリコン膜が、２．７原子％以上の炭素でドープされる、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ニッケルシリサイドが、１．３５原子％以上の炭素を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記ニッケルシリサイドをアニールすることが、８５０℃以上で実施される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
ニッケルを堆積させることが、ニッケル層をブランケット堆積させることを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
前記シリコン膜とニッケルとを反応させて前記ニッケルシリサイドを形成した後、ニッケルシリサイドに対してニッケルを選択的に除去することをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記シリコン膜が、電気的ドーパントを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２３】
前記シリコン膜が、トランジスタのゲート電極に直に隣接するように提供される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２４】
前記ニッケルシリサイドが、前記トランジスタのソース／ドレイン領域のためのコンタクトを形成する、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
集積回路であって、
１原子％以上の炭素を含む金属シリサイドと、
前記金属シリサイドの上に積層されるパターン化されたＢＰＳＧ層と
を含む、集積回路。
【請求項２６】
前記金属シリサイドが、ニッケルシリサイドである、請求項２５に記載の集積回路。
【請求項２７】
前記ＢＰＳＧ層が、実質的に平坦な上面を有する、請求項２５に記載の集積回路。
【請求項２８】
前記金属シリサイドが、１．３５原子％以上の炭素を含む、請求項２５に記載の集積回路。
【請求項２９】
前記金属シリサイドが、前記炭素で置換的にドープされる、請求項２５に記載の集積回路。
【請求項３０】
前記ニッケルシリサイドのシート抵抗が、１６Ω／ｓｑ未満である、請求項２５に記載の集積回路。
【請求項３１】
前記アルキルシランが、モノメチルシラン（ＭＭＳ）、ジメチルシラン及びＨ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−ＣＨ３（１，３−ジシラブタン）から成る群から選択される、請求項９に記載の方法。