Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月12日(2011.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表層に配線が形成され互いに形状の異なる複数のプリント配線板と、前記プリント配線板の間を接続する接続層とを有し、前記接続層は無機フィラーが熱硬化性樹脂に分散されてなる絶縁性材料であり、前記接続層の所定の位置に貫通孔が形成され、この貫通孔に導電性ペーストが充填されたビアを有する立体プリント配線板。
【請求項２】
接続層は、芯材を含まない請求項１に記載の立体プリント配線板。
【請求項３】
接続層およびプリント配線板の壁面は、絶縁性被膜で被覆されている請求項１に記載の立体プリント配線板。
【請求項４】
絶縁性被膜は耐電防止剤が含有されている請求項３に記載の立体プリント配線板。
【請求項５】
接続層は、着色剤が含有されている請求項２に記載の立体プリント配線板。
【請求項６】
表層に配線が形成された上側基板と下側基板とこれらの基板の間を接着するための樹脂を含む絶縁性材料を有する接続層を準備し、立体形状を形成するために前記上側基板と前記接続層とを所望の形状に切断する工程と、前記接続層の所定の位置に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導電性ペーストを充填する工程と、前記下側基板あるいは上側基板上に前記接続層を位置あわせしながら重ね合わせる工程と、前記接続層上に他方の基板を位置あわせしながら重ね合わせる工程と、前記下側基板と前記接続層と前記上側基板を加熱加圧しながら積層する工程とを少なくとも備えたことを特徴とする立体プリント配線板の製造方法。
【請求項７】
表層に配線が形成された上側基板と下側基板とこれらの基板の間を接続するための樹脂を含む絶縁性材料を有する接続層を準備する前に、下側基板の表面に予めソルダレジストを形成する工程を備えた請求項６に記載の立体プリント配線板の製造方法。
【請求項８】
上側基板の表面に予めソルダレジストを形成する工程を備えた請求項７に記載の立体プリント配線板の製造方法。
【請求項９】
前記下側基板と前記接続層と前記上側基板を積層する工程の前に、あらかじめ前記下側基板に形成された表層の配線において少なくとも接続層と接触する領域を粗化する工程を備えた請求項６に記載の立体プリント配線板の製造方法。
【請求項１０】
前記下側基板と前記接続層と前記上側基板を積層する工程の前に、あらかじめ前記上側基板に形成された表層の配線において少なくとも接続層と接触する領域を粗化する工程を備えた請求項６に記載の立体プリント配線板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は表層に配線が形成され互いに形状の異なる複数のプリント配線板と、前記プリント配線板の間を接続する接続層とを有し、前記接続層は無機フィラーが熱硬化性樹脂に分散されてなる絶縁性材料であり、前記接続層の所定の位置に貫通孔が形成され、この貫通孔に導電性ペーストが充填されたビアを有する立体プリント配線板であり、このような構成にすることにより、多ピンの基板間接続が可能で、かつ基板内での配線密度も高めることが可能となり、さらに凹部を有しているので、凹部に部品実装することにより薄型のパッケージ形態または実装体を実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月22日(2011.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に非単結晶半導体膜を形成する第１の工程と、
前記基板上の第１の領域の前記非単結晶半導体膜を除去することによって、前記基板上の第２の領域に非単結晶半導体層を形成する第２の工程と、
イオン種を単結晶半導体基板に注入又はドーピングして、前記単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域にイオン層を形成する第３の工程と、
前記単結晶半導体基板の表面に接合層を形成する第４の工程と、
前記接合層を前記第１の領域に貼り合わせる第５の工程と、
前記単結晶半導体基板にエネルギーを加えて、前記イオン層に亀裂を生じさせることにより、前記第１の領域に単結晶半導体層を残存させる第６の工程と、
少なくとも前記非単結晶半導体層に大気雰囲気中で第１のレーザー光の照射を行うＡ工程と、少なくとも前記単結晶半導体層に不活性雰囲気中で第２のレーザー光の照射を行うＢ工程と、を有する第７の工程と、を有し、
（Ａ）前記第１の領域は液晶表示装置の駆動回路であり、前記第２の領域は前記液晶表示装置の画素部であり、
（Ｂ）前記第１の領域はエレクトロルミネッセンス表示装置の画素部であり、前記第２の領域は前記エレクトロルミネッセンス表示装置の駆動回路であり、
（Ｃ）前記第１の領域は第１の非接触タグのアナログ回路であり、前記第２の領域は第２の非接触タグのデジタル回路であり、
（Ｄ）前記第１の領域は第２の非接触タグのアナログ回路及びデジタル回路のうち変調回路であり、前記第２の領域は第２の非接触タグの前記デジタル回路のうち前記変調回路以外の回路であり、
前記第１の領域及び前記第２の領域の組み合わせは前記（Ａ）乃至前記（Ｄ）のいずれか一の組み合わせであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記Ａ工程において、前記非単結晶半導体層及び前記単結晶半導体層のうち、前記非単結晶半導体層にのみ前記第１のレーザー光の照射を行い、
前記Ｂ工程において、前記非単結晶半導体層及び前記単結晶半導体層のうち、前記単結晶半導体層にのみ前記第２のレーザー光の照射を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記Ａ工程において、前記非単結晶半導体層及び前記単結晶半導体層のうち、前記非単結晶半導体層にのみ前記第１のレーザー光の照射を行い、
前記Ｂ工程において、前記非単結晶半導体層及び前記単結晶半導体層の双方に一括で前記第２のレーザー光の照射を行い、
前記Ａ工程の後に前記Ｂ工程を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月1日(2011.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子と、前記粒子の少なくとも一部が分散している媒体とを含み、
前記粒子は水酸化セリウムからなり、
電気伝導度が０．０１〜３ｍＳ／ｃｍであり、ｐＨが５〜９である研磨剤。
【請求項２】
前記粒子の密度が３〜６ｇ／ｃｍ３である請求項１記載の研磨剤。
【請求項３】
前記粒子の比表面積が５０ｍ２／ｇ以上である請求項１または２記載の研磨剤。
【請求項４】
前記粒子は、１次粒子の平均粒径が５０ｎｍ以下である請求項１〜３のいずれか記載の研磨剤。
【請求項５】
前記粒子は、２次粒子の平均粒径が１〜３００ｎｍである請求項１〜４のいずれか記載の研磨剤。
【請求項６】
前記粒子が、４価の金属塩とアルカリ液を混合して得られた４価の金属水酸化物である請求項１〜５のいずれか記載の研磨剤。
【請求項７】
媒体が水である請求項１〜６のいずれか記載の研磨剤。
【請求項８】
ｐＨ安定剤を含む請求項１〜７のいずれか記載の研磨剤。
【請求項９】
ｐＨ安定剤が一つ以上の構成成分からなり、少なくとも一つの構成成分のｐＫａ値が、研磨剤ｐＨから１．０単位以内にある請求項８記載の研磨剤。
【請求項１０】
分散剤を含む請求項１〜９のいずれか記載の研磨剤。
【請求項１１】
分散剤が水溶性陰イオン性分散剤、水溶性陽イオン性分散剤、水溶性非イオン性分散剤、水溶性両性分散剤から選ばれる請求項１０記載の研磨剤。
【請求項１２】
被研磨面処理剤を含む請求項１〜１１のいずれか記載の研磨剤。
【請求項１３】
被研磨面処理剤が分子構造中に不対電子を有する原子を少なくとも一つ含む化合物、または分子構造中に窒素原子及び酸素原子の少なくとも一方を含む化合物である請求項１２記載の研磨剤。
【請求項１４】
酸化珪素絶縁膜研磨速度と窒化珪素絶縁膜研磨速度の比が５以上である請求項１〜１３のいずれか記載の研磨剤。
【請求項１５】
前記粒子が０．２重量％含まれる場合、波長５００ｎｍの光の光透過率が１０％以上である請求項１〜１４のいずれか記載の研磨剤。
【請求項１６】
波長５００〜７００ｎｍにおける光透過率の、研磨剤調製直後に対する２４時間静置後の差分が２０％以下である請求項１〜１５のいずれか記載の研磨剤。
【請求項１７】
粒子が正のゼータ電位を有する請求項１〜１６のいずれか記載の研磨剤。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか記載の研磨剤で基板を研磨する基板の研磨方法。
【請求項１９】
ショアＤ硬度５０以上の研磨パッドで基板を研磨する請求項１８記載の基板の研磨方法。
【請求項２０】
基板が半導体素子の製造工程中の基板である請求項１８または１９記載の基板の研磨方法。
【請求項２１】
基板に形成されている酸化珪素膜を研磨する請求項１８〜２０のいずれか記載の基板の研磨方法。
【請求項２２】
研磨剤を研磨定盤上の研磨パッドに供給しながら、少なくとも酸化珪素絶縁膜が形成された基板の被研磨面と研磨パッドとを相対運動させて研磨する請求項１８〜２１のいずれか記載の基板の研磨方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月28日(2011.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂又はエポキシ樹脂とポリアミド樹脂とが混合された混合樹脂から成る樹脂層又は樹脂板の一面側に、その平坦状態を保持しつつプラズマ照射した後、下記［化１］に示す１−ビニルイミダゾールを塗布し、
次いで、前記樹脂層又は樹脂板の一面側に紫外線を照射した後、前記樹脂層又は樹脂板の一面側に無電解銅めっきで形成した薄銅膜を給電層とする電解銅めっきによって所定厚さの銅膜を形成し、
その後、前記銅膜と樹脂層又は樹脂板との密着強度を向上できるように、前記樹脂層又は樹脂板と銅膜とに熱処理を施すことを特徴とする銅膜形成方法。
【化１】
2010001543.tif 000001
【請求項２】
熱処理の温度を１００〜２００℃とする請求項１記載の銅膜形成方法。
【請求項３】
プラズマとして、酸素プラズマを用いる請求項１又は請求項２記載の銅膜形成方法。
【請求項４】
無電解銅めっきで薄銅層を形成した後、前記薄銅層内に含有する気体成分を除去する熱処理を施す請求項１〜３のいずれか一項記載の銅膜形成方法。
【請求項５】
１−ビニルイミダゾールを塗布した後に、紫外線を透過する板状体によって樹脂層又は樹脂板の一面側を被覆する請求項１〜４のいずれか一項記載の銅膜形成方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項記載の銅膜形成方法で得られた銅膜にパターニングを施して形成された配線パターンを具備することを特徴とする配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【化２】
2010001543.tif 000002
また、本発明は、前記銅膜形成方法で得られた銅膜にパターニングを施して形成された配線パターンを具備することを特徴とする配線基板でもある。
かかる本発明において、熱処理の温度を１００〜２００℃とすることが好適である。更に、プラズマとして、酸素プラズマを好適に用いることができる。
また、無電解銅めっきで薄銅層を形成した後、熱処理を施して薄銅銅層の質改善や薄銅層内に含有する気体成分を除去することが好ましい。
また、１−ビニルイミダゾールを塗布した後に、紫外線を透過する板状体によって樹脂層又は樹脂板の一面側を被覆するようにすると好適である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月23日(2011.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室内に第１のガスを導入し、堆積膜を形成する前記反応室内壁及び／又は前記反応室内部の部材表面に堆積する堆積物の少なくとも一部を前記反応室内壁及び／又は前記反応室内部の部材表面から剥離する第１の工程と、前記反応室内に第２のガスを導入し、剥離した前記堆積物を物理的に除去する第２の工程とを有する堆積物除去方法であって、
前記第１のガスとして水を含む希ガス、窒素、水素のいずれかを使用し、かつ前記第２のガスとして前記第１のガスよりも少ない水を含むか水を全く含まない希ガス、窒素、水素のいずれかを使用し、
または、前記第１のガスとして酸素分子を含む希ガス、窒素あるいは純酸素ガスを使用し、かつ前記第２のガスとして前記第１のガスよりも少ない酸素を含むか酸素を全く含まない希ガスまたは窒素を使用することを特徴とする堆積物除去方法。
【請求項２】
前記反応室内壁及び／又は前記反応室内部の部材表面に堆積する堆積物がシリコン膜であることを特徴とする請求項１に記載の堆積物除去方法。
【請求項３】
プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、スパッタリング法のいずれかを用いて反応室内で基板上に膜を形成する堆積膜形成方法において、
基板上に堆積膜を形成する工程と、前記反応室内壁及び／又は前記反応室内部の部材表面に堆積する堆積物の少なくとも一部を除去する工程と、を少なくとも有し、
該堆積物の少なくとも一部を除去する工程が、
前記反応室内に第１のガスを導入し、堆積膜を形成する前記反応室内壁及び／又は前記反応室内部の部材表面に堆積する堆積物の少なくとも一部を前記反応室内壁及び／又は前記反応室内部の部材表面から剥離する第１の工程と、前記反応室内に第２のガスを導入し、剥離した前記堆積物を物理的に除去する第２の工程とを有し、
前記第１のガスとして水を含む希ガス、窒素、水素のいずれかを使用し、かつ前記第２のガスとして前記第１のガスよりも少ない水を含むか水を全く含まない希ガス、窒素、水素のいずれかを使用し、
または、前記第１のガスとして酸素分子を含む希ガス、窒素あるいは純酸素ガスを使用し、かつ前記第２のガスとして前記第１のガスよりも少ない酸素を含むか酸素を全く含まない希ガスまたは窒素を使用することを特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項４】
前記基板上に形成する膜ならびに前記反応室内壁及び／又は前記反応室内部の部材表面に堆積する堆積物がいずれもシリコン膜であることを特徴とする請求項３に記載の堆積膜形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】堆積物除去方法及び堆積膜形成方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤや熱ＣＶＤ、スパッタリング等により反応室内において堆積膜を形成する際に、概反応室内に堆積する堆積物を除去する堆積物除去方法及びその堆積物除去方法を用いた堆積膜形成方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明は、反応室内に第１のガスを導入し、堆積膜を形成する前記反応室内壁及び／又は前記反応室内部の部材表面に堆積する堆積物の少なくとも一部を前記反応室内壁及び／又は前記反応室内部の部材表面から剥離する第１の工程と、前記反応室内に第２のガスを導入し、剥離した前記堆積物を物理的に除去する第２の工程とを有する堆積物除去方法であって、前記第１のガスとして水を含む希ガス、窒素、水素のいずれかを使用し、かつ前記第２のガスとして前記第１のガスよりも少ない水を含むか水を全く含まない希ガス、窒素、水素のいずれかを使用し、または、前記第１のガスとして酸素分子を含む希ガス、窒素あるいは純酸素ガスを使用し、かつ前記第２のガスとして前記第１のガスよりも少ない酸素を含むか酸素を全く含まない希ガスまたは窒素を使用することを特徴とする堆積物除去方法である。
また、本発明は、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、スパッタリング法のいずれかを用いて反応室内で基板上に膜を形成する堆積膜形成方法において、基板上に堆積膜を形成する工程と、前記反応室内壁及び／又は前記反応室内部の部材表面に堆積する堆積物の少なくとも一部を除去する工程と、を少なくとも有し、該堆積物の少なくとも一部を除去する工程が、前記反応室内に第１のガスを導入し、堆積膜を形成する前記反応室内壁及び／又は前記反応室内部の部材表面に堆積する堆積物の少なくとも一部を前記反応室内壁及び／又は前記反応室内部の部材表面から剥離する第１の工程と、前記反応室内に第２のガスを導入し、剥離した前記堆積物を物理的に除去する第２の工程とを有し、前記第１のガスとして水を含む希ガス、窒素、水素のいずれかを使用し、かつ前記第２のガスとして前記第１のガスよりも少ない水を含むか水を全く含まない希ガス、窒素、水素のいずれかを使用し、または、前記第１のガスとして酸素分子を含む希ガス、窒素あるいは純酸素ガスを使用し、かつ前記第２のガスとして前記第１のガスよりも少ない酸素を含むか酸素を全く含まない希ガスまたは窒素を使用することを特徴とする堆積膜形成方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月16日(2011.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲンノショウコ、サルビア、ヒシュカ、ローズマリー、カサクマ、コウズク、ゴカヒ、ゴシュユ、セイコウ、センレンシ、フクボンシ、ペパーミント及びモクベツシから選ばれる少なくとも１種を含有することを特徴とする神経伸長抑制剤。
【請求項２】
ゲンノショウコ、サルビア、ヒシュカ及びローズマリーから選ばれる少なくとも１種を含有することを特徴とする神経伸長抑制剤。
【請求項３】
請求項１または２に記載の神経伸長抑制剤を含有することを特徴とする痒みを伴う皮膚疾患における痒みの予防または治療剤。
【請求項４】
痒みを伴う皮膚疾患がアトピー性皮膚炎である請求項３に記載の痒みの予防または治療剤。
【請求項５】
請求項１または２に記載の神経伸長抑制剤を含有することを特徴とする敏感肌における痒みの予防または治療剤。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月6日(2011.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
（Ｂ）成分が、一般式：
Ｒ３３ＳiＯ(Ｒ３２ＳiＯ)ｎＳiＲ３３
（式中、各Ｒ３は独立に、水素原子、又は非置換もしくはハロゲン置換の一価炭化水素基であり、ただし、一分子中、少なくとも２個のＲ３が水素原子であり、全Ｒ３の少なくとも１５モル％がアリール基であり、ｎは５〜１,０００の整数である。）
で表される直鎖状のオルガノポリシロキサン及び／又は平均単位式：
(Ｒ３ＳiＯ３／２)ｐ(Ｒ３２ＳiＯ２／２)ｑ(Ｒ３３ＳiＯ１／２)ｒ(ＳiＯ４／２)ｓ(ＸＯ１／２)ｔ
｛式中、Ｒ３は前記と同じであり、ただし、一分子中、少なくとも２個のＲ３が水素原子であり、全Ｒ３の少なくとも１５モル％がアリール基であり、ｐは正数であり、ｑは０又は正数であり、ｒは０又は正数であり、ｓは０又は正数であり、ｔは０又は正数であり、かつ、ｑ／ｐは０〜１０の数であり、ｒ／ｐは０〜５の数であり、ｓ／(ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ)は０〜０.３の数であり、ｔ／(ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ)は０〜０.４の数である。｝
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサンである、請求項１記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記（Ｂ）成分は、一般式：
Ｒ３３ＳiＯ(Ｒ３２ＳiＯ)ｎＳiＲ３３
（式中、各Ｒ３は独立に、水素原子、又は非置換もしくはハロゲン置換の一価炭化水素基であり、ただし、一分子中、少なくとも２個のＲ３が水素原子であり、全Ｒ３の少なくとも１５モル％がアリール基であり、ｎは５〜１,０００の整数である。）
で表される直鎖状のオルガノポリシロキサン及び／又は平均単位式：
(Ｒ３ＳiＯ３／２)ｐ(Ｒ３２ＳiＯ２／２)ｑ(Ｒ３３ＳiＯ１／２)ｒ(ＳiＯ４／２)ｓ(ＸＯ１／２)ｔ
｛式中、Ｒ３は前記と同じであり、ただし、一分子中、少なくとも２個のＲ３が水素原子であり、全Ｒ３の少なくとも１５モル％がアリール基であり、ｐは正数であり、ｑは０又は正数であり、ｒは０又は正数であり、ｓは０又は正数であり、ｔは０又は正数であり、かつ、ｑ／ｐは０〜１０の数であり、ｒ／ｐは０〜５の数であり、ｓ／(ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ)は０〜０.３の数であり、ｔ／(ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ)は０〜０.４の数である。｝
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサンが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本装置の一例である単体の表面実装型ＬＥＤの断面図を図１に示した。図１で示されるＬＥＤは、半導体素子２がフレーム上にダイボンドされ、この半導体素子２とリードフレーム３とがボンディングワイヤ４によりワイヤボンディングされている。この半導体素子２は本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物５により被覆されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図１で示される表面実装型ＬＥＤを製造する方法としては、半導体素子２をフレームにダイボンドし、この半導体素子２とリードフレーム３とを金製のボンディングワイヤ４によりワイヤボンドし、次いで、半導体素子２に本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物を塗布した後、５０〜２００℃に加熱して硬化させる方法が例示される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
［実施例１］
粘度３,５００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（ビニル基の含有量＝１.５質量％、ケイ素原子結合全有機基中のフェニル基の含有率＝４９モル％）６０質量部、２５℃で固体状の平均単位式：
(ＰhＳiＯ３／２)０.７５(ＶiＭe２ＳiＯ１／２)０.２５
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン（ビニル基の含有量＝５.６質量％、ケイ素原子結合全有機基中のフェニル基の含有率＝５０モル％）２０質量部、粘度１１５ｍＰa・ｓの式：
ＨＭe２ＳiＯ(Ｐh２ＳiＯ)２ＳiＭe２Ｈ
で表されるジフェニルポリシロキサン（ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.３２質量％、ケイ素原子結合全有機基中のフェニル基の含有率＝５０モル％）１０質量部、粘度１,４００ｍＰa・ｓの平均単位式：
(ＰhＳiＯ３／２)０.５(ＨＭe２ＳiＯ１／２)０.５
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン（ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.５１質量％、ケイ素原子結合全有機基中のフェニル基の含有率＝３３モル％）１０質量部、粘度１２,０００ｍＰa・ｓの平均単位式：
(ＰhＳiＯ３／２)０.５０(ＥpＳiＯ３／２)０.２５(ＶiＭe２ＳiＯ１／２)０.２５
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサン（ケイ素原子結合全有機基中のビニル基の含有率＝１６.７モル％、ケイ素原子結合全有機基中の３−グリシドキシプロピル基の含有率＝１６.７モル％、ケイ素原子結合全有機基中のフェニル基の含有率＝３３.３モル％、質量平均分子量＝４,５００）４質量部、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が質量単位で２.５ｐｐｍとなる量）、及び２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５質量部を均一に混合して、粘度３,４００ｍＰa・ｓの硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月6日(2011.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
このような（Ｃ）成分は、平均単位式：
[ＨＲ２２ＳiＯ１／２)ｆ(Ｒ２ＳiＯ３／２)ｇ(Ｒ２２ＳiＯ２／２)ｈ(Ｒ２３ＳiＯ１／２)ｉ(ＳiＯ４／２)ｊ(ＸＯ１／２)ｋ
で表される分岐鎖状オルガノポリシロキサンであることが好ましい。式中、各Ｒ２は独立に、脂肪族不飽和結合を有さない置換又は非置換の一価炭化水素基である。このＲ２の一価炭化水素基としては、前記と同様の基が例示される。なお、得られる硬化物の光の屈折、反射、散乱等による減衰が小さいことから、一分子中、ケイ素原子結合全有機基の少なくとも１５モル％はアリール基であり、好ましくは、少なくとも２５モル％はアリール基である。また、式中、Ｘは水素原子又はアルキル基である。このアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基が例示され、好ましくは、メチル基である。また、式中、ｆは正数であり、ｇは正数であり、ｈは０又は正数であり、ｉは０又は正数であり、ｊは０又は正数であり、ｋは０又は正数であり、かつｆ／ｇは０.１〜４の範囲内の数であり、ｈ／ｇは０〜１０の範囲内の数であり、ｉ／ｇは０〜５の範囲内の数であり、ｊ／(ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊ)は０〜０.３の範囲内の数であり、ｋ／(ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉ＋ｊ)は０〜０.４の範囲内の数である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本装置の一例である単体の表面実装型ＬＥＤの断面図を図１に示した。図１で示されるＬＥＤは、半導体素子２がフレーム上にダイボンドされ、この半導体素子２とリードフレーム３とがボンディングワイヤ４によりワイヤボンディングされている。この半導体素子２は本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物５により被覆されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図１で示される表面実装型ＬＥＤを製造する方法としては、半導体素子２をフレームにダイボンドし、この半導体素子２とリードフレーム３とを金製のボンディングワイヤ４によりワイヤボンドし、次いで、半導体素子２に本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物を塗布した後、５０〜２００℃で加熱することにより硬化させる方法が例示される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
［実施例２］
平均単位式：
(ＰhＳiＯ３／２)０.７５(ＶiＭeＳiＯ２／２)０.１０(Ｍe２ＳiＯ２／２)０.１５
で表される分岐鎖状オルガノポリシロキサン（ビニル基の含有量＝２.３質量％、ケイ素原子結合全有機基中のフェニル基の含有率＝６０モル％）６５質量部、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.２０質量％、ケイ素原子結合全有機基中のフェニル基の含有率＝３４モル％）３３質量部、平均単位式：
(ＰhＳiＯ３／２)０.５(ＨＭe２ＳiＯ１／２)０.５
で表される分岐鎖状オルガノポリシロキサン（ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.５１質量％、ケイ素原子結合全有機基中のフェニル基の含有率＝４３モル％、数平均分子量＝３,２２０）２質量部、平均単位式：
(ＥpＳiＯ３／２)０.３(ＶiＭeＳiＯ２／２)０.３(Ｍe２ＳiＯ２／２)０.３(ＭeＯ１／２)０.２
で表されるオルガノポリシロキサン２質量部、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が質量単位で２.５ｐｐｍとなる量）、及び２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５質量部を均一に混合して、粘度８,０００ｍＰa・ｓの硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
［比較例２］
平均単位式：
(ＰhＳiＯ３／２)０.７５(ＶiＭeＳiＯ２／２)０.１０(Ｍe２ＳiＯ２／２)０.１５
で表される分岐鎖状オルガノポリシロキサン（ビニル基の含有量＝２.３質量％、ケイ素原子結合全有機基中のフェニル基の含有率＝６０モル％）６８質量部、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン（ケイ素原子結合水素原子の含有量＝０.２０質量％、ケイ素原子結合全有機基中のフェニル基の含有率＝３４モル％）３２質量部、平均単位式：
(ＥpＳiＯ３／２)０.３(ＶiＭeＳiＯ２／２)０.３(Ｍe２ＳiＯ２／２)０.３(ＭeＯ１／２)０.２
で表されるオルガノポリシロキサン２質量部、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体（本組成物において、本錯体中の白金金属が質量単位で２.５ｐｐｍとなる量）、及び２−フェニル−３−ブチン−２−オール０.０５質量部を均一に混合して、粘度９,５００ｍＰa・ｓの硬化性オルガノポリシロキサン組成物を調製した。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月8日(2011.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多価アミン（Ａ）と、下記反応生成物（Ｂ１）及び／又は（Ｂ２）とを含んでなる水性液（Ｃ）用ゲル化剤。
反応生成物（Ｂ１）：エチレン性不飽和化合物と無水マレイン酸との共重合体とオニウムカチオンとの反応による反応生成物
反応生成物（Ｂ２）：エチレン性不飽和化合物と無水マレイン酸との共重合体とオニウムカチオン及びアンモニアとの反応による反応生成物
【請求項２】
ゲル化剤の重量を基準として、多価アミン（Ａ）の含有量が０．５〜２５．９重量％、反応生成物（Ｂ１）及び（Ｂ２）の合計含有量が７４．１〜９９．５重量％、並びに（Ａ）の含有量と（Ｂ１）及び（Ｂ２）の合計含有量の比｛（Ａ）の含有量／（Ｂ１）及び（Ｂ２）の合計含有量｝が０．００５〜０．３５である請求項１に記載の水性液用ゲル化剤。
【請求項３】
反応生成物（Ｂ１）が、エチレン不飽和化合物と無水マレイン酸との共重合体に含まれる無水マレイン酸基１モルに対してオニウムカチオンが０．５〜２モル反応している反応生成物である請求項１又は２に記載の水性液用ゲル化剤。
【請求項４】
反応生成物（Ｂ２）が、エチレン不飽和化合物と無水マレイン酸との共重合体に含まれる無水マレイン酸基１モルに対してオニウムカチオンが０．５〜１．８モル反応しアンモニアが０．２〜０．８モル反応している反応生成物である請求項１〜３のいずれかに記載の水性液用ゲル化剤。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の水性液用ゲル化剤で水性液（Ｃ）をゲル化させてなる水性液ゲル。
【請求項６】
透過率が７０〜１００％である請求項５に記載の水性液ゲル。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれかに記載の水性液用ゲル化剤、消臭性及び／又は芳香性を有する物質（Ｄ）並びに水性液（Ｃ）を含んでなる消臭及び／又は芳香剤。
【請求項８】
多価アミン（Ａ）、下記反応生成物（Ｂ１）及び／又は（Ｂ２）並びに水性液（Ｃ）を含んでなる組成物を架橋反応させることを特徴とする水性液ゲルの製造方法。
反応生成物（Ｂ１）：エチレン性不飽和化合物と無水マレイン酸との共重合体とオニウムカチオンとの反応による反応生成物
反応生成物（Ｂ２）：エチレン性不飽和化合物と無水マレイン酸との共重合体とオニウムカチオン及びアンモニアとの反応による反応生成物
【請求項９】
ゲル化剤の重量を基準として、多価アミン（Ａ）の含有量が０．５〜２５．９重量％、反応生成物（Ｂ１）及び（Ｂ２）の合計含有量が７４．１〜９９．５重量％、並びに（Ａ）の含有量と（Ｂ１）及び（Ｂ２）の合計含有量の比｛（Ａ）の含有量／（Ｂ１）及び（Ｂ２）の合計含有量｝が０．００５〜０．３５である請求項８に記載の水性液ゲルの製造方法。
【請求項１０】
反応生成物（Ｂ１）が、エチレン不飽和化合物と無水マレイン酸との共重合体に含まれる無水マレイン酸基１モルに対してオニウムカチオンが０．５〜２モル反応している反応生成物である請求項８又は９に記載の水性液ゲルの製造方法。
【請求項１１】
反応生成物（Ｂ２）が、エチレン不飽和化合物と無水マレイン酸との共重合体に含まれる無水マレイン酸基１モルに対してオニウムカチオンが０．５〜１．８モル反応しアンモニアが０．２〜０．８モル反応している反応生成物である請求項８〜１０のいずれかに記載の水性液用ゲルの製造方法。
【請求項１２】
架橋反応させる温度が５〜６０℃である請求項８〜１１のいずれかに記載の水性液ゲルの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月9日(2011.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記スプライン軸部１２ａは、先半部を小径部１５とし、基半部を大径部１６としている。これら小径部１５及び大径部１６の外周面に形成した雄スプライン歯と、上記スプライン孔１１ａの内周面に形成した雌スプライン歯とは、相似形であるが、大きさは異なる。即ち、このスプライン孔１１ａの内周面の大きさに比べて、上記小径部１５の外周面の大きさを十分に小さくすると共に、上記大径部１６の外周面の大きさを少しだけ小さくしている。そして、上記小径部１５の外周面と上記スプライン孔１１ａの内周面との間、及び、上記スプライン軸部１２ａの先端面２３と上記スプライン孔１１ａの奥端面２４との間に、弾性部材１７を設置すると共に、上記大径部１６を上記スプライン孔１１ａに、小さな隙間を介してスプライン係合させている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
又、上記連結部１９は、上記緩衝筒部１８の先端側開口を塞ぐ状態で設けられており、上記軸予圧部２０は、この様な連結部１９の内周縁部から、上記緩衝筒部１８と軸方向反対側に突出する状態で形成している。図示の例の場合、上記軸予圧部２０を、先端側が塞がれた、有底円筒状としている。電動式パワーステアリング装置を組み立てた状態で、この様な軸予圧部２０は、上記スプライン軸部１２ａの先端面２３と上記スプライン孔１１ａの奥端面２４との間に、軸方向に弾性的に圧縮された状態で設置される。尚、上記軸予圧部２０は、上述の様に中心部まで弾性材が詰まっていない、中空体とする他、中心部まで弾性材が詰まった、中実体とする事もできる。中空体とするか、中実体とするかは、必要とする弾性の大きさ等に応じて設計的配慮で選択する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月11日(2011.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高速回転する主軸を支承し、合成樹脂製保持器を備える高速回転用転がり軸受において、
前記合成樹脂製保持器が、引張強度が２ＧＰａ以上で、かつ引張弾性率が５０ＧＰａ以上で、かつ、パラ系アラミド繊維、ポリアリレート繊維及びポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール繊維から選ばれる少なくとも１種の有機繊維からなる織物と、熱硬化性樹脂とを一体化した有機繊維強化プラスチックからなることを特徴とする高速回転用転がり軸受。
【請求項２】
前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリアミノアミド樹脂及びフェノール樹脂から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１記載の高速回転用転がり軸受。
【請求項３】
前記合成樹脂製保持器が外輪に案内されることを特徴とする請求項１または２記載の高速回転用転がり軸受。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は下記の高速回転用転がり軸受を提供する。
（１）高速回転する主軸を支承し、合成樹脂製保持器を備える高速回転用転がり軸受において、前記合成樹脂製保持器が、引張強度が２ＧＰａ以上で、かつ引張弾性率が５０ＧＰａ以上で、かつ、パラ系アラミド繊維、ポリアリレート繊維及びポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール繊維から選ばれる少なくとも１種の有機繊維からなる織物と、熱硬化性樹脂とを一体化した有機繊維強化プラスチックからなることを特徴とする高速回転用転がり軸受。
（２）前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリアミノアミド樹脂及びフェノール樹脂から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする上記（１）記載の高速回転用転がり軸受。
（３）前記合成樹脂製保持器が外輪に案内されることを特徴とする上記（１）または（２）記載の高速回転用転がり軸受。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
有機繊維としてパラ系アラミド繊維、ポリアリレート繊維、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール（ＰＢＯ）繊維を用いる。これらは単独で使用してもよいし、複数種を組み合わせて使用してもよい。これに対し、超高分子量ポリエチレン繊維は、融点が１４０℃程度であるため単独での使用には向かない。また、ＰＡＮ系炭素繊維は引張強度が高く（２．０〜７．１ＧＰａ）好ましいが、案内面への傷付性があるため、案内面に熱処理等の硬化処理を施す必要があり、コスト増を招く。パラ系アラミド繊維、ポリアリレート繊維及びポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール繊維は、高強度でありながらも柔軟性を有し、案内面への傷付性がなく案内面の熱硬化処理も不要であり、摺動特性にも優れることなどから、好ましい。下記表１に、これら３種の有機繊維の引張強度及び引張弾性率を示すが、ＰＡＮ系炭素繊維の引張強度に近いＰＢＯ繊維が最も好適である。尚、参考のために、炭素繊維及び超高分子量ポリエチレン繊維の引張強度及び引張弾性率を併せて示す。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月15日(2011.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前輪（３１）及び後輪（４４）を備えている車体フレーム（２０）に、燃料を貯蔵する燃料タンク（３８）が備えられ、この燃料タンク（３８）で発生する蒸発燃料を吸着するキャニスター（５５）が備えられ、同乗者のためのタンデム用ステップ（５４）が備えられている自動二輪車（１０）において、
前記キャニスター（５５）は、車幅方向で前記車体フレーム（２０）の外側で且つ前記タンデム用ステップ（５４）の先端より前記車体フレーム（２０）寄りの位置に、車体フレーム（２０）に沿って配置され、
前記車体フレーム（２０）に前記タンデム用ステップ（５４）を保持する保持ブラケット（５３）を設け、前記キャニスター（５５）は、前記保持ブラケット（５３）の外側に配置され、且つ車両側面視にて、前記キャニスター（５５）は、前記保持ブラケット（５３）に重なる位置に配置されていることを特徴とする自動二輪車。
【請求項２】
前記保持ブラケット（５３）は、前記車体フレーム（２０）から下へ延ばしたＶ状のブラケットであり、このＶ状のブラケットの下端に前記タンデム用ステップ（５４）を取付け、前記Ｖ状のブラケットの高さ方向途中に渡し部材（６７）を掛け渡し、この渡し部材（６７）に前記キャニスター（５５）を着脱可能に取付けることを特徴とする請求項１記載の自動二輪車。
【請求項３】
前記キャニスター（５５）の上方にて前記車体フレーム（２０）に外方へ向けて突出するプレート（６２Ｒ）を設けると共に、このプレート（６２Ｒ）の先端と前記保持ブラケット（５３Ｒ）の先端とを結ぶ線（Ｌ１）よりも前記キャニスター（５５）が内方に配置されていることを特徴とする請求項２記載の自動二輪車。
【請求項４】
前記車体フレーム（２０）は、前部にフロントフォーク（２９）を転舵可能に支えるヘッドパイプ（２１）を有し、後部にスイングアーム（４３）を上下動に可能に支えるピボットプレート（２２）を有してるメインフレーム（２３）と、このメインフレーム（２３）から後方へ延ばされシート（２５）を支えるシートレール（２６）と、このシートレール（２６）の途中から前記ピボットプレート（２２）へ側面視で前下がりに斜めに渡され前記シートレール（２６）を支えるサブフレーム（２７）とからなり、
このサブフレーム（２７）へ前記タンデム用ステップ（５４）が備えられ、前記サブフレーム（２７）の中心軸（Ｌ３）より前記キャニスター（５５）の中心軸（Ｌ２）が、側面視で下位になるようにして、前記キャニスター（５５）が前記車体フレーム（２０）に備えられていることを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３記載の自動二輪車。
【請求項５】
前記キャニスター（５５）は円筒形状を呈し、このようなキャニスター（５５）の前記車体フレーム（２０）から遠い方の外周面に、半割円筒カバー（９０）が被せられていることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３又は請求項４記載の自動二輪車。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１に係る発明は、前輪及び後輪を備えている車体フレームに、燃料を貯蔵する燃料タンクが備えられ、この燃料タンクで発生する蒸発燃料を吸着するキャニスターが備えられ、同乗者のためのタンデム用ステップが備えられている自動二輪車において、
前記キャニスターは、車幅方向で前記車体フレームの外側で且つ前記タンデム用ステップの先端より車体フレーム寄りの位置に、車体フレームに沿って配置され、
前記車体フレームに前記タンデム用ステップを保持する保持ブラケットを設け、前記キャニスターは、前記保持ブラケットの外側に配置され、且つ車両側面視にて、前記キャニスターは、前記保持ブラケットに重なる位置に配置されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項３に係る発明では、保持ブラケットは、車体フレームから下へ延ばしたＶ状のブラケットであり、このＶ状のブラケットの下端にタンデム用ステップを取付け、Ｖ状のブラケットの高さ方向途中に渡し部材を掛け渡し、この渡し部材にキャニスターを着脱可能に取付けることを特徴とする。
請求項４に係る発明では、キャニスターの上方にて車体フレームに外方へ向けて突出するプレートを設けると共に、このプレートの先端と保持ブラケットの先端とを結ぶ線よりもキャニスターが内方に配置されていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
さらに、請求項１に係る発明は、車体フレームに前記タンデム用ステップを保持する保持ブラケットを設け、車両側面視にて、保持ブラケットに重なる位置にキャニスターが配置されていることを特徴とする。保持ブラケットで、キャニスターが保護される。
加えて、保持ブラケットは、タンデム用ステップを保持する機能とキャニスターを保持する機能とを兼ね備えている。キャニスターを保持するブラケットを別に設ける場合に比べて、部品点数の削減が図れる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項２に係る発明では、車体フレームから下へＶ状のブラケットを延ばし、このＶ状のブラケットの下端にタンデム用ステップを取付け、Ｖ状のブラケットの高さ方向途中に渡し部材を掛け渡し、この渡し部材にキャニスターを着脱可能に取付けるようにした。Ｖ状のブラケットの高さ方向途中に掛け渡した渡し部材は、Ｖ状のブラケットの剛性を高める役割を果たす。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項３に係る発明では、プレートの先端と保持ブラケットの先端とを結ぶ線よりもキャニスターが内方に配置されているため、仮に車両が転倒しても、キャニスターが路面に接触する心配が無くなる。
請求項４に係る発明では、シートレールを支えるサブフレームにタンデム用ステップが備えられ、サブフレームの中心軸よりキャニスターの中心軸が、側面視で下位になるようにした。サブフレームより下方にキャニスターを配置できるため、低重心化が図れると共に、キャニスターが車体中心側に配置できるため、車両の運動性能を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月4日(2011.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記第２エアクリーナは、車幅方向で一側に前記第２エアクリーナカバーが設けられ、他側に前記第２エアクリーナ部への空気取入れ口が設けられ、この空気取入れ口は、前記第２エアクリーナ部の突出端より車体内方に設けられることを特徴とする請求項３〜請求項４のいずれか１項記載の鞍乗り型車両。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項５に係る発明は、第２エアクリーナでは、車幅方向の一側に第２エアクリーナカバーが設けられ、他側に第２エアクリーナ部への空気取入れ口が設けられ、この空気取入れ口が、第２エアクリーナ部の突出端より車体内方に設けられることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
請求項５に係る発明では、第２エアクリーナでは、車幅方向の一側に第２エアクリーナカバーが設けられ、他側に第２エアクリーナ部への空気取入れ口が設けられ、この空気取入れ口が、第２エアクリーナ部の突出端より車体内方に設けられるので、空気取入れ口が第２エアクリーナ部の突出端よりも車幅方向に突出するのを防ぐことができ、車幅を小さくすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
以上の図１〜図５に示したように、エンジン２２の吸気負圧を利用して開閉される２次空気制御弁１１３と、この２次空気制御弁１１３の上流に、エンジン２２に供給される空気を浄化する第１エアクリーナとしてのエアクリーナ４７とは別に配置される第２エアクリーナとしての２次空気供給用エアクリーナ１１１とからなり、エンジン２２の排気ガス流路途中に外部の空気を導入して排気ガス中の未燃焼成分を燃焼させる２次空気供給装置５３を備える鞍乗り型車両１０において、電装品としてのバッテリ１３１を保持する電装品保持部材としてのバッテリケース１２１に２次空気供給用エアクリーナ１１１を一体に設けたので、独立した第２エアクリーナを設けた場合に比べて、部品点数を削減することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
また更に、図４、図５に示されるように、三角形状の空間１２０が、逆三角形状を成し、三角形の最も低位置の頂点の上方にバッテリ１３１が配置され、他の２つの頂点のうち一方の頂点（この実施形態では、メインフレーム１３とシートレール１６，１７で形成される頂点）に寄せて２次空気供給用エアクリーナ部１２１Ｄ（図６参照）が配置されるとともに、２次空気供給用エアクリーナ部１２１Ｄが、メインフレーム１３、シートレール１６，１７及びサブフレーム１８，１９のうちの２部材（この実施形態では、メインフレーム１３とシートレール１６，１７）に沿う三角形状に形成されているので、三角形の最も低位置の頂点の上方に大型のバッテリ１３１を配置することができ、最も低位置の頂点の他の頂点付近の空間を利用して２次空気供給用エアクリーナ部１２１Ｄを配置し空間を有効に利用することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線断面図であり、マフラ５２は、排気管５１の後端に接続された内管組立体１８１と、この内管組立体１８１の周囲を覆うように排気管５１及び内管組立体１８１に取付けられた外管組立体１８２とからなる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月17日(2011.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録紙の搬送用のローラ部品を交換可能な画像形成装置であって、
前記搬送用のローラ部品の使用回数をカウントするカウント手段と、
搬送ジャムの検出を行う検出手段と、
前記検出手段において搬送ジャムを検出するための基準値を変更して、変更後の基準値に基づいて搬送ジャムが発生するか否かを判定する判定手段と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記判定手段により搬送ジャムが発生しないと判定された場合に、前記カウント手段のカウンタ値をクリアする制御手段をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記検出手段は、前記搬送用のローラ部品の前後の位置で紙搬送時間を計測するよう構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記判定手段により搬送ジャムが発生しないと判定された場合、前記搬送ジャムを検出するための基準値を、変更後の基準値から変更前の基準値に戻すことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記変更後の基準値は、前記ローラ部品が新品のローラ部品であるか否かを判定するために用いられる基準値であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
記録紙の給紙用のローラ部品を交換可能な画像形成装置であって、
前記給紙用のローラ部品の使用回数をカウントするカウント手段、
給紙ジャムの検出を行う検出手段と、
前記検出手段において給紙ジャムを検出するための基準値を変更して、変更後の基準値に基づいて給紙ジャムが発生するか否かを判定する判定手段と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項７】
前記判定手段により給紙ジャムが発生しないと判定された場合に、前記カウント手段のカウンタ値をクリアする制御手段をさらに有することを特徴とする請求項６記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記検出手段は、前記給紙用のローラ部品による再給紙回数を計測するよう構成されていることを特徴とする請求項６又は７記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記変更後の基準値は、給紙の回数が１回であること、を特徴とする請求項６乃至８の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記判定手段により給紙ジャムが発生しないと判定された場合、前記給紙ジャムを検出するための基準値を、変更後の基準値から変更前の基準値に戻すことを特徴とする請求項６乃至９の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
記録紙の搬送用のローラ部品を交換可能な画像形成装置の制御方法であって、
前記搬送用のローラ部品の使用回数をカウントするカウンタステップと、
搬送ジャムの検出を行う検出ステップと、
前記検出ステップにおいて搬送ジャムを検出するための基準値を変更して、変更後の基準値に基づいて搬送ジャムが発生するか否かを判定する判定ステップと、
を有することを特徴とする画像形成装置の制御方法。
【請求項１２】
記録紙の給紙用のローラ部品を交換可能な画像形成装置の制御方法であって、
前記給紙用のローラ部品の使用回数をカウントするカウンタステップと、
給紙ジャムの検出を行う検出ステップと、
前記検出ステップにおいて給紙ジャムを検出するための基準値を変更して、変更後の基準値に基づいて給紙ジャムが発生するか否かを判定する判定ステップと、
を有することを特徴とする画像形成装置の制御方法。
【請求項１３】
請求項１１記載の画像形成装置の制御方法を、コンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１４】
請求項１２記載の画像形成装置の制御方法を、コンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置、画像形成装置の制御方法及びコンピュータプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、消耗部品の交換が可能である画像形成装置、画像形成装置の制御方法及びコンピュータプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の目的は、画像形成装置における部品交換時の動作確認を、簡単な操作で実行可能とした、構成が簡素で廉価な画像形成装置、画像形成装置の制御方法及びコンピュータプログラムを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記目的を達成するために、請求項１記載の画像形成装置は、記録紙の搬送用のローラ部品を交換可能な画像形成装置であって、前記搬送用のローラ部品の使用回数をカウントするカウント手段と、搬送ジャムの検出を行う検出手段と、前記検出手段において搬送ジャムを検出するための基準値を変更して、変更後の基準値に基づいて搬送ジャムが発生するか否かを判定する判定手段と、を有することを特徴とする。
上記目的を達成するために、請求項６記載の画像形成装置は、記録紙の給紙用のローラ部品を交換可能な画像形成装置であって、前記給紙用のローラ部品の使用回数をカウントするカウント手段、給紙ジャムの検出を行う検出手段と、前記検出手段において給紙ジャムを検出するための基準値を変更して、変更後の基準値に基づいて給紙ジャムが発生するか否かを判定する判定手段と、を有することを特徴とする。
上記目的を達成するために、請求項１１記載の画像形成装置の制御方法は、記録紙の搬送用のローラ部品を交換可能な画像形成装置の制御方法であって、前記搬送用のローラ部品の使用回数をカウントするカウンタステップと、搬送ジャムの検出を行う検出ステップと、前記検出ステップにおいて搬送ジャムを検出するための基準値を変更して、変更後の基準値に基づいて搬送ジャムが発生するか否かを判定する判定ステップと、を有することを特徴とする。
上記目的を達成するために、請求項１２記載の画像形成装置の制御方法は、記録紙の給紙用のローラ部品を交換可能な画像形成装置の制御方法であって、前記給紙用のローラ部品の使用回数をカウントするカウンタステップと、給紙ジャムの検出を行う検出ステップと、前記検出ステップにおいて給紙ジャムを検出するための基準値を変更して、変更後の基準値に基づいて給紙ジャムが発生するか否かを判定する判定ステップと、を有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明によれば、画像形成装置における部品交換時の動作確認を、簡単な操作で実行でき、しかも構成が簡素で廉価な画像形成装置、画像形成装置の制御方法及びコンピュータプログラムを提供できるという効果がある。