【手続補正書】
【提出日】平成21年8月28日(2009.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のトランジスタを製造する方法であって、
各前記トランジスタは、１つの共通基板上に複数のエピタキシャル層を備えており、
前記複数のエピタキシャル層の第１の表面に複数のソースコンタクトを形成するステップと、
前記第１の表面に少なくとも１つのドレインコンタクトを形成するステップと、
前記第１の表面に少なくとも１つのゲートコンタクトを形成するステップと、
前記ゲートコンタクト、前記複数のソースコンタクト及び前記ドレインコンタクトの上及び間に、前記ゲートコンタクト、前記複数のソースコンタクト及び前記ドレインコンタクトを絶縁する少なくとも１つの絶縁層を形成するステップと、
前記少なくとも１つの絶縁層の少なくとも一部分を覆い、且つ貫通して前記複数のソースコンタクトに接続される導電層を形成するステップと、
前記導電層上に少なくとも１つのシード層を形成するステップと、
前記シード層上に少なくとも１つのヒートシンク層を形成するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記トランジスタが高電子移動度トランジスタであり、
前記複数のエピタキシャル層が、窒化ガリウムの層と、窒化アルミニウムガリウムの層と、ｎ＋型窒化アルミニウムガリウムの層と、窒化ガリウムの最終層とを備え、前記第１の表面が前記窒化ガリウムの最終層の上にあり、
前記少なくとも１つの絶縁層が、電気絶縁性でありながら熱伝導性の材料であり、
前記導電層が、前記少なくとも１つの絶縁層内の複数のビアを通って前記複数のソースコンタクトに接続される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つのヒートシンク層が、前記導電層上に形成された導電性金属の比較的厚い層であり、
前記導電性金属の比較的厚い層が、構造支持材、ヒートシンク、放熱器及び接続部からなる群から選択される少なくとも１つである、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記シード層が複数のシード層を備え、前記複数のシード層のうちの第１のシード層が前記導電層に形成され、前記第１のシード層の材料が第１の熱膨張率を有し、
前記第１のシード層上に第２のシード層が形成され、前記第２のシード層の材料が、前記第１の熱膨張率よりも大きい第２の熱膨張率を有し、
前記第１のシード層及び前記第２のシード層のうちの１つが、それに形成された層の前記複数のエピタキシャル層内への拡散に対するバリアを提供する拡散バリアである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記共通基板及び前記複数のエピタキシャル層を貫通して前記導電層に至る少なくとも１つのビアを形成し、次に充填することによって、ソース接続を形成し、
前記共通基板及び前記複数のエピタキシャル層を貫通して前記少なくとも１つのドレインコンタクトに至る少なくとも１つのビアを形成し、次に充填することによって、ドレイン接続を形成し、
前記共通基板及び前記複数のエピタキシャル層を貫通して前記少なくとも１つのゲートコンタクトに至る少なくとも１つのビアを形成し、次に充填することによって、ゲート接続を形成する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つのヒートシンク層を形成した後に前記共通基板を除去するステップと、前記共通基板の代わりに、電気絶縁性且つ熱伝導性の材料の追加の層を形成するステップとをさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記複数のエピタキシャル層を貫通して前記導電層に至る少なくとも１つのビアを形成し、次に充填することによって、ソース接続を形成し、
前記複数のエピタキシャル層を貫通して前記少なくとも１つのドレインコンタクトに至る少なくとも１つのビアを形成し、次に充填することによって、ドレイン接続を形成し、
前記複数のエピタキシャル層を貫通して前記少なくとも１つのゲートコンタクトに至る少なくとも１つのビアを形成し、次に充填することによって、ゲート接続を形成する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つのヒートシンク層を形成する前に、パターンめっきを行う、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
複数のトランジスタを備え、各前記トランジスタが、
（ａ）  第１の表面を有する複数のエピタキシャル層と、
（ｂ）  すべて前記第１の表面上にある、複数のソースコンタクト、少なくとも１つのドレインコンタクト、及び少なくとも１つのゲートコンタクトと、
（ｃ）  前記複数のソースコンタクト、前記少なくとも１つのドレインコンタクト及び前記少なくとも１つのゲートコンタクトの上及び間にあり、前記ゲートコンタクト、前記複数のソースコンタクト及び前記ドレインコンタクトを絶縁する少なくとも１つの絶縁層と、
（ｄ）  前記少なくとも１つの絶縁層の少なくとも一部分を覆い且つ貫通して前記複数のソースコンタクトに接続される導電層と、
（ｆ）  前記導電層上に少なくとも１つのヒートシンク層と、
（ｇ）  前記導電層と前記少なくとも１つのヒートシンク層との間に少なくとも１つのシード層と
を備える、装置。
【請求項１０】
前記少なくとも１つのヒートシンク層が、前記導電層によって覆われていない前記少なくとも１つの絶縁層と前記導電層とを覆い、
前記少なくとも１つの絶縁層が、電気絶縁性且つ熱伝導性である、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記複数のエピタキシャル層が、窒化ガリウムの層と、窒化アルミニウムガリウムの層と、ｎ＋型窒化アルミニウムガリウムの層と、窒化ガリウムの最終層とを備え、前記第１の表面が前記窒化ガリウムの最終層の上にあり、
前記導電層が、前記少なくとも１つの絶縁層内の複数のビアを通って前記複数のソースコンタクトに接続され、
前記少なくとも１つのヒートシンク層が、前記導電層上にある導電性金属の比較的厚い層であり、
前記比較的厚い層が、構造支持材、ヒートシンク、放熱器及び接続部からなる群から選択される少なくとも１つである、請求項９又は１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記シード層が複数のシード層を備え、前記複数のシード層のうちの第１のシード層が前記導電層上にあり、前記第１のシード層の材料が第１の熱膨張率を有し、
前記第１のシード層上に第２のシード層があり、前記第２のシード層の材料が、前記第１の熱膨張率よりも大きい第２の熱膨張率を有し、
前記第１のシード層及び前記第２のシード層のうちの１つが、それに形成された層の前記複数のエピタキシャル層内への拡散に対するバリアを提供する拡散バリアである、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】
前記共通基板及び前記複数のエピタキシャル層を貫通して前記導電層に至るソース接続と、
前記共通基板及び前記複数のエピタキシャル層を貫通して前記少なくとも１つのドレインコンタクトに至るドレイン接続と、
前記共通基板及び前記複数のエピタキシャル層を貫通して前記少なくとも１つのゲートコンタクトに至るゲート接続と、
をさらに備える、請求項９〜１２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
前記導電性金属の比較的厚い層が形成された後に、前記共通基板が除去され、
前記複数のエピタキシャル層を貫通して前記導電層に至るソース接続と、
前記複数のエピタキシャル層を貫通して少なくとも１つの前記ソースコンタクトに至るドレイン接続と、
前記複数のエピタキシャル層を貫通して前記少なくとも１つのゲートコンタクトに至るゲート接続と、
前記共通基板の代わりに、電気絶縁性且つ熱伝導性の材料の層と、
をさらに備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
前記シード層が複数のシード層を備え、前記複数のシード層のうちの第１のシード層が前記導電層上にあり、前記第１のシード層の材料が第１の熱膨張率を有し、
前記第１のシード層上に第２のシード層があり、前記第２のシード層の材料が、前記第１の熱膨張率よりも大きい第２の熱膨張率を有し、
前記第１のシード層及び前記第２のシード層のうちの１つが、それに形成された層の前記複数のエピタキシャル層内への拡散に対するバリアを提供する拡散バリアであり、
前記少なくとも１つのヒートシンク層が、前記導電性金属の比較的厚い層、前記少なくとも１つのシード層、前記導電層、及び前記少なくとも１つの絶縁層を備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１６】
前記トランジスタが高電子移動度トランジスタである、請求項９〜１５のいずれか一項に記載の装置。