Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月25日(2008.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気デバイスに自己整合されたビア・ホールを形成する方法であって、前記方法が、
前記磁気デバイスの少なくとも一部分の上に誘電体層を形成するステップであって、前記誘電体層が、前記磁気デバイスに最も近接して形成された下層と、前記下層に対して、前記磁気デバイスとは反対側の上面に形成された上層とを有し、前記下層が第１材料を含み、前記上層が前記第１材料とは異なる第２材料を含む、ステップと、
第１エッチング段階において、第１エッチャントを使用して、前記上層から開始して前記上層を少なくとも部分的に貫通して前記誘電体層をエッチングするステップと、
第２エッチング段階において、前記下層に対して選択的な第２エッチャントを使用して前記誘電体層をエッチングし、前記下層を少なくとも部分的に貫通して前記誘電体層をエッチングするステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記磁気デバイスが、磁気トンネル接合を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１エッチャントが前記下層に達すると、これを検出するステップと、
前記第１エッチャントが前記下層に達したら、前記第１エッチング段階を終了するステップと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記検出するステップが、前記第１エッチャントが前記下層に達していることを光学的に検出するべく発光トレースを用いるステップをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記発光トレースを用いるステップが、前記上層内では実質的に見られない特性を前記下層内で光学的に検出するステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１材料が、窒化シリコンおよび炭窒化シリコンのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第２材料が、酸化シリコンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１エッチャントが、炭素を基にしたプラズマ材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第２エッチャントが、ＣＨ３Ｆ／Ｏ２を基にした材料またはＮＦ３／Ｏ２／ＮＨ３を基にした材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記誘電体層を形成するステップが、前記磁気デバイスの上方に垂直方向へ距離をおいて１つ以上の尖塔構造を形成するように前記下層を堆積するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記下層が、高密度プラズマ化学気相堆積を用いて堆積される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記磁気デバイスの少なくとも１つの側面の少なくとも一部分の周囲にスペーサ材料がある、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記スペーサ材料が、酸化シリコンを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記磁気デバイスのパターン形成中にハードマスクを使用するステップであって、前記ハードマスクが前記下層と同じ材料を含む、ステップと、
前記第２エッチング段階中に、前記下層を貫通し、かつ前記ハードマスクを貫通して前記誘電体層をエッチングするステップと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記ビア・ホールを金属化するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
磁気トンネル接合と、
前記磁気トンネル接合の少なくとも一部分の上に形成された誘電体層であって、前記誘電体層が、前記磁気トンネル接合に最も近接する下層と、前記下層に対して、前記磁気トンネル接合とは反対側の面の上層とを有するように構成されている、誘電体層と、
前記誘電体層を実質的に垂直に貫通しており、前記磁気トンネル接合に対して自己整合されたビア・ホールと、
を含む、磁気デバイス。
【請求項１７】
少なくとも１つの磁気デバイスを含んでいる集積回路であって、前記少なくとも１つの磁気デバイスが、
磁気トンネル接合と、
前記磁気トンネル接合の少なくとも一部分の上に形成された誘電体層であって、前記誘電体層が、前記磁気トンネル接合に最も近接する下層と、前記下層に対して、前記磁気トンネル接合とは反対側の面の上層とを有するように構成されている、誘電体層と、
前記誘電体層を実質的に垂直に貫通しており、前記磁気トンネル接合に対して自己整合されたビア・ホールと、
を含む、集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月14日(2009.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バックライトの出力領域に向かい合う背面反射体と、
入射光線を部分的に透過し部分的に反射するトランスフレクターと、
ここで、前記トランスフレクターは、前記背面反射体と向かい合う少なくとも１つの
凹面構造を形成するように形作られて、前記背面反射体との間に１つ以上のリサイク
リングキャビティーを提供し、前記１つ以上のリサイクリングキャビティーは前記バ
ックライトの出力領域を実質的に満たす、
前記バックライトの第１端部に隣接して配置される少なくとも１つの光源と、
ここで、前記少なくとも１つの光源は、前記１つ以上のリサイクリングキャビティー
の入力面を通って前記１つ以上のリサイクリングキャビティーに光を注入するように
操作可能であり、
前記入力面は前記バックライトの前記出力領域に実質的に直交し、そして更に前記少
なくとも１つの凹面構造は前記入力面から末端方向に向かって前記背面反射体と収斂
する、
を含む出力領域を有する端部照明バックライト。
【請求項２】
前記リサイクリングキャビティーがそれぞれ深さｄ、および幅Ｗを有し、そしてＷがｄの少なくとも２．５倍である請求項１に記載のバックライト。
【請求項３】
照射側及び表示側を含むディスプレイパネルと、
前記ディスプレイパネルの前記照射側に配置される端部照明バックライトと、
ここで、前記端部照明バックライトは出力領域を有し、前記端部照明バックライトは
前記バックライトの出力領域に向かい合う背面反射体、及び
入射光線を部分的に透過し部分的に反射するトランスフレクターを含み、
前記トランスフレクターは、前記背面反射体に向かい合う少なくとも１つの凹面構造
を形成するように形作られて前記背面反射体との間に１つ以上のリサイクリングキャ
ビティーを提供し、前記１つ以上のリサイクリングキャビティーは、バックライトの
出力領域を実質的に満たす、
前記バックライトの第１端部に隣接して配置される少なくとも１つの光源と
ここで、前記少なくとも１つの光源は、前記１つ以上のリサイクリングキャビティー
の入力面を通って前記１つ以上のリサイクリングキャビティーに光を注入するように
操作可能であり、前記入力面は前記バックライトの前記出力領域に実質的に直交し、
そして更に前記少なくとも１つの凹面構造は前記入力面から末端方向に向かって前記
背面反射体と収斂する、
を含むディスプレイシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月20日(2009.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明アセンブリであって、
反射基板と、
方位角光線拡幅トポグラフィを含む第１光抽出面と、
照明光を生成できる１つ以上の光源を具備する光源ユニットと、を具備し、
前記光源ユニットは前記反射基板と前記第１光抽出面との間にあり、前記第１光抽出面は前記光源ユニットに対向している、照明アセンブリ。
【請求項２】
前記第１光抽出面は該第１光抽出面のｘ−ｙ平面を占める細長い連続プリズムの配列を具備し、前記配列中の各々のプリズムは稜線を形成するために交差する二つの傾斜表面を具備し、前記稜線は実質的に連続し、かつ非直線である、請求項１に記載の照明アセンブリ。
【請求項３】
照明アセンブリであって、
反射基板と、
密接に充填された円錐形表面の配列を具備する第１光抽出面であって、前記配列は円錐構造部との間に実質的に平坦でないランド領域を含み、前記円錐構造部の底面が前記表面のｘ−ｙ平面内にあり、そして、前記円錐構造部の頂点は前記表面のｘ−ｙ平面から外にある第１光抽出面と、
照明光を生成できる１つ以上の光源を具備する光源ユニットであって、前記光源ユニットは前記第１光抽出面と前記反射基板との間にあり、前記第１光抽出面の配列における前記円錐構造部の頂点が前記光源ユニットの方向を向いている光源ユニットと、
を具備する照明アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月22日(2009.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体イオン性電解質の精製方法であって、少なくとも１種のカルシウム塩の粒子を前記電解質に接触させる少なくとも１つの段階を含む方法。
【請求項２】
カルシウム塩が、ＣａＣ２、ＣａＨ２、またはこれらの混合物である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
カルシウム塩の粒子が、１〜１００マイクロメートルの間（境界値も含まれる）のｄ５０を示す、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
カルシウム塩の粒子が、１００マイクロメートル〜１ナノメートルの間の大きさを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
カルシウム塩の粒子が、ＢＥＴ法に従った測定により、５〜２００ｍ２／グラムの間（境界値も含まれる）の比表面積を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
用いられるカルシウム塩の量が、除去される水の量に対して過剰であり、用いられるカルシウム塩の量が、精製される電解質２０ｍｌ当たり少なくとも５グラムである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
カルシウム塩の粒子を電解質に添加すること、およびそれにより得られた混合物を均質化することによって、少なくとも１種のカルシウム塩の粒子を前記電解質に接触させる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
カルシウム塩の床が使い果たされるまで、液体電解質を、カルシウム塩の床に連続的に透過させることによって、少なくとも１種のカルシウム塩の粒子を前記電解質に接触させる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
電解質が、液体溶媒に溶解された少なくとも１種のアルカリ金属塩を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
アルカリ金属塩が、ＬｉＦＳＩ、ＬｉＴＦＳＩ、ＬｉＢＥＴＩ、ＬｉＰＦ６、ＬｉＣｌＯ４、ＬＩＢＦ４、ＬｉＣＦ３ＳＯ３、ＬＩＢＯＢ、ＬｉＤＣＴＡまたはこれらの混合物である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
液体溶媒が、エチレンカーボネート（ＥＣ）、プロピレンカーボネート（ＰＣ）、ジメチルエチレン（ＤＭＥ）、ジメチルカーボネート（ＤＭＣ）、ジエチルカーボネート（ＤＥＣ）、エチルメチルカーボネート（ＥＭＣ）、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）およびこれらの混合物から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
液体溶媒が、アセトン、トルエン、ヘプタン、およびエタノールから選択された、低沸点を有する溶媒である、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
電解質が、−３０℃〜３５０℃の間の温度で液体である少なくとも１種の溶融塩を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
電解質が、イミダゾリウム塩、イミジニウム塩、ピリジニウム塩、アンモニウム塩、ピロリウム塩、スルホニウム塩、およびホスホニウム塩から選択された少なくとも２種の溶融塩を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
電解質が架橋によってゲルを提供可能なポリマーを含有する液体組成物であり、前記電解質のカルシウム塩への接触が架橋の前に実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の方法によって得られる精製された電解質。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月20日(2009.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ光源の内部部品を、プラズマ形成位置で生成され、最初は前記内部部品に向けられたイオンから保護するシステムであって、
前記内部部品と前記プラズマ形成位置との間に挿入され、前記プラズマ形成位置から前記内部部品へと延びる線に実質的に沿って位置合わせされた表面を有する、少なくとも１つの箔板と、
前記イオンを前記箔板表面内へと偏向させる磁場を発生させる磁気源と
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記表面は、実質的に平面であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記磁場は第１の磁場であり、前記システムは、前記箔板表面内へとイオンを偏向させる第２の磁場を発生させる第２の磁気源をさらに備え、前記第２の磁場は、前記第１の磁場に対して実質的に直交して配向することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記部品は軸線を定め、前記プラズマ形成位置は前記軸線に沿って位置し、前記第１の磁場は、前記プラズマ形成位置において前記軸線に対して実質的に垂直に配向する磁力線を有する実質的に均一な磁場であることを特徴とする請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記第２の磁場は、前記プラズマ形成位置からある距離において前記軸線に対して実質的に垂直に配向する磁力線を有する実質的に均一な磁場であることを特徴とする請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記少なくとも１つの箔板は、離間した複数の箔板であり、前記箔板の各々は前記プラズマ形成位置から前記内部部品へと延びるそれぞれの線に実質的に沿って位置合わせされた表面を有することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記内部部品は、鏡であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記鏡は、楕円形状であることを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記部品は軸線を定め、前記プラズマ形成位置は前記軸線に沿って位置し、前記箔板の表面の各々は前記軸線に対して実質的に放射状に位置合わせされたことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記プラズマ形成位置と前記内部部品との間に気体分子を供給する気体源をさらに備え、前記気体分子は、前記プラズマ破片粒子と衝突して、該粒子を前記箔板内へと偏向させるためのものであることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
ＥＵＶ光源の内部部品を、プラズマ形成位置で生成され、最初は前記内部部品に向けられたイオンから保護するシステムであって、
イオンエネルギーを減少させるために前記イオンと相互作用するように位置決めされた静電グリッドと、
前記エネルギーが減少されたイオンを前記イオンが前記内部部品に当たらない経路上へと偏向させる磁場を発生させる磁気源と
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項１２】
ＥＵＶ光源の内部部品を、プラズマ形成位置で生成され、最初は前記内部部品に向けられたイオンから保護するシステムであって、前記形成位置は、電子パルス、次いでイオンパルスを放出し、前記システムは、
前記プラズマ形成位置から距離ｄに位置決めされ、イオンエネルギーを減少させるために前記イオンと相互作用するように配向されたグリッドと、
前記グリッドに電気的に接続し、前記グリッドにおける前記電子パルスと前記イオンパルスとの間の時間遅延ｔの逆数と実質的に等しい共振周波数に同調する回路と
を備えることを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月14日(2009.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図３は、図２のバスバーの３−３線に沿った断面図である。ハウジング４は押出し成形プラスチック材料から形成され、ほぼＵ形状をなし、２個の側部材１０と、ハウジング４の内部を狭いキャビティ１４及び広いキャビティ１６に分割する内部隔壁１２とを有する。内部隔壁１２の末端は拡大頭部１８を有する。拡大頭部１８の下側は内部隔壁１２の両側に凹部２０を区画し、拡大頭部１８の上側には安定化溝２２が設けられる。内部隔壁１２の各側であって、一方の凹部２０及びハウジングの基部２４の間には、ニッケルめっきされた銅合金製、めっきされていない銅合金製、ニッケル下地の錫めっきされた銅合金製、又はニッケル下地の金めっきされた銅合金製の細長の角柱状導体２６が設けられる。隣接する側部材１０の内壁３４が、側部材１０の下部に設けられる。内壁３４は、ハウジング４の長手方向に延びる内方へ突出する肩２８を有する。細長のエラストマ製のコード状保持部材３０が、肩２８の下に配置されており、導体の外表面３２及び側部材１０の内壁３４の間で圧縮される。従って、各導体２６及びその関連する保持部材３０は、側部材１０の内壁３４及び内部隔壁１２の外壁３６で構成される各キャビティ１４，１６の対面する壁間に保持される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】複数のコネクタと係合した状態の、本発明によるバスバーの側面図である。
【図２】図１に示されるバスバーの平面図である。
【図３】図２の３−３線に沿った、バスバー及びバスバーと係合したコネクタの下部を示す断面図である。
【図４】バスバーが分離された図３のコネクタの下端を示す断面図である。
【図５】コネクタと係合した図１のバスバーの一部を示す斜視図である。
【図６】図５の１０−１０線に沿ったバスバーの断面図である。
【図７】図５のコネクタの下部及び中央部を示す分解斜視図である。
【図８】図１のバスバーの一端のシュラウド及び逆側のシュラウドを有する接続手段を示す分解斜視図である。
【図９】図８の接続手段の９−９線に沿った断面図である。
【図１０】スペーサの補助で薄い導体が所定位置に保持される別のバスバーの、図３と同様の断面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月19日(2009.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プログラム可能デバイスであって、
各々のセルが長寸法と短寸法を有する複数のセルを備え、
前記各々のセルは、
ｅヒューズと、
前記ｅヒューズに直列で、ワード・ラインに接続した制御電極及びセンス・ラインに接続した導電経路を有するトランジスタであって、前記トランジスタ及び前記ｅヒューズは前記セルの長寸法に実質的に適合した長寸法を有し、前記ワード・ラインは前記セルの前記長寸法に実質的に平行に配置される、トランジスタと、
前記複数のセルのうちの少なくとも２つの短寸法と交差するビット・ラインと、
前記ビット・ラインに接続するセンス増幅器と
を備える、
プログラム可能デバイス。
【請求項２】
前記センス増幅器は参照電圧源を備える、請求項１に記載のプログラム可能デバイス。
【請求項３】
前記参照電圧源は、複数のｅヒューズを含むネットワークを備える、請求項２に記載のプログラム可能デバイス。
【請求項４】
前記参照電圧源は、２つの直列に接続したｅヒューズを備える、請求項２に記載のプログラム可能デバイス。
【請求項５】
前記参照電圧源は抵抗を備える、請求項２に記載のプログラム可能デバイス。
【請求項６】
前記抵抗は、プログラムされたｅヒューズの抵抗とプログラムされていないｅヒューズの抵抗の間の対数的中点の抵抗に近い、請求項５に記載のプログラム可能デバイス。
【請求項７】
前記抵抗を調節する手段をさらに含む、請求項５に記載のプログラム可能デバイス。
【請求項８】
前記抵抗を調節する前記手段は、それに印加される調節可能電圧を有するトランジスタを含む、請求項７に記載のプログラム可能デバイス。
【請求項９】
前記ｅヒューズを選択的にプログラミングするための電源をさらに備える、請求項２に記載のプログラム可能デバイス。
【請求項１０】
前記電源は電荷ポンプを含む、請求項９に記載のプログラム可能デバイス。
【請求項１１】
集積回路のためのｅヒューズであって、
それに接続する導電体の幅に相当する長さを有する第１端子と、
電流束密度を集中させるための形状を有する第２端子と
を備え、
１８０Ωよりも小さな非プログラム状態抵抗を有する
ｅヒューズ。
【請求項１２】
シリサイドを含むヒューズ素子を有する、請求項１１に記載のｅヒューズ。
【請求項１３】
前記シリサイドはニッケル・シリサイドである、請求項１２に記載のｅヒューズ。
【請求項１４】
プログラム可能デバイスであって、
半導体チップと、
メモリ・セルの２次元配列であって、各々のメモリ・セルは、ビット・ラインに接続するｅヒューズと、該ｅヒューズに直列でワード・ラインに接続する制御電極を有するトランジスタとを含む、メモリ・セルの２次元配列と、
第１の電圧を前記ワード・ラインに選択的に印加するためのデコーダと、
前記第１の電圧及び第２の電圧のうちの１つを前記ビット・ラインに選択的に印加するためのセレクタであって、前記第２の電圧は前記第１の電圧よりも高い、セレクタと、
前記第２の電圧の電源と
を備え、
前記メモリ・セルの２次元配列、前記デコーダ、前記セレクタ、及び前記第２の電圧の前記電源は、前記半導体チップ上に形成される、
プログラム可能デバイス。
【請求項１５】
前記セレクタは、選択されないビット・ラインを参照電圧に接続する手段を含む、請求項１４に記載のプログラム可能デバイス。
【請求項１６】
それと直列のトランジスタを有するｅヒューズをプログラミングする方法であって、
前記ｅヒューズにプログラミング電圧を印加するステップと、
前記プログラミング電圧より低い電圧により前記トランジスタの導電を制御するステップと
を含み、
前記トランジスタは、初めは飽和モードで導電し、前記ｅヒューズのプログラミング後に前記ｅヒューズを横切る電圧を印加する、
方法。
【請求項１７】
前記ｅヒューズのプログラミング後に前記電圧を印加するステップは、前記ｅヒューズが初めに飽和モードで導電した後に、前記ｅヒューズに増加した電圧を印加するステップを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
製造中に、低電圧を用いて前記ｅヒューズのプログラム状態又は非プログラム状態を検出するステップをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月11日(2009.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）コンタクトパッドを備えた光出力結合側を有する発光ダイオード（ＬＥＤ）チップまたはレーザーの形態をした発光ダイと、
ｂ）前記光出力結合側の内側表面に実装された機能素子であって、この機能素子が前記コンタクトパッドに電気的に接触するための手段とを備え、この手段は、スリット状の開口部、機能素子の少なくとも２つの部分の間に形成された開口部、および、前記コンタクトパッドを前記機能素子の外側に接続する機能素子の内側表面に設けられたキャビティから成る群から選択される前記機能素子と、
ｃ）前記機能素子の前記手段を貫通し、前記コンタクトパッドに接続されたコンタクトワイヤーと、を備えた、光源。
【請求項２】
前記光素子は、カラー変換プレートまたは光学素子、例えばレンズ、ビーム整形器またはディフューザーであることを特徴とする、請求項１記載の光源。
【請求項３】
前記機能素子は、光出力結合面から少なくとも１方の側の表面まで放出される光を囲むキャップ状の形状となっていることを特徴とする、請求項１記載の光源。
【請求項４】
前記機能素子は、数個の部分に分割されていることを特徴とする、請求項１乃至３の何れか１項に記載の光源。
【請求項５】
前記機能素子は、あるパターンの開口部を有し、これら開口部のうちの少なくとも１つを貫通するように接合ワイヤーが配置されていることを特徴とする、請求項１乃至４の何れか１項に記載の光源。
【請求項６】
ａ）発光ダイオード（ＬＥＤ）チップまたはレーザーチップの形態を有する発光ダイの光出力結合側にあるコンタクトパッドをコンタクトワイヤーに接触させるステップと、
ｂ）前記光出力結合側に前記コンタクトパッドに電気的に接触するための手段を実装するステップであって、この手段が、スリット状の開口部、機能素子の少なくとも２つの部分の間に形成された開口部、および、前記コンタクトパッドを前記機能素子の外側に接続する機能素子の内側表面に設けられたキャビティから成る群から選択される前記ステップと、
を有する、請求項１記載の光源を製造するための方法。
【請求項７】
前記コンタクトワイヤーを、接合ワイヤーとし、この接合ワイヤーを光出力結合側で３０°未満の入射角でハンダ付けすることを特徴とする、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記コンタクトワイヤーを、接合ワイヤーとし、この接合ワイヤーを光出力結合側で１０°未満の入射角でハンダ付けすることを特徴とする、請求項６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月13日(2009.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造体を形成する方法であって、
半導体オン・インシュレータ基板であって、前記半導体オン・インシュレータ基板のＳＯＩ層及び埋込み絶縁層を通って延びる少なくとも１つのビア・コンタクトと、ノード導体を含む少なくとも１つのストレージ・キャパシタとを含む半導体オン・インシュレータ基板を準備するステップと、
前記ノード導体の別の部分を露出したまま、前記ノード導体の一部の上に酸化物キャップを準備するステップと、
前記ノード導体の前記露出された部分を凹ませ、前記凹部内に導電性ストラップを形成するステップと、
前記酸化物キャップを除去し、前記ノード導体及び前記導電性ストラップの一部の上に上部トレンチ酸化物を形成するステップと、
前記上部トレンチ酸化物の上に読み出しワード線を形成し、前記ＳＯＩ層の露出された表面の上に書き込みワード線を形成するステップであって、前記読み出しワード線は、サイド・ゲート及びトップ・ゲートを含むトランジスタの要素である、ステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記ビア・コンタクトを囲む前記ＳＯＩ層内にドーパント領域を形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記酸化物キャップを除去した後で、前記上部トレンチ酸化物を形成する前に、窒化物層を形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ストレージ・トレンチ内に位置する誘電体材料が形成され、前記サイド・ゲートのゲート誘電体として機能する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
上に配置されたトランスファゲート酸化物を含む前記ＳＯＩ層の表面上にある前記読み出しワード線に隣接した、少なくとも１つの書き込みワード線をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ＳＯＩ層内に下方に延びる少なくとも前記読み出しワード線に隣接した、境界のないビット線コンタクトを形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記読み出しワード線に対して垂直に通る前記境界のないビット線コンタクトの上にビット線導体をさらに含む、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月21日(2009.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源であって、
光を放出するための要素であって、要素の内部で発生した光の大部分を要素の面を通して放射するように構成されてなる上記要素と、
光を外部に結合するための少なくともひとつの構造体であって、要素における前記面と接触するベースを有し、ベースとは反対側の開口部を通して光を放射するように構成されてなる上記構造体とを備え、
要素とベースを取り囲む環境との間の境界が、要素で発生した光の少なくとも一部を、ベースに隣接した、少なくとも要素の一層に閉じ込めるように構成された光源において、
ベースは、前記面の面積に比べて小さな面積で前記面と接触していることを特徴とする光源。
【請求項２】
ベースに隣接した、少なくとも要素の一層は、１よりも大きな屈折率を有していることを特徴とする請求項１に記載の光源。
【請求項３】
光を外部に結合するための構造体を複数具備し、それぞれが有するベースは、前記面の領域に比べて実質的に小さい面積で前記面と接触していることを特徴とする請求項１又は２に記載の光源。
【請求項４】
光を外部に結合するための構造体のひとつを少なくとも通過する光をコリメートするための、少なくともひとつの構成物を具備していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光源。
【請求項５】
光を外部に結合するための構造体の少なくともひとつは、これと一体的なコリメート系を具備していることを特徴とする請求項４に記載の光源。
【請求項６】
少なくともひとつの小型レンズが、光を外部に結合するための構造体における、ベースとは反対側のそれぞれの開口部の上に設けられていることを特徴とする請求項４に記載の光源。
【請求項７】
ベースとは反対側にある開口部は、ベースに比べて大きな面積を有していることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光源。
【請求項８】
光源において、光を放射するための要素は、層状の装置であって、
電流を光に変換するための１又は複数の活性層と、
要素で発生した光の周波数の範囲において透明であり、その範囲において活性層に比べて小さい吸収係数を有している、少なくともひとつの別の層と、
を備えていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光源。
【請求項９】
光を放射するための要素は、層状の装置を具備し、この装置が、
電流を光に変換するための１又は複数の活性層と、
要素における前記面と活性層との間に発光材料から構成された少なくともひとつの層と、
を備えていることを特徴とする請求項８に記載の光源。
【請求項１０】
光を放射するための要素は、層状の装置を具備し、光を外部に結合するための構造体の少なくともひとつは、ベースに隣接する要素の層と一体的になっていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光源。
【請求項１１】
光を放射するための要素における前記面とは反対側に、反射面を備えていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光源。
【請求項１２】
光を放射するための要素は、発光ダイオードのダイによって形成されていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光源。
【請求項１３】
光束を提供する方法であって、
光を放射するための要素を活性化する段階であって、該要素が、要素の内部で発生した光の大部分を、要素の面を通して放射するように構成され、要素で発生した光の少なくとも一部が、要素の前記面の少なくとも一部分で反射するような、上記活性化する段階と、
前記面の面積に比べて小さい面積で前記面に接触しているベースを有してなる、少なくともひとつの構造体を通して光を外部に結合する段階と、
を備えていることを特徴とする方法。
【請求項１４】
光を放射するための要素に比べて実質的に小さい屈折率を有する環境を、要素を活性化させる環境として提供する段階を具備していることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
光源と光源からの光を受ける光学系とを備えてなる光学装置であって、
光源が、請求項１乃至１２のいずれか１項に従って形成された光源であることを特徴とする光学装置。
【請求項１６】
光学系は、光源のエテンデュー（etendue）に比べて大きなアクセプタンスを有していることを特徴とする請求項１５に記載の光学装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月15日(2009.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＢＪＴ（バイポーラ接合型トランジスタ）を含む能動スイッチ・デバイスと、
前記ＢＪＴのベースに結合し、前記能動スイッチをスイッチ・モード動作のために駆動する入力ネットワークと、
を含む、電力増幅器回路であって、
前記入力ネットワークが、非対称ベース電流及び４００ｍＶｐｐ（ミリボルト・ピーク・ツー・ピーク）を越えない振れを有するベース電圧を生じる、ＢＪＴのベースから見た電源インピーダンスＺｓを与える、電力増幅器回路。
【請求項２】
前記非対称ベース電流が、正のピーク電圧振幅よりも大きい負のピーク電圧振幅を有する、請求項１に記載の電力増幅器回路。
【請求項３】
前記入力ネットワークが、受動インピーダンス変成ネットワークを含む、請求項１に記載の電力増幅器回路。
【請求項４】
前記電力増幅器回路が、差動電力増幅器回路である、請求項３に記載の電力増幅器回路。
【請求項５】
前記入力ネットワークが、能動ドライバ段を含む、請求項１に記載の電力増幅器回路。
【請求項６】
前記能動ドライバ段が、共通エミッタ前置増幅器回路を含む、請求項５に記載の電力増幅器回路。
【請求項７】
前記電力増幅器回路が、差動電力増幅器である、請求項５に記載の電力増幅器回路。
【請求項８】
トーテムポール回路を含む、請求項７に記載の電力増幅器回路。
【請求項９】
増幅器回路の第１段にＡＣ信号を入力するステップと、
第１段から、スイッチ・モードで動作するＢＪＴ（バイポーラ接合トランジスタ）を含む第２段へとＡＣ信号を出力するステップと、
前記第１段からのＡＣ信号出力を用いて前記ＢＪＴを駆動するステップであって、非対称ベース電流をＢＪＴのベース端子に印加して、４００ｍＶｐｐ（ミリボルト・ピーク・ツー・ピーク）を超えない振れを有するベース電圧を与えることを含むステップと、
を含む、信号を増幅するための方法。
【請求項１０】
前記非対称ベース電流が、正のピーク電圧振幅よりも大きい負のピーク電圧振幅を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記駆動ステップが、非対称駆動電流及びベース電圧を生じる、前記ＢＪＴのベースから見た電源インピーダンスＺｓを提供することを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１段において入力ＡＣ信号を増幅するステップと、増幅されたＡＣ信号を第２段に出力するステップとを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
ＢＪＴのコレクタ・ノードにおいて生成されたＡＣ信号をフィルタリングするステップと、前記フィルタリングされた信号を前記第２段から出力するステップとをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
ＡＣ信号を第１段に入力するステップが、ＡＣ信号を差動入力端子に入力することを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
共通エミッタ増幅器を含む第１段と、
前記第１段の出力に結合した第２段であって、スイッチ・モードで動作するＢＪＴ（バイポーラ接合型トランジスタ）を含む、第２段と、
を含む、電力増幅器回路であって、
前記第１段出力が前記第２段への信号を駆動して、正のピーク振幅よりも大きい負のピーク振幅を有する非対称ベース電流及び４００ｍＶｐｐを超えない電圧の振れを有するベース電圧で前記ＢＪＴを駆動する、
電力増幅器回路。
【請求項１６】
前記第１段が、インピーダンス変換ネットワークを含む、請求項１５に記載の電力増幅器回路。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月4日(2009.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サーバーコンピュータが、該サーバーコンピュータからオブジェクトを受信するクライアントデバイスの機能に関する情報を受信するステップと、
前記サーバーコンピュータが、少なくとも前記クライアントデバイスの機能に基づいて、前記オブジェクトを分けるかどうか、または前記オブジェクトを全体として前記クライアントデバイスに送信するかどうかを決定するステップと、
前記オブジェクトを処理するために前記クライアントデバイスのアプリケーションによって使用されるメタデータを、前記オブジェクトに追加するステップと、
前記オブジェクトおよびメタデータを特定のデータフォーマットに構築するステップと、
前記特定のデータフォーマットに構築された前記オブジェクトおよびメタデータを、前記クライアントデバイスに送信するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記オブジェクトは、グラフィックスイメージのビットマップの表現を記述することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記受信した情報は、前記クライアントデバイスのバッファ容量を含むリソース機能に関する情報を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記受信した情報は、前記送信するステップが行われるチャネルから離れているチャネルを介すること特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記追加するステップは、前記オブジェクトを記述するヘッダーを追加するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記送信するステップは、前記オブジェクトをパッケージして、圧縮するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記送信するステップは、前記オブジェクトを含むデータストリームを介することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記オブジェクトを、通信プロトコルによって行われるようにシーケンス順に順序づけされて識別される離散ユニットに分けるステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
特定のスレッドのデータストリーム内でオブジェクトを受信するステップと、
前記データストリーム内で前記オブジェクトを処理するステップと、
前記処理するステップで同一のスレッドが使用される場合、
前記データストリームのデコード状態をトラックするステップと、
前記データストリーム内の前記受信したオブジェクトのコンテキストを格納するステップと、
受信した前記データストリームの割り込みのあとに、前記受信したオブジェクトのコンテキストに基づいてデコードするステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記オブジェクトは、グラフィックスイメージを表すビットマップであり、前記データストリームは、グラフィックスストリームであることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記オブジェクトは、グラフィックスイメージを表すビットマップであり、前記データストリームは、グラフィックスストリームであることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記処理するステップにセパレートスレッドが提供される場合は、
前記セパレートスレッドの前記データストリームを読み込むステップと、
追加データが必要である場合は、デコーダによって行われる前記処理するステップを中断するステップと、
前記中断するステップが起こると、前記デコーダの状態を保存するステップと
を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記デコーダの状態を保存するステップは、前記セパレートスレッドのスレッドスタックの状態を保存することによって行われることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
割り込みのあとに前記デコーダの状態に基づいてデコードするステップをさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
プロセッサと、
前記プロセッサによって制御されるアプリケーションであって、グラフィックスイメージを提供する前記アプリケーションと、
前記アプリケーションに対するアプリケーションプログラムインターフェースと、
前記グラフィックスイメージをスーパービットブロックにエンコードする第２のドライバに前記グラフィックスイメージを受け渡すことができる前記アプリケーションプログラムインタフェースによってアクセスされる、第１のドライバと
を備えることを特徴とするコンピュータ。
【請求項１６】
前記グラフィックスイメージは、どのような任意のサイズのビットマップによっても表されることを特徴とする請求項１５に記載のコンピュータ。
【請求項１７】
前記スーパービットブロックは、シーケンス順に識別される一連のプロトコルデータユニットを備えることを特徴とする請求項１５に記載のコンピュータ。
【請求項１８】
クライアントデバイスに通信するために、前記スーパービットブロックは、エンコードされ、パッケージされることを特徴とする請求項１５に記載のコンピュータ。
【請求項１９】
前記グラフィックスストリーム内の前記スーパービットブロックは、クライアントデバイスに送信されることを特徴とする請求項１５に記載のコンピュータ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月31日(2009.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
読み出し動作中にソースとして機能する第１の電流電極と、読み出し動作中にドレインとして機能する第２の電流電極と、バイアスするゲートとして機能する制御電極とを含む不揮発性メモリ（ＮＶＭ）セルをプログラミングする方法であって、
第１のプログラミング電圧を前記第１の電流電極に印加するステップと、
前記第１のプログラミング電圧を印加した後で、当該第１のプログラミング電圧より大きい第２のプログラミング電圧を前記第１の電流電極に印加するステップと、
第１のプログラミング電圧を印加する前記ステップ中にプログラミング電圧を前記制御電圧に印加し、且つ第２のプログラミング電圧を印加する前記ステップ中にプログラミング電圧を前記制御電圧に印加するステップと
を備える方法。
【請求項２】
前記第１のプログラミング電圧が、第１の持続時間にわたり印加され、
前記第２のプログラミング電圧が、第２の持続時間にわたり印加される
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第２の持続時間が、前記第１の持続時間より長い請求項２記載の方法。
【請求項４】
不揮発性（ＮＶＭ）セルを読み出すためのバイアスするゲート、ソース及びドレインを含む当該不揮発性（ＮＶＭ）セルをプログラミングする方法であって、
第１の電圧を前記ソースに第１の持続時間にわたり印加するステップと、
第１の電圧を印加する前記ステップ後で且つ前記ＮＶＭセルの読み出しを実行する前に、前記第１の電圧より大きい第２の電圧を前記ソースに第２の持続時間にわたり印加するステップと、
第２の電圧を印加する前記ステップ後で且つ前記ＮＶＭセルの読み出しを実行する前に、前記第２の電圧より大きい第３の電圧を前記ソースに第３の持続時間にわたり印加するステップと
を備える方法。
【請求項５】
読み出すためのバイアスするゲート、ソース及びソースを含む不揮発性（ＮＶＭ）セルをプログラミングする方法であって、
第１の電圧を前記ソースに印加するステップと、
前記第１の電圧より大きい第２の電圧を前記ソースに印加するステップと、
前記第２の電圧より大きい第３の電圧を前記ソースに印加するステップと、
第１の電圧を前記ソースに印加する前記ステップ中に電圧を前記バイアスするゲートに印加し、第２の電圧を前記ソースに印加する前記ステップ中に電圧を前記バイアスするゲートに印加し、且つ第３の電圧を前記ソースに印加する前記ステップ中に電圧を前記バイ
アスするゲートに印加するステップと、を備えるとぎれなしの部分を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月10日(2009.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１次光と２次光の混光を放出する光源であって、前記１次光を放出する発光ダイオードＬＥＤ又はレーザのようなエレクトロルミネッセンス素子と、前記１次光を前記２次光に変換する光変換素子とを有し、前記１次光の第１の部分は、前記１次光に関する第１の変換係数を備えた光路に沿って放出され、前記１次光の第２の部分は、前記１次光に関する第２の変換係数を備えた光路に沿って放出され、前記第２の変換係数は、前記第１の変換係数よりも大きく、
前記１次光の前記第１の部分は、前記変換素子の少なくとも１つの第１の領域中に結合され、前記１次光の前記第２の部分は、前記変換素子の少なくとも１つの第２の領域中に結合され、
前記変換素子は、規則的なパターンをなす等距離の第１の領域を有し、および／または、
前記第１の領域は、発光方向に十字状スリットの形状を有する、
ことを特徴とする光源。
【請求項２】
前記１次光に関する前記第１の変換係数は、０である、
請求項１記載の光源。
【請求項３】
前記１次光に関する前記第２の変換係数は、０．９よりも大きい、
請求項１又は２記載の光源。
【請求項４】
前記変換素子は、規則的なパターンをなす第１の領域を有する、
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光源。
【請求項５】
前記２次光は、第１のスペクトル範囲及び第２のスペクトル範囲からの光から成る、
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の光源。
【請求項６】
前記１次光は、青色光から成る、
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の光源。
【請求項７】
１次光を少なくとも部分的に反射して前記変換素子に戻すために、前記変換素子は外面に二色性被膜を備えている、
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の光源。
【請求項８】
前記変換素子を通過した前記１次光を少なくとも部分的に吸収するために、前記変換素子は外面に吸収被膜を備えている、
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の光源。
【請求項９】
前記エレクトロルミネッセンス素子の１本又は２本以上の電気接点ワイヤが、発光側に隣接した側にまとめて配置されている、
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の光源。
【請求項１０】
前記電気接点ワイヤは、前記エレクトロルミネッセンス素子の互いに異なる側に配置され、前記電気接点ワイヤの少なくとも１本が前記変換素子の開口部を通って導かれるようになっている、
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の光源。
【請求項１１】
数個の前記エレクトロルミネッセンス素子が、アレイ状に配置されている、
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の光源。
【請求項１２】
前記１次光と前記２次光を混合する少なくとも１つの光学素子を更に有する、
請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の光源。
【請求項１３】
前記光学素子は、透明な材料で作られた混合ロッド、コリメータ又はレンズであるのが良い、
請求項１２記載の光源。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月3日(2009.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力領域を有する直接照射型バックライトであって、
背面反射器と、
入射光線を部分的に透過し且つ部分的に反射する半透過反射器であって、前記背面反射器に対向する少なくとも１つの凹型構造を構成する様に形成されて、前記凹型構造と前記背面反射器との間に前記バックライトの前記出力領域を実質的に満たす１つ以上の再利用空洞を提供する半透過反射器と、
光を前記１つ以上の再利用空洞の中に注入する様に前記出力領域の後方に配置された少なくとも１つの光源とを備え、
再利用空洞の各々は、深さｄと幅Ｗを有し、Ｗは、ｄの少なくとも２倍であるか、又は、
前記半透過反射器は、光偏向フィルム、偏光フィルム、穿孔反射フィルム、鏡面反射フィルム、およびそれらの組み合わせの群から選ばれたフィルムを備える、
直接照射型バックライト。
【請求項２】
前記少なくとも１つの凹型構造は、複数の凹型構造を含み、前記１つ以上の再利用空洞は、複数の再利用空洞を含んでいる請求項１に記載のバックライト。
【請求項３】
ディスプレイパネルと請求項１に記載のバックライトとを備えるディスプレイシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月21日(2009.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ処理システムが存在する環境の周囲温度を判断する第１のセンサと、
前記周囲温度に従ってデータ処理システムの作動を制御するために前記センサに結合されたコントローラと、
を含むことを特徴とするデータ処理システム。
【請求項２】
データ処理システムに対する複数の実温度を判断する複数の温度センサと、
データ処理システムの作動設定値を前記複数の実温度とデータ処理システムの該作動設定値との関数であるデータ処理システムの温度の予測に基づいて判断するために前記複数の温度センサに結合されたコントローラと、
を含むことを特徴とするデータ処理システム。
【請求項３】
データ処理システムによって実行された時に該システムに該データ処理システムを制御する方法を実行させる実行可能コンピュータプログラム命令を収容する機械可読媒体であって、
方法が、
データ処理システムが存在する環境の周囲温度を判断する段階と、
前記周囲温度に従って前記データ処理システムの作動を制御する段階と、
を含む、
ことを特徴とする媒体。
【請求項４】
データ処理システムによって実行された時に該システムに該データ処理システムを制御する方法を実行させる実行可能コンピュータプログラム命令を収容する機械可読媒体であって、
方法が、
データ処理システムに対する複数の実温度を判断する段階と、
データ処理システムの作動設定値を前記複数の実温度と該データ処理システムの該作動設定値との関数である予測温度に従って調節する段階と、
を含む、
ことを特徴とする媒体。
【請求項５】
データ処理システムを制御する方法であって、
データ処理システムが存在する環境の周囲温度を判断する段階と、
前記周囲温度に従って前記データ処理システムの作動を制御する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
データ処理システムを制御する方法であって、
データ処理システムに対する複数の実温度を判断する段階と、
前記データ処理システムの作動設定値を前記複数の実温度と該データ処理システムの該作動設定値との関数である予測温度に従って調節する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
データ処理システムが存在する環境の周囲温度を判断するための手段と、
前記周囲温度に従ってデータ処理システムの作動を制御するための手段と、
を含むことを特徴とするデータ処理システム。
【請求項８】
データ処理システムに対する複数の実温度を判断するための手段と、
データ処理システムの作動設定値を前記複数の実温度とデータ処理システムの該作動設定値との関数である予測温度に従って調節するための手段と、
を含むことを特徴とするデータ処理システム。
【請求項９】
データ処理システムを作動させる方法であって、
将来の時点でのデータ処理システムの作動温度を予測する段階と、
予測された前記作動温度に少なくとも部分的に基づいて前記データ処理システムの少なくとも１つのコンポーネントの作動設定値を設定する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
データ処理システムによって実行された時に該システムに該データ処理システムを作動させる方法を実行させる実行可能コンピュータプログラム命令を収容する機械可読媒体であって、
方法が、
将来の時点でのデータ処理システムの作動温度を予測する段階と、
予測された前記作動温度に少なくとも部分的に基づいて前記データ処理システムの少なくとも１つのコンポーネントの作動設定値を設定する段階と、
を含む、
ことを特徴とする媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月18日(2009.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペイ・パー・ユース・コンピュータにおける計測規則を定義する計測ポリシを実施する方法であって、前記コンピュータが、電源とハードウェア・モジュールを備え、該ハードウェア・モジュールが、電力モニタ回路と、タイマと、タンパーレジスタント・メモリとを含み、前記方法が、
計測アカウントと計測機能と計測ポリシとを前記タンパーレジスタント・メモリに格納するステップと、
前記電源を前記電力モニタ回路によってモニタし、該モニタと前記計測ポリシとに基づき前記計測機能によって前記計測アカウントに料金請求するステップと、
前記ハードウェア・モジュールにおいて、前記コンピュータがスタンバイ状態またはオフ状態にあることを判定し、前記計測ポリシに基づいて、前記計測アカウントに料金請求することを停止するため前記計測機能に信号を送るステップと、
前記信号に応答して、前記計測機能および前記電力モニタ回路によるモニタを停止し、前記計測ポリシにしたがって前記タイマを使用する時間間隔を開始させるステップと、
前記ハードウェア・モジュールにおいて、前記時間間隔が終了したことを前記計測ポリシにしたがって判定し、前記電源を前記電力モニタ回路によって再モニタリングするステップと、
前記再モニタに基づき、前記計測機能によって前記アカウントに料金請求するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、更に、前記コンピュータの計測状態が計測状態と非計測状態との一方であることを判定するステップを含む、方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、更に、前記アカウントに前記計測機能によって料金請求した後に、前記コンピュータを遮断するステップを含む、方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、更に、前記アカウントに前記計測機能によって料金請求した後に、前記コンピュータをリセットするステップを含む、方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、更に、前記コンピュータにおいて動作しているソフトウェア・コンポーネントによって計測するよう命じられたときに前記計測機能を活性化するステップを含む、方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法において、前記コンピュータがアクティブ状態にあるとき、前記コンピュータにおいて動作しているコンポーネントによって計測を停止するように命じられない限りは、前記計測機能を活性化するステップを含む、方法。