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【手続補正書】
【提出日】平成23年9月26日(2011.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影画角の変更が可能な撮像手段と、
前記撮像手段の撮影画角を変更するための操作手段と、
被写体に対する前記操作手段による撮影画角の変更を伴う構図調整から前記撮像手段への撮像指示に至る間に検出される被写体に関するイベント情報を収集する収集手段と、
前記収集手段によって収集された前記被写体に関するイベント情報に基づいて、前記操作手段による前記撮像手段の撮影画角の変更速度を制御する画角制御手段と
を備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
さらに、被写体の顔を検出する顔検出手段を備え、
前記被写体に関するイベント情報は、前記顔検出手段による被写体の顔検出情報であり、
前記画角制御手段は、
前記顔検出手段による顔検出情報に基づいて前記撮影画角の変更速度を制御することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記顔検出情報は、
被写体の顔が検出されたか否かの情報であることを特徴とする請求項２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記顔検出情報は、
被写体の顔が検出されたか場合には、検出された顔の大きさの情報、検出された顔の数の情報を含むことを特徴とする請求項３記載の撮像装置。
【請求項５】
前記操作手段は、
前記撮像手段の撮影画角を変更するための操作量を発生し、
前記画角制御手段は、
前記操作量に基づいて前記撮影部の撮影画角の変更速度を設定し、前記収集手段によって収集された前記被写体に関するイベント情報に基づいて、当該変更速度を加減速する制御を行うことを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の撮像装置。
【請求項６】
撮影画角の変更が可能な撮像部とその撮影画角を変更するための操作部を備えた撮像装置の撮影画角補正方法であって、
被写体に対する前記操作部による撮影画角の変更を伴う構図調整から前記撮像部への撮像指示に至る間に検出される被写体に関するイベント情報を収集する収集ステップと、
前記収集ステップにて収集された前記被写体に関するイベント情報に基づいて、前記操作部による前記撮像部の撮影画角の変更速度を制御する画角制御ステップと
を含むことを特徴とする撮影画角補正方法。
【請求項７】
撮影画角の変更が可能な撮像部とその撮影画角を変更するための操作部を備えた撮像装置が具備するコンピュータを、
被写体に対する前記操作部による撮影画角の変更を伴う構図調整から前記撮像部への撮像指示に至る間に検出される被写体に関するイベント情報を収集する収集手段、
前記収集手段によって収集された前記被写体に関するイベント情報に基づいて、前記操作部による前記撮像部の撮影画角の変更速度を制御する画角制御手段
として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項１記載の発明は、撮影画角の変更が可能な撮像手段と、前記撮像手段の撮影画角を変更するための操作手段と、被写体に対する前記操作手段による撮影画角の変更を伴う構図調整から前記撮像手段への撮像指示に至る間に検出される被写体に関するイベント情報を収集する収集手段と、前記収集手段によって収集された前記被写体に関するイベント情報に基づいて、前記操作手段による前記撮像手段の撮影画角の変更速度を制御する画角制御手段とを備えたことを特徴とする撮像装置である。
請求項２記載の発明は、さらに、被写体の顔を検出する顔検出手段を備え、前記被写体に関するイベント情報は、前記顔検出手段による被写体の顔検出情報であり、前記画角制御手段は、前記顔検出手段による顔検出情報に基づいて前記撮影画角の変更速度を制御することを特徴とする請求項１記載の撮像装置である。
請求項３記載の発明は、前記顔検出情報は、被写体の顔が検出されたか否かの情報であることを特徴とする請求項２記載の撮像装置である。
請求項４記載の発明は、前記顔検出情報は、被写体の顔が検出されたか場合には、検出された顔の大きさの情報、検出された顔の数の情報を含むことを特徴とする請求項３記載の撮像装置である。
請求項５記載の発明は、前記操作手段は、前記撮像手段の撮影画角を変更するための操作量を発生し、前記画角制御手段は、前記操作量に基づいて前記撮影部の撮影画角の変更速度を設定し、前記収集手段によって収集された前記被写体に関するイベント情報に基づいて、当該変更速度を加減速する制御を行うことを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の撮像装置である。
請求項６記載の発明は、撮影画角の変更が可能な撮像部とその撮影画角を変更するための操作部を備えた撮像装置の撮影画角補正方法であって、被写体に対する前記操作部による撮影画角の変更を伴う構図調整から前記撮像部への撮像指示に至る間に検出される被写体に関するイベント情報を収集する収集ステップと、前記収集ステップにて収集された前記被写体に関するイベント情報に基づいて、前記操作部による前記撮像部の撮影画角の変更速度を制御する画角制御ステップとを含むことを特徴とする撮影画角補正方法である。
請求項７記載の発明は、撮影画角の変更が可能な撮像部とその撮影画角を変更するための操作部を備えた撮像装置が具備するコンピュータを、被写体に対する前記操作部による撮影画角の変更を伴う構図調整から前記撮像部への撮像指示に至る間に検出される被写体に関するイベント情報を収集する収集手段、前記収集手段によって収集された前記被写体に関するイベント情報に基づいて、前記操作部による前記撮像部の撮影画角の変更速度を制御する画角制御手段として機能させることを特徴とするプログラムである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月2日(2011.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像して画像を生成する撮像手段と、
前記撮像手段により生成された前記画像と、当該装置における所定の状態又は所定の処理と関連付けられた関連情報とを表示する表示手段と、
現在の日時を特定する特定手段と、
前記特定手段により特定された前記現在の日時に基づいて、前記表示手段に表示される前記関連情報の表示態様を変化させる表示制御手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記関連情報の表示態様の変化時期を登録する登録手段を備え、
前記登録手段に登録されている前記変化時期に、前記特定手段により特定された前記現在の日時が含まれているか否かを判定する日時判定手段と、を更に備え、
前記表示制御手段は、前記日時判定手段によって前記現在の日時が含まれていると判定された場合に、前記関連情報の表示態様を変化させることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記登録手段は、人物を特定するための顔画像に係る顔画像情報と、前記関連情報の表示態様の変化時期とを対応付けて登録し、
前記撮像手段により生成された前記画像から顔を検出する顔検出手段と、
前記顔検出手段により検出された顔と前記登録手段に登録されている顔画像情報とを照合して、前記人物の顔が前記顔検出手段により検出されたか否かを判定する検出判定手段と、
前記検出判定手段によって顔が検出されたと判定された人物の顔画像情報と対応付けて前記登録手段に登録されている前記変化時期に、前記特定手段により特定された前記現在の日時が含まれているか否かを判定する第二の日時判定手段と、を更に備え、
前記表示制御手段は、前記第二の日時判定手段によって前記現在の日時が含まれていると判定された場合に、前記関連情報の表示態様を変化させることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記登録手段は、一のグループを構成する複数の人物に係る複数の前記顔画像情報と、当該グループと対応付けて前記変化時期とを登録し、
前記検出判定手段は、前記顔検出手段により検出された顔と前記登録手段に登録されている顔画像情報とを照合して、前記一のグループを構成する複数の人物全ての顔が前記顔検出手段により検出されたか否かを判定し、
前記第二の日時判定手段は、前記検出判定手段によって前記複数の人物全ての顔が検出されたと判定された前記一のグループと対応付けて前記登録手段に登録されている前記変化時期に、前記特定手段により特定された前記現在の日時が含まれているか否かを判定し、
前記表示制御手段は、前記第二の日時判定手段によって前記現在の日時が含まれていると判定された場合に、前記関連情報の表示態様を変化させることを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記登録手段は、更に前記表示制御手段によって前記関連情報の表示を変化させる際の、変化態様を示す情報を前記変化時期と対応付けて登録し、
前記表示制御手段は、前記登録手段に登録されている変化態様を示す情報に基づいて、前記関連情報の表示態様を変化させることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の撮像装置。
【請求項６】
被写体を撮像して画像を生成する撮像手段と、前記撮像手段により生成された前記画像と、所定の処理と関連付けられた関連情報とを表示する表示手段と、を備える撮像装置に、
現在の日時を特定するステップと、
前記特定された現在の日時に基づいて、前記表示手段に表示される前記関連情報を示す表示の表示態様を変化させる表示制御ステップと、
を実行させることを特徴とする撮像方法。
【請求項７】
被写体を撮像して画像フレームを生成する撮像手段と、前記撮像手段により生成された前記画像フレームと、所定の処理と関連付けられた関連情報とを表示する表示手段と、を備える撮像装置のコンピュータを、
現在の日時を特定する特定手段、
前記特定手段により特定された前記現在の日時に基づいて、前記表示手段に表示される前記関連情報の表示態様を変化させる表示制御手段、
として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の撮像装置において、
前記登録手段は、人物を特定するための顔画像に係る顔画像情報と、前記関連情報の表示態様の変化時期とを対応付けて登録し、前記撮像手段により生成された前記画像から顔を検出する顔検出手段と、前記顔検出手段により検出された顔と前記登録手段に登録されている顔画像情報とを照合して、前記人物の顔が前記顔検出手段により検出されたか否かを判定する検出判定手段と、前記検出判定手段によって顔が検出されたと判定された人物の顔画像情報と対応付けて前記登録手段に登録されている前記変化時期に、前記特定手段により特定された前記現在の日時が含まれているか否かを判定する第二の日時判定手段と、を更に備え、前記表示制御手段は、前記第二の日時判定手段によって前記現在の日時が含まれていると判定された場合に、前記関連情報の表示態様を変化させることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の撮像装置において、
前記登録手段は、一のグループを構成する複数の人物に係る複数の前記顔画像情報と、当該グループと対応付けて前記変化時期とを登録し、前記検出判定手段は、前記顔検出手段により検出された顔と前記登録手段に登録されている顔画像情報とを照合して、前記一のグループを構成する複数の人物全ての顔が前記顔検出手段により検出されたか否かを判定し、前記第二の日時判定手段は、前記検出判定手段によって前記複数の人物全ての顔が検出されたと判定された前記一のグループと対応付けて前記登録手段に登録されている前記変化時期に、前記特定手段により特定された前記現在の日時が含まれているか否かを判定し、前記表示制御手段は、前記第二の日時判定手段によって前記現在の日時が含まれていると判定された場合に、前記関連情報の表示態様を変化させることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月29日(2011.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
枠部と、前記枠部に連結部を介して連結された圧電振動片とが、圧電素板をエッチングすることで一体形成されたウェハから、前記圧電振動片を折り取る圧電振動片用の折り取り冶具であって、
前記ウェハの一面に対向する対向部を有する押さえ部と、
前記対向部に突出して設けられ、かつ、前記圧電振動片の前記連結部から離れた位置に押し付けられて、前記圧電振動片を前記枠部に対して傾斜させ、前記連結部を破断させて前記圧電振動片を折り取る突起部と、を有し、
前記突起部は、前記押さえ部が前記圧電振動片の一部と当接した状態で前記連結部を破断させる長さを有することを特徴とする圧電振動片用の折り取り冶具。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電振動片用の折り取り冶具と、
前記枠部の外形に倣って形成され、前記枠部を保持する下枠と、を有し、
前記枠部を前記下枠で保持しつつ前記圧電振動片を折り取ることを特徴とする圧電振動片用の折り取り装置。
【請求項３】
請求項２に記載の折り取り装置を有し、
枠部に連結部を介して接続された複数の圧電振動片を撮影し、撮影された画像から欠陥を有する圧電振動片を検出し、前記欠陥を有する圧電振動片の位置情報を出力する検出手段と、
前記折り取り装置に前記枠部を給送する給送手段と
前記給送手段に前記枠部を前記折り取り装置に給送させるとともに、入力された前記位置情報を基に前記折り取り装置に前記欠陥を有する圧電振動片を折り取る制御を行う制御部と、を有することを特徴とする圧電振動片の不良品折り取りシステム。
【請求項４】
前記検出手段は、前記複数の圧電振動片を両面から撮影して欠陥を有する圧電振動片を検出することを特徴とする請求項３に記載の圧電振動片の不良品折り取りシステム。
【請求項５】
枠部に連結部を介して連結された圧電振動片を折り取る製造方法であって、
前記圧電振動片の一面に対向する対向部を有する押さえ部と、前記対向部に突出して設けられた突起部と、を有する折り取り治具と、
前記枠部の外形に倣って形成され、前記枠部を保持する下枠と、
前記圧電振動片に対して前記突起部を当接させるための移動手段と、
を有する折り取り装置を使用し、
前記下枠により前記枠部を保持し、
前記移動手段により前記突起部を前記圧電振動片の前記連結部から離れた位置に押し付け、
前記圧電振動片を前記枠部に対して傾斜させることにより前記連結部を破断させて前記圧電振動片を折り取ることを特徴とする圧電振動片の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
［適用例１］枠部と、前記枠部に連結部を介して連結された圧電振動片とが、圧電素板をエッチングすることで一体形成されたウェハから、前記圧電振動片を折り取る圧電振動片用の折り取り冶具であって、前記ウェハの一面に対向する対向部を有する押さえ部と、前記対向部に突出して設けられ、かつ、前記圧電振動片の前記連結部から離れた位置に押し付けられて、前記圧電振動片を前記枠部に対して傾斜させ、前記連結部を破断させて前記圧電振動片を折り取る突起部と、を有し、前記突起部は、前記押さえ部が前記圧電振動片の一部と当接した状態で前記連結部を破断させる長さを有することを特徴とする圧電振動片用の折り取り冶具。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
［適用例４］前記検出手段は、前記複数の圧電振動片を両面から撮影して欠陥を有する圧電振動片を検出することを特徴とする適用例３に記載の圧電振動片の不良品折り取りシステム。
上記構成により、圧電振動片の両面を検査することになるので圧電振動片の不良品の検出効率を高めることができる。
［適用例５］枠部に連結部を介して連結された圧電振動片を折り取る製造方法であって、前記圧電振動片の一面に対向する対向部を有する押さえ部と、前記対向部に突出して設けられた突起部と、を有する折り取り治具と、前記枠部の外形に倣って形成され、前記枠部を保持する下枠と、前記圧電振動片に対して前記突起部を当接させるための移動手段と、を有する折り取り装置を使用し、前記下枠により前記枠部を保持し、前記移動手段により前記突起部を前記圧電振動片の前記連結部から離れた位置に押し付け、前記圧電振動片を前記枠部に対して傾斜させることにより前記連結部を破断させて前記圧電振動片を折り取ることを特徴とする圧電振動片の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月25日(2011.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
非接触通信機能を有する第１，第２の携帯電話機を少なくとも含み、
前記第１の携帯電話機と、前記第２の携帯電話機とは、前記第１の携帯電話機が前記第２の携帯電話機以外の電話装置と通話中に非接触通信により少なくとも何れか一方の電話番号を他方に送信し、
非接触通信により前記電話番号を受信した前記第１の携帯電話機および前記第２の携帯電話機の少なくとも一方は、受信した前記電話番号を前記他の電話装置に送信する
ことを特徴とする電話システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
非接触通信により前記第１の携帯電話機から当該第１の携帯電話機の電話番号を受信した前記第２の携帯電話機は、前記第１の携帯電話機と通話中の前記他の電話装置の電話番号を受信し、この電話番号に基づくＳＭＳ通信により自身の電話番号を前記他の電話装置に送信した後、この他の電話装置に発信し、
前記他の電話装置は、前記第２の携帯電話機より受信した電話番号と着信とが一致すると、この着信に応答する
ことを特徴とする請求項１記載の電話システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上述したような課題を解消するために、本発明に係る電話システムは、非接触通信機能を有する第１，第２の携帯電話機を少なくとも含み、第１の携帯電話機と、第２の携帯電話機とは、第１の携帯電話機が第２の携帯電話機以外の電話装置と通話中に非接触通信により少なくとも何れか一方の電話番号を他方に送信し、非接触通信により電話番号を受信した第１の携帯電話機および第２の携帯電話機の少なくとも一方は、受信した電話番号を他の電話装置に送信することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、上記電話システムにおいて、非接触通信により第１の携帯電話機から当該第１の携帯電話機の電話番号を受信した第２の携帯電話機は、第１の携帯電話機と通話中の他の電話装置の電話番号を受信し、この電話番号に基づくＳＭＳ通信により自身の電話番号を他の電話装置に送信した後、この他の電話装置に発信し、他の電話装置は、第２の携帯電話機より受信した電話番号と着信とが一致すると、この着信に応答するようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月27日(2011.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
伝送線路の特性インピーダンスをＺｏとし、進行波をＡｅ−γｚ、反射波をＢｅ−γｚ（γは伝搬定数）とすれば、基準点ｚにおける電圧Ｖ（ｚ）及び電流Ｉ（ｚ）は以下の式で表される。
Ｖ（ｚ）＝Ａｅ−γｚ＋Ｂｅγｚ
Ｉ（ｚ）＝（Ａ／Ｚｏ）ｅ−γｚ−（Ｂ／Ｚｏ）ｅγｚ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
従って、ｚ＝ＬにおけるインピーダンスＺ（Ｌ）は以下の式で表される。
Ｚ（Ｌ）＝Ｖ（Ｌ）／Ｉ（Ｌ）
＝Ｚｏ｛（Ａｅ−γＬ＋ＢｅγＬ）／（Ａｅ−γＬ−ＢｅγＬ）｝
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
また、反射係数Γ（Ｌ）は以下の式（ａ）で示す関係がある。
Γ（Ｌ）＝（ＢｅγＬ）／（Ａｅ−γＬ）
＝（Ｂ／Ａ）ｅ２γＬ
＝｛Ｚ（Ｌ）−Ｚｏ｝／｛Ｚ（Ｌ）＋Ｚｏ｝    ……（ａ）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
式（ａ）より、
Ｂ／Ａ＝［｛Ｚ（Ｌ）−Ｚｏ｝／｛Ｚ（Ｌ）＋Ｚｏ｝］ｅ−２γＬ
であるから、この式を式（ｂ）に代入すれば、以下の式（ｃ）になる。
Z(0)/Zo = {Z(L) + ZotanhγL}/{Zo + Z(L)tanhγL}    ……（ｃ）
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
第１方向性結合器３６ａは、上述した第１λ／４信号伝送路１６ａと、該第１λ／４信号伝送路１６ａに対向して配置された第１λ／４線路３８ａと、該第１λ／４線路３８ａの一端（第４端φ４）に接続された反射波出力端子４０と、第１λ／４線路３８ａの他端（第３端φ３）に接続された第１終端抵抗４２ａとを有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
反対に、第２制御端子２４ｂに、第２制御電圧Ｖｃ２として第２逆方向電圧が印加されることで、第２ＰＩＮダイオードＤ２がオフとなり、そのときの第２スイッチ回路２０ｂの等価回路は図１３Ｂに示すようになる。すなわち、第２λ／４伝送路２２ｂとＧＮＤ間に、インダクタンスＬａと第２ＰＩＮダイオードＤ２の空乏層による寄生容量Ｃｆと第２ＰＩＮダイオードＤ２のオフ抵抗Ｒｆと受信側終端形成用抵抗Ｒｒによる並列共振回路が直列に接続された形態となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
第１ＰＩＮダイオードＤ１のカソードには、他端が自由端（抵抗が無限大）とされたλ／４共振素子２６（あるいはλ／４共振ライン）が接続されているので、そのインピーダンス変換作用により、第１ＰＩＮダイオードＤ１のカソード側は高周波的に接地とされ、従って、第１ＰＩＮダイオードＤ１と第１１インダクタＬ１１及び第１１キャパシタＣ１１の直列回路とを組み合わせた回路は、第１並列共振回路２８ａを構成することになる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
第２ＰＩＮダイオードＤ２のカソードには、他端が自由端（抵抗が無限大）とされたλ／４共振素子２６（あるいはλ／４共振ライン）が接続されているため、第２ＰＩＮダイオードＤ２のカソード側は高周波的に接地とされ、従って、第２ＰＩＮダイオードＤ２と第２１インダクタＬ２１及び第２１キャパシタＣ２１の直列回路とを組み合わせた回路は、第２並列共振回路２８ｂを構成することになる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月27日(2011.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置であって、
通信パラメータの自動設定処理によって他の通信装置から提供された通信パラメータを受信する受信手段と、
前記受信手段により受信した通信パラメータが所定の文字数であるか、又は所定の文字を含むかを判定する判定手段と、
前記判定手段により、該通信パラメータが前記所定の文字数でない、もしくは前記所定の文字を含むと判定された場合は、該通信パラメータを通信に使用しないよう制御する制御手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
通信装置であって、
通信パラメータの自動設定処理によって他の通信装置から提供された通信パラメータを受信する受信手段と、
前記受信手段により受信した通信パラメータが、特定場所で使用が禁止されている通信パラメータであるかを判定する判定手段と、
前記判定手段により、前記特定の場所で使用が禁止されている通信パラメータであると判定された場合は、該通信パラメータを使用しないよう制御する制御手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項３】
前記判定手段は、受信した通信パラメータが８０２．１１シリーズの無線ＬＡＮ規格で定められた文字数であるか、又は８０２．１１シリーズの無線ＬＡＮ規格で定められた文字以外の文字を含むか、を判定することを特徴とする請求項１記載の通信装置。
【請求項４】
前記判定手段は、制御文字を含むかを判定することを特徴とする請求項１記載の通信装置。
【請求項５】
前記判定手段は、ひらがな、又は漢字を含むかを判定することを特徴とする請求項１記載の通信装置。
【請求項６】
前記判定手段は、前記特定の場所における法令により使用が禁止されている通信パラメータであるかを判定することを特徴とする請求項２記載の通信装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記他の通信装置に対してエラーを通知することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項８】
前記制御手段は、受信した通信パラメータとは異なる通信パラメータを新たに提供するよう前記他の通信装置に対して要求することを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項９】
前記制御手段は、ユーザに対してエラーを通知することを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１０】
前記制御手段は、前記自動設定処理とは異なる方法による通信パラメータの設定をユーザに促すための通知を行うことを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１１】
前記制御手段は、前記自動設定処理とは異なる方式の通信パラメータの設定処理を自動的に開始することを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１２】
通信装置であって、
他の通信装置から周波数チャネルを含む通信パラメータを受信する受信手段と、
前記受信手段により受信した通信パラメータに含まれる周波数チャネルが、使用が制限されている周波数チャネルであるかを判定する判定手段と、
前記判定手段により、使用が制限されている周波数チャネルであると判定された場合は、該周波数チャネルを使用しないよう制御する制御手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項１３】
通信装置の制御方法であって、
通信パラメータの自動設定処理によって他の通信装置から提供された通信パラメータを受信する受信工程と、
前記受信工程において受信した通信パラメータが所定の文字数であるか、又は所定の文字を含むかを判定する判定工程と、
前記判定工程において、前記通信パラメータが前記所定の文字数でない、もしくは前記所定の文字を含むと判定された場合は、前記通信パラメータを通信に使用しないよう制御する制御工程と、
を有することを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項１４】
通信装置の制御方法であって、
通信パラメータの自動設定処理によって他の通信装置から提供された通信パラメータを受信する受信工程と、
前記受信工程において受信した通信パラメータが、特定の場所で使用が禁止されている通信パラメータであるかを判定する判定工程と、
前記判定工程において、前記特定の場所で使用が禁止されている通信パラメータであると判定された場合は、前記通信パラメータを使用しないよう制御する制御工程と、
を有することを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項１５】
通信装置の制御方法であって、
他の通信装置から周波数チャネルを含む通信パラメータを受信する受信工程と、
前記受信工程において受信した通信パラメータに含まれる周波数チャネルが、使用が制限されている周波数チャネルであるかを判定する判定工程と、
前記判定工程において、使用が制限されている周波数チャネルであると判定された場合は、該周波数チャネルを使用しないよう制御する制御手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項１６】
請求項１３から１５のいずれか１項に記載の制御方法における各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらにまた、本発明の通信装置は、他の通信装置から周波数チャネルを含む通信パラメータを受信する受信手段と、前記受信手段により受信した通信パラメータに含まれる周波数チャネルが、使用が制限されている周波数チャネルであるかを判定する判定手段と、前記判定手段により、使用が制限されている周波数チャネルであると判定された場合は、該周波数チャネルを使用しないよう制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月9日(2010.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明性基板と、受光面側充填材と、非受光面に出力電極を有する複数の太陽電池素子を非受光面に配置される配線材で電気的に直列接続してなる太陽電池ストリングと、非受光面側充填材と、裏面保護材とを順次積層してなる太陽電池モジュールにおいて、
前記配線材には、隣り合う太陽電池素子間に位置する部分に、受光面方向に突出するように突設部が形成され、
前記突設部の受光面部が、前記非受光面側充填材または前記裏面保護材の色と類似色もしくは明度が近似した無彩色であることを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項２】
前記突設部の側面部が、前記突設部の受光面部と同じ色であることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池モジュール。
【請求項３】
前記太陽電池素子は、非受光面に異なる極性の出力電極が並列して設けられていることを特徴とする、請求項１または２に記載の太陽電池モジュール。
【請求項４】
前記配線材の突設部の高さが、前記太陽電池素子および前記受光面側充填材の合計厚みに比べて小さいことを特徴とする、請求項１から３のいずれかの項に記載の太陽電池モジュール。
【請求項５】
前記配線材の突設部の高さが、前記太陽電池素子の厚さの１倍〜１．５倍であることを特徴とする、請求項４に記載の太陽電池モジュール。
【請求項６】
透光性基板と、受光面側充填材と、非受光面に出力電極を有する複数の太陽電池素子を非受光面に配置される配線材で電気的に直列接続した太陽電池ストリングと、非受光面側充填材と、裏面保護材とを順次積層してなる太陽電池モジュールの製造方法であって、
前記太陽電池素子を所定の位置に配置するとともに、前記太陽電池素子間に前記配線材の突設部が受光面側を向くように配置し、前記太陽電池素子と、前記配線材とを接続して太陽電池ストリングを得る工程、および
前記透光性基板、受光面側充填材、前記太陽電池ストリング、非受光面側充填材、および裏面保護材の順に積層し、加熱加圧して一体化する工程
を包含する、太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項７】
前記配線材を準備する工程において、さらに、前記突設部の側面部が非受光面側の充填材または裏面保護材と類似色もしくは無彩色であることを特徴とする、請求項６に記載の
太陽電池モジュールの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ところで、近年、非受光面にのみ出力電極を配置し、出力電極の集積度を高くしたバックコンタクト型の太陽電池素子が用いられている。このバックコンタクト型の太陽電池素子は、受光面積が大きいため、良好な発電効率が得られる。しかし、このようなバックコンタクト型の太陽電池素子は、リーク電流や短絡による出力損失を防ぐために、高い精度で出力電極に配線材を接続する必要がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の太陽電池モジュールの製造方法は、透光性基板と、受光面側充填材と、非受光面に出力電極を有する複数の太陽電池素子を非受光面に配置される配線材で電気的に直列接続した太陽電池ストリングと、非受光面側充填材と、裏面保護材とを順次積層してなり、前記太陽電池素子間に位置する部分に突設部が形成され、かつこの突設部の受光面側に前記非受光面側充填材または前記裏面保護材の色と類似色もしくは明度が近似した無彩色の配線材を準備する工程、前記太陽電池素子を所定の位置に配置するとともに、前記太陽電池素子間に前記配線材の突設部が受光面側を向くように配置し、前記太陽電池素子と、前記配線材とを接続して太陽電池ストリングを得る工程、および前記透光性基板、受光面側充填材、前記太陽電池ストリング、非受光面側充填材、および裏面保護材の順に積層し、加熱加圧して一体化する工程を包含する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
第二の固定部材１１２の重さについては特に制限されない。自重によって太陽電池ストリング３を固定する場合には、太陽電池素子５にクラックなどを生じない重さとなるようにすればよく、例えば、太陽電池素子５への応力が０．７５ｇ／ｃｍ２〜２．５ｇ／ｃｍ２となるように厚みを調節して重さを調節する。なお、太陽電池素子５への応力は、第二の固定部材１１２の凹部１１７の大きさ・形状を制御することによって調節しても良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
１：透光性基板
２ａ：受光面側充填材
２ｂ：被受光面側充填材
３：太陽電池ストリング
４：裏面保護材
５：太陽電池素子
６：配線材
５３：出力電極
６１：突設部
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板と、絶縁体でなるベース基板とを用意し、
前記単結晶半導体基板上に酸化膜を形成し、
前記単結晶半導体基板にイオンを照射して前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、
前記酸化膜上又は前記ベース基板上にプラズマＣＶＤ法を用いて窒素含有層を成膜し、
前記酸化膜及び前記窒素含有層を介して前記単結晶半導体基板と前記ベース基板とを貼り合わせ、
前記脆化領域において前記単結晶半導体基板を分離して、前記ベース基板上に前記酸化膜及び前記窒素含有層を介して単結晶半導体層を形成する工程を有し、
前記窒素含有層の成膜を、基板温度が室温以上３００℃以下であって、成膜圧力が１６０Ｐａ以上で行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板と、絶縁体でなるベース基板とを用意し、
前記単結晶半導体基板上に酸化膜を形成し、
前記単結晶半導体基板にイオンを照射して前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、
前記酸化膜上又は前記ベース基板上にプラズマＣＶＤ法を用いて窒素含有層を成膜し、
前記酸化膜及び前記窒素含有層を介して前記単結晶半導体基板と前記ベース基板とを貼り合わせ、
前記脆化領域において前記単結晶半導体基板を分離して、前記ベース基板上に前記酸化膜及び前記窒素含有層を介して単結晶半導体層を形成する工程を有し、
前記窒素含有層の成膜を、基板温度が室温以上２００℃以下であって、成膜圧力が１２０Ｐａ以上で行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記窒素含有層の成膜ガスとして、少なくとも水素ガス、シランガス及びアンモニアガスを用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記窒素含有層の表面の平均面粗さは、０．５ｎｍ以下であり、自乗平均粗さは、０．４５ｎｍ以下であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記酸化膜は、前記単結晶半導体基板を、塩化水素を含有させた酸化性雰囲気で熱処理することにより形成されることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記酸化膜は、前記単結晶半導体基板を、フッ酸に浸漬した後に酸化性雰囲気で熱処理することにより形成されることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記単結晶半導体基板と前記ベース基板との貼り合わせの際、加圧処理を行った後に加熱処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記単結晶半導体基板に照射するイオンは、水素ガスから生成されるイオン種の総量に対してＨ３＋の割合が５０％以上のものであることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記ベース基板として、ガラス基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月17日(2011.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ボンド基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凸部が周辺部に形成されたボンド基板の作製方法であって、
中央部より周辺部の厚さが薄いボンド基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を介して前記ボンド基板の表面からイオンを照射することによって脆化層を形成し、
前記絶縁膜を介して前記ボンド基板とベース基板とを貼り合わせ、
加熱処理により、前記脆化層において前記絶縁膜を介して半導体膜が形成された前記ベース基板と、残存脆化層、残存半導体層、及び残存絶縁膜からなる残存部が周辺部に形成された分離ボンド基板とに分離し、
前記分離ボンド基板に対してフッ酸を含むエッチャントでウェットエッチングを行うことにより、前記残存絶縁膜を除去し、
前記分離ボンド基板に第１の研磨を行い、前記残存脆化層、及び前記残存半導体層を除去することにより、凸部が周辺部に形成されたボンド基板を作製し、
前記凸部が周辺部に形成されたボンド基板の形状は、中央部に平行且つ前記凸部より下に位置する基準面から前記凸部先端までの距離Ｄ１と、前記基準面から前記中央部までの距離Ｄ２が、Ｄ１≦Ｄ２の関係を満たすことを特徴とするボンド基板の作製方法。
【請求項２】
第１の工程と第２の工程とを複数回繰り返し行うごとに、前記第２の工程に代えて第３の工程を行うことにより形成される、凸部が周辺部に形成されたボンド基板の作製方法であって、
前記第１の工程として、
中央部より周辺部の厚さが薄いボンド基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を介して前記ボンド基板の表面からイオンを照射することによって脆化層を形成し、
前記絶縁膜を介して前記ボンド基板とベース基板とを貼り合わせ、
加熱処理により、前記脆化層において前記絶縁膜を介して半導体膜が形成された前記ベース基板と、残存脆化層、残存半導体層、及び残存絶縁膜からなる残存部が周辺部に形成された分離ボンド基板とに分離し、
前記第２の工程として、
前記分離ボンド基板に対してフッ酸を含むエッチャントでウェットエッチングを行うことにより、前記残存絶縁膜を除去し、
前記分離ボンド基板に第１の研磨を行い、前記残存脆化層、及び前記残存半導体層を除去することにより、凸部が周辺部に形成されたボンド基板を作製し、
前記凸部が周辺部に形成されたボンド基板の形状は、中央部に平行且つ前記凸部より下に位置する基準面から前記凸部先端までの距離Ｄ１と、前記基準面から前記中央部までの距離Ｄ２が、Ｄ１≦Ｄ２の関係を満たし、
前記第３の工程として、
前記分離ボンド基板に対してフッ酸を含むエッチャントでウェットエッチングを行うことにより、前記残存絶縁膜を除去し、
前記分離ボンド基板に、前記第１の研磨よりも研磨レートが高い第２の研磨を行い、前記残存脆化層、及び前記残存半導体層を除去することにより、凸部が周辺部に形成されたボンド基板を作製することを特徴とするボンド基板の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、前記第２の研磨の研磨代を５μｍ乃至２０μｍとすることを特徴とするボンド基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記第１の研磨の研磨代を５００ｎｍ乃至１０００ｎｍとすることを特徴とするボンド基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月1日(2011.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板の第１の面に、半導体素子搭載部、半導体素子電極接続端子、および外枠部を有し、該金属板の第２の面には、該半導体素子電極接続端子と電気的に接続した外部接続端子、および外枠部を有しており、これらの間隙に樹脂層が形成されているリードフレーム型基板であって、
前記樹脂層に埋設された前記外部接続端子の側面には、前記外部接続端子の側上部から側底部にかけて１箇所以上の突出部が設けてあること、
を特徴とするリードフレーム型基板。
【請求項２】
金属板の第１の面に、半導体素子搭載部、半導体素子電極接続端子、および外枠部を、又、該金属板の第２の面には、該半導体素子電極接続端子と接続される外部接続端子、及び外枠部を、それぞれ形成する為のフォトレジストパターンを形成し、特に該外部接続端子の形成の為の該フォトレジストパターンは一箇所以上の突起状のパターンを有するように形成し、
前記第２の面の金属板が露出した金属板露出部に、貫通しない孔部をエッチングにより形成し、
前記孔部に、前記外部接続端子から突出部の方向へ液状プリモールド樹脂を塗布したうえ、加熱硬化することにより樹脂層を形成し、
その後、前記第１の面をエッチングすることにより、前記の半導体素子搭載部、前記外部接続端子と電気的に接続される前記半導体素子電極接続端子、及び外枠部を形成すること、
以上の工程を経ることを特徴とするリードフレーム型基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載のリードフレーム型基板に、半導体素子が搭載され、且つ、ワイヤーボンディングで該リードフレーム型基板と該半導体素子との電気的接続が成されていること、を特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項１の発明は、金属板の第１の面に、半導体素子搭載部、半導体素子電極接続端子、および外枠部を有し、該金属板の第２の面には、該半導体素子電極接続端子と電気的に接続した外部接続端子、および外枠部を有しており、これらの間隙に樹脂層が形成されているリードフレーム型基板であって、
前記樹脂層に埋設された前記外部接続端子の側面には、前記外部接続端子の側上部から側底部にかけて１箇所以上の突出部が設けてあること、を特徴とするリードフレーム型基板である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月7日(2011.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
第１の電極と、前記第１の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第２の電極と、を備え、前記基板の一方の面上に形成され、複数種の波長の光を発光する発光素子と、
前記基板の前記一方の面上に形成された受光素子と、
前記受光素子を覆うとともに前記基板の前記一方の面上に形成された反射集光部と、を備え、
前記反射集光部は、前記発光素子が発光する前記光の内、少なくとも一部の波長の光に対して透光性を有する絶縁性材料を含むとともに前記受光素子を覆う集光部と、
前記絶縁性材料が透光性を有する前記少なくとも一部の波長の光に対して反射性を有する反射性材料を含むとともに前記集光部を覆う反射膜と、を有し、
前記基板の屈折率をｎg、前記基板の他方の面に接する物質の屈折率をｎ0、前記基板の厚みをｔgとし、
θc＝arcsin(ｎ0/ｎg)とした際、
前記受光素子が前記発光素子から離間する距離Ｌは、
Ｌ≧２・ｔg・tanθc
を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記反射膜は、前記発光素子の前記第２の電極と同種の材料を用い、当該第２の電極と同層に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記基板の前記受光素子が形成された面に対向する面上に形成された散乱部を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記散乱部を覆うように設けられた遮光膜を更に備えることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光装置を露光部として用いたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項６】
基板上に第１の電極と、前記第１の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第２の電極と、を備え、複数種の波長の光を発光する発光素子を形成する発光素子形成工程と、
前記基板上に受光素子を形成する受光素子形成工程と、
前記基板上に、前記受光素子を覆う反射集光部を形成する反射集光部形成工程と、を備え、
前記反射集光部形成工程は、前記発光素子が発光する前記光の内、少なくとも一部の波長の光に対して透光性を有する絶縁性材料を含むとともに前記受光素子を覆う集光部を形成する集光部形成工程と、
前記絶縁性材料が透光性を有する前記少なくとも一部の波長の光に対して反射性を有する反射性材料を用いて前記集光部を覆う反射膜を形成する反射膜形成工程と、を有し、
前記受光素子形成工程では、
前記基板の屈折率をｎg、大気の屈折率をｎ0、前記基板の厚みをｔgとし、
θc＝arcsin(ｎ0/ｎg)とした際、
前記受光素子が前記発光素子から離間する距離Ｌを、
Ｌ≧２・ｔg・tanθc
を満たすように形成することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記反射膜形成工程において、前記反射膜は、前記反射性材料として前記第２の電極と同種の材料を用いるとともに、当該第２の電極と同時、且つ、同層に形成することを特徴とする請求項６に記載の発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記基板の前記受光素子が形成された面に対向する面上に、散乱部を形成する散乱部形成工程を更に備えることを特徴とする請求項６又は７に記載の発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記散乱部を覆うように遮光膜を形成する工程を更に備えることを特徴とする請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る発光装置は、
基板と、
第１の電極と、前記第１の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第２の電極と、を備え、前記基板の一方の面上に形成され、複数種の波長の光を発光する発光素子と、
前記基板の前記一方の面上に形成された受光素子と、
前記受光素子を覆うとともに前記基板の前記一方の面上に形成された反射集光部と、を備え、
前記反射集光部は、前記発光素子が発光する前記光の内、少なくとも一部の波長の光に対して透光性を有する絶縁性材料を含むとともに前記受光素子を覆う集光部と、
前記絶縁性材料が透光性を有する前記少なくとも一部の波長の光に対して反射性を有する反射性材料を含むとともに前記集光部を覆う反射膜と、を有し、
前記基板の屈折率をｎg、前記基板の他方の面に接する物質の屈折率をｎ0、前記基板の厚みをｔgとし、
θc＝arcsin(ｎ0/ｎg)とした際、
前記受光素子が前記発光素子から離間する距離Ｌは、
Ｌ≧２・ｔg・tanθc
を満たすことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記反射膜は、前記発光素子の前記第２の電極と同種の材料を用い、当該第２の電極と同層に形成されていてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明の第３の観点に係る発光装置の製造方法は、
基板上に第１の電極と、前記第１の電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第２の電極と、を備え、複数種の波長の光を発光する発光素子を形成する発光素子形成工程と、
前記基板上に受光素子を形成する受光素子形成工程と、
前記基板上に、前記受光素子を覆う反射集光部を形成する反射集光部形成工程と、を備え、
前記反射集光部形成工程は、前記発光素子が発光する前記光の内、少なくとも一部の波長の光に対して透光性を有する絶縁性材料を含むとともに前記受光素子を覆う集光部を形成する集光部形成工程と、
前記絶縁性材料が透光性を有する前記少なくとも一部の波長の光に対して反射性を有する反射性材料を用いて前記集光部を覆う反射膜を形成する反射膜形成工程と、を有し、
前記受光素子形成工程では、
前記基板の屈折率をｎg、大気の屈折率をｎ0、前記基板の厚みをｔgとし、
θc＝arcsin(ｎ0/ｎg)とした際、
前記受光素子が前記発光素子から離間する距離Ｌを、
Ｌ≧２・ｔg・tanθc
を満たすように形成することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記反射膜形成工程において、前記反射膜は、前記反射性材料として前記第２の電極と同種の材料を用いるとともに、当該第２の電極と同時、且つ、同層に形成してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月17日(2011.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
ところで、上記説明では、所望の電気特性を得るための拡散パラメータＰｃを拡散パラメータＰａ、Ｐｂの実測値を使用して算出したが、拡散パラメータＰａ、Ｐｂが測定値であることは必須ではなく、計算値を使用することもできる。このような計算値は、例えば、設備パラメータの合成式として表現された拡散パラメータ算出式により算出することができる。例えば、Ｂ装置５８ｂでの加工結果（拡散パラメータＰｂ）が、Ｂ装置５８ｂの設備パラメータの合成式により表現可能であれば、Ｂ装置５８ｂによる加工時に取得された設備パラメータを用いて、拡散パラメータＰｂを得ることができる。したがって、加工後にＰｂ測定装置５９ｂにより拡散パラメータＰｂを測定することなく、所望の電気特性が得られる拡散パラメータＰｃを予測することができる。また、拡散パラメータＰａが、Ａ装置５８ａの設備パラメータの合成式により表現可能であれば、拡散パラメータＰａの計算値を使用することで、加工後にＰａ測定装置５９ａにより拡散パラメータＰａを測定することなく、所望の電気特性が得られる拡散パラメータＰｃを予測することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
図６は、本実施形態における半導体装置の製造方法を実現する半導体製造システムの構成を模式的に示す構成図である。図６に示すように、当該半導体製造システムは、エッチング装置６８ａ、めっき装置６８ｂ、ＣＭＰ装置６８ｃおよびＡＰＣシステム６０を備える。エッチング装置６８ａは、ウェーハ上に形成された層間絶縁膜に凹部を形成する（図１（ｂ）参照）。めっき装置６８ｂは、当該凹部を含む層間絶縁膜上に、当該凹部を充填する導電膜を形成する（図２参照）。ＣＭＰ装置６８ｃは、めっき装置６８ｂにより凹部以外に形成された導電膜を研磨除去する。なお、めっき装置６８ｂと、ＣＭＰ装置６８ｃとの間に示す膜厚測定装置６９ｂは、層間絶縁膜上に堆積された導電膜（バリア膜、シード膜を含む）の膜厚を計測する。なお、本実施形態では、めっき装置６８ｂにより銅が堆積される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
続いて、研磨時間決定部６７が、めっき装置６８ｂにおいて堆積された銅めっき膜厚と研磨速度算出部６６により算出された研磨速度とから、層間絶縁膜上に堆積された銅めっき膜（およびバリア膜）の除去に要する研磨時間を算出する（図７  ステップＳ１３）。この研磨時間には、ウェーハ表面の導電膜を完全に除去するためのオーバー研磨時間が含まれる。なお、銅めっき膜厚は、膜厚測定装置６９ｂにより測定された銅めっき膜厚である。当該銅めっき膜厚の測定が全ウェーハについて実施される場合、上記研磨時間の算出には、対象ウェーハについて測定された銅めっき膜厚が使用される。しかしながら、銅めっき膜厚の測定は、同一ロット中から選択された一部のウェーハについてのみ測定されるのが現実的である。この場合、上記研磨時間の算出には、対象ウェーハが属するロットについて測定された銅めっき膜厚（複数のウェーハについて測定された場合には、その平均値）が使用される。なお、上記研磨時間の算出に使用される研磨速度の予測値も個々の対象ウェーハについて予測されたものではない。したがって、対象ウェーハが属するロットについて測定された銅めっき膜厚を使用して研磨時間を算出した場合、対象ウェーハが属するロットの全ウェーハについて算出される研磨時間は同一の値になる。なお、ＣＭＰ装置６８ｃが異なる段階の研磨を実施する複数の研磨プラテンを備える場合、各研磨プラテンについて研磨時間が求められる。この場合、銅めっき膜厚に加えて、バリア膜厚も計測されていることが好ましい。研磨時間決定部６７は、算出した研磨時間をＣＭＰ装置６８ｃの制御部に入力する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
図９に示すように、当該処理が開始されると、まず最初に、ＡＰＣシステム８０のエッチング深さ算出部６３ａが、エッチング装置６８ａにおいて、対象ウェーハ上の層間絶縁膜に形成された凹部深さを算出する（図９  ステップＳ２１）。次に、研磨速度算出部６６が、ＣＭＰ装置６８ｃにおいて対象ウェーハの研磨が実施される際の研磨速度を予測する（図７  ステップＳ２２）。また、研磨時間決定部６７が、めっき装置６８ｂにおいて堆積された銅めっき膜厚と研磨速度算出部６６により算出された研磨速度とから研磨時間を算出する（図９  ステップＳ２３）。以上のステップＳ２１〜Ｓ２３の処理は、第２の実施形態において説明したステップＳ１１〜Ｓ１３と同一であるためここでの説明は省略する。なお、本実施形態では、研磨時間決定部６７は、算出した研磨時間を残膜厚算出部６３ｂに入力する。