【手続補正書】
【提出日】平成21年6月3日(2009.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（構造式I）の化合物であり、
（構造式I）：
【化１】
2008546914.tif 000001
ここで式中のMは二族金属、三族金属、ランタニド、およびそれらの組み合わせから成る群から選択され、
各Lは独立にアニオン配位子であり、
各Yは独立に中性配位子であり、
nは金属の原子価状態をあらわし、
zは0から10であり、
xは1からnであり、
各R1、R2、R3、R4、およびR5は独立に水素または有機基であり、
但し以下の一つ以上が当てはまることを条件とする、
：R1がR5と異なるか、あるいはR2がR4と異なる。
構造式Iの化合物。
【請求項２】
各R1、R2、R3、R4、およびR5が独立に水素または1から10の炭素原子を持つ有機基である、請求項１記載の化合物。
【請求項３】
R1=イソプロピル基、かつR5=tert-ブチル基である、請求項２記載の化合物。
【請求項４】
R2=R4=メチル基、かつR3=Hである、請求項２記載の化合物。
【請求項５】
R1=イソプロピル基、かつR5=tert-ブチル基である請求項４記載の化合物。
【請求項６】
MがCa、Sr、Ba、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項１から５のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項７】
一つ以上のLは、ハロゲン化物、アルコキシド基、アミド基、メルカプチド基、シアン化物、アルキル基、アミジナート基、グアニジナート基、イソウレアート基、β‐ジケトナート基、β‐イミノケトナート基、β‐ジケチミナート基、およびそれらの組み合わせから成る群から選択されることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項８】
前記一つ以上のLが、構造式Iに示したβ‐ジケチミナート配位子と同じ構造を持つβ‐ジケチミナート基であることを特徴とする、請求項７記載の化合物。
【請求項９】
前記一つ以上のLが、構造式Iに示したβ‐ジケチミナート配位子とは異なる構造を持つβ‐ジケチミナート基であることを特徴とする、請求項７記載の化合物。
【請求項１０】
前記一つ以上のLが対称β‐ジケチミナート基である、請求項９記載の化合物。
【請求項１１】
前記一つ以上のLが非対称β‐ジケチミナート基である、請求項９記載の化合物。
【請求項１２】
一つ以上のYが、カルボニル基、ニトロシル基、アンモニア、アミン、窒素、ホスフィン、アルコール、水、テトラヒドロフラン、およびそれらの組み合わせから成る群から選択されることを特徴とする、請求項１から１１のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１３】
基板を用意することと、
請求項１から１２のいずれか一項に記載の構造式Iの化合物を一種以上含む気体を用意することと、
前記構造式Iの化合物を一種以上含む前記気体が前記基板と接触し、蒸着工程を用いて金属含有層を前記基板の一つ以上の表面上に形成すること、
を含む、金属含有層を基板上に形成する方法。
【請求項１４】
半導体基板またはアセンブリ基板を用意することと、
請求項1から１２のいずれか一項に記載の構造式Iの化合物を一種以上含む気体を用意することと、
前記構造式Iの化合物を一種以上含む前記気体を前記半導体基板またはアセンブリ基板に向け、蒸着工程を用いて前記半導体基板またはアセンブリ基板の一つ以上の表面上に金属含有層を形成すること、
を含む、半導体構造を製造する方法。
【請求項１５】
前記構造式Iと異なる一種以上の金属含有化合物を含む気体を用意することと、ならびに、前記構造式Iと異なる一種以上の金属含有化合物を含む前記気体を前記半導体基板またはアセンブリ基板に向けることをさらに含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記構造式Iの化合物と異なる一種以上の金属含有化合物の金属が、Ti、Ta、Bi、Hf、Zr、Pb、Nb、Mg、Alおよびそれらの組み合わせから成る群から選択されることを特徴とする、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
一種以上の反応気体を用意することをさらに含む、請求項１４から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記蒸着工程が化学蒸着工程である、請求項１４から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記蒸着工程が、複数の堆積サイクルを含む原子層堆積工程である、請求項１４から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
（構造式II）の化合物であり、
（構造式II）：
【化２】
2008546914.tif 000002
ここで式中のMは二族金属、三族金属、ランタニド、およびそれらの組み合わせから成る群から選択され、
各Lは独立にアニオン配位子であり、
各Yは独立に中性配位子であり、
nは前記金属の原子化状態をあらわし、
zは0から10であり、
各R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10は独立に水素または有機基であり、
R1=R5、R2=R4、R6=R10、R7=R9であり、
構造式IIに示した二種のβ‐ジケチミナート配位子が異なる構造を持つことを特徴とする、
構造式IIの化合物。
【請求項２１】
各R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10は独立に水素または1から10の炭素原子を持つ有機基であることを特徴とする、請求項２０記載の化合物。
【請求項２２】
R1=R5=tert-ブチル基、かつR6=R10=イソプロピル基である、請求項２１記載の化合物。
【請求項２３】
R2=R4=R7=R9=メチル基、かつR3=R8=Hである、請求項２１記載の化合物。
【請求項２４】
R1=R5=tert-ブチル基、かつR6=R10=イソプロピル基である、請求項２３記載の化合物。
【請求項２５】
MがCa、Sr、Baおよびそれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項２０から２４のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項２６】
基板を用意することと、
請求項２０から２５のいずれか一項に記載の構造式IIの化合物を一種以上含む気体を用意することと、
前記構造式IIの化合物を一種以上含む前記気体を前記基板に接触させ、蒸着工程を用いて前記基板の一つ以上の表面上に金属含有層を形成すること、
を含む、金属含有層を基板上に形成する方法。
【請求項２７】
半導体基板またはアセンブリ基板を用意することと、
請求項２０から２５のいずれか一項に記載の構造式IIの化合物を一種以上含む気体を用意することと、
前記構造式IIの化合物を一種以上含む前記気体を前記半導体基板またはアセンブリ基板に向け、蒸着工程を用いて前記半導体基板またはアセンブリ基板の一つ以上の表面上に金属含有層を形成すること、
を含む、半導体構造を製造する方法。
【請求項２８】
前記構造式IIの化合物と異なる一種以上の金属含有化合物を含む気体を用意することと、ならびに、前記構造式IIの化合物と異なる一種以上の金属含有化合物を含む前記気体を前記半導体基板またはアセンブリ基板に向けることをさらに含む、請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
前記構造式IIの化合物と異なる一種以上の金属含有化合物の金属が、Ti、Ta、Bi、Hf、Zr、Pb、Nb、Mg、Alおよびそれらの組み合わせから成る群から選択されることを特徴とする、請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
一種以上の反応気体を用意することをさらに含む、請求項２７から２９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３１】
前記蒸着工程が化学蒸着工程である、請求項２７から３０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３２】
前記蒸着工程が、複数の堆積サイクルを含む原子層堆積工程である、請求項２７から３０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３３】
（構造式III）の配位子源またはその互変異性体であり、
（構造式III）：
【化３】
2008546914.tif 000003
ここで式中の各R1、R2、R3、R4、およびR5は独立に水素または1から10の炭素原子を持つアルキル部分であり、但し以下の一つ以上が当てはまることを条件とする、：R1がR5と異なるか、あるいはR2がR4と異なる、
ことを特徴とする構造式IIIの配位子源またはその互変異性体。
【請求項３４】
R1=tert-ブチル基、かつR5=イソプロピル基である、請求項３３記載の配位子源。
【請求項３５】
R2=R4=メチル基、かつR3=Hである、請求項３３記載の配位子源
【請求項３６】
R1=tert-ブチル基、かつR5=イソプロピル基である、請求項３５記載の配位子源。
【請求項３７】
金属含有化合物を生成する方法であり、前記方法は、
（構造式III）の配位子源またはその互変異性体と、
（構造式III）：
【化４】
2008546914.tif 000004
随意にアニオン配位子Lの源と、
随意に中性配位子Yの源と、
金属（M）源と
を含む成分を混合することを含み、
ここで式中の各R1、R2、R3、R4、およびR5は独立に水素または有機基であり、但し以下の一つ以上が当てはまることを条件とし、：R1がR5と異なるか、あるいはR2がR4と異なる、ならびに、
前記金属（M）源が二族金属源、三族金属源、ランタニド金属源、およびそれらの組み合わせから成る群から選択され、（構造式I）の金属含有化合物をもたらすのに十分な条件下であり、
（構造式I）：
【化５】
2008546914.tif 000005
ここで式中のM、L、Y、R1、R2、R3、R4、およびR5は上記で定めた通りで、nは金属の原子価状態をあらわし、zは0から10、xは1からnであることを特徴とする、
金属含有化合物の生成方法。
【請求項３８】
前記金属（M）源が、M（II）ビス（ヘキサメチルジシラザン）、M（II）ビス（ヘキサメチルジシラザン）ビス（テトラヒドロフラン）、またはそれらの組み合わせを含むことを特徴とする、請求項３７記載の方法。
【請求項３９】
MがCa、Sr、Ba、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項３７記載の方法。
【請求項４０】
金属含有化合物を生成する方法であり、前記方法は、
（構造式I）の化合物と、
（構造式I）：
【化６】
2008546914.tif 000006
（構造VI）の化合物とを含む成分を混合することを含み、
（構造VI）：
【化７】
2008546914.tif 000007
ここで式中の各Mは、二族金属、三族金属、ランタニド、およびそれらの組み合わせから成る群から選択され、
各Lは独立にアニオン配位子であり、
各Yは独立に中性配位子であり、
各nは金属の原子化状態をあらわし、
各zは0から10であり、
各xは1からnであり、
各R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10は独立に水素または有機基であり、
構造式Iおよび構造式VIに示したβ‐ジケチミナート配位子は異なる構造を持ち、
但し以下の一つ以上が当てはまることを条件とし、
：R1がR5と異なるか、R2がR4と異なるか、R6がR10と異なるか、あるいはR7がR9と異なる、
（構造式II）の金属含有化合物をもたらすのに十分な条件下で混合し、
（構造式II）：
【化８】
2008546914.tif 000008
ここで式中のM、Y、L、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、nおよびzは上記で定めた通りであることを特徴とする、
金属含有化合物の生成方法。
【請求項４１】
請求項１から１２のいずれか一項に記載の（構造式I）の化合物を一種以上含む、蒸着工程のための前駆体組成。
【請求項４２】
金属含有化合物を生成する方法であり、前記方法は、
（構造式III）の配位子源またはその互変異性体と、
（構造式III）：
【化９】
2008546914.tif 000009
（構造IV）の配位子源またはその互変異性体と、
（構造IV）：
【化１０】
2008546914.tif 000010
随意にアニオン配位子Lの源と、
随意に中性配位子Yの源と、
金属（M）源と、を含む成分を混合することを含み、
ここで式中の各R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10は独立に水素または有機基であり、R1=R5、R2=R4、R6=R10、R7=R9であり、構造式IIIと構造式IVに示した配位子源が異なる構造を持つことを特徴とし、かつ、
ここで金属（M）源は二族金属源、三族金属源、ランタニド金属源、およびそれらの組み合わせから成る群から選択され、（構造式II）の金属含有化合物をもたらすのに十分な条件下であり、
（構造式II）：
【化１１】
2008546914.tif 000011
ここで式中のM、Y、L、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、およびR10は上記で定めた通りであり、nは金属の原子価状態をあらわし、かつzは0から10であることを特徴とする、
金属含有化合物の生成方法。
【請求項４３】
金属含有化合物を生成する方法であり、前記方法は、
（構造式I）の化合物と、
（構造式I）：
【化１２】
2008546914.tif 000012
（構造式VI）の化合物とを含む成分を混合することを含み、
（構造式VI）：
【化１３】
2008546914.tif 000013
ここで式中の各Mは二族金属、三族金属、ランタニド、およびそれらの組み合わせから成る群から選択され、
各Lは独立にアニオン配位子であり、
各Yは独立に中性配位子であり、
各nは金属の原子価状態をあらわし、
各zは0から10であり、
各R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10は独立に水素または有機基であり、
R1=R5、R2=R4、R6=R10、R7=R9であり、構造式Iと構造式VIに示したβ‐ジケチミナート配位子が異なる構造を持ち、
（構造式II）の金属含有化合物をもたらすのに十分な条件下で混合し、
（構造式II）：
【化１４】
2008546914.tif 000014
ここで式中のM、Y、L、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、n、およびzは上記で定めた通りであり、かつ、構造式IIに示した二種のβ‐ジケチミナート配位子が異なる構造を持つことを特徴とする、
金属含有化合物の生成方法。
【請求項４４】
請求項２０から２５のいずれか一項に記載の（構造式II）の化合物を一種以上含む、蒸着工程のための前駆体組成。
【請求項４５】
β‐ジケチミナート配位子源を生成する方法であり、前記方法は、
構造式R1NH2のアミンと、
（構造式V）の化合物またはその互変異性体と、
（構造式V）：
【化１５】
2008546914.tif 000015
アルキル化剤とを含む成分を、（構造式III）の配位子源またはその互変異性体をもたらすのに十分な条件下で混合することを含み、
（構造式III）：
【化１６】
2008546914.tif 000016
ここで式中の各R1、R2、R3、R4、およびR5は独立に水素または1から10の炭素原子を持つアルキル部分であり、但し以下の一つ以上が当てはまることを条件とする、：R1がR5と異なるか、あるいはR2がR4と異なる、
ことを特徴とするβ‐ジケチミナート配位子源の生成方法。
【請求項４６】
その中に基板を配置した堆積室と、
請求項１から１２のいずれか一項に記載の（構造式I）の化合物を一種以上含む一つ以上の容器とを含む、蒸着システム。
【請求項４７】
その中に基板を配置した堆積室と、
請求項２０から２５のいずれか一項に記載の（構造式II）の化合物を一種以上含む一つ以上の容器とを含む、蒸着システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
或る態様では、本発明は蒸着工程を用いて基板上（例えば半導体基板またはアセンブリ基板）に金属含有層を形成する方法を提供する。この方法は半導体構造の製造に役立つ。この方法は、基板を用意することと、（構造式I）の化合物を一種以上含む気体を用意することと、
（構造式I）：
【化１７】
2008546914.tif 000017
ならびに、基板の一つ以上の表面上に金属含有層を形成するために、構造式Iの化合物を一種以上含む気体を基板と接触させること（および通常は、気体を基板に向けること）を含む。（構造式I）の低対称性化合物は、一種以上の非対称β‐ジケチミナート配位子を含み、ここで式中のMは二族金属、三族金属、ランタニド、およびそれらの組み合わせから成る群から選択され、各Lは独立にアニオン配位子で、各Yは独立に中性配位子で、nは金属の原子価状態をあらわし、zは0から10で、xは1からnであり、各R1、R2、R3、R4およびR5は独立に水素または有機基であり、但し以下の一つ以上が当てはまる。：R1がR5と異なるか、あるいはR2がR4と異なる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
別の態様では、本発明は蒸着工程を用いて基板（例えば半導体基板またはアセンブリ基板）上に金属含有層を形成する方法を提供する。この方法は半導体構造の製造に役立つ。この方法は、基板を用意することと、（構造式II）の化合物を一種以上含む気体を用意することと、
（構造式II）：
【化１８】
2008546914.tif 000018
ならびに、基板の一つ以上の表面上に金属含有層を形成するために、構造式IIの化合物を一種以上含む気体を基板と接触させること（および通常気体を基板に向けること）を含む。（構造式II）の低対称性化合物は、二種の異なる対称β‐ジケチミナート配位子を含み、ここで式中のMは二族金属、三族金属、ランタニド、およびそれらの組み合わせから成る群から選択され、各Lは独立にアニオン配位子で、各Yは独立に中性配位子で、nは金属の原子価状態をあらわし、zは0から10であり、各R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10は独立に水素または有機基であり、ならびにR1=R5、R2=R4、R6=R10、およびR7=R9である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
別の態様では、本発明は一種以上の非対称β‐ジケチミナート配位子を持つ金属含有化合物、そのような化合物を含む前駆体組成、そのような化合物を含む蒸着システム、およびそのような化合物の生成方法を提供する。そのような金属含有化合物は、（構造式I）の化合物を含み、
（構造式I）：
【化１９】
2008546914.tif 000019
ここで式中のMは二族金属、三族金属、ランタニド、およびそれらの組み合わせから成る群から選択され、各Lは独立にアニオン配位子で、各Yは独立に中性配位子で、nは金属の原子価状態をあらわし、zは0から10で、ならびにxは1からnであり、ならびに各R1、R2、R3、R4、およびR5は独立に水素または有機基であり、但し以下の一つ以上が当てはまる。：R1がR5と異なるか、あるいはR2がR4と異なる。本発明は、非対称β‐ジケチミナート配位子の源と、一種以上の非対称β‐ジケチミナート配位子を持つ金属含有化合物の生成に役立つ、同一のものを生成する方法も提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
別の態様では、本発明は二種の異なる対称β‐ジケチミナート配位子を持つ金属含有化合物、そのような化合物を含む前駆体組成、そのような化合物を含む蒸着システム、およびそのような化合物の生成方法を提供する。そのような金属含有化合物は、（構造式II）の化合物を含み、
（構造式II）：
【化２０】
2008546914.tif 000020
ここで式中のMは二族金属、三族金属、ランタニド、およびそれらの組み合わせから成る群から選択され、各Lは独立にアニオン配位子で、各Yは独立に中性配位子で、nは金属の原子価状態をあらわし、zは0から10であり、各R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10は独立に水素または有機基であり、ならびにR1=R5、R2=R4、R6=R10、およびR7=R9である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本明細書中では、以下の種類の構造式は、
【化２１】
2008546914.tif 000021
金属が配位した非局在化電子密度を持つペンタジエニル基類の配位子（例えばβ‐ジケチミナート配位子）をあらわすために用いられる。配位子は、一つ、二つ、三つ、四つ、および／または五つの原子を介して金属に配位され得る（すなわちη1‐、η2‐、η3‐、η4‐、および／またはη5‐配位形式）。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
或る実施形態では、一種以上の非対称β‐ジケチミナート配位子を含む金属含有化合物、およびそのような化合物を含む前駆体組成が開示される。そのような化合物は、（構造式I）の化合物を含み、
（構造式I）：
【化２２】
2008546914.tif 000022
式中のMは二族金属（例えばCa、Sr、Ba）、三族金属（例えばSc、Y、La）、ランタニド（例えばPr、Nd）またはそれらの組み合わせである。MはCa、Sr、またはBaであることが好ましい。各Lは独立にアニオン配位子で、各Yは独立に中性配位子で、nは金属の原子価状態をあらわし、zは0から10、xは1からnである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
例示的な方法は、（構造式III）の配位子源またはその互変異性体と、
（構造式III）：
【化２３】
2008546914.tif 000023
アニオン配位子Lの源（例えば本明細書記載の通り）、随意に中性配位子Yの源（例えば本明細書記載の通り）、ならびに金属（M）源を含む成分を、金属含有化合物を生成するのに十分な条件下で混合することを含む。好ましくは、成分は有機溶媒（例えばヘプタン、トルエン、またはジエチルエーテル）内で、通常混合または攪拌条件下で混ぜ合わされ、好都合な温度（例えば室温またはそれ以下、還流温度またはそれ以上、もしくは中間温度）で、所望の生成物を十分量生成するだけの時間にわたって、反応することができる。好ましくは、成分は不活性雰囲気（例えばアルゴン）の下で、通常実質的に水が存在しない状態で混合される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
方法は、（構造式I）の金属含有化合物を提供し、
（構造式I）：
【化２４】
2008546914.tif 000024
ここで式中のM、L、Y、R1、R2、R3、R4およびR5は上記で定めた通りで、nは金属の原子価状態をあらわし、zは0から10、xは1からnである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
非対称β‐ジケチミナート配位子源は、例えば縮合反応を用いて生成することができる。例えば、例示的な非対称β‐ジケチミナート配位子源は、構造式R1NH2のアミン、（構造式V）の化合物またはその互変異性体、
（構造式V）：
【化２５】
2008546914.tif 000025
ならびにアミンとの反応のためにカルボニル基を活性化させることができる物質を含む成分を、（構造式III）の配位子源もしくはその互変異性体をもたらすのに十分な条件下で混合することを含む方法によって生成することができる。
（構造式III）：
【化２６】
2008546914.tif 000026
好ましくは、成分は有機溶媒（例えばヘプタン、トルエン、またはジエチルエーテル）内で、通常混合または攪拌条件下で混ぜ合わされ、好都合な温度（例えば室温またはそれ以下、還流温度またはそれ以上、もしくは中間温度）で、所望の生成物を十分量生成するだけの時間にわたって、反応することができる。好ましくは、成分は不活性雰囲気（例えばアルゴン）の下で、通常実質的に水が存在しない状態で混合される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
特に、本発明は構造式IIIの互変異性体を検討し、これは例えば
【化２７】
2008546914.tif 000027
および
【化２８】
2008546914.tif 000028
を含む。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
同様に、本発明は構造式Vの互変異性体を検討し、これは例えば
【化２９】
2008546914.tif 000029
および
【化３０】
2008546914.tif 000030
を含む。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
一種以上の非対称β‐ジケチミナート配位子を含むさらなる金属含有化合物は、例えば、一種以上の非対称β‐ジケチミナート配位子を含む金属含有化合物と、一種以上の別のβ‐ジケチミナート配位子を含む金属含有化合物との間の配位子交換反応によって生成することもできる。そのような方法の例は、（構造式I）の化合物と、
（構造式I）：
【化３１】
2008546914.tif 000031
（構造式VI）の化合物を含む成分を、
（構造式VI）：
【化３２】
2008546914.tif 000032
金属含有化合物を生成するのに十分な条件下で混合することを含む。好ましくは、成分は有機溶媒（例えばヘプタン、トルエン、またはジエチルエーテル）内で、通常混合または攪拌条件下で混合され、好都合な温度（室温またはそれ以下、還流温度またはそれ以上、もしくは中間温度など）で、所望の生成物を十分量生成するだけの時間にわたって反応することができる。好ましくは、成分は不活性雰囲気（例えばアルゴン）の下で、通常実質的に水が存在しない状態で混合される。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
方法は、（構造式II）の金属含有化合物を提供することができ、
（構造式II）：
【化３３】
2008546914.tif 000033
ここで式中のM、L、Y、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、nおよびzは上記で定めた通りで、構造式IIに示した二種のβ‐ジケチミナート配位子は異なる構造を持つ。
＜異なる対称配位子を持つヘテロレプティック化合物＞
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
別の実施形態では、異なる対称β‐ジケチミナート配位子を含むヘテロレプティック金属含有化合物である化合物、およびそのような化合物を含む前駆体組成が開示される。そのような化合物は（構造式II）の化合物を含み、
（構造式II）：
【化３４】
2008546914.tif 000034
式中のMは二族金属（例えばCa、Sr、Ba）、三族金属（例えばSc、Y、La）、ランタニド（例えばPr、Nd）またはそれらの組み合わせである。MはCa、Sr、またはBaであることが好ましい。各Lは独立にアニオン配位子であり、各Yは独立に中性配位子であり、nは金属の原子価状態をあらわし、zは0から10である。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
例示的な方法は、（構造式III）の配位子源またはその互変異性体と、
（構造式III）：
【化３５】
2008546914.tif 000035
（構造式IV）の配位子源またはその互変異性体と、
（構造式IV）：
【化３６】
2008546914.tif 000036
ならびに、随意にアニオン配位子Lの源と（例えば本明細書記載の通り）、随意に中性配位子Yの源（例えば本明細書記載の通り）、ならびに金属（M）源とを含む成分を、金属含有化合物を生成するのに十分な条件下で混合することを含む。好ましくは、成分は有機溶媒（例えばヘプタン、トルエン、またはジエチルエーテル）内で、通常混合または攪拌条件下で混合され、好都合な温度（室温またはそれ以下、還流温度またはそれ以上、もしくは中間温度など）で、所望の生成物を十分量生成するだけの時間にわたって反応することができる。好ましくは、成分は不活性雰囲気（例えばアルゴン）の下で、通常実質的に水が存在しない状態で混合される。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
方法は、（構造式II）の金属含有化合物を提供することができ、
（構造式II）：
【化３７】
2008546914.tif 000037
ここで式中のM、L、Y、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9およびR10は上記で定めた通りで、nは金属の原子価をあらわし、zは0から10である。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
特に、本発明は構造式IVの互変異性体を検討し、これらは例えば
【化３８】
2008546914.tif 000038
および
【化３９】
2008546914.tif 000039
を含む。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
別の実施形態では、異なる対称β‐ジケチミナート配位子を含む金属含有化合物は、例えば異なる対称β‐ジケチミナート配位子を含む金属含有化合物間での配位子交換反応によって生成することができる。そのような方法の例は、（構造式I）の化合物と、
（構造式I）：
【化４０】
2008546914.tif 000040
（構造式VI）の化合物とを含む成分を、
（構造式VI）：
【化４１】
2008546914.tif 000041
金属含有化合物を生成するのに十分な条件下で混合することを含む。好ましくは、成分は有機溶媒（例えばヘプタン、トルエン、またはジエチルエーテル）内で、通常混合または攪拌条件下で混合され、好都合な温度（室温またはそれ以下、還流温度またはそれ以上、もしくは中間温度など）で、所望の生成物を十分量生成するだけの時間にわたって反応することができる。好ましくは、成分は不活性雰囲気（例えばアルゴン）の下で、通常実質的に水が存在しない状態で混合される。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
方法は（構造式II）の金属含有化合物を提供することができ、
（構造式II）：
【化４２】
2008546914.tif 000042
ここで式中のM、L、Y、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、nおよびzは上記で定めた通りである。
＜他の金属含有化合物＞