Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月23日(2009.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被験体が精神障害に罹患しているか否か、又は精神障害にかかりやすいか否かを判定するのを支援する方法であって、
（ｉ）表１〜１４に記載のヌクレオチド配列とストリンジェントな条件下でハイブリダイズする核酸によってコードされるポリヌクレオチド又はポリペプチドと選択的に結合する試薬と、被験体由来の生物学的試料とを、接触させる手順；および
（ｉｉ）該試料と選択的に結合する試薬のレベルを測定し、それによって、該被験体が精神障害に罹患しているか否か、又は精神障害にかかりやすいか否かを判定する手順、を包含する、方法。
【請求項２】
前記試薬が抗体である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記試薬が核酸である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記試薬がポリヌクレオチドと結合する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記試薬が、表６に記載のＳＮＰの少なくとも１つを含むポリヌクレオチドと選択的に結合する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記試薬がポリペプチドと結合する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記試料と結合する試薬のレベルが、精神障害に罹患していないヒトに関連するレベルと異なる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記生物学的試料が羊水から得られる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記精神障害が精神病性障害又は気分障害である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記試料が脳組織又はリンパ球に由来する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記試料が脳組織に由来する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記試料が、前帯状皮質（ＡｎＣｇ）、背面前頭葉皮質（ＤＬＰＦＣ）、小脳皮質（ＣＢ）、上側頭回（ＳＴＧ）、頭頂葉皮質（ＰＣ）、側坐核（ｎＡｃｃ）及び扁桃体（ａｍｙ）からなる群から選択される脳領域に由来する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記試料と結合する試薬のレベルが、精神障害に罹患していないヒトに関連するレベルよりも高い、請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
前記精神病性障害が精神分裂病である、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記気分障害が大うつ病又は躁鬱病である、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
精神障害を処置するための化合物を同定する方法であって、
（ｉ）表１〜１４に記載のヌクレオチド配列を含む核酸配列とストリンジェントな条件下でハイブリダイズするポリヌクレオチドによってコードされるポリペプチドと、該化合物とを、接触させる手順；及び
（ｉｉ）ポリペプチドに対する該化合物の機能的効果を測定し、それによって、精神障害を処置するための化合物を同定する手順、
を包含する、方法。
【請求項１７】
前記接触手順がインビトロにて実施される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ポリペプチドが細胞内で発現され、該細胞が該化合物と接触される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記精神障害が精神病性障害である、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記精神病性障害が精神分裂病である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記精神障害が気分障害である、請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
前記精神病性障害が大うつ病又は双極性障害である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
前記化合物を動物に投与し、該動物に対する効果を測定する手順をさらに包含する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
前記測定手順が、前記動物の精神機能を試験する手順を包含する、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
被験体における精神障害を処置するための化合物を同定する方法であって、
（ｉ）表１〜１４に記載のヌクレオチド配列とストリンジェントな条件下でハイブリダイズするポリヌクレオチドを含む細胞と、該化合物とを、接触させる手順；及び
（ｉｉ）該ポリヌクレオチドの発現を調節する化合物を選択し、それによって、精神障害を処置するための化合物を同定する手順、
を包含する、方法。
【請求項２６】
前記ポリヌクレオチドの発現が増大する、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記ポリヌクレオチドの発現が減少する、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
前記化合物を動物に投与し、該動物に対する効果を測定する手順をさらに包含する、請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】
前記測定手順が、前記動物の精神機能を試験することを特徴とする、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記精神障害が精神病性障害である、請求項２５に記載の方法。
【請求項３１】
前記精神病性障害が精神分裂病である、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記精神障害が気分障害である、請求項２５に記載の方法。
【請求項３３】
前記精神病性障害が大うつ病又は双極性障害である、請求項３０に記載の方法。
【請求項３４】
被験体における精神障害を処置するための組成物であって、請求項１６又は請求項２５に記載の方法を使用して同定される化合物の治療有効量を含む、組成物。
【請求項３５】
前記精神障害が精神病性障害又は気分障害である、請求項３４に記載の組成物。
【請求項３６】
前記化合物が有機低分子である、請求項３４に記載の組成物。
【請求項３７】
前記精神病性障害が精神分裂病である、請求項３５に記載の組成物。
【請求項３８】
前記気分障害が大うつ病又は双極性障害である、請求項３５に記載の組成物。
【請求項３９】
被験体における精神障害を処置するための組成物であって、表１〜１４に記載のヌクレオチド配列とストリンジェントな条件下でハイブリダイズするポリヌクレオチドによってコードされるポリペプチドの治療有効量を含む、組成物。
【請求項４０】
前記精神障害が精神分裂病、大うつ病又は双極性障害である、請求項３９に記載の組成物。
【請求項４１】
被験体における精神障害を処置する方法であって、表１〜１４に記載のヌクレオチド配列とストリンジェントな条件下でハイブリダイズする核酸の治療有効量を該被験体に投与する手順を包含する、組成物。
【請求項４２】
前記精神障害が精神分裂病、大うつ病又は双極性障害である、請求項４１に記載の組成物。
【請求項４３】
被験体が精神障害に罹患しているか否か、又は精神障害にかかりやすいか否かを判定するための組成物であって、表１〜１４の何れかに記載の遺伝子と選択的に結合する、検出可能に標識された分子を含み、該組成物は、該被験体の脳の１つ以上の領域の組織と接触させられ、該脳組織中における検出可能に標識された該分子の分布が視覚化され、そして該検出可能に標識された分子の分布は、該被験体中の精神分裂病の存在は発症傾向と関連付けられることを特徴とする、組成物。
【請求項４４】
前記の１つ以上の領域が、前帯状皮質（ＡｎＣｇ）、背面前頭葉皮質（ＤＬＰＦＣ）、小脳皮質（ＣＢ）、上側頭回（ＳＴＧ）、頭頂葉皮質（ＰＣ）、側坐核（ｎＡｃｃ）及び扁桃体（ａｍｙ）からなる群から選択される、請求項４３に記載の組成物。
【請求項４５】
前記標識された分子がアンチセンスＲＮＡ分子である、請求項４３に記載の組成物。
【請求項４６】
前記接触がインビボで生じる、請求項４３に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月2日(2009.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＦＩＤリーダアンテナに信号を搬送する方法であって：
ＲＦＩＤリーダから少なくとも１つのＲＦＩＤアンテナに少なくとも１つのＲＦ信号を搬送するように第１通信経路を選択するステップ；
第１制御器から第２制御器に少なくとも１つのディジタル信号を搬送するように第２通信経路を選択するステップ；
前記第１通信経路にしたがって前記ＲＦＩＤアンテナに前記少なくとも１つのＲＦ信号を搬送するステップ；及び
前記第２通信経路にしたがって前記第２制御器に前記少なくとも１つのディジタル信号を搬送するステップ；
を有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月20日(2009.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部室(14)と開口端(16)を有するルツボ(12)と、
ルツボ(12)の開口端(16)に隣接して、ルツボ(12)の開口端(16)と流体が流通可能な孔(19)(119)(219)と、孔(19)(119)(219)を囲む着座面を具えるバルブシート(18)(118)(218)と、
着座面を具えたバルブディスク(30)(130)(230)であって、バルブディスク(30)(130)(230)は流出セル(10)の長手方向に沿って、バルブシート(18)(118)(218)の着座面とバルブディスク(30)(130)(230)の着座面とが互いに接する閉位置から、バルブシート(18)(118)(218)の着座面とバルブディスク(30)(130)(230)の着座面が外れる開位置まで、軸方向に移動可能なバルブディスクを具えた流出セルバルブ。
【請求項２】
バルブシート(18)(218)の着座面の少なくとも一部は、略平面である、請求項１に記載の流出セルバルブ。
【請求項３】
バルブシート(18)(218)及びバルブディスク(30)(230)の略平面の着座面は、流出セル(10)の長手方向に略直交した面内にある、請求項２に記載の流出セルバルブ。
【請求項４】
バルブディスク(30)(230)は、テーパ状の側部を有する、請求項１に記載の流出セルバルブ。
【請求項５】
更に、バルブシート(18)(118)(218)から下流側に出口ノズル(20)(120)(220)を具える、請求項１に記載の流出セルバルブ。
【請求項６】
出口ノズル(20)(120)(220)は、内径ＮIDを有し、バルブディスク(30)(130)(230)は内径ＤIDを有し、ＤID：ＮIDの比は、０.３：１よりも大きい、請求項５に記載の流出セルバルブ。
【請求項７】
出口ノズル(20)(120)(220)とバルブシート(18)(118)(218)は一体である、請求項５に記載の流出セルバルブ。
【請求項８】
内部室(14)と開口端(16)を有するルツボ(12)と、
ルツボ(12)の開口端(16)に隣接して、閉塞可能な孔(19)(119)(219)を有するバルブシート(18)(118)(218)と、
バルブシートの孔(19)(119)(219)から下流側にある出口ノズル(20)(120)(220)とを具えた流出セルバルブ。
【請求項９】
内部室(14)と開口端(16)を有し、内径ＣDを有するルツボ(12)と、
ルツボ(12)の開口端(16)に隣接して、着座面と、直径ＡDを有してルツボ(12)の開口端(16)と流体が流通可能な孔(19)(119)(219)を具えたバルブシート(18)(118)(218)と、
内径ＤIDを有して、着座面を有するバルブディスク(30)(130)(230)であって、バルブディスク(30)(130)(230)は、流出セル(10)の長手方向に沿って、バルブシート(18)(118)(218)の着座面とバルブディスク(30)(130)(230)の着座面とが互いに接する閉位置から、バルブシート(18)(118)(218)の着座面とバルブディスク(30)(130)(230)の着座面が外れる開位置まで、軸方向に移動可能であって、ＡD：ＣDの比及び／又はＤID：ＣDの比は０.１：１よりも大きいバルブディスク(30)(130)(230)とを有する、流出セルバルブ。
【請求項１０】
内部室(14)と開口端(16)と内径ＣDを有するルツボ(12)と、
ルツボ(12)の開口端(16)に隣接して、ルツボ(12)の開口端(16)と流体が流通可能な孔(19)(119)(219)を具えたバルブシート(18)(118)(218)と、
バルブシート(18)(118)(218)に対して移動可能であり、孔(19)(119)(219)を開閉するバルブ部材(30)(130)(230)と、
バルブシートの孔(19)(119)(219)から下流に位置する出口ノズル(20)を具え、
バルブシート(18)(118)(218)、バルブ部材(30)(130)(230)及び出口ノズル(20)(120)(220)の少なくとも１つは、カーボン含有材料で被覆された切削加工されたグラファイトから構成される流出セルバルブ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月29日(2009.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
一般的に認められているのは、エントロピー変動ΔＳｈｙｄの項による第一の寄与が、吸着された状態にある気相から最終の水素化物の固体状態に渡る水素分子のエントロピーの喪失であることである。ΔＳｈｙｄの値は、水素化物に関係なく、１３０Ｊ・Ｋ−１・ｍｏｌ（Ｈ２）−１に近いことが知られる（参照：「Hydrogen-Storage Materials for Mobile Applications」，L.Schlapbach，A.Zuttel，Nature 414（2001）353-358（参照［５］）；および「Hydrogen Storage Properties of Mg Ultrafine Particles Prepared by Hydrogen Plasma-Metal Reaction」，H.Shao，Y.Wang，H.Xu，X.Li，Materials Science Engineering B110（2004）221-226（参照［６］）。以下、本発明者らは、この値を保有した。式（２）に従い、また、反応（３）を有効として、平衡時の圧力Ｐｅｑの対数は、温度Ｔの逆数により線形変化する。線形関係の傾きは、ΔＨｈｙｄによって決定される。以下の例において、本発明者らは、ファントホッフ線図のおかげで、１／Ｔ（提供する単位の理由のためにより具体的には１０００／Ｔ）に基づくＰｅｑの対数の変動を示すことになる。このような線図は、ＰｅｑおよびＴの目標とする範囲において水素を貯蔵するために潜在的に有利な物質を識別することを可能にする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
図１の結果は、代表的な水素化物の広い範囲で、２つの基本値である実験値ΔＨｈｙｄと計算値ΔＥｈｙｄとの間に線形関係があることを示す。これらの例はまた、計算値ΔＥｈｙｄが、水素を貯蔵する目的で物質の熱力学特性を予測するための良好な熱力学的記述子であることを示す。エネルギーについての最終の精度は、３〜５％程度であり、これは、用いられた計算方法および上記方法と一致する。この結果は、項Δｃｐ、ΔＺＰＥおよびΔＶに結び付けられる寄与は、凝集エネルギーの寄与と比較して無視してよいという意味を含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
種々の先行する平衡に対応し、種々の元素についてのファントホッフ線図が、それぞれ、元素Ｌｉ、ＮａおよびＫについて、図５、６および７において提供される。これらの線図は、リチウム、ナトリウムまたはケイ素の存在下にケイ素を含有する水素化物は、好ましい熱力学的条件下に水素を貯蔵するための高い質量容量を有する有利な物質である可能性があることを示す。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月18日(2009.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体粒子の製造方法であって、
ａ）コア有機材料と、
化学的に開裂されることが可能な第１の連結基を介して前記コア有機材料に結合された第１のデンドロンであって、少なくとも２つの第１の架橋性基を有する第１のデンドロンと、
化学的に開裂されることが可能な第２の連結基を介して前記コア有機材料に結合された第２のデンドロンであって、少なくとも２つの第２の架橋性基を有する第２のデンドロンと
を含むデンドリマーを提供するステップと、
ｂ）前記第１の架橋性基および前記第２の架橋性基を反応させることにより架橋デンドリマーを形成するステップと、
ｃ）化学反応によって、前記第１の連結基および前記第２の連結基の両方を開裂させるステップと、
ｄ）前記コア有機材料またはその誘導体を、前記架橋デンドリマーから除去して、内部末端基を有するコア抜きされたデンドリマーを形成するステップと、
ｅ）配位結合またはイオン結合を、金属含有前駆体と前記コア抜きされたデンドリマーの中央領域内の前記内部末端基のうち少なくとも１つとの間に形成するステップであって、前記内部末端基が、前記金属含有前駆体と配位結合またはイオン結合を形成可能な、前記コア抜きされたデンドリマーの唯一の基である、ステップと、
ｆ）前記金属含有前駆体を沈殿させて、前記コア抜きされたデンドリマーの中央領域内に半導体粒子を含む複合体粒子を形成するステップであって、前記半導体粒子の外表面が前記コア抜きされたデンドリマーと結合していない、ステップと
を含む方法。
【請求項２】
有機材料を含まない中央内部領域を囲む架橋デンドロンを含むコア抜きされたデンドリマーと、
前記コア抜きされたデンドリマー内の半導体粒子であって、前記コア抜きされたデンドリマー内の架橋の位置によって定義される最大サイズを有する半導体粒子と
を含む複合体粒子。
【請求項３】
複合体粒子および有機マトリックスを含む組成物であって、前記複合体粒子が、
有機材料を含まない中央内部領域を囲む架橋デンドロンを含むコア抜きされたデンドリマーと、
前記コア抜きされたデンドリマー内の半導体粒子であって、前記コア抜きされたデンドリマー内の架橋の位置によって定義される最大サイズを有する半導体粒子と
を含む組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月13日(2009.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナイアシンまたはナイアシンアナログと比較して低減した紅潮効果を有するナイアシン受容体調節因子を同定する方法であって、該調節因子のＭＡＰキナーゼ活性を決定することを含み、該調節因子により誘発されるＭＡＰキナーゼ活性がナイアシンまたはナイアシンアナログにより誘発されるＭＡＰキナーゼ活性と比較して低減することにより、該調節因子がナイアシンまたはナイアシンアナログと比較して低減した紅潮効果を有することが示される、方法。
【請求項２】
ナイアシンと比較して低減した紅潮効果を有するナイアシン受容体調節因子を同定する方法であって、該調節因子のＭＡＰキナーゼ活性を決定することを含み、該調節因子により誘発されるＭＡＰキナーゼ活性がナイアシンにより誘発されるＭＡＰキナーゼ活性と比較して低減することにより、該調節因子がナイアシンと比較して低減した紅潮効果を有することが示される、方法。
【請求項３】
ナイアシンと比較して低減した紅潮効果を有するナイアシン受容体調節因子を同定する方法であって：
ａ）ナイアシン受容体調節因子を同定すること、および
ｂ）該調節因子のＭＡＰキナーゼ活性を決定すること
を含み、
該調節因子により誘発されるＭＡＰキナーゼ活性がナイアシンにより誘発されるＭＡＰキナーゼ活性と比較して低減することにより、該調節因子がナイアシンと比較して低減した紅潮効果を有することが示される、方法。
【請求項４】
前記調節因子により誘発されるＭＡＰキナーゼ活性の低減が、ナイアシンにより誘発されるＭＡＰキナーゼ活性のレベルから少なくとも２標準偏差である、請求項１、２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記ＭＡＰキナーゼ活性を決定するのに抗体ベースアッセイが用いられる、請求項１、２または３に記載の方法。
【請求項６】
前記ＭＡＰキナーゼ活性を決定するのにＥＬＩＳＡが用いられる、請求項１、２または３に記載の方法。
【請求項７】
ナイアシンまたはナイアシンアナログと比較して低減した紅潮効果を有するナイアシン受容体調節因子であって、該調節因子が、請求項１に記載の方法により、ナイアシンまたはナイアシンアナログと比較して低減した紅潮効果を有する調節因子であるとして同定される、ナイアシン受容体調節因子。
【請求項８】
前記調節因子が、ナイアシン受容体アゴニストまたは部分アゴニストである、請求項１、２、３または７に記載の調節因子。
【請求項９】
前記調節因子が、抗脂肪分解性化合物である、請求項１、２、３または７に記載の調節因子。
【請求項１０】
前記調節因子が、ナイアシンまたはナイアシンアナログと比較して有意な紅潮効果を有しない、請求項１、２、３または７に記載の調節因子。
【請求項１１】
組成物の製造方法であって、
ナイアシンまたはナイアシンアナログと比較して低減した紅潮効果を有するナイアシン受容体調節因子を同定すること、および
次いで、該調節因子を担体と混合すること
を含み、該調節因子が、請求項１に記載の方法により同定される、方法。
【請求項１２】
請求項７に記載の調節因子を含むか、請求項７に記載の調節因子から実質的になるかまたは請求項７に記載の調節因子からなる、医薬組成物。
【請求項１３】
被験体において脂質関連障害を予防または治療するための組成物であって、有効な脂質改変量の、請求項１に記載の方法により同定される、ナイアシンまたはナイアシンアナログと比較して低減した紅潮効果を有するナイアシン受容体調節因子を含む、組成物。
【請求項１４】
前記脂質関連障害が、異常脂質血症、高脂血症、高トリグリセリド血症、高コレステロール血症、アテローム性硬化症、メタボリック・シンドローム、心疾患、卒中または末梢血管疾患である、請求項１３に記載の組成物。
【請求項１５】
前記脂質関連障害が、異常脂質血症である、請求項１３に記載の組成物。
【請求項１６】
前記脂質関連障害が、アテローム性硬化症である、請求項１３に記載の組成物。
【請求項１７】
有効量の肥満または糖尿病の治療に使用される薬剤を、有効量の、請求項１に記載の方法により同定される、ナイアシンまたはナイアシンアナログと比較して低減した紅潮効果を有するナイアシン受容体調節因子と組み合わせてさらに含む、請求項１３に記載の組成物。
【請求項１８】
前記被験体が、哺乳動物である、請求項１３に記載の組成物。
【請求項１９】
前記被験体が、ヒトである、請求項１３に記載の組成物。
【請求項２０】
ＬＤＬレベルを低減することを必要とする被験体においてＬＤＬレベルを低減するための組成物であって、有効量の請求項７に記載の調節因子を含む、組成物。
【請求項２１】
トリグリセリドレベルを低減することを必要とする被験体においてトリグリセリドレベルを低減するための組成物であって、有効量の請求項７に記載の調節因子を含む、組成物。
【請求項２２】
ＨＤＬレベルを増加させることを必要とする被験体においてＨＤＬレベルを増加させるための組成物であって、有効量の請求項７に記載の調節因子を含む、組成物。
【請求項２３】
脂質改変剤として用いるための請求項７に記載の調節因子を含む医薬の製造方法。
【請求項２４】
脂質関連障害の治療に用いるための請求項７に記載の調節因子を含む医薬の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月5日(2009.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体担体上に平面状脂質二分子膜を製造する方法であって、
ａ）前記固体担体上に脂質小胞溶液を堆積させ、
ｂ）両親媒性ペプチド溶液を前記脂質小胞溶液に加えることによって、前記脂質小胞を不安定化し、
前記不安定化によって、前記固体担体上に前記平面状脂質二分子膜が製造されることを特徴とする平面状脂質二分子膜を製造する方法。
【請求項２】
前記両親媒性ペプチドはα−ヘリックスペプチドであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記両親媒性ペプチドは、配列SEQ ID NO: 1の１〜３１、１〜１６または１７〜３１のアミノ酸配列のいずれか、或いは配列SEQ ID NO: 1と少なくとも約８０％以上一致するアミノ酸配列を有するポリペプチドを含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記脂質小胞は、ホスファチジルコリン、ホスファチジルエタノールアミン、ホスファチジルセリン、ホスファチジルイノシトール、カルジオリピン、コレステロール、およびスフィンゴミエリンからなる群から選ばれる少なくとも１つ以上を含み、
前記固体担体は、シリコンを含む材料、金、白金、および酸化チタンからなる群から選ばれることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記脂質小胞は、直径が約２５ｎｍ〜約８０ｎｍであり、
前記脂質小胞溶液の前記脂質小胞の濃度は、約０．０５ｍｇ／ｍｌ〜約５ｍｇ／ｍｌであり、
ことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法によって製造された固体担体上の平面状二分子膜。
【請求項７】
平面状支持脂質二分子膜であって、
ａ）天然脂質を含む平面状脂質二分子膜と、
ｂ）未修飾金または酸化チタンを含む固体担体と
を有し、
前記脂質二分子膜は、前記固体担体に支持されていることを特徴とする平面状支持脂質二分子膜。
【請求項８】
前記脂質は、ホスファチジルコリン、ホスファチジルエタノールアミン、ホスファチジルセリン、ホスファチジルイノシトール、カルジオリピン、コレステロール、およびスフィンゴミエリンからなる群から選ばれることを特徴とする、請求項７に記載の平面状支持脂質二分子膜。
【請求項９】
前記平面状脂質二分子膜は、連続的であることを特徴とする、請求項７に記載の平面状支持脂質二分子膜。
【請求項１０】
脂質小胞を破壊する方法であって、
前記脂質小胞を両親媒性ペプチドを含むポリペプチドと接触させる過程を含む方法。
【請求項１１】
前記脂質小胞の直径は、約２５ｎｍ〜約８０ｎｍであることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ポリペプチドは、ＨＣＶ非構造性タンパク質ＮＳ５Ａの両親媒性ペプチドであることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記両新媒性ペプチドは、配列SEQ ID NO: 1と８０％以上一致するアミノ酸配列を有するポリペプチドか、両親媒性α−ヘリックス構造を維持しているそのポリペプチドの一部分のいずれかを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記両親媒性ペプチドは、配列SEQ ID NO: 1の１〜３１、１〜１６または１７〜３１のアミノ酸配列のいずれかを有するポリペプチドを含むことを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月19日(2009.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスを基板に送出するための装置であって、
前記キャビティを形成する上部チャンバ本体及び下部チャンバ本体と、
前記キャビティと流体連通するガス源と、
前記キャビティのガスを取り出すように構成された排気装置と、
前記キャビティ内に配置されたチャックと、
インジェクタとを備え、該インジェクタはこれを貫通して延びる複数のチャネルを含み、前記各チャネルが、前記キャビティ及び前記ガス源と連通し、前記各チャネルは、互いに独立しており、第１部分の方向に沿う長手方向軸線を有する上部分を備え、前記第１部分は、第２部分の方向に沿う長手方向軸線を有する前記第２部分に接続されており、前記第１部分と前記第２部分とは、前記第１部分の長手方向軸線に沿って前記第１部分に入る光線が前記チャネルにおける表面から反射することなく前記第２部分を出て行くのを阻止するに十分な角度で、交差している、装置。
【請求項２】
前記チャネルの少なくとも一つは、前記インジェクタの前記第２部分の第２の傾斜角にほぼ直角な前記インジェクタの前記第１部分の第１の傾斜角を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１の傾斜角及び第２の傾斜角の少なくとも一つは、前記インジェクタの中心軸線に対し傾斜している、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記第１の傾斜角は、前記インジェクタの中心軸線から約０°ないし６０°の範囲にあり、前記第２の傾斜角は、インジェクタの中心軸線から約１０°ないし６０°の範囲にある、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記少なくとも一つのチャネルの端のノズルは、ほぼ漏斗状である、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記上部チャンバ本体の内面に隣接するノズルの端の角度は、内面の角度に一致する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記内面は、漏斗状である、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記インジェクタは、テーパ下部分を有する請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記テーパ下部分は、異なる割合でテーパする第１の領域及び第２の領域を有する、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記チャンバ本体の内面は、第１の領域及び第２の領域の少なくとも一つのテーパの角度に一致する、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記インジェクタは、前記ガス源に接触する、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記インジェクタと前記ガス源との間及び前記インジェクタと前記上部チャンバ本体との間にＯ-リングを更に含み、前記インジェクタは、前記Ｏ-リングの少なくとも一つの内側にスロットを含み、前記スロットは、前記インジェクタの中心軸線にほぼ平行である、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記インジェクタと前記ガス源との間及び前記インジェクタと前記上部チャンバ本体との間にＯ-リングを更に含み、前記インジェクタは、
前記インジェクタの表面と上記ガス源の表面，及び
前記インジェクタの表面と前記上部チャンバ本体の表面、
の少なくとも一つの間の前記Ｏ-リングの内側に間隙を含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記インジェクタは、該インジェクタの温度の手動或いは自動調整を可能にする温度調整システムを更に含む請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記温度調整システムは、インジェクタの冷却チャネルを含み、前記冷却チャネルは、冷却液を備えている、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
温度調整システムは、インジェクタの温度を感知する温度センサと、インジェクタの温度を変える電気ヒータと、を更に備えている、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
キャビティを形成する上部チャンバ本体及び下部チャンバ本体と、
前記キャビティと流体連通するガス源と、
前記キャビティのガスを除去するようになった排気装置と、
前記キャビティに配置されたチャックと、
インジェクタとを備え、該インジェクタはこれを貫通して延びる複数のチャネルを含み、前記各チャネルが、前記キャビティ及び前記ガス源と連通し、前記各チャネルは、互いに独立しており、前記チャネルに入るいかなる光線も前記チャネルにおける表面から反射することなく前記チャネルを出て行くのを阻止するのに十分曲げられる、装置。
【請求項１８】
漏斗状ノズルが少なくとも一つの前記チャネルの端に配置される、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記上部チャンバ本体の内面に隣接するノズルの端の角度は、内面の角度に一致する、請求項１７に記載の装置。
【請求項２０】
前記内面は、漏斗状である、請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
備品とガス源との間及び該備品と前記上部チャンバ本体との間にО−リングを更に備え、前記備品は、少なくとも一つの前記О−リングの内側にスロットを含み、前記スロットは、前記備品の中心軸線にほぼ平行である、請求項１７に記載の装置。
【請求項２２】
備品とガス源との間及び該備品と前記上部チャンバ本体との間にО−リングを更に備え、前記備品は、
前記インジェクタの表面と前記ガス源の表面，及び
前記インジェクタの表面と前記上部チャンバ本体の表面、
の少なくとも一つの間の前記Ｏ-リングの内側に間隙を含む、請求項１７に記載の装置。
【請求項２３】
前記備品は、該備品の温度の手動或いは自動調整を可能にする温度調整システムを更に含む、請求項１７に記載の装置。
【請求項２４】
前記温度調整システムは、前記備品に冷却チャネルを含み、前記冷却チャネルは、冷却液を収容する、請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
前記温度調整システムは、前記備品の温度を感知する温度センサと、該備品の温度を変える電気ヒータと、を更に備えている、請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
ガスを基板に送出すための装置であって、
キャビティを形成する上部チャンバ本体及び下部チャンバ本体と、
前記キャビティと流体連通するガス源と、
前記キャビティのガスを取り出すように構成された排気装置と、
前記キャビティ内に配置されたチャックと、
インジェクタとを備え、該インジェクタはこれを貫通して延びる複数のチャネルを含み、前記各チャネルが、前記キャビティ及び前記ガス源と連通し、前記各チャネルは、一体構造で設けられた上部分及び下部分を有しており、前記上部分と前記下部分とは、前記上部分に入るいかなる光線も前記チャネルにおける表面から反射することなく前記チャネルの前記下部分を出て行くのを阻止するに十分な角度で、交差している、上記装置。
【請求項２７】
前記チャネルの少なくとも一つは、前記インジェクタの前記上部分に第１の傾斜角を有し、前記第１の傾斜角は、前記インジェクタの前記下部分の第２の傾斜角にほぼ垂直である、請求項２６に記載の装置。
【請求項２８】
前記第１の傾斜角及び第２の傾斜角の少なくとも一つは、前記インジェクタの中心軸線に対し傾斜している、請求項２７に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月24日(2008.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
堆積ストレッサ材料の応力レベルを上昇させる方法であって、
基板の少なくとも表面の上にアモルファス膜ストレッサの第１の部分であって、第１の応力値を規定する機械的歪みの第１の状態を有する前記第１の部分を形成するステップと、
前記機械的歪みの第１の状態は実質的に変化させずに前記第１の応力値を増加させるように、前記アモルファス膜ストレッサ材料の前記第１の部分を高密度化するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記形成するステップ及び前記高密度化するステップは、予め選択された厚さを有する多層ストレッサ材料を設けるために繰り返される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アモルファス膜ストレッサ材料は、窒化物、酸化物、又は金属を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記アモルファス膜ストレッサ材料は水素をさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記アモルファス膜ストレッサ材料は、ＳｉＮ又は水素を含有するＳｉＮを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記機械的歪みの第１の状態は引張り状態又は圧縮状態のいずれか一方である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記アモルファス膜ストレッサの第１の部分を形成するステップは、５５０℃又はそれ以下の温度で実施される堆積プロセスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記堆積プロセスは、化学気相堆積、プラズマ強化化学気相堆積、又は急速熱化学気相堆積のうちの１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記高密度化するステップは、プラズマ窒化又は放射照射のうちの１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記高密度化するステップは、窒素含有プラズマの存在下において、５５０℃又はそれ以下の温度で実施されるプラズマ窒化を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記窒素含有プラズマは、原子状窒素、分子状窒素又は原子状窒素イオンのうちの１つを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記プラズマ窒化は、０．５秒から２００秒までの時間実施される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記高密度化するステップは、前記アモルファス膜ストレッサ材料の上部領域と下部領域を形成し、前記上部領域は前記下部領域に比べてより高い密度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記上部領域は、１ｎｍから５０ｎｍまでの厚さを有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記高密度化されたアモルファス・ストレッサ膜材料を成形するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
堆積時のストレッサ材料の応力レベルを上昇させる方法であって、
基板の少なくとも表面上にプラズマ強化化学気相堆積によってアモルファス膜ストレッサ材料の第１の部分であって、第１の応力値を規定する機械的歪みの第１の状態を有する前記第１の部分を形成するステップと、
前記機械的歪みの第１の状態は実質的に変化させずに前記第１の応力値を増加させるように、５５０℃又はそれ以下の温度におけるプラズマ窒化により、前記アモルファス膜ストレッサ材料の前記第１の部分を高密度化するステップと
を含む方法。
【請求項１７】
半導体構造体を形成する方法であって、
絶縁領域によって隔てられた、少なくとも１つのｎＦＥＴを含む少なくとも１つのｎＦＥＴ領域と、少なくとも１つのｐＦＥＴを含む少なくとも１つのｐＦＥＴ領域とを含む半導体基板を準備するステップと、
前記基板の少なくとも表面上並びに前記ｎＦＥＴ及びｐＦＥＴの上に、アモルファス膜ストレッサ材料の第１の部分であって、第１の応力値を規定する機械的歪みの第１の状態を有する前記第１の部分を形成するステップと、
前記機械的歪みの第１の状態は実質的に変化させずに前記第１の応力値を増加させるように、前記アモルファス膜ストレッサ材料の前記第１の部分を高密度化するステップと
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月11日(2009.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒト化抗体または抗原結合フラグメントであって、該ヒト化抗体または抗原結合フラグメントは、
（ｉ）配列番号２に由来するＣＤＲを含むヒト化重鎖可変領域、ならびにヒト生殖細胞系統ＶＨ１−２又はＶＨ１−１８およびエキソンＪＨ−６の可変領域フレームワーク配列と少なくとも９５％同一である可変領域フレームワーク配列を含む、ヒト化重鎖；ならびに
（ｉｉ）配列番号２２に由来するＣＤＲを含むヒト化軽鎖可変領域、ならびにヒト生殖細胞系統ＶκエキソンＢ３およびＪκエキソンＪκ−１の可変領域フレームワーク配列と少なくとも９５％同一である可変領域フレームワーク配列を含む、ヒト化軽鎖、
を含む、ヒト化抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項２】
請求項１に記載のヒト化抗体または抗原結合フラグメントであって、ここで
（ｉ）前記ヒト化重鎖は、配列番号２に由来する３つのＣＤＲ、ならびにヒト生殖細胞系統ＶＨ１−２又はＶＨ１−１８およびエキソンＪＨ−６の可変領域フレームワーク配列を含み、ただしＨ４６位、Ｈ６７位、Ｈ６８位、Ｈ６９位、Ｈ７０位、Ｈ７１位、Ｈ８０位、Ｈ８１位、Ｈ８２位、Ｈ８２Ａ位及びＨ９１位（Ｋａｂａｔのナンバリング）のうちのいずれかが配列番号２の対応する位置を占有しているアミノ酸によって占有され得；そして
（ｉｉ）前記ヒト化軽鎖は、配列番号２２に由来する３つのＣＤＲを含み、そして前記可変領域フレームワークは、ヒト生殖細胞系統ＶκエキソンＢ３およびＪκエキソンＪκ−１の配列を含み、ただしＣＤＲＬ２５位およびＬ３３位は、ヒト生殖細胞系統ＶκエキソンＢ３およびＪκエキソンＪκの配列の対応する位置を占有しているアミノ酸によって占有されている、
ヒト化抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項３】
Ｈ４６位（Ｋａｂａｔのナンバリング）は、配列番号２の対応する位置を占有しているアミノ酸によって占有されている、請求項１または２に記載のヒト化抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項４】
前記ヒト化重鎖可変領域におけるＨ４６位、Ｈ６７位、Ｈ６８位、Ｈ６９位、Ｈ７０位、Ｈ７１位、Ｈ８０位、Ｈ８１位、Ｈ８２位、Ｈ８２Ａ位及びＨ９１位（Ｋａｂａｔのナンバリング）のうちの少なくとも１つは、配列番号２における該位置を占有している残基によって占有されている、請求項１に記載のヒト化抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項５】
前記ヒト化軽鎖におけるＣＤＲのＬ２５位およびＬ３３位のうちの少なくとも１つは、ヒト生殖細胞系統ＶκエキソンＢ３およびＪκエキソンＪκの配列の対応する位置を占有しているアミノ酸によって占有され得る、請求項１〜４のいずれか１項に記載のヒト化抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のヒト化抗体または抗原結合フラグメントであって、ここで
（ｉ）前記ヒト化重鎖可変領域は、配列番号６、配列番号１０、配列番号１４、配列番号１８又は配列番号４のアミノ酸２０〜１３７に示されるアミノ酸配列と少なくとも９５％同一のアミノ酸配列を含み、そして
（ｉｉ）前記掲載可変領域は、配列番号２４のアミノ酸配列と少なくとも９５％同一のアミノ酸配列を含む、
ヒト化抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項７】
前記ヒト化重鎖可変領域におけるＨ７１位およびＨ９１位（Ｋａｂａｔのナンバリング）のうちの少なくとも１つは、配列番号２における該位置を占有している残基によって占有されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載のヒト化抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項８】
前記ヒト化重鎖可変領域は、配列番号１４または配列番号１８に示される配列を含み、前記ヒト化軽鎖可変領域は、配列番号２４に示される配列を含む、請求項１記載のヒト化抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項９】
前記ヒト化重鎖可変領域は、配列番号１６または配列番号２０のアミノ酸配列を含む、請求項１に記載のヒト化抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項１０】
抗原結合フラグメントである、請求項１〜９のいずれか１項に記載のヒト化抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項１１】
ｓｃＦｖ、ダイアボディ、Ｆａｂ、ミニボディ又はｓｃＦｖ−Ｆｃである、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のヒト化抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項１２】
抗体エフェクタードメインを含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のヒト化抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項１３】
前記抗体エフェクタードメインは、ＡＤＣＣ、ＡＤＣＰ又はＣＤＣを媒介する、請求項１２に記載の抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項１４】
前記抗体エフェクタードメインは、ＡＤＣＰを媒介する、請求項１３に記載の抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項１５】
前記抗体エフェクタードメインがヒト抗体エフェクタードメインである、請求項１２に記載の抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項１６】
前記抗体または抗原結合フラグメントが治療薬にコンジュゲートされている、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項１７】
前記治療薬が化学療法剤又は免疫調節剤である、請求項１７に記載の抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項１８】
前記治療薬が化学療法剤である、請求項１７に記載の抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項１９】
前記化学療法剤は抗チューブリン剤である、請求項１８に記載のヒト化抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項２０】
前記抗チューブリン剤がＭＭＡＥ又はＭＭＡＦである、請求項１９に記載のヒト化抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項２１】
前記治療薬が免疫調節剤である、請求項１７に記載のヒト化抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項２２】
ＣＤ−７０発現癌又は免疫学的障害の治療のための医薬組成物であって、該組成物が請求項１〜２１の何れか１項に記載のヒト化抗体または抗原結合フラグメントを含む、組成物。
【請求項２３】
請求項１〜９のいずれか１項に記載のヒト化抗体のヒト化重鎖可変領域；または請求項１、２、５、６または８のいずれかに記載のヒト化抗体のヒト化軽鎖可変領域；またはその両方をコードする、単離されたポリヌクレオチド。
【請求項２４】
請求項１〜２１の何れか１項に記載のヒト化抗体または抗原結合フラグメント、及び対象または生物学的試料中のＣＤ７０蛋白を検出するために該ヒト化抗体または抗原結合フラグメントを使用するための説明書を含む、キット。
【請求項２５】
ＣＤ７０抗原を発現する細胞の成育を抑制するための、請求項１〜２１の何れか１項に記載のヒト化抗体または抗原結合フラグメントを、細胞成育を抑制するのに十分な量で含む、組成物。
【請求項２６】
請求項２３に記載のポリヌクレオチドを含む、ベクター。
【請求項２７】
請求項２３に記載の単離されたポリヌクレオチドまたは請求項２６に記載のベクターを含む、宿主細胞。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月14日(2009.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
広く織られたメッシュであって：
約５ｇ／ｍ２〜約５０ｇ／ｍ２の最大残存質量密度を有するストランドであって；該ストランド間に約１ｍｍ〜約１０ｍｍのスペースを有するストランド；および
生体活性被覆、を備える、広く織られたメッシュ。
【請求項２】
前記生体活性被覆が、少なくとも１つの生体活性薬剤を含む、請求項１に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項３】
少なくとも１つの生体活性薬剤が、抗微生物薬剤、抗細菌薬剤、抗真菌薬剤、抗生物質、抗ウイルス剤、抗腫瘍剤、抗炎症剤、ステロイド、ホルモン、酵素、鎮痛薬、麻酔薬、筋肉弛緩剤、免疫原性試薬、成長因子、免疫抑制剤、脂質、リポ多糖、多糖、およびペプチド、ポリペプチド、タンパク質ならびにこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項２に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項４】
前記生体活性被覆が、前記メッシュの少なくとも１つの側面を覆う、請求項１に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項５】
前記生体活性被覆が、前記メッシュの全体を覆う、請求項１に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項６】
前記生体活性被覆が、少なくとも１つの生体活性薬剤と組み合わせた吸収可能な材料を備える、請求項１に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項７】
前記生体活性被覆が、約２日〜約１４日の時間に亘って分解する、請求項６に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項８】
前記ストランドが、約１５ｇ／ｍ２〜約４０ｇ／ｍ２の最大残存質量密度を有する、請求項１に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項９】
前記ストランドが、約２００μｍ〜約６００μｍの直径を有する、請求項１に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項１０】
前記ストランドが、該ストランド中にポアを形成するように配向された少なくとも１つのフィラメントを備える、請求項１に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項１１】
前記ストランドが、少なくとも２つのフィラメントから形成される、請求項１０に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項１２】
前記フィラメントが、約０．０２ｍｍ〜約０．１５ｍｍの間の直径を有し、そして該ストランド中の前記ポアが、直径が約５０μｍ〜約２００μｍである直径を有する、請求項１０に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項１３】
前記フィラメントが、約０．０８ｍｍ〜約０．１ｍｍの直径を有し、そして前記ストランド中のポアが、約５５μｍ〜約７５μｍの直径を有する、請求項１０に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項１４】
前記少なくとも１つのフィラメントが、合成材料を含む、請求項１０に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項１５】
前記少なくとも１つのフィラメントが、ポリプロピレンを含む、請求項１４に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項１６】
前記少なくとも１つのフィラメントが、吸収可能な材料を含む、請求項１０に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項１７】
前記少なくとも１つのフィラメントが、ポリエステルを含む、請求項１６に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項１８】
前記メッシュ中に約５０μｍ〜約２００μｍの直径を有するポアを形成する材料のリングをさらに備える、請求項１に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項１９】
前記メッシュのストランドが、コア材料および表面材料を含む生体成分マイクロファイバを含む、請求項１に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項２０】
前記表面材料がポリ乳酸を含み、そして前記コア材料がポリプロピレンを含む、請求項１９に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項２１】
前記ストランドが、記憶を有する材料を含む、請求項１に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項２２】
前記メッシュが約１ｃｍ〜約１０ｃｍの幅、および約１ｃｍ〜約１０ｃｍの長さを有する、請求項１に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項２３】
前記メッシュが、丸、円、卵形、楕円、および先欠け楕円からなる群から選択される形状を有する、請求項１に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項２４】
前記メッシュが、該メッシュの周の少なくとも一部に沿って延び、実質的に円滑なエッジを提供する少なくとも１つの周縁部材を有する、請求項１に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項２５】
前記メッシュの周の少なくも約５０％が、前記少なくとも１つの周縁部材によって規定される、請求項２４に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項２６】
前記メッシュの周の約８０％〜約１００％が、前記少なくとも１つの周縁部材によって規定される、請求項２４に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項２７】
前記メッシュが、異なる半径方向位置に配列された複数の周縁部材を有する、請求項２４に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項２８】
前記周縁部材が、一体メッシュを形成するために互いとつなぐように配列される、請求項２７に記載の広く織られたメッシュ。
【請求項２９】
前記メッシュが、前記周縁部材を横切って延びる横方向部材をさらに備え、それによって該周縁部材をつなぐ、請求項２７に記載の広く織られたメッシュ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月14日(2009.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボディウォッシュに添加するための添加剤であって、該添加剤は日焼け止め剤を含み、該添加剤を該ボディウォッシュと組み合わせた場合、ボディウォッシュを皮膚へ１回適用し濯いだ後、該皮膚は平均ＳＰＦが少なくとも約１５で太陽光から保護される添加剤。
【請求項２】
ボディウォッシュに添加するための添加剤であって、該添加剤は、ＵＶＡ吸収日焼け止め剤、ＵＶＢ吸収日焼け止め剤、および物理的遮断日焼け止め剤を含み、
（ｉ）該ＵＶＢ吸収日焼け止め剤は、アミノ安息香酸、シノキサート、ジオキシベンゾン、ホモサラート、オクトクリレン、メトキシ桂皮酸オクチル、サリチル酸オクチル、オキシベンゾン、パジマートＯ、フェニルベンゾイミダゾールスルホン酸、スルイソベンゾン、およびサリチル酸トロラミンからなる群から選択され；
（ｉｉ）該ＵＶＡ吸収日焼け止め剤は、アボベンゾンおよびアントラニル酸メチルからなる群から選択され；
（ｉｉｉ）該物理的遮断日焼け止め剤は、二酸化チタンおよび酸化亜鉛からなる群から選択され；
該添加剤を該ボディウォッシュと組み合わせた場合、該ボディウォッシュを皮膚へ１回適用し濯いだ後、該皮膚は平均ＳＰＦが少なくとも約２で太陽光から保護される添加剤。
【請求項３】
ボディウォッシュに添加するための添加剤であって、該添加剤は日焼け止め剤を含み、該添加剤を該ボディウォッシュと組み合わせた場合、該ボディウォッシュを皮膚へ適用し濯いだ後、該日焼け止め剤は、適用後濯いだ後の該皮膚へ５０ミクロン以下侵入する添加剤。
【請求項４】
ボディウォッシュに添加するための日焼け止め添加剤組成物であって、ＵＶＡ吸収日焼け止め剤と、ＵＶＢ吸収日焼け止め剤と、物理的遮断日焼け止め剤と、カチオン性ポリマーとを含む組成物。
【請求項５】
ボディウォッシュに添加するための日焼け止め添加剤であって、第１日焼け止め剤およびカチオン性ポリマーを含む第１成分と、第２日焼け止め剤を含む第２成分とを含み、該第１成分および該第２成分が、別々に該ボディウォッシュに添加される添加剤。
【請求項６】
ボディウォッシュに添加するための添加剤であって、該添加剤は、ゾル−ゲルマイクロカプセル中に封入された日焼け止め剤と、カチオン性ポリマーとを含む添加剤。
【請求項７】
ボディウォッシュに添加するための添加剤であって、該添加剤は、封入された非日焼け止め活性物質と、カチオン性ポリマーとを含む添加剤。
【請求項８】
日焼け止め剤を含む添加剤を含むボディウォッシュであって、該ボディウォッシュを皮膚へ１回適用し濯いだ後、該皮膚は平均ＳＰＦが少なくとも約１５で太陽光から保護されるボディウォッシュ。
【請求項９】
日焼け止め剤を含む添加剤を含むボディウォッシュであって、該ボディウォッシュを皮膚へ適用し濯いだ後、該日焼け止め剤は、適用後濯いだ後の該皮膚へ平均で３０ミクロン以下侵入するボディウォッシュ。
【請求項１０】
ＵＶＡ吸収日焼け止め剤と、ＵＶＢ吸収日焼け止め剤と、物理的遮断日焼け止め剤と、カチオン性ポリマーとを含むボディウォッシュ。
【請求項１１】
添加剤を含むボディウォッシュであって、該添加剤は、封入された非日焼け止め活性物質を含み、さらにカチオン性ポリマーを含むボディウォッシュ。
【請求項１２】
前記日焼け止め剤が封入されている、請求項１、２、３、４、５、８、９および１０に記載の添加剤。
【請求項１３】
前記日焼け止め剤が、ゾル−ゲルマイクロカプセル中に封入されている、請求項１２に記載の添加剤。
【請求項１４】
さらにカチオン性ポリマーを含む、請求項１、２、３、８、９、１２または１３に記載の添加剤。
【請求項１５】
前記カチオン性ポリマーがポリクオタニウムである、請求項４、５、６、７、１０、１１および１４に記載の添加剤。
【請求項１６】
前記カチオン性ポリマーが、ポリクオタニウム−４、ポリクオタニウム−７、ポリクオタニウム−１１、ポリクオタニウム−２２、ポリクオタニウム−２７、ポリクオタニウム−４４、ポリクオタニウム−５１またはポリクオタニウム−６４である、請求項１５に記載の添加剤。
【請求項１７】
前記カチオン性ポリマーがポリクオタニウム−４である、請求項１６に記載の添加剤。
【請求項１８】
さらにフィルム形成剤を含む、請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１３および１７に記載の添加剤。
【請求項１９】
前記フィルム形成剤がペトロラタムを含む、請求項１８に記載の添加剤。
【請求項２０】
前記日焼け止め剤がＵＶＢ吸収日焼け止め剤であり、さらにＵＶＡ吸収日焼け止め剤を含む、請求項１、３、５、６、８、９、１７および１９に記載の添加剤。
【請求項２１】
さらに物理的遮断日焼け止め剤を含む、請求項２０に記載の添加剤。
【請求項２２】
（ｉ）前記ＵＶＢ吸収日焼け止め剤が、アミノ安息香酸、シノキサート、ジオキシベンゾン、ホモサラート、オクトクリレン、メトキシ桂皮酸オクチル、サリチル酸オクチル、オキシベンゾン、パジマートＯ、フェニルベンゾイミダゾールスルホン酸、スルイソベンゾン、およびサリチル酸トロラミンからなる群から選択され；
（ｉｉ）前記ＵＶＡ吸収日焼け止め剤が、アボベンゾンおよびアントラニル酸メチルからなる群から選択され；
（ｉｉｉ）前記物理的遮断日焼け止め剤が、二酸化チタンおよび酸化亜鉛からなる群から選択される、請求項２１に記載の添加剤。
【請求項２３】
第１日焼け止め剤およびカチオン性ポリマーを含む第１成分と、第２日焼け止め剤を含む第２成分とを含む日焼け止め添加剤を含むボディウォッシュを製造する方法であって、該第１成分と該ボディウォッシュとを組み合わせる工程、次いで別個に該第２成分と該ボディウォッシュとを組み合わせる工程を含む方法。
【請求項２４】
太陽光から皮膚を保護する方法であって、日焼け止め剤を含むボディウォッシュを該皮膚に適用する工程を含み、該ボディウォッシュを該皮膚に適用し濯いだ後、該皮膚は平均ＳＰＦが少なくとも約１５で太陽光から保護される方法。
【請求項２５】
太陽光から皮膚を保護する方法であって、日焼け止め剤を含む添加剤を含むボディウォッシュを該皮膚へ適用する工程を含み、該日焼け止め剤が、適用し濯いだ後の該皮膚へ平均で３０ミクロン以下侵入する方法。
【請求項２６】
太陽光から皮膚を保護する方法であって、ボディウォッシュを該皮膚へ適用する工程を含み、該ボディウォッシュが、ＵＶＡ吸収日焼け止め剤と、ＵＶＢ吸収日焼け止め剤と、物理的遮断日焼け止め剤と、カチオン性ポリマーとを含む方法。