Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月3日(2009.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
無線アクセスネットワークを動作させる方法であって、
フェムト無線基地局（２８f-new）を前記無線アクセスネットワーク（２４）の第１の無線ネットワーク制御局ノード（２６1）に接続する工程と、
前記フェムト無線基地局（２８f-new）から、前記フェムト無線基地局と通信中のユーザ機器ユニット（３０）から取得された情報を前記第１の無線ネットワーク制御局ノード（２６1）に提供する工程と、
前記フェムト無線基地局（２８f-new）に対するアクティブ無線ネットワーク制御局ノードとして、前記第１の無線ネットワーク制御局ノード（２６1）を置換する第２の無線ネットワーク制御局ノード（２６2）を決定するために前記ユーザ機器ユニット（３０）から取得された前記情報を用いる工程とを有することを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
前記無線ネットワーク制御局ノード（２６1）は、少なくとも１つのセルを検出するよう前記ユーザ機器ユニット（３０）に指示するようにさらに構成され、
前記フェムト無線基地局（２８f-new）と通信中の前記ユーザ機器ユニット（３０）から取得された前記位置表示情報は、前記少なくとも１つのセルについてのセル識別情報を含むことを特徴とする請求項１５に記載の無線ネットワーク制御局ノード。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
前記無線ネットワーク制御局ノード（２６1）が、指定された周波数で少なくとも１つのセルを検出するよう前記ユーザ機器ユニット（３０）に指示するようにさらに構成され、
前記指定された周波数は、前記フェムト無線基地局（２８f-new）とマクロ無線基地局の両方により使用される周波数であり、
前記フェムト無線基地局（２８f-new）と通信中の前記ユーザ機器ユニット（３０）から取得された前記位置表示情報は、前記少なくとも１つの検出されたセルについてのセル識別情報を含むことを特徴とする請求項１５に記載の無線ネットワーク制御局ノード。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
前記無線ネットワーク制御局ノード（２６1）は、異なる周波数で動作することにより少なくとも１つのセルを検出するよう前記ユーザ機器ユニット（３０）に指示するようにさらに構成され、
前記フェムト無線基地局（２８f-new）と通信中の前記ユーザ機器ユニット（３０）から取得された前記位置表示情報は、前記少なくとも１つの検出されたセルについてのセル識別情報を含むことを特徴とする請求項１５に記載の無線ネットワーク制御局ノード。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
前記無線ネットワーク制御局ノード（２６1）は、前記ユーザ機器ユニット（３０）が、前記ユーザ機器ユニット（３０）に対するモニタセットの変更のために試行錯誤によるアプローチで動作することを可能にさせるよう構成されていることを特徴とする請求項２０に記載の無線ネットワーク制御局ノード。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
前記無線ネットワーク制御局ノード（２６1）は、第１のロケーション計画に従って動作するように前記ユーザ機器ユニット（３０）に指示するように構成され、
前記第１のロケーション計画が前記フェムト無線基地局（２８f-new）の位置を突き止めるのに十分な情報を供給できない場合、前記無線ネットワーク制御局ノード（２６1）は、前記ユーザ機器ユニット（３０）に第２のロケーション計画に従って動作するよう指示するようさらに構成されることを特徴とする請求項１５に記載の無線ネットワーク制御局ノード。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】
前記第１のロケーション計画は、
前記無線ネットワーク制御局ノード（２６1）が、前記ユーザ機器ユニット（３０）が指定された周波数で少なくとも１つのセルを検出できるように、前記ユーザ機器ユニット（３０）を構成することを含み、
前記第２のロケーション計画は、
前記無線ネットワーク制御局ノード（２６1）が、前記ユーザ機器ユニット（３０）が、少なくとも１つのセルを検出するために異なる周波数で動作することを可能とするように前記ユーザ機器ユニット（３０）を構成することを含むことを特徴とする請求項２２に記載の無線ネットワーク制御局ノード。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月2日(2009.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式１．１の化合物もしくはその製剤学的に認容性の塩及び／又は式１．２の化合物もしくはその製剤学的に認容性の塩を、２型糖尿病及び／又は１型糖尿病の治療用の医薬組成物の製造のために用いる使用。
【請求項２】
ロフルミラスト又はその製剤学的に認容性の塩を、２型糖尿病の治療のための医薬組成物の製造のために用いる使用。
【請求項３】
ロフルミラスト−Ｎ−オキシド又はその製剤学的に認容性の塩を、２型糖尿病の治療のための医薬組成物の製造のために用いる使用。
【請求項４】
式１．１の化合物もしくはその製剤学的に認容性の塩及び／又は式１．２の化合物もしくはその製剤学的に認容性の塩を、１型糖尿病及び／又は２型糖尿病の治療のための及び真性糖尿病に関連する疾患の進行の防止及び／又は抑制のための医薬組成物の製造のために用いる使用。
【請求項５】
ロフルミラスト又はその製剤学的に認容性の塩を、２型糖尿病の治療のための及び真性糖尿病に関連する疾患の進行の防止及び／又は抑制のための医薬組成物の製造のために用いる使用。
【請求項６】
ロフルミラスト−Ｎ−オキシド又はその製剤学的に認容性の塩を、２型糖尿病の治療のための及び真性糖尿病に関連する疾患の進行の防止及び／又は抑制のための医薬組成物の製造のために用いる使用。
【請求項７】
請求項４から６までのいずれか１項記載の使用であって、真性糖尿病に関連する疾患が、高血圧、異脂肪症、高尿酸血症、痛風及び凝固性亢進からなる群から選択される使用。
【請求項８】
請求項４から６までのいずれか１項記載の使用であって、真性糖尿病に関連する疾患が、心筋梗塞、卒中発作及び四肢切断からなる群から選択される太い血管のアテローム硬化性疾病である使用。
【請求項９】
請求項４から６までのいずれか１項記載の使用であって、真性糖尿病に関連する疾患が、失明、腎疾病及び衰弱性神経症からなる群から選択される太い血管のアテローム硬化性疾病である使用。
【請求項１０】
式１．１の化合物もしくはその製剤学的に認容性の塩及び／又は式１．２の化合物もしくはその製剤学的に認容性の塩を、代謝症候群、肥満、インスリン耐性、異常脂肪血症及び病理学的耐糖性の群から選択される疾患の治療用の医薬組成物の製造のために用いる使用。
【請求項１１】
請求項１０記載の使用であって、疾患が、肥満である使用。
【請求項１２】
請求項１０記載の使用であって、疾患が、病理学的糖耐性である使用。
【請求項１３】
ロフルミラスト又はその製剤学的に認容性の塩を、単独療法剤として、２型糖尿病の治療のための医薬組成物の製造のために用いる使用。
【請求項１４】
ロフルミラスト−Ｎ−オキシド又はその製剤学的に認容性の塩を、単独療法剤として、２型糖尿病の治療のための医薬組成物の製造のために用いる使用。
【請求項１５】
ロフルミラスト又はその製剤学的に認容性の塩を、単独療法剤として、１型糖尿病及び／又は２型糖尿病の治療のための及び真性糖尿病に関連する疾患の進行の防止及び／又は抑制のための医薬組成物の製造のために用いる使用。
【請求項１６】
ロフルミラスト−Ｎ−オキシド又はその製剤学的に認容性の塩を、単独療法剤として、１型糖尿病及び／又は２型糖尿病の治療のための及び真性糖尿病に関連する疾患の進行の防止及び／又は抑制のための医薬組成物の製造のために用いる使用。
【請求項１７】
ロフルミラスト又はその製剤学的に認容性の塩を、単独療法剤として、代謝症候群、肥満、インスリン耐性、異常脂質血症及び病理学的糖耐性からなる群から選択される疾患の治療のための医薬組成物の製造のために用いる使用。
【請求項１８】
ロフルミラスト−Ｎ−オキシド又はその製剤学的に認容性の塩を、単独療法剤として、代謝症候群、肥満、インスリン耐性、異常脂質血症及び病理学的糖耐性からなる群から選択される疾患の治療のための医薬組成物の製造のために用いる使用。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月23日(2009.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化１】
2008532971.tif 000001
［式中、
Ｒ1及びＲ2は互いに独立して、水素原子又は直鎖状の炭素原子数１ないし６のアルキル
基又は枝分れ状の炭素原子数３ないし６のアルキル基を表し、
Ｒ3は、水素原子又は炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し、
Ｒ4は、ハロゲン原子、ニトリル基、アジド基、ＣＯＯＲ5、ＮＲ6Ｒ7、ＣＯＮＨＲ8又はＯＲ9（式中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は互いに独立して、水素原子、直鎖状の又は枝分れ状の炭素原子数１ないし３２のアルキル基、直鎖状の又は枝分れ状の炭素原子数２ないし３２のアルケニル基、フェニル基又は炭素原子数１ないし４のアルキレン−フェニル基を表す。）からなる群より選択される１つ以上の置換基により置換され得る直鎖状の又は枝分れ状の炭素原子数１ないし３２のアルキル基、ハロゲン原子、ニトリル基、アジド基、ＣＯＯＲ5、ＮＲ6Ｒ7、ＣＯＮＨＲ8又はＯＲ9（式中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は上記定義されたのと同じ意味を有する。）からなる群より選択される１つ以上の置換基により置換され得る直鎖状の又は枝分れ状の炭素原子数２ないし３２のアルケニル基を表すか、又は
Ｒ4は、式（ａ）
【化２】
2008532971.tif 000002
（式中、
Ｒ10は、水素原子又は炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し、
Ｙは、リボース、アラビノース、キシロース、リキソース、グルコース、ガラクトース
、マンノースのようなα−又はβ−ヘキソ−フラノシド又はピラノシド；又はマルトース、ラクトース、２−Ｎ−アセチルラクトース、セロビオース並びにそれらの誘導体のような二糖類を表し、
ｐは、１ないし８、好ましくは１ないし４の整数を表し、
ｑは、１ないし１６、好ましくは２ないし６の整数を表す。）
で表される部分を表し、
ｎは、０又は１を表し、及び
ｍは、１ないし８、好ましくは２ないし４の整数を表す。］
で表されるホスホネートにより被覆された金属酸化物ナノ粒子。
【請求項２】
前記式（Ｉ）で表されるホスフェートは、被覆された固形粒子１グラム当り５ないし５００マイクロモルの量で存在している、請求項１に記載の金属酸化物ナノ粒子。
【請求項３】
式（Ｉ）
【化３】
2008532971.tif 000003
［式中、
Ｒ1及びＲ2は互いに独立して、水素原子又は直鎖状の炭素原子数１ないし６のアルキル
基又は枝分れ状の炭素原子数３ないし６のアルキル基を表し、
Ｒ3は、水素原子又は炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し、
Ｒ4は、ハロゲン原子、ニトリル基、アジド基、ＣＯＯＲ5、ＮＲ6Ｒ7、ＣＯＮＨＲ8又はＯＲ9（式中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は互いに独立して、水素原子、直鎖状の又は枝分れ状の炭素原子数１ないし３２のアルキル基、直鎖状の又は枝分れ状の炭素原子数２ないし３２のアルケニル基、フェニル基又は炭素原子数１ないし４のアルキレン−フェニル基を表す。）からなる群より選択される１つ以上の置換基により置換され得る直鎖状の又は枝分れ状の炭素原子数１ないし３２のアルキル基、ハロゲン原子、ニトリル基、アジド基、ＣＯＯＲ5、ＮＲ6Ｒ7、ＣＯＮＨＲ8又はＯＲ9（式中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は上記定義されたのと同じ意味を有する。）からなる群より選択される１つ以上の置換基により置換され得る直鎖状の又は枝分れ状の炭素原子数２ないし３２のアルケニル基を表すか、又は
Ｒ4は、式（ａ）
【化４】
2008532971.tif 000004
（式中、
Ｒ10は、水素原子又は炭素原子数１ないし４のアルキル基を表し、
Ｙは、リボース、アラビノース、キシロース、リキソース、グルコース、ガラクトース
、マンノースのようなα−又はβ−ヘキソ−フラノシド又はピラノシド；又はマルトース、ラクトース、２−Ｎ−アセチルラクトース、セロビオース並びにそれらの誘導体のような二糖類を表し、
ｐは、１ないし８、好ましくは１ないし４の整数を表し、
ｑは、１ないし１６、好ましくは２ないし６の整数を表す。）
で表される部分を表し、
ｎは、０又は１を表し、及び
ｍは、１ないし８、好ましくは２ないし４の整数を表す。］
で表されるホスホネート。
【請求項４】
以下の段階：
【化５】
2008532971.tif 000005
を特徴とする、ｎが１を表し及びすべての置換基が請求項３において定義される意味を有するところの式（Ｉ）で表される化合物に対応する、請求項３に記載の式（Ｉａ）で表されるホスホネートの製造方法。
【請求項５】
以下の段階：
【化６】
2008532971.tif 000006
を特徴とする、ｎが０を表し及びすべての置換基が式（Ｉ）において定義される意味を有するところの式（Ｉ）で表される化合物に対応する、請求項１ないし３に記載の式（Ｉｂ）で表されるホスホネートの製造方法。
【請求項６】
金属酸化物を、高温にて有機溶媒中で請求項１または２に記載の式（Ｉ）で表されるホスホネートと混合するところの、前記式（Ｉ）で表されるホスホネートにより被覆された金属酸化物ナノ粒子の製造方法。
【請求項７】
抗菌剤としての、請求項１または２に記載の式（Ｉ）で表されるホスホネートにより被覆された金属酸化物ナノ粒子の使用。
【請求項８】
パーソナルケア製剤における、抗菌的に有効量の少なくとも１種の請求項１または２に記載の式（Ｉ）で表されるホスホネートにより被覆された金属酸化物ナノ粒子の使用。
【請求項９】
難燃剤としての、請求項１または２に記載の式（Ｉ）で表されるホスホネートにより被覆
された金属酸化物ナノ粒子の及び／又は請求項３に記載の式（Ｉ）で表されるホスホネートの使用。
【請求項１０】
表面上の長期の衛生活性を必要とする用途のための、抗菌的に有効量の少なくとも１種の請求項１または２に記載の式（Ｉ）で表されるホスホネートにより被覆された金属酸化物ナノ粒子の使用。
【請求項１１】
少なくとも１種の請求項１または２に記載の式（Ｉ）で表されるホスホネートにより被覆された金属酸化物ナノ粒子及び／又は少なくとも１種の請求項３に記載の式（Ｉ）で表されるホスホネートが配合された、抗菌性のプラスチックフィルム、繊維又は物品。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月19日(2009.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）：
【化１】
2008532972.tif 000001
［式中、ｎは０、１であることができ；ｐは０、１、２、３であることができ；ＸはＣＲ1Ｒ1、Ｏ、ＮＲ2、ＮＲ1、Ｓであることができ；Ｒ1は互いに独立して水素、（Ｃ1−Ｃ8）−アルキル、（Ｃ1−Ｃ8）−アルコキシ、（Ｃ1−Ｃ8）−アルコキシアルキル、（Ｃ3−Ｃ8）−シクロアルキル、（Ｃ6−Ｃ18）−アリール、（Ｃ7−Ｃ19）−アラルキル、（Ｃ3−Ｃ18）−ヘテロアリール、（Ｃ4−Ｃ19）−ヘテロアラルキル、（（Ｃ1−Ｃ8）−アルキル）1-3−（Ｃ3−Ｃ8）−シクロアルキル、（（Ｃ1−Ｃ8）−アルキル）1-3−（Ｃ6−Ｃ18）−アリール、（（Ｃ1−Ｃ8）−アルキル）1-3−（Ｃ3−Ｃ18）−ヘテロアリールであることができ；Ｒ2は水素、又は酸性あるいは塩基性の条件下で開裂され得るＮ−保護基である］
の化合物の製造方法であって、一般式（II）：
【化２】
2008532972.tif 000002
（式中、Ｘ、Ｒ1、ｎ、ｐは上述の意味を表わす）のジカルボニル化合物から出発して、これを一般式（III）：
【化３】
2008532972.tif 000003
（式中、Ｒ2は酸性あるいは塩基性の条件下で開裂され得るＮ−保護基である）のヒドラジン誘導体の１当量と反応させ、
次いで形成された化合物を遷移金属の存在下で水素化し、所望ならば酸性あるいは塩基性の条件下で、基Ｒ2を開裂させる、上記製造方法。
【請求項２】
ｎが１であり；ｐが０であり；ＸがＣＨ2であり；Ｒ2がアセチル又はメトキシカルボニルである、式（II）又は（III）の化合物が使用されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
使用される遷移金属が白金あるいはパラジウム含有化合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
水素化が水素ガスを用いて又は移動水素化として行われることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
化合物（II）の量に対して０.１から１０モル％の遷移金属錯体の量が使用されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
基Ｒ2の開裂に対して、無機酸の水溶液又は無機塩基の水溶液が使用されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
水素ガスを用いる水素化に関して、水素化が１から２０バールの圧力下で行われることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
室温と１４０℃の間の温度で行われることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
式（II）の化合物と式（III）の化合物の反応、及び形成された化合物の水素化がワンポット反応として行われることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項１０】
一般式（Ｖ）：
【化４】
2008532972.tif 000004
［式中、ｎは１であり、ｐは０であり、ＸはＣＨ2であり、そしてＲ1はアセチルである］の中間体化合物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
当業者は、記載された個々の反応ステップを逐次に行いたいか又は一緒にワンポットで行いたいかを自由に選択できる。しかしながら、式（ＩＩ）の化合物と式（ＩＩＩ）の化合物の反応、及びそれによって形成される化合物の水素化をワンポット反応として行う方法が好ましい。所望ならば、全反応をワンポットで行うこともできる。本発明によれば、ここでいう全反応とは、一般式（ＩＩＩ）の化合物の製造、一般式（ＩＩ）の化合物とのその反応、形成された中間体の水素化及び、所望ならばＮ−保護基の開裂の意味である（実施例参照）。このように、一般式（Ｉ）の化合物は、簡単でかつ、特に工業的規模で容易に実施できる方法で得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
【化１１】
2008532972.tif 000005
製造手順
１０８１.１ｇ（５.４モル）のグルタルアルデヒド水溶液（水中５０重量％）と４８６.０ｇ（５.４モル）のカルバジン酸メチルを１０Ｌのエタノールに溶解させる。この過程で、反応混合物を５０℃まで加熱し、同温度で３０分間攪拌する。この反応混合物を２０Ｌのオートクレーブ中に加え、１５０ｇの湿ったパラジウム／炭素（５％）触媒を添加し、そしてこの混合物を８０℃、２０バールの水素で水素化する。８時間後、水素の吸収が完了する。オートクレーブを室温まで冷却し、減圧する。触媒を濾過して除去する。濾液を真空中で蒸発させる。残留物を真空中、５０℃で終夜乾燥する。
収率：８２１.８ｇ（理論量の９８.７％）；１−メトキシカルボニル−アミノ−ピペリジン
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
【化１２】
2008532972.tif 000006
製造手順
２１６ｇ（１.４モル）の１−メトキシカルボニル−アミノ−ピペリジンを、５００ｍＬの４８％濃度のＮａＯＨ中で５時間かけて加水分解させる。
攪拌機を止めた後、相を分離させ、有機相を真空中で蒸留する（１００から５０ミリバール；８５から９０℃）。
収率：１１２ｇ（８０％）
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月4日(2009.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カンナビノイド受容体結合ナフタレン誘導体を含む自発的に分散可能な医薬組成物。
【請求項２】
カンナビノイド受容体結合ナフタレン誘導体ならびに親油性成分、界面活性剤および所望により親水性成分を含む担体媒体を含む自発的に分散可能な医薬組成物。
【請求項３】
カンナビノイド受容体結合ナフタレン誘導体がナフタレン−１−イル−（４−ペンチルオキシナフタレン−１−イル）−メタノンである請求項１または請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
活性剤としてナフタレン−１−イル−（４−ペンチルオキシナフタレン−１−イル）−メタノンならびに親油性成分、界面活性剤および所望により親水性成分を含む担体媒体を含む、経口投与に適当である形態の医薬組成物。
【請求項５】
親油性成分が一級アルコールでエステル化された脂肪酸、中鎖脂肪酸トリグリセリドまたは精製されたグリセロール−エステル交換したコーン油を含む請求項２または請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
親水性成分がプロピレングリコール、トランスクトール（Ｔｒａｎｓｃｕｔｏｌ）（ジエチレングリコールモノエチルエーテル）またはクエン酸トリエチルを含む請求項２、４および５のいずれかに記載の組成物。
【請求項７】
界面活性剤がポリエチレングリコール硬化ヒマシ油またはポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルを含む請求項２、４、５および６のいずれかに記載の組成物。
【請求項８】
約０．０５から約２０重量％のナフタレン−１−イル−（４−ペンチルオキシナフタレン−１−イル）−メタノン、約５から約８５重量％の親油性成分、約５から約９０重量％の界面活性剤、および所望により約５から約６０重量％の親水性成分を含む（ここで、全ての重量は全組成物に基づいた重量である）自発的に分散可能な医薬組成物。
【請求項９】
マイクロエマルジョン前濃縮物の形態の請求項１から８のいずれかに記載の組成物。
【請求項１０】
マイクロエマルジョンの形態の請求項１から８のいずれかに記載の組成物。
【請求項１１】
単位用量形態の請求項１から１０のいずれかに記載の組成物。
【請求項１２】
軟または硬ゼラチンカプセル化形態の請求項１１に記載の組成物。
【請求項１３】
酸化防止剤および／またはさらなる添加物を含む請求項１から１２のいずれかに記載の組成物。
【請求項１４】
酸化防止剤を含む請求項１から１２のいずれかに記載の組成物。
【請求項１５】
治療有効量の請求項１から１４のいずれかに記載の医薬組成物を処置を必要とする対象に投与することを含む、カンナビノイド受容体結合ナフタレン誘導体で処置できる障害を有する対象の処置法。
【請求項１６】
活性薬剤としてカンナビノイド受容体結合ナフタレン誘導体を含む自発的に分散可能な医薬組成物の製造法であって、活性剤、存在するとき酸化防止剤および／またはさらなる添加物、ならびに親油性成分、界面活性剤および所望により親水性成分を含む担体媒体を緊密な混合物にすることを含む方法。
【請求項１７】
活性剤としてカンナビノイド受容体結合ナフタレン誘導体および担体媒体を含むマイクロエマルジョンの製造法であって、
（ｉ）活性剤、存在するとき酸化防止剤および／またはさらなる添加物、ならびに親油性成分、界面活性剤および所望により親水性成分を含む担体媒体を緊密な混合物にし、自発的に分散可能な医薬組成物を形成させること；そして
（ｉｉ）水性媒体で自発的に分散可能な医薬組成物を希釈してマイクロエマルジョンを形成させることを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月27日(2009.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒト化Ｌ２４３抗体またはその抗原結合断片であって、重鎖可変ドメインの相補性決定領域（ＣＤＲ）配列ＣＤＲ１（ＮＹＧＭＮ、配列番号４の残基３１から３５）、ＣＤＲ２（ＷＩＮＴＹＴＲＥＰＴＹＡＤＤＦＫＧ、配列番号４の残基５０から６６）およびＣＤＲ３（ＤＩＴＡＶＶＰＴＧＦＤＹ、配列番号４の残基９９から１１０）と、軽鎖可変ドメインのＣＤＲ配列ＣＤＲ１（ＲＡＳＥＮＩＹＳＮＬＡ、配列番号２の残基２４から３４）、ＣＤＲ２（ＡＡＳＮＬＡＤ、配列番号２の残基５０から５６）およびＣＤＲ３（ＱＨＦＷＴＴＰＷＡ、配列番号２の残基８９から９８）と、ヒト抗体フレームワーク領域と、定常領域とを含み、前記ヒト化Ｌ２４３抗体はＨＬＡ−ＤＲ＋細胞上のＨＬＡ−ＤＲに結合可能する能力を有し、前記ヒト化Ｌ２４３抗体は補体依存性細胞傷害（ＣＤＣ）または抗体依存性細胞仲介性細胞傷害（ＡＤＣＣ）を誘導することなく前記ＨＬＡ−ＤＲ＋細胞のアポトーシスを誘導する、ヒト化Ｌ２４３抗体またはその抗原結合断片。
【請求項２】
重鎖可変ドメインおよび軽鎖可変ドメインを含むヒト化Ｌ２４３抗体またはその抗原結合断片であって、前記重鎖可変ドメインのＣＤＲ１、ＣＤＲ２およびＣＤＲ３領域、およびフレームワーク残基２７、３８、４６、６８および９１が、マウスモノクローナル抗体ｍＬ２４３重鎖に由来するものであり、免疫グロブリン重鎖フレームワークドメインの残りの部分が、１つ以上のヒトに由来するものであり、前記軽鎖可変ドメインのＣＤＲ１、ＣＤＲ２およびＣＤＲ３領域、およびフレームワーク残基３７、３９、４８および４９が、マウスモノクローナル抗体ｍＬ２４３に由来するものであり、免疫軽鎖グロブリンフレームワークドメインの残りの部分が、１つ以上のヒト軽鎖に由来するものであり、前記ヒト化Ｌ２４３抗体が、ＨＬＡ−ＤＲ＋細胞上のＨＬＡ−ＤＲのうちの少なくとも１つのエピトープに結合できる能力を有する、ヒト化Ｌ２４３抗体またはその抗原結合断片。
【請求項３】
請求項２に記載の抗体を含む薬学的組成物。
【請求項４】
１つ以上の腫瘍関連抗原に特異的に結合する１つ以上の追加的結合分子をさらに含み、前記追加的結合分子が、請求項２の組成物の前に、一緒にまたは後に与えられる、請求項３の組成物。
【請求項５】
１つ以上のペプチド、脂質、重合化担体、ミセル、ナノ粒子、またはそれらの組み合わせ、および１つ以上のエフェクターにコンジュゲートした、請求項２に記載のヒト化Ｌ２４３抗体を含む薬学的組成物。
【請求項６】
前記組成物が免疫コンジュゲート体である、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記抗体が、１つ以上の脂質にコンジュゲートしている、請求項５に記載の組成物。
【請求項８】
１つ以上の腫瘍関連抗原に特異的に結合する、１つ以上の追加的結合分子をさらに含む、請求項５に記載の組成物。
【請求項９】
前記ヒト化Ｌ２４３抗体が、ＨＬＡ−ＤＲに対する特異性を少なくとも１つ有し、残りの特異性は、１つ以上の腫瘍関連抗原に結合する追加的結合分子に特異的に結合するペプチドに対するものである、請求項５に記載の組成物。
【請求項１０】
前記エフェクターが、治療薬剤または診断薬剤を含む、請求項５に記載の組成物。
【請求項１１】
前記エフェクターが、薬物、プロドラッグ、毒素、酵素、放射性同位体、免疫調節物、サイトカイン、ホルモン、結合分子、オリゴヌクレオチド、干渉ＲＮＡ、光力学薬剤またはこれらの混合物を含む、請求項５に記載の組成物。
【請求項１２】
前記エフェクターが、ＦＵｄＲ、ＦＵｄＲ−ｄＯまたはこれらの混合物を含む、請求項５に記載の組成物。
【請求項１３】
グループＩＩ、グループＩＩＩ、グループＩＶ、グループＶ、遷移、ランタニドまたはアクチニド金属カチオンまたはこれらの混合物から選択されるカチオンをさらに含む、請求項５に記載の組成物。
【請求項１４】
Ｔｃ、Ｒｅ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ａｓ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｔ、Ｐｂまたはこれらの混合物から選択されるカチオンをさらに含む、請求項５に記載の組成物。
【請求項１５】
ＮＯＴＡ、ＤＯＴＡ、ＤＴＰＡ、ＴＥＴＡ、Ｔｓｃｇ−Ｃｙｓ、Ｔａｃａ−Ｃｙｓ、またはこれらの混合物をさらに含む、請求項５に記載の組成物。
【請求項１６】
前記エフェクターが、放射性核種を含む、請求項５に記載の組成物。
【請求項１７】
前記エフェクターが、酵素を含む、請求項５に記載の組成物。
【請求項１８】
前記エフェクターが、免疫調節物を含む、請求項５に記載の組成物。
【請求項１９】
前記エフェクターが、抗血管新生薬剤を含む、請求項５に記載の組成物。
【請求項２０】
前記抗体が、前記抗体が、１つ以上の治療薬剤、診断薬剤またはこれらの混合物にコンジュゲートしている、請求項５に記載の組成物。
【請求項２１】
請求項２０の組成物を含むキット。
【請求項２２】
前記ヒト化Ｌ２４３抗体またはその抗原結合断片がＩｇＧ４である、請求項２に記載のヒト化Ｌ２４３抗体またはその抗原結合断片。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月10日(2009.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振用増幅器（１６）と、発振器（１２）を構成するよう発振用増幅器（１６）に付設され検知対象物からの作用を捉える半自動又は全自動温度補償型の帰還回路網（１５）と、を備える例えば誘導型の接近感知スイッチであって、
発振用増幅器（１６）として使用される増幅モジュール（２１）と、
発振用増幅器（１６）に付設され負帰還回路網（３８）等のカップリング用受動回路網及びそのトランスコンダクタンスを制御可能なトランスコンダクタンス増幅器（３６）を有する被制御回路網と、
少なくとも発振用増幅器（１６）の温度を検出する温度センサ（１８）と、
を備え、温度センサ（１８）の出力信号から制御信号を導出してトランスコンダクタンス増幅器（３６）のトランスコンダクタンスひいては被制御回路網の伝達関数を制御しそれによって発振用増幅器（１６）の利得を制御すること、即ち温度検出結果に基づきトランスコンダクタンス増幅器（３６）を動作させ発振用増幅器（１６）を制御することにより、温度による発振特性の変化を少なくとも部分的に補償することを特徴とする接近感知スイッチ。
【請求項２】
請求項１記載の接近感知スイッチであって、
増幅モジュール（２１）への正帰還経路上には検知対象物を捉える帰還回路網（１５）が、負帰還経路上には被制御回路網があることを特徴とする接近感知スイッチ。
【請求項３】
請求項１記載の接近感知スイッチであって、
増幅モジュール（２１）への負帰還経路上には検知対象物を捉える帰還回路網（１５）が、正帰還経路上には被制御回路網があることを特徴とする接近感知スイッチ。
【請求項４】
請求項１記載の接近感知スイッチであって、
トランスコンダクタンス増幅器（３６）が制御電圧又は制御電流によって制御されることを特徴とする接近感知スイッチ。
【請求項５】
請求項１記載の接近感知スイッチであって、
帰還回路網（１５）が、第１巻線（２２）及び第２巻線（２４）からなるバイファイラコイルを有し、それら第１及び第２巻線（２２，２４）が、互いに異なる本数及び太さのワイヤを撚ったストランドであることを特徴とする接近感知スイッチ。
【請求項６】
請求項５記載の接近感知スイッチであって、
第１巻線（２２）が１本、第２巻線（２４）が複数本のワイヤから構成されたことを特徴とする接近感知スイッチ。
【請求項７】
請求項５記載の接近感知スイッチであって、
第１巻線（２２）の方が第２巻線（２４）より個々のワイヤの断面積が広いことを特徴とする接近感知スイッチ。
【請求項８】
請求項５記載の接近感知スイッチであって、
第１巻線（２２）を構成するワイヤの太さが６０〜１００μｍの範囲内、好ましくは約７０μｍであることを特徴とする接近感知スイッチ。
【請求項９】
請求項５記載の接近感知スイッチであって、
第２巻線（２４）を構成するワイヤの太さが２０〜５０μｍの範囲内、好ましくは約３０μｍであることを特徴とする接近感知スイッチ。
【請求項１０】
請求項１記載の接近感知スイッチであって、
発振用増幅器（１６）の後段に縦続接続された整流器（３２）と、整流器（３２）の後段に縦続接続された比較器（３４）と、を備え、比較器（３４）における所定のしきい値との比較によりその出力がスイッチングすることを特徴とする接近感知スイッチ。
【請求項１１】
請求項１記載の接近感知スイッチであって、
帰還回路網（１５）が、発振用増幅器（１６）の出力電圧とのカップリング用のカップリングコンデンサ（２６）と、オーミックな抵抗（２８）と、を有することを特徴とする接近感知スイッチ。
【請求項１２】
請求項１記載の接近感知スイッチであって、
負温度係数温度センサ網（１９）を温度センサ（１８）として用いることを特徴とする接近感知スイッチ。
【請求項１３】
請求項１０記載の接近感知スイッチであって、
発振用増幅器（１６）の利得が変調度に応じ変化するよう増幅モジュール（２１）にその出力を供給する整流器（３２）を備えることを特徴とする接近感知スイッチ。
【請求項１４】
発振用増幅器（１６）と、発振器（１２）を構成するよう発振用増幅器（１６）に付設され検知対象物からの作用を捉える半自動又は全自動温度補償型の帰還回路網（１５）と、を備える例えば誘導型の接近感知スイッチ、とりわけ請求項１乃至１３の何れか一項記載の接近感知スイッチを作動させる方法であって、
カップリング用受動回路網及びトランスコンダクタンス増幅器（３６）を有する被制御回路網が付設された増幅モジュール（２１）を発振用増幅器（１６）として動作させ、
温度センサ（１８）により少なくとも発振用増幅器（１６）の温度を検出し、
温度センサ（１８）の出力信号から制御信号を導出してトランスコンダクタンス増幅器（３６）のトランスコンダクタンスひいては被制御回路網の伝達関数を制御すること、即ち温度センサ（１８）による温度計測結果に基づきトランスコンダクタンス増幅器（３６）にて利得変化を引き起こして被制御回路網の伝達関数を変化させることにより、
温度による発振器（１２）の特性変化が少なくとも部分的に補償されるよう、発振用増幅器（１６）の利得を制御することを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の方法であって、
三通りのチェック温度について補正量を求め、他の温度についてはチェック温度についての補正量に基づく補間により補正量を求め、それらの補正量に基づき発振用増幅器（１６）の利得を制御することを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１４記載の方法であって、発振器（１２）が迅速に発振を開始するよう発振用増幅器（１６）の利得を変調度に応じて変化させることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月23日(2009.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介してクライアントと通信可能なサーバが実行する方法であって、
（ａ）セキュアなウェブ・サーバ上にプラグイン・モジュールを作成し、取り込まれた暗号化されたネットワーク要求パケットから少なくとも１つのネットワーク・アドレスおよびポート番号を保存するステップと、
（ｂ）前記プラグイン・モジュールによって、前記セキュアなウェブ・サーバの復号モジュールから前記ネットワーク要求パケットの復号されたコピーを取得するステップと、
（ｃ）前記プラグイン・モジュールから、前記復号されたネットワーク・パケット、ネットワーク・アドレス、およびポート番号を取得するステップと、
を有する、セキュアなコンピュータ・ネットワークのウェブ・サーバ内で、暗号化されたネットワーク要求パケットをその復号されたコピーにマッピングするための方法。
【請求項２】
前記ステップ（ｃ）が、前記ネットワーク・アドレスおよびポート番号によってインデックス付けされたデータ構造内に、前記ネットワーク・アドレスおよびポート番号と、前記復号されたネットワーク・パケットとを保存するステップをさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ネットワークがインターネットであり、暗号化がセキュアなハイパーテキスト転送プロトコル（ＨＴＴＰＳ）に従って実行され、前記暗号化されたネットワーク要求がハイパーテキスト・マークアップ言語（ＨＴＭＬ）に準拠する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記暗号化されたデータが、Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｒｅｓｏｕｒｃｅ  Ｌｏｃａｔｏｒ（ＵＲＬ）名、アプリケーション固有のコンテンツ、または、テキスト、オーディオ、ビデオ、グラフィック、アニメーション、静止画、プログラム・ファイル、ＨＴＭＬページ、およびＪＡＶＡ(登録商標)アプレットを含むグループから選択されたリモート・ターゲット・リソースへのハイパーテキスト・リンクを有する、請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記復号が、ウェブ・サーバの従来の復号ソフトウェアによって、前記ウェブ・サーバの通常の処理の一部として実行され、前記プラグイン・モジュールがＷｅｂ  ＦｉｌｔｅｒおよびＮＳＡＰＩを含むグループから選択され、前記取り込まれた暗号化されたネットワーク要求パケットからの前記ネットワーク・アドレスおよびポート番号が暗号化されずに転送される、請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記ステップ（ｂ）が、前記復号されたネットワーク要求パケットに関連付けられた、オリジナルの暗号化された要求のネットワーク・アドレスおよびポート番号を取得するために、セキュアなウェブ・サーバで、前記プラグイン・モジュールがアプリケーション・プログラム・インターフェース（ＡＰＩ）を呼び出すステップをさらに有する、請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記ステップ（ｃ）が、前記プラグイン・モジュールがネットワーク・ソケットを作成し、前記復号されたＨＴＴＰＳネットワーク・パケット、前記ネットワーク・アドレス、およびポート番号を、パイプを介して転送するステップをさらに有する、請求項１乃至６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
ネットワークを介してクライアントと通信可能なシステムであり、
（ａ）セキュアなウェブ・サーバ上にプラグイン・モジュールを作成し、取り込まれた暗号化されたネットワーク要求パケットから少なくとも１つのネットワーク・アドレスおよびポート番号を保存するための手段と、
（ｂ）前記プラグイン・モジュールによって、前記セキュアなウェブ・サーバの復号モジュールから前記ネットワーク要求パケットの復号されたコピーを取得するための手段と、
（ｃ）前記プラグイン・モジュールから、前記復号されたネットワーク・パケット、ネットワーク・アドレス、およびポート番号を取得するための手段と、
を有する、システム。
【請求項９】
前記ステップ（ｃ）のための手段が、前記ネットワーク・アドレスおよびポート番号によってインデックス付けされたデータ構造内に、前記ネットワーク・アドレスおよびポート番号と、前記復号されたネットワーク・パケットとを保存するための手段をさらに有する、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記ネットワークがインターネットであり、暗号化がセキュアなハイパーテキスト転送プロトコル（ＨＴＴＰＳ）に従って実行され、前記暗号化されたネットワーク要求がハイパーテキスト・マークアップ言語（ＨＴＭＬ）に準拠する、請求項８又は９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記暗号化されたデータが、Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｒｅｓｏｕｒｃｅ  Ｌｏｃａｔｏｒ（ＵＲＬ）名、アプリケーション固有のコンテンツ、または、テキスト、オーディオ、ビデオ、グラフィック、アニメーション、静止画、プログラム・ファイル、ＨＴＭＬページ、およびＪＡＶＡ(登録商標)アプレットを含むグループから選択されたリモート・ターゲット・リソースへのハイパーテキスト・リンクを有する、請求項８乃至１０のいずれかに記載のシステム。
【請求項１２】
前記復号が、ウェブ・サーバの従来の復号ソフトウェアによって、前記ウェブ・サーバの通常の処理の一部として実行され、前記プラグイン・モジュールがＷｅｂ  ＦｉｌｔｅｒおよびＮＳＡＰＩを含むグループから選択され、前記取り込まれた暗号化されたネットワーク要求パケットからの前記ネットワーク・アドレスおよびポート番号が暗号化されずに転送される、請求項８乃至１１のいずれかに記載のシステム。
【請求項１３】
前記ステップ（ｂ）のための手段が、前記復号されたネットワーク要求パケットに関連付けられた、オリジナルの暗号化された要求のネットワーク・アドレスおよびポート番号を取得するために、セキュアなウェブ・サーバで、前記プラグイン・モジュールがアプリケーション・プログラム・インターフェース（ＡＰＩ）を呼び出す手段をさらに有する、請求項８乃至１２のいずれかに記載のシステム。
【請求項１４】
前記ステップ（ｃ）のための手段が、前記プラグイン・モジュールがネットワーク・ソケットを作成し、前記復号されたＨＴＴＰＳネットワーク・パケット、前記ネットワーク・アドレス、およびポート番号を、パイプを介して転送する手段をさらに有する、請求項８乃至１３のいずれかに記載のシステム。
【請求項１５】
請求項１乃至７のいずれかに記載の方法をコンピュータに実行させるコンピュータ・プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月12日(2008.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）デバイスのための自己整合型二元シリコン窒化物ライナを形成する方法であって、
第１の極性型のデバイス（１０２）及び第２の極性型のデバイス（１０４）の上に第１の型の窒化物層（１１６）を形成するステップと、
前記第１の型の窒化物層（１１６）の上にトポグラフィック層（１１８）を形成するステップと、
前記第２の極性型のデバイス（１０４）の上の前記第１の型の窒化物層（１１６）及び前記トポグラフィック層（１１８）の部分をパターン付けして除去するステップと、
前記第２の極性型のデバイス（１０４）の上と、前記第１の極性型のデバイス（１０２）の上の前記トポグラフィック層（１１８）の残りの部分の上とに第２の型の窒化物層（１２０）を形成して前記トポグラフィック層（１１８）の側壁に沿った第２の型の窒化物材料の垂直柱（１２４）を画定するステップであって、前記第２の型の窒化物層（１２０）は前記第１の型の窒化物層（１１６）の側壁と接触する、ステップと、
前記トポグラフィック層（１１８）を除去するステップと、
前記垂直柱（１２４）を除去するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記第１の窒化物層（１１６）は引張窒化物層であり、前記第２の型の窒化物層（１２０）は圧縮窒化物層である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の極性型のデバイス（１０２）はＮＦＥＴであり、前記第２の極性型のデバイス（１０４）はＰＦＥＴである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記引張窒化物層（１１６）及び前記圧縮窒化物層（１２０）は、それらの所望の最終的な厚さの２倍の厚さに形成される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記垂直柱（１２４）を除去するステップは、さらに前記引張窒化物層（１１６）及び前記圧縮窒化物層（１２０）の厚さを所望の最終的な厚さにする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記圧縮窒化物層（１２０）の上にフォトレジスト層を形成するステップと、
前記フォトレジスト層を、前記トポグラフィック層（１１８）の上の前記圧縮窒化物層（１２０）の部分より下のレベルまで窪ませるステップと、
前記トポグラフィック層（１１８）の上の前記圧縮窒化物層（１２０）の前記部分を除去するステップと、
前記垂直柱（１２４）を除去する前に、前記フォトレジスト層及び前記トポグラフィック層（１１８）を除去するステップと
をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記圧縮窒化物層（１２０）は、その所望の最終的な厚さの２倍の厚さに形成され、前記引張窒化物層（１１６）は、その所望の最終的な厚さに形成される、請求項３に記載の方法。
【請求項８】
前記垂直柱（１２４）を前記除去するステップは、さらに、前記圧縮窒化物層（１２０）の前記初期厚さを前記所望の最終的な厚さにする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記トポグラフィック層（１１８）を形成する前に、前記引張窒化物層（１１６）の上に酸化物ライナを形成するステップをさらに含み、前記パターン付けするステップはまた、前記ＰＦＥＴデバイスの上の前記酸化物ライナの部分を除去する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記圧縮窒化物層（１２０）の上にフォトレジスト材料を塗布するステップと、
前記フォトレジスト材料を、前記トポグラフィック層（１１８）の上の前記圧縮窒化物層（１２０）の部分より下のレベルまで窪ませるステップと、
前記トポグラフィック層（１１８）の上の前記圧縮窒化物層（１２０）の前記部分を除去するステップと、
前記垂直柱（１２４）を除去する前に、前記フォトレジスト材料及び前記トポグラフィック層（１１８）を除去するステップと
をさらに含み、
前記酸化物ライナ材料は、前記垂直柱（１２４）の除去中、及び前記圧縮窒化物層（１２０）の厚さの減少中に、前記引張窒化物層（１１６）を保護する、
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記引張窒化物層（１１６）及び前記圧縮窒化物層（１２０）は、その所望の最終的な厚さに形成される、請求項３に記載の方法。
【請求項１２】
前記トポグラフィック層（１１８）を形成する前に、前記引張窒化物層（１１６）の上に酸化物ライナを形成するステップをさらに含み、前記パターン付けするステップはまた、前記ＰＦＥＴデバイスの上の前記酸化物ライナの部分を除去する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記圧縮窒化物層（１２０）の上に酸化物層を加えるステップと、
前記酸化物層を、前記トポグラフィック層（１１８）の上の前記圧縮窒化物層（１２０）の部分より下のレベルまで窪ませるステップと、
前記トポグラフィック層（１１８）の上の前記圧縮窒化物層（１２０）の前記部分を除去するステップと、
前記垂直柱（１２４）を除去する前に、前記トポグラフィック層（１１８）を除去するステップと
をさらに含み、
前記酸化物ライナ材料は、前記垂直柱（１２４）の除去中に前記引張窒化物層（１１６）を保護し、前記酸化物層は、前記垂直柱（１２４）の除去中に前記圧縮窒化物層（１２０）を保護する、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
半導体デバイスのための自己整合型二元材料ライナを形成する方法であって、
基板の上に第１の型の層（３０２）を形成するステップと、
前記第１の型の層（３０２）の上にトポグラフィック層（３０６）を形成するステップと、
前記基板の第１の領域の上の前記第１の型の層（３０２）及び前記トポグラフィック層（３０６）の部分をパターン付けして除去するステップと、
前記基板の第１の領域の上と、前記基板の第２の領域の上の前記トポグラフィック層（３０６）の残りの部分の上とに第２の型の層（３０８）を形成して前記トポグラフィック層（３０６）の側壁に沿った第１の型の層材料の垂直柱（３１２）を画定するステップであって、前記第２の型の層（３０８）は前記第１の型の層（３０２）の側壁と接触する、ステップと、
前記トポグラフィック層（３０６）を除去するステップと、
前記垂直柱（３１２）を除去するステップと
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月27日(2009.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をエッチングするための方法であり、
基板へのエッチング副生成物の均一な堆積速度に対応する基板温度ターゲットプロファイルを求める工程と、
基板支持体の第２部位に対して基板支持体の第１部位の温度を優先的に調節することにより基板上でこの基板温度ターゲットプロファイルを実現する工程と、
優先的に調節された基板支持体上で基板をエッチングする工程とを含む方法。
【請求項２】
基板温度ターゲットプロファイルを求める工程が、
基板表面全体に亘るエッチング副生成物の分布を求める工程と、
求められた分布と基板温度ターゲットプロファイルとを相関させる工程を更に含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
エッチング副生成物の分布を求める工程が、基板表面についての付着係数を求める工程を更に含む請求項２記載の方法。
【請求項４】
エッチング副生成物の分布を求める工程が、基板表面への種の流束を求める工程を更に含む請求項２記載の方法。
【請求項５】
基板温度ターゲットプロファイルを求める工程が、
エッチング副生成物の付着と基板温度との関係をモデル化する工程と、
モデルから基板温度ターゲットプロファイルを作成する工程とを更に含む請求項１記載の方法。
【請求項６】
基板をエッチングするための方法であり、
その内部での種の分布が選択可能であり且つ横方向の温度制御が可能な基板支持体を有する処理チャンバ内に基板を設置する工程を含み、基板支持体によりもたらされた温度プロファイルと種の分布の選択とが制御パラメータセットを構成し、
第１制御パラメータセットを用いて第１材料層をエッチングする工程と、
第２制御パラメータセットを用いて第２材料層をエッチングする工程を含み、第１制御パラメータセットと第２制御パラメータセットとは異なり、
第１制御パラメータセットと第２制御パラメータセットを選択することにより中心から縁部にかけての処理結果の分布を実質的に均一とする工程を含み、処理結果はエッチ深さ、ＣＤバイアス、マイクロローディング、側壁プロファイル、不動態化、エッチング速度、ステップカバレッジ、特徴部テーパー角、アンダーカットの少なくとも１つを含む方法。
【請求項７】
第１層と第２層のエッチング工程が、
マスク層のエッチング工程と、
ポリシリコンをエッチングして高アスペクト比の特徴部を形成する工程を更に含む請求項６記載の方法。
【請求項８】
処理チャンバ内へのガス流の分布を変えることにより第１制御パラメータセットと第２制御パラメータセットとの間に差を設ける工程を更に含む請求項６記載の方法。
【請求項９】
処理チャンバに流入するガスの方向を変えることにより第１制御パラメータセットと第２制御パラメータセットとの間に差を設ける工程を更に含む請求項６記載の方法。
【請求項１０】
基板支持体の温度プロファイルを変えることにより第１制御パラメータセットと第２制御パラメータセットとの間に差を設ける工程を更に含む請求項６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月16日(2009.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
食料または飲料製品を製造する方法であって、一食分の前記食料または飲料食品は、一日のカロリー推奨摂取量のうち一食分の割合でそれぞれの含有物、タンパク質、脂肪、飽和脂肪、炭水化物、糖、繊維、並びに一以上のビタミン及びミネラルを含み、それぞれの含有物の割合はそれぞれの１日のカロリー推奨摂取量の割合に実質的に比例し、前記製造方法は、
（ａ）乾燥バルク成分、シロップ混合物調製用乾燥成分、油、脂肪、水、糖を含む多数の成分をそれぞれ量り取り、所望の製品に応じた成分を準備するステップと、
（ｂ）前記乾燥バルク成分の温度を室温又は室温より僅かに高い温度に調節するステップと、
（ｃ）前記シロップ混合物調製用乾燥成分を予備混合し、均一化するステップと、
（ｄ）前記シロップ混合物調製用乾燥成分を前記油、脂肪、水、糖と混合し、１００℃未満の温度に加熱するステップと、
（ｅ）加熱したシロップ混合物を前記乾燥バルク成分と混ぜ、所定の濃度を有する実質的に均一な混合物を形成するために混合するステップと、
から成ることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記製造された製品は食料製品であって、前記方法は、均一な混合物を所定の大きさを有し、実質的に同量の断片に分けるステップと、直ちに各断片を包み空気中の水分の吸収を防ぐステップををさらに有することを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記製造された製品は飲料製品であって、前記方法は、前記均一な混合物を所定量の水と混合し、実質的に滑らかで均一な流動体を形成するステップと、前記流動体を所定の容積で包装容器内に分注するステップとをさらに有することを特徴とする請求項１記載の製造方法。
【請求項４】
前記ステップ（ｄ）において、前記シロップ混合物を９５℃以下の温度に加熱することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ステップ（ｅ）において、前記シロップ混合物を８０℃〜９５℃に加熱することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
一食分の前記製品は、カロリー、タンパク質、脂肪、飽和脂肪、炭水化物、糖、繊維、並びに１つまたは複数のビタミン及びミネラルの１日推奨摂取量の１０％〜３３.３％を含有することを特徴とする請求項１に記載の一食分の製品。
【請求項７】
前記単糖に対する複合糖質の比率は、１対３またはそれより大きい値であることを特徴とする請求項６に記載の一食分の製品。
【請求項８】
ネズモドキの蜜由来の甘味料を元にした蜂蜜を含有することを特徴とする請求項６に記載の一食分の製品。
【請求項９】
炭水化物、脂肪、タンパク質、繊維の１日の推奨摂取量の割合に対応するレベルのビタミンＡ、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ６、Ｂ１２、Ｃ、Ｄ、Ｅ、ナイアシンと葉酸、さらにカルシウム、ヨウ素、鉄、マグネシウム、リン、亜鉛を含有することを特徴とする請求項６に記載の一食分の製品。
【請求項１０】
小麦グルテン、乳製品ラクトース、卵、ナッツ、ゴマ、イーストを含む公知のアレルゲンを実質的に含有しないことを特徴とする請求項６に記載の一食分の製品。
【請求項１１】
低デキストロース当量のマルトデキストリンを含有することを特徴とする請求項６に記載の一食分の製品。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月14日(2009.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
多孔性金属層（４０）を備えた、骨へ移植するための人工股関節ステム（２０）であって、ステム部分（２２）と脛部分（２４）と凹部状特徴部（５２，５６，６０）及び突起状特徴部（５８）の少なくとも一方とを含むコア（３６）と、前記ステム部分を被覆し且つ前記凹部状特徴部及び前記突起状特徴部の少なくとも一方と協働するように係合するポリママトリックス層（３８）とをさらに備え、前記ポリママトリックス層が前記多孔性金属層によって被覆されていることを特徴とした人工股関節ステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記脛部分（２４）が最大直径を有したテーパ状の大腿骨骨頭取付部（２６）で終端しており、前記脛部分が前記大腿骨骨頭取付部の前記最大直径よりも小さい直径を有するような輪郭に形成されている、請求項１から請求項６の何れか一項に記載の人工股関節ステム。