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【手続補正書】
【提出日】平成23年9月1日(2011.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の表面直下の、異なる領域に配置された第１導電型のウェル領域及び複数の第２導電型のウェル領域と、
前記第１導電型ウェル領域の内部に配置された複数の第２導電型のＭＯＳトランジスタと、
前記複数の第２導電型のウェル領域の各々の内部にひとつだけ配置された第１導電型のＭＯＳトランジスタと、からなり、
前記複数の第２導電型のウェル領域の各々において、前記ウェル領域の端と、前記ウェル領域内に配置された前記第１導電型のＭＯＳトランジスタのチャネル領域との間の距離が縦方向と横方向とで同一である半導体集積回路装置。
【請求項２】
前記複数の第２導電型のウェル領域の各々におけるウェル領域の端と、前記ウェル領域内に配置された前記第１導電型のＭＯＳトランジスタのチャネル領域との間の距離が２μｍから５μｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の表面直下の、異なる領域に配置された第１導電型の第１のウェル領域及び第２導電型の第２のウェル領域と、
前記第１導電型の第１のウェル領域の内部に配置された複数の第２導電型の第３のウェル領域と、
前記第２導電型の第２のウェル領域の内部に配置された複数の第１導電型の第４のウェル領域と、
前記複数の第２導電型の第３のウェル領域に各々の内部にひとつだけ配置された第１導電型のＭＯＳトランジスタと、
前記複数の第１導電型の第４のウェル領域の各々の内部にひとつだけ配置された第２導電型のＭＯＳトランジスタと、からなり、
前記複数の第１導電型の第４のウェル領域の各々において、前記第４のウェル領域の端と前記第４のウェル領域内に配置された前記第２導電型のＭＯＳトランジスタのチャネル領域の端の距離が縦方向と横方向とで同一であり、
前記複数の第２導電型の第３のウェル領域の各々における前記第３のウェル領域の端と前記第３のウェル領域内に配置された前記第１導電型のＭＯＳトランジスタのチャネル領域の端の距離が縦方向と横方向とで同一である半導体集積回路装置。
【請求項４】
前記第１導電型の第４のウェル領域の端と前記第２導電型のＭＯＳトランジスタのチャネル領域の端の距離が２μｍから５μｍであり、且つ前記第２導電型の第３のウェル領域の端と前記第１導電型のＭＯＳトランジスタのチャネル領域の端の距離が２μｍから５μｍであることを特徴とする請求項３記載の半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月2日(2011.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
光学エンジン１０３に照射する光を生成するための光源１０１には、一般に半導体レーザダイオード（以下、単に「レーザダイオード」と称する。）が使用される。レーザダイオードの波長は、露光に使用するフォトレジスト材が感光する波長に合わせる。例えば、青紫色レーザダイオードの波長は４０５ｎｍである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
直接露光により、微細で高精度な配線パターンを高速で形成するためには、光源の光出力と照度の安定性が必要不可欠である。光源の光出力（光パワー）を制御する方法として、オートパワーコントロール（Ａｕｔｏ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ：ＡＰＣ）とオートカレントコントロール（Ａｕｔｏ  Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｃｏｎｔｒｏｌ：ＡＣＣ）との２つの制御方法がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、上記特許文献２（特開２００６−１８６２９１号公報）には、露光対象基板相当の露光面において測定された光の照度分布の計測結果を光源の照度にフィードバックさせる具体的方法については、特に示されていない。直接露光装置においては、通常、光源と、光学エンジンおよびステージで構成される本体部とは数メートル程度離れて設置される。露光対象基板が載せられるステージと光源との間に生じる上記物理的距離に対し、例えば電線による電気配線でフィードバックデータを伝送した場合、このような長い配線長に起因して寄生容量やインダクタンス成分により、伝送路のインピーダンス不整合が生じ、信号の完全性（シグナルインテグリティ）が失われ、データが正しく伝送されない。また、配線長が長い電気配線はアンテナとして働くことになり、したがって他の装置から放射される不要輻射を受信して伝送データに外来ノイズが重畳されてしまうといった電磁障害（ＥＭＩ）が発生し得る。また、直接露光装置内の各機器間は多数の電気配線で結線されるものであり、また、光学エンジン自体も複数個設けられるものであるので、配線がいっそう複雑なものとなり得る。このような多数かつ複雑な電気配線は、保守性の低下や結線ミスを誘発する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
露光対象基板２００は、Ｘ、Ｙ、Ｘおよびθ方向に移動可能なステージ１１１に載せられる。ステージ１１１は、投影パターンに連動してＸ−Ｙ方向（縦横方向）に移動する。また、Ｚ方向（高さ方向）にステージ１１１の位置を調整し、露光対象基板２００に対する投影パターンの焦点深度を最適化する。また、露光対象基板２００の姿勢補正として必要に応じてＺ軸に対して回転角度θを調整可能である。ステージ１１１の周線部には光量測定器２１が設けられるが、光量測定器２１のセンサ部分（光量測定スリット３１およびフォトダイオード３）のみステージ１１１上に設けられ、その他の部分については、ステージ１１１の他の箇所やステージ１１１以外の部分に設けてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月25日(2011.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
第１蛍光体１８は、青色ＬＥＤ１４，１６が発する青色光に励起されて発光し、青色ＬＥＤ１４，１６からの青色光と混色することで相関色温度が高い色合いの白色光にするものである。本実施例における第１蛍光体１８は、青色光により励起されて黄色系の蛍光を発するＹＡＧ等の黄色蛍光体からなる。このような青色ＬＥＤ１４，１６と第１蛍光体１８を用いた第１ＬＥＤパッケージ２は、７０００Ｋ〜６５００Ｋの昼光色の色合いの白色光を発光することになる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
第２蛍光体３８は、青色ＬＥＤ３４，３６が発する青色光に励起されて発光し、青色ＬＥＤ３４，３６からの青色光と混色することで相関色温度が低い色合いの白色光にするものである。本実施例における第２蛍光体３８は、青色光により励起されて赤色系の蛍光を発するサイアロン等の赤色蛍光体からなる。このような青色ＬＥＤ３４，３６と第２蛍光体３８を用いた第２ＬＥＤパッケージ４は、３０００Ｋ〜２６００Ｋの電球色の色合いの白色光を発光することになる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月4日(2011.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤ光源を有し、蛍光灯型照明器具又はライン照明器具に使用される照明器具であって、該照明器具の照射側に、少なくとも片面に特定の凹凸形状を有する光透過性パネルが光源に対向するように配置されており、該光透過性パネルの凹凸形状の平均波長（λａ）は１μｍ〜１００μｍであることを特徴とする照明器具。
【請求項２】
前記光透過性パネルは、凹凸形状面に垂直に光線を入射した場合の透過拡散光の拡散角度が５０°以上１１０°以下であることを特徴とする請求項１に記載の照明器具。
【請求項３】
前記凹凸形状は、高さ及びピッチが不規則であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の照明器具。
【請求項４】
ＬＥＤ光源の間隔をＰ、ＬＥＤ光源と光透過性パネルの間隔をＨとした場合のＰ／Ｈが０．１以上１０以下であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の照明器具。
【請求項５】
ＬＥＤ光源上の輝度をＡ、ＬＥＤ光源とＬＥＤ光源の間の輝度をＢとした場合のＡ／Ｂが１．２０以下であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の照明器具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
即ち、本発明の照明器具は、ＬＥＤ光源を有し、蛍光灯型照明器具又はライン照明器具に使用される照明器具であって、該照明器具の照射側に、少なくとも片面に特定の凹凸形状を有する光透過性パネルが光源に対向するように配置されており、該光透過性パネルの凹凸形状の平均波長（λａ）は１μｍ〜１００μｍであることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、上記照明器具において、前記光透過性パネルは、凹凸形状面に垂直に光線を入射した場合の透過拡散光の拡散角度が５０°以上１１０°以下であることが好ましい。
また本発明は、上記照明器具において、前記凹凸形状は、高さ及びピッチが不規則であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月20日(2011.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
協調して動作の開始と停止とを繰り返すことで部品実装基板を生産する第一ユニットおよび第二ユニットを備える生産システムの電力供給制御方法であって、
前記第一ユニットの動作状況に応じて取得される信号に従って、前記第二ユニットの動作のための電力供給を開始する電力供給開始ステップと、
前記電力供給が開始された後に前記第二ユニットが前記動作を開始する動作開始ステップと、
前記動作の終了から前記第二ユニットの次の動作の開始までの時間を示す停止時間情報を予め取得する取得ステップと、
取得された前記停止時間情報に基づいて、開始された前記動作が終了した後に前記電力供給を停止するか否かを判断する判断ステップと、
前記電力供給を停止すると判断された場合、前記電力供給を停止する電力供給停止ステップと
を含む電力供給制御方法。
【請求項２】
前記判断ステップでは、前記停止時間情報に示される時間が所定の閾値よりも長い場合、前記電力供給を停止すると判断する
請求項１記載の電力供給制御方法。
【請求項３】
前記判断ステップでは、前記停止時間情報に示される時間が、前記所定の閾値である、（ａ）前記電力供給の停止の所要時間と、（ｂ）前記電力供給の開始から前記第二ユニットが動作可能になるまでの所要時間との和よりも長い場合、前記電力供給を停止すると判断する
請求項２記載の電力供給制御方法。
【請求項４】
さらに、電力供給停止ステップにおいて前記電力供給が停止された後に、前記第一ユニットから送信される信号に従って、前記次の動作を開始すべきタイミングよりも、前記電力供給の開始から前記第二ユニットが動作可能になるまでの所要時間だけ前のタイミング以前に、前記電力供給を開始する電力供給再開ステップを含む
請求項１〜３のいずれか１項に記載の電力供給制御方法。
【請求項５】
前記第二ユニットは、それぞれが前記第二ユニットの動作の一部を担う複数のサブユニットを有し、
前記電力供給停止ステップでは、前記複数のサブユニットのうちの少なくとも一つのサブユニットへの電力供給を停止し、他の少なくとも一つのサブユニットへの電力供給を停止しない
請求項１〜４のいずれか１項に記載の電力供給制御方法。
【請求項６】
前記電力供給停止ステップでは、前記複数のサブユニットそれぞれの電力供給の停止の可否を示すサブユニット情報を参照し、前記サブユニット情報に電力供給の停止が可であることが示される前記少なくとも一つのサブユニットへの電力供給を停止し、前記サブユニット情報に電力供給の停止が不可であることが示される前記他の少なくとも一つのサブユニットへの電力供給を停止しない
請求項５記載の電力供給制御方法。
【請求項７】
互いに協調して動作の開始と停止とを繰り返すことで部品実装基板を生産する第一ユニットおよび第二ユニットを備える生産システムであって、
前記第一ユニットの動作状況に応じて取得される信号に従って、前記第二ユニットの動作のための電力供給を開始する電力供給制御部と、
前記電力供給が開始された後に前記第二ユニットに前記動作を開始させる動作制御部と、
前記動作の終了から前記第二ユニットの次の動作の開始までの時間を示す前記停止時間情報を予め取得する動作時間管理部と、
取得された前記停止時間情報に基づいて、開始された前記動作が終了した後に前記電力供給を停止するか否かを判断する判断部とを備え、
前記電力供給制御部は、前記判断部により前記電力供給を停止すると判断された場合、前記電力供給を停止する
生産システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月28日(2011.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
本発明の電磁波吸収体の吸収周波数を調整するために、前記電波吸収塗料組成物が塗布される基材の厚みを調節することが望ましい。低い周波数の電磁波を吸収させるためには、基材をより厚くするのが望ましく、高い周波数の電磁波を吸収させるには基材を薄くすればよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
＜電波吸収塗料組成物の調製法＞
〔実施番号１〜１２〕
アクリロニトリル−スチレン樹脂  ［ダイセルポリマー（株）セビアンＮ］  ５３ｇを、２−ブタノン２２４ｇ及びトルエン２２４ｇの混合溶媒に溶解させて１０．８質量％樹脂溶液を５０１ｇ調製した。この樹脂溶液に微細炭素繊維（ナノカーボンテクノロジーズ株式会社製、外径４０〜９０ｎｍ、長さ数十μｍ）を５．９１ｇ及び炭素繊維用分散剤として表１に示した化合物１を０．５９１ｇ入れ、１時間攪拌して微細炭素繊維含有樹脂液を調製した。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月28日(2011.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画素と第２の画素とを含む複数の画素が行方向及び列方向に配列された画素配列と、
第１の波長の光が前記第１の画素へ入射するように、前記第１の波長の光を選択的に透過する第１のカラーフィルタと、
第２の波長の光が前記第２の画素へ入射するように、前記第２の波長の光を選択的に透過する第２のカラーフィルタと、
前記第１のカラーフィルタ及び前記第２のカラーフィルタと前記画素配列との間に設けられ、前記複数の画素のそれぞれの開口領域を規定する遮光部と、を備え、
可視領域における全ての波長の単位波長幅あたりの光のエネルギーが等しい連続スペクトルを有する白色光が前記第１のカラーフィルタに入射したときに前記白色光のうち前記第１のカラーフィルタを透過して前記第１の画素に入射した前記第１の波長の光によって前記第１の画素で発生する電荷量は、前記白色光が前記第２のカラーフィルタに入射したときに前記白色光のうち前記第２のカラーフィルタを透過して前記第２の画素に入射した前記第２の波長の光によって前記第２の画素で発生する電荷量より多く、
前記遮光部は、前記第１の画素の開口面積が前記第２の画素の開口面積より大きくなるように、前記第１の画素及び前記第２の画素の開口領域を規定することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第１の波長は、前記第２の波長より短いことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第１の画素と前記第２の画素とは、隣接して配されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記遮光部は、複数の配線層を含み、
前記複数の画素のそれぞれの開口領域は、前記遮光部における最下の配線層により規定されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
第１の画素と第２の画素とを含む複数の画素が行方向及び列方向に配列された画素配列と、
第１の波長の光が前記第１の画素へ入射するように、前記第１の波長の光を選択的に透過する第１のカラーフィルタと、
第２の波長の光が前記第２の画素へ入射するように、前記第２の波長の光を選択的に透過する第２のカラーフィルタと、
前記第１のカラーフィルタ及び前記第２のカラーフィルタと前記画素配列との間に設けられ、前記複数の画素のそれぞれの開口領域を規定する遮光部と、を備え、
前記第１の波長は前記第２の波長よりも短く、
前記遮光部は、前記第１の画素の開口面積が前記第２の画素の開口面積より大きくなるように、前記第１の画素及び前記第２の画素の開口領域を規定することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
前記第１の画素と前記第２の画素とは、隣接して配されていることを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記遮光部は、複数の配線層を含み、
前記複数の画素のそれぞれの開口領域は、前記遮光部における最下の配線層により規定されることを特徴とする請求項５又は６に記載の撮像装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置の撮像面へ像を形成する光学系と、
前記撮像装置から出力された信号を処理して画像データを生成する信号処理部と、を備え、
前記撮像装置は、被写体を撮影する前に、基準白色物体を撮像し、
前記信号処理部は、表示用又は記録用の画像における前記基準白色物体の適正な白レベルが得られるように、前記第１の画素から出力された信号に対するゲインを前記第２の画素から出力された信号に対するゲインより小さな値に決定することを特徴とする撮像システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月14日(2011.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳する微結晶半導体層と、
前記微結晶半導体層上に重ねて設けられたバッファ層と、
前記バッファ層及び前記微結晶半導体層の側面を被覆する非晶質半導体層と、
一端部が前記バッファ層と重なり、前記非晶質半導体層上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域を形成する一対の不純物半導体層と
を有し、
前記バッファ層は非晶質半導体材料、無機絶縁材料又は有機絶縁材料からなり、
前記微結晶半導体層の上面はすべて前記バッファ層により被覆され、
前記バッファ層の膜厚が、前記非晶質半導体層の膜厚よりも厚いことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
請求項１において、
前記微結晶半導体層の電気伝導度が１×１０−５Ｓ／ｃｍ乃至５×１０−２Ｓ／ｃｍであることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
請求項２において、
前記微結晶半導体層は微結晶シリコン層であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記非晶質半導体層が非晶質シリコン層であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
請求項１において、
前記バッファ層の膜厚は、前記微結晶半導体層及び前記非晶質半導体層のそれぞれの膜厚よりも厚いことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項６】
請求項１において、
前記バッファ層の膜厚が５００ｎｍ乃至３０００ｎｍであり、前記非晶質半導体層の膜厚が５０ｎｍ以上５００ｎｍ未満であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタが画素部の各画素に設けられていることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月4日(2011.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のプロトコルを終端する装置間で所定の制御を行うために用いる制御情報を対向元の前記装置から対向先の前記装置へ通知する制御情報通知方法であって、
前記制御情報の対向元の前記装置から対向先の前記装置への通知を、前記プロトコルを構成する所定のプロトコルシーケンス中のプロトコルメッセージに設定して行うことを特徴とする制御情報通知方法。
【請求項２】
所定のプロトコルを終端する装置間でヘルスチェック用の信号を送受信して対向元の前記装置と対向先の前記装置との間のプロトコルパスを含む対向装置のヘルスチェックを行う移動体パケット通信システムのヘルスチェック方法であって、
前記ヘルスチェックをしようとする前記装置に予め設定されている前記ヘルスチェックを実施するか否かの要否情報を、前記プロトコルを構成する所定のプロトコルシーケンス中のプロトコルメッセージに対向元の前記装置で設定し、
対向元の前記装置から対向先の前記装置へ通知することを特徴とする移動体通信システムのヘルスチェック方法。
【請求項３】
前記プロトコルは、トネリングプロトコルであり、前記プロトコルパスはＩＰパスであることを特徴とする請求項２記載の移動体通信システムのヘルスチェック方法。
【請求項４】
前記装置は、トネリングプロトコルを終端する装置であることを特徴とする請求項２又は３記載の移動体通信システムのヘルスチェック方法。
【請求項５】
前記プロトコルメッセージへの要否情報の設定は、プロトコルの終端ＩＰアドレス単位で行うことを特徴とする請求項２、３又は４記載の移動体通信システムのヘルスチェック方法。
【請求項６】
所定の前記プロトコルシーケンスは、前記プロトコルの確立シーケンスであることを特徴とする請求項２、３、４又は５記載の移動体通信システムのヘルスチェック方法。
【請求項７】
所定のプロトコルを終端する装置間で所定の制御を行うために用いる制御情報を対向元の前記装置から対向先の前記装置へ通知する情報通知システムであって、
前記制御情報の対向元の前記装置から対向先の前記装置への通知を、前記プロトコルを構成する所定のプロトコルシーケンス中のプロトコルメッセージに設定する設定手段を対向元の前記装置に備えることを特徴とする情報通知システム。
【請求項８】
所定のプロトコルを終端する装置間でヘルスチェック用の信号を送受信して対向元の前記装置と対向先の前記装置との間のプロトコルパスを含む対向装置のヘルスチェックを行う移動体パケット通信システムであって、
前記ヘルスチェックをしようとする前記装置に予め設定されている前記ヘルスチェックを実施するか否かの要否情報を、前記プロトコルを構成する所定のプロトコルシーケンス中のプロトコルメッセージに設定する設定手段と、
前記要否情報が設定された前記プロトコルメッセージを対向先の前記装置へ通知する通知手段とを、対向元の前記装置に備えることを特徴とする移動体通信システム。
【請求項９】
前記プロトコルは、トネリングプロトコルであり、前記プロトコルパスはＩＰパスであることを特徴とする請求項８記載の移動体通信システム。
【請求項１０】
前記装置は、トネリングプロトコルを終端する装置であることを特徴とする請求項８又は９記載の移動体通信システム。
【請求項１１】
前記プロトコルメッセージへの要否情報の設定は、プロトコルの終端ＩＰアドレス単位で行うことを特徴とする請求項８、９又は１０記載の移動体通信システム。
【請求項１２】
所定の前記プロトコルシーケンスは、前記プロトコルの確立シーケンスであることを特徴とする請求項８、９、１０又は１１記載の移動体通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換手段をそれぞれ含む複数の画素が行方向及び列方向に配列された画素配列と、
各フレーム期間に前記画素配列から第１の画像信号を読み出す第１の読み出し手段と、
前記各フレーム期間に光信号が前記光電変換手段から出力されない状態で前記画素配列の一部から信号を読み出す第２の読み出し手段と、
前記第２の読み出し手段により読み出した信号を合成することにより、１フレーム分の第２の画像信号を生成する生成手段と、
前記第１の読み出し手段により読み出した第１の画像信号を前記生成手段により生成された前記１フレーム分の第２の画像信号を用いて補正する補正手段とを備え、
前記第２の読み出し手段は、各フレームにおいて異なる部分領域の信号を読み出す
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第２の読み出し手段は、各フレーム期間に含まれるフレームレート調整用の期間において、前記信号を読み出す
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第１の読み出し手段が、複数のフレームにおいて前記第１の画像信号を読み出して動画を得た後に前記第１の画像信号を読み出して静止画を得、
前記第２の読み出し手段は、前記部分領域から信号を間引いて読み出し、
前記生成手段は、前記第２の読み出し手段により読み出された前記信号を補間して前記１フレーム分の第２の画像信号を生成し、
前記補正手段は、前記第１の読み出し手段により得られた前記静止画を前記１フレーム分の第２の画像信号を用いて補正する
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第１の読み出し手段が複数のフレームにおいて前記第１の画像信号を間引いて取得することにより動画を得た後に前記第１の読み出し手段が前記第１の画像信号を間引かずに取得することにより静止画を得、
前記第２の読み出し手段は、前記部分領域から信号を間引かずに読み出し、
前記補正手段は、前記第１の読み出し手段により得られた前記静止画を前記１フレーム分の第２の画像信号を用いて補正する
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の撮像装置。
【請求項５】
各フレーム期間において、前記画素配列のうち前記第１の読み出し手段が読み出すべき領域と前記第２の読み出し手段が読み出すべき部分領域とを、予め決められた領域単位で連続して選択する選択手段を備え、
前記選択手段は、前記第２の読み出し手段が読み出すべき前記部分領域をフレーム期間単位で順次に選択する
ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記選択手段は、各フレーム期間において、前記第１の読み出し手段が読み出すべき領域と前記第２の読み出し手段が読み出すべき部分領域とをそれぞれ行単位で順次に選択し、第１のフレーム期間において、前記第２の読み出し手段が読み出すべき部分領域のうち最後に選択した画素位置を記憶し、前記第１のフレーム期間に続く第２のフレーム期間において、前記第１のフレーム期間において記憶した画素位置に応じて、前記次に選択すべき部分領域を選択し、選択した領域を、前記第２の読み出し手段が読み出すべき部分領域として選択する
ことを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
光電変換手段をそれぞれ含む複数の画素が行方向及び列方向に配列された画素配列を有する撮像装置の制御方法であって、
各フレーム期間に前記画素配列から第１の画像信号を読み出す第１の読み出しステップと、
前記各フレーム期間に光信号が前記光電変換手段から出力されない状態で前記画素配列の一部から信号を読み出す第２の読み出しステップと、
前記第２の読み出しステップで読み出した信号を合成することにより、１フレーム分の第２の画像信号を生成する生成ステップと、
前記第１の読み出しステップで読み出した前記第１の画像信号を前記生成ステップで生成された前記１フレーム分の第２の画像信号を用いて補正する補正ステップとを備え、
前記第２の読み出しステップでは、各フレームにおいて異なる部分領域の信号を読み出す
ことを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このような課題を解決するために、本発明の技術的特徴として、光電変換手段をそれぞれ含む複数の画素が行方向及び列方向に配列された画素配列と、各フレーム期間に前記画素配列から第１の画像信号を読み出す第１の読み出し手段と、前記各フレーム期間に光信号が前記光電変換手段から出力されない状態で前記画素配列の一部から信号を読み出す第２の読み出し手段と、前記第２の読み出し手段により読み出した信号を合成することにより、１フレーム分の第２の画像信号を生成する生成手段と、前記第１の読み出し手段により読み出した第１の画像信号を前記生成手段により生成された前記１フレーム分の第２の画像信号を用いて補正する補正手段とを備え、前記第２の読み出し手段は、各フレームにおいて異なる部分領域の信号を読み出すことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、他の技術的特徴として、光電変換手段をそれぞれ含む複数の画素が行方向及び列方向に配列された画素配列を有する撮像装置の制御方法が、各フレーム期間に前記画素配列から第１の画像信号を読み出す第１の読み出しステップと、前記各フレーム期間に光信号が前記光電変換手段から出力されない状態で前記画素配列の一部から信号を読み出す第２の読み出しステップと、前記第２の読み出しステップで読み出した信号を合成することにより、１フレーム分の第２の画像信号を生成する生成ステップと、前記第１の読み出しステップで読み出した前記第１の画像信号を前記生成ステップで生成された前記１フレーム分の第２の画像信号を用いて補正する補正ステップとを備え、前記第２の読み出しステップでは、各フレームにおいて異なる部分領域の信号を読み出すことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月2日(2011.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容するポッド容器と、前記ポッド容器の底板となって前記基板を載置するポッドプレートとから成るポッドを搭載し、前記ポッドプレート及び前記基板を昇降させて前記ポッド容器と前記ポッドプレートとを開閉するポッド開閉装置において、
前記ポッド容器が搭載されるポートベースと、
前記ポッドプレートが搭載されるポートドアと、
前記ポートドアを昇降させる昇降機構と、を備え、
前記昇降機構が、前記ポートドア及び前記基板が昇降される基板開放空間から隔離された遮蔽空間内に収容され、
前記遮蔽空間に、前記遮蔽空間内の気体を前記遮蔽空間外へ排出する第１の整流ファンを備えたことを特徴とするポッド開閉装置。
【請求項２】
前記遮蔽空間が、前記ポッド開閉装置の側面に設けられ、
前記基板開放空間と前記遮蔽空間とを隔てる遮蔽プレートに設けられた長穴開口を介して前記昇降機構が前記ポートドアを昇降させることを特徴とする請求項１記載のポッド開閉装置。
【請求項３】
前記ポートドアは、前記長穴開口に挿通された昇降アームに接続され、前記昇降アームは前記遮蔽空間内で昇降する昇降ベースに接続されて昇降することを特徴とする請求項２記載のポッド開閉装置。
【請求項４】
前記遮蔽空間内に、一端が前記昇降アームの上端に固定され、他端が前記昇降アームの下端に固定され、前記長穴開口を塞ぐように回転自在に張られたシールベルトを備えたことを特徴とする請求項３記載のポッド開閉装置。
【請求項５】
前記昇降機構は、前記遮蔽プレートに配設されたボールネジと、前記ボールネジに並設されたリニアガイドと、前記ボールネジを回転駆動するモータと、を備え、
前記ボールネジのボールネジナットと前記リニアガイドのスライダとに前記昇降ベースが固定されて前記昇降アームを昇降させることを特徴とする請求項３または４記載のポッド開閉装置。
【請求項６】
前記遮蔽空間は、その下面に前記第１の整流ファンを備え、前記昇降機構から発生する粉塵を前記遮蔽空間の外部へ誘導することを特徴とする請求項２乃至５いずれかに記載のポッド開閉装置。
【請求項７】
前記遮蔽空間は、その下面に前記第１の整流ファンを備え、前記昇降機構から発生する粉塵を前記遮蔽空間の外部へ誘導するとともに、さらに前記昇降ベースに第２の整流ファンを備えたことを特徴とする請求項５または６記載のポッド開閉装置。
【請求項８】
ファンフィルタによって清浄な雰囲気が保たれる搬送空間と、前記搬送空間に設置された搬送装置と、を少なくとも備え、前記搬送装置によって搬送された基板を使って所定の作業をなす半導体製造装置において、
請求項１記載のポッド開閉装置を前記搬送空間内に備え、
前記ポッド開閉装置が、
前記ポートベースの一部及び前記ポートドアが前記搬送空間から前記半導体製造装置の外部環境に露出するよう配置され、
前記基板開放空間が前記搬送空間と連通するように配置され、
前記第１の整流ファンが前記外部環境に向かって前記遮蔽空間内の気体を排出するよう配置されたことを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記問題を解決するため、本発明は、次のように構成したのである。
請求項１記載の発明は、基板を収容するポッド容器と、前記ポッド容器の底板となって前記基板を載置するポッドプレートとから成るポッドを搭載し、前記ポッドプレート及び前記基板を昇降させて前記ポッド容器と前記ポッドプレートとを開閉するポッド開閉装置において、前記ポッド容器が搭載されるポートベースと、前記ポッドプレートが搭載されるポートドアと、前記ポートドアを昇降させる昇降機構と、を備え、前記昇降機構が、前記ポートドア及び前記基板が昇降される基板開放空間から隔離された遮蔽空間内に収容され、前記遮蔽空間に、前記遮蔽空間内の気体を前記遮蔽空間外へ排出する第１の整流ファンを備えたことを特徴とするポッド開閉装置とするものである。
請求項２記載の発明は、前記遮蔽空間が、前記ポッド開閉装置の側面に設けられ、前記基板開放空間と前記遮蔽空間とを隔てる遮蔽プレートに設けられた長穴開口を介して前記昇降機構が前記ポートドアを昇降させることを特徴とする請求項１記載のポッド開閉装置とするものである。
請求項３記載の発明は、前記ポートドアは、前記長穴開口に挿通された昇降アームに接続され、前記昇降アームは前記遮蔽空間内で昇降する昇降ベースに接続されて昇降することを特徴とする請求項２記載のポッド開閉装置とするものである。
請求項４記載の発明は、前記遮蔽空間内に、一端が前記昇降アームの上端に固定され、他端が前記昇降アームの下端に固定され、前記長穴開口を塞ぐように回転自在に張られたシールベルトを備えたことを特徴とする請求項３記載のポッド開閉装置とするものである。
請求項５記載の発明は、前記昇降機構は、前記遮蔽プレートに配設されたボールネジと、前記ボールネジに並設されたリニアガイドと、前記ボールネジを回転駆動するモータと、を備え、前記ボールネジのボールネジナットと前記リニアガイドのスライダとに前記昇降ベースが固定されて前記昇降アームを昇降させることを特徴とする請求項３または４記載のポッド開閉装置とするものである。
請求項６記載の発明は、前記遮蔽空間は、その下面に前記第１の整流ファンを備え、前記昇降機構から発生する粉塵を前記遮蔽空間の外部へ誘導することを特徴とする請求項２乃至５いずれかに記載のポッド開閉装置とするものである。
請求項７記載の発明は、前記遮蔽空間は、その下面に前記第１の整流ファンを備え、前記昇降機構から発生する粉塵を前記遮蔽空間の外部へ誘導するとともに、さらに前記昇降ベースに第２の整流ファンを備えたことを特徴とする請求項５または６記載のポッド開閉装置とするものである。
請求項８記載の発明は、ファンフィルタによって清浄な雰囲気が保たれる搬送空間と、前記搬送空間に設置された搬送装置と、を少なくとも備え、前記搬送装置によって搬送された基板を使って所定の作業をなす半導体製造装置において、請求項１記載のポッド開閉装置を前記搬送空間内に備え、前記ポッド開閉装置が、前記ポートベースの一部及び前記ポートドアが前記搬送空間から前記半導体製造装置の外部環境に露出するよう配置され、
前記基板開放空間が前記搬送空間と連通するように配置され、前記第１の整流ファンが前記外部環境に向かって前記遮蔽空間内の気体を排出するよう配置されたことを特徴とする半導体製造装置とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月2日(2011.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１の面に複数の半導体集積回路部を形成し、
前記基板の厚さを薄くし、
前記複数の半導体集積回路部と固定基板の第１の面とを接着剤で固着し、
前記厚さを薄くした基板を前記複数の半導体集積回路部同士の間において切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記基板は、透光性基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板の第１の面に複数の半導体集積回路部を形成し、
前記基板の厚さを薄くし、
前記厚さを薄くした基板の第２の面に、有彩色の透光性樹脂層を形成し、
前記複数の半導体集積回路部と固定基板の第１の面とを接着剤で固着し、
前記厚さを薄くした基板と、前記有彩色の透光性樹脂層と、を前記複数の半導体集積回路部同士の間において切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記有彩色の透光性樹脂層と、前記厚さを薄くした基板の切断面と、前記半導体集積回路部の側面と、前記固定基板の第１の面と、を覆って透光性材料を用いた樹脂層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１又は２において、
前記厚さを薄くした基板の第２の面と、前記厚さを薄くした基板の切断面と、前記半導体集積回路部の側面と、前記固定基板の第１の面と、を覆って樹脂層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記樹脂層は２層であり、一方の樹脂層が有彩色の透光性樹脂層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項５において、
前記樹脂層は、透光性材料を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項５又は７において、
前記樹脂層を有彩色の透光性樹脂層とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項４乃至８のいずれか一項において、
前記樹脂層を前記複数の半導体集積回路部同士の間において切断し、
前記接着剤を除去して前記固定基板より前記半導体集積回路部を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記接着剤は、有機溶剤を用いた洗浄によって除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項４乃至１０のいずれか一項において、
前記樹脂層は、ダイサーを用いて切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、
前記厚さを薄くした基板は、ダイサーを用いて切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月3日(2011.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＺ法により育成されたシリコン単結晶から製造されて固体撮像素子のデバイス製造に供されるシリコン基板の製造方法であって、
素子特性として白傷欠陥の発生密度の上下限値とされる白傷条件を設定し、
前記シリコン基板におけるゲッタリング能、前記シリコン基板中に存在するＢＭＤ密度、ＢＭＤサイズをデバイス製造工程の熱処理条件を加味して設定し、
これらの条件から、引き上げ時のシリコン単結晶中における初期酸素濃度、初期炭素濃度、抵抗率、引き上げ処理条件を演算して、引き上げ工程におけるシリコン単結晶中初期酸素濃度、炭素濃度、抵抗率、引き上げ温度条件からなる引き上げ処理条件を決定し、
この決定された引き上げ条件により引き上げられたシリコン単結晶からスライスしたシリコン基板に形成した評価デバイスにおける白傷欠陥の発生密度を測定し、
該測定結果を前記白傷条件と比較して、この値が白傷条件を満たしていない場合には再度ＩＧ条件を設定するとともに、
この値が白傷条件を満たしている場合には前記引き上げ処理条件に基づいて、製造する固体撮像素子に供するシリコン基板における初期酸素濃度、炭素濃度、抵抗率、引き上げ条件に起因するシリコン基板の内部状態を決定することを特徴とするシリコン基板の製造方法。
【請求項２】
ＣＺ法により育成されたシリコン単結晶から製造されて固体撮像素子のデバイス製造に供されるシリコン基板の製造方法であって、
該シリコン基板が、ＣＺ法により前記シリコン単結晶を引き上げる際に炭素をドープし、スライスされた後に表面にエピタキシャル層を成膜し、その表面にデバイス部分が形成されるものとされ、
素子特性としての許容範囲である白傷欠陥の発生密度の上下限値とされる白傷条件を設定するＷＳ条件設定工程と、
前記デバイス部分を形成するデバイス工程における熱処理条件を設定するデバイス熱処理条件設定工程と、
前記エピタキシャル層の成膜条件を設定するエピ条件設定工程と、
前記シリコン基板におけるゲッタリング能、前記シリコン基板中に存在するＢＭＤ密度、ＢＭＤサイズを設定するＩＧ条件設定工程と、
前記ＷＳ条件設定工程、前記デバイス熱処理条件設定工程、前記エピ条件設定工程、および、前記ＩＧ条件設定工程で設定された各条件から、引き上げ時のシリコン単結晶中における初期酸素濃度、炭素濃度、抵抗率、引き上げ温度条件からなる引き上げ処理条件を演算する演算工程と、
前記演算工程によって導出された値から、次のフィッティングパラメータ決定用単結晶引き上げ工程における引き上げ処理条件を決定するパラメータ決定工程と、
前記パラメータ決定工程で決定された引き上げ条件によって、ＣＺ法によりシリコン単結晶を引き上げるフィッティングパラメータ決定用単結晶引き上げ工程と、
前記フィッティングパラメータ決定用単結晶引き上げ工程で引き上げられたシリコン単結晶からスライスしたシリコン基板に、固体撮像素子としての白傷欠陥によるデバイス性能評価用の回路を製造する評価デバイス製造工程と、
前記評価デバイス製造工程で製造された評価デバイスにおける白傷欠陥の発生密度を測定するＷＳ性能測定工程と、
前記ＷＳ性能測定工程の測定結果を前記ＷＳ条件設定工程において設定された白傷条件と比較して、白傷条件を満たしていない場合には再度デバイス熱処理条件設定工程に戻るとともに、白傷条件を満たしている場合には条件決定工程に進む判断をする判定工程と、
パラメータ決定工程の条件に基づいて、製造する固体撮像素子に供するシリコン基板における初期酸素濃度、炭素濃度、抵抗率、引き上げ処理条件に起因するシリコン基板の内部状態を決定する条件決定工程と、
を有することを特徴とする請求項１記載のシリコン基板の製造方法。
【請求項３】
前記炭素濃度が１．０×１０１６〜１．６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、前記初期酸素濃度が１．４×１０１８〜１．６×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、前記抵抗率０．１〜１００Ωｃｍとされることを特徴とする請求項２記載のシリコン基板の製造方法。
【請求項４】
イントリンシックゲッタリングシンクとなる前記ＢＭＤサイズが１０〜１００ｎｍ、前記ＢＭＤ密度が１．０×１０６〜１．０×１０11個／ｃｍ３とされることを特徴とする請求項２記載のシリコン基板の製造方法。
【請求項５】
前記引き上げ処理条件の演算が、Ｆｏｋｋｅｒ  Ｐｌａｎｋ拡散方程式によることを特徴とする請求項２記載のシリコン基板の製造方法。
【請求項６】
前記デバイス熱処理条件設定工程における熱処理として、デバイス製造工程前におこなわれるプレアニールを含むことを特徴とする請求項２記載のシリコン基板の製造方法。
【請求項７】
前記プレアニールが、温度６００℃〜８００℃、処理時間０．２５時間〜３時間、酸素と、アルゴンまたは窒素等の不活性ガスとの混合雰囲気中とされることを特徴とする請求項６記載のシリコン基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか記載の製造方法によって製造されることを特徴とする固体撮像素子のシリコン基板。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月17日(2011.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリードを有するリードフレームを準備する工程；
（ｂ）上面、前記上面に形成され、かつ、平面形状が長方形からなる複数の第１ボンディングリード、前記上面に形成され、かつ、平面形状が長方形からなる複数の第２ボンディングリード、および前記上面とは反対側の下面を有する配線基板を、前記配線基板の前記下面が前記ダイパッドと対向するように、前記ダイパッドの表面に搭載する工程；
（ｃ）主面、前記主面に形成された複数のパッド、および前記主面とは反対側の裏面を有する半導体チップを、前記半導体チップの前記裏面が前記配線基板の前記上面と対向し、かつ、前記配線基板の前記複数のボンディングリードが露出するように、前記配線基板の前記上面に搭載する工程；
（ｄ）前記複数のパッドと前記複数の第１ボンディングリードとを、複数の第１ワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程；
（ｅ）前記複数の第２ボンディングリードと前記複数のリードとを、複数の第２ワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程；
（ｆ）前記半導体チップ、前記配線基板、前記複数の第１ワイヤ、および前記複数の第２ワイヤを樹脂で封止する工程；
ここで、
平面視において、前記複数の第２ボンディングリードのそれぞれと前記半導体チップとの間隔は、前記複数の第１ボンディングリードのそれぞれと前記半導体チップとの間隔よりも小さく、
前記複数の第１ボンディングリードのそれぞれは、平面視において、前記複数の第１ボンディングリードのそれぞれの短辺が前記半導体チップと対向するように、前記配線基板の前記上面に形成されており、
前記複数の第２ボンディングリードのそれぞれは、平面視において、前記複数の第２ボンディングリードのそれぞれの長辺が前記半導体チップと対向するように、前記配線基板の前記上面に形成されており、
前記（ｄ）工程では、前記第１ワイヤの一部に形成した第１ボールを前記パッドに接続した後、前記第１ワイヤの他部を滑走させることで前記第１ボンディングリードに接続しており、
前記（ｅ）工程では、前記第２ワイヤの一部に形成した第２ボールを前記第２ボンディングリードに接続した後、前記第２ワイヤの他部を滑走させることで前記リードに接続している。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｄ）工程および前記（ｅ）工程では、キャピラリを用いて前記複数の第１ワイヤおよび前記複数の第２ワイヤのそれぞれを接続していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法であって、
前記複数の第２ボンディングリードのそれぞれの長辺の長さは、前記複数の第１ボンディングリードのそれぞれの長辺の長さよりも短いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ａ）工程において準備する前記配線基板の前記上面に形成された前記複数の第１ボンディングリードおよび前記複数の第２ボンディングリードのそれぞれの表面には、めっき膜が形成されており、
前記複数の第１ボンディングリードのそれぞれの表面に形成された前記めっき膜の厚さと、前記複数の第２ボンディングリードのそれぞれの表面に形成された前記めっき膜の厚さは、ほぼ均一であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月15日(2011.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンド基板の一表面上に第１の絶縁層を形成し、
前記ボンド基板の一表面からイオンを照射して第１の損傷領域を形成し、
第１のベース基板と前記第１の絶縁層の表面とを接触させて、前記第１のベース基板と前記ボンド基板を貼り合わせ、
第１の加熱処理を施すことにより、前記第１の損傷領域において前記ボンド基板を分離して前記第１のベース基板上に第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層の表面を平坦化し、
前記第１の半導体層の一表面上に第２の絶縁層を形成し、
前記第１の半導体層の一表面からイオンを照射して第２の損傷領域を形成し、
第２のベース基板と前記第２の絶縁層の表面とを接触させて、前記第２のベース基板と前記第１の半導体層を貼り合わせ、
第２の加熱処理を施すことにより、前記第２の損傷領域において前記第１の半導体層を分離して前記第１のベース基板上に第２の半導体層を形成し、前記第２のベース基板上に第３の半導体層を形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記分離されたボンド基板の表面を平坦化することで、前記ボンド基板を再利用することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記ボンド基板の一表面から照射されるイオンは、Ｈ＋を主成分として含むことを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の半導体層の一表面から照射されるイオンは、Ｈ３＋を主成分として含むことを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の半導体層の表面の平坦化、又は前記分離されたボンド基板の表面の平坦化は、エッチング処理、レーザ光の照射処理、加熱処理、及び研磨処理のいずれかを用いて行われることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第２の半導体層の表面を平坦化することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第３の半導体層の表面を平坦化することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記第２の半導体層の表面の平坦化、又は前記第３の半導体層の表面の平坦化は、エッチング処理、レーザ光の照射処理、加熱処理、及び研磨処理のいずれかを用いて行われることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記第２の半導体層又は前記第３の半導体層を用いて複数の半導体基板を作製することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記イオンはイオン注入装置又はイオンドーピング装置を用いて照射されることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月31日(2011.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定地域に共通の中央セグメントの地上デジタル放送電波を送信する第1の送信機と、前記所定地域の部分に周辺セグメントの地上デジタル放送電波を送信する電波を送信する他の送信機とを備える放送システムであって、中央セグメント及び中央セグメントに隣接する周辺セグメントの送信点配置、送信電界、再送信電界、周波数チャンネル間隔、送信アンテナ高さ、送信アンテナ指向性、送信位相同期、周波数セグメント間隔、送信電界伝搬性の少なくとも一つを制御する、地上デジタル放送電波の前記所定地域の地上付近での中央セグメントの受信電界から上記周辺セグメントの送信電界を離す手段を有することを特徴とする放送システム。
【請求項２】
所定地域に共通の中央セグメントの地上デジタル放送電波を送信する第1の送信機と送信アンテナと前記所定地域の部分に周辺セグメントの地上デジタル放送電波を送信する電波を送信する他の送信機と送信アンテナとを備える放送システムであって、少なくとも隣接する周辺セグメントの地上デジタル放送電波の送信アンテナは、送信対象エリア半径の１／Ｎ以上の地上高に送信アンテナを設置し、中央セグメントの送信電力は周辺セグメントの送信電力よりＮの二乗以上強いことを特徴とする放送システム。
【請求項３】
所定地域に共通の中央セグメントの地上デジタル放送電波を送信する第1の送信機と送信アンテナと、前記所定地域の部分の複数の送信アンテナと該送信アンテナに周辺セグメントの地上デジタル放送の電波を供給する他の送信機とを備えることを特徴とする放送システム。
【請求項４】
所定地域に共通の中央セグメントの地上デジタル放送電波を送信する第1の送信機と送信アンテナと、前記所定地域の部分の少なくとも垂直方向に狭指向性の送信アンテナと該送信アンテナに周辺セグメントの地上デジタル放送の電波を供給する他の送信機とを備えることを特徴とする放送システム。
【請求項５】
所定地域に共通の中央セグメントの地上デジタル放送電波を送信する第1の送信機と第1の送信アンテナと、前記所定地域の部分の送信アンテナと該送信アンテナに第1の送信アンテナとの距離に反半比例する電界強度の周辺セグメントの地上デジタル放送の電波を供給する他の送信機とを備えることを特徴とする放送システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月13日(2011.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記不正経路データベースは、前記不正経路監視装置に対して当該経路が前記
不正経路か否かの問合せを行った結果を前記情報として蓄積することを特徴とす
る請求項５記載の通信システム。