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【手続補正書】
【提出日】平成23年1月31日(2011.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオ信号をサンプリングする回路と、
互いに異なる電源電圧が供給される複数の配線と、
前記複数の配線の選択を順次切り替えることにより、サンプリングされた前記ビデオ信号の電圧を段階的に変化させて信号線に供給する回路と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
ビデオ信号をサンプリングする回路と、
第１の電源電圧が供給される第１の配線と、第２の電源電圧が供給される第２の配線と、を少なくとも含む複数の配線と、
前記複数の配線の選択を順次切り替えることにより、サンプリングされた前記ビデオ信号の電圧を段階的に変化させて信号線に供給する回路と、を有し、
前記第１の電源電圧と前記第２の電源電圧とは、互いに極性が反転していることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
トランジスタを有する画素を有し、
前記信号線は、前記トランジスタと電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記信号線に供給された前記ビデオ信号の電圧は、前記トランジスタのソースまたはドレインに供給されることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１又は請求項２において、
トランジスタ及び液晶セルを有する画素を有し、
前記信号線に供給された前記ビデオ信号の電圧は、前記トランジスタを介して前記液晶セルに供給されることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記信号線に供給された電圧の波形は、階段状であることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記信号線に供給された電圧の波形は、放物形状の鈍りを有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
第１の期間において、信号線に供給する第１の電圧を段階的に高くし、
第２の期間において、前記信号線に供給する第２の電圧を段階的に低くし、
前記第１の電圧と前記第２の電圧とは、互いに極性が反転しており、
前記信号線に供給された前記第１の電圧及び前記第２の電圧は、画素が有するトランジスタに供給されることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記信号線に供給された前記第１の電圧又は前記第２の電圧の波形は、階段状であることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１０】
請求項８において、
前記信号線に供給された前記第１の電圧又は前記第２の電圧の波形は、放物形状の鈍りを有することを特徴とする表示装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月8日(2011.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラビング処理が施された一対の基板の一方に、開口部を有する枠状のシールパターンを形成し、
前記シールパターンの枠内に、前記ラビング処理の方向と平行な方向に、スメクティック液晶の液滴を複数回滴下し、
前記一対の基板を、前記液滴を挟持するように、前記シールパターンを介して貼り合わせることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項２】
ラビング処理が施された一対の基板の一方に、開口部を有する枠状のシールパターンを形成し、
前記シールパターンの枠内に、前記ラビング処理の方向と平行な方向に、スメクティック液晶の液滴を複数回、前記液滴同士が一部重なりあうように滴下し、
前記一対の基板を、前記液滴を挟持するように、前記シールパターンを介して貼り合わせることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記シールパターンの形状は長方形であり、
前記開口部は、前記ラビング処理の方向に対して直交する辺に設けられていることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記シールパターンの形状は長方形であり、
前記開口部は、前記長方形の４箇所の頂点に設けられていることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記スメクティック液晶は強誘電性液晶、または反強誘電性液晶であることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記スメクティック液晶には紫外線硬化樹脂が添加されていることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記液滴を複数同時に滴下することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記一対の基板は減圧下で貼り合わせることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記スメクティック液晶を加熱しながら滴下することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記一対の基板を貼り合わせた後、加熱処理を行うことを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月15日(2011.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一定の電位が印加される第１の電極と、
前記第１の電極と近接して設けられた第２の電極と、
前記第１の電極上に圧電材料で形成されたスペーサ層を介して設けられ、且つ前記第２の電極と空隙をもって架設された第３の電極とを有し、
前記第３の電極に前記第１の電極と異なる電位又は概略同一の電位を印加して、前記スペーサ層を伸縮させることにより、前記第２の電極と前記第３の電極との接触状態及び非接触状態を選択可能とすることを特徴とするスイッチ素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記第３の電極に前記第１の電極と異なる電位を印加することにより、前記第２の電極と前記第３の電極を接触状態とし、
前記第３の電極に前記第１の電極と概略同一の電位を印加することにより、前記第２の電極と前記第３の電極を非接触状態とすることを特徴とするスイッチ素子。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記圧電材料は、水晶（ＳｉＯ2）でなる膜、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）膜、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）膜、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）膜、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3）膜、メタニオブ酸鉛（ＰｂＮｂ2Ｏ6）膜、又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜のいずれか一を有することを特徴とするスイッチ素子。
【請求項４】
一定の電位が印加される第１の電極と、
前記第１の電極と近接して設けられた第２の電極と、
前記第１の電極上に圧電材料で形成されたスペーサ層を介して設けられ、且つ前記第２の電極と空隙をもって架設された第３の電極と、
前記第２の電極と電気的に接続された画素電極とを有し、
前記第３の電極に前記第１の電極と異なる電位又は概略同一の電位を印加して、前記スペーサ層を伸縮させることにより、前記第２の電極と前記第３の電極との接触状態及び非接触状態を選択可能とすることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第３の電極に前記第１の電極と異なる電位を印加することにより、前記第２の電極と前記第３の電極を接触状態とし、
前記第３の電極に前記第１の電極と概略同一の電位を印加することにより、前記第２の電極と前記第３の電極を非接触状態とすることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記圧電材料は、水晶（ＳｉＯ2）でなる膜、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）膜、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）膜、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）膜、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3）膜、メタニオブ酸鉛（ＰｂＮｂ2Ｏ6）膜、又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜のいずれか一を有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
基板上に第１の導電膜と第２の導電膜とを形成し、
前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とを覆ってスペーサ層を形成し、
前記スペーサ層に選択的に開口部を形成して少なくとも前記第２の導電膜の一部を露出させ、
前記スペーサ層上の一部と露出した前記第２の導電膜上とに犠牲層を形成し、
前記犠牲層を覆って第３の導電膜を形成し、
前記犠牲層を除去し、前記開口部において前記第２の導電膜と前記第３の導電膜との間に空隙を形成することを特徴とするスイッチ素子の作製方法。
【請求項８】
基板上に第１の導電膜と第２の導電膜とを形成し、
前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とを覆ってスペーサ層を形成し、
前記スペーサ層に選択的に開口部を形成して少なくとも前記第２の導電膜の一部を露出させ、
前記開口部に導電体を形成し、
前記スペーサ層と前記導電体とを覆って第３の導電膜を形成し、
熱処理により前記導電体を凝集させ前記導電体と前記第３の導電膜との間に空隙を形成することを特徴とするスイッチ素子の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記導電体として、銀（Ａｇ）のナノ粒子を用いることを特徴とするスイッチ素子の作製方法。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一項において、
前記スペーサ層として、圧電材料を用いることを特徴とするスイッチ素子の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記圧電材料として、水晶（ＳｉＯ2）でなる膜、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）膜、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）膜、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）膜、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3）膜、メタニオブ酸鉛（ＰｂＮｂ2Ｏ6）膜、又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜を用いることを特徴とするスイッチ素子の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月29日(2011.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素領域が定義された第１基板と、
前記第１基板の上部に形成されたゲートラインと、
前記ゲートラインを覆う第１層間絶縁膜と、
前記第１層間絶縁膜上部に形成され、前記画素領域を横切る第１データラインと、
前記第１層間絶縁膜上部に形成され、前記ゲートラインと共に前記画素領域を定義する第２データラインと、
前記第１データラインを介して電圧が印加される共通電極と、
前記第１及び第２データラインを覆う第２層間絶縁膜と、
前記第２層間絶縁膜の上部に形成され、前記第２データラインを介して電圧が印加される画素電極と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１基板の上部に、前記ゲートラインから離隔して形成され、前記第１データラインの端部と電気的に連結されて、前記第１データラインに電圧を印加する補助ラインをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１データラインは、前記第１層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通して前記補助ラインと電気的に連結されたことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記画素電極は、複数の切開部を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１データラインは、前記画素領域を第１及び第２サブ領域に区分し、前記複数の切開部は、前記第１及び第２サブ領域でそれぞれ相違する方向に形成された第１及び第２切開部を含むことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１データラインは前記画素領域を二等分し、前記第１及び第２切開部は、前記第１データラインに対して対称になることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１及び第２データラインは、遮光性を有する同一材質からなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記共通電極は、前記第１層間絶縁膜の下部に形成され、前記第１層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通して前記第１データラインと電気的に連結されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記共通電極は、前記第１層間絶縁膜の上部に形成され、前記第１データラインと連結されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１基板上部に形成され、前記ゲートラインから分岐するゲート電極と、
前記ゲート電極と平面上で部分的にオーバーラップし、前記第２データラインから分岐するソース電極と、
前記ゲート電極を介して前記ソース電極から離隔し、前記画素電極に電気的に連結されるドレイン電極と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月23日(2011.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、間隔をあけて複数形成された線状の金属層（以下、線状金属層とする）を含み、かつヘイズが５％以上である反射型偏光板。
【請求項２】
全光線透過率が２５％以上である請求項１に記載の反射型偏光板。
【請求項３】
前記基材が光拡散性を有する請求項１または２に記載の反射型偏光板。
【請求項４】
前記基材の全光線透過率が５０％以上であり、ヘイズが５％以上である請求項１〜３のいずれかに記載の反射型偏光板。
【請求項５】
前記基材が、マトリックスと該マトリックスとは屈折率の異なる粒子を含む層を有する請求項１〜４のいずれかに記載の反射型偏光板。
【請求項６】
前記基材が、線状金属層の形成された面とは反対側の面に凹凸形状を有する請求項１〜５のいずれかに記載の反射型偏光板。
【請求項７】
前記線状金属層が、ピッチｐ２＝５０〜４００ｎｍ、幅ｗ２１＝２０〜３８０ｎｍ、高さｈ２＝１０〜４００ｎｍである請求項１〜６のいずれかに記載の反射型偏光板。
【請求項８】
前記線状金属層の膜厚ｈ２と幅ｗ２１の比ｈ２／ｗ２１が０．５以上である請求項１〜７のいずれかに記載の反射型偏光板。
【請求項９】
前記基材の少なくとも片側の表面に平行な線状の凹凸構造（以下、線状凹凸構造とする）を有し、かつ線状凹凸構造上に前記線状金属層が形成されている請求項１〜８のいずれかに記載の反射型偏光板。
【請求項１０】
面光源と液晶セルとからなる液晶表示装置であって、液晶セルは、少なくとも液晶層と、該液晶層を挟むように配置された偏光板（Ａ）と偏光板（Ｂ）とを有し、面光源は、最上部に請求項１〜９のいずれかに記載の反射型偏光板が配置され、かつ液晶セルを構成する面光源側の偏光板（Ｂ）を透過する偏光の偏光軸の方向と、該反射型偏光板を透過する偏光の偏光軸の方向とが合致している液晶表示装置。
【請求項１１】
前記反射型偏光板は、下記（ｉ）の条件を満たすように設置されている請求項１０に記載の液晶表示装置。
（ｉ）前記基材が光拡散性を有する場合において、前記線状金属層が液晶セルに対向して
いる。
【請求項１２】
面光源と液晶セルとからなる液晶表示装置であって、液晶セルは、少なくとも液晶層と、該液晶層を挟むように配置された偏光板（Ａ）と偏光板（Ｂ）とを有し、面光源側の偏光板（Ｂ）が請求項１〜９のいずれかに記載の反射型偏光板であり、かつ該反射型偏光板が下記（ｉ）の条件を満たすように設置されている液晶表示装置。
（ｉ）該基材が光拡散性を有する場合において、基材が面光源に対向している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の液晶表示装置は、面光源と液晶セルとからなる液晶表示装置であって、液晶セルは、液晶層と、該液晶層を挟むように配置された偏光板（Ａ）と偏光板（Ｂ）とを有し、面光源は、最上部に本発明の反射型偏光板が配置され、かつ液晶セルを構成する面光源側の偏光板（Ｂ）を透過する偏光の偏光軸の方向と、該反射型偏光板を透過する偏光の偏光軸の方向とが合致していることを特徴とするものである。
また、本発明の液晶表示装置は、面光源と液晶セルとからなる液晶表示装置であって、液晶セルは、少なくとも液晶層と、該液晶層を挟むように配置された偏光板（Ａ）と偏光板（Ｂ）とを有し、面光源側の偏光板（Ｂ）が本発明の反射型偏光板であり、かつ反射型偏光板が下記（ｉ）の条件を満たすように設置されているものである。
（ｉ）反射型偏光板の基材が光拡散性を有する場合において、基材が面光源に対向している。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月27日(2011.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に順に、第１電極と、有機層と、第２電極と、を含む有機発光素子を形成し、前記第２電極の上に第１封止層を形成する工程と、
前記第１電極と第２電極との短絡部位において、少なくとも前記第１封止層と前記第２電極とをレーザーを照射することにより除去する工程と、
第２封止層を前記除去された部位に形成する工程と、を有することを特徴とする有機発光装置の製造方法。
【請求項２】
絶縁部材を前記除去された部位に充填する工程を有し、
前記第２封止層を形成する工程は、前記絶縁部材の上に形成する工程であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２電極及び前記第１封止層は、光透過部材であり、
前記除去する工程は、前記第１封止層側から行うことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２封止層を形成する工程は、局所ＣＶＤ法により行うことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁部材を充填する工程は、インクジェット法により行うことを特徴とする請求項２に記載の有機発光装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ディスプレイ、あるいは光源、照明等に用いられる有機発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）を有する有機発光装置の製造方法に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
そのために本発明の有機発光装置の製造方法は、
基板の上に順に、第１電極と、有機層と、第２電極と、を含む有機発光素子を形成し、前記第２電極の上に第１封止層を形成する工程と、
前記第１電極と第２電極との短絡部位において、少なくとも前記第１封止層と前記第２電極とをレーザーを照射することにより除去する工程と、
第２封止層を前記除去された部位に形成する工程と、
を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月24日(2011.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
選択的結合性物質が結合した担体を収容するカラム状の反応室と前記反応室に連通した試薬・検体リザーバを有するチップを、前記チップ外にある略鉛直方向の回転軸に対して回転させて被検物質を分析する工程を含む分析方法であって、前記回転軸と停止中の前記チップのリザーバ・反応室軸のなす角度θが０°≦θ≦８０°であることを特徴とする分析方法。
【請求項２】
選択的結合性物質が結合した担体を収容するカラム状の反応室と前記反応室に連通した試薬・検体リザーバと、該試薬・検体リザーバと反対側で前記反応室に連通した廃液槽を有するチップを、前記チップ外にある略鉛直方向の回転軸に対して回転させて被検物質を分析する工程を含む分析方法であって、前記回転軸と停止中の前記チップの反応室・廃液槽軸のなす角度θ’が０°≦θ’≦８０°であることを特徴とする分析方法。
【請求項３】
前記チップが試薬・検体リザーバと反対側で反応室に連通した廃液槽を有し、前記回転軸と停止中の前記チップの反応室・廃液槽軸のなす角度θ’が０°≦θ’≦８０°であることを特徴とする請求項１に記載の分析方法。
【請求項４】
前記試薬・検体リザーバの前記反応室に対する容積比が、５０以上であることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の分析方法。
【請求項５】
前記試薬・検体リザーバの送液方向の投影断面積と、前記反応室の送液方向の投影断面積の比が、５０以上であることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の分析方法。
【請求項６】
前記試薬・検体リザーバの送液方向に対して平行の最大断面積と、前記反応室の送液方向に対して平行の最大断面積の比が、２〜４００であることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の分析方法。
【請求項７】
前記チップを回転させることにより生じる遠心力を用いて被検物質を含む液体を前記反応室に通過させ、被検物質を前記選択的結合性物質が結合した担体に結合せしめる工程、および
前記チップを回転させることにより生じる遠心力を用いて標識物質を含む溶液を反応室に通過させる工程
を含む請求項１から６のいずれか一項に記載の分析方法。
【請求項８】
前記チップを回転させることにより生じる遠心力を用いて被検物質を含む液体と標識物質を含む液体の混合液を前記反応室に通過させ、被検物質と標識物質の複合体を前記選択的結合性物質が結合した担体に結合せしめる工程を含む請求項１から６のいずれか一項に記載の分析方法。
【請求項９】
前記反応室において、選択的結合性物質が結合した担体に結合した被検物質の検出を光学的手段を用いて行うことを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の分析方法。
【請求項１０】
前記選択的結合性物質が、抗原または抗体であることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の分析方法。
【請求項１１】
前記被検物質が、タンパク質である請求項１から１０のいずれか一項に記載の分析方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月23日(2011.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
管理対象物に付され、該管理対象物の周囲の情報を検知する検知部が設けられた個体管理装置と、
前記個体管理装置との距離を算出する位置解析部が設けられ、前記個体管理装置と無線通信を行う個体識別装置と、
前記管理対象物に関する情報を記憶する記憶部が設けられ、前記個体識別装置と無線通信又は有線通信を行う個体情報管理装置と、を有し、
前記検知部及び前記位置解析部の情報が、前記管理対象物の位置の特定に用いられることを特徴とする個体管理システム。
【請求項２】
管理対象物に付され、該管理対象物の周囲の情報を検知する検知部が設けられた個体管理装置と、
前記個体管理装置の存在する方向を特定する位置解析部が設けられ、前記個体管理装置と無線通信を行う個体識別装置と、
前記管理対象物に関する情報を記憶する記憶部が設けられ、前記個体識別装置と無線通信又は有線通信を行う個体情報管理装置と、を有し、
前記検知部及び前記位置解析部の情報が、前記管理対象物の位置の特定に用いられることを特徴とする個体管理システム。
【請求項３】
管理対象物に付され、該管理対象物の周囲の情報を検知する検知部が設けられた個体管理装置と、
前記個体管理装置との距離を算出し、方向を特定する位置解析部が設けられ、前記個体管理装置と無線通信を行う個体識別装置と、
前記管理対象物に関する情報を記憶する記憶部が設けられ、前記個体識別装置と無線通信又は有線通信を行う個体情報管理装置と、を有し、
前記検知部及び前記位置解析部の情報が、前記管理対象物の位置の特定に用いられることを特徴とする個体管理システム。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記個体管理装置はアンテナを有し、
前記位置解析部は、前記アンテナから受信した電磁波の強度により前記管理対象物の位置の特定を行うことを特徴とする個体管理システム。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記個体管理装置は記憶部を有し、前記個体管理装置の記憶部は不揮発性メモリを有することを特徴とする個体管理システム。
【請求項６】
請求項５において、
前記不揮発性メモリは、ライトワンス型であることを特徴とする個体管理システム。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記個体管理装置は、無線によって給電することが可能な蓄電部を有することを特徴とする個体管理システム。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記個体識別装置は、無線によって給電することが可能な蓄電部を有することを特徴とする個体管理システム。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記個体識別装置は、前記個体管理装置との通信の状態を利用者に知らせる対利用者通知部を有することを特徴する個体管理システム。
【請求項１０】
請求項９において、
前記対利用者通知部は、表示部、照明素子、バイブレータ、音声機器、又は音声通知部であることを特徴とする個体管理システム。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記表示部には周囲のレイアウトを表示できることを特徴とする個体管理システム。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記個体識別装置は、撮像部を有することを特徴とする個体管理システム。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記検知部は、光センサを有し、
前記光センサにより検知された情報が、前記管理対象物の位置の特定に用いられることを特徴とする個体管理システム。
【請求項１４】
個体管理装置、前記個体管理装置との無線通信が可能な個体識別装置、及び前記個体識別装置との通信が可能な個体情報管理装置を有し、
前記個体管理装置は、個々の個体管理装置を識別するための識別情報を記憶する記憶部と、検知部と、を有し、
前記個体識別装置は、前記個体管理装置との距離を算出する位置解析部を有し、
前記個体管理装置は管理対象物に付され、
前記個体情報管理装置は、前記個体識別装置が特定の識別情報を有する個体管理装置と通信を行うように、前記個体識別装置と前記個体管理装置との無線通信を制御し、
前記個体識別装置と前記個体管理装置との無線通信により、前記個体管理装置は前記記憶部が記憶する前記識別情報及び前記検知部が得た検知情報を前記個体識別装置に送信し、前記個体識別装置は前記位置解析部で個体管理装置との距離を算出することにより、前記個体管理装置が付された前記管理対象物の位置を特定することを特徴とする個体管理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月16日(2011.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ある俯角を有する送信ビームを水中に送信し、そのエコーに基づいて標的を探査するとともに、発見した前記標的に前記送信ビームが向かうように前記俯角を制御することで前記標的を自動追尾する自動追尾スキャニングソナーにおいて、
直前に発見した前記標的の位置を中心として前記エコーを解析するエリアを探査エリアとし、探査エリアにおいて標的を発見することができなかった場合に、標的が発見されるまで、この探査エリアを順次拡大して前記標的を探査し、発見した前記標的の位置を次の探査における前記探査エリアの中心とすることを特徴とする自動追尾スキャニングソナー。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月18日(2011.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端が基板に固定されるビーム部と、このビーム部における検査対象物と対向する面上に設けられたコンタクト部とを有し、上記コンタクト部が形成された周辺の上記ビーム部の表面と、上記コンタクト部の上記検査対象物への接触面とは、表面粗さが互いに異なるように形成されることによって、互いの光学的反射状態が識別できることを特徴とするコンタクトプローブ。
【請求項２】
上記ビーム部の表面の平滑度が、上記コンタクト部の上記接触面に比べて低いことを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブ。
【請求項３】
上記コンタクト部の上記接触面の平滑度が、上記ビーム部の表面に比べて低いことを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】コンタクトプローブ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第１の本発明によるコンタクトプローブは、一端が基板に固定されるビーム部と、このビーム部における検査対象物と対向する面上に設けられたコンタクト部とを有し、上記コンタクト部が形成された周辺の上記ビーム部の表面と、上記コンタクト部の上記検査対象物への接触面とは、表面粗さが互いに異なるように形成されることによって、互いの光学的反射状態が識別できるように構成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、この様な構成によれば、表面粗さの違いにより、上記コンタクト部の上記接触面と上記ビーム部における上記コンタクト部周辺の表面との間のコントラストを大きくできる。従って、撮影画像からコンタクトプローブの位置を判断して検査対象物に対するプローブカードの位置合わせを自動的に行わせる場合に、撮影画像からコンタクト部を正しく抽出することができ、コンタクト部の位置を正しく認識させることができるので、位置合わせの精度を向上させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第２の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、上記ビーム部の表面の平滑度が、上記コンタクト部の上記接触面に比べて低くなるように構成される。この様な構成によれば、ビーム部の表面がコンタクト部の接触面に比べて平滑度が低くなるように形成されているので、コンタクト部と、ビーム部におけるコンタクト部周辺との間のコントラスト低下を抑制させることができる。従って、撮影画像からコンタクトプローブの位置を判断して検査対象物に対するプローブカードの位置合わせを自動的に行わせる場合に、撮影画像からコンタクト部を正しく抽出することができ、コンタクト部の位置を正しく認識させることができるので、位置合わせの精度を向上させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第３の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、上記コンタクト部の上記接触面の平滑度が、上記ビーム部の表面に比べて低くなるように構成される。この様な構成によれば、コンタクト部の接触面がビーム部の表面に比べて平滑度が低くなるように形成されているので、コンタクト部と、ビーム部におけるコンタクト部周辺との間のコントラスト低下を抑制させることができる。従って、撮影画像からコンタクトプローブの位置を判断して検査対象物に対するプローブカードの位置合わせを自動的に行わせる場合に、撮影画像からコンタクト部を正しく抽出することができ、コンタクト部の位置を正しく認識させることができるので、位置合わせの精度を向上させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月3日(2011.5.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング用の第１の薄膜トランジスタ、電流制御用の第２の薄膜トランジスタ、及びＥＬ素子を含む画素が複数配列されたアクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板に貼り付けられた対向基板とを有し、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の単結晶半導体層を有し、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の単結晶半導体層を有し、
前記対向基板は、前記画素の縁と重なる位置に設けられた遮光膜と、前記遮光膜の一部を覆い、かつ前記画素と重なる位置に設けられたカラーフィルターとを有し、
前記遮光膜は、黒色顔料またはカーボンを含む樹脂であり、
前記ＥＬ素子と前記遮光膜及び前記カラーフィルターとの間にパッシベーション膜を有し、
前記ＥＬ素子からの光は、前記対向基板を透過して放射されることを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項２】
スイッチング用の第１の薄膜トランジスタ、電流制御用の第２の薄膜トランジスタ、及びＥＬ素子を含む画素が複数配列されたアクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板に貼り付けられた対向基板とを有し、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の単結晶半導体層を有し、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の単結晶半導体層を有し、
前記対向基板は、前記画素の縁と重なる位置に設けられた遮光膜と、前記遮光膜の一部を覆い、かつ前記画素と重なる位置に設けられたカラーフィルターとを有し、
前記遮光膜は、黒色顔料またはカーボンを含む樹脂であり、
前記ＥＬ素子と前記遮光膜及び前記カラーフィルターとの間にパッシベーション膜を有し、
前記ＥＬ素子は、陽極と、ＥＬ層と、陰極とを有し、
前記陽極または前記陰極の一方は、第１の配線を介して、前記第２の単結晶半導体層に設けられたソース領域またはドレイン領域の一方に電気的に接続され、
前記陽極または前記陰極の他方は、前記第１の配線と同一層に形成された第２の配線を介して、ＦＰＣに電気的に接続され、
前記ＥＬ素子からの光は、前記対向基板を透過して放射されることを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に密閉空間を有することを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３において、前記密閉空間に不活性液体が充填されていることを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至３において、前記密閉空間に不活性ガスが充填されていることを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記ＥＬ素子は白色発光することを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一に記載のＥＬ表示装置を表示部に用いた電子装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月11日(2011.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
立体視用の左眼用画像データおよび右眼用画像データを生成する三次元画像処理装置であって、
左眼用画像データおよび右眼用画像データが符号化されたストリームデータを、前記左眼用画像データおよび前記右眼用画像データに復号するデコーダと、
前記デコーダにおいて復号された前記左眼用画像データおよび前記右眼用画像データを出力する画像出力制御部と、
前記デコーダにおいて前記左眼用画像データおよび前記右眼用画像データのうちのいずれか一方の画像データの復号に失敗し、かつ他方の画像データの復号に成功した場合に、前記他方の画像データの画素位置を所定のオフセットだけずらすことにより、前記一方の画像データを擬似的に生成し、擬似的に生成された前記一方の画像データを前記画像出力制御部に出力する制御部とを備え、
前記画像出力制御部は、前記デコーダにおいて前記一方の画像データの復号に失敗し、かつ前記他方の画像データの復号に成功した場合に、前記他方の画像データと擬似的に生成された前記一方の画像データとを出力し、
前記制御部は、前記デコーダにおいて前記一方の画像データの復号が所定フレーム連続して失敗した場合にのみ、前記擬似的に生成された前記一方の画像データを前記画像出力制御部に出力する
三次元画像処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記デコーダにおいて前記左眼用画像データおよび前記右眼用画像データの復号が成功するたびに、前記左眼用画像データと前記右眼用画像データとの間の左右方向のずれ量を前記所定のオフセットとして算出し、前記デコーダにおいて前記一方の画像データの復号に失敗し、かつ前記他方の画像データの復号に成功した場合に、前記他方の画像データの画素位置を最新の前記所定のオフセットだけずらすことにより、前記一方の画像データを擬似的に生成する
請求項１記載の三次元画像処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記デコーダにおいて復号される前記ストリームデータ中に含まれているオフセットを、前記所定のオフセットとして取得する
請求項１記載の三次元画像処理装置。
【請求項４】
前記左眼用画像データおよび前記右眼用画像データの各々は、映像を示す信号であり、
前記制御部は、画素毎または所定の画素の集合毎に、前記左眼用画像データと前記右眼用画像データとの間でパターンマッチングを行うことにより前記ずれ量を、前記所定のオフセットとして算出する
請求項２記載の三次元画像処理装置。
【請求項５】
前記左眼用画像データおよび前記右眼用画像データの各々は、映像に重畳されて表示されるグラフィックを示す信号である
請求項２または３記載の三次元画像処理装置。
【請求項６】
立体視用の左眼用画像データおよび右眼用画像データを生成する三次元画像処理装置であって、
左眼用画像データおよび右眼用画像データが符号化されたストリームデータを、前記左眼用画像データおよび前記右眼用画像データに復号するデコーダと、
前記デコーダにおいて前記左眼用画像データおよび前記右眼用画像データの両方の復号が成功した場合には、前記左眼用画像データおよび前記右眼用画像データを所定の時間間隔で出力し、前記デコーダにおいて前記左眼用画像データおよび前記右眼用画像データのうちのいずれか一方の画像データの復号に失敗し、かつ他方の画像データの復号に成功した場合には、前記他方の画像データのみを、前記所定の時間間隔で出力する制御部とを備え、
前記制御部は、前記デコーダにおいて前記一方の画像データの復号が所定フレーム連続して失敗した場合にのみ、復号に成功した前記他方の画像データのみを、前記所定の時間間隔で出力する
三次元画像処理装置。
【請求項７】
前記制御部は、
前記デコーダにおいて前記左眼用画像データおよび前記右眼用画像データの復号が成功するたびに、前記左眼用画像データと前記右眼用画像データとの間の左右方向のずれ量をオフセットとして算出するオフセット算出部と、
前記一方の画像データの復号に失敗し、かつ前記他方の画像データの復号に成功した場合に、前記オフセット算出部において算出された最新の前記オフセットを、最終的に０になるように徐々に減らしながら前記オフセットを更新するオフセット更新部とを含み、
前記制御部は、前記一方の画像データの復号に失敗し、かつ前記他方の画像データの復号に成功した場合に、前記オフセット更新部において更新された前記オフセットに基づいて前記他方の画像データの画素位置をずらすことにより、前記一方の画像データを擬似的に生成し、前記オフセットが０に更新されるまでの間、前記他方の画像データと擬似的に生成された前記一方の画像データとを前記所定の時間間隔で出力し、前記オフセットが０に更新された以降は、前記他方の画像データのみを前記所定の時間間隔で出力する
請求項６記載の三次元画像処理装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記デコーダにおいて前記左眼用画像データおよび前記右眼用画像データのうちのいずれか一方の画像データの復号の失敗の連続回数が前記所定フレーム未満の場合には、復号に成功した時点における前記一方の画像データを出力する
請求項６記載の三次元画像処理装置。
【請求項９】
立体視用の左眼用画像データおよび右眼用画像データを生成する三次元画像処理装置の制御方法であって、
デコーダが、左眼用画像データおよび右眼用画像データが符号化されたストリームデータを、前記左眼用画像データおよび前記右眼用画像データに復号する復号ステップと、
画像出力制御部が、前記復号ステップにおいて復号された前記左眼用画像データおよび前記右眼用画像データを出力する第１出力ステップと、
前記復号ステップにおいて前記左眼用画像データおよび前記右眼用画像データのうちのいずれか一方の画像データの復号に失敗し、かつ他方の画像データの復号に成功した場合に、制御部が、前記他方の画像データの画素位置を所定のオフセットだけずらすことにより、前記一方の画像データを擬似的に生成し、擬似的に生成された前記一方の画像データを前記画像出力制御部に出力する第２出力ステップとを含み、
前記第１出力ステップにおいて、前記復号ステップにおいて前記一方の画像データの復号に失敗し、かつ前記他方の画像データの復号に成功した場合に、前記画像出力制御部が、前記他方の画像データと擬似的に生成された前記一方の画像データとを出力し、
前記第２出力ステップにおいて、前記復号ステップにおいて前記一方の画像データの復号が所定フレーム連続して失敗した場合にのみ、前記擬似的に生成された前記一方の画像データを前記画像出力制御部に出力する
三次元画像処理装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月7日(2011.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型の半導体基板上に、第２の導電型の埋め込み層と、前記埋め込み層よりも前記第２の導電型の不純物濃度が低い所定の厚さの前記第２の導電型の半導体層と、が積層された基板と、
前記基板に、前記埋め込み層の形成位置よりも深く形成され、前記基板内の素子形成領域内を区画するトレンチと、
前記トレンチの内壁に沿って形成される側壁酸化膜と、前記側壁酸化膜で被覆された前記トレンチ内を埋める埋め込み膜と、を含む素子分離絶縁膜と、
前記素子分離絶縁膜で区画される素子形成領域に形成される半導体素子と、
を備え、
前記トレンチは、前記基板表面から所定の境界深さまでの第１のトレンチと、前記境界深さから底部までの前記第１のトレンチよりも小さい開口径を有する第２のトレンチによって構成され、
前記第１または前記第２のトレンチの周囲に前記埋め込み層に接続される第１の拡散層が形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子は、
前記素子形成領域の前記半導体層の表面に形成される所定の導電型の不純物拡散層からなるソース領域と、
前記素子形成領域の前記半導体層の表面に前記ソース領域から離れて形成され、所定の導電型の不純物拡散層からなるドレイン領域と、
前記ソース領域と前記ドレイン領域との間で、前記半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極と、
前記ドレイン領域から前記ゲート電極の下部にかけて、前記ドレイン領域に隣接して形成され、前記ドレイン領域の不純物濃度よりも低い濃度の不純物拡散層からなる前記第２の導電型のドリフト領域と、
前記ソース領域に接続されるソース電極と、
前記ドレイン領域に接続されるドレイン電極と、
を備え、
前記トレンチの境界深さは前記半導体層内にあり、
前記第２のトレンチの側壁の周囲にのみ前記第１の拡散層が形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体素子は、
前記素子形成領域内の前記第２の導電型の半導体層の表面から前記埋め込み層にかけて形成されるコレクタ領域と、
前記素子形成領域内の前記コレクタ層の形成位置とは異なる前記半導体層の表面に形成される前記第１の導電型のベース領域と、
前記ベース領域内に形成される前記第２の導電型のエミッタ領域と、
前記コレクタ領域に接続されるコレクタ電極と、
前記ベース電極に接続されるベース電極と、
前記エミッタ領域に接続されるエミッタ電極と、
を備え、
前記トレンチの境界深さは前記埋め込み層よりも下の前記半導体基板内にあり、
前記第１のトレンチの側壁の周囲にのみ前記第１の拡散層が形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記素子分離絶縁膜の下部に前記第１の導電型の第２の拡散層が形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
第１の導電型の半導体基板上に、第２の導電型の埋め込み層と、所定の厚さの前記第２の導電型の半導体層とが積層された基板上に、ストッパ膜とマスク膜とを形成する工程と、
前記マスク膜上にレジストを塗布し、形成するトレンチの部分が開口するようにパターニングを行ってレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを前記マスク膜に転写する工程と、
前記パターンが形成されたマスク膜を用いて、前記埋め込み層よりも浅くなるように前記半導体層をエッチングし、第１のトレンチを形成する工程と、
酸化処理を行って、前記第１のトレンチの側壁に第１の側壁酸化膜を形成する工程と、
前記マスク膜を用いて、前記埋め込み層よりも下部の前記半導体基板内の所定の深さまでエッチングし、第２のトレンチを形成する工程と、
酸化処理を行って、前記第２のトレンチの側壁に第２の側壁酸化膜を形成するとともに、前記埋め込み層中の前記第２の導電型の不純物が拡散した拡散層を形成する工程と、
前記第１および第２のトレンチ内に絶縁膜を埋め込み、前記基板内の所定の素子形成領域を囲む素子分離絶縁膜を形成する工程と、
前記素子分離絶縁膜で囲まれた前記素子形成領域内にＬＤＭＯＳを形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
第１の導電型の半導体基板上に、第２の導電型の埋め込み層と、所定の厚さの前記第２の導電型の半導体層とが積層された基板上に、ストッパ膜とマスク膜とを形成する工程と、
前記マスク膜上にレジストを塗布し、形成するトレンチの部分が開口するようにパターニングを行ってレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを前記マスク膜に転写する工程と、
前記パターンが形成されたマスク膜を用いて、前記埋め込み層よりも深くなるように前記半導体層、前記埋め込み層および前記半導体基板をエッチングし、第１のトレンチを形成する工程と、
酸化処理を行って、前記第１のトレンチの側壁に第１の側壁酸化膜を形成するとともに、前記埋め込み層中の前記第２の導電型の不純物が拡散した拡散層を形成する工程と、
前記マスク膜を用いて、前記第１のトレンチの底面よりも下部の前記半導体基板を所定の深さまでエッチングし、第２のトレンチを形成する工程と、
酸化処理を行って、前記第２のトレンチの側壁に第２の側壁酸化膜を形成する工程と、
前記第１および第２のトレンチ内に絶縁膜を埋め込み、前記基板内の所定の素子形成領域を囲む素子分離絶縁膜を形成する工程と、
前記素子分離絶縁膜で囲まれた前記素子形成領域内に高周波半導体素子を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一態様によれば、第１の導電型の半導体基板上に、第２の導電型の埋め込み層と、前記埋め込み層よりも前記第２の導電型の不純物濃度が低い所定の厚さの前記第２の導電型の半導体層と、が積層された基板と、前記基板に、前記埋め込み層の形成位置よりも深く形成され、前記基板内の素子形成領域内を区画するトレンチと、前記トレンチの内壁に沿って形成される側壁酸化膜と、前記側壁酸化膜で被覆された前記トレンチ内を埋める埋め込み膜と、を含む素子分離絶縁膜と、前記素子分離絶縁膜で区画される素子形成領域に形成される半導体素子と、を備え、前記トレンチは、前記基板表面から所定の境界深さまでの第１のトレンチと、前記境界深さから底部までの前記第１のトレンチよりも小さい開口径を有する第２のトレンチによって構成され、前記第１または前記第２のトレンチの周囲に前記埋め込み層に接続される第１の拡散層が形成されることを特徴とする半導体装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月19日(2011.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成され、且つ、側壁部と上面部を有するゲート電極と、
前記半導体基板に形成され、且つ、ソース領域またはドレイン領域となる不純物拡散層と、
前記ゲート電極の上面部を露出するように、前記ゲート電極の側壁部上及び前記不純物拡散層上に形成された第１絶縁膜と、
前記ゲート電極の上面部を露出するように形成され、且つ、前記第１絶縁膜を介して前記ゲート電極の側壁部上に形成されるように、前記第１絶縁膜上及び前記不純物拡散層上に形成された第２絶縁膜と、
前記ゲート電極の上面部が露出するように、前記第２絶縁膜上に形成された層間絶縁膜と、
前記ゲート電極の上面部上及び前記層間絶縁膜上に形成された第３絶縁膜と、
前記第３絶縁膜を介して前記ゲート電極上に形成された配線とを有し、
前記第３絶縁膜は、シリコン酸化膜よりも低い誘電率を有する膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１絶縁膜は、シリコンと窒素を含む膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
前記第２絶縁膜は、シリコンと窒素を含む膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置において、
前記第２絶縁膜は、前記不純物拡散層に達するコンタクトホールを形成する時のエッチングストッパーとして機能するための膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体装置において、
前記不純物拡散層の表面の一部にはシリサイド膜が形成されており、
前記シリサイド膜は、前記不純物拡散層上に形成された第１絶縁膜に対して自己整合で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載の半導体装置において、
前記第１絶縁膜は、その断面形状がＬ字状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項に記載の半導体装置において、
前記第２絶縁膜は、前記第１絶縁膜と直接接するように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
（ａ）半導体基板上に、側壁部と上面部を有するゲート電極を形成する工程、
（ｂ）前記半導体基板に、ソース領域またはドレイン領域となる不純物拡散層を形成する工程、
（ｃ）前記ゲート電極の上面部を露出するように、前記ゲート電極の側壁部上及び前記不純物拡散層上に第１絶縁膜を形成する工程、
（ｄ）前記ゲート電極、前記第１絶縁膜及び前記不純物拡散層を覆うように、前記半導体基板上に第２絶縁膜を形成する工程、
（ｅ）前記第２絶縁膜上に層間絶縁膜を形成する工程、
（ｆ）前記ゲート電極の上面部が露出するように、前記第２絶縁膜及び前記層間絶縁膜を研磨する工程、
（ｇ）前記ゲート電極の上面部上及び前記層間絶縁膜上に第３絶縁膜を形成する工程、
（ｈ）前記第３絶縁膜を介して前記ゲート電極上に位置するように、前記第３絶縁膜上に配線を形成する工程、
を有し、
前記第３絶縁膜は、シリコン酸化膜よりも低い誘電率を有する膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１絶縁膜は、シリコンと窒素を含む膜からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２絶縁膜は、シリコンと窒素を含む膜からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項８〜１０の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法は、更に、
（ｉ）前記第２絶縁膜をエッチングストッパーとして、前記第３絶縁膜及び前記層間絶縁膜に、前記不純物拡散層に達するためのコンタクトホールを形成する工程、
（ｊ）前記（ｉ）工程後に、前記第２絶縁膜をエッチングして前記コンタクトホールを前記不純物拡散層に到達させる工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項８〜１１の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法は、更に、
（ｋ）前記（ａ）〜（ｃ）工程後であって、前記（ｄ）工程前に、前記ゲート電極の上面部及び前記不純物拡散層の表面の一部にシリサイド膜を形成する工程、
を有し、
前記不純物拡散層の表面の一部に形成される前記シリサイド膜は、前記不純物拡散層上に形成された第１絶縁膜に対して自己整合で形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項８〜１２の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１絶縁膜は、その断面形状がＬ字状であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項８〜１３の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２絶縁膜は、前記第１絶縁膜と直接接するように形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項８〜１４の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｆ）工程は、ＣＭＰ法によって行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月16日(2011.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する面のうちの一方の面に開口部が設けられた筐体と、
前記開口部に嵌着された保護板と、
画像が表示される画面エリアを有し、前記保護板を介して前記画面エリアが視認可能なように前記筐体に組み込まれた表示パネルと、
前記筐体における前記互いに対向する面のうちの他方の面に装着された静電誘導型のタッチパネルと、
を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記筐体は、前記保護板を視認可能なエリアの面積及び形状が前記タッチパネルを視認可能なエリアの面積及び形状に対して等しくなるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記タッチパネルは、前記画面エリアと同じ形状の入力エリアを有していることを特徴とする請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記タッチパネルは装飾されていることを特徴とする請求項３に記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項１に記載の発明に係る電子機器は、互いに対向する面のうちの一方の面に開口部が設けられた筐体と、前記開口部に嵌着された保護板と、画像が表示される画面エリアを有し、前記保護板を介して前記画面エリアが視認可能なように前記筐体に組み込まれた表示パネルと、前記筐体における前記互いに対向する面のうちの他方の面に装着された静電誘導型のタッチパネルと、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項２に記載の発明は、前記請求項１に記載の電子機器において、前記筐体は、前記保護板を視認可能なエリアの面積及び形状が前記タッチパネルを視認可能なエリアの面積及び形状に対して等しくなるように形成されていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項３に記載の発明は、前記請求項２に記載の電子機器において、前記タッチパネルは、前記画面エリアと同じ形状の入力エリアを有していることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項４に記載の発明は、前記請求項３に記載の電子機器において、前記タッチパネルは装飾されていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】