【手続補正書】
【提出日】平成22年12月10日(2010.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成式：ｙＡ（１−ｙ）Ｂ     （１）
（式中、ＡはＹ、Ｓｃを含む希土類元素のいずれか１種又は２種以上を含む元素を示し、ＢはＺｒを示し、ｙは０．０３以上０．２０以下の数値を示す。）で表される金属ターゲットを用い、膜厚が１．０ｎｍ以上１０ｎｍ以下のＳｉＯ2層を表面に有するＳｉ基板を加熱し、不活性ガス中で成膜を開始し、その後、酸素含有ガスを用い、該基板上に、
組成式：ｘＡ2Ｏ3−（１−ｘ）ＢＯ2    （２）
（式中、Ａ、Ｂは式（１）におけるＡ、Ｂとそれぞれ同じ金属元素を示し、ｘが０．０１０以上０．０３５以下の数値を示す。）で表されるエピタキシャル膜を成膜することを特徴とするエピタキシャル膜の製造方法。
【請求項２】
前記エピタキシャル膜が、組成式（２）中、ＡがＹを示し、格子定数が０．５１５ｎｍ以上０．５１８ｎｍ以下の結晶構造を有することを特徴とする請求項１記載のエピタキシャル膜の製造方法。
【請求項３】
前記成膜にスパッタリング法を用いることを特徴とする請求項１又は２記載のエピタキシャル膜の製造方法。
【請求項４】
前記Ｓｉ基板を４００℃以上７６０℃以下に加熱することを特徴とする請求項１から３のいずれか記載のエピタキシャル膜の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のエピタキシャル膜の製造方法を用いてＳｉ基板上にエピタキシャル膜を成膜する工程、第一の電極層を設ける工程、Ｓｉ基板に対して、（１００）配向、（００１）配向、（１１０）配向、（１１１）配向、又は、（１００）配向と（００１）配向との混合配向である圧電体層を設ける工程、第二の電極層を設ける工程を有することを特徴とする圧電体素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１から４のいずれかに記載のエピタキシャル膜の製造方法を用いてＳｉ基板上にエピタキシャル膜を成膜する工程、第一の電極層を設ける工程、Ｓｉ基板に対して、（１１１）配向の強誘電体層を設ける工程、第二の電極層を設ける工程を有することを特徴とする強誘電体素子の製造方法。
【請求項７】
Ｓｉ基板上に成膜され、
組成式：ｘＡ2Ｏ3−（１−ｘ）ＢＯ2    （２）
（式中、ＡがＹ、Ｓｃを含む希土類元素のいずれか１種又は２種以上を含む元素を示し、ＢがＺｒを示し、ｘが０．０１０以上０．０３５以下の数値を示す。）で表され、
（２００）配向における半価幅が０．８°以下であることを特徴とするエピタキシャル膜。
【請求項８】
格子定数が０．５１５ｎｍ以上０．５１８ｎｍ以下であることを特徴とする請求項７記載のエピタキシャル膜。
【請求項９】
膜厚が１．０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項７又は８記載のエピタキシャル膜。
【請求項１０】
Ｓｉ基板上に、第一の電極層、圧電体層及び第二の電極層をこの順に有する圧電体素子において、前記Ｓｉ基板と前記第一の電極層との間に、
組成式：ｘＡ2Ｏ3−（１−ｘ）ＢＯ2    （２）
（式中、ＡがＹ、Ｓｃを含む希土類元素のいずれか１種又は２種以上を含む元素を示し、ＢがＺｒを示し、ｘが０．０１０以上０．０３５以下の数値を示す。）で表され、
（２００）配向における半価幅が０．８°以下であるエピタキシャル膜を有することを特徴とする圧電体素子。
【請求項１１】
前記圧電体層が、前記Ｓｉ基板に対して、（１００）配向、（００１）配向、（１１０）配向、（１１１）配向、又は、（１００）配向と（００１）配向との混合配向であることを特徴とする請求項１０記載の圧電体素子。
【請求項１２】
前記圧電体層の膜厚が、１．０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１０又は１１記載の圧電体素子。
【請求項１３】
請求項１０から１２のいずれか記載の圧電体素子を有し、該圧電体素子を用いて液体を吐出することを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項１４】
Ｓｉ基板上に、第一の電極層、強誘電体層、及び第二の電極層をこの順に有する強誘電体素子において、前記Ｓｉ基板と前記第一の電極層との間に、
組成式：ｘＡ2Ｏ3−（１−ｘ）ＢＯ2    （２）
（式中、ＡがＹ、Ｓｃを含む希土類元素のいずれか１種又は２種以上を含む元素を示し、ＢがＺｒを示し、ｘが０．０１０以上０．０３５以下の数値を示す。）で表され、
（２００）配向における半価幅が０．８°以下であるエピタキシャル膜を有することを特徴とする強誘電体素子。
【請求項１５】
前記強誘電体層が、前記Ｓｉ基板に対して、（１１１）配向であることを特徴とする請求項１４記載の強誘電体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
すなわち、本発明は
組成式：ｙＡ（１−ｙ）Ｂ     （１）
（式中、ＡはＹ、Ｓｃを含む希土類元素のいずれか１種又は２種以上を含む元素を示し、ＢはＺｒを示し、ｙは０．０３以上０．２０以下の数値を示す。）で表される金属ターゲットを用い、膜厚が１．０ｎｍ以上１０ｎｍ以下のＳｉＯ2層を表面に有するＳｉ基板を加熱し、不活性ガス中で成膜を開始し、その後、酸素含有ガスを用い、該基板上に、
組成式：ｘＡ2Ｏ3−（１−ｘ）ＢＯ2   （２）
（式中、Ａ、Ｂは式（１）におけるＡ、Ｂとそれぞれ同じ金属元素を示し、ｘが０．０１０以上０．０３５以下の数値を示す。）で表されるエピタキシャル膜を成膜することを特徴とするエピタキシャル膜の製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は、Ｓｉ基板上に成膜され、
組成式：ｘＡ2Ｏ3−（１−ｘ）ＢＯ2    （２）
（式中、ＡがＹ、Ｓｃを含む希土類元素のいずれか１種又は２種以上を含む元素を示し、ＢがＺｒを示し、ｘが０．０１０以上０．０３５以下の数値を示す。）で表され、（２００）配向における半価幅が０．８°以下であることを特徴とするエピタキシャル膜に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明は、Ｓｉ基板上に、第一の電極層、圧電体層及び第二の電極層をこの順に有する圧電体素子において、前記Ｓｉ基板と前記第一の電極層との間に、
組成式：ｘＡ2Ｏ3−（１−ｘ）ＢＯ2    （２）
（式中、ＡがＹ、Ｓｃを含む希土類元素のいずれか１種又は２種以上を含む元素を示し、ＢがＺｒを示し、ｘが０．０１０以上０．０３５以下の数値を示す。）で表され、（２００）配向における半価幅が０．８°以下であるエピタキシャル膜を有することを特徴とする圧電体素子に関する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明は、Ｓｉ基板上に、第一の電極層、圧電体層及び第二の電極層をこの順に有する強誘電体素子において、前記Ｓｉ基板と前記第一の電極層との間に、
組成式：ｘＡ2Ｏ3−（１−ｘ）ＢＯ2    （２）
（式中、ＡがＹ、Ｓｃを含む希土類元素のいずれか１種又は２種以上を含む元素を示し、ＢがＺｒを示し、ｘが０．０１０以上０．０３５以下の数値を示す。）で表され、（２００）配向における半価幅が０．８°以下であるエピタキシャル膜を有することを特徴とする強誘電体素子に関する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
エピタキシャル膜初期形成後は、酸素を含有するガスを使用する。これにより膜厚が厚いエピタキシャル膜を効率よく成膜することができる。具体的には、Ｏ2、Ａｒを適宜割合で混合した混合ガスに変え、上記と同様のガス圧で、スパッタ電力を５W/cm2以上１０W/cm2以下とすることが好ましい。