【手続補正書】
【提出日】平成23年6月21日(2011.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が搭載される配線基板であって、
内部配線と、搭載される前記半導体素子の周りに貫通孔とが形成された基板と、
前記基板の一面側に、前記半導体素子が搭載される搭載用パッドと、
前記搭載用パッドと電気的に接続され、端部が前記貫通孔内に臨む第１表面配線パターンと、
前記基板の周縁部において、前記内部配線と電気的に接続され、端部が前記貫通孔内に臨む第２表面配線パターンと、を有し、
前記第１および第２表面配線パターンの端部にそれぞれ形成され、前記貫通孔内に露出する第１および第２ボンディングパッドと、
前記第１および第２ボンディングパッドを電気的に接続するワイヤ配線と、
前記ワイヤ配線、前記第１および第２ボンディングパッドを封止し、前記貫通孔内を充填する封止樹脂と、
を備えていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板において、
前記ワイヤ配線の頂部は、前記貫通孔から突出しないように設けられていることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１または２記載の配線基板において、
前記第１および第２表面配線パターンは、絶縁層を介して形成されており、
前記貫通孔の底面側に露出する前記絶縁層に、前記第１および第２表面配線パターンの端部をそれぞれ露出する第１および第２凹部が形成されており、
前記第１ボンディングパッドは、前記第１凹部の底面に露出する前記第１表面パターンの表面に形成されており、
前記第２ボンディングパッドは、前記第２凹部の底面に露出する前記第２表面パターンの表面に形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１、２または３記載の配線基板において、
搭載される前記半導体素子の各辺に沿うように、スリット状の前記貫通孔が形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
半導体素子が搭載される配線基板の製造方法であって、
（ａ）内部配線を形成した基板を形成する工程と、
（ｂ）前記基板に、搭載される前記半導体素子の周りに貫通孔を形成する工程と、
（ｃ）前記基板の一面側に、金属層を形成する工程と、
（ｄ）前記金属層にパターニングを施して、前記半導体素子が搭載される搭載用パッドと、前記搭載用パッドと電気的に接続され、端部が前記貫通孔内に臨む第１表面配線パターンと、前記基板の周縁部において、前記内部配線と電気的に接続され、端部が前記貫通孔内に臨む第２表面配線パターンと、を形成する工程と、
（ｅ）前記貫通孔内に露出する前記金属層であって前記第１および第２表面配線パターンの端部となるそれぞれに、第１および第２ボンディングパッドを形成する工程と、
（ｆ）前記第１および第２ボンディングパッドにワイヤ配線をボンディングする工程と、
（ｇ）前記ワイヤ配線、前記第１および第２ボンディングパッドを封止し、前記貫通孔内を封止樹脂で充填する工程と、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の配線基板の製造方法において、
前記（ｂ）工程後、前記基板の一面側に絶縁層を形成し、該絶縁層に前記内部配線が底面に露出する凹部を形成した後、前記（ｃ）工程を行って、前記凹部を含む前記絶縁層の表面に前記金属層を形成し、
前記貫通孔の底面側に露出する前記絶縁層に、前記第１および第２表面配線パターンの端部となる前記金属層を、前記貫通孔内に露出させる第１および第２凹部を形成した後、前記（ｅ）工程を行って、前記第１および第２凹部の底面に露出する前記金属層の表面にそれぞれ、前記第１および第２ボンディングパッドを形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項５または６記載の配線基板の製造方法において、
前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）工程をこの順で行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
請求項５または６記載の配線基板の製造方法において、
前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｄ）工程をこの順で行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】
請求項５記載の配線基板の製造方法において、
前記基板の一面側に絶縁層を形成した後、前記（ｂ）工程を行って、前記絶縁層を開口するように、前記貫通孔を形成し、
前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｄ）工程をこの順で行うことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項５〜９のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、銅から成る前記金属層をめっきにより形成し、
前記（ｅ）工程では、金から成る第１および第２ボンディングパッドをめっきにより形成し、
前記（ｆ）工程では、金線から成る前記ワイヤ配線を用いることを特徴とする配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】配線基板および配線基板の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は配線基板およびその製造技術に関し、更に詳細には基板の一面側に形成された半導体素子が搭載される搭載用パッドと、前記基板の他面側に形成された外部接続端子が装着される外部接続端子用パッドとの間を電気的に接続する内部配線の途中に、ワイヤ配線が用いられた配線基板の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
半導体素子が搭載される半導体装置用の配線基板としては、下記特許文献１には、図６に示す配線基板が提案されている。
図６に示す配線基板は、樹脂基板１００の一面側の中央部及びその近傍に半導体素子１０２が搭載される搭載用パッド１０４，１０４・・が形成されていると共に、樹脂基板１００の一面側の外周縁近傍に外部接続端子としてのはんだボール１０８，１０８・・が装着される外部接続端子用パッド１０６，１０６・・が形成されている。
かかる搭載用パッド１０４，１０４・・と外部接続端子用パッド１０６，１０６・・とは、ワイヤ配線１１０，１１０・・によって電気的に接続されている。
【特許文献１】特開２００１−３１９９９２号公報
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明者等は、前記課題を解決すべく検討した結果、予め内部配線が形成された樹脂基板にルータ等によって貫通孔を形成した後、この貫通孔内に露出する搭載用パッドと電気的に接続されている表面配線パターンの端部と、外部接続用パッドと内部配線を介して電気的に接続された表面配線パターンの端部との各々をワイヤ配線によって電気的に接続することによって、配線基板を製造する際に、そのハンドリング性が良好であることを見出し、本発明に到達した。
すなわち、半導体素子が搭載される配線基板は、内部配線と、搭載される前記半導体素子の周りに貫通孔とが形成された基板と、前記基板の一面側に、前記半導体素子が搭載される搭載用パッドと、前記搭載用パッドと電気的に接続され、端部が前記貫通孔内に臨む第１表面配線パターンと、前記基板の周縁部において、前記内部配線と電気的に接続され、端部が前記貫通孔内に臨む第２表面配線パターンと、を有し、前記第１および第２表面配線パターンの端部にそれぞれ形成され、前記貫通孔内に露出する第１および第２ボンディングパッドと、前記第１および第２ボンディングパッドを電気的に接続するワイヤ配線と、前記ワイヤ配線、前記第１および第２ボンディングパッドを封止し、前記貫通孔内を充填する封止樹脂と、を備えていることを特徴とする。
ここで、前記ワイヤ配線の頂部は、前記貫通孔から突出しないように設けられている。前記第１および第２表面配線パターンは、絶縁層を介して形成されており、前記貫通孔の底面側に露出する前記絶縁層に、前記第１および第２表面配線パターンの端部をそれぞれ露出する第１および第２凹部が形成されており、前記第１ボンディングパッドは、前記第１凹部の底面に露出する前記第１表面パターンの表面に形成されており、前記第２ボンディングパッドは、前記第２凹部の底面に露出する前記第２表面パターンの表面に形成されている。搭載される前記半導体素子の各辺に沿うように、スリット状の前記貫通孔が形成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、半導体素子が搭載される配線基板の製造方法は、（ａ）内部配線を形成した基板を形成する工程と、（ｂ）前記基板に、搭載される前記半導体素子の周りに貫通孔を形成する工程と、（ｃ）前記基板の一面側に、金属層を形成する工程と、（ｄ）前記金属層にパターニングを施して、前記半導体素子が搭載される搭載用パッドと、前記搭載用パッドと電気的に接続され、端部が前記貫通孔内に臨む第１表面配線パターンと、前記基板の周縁部において、前記内部配線と電気的に接続され、端部が前記貫通孔内に臨む第２表面配線パターンと、を形成する工程と、（ｅ）前記貫通孔内に露出する前記金属層であって前記第１および第２表面配線パターンの端部となるそれぞれに、第１および第２ボンディングパッドを形成する工程と、（ｆ）前記第１および第２ボンディングパッドにワイヤ配線をボンディングする工程と、（ｇ）前記ワイヤ配線、前記第１および第２ボンディングパッドを封止し、前記貫通孔内を封止樹脂で充填する工程と、を含むことを特徴とする。
ここで、前記（ｂ）工程後、前記基板の一面側に絶縁層を形成し、該絶縁層に前記内部配線が底面に露出する凹部を形成した後、前記（ｃ）工程を行って、前記凹部を含む前記絶縁層の表面に前記金属層を形成し、前記貫通孔の底面側に露出する前記絶縁層に、前記第１および第２表面配線パターンの端部となる前記金属層を、前記貫通孔内に露出させる第１および第２凹部を形成した後、前記（ｅ）工程を行って、前記第１および第２凹部の底面に露出する前記金属層の表面にそれぞれ、前記第１および第２ボンディングパッドを形成する。さらに、前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）工程をこの順で行う。または、前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｄ）工程をこの順で行う。
あるいは、前記基板の一面側に絶縁層を形成した後、前記（ｂ）工程を行って、前記絶縁層を開口するように、前記貫通孔を形成し、前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）、（ｄ）工程をこの順で行う。
また、前記（ｃ）工程では、銅から成る前記金属層をめっきにより形成し、前記（ｅ）工程では、金から成る第１および第２ボンディングパッドをめっきにより形成し、前記（ｆ）工程では、金線から成る前記ワイヤ配線を用いる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る配線基板およびその製造技術では、予め内部配線が形成された樹脂基板の所定位置に、ワイヤ配線を用いる貫通孔を形成した後、外部接続用パッドと内部配線を介して電気的に接続され、半導体素子搭載面を覆う金属層を形成し、この金属層にパターニングを施して半導体素子を搭載する搭載用パッドと、この搭載用パッドに電気的に接続されている表面配線パターンと、外部接続用パッドと内部配線を介して電気的に接続された表面配線パターンとを形成する。
この様に、一面側に導体層が形成された樹脂基板は、既に所定の剛性を有する樹脂基板が剛体として作用するため、配線パターンの形成やワイヤボンディングの際に、そのハンドリング性は問題とならず、配線パターンやワイヤボンディングを容易に施すことができる。
その結果、搭載用パッドと外部接続用パッドとの間の配線の途中にワイヤ配線を用いた配線基板を容易に形成できる。