【手続補正書】
【提出日】平成23年5月27日(2011.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体マスクを製造する方法であって、
一連のラインを含む犠牲マスクを有する半導体スタックを提供する工程と、
前記一連のラインの側壁に近接するスペーサラインと、前記スペーサライン間に介挿ラインとを含むスペーサマスクを形成する工程とを含み、前記スペーサラインと前記介挿ラインは同じ層からできており、
前記方法は、前記犠牲マスクを除去する工程を更に含む方法。
【請求項２】
前記スペーサマスクのスペーサラインと介挿ラインの頻度が、前記犠牲マスクの前記一連のラインの頻度の３倍である請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記犠牲マスクの前記一連のラインのピッチが約６である請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記スペーサマスクの前記スペーサラインの夫々の一部をトリミングして、介挿ラインを有するトリミングされたスペーサマスクを形成する工程を含み、介挿ラインを有する前記トリミングされたスペーサマスクを形成した後で、前記犠牲マスクを除去する請求項１記載の方法。
【請求項５】
半導体マスクを製造する方法であって、
一連のラインを含む犠牲マスクを有する半導体スタックを提供する工程と、
前記半導体スタック上に、前記犠牲マスクと共形のスペーサ層を堆積する工程と、
前記スペーサ層上に、前記犠牲マスクの前記一連のラインを介挿して、フォトレジスト層を堆積し、パターン化する工程と、
前記スペーサ層をエッチングして、前記一連のラインの側壁に近接するスペーサラインと、前記スペーサライン間に介挿ラインとを有するスペーサマスクを提供する工程であって、前記スペーサ層のエッチングによって、前記犠牲マスクの上面を露出する工程と、
前記犠牲マスクを除去する工程とを含む方法。
【請求項６】
前記スペーサマスクの前記スペーサラインの夫々の一部をトリミングして、介挿ラインを有するトリミングされたスペーサマスクを形成する工程を含み、介挿ラインを有する前記トリミングされたスペーサマスクを形成した後で、前記犠牲マスクを除去する請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記スペーサ層が、ケイ素を実質的に含み、前記犠牲マスクの上部が、窒化ケイ素及び酸化ケイ素からなる群より選択される材料を実質的に含み、前記スペーサ層をエッチングして、前記スペーサマスクを提供する工程が、Ｃｌ２及びＨＢｒからなる群より選択されるガスによりドライエッチングプロセスを用いる請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記犠牲マスクを除去する工程が、ホットＨ３ＰＯ４ウェットエッチング、含水フッ酸ウェットエッチング及びＳｉＣｏＮｉエッチングからなる群より選択されるエッチングプロセスを用いる請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記スペーサ層が、酸化ケイ素を実質的に含み、前記犠牲マスクの上部が、窒化ケイ素及びケイ素からなる群より選択される材料を実質的に含み、前記スペーサ層をエッチングして、前記スペーサマスクを提供する工程が、Ｃ４Ｆ８及びＣＨＦ３からなる群より選択されるガスによるドライエッチングプロセスを用いる請求項５記載の方法。
【請求項１０】
前記犠牲マスクを除去する工程が、ホットＨ３ＰＯ４ウェットエッチング、ＳｉＣｏＮｉエッチング、Ｃｌ２プラズマエッチング及びＣＦ４／Ｏ２プラズマエッチングからなる群より選択されるエッチングプロセスを用いる請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記スペーサ層が、窒化ケイ素を実質的に含み、前記犠牲マスクの上部が、酸化ケイ素及びケイ素からなる群より選択される材料を実質的に含み、前記スペーサ層をエッチングして、前記スペーサマスクを提供する工程が、ＣＨ２Ｆ２及びＣＨＦ３からなる群より選択されるガスによるドライエッチングプロセスを用いる請求項５記載の方法。
【請求項１２】
前記犠牲マスクを除去する工程が、含水フッ酸ウェットエッチング、ＳｉＣｏＮｉエッチング、Ｃｌ２プラズマエッチング及びＣＦ４／Ｏ２プラズマエッチングからなる群より選択されるエッチングプロセスを用いる請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記スペーサマスクのスペーサラインと介挿ラインの頻度が、前記犠牲マスクの前記一連のラインの頻度の３倍である請求項５記載の方法。
【請求項１４】
半導体マスクを製造する方法であって、
マスク層を有する半導体スタックを提供する工程と、
第１のフォトレジスト層を堆積し、パターン化して、前記マスク層上に画像を形成する工程と、
前記マスク層をエッチングして、前記画像を有する犠牲マスクを形成する工程であって、前記犠牲マスクが一連のラインを含む工程と、
前記半導体スタック上に、前記犠牲マスクと共形のスペーサ層を堆積する工程と、
第２のフォトレジスト層を堆積し、パターン化して、介挿マスク及びエリア保存マスクを、前記スペーサ層上に形成する工程と、
前記スペーサ層をエッチングして、スペーサライン、介挿ライン及びエリア保存領域を含むスペーサマスクを提供する工程であって、前記スペーサラインが、前記犠牲マスクの前記一連のラインの側壁に近接していて、前記介挿ラインが前記スペーサライン間であり、前記スペーサ層のエッチングによって、前記犠牲マスクの上面を露出する工程と、
前記スペーサマスク及び前記犠牲マスク上に第３のフォトレジスト層を堆積し、パターン化して、前記スペーサマスクの前記スペーサラインの少なくとも一部を露出する工程と、
前記スペーサマスクの前記スペーサラインの前記露出した部分をエッチングして、前記スペーサマスクをトリミングする工程と、
前記犠牲マスクを除去する工程とを含む方法。
【請求項１５】
前記スペーサ層が、ケイ素を実質的に含み、前記犠牲マスクの上部が、窒化ケイ素及び酸化ケイ素からなる群より選択される材料を実質的に含み、前記スペーサ層をエッチングして、前記スペーサマスクを提供する工程が、Ｃｌ２及びＨＢｒからなる群より選択されるガスによりドライエッチングプロセスを用いる請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記犠牲マスクを除去する工程が、ホットＨ３ＰＯ４ウェットエッチング、含水フッ酸ウェットエッチング及びＳｉＣｏＮｉエッチングからなる群より選択されるエッチングプロセスを用いる請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記スペーサ層が、酸化ケイ素を実質的に含み、前記犠牲マスクの上部が、窒化ケイ素及びケイ素からなる群より選択される材料を実質的に含み、前記スペーサ層をエッチングして、前記スペーサマスクを提供する工程が、Ｃ４Ｆ８及びＣＨＦ３からなる群より選択されるガスによるドライエッチングプロセスを用いる請求項１４記載の方法。
【請求項１８】
前記犠牲マスクを除去する工程が、ホットＨ３ＰＯ４ウェットエッチング、ＳｉＣｏＮｉエッチング、Ｃｌ２プラズマエッチング及びＣＦ４／Ｏ２プラズマエッチングからなる群より選択されるエッチングプロセスを用いる請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記スペーサ層が、窒化ケイ素を実質的に含み、前記犠牲マスクの上部が、酸化ケイ素及びケイ素からなる群より選択される材料を実質的に含み、前記スペーサ層をエッチングして、前記スペーサマスクを提供する工程が、ＣＨ２Ｆ２及びＣＨＦ３からなる群より選択されるガスによるドライエッチングプロセスを用いる請求項１４記載の方法。
【請求項２０】
前記犠牲マスクを除去する工程が、含水フッ酸ウェットエッチング、ＳｉＣｏＮｉエッチング、Ｃｌ２プラズマエッチング及びＣＦ４／Ｏ２プラズマエッチングからなる群より選択されるエッチングプロセスを用いる請求項１９記載の方法。