【手続補正書】
【提出日】平成23年9月29日(2011.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果トランジスタ部分と、
ダイオード部分と、
を具備し、
前記電界効果トランジスタ部分は、
第１導電型又は真性の半導体領域であるチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域に接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と対向し、前記チャネル形成領域にチャネルを形成させるゲート電極と、
第２導電型の半導体領域であり、前記チャネル形成領域に接し、ドレイン電圧が供給されるドレイン領域と、
第２導電型の半導体領域であり、前記チャネル形成領域を介して前記ドレイン領域に対向し、前記チャネルが形成されたときに前記チャネル形成領域を介して前記ドレイン電圧が供給されるソース領域と、を含み、
前記ダイオード部分は、前記ソース領域に電気的に接続されており、前記ソース領域に前記ドレイン電圧が供給されたときに、前記ダイオード部分はインパクトイオン化現象が発生するインパクトイオン化領域を含む
半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記インパクトイオン化領域は、前記ゲート絶縁膜から完全に離隔した位置に形成される
半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載された半導体装置であって、
前記ダイオード部分は、更に、
前記第１導電型の半導体領域であるダイオード第１領域と、
前記第２導電型の半導体領域であり、前記電界効果トランジスタの前記ソース領域に電気的に接続されるダイオード第２領域と、を含み、
前記ダイオード第１領域と前記ダイオード第２領域とは、離隔して配置され、
前記インパクトイオン化領域は、前記ダイオード第１領域と前記ダイオード第２領域との間に形成される
半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載された半導体装置であって、
前記ソース領域と前記ダイオード第２領域とが、共通化されている
半導体装置。
【請求項５】
請求項３に記載された半導体装置であって、
前記ダイオード部分は、基板内に形成され、
前記ダイオード第１領域及び前記ダイオード第２領域は、前記基板と平行な方向に並んでいる
半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載された半導体装置であって、
前記ダイオード第１領域及び前記ダイオード第２領域は、互いに近づくような方向へ膨らむ面同士で対向している
半導体装置。
【請求項７】
請求項５又は６に記載された半導体装置であって、
前記インパクトイオン化領域は、前記基板と平行な第１表面を有し、
前記ダイオード第１領域及び前記ダイオード第２領域は、前記第１表面よりも深い位置で最接近している
半導体装置。
【請求項８】
請求項３に記載された半導体装置であって、
前記ダイオード部分は、基板上に、前記ダイオード第１領域、インパクトイオン化領域、及び前記ダイオード第２領域が前記基板と垂直な方向に並ぶように形成されている
半導体装置。
【請求項９】
請求項８に記載された半導体装置であって、
前記ダイオード第２領域は、前記ソース領域上に形成されている
半導体装置。
【請求項１０】
請求項１、２、３、８、９のいずれかに記載された半導体装置であって、
前記電界効果トランジスタ部分は、基板上に、前記ドレイン領域及び前記ソース領域が前記基板と垂直方向に並ぶように形成されており、
前記ダイオード部分は、前記基板に対して垂直な方向で前記電界効果トランジスタ上に積層されている
半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載された半導体装置であって、
前記インパクトイオン化領域は、シリコン、シリコンゲルマニウム、及びゲルマニウムのうちの少なくとも一つにより形成されている
半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれかに記載された半導体装置であって、
前記チャネルが形成されたときに、前記ダイオード部分が逆バイアスされるように接続されている
半導体装置。
【請求項１３】
電界効果トランジスタ部分と、
ダイオード部分と、
を具備し、
前記電界効果トランジスタ部分は、
第１導電型又は真性の半導体領域であるチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域と対向し、前記チャネル形成領域にチャネルを形成させるゲート電極と、
第２導電型の半導体領域であり、前記チャネル形成領域に接し、ドレイン電圧が供給されるドレイン領域と、
第２導電型の半導体領域であり、前記チャネル形成領域を介して前記ドレイン領域に対向し、前記チャネルが形成されたときに前記チャネル形成領域を介して前記ドレイン電圧が供給されるソース領域と、を含み、
前記ダイオード部分は、前記ソース領域に電気的に接続されており、前記ソース領域に前記ドレイン電圧が供給されたときに、前記ダイオード部分はインパクトイオン化現象が発生するインパクトイオン化領域を含む
半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体装置であって、
前記インパクトイオン化領域は、インパクトイオン化現象によるキャリアが前記基板の表面よりも内側を流れるように形成される
半導体装置。
【請求項１５】
第１導電型又は真性の半導体領域であるチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と対向し、前記チャネル形成領域にチャネルを形成させるゲート電極と、第２導電型の半導体領域であり、前記チャネル形成領域に接し、ドレイン電圧が供給されるドレイン領域と、第２導電型の半導体領域であり、前記チャネル形成領域を介して前記ドレイン領域に対向し、前記チャネル形成領域にチャネルが形成されたときに前記チャネル形成領域を介して前記ドレイン電圧が供給されるソース領域と、を備える電界効果トランジスタ部分を形成する工程と、
インパクトイオン化領域を含み、前記ソース領域に電気的に接続されるダイオード部分を形成する工程と、
を具備し、
前記インパクトイオン化領域は、前記ソース領域に前記チャネル形成領域を介して前記ドレイン電圧が供給されたときにインパクトイオン化現象を発生させる領域である
半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記ダイオード部分を形成する工程は、更に、
前記インパクトイオン化領域を介して互いに対向するように、ダイオード第１領域とダイオード第２領域とを形成する工程を含み、
前記ダイオード第１領域は、第１導電型の半導体領域であり、
前記ダイオード第２領域は、第２導電型の半導体領域であり、前記電界トランジスタの前記ソース領域に電気的に接続される領域である
半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記ダイオード部分を形成する工程は、前記ダイオード部分を、基板上に形成する工程を含み、
前記ダイオード第１領域と前記ダイオード第２領域とを形成する工程は、前記ダイオード第１領域と前記ダイオード第２領域とを、前記基板と平行な方向で並ぶように形成する工程を含んでいる
半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記ダイオード第１領域と前記ダイオード第２領域とを形成する工程は、前記ダイオード第１領域と前記ダイオード第２領域とを、互いに近づくような方向へ膨らむ面同士で対向するように形成する工程を含んでいる
半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１７又は１８に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記ダイオード第１領域と前記ダイオード第２領域とを形成する工程は、前記インパクトイオン化領域が形成される領域を保護した状態で、前記ダイオード第１領域形成予定の領域及び前記ダイオード第２領域形成予定の領域をエッチングにより掘り下げる工程を含んでいる
半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１６に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記ダイオード第１領域とダイオード第２領域とを形成する工程は、前記ダイオード第１領域及び前記ダイオード第２領域を、基板上に、前記基板と垂直な方向に並ぶように形成する工程を含んでいる
半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記ダイオード第１領域とダイオード第２領域とを形成する工程は、
前記ダイオード第２領域を前記ソース領域上に形成する工程と、
前記ダイオード第１領域を、前記ダイオード第２領域の上方に形成する工程とを含んでいる
半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記ソース領域を形成する工程は、前記ソース領域を、前記ダイオード第２領域からの熱拡散により形成する工程を含んでいる
半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
請求項２０乃至２２のいずれかに記載された半導体装置の製造方法であって、
前記インパクトイオン化領域を形成する工程は、前記インパクトイオン化領域を、選択エピタキシャル成長により、前記ダイオード第２領域上に形成する工程を含んでいる
半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項１５乃至２３のいずれかに記載された半導体装置の製造方法であって、
前記電界効果トランジスタ部分を形成する工程は、前記ドレイン領域及び前記ソース領域を、基板上に、前記基板と垂直方向に並ぶように形成する工程を含んでおり、
前記ダイオード部分を形成する工程は、前記ダイオード領域を、前記電界効果トランジスタ上に積層する工程を含んでいる
半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
請求項１５乃至２４のいずれかに記載された半導体装置の製造方法であって、
前記インパクトイオン化領域を形成する工程は、前記インパクトイオン化領域を、シリコン、シリコンゲルマニウム、及びゲルマニウムのうちの少なくとも一つにより形成する
工程を含んでいる
半導体装置の製造方法。