(57)【要約】【課題】半透過領域を形成するハーフトーンマスクにおいて微細パターンのパターン密度を調節して透過率調節の効率性を図ることができるハーフトーンマスクを提供する。【解決手段】本発明は、多数の半透過領域を備えたハーフトーンマスクに関するもので、少なくとも１つ以上の半透過領域を備えたハーフトーンマスクにおいて、半透過領域を形成する微細パターンのパターン密度を調節して透過率を調節することを特徴とする。本発明によれば、スリット型または積層型半透過部やこれらの組み合わせにより半透過領域を形成するハーフトーンマスクにおいて微細パターンのパターン密度を調節して透過率調節の効率性を図ることができる。特に、別の製造工程を追加することなくパターン密度の調節を通じて半透過領域の透過率を精密に制御でき、製造工程の簡素化を図ることができる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの半透過領域を備えたハーフトーンマスクであって、
半透過領域を形成する微細パターンのパターン密度を調節して透過率を調節することを特徴とするハーフトーンマスク。
【請求項２】
前記半透過領域は、半透過膜に微細パターンを形成した構造、遮光層に微細パターンを形成し、その上に半透過膜を形成した構造、または、これらの構造を組み合わせた構造で形成されることを特徴とする、請求項１に記載のハーフトーンマスク。
【請求項３】
前記半透過膜は、透過率が４〜７５％である半透過物質を用いることを特徴とする、請求項１または２に記載のハーフトーンマスク。
【請求項４】
前記微細パターンの線幅は、０．１μｍ〜１．３μｍの範囲で調節されることを特徴とする、請求項３に記載のハーフトーンマスク。
【請求項５】
前記半透過物質は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｌのいずれか１つの主元素、これら主元素のうち少なくとも２つが混合された複合物質、または、前記主元素または複合物質にＣＯx、Ｏx、Ｎxの少なくとも１つが添加された物質であることを特徴とする、請求項４に記載のハーフトーンマスク。
【請求項６】
光透過率を調節する微細パターンを含むハーフトーンマスクの製造工程であって、
前記微細パターンのパターン密度を調節し、前記微細パターンの線幅を０．１〜１．３μｍの範囲で調節して光透過率を調節するハーフトーンマスクの製造方法。
【請求項７】
透明基板上に形成される光透過部、光遮断部、半透過部を備えるハーフトーンマスクであって、
前記半透過部は、スリットの間にハーフトーン物質が充填された構造の多重ハーフトーン部を備えることを特徴とするハーフトーンマスク。
【請求項８】
前記半透過部は、少なくとも１つの多重ハーフトーン部を備え、
半透過物質層で形成される単一ハーフトーン部、またはスリットのみで形成されたスリット型ハーフトーン部を少なくとも１つさらに備えることを特徴とする、請求項７に記載のハーフトーンマスク。
【請求項９】
前記多重ハーフトーン部は、
一定の離隔間隔を有するスリット型遮光壁を備え、
スリット型遮光壁の間及び前記光遮断部との間の離隔空間に半透過物質層が形成された構造を有することを特徴とする、請求項７に記載のハーフトーンマスク。
【請求項１０】
前記スリット型遮光壁及び光遮断部上には半透過物質層が形成されたことを特徴とする、請求項９に記載のハーフトーンマスク。
【請求項１１】
前記半透過物質層は、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｅ、Ｖ、Ｎi、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｔｉを主元素とし、この主元素物質、またはこれら主元素の少なくとも２つ以上が混合された複合物質、または、前記主元素または複合物質にＣＯx、Ｏx、Ｎx（ただし、ｘは自然数である）の少なくとも１つが添加された物質で形成されることを特徴とする、請求項７乃至１０のいずれか１項に記載のハーフトーンマスク。
【請求項１２】
遮光層の積層された透明基板上にフォトレジストを塗布する第１段階と、
前記フォトレジストを露光現像してパターニングする第２段階と、
前記遮光層をエッチングしてスリット型遮光壁と光透過部を形成する第３段階と、
前記スリット型遮光壁の間に半透過物質層を積層して多重ハーフトーン部を形成する第４段階と、
を含むハーフトーンマスクの製造方法。
【請求項１３】
前記第４段階は、
ａ１）前記遮光層の上面に半透過物質層を積層する段階と、
ａ２）前記半透過物質層上にフォトレジストを塗布してパターニングする段階と、
ａ３）前記パターニングされた部位を介して前記光透過部またはスリット型遮光壁の間に充填された半透過物質層を選択的に除去する段階と、
を含んでなることを特徴とする、請求項１２に記載のハーフトーンマスクの製造方法。
【請求項１４】
前記第３段階または第４段階の後に、遮光層または半透過物質層をエッチングしてからフォトレジストを除去する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１２または１３に記載のハーフトーンマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スリット型または積層型半透過部やそれらの組み合わせを通じて半透過領域を形成するハーフトーンマスクにおいて微細パターンのパターン密度を調節して透過率調節の効率性を図ることができるハーフトーンマスクに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程でパターニングをする時に用いられる一般のフォトマスクは、図１に示すように、透明基板１を有し、この透明基板１上に、光が完全に透過する光透過部３、光が完全に遮断される光遮断部２、及び光が一部のみ透過するハーフトーン層を備える半透過部４を有する。
【０００３】
かかる従来のマスクは、１層のパターンしか具現できず、露光→現像→エッチングからなる１サイクルのフォトリソグラフィ工程にしか使用できない。詳細に説明すると、液晶ディスプレイのＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）及びＣＦ（Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ）は、多数の層が蒸着／塗布されており、蒸着／塗布された各層は、フォトリソグラフィ工程でそれぞれパターニングされる。しかるに、１サイクルのフォトリソグラフィ工程が省けさえすれば、大きい経済的な効果が得られるものの、従来のマスクは１層のパターンしか具現できない構造となっているため、不経済的であった。また、多重半透過部を具現する場合は、複数のトーン（ｔｏｎｅ）を具現して製作しなければならず、工程が長引き、納期が長くなるという問題につながる。
【０００４】
これとは異なる形態のフォトマスクに、図２に示すように、透明基板１１上に、光が完全に透過する透過部１３、光が完全に遮断される遮光層１２、及び照射される光の量を減らして透過させるスリットパターン（ｓｌｉｔ  ｐａｔｔｅｒｎ）１４を備えるグレートンマスク（Ｇｒａｙ  Ｔｏｎｅ  Ｍａｓｋ）が開発された。しかし、グレートンマスクは、微細パターンを通過する光の回折現象を用いて、透過する光の量を調節するもので、スリットパターン具現の限界により調節可能な光透過量に制限があるし、グレートンマスクが所定大きさ以上であると、均一なパターニングを具現し難いという欠点があった。なお、多重半透過部を、上記のスリット形態にする場合は、回折効果を用いるため、露光時にこれをコントロールし難いという不具合もあった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するために案出されたもので、その目的は、スリット型または積層型半透過部やこれらの組み合わせによって半透過領域を形成するハーフトーンマスクにおいて微細パターンのパターン密度を調節して透過率調節の効率性を図ることができるハーフトーンマスクを提供することにある。
【０００６】
本発明の他の目的は、スリット型半透過部の離隔空間に半透過物質が充填された構造の多重ハーフトーンマスクを提供することによって、３個以上の異なる透過率制御が可能な構造を具現できるハーフトーンマスクを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明は、少なくとも１つの半透過領域を備え、該半透過領域を形成する微細パターンのパターン密度を調節して透過率を調節することを特徴とするハーフトーンマスクを提供する。
【０００８】
特に、上記ハーフトーンマスクにおける半透過領域は、半透過膜に微細パターンを形成した構造、遮光層に微細パターンを形成し、その上に半透過膜を形成した構造、または、これらの構造を組み合わせた構造で形成されることを特徴とする。
【０００９】
特に、上記ハーフトーンマスクにおける半透過領域に形成される前記半透過膜は、透過率が４〜７５％である半透過物質を用いることを特徴とする。
【００１０】
上記の透過率の調節のために、前記微細パターンの線幅は、０．１〜１．３μｍの範囲で調節されることを特徴とする。
【００１１】
また、前記半透過物質は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｌのいずれか１つの主元素、これら主元素のうち少なくとも２つが混合された複合物質、または、前記主元素または複合物質にＣＯx、Ｏx、Ｎｘの少なくとも１つが添加された物質であればよい。
【００１２】
このような本発明に係るハーフトーンマスクの製造工程は、光透過率を調節する微細パターンを含むハーフトーンマスクの製造工程であって、前記微細パターンのパターン密度を調節し、該微細パターンの線幅を０．１〜１．３μｍの範囲に調節して光透過率を調節することを特徴とする。
【００１３】
上記の他の課題を解決するために、本発明は、透明基板上に形成される光透過部、光遮断部、半透過部を備えるハーフトーンマスクにおいて、前記半透過部は、スリットの間にハーフトーン物質が充填された構造の多重ハーフトーン部を備えることを特徴とする。
【００１４】
特に、前記半透過部は、少なくとも１つの多重ハーフトーン部を備え、半透過物質層で形成される単一ハーフトーン部、またはスリットのみで形成されたスリット型ハーフトーン部を少なくとも１つさらに備えることができる。
【００１５】
特に、前記多重ハーフトーン部は、一定の離隔間隔を有するスリット型遮光壁を備え、これらスリット型遮光壁の間及び前記光遮断部との間の離隔空間に半透過物質層が形成された構造を有することを特徴とする。
【００１６】
特に、本発明に係る多重ハーフトーンマスクは、前記スリット型遮光壁及び光遮断部上には半透過物質層が形成されてもよい。この場合、前記半透過物質層は、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｅ、Ｖ、Ｎi、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｔｉを主元素とし、この主元素物質、またはこれら主元素の少なくとも２つ以上が混合された複合物質、または、前記主元素または複合物質にＣＯx、Ｏx、Ｎx（ただし、ｘは自然数である）の少なくとも１つが添加された物質で形成されればよい。
【００１７】
このような本発明に係るハーフトーンマスクの製造方法は、遮光層の積層された透明基板上にフォトレジストを塗布する第１段階と、前記フォトレジストを露光現像してパターニングする第２段階と、前記遮光層をエッチングしてスリット型遮光壁と光透過部を形成する第３段階と、前記スリット型遮光壁の間に半透過物質層を積層して多重ハーフトーン部を形成する第４段階と、を含むことを特徴とする。
【００１８】
また、前記第４段階は、ａ１）前記遮光層の上面に半透過物質層を積層する段階と、ａ２）前記半透過物質層上にフォトレジストを塗布してパターニングする段階と、ａ３）前記パターニングされた部位を介して前記光透過部またはスリット型遮光壁の間に充填された半透過物質層を選択的に除去する段階と、を含むことができる。さらに、前記第３段階または第４段階の後に、遮光層または半透過物質層をエッチングしてからフォトレジストを除去する工程を含むと好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、スリット型または積層型半透過部やこれらの組み合わせにより半透過領域を形成するハーフトーンマスクにおいて微細パターンのパターン密度を調節して透過率調節の効率性を図ることができる。
【００２０】
特に、別の製造工程を追加することなくパターン密度の調節を通じて半透過領域の透過率を精密に制御でき、製造工程の簡素化を図ることができる。
【００２１】
また、スリット型半透過部の離隔空間に半透過物質が充填された構造の多重ハーフトーンマスクを提供することで、３個以上の互いに異なる透過率制御が可能な構造とすることができる。
【００２２】
特に、スリットの回折現象を用いた透過率の制御及び半透過物質層を用いた透過率の制御を可能にし、設計自由度及び欠陥に対する透過率の修正の自由度を大きく向上させることで、工程の収率を高め、かつ工程期間を短縮させると同時に露光後の製品の品質を向上させることができ、結果として高品質の多重ハーフトーンマスクを提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】従来技術に係るハーフトーンマスク及びグレートンマスクを概略的に示す概念図である。
【図２】従来技術に係るハーフトーンマスク及びグレートンマスクを概略的に示す概念図である。
【図３】微細パターンによる光透過率調節の原理を説明するための概念図である。
【図４】微細パターンによる光透過率調節の原理を説明するための概念図である。
【図５】本発明の一実施例に係るハーフトーンマスクを製造する工程を示す図である。
【図６】図３で製造されたハーフトーンマスクにおいてパターン密度調節による透過率の変化を定量的に示すグラフである。
【図７】図３で製造されたハーフトーンマスクにおいてパターン密度調節による透過率の変化を定量的に示すグラフである。
【図８】それぞれ、本発明の他の実施例に係るハーフトーンマスクの製造工程を示すフローチャート及び工程図である。
【図９】それぞれ、本発明の他の実施例に係るハーフトーンマスクの製造工程を示すフローチャート及び工程図である。
【図１０】本発明の他の実施例に係る多重ハーフトーンマスクの概略を示す要部概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、添付の図面を参照しつつ、本発明の具体的な構成及び作用について説明する。
（実施例１）
【００２５】
本発明の要旨は、微細パターンを備えて半透過領域を形成するハーフトーンマスクにおいて、微細パターンのパターン密度を調節して精密に光透過率を調節できるハーフトーンマスクを提供することである。
【００２６】
図３を参照して、ハーフトーンマスクの透過率調節の基本原理について説明すると、ハーフトーンマスクは、基板２００上に、半透過層２１０、及び光を完全に遮断する遮光層２２０を備える。半透過層２１０は、遮光層を形成して微細パターンを形成してもよく、半透過膜を形成して微細パターンを形成してもよい。同図で、半透過層には、光の透過率が調節された半透過領域Ａ，Ｂが示されている。
【００２７】
半透過領域Ａを拡大した図４を参照すると、基板上に、遮断層または半透過層２１０に一定の線幅Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3，…，Ｘnを有する微細パターンが、スペースＳ1，Ｓ2，Ｓ3，…，Ｓnを有して形成される。このようなハーフトーンマスクを用いて露光を行う場合、感光物質ＰＲは、光の透過率の変動により、同図に示すように、現像後に形状が変動することとなる。特に、このような微細パターンの幅の調節は、透過率調節の重要要素となる。微細パターン密度（ｐａｔｔｅｒｎ  ｄｅｎｓｉｔｙ）は、単位面積当たり微細パターンが占める割合で、同図では、多数の線幅Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3，…，Ｘnの和が全体単位面積に占める割合で算出した値であり、パターン密度と光透過率とは反比例する関係にある。
【００２８】
図５は、本発明の一実施例に係るハーフトーンマスクの製造工程を示す図である。
【００２９】
まず、基本的な工程として、図３に示す構造のハーフトーンマスクを形成するために、基板２００上に、遮光物質２２０を成膜し、この上にフォトレジスト２３０をコーティングし、以降、露光工程（Ｐ３）、現像・エッチング工程（Ｐ４）、剥離・洗浄工程（Ｐ５）を行う。これで、微細パターンの形成された既存のハーフトーンマスクが製造される。
【００３０】
特に、本発明では、このような微細パターンを形成するに当たり、微細パターンの線幅の変化範囲を０．１μｍ〜１．３μｍとして調節することが好ましい。
【００３１】
より好ましくは、上記微細パターンの形成された半透過領域に、半透過膜２４０を塗布する。半透過膜には酸化クロム膜を用いることができ、その他、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｌを主元素とするいずれか１つ、これら主元素の少なくとも２つ以上が混合された複合物質、または、これらの主元素または複合物質にＣＯx、Ｏx、Ｎxの少なくとも１つが添加された物質が適用されてもよい。具体的には、上記積層型半透過領域の組成物は、照射される所定波長帯の光を一部のみを通過さえさせられれば、種々に形成できる。例えば、ＣｒxＯy、ＣｒxＣＯy、ＣｒxＯyＮz、ＳｉxＯy、ＳｉxＯyＮz、ＳｉxＣＯy、ＳｉxＣＯyＮz、ＭｏxＳｉy、ＭｏxＯy、ＭｏxＯyＮz、ＭｏxＣＯy、ＭｏxＯyＮz、ＭｏxＳｉyＯz、ＭｏxＳｉyＯzＮ、ＭｏxＳｉyＣＯzＮ、ＭｏxＳｉyＣＯz、ＴａxＯy、ＴａxＯyＮz、ＴａxＣＯy、ＴａxＯyＮz、ＡｌxＯy、ＡｌxＣＯy、ＡｌxＯyＮz、ＡｌxＣＯyＮz、ＴｉxＯy、ＴｉxＯyＮz、ＴｉxＣＯyのいずれか１つ、またはこれらの組み合わせで上記の積層型半透過部を形成できる。ここで、下付き文字ｘ、ｙ及びｚは自然数で、各化学元素の個数を意味する。
【００３２】
続いて、半透過膜２４０上に、再びフォトレジスト２５０を塗布し、パターン形成後に、露光／現像／エッチング工程を行い（Ｑ１〜Ｑ３）、フォトレジストを剥離・洗浄することで、本発明に係るハーフトーンマスクを形成できる（Ｑ４）。
【００３３】
図６を参照して、図５で得られた本発明に係るハーフトーンマスクの透過率調節特性を説明すると、次の通りである。図６は、微細パターン上に塗布される半透過膜は透過率５０％とし、遮光層を構成する遮光物質はＣｒとした場合において、パターン密度別透過率の変化を示すグラフである。同図に示すように、定型的な割合でパターン密度が高まるにつれて光透過率が低くなることが確認できる。
【００３４】
上記パターン密度を調節するために、本発明では、パターンの線幅の変化を０．１〜１．３μｍと調節することを特徴とし、０．１μｍの線幅の変化につき、光透過率は１４％ずつ定量的に変化させることができる。このような透過率の変化は、図７のように定量的変化と示すことができる。
【００３５】
上述した微細パターンの定量的なパターンの線幅変化から、本発明では、透過率をより容易に調節でき、かつパターン線幅の変化を定量的に導出できる他、製造工程を顕著に減らし、不良率を下げ、生産効率を増大させることができる。
（実施例２）
【００３６】
本発明は、多重半透過部を備えたフォトマスクを製造するに当たり、スリット型半透過部の離隔空間に半透過物質が充填された構造の多重ハーフトーン部を備える構造のフォトマスクを提供することを要旨とする。
【００３７】
図８及び図９はそれぞれ、本発明に係るフォトマスクを製造するフローチャート及び工程図である。同図を参照して、本発明に係るフォトマスクの製造工程及びそのフォトマスクの構造の一実施例を説明する。
【００３８】
図８及び図９を参照すると、本発明に係るフォトマスクの製造工程は、大きく、遮光層の積層されている透明基板上にフォトレジストを塗布する第１段階と、フォトレジストを露光現像してパターニングする第２段階と、該遮光層をエッチングしてスリット型遮光壁と光透過部を形成する第３段階と、該スリット型遮光壁の間に半透過物質層を積層して多重ハーフトーン部を形成する第４段階と、を含んでなる。
【００３９】
具体的には、本発明に係る製造段階は、まず、Ｓ１段階として、透明基板１１０上に、遮光層１２０の成膜された構造のブランクマスクを形成する。この遮光層の組成物質は、光を遮断する物質であればよく、Ｃｒ、ＣｒxＯyのいずれか１つまたはこれらを組み合わせてなる物質とすることができる。ここで、下付き文字は、元素の結合によって変わる自然数である。
【００４０】
その後、Ｓ２段階として、フォトレジスト１３０を塗布し、このフォトレジストを露光、現像して、一定のパターン１３１を有するようにパターニングする。
【００４１】
そして、このパターニングされたパターン１３１を介して遮光層１２０をエッチングして、光透過部１２２と、スリット型遮光壁１２１を有する半透過部１２３と、を形成する。
【００４２】
そして、スリット型遮光壁１２１の間に半透過物質１４１を充填して、多重ハーフトーン部Ｈを形成すればよい（Ｓ４１）。すなわち、本発明に係る多重ハーフトーン部Ｈは、スリット型遮光壁の間に半透過物質が充填された構造とすることを特徴とする。半透過物質は、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｅ、Ｖ、Ｎi、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｔｉを主元素とし、これら主元素物質のいずれか１つ（主元素のみからなる物質）、これら主元素の少なくとも２つ以上が混合された複合物質、または、主元素のいずれか１つまたは複合物質に、ＣＯx、Ｏx、Ｎxの少なくとも１つが添加されてなる物質であればよい。ここで、下付き文字は、結合する主元素によって変わる自然数である。例えば、ＣｒxＯy、ＣｒxＣＯy、ＣｒxＯyＮz、ＳｉxＯy、ＳｉxＯyＮz、ＳｉxＣＯy、ＳｉxＣＯyＮz、ＭｏxＳｉy、ＭｏxＯy、ＭｏxＯyＮz、ＭｏxＣＯy、ＭｏxＯyＮz、ＭｏxＳｉyＯz、ＭｏxＳｉyＯzＮ、ＭｏxＳｉyＣＯzＮ、ＭｏxＳｉyＣＯz、ＴａxＯy、ＴａxＯyＮz、ＴａxＣＯy、ＴａxＯyＮz、ＡｌxＯy、ＡｌxＣＯy、ＡｌxＯyＮz、ＡｌxＣＯyＮz、ＴｉxＯy、ＴｉxＯyＮz、ＴｉxＣＯyのいずれか１つまたはこれらを組み合わせた物質を用いることができる。ここで、下付き文字ｘ、ｙ及びｚは、自然数で、各化学元素の個数を意味する。
【００４３】
以下では、Ｓ４段階として、本発明に係る多重ハーフトーン部Ｈを含めて３個以上の半透過部を形成する工程を説明する。
【００４４】
具体的には、Ｓ３段階におけるスリット型遮光壁１２１の間の空間に半透過物質を充填して多重ハーフトーン部Ｈを形成する方式には、様々なものを適用することができるが、本実施例では、フォトレジストを用いて一回の工程で互いに異なる透過率を有する多重半透過部を形成する工程を取り上げる。
【００４５】
まず、Ｓ３段階で形成された遮光層の上面に半透過物質層１４０を塗布し（Ｓ４１段階）、この半透過物質層１４０の上部にフォトレジスト１５０を塗布する（Ｓ４２段階）。その後、互いに異なる透過率を有するように形成する領域に対して選択的にパターニングをし（Ｓ４３段階）、このパターニングされたパターンを介して半透過物質層を選択的にエッチングし、フォトレジストを除去することで、透明基板が露出される領域に形成される光透過部Ｗ、スリット型遮光壁のみで形成されたスリット型ハーフトーン部Ｚ、ハーフトーン物質膜で形成された単一ハーフトーン部Ｙ、及びスリット型遮光壁と半透過物質とで形成された多重ハーフトーン部Ｘを含むフォトマスクを製造できる（Ｓ４４段階）。
【００４６】
図１０は、この製造工程によって製造された本発明に係る多重ハーフトーン部を備えたフォトマスクの要部を示す概念図である。
【００４７】
すなわち、図示のように、本発明に係るハーフトーンマスクは、透明基板１１０に、該透明基板が露出される領域に光透過部Ｗを形成し、スリット型遮光壁のみで形成されたスリット型ハーフトーン部Ｚ、ハーフトーン物質膜１４３で形成された単一ハーフトーン部Ｙ、及びスリット型遮光壁及び半透過物質で形成された多重ハーフトーン部Ｘを含む、３個以上の互いに異なる透過率制御が可能な構造を備えることができる。
【００４８】
すなわち、本実施例に示すように、光透過部Ｗを光透過率１００％とする場合、多重ハーフトーン部Ｘ、単一ハーフトーン部Ｙ、スリット型ハーフトーン部Ｚは、それぞれ異なる透過率を有するようになる。また、照射される光は、露光器によってその波長帯が変わることがあるから、別に制限されることはないが、一般に、３００ｎｍ〜４４０ｎｍ波長帯が用いられる。それぞれの半透過部は、照射される光の一部のみを透過させればよく、高投光量に特に制限はなく、照射される光の１０％〜９９％を透過させるように調節可能であると好ましい。
【００４９】
勿論、上述した構造の様々なハーフトーン部は、多重ハーフトーン部を少なくとも１つ含む、種々の個数と設計構造のものに変形可能である。
【００５０】
また、本発明の好適な一実施例に係るフォトマスクの構造では、遮光層１２０は、それ自体としても光を完全に遮断するものを用いてもよく、特に、本発明の一実施例に係る製造工程によれば、遮光層１２０は、上部に半透過物質１４０層が形成される構造としてもよく、さらにはスリット型遮光壁１２１の上部にも同じ半透過物質層１４２が形成される構造にしてもよい。これは、本発明の一実施例が、半透過物質層をスリット型遮光壁の間の離隔空間に充填するために行う積層工程により形成されるからである。
【００５１】
特に、本発明に係る多重ハーフトーン部Ｘは、単一ハーフトーン部の構成にスリット型遮光壁が挿入された構造とし、異なる透過率を有する複合的な半透過部の構成とすることができ、このような製造方式により、単一ハーフトーン部、スリット型ハーフトーン部以外の構造として、透過率を調節できる領域をさらに増加させてもよい。これは、工程に当たって設計自由度及び欠陥に対する修正自由度を上げて、工程収率を増大できる他、納期を短縮させ、かつ露光後の製品の品質を向上させることができる。
【００５２】
以上、本発明の詳細な説明では具体的な実施例について説明した。しかし、本発明の範囲を逸脱しない限度内では種々の変形が可能である。本発明の技術的思想は、具体的な実施例に限定して定められてはならず、特許請求の範囲及び特許請求の範囲と均等なものによって定められるべきであろう。
【図１】
2012527639.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
2012527639.tif 000013
2012527639.tif 000014