Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月4日(2009.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージをウォーターマークするシステムであって、
関連付けられた複数のウォーターマークイメージファイルと、イメージのプレゼンテーションを表す信号を生成する手段とを有するディスプレイ管理システムと、
前記ディスプレイ管理システムに結合され、前記イメージのプレゼンテーション中に、スクリプティングファイルに従って、前記ウォーターマークイメージファイルがいつどこに表示されるかを決定するように構成されたスクリプティングメカニズムと
を備え、
前記ウォーターマークイメージファイルは、前記信号を生成する手段に関連付けられたウォーターマークイメージを含み、前記イメージのプレゼンテーション中に前記スクリプティングメカニズムに従ってレンダリングされ、前記スクリプティングメカニズムに従った前記ウォーターマークイメージの配置が、前記プレゼンテーションをレンダリングする前記信号を生成する手段を識別し、前記スクリプティングファイルはプレゼンテーションファイルとともに受信されることを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記スクリプティングメカニズムは、ヌルイメージファイルおよび非ヌルイメージファイルを含み、前記プレゼンテーションの割り当てられたフレームに従って、前記非ヌルイメージファイルをレンダリングすることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記スクリプティングメカニズムは、前記ウォーターマークイメージをレンダリングするように構成された字幕メカニズムを含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記ウォーターマークイメージは、ＰＮＧファイルを含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記信号を生成する手段は、デジタルシネマシステムにおけるプロジェクタを含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記ウォーターマークイメージファイルは、前記プロジェクタの製造において割り当てられることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記スクリプティングメカニズムは、フレーム／時間コードロケーションに基づいて、ウォーターマークイメージに対する前記プレゼンテーション中における位置を決定することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記信号を生成する手段は、前記ウォーターマークイメージおよび前記イメージのプレゼンテーション中における前記ウォーターマークイメージの時間的配置に基づいて、識別されることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記イメージはデジタルシネマプロジェクタから投影され、前記ウォーターマーク符号化は前記プレゼンテーションをレンダリングするのに使用された前記プロジェクタを識別することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
プレゼンテーションをウォーターマークする方法であって、
ヌルウォーターマークファイル群および非ヌルウォーターマークファイル群を含む複数のウォーターマークファイルをプロジェクタ中において受け取るステップであって、前記ヌルウォーターマークファイルおよび前記非ヌルウォーターマークファイルは、プレゼンテーションのレンダリング中にプロジェクタを識別するために、特定の組合せの与えられたファイル名群に対して選択されることと、
スクリプティングメカニズムを用いてヌルウォーターマークファイル群および非ヌルウォーターマークファイル群をレンダリングするステップであって、前記スクリプティングメカニズムは、プレゼンテーションファイルとともに受信されたスクリプティングファイルに従って、前記プロジェクタを一意的に識別する前記プレゼンテーションとの時間的な関係で前記非ヌルマークを配置することと
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記ヌルイメージは、空のファイルを含み、レンダリングする前記ステップは、前記非ヌルイメージファイルによって生成されたウォーターマークを、選択されたフレーム番号に配置するステップを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記スクリプティングメカニズムは、プレゼンテーションを備え、前記ウォーターマークファイルに対するファイル名群は、すべてのプロジェクタに対して共通であり、前記方法は、
すべての組が前記同じ名前を有するファイルを含む、複数のウォーターマークファイルの組を生成するステップと、
前記組中におけるどのウォーターマークファイルが、ヌルウォーターマークファイルおよび非ヌルウォーターマークファイルを有するかを選択するステップと
をさらに備えることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
レンダリングする前記ステップは、字幕付けメカニズムを使用して非ヌルウォーターマークをレンダリングするステップを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
提供することは、前記プロジェクタが製造されるときに１組の非ヌルウォーターマークファイルとヌルウォーターマークファイルを割り当てることを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記プレゼンテーションのレンダリングはデジタルシネマプロジェクタによって実行され、ウォーターマークすることは一意的に前記プロジェクタを定義することを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月10日(2009.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ極表面を有する窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）層および窒化ガリウム（ＧａＮ）層から構成されるエンハンスメントモード高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）デバイスであって、該デバイスは、
（ａ）該デバイスのためのゲートの下のエピ層構造であって、ＧａＮ（２）層の上に成長したＡｌＧａＮ（２）層の上に成長したＧａＮ（１）層の上に成長したＡｌＧａＮ（１）層を備えるエピ層構造と、
（ｂ）該ゲートに対して対向する側で該ＧａＮ（１）層の上に形成されたソースおよびドレインと、
（ｃ）該ソースの下および該ドレインの下のコンタクト領域であって、該ＧａＮ（２）層と該ＡｌＧａＮ（２）層と該ＧａＮ（１）層とを含むコンタクト領域と、
（ｄ）該ゲートと該ソースとの間および該ゲートと該ドレインとの間のアクセス領域であって、該ＧａＮ（２）層と該ＡｌＧａＮ（２）層と該ＧａＮ（１）層とを含むアクセス領域と
を含み、
（ｅ）該アクセス領域は、該ＡｌＧａＮ（１）層がなく、該ＧａＮ（１）層の電子ガス中の電荷が常に該アクセス領域に存在する、デバイス。
【請求項２】
前記ＡｌＧａＮ（１）層の厚さは０．１ｎｍと１０μｍとの間である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記デバイスの前記アクセス領域および前記コンタクト領域の下の前記ＡｌＧａＮ（２）層および前記ＧａＮ（１）層は、該ＡｌＧａＮ（２）層と前記ＧａＮ（２）層との間の界面における電荷シートを可能にするために十分な薄さに生成される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記ゲートの下の前記電子ガスはゼロゲートバイアス下で空乏化され、一方で導電性活性領域は正ゲートバイアスにおいて導電を可能にするので、前記デバイスは、ノーマリーオフ型つまりエンハンスメントモード電界効果トランジスタを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
Ｎ極表面を有する窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）層および窒化ガリウム（ＧａＮ）層から構成されるエンハンスメントモード高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）構造を製造する方法であって、該方法は、
ＧａＮ（２）バッファ層と、該ＧａＮ（２）バッファ層の上に成長したＡｌＧａＮ（２）層と、該ＡｌＧａＮ（２）層の上に成長したＧａＮ（１）層と、該ＧａＮ（１）層の上に成長したＡｌＧａＮ（１）層とから構成されるエピ層スタックを形成することと、
ゲートに対して対向する側で該ＧａＮ（１）層の上にソースとドレインとを形成することと
を含み、
該ソースの下および該ドレインの下のコンタクト領域は、該ＧａＮ（２）層と該ＡｌＧａＮ（２）層と該ＧａＮ（１）層とを含み、
該ゲートと該ソースとの間および該ゲートと該ドレインとの間のアクセス領域は、該ＧａＮ（２）層と該ＡｌＧａＮ（２）層と該ＧａＮ（１）層とを含み、
該構造の該コンタクト領域および該アクセス領域において、該アクセス領域内の２ＤＥＧが常に存在するように、該ＡｌＧａＮ（１）層の少なくとも一部分がエッチングされる、方法。
【請求項６】
前記ＡｌＧａＮ（１）層の厚さは０．１ｎｍと１０μｍとの間である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ＧａＮ（２）バッファ層は、任意の組成のＡｌＩｎＧａＮに代替される、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記ＡｌＧａＮ（２）層は、任意の組成のＡｌＩｎＧａＮに代替される、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記ＧａＮ（１）層は任意の組成のＡｌＩｎＧａＮに代替される、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＡｌＧａＮ（１）層は任意の組成のＡｌＩｎＧａＮに代替される、請求項５に記載の方法。
【請求項１１】
ｎ型ドーパントは、前記ＧａＮ（１）層に取り込まれて可動電子電荷を誘起する、請求項５に記載の方法。
【請求項１２】
プラズマ処理、注入および堆積を伴う表面改質は、前記デバイスのアクセス領域内で実施され、可動電子電荷を誘起する、請求項５に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＡｌＧａＮ（１）層はｐ型層である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記ＡｌＧａＮ（１）層はｐ型層である、請求項５に記載の方法。
【請求項１５】
前記デバイスは、１Ｖより大きい閾値電圧を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記デバイスは、約１．７Ｖの閾値電圧を有する、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記デバイスは、２Ｖより大きい閾値電圧を有する、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記ＡｌＧａＮ（１）層は、ＡｌＮを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記ＡｌＧａＮ（２）層のＡｌ組成は、勾配を形成するために傾斜している、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記勾配は、前記ＡｌＧａＮ（２）層と前記ＧａＮ（２）層との界面における電荷の蓄積を防ぐ、請求項１９に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記ＡｌＧａＮ（２）層の前記勾配は、前記ＡｌＧａＮ（２）層内のフェルミ準位とバレンスバンドとの間の分離を起こす、請求項１９に記載のデバイス。
【請求項２２】
前記ＧａＮ（２）層は、ドープされたｎ型である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記ＧａＮ（２）層は、シリコンドーパントでドープされる、請求項２２に記載のデバイス。
【請求項２４】
前記ＧａＮ（２）層は、デルタドープされたｎ型である、請求項２２に記載のデバイス。
【請求項２５】
前記ＡｌＧａＮ（２）層は、ドープされたｎ型である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２６】
前記ＡｌＧａＮ（２）層中のｎ型ドーパントは、シリコンドーパントである、請求項２５に記載のデバイス。
【請求項２７】
前記ゲートと前記ＡｌＧａＮ（１）層との間の絶縁体をさらに含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項２８】
前記ＡｌＧａＮ（１）層はＡｌＮを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項２９】
前記ＡｌＧａＮ（２）層のＡｌ組成は、勾配を形成するために傾斜される、請求項５に記載の方法。
【請求項３０】
前記ＧａＮ（２）層は、ドープされたｎ型である、請求項５に記載の方法。
【請求項３１】
前記ＧａＮ（２）層は、シリコンドーパントでドープされる、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記ＧａＮ（２）層は、デルタドープされたｎ型である、請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
前記ＡｌＧａＮ（２）層は、ドープされたｎ型である、請求項５に記載の方法。
【請求項３４】
前記ＡｌＧａＮ（２）層中のｎ型ドーパントは、シリコンドーパントである、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記ゲートと前記ＡｌＧａＮ（１）層との間に絶縁体を形成することをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項３６】
前記ＨＥＭＴの前記アクセス領域と前記コンタクト領域の下の前記ＡｌＧａＮ（２）層および前記ＧａＮ（１）層は、該ＡｌＧａＮ（２）層と前記ＧａＮ（２）層との間の界面における電荷シートを可能にするために十分な薄さに生成される、請求項５に記載の方法。
【請求項３７】
前記ゲートの下の前記電子ガスはゼロゲートバイアス下で空乏化され、一方で導電性活性領域は正ゲートバイアスにおいて導電を可能にするので、前記ＨＥＭＴは、ノーマリーオフつまりエンハンスメントモードの電界効果トランジスタを含む、請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月27日(2009.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン形成された開口部を有する誘電体層と、
前記パターン形成された開口部内に配置された金属構造と、
前記金属構造の上に重なる、複数の誘電体キャップ層を含む誘電体キャップとを備え、前記誘電体キャップが内部引張応力を有する、マイクロエレクトロニクス素子のための相互接続構造体。
【請求項２】
前記金属構造が、アルミニウム、銅、タングステン、銀、金及びニッケルから成る群から選択される少なくとも１つの金属を含む、請求項１に記載の相互接続構造体。
【請求項３】
前記金属構造が、前記開口部内に、前記パターン形成された開口部の壁及び底部をライニングする拡散障壁層と、前記拡散障壁層の上に重なる銅の充填材とを含む、請求項１に記載の相互接続構造体。
【請求項４】
前記誘電体層の上面が主表面を画定し、前記パターン形成された開口部が前記主表面と平行な方向に配向された第１のパターン形成された開口部であり、前記金属構造が第１の金属構造であり、前記誘電体層がさらに、前記第１のパターン形成された開口部に対して位置合わせされ、且つ前記主表面に交差する方向に配向された第２のパターン形成された開口部を備え、前記相互接続構造体がさらに、前記第２のパターン形成された開口部内に配置された第２の金属構造を備え、前記第２の金属構造が前記第１の金属構造に導電的に接続されている、請求項１に記載の相互接続構造体。
【請求項５】
前記誘電体キャップが、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、Ｓｉ３Ｎ４、並びにｘ、ｙ及びｚが可変の百分率であるＳｉＣｘＮｙＨｚから成る群から選択される少なくとも１つの材料を含む、請求項１に記載の相互接続構造体。
【請求項６】
前記複数の誘電体キャップ層が、少なくとも３つの前記誘電体キャップ層を含み、該誘電体キャップ層の各々が、５オングストロームと５０オングストロームとの間の厚さを有する、請求項１に記載の相互接続構造体。
【請求項７】
前記金属構造の上に重なり、且つ前記複数の誘電体キャップ層の下に重なる誘電体下層をさらに備え、前記誘電体下層が、実質的に５０オングストロームを超える厚さを有する、請求項６に記載の相互接続構造体。
【請求項８】
前記金属構造に対して位置合わせされ、且つ前記金属構造と接触する拡散障壁層をさらに備え、前記誘電体キャップが、前記拡散障壁層の上に重なる、請求項１に記載の相互接続構造体。
【請求項９】
前記拡散障壁層が、１０オングストロームと５００オングストロームとの間の厚さを有する、請求項８に記載の相互接続構造体。
【請求項１０】
前記金属構造の上面に接触する金属拡散障壁層をさらに備え、前記金属拡散障壁がコバルト合金を含む、請求項１に記載の相互接続構造体。
【請求項１１】
マイクロエレクトロニクス素子の相互接続構造体を形成する方法であって、
誘電体層内で開口部をパターン形成するステップと、
前記パターン形成された開口部内に金属構造を形成するステップと、
前記金属構造の上に誘電体キャップを形成するステップとを含み、前記誘電体キャップが内部引張応力を有し、
前記誘電体キャップを形成する前記ステップが、複数の誘電体キャップ層の各々を堆積させるステップと、前記誘電体キャップ層の各々が内部引張応力を有するように、後続の各誘電体キャップ層を堆積する前に前記誘電体キャップ層をプラズマ処理するステップとを含む、
方法。
【請求項１２】
前記金属構造を形成する前記ステップが、前記パターン形成された開口部の壁及び底部をライニングする拡散障壁層を堆積してライニングされた開口部を形成するステップと、前記ライニングされた開口部を銅で充填するステップとを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記誘電体層の上面が主表面を画定し、前記パターン形成された開口部が前記主表面と平行な第１の方向に配向された第１のパターン開口部であり、前記金属構造が第１の金属構造であり、前記方法が、前記第１のパターン形成された開口部に位置合わせされた第２の開口部をパターン形成するステップをさらに含み、前記第２の開口部は前記第１の方向に交差する第２の方向に配向され、前記金属構造を形成する前記ステップが、前記第２のパターン形成された開口部内に第２の金属構造を形成するステップを含み、前記第２の金属構造が前記第１の金属構造に導電的に接続される、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月26日(2009.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コレクタ領域と、ベース領域と、外部ベース領域と、エミッタ領域とを含むヘテロ接合バイポーラ・トランジスタであって、前記ベース領域はＳｉＧｅ含有層を含み、前記ＳｉＧｅ含有層は１００ｎｍを超えない厚さと前記厚さに関連する所定の臨界ゲルマニウム含有量とを有し、前記ＳｉＧｅ含有層は前記所定の臨界ゲルマニウム含有量の８０％を下回らない平均ゲルマニウム含有量のゲルマニウム含有量プロファイルを有する、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
【請求項２】
前記ＳｉＧｅ含有層の前記ゲルマニウム含有量プロファイルは階段状又は傾斜状であり、前記ＳｉＧｅ含有層内の前記平均ゲルマニウム含有量は、前記層内の積分ゲルマニウム含有量を決定するために前記ＳｉＧｅ含有層全体にわたってゲルマニウム含有量を積分し、前記積分ゲルマニウム含有量を前記層の前記厚さで割ることによって決定される、請求項１に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
【請求項３】
前記ＳｉＧｅ含有層の前記平均ゲルマニウム含有量は前記所定の臨界ゲルマニウム含有量の９０％を下回らない、請求項１に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
【請求項４】
前記ＳｉＧｅ含有層の前記平均ゲルマニウム含有量は前記所定の臨界ゲルマニウム含有量の９５％を下回らない、請求項１に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
【請求項５】
前記ＳｉＧｅ含有層の前記平均ゲルマニウム含有量は前記所定の臨界ゲルマニウム含有量の９９％を下回らない、請求項１に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
【請求項６】
前記ＳｉＧｅ含有層の前記平均ゲルマニウム含有量は前記所定の臨界ゲルマニウム含有量と実質的に等しい、請求項１に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
【請求項７】
前記ＳｉＧｅ含有層の前記所定の臨界ゲルマニウム含有量は１０原子％を下回らない、請求項１に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
【請求項８】
前記ＳｉＧｅ含有層は５０ｎｍを超えない厚さを有し、前記ＳｉＧｅ含有層の前記所定の臨界ゲルマニウム含有量は１７原子％を下回らない、請求項１に記載のへテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
【請求項９】
前記ベース領域は２つのエピタキシャル半導体層を含み、前記ＳｉＧｅ含有層は前記２つのエピタキシャル半導体層の間に挟まれている、請求項１に記載のへテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
【請求項１０】
前記２つのエピタキシャル半導体層はいずれも原則としてシリコンからなる、請求項９に記載のへテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
【請求項１１】
５０ｎｍを超えない厚さと、１６．５原子％から１７．５原子％の範囲の平均ゲルマニウム含有量のゲルマニウム含有量プロファイルとを有するＳｉＧｅ含有ベース層を含む、へテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
【請求項１２】
１００ｎｍを超えない厚さのＳｉＧｅ含有ベース層を有するヘテロ接合バイポーラ・トランジスタにおいて、ベース層の準静的ドリフト電界を変化させることなくキャリア移動度を向上させる方法であって、
ＳｉＧｅ含有ベース層の厚さを測定するステップと、
前記ＳｉＧｅ含有ベース層の前記厚さに基づいて臨界ゲルマニウム含有量を計算するステップと、
前記ＳｉＧｅ含有ベース層のゲルマニウム含有量プロファイルを決定するために、前記ＳｉＧｅ含有ベース層内のゲルマニウム含有量を測定するステップと、
変化したゲルマニウム含有量プロファイルが前記計算された臨界ゲルマニウム含有量の８０％を下回らない平均ゲルマニウム含有量を有するのに十分な量だけ、前記ＳｉＧｅ含有ベース層内の前記ゲルマニウム含有量を均一に増加させることによって、前記ＳｉＧｅ含有ベース層の前記ゲルマニウム含有量プロファイルを変化させるステップと、
を含む方法。
【請求項１３】
前記ＳｉＧｅ含有ベース層は傾斜状又は階段状のゲルマニウム含有量プロファイルを有し、前記平均ゲルマニウム含有量は、積分ゲルマニウム含有量を決定するために前記ＳｉＧｅ含有ベース層全体にわたってゲルマニウム含有量を積分し、前記積分ゲルマニウム含有量を前記ＳｉＧｅ含有層の前記厚さで割ることによって計算される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記へテロ接合バイポーラ・トランジスタは２つのエピタキシャル半導体層をさらに含み、前記ＳｉＧｅ含有ベース層は前記２つのエピタキシャル半導体層の間に挟まれている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＳｉＧｅ含有ベース層内の前記ゲルマニウム含有量プロファイルの変化後も、前記２つのエピタキシャル半導体層のゲルマニウム含有量が同じままである、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記２つのエピタキシャル半導体層のゲルマニウム含有量が前記ＳｉＧｅ含有ベース層内の量と同じ量だけ均一に増加する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
ＳｉＧｅ含有ベース層を有するヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを製造するための方法であって、
ＳｉＧｅベースＨＢＴデバイスのＳｉＧｅ含有ベース層について推定厚さと推定ゲルマニウム・プロファイルとを決定するステップであって、前記推定厚さは１００ｎｍを超えない、ステップと、
前記推定厚さに基づいて臨界ゲルマニウム含有量を計算し、前記推定ゲルマニウム・プロファイルと前記臨界ゲルマニウム含有量とに基づいて平均ゲルマニウム含有量を計算するステップであって、前記平均ゲルマニウム含有量は前記臨界ゲルマニウム含有量の８０％を下回らない、ステップと、
半導体基板内に前記ＳｉＧｅベースＨＢＴデバイスのためのコレクタを形成するステップと、
前記コレクタの上に、前記推定厚さと前記推定ゲルマニウム・プロファイルと前記計算された平均ゲルマニウム含有量とを有する前記ＳｉＧｅ含有ベース層を堆積させるステップと、
前記ＳｉＧｅベースＨＢＴデバイスのための外部ベースとエミッタとを形成するステップと、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月11日(2009.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
専用チャネル（ＤＣＨ）トラフィックと高速ダウンリンクパケットアクセス（ＨＳＤＰＡ）トラフィックの両方にとって、全球的移動体通信システム（ＵＭＴＳ）地上無線アクセス網（ＵＴＲＡＮ）におけるサービスグレード（ＧｏＳ）要求条件を満足するため、ｌｕｂインタフェースで必要とされる容量を決定する方法であり、
前記ｌｕｂインタフェースは、無線ネットワーク制御装置（ＲＮＣ）とノードＢとの間のリンクを有しており、
前記方法は、
ＨＳＤＰＡトラフィックのバンド幅要求（ElasticDim）を決定する工程と、
前記ｌｕｂインタフェースの前記ＤＣＨトラフィックの平均バンド幅（BWuse,avg）を計算する工程と、
前記ＤＣＨトラフィックの必要容量（CapacityDCH）に対して初期容量（Capacity）を設定し、少なくとも前記初期容量がディメンジョニングシステムにおける前記ＤＣＨトラフィックに備えられる工程と、
前記ＨＳＤＰＡトラフィックの品質要求条件を満足するまで容量の値を増加させる工程を有し、
到達した容量の最大値が前記ｌｕｂインタフェースのＤＣＨとＨＳＤＰＡトラフィックに必要とされる容量であることを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
前記所定の目標平均（TargetAvg）ダウンロードレートは、平均的にビジー時負荷条件中にＨＳＤＰＡユーザが体験するセション内での所望の平均ユーザデータダウンロードレートに対応することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
前記所定の目標ピークレート（TargetPeak）は、前記ノードＢにただ１つのアクティブＨＳＤＰＡユーザがいるならユーザが経験すべき所望のダウンロードレートに対応することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
前記所定の目標値（ＧｏＳ）（targetGoS）はｘ％に等しく、
ＨＳＤＰＡトラフィックに必要とされる容量は１００−ｘ％が利用可能であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月28日(2009.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子ナノファイバーの少なくとも１つのナノファイバー層を含んでなるろ材であって、ナノファイバーが約１μｍ未満の平均繊維直径を有し、ろ材が、約０．５μｍ〜約５．０μｍの間の平均流孔サイズ、約１５容量％〜約９０容量％の間の容積および１０ｐｓｉ（６９ｋＰａ）差圧において約０．０５５Ｌ／分／ｃｍ2を超える水のろ材通過流量を有するろ材。
【請求項２】
紡糸ノズル、ブローイングガス射出ノズルおよびコレクタを含んでなる少なくとも１つの紡糸ビームを含んでなる紡糸ビームを含んでなる微細繊維紡糸装置であって、紡糸ビームおよびコレクタがそれらの間に高電圧静電界を維持する装置を提供し、
紡糸ノズルに、ポリマーおよび溶剤を含んでなるポリマー溶液を供給し、
ポリマー溶液を紡糸ノズルから圧力をかけながら吐出し、かつ前記溶液を前記ガス射出ノズルから吐出されるブローイングガスと共に吹出して、ナノファイバーの繊維状ウェブを形成し、そして
乾量基準で計測した場合約２ｇ／ｍ2〜約１００ｇ／ｍ2の間の坪量を有する繊維状ウェブを、単一の紡糸ビーム下で単一パスにおいて移動収集装置上に収集すること
を含んでなるろ材の製造方法。
【請求項３】
高分子ナノファイバーの少なくとも１つのナノファイバー層を有するろ材を含んでなるフィルタであって、ナノファイバーが、約１μｍ未満の平均繊維直径を有し、ろ材が、約０．５μｍ〜約５．０μｍの間の平均流孔サイズ、約１５容量％〜約９０容量％の間の容積および１０ｐｓｉ（６９ｋＰａ）差圧において約０．０５５Ｌ／分／ｃｍ2を超える水のろ材通過流量を有するフィルタ。
【請求項４】
液体から微粒子を除去する方法であって、微粒子を含有する液体を、高分子ナノファイバーの少なくとも１つのナノファイバー層を含んでなるろ材に通過させることを含んでなり、ナノファイバーが、約１μｍ未満の平均繊維直径を有し、ろ材が、約０．５μｍ〜約５．０μｍの間の平均流孔サイズ、約１５容量％〜約９０容量％の間の容積および１０ｐｓｉ（６９ｋＰａ）差圧において約０．０５５Ｌ／分／ｃｍ2を超える水のろ材通過流量を有する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
本発明によるろ材は、食品および飲料、医薬品、バイオテクノロジー、マイクロエレクトロニクス、化学処理、水処理、および他の液体処理産業において有用である。
本発明の特に好ましい実施態様を以下に示す。
［１］
高分子ナノファイバーの少なくとも１つのナノファイバー層を含んでなるろ材であって、ナノファイバーが約１μｍ未満の平均繊維直径を有し、ろ材が、約０．５μｍ〜約５．０μｍの間の平均流孔サイズ、約１５容量％〜約９０容量％の間の容積および１０ｐｓｉ（６９ｋＰａ）差圧において約０．０５５Ｌ／分／ｃｍ2を超える水のろ材通過流量を有するろ材。
［２］
容積が約３０容量％〜約７０容量％の間である［１］に記載のろ材。
［３］
ろ材が約１０μｍ〜約６００μｍの間の厚さを有する［１］に記載のろ材。
［４］
ろ材が約２ｇ／ｍ2〜約１００ｇ／ｍ2の間の坪量を有する［１］に記載のろ材。
［５］
ろ材通過流量の変化対ろ材を隔てた差圧の対応する変化の比が、２ｐｓｉ（１４ｋＰａ）〜１５ｐｓｉ（１００ｋＰａ）の間の範囲の差圧において正である［１］に記載のろ材。
［６］
支持スクリム層をさらに含んでなる［１］に記載のろ材。
［７］
支持スクリム層がスパンボンド不織布、メルトブローン不織布、ニードルパンチ不織布、スパンレース不織布、湿式不織布、樹脂接合不織布、織布、メリヤス生地、開孔フィルム、紙、およびこれらの組み合わせよりなる群から選択される［６］に記載のろ材。
［８］
ナノファイバーが約０．１０μｍ〜約１μｍの平均繊維直径を有する［１］に記載のろ材。
［９］
高分子ナノファイバーがポリイミド、脂肪族ポリアミド、芳香族ポリアミド、ポリスルホン、セルロースアセテート、ポリエーテルスルホン、ポリウレタン、ポリ（尿素ウレタン）、ポリベンゾイミダゾール、ポリエーテルイミド、ポリアクリロニトリル、ポリ（エチレンテレフタレート）、ポリプロピレン、ポリアニリン、ポリ（エチレンオキシド）、ポリ（エチレンナフタレート）、ポリ（ブチレンテレフタレート）、スチレンブタジエンゴム、ポリスチレン、ポリ（塩化ビニル）、ポリ（ビニルアルコール）、ポリ（フッ化ビニリデン）、ポリ（ビニルブチレン）およびこれらのコポリマーまたは誘導体化合物よりなる群から選択されるポリマーを含んでなる［１］に記載のろ材。
［１０］
紡糸ノズル、ブローイングガス射出ノズルおよびコレクタを含んでなる少なくとも１つの紡糸ビームを含んでなる紡糸ビームを含んでなる微細繊維紡糸装置であって、紡糸ビームおよびコレクタがそれらの間に高電圧静電界を維持する装置を提供し、
紡糸ノズルに、ポリマーおよび溶剤を含んでなるポリマー溶液を供給し、
ポリマー溶液を紡糸ノズルから圧力をかけながら吐出し、かつ前記溶液を前記ガス射出ノズルから吐出されるブローイングガスと共に吹出して、ナノファイバーの繊維状ウェブを形成し、そして
乾量基準で計測した場合約２ｇ／ｍ2〜約１００ｇ／ｍ2の間の坪量を有する繊維状ウェブを、単一の紡糸ビーム下で単一パスにおいて移動収集装置上に収集すること
を含んでなるろ材の製造方法。
［１１］
約２５℃〜約３００℃の間の温度および約０  ｌｂ／ｉｎ〜約１０００  ｌｂ／ｉｎ（１７８ｋｇ／ｃｍ）の間の圧力で、平滑なニップロール間で繊維状ウェブをカレンダ加工することをさらに含んでなる、［１０］に記載の方法。
［１２］
高分子ナノファイバーの少なくとも１つのナノファイバー層を有するろ材を含んでなるフィルタであって、ナノファイバーが、約１μｍ未満の平均繊維直径を有し、ろ材が、約０．５μｍ〜約５．０μｍの間の平均流孔サイズ、約１５容量％〜約９０容量％の間の容積および１０ｐｓｉ（６９ｋＰａ）差圧において約０．０５５Ｌ／分／ｃｍ2を超える水のろ材通過流量を有するフィルタ。
［１３］
液体から微粒子を除去する方法であって、微粒子を含有する液体を、高分子ナノファイバーの少なくとも１つのナノファイバー層を含んでなるろ材に通過させることを含んでなり、ナノファイバーが、約１μｍ未満の平均繊維直径を有し、ろ材が、約０．５μｍ〜約５．０μｍの間の平均流孔サイズ、約１５容量％〜約９０容量％の間の容積および１０ｐｓｉ（６９ｋＰａ）差圧において約０．０５５Ｌ／分／ｃｍ2を超える水のろ材通過流量を有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月30日(2009.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気体のホルムアルデヒド含量を減らすための方法であって、前記気体において含有される前記ホルムアルデヒドの少なくとも1部分がギ酸にまで酸化するように、前記気体を、H2O2及びCa2+、Mg2+、Fe2+、Cu2+、Ni2+、Mn2+、Ti4+、Cr3+、Ce3+、Zn2+、Pd2+、Mo6+、及びその混合物から選ばれる金属陽イオンを備える塩基性の酸化性水溶液と接触させる工程を具え、それによって前記気体で前記酸化性溶液と接触させる前のものと比べホルムアルデヒドにおける減少した含量を持つ気体、及びギ酸を備える溶液が得られる、方法。
【請求項２】
前記塩基性の酸化性水溶液は更に金属イオン封鎖剤を備える、請求項1記載の方法。
【請求項３】
気体のホルムアルデヒド含量を減らすための方法であって、前記気体において含有される前記ホルムアルデヒドの少なくとも1部分がギ酸にまで酸化されるように、前記気体を、H2O2、金属陽イオン、及び金属イオン封鎖剤を備える塩基性の酸化性水溶液と接触させる工程を具え、それによって前記気体で前記酸化性溶液と接触させる前のものと比べホルムアルデヒドにおける減少した含量を持つ気体、及びギ酸を備える溶液が得られる、方法。
【請求項４】
前記塩基性の酸化性水溶液は、Ca2+、Mg2+、Fe2+、Cu2+、Ni2+、Mn2+、Ti4+、Cr3+、Ce3+、Zn2+、Pd2+、Mo6+、又はその混合物を備える、請求項3記載の方法。
【請求項５】
前記金属イオン封鎖剤は、ジエチレントリアミン五酢酸(DTPA)、ニトロロ三酢酸(NTA)、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、ヘキサメタリン酸ナトリウム、クエン酸ナトリウム、及びそれらの混合物からなる群より選ばれる、請求項2〜4の何れか1項記載の方法。
【請求項６】
前記金属イオン封鎖剤はDTPA又はNTAである、請求項2〜4の何れか1項記載の方法。
【請求項７】
前記金属イオン封鎖剤は前記溶液において約2ppmから約2500ppmまでの濃度で存在する、請求項2〜6の何れか1項記載の方法。
【請求項８】
H2O2は前記溶液において少なくとも10ppmの濃度で存在する、請求項1〜7の何れか1項記載の方法。
【請求項９】
モル比H2O2/CH2Oは少なくとも1.0である、請求項1〜7の何れか1項記載の方法。
【請求項１０】
前記塩基性の酸化性水溶液は、NaOH、KOH、Mg(OH)2、Ca(OH)2、NaHCO3、Na2CO3、K2CO3、KHCO3、及びその混合物からなる群より選ばれる塩基を備える、請求項1〜9の何れか1項記載の方法。
【請求項１１】
前記塩基性の酸化性水溶液はNaOHを備える、請求項1〜9の何れか1項記載の方法。
【請求項１２】
前記溶液は少なくとも9.0のpHを持つ、請求項1〜11の何れか1項記載の方法。
【請求項１３】
前記溶液は少なくとも約9.5から約10.5までのpHを持つ、請求項1〜11の何れか1項記載の方法。
【請求項１４】
前記溶液は少なくとも約9.7から約10.0までのpHを持つ、請求項1〜11の何れか1項記載の方法。
【請求項１５】
前記塩基性の酸化性水溶液は、Ca2+、Mg2+、Fe2+、又はその混合物を備える、請求項1〜14の何れか1項記載の方法。
【請求項１６】
前記塩基性の酸化性水溶液はFe2+を少なくとも0.5ppmの濃度で備える、請求項1〜14の何れか1項記載の方法。
【請求項１７】
前記塩基性の酸化性水溶液はMg2+及び/又はCa2+を少なくとも0.5ppmの濃度で備える、請求項1〜14の何れか1項記載の方法。
【請求項１８】
前記接触工程はホルムアルデヒドを前記酸化性溶液において溶解させるようにホルムアルデヒドを前記酸化性溶液と混合することを含む、、請求項1〜17の何れか1項記載の方法。
【請求項１９】
前記気体及び前記酸化性溶液は充填カラムにおいて一緒に混合される、請求項1〜18の何れか1項記載の方法。
【請求項２０】
気体はカラムの底部分で導入され、及び溶液はカラムの頂部分で導入され、気体及び溶液は予め定める量の移動単位を超えてカラム中に一緒に混合される、請求項19記載の方法。
【請求項２１】
塩基性の酸化性水溶液であって、H2O2、金属陽イオン及び金属イオン封鎖剤を備え、溶液はホルムアルデヒドをギ酸にまで酸化することが可能である、溶液。
【請求項２２】
塩基性の酸化性水溶液であって、H2O2、及びFe2+、Cu2+、Ni2+、Mn2+、Ti4+、Cr3+、Ce3+、Zn2+、Pd2+、Mo6+、又はその混合物を備え、溶液はホルムアルデヒドをギ酸にまで酸化することが可能である、溶液。
【請求項２３】
前記酸化性水溶液は更に金属イオン封鎖剤を備える、請求項22記載の溶液。
【請求項２４】
前記金属イオン封鎖剤は、ジエチレントリアミン五酢酸(DTPA)、ニトロロ三酢酸(NTA)、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、ヘキサメタリン酸ナトリウム、クエン酸ナトリウム、及びその混合物からなる群より選ばれる、請求項21又は23記載の溶液。
【請求項２５】
前記金属イオン封鎖剤はジエチレントリアミン五酢酸(DTPA)又はニトロロ三酢酸(NTA)である、請求項21又は23記載の溶液。
【請求項２６】
溶液は約9.5から約10.5までのpHを持つ、請求項21〜25の何れか1項記載の溶液。
【請求項２７】
前記塩基性の酸化性水溶液はCa2+、Mg2+、Fe2+、又はその混合物を備える、請求項21〜26の何れか1項記載の溶液。
【請求項２８】
請求項21〜27の何れか1項記載の溶液の使用であって、気体のホルムアルデヒド含量を減らすための使用。
【請求項２９】
ニトロロ三酢酸(NTA)又はジエチレントリアミン五酢酸(DTPA)の使用であって、H2O2、及び金属陽イオンを備える酸化性溶液における金属イオン封鎖剤としての使用。
【請求項３０】
ホルムアルデヒドをギ酸にまで酸化するための方法であって、前記方法はホルムアルデヒドを、ニトロロ三酢酸(NTA)及び/又はジエチレントリアミン五酢酸(DTPA)、金属陽イオン及びH2O2を備える塩基性の酸化性水溶液と接触させる工程を具える、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月28日(2009.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続した、実質的にポリオレフィンを含まない、高分子ナノファイバーの少なくとも１つのナノファイバー層のナノファイバーウェブを含んでなり、各ナノファイバー層が約８００ｎｍ未満の平均繊維直径を有し、かつ少なくとも約２．５ｇ／ｍ2の坪量を有する、液体エアロゾル、油および／または水をガス流から除去するための凝集ろ材。
【請求項２】
液体エアロゾル、油および／または水をガス流から除去する方法であって、液体エアロゾル、油および／または水を含有するガス流を、連続的な、実質的にポリオレフィンを含まない、高分子ナノファイバーの少なくとも１つのナノファイバー層のナノファイバーウェブを含んでなる凝集ろ材に通過させ、そして前記液体エアロゾル、油および／または水の少なくとも一部を前記ガス流から除去することを含んでなり、各ナノファイバー層が約８００ｎｍ未満の平均繊維直径を有し、かつ少なくとも約２．５ｇ／ｍ2の坪量を有する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
実施例１〜７は、比較例ＡおよびＢに匹敵するフラジール通気度および圧力低下を維持しつつ、向上したろ過効率、低減された坪量および厚さを示す。
本発明の特に好ましい実施態様を以下に示す。
［１］
連続した、実質的にポリオレフィンを含まない、高分子ナノファイバーの少なくとも１つのナノファイバー層のナノファイバーウェブを含んでなり、各ナノファイバー層が約８００ｎｍ未満の平均繊維直径を有し、かつ少なくとも約２．５ｇ／ｍ2の坪量を有する、液体エアロゾル、油および／または水をガス流から除去するための凝集ろ材。
［２］
各ナノファイバー層が約５０ｎｍ〜約５００ｎｍの間の平均繊維直径を有する［１］に記載の凝集ろ材。
［３］
各ナノファイバー層が約５ｇ／ｍ2〜約１００ｇ／ｍ2の間の坪量を有する［１］に記載の凝集ろ材。
［４］
各ナノファイバー層が約１０μｍ〜約６００μｍの間の厚さを有する［１］に記載の凝集ろ材。
［５］
ナノファイバーウェブが少なくとも約１ｍ3／分／ｍ2のフラジール通気度を有する［１］に記載の凝集ろ材。
［６］
ナノファイバーウェブが、ＣＡＧＩ  ＡＤＦ４００試験法で測定されるとき、１０ｍｇ／ｍ3の濃度の３０重量油の汚染物および、０．２ｍ／秒の面速で９０ｍｍ直径の平坦な油飽和試験片を通過して流れる空気で試されるときに、少なくとも約９９．５％のろ過効率を有する［１］に記載の凝集ろ材。
［７］
ナノファイバーウェブが少なくとも約９９．９％のろ過効率を有する［６］に記載の凝集ろ材。
［８］
ナノファイバーウェブが少なくとも約９９．９９９％のろ過効率を有する［７］に記載の凝集ろ材。
［９］
ナノファイバーウェブが約２００ｍｍ  Ｈ2Ｏ未満の圧力低下を有する［１］に記載の凝集ろ材。
［１０］
高分子ナノファイバーがポリアミド、ポリイミド、ポリアラミド、ポリベンゾイミダゾール、ポリエーテルイミド、ポリアクリロニトリル、ポリ（エチレンテレフタレート）、ポリアニリン、ポリ（エチレンオキシド）、ポリ（エチレンナフタレート）、ポリ（ブチレンテレフタレート）、スチレンブタジエンゴム、ポリスチレン、ポリ（塩化ビニル）、ポリ（ビニルアルコール）、ポリ（フッ化ビニリデン）、ポリ（ビニルブチレン）およびこれらのコポリマーまたは誘導体化合物から選択される合成ポリマーから形成される［１］に記載の凝集ろ材。
［１１］
合成ポリマーがポリアミドである［１０に記載の凝集ろ材。
［１２］
ナノファイバーウェブを支持するためのスクリムをさらに含んでなる［１］に記載の凝集ろ材。
［１３］
スクリムが不織ウェブまたは織布を含んでなる［１２］に記載の凝集ろ材。
［１４］
不織ウェブがスパンボンド不織ウェブまたはカード不織布ウェブを含んでなる［１３］に記載の凝集ろ材。
［１５］
液体エアロゾル、油および／または水をガス流から除去する方法であって、液体エアロゾル、油および／または水を含有するガス流を、連続的な、実質的にポリオレフィンを含まない、高分子ナノファイバーの少なくとも１つのナノファイバー層のナノファイバーウェブを含んでなる凝集ろ材に通過させ、そして前記液体エアロゾル、油および／または水の少なくとも一部を前記ガス流から除去することを含んでなり、各ナノファイバー層が約８００ｎｍ未満の平均繊維直径を有し、かつ少なくとも約２．５ｇ／ｍ2の坪量を有する方法。
［１６］
各ナノファイバー層が約５０ｎｍ〜約５００ｎｍの間の平均繊維直径を有する［１５］に記載の方法。
［１７］
各ナノファイバー層が約５ｇ／ｍ2〜約１００ｇ／ｍ2の間の坪量を有する［１５］に記載の方法。
［１８］
各ナノファイバー層が約１０μｍ〜約６００μｍの間の厚さを有する［１５］に記載の方法。
［１９］
ナノファイバーウェブが少なくとも約１ｍ3／分／ｍ2のフラジール通気度を有する［１５］に記載の方法。
［２０］
ナノファイバーウェブが、ＣＡＧＩ  ＡＤＦ４００試験法で測定されるとき、１０ｍｇ／ｍ3の濃度の３０重量油の汚染物および、０．２ｍ／秒の面速で９０ｍｍ直径の平坦な油飽和試験片を通過して流れる空気で試されるときに、少なくとも約９９．５％のろ過効率を有する［１５］に記載の方法。
［２１］
ナノファイバーウェブが少なくとも約９９．９％のろ過効率を有する［２０］に記載の方法。
［２２］
ナノファイバーウェブが少なくとも約９９．９９９％のろ過効率を有する［２１］に記載の方法。
［２３］
ナノファイバーウェブが約２００ｍｍ  Ｈ2Ｏ未満の圧力低下を有する［１５］に記載の方法。
［２４］
高分子ナノファイバーがポリアミド、ポリイミド、ポリアラミド、ポリベンゾイミダゾール、ポリエーテルイミド、ポリアクリロニトリル、ポリ（エチレンテレフタレート）、ポリアニリン、ポリ（エチレンオキシド）、ポリ（エチレンナフタレート）、ポリ（ブチレンテレフタレート）、スチレンブタジエンゴム、ポリスチレン、ポリ（塩化ビニル）、ポリ（ビニルアルコール）、ポリ（フッ化ビニリデン）、ポリ（ビニルブチレン）およびこれらのコポリマーまたは誘導体化合物から選択される合成ポリマーから形成される［１５］に記載の方法。
［２５］
合成ポリマーがポリアミドである［２４］に記載の方法。
［２６］
ナノファイバーウェブを支持するためのスクリムをさらに含んでなる［１５］に記載の方法。
［２７］
スクリムが不織ウェブまたは織布を含んでなる［２６］に記載の方法。
［２８］
不織ウェブがスパンボンド不織ウェブまたはカード不織ウェブを含んでなる［２７］に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月17日(2009.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１）水性コーティング組成物Ａからの８〜２０μｍの厚さのコーティング層を、ＥＤＣプライマーを備えた基材上に適用する工程と、
２）水性コーティング組成物Ｂからの５〜１５μｍの厚さのベースコート層を、前に適用されたコーティング層上に適用する工程と、
３）クリアコート層を前記ベースコート層上に適用する工程と、
４）３つのコーティング層を一緒に硬化する工程と
の連続工程を含む多層コーティングの製造方法であって、
コーティング組成物ＡおよびＢが互いに異なっており、
前記コーティング組成物Ａが、１０〜１００ｎｍの厚さを有する少なくとも１つの金属プレートリット顔料を、０．０６：１〜０．２：１の顔料／樹脂固形分の重量比に相当する比率で含有する、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法によって製造された多層コーティングをコートされた基材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
表２
2009509752.tif 000001
次に、本発明の好ましい態様を示す。
1.  １）水性コーティング組成物Ａからの８〜２０μｍの厚さのコーティング層を、ＥＤＣプライマーを備えた基材上に適用する工程と、
２）水性コーティング組成物Ｂからの５〜１５μｍの厚さのベースコート層を、前に適用されたコーティング層上に適用する工程と、
３）クリアコート層を前記ベースコート層上に適用する工程と、
４）３つのコーティング層を一緒に硬化する工程と
の連続工程を含む多層コーティングの製造方法であって、
コーティング組成物ＡおよびＢが互いに異なっており、
前記コーティング組成物Ａが、１０〜１００ｎｍの厚さを有する少なくとも１つの金属プレートリット顔料を、０．０６：１〜０．２：１の顔料／樹脂固形分の重量比に相当する比率で含有する、方法。
2.  前記コーティング組成物ＡおよびＢから製造された２層コーティングのコーティング厚さの合計が１５〜３５μｍである、上記１に記載の方法。
3.  コーティング組成物Ａの前記樹脂固形分が、ポリウレタン樹脂を含み、および／またはウレタン基の形成によって架橋可能である、上記１または２に記載の方法。
4.  ２８０〜３８０ｎｍの波長範囲において０．１％超および／または３８０〜４００ｎｍの波長範囲において０．５％超および／または４００〜４５０ｎｍの波長範囲において１％超の紫外線透過率に相当する紫外線光が、１．５ｐｂｗのコーティング組成物Ｂ対１ｐｂｗの三量体ヘキサンジイソシアネート−ポリイソシアネートの樹脂固形分の重量比において製造された混合物から適用された１０μｍの厚さの層、および前記コーティング組成物Ｂ自体から適用された５μｍの厚さの層から構成される２層コーティング構造物を透過することができるという点において前記コーティング組成物Ｂが区別される、上記１〜３のいずれか一項に記載の方法。
5.  ＥＤＣプライマーを備えた前記基材が、自動車の車体および自動車の車体部品からなる群から選択される、上記１〜４のいずれか一項に記載の方法。
6.  上記１〜５のいずれか一項に記載の方法によって製造された多層コーティングをコートされた基材。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月14日(2009.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
元素周期律表の第１族もしくは第２族金属の水酸化物又はその塩で処理された、二酸化チタン及び酸化アルミニウムの混合物を含んでなるカルボン酸からケトンを製造する触媒。
【請求項２】
５０重量％までの二酸化チタンを含む請求項１に記載の触媒。
【請求項３】
二酸化チタンを４０重量％含む請求項１に記載の触媒。
【請求項４】
酸化アルミニウムを少なくとも５０重量％含む請求項１に記載の触媒。
【請求項５】
酸化アルミニウムを６０重量％含む請求項１に記載の触媒。
【請求項６】
元素周期律表の第１族又は第２族金属の水酸化物がＫＯＨである請求項１に記載の触媒。
【請求項７】
１種又はそれ以上のカルボン酸を、ケトンを生成するのに有効な条件で、元素周期律表の第１族もしくは第２族金属の水酸化物又はその塩で処理された、二酸化チタン及び酸化アルミニウムの混合物を含む触媒と接触させる工程を含んでなるケトンを製造する方法。
【請求項８】
前記カルボン酸が酢酸及びイソ酪酸を含み、そして前記ケトンがメチルイソプロピルケトンである請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記触媒が５０重量％までの二酸化チタンを含む請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記触媒が二酸化チタンを４０重量％含む請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記触媒が酸化アルミニウムを少なくとも５０重量％含む請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記触媒が酸化アルミニウムを６０重量％含む請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
元素周期律表の第１族又は第２族金属の水酸化物がＫＯＨである請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
ＫＯＨで処理された二酸化チタン及び酸化アルミニウムの混合物を含む触媒の存在下、メチルイソプロピルケトンを生成するのに有効な条件で、酢酸とイソ酪酸を接触させることを含んでなるメチルイソプロピルケトンを製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月2日(2009.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体供給装置を流体塗布装置に結合するための変換アダプターにおいて、流体塗布装置は外部表面上にコネクタを伴うアダプターを有し、コネクタは突起部と溝の中から選択され、
第１と第２の端部分そして第１の端部分と第２の端部分の間のボアを有するアダプターを含み、第１の端部分が、流体供給装置の結合面と結合する相補形の結合面を有し、第２の端部分がボアの中に相補形のコネクタを有し、第２の端部分が頂部および底部を有し、該相補形のコネクタが相補形の溝または相補形の突起部の中から選択され、該相補形のコネクタが、流体塗布装置のアダプター上でコネクタと結合するように適合されている変換アダプター。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月29日(2009.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロカプセルを含む消費者製品において、前記マイクロカプセルは、（ａ）揮発性物質と、（ｂ）前記揮発性物質よりも高い融点を有し、前記揮発性物質と相互に溶解することができる添加物、とを含む混合物をカプセル封入しており、前記混合物が融点範囲を示し、前記融点範囲の一部又は全てが約−２０℃〜約６０℃の範囲内にある、前記消費者製品。
【請求項２】
前記添加物が、約２５℃〜２００℃の範囲内の融点を有する化合物である、請求項１に記載の消費者製品。
【請求項３】
前記揮発性物質が、芳香剤、植物系の精油、防臭剤、脱臭剤からなる群から選択される、一つ以上の試薬である、請求項１に記載の消費者製品。
【請求項４】
前記揮発性物質が芳香剤である、請求項１に記載の消費者製品。
【請求項５】
前記芳香剤が、香料、香料混合物又は香料系を含む請求項４に記載の消費者製品。
【請求項６】
前記添加物が、親油性化合物である。請求項１記載の消費者製品。
【請求項７】
前記添加物が、アルコール、カルボン酸、ヒドロキシル酸及びパラフィンからなる群から選択される、一つ以上の化合物である、請求項１記載の消費者製品。
【請求項８】
前記混合物が、前記揮発性物質１００重量部に対して、１０〜２００重量部の添加物を含む、請求項１記載の消費者製品。
【請求項９】
補助物質をさらに含む請求項１記載の消費者製品。
【請求項１０】
前記補助物質が、界面活性剤、ビルダー、キレート化剤、移染防止剤、分散剤、酵素及び酵素安定剤、触媒作用性金属錯体、漂白活性化剤、過酸化水素、過酸化水素供給源、予備形成過酸、光漂白剤、ポリマー分散剤、粘土汚れ除去／再付着防止剤、増白剤、起泡抑制剤、染料、香料、構造伸縮性付与剤、布帛柔軟仕上げ剤、キャリア、ヒドロトロープ、加工助剤、溶媒及び顔料からなる群から選択される、請求項９記載の消費者製品。
【請求項１１】
物品、表面及び／又は布帛を請求項１記載の消費者製品と接触させることを含む、洗浄方法。
【請求項１２】
前記の物品、表面及び／又は布帛をリンスすることをさらに含む請求項１１記載の洗浄方法。
【請求項１３】
前記の物品、表面及び／又は布帛をリンスする前に、前記の物品、表面及び／又は布帛を洗浄することをさらに含む、請求項１２記載の洗浄方法。
【請求項１４】
前記の物品、表面及び／又は布帛を洗浄する工程が、擦ること又は機械的な撹拌を含む、請求項１３記載洗浄方法。
【請求項１５】
布帛を、請求項１記載の消費者製品を含む溶液に接触させることを含む、布帛の洗濯方法。
【請求項１６】
前記溶液は、約８〜約１０．５のｐＨを有しており、約５００〜約１５,０００ppmの溶液の濃度で前記消費者製品を提供し、水温が約５℃〜約９０℃であり、水：布帛の比が、約１：１〜約３０：１である、請求項１５記載の布帛の洗濯方法。
【請求項１７】
前記消費者製品が、洗濯用洗浄剤組成物、洗濯組成物、漂白洗濯用洗浄剤組成物、顆粒状洗浄剤、顆粒状布帛洗浄剤組成物、液体洗浄剤配合物、布帛柔軟剤を有する液体洗浄剤組成物、濃縮液体洗浄剤配合物、濃縮又は稀釈液体布帛柔軟剤組成物、漂白剤、洗浄製品及びシャンプー、からなる群から選択される請求項１記載の消費者製品。
【請求項１８】
マイクロカプセル及び補助物質を含む、消費者製品において、前記マイクロカプセルは、揮発性物質及び添加物を含む混合物をカプセル封入し、前記添加物は、前記揮発性物質よりも高い融点を有しており、前記揮発性物質と相互に溶解することができ、前記混合物は、融点範囲を示し、前記融点範囲の一部又は全てが約−２０℃〜約６０℃の範囲内にある、前記消費者製品。
【請求項１９】
前記混合物を均質化し、前記混合物に水を添加することを含む請求項１記載の消費者製品の製造方法。
【請求項２０】
構造剤を前記混合物に添加し、前記混合物の密度を調節し、前記混合物に分散剤、沈降防止剤又はそれらの組み合わせを添加することをさらに含む、請求項１９記載の方法。