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【手続補正書】
【提出日】平成23年4月6日(2011.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧が印加されて発熱するフィルム状の発熱体と、
前記発熱体を保持する保持具と、
前記発熱体に前記保持具を介して電力を供給する電力供給部材と、
前記発熱体、前記保持具及び前記電力供給部材の一部を内包する容器と、を具備し、
前記保持具は弾性力を有し、当該弾性力により前記発熱体を保持するよう構成された発熱体ユニット。
【請求項２】
前記保持具が、第１保持部材と第２保持部材で構成され、前記第１保持部材と前記第２保持部材の弾性力による挟持動作により、前記第１保持部材と前記第２保持部材の間に配置された前記発熱体が保持されるよう構成された請求項１に記載の発熱体ユニット。
【請求項３】
前記第１保持部材と前記第２保持部材の少なくともいずれか一方の保持部材が弾性を有して構成され、前記一方の保持部材が他方の保持部材に弾性力により挟持されるよう構成された請求項２に記載の発熱体ユニット。
【請求項４】
前記第１保持部材と前記第２保持部材の両方の保持部材が弾性を有して構成され、前記一方の保持部材が他方の保持部材に互いの弾性力により挟持されるよう構成された請求項３に記載の発熱体ユニット。
【請求項５】
前記発熱体が前記容器の内壁面に前記保持具の弾性力による拡張動作により押し付けられて保持されるよう構成された請求項１に記載の発熱体ユニット。
【請求項６】
前記発熱体が、前記保持具の弾性力による挟持動作により保持され、前記容器に接して配置された前記保持具の弾性力による拡張動作により前記容器の所定位置に当該保持具が固定されるよう構成された請求項１に記載の発熱体ユニット。
【請求項７】
前記保持具が、前記容器の内壁面に対応する形状の円弧部を有し、規制前状態である自由状態の前記円弧部の直径が前記容器の直径以上であり、規制後状態の前記円弧部の直径が前記容器の直径より小さく構成され、前記円弧部の拡張動作により前記発熱体を保持するよう構成された請求項５に記載の発熱体ユニット。
【請求項８】
前記保持具が、線材をコイル状に形成したスパイラル部を有し、規制前状態である自由状態の前記スパイラル部の直径が前記容器の直径以上であり、規制後状態の前記スパイラル部の直径が前記容器の直径より小さく構成され、前記スパイラル部の拡張動作により前記発熱体を保持するよう構成された請求項５に記載の発熱体ユニット。
【請求項９】
前記保持具が、線材をコイル状に形成したスプリング部を有し、規制前状態である自由状態の前記スプリング部の伸縮方向の長さが前記容器の収納部分の長さ以上であり、規制後状態の前記スプリング部の伸縮方向の長さが前記容器の収納部分の長さより短く構成され、前記スプリング部の拡張動作により前記発熱体を保持するよう構成された請求項５に記載の発熱体ユニット。
【請求項１０】
前記保持具が、前記容器の内壁面に対応する形状の円弧部と平坦面を有する挟持部を有し、規制前状態である自由状態の前記円弧部の直径が前記容器の直径以上であり、規制後状態の前記円弧部の直径が前記容器の直径より小さく構成され、規制後状態の前記保持具の前記挟持部のそれぞれが前記発熱体を挟持するよう構成された請求項６に記載の発熱体ユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の発熱体ユニットは、従来の発熱体ユニットにおける課題を解決し、前記目的を達成するために、電圧が印加されて発熱するフィルム状の発熱体と、
前記発熱体を保持する保持具と、
前記発熱体に前記保持具を介して電力を供給する電力供給部材と、
前記発熱体、前記保持具及び前記電力供給部材の一部を内包する容器と、を具備し、
前記保持具は弾性力を有し、当該弾性力により前記発熱体を保持するよう構成されている。このように構成された本発明の発熱体ユニットは、発熱体に対する保持部分における部分的な発熱を抑制して発熱体を確実に保持することができるとともに、安全性および信頼性の高い発熱体ユニットを提供することが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の発熱体ユニットにおいては、前記保持具が、第１保持部材と第２保持部材で構成され、前記第１保持部材と前記第２保持部材の弾性力による挟持動作により、前記第１保持部材と前記第２保持部材の間に配置された前記発熱体が保持されるよう構成されてもよい。
本発明の発熱体ユニットにおいては、前記第１保持部材と前記第２保持部材の少なくともいずれか一方の保持部材が弾性を有して構成され、前記一方の保持部材が他方の保持部材に弾性力により挟持されるよう構成されてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月17日(2011.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号入力端子と、
前記信号入力端子に接続され、前記信号入力端子から入力された信号から第１の直流電
圧を生成する整流回路と、
前記整流回路に接続され、前記整流回路から入力された前記第１の直流電圧と基準とな
る電圧との比較を行う比較部と、
前記比較部に接続されたスイッチと、前記整流回路に接続され、且つ前記スイッチを介
して前記信号入力端子に接続された基板電圧生成回路と、を有し、前記比較部における比
較結果に従って前記スイッチがオンになることにより、前記スイッチを介して前記信号入
力端子から入力された信号から第２の直流電圧を生成する基板電圧生成部と、を有し、
前記整流回路は、
少なくともゲート端子と、ソース端子と、ドレイン端子と、基板端子と、を有し、前記ゲート端子が前記ソース端子及び前記ドレイン端子の一方に接続され、前記基板端子が前記基板電圧生成回路に接続されたトランジスタと、
前記ソース端子及び前記ドレイン端子の一方に接続された容量素子と、を有し、
前記トランジスタは、前記基板端子を介して前記第２の直流電圧が印加されることによ
り基板電圧の値が制御される半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記比較部に接続され、前記基準となる電圧を生成し、前記基準となる電圧を前記比較
部に出力するバイアス回路を有する半導体装置。
【請求項３】
信号入力端子と、
前記信号入力端子に接続され、前記信号入力端子から入力された信号から第１の直流電
圧を生成する整流回路と、
前記整流回路に接続され、前記整流回路から入力された前記第１の直流電圧と基準とな
る電圧との比較を行う比較部と、
前記比較部に接続された第１のスイッチと、前記整流回路に接続され、且つ前記第１の
スイッチを介して前記信号入力端子に接続された基板電圧生成回路と、を有し、前記比較
部における比較結果に従って前記第１のスイッチがオンになることにより、前記第１のス
イッチを介して前記信号入力端子から入力された信号から第２の直流電圧を生成する基板
電圧生成部と、
前記比較部に接続された第２のスイッチと、
前記第２のスイッチに接続されたバイアス回路と、を有し、
前記整流回路は、
少なくともゲート端子と、ソース端子と、ドレイン端子と、基板端子と、を有し、前記ゲート端子が前記ソース端子及び前記ドレイン端子の一方に接続され、前記基板端子が前記基板電圧生成回路に接続されたトランジスタと、
前記ソース端子及び前記ドレイン端子の一方に接続された容量素子と、を有し、
前記第２のスイッチは、前記ソース端子及び前記ドレイン端子の他方に接続され、
前記バイアス回路は、前記基板端子に接続され、且つ前記第２のスイッチを介して前記ソース端子及び前記ドレイン端子の他方に接続され、前記比較部のおける比較結果に従って第２のスイッチがオンになることにより、前記第２のスイッ
チを介して前記整流回路から入力された信号から第３の直流電圧を生成し、
前記トランジスタは、前記基板端子を介して前記第２の直流電圧または前記第３の直流
電圧が印加されることにより基板電圧の値が制御される半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記比較部に接続され、前記基準となる電圧を生成し、前記基準となる電圧を前記比較
部に出力する第２のバイアス回路を有する半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記信号入力端子に接続され、信号の送受信を行うアンテナを有する半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記トランジスタは、単結晶半導体層を有する半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記整流回路は、半波倍圧整流回路である半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月8日(2011.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光起電力装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素、ヘリウム及びハロゲンから選ばれたソースガスをプラズマ励起して生成された一種類のイオン、又は同一の原子から成り質量の異なる複数種類のイオンを単結晶半導体基板に導入して、該単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に剥離層を形成し、
前記単結晶半導体基板に形成された前記剥離層よりも浅い領域に導電型を制御する不純物元素を注入して不純物半導体層を形成し、
前記不純物半導体層上に第１電極を形成し、
前記第１電極上に有機シランガスを用いて化学気相成長法により酸化シリコン膜を形成し、
前記単結晶半導体基板と絶縁表面を有する基板を、前記酸化シリコン膜を挟んで重ね合わせて接合し、
前記単結晶半導体基板と前記絶縁表面を有する基板を重ね合わせた状態で熱処理を行い、前記剥離層に亀裂を生じさせ、前記単結晶半導体基板を剥離して前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層に前記不純物半導体層とは逆導電型の不純物半導体層を形成し、
前記逆導電型の不純物半導体層上に第２電極を形成することを特徴とする光起電力装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記有機シランガスが、珪酸エチル（ＴＥＯＳ：Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、トリメチルシラン（ＴＭＳ：（ＣＨ３）３ＳｉＨ）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、トリエトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ２Ｈ５）３）、トリスジメチルアミノシラン（ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）３）から選ばれた一種を用いることを特徴とする光起電力装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１において、前記単結晶半導体基板上に有機シランガスを用いて化学気相成長法により酸化シリコン膜を形成する温度が前記剥離層に導入した元素が離脱しない温度であり、前記熱処理が、前記剥離層に導入した元素が離脱する温度で行われることを特徴とする光起電力装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１において、前記単結晶半導体基板上に有機シランガスを用いて化学気相成長法により酸化シリコン膜を形成する温度が３５０℃以下であり、前記熱処理が４００℃以上の温度で行われることを特徴とする光起電力装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１において、前記剥離層の形成は、Ｈ＋、Ｈ２＋、Ｈ３＋イオンを導入することにより行われるものであって、Ｈ＋、Ｈ２＋、Ｈ３＋イオンのうち、Ｈ３＋イオンの割合が高いことを特徴とする光起電力装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月16日(2011.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光軸（ＯＡ）及び偏光影響装置（１０）を備えるマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システムであって、前記装置（１０、４０、５０）は、
第１のくさび板（１１、４１、５１）の厚さの最大変化の方向で光軸（ＯＡ）に垂直に延びる第１のくさび方向を備える第１のくさび板（１１、４１、５１）と、
第２のくさび板（１２、４２、５２）の厚さの最大変化の方向で光軸（ＯＡ）に垂直に延びる第２のくさび方向を備える第２のくさび板（１２、４２、５２）とを含み、
第１のくさび板（１１、４１、５１）と第２のくさび板（１２、４２、５２）は光軸（ＯＡ）に関して互いに独立に回転可能に配置されており、
第１のくさび板（１１、４１、５１）と第２のくさび板（１２、４２、５２）はそれぞれ、それぞれの光学結晶軸（ｏａ−１、ｏａ−２）を有する複屈折結晶材料から作られており、
第１のくさび方向と第２のくさび方向が相互に平行な関係で延びる装置（１０、４０、５０）の開始位置において、第１のくさび板（１１、４１、５１）の光学結晶軸（ｏａ−１）と第２のくさび板（１２、４２、５２）の光学結晶軸（ｏａ−２）は互いに対して４５°±３°の角度で向けられており、前記２本の結晶軸（ｏａ−１、ｏａ−２）の一方は装置（１０）に入射する光の選択偏光方向に垂直又は平行に向けられている、照明システム。
【請求項２】
装置（１０、４０、５０）の開始位置において、第１のくさび板（１１、４１、５１）の光学結晶軸（ｏａ−１）と第２のくさび板（１２、４２、５２）の光学結晶軸（ｏａ−２）は、互いに対して、４５°±２°の角度で、好ましくは４５°±１°の角度で、よりいっそう好ましくは４５°±０．５°の角度で向けられていることを特徴とする請求項１に記載の照明システム。
【請求項３】
回析光学素子（１３７）を有しており、装置（１０）は光伝搬方向でその回析光学素子（１３７）の下流に直接連続して配置されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の照明システム。
【請求項４】
制御装置とアクチュエータが設けられており、アクチュエータは、開始位置からの第１のくさび板（１１、４１、５１）の第１の回転角度を設定し、かつ開始位置からの第２のくさび板（１２、４２、５２）の第２の回転角度を設定するために制御手段によって作動可能であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項５】
制御装置は、アクチュエータの作動が照明システムにおいて現在使用されている照明設定に依存して行われるように設計されていることを特徴とする請求項４に記載の照明システム。
【請求項６】
アクチュエータの作動のための制御装置は、照明システムのどこかほかで生じた偏光分布の乱れが偏光影響装置（１０、４０、５０）によって少なくとも部分的に補償されるように設計されていることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の照明システム。
【請求項７】
第１のくさび板（１１）は光軸（ＯＡ）に垂直な平坦な光入射面（１１ａ）と光軸（ＯＡ）に対して傾けられた平坦な光射出面（１１ｂ）とを有しており、第２のくさび板（１２）は光軸（ＯＡ）に対して傾けられた平坦な光入射面（１２ａ）と光軸（ＯＡ）に垂直な平坦な光射出面（１２ｂ）を有しており、開始位置において、第１のくさび板（１１）の光射出面（１１ｂ）は第２のくさび板（１２）の光入射面（１２ａ）と平行関係で向けられていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項８】
第１のくさび板（１１）及び／又は第２のくさび板（１２）の複屈折材料は結晶石英又はフッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の照明システム（１３９）を有するマイクロリソグラフィ投影露光装置。
【請求項１０】
微細構造化部品のマイクロリソグラフィ製造のためのプロセスであって、
感光性材料の層が少なくとも部分的に施されている基板（１５９）を用意するステップと、
像が生成される構造を有するマスク（１５３）を用意するステップと、
請求項９に記載のマイクロリソグラフィ投影露光装置（１３３）を用意するステップと、
投影露光装置（１３３）によって層の領域上にマスク（１５３）の少なくとも一部を投影するステップとを含む、プロセス。
【請求項１１】
請求項１０に記載のプロセスによって製造された微細構造化部品。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月24日(2010.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック粉体とブチラール樹脂とを含むセラミックグリーンシートと、所定パターンの内部電極パターン層と、を交互に複数重ねて、グリーンセラミック積層体を得る工程を有する積層セラミック電子部品の製造方法であって、
前記ブチラール樹脂の重合度が、１０００〜２４００であり、
前記内部電極パターン層を形成するための内部電極ペーストが、導電体粉末と、有機バインダと、を有しており、
前記有機バインダは、エチルセルロースと、粘着付与剤としてのガムロジン、ロジングリセリンエステルおよび脂環族石油樹脂から選ばれる少なくとも１つと、を有しており、
前記有機バインダが、前記導電体粉末１００重量部に対して、２重量部超９重量部未満含有され、前記有機バインダの含有量に対する前記粘着付与剤の含有比率が、５〜５０重量％であることを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記ブチラール樹脂が、前記セラミック粉体１００重量部に対して、５重量部超１０重量部未満含有されている請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記エチルセルロースの重量平均分子量が、１９００００以上２５００００未満である請求項１または２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記エチルセルロースのエトキシル基含有率が、４６．１重量％超５２．０重量％未満である請求項１〜３のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記ブチラール樹脂のブチラール化度が、５５モル％超７７モル％未満である請求項１〜４のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項６】
セラミック粉体とブチラール樹脂とを含むセラミックグリーンシートと、所定パターンの内部電極パターン層と、を交互に複数重ねて、グリーンセラミック積層体を得る工程を有する積層セラミック電子部品の製造方法であって、
前記ブチラール樹脂の重合度が、１０００〜２４００であり、
前記ブチラール樹脂のブチラール化度が、５５モル％超６３モル％以下であり、
前記内部電極パターン層を形成するための内部電極ペーストが、導電体粉末と、有機バインダと、を有しており、
前記有機バインダは、エチルセルロースと、粘着付与剤としてのテルペンフェノールと、を有しており、
前記有機バインダが、前記導電体粉末１００重量部に対して、２重量部超９重量部未満含有され、前記有機バインダの含有量に対する前記粘着付与剤の含有比率が、５〜５０重量％であることを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、
セラミック粉体とブチラール樹脂とを含むセラミックグリーンシートと、所定パターンの内部電極パターン層と、を交互に複数重ねて、グリーンセラミック積層体を得る工程を有する積層セラミック電子部品の製造方法であって、
前記ブチラール樹脂の重合度が、１０００〜２４００であり、
前記ブチラール樹脂のブチラール化度が、５５モル％超６３モル％以下であり、
前記内部電極パターン層を形成するための内部電極ペーストが、導電体粉末と、有機バインダと、を有しており、
前記有機バインダは、エチルセルロースと、粘着付与剤としてのテルペンフェノールと、を有しており、
前記有機バインダが、前記導電体粉末１００重量部に対して、２重量部超９重量部未満含有され、前記有機バインダの含有量に対する前記粘着付与剤の含有比率が、５〜５０重量％であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月22日(2011.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた集積回路部と、
前記集積回路部上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた第１の導電膜と、を有し、
前記絶縁膜には開口部が設けられ、
前記第１の導電膜は、前記開口部に設けられた第２の導電膜を介して、前記集積回路部と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の導電膜は、前記第１の導電膜の上面及び前記開口部に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上に設けられた集積回路部と、
前記集積回路部上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられたアンテナと、を有し、
前記アンテナは、複数の第１の導電膜が第２の絶縁膜を介して積層して設けられており、
前記第１の絶縁膜、前記複数の第１の導電膜及び前記第２の絶縁膜には開口部が設けられ、
前記複数の第１の導電膜はそれぞれ、前記開口部に設けられた第２の導電膜を介して、前記集積回路部と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２の導電膜は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、コバルト（Ｃｏ）又は錫（Ｓｎ）、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第２の導電膜は、めっき処理で形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
基板上に第１の導電膜を有する集積回路部を形成し、
前記集積回路部上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第２の導電膜を形成し、
前記絶縁膜及び前記第２の導電膜に開口部を形成して前記第１の導電膜を露出させ、
めっき処理により前記開口部及び前記第２の導電膜の上面に第３の導電膜を形成することにより、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とを電気的に接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に第１の導電膜を有する集積回路部を形成し、
前記集積回路部上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に複数の第２の導電膜を第２の絶縁膜を介して積層させて形成し、
前記第１の絶縁膜、前記複数の第２の導電膜及び前記第２の絶縁膜に開口部を形成して前記第１の導電膜を露出させ、
めっき処理により前記開口部に第３の導電膜を形成することにより、前記第１の導電膜と前記複数の第２の導電膜とを電気的に接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記第２の絶縁膜を、前記第２の導電膜に酸化処理と窒化処理の一方又は両方を行うことにより形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第３の導電膜を、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、コバルト（Ｃｏ）、錫（Ｓｎ）から選択された元素、又はこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶装置及び半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板又は絶縁膜上に接して、第１の導電層と、第２の導電膜を有し、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜の間に、モリブデン酸化物、ホール輸送性の有機化合物及びハロゲン原子を有する混合膜を有し、
前記混合膜は前記第１の導電層及び前記第２の導電層に接して設けられ、
前記混合膜は前記絶縁基板又は前記絶縁膜上に接して設けられることを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜の間に電圧を印加することで前記混合膜が前記絶縁基板又は前記絶縁膜から剥がれることにより、書き込みを行うことを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記モリブデン酸化物は三酸化モリブデンであり、
前記ホール輸送性の有機化合物は芳香族アミン化合物又はアントラセン誘導体であり、
前記ハロゲン原子はフッ素又は塩素であることを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の導電層はビット線であり、前記前記第２の導電層はワード線である、
又は、
前記第１の導電層はワード線であり、前記前記第２の導電層はビット線であることを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一に記載の記憶装置及び薄膜トランジスタを有し、
前記薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極は、前記第１の導電層又は前記第２の導電層と電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一に記載の記憶装置、アンテナ及び電源生成回路を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月14日(2010.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工膜が形成された半導体デバイスの基板上に対物レンズを配置し、前記対物レンズと前記基板の間に液膜を形成して露光する液浸露光によるレジストパターンの形成方法であって、
前記基板にシランカップリング剤と溶剤とを含む撥水化剤薬液を供給し、前記基板に前記シランカップリング剤を吸着させ、
前記シランカップリング剤が吸着した前記基板を露光する、レジストパターンの形成方法。
【請求項２】
前記撥水化剤薬液を供給する工程は、
前記基板の側面と、前記基板の天面と、前記基板の底面の周縁部とに前記撥水化剤薬液を供給する工程である、請求項１に記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項３】
前記撥水化剤薬液を供給する工程は、
前記基板の側面、ならびに、前記基板の天面の周縁部および／または前記基板の底面の周縁部に前記撥水化剤薬液を供給する工程である、請求項１に記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項４】
前記撥水化剤薬液を供給する工程は、
前記基板の上に塗布膜を形成する工程の後に行い、
前記基板の側面と、前記基板の天面の周縁部と、前記基板の底面の周縁部とにおいて、
前記塗布膜を溶解する溶剤により前記塗布膜を除去する工程と同時に行い、
前記塗布膜を溶解除去する領域に、前記撥水化剤薬液により撥水化処理層を形成する工程である、請求項１に記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項５】
前記撥水化処理層は、
レジスト現像工程の後に行う、エッチング工程、アッシング工程あるいはウエット処理工程において剥離される、請求項４に記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項６】
前記撥水化剤薬液は、水、酸およびアルカリの少なくともいずれか１種以上を含有する、請求項１に記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項７】
前記撥水化剤薬液は、水、および、酸またはアルカリを含有する、請求項１に記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法により製造した半導体デバイス。
【請求項９】
基板上に被加工膜を形成する工程と、
前記被加工膜上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を含む塗布膜の一部を除去する工程と、
前記塗布膜を除去する領域に、シランカップリング剤と溶剤とを含む撥水化剤薬液を供給し、シランカップリング剤を吸着させる工程と、
前記レジスト膜に液浸露光を施す工程と、
液浸露光を施したレジスト膜を現像する工程と、
被加工膜をエッチングする工程と、
前記レジスト膜を除去する工程とを備え、
前記レジスト膜を含む塗布膜の一部を除去する工程と、前記シランカップリング剤を吸着させる工程とが同時に行われる、
半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記撥水化剤薬液で処理する工程は、
前記基板の側面と、前記基板の天面と、前記基板の底面の周縁部とを処理する工程を備えた、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記撥水化剤薬液で処理する工程は、
前記基板上に塗布膜を形成する工程の後に行い、
前記基板の側面と、前記基板の天面の周縁部と、前記基板の底面の周縁部とにおいて、
前記塗布膜を溶解する溶剤により前記塗布膜を除去する工程と、
前記塗布膜を溶解除去する領域に、前記撥水化剤薬液により撥水化処理層を形成する工程とを備え、
前記塗布膜を除去する工程と、撥水化処理層を形成する工程とが同時に行われる、
請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記撥水化処理層は、レジスト現像工程の後に行う、エッチング工程、アッシング工程またはウエット処理工程において剥離される、請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記撥水化剤薬液は、水、酸およびアルカリの少なくともいずれか１種以上を含有する、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記撥水化剤薬液は、水、および、酸またはアルカリを含有する、
請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月19日(2011.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に電極を有する基板と、
前記基板上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた配線層と、
前記配線層と一体的に設けられ、前記絶縁層を貫通して前記電極と電気的に接続された突起部と、
を備え、
前記配線層は前記突起部が設けられた第１の領域とこれに連続して延在する第２の領域とを有し、前記第２の領域における前記配線層は前記第１の領域における前記配線層よりも前記基板側に凹んで形成されていることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
前記突起部は複数設けられ、前記突起部間における前記絶縁層は凹形状の上面を有して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記突起部が設けられた面と反対側の面の前記配線層上に、前記突起部と重畳しない位置に前記配線層と一体的な凸状のポスト部を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記配線層の同一面に前記電極の位置とは異なる位置に対応して突出する他の突起部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記他の突起部は前記突起部とは反対側の前記配線層の端部に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記他の突起部の高さは前記突起部の高さに比べて低いことを特徴とする請求項５に記載の半導体モジュール。
【請求項７】
前記他の突起部は、前記基板と電気的に接続されていない状態で前記基板に支持されていることを特徴とする請求項５または６に記載の半導体モジュール。
【請求項８】
表面に複数の電極を有する半導体基板を用意する第１の工程と、
前記電極の位置に対応して突出して設けられた突起部が形成されるように、金属板に分離溝を設ける第２の工程と、
前記金属板と前記半導体基板とを絶縁層を介して圧着し、前記突起部が前記絶縁層を貫通することにより、前記突起部と前記電極とを電気的に接続するとともに、前記突起部間に設けられた前記金属板を前記半導体基板側に凹形状に撓ませる第３の工程と、
前記金属板をパターニングして所定のパターンからなる配線層を形成する第４の工程と、
を備えることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記第２の工程では、前記突起部が設けられた面と反対側の面の前記配線層上に、前記突起部と重畳しない位置に前記金属板と一体的な凸状のポスト部をさらに形成することを特徴とする請求項８に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記第２の工程において、前記金属板の同一面に前記電極の位置とは異なる位置に対応して突出する他の突起部を設けることを特徴とする請求項８または９に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項１１】
表面に複数の電極を有する半導体基板を用意する第１の工程と、
前記電極の位置に対応して突出して設けられた突起部が形成されるように、金属板に分離溝を設ける第２の工程と、
前記突起部が設けられた面と反対側の前記金属板の面に配線パターンをハーフエッチングする第３の工程と、
前記金属板と前記半導体基板とを絶縁層を介して圧着し、前記突起部が前記絶縁層を貫通することにより、前記突起部と前記電極とを電気的に接続するとともに、前記突起部間に設けられた前記金属板を前記半導体基板側に凹形状に撓ませる第４の工程と、
前記突起部が設けられた面と反対側の前記金属板の面をエッチバックして所定のパターンからなる配線層を形成する第５の工程と、
を備えることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体モジュールおよびその製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月17日(2010.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂絶縁層とその上の配線層とを有する配線基板において、
前記配線層が、配線層全厚に亘ってＮｉ：２０〜７５wt％および残部Ｃｕから成るＮi−Ｃｕ合金でスパッタリングにより形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板の製造方法であって、
前記樹脂絶縁層上の配線層形成予定領域全面に、前記Ｎｉ−Ｃｕ合金の金属層をスパッタリングにより形成する工程、
前記金属層上にエッチングレジストパターンを形成する工程、
前記エッチングレジストパターンをマスクとして、前記Ｎｉ−Ｃｕ合金の金属層をＣｕエッチング液によりパターニングして配線層を形成する工程、および
前記エッチングレジストパターンを除去する工程
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記配線層を形成する工程は、前記エッチングレジストパターンでマスクされていない前記Ｎｉ−Ｃｕ合金の金属層の露出部分を前記Ｃｕエッチング液により除去することで前記配線層を形成する、請求項２記載の配線基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月8日(2011.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を噴射するノズル開口と保持部材に対する位置決め部とを有し、前記位置決め部を介して前記保持部材に取り付けられる液体噴射ヘッドの製造方法であって、
前記ノズル開口の位置を規定する第１のアライメントマークと前記ノズル開口に対する前記位置決め部の相対的な位置を規定する第２のアライメントマークとが形成され、透視性を有するアライメント基板を設け、
前記第１のアライメントマークと前記ノズル開口との位置を合わせるノズル位置合わせ工程と、
前記第２のアライメントマークの位置と合わさる前記液体噴射ヘッドの位置に前記位置決め部を配設する位置決め部配設工程と、
を含むことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液体噴射ヘッドの製造方法であって、
前記位置決め部配設工程において、
前記位置決め部は、前記液体噴射ヘッドの前記ノズルが形成されている面に対して前記液体が噴射される方向とは逆方向側に後退した位置に設けられた固定面の所定の位置に配設され、
且つ前記アライメント基板と前記固定面上の前記位置決め部との間のギャップに相当する仲介部材を設け、前記仲介部材と前記第２のアライメントマークとの位置が合わされた状態で、前記仲介部材の位置と合わさる前記固定面の位置に固定されることを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項３】
液体を噴射するノズル開口と位置決め部とを有する液体噴射ヘッドと前記位置決め部を介して前記液体噴射ヘッドが取り付けられる保持部材とを含む液体噴射ヘッドモジュールの製造方法であって、
前記ノズル開口の位置を規定する第１のアライメントマークと前記ノズル開口に対する前記位置決め部の相対的な位置を規定する第２のアライメントマークとが形成され、透視性を有するアライメント基板を設け、
前記第１のアライメントマークと前記ノズル開口との位置を合わせるノズル位置合わせ工程と、
前記第２のアライメントマークの位置と合わさる前記液体噴射ヘッドの位置に前記位置決め部を配設する位置決め部配設工程と、
前記液体噴射ヘッドを、前記位置決め部を介して前記保持部材に対して位置決めして前記保持部材に取り付ける取付工程と、
を含むことを特徴とする液体噴射ヘッドモジュールの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の液体噴射ヘッドモジュールの製造方法であって、
前記位置決め部配設工程において、
前記位置決め部は、前記液体噴射ヘッドの前記ノズルが形成されている面に対して前記液体が噴射される方向とは逆方向側に後退した位置に設けられた固定面の所定の位置に配設され、
且つ前記アライメント基板と前記固定面上の前記位置決め部との間のギャップに相当する仲介部材を設け、前記仲介部材と前記第２のアライメントマークとの位置が合わされた状態で、前記仲介部材の位置と合わさる前記固定面の位置に固定されることを特徴とする液体噴射ヘッドモジュールの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、上記目的を達成するために提案されたものであり、液体を噴射するノズル開口と保持部材に対する位置決め部とを有し、前記位置決め部を介して前記保持部材に取り付けられてモジュール化される液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記ノズル開口の位置を規定する第１のアライメントマークと前記ノズル開口に対する前記位置決め部の相対的な位置を規定する第２のアライメントマークとが形成され、透視性を有するアライメント基板を設け、前記第１のアライメントマークと前記ノズル開口との位置を合わせるノズル位置合わせ工程と、前記第２のアライメントマークの位置と合わさる前記液体噴射ヘッド上の位置に前記位置決め部を配設する位置決め部配設工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この構成によれば、ノズル開口に対する相対位置が高精度で定められた位置決め部材を液体噴射ヘッドに配設することにより、保持部材としてのヘッドホルダに対して各液体噴射ヘッドを高い精度で位置決めした状態で取り付けることができる。これにより、ヘッドホルダにおいて各液体噴射ヘッドのノズル開口が本来望ましい位置に配置される。その結果、噴射対象物に対する液体の着弾位置ずれを抑制することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記構成において、前記位置決め部配設工程において、前記位置決め部は、前記液体噴射ヘッドの前記ノズルが形成されている面に対して前記液体が噴射される方向とは逆方向側に後退した位置に設けられた固定面の所定の位置に配設され、且つ前記アライメント基板と前記固定面上の前記位置決め部との間のギャップに相当する仲介部材を設け、前記仲介部材と前記第２のアライメントマークとの位置が合わされた状態で、前記仲介部材の位置と合わさる前記固定面の位置に固定されることが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月15日(2011.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像の色分解データと光沢データを含む画像データを入力する入力手段と、
前記色分解データを量子化処理した色信号を生成する色信号の生成手段と、
前記色信号と、記録媒体、色材および光沢調整材に関する光沢データに基づき、前記画像の光沢データを量子化処理した光沢信号を生成する光沢信号の生成手段と、
前記色信号および前記光沢信号に基づき、前記色材および前記光沢調整材を使用して、前記記録媒体に画像を形成する形成手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記光沢信号の生成手段は、前記記録媒体、前記色材および前記光沢調整材に関する光沢データを参照して、前記色信号に応じた、前記画像の光沢データを量子化処理する際の閾値、および、前記画像の光沢データの量子化レベルを設定することを特徴とする請求項1に記載された画像処理装置。
【請求項３】
さらに、前記記録媒体の表面の光沢データ、前記記録媒体に色材を記録した場合の光沢データ、前記記録媒体に前記光沢調整材を記録した場合の光沢データ、前記記録媒体に前記色材を記録し、前記色材の上に前記光沢調整材を記録した場合の光沢データを、前記記録媒体、前記色材および前記光沢調整材に関する光沢データとして記憶する記憶手段を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載された画像処理装置。
【請求項４】
画像の色分解データと光沢データを含む画像データを入力する入力手段と、
前記色分解データを量子化処理した色信号を生成する色信号の生成手段と、
前記色信号と、色または光沢度が異なる複数の色材に関する光沢データに基づき、前記光沢データを量子化処理した選択信号を生成する選択信号の生成手段と、
前記選択信号に基づき前記複数の色材を選択的に使用して、記録媒体に画像を形成する形成手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項５】
前記複数の色材は、前記光沢度が異なる同一色の色材を含むことを特徴とする請求項4に記載された画像処理装置。
【請求項６】
前記量子化処理は、誤差拡散処理であることを特徴とする請求項1から請求項5の何れか一項に記載された画像処理装置。
【請求項７】
入力手段、第一および第二の生成手段、形成手段を有する画像処理装置の画像処理方法であって、
前記入力手段が、画像の色分解データと光沢データを含む画像データを入力し、
前記第一の生成手段が、前記色分解データを量子化処理した色信号を生成し、
前記第二の生成手段が、前記色信号と、記録媒体、色材および光沢調整材に関する光沢データに基づき、前記画像の光沢データを量子化処理した光沢信号を生成し、
前記形成手段が、前記色信号および前記光沢信号に基づき、前記色材および前記光沢調整材を使用して、前記記録媒体に画像を形成することを特徴とする画像処理方法。
【請求項８】
入力手段、第一および第二の生成手段、形成手段を有する画像処理装置の画像処理方法であって、
前記入力手段が、画像の色分解データと光沢データを含む画像データを入力し、
前記第一の生成手段が、前記色分解データを量子化処理した色信号を生成し、
前記第二の生成手段が、前記色信号と、色または光沢度が異なる複数の色材に関する光沢データに基づき、前記光沢データを量子化処理した選択信号を生成し、
前記形成手段が、前記選択信号に基づき前記複数の色材を選択的に使用して、記録媒体に画像を形成することを特徴とする画像処理方法。
【請求項９】
画像処理装置を請求項1から請求項5の何れか一項に記載された画像処理装置の各手段として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
次に、光沢中間調処理部105は、誤差拡散部305によって量子化誤差を拡散処理し、累積誤差バッファ306の各画素の拡散値d(x, y)を更新する(S406)。
d(x, y) = d(x, y) + a＊e(x, y)      …(4)
ここで、aは誤差拡散係数マトリクス、
＊はコンボリューション演算を表す。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月5日(2011.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイアフラムシートで上部真空領域と下部真空領域とに仕切られる真空室と、該下部真空領域内に設けられるモジュール積層体を載置する載置面および該載置面の裏面に相当する底面を有するプレートと、該プレートの下部に設けられる加熱手段とを備える太陽電池モジュールのラミネータであって、
該加熱手段による加熱が、誘導加熱であり、
前記プレートの前記底面に接する領域に、空間が形成されることを特徴とする、太陽電池モジュールのラミネータ。
【請求項２】
前記空間が、真空となるように構成される、請求項１に記載の太陽電池モジュールのラミネータ。
【請求項３】
前記空間が、前記プレートの前記底面の周縁部に配設される支持部材により形成される、請求項１または２に記載の太陽電池モジュールのラミネータ。
【請求項４】
前記プレートが、熱伝導率の異なる少なくとも２種の金属の層構造からなる、請求項１から３のいずれかの項に記載の太陽電池モジュールのラミネータ。
【請求項５】
前記プレートが、前記底面側に位置する第１の金属層と、前記載置面側に位置する第２の金属層を有し、
前記第１の金属層は、鉄を含有してなり、前記第２の金属層は、アルミニウムまたは銅を含有してなることを特徴とする請求項４に記載の太陽電池モジュールのラミネータ。
【請求項６】
前記プレートが、取り外し可能に設けられる、請求項１から５のいずれかの項に記載の太陽電池モジュールのラミネータ。
【請求項７】
前記プレートは、前記底面が凹状である、請求項１から請求項６のいずれかに記載の太陽電池モジュールのラミネータ。
【請求項８】
前記プレートは、前記底面に前記加熱手段に向かって突出する凸部を有する、請求項１から請求項６のいずれかに記載の太陽電池モジュールのラミネータ。
【請求項９】
ダイアフラムシートで上部真空領域と下部真空領域とに仕切られる真空室内に設けられるプレートに、モジュール積層体を載置し、真空室内を減圧する工程、および
該モジュール積層体を、プレート下部から誘導加熱により加熱する工程
を包含する、太陽電池モジュールの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、ダイアフラムシートで上部真空領域と下部真空領域とに仕切られる真空室と、該下部真空領域内に設けられるモジュール積層体を載置する載置面および該載置面の裏面に相当する底面を有するプレートと、該プレートの下部に設けられる加熱手段とを備える太陽電池モジュールのラミネータを提供し、該加熱手段による加熱が、誘導加熱であり、
前記プレートの前記底面に接する領域に、空間が形成されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月17日(2011.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軟質シートの製造方法であって、
前記軟質シートの原料である混合物と、この混合物が通過する断面穴を有するダイとを用意し、当該混合物を当該ダイの断面穴へ通過させることにより長尺物を成形する押出工程と、
前記押出工程により成形された長尺物を切断して所定の切断物を得る切断工程と、
前記切断工程により得られた所定の切断物を圧延してシートを成形する圧延工程とを有し、
前記混合物の材料がフッ素樹脂に無機質充填材を配合した組成物であり、
前記押出工程により成形された長尺物の断面形状が環状であることを特徴とする軟質シートの製造方法。
【請求項２】
前記フッ素樹脂がポリテトラフルオロエチレン樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の軟質シートの製造方法。
【請求項３】
前記混合物の材料に占める無機質充填材の割合が２０重量％以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の軟質シートの製造方法。
【請求項４】
前記押出工程における押出比が５〜１０であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の軟質シートの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月1日(2010.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動源取付け軸とオリフィスの間に形成されたインク室が備えられているノズルから噴出されたインク粒子に文字信号を帯電させる帯電電極と帯電されたインク粒子を偏向させるための偏向電極により文字の形成を行ない、文字形成に用いられないインク粒子は、ガターに捕らえられ、本体に戻され再利用される連続型のインクジェット記録装置において、  前記インク室に流体拡散板が配置されていることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項２】
請求項1に記載のインクジェット記録装置において、前記流体拡散板は中央部には遮へい部が備えられているとともに、外縁部付近には開口部が形成されていることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項３】
請求項1に記載のインクジェット記録装置において、前記流体拡散板は網目状に開口部が形成されていることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項４】
請求項３に記載のインクジェット記録装置において、前記流体拡散板は樹脂、或いは金属で形成されていることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項５】
請求項1に記載のインクジェット記録装置において、前記流体拡散板は一様な厚みで、前記インク室を囲んでいる振動板部と前記オリフィス端面部のシール部以外は凹部状であることを特徴とするインクジェット記録装置
【請求項６】
振動源取付け軸とオリフィスが備えられているノズルから噴出されたインク粒子に文字信号を帯電させる帯電電極と帯電されたインク粒子を偏向させるための偏向電極により文字の形成を行ない、文字形成に用いられないインク粒子は、ガターに捕らえられ、本体に戻され再利用される連続型のインクジェット記録装置において、
前記振動原取り付け軸には、インクを流すための振動源取付け軸流路が形成され、前記オリフィスには、前記振動源取付け流路から流れてくるインクを流すためのオリフィス流路が形成され、前記オリフィス経路の径は前記振動源取付け軸流路の径と同径ではないとともに、前記振動原取り付け軸と前記オリフィスの間には、前記振動源取付け軸流路と前記オリフィス流路に対応するようにインク室が形成され、前記インク室には流体拡散板が備えられていることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項７】
請求項6に記載のインクジェット記録装置において、前記シール板は凸形で中央部に開口部が形成されているとともに、内径側でシールすることを特徴としたインクジェット記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の目的を達成するために、例えば、振動源取付け軸とオリフィスの間に形成されたインク室が備えられているノズルから噴出されたインク粒子に文字信号を帯電させる帯電電極と帯電されたインク粒子を偏向させるための偏向電極により文字の形成を行ない、文字形成に用いられないインク粒子は、ガターに捕らえられ、本体に戻され再利用される連続型のインクジェット記録装置において、前記インク室に流体拡散板が配置されているとの構成をとる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図９〜図１２の実施例においても、インク室内を攪拌させるインク流れ３１が形成され、少量の補力液でノズル8のインク室30内の隅々まで洗浄でき、インク室によどみが生じないようになっている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月11日(2011.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドラム式の電磁ブレーキを備えたエレベータ用巻上機において、前記電磁ブレーキのコイルケースとブレーキドラムとの間に、一対のブレーキシューに跨って前記ブレーキドラムの上面を覆うようにドラムカバーを装着したことを特徴とするエレベータ用巻上機。
【請求項２】
前記ドラムカバーの両端に切り込み部を設け、該切り込み部を前記ブレーキドラムの外側に配置された一対のレバーに係合させるか、或いは前記一対のレバーとブレーキシューとの間に挿入させて装着したことを特徴とする請求項１に記載のエレベータ用巻上機。
【請求項３】
前記ドラムカバーは弾力性を有し、該ドラムカバーを湾曲させて装着したことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のエレベータ用巻上機。
【請求項４】
前記ドラムカバーをステンレス鋼板製としたことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載のエレベータ用巻上機。