【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年8月5日(2011.8.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバと、
第１の電源装置と、
第２の電源装置と、
ガス供給機構および排気機構と、
前記チャンバの上部の誘導体であって、前記第１の電源装置に連結される誘導体と、
前記チャンバ内の電極であって、前記第２の電源装置に連結される電極と、
前記第１の電源装置に連結される第１の電力コントローラと、
前記第２の電源装置に連結される第２の電力コントローラと、
前記ガス供給機構及び排気機構に連結される圧力調節器と、
前記第１の電力コントローラ、前記第２の電力コントローラ及び前記圧力調節器に連結されるコンピュータと、を備えるプラズマチャンバであって、
前記コンピュータは、プラズマ処理シーケンスによって基板上で生成される表面プロファイルを予測的に計算すること、
前記コンピュータは、高エネルギー粒子を追尾すること、
前記コンピュータは、前記高エネルギー粒子から複数のイオンフラックスを記録すること、
前記コンピュータは、複数の中性フラックスと、表面化学カバレージと、表面材タイプと、を同時解法すること、
前記コンピュータは、前記複数のイオンフラックスと、前記複数の中性フラックスと、前記表面化学カバレージと、前記表面材タイプと、から局所的なエッチ速度及び局所的な沈着速度を計算すること、を含むプラズマチャンバ。
【請求項２】
前記複数の中性フラックスと、前記表面化学カバレージと、前記表面材タイプとの前記同時解法は、
複数の中性フラックスを演算すること、
自己無撞着な複数のサイトバランス方程式を解法すること、
付着膜のエッチ速度を計算すること、
前記付着膜又は基礎をなす材質タイプに対して前記表面材タイプを調整すること、
前記複数の中性フラックス、前記表面化学カバレージ及び前記表面材タイプが互いに自己無撞着するまで、前記演算すること、前記解法すること、前記計算すること及び前記調整することを反復すること、をさらに含む請求項１記載のプラズマチャンバ。
【請求項３】
複数の中性フラックスの前記演算は、
中性種を選択すること、
前記中性種に対する直接フラックス分布を計算すること、
前記中性種に対する再放出フラックスを計算すること、
前記中性種に対する透過マトリクスを演算すること、
前記中性種に対する中性フラックスを解法すること、
全ての中性種が選択されるまで他の中性種の前記選択すること、前記直接フラックス分布の前記計算すること、前記再放出マトリクスの前記計算すること、前記演算すること及び前記解法することを繰り返すこと、をさらに含む請求項２記載のプラズマチャンバ。
【請求項４】
回帰分析の演算処理を分散するための前記コンピュータに連結される並列コンピュータ又はワークステーションネットワークをさらに含む請求項１記載のプラズマチャンバ。
【請求項５】
前記コンピュータが三次元座標を使用して前記高エネルギー粒子を追尾する請求項１記載のプラズマチャンバ。
【請求項６】
プラズマ処理シーケンスによって基板に生成されるプロセス表面プロファイルを計算すること、前記プラズマ処理シーケンスに従って前記基板処理すること、を備えるプラズマチャンバを操作する方法であって、
前記計算することは、
高エネルギー粒子を追尾すること、
前記高エネルギー粒子から複数のイオンフラックスを記録すること、
複数の中性フラックスと、表面化学カバレージと、表面材タイプと、を同時に解法すること、
前記複数のイオンフラックスと、前記複数の中性フラックスと、前記表面化学カバレージと、前記表面材タイプと、から局所的なエッチ速度及び局所的な沈着速度を演算すること、を含むプラズマチャンバを操作する方法。
【請求項７】
前記複数の中性フラックスと、前記表面化学カバレージと、前記表面材タイプとの前記同時解法することは、
複数の中性フラックスを演算すること、
自己無撞着な複数のサイトバランス方程式を解法すること、
付着膜のエッチ速度を計算すること、
前記付着膜又は基礎をなす材質タイプに対して前記表面材タイプを調整すること、
前記複数の中性フラックス、前記表面化学カバレージ及び前記表面材タイプが互いに自己無撞着するまで、前記演算すること、前記解法すること、前記計算すること及び前記調整することを反復すること、をさらに含む請求項６記載の方法。
【請求項８】
複数の中性フラックスの前記演算することは、
中性種を選択すること、
前記中性種に対する直接フラックス分布を計算すること、
前記中性種に対する再放出フラックスを計算すること、
前記中性種に対する透過マトリクスを演算すること、
前記中性種に対する中性フラックスを解法すること、
全ての中性種が選択されるまで他の中性種の前記選択すること、前記直接フラックス分布の前記計算すること、前記再放出マトリクスの前記計算すること、前記演算すること及び前記解法することを繰り返すこと、をさらに含む請求項７記載の方法。
【請求項９】
並列コンピュータ又はワークステーションネットワーク上に前記解法及びコンピュータを分散することをさらに含む請求項６記載の方法。
【請求項１０】
三次元座標を使用して前記高エネルギー粒子の追尾することをさらに含む請求項６の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
中性フラックス、表面化学カバレージ及び表面材の種類は、同時に第１の中性フラックスを計算することによって解法される。最初に、中性フラックスを使用することによって、サイトバランス方程式を、自己無撞着に解法される。それから、沈着膜のエッチ速度は、サイトバランス方程式の解法を使用して計算される。表面材の種類は、沈着膜のエッチ速度に基づいて、沈着膜又は基礎をなす材質の種類へと調整される。その方法は、中性フラックス、表面化学カバレージ及び表面材の種類それぞれが自己無撞着するまで、解法を繰り返す。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
したがって、本発明は、図２で図示したように、プラズマエッチングシステムの力学、より詳細には、ウェハのような半導体の基板に衝撃を与える高エネルギー粒子の相互作用を正確に予測するアルゴリズムを提供しようとする。その方法は、モデル（局所輸送モデル、サイトバランスモデル、レートモデル、表面アドバンスメントアルゴリズム）を使用し、解法により同時に、そして、自己無撞着して得られるいくつかの演算プロセスに組み合わせる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
４０６において、フィーチャ表面に沿った各セグメントにおける中性フラックス、表面化学カバレージ及び表面材タイプのような結合量は、同時に自己無撞着して解法される。各量が互いに共依存であるので、演算には各方程式によって解法される結合量の自己無撞着性及び整合性の同時演算及び複数の確認を含む。同時演算は、図５及び６において例示される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
５１４において、フィーチャプロファイルに沿った各表面セグメントの材質タイプの集束の確認が行われる。５０６における沈着膜のエッチ速度の演算が表面材タイプがその表面セグメントの下の材質によって与えられるタイプであり、沈着膜のタイプであるという仮定に依存するので、表面化学カバレージもまた、表面材タイプ及び中性フラックスに依存する。材質タイプを、５１０における基礎をなす材質タイプ又は５１２における沈着膜のいずれかに対して設定することによって、材質タイプは変化した可能性があり、プロセスは前もって決定される中性フラックスを有する自己無撞着した解法及び表面材タイプにも依存する表面化学カバレージを維持する必要がある。材質タイプが収束したかどうかを確認することによって、決定ブロック５１４の目的はこのような整合性を維持することである。結合量が収束すると、５０８において局所的なエッチ速度及び沈着速度の演算をし始める。