Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月12日(2011.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性基材、光学基材及び半導体基材の少なくとも一つから選択される基材を研磨するためのケミカルメカニカル研磨パッドであって、
相互侵入ネットワークを含む研磨層を含み、
相互侵入ネットワークが連続的な非一過性相及び実質的に共連続的な一過性相を含み
連続的な非一過性相が、共連続的な一過性相に共有結合しておらず、
研磨層が、基材を研磨するように適合された研磨面を有するものであるケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項２】
一過性相を実質的に有しない流体力学的領域を研磨面に隣接して含む、請求項１記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項３】
流体力学的領域が、研磨面からケミカルメカニカル研磨パッドの中に１〜１００ミクロンの深さまで延びる、請求項２記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項４】
連続的な非一過性相が網状ネットワークを形成する、請求項１記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項５】
連続的な非一過性相が繊維状形態を有する、請求項１記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項６】
研磨層が連続的な非一過性相の０．５〜８０容量％を含む、請求項１記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項７】
連続的な非一過性相が非水溶性であり、共連続的な一過性相が水溶性である、請求項１記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項８】
共連続的な一過性相が、研磨中に発生する熱に暴露されると融解する、請求項１記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項９】
磁性基材、光学基材及び半導体基材の少なくとも一つから選択される基材を研磨するためのケミカルメカニカル研磨パッドであって、
相互侵入ネットワークを含む研磨層を含み、
相互侵入ネットワークが連続的な非一過性相及び実質的に共連続的な一過性相を含み、
連続的な非一過性相が、共連続的な一過性相に共有結合しておらず、
非一過性相が、網状の間隙区域を画定する複数の相互接続された研磨要素を含む三次元ネットワークを形成し、
実質的に共連続的な一過性相が網状の間隙区域内に配置されており、
研磨面が、基材を研磨するように適合されている、ケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項１０】
磁性基材、光学基材及び半導体基材の少なくとも一つから選択される基材を提供すること、
相互侵入ネットワークを含む研磨層を有し、相互侵入ネットワークが連続的な非一過性相及び実質的に共連続的な一過性相を含み、連続的な非一過性相が、共連続的な一過性相に共有結合しておらず、研磨層が、基材を研磨するように適合された研磨面を有するものであるケミカルメカニカル研磨パッドを提供すること、
研磨面と基材との界面に研磨媒を提供すること、及び
ケミカルメカニカル研磨パッドと基材との界面に動的な接触を形成すること
を含む、基材を研磨する方法。
【請求項１１】
連続的な非一過性相が、網状の間隙区域を画定する複数の相互接続された研磨要素を含む複数の六面体単位セルを含み、それぞれの六面体単位セルが六面を含み、それぞれの面が正方形又は長方形である、請求項９記載のケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項１２】
提供されるケミカルメカニカル研磨パッドの連続的な非一過性相が、網状の間隙空間を画定する複数の相互接続された研磨要素を含む、複数の六面体単位セルを含む、三次元ネットワークを形成し、それぞれの六面体単位セルが六面を含み、それぞれの面が正方形又は長方形である、請求項１０記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月10日(2011.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性基材、光学基材及び半導体基材の少なくとも一つから選択される基材を研磨するための形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッドであって、
稠密化状態に固定された研磨層を含み、
研磨層が、本来の形状とプログラム形状との間で変形可能な形状記憶マトリックス材料を含み、
研磨層は、形状記憶マトリックス材料がその本来の形状にあるときの本来の厚さＯＴを示し、
研磨層は、形状記憶マトリックス材料がプログラム形状にされたときの稠密化状態での稠密化厚さＤＴを示し、
ＤＴ≦ＯＴの８０％であり、
研磨層が、基材を研磨するために適合された研磨面を有するものである形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項２】
研磨層が２０〜１５０ミルの稠密化厚さを有する、請求項１記載の形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項３】
研磨層が、基材の研磨を促進するためのマクロテキスチャを示し、マクロテキスチャが穿孔及び溝の少なくとも一つを含む、請求項１記載の形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項４】
形状記憶マトリックス材料が網状ネットワークを形成する、請求項１記載の形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項５】
研磨層が、中空コアポリマー材料、液体充填中空コアポリマー材料、水溶性材料及び不溶性相材料から選択される複数の微小要素をさらに含む、請求項１記載の形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項６】
複数の微小要素が、研磨層全体に均一に分散した中空コアポリマー材料を含む、請求項５記載の形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッド。
【請求項７】
形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッドを製造する方法であって、
本来の形状とプログラム形状との間で変形可能な形状記憶マトリックス材料を提供すること、
本来の形状にある形状記憶マトリックス材料を含む、本来の厚さＯＴを示す本来の状態にある研磨層を調製すること、
研磨層を外力に付すこと、
形状記憶マトリックス材料をプログラム形状にセットして、稠密化厚さＤＴを示す稠密化状態にある研磨層を提供すること、
外力を解除すること
を含み、
ＤＴ≦ＯＴの８０％であり、
研磨層が、磁性基材、光学基材及び半導体基材の少なくとも一つから選択される基材を研磨するために適合された研磨面を有するものである方法。
【請求項８】
複数の微小要素を提供すること、
複数の微小要素を形状記憶マトリックス材料中に分散させること、
研磨層を、形状記憶マトリックス材料のガラス転移温度Ｔgよりも高い温度Ｔまで加熱すること
をさらに含み、
外力が、研磨層の温度を形状記憶マトリックス材料のＴgよりも高い温度に維持しながら研磨層を稠密化厚さＤＴまで軸方向に圧縮する軸方向力であり、形状記憶マトリックス材料が、軸方向力を維持しながら研磨層を形状記憶マトリックス材料のＴg未満の温度まで冷却することによってプログラム形状にセットされる、請求項７記載の方法。
【請求項９】
基材を研磨する方法であって、
磁性基材、光学基材及び半導体基材の少なくとも一つから選択される基材を提供すること、
稠密化状態に固定された研磨層を含み、研磨層が、本来の形状とプログラム形状との間で変形可能な形状記憶マトリックス材料を含み、本来の状態にある研磨層は、形状記憶マトリックス材料が本来の形状にあるときの本来の厚さＯＴを示し、研磨層は、形状記憶マトリックス材料がプログラム形状にされたときの稠密化状態での稠密化厚さＤＴを示し、ＤＴ≦ＯＴの８０％である形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッドを提供すること、及び
研磨層の研磨面と基材との間に動的な接触を形成して基材の表面を研磨すること
を含む方法。
【請求項１０】
研磨層のうち、少なくとも研磨面に隣接する部分を活性化刺激に暴露することによって研磨層の研磨面をコンディショニングすること
をさらに含み、
研磨層のうち、活性化刺激に暴露された研磨面に隣接する部分が稠密化状態から復元状態に転移する、請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月22日(2011.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
一方、上記搬送手段３２上では封緘体４１が順次搬送されるもので、当該封緘体４１には、窓部４２が設けられて図１に示す個片帳票体を備える帳票体１１が封入されたものである。磁気センサ３４Ａ〜３４Ｆの当該磁性体マーク１３Ａ〜１３Ｆに対する対応位置としては、例えば各磁性体マーク１３Ａ〜１３Ｆの中心位置が搬送方向上で磁気センサ３４Ａ〜３４Ｆと重なる位置としている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
続いて、図６〜図９に、図１の帳票体における磁性体マークの傾きの参考説明図を示す。図６〜図９は、磁性体マークに着磁させた磁力に応じて当該磁性体マークの傾斜角度をシミュレートしたものである。図６は、着磁した磁力を上記同様に４ＫＧとした場合に、搬送方向から見て検知可能範囲Ｘと検知可能範囲Ｘ’とが理想的に連続させた場合を示したもので、このときの当該着磁された磁性体マーク（磁気マーク１３Ａ）の傾斜は、角度Φ≒５３°となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図７は、磁性体マークを、例えば２ＫＧの磁力で着磁させた場合であり、この場合の搬送方向（矢印）から見て検知可能範囲Ｘと検知可能範囲Ｘ’とを理想的に連続とさせるときの当該磁性体マーク（磁気マーク１３Ａ）の傾斜は、角度Φ≒７０°となる。また、図８は、磁性体マークを、例えば６ＫＧの磁力で着磁させた場合であり、この場合の搬送方向（矢印）から見て検知可能範囲Ｘと検知可能範囲Ｘ’とを理想的に連続とさせるときの当該磁性体マーク（磁気マーク１３Ａ）の傾斜は、角度Φ≒４２°となる。さらに、図９は、磁性体マークを、例えば８ＫＧの磁力で着磁させた場合であり、この場合の搬送方向（矢印）から見て検知可能範囲Ｘと検知可能範囲Ｘ’とを理想的に連続とさせるときの当該磁性体マーク（磁気マーク１３Ａ）の傾斜は、角度Φ≒３３°となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
次に、図１０に、図１の帳票体における磁性体マーク形成の他の説明図を示す。図１０において、帳票体１１に形成した上記同様の角度Φで傾斜させた磁性体マーク１３Ａ〜１３Ｆに対して、同色の印刷インキで当該磁性体マーク１３Ａ〜１３Ｆを覆うように形成してマーク部５１Ａ〜５１Ｆとしたものである。これによって、帳票体１１全体の意匠的なバランスを設計する余地を確保することができるものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
【図１】本発明の帳票体の一部を示した構成図である。
【図２】図１における磁性体マークに対する着磁方法の説明図である。
【図３】本発明の帳票体のマッチングを行う際のマーク検知システムの一部を示した説明図である。
【図４】図３における帳票体のマーク検知の説明図である。
【図５】図３におけるマーク検知システムの磁気センサ検知の説明図である。
【図６】図１の帳票体における磁性体マークの傾きの参考説明図（１）である。
【図７】図１の帳票体における磁性体マークの傾きの参考説明図（２）である。
【図８】図１の帳票体における磁性体マークの傾きの参考説明図（３）である。
【図９】図１の帳票体における磁性体マークの傾きの参考説明図（４）である。
【図１０】図１の帳票体における磁性体マーク形成の他の説明図である。
【図１１】図１における磁性体マークに対する他の着磁方法の説明図である。
【図１２】本発明の前提となる帳票体の一例の説明図である。
【図１３】図１２における帳票体のマーク検知の説明図である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2009056616.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月19日(2011.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
骨固定装置であって、
骨に固定するためのシャフト（２）および頭部（３，３′）を有する骨固定要素（１，１′）と、
前記骨固定要素にロッド（６）を結合するための受部（５）とを備え、前記受部は、
前記ロッドを受けるための、第１の端部（９ａ）および第２の端部（９ｂ）およびＵ字型凹部（１２）を有する第１の部分（９）を備え、前記凹部（１２）は、前記第１の端部（９ａ）から前記第２の端部（９ｂ）の方向に延びており、それによって２つの自由な脚部（１２ａ，１２ｂ）を形成し、前記受部はさらに、
前記頭部（３，３′）を収容するための、前記第１の端部とは反対側の前記第２の端部（９ｂ）の側に第２の部分（１６）を備え、前記第２の部分は、自由端（１７）を有し、前記頭部の導入および留めを可能にするように可撓性であり、前記骨固定装置はさらに、
前記第２の部分（１６）を囲むロッキングリング（８）を備え、
前記頭部（３，３′）は、前記ロッドで前記ロッキングリング（８）の上に圧力をかけ、その結果、前記受部の前記第２の部分を圧縮することによってロックされ、前記ロッキングリング（８）は、前記第２の部分（１６）の前記自由端（１７）から前記受部に取付けられる、骨固定装置。
【請求項２】
前記第２の端部に隣接する前記受部（５）の前記第２の部分（１６）の直径は、前記第２の端部（９ｂ）における前記第１の部分（９）の直径よりも小さい、請求項１に記載の骨固定装置。
【請求項３】
前記ロッキングリング（８）は、前記第１の部分（９）の前記第２の端部（９ｂ）によって制限される第１の位置と、前記頭部が留められていないときに前記第２の部分（１６）の前記自由端（１７）によって制限される第２の位置との間で前記第２の部分に沿って動くことができる、請求項１または２に記載の骨固定装置。
【請求項４】
前記ロッキングリング（８）の外径は、前記第１の部分（９）の外径よりも小さいか、または前記第１の部分（９）の外径と等しい、請求項１から３のいずれかに記載の骨固定装置。
【請求項５】
前記受部の前記第２の部分（１６）は、前記第２の端部（９ｂ）に向かって先細りになる円錐形の外面を有する、請求項１から４のいずれかに記載の骨固定装置。
【請求項６】
前記ロッキングリングは、前記第２の部分（１６）の前記円錐形の外面に対応する、円錐形に先細りになる内面を備えるセクション（８ａ）を有する、請求項５に記載の骨固定装置。
【請求項７】
円錐角（α）は、前記ロッキングリング（８）と前記第２の部分（１６）との間の自動ロッキングを提供するように選択される、請求項６に記載の骨固定装置。
【請求項８】
前記ロッキングリング（８）は、前記頭部が留められていないときに前記Ｕ字型凹部（１２）の中に突出する、１８０°だけオフセットされた２つの突起（２１）を備える、請求項１から７のいずれかに記載の骨固定装置。
【請求項９】
前記第２の部分（１６）は、前記自由端（１７）に開放する複数のスリット（１９，２０）を備える、請求項１から８のいずれかに記載の骨固定装置。
【請求項１０】
前記第１の部分（９）は、前記第１の端部（９ａ）のある距離のところから前記第２の端部（９ｂ）まで延びる複数のスリット（１５）を備える、請求項１から９のいずれかに記載の骨固定装置。
【請求項１１】
前記頭部（３）は球形セグメントの形状をしており、前記第２の部分は、前記頭部（３）の回動運動を可能にするように、対応する球形部分（１８）を有する内面を備える、請求項１から１０のいずれかに記載の骨固定装置。
【請求項１２】
前記頭部（３′）は円筒形の形状をしており、前記第２の部分は、前記頭部（３′）の動きを単一の軸を中心とした回転運動に制限するように、対応する円筒形部分（１８１）を有する内面を備える、請求項１から１０のいずれかに記載の骨固定装置。
【請求項１３】
前記凹部において前記ロッドを固定するために閉じ要素（７）、好ましくは止めねじが設けられる、請求項１から１２のいずれかに記載の骨固定装置。
【請求項１４】
前記第２の部分（１６）の前記自由端（１７）を通る面は、前記第１の端部（９ａ）に対してある角度を含む、請求項１から１０のいずれかに記載の骨固定装置。
【請求項１５】
前記ロッキングリングは、前記頭部（３）がまだ前記第２の部分（１６）に挿入されていないときに前記ロッキングリングが前記自由端（１７）を通って抜けるのを防ぐ構造（２３）を有する、請求項１から１４のいずれかに記載の骨固定装置。
【請求項１６】
前記ロッキングリングは、突起と同じ方向に延びる環状端縁を有し、環状端縁の高さは、前記頭部が前記ロッキングリングによって留められると端縁が前記受部の前記第１の部分の一部を包込むような大きさにされる、請求項１から１５のいずれかに記載の骨固定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
ロッキングリング８は、内側に第１のセクション８ａを有し、第１のセクション８ａに隣接して第２のセクション８ｂを有する。第１のセクション８ａは、受部５の第２の部分１６の円錐形の外壁に対応して円錐形の形状をしている。第２のセクション８ｂは円筒形である。特に図４に見られるように、ロッキングリングの第１のセクション８ａおよび第２のセクション８ｂの寸法は、ロッキングリング８が第２の部分１６の外面に沿って摺動でき、それによって、下向きに摺動すると次第に第２の部分１６を圧縮するようなものである。ロッドが凹部１２にまだ挿入されていないまたは押し込まれていない場合には、ロッキングリングは、止めの働きをする第２の端部９ｂによって制限される第１の位置と第２の部分の自由端１７との間で動くことができ、これは円錐形の形状に起因する抜けを防ぐ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
内部ねじの最終的な締付けは、ロッドおよび頭部を同時にロックする。
別の使用方法では、受部５およびロッキングリング８のみが予め組立てられる。骨固定要素１がまず骨に捩じ込まれ、次いで受部が頭部３の上に据付けられるが、ロッキングリング８は、第２の端部９ｂに近い第１の位置にあり、第２の部分１６を圧縮していない。代替的に、骨固定要素１および予め組立てられたロッキングリングを有する受部は、頭部３の上に受部を据付けることによって外科医により組立てられる。これによって、外科医は固定セクションの直径および長さの点で適切な骨固定要素を選択することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月19日(2011.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図２に示されるように、ヨーク７２は、環状形状の一部を切り欠いた形状を有する。そして、この切り欠いた間隙のところに、駆動軸８０のプランジャ８４が配置される。また、ヨーク７２は、駆動コイル７４が巻回されるコイルヨーク部と、永久磁石７６が取り付けられる磁石ヨーク部を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
永久磁石７６によって形成される磁束の流れは、図２に関連して説明したように、環状形状の一部を切り欠いた形状のヨーク７２の右半分とプランジャ８４の右半分を流れる流れ９２と、環状形状の一部を切り欠いた形状のヨーク７２の左半分とプランジャ８４の左半分を流れる流れ９４とがある。この磁束の流れ９２，９４は、駆動コイル７４の電流の向きに関係しないので、図４と図５とで同じである。紙面上の上半分の部分において、磁束の流れ９２は反時計回りに流れ、磁束の流れ９４は時計回りに流れる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
駆動コイル７４に駆動電流が流されることで発生する磁束は、環状形状の一部を切り欠いた形状のヨーク７２と、その切欠間隙の中のプランジャ８４とを流れて、大きな環状の磁気回路を形成する。ここで図４と図５とは、駆動コイル７４に流す電流の向きが相互に逆向きである。図４では、駆動コイル７４によって発生する磁束の流れ９６が紙面上の上半分の部分で反時計方向として示され、図４の場合と電流の向きの向きが逆である図５では、駆動コイル７４によって発生する磁束の流れ９８が紙面上の上半分の部分で時計方向として示されている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月24日(2011.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電部と、
第１電極と、
前記第１電極の一部及び前記導電部と平面視重なる第２電極と、
前記第１電極の一部と前記第２電極との間に介在する誘電体膜と、前記誘電体膜と前記第２電極との間に介在する保護膜と、を有する容量絶縁膜と、
を備え、
前記第２電極は、前記導電部と平面視重なる位置において、前記容量絶縁膜を部分的に除去して前記導電部と電気的に接続されていること
を特徴とする容量素子。
【請求項２】
前記第１電極、前記容量絶縁膜及び前記第２電極が順に積層されてなる積層構造が占める一の領域の外側の領域において、前記容量絶縁膜及び前記第１電極間に形成された層間絶縁膜を備えたこと
を特徴とする容量素子。
【請求項３】
基板上に設けられた導電部上において第１電極を形成する第１工程と、
前記第１電極上に誘電体膜を形成した後、該誘電体膜上に保護膜を形成して、容量絶縁膜を形成する第２工程と、
前記誘電体膜の平面形状が所定の形状になるように、前記保護膜のうち前記導電部と重なる部分を除去した後、前記誘電体膜のうち前記保護膜に重ならない部分を除去する第３工程と、
前記容量絶縁膜上に第２電極を形成するとともに、前記第２電極と前記導電部を電気的に接続する第４工程と、を備えること、
を特徴とする容量素子の製造方法。
【請求項４】
前記第２工程に先んじて、前記第１電極、前記容量絶縁膜及び前記第２電極が順に積層されることによって形成されるべき積層構造が占める一の領域の外側の領域において、前記容量絶縁膜及び前記第１電極間に層間絶縁膜を形成する第５工程
を備えたことを特徴とする容量素子の製造方法。
【請求項５】
前記第５工程において、前記一の領域に重なるように前記絶縁膜を形成した後、該絶縁膜のうち前記一の領域に重なる部分を除去することによって前記層間絶縁膜を形成すること
を特徴とする請求項４に記載の容量素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１又２に記載の容量素子を、画素電極に電気的に接続された蓄積容量として備えたこと
を特徴とする電気光学装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る容量素子は上記課題を解決するために、導電部と、第１電極と、前記第１電極の一部及び前記導電部と平面視重なる第２電極と、前記第１電極の一部と前記第２電極との間に介在する誘電体膜と、前記誘電体膜と前記第２電極との間に介在する保護膜と、を有する容量絶縁膜と、を備え、前記第２電極は、前記導電部と平面視重なる位置において、前記容量絶縁膜を部分的に除去して前記導電部と電気的に接続されていることを特徴とする。
また、本発明に係る容量素子は、上記の容量素子であって、前記第１電極、前記容量絶縁膜及び前記第２電極が順に積層されてなる積層構造が占める一の領域の外側の領域において、前記容量絶縁膜及び前記第１電極間に形成された層間絶縁膜を備えてもよい。
本発明に係る容量素子は上記課題を解決するために、基板上に設けられた下側導電部上において前記下側導電部に重なるように形成された下地膜の上層側に延びる下電極と、（ｉ）前記下電極上に形成された誘電体膜、及び（ｉｉ）前記誘電体膜上に形成され、且つ前記誘電体膜よりエッチングレートが低い保護膜を有する容量絶縁膜と、前記容量絶縁膜上に形成され、且つ前記下電極よりサイズが大きい上電極とを備え、前記上電極及び前記下側導電部は、前記容量絶縁膜を部分的に除去することによって前記下地膜から露出する接続部を介して相互に電気的に接続されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に係る容量素子の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に設けられた導電部上において第１電極を形成する第１工程と、前記第１電極上に誘電体膜を形成した後、該誘電体膜上に保護膜を形成して、容量絶縁膜を形成する第２工程と、前記誘電体膜の平面形状が所定の形状になるように、前記保護膜のうち前記導電部と重なる部分を除去した後、前記誘電体膜のうち前記保護膜に重ならない部分を除去する第３工程と、前記容量絶縁膜上に第２電極を形成するとともに、前記第２電極と前記導電部を電気的に接続する第４工程と、を備えること、を特徴とする。
また、本発明に係る容量素子の製造方法は、上記の容量素子の製造方法であって、前記第２工程に先んじて、前記第１電極、前記容量絶縁膜及び前記第２電極が順に積層されることによって形成されるべき積層構造が占める一の領域の外側の領域において、前記容量絶縁膜及び前記第１電極間に層間絶縁膜を形成する第５工程を備えてもよい。
本発明に係る容量素子の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に設けられた下側導電部上において前記下側導電部に重なる下地膜の上層側に延びる下電極を形成する第１工程と、前記下電極上に誘電体膜を形成した後、該誘電体膜上に前記誘電体膜よりエッチングレートが低い保護膜を形成する第２工程と、前記誘電体膜の平面形状が所定の形状になるように、前記保護膜上から前記誘電体膜をエッチングすることによって前記誘電体膜のうち前記保護膜に重ならない部分を除去する第３工程と、前記容量絶縁膜上に前記下電極よりサイズが大きい上電極を形成する第４工程とを備え、前記第４工程において、前記下地膜から露出する接続部に前記上電極が重なるように前記上電極を形成することによって、前記接続部を介して前記上電極及び前記下側導電部を相互に電気的に接続する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月21日(2011.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも側面に複数の端子電極が配置された半導体装置を、該半導体装置の底面が対向するプリント配線板に設けられたランドにはんだ付けする半導体装置のはんだ付け方法において、
前記プリント配線板の前記ランドにはんだを供給する工程と、
はんだを供給された前記プリント配線板の前記ランドに、前記半導体装置の前記端子電極を位置決めする工程と、
前記プリント配線板の前記ランド上のはんだを加熱して溶融させ、前記半導体装置の前記端子電極を接合するはんだ接合工程と、を有し、
前記半導体装置の側面には、各端子電極に隣接するように溝部が形成されており、
前記はんだ接合工程において、前記半導体装置の前記溝部に熱を供給しはんだを予備加熱することを特徴とする半導体装置のはんだ付け方法。
【請求項２】
前記はんだ接合工程において、非接触ではんだを加熱する熱源を用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のはんだ付け方法。
【請求項３】
前記熱源としてレーザー光を用いることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置のはんだ付け方法。
【請求項４】
プリント配線板のランドにはんだ付けするための複数の端子電極を少なくとも側面に備えた半導体装置において、
前記半導体装置の側面には、各端子電極に隣接するように、前記ランド上のはんだに熱を供給するための溝部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
側面に複数の端子電極が配置された半導体装置と、
前記半導体装置の各端子電極を接続するためのランドを備えたプリント配線板と、
前記半導体装置の前記端子電極を前記プリント配線板の前記ランドに接続するはんだ接合部と、を有する実装構造において、
前記半導体装置の側面には、各端子電極に隣接するように溝部が形成されており、前記溝部に供給される熱によって、前記はんだ接合部のはんだを予備加熱されることを特徴とする実装構造。
【請求項６】
前記ランドは、前記溝部に露出していることを特徴とする請求項５に記載の実装構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明の半導体装置のはんだ付け方法は、少なくとも側面に複数の端子電極が配置された半導体装置を、該半導体装置の底面が対向するプリント配線板に設けられたランドにはんだ付けする半導体装置のはんだ付け方法において、前記プリント配線板の前記ランドにはんだを供給する工程と、はんだを供給された前記プリント配線板の前記ランドに、前記半導体装置の前記端子電極を位置決めする工程と、前記プリント配線板の前記ランド上のはんだを加熱して溶融させ、前記半導体装置の前記端子電極を接合するはんだ接合工程と、を有し、前記半導体装置の側面には、各端子電極に隣接するように溝部が形成されており、前記はんだ接合工程において、前記半導体装置の前記溝部に熱を供給しはんだを予備加熱することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月8日(2011.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に所定の回路パターンが形成された絶縁基板と、
前記回路パターンと電気的に接続され、前記絶縁基板に実装された多数のＬＥＤパッケ
ージと、
前記回路パターンと接触するように前記絶縁基板に形成され、前記ＬＥＤパッケージか
ら発生する熱を放出する上部熱拡散板と、
前記絶縁基板の他面に形成され、前記上部熱拡散板によって伝達される熱を外部へ伝達
する下部熱拡散板と、
前記上部熱拡散板と前記下部熱拡散板との間は、前記絶縁基板を貫通して内壁がメッキ
処理された少なくとも一つの貫通孔によって連結され、前記絶縁基板の下側に備える前記
下部熱拡散板の下側には上面に絶縁薄膜が形成された第２基板が結合されるように構成さ
れることを特徴とするバックライトユニット。
【請求項２】
前記上部熱拡散板と前記下部熱拡散板は、銅材質で製作され、約０．３５μｍの厚さで
あることを特徴とする請求項１に記載のバックライトユニット。
【請求項３】
前記少なくとも一つの貫通孔と前記上部熱拡散板との面積比は、１：１０〜１：３００
であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のバックライトユニット。
【請求項４】
前記絶縁基板は、前記下部熱拡散板を覆うように形成された絶縁薄膜を備え、前記絶縁
薄膜はスパッタリング法またはスプレー法によってコート処理されて形成されることを特
徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のバックライトユニット。
【請求項５】
前記絶縁薄膜は、約０．３５μｍの厚さであることを特徴とする請求項４に記載のバッ
クライトユニット。
【請求項６】
前記第２基板は、シャーシであることを特徴とする請求項１に記載のバックライトユニ
ット。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月28日(2011.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに異なる複数の基準信号を生成する基準信号生成部と、
前記各基準信号と入力信号との大小関係を夫々比較し、前記比較の結果を互いに位相の異なる複数の比較信号として夫々出力する比較部と、
前記比較部から出力される複数の比較信号を、論理演算により一つ以上の２値信号からなるパルス幅変調信号として出力する合成部とを備えたことを特徴とするパルス幅変調回路。
【請求項２】
前記基準信号生成部は、互いに位相の異なる複数の基準信号を生成することを特徴とする請求項１に記載のパルス幅変調回路。
【請求項３】
前記基準信号生成部は、互いに位相の異なる複数のクロック信号の夫々に対応して、クロック信号毎に増加又は減少し且つ増加開始又は減少開始の初期値が夫々異なる複数のカウンタを備え、
カウンタの出力を前記複数の基準信号としたことを特徴とする請求項２に記載のパルス幅変調回路。
【請求項４】
前記基準信号生成部は、互いに位相の異なる複数のクロック信号の少なくとも１つのクロック信号に対応して、当該クロック信号毎に増加又は減少するカウンタと、
前記位相の異なる複数のクロック信号の夫々に対応させた互いに異なる値を有する複数のオフセット値を、前記カウンタの出力に対して夫々加算又は減算することにより前記複数の基準信号として生成する加減算部とを備え、
前記比較部は、前記各基準信号と入力信号との大小関係を夫々比較し、各比較結果を、夫々に対応する前記クロック信号に同期させて出力するように構成したことを特徴とする請求項１に記載のパルス幅変調回路。
【請求項５】
前記カウンタは、所定の周期で、増加と減少を切り替えることを特徴とする請求項３に記載のパルス幅変調回路。
【請求項６】
前記カウンタの増加又は減少の単位ｄが、前記互いに位相の異なるクロック信号の数Ｎの整数倍であり、最も位相の早いクロック信号ＣＬＫ１に対するｉ番目のクロック信号ＣＬＫｉの位相差がｐｉ°である場合に、当該ｉ番目のクロック信号ＣＬＫｉに対応した増加開始又は減少開始の初期値ｏｆｆｓｅｔｉが、ａを定数とする、ｏｆｆｓｅｔｉ＝ｄ×ｐｉ／３６０＋ａであることを特徴とする請求項２乃至５の何れか１項に記載のパルス幅変調回路。
【請求項７】
前記合成部は、前記複数の比較信号の論理和を出力する論理和部と、
前記複数の比較信号の論理積を出力する論理積部と、
前記論理和部の論理和又は前記論理積部の論理積の何れかを選択してパルス幅変調信号として出力する選択部とを備えたことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載のパルス幅変調回路。
【請求項８】
前記選択部は、前記カウンタの増加時には、前記論理和部の論理和及び前記論理積部の論理積の何れか一方を選択し、前記カウンタの減少時又はリセット時には、前記論理和部の論理和及び前記論理積部の論理積の何れか他方を選択することを特徴とする請求項７に記載のパルス幅変調回路。
【請求項９】
前記合成部は、前記カウンタのリセット時に、パルス幅変調信号が変化しないようにマスクするマスク部を備えたことを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載のパルス幅変調回路。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか１項に記載のパルス幅変調回路を用いた液体噴射装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】パルス幅変調回路、及び流体噴射装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、入力信号をパルス変調して、二値のパルス幅変調信号を出力するパルス幅変調回路、及び流体噴射装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
しかしながら、前記特許文献に記載されるパルス幅変調回路のように、電圧軸方向に多値の信号を出力するためには、例えば各電圧段階毎に出力を断続する抵抗やスイッチング素子が必要となるため、例えばデジタル電力増幅器、所謂Ｄ級アンプを駆動する場合のように、電力が大きい場合には、前記抵抗やスイッチング素子をパーツとして備える必要が生じ、その分だけ、回路規模が大きくなり、コストも増大するという問題が生じる。
本発明は、これらの諸問題に着目して開発されたものであり、回路規模を抑制しながら、高分解能且つ高速応答を可能とするパルス幅変調回路、及び流体噴射装置を提供することを目的とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、前記基準信号生成部は、互いに位相の異なる複数の基準信号を生成することを特徴とするものである。
また、前記基準信号生成部は、互いに位相の異なる複数のクロック信号の夫々に対応して、各クロック信号毎に増加又は減少し且つ増加開始又は減少開始の初期値が夫々異なる複数のカウンタを備え、各カウンタの出力を前記複数の基準信号としたことを特徴とするものである。
このパルス幅変調回路によれば、高分解能なパルス幅変調信号を出力することが可能で、かつ高速応答も実現することができる。それでいながら各基準信号を生成する元となる各クロック信号の周波数は高くしなくてもよいので、単純な回路で安定的に動作させることが可能になる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前記選択部は、前記カウンタの増加時には、前記論理和部の論理和及び論理積部の論理積の何れか一方を選択し、前記カウンタの減少時又はリセット時には、前記論理和部の論理和及び論理積部の論理積の何れか他方を選択することを特徴とするものである。
このパルス幅変調回路によれば、基準信号の波形が三角波であるような場合に、基準信号増加時の比較結果に含まれる比較誤差と減少時の比較結果に含まれる比較誤差とがキャンセルされるように合成されるので、高分解能で高精度なパルス幅変調信号を出力することが可能となる。
また、前記合成部は、前記カウンタのリセット時に、パルス幅変調信号が変化しないようにマスクするマスク部を備えたことを特徴とするものである。
このパルス幅変調回路によれば、カウンタのリセット時のパルス幅変調信号を安定させることができ、これによりパルス幅変調信号の分解能を確保することができる。
さらに、本発明の液体噴射装置は、上記パルス幅変調回路の何れかを用いたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月11日(2011.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力動画像を複数フレーム分保持する入力画像保持部と、
１パス符号化及び２パス符号化を選択できる、画像を符号化する符号化部と、
前記入力画像保持部で保持されるフレームを選択して前記符号化部に供給するフレーム選択部と、
前記符号化部に符号化パラメータを設定し、前記フレーム選択部および前記符号化部を制御する符号化制御部と、
繰り返し符号化の必要性を判断する判断部
とを有し、
前記符号化制御部は、前記判断部からの前記繰り返し符号化の必要性を示す通知に応じて、前記符号化部に前記２パス符号化を実行させるとともに、
前記符号化制御部は、前記入力動画像の単位時間あたりのフレーム数と、前記符号化部の符号化可能な単位時間あたりのフレーム数の差分から、単位時間あたりの２パス符号化可能なフレーム数を算出し、単位時間あたりに前記２パス符号化を行うフレーム数が、算出された単位時間あたりの２パス符号化可能なフレーム数を超えないように、前記符号化部による前記２パス符号化の実行を制御する
ことを特徴とする画像符号化装置。
【請求項２】
前記判断部は、前記符号化制御部が直前に設定した目標符号量と、その符号化結果より求められる発生符号量を比較し、その差分値に従い前記繰り返し符号化の必要性を判断することを特徴とする請求項１に記載の画像符号化装置。
【請求項３】
前記判断部は、符号化結果のＰＳＮＲ（Ｐｅａｋ  Ｓｉｇｎａｌ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）値が、所定の閾値を下回っている場合に、前記繰り返し符号化の必要性を判断することを特徴とする請求項１に記載の画像符号化装置。
【請求項４】
前記符号化制御部は、前記符号化部に同一フレームに対する２回目の前記２パス符号化を実行する場合、１回目とは異なる符号化条件で２回目の２パス符号化を行うよう制御することを特徴とする請求項１に記載の画像符号化装置。
【請求項５】
前記単位時間は、１ＧＯＰ期間であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像符号化装置。
【請求項６】
前記符号化制御部は、ＩピクチャおよびＰピクチャに対して優先的に前記２パス符号化を行うように前記符号化部を制御することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の画像符号化装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明に係る画像符号化装置は、入力動画像を複数フレーム分保持する入力画像保持部と、１パス符号化及び２パス符号化を選択できる、画像を符号化する符号化部と、前記入力画像保持部で保持されるフレームを選択して前記符号化部に供給するフレーム選択部と、前記符号化部に符号化パラメータを設定し、前記フレーム選択部および前記符号化部を制御する符号化制御部と、繰り返し符号化の必要性を判断する判断部とを有し、前記符号化制御部は、前記判断部からの前記繰り返し符号化の必要性を示す通知に応じて、前記符号化部に前記２パス符号化を実行させるとともに、前記符号化制御部は、前記入力動画像の単位時間あたりのフレーム数と、前記符号化部の符号化可能な単位時間あたりのフレーム数の差分から、単位時間あたりの２パス符号化可能なフレーム数を算出し、単位時間あたりに前記２パス符号化を行うフレーム数が、算出された単位時間あたりの２パス符号化可能なフレーム数を超えないように、前記符号化部による前記２パス符号化の実行を制御することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明によれば、符号化のリアルタイム性を確保しながら、符号化部の処理能力の空き時間を有効活用して２パス符号化を実行させることができる。これにより、符号化結果全体の符号化効率および符号化品質が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月24日(2011.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力された画像データを、M×N画素（M、Nは共に１以上の整数であり、かつMおよびNの少なくとも一方が２以上の整数）のブロックに分割する手段と、
前記ブロック毎に、ブロックに含まれる色を、前記M×N個よりも小さい数のグループに分けて前記M×Nよりも小さい数の色に割り当てることにより画像データを圧縮して第１の圧縮結果データを取得する第１の圧縮手段と、
前記ブロック毎に、ブロックに含まれる各色成分の下位の所定のビットを削除することにより画像データを圧縮して第２の圧縮結果データを取得する第２の圧縮手段と、
前記ブロックのそれぞれについて、前記第１の圧縮結果データを復号化した第１の復号結果データと前記第２の圧縮結果データを復号化した第２の復号結果データとのそれぞれと、前記入力された画像データとの階調値の差分を比較し、前記第１の圧縮結果データおよび第２の圧縮結果データのうち、該差分の小さい方に対応する方を対応するブロックの圧縮処理結果として出力する手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記分割されたブロックの各々について、画像のエッジ成分の検出を行う手段をさらに備え、
前記出力する手段は、前記エッジ成分が検出されたブロックについては、前記第２の圧縮結果データを該ブロックの圧縮処理結果として出力する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記分割されたブロックの各々について、画像のエッジ成分の検出を行う手段と、
前記第１及び第２の圧縮手段による圧縮処理の後にＪＰＥＧ圧縮を行うか否か、を判断する手段と、
をさらに備え、
前記出力する手段は、
前記ＪＰＥＧ圧縮を行うと判断される場合は、前記エッジ成分が検出されたブロックについて、前記第２の圧縮結果データを該ブロックの圧縮処理結果として出力し、
前記ＪＰＥＧ圧縮を行わないと判断される場合は、前記第１の圧縮結果データおよび第２の圧縮結果データのうち、前記差分の小さい方に対応する方を対応するブロックの圧縮処理結果として出力する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記ブロックにおける色の配置に関するパターン情報を取得する手段と、
前記パターン情報に基づいて、前記第１及び第２の圧縮結果データを復号化する手段と
をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項５】
入力された画像データを、M×N画素（M、Nは共に１以上の整数であり、かつMおよびNの少なくとも一方が２以上の整数）のブロックに分割する工程と、
前記ブロック毎に、ブロックに含まれる色を、前記M×N個よりも小さい数のグループに分けて前記M×Nよりも小さい数の色に割り当てることにより画像データを圧縮して第１の圧縮結果データを取得する第１の圧縮工程と、
前記ブロック毎に、ブロックに含まれる各色成分の下位の所定のビットを削除することにより画像データを圧縮して第２の圧縮結果データを取得する第２の圧縮工程と、
前記ブロックのそれぞれについて、前記第１の圧縮結果データを復号化した第１の復号結果データと前記第２の圧縮結果データを復号化した第２の復号結果データとのそれぞれと、前記入力された画像データとの階調値の差分を比較し、前記第１の圧縮結果データおよび第２の圧縮結果データのうち、該差分の小さい方に対応する方を対応するブロックの圧縮処理結果として出力する工程と
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項６】
コンピュータを請求項１乃至４のいずれかに記載の画像処理装置として機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月9日(2011.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自律的に通信条件を変更する機能を有する基地局であって、
周辺基地局が送信している下り送信チャネルの通信品質をサブバンド単位で測定する下り干渉測定部と、
前記下り干渉測定部で前記サブバンド毎に算出された前記周辺基地局の前記通信品質に基づいて、前記周辺基地局との干渉を最小化するよう、FFR(Fractional Frequency Reuse)を用いて通信条件を制御するFFR決定処理部とを備える、
ことを特徴とする基地局。
【請求項２】
前記下り干渉測定部は、前記通信品質としてサブバンド単位で前記周辺基地局からの干渉電力を測定し、
前記FFR決定処理部は、前記干渉電力に基づき、前記サブバンドを最小割当単位として、前記サブバンドの組合せであるサブバンドセットにより前記FFRを実施する、
ことを特徴とする請求項１に記載の基地局。
【請求項３】
サブバンド単位で測定した前記干渉電力が閾値を超える場合に、前記FFR決定処理部は、干渉の小さい前記サブバンドから順に高電力を割り当てる、
ことを特徴とする請求項２に記載の基地局。
【請求項４】
サブバンド単位で測定した前記干渉電力が閾値を超える場合に、前記FFR決定処理部は、干渉の大きい前記サブバンドから順に小電力を割り当てる、
ことを特徴とする請求項２に記載の基地局。
【請求項５】
サブバンド単位で測定した前記干渉電力が閾値を超える場合に、前記FFR決定処理部は、干渉の大きい上位M個（Mは１以上の自然数）の前記サブバンドを未使用状態に設定した後、干渉の小さい前記サブバンドから順に高電力を割り当てる、
ことを特徴とする請求項２に記載の基地局。
【請求項６】
前記サブバンド全ての前記干渉電力が閾値を超える場合に、前記FFR決定処理部は、最小割当単位である前記サブバンドをより細分化することに、より詳細に高電力を割当てる周波数を決定する、
ことを特徴とする請求項２に記載の基地局。
【請求項７】
前記下り干渉測定部と前記FFR決定処理部は、装置立ち上げ時に自律的に前記通信条件を変更する処理を実行する、
ことを特徴とする請求項１に記載の基地局。
【請求項８】
前記下り干渉測定部が前記通信品質の悪化を検出した際、前記下り干渉測定部と前記FFR決定処理部は、自律的に前記通信条件を変更する処理を実行する、
ことを特徴とする請求項１に記載の基地局。
【請求項９】
アンテナから受信したRF（Radio Frequency）信号からベースバンドOFDM（Orthogonal Frequency Division Multiplexing）信号を得るフロントエンド部と、
前記ベースバンドOFDM信号から各移動局からの上り信号を復調する復調部と、
前記上り信号から上りデータビット列と再送要求信号を生成する復号処理部とを更に備え、前記復号処理部は、前記下り送信チャネルにおけるデータ送信成功までの前記再送要求信号が一定数を超えた場合に、通信品質劣化検出信号を前記下り干渉測定部に送出する、
ことを特徴とする請求項８に記載の基地局。
【請求項１０】
前記下り干渉測定部は前記通信品質劣化検出信号を受信した場合、前記サブバンド単位で前記周辺基地局からの干渉電力の測定を行う、
ことを特徴とする請求項９に記載の基地局。
【請求項１１】
自律的に通信条件を変更する機能を有する基地局の自律制御方法であって、
前記基地局は、周辺基地局が送信する下り送信チャネルの通信品質をサブバンド単位で算出し、
前記サブバンド毎に算出された前記周辺基地局の前記通信品質に基づいて、前記周辺基地局との干渉を最小化するよう、FFRを用いて通信条件を制御する、
ことを特徴とする基地局の自律制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月17日(2011.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子と、
前記撮像素子を介さずに光学的に被写体像を観察可能に表示する光学ファインダーと、
前記撮像素子を介して得た画像データにより被写体像を観察可能に表示する電子ビューファインダーと、
前記光学ファインダーと前記電子ビューファインダーとに共通で用いられる接眼手段と、
撮影を行うときに操作されるレリーズ操作手段と、
前記レリーズ操作手段の操作に連動して被写体像の表示を前記光学ファインダーから前記電子ビューファインダーへ切り換える制御手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記レリーズ操作手段は、第１のスイッチと、前記第１のスイッチの後に作動する第２のスイッチとの２段階のスイッチを有し、
前記制御手段は、
前記第１のスイッチが作動したことに応じて被写体像の表示を前記光学ファインダーから前記電子ビューファインダーへ切り換えるとともに自動焦点調節制御又は自動露出制御の少なくとも一方を行い、
前記第１のスイッチの作動が停止したことに応じて前記電子ビューファインダーから前記光学ファインダーへ切り換えを行い、
前記第２のスイッチに応じて撮影を行うこと、
を特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記レリーズ操作手段は、第１のスイッチと、前記第１のスイッチの後に作動する第２のスイッチとの２段階のスイッチを有し、
前記制御手段は、
前記第１のスイッチが作動したことに応じて被写体像の表示を前記光学ファインダーから前記電子ビューファインダーへ切り換えるとともに自動焦点調節制御又は自動露出制御の少なくとも一方を行い、
前記第２のスイッチに応じて撮影を行い、
前記第２のスイッチの作動が停止したことに応じて前記電子ビューファインダーから前記光学ファインダーへ切り換えを行うこと、
を特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記制御手段は、自動焦点調節制御又は自動露出制御を行っているときは、前記光学ファインダーを選択し、自動焦点調節制御又は自動露出制御が終了した後に前記光学ファインダーから前記電子ビューファインダーへ切り換えること、
を特徴とする請求項２又は請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記制御手段は、自動焦点調節制御又は自動露出制御を行っているときは、前記電子ビューファインダーを選択し、自動焦点調節制御又は自動露出制御が終了した後に前記電子ビューファインダーから前記光学ファインダーへ切り換えること、
を特徴とする請求項２又は請求項３に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記撮像素子により得られた画像に画像処理を行う画像処理手段と、
前記画像処理手段が行う画像処理を設定する設定手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記設定手段が設定した画像処理が、予め設定された画像処理に該当するときに、前記レリーズ操作手段の操作に連動して被写体像の表示を前記光学ファインダーから前記電子ビューファインダーへ切り換えること、
を特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
撮影者が前記接眼手段を利用して被写体像の観察を行っているか否かを検知する接眼検知手段を有し、
前記制御手段は、前記接眼手段を利用して被写体像の観察を行っていることを前記接眼検知手段が検知したとき、前記第１のスイッチが作動したことに応じて被写体像の表示を前記光学ファインダーから前記電子ビューファインダーへ切り換えること、
を特徴とする請求項２から請求項６までのいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記電子ビューファインダーとは別に設けられた表示手段であって、前記撮像素子を介して得た画像データにより被写体像を観察可能に表示する外部表示手段と、
撮影者が前記接眼手段を利用して被写体像の観察を行っているか否かを検知する接眼検知手段を有し、
前記制御手段は、前記接眼手段を利用して被写体像の観察を行っていないことを前記接眼検知手段が検知したとき、前記光学ファインダーから前記電子ビューファインダーへの切り換えを行わずに、前記第１のスイッチが作動したことに応じて被写体像の表示を前記外部表示手段へ行うこと、
を特徴とする請求項２から請求項７までのいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記制御手段は、前記光学ファインダーから前記電子ビューファインダーへ切り換えを行うよりも先に、前記電子ビューファインダーの駆動を開始させること、
を特徴とする請求項１から請求項８までのいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記光学ファインダーは、被写体像を拡大して観察可能にする光学ファインダー接眼光学系を有し、
前記電子ビューファインダーは、被写体像を表示する表示素子と、前記表示素子に表示される被写体像を拡大して観察可能にする電子ビューファインダー接眼光学系とを有し、
前記接眼手段は、撮影者が接眼する位置に固定された接眼光学部材を有し、
前記光学ファインダー接眼光学系及び前記電子ビューファインダー接眼光学系は、前記接眼光学部材を共通して用いており、
前記光学ファインダーと前記電子ビューファインダーとの切り換えは、前記接眼光学部材を移動することなく、前記接眼光学部材の光軸に直交する方向に前記接眼光学部材を除いた前記光学ファインダー接眼光学系及び前記電子ビューファインダー接眼光学系を移動させることにより行われること、
を特徴とする請求項１から請求項９までのいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１１】
撮像素子と、
前記撮像素子を介さずに光学的に被写体像を観察可能に表示する光学ファインダーと、
前記撮像素子を介して得た画像データにより被写体像を観察可能に表示する電子ビューファインダーと、
撮影を行うときに操作されるレリーズ操作手段と、
を備えた撮像装置におけるファインダーの切り換え方法であって、
前記レリーズ操作手段の操作に連動して被写体像の表示を前記光学ファインダーから前記電子ビューファインダーへ切り換えること、
を特徴とするファインダーの切り換え方法。