【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年9月3日(2009.9.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化ケイ素ドーパントを含むホウ化マグネシウム超伝導物質。
【請求項２】
式：ＭｇＢｘ（ＳｉＣ）ｙ（式中、ｘは０より大きく２以下の数であり且つｙは０より大きく２以下の数である）を有する超伝導物質。
【請求項３】
ｘは１以上２以下の数であり且つｙは０より大きく１以下の数である請求項２に記載の超伝導物質。
【請求項４】
ｘは２であり且つｙは０．０５５、０．１１、０．２２または０．３３である請求項２に記載の超伝導物質。
【請求項５】
ｘは１．９８であり且つｙは０．０２であるか、ｘは１．９５であり且つｙは０．０５であるか、ｘは１．９であり且つｙは０．１であるか、ｘは１．８５であり且つｙは０．１５であるか、ｘは１．８であり且つｙは０．２であるか、ｘは１．５であり且つｙは０．５であるか、ｘは１．０であり且つｙは１．０であるか、またはｘは０．５であり且つｙは１．５である請求項２に記載の超伝導物質。
【請求項６】
ｘは１．２以上１．８以下の数であり且つｙは０．２以上０．６以下の数である請求項２に記載の超伝導物質。
【請求項７】
超伝導バルク、ペレット、ワイヤ、薄膜またはテープの形態である請求項１〜６の何れかに記載の超伝導物質。
【請求項８】
請求項１〜７の何れかに記載の超伝導物質を組み入れる超伝導体。
【請求項９】
炭化ケイ素ドーパントを含むホウ化マグネシウム超伝導物質の超伝導体としての使用。
【請求項１０】
式：ＭｇＢｘ（ＳｉＣ）ｙ（式中、ｘは０より大きく２以下の数であり且つｙは０より大きく２以下の数である）を有する超伝導物質の超伝導体としての使用。
【請求項１１】
炭化ケイ素ドーパントを含むホウ化マグネシウム超伝導物質を提供する工程と、
前記超伝導物質を、前記超伝導物質の臨界温度以下に冷却する工程と、
前記超伝導物質に電流を流す工程と
を含む電流を伝導する方法。
【請求項１２】
式：ＭｇＢｘ（ＳｉＣ）ｙ（式中、ｘは０より大きく２以下の数であり且つｙは０より大きく２以下の数である）を有する超伝導物質を提供する工程と、
前記超伝導物質を、前記超伝導物質の臨界温度以下に冷却する工程と、
前記超伝導物質に電流を流す工程と
を含む電流を伝導する方法。
【請求項１３】
前記超伝導物質は、超伝導バルク、ペレット、ワイヤ、薄膜またはテープの形態で提供される請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
炭化ケイ素がドープされているホウ化マグネシウム超伝導物質を形成する工程を含む、ホウ化マグネシウム超伝導物質の臨界電流密度、不可逆磁場および磁束ピン止め特性を改善する方法。
【請求項１５】
前記炭化ケイ素がドープされているホウ化マグネシウム超伝導物質は、式：ＭｇＢｘ（ＳｉＣ）ｙ（式中、ｘは０より大きく２以下の数であり且つｙは０より大きく２以下の数である）を有する請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記炭化ケイ素がドープされているホウ化マグネシウム超伝導物質は、超伝導バルク、ペレット、ワイヤ、薄膜またはテープの形態で形成される請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記炭化ケイ素がドープされているホウ化マグネシウム超伝導物質は、
ＭｇＢ２粉末およびＳｉＣ粉末を磨砕またはボールミルにより混合すること、
得られた混合物をプレスしてペレットにすること、
前記ペレットを鉄管中に充填すること、
前記鉄管を、不活性ガス雰囲気下で、１０分〜１０時間、６５０℃〜９５０℃の温度に加熱すること、および
得られた超伝導物質を、室温に冷却するか、または液体窒素で急冷すること
により、ペレットの形態で形成される請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記炭化ケイ素がドープされているホウ化マグネシウム超伝導物質は、
ＭｇＢ２粉末およびＳｉＣ粉末を磨砕またはボールミルにより混合すること、
得られた混合物を鉄管中に充填すること、
前記鉄管をグルーブ−ロールしてワイヤにすること
前記鉄管を、不活性ガス雰囲気下で、１０分〜１０時間、６５０℃〜９５０℃の温度に加熱すること、および
得られた超伝導物質を、室温に冷却するか、または液体窒素で急冷すること
により、ワイヤの形態で形成される請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記炭化ケイ素がドープされているホウ化マグネシウム超伝導物質は、
Ｍｇ粉末、Ｂ粉末およびＳｉＣ粉末を磨砕またはボールミルにより混合すること、
得られた混合物をプレスしてペレットにすること、
前記ペレットを鉄管中に充填すること、
前記鉄管を、不活性ガス雰囲気下で、１０分〜１０時間、６５０℃〜９５０℃の温度に加熱すること、および
得られた超伝導物質を、室温に冷却するか、または液体窒素で急冷すること
により、ペレットの形態で形成される請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記炭化ケイ素がドープされているホウ化マグネシウム超伝導物質は、
Ｍｇ粉末、Ｂ粉末およびＳｉＣ粉末を磨砕またはボールミルにより混合すること、
得られた混合物を鉄管中に充填すること、
前記鉄管をグルーブ−ロールしてワイヤにすること
前記鉄管を、不活性ガス雰囲気下で、１０分〜１０時間、６５０℃〜９５０℃の温度に加熱すること、および
得られた超伝導物質を、室温に冷却するか、または液体窒素で急冷すること
により、ワイヤの形態で形成される請求項１４に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
図１は、ＡＣ磁化率測定により確定されたドープ化および非ドープ化試料に関する転移温度（Ｔｃ）および転移幅ΔＴｃを示す。非ドープ化試料に関するＴｃ開始（３８．６Ｋ）は、いくつかのグループにより報告されたのと同一である。ドープ化試料に関しては、Ｔｃはドーピングレベル増大に伴って低減する。存在する多量の非超伝導相にもかかわらず、Ｔｃは、ｘ＝０．３３のＳｉＣドーピングレベルで２．６Ｋ低下するだけである（３３原子量％のＢ）、ということは注目に値する。それに反して、Ｔｃは、ＭｇＢ２中のＢを７％Ｃで置換することによりほとんど１０Ｋに関して下げられ［１７］、そして０．５原子量％Ｓｉ置換は約０．５Ｋに関してＴを低減した［１４］。これらの結果は、Ｃ（０．０７７ｎｍ）およびＳｉ（０．１１７ｎｍ）の平均サイズがＢ（０．０９７ｎｍ）の平均サイズと同様であるため、ＳｉＣドーピングに対するＭｇＢ２のＴｃのより高い耐性がＣおよびＳｉの共ドーピングに起因する、ということを示唆する。ＳｉＣとの共ドーピングが単一元素ドーピングのＴｃに及ぼすマイナス効果を相殺する、ということは明白である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
図３では、軸はＳｉＣドーパント増大に伴って低減し、ｘ＝０．３３で飽和に達しなかった、ということに留意されたい。ｘ＝０からｘ＝０．３３までの軸の全体的変動は、０．０１２Åである。比較すると、Ｃによる単一元素ドーピングに関しては、軸は７原子量％のＢのＣ含量でプラトーに達し、この場合、軸の変動は０．０１６Åである。これは、ＳｉおよびＣの相殺作用のため、ＳｉおよびＣのＭｇＢ２中への共ドーピングが軸の変動を実質的に低減した、ということを示す。これは、ＴｃがＳｉＣドーパント増大に伴って非常にゆっくり低下する理由も説明する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
図４は、５Ｋ（グラフａ）および１０Ｋ（グラフｂ）の温度でのドープ化および非ドープ化試料に関するＪｃ（Ｈ）曲線を示す。これらの結果は、以下の顕著な特徴を示す。非ドープ化試料に関するＪｃ（Ｈ）曲線は、より高い磁場でのドープ化試料全てに関するものとの交差を示す。０．２２より大きいｘ値でのＳｉＣドーピングは低磁場でのＪｃの低減を引き起こすが、しかし全てのドープ化試料に関するＪｃが非ドープ化試料に関するよりもはるかにゆっくりと磁場増大に伴って低下する、ということに留意することは重要である。特に０．２２および０．３３のｘ値を有するドープ化試料に関するＪｃ曲線は測定磁場限界までの適用磁場との幾何級数的関係を示すが、一方、非ドープ化試料に関するＪｃ曲線は急速な下方屈曲を示す。ｘ＝０．１１の値でのドープ化試料に関するＪｃは４Ｔで１．３×１０５Ａ／ｃｍ２に達し、磁場強度６Ｔおよび温度５Ｋで非ドープ化試料の値の３０倍より大きい値に増大した。５Ｋおよび１０Ｋの温度で、より高いドーピングレベル試料（４および５）に関するＪｃ（Ｈ）は低ドーピング試料（２および３）のものよりより迅速に下降した、ということに留意することも興味深い。しかしながら２０Ｋでは、全てのドープ化試料がほぼ平行なＪｃ（Ｈ）曲線を示したが、一方、３０Ｋでは、ｘ＝０．３３ドープ化試料は他の試料に比して磁場に伴うさらに遅いＪｃ低下を示し、このことは、より高い温度でのより強いピン止め増強作用の存在を示す。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
図５は、種々の温度でのｘ＝０．１１ＳｉＣドープ化試料に関するＪｃ−Ｈの動きと、文献から報告されたデータとの比較を示す。低密度で最適化されていない組成にもかかわらず、ＳｉＣドープ化試料に関するＪｃは他の元素ドープ化試料［１２、１３］、最良Ｆｅ／ＭｇＢ２テープ［１５］よりゆっくりと低下し、強ピン止めを有する薄膜［１１］により近い、ということは明白である。２０Ｋでは、ｘ＝０．１１を示す試料は４Ｔで１８，０００Ａ／ｃｍ２のＪｃ値を有し、同一バッチで製造された対照試料の１００倍、最新式の（state-the-art）Ｆｅ／ＭｇＢ２テープ［１５］の８倍である。これらは、標準条件下で製造されたバルクおよびワイヤに関してこれまで報告された最良のＪｃ値である。ｘ＝０．１１ドープ化試料に関するＨｉｒｒは、２０Ｋで６Ｔおよび１０Ｋで８Ｔであり、これに比して非ドープ化試料はそれぞれ４Ｔおよび６Ｔである。図６にさらなる比較が示されているが、この場合、輸送電流測定の結果は、文献中に見出される最適なＳｉＣ−ドーピングレベルおよび最良のＭｇＢ２試料の１つに関して示されている。観察され得るように、２つの曲線間に顕著な差が存在する。さらにＳｉＣドープ化試料は５Ｋの温度で測定されるが、一方、他の試料は４．２Ｋの温度で測定される。言い換えれば、ＳｉＣドーピングにより誘導される実際の増強は、文献中に見出される最良のＭｇＢ２試料よりさらに大きい。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
実施例１：ＭｇＢ２中へのナノ粒子ＳｉＣドーピングによる（Ｍｇ＋２Ｂ）１−ｘ（ＳｉＣ）ｘの合成
反応ｉｎ ｓｉｔｕ法により、（Ｍｇ＋２Ｂ）１−ｘ（ＳｉＣ）ｘ試料を調製した。マグネシウム（純度９９％）および非晶質ホウ素（純度９９％）の粉末を、それぞれ試料１〜５に関して（Ｍｇ＋２Ｂ）１−ｘ（ＳｉＣ）ｘ（式中、ｘ＝０、０．０５７、０．１１７、０．２３および０．３４）の原子量比を有するＳｉＣ添加剤と十分に混合した（表１）。混合粉末をＦｅ管中に充填した。複合管をグルーブ−ロールして、Ｆｅ管中に密封し、次に、流動高純度Ａｒの存在下で、設定温度で９５０℃に３時間直接加熱した。この後、これを液体窒素温度に急冷した。表１は、試料１がドープされない、試料２〜５がそれぞれ５重量％ＳｉＣでドープされる、１０重量％ＳｉＣドープされる、２０重量％ＳｉＣドープされる、および３０重量％ＳｉＣドープされる情報を提供する。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
１．０×１．０×０．８ ｍｍ３試料の磁化を、掃引速度５０Ｏｅ／ｓおよび振幅９Ｔの時間変化磁場において物理特性測定システム（ＰＰＭＳ、Quantum Design）を用いて、５〜３０Ｋの温度範囲に亘って測定した。磁気Ｊｃは、「セミビーン」関係ΔＭ＝ｋ Ｊｃｄ（式中、ｋは定数であり、そしてｄは試料が適用磁場に対して与える厚みである）の適切な変数を用いて、磁化ループΔＭの高さから得ることができる。完全試料サイズを基礎にして、垂直磁場におけるプレートに関する関係を用いて、磁性体電流密度Ｊｃを算定する：Ｊｃ＝２０ΔＭ／（ａ−ａ２／３ｂ）。５Ｋ、１０Ｋ、２０Ｋおよび３０Ｋでの試料に関するＪｃ対９Ｔまでの磁場を測定した。磁束ジャンピング（flux jumping）のため、１０Ｋより低い値での低磁場Ｊｃは測定できない。不可逆磁場Ｈ（Ｔ）の結果を表１に示す。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
実施例２：ＭｇおよびＢと反応させるためにナノ粒子ＳｉＣを用いたＭｇＢ２−ｘ（ＳｉＣ）ｘの合成
反応ｉｎ ｓｉｔｕ法により、ＭｇＢ２−ｘ（ＳｉＣ）ｘ試料を調製した。マグネシウム（純度９９％）および非晶質ホウ素（純度９９％）の粉末を、ＳｉＣ添加剤を十分に混合して、以下の比のＭｇＢ２−ｘ（ＳｉＣ）ｘ（式中、ｘ＝０、０．０２、０．０５、０．１、０．１５、０．２、０．５、１．０、１．５、および２．０を有する種々の試料を調製した。混合粉末をＦｅ管中に充填した。複合管をグルーブ−ロールして、Ｆｅ管中に密封し、次に、流動高純度Ａｒの存在下で、設定温度で９００℃に３時間直接加熱した。この後、これを液体窒素温度に急冷した。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
実施例３：Ｍｇ、Ｂ、ＳｉおよびＣ粉末を用いたＭｇＢ２−ｘ−ｙＳｉｘＣｙの合成
反応ｉｎ ｓｉｔｕ法により、ＭｇＢ２ペレット試料を調製した。マグネシウム（純度９９％）および非晶質ホウ素（純度９９％）の粉末を、Ｍｇ＋Ｂ２−ｘ（ＳｉＣ）ｘ（式中、ｘ＝０、０．０２、０．０５、０．１、０．１５、０．２、０．５、１．０、１．５、および０．２）の比を有するＳｉＣ添加剤と十分に混合した。混合粉末をＦｅ管中に充填した。複合管をグルーブ−ロールして、Ｆｅ管中に密封し、次に、流動高純度Ａｒの存在下で、設定温度で９００℃に３時間直接加熱した。この後、これを液体窒素温度に急冷した。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
実施例６：ＭｇＢ２−ｘＳｉｘの合成
反応ｉｎ ｓｉｔｕ法により、ＭｇＢ２−ｘＳｉｘの多結晶試料を調製した。マグネシウム（純度９９％）、非晶質ホウ素（純度９９％）およびケイ素ナノ粒子（粒子サイズ約２０〜４０ｎｍ）の高純度粉末を、ＭｇＢ２−ｘＳｉｘ（式中、ｘ＝０、０．０５、０．１、０．２、０．３、０．４）の公称原子量比に従って検量して、磨砕により十分に混合した。水圧プレスを用いて、粉末を直径１０ｍｍ、厚み３ｍｍのペレットにプレスした。ペレットをＦｅ管中に密封し、次に、流動高純度Ａｒの存在下で、８００〜９００℃で３０分間熱処理した。この後、これを室温に炉冷却した。参照試料として用いるために、非ドープ化試料も同じ条件下で製造した。