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【手続補正書】
【提出日】平成23年1月10日(2011.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶素子、装置、および記憶素子の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持されたメモリ層とを有し、
前記メモリ層は、有機薄膜で被覆された導電性材料よりなるナノ粒子から構成された部分と、前記ナノ粒子が融着して形成された導電部とを有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層は前記導電部を介して電気的に接続されていることを特徴とする記憶素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記ナノ粒子から構成された部分は、液滴吐出法を用いて形成されていることを特徴する記憶素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記ナノ粒子の粒径は１ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする記憶素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記有機薄膜は、少なくとも前記導電性材料と配位結合を形成することが可能な物質もしくは界面活性剤より構成されていることを特徴とする記憶素子。
【請求項５】
請求項４において、
前記有機薄膜には、さらに還元剤、樹脂、可塑剤が含まれていることを特徴とする記憶素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の導電層と前記ナノ粒子の間に、第１の絶縁層又は第１の半導体層が設けられていることを特徴とする記憶素子。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１の絶縁層、又は前記第１の半導体層は液滴吐出法を用いて形成したものであることを特徴とする記憶素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第２の導電層と前記ナノ粒子の間に、第２の絶縁層又は第２の半導体層が設けられていることを特徴とする記憶素子。
【請求項９】
請求項８において、
前記第２の絶縁層、又は前記第２の半導体層は液滴吐出法を用いて形成したものであることを特徴とする記憶素子。
【請求項１０】
マトリクス状に配置された複数の記憶素子を有し、
前記複数の記憶素子の各々は、第１の導電層と、第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持されたメモリ層とを有し、
前記メモリ層は、有機薄膜で被覆された導電性材料よりなるナノ粒子から構成され、
前記複数の記憶素子のうち少なくとも一の前記メモリ層は、前記第１の導電層と前記第２の導電層を電気的に接続する導電部を有することを特徴とする装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記導電部は、前記メモリ層が有する一部の前記ナノ粒子が互いに融着して形成されたことを特徴とする装置。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１において、
前記複数の記憶素子の各々は、薄膜トランジスタに電気的に接続されていることを特徴とする装置。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記薄膜トランジスタはガラス基板もしくは可撓性基板上に設けられていることを特徴とする装置。
【請求項１４】
前記第１の導電層と、前記第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持された有機薄膜で被覆された導電性材料よりなるナノ粒子から構成されたメモリ層と、を有する第１の記憶素子に電圧を印加して第２の記憶素子を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記電圧を印加することにより、前記ナノ粒子を融着し、前記第１の導電層と前記第２の導電層とを電気的に接続する導電部が形成されることを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１６】
請求項１４又は請求項１５において、
前記ナノ粒子から構成された部分は、液滴吐出法を用いて形成することを特徴する記憶素子の作製方法。
【請求項１７】
請求項１４乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記第１の導電層と前記ナノ粒子の間に、第１の絶縁層又は第１の半導体層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記第１の絶縁層、又は前記第１の半導体層は液滴吐出法を用いて形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１９】
請求項１４乃至請求項１８のいずれか一項において、
前記第２の導電層と前記ナノ粒子の間に、第２の絶縁層又は第２の半導体層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項２０】
請求項１９において、
前記第２の絶縁層、又は前記第２の半導体層は液滴吐出法を用いて形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月19日(2011.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体素子と、
前記第１の半導体素子上に積層され、前記第１の半導体素子の外縁から突出している突出部を有する第２の半導体素子と、
を備え、
前記第２の半導体素子は第１の回路領域とこの第１の回路領域よりも高い温度に発熱しやすい第２の回路領域とを有し、この第２の回路領域が前記突出部を含むように配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の半導体素子および前記第２の半導体素子は、基板上に配置されるとともに、この基板上に形成された樹脂層により封止され、
前記樹脂層は、前記第２の半導体素子の前記第２の回路領域を含む端部とこれに対応する前記樹脂層の側壁面との間隔がそれ以外の端部における間隔よりも短くなるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の回路領域に含まれる電極部と基板に設けられている端子とを接続する第１の配線を流れる電流量は、前記第２の回路領域に含まれる電極部と基板に設けられている端子とを接続する第２の配線を流れる電流量よりも小さいことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の配線が接続される基板の端子は、前記第２の回路領域を含む端部とこれに対応する前記樹脂層の側壁面との間の領域とは異なる領域に設けられていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記樹脂層は、前記端部とこれに対応する前記樹脂層の側壁面との間隔が、前記第２の半導体素子の上面と前記樹脂層の上面との間隔よりも短くなるように形成されていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２の半導体素子は、該第２の半導体素子の複数の辺が前記第１の半導体素子の外縁から突出するように該第１の半導体素子に積層されていることを特徴とする請求項１乃
至５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２の半導体素子は、該第２の半導体素子の４辺が前記第１の半導体素子の外縁から突出するように該第１の半導体素子に積層されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１の半導体素子は、前記第２の半導体素子が積層されている側とは反対側の面に、基板と接続される複数の突起電極端子が形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２の回路領域は電極部を含み、
前記電極部は前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子とが重畳する領域に配置されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２の回路領域は電極部を含み、
前記電極部は前記突出部に配置されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月6日(2011.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶素子、及び記憶素子を有する装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持されたメモリ層とを有し、
前記メモリ層は、有機薄膜で被覆された導電性材料よりなるナノ粒子から構成された部分と、前記ナノ粒子が融着して形成された導電部と、前記導電部の側面と前記ナノ粒子から構成された部分との間に形成された空間とを有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層は前記導電部を介して電気的に接続されていることを特徴とする記憶素子。
【請求項２】
第１の導電層と、第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持されたメモリ層とを有し、
前記メモリ層は、有機薄膜で被覆された導電性材料よりなるナノ粒子から構成された部分と、前記部分の内側に形成された空間と、前記空間内に前記ナノ粒子が融着して形成された導電部とを有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層は前記導電部を介して電気的に接続されていることを特徴とする記憶素子。
【請求項３】
第１の導電層と、第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持されたメモリ層とを有し、
前記メモリ層は、有機薄膜で被覆された導電性材料よりなるナノ粒子から構成された部分と、前記ナノ粒子が融着して形成された導電部と、空間とを有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層は前記導電部を介して電気的に接続され、
前記導電部の側面は、前記空間を介して前記ナノ粒子から構成された部分に囲われていることを特徴とする記憶素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記ナノ粒子から構成された部分は、液滴吐出法を用いて形成されていることを特徴する記憶素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記ナノ粒子の粒径は１ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする記憶素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記有機薄膜は、少なくとも前記導電性材料と配位結合を形成することが可能な物質もしくは界面活性剤より構成されていることを特徴とする記憶素子。
【請求項７】
請求項６において、前記有機薄膜には、さらに還元剤、樹脂、可塑剤が含まれていることを特徴とする記憶素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記導電部は、前記第１の導電層と前記第２の導電層間に電圧を印加することにより形成されることを特徴とする記憶素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記第１の導電層と前記メモリ層との間に第１の絶縁層または第１の半導体層を有することを特徴とする記憶素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、前記第２の導電層と前記メモリ層との間に第２の絶縁層または第２の半導体層を有することを特徴とする記憶素子。
【請求項１１】
マトリクス状に配置された複数の記憶素子を有し、
前記複数の記憶素子の各々は、第１の導電層と、第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持されたメモリ層とを有し、
前記メモリ層は、有機薄膜で被覆された導電性材料よりなるナノ粒子から構成され、
前記複数の記憶素子のうち少なくとも一の前記メモリ層は、前記第１の導電層と前記第２の導電層を電気的に接続する導電部と、前記導電部の側面と前記ナノ粒子から構成された部分との間に空間とを有することを特徴とする記憶素子を有する装置。
【請求項１２】
請求項１１において、前記導電部は、前記メモリ層が有する前記ナノ粒子が互いに融着して形成されたことを特徴とする記憶素子を有する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月19日(2011.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に半導体素子と、この半導体素子と電気的に接続された電極と、所定の第１のパターン部とが設けられた基板を用意する第１の工程と、
第１の主面およびその反対側の第２の主面を有し、前記第１の主面から突出して設けられた突起部と前記第２の主面に設けられた所定パターンの溝部とを備える金属板を用意する第２の工程と、
前記第１のパターン部とこれに対応する溝部が所定の位置関係になるように金属板の位置を調整することで前記突起部と前記電極との位置合わせを行い、前記金属板の前記第１の主面側と前記基板とを絶縁層を介して圧着し、前記突起部が前記絶縁層を貫通した状態で前記突起部と前記電極とを電気的に接続する第３の工程と、
前記金属板の前記第２の主面側に所定パターンの配線層を形成する第４の工程と、
を備えることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記第４の工程は、前記金属板の前記第２の主面側をエッチバックして前記溝部の底部を前記第１の主面まで貫通させることにより前記金属板を所定パターンの配線層に加工していることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記第４の工程は、前記配線層の側面と、前記配線層の前記絶縁層と反対側の主面との間の領域が面取り形状となるように、前記金属板を加工していることを特徴とする請求項２に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記第２の工程は、平板状の金属板の一方の面に前記突起部を形成する第１のステップと、前記突起部の所定の第２のパターン部を基準として前記平板状の金属板の他方の面に前記溝部を形成する第２のステップと、を備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記半導体素子は前記基板に複数形成され、
前記溝部は複数の前記半導体素子間を区画するように設けられたスクライブ領域にさらに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記第３の工程は、前記金属板の前記第１の主面側と前記基板とを加熱しながら圧着し、
前記第１のステップは、前記金属板の線膨張係数と前記基板の線膨張係数との差と、前記第３の工程における加熱温度と、前記第３の工程における加熱にともなう膨張によって移動しない前記金属板の基準点からの距離とに応じて、前記電極に対向する位置から前記金属板の膨張方向とは反対側にずらした位置に、前記突起部を形成していることを特徴とする請求項４に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項７】
突起部が設けられた配線層と、
表面に半導体素子と、この半導体素子と電気的に接続されるとともに前記突起部に対応するように配置された電極とが設けられた基板と、
前記配線層と前記基板との間に設けられた絶縁層と、
を備え、
前記突起部が前記絶縁層を貫通した状態で前記突起部と前記電極とが電気的に接続され、
前記配線層の側面と、前記配線層の前記絶縁層と反対側の主面との間の領域が面取り形状であることを特徴とする半導体モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体モジュールの製造方法および半導体モジュール
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月12日(2011.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にモリブデン膜を形成し、
前記モリブデン膜の表面に酸化モリブデン膜を形成し、
前記酸化モリブデン膜上に非金属無機膜を形成し、
前記非金属無機膜上に有機化合物膜を形成し、
前記有機化合物膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を用いて半導体素子を形成した後、前記非金属無機膜、前記有機化合物膜、及び前記半導体素子を含む積層体を前記基板から剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上にモリブデン膜を形成し、
前記モリブデン膜の表面に酸化モリブデン膜を形成し、
前記酸化モリブデン膜上に非金属無機膜を形成し、
前記非金属無機膜上に有機化合物膜を形成し、
前記有機化合物膜上に有機化合物を有する半導体膜を形成し、
前記有機化合物を有する半導体膜を用いて半導体素子を形成した後、前記非金属無機膜、前記有機化合物膜、及び前記半導体素子を含む積層体を前記基板から剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上にモリブデン膜を形成し、
前記モリブデン膜の表面に酸化モリブデン膜を形成し、
前記酸化モリブデン膜上に非金属無機膜を形成し、
前記非金属無機膜上に有機化合物膜を形成し、
前記有機化合物膜上に第１電極を形成し、
前記第１電極上に発光層を形成し、
前記発光層上に第２電極を形成し、
前記第２の電極上に可撓性基板を貼り付けた後、前記非金属無機膜、前記有機化合物膜、前記第１電極、前記発光層、前記第２電極、及び可撓性基板を含む積層体を前記基板から剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上にモリブデン膜を形成し、
前記モリブデン膜の表面に酸化モリブデン膜を形成し、
前記酸化モリブデン膜上に非金属無機膜を形成し、
前記非金属無機膜上に有機化合物膜を形成し、
前記有機化合物膜上に印刷法により導電層を印刷した後焼成し、
前記導電層に半導体部品を貼り付けた後、前記非金属無機膜、前記有機化合物膜、及び前記導電層を含む積層体、並びに前記半導体部品を前記基板から剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上にモリブデン膜を形成し、
前記モリブデン膜の表面に酸化モリブデン膜を形成し、
前記酸化モリブデン膜上に非金属無機膜を形成し、
前記非金属無機膜上に有機化合物膜を形成し、
前記有機化合物膜上に印刷法により導電層を印刷した後焼成し、
前記非金属無機膜、前記有機化合物膜、及び前記導電層を含む積層体を前記基板から剥離した後、前記導電層に半導体部品を接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４または５において、前記導電層は、アンテナであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記有機化合物膜は、１８０℃以上５００℃未満の加熱により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、剥離する前に部分的にレーザ光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記基板は、ガラス基板、セラミックス基板、或いは石英基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月14日(2010.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ素子を複数有し、
前記メモリ素子は、第１の電極と、前記第１の電極上にシリコン膜と、前記シリコン膜上にゲルマニウム膜と、前記ゲルマニウム膜上に第２の電極と、を有し、
前記第１の電極と前記第２の電極とは異なる材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に複数の薄膜トランジスタを含む駆動回路、及び複数のメモリ素子を有し、
前記メモリ素子は、第１の電極と、前記第１の電極上にシリコン膜と、前記シリコン膜上にゲルマニウム膜と、前記ゲルマニウム膜上に第２の電極と、を有し、
前記薄膜トランジスタのゲート電極は、前記メモリ素子の一方の電極と同じ材料であり、
前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極は、前記メモリ素子のもう一方の電極と同じ材料であり、
前記第１の電極と前記第２の電極とは異なる材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に複数の薄膜トランジスタを含む駆動回路、複数のメモリ素子、及びアンテナを有し、
前記メモリ素子は、第１の電極と、前記第１の電極上にシリコン膜と、前記シリコン膜上にゲルマニウム膜と、前記ゲルマニウム膜上に第２の電極と、を有し、
前記薄膜トランジスタのゲート電極は、前記メモリ素子の一方の電極と同じ材料であり、
前記アンテナは、前記アンテナの下方に設けられた接続電極と電気的に接続し、
前記接続電極は前記薄膜トランジスタと電気的に接続し、
前記接続電極は、前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と同じ材料であり、且つ、前記メモリ素子のもう一方の電極と同じ材料であり、
前記第１の電極と前記第２の電極とは異なる材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２または３において、
前記絶縁表面を有する基板は、ガラス基板、プラスチックフィルム、紙のいずれか一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の電極に含まれる材料の仕事関数は、前記第２の電極に含まれる材料の仕事関数よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
メモリ素子を複数有し、
前記メモリ素子は、第１の電極と、前記第１の電極上にシリコン膜と、前記シリコン膜上にゲルマニウム膜と、前記ゲルマニウム膜上に第２の電極と、を有し、
前記第１の電極と前記第２の電極とは同じ材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の電極は、前記シリコン膜と反応してシリサイドを形成する材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第１の電極は、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、バナジウム（Ｖ）、パラジウム（Ｐｄ）、ハフニウム（Ｈｆ）、白金（Ｐｔ）、鉄（Ｆｅ）から選ばれる一の元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記第２の電極は、前記ゲルマニウム膜と反応する材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記シリコン膜は、アモルファスシリコン膜、微結晶シリコン膜、または多結晶シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記ゲルマニウム膜は、アモルファスゲルマニウム膜、または、シリコンを含むゲルマニウム膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
同一基板上に複数の薄膜トランジスタを含む駆動回路と、複数のメモリ素子とを有する半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する前記基板上に第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に前記第１の半導体層と重なる第１の電極と、前記第１の絶縁膜上に第２の電極とを形成し、
前記第１の電極及び前記第２の電極を覆う第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜をエッチングして前記第２の電極に達する第１の開口を形成し、
前記第１の開口を覆う第２の半導体層及び第３の半導体層を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜をエッチングして前記第１の半導体層に達する第２の開口を形成し、
前記第２の絶縁膜上に前記第１の開口と重なる第３の電極と、前記第２の開口と重なる第４の電極とを形成し、
前記薄膜トランジスタは、前記第１の半導体層、前記第１の電極、及び前記第４の電極を有し、
前記メモリ素子は、前記第２の電極、前記第２の半導体層、前記第３の半導体層、及び前記第３の電極を有し、
前記第２の半導体層はシリコンを含み、
前記第３の半導体層はゲルマニウムを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記第１の電極及び前記第２の電極の形成と同じ工程で前記第１の絶縁膜上に第５の電極を形成し、さらに、前記第５の電極上に前記第５の電極と電気的に接続するアンテナを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１２または１３において、
前記第１の電極は、前記薄膜トランジスタのゲート電極であり、前記第１の絶縁膜は、ゲート絶縁膜であり、前記第４の電極はソース電極またはドレイン電極であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１２乃至１４のいずれか一において、
前記第１の半導体層は、多結晶シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１２乃至１５のいずれか一において、
前記第２の半導体層は、アモルファスシリコン膜、微結晶シリコン膜、または多結晶シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１２乃至１６のいずれか一において、
前記第３の半導体層は、アモルファスゲルマニウム膜、またはシリコンを含むゲルマニウム膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１２乃至１７のいずれか一において、
前記基板は、ガラス基板、プラスチックフィルム、紙のいずれか一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月17日(2010.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の周波数帯域で動作するアンテナ素子であり、
共振部と、半導体部と、アンテナ部とを有し、
前記共振部は、第1導体部と、誘電体部と、前記誘電体部を介して前記第1導体部と対向して配置される当該アンテナ素子の各部に対して基準の電位を規定するための第2導体部とを含み、
前記半導体部は、前記第1導体部と前記第2導体部に挟まれて配置されており、
前記アンテナ部は、前記第2導体部を接地導体とし、立体状且つ少なくとも表面が導電性であり、前記第1導体部上に配置される、
ことを特徴とするアンテナ素子。
【請求項２】
前記第1導体部は、前記所定の周波数帯域内の電磁波の実効的な最長波長をλとして、λ／2の長さを有する、
ことを特徴とする請求項1に記載のアンテナ素子。
【請求項３】
前記アンテナ部は、前記所定の周波数帯域内の電磁波の電磁界の節となる位置に配置される、
ことを特徴とする請求項1または2に記載のアンテナ素子。
【請求項４】
前記第1導体部上の前記アンテナ部の配置位置は、前記所定の周波数帯域内の電磁波の電磁界の節となる位置からずらすことによって当該アンテナ素子内を伝播する電磁波の位相状態を変化させられる様に、可変である、
ことを特徴とする請求項1または2に記載のアンテナ素子。
【請求項５】
前記アンテナ部は、前記所定の周波数帯域内の電磁波の実効的な最長波長をλとして、λ／4からλの長さを有する、
ことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のアンテナ素子。
【請求項６】
前記アンテナ部を前記第1導体部上に保持する保持部を更に有している、
ことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のアンテナ素子。
【請求項７】
前記保持部は、当該アンテナ素子を伝播する電磁波の伝播方向における前記アンテナ部の配置位置を可変とできる様に前記第1導体部の長手方向に移動可能である、
ことを特徴とする請求項6に記載のアンテナ素子。
【請求項８】
前記半導体部は、前記所定の周波数帯域内の電磁波に対し、利得を有している、
ことを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のアンテナ素子。
【請求項９】
前記半導体部は、光照射により伝導性を示す光伝導膜である、
ことを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のアンテナ素子。
【請求項１０】
前記所定の周波数帯域は、30GHzから30THzの範囲内にある、
ことを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載のアンテナ素子。
【請求項１１】
テラヘルツ波発振素子であって、
波長λのテラヘルツ波に対する利得を有する利得部と、
前記利得部と接する誘電体と、
前記誘電体と接し、且つ略λ／2の長さの線路形状を有する第1の導体部と、
前記誘電体と接し、前記誘電体を介して前記第1の導体部と対向して配置され、且つ平板形状を有する第2の導体部と、
前記第1の導体部と接し、且つ導体を含み構成される高さ略λ／4以上略λ以下の構造物と、を備え、
前記誘電体と前記第1の導体部と前記第2の導体部とにより構成されるマイクロストリップラインは、前記利得部で発生されたテラヘルツ波を伝播させるように構成され、
前記構造物は、発振における位相条件を満たす前記第1の導体部の位置に設けられる、
ことを特徴とするテラヘルツ波発振素子。
【請求項１２】
前記構造物の前記第１の導体部における前記利得部からの距離が、該構造物のインピーダンスに応じて調整されることにより、前記発振における位相条件が満たされる、
ことを特徴とする請求項11に記載のテラヘルツ波発振素子。
【請求項１３】
前記構造物は、誘電体から成る球と、該球の表面を覆う金属とから構成され、
前記距離は、前記誘電体の面内方向に略λ／4である、
ことを特徴とする請求項12に記載のテラヘルツ波発振素子。
【請求項１４】
前記利得部は、共鳴トンネルダイオードであり、
前記構造物は、シリコン球と、該シリコン球の表面を覆う金属とから構成され、
前記距離は、前記誘電体の面内方向に略λ／4である、
ことを特徴とする請求項12に記載のテラヘルツ波発振素子。
【請求項１５】
前記マイクロストリップラインは、該マイクロストリップラインの両端で反射された前記テラヘルツ波を共振させるように構成される、
ことを特徴とする請求項11に記載のテラヘルツ波発振素子。
【請求項１６】
請求項11に記載のテラヘルツ波発振素子を設置可能に構成される装置であって、
前記第1の導体部と前記第2の導体部とに電圧を印加するためのバイアス回路を備え、
前記バイアス回路の前記利得部からの距離は、前記誘電体の面内方向に略λ／4である、
ことを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯状材料から鉄心片を打ち抜く打ち抜き工程と、前記鉄心片の打ち抜きと同時に前記鉄心片を型内で積層する積層工程と、積層した前記鉄心片を前記型内で結合する結合工程とを備え、前記帯状材料は方向性電磁鋼板で、所定の電磁化容易方向で前記鉄心片を打ち抜くことを特徴とする積層回転子鉄心の製造方法。
【請求項２】
前記結合工程は、積層した前記鉄心片を前記型内で結合すること、を特徴とする請求項１に記載の積層回転子鉄心の製造方法。
【請求項３】
前記結合工程において、前記鉄心片は表面に半抜き突き出し部を備え、積層方向に隣り合う前記鉄心片の前記半抜き突き出し部がカシメ結合すること、を特徴とする請求項２に記載の積層回転子鉄心の製造方法。
【請求項４】
前記打ち抜き工程において、前記帯状材料からの前記鉄心片の打ち抜きは２条以上であること、を特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の積層回転子鉄心の製造方法。
【請求項５】
前記積層工程において、打ち抜かれた鉄心片を型内において円周方向に配置すること、を特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の積層回転子鉄心の製造方法。
【請求項６】
前記積層工程において、前記型は回転して、前記鉄心片を円周方向に配置すること、を特徴とする請求項５に記載の積層回転子鉄心の製造方法。
【請求項７】
前記積層工程においては、積層方向に隣り合う鉄心片同士が円周方向に相互にずれて配置されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の積層回転子鉄心の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、請求項１の製造方法によれば、従来の帯状鉄心片の打ち抜いた後に打ち抜かれた鉄心片を螺旋状に巻回する場合と比べて、螺旋状に独立して巻回する工程がなくなるため、積層回転子鉄心の生産性が向上する。また、本発明の製造方法によれば、巻きユニットを独立して必要としないため、装置の小型化を図ることができる。また、従来の帯状鉄心片は、螺旋状に巻回して積層するのに切欠部を大きく取り、変形を考慮した複雑な形状が必要であるのに対して、本発明の鉄心片は切欠部が不要で、変形を考慮した複雑な形状が必要でないため、従来と比べて歩留まりがよい。
また、帯状材料に方向性電磁鋼板を用いて所定の電磁化容易方向に鉄心片を打ち抜いて積層するため、従来の無方向性電磁鋼板を使用する場合と比べて、積層鉄心の電磁化に指向性を持たすことができ、発電機、電動機等の性能が向上する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、請求項５に記載の発明では、前記積層工程において、打ち抜かれた鉄心片を型内において円周方向に配置するため、精度のよい積層回転子鉄心が得られる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、請求項６に記載の発明では、前記積層工程において、前記型は回転して、前記鉄心片を円周方向に配置するため、精度のよい積層回転子鉄心が得られる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、請求項７に前記積層工程においては、積層方向に隣り合う積層片同士が円周方向に相互にずれて配置されるため、強度の高い積層回転子鉄心が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月27日(2010.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モータ制御信号を出力するモータ制御信号出力手段と、前記モータ制御信号に基づいてモータに三相の駆動電力を供給する駆動回路とを有し、前記モータ制御信号出力手段は、電流指令値としてｄ／ｑ座標系のｄ軸電流指令値及びｑ軸電流指令値を演算する電流指令値演算手段と、検出されるモータの各相電流値を前記ｄ／ｑ座標系のｄ軸電流値及びｑ軸電流値に変換し該ｄ軸電流値及びｑ軸電流値を前記演算されたｄ軸電流指令値及びｑ軸電流指令値に追従させるべくフィードバック制御を実行することにより前記モータ制御信号を生成するモータ制御信号生成手段とを備えるとともに、前記モータの何れかの相に通電不良が発生した場合に該異常の発生を検出可能な異常検出手段を備え、前記異常が検出された場合には、該異常発生相以外の相を通電相とする前記モータ制御信号の出力を実行するモータ制御装置であって、
前記電流指令値演算手段は、前記異常の検出時には、前記異常発生相に応じた所定の回転角を除いて、前記ｑ軸電流指令値に対応した前記ｑ軸電流を発生させるべく、前記所定の回転角を漸近線として正接曲線状に変化するように前記ｄ軸電流指令値を演算すること、を特徴とするモータ制御装置。
【請求項２】
請求項１に記載のモータ制御装置において、
前記電流指令値演算手段は、前記異常の検出時には、前記異常発生相に応じて、
以下の各式、
【数１】
2008211909.tif 000001
（但し、θ：回転角、Ｉd*：ｄ軸電流指令値、Ｉq*：q軸電流指令値）
に基づき前記ｄ軸電流指令値を演算すること、を特徴とするモータ制御装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のモータ制御装置において、
前記電流指令値演算手段は、前記ｄ軸電流指令値を所定範囲内に制限するガード処理を実行すること、を特徴とするモータ制御装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３の何れか一項に記載のモータ制御装置を備えた電動パワーステアリング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、モータ制御信号を出力するモータ制御信号出力手段と、前記モータ制御信号に基づいてモータに三相の駆動電力を供給する駆動回路とを有し、前記モータ制御信号出力手段は、電流指令値としてｄ／ｑ座標系のｄ軸電流指令値及びｑ軸電流指令値を演算する電流指令値演算手段と、検出されるモータの各相電流値を前記ｄ／ｑ座標系のｄ軸電流値及びｑ軸電流値に変換し該ｄ軸電流値及びｑ軸電流値を前記演算されたｄ軸電流指令値及びｑ軸電流指令値に追従させるべくフィードバック制御を実行することにより前記モータ制御信号を生成するモータ制御信号生成手段とを備えるとともに、前記モータの何れかの相に通電不良が発生した場合に該異常の発生を検出可能な異常検出手段を備え、前記異常が検出された場合には、該異常発生相以外の相を通電相とする前記モータ制御信号の出力を実行するモータ制御装置であって、前記電流指令値演算手段は、前記異常の検出時には、前記異常発生相に応じた所定の回転角を除いて、前記ｑ軸電流指令値に対応した前記ｑ軸電流を発生させるべく、前記所定の回転角を漸近線として正接曲線状に変化するように前記ｄ軸電流指令値を演算すること、を要旨とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項２に記載の発明は、前記電流指令値演算手段は、前記異常の検出時には、前記異常発生相に応じて、以下の各式、
【数１】
2008211909.tif 000002
（但し、θ：回転角、Ｉd*：ｄ軸電流指令値、Ｉq*：q軸電流指令値）
に基づき前記ｄ軸電流指令値を演算すること、を要旨とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記構成によれば、所定の回転角では、ｑ軸電流値は「０」となるものの、モータの回転角がそれ以外の角度にある場合には、目標値であるｑ軸電流指令値に対応したｑ軸電流値を発生させることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項３に記載の発明は、前記電流指令値演算手段は、前記ｄ軸電流指令値を所定範囲内に制限するガード処理を実行すること、を要旨とする。
即ち、多くの場合、各相に通電可能な電流値（の絶対値）には上限があり、該上限を超える通電により、駆動回路（を構成する各スイッチング素子）や各相のモータコイルに発熱が生ずる可能性がある。しかしながら、上記によれば、上記所定の回転角付近において、僅かに、ｑ軸電流指令値に対応するｑ軸電流値を発生させることのできない領域が広がるものの、該領域において、通電相となる二相の電流値が極端に上昇することを防止することができる。その結果、通電不良相発生時においても、より安定的にモータを駆動することができるようになる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜請求項３の何れか一項に記載のモータ制御装置を備えた電動パワーステアリング装置であることを要旨とする。
上記構成によれば、通電不良相発生時においても、トルクリップルの発生を抑制することができ、良好な操舵フィーリングを維持したまま、アシスト力の付与を継続することができるようになる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月10日(2011.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の単位セル内に定義された二つのアクティブ領域と、
前記アクティブ領域内に形成された複数のゲートフィンガー、及び前記ゲートフィンガーを互いに接続して前記二つのアクティブ領域の間に形成されたゲート接続部を含むマルチフィンガーゲートと、
前記ゲートフィンガーに隣接する前記アクティブ領域の一部に形成された複数のソース領域と、
前記ゲートフィンガーに隣接する前記アクティブ領域の一部に形成された複数のドレイン領域と、を含むことを特徴とするマルチフィンガートランジスタ。
【請求項２】
前記各ゲートフィンガーは第１方向に延長して形成され、前記ゲート接続部は前記第１方向と垂直方向の第２方向に延長して形成されることを特徴とする請求項１に記載のマルチフィンガートランジスタ。
【請求項３】
前記各ソース及びドレイン領域は、前記第１方向に延長して形成され、前記第２方向に交互に形成されることを特徴とする請求項２に記載のマルチフィンガートランジスタ。
【請求項４】
前記マルチフィンガーゲートと電気的に接続された第１配線と、
前記ソース領域と電気的に接続された第２配線と、
前記ドレイン領域と電気的に接続された第３配線と、を更に含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のマルチフィンガートランジスタ。
【請求項５】
前記第２及び第３配線は、前記基板から同一の高さに形成されて互いに対向することを特徴とする請求項４に記載のマルチフィンガートランジスタ。
【請求項６】
前記単位セルは、不純物のドープされたガードリングによって定義され、前記ガードリングと電気的に接続された第４配線を更に含むことを特徴とする請求項４または５に記載のマルチフィンガートランジスタ。
【請求項７】
前記第１及び第４配線は、前記基板から同一の高さに形成されることを特徴とする請求項６に記載のマルチフィンガートランジスタ。
【請求項８】
前記ソース及びドレイン領域はＮ型不純物を含み、前記ガードリングはＰ型不純物を含むことを特徴とする請求項６または７に記載のマルチフィンガートランジスタ。
【請求項９】
前記第２及び第４配線は接地され、前記第３配線は入出力信号の印加を受けることを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載のマルチフィンガートランジスタ。
【請求項１０】
前記第１ないし第４配線は金属性物質を含むことを特徴とする請求項６〜９のいずれかに記載のマルチフィンガートランジスタ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年10月31日(2011.10.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれの長手軸線のまわりで回転できるような方法でロータ（６）上に設けられ、測定されたパラメータの関数として入射角を調整するための駆動子（９）及び主要な制御子（１０）を具備する調整可能な入射角を有するプロペラブレード（７）を備えたロータ（６）を具備する風力タービンにおいて、
所定の設定又は所定のアルゴリズムに従って上記主要な制御子（１０）に関し上記入射角を変化させる補助の制御子（１１）を具備することを特徴とする風力タービン。
【請求項２】
上記補助の制御子（１１）の上記所定の設定が上記入射角を連続的に変化させることを特徴とする請求項１に記載の風力タービン。
【請求項３】
上記補助の制御子（１１）の上記所定の設定が上記入射角を小さな角度にわたって変化させることを特徴とする請求項１又は２に記載の風力タービン。
【請求項４】
上記入射角の補助の制御が予め設定された組織的な関数に従って設定されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の風力タービン。
【請求項５】
上記入射角の補助の制御が予め設定された周期的な関数に従って設定されることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の風力タービン。
【請求項６】
上記入射角の補助の制御が確率的に変化するパラメータを履行した予め設定されたアルゴリズムに従って設定されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の風力タービン。
【請求項７】
上記補助の制御子（１１）が上記主要な制御子（１０）から独立していることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の風力タービン。
【請求項８】
上記補助の制御が上記主要な制御上に重なることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の風力タービン。
【請求項９】
上記補助の制御が、時間基礎で見て、平均して、実際の作用点のまわりに位置することを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の風力タービン。
【請求項１０】
少なくとも１つの上記プロペラブレード（７）がその入射角のための補助の制御子（１１）を具備することを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の風力タービン。
【請求項１１】
数個の上記プロペラブレード（７）がそれらの入射角のための補助の制御子（１１）を具備することを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の風力タービン。
【請求項１２】
数個の上記プロペラブレード（７）がそれらの入射角のための共通の補助の制御子（１１）を具備することを特徴とする請求項１１に記載の風力タービン。
【請求項１３】
入射角のための上記補助の制御の周波数が予め設定された臨界値から異なることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれかに記載の風力タービン。
【請求項１４】
上記補助の制御子が安定した風の状態の下で少なくとも作動することを特徴とする請求項１ないし１３のいずれかに記載の風力タービン。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月1日(2011.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボディ（８）と、このボディ（８）に固定可能なガイドチューブ（９）と、このガイドチューブによって定められる環状のブラインドチャンバ（１０）と、ボア（１４）を利用して、ブラインドチャンバに制御流体を供給することができる供給パイプ（１１）と、供給オリフィス（１３）と、シーリング手段（１５）とを備えてなり、このシーリング手段（１５）は、前記ガイドチューブ（９）のボア（１４）の縦方向の壁、及び／又は前記供給パイプ（１１）の縦方向の壁に当接し、これにより前記シーリング手段（１５）を放射方向に圧潰するようになっていることを特徴とする、解除デバイスを用いるクラッチ（２）のための油圧制御解除装置。
【請求項２】
前記シーリング手段（１５）は、少なくとも１つの半径方向の成分を有する力を、前記ガイドチューブ（９）および供給パイプ（１１）に加えるようになっていることを特徴とする、請求項１に記載の解除装置。
【請求項３】
前記シーリング手段（１５）は、環状であることを特徴とする、請求項１または2に記載の解除装置。
【請求項４】
前記ガイドチューブ（９）は、前記シーリング手段（１５）を、前記供給パイプ（１１）との間に、挟みうるようになっていることを特徴とする、請求項１に記載の解除装置。
【請求項５】
前記ガイドチューブ（９）の一端に、その主軸に対して直交する突出部が形成されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の解除装置。
【請求項６】
前記突出部は、前記シーリング手段（１５）および前記供給パイプ（１１）の一つの端を受容することができるようになっていることを特徴とする、請求項５に記載の解除装置。
【請求項７】
前記供給オリフィス（１３）は、前記ガイドチューブ（９）のボア（１４）内に位置していることを特徴とする、請求項１に記載の解除装置。
【請求項８】
前記ボア（１４）は、前記ガイドチューブ（９）の端にある円筒リング上、または、前記ガイドチューブ（９）上の半径方向の区画または突起内に設けられていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の解除装置。
【請求項９】
前記ガイドチューブ（９）は、前記供給パイプ（１１）に対して直角に位置していることを特徴とする、請求項１または４〜６のいずれか１項に記載の解除装置。
【請求項１０】
前記ガイドチューブ（９）は、クラッチケーシングに直接センタリングされることを特徴とする、請求項１または４〜６のいずれか１項、または９に記載の解除装置。
【請求項１１】
前記突出部は、大略円筒形状のスリーブ（１２）を備える前記供給パイプ（１１）の端を収容することができるようになっていることを特徴とする、請求項５または６に記載の解除装置。
【請求項１２】
前記スリーブ（１２）は、２つの外側溝と内側溝とを備え、該外側溝は、ボディ（８）の空胴に配置されているピン（１６）と協動でき、前記内側溝は、供給パイプ（１１）の半径方向の変形部と協動できることを特徴とする請求項１１に記載の解除装置。
【請求項１３】
前記供給パイプ（１１）を、ボア（１４）の内部に挿入し、かつガイドチューブ（９）が、前記ボディ（８）に対して回転する請求項１〜１２のいずれか1項に記載の解除装置。
【請求項１４】
供給パイプ（１１）とガイドチューブ（９）との間の油圧接続が、供給パイプ（１１）を正しい位置に保ったまま、密閉状態で行われる請求項１〜１３のいずれか1項に記載の解除装置
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月8日(2011.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の他の実施形態では、前記関係は、異なる温度条件下において保管された複数の二次電池を用いて作成されたものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明の他の実施形態では、前記関係は、異なる温度条件下において保管された複数の二次電池を、それぞれ異なる温度条件下において所望の充電状態ＳＯＣまで充電することで作成されたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2010239705.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次電池の充電制御方法であって、
前記二次電池の充電開始前の開路電圧ＯＣＶを測定するステップと、
予め作成されてメモリに保持された、複数の二次電池における開路電圧ＯＣＶと所望の充電状態ＳＯＣに到達するまでの端子電圧変化量ΔＶとの関係と、測定された前記開路電圧ＯＣＶとに基づいて、目標端子電圧Ｖｍａｐを算出するステップと、
前記二次電池の充電を開始するステップと、
前記二次電池の充電を開始した後の前記二次電池の端子電圧Ｖｂと前記目標端子電圧Ｖｍａｐとを比較するステップと、
前記二次電池の端子電圧Ｖｂが前記目標端子電圧Ｖｍａｐに到達するまでは前記充電を継続し、前記二次電池の端子電圧Ｖｂが前記目標端子電圧Ｖｍａｐに到達した場合に前記充電を終了するステップと、
を備えることを特徴とする二次電池の充電制御方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
前記目標端子電圧Ｖｍａｐは、測定された前記開路電圧ＯＣＶに対応する前記端子電圧変化量ΔＶを、測定された前記開路電圧ＯＣＶに加算することにより算出されることを特徴とする二次電池の充電制御方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、
前記関係は、異なる温度条件下において保管された複数の二次電池を用いて作成されたものであることを特徴とする二次電池の充電制御方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、
前記関係は、異なる温度条件下において保管された複数の二次電池を、それぞれ異なる温度条件下において所望の充電状態ＳＯＣまで充電することで作成されたものであることを特徴とする二次電池の充電制御方法。
【請求項５】
二次電池を充電する充電器であって、
予め作成された、複数の二次電池における開路電圧ＯＣＶと所望の充電状態ＳＯＣに到達するまでの端子電圧変化量ΔＶとの関係を記憶する記憶手段と、
充電すべき二次電池の充電開始前の開路電圧ＯＣＶと、前記記憶手段に記憶された前記関係とに基づいて、目標端子電圧Ｖｍａｐを算出する演算手段と、
充電開始後の二次電池の端子電圧Ｖｂと、前記目標端子電圧Ｖｍａｐとを比較する手段と、
前記二次電池の端子電圧Ｖｂが前記目標端子電圧Ｖｍａｐに到達するまでは充電を継続し、前記二次電池の端子電圧Ｖが前記目標端子電圧Ｖｍａｐに到達した場合に充電を終了する制御手段と、
を有することを特徴とする充電器。
【請求項６】
請求項５記載の充電器において、
前記演算手段は、前記開路電圧ＯＣＶに対応する前記端子電圧変化量ΔＶを、前記開路電圧ＯＣＶに加算することにより前記目標端子電圧Ｖｍａｐを算出することを特徴とする二次電池の充電制御方法。
【請求項７】
請求項５記載の充電器において、
前記関係は、異なる温度条件下において保管された複数の二次電池を用いて作成されたものであることを特徴とする充電器。
【請求項８】
請求項５記載の充電器において、
前記関係は、異なる温度条件下において保管された複数の二次電池を、それぞれ異なる温度条件下において所望の充電状態ＳＯＣまで充電することで作成されたものであることを特徴とする充電器。