【手続補正書】
【提出日】平成23年3月25日(2011.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面側が、半導体素子が搭載されて樹脂封止され、他方の面側が、実装面となるリードフレームであって、
ダイパッドと前記ダイパッドの辺に沿って配置されたリードとを備える単位フレーム部が縦横に多数個連設され、
前記ダイパッドの周縁部の前記一方の面および前記ダイパッドと対向した前記リードの端部の前記一方の面に段差が形成され、
前記段差に、前記一方の面の表面と均一高さとなるめっきが施され、
前記他方の面の全面に、樹脂封止の際の樹脂漏れ防止用のテープが貼着されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
請求項１記載のリードフレームにおいて、
前記テープが、熱可塑性のテープであることを特徴とするリードフレーム。
【請求項３】
請求項１または２記載のリードフレームにおいて、
前記テープが、前記他方の面に熱圧着により貼着されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項４】
ダイパッドと前記ダイパッドの辺に沿って配置されたリードとを備える単位フレーム部が縦横に多数個連設されたリードフレームの製造方法であって、
（ａ）基材の両面のそれぞれに、前記ダイパッドおよび前記リードの平面パターンにしたがってパターニングされた第１レジストパターンを形成するとともに、前記基材の一方の面の前記第１レジストパターンには前記ダイパッドの周縁部および前記ダイパッドと対向した前記リードの端部となる部位に、前記一方の面の表面にまで通じる複数のスリット孔または複数の小孔を形成する工程と、
（ｂ）前記第１レジストパターンをマスクとして、前記基材をエッチングすることによって、前記ダイパッドおよび前記リードを形成すると同時に、前記ダイパッドの周縁部の前記一方の面および前記ダイパッドと対向した前記リードの端部の前記一方の面に段差を形成する工程と、
（ｃ）前記第１レジストパターンを除去した後、前記段差を除く前記ダイパッドおよび前記リードの外面を覆う第２レジストパターンを形成する工程と、
（ｄ）前記第２レジストパターンをめっきレジストとして、前記段差に、前記一方の面の表面と均一高さとなるようにめっきを施す工程と、
（ｅ）前記めっきレジストとして用いた前記第２レジストパターンを除去した後、前記基材の他方の面の全面にテープを貼着する工程と、
を含むことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項５】
請求項４記載のリードフレームの製造方法において、
前記（ｅ）工程では、熱可塑性の前記テープを貼着することを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項６】
請求項４または５記載のリードフレームの製造方法において、
前記（ｅ）工程では、前記他方の面に前記テープを熱圧着により貼着することを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項７】
請求項４、５または６記載のリードフレームの製造方法を含む半導体装置の製造方法であって、
（ｆ）前記他方の面に前記テープが貼着された前記リードフレームを、金型によりクランプし、半導体素子が搭載された前記一方の面を樹脂封止する工程と、
（ｇ）前記半導体素子を樹脂封止した樹脂封止体を前記単位フレーム部ごとに切断する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明はリードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法に関し、より詳細には表面実装型の半導体装置の製造に好適に用いられるリードフレーム、リードフレームの製造方法及びこのリードフレームを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
図７は、QFNタイプの半導体装置の製造に用いられるリードフレームの例を示す。図は、リードフレームの単位フレーム部１１の平面図を示す。リードフレームの単位フレーム部１１は、ダイパッド１２と、ダイパッド１２の各辺に沿って配置されたリード１４とを備え、ダイパッド１２は吊りリード１３を介してダムバー１５に支持され、リード１４もダムバー１５に支持される。
なお、ダイパッド１２の周縁部の上面とリード１４の前端部の上面にめっき１６が施されている。これらのめっき１６は、ワイヤボンディング性を良好にするためのものであり、ダイパッドの周縁部に設けためっき１６は、接地用として半導体素子とダイパッド１２とを接続するためのものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は次の構成を備える。
すなわち、本発明に係るリードフレームは、一方の面側が、半導体素子が搭載されて樹脂封止され、他方の面側が、実装面となるリードフレームであって、ダイパッドと前記ダイパッドの辺に沿って配置されたリードとを備える単位フレーム部が縦横に多数個連設され、前記ダイパッドの周縁部の前記一方の面および前記ダイパッドと対向した前記リードの端部の前記一方の面に段差が形成され、前記段差に、前記一方の面の表面と均一高さとなるめっきが施され、前記他方の面の全面に、樹脂封止の際の樹脂漏れ防止用のテープが貼着されていることを特徴とする。
なお、ダイパッドの辺に沿って配置するリードの配置例としては、ダイパッドの４辺を囲む配置、２辺に対向して配置する例がある。ダイパッドとリードに形成するめっきは、ダイパッドとリードの双方に設けてもよいし、リードのみあるいはダイパッドのみに設けてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
ここで、前記テープとしては熱可塑性のテープが貼着されて提供される場合もある。また、前記テープが、前記リードフレームの実装面に熱圧着されたリードフレームは、テープとリードフレームとの密着性が良好になり、リードフレームを樹脂封止した際に樹脂ばりが生じることを効果的に防止することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明に係るリードフレームの製造方法は、ダイパッドと前記ダイパッドの辺に沿って配置されたリードとを備える単位フレーム部が縦横に多数個連設されたリードフレームの製造方法であって、（ａ）基材の両面のそれぞれに、前記ダイパッドおよび前記リードの平面パターンにしたがってパターニングされた第１レジストパターンを形成するとともに、前記基材の一方の面の前記第１レジストパターンには前記ダイパッドの周縁部および前記ダイパッドと対向した前記リードの端部となる部位に、前記一方の面の表面にまで通じる複数のスリット孔または複数の小孔を形成する工程と、（ｂ）前記第１レジストパターンをマスクとして、前記基材をエッチングすることによって、前記ダイパッドおよび前記リードを形成すると同時に、前記ダイパッドの周縁部の前記一方の面および前記ダイパッドと対向した前記リードの端部の前記一方の面に段差を形成する工程と、（ｃ）前記第１レジストパターンを除去した後、前記段差を除く前記ダイパッドおよび前記リードの外面を覆う第２レジストパターンを形成する工程と、（ｄ）前記第２レジストパターンをめっきレジストとして、前記段差に、前記一方の面の表面と均一高さとなるようにめっきを施す工程と、（ｅ）前記めっきレジストとして用いた前記第２レジストパターンを除去した後、前記基材の他方の面の全面にテープを貼着する工程と、を含むことを特徴とする。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、リードフレームの製造方法を含み、（ｆ）前記他方の面に前記テープが貼着された前記リードフレームを、金型によりクランプし、半導体素子が搭載された前記一方の面を樹脂封止する工程と、（ｇ）前記半導体素子を樹脂封止した樹脂封止体を前記単位フレーム部ごとに切断する工程と、を含むことを特徴とする。
ここで、前記テープとしては熱可塑性のテープが貼着される場合もある。また、前記リードフレームの実装面にテープを熱圧着して樹脂封止することにより、樹脂ばりを生じさせないようにして樹脂封止することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図２（ａ）〜（ｄ）は、リードフレーム４０の基材をエッチングしてダイパッド１２とリード１４等を形成するとともに、ハーフエッチングによってダイパッド１２の周縁部の上面とリード１４の前端部の上面に段差１２ａ、１４ａを形成する工程を示す。
図２（ａ）は、リードフレームの基材４０ａを示す。図２（ｂ）は、基材４０ａの両面をレジストにより被覆し、レジストを露光および現像して、基材４０ａの両面にレジストパターン５０、５１を形成した状態を示す。
レジストパターン５０、５１はリードフレーム４０に形成するダイパッド１２およびリード１４の平面パターンにしたがってパターニングするとともに、レジストパターン５０に基材４０ａの段差１２ａ、１４ａを形成する部位、すなわちダイパッド１２の周縁部とリード１４の前端部の上面となる部位に、基材４０ａの表面にまで通じるスリット孔５０ａを形成する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図２（ｃ）は、レジストパターン５０、５１をマスクとして、基材４０ａをエッチングした状態を示す。レジストパターン５０、５１をマスクとして基材４０ａをエッチングすることによって、ダイパッド１２およびリード１４が所定のパターン（外形形状）に形成されるとともに、ダイパッド１２の周縁部と、リード１４の前端部に段差１２ａ、１４ａが形成される。
ダイパッド１２の周縁部とリード１４の前端部は、エッチング時にスリット孔５０ａ、５０ａから基材４０ａにエッチング液を進入しやすくさせ、基材４０ａの表面をエッチングして段差１２ａ、１４ａが形成させられて設けたものである。スリット孔にかえて基材４０ａの表面に通じる小孔を設けて、エッチングしてもよい。