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【手続補正書】
【提出日】平成23年10月20日(2011.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｄ）無機充填剤、（Ｅ）白色顔料、（Ｆ）添加剤及び（Ｇ）離型剤を含む熱硬化性光反射用樹脂組成物であって、前記樹脂組成物をトランスファー成形して成形金型から離型することで得られる成形品の離型面における表面自由エネルギーが３０ｍＪ／ｍ２以下であり、前記樹脂組成物の硬化後の光波長４００ｎｍにおける光拡散反射率が８０％以上であることを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項２】
前記離型後の前記成形金型の離型面における表面自由エネルギーが３０ｍＪ／ｍ２以下であることを特徴とする請求項１に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項３】
前記トランスファー成形におけるせん断離型力が１０ショット以内に２００ＫＰａ以下になることを特徴とする請求項１又は２に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項４】
前記（Ｇ）離型剤が、下記一般式（1-1）に示す構造を有する金属石鹸を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【化１】
2009149845.tif 000001
（式中、
Ｒ０は、炭素数３〜５０のアルキル基、アリール基、アルコキシ基又はエポキシ基を有する１価の有機基、炭素数３〜５０のカルボキシル基を有する１価の有機基、及び炭素数３〜５００のポリアルキレンエーテル基から選ばれる置換基であり、
Ｍ１は、第３周期の金属元素、ＩＩＡ族のアルカリ土類金属元素、ＩＶＢ族、ＩＩＢ族、ＶＩＩＩ族、ＩＢ族、ＩＩＩＡ族、ＩＩＩＢ、及びＩＶＡ族に属する金属元素から選ばれる金属元素であり、
ｑは、１〜４の整数である）
【請求項５】
前記一般式（1-1）において、Ｍ１が、マグネシウム、カルシウム、バリウム、アルミニウム、スズ、チタン、鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛から選ばれる金属元素であることを特徴とする請求項４に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項６】
前記一般式（1-1）において、Ｒ０が、炭素数１０〜５０のアルキル基であることを特徴とする請求項４又は５に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項７】
前記金属石鹸が、ステアリン酸亜鉛又はステアリン酸アルミニウムであることを特徴とする請求項４に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項８】
前記（Ｆ）添加剤が、下記一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）で示される構造ユニットを有する化合物を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【化２】
2009149845.tif 000002
（式中、Ｒ１は、炭素数１〜１０のアルキレン基である）
【化３】
2009149845.tif 000003
（式中、Ｒ２およびＲ３は、炭素数１〜１０のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、エポキシ基を有する１価の有機基、炭素数１〜１０のカルボキシル基を有する１価の有機基又は炭素数３〜５００のポリアルキレンエーテル基である）
【請求項９】
前記化合物の数平均分子量Ｍｎが、２０００〜２００００であることを特徴とする請求項８に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項１０】
前記化合物の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が、１〜３であることを特徴とする請求項８又は９に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項１１】
前記化合物において、前記式（Ｉ）で示される構造ユニットと前記式（ＩＩ）で示される構造ユニットとの重量比（Ｉ）／（ＩＩ）が、３／７〜７／３であることを特徴とする請求項８〜１０のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項１２】
前記（Ａ）エポキシ樹脂１００重量部に対して、前記（Ｆ）添加剤として使用する前記化合物の配合量が１〜５０重量部であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項１３】
前記化合物が、前記式（Ｉ）−（ＩＩ）−（Ｉ）で示されるトリブロック共重合体であることを特徴とする請求項８〜１２のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項１４】
前記トリブロック共重合体が、下式（ＩＩＩ）で示される化合物であることを特徴とする請求項１３に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【化４】
2009149845.tif 000004
（式中、ｌは１〜２００の整数であり、ｍ１＋ｍ２は２〜４００の整数であり、Ｒ１は、炭素数１〜１０のアルキレン基であり、Ｒ２およびＲ３は、炭素数１〜１０のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、エポキシ基を有する１価の有機基、炭素数１〜１０のカルボキシル基を有する１価の有機基及び炭素数３〜５００のポリアルキレンエーテル基から選ばれ、Ｒ４は炭素数１〜１０の２価の炭化水素基である）
【請求項１５】
前記（Ｇ）離型剤及び前記（Ｆ）添加剤の少なくとも一方が、前記（Ａ）エポキシ樹脂の一部又は全量と予備混合されることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項１６】
前記（Ｄ）無機充填剤が、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、及び炭酸バリウムからなる群の中から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項１７】
前記（Ｅ）白色顔料が、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、及び無機中空粒子からなる群の中から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１〜１６のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項１８】
前記（Ｅ）白色顔料の中心粒径が、０．１〜５０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１〜１７のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項１９】
前記（Ｄ）無機充填剤と前記（Ｅ）白色顔料との合計配合量が、樹脂組成物全体に対して、１０体積％〜８５体積％の範囲であることを特徴とする請求項１〜１８のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
【請求項２０】
光半導体素子搭載領域となる凹部が１つ以上形成されている光半導体素子搭載用基板であって、少なくとも前記凹部の内周側面が請求項１〜１９のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物から構成されていることを特徴とする光半導体素子搭載用基板。
【請求項２１】
光半導体素子搭載領域となる凹部が１つ以上形成されている光半導体素子搭載用基板の製造方法であって、少なくとも前記凹部の内周側面を請求項１〜１９のいずれかに記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物を成形加工することにより形成することを特徴とする光半導体搭載用基板の製造方法。
【請求項２２】
請求項２０に記載の光半導体素子搭載用基板と、前記基板における前記凹部底面に搭載された光半導体素子と、前記光半導体素子を覆うように前記凹部内に形成された蛍光体含有透明封止樹脂層とを少なくとも備えることを特徴とする光半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月9日(2011.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機極性溶媒中で少なくともスルフィド化剤とジハロゲン化芳香族化合物を接触させて反応させて得られる少なくとも線状ポリアリーレンスルフィドと環式ポリアリーレンスルフィドを含む反応混合物から環式ポリアリーレンスルフィドを回収する方法であって、２００メッシュ（目開き７４μｍ）よりも孔径の小さい濾材を用いて、反応混合物を有機極性溶媒の常圧における沸点以下の温度領域で固液分離することにより得られた濾液から有機極性溶媒を除去することを特徴とする環式ポリアリーレンスルフィドの回収方法。
【請求項２】
固液分離を１５０℃未満の温度領域で行なうことを特徴とする請求項１記載の環式ポリアリーレンスルフィドの回収方法。
【請求項３】
有機極性溶媒中で少なくともスルフィド化剤とジハロゲン化芳香族化合物を接触させて反応させる際に、スルフィド化剤のイオウ原子１モル対して有機極性溶媒を１０リットル以下用いることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の環式ポリアリーレンスルフィドの回収方法。
【請求項４】
有機極性溶媒が有機アミド溶媒であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の環式ポリアリーレンスルフィドの回収方法。
【請求項５】
固液分離を不活性ガス雰囲気下で行なうことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の環式ポリアリーレンスルフィドの回収方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明はかかる課題を解決するために、次の手段を採用するものである。
すなわち、本発明は、
（１）有機極性溶媒中で少なくともスルフィド化剤とジハロゲン化芳香族化合物を接触させて反応させて得られる少なくとも線状ポリアリーレンスルフィドと環式ポリアリーレンスルフィドを含む反応混合物から環式ポリアリーレンスルフィドを回収する方法であって、２００メッシュ（目開き７４μｍ）よりも孔径の小さい濾材を用いて、反応混合物を有機極性溶媒の常圧における沸点以下の温度領域で固液分離することにより得られた濾液から有機極性溶媒を除去することを特徴とする環式ポリアリーレンスルフィドの回収方法。
（２）固液分離を１５０℃未満の温度領域で行なうことを特徴とする（１）に記載の環式ポリアリーレンスルフィドの回収方法。
（３）有機極性溶媒中で少なくともスルフィド化剤とジハロゲン化芳香族化合物を接触させて反応させる際に、スルフィド化剤のイオウ原子１モルに対して有機極性溶媒を１０リットル以下用いることを特徴とする（１）または（２）のいずれかに記載の環式ポリアリーレンスルフィドの回収方法。
（４）有機極性溶媒が有機アミド溶媒であることを特徴とする（１）から（３）のいずれかに記載の環式ポリアリーレンスルフィドの回収方法。
（５）固液分離を不活性ガス雰囲気下で行なうことを特徴とする（１）から（４）のいずれかに記載の環式ポリアリーレンスルフィドの回収方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
また、固液分離を行なう際に用いる濾材は、線状ポリアリーレンスルフィドを分離でき、少なくとも環式ポリアリーレンスルフィド、有機極性溶媒を含む溶液は通過できるものを選ぶ必要がある。通常は、２００メッシュ（目開き０．０７４ｍｍ）よりも小さい孔径を有するふるい、または細孔直径が７０μｍ〜０．０１μｍの範囲、好ましくは４０μｍ〜０．０５μｍの範囲、さらに好ましくは２０μｍ〜０．１μｍの範囲、より好ましくは５μｍ〜０．１μｍの範囲、よりいっそう好ましくは１μｍ〜０．１μｍの範囲の濾材が例示できる。上記範囲の細孔直径を有する濾材を用いることで、濾材を透過する線状ポリアリーレンスルフィドが減少する傾向にあり、濾液から有機極性溶媒を除去し、環式ポリアリーレンスルフィドを回収した際の、環式ポリアリーレンスルフィドの純度が高くなる傾向にある。また上記範囲以下になると、濾過効率が悪くなる傾向にある。濾過器としては、ふるい等の濾過器を用いる方法、遠心分離機を用いる方法、遠心濾過器を用いる方法、振動スクリーンを用いる方法、加圧濾過機を用いる方法、吸引濾過器を用いる方法などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月14日(2011.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アリルアミンと、Ｎ，Ｎ−二置換アリルアミン（ａ）とを含むエチレン性不飽和単量体（ｂ）をラジカル重合して得られる、一級及び三級アミノ基を有するビニル重合体（ｃ）中の一級アミノ基１モルに対して、
片末端領域に１つの遊離カルボキシル基を有するビニル重合体（ｄ）中のカルボキシル基０．４〜１．０モルを付加反応させてなるグラフト型分散剤。
【請求項２】
Ｎ，Ｎ−二置換アリルアミン（ａ）が、Ｎ，Ｎ−ジメチルアリルアミンであることを特徴とする請求項１記載のグラフト型分散剤。
【請求項３】
片末端領域に１つの遊離カルボキシル基を有するビニル重合体（ｄ）が、分子内に１つのカルボキシル基と１つのチオール基とを有する化合物（ｅ）の存在下に、エチレン性不飽和単量体（ｆ）をラジカル重合してなることを特徴とする請求項１又は２記載のグラフト型分散剤。
【請求項４】
エチレン性不飽和単量体（ｆ）が、メチルメタクリレートを含むことを特徴とする請求項３記載のグラフト型分散剤。
【請求項５】
エチレン性不飽和単量体（ｆ）が、更にブチルメタクリレートを含むことを特徴とする請求項４記載のグラフト型分散剤。
【請求項６】
エチレン性不飽和単量体（ｆ）の合計１００重量％中、メチルメタクリレートとブチルメタクリレートとの合計が３０〜１００重量％であることを特徴とする請求項４又は５記載のグラフト型分散剤。
【請求項７】
エチレン性不飽和単量体（ｆ）の合計１００重量％中、下記一般式（１）で表される単量体を２０〜１００重量％含むことを特徴とする請求項３記載のグラフト型分散剤。
【化１】
2009149803.tif 000001
［一般式（１）において、Ｒ1は、炭素原子数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、又は炭素数６〜１５の脂環式のアルキル基である。］
【請求項８】
片末端領域に１つの遊離カルボキシル基を有するビニル重合体（ｄ）の重量平均分子量が、５００〜３０，０００であることを特徴とする請求項１〜７いずれか記載のグラフト型分散剤。
【請求項９】
片末端領域に１つの遊離カルボキシル基を有するビニル重合体（ｄ）のガラス転移温度が、５０〜２００℃であることを特徴とする請求項１〜８いずれか記載のグラフト型分散剤。
【請求項１０】
アミン価が２〜８０ｍｇＫＯＨ／ｇであることを特徴とする請求項１〜９いずれか記載のグラフト型分散剤。
【請求項１１】
請求項１〜１０いずれか記載のグラフト型分散剤と、顔料とを含有する顔料組成物。
【請求項１２】
酸性基を有する顔料誘導体を含有することを特徴とする、請求項１１記載の顔料組成物。
【請求項１３】
酸性基を有する顔料誘導体が、下記一般式（２）、（３）、または（４）のいずれかで表されることを特徴とする、請求項１２記載の顔料組成物。
一般式（２）
Ｐ−Ｚ1
（式中、Ｐは、アゾ系、ベンズイミダゾロン系、フタロシアニン系、キナクリドン系、アントラキノン系、ジオキサジン系、ジケトピロロピロール系、キノフタロン系、イソインドリノン系、イソインドリン系、ペリレン系、ペリノン系、フラバンスロン系、ピランスロン系、及びアンスラピリミジン系から選ばれる一種の有機色素残基、Ｚ1は、スルホ
ン酸基又はカルボキシル基を表す。）
一般式（３）
（Ｐ−Ｚ2）［Ｎ+（Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5）］
（式中、Ｐは、アゾ系、ベンズイミダゾロン系、フタロシアニン系、キナクリドン系、アントラキノン系、ジオキサジン系、ジケトピロロピロール系、キノフタロン系、イソインドリノン系、イソインドリン系、ペリレン系、ペリノン系、フラバンスロン系、ピランスロン系、及びアンスラピリミジン系から選ばれる一種の有機色素残基、Ｒ2は、炭素数
５〜２０のアルキル基、Ｒ3，Ｒ4，及びＲ5は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜
２０のアルキル基を表す。Ｚ2は、ＳＯ3-又はＣＯＯ-を表す。）
一般式（４）
（Ｐ−Ｚ2）Ｍ+
（式中、Ｐは、アゾ系、ベンズイミダゾロン系、フタロシアニン系、キナクリドン系、アントラキノン系、ジオキサジン系、ジケトピロロピロール系、キノフタロン系、イソインドリノン系、イソインドリン系、ペリレン系、ペリノン系、フラバンスロン系、ピランスロン系、及びアンスラピリミジン系から選ばれる一種の有機色素残基、Ｍは、Ｎａ又はＫ原子を表す。Ｚ2は、ＳＯ3-又はＣＯＯ-を表す。）
【請求項１４】
請求項１１〜１３いずれか記載の顔料組成物とワニスとを含んでなる顔料分散体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
又、第１２の発明は、酸性基を有する顔料誘導体を含有することを特徴とする、第１１の発明の顔料組成物に関する。
又、第１３の発明は、酸性基を有する顔料誘導体が、下記一般式（２）、（３）、または（４）のいずれかで表されることを特徴とする、第１２の発明の顔料組成物に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
又、第１４の発明は、第１１〜１３いずれかの発明の顔料組成物とワニスとを含んでなる顔料分散体に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月24日(2010.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
着色剤を含有し、ベンジルアクリレート由来の構成単位を有するポリマー粒子、及び水１００ｇに溶解しうる最大重量（２０℃）が５ｇ以下であって、エステル化合物、エーテル化合物、スルホン酸アミド化合物、脂肪酸アミド化合物、及び脂肪酸無水物からなる群から選ばれる一種以上である水不溶性有機化合物を含有するインクジェット記録用水分散体。
【請求項２】
水不溶性有機化合物が、以下の（Ａ）〜（Ｃ）から選ばれる一種以上の化合物である請求項１に記載のインクジェット記録用水分散体。
（Ａ）１価脂肪酸と１価アルコールから得られる脂肪酸モノエステル化合物、１価脂肪酸とアンモニア又は炭素数１〜３の低級アミンから得られる脂肪酸アミド化合物、及び１価脂肪酸の脂肪酸無水物からなる群から選ばれる一種以上の化合物
（Ｂ）分子中に、エステル又はエーテル結合を２〜３個有する、エステル又はエーテル化合物
（Ｃ）分子中に、エステル又はエーテル結合を１〜３個と、カルボキシ基、スルホン酸基、硫酸基、リン酸残基、ホスホン酸基、カルボニル基、エポキシ基及び水酸基からなる群から選ばれる一種以上の官能基を１〜３個有する、エステル又はエーテル化合物
【請求項３】
ポリマーが、（ａ）塩生成基含有モノマー及び（ｂ）ベンジルアクリレートを含むモノマー混合物を共重合させてなるポリマーであり、（ｂ）ベンジルアクリレートに対する（ａ）塩生成基含有モノマーの重量比〔（ａ）／（ｂ）〕が０．１〜０．７５である、請求項１又は２に記載のインクジェット記録用水分散体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のインクジェット記録用水分散体を含有する、インクジェト記録用水系インク。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月24日(2010.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シアン顔料とベンジルメタクリレート由来の構成単位を有するポリマーとを含有する第１の水系インクと、イエロー顔料又はマゼンタ顔料とベンジルアクリレート由来の構成単位を有するポリマーとを含有する第２の水系インクとを含む、インクジェット記録用インクセット。
【請求項２】
前記第１の水系インクのポリマー中、ベンジルメタクリレート由来の構成単位が１０〜８０重量％である、請求項1に記載のインクジェット記録用インクセット。
【請求項３】
前記第２の水系インクのポリマー中、ベンジルアクリレート由来の構成単位が１０〜８０重量％である、請求項1又は２に記載のインクジェット記録用インクセット。
【請求項４】
前記第１の水系インク中、シアン顔料とポリマーとの合計量に対するシアン顔料の重量比〔シアン顔料／（シアン顔料＋ポリマー）〕が、０．２〜０．８である、請求項１〜３のいずれかに記載のインクジェット記録用インクセット。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のインクセットを用いたインクジェット記録方法であって、前記第１の水系インクを印字した上に、前記第２の水系インクを重ねて印字する、インクジェット記録方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月26日(2010.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インク中の顔料含有量が異なる２種の同一色の水系インク（Ａ）及び（Ｂ）を備えたインクセットであって、顔料含有量の少ない水系インク（Ｂ）中の顔料分散粒子の平均粒径が、顔料含有量の多い水系インク（Ａ）中の顔料分散粒子の平均粒径より大きい、インクジェット記録用インクセット。
【請求項２】
水系インク（Ａ）中の顔料含有量が２．５〜１２重量％であり、水系インク（Ｂ）中の顔料含有量が０．１〜５重量％であって、水系インク（Ａ）と（Ｂ）との顔料含有量の差が１重量％以上である、請求項１に記載のインクジェット記録用インクセット。
【請求項３】
水系インク（Ａ）中の顔料分散粒子の平均粒径が３０〜８０ｎｍであり、水系インク（Ｂ）中の顔料分散粒子の平均粒径が７０〜１５０ｎｍであって、水系インク（Ａ）と（Ｂ）との顔料分散粒子の平均粒径の差が１０ｎｍ以上である、請求項１又は２に記載のインクジェット記録用インクセット。
【請求項４】
水系インク（Ａ）及び（Ｂ）の少なくとも一方の顔料分散粒子が、顔料を含有するポリマー粒子である、請求項１〜３のいずれかに記載のインクジェット記録用インクセット。
【請求項５】
顔料を含有するポリマー粒子のポリマーが、（ａ）塩生成基含有モノマー由来の構成単位、又は（ａ）塩生成基含有モノマー由来の構成単位及び（ｃ）疎水性モノマー由来の構成単位を主鎖に有し、マクロマー由来の構成単位を側鎖に有するグラフトポリマーである、請求項４に記載のインクジェット記録用インクセット。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月6日(2011.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エチレン性不飽和単量体（Ａ）を、乳化剤、重合開始剤及び水を必須成分とする水性媒体中で重合してなる粘着剤用樹脂組成物水性分散体と、コハク酸エステル化合物（Ｂ）と、アルコールアルコキシレート構造を有する非イオン系界面活性剤（Ｃ）とを含有する事を特徴とするカーテン方式塗工用水性粘着剤組成物。
【請求項２】
乳化剤が反応性乳化剤を含むことを特徴とする請求項１記載のカーテン方式塗工用水性粘着剤組成物。
【請求項３】
請求項１または２記載のカーテン方式塗工用水性粘着剤組成物をカーテン方式の塗工機により塗工し、乾燥することで粘着剤塗工物を得ることを特徴とする粘着剤塗工物の製造方法。
【請求項４】
塗工する速度が５０〜１０００ｍ／分である事を特徴とする請求項３記載の粘着剤塗工物の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の課題は、特にカーテン方式により水性粘着剤を塗工する場合において、塗工表面の塗膜切れ(カーテン切れ)やカスレやハジキなどがなく、かつ平滑な塗工表面を得る事ができる水性粘着剤組成物とその塗工物の製造方法、およびそれにより得られる粘着剤塗工物を提供する事にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第１の発明は、エチレン性不飽和単量体（Ａ）を、乳化剤、重合開始剤及び水を必須成分とする水性媒体中で重合してなる粘着剤用樹脂組成物水性分散体と、コハク酸エステル化合物（Ｂ）と、アルコールアルコキシレート構造を有する非イオン系界面活性剤（Ｃ）とを含有する事を特徴とするカーテン方式塗工用水性粘着剤組成物に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第２の発明は、乳化剤が反応性乳化剤を含むことを特徴とする請求項１記載のカーテン方式塗工用水性粘着剤組成物に関する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第３の発明は、請求項１記載の水性粘着剤組成物をカーテン方式の塗工機により塗工し、乾燥することで粘着剤塗工物を得ることを特徴とする粘着剤塗工物の製造方法。
に関する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第４の発明は、塗工する速度が５０〜１０００ｍ／分である事を特徴とする請求項３記載の粘着剤塗工物の製造方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月4日(2011.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周方向もしくは横方向に延びる少なくとも１つの主溝（１２）を備え、該少なくとも１つの主溝（１２）の半径方向最大深さが非スキッドトレッド深さ（Ｄｔ）を定め、該少なくとも１つの主溝（１２）が、サイプ（１４）もしくは狭い溝を有する少なくとも１つのトレッド部材（１０）の少なくとも一部を形成しており、前記サイプ（１４）もしくは前記狭い溝が、半径方向に延びる第１の部分（１６）と、半径方向に延びる第２の部分（１８）と、前記第１の部分（１６）と前記第２の部分（１８）との間に位置する半径方向に延びる遷移部（３２）と、を有しているタイヤトレッドであって、
（ｉ）前記第２の部分（１８）は０．５ｍｍから５ｍｍの範囲の内半径（ｒ２）を持った丸められた部分であり、前記遷移部（３２）は前記サイプ（１４）もしくは前記狭い溝の外部を中心とした０．５ｍｍから８ｍｍの範囲の外半径（ｒ１）を持った曲面を有し、前記外半径（ｒ１）の前記内半径（ｒ２）に対する比は０．３から４の範囲にあること、または、
（ｉｉ）前記第２の部分（１８）は内半径（ｒ２）を持った丸められた部分であり、前記遷移部（３２）は前記サイプ（１４）もしくは前記狭い溝の外部を中心とした外半径（ｒ１）を持った曲面を有し、前記外半径（ｒ１）の前記内半径（ｒ２）に対する比は０．３から４の範囲にあること、を特徴とする、タイヤトレッド。
【請求項２】
前記第１の部分（１６）は前記第２の部分（１８）よりも半径方向外側に配置されている、請求項１に記載のタイヤトレッド。
【請求項３】
前記第１の部分（１６）は、前記第２の部分（１８）の最大幅（ｄ２）より小さい一定の幅（ｄ１）を有している、請求項１または２に記載のタイヤトレッド。
【請求項４】
前記第１の部分（１６）は、半径方向および／もしくは横方向、または周方向に、実質的に直線の形状で延びている、請求項１から３のいずれか１項に記載のタイヤトレッド。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月7日(2011.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
建築用セメントボードであって、
該セメントボードは、二つの外装層に挟まれたセメント材料層を有し、
該セメント材料層は、セメント材料及び水を有するスラリを固化させて形成されており、
前記二つの外装層の少なくとも一つには、補強用の繊維からなる編み層やスクリム及び、芯部対向部側とスラリに面していない側を持った有孔性外装層を有し、
前記スラリに面していない側に撥水性を与えて前記セメントボードから雨や水をはじく、少なくとも前記有孔性外装層の前記スラリに面していない側に設けられた撥水材を有し、
前記撥水材は、前記外装材の前記スラリに面していない側を通過するスラリをはじいて、該外装材の前記スラリに面していない側のスラリ汚染を防止することができ、
前記セメント材料層は、前記補強用の繊維からなる編み層やスクリム
を貫通しており、
前記セメント材料層は、前記有孔性外装層の芯部対向部側と接触しており、
前記有孔性外装層の芯部対向部側には、前記スラリにより湿潤されるスラリ湿潤剤が設けられており、
前記有孔性外装層の有孔間隙は、前記スラリからの蒸発水分を透過することが出来る、ことを特徴とする。
【請求項２】
請求項１記載の建築用セメントボードであって、該セメントボードは、更に、前記有孔性外装層の前記スラリに面していない側に、前記スラリに面していない側の有孔性を減少させてスラリの透過を防止する、有孔性を減少させる被覆剤又は飽和剤を有しており、一方で前記有孔性外装層の有孔間隙は前記スラリから蒸発した水を透過することが出来る、ことを特徴として構成される。
【請求項３】
請求項１記載の建築用セメントボードであって、前記撥水材は、少なくとも前記有孔性外装層の前記スラリに面していない側に設けられた疎水性材料を有する、ことを特徴として構成される。
【請求項４】
請求項３記載の建築用セメントボードであって、該セメントボードは、更に、前記有孔性外装層の前記スラリに面していない側に、前記スラリに面していない側の有孔性を減少させてスラリの透過を防止する、有孔性を減少させる被覆剤又は飽和剤を有しており、一方で前記有孔性外装層の有孔間隙は前記スラリから蒸発した水を透過することが出来る、ことを特徴として構成される。
【請求項５】
請求項１記載の建築用セメントボードであって、前記二つの外装層の前記一つは、スクリム、ニット、縫製した若しくは編んだファブリック又はクロス、任意の方向性を有する、不織マット、又はこれらの組み合わせからなる、ことを特徴として構成される。
【請求項６】
請求項１記載の建築用セメントボードであって、前記スラリ湿潤剤は、前記スラリにより湿潤させて前記有孔性外装層の間隙を埋めたり、前記セメント材料への付着性を高めたり、又は前記スラリの接触角を変えたり、または、それらの組み合わせの作用をする樹脂飽和剤又は被覆剤を有する、ことを特徴として構成される。
【請求項７】
請求項１記載の建築用セメントボードであって、前記二つの外装層の前記一つは、グラスファイバを有する高密度で、軽量な不織層又は縫製層であり、前記グラスファイバは、平均直径が１６ミクロン以下であり、ガラススクリムに接着されている、ことを特徴として構成される。
【請求項８】
請求項１記載の建築用セメントボードであって、前記二つの外装層の前記一つは、前記スラリにより湿潤されると前記セメント材に対して親水性親和力又は接着性親和力を有する樹脂製接着合成剤と共に互いに接着されたグラスファイバを有する、ことを特徴として構成される。
【請求項９】
請求項１記載の建築用セメントボードであって、前記二つの外装層の前記一つは、７０°Ｆで、５，０００ｃｐ以下の粘度を有する前記スラリの浸透を阻止し、そして前記スラリから放出された水蒸気は該層を介して、通過させ得るように、約３００ＣＦＭ／ｆｔ２を超えない空気透過率を有している、ことを特徴として構成される。
【請求項１０】
請求項１記載の建築用セメントボードであって、前記有孔性外装層は更に、平均直径が１６ミクロン以下のグラスファイバを有しており、前記スラリの浸透を阻止し、そして前記スラリから放出された水蒸気は該層を介して、通過させ得るように、約３００ＣＦＭ／ｆｔ２（ＦＧ４３６−９１０試験方法）を超えない空気透過率を有している、ことを特徴として構成される。
【請求項１１】
請求項１記載の建築用セメントボードであって、前記有孔性外装層は更に、約３０−１５０グラム／ｍ２の面積重量を有する、任意方向を向いたグラスファイバ含有マットから構成されている、ことを特徴として構成される。
【請求項１２】
請求項１記載の建築用セメントボードであって、前記有孔性外装層は前記スラリの浸透に対して、前記スラリ内に粘度調整剤を用いることなく抵抗する、ことを特徴として構成される。
【請求項１３】
請求項１記載の建築用セメントボードであって、前記有孔性外装層は不織マットからなる、ことを特徴として構成される。
【請求項１４】
請求項１３記載の建築用セメントボードであって、前記不織マットは親水性であり、又非疎水性の樹脂結合剤により結合されている、ことを特徴として構成される。
【請求項１５】
請求項１３記載の建築用セメントボードであって、前記不織マットは樹脂製の飽和剤又は被覆剤の形で、難燃剤、撥水剤またはその両方を有する、ことを特徴として構成される。
【請求項１６】
請求項５記載の建築用セメントボードであって、前記有孔性外装層は不織マットからなり、該不織マットは更に、樹脂製の飽和剤又は被覆剤の形で、難燃剤、撥水剤またはその両方を有する、ことを特徴として構成される。
【請求項１７】
請求項１記載の建築用セメントボードであって、前記有孔性外装層は、機械方向及び機械と交差する方向に配置されたフィラメントを有する、ことを特徴として構成される。
【請求項１８】
請求項１記載の建築用セメントボードであって、前記セメント材料は、石膏壁ボード用の石膏である、ことを特徴として構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月7日(2011.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブームセグメント接続システムを備えたブームを有するクレーンであって、前記クレーンは下部構造体上に旋回可能に搭載された上部構造体を有し、前記上部構造体は吊り荷吊り上げウィンチを含み、前記ブームは：
ａ）それぞれが長手軸線ならびに第１及び第２の端部を有する少なくとも第１及び第２のブームセグメントであって、前記第１のセグメントの前記第２の端部が前記第２のセグメントの前記第１の端部と結合しているブームセグメントと；
ｂ）前記第２のセグメントの前記第１の端部にある少なくとも１つの第２のコネクターと個々に結合する、前記第１のセグメントの前記第２の端部にある少なくとも１つの第１のコネクターと；
を有し、
ｃ）第１及び第２のコネクターは、それを通る開口部を有する少なくとも１つの延長部をそれぞれが有し、前記開口部は前記長手軸線と垂直な軸線を有して、前記ブームセグメントが整列している場合に、結合する第１及び第２のコネクターのすべての開口部が整列するようにされており、；
ｄ）前記少なくとも１つの第１のコネクターは第１の整列面を有し、前記少なくとも１つの第２のコネクターは第２の整列面を有し；
ｅ）前記第1及び第２の整列面は、前記第１及び第２のコネクターをブームの組立中に接合する際に、前記ブームセグメントが軸線方向に整列していない場合でも、前記整列面が協働して、前記ブームセグメントを、テーパー付きの主ピンを前記第１及び第２の結合コネクターの延長部の開口部に挿入することができるように、コネクターの延長部を通る開口部が十分に整列している相対位置へ強制するようにされている、クレーン。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月27日(2011.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化イットリウムを主成分とし、焼成により得られるセラミック焼結体からなる耐蝕性部材であって、
副成分としてＴｂ４Ｏ７とＰｒ６Ｏ１１のうち少なくとも1種以上を含有してなることを特徴とする耐蝕性部材。  
【請求項２】
前記耐蝕性部材が大気雰囲気中で焼成によって得られたことを特徴とする請求項１に記載の耐蝕性部材。
【請求項３】
前記副成分の含有量が５〜６０重量％であることを特徴とする請求項１または２に記載の耐蝕性部材。
【請求項４】
前記耐蝕性部材は、体積抵抗率が１０１４Ω・ｃｍ未満であることを特徴とする請求項３に記載の耐蝕性部材。
【請求項５】
前記耐蝕性部材は、前記セラミック焼結体中にホウ素と希土類との化合物Ｍ３ＢＯ６（ＭはＴｂまたはＰｒ）を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の耐蝕性部材。  
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明の一実施形態においては、酸化イットリウムを主成分とし、焼成により得られるセラミック焼結体からなる耐蝕性部材であって、副成分としてＴｂ４Ｏ７とＰｒ６Ｏ１１のうち少なくとも1種以上を含有してなることを特徴とする耐蝕性部材とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の好ましい形態においては、耐蝕性部材が大気雰囲気中で焼成によって得られたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の好ましい形態においては、副成分の含有量が５〜６０重量％であることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の好ましい形態においては、耐蝕性部材は、体積抵抗率が１０１４Ω・ｃｍ未満であることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また本発明の一実施形態にかかる耐蝕性部材は、前記セラミック焼結体中にホウ素と希土類との化合物Ｍ３ＢＯ６（ＭはＴｂまたはＰｒ）を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月25日(2011.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が内部に挿入される樹脂製のケースと、前記ケースの内側に取り付けられる金属製のシールド部材と、を備えた電子機器において、
前記シールド部材は、少なくとも一つのカシメ穴を備え、前記カシメ穴の周囲には、内側に向けて突出する複数のカシメ片が設けられており、前記ケースは、前記カシメ穴に対応する位置にボス部を備えており、
前記ボス部には、前記シールド部材を前記ケースに取り付ける前に前記シールド部材を前記ケースに仮置きした状態で、変形前の前記複数のカシメ片が係止する位置決め段部を設け、
前記シールド部材を前記ケースに取り付けた状態では、前記カシメ穴に前記ボス部が押し込まれ、変形した前記複数のカシメ片によって前記ボス部が挟まれて、前記シールド部材が前記ケースに固定されることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
電子部品が内部に挿入される樹脂製のケースと、前記ケースの内側に取り付けられる金属製のシールド部材と、を備えた電子機器において、
前記シールド部材は、複数のカシメ穴を備え、前記カシメ穴の周囲には、内側に向けて突出する複数のカシメ片が設けられており、前記ケースは、前記カシメ穴にそれぞれ対応する位置に複数のボス部を備えており、
前記複数のカシメ穴の周囲には、前記複数のカシメ穴の各々の中心を互いに結んだ線上に多くとも一つの前記カシメ片しか存在しない配置パターンで、複数の前記カシメ片がそれぞれ配置されていることを特徴とする電子機器。
【請求項３】
電子部品が内部に挿入される樹脂製のケースと、前記ケースの内側に取り付けられる金属製のシールド部材と、を備えた電子機器において、
前記シールド部材は、二つのカシメ穴を備え、前記カシメ穴の周囲には、内側に向けて突出する複数のカシメ片が設けられており、前記ケースは、前記カシメ穴にそれぞれ対応する位置に二つのボス部を備えており、
前記二つのカシメ穴の周囲には、前記二つのカシメ穴の中心を結んだ線分上に一つの前記カシメ片しか存在しない前記配置パターンで、三つの前記カシメ片がそれぞれ配置されていることを特徴とする電子機器。
【請求項４】
電子部品が内部に挿入される樹脂製のケースと、前記ケースの内側に取り付けられる金属製のシールド部材と、を備えた電子機器において、
前記シールド部材は、二つのカシメ穴を備え、前記カシメ穴の周囲には、内側に向けて突出する複数のカシメ片が設けられており、前記ケースは、前記カシメ穴にそれぞれ対応する位置に二つのボス部を備えており、
一方の前記カシメ穴の周囲には、前記二つのカシメ穴の中心を結んだ直線上に一つの前記カシメ片しか存在しない前記配置パターンで、三つの前記カシメ片が配置されており、
他方の前記カシメ穴の周囲には、前記二つのカシメ穴の中心を結んだ直線上に前記カシメ片が存在しない前記配置パターンで、二つの前記カシメ片が配置されていることを特徴とする電子機器。
【請求項５】
カメラ画像撮影用の電子部品が内部に収容される樹脂製のケースと、前記ケースの内側に取り付けられる金属製のシールド部材と、を備えたカメラ装置において、
前記シールド部材は、少なくとも一つのカシメ穴を備え、前記カシメ穴の周囲には、内側に向けて突出する複数のカシメ片が設けられており、前記ケースは、前記カシメ穴に対応する位置にボス部を備えており、
前記ボス部には、前記シールド部材を前記ケースに取り付ける前に前記シールド部材を前記ケースに仮置きした状態で、変形前の前記複数のカシメ片が係止する位置決め段部を設け、
前記シールド部材を前記ケースに取り付けた状態では、前記カシメ穴に前記ボス部が押し込まれ、変形した前記複数のカシメ片によって前記ボス部が挟まれて、前記シールド部材が前記ケースに固定されることを特徴とするカメラ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月17日(2011.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一導電型の不純物領域と、第一導電型と反対導電型の第二導電型の複数の不純物領域と、を備えた光電変換素子が第一導電型の半導体基板に配された光電変換装置であって、
前記第二導電型の複数の不純物領域は、前記第一導電型の不純物領域の下に配置され、少なくとも、第１の不純物領域と、該第１の不純物領域と前記第一導電型の不純物領域との間に配された第２の不純物領域と、該第２の不純物領域と前記第一導電型の不純物領域との間に配された第３の不純物領域と、を含み、前記第１の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と、前記第２の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２と、前記第３の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ３とが、
Ｃ２＜Ｃ３＜Ｃ１
の関係を満たすことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記光電変換素子は、更に、前記第一導電型の不純物領域の基板表面側に接して形成された第二導電型の第４の不純物領域を有することを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記不純物濃度ピークの濃度の関係が、３×Ｃ２≦Ｃ１であることを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記不純物濃度ピークの濃度の関係が、５×Ｃ２≦Ｃ１であることを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記不純物濃度ピークの濃度が、１×１０１６ｃｍ−３＜Ｃ１＜１×１０１８ｃｍ−３、１×１０１５ｃｍ−３＜Ｃ２＜５×１０１６ｃｍ−３、２×１０１５ｃｍ−３＜Ｃ３＜２×１０１７ｃｍ−３であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記第二導電型の複数の不純物領域は、前記光電変換素子に隣接した素子分離領域の下部まで連続的に配設されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
第一導電型の不純物領域と、第一導電型と反対導電型の第二導電型の複数の不純物領域とを備えた光電変換素子が第一導電型の半導体基板に配された光電変換装置の製造方法であって、
前記第二導電型の複数の不純物領域は、前記第一導電型の不純物領域の下に配置され、少なくとも第１の不純物領域と、該第１の不純物領域と前記第一導電型の不純物領域との間に配された第２の不純物領域と、該第２の不純物領域と前記第一導電型の不純物領域との間に配された第３の不純物領域と、を含み、
前記第二導電型の複数の不純物領域を形成する工程は、前記第１の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と、前記第２の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２と、前記第３の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ３とが、Ｃ２＜Ｃ３＜Ｃ１の関係を満たすよう、前記第一導電型の半導体基板に複数回にわたってイオン注入を行う工程と、当該イオン注入がなされた領域のそれぞれが不純物濃度ピークをもつプロファイルを維持できるような温度で熱拡散処理を行なう工程と、を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項８】
更に、前記第一導電型の不純物領域の基板表面側に接して第二導電型の不純物領域を形成する工程を有することを特徴とする請求項７に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項９】
前記熱拡散処理の処理温度が９５０℃以下であることを特徴とする請求項７または８に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光電変換装置と、該光電変換装置へ光を結像する光学系と、該光電変換装置からの出力信号を処理する信号処理回路とを有することを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置およびその製造方法、ならびに撮像システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、光電変換装置およびその製造方法、ならびに撮像システムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第１の側面は、第一導電型の不純物領域と、第一導電型と反対導電型の第二導電型の複数の不純物領域と、を備えた光電変換素子が第一導電型の半導体基板に配された光電変換装置に係り、前記第二導電型の複数の不純物領域は、前記第一導電型の不純物領域の下に配置され、少なくとも第１の不純物領域と、該第１の不純物領域と前記第一導電型の不純物領域との間に配された第２の不純物領域と、該第２の不純物領域と前記第一導電型の不純物領域との間に配された第３の不純物領域と、を含み、前記第１の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と、前記第２の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２と、前記第３の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ３とが、Ｃ２＜Ｃ３＜Ｃ１の関係を満たすことを特徴とする。
本発明の第２の側面は、第一導電型の不純物領域と、第一導電型と反対導電型の第二導電型の複数の不純物領域とを備えた光電変換素子が第一導電型の半導体基板に配された光電変換装置の製造方法に係り、前記製造方法は、前記第二導電型の複数の不純物領域は、前記第一導電型の不純物領域の下に配置され、少なくとも第１の不純物領域と、該第１の不純物領域と前記第一導電型の不純物領域との間に配された第２の不純物領域と、該第２の不純物領域と前記第一導電型の不純物領域との間に配された第３の不純物領域と、を含み、前記第二導電型の複数の不純物領域を形成する工程は、前記第１の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ１と、前記第２の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ２と、前記第３の不純物領域の不純物濃度ピークの濃度Ｃ３とが、Ｃ２＜Ｃ３＜Ｃ１の関係を満たすよう、前記第一導電型の半導体基板に複数回にわたってイオン注入を行う工程と、当該イオン注入がなされた領域のそれぞれが不純物濃度ピークをもつプロファイルを維持できるような温度で熱拡散処理を行なう工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月8日(2011.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項１に記載の動画像符号化装置において、前記システム制御部は、前記ストリームバッファに蓄積された圧縮データの蓄積量が所定の閾値以上である場合には、前記圧縮データの前記ストリームバッファからの読み出し位置を、ストリームパケットサイズの整数倍分進めるように制御することを特徴とする動画像符号化装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月6日(2011.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に形成され、第１の配線を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜及び前記第１の配線の上に、前記第１の絶縁膜に接するように形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の上に、前記第２の絶縁膜に接するように形成された第３の絶縁膜とを備え、
前記第２の絶縁膜は、空孔を含んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第３の絶縁膜は、ＳｉＯＣからなり、
前記第３の絶縁膜は、比誘電率が２．５以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第３の絶縁膜の上に形成された第４の絶縁膜をさらに備え、
前記第２の絶縁膜、及び前記第３の絶縁膜の下部領域には、ビアが形成され、
前記第３の絶縁膜の上部領域、及び前記第４の絶縁膜には、第２の配線が形成され、
前記第１の配線と前記第２の配線とは、前記ビアを介して、互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の絶縁膜の膜厚は、前記第３の絶縁膜の膜厚よりも小さいことを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２の絶縁膜は、ＳｉＣからなることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２の絶縁膜は、比誘電率が４．０以下であることを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２の絶縁膜は、膜中の炭素の含有率が厚さ方向に略一定であることを特徴とする請求項１〜６のうちいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２の絶縁膜は、膜中の酸素の含有率が厚さ方向に略一定であることを特徴とする請求項１〜７のうちいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２の絶縁膜は、密度が約１．２ｇ／ｃｍ3以上約２．０ｇ／ｃｍ3以下であることを特徴とする請求項１〜８のうちいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２の絶縁膜は、Ｓｉ−ＣＨ3／Ｓｉ−Ｃ比が０．０２以上０．１０以下であることを特徴とする請求項１〜９のうちいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第２の絶縁膜は、ＳｉＣＯからなり、
前記第２の絶縁膜は、Ｓｉ−Ｏ／Ｓｉ−Ｃ比が１．０以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第２の絶縁膜は、ＳｉＣＮからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
基板の上に第１の配線を有する第１の絶縁膜を形成する工程（ａ）と、
前記第１の絶縁膜及び前記第１の配線の上に、前記第１の絶縁膜に接するようにポロジェンを含む第２の絶縁膜形成用膜を形成する工程（ｂ）と、
前記第２の絶縁膜形成用膜の上に前記第２の絶縁膜形成用膜に接するように第３の絶縁膜を形成する工程（ｃ）と、
前記第３の絶縁膜に対してキュア処理を行う工程（ｄ）とを備え、
前記工程（ｄ）において、前記第２の絶縁膜形成用膜に対してキュア処理が施され、前記第２の絶縁膜形成用膜に含まれるポロジェンが脱離されてなる空孔を含む第２の絶縁膜が形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第３の絶縁膜は、ＳｉＯＣからなり、
前記工程（ｄ）において、前記第３の絶縁膜は、前記工程（ｃ）における前記第３の絶縁膜に比べて、比誘電率が減少し、前記第３の絶縁膜の比誘電率は、２．５以下であることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記工程（ｄ）は、前記第３の絶縁膜に紫外線を照射する工程であることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記工程（ｄ）は、前記第３の絶縁膜に電子線を照射する工程であることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記工程（ｄ）は、前記第３の絶縁膜を熱源に曝す工程であることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記工程（ｄ）の後に、前記第３の絶縁膜の上に、第４の絶縁膜を形成する工程（ｅ）と、
前記第２の絶縁膜、及び前記第３の絶縁膜の下部領域に形成されたビアホール内に、ビアを形成すると共に、前記第３の絶縁膜の上部領域、及び前記第４の絶縁膜に形成された配線溝内に、第２の配線を形成する工程（ｆ）とをさらに備えていることを特徴とする請求項１３〜１７のうちいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第２の絶縁膜は、ＳｉＣからなることを特徴とする請求項１３〜１８のうちいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記工程（ｄ）において、前記第２の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜形成用膜に比べて、比誘電率が減少し、前記第２の絶縁膜の比誘電率は、４．０以下であることを特徴とする請求項１３〜１９のうちいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記工程（ｄ）において、前記第２の絶縁膜は、膜中の炭素の含有率が厚さ方向に略一定となるように形成されることを特徴とする請求項１３〜２０のうちいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記工程（ｄ）において、前記第２の絶縁膜は、膜中の酸素の含有率が厚さ方向に略一定となるように形成されることを特徴とする請求項１３〜２１のうちいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
前記工程（ｄ）において、前記第２の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜形成用膜に比べて、Ｃ／Ｓｉ組成比が０．５％以上減少することを特徴とする請求項１３〜２２のうちいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
前記第２の絶縁膜は、ＳｉＣＯからなり、
前記工程（ｄ）において、前記第２の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜形成用膜に比べて、Ｏ／Ｓｉ組成比が２．０％以上増加することを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
前記第２の絶縁膜は、ＳｉＣＮからなり、
前記工程（ｄ）において、前記第２の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜形成用膜に比べて、Ｎ／Ｓｉ組成比が２．０％以上減少することを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。