Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月11日(2009.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
末端アミンを有するポリマーを調製する方法であって、
ａ）  化学式（Ｉ）
（Ｉ）  Ｒ3−Ｒ2−Ｒ1
ここで、Ｒ1は、反応性ポリマー末端基であり、
Ｒ2は、実質的に非抗原性ポリマーであり、
Ｒ3は、キャッピング基またはＲ1である、
の実質的に非抗原性のポリマーを、保護されたアミン塩と反応させて、保護された末端アミンを含有するポリマーを形成し、
ｂ）  工程ａ）から得られた前記保護された末端アミンを含有するポリマーを酸と反応させて、保護基を除去し、末端アミンを有するポリマーを形成する、
各工程を有してなる方法。
【請求項２】
Ｒ1が、トシレート、メシレート、ブロシレート、トレシレート、ノシレート、ＢｒおよびＣｌからなる群より選択される離脱基であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
反応工程ａ）を、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルアセトアミドおよびそれらの混合物からなる群より選択される溶媒中で行うことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記離脱基がトシレートであることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項５】
前記保護されたアミン塩が、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルイミドジカ−ボネートのカリウム塩（ＫＮＢｏｃ2）、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルイミドジカ−ボネートのリチウム塩（ＬｉＮＢｏｃ2）、およびジ−ｔｅｒｔ−ブチルイミドジカ−ボネートのナトリウム塩からなる群より選択されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記保護されたアミン塩が、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルイミドジカ−ボネートのカリウム塩（ＫＮＢｏｃ2）であることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記保護されたアミン塩が、ＮＲ4Ｂｏｃのカリウム、ナトリウムおよびリチウム塩から選択され、ここで、Ｒ4は、水素、Ｃ1-6アルキル、Ｃ3-12分岐アルキル、Ｃ3-8シクロアルキル、Ｃ1-6置換アルキル、Ｃ3-8置換シクロアルキル、アリール、置換アリール、アラルキル、Ｃ1-6ヘテロアルキル、置換Ｃ1-6ヘテロアルキル、Ｃ1-6アルコキシ、フェノキシ、およびＣ1-6ヘテロアルコキシからなる群より選択され、Ｂｏｃがｔ−ブチルカーボネートであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記保護されたアミン塩が、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルイミドジカーボネートのカリウム塩（ＫＮＭｅＢｏｃ）であることを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記保護基を除去するために用いられる前記酸が、塩化水素酸、酢酸、ジクロロ酢酸、蟻酸、およびトリフルオロ酢酸からなる群より選択されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記酸がトリフルオロ酢酸であることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１１】
前記Ｒ3キャッピング基がＣＨ3であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１２】
Ｒ3がＲ1であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１３】
Ｒ2がポリアルキレンオキシドであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記ポリアルキレンオキシドが、ポリエチレングリコールおよびポリプロピレングリコールからなる群より選択されることを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記ポリアルキレンオキシドがポリエチレングリコールであることを特徴とする請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記実質的に非抗原性のポリマーが、約２００から約１００，０００ダルトンの重量平均分子量を有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１７】
前記実質的に非抗原性のポリマーが、約２，０００から約４８，０００ダルトンの重量平均分子量を有することを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記化学式（Ｉ）の化合物が：
【化１】
2009510253.tif 000001
であり、
Ｒ2がポリアルキレンオキシドであり、
Ｒ7は、メチル、ハロゲン、ニトロ、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、または置換カルボキシルであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１９】
Ｒ2がポリエチレングリコールであり、Ｒ7がメチルであることを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記方法により形成された末端アミンを含有するポリマーの純度が約９５％より高いことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２１】
前記方法により形成された末端アミンを含有するポリマーの純度が９８％より高いことを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
前記方法により形成された末端アミンを含有するポリマーの純度が９９％より高いことを特徴とする請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記保護されたアミン塩が、化学式：
ＭＮＰ1Ｒ4
ここで、
Ｍは、リチウム、ナトリウムまたはカリウムであり、
Ｐ1は、Ｃ（Ｏ）ＯＭｅ、Ｃ（Ｏ）ＯＢｚｌ、Ｃ（Ｏ）ＯｔＢｕ、Ｃ（Ｏ）ＯＣＨ2ＣＣｌ3、Ｐ（Ｏ）（ＯＥｔ）2、ＣＰｈ3からなる群より選択され、
Ｒ4は、Ｐ1、Ｃ1-6アルキル、Ｃ3-12分岐アルキル、Ｃ3-8シクロアルキル、Ｃ1-6置換アルキル、Ｃ3-8置換シクロアルキル、アリール、置換アリール、アラルキル、Ｃ1-6ヘテロアルキル、置換Ｃ1-6ヘテロアルキル、Ｃ1-6アルコキシ、フェノキシ、およびＣ1-6ヘテロアルコキシからなる群より選択される；
を有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２４】
Ｒ3が、ＣＯＯＨ、Ｃ1-6アルキル、およびＯＨからなる群より選択されるキャッピング基であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２５】
前記化学式（Ｉ）の実質的に非抗原性のポリマーが、
【化２】
2009510253.tif 000002
からなる群より選択され、ここで、
Ｒ1が、トシレート、メシレート、ブロシレート、トレシレート、およびノシレートからなる群より選択され、
ｘが約１０から約２，３００までの整数であり、
ｎが約１０から約３４０までの整数である、
ことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項２６】
前記保護されたアミン塩が、前記実質的に非抗原性ポリマーに対して少なくとも約３〜５倍過剰なモル濃度で存在することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２７】
工程ｂ）から得られた前記末端アミンを有するポリマーを、生物学的に活性な標的上に見つけられるＣＯＯＨに結合させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月6日(2009.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｎ−Ａｇハンダ・メッキバンプをメッキするため、Ｓｎ２＋イオン源、Ａｇ＋イオン源そしてＮ−アリル−チオ尿素化合物からなる組成物を含み、Ｎ−アリル−チオ尿素化合物が式（I）であることを特徴とする電解メッキ組成物。
2009510255.tif 000001
ここで、
Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５及びＲ６は、おのおの独立したＨ、ＯＨ、ハイドロカルビル、置換ハイドロカルビル、ヘテロシクロアルキル、置換ヘテロシクロアルキル、アルコキシ、置換アルコキシ、アリール、置換アリール、ヘテロアリール、置換ヘテロアリールであり、Ｒ１が−ＣＨ２ＣＨ２ＯＨである。
【請求項２】
Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５及びＲ６がＨであることを特徴とする請求項１に記載の電解メッキ組成物。
【請求項３】
電解メッキ組成物が更に第４級アンモニウム塩の界面活性剤を含むものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電解メッキ組成物。
【請求項４】
第４級アンモニウム塩の界面活性剤が、アルキル  ジメチル  ベンジル  アンモニウム塩の界面活性剤を含むものであることを特徴とする請求項３に記載の電解メッキ組成物。
【請求項５】
第４級アンモニウム塩の界面活性剤が、ラウリル  ベンジル  ジメチル  塩化アンモニウム及びミリスチル  ベンジル  ジメチル  塩化アンモニウムを含むものであることを特徴とする請求項４に記載の電解メッキ組成物。
【請求項６】
電解メッキ組成物が更にβ−ナフトール誘導体を含むものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電解メッキ組成物。
【請求項７】
β−ナフトール誘導体がβ−ナフトールエトキシレ−ト、スルフォネイト化β−ナフトール  プロポキシレート  ／エトキシレート、或いはそれらの組み合わせを含むものであることを特徴とする請求項６に記載の電解メッキ組成物。
【請求項８】
電解メッキ組成物が更にハイドロキノンを含むものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電解メッキ組成物。
【請求項９】
Ｓｎ−Ａｇハンダ・メッキバンプをメッキするため、Ｓｎ２＋イオン源、Ａｇ＋イオン源そして第４級アンモニウム塩の界面活性剤からなる組成物を含むことを特徴とする電解メッキ組成物。
【請求項１０】
第４級アンモニウム塩の界面活性剤がアルキル  ジメチル  ベンジル  アンモニウム塩を含むことを特徴とする請求項９に記載の電解メッキ組成物。
【請求項１１】
第４級アンモニウム塩の界面活性剤がラウリル  ベンジル  ジメチル  塩化アンモニウム及びミリスチル  ベンジル  ジメチル  塩化アンモニウムを含むものであることを特徴とする請求項９に記載の電解メッキ組成物。
【請求項１２】
電解メッキ組成物がＮ−アリル−チオ尿素を更に含むものであることを特徴とする請求項９から請求項１１のいずれかに記載の電解メッキ組成物。
【請求項１３】
Ｓｎ−Ａｇハンダ・メッキバンプをメッキするため、Ｓｎ２＋イオン源、Ａｇ＋イオン源、そしてアミジノチオ尿素化合物からなる組成物を含むことを特徴とする電解メッキ組成物。
【請求項１４】
アミジノチオ尿素化合物が式（II）であることを特徴とする請求項１３に記載の電解メッキ組成物。
2009510255.tif 000002
ここで、
Ｒ８，Ｒ９は硫黄か、窒素のいずれかで、Ｒ８が硫黄の時は、Ｒ９は窒素、Ｒ８が窒素の時は、Ｒ９硫黄である；そして
Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、及びＲ１３は、おのおの独立したＨ、ＯＨ、ハイドロカルビル、置換ハイドロカルビル、ヘテロシクロアルキル、置換ヘテロシクロアルキル、アルコキシ、置換アルコキシ、アリール、置換アリール、ヘテロアリール、置換ヘテロアリールである。
【請求項１５】
アミジノチオ尿素化合物が式（III）であることを特徴とする請求項１３に記載の電解メッキ組成物。
2009510255.tif 000003
【請求項１６】
請求項１から請求項１５までのいずれかに１項に記載の電解メッキ組成物にバンプ下冶金構造を曝し、外部から電子源を電解浴に供給して、Ｓｎ−Ａｇ合金をバンプ下冶金構造に沈着させるプロセスからなる、マイクロ電子デバイス製造におけるバンプ下冶金構造上にハンダ・バンプを形成するプロセス。
【請求項１７】
Ａｇ＋イオン源、Ｓｎ２＋イオン源およびＡｇ＋イオン用複合体を含む電解浴で、Ａｇ＋イオン源を、Ａｇ＋イオン用複合体と水とを結びつけて、浴の前駆物質を形成し、浴の前駆物質は、Ｓｎ＋２源が実質的に存在しないＡｇ複合体で、Ｓｎ＋２イオン源をＡｇ複合体を含む浴前駆物質に添加して形成するマイクロ電子デバイス製造におけるバンプ下冶金構造上にハンダ・バンプの沈着のためのＳｎ−Ａｇ電解メッキ浴を形成するプロセス。
【請求項１８】
Ａｇ＋イオン源を、Ａｇ＋イオン用複合体と水とを結びつけて製造された浴前駆体は、大幅に界面活性剤は必要なく、プロセスは、当該浴前駆体に界面活性剤を、添加する事を更に含むものであることを特徴とする請求項１７に記載の電解メッキ組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月17日(2009.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応器中で重合反応を実行するための準備をする方法であって、次の工程：
（ａ）前記反応器中に種床を装填する工程；及び
（ｂ）前記反応器中に少なくとも１種の連続性添加剤を事前装填する工程：
を含み、前記連続性添加剤がカルボン酸金属塩を含む、前記方法。
【請求項２】
次の工程：
（ｃ）工程（ａ）及び（ｂ）の後に、前記反応の少なくとも初期段階を前記連続性添加剤の存在下で行うことを含めて前記反応器中で前記重合反応を実施する工程：
をも含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記反応がオレフィン重合反応である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
工程（ａ）及び（ｂ）を順番に引き続いて実施する、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記反応器が少なくとも１つの管を含み、この管がこの管を通して反応器中に物質を導入するように位置決め及び構成され、工程（ａ）を工程（ｂ）の前に実施し、そして工程（ｂ）が前記管を通して前記種床中に前記連続性添加剤を導入する工程を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
工程（ａ）及び（ｂ）を同時に実施する、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
次の工程：
（ｃ）工程（ａ）及び（ｂ）の後に、前記反応器から湿分及び空気を除去する工程；並びに
（ｄ）工程（ｃ）の後に、前記反応の少なくとも初期段階を前記連続性添加剤の存在下で実施することを含めて前記反応器中で前記重合反応を実施する工程：
をも含む、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
次の工程：
（ｃ）工程（ａ）及び（ｂ）の後に、前記種床及び前記連続性添加剤を乾燥させ、それによって前記反応器から湿分及び空気を除去する工程；並びに
（ｄ）工程（ｃ）の後に、前記反応の少なくとも初期段階を前記連続性添加剤の存在下で実施することを含めて前記反応器中で前記重合反応を実施する工程：
をも含む、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
次の工程：
（ｃ）前記反応器中に少なくとも１種の流動性向上剤を事前装填する工程：
をも含む、請求項１及び３〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
次の工程：
工程（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）の後に、前記反応の少なくとも初期段階を前記連続性添加剤及び前記流動性向上剤の存在下で実施することを含めて前記反応器中で前記重合反応を実施する工程：
をも含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記連続性添加剤が乾燥状の連続性添加剤であり、そして次の工程：
工程（ｂ）及び（ｃ）を実行する前に、前記乾燥状連続性添加剤と流動性向上剤とを一緒にし、次いで前記連続性添加剤と前記流動性向上剤との組合せ物を前記反応器中に事前装填することによって工程（ｂ）及び（ｃ）を実施する工程：
をも含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記流動性向上剤がコロイド状粒状材料を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記反応がα−オレフィン重合反応である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記流動性向上剤がコロイドシリカを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記反応がα−オレフィン重合反応である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記流動性向上剤がヒュームドシリカを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記反応がオレフィン重合反応である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記流動性向上剤がアルミナを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
前記反応がオレフィン重合反応である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記連続性添加剤を乾燥形態で事前装填する、請求項１〜１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
前記連続性添加剤を粉体として事前装填する、請求項１〜２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
前記連続性添加剤を液体の形態で事前装填する、請求項１〜１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
前記連続性添加剤をスラリーとして事前装填する、請求項１〜１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】
前記カルボン酸金属塩がステアリン酸金属塩を含む、請求項１〜２３のいずれかに記載の方法。
【請求項２５】
前記ステアリン酸金属塩がステアリン酸アルミニウムである、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記カルボン酸金属塩がモノカルボン酸塩、ジカルボン酸塩及びトリカルボン酸塩の内の１種である、請求項１〜２５のいずれかに記載の方法。
【請求項２７】
前記カルボン酸金属塩が次式：
Ｍ(Ｑ)x(ＯＯＣＲ)y
（ここで、Ｍは第１〜１６族並びにランタニド及びアクチニド系列からの金属であり；
Ｑは水素、ハロゲン、ヒドロキシ基、ヒドロキシド基、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シロキシ基、シラン基、スルホネート基、又はシロキサンであり；
Ｒは２〜１００個の炭素原子を有するヒドロカルビル基であり；
ｘは０〜３の整数であり、ｙは１〜４の整数であり、ｘとｙとの合計ｚは前記金属の原子価である）
で表わされる、請求項１〜２５のいずれかに記載の方法。
【請求項２８】
前記カルボン酸金属塩がカルボン酸アルミニウムである、請求項１〜２３のいずれかに記載の方法。
【請求項２９】
前記連続性添加剤が帯電防止剤を含む、請求項１〜２８のいずれかに記載の方法。
【請求項３０】
前記帯電防止剤が次式：
ＲmＸＲ'n
（ここで、Ｒは少なくとも１個の炭素原子を有する分岐鎖状ヒドロカルビル基、直鎖状ヒドロカルビル基及び置換ヒドロカルビル基の内の１種であり、
Ｒ'はアルキルヒドロキシ基であり、
Ｘは少なくとも１個のヘテロ原子であり、
ｎはこの式が正味の電荷を持たないような数である）
で表わされる、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
次の工程：
（ｃ）工程（ａ）及び（ｂ）の後に、前記反応の少なくとも初期段階を前記連続性添加剤の存在下で実施することを含めて前記反応器中で前記重合反応を実施する工程：
をも含み、そして前記カルボン酸金属塩が前記重合反応の間の前記反応器中の温度より高い融点を有する、請求項１〜２５のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月17日(2009.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動車が備える調節装置（Ｖ）を制御して、自動車の駆動される調節要素（Ｅ）を調節路（Ｘ）に沿って調節動作させる制御装置（１）であって、
１０８回を超える書き込みサイクル数を有する不揮発性デジタルメモリ（１１０）を有するメモリユニット（１０）を備え、
前記調節路（Ｘ）に沿った前記調節要素（Ｅ）の位置または速度に指定された複数の調節データ項目（Ｄ）を取得するように構成されており、
トリガー処理によりトリガーされると、前記取得した調節データ項目（Ｄ）を前記不揮発性デジタルメモリ（１１０）に連続的に記憶する、
調節装置の制御装置（１）。
【請求項２】
請求項１において、前記トリガー処理が、前記調節要素（Ｅ）の調節動作中の所定の単位時間（△ｔ）および／または前記調節路（Ｘ）に沿った前記調節要素（Ｅ）の検出される動作間の時間間隔（△ｘ）として構成される調節装置の制御装置（１）。
【請求項３】
請求項１または２において、前記調節要素（Ｅ）の調節動作および／または前記調節動作に作用する測定値および／または制御信号と相関するデータが、調節データ項目（Ｄ）として記憶されるように構成されている調節装置の制御装置（１）。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項において、当該制御装置（１）とその外部にあるセンサ（ｅＳ）との間で制御信号および／または測定信号を伝達するバスシステム（Ｂ）に接続されているインターフェイスを備えた調節装置の制御装置（１）。
【請求項５】
請求項３または４において、前記調節装置（Ｖ）への電力供給がなくなったとき、当該制御装置（１）と相互に作用する前記調節装置（Ｖ）の続行動作を、少なくとも前記不揮発性メモリ（１１０）に存在する複数の調節データ項目（Ｄ）を用いて、外挿により推測して行うアルゴリズムが実行される調節装置の制御装置（１）。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項において、調節データ項目（Ｄ）の前記不揮発性デジタルメモリ（１１０）への記憶動作をトリガーするタイマー（１１）を備えている調節装置の制御装置（１）。
【請求項７】
請求項６において、前記メモリ（１１０）が、さらなる調節データ項目（Ｄ）として前記タイマー（１１）の状態についての情報を記憶する調節装置の制御装置（１）。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項において、前記調節要素（Ｅ）の位置データを測定するセンサ装置（１２）を備えている調節装置の制御装置（１）。
【請求項９】
請求項８において、前記センサ装置（１２）が、センサ信号の検出されたエッジ（１２０）によって調節データ項目（Ｄ）を記憶するためのトリガー処理を行わせるホールセンサを備える調節装置の制御装置（１）。
【請求項１０】
請求項８において、前記メモリユニット（１０）が、さらなる調節データ項目（Ｄ）として前記センサ装置（１２）の状態についての情報を記憶する調節装置の制御装置（１）。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項において、前記メモリユニット（１０）が、前記不揮発性メモリ（１１０）に加えて、前記調節データ項目（Ｄ）を一時的に保持する揮発性のランダムアクセスメモリ（１１１）を備えている調節装置の制御装置（１）。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項において、さらに、前記調節装置（Ｖ）を制御したり、前記調節データ項目（Ｄ）を記憶させるためのマイクロコントローラ（１３）を備えており、前記マイクロコントローラ（１３）が、ハウジング（１４）内に収納されて、前記不揮発性メモリ（１１０）と一体化されている調節装置の制御装置（１）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
制御装置１について、調節データ項目Ｄを記憶するために、異なるトリガー処理を組み合わせてもよいことは明らかである。さらに、状態関数として異なるトリガー処理を備えてもよい。例えば、調節要素Ｅが動作をしていないときにも前記調節データ項目は調節要素Ｅの動作と無関係に変化し、所定の時間間隔毎に調節データ項目Ｄを記憶してもよい。この場合の調節データ項目は、特に、動作温度、動作電圧および自動車の他の機能ユニットの状態データ項目に関連する。上記で説明した実施形態の基本構成となる調節装置の制御装置は、自動車が備える調節装置（Ｖ）を制御して、自動車の駆動される調節要素（Ｅ）を調節路（Ｘ）に沿って調節動作させる制御装置（１）であって、１０８回を超える書き込みサイクル数を有する不揮発性デジタルメモリ（１１０）を有するメモリユニット（１０）を備え、前記調節（Ｘ）に沿った前記調節要素（Ｅ）の位置または速度に指定された複数の調節データ項目（Ｄ）を取得するように構成されており、トリガー処理によりトリガーされると、前記取得した調節データ項目（Ｄ）を前記不揮発性デジタルメモリ（１１０）に連続的に記憶する。さらに、上記で説明した調節装置の制御装置の実施形態またはその変形例は、以下の態様１〜３を含む。
（態様１）
上記基本構成に係わる調節装置の制御装置において、前記不揮発性デジタルメモリ（１１０）が、１０９回を超える書き込みサイクル数と、１マイクロ秒（μｓ）未満の書き込み時間とを有してもよい。
（態様２）
上記基本構成に係わる調節装置の制御装置において、前記不揮発性デジタルメモリ（１１０）が、前記バスシステムの状態データ項目および／または前記バスシステムに接続されている機能ユニット（ＦＵ）の状態データ項目として、さらに調節データを記憶してもよい。
（態様３）
上記基本構成に係わる調節装置の制御装置において、前記不揮発性デジタルメモリ（１１０）が、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ、強誘電体ランダムアクセスメモリおよび／または相変化ランダムアクセスメモリの形態のメモリセル（１１０ａ）を備えていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月21日(2009.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
前記医療器具が、バルーン、ガイドワイヤー、大静脈フィルター、ステント、ステントグラフト、血管グラフト、脳動脈瘤用充填コイル、心筋プラグ、心臓弁、血管弁、または組織工学における足場である請求項１６に記載の医療器具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
前記セラミック材料ネットワークがゾル−ゲル法により用意される請求項２１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月18日(2009.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
改良された製紙生産の方法であって、
陽イオンナノ粒子を繊維パルプに入れ、速やかに均一に混合し、製紙過程において、水中のコロイドと可溶性物質は製紙パルプと共に紙に残ることによって、製紙操作の過程を改良することを特徴とする製紙生産の方法。
【請求項２】
前記繊維パルプは充填剤を混合する前のパルプであり、機械パルプ、化学パルプ、化学機械パルプ、回収繊維パルプまたは非木材繊維パルプであってよく、ＰＨ値は４〜９であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記製紙パルプの少なくとも５０重量％は繊維パルプであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記陽イオンナノ粒子は陽イオンナノシリコン粒子であり、前記陽イオンナノシリコン粒子の比表面積は２００ｍ２／ｇ〜５０００ｍ２／ｇであり、表面に陽イオン性の化学成分が塗布されたことにより表面の陽イオン性を生じさせることができる請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記陽イオンナノシリコン粒子は、多価金属塩の改質によって、シリコン表面の正電荷を生じさせることができる請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記陽イオンナノ粒子と繊維パルプの乾燥重量で計算の場合、前記陽イオンナノ粒子の加入量は０．１〜２０ｋｇ／ｔｏｎであってよい請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記繊維パルプ濃度は０．２％〜３．５％であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項８】
前記繊維パルプ濃度は３．５％以上であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項９】
前記製紙パルプには、伝統的な製紙充填剤及び所定の製紙助剤とその他の添加剤が含有されていることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項１０】
前記製紙パルプには、伝統的な製紙充填剤及び所定の製紙助剤とその他の添加剤が含有されていないことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項１１】
前記多価金属塩は、多価アルミニウムであり、前記陽イオンシリコン粒子の表面におけるＡｌ／Ｓｉのモル比は１：８〜３０：１であってよい請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月6日(2009.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抗微生物性組成物の均一なコーティングで少なくとも部分的に被覆された表面を有する基材を備える保護用物品であって、
前記抗微生物性組成物は、Ａ群、Ｂ群及び随意的なＣ群から選択される少なくとも１つの成分を含む混合物を含有し、
前記Ａ群は、第１の抗微生物性物質を含み、
前記Ｂ群は、第２の抗微生物性物質、有機酸又は加工助剤を含み、
前記Ｃ群は、抗静電気剤又はフッ素ポリマーを含む
ことを特徴とする保護用物品。
【請求項２】
請求項１に記載の保護用物品であって、
前記第１の抗微生物性物質が、ポリヘキサメチレン・ビグアニド（ＰＨＭＢ）であることを特徴とする保護用物品。
【請求項３】
請求項１に記載の保護用物品であって、
前記第２の抗微生物性物質が、
第２のビグアニド、クロルヘキシン、アレキシジン及びそれらの関連する塩、第４級アンモニウム化合物、第４級シロキサン、ポリ第４級アミン、粒子形状の又は支持マトリックス若しくはポリマーに組み込まれた金属含有種及びそれらの酸化物、ハロゲン、ハロゲン放出剤又はハロゲン含有ポリマー、ブロモ化合物、二酸化塩素、チアゾール、チオシアネート、イソチアゾリン、シアノコバラミン、ジチオカルバマート、チオネイン、トリクロサン、アルキルスルホ琥珀酸、アルキル・アミノ・アルキルグリシン、ジアルキル・ジメチル・ホスホニウム塩、セトリミド、過酸化水素、１−アルキル−１，５−ジアザペンタン、セチル・ピリジニウム化合物、安定化過酸化物、硫化物、ビス・フェノール、ポリフェノール、キトサン、アナターゼＴｉＯ２、トルマリン、ヒドロトロープ類、カオトロピック剤、並びにそれらの相乗的組み合わせ
のうちの少なくとも１つであることを特徴とする保護用物品。
【請求項４】
請求項１に記載の保護用物品であって、
前記有機酸が、酢酸、アスコルビン酸、安息香酸、クエン酸、グルタル酸、マレイン酸、ポリ乳酸、ポリグリコール酸、プロピオン酸、及びサリチル酸のうちの少なくとも１つであることを特徴とする保護用物品。
【請求項５】
請求項１に記載の保護用物品であって、
前記加工助剤が、アルコール、湿潤剤、界面活性剤、粘度調整剤、結合剤、表面改質剤、塩、又はｐＨ調整剤であることを特徴とする保護用物品。
【請求項６】
請求項１に記載の保護用物品であって、
前記第１及び第２の抗微生物性物質はそれぞれ、約１０００：１〜約１：１０００の範囲の比で存在することを特徴とする保護用物品。
【請求項７】
請求項１に記載の保護用物品であって、
当該保護用物品が、ガウン、ローブ、フェイス・マスク、ヘッドカバー、靴カバー、及び手袋を含む衣類であることを特徴とする保護用物品。
【請求項８】
請求項１に記載の保護用物品であって、
当該保護用物品が、手術着、手術用開窓若しくはカバー、ドレープ、シーツ、リネン、パッド、又はガーゼ包帯であることを特徴とする保護用物品。
【請求項９】
請求項１に記載の保護用物品であって、
当該保護用物品が、ふき取り繊維又はスポンジであることを特徴とする保護用物品。
【請求項１０】
抗微生物性コーティングで少なくとも一部が被覆された基材を有する物品であって、
前記抗微生物性コーティングは、
前記基材上に存在する活性物質に対する重量％が、
約０．０５〜９９．９重量％のポリヘキサメチレン・ビグアニド（ＰＨＭＢ）と、
約０．０５〜９９．９重量％の相乗的協働剤Ｘとの混合物を含有し、
前記Ｘは、界面活性剤、有機酸及び第２の抗微生物性物質のうちの少なくとも１つであることを特徴とする物品。
【請求項１１】
請求項１０に記載の物品であって、
前記混合物は、抗静電気剤とフッ素ポリマーとをさらに含むことを特徴とする物品。
【請求項１２】
請求項１０に記載の物品であって、
前記ＰＨＭＢは、前記基材上に、約０．０５〜５重量％の範囲の最終濃度で存在することを特徴とする物品。
【請求項１３】
請求項１０に記載の物品であって、
前記基材の少なくとも一部は、織布材料又は不織布材料で作成されていることを特徴とする物品。
【請求項１４】
請求項１３に記載の物品であって、
前記織布材料は、天然繊維、又は、天然繊維と合成繊維との混合物から作成されることを特徴とする物品。
【請求項１５】
請求項１３に記載の物品であって、
前記不織布材料は、弾性又は非弾性の熱可塑性ポリマーを含むことを特徴とする物品。
【請求項１６】
請求項１０に記載の物品であって、
前記抗微生物性コーティングは、３０分以内に、当該物品と接触した黄色ブドウ球菌、大便連鎖球菌、カタラリス菌、肺炎桿菌又はカンジダ菌のいずれかの微生物の表面から他の面への接触伝播の約３ｌｏｇ１０ＣＦＵの減少を示すことを特徴とする物品。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月22日(2009.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に膜を形成するように適合されている処理チャンバであって、前記チャンバの周辺を囲む側壁を含む処理チャンバと、
前記システムに配置されており、かつ前記基板をサポートするように適合されている基板サポートと、
前記処理チャンバを包囲するように前記基板サポートの上方に配置されている上部カバーであって、前記基板サポートに向かって光を反射し返すための反射表面を備える上部カバーと、
膜形成プロセスに十分な温度に前記基板を加熱するために前記基板サポートの下方に配置されている加熱システムであって、前記基板のプロセス加熱が前記加熱システムによってのみ実行される加熱システムと、
前記基板から発せられた光を収集するための複数の光プローブであって、前記反射表面が前記基板のそれぞれの視界を前記光プローブに提供するための複数の開口を備える複数の光プローブと、
前記基板の実際の放射率を測定するための放射計であって、前記基板の温度が、前記光プローブおよび前記放射計のうちの少なくとも一方からの出力を利用して算出される放射計と、
を備える基板処理システム。
【請求項２】
任意の光プローブの前記視界が前記基板を超えては延びず、
前記光プローブが高温計である、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記光プローブが信号処理エレクトロニクスに光接続され、
前記光プローブが前記基板の上方におよそ等距離に放射状に間隔をあけられている、
請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記放射計が、
前記反射表面における開口と、
前記開口をカバーするホットミラーと、
前記基板から発せられた光を収集して前記ホットミラーを通過する光プローブと、
を備える、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記放射計の前記反射表面における前記開口が、前記反射表面によってもたらされた前記基板の増大された有効放射率を実質的に排除するのに十分大きな断面積を有する、請求項４に記載の基板処理システム。
【請求項６】
前記側壁の第１の縁に接触しており、また、前記加熱システムからの光が前記上部カバーに達するのを防止するために、前記基板サポートの外縁部と重複する前記処理チャンバに延びる内周縁を有する周辺部材をさらに備え、
前記基板サポートが前記システムに回転可能に搭載されており、また前記外縁部が前記内周縁に接触していない、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項７】
前記内周縁に面する前記外縁部の表面が、前記加熱システムからの光を光学的に吸収するように適合されている、請求項６に記載の基板処理システム。
【請求項８】
前記内周縁部に面する前記外縁部の前記表面が複数の溝を備える、請求項１０に記載の基板処理システム。
【請求項９】
前記外縁部に面する前記内周縁の表面が、前記加熱システムからの光を吸収するように適合されている、請求項６に記載の基板処理システム。
【請求項１０】
前記外縁部に面する前記内周縁の前記表面が粗化表面を備え、
前記側壁に隣接しており、かつ前記内周縁および前記外縁部と重複するように前記処理チャンバに延びている第２の周辺部材をさらに備える、請求項６に記載の基板処理システム。
【請求項１１】
前記反射表面が、前記基板から発せられた光を前記基板に反射し返して前記基板の有効放射率を増大させるように適合されている、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項１２】
前記基板サポートが、前記基板を加熱するためのサセプタを備えており、前記サセプタの底部が、前記基板の底部表面を全体的にカバーし、かつ前記加熱システムによって加熱されるように適合されている、請求項１１に記載の基板処理システム。
【請求項１３】
前記加熱システムが照射加熱システムであり、前記サセプタの前記底部が、複数のランプを備える前記照射加熱システムによって生成された光を吸収するように適合されており、前記ランプが前記基板全体に複数の加熱ゾーンを生成し、前記加熱ゾーンが、前記基板の実質的に均一な加熱分布を作成するように重複している、請求項１２に記載の基板処理システム。
【請求項１４】
前記サセプタが、前記基板を均一に導電加熱するように、少なくとも１００Ｗ／ｍ℃の熱伝導率を具備する均一な材料から作られる、請求項１２に記載の基板処理システム。
【請求項１５】
基板表面上に膜を形成するように適合されているチャンバにおいて温度を測定する方法であって、
第１の測定を提供するために、処理中に前記基板からのみ発光された放射を測定するステップと、
第２の測定を提供するために、前記処理チャンバから反射され、かつ前記基板から発光された放射を測定するステップと、
前記第１の測定および第２の測定を比較するステップと、
実際のウェーハ放射率を算出するステップと、
温度値を取得するために前記第２の測定を補正するステップと、
を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月22日(2009.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
壁アンカーであって、
遠位部分と近位部分とを包含し、前記遠位部分と近位部分とが初めの形態で同軸である細長い部材を具備する壁アンカーにおいて、
前記近位部分が、前記近位部分を通る孔を有し、前記初めの形態で前記遠位部分に面する縁部を有し、
前記遠位部分が前記近位部分に対して回動出来るように、前記遠位部分と前記近位部分とが回動可能に接合され、
前記遠位部分が鋭利な前端部、及び前記近位部分の前記縁部に面する前記前端部と反対側の縁部を有し、前記縁部がカムフォロワ部分を構成し、且つ前記アンカー部材が前記初めの形態である場合に、細長い作動部材が前記近位部分の前記孔を介して挿入される時に、前記作動部材が前記遠位部分を拡張される又は固定する形態まで強制的に前記近位部分から離すように回動させるために配置され、
前記壁アンカーが壁内に打ち込まれる時に、前記遠位部分と近位部分とが初めの形態を保持し、且つ前記拡張された形態になるまで離れて回動しないか又は分離しないように、前記アンカーが前記初めの形態にある時に前記遠位部分の前記縁部が前記近位部分の前記縁部に隣接している壁アンカー。
【請求項２】
壁に物体を固定するための方法であって、
初めの同軸形態で隣接する遠位部分及び近位部分を有する壁アンカーを用意する段階であって、前記遠位部分が、一方の端部に鋭利な先端部を有し、他方の端部に前記近位部分と回動可能に接合され、前記近位部分が後端部及び孔を有する壁アンカーを準備する段階と、
背後に中空体積を有する壁において位置を選択する段階と、
細長い作動部材を準備する段階と、
前記初めの形態において、前記後端部が前記アンカーによって前記壁と接触するまで、前記位置で前記壁に前記鋭利な先端部及び前記アンカーを通す段階と、
前記遠位部分が回動するまで前記作動部材を前記孔に挿入する段階とを含み、
これによって、前記作動部材が前記遠位部分を拡張させる又は固定する形態まで強制的に前記近位部分から離すように回動させるようにした方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月29日(2009.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
還元剤を少なくとも非連続的に供給される還元触媒（６）での選択的触媒還元によって内燃機関（１）の排ガスに含まれる窒素酸化物成分の還元をする方法において、供給すべき還元剤の量（１４、１５、１６）を判定するときに還元剤に対する還元触媒（６）の蓄積能力（１２、１３）を考慮すると共に、還元触媒（６）の温度に対する前記蓄積能力（１２、１３）の依存性を考慮することを特徴とする方法。
【請求項２】
還元触媒（６）の温度の将来的な推移を算出する請求項１記載の方法。
【請求項３】
還元触媒（６）の温度の上昇が予想されるとき、その結果として発生し、還元触媒（６）から遊離する還元剤の量を算出し、還元剤の供給にあたって当該発生量を考慮する請求項２記載の方法。
【請求項４】
還元剤の遊離の時間的推移を算出する請求項３記載の方法。
【請求項５】
供給するべき還元剤の量を決定するにあたり、遊離の時間的推移を考慮する請求項４記載の方法。
【請求項６】
還元触媒（６）の温度の低下が予想されるとき、還元触媒（６）に沈積する還元剤の量を算出し、還元剤の供給にあたって考慮する請求項２から５の１つに記載の方法。
【請求項７】
還元剤の沈積の時間的推移を算出する請求項６記載の方法。
【請求項８】
供給すべき還元剤の量の決定にあたって沈積の時間的推移を考慮する請求項７記載の方法。
【請求項９】
還元触媒（６）の温度を次の方法のうち少なくとも１つにより判定する請求項１から８の１つに記載の方法。
還元触媒（６）の温度の測定、および
還元触媒（６）の温度の算定。
【請求項１０】
還元触媒（６）の温度の算出にあたり、次の情報のうち少なくとも１つを考慮する請求項９記載の方法。
還元触媒（６）の上流側で測定した温度、
還元触媒（６）の下流側で測定した温度、
内燃機関（１）の最新の動作データ、
過去における内燃機関（１）の動作データ、
粒子分離器（４）の再生挙動、および
粒子分離器（４）の負荷状態。
【請求項１１】
還元触媒（６）に蓄積されている還元剤の量が、再生によって生成される還元触媒（６）の最高温度のときの蓄積能力（１２、１３）よりも少ないか、又はこれと等しくなったときに粒子分離器（４）の再生を行う請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
還元剤を次の方法の１つによって供給する請求項１から１１の１つに記載の方法。
還元剤前駆体の添加および少なくとも部分的な還元剤への変換、
還元剤の添加、
還元剤前駆体の生成および少なくとも部分的な還元剤への変換、および
還元剤の生成。
【請求項１３】
内燃機関（１）の排ガスに含まれる窒素酸化物成分の還元をする装置において、還元触媒（６）と制御装置（１０）とを少なくとも含み、前記制御装置（１０）は請求項１から１２の１つに記載の方法を実施するのに適し、かつ該方法に適用される装置。
【請求項１４】
粒子分離器（４）を更に含む請求項１３記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月26日(2009.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パイプ（４）の流れの方向に延びる複数の平らな摩擦要素（３）を有するパイプ（４）において流体体積流量を制御する流体スロットルスクリーンであって、
複数の移動要素の個々の摩擦要素（３）は、複数の摩擦要素の個々の摩擦要素（３）上の摩擦の結果として、流体スロットルスクリーン（２）に向かって流れる流体が流体スロットルスクリーンの流れ方向延長部分にわたって連続的にスロットリングされる流体体積流量（Ｑ）を有するように互いに離れて平行に配列され、
前記複数の摩擦要素の個々の摩擦要素（３）は、前記流体スロットルスクリーン（２）を通って流れる流体の温度を制御するように配置される流体スロットルスクリーン。
【請求項２】
前記複数の摩擦要素の個々摩擦要素（３）は、複数の孔（８）が貫通している、請求項１に記載の流体スロットルスクリーン。
【請求項３】
前記複数の摩擦要素の個々の摩擦要素（３）は、前記流体スロットルスクリーン（２）の流れ方向の延長部分にわたって互いに少なくとも部分的に等間隔に配置される、請求項１又は２に記載の流体スロットルスクリーン。
【請求項４】
前記複数の摩擦要素の個々摩擦要素（３）は、サーフェス法線が前記パイプ（４）の流れの方向に直交するように延びる平面多層体として配置される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の流体スロットルスクリーン。
【請求項５】
前記複数の摩擦要素の個々摩擦要素（３）は、中心線の各々が一致して、流れ方向に通っている交互配置されるパイプとして配置される、請求項１又は２に記載の流体スロットルスクリーン。
【請求項６】
前記複数の摩擦要素の個々摩擦要素（３）は、ハニカム状構造が流れの方向になるように流れの方向に延びる複数の交差線において相互に交差するように互いに配置される平面多層体として配置される、請求項１又は２に記載の流体スロットルスクリーン。
【請求項７】
前記複数の摩擦要素の個々摩擦要素（３）は、Ｒz値が約０．１〜１．０ｍｍである表面粗さを有する、請求項１〜６のうち１項に記載の流体スロットルスクリーン。
【請求項８】
複数の配管分岐部を含む航空機の空調システムにおいて、少なくとも１つの前記配管分岐部の流体体積流量（Ｑ）を制御するための請求項１〜７のいずれか１項に記載の流体スロットルスクリーン（２）の使用。
【請求項９】
複数の配管分岐部を含む空気供給システムを有する航空機における空調システムであって、少なくとも１つの請求項１〜７のいずれか１項に記載の流体スロットルスクリーン（２）は、流体体積流量（Ｑ）を制御するために、配管分岐部に設置される空調システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
もし摩擦要素が付加的に上述の穴も備えており、効果的な周波数範囲が高周波数範囲に調整されておれば、より高い減衰も得られるため、すべての周波数にわたる応答が図５に示すように達成できる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月11日(2009.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
発明の背景
１．発明の分野
本発明は、シートメタル接続部および少なくとも２枚のメタルシートを接続する方法に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
発明の要約
本発明は、シートメタル接続部およびシートメタル接続部を形成するための方法を提供する。シートメタル接続部は、互いに平行関係に配置される第１および第２のメタルシートを含む。第１および第２のメタルシートの各々は複数の穿孔を有し、各穿孔からタングが延在している。第１のメタルシートのタングおよび第２のメタルシートのタングは反対の回転方向に共に丸まっている。第１のメタルシートのタングは第１および第２のメタルシート間の間隔を空け、第２のメタルシートのタングは実質的に固定的に第１および第２のメタルシートを互いに係合させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、シートメタル接続部１０およびシートメタル接続部１０を形成するための方法を提供する。図１〜図３を参照して、シートメタル接続部１０は、互いに平行関係に配置される第１および第２のメタルシート１２、１４を含む。第１および第２のメタルシート１２、１４の各々はそれぞれ複数の穿孔１６、１８を有し、各穿孔１６、１８からタング２０、２２が延在している。第１のメタルシート１２のタング２０および第２のメタルシート１４のタング２２は反対の回転方向２４、２６に共に丸まっている。第１のメタルシート１２のタング２０は第１および第２のメタルシート１２、１４間の間隔を空け、第
２のメタルシート１４のタング２２は実質的に固定的に第１および第２のメタルシート１２、１４を互いに係合させる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
図１および図３は、シートメタル接続部１０の第１の例示的な実施例を形成するための構造の概略側面図である。第１のメタルシート１２は、複数の穿孔部３０を有する第１のローラ２８と、穿孔部３０を受けるための複数の凹部（図示せず）を有する第２のローラ３２との間に導かれる。穿孔１６およびタング２０は、ローラ２８、３２間の協働によって形成される。第２のメタルシート１４は、複数の穿孔部３６を有する第１のローラ３４と、穿孔部３６を受けるための複数の凹部（図示せず）を有する第２のローラ３８との間に導かれる。穿孔１８およびタング２２は、ローラ３４、３８間の協働によって形成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図５は、３枚のシート１１２、１１４、１５６が互いに係合した本発明の他の例示的な実施例を示す。第２のメタルシート１１４は、第１のメタルシート１１２に向かって延在する第１のタング１２２のセットと、第１のメタルシート１１２から離れるように延在する第２のタング１５８のセットとを含む。第３のメタルシート１５６は、第１および第２のメタルシート１１２、１１４と平行関係に配置される。第３のメタルシート１５６は複数の穿孔１６０を含み、各穿孔１６０からタング１６２が延在している。第２のシート１１４の第２のタング１５８のセットおよび第３のメタルシート１５６のタング１６２は反対の回転方向１６４、１６６に共に丸まっている。第２のメタルシート１１４の第２のタング１５８のセットは第２および第３のメタルシート１１４、１５６間の間隔を空け、第３のメタルシート１５６のタング１６２は実質的に固定的に第２および第３のメタルシート１１４、１５６を互いに係合させる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【図１】本発明の例示的な実施例に係るシートメタル接続部を形成するための構成の概略側面図である。
【図２】本発明の例示的な実施例に係る穿孔を有するシートの斜視図である。
【図３】本発明の例示的な実施例に係る２枚のメタルシートを係合させるための構成の概略側面図である。
【図４】例示的な動作環境において互いに接続された２つのメタルシートの概略側面図である。
【図５】３枚のメタルシートが互いに係合した本発明の例示的な実施例の側面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月14日(2009.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
図１及び図１Ａは、緩衝リングスプロケットアセンブリ１５、ローラチェーン４０、そして少なくとも１つの他のスプロケット（図示せず）からなる従来のローラチェーン駆動システム１０を示している。ローラチェーン４０は一般的なものであり、複数のローラリンクアセンブリを含む。各ローラリンクアセンブリは、一対の平行なローラリンクプレート４６間に捕らえられた一対の離間ローラ５０（即ちローラ５０ａ、５０ｂなど）を含み、これらのローラリンクアセンブリは、ローラリンクアセンブリの両側に位置するピンリンクプレート４８によって無端になるよう互いに接続されている。各ローラ５０は、ローラリンクプレート４６間の空間にわたるブシュ（図示せず）上に回転可能に支持されており、ブシュの両端部は、ローラリンクプレート４６にそれぞれ定められた位置合わせされた開口部に圧入されている。本明細書に用いられる「ローラ」という用語は、例えば、ブシュ上に支持されたローラや、回転部材を支持していない単独の非回転式ブシュ（当該技術分野では「ブシュチェーン」とも呼ぶ）など、ローラリンクプレート４６間に位置し、スプロケット２０と駆動係合するよう意図されたいずれの回転又は非回転構成要素も含むように意図されている。ローラリンクアセンブリをピボット可能に相互接続するように、ピン４２がピンリンクプレート４８及びローラリンクアセンブリの位置合わせされた開口部に配置されている。位置合わせされたローラリンクプレート４６の各対とこれらの間に位置するローラ５０は「ローラリンクアセンブリ」を定めており、本明細書では「ローラリンク列４５」と呼ぶこともある。位置合わせされたピンリンクプレート４８の各対は「ピンリンク列４７」を定めている。チェーンのリンクプレート４６、４８は、上部リンクエッジＥ１と下部リンクエッジＥ２との間にリンクプレート高さＨＰを定めている。ローラ５０の中心は、リンクプレートエッジＥ１とリンクプレートエッジＥ２の中間に位置する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図４を参照すると、ローラチェーン駆動システム１１０は、少なくともスプロケットアセンブリ１１５と、少なくとも１つの他のスプロケット（図示せず）と、１つ以上の他のスプロケットにおいてスプロケットアセンブリ１１５とかみ合うローラチェーン１４０を含む。ローラチェーン１４０は一般的なものであり、複数のローラリンクアセンブリを含む。各ローラリンクアセンブリは、一対の平行なローラリンクプレート１４６間に捕らえられた一対の離間ローラ１５０（即ちローラ１５０ａ、１５０ｂなど）を含み、これらのローラリンクアセンブリは、ローラリンクアセンブリの両側に位置するピンリンクプレート１４８によって無端になるよう互いに接続されている。各ローラ１５０は、ローラリンクプレート１４６間の空間にわたるブシュ（図示せず）上に回転可能に支持されており、ブシュの両端部は、ローラリンクプレート１４６にそれぞれ定められた位置合わせされた開口部に圧入されている。本明細書に用いられる「ローラ」という用語は、ローラ１５０か又は非回転構成要素を含むように意図されている。非回転構成要素は、例えば回転部材を支持しない単独の非回転式ブシュ（当該技術分野では「ブシュチェーン」とも呼ぶ）など、ローラリンクプレート１４６間に位置し、スプロケット１２０と駆動係合するよう意図されている。ローラリンクアセンブリをピボット可能に相互接続するように、ピン１４２がピンリンクプレート１４８及びローラリンクアセンブリの位置合わせされた開口部に配置されている。位置合わせされたローラリンクプレート１４６の各対とこれらの間に位置するローラ１５０は「ローラリンクアセンブリ」を定めており、本明細書では「ローラリンク列１４５」と呼ぶこともある。位置合わせされたピンリンクプレート１４８の各対は「ピンリンク列１４７」を定めている。