【手続補正書】
【提出日】平成21年4月10日(2009.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
絶縁層と、
ゲート電極と、
有機半導体層と、
ソース電極と、
ドレイン電極と
を含む有機薄膜トランジスタであって、
前記有機半導体層は、式１の化合物を含み、
【化１】
2008538651.tif 000001
式中、Ａｒは、以下の基：
【化２】
2008538651.tif 000002
およびこれらの組み合わせからなる群から選択され、
式中、
Ａｒ’およびＡｒ”は、アリール基からなる群から独立して選択され、
ｍおよびｎは０〜５の値をそれぞれ独立して有する整数であり、ｍ＋ｎ≠０であり、
Ｑは、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＯおよびＮＲ０からなる群から選択され、
Ｑ１は、Ｓｅ、Ｔｅ、ＯおよびＮＲ０からなる群から選択され、
ｑおよびｒは、０、１、２、３、４および５からなる群から独立して選択され、
ｓは、１〜５の値を有する整数であり、
ｔは、２〜５の値を有する整数であり、
Ｒ０は、水素、アルキルおよびアリールからなる群から選択され、
Ｒ１〜Ｒ１０は、水素、アルキル、アリール、ハロゲン、ヒドロキシル、アリールオキシ、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルキルチオ、ホスフィノ、シリル、−ＣＯＲ、−ＣＯＯＲ、−ＰＯ３Ｒ２、−ＯＰＯ３Ｒ２およびＣＮからなる群から独立して選択され、
Ｒは、水素、アルキル、アリール、アルケニル、アルキニルおよびアミノからなる群から選択され、
式中、任意の２つの近接基Ｒ５〜Ｒ１０は一緒になって環を形成することができることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【請求項２】
式１：
【化３】
2008538651.tif 000003
により表される化合物であって、
式中、Ａｒは、
【化４】
2008538651.tif 000004
からなる群から選択され、
式中、
Ａｒ’およびＡｒ”は、アリール基からなる群から独立して選択され、
ｍおよびｎは０〜５の値をそれぞれ独立して有する整数であり、ｍ＋ｎ≠０であり、
Ｑは、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＯおよびＮＲ０からなる群から選択され、
Ｑ１は、Ｓｅ、Ｔｅ、ＯおよびＮＲ０からなる群から選択され、
ｑおよびｒは０〜５の値をそれぞれ独立して有する整数であり、
ｓは、１〜５の値を有する整数であり、
ｔは、２〜５の値を有する整数であり、
Ｒ０は、水素、アルキルおよびアリールからなる群から選択され、
Ｒ１〜Ｒ１０は、水素、アルキル、アリール、ハロゲン、ヒドロキシル、アリールオキシ、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アルキルチオ、ホスフィノ、シリル、−ＣＯＲ、−ＣＯＯＲ、−ＰＯ３Ｒ２、−ＯＰＯ３Ｒ２およびＣＮからなる群から独立して選択され、
Ｒは、水素、アルキル、アリール、アルケニルおよびアルキニルからなる群から選択され、
式中、任意の２つの近接基Ｒ５〜Ｒ１０は一緒になって環を形成することができることを特徴とする化合物。
【請求項３】
アリール−エチレンアセンを調製する方法であって、
式２：
【化５】
2008538651.tif 000005
のジボロン化合物を、
【化６】
2008538651.tif 000006
からなる群から選択されるジハロアリーレン化合物と、ゼロ価のＰｄ錯体の存在下で反応させて、アリール−エチレンアセン化合物を形成する工程を含み、
式中、
ｍおよびｎは０〜３の値をそれぞれ独立して有する整数であり、
Ｒ’およびＲ”は独立してＨまたはアルキルであり、
Ｈａｌは、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から独立して選択され、
Ａｒ’はアリール基であり、
Ｑは、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＯまたはＮＲ０からなる群から選択され、
Ｒ１、Ｒ２およびＲ５〜Ｒ１０は、水素、アルキル、アリール、ハロゲン、ヒドロキシル、アリールオキシ、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルキルチオ、ホスフィノ、シリル、−ＣＯＲ、−ＣＯＯＲ、−ＰＯ３Ｒ２、−ＯＰＯ３Ｒ２およびＣＮからなる群から独立して選択され、
Ｒは、水素、アルキル、アリール、アルケニル、アルキニルおよびアミノからなる群から選択され、
Ｒ０は水素、アルキルまたはアリールであり、
式中、任意の２つの近接基Ｒ５〜Ｒ１０は一緒になって環を形成することができることを特徴とするアリール−エチレンアセンを調製する方法。
【請求項４】
アリール−エチレンアセンを調製する方法であって、
式３：
【化７】
2008538651.tif 000007
のアリール置換エチレン化合物を、
【化８】
2008538651.tif 000008
からなる群から選択されるジハロアリーレン化合物と、ゼロ価のＰｄ錯体の存在下で反応させて、アリール−エチレンアセン化合物を形成する工程を含み、
式中、
ｍおよびｎは０〜３の値をそれぞれ独立して有する整数であり、
Ｒ’およびＲ”は独立してＨまたはアルキルであり、
Ｈａｌは、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から独立して選択され、
Ａｒ’はアリール基であり、
Ｑは、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＯおよびＮＲ０からなる群から選択され、
Ｒ１、Ｒ２およびＲ５〜Ｒ１０は、水素、アルキル、アリール、ハロゲン、ヒドロキシル、アリールオキシ、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルキルチオ、ホスフィノ、シリル、−ＣＯＲ、−ＣＯＯＲ、−ＰＯ３Ｒ２、−ＯＰＯ３Ｒ２およびＣＮからなる群から独立して選択され、
Ｒは、水素、アルキル、アリール、アルケニル、アルキニルおよびアミノからなる群から選択され、
Ｒ０は水素、アルキルまたはアリールであり、
式中、任意の２つの近接基Ｒ５〜Ｒ１０は一緒になって環を形成することができることを特徴とするアリール−エチレンアセンを調製する方法。
【請求項５】
アリール−エチレンアセンを調製する方法であって、
【化９】
2008538651.tif 000009
からなる群から選択されるアセン誘導体を、ハロ−アリール化合物、Ａｒ−Ｈａｌと、ゼロ価のＰｄ錯体の存在下で反応させる工程を含み、
式中、
ｍおよびｎは０〜３の値をそれぞれ独立して有する整数であり、
Ｒ’およびＲ”は独立してＨまたはアルキルであり、
Ｈａｌは、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から独立して選択され、
Ａｒ’はアリール基であり、
Ｑは、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＯおよびＮＲ０からなる群から選択され、
Ｒ１、Ｒ２およびＲ５〜Ｒ１０は、水素、アルキル、アリール、ハロゲン、ヒドロキシル、アリールオキシ、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルキルチオ、ホスフィノ、シリル、−ＣＯＲ、−ＣＯＯＲ、−ＰＯ３Ｒ２、−ＯＰＯ３Ｒ２およびＣＮからなる群から独立して選択され、
Ｒは、水素、アルキル、アリール、アルケニル、アルキニルおよびアミノからなる群から選択され、
Ｒ０は水素、アルキルまたはアリールであり、
式中、任意の２つの近接基Ｒ５〜Ｒ１０は一緒になって環を形成することができることを特徴とするアリール−エチレンアセンを調製する方法。
【請求項６】
電荷輸送層を含むことを特徴とする有機電子デバイスであって、
該電荷輸送層は
式１：
【化１０】
2008538651.tif 000010
により表される少なくとも１つの化合物を含み、
Ａｒはアリーレン基であり、
Ａｒ’およびＡｒ”は、アリール基からなる群から独立して選択され、
Ｒ１〜Ｒ４は、水素、アルキル、アリール、ハロゲン、ヒドロキシル、アリールオキシ、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルキルチオ、ホスフィノ、シリル、−ＣＯＲ、−ＣＯＯＲ、−ＰＯ３Ｒ２、−ＯＰＯ３Ｒ２およびＣＮからなる群から独立して選択され、
Ｒは、水素、アルキル、アリール、アルケニル、アルキニルおよびアミノからなる群から選択され、
ｍおよびｎは０〜５の値をそれぞれ独立して有する整数であり、ｍ＋ｎ≠０であり、
さらに、ジアリールアミノ基がないことを特徴とする有機電子デバイス。
【請求項７】
アノード、カソードおよびその間に配置された光活性層を含む有機電子デバイスであって、
前記光活性層が、
式１：
【化１１】
2008538651.tif 000011
により表される少なくとも１つの化合物を含み、
式中、
Ａｒはアリーレン基であり、
Ａｒ’およびＡｒ”は、アリール基からなる群から独立して選択され、
Ｒ１〜Ｒ４は、水素、アルキル、アリール、ハロゲン、ヒドロキシル、アリールオキシ、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルキルチオ、ホスフィノ、シリル、−ＣＯＲ、−ＣＯＯＲ、−ＰＯ３Ｒ２、−ＯＰＯ３Ｒ２およびＣＮからなる群から独立して選択され、
Ｒは、水素、アルキル、アリール、アルケニル、アルキニルおよびアミノからなる群から選択され、
ｍおよびｎは０〜５の値をそれぞれ独立して有する整数であり、ｍ＋ｎ≠０であり、
さらに、ジアリールアミノ基がないことを特徴とする有機電子デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３２】
明瞭にするために、別個の実施形態において本明細書に記載された特定の特徴は、単一の実施形態において組み合わせて提供されてもよいものと考えられる。逆に、簡潔にするために単一の実施形態に記載されている様々な特徴もまた別個、あるいは下位の組み合わせにより提供されてもよい。さらに、範囲で記されている値は、その範囲内の各値を含む。
以下、本明細書に記載の発明につき列記する。
１．
基板と、
絶縁層と、
ゲート電極と、
有機半導体層と、
ソース電極と、
ドレイン電極と
を含む有機薄膜トランジスタであって、
前記有機半導体層は、式１の化合物を含み、
【化１２】
2008538651.tif 000012
式中、Ａｒは、以下の基：
【化１３】
2008538651.tif 000013
およびこれらの組み合わせからなる群から選択され、
式中、
Ａｒ’およびＡｒ”は、アリール基からなる群から独立して選択され、
ｍおよびｎは０〜５の値をそれぞれ独立して有する整数であり、ｍ＋ｎ≠０であり、
Ｑは、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＯおよびＮＲ０からなる群から選択され、
Ｑ１は、Ｓｅ、Ｔｅ、ＯおよびＮＲ０からなる群から選択され、
ｑおよびｒは、０、１、２、３、４および５からなる群から独立して選択され、
ｓは、１〜５の値を有する整数であり、
ｔは、２〜５の値を有する整数であり、
Ｒ０は、水素、アルキルおよびアリールからなる群から選択され、
Ｒ１〜Ｒ１０は、水素、アルキル、アリール、ハロゲン、ヒドロキシル、アリールオキシ、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルキルチオ、ホスフィノ、シリル、−ＣＯＲ、−ＣＯＯＲ、−ＰＯ３Ｒ２、−ＯＰＯ３Ｒ２およびＣＮからなる群から独立して選択され、
Ｒは、水素、アルキル、アリール、アルケニル、アルキニルおよびアミノからなる群から選択され、
式中、任意の２つの近接基Ｒ５〜Ｒ１０は一緒になって環を形成することができることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
２．
ｒ≠０およびｓ≠０または１であることを特徴とする前記１．に記載のトランジスタ。
３．
Ａｒは、
【化１４】
2008538651.tif 000014
およびこれらの組み合わせからなる群から選択され、式中、ｒ≠０であることを特徴とする前記１．に記載のトランジスタ。
４．
前記１．に記載のトランジスタであって、
前記絶縁層、前記ゲート電極、前記半導体層、前記ソース電極および前記ドレイン電極が任意の順序で配置され、ただし、前記ゲート電極および前記半導体層の両方が前記絶縁層と接触しており、前記ソース電極および前記ドレイン電極の両方が前記半導体層と接触しており、前記電極が互いに分離されていることを特徴とするトランジスタ。
５．
前記１．に記載のトランジスタであって、
前記基板が、１つまたは複数の無機ガラス、セラミック箔、アクリル、エポキシ、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリケトン、ポリ（オキシ−１，４−フェニレンオキシ−１，４−フェニレンカルボニル−１，４−フェニレン）、ポリノルボルネン、ポリフェニレンオキシド、ポリ（エチレンナフタレンジカルボキシレート）、ポリ（エチレンテレフタレート）、ポリ（フェニレンスルフィド）、繊維強化プラスチックまたは被覆金属箔を含むことを特徴とするトランジスタ。
６．
前記１．に記載のトランジスタであって、
前記ゲート電極が、ドープされたケイ素、アルミニウム、金、クロム、インジウム錫酸化物、ポリスチレンスルホネートをドープされたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＳＳ−ＰＥＤＯＴ）、ポリマーバインダーに分散されたカーボンブラックまたはグラファイト、およびポリマーバインダー中のコロイド銀分散液を含むことを特徴とするトランジスタ。
７．
前記１．に記載のトランジスタであって、
前記ソース電極およびドレイン電極が、アルミニウム、バリウム、カルシウム、クロム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金、チタンおよびこれらの合金、カーボンナノチューブ、ポリアニリン、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ−（スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、カーボンナノチューブの導電性ポリマー中の分散液、金属の導電性ポリマー中の分散液、およびこれらの多層を含むことを特徴とするトランジスタ。
８．
前記１．に記載のトランジスタであって、
前記絶縁層が、１つまたは複数の酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化タンタル、酸化チタン、窒化ケイ素、チタン酸バリウム、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、セレン化亜鉛、硫化亜鉛、これらの合金、これらの組み合わせおよびこれらの多層、１つまたは複数のポリエステル、ポリカーボネート、ポリ（ビニルフェノール）、ポリイミド、ポリスチレン、ポリ（メタクリレート）、ポリ（アクリレート）、エポキシ樹脂、これらのブレンドおよびこれらの多層を含むことを特徴とするトランジスタ。
９．
前記１．に記載のトランジスタであって、
前記半導体化合物が、化合物１〜６４：
【化１５】
2008538651.tif 000015
【化１６】
2008538651.tif 000016
【化１７】
2008538651.tif 000017
【化１８】
2008538651.tif 000018
【化１９】
2008538651.tif 000019
【化２０】
2008538651.tif 000020
【化２１】
2008538651.tif 000021
【化２２】
2008538651.tif 000022
【化２３】
2008538651.tif 000023
【化２４】
2008538651.tif 000024
【化２５】
2008538651.tif 000025
【化２６】
2008538651.tif 000026
【化２７】
2008538651.tif 000027
【化２８】
2008538651.tif 000028
からなる群から選択されることを特徴とするトランジスタ。
１０．
式１：
【化２９】
2008538651.tif 000029
により表される化合物であって、
式中、Ａｒは、
【化３０】
2008538651.tif 000030
からなる群から選択され、
式中、
Ａｒ’およびＡｒ”は、アリール基からなる群から独立して選択され、
ｍおよびｎは０〜５の値をそれぞれ独立して有する整数であり、ｍ＋ｎ≠０であり、
Ｑは、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＯおよびＮＲ０からなる群から選択され、
Ｑ１は、Ｓｅ、Ｔｅ、ＯおよびＮＲ０からなる群から選択され、
ｑおよびｒは０〜５の値をそれぞれ独立して有する整数であり、
ｓは、１〜５の値を有する整数であり、
ｔは、２〜５の値を有する整数であり、
Ｒ０は、水素、アルキルおよびアリールからなる群から選択され、
Ｒ１〜Ｒ１０は、水素、アルキル、アリール、ハロゲン、ヒドロキシル、アリールオキシ、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アルキルチオ、ホスフィノ、シリル、−ＣＯＲ、−ＣＯＯＲ、−ＰＯ３Ｒ２、−ＯＰＯ３Ｒ２およびＣＮからなる群から独立して選択され、
Ｒは、水素、アルキル、アリール、アルケニルおよびアルキニルからなる群から選択され、
式中、任意の２つの近接基Ｒ５〜Ｒ１０は一緒になって環を形成することができることを特徴とする化合物。
１１．
アリール−エチレンアセンを調製する方法であって、
式２：
【化３１】
2008538651.tif 000031
のジボロン化合物を、
【化３２】
2008538651.tif 000032
からなる群から選択されるジハロアリーレン化合物と、ゼロ価のＰｄ錯体の存在下で反応させて、アリール−エチレンアセン化合物を形成する工程を含み、
式中、
ｍおよびｎは０〜３の値をそれぞれ独立して有する整数であり、
Ｒ’およびＲ”は独立してＨまたはアルキルであり、
Ｈａｌは、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から独立して選択され、
Ａｒ’はアリール基であり、
Ｑは、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＯまたはＮＲ０からなる群から選択され、
Ｒ１、Ｒ２およびＲ５〜Ｒ１０は、水素、アルキル、アリール、ハロゲン、ヒドロキシル、アリールオキシ、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルキルチオ、ホスフィノ、シリル、−ＣＯＲ、−ＣＯＯＲ、−ＰＯ３Ｒ２、−ＯＰＯ３Ｒ２およびＣＮからなる群から独立して選択され、
Ｒは、水素、アルキル、アリール、アルケニル、アルキニルおよびアミノからなる群から選択され、
Ｒ０は水素、アルキルまたはアリールであり、
式中、任意の２つの近接基Ｒ５〜Ｒ１０は一緒になって環を形成することができることを特徴とするアリール−エチレンアセンを調製する方法。
１２．
アリール−エチレンアセンを調製する方法であって、
式３：
【化３３】
2008538651.tif 000033
のアリール置換エチレン化合物を、
【化３４】
2008538651.tif 000034
からなる群から選択されるジハロアリーレン化合物と、ゼロ価のＰｄ錯体の存在下で反応させて、アリール−エチレンアセン化合物を形成する工程を含み、
式中、
ｍおよびｎは０〜３の値をそれぞれ独立して有する整数であり、
Ｒ’およびＲ”は独立してＨまたはアルキルであり、
Ｈａｌは、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から独立して選択され、
Ａｒ’はアリール基であり、
Ｑは、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＯおよびＮＲ０からなる群から選択され、
Ｒ１、Ｒ２およびＲ５〜Ｒ１０は、水素、アルキル、アリール、ハロゲン、ヒドロキシル、アリールオキシ、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルキルチオ、ホスフィノ、シリル、−ＣＯＲ、−ＣＯＯＲ、−ＰＯ３Ｒ２、−ＯＰＯ３Ｒ２およびＣＮからなる群から独立して選択され、
Ｒは、水素、アルキル、アリール、アルケニル、アルキニルおよびアミノからなる群から選択され、
Ｒ０は水素、アルキルまたはアリールであり、
式中、任意の２つの近接基Ｒ５〜Ｒ１０は一緒になって環を形成することができることを特徴とするアリール−エチレンアセンを調製する方法。
１３．
アリール−エチレンアセンを調製する方法であって、
【化３５】
2008538651.tif 000035
からなる群から選択されるアセン誘導体を、ハロ−アリール化合物、Ａｒ−Ｈａｌと、ゼロ価のＰｄ錯体の存在下で反応させる工程を含み、
式中、
ｍおよびｎは０〜３の値をそれぞれ独立して有する整数であり、
Ｒ’およびＲ”は独立してＨまたはアルキルであり、
Ｈａｌは、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から独立して選択され、
Ａｒ’はアリール基であり、
Ｑは、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＯおよびＮＲ０からなる群から選択され、
Ｒ１、Ｒ２およびＲ５〜Ｒ１０は、水素、アルキル、アリール、ハロゲン、ヒドロキシル、アリールオキシ、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルキルチオ、ホスフィノ、シリル、−ＣＯＲ、−ＣＯＯＲ、−ＰＯ３Ｒ２、−ＯＰＯ３Ｒ２およびＣＮからなる群から独立して選択され、
Ｒは、水素、アルキル、アリール、アルケニル、アルキニルおよびアミノからなる群から選択され、
Ｒ０は水素、アルキルまたはアリールであり、
式中、任意の２つの近接基Ｒ５〜Ｒ１０は一緒になって環を形成することができることを特徴とするアリール−エチレンアセンを調製する方法。
１４．
電荷輸送層を含むことを特徴とする有機電子デバイスであって、
該電荷輸送層は
式１：
【化３６】
2008538651.tif 000036
により表される少なくとも１つの化合物を含み、
Ａｒはアリーレン基であり、
Ａｒ’およびＡｒ”は、アリール基からなる群から独立して選択され、
Ｒ１〜Ｒ４は、水素、アルキル、アリール、ハロゲン、ヒドロキシル、アリールオキシ、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルキルチオ、ホスフィノ、シリル、−ＣＯＲ、−ＣＯＯＲ、−ＰＯ３Ｒ２、−ＯＰＯ３Ｒ２およびＣＮからなる群から独立して選択され、
Ｒは、水素、アルキル、アリール、アルケニル、アルキニルおよびアミノからなる群から選択され、
ｍおよびｎは０〜５の値をそれぞれ独立して有する整数であり、ｍ＋ｎ≠０であり、
さらに、ジアリールアミノ基がないことを特徴とする有機電子デバイス。
１５．
前記１４．に記載のデバイスであって、
Ａｒが、縮合多環式芳香族基、および単結合により結合した少なくとも２つの環を有する芳香族基からなる群から選択されることを特徴とするデバイス。
１６．
前記１４．に記載のデバイスであって、
Ａｒが、
【化３７】
2008538651.tif 000037
およびこれらの組み合わせから選択され、
式中、
Ｑは、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＯまたはＮＲ０からなる群から選択され、
ｑおよびｒは０〜５の値をそれぞれ独立して有する整数であり、
ｓは、１〜５の値を有する整数であり、
Ｒ０は、水素、アルキルおよびアリールからなる群から独立して選択され、
Ｒ５〜Ｒ１０は、水素、アルキル、アリール、ハロゲン、ヒドロキシル、アリールオキシ、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルキルチオ、ホスフィノ、シリル、−ＣＯＲ、−ＣＯＯＲ、−ＰＯ３Ｒ２、−ＯＰＯ３Ｒ２およびＣＮからなる群から独立して選択され、
Ｒは、水素、アルキル、アリール、アルケニル、アルキニルおよびアミノからなる群から選択され、
式中、任意の２つの近接基Ｒ５〜Ｒ１０は一緒になって環を形成することができることを特徴とするデバイス。
１７．
前記１４．に記載のデバイスであって、
Ａｒが、２，６−ナフタレン、置換２，６−ナフタレン、２，６−アントラセン、置換２，６−アントラセン、２，６−フルオレン、置換２，６−フルオレン、２，６−カルバゾール、置換２，６−カルバゾールおよびこれらの組み合わせからなる群のうち少なくとも１つから選択されることを特徴とするデバイス。
１８．
前記１４．に記載のデバイスであって、
Ａｒ’およびＡｒ”が、非置換アリール基および置換アリール基より独立して選択され、前記アリール基の置換基が、アルキル、アリール、チオアルキル、シリル、アルキルアリール、アルコキシ、アルキルエーテル、エーテルアルキル、フッ素およびこれらの組み合わせからなる群から独立して選択されることを特徴とするデバイス。
１９．
アノード、カソードおよびその間に配置された光活性層をさらに含むことを特徴とする前記１４．に記載のデバイス。
２０．
前記電荷輸送層が、正孔輸送層であり、前記光活性層とアノードとの間に配置されていることを特徴とする前記１９．に記載のデバイス。
２１.
前記電荷輸送層が、電子輸送層であり、前記光活性層とカノードとの間に配置されていることを特徴とする前記１９．に記載のデバイス。
２２．
アノード、カソードおよびその間に配置された光活性層を含む有機電子デバイスであって、
前記光活性層が、
式１：
【化３８】
2008538651.tif 000038
により表される少なくとも１つの化合物を含み、
式中、
Ａｒはアリーレン基であり、
Ａｒ’およびＡｒ”は、アリール基からなる群から独立して選択され、
Ｒ１〜Ｒ４は、水素、アルキル、アリール、ハロゲン、ヒドロキシル、アリールオキシ、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アミノ、アルキルチオ、ホスフィノ、シリル、−ＣＯＲ、−ＣＯＯＲ、−ＰＯ３Ｒ２、−ＯＰＯ３Ｒ２およびＣＮからなる群から独立して選択され、
Ｒは、水素、アルキル、アリール、アルケニル、アルキニルおよびアミノからなる群から選択され、
ｍおよびｎは０〜５の値をそれぞれ独立して有する整数であり、ｍ＋ｎ≠０であり、
さらに、ジアリールアミノ基がないことを特徴とする有機電子デバイス。