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【手続補正書】
【提出日】平成23年9月30日(2011.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体パッケージの内部に配置された改質器およびスタックと、
前記スタックの積層方向の両端に設けた一対のスタック出力端子と、
前記本体パッケージの内部に配置されると共に前記スタックと近接して配置された電力変換回路と、
前記電力変換回路に設けられた一対の電力変換回路入力端子と、
スタック出力端子と電力変換回路入力端子を電気的に接続するスタック出力線と、を有し、
前記スタックの積層方向が、前記一対の電力変換回路入力端子を結ぶ直線に対して平行である、燃料電池発電システム。
【請求項２】
前記本体パッケージ内を第１室および第２室に分離する隔壁を有し、前記第１室の内部に前記改質器および前記スタックが配置され、前記第２室の内部に前記電力変換回路および制御回路が配置され、前記スタックと前記電力変換回路を電気的に接続する前記電力線は、前記隔壁の一部を貫通するように設けられる請求項１記載の燃料電池発電システム。
【請求項３】
前記スタックの積層方向が、前記隔壁と平行である請求項２記載の燃料電池発電システム。
【請求項４】
前記スタックが前記隔壁に隣接するとともに前記本体パッケージの面に隣接し、前記電力変換回路が前記隔壁に隣接するとともに前記本体パッケージの面に隣接する請求項２または３記載の燃料電池発電システム。
【請求項５】
前記スタックと前記電力変換回路が前記隔壁を介して対向している請求項２から４のいずれか１項記載の燃料電池発電システム。
【請求項６】
前記スタックの天面と前記電力変換回路の上面とを同一高さに配置した請求項２から５のいずれか１項記載の燃料電池発電システム。
【請求項７】
前記スタック出力線は、前記スタックの天面に設けた前記スタック出力端子と、前記電力変換回路の上部に設けた前記電力変換回路入力端子とを電気的に接続する請求項２から６のいずれか１項記載の燃料電池発電システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記従来の課題を解決するために、本発明の燃料電池発電システムは、本体パッケージの内部に配置された改質器およびスタックと、前記スタックの積層方向の両端に設けた一対のスタック出力端子と、前記本体パッケージの内部に配置されると共に前記スタックと近接して配置された電力変換回路と、前記電力変換回路に設けられた一対の電力変換回路入力端子と、スタック出力端子と電力変換回路入力端子を電気的に接続するスタック出力線と、を有し、前記スタックの積層方向が、前記一対の電力変換回路入力端子を結ぶ直線に対して平行であることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第１の発明は、本体パッケージの内部に配置された改質器およびスタックと、スタックの積層方向の両端に設けた一対のスタック出力端子と、本体パッケージの内部に配置されると共にスタックと近接して配置された電力変換回路と、電力変換回路に設けられた一対の電力変換回路入力端子と、スタック出力端子と電力変換回路入力端子を電気的に接続するスタック出力線と、を有し、スタックの積層方向が、一対の電力変換回路入力端子を結ぶ直線に対して平行であることにより、スタックと電力変換回路とを最短距離で電気的に接続するので、スタックと電力変換回路を電気的に接続するスタック出力線での電力ロスを低減し、燃料電池発電システムの発電効率を高めることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第２の発明は、第１の発明において、本体パッケージ内を第１室および第２室に分離する隔壁を有し、第１室の内部に改質器およびスタックが配置され、第２室の内部に電力変換回路および制御回路が配置され、前記スタックと前記電力変換回路を電気的に接続する前記電力線は、前記隔壁の一部を貫通するように設けられることにより、スタックと電力変換回路とを最短距離で電気的に接続するので、スタックと電力変換回路を電気的に接続するスタック出力線での電力ロスを低減し、燃料電池発電システムの発電効率を高めることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第３の発明は、第２の発明において、スタックの積層方向が、隔壁と平行とすることにより、スタックのスタック出力端子と電力変換回路の電力変換回路入力端子とを最短距離で電気的に接続するので、スタックと電力変換回路を電気的に接続するスタック出力線での電力ロスを低減することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第４の発明は、第２または第３の発明において、スタックが隔壁に隣接するとともに本体パッケージの面に隣接し、電力変換回路が隔壁に隣接するとともに本体パッケージの面に隣接することにより、スタックと電力変換回路とが近接して配置され、スタックと電力変換回路とを最短距離で電気的に接続するので、スタックと電力変換回路を電気的に接続するスタック出力線での電力ロスを更に低減することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第５の発明は、第２から第４のうちいずれかの発明において、スタックと電力変換回路が隔壁を介して対向して配置されることにより、スタックと電力変換回路とが近接して配置され、スタックと電力変換回路とを最短距離で電気的に接続するので、スタックと電力変換回路を電気的に接続するスタック出力線での電力ロスを更に低減することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第６の発明は、第２から第５のうちいずれかの発明において、スタックの天面と電力変換回路上面とを同一高さに配置したことにより、スタックと電力変換回路とを最短距離で電気的に接続するので、スタックと電力変換回路を電気的に接続するスタック出力線での電力ロスを更に低減することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第７の発明は、第２から第６のうちいずれかの発明において、スタック出力線を、スタック天面に設けたスタック出力端子と、電力変換回路上部に設けた電力変換回路入力端子とを電気的に接続することにより、スタックと電力変換回路とを最短距離で電気的に接続するので、スタックと電力変換回路を電気的に接続するスタック出力線での電力ロスを低減することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
実施の形態５は、スタック７の天面と電力変換回路２５の上面を同一高さに配置したもので、スタック７と電力変換回路２５が近接且つ同一高さにして配置されるので、スタック出力線２７が短くなり、スタック出力線２７での電力ロスを更に低減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月9日(2011.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と負極とがプロトン伝導体を介して対向した構造を有し、酵素および補酵素を用いて燃料から電子を取り出すように構成され、
少なくとも一種の上記酵素および少なくとも一種の上記補酵素がリポソームに封入されている燃料電池。
【請求項２】
上記リポソームが上記負極に固定化されている請求項１記載の燃料電池。
【請求項３】
上記負極に電子メディエーターが固定化されている請求項２記載の燃料電池。
【請求項４】
上記酵素が、燃料の酸化を促進し分解する酸化酵素を含む請求項３記載の燃料電池。
【請求項５】
上記酵素が、上記燃料の酸化に伴って還元された上記補酵素を酸化体に戻すとともに上記電子メディエーターを介して電子を上記負極に渡す補酵素酸化酵素を含む請求項４記載の燃料電池。
【請求項６】
上記補酵素の酸化体がＮＡＤ+ であり、上記補酵素酸化酵素がジアホラーゼである請求項５記載の燃料電池。
【請求項７】
上記酸化酵素がＮＡＤ依存型アルコールデヒドロゲナーゼである請求項６記載の燃料電池。
【請求項８】
上記プロトン伝導体が緩衝物質としてイミダゾール環を含む化合物を含む電解質からなる請求項７記載の燃料電池。
【請求項９】
上記イミダゾール環を含む化合物に塩酸、酢酸、リン酸および硫酸からなる群より選ばれた少なくとも一種の酸が添加されている請求項８記載の燃料電池。
【請求項１０】
上記酵素が、単糖類の酸化を促進し分解する酸化酵素を含む請求項３記載の燃料電池。
【請求項１１】
上記酸化酵素がＮＡＤ依存型グルコースデヒドロゲナーゼである請求項１０記載の燃料電池。
【請求項１２】
上記リポソームを構成する脂質二重層にグルコーストランスポーターが組み込まれている請求項１１記載の燃料電池。
【請求項１３】
上記酵素が、上記リポソームを構成する脂質二重層に組み込まれるか固定化され、または、上記リポソームの外部に存在する、多糖類の分解を促進し単糖類を生成する分解酵素、および、生成した単糖類の酸化を促進し分解する酸化酵素を含む請求項３記載の燃料電池。
【請求項１４】
上記分解酵素がグルコアミラーゼ、上記酸化酵素がＮＡＤ依存型グルコースデヒドロゲナーゼである請求項１３記載の燃料電池。
【請求項１５】
正極と負極とがプロトン伝導体を介して対向した構造を有し、酵素および補酵素を用いて燃料から電子を取り出す燃料電池を製造する場合に、少なくとも一種の上記酵素および少なくとも一種の上記補酵素をリポソームに封入する工程を有する燃料電池の製造方法。
【請求項１６】
一つまたは複数の燃料電池を用い、
少なくとも一つの上記燃料電池が、
正極と負極とがプロトン伝導体を介して対向した構造を有し、酵素および補酵素を用いて燃料から電子を取り出すように構成され、
少なくとも一種の上記酵素および少なくとも一種の上記補酵素がリポソームに封入されているものである電子機器。
【請求項１７】
少なくとも一種の酵素および少なくとも一種の補酵素が封入されたリポソームが固定化されている酵素固定化電極。
【請求項１８】
酵素および補酵素を用い、
少なくとも一種の上記酵素および少なくとも一種の上記補酵素がリポソームに封入されているバイオセンサー。
【請求項１９】
少なくとも一種の酵素および少なくとも一種の補酵素が封入されたリポソームを用いたエネルギー変換素子。
【請求項２０】
酵素および補酵素を用い、
少なくとも一種の上記酵素および少なくとも一種の上記補酵素がリポソームに封入されている酵素反応利用装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月29日(2010.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記基板上に、ＤＣスパッタリング法によりＰｔ、Ｔｉ及びＭｇＯからなる正極集電体層を形成し、この正極集電体層上にＲＦスパッタリング法によりＬｉＣｏＯ2からなる正極活物質層を形成し、この正極活物質層上に、ＲＦスパッタリング法により、希ガス及び窒素ガスを供給して、０．１〜１．０Ｐａの圧力下、窒素置換リン酸リチウム薄膜からなる固体電解質薄膜層を形成した後、真空蒸着法によりＬｉからなる負極活物質層を形成し、又は反応性スパッタリング法により、Ｖ若しくはＶ及びＬｉからなる合金と酸素とから得られる酸化物膜からなる負極活物質層を形成し、次いでＤＣスパッタリング法によりＮｉ又はＣｕからなる負極集電体層を形成することを特徴とする請求項３記載の薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、上記知見に基づいてなされたものであり、スパッタリング法によりＬｉ含有酸化物膜を形成する際に、成膜圧力を所定の圧力以下にして成膜する方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法において、基板上に、ＤＣスパッタリ
ング法によりＰｔ、Ｔｉ及びＭｇＯからなる正極集電体層を形成し、この正極集電体層上
に、ＲＦスパッタリング法によりＬｉＣｏＯ2からなる正極活物質層を形成し、この正極
活物質層上に、ＲＦスパッタリング法により、希ガス及び窒素ガスを供給して、０．１〜
１．０Ｐａの圧力下、窒素置換リン酸リチウム薄膜からなる固体電解質薄膜層を形成した
後、真空蒸着法によりＬｉからなる負極活物質層を形成し、又は反応性スパッタリング法
により、Ｖ（バナジウム）若しくはＶ及びＬｉからなる合金と酸素とから得られる酸化物
膜からなる負極活物質層を形成し、次いでＤＣスパッタリング法によりＮｉ又はＣｕから
なる負極集電体層を形成することが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明において成膜される窒素置換リン酸リチウム薄膜を設けた薄膜固体リチウムイオ
ン２次電池は、基板上に正極集電体層、正極活物質層、固体電解質薄膜層（例えば、窒素置換リン酸リチウム薄膜）、負極活物質層、負極集電体層が、この順序で又は逆の順序で形成されたものであり、例えば、所定の形状のステンレスマスクを用いて、以下のようにして作製される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
例えば、ガラス等からなる基板上に、ＤＣスパッタリング法により、公知のプロセス条
件で、Ｐｔ（１００ｎｍ）、Ｔｉ（２０ｎｍ）からなる正極集電体層、並びにＲＦスパッタリング法により、ＬｉＣｏＯ2（２．０μｍ）からなる正極を形成し、正極上に、上記したＲＦスパッタリング法により、窒素置換リン酸リチウム薄膜からなる固体電解質薄膜層（１．０μｍ）を形成し、その後、ＤＣスパッタリング法により、Ｎｉ又はＣｕ（２５０〜３００ｎｍ）からなる負極集電体層及び負極を形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月9日(2011.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不可視光線を出射する第１光源と、
可視光線を出射する第２光源と、
前記第１光源が出射した前記不可視光線および前記第２光源が出射した前記可視光線が入射される光入射面と、入射された前記不可視光線および前記可視光線とが出射される光出射面とを有する導光板と、
前記導光板における前記光出射面に対向する面に形成されており、前記不可視光線を前記可視光線より多く散乱させる複数の光学素子と
を有する
面発光装置。
【請求項２】
前記光学素子は、前記不可視光線を散乱させ前記可視光線を吸収する材料を含む
請求項１に記載の面発光装置。
【請求項３】
前記光学素子は、前記導光板における前記光出射面から出射される前記不可視光線の強度に基づいて配置位置と数とが決定される、
請求項１に記載の面発光装置。
【請求項４】
前記光学素子は、第２光源の配置に応じた前記光出射面から出射される前記不可視光線の強度のばらつきを補正する位置に形成される、
請求項１に記載の面発光装置。
【請求項５】
前記第２光源は、赤外線を前記不可視光線として出射するように構成されている、
請求項３に記載の面発光装置。
【請求項６】
前記光学素子は、前記不可視光線を散乱させ前記可視光線を吸収する顔料を含むドットである、
請求項５に記載の面発光装置。
【請求項７】
前記光学素子は回折格子であり、
前記導光板における前記光学素子が形成されている面に平行で、前記光出射面と反対側であって前記光学素子が形成されている面と対向するように配置される反射面を有する、
請求項５に記載の面発光装置。
【請求項８】
前記回折格子の長手方向が、前記不可視光線が進む方向と垂直となるように前記回折格子が形成されている、
請求項７に記載の面発光装置。
【請求項９】
前記可視光線を散乱させる溝が、前記光学素子が形成されている面に形成されている、
請求項６に記載の面発光装置。
【請求項１０】
前記第１光源および前記第２光源は前記導光板の前記側面に配置され、前記不可視光線および前記可視光線が入射される光入射面が側面に位置する、
請求項９に記載の面発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】面発光装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は面発光装置に関し、特に光を散乱させる光学素子を有する面発光装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
したがって、本発明の目的は、光出射面から射出される不可視光線の強度の均一性を高めることが可能な面発光装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明によれば、光出射面から射出される不可視光線の強度の均一性を高めることが可能な面発光装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月5日(2011.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
α−アルミナを含む硫化物系リチウムイオン伝導性固体電解質を含むことを特徴とする硫化物系リチウムイオン伝導性固体電解質ガラス。
【請求項２】
前記硫化物系リチウムイオン伝導性固体電解質が、硫化リチウム−硫化燐、または、硫化リチウム−硫化ホウ酸、を含むことを特徴とする請求項１に記載の硫化物系リチウムイオン伝導性固体電解質ガラス。
【請求項３】
硫化物系リチウムイオン伝導性固体電解質ガラスを含む固体電解質を含み、
前記硫化物系リチウムイオン伝導性固体電解質ガラスは、α−アルミナを含むことを特徴とする全固体リチウム二次電池。
【請求項４】
前記硫化物系リチウムイオン伝導性固体電解質ガラスが、硫化リチウム−硫化燐、または、硫化リチウム−硫化ホウ酸、を含むことを特徴とする請求項３に記載の全固体リチウム二次電池。
【請求項５】
正極および負極からなる一対の電極の間に前記固体電解質を配置したことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の全固体リチウム二次電池。
【請求項６】
前記全固体リチウム二次電子素子は、前記正極または前記負極のいずれかと、前記固体電解質とが、一体化成型されたものであることを特徴とする請求項５に記載の全固体リチウム二次電池。
【請求項７】
α−アルミナを含む硫化物系リチウムイオン伝導性固体電解質を加熱溶融する第１の工程と、
加熱溶融した前記硫化物系リチウムイオン伝導性固体電解質を冷却する第２の工程と、
を有する硫化物系リチウムイオン伝導性固体電解質ガラスの製造工程を含むことを特徴とする全固体リチウム二次電池の製造方法。
【請求項８】
前記硫化物系リチウムイオン伝導性固体電解質ガラスから生成した電解質ガラス粉末と、正極または負極のいずれかと、を加熱、圧縮することにより、電極と電解質とを一体化する第３の工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の全固体リチウム二次電池の製造方法。
【請求項９】
前記加熱を行う温度は、前記硫化物系リチウムイオン伝導性固体電解質ガラスのガラス軟化温度領域の範囲内であり、
前記加熱を行う時間は、前記硫化物系リチウムイオン伝導性固定電解質ガラスの結晶化が進行しない時間の範囲で行うことを特徴とする請求項８に記載の全固体リチウム二次電池の製造方法。
【請求項１０】
前記ガラス軟化温度領域は２００℃〜３００℃であり、
前記結晶化が進行しない時間の範囲は、５時間以内であることを特徴とする請求項９に記載の全固体リチウム二次電池の製造方法。
【請求項１１】
一体化した前記電極と前記電解質とを含む全固体リチウム二次電池素子の少なくとも一部を、軟化温度が３５０℃以下の低融点ガラスにより封止する第４の工程を備えることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の全固体リチウム二次電池の製造方法。
【請求項１２】
前記低融点ガラスは、Ｖ2Ｏ5，ＺｎＯ，ＢａＯおよびＴｅＯ2の４成分からなるガラス
であることを特徴とする請求項１１に記載の全固体リチウム二次電池の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の工程、前記第２の工程、前記第３の工程および前記第４の工程が、乾燥した不活性ガス雰囲気中で連続処理されることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の全固体リチウム二次電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明は以下の形態または適用例として実現することが可能である。
本発明の一態様の硫化物系リチウムイオン伝導性固体電解質ガラスは、α−アルミナを含む硫化物系リチウムイオン伝導性固体電解質を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月22日(2010.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部を大気圧下でウエハが搬送される大気搬送室と、この大気搬送室の前面に配置されてその上に前記ウエハが収納されたカセットが載置されるカセット台複数と、前記大気搬送室の背面側にこれと連結されて配置され平面形状が多角形状を有し減圧された内部を前記ウエハが搬送される真空搬送室と、この真空搬送室の側面に着脱可能に連結され隣り合って放射状に配置されて前記真空搬送室から内部に搬送された前記ウエハを処理する複数の真空処理ユニットと、前記真空搬送室内に配置され上下方向の軸周りの回転と前記真空処理ユニット内部への伸張またはこの内部からの収縮の動作の組み合わせにより前記ウエハを搬送する搬送ロボットとを備えた真空処理装置であって、
前記複数の真空処理ユニットを構成する複数のエッチング処理ユニットの各々が、真空容器とこの真空容器の内部に配置された円筒形状の処理室とこの真空容器の上方に配置され水平方向に延在する管路及びこの管路の一端側の下方でこれと連結された垂直方向に延在する管路を備えてその内部を前記水平方向に延在する管路の他端側から前記一端側と前記垂直方向に延在する管路とを介して前記処理室内部に供給される電界が伝播する導波管と前記処理室内部を排気する排気装置と前記処理室内部に配置されその上面にウエハが載せられる試料台とを備えたものであり、
複数の前記エッチング処理ユニットの処理室の各々が前記真空搬送室の前記多角形の辺に対応する側面の各々に連結された状態で各々のエッチング処理ユニットは前記導波管の軸が、上方から見て水平面内で所定の等しい角度だけ曲げられて配置された真空処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の真空処理装置であって、複数の前記エッチング処理ユニットの各々が前記真空搬送室の側面の各々に連結された状態で各々の前記エッチング処理ユニットは前記導波管の前記水平方向に延在する管路の前記水平方向の軸が前記搬送ロボットの前記上下方向の回転軸から前記試料台の中心軸に水平に向かう軸線に対して、上方から見て水平面内で所定の等しい角度だけ曲げられて配置された真空処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の真空処理装置であって、前記真空搬送室の前記大気搬送室との連結部側に配置され前記真空搬送容器の上蓋が回転して開閉するヒンジ部と、各々の前記エッチング処理ユニットの前記導波管の前記処理室と反対の側の端部に配置され前記電界を発振して形成する発振器及び前記導波管上に配置され前記を調節するチューナとを有し、前記導波管は前記水平方向の管路の他端側部であって前記チューナと前記発振器との間の箇所で連結され上方に延在する管路とを備えた真空処理装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の真空処理装置であって、前記真空搬送室の上蓋が前記上方に延在する管路とすき間をあけて回転して開閉される真空処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の真空処理装置であって、前記各々のエッチング処理ユニットは前記導波管が前記上下方向の軸に対して前記片寄せられた側の前記真空容器の側壁に連結されたリフターを備えた真空処理装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の真空処理装置であって、前記各々のエッチング処理ユニットの前記真空容器が直方体状の形を備え、隣り合うエッチング処理装置同士の間に使用者による保守用の空間を備えた真空処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的は、内部を大気圧下でウエハが搬送される大気搬送室と、この大気搬送室の前面に配置されてその上に前記ウエハが収納されたカセットが載置されるカセット台複数と、前記大気搬送室の背面側にこれと連結されて配置され平面形状が多角形状を有し減圧された内部を前記ウエハが搬送される真空搬送室と、この真空搬送室の側面に着脱可能に連結され隣り合って放射状に配置されて前記真空搬送室から内部に搬送された前記ウエハを処理する複数の真空処理ユニットと、前記真空搬送室内に配置され上下方向の軸周りの回転と前記真空処理ユニット内部への伸張またはこの内部からの収縮の動作の組み合わせにより前記ウエハを搬送する搬送ロボットとを備えた真空処理装置であって、前記複数の真空処理ユニットを構成する複数のエッチング処理ユニットの各々が、真空容器とこの真空容器の内部に配置された円筒形状の処理室とこの真空容器の上方に配置され水平方向に延在する管路及びこの管路の一端側の下方でこれと連結された垂直方向に延在する管路を備えてその内部を前記水平方向に延在する管路の他端側から前記一端側と前記垂直方向に延在する管路とを介して前記処理室内部に供給される電界が伝播する導波管と前記処理室内部を排気する排気装置と前記処理室内部に配置されその上面にウエハが載せられる試料台とを備えたものであり、複数の前記エッチング処理ユニットの処理室の各々が前記真空搬送室の前記多角形の辺に対応する側面の各々に連結された状態で各々のエッチング処理ユニットは前記導波管の軸が、上方から見て水平面内で所定の等しい角度だけ曲げられて配置されたことにより達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
さらに、複数の前記エッチング処理ユニットの各々が前記真空搬送室の側面の各々に連結された状態で各々の前記エッチング処理ユニットは前記導波管の前記水平方向に延在する管路の前記水平方向の軸が前記搬送ロボットの前記上下方向の回転軸から前記試料台の中心軸に水平に向かう軸線に対して、上方から見て水平面内で所定の等しい角度だけ曲げられて配置されたことにより達成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
さらにまた、前記真空搬送室の前記大気搬送室との連結部側に配置され前記真空搬送容器の上蓋が回転して開閉するヒンジ部と、各々の前記エッチング処理ユニットの前記導波管の前記処理室と反対の側の端部に配置され前記電界を発振して形成する発振器及び前記導波管上に配置され前記を調節するチューナとを有し、前記導波管は前記水平方向の管路の他端側部であって前記チューナと前記発振器との間の箇所で連結され上方に延在する管路とを備えたことにより達成される。さらにまた、前記真空搬送室の上蓋が前記上方に延在する管路とすき間をあけて回転して開閉されることにより達成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
さらにまた、前記各々のエッチング処理ユニットは前記導波管が前記上下方向の軸に対して前記片寄せられた側の前記真空容器の側壁に連結されたリフターを備えたことにより達成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
さらにまた、前記各々のエッチング処理ユニットの前記真空容器が直方体状の形を備え、隣り合うエッチング処理装置同士の間に使用者による保守用の空間を備えたことにより達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月12日(2010.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された絶縁層及び配線層を有し、一方の面とその反対側の他方の面とを有する多層配線構造体と、
前記多層配線構造体の一方の面に搭載された電子部品と、
前記多層配線構造体の他方の面に形成された放熱部材及び受動部品と、
前記多層配線構造体内に形成され、一端が前記放熱部材と熱的に接続され、他端部が前記電子部品と熱的に接続された放熱経路と、
前記多層配線構造体内に形成され、前記受動部品と前記電子部品を接続する配線と、
を有する電子装置。
【請求項２】
前記受動部品は、アンテナである請求項１記載の電子装置。
【請求項３】
前記放熱部材と前記アンテナとが、単一の金属板または金属箔から形成されている請求項２記載の電子装置。
【請求項４】
前記電子部品は、放熱用のサーマルバンプを介して前記放熱経路と熱的に接続されてなる請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子装置。
【請求項５】
前記放熱部材をグランド接続してなる請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子装置。
【請求項６】
前記放熱板と前記配線とで、マイクロストリップ線路が形成されてなる請求項５記載の電子装置。
【請求項７】
支持板上に絶縁層と配線層とを積層し、前記支持板に接する他方の面と、その反対側の一方の面とを有する多層配線構造体を形成する工程と、
前記他方の面に、前記支持板から形成した放熱部材及び受動部品を設ける工程と、
前記一方の面に、電子部品を実装する工程と、を有し、
前記多層配線構造体の形成工程時に、前記多層配線構造体内に、一端が前記放熱部材と熱的に接続され他端が前記電子部品と接続される放熱経路と、前記受動部品と前記電子部品とを接続する配線とが形成されることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項８】
前記受動部品は、アンテナである請求項７記載の電子装置の製造方法。
【請求項９】
前記支持板が金属箔または金属板からなり、前記支持板をパターニングして前記放熱部材及び前記アンテナを同時に形成する請求項８記載の電子装置の製造方法。
【請求項１０】
前記電子部品に放熱用のサーマルバンプを設け、
該サーマルバンプを前記放熱経路に熱的に接続させる請求項７乃至９のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１１】
電子部品が実装される配線基板であって、
積層された絶縁層及び配線層を有し、一方の面とその反対側の他方の面とを有する多層配線構造体と、
前記多層配線構造体の他方の面に形成された放熱部材及び受動部品と、
前記多層配線構造体内に形成され、一端が前記放熱部材と熱的に接続され、他端部が前記電子部品と熱的に接続される放熱経路と、
前記多層配線構造体内に形成され、前記受動部品と前記電子部品を接続する配線と、
を有する配線基板。
【請求項１２】
前記受動部品は、アンテナである請求項１１記載の配線基板。
【請求項１３】
前記放熱部材と前記アンテナとが、単一の金属板または金属箔から形成されている請求項１２記載の配線基板。
【請求項１４】
前記電子部品は、放熱用のサーマルバンプを介して前記放熱経路と熱的に接続されてなる請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項１５】
前記放熱部材をグランド接続してなる請求項１１乃至１４のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項１６】
前記放熱板と前記配線とで、マイクロストリップ線路が形成されてなる請求項１５記載の配線基板。
【請求項１７】
電子部品が実装される配線基板の製造方法であって、
支持板上に絶縁層と配線層とを積層し、前記支持板に接する他方の面と、その反対側の一方の面とを有する多層配線構造体を形成する工程と、
前記他方の面に、前記支持板から形成した放熱部材及び受動部品を設ける工程と、を有し、
前記多層配線構造体の形成工程時に、前記多層配線構造体内に、一端が前記放熱部材と熱的に接続され他端が前記電子部品と接続される放熱経路と、前記受動部品と前記電子部品とを接続する配線とが形成されることを特徴とする配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記の課題は、本発明の第１の観点からは、積層された絶縁層及び配線層を有し、一方の面とその反対側の他方の面とを有する多層配線構造体と、前記多層配線構造体の一方の面に搭載された電子部品と、前記多層配線構造体の他方の面に形成された放熱部材及び受動部品と、前記多層配線構造体内に形成され、一端が前記放熱部材と熱的に接続され、他端部が前記電子部品と熱的に接続された放熱経路と、前記多層配線構造体内に形成され、前記受動部品と前記電子部品を接続する配線と、を有する電子装置により解決することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記の課題は、本発明の第２の観点からは、支持板上に絶縁層と配線層とを積層し、前記支持板に接する他方の面と、その反対側の一方の面とを有する多層配線構造体を形成する工程と、前記他方の面に、前記支持板から形成した放熱部材及び受動部品を設ける工程と、前記一方の面に、電子部品を実装する工程と、を有し、前記多層配線構造体の形成工程時に、前記多層配線構造体内に、一端が前記放熱部材と熱的に接続され他端が前記電子部品と接続される放熱経路と、前記受動部品と前記電子部品とを接続する配線とが形成されることを特徴とする電子装置の製造方法により解決することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記の課題は、本発明の第３の観点からは、電子部品が実装される配線基板であって、積層された絶縁層及び配線層を有し、一方の面とその反対側の他方の面とを有する多層配線構造体と、前記多層配線構造体の他方の面に形成された放熱部材及び受動部品と、前記多層配線構造体内に形成され、一端が前記放熱部材と熱的に接続され、他端部が前記電子部品と熱的に接続される放熱経路と、前記多層配線構造体内に形成され、前記受動部品と前記電子部品を接続する配線と、を有する配線基板により解決することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記の課題は、本発明の第４の観点からは、電子部品が実装される配線基板の製造方法であって、支持板上に絶縁層と配線層とを積層し、前記支持板に接する他方の面と、その反対側の一方の面とを有する多層配線構造体を形成する工程と、前記他方の面に、前記支持板から形成した放熱部材及び受動部品を設ける工程と、を有し、前記多層配線構造体の形成工程時に、前記多層配線構造体内に、一端が前記放熱部材と熱的に接続され他端が前記電子部品と接続される放熱経路と、前記受動部品と前記電子部品とを接続する配線とが形成されることを特徴とする配線基板の製造方法により解決することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月12日(2010.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、該半導体素子を貫通して形成された貫通電極とを有した半導体装置であって、
前記半導体素子の主面に対する反対側面に、前記貫通電極に接続した受動層を無機絶縁層を介して積層してなる構成の半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子を貫通して設けられた貫通孔と、
前記貫通孔の内壁から前記反対側面上にかけて設けられた絶縁膜と、
前記貫通孔内に前記絶縁膜を介して設けられた前記貫通電極と、
前記反対側面上に前記絶縁膜を介して設けられたグランド層と、を有し、
前記グランド層上に、前記無機絶縁層を介して前記受動層としてのアンテナが形成されてなる請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記無機絶縁層は、SiO2又はSiNである請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記受動層は、パッチアンテナ、逆Ｆ型アンテナ、及びダイポールアンテナの群から選ばれる少なくともひとつのアンテナである請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体素子の主面に再配線が形成されてなる請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体基板に貫通孔を形成する工程と、
該貫通孔内に貫通電極を形成する工程と、
前記半導体基板の主面に対する反対側面に無機絶縁層を形成する工程と、
前記無機絶縁層上に受動層を形成する工程と、
前記半導体基板を切断して個片化し、半導体装置を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体基板に貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔の内壁から、前記半導体基板の主面に対する反対側面上にかけて絶縁膜を形成する工程と、
前記貫通孔内に前記絶縁膜を介して貫通電極を形成する工程と、
前記反対側面上にグランド層を形成する工程と、
前記反対側面上に無機絶縁層を形成する工程と、
前記グランド層上に、前記無機絶縁層を介して受動層としてのアンテナを形成する工程と、
前記半導体基板を切断して個片化し、半導体装置を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記無機絶縁層をSiO2又はSiNで形成する請求項６又は７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記半導体基板の主面に、前記貫通電極と電気的に接続される外部接続端子を形成する工程を更に有する請求項６乃至８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また上記の課題は、本発明の第２の観点からは、半導体基板に貫通孔を形成する工程と、該貫通孔内に貫通電極を形成する工程と、前記半導体基板の主面に対する反対側面に無機絶縁層を形成する工程と、前記無機絶縁層上に受動層を形成する工程と、前記半導体基板を切断して個片化し、半導体装置を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法により解決することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また上記の課題は、本発明の第３の観点からは、半導体基板に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔の内壁から、前記半導体基板の主面に対する反対側面上にかけて絶縁膜を形成する工程と、前記貫通孔内に前記絶縁膜を介して貫通電極を形成する工程と、前記反対側面上にグランド層を形成する工程と、前記反対側面上に無機絶縁層を形成する工程と、前記グランド層上に、前記無機絶縁層を介して受動層としてのアンテナを形成する工程と、前記半導体基板を切断して個片化し、半導体装置を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法により解決することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月15日(2010.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版のパターンを基板に投影する投影光学系を有する露光装置であって、
前記投影光学系は、
前記原版と前記基板との間の光路中に前記原版の側から順に配置された第１凹面ミラー、凸面ミラー、第２凹面ミラーと、
前記第１凹面ミラーおよび前記第２凹面ミラーを支持する支持機構とを備え、
前記第１凹面ミラーの反射面と前記凸面ミラーの反射面との距離が前記第２凹面ミラーの反射面と前記凸面ミラーの反射面との距離と異なり、
前記支持機構は、上部部材、中段部材、下部部材およびそれらの端部を連結する側部部材を含む棚形状の枠体を含み、前記第１凹面ミラーは、前記上部部材および前記中段部材によって支持され、前記第２凹面ミラーは、前記下部部材によって支持されている、
ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記第２凹面ミラーは、前記下部部材のほか、前記中段部材によって支持されている、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記第２凹面ミラーは、前記下部部材によってその下部が支持されるとともに、前記下部部材から延びた部分を含む支持部材によってその上部が支持される、ことを特徴とする請求項１に記載に露光装置。
【請求項４】
前記第１凹面ミラーは、前記上部部材に固定された支持部材および前記中段部材に固定された支持部材を介して前記上部部材および前記中段部材によって支持され、前記第２凹面ミラーは、前記下部部材に固定された下部支持体を介して前記下部部材によって支持されている、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記第１凹面ミラーの曲率中心、前記凸面ミラーの曲率中心および前記第２凹面ミラーの曲率中心を結ぶ軸が水平である、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記投影光学系は、屈折光学系を更に含む、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
デバイス製造方法であって、
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
該基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月7日(2010.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の上に絶縁膜を形成する方法であって、前記絶縁膜は金属シリケート膜を含んでなり、前記方法は、
前記シリコン基板の表層部を酸化してシリコン酸化膜を形成する第１の工程と、
前記シリコン酸化膜の表面にイオンを照射して前記シリコン酸化膜の表層部をＳｉ−Ｏ結合の切断された結合欠陥が生じている反応促進層とする第２の工程と、
非酸化性雰囲気中において前記反応促進層の上に金属膜を堆積する第３の工程と、
前記金属膜を酸化すると共に前記金属膜から前記シリコン酸化膜へと金属を拡散させ金属シリケート膜を形成する第４の工程と、
を含むことを特徴とする絶縁膜の形成方法。
【請求項２】
前記第４の工程の後、更に前記金属シリケート膜を窒化する第５の工程を有することを特徴とする、請求項１に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項３】
前記第５の工程の窒化はラジカル窒化によりなされることを特徴とする、請求項２に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項４】
前記イオンの入射エネルギーは、２ｅＶ以上且つ２０ｅＶ以下であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項５】
前記イオンは希ガスイオンまたは窒素、酸素もしくはそれらの化合物のイオンであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項６】
前記第３の工程はスパッタによりなされることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項７】
前記第２の工程により、前記反応促進層が金属シリケート膜とされることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項８】
前記第４の工程の酸化はラジカル酸化によりなされることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の絶縁膜の形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月8日(2011.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１元素の酸化物と、
前記第１元素の酸化物に添加される第２元素と、
前記第１元素の酸化物に添加される第３元素と
を含み、
前記第１元素の酸化物は、光透過性を有し、
前記第２元素が酸素と結合する間隔は、前記第１元素が酸素と結合する間隔よりも小さく、
前記第３元素が酸素と結合する間隔は、前記第１元素が酸素と結合する間隔よりも大きい
ことを特徴とする透明導電膜。
【請求項２】
前記第１元素の酸化物は、酸化亜鉛である
ことを特徴とする請求項１に記載の透明導電膜。
【請求項３】
前記第２元素は、ボロンであり、
前記第３元素は、ガリウムである
ことを特徴とする請求項１に記載の透明導電膜。
【請求項４】
光透過性及び絶縁性を有する基板と、
前記基板上に形成される受光面電極層と、
前記受光面電極層上に設けられ、受光により光生成キャリアを生成する光電変換層と、
前記光電変換層上に形成される透明導電膜と、
前記透明導電膜上に形成され、金属材料からなる裏面電極層と、
を備え、
前記透明導電膜は、
第１元素の酸化物と、
前記第１元素の酸化物に添加される第２元素と、
前記第１元素の酸化物に添加される第３元素と
を含み、
前記第１元素の酸化物は、光透過性を有し、
前記第２元素が酸素と結合する間隔は、前記第１元素が酸素と結合する間隔よりも小さく、
前記第３元素が酸素と結合する間隔は、前記第１元素が酸素と結合する間隔よりも大きい
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項５】
光透過性及び絶縁性を有する基板と、
前記基板上に形成される受光面電極層と、
前記受光面電極層上に設けられ、受光により光生成キャリアを生成する光電変換層と、
を備え、
前記受光面電極層は、
第１元素の酸化物と、
前記第１元素の酸化物に添加される第２元素と、
前記第１元素の酸化物に添加される第３元素と
を含み、
前記第１元素の酸化物は、光透過性を有し、
前記第２元素が酸素と結合する間隔は、前記第１元素が酸素と結合する間隔よりも小さく、
前記第３元素が酸素と結合する間隔は、前記第１元素が酸素と結合する間隔よりも大きい
ことを特徴とする太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月14日(2010.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録装置であって、
ディスク状記録媒体に信号を記録する記録手段と、
前記ディスク状記録媒体に信号の記録を開始する直前の所定期間と記録開始後の期間において、前記記録装置の動作状態に基づいて前記記録手段による記録を中止するか否かを制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記所定期間において前記記録手段による記録を中止するための条件と、前記記録開始後の期間において前記記録手段による記録を中止するための条件とを異ならせて設定することを特徴とする記録装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記所定期間においては、前記記録開始後の期間よりも記録中止と判断しやすくなるように前記条件を設定することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
前記ディスク状記録媒体に形成されたトラックの蛇行周期に応じたウォブル信号を生成し、前記ウォブル信号に同期したクロックを生成するクロック生成手段と、
前記ウォブル信号と前記クロックとの位相差を、第１の閾値及び前記第１の閾値よりも大きい第２の閾値と比較した比較結果をそれぞれ示す複数の位相差検知信号を出力する位相差検出手段とを備え、
前記制御手段は、前記所定期間においては前記位相差と前記第１の閾値との比較結果を示す位相差検知信号に基づいて前記記録手段による記録を中止するか否かを判断し、前記記録開始後の期間においては前記位相差と前記第２の閾値との比較結果を示す位相差検知信号に基づいて前記記録手段による記録を中止するか否かを判断することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項４】
前記ディスク状記録媒体に形成されたトラックと前記記録手段との間のトラッキングずれ量を検出し、前記トラッキングずれ量を第１の閾値及び前記第１の閾値よりも大きい第２の閾値と比較した比較結果をそれぞれ示す複数のトラッキングエラー検知信号を出力するトラッキングエラー検知手段を備え、
前記制御手段は、前記所定期間においては前記トラッキングずれ量と前記第１の閾値との比較結果を示すトラッキングエラー検知信号に基づいて前記記録手段による記録を中止するか否かを判断し、前記記録開始後の期間においては前記トラッキングずれ量と前記第２の閾値との比較結果を示すトラッキングエラー検知信号に基づいて前記記録手段による記録を中止するか否かを判断することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項５】
前記記録手段は前記ディスク状記録媒体に対して光ビームを照射するピックアップを有し、
前記ディスク状記録媒体に対する前記光ビームのフォーカスずれ量を検出し、前記フォーカスずれ量を第１の閾値及び前記第１の閾値よりも大きい第２の閾値と比較した比較結果をそれぞれ示す複数のフォーカスエラー検知信号を出力するフォーカスエラー検知手段を備え、
前記制御手段は、前記所定期間においては前記フォーカスずれ量と前記第１の閾値との比較結果を示すフォーカスエラー検知信号に基づいて前記記録手段による記録を中止するか否かを判断し、前記記録開始後の期間においては前記フォーカスずれ量と前記第２の閾値との比較結果を示すフォーカスエラー検知信号に基づいて前記記録手段による記録を中止するか否かを判断することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項６】
前記記録装置の振動を検出し、前記振動を第１の閾値及び前記第１の閾値よりも大きい第２の閾値と比較した比較結果をそれぞれ示す複数の振動検知信号を出力する振動検知手段を備え、
前記制御手段は、前記所定期間においては前記振動と前記第１の閾値との比較結果を示す振動検知信号に基づいて前記記録手段による記録を中止するか否かを判断し、前記記録開始後の期間においては前記振動と前記第２の閾値との比較結果を示す振動検知信号に基づいて前記記録手段による記録を中止するか否かを判断することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記録装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は記録装置に関し、特に、ランダムアクセス可能な記録媒体に情報を記録する際に、安定した記録動作を可能にするために用いて好適な技術に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の記録装置は、記録装置であって、ディスク状記録媒体に信号を記録する記録手段と、前記ディスク状記録媒体に信号の記録を開始する直前の所定期間と記録開始後の期間において、前記記録装置の動作状態に基づいて前記記録手段による記録を中止するか否かを制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記所定期間において前記記録手段による記録を中止するための条件と、前記記録開始後の期間において前記記録手段による記録を中止するための条件とを異ならせて設定することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月28日(2011.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル映像音声信号からなるデータ信号が格納されたＭＰＥＧ−２システムに規定された１８８バイト固定長であるトランスポートストリームパケットのヘッダの直前に時間情報のみからなるデータを付加するタイムスタンプ付加手段と、
前記タイムスタンプ付加手段により前記時刻情報が付加された複数の前記トランスポートストリームパケットからなるブロックに頭出し再生のためのデータ開始符号を付加するデータ開始符号付加手段と、
前記データ開始符号の付加された前記ブロックのデータを記録媒体に記録する記録手段とを備えたことを特徴とするデータ信号記録装置。
【請求項２】
デジタル映像音声信号からなるデータ信号が格納されたＭＰＥＧ−２システムに規定された１８８バイト固定長であるトランスポートストリームパケットと、前記トランスポートストリームパケットのヘッダの直前に付された時間情報のみからなる付加データと、前記トランスポートストリームパケットと前記付加データとを複数有するブロックに付加されたデータ開始符号とからなるデータ列を再生するデータ信号再生装置であって、
前記データ開始符号が頭出し再生に用いられることを特徴とするデータ信号再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この発明に係るデータ信号記録装置は、デジタル映像音声信号からなるデータ信号が格納されたＭＰＥＧ−２システムに規定された１８８バイト固定長であるトランスポートストリームパケットのヘッダの直前に時間情報のみからなるデータを付加するタイムスタンプ付加手段と、タイムスタンプ付加手段により時刻情報が付加された複数のトランスポートストリームパケットからなるブロックに頭出し再生のためのデータ開始符号を付加するデータ開始符号付加手段と、データ開始符号の付加されたブロックのデータを記録媒体に記録する記録手段とを備えたものである。