【手続補正書】
【提出日】平成23年2月3日(2011.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
［０００１］方向からゼロでない角度でオフカットされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ（０００１）表面と、
【数１】
2011006319.tif 000001
方向からゼロでない角度でオフカットされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ
【数２】
2011006319.tif 000002
表面と、を含む、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板。
【請求項２】
前記（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ（０００１）表面が、前記［０００１］方向から、主に前記
【数３】
2011006319.tif 000003
からなる群から選択される方向に主に向かってオフカットされている、請求項１に記載の（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板。
【請求項３】
前記（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ（０００１）表面が、主に前記
【数４】
2011006319.tif 000004
方向に向かってオフカットされている、請求項１に記載の（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板。
【請求項４】
前記（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ（０００１）表面が、主に前記
【数５】
2011006319.tif 000005
方向に向かってオフカットされている、請求項１に記載の（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板。
【請求項５】
前記（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ（０００１）表面が、［０００１］方向から約０．２〜約１０度の範囲のオフカット角度でオフカットされており、前記（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ
【数６】
2011006319.tif 000006
表面が、前記［０００１］方向から約０．２〜約１０度の範囲のオフカット角度でオフカットされている、請求項１に記載の（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板。
【請求項６】
前記オフカットされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ（０００１）表面及び前記オフカットされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ
【数７】
2011006319.tif 000007
表面のそれぞれが、同じ大きさのオフカットを有する、請求項１に記載の（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板。
【請求項７】
前記オフカットされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ（０００１）表面が、前記オフカットされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ
【数８】
2011006319.tif 000008
表面と平行である、請求項１に記載の（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板。
【請求項８】
前記オフカットされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ（０００１）表面が、５０×５０μｍ2ＡＦＭ走査により測定された０．９ｎｍ未満のＲＭＳ粗さを有する、請求項１に記載の（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板。
【請求項９】
前記オフカットされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ（０００１）表面が、１Ｅ６ｃｍ-2未満の転移密度を有する、請求項１に記載の（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板。
【請求項１０】
前記オフカットされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ（０００１）表面が、５Ｅ５ｃｍ-2未満の転移密度を有する、請求項１に記載の（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板。
【請求項１１】
前記オフカットされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ（０００１）表面が、５０×５０μｍ2ＡＦＭ走査により測定された１ｎｍ未満のＲＭＳ粗さを有し、かつ３Ｅ６ｃｍ-2未満の転移密度を有する、請求項１に記載の（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板。
【請求項１２】
前記オフカットされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ（０００１）表面が、ラッピング、研磨又は化学機械研磨されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板。
【請求項１３】
前記（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ（０００１）表面が、前記［０００１］方向から、主に
【数９】
2011006319.tif 000009
からなる群から選択される方向に主に向かって、約２．５〜約１０度のオフカット角度でオフカットされており、前記オフカットされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ（０００１）表面が、５０×５０μｍ2ＡＦＭ走査により測定された１ｎｍ未満のＲＭＳ粗さを有し、かつ３Ｅ６ｃｍ-2未満の転移密度を有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板と、前記表面上に蒸着したホモエピタキシャル（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層を含む超小型電子または光電子デバイス構造とを備える、超小型電子または光電子デバイス物品。
【請求項１５】
［０００１］方向から約０．２〜約１０度の範囲のオフカット角度でオフカットされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ（０００１）表面と、
【数１０】
2011006319.tif 000010
方向から約０．２〜約１０度の範囲のオフカット角度でオフカットされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ
【数１１】
2011006319.tif 000011
表面と、を含み、
前記（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ（０００１）表面は、＜０００１＞方向から、
【数１２】
2011006319.tif 000012
からなる群から選択される方向に主に向かってオフカットされている、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板。
【請求項１６】
前記オフカットされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ（０００１）表面が、５０×５０μｍ2ＡＦＭ走査により測定された１ｎｍ未満のＲＭＳ粗さを有し、かつ３Ｅ６ｃｍ-2未満の転移密度を有する、請求項１５に記載の（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板。
【請求項１７】
前記オフカットされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ（０００１）表面が、前記オフカットされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ
【数１３】
2011006319.tif 000013
表面と平行である、請求項１５に記載の（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板。
【請求項１８】
前記オフカットされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ（０００１）表面が、前記オフカットされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ
【数１４】
2011006319.tif 000014
表面と同じ大きさのオフカットを有する、請求項１５に記載の（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板。
【請求項１９】
前記オフカットされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ（０００１）表面が、ラッピング、研磨又は化学機械研磨されている、請求項１５に記載の（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板。
【請求項２０】
請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板と、前記表面上に蒸着したホモエピタキシャル（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層を含む超小型電子または光電子デバイス構造とを備える、超小型電子または光電子デバイス物品。
【請求項２１】
請求項１〜７のいずれか１項又は請求項１５に記載の（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ基板を作製する方法であって、
（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎウェハをその第１の面に沿って表面処理して、くさび構造を有する（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎウェハを作製することと、
前記くさび構造を有する（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎウェハをその第２の面に沿って表面処理してウエッジ構造を変えることと、を含み、
前記第１及び第２の表面処理するステップの後に、前記（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎウェハの前記第１の面が、前記（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ格子ｃ面から離れるように傾斜し、前記（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎウェハの前記第２の面が前記（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ格子ｃ面から離れるように傾斜する方法。
【請求項２２】
前記第１及び第２のラッピング工程の後に、下記のいずれかの条件を満足する、請求項２１に記載の方法。
前記（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎウェハの前記第１の面が前記（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎウェハの第２の面と平行であること；及び
前記オフカットされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ（０００１）面及び前記オフカットされた（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ
【数１５】
2011006319.tif 000015
表面のそれぞれが同じ大きさのオフカットを有すること。
【請求項２３】
＜０００１＞方向から、
【数１６】
2011006319.tif 000016
±５度、または
【数１７】
2011006319.tif 000017
±５度の方向に向かって２．５〜８度の範囲のオフカット角度でオフカットされたＧａＮ（０００１）表面を含み、前記表面が、研磨および化学機械研磨からなる群から選択される少なくとも１つにより仕上げられ、かつ、５０×５０μｍ2ＡＦＭ走査により測定された１ｎｍ未満のＲＭＳ粗さを有するＧａＮ基板。
【請求項２４】
前記ＧａＮ（０００１）表面が、前記＜０００１＞方向から、前記
【数１８】
2011006319.tif 000018
±５度の方向に向かってオフカットされている、請求項２３に記載のＧａＮ基板。
【請求項２５】
前記ＧａＮ（０００１）表面が、前記＜０００１＞方向から、前記
【数１９】
2011006319.tif 000019
±５度の方向に向かってオフカットされている、請求項２３に記載のＧａＮ基板。
【請求項２６】
前記ＧａＮ（０００１）表面が、５〜８度の範囲のオフカット角度でオフカットされている、請求項２３〜２５のいずれか一項に記載のＧａＮ基板。
【請求項２７】
前記表面が、５０×５０μｍ2ＡＦＭ走査により測定された０．９ｎｍ未満のＲＭＳ粗
さを有する、請求項２３〜２６のいずれか一項に記載のＧａＮ基板。
【請求項２８】
前記表面が、５０×５０μｍ2ＡＦＭ走査により測定された０．５ｎｍ未満のＲＭＳ粗さを有する、請求項２３〜２６のいずれか一項に記載のＧａＮ基板。
【請求項２９】
前記表面が機械研磨および化学機械研磨の少なくとも１つにより研磨されて、前記基板がエピタキシ対応にされる、請求項２３〜２８のいずれか一項に記載のＧａＮ基板。
【請求項３０】
前記表面が、３Ｅ６ｃｍ-2未満の転位密度を有する、請求項２３〜２９のいずれか一項に記載のＧａＮ基板。
【請求項３１】
前記表面が、１Ｅ６ｃｍ-2未満の転移密度を有する、請求項２３〜２９のいずれか一項に記載のＧａＮ基板。
【請求項３２】
前記表面が、５Ｅ５ｃｍ-2未満の転移密度を有する、請求項２３〜２９のいずれか一項に記載のＧａＮ基板。
【請求項３３】
請求項２３〜３２のいずれか一項に記載のＧａＮ基板と、前記表面上に蒸着したホモエピタキシャルＧａＮ層を含む超小型電子または光電子デバイス構造とを備える、超小型電子または光電子デバイス物品。
【請求項３４】
前記超小型電子または光電子デバイス構造がレーザダイオードと、発光デバイスと、トランジスタと、ダイオードと検出器とからなる群から選択されるデバイスを備える、請求項３３に記載の超小型電子または光電子デバイス物品。
【請求項３５】
前記超小型電子または光電子デバイス構造が、青色以下の波長のレーザダイオード、またはＨＥＭＴデバイスを備える、請求項３３に記載の超小型電子または光電子デバイス物品。