【手続補正書】
【提出日】平成23年6月3日(2011.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をエッチングして微視的構造を形成する方法であって、
集束ビームが前駆ガスを分解することによりビームの衝突地点近傍にマスク材料を堆積するか、または、前記ビームの前記衝突地点近傍の前記マスク材料をエッチングすることによって前記マスク材料の既存の層をパターン化する集束ビーム法を用いて、前記基板の表面の１つまたは複数の部分上に保護マスクを形成することと、
前記基板と接触したときに非マスク部分を化学的にエッチングするのに十分なエネルギーを有するが、前記マスク部分を実質的にスパッタリングするにはエネルギーが不十分であるイオン化粒子ビームを、プラズマ源からイオン光学カラムを通してサンプルの方に誘導して前記基板の非マスク部分を選択的にエッチングすることにより前記基板に構造を形成することと、
前記表面と接触したときに前記マスク部分を化学的にエッチングするのに十分なエネルギーを有するが、前記非マスク部分をスパッタリングするにはエネルギーが不十分である第２のイオン化粒子ビームを誘導して、前記基板材料を実質的にエッチングすることなく前記マスク材料を選択的にエッチングすることにより前記マスク材料を除去することとを含む、方法。
【請求項２】
イオン化粒子ビームをプラズマ源からイオン光学カラムを通して前記サンプルの方に誘導して前記基板の非マスク部分を選択的にエッチングすることにより前記基板に構造体を形成することが、前記保護マスク材料の少なくとも一部を残したままで、イオン化粒子ビームを誘導して構造体の形成を本質的に完成させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
イオン化粒子ビームをプラズマ源からイオン光学カラムを通して前記サンプルの方に誘導して基板の非マスク部分を選択的にエッチングすることにより前記基板に構造体を形成することが、中性粒子が前記プラズマ源から前記基板に達するのを阻止することを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
保護マスクを形成することが、荷電粒子ビームを前記基板の前記表面の１つまたは複数の部分の方に誘導することを含み、前記基板に構造体を形成することが、差動ポンプ式イオン・カラムを通して、前記基板に衝突する中性粒子数を低減させるためにビームを誘導することを含む、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
基板をエッチングして微視的構造を形成する方法であって、
パターンを形成し、前記基板の非マスク領域を残す保護マスクを前記基板の表面の１つまたは複数の部分上に形成することと、
プラズマ・チャンバ内でイオンを発生させることと、
基板から材料を著しくスパッタリングするには前記基板表面におけるランディング・エネルギーが不十分であるイオンを、前記プラズマ・チャンバから前記ビーム内に形成することと、
イオン化粒子ビームを前記プラズマ・チャンバからイオン光学カラムを通して前記基板の方に誘導して前記基板の非マスク部分を選択的にエッチングすることであり、前記イオン化粒子ビームを形成するイオン光学素子を含み、かつ、前記イオンが化学反応を誘起して、マスク領域から材料をあまり除去せず、前記非マスク領域から基板材料を選択的に除去することとを含む、方法。
【請求項６】
前記イオン化粒子ビームを前記プラズマ・チャンバから誘導することが、中性粒子が前記基板に到達する前に前記プラズマ・チャンバを出てくる前記中性粒子を除去することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記イオン化粒子ビームを誘導することが、前記マスク領域よりも小さいが、複数の孔を非マスク領域に形成するには十分に大きい径を有するビームを誘導することを含む、請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
前記ビーム中の前記イオン化粒子が、サンプル表面と接触したときに前記ビーム中の前記イオン化粒子を解離させるのに十分なエネルギーを有する、請求項５〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記ビーム中の前記イオン化粒子が１０ｅＶから５００ｅＶの範囲のエネルギーを有する、請求項５〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記ビームがコリメートされる、請求項５〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記ビームが収束性である、請求項５〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記ビームが前記基板表面の前記非マスク領域にわたって実質的に均一なイオン・フラックスを有する、請求項５〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
イオン化粒子ビームをプラズマ源から誘導することが、試料チャンバ内の中性ガス分子の濃度を最小化するように、前記イオン化粒子を差動ポンプ式イオン光学カラムを通して誘導することを含む、請求項５〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
サンプル基板材料よりも保護マスク材料をより迅速に選択的にエッチングする第２のビームをサンプルの方に誘導することをさらに含む、請求項５〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
化学的エッチング、物理的スパッタリング、または化学的エッチングと物理的スパッタリングとの組合せを用いて保護マスク材料および基板材料の両方をエッチングする第２のビームを前記サンプルの方に誘導することをさらに含む、請求項５〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
集束ビーム法を用いて前記基板の表面の１つまたは複数の部分上に保護マスクを形成することが、ガスを１つまたは複数の部分の方に誘導しながら荷電粒子ビームを前記１つまたは複数の部分の方に誘導することであって、前記荷電粒子ビームは前記ガスを分解して保護層を堆積させることを含む、請求項５〜１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
荷電粒子ビームを前記１つまたは複数の部分の方に誘導することが、電子ビームを誘導することを含む、請求項５〜１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
荷電粒子ビームを前記１つまたは複数の部分の方に誘導することが、イオン・ビームを誘導することを含む、請求項５〜１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
荷電粒子ビームを前記１つまたは複数の部分の方に誘導することが、レーザ・ビームを誘導することを含む、請求項５〜１６のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
プラズマ・チャンバ内でイオンを発生させることが、磁気強化型誘導結合プラズマ・イオン源においてイオンを発生させることを含む、請求項５〜１６のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
前記基板の表面の１つまたは複数の部分上に保護マスクを形成することが、前記表面上にマスク材料を塗布することと、続いて、集束ビーム法を用いて、前記１つまたは複数の部分以外の表面領域から前記マスク材料を除去することとを含む、請求項５〜２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
イオン化粒子ビームを誘導して前記サンプルの非マスク部分を選択的にエッチングすることが、平均の前記イオン・エネルギーが前記サンプルから材料をスパッタリングするのに必要なエネルギー未満であるコリメートされたイオン・ビームを誘導することを含む、請求項５〜１０、１２〜２１のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
前記プラズマ・チャンバからイオン化粒子ビームを誘導して前記サンプルの非マスク部分を選択的にエッチングすることが、平均の前記イオン・エネルギーが５００ｅＶ未満であるコリメートされたイオン・ビームを誘導することを含む、請求項５〜９、１２〜２１のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】
基板をエッチングして微視的構造を形成する装置であって、
ガス注入システムと、
ビームの衝突地点近傍のサンプルの方にガスを誘導してマスク材料をあるパターンで前記表面上に堆積させるようにプログラムされた、微細ビームを発生させるビーム発生カラムを含む第１のシステムと、
プラズマ・チャンバと、前記プラズマ・チャンバからのイオンをビームに集束またはコリメートすることによりイオン・ビームを形成する１つまたは複数のレンズを有する、前記プラズマ・チャンバから前記イオンを受け取るイオン・カラムとを含む第２のシステムと、
表面と化学反応するには十分であるが、表面をスパッタリングするには不十分なエネルギーをイオンに与えるためにある電圧に維持された、１つまたは複数の加速電極とを備える、装置。
【請求項２５】
前記第１のシステムが電子ビーム・システム、集束イオン・ビーム・システム、またはレーザ・システムを含む、請求項２４に記載の装置。