Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月20日(2009.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硫黄含有量が低く、かつ、オレフィン含有量が制御されたガソリンを製造する方法であって、
・  仕込原料中に存在するオレフィンのオリゴマー化を引き起こし得る条件下に、１分子当たり３〜６個の炭素原子を含有する炭化水素を主として含有するガソリンを酸触媒と接触させて、分枝オレフィンガソリンを生じさせることからなる第１工程i）と、
・  工程i）において生じさせられた分枝オレフィンガソリンを、硫黄およびオレフィンを豊富に含むガソリンと混合することからなる工程ii）と、
・  水素の存在下に水素化脱硫触媒上で前記のようにして構成された混合物を処理して、仕込原料中に存在する硫黄をＨ２Ｓに転換し、オレフィンを少なくとも部分的に水素化する工程iii）と、
・  形成されたＨ２Ｓを分離する工程iv）と
を少なくとも包含する、方法。
【請求項２】
工程i）において得られた分枝オレフィンガソリンは蒸留されて、１分子当たり５〜１２個の炭素原子を含有する炭化水素を主として含有する留分が回収される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程i）において処理されるガソリンは、前記工程の前に予備処理工程を経て、多不飽和化合物、硫黄含有化合物および窒素含有化合物の量が低減させられる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
工程i）において処理されるガソリンは、１００ｐｐｍ未満、好ましくは５０ｐｐｍ未満のチオールまたはスルフィドの形態の硫黄を含む、請求項１〜３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項５】
工程i）において用いられる触媒は、シリカ上のリン酸、ポリマー（イオン交換樹脂等）上のスルホン酸等の担持無機酸、アルミナ、無定形シリカアルミナまたはゼオライト等の鉱物酸化物によって構成される群から選択される酸触媒である、請求項１〜４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項６】
用いられる酸触媒は、無定形シリカアルミナタイプのものであり、０．５ｎｍ超の平均細孔径を有する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
用いられる酸触媒は、イオン交換樹脂である、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
水素化脱硫工程iii）は、２２０〜３５０℃の温度、０．１〜５ＭＰａの圧力、０．５〜２０ｈ−１の空間速度、５０〜８００リットル／リットルの脱硫されるべきガソリンの流量に対する水素の流量の比で行われる、請求項１〜７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項９】
水素化脱硫触媒は、少なくとも１種の第VIII族元素および少なくとも１種の第VIB族元素を多孔質担体上に担持されて含む、請求項１〜８のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１０】
酸化物として表される、第VIII族元素の量は、０．５〜１５重量％であり、第VIB族元素の量は、１．５〜６０重量％である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記担体はアルミナを含み、２００ｍ２／ｇ未満の比表面積を有する、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
第VIB族金属の表面密度は、担体の面積（ｍ２）当たり金属の酸化物２×１０−４〜４０×１０−４グラムである、請求項９〜１１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１３】
水素化脱硫触媒は、硫化工程を経た後に、処理されるべき仕込原料と接触させられる、請求項９〜１２のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１４】
水素化脱硫の終了工程が、工程iii）と工程iv）の間に入れられる、請求項１〜１３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１５】
前記終了工程において用いられる触媒は、第VIII族元素から選択され、多孔質担体上に担持される少なくとも１種の元素を含む触媒である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記終了工程において用いられる触媒は、第１の水素化脱硫触媒の触媒活性の１〜７０％の触媒活性を有する、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月3日(2009.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乾癬を治療する方法において使用するための、有効量のプロピオン酸クロベタゾールを有する組成物であって、前記方法は、乾癬に罹患した皮膚に前記組成物をスプレーする工程を有するものであり、前記組成物は、少なくとも４週間、前記罹患した皮膚に毎日スプレーされるものである
ことを特徴とする組成物。
【請求項２】
請求項１記載の組成物において、この組成物は、亜鉛ピリチオンを含まないものである。
【請求項３】
請求項１又は２記載の組成物において、この組成物は、少なくとも４週間、毎日２回スプレーされるものである。
【請求項４】
請求項１、２又は３記載の組成物において、この組成物は、溶媒化合物と皮膚軟化剤とを含有する基剤を有するものである。
【請求項５】
請求項４記載の組成物において、前記皮膚軟化剤は、ミリスチン酸イソプロピルである。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか記載の組成物において、前記組成物は、０．００５重量％〜１重量％のクロベタゾールを有するものである。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか記載の組成物において、前記溶媒化合物は、エチルアルコールである。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか記載の組成物において、この組成物は、エチルアルコールと、ミリスチン酸イソプロピルと、ラウリル硫酸ナトリウムとを有するものである。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか記載の組成物において、前記基剤は、溶媒化合物と皮膚軟化剤化合物とを５：１〜１：５の重量比で、好ましくは、３：１〜１：３の重量比で有するものである。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか記載の組成物において、この組成物は、前記皮膚にスプレーされた後に、前記皮膚に付着したままにされるか、若しくは前記皮膚に塗り込まれるものである。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか記載の組成物において、この組成物は、陰イオン界面活性剤と少なくとも１つの溶媒化合物とを有するものである。
【請求項１２】
プロピオン酸クロベタゾールと、アルコールと、ミリスチン酸イソプロピルと、陰イオン性界面活性剤とを有する薬学的組成物であって、この薬学的組成物は亜鉛ピリチオンを含まないものである
ことを特徴とする、薬学的組成物。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか記載の組成物において、この組成物は、ウンデシレン酸を有するものである。
【請求項１４】
請求項１１〜１３のいずれか１つに記載の組成物において、前記陰イオン界面活性剤は、ラウリル硫酸ナトリウムである。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか記載の組成物において、この組成物は、約０．０５重量％のプロピオン酸クロベタゾールを有するものである。
【請求項１６】
請求項１〜３又は５のいずれか１つに記載の組成物において、この組成物は、乾癬を治療する医療品の製剤のための、プロピオン酸クロベタゾールと陰イオン性界面活性剤とアルコールと皮膚軟化剤とを有するものであり、乾癬に罹患した皮膚に少なくとも４週間毎日スプレーされるものである。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか記載の組成物において、この組成物は、非発泡性溶液である。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか記載の組成物において、この組成物は、０．０５重量％のプロピオン酸クロベタゾールと、４９．２５重量％の９２．８％エタノールと、５０．３０重量％のミリスチン酸イソプロピルと、０．１重量％のラウリル硫酸ナトリウムとを有するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
Ｇｏｔｔｌｉｅｂ  ｅｔ  ａｌ、Ｊ．Ｃｕｔａｎｅｏｕｓ  Ｍｅｄ．Ｓｕｒｇ．、７（
３）：１８５−１９２（２００３）では、頭皮乾癬の治療においてプロピオン酸クロベタ
ゾール液剤と同程度に有効なプロピオン酸クロベタゾールの泡状組成物について開示され
ており、この泡状組成物が、２週間の非頭皮乾癬治療において同程度の軟膏剤、ゲル剤、
またはクリーム剤より優れていると判断されたことも説明されている。Ｇｏｔｔｌｉｅｂ
の治療は、全身的および局所的な悪影響を懸念して２週間に限定されていた。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
【特許文献１】米国特許第５，９７２，９２０号明細書
【特許文献２】米国特許第５，９９０，１００号明細書
【特許文献３】米国特許第５，８８６，０３８号明細書
【特許文献４】米国特許第６，５７９，５１２号明細書
【非特許文献１】ＧＯＴＴＬＩＥＢ，ＡＢ，ｅｔ  ａｌ，"Ｔｈｅ  Ｅｆｆｉｃａｃｙ  ａｎｄ  Ｔｏｌｅｒａｂｉｌｉｔｙ  ｏｆ  Ｃｌｏｂｅｔａｓｏｌ  Ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ  Ｆｏａｍ  ０．０５％．．．"．Ｊ．Ｃｕｔａｎｅｏｕｓ  Ｍｅｄ．&Ｓｕｒｇ．，１８５−１９２（２００３）
【非特許文献２】ＣＯＬＥ，ＺＡ，ｅｔ  ａｌ，"Ｉｎｈｉｂｉｔｉｏｎ  ｂｙ  Ｇｌｕｃｏｃｏｒｔｉｃｏｉｄｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｍａｓｔ  Ｃｅｌｌ−ｄｅｐｅｎｄａｎｔ  Ｗｅａｌ  ａｎｄ  Ｆｌａｒｅ  Ｒｅｓｐｏｎｓｅ  ｉｎ  Ｈｕｍａｎ  Ｓｋｉｎ  ｉｎ  ｖｉｖｏ"．Ｂｒｉｔｉｓｈ  Ｊ．Ｐｈａｒｍａｃｏｌｏｇｙ，１３２：２８６−２９２（２００１）
【非特許文献３】ＰＤＲ  Ｅｎｔｒｙ  ｆｏｒ  Ｏｌｕｘ  Ｆｏａｍ，  Ｄｒｕｇ  Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ  Ｏｎｌｉｎｅ  （Ｄｒｕｇｓ．ｃｏｍ）．２００４
【非特許文献４】ＧＡＬＤＥＲＭＡ  ＬＡＢＯＲＡＴＯＲＩＥＳ，Ｃｌｏｂｅｘ  （ｃｌｏｂｅｔａｓｏｌ  ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ）  Ｓｐｒａｙ  ０．０５％  Ｐａｃｋａｇｅ  Ｉｎｓｅｒｔ  （２００４）
【非特許文献５】ＨＯＵＳＭＡＮ  ＴＳ．  ｅｔ  ａｌ，  "Ｔｈｅ  ｕｓｅ  ｏｆ  ０．２５％  ｚｉｎｃ  ｐｙｒｉｔｈｉｏｎｅ  ｓｐｒａｙ  ｄｏｅｓ  ｎｏｔ  ｅｎｈａｎｃｅ  ｔｈｅ  ｅｆｆｉｃａｃｙ  ｏｆ  ｃｌｏｂｅｔａｓｏｌ  ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ  ０．０５％  ｆｏａｍ．．．"，  Ｊ．Ａｍ．  Ａｃａｄ．  Ｄｅｒｍａｔｏｌ．，４９：７９−８２（２００３）
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月7日(2009.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再狭窄、気腫、ページェット病、ヴェーゲナー肉芽腫症、中枢神経系脈管炎（ＣＮＳＶ）、シェーグレン症候群、角膜潰瘍、潰瘍性大腸炎、再潅流障害、虚血性再潅流障害、ガン、変形性関節症、炎症性腸疾患、アレルギー性鼻炎、悪液質、クローン病、皮膚炎、喘息、勃起機能障害、および黄斑変性からなる群より選択される状態についての哺乳動物における１つ以上の症状を緩和するための組成物であって、
表２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１５、１６または１８に列挙されるペプチドのアミノ酸配列またはレトロアミノ酸配列を含む「Ｄ」ペプチドまたは「Ｌ」ペプチド
を含む、組成物。
【請求項２】
パーキンソン病および末梢血管疾患からなる群より選択される状態についての哺乳動物における１つ以上の症状を緩和するための組成物であって、
表２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１または１８に列挙されるペプチドのアミノ酸配列またはレトロアミノ酸配列を含む「Ｄ」ペプチドまたは「Ｌ」ペプチド
を含む、組成物。
【請求項３】
請求項１〜２のうちのいずれか１項に記載の組成物であって、前記ペプチドは、アミノ酸配列ＤＷＦＫＡＦＹＤＫＶＡＥＫＦＫＥＡＦ（配列番号５）またはＦＡＥＫＦＫＥＡＶＫＤＹＦＡＫＦＷＤ（配列番号１０４）を含む、組成物。
【請求項４】
前記ペプチドはさらに、そのアミノ末端またはカルボキシル末端に結合させられた保護基を含む、請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項５】
前記ペプチドはさらに、そのアミノ酸末端に結合させられた第１の保護基と、そのカルボキシル末端に結合させられた第２の保護基とを含む、請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項６】
前記第１の保護基および第２の保護基が、アセチル、アミド、および３個から２０個の炭素のアルキル基、Ｆｍｏｃ、Ｔｂｏｃ、９−フルオレンアセチル基、１−フルオレンカルボン酸基、９−フルオレンカルボン酸基、９−フルオレノン−１−カルボン酸基、ベンジルオキシカルボニル、キサンチル（Ｘａｎ）、トリチル（Ｔｒｔ）、４−メチルトリチル（Ｍｔｔ）、４−メトキシトリチル（Ｍｍｔ）、４−メトキシ−２，３，６−トリメチル−ベンゼンスルホニル（Ｍｔｒ）、メシチレン−２−スルホニル（Ｍｔｓ）、４，４−ジメトキシベンズヒドリル（Ｍｂｈ）、トシル（Ｔｏｓ）、２，２，５，７，８−ペンタメチルクロマン−６−スルホニル（Ｐｍｃ）、４−メチルベンジル、（ＭｅＢｚｌ）、４−メトキシベンジル（ＭｅＯＢｚｌ）、ベンジルオキシ（ＢｚｌＯ）、ベンジル（Ｂｚｌ）、ベンゾイル（Ｂｚ）、３−ニトロ−２−ピリジンスルフェニル（Ｎｐｙｓ）、１−（４，４−ジメチル−２，６−ジアキソシクロヘキシリデン）エチル（Ｄｄｅ）、２，６−ジクロロベンジル（２，６−ＤｉＣｌ−Ｂｚｌ）、２−クロロベンジルオキシカルボニル（２−Ｃｌ−Ｚ）、２−ブロモベンジルオキシカルボニル（２−Ｂｒ−Ｚ）、ベンジルオキシメチル（Ｂｏｍ）、ｔ−ブトキシカルボニル（Ｂｏｃ）、シクロヘキシルオキシ（ｃＨｘＯ）、ｔ−ブトキシメチル（Ｂｕｍ）、ｔ−ブトキシ（ｔＢｕＯ）、ｔ−ブチル（ｔＢｕ）、アセチル（Ａｃ）、およびトリフルオロアセチル（ＴＦＡ）からなる群より独立して選択される、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記ペプチドは、そのアミノ末端に結合させられた保護基を含み、該アミノ末端保護基が、アセチル、プロペオニル、および３個から２０個の炭素のアルキルからなる群より選択される保護基である、請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載のペプチド。
【請求項８】
前記ペプチドは、そのカルボキシル末端に結合させられた保護基を含み、該カルボキシル末端保護基がアミドである、請求項７に記載のペプチド。
【請求項９】
前記ペプチドが、
そのアミノ末端に結合させられた第１の保護基であって、アセチル、プロペオニル、および３個から２０個の炭素のアルキルからなる群より選択される、保護基；および
そのカルボキシル末端に結合させられた第２の保護基であって、アミドである、保護基
を含む、請求項７に記載のペプチド。
【請求項１０】
前記ペプチドが薬理学的に許容される賦形剤と混合されている、請求項１〜９のうちのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１１】
表２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１５、１６または１８に列挙されるペプチドのアミノ酸配列またはレトロアミノ酸配列を含む「Ｄ」ペプチドまたは「Ｌ」ペプチドと、
ＣＥＴＰ阻害剤、ＦＴＹ７２０、Ｃｅｒｔｉｃａｎ、ＤＰＰ４阻害剤、ＬＸＲアゴニスト、ＦＸＲアゴニスト、ＡＢＣＡ１アゴニスト、ＣＢ−１アゴニスト、およびＰＫＣ阻害剤からなる群より選択される薬剤と、
を含む、組成物。
【請求項１２】
請求項１１に記載の組成物であって、前記ペプチドは、アミノ酸配列ＤＷＦＫＡＦＹＤＫＶＡＥＫＦＫＥＡＦ（配列番号５）またはＦＡＥＫＦＫＥＡＶＫＤＹＦＡＫＦＷＤ（配列番号１０４）を含む、組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月2日(2009.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水溶性の乏しい活性成分と蝋ベースの持続放出性材料とを含む複数の顆粒を含有する持続放出性処方物であって、
篩分析を用いて特徴付けられる場合に、該複数の顆粒が、約１０メッシュ〜約１００メッシュの平均の大きさを有する、
処方物。
【請求項２】
前記顆粒が、約１０メッシュ〜約８０メッシュの平均の大きさを有する、請求項１に記載の処方物。
【請求項３】
前記顆粒が、約１６メッシュ〜約７０メッシュの平均粒径を有する、請求項２に記載の処方物。
【請求項４】
水溶性の乏しい活性成分と蝋ベースの持続放出性材料とを含む複数の顆粒を含有する持続放出性処方物であって、
篩分析によって特徴付けられる場合に、該顆粒の約４０％〜８０％が６０メッシュの篩に保持される、
処方物。
【請求項５】
前記顆粒の約５５％〜約７５％が、６０メッシュの篩に保持される、請求項４に記載の持続放出性処方物。
【請求項６】
前記顆粒の約６０％〜約７０％が、６０メッシュの篩に保持される、請求項５に記載の持続放出性処方物。
【請求項７】
前記活性成分が、カルバマゼピン、酒石酸フェンジメトラジン、インドメタシン、リン酸ジソピラミドおよびケトプロフェンからなる群より選択される、請求項１または４に記載の処方物。
【請求項８】
前記活性成分がカルバマゼピンである、請求項１または４に記載の処方物。
【請求項９】
前記蝋ベースの持続放出性材料が、カルナウバ蝋、蜜蝋またはそれらの組み合わせである、請求項１または４に記載の処方物。
【請求項１０】
前記蝋ベースの持続放出性材料が、前記顆粒の総重量の約１重量％〜約５０重量％の量で存在する、請求項１または４に記載の処方物。
【請求項１１】
前記蝋ベースの持続放出性材料が、前記顆粒の総重量の約５重量％〜約２５重量％の量で存在する、請求項１０に記載の処方物。
【請求項１２】
前記蝋ベースの持続放出性材料が、前記顆粒の総重量の約８重量％〜約１６重量％の量で存在する、請求項１１に記載の処方物。
【請求項１３】
湿潤剤、充填剤、結合剤および界面活性剤からなる群より選択される１つ以上の不活性添加物をさらに含む、請求項１または４に記載の処方物。
【請求項１４】
カルバマゼピンと蝋ベースの持続放出性材料とを含む複数の顆粒を含有する持続放出性処方物であって、
３７℃、１，０００ｍＬ溶解媒体（ｐＨ１．２、そして次にｐＨ６．８）中、５０ｒｐｍでＵＳＰ装置ＩＩを使用して測定される場合、約６０重量％〜約７５重量％の活性成分が２時間後に放出され、約７５重量％〜約９０重量％の活性成分が４時間後に放出され、約８５重量％〜約１００重量％の活性成分が８時間後に放出されるような、インビトロ溶解プロフィールを有する、
処方物。
【請求項１５】
前記インビトロ放出プロフィールが、インビトロで取得されるカルバマゼピンのピークの血漿レベルが投与から少なくとも１５時間後に生じるように選択される、請求項１４に記載の持続放出性処方物。
【請求項１６】
水溶性の乏しい活性成分を含む持続放出性処方物を調製するための方法であって、該方法は：
（ａ）蝋ベースの持続放出性材料を融解させる工程；および
（ｂ）該蝋ベースの持続放出性材料の融解温度よりも高い温度で、該活性成分と融解させた蝋ベースの持続放出性材料とを混合し、該持続放出性処方物を生成する工程、
を包含する、方法。
【請求項１７】
（ｃ）篩分析を実行して、約１０メッシュ〜約１００メッシュの平均の大きさを有する顆粒を選択し、前記持続放出性処方物を生成する工程
をさらに包含する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
顆粒が約１０メッシュ〜約８０メッシュの平均の大きさを有するように選択される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
顆粒が約１６メッシュ〜約７０メッシュの平均の大きさを有するように選択される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
（ｃ）篩分析を実行して、顆粒の約４０％〜約８０％が６０メッシュの篩に保持されるように、該顆粒を選択し、前記持続放出性処方物を生成する工程
をさらに包含する、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
顆粒の約５５％〜約７５％が６０メッシュの篩に保持されるように、該顆粒を選択する、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
顆粒の約６０％〜約７０％が６０メッシュの篩に保持されるように、該顆粒を選択する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記活性成分がカルバマゼピンである、請求項１６に記載の方法。
【請求項２４】
１つ以上の不活性添加物と前記融解させた蝋ベースの持続放出性材料とを混合する工程
を包含する、請求項１６に記載の方法。
【請求項２５】
カルバマゼピンの投与を必要とする個体にカルバマゼピンを投与するための、請求項１、４または１４に記載の処方物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月28日(2009.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生物学的サンプル中の目的分子の検出方法であって：
生物学的サンプルを、ヘテロ二官能性ＰＥＧリンカーを介してシグナル発生部分に共有結合された抗体を含んでなる抗体−シグナル発生部分コンジュゲートと接触させ；そして
サンプル中の目的分子の存在を示す抗体−シグナル発生部分コンジュゲートにより生成されるシグナルを検出し、サンプル中の目的分子の存在の指標とする、
ことを含んでなる、上記検出方法。
【請求項２】
生物学的サンプルが組織切片または細胞学サンプルを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
コンジュゲートが酵素に共有結合した抗体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
酵素が西洋ワサビペルオキシダーゼまたはアルカリホスファターゼを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
コンジュゲートが式：
【化８】
2008539270.tif 000001
式中、Ａｂは抗体であり、ＳＭはシグナル発生部分であり、ｎは１〜５０の整数であり、そしてｓは１〜１０の整数である、
を有する請求項１に記載の方法。
【請求項６】
コンジュゲートが式：
【化９】
2008539270.tif 000002
式中、Ａｂは抗体であり、ＳＭはシグナル発生部分であり、ｍは１〜５０の整数であり、そしてｔは１〜１０の整数である、
を有する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
さらに、生物学的サンプルを水溶性金属イオン、および酵素によりレドックス−活性剤に転換される酵素のレドックス−不活性基質と接触させることを含んでなり、このレドックス−活性剤は金属イオンを還元してその沈殿を起こさせる、請求項３に記載の方法。
【請求項８】
酵素がアルカリホスファターゼを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
シグナル発生部分がオキシド−レダクターゼ酵素を含んでなり、そしてさらに生物学的サンプルを水溶性金属イオン、酸化剤および還元剤と接触させることを含んでなる、請求項３に記載の方法。
【請求項１０】
オキシド−レダクターゼ酵素が西洋ワサビペルオキシダーゼを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
抗体が抗−抗体抗体を含んでなる、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
抗体が抗ハプテン抗体を含み、そしてさらにサンプルをハプテン−標識化抗体またはハプテン−標識化核酸配列と接触させることを含んでなる請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
シグナル発生部分が酵素を含み、そしてさらに生物学的サンプルを発色性、蛍光性および／または発光性化合物と接触させることを含んでなる、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
ｎが４〜１２の整数であり、そしてｓが２〜６の整数である、請求項５に記載の方法。
【請求項１５】
ｓが３〜４の整数である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
ＳＭが西洋ワサビペルオキシダーゼまたはアルカリホスファターゼである、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
ｎが４〜１２の整数であり、そしてｔが２〜６の整数である、請求項６に記載の方法。
【請求項１８】
ｔが３〜４の整数である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
ＳＭが西洋ワサビペルオキシダーゼまたはアルカリホスファターゼである、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
式：
【化８】
2008539270.tif 000003
式中、Ａｂは抗体であり、ＳＭは西洋ワサビペルオキシダーゼおよびアルカリホスファターゼから選択されるシグナル発生部分であり、ｎが４〜１２の整数であり、そしてｓが２〜６の整数である、
で表される抗体−シグナル発生部分コンジュゲートを組織切片と接触させる工程、および
サンプル中の目的分子の存在を示すものとして色素生成基質から抗体−シグナル発生部分コンジュゲートにより生じる色原体を検出する工程、を含んでなる組織切片中の目的分子の検出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月16日(2009.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
局部炎症を誘導することができる免疫修飾化合物を含む、ＨＰＶウイルス性抗原に対するＣＤ４＋Ｔ細胞反応について陽性と判定される被検者の肛門性器部上皮内腫瘍治療薬剤。
【請求項２】
被検者が、ＨＰＶ早期抗原に対するＣＤ４＋Ｔ細胞反応について陽性と判定されることを特徴とする請求項１記載の肛門性器部上皮内腫瘍治療薬剤。
【請求項３】
被検者が、ＨＰＶのＥ２、Ｅ６及びＥ７タンパク質から選択されるＨＰＶ早期抗原に対するＣＤ４＋Ｔ細胞反応について陽性と判定されることを特徴とする請求項１又は２記載の肛門性器部上皮内腫瘍治療薬剤。
【請求項４】
免疫修飾化合物が、Ｔｏｌｌ様受容体活性化化合物であることを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の肛門性器部上皮内腫瘍治療薬剤。
【請求項５】
Ｔｏｌｌ様受容体活性化化合物が、バクテリアリポタンパク質とそのアセチル体、バクテリアグリコリピッド、バクテリア外膜タンパク質、バクテリア熱ショックタンパク質、バクテリアの鞭毛又はフラジェリン、線毛、Ｂ群溶連菌熱不安定性溶解性因子（ＧＢＳ−Ｆ）、スタフィロコッカスのモジュリン、グラム陽性ＬＰＳ又はリピドＡ、ＬＴＡ、グラム陰性ＬＰＳ又はＬＴＡ、マイコバクテリアリポアラビノマンナン、マイコバクテリアリポタンパク質、非メチル化ＣｐＧＤＮＡ、クロマチン−ＩｇＧ複合体、ｄｓＲＮＡ、ポリ（Ｉ：Ｃ）、ウイルス外殻又はウイルスエンベロープタンパク質、タキソール又はその誘導体、ヒアルロナンを含むオリゴ糖、フィブロネクチン、イミダゾキノリン、及び宿主に由来する熱ショックタンパク質からなる群から選択される化合物であることを特徴とする請求項４記載の肛門性器部上皮内腫瘍治療薬剤。
【請求項６】
Ｔｏｌｌ様受容体活性化化合物が、ＴＬＲ−７活性化化合物であることを特徴とする請求項４記載の肛門性器部上皮内腫瘍治療薬剤。
【請求項７】
ＴＬＲ−７活性化化合物が、イミキモド、Ｒ８４８／レシキモド、ロクソリビン及びブロピリミンからなる群から選択されることを特徴とする請求項６記載の肛門性器部上皮内腫瘍治療薬剤。
【請求項８】
肛門性器部上皮内腫瘍が、外陰上皮内腫瘍（ＶＩＮ）であることを特徴とする請求項１〜７いずれか記載の肛門性器部上皮内腫瘍治療薬剤。
【請求項９】
さらに、インターフェロン、サイトカイン及びケモカインからなる群から選択される炎症性経路に直接的に関連する化合物を含むことを特徴とする請求項１〜８いずれか記載の肛門性器部上皮内腫瘍治療薬剤。
【請求項１０】
被検者が、薬剤を投与前又は投与中にＨＰＶ早期抗原に対するＴ細胞反応が活発に上昇した被験者であることを特徴とする請求項１〜９いずれか記載の肛門性器部上皮内腫瘍治療薬剤。
【請求項１１】
Ｔ細胞反応が、ＨＰＶ１６のＥ２、Ｅ６又はＥ７の配列から選択されるＨＰＶ早期抗原配列を含み、１２〜４５アミノ酸の長さのペプチドを投与することにより上昇したことを特徴とする請求項１０記載の肛門性器部上皮内腫瘍治療薬剤。
【請求項１２】
ペプチドが、Ｔ細胞エピトープを含み、ＩＮＦ−γ応答を誘発しうる以下のペプチドの群より選択されることを特徴とする請求項１１記載の肛門性器部上皮内腫瘍治療薬剤:
配列番号１の１−２２、３１−５２、４１−６２、４３−７７、５１−７２及び７７−９８の各アミノ酸ストレッチ、配列番号２の３１−７５、９１−１２０、１５１−１９５、２７１−３００、２８６−３１５、３０１−３３０、３１６−３４５及び３３１−３６５の各アミノ酸ストレッチ、配列番号３の３１−５２、８１−１０２、９１−１１２、１１１−１３２、１２１−１５８及び１３１−１５２の各アミノ酸ストレッチ。
【請求項１３】
さらに、ＣＤ４０受容体活性化分子を含むことを特徴とする請求項１０〜１２いずれか記載の肛門性器部上皮内腫瘍治療薬剤。
【請求項１４】
さらに、４−１ＢＢ受容体活性化分子を含むことを特徴とする請求項１０〜１３いずれか記載の肛門性器部上皮内腫瘍治療薬剤。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月20日(2009.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
切歯、犬歯、小臼歯、及び大臼歯から成る群から選択される、自立形側汎用外形を備える予備成形済歯冠を含む歯科用物品であって
該側汎用外形が顔−舌方向に対称面を含み、
該予備成形済歯冠が、側汎用外形が左側特有又は右側特有に調整された外形を形成し得るような、十分な展性を有する硬化性組成物を含む歯科用物品。
【請求項２】
硬化性組成物が、
モノ−、ジ−、もしくはポリ−アクリレート類及びメタクリレート類、不飽和アミド類、ビニル化合物、並びにそれらの組み合わせから成る群から選択される、非晶性成分、
ポリエステル類、ポリエーテル類、ポリオレフィン類、ポリチオエーテル類、ポリアリールアルキレン類、ポリシラン類、ポリアミド類、ポリウレタン類、並びに結晶性ペンダント部位及び以下の一般式を有する高分子材料を含む樹脂系、
【化１】
2008539272.tif 000001
（式中、Ｒは水素、又はＣ1〜Ｃ4アルキル基であり、Ｘは−−ＣＨ2−−、−−Ｃ（Ｏ）Ｏ−−、−−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−−、−−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−−、−−ＨＮ−Ｃ（Ｏ）−−、−−Ｏ−−、−−ＮＨ−−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−、−ＨＮ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−−ＨＮ−Ｃ（Ｏ）−ＮＨ−−、又は−−Ｓｉ（ＣＨ3）2−−であり、
ｍはポリマーの繰り返し単位の数であり、及び
ｎは結晶性領域もしくは部位を含有するポリマーを形成するために十分な側鎖長もしくは配座、及びそれらの組み合わせをもたらすのに十分である）
６０重量％を超える充填剤系、及び
反応開始剤系を含み、
ここで該硬化剤組成物が約１５℃〜３８℃の温度において十分な展性を示すが、ただし充填剤系が繊維を含む場合、該繊維は該硬化性組成物の総重量に対して２０重量％未満の量存在する、請求項１に記載の歯科用物品。
【請求項３】
硬化性組成物が、
以下の式の結晶性組成物を含む樹脂系、
【化２】
2008539272.tif 000002
（式中、Ｑは独立してポリエステルセグメント、ポリアミドセグメント、ポリウレタンセグメント、ポリエーテルセグメント又はそれらの組み合わせを含む）
充填剤系、及び
反応開始剤系を含む、請求項１記載の歯科用物品。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月25日(2009.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
色の異なる少なくとも第1の画素と、第2の画素と、第3の画素とを備えるOLEDディスプレイであって、
a）基板上に上記第1の画素と上記第2の画素のために設けられた第1の発光層と、その基板上に上記第1の画素と上記第2の画素と上記第3の画素のために設けられた第2の発光層と；
b）上記第1の画素および上記第2の画素と作用的関係がある第1のカラー・フィルタおよび第2のカラー・フィルタとを備えていて、
上記第1の発光層と上記第2の発光層は異なるスペクトルの光を発生させ、その第1の発光層と第2の発光層を重ねることによって発生する光は、上記第1の画素と上記第2の画素にとって望ましい光出力に対応する実質的スペクトル成分を持ち、上記第2の発光層によって発生する光は、上記第3の画素にとって望ましい光出力に対応する実質的スペクトル成分を持つことを特徴とするOLEDディスプレイ。
【請求項２】
上記第1の発光層によって発生する光スペクトルが黄-オレンジ色の光に対応する実質的スペクトル成分を持ち、上記第2の発光層によって発生する光スペクトルが青色の光に対応する実質的スペクトル成分を持つ、請求項1に記載のOLEDディスプレイ。
【請求項３】
色の異なる少なくとも第1の画素と、第2の画素と、第3の画素とを備えるOLEDディスプレイであって、
a）基板上に上記第1の画素と上記第2の画素と上記第3の発光層のために設けられた第1の発光層と、その基板上に上記第3の画素のために設けられた第2の発光層と；
b）上記第1の画素および上記第2の画素と作用的関係がある第1のカラー・フィルタおよび第2のカラー・フィルタとを備えていて、
上記第1の発光層と上記第2の発光層は異なるスペクトルの光を発生させ、その第1の発光層と第2の発光層を重ねることによって発生する光は、上記第3の画素にとって望ましい光出力に対応する実質的スペクトル成分を持つことを特徴とするOLEDディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月25日(2009.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも赤色画素と、緑色画素と、青色画素とを有するOLEDディスプレイであって、
a）赤色画素と青色画素のために基板上に設けられたマゼンタ色発光層と、少なくとも緑色画素を生成させるためにその基板上に設けられた緑色発光層と；
b）上記マゼンタ色発光層と作用的関係があってそれぞれ赤色画素と青色画素を生成させる第1のカラー・フィルタと第2のカラー・フィルタを備えるOLEDディスプレイ。
【請求項２】
上記マゼンタ色発光層と上記緑色発光層が、白色画素に対応する領域において重なっている、請求項1に記載のOLEDディスプレイ。
【請求項３】
上記第1の発光層が、上記赤色画素と上記青色画素と上記白色画素の間で連続であり、上記第2の発光層が、上記緑色画素と上記白色画素の間で連続である、請求項2に記載のOLEDディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月27日(2009.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒形ニッケル亜鉛電池であって、
ａ）  亜鉛を含有する負極層と、
ｂ）  ニッケルを含有する正極層と、
ｃ）  前記正極層と前記負極層とを隔てるセパレータ層で、亜鉛デンドライト形成を抑制する障壁層と湿潤層とからなるセパレータ層と、
ｄ）  電解質と
を備え、
前記いずれかの電極層との電気的な接続を、非溶接性の加圧接触手法をより行なう電池。
【請求項２】
前記負極層が厚さ０．４１から０６１ｍｍ（１６から２４ミル）の範囲で、前記正極が厚さ０．４１〜０．６１ｍｍ（１６から２４ミル）の範囲である請求項１記載の電池。
【請求項３】
前記障壁層と前記湿潤層とが異なった材料から形成される請求項１記載の電池。
【請求項４】
前記障壁層と前記湿潤層とが同一の材料から形成される請求項１記載の電池。
【請求項５】
前記障壁層が厚さ０．０２５〜０．１０２ミリメートル（１から４ミル）の範囲である請求項１記載の電池。
【請求項６】
前記負極層が負極集電体を備え、前記円筒形電池の一端でほぼ平坦な表面を形成するように前記負極集電体の端部が湾曲される請求項１記載の電池。
【請求項７】
前記円筒形電池の一端でほぼ平坦な表面を形成するように湾曲された前記負極集電体の端部では、屈曲が容易になるように所定の成分が除去される請求項１記載の電池。
【請求項８】
さらに銅製の負極集電ディスクを備え、銅ディスクの片側がスズあるいはスズ合金で被覆される請求項１記載の電池。
【請求項９】
さらに、
ａ）  前記正極層に電気的に接続される缶体と、
ｂ）  前記正極層に電気的に接続される正極集電ディスクと、
ｃ）  前記正極集電ディスクと前記缶体の一端との間に配置される電解質ゲル供給源と
を備える請求項１記載の電池。
【請求項１０】
さらに、
ａ）  前記正極層に電気的に接続される正極集電ディスクで、穴あきの正極集電ディスクと、
ｂ）  前記負極に電気的に接続される負極集電ディスクと
を備える請求項１記載の電池。
【請求項１１】
さらに、
ａ）  前記正極層に電気的に接続される正極集電ディスクで、溝つきの正極集電ディスクと、
ｂ）  前記負極に電気的に接続される負極集電ディスクと
を備える請求項１記載の電池。
【請求項１２】
総ＡＣインピーダンスが約３ないし５．０ｍΩである請求項１記載の電池。
【請求項１３】
前記正極集電ディスクと前記負極集電ディスクの少なくともいずれかがバネ部を備える請求項１２記載の電池。
【請求項１４】
さらに、電池缶体と電池蓋体とを備え、電池蓋体が電池のマイナス端子を有する請求項１記載の電池。
【請求項１５】
前記電池蓋体が、水素透過性の環状高分子領域を備える請求項１記載の電池。
【請求項１６】
前記負極層が、スズで被覆された穴あき銅細板を備える請求項１記載の電池。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月24日(2009.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の接触パッドを有するプリント回路基板上に実装されるフレームと、
該フレーム内に挿入するために構成され、その上で支持される柔軟な回路を有するばね部材と、を含むコネクタアセンブリであって、
該ばね部材及びフレームは、該ばね部材が該フレーム内に挿入されるとき、２つの平行ではない方向にバイアス力を加えるよう成形される、コネクタアセンブリ。
【請求項２】
プリント回路上に実装されて該プリント回路の接地に電気的に結合される導電性フレームであって、該プリント回路が、該フレームによって境界付けられた領域内に複数のプリント回路接触パッドを有する導電性フレームと、
該フレーム内に挿入するために構成され、その上で支持される柔軟な回路を有するコネクタ部であって、該柔軟な回路は、複数のプリント回路接触パッドと係合するための複数の接触パッドを有するコネクタ部と、を備えるコネクタアセンブリであって、
該フレームとコネクタ部の少なくとも一方は、ばね部を含み、該フレーム及びコネクタ部は、該コネクタ部が該フレーム内に挿入されるとき、２つの平行ではない方向にバイアス力を加えるよう連携的に成形される、コネクタアセンブリ。
【請求項３】
２つのプリント回路の間に直接中間面を設けるためのコネクタアセンブリであって、
第１プリント回路上に実装するために構成されるフレームと、
該フレーム内に挿入するために構成され、その上の第２プリント回路を支持するように適合させた、コネクタ部と、を含み、
その上に該第２プリント回路を有する該コネクタ部が該フレーム内に挿入されるとき、該コネクタ部及び該フレームは、該第１プリント回路と該第２プリント回路との間に第１バイアス力を、そして該第２プリント回路と該フレームとの間に第２バイアス力を、協働して作用させる、コネクタアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月20日(2009.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と、亜鉛を含む負極と、前記正極と前記負極との間に配置されたセパレータと、溶質及び水性アルカリ溶媒を含む電解質と、前記電極、前記セパレータ、及び前記電解質を含有するセル・ハウジングとを含み、前記ハウジングは、該正極と接触した金属の正極ケーシングと、該負極と接触した金属の負極ケーシングと、該電極及び該電解質を前記セル・ハウジング内にシールするための、前記正極ケーシングと負極ケーシングとの間に配置され、かつ、該正極ケーシング及び該負極ケーシングを電気的に絶縁するシール部材とを含む、電気化学バッテリ・セルであって、
前記負極ケーシングは、実質的に銅を含まない金属基板から形成され、かつ、第１の主面、第２の主面、及び前記主面の周辺部の縁部面を有し、
前記負極ケーシングは、前記第１の主面、第２の主面、及び前記縁部面の少なくとも部分を含む露出面を備えた形状を有し、
前記負極ケーシングは、前記シール部材とシール係合するためのシール領域と、前記負極と接触するための電流コレクタ領域とを有し、
前記シール領域及び前記電流コレクタ領域における前記負極ケーシングの前記露出面の少なくともそれらの部分が、銅、スズ、及び亜鉛を含む第１の合金層で被覆され、前記銅、スズ、及び亜鉛の相対重量は、それぞれ５５から８５まで、９から３０まで、及び２．５から２０までであることを特徴とするセル。
【請求項２】
前記負極ケーシングの前記露出面全体が、銅、スズ、及び亜鉛を含む前記第１の合金層で被覆されることを特徴とする請求項１に記載のセル。
【請求項３】
銅、スズ、及び亜鉛を含む前記第１の合金層は、前記基板上に直接配置されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のセル。
【請求項４】
少なくとも１つの金属又は金属合金を含み、１マイクロメートル以下の厚さを有するシストライク層が、前記基板と前記第１の合金層との間に配置されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のセル。
【請求項５】
前記ストライク層は、ニッケルを含むことを特徴とする請求項４に記載のセル。
【請求項６】
前記ストライク層は、少なくとも０．５マイクロメートルの厚さであることを特徴とする請求項４に記載のセル。
【請求項７】
銅、スズ、及び亜鉛を含む前記第１の合金層は、１マイクロメートルから８マイクロメートルまでの厚さを有することを特徴とする前記請求項１ないし６のいずれか１つの請求項に記載のセル。
【請求項８】
銅、スズ、及び亜鉛を含む前記第１の合金層は、少なくとも３マイクロメートルの厚さであることを特徴とする請求項７に記載のセル。
【請求項９】
銅、スズ、及び亜鉛を含む前記第１の合金層は、５マイクロメートル以下の厚さであることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載のセル。
【請求項１０】
前記銅、スズ、及び亜鉛の合金は、２重量％以下の鉛を含有することを特徴とする前記請求項１ないし９のいずれか１つの請求項に記載のセル。
【請求項１１】
前記合金は、銅、スズ、及び亜鉛以外の、２重量％以下の金属を含有することを特徴とする前記請求項１ないし１０のいずれか１つの請求項に記載のセル。
【請求項１２】
前記銅、スズ、及び亜鉛の相対重量は、それぞれ５５から６０まで、２５から３０まで、及び１０から２０までであることを特徴とする前記請求項１ないし１１のいずれか１つの請求項に記載のセル。
【請求項１３】
前記負極ケーシング基板は、鋼を含むことを特徴とする前記請求項１ないし１２のいずれか１つの請求項に記載のセル。
【請求項１４】
前記鋼は、ステンレス鋼を含むことを特徴とする請求項１３に記載のセル。
【請求項１５】
前記セルは、ボタン型セルであることを特徴とする前記請求項１ないし１４のいずれか１つの請求項に記載のセル。
【請求項１６】
前記セルは、角柱型セルであることを特徴とする前記請求項のいずれかに記載のセル。
【請求項１７】
前記正極は、二酸化マンガン、酸化銀、及び酸素からなる群から選択される少なくとも１つの部材を含む活物質を含み、
前記負極は、添加水銀を含有しない亜鉛組成物を含む活物質を含む、
ことを特徴とする前記請求項１ないし１６のいずれか１つの請求項に記載のセル。
【請求項１８】
前記負極ケーシングは、凹状領域及び側壁を備えたカップ形状を有することを特徴とする前記請求項項１ないし１７のいずれか１つの請求項に記載のセル。
【請求項１９】
前記アノード・ケーシングは、前記凹状領域を超えて外方に延びる周辺領域を含まないことを特徴とする請求項１８に記載のセル。
【請求項２０】
前記アノード・ケーシングは、前記凹状領域を超えて外方に延びる周辺部分を含むことを特徴とする請求項１８に記載のセル。
【請求項２１】
前記周辺領域はフランジを含み、前記アノード・ケーシングの前記縁部面は、前記フランジの最外部にあることを特徴とする請求項２０に記載のセル。
【請求項２２】
前記周辺領域が折り畳まれて、前記側壁と共にＵ形状を形成することを特徴とする請求項２０に記載のセル。
【請求項２３】
前記シール領域及び前記電流コレクタ領域における前記負極ケーシングの前記露出面の少なくともそれらの部分が、銅、スズ、及び亜鉛を含む第１の合金層に重なる銅、スズ、及び亜鉛を含む第２の合金層で被覆されていることを特徴とする前記請求項１７記載のセル。
【請求項２４】
前記第２の合金層のスズに対する銅の比が前記第１の合金層のスズに対する銅の比よりも低いことを特徴とする請求項２３に記載のセル。
【請求項２５】
前記シール領域及び前記電流コレクタ領域における前記負極ケーシングの前記露出面の少なくともそれらの部分が、銅、スズ、及び亜鉛を含む第１の合金層に重なる銅、スズ、及び亜鉛を含む第２の合金層で被覆されていることを特徴とする前記請求項１記載のセル。
【請求項２６】
前記第２の合金層のスズに対する銅の比が前記第１の合金層のスズに対する銅の比よりも低いことを特徴とする請求項２５に記載のセル。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月12日(2009.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロリソグラフィ投影露光装置（１０）の照明システム（１２）であって、
ａ）瞳平面（５４）と、
ｂ）視野平面（６２）と、
ｃ）前記瞳平面（５４）を前記視野平面に変換する集光装置（６０６）と、
ｄ）前記視野平面（６２）をマスク平面（６８）上に結像させる視野絞り対物レンズ（６６６；６６６’）とを有し、前記視野絞り対物レンズ（６６６；６６６’）が少なくとも部分的に前記集光装置（６０６）の残存瞳収差を補正する照明システム。
【請求項２】
ａ）前記集光装置（６０６）が最大テレセントリック誤差角度αcを有し、
ｂ）前記視野絞り対物レンズ（６６６；６６６’）が像側の最大テレセントリック誤差角度αo＜０．８・αcを有する請求項１に記載の照明システム（１２）。
【請求項３】
αo＜０．５・αcである請求項２に記載の照明システム。
【請求項４】
αo＜０．３・αcである請求項３に記載の照明システム。
【請求項５】
αo＜０．５ｍｒａｄである請求項２から４のいずれかに記載の照明システム。
【請求項６】
前記視野絞り対物レンズ（６６６；６６６’）がｈmax・ＮＡi＞１５ｍｍである像側開口数ＮＡiおよび最大像高さｈmaxを有する請求項１から５のいずれかに記載の照明システム。
【請求項７】
前記集光装置（６０６）が少なくとも４個のメニスカス・レンズ（Ｌ６２、Ｌ６３、Ｌ６４、Ｌ６５）を有する請求項１から６のいずれかに記載の照明システム。
【請求項８】
二重反射光および／または散乱光を遮蔽するための隔膜（６９；６９ａ；６９ｂ；６９ｃ；６９ｄ）を有する請求項１から７のいずれかに記載の照明システム。
【請求項９】
前記隔膜（６９）が前記視野絞り対物レンズ（６６６；６６６’）の瞳平面（６７）内または密接した近傍に位置付けられる請求項８に記載の照明システム。
【請求項１０】
投影光が沿って伝搬する伝搬方向で見ると前記隔膜（６９ａ；６９ｂ；６９ｃ）が、前記投影光の角度分布を変えるために調節可能であるいずれの光学素子（１１８、５０、５２）よりも前の位置に配置される請求項８または９に記載の照明システム。
【請求項１１】
前記調節可能な光学素子（１１８、５０、５２）が光軸（２６）に沿って移動可能である請求項１０に記載の照明システム。
【請求項１２】
前記調節可能な光学素子がズーム対物レンズ（４６）のうちのレンズ（１１８）である請求項１１に記載の照明システム。
【請求項１３】
前記照明システム（１２’）が、幾何光学的線束を増大させる第１の光学素子である光学的ラスタ素子（３４）を含み、前記投影光が沿って伝搬する伝搬方向で見ると前記隔膜（６９ｃ）が前記光学的ラスタ素子（３４）の前段に位置付けられる請求項８から１２のいずれかに記載の照明システム。
【請求項１４】
投影光を偏光（解消）するための偏光（解消）器（１１６）を有し、前記投影光が沿って伝搬する伝搬方向で見ると前記隔膜（６９ａ；６９ｂ）が前記偏光（解消）器（１１６）の前段に位置付けられる請求項８から１３のいずれかに記載の照明システム。
【請求項１５】
前記隔膜（６９ａ；６９ｄ）が可変の開口を有する請求項８から１４のいずれかに記載の照明システム。
【請求項１６】
前記隔膜（６９ａ；６９ｄ）の開口を変えるための調節メカニズムを有する請求項１５に記載の照明システム。
【請求項１７】
前記隔膜（６９ｂ；６９ｃ）が、投影光にとって不透明であり、かつ投影光が通って伝搬するかまたは反射される光学素子（１１６；３４）に貼付される層によって形成される請求項８から１４のいずれかに記載の照明システム。
【請求項１８】
ａ）前記集光装置（６０６）が、前記視野平面（６２）の直ぐ隣に配置されてｄ1＜ｒ1＜２．５・ｄ1で曲率半径ｒ1と前記視野平面からの軸方向距離ｄ1を有する第１の凹面光学面を有し、
ｂ）前記視野絞り対物レンズ（６６６；６６６’）が、前記視野平面（６２）の直ぐ隣に配置されてｄ2＜ｒ2＜２．５・ｄ2で曲率半径ｒ2と前記視野平面からの軸方向距離ｄ2とを有する第２の凹面光学面を有する請求項１から１７のいずれかに記載の照明システム。
【請求項１９】
前記視野平面（６２）からの前記視野絞り対物レンズ（６６６；６６６’）の作動距離が１０ｍｍと９０ｍｍの間である請求項１８に記載の照明システム。
【請求項２０】
前記曲率半径ｒ1が８０ｍｍよりも大きい請求項１８または１９に記載の照明システム。
【請求項２１】
前記曲率半径ｒ2が８０ｍｍよりも大きい請求項１８から２０のいずれかに記載の照明システム。
【請求項２２】
ａ）前記集光装置（６０６）が、前記瞳平面（５４）に入るコリメートされた光束を１．２ｍｍ未満のスポット径を有する前記視野平面（６２）内のスポットに焦点を合わせ、
ｂ）前記視野絞り対物レンズ（６４）が前記視野平面（６２）内の点を０．４ｍｍ未満のスポット径を備えたスポットとしてマスク（１６）上に結像させる請求項１から２１のいずれかに記載の照明システム。
【請求項２３】
請求項１から２２のいずれかに記載の照明システム（１２）を有する、マイクロリソグラフィ投影露光装置。
【請求項２４】
微細構造のデバイスを製作するマイクロリソグラフィ方法であって、
ａ）感光層（２２）を担持する基板（２４）を供給する工程と、
ｂ）前記感光層（２２）上に結像させられるべき構造（１８）を有するマスク（１６）を供給する工程と、
ｃ）請求項３５もしくは３６または請求項５９に記載の投影露光装置（１０）を供給する工程と、
ｄ）前記マスク（１６）の少なくとも一部を前記感光層（２２）上に投影する工程とを含む方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載の方法に従って製作される微細構造のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月6日(2009.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路であって、
該集積回路は、コア区域を備え、該コア区域は、コアトランジスタとパスゲートトランジスタとを有し、該コアトランジスタおよび該パスゲートトランジスタは、同一の電圧で動作し、該コアトランジスタは、第１の厚さと関連付けられたゲート酸化物を有し、該パスゲートトランジスタは、第２の厚さと関連付けられたゲート酸化物を有し、該第２の厚さは、該第１の厚さよりも小さい、集積回路。
【請求項２】
前記コア区域を囲む入力／出力（Ｉ／Ｏ）リングをさらに備え、該Ｉ／Ｏリングは、第３の厚さと関連付けられたゲート酸化物を有するＩ／Ｏトランジスタを含み、該第３の厚さは、前記第１の厚さよりも大きい、請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】
前記コア区域内に定義されたランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）領域をさらに備え、前記パスゲートトランジスタの各ゲートは、該ＲＡＭ領域と電気的に通信し、その結果として、該ＲＡＭ領域からの論理信号は、該パスゲートトランジスタの各々が導電性または非導電性の状態であることを決定する、請求項１に記載の集積回路。
【請求項４】
前記第１の厚さは、約１２Å〜約１８Åの間であり、前記第２の厚さは、約８Å〜約１２Åの間である、請求項１に記載の集積回路。
【請求項５】
前記第２の厚さと関連付けられた前記ゲート酸化物は、４より大きな誘電率を有する、請求項１に記載の集積回路。
【請求項６】
前記第２の厚さと関連付けられた前記ゲート酸化物の材料は、酸化ハフニウムと酸化アルミニウムと酸化ジルコニウムとチタン酸バリウムストロンチウムとオキシニトリドとから成る群から選択される、請求項１に記載の集積回路。
【請求項７】
前記コアトランジスタは、相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）トランジスタであり、前記パスゲートトランジスタは、Ｎチャネル金属酸化物半導体（ＮＭＯＳ）トランジスタである、請求項１に記載の集積回路。
【請求項８】
前記第１の厚さと関連付けられた前記ゲート酸化物の材料と、前記第２の厚さと関連付けられた前記ゲート酸化物に関連付けられた材料とは、同一である、請求項１に記載の集積回路。
【請求項９】
プログラム可能な論理デバイス（ＰＬＤ）であって、
該ＰＬＤは、コア領域を備え、該コア領域は、該コア領域の中に定義されたトランジスタを有し、該トランジスタの一部分は、４よりも大きな誘電率と関連付けられたゲート酸化物を有し、該コア領域の残りのトランジスタは、４以下の誘電率と関連付けられたゲート酸化物を含み、該トランジスタの該一部分の各々は、メモリ領域と通信し、該メモリ領域は、該トランジスタの該一部分の各々に論理信号を供給する、ＰＬＤ。
【請求項１０】
前記トランジスタの前記一部分は、パスゲートトランジスタであり、該パスゲートトランジスタは、該パスゲートトランジスタが起動されているときに、前記残りのトランジスタ間に定義されたそれぞれの通信パスを使用可能にする、請求項９に記載のＰＬＤ。
【請求項１１】
プリント回路基板への接続を提供する入力／出力（Ｉ／Ｏ）トランジスタをさらに備える、請求項９に記載のＰＬＤ。
【請求項１２】
前記論理信号は、前記トランジスタの前記一部分のうちの対応する１つが導電性または非導電性のうちの一方であることを定義する、請求項９に記載のＰＬＤ。
【請求項１３】
前記トランジスタの前記一部分の前記ゲート酸化物の厚さは、前記残りのトランジスタのゲート酸化物の厚さよりも小さい、請求項９に記載のＰＬＤ。
【請求項１４】
４よりも大きな誘電率と関連付けられた前記ゲート酸化物は、酸化ハフニウムから成る、請求項９に記載のＰＬＤ。
【請求項１５】
前記コア領域のトランジスタの各々は、同一の電圧で動作する、請求項９に記載のＰＬＤ。
【請求項１６】
集積回路であって、
該集積回路は、
コア区域であって、該コア区域は、コアトランジスタとパスゲートトランジスタとを有し、該コアトランジスタは、第１の厚さと関連付けられたゲート酸化物を有し、該パスゲートトランジスタは、第２の厚さと関連付けられたゲート酸化物を有し、該第２の厚さは、該第１の厚さよりも小さい、コア区域と、
第３の厚さと関連付けられたゲート酸化物を有する入力／出力（Ｉ／Ｏ）トランジスタであって、該第３の厚さは、該第１の厚さよりも大きい、Ｉ／Ｏトランジスタと
を備える、集積回路。
【請求項１７】
前記コアトランジスタおよび前記パスゲートトランジスタは、同一の電圧で動作する、請求項１６に記載の集積回路。
【請求項１８】
前記コア区域内に定義されたランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）領域をさらに備え、前記パスゲートトランジスタの各ゲートは、該ＲＡＭ領域と電気的に通信し、その結果として、該ＲＡＭ領域からの論理信号は、該パスゲートトランジスタの各々が導電性または非導電性の状態であることを決定する、請求項１６に記載の集積回路。
【請求項１９】
前記Ｉ／Ｏトランジスタは、前記コア区域全体に分散している、請求項１６に記載の集積回路。
【請求項２０】
前記Ｉ／Ｏトランジスタは、前記コア区域を囲むＩ／Ｏリング内に定義される、請求項１６に記載の集積回路。