Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月20日(2011.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
太陽光透過性の高いガラス平板乃至は樹脂平板を上面カバーとし、その下に空気層からなる上部断熱層、その下に発電セルとヒートシンクと冷却配管を積層して接合させた太陽電池コア、さらにその下に下部断熱層を順次重ね、枠体で周囲を被い全体を平板状に構成させ、前記ヒートシンクの基板としてアルミニウムより線膨張係数と熱伝導率が小さい鉄やステンレス鋼で製作されたヒートシンク平板を用い、前記発電セルに受光した太陽光によって生じた温熱を前記ヒートシンク平板の下面において冷却配管を連通する冷却媒体によって冷却する太陽光コジェネレイションモジュールに於いて、
前記ヒートシンク平板の上面に前記発電セルをホットメルト乃至は接着剤で接合し、該ヒートシンク平板の下面に、平面と密着して接する事が可能な様に外表面の３０％以上で４５％以下の面積を占める平坦面を成形し且つ全体を平面状に曲げ成形したステンレス鋼管乃至は内面を樹脂でライニングした鉄管又はステンレス管乃至は銅又は銅合金製管体乃至は樹脂製管体からなる冷却配管を、前記平坦面が前記ヒートシンク平板の下面に当接する様に形成し、該冷却配管を樹脂製接着剤乃至は樹脂製ホットメルト材により前記ヒートシンク平板に接合させて前記太陽電池コアを構成させ、前記ヒートシンク乃至はヒートシンク平板をモジュール枠体に支持させることにより該太陽電池コアをモジュール枠体に支持させたことを特徴とするヒートシンク付き太陽光コジェネレイションモジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
太陽光透過性の高いガラス板乃至は樹脂製の平板を上面カバーとし、その下に空気層からなる上部断熱層、その下に発電セルとヒートシンク平板と平面上で蛇行状に成型した冷却配管を積層して接合させた太陽電池コア、さらにその下に下部断熱層を順次重ねて全体を平板状に構成させた太陽光コジェネレイションモジュールにおいて、
前記ヒートシンク平板としてアルミニウムより線膨張係数と熱伝導率が小さい鉄やステンレス鋼で製作された平板を用い前記冷却配管としてステンレス鋼管又は防錆処理された鉄管又は銅管又は銅合金製乃至は樹脂製の管を用い前記発電セルと前記金属製のヒートシンク平板と前記冷却管の接合用の接着剤としてエポキシ樹脂乃至はウレタン樹脂乃至はフェノール樹脂乃至はＥＶＡ樹脂を主成分とした接着剤を用いて接着したことを特徴とする太陽光コジェネレイションモジュール。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
請求項４に提示した様に、図２の事例ではステンレス鋼管の冷却配管１３を厚さ１．０ｍｍの鉄板製ＨＳ平板６に多数の並行管をＵ字管で接続した様な蛇行状態の冷却配管１３
を用いている。その並行管同志の間の距離は最大４０ｍｍに設定してあり、その結果発電セル４と冷却水との温度差は約４〜５℃程度以下に保たれ、良好な結果が得られる。平行管同士の間の距離寸法をさらに大きくするとその温度差は大きくなるが、一方ステンレス鋼管の全長は短くなりコスト低減になるのは明白である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
一方、厳寒期で冷却水１１が凍結するような条件でも、僅かに水を循環させておく事により水の凍結が防げるという効果が期待できるわけである。この効果を保つ為の技術は請求項７に提示している。
以上述べてきた何れの事例でもＨＳ平板と冷却管乃至はその構成部材との間を接着する樹脂接着剤は請求項８に提示された接着剤を用いている。エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、ＥＶＡ（ホットメルト作業用、エティレン酢酸ビニル共重合樹脂）は金属同士又は樹脂との接合強度が充分であり、作業温度も１５０℃以下での選定が可能であり、加工時間も適正に選定でき、信頼性の高い接合が実現に適している接着剤であるからである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月18日(2011.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内に配置され内部でプラズマが形成される処理室と、該処理室内の下部に配置されその上面に処理対象の被処理試料が載置される試料台と、前記処理室の上方に配置され前記処理室内に処理ガスを導入するための導入孔を有するガス導入機構を備えた真空処理装置において、
前記真空容器内の前記試料台にダミー試料を搬送して前記試料台に前記ダミー試料を載置し得る手段と、
前記試料台に前記被処理試料を固定する静電吸着手段と、
前記試料台と前記被処理試料との間に被処理試料の温度を制御するための伝熱ガスを導入する手段と、
前記試料台と前記ダミー試料の間に除塵ガスを導入する手段と、
前記伝熱ガスの導入と除塵ガスの導入を切替える手段とを備え、
前記除塵ガスを導入する手段の除塵ガスの供給口は前記伝熱ガスを導入する手段の伝熱ガスの供給口であることを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の真空処理装置において、
前記試料台の静電吸着手段は、プラズマが生成されていない場合でも機能するダイポール型であることを特徴とする真空処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の真空処理装置において、
前記試料台に載置する前記ダミー試料は、裏面に凸部を設け、前記ダミー試料の凸部を静電吸着して前記試料台に保持したときに、前記試料台から導入した除塵ガスの流路を前記凸部で形成したことを特徴とする真空処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載の真空処理装置において、
前記ダミー試料は、試料台と対向する表面に前記伝熱ガスを前記被処理試料と前記試料台の間に充填させるために設けられた溝の凹凸に対して反転させたパターンを有し、前記ダミー試料と前記試料台との間に除塵ガスを導入した時に前記ダミー試料と前記試料台の間全体が同じコンダクタンスにすることを特徴とする真空処理装置。
【請求項５】
真空容器内に配置され内部でプラズマが形成される処理室と、該処理室内の下部に配置されその上面に処理対象の被処理試料が載置される試料台と、前記処理室の上方に配置され前記処理室内に処理ガスを導入するための導入孔を有するガス導入機構を備えた真空処理装置であって、前記真空容器内の前記試料台にダミー試料を搬送して前記試料台に前記ダミー試料を載置し得る手段と、前記試料台に前記被処理試料を固定する静電吸着手段と、前記試料台と被処理試料との間に被処理試料の温度を制御するための伝熱ガスを導入する手段と、前記試料台と前記ダミー試料の間に除塵ガスを導入する手段と、前記伝熱ガスの導入と除塵ガスの導入を切替える手段を備えた真空処理装置を用いた真空処理方法において、
前記試料台にダミー試料を載置し、
前記ダミー試料を静電吸着により前記試料台に固定し、
前記試料台と前記ダミー試料との間に除塵ガスを導入し、除塵ガスの流れにより前記試料台に付着している異物を除去することを特徴とする真空処理方法。
【請求項６】
請求項５に記載の真空処理方法において、
前記試料台の静電吸着手段はダイポール型であることを特徴とする真空処理方法。
【請求項７】
請求項５に記載の真空処理方法において、
前記試料台に対向する前記ダミー試料表面に凸部を設け、前記ダミー試料の凸部を静電吸着して前記試料台に保持し、前記試料台から導入した除塵ガスの流路を前記凸部で形成したことを特徴とする真空処理方法。
【請求項８】
請求項５に記載の真空処理方法において、
前記ダミー試料と試料台との間に除塵ガスを供給して試料台表面に付着している異物を除去したのち、前記ダミー試料を搬出することによりダミー試料に付着した異物を処理室から除去することを特徴とする真空処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月26日(2011.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上にメタルゲート及び高誘電率（High-K）ゲート誘電体膜を有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を形成し、
前記ＦＥＴ上に前記High-Kゲート誘電体膜に接触し、前記High-Kゲート誘電体膜の酸化を促進するHigh-K誘電体膜を形成し、
前記High-K誘電体膜は、約１００℃乃至４００℃の温度でアニールされ、前記High-K誘電体膜は、HfO2、ZrO2、HfxSi1-xO2、HfxLa1-xO2、ZrxSi1-xO2、LaxSi1-xO2、GdxSi1-xO2、HfZrSiO、HfLaSiO、及びHfGdSiO （ここで、ｘは０と１の間である）のうちの１つにより構成されることを特徴する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板上にメタルゲート及び高誘電率（High-K）ゲート誘電体膜を有するｐチャネル電界効果トランジスタ（ｐＦＥＴ）を形成し、
前記ｐＦＥＴ上に前記High-Kゲート誘電体膜に接触し、前記High-Kゲート誘電体膜の酸化を促進するHigh-K誘電体膜を形成し、
前記High-K誘電体膜は、約１００℃乃至４００℃の温度でアニールされ、前記High-K誘電体膜は、HfO2、ZrO2、HfxSi1-xO2、HfxLa1-xO2、ZrxSi1-xO2、LaxSi1-xO2、GdxSi1-xO2、HfZrSiO、HfLaSiO、及びHfGdSiO （ここで、ｘは０と１の間である）のうちの１つにより構成されることを特徴する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体基板上にメタルゲート及び高誘電率（High-K）ゲート誘電体膜を有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を形成し、
前記ＦＥＴ上に前記High-Kゲート誘電体膜に接触し、前記High-Kゲート誘電体膜の酸化を促進するHigh-K誘電体膜を形成し、
前記High-K誘電体膜は、酸素量が約１０ｐｐｍから容量で約１００％までの雰囲気内で形成されることを特徴する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記High-K誘電体膜が、前記ＦＥＴ上から除去される場合、前記High-K誘電体膜は約１０秒から約５分の間前記High-Kゲート誘電体膜に接触されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記High-K誘電体膜は、約１ｎｍから１００ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記High-K誘電体膜は、約１５０℃乃至３５０℃の温度でアニールされることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記High-K誘電体膜は、酸素量が約１０ｐｐｍから容量で約１００％までの雰囲気内で形成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ゲート絶縁膜が高誘電率（High-K）膜からなるトランジスタを有する半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、ゲート絶縁膜が高誘電率（High-K）膜からなるｐチャネルトランジスタの閾値を縮小できる半導体装置の製造方法を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上にメタルゲート及び高誘電率（High-K）ゲート誘電体膜を有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を形成し、前記ＦＥＴ上に前記High-Kゲート誘電体膜に接触し、前記High-Kゲート誘電体膜の酸化を促進するHigh-K誘電体膜を形成し、前記High-K誘電体膜は、約１００℃乃至４００℃の温度でアニールされ、前記High-K誘電体膜は、HfO2、ZrO2、HfxSi1-xO2、HfxLa1-xO2、ZrxSi1-xO2、LaxSi1-xO2、GdxSi1-xO2、HfZrSiO、HfLaSiO、及びHfGdSiO （ここで、ｘは０と１の間である）のうちの１つにより構成されることを特徴する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上にメタルゲート及び高誘電率（High-K）ゲート誘電体膜を有するｐチャネル電界効果トランジスタ（ｐＦＥＴ）を形成し、前記ｐＦＥＴ上に前記High-Kゲート誘電膜に接触し、前記High-Kゲート誘電膜の酸化を促進するHigh-K誘電体膜を形成し、前記High-K誘電体膜は、約１００℃乃至４００℃の温度でアニールされ、前記High-K誘電体膜は、HfO2、ZrO2、HfxSi1-xO2、HfxLa1-xO2、ZrxSi1-xO2、LaxSi1-xO2、GdxSi1-xO2、HfZrSiO、HfLaSiO、及びHfGdSiO （ここで、ｘは０と１の間である）のうちの１つにより構成されることを特徴する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上にメタルゲート及び高誘電率（High-K）ゲート誘電体膜を有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を形成し、前記ＦＥＴ上に前記High-Kゲート誘電体膜に接触し、前記High-Kゲート誘電体膜の酸化を促進するHigh-K誘電体膜を形成し、前記High-K誘電体膜は、酸素量が約１０ｐｐｍから容量で約１００％までの雰囲気内で形成されることを特徴する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、ゲート絶縁膜が高誘電率（High-K）膜からなるｐチャネルトランジスタの閾値を縮小できる半導体装置の製造方法を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月12日(2010.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
さらに、図示しないが、板バネ１０の第二押え部１２によってパワートランジスタ３の筐体３ａの上面全てを覆うようにしてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
さらに、上述の実施の形態では、電子部品としてパワートランジスタを例に説明したがこれに限らず、例えばパワーＭＯＳＦＥＴ等であってもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
Ａ                電子部品ユニット
３                パワートランジスタ（電子部品）
４                温度ヒューズ
１０              板バネ（固定部材）
Ａ                受熱部
Ｂ                放熱部
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月20日(2010.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極と、前記電極を被覆する熱膨張係数が異なる材料で積層された複数層の誘電体層と、前記誘電体層を被覆する保護層とを有した前面基板と、
放電空間を挟んで前記前面基板に対向配置された背面基板と、を有するプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記複数層は、前記前面基板に近い側の層ほど熱膨張係数が大きく、前記前面基板に遠い側の層ほど熱膨張係数が小さい、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記複数層には、Ｇｅ（ゲルマニウム）が添加されたＳｉＯ2から構成される層が含まれる請求項２記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記複数層は、比誘電率εが１〜５の範囲にある、請求項１から３までの何れか一つに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記複数層は、ＳｉＯ2、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＦ、ＳｉＣＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮの内の１種以上の材料から構成される層を含む、請求項１から４までの何れか一つに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記誘電体層の比誘電率εと前記誘電体層の膜厚ｄとの比ε／ｄが、０．０５以上０．２５以下である請求項１から５までの何れか一つに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記誘電体層は、プラズマが形成された環境下で成膜物質を堆積されることで形成されている、請求項１から６までの何れか一つに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
第１の基板に電極を配設する工程と、当該電極を被覆する誘電体層を配設する誘電体層形成工程と、当該誘電体層を被覆する保護層を配設する工程と、前記第１の基板と第２の基板とを放電空間を挟んで対向配置し封着する工程と、前記放電空間に放電ガスを封入する工程とを備えたプラズマディスプレイの製造方法であって、
前記誘電体層形成工程では、
プラズマが生成された環境下で、第１の基板に第１の材料からなる成膜物質を堆積する第１ステップと、第１の材料とは種類が異なる第２の材料からなる成膜物質を堆積する第２ステップとを連続して行うことによって、熱膨張係数が異なる複数の層を積層形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
前記複数の層は、
第１の基板に近い側の層ほど熱膨張係数が大きく、遠い側の層ほど熱膨張係数が小さい請求項８記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記複数の層には、
Ｇｅ（ゲルマニウム）が添加されたＳｉＯ2から構成される層が含まれる請求項９記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】
前記複数の層は、比誘電率εが１〜５の範囲にある請求項８から１０までの何れか一つに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１２】
前記複数の層は、ＳｉＯ2、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＦ、ＳｉＣＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮの内の１種以上の材料から構成される層を含む請求項８から１１までの何れか一つに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１３】
前記誘電体層の比誘電率εと誘電体層の膜厚ｄとの比ε／ｄが、０．０５以上０．２５以下である請求項８から１２までの何れか一つに記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイパネルの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成する為、本発明のプラズマディスプレイパネルは、電極と、前記電極を被覆する熱膨張係数が異なる材料で積層された複数層の誘電体層と、前記誘電体層を被覆する保護層とを有した前面基板と、放電空間を挟んで前記前面基板に対向配置された背面基板と、を有する構成を採る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記複数層は、前記前面基板に近い側の層ほど熱膨張係数が大きく、前記前面基板に遠い側の層ほど熱膨張係数が小さい構成を採る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、上記複数の層は、Ｇｅ（ゲルマニウム）が添加されたＳｉＯ2から構成される層を含む構成を採る。
また、上記複数の層は、その比誘電率εが１〜５の範囲にある構成を採る。
また、上記複数の層は、ＳｉＯ2、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＦ、ＳｉＣＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮから選択される１種以上の材料で形成された層を含む構成を採る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、上記誘電体層は、その膜厚（誘電体層全体の膜厚）ｄが５〜４０μｍの範囲で形成されてなる構成を採る。
また、上記誘電体層の比誘電率εと誘電体層の膜厚ｄとの比ε／ｄが０．０５以上０．２５以下である構成を採る。
上記誘電体層は、プラズマが形成された環境下で成膜物質を堆積されることで形成されている構成を採る。
また、上記目的を達成する為、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、第１の基板に電極を配設する工程と、当該電極を被覆する誘電体層を配設する誘電体層形成工程と、当該誘電体層を被覆する保護層を配設する工程と、前記第１の基板と第２の基板とを放電空間を挟んで対向配置し封着する工程と、前記放電空間に放電ガスを封入する工程とを備えたプラズマディスプレイの製造方法であって、前記誘電体層形成工程では、プラズマが生成された環境下で、第１の基板に第１の材料からなる成膜物質を堆積する第１ステップと、第１の材料とは種類が異なる第２の材料からなる成膜物質を堆積する第２ステップとを連続して行うことによって、異なる種類の材料からなる複数の層を積層形成する構成を採る。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記本発明のプラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイパネルの製造方法によれば、誘電体層形成工程において、複数種類の材料からなる複数の層を有する低誘電率の誘電体層が連続して形成されるので、誘電体層が形成された基板が、熱応力によって収縮して主面方向に沿って変形しても、各層の隣接する層間の境界で滑りが生じる。
従って、本発明のプラズマディスプレイパネル及び製造方法によれば、誘電体層を厚く形成しても、誘電体層にクラックが生じにくい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月15日(2011.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極板、負極板、セパレータ、および電解液を備え、
前記正極板および前記負極板にはそれぞれリード端子が接続され、
前記正極板と前記負極板との間に前記セパレータを介して電池素子とし、電解液とともにケースに収容された非水電解液二次電池であって、
前記正極板及び前記負極板の少なくとも一方は、集電体の表面および裏面ともに電極合剤層を塗布した両面塗布部と、前記集電体の表面および裏面の片方だけに前記電極合剤層を塗布した片面塗布部とを備え、
前記リード端子が、前記片面塗布部における電極合剤層未塗布部に接続されている
非水電解液二次電池。
【請求項２】
前記正極板及び前記負極板の少なくとも一方には、前記集電体の表面および裏面ともに電極合剤層を塗布していない両面未塗布部が存在しないことを特徴とする、請求項１に記載の非水電解液二次電池。
【請求項３】
前記正極板または前記負極板と、前記リード端子とを、導電性粘着層を用いて貼り付けたことを特徴とする、請求項１または２に記載の非水電解液二次電池。
【請求項４】
前記導電性粘着層は、尿素樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂、またはアクリル樹脂を含むことを特徴とする、請求項３に記載の非水電解液二次電池。
【請求項５】
前記正極板または前記負極板と、前記リード端子とを、導電性粘着層を備えた導電性テープを使用して貼り付けたことを特徴とする、請求項１から４のいずれか１項に記載の非水電解液二次電池。
【請求項６】
前記正極板に貼り付ける前記導電性テープはアルミニウムまたはアルミニウム合金を基材とし、前記負極板に貼り付ける前記導電性テープは銅とニッケルのいずれか、またはそれらの合金を基材とすることを特徴とする、請求項５に記載の非水電解液二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の非水電解液二次電池は、正極板、負極板、セパレータ、および電解液を備え、正極板および負極板にはそれぞれリード端子が接続され、正極板と負極板との間にセパレータを介して電池素子とし、電解液とともにケースに収容された非水電解液二次電池であって、正極板及び負極板の少なくとも一方は、集電体の表面および裏面ともに電極合剤層を塗布した両面塗布部と、集電体の表面および裏面の片方だけに電極合剤層を塗布した片面塗布部とを備え、リード端子が、片面塗布部における電極合剤層未塗布部に接続されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の非水電解液二次電池は、正極板及び負極板の少なくとも一方には、集電体の表面および裏面ともに電極合剤層を塗布していない両面未塗布部が存在しないことが容量上好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の非水電解液二次電池は、正極板または負極板と、リード端子とを、導電性粘着層を使用して貼り付けたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の非水電解液二次電池は、正極板または負極板と、リード端子とを、導電性粘着層を備えた導電性テープを使用して貼り付けてもよい。その場合、正極板に貼り付ける導電性テープについてはアルミニウムまたはアルミニウム合金を基材とし、負極板に貼り付ける導電性テープについては銅とニッケルのいずれか、またはそれらの合金を基材とするのが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の非水電解液二次電池は、導電性粘着層が、尿素樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂、またはアクリル樹脂を含むのが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月25日(2011.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源の光から白色光を得る蛍光体による蛍光部と、
前記蛍光部の面に対応して配置された光拡散手段と
を具備することを特徴とする照明装置。
【請求項２】
請求項１に記載の照明装置であって、
前記光拡散手段が、前記蛍光部の光入射面に対向して配置されたことを特徴とする照明装置。
【請求項３】
請求項１に記載の照明装置であって、
前記光拡散手段が、前記蛍光部の光出射面に対向して配置されたことを特徴とする照明装置。
【請求項４】
請求項１に記載の照明装置であって、
前記光拡散手段が、前記蛍光部の光入射面に対向して配置された第１の光拡散手段と、前記蛍光部の光出射面に対向して配置された第２の光拡散手段とを含むことを特徴とする照明装置。
【請求項５】
請求項４に記載の照明装置であって、
前記第１の光拡散手段及び前記第２の光拡散手段は、前記蛍光部の各面にそれぞれ密着して配置されていることを特徴とする照明装置。
【請求項６】
請求項４に記載の照明装置であって、
前記第１の光拡散手段及び前記第２の光拡散手段は、前記蛍光部の各面からそれぞれ離間して配置されていることを特徴とする照明装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の照明装置であって、
前記光源は二次元に配置された複数の光源素子からなり、
これら複数の光源素子の発光輝度が、前記蛍光部の面を分割した複数の領域それぞれに対応するものごとに個別に制御可能とされていることを特徴とする照明装置。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の照明装置であって、
前記光源は青色発光ダイオードであり、前記蛍光体部は、青色光である励起光により励起されて黄色を発光する蛍光体を有することを特徴とする照明装置。
【請求項９】
請求項１に記載の照明装置であって、
前記蛍光部が蛍光体材料を主成分とする第１の層で構成され、前記光拡散手段が光拡散材料を主成分とする第２の層で構成され、前記第１の層と前記第２の層とは媒質材料で一体化されていることを特徴とする照明装置。
【請求項１０】
表示パネルと、該表示パネルと隣接して設けられる照明装置とを具備する表示装置であって、
前記照明装置は、
光源と、
前記光源の光から白色光を得る蛍光体による蛍光部と、
前記蛍光部の面に対応して配置された光拡散手段と
を具備することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
蛍光体材料の微粒子、光拡散材料の微粒子、媒質材料を混合、攪拌して型に注入し、
前記蛍光体材料と前記光拡散材料の比重の違いに起因する前記媒質材料内での沈降速度の差を利用して、前記蛍光体材料を主成分とする第１の層と前記光拡散材料を主成分とする第２の層とを分離形成し、
前記媒質材料を固化する
ことを特徴とする照明装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の照明装置であって、
前記光拡散手段の全拡散透過率は６６％以下であることを特徴とする照明装置。
【請求項１３】
請求項２に記載の照明装置であって、
前記光拡散手段の全拡散透過率は５０％以上、６６％以下であることを特徴とする照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月3日(2011.5.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
以上の工程で、支持基板１２５が、図１（Ｂ）のような構造にて形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
回路設計情報１２１は、電気特性バラツキを減らしたいトランジスタの優先順位の情報を含む。そのため前記欠損領域内にチャネル方向の異なるトランジスタが存在している場合、前記優先順位に従いレーザ照射時の走査の方向を決定する。すなわち図３（Ａ）のシリコン層欠損領域５５−１〜５５―ｎを、第一の方向１６２あるいは第二の方向１６５にて照射すべきであることを決定する。但し、シリコン層欠損領域５５−４内には半導体素子は形成されないため、レーザ照射を行う必要が無いと決定することができる。特定のシリコン層欠損領域に対してレーザ照射を省略することで、処理時間を短縮することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板および支持基板を用意し、
加速されたイオンを前記単結晶半導体基板に照射することで、前記単結晶半導体基板の表面から所定の深さに脆化領域を形成し、
前記支持基板または前記単結晶半導体基板の少なくとも一方に接合層を形成し、
前記接合層を介して前記支持基板と前記単結晶半導体基板を貼り合わせることで、前記支持基板に前記単結晶半導体基板を固定し、
加熱によって前記脆化領域に亀裂を生じさせ、前記単結晶半導体基板を分離することにより、前記単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層を前記支持基板上に設け、
前記単結晶半導体層が前記支持基板上に設けられていない欠損領域に、非単結晶半導体層を形成し、
レーザにより前記非単結晶半導体層を結晶化し、結晶質半導体層とし、
前記単結晶半導体層と前記結晶質半導体層とが同一上面を有するように平坦化を行い、
前記結晶質半導体層または前記単結晶半導体層を用いた半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板および支持基板を用意し、
加速されたイオンを前記単結晶半導体基板に照射することで、前記単結晶半導体基板の表面から所定の深さに脆化領域を形成し、
前記支持基板または前記単結晶半導体基板の少なくとも一方に接合層を形成し、
前記接合層を介して前記支持基板と前記単結晶半導体基板を貼り合わせることで、前記支持基板に前記単結晶半導体基板を固定し、
加熱によって前記脆化領域に亀裂を生じさせ、前記単結晶半導体基板を分離することにより、前記単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層を前記支持基板上に設け、
前記単結晶半導体層上及び前記単結晶半導体層が前記支持基板上に設けられていない欠損領域に非単結晶半導体層を形成し、
レーザにより前記欠損領域に形成された前記非単結晶半導体層を結晶化し、前記欠損領域に形成された前記非単結晶半導体層を結晶質半導体層とし、
前記単結晶半導体層と前記結晶質半導体層とが同一上面を有するように平坦化を行いつつ、結晶化されなかった前記非単結晶半導体層を除去し、
前記結晶質半導体層または前記単結晶半導体層を用いた半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記欠損領域の位置情報と回路設計情報とに基づいて、前記レーザの照射領域を決定して、前記結晶質半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記非単結晶半導体層を結晶化する工程において、前記レーザは前記支持基板上の第１の方向に走査した後、前記第１の方向と異なる第２の方向に走査し、前記非単結晶半導体層を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月1日(2011.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向するように設けられた第１の絶縁体及び第２の絶縁体と、
前記対向する第１の絶縁体と第２の絶縁体との間に設けられた半導体集積回路及びアンテナと、
前記第１の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体と、
前記第２の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体とを有し、
前記第１の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体と、前記第２の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体の厚さは異なっており、
前記第１の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体と、前記第２の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体が電気的に接続され、
前記第１の絶縁体又は前記第２の絶縁体は、繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
互いに対向するように設けられた第１の絶縁体及び第２の絶縁体と、
前記対向する第１の絶縁体と第２の絶縁体との間に設けられた半導体集積回路及びオンチップアンテナと、
前記第１の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体と、
前記第２の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体と、
前記オンチップアンテナと電磁結合するブースターアンテナとを有し、
前記第１の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体と、前記第２の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体の厚さは異なっており、
前記第１の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体と、前記第２の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体が電気的に接続され、
前記第１の絶縁体又は前記第２の絶縁体は、繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記半導体集積回路は前記ブースターアンテナを介して外部と無線通信を行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体又は前記第２の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体は積層構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体及び前記第２の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体は、金属膜を含むこと特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体及び前記第２の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体は、半導体膜、金属酸化物膜、金属窒化物膜、のいずれかを少なくとも含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体の少なくとも一方の厚さは、５μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第１の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体と、前記第２の絶縁体の一表面に設けられた導電性遮蔽体の電気的な接続は、前記第１の絶縁体と前記第２の絶縁体を貫通する導電体によって行われることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月1日(2011.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向するように設けられた第１の絶縁体及び第２の絶縁体と、
前記対向する第１の絶縁体と第２の絶縁体との間に設けられた半導体集積回路及びアンテナと、
前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体の前記半導体集積回路と反対側の表面にそれぞれ設けられた導電性遮蔽体とを有し、
前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体の少なくとも一方は、繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
互いに対向するように設けられた第１の絶縁体及び第２の絶縁体と、
前記対向する第１の絶縁体と第２の絶縁体との間に設けられた半導体集積回路及びオンチップアンテナと、
前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体の前記半導体集積回路と反対側の表面にそれぞれ設けられた導電性遮蔽体と、
前記オンチップアンテナと電磁結合するブースターアンテナとを有し、
前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体の少なくとも一方は、繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記半導体集積回路は前記ブースターアンテナを介して外部と無線通信を行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記導電性遮蔽体は積層構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記導電性遮蔽体は、金属膜を有すること特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記導電性遮蔽体は、金属酸化膜、金属窒化膜、又は半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体の少なくとも一方の厚さは、５μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月15日(2011.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スルーホールが形成された金属箔付樹脂基板と、
前記金属箔表面と前記スルーホールの内壁面に形成された第１の給電層および該第１の給電層に積層された第１のめっき層とにより形成された第１の配線層と、
前記スルーホールと、前記第１の配線層の配線パターン間に充填され、前記第１の配線層の表面と面一な表面を有する樹脂材と、
前記樹脂材の表面および前記第１の配線層の表面に形成された第２の給電層と、該第２の給電層に積層された第２のめっき層とにより形成された第２の配線層とを備えていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第２の配線層には、絶縁層を介して前記第２の配線層と電気的に接続する上層の配線層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記第２の配線層には、前記スルーホールの端面を覆う蓋めっき部が含まれていることを特徴とする請求項１または２記載の配線基板。
【請求項４】
前記第２の配線層は、前記蓋めっき部と第２の配線パターンとを含み、
当該第２の配線パターンは、前記第１の配線層における配線パターンと同一パターンに形成されていることを特徴とする請求項３記載の配線基板。
【請求項５】
両面に金属箔が貼り付けられてなる金属箔付樹脂基板にスルーホールを形成する工程と、
前記金属箔の表面および前記スルーホールの内壁面に第１の給電層を形成する工程と、
前記第１の給電層に第１のめっきマスクを形成する工程と、
前記第１のめっきマスクにより、前記第１の給電層に第１のめっき層を積層する工程と、
前記第１のめっきマスクを除去する工程と、
前記第１の給電層および前記金属箔の前記第１のめっきマスクにより被覆されていた部位を除去し、第１の配線層を形成する工程と、
前記樹脂基板表面および前記第１の配線層を樹脂材により被覆すると共に、前記スルーホールを前記樹脂材により充填する工程と、
前記第１の配線層の表面と前記樹脂材の表面とが面一になるまで前記樹脂材を研磨する工程と、
前記第１の配線層および前記樹脂材の表面に第２の給電層を形成する工程と、
前記第２の給電層に第２のめっきマスクを形成する工程と、
前記第２のめっきマスクにより前記第２の給電層に第２のめっき層を形成する工程と、
前記第２のめっきマスクを除去する工程と、
前記第２の給電層が露出する部位を除去し、第２の配線層を形成する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記第２の配線層の表面に、絶縁層を介して前記第２の配線層に電気的に接続する上層の配線層を形成する工程をさらに有していることを特徴とする請求項５記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第２のめっき層を形成する工程において、前記スルーホールに充填された前記樹脂材の表面を覆う蓋めっき部を施すことを特徴とする請求項５または６記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２のめっき層形成工程は、前記スルーホールに充填された前記樹脂材の表面を覆う蓋めっき部を形成する工程と、前記第２の配線層の配線パターンとを形成する工程とを含み、
当該第２の配線層の配線パターンを形成する工程は、前記第１の配線層の配線パターンと同一パターンに形成する工程であることを特徴とする請求項７記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以上の課題を解決するため本発明は、以下の構成を備える。
すなわち、スルーホールが形成された金属箔付樹脂基板と、前記金属箔表面と前記スルーホールの内壁面に形成された第１の給電層および該第１の給電層に積層された第１のめっき層とにより形成された第１の配線層と、前記スルーホールと、前記第１の配線層の配線パターン間に充填され、前記第１の配線層の表面と面一な表面を有する樹脂材と、前記樹脂材の表面および前記第１の配線層の表面に形成された第２の給電層と、該第２の給電層に積層された第２のめっき層とにより形成された第２の配線層とを備えていることを特徴とする配線基板である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、前記第２の配線層には、絶縁層を介して前記第２の配線層と電気的に接続する上層の配線層が形成されていることを特徴とする。
また、前記第２の配線層には、前記スルーホールの表面を覆う蓋めっき部が含まれていることを特徴とする。
これらにより、より高密度な配線パターンを形成することができる。
また、前記第２の配線層は、前記蓋めっき部と第２の配線パターンとを含み、当該第２の配線パターンは、前記第１の配線層における配線パターンと同一パターンに形成されていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前記第２の配線層の表面に、絶縁層を介して前記第２の配線層に電気的に接続する上層の配線層を形成する工程をさらに有していることを特徴とする。これによりさらに高密度な配線パターンを形成することができる。
また、前記第２のめっき層を形成する工程において、前記スルーホールに充填された前記樹脂材の表面を覆う蓋めっき部を施すことを特徴とする。これにより、スルーホールの直上位置にも配線パターンの形成ができるので、高密度な配線パターンを形成した配線基板を提供することができる。
また、前記第２のめっき層形成工程は、前記スルーホールに充填された前記樹脂材の表面を覆う蓋めっき部を形成する工程と、前記第２の配線層の配線パターンとを形成する工程とを含み、当該第２の配線層の配線パターンを形成する工程は、前記第１の配線層の配線パターンと同一パターンに形成する工程であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月24日(2011.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板に支持され、対向する側面を有し、積層された前記第１導電型の第１のクラッド層、活性層、及び前記第１導電型とは反対の第２導電型の第２のクラッド層を有するリッジ構造と、
前記リッジ構造の前記側面に接する埋込層構造とを備え、
前記埋込層構造は、順に積層された、
前記半導体基板と前記リッジ構造の前記側面に接するｐ型ＩｎＰ層と、
前記ｐ型ＩｎＰ層に接するｎ型ＩｎＰ層と、
前記ｎ型ＩｎＰ層に接する半絶縁性ＦｅドープＡｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ層と、
前記半絶縁性ＦｅドープＡｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ層に接し完全に覆い、前記ｐ型ＩｎＰ層に接する半絶縁性ＦｅドープＩｎＰ層とを有する半導体レーザ。
【請求項２】
前記半絶縁性ＦｅドープＩｎＰ層は、（００１）面と（１１１）Ｂ面の２つだけの成長面を持ち、
前記ｐ型ＩｎＰ層、前記ｎ型ＩｎＰ層、及び前記半絶縁性ＦｅドープＡｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ層の各々は、（００１）面の１つだけの成長面を持つ請求項１に記載の半導体レーザ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体レーザ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る半導体レーザは、第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板に支持され、対向する側面を有し、積層された前記第１導電型の第１のクラッド層、活性層、及び前記第１導電型とは反対の第２導電型の第２のクラッド層を有するリッジ構造と、前記リッジ構造の前記側面に接する埋込層構造とを備え、前記埋込層構造は、順に積層された、
前記半導体基板と前記リッジ構造の前記側面に接するｐ型ＩｎＰ層と、前記ｐ型ＩｎＰ層に接するｎ型ＩｎＰ層と、前記ｎ型ＩｎＰ層に接する半絶縁性ＦｅドープＡｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ層と、前記半絶縁性ＦｅドープＡｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ層に接し完全に覆い、前記ｐ型ＩｎＰ層に接する半絶縁性ＦｅドープＩｎＰ層とを有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月3日(2011.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数に分割された鍵盤部がそれぞれ設けられた複数の鍵盤ケースと、
この複数の鍵盤ケースの互いに隣接する端部同士に跨って配置されて前記複数の鍵盤ケースを回動可能に連結する制動機能を有するヒンジ部材と、を備え、
前記ヒンジ部材は、第１回転軸の回転を制動する制動機能を有する第１ヒンジ部と、第２回転軸の回転を制動する制動機能を有する第２ヒンジ部とからなり、
さらに、前記第１ヒンジ部の第１回転軸と前記第２ヒンジ部の第２回転軸との軸中心が一致している状態で、前記第１ヒンジ部および第２ヒンジ部を互いに取り付けるヒンジ取付板と
を有する鍵盤装置。
【請求項２】
前記複数の鍵盤ケースのうち、一方側の鍵盤ケース内には、前記ヒンジ部材の前記第１、第２ヒンジ部が取り付けられる第１補強部材が設けられており、
他方側の鍵盤ケース内には、前記第１、第２ヒンジ部の前記第１、第２回転軸がそれぞれ取り付けられて前記第１、第２回転軸と共に回動する第２補強部材が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の鍵盤装置。
【請求項３】
前記第１補強部材は、前記ヒンジ取付板が取り付けられる第１、第２補強板と、この第１、第２補強板を連結固定する第１連結補強部材とを備え、
前記第２補強部材は、前記第１ヒンジ部の前記第１回転軸が取り付けられる第３補強板と、前記第２ヒンジ部の前記第２回転軸が取り付けられる第４補強板と、前記第３、第４補強板を連結固定する第２連結補強部材とを備えていることを特徴とする請求項２に記載の鍵盤装置。
【請求項４】
前記複数の鍵盤ケースはそれぞれ上ケース部と下ケース部とからなり、これら上ケース部と下ケース部との互いに対向する各内面には、前記第１、第２補強部材を挟み付けて固定する複数の溝付きリブがそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項２または３に記載の鍵盤装置。
【請求項５】
前記ヒンジ部材は、その外周に装着するヒンジカバーと、前記ヒンジ部材の両端部にそれぞれ装着するヒンジキャップとを備えていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の鍵盤装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明は、上記課題を解決するために、次のような構成要素を備えている。
請求項１に記載の発明は、複数に分割された鍵盤部がそれぞれ設けられた複数の鍵盤ケースと、この複数の鍵盤ケースの互いに隣接する端部同士に跨って配置されて前記複数の鍵盤ケースを回動可能に連結する制動機能を有するヒンジ部材と、を備え、
前記ヒンジ部材は、第１回転軸の回転を制動する制動機能を有する第１ヒンジ部と、第２回転軸の回転を制動する制動機能を有する第２ヒンジ部とからなり、
さらに、前記第１ヒンジ部の第１回転軸と前記第２ヒンジ部の第２回転軸との軸中心が一致している状態で、前記第１ヒンジ部および第２ヒンジ部を互いに取り付けるヒンジ取付板と
を有する鍵盤装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２に記載の発明は、前記複数の鍵盤ケースのうち、一方側の鍵盤ケース内には、前記ヒンジ部材の前記第１、第２ヒンジ部が取り付けられる第１補強部材が設けられており、
他方側の鍵盤ケース内には、前記第１、第２ヒンジ部の前記第１、第２回転軸がそれぞれ取り付けられて前記第１、第２回転軸と共に回動する第２補強部材が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の鍵盤装置である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項３に記載の発明は、前記第１補強部材は、前記ヒンジ取付板が取り付けられる第１、第２補強板と、この第１、第２補強板を連結固定する第１連結補強部材とを備え、
前記第２補強部材は、前記第１ヒンジ部の前記第１回転軸が取り付けられる第３補強板と、前記第２ヒンジ部の前記第２回転軸が取り付けられる第４補強板と、前記第３、第４補強板を連結固定する第２連結補強部材とを備えていることを特徴とする請求項２に記載の鍵盤装置である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項４に記載の発明は、前記複数の鍵盤ケースがそれぞれ上ケース部と下ケース部とからなり、これら上ケース部と下ケース部との互いに対向する各内面には、前記第１、第２補強部材を挟み付けて固定する複数の溝付きリブがそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項２または３に記載の鍵盤装置である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項５に記載の発明は、前記ヒンジ部材が、その外周に装着するヒンジカバーと、前記ヒンジ部材の両端部にそれぞれ装着するヒンジキャップとを備えていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の鍵盤装置である。