【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年12月12日(2008.12.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロエレクトロニクス前駆体を形成する方法であって、
表面を有し前記表面に複数の凹凸形状を有する基板を提供するステップと、
前記表面に平坦化層を形成するステップとを含み、前記平坦化層は、モノマー、オリゴマー、またはモノマーとオリゴマーの混合物と、前記モノマー、前記オリゴマー、または前記混合物と反応する反応性溶媒とを含み、
該平坦化層を物体の平坦表面に十分な時間と圧力で接触させて平坦表面の平坦性を平坦化層に転写するステップを含む方法。
【請求項２】
前記平坦化層が、酸、酸発生剤、界面活性剤および光開始剤から成る群より選択した材料をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記材料が、光酸発生剤である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記平坦化層が本質的に、
モノマー、オリゴマー、若しくはモノマーとオリゴマーの混合物と、
反応性溶媒と、
酸若しくは酸発生剤とから成る、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記モノマー若しくはオリゴマーが、エポキシ、ノボラックエポキシ、アクリレート、ノボラックエポキシアクリレート、ビニルエーテル、ノボラックエポキシビニルエーテル、およびビニル基を含むモノマーとオリゴマー、ならびにこれらの混合物から成る群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記反応性溶媒が、プロピレンカーボネート、グリシジルエーテル、ビニルエーテル、アリルエーテル、アクリレート、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記平坦化層が、平坦化物質の総重量を１００重量％としたときに、５重量％未満の非反応性溶媒を含む平坦化物質から形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記平面化層を実質的に硬化するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記硬化ステップが、前記平坦化層に紫外光を十分な時間施して前記組成物を実質的に硬化する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記硬化ステップが、前記モノマー、オリゴマー、若しくはモノマーとオリゴマーの混合物が、実質的に前記反応性溶媒を消費するよう前記反応性溶媒と反応を起こさせる、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記硬化ステップにより生じた前記マイクロエレクトロニクス前駆体が、硬化した平坦化層を含み、前記硬化した平坦化層が１％未満の空隙を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記提供、形成、および接触ステップを周囲圧力下で行う、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記提供、形成、および接触ステップを真空下で行う、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記接触ステップを５〜２００ｐｓｉの圧力で行う、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記接触ステップを１８〜４００℃の温度で行う、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記接触ステップを１秒から１０分の時間行う、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
表面を有し前記表面に複数の凹凸形状を有する基板を提供し、
前記表面に平坦化層を形成し、前記平坦化層は、モノマー、オリゴマー、若しくはモノマーとオリゴマーの混合物と、前記モノマー、前記オリゴマー、または前記混合物と反応する反応性溶媒を含み、
該平坦化層を物体の平坦表面に十分な時間と圧力で接触させて平坦表面の平坦性を平坦化層に転写することにより形成した前駆構造体。
【請求項１８】
前記平坦化層が、酸、酸発生剤、界面活性剤、および光開始剤から成る群より選択した材料をさらに含む、請求項１７に記載の前駆構造体。
【請求項１９】
前記平坦化層が、本質的に
モノマー、オリゴマー、若しくはモノマーとオリゴマーの混合物と、
反応性溶媒と、
酸、酸発生剤、および光開始剤からなる群から選ばれる材料とからなる、請求項１７に記載の前駆構造体。
【請求項２０】
前記平坦化層が、平坦化物質の総重量を１００重量％としたときに、５重量％未満の非反応性溶媒を含む平坦化物質から形成される、請求項１７に記載の前駆構造体。
【請求項２１】
前記平面化層を実質的に硬化するステップをさらに含む、請求項１７に記載の前駆構造体。
【請求項２２】
前記硬化ステップにより生じた前記マイクロエレクトロニクス前駆体が、硬化した平坦化層を含み、前記硬化した平坦化層が１％未満の空隙を含む、請求項２１に記載の前駆構造体。
【請求項２３】
前記提供、形成、および接触ステップを周囲圧力下で行う、請求項１７に記載の前駆構造体。
【請求項２４】
前記提供、形成、および接触ステップを真空下で行う、請求項１７に記載の前駆構造体。
【請求項２５】
マイクロエレクトロニクス前駆体を形成する方法であって、
表面を有し前記表面に複数の凹凸形状を有する基板を提供するステップと、
前記表面にモノマー、オリゴマー、またはモノマーとオリゴマーの混合物と、前記モノマー、前記オリゴマー、または前記混合物と反応する反応性溶媒とを含む平坦化層を形成するステップと、
該平坦化層を物体の平坦表面に十分な時間と圧力で接触させて平坦表面の平面性を平坦化層に転写するステップと、
前記接触ステップ後または前記接触ステップの間、前記平坦化層を硬化するステップとを含み、前記硬化した平坦化層が１％未満の空隙を含む方法。
【請求項２６】
前記提供、形成、および接触ステップを周囲圧力下で行う、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記提供、形成、および接触ステップを真空下で行う、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
前記接触ステップを１８〜４００℃の温度で行う、請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】
前記接触ステップを１秒から１０分の時間行う、請求項２５に記載の方法。
【請求項３０】
表面と前記表面に複数の凹凸形状を有するマイクロエレクトロニクス基板と、
前記表面上の硬化した平坦化層であって、前記平坦化層がモノマー、オリゴマー、またはモノマーとオリゴマーの混合物と、前記モノマー、前記オリゴマー、または前記混合物と反応する反応性溶媒とを含み、前記硬化した平坦化層が実質的に前記基板表面から離れた平面を有し、前記硬化した平坦化層は１％未満の空隙を含む平坦化層との組み合わせ。
【請求項３１】
前記基板が、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、ガラス基板、石英基板、有機ポリマー、誘電性基板、金属、合金、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、およびセラミックスから成る群から選ばれる、請求項３０に記載の組み合わせ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
現在のところ、接触平坦化および同様の技術に用いる物質は、硬化する膜に残存することがある揮発性有機溶媒を含み、硬化処理中に膜内に気泡の形成を引き起こすことがある。これらの気泡は空隙を形成し、硬化中に膜内に恒久的に閉じこめられる。気泡が平坦化物質の接触面と光学的平坦表面の間に形成されると、粗い表面が生じる。さらに、閉じこめられた気泡は、膜の完全性だけでなく膜の特性も悪化させるであろう。気泡の形成を防止するために、硬化処理の前に膜から残留溶媒を取り除くよう、前焼きまたは後焼き技術、高温処理、真空処理環境、またはこれらの組み合わせなどの更なる処理および条件が必要である。残留溶媒を取り除くと膜の収縮が起こり得る。基板表面全体で平坦化される物質の厚さが多様なため、収縮は表面に好ましくない凹凸をもたらす。収縮は、より厚い平坦化物質が堆積した下層の陥凹部領域の上方でより深刻である。したがって、表面の平面性は低下する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
先に記載したように、接触平坦化処理は、平坦化される物質表面に接触する光学的平坦表面に依存しており、平坦化物質は、閉じ込められまた平坦化されて２つの表面の間を流動する。光学的平坦面と平坦化面は双方とも揮発性蒸気に浸透され得ない。平坦化処理中に、平坦化物質が、揮発性かつ非反応性の溶媒を含み、または揮発性副産物を生成すると、揮発性物質は２つの表面の間に閉じこめられるであろう。平坦化物質が平坦化処理中に硬化されるとき、残留溶媒は蒸発するであろう。蒸発は、光照射（光硬化平坦化物質が用いられた場合）の間に発生した熱、または硬化中に感熱硬化平坦化物質に加えた熱によって起こる。接触平坦化の間、平坦化した表面の平面性を下層の凹凸表面に転写するために、平坦化した物質表面はプラズマエッチ処理を受ける。残留溶媒はプラズマエッチ処理中に放出され、ひいてはエッチ装置内のプラズマ化学反応が変化する。その結果プラズマエッチ速度およびエッチ速度率が変化し、結果としてエッチングした表面の表面平面性が劣化する。残留溶媒が平坦化した物質内に均一的に分布してない場合は、たとえ残留溶媒を平坦化処理後に取り除いても、好ましくない空隙が平坦化した物質または接触界面に形成されるであろう。溶媒蒸気が平坦化物質と光学的表面の接触面に閉じこめられると、これらの空隙は平坦化した物質表面の平面性を悪化させる粗い表面の原因になるであろう。溶媒が平坦化した物質に閉じこめられると、好ましくないことに、空隙は物質の厚み全範囲で不均一な物質密度の原因になるであろう。より重大な事に、プラズマエッチ速度はより少ない空隙を含む領域よりより多くて大きい空隙を含む領域のほうが速くなる。その結果、不均一のプラズマエッチ速度により、エッチングされる表面平面性が劣化となる。その上、これらの空隙は、装置の製造に最も重要なトレンチ、バイアおよびホールなどの小さな穴に集まる可能性が高い。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
別の方法として、化学機械研磨プロセスは、平坦化する物質と下層の物質の間で一致した化学機械研磨除去速度を達成することができれば、平坦化した表面平面性を下層に転写すことができる。物質を研磨する間に、一定し均一の化学機械研磨除去速度を得るために、一定し均一の物質密度が求められる。物質内に空隙があると、空隙の大きさが同じでなく、物質の全範囲にわたって均一に分布していない場合は、一定し均一の化学機械研磨処理除去速度を達成することにマイナスの影響を及ぼす。したがって、平坦化物質および下層の物質を同時に研磨する間に一致した除去速度を達成するため、平坦化物質内の一定し均一の化学機械研磨除去速度確保するよう、一定し均一の密度を有し、空隙のない平坦化した膜が必要である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
図２は、先にここに記載した従来技術の接触平坦化処理により形成した集積回路前駆体１６の断面図を表す。従来技術の前駆体１６も、基板１８および硬化した平坦化層２０を含む。しかしながら、従来技術の接触平坦化処理によって下処理すると、平坦化層２０は好ましくない空隙２２を有する。これらの空隙の一部は表面でくぼみ２２ａの形をしている。これらの空隙２２は、層２０の表面にあっても層２０の中にあっても、膜の特性を悪化させるので好ましくない。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
図３は、本発明によって形成した集積回路前駆体２４の概略断面図である。本発明の前駆体２４は、基板２６と硬化した平坦化層２８を含む。しかしながら、ここに記載した改善によって、平坦化層２８には基本的に従来技術の前駆体１６に存在する空隙がない。したがって、本発明により形成した前駆体構造の硬化した平坦化層は、硬化した層の中に約１％よりも少なく、好ましくは約０．５％より少なく、より好ましくは約０％の空隙を有する。ここで用いる「空隙」という用語は、図２に示すように、層の一部が欠落している平坦化層の領域として定義する。「空隙」という用語は、表面のくぼみをも含むことを意図する。これは外部の欠陥（例えば層内の異質の小片）とは区別される。「空隙」は物質内に見いだされる自然な微細孔よりも大きい領域であるということを、当業者は理解されよう。空隙％は、
（１）  ５０，０００倍の倍率に設定された走査型電子顕微鏡で、異なる５つの断面の構造を調べ、
（２）  長さ「Ｌ」および高さ「Ｈ」の各断面を有する断片の中心付近において（この倍率で）観測される空隙の数を計算し、ここで「Ｌ」は約１０ｍｍ、「Ｈ」は約１μｍである（図２参照）、
（３）  ステップ（２）で計算した空隙の数を用い、各５つのサンプルの硬化した層の中の空隙％を求め、
（４）  これら５つの空隙％の平均を決定する、
ことにより決定する。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
メーカー推奨プロセスを用い、接触促進剤（ＡＰＸ−Ｋ１、Ｂｒｅｗｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｉｎｃ．から入手した）によって予め処理した６インチシリコンウエハ表面に、層厚２４μｍの平坦化物質を被覆した。標準エッジビート除去処理を行い、約５ｍｍのエッジビートを取り除いた。次に、このウエハを接触平坦化処理チャンバー内のウエハ試料台上に、被覆した表面を紫外線透過光学的平坦物体に向き合わせて置いた。圧力チャンバーを密閉し、２０トール未満に排気し、ウエハ試料台を上昇させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムに対して押圧し、このフィルムは６８ｐｓｉの押圧力で３０秒間、光学的平坦表面に対して押圧した。平坦化物質が光学的平坦表面に接触している間、（水銀−キセノンランプからの）連続的な紫外線光を、光学的平坦表面を通して１０秒間照射し、平坦化物質を硬化した。平坦化物質が硬化するとすぐに押圧力を解放した。ウエハ試料台を降下させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムから離し、チャンバーを通気した。平坦化した表面の粗さおよび平坦化の程度を明らかにするために、Ｄｅｋｔａｋ８（Ｖｅｅｃｏ  Ｍｅｔｒｏｌｏｇｙ  Ｇｒｏｕｐ）を用いた。高さ１μｍの原基板構造の中に約２００オングストロームの段差高を検出した。約９８％の平坦度を達成した。１００％の度合いの平坦度は、原構造の段差高が完全に取り除かれていることを示す。平坦化した物質内に空隙は検出されなかった。本発明の方法では、少なくとも約９０％、好ましくは少なくとも約９５％、より好ましくは少なくとも９８％の平坦度になる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
メーカー推奨プロセスを用い、接触促進剤ＡＰＸ−Ｋ１によって予め処理した６インチシリコンウエハ表面に、層厚１．５μｍの平坦化物質を被覆した。標準エッジビート除去処理を行い、約５ｍｍのエッジビートを取り除いた。このウエハを接触平坦化処理チャンバー内のウエハ試料台上に、被覆した表面を紫外線透過光学的平坦物体に向き合わせて置いた。圧力チャンバーを密閉し、２０トール未満に排気し、ウエハ試料台を上昇させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムに対して押圧し、このフィルムは６８ｐｓｉの押圧力で３０秒間、光学的平坦表面に対して押圧した。平坦化物質が光学的平坦表面に接触している間、連続的な紫外線光を、光学的平坦表面を通して１０秒間照射し、平坦化物質を硬化した。平坦化物質が硬化するとすぐに押圧力を解放した。ウエハ試料台を降下させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムから離し、チャンバーを通気した。平坦化した表面の粗さおよび平坦化の程度を明らかにするために、Ｄｅｋｔａｋ８を用いた。高さ１μｍの原基板構造の中に約２００オングストロームの段差高を検出した。約９８％の平坦度を達成した。平坦化した物質内に空隙は検出されなかった。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
ｎ−ブチルグリシジルエーテルをｔ−ブチルグリシジルエーテル（Ａｌｄｒｉｃｈから購入した）に置き換えたことを除いて、本実施例を記載したとおりに繰り返した。約９９％の平坦度が、平坦化した物質内に空隙なしに達成された。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
メーカー推奨プロセスを用い、接触促進剤（ＡＰＸ−Ｋ１）によって予め処理した６インチシリコンウエハ表面に、層厚１．７μｍの平坦化物質を被覆した。標準エッジビート除去処理を行い、約５ｍｍのエッジビートを取り除いた。このウエハを接触平坦化処理チャンバー内のウエハ試料台上に、被覆した表面を紫外線透過光学的平坦物体に向き合わせて置いた。圧力チャンバーを密閉し、２０トール未満に排気し、ウエハ試料台を上昇させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムに対して押圧し、このフィルムは６８ｐｓｉの押圧力で３０秒間、光学的平坦表面に対して押圧した。平坦化物質が光学的平坦表面に接触している間、連続的な紫外線光を、光学的平坦表面を通して１０秒間照射し、平坦化物質を硬化した。平坦化物質が硬化するとすぐに押圧力を解放した。ウエハ試料台を降下させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムから離した。平坦化した表面の粗さおよび平坦化の程度を明らかにするために、Ｄｅｋｔａｋ８を用いた。高さ１μｍの原基板構造の中に約２００オングストロームの段差高を検出した。約９８％の平坦度を達成した。平坦化した物質内に空隙は検出されなかった。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
メーカー推奨プロセスを用い、接触促進剤（ＡＰＸ−Ｋ１）によって予め処理した６インチシリコンウエハ表面に、層厚２．４μｍの平坦化物質を被覆した。標準エッジビート除去処理を行い、約５ｍｍのエッジビートを取り除いた。このウエハを接触平坦化処理チャンバー内のウエハ試料台上に、被覆した表面を紫外線透過光学的平坦物体に向き合わせて置いた。圧力チャンバーを密閉し、２０トール未満に排気し、ウエハ試料台を上昇させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムに対して押圧し、このフィルムは６８ｐｓｉの押圧力で３０秒間、光学的平坦表面に対して押圧した。平坦化物質が光学的平坦表面に接触している間、連続的な紫外線光を、光学的平坦表面を通して１０秒間照射し、平坦化物質を硬化した。平坦化物質が硬化するとすぐに押圧力を解放した。ウエハ試料台を降下させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムから離し、チャンバーを通気した。平坦化した表面の粗さおよび平坦化の程度を明らかにするために、Ｄｅｋｔａｋ８を用いた。高さ１μｍの原基板構造の中に約４００オングストロームの段差高を検出した。約９６％の平坦度を達成した。平坦化した物質内に空隙は検出されなかった。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
メーカー推奨プロセスを用い、接触促進剤（ＡＰＸ−Ｋ１）によって予め処理した６インチシリコンウエハ表面に、層厚４．２μｍの平坦化物質を被覆した。このウエハを接触平坦化処理チャンバー内のウエハ試料台上に、被覆した表面を紫外線透過光学的平坦物に向き合わせて置いた。圧力チャンバーを密閉し、２０トール未満に排気し、ウエハ試料台を上昇させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムに対して押圧し、このフィルムは６８ｐｓｉの押圧力で３０秒間、光学的平坦表面に対して押圧した。平坦化物質が光学的平坦表面に接触している間、連続的な紫外線光を、光学的平坦表面を通して１０秒間照射し、その後紫外線を２０秒間止め、２度目の１０秒間露光を行った。紫外線露光時間の合計は２０秒であった。平坦化物質が硬化するとすぐに押圧力を解放した。ウエハ試料台を降下させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムから離した。平坦化した表面の粗さおよび平坦化の程度を明らかにするために、Ｄｅｋｔａｋ８を用いた。高さ１μｍの原基板構造の中に約１００オングストロームの段差高を検出した。約９９％の平坦度を達成した。平坦化した物質内に空隙は検出されなかった。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
メーカー推奨プロセスを用い、接触促進剤（ＡＰＸ−Ｋ１）によって予め処理した６インチシリコンウエハ表面に、層厚１２．５μｍの平坦化物質を被覆した。このウエハを接触平坦化処理チャンバー内のウエハ試料台上に、被覆した表面を紫外線透過光学的平坦物体に向き合わせて置いた。圧力チャンバーを密閉し、２０トール未満に排気し、ウエハ試料台を上昇させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムに対して押圧し、このフィルムは６８ｐｓｉの押圧力で３０秒間、光学的平坦表面に対して押圧した。平坦化物質が光学的平坦表面に接触している間、連続的な紫外線光を、光学的平坦表面を通して１０秒間照射し、平坦化物質を硬化した。平坦化物質が硬化するとすぐに押圧力を解放した。ウエハ試料台を降下させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムから離した。平坦化した表面の粗さおよび平坦化の程度を明らかにするために、Ｄｅｋｔａｋ８を用いた。高さ１μｍの原基板構造の中に約１００オングストロームの段差高を検出した。約９９％の平坦度を達成した。平坦化した物質内に空隙は検出されなかった。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
０．０８グラムのフッ素含有界面活性剤（ＦＣ−４４３０、３Ｍから入手した）を平坦化物質に加えたことを除いて、本実施例を記載したとおり繰り返した。同程度の平坦度が、平坦化物質内に空隙なしに得られた。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
メーカー推奨プロセスを用い、接触促進剤（ＡＰＸ−Ｋ１）によって予め処理した６インチシリコンウエハ表面に、層厚１７．５μｍの平坦化物質を被覆した。このウエハを接触平坦化処理チャンバー内のウエハ試料台上に、被覆した表面を紫外線透過光学的平坦物体に向き合わせて置いた。圧力チャンバーを密閉し、２０トール未満に排気し、ウエハ試料台を上昇させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムに対して押圧し、このフィルムは６８ｐｓｉの押圧力で３０秒間、光学的平坦表面に対して押圧した。平坦化物質が光学的平坦表面に接触している間、連続的な紫外線光を、光学的平坦表面を通して１０秒間照射し、平坦化物質を硬化した。平坦化物質が硬化するとすぐに押圧力を解放した。ウエハ試料台を降下させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムから離した。平坦化した表面の粗さおよび平坦化の程度を明らかにするために、Ｄｅｋｔａｋ８を用いた。高さ１μｍの原基板構造の中に約２００オングストロームの段差高を検出した。約９８％の平坦度を達成した。平坦化した物質内に空隙は検出されなかった。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
メーカー推奨プロセスを用い、接触促進剤（ＡＰＸ−Ｋ１）によって予め処理した６インチシリコンウエハ表面に、層厚１７μｍの平坦化物質を被覆した。このウエハを接触平坦化処理チャンバー内のウエハ試料台上に、被覆した表面を紫外線透過光学的平坦物体に向き合わせて置いた。圧力チャンバーを密閉し、２０トール未満に排気し、ウエハ試料台を上昇させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムに対して押圧し、このフィルムは６８ｐｓｉの押圧力で３０秒間、光学的平坦表面に対して押圧した。平坦化物質が光学的平坦表面に接触している間、連続的な紫外線光を、光学的平坦表面を通して１０秒間照射し、平坦化物質を硬化した。平坦化物質が硬化するとすぐに押圧力を解放した。ウエハ試料台を降下させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムから離した。平坦化した表面の粗さおよび平坦化の程度を明らかにするために、Ｄｅｋｔａｋ８を用いた。高さ１μｍの原基板構造の中に約１００オングストロームの段差高を検出した。約９９％の平坦度を達成した。平坦化した物質内に空隙は検出されなかった。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
メーカー推奨プロセスを用い、接触促進剤（ＡＰＸ−Ｋ１）によって予め処理した６インチシリコンウエハ表面に、層厚１．８μｍの平坦化物質を被覆した。標準エッジビート除去処理を行い、約５ｍｍのエッジビートを取り除いた。このウエハを接触平坦化処理チャンバー内のウエハ試料台上に、被覆した表面を紫外線透過光学的平坦物体に向き合わせて置いた。圧力チャンバーを密閉し、２０トール未満に排気し、ウエハ試料台を上昇させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムに対して押圧し、このフィルムは６８ｐｓｉの押圧力で３０秒間、光学的平坦表面に対して押圧した。平坦化物質が光学的平坦表面に接触している間、連続的な紫外線光を、光学的平坦表面を通して１０秒間照射し、平坦化物質を硬化した。平坦化物質が硬化するとすぐに押圧力を解放した。ウエハ試料台を降下させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムから離し、チャンバーを通気した。平坦化した表面の粗さおよび平坦化の程度を明らかにするために、Ｄｅｋｔａｋ８を用いた。高さ１μｍの原基板構造の中に約１００オングストロームの段差高を検出した。約９９％の平坦度を達成した。平坦化した物質内に空隙は検出されなかった。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
メーカー推奨プロセスを用い、接触促進剤（ＡＰＸ−Ｋ１）によって予め処理した６インチシリコンウエハ表面に、層厚１．８μｍの平坦化物質を被覆した。このウエハを接触平坦化処理チャンバー内のウエハ試料台上に、被覆した表面を紫外線透過光学的平坦物体に向き合わせて置いた。圧力チャンバーを密閉し、２０トール未満に排気し、ウエハ試料台を上昇させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムに対して押圧し、このフィルムは６８ｐｓｉの押圧力で３０秒間、光学的平坦表面に対して押圧した。平坦化物質が光学的平坦表面に接触している間、連続的な紫外線光を、光学的平坦表面を通して１０秒間照射し、その後紫外線を２０秒間止め、２度目の１０秒間露光を行った。紫外線露光時間の合計は２０秒であった。平坦化物質が硬化するとすぐに押圧力を解放した。ウエハ試料台を降下させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムから離した。平坦化した表面の粗さおよび平坦化の程度を明らかにするために、Ｄｅｋｔａｋ８を用いた。高さ１μｍの原基板構造の中に約１５０オングストロームの段差高を検出した。約９８％の平坦度を達成した。平坦化した物質内に空隙は検出されなかった。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
メーカー推奨プロセスを用い、接触促進剤（ＡＰＸ−Ｋ１）によって予め処理した６インチシリコンウエハ表面に、層厚１．８μｍの平坦化物質を被覆した。このウエハを接触平坦化処理チャンバー内のウエハ試料台上に、被覆した表面を紫外線透過光学的平坦物体に向き合わせて置いた。圧力チャンバーを密閉し、２０トール未満に排気し、ウエハ試料台を上昇させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムに対して押圧し、このフィルムは６８ｐｓｉの押圧力で３０秒間、光学的平坦表面に対して押圧した。平坦化物質が光学的平坦表面に接触している間、連続的な紫外線光を、光学的平坦表面を通して１０秒間照射し、平坦化物質を硬化した。平坦化物質が硬化するとすぐに押圧力を解放した。ウエハ試料台を降下させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムから離し、チャンバーを通気した。平坦化した表面の粗さおよび平坦化の程度を明らかにするために、Ｄｅｋｔａｋ８を用いた。高さ１μｍの原基板構造の中に約１００オングストロームの段差高を検出した。約９９％の平坦度を達成した。平坦化した物質内に空隙は検出されなかった。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
メーカー推奨プロセスを用い、接触促進剤（ＡＰＸ−Ｋ１）によって予め処理したバイアホールウエハ表面に、層厚約１．７μｍの平坦化物質を被覆した。このウエハを接触平坦化処理チャンバー内のウエハ試料台上に、被覆した表面を紫外線透過光学的平坦物体に向き合わせて置いた。圧力チャンバーを密閉し、２０トール未満に排気し、ウエハ試料台を上昇させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムに対して押圧し、このフィルムは６８ｐｓｉの押圧力で３０秒間、光学的平坦表面に対して押圧した。平坦化物質が光学的平坦表面に接触している間、連続的な紫外線光を、光学的平坦表面を通して１０秒間照射して平坦化物質を硬化した。平坦化物質が硬化するとすぐに押圧力を解放した。ウエハ試料台を降下させ、ウエハをテフロン（登録商標）リリースフィルムから離した。平坦化した表面の粗さおよび平坦化の程度を明らかにするために、Ｄｅｋｔａｋ８を用いた。高さ１μｍの原基板構造の中に約１００オングストロームの段差高を検出した。約９９％の平坦度を達成した。平坦化した物質内に空隙は検出されなかった。