【手続補正書】
【提出日】平成21年7月8日(2009.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
５−[(Ｒ)−２−(５,６−ジエチル−インダン−２−イルアミノ)−１−ヒドロキシ−エチル]−８−ヒドロキシ−(１Ｈ)−キノリン−２−オン塩またはその許容可能な溶媒和物の製造法であり：
(ｉ)式(Ｉ)
【化１】
2006519206.tif 000001
を有する８−置換オキシ−５−(Ｒ)−オキシラニル−(１Ｈ)−キノリン−２−オンと、２−アミノ−(５,６−ジエチル)−インダンを反応させ、式(II)、(III)および(IV)
【化２】
2006519206.tif 000002
〔式中、Ｒは保護基である。〕
を有する化合物を含む反応混合物を形成し；
(ii)工程(ｉ)で製造した反応混合物を、溶媒の存在下に安息香酸で処理して、対応する式(Ｖ)
【化３】
2006519206.tif 000003
〔式中、Ｒは保護基である。〕
を有する塩を形成し；
(iii)式(Ｖ)の安息香酸を濾過および結晶化し；
(iv)式(Ｖ)を有する塩から、溶媒の存在下に保護基を除去し、式(VI)：
【化４】
2006519206.tif 000004
を有する塩を形成し；そして
(ｖ)式(VI)を有する塩を、溶媒の存在下にカルボン酸で処理して、式(VII)
【化５】
2006519206.tif 000005
〔式中、Ｘ−はアニオンである。〕
を有する５−[(Ｒ)−２−(５,６−ジエチル−インダン−２−イルアミノ)−１−ヒドロキシ−エチル]−８−ヒドロキシ−(１Ｈ)−キノリン−２−オン塩を形成する
ことを含む、方法。
【請求項２】
工程(ｖ)のカルボン酸がマレイン酸である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
５−[(Ｒ)−２−(５,６−ジエチル−インダン−２−イルアミノ)−１−ヒドロキシ−エチル]−８−ヒドロキシ−(１Ｈ)−キノリン−２−オン塩が、式(XI)：
【化６】
2006519206.tif 000006
を有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
保護基が、アルキル、アリール、アルコキシ、アルケニル、シクロアルキル、ベンゾシクロアルキル、シクロアルキルアルキル、アラルキル、ヘテロ環式、ヘテロアラルキル、ハロアルキル、および置換シリル基からなる群から選択される、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
保護基がベンジルまたはｔ−ブチルジメチルシリルである、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
式(Ｖ)を有する塩上の保護基がベンジルであり、塩を触媒の存在下に水素により処理して除去する、請求項５記載の方法。
【請求項７】
触媒が、パラジウム、水酸化パラジウム、パラジウム／活性炭素、パラジウム／アルミナ、パラジウム／炭素粉末、白金、白金／活性炭素、ＲａｎｅｙTMニッケルおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項６記載の方法。
【請求項８】
式(Ｖ)を有する塩上の保護基がｔ−ブチルジメチルシリルであり、塩をｔ−ブチルアンモニウムフルオリドまたはカリウムフルオリドで処理して除去する、請求項５記載の方法。
【請求項９】
工程(ｉ)の温度が１０℃から１６０℃であり、工程(ii)の温度が−１０℃から１６０℃であり、工程(iii)の温度が０℃から７０℃であり、工程(iv)の温度が０℃から７０℃であり、そして、工程(ｖ)の温度が０℃から７０℃である、請求項１から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
工程(ｉ)において、８−置換オキシ−５−(Ｒ)−オキシラニル−(１Ｈ)−キノリン−２−オンの量に基づいてモル過剰の２−アミノ−(５,６−ジエチル)−インダンを使用する、請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
式(Ｉ)の８−置換オキシ−５−(Ｒ)−オキシラニル−(１Ｈ)−キノリン−２−オンの製造法であり：
(ａ)８−(置換オキシ)−５−ハロアセチル−(１Ｈ)−キノリン−２−オンと還元剤を、キラル触媒の存在下に反応させ、８−(置換オキシ)−５−((Ｒ)−２−ハロ−１−ヒドロキシ−エチル)−(１Ｈ)−キノリン−２−オンを形成し；そして
(ｂ)８−(置換オキシ)−５−((Ｒ)−２−ハロ−１−ヒドロキシ−エチル)−(１Ｈ)−キノリン−２−オンを、溶媒の存在下に塩基で処理して、８−(置換オキシ)−５−(Ｒ)−オキシラニル−(１Ｈ)−キノリン−２−オンを形成する
ことを含む、方法。
【請求項１２】
工程(ａ)において、８−置換オキシ−５−ハロアセチル−(１Ｈ)−キノリン−２−オンをボラン試薬と、オキサザボロリジンキラル触媒の存在下に反応させる、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
ボラン試薬が、ボラン−テトラヒドロフラン、ボラン−Ｎ,Ｎ−ジエチルアニリンおよびボラン−メチルスルフィドからなる群から選択され、キラル触媒が(Ｒ)−テトラヒドロ−１−メチル−３,３−ジフェニル−(１Ｈ,３Ｈ)−ピロロ[１,２−ｃ][１,３,２]−オキサザボロールである、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
工程(ａ)の温度が−１０℃から８０℃であり、工程(ｂ)の温度が３０℃から８０℃である、請求項１１から１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
５−[(Ｒ)−２−(５,６−ジエチル−インダン−２−イルアミノ)−１−ヒドロキシ−エチル]−８−ヒドロキシ−(１Ｈ)−キノリン−２−オン塩またはその許容可能な溶媒和物を製造するための請求項１に記載の方法であり：
(ａ)８−(置換オキシ)−５−ハロアセチル−(１Ｈ)−キノリン−２−オンと還元剤を、キラル触媒の存在下に反応させ、８−(置換オキシ)−５−((Ｒ)−２−ハロ−１−ヒドロキシ−エチル)−(１Ｈ)−キノリン−２−オンを形成し；
(ｂ)８−(置換オキシ)−５−((Ｒ)−２−ハロ−１−ヒドロキシ−エチル)−(１Ｈ)−キノリン−２−オンを、溶媒の存在下に塩基で処理して、８−(置換オキシ)−５−(Ｒ)−オキシラニル−(１Ｈ)−キノリン−２−オンを形成し；
(ｃ)式(Ｉ)
【化７】
2006519206.tif 000007
を有する８−置換オキシ−５−(Ｒ)−オキシラニル−(１Ｈ)−キノリン−２−オンと、２−アミノ−(５,６−ジエチル)−インダンを反応させ、式(II)、(III)および(IV)
【化８】
2006519206.tif 000008
〔式中、Ｒは保護基である。〕
を有する化合物を含む反応混合物を形成し；
(ｄ)工程(ｃ)で製造した反応混合物を、溶媒の存在下に安息香酸で処理して、対応する式(Ｖ)
【化９】
2006519206.tif 000009
〔式中、Ｒは保護基である。〕
を有する塩を形成し；
(ｅ)式(Ｖ)の安息香酸塩を濾過および結晶化し；
(ｆ)式(Ｖ)を有する塩から、溶媒の存在下に保護基を除去し、式(VI)：
【化１０】
2006519206.tif 000010
を有する塩を形成し；そして
(ｇ)式(VI)を有する塩を、溶媒の存在下にカルボン酸で処理して、式(VII)
【化１１】
2006519206.tif 000011
〔式中、Ｘ−はアニオンである。〕
を有する５−[(Ｒ)−２−(５,６−ジエチル−インダン−２−イルアミノ)−１−ヒドロキシ−エチル]−８−ヒドロキシ−(１Ｈ)−キノリン−２−オン塩を形成する
ことを含む、方法。
【請求項１６】
式(Ｖ)
【化１２】
2006519206.tif 000012
〔式中、Ｒは保護基である。〕
を有する化合物。
【請求項１７】
式(IX)
【化１３】
2006519206.tif 000013
を有する化合物。
【請求項１８】
式(VI)
【化１４】
2006519206.tif 000014
を有する化合物。