【手続補正書】
【提出日】平成23年5月26日(2011.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下の最外層の配線層にそれぞれパッド部が形成された基板と、
前記基板の層間絶縁樹脂層内に設けられ、誘電体層を挟んで一方の面に下部電極を構成する第１の導体膜が形成され、他方の面に上部電極を構成する第２の導体膜が形成された構造を有し、前記第１の導体膜は、前記誘電体層に接する側のニッケル層と該ニッケル層上に形成された銅層とからなり、前記第２の導体膜は単一の銅層からなる、キャパシタとを備え、
前記キャパシタの上部電極が、前記基板の上下の最外層の配線層に形成されたパッド部にそれぞれ電気的に接続され、
前記キャパシタの下部電極が、前記基板の上下の最外層の配線層に形成された、前記上部電極が接続されているパッド部とは異なるパッド部にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とするキャパシタ内蔵基板。
【請求項２】
前記第１の導体膜の銅層及び前記第２の導体膜の銅層は、各々の表面が粗化されていることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ内蔵基板。
【請求項３】
少なくとも前記第２の導体膜が形成されている側の面に、該第２の導体膜を覆って絶縁樹脂層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ内蔵基板。
【請求項４】
前記下部電極を構成する第１の導体膜は、複数の下部電極を含み、前記上部電極を構成する第２の導体膜は、複数の上部電極を含むことを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ内蔵基板。
【請求項５】
ニッケル層と所要の厚さの誘電体層とシード層とが積層されてなるベース部材を用意する工程と、
前記シード層を利用して電解めっきにより所要の厚さの第１の銅層を形成し、該第１の銅層を所要の形状にエッチングして上部電極を形成する工程と、
前記ニッケル層を所要の厚さに薄化する工程と、
該薄化されたニッケル層上に、電解めっきにより所要の厚さの第２の銅層を形成する工程と、
前記第２の銅層上にエッチング用のドライフィルムレジストを形成し、該ドライフィルムレジストを所要の下部電極の形状にパターニングする工程と、
該パターニングされたレジストをマスクにしてエッチングにより、前記第２の銅層の露出している部分及びその直下のニッケル層の部分を一括除去する工程と、
前記パターニングされたレジストを除去する工程とを含むことを特徴とするキャパシタの製造方法。
【請求項６】
前記パターニングされたレジストを除去する工程の後に、前記上部電極を構成する第１の銅層及び前記第２の銅層に対し、それぞれの表面に粗化処理を施す工程を含むことを特徴とする請求項５に記載のキャパシタの製造方法。
【請求項７】
前記粗化処理を施す工程の後に、両面にそれぞれ絶縁樹脂層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項６に記載のキャパシタの製造方法。
【請求項８】
ニッケル層と所要の厚さの誘電体層とシード層とが積層されてなるベース部材を用意する工程と、
前記シード層を利用して電解めっきにより所要の厚さの第１の銅層を形成し、該第１の銅層を所要の形状にエッチングして上部電極を形成する工程と、
前記上部電極を構成する第１の銅層の表面に粗化処理を施す工程と、
該粗化処理が施された第１の銅層を覆うようにして絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記ニッケル層を所要の厚さに薄化する工程と、
該薄化されたニッケル層上に、電解めっきにより所要の厚さの第２の銅層を形成する工程と、
前記第２の銅層上にエッチング用のドライフィルムレジストを形成し、該ドライフィルムレジストを所要の下部電極の形状にパターニングする工程と、
該パターニングされたレジストをマスクにしてエッチングにより、前記第２の銅層の露出している部分及びその直下のニッケル層の部分を一括除去する工程と、
前記パターニングされたレジストの除去後、前記第２の銅層の表面に粗化処理を施す工程とを含むことを特徴とするキャパシタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】キャパシタ内蔵基板及びキャパシタの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、配線基板内の層間絶縁樹脂層にキャパシタが埋め込み実装されたキャパシタ内蔵基板、及び該キャパシタの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
かかる従来技術に関連する技術としては、例えば、特許文献１に記載されるように、上部電極（第１導電層）と下部電極（第２導電層）との間に誘電層を備えるプリント配線板のキャパシタ層形成材において、第２導電層を、銅層の表面に純ニッケル層とニッケル−リン合金層とが順次積層された層構成、もしくは銅層の表面にニッケル−リン合金層と純ニッケル層とニッケル−リン合金層とが順次積層された構造としたものがある。また、特許文献２に記載されるように、下部電極（第２導電層）をニッケル層又はニッケル合金層で構成したものがある。また、特許文献３、特許文献４に記載されるように、キャパシタの電極をニッケルと銅のみで構成したものもある。
【特許文献１】特開２００６−８０４０１号公報
【特許文献２】特開２００６−１３５０３６号公報
【特許文献３】特開２００６−１２８３２６号公報
【特許文献４】特開２００６−２７８６６４号公報
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、かかる従来技術における課題に鑑み創作されたもので、配線基板にキャパシタを埋め込み実装したときに層間絶縁樹脂との密着性を高め、実装信頼性の向上に寄与することができるキャパシタ内蔵基板及びキャパシタの製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記の従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、上下の最外層の配線層にそれぞれパッド部が形成された基板と、前記基板の層間絶縁樹脂層内に設けられ、誘電体層を挟んで一方の面に下部電極を構成する第１の導体膜が形成され、他方の面に上部電極を構成する第２の導体膜が形成された構造を有し、前記第１の導体膜は、前記誘電体層に接する側のニッケル層と該ニッケル層上に形成された銅層とからなり、前記第２の導体膜は単一の銅層からなる、キャパシタとを備え、前記キャパシタの上部電極が、前記基板の上下の最外層の配線層に形成されたパッド部にそれぞれ電気的に接続され、前記キャパシタの下部電極が、前記基板の上下の最外層の配線層に形成された、前記上部電極が接続されているパッド部とは異なるパッド部にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とするキャパシタ内蔵基板が提供される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この形態に係るキャパシタ内蔵基板の構成によれば、基板の層間絶縁樹脂層内に設けられたキャパシタの下部電極を構成するニッケル（Ｎｉ）層の表面（誘電体層に接する側と反対側の面）に、樹脂との密着性が比較的良好な銅（Ｃｕ）層が形成されているので、このＣｕ層が層間絶縁樹脂層に直接接触することになる。これにより、従来のようにＮｉ層が層間絶縁樹脂層に直接接触する場合と比べて、層間絶縁樹脂との密着性を改善することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、上記の形態に係るキャパシタ内蔵基板において、キャパシタの下部電極（第１の導体膜）のＣｕ層及び上部電極（第２の導体膜）のＣｕ層は、各々の表面が粗化されているのが好ましい。この構成によれば、キャパシタの各導体膜のＣｕ層に接する樹脂との密着性を更に高めることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明の他の形態によれば、上記の形態に係るキャパシタ内蔵基板に内蔵されるキャパシタを製造する方法が提供される。その一形態としての製造方法は、ニッケル層と所要の厚さの誘電体層とシード層とが積層されてなるベース部材を用意する工程と、前記シード層を利用して電解めっきにより所要の厚さの第１の銅層を形成し、該第１の銅層を所要の形状にエッチングして上部電極を形成する工程と、前記ニッケル層を所要の厚さに薄化する工程と、該薄化されたニッケル層上に、電解めっきにより所要の厚さの第２の銅層を形成する工程と、前記第２の銅層上にエッチング用のドライフィルムレジストを形成し、該ドライフィルムレジストを所要の下部電極の形状にパターニングする工程と、該パターニングされたレジストをマスクにしてエッチングにより、前記第２の銅層の露出している部分及びその直下のニッケル層の部分を一括除去する工程と、前記パターニングされたレジストを除去する工程とを含むことを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この形態に係るキャパシタの製造方法によれば、上記の形態に係るキャパシタ内蔵基板で得られた効果に加え、さらに以下の利点が得られる。すなわち、下部電極をパターニングする際に、従来のようにＮｉ層に対して直接ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）樹脂を用いてパターニングを行うのではなく、薄化されたＮｉ層上に第２のＣｕ層を形成後、このＣｕ層に対してＤＦＲ樹脂を用いてパターニングを行い、このパターニングされた樹脂層をマスクにして第２のＣｕ層の露出している部分及びその直下のＮｉ層の部分を一括エッチングしているので、下部電極を実質的にオーバーエッチングすることなく精度良くエッチングすることができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明に係るキャパシタ内蔵基板及びキャパシタの製造方法の他の構成上の特徴及びそれに基づく有利な利点等については、以下に記述する発明の実施の形態を参照しながら説明する。