【手続補正書】
【提出日】平成23年10月26日(2011.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子分離で互いに分離された第一及び第二の活性領域を有する基板と、
前記第一の活性領域に配置された第１単位トランジスタと、
前記第二の活性領域に配置された第２単位トランジスタと、
素子分離に跨がり、かつ前記第１及び第２単位トランジスタ上に延在する配線と、を含み、
前記第１単位トランジスタは、第一のチャネル部を構成する、基板上に立設された半導体の第一の基柱と、前記第一の基柱の外周面に形成された第一のゲート絶縁膜と、前記第一のゲート絶縁膜上に形成された第一のゲート電極と、前記第一の基柱の上部近傍に配置された第一の上部拡散層と、前記第一の基柱の下部近傍に配置された第一の下部拡散層と、前記第一の上部拡散層に接する第一の導電プラグと、前記第一の下部拡散層に接する第二の導電プラグとを含み、
前記第２単位トランジスタは、第二のチャネル部を構成する第二の基柱と、前記第二の基柱の外周面に形成された第二のゲート絶縁膜と、前記第二のゲート絶縁膜上に形成された第二のゲート電極と、前記第二の基柱の上部近傍に配置された第二の上部拡散層と、前記第二の基柱の下部近傍に配置された第二の下部拡散層と、前記第二の上部拡散層に接する第三の導電プラグと、前記第二の下部拡散層に接する第四の導電プラグとを含み、
前記配線は一端部及び他端部を有し、前記一端部は第四の導電プラグと接触し、前記他端部は第一の導電プラグと接触することで、第一の上部拡散層と、第二の下部拡散層とは、互いに電気的に直列に接続される、半導体装置。
【請求項２】
前記第一の基柱と前記第二の基柱とは、完全空乏化が可能な水平方向の寸法を有する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記基板の表面に配置された絶縁膜を更に含み、
前記第一及び第二の下部拡散層は、前記絶縁膜の下に配置され、前記第一の絶縁膜により、前記第一及び第二の下部拡散層が、前記第一及び第二のゲート電極からそれぞれ分離されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１及び第２単位トランジスタは、前記素子分離により電気的に絶縁されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
第一のレベルの配線と、
前記第一の活性領域に配置され、前記第一のレベルの配線と電気的に接続される第五の導電プラグと、
前記第二の活性領域に配置され、前記第一のレベルの配線と電気的に接続される第六の導電プラグと、
前記第一の活性領域内であって前記第一の基柱近傍に配置され、チャネル部を構成しない第三の基柱と、
前記第二の活性領域内であって前記第二の基柱近傍に配置され、チャネル部を構成しない第四の基柱と、を含み、
前記第一のゲート電極は少なくとも前記第一の基柱と前記第三の基柱とを覆い、前記第二のゲート電極は少なくとも前記第二の基柱と前記第四の基柱とを覆い、
前記第一及び第二のゲート電極の上部は、前記第三及び第四の基柱の上部よりそれぞれ上にあり、前記第五及び第六の導電プラグは、前記第一及び第二のゲート電極と平面視した際に部分的に重複している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第三の基柱は、前記第一のゲート電極の厚さの二倍と略同一か小さい第一の間隙により前記第一の基柱から離間され、前記第四の基柱は、前記第二のゲート電極の厚さの二倍と略同一か小さい第二の間隙により前記第二の基柱から離間される請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第三の基柱上に配置される第一のスペーサ層と、
前記第四の基柱上に配置される第二のスペーサ層と、を更に含み、
前記第三の基柱との組み合わせで第一のスペーサとして働き、前記第一のスペーサに沿って前記第一のゲート電極が延在し、前記第一のゲート電極の一部は、前記第一のスペーサ層に隣接する、
前記第四の基柱との組み合わせで第二のスペーサとして働き、前記第二のスペーサに沿って前記第二のゲート電極が延在し、前記第二のゲート電極の一部は、前記第二のスペーサ層に隣接する、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１単位トランジスタの前記第一の下部拡散層は、前記素子分離により、前記第２単位トランジスタの前記第二の下部拡散層から分離される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
素子分離で互いに分離された第一及び第二の活性領域を有する基板と、
前記第一の活性領域に配置された第１及び第２単位トランジスタと、
前記第二の活性領域に配置された第３及び第４単位トランジスタと、
素子分離に跨がり、かつ前記第１、第２、第３及び第４単位トランジスタ上に延在する配線と、を含み、
前記第１単位トランジスタは、第一のチャネル部を構成する、基板上に立設された半導体の第一の基柱と、前記第一の基柱の外周面に形成された第一のゲート絶縁膜と、前記第一のゲート絶縁膜上に形成された第一のゲート電極と、前記第一の基柱の上部近傍に配置された第一の上部拡散層と、前記第一の基柱の下部近傍に配置された第一の下部拡散層と、前記第一の上部拡散層に接する第一の導電プラグとを含み、
前記第２単位トランジスタは、第二のチャネル部を構成する第二の基柱と、前記第二の基柱の外周面に形成された第二のゲート絶縁膜と、前記第二のゲート絶縁膜上に形成された前記第一のゲート電極と、前記第二の基柱の上部近傍に配置された第二の上部拡散層と、前記第二の基柱の下部近傍に配置された前記第一の下部拡散層と、前記第二の上部拡散層に接する第二の導電プラグとを含み、
前記第３単位トランジスタは、第三のチャネル部を構成する第三の基柱と、前記第三の基柱の外周面に形成された第三のゲート絶縁膜と、前記第三のゲート絶縁膜上に形成された第三のゲート電極と、前記第三の基柱の上部近傍に配置された第三の上部拡散層と、前記第三の基柱の下部近傍に配置された第二の下部拡散層と、前記第三の上部拡散層に接する第三の導電プラグとを含み、
前記第２単位トランジスタは、第四のチャネル部を構成する第四の基柱と、前記第四の基柱の外周面に形成された第四のゲート絶縁膜と、前記第四のゲート絶縁膜上に形成された前記第二のゲート電極と、前記第四の基柱の上部近傍に配置された第四の上部拡散層と、前記第四の基柱の下部近傍に配置された前記第二の下部拡散層と、前記第四の上部拡散層に接する第四の導電プラグとを含み、
前記第一の下部拡散層は、前記第一の活性領域中において、前記第一及び第二の単位トランジスタに共通の第一の共通下部拡散層として働き、前記第二の下部拡散層は、前記第二の活性領域中において、前記第三及び第四の単位トランジスタに共通の第二の共通下部拡散層として働き、
前記配線は一端部及び他端部を有し、前記一端部は第二の導電プラグと接触し、前記他端部は第三の導電プラグと接触することで、第二の上部拡散層と、第三の下部拡散層とは、互いに電気的に直列に接続される、半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記の課題を解決するため、本発明の半導体装置は、素子分離で互いに分離された第一及び第二の活性領域を有する基板と、前記第一の活性領域に配置された第１単位トランジスタと、前記第二の活性領域に配置された第２単位トランジスタと、素子分離に跨がり、かつ前記第１及び第２単位トランジスタ上に延在する配線と、を含み、前記第１単位トランジスタは、第一のチャネル部を構成する、基板上に立設された半導体の第一の基柱と、前記第一の基柱の外周面に形成された第一のゲート絶縁膜と、前記第一のゲート絶縁膜上に形成された第一のゲート電極と、前記第一の基柱の上部近傍に配置された第一の上部拡散層と、前記第一の基柱の下部近傍に配置された第一の下部拡散層と、前記第一の上部拡散層に接する第一の導電プラグと、前記第一の下部拡散層に接する第二の導電プラグとを含み、前記第２単位トランジスタは、第二のチャネル部を構成する第二の基柱と、前記第二の基柱の外周面に形成された第二のゲート絶縁膜と、前記第二のゲート絶縁膜上に形成された第二のゲート電極と、前記第二の基柱の上部近傍に配置された第二の上部拡散層と、前記第二の基柱の下部近傍に配置された第二の下部拡散層と、前記第二の上部拡散層に接する第三の導電プラグと、前記第二の下部拡散層に接する第四の導電プラグとを含み、前記配線は一端部及び他端部を有し、前記一端部は第四の導電プラグと接触し、前記他端部は第一の導電プラグと接触することで、第一の上部拡散層と、第二の下部拡散層とは、互いに電気的に直列に接続されることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】