【手続補正書】
【提出日】平成23年8月9日(2011.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定領域にトレンチが形成された第１導電型の半導体基板と、
前記トレンチの底面下部の前記基板内に形成されたフォトダイオード用第２導電型の不純物領域と、
前記トレンチに埋め込まれたフォトダイオード用第２導電型の第１のエピタキシャル層と、
該第１のエピタキシャル層上に形成された第１導電型の第２のエピタキシャル層と
を備えることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項２】
前記フォトダイオード領域の一側基板上に形成されたゲート電極をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項３】
前記第２のエピタキシャル層が、ピン止め層であることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項４】
前記第１のエピタキシャル層が、シリコン（Ｓｉ）又はシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）であることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項５】
前記第２のエピタキシャル層が、シリコン（Ｓｉ）又はシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）であることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項６】
前記第１のエピタキシャル層が、電荷伝送効率を上げるために、前記ゲート電極の下部の一部と重なることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項７】
前記第２のエピタキシャル層が、第１導電型の前記半導体基板と接触されたことを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項８】
前記トレンチが、下部から上部までの高さが１８００Å〜２２００Åの範囲であることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項９】
前記第１のエピタキシャル層が、成長の際、第２導電型の不純物がインシチューでドーピングされることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項１０】
前記第２のエピタキシャル層が、成長の際、第１導電型の不純物がインシチューでドーピングされることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項１１】
前記第２のエピタキシャル層が、厚さが２０Å 〜１０００Åの範囲であることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項１２】
前記半導体基板が、シリコン基板であることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項１３】
第１導電型の半導体基板を形成するステップと、
該基板の所定領域に第２導電型の不純物領域を形成するステップと、
前記所定領域を開放するマスクパターンを形成するステップと、
該マスクパターンをエッチングバリアとして、前記所定領域の前記基板をエッチングしてトレンチを形成するステップと、
前記トレンチに第２導電型の第１のエピタキシャル層を成長させて埋め込むステップと、
前記第１のエピタキシャル層上に第２のエピタキシャル層を形成するステップと
を含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。
【請求項１４】
前記所定領域の一側基板上にゲート電極を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項１５】
前記第２のエピタキシャル層が、ピン止め層であることを特徴とする請求項１３に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項１６】
前記第１のエピタキシャル層が、電荷伝送効率を上げるために、前記ゲート電極の下部と一部重なることを特徴とする請求項１３に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項１７】
前記第２のエピタキシャル層が、第１導電型の前記半導体基板と接触されたことを特徴とする請求項１３に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項１８】
前記第１のエピタキシャル層が、シリコン（Ｓｉ）又はシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）であることを特徴とする請求項１３に記載のイメージセンサ。
【請求項１９】
前記第２のエピタキシャル層が、シリコン（Ｓｉ）又はシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）であることを特徴とする請求項１３に記載のイメージセンサ。
【請求項２０】
前記トレンチが、下部から上部までの高さが１８００Å〜２２００Åの範囲であることを特徴とする請求項１３に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項２１】
前記第１のエピタキシャル層が、成長の際、第２導電型の不純物がインシチューでドーピングされることを特徴とする請求項１３に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項２２】
前記第２のエピタキシャル層が、成長の際、第１導電型の不純物がインシチューでドーピングされることを特徴とする請求項１３に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項２３】
前記マスクパターンが、ＣＶＤ法の酸化膜であり、ＨＣｌエッチング工程によって前記所定領域を開放することを特徴とする請求項１３に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項２４】
前記ＨＣｌエッチング工程が、５００℃〜５０００℃の範囲の工程温度、０．１ Ｔｏｒｒ〜７６０Ｔｏｒｒの範囲の工程圧力で行われることを特徴とする請求項２３に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項２５】
前記第１のエピタキシャル層が、ＧｅＨ４のＧｅソース、５％〜１００％の範囲のＧｅ濃度で形成されたことを特徴とする請求項１３又は１８に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項２６】
前記第１のエピタキシャル層のドーピングガスが、ＰＨ３であることを特徴とする請求項１３又は１８に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項２７】
前記第２のエピタキシャル層が、ドーピングガスが、Ｂ２Ｈ６であり、ドーピング濃度が、１×１０１７ｃｍ-3〜１×１０２２ｃｍ-3の範囲で形成されることを特徴とする請求項１３に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項２８】
前記半導体基板が、シリコン基板であることを特徴とする請求項１３に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項２９】
イメージセンサ用基板に、フォトダイオードの不純物領域を形成するステップと、
前記不純物領域上に前記フォトダイオードの第１のエピタキシャル層を形成するステップと、
前記第１のエピタキシャル層上に、第２のエピタキシャル層として前記フォトダイオードのピン止め層を形成するステップと
を含む方法。
【請求項３０】
前記基板をエッチングしてトレンチを形成するステップをさらに含み、
前記第１のエピタキシャル層を形成するステップは、前記トレンチを前記第１のエピタキシャル層で満たすステップを含むことを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記エッチングによって、深さが約１８００Å〜約２２００Åの前記トレンチを形成することを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記基板上において前記トレンチの隣にゲート構造を形成するステップを含み、前記第１のエピタキシャル層を形成するステップは、前記ゲート構造の底部に重なるように、前記第１のエピタキシャル層の部分を成長させるステップを含むことを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
前記トレンチを形成するステップは、
化学気相蒸着（ＣＶＤ）を用いてマスクパターンを形成し、該マスクパターンの酸化膜を形成するステップと、
塩化水素（ＨＣＬ）エッチング工程を実行して、前記トレンチを形成するための前記基板の所定部分を露出するステップと、
前記マスクパターンを使用して前記基板をエッチングし前記トレンチを形成するステップと
を含むことを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３４】
前記ピン止め層を形成するステップによって、前記第２のエピタキシャル層が前記基板と接触するように前記第２のエピタキシャル層を形成することを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３５】
前記第１のエピタキシャル層を形成するステップは、
前記第１のエピタキシャル層を成長させるステップと、
前記成長の間に、前記第１のエピタキシャル層を第２導電型の不純物によってインシチューでドーピングするステップと
を含むことを特徴とする請求項２９に記載の方法。
【請求項３６】
前記ピン止め層を形成するステップは、
前記第２のエピタキシャル層を成長させるステップと、
前記成長の間に、前記第２のエピタキシャル層を第１導電型の不純物によってインシチューでドーピングするステップと
を含むことを特徴とする請求項２９に記載の方法。