【手続補正書】
【提出日】平成23年9月29日(2011.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１層または複数の層の低ｋガラス含有内部自己強制テープ、１層または複数の層の高ｋガラス含有内部自己強制テープ、および、少なくとも１層のガラス含有プライマリテープとから本質的になる、ゆがみがなく、そりのない非対称性の、低温共焼成されたセラミック構造体であって、
前記低ｋテープの誘電率は８未満であり、前記高ｋテープの誘電率は８超であり、各自己強制テープは独立に、圧力補強のより少ない自己強制焼結ＬＴＣＣアセンブリに前記プライマリテープを配備することができ、前記自己強制テープは、自己強制テープを前記プライマリテープと一体とみなしたとき構造的対称性を保持するように配置されており、前記内部強制テープおよび前記プライマリテープをラミネートして非対称構造のラミネートを形成し、前記アセンブリを熱処理してｘ、ｙ収縮の相互抑制を示す構造を形成する、
ことを特徴とするセラミック構造体の作製方法。
【請求項２】
前記プライマリテープの誘電率は７から９の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記テープ層は、平坦でかつ相互連結した形で金属化されていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
アセンブリは、表面実装構成要素を備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記強制テープの前記ガラスは、プライマリテープの焼結開始前に焼結を開始して剛体を得ることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記内部強制テープおよび前記プライマリテープは、より大きいサイズの粒子のＤ５０が１．５から３ミクロンの範囲であり、より小さいサイズの粒子のＤ５０が０．３から０．８ミクロンの範囲の二峰性の粒子径分布を有するフィラー粒子を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記プライマリテープの前記ガラスは、全組成物に対する重量％で、ＳｉＯ2５２〜５５、Ａｌ2Ｏ3１２．５〜１４．５、Ｂ2Ｏ3８〜９、ＣａＯ１６〜１８、ＭｇＯ０．５〜５、Ｎａ2Ｏ１．７〜２．５、Ｌｉ2Ｏ０．２〜０．３、ＳｒＯ０〜４、Ｋ2Ｏ１〜２を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記低ｋガラス含有内部自己強制テープの前記ガラス組成物は、以下の酸化物構成要素を重量％でＳｉＯ2７〜９、ＺｒＯ2０〜３、Ｂ2Ｏ3１１〜１４、ＢａＯ７〜２３、ＭｇＯ３〜９、Ｌａ2Ｏ3１４〜２８、Ｌｉ2Ｏ０．５〜２、Ｐ2Ｏ5２〜６、Ｋ2Ｏ０．５〜３、Ｃｓ2Ｏ０〜７、Ｎｄ2Ｏ3２８〜３４の組成範囲で含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
請求項１に記載の任意の剛体を含むことを特徴とする多層電子回路。
【請求項１０】
請求項１に記載の任意の剛体を含む多層電子回路であって、前記内部強制テープ層はコンデンサの機能を提供することを特徴とする多層電子回路。
【請求項１１】
１層または複数の層の低ｋガラス含有内部自己強制テープ、１層または複数の層の高ｋガラス含有内部自己強制テープ、および、少なくとも１層のガラス含有プライマリテープとから本質的になる、ゆがみがなく、そりのない非対称性の、低温共焼成されたセラミック構造体であって、
前記低ｋテープの誘電率は８未満であり、前記高ｋテープの誘電率は８超であり、各自己強制テープは独立に、圧力補強のより少ない自己強制焼結ＬＴＣＣアセンブリに前記プライマリテープを配備することができ、前記自己強制テープは、自己強制テープを前記プライマリテープと一体とみなしたとき構造的対称性を保持するように配置されており、前記内部強制テープおよび前記プライマリテープをラミネートして非対称構造のラミネートを形成し、前記アセンブリを熱処理してｘ、ｙ収縮の相互抑制を示す構造を形成する、
ことを特徴とするセラミック構造体。
【請求項１２】
前記テープ層は、平坦でかつ相互連結した形で金属化されていることを特徴とする請求項１１に記載のセラミック構造体。
【請求項１３】
前記プライマリテープの前記ガラスは、全組成物に対する重量％で、ＳｉＯ2５２〜５５、Ａｌ2Ｏ3１２．５〜１４．５、Ｂ2Ｏ3８〜９、ＣａＯ１６〜１８、ＭｇＯ０．５〜５、Ｎａ2Ｏ１．７〜２．５、Ｌｉ2Ｏ０．２〜０．３、ＳｒＯ０〜４、Ｋ2Ｏ１〜２を含むことを特徴とする請求項１１に記載のセラミック構造体。
【請求項１４】
前記低ｋガラス含有内部自己強制テープの前記ガラス組成物は、以下の酸化物構成要素を重量％でＳｉＯ2７〜９、ＺｒＯ2０〜３、Ｂ2Ｏ3１１〜１４、ＢａＯ７〜２３、ＭｇＯ３〜９、Ｌａ2Ｏ3１４〜２８、Ｌｉ2Ｏ０．５〜２、Ｐ2Ｏ5２〜６、Ｋ2Ｏ０．５〜３、Ｃｓ2Ｏ０〜７、Ｎｄ2Ｏ3２８〜３４の組成範囲で含み、前記強制テープの前記ガラスは前記プライマリテープの焼結開始前に焼結を開始して剛体をもたらすことを特徴とする請求項１１に記載のセラミック構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
本発明で開示したプライマリ／強制テープラミネートは、一般的なＬＴＣＣベルト炉プロファイルで焼成して、完全な稠密化とゼロまたはゼロに近いｘ、ｙ収縮を実現することができる。９５１グリーンＴＡＰＥ（商標）（Ｅ．Ｉ．ＤｕＰｏｎｔからの市販品）のための一般的なＬＴＣＣベルト炉プロファイルは、３．５時間のバーンアウトと、以下の焼結プロファイルである。すなわち、（１）２．５℃／分で２５℃から６０℃へ、（２）１９．２℃／分で６０℃から４００℃へ、（３）１．４℃／分で４００℃から４３５℃へ、（４）７．０℃／分で４３５℃から８５０℃へ、（５）８５０℃の１７分間保持、（６）１７．３℃／分で８５０℃から４０℃、および（７）０．５℃／分で４０℃から室温へのプロファイルである。十分な有機バーンアウト、ピーク温度への昇温速度、ピーク温度の期間および降温速度が最適化されて望ましい結果がもたらされる限り、当分野のいずれの技術者も、上記プロファイルを彼自身のベルト炉の仕様に応じて修正することができる。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．１層または複数の層の低ｋガラス含有内部自己強制テープ、１層または複数の層の高ｋガラス含有内部自己強制テープ、および、少なくとも１層のガラス含有プライマリテープとから本質的になる、ゆがみがなく、そりのない非対称性の、低温共焼成されたセラミック構造体であって、前記低ｋテープの誘電率は８未満であり、前記高ｋテープの誘電率は８超であり、各自己強制テープは独立に、圧力補強のより少ない自己強制焼結ＬＴＣＣアセンブリに前記プライマリテープを配備することができ、前記自己強制テープは、自己強制テープを前記プライマリテープと一体とみなしたとき構造的対称性を保持するように配置されており、前記内部強制テープおよび前記プライマリテープをラミネートして非対称構造のラミネートを形成し、前記アセンブリを熱処理してｘ、ｙ収縮の相互抑制を示す構造を作り、前記低ｋガラス含有内部自己強制テープの前記ガラス組成物は、以下の酸化物構成要素を重量％でＳｉＯ2７〜９、ＺｒＯ2０〜３、Ｂ2Ｏ3１１〜１４、ＢａＯ７〜２３、ＭｇＯ３〜９、Ｌａ2Ｏ3１４〜２８、Ｌｉ2Ｏ０．５〜２、Ｐ2Ｏ5２〜６、Ｋ2Ｏ０．５〜３、Ｃｓ2Ｏ０〜７、Ｎｄ2Ｏ3２８〜３４の組成範囲で含むことを特徴とするセラミック構造体の作製方法。
２．前記プライマリテープの誘電率は７から９の範囲であることを特徴とする前記１に記載の方法。
３．前記テープ層は、平坦でかつ相互連結した形で金属化されていることを特徴とする前記１に記載の方法。
４．アセンブリは、表面実装構成要素を備えることを特徴とする前記１に記載の方法。
５．前記強制テープの前記ガラスは、プライマリテープの焼結開始前に焼結を開始して剛体を得ることを特徴とする前記１に記載の方法。
６．前記内部強制テープおよび前記プライマリテープは、より大きいサイズの粒子のＤ５０が１．５から３ミクロンの範囲であり、より小さいサイズの粒子のＤ５０が０．３から０．８ミクロンの範囲の二峰性の粒子径分布を有するフィラー粒子を含むことを特徴とする前記１に記載の方法。
７．前記プライマリテープの前記ガラスは、全組成物に対する重量％で、ＳｉＯ2５２〜５５、Ａｌ2Ｏ3１２．５〜１４．５、Ｂ2Ｏ3８〜９、ＣａＯ１６〜１８、ＭｇＯ０．５〜５、Ｎａ2Ｏ１．７〜２．５、Ｌｉ2Ｏ０．２〜０．３、ＳｒＯ０〜４、Ｋ2Ｏ１〜２を含むことを特徴とする前記１に記載の方法。
８．前記１に記載の任意のものの剛体を含むことを特徴とする多層電子回路。
９．前記内部強制テープ層はコンデンサの機能を提供することを特徴とする前記１に記載の剛体を含む多層電子回路。
１０．１層または複数の層の低ｋガラス含有内部自己強制テープ、１層または複数の層の高ｋガラス含有内部自己強制テープ、および、少なくとも１層のガラス含有プライマリテープとから本質的になる、ゆがみがなく、そりのない非対称性の、低温共焼成されたセラミック構造体であって、前記低ｋテープの誘電率は８未満であり、前記高ｋテープの誘電率は８超であり、各自己強制テープは独立に、圧力補強のより少ない自己強制焼結ＬＴＣＣアセンブリに前記プライマリテープを配備することができ、前記自己強制テープは、自己強制テープを前記プライマリテープと一体とみなしたとき構造的対称性を保持するように配置されており、前記内部強制テープおよび前記プライマリテープをラミネートして非対称構造のラミネートを形成し、前記アセンブリを熱処理してｘ、ｙ収縮の相互抑制を示す構造を作り、前記低ｋガラス含有内部自己強制テープの前記ガラス組成物は、以下の酸化物構成要素を重量％でＳｉＯ2７〜９、ＺｒＯ2０〜３、Ｂ2Ｏ3１１〜１４、ＢａＯ７〜２３、ＭｇＯ３〜９、Ｌａ2Ｏ3１４〜２８、Ｌｉ2Ｏ０．５〜２、Ｐ2Ｏ5２〜６、Ｋ2Ｏ０．５〜３、Ｃｓ2Ｏ０〜７、Ｎｄ2Ｏ3２８〜３４の組成範囲で含み、前記強制テープの前記ガラスは前記プライマリテープの焼結開始前に焼結を開始して剛体をもたらすことを特徴とするセラミック構造体。
１１．前記テープ層は、平坦でかつ相互連結した形で金属化されていることを特徴とする前記１０に記載のセラミック構造体。
１２．前記プライマリテープの前記ガラスは、全組成物に対する重量％で、ＳｉＯ2５２〜５５、Ａｌ2Ｏ3１２．５〜１４．５、Ｂ2Ｏ3８〜９、ＣａＯ１６〜１８、ＭｇＯ０．５〜５、Ｎａ2Ｏ１．７〜２．５、Ｌｉ2Ｏ０．２〜０．３、ＳｒＯ０〜４、Ｋ2Ｏ１〜２を含むことを特徴とする前記１０に記載のセラミック構造体。