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【手続補正書】
【提出日】平成23年4月12日(2011.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成する第１の工程と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を形成する第３の工程と、
前記微結晶半導体膜上に非晶質半導体膜を形成する第４の工程と、
前記非晶質半導体膜上に一導電型を付与する不純物を含む第１の半導体膜を形成する第５の工程と、
前記第１の半導体膜上に第１の導電膜を形成する第６の工程と、
前記第１の導電膜、前記第１の半導体膜、前記非晶質半導体膜、及び前記微結晶半導体膜を島状に加工する第７の工程と、
島状に加工された前記第１の導電膜をエッチングして一対の第２の導電膜を形成する第８の工程と、
島状に加工された前記第１の半導体膜をエッチングして一対の第２の半導体膜を形成する第９の工程と、を有し、
前記第２の工程と前記第３の工程とは同一の反応室内で行われ、
前記第３の工程において、前記反応室内に水素化珪素を導入し、前記反応室内の酸素と前記水素化珪素と反応させることにより生じた反応物を前記反応室外に排出した後に前記微結晶半導体膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の工程において、前記基板が前記反応室内に導入されていない状態で前記反応室内の処理容器内壁、誘電体板、第１及び第２のガス管、及び支持台に酸化窒化珪素膜を堆積した後、前記基板を前記反応室内に導入した状態で酸化窒化珪素膜と窒化酸化珪素膜とを順次積層することにより前記ゲート絶縁膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１のガス管により前記誘電体板側に、希ガス、シランガス、一酸化窒素ガス、及びアンモニアガスを導入し、前記第２のガス管により前記基板側に前記一酸化窒素ガスを導入することにより、前記窒化酸化珪素膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２において、
前記第１のガス管により前記誘電体板側に、希ガス、シランガス、一酸化窒素ガス、及び窒素ガスを導入し、前記第２のガス管により前記基板側に前記一酸化窒素ガスを導入することにより、前記窒化酸化珪素膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記非晶質半導体膜は、窒素、水素、及びハロゲンの全てを含むことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記非晶質半導体膜は、少なくとも、窒素、水素、又はハロゲンのいずれか一を含むことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第４の工程の後であって前記第５の工程の前に、前記非晶質半導体膜表面をハロゲン化することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第４の工程の後であって前記第５の工程の前に、前記非晶質半導体膜表面を窒素化することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第４の工程の後であって前記第５の工程の前に、前記非晶質半導体膜表面を水素化することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１０】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された微結晶半導体膜と、
前記微結晶半導体膜上に形成された凹部を有する非晶質半導体膜と、
前記非晶質半導体膜上に形成された一導電型を付与する不純物を含む一対の半導体膜とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記非晶質半導体膜は、窒素、水素、及びハロゲンの全てを含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１０において、
前記非晶質半導体膜は、少なくとも、窒素、水素、又はハロゲンのいずれか一を含むことを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月26日(2011.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と第２の電極との間に、発光層と光吸収層とを有し、
前記第１の電極は、非透光性を有し、
前記第２の電極は、透光性を有し、
前記光吸収層は、前記発光層と前記第１の電極との間に配置されており、
前記光吸収層は、金属酸化物と有機化合物とハロゲン原子とを含むことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
第１の電極と第２の電極との間に、発光層と光吸収層とを有し、
前記第１の電極は、透光性を有し、
前記第２の電極は、非透光性を有し、
前記光吸収層は、前記発光層と前記第２の電極との間に配置されており、
前記光吸収層は、金属酸化物と有機化合物とハロゲン原子とを含むことを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記金属酸化物は、バナジウム酸化物、モリブデン酸化物、ニオブ酸化物、レニウム酸化物、タングステン酸化物、ルテニウム酸化物、チタン酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、及びタンタル酸化物のいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、及び芳香族炭化水素のいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記ハロゲン原子は、フッ素であることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の発光素子を有する発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の発光素子は基板上に設けられ、前記基板上に設けられた薄膜トランジスタを有し、
前記発光素子は、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されており、
前記光吸収層は、前記薄膜トランジスタの上部にも形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７に記載の発光装置を有する電子機器。
【請求項９】
基板上に非透光性の第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に、共蒸着法により金属酸化物と有機化合物とを含む層を形成し、
前記金属酸化物と有機化合物とを含む層に、ハロゲン原子を添加して、光吸収層を形成し、
前記光吸収層上に、発光層を形成し、
前記発光層上に、透光性の第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
基板上に透光性の第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に、発光層を形成し、
前記発光層上に、共蒸着法により金属酸化物と有機化合物とを含む層を形成し、
前記金属酸化物と有機化合物とを含む層に、ハロゲン原子を添加して、光吸収層を形成し、
前記光吸収層上に、非透光性の第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、
前記ハロゲン原子は、イオン注入法により添加されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月26日(2011.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子、発光装置および照明装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、発光層と、第１の層とを有し、
前記第１の層は、第１の無機化合物と第１のハロゲン原子とを含み、
前記第１のハロゲン原子はイオン注入法により添加されていることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
基板上の第１の電極と、
前記第１の電極上の発光層と、
前記発光層上の第１の層と、
前記第１の層上の第２の電極と、を有し、
前記第１の層は、第１の無機化合物と第１のハロゲン原子とを含み、
前記第１のハロゲン原子はイオン注入法により添加されていることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
一対の電極間に、発光層と、第１の層とを有し、
前記第１の層は、第１の有機化合物と第１の無機化合物と第１のハロゲン原子とを含み、
前記第１のハロゲン原子はイオン注入法により添加されていることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
基板上の第１の電極と、
前記第１の電極上の発光層と、
前記発光層上の第１の層と、
前記第１の層上の第２の電極と、を有し、
前記第１の層は、第１の有機化合物と第１の無機化合物と第１のハロゲン原子とを含み、
前記第１のハロゲン原子はイオン注入法により添加されていることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
基板上の第１の電極と、
前記第１の電極上の第１の層と
前記第１の層上の発光層と、
前記発光層上の第２の層と、
前記第２の層上の第２の電極と、を有し、
前記第１の層は、第１の有機化合物と第１の無機化合物と第１のハロゲン原子とを含み、
前記第２の層は、第２の有機化合物と第２の無機化合物と第２のハロゲン原子とを含み、
前記第１のハロゲン原子および前記第２のハロゲン原子はイオン注入法により添加されていることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２の有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、および芳香族炭化水素のいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記第２の無機化合物は、遷移金属酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第２のハロゲン原子は、フッ素であることを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項３乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、および芳香族炭化水素のいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第１の無機化合物は、遷移金属酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第１のハロゲン原子は、フッ素であることを特徴とする発光素子。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の発光素子を有する発光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の発光素子を有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月22日(2011.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内に基板を収納し、処理ガスをプラズマ化して基板を処理するプラズマ処理装置であって、
前記処理容器内において基板を載置させる載置台の上方に、プラズマ生成ガスの吐出孔を有する複数の管材からなる第１のガス供給部材と、処理ガスの吐出孔を有する複数の管材からなる第２のガス供給部材を配置し、かつ、前記第１のガス供給部材を前記第２のガス供給部材よりも上方に配置し、
前記第２のガス供給部材に設けられた吐出孔を、前記第２のガス供給部材の上半面に設けたことを特徴とする、プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記第２のガス供給部材の吐出孔が、前記第２のガス供給部材の中心角において、水平から上方の１８０°の範囲に設けられていることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記第２のガス供給部材の吐出孔が、前記第２のガス供給部材の中心角において、水平から上方の４５°の範囲に設けられていることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記第１のガス供給部材と前記第２のガス供給部材には、前記複数の管材により形成された上下に貫通する開口部が形成されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記第１のガス供給部材に形成された開口部と前記第２のガス供給部材に形成された開口部は、上下に重なる位置に配置されていることを特徴とする、請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
処理容器内に基板を収納し、平板状のアンテナ部材から放射されたマイクロ波により、処理ガスをプラズマ化して基板を処理するプラズマ処理装置であって、
前記処理容器内において基板を載置させる載置台の上方に、プラズマ生成ガスの吐出孔を有する複数の管材からなる第１のガス供給部材と、処理ガスの吐出孔を有する複数の管材からなる第２のガス供給部材を配置し、かつ、前記第１のガス供給部材を前記第２のガス供給部材よりも上方に配置し、
前記第２のガス供給部材に設けられた吐出孔を、前記第２のガス供給部材の上半面に設けたことを特徴とする、プラズマ処理装置。
【請求項７】
前記第１のガス供給部材は、同心円状に配置された複数のリング部で構成されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記第２のガス供給部材は、同心円状に配置された複数のリング部で構成されていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記第１のガス供給部材は、格子状に組み合わせた複数の直線形状の管材で構成されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記第２のガス供給部材は、格子状に組み合わせた複数の直線形状の管材で構成されていることを特徴とする、請求項１〜６、９のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載のプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法であって、
前記処理容器内に、前記第１のガス供給部材からプラズマ生成ガスを供給し、前記第２のガス供給部材からプラズマ成膜用の処理ガスを供給した後、マイクロ波を供給することを特徴とする、プラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記目的を達成するため、本発明によれば、処理容器内に基板を収納し、処理ガスをプラズマ化して基板を処理するプラズマ処理装置であって、前記処理容器内において基板を載置させる載置台の上方に、プラズマ生成ガスの吐出孔を有する複数の管材からなる第１のガス供給部材と、処理ガスの吐出孔を有する複数の管材からなる第２のガス供給部材を配置し、かつ、前記第１のガス供給部材を前記第２のガス供給部材よりも上方に配置し、前記第２のガス供給部材に設けられた吐出孔を、前記第２のガス供給部材の上半面に設けたことを特徴とする、プラズマ処理装置が提供される。なお、前記第２のガス供給部材の吐出孔が、前記第２のガス供給部材の中心角において、水平から上方の１８０°の範囲に設けられている。さらに、前記第２のガス供給部材の吐出孔が、前記第２のガス供給部材の中心角において、水平から上方の４５°の範囲に設けられていることが望ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このプラズマ処理装置において、前記第１のガス供給部材と前記第２のガス供給部材には、前記複数の管材により形成された上下に貫通する開口部が形成されていても良い。この場合、前記第１のガス供給部材に形成された開口部と前記第２のガス供給部材に形成された開口部は、上下に重なる位置に配置されていることが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明によれば、処理容器内に基板を収納し、平板状のアンテナ部材から放射されたマイクロ波により、処理ガスをプラズマ化して基板を処理するプラズマ処理装置であって、前記処理容器内において基板を載置させる載置台の上方に、プラズマ生成ガスの吐出孔を有する複数の管材からなる第１のガス供給部材と、処理ガスの吐出孔を有する複数の管材からなる第２のガス供給部材を配置し、かつ、前記第１のガス供給部材を前記第２のガス供給部材よりも上方に配置し、前記第２のガス供給部材に設けられた吐出孔を、前記第２のガス供給部材の上半面に設けたことを特徴とする、プラズマ処理装置が提供される。
上記のプラズマ処理装置において、前記第１のガス供給部材は、同心円状に配置された複数のリング部で構成されていても良い。同様に、前記第２のガス供給部材は、同心円状に配置された複数のリング部で構成されていても良い。あるいは、前記第１のガス供給部材は、格子状に組み合わせた複数の直線形状の管材で構成されていても良い。同様に、前記第２のガス供給部材は、格子状に組み合わせた複数の直線形状の管材で構成されていても良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
さらに、本発明によれば、上記のいずれかのプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法であって、前記処理容器内に、前記第１のガス供給部材からプラズマ生成ガスを供給し、前記第２のガス供給部材からプラズマ成膜用の処理ガスを供給した後、マイクロ波を供給することを特徴とする、プラズマ処理方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月23日(2011.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウム及び遷移金属からなる複合酸化物である非水系リチウム二次電池用正極活物質であって、この正極活物質は、噴霧乾燥を経て得られた球状粒子であって、前記球状粒子の平均粒径が１〜２０μｍで、且つ最大粒径が５０μｍ以下であることを特徴とする非水系リチウム二次電池用正極活物質。
【請求項２】
請求項１に記載の正極活物質と、導電助材と、結着剤を混合したスラリー状の合材とし、この合材を集電体上に塗布し、乾燥後に所定の圧力でプレスしてなり、前記正極活物質はＬｉ−Ｍｎ複合酸化物であり、電極密度が２.５〜２.８ｇ／ｃｍ３であることを特徴とする非水系リチウム二次電池用正極。
【請求項３】
請求項１に記載の正極活物質と、導電助材と、結着剤を混合したスラリー状の合材とし、この合材を集電体上に塗布し、乾燥後に所定の圧力でプレスしてなり、前記正極活物質はＬｉ−Ｃｏ複合酸化物であり、電極密度が３.０〜３.４ｇ／ｃｍ３であることを特徴とする非水系リチウム二次電池用正極。
【請求項４】
前記複合酸化物がＬｉ−Ｍｎ複合酸化物であり、前記平均粒径が１２〜２０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の非水系リチウム二次電池用正極活物質。
【請求項５】
前記複合酸化物がＬｉ−Ｃｏ複合酸化物であり、前記平均粒径が１０〜１８μｍであることを特徴とする請求項１に記載の非水系リチウム二次電池用正極活物質。
【請求項６】
請求項４または５に記載の正極活物質と、導電助材と、結着剤を混合したスラリー状の合材とし、この合材を集電体上に塗布し、乾燥後に所定の圧力でプレスしてなることを特徴とする非水系リチウム二次電池用正極。
【請求項７】
請求項２，３、６のいずれか一項に記載の正極と、負極およびセパレータを容器内に配置し、有機溶媒による非水電解液を満たして構成されたことを特徴とする非水系リチウム二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の非水系リチウム二次電池用正極活物質は、リチウム及び遷移金属からなる複合酸化物である。負極と、リチウム及び遷移金属からなる複合酸化物を正極活物質として塗布成形した正極と、その間にセパレータを配し、非水電解質を充填してリチウム二次電池が構成される。正極活物質は、遷移金属化合物とリチウム化合物と水とを所定割合で混合してスラリーを作製し、このスラリーを４流体ノズルを備えた噴霧乾燥装置を用いて噴霧乾燥し、焼成することにより得られる。本発明の非水系リチウム二次電池用正極活物質は、噴霧乾燥を経て得られた球状粒子であって、前記球状粒子の平均粒径が１〜２０μｍで、且つ最大粒径が５０μｍ以下であることを特徴とする。
前記４流体ノズルを用いた噴霧乾燥は、噴霧ガスの圧力は０．１〜１０ＭＰａ、乾燥温度は１００〜３５０℃で行うことが望ましい。噴霧ガスの圧力が０．１ＭＰａ未満の場合、スラリーを十分に微粒化できなくなり、また１０ＭＰａを超える場合、装置が大型となり実用的でない。乾燥温度が１００℃未満の場合、乾燥が不十分であり、また３５０℃を越える場合、添加するバインダーが分解してしまう。
また、前記焼成は、大気あるいは酸素雰囲気中で、温度８００〜１１００℃で行うことが望ましい。８００℃未満の温度で焼成する場合、焼結がほとんど進行せず、また１１００℃を超える温度で焼成する場合、粒子同士がくっついて解砕できなくなる。なおスピネル型マンガン酸リチウムの場合、焼成を９００℃以上で行うと、結晶格子に歪を生じてサイクル特性が劣化するため、５００〜７００℃で熱処理を行うことが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月3日(2011.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の解像度の画像データ及び前記第１の解像度より解像度の低い第２の解像度の画像データを生成する画像生成部と、
前記第１及び第２の解像度の画像データを記憶する記憶部と、
記録媒体へ前記第１又は第２の解像度の画像データを記録するためのデータ記録部と、
記録媒体へ画像データを記録するための記録条件が成立した場合に、成立した前記記録条件に応じて、前記記憶部に記憶された前記第１の画像データ又は前記第２の画像データが記録媒体に記録されるように、前記データ記録部を制御する制御部と、
を有することを特徴とする画像データ記録装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記記録条件が成立するまでの前記第１の解像度の画像データと、前記記録条件が成立した後の前記第２の解像度の画像データとを、記録媒体に記録するように、前記データ記録部を制御する、請求項１に記載の画像データ記録装置。
【請求項３】
前記画像生成部は、前記第１の解像度の画像データを生成する第１画像生成部と、前記第２の解像度の画像データを生成する第２画像生成部を有し、
前記記憶部は、前記第１の解像度の画像データを記憶する第１記憶部と、前記第２の解像度の画像データを記憶する第２記憶部を有する、請求項１に記載の画像データ記録装置。
【請求項４】
前記制御部は、成立した前記記録条件に応じて、前記第１記憶部に記憶された前記第１の解像度の画像データを記録媒体に記録するか、前記第２記憶部に記憶された前記第２の解像度の画像データを記録媒体に記録するかの選択を行う、請求項３に記載の画像データ記録装置。
【請求項５】
前記第１の解像度の画像データ又は前記第２の解像度の画像データを基地側システムに送信し、画像要求情報を受信する無線送受信部を更に有し、
前記制御部は、前記第１の解像度の画像データ又は前記第２の解像度の画像データの内、基地側システムから受信した前記画像要求情報に応じたデータのみを、前記無線送受信部により基地側システムに送信する、請求項１に記載の画像データ記録装置。
【請求項６】
前記画像要求情報は、前記記録条件成立の種類を指定する情報である、請求項５に記載の画像データ記録装置。
【請求項７】
データ送受信システムであって、
画像要求情報を送信し且つ画像データ及び前記画像データに関連する関連情報を受信する第１送受信部と、前記関連情報に基づいて前記画像要求情報を設定するための設定部と、を有する基地側システムと、
前記画像データを生成する画像生成部と、前記関連情報を生成する関連情報生成部と、前記画像データ及び前記関連情報を送信し且つ前記画像要求情報を受信する第２送受信部と、生成された前記画像データの内前記基地側システムから受信した前記画像要求情報に応じた画像データのみを前記第２送受信部により前記基地側システムセンタに送信するように制御する制御部と、を有する車両側システムと、
を有することを特徴とするデータ送受信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月26日(2011.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像手段と、
表示手段と、
前記撮像手段に対し、所定の時間間隔で連続的に撮像させるよう制御する撮像制御手段と、
前記撮像制御手段によって連続的に撮像されている画像を、順次前記表示手段に表示させるよう制御する表示制御手段と、
前記所定の時間間隔を連写速度とし、前記撮像制御手段による制御中に外部操作に基づきこの連写速度を変更する変更手段と、
この変更手段によって変更された連写速度に基づいて、前記表示制御手段による制御により表示される画像の更新間隔を制御する更新間隔制御手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記変更手段は、回転角度に応じて前記所定の時間間隔を変更するため、鏡筒上に設けられたリングであることを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記撮像制御手段により撮像される画像の特徴情報に基づいて、前記所定の時間間隔を仮決定する連写速度決定手段を更に備え、
前記表示制御手段は、前記連写速度決定手段によって仮決定された前記所定の時間間隔に応じて、前記表示手段に表示される画像の更新間隔を制御することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項４】
前記撮像手段によって連続的に撮像された画像を、順次格納するバッファ手段を更に備え、
前記撮像制御手段は、前記バッファ手段に格納可能な枚数に達するまで、前記撮像制御手段による撮像を継続することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項５】
撮像手段及び表示手段を備えた電子機器が有するコンピュータを、
前記撮像手段に対し、所定の時間間隔で連続的に撮像させるよう制御する撮像制御手段、
前記撮像制御手段によって連続的に撮像されている画像を、順次前記表示手段に表示させるよう制御する表示制御手段、
前記所定の時間間隔を連写速度とし、前記撮像制御手段による制御中に外部操作に基づきこの連写速度を変更する変更手段、
この変更手段によって変更された連写速度に基づいて、前記表示制御手段による制御により表示される画像の更新間隔を制御する更新間隔制御手段、
として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的達成のため、請求項１記載の発明は、撮像手段と、表示手段と、前記撮像手段に対し、所定の時間間隔で連続的に撮像させるよう制御する撮像制御手段と、前記撮像制御手段によって連続的に撮像されている画像を、順次前記表示手段に表示させるよう制御する制御手段と、前記所定の時間間隔を連写速度とし、前記撮像制御手段による制御中に外部操作に基づきこの連写速度を変更する変更手段と、この変更手段によって変更された連写速度に基づいて、前記表示制御手段による制御により表示される画像の更新間隔を制御する更新間隔制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、請求項２記載の発明は、上記請求項１記載の発明において、前記変更手段は、回転角度に応じて前記所定の時間間隔を変更するため、鏡筒上に設けられたリングであることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、請求項３記載の発明は、上記請求項１記載の発明において、前記撮像制御手段により撮像される画像の特徴情報に基づいて、前記所定の時間間隔を仮決定する連写速度決定手段を更に備え、前記制御手段は、前記連写速度決定手段によって仮決定された前記所定の時間間隔に応じて、前記表示手段に表示される画像の更新間隔を制御することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、請求項４記載の発明は、上記請求項１乃至３のいずれかに記載の発明において、前記撮像手段によって連続的に撮像された画像を、順次格納するバッファ手段を更に備え、前記撮像制御手段は、前記バッファ手段に格納可能な枚数に達するまで、前記撮像制御手段による撮像を継続することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、上記目的達成のため、請求項５記載の発明は、撮像手段及び表示手段を備えた電子機器が有するコンピュータを、前記撮像手段に対し、所定の時間間隔で連続的に撮像させるよう制御する撮像制御手段、前記撮像制御手段によって連続的に撮像されている画像を、順次前記表示手段に表示させるよう制御する表示制御手段、前記所定の時間間隔を連写速度とし、前記撮像制御手段による制御中に外部操作に基づきこの連写速度を変更する変更手段、この変更手段によって変更された連写速度に基づいて、前記表示制御手段による制御により表示される画像の更新間隔を制御する更新間隔制御手段、として機能させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月29日(2011.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
ソース領域３５、ゲート領域３６、ドレイン領域３７、および電位保持領域４３のそれぞれの上部表面に接触するように、コンタクト電極３９が形成されている。コンタクト電極３９は、ソース領域３５、ゲート領域３６、ドレイン領域３７および電位保持領域４３とオーミック接触可能な材料からなる。コンタクト電極３９の材料として、たとえばＮｉを用いることができる。また、コンタクト電極３９は、Ｔｉ、Ａｌ、あるいはこれらの金属のシリサイドから構成されていてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
隣接するコンタクト電極３９の間には、酸化膜３８が形成されている。すなわち、絶縁層としての酸化膜３８は、第２のｐ型層３４の上部表面、溝部４１の底壁および側壁において、コンタクト電極３９が形成されている領域以外の領域全体を覆うように形成されている。この結果、隣接するコンタクト電極３９同士は絶縁された状態になる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
ソース領域３５、ゲート領域３６およびドレイン領域３７上に位置するコンタクト電極３９の上部表面上に接触するように、それぞれ上部ソース電極２７、上部ゲート電極２８、上部ドレイン電極２９が形成されている。この結果、上部ソース電極２７、上部ゲート電極２８、上部ドレイン電極２９は、コンタクト電極３９を介して、それぞれソース領域３５、ゲート領域３６およびドレイン領域３７と電気的に接続される。また、上部ソース電極２７は、ソース領域３５上のコンタクト電極３９の上部表面上から、電位保持領域４３上のコンタクト電極３９の上部表面上にまで延在するように形成されている。この結果、電位保持領域４３上のコンタクト電極３９は、ソース領域３５上のコンタクト電極３９と同電位に保持される。上部ソース電極２７、上部ゲート電極２８、上部ドレイン電極２９は、たとえばＡｌなどの導電体により構成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
次に、図４に示すように電極形成工程（Ｓ６０）を実施する。具体的には、ソース領域３５、ゲート領域３６、ドレイン領域３７および電位保持領域４３のそれぞれの上部表面に接触するように、コンタクト電極３９を形成する。コンタクト電極３９の形成方法としては、まず形成すべきコンタクト電極３９の平面形状に応じた領域に、フォトリソグラフィ法を用いて開口パターンを有するレジスト膜を形成する。そして、このレジスト膜をマスクとして用いて、たとえば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりソース領域３５、ゲート領域３６、ドレイン領域３７および電位保持領域４３上の酸化膜３８を部分的に除去する。その後、たとえばニッケル（Ｎｉ）を蒸着することにより、酸化膜３８が部分的に除去されることにより形成された開口部から露出するソース領域３５、ゲート領域３６、ドレイン領域３７および電位保持領域４３の上部表面およびレジスト膜の上部表面上に導電体層（ニッケル膜）が形成される。その後、レジスト膜を除去することにより、レジスト膜上の導電体層が除去（リフトオフ）される。この結果、酸化膜３８の開口部から露出したソース領域３５、ゲート領域３６、ドレイン領域３７および電位保持領域４３の上部表面上に導電体層が残存する。その後、たとえば１０００℃程度に加熱する熱処理工程を実施することにより、上述した導電体層がシリサイド化する。この結果、ソース領域３５、ゲート領域３６、ドレイン領域３７および電位保持領域４３にオーミック接触可能なＮｉＳｉ(ニッケルシリサイド）からなるコンタクト電極３９が形成される。なお、コンタクト電極３９を構成する材料としてＴｉまたはＡｌ、あるいはこれらのシリサイドを用いてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月31日(2011.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２次イオン質量分析装置を用いて所定の積層構造を有した薄膜トランジスタのオン電流を予測する薄膜トランジスタのオン電流予測方法であって、
前記積層構造からなる試料の表面帯電状態を非中和にした状態で前記試料に１次イオンを照射した際に飛散する２次イオンの検出プロファイルを取得し、該取得した検出プロファイルから導出される前記試料における半導体層界面前後におけるシリコンの２次イオン強度の低下率に基づいて前記薄膜トランジスタのオン電流を予測することを特徴とする薄膜トランジスタのオン電流予測方法。
【請求項２】
前記検出プロファイルは前記１次イオンのスキャン面積が互いに異なる２つの検出プロファイルからなり、前記低下率は前記検出プロファイル毎に導出され、該導出した２つの低下率に基づいて前記薄膜トランジスタのオン電流を予測することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタのオン電流予測方法。

【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタのオン電流予測方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、２次イオン質量分析装置を用いて所定の積層構造を有した薄膜トランジスタのオン電流を予測する薄膜トランジスタのオン電流予測方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記課題に鑑み、本発明は、ＳＩＭＳでの積層膜の測定によって薄膜トランジスタのオン電流を容易に予測することができる薄膜トランジスタのオン電流予測方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、２次イオン質量分析装置を用いて所定の積層構造を有した薄膜トランジスタのオン電流を予測する薄膜トランジスタのオン電流予測方法であって、前記積層構造からなる試料の表面帯電状態を非中和にした状態で前記試料に１次イオンを照射した際に飛散する２次イオンの検出プロファイルを取得し、該取得した検出プロファイルから導出される前記試料における半導体層界面前後におけるシリコンの２次イオン強度の低下率に基づいて前記薄膜トランジスタのオン電流を予測することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の薄膜トランジスタのオン電流予測方法であって、前記検出プロファイルは前記１次イオンのスキャン面積が互いに異なる２つの検出プロファイルからなり、前記低下率は前記検出プロファイル毎に導出され、該導出した２つの低下率に基づいて前記薄膜トランジスタのオン電流を予測することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、ＳＩＭＳでの積層膜の測定によって薄膜トランジスタのオン電流を容易に予測することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月7日(2011.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型を有する下部クラッド層と、
前記下部クラッド層上に設けられ、複数の量子ドットを有する量子ドット層が複数積層された活性層と、
該活性層上に設けられ、前記第１導電型とは反対の導電型である第２導電型を有する上部クラッド層と、を具備し、
前記複数の量子ドット層は、前記活性層を伝搬する光の導波モードが最も大きい量子ドット層の量子ドット密度が最も高いことを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記複数の量子ドット層は、前記活性層を伝搬する光の導波モードが最も小さい量子ドット層の量子ドット密度が最も低いことを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項３】
複数の量子ドット層は、最も量子ドット密度の高い量子ドット層から前記活性層の端の量子ドット層に向かい量子ドット密度が単調に減少することを特徴とする請求項１または２記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記複数の量子ドット層のうち前記活性層の中央の量子ドット層の量子ドット密度は、前記活性層の前記下部クラッド層側および前記上部クラッド層側の量子ドット層より高いことを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項５】
前記複数の量子ドット層のうち最上層の量子ドットの密度が最も高く、最下層の量子ドット密度が最も低いことを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項６】
前記活性層上に前記下部クラッド層および前記上部クラッド層より屈折率が大きく光が伝搬する光ガイド層を具備することを特徴とする請求項５記載の光半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、第１導電型を有する下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に設けられ、複数の量子ドットを有する量子ドット層が複数積層された活性層と、該活性層上に設けられ、前記第１導電型とは反対の導電型である第２導電型を有する上部クラッド層と、を具備し、前記複数の量子ドット層は、前記活性層を伝搬する光の導波モードが最も大きい量子ドット層の量子ドット密度が最も高いことを特徴とする光半導体装置である。本発明によれば、光半導体装置の効率を向上させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記構成において、前記複数の量子ドット層は、前記活性層を伝搬する光の導波モードが最も小さい量子ドット層の量子ドット密度が最も低い構成とすることができる。この構成によれば、光の導波モードが大きさに応じ量子ドット密度を異ならせることにより、光半導体装置の効率を向上させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記構成において、前記複数の量子ドット層のうち前記活性層の中央の量子ドット層の量子ドット密度は、前記活性層の前記下部クラッド層側および前記上部クラッド層側の量子ドット層より高い構成とすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記構成において、前記複数の量子ドット層のうち最上層の量子ドットの密度が最も高く、最下層の量子ドット密度が最も低い構成とすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記構成において、前記活性層上に前記下部クラッド層および前記上部クラッド層より屈折率が大きく光が伝搬する光ガイド層を具備する構成とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月30日(2011.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学系を用いた撮像により得られた画像を処理する画像処理方法であって、
前記画像を取得するステップと、
画像回復フィルタを用いて前記画像のぼけ成分を低減する画像回復処理を行う画像回復ステップと、
前記画像回復処理を受けた前記画像の歪曲成分を低減する幾何変換処理を行う歪曲補正ステップとを有し、
前記画像回復処理は、前記画像のうち前記幾何変換処理によって除去される領域の画像情報を用いて行われることを特徴とする画像処理方法。
【請求項２】
前記画像回復フィルタは、光が前記光学系に入射してから前記撮像により前記画像が取得されるまでの光学伝達関数の逆関数に基づいて生成された関数を逆フーリエ変換することにより作成されることを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項３】
前記画像回復ステップにおいて、前記撮像に際しての撮像状態を示す情報を取得し、該撮像状態情報に応じて選択又は作成した前記画像回復フィルタを用いて前記画像回復処理を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理方法。
【請求項４】
前記歪曲補正ステップにおいて、前記撮像に際しての撮像状態を示す情報を取得し、該撮像状態情報に応じて選択又は作成した幾何変換条件を用いて前記幾何変換処理を行うことを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の画像処理方法。
【請求項５】
前記画像回復ステップにおいて、前記画像回復フィルタとして、色ごとに異なるフィルタ値の２次元分布を有する複数の画像回復フィルタを用い、
前記複数の画像回復フィルタは、前記フィルタ値の絶対値が最大であるセルの位置と該画像回復フィルタの中心セルの位置とのずれ量が前記光学系の倍率色収差量に応じて互いに異なり、前記画像の前記ぼけ成分とともに倍率色収差成分を低減するフィルタであることを特徴とする請求項１から４のいずれか１つに記載の画像処理方法。
【請求項６】
前記画像回復ステップにおいて、前記画像に対して前記画像回復フィルタを用いたコンボリューション処理を行うことを特徴とする請求項１から５のいずれか１つに記載の画像処理方法。
【請求項７】
以下の関係を満足することを特徴とする請求項１から６のいずれか１つに記載の画像処理方法。
０＜Ｆ／Ｄ＜２
ただし、Ｄは前記画像回復処理を受けた前記画像における有効画像領域の端部の画素が前記幾何変換処理によって特定方向に移動する画素数であり、Ｆは前記端部の画素に適用する前記画像回復フィルタの前記特定方向でのセル数である。
【請求項８】
光学系を用いた撮像により得られた画像を処理する画像処理装置であって、
画像回復フィルタを用いて前記画像のぼけ成分を低減する画像回復処理を行う画像回復手段と、
前記画像回復処理を受けた前記画像の歪曲成分を低減する幾何変換処理を行う歪曲補正手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項９】
光学系により形成された被写体像を光電変換して画像を取得する撮像系と、
該画像を処理する請求項８に記載の画像処理装置とを有することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の一側面としての画像処理方法は、光学系を用いた撮像により得られた画像を処理する画像処理方法であって、前記画像を取得するステップと、画像回復フィルタを用いて前記画像のぼけ成分を低減する画像回復処理を行う画像回復ステップと、前記画像回復処理を受けた前記画像の歪曲成分を低減する幾何変換処理を行う歪曲補正ステップとを有し、前記画像回復処理は、前記画像のうち前記幾何変換処理によって除去される領域の画像情報を用いて行われることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月7日(2011.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リッドと、励振電極が形成された圧電振動片と前記励振電極から引き出された引出電極とを含む圧電プレートと、スルーホールを有するベースとが接合された圧電デバイスにおいて、
前記ベースは、
前記圧電プレート側で前記引出電極と接続される接続電極と、
前記接続電極に導通し前記スルーホールに形成されたスルーホール電極と、
前記スルーホール電極に導通し、前記圧電プレートの反対面に形成された第１外部電極層と、
前記スルーホール電極を封止する封止材と、
前記第１外部電極層と前記封止材とを覆うように形成された第２外部電極層と、
を備えることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項２】
前記接続電極、前記スルーホール電極、及び前記第１外部電極層は第１下地層と第１上面層とからなり、前記接続電極、前記スルーホール電極、及び前記第１外部電極層の第１下地層は同時に形成され、前記接続電極、前記スルーホール電極、及び前記第１外部電極層の第１上面層も同時に形成されることを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項３】
前記ベースの前記圧電プレートの反対面は算術平均粗さＲａが０．１μｍ以上になっており、その反対面に前記第１外部電極層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項４】
前記第１外部電極層が形成される領域に、前記ベース外周に向かってテーパ面が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
【請求項５】
前記第１外部電極層は、第１下地層とその上に形成された第１上面層とからなり、
前記第２外部電極層は、第２下地層とその上に形成された第２上面層とからなる請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
【請求項６】
前記第１下地層と前記第２下地層とは同じ材料からなり、
前記第１上面層と前記第２上面層とは同じ材料からなる５に記載の圧電デバイス。
【請求項７】
前記第２外部電極層は、前記第２上面層の上に、第３下地層とその上に形成された第３上面層とが形成されている請求項５又は請求項６に記載の圧電デバイス。
【請求項８】
前記第１下地層と前記第２下地層と前記第３下地層とは同じ材料からなり、
前記第１上面層と前記第２上面層と前記第３上面層とは同じ材料からなる７に記載の圧電デバイス。
【請求項９】
前記圧電振動片は、ＡＴ振動片、弾性表面波片又は音叉型水晶振動片であることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
【請求項１０】
リッドと、励振電極が形成された圧電振動片と前記励振電極から引き出された引出電極とを含む圧電プレートと、スルーホールを有するベースとが接合された圧電デバイスの製造方法において、
前記ベースの圧電プレート側の接続電極と、前記接続電極に導通し前記スルーホールに形成されたスルーホール電極と、前記スルーホール電極に導通し前記圧電プレートの反対面に形成された第１外部電極層とを形成する第１電極形成工程と、
前記スルーホール電極を封止材で封止する封止工程と、
前記第１外部電極層と前記封止材とを覆うように第２外部電極層を形成する第２電極形成工程と、
を備えることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記第１電極形成工程は、第１下地層を形成しその上に第１上面層を形成し、前記第２電極形成工程は、第２下地層を形成しその上に第２上面層を形成することを特徴とする請求項１０に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記第１電極形成工程の前に、算術平均粗さＲａが０．１μｍ以上に前記ベースの前記圧電プレートの反対面を形成する粗面化工程を備えることを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記粗面化工程の前に、前記第１外部電極層が形成される領域に、前記ベース外周に向かってテーパ面を形成することを特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ベース４０は、ベース用凹部４７を水晶フレーム２０側の片面に有している。ベース４０は、水晶フレーム２０側の反対面の外周に向かってテーパ面４５を備える。ベース４０は、スルーホールＴＨ及び第１接続電極４２、第２接続電極４４並びに２層から成る第１外部電極層５０が形成され、スルーホールＴＨにはスルーホール配線１５が形成される。ベース４０については、図２を用いて後述する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
（ベース４０の構成）
図２（ａ）はベース４０の上面図であり、（ｂ）は（ａ）の部分拡大Ｂ−Ｂ断面図である。
ベース４０はＺカットの水晶で形成され、図２（ａ）及び（ｂ）に示されるように、音叉型水晶振動片３０に接しないようにベース用凹部４７を水晶フレーム２０側の片面に有している。ベース４０はベース用凹部４７の周囲全体に段差部４９を形成する。この段差部４９の一部に第１接続電極４２及び第２接続電極４４が形成される。第１接続電極４２及び第２接続電極４４の高さは、２００オングストローム（Å）〜３０００オングストローム（Å）であり、段差部４９を設けないと、ベース４０の外周部と水晶フレーム２０の外枠部２１とがシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）する際に障害となることがある。段差部４９は１５０オングストローム〜２０００オングストロームの深さで形成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
なお、封止材７０が配置されたパッケージ８０が真空リフロー炉内で搬送される場合について説明したが、真空リフロー炉を真空にした後、不活性ガスを封入してパッケージ８０内が不活性ガスに満たされるようにしてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図６は、第１圧電デバイス１００を実装基板８５に搭載しハンダ付けを行った断面図である。第１圧電デバイス１００のベース４０は、外周に向かってテーパ面４５を備えているため、ハンダ７５と実装基板８５との密着面積が広くなり、ハンダ固着強度が十分得られることにより外部からの衝撃の影響を受けにくくなる。また、テーパ面４５があるために、第１圧電デバイス１００が実装基板８５に表面実装された際にハンダ付けの確認が容易となり、製造工程での検査工数を軽減できる。