【手続補正書】
【提出日】平成23年1月12日(2011.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ搭載部に搭載された半導体チップが有する電極上で第一のボールボンディングを行って、第一のボールボンディング側の接続部を形成し、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数の配線部のうちの一つ配線部上で第一のウェッジボンディングを行って、第一のウェッジボンディング側の接続部を形成する第一ボンディング工程と、
前記第一のボールボンディング側の接続部上で第二のボールボンディングを行って、第二のボールボンディング側の接続部を形成し、前記第一のウェッジボンディングが行われた前記配線部上で第二のウェッジボンディングを行って、第二のウェッジボンディング側の接続部を形成する第二ボンディング工程と、
を具備し、前記第二のボールボンディングを行う前に、前記第一のボールボンディング側の接続部を押しつぶすことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第一および第二のウェッジボンディングが、同一配線部上の異なる位置で行われることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第一のウェッジボンディング側の接続部上で前記第二のウェッジボンディングを行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
チップ搭載部に搭載された第一の半導体チップが有する電極上で第一のボールボンディングを行って、第一のボールボンディング側の接続部を形成し、前記チップ搭載部に搭載された第二の半導体チップが有する電極上で第一のウェッジボンディングを行って、第一のウェッジボンディング側の接続部を形成する第一ボンディング工程と、
前記第一のボールボンディング側の接続部上で第二のボールボンディングを行って、第二のボールボンディング側の接続部を形成し、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数の配線部のうちの一つの配線部上で第二のウェッジボンディングを行って、第二のウェッジボンディング側の接続部を形成する第二ボンディング工程と、
を具備し、前記第二のボールボンディングを行う前に、前記第一のボールボンディング側の接続部を押しつぶすことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第二の半導体チップは、前記第一の半導体チップの上に積層されていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第一の半導体チップは、前記第二の半導体チップの上に積層されていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
チップ搭載部に搭載された第一の半導体チップが有する電極上で第一のボールボンディングを行って、第一のボールボンディング側の接続部を形成し、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数の配線部のうちの一つの配線部上で第一のウェッジボンディングを行って、第一のウェッジボンディング側の接続部を形成する第一ボンディング工程と、
前記第一のボールボンディング側の接続部上で第二のボールボンディングを行って、第二のボールボンディング側の接続部を形成し、前記チップ搭載部に搭載された第二の半導体チップが有する電極上で第二のウェッジボンディングを行って、第二のウェッジボンディング側の接続部を形成する第二ボンディング工程と、
を具備し、前記第二のボールボンディングを行う前に、前記第一のボールボンディング側の接続部を押しつぶすことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第二の半導体チップは、前記第一の半導体チップの上に積層されていることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記配線部は配線基板上の配線であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記配線部はリードフレームのリードであることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
チップ搭載部に搭載された第一の半導体チップが有する複数の電極のうちの一つの電極上で第一のボールボンディングを行って、第一のボールボンディング側の接続部を形成し、前記チップ搭載部に搭載された第二の半導体チップが有する複数の電極のうちの一つの電極上で第一のウェッジボンディングを行って、第一のウェッジボンディング側の接続部を形成する第一ボンディング工程と、
前記第一のボールボンディング側の接続部上で第二のボールボンディングを行って、第二のボールボンディング側の接続部を形成し、前記第二の半導体チップの電極のうちのいずれか一つの電極上で第二のウェッジボンディングを行って、第二のウェッジボンディング側の接続部を形成する第二ボンディング工程と、
を具備し、前記第二のボールボンディングを行う前に、前記第一のボールボンディング側の接続部を押しつぶすことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第一および第二のウェッジボンディングが、前記第二の半導体チップが有する異なる電極上で行われることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第一のウェッジボンディング側の接続部上で前記第二のウェッジボンディングを行うことを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第二の半導体チップは、前記第一の半導体チップの上に積層されていることを特徴とする請求項１１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第一の半導体チップは、前記第二の半導体チップの上に積層されていることを特徴とする請求項１１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
加圧ツールを前記第一のボールボンディング側の接続部に押し付けることで、前記第一のボールボンディング側の接続部を押しつぶすことを特徴とする請求項１ないし１５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にリードフレーム／配線基板を用いた半導体チップのパッケージ技術に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、上記問題点に鑑み、半導体チップ上の同一の電極又はリードフレームの同一のリードあるいは配線基板上の同一の表層配線に、複数本のワイヤを接続する構造において、電極面積またはパッケージ面積を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の請求項１記載の半導体装置の製造方法は、チップ搭載部に搭載された半導体チップが有する電極上で第一のボールボンディングを行って、第一のボールボンディング側の接続部を形成し、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数の配線部のうちの一つ配線部上で第一のウェッジボンディングを行って、第一のウェッジボンディング側の接続部を形成する第一ボンディング工程と、前記第一のボールボンディング側の接続部上で第二のボールボンディングを行って、第二のボールボンディング側の接続部を形成し、前記第一のウェッジボンディングが行われた前記配線部上で第二のウェッジボンディングを行って、第二のウェッジボンディング側の接続部を形成する第二ボンディング工程と、を具備し、前記第二のボールボンディングを行う前に、前記第一のボールボンディング側の接続部を押しつぶすことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の請求項２記載の半導体装置の製造方法は、請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記第一および第二のウェッジボンディングが、同一配線部上の異なる位置で行われることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の請求項３記載の半導体装置の製造方法は、請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記第一のウェッジボンディング側の接続部上で前記第二のウェッジボンディングを行うことを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の請求項４記載の半導体装置の製造方法は、チップ搭載部に搭載された第一の半導体チップが有する電極上で第一のボールボンディングを行って、第一のボールボンディング側の接続部を形成し、前記チップ搭載部に搭載された第二の半導体チップが有する電極上で第一のウェッジボンディングを行って、第一のウェッジボンディング側の接続部を形成する第一ボンディング工程と、前記第一のボールボンディング側の接続部上で第二のボールボンディングを行って、第二のボールボンディング側の接続部を形成し、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数の配線部のうちの一つの配線部上で第二のウェッジボンディングを行って、第二のウェッジボンディング側の接続部を形成する第二ボンディング工程と、を具備し、前記第二のボールボンディングを行う前に、前記第一のボールボンディング側の接続部を押しつぶすことを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明の請求項５記載の半導体装置の製造方法は、請求項４記載の半導体装置の製造方法であって、前記第二の半導体チップは、前記第一の半導体チップの上に積層されていることを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明の請求項６記載の半導体装置の製造方法は、請求項４記載の半導体装置の製造方法であって、前記第一の半導体チップは、前記第二の半導体チップの上に積層されていることを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本発明の請求項７記載の半導体装置の製造方法は、チップ搭載部に搭載された第一の半導体チップが有する電極上で第一のボールボンディングを行って、第一のボールボンディング側の接続部を形成し、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数の配線部のうちの一つの配線部上で第一のウェッジボンディングを行って、第一のウェッジボンディング側の接続部を形成する第一ボンディング工程と、前記第一のボールボンディング側の接続部上で第二のボールボンディングを行って、第二のボールボンディング側の接続部を形成し、前記チップ搭載部に搭載された第二の半導体チップが有する電極上で第二のウェッジボンディングを行って、第二のウェッジボンディング側の接続部を形成する第二ボンディング工程と、を具備し、前記第二のボールボンディングを行う前に、前記第一のボールボンディング側の接続部を押しつぶすことを特徴とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明の請求項８記載の半導体装置の製造方法は、請求項７記載の半導体装置の製造方法であって、前記第二の半導体チップは、前記第一の半導体チップの上に積層されていることを特徴とする。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明の請求項９記載の半導体装置の製造方法は、請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、前記配線部は配線基板上の配線であることを特徴とする。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、本発明の請求項１０記載の半導体装置の製造方法は、請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、前記配線部はリードフレームのリードであることを特徴とする。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、本発明の請求項１１記載の半導体装置の製造方法は、チップ搭載部に搭載された第一の半導体チップが有する複数の電極のうちの一つの電極上で第一のボールボンディングを行って、第一のボールボンディング側の接続部を形成し、前記チップ搭載部に搭載された第二の半導体チップが有する複数の電極のうちの一つの電極上で第一のウェッジボンディングを行って、第一のウェッジボンディング側の接続部を形成する第一ボンディング工程と、前記第一のボールボンディング側の接続部上で第二のボールボンディングを行って、第二のボールボンディング側の接続部を形成し、前記第二の半導体チップの電極のうちのいずれか一つの電極上で第二のウェッジボンディングを行って、第二のウェッジボンディング側の接続部を形成する第二ボンディング工程と、を具備し、前記第二のボールボンディングを行う前に、前記第一のボールボンディング側の接続部を押しつぶすことを特徴とする。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、本発明の請求項１２記載の半導体装置の製造方法は、請求項１１記載の半導体装置の製造方法であって、前記第一および第二のウェッジボンディングが、前記第二の半導体チップが有する異なる電極上で行われることを特徴とする。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、本発明の請求項１３記載の半導体装置の製造方法は、請求項１１記載の半導体装置の製造方法であって、前記第一のウェッジボンディング側の接続部上で前記第二のウェッジボンディングを行うことを特徴とする。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、本発明の請求項１４記載の半導体装置の製造方法は、請求項１１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、前記第二の半導体チップは、前記第一の半導体チップの上に積層されていることを特徴とする。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、本発明の請求項１５記載の半導体装置の製造方法は、請求項１１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、前記第一の半導体チップは、前記第二の半導体チップの上に積層されていることを特徴とする。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、本発明の請求項１６記載の半導体装置の製造方法は、請求項１ないし１５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、加圧ツールを前記第一のボールボンディング側の接続部に押し付けることで、前記第一のボールボンディング側の接続部を押しつぶすことを特徴とする。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
この半導体装置はＱＦＰ型の半導体装置であり、図１に示すように、集積回路が形成された半導体チップ１がリードフレームのダイパッド部（チップ搭載部）２に搭載されている。また、ダイパッド部２の周辺には放射状にリードフレームのリード４が配置されており、インナーリード４ａの先端がダイパッド部２に対して対向している。また、半導体チップ１の表面に形成されている電極３と、配線部の一例であるインナーリード４ａとがワイヤ５で接続されている。また、半導体チップ１、ダイパッド部２、ワイヤ５、インナーリード４ａ（リード４のワイヤ接続部分）が一括して樹脂封止体６により樹脂封止され、インナーリード４ａに連続したリードフレームのアウターリード４ｂが樹脂封止体６の外部でガルウィング型に曲げ成形されている。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
この半導体装置はＢＧＡ型の半導体装置であり、図１１に示すように、樹脂基材からなり、少なくとも主面および主面とは反対側の底面に金属配線１８を有する配線基板１６のダイパッド部（チップ搭載部）１７に、集積回路が形成された半導体チップ１が搭載されている。このダイパッド部１７は、表層配線である主面側の金属配線１８からなる。また、ダイパッド部１７の周辺には放射状に接続パッド１９が配置されており、接続パッド１９の先端がダイパッド部１７に対して対向している。この配線部の一例である接続パッド１９は、表層配線である主面側の金属配線（配線部材）１８からなる。また、半導体チップ１の表面に形成されている電極３と接続パッド１９とがワイヤ５で接続されている。また、主面側の金属配線１８は、貫通ビア２０を介して、底面側の金属配線１８に電気的に接続している。また、樹脂封止体２１が、少なくとも半導体チップ１、ダイパッド部１７、ワイヤ５および表層配線（配線部材）のワイヤ５との接続部分（接続パッド１９）を樹脂封止している。また、底面には半田ボール２２が形成されており、この半田ボール２２は、底面側の金属配線１８に電気的に接続している。また、底面上の金属配線１８が形成されていない領域には、レジスト２３が形成されている。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、半導体チップ上の同一の電極又はリードフレームの同一のリードあるいは配線基板上の同一の表層配線に複数本のワイヤを接続する構造において、電極面積又はパッケージ面積を抑制することができ、高集積、高密度な半導体チップを用いた半導体パッケージを高品質かつコンパクトに構成でき、ＱＦＰやＢＧＡなどの半導体パッケージに有用である。