Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月7日(2011.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の表面に形成されたシリコンを主成分とする結晶粒と、
前記ゲート絶縁膜及び前記シリコンを主成分とする結晶粒を覆うゲルマニウムを主成分とする半導体膜と、
前記ゲルマニウムを主成分とする半導体膜に接するバッファ層とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の表面に形成されたシリコンを主成分とする結晶粒と、
前記ゲート絶縁膜及び前記シリコンを主成分とする結晶粒を覆うゲルマニウムを主成分とする半導体膜と、
前記ゲルマニウムを主成分とする半導体膜上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層上に形成された一導電型を付与する不純物が添加された一対の半導体膜とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の表面に形成されたドナーとなる不純物元素を含むシリコンを主成分とする結晶粒と、
前記ゲート絶縁膜及び前記ドナーとなる不純物元素を含むシリコンを主成分とする結晶粒を覆うゲルマニウムを主成分とする半導体膜と、
前記ゲルマニウムを主成分とする半導体膜上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層上に形成された一導電型を付与する不純物が添加された一対の半導体膜とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成され表面が凹凸状のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の表面に形成されたシリコンを主成分とする結晶粒と、
前記ゲート絶縁膜及び前記シリコンを主成分とする結晶粒を覆うゲルマニウムを主成分とする半導体膜と、
前記ゲルマニウムを主成分とする半導体膜上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層上に形成された一導電型を付与する不純物が添加された一対の半導体膜とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記バッファ層は、非晶質シリコン膜で形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項６】
請求項２乃至４のいずれか一項において、
前記一導電型を付与する不純物が添加された一対の半導体膜に接する一対の配線と、
前記一対の配線の一方に接する画素電極とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
ゲート絶縁膜を形成する第１の工程と、
前記ゲート絶縁膜上にシリコンを主成分とする半導体膜を形成する第２の工程と、
フッ素、フッ化物気体、または水素の少なくとも一つ以上を導入し高周波電源を印加して、前記シリコンを主成分とする半導体膜の一部をエッチングして、シリコンを主成分とする結晶粒を形成する第３の工程と、
ゲルマニウムを含む堆積性気体、及び水素を導入し高周波電源を印加して、前記ゲート絶縁膜及び前記シリコンを主成分とする結晶粒上にゲルマニウムを主成分とする半導体膜を形成する第４の工程と、
シリコンを含む堆積性気体、及び水素を導入し高周波電源を印加して、前記ゲルマニウムを主成分とする半導体膜上にバッファ層を形成する第５の工程と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
請求項７において、前記第２の工程の前に、フッ素、フッ化物気体、または水素の少なくとも一つ以上を導入し高周波電源を印加して、前記ゲート絶縁膜をプラズマに曝す工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項９】
請求項７または８において、前記第２の工程において、シリコンを含む堆積性気体と共に、水素を導入し高周波電力を印加して、前記ゲート絶縁膜上に前記シリコンを主成分とする半導体膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか一項において、前記シリコンを主成分とする半導体膜は、非晶質シリコン膜、非晶質シリコンゲルマニウム膜、微結晶シリコン膜、または微結晶シリコンゲルマニウム膜であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１１】
請求項７または８において、前記第２の工程において、水素、または希ガスを用いてシリコンターゲットまたはシリコンゲルマニウムターゲットをスパッタリングして、前記ゲート絶縁膜上に前記シリコンを主成分とする半導体膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１２】
請求項７乃至１１のいずれか一項において、
前記第１の工程の前に、ドナーとなる不純物元素を含む気体を前記第１の工程を行う反応室内に流す工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１３】
請求項７乃至１０のいずれか一項において、
前記第２の工程において、前記シリコンを含む堆積性気体と共に、ドナーとなる不純物元素を含む気体を導入し高周波電力を印加して、前記ゲート絶縁膜上にドナーとなる不純物元素を含むシリコンを主成分とする半導体膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１４】
請求項７乃至１１のいずれか一項において、
前記第３の工程において、前記フッ素、フッ化物気体、または水素の少なくとも一つ以上と共に、ドナーとなる不純物元素を含む気体を導入し高周波電力を印加して、前記シリコンを主成分とする半導体膜の一部をエッチングして前記シリコンを主成分とする結晶粒を形成すると共に、前記シリコンを主成分とする結晶粒にドナーとなる不純物元素を添加することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１５】
請求項７乃至１１のいずれか一項において、
前記第４の工程において、前記ゲルマニウムを含む堆積性気体、及び水素と共に、ドナーとなる不純物元素を含む気体を導入し、高周波電力を印加して、ドナーとなる不純物元素を含むゲルマニウムを主成分とする半導体膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１６】
請求項７乃至１５のいずれか一項の薄膜トランジスタの一対の配線の一方に接する画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月27日(2010.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電振動片と、
前記圧電振動片の一方の主面から他方の主面へ貫通した貫通穴、或いは前記圧電振動片の周縁の一部を切り欠いて形成した切り欠きと、
前記圧電振動片に形成された励振電極と、
前記圧電振動片の一方の主面に形成され前記励振電極に接続された第１のマウント電極と、
前記圧電振動片を搭載するパッケージと、
前記パッケージの前記圧電振動片を搭載する面に形成されたパッド電極と、
少なくとも前記パッド電極の一部が前記貫通穴または前記切り欠きから露出した構成と、
前記圧電振動片の前記他方の主面を前記パッド電極に対向させた構成と、
前記貫通穴または前記切り欠きを通して前記第１のマウント電極と前記露出した前記パッド電極とを接続するワイヤと、を備えたことを特徴とする圧電デバイス。
【請求項２】
前記貫通穴または前記切り欠きが、前記第１のマウント電極と前記励振電極との間に備えられたことを特徴とする請求項１記載の圧電デバイス。
【請求項３】
前記圧電振動片の他方の主面に形成され前記励振電極に接続された第２のマウント電極と、
前記パッケージの前記圧電振動片を搭載する面に形成されたパッケージ側マウント電極と、を備え、
該第２のマウント電極が導電性接合材によって前記パッケージ側マウント電極に接続されていることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の圧電デバイス。
【請求項４】
前記第２のマウント電極が前記第１のマウント電極に平面視して重ならないように配置されていることを特徴とする請求項３記載の圧電デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月17日(2011.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と前記第１の主面に対向する面となる第２の主面を備える半導体基板と、
前記第１の主面上に形成された固体撮像素子と、
前記第１の主面上に形成された電極パッドと、
前記第１の主面上に形成された前記電極パッドに対し、前記第１の主面と前記第２の主面との間の前記半導体基板を貫くように形成された貫通電極とを具備し、
前記貫通電極の周辺部の前記半導体基板の厚さは、前記周辺部以外の前記半導体基板の厚さよりも薄いことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
第１の主面と前記第１の主面に対向する面となる第２の主面を備える半導体基板と、
前記第１の主面上に形成された固体撮像素子と、
前記第１の主面上に形成された電極パッドと、
前記第１の主面上に形成された前記電極パッドに対し、前記第１の主面と前記第２の主面との間の前記半導体基板を貫くように形成された貫通電極とを具備し、
前記貫通電極の周辺部の前記第２の主面は、前記周辺部以外よりも凹んでいることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項３】
前記半導体基板の前記第１の主面の上方に対し、前記固体撮像素子上に空洞が形成されるように光透過性支持基板をさらに具備することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記半導体基板と前記光透過性支持基板は、パターニングされた接着剤により接着され、前記接着剤は、前記貫通電極及び前記貫通電極の周辺部の上方にパターニングされていることを特徴とする請求項３に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記空洞下の前記半導体基板の前記第２の主面上には、樹脂材が形成されていることを特徴とする請求項３または４に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記固体撮像素子に対応するように配置されたカラーフィルタと、
前記固体撮像素子に対応するように、前記カラーフィルタ上に配置されたマイクロレンズと、
をさらに具備することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記請求項３または４に記載の半導体パッケージと、
前記半導体パッケージにおける前記光透過性支持基板上に配置された赤外線カットフィルタと、
前記赤外線カットフィルタ上に配置された撮像レンズと、
を具備することを特徴とするカメラモジュール。
【請求項８】
前記貫通電極は、前記固体撮像素子から出力された信号を処理する周辺回路部に形成され、前記周辺回路部は前記固体撮像素子以外の領域に配置されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
一実施態様の半導体パッケージは、第１の主面と前記第１の主面に対向する面となる第２の主面を備える半導体基板と、前記第１の主面上に形成された固体撮像素子と、前記第１の主面上に形成された電極パッドと、前記第１の主面上に形成された前記電極パッドに対し、前記第１の主面と前記第２の主面との間の前記半導体基板を貫くように形成された貫通電極とを具備し、前記貫通電極の周辺部の前記半導体基板の厚さは、前記周辺部以外の前記半導体基板の厚さよりも薄いことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月13日(2010.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体層の評価方法、半導体層を有する基板の作製方法、半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された半導体層の一部にレーザー光を照射する際に、
前記半導体層の一部の前記レーザー光が照射される面とは反対の面に、参照光を照射して、前記参照光の反射率を測定し、
第１の反射率と第２の反射率を基準として、
前記反射率が前記第１の反射率未満である場合には前記半導体層の一部が非溶融状態にあると判断し、
前記反射率が前記第１の反射率以上、前記第２の反射率未満である場合には前記半導体層の一部が部分溶融状態にあると判断し、
前記反射率が前記第２の反射率以上である場合には前記半導体層の一部が完全溶融状態にあると判断する半導体層の評価方法であって、
前記第１の反射率は、前記半導体層の一部の前記レーザー光が照射される面が溶融状態にある場合の反射率であり、
前記第２の反射率は、前記半導体層の一部の前記レーザー光が照射される面とは反対の面が溶融状態にある場合の反射率であることを特徴とする半導体層の評価方法。
【請求項２】
基板上に形成された半導体層の一部にレーザー光を照射する際に、
前記半導体層の一部の前記レーザー光が照射される面とは反対の面に、参照光を照射して、前記参照光の反射率の経時変化を測定し、
前記反射率が変化しない段階では、前記半導体層の一部が非溶融状態にあると判断し、
前記反射率が変化する段階では、前記半導体層の一部が部分溶融状態にあると判断し、
前記反射率の変化が飽和した段階では、前記半導体層の一部が完全溶融状態にあると判断することを特徴とする半導体層の評価方法。
【請求項３】
基板上に形成された半導体層の一部にレーザー光を照射する際に、
前記半導体層の一部の前記レーザー光が照射される面とは反対の面に、参照光を照射して、前記参照光の反射率の経時変化を測定し、
第１の反射率を基準として、
前記反射率の最大値が前記第１の反射率未満である場合には前記半導体層が所望の溶融状態に達していないと判断し、
前記反射率の最大値が前記第１の反射率以上の一定範囲にある場合には前記半導体層が前記所望の溶融状態に達したと判断し、
前記反射率の最大値が前記一定範囲を超えた場合には前記半導体層が前記所望の溶融状態を超える溶融状態に達したと判断することを特徴とする半導体層の評価方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記参照光は、固体状態の前記半導体層にその一部が吸収される光であることを特徴とする半導体層の評価方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記参照光は、３００ｎｍ乃至８００ｎｍの波長の光であることを特徴とする半導体層の評価方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記参照光は、前記半導体層の溶融状態を変化させない強度の光であることを特徴とする半導体層の評価方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記半導体層は単結晶半導体層であることを特徴とする半導体層の評価方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一に記載の半導体層の評価方法を用いて前記レーザー光の照射条件を決定し、該決定した照射条件を用いて前記レーザー光を照射することを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。
【請求項９】
請求項１又は請求項２に記載の半導体層の評価方法を用いて前記半導体層の一部が前記部分溶融状態又は前記完全溶融状態にあると判断された段階で、前記半導体層の一部への前記レーザー光の照射を停止させることを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。
【請求項１０】
請求項３に記載の半導体層の評価方法を用いて前記半導体層の一部が前記所望の溶融状態に達したと判断された段階で、前記半導体層の一部への前記レーザー光の照射を停止させることを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至７のいずれか一に記載の半導体層の評価方法を用いて前記レーザー光の照射条件を決定し、該決定した照射条件を用いて前記レーザー光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１又は請求項２に記載の半導体層の評価方法を用いて前記半導体層の一部が前記部分溶融状態又は前記完全溶融状態にあると判断された段階で、前記半導体層の一部への前記レーザー光の照射を停止させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項３に記載の半導体層の評価方法を用いて前記半導体層の一部が前記所望の溶融状態に達したと判断された段階で、前記半導体層の一部への前記レーザー光の照射を停止させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月18日(2010.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられ亜鉛を含む酸化物半導体から構成されたチャネル層と、
前記チャネル層を挟むように該チャネル層の両端部に接して設けられたソース・ドレイン電極層と、
前記チャネル層の一表面と第１の面で接して設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の前記第１の面と対向する第２の面に設けられ、前記チャネル層に前記ゲート絶縁膜を介して電界を与えるゲート電極と、を有し、
前記ゲート絶縁膜と前記チャネル層とが接触する界面に、硫黄、またはセレンの少なく
とも一つを含み、前記界面近傍に形成される酸素欠陥を抑制する表面処理層を有することを特徴とする酸化物半導体装置。
【請求項２】
前記表面処理層に含有する硫黄、またはセレンの原子濃度が、１０１６ｃｍ−３以上で１０２０ｃｍ−３以下の範囲内にあることを特徴とする請求項１に記載の酸化物半導体装置。
【請求項３】
前記チャネル層が、少なくとも亜鉛を含有する酸化物半導体、またはこれらの酸化亜鉛系酸化物半導体の数種類を組み合わせた積層膜であることを特徴とする請求項１に記載の酸化物半導体装置。
【請求項４】
前記ゲート電極が前記基板表面上に設けられ、前記ソース・ドレイン電極層が前記基板に対して前記ゲート電極より遠い側に設けられたボトムゲート型構造であることを特徴とする請求項１に記載の酸化物半導体装置。
【請求項５】
前記ソース・ドレイン電極層が前記基板表面上に設けられ、前記ゲート電極が前記基板に対して前記ソース・ドレイン電極層より遠い側に設けられたトップゲート型構造であることを特徴とする請求項１に記載の酸化物半導体装置。
【請求項６】
基板上に所望の形状を有するゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極および前記基板の表面を覆うようにゲート絶縁膜を堆積する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に導電体からなるソース・ドレイン電極層を堆積する工程と、
前記堆積したソース・ドレイン電極層をパターニングし前記ゲート電極上に開口部を形
成する工程と、
前記開口部を通して前記ゲート絶縁膜の表面に、硫黄またはセレンの少なくとも一つを
導入し表面処理層を形成する工程と、
前記表面処理層の表面を少なくとも覆うように亜鉛を含む酸化物半導体を堆積しチャネ
ル層を形成する工程とを有し、
前記表面処理層は、前記ゲート絶縁膜と前記チャネル層とが接触する界面近傍に形成される酸素欠陥を抑制することを特徴とする酸化物半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記ゲート絶縁膜表面上へ硫黄またはセレンの少なくとも一つを導入する手段が、それらの化合物による分子ビーム照射、プラズマ照射、イオンビーム照射、ラジカル照射、気相処理、ミスト処理、液相処理のいずれかであり、
前記亜鉛を含む酸化物半導体からなるチャネル層を形成する手段が、スパッタ法、化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、分子ビーム成長（ＭＢＥ：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法、反応性蒸着法のいずれかであることを特徴とする請求項６に記載の酸化物半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記表面処理層の形成に用いる硫黄、またはセレンの化合物が、硫化水素、硫化アンモニウム、エタンチオール、デカンチオール、ドデカンチオール、エチルメチルスルフィド、ジプロピルスルフィド、プロピレンスルフィド、硫化セレン、セレン酸、亜セレン酸のいずれか一つであることを特徴とする請求項６に記載の酸化物半導体装置の製造方法。
【請求項９】
基板上に所望の形状を有するソース・ドレイン電極層を形成する工程と、
前記ソース・ドレイン電極層および前記基板の表面を覆うように亜鉛を含む酸化物半導
体を堆積する工程と、
前記酸化物半導体の表面に、硫黄またはセレンの少なくとも一つを導入し表面処理層を
形成する工程と、
前記表面処理層を有する酸化物半導体上に、ゲート絶縁膜を堆積する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にさらにゲート電極膜を堆積し該ゲート電極膜をパターニングして
ゲート電極を形成する工程とを有し、
前記表面処理層は、前記ゲート絶縁膜と前記酸化物半導体とが接触する界面近傍に形成される酸素欠陥を抑制することを特徴とする酸化物半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ゲート絶縁膜表面上へ硫黄またはセレンの少なくとも一つを導入する手段が、それらの化合物による分子ビーム照射、プラズマ照射、イオンビーム照射、ラジカル照射、気相処理、ミスト処理、液相処理のいずれかであり、
前記亜鉛を含む酸化物半導体からなるチャネル層を形成する手段が、スパッタ法、化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、分子ビーム成長（ＭＢＥ：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法、反応性蒸着法のいずれかであることを特徴とする請求項９に記載の酸化物半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記表面処理層の形成に用いる硫黄、またはセレンの化合物が、硫化水素、硫化アンモニウム、エタンチオール、デカンチオール、ドデカンチオール、エチルメチルスルフィド、ジプロピルスルフィド、プロピレンスルフィド、硫化セレン、セレン酸、亜セレン酸のいずれか一つであることを特徴とする請求項９に記載の酸化物半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月4日(2011.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のテープフィーダから排出された空テープをテープフィーダが並ぶ左右方向に長く形成された固定刃と可動刃とにより挟み込むことによって切断する空テープ切断装置を備えた表面実装機において、前記空テープ切断装置は、前記可動刃と前記固定刃に加え、前記可動刃を固定刃に対して左右方向とは直交する刃幅方向に平行移動自在に支持する左右一対の支持部と、左右方向中央部に位置され前記可動刃を駆動する一つのエアシリンダとを備え、
前記固定刃と可動刃とのうち一方の刃は、左右方向となる刃の長手方向に複数の傾斜部を並べて形成され、
各傾斜部は、刃の長手方向に向かうにしたがって刃幅が漸次変化するように形成されていることを特徴とする表面実装機。
【請求項２】
請求項１記載の表面実装機において、前記複数の傾斜部は、前記可動刃の左右一対の傾斜部で構成され、この左右一対の傾斜部は、刃の左右の各端部に向かうにしたがって刃幅が漸次変化するように形成されていることを特徴とする表面実装機。
【請求項３】
請求項２記載の表面実装機において、可動刃は、前記谷の頂点を中心として長手方向の一端側と他端側とに分割可能に形成されていることを特徴とする表面実装機。
【請求項４】
請求項２あるいは３に記載の表面実装機において、前記左右一対の傾斜部は、平面視において可動刃の長手方向の中央部が両端部に較べて固定刃から相対的に離間する谷となるように形成されたことを特徴とする表面実装機。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のうちいずれか一つに記載の表面実装機において、前記固定刃と前記可動刃とは、切断状態で上下方向に重なり合うように空テープ切断装置に設けられ、
前記空テープ切断装置は、前記可動刃の移動時の高さを前記切断状態における高さに規制する位置規制部材を備え、前記位置規制部材には、前記可動刃の長手方向の両端部の上面に摺接する位置規制面が形成されていることを特徴とする表面実装機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この目的を達成するために、本発明に係る表面実装機は、複数のテープフィーダから排出された空テープをテープフィーダが並ぶ方向に長く形成された固定刃と可動刃とにより挟み込むことによって切断する空テープ切断装置を備えた表面実装機において、前記空テープ切断装置は、前記可動刃と前記固定刃に加え、前記可動刃を固定刃に対して左右方向とは直交する刃幅方向に平行移動自在に支持する左右一対の支持部と、左右方向中央部に位置され前記可動刃を駆動する一つのエアシリンダとを備え、前記固定刃と可動刃とのうち一方の刃は、左右方向となる刃の長手方向に複数の傾斜部を並べて形成され、各傾斜部は、刃の長手方向に向かうにしたがって刃幅が漸次変化するように形成されているものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、前記発明において、前記複数の傾斜部は、前記可動刃の左右一対の傾斜部で構成され、この左右一対の傾斜部は、刃の左右の各端部に向かうにしたがって刃幅が漸次変化するように形成されているものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、前記発明において、可動刃は、前記谷の頂点を中心として長手方向の一端側と他端側とに分割可能に形成されているものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、前記発明において、前記左右一対の傾斜部は、平面視において可動刃の長手方向の中央部が両端部に較べて固定刃から相対的に離間する谷となるように形成されたものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、前記発明において、前記固定刃と前記可動刃とは、切断状態で上下方向に重なり合うように空テープ切断装置に設けられ、前記空テープ切断装置は、前記可動刃の移動時の高さを前記切断状態における高さに規制する位置規制部材を備え、前記位置規制部材には、前記可動刃の長手方向の両端部の上面に摺接する位置規制面が形成されているものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明によれば、可動刃を一つのエアシリンダによって駆動することができるから、製造コストがより一層低減された表面実装機を提供することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
可動刃を長手方向の一端側と他端側とに分割可能に形成した発明によれば、可動刃を傾斜部毎に形成することができるから、谷状の可動刃を容易に形成することができる。
したがって、空テープ切断装置を安価に製造できるから、製造コストがより一層低減された表面実装機を提供することができる。
可動刃の移動時の高さを規制する位置規制部材を備えた発明によれば、可動刃が固定刃と噛み合うときに刃先どうしが衝突することを確実に防ぐことができる。このため、この発明によれば、空テープ切断装置の構造が簡素化されているにもかかわらず、刃が破損することを確実に防ぐことができるから、製造コストが低減されるだけでなくランニングコストも低減可能な表面実装機を提供することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月15日(2011.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技に関する情報を表示する画像表示装置と、
前記画像表示装置に表示させる画像に対応する画像データを生成する画像データ生成回路と、前記画像データ生成回路が生成した前記画像データを前記画像表示装置の画素数に基づいて決定される特定の回数に分けて、前記画像表示装置に特定の周期で送信する画像データ送信回路と、を１チップのパッケージ内に収容した画像制御装置と、
前記特定の回数および前記画像表示装置の１秒間に表示するフレーム数の両方で特定される周波数である第１のクロック信号を出力するクロック出力回路と
を備えた遊技台であって、
前記画像制御装置は、
入力されたクロック信号の周波数から所定の整数倍の周波数を生成する逓倍回路と、
前記画像データ生成回路に電気的に接続される第１の端子と、
前記画像データ送信回路に電気的に接続される第２の端子と、
を備え、
前記第１の端子および前記第１のクロック出力回路は、第１の信号線で接続されており、
前記第２の端子および前記第１のクロック出力回路は、前記第１の信号線より長い長さを有する第２の信号線で接続されており、
前記逓倍回路は、
前記第１の端子を介して前記クロック出力回路が出力する前記第１のクロック信号を入力し、前記画像データ生成回路が動作可能な最大周波数より低い周波数であって前記第１のクロック信号の周波数を整数倍した第２のクロック信号を生成し、当該第２のクロック信号を前記画像データ生成回路に出力し、
前記画像データ生成回路は、
入力する前記第２のクロック信号に基づいて前記画像データを生成し、
前記画像データ送信回路は、
入力された前記第１のクロック信号に基づいて画像データを送信する、
ことを特徴とする遊技台。
【請求項２】
請求項１記載の遊技台において、
前記第１の信号線および前記第２の信号線の両方にダンピング抵抗を設けたこと
を特徴とする遊技台。
【請求項３】
請求項１又は２のいずれかに記載の遊技台において、
前記画像制御装置に電気的に接続されたＮＯＲ型のＲＯＭを備え、
前記ＲＯＭは、前記画像データ生成回路が使用する元画像データを記憶していること
を特徴とする遊技台。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２００３０２号公報
【特許文献２】特開２００３−３２５８７１号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４１】
さらに、本発明は、遊技台としてパチンコ機およびスロットマシンを例にあげたが、これに限るものではなく、アレンジボール遊技機や、じゃん球遊技機、スマートボール等に適用してもよい。
上記実施の形態の遊技台は、例えば以下のように表現される。
（付記１）遊技に関する情報を表示する画像表示装置と、前記画像表示装置に表示させる画像に対応する画像データを生成する画像データ生成回路と、前記画像データ生成回路が生成した前記画像データを特定の回数に分けて、前記画像表示装置に特定の周期で送信する画像データ送信回路と、前記特定の回数および前記特定の周期の両方で特定される時間ごとに、前記画像データ生成回路が生成した画像データに対応する画像を前記画像表示装置に表示させるための、前記画像表示装置の画素数に基づいて決定される周波数である第１のクロック信号を出力する第１のクロック出力回路とを備え、前記画像データ生成回路は、前記第１のクロック出力回路が出力する前記第１のクロック信号から生成される第２のクロック信号に基づいて前記画像データを生成することを特徴とする遊技台。
（付記２）付記１に記載の遊技台において、前記画像データ生成回路は、特定の周波数に基づいて前記画像データを生成することが可能であり、前記第２のクロック信号の周波数は、前記特定の周波数よりも低いことを特徴とする遊技台。
（付記３）付記１または２に記載の遊技台において、前記画像データ生成回路および前記画像データ送信回路を１チップのパッケージ内に収容した画像制御装置を備え、前記画像制御装置は、前記画像データ生成回路に電気的に接続される第１の端子と、前記画像データ送信回路に電気的に接続される第２の端子と、前記第１の端子および前記第１のクロック出力回路を接続する第１の信号線と、前記第１の信号線より長い長さを有し、前記第２の端子および前記第１のクロック出力回路を接続する第２の信号線とを備えていることを特徴とする遊技台。
（付記４）付記１乃至３のいずれかに記載の遊技台において、前記第１の信号線および前記第２の信号線の両方にダンピング抵抗を設けたことを特徴とする遊技台。
（付記５）付記３又は４のいずれかに記載の遊技台において、前記画像制御装置に電気的に接続されたＮＯＲ型のＲＯＭを備え、前記ＲＯＭは、前記画像データ生成回路が使用する元画像データを記憶していることを特徴とする遊技台。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月7日(2011.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌ１２Ｐ１２Ｏ４８である多孔性アルミノリン酸塩結晶ＡｌＰＯ４-５を合成する方法であって、Ａｌ源、Ｐ源、および有機アミンを含む反応溶液のｐＨを調整するために、無機酸からなるｐＨ調整剤を加えるか、もしくは反応溶液中の有機アミンを除去して、反応溶液のｐＨを中性または酸性に維持することにより、収率を上げることを特徴とする多孔性アルミノリン酸塩結晶の合成方法。
【請求項２】
有機アミンが三級アミンであることを特徴とする、請求項１に記載のアルミノリン酸塩結晶の合成方法。
【請求項３】
三級アミンがトリエチルアミン（（Ｃ２Ｈ５）３Ｎ）であることを特徴とする、請求項２に記載のアルミノリン酸塩結晶の合成方法。
【請求項４】
水熱反応過程における反応溶液の初期のｐＨを３．０以下に調整するとともに、水熱反応過程における反応溶液のｐＨを、無機酸からなるｐＨ調整剤を間欠的にまたは連続的に添加、もしくは反応溶液中の有機アミンを除去することにより、反応溶液を酸性または中性に再調整または持続させることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の多孔性アルミノリン酸塩結晶の合成方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の多孔性アルミノリン酸塩結晶を合成する方法であって、無機酸からなるｐＨ調整剤を添加、もしくは反応溶液中の有機アミンを除去することにより、溶液のｐＨを常に７以下に調整するとともに、１５０〜２２０℃に加熱することにより収率を上げることを特徴とする合成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月22日(2011.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タイヤ空気圧センサと、該タイヤ空気圧センサでそれぞれ検出されたタイヤ空気圧を示す信号を送信する送信機と、該送信機から送信された信号を受信する受信機とからなり、前記タイヤ空気圧センサと送信機とが二輪車の前輪および後輪のホイールリムにそれぞれ１組ずつ設けられたタイヤ空気圧検出装置において、
前記受信機が、前記前輪および後輪のホイールリムを結ぶ直線上から、車体幅方向外側で、かつ乗員シートより前方の領域に配置されていることを特徴とするタイヤ空気圧検出装置。
【請求項２】
前記二輪車が、
車体前部のヘッドパイプとヘッドパイプから左右斜め下後方に延びる左右一対のメインチューブとからなる車体フレームと、
前記ヘッドパイプの前部から前記メインチューブに対する前部車体幅方向外側領域を覆うフロントカウルとを備え、
前記受信機が前記メインチューブと前記フロントカウルとの間に形成されるスペースに配置されていることを特徴とする請求項１記載のタイヤ空気圧検出装置。
【請求項３】
前記メインチューブと前記フロントカウルとの間の上部を覆うサイドパネルの下方に前記受信機が配置されていることを特徴とする請求項２記載のタイヤ空気圧検出装置。
【請求項４】
前記二輪車が、前記メインチューブに対する車体幅方向外側領域において、ラジエータコアの面がほぼ前記フロントカウルに対向するように配置された左右一対のラジエータを備え、
前記ラジエータのうち一方に近接して前記受信機が配置されていることを特徴とする請求項２記載のタイヤ空気圧検出装置。
【請求項５】
前記受信機が、受信アンテナを内蔵していることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のタイヤ空気圧検出装置。
【請求項６】
前記受信機が、受信した信号が示すタイヤ空気圧を基準空気圧と比較して、その比較結果を車両のメータユニットに入力して所定の警告表示をさせるマイクロコンピュータを備えていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のタイヤ空気圧検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
ヘッドパイプに回動自在に支持されたフロントフォーク６の下端には前輪７が回転自在に支持される。また、フロントフォーク６の上部には操向ハンドル８が取り付けられる。エンジン５の上には燃料タンク９が配され、燃料タンク９の後方には乗員シート１０と同乗者シート１１が設けられる。同乗者シート１１の後方にはメイントランク１２が配置され、その下方左右には、サイドバッグ１３が取り付けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
車体左側のサイドパネル１８の略水平面にはリッド１７が設けられる。このリッド１７は、車体右側のリッド１６とは異なり、その下部の収納ポケット（図示しない）を覆い、ユーザが自由にリッド１７を開閉して収納ポケットを使用することができるように構成されている。なお、右側のリッド１６の下方には後述するラジエータやラジエータ液のリザーブタンクやクルーズコントローラ等を収容しているので収納ポケットは備えていないが、リザーブタンク等を他の場所に設置することにより、スペースを作って、収納ポケットを設けるように変形しても、本発明を適用することができることに変わりはない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図３は、タイヤ空気圧検出装置のシステム構成図である。タイヤ空気圧検出装置は、前輪７および後輪４にそれぞれ取り付けられる前輪送信機２１および後輪送信機２２からなる送信装置と、前輪送信機２１および後輪送信機２２から送信されたタイヤ内空気圧の状態を示す情報（タイヤ空気圧信号）とＩＤとを受信する受信機２３と、受信機２３で受信された情報に基づいて予め定められた表示を行うタイヤ空気圧表示器２４とからなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
受信機２３は、アンテナ２３１、ＲＦ回路（受信回路）２３２、マイクロコンピュータ２３３、電源回路２３４、および入出力回路２３５からなる。電源回路２３４は、車載バッテリから供給される１２ボルトの電圧を、マイクロコンピュータ２３３の入力電圧に適するように５ボルトの定電圧を形成する。アンテナ２３１で受信した電波はＲＦ回路２３２で、所定周波数（送信機が送出する周波数）の信号が抽出され、デジタル変換されてマイクロコンピュータ２３３に入力される。マイクロコンピュータ２３３はＲＦ回路２３２から入力されたタイヤ空気圧信号で示される空気圧を基準値（２段階の値）と比較して、空気圧が前記基準値より低い場合に検出情報をタイヤ空気圧表示器２４に送出する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2010126042.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月22日(2011.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フロントシェルとリアシェルとをそれぞれの開口縁部を互いに結合し一体化してハウジングを構成し、該ハウジング内にその内部を前記フロントシェル側の定圧室と前記リアシェル側の変圧室とに区画するパワーピストンを配置し、ブレーキペダルから入力ロッドに伝達される入力に対して、前記定圧室と前記変圧室との差圧によって生じる前記パワーピストンの推力を付与して、所定の倍力比で出力ロッドから出力する気圧式倍力装置において、
前記フロントシェルの板厚を前記リアシェルの板厚よりも薄くしたことを特徴とする気圧式倍力装置。
【請求項２】
前記フロントシェルの板厚と前記リアシェルの板厚との差を０．１〜０．３ｍｍとしたことを特徴とする請求項１に記載の気圧式倍力装置。
【請求項３】
前記パワーピストンを貫通して前記フロントシェルと前記リアシェルとを結合し、一端側に車体への取付ネジ部が形成されたタイロッドが設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の気圧式倍力装置。
【請求項４】
前記タイロッドの他端側にマスタシリンダを固定する固定ネジ部が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の気圧式倍力装置。
【請求項５】
前記タイロッドの一端側が前記リアシェルにカシメによって固定されていることを特徴とする請求項３に記載の気圧式倍力装置。
【請求項６】
前記リアシェルは、前記ハウジング内を移動するバルブボディが挿入される円筒部と、該円筒部の外周に設けられ、車体への取付時に該車体に当接する車体当接部と、前記フロントシェルと結合される大径円筒部と、該大径円筒部と前記車体当接部とを結合する略円錐状の傾斜部とから形成され、前記傾斜部には、円周方向に沿って複数の折曲部が形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の気圧式倍力装置。
【請求項７】
前記フロントシェルと前記リアシェルとは、前記フロントシェルの周囲をかしめることによって結合されていることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の気圧式倍力装置。
【請求項８】
前記フロントシェルは、車両衝突時に、車体の変形によって車載機器が当接する部分を有していることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の気圧式倍力装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月21日(2011.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に長手方向に沿って延びる複数の溝条(21)(21a)を有する帯状の芯体(2)と該芯体(2)の表面に接合され溝条(21)(21a)の開口を覆って該開口との間に透水路(4)を形成するシート状のフィルター(3)とによって構成されるボードドレーン(1)において、
芯体(2)は澱粉系物質配合樹脂によって形成されており、該澱粉系物質配合樹脂は、澱粉系物質をα化させポリオレフィン樹脂と連続相に微細均一に分散させた混合物であることを特徴とするボードドレーン。
【請求項２】
澱粉系物質配合樹脂における澱粉系物質の配合率は、重量比で30〜60%である、請求項１に記載のボードドレーン。
【請求項３】
澱粉系物質は米である、請求項１又は請求項２に記載のボードドレーン。
【請求項４】
芯体(2)は、前記混合物のペレットを押出成形機に投入して、150℃以下のダイス温度で押出成形することで形成される、請求項１乃至３の何れかに記載のボードドレーン。
【請求項５】
フィルター(3)も澱粉系物質配合樹脂にて形成されている、請求項１乃至４の何れかに記載のボードドレーン。
【請求項６】
芯体(2)及び／又はフィルター(3)は分解性添加剤を含んでおり、土中自然環境下で完全分解性を有する、請求項１乃至５の何れかに記載のボードドレーン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、表面に長手方向に沿って延びる複数の溝条(21)(21a)を有する帯状の芯体(2)と、該芯体(2)の表面に接合され溝条(21)(21a)の開口を覆って該開口との間に透水路(4)を形成するシート状のフィルター(3)とによって構成されるボードドレーン(1)において、芯体(2)は親水基を有しているため、芯体(2)の吸水、拡散性により、効果的に排水することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明のボードドレーンにおいて、芯体(2)は澱粉系物質配合樹脂によって形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明のボードドレーンにおいて、澱粉系物質配合樹脂は、澱粉系物質を糊化(α化)させポリオレフィン樹脂と連続相に微細均一に分散させた混合物である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のボードドレーンにおいて、澱粉系物質配合樹脂は、澱粉系物質の配合率が重量比で30〜60%であってよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のボードドレーンにおいて、フィルター(3)も澱粉系物質配合樹脂にて形成されてよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のボードドレーンにおいて、芯体(2)及び／又はフィルター(3)は樹脂を分解する分解性添加剤を含んでおり、土中自然環境下で完全分解性を有していてよい。
又、現場条件に応じて分解速度の制御が可能である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明のボードドレーンは、芯体(2)とフィルター(3)との間に形成される透水路(4)に加えて、芯体(2)自体に親水基を有するので、芯体(2)の吸水、拡散性により、地盤中の水を効果的に排水することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のボードドレーンの芯体(2)は樹脂に配合する澱粉系物質として、余剰米を有効活用する。
食用に生産される米は、食料飢饉等に備えて一定量は備蓄する必要があるが、現在、供給過剰状態となっており、余剰米は年々増加の一途をたどっている。このため安価な米を用いることができ、又、処分に窮していた消費期限を過ぎた余剰米を有効に利用することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明のボードドレーンでは、澱粉系物質配合樹脂は、ポリオレフィン系樹脂とともに加熱混練することにより、澱粉質を糊化(α化)させ連続相に微細均一に分散させた後、さらに脱水された複合材料を使用することで、高温での流動性が損なわれないので、芯体(2)の押出成形に好都合である。
特に、澱粉系物質が粒状の玄米又は精米であること、又は／及び、前記加熱混練をする工程において、前記加熱混練温度における飽和蒸気圧よりも低くかつ大気圧よりも高い設定圧力で混練物を脱水する工程を含むこと、により調整した複合材料は、糊化した澱粉質がより微細均一に分散するため、とりわけ好都合である。
更に、ポリオレフィン樹脂単体で形成した芯体と同程度の伸びを有し、脆くない芯体を形成できるので、ボードドレーン(1)の打設時に、芯体(2)が破損したり、圧密沈下によって 芯体(2)が挫屈することを防止することができる。
ポリオレフィン樹脂自体は、ボードドレーンの材料として従来より使用されており、価格面と性能面で現状ではそれ以上のものはない。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明のボードドレーンは、フィルター(3)も澱粉系物質配合ポリオレフィン樹脂にて形成されているから、フィルター(3)自体が、泥水を濾過する機能に加えて、親水性による水の透水機能を有するので、ボードドレーンの排水機能を高めることができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明のボードドレーンは、分解性添加剤を含んだ芯体及び／又はフィルターは土中でさらに分解するから、地盤への掘削工事、シールド工事等の後工事に好都合である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月31日(2011.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カルボン酸に硫酸触媒を添加した溶剤中にポリフェニレンサルファイド繊維を浸漬した状態で、酸化剤を滴下しつつ反応を進行させることを特徴とする、フェニレンスルホン構造を主構造に持つポリマーからなる繊維であって、該フェニレンスルホン構造のフェニル基にスルホン酸基が結合した構造を有するポリフェニレンスルホン繊維の製造方法。
【請求項２】
ポリフェニレンサルファイド繊維をキャリアーに入れて固定し、該キャリアーの全体にわたってカルボン酸、硫酸触媒及び酸化剤を液流循環させることを特徴とする、請求項１に記載のポリフェニレンスルホン繊維の製造方法。
【請求項３】
ポリフェニレンスルホン繊維が、スルホン酸基が結合したフェニル基同士が架橋構造を形成していることを特徴とする、請求項１または２に記載のポリフェニレンスルホン繊維の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ポリフェニレンスルホン繊維の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月31日(2011.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芳香環を有するホスホン酸金属塩が０．１〜５．０質量％含有されているポリ乳酸繊維と天然繊維とを混合し、加熱および加圧をして一体成形することを特徴とする繊維系ボードの製造方法。
【請求項２】
前記繊維系ボードが厚さ１０ｍｍ以上であること特徴とする請求項１に記載の繊維系ボードの製造方法。
【請求項３】
前記繊維系ボードの密度が０．１ｇ／ｃｍ３以上であることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の繊維系ボードの製造方法。   
【請求項４】
請求項１〜３いずれかの製造方法で得られた繊維系ボードの表裏面の少なくとも一方にフィルムが積層されていることを特徴とするフィルム付繊維系ボード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】繊維系ボードの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題を解決するための本発明は、以下のいずれかの構成を特徴とするものである。   
（１）ポリ乳酸樹脂からなる繊維に芳香環を有するホスホン酸金属塩が０．１〜５．０質量％含有されていることを特徴とするポリ乳酸繊維。   
（２）前記（１）に記載のポリ乳酸繊維と天然繊維とを含み、表層部が結晶化度１０％以上であり、かつ、中層部が４０％以上であることを特徴とする繊維系ボード。   
（３）密度が０．１ｇ／ｃｍ３以上であることを特徴とする前記（２）に記載の繊維系ボード。   
（４）前記（２）または（３）に記載の繊維系ボードの表裏面の少なくとも一方にフィルムが積層されていることを特徴とするフィルム付繊維系ボード。   
（５）前記（１）に記載のポリ乳酸繊維と天然繊維とを混合し、加熱、加圧して一体成形後、アニール処理することを特徴とする繊維系ボードの製造方法。  
ならびに、 
（１’）芳香環を有するホスホン酸金属塩が０．１〜５．０質量％含有されているポリ乳酸繊維と天然繊維とを混合し、加熱および加圧をして一体成形することを特徴とする繊維系ボードの製造方法。
（２’）前記繊維系ボードが厚さ１０ｍｍ以上であること特徴とする１’に記載の繊維系ボードの製造方法。
（３’）前記繊維系ボードの密度が０．１ｇ／ｃｍ３以上であることを特徴とする前記のいずれかに記載の繊維系ボードの製造方法。   
（４’）前記１’〜３’いずれかの製造方法で得られた繊維系ボードの表裏面の少なくとも一方にフィルムが積層されていることを特徴とするフィルム付繊維系ボード。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月20日(2011.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
循環移動するパレット上に粉鉱石と炭材を含む焼結原料を装入して装入層を形成する装入工程と、
その装入層表面の炭材に点火炉を使って点火する点火工程と、
装入層上方の大気中に気体燃料を供給して燃焼下限濃度以下の希釈気体燃料として供給する気体燃料供給工程と、
パレット下に配置されたウインドボックスで上記希釈気体燃料と空気を装入層内に吸引して、装入層内の炭材を燃焼させると共に、上記希釈気体燃料を炭材燃焼後の装入層内で燃焼させて焼結する焼結工程を有する焼結鉱の製造方法において、
上記焼結原料中の炭材の量を、気体燃料を供給しないときよりも、下記式で定義される置換率で２．７３〜１５の範囲となるよう削減することを特徴とする焼結鉱の製造方法。
記
置換率＝Ｂ／Ａ
ただし、Ａ：供給した気体燃料の燃焼熱、Ｂ：削減した炭材量に相当する燃焼熱
【請求項２】
上記置換率を２．７３〜１０の範囲とすることを特徴とする請求項２に記載の焼結鉱の製造方法。
【請求項３】
上記置換率を２．７３〜６の範囲とすることを特徴とする請求項２に記載の焼結鉱の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
すなわち、本発明は、循環移動するパレット上に粉鉱石と炭材を含む焼結原料を装入して装入層を形成する装入工程と、その装入層表面の炭材に点火炉を使って点火する点火工程と、装入層上方の大気中に気体燃料を供給して燃焼下限濃度以下の希釈気体燃料として供給する気体燃料供給工程と、パレット下に配置されたウインドボックスで上記希釈気体燃料と空気を装入層内に吸引して、装入層内の炭材を燃焼させると共に、上記希釈気体燃料を炭材燃焼後の装入層内で燃焼させて焼結する焼結工程を有する焼結鉱の製造方法において、上記焼結原料中の炭材の量を、気体燃料を供給しないときよりも、下記式；
置換率＝Ｂ／Ａ
ただし、Ａ：供給した気体燃料の燃焼熱、Ｂ：削減した炭材量に相当する燃焼熱
で定義される置換率で２．７３〜１５の範囲となるよう削減することを特徴とする焼結鉱の製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明の焼結鉱の製造方法は、上記置換率を２．７３〜１０、あるいはさらに２．７３〜６の範囲とすることを特徴とする。