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【手続補正書】
【提出日】平成23年5月6日(2011.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性粉の表面を、金属原子にアルコキシ基と両親媒性の有機基とが結合した有機金属化合物で処理することにより形成されたことを特徴とする水浄化用磁性粒子。
【請求項２】
前記金属原子が、Ｚｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、およびＺｎからなる群から選択されるものである、請求項１に記載の水浄化用磁性粒子。
【請求項３】
前記両親媒性基が、炭化水素基と、酸または塩基の残基から構成される、請求項１または２に記載の水浄化用磁性粒子。
【請求項４】
前記両親媒性基がアシレート基である、請求項３に記載の水浄化用磁性粒子。
【請求項５】
前記有機金属化合物が、下記一般式（１）で表される金属アシレート化合物である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の水浄化用磁性粒子：
（ＲＯ）ｍＭ（ＯＣＯＲ’）ｎ      （１）
（式中、
ＭはＺｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、およびＺｎからなる群から選択される金属元素であり、
ｍおよびｎはそれぞれ１以上の整数であり、ｍ＋ｎはＭの原子価であり、
Ｒは炭素数１〜８の有機基であって、ｍが２以上のとき、それぞれのＲは同一であっても異なっていてもよく、
Ｒ’は炭素数１〜３０の炭化水素基であって、ｎが２以上のときそれぞれのＲ’は同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項６】
前記磁性粉の平均粒子径が０．２μｍ〜５ｍｍである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の水浄化用磁性粒子。
【請求項７】
前記磁性粉が、磁性体微粒子がバインダーで結合され、造粒されたものである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の水浄化用磁性粒子。
【請求項８】
前記磁性体微粒子の平均粒子径が、０．０５μｍ〜１００μｍである、請求項７に記載の水浄化用磁性粒子。
【請求項９】
磁性粉の表面に、金属原子を介して両親媒性基が結合していることを特徴とする水浄化用磁性粒子。
【請求項１０】
磁性粉に金属原子にアルコキシ基と両親媒性有機基とが結合した有機金属化合物を混合し、撹拌することにより磁性粉の表面処理をすることを含むことを特徴とする、水浄化用磁性粒子の製造方法。
【請求項１１】
前記有機金属化合物が室温で液状である、請求項１０に記載の水浄化用磁性粒子の製造方法。
【請求項１２】
前記磁性粉に拡販を行いながら有機金属化合物を滴下または噴霧処理し、次いで加熱処理をすることを含む、請求項１０または１１に記載の水浄化用磁性粒子の製造方法。
【請求項１３】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の水浄化用磁性粒子を含むことを特徴とする、水処理用組成物。
【請求項１４】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の水浄化用磁性粒子を、不純物を含む水の中に分散させることにより、前記水浄化用磁性粒子の表面に前記不純物を吸着させる工程と、
不純物が吸着した水浄化用磁性粒子を磁力を利用して収集し、回収する工程と、
を備えることを特徴とする、水処理方法。
【請求項１５】
回収された水浄化用磁性粒子を、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、アセトン、テトラヒドロフラン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、およびそれらの混合物から選ばれるいずれか１種類の有機溶媒を用いて吸着させた不純物を脱離させて再生することを含む、請求項１４に記載の水処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月19日(2011.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハロゲン化銅（ＩＩ）と金属銅とを酸および担体の存在下で反応させ、得られるハロゲン化銅（Ｉ）を該担体に担持することを特徴とする吸着剤の製造方法。
【請求項２】
ハロゲン化銅（ＩＩ）および酸を溶媒に溶解し、得られた溶液に担体を添加した後、さらに金属銅の粉体を添加して、ハロゲン化銅（ＩＩ）と金属銅とを反応させることよりハロゲン化銅（Ｉ）を生成し、次いで前記溶媒を除去して乾燥させることにより、生成したハロゲン化銅（Ｉ）を前記担体に担持させることを特徴とする吸着剤の製造方法。
【請求項３】
ハロゲン化銅（ＩＩ）が、塩化銅（ＩＩ）であり、ハロゲン化銅（Ｉ）が塩化銅（Ｉ）である請求項１または２に記載の吸着剤の製造方法。
【請求項４】
担体が、活性炭である請求項１〜３のいずれかに記載の吸着剤の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の吸着剤の製造方法によって得られる吸着剤。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月10日(2011.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端は開口し、他端において閉鎖する濾布の内側に装着され、濾布の筒形状を維持するため濾過装置に使用されるリテーナであって、濾布への装着状態においてリテーナと濾布との伸張特性の相違を補償するべく濾布を緊張付勢する弾性手段を備えたリテーナ。
【請求項２】
請求項１に記載のリテーナを濾布の内側に装着した濾過装置であって、濾布は一端が開口するようにセルプレートに装着され、かつ被処理流体はその側面より導入され濾布の前記開口した一端より排出されるようにされ、濾布の内側のリテーナはその一端がセルプレートに固定されることで濾布への装着状態をとり、前記弾性手段は、濾布内部においてリテーナの他端と濾布の前記閉鎖した他端との間に配置され、リテーナと濾布との伸張特性の相違を補償するべく濾布を緊張付勢する濾過装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発明において、前記弾性手段は濾布の前記閉鎖した他端に対向する第１の当接部と、リテーナの前記他端に対向する第２の当接部と、第１及び第２の当接部間の圧縮スプリングとから成る濾過装置。
【請求項４】
請求項１の発明において、前記弾性手段は濾布の前記閉鎖した他端に対向する第１の当接部と、リテーナの前記他端に対する第２の当接部と、第１及び第２の当接部間の圧縮スプリングとからなり、圧縮スプリングの一端は第１の当接部に当接され、圧縮スプリングの一端は第２の当接部に当接されるリテーナ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月6日(2011.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の上に形成された下部電極と、前記下部電極とは離間して形成された補助電極と、前記下部電極の上に形成された有機化合物層と、前記有機化合物層の上に形成された上部電極と、を有する有機発光素子の製造方法において、
下部電極の上と、補助電極の上と、に、前記有機化合物層を形成する工程と、
前記下部電極の上に形成された有機化合物層の上と、前記補助電極の上に形成された有機化合物層の上と、に、第１上部電極を形成する工程と、
前記補助電極の上に形成された前記有機化合物層と前記第１上部電極とを部分的に除去し、前記補助電極を露出させる工程と、
前記第１上部電極の上と、前記補助電極の上と、に、第２上部電極を共通に形成する工程と、を有することを特徴とする有機発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記補助電極を露出させる工程は、エネルギービームを照射し、前記補助電極の上に形成された前記有機化合物層と前記第１上部電極とを部分的に除去する工程であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項３】
基板と、前記基板の上に形成された下部電極と、前記下部電極とは離間して形成された補助電極と、前記下部電極の上に形成された有機化合物層と、前記有機化合物層の上に形成された上部電極と、を有する有機発光素子において、
前記上部電極は、前記有機化合物層の上に形成された第１上部電極と、前記第１上部電極の上と前記補助電極の上とに共通に形成された第２上部電極と、を有していることを特徴とする有機発光素子。
【請求項４】
前記第１上部電極の厚みは、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の有機発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の有機発光素子の製造方法は、上述した目的を達成するため、以下の特徴点を備えている。すなわち、本発明の有機発光素子の製造方法により製造する有機発光素子は、基板と、前記基板の上に形成された下部電極と、前記下部電極とは離間して形成された補助電極と、前記下部電極の上に形成された有機化合物層と、前記有機化合物層の上に形成された上部電極とを有している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
そして、本発明の有機発光素子の製造方法は、以下の４つの工程を有していることを特
徴とするものである。第１の工程は、下部電極の上と、補助電極の上と、に、有機化合物層を形成する工程である。第２の工程は、下部電極の上に形成された有機化合物層の上と、補助電極の上に形成された有機化合物層の上と、に、第１上部電極を形成する工程である。第３の工程は、補助電極の上に形成された前記有機化合物層と前記第１上部電極とを部分的に除去し、前記補助電極を露出させる工程である。第４の工程は、第１上部電極の上と、補助電極の上と、に、第２上部電極を共通に形成する工程である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月2日(2010.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質膜と、
前記電解質膜を挟持し、触媒と前記触媒を担持する担体とから構成されるカソード触媒層およびアノード触媒層と、
を備えた膜電極接合体であって、
前記アノード触媒層における、下記数式１で求められる水素酸化反応の交換電流密度と酸素還元反応の交換電流密度との比の対数値が４〜１０であり、かつ前記酸素還元反応の交換電流密度と触媒塗布面積あたりの触媒実面積の値との積が所定の値以下である膜電極接合体。
【数１】
2010027295.tif 000001
【請求項２】
前記アノード触媒層がパラジウム、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、コバルト、イリジウム、および鉄からなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む、請求項１に記載の膜電極接合体。
【請求項３】
前記アノード触媒層がパラジウムおよびニッケルの少なくとも一方と、クロム、モリブデン、タングステン、コバルト、および鉄からなる群より選択される少なくとも１種の金属と、を含む請求項２に記載の膜電極接合体。
【請求項４】
前記アノード触媒層がさらに白金を含む、請求項２または３に記載の膜電極接合体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の膜電極接合体を用いた燃料電池。
【請求項６】
請求項５に記載の燃料電池を搭載した車両。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月4日(2011.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁物が巻かれた第１の銅線が絶縁油に浸されている油入電気機器の状態を模擬する油入電気機器状態分析装置であって、
前記油入電気機器から前記絶縁油を抽出するための配管と、
前記配管を開閉するための弁と、
前記絶縁物と同じ材料の絶縁物に巻かれた第２の銅線を収容し、前記配管を通して抽出した絶縁油を収容することにより、前記第２の銅線を前記抽出した絶縁油で浸すためのタンクと、
前記第２の銅線を加熱する第１のヒータとを備える油入電気機器状態分析装置。
【請求項２】
前記油入電気機器状態分析装置は、さらに、
前記油入電気機器における前記第１の銅線の温度を測定する第１の温度測定部と、
前記第１の温度測定部によって測定された温度に基づいて、前記第１のヒータを制御することにより、前記第２の銅線の温度を制御する第１の温度制御部とを備える請求項１に記載の油入電気機器状態分析装置。
【請求項３】
前記第１の温度制御部は、前記第１のヒータを制御することにより、前記第１の温度測定部によって測定された温度より高い温度になるように、前記第２の銅線の温度を制御する請求項２に記載の油入電気機器状態分析装置。
【請求項４】
前記油入電気機器状態分析装置は、さらに、
前記タンクに収容された絶縁油を加熱する第２のヒータを備える請求項１に記載の油入電気機器状態分析装置。
【請求項５】
前記油入電気機器状態分析装置は、さらに、
前記油入電気機器における前記絶縁油の温度を測定する第２の温度測定部と、
前記第２の温度測定部によって測定された温度に基づいて、前記第２のヒータを制御することにより、前記タンクに収容された絶縁油の温度を制御する第２の温度制御部とを備える請求項４に記載の油入電気機器状態分析装置。
【請求項６】
前記第２の温度制御部は、前記第２のヒータを制御することにより、前記第２の温度測定部によって測定された温度より高い温度になるように、前記タンクに収容された絶縁油の温度を制御する請求項５に記載の油入電気機器状態分析装置。
【請求項７】
前記油入電気機器状態分析装置は、さらに、
前記タンクに収容された絶縁油を前記タンク内で循環させるポンプを備える請求項１に記載の油入電気機器状態分析装置。
【請求項８】
絶縁物が巻かれた第１の銅線が絶縁油に浸されている油入電気機器の状態を模擬する油入電気機器状態分析方法であって、
前記油入電気機器から前記絶縁油を抽出するステップと、
前記抽出した絶縁油をタンクに収容するステップと、
前記絶縁物と同じ材料の絶縁物が巻かれた第２の銅線を前記タンクに収容して絶縁油に浸すステップと、
前記第２の銅線を加熱するステップとを含む油入電気機器状態分析方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月2日(2011.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、扁平コイル部材は、嵌合溝内に接着剤を注入し、この接着剤に扁平コイル部材の
一側を埋設して接着剤を固化させることにより、前記嵌合溝に固定したものであっても良
い。これにより、扁平コイル部材を嵌合溝内に強固に固定することが可能となり、固定部
の強度が向上して振動や熱応力などに対する耐久性に優れた伝熱面を得ることができる。
また、熱伝導性の接着剤を使用した場合には、扁平コイル状フィン部材と伝熱基板の間の熱伝達が良好となり吸放熱に優れたものとすることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、上記実施例２では扁平コイル部材(１)と伝熱基板(６)の伝熱面(７)との接触部の
みを接着、ろう付け、又は溶接により扁平コイル部材（１）の長軸方向の一側(４)を前記
嵌合溝（５）内に固定しているが、本実施例３では、嵌合溝(５)内に接着剤を注入し、こ
の接着剤に扁平コイル部材(１)の一端を埋設して接着剤を固化させることにより、図８に
示す如く扁平コイル部材(１)を前記嵌合溝(５)に固定している。このように、接着剤に扁
平コイル部材(１)の一端を埋設して扁平コイル部材(１)を嵌合溝(５)に固定配置すること
により、扁平コイル部材(１)を嵌合溝(５)内に強固に固定することが可能となり、固定部
の強度が向上して振動や熱応力などに対する耐久性に優れた伝熱面(７)を得ることができ
る。また、熱伝導性の接着剤を使用した場合には、扁平コイル状フィン部材(１２)と伝熱基板(６)の間の熱伝達が更に良好となり吸放熱により優れたものとすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、上記実施例１〜３に於いては、嵌合溝（５）を断面コ字型に形成し、図１、図４
に示す如く底面(８)を平坦面としているが、本実施例４では、図９に示す如く、嵌合溝（５）の底面（８）を扁平コイル部材（１）の一側(４)の外周形状に合わせて弧状に湾曲
させている。このように嵌合溝(５)の底面(８)を弧状に湾曲させることにより、扁平コイ
ル部材（１）を嵌合溝（５）に嵌合挿入した際に、扁平コイル部材（１）の一側（４）の外周が嵌合溝（５）と面接触するものとなり、扁平コイル状フィン部材（１２）と嵌合溝（５）との接触面積を更に広くして、熱交換性能をより高めることが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、上記実施例１〜７では、伝熱面(７)が平坦な伝熱基板(６)を使用しているが、本
実施例８では、図１５、図１６に示す如く伝熱面（７）側の中央部を外方に突出して弧状
曲面（２０）としたかまぼこ形状の伝熱基板（６）を用いており、このかまぼこ形状の伝
熱基板（６）に、弧状曲面（２０）と同一曲率中心にて嵌合溝（５）を、図１７に示す如
く一定間隔で凹設している。このように形成することにより、扁平コイル部材（１）を伝
熱基板（６）の伝熱面（７）に固定配置した際に、扁平コイル部材（１）が図１５に示す
如く放射状に配置されるものとなり平坦な伝熱面(７)に扁平コイル部材(１)を配置した場
合と比較して、扁平コイル部材(１)を嵌合溝（５）方向に長尺なものとし、且つ、扁平コ
イル部材（１）の先端側に流体の流通間隔（１７）を広く取ることが可能となる。そのた
め、通気性を良好とすることができるため、扁平コイル部材(１)からの吸放熱効果を良好
なものとし、熱交換性能を更に高めることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
１  扁平コイル部材
２  線材  
４  一側  
５  嵌合溝  
６  伝熱基板  
７  伝熱面  
１２  扁平コイル状フィン部材
１３  分割壁
１４  カシメ変形部  
２０  弧状曲面
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月9日(2010.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外周にフレームを有する複数の太陽電池モジュールと、該太陽電池モジュールを支持する支持体を備える架台とを含む太陽光発電システムであって、
該フレームおよび該支持体には、固定手段が備えられ、
該固定手段は、該フレームおよび該支持体のいずれか一方に備えられる鉤状部と、他方に備えられる該鉤状部が挿入可能な切欠部とからなり、該鉤状部を該切欠部に挿入してスライドすることによって該フレームと該支持体とが固定され、そして
該固定された第１の太陽電池モジュールのスライドによる該支持体からの脱離を抑制するように、第２の太陽電池モジュールが、該第１の太陽電池モジュールのスライド方向に配置され、
前記固定された第１の太陽電池モジュールの鉤状部において、嵌合空間のスライド方向の長さが、前記第１および第２の太陽電池モジュール間の距離よりも大きい、太陽光発電システム。
【請求項２】
さらに、スライド抑止部材を含み、該スライド抑止部材が、スライド方向に配置される複数の太陽電池モジュールのうちの最後に配置される太陽電池モジュールのスライドによる支持体からの脱離を抑制するように、前記支持体に取り付けられる、請求項１に記載の太陽光発電システム。
【請求項３】
前記固定手段において、前記鉤状部が前記支持体に備えられ、かつ前記切欠部が前記フレームに備えられる、請求項１または２に記載の太陽光発電システム。
【請求項４】
前記支持体が傾斜し、前記鉤状部の先端が該支持体の傾斜方向を向くように備えられることを特徴とする請求項１から３のいずれかの項に記載の太陽光発電システム。
【請求項５】
前記切欠部の開口端が、前記鉤状部を嵌合する形状である、請求項１から４のいずれかの項に記載の太陽光発電システム。
【請求項６】
前記切欠部は、その開口部の幅が前記スライド方向に沿って細くなる領域を有する、請求項１から５のいずれかの項に記載の太陽光発電システム。
【請求項７】
外周にフレームを有する複数の太陽電池モジュールと、該太陽電池モジュールを支持する傾斜した支持体を備える架台とを含む太陽光発電システムの製造方法であって、
該フレームおよび該傾斜した支持体には、固定手段が備えられ、該固定手段は、該フレ
ームおよび該支持体のいずれか一方に備えられる鉤状部と、他方に備えられる該鉤状部が挿入可能な切欠部とからなり、該鉤状部を該切欠部に挿入して、該支持体の傾斜方向にスライドすることによって該フレームと該支持体とを固定する工程、および
該固定された第１の太陽電池モジュールのスライドによる該支持体からの脱離を抑制するように、第２の太陽電池モジュールを、該第１の太陽電池モジュールの上部に配置する工程であって、該第１および第２の太陽電池モジュール間の距離が、該固定された第１の太陽電池モジュールの鉤状部において、嵌合空間のスライド方向の長さに比べて小さくなるように配置する工程
を包含する、太陽光発電システムの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、外周にフレームを有する複数の太陽電池モジュールと、該太陽電池モジュールを支持する支持体を備える架台とを含む太陽光発電システムを提供し、該フレームおよび該支持体には、固定手段が備えられ、該固定手段は、該フレームおよび該支持体のいずれか一方に備えられる鉤状部と、他方に備えられる該鉤状部が挿入可能な切欠部とからなり、該鉤状部を該切欠部に挿入してスライドすることによって該フレームと該支持体とが固定され、そして該固定された第１の太陽電池モジュールのスライドによる該支持体からの脱離を抑制するように、第２の太陽電池モジュールが、該第１の太陽電池モジュールのスライド方向に配置され、前記固定された第１の太陽電池モジュールの鉤状部において、嵌合空間のスライド方向の長さが、前記第１および第２の太陽電池モジュール間の距離よりも大きいことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
ある実施態様においては、前記切欠部は、その開口部の幅が前記スライド方向に沿って細くなる領域を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月9日(2011.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
電源用の接続端子と、検出部にて検出された検出電流を出力する電流出力端子を有する電流出力型の薄膜センサと、
前記電流出力端子に接続され、前記電流出力端子から出力される電流を増幅する増幅回路と、
前記電流出力端子と前記電源用の接続端子との間に設けられ、前記電流出力端子の電位と同電位に固定されたダミー端子と、
を具備することを特徴とする薄膜センサ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の態様の薄膜センサ装置は、電源用の接続端子と、検出部にて検出された検出電流を出力する電流出力端子を有する電流出力型の薄膜センサと、前記電流出力端子に接続され、前記電流出力端子から出力される電流を増幅する増幅回路と、前記電流出力端子と前記電源用の接続端子との間に設けられ、前記電流出力端子の電位と同電位に固定されたダミー端子とを具備することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月1日(2011.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】配線基板の作製方法、半導体装置の作製方法及び配線基板
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の配線層を形成し、
前記第１の配線層上に、絶縁性樹脂にマイクロカプセルが分散された絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の一部にエネルギーを付与することにより、前記マイクロカプセル、又は前記マイクロカプセルに挟まれた前記絶縁性樹脂の一部を破壊して貫通孔を形成し、
前記貫通孔を介して前記第１の配線層と電気的に接続される第２の配線層を形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の配線層は、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パナジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）のいずれかの粒子を含むペーストであることを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記絶縁性樹脂は、アクリル、シロキサン、ポリエステル、エポキシ、ポリウレタンのいずれかであることを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記マイクロカプセルは、シリカにより形成されていることを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記エネルギーの付与は、ＵＶ光、超音波、マイクロ波、あるいはレーザ光の照射により行われることを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項６】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に、第１の配線層を有する半導体素子層を形成し、
前記半導体素子層上に、絶縁性樹脂にマイクロカプセルが分散された第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜の一部にエネルギーを付与することにより、前記マイクロカプセル、又は前記マイクロカプセルに挟まれた前記絶縁性樹脂の一部を破壊して貫通孔を形成し、
前記貫通孔を介して前記第１の配線層と電気的に接続される第２の配線層を形成し、
前記基板と前記半導体素子層とを、前記剥離層と前記半導体素子層との界面において剥離し、
剥離した前記半導体素子層と第２の絶縁膜とを貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記剥離層は、金属層と金属酸化物層の積層構造であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上に形成された第１の配線層と、
前記第１の配線層上に形成された、絶縁性樹脂にマイクロカプセルが分散された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第２の配線層と、を有し、
前記絶縁膜は貫通孔を有し、
前記第２の配線層は、前記貫通孔を介して前記第１の配線層と電気的に接続されていることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
請求項８において、
前記貫通孔は、前記マイクロカプセル、又は前記マイクロカプセルに挟まれた前記絶縁性樹脂の一部が破壊されて形成されたものであることを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
請求項８又は９において、
前記第２の配線層は、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パナジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）のいずれかを含むことを特徴とする配線基板。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれか一項において、
前記絶縁性樹脂は、アクリル、シロキサン、ポリエステル、エポキシ、ポリウレタンのいずれかであることを特徴とする配線基板。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれか一項において、
前記マイクロカプセルは、シリカにより形成されていることを特徴とする配線基板。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月10日(2011.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面及び裏面を有する半導体基板と、
前記主表面上に素子形成領域を画定する開口部を有するように形成された第１の電極と、
前記主表面上の前記素子形成領域に、前記第１の電極と所定の間隔を隔てて形成された第２の電極と、
前記主表面上の前記素子形成領域に、前記第１の電極及び前記第２の電極の双方からそれぞれ所定の間隔を隔てて形成された第３の電極と、
各々が、前記第３の電極に接続された第１の端部を有し、前記第１の電極の一部に重畳するように形成された複数個の引出電極と、
前記複数個の引出電極の各々と、前記第１の電極との間に形成された絶縁膜とを含む、半導体装置。
【請求項２】
前記第１の電極は、所定幅の帯状で、かつ前記素子形成領域が多角形を形成するように前記主表面上に形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記多角形は、各角が互いに等しい大きさの多角形である、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記多角形は六角形である、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記六角形は第１の組、第２の組、及び第３の組の、互いに平行な２辺からなっている、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記六角形の頂点のうち、前記第２の組の２辺と前記第３の組の２辺とが交わる２点の間の距離は、前記第１の組の２辺の間の距離よりも長い、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記２点の間の距離は、前記第１の組の２辺の間の距離の３倍以上である、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記複数個の引出電極はそれぞれ、前記第３の電極の、前記第１の電極の前記多角形の辺の中央に最も近い位置に接続されるように形成される、請求項２〜請求項７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記複数個の引出電極が形成された箇所の各々において、前記絶縁膜は前記第１の電極上に形成されており、かつ当該絶縁膜上に前記引出電極が形成されている、請求項１〜請求項８のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記複数個の引出電極が形成された箇所の各々において、前記絶縁膜は前記引出電極の上に形成されており、かつ当該絶縁膜上に前記第１の電極が形成されている、請求項１〜請求項８のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第１の電極はソース電極であり、前記第２の電極はドレイン電極であり、前記第３の電極はゲート電極である、請求項１〜請求項１０のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１２】
主表面及び裏面を有する半導体基板と、
前記主表面を、互いに離隔した複数個の素子形成領域に区分するように前記主表面上に形成された第１の電極と、
前記複数個の素子形成領域の各々において、
前記主表面上の当該素子形成領域に、前記第１の電極と所定の間隔を隔てて形成された第２の電極と、
前記主表面上の当該素子形成領域に、前記第１の電極及び前記第２の電極の双方からそれぞれ所定の間隔を隔てて形成された第３の電極と、
各々が、前記第３の電極に接続された第１の端部と、隣接する前記素子形成領域中に形成された前記第３の電極に接続された第２の端部とを有するように形成された複数個の引出電極と、
前記複数個の引出電極の各々と、前記第１の電極との間に形成された絶縁膜とを含む、半導体装置。
【請求項１３】
前記第１の電極は、前記複数個の素子形成領域がハニカム状に配置されるように形成されている、請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第１、第２、及び第３の電極、並びに前記引出電極の上に形成され、前記第２の電極の上部を露出する開口部が形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された第１の導電体層とをさらに含む、請求項１２及び請求項１３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記半導体基板の前記第１の電極が形成された部分の一部には、前記半導体基板の裏面に開口する開口部が形成されており、
前記半導体装置は、前記半導体基板の前記裏面上に、前記裏面に開口した前記開口部において前記第１の電極とに接するように形成された第２の導電体層をさらに含む、請求項１４に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
［第１の実施の形態］
図２は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置１００の平面図である。図３は、半導体装置１００の上面に形成されているドレイン電極及び絶縁層（これらについては後述する。）を取去ったときの半導体装置１００の平面図である。図４は、半導体装置１００の、図２の一点鎖線４‐４における断面図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
図１０（Ａ）は、基板１０４の表面のセル１６０が形成される部分の平面図であり、図１０（Ｂ）及び図１０（Ｃ）はそれぞれ、図１０（Ａ）の一点鎖線Ｘ‐Ｘ及びＹ‐Ｙにおける断面図である。以後の図１１〜図１３についても同様である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月15日(2011.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に表示電極と誘電体層とが形成された前面板と、基板上に隔壁とが形成された背面板とを対向配置して放電空間を形成したプラズマディスプレイパネルであって、前記誘電体層が、異なる組成からなる複数のガラス材料を粉砕したガラス材料粉末を混合して形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記誘電体層に発生している残留応力が圧縮応力であることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記異なる組成からなる複数のガラス材料の内、少なくとも一つのガラス材料の軟化点が６００℃以上であって、少なくとも１つのガラス材料の軟化点が６００℃以下であることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記異なる組成からなる複数のガラス材料の内、少なくとも２つのガラス材料に同一の元素Ｍ（ＭはＢｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｂから選ばれる少なくとも１つ）を含有することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
異なる組成からなる複数のガラス材料を粉砕してガラス材料粉末を作製する工程と、
前記複数のガラス材料を粉砕したガラス材料粉末を混合する工程とを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの誘電体ペーストの製造方法。
【請求項６】
異なる組成からなる複数のガラス材料を粉砕し、そのガラス材料粉末を混合したことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの誘電体ペースト。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月20日(2011.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
次に、片面にｐ電極とｎ電極が形成された、例えばフリップチップＬＥＤ素子１３をＡｕバンプで接合する。一方、工程３００において、ＬＥＤ素子１３と組み合わせたときに色度が適切な範囲となるように調整された蛍光体セラミック板を、型枠１５の大きさに合わせてダイシングした後、ＬＥＤ素子１３の上面に載置し固定する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月3日(2010.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】  １つの定型句が格納されている場合には、これより読み出された１つの定型句が、表示された後で確定キー打により出力確定されるようにすることが、提案される。現行のローマ字入力かな漢字変換方式では定型句が表示された後で確定キーを打って出力確定するようになっているので、これに習った手順が好まれる場合もある。
なお、漢字などを含む定型句は、例えばエクセルマクロなど実行可能なプログラム言語のソースコードであってそれを実行させる内容、また画像を出力させるような内容であってもよい。現行のプログラムの実行を中断させて他のプログラムを実行させるように、かなに対応しない英字２字又は英字２字と選択キーをスイッチとして用いることも提案される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月21日(2011.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アプリケーションの機能をサービスとして提供する処理装置に要求装置が当該サービスを要求するワークフローシステムの要求装置であって、
前記処理装置によりサービスとして提供されるアプリケーションの機能のインタフェース情報を前記処理装置から取得する取得手段と、
前記取得手段により取得した前記インタフェース情報に基づいた入力情報と前記アプリケーションの機能を制御するためのスクリプトプログラムとを、前記処理装置に送信する送信手段と、
を有することを特徴とする要求装置。
【請求項２】
前記送信手段は、ワークフローに含まれるアクティビティが前記処理装置を呼び出すアクティビティである場合、前記入力情報と前記スクリプトプログラムとを前記処理装置に送信することを特徴とする請求項１に記載の要求装置。
【請求項３】
アプリケーションの機能をサービスとして提供する処理装置に当該サービスを要求する手順をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記処理装置によりサービスとして提供されるアプリケーションの機能のインタフェース情報を前記処理装置から取得する取得手順と、
前記取得手順により取得した前記インタフェース情報に基づいた入力情報と前記アプリケーションの機能を制御するためのスクリプトプログラムとを、前記処理装置に送信する送信手順と、
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項４】
前記送信手順は、ワークフローに含まれるアクティビティが前記処理装置を呼び出すアクティビティである場合、前記入力情報と前記スクリプトプログラムとを前記処理装置に送信することを特徴とする請求項３に記載のプログラム。
【請求項５】
アプリケーションの機能をサービスとして提供する処理装置に要求装置が当該サービスを要求するワークフローシステムの処理方法であって、
前記要求装置が、前記処理装置によりサービスとして提供されるアプリケーションの機能のインタフェース情報を前記処理装置から取得する取得工程と、
前記要求装置が、前記取得手段により取得した前記インタフェース情報に基づいた入力情報と前記アプリケーションの機能を制御するためのスクリプトプログラムとを、前記処理装置に送信する送信工程と、
を有することを特徴とするワークフローシステムの処理方法。
【請求項６】
前記送信工程は、ワークフローに含まれるアクティビティが前記処理装置を呼び出すアクティビティである場合、前記要求装置が前記入力情報と前記スクリプトプログラムとを前記処理装置に送信することを特徴とする請求項５に記載のワークフローシステムの処理方法。
【請求項７】
前記処理装置が、前記サービスとして提供するアプリケーションの機能のインタフェース情報を公開する公開工程と、
前記処理装置が、前記送信工程で送信された前記入力情報と前記スクリプトプログラムとを受信する受信工程と、
前記処理装置が、前記受信工程で受信された前記入力情報を入力パラメータとして、前記受信工程で受信された前記スクリプトプログラムを実行する実行工程と、
を更に有することを特徴とする請求項５に記載のワークフローシステムの処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】要求装置、プログラム及びワークフローシステムの処理方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、アプリケーションの機能をサービスとして提供する処理装置に要求装置が当該サービスを要求するワークフローシステムに関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明は、アプリケーションの機能のインタフェース情報を処理装置から取得し、取得した情報に基づく入力情報と当該機能を制御するスクリプトプログラムとを処理装置に送信し、当該機能をサービスとして要求することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明は、アプリケーションの機能をサービスとして提供する処理装置に要求装置が当該サービスを要求するワークフローシステムの要求装置であって、
前記処理装置によりサービスとして提供されるアプリケーションの機能のインタフェース情報を前記処理装置から取得する取得手段と、
前記取得手段により取得した前記インタフェース情報に基づいた入力情報と前記アプリケーションの機能を制御するためのスクリプトプログラムとを、前記処理装置に送信する送信手段と、
を有することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明によれば、アプリケーションの機能のインタフェース情報を処理装置から取得し、取得した情報に基づく入力情報と当該機能を制御するスクリプトプログラムとを処理装置に送信し、当該機能をサービスとして要求することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月14日(2011.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために、ここに、次に列記するような技術を提案する。
（１）入力電圧信号を相互コンダクタンスにより該入力電圧信号の電圧値と相互コンダクタンスの積に相当する電流信号に変換するＧＭアンプと、  
前記ＧＭアンプによって当該入力電圧信号を変換して得られた電流信号をローカル信号でミキシングして周波数変換を行うミキサと、
前記ミキサでの周波数変換によって得られた電流信号を電圧信号に変換するＩＶ変換アンプと、
前記ＧＭアンプへバイアス電圧を供給するＧＭ校正回路と、
を備える周波数変換回路において、
該ＧＭ校正回路は、
前記ＧＭアンプに用いるトランジスタとそのサイズあたりの相互コンダクタンスを同一としたトランジスタを用いたレプリカアンプを内部に有し、
前記レプリカアンプに、抵抗と第１電流源からの電流との積に相当するＤＣ電圧を入力し、前記レプリカアンプからの電流出力を所定の電流値になるように、該レプリカアンプの電圧バイアスを設定し、前記抵抗の分割点の電圧を前記ＧＭアンプに供給することを特徴とする周波数変換回路。
（２）前記ＧＭ校正回路に用いる該抵抗をＲ１、第１電流源からの電流値をＩ１、前記レプリカアンプからの電流出力の電流値をＩ２とし、前記ＩＶ変換アンプのＩＶ変換に用いる抵抗値はＲ０であり、周波数変換回路の変換利得が（Ｒ０／Ｒ１）×（Ｉ2／Ｉ1）の定数倍となることを特徴とする（１）の周波数変換回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力電圧信号を相互コンダクタンスにより該入力電圧信号の電圧値と相互コンダクタンスの積に相当する電流信号に変換するＧＭアンプと、
前記ＧＭアンプによって当該入力電圧信号を変換して得られた電流信号をローカル信号でミキシングして周波数変換を行うミキサと、
前記ミキサでの周波数変換によって得られた電流信号を電圧信号に変換するＩＶ変換アンプと、
前記ＧＭアンプへバイアス電圧を供給するＧＭ校正回路と、
を備える周波数変換回路において、
該ＧＭ校正回路は、
前記ＧＭアンプに用いるトランジスタとそのサイズあたりの相互コンダクタンスを同一としたトランジスタを用いたレプリカアンプを内部に有し、
前記レプリカアンプに、抵抗と第１電流源からの電流との積に相当するＤＣ電圧を入力し、前記レプリカアンプからの電流出力を所定の電流値になるように、該レプリカアンプの電圧バイアスを設定し、前記抵抗の分割点の電圧を前記ＧＭアンプに供給することを特徴とする周波数変換回路。
【請求項２】
前記ＧＭ校正回路に用いる該抵抗をＲ１、第１電流源からの電流値をＩ１、前記レプリカアンプからの電流出力の電流値をＩ２とし、前記ＩＶ変換アンプのＩＶ変換に用いる抵抗値がＲ０のとき、周波数変換の変換利得が（Ｒ０／Ｒ1）×（Ｉ2/Ｉ1）の定数倍となることを特徴とする請求項１に記載の周波数変換回路。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月7日(2011.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、露光光を反射する多層反射膜を有する多層反射膜付き基板であって、
前記基板は、ガラス基板であり、
前記多層反射膜は、イオンビームスパッタリングによって成膜されており、
前記基板を挟んで前記多層反射膜と反対側に、導電膜が形成されており、
該導電膜は、金属窒化膜であることを特徴とする多層反射膜付き基板。
【請求項２】
前記多層反射膜は、Ｍｏ膜とＳｉ膜を交互に積層した交互積層膜であることを特徴とする請求項１記載の多層反射膜付き基板。
【請求項３】
前記導電膜中の金属は、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、珪素（Ｓｉ）のうちから選ばれる少なくとも一種の材料であることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層反射膜付き基板。
【請求項４】
前記導電膜は、ＣｒＮ膜であり、膜中の窒素含有量が４０〜６０ａｔ％であることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層反射膜付き基板。
【請求項５】
前記導電膜は、ＴａＮ膜であり、膜中の窒素含有量が５〜５０ａｔ％であることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層反射膜付き基板。
【請求項６】
前記導電膜は、ＴａＢＮ膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層反射膜付き基板。
【請求項７】
前記導電膜は、ＭｏＮ、ＳｉＮ、またはＭｏＳｉＮのいずれかからなり、前記導電膜中の窒素含有量は、１０〜６０ａｔ％であることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層反射膜付き基板。
【請求項８】
前記導電膜は、前記基板の少なくとも周縁部を除く領域に形成されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の多層反射膜付き基板。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れかに記載の多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、露光光を吸収する吸収体膜が少なくとも形成されていることを特徴とする露光用反射型マスクブランクス。
【請求項１０】
請求項９記載の反射型マスクブランクスにおける前記吸収体膜に転写パターンとなる吸収体膜パターンが形成されていることを特徴とする露光用反射型マスク。
【請求項１１】
ガラス基板上に、金属窒化膜からなる導電膜を形成した導電膜付き基板を準備する工程と、該導電膜付き基板の前記導電膜が形成された側を静電チャックにより保持し、前記基板を挟んで前記導電膜と反対側に、露光光を反射する多層反射膜をイオンビームスパッタによって形成する工程と、を有することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
【請求項１２】
前記多層反射膜は、静電チャックにより保持された前記導電膜付き基板を多層反射膜成膜用のスパッタターゲット面に対し対向した状態で回転させながらスパッタ成膜することを特徴とする請求項１１記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
【請求項１３】
前記多層反射膜は、Ｍｏ膜とＳｉ膜を交互に積層した交互積層膜であることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
【請求項１４】
前記導電膜中の金属は、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、珪素（Ｓｉ）のうちから選ばれる少なくとも一種の材料であることを特徴とする請求項１１乃至１３の何れかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
【請求項１５】
前記導電膜は、ＣｒＮ膜であり、膜中の窒素含有量が４０〜６０ａｔ％であることを特徴とする請求項１１乃至１３の何れかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
【請求項１６】
前記導電膜は、ＴａＮ膜であり、膜中の窒素含有量が５〜５０ａｔ％であることを特徴とする請求項１１乃至１３の何れかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
【請求項１７】
前記導電膜は、ＴａＢＮ膜であることを特徴とする請求項１１乃至１３の何れかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
【請求項１８】
前記導電膜は、ＭｏＮ、ＳｉＮ、またはＭｏＳｉＮのいずれかからなり、前記導電膜中の窒素含有量は、１０〜６０ａｔ％であることを特徴とする請求項１１乃至１３の何れかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
【請求項１９】
前記導電膜は、前記基板の少なくとも周縁部を除く領域に形成されていることを特徴とする請求項１１乃至１８の何れかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法。
【請求項２０】
請求項１１乃至１９の何れかに記載の多層反射膜付き基板の製造方法により得られた多層反射膜付き基板の前記多層反射膜上に、露光光を吸収する吸収体膜を形成する工程を有することを特徴とする露光用反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の露光用反射型マスクブランクスの製造方法により得られた反射型マスクブランクスの前記吸収体膜に転写パターンとなる吸収体膜パターンを形成することを特徴とする露光用反射型マスクの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月24日(2011.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に複数個の単位セルが平面的に配列され、前記複数個の単位セルのうち少なくとも２個の単位セルが直列に接続され、
前記単位セルは、前記透明基板上に形成された第１電極層と、前記第１電極層上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成された第２電極層とを有し、
直列に接続された前記少なくとも２個の単位セルでは、一の前記単位セルの前記第２電極層と他の前記単位セルの前記第１電極層とが電気的に接続されており、
前記一の単位セルの前記光電変換層と前記他の単位セルの前記光電変換層とが連続膜として形成されており、
前記一の単位セルの前記第１電極層と前記他の単位セルの前記第１電極層との間隔、および、前記一の単位セルの前記第２電極層と前記他の単位セルの前記第２電極層との間隔がいずれも、前記光電変換層の厚みよりも大きい有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法であって、
ダイコート法により前記光電変換層を連続膜として形成する工程を有することを特徴とする有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記一の単位セルの前記第１電極層と前記他の単位セルの前記第１電極層との間隔、および、前記一の単位セルの前記第２電極層と前記他の単位セルの前記第２電極層との間隔がいずれも、２０μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記一の単位セルの前記第１電極層と前記他の単位セルの前記第１電極層との間隔、および、前記一の単位セルの前記第２電極層と前記他の単位セルの前記第２電極層との間隔がいずれも、１ｍｍ以上であることを特徴とする請求項２に記載の有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記光電変換層の表面抵抗値が２００Ω／□以上であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかに記載の有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記第１電極層と前記光電変換層との間にバッファー層が形成されており、前記一の単位セルの前記バッファー層と前記他の単位セルの前記バッファー層とが連続膜として形成され、前記一の単位セルの前記第１電極層と前記他の単位セルの前記第１電極層との間隔、および、前記一の単位セルの前記第２電極層と前記他の単位セルの前記第２電極層との間隔がいずれも、前記バッファー層の厚みよりも大きい有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法であって、
ダイコート法により前記バッファー層を連続膜として形成する工程を有することを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかに記載の有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記バッファー層の表面抵抗値が２００Ω／□以上であることを特徴とする請求項５に記載の有機薄膜太陽電池モジュールの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月8日(2011.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
切断部２４は、情報受信部２３が通話開始前状態情報を受信した後に、通話を切断する処理を行う。ここで、受信した後にとは、通常、受信した後、直ちに、という意味である。切断部２４は、通常、ＭＰＵやメモリや通信手段等から実現され得る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
（ステップＳ４０８）情報受信部２３は、ステップＳ４０７で受信した情報が、電話状態を判別する対象の通話開始前状態情報であるか否かを判断する。電話状態を判別する対象の通話開始前状態情報であればステップＳ４０９に行き、電話状態を判別する対象の通話開始前状態情報でなければステップＳ４０７に戻る。なお、ステップＳ４０７に戻った場合、その処理が続行される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
（ステップＳ４０９）出力部２６の電話状態情報取得手段２６２は、情報受信部２３が受信した通話開始前状態情報を取得する。そして、電話状態情報取得手段２６２は、通話開始前状態情報に対応する電話状態情報を、対応情報格納手段２６１から取得する。切断処理を行う。ステップＳ４１４に行く。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2011124899.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月6日(2011.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】本発明は、電源コードに接続されてコンセントへの着脱を行う一対の差込刃と矩形状の把持部と矩形状の押当部とを絶縁性材料により一体形成した外装体と前記一対の差込刃を前記コンセントから離脱する回転摺動装置とを備え、前記把持部は前記電源コードを導出しており、前記押当部は前記一対の差込刃が並ぶ方向に前記把持部よりも長く形成されておりかつ前記一対の差込刃の全体を収納する収納室を有しており前記外装体は前記把持部を前記押当部の中央に配置しており前記回転摺動装置は前記一対の差込刃間の中央を前記一対の差込刃の回転角度を１８０度の範囲内で回動自在に軸支するとともに前記押当部の前記一対の差込刃が並ぶ方向の下端縁を支点として前記コンセントに当てることによりてこの原理によって前記一対の差込刃を前記コンセントから離脱する差込プラグであって前記把持部の上部に紐の引掛け孔を把持部の押当部とは反対側の端でかつ電源コードから離れた位置に設けたものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源コードに接続されてコンセントへの着脱を行う一対の差込刃と矩形状の把持部と矩形状の押当部とを絶縁性材料により一体形成した外装体と前記一対の差込刃を前記コンセントから離脱する回転摺動装置とを備え前記把持部は前記電源コードを導出しており前記押当部は前記一対の差込刃が並ぶ方向に前記把持部よりも長く形成されておりかつ前記一対の差込刃の全体を収納する収納室を有しており前記外装体は前記把持部を前記押当部の中央に配置しており前記回転摺動装置は前記一対の差込刃間の中央を前記一対の差込刃の回転角度を１８０度の範囲内で回動自在に軸支するとともに前記押当部の前記一対の差込刃が並ぶ方向の下端縁を支点として前記コンセントに当てることによりてこの原理によって前記一対の差込刃を前記コンセントから離脱する差込プラグであって前記把持部の上部に紐の引掛け孔を把持部の押当部とは反対側の端でかつ電源コードから離れた位置に設けたことを特徴とする差込プラグ。
【請求項２】
外装体に設けた把持部は差込刃が起立した状態での鉛直方向に対して一定角度傾斜して形成しこの傾斜を利用しプラグ本体のてこによる回転範囲をより広く確保でき把持部への指掛けがしやしくなりプラグ本体の回転時に指が外れることがない外装体の上方に突出して一体形成した前記把持部はその中央部からは電源コードを導出するとともに上部一側には引掛孔を設けている差込刃が起立した状態での鉛直方向に対して一定角度傾斜したことによりプラグ本体の抜き出し時にこの一定角度がてこの作用と共同して少ない回転角度でプラグ本体を抜き出すことができる。