【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年7月8日(2009.7.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】バックライトアセンブリ用の光導波路であって、
前面と；
前面に対向する後面と；
後面上に備えられた複数個の光学要素と；
前面に形成され、楕円の光線出力パターンを発する一体型表面ディフューザと；
から成る光導波路。
【請求項２】後面上に備えられた該複数個の光学要素が、後面に適用される複数個のシルクスクリーンドットを備えた請求項１に記載の光導波路。
【請求項３】該複数個のシルクスクリーンドットが、光導波路の後面の少なくとも一部上で変動するドット密度を有する請求項２に記載の光導波路。
【請求項４】前記一体型表面ディフューザは、
光導波路が形成された後に、光導波路の前面に微細構造をエンボス加工して形成された一体型表面ディフューザであるか、
光導波路が成形される際に、光導波路の前面に微細構造を成形して形成された一体型表面ディフューザであるか、または
光導波路の前面上に広げたエポキシ層に微細構造を複写し、光導波路の前面上にエポキシ層を硬化させ、それによって形成された一体型表面ディフューザである請求項１に記載の光導波路。
【請求項５】前記楕円は、長成分が約８０゜〜１２０゜の間、短成分が約０．２゜〜４５゜の間である請求項１に記載の光導波路。
【請求項６】前記楕円は、長成分が約８０゜〜１００゜の間、短成分が約０．５゜〜５゜の間である請求項５に記載の光導波路。
【請求項７】前記楕円は、長成分が約９０゜、短成分が約１゜である請求項６に記載の光導波路。
【請求項８】ディスプレイ用バックライトアセンブリであって、
前面と、前面に対向する後面と、少なくとも１端を有する完全一体型反射光導波路と；
各端部付近に位置する少なくとも１個の光源と；
光導波路の後面上に備えられた複数個の光学要素と；
光導波路の前面に形成され、楕円の光線出力パターンを発する一体型表面ディフューザと；
から成るバックライトアセンブリ。
【請求項９】後面上に備えられた該複数個の光学要素が、後面に適用される複数個のシルクスクリーンドットを備える請求項８に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項１０】光導波路の前面付近に配される光線拡散フィルム層をさらに備えた請求項８に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項１１】光導波路の前面に隣接して、互いに対して９０°の向きで積み重ねられた１対の輝度向上フィルム層をさらに備え、輝度向上フィルム層はＢＥＦTM（登録商標）層であり、各輝度向上フィルム層は、互いに平行の向きであるが光導波路から出射する光線を、光導波路の前面に対して法線方向に視準する請求項８に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項１２】
前記一体型表面ディフューザは、
光導波路が形成された後に、光導波路の前面に微細構造をエンボス加工して形成された一体型表面ディフューザであるか、
光導波路が成形される際に、光導波路の前面に微細構造を成形して形成された一体型表面ディフューザであるか、または
光導波路の前面上に広げたエポキシ層に微細構造を複写し、光導波路の前面上にエポキシ層を硬化させ、それによって形成された一体型表面ディフューザである請求項８に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項１３】前記楕円は、長成分が約８０゜〜１２０゜の間、短成分が約０．２゜〜４５゜の間である請求項８に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項１４】前記楕円は、長成分が約８０゜〜１００゜の間、短成分が約０．５゜〜５゜の間である請求項１３に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項１５】前記楕円は、長成分が約９０゜、短成分が約１゜である請求項１４に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項１６】バックライトアセンブリの輝度を増加する方法であって、
前面と、後面と、少なくとも１個の端部とを備えた光導波路を提供する工程と；
光導波路の前面に、楕円の光線出力パターンを発する一体型表面ディフューザを直接形成する工程と；
光導波路の後面上に複数個のシルクスクリーンドットを適用する工程と；
光導波路の該少なくとも１個の端部に隣接して光源を設置する工程と；
バックライトアセンブリのディスプレイに隣接して光導波路を設置し、光源を点灯する工程と；
から成る方法。
【請求項１７】光線拡散フィルム層を光導波路の前面に隣接して設置し、一体型表面ディフューザと、光線拡散フィルム層の平滑な後面との間に空隙を生じる工程をさらに含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】光導波路の前面に隣接して、光線拡散フィルム層上で互いに対して９０°の向きで積み重ねられた１対の輝度向上フィルム層を設置する工程をさらに含み、輝度向上フィルム層はＢＥＦTM（登録商標）層であり、各輝度向上フィルム層は、互いに平行の向きであるが光導波路から出射する光線を、光導波路の前面に対して法線方向に視準する請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】光導波路と、バックライトアセンブリのディスプレイとの間に空隙を生成する方法であって、
光導波路の前面上に、楕円の光線出力パターンを発する一体型表面ディフューザ微細構造を形成する工程と；
少なくとも１個の平滑な面を有する別個の光線拡散フィルム層を提供する工程と；
光線拡散フィルム層の平滑な面を光導波路の前面に隣接して設置し、それによって、
一体型表面ディフューザの微細構造と、光線拡散フィルム層の平滑な面との間に空隙を生成する工程と；
から成る方法。
【請求項２０】光導波路と、バックライトアセンブリのディスプレイとの間に空隙を生成する方法であって、
光導波路の前面に、楕円の光線出力パターンを発する一体型表面ディフューザ微細構造を形成する工程と；
フィルム層の片側に複数個の光学要素と、フィルム層の反対側に平滑な面とを有する方向変換フィルムを提供する工程と；
方向変換フィルム層の平滑な面を光導波路の一体型表面ディフューザの微細構造に隣接して設置する工程と；
から成る方法。
【請求項２１】一体型表面ディフューザを形成する工程が、
光導波路が形成された後に、光導波路の前面に微細構造をエンボス加工し、
それによって一体型表面ディフューザを定義する工程からさらに成る請求項１６，１９または２０に記載の方法。
【請求項２２】一体型表面ディフューザを形成する工程が、
光導波路が成形される際に、光導波路の前面に微細構造を成形し、それによって一体型表面ディフューザを光導波路内に形成する工程からさらに成る請求項１６，１９または２０に記載の方法。
【請求項２３】一体型表面ディフューザを形成する工程が、
光導波路の前面上にエポキシ層を広げ、エポキシ層に微細構造を複写し、光導波路の前面上にエポキシ層を硬化させ、それによって一体型表面ディフューザを形成する工程からさらに成る請求項１６，１９または２０に記載の方法。
【請求項２４】前記楕円は、長成分が約８０゜〜１２０゜の間、短成分が約０．２゜〜４５゜の間である請求項１６，１９または２０に記載の方法。
【請求項２５】前記楕円は、長成分が約８０゜〜１００゜の間、短成分が約０．５゜〜５゜の間である請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】前記楕円は、長成分が約９０゜、短成分が約１゜である請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】前記光導波路の前面付近に、光導波路とは別個の光線拡散フィルム層をさらに設ける工程を含む請求項１６，１９または２０に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
１実施形態において、一体型表面ディフューザ微細構造は、前面上にエンボス加工される。別の実施形態では、ディフューザ微細構造は、光導波路が射出成形される際に、光導波路の前面上に成形される。さらに別の実施形態では、ディフューザ微細構造は、光導波路に永久的に付着されるように、光導波路の前面上でエポキシ層内に複写される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
本発明の新しい特徴は、光導波路１０４の前面１１０に関する。光導波路材料に一体型
表面ディフューザ微細構造１２０が形成される。ディフューザ構造は、光導波路材料にいかなる数の方法でも形成または複写できる。たとえば、表面微細構造は、光導波路の前面に硬質エンボス加工できる。母型ディフューザ表面が、まず金属シムに記録され、複写される。シムは、光導波路の表面に微細構造をエンボス加工するために使用できる。表面微細構造は、光導波路を射出成形し、モールドの別個の部品としてシムを使用することで、光導波路表面に直接成形することもできる。あるいは、モールドの空間の１表面に表面構造を形成して、モールド自体を製造できる。最後に、表面微細構造は、光導波路上にエポキシの１層を伸ばし、次にそれに微細構造の母型を有するシートを該層に対して押し付けることで、光導波路上に軟質エンボス加工できる。これらの方法は、本願の出願人に譲渡された米国特許第５，５８４，３８６号および第５，６０９，９３９号と、いずれも本発明の出願人に譲渡されたセイヴァントらの係属中の米国特許出願第０８／８００，８７２号およびセイヴァントらの米国特許出願第０９／０５２，５８６号に十分に記述される。