Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月27日(2010.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両のディスクロータにブレーキパッドを押圧する押圧手段を作動する制動機構と、該制動機構をブレーキペダルの操作に基づいて制御し、また、前記ブレーキペダルの操作とは関係なく前記制動機構を制御可能な制御手段とを備えたブレーキ装置において、
非制動中に前記押圧手段が前記ディスクロータから離間する方向に移動する離間移動を検出する検出手段を備え、該検出手段によって前記押圧手段の離間移動が検出された後、該離間移動の要因が解除されたとき、前記制動機構により、前記押圧手段を前記ディスクロータに接近させることを特徴とするブレーキ装置。
【請求項２】
前記検出手段は、非制動中に前記ピストンが前記ディスクロータからノックバックするのを検出することを特徴とする請求項１に記載のブレーキ装置。
【請求項３】
前記制動機構は、液圧ポンプを有することを特徴とする請求項１又は２に記載のブレーキ装置。
【請求項４】
離間移動の要因が解除されたとき、前記制動機構により、前記押圧手段を前記ディスクロータに接近させる量は、離間移動時の前記押圧手段の移動量に基づいて決定した液量によるものであることを特徴とする請求項３に記載のブレーキ装置。
【請求項５】
前記制動機構は、電動アクチュエータを有することを特徴とする請求項１又は２に記載のブレーキ装置。
【請求項６】
離間移動の要因が解除されたとき、前記制動機構により、前記押圧手段を前記ディスクロータに接近させる量は、離間移動時の前記押圧手段の移動量に基づいて決定されることを特徴とする請求項５に記載のブレーキ装置。
【請求項７】
前記検出手段は、前記車両の旋回状態に基づいてノックバックを検出することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のブレーキ装置。
【請求項８】
ノックバックの要因が解除されたとき、前記制御手段により、前記ピストンを前記ディスクロータに接近させる量は、前記検出手段が検出する車両の旋回状態に基づいて決定されることを特徴とする請求項７に記載のブレーキ装置。
【請求項９】
前記検出手段は、前記車両の悪路走行状態に基づいてノックバックを検出することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のブレーキ装置。
【請求項１０】
ノックバックの要因が解除されたとき、前記制御手段により、前記ピストンを前記ディスクロータに接近させる量は、前記検出手段が検出する車両の悪路走行状態に基づいて決定されることを特徴とする請求項９に記載のブレーキ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の課題を解決するために、本発明は、車両のディスクロータにブレーキパッドを押圧する押圧手段を作動する制動機構と、該制動機構をブレーキペダルの操作に基づいて制御し、また、前記ブレーキペダルの操作とは関係なく前記制動機構を制御可能な制御手段とを備えたブレーキ装置において、
非制動中に前記押圧手段が前記ディスクロータから離間する方向へ移動する離間移動を検出する検出手段を備え、該検出手段によって前記押圧手段の離間移動が検出された後、該離間移動の要因が解除されたとき、前記制動機構により、前記押圧手段を前記ディスクロータに接近させることを特徴とする。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年10月27日(2011.10.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両の周囲領域をカバーする、支援システムのための光学モジュールにおいて、
カメラ（１０）と光学アッセンブリを有しており、
前記カメラ（１０）は、前記車両の窓ガラス板（１６）、特にフロントガラスの内側領域（１４）に配置され、前記車両の前記周囲領域に向けられており、対物レンズ（１２）を通して、遠隔領域を、焦点が合った状態で前記カメラ（１０）のセンサー表面（１３）の第１区画に画像化することができるようになっており、
前記光学アッセンブリは、前記カメラ（１０）の視界（２２）内に配置されており、前記窓ガラス板（１６）の検出領域（２０）をカバーする近接領域を、焦点が合った状態で前記カメラ（１０）の前記センサー表面（１３）の第２区画に画像化することができ、
前記窓ガラス板（１６）の前記検出領域（２０）を照らすために、光源（３２）が設けられており、
前記光源（３２）は、前記光学アッセンブリのミラー（２６）の、前記カメラ（１０）とは反対の側に配置されていることを特徴とする、光学モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の光学モジュールにおいて、
前記光学アッセンブリは、前記窓ガラス板（１６）と前記対物レンズ（１２）の間に配置されている少なくとも１つのレンズ（２４）を備えていることを特徴とする、光学モジュール。
【請求項３】
請求項２に記載の光学モジュールにおいて、
前記ミラー（２６）は、前記窓ガラス板（１６）の前記検出領域（２０）から出る光（３０）を、前記レンズ（２４）を通して前記カメラ（１０）に案内することを特徴とする、光学モジュール。
【請求項４】
請求項３に記載の光学モジュールにおいて、
前記光学アッセンブリは、前記ミラー（２６）によって偏向された光（３０）が前記カメラの前記センサー表面の前記第１区画に当たるのを防ぐスクリーン（２８）を備えていることを特徴とする、光学モジュール。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光学モジュールにおいて、
前記光源（３２）は、特に赤外線波長範囲内で発光する少なくとも１つの発光ダイオードを備えていることを特徴とする、光学モジュール。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光学モジュールにおいて、
前記光源（３２）は、前記窓ガラス板（１６）の中に入った前記光源（３２）の光が前記窓ガラス板（１６）の外側（１８）に９０°ではない角度で当たるように、選択的な方向に光を放射することを特徴とする、光学モジュール。
【請求項７】
請求項６に記載の光学モジュールにおいて、
前記選択的な方向は、前記窓ガラス板（１６）の内側（１４）と、約１０°から３０°の範囲の角度を形成することを特徴とする、光学モジュール。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光学モジュールにおいて、
前記光学アッセンブリのミラー（２６）は、前記光源（３２）の光に対して、少なくとも実質的に不透過性であることを特徴とする、光学モジュール。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光学モジュールにおいて、
前記カメラ（１０）は、物体を、前記センサー表面（１３）の前記第２区画によって記録された画像（４２）で、具体的にはエッジ抽出で検出することができる画像評価ユニットに連結されていることを特徴とする、光学モジュール。
【請求項１０】
請求項９に記載の光学モジュールにおいて、
前記画像評価ユニットは、物体検出の結果に基づいてフロントガラスワイパーの窓拭き間隔を調整するフロントガラスワイパー制御システムに連結されていることを特徴とする、光学モジュール。
【請求項１１】
特に自動車の、フロントガラスワイパーの窓拭き間隔を、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光学モジュールによって制御するための方法において、
物体検出は、前記センサー表面（１３）の前記第２区画によって記録される画像（４２）で実行され、前記フロントガラスワイパーの前記窓拭き間隔は、物体検出の結果に基づいて制御される、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法において、
前記物体検出は、前記記録された画像（４２）でエッジ抽出を行うことによって実行されることを特徴とする、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法において、
検出された物体の抽出されたエッジは、適応閾値によって区分されることを特徴とする、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法において、
検出された物体の区分された縁部を示す画素が積算され、画素の総数に基づいて雨の強さが判定されることを特徴とする、方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至１４のいずれか１項に記載の方法において、
画像（４２）は、ワイパーブレードが、前記窓ガラス板（１６）の前記検出領域（２０）を通過した直後に記録され、そこで検出された物体は外乱物体として分類されることを特徴とする、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法において、
前記外乱物体は、その後で記録される画像（４２）の物体検出では無視されることを特徴とする、方法。
【請求項１７】
請求項１１乃至１６のいずれか１項に記載の方法において、
前記センサー表面の前記第２区画によって記録される画像（４２）は、幾つかの部分領域（４８）に分割され、他の部分領域よりも相当に高い輝度を呈する部分領域では、物体検出が行われないことを特徴とする、方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
別の実施形態によれば、カメラは画像評価ユニットに連結されており、その画像評価ユニットにより、窓ガラス板の上に位置している物体は、センサー表面の第２区画に記録される画像で検出することができる。物体検出は、エッジ抽出によって、即ち、縁部画像を計算するアルゴリズムを使って、例えばSobelオペレーターを使って行うのが望ましい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
既に述べた様に、物体検出は、記録された画像上でエッジ抽出を行うことによって実行されるのが望ましい。この場合、検出された物体の抽出された縁部を、適応閾値により区分することができ、その結果、例えば、ノイズが引き起こす画像の人為物を除去することができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
次に、残りの部分領域４８で、例えばSobelオペレーターによって、縁部画像計算が行われる。この方法で確認されたフロントガラス１６上に位置する物体の縁部、例えば水滴の縁部は、次に区分されるが、区分は、適応閾値を使って行われるのが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月28日(2011.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブレーキペダルの操作により進退移動する軸部材と、該軸部材に相対移動可能に外装された筒状部材と、該筒状部材を進退移動させる電動アクチュエータとを備え、プライマリ圧力室とセカンダリ圧力室とを仕切るセカンダリピストンを有するタンデムマスタシリンダのプライマリ圧力室に前記軸部材と前記筒状部材を臨ませ、前記タンデムマスタシリンダ内で発生するブレーキ液圧の反力を前記軸部材に伝達する電動倍力装置において、前記軸部材の移動によって前記プライマリ圧力室の液圧が発生しないときに、前記タンデムマスタシリンダのセカンダリ圧力室の液圧による反力を前記軸部材に伝達可能な伝達部材を設けたことを特徴とする電動倍力装置。
【請求項２】
前記伝達部材は、前記セカンダリピストンの基端側と前記筒状部材との間に設けられ前記軸部材の先端が当接可能な弾性部材であることを特徴とする請求項１に記載の電動倍力装置。
【請求項３】
前記弾性部材は、前記セカンダリピストンの基端側に設けられ、前記筒状部材の先端が前記セカンダリピストンの基端側と当接するよりも先に前記軸部材の先端が前記弾性部材と当接するように設定されていることを特徴とする請求項２に記載の電動倍力装置。
【請求項４】
前記弾性部材は、前記軸部材の先端が前記セカンダリピストンの基端側と当接したときのみ前記セカンダリピストンの反力を前記筒状部材に伝えることを特徴とする請求項２に記載の電動倍力装置。
【請求項５】
前記伝達部材は、前記タンデムマスタシリンダのセカンダリピストンにその軸方向に摺動孔が設けられ、該摺動孔にセカンダリ圧力室の液圧を受けて前記軸部材に該液圧による反力を伝達可能なロッド部材であることを特徴とする請求項１に記載の電動倍力装置。
【請求項６】
前記ロッド部材は、前記軸部材と当接可能で、前記セカンダリ圧力室の液圧を受ける側と反対側で前記プライマリ圧力室の液圧を受ける面を有し、かつ該ロッド部材が前記セカンダリ圧力室の液圧を受ける受圧面積と前記軸部材が前記プライマリ圧力室の液圧を受ける受圧面積とが等しくなっていることを特徴とする請求項６に記載の電動倍力装置。
【請求項７】
前記軸部材と前記筒状部材とは入力ストロークに応じて両者の相対変位位置が制御されることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の電動倍力装置。
【請求項８】
シリンダ本体と、ブレーキペダルの操作により進退移動する軸部材の前端部及び該軸部材に相対移動可能に外装されアクチュエータによってシリンダ本体内を移動する筒状部材の前端部に形成されるプライマリ圧力室と、該プライマリ圧力室の前方で前記シリンダ本体内を移動するセカンダリピストンと、該セカンダリピストンと前記シリンダ本体とにより形成されるセカンダリ圧力室とを有し、前記ブレーキペダルから前記軸部材に付与される入力推力と前記アクチュエータから前記筒状部材に付与される推力とにより、ブレーキ液圧を発生するタンデムマスタシリンダにおいて、前記軸部材の移動によって前記プライマリ圧力室の液圧が発生しないときに、前記セカンダリ圧力室の液圧による反力を前記軸部材に伝達可能な伝達部材を設けたことを特徴とするタンデムマスタシリンダ。
【請求項９】
前記伝達部材は、前記セカンダリピストンの基端側と前記筒状部材との間に設けられ前記軸部材の先端が当接可能な弾性部材であることを特徴とする請求項８に記載のタンデムマスタシリンダ。
【請求項１０】
前記伝達部材は、前記タンデムマスタシリンダのセカンダリピストンにはその軸方向に摺動孔が設けられ、該摺動孔にセカンダリ圧力室の液圧を受けて前記軸部材に該液圧による反力を伝達可能なロッド部材が設けられてなることを特徴とする請求項８に記載のタンデムマスタシリンダ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月29日(2010.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
操作レバーと、この操作レバーの操作を検知してECUを含む電装系統をバッテリに接続する操作検知スイッチ(8)と、スタータモータ(2)を始動するスタータスイッチ(7)とを備えたエンジン始動制御装置において、
電装系統とバッテリ(5)との間に介在する主電源リレー(15)と、
エンジン回転の有無を検知するエンジン回転検知手段(19)と、
エンジン回転の有無に応じて主電源リレーの開閉を制御する主電源制御手段(S1，S2，S8，S12)とを含み、
前記主電源制御手段は、エンジン回転が検知されている間は主電源リレーを閉じ、エンジン回転が所定時間を超えて検知されなくなると前記主電源リレーを開放することを特徴とするエンジン始動制御装置。
【請求項２】
バッテリから電装系統へ給電する給電ラインが、
前記操作検知スイッチ(8)を経由する第１給電ライン(L1)と、
前記主電源リレー(15)を経由する第２給電ライン(L2)とを含むことを特徴とする請求項１に記載のエンジン始動制御装置。
【請求項３】
前記ECUにより制御されるインジェクタ(10)および点火装置(11)と、
前記ECUに接続されたストップスイッチ(18)とをさらに含み、
前記ECUは、前記ストップスイッチがオン操作されたことを検知して前記インジェクタおよび点火装置を停止させることを特徴とする請求項１または２に記載のエンジン始動制御装置。
【請求項４】
前記第１給電ライン(L1)は、エンジン停止状態で前記操作レバーが操作されて前記操作検知スイッチ(8)が閉じることにより確立され、前記主電源制御手段を含む前記ECUへの給電を開始することを特徴とする請求項２に記載のエンジン始動制御装置。
【請求項５】
前記主電源制御手段は、前記第１給電ライン(L1)が確立されることで給電されると、前記エンジン回転検知手段(19)により検知されたエンジン回転の有無を判定することを特徴とする請求項４に記載のエンジン始動制御装置。
【請求項６】
前記主電源制御手段は、前記第１給電ライン(L1)が確立されることで給電されると前記主電源リレー(15)を閉じ、前記エンジン回転検知手段(19)によりエンジン回転が検知されなくなると、前記主電源リレーを開くことを特徴とする請求項４または５に記載のエンジン始動制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月25日(2011.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記牽引フック取付孔カバーは樹脂製であり、牽引フック取付部に被覆装着される本体として構成され、前記開閉部材も同じく樹脂製でありかつ本前記体に対し離脱不能に連結される車両用牽引フック取付孔開閉装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月12日(2011.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バニリンを０．００５μｇ／ｍＬ以上２０μｇ／ｍＬ以下含有することを特徴とする飲食物。
【請求項２】
バニリンの含有量が０．００５μｇ／ｍＬ以上１μｇ／ｍＬ以下である請求項１に記載の飲食物。
【請求項３】
飲食物が、酒類または清涼飲料である請求項１または２に記載の飲食物。
【請求項４】
酒類が、ビール、ビール様飲料、ウイスキー、焼酎、および果実酒類のいずれかである請求項１〜３のいずれか１項に記載の飲食物。
【請求項５】
酒類が、ビールまたはビール様飲料である請求項３または４に記載の飲食物。
【請求項６】
清涼飲料が、ジュース、コーヒー、茶、および麦芽飲料のいずれかである請求項３に記載の飲食物。
【請求項７】
０．０５ｍｇ／１００ｇ以上のバニリンを含有する植物加工品を、水以外の原料に対して０．１〜５０重量％添加してなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の飲食物。
【請求項８】
植物加工品が、０．０５ｍｇ／１００ｇ〜１５０ｍｇ／１００ｇのバニリンを含有するものである請求項７に記載の飲食物。
【請求項９】
植物加工品が、さらに、ｐ−クマル酸、バニリン酸、フェルラ酸、シリンガアルデヒドおよびプロトカテキュアルデヒドからなる群より選択される少なくとも１種のフェノール化合物を含むものである請求項７または８に記載の飲食物。
【請求項１０】
植物加工品を、水以外の原料に対して０．１〜５０重量％添加してなり、該植物加工品が、リグニンを含有する、植物又はその処理物（竹類又はその処理物を除く）を、０μｇ／ｍＬ以上１μｇ／ｍＬ以下の酸素濃度下にて、温度１４０℃以上２５０℃以下および圧力０．２５ＭＰａ以上４．５ＭＰａ以下の、水蒸気を含む気体で、高温高圧処理することにより、ｐ−クマル酸、バニリン、バニリン酸、フェルラ酸、シリンガアルデヒドおよびプロトカテキュアルデヒドからなる群より選択される少なくとも１種のフェノール化合物含有量を増加させることにより得られる、前記フェノール化合物含有量が増加した、植物又はその処理物の加工品であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の飲食物。
【請求項１１】
植物加工品を、植物系原料の０．１〜４０重量％使用してなることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に記載の飲食物。
【請求項１２】
植物加工品が、麦芽加工品、麦芽穀皮加工品、コーヒー豆加工品、および茶類加工品の１または２種以上である請求項７〜１１のいずれか１項に記載の飲食物。
【請求項１３】
植物加工品が、麦芽加工品および／または麦芽穀皮加工品である請求項７〜１２のいずれか１項に記載の飲食物。
【請求項１４】
植物加工品が、ｐ−クマル酸、バニリン、バニリン酸、フェルラ酸、シリンガアルデヒドおよびプロトカテキュアルデヒドを含むものである請求項７〜１３のいずれか１項に記載の飲食物。
【請求項１５】
リグニンを含有する、植物又はその処理物を、０〜１μｇ／ｍＬの酸素濃度下、温度１４０℃以上２５０℃以下および圧力０．２５ＭＰａ以上４．５ＭＰａ以下の、水蒸気を含む気体で高温高圧処理することを特徴とする該植物又はその処理物に香味を付与する方法。
【請求項１６】
リグニンを含有する、植物又はその処理物中の脂質又はアルデヒドの酸化を抑えつつ、該植物又はその処理物に香味を付与する方法である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
リグニンを含有する植物又はその処理物が、穀類、樹木、茶類、コーヒー豆、豆類およびそれらの処理物、ならびに糖化かすから選ばれる１種以上であることを特徴とする請求項１５または１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
樹木が、落葉広葉樹又は常緑針葉樹である請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
水蒸気を含む気体が、温度１６０〜２５０℃および圧力０．５〜４．５ＭＰａの気体であることを特徴とする請求項１５〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
水蒸気を含む気体の温度が、１８０〜２５０℃であることを特徴とする請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
高温高圧処理の時間が、１〜１２００秒間である請求項１５〜２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
水蒸気を含む気体が、脱気した液体由来であることを特徴とする請求項１５〜２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
処理前に、酸素濃度０〜１μｇ／ｍＬの気体で処理容器内を置換することを特徴とする請求項１５〜２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
酸素濃度０〜１μｇ／ｍＬの気体が、不活性ガス、二酸化炭素または脱酸素した気体であることを特徴とする請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】
水蒸気を含む気体が、水蒸気である請求項１５〜２４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２６】
請求項１５〜２５のいずれか１項に記載の方法により香味を付与された植物又はその処理物を、飲食物に含有させることを特徴とする飲食物に香味を付与する方法。
【請求項２７】
飲食物が、酒類および清涼飲料から選ばれる飲料または製菓および飯類から選ばれる食品であることを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
飲食物が、ビール、ビール様飲料、ウイスキー、焼酎、および果実酒類のいずれかである請求項２６または２７に記載の方法。
【請求項２９】
飲食物が、ビール又はビール様飲料である請求項２６〜２８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３０】
リグニンを含有する、植物又はその処理物を、０〜１μｇ／ｍＬの酸素濃度下、温度１４０℃以上２５０℃以下および圧力０．２５ＭＰａ以上４．５ＭＰａ以下の、水蒸気を含む気体で高温高圧処理する工程を含むことを特徴とする飲食物の香味改善方法。
【請求項３１】
リグニンを含有する、植物又はその処理物を、０〜１μｇ／ｍＬの酸素濃度下、温度１４０℃以上２５０℃以下および圧力０．２５ＭＰａ以上４．５ＭＰａ以下の、水蒸気を含む気体で高温高圧処理する工程を含むことを特徴とする香味が改善された飲食物の製造方法。
【請求項３２】
リグニンを含有する植物又はその処理物が、穀類、樹木、茶類、コーヒー豆、豆類およびそれらの処理物、ならびに糖化かすから選ばれる１種以上であることを特徴とする請求項３０または３１に記載の方法。
【請求項３３】
樹木が、落葉広葉樹又は常緑針葉樹である請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
飲食物が、酒類および清涼飲料から選ばれる飲料または製菓および飯類から選ばれる食品である請求項３０〜３３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３５】
飲食物が、ビール、ビール様飲料、コーヒー飲料、および茶飲料から選ばれる飲料である請求項３０〜３４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３６】
水蒸気を含む気体が、温度１６０〜２５０℃および圧力０．５〜４．５ＭＰａの気体であることを特徴とする請求項３０〜３５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３７】
水蒸気を含む気体の温度が、１８０〜２５０℃であることを特徴とする請求項３０〜３６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３８】
水蒸気を含む気体が、水蒸気である請求項３０〜３７のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月15日(2011.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（i）皮膚の表面下約１．０ｍｍ〜２．０ｍｍの位置に投与するように構成された皮内短針送達デバイス、および、
（ii）3種以上のインフルエンザ株を含む非生インフルエンザワクチン
を含む医薬用キット。
【請求項２】
（i）皮膚の表面下１．０ｍｍ〜２．０ｍｍの位置に投与するように構成された皮内短針送達デバイス、および、
（ii）三価非生インフルエンザワクチン
を含む、請求項１に記載の医薬用キット。
【請求項３】
ワクチンの容量が０．０５〜０．２ｍｌである、請求項１又は２記載の医薬用キット。
【請求項４】
ワクチンがすでに充填された形で前記デバイスが供給される、請求項１又は２に記載の医薬用キット。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月25日(2011.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
カテゴリに基づく基準文章検索では、予め複数の修正基準文章情報を、その内容に基づいて複数のカテゴリに分類している。基準文章のカテゴリは、文章中に出現する語の偏りに基づいて分類される。
例えば、「着信履歴」「通話」といった語が、他の語と比較して多く出現する文章は、「携帯電話」のカテゴリに分類する。
また、「ウィルス」「スパイウェア」「ファイアウォール」といった語が、他の語と比較して多く出現する文章は、「情報セキュリティ」のカテゴリに分類する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2011113097.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2011113097.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月27日(2011.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
例えば、発光体１１０からの出射角度αが３０°の場合、前面側斜面２４２の傾斜角度βが約１３°以上であれば全反射が生じる。また、例えば、前面側斜面２４２の傾斜角度βが５０°の場合、発光体１１０からの出射角度αが約５２．５°以下であれば全反射が生じる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
ここで、導光板２００Ｃでは、発光体１１０を通り主面２１０，２２０に平行な面上に、前面側斜面２４２と背面側斜面２４３との結合縁部が在る。しかしながら、当該結合縁部の面積は、両斜面２４２，２４３の合計面積に比べれば極めて小さい。このため、発光体１１０からの出射光は、実質的に、両斜面２４２，２４３へ入射すると捉えることも可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５１】
より具体的には、前面２１０Ｆは、既述の前面２１０に対応する第１部分２１１と、凹み２４０Ｂ付近の第２部分２１２とを有している。第１部分２１１は、出力光の取り出し面であり、背面２２０と平行を成している。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月19日(2010.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョクラルスキー法によって育成された単結晶から加工されたシリコンウェーハに熱処理を施して、表面に無欠陥層を形成するとともに前記無欠陥層の直下にゲッタリング層を形成する第１熱処理工程と、
前記熱処理が施されたウェーハ表面を、所定厚さのデバイス活性層を残すように研磨する工程と、を有することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記第１熱処理工程における熱処理は、複数のシリコンウェーハを治具に搭載して熱処理を施すバッチ式アニール炉の場合には非酸化性ガス雰囲気下であり１０００℃〜１２５０℃で１０分〜１時間、枚葉式ランプ炉の場合には１１００℃〜１２８０℃で１秒〜１５分間の熱処理後に１０℃／秒以上の速度で降温させることを特徴とする請求項１に記載のシリコン単結晶ウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記第１熱処理工程前に使用されるシリコン単結晶ウェーハは、鏡面研磨前のウェーハまたは鏡面研磨されたウェーハであることを特徴とする請求項１または２に記載のシリコン単結晶ウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記研磨されたウェーハを、１１００℃以上、シリコンの融点以下の温度で熱処理する第２熱処理工程を有することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のシリコン単結晶ウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記研磨されたウェーハにシリコン単結晶をエピタキシャル成長させる工程を有することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のシリコン単結晶ウェーハの製造方法。
【請求項６】
前記第１の熱処理後に形成する無欠陥層の深さが、１０〜３０μｍであることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のシリコン単結晶ウェーハの製造方法。
【請求項７】
前記研磨工程における研磨代が、５〜２０μｍであることを特徴とする請求項６に記載のシリコン単結晶ウェーハの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ただし好ましくは、最終研磨である鏡面研磨前のウェーハを使用する。これは、第１熱処理後に鏡面研磨を行うので、このウェーハ加工工程では最終研磨品でなくて良いからである。このウェーハ加工工程において鏡面研磨前までとすることで、熱処理後の研磨だけで足りるので研磨代が少なくなり加工するウェーハ厚もそれだけ薄くできるのでコストダウンを図ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
２）上記最終研磨前のシリコンウェーハに枚葉式ランプ炉を用いてアンモニア雰囲気において１１７０℃×６０秒間の処理を施した後に７０℃／秒の降温速度でウェーハを冷却した第１の熱処理を施した。これをサンプル２）とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
この第１の熱処理が施されたサンプル１）の中から１枚のウェーハを抜き取り、これを基準試料として劈開し、ライトエッチング（ｗｒｉｇｈｔ  ｅｔｃｈｉｎｇ）液により２分間の選択エッチングを実施した。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月22日(2010.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透磁性材料で作られ四つの内縁をもつ方形開口部を有する方形のコア鋼板が複数積層され、各コア鋼板が、互いに組み合わされる第一の対および第二の対のそれぞれをなす二つの副鋼板部材を有するトランス用コアにおいて、
上記第一の対の副鋼板部材のうち一方の副鋼板部材は、上記方形開口部の四つの内縁のうちの三つの内縁を有するように形成されていて、該第一の対の副鋼板部材のうちの他方の副鋼板部材に接合する二つの接合縁を有し、
上記一方の副鋼板部材の二つの接合縁は、上記方形開口部の二つの角部から上記コア鋼板の互いに対向して位置する外側縁部へ向かうとともに該コア鋼板の板面を通る該コア鋼板の中心線に対して傾斜して延びており、
上記第一の対の副鋼板部材のうち他方の副鋼板部材は、方形開口部の内縁のうち残された一つを有するように形成されていて、上記一方の副鋼板部材の二つの接合縁にそれぞれ接合する二つの接合縁を有し、
上記他方の副鋼板部材の二つの接合縁は、上記方形開口部の二つの角部から上記コア鋼板の互いに対向して位置する外側縁部へ向かうとともに上記コア鋼板の板面を通る該コア鋼板の中心線に対して傾斜して延びており、
第二の対をなす副鋼板部材は、第一の対をなす副鋼板部材と同じ形状をなし、該第一の対をなす副鋼板部材に隣接して接面するとともに、該第一の対をなす副鋼板部材の板面に直交する直線まわりで該第一の対をなす副鋼板部材に対して１８０°回転した姿勢で各コア鋼板の方形開口部の位置が一致するように配されており、
互いに隣接した複数の第一の対そして第二の対のそれぞれにおける副鋼板部材同士が組み合わされていることを特徴とするトンランス用コア。
【請求項２】
方形開口部の両側における接合縁は、第一の対そして第二の対をなす二つの副鋼板部材同士を接合したときに中心線に対して自己センタリングされるように形成されていることとする請求項１に記載のトランス用コア。
【請求項３】
第一の対そして第二の対をなす二つの副鋼板部材のうち少なくとも一方がＵ字状をなし、端部で接合縁を形成する二つの脚部を有し、該接合縁が脚部の延出方向に対し傾斜していることとする請求項１又は請求項２に記載のトランス用コア。
【請求項４】
積層時に、隣接して板面で接面するコア鋼板の補完せる接合縁が異なる面上にあることとする請求項１に記載のトランス用コア。
【請求項５】
方形開口部の一方の内縁を境界づけているすべての副鋼板部材が第一コア半体を形成するように積層され、上記方形開口部の他方の内縁を境界づけているすべての副鋼板部材が第二コア半体を形成するように積層されていることとする請求項１に記載のトランス用コア。
【請求項６】
第一そして第二コア半体が互いに結合されていることとする請求項５に記載のトランス用コア。
【請求項７】
第一そして第二コア半体が、追加的な結合手段を要することなく互いに適合して結合されることをとする請求項６に記載のトランス用コア。
【請求項８】
第一の対そして第二の対の副鋼板部材のうち少なくとも一方の対の副鋼板部材の接合縁の延長線同士がコア鋼板の中心線上で交差することとする請求項１に記載のトランス用コア。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図４（Ａ）は、本発明によるトランス用コアがどのように組み立てられるかを示すための斜視図である。一方では、副鋼板部材２７ａと２８は、図４（Ａ）で示した中心線Ｃに対して互いに傾斜する斜接合縁部を有し、図２の場合と同様に、交互に積層そして保持されてパックをなし上部コア半体を形成している。他方、図４（Ａ）に見られる副鋼板部材２７と２８ａは、図４（Ｂ）の正面図に見られるように、交互に積層そして保持されてパックをなし下部コア半体を形成している。パックをなす上部コア半体と下部コア半体は、図４（Ｂ）で矢印の方向に、互いに圧接される。圧接されるときに、副鋼板部材２７と２８そして副鋼板部材２７ａと２８ａは中心線に対して自己センタリングを有する。その結果、最終的に形成されたトランス用コアでは、二種の副鋼板部材をもつ、隣接して接面せるコア鋼板の接合縁は互いに交差する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月1日(2011.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極端子を有する半導体回路部と、
インターポーザと、
前記インターポーザを貫通する接続端子と、
前記半導体回路部と前記インターポーザとを接着し、且つ、前記電極端子と前記接続端子とを電気的に接続する異方性導電部材と、
少なくとも前記半導体回路部を被覆する樹脂と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
電極端子を有する半導体回路部と、
インターポーザと、
前記インターポーザを貫通し、且つ、前記電極端子と直接接触する接続端子と、
前記半導体回路部と前記インターポーザとを接着する接着剤と、
少なくとも前記半導体回路部を被覆する樹脂と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記半導体回路部の端部が、前記樹脂で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記樹脂は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリイミド系樹脂、又は、ポリエチレン系樹脂を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記半導体回路部が、光センサを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記光センサが、カラーフィルタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記半導体回路部が、増幅回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層の上に、電極端子を有する半導体回路部を形成し、
前記半導体回路部と、インターポーザとを、異方性導電部材を用いて接着することにより、前記電極端子と、前記インターポーザを貫通する接続端子とを、前記異方性導電部材を介して電気的に接続し、
前記剥離層において、前記半導体回路部から前記基板を分離し、
前記半導体回路部を樹脂で覆うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層の上に、電極端子を有する半導体回路部を形成し、
前記半導体回路部と、インターポーザとを、接着剤を用いて接着することにより、前記電極端子と前記インターポーザを貫通する接続端子とを直接接触させ、
前記剥離層において、前記半導体回路部から前記基板を分離し、
前記半導体回路部を樹脂で覆うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層の上に、電極端子を有する半導体回路部を複数形成し、
複数の前記半導体回路部と、インターポーザとを、異方性導電部材を用いて接着することにより、複数の前記電極端子と、前記インターポーザを貫通する複数の接続端子とを、前記異方性導電部材を介してそれぞれ電気的に接続し、
前記剥離層において、前記半導体回路部から前記基板を分離し、
複数の前記半導体回路部の周囲に溝を形成し、
複数の前記半導体回路部と前記溝を樹脂で覆い、
前記溝に沿って、前記樹脂及び前記インターポーザを切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層の上に、電極端子を有する半導体回路部を複数形成し、
複数の前記半導体回路部と、インターポーザとを、接着剤を用いて接着することにより、複数の前記電極端子と、前記インターポーザを貫通する複数の接続端子とを、それぞれ直接接触させ、
前記剥離層において、前記半導体回路部から前記基板を分離し、
複数の前記半導体回路部の周囲に溝を形成し、
複数の前記半導体回路部と前記溝を樹脂で覆い、
前記溝に沿って、前記樹脂及び前記インターポーザを切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記半導体回路部の端部を、前記樹脂で覆うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記溝を形成することにより、前記インターポーザの一部を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項８乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記樹脂として、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリイミド系樹脂、又はポリエチレン系樹脂を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項８乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記半導体回路部が、光センサを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記光センサが、カラーフィルタを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2008294414.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2008294414.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2008294414.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体層を有する基板の作製方法、及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板に第１の加熱処理を行い、
単結晶半導体基板の表面から一定の深さに分離層を形成し、
前記単結晶半導体基板上に酸化シリコン膜を形成し、
前記単結晶半導体基板と前記第１の加熱処理を行った前記ガラス基板を、前記酸化シリコン膜を挟んで重ね合わせて接合し、
前記単結晶半導体基板と前記ガラス基板を重ね合わせた状態で、第２の加熱処理を前記ガラス基板の歪み点近傍の温度で行い、前記分離層に亀裂を生じさせ、前記第１の加熱処理を行った前記ガラス基板上に単結晶半導体層を残存させたまま前記単結晶半導体基板を剥離し、前記ガラス基板上に前記単結晶半導体層を形成し、
前記第１の加熱処理は前記第２の加熱処理より高い温度で行うことを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。
【請求項２】
ガラス基板に第１の加熱処理を行い、
単結晶半導体基板の表面から一定の深さに分離層を形成し、
前記単結晶半導体基板上に酸化シリコン膜を形成し、
前記単結晶半導体基板と前記第１の加熱処理を行った前記ガラス基板を、前記酸化シリコン膜を挟んで重ね合わせて接合し、
前記単結晶半導体基板と前記ガラス基板を重ね合わせた状態で、第２の加熱処理を前記ガラス基板の歪み点±５０℃の範囲における温度で行い、前記分離層に亀裂を生じさせ、前記第１の加熱処理を行った前記ガラス基板上に単結晶半導体層を残存させたまま前記単結晶半導体基板を剥離し、前記ガラス基板上に前記単結晶半導体層を形成し、
前記第１の加熱処理は前記第２の加熱処理より高い温度で行うことを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。
【請求項３】
ガラス基板に第１の加熱処理を行い、
単結晶半導体基板の表面から一定の深さに分離層を形成し、
前記単結晶半導体基板上に酸化シリコン膜を形成し、
前記単結晶半導体基板と前記第１の加熱処理を行った前記ガラス基板を、前記酸化シリコン膜を挟んで重ね合わせて接合し、
前記単結晶半導体基板と前記ガラス基板を重ね合わせた状態で、第２の加熱処理を５８０℃以上６８０℃以下の温度で行い、前記分離層に亀裂を生じさせ、前記第１の加熱処理を行った前記ガラス基板上に単結晶半導体層を残存させたまま前記単結晶半導体基板を剥離し、前記ガラス基板上に前記単結晶半導体層を形成し、
前記第１の加熱処理は前記第２の加熱処理より高い温度で行うことを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記ガラス基板上に前記単結晶半導体層を形成した後、前記ガラス基板及び前記単結晶半導体層に、前記第１の加熱処理より低い温度で第３の加熱処理を行うことを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記酸化シリコン膜を有機シランガスを用いて化学気相成長法により形成し、前記酸化シリコン膜を形成する温度が前記分離層に添加した元素が離脱しない温度であり、前記第２の加熱処理が、前記分離層に添加した元素が離脱する温度で行われることを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記酸化シリコン膜を有機シランガスを用いて化学気相成長法により形成し、前記酸化シリコン膜を形成する温度が３５０℃以下であり、前記第２の加熱処理が４００℃以上の温度で行われることを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記酸化シリコン膜を有機シランガスを用いて化学気相成長法により形成し、前記有機シランガスに、珪酸エチル、トリメチルシラン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルジシラザン、トリエトキシシラン、トリスジメチルアミノシランから選ばれた一種を用いることを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記第１の加熱処理は前記ガラス基板の歪み点乃至歪み点＋５０℃以上の温度で行い、前記第１の加熱処理後に２℃／分以下の速度で前記ガラス基板の歪み点以下の温度まで徐冷することを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記単結晶半導体基板の表面から水素イオン種を照射して前記分離層を形成し、前記水素イオン種はＨ＋、Ｈ２＋、及びＨ３＋を含み、前記Ｈ３＋の割合は５０％以上であることを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記単結晶半導体基板の表面からフッ素イオンを照射した後に、水素イオンを照射して前記分離層を形成することを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、
前記単結晶半導体基板と前記ガラス基板との接合は、ダイアフラムによって加圧室と試料室とに分けられたチャンバー内で行われ、
前記単結晶半導体基板及び前記ガラス基板は前記試料室に配置され、
前記加圧室と前記試料室を減圧状態とした後、前記加圧室を大気開放して前記ダイアフラムが前記試料室の方に凹むことで前記接合を行うことを特徴とする半導体層を有する基板の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の単結晶半導体層を用いて半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月31日(2011.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層の一方の面上に導体部を形成する第１の工程と、
前記絶縁層の他方の面から前記導体部を露出させる第２の工程と、
前記導体部の露出した箇所および前記絶縁層の他方の面上に第１の配線層を設ける第３の工程と、
回路素子が形成された基板であって、該基板の表面に第２の配線層が形成されている基板を用意する第４の工程と、
前記第３の工程により前記第１の配線層が設けられた前記導体部と、前記第２の配線層とを対向させた状態で、前記絶縁層と前記基板とを圧着して前記導体部を前記絶縁層に埋め込む第５の工程と、
を含むことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【請求項２】
繊維の向きが絶縁層の厚さ方向と交差するように配向された繊維状の充填材であって該絶縁層より熱膨張係数が小さい繊維状の充填材、を含有する絶縁層の一方の面上に導体部を形成する第１の工程と、
前記絶縁層の他方の面から前記導体部を露出させる第２の工程と、
前記導体部の露出した箇所および前記絶縁層の他方の面上に第１の配線層を設ける第３の工程と、
回路素子が形成された基板であって、該基板の表面に第２の配線層が形成されている基板を用意する第４の工程と、
前記第３の工程により前記第１の配線層が設けられた前記導体部と、前記第２の配線層とを対向させた状態で、前記絶縁層と前記基板とを圧着して前記導体部を前記絶縁層に埋め込む第５の工程と、
を含むことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記第２の工程において、前記導体部の露出する面を粗化する粗化手段を用いることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記粗化手段としてレーザを用い、複数回のレーザ照射により、前記絶縁層の他方の面からレーザのスポット径より大きなビアホールを形成するとともに前記導体部の露出する
面を粗化することを特徴とする請求項３に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記第２の工程において、前記導体部の露出する面の算術平均粗さＲａが２〜５０μｍとなるように前記絶縁層の他方の面から開口部を形成することを特徴とする請求項３または４に記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記第１の工程において、前記絶縁層の表面と垂直な方向の前記導体部の高さが、前記絶縁層の表面と平行な方向の前記導体部の長さより小さくなるように該導体部を形成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項７】
絶縁層の一方の面上に導体部を形成する第１の工程と、
前記絶縁層の他方の面から前記導体部を露出させる第２の工程と、
前記導体部の露出した箇所および前記絶縁層の他方の面上に配線層を設ける第３の工程と、を含み、
前記第２の工程において、前記導体部の露出する面を粗化する粗化手段を用いることを特徴とする素子搭載用基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１の工程において、前記絶縁層は、繊維の向きが絶縁層の厚さ方向と交差するように配向された繊維状の充填材であって該絶縁層より熱膨張係数が小さい繊維状の充填材、を含有する絶縁層を有していることを特徴とする請求項７に記載の素子搭載用基板の製造方法。
【請求項９】
前記粗化手段としてレーザを用い、複数回のレーザ照射により、前記絶縁層の他方の面からレーザのスポット径より大きなビアホールを形成するとともに前記導体部の露出する面を粗化することを特徴とする請求項７または８に記載の素子搭載用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の工程において、前記導体部の露出する面の算術平均粗さＲａが２〜５０μｍとなるように前記絶縁層の他方の面から開口部を形成することを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の素子搭載用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の工程において、前記絶縁層の表面と垂直な方向の前記導体部の高さが、前記絶縁層の表面と平行な方向の前記導体部の長さより小さくなるように該導体部を形成することを特徴とする請求項７乃至１０のいずれかに記載の素子搭載用基板の製造方法。
【請求項１２】
絶縁層と、
前記絶縁層の一方の面上に形成された導体部と、
前記絶縁層の他方の面上および前記絶縁層の他方の面から前記導体部まで貫通している貫通部に設けられた配線層と、を備え、
前記導体部は、前記配線層と接触する面の算術平均粗さＲａが２〜５０μｍであることを特徴とする素子搭載用基板。
【請求項１３】
前記絶縁層は、繊維の向きが絶縁層の厚さ方向と交差するように配向された繊維状の充填材であって該絶縁層より熱膨張係数が小さい繊維状の充填材、を含有することを特徴とする請求項１２に記載の素子搭載用基板。
【請求項１４】
前記導体部は、前記絶縁層の表面と垂直な方向の高さが、前記絶縁層の表面と平行な方向の長さより小さいことを特徴とする請求項１２または１３に記載の素子搭載用基板。
【請求項１５】
絶縁層と、
前記絶縁層の上に設けられた第１の配線層と、
回路素子が形成された基板と、
前記基板の表面に形成された第２の配線層と、
前記絶縁層に埋め込まれた状態で前記第１の配線層および前記第２の配線層を電気的に接続する導体部と、を備え、
前記導体部は、前記第１の配線層と接触する面の算術平均粗さＲａが２〜５０μｍであることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項１６】
繊維の向きが絶縁層の厚さ方向と交差するように配向された繊維状の充填材であって該絶縁層より熱膨張係数が小さい繊維状の充填材、を含有する絶縁層と、
前記絶縁層の上に設けられた第１の配線層と、
回路素子が形成された基板と、
前記基板の表面に形成された第２の配線層と、
前記絶縁層に埋め込まれた状態で前記第１の配線層および前記第２の配線層を電気的に接続する導体部と、を備え、
前記繊維状の充填材は、前記絶縁層より熱膨張係数が小さく、前記導体部の近傍において前記第１の配線層に向かって湾曲しており、
前記導体部は、前記第１の配線層と接触する面の算術平均粗さＲａが２〜５０μｍであることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項１７】
前記導体部は、前記絶縁層の表面と垂直な方向の高さが、前記絶縁層の表面と平行な方向の長さより小さいことを特徴とする請求項１５または１６に記載の半導体モジュール。