Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月25日(2011.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに異なる場所で撮影された画像を含む複数の画像を表示手段に表示する表示制御手段と、
前記表示制御手段によって表示される対象となる画像データの撮影位置を示す位置情報を取得する位置情報取得手段と、
前記位置情報取得手段によって取得された位置情報によって示される撮影位置に基づいて、前記複数の画像を連続して表示するときの表示順序を決定する決定手段とを有し、
前記決定手段は、前記複数の画像を連続して表示する際、表示される最初の画像の撮影位置を基準位置として、当該基準位置から所定の範囲内の撮影位置で撮影された他の画像を前記複数の画像の中から抽出して、前記最初の画像の後に続けて表示される画像に決定することを特徴とするデータ処理装置。
【請求項２】
前記決定手段は、前記基準位置から前記所定の範囲内の撮影位置で撮影された他の画像が複数ある場合には、前記基準位置からの距離が短いものから順に表示されるように順序を決定することを特徴とする請求項１に記載のデータ処理装置。
【請求項３】
前記表示制御手段によって表示される対象となる画像データの撮影日時を示す撮影日時情報を取得する時間情報取得手段をさらに有し、
前記決定手段は、前記時間情報取得手段によって取得された撮影日時情報によって示される撮影日時に基づいて、前記基準位置から前記所定の範囲内の撮影位置で撮影された他の画像を抽出する際に、前記最初の画像の撮影日時から所定時間の範囲内に撮影された画像に限定して抽出することを特徴とする請求項１又は２に記載のデータ処理装置。
【請求項４】
前記所定の範囲を、ユーザー入力により指定された値に設定する設定手段をさらに有することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のデータ処理装置。
【請求項５】
互いに異なる場所で撮影された画像を含む複数の画像を表示手段に表示する表示制御工程と、
前記表示制御工程において表示される対象となる画像データの撮影位置を示す位置情報を取得する位置情報取得工程と、
前記位置情報取得工程において取得された位置情報によって示される撮影位置に基づいて、前記複数の画像を連続して表示するときの表示順序を決定する決定工程とを有し、
前記決定工程では、前記複数の画像を連続して表示する際、表示される最初の画像の撮影位置を基準位置として、当該基準位置から所定の範囲内の撮影位置で撮影された他の画像を前記複数の画像の中から抽出して、前記最初の画像の後に続けて表示される画像に決定することを特徴とするデータ処理方法。
【請求項６】
互いに異なる場所で撮影された画像を含む複数の画像を表示手段に表示する表示制御工程と、
前記表示制御工程において表示される対象となる画像データの撮影位置を示す位置情報を取得する位置情報取得工程と、
前記位置情報取得工程において取得された位置情報によって示される撮影位置に基づいて、前記複数の画像を連続して表示するときの表示順序を決定する決定工程とをコンピュータに実行させ、
前記決定工程では、前記複数の画像を連続して表示する際、表示される最初の画像の撮影位置を基準位置として、当該基準位置から所定の範囲内の撮影位置で撮影された他の画像を前記複数の画像の中から抽出して、前記最初の画像の後に続けて表示される画像に決定することを特徴とするプログラム。
【請求項７】
請求項６に記載のプログラムを記憶したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のデータ処理装置は、互いに異なる場所で撮影された画像を含む複数の画像を表示手段に表示する表示制御手段と、前記表示制御手段によって表示される対象となる画像データの撮影位置を示す位置情報を取得する位置情報取得手段と、前記位置情報取得手段によって取得された位置情報によって示される撮影位置に基づいて、前記複数の画像を連続して表示するときの表示順序を決定する決定手段とを有し、前記決定手段は、前記複数の画像を連続して表示する際、表示される最初の画像の撮影位置を基準位置として、当該基準位置から所定の範囲内の撮影位置で撮影された他の画像を前記複数の画像の中から抽出して、前記最初の画像の後に続けて表示される画像に決定することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のデータ処理方法は、互いに異なる場所で撮影された画像を含む複数の画像を表示手段に表示する表示制御工程と、前記表示制御工程において表示される対象となる画像データの撮影位置を示す位置情報を取得する位置情報取得工程と、前記位置情報取得工程において取得された位置情報によって示される撮影位置に基づいて、前記複数の画像を連続して表示するときの表示順序を決定する決定工程とを有し、前記決定工程では、前記複数の画像を連続して表示する際、表示される最初の画像の撮影位置を基準位置として、当該基準位置から所定の範囲内の撮影位置で撮影された他の画像を前記複数の画像の中から抽出して、前記最初の画像の後に続けて表示される画像に決定することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のプログラムは、互いに異なる場所で撮影された画像を含む複数の画像を表示手段に表示する表示制御工程と、前記表示制御工程において表示される対象となる画像データの撮影位置を示す位置情報を取得する位置情報取得工程と、前記位置情報取得工程において取得された位置情報によって示される撮影位置に基づいて、前記複数の画像を連続して表示するときの表示順序を決定する決定工程とをコンピュータに実行させ、前記決定工程では、前記複数の画像を連続して表示する際、表示される最初の画像の撮影位置を基準位置として、当該基準位置から所定の範囲内の撮影位置で撮影された他の画像を前記複数の画像の中から抽出して、前記最初の画像の後に続けて表示される画像に決定することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月16日(2011.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的異方性の溶融相を形成する熱可塑性液晶ポリマーを押出成形して熱可塑性液晶ポリマーフィルムを形成するフィルム形成工程と、
前記熱可塑性液晶ポリマーフィルムの少なくとも一方の表面に対して、物理的な研磨または紫外線照射を行うことにより、このフィルム表面が、ナノインデンテーション法によって測定された硬度０．０１〜０．１ＧＰａを有するように軟化させて、接着面を形成する軟化工程と、
前記接着面を、光学的異方性の溶融相を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムの少なくとも一方の面に導体回路が形成された基板の回路形成面に対向させ、全体を熱圧着により接着させる熱圧着工程と、
を含む多層回路基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１の多層回路基板の製造方法において、軟化工程で、（ｉ）フィルム表面から０．０１〜１μｍの厚さを物理的研磨により除去して接着面を形成するか、または（ｉｉ）１８５ｎｍおよび２５４ｎｍの波長の紫外線を同時に照射して接着面を形成する製造方法。
【請求項３】
請求項１または２の多層回路基板の製造方法において、熱圧着の温度が、接着性ポリマー層を形成する熱可塑性液晶ポリマーの融点（Ｔａ：℃）より１５℃低い温度以上であり、且つこの融点（Ｔａ）より１５℃高い温度以下の範囲から選択されるとともに、さらに前記熱圧着の温度は、基板層を形成する熱可塑性液晶ポリマーの融点（Ｔｂ：℃）より２０℃低い温度以上であり、且つこの融点（Ｔｂ）より１０℃高い温度以下の範囲を充足する製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項の多層回路基板の製造方法において、接着性フィルム層を形成する熱可塑性液晶ポリマーの融点（Ｔａ：℃)と、基板層を形成する熱可塑性液晶ポリマーの融点（Ｔｂ：℃)とが
Ｔａ≦Ｔｂ＋５  
を満たす製造方法。
【請求項５】
光学的異方性の溶融相を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムの少なくとも一方の面に導体回路が形成された基板層と、
前記基板層の回路形成面に対して、接着面を対向させて熱圧着されている接着性フィルム層と、
を少なくとも含む多層回路基板であって、
前記接着性フィルム層が、光学的異方性の溶融相を形成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムであり、この接着性フィルム層の接着面が、ナノインデンテーション法によって測定された硬度０．０１〜０．１ＧＰａを有する多層回路基板。
【請求項６】
請求項５の多層回路基板において、接着性フィルム層の接着面が、物理的研磨または紫外線照射により形成されている多層回路基板。
【請求項７】
請求項５または６の多層回路基板において、接着性フィルム層の厚みが、１０〜１００μｍである多層回路基板。
【請求項８】
請求項５から７のいずれか一項の多層回路基板において、接着性フィルム層が、カバーレイフィルムおよびボンディングフィルムからなる群から選択される少なくとも１種である多層回路基板。
【請求項９】
請求項５から８のいずれか一項の多層回路基板において、接着性フィルム層を形成する熱可塑性液晶ポリマーの融点（Ｔａ：℃)と、基板層を形成する熱可塑性液晶ポリマーの融点（Ｔｂ：℃)とが
Ｔａ≦Ｔｂ＋５  
を満たす多層回路基板。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月8日(2011.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向に間隔を保って形成された複数の収容部内にそれぞれ部品が収容されたキャリアテープの上面に前記収容部を覆うカバーテープを接着して構成される部品供給テープを、搬送機構の作動により搬送し、前記収容部内の各部品が所定位置に到達したときに、前記カバーテープを前記キャリアテープから剥離して、前記収容部内の前記部品を取り出し可能にするとともに、剥離されたカバーテープを回収部内に送り込むための引取機構を備えた部品供給装置であって、
前記引取機構が、前記カバーテープの表裏両面を挟むように配置された一対のローラを備え、前記一対のローラのうちの少なくとも一方のローラの外周面の幅が、前記カバーテープの幅よりも小さく設定されて、前記幅を小さく設定されたローラが前記カバーテープの幅方向の両側部分を除く部分に当接するようにしたことを特徴とする部品供給装置。
【請求項２】
前記カバーテープの幅方向の両側に接着剤層が形成され、前記カバーテープが前記接着剤層を介して前記キャリアテープに接着されており、前記幅を小さく設定されたローラの幅が、前記両接着剤層の内側縁部間の間隔よりも小さく設定されている請求項１に記載の部品供給装置。
【請求項３】
前記幅を小さく設定されたローラが、前記カバーテープにおける前記キャリアテープから剥離された面に当接するようにした請求項１または２に記載の部品供給装置。
【請求項４】
前記一対のローラのうちの他方のローラが引取用モータの駆動により回転し、前記一方のローラが前記他方のローラに従動して回転するようにした請求項１ないし３のうちのいずれか一つに記載の部品供給装置。
【請求項５】
前記一対のローラによる前記カバーテープの引き取り方向の上流側に、前記カバーテープの幅と略同じ幅の底面部と、前記底面部の幅方向の両側に突設されたガイド壁とからなるガイド部を設け、前記カバーテープが前記ガイド部の底面部上を通過したのちに前記一対のローラによって引き取られるようにした請求項１ないし４のうちのいずれか一つに記載の部品供給装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月29日(2011.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板の主面上に複数の半導体チップを搭載する工程と、
前記複数の半導体チップの上方に放熱板を配置する工程と、
前記放熱板と前記配線基板との間に封止樹脂を供給して前記複数の半導体チップを封止し、樹脂封止体を作製する工程と、
前記樹脂封止体を切断する工程と、
を具備し、
前記切断する工程は、
前記樹脂封止体を放熱板側から削る工程と、
前記樹脂封止体を前記配線基板側から削る工程とを備え、
前記配線基板側から削る工程は、前記放熱板側から削る工程よりも後に実施され、
前記配線基板側から削る工程により、前記樹脂封止体が切断され、
更に、
前記配線基板側から削る工程及び前記放熱板側から削る工程よりも前に、前記配線基板の裏面にボール状の電極群を実装する工程
を具備する
半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記樹脂封止体が前記放熱板側から削る工程により削られる部分の溝幅は、前記配線基板側から削る工程により削られる部分の溝幅よりも、広い
半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記放熱板側から削る工程は、第１のブレードにより前記樹脂封止体を削る工程を含む
半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記第１のブレードは、刃先の形状が先鋭である
半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１のブレードは、刃先の形状が丸くなっていることを特徴とする、請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載された半導体装置の製造方法であって、
前記放熱板側から削る工程では、前記放熱板が完全に分断される
半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項３に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記配線基板側から削る工程は、第２のブレードにより前記樹脂封止体を削る工程を含む
半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記第１のブレードは、前記第２のブレードよりも粗い砥粒が配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載された半導体装置の製造方法であって、
前記放熱板は、金属製である
半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載された半導体装置の製造方法であって、
前記放熱板は、被膜が表面に施されている
半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
配線基板上に搭載された複数の半導体チップと、前記複数の半導体チップの上方に配置された放熱板と、前記配線基板と前記放熱板との間隙に充填された封止樹脂とで、少なくとも構成された樹脂封止体を複数の個片に切断する半導体装置の製造方法であって、
前記樹脂封止体を前記放熱板側から削る工程と、
前記樹脂封止体を前記配線基板側から削る工程と、
を具備する
半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
配線基板と、
前記配線基板上に搭載された複数の半導体チップと、
前記複数の半導体チップの上方に配置された放熱板と、
前記配線基板と前記放熱板との間隙に充填された封止樹脂と、
を具備し、
前記放熱板は、前記複数の半導体チップと対向する面にのみ前記封止樹脂が密着し、
さらに、前記放熱板の各辺の長さは、前記各辺に相対する前記配線基板の辺の長さよりも短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
前記放熱板の側面には前記封止樹脂が接しないことを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月21日(2011.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
（第１の二次電池）
図２は第１の二次電池の断面構成を表している。この第１の二次電池は、いわゆるコイン型といわれるものであり、外装カップ５５に収容された負極５０と、外装缶５４内に収容された正極５７とが、電解液が含浸されたセパレータ５３を介して積層されたものである。外装カップ５５および外装缶５４の周縁部は絶縁性のガスケット５６を介してかしめることにより密閉されている。外装カップ５５および外装缶５４は、例えば、ステンレスあるいはアルミニウム（Ａｌ）などの金属によりそれぞれ構成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
この他、正極材料としては、例えば、酸化チタン、酸化バナジウムあるいは二酸化マンガンなどの酸化物や、二硫化チタンあるいは二硫化モリブデンなどの二硫化物や、セレン化ニオブなどのカルコゲン化物や、硫黄、ポリアニリンあるいはポリチオフェンなどの導電性高分子も挙げられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
セパレータ５３は、正極５７と負極５０とを隔離し、両極の接触に起因する電流の短絡（ショート）を防止しながらリチウムイオンを通過させるものである。このセパレータ５３は、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリプロピレンあるいはポリエチレンなどの合成樹脂からなる多孔質膜や、セラミックからなる多孔質膜などによって構成されており、これらの２種以上の多孔質膜が積層されたものであってもよい。中でも、ポリオレフィン製の多孔質膜は、ショート防止効果に優れ、かつシャットダウン効果による二次電池の安全性向上を図ることができるので好ましい。特に、ポリエチレンは、１００℃以上１６０℃以下でシャットダウン効果を得ることができると共に、電気化学的安定性が優れているので好ましい。また、ポリプロピレンも好ましく、他にも化学的安定性を備えた樹脂であれば、ポリエチレンあるいはポリプロピレンと共重合させたものや、ブレンド化したものであってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
また、電解液の電解質塩が、六フッ化リン酸リチウム、四フッ化ホウ酸リチウム、過塩素酸リチウムおよび六フッ化ヒ酸リチウムからなる群のうちの少なくとも１種や、化８〜化１０に示した化合物からなる群のうちの少なくとも１種や、化１４〜化１６に示した化合物からなる群のうちの少なくも１種を含有していれば、より高い効果を得ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
また、電池缶１１が固い金属製であれば、柔らかいフィルム製である場合と比較して、負極活物質層２２Ｂが膨張および収縮した際に負極２２が破損しにくくなる。したがって、サイクル特性をより向上させることができる。この場合には、電池缶１１がアルミニウムよりも固い鉄製であれば、より高い効果を得ることができる。この二次電池に関する上記以外の効果は、第１の二次電池と同様である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９４】
（実験例５−１〜５−３）
基材５１Ａを作製する際のめっき浴の組成および電流密度を表８に示したようにすることで、基材５１Ａにおける結晶子の扁平率が表９に示した数値範囲に含まれるように変更したことを除き、他は実験例１−１と同様にしてコイン型の二次電池を作製した。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月25日(2011.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
相変化メモリ層１５は、マトリクス電極部１４のＹ電極群３０側の面に形成されている。この相変化メモリ層１５は、例えば、電気抵抗が異なるアモルファス状態(高抵抗状態)と結晶状態(低抵抗状態)に変化するものであり、例えば、閾値温度を超えると、相変化を起こし、アモルファス化し、電気抵抗値が、例えば、１０倍〜１００倍と、大きく変化する物質により構成されている。相変化メモリ層１５は、局所的に抵抗値を変えることができるものである。また、相変化メモリ層１５は、カルコゲナイド化合物の組成比によって、閾値温度を設定することができる。
相変化メモリ層１５は、例えば、カルコゲナイド半導体により構成される。相変化メモリ層１５は、例えば、ＧｅＳｂＴｅ(ゲルマニウム・アンチモン・テルル)、ＡｇＩｎＳｂＴｅ(銀・インジウム・アンチモン・テルル)等のアンチモン・テルル系合金をベースにしたもの、またはＢｉＧｅＴｅ(ビスマス・ゲルマニウム・テルル)等のビスマス・テルル系合金をベースにしたものにより構成される。
なお、本実施形態においては、電気抵抗値が、例えば、１０倍〜１００倍と、大きく変化する物質であれば、相変化メモリ層１５を構成する物質は、特に限定されるものではない。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月7日(2011.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
図８に示す静電チャックでは、セラミック基板２００に接合した支持部材２２０の接合強度が低い原因は、メタライズ層２０６ａ上に形成した金属めっき層２０６ｂは、通常、セラミック基板２００をめっき液に浸漬して形成した後、水洗等がなされる。
また、金属めっき層２０６ｂは、金属ろう材との接合強度等の観点から、充分に厚く形成する。
この様に、充分に厚く形成した金属めっき層２０６ｂとメタライズ層２０６ａとの境界面には、水分が残留し易い。この水分は、金属めっき層２０６ｂを形成した後の乾燥等によっても除去され難い。
このため、メタライズ層２０６ａと金属めっき層２０６ｂとの境界面に残留した水分に起因して、金属めっき層２０６ｂが銀ろう２０８を付着した状態で剥離され易くなるものと考えられる。このことは、剥離した支持部材２２０の剥離面に、金属めっき層２０６ｂが付着していることからも首肯できる。
この点、本発明に係る静電チャックでは、メタライズ層上に形成した金属めっき層が、従来品よりも薄く、メタライズ層と金属めっき層との境界面に水分が残留し難い。このため、本発明に係る静電チャックでは、メタライズ層と金属めっき層との境界面に残留する水分に起因する金属めっき層の剥離を防止できる。
しかも、かかるメタライズ層と金属めっき層との厚さを所定範囲内とすることによって、金属ろう材によって接合した金属部材の接合強度のバラツキも小さくできる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
これまでの説明では、セラミック基板１２に円柱状のフランジ部１４ａを具備する支持部材１４を接合したが、ボルトやピンでもよく、円筒状の中空部材であってもよい。
また、メタライズ層１６上に形成するめっき層としては、電解ニッケルめっき層１８について説明してきたが、コバルトから成る電解めっき層であってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月2日(2011.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線層を備えた配線基板と、
接続パッドが上側になった状態で前記配線基板の上に実装された電子部品と、
前記配線基板の上に形成されて、前記電子部品をその側面上部まで埋め込む絶縁層と、
前記接続パッドに接続されて前記電子部品の上面に接触して形成され、下地金属パターン層とその上に形成された導電パターン層とから構成されるチップ内配線部と、前記チップ内配線部に繋がって前記絶縁層の上に延びて形成され、前記導電パターン層と同一層から形成された延出配線部とを含む上側配線層とを有することを特徴とする電子部品内蔵基板。
【請求項２】
前記導電パターン層は、下から順に、シード層及び金属めっき層から構成されることを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項３】
前記延出配線部は、前記絶縁層に設けられたビアホールを介して前記配線基板の前記配線層に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項４】
前記電子部品は半導体チップであり、前記下地金属パターン層の下に、前記接続パッド上に開口部が設けられた保護絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項５】
前記下地金属パターン層は、下から順に、チタン層／銅層、及びクロム層／銅層のいずれかの積層膜から形成されることを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項６】
接続パッドと、該接続パッドを被覆して一面全体に形成された金属保護層とを備えた電子部品を、前記接続パッドを上側に向けて配線基板の上に実装する工程と、
前記配線基板及び前記電子部品の上に絶縁層を形成することにより、前記絶縁層で前記電子部品を埋め込む工程と、
前記絶縁層を厚み方向に加工することにより、前記電子部品の側方に前記絶縁層を残すと共に、前記電子部品の前記金属保護層を露出させる工程と、
前記接続パッドに接続されて前記電子部品の上面に接触して形成され、前記金属保護層がパターン化された下地金属パターン層とその上に形成された導電パターン層とから構成されるチップ内配線部と、前記チップ内配線部に繋がって前記絶縁層の上に延びて形成され、前記導電パターン層と同一層からなる延出配線部とを含む上側配線層を形成する工程とを有することを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁層は樹脂層からなり、
前記電子部品の前記金属保護層を露出させる工程において、酸素プラズマによって前記樹脂層をエッチングすることを特徴とする請求項６に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項８】
前記配線層を形成する工程は、
前記電子部品の前記金属保護層及び前記絶縁層の上にシード層を形成する工程と、
前記シード層の上に、前記上側配線層が形成される部分に開口部が設けられためっきレジストを形成する工程と、
前記シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、前記めっきレジストの開口部に金属めっき層を形成する工程と、
前記めっきレジストを除去する工程と、
前記金属めっき層をマスクにして前記シード層をエッチングし、続いて前記電子部品の前記金属保護層をエッチングする工程とを含むことを特徴とする請求項６に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項９】
前記電子部品の前記金属保護層を露出させる工程の後に、
前記絶縁層を加工することにより、前記配線基板の配線層に到達するビアホールを形成する工程をさらに有し、
前記上側配線層を形成する工程において、前記延出配線部は前記ビアホールを介して前記配線基板の前記配線層に接続されることを特徴とする請求項６に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１０】
前記電子部品は半導体チップであり、
前記半導体チップは、
前記接続パッドを備えた半導体ウェハを用意する工程と、
前記接続パッドを被覆して前記半導体ウェハの一面全体を被覆する金属保護層を形成する工程と、
前記半導体ウェハの背面を研削して薄型化する工程と、
前記半導体ウェハを切断することにより、前記金属保護層を備えた前記半導体チップを得る工程とを含む方法によって得られることを特徴とする請求項６に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
さらに、図１０に示すように、コア基板２０の両面側において、第３配線層を形成する部分に開口部が設けられためっきレジスト３３をフォトリソグラフィによってシード層３４ａの上に形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
次いで、図１１に示すように、コア基板２０の両面側において、シード層３４ａをめっき給電経路に利用する電解めっきにより、めっきレジスト３３の開口部及び第２ビアホールＶＨ２内に銅などの金属めっき層３４ｂを形成する。第２ビアホールＶＨ２内では、その内壁のシード層３４ａから内側に向けてめっきが施され、第２ビアホールＶＨ２に金属めっき層が充填されてビア導体が得られる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
その後に、図１２に示すように、めっきレジスト３３を除去する。さらに、金属めっき層３４ｂをマスクにしてシード層３４ａをエッチングする。このとき、半導体チップ５上では、シード層３４ａをエッチングした後に、続けて金属保護層１４をエッチングする。シード層３４ａ（銅層）及び金属保護層１４の銅層１４ｂ（図４（ｄ））は硫酸と過酸化水素水の混合液でエッチングされ、その下の金属保護層１４のチタン層１４ａ（図４（ｄ））は過酸化水素水と燐酸又はアンモニア水との混合液によってエッチングされる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
図１６（ａ）に示すように、前述した第１実施形態の図５（ｂ）と同一の配線基板１の上に、図１５（ｂ）の半導体チップ５ａの接続パッドＣが上側になるようにして、半導体チップ５ａの背面をダイアタッチ材６で固着する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2010103398.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月21日(2010.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子部品を搭載した回路基板、この回路基板上に搭載された発熱部品を含む一部の電子部品を覆って該電子部品を電磁シールドするシールドケース、このシールドケース内に設けられ、上記発熱部品と当接することで該発熱部品の発生する熱を上記シールドケースへ伝達する伝達部、上記回路基板及びシールドケースを収納する筐体、この筐体を構成する一つの内面に一方の面の略全域が密着するとともに、他方の面の一部が上記シールドケースの１つの外面の略全域に密着した熱拡散板を備えたことを特徴とする電子部品の放熱構造。
【請求項２】
発熱部品と伝達部との間には伝熱シートが介在されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の放熱構造。
【請求項３】
回路基板とシールドケースとの間に該シールドケースを筐体内面に向けて押圧する弾性部材が配されていることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の電子部品の放熱構造。
【請求項４】
熱拡散板及びシールドケースは一体に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子部品の放熱構造。
【請求項５】
熱拡散板は筐体の内面にインサート成型されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子部品の放熱構造。
【請求項６】
シールドケースと熱拡散板との間には伝熱シートが介在されていることを特徴とする請求項１乃至３または請求項５のいずれか１項に記載の電子部品の放熱構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る電子部品の放熱構造は、複数の電子部品を搭載した回路基板と、この回路基板上に搭載された発熱部品を含む一部の電子部品を覆って該電子部品を電磁シールドするシールドケースと、このシールドケース内に設けられ、上記発熱部品と当接することで該発熱部品の発生する熱を上記シールドケースへ伝達する伝達部と、上記回路基板及びシールドケースを収納する筐体と、この筐体を構成する一つの内面に一方の面の略全域が密着するとともに、他方の面の一部が上記シールドケースの１つの外面の略全域に密着した熱拡散板とから構成したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、発熱部品に当接した伝達部によりシールドケースに伝達した熱を、一方の面の一部がシールドケースの１つの外面の略全域に密着した熱拡散板により、筐体を構成する一つの内面へ放熱するように構成したので、放熱フィン等を設ける必要がなく、小型で効率的な放熱構造が得られる効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月1日(2011.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１次光を放出可能な発光素子と、前記１次光を吸収して波長変換光を放出可能な蛍光体粒子が混合された第１の透光性樹脂と、を有し、前記１次光と前記波長変換光とを含む混合光を放出する発光装置の製造方法であって、
前記１次光の波長または前記１次光の光出力のうちの少なくとも一方に対する前記混合光の色度の依存性をあらかじめ求める工程と、
発光素子毎に前記１次光の波長または前記１次光の光出力のうちの少なくとも一方を測定する工程と、
前記求めた前記１次光の波長または前記１次光の光出力のうちの少なくとも一方に対する前記混合光の色度の依存性と、前記測定した前記１次光の波長または前記１次光の光出力のうちの少なくとも一方と、に基づいて前記混合光の色度を所定の範囲内とするための前記蛍光体粒子の所要量を求める工程と、
前記所要量の前記蛍光体粒子を混合した前記第１の透光性樹脂により、前記発光素子を覆う工程と、
を備え、
前記第１の透光性樹脂は前記発光素子を凹部内に覆うものであり、
前記１次光の波長または前記１次光の光出力のうち少なくとも一方があらかじめ決めた許容される上限値の場合に求められる前記混合光の色度を前記所定の範囲内とするための前記蛍光体粒子の所要量と、前記凹部内を充填するための所定の容積とに基づいて、前記所定の容積中に前記所要量の前記蛍光体粒子が含まれる所定の配合比を有する前記第１の透光性樹脂をあらかじめ用意する工程と、
をさらに備え、
前記発光素子を覆う工程は、前記発光素子毎に求められた前記蛍光体粒子の所要量に応じて前記所定の配合比を有する前記第１の透光性樹脂を前記凹部内に必要量充填して覆う工程であり、
前記発光素子を覆う工程は、前記第１の透光性樹脂を前記凹部内に必要量充填して覆う工程の後に、蛍光体粒子が含まれず前記第１の透光性樹脂の屈折率以下の屈折率を有する第２の透光性樹脂を、前記凹部内に充填可能な最大容積と充填済みの前記第１の透光性樹脂の容積との差分に相当する量だけ充填する工程、をさらに有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
１次光を放出可能な発光素子と、前記１次光を吸収して波長変換光を放出可能な蛍光体粒子が混合された第１の透光性樹脂と、を有し、前記１次光と前記波長変換光とを含む混合光を放出する発光装置の製造方法であって、
前記１次光の波長または前記１次光の光出力のうちの少なくとも一方に対する前記混合光の色度の依存性をあらかじめ求める工程と、
発光素子毎に前記１次光の波長または前記１次光の光出力のうちの少なくとも一方を測定する工程と、
前記求めた前記１次光の波長または前記１次光の光出力のうちの少なくとも一方に対する前記混合光の色度の依存性と、前記測定した前記１次光の波長または前記１次光の光出力のうちの少なくとも一方と、に基づいて前記混合光の色度を所定の範囲内とするための前記蛍光体粒子の所要量を求める工程と、
前記所要量の前記蛍光体粒子を混合した前記第１の透光性樹脂により、前記発光素子を覆う工程と、
を備えたことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の透光性樹脂は前記発光素子を凹部内に覆うものであり、
前記１次光の波長または前記１次光の光出力のうち少なくとも一方があらかじめ決めた許容される上限値の場合に求められる前記混合光の色度を前記所定の範囲内とするための前記蛍光体粒子の所要量と、前記凹部内を充填するための所定の容積とに基づいて、前記所定の容積中に前記所要量の前記蛍光体粒子が含まれる所定の配合比を有する前記第１の透光性樹脂をあらかじめ用意する工程と、
をさらに備え、
前記発光素子を覆う工程は、前記発光素子毎に求められた前記蛍光体粒子の所要量に応じて前記所定の配合比を有する前記第１の透光性樹脂を前記凹部内に必要量充填して覆う工程であることを特徴とする請求項２記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記蛍光体粒子は、前記１次光を吸収して第１の波長変換光を放出可能な第１の蛍光体粒子と、前記１次光を吸収して前記第１の波長変換光の波長とは異なる波長を有する第２の波長変換光を放出可能な第２の蛍光体粒子と、を含み、
前記波長変換光は、前記第１の波長変換光と、前記第２の波長変換光と、を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記発光素子を覆う工程は、インクジェット装置のノズルから前記第１の透光性樹脂を吐出させる工程を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一態様によれば、１次光を放出可能な発光素子と、前記１次光を吸収して波長変換光を放出可能な蛍光体粒子が混合された第１の透光性樹脂と、を有し、前記１次光と前記波長変換光とを含む混合光を放出する発光装置の製造方法が提供される。発光装置の製造方法は、前記１次光の波長または前記１次光の光出力のうちの少なくとも一方に対する前記混合光の色度の依存性をあらかじめ求める工程と、発光素子毎に前記１次光の波長または前記１次光の光出力のうちの少なくとも一方を測定する工程と、前記求めた前記１次光の波長または前記１次光の光出力のうちの少なくとも一方に対する前記混合光の色度の依存性と、前記測定した前記１次光の波長または前記１次光の光出力のうちの少なくとも一方と、に基づいて前記混合光の色度を所定の範囲内とするための前記蛍光体粒子の所要量を求める工程と、前記所要量の前記蛍光体粒子を混合した前記第１の透光性樹脂により、前記発光素子を覆う工程と、を備え、前記第１の透光性樹脂は前記発光素子を凹部内に覆うものであり、 前記１次光の波長または前記１次光の光出力のうち少なくとも一方があらかじめ決めた許容される上限値の場合に求められる前記混合光の色度を前記所定の範囲内とするための前記蛍光体粒子の所要量と、前記凹部内を充填するための所定の容積とに基づいて、前記所定の容積中に前記所要量の前記蛍光体粒子が含まれる所定の配合比を有する前記第１の透光性樹脂をあらかじめ用意する工程と、をさらに備える。前記発光素子を覆う工程は、前記発光素子毎に求められた前記蛍光体粒子の所要量に応じて前記所定の配合比を有する前記第１の透光性樹脂を前記凹部内に必要量充填して覆う工程である。また、前記発光素子を覆う工程は、前記第１の透光性樹脂を前記凹部内に必要量充填して覆う工程の後に、蛍光体粒子が含まれず前記第１の透光性樹脂の屈折率以下の屈折率を有する第２の透光性樹脂を、前記凹部内に充填可能な最大容積と充填済みの前記第１の透光性樹脂の容積との差分に相当する量だけ充填する工程、をさらに有する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月2日(2011.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１配線層の上にシード層を形成する工程と、
前記第１配線層のランド上の前記シード層の上に開口部が設けられためっきレジストを形成する工程と、
前記シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、前記めっきレジストの開口部に金属めっき層を形成する工程と、
前記めっきレジストを除去する工程と、
前記シード層をエッチングすることにより、前記第１配線層のランドの上に、前記ランドより小さい径の金属ポストを立設する工程と、
前記金属ポストを埋め込む絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層を削ることにより、前記金属ポストの上面を露出させると共に、前記金属ポストの側方に前記絶縁層を残す工程と、
前記金属ポストの上に配置されてそれと同一径又はそれより小さい径のランドレス配線部を備えた第２配線層を前記絶縁層の上に形成する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記第２配線層を形成する工程において、前記第２配線層は、上側配線層と層間接続するための、前記ビア導体より大きな径のランドを前記絶縁層の上にさらに備えて形成されることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
第１配線層の上にシード層を形成する工程と、
前記第１配線層の接続部上の前記シード層の上に開口部が設けられためっきレジストを形成する工程と、
前記シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、前記めっきレジストの開口部に金属めっき層を形成する工程と、
前記めっきレジストを除去する工程と、
前記シード層をエッチングすることにより、前記第１配線層の接続部の上に、前記接続部と同一径又はそれより大きな径の金属ポストを立設する工程と、
前記金属ポストを埋め込む絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層を削ることにより、前記金属ポストの上面を露出させると共に、前記金属ポストの側方に前記絶縁層を残す工程と、
前記金属ポストの上に配置されてそれより大きな径のランドを備えた第２配線層を前記絶縁層の上に形成する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２配線層を形成する工程において、前記第２配線層は、上側配線層と層間接続するための、前記ビア導体と同一径又はそれより小さい径の接続部を前記絶縁層の上にさらに備えて形成されることを特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
第１配線層と、
前記第１配線層の上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の厚み方向に貫通して充填され、前記第１配線層の接続部に接続されためっき金属から形成されたビア導体と、
前記絶縁層の上に形成され、接続部が前記ビア導体に接続された第２配線層とを有し、
前記第１配線層及び前記第２配線層のうち、一方の前記配線層の接続部が前記ビア導体の径より大きな径のランドとなって形成され、他方の前記配線層の接続部が前記ビア導体と同一径又はそれより小さい径のランドレス配線部となって形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
前記第１配線層の接続部が前記ランドとなって形成され、前記第２配線層の接続部が前記ランドレス配線部となって形成されており、
前記第２配線層は、上側配線層と層間接続するための、前記ビア導体より大きな径のランドを前記絶縁層の上にさらに備えていることを特徴とする請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
前記第１配線層の接続部が前記ビア導体と同一径又はそれより小さい径の前記ランドレス配線部となって形成され、前記第２配線層の接続部が前記ランドとなって形成されており、
前記第２配線層は、上側配線層と層間接続するための、前記ビア導体と同一径又はそれより小さい径の接続部を前記絶縁層の上にさらに備えていることを特徴とする請求項５に記載の配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
次いで、図１（ｂ）に示すように、ベース配線板１００の上に樹脂フィルムを圧着することにより、第１配線層３００を被覆する層間絶縁層４００を形成する。続いて、図１（ｃ）に示すように、層間絶縁層４００をレーザで加工することにより、第１配線層３００のランドＬ１に到達するビアホールＶＨを形成する。上記したように、ビアホールＶＨはレーザが位置ずれしてもランドＬ１からはみ出さない径に設定されているので、ビアホールＶＨがランドＬ１の領域内に安定して形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
第３実施形態では、その逆で、下側の第１配線層の接続部をランドレス配線部とし、上側の第２配線層の接続部をランドとして形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
続いて、図１５（ｂ）に示すように、めっきレジスト３５を除去する。さらに、金属めっき層２２ｂをマスクにしてシード層２２ａをエッチングすることにより、シード層２２ａ及び金属めっき層２２ｂより構成される第２配線層２２を得る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2010103435.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2010103435.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2010103435.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月2日(2011.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の領域および第２の領域を含む被加工基板上に光硬化性樹脂を塗布すること、
前記光硬化性樹脂にインプリント用モールドを接触させること、
前記インプリント用モールドを介して前記光硬化性樹脂に光を照射することにより、前記光硬化性樹脂を硬化すること、
少なくとも前記第１の領域を含む前記被加工基板の領域上に塗布された前記光硬化性樹脂に所定の処理を加えることによりガスを発生させること、前記第１の領域に塗布された前記光硬化性樹脂から発生する前記ガスの発生量は、前記第２の領域に塗布された前記光硬化性樹脂から発生する前記ガスの発生量よりも多いこと、および
前記ガスの発生後、前記光硬化性樹脂から前記インプリント用モールドを離し、前記被加工基板上にパターンを形成することを含む特徴とするインプリント方法。 
【請求項２】
前記第１の領域は前記第２の領域よりも密度が高いパターンが形成される領域であることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記第１の領域は前記第２の領域よりもサイズが大きいパターンが形成される領域であることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記第１の領域は前記第２の領域に比べて、前記光硬化性樹脂から前記インプリント用モールドを離すために要する力が大きい領域であることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記所定の処理によりガスを発生する光硬化性樹脂は、光照射量、加熱量および圧力のいずれかに応じてガスの発生量が変化する第１の光硬化性樹脂であり、
前記被加工基板上に前記光硬化性樹脂を塗布することにおいて、前記第１および第２の領域上に前記第１の光硬化性樹脂を塗布し、および
前記ガスを発生させるための前記所定の処理は、
前記第１および第２の領域上の前記第１の光硬化性樹脂それぞれに対して、異なる照射量で光を照射すること、
前記第１および第２の領域上の前記第１の光硬化性樹脂それぞれに対して、異なる照射量で異なる熱量で加熱すること、および、
前記第１および第２の領域上の前記第１の光硬化性樹脂それぞれに対して、異なる照射量で異なる圧力を加えることのいずれかを含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項６】
前記光硬化性樹脂を塗布することは、
前記第１の領域上に光照射、加熱および減圧のいずれかの処理によりガスを発生する光硬化性樹脂を塗布すること、前記第２の領域上に光照射、加熱および減圧のいずれの処理によってもガスを発生しない光硬化性樹脂を塗布することを含み、
前記ガスを発生させることは、前記第１の領域上の前記光硬化性樹脂に光照射、加熱および減圧のいずれかの処理を施すことによりガスを発生することを含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項７】
前記光硬化性樹脂は、ＳＣＡＰ構造を有することを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項８】
前記インプリント用モールド上に設けられた光触媒層をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項９】
前記パターンを形成することは、前記光硬化性樹脂から前記インプリント用モールドを離した後に、前記被加工基板上に残った前記光硬化性樹脂をマスクにして前記被加工基板をエッチングすることを含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項１０】
前記ガスを発生させた後に、前記光硬化性樹脂と前記被加工基板との間の密着力を評価することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項１１】
前記光硬化性樹脂は、ナフトキノンジアジド化合物を含む光硬化性樹脂であることを特徴する請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項１２】
前記光硬化性樹脂は、ナフトキノンジアジド化合物を含まない第１の光硬化性樹脂と、前記第１の光硬化性樹脂上に形成されたナフトキノンジアジド化合物を含む第２の光硬化性樹脂とを具備することを特徴とすることを特徴する請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項１３】
前記光硬化性樹脂から前記インプリント用モールドを離すことは、 前記光硬化性樹脂および前記インプリント用モールドを冷やしてから行われることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項１４】
前記インプリント用モールド上に設けられた半透明膜をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項１５】
前記インプリント用モールド上に設けられ、光が照射されるとガスを発生する膜をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項１６】
前記インプリント用モールド上に設けられ、前記光の位相および透過率の少なくとも一方を調整する膜をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項１７】
前記インプリント用モールドは、氷またはドライアイスを具備することを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項１８】
前記光硬化性樹脂中にはガスが溶融されていることを特徴する請求項１にインプリント方法。
【請求項１９】
前記光硬化性樹脂中に溶融された前記ガスは、空気、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、ネオンまたはアルゴンであることを特徴する請求項１８にインプリント方法。
【請求項２０】
前記パターンは、光素子を構成するパターン、半導体デバイスを構成するパターンまたはＤＮＡチップを構成するパターンであることを特徴する請求項１にインプリント方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月21日(2010.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内燃エンジン用の燃料インジェクタ（１０）であって、
中心本体（１２）と、
前記中心本体（１２）との間に環状の混合セクション（１６）を形成するように該中心本体（１２）の半径方向外側に配置された第１のケーシング（１４）と、
燃焼用空気（２４）の第１の部分（２２）を前記混合セクション（１６）内に軸方向に噴射するように該混合セクション（１６）の上流端部（２０）に配置された軸方向空気入口（１８）と、
燃焼用空気（２４）の第２の部分（２８）を前記混合セクション（１６）内に半径方向に噴射するように第１のケーシング（１４）内に配置された半径方向空気入口（２６）と、
燃料を前記混合セクション（１６）内に噴射するように前記軸方向空気入口（１８）の下流側で前記中心本体（１２）内に配置された燃料入口（３２）と、
前記混合セクション（１６）内に半径方向に噴射された前記燃焼用空気（２４）の第２の部分（２８）によって軸方向に延びる渦（５８）を発生させるように該混合セクション（１６）内に配置されて、該燃料インジェクタ（１０）の出口（１９）における燃料／空気混合気（６０）を生成するために前記噴射した燃焼用空気（２４）の第１の部分（２２）及び第２の部分（２８）との前記噴射した燃料（４６）の混合を促進する渦発生装置（５６）とを含む、
燃料インジェクタ（１０）。
【請求項２】
前記燃料入口（３２）が、上流に向いた軸方向速度成分を有する状態で燃料を噴射するように構成される、請求項１記載の燃料インジェクタ（１０）。
【請求項３】
前記燃料入口（３２）が、前記半径方向空気入口（２６）に対して角度的に偏位している、請求項１記載の燃料インジェクタ（１０）。
【請求項４】
前記燃料入口（３２）に燃料（４６）を導くように前記中心本体（１２）内に配置された燃料導管（４８）をさらに含む、請求項１記載の燃料インジェクタ（１０）。
【請求項５】
前記混合セクション（１６）内への燃料噴射を選択的に制御するように前記燃料導管（４８）内に配置されたバルブ（５０）をさらに含む、請求項４記載の燃料インジェクタ（１０）。
【請求項６】
前記半径方向入口が、前記第１のケーシング（１４）の少なくとも一部分内で軸方向に延びる複数の環状に間隔を置いて配置したスロット（３０）を含む、請求項１記載の燃料インジェクタ（１０）。
【請求項７】
前記渦発生装置（３２）が、前記中心本体（１２）の外面（４４）内に形成された複数の環状に間隔を置いて配置したベーン（６２）を含む、請求項６記載の燃料インジェクタ（１０）。
【請求項８】
前記ベーン（６２）が、前記中心本体（１２）の少なくとも軸方向部分に沿って延びかつ前記中心本体（１２）から少なくとも部分的に前記混合セクション（１６）内に半径方向外向きに配向される、請求項７記載の燃料インジェクタ（１０）。
【請求項９】
前記ベーン（６２）が、前記半径方向入口（２６）のそれぞれのスロット（３０）と整列した第１の複数の尖端部分（６４）を含み、前記半径方向に噴射した空気（例えば、２８）が、前記尖端部分（６４）によって分割されて該半径方向に噴射した空気（２８）によってそれぞれの対向反転渦（５８）を発生させるようになる、請求項８記載の燃料インジェクタ（１０）。
【請求項１０】
前記ベーン（６２）が、前記半径方向空気入口（２６）のスロット（３０）に対して角度的に偏位した第２の複数の尖端部分（７０）を含む、請求項９記載の燃料インジェクタ（１０）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
オットー式ガスエンジンでは、燃料及び燃焼用空気は、ベンチュリミキサ又は他の混合及び噴射装置を使用してエンジンのシリンダの上流で予混合される。燃料／空気混合気の均一性を最大にしかつ低圧燃料供給を可能にするために、燃料は、圧縮機の上流に噴射されることが多い。そのような混合及び噴射概念では、燃焼室の外部で比較的大量の可燃性混合気が生成され、燃料噴射タイミングの制御によりフラッシュバック（逆火）を回避するのは可能でない。シリンダの上流での噴射量の制御及び可燃性混合気量の少量化の両方が、大きなフラッシュバックの危険性を有する水素のような燃料の場合には特に重要である。ポート噴射法は、フラッシュバックを回避するための適切な燃料噴射タイミングを得るために使用されるが、混合特性の低下という犠牲を払っている。混合特性の低下により、エンジンのエミッションの増加、出力の低下及び作動範囲の制限を招くおそれがある。
【特許文献１】米国特許第４３１８３８６号明細書
【特許文献２】米国特許第５１０９６７１号明細書
【特許文献３】米国特許第５６３８６８２号明細書
【特許文献４】米国特許第５６７５９７１号明細書
【特許文献５】米国特許第５７９１８９２号明細書
【特許文献６】米国特許第５７９１８９４号明細書
【特許文献７】米国特許第６０５９５６０号明細書
【特許文献８】米国特許第６２６３６６０号明細書
【特許文献９】米国特許第６３６０７７６号明細書
【特許文献１０】米国特許第６４７４５６９号明細書
【特許文献１１】米国特許第６９４５４７８号明細書
【特許文献１２】米国特許第７１８８６１２号明細書
【特許文献１３】米国特許第７３６０３６３号明細書
【特許文献１４】米国特許出願公開第２００２／０１６２３３３号明細書
【特許文献１５】米国特許出願公開第２００５／００３４４４４号明細書