Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月10日(2009.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）ポリシリコンと、酸化ケイ素及び窒化ケイ素から選択される材料とを含む基材を
（ａ）研磨材と、
（ｂ）液体キャリヤーと、
（ｃ）該液体キャリヤー及びそれに溶解又は懸濁した任意の成分の質量に基づいて１ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍの、１５以下のＨＬＢを有するポリエチレンオキシド／ポリプロピレンオキシドコポリマーと、
（ｄ）研磨パッドと
を含む化学機械研磨系と接触させる工程、
（ｉｉ）該基材に対して該研磨パッドを動かす工程、及び
（ｉｉｉ）該基材の少なくとも一部を削って該基材を研磨する工程
を含む、基材を化学機械研磨する方法。
【請求項２】
前記コポリマーが８以下のＨＬＢを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記コポリマーの末端がヒドロキシル基である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記研磨材が、アルミナ、セリア、シリカ、ジルコニア及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記研磨材がヒュームドシリカである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記研磨材が前記液体キャリヤー中に懸濁される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記研磨材の量が、前記液体キャリヤー及びそれに溶解又は懸濁した任意の成分の質量に基づいて５ｗｔ％〜２０ｗｔ％である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ｐＨが５〜１２である、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記研磨系が前記液体キャリヤー中に溶解又は懸濁した錯化剤をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記研磨系が前記液体キャリヤー中に溶解又は懸濁したアミンをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記基材が酸化ケイ素と窒化ケイ素の両方を含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月1日(2009.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板乾燥中に使用するためのプッシャーピンにおいて、
シャフト部分と、
０．４２インチ以下の幅のナイフエッジを有し、上記ナイフエッジで基板に接触し基板を支持するように適応された先端部分と、
を備えるプッシャーピン。
【請求項２】
上記ナイフエッジは、約０．３２インチ以下の幅を有する、請求項１に記載のプッシャーピン。
【請求項３】
上記ナイフエッジは、半径状とされる、請求項１に記載のプッシャーピン。
【請求項４】
上記シャフト部分及び先端部分は、横方向にずれている、請求項１に記載のプッシャーピン。
【請求項５】
上記シャフト部分及び先端部分が一体的に形成されるか、上記シャフト部分及び先端部分が別々に形成され一緒に結合される、請求項１に記載のプッシャーピン。
【請求項６】
上記シャフト部分は、ポリエーテルエーテルケトンを含み、上記先端部分は、ポリスルホンを含む、請求項１に記載のプッシャーピン。
【請求項７】
流体内に置かれた基板の少なくとも一部分を乾燥するための方法において、
シャフト部分と、０．４２インチ以下の幅のナイフエッジを有し、上記ナイフエッジで基板に接触し基板を支持するように適応された先端部分と、を有するプッシャーピンを、上記流体内に置かれている上記基板の縁に接触させるステップと、
上記プッシャーピンで上記流体から上記基板を引き上げるステップと、
上記基板が上記流体から引き上げられるとき、乾燥蒸気に上記基板を曝すステップと、
を備える方法。
【請求項８】
上記プッシャーピンで上記流体から上記基板を引き上げるステップは、垂直軸に対してある角度で上記流体から上記基板を引き上げる段階を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
上記乾燥蒸気に上記基板を曝すステップは、イソプロピルアルコール蒸気に上記基板を曝す段階を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
上記乾燥蒸気に上記基板を曝すステップは、上記基板と上記流体との間の界面を乾燥蒸気に曝す段階を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
基板を乾燥するためのシステムにおいて、
流体を収容するように適応されたタンクと、
上記基板が上記流体から引き上げられるとき、乾燥蒸気に上記基板を曝すように適応された乾燥蒸気分配システムと、
プッシャーピンと、
を備え、上記プッシャーピンは、
シャフト部分と、
０．４２インチ以下の幅のナイフエッジを有し、上記ナイフエッジで基板に接触し基板を支持するように適応された先端部分と、
を有し、
上記プッシャーピンは、上記基板が上記乾燥蒸気分配システムからの乾燥蒸気に曝されている間に、上記流体から上記基板を引き上げるように適応される、
システム。
【請求項１２】
上記タンクは、上記流体に上記基板を完全に沈めるように適応される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
上記プッシャーピンは、垂直軸に対してある角度で上記流体から上記基板を引き上げるように適応される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
上記乾燥蒸気分配システムは、イソプロピルアルコール蒸気に上記基板を曝すように適応される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１５】
上記乾燥蒸気分配システムは、上記基板と上記流体との間の界面を乾燥蒸気に曝すように適応される、請求項１１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月14日(2009.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タンタルＣＭＰ法での使用に好適な化学的機械的研磨（ＣＭＰ）組成物、該組成物は：
（ａ）研磨剤；
（ｂ）標準水素電極に対して０.５Ｖ以下の標準酸化還元電位（Ｅ０）を有する有機酸化剤、該有機酸化剤は少なくとも１つのπ共役環を含み、該環は環に直接付いた少なくとも１つのヘテロ原子を含み、該少なくとも１つのヘテロ原子は、Ｎ,Ｏ,Ｓ、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される；ならびに
（ｃ）それらのための液体キャリア
を含んでなる。
【請求項２】
該有機酸化剤が、不飽和炭化水素環、不飽和複素環、またはそれらの組み合わせを含む、請求項１の組成物。
【請求項３】
該複素環が、Ｎ,Ｏ,Ｓ、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される２つまたは３つ以上ヘテロ原子を含む、請求項２の組成物。
【請求項４】
該少なくとも１つのヘテロ原子が、Ｎ,Ｏ,Ｓ、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも３つのヘテロ原子を含む、請求項１の組成物。
【請求項５】
該有機酸化剤が、アノード反応およびカソード反応の両者を観察できるサイクリックボルタモグラムを特徴とする、可逆的酸化還元反応を受けることができる、請求項１の組成物。
【請求項６】
該有機酸化剤化合物が、少なくとも１つのキノン部分を有する化合物、パラフェニレンジアミン化合物、フェナジン化合物、チオニン化合物、フェノキサジン化合物、フェノキサチイン化合物、インジゴ化合物、インドフェノール化合物、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１の組成物。
【請求項７】
該有機酸化剤が、少なくとも１つの酸性置換基またはそれらの塩を含む、請求項１の組成物。
【請求項８】
該少なくとも１つの酸性置換基が、カルボン酸置換基、スルホン酸置換基、ホスホン酸置換基、それらの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項７の組成物。
【請求項９】
該有機酸化剤が、０.１〜１０ミリモルの範囲の媒介化合物の濃度で該液体キャリア中に存在する、請求項１の組成物。
【請求項１０】
該有機酸化剤が、少なくとも１つのキノン部分を含む、請求項１の組成物。
【請求項１１】
該有機酸化剤化合物が、アントラキノン化合物を含む、請求項１０の組成物。
【請求項１２】
該アントラキノン化合物が、９,１０−アントラキノン−２,６−ジスルホン酸、９,１０−アントラキノン−２,７−ジスルホン酸、９,１０−アントラキノン−２−スルホン酸、９,１０−アントラキノン−１,８−ジスルホン酸、９,１０−アントラキノン−１,５−ジスルホン酸、アリザリン、アリザリンレッドＳ、アシドブルー４５、それらの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１１の組成物。
【請求項１３】
該有機酸化剤が、ベンゾキノン化合物を含む、請求項１０の組成物。
【請求項１４】
該ベンゾキノン化合物が、２,５−ジヒドロキシ−１,４−ベンゾフェノンまたはそれらの塩である、請求項１３の組成物。
【請求項１５】
該有機酸化剤が、ナフトキノン化合物である、請求項１０の組成物。
【請求項１６】
該有機酸化剤の該酸化された形態が、カチオン化合物である、請求項１の組成物。
【請求項１７】
補助酸化剤をさらに含む請求項１の組成物。
【請求項１８】
該補助酸化剤が、過ヨウ素酸化合物、パーサルフェート化合物、および過酸化水素からなる群から選択される少なくとも１種の酸化剤を含む請求項１７の組成物。
【請求項１９】
該研磨剤が、重量基準で０.０１〜５％の範囲にある全固体含有量で、該液体キャリア中に懸濁されている、請求項１の組成物。
【請求項２０】
該研磨剤が、シリカ研磨剤、アルミナ研磨剤、ジルコニア研磨剤、セリア研磨剤、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１の組成物。
【請求項２１】
該研磨剤が、コロイドシリカを含む、請求項１の組成物。
【請求項２２】
該有機酸化剤が、該組成物中に存在する唯一の酸化剤である、請求項１の組成物。
【請求項２３】
該有機酸化剤が、銅の存在下で、タンタルを選択的に酸化することができる、請求項１の組成物。
【請求項２４】
基材のタンタル含有表面を、ＣＭＰ組成物で摩耗させることを含む化学的機械的研磨（ＣＭＰ）のための方法、該ＣＭＰ組成物は：
（ａ）標準水素電極に対して０.５Ｖ以下の標準酸化還元電位（Ｅ０）を有する有機酸化剤、該有機酸化剤は少なくとも１つのπ共役環を含み、該環は環に直接付いた少なくとも１つのヘテロ原子を含み、該少なくとも１つのヘテロ原子は、Ｎ,Ｏ,Ｓおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される；ならびに
（ｂ）それらのための液体キャリア
を含んでなる。
【請求項２５】
基材のタンタル含有表面を、ＣＭＰ組成物で摩耗させることを含む化学的機械的研磨（ＣＭＰ）ための方法、該ＣＭＰ組成物が、
（ａ）標準水素電極に対して０.７Ｖ以下の標準酸化還元電位（Ｅ０）を有する有機酸化剤、該有機酸化剤は、少なくとも１つのπ共役環を含み、該環は、環に直接付いた少なくとも１つのヘテロ原子を含み、該少なくとも１つのヘテロ原子は、Ｎ,Ｏ,Ｓおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される；ならびに
（ｂ）それらのための液体キャリア
を含んでなる。
【請求項２６】
該基材の該表面が、少なくとも部分的に、タンタル、タンタル窒化物、またはそれらの組み合わせを含む、請求項２４または２５の方法。
【請求項２７】
該表面が、銅をさらに含む、請求項２４または２５の方法。
【請求項２８】
該有機酸化剤が、少なくとも１つのキノン部分を含む、請求項２４または２５の方法。
【請求項２９】
該有機酸化剤が、アントラキノン化合物、ナフトキノン化合物、ベンゾキノン化合物、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される化合物である、請求項２４または２５の方法。
【請求項３０】
該アントラキノン化合物が、９,１０−アントラキノン−２,６−ジスルホン酸、９,１０−アントラキノン−２,７−ジスルホン酸、９,１０−アントラキノン−２−スルホン酸、９,１０−アントラキノン−１,８−ジスルホン酸、９,１０−アントラキノン−１,５−ジスルホン酸、アリザリン、アリザリンレッドＳ、アシドブルー４５、それらの塩、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項２９の方法。
【請求項３１】
請求項３０が請求項２５に従属する場合、該ナフトキノン化合物が、１,２−ナフトキノン−４−スルホン酸、およびそれらの塩である、請求項３０の方法。
【請求項３２】
該ベンゾキノン化合物が、２,５−ジヒドロキシ−１,４−ベンゾキノンまたはそれらの塩である、請求項２９の方法。
【請求項３３】
該有機酸化剤が、該方法の組成物中に存在する唯一の酸化剤である、請求項２４または２５の方法。
【請求項３４】
該ＣＭＰ組成物が、研磨材をさらに含む、請求項２４または２５の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月25日(2009.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス放電レーザのための予備電離器アセンブリであって、
管のボアを定める誘電体管と、
電極と、
を含み、前記電極は、
前記管の前記ボア内に配置された第１端部、及び第２端部を有する、第１の細長い導電性部材と、
前記第１導電性部材の前記第１端部から離間されて前記ボア内に配置された第１端部、及び第２端部を有する、第２の細長い導電性部材と、
を含み、前記第１及び第２の導電性部材は同じ電位に保たれる
ことを特徴とする予備電離器アセンブリ。
【請求項２】
前記第１部材の少なくとも一部は、長手方向軸を定める棒として形成され、前記第１部材の前記第１端部には、前記長手方向軸と位置合わせされた実質的に円筒形状の開口部が形成されることを特徴とする請求項１に記載の予備電離器アセンブリ。
【請求項３】
前記実質的に円筒形状の開口部は内径Ｄを有し、前記第２部材の少なくとも一部は棒として形成され、前記第２部材の前記第１端部にはｄ＜Ｄである外径ｄを有する実質的に円筒形状の突出部が形成されることを特徴とする請求項２に記載の予備電離器アセンブリ。
【請求項４】
前記第１部材及び前記第２部材は、ガス放電チャンバ・ハウジングに電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の予備電離器アセンブリ。
【請求項５】
前記第１部材の少なくとも一部は、ｄrodの直径を有する棒として形成され、前記第１部材の前記第１端部は、ｄrodの直径を有する実質的に平坦な面として形成されることを特徴とする請求項１に記載の予備電離器アセンブリ。
【請求項６】
前記第１部材の少なくとも一部は棒として形成され、前記第１部材の前記第１端部には、凹状の内面を有するキャビティが形成され、且つ、前記第２部材の少なくとも一部は棒として形成され、前記第２部材の前記第１端部には、凸状の外面を有する突出部が形成されることを特徴とする請求項１に記載の予備電離器アセンブリ。
【請求項７】
前記第１部材の前記第１端部は丸く、前記第２部材の前記第１端部も丸いことを特徴とする請求項１に記載の予備電離器アセンブリ。
【請求項８】
前記誘電体管は外面を有し、前記アセンブリは、前記外面を、前記ガス放電レーザの放電電極に接続するための導体を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の予備電離器アセンブリ。
【請求項９】
チャンバ・ハウジングと、
長手方向軸を定める第１の細長い放電電極と、
前記第１電極から離間され、前記長手方向軸に対して実質的に平行に位置合わせされた第２の細長い放電電極と、
前記ハウジング内部のレーザ発振可能なガス状媒体と、
前記ガス状媒体を励起するように、前記第１放電電極と前記第２放電電極との間の電位差を確立するための電圧源と、
予備電離器アセンブリと、
を含み、前記予備電離器アセンブリは、
管のボアを定める誘電体管と、
予備電離電極と、
を含み、前記予備電離電極は、
前記長手方向軸に対して実質的に平行に位置合わせされ、少なくとも一部は前記管の前記ボア内に配置される第１の細長い導電性部材と、
前記長手方向軸に対して実質的に平行に位置合わせされ、少なくとも一部は前記第１部材から離間されて前記ボア内に配置される第２の細長い導電性部材と、
を含む、
ことを特徴とするガス放電レーザ。
【請求項１０】
ガス状材料を電離させるように光子を生成するためのアセンブリであって、
管のボア及び外側の管表面を定める誘電体管と、
予備電離電極と、
を含み、前記予備電離電極は、
前記予備電離電極は、
前記長手方向軸に対して実質的に平行に位置合わせされ、少なくとも一部は前記管の前記ボア内に配置される第１の細長い導電性部材と、
前記長手方向軸に対して実質的に平行に位置合わせされ、少なくとも一部は前記第１部材から離間されて前記ボア内に配置される第２の細長い導電性部材と、
を含み、
光子を生成するために、前記予備電離電極と、前記外側の管表面上の位置との間に電位差を確立する電圧源と、
を含む、
ことを特徴とするアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月17日(2009.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイス製造ツールを設備に結合するための装置であって、
隆起フロアに搭載するように適合されており、かつ前記隆起フロアとほぼ等しい厚さを有するドッキングステーションと、
前記ドッキングステーションの上部表面に配置されている複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所であって、各ツールＰＯＣ場所が半導体デバイス製造ツールのＰＯＣに接続されるように適合されている複数のツールＰＯＣ場所と、
前記ドッキングステーションの底部表面に配置されている複数の設備ＰＯＣ場所であって、各設備ＰＯＣ場所が設備のＰＯＣに接続されるように適合されている複数の設備ＰＯＣ場所と、を備える装置。
【請求項２】
前記ドッキングステーションがさらに、標準隆起フロアタイルの代わりに隆起フロアに搭載されるように適合されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ドッキングステーションの厚さが標準隆起フロアタイルとほぼ等しい、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記ドッキングステーションの前記底部表面が、前記隆起フロアの底部表面とほぼ同一平面にある、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記隆起フロア下方の空間の高さが前記ドッキングステーション下方の空間の高さとほぼ同じである、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記設備ＰＯＣ場所が、前記設備ＰＯＣの取り付けが前記隆起フロアのサポート構造と干渉しないように配置されている、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記ドッキングステーションの厚さは、前記設備ＰＯＣの取り付けが前記隆起フロアのサポート構造と干渉しないものである、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記ドッキングステーションの前記上部表面が前記隆起フロアの上部表面の下方にある、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
半導体デバイス製造ツールを事前促進するための方法であって：
隆起フロアとほぼ等しい厚さと、
ドッキングステーションの上部表面に配置されている複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所であって、各ツールＰＯＣ場所が半導体デバイス製造ツールのＰＯＣに接続されるように適合されている複数のツールＰＯＣ場所と、
前記ドッキングステーションの底部表面に配置されている複数の設備ＰＯＣ場所であって、各設備ＰＯＣ場所が設備のＰＯＣに接続されるように適合されている複数の設備ＰＯＣ場所と、を有するドッキングステーションを提供するステップと；
前記隆起フロアに前記ドッキングステーションを搭載するステップと；
前記設備ＰＯＣ場所を設備のＰＯＣに接続するステップと；
を備える方法。
【請求項１０】
ドッキングステーションを提供するステップが、標準隆起フロアタイルの代わりに隆起フロアに搭載するようにさらに適合されているドッキングステーションを提供する工程を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
ドッキングステーションを提供するステップが、ドッキングステーションを提供する工程であって、前記ドッキングステーションの厚さが標準隆起フロアタイルとほぼ等しい工程を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
ドッキングステーションを提供するステップが、ドッキングステーションを提供する工程であって、前記ドッキングステーションの前記底部表面が前記隆起フロアの底部表面とほぼ同一平面にある工程を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
ドッキングステーションを製造するための方法であって、
隆起フロアとほぼ等しい厚さを有するフレームを構築するステップと、
前記フレームの上部表面に複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所を設置するステップであって、各ツールＰＯＣ場所が半導体デバイス製造ツールのＰＯＣに接続されるように適合されているステップと、
前記フレームの底部表面に複数の設備ＰＯＣ場所を設置するステップであって、各設備ＰＯＣ場所が設備のＰＯＣに接続されるように適合されているステップと、
を備える方法。
【請求項１４】
ドッキングステーションと、
前記ドッキングステーションをサポートするように適合されている隆起フロアと、
を備える隆起フロアシステムであって、
前記ドッキングステーションは、
隆起フロアとほぼ等しい厚さと、
ドッキングステーションの上部表面に配置されている複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所であって、各ツールＰＯＣ場所が半導体デバイス製造ツールのＰＯＣに接続されるように適合されている複数のツールＰＯＣ場所と、
前記ドッキングステーションの底部表面に配置されている複数の設備ＰＯＣ場所であって、各設備ＰＯＣ場所が設備のＰＯＣに接続されるように適合されている複数の設備ＰＯＣ場所と、
を有する、前記隆起フロアシステム。
【請求項１５】
ドッキングステーションと、
前記複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所に結合されるように適合されている複数のツールＰＯＣを含む半導体デバイス製造ツールと、
を備える半導体デバイス製造システムであって、前記ドッキングステーションは、
隆起フロアとほぼ等しい厚さと、
ドッキングステーションの上部表面に配置されている複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所であって、各ツールＰＯＣ場所が半導体デバイス製造ツールのＰＯＣに接続されるように適合されている複数のツールＰＯＣ場所と、
前記ドッキングステーションの底部表面に配置されている複数の設備ＰＯＣ場所であって、各設備ＰＯＣ場所が設備のＰＯＣに接続されるように適合されている複数の設備ＰＯＣ場所と、
を有する、前記半導体デバイス製造システム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月28日(2009.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
約５０ｎｍ〜約１０００ｎｍの範囲の平均直径を有する高分子ナノファイバーの多孔層を含んでなるセパレータを有する電気化学二重層キャパシタであって、多孔性ナノファイバー層が、約０．０１μｍ〜約１０μｍの間の平均流孔サイズ、約０．１ミル（０．００２５ｍｍ）〜約５ミル（０．１２７ｍｍ）の間の厚さ、約１ｇ／ｍ2〜約３０ｇ／ｍ2の間の坪量、約２０％〜約９０％の間の多孔度、約８０ｃｆｍ／ｆｔ2（２４ｍ3／分／ｍ2）未満のフラジール通気度および約２〜約１５の間のマックムリン数を有する電気化学二重層キャパシタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
表３から見ることができるとおり、実施例８〜１１の架橋ＰＶＡサンプルは、イオン抵抗およびソフトショートバリア特性の良好なバランスを有する。セパレータの小さい孔径は、ソフトショートに対するさらなる耐性を提供するであろう。セパレータは、イオンの流れに対するきわめて低い抵抗を提供する。
また、本発明を次のように構成することもできる。
１．  約５０ｎｍ〜約１０００ｎｍの範囲の平均直径を有する高分子ナノファイバーの多孔層を含んでなるセパレータを有する電気化学二重層キャパシタであって、多孔性ナノファイバー層が、約０．０１μｍ〜約１０μｍの間の平均流孔サイズ、約０．１ミル（０．００２５ｍｍ）〜約５ミル（０．１２７ｍｍ）の間の厚さ、約１ｇ／ｍ2〜約３０ｇ／ｍ2の間の坪量、約２０％〜約９０％の間の多孔度、約８０ｃｆｍ／ｆｔ2（２４ｍ3／分／ｍ2）未満のフラジール通気度および約２〜約１５の間のマックムリン数を有する電気化学二重層キャパシタ。
２．  セパレータが、約１オーム−ｃｍ2〜約５オーム−ｃｍ2の間のイオン抵抗を、０．５モル濃度のリチウムトリフルオロメタンスルホネート（ＬｉＴＦＳ）、プロピレンカーボネート：エチレンカーボネート：ジメトキシエタン（２２：８：７０）電解質溶液中で有する上記１に記載のキャパシタ。
３．  セパレータが、約１００ミリオーム−ｃｍ2未満のイオン抵抗を４０％水酸化カリウム（ＫＯＨ）電解質溶液中で有する上記１に記載のキャパシタ。
４．  セパレータが約２〜約６の間のマックムリン数を有する上記１に記載のキャパシタ。
５．  繊維が、脂肪族ポリアミド、半芳香族ポリアミド、ポリビニルアルコール、セルロース、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン−ヘキサフルオロプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリフェニレンスルフィド、ポリテトラフルオロエチレン、エチレンテトラフルオロエチレン、ポリアセチル、ポリウレタン、芳香族ポリアミド、ならびにこれらのブレンド、混合物およびコポリマーからなるリストから選択されるポリマーから形成される上記１に記載のキャパシタ。
６．  キャパシタが、スーパーキャパシタ、ウルトラキャパシタ、または擬似キャパシタである上記１に記載のキャパシタ。
７．  用いられる電解質が水性電解質、または有機電解質である上記１に記載のキャパシタ。
８．  セパレータが多層多孔性ナノファイバー層を含んでなる上記１に記載のキャパシタ。
９．  セパレータが、異なるポリマーを含んでなる多層多孔性ナノファイバー層を含んでなる上記８に記載のキャパシタ。
１０．  セパレータが、厚さ、坪量、孔径、繊維サイズ、多孔度、通気度、イオン抵抗および引張強度からなるリストから選択される異なる特徴を有する多層多孔性ナノファイバー層を含んでなる上記８に記載のキャパシタ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月25日(2009.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外側導体部（１２）と、内側導体部（１４）と、同軸プラグコネクタに装着する第１端（１８）と、特に同軸ケーブルまたは印刷回路基板に接続する前記第１端（１８）に対向する第２端（２０）と、電気的・機械的基準面（１６）とを備え、それによって同軸ブッシングコネクタ（１０）の前記第１端（１８）と前記電気的・機械的基準面（１６）の間の前記外側導体部（１２）がＢＮＣ規格に適合する同軸ブッシングコネクタ（１０）で、少なくとも、一方の前記電気的・機械的基準面（１６）と他方の前記同軸ブッシングコネクタ（１０）の前記第２端（２０）の間では、前記内側導体部（１４）と前記外側導体部（１２）がその間の少なくとも１つの所定の区間に７ｍｍの同軸線路を形成し、前記外側導体部（１２）の外側導体（２４）の内径を７ｍｍとし、前記内側導体部（１４）の内側導体（２６）の外径を３．０５ｍｍとして、前記内側導体と前記外側導体の間に誘電体として空気を存在させることを特徴とする同軸ブッシングコネクタ。
【請求項２】
前記内側導体部（１４）の前記同軸ブッシングコネクタ（１０）の前記第１端（１８）に内側導体ブッシング（２２）を配設し、前記内側導体部（１４）の前記ブッシングを軸方向に変位可能にすることによって、前記内側導体ブッシング（２２）と前記内側導体部（１４）の間にばねを配設して、前記ばねが前記同軸ブッシングコネクタ（１０）の前記第１端（１８）の方向に力を及ぼせるようにすることを特徴とする請求項１に記載の同軸ブッシングコネクタ（１０）。
【請求項３】
前記同軸ブッシングコネクタ（１０）の前記第１端（１８）の前記内側導体部（１４）を中空円筒部として構成し、前記内側導体ブッシング（２２）が前記中空円筒部を軸方向に通過するように配設されることを特徴とする請求項２に記載の同軸ブッシングコネクタ（１０）。
【請求項４】
前記内側導体ブッシング（２２）の内径がＢＮＣ規格に適合することを特徴とする請求項２または３に記載の同軸ブッシングコネクタ（１０）。
【請求項５】
ＢＮＣ規格に適合する外側導体部（３２）と、内側導体部（３４）とを備え、上記請求項の少なくとも１つに記載の同軸ブッシングコネクタ（１０）に接続する同軸プラグコネクタ（３０）で、前記同軸プラグコネクタ（３０）を前記同軸ブッシングコネクタ（１０）に差し込んだときに、前記同軸プラグコネクタ（３０）の前記内側導体部（３４）と前記外側導体部（３２）は、前記同軸ブッシングコネクタ（１０）の外側導体部（１２）及び内側導体部（１４）とを補完して、少なくとも前記電気的・機械的基準面（１６）と前記同軸ブッシングコネクタ（１０）の前記第１端（１８）の間の領域に、７ｍｍの同軸線路が形成できるようにし、前記外側導体部（１２）の外側導体（２４）の１つの内径を７ｍｍとし、前記内側導体部（１４）の内側導体（２６）の外径を３．０５ｍｍとして、前記内側導体と前記外側導体の間に誘電体として空気を存在させることを特徴とする同軸プラグコネクタ（３０）。
【請求項６】
前記同軸プラグコネクタ（３０）の前記内側導体部（３４）と前記外側導体部（３２）はさらに、前記同軸プラグコネクタ（３０）を前記同軸ブッシングコネクタ（１０）に差し込んだときに、前記同軸ブッシングコネクタ（１０）の前記電気的・機械的基準面（１６）から、前記同軸ブッシングコネクタ（１０）の反対側の前記同軸プラグコネクタ（３０）の端部までの軸方向の長さ全長にわたって７ｍｍの同軸線路を形成するように構成する、請求項５に記載の同軸プラグコネクタ（３０）。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月29日(2009.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光を合焦するために用いられる液浸リソグラフィ・システムの光学素子を形成する方法であって、前記光学素子は、その表面と前記液浸リソグラフィ・システムによりパターン付けされる物品との間の空間を占める液体と接触するように適合された表面を有し、
前記光学素子の表面において前記液体により分解される分解性材料を含む光学素子を準備するステップと、
前記表面の前記分解性材料を覆って前記光学素子の前記表面を前記液体から保護する保護コーティングであって、前記光に対して透明であり、前記光に曝されたとき安定であり、そして前記液体に曝されたとき安定である保護コーティングを形成するステップと
を含み、
前記液体は水を含み、前記光学素子は、少なくとも１つのアルカリ土類金属のフッ化物を含み、前記保護コーティングを前記形成するステップは、少なくとも１つのアルカリ土類金属の窒化物を形成するステップを含み、
前記保護コーティングを前記形成するステップは、前記光学素子の前記表面内に窒素をプラズマ注入するステップを含む、
方法。
【請求項２】
前記保護コーティングを前記形成するステップは、前記少なくとも１つのアルカリ土類金属の前記フッ化物と前記窒化物との混合物を形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記保護コ―ティングを前記形成するステップは、内部でプラズマ注入が実施されるチャンバにシランを供給するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記保護コーティングを前記形成するステップは、前記光学素子をアニールするステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記アニールするステップは、前記光学素子を、１００ナノメートルと２００ナノメートルの間の波長を有する光源に曝すステップを含む、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月17日(2009.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
基板からフッ素化ポリマーを除去するためのプラズマを発生させる方法であって、本方法は、
通電電極を設置するステップと、
第１誘電層を設置するステップと、
前記通電電極と前記第１誘電層との間に第１ワイヤメッシュを挿入するステップと、
接地電極を提供するステップと、
前記通電電極間でプラズマを発生させるステップと、
プラズマから遮蔽されている前記第１ワイヤメッシュを前記第１誘電層によって遮蔽するステップと、
を含んでいることを特徴とする方法
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月2日(2009.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨用粉末を、当該研磨用粉末のための液状キャリア中に含む、銅化学機械研磨（ＣＭＰ）に好適な組成物であって、
遷移金属を５ｐｐｍ未満の量で含む組成物。
【請求項２】
シリカ研磨剤、アルミナ研磨剤、又はそれらの組み合わせを、当該研磨剤のための液状キャリア中に含む、銅化学機械研磨（ＣＭＰ）に好適な組成物であって、
遷移金属を５ｐｐｍ未満の量で含む組成物。
【請求項３】
前記組成物中の遷移金属の量が２ｐｐｍ未満である、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
周期表の３，４及び８族中の遷移金属から選択される、個々の遷移金属を１ｐｐｍ未満含む、請求項２に記載の組成物。
【請求項５】
前記遷移金属が、イットリウム、ジルコニウム及び鉄から成る群から選択される、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記組成物中の、周期表の３，４及び８族からの遷移金属の総量が２ｐｐｍ未満である、請求項２に記載の組成物。
【請求項７】
前記組成物中の、イットリウム、ジルコニウム及び鉄から成る群から選択される遷移金属の総量が２ｐｐｍ未満である、請求項２に記載の組成物。
【請求項８】
周期表の３及び４族からの遷移金属を１ｐｐｍ未満含む、請求項２に記載の組成物。
【請求項９】
ジルコニウムを１ｐｐｍ未満含む、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
ジルコニウムを０．１ｐｐｍ未満含む、請求項８に記載の組成物。
【請求項１１】
鉄を１ｐｐｍ未満含む、請求項２に記載の組成物。
【請求項１２】
前記研磨剤が、シリカ研磨剤を含む、請求項２に記載の組成物。
【請求項１３】
前記シリカ研磨剤が、ヒュームドシリカを含む、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
前記研磨剤が、アルミナ研磨剤を含む、請求項２に記載の組成物。
【請求項１５】
前記アルミナ研磨剤が、α−アルミナを含む、請求項１４に記載の組成物。
【請求項１６】
過酸化水素をさらに含む、請求項２に記載の組成物。
【請求項１７】
前記過酸化水素が、重量基準において０．１〜３％の範囲にわたる濃度で存在する、請求項１６に記載の組成物。
【請求項１８】
７以下のｐＨを有する、請求項１６に記載の組成物。
【請求項１９】
半導体ウェーハ平坦化の際に、化学機械研磨（ＣＭＰ）スラリーのポットライフを長くする方法であって、平坦化を開始する前に、５ｐｐｍ未満の値に、前記スラリー内の遷移金属の量を維持することを含む方法。
【請求項２０】
前記遷移金属含有量を２ｐｐｍ未満に維持する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記スラリー内に存在する、周期表の３，４及び８族から選択される任意の遷移金属の量を１ｐｐｍ未満に維持する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記遷移金属が、イットリウム、ジルコニウム及び鉄から成る群から選択される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記スラリー内に存在する、周期表の３，４及び８族から選択される遷移金属の総量を２ｐｐｍ未満に維持する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
周期表の３族及び４族からの任意の遷移金属の量を１ｐｐｍ未満の量に維持する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２５】
前記スラリー内に存在するジルコニウムの量を１ｐｐｍ未満の量に維持する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２６】
前記スラリー内のジルコニウムの量を０．１ｐｐｍ未満の量に維持する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２７】
前記スラリー内の鉄の量を１ｐｐｍ未満の量に維持する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２８】
前記スラリーのｐＨを７以下の値で維持することをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月5日(2009.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロエレクトロニクスアセンブリを形成する方法であって、
第一（２２）及び第二（２４）の相対向する表面を有する半導体基板（２０）に第一の側部エッチングストップ壁（４４）及び第二の側部エッチングストップ壁（４６）を形成する工程と、
前記半導体基板の第一の表面（２２）にインダクタ（５６）を形成する工程と、
前記第一の側部エッチングストップ壁（４４）及び第二の側部エッチングストップ壁（４６）の間にある前記基板（２０）を露出させるべく、同基板（２０）の第二の表面（２４）を貫通するエッチングホール（６０）を形成する工程と、
前記半導体基板（２０）内に凹部（６６）を形成すべく、前記第一の側部エッチングストップ壁（４４）及び第二の側部エッチングストップ壁（４６）の間にある同基板（２０）に、エッチングホール（６０）を介して等方性エッチングを実施する工程と、
前記凹部（６６）をシールすべく前記エッチングホール（６０）を覆うシール層（７０）を形成する工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
前記凹部（６６）上にインダクタ（５６）の少なくとも一部を配置する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
マイクロエレクトロニクスアセンブリであって、
半導体基板（２０）と、エッチングストップ層（４２）と、インダクタ（５６）と、シール層（７０）とを含み、
前記半導体基板（２０）は、同半導体基板（２０）に形成される第一（２８）及び第二（３０）のトレンチを有し、
前記半導体基板（２０）上にあるエッチングストップ層（４２）は、前記トレンチ（２８，３０）内に第一のエッチングストップ壁（４４）及び第二のエッチングストップ壁（４６）を形成し、前記基板（２０）及び前記エッチングストップ層（４２）により同エッチングストップ層（４２）の下側であり、かつ前記第一の側部エッチングストップ壁（４４）及び第二の側部エッチングストップ壁（４６）の間に凹部（６６）が形成され、前記凹部（６６）は、同凹部（６６）と前記半導体基板（２０）の第二の表面（２４）を相互に連結するエッチングホール（６０）を有し、前記エッチングストップ層（４２）はエッチングストップ材料からなり、
前記インダクタ（５６）は前記半導体基板（２０）の第一の表面（２２）上にあり、前記インダクタ（５６）の少なくとも一部は前記半導体基板（２０）の前記凹部（６６）の上に配置されており、
前記シール層（７０）は、前記半導体基板（２０）の第二の表面（２４）にて前記エッチングホール（６０）を覆うように形成されている、マイクロエレクトロニクスアセンブリ。
【請求項４】
前記半導体基板（２０）の第一の表面（２２）は、前記半導体基板（２０）の第二の表面（２４）と相対向している、請求項３に記載のマイクロエレクトロニクスアセンブリ。
【請求項５】
前記インダクタ（５６）は前記半導体基板（２０）のインダクタ中心点（３６）の周囲に巻回された少なくとも一つのコイル（５４）を含み、かつ前記第一のトレンチ（２８）及び前記第二のトレンチ（３０）は前記インダクタ中心点（３６）の周囲に形成され、前記第一のトレンチ（２８）は、前記インダクタ中心点（３６）と前記第二のトレンチ（３０）との間にあり、前記第一のトレンチ（２８）及び前記第二のトレンチ（３０）はほぼ円形状であり、かつ前記凹部（６６）は環状リングの形状を有する、請求項４に記載のマイクロエレクトロニクスアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月9日(2009.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）０．０１重量％〜２０重量％のα−アルミナ粒子；ここで、当該α−アルミナ粒子は、２００ｎｍ以下の平均直径を有し、そして当該α−アルミナ粒子の８０％は、５００ｎｍ以下の直径を有する、
（ｂ）有機酸；
（ｃ）腐食抑制剤；及び
（ｄ）水：
を含む、表面のところに銅含有膜を有する基板を研磨するための化学的機械的研磨組成物。
【請求項２】
前記腐食抑制剤が、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾチアゾール、及びそれらの混合物から成る群から選択される、請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項３】
（ａ）０．０１重量％〜２０重量％のα−アルミナ粒子；
（ｂ）有機酸；
（ｃ）トリアゾール及びベンゾトリアゾールの２成分の腐食抑制剤；ここで、トリアゾールの、ベンゾトリアゾールに対する重量％比が、０．１〜４．８である、及び
（ｄ）水：
を含む、表面のところに銅含有膜を有する基板を研磨するための化学的機械的研磨組成物。
【請求項４】
前記α−アルミナ粒子が２００ｎｍ以下の平均直径を有し、そして前記α−アルミナ粒子の８０％が５００ｎｍ以下の直径を有する、請求項３に記載の研磨組成物。
【請求項５】
前記α−アルミナ粒子が２００ｎｍ以下の平均直径を有し、そして前記α−アルミナ粒子の９０％が５００ｎｍ以下の直径を有する、請求項１又は４に記載の研磨組成物。
【請求項６】
前記α−アルミナ粒子が１００ｎｍ以下の平均直径を有し、そして前記α−アルミナ粒子の９５％が５００ｎｍ以下の直径を有する、請求項５に記載の研磨組成物。
【請求項７】
前記α−アルミナ粒子が１００ｎｍ以下の平均直径を有し、そして前記α−アルミナ粒子の９０％が２００ｎｍ以下の直径を有する、請求項６に記載の研磨組成物。
【請求項８】
前記α−アルミナ粒子が、０．１重量％〜５重量％の量で存在する、請求項１又は３に記載の研磨組成物。
【請求項９】
前記α−アルミナ粒子が、０．３重量％〜１重量％の量で存在する、請求項８に記載の研磨組成物。
【請求項１０】
前記研磨組成物が３〜１０のｐＨを有する、請求項１又は３に記載の研磨組成物。
【請求項１１】
前記有機酸が、マロン酸、コハク酸、アジピン酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸、グリシン、アスパラギン酸、酒石酸、グルコン酸、イミノ二酢酸及びフマル酸から成る群から選択される、請求項１又は３に記載の研磨組成物。
【請求項１２】
前記有機酸が酒石酸である、請求項１１に記載の研磨組成物。
【請求項１３】
臭素酸塩、亜臭素酸塩、塩素酸塩、亜塩素酸塩、過酸化水素、次亜塩素酸塩、ヨウ素酸塩、モノパーオキシ硫酸塩、モノパーオキシ亜硫酸塩、モノパーオキシリン酸塩、モノパーオキシ次リン酸塩、モノパーオキシピロリン酸塩、オルガノ−ハロ−オキシ化合物、過ヨウ素酸塩、過マンガン酸塩、パーオキシ酢酸、及びそれらの混合物から成る群から選択される酸化剤をさらに含む、請求項１又は３に記載の研磨組成物。
【請求項１４】
トリアゾールの、ベンゾトリアゾールに対する重量％比が、０．１〜４．４である、請求項３に記載の研磨組成物。
【請求項１５】
次の各ステップを含む、表面のところに銅含有膜を有する基板を化学的機械的研磨する方法；
（ｉ）基板を、研磨パッド及び下記を含む化学的機械的研磨組成物と接触させるステップ；
（ａ）０．０１重量％〜２０重量％のα−アルミナ粒子；ここで、前記α−アルミナ粒子は、２００ｎｍ以下の平均直径を有し、そして前記α−アルミナ粒子の８０％は、５００ｎｍ以下の直径を有する、
（ｂ）有機酸；
（ｃ）腐食抑制剤；
（ｄ）酸化剤；及び
（ｅ）水；
（ｉｉ）前記研磨パッドを前記基板に対して、それらの間の化学的機械的研磨組成物と共に動かすステップ：そして
（ｉｉｉ）前記基板を研磨するために、前記基板の少なくとも一部を研磨するステップ。
【請求項１６】
前記腐食抑制剤が、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾチアゾール、及びそれらの混合物から成る群から選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
次の各ステップを含む、表面のところに銅含有膜を有する基板を化学的機械的研磨する方法；
（ｉ）基板を、研磨パッド及び下記の化学的機械的研磨組成物と接触させるステップ；
（ａ）０．０１重量％〜２０重量％のα−アルミナ粒子；
（ｂ）有機酸；
（ｃ）トリアゾール及びベンゾトリアゾールの２成分の腐食抑制剤；ここで、トリアゾールの、ベンゾトリアゾールに対する重量％比が、０．１〜４．８である、
（ｄ）酸化剤；及び
（ｅ）水；
（ｉｉ）前記研磨パッドを前記基板に対して、それらの間の化学的機械的研磨組成物と共に動かすステップ：そして
（ｉｉｉ）前記基板を研磨するために、前記基板の少なくとも一部を研磨するステップ。
【請求項１８】
前記α−アルミナ粒子が２００ｎｍ以下の平均直径を有し、そして前記α−アルミナ粒子の８０％が５００ｎｍ以下の直径を有する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記α−アルミナ粒子が２００ｎｍ以下の平均直径を有し、そして前記α−アルミナ粒子の９０％が５００ｎｍ以下の直径を有する、請求項１５又は１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記α−アルミナ粒子が１００ｎｍ以下の平均直径を有し、そして前記α−アルミナ粒子の９５％が５００ｎｍ以下の直径を有する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記α−アルミナ粒子が１００ｎｍ以下の平均直径を有し、そして前記α−アルミナ粒子の９０％が２００ｎｍ以下の直径を有する、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記研磨パッドを、３ｋＰａ〜２１ｋＰａのダウンフォース圧力を用いて、前記基板に対して動かす、請求項１５又は１７に記載の方法。
【請求項２３】
前記α−アルミナ粒子が、０．１重量％〜５重量％の量で存在する、請求項１５又は１７に記載の方法。
【請求項２４】
前記α−アルミナ粒子が、０．３重量％〜１重量％の量で存在する、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記研磨組成物が、３〜１０のｐＨを有する、請求項１５又は１７に記載の方法。
【請求項２６】
前記有機酸が、マロン酸、コハク酸、アジピン酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸、グリシン、アスパラギン酸、酒石酸、グルコン酸、イミノ二酢酸及びフマル酸から成る群から選択される、請求項１５又は１７に記載の方法。
【請求項２７】
前記有機酸が酒石酸である、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記酸化剤が、臭素酸塩、亜臭素酸塩、塩素酸塩、亜塩素酸塩、過酸化水素、次亜塩素酸塩、ヨウ素酸塩、モノパーオキシ硫酸塩、モノパーオキシ亜硫酸塩、モノパーオキシリン酸塩、モノパーオキシ次リン酸塩、モノパーオキシピロリン酸塩、オルガノ−ハロ−オキシ化合物、過ヨウ素酸塩、過マンガン酸塩、パーオキシ酢酸、及びそれらの混合物から成る群から選択される、請求項１５又は１７に記載の方法。
【請求項２９】
トリアゾールの、ベンゾトリアゾールに対する重量％比が、０．１〜４．４である、請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月22日(2009.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に膜を形成するように適合されている処理チャンバであって、前記チャンバの周辺を囲み、かつ第１の保有縁を有する側壁を含む処理チャンバと、
前記側壁の前記第１の保有縁と接触している外周縁と、前記処理チャンバに延びる内周縁とを有する第１の周辺部材であって、前記処理チャンバに光が入るのをブロックするように適合されている、前記第１の周辺部材と、
前記基板をサポートするように適合されている基板サポートであって、前記処理システム内に配置され、かつ前記第１の周辺部材の前記内周縁と重複する外縁部を有する、前記基板サポートと、を備える基板処理システム。
【請求項２】
前記基板サポートが前記処理チャンバに回転可能に搭載されており、前記外縁部が前記内周縁に接触していない、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記内周縁に面する前記外縁部の表面が光を吸収するように適合されている、請求項２に記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記内周縁に面する前記外縁部の前記表面が複数の溝を備える、請求項３に記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記外縁部に面する前記内周縁の表面が光を吸収するように適合されている、請求項２に記載の基板処理システム。
【請求項６】
前記外縁部に面する前記内周縁の前記表面が粗化表面を備える、請求項５に記載の基板処理システム。
【請求項７】
前記側壁に隣接しており、かつ前記内周縁および前記外縁部と重複するように前記処理チャンバに延びている第２の周辺部材をさらに備える、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項８】
前記処理チャンバを包囲するように前記基板サポート上方に配置されている上部カバーであって、前記基板サポートの領域から発せられた光を前記基板サポートの前記領域に反射し返すための反射表面を備えている上部カバーをさらに備える、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項９】
前記反射表面が、前記基板から発せられた光を前記基板に反射し返して前記基板の有効放射率を増大させるように適合され、
前記基板から発せられた光を収集するための複数の光プローブをさらに備えており、前記反射表面が、前記基板の視界を前記光プローブに提供するために複数の開口を備え、
任意の光プローブの前記視界が前記基板を超えては延びず、
前記光プローブが高温計である、請求項８に記載の基板処理システム。
【請求項１０】
前記光プローブが、前記基板の上方におよそ等距離に放射状に間隔をあけられている、請求項９に記載の基板処理システム。
【請求項１１】
前記基板の実際の放射率を測定するための放射計をさらに備えており、前記基板の温度が、前記光プローブおよび前記放射計のうちの少なくとも一方からの出力を利用して算出される、請求項９に記載の基板処理システム。
【請求項１２】
前記基板に向けられた加熱放射を提供するために前記基板の下方に配置されている照射加熱システムをさらに備えており、前記基板のプロセス加熱が前記照射加熱システムによってのみ実行され、前記照射加熱システムは複数のランプを備えており、前記ランプは前記基板全体に複数の加熱ゾーンを生成し、前記加熱ゾーンは前記基板全体に実質的に均一な加熱分布を作成するように重複している、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項１３】
前記基板サポートが、前記照射加熱システムに一定の吸収率ターゲットを提供するために少なくとも１００Ｗａｔｔｓ／（ｍｅｔｅｒ℃）の熱伝導率を具備する均一な材料から作られたサセプタを備えており、前記サセプタの底部が前記基板の底部表面を全体的にカバーし、かつ前記照射加熱システムによって加熱されるように適合されており、前記サセプタの前記底部が前記照射加熱システムからの放射を吸収するように適合されている、請求項１２に記載の基板処理システム。
【請求項１４】
上部表面を有する基板上に膜を形成するように適合されている膜形成装置における温度測定エラーを低減するための方法であって、前記装置が側壁と、前記側壁から間隔をあけられているサセプタとを含んでいる方法において、前記基板の下方にのみ配置されている加熱システムによって前記基板を加熱するステップと、前記基板の上方からのみ温度を測定するステップと、前記加熱システムから発光された放射が、前記サセプタと、前記サセプタの前記外縁および前記側壁の一部と重複する要素を備えた前記側壁との間のスペースを通過するのをブロックするステップと、を備える方法。
【請求項１５】
前記加熱システムから発光された放射が、前記側壁から前記処理チャンバに通過するのをブロックするステップをさらに備える、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月8日(2009.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の複数の光検出器を有する画像領域を備えたイメージセンサであって：
（ａ）第２導電型の基板；
（ｂ）前記画像領域の全体に及ぶ第１導電型の第１の層；及び
（ｃ）第２導電型の第２の層；
を有し、
前記第１の層は前記基板と前記第２の層との間にあり、前記複数の光検出器は前記第１の層に隣接するように前記第２の層に配置されている、
イメージセンサ。
【請求項２】
前記基板と前記第１の層との間の第２導電型のエピタキシャル層を更に有する請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項３】
デジタルカメラであって：
第１導電型の複数の光検出器を有する画像領域を備えたイメージセンサであり：
（ａ）第２導電型の基板；
（ｂ）前記画像領域の全体に及ぶ第１導電型の第１の層；及び
（ｃ）第２導電型の第２の層；
を有し、
前記第１の層は前記基板と前記第２の層との間にあり、前記複数の光検出器は前記第１の層に隣接するように前記第２の層に配置されている、
イメージセンサ、
を有するデジタルカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月27日(2009.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
並列接続された信号分岐（１１，１２）を備えたバンドパスフィルタにおいて、前記信号分岐（１１，１２）は入力側では入力ノード（１）に、出力側では出力ノード（２）に接続されており、前記２つの信号分岐（１１，１２）で１つのリング共振器が形成されており、該リング共振器内を
2009510851.tif 000001
を有する時計回りのモードと
2009510851.tif 000002
を有する反時計回りのモードとが伝搬し、少なくとも２つの阻止周波数において前記バンドパスフィルタの出力ノード（２）に生じる
2009510851.tif 000003
に関して、
2009510851.tif 000004
が成り立ち、ここで、
2009510851.tif 000005
であり、
前記阻止周波数は当該２つの阻止周波数の間に通過帯域が形成されるように配されている、
ことを特徴とするバンドパスフィルタ。