【手続補正書】
【提出日】平成22年11月25日(2010.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
ブロック３０３において、第２の中間構造３５８（図１２に図示）を形成するために、少なくとも１回の成形作業が第１の中間構造３５０上で実行される。磁性材料の形状を規定するために、マスク３５６によって塞がれていない磁性材料３５２および第１の保護層３６６の除去を、イオンミリングまたは反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）などの他の技術によって、行なうことができる。図１２に示されるように、成形後、基板３５４の一部、磁性材料３５２の一部および第１の保護層３６６の一部が除去される。より特定的には、磁性材料３５２は、後縁３４８と、前縁３４９と、１対の対向する側壁３６２および３６４とを含むように規定される。なお、後縁３４８は、図１に示される記録磁極１１６の後縁１４８に一致する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
ブロック３０５において、第３の中間構造３６８（図１３に図示）を形成するために、第２の保護層３８０が第２の中間構造３５８上に堆積される。第２の保護層３８０は、イオンミリングに晒された基板３５４の部分と接触し、磁性材料３５２の側壁３６２および３６４ならびに第１の保護材料３６６の側面ならびにマスク３５６の部分と接触するように、堆積される。したがって、成形された磁性材料３５２は、側壁３６２および３６４と接触する保護層および後縁３４８上の保護層によって被覆され、保護される。第１の保護層３６６と同様に、第２の保護層３８０は、タンタル（Ｔａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、銅（Ｃｕ）、ダイヤモンド状炭素などの非磁性材料、または、アルミナもしくはさまざまな窒化物もしくは炭化物などの他の類似の材料を含み得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
ブロック３０９において、第５の中間構造３７８（図１５に図示）を形成するために、第４の中間構造３７２の第１の部分３７５が停止面３７４において除去される。第１の部分３７５を除去することによって、成形された磁性材料３５２の後縁３４８上に形成された第１の保護層３６６を晒すように、第２の保護層３８０の一部、埋め戻し材料３７０の一部およびマスク３５６が除去される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
ブロック４０１において、図１８に示されるような第１の中間構造４５０が得られる。第１の中間構造４５０は、基板４５４上に形成された磁性材料４５２を含む。図３の磁性材料２５２および図１１の磁性材料３５２と同様に、磁性材料４５２は、ＦｅＣｏまたは他のタイプの２．４Ｔ鉄コバルトであり得る。基板２５４および基板３５４と同様に、基板４５４は、アルミナまたは他のタイプの絶縁材料であり得る。第１の中間構造４５０は、また、磁性材料４５２上に堆積されたマスク４５６を含む。たとえば、マスク４５６は、フォトレジストまたは硬質マスクであり得る。マスク４５６は、製造される記録磁極の幅を規定することに用いられるように構成される。一般に、記録磁極の幅は、記憶媒体上のトラックの幅に対応すべきである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
実際、不感層４９０が磁性材料４５２上に形成される場合、図２０に示されるような第３の中間構造４６８を形成するために磁性材料４５２上で第２の成形作業を実行することによって、不感層の厚みを除去または低減することができる。第２の成形作業は、イオンミリングまたはＲＩＢＥなどの他の技術によって、第２のエネルギレベルで実行することができる。特に、第２の成形作業は、誘導性イオンビームミルを用いて実行することができる。第２のエネルギレベルは、減少した量または第１のエネルギレベルよりも少ない量のエネルギレベルである。より低いパワーで第２の成形作業を実行することは、第１の成形作業下で形成された損傷層または不感層４９０と比較して、磁性材料の側壁４６２および４６４上の新たな損傷層または不感層４９１が小さくなることを意味する。また、図２０に示されるように、第２の中間構造４５８上での第２の成形作業は、磁性材料４５２と基板４５４との間の境界面に直角（すなわち、磁性材料４５２の前縁４４９に直角）の位置に対して第１の角度４９２で実行される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
ブロック４０５においておよび図２１に示されるように、側壁４６２および４６４上に保護または封じ込め層４６６を形成するために、基板４５４の材料が、イオンビーム打込みを用いて、第２の中間構造４５８または第３の中間構造４６８の磁性材料４５２の側壁４６２および４６４上に再堆積される。特に、基板材料を基板４５４から側壁４６２および４６４上に再堆積させるためにイオンビーム打込みを行なうステップは、磁性材料４５２と基板４５４との間の境界面に直角（すなわち、磁性材料４５２の前縁４４９に直角）の位置において実行される。図２１に示されるように、イオンビーム打込みの直角位置によって、基板４５４のアルミナが基板から解き放たれ、側壁４６２および４６４上に堆積する。図２０に示される第２の成形作業も図２１に示される再堆積作業も、誘導性イオンビームミルを用いて、第２のエネルギレベルで実行することができ、この第２のエネルギレベルは、図１９に示される第１の成形作業を実行するためのエネルギレベルよりも低いエネルギレベルである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランスデューサであって、
後縁と、前縁と、前記後縁および前記前縁の間に延びる１対の対向する側壁とを含むように成形される、基板上に形成された磁性材料と、
成形された磁性材料の前記１対の側壁の各々と接触して位置決めされた保護材料の層と、
前記成形された磁性材料の前記１対の側壁の各々の上の保護材料を取囲む埋め戻し材料とを備える、トランスデューサ。
【請求項２】
前記保護材料の層は、非磁性材料を備える、請求項１に記載の構造。
【請求項３】
前記保護材料の層は、前記成形された磁性材料の前記側壁上にイオンビーム打込みを用いて再堆積された前記基板の材料を備える、請求項１または２に記載の構造。
【請求項４】
前記１対の側壁の各々と接触して位置決めされた前記保護材料の層はさらに、前記成形された磁性材料の前記後縁と接触して位置決めされる、請求項１または２に記載の構造。
【請求項５】
前記トランスデューサの少なくとも一部を形成するために、中間構造上に堆積された絶縁材料の層と、前記絶縁材料の層上に堆積された磁性材料の層とをさらに備える、請求項４に記載の構造。
【請求項６】
前記中間構造上に堆積された前記絶縁材料の層は、間隙を備える、請求項５に記載の構造。
【請求項７】
前記絶縁材料の層上に堆積された前記磁性材料の層は、前面シールドを備える、請求項５または６に記載の構造。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2011023101.tif 000001