【手続補正書】
【提出日】平成23年4月26日(2011.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材の表面に、下地層と、この上にセミアディティブ法により形成された銅めっき層を含む配線パターンを有し、前記端子部の配線のピッチが３０μｍ以下、線幅が６μｍ以上、幅線間の間隔が１５μｍ以下であり、配線の厚さが６〜１５μｍであり、当該配線の表面が平坦であり且つ側面の垂直面に対する傾きが５°以下であることを特徴とするプリント配線基板。
【請求項２】
前記配線パターンが、絶縁基材の表面に導電性の下地層を形成し、該下地層の表面にフォトレジスト層を形成して該フォトレジスト層に所定のパターンを露光・現像してパターニングすることにより前記下地層を露出させる凹部を形成し、この凹部の下地層上に銅めっき層を形成し、その後、パターニングされたフォトレジスト層を剥離し、次いで、フォトレジスト層の剥離により露出した下地層を除去することにより形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線基板。
【請求項３】
前記銅めっき層上の少なくとも端子部に金めっき層が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント配線基板。
【請求項４】
前記銅めっき層の形成をＰＰＲ（周期的逆電流パルス）めっき法で行い、その際に硫酸銅五水和物の濃度が５０〜９０ｇ／Ｌで硫酸濃度が１８０〜２１０ｇ／Ｌのめっき液を用い、印加するパルスの電流密度比を正：負＝１：１．２〜１：１．８の範囲のめっき条件とすることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のプリント配線基板。
【請求項５】
前記銅めっき層の形成で印加するパルスの印加時間を、正を１８〜２０ｍｓｅｃ、負を０．５〜１．５ｍｓｅｃとすることを特徴とする請求項４に記載のプリント配線基板。
【請求項６】
前記下地層が、Ｎｉ−Ｃｒ合金からなるシード層と銅薄膜層とからなることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載のプリント配線基板。
【請求項７】
絶縁基材の表面に導電性の下地層を形成し、該下地層の表面にフォトレジスト層を形成して該フォトレジスト層に所定のパターンを露光・現像してパターニングすることにより前記下地層を露出させる凹部を形成し、この凹部の下地層上に銅めっき層を形成し、その後、パターニングされたフォトレジスト層を剥離し、次いで、フォトレジスト層の剥離により露出した下地層を除去して配線パターンを形成することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記銅めっき層上の少なくとも端子部に金めっき層を形成した後、前記パターニングされたフォトレジスト層を剥離することを特徴とする請求項７に記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記銅めっき層の形成をＰＰＲ（周期的逆電流パルス）めっき法で行い、その際に硫酸銅五水和物の濃度が５０〜９０ｇ／Ｌで硫酸濃度が１８０〜２１０ｇ／Ｌのめっき液を用い、印加するパルスの電流密度比を正：負＝１：１．２〜１：１．８の範囲のめっき条件とすることを特徴とする請求項７又は８に記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記銅めっき層の形成で印加するパルスの印加時間を、正を１８〜２０ｍｓｅｃ、負を０．５〜１．５ｍｓｅｃとすることを特徴とする請求項９に記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項１１】
配線のピッチが３０μｍ以下、線幅が６μｍ以上、幅線間の間隔が１５μｍ以下であり、配線の厚さが６〜１５μｍであり、当該配線の表面が平坦であり且つ側面の垂直面に対する傾きが５°以下である配線パターンを形成することを特徴とする請求項７〜１０の何れか１項に記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記下地層が、Ｎｉ−Ｃｒ合金からなるシード層と銅薄膜層とで形成することを特徴とする請求項７〜１１の何れか１項に記載のプリント配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の第１の態様は、絶縁基材の表面に、下地層と、この上にセミアディティブ法により形成された銅めっき層を含む配線パターンを有し、前記端子部の配線のピッチが３０μｍ以下、線幅が６μｍ以上、幅線間の間隔が１５μｍ以下であり、配線の厚さが６〜１５μｍであり、当該配線の表面が平坦であり且つ側面の垂直面に対する傾きが５°以下であることを特徴とするプリント配線基板にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
かかる第１の態様では、セミアディティブ法による銅めっき層を含む配線パターンを有するので、端子部の配線のピッチが３０μｍ以下、線幅が６μｍ以上、幅線間の間隔が１５μｍ以下であり、配線の厚さが６〜１５μｍであり、当該配線の表面が平坦であり且つ側面の垂直面に対する傾きが５°以下であるプリント配線基板とすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の第２の態様は、前記配線パターンが、絶縁基材の表面に導電性の下地層を形成し、該下地層の表面にフォトレジスト層を形成して該フォトレジスト層に所定のパターンを露光・現像してパターニングすることにより前記下地層を露出させる凹部を形成し、この凹部の下地層上に銅めっき層を形成し、その後、パターニングされたフォトレジスト層を剥離し、次いで、フォトレジスト層の剥離により露出した下地層を除去することにより形成されたものであることを特徴とする第１の態様に記載のプリント配線基板にある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
かかる第２の態様では、所定のセミアディティブ法により銅めっき層を形成し、その後、フォトレジスト層及び下地層を除去することにより配線パターンを得ているので、超ファインピッチの配線でも配線の表面がより平坦となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の第３の態様は、前記銅めっき層上の少なくとも端子部に金めっき層が形成されていることを特徴とする第１又は第２の態様に記載のプリント配線基板にある。
かかる第３の態様では、端子部に金めっき層を有するプリント配線基板となる。
本発明の第４の態様は、前記銅めっき層の形成をＰＰＲ（周期的逆電流パルス）めっき法で行い、その際に硫酸銅五水和物の濃度が５０〜９０ｇ／Ｌで硫酸濃度が１８０〜２１０ｇ／Ｌのめっき液を用い、印加するパルスの電流密度比を正：負＝１：１．２〜１：１．８の範囲のめっき条件とすることを特徴とする第１〜３の何れか１つの態様に記載のプリント配線基板にある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
かかる第４の態様では、銅めっき層を所定の条件のＰＰＲめっきとすることにより、配線の表面がより確実に平坦となる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の第５の態様は、前記銅めっき層の形成で印加するパルスの印加時間を、正を１８〜２０ｍｓｅｃ、負を０．５〜１．５ｍｓｅｃとすることを特徴とする第４の態様に記載のプリント配線基板にある。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
かかる第５の態様では、ＰＰＲ法のパルスを所定のパルスとすることにより、さらに確実に平坦な超ファインピッチの配線のプリント配線基板とすることができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の第６の態様は、前記下地層が、Ｎｉ−Ｃｒ合金からなるシード層と銅薄膜層とからなることを特徴とする第１〜５の何れか１つの態様に記載のプリント配線基板にある。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
かかる第６の態様では、下地層をＮｉ−Ｃｒ合金からなるシード層と銅薄膜層とで形成された超ファインピッチの配線パターンを有するプリント配線基板とすることができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明の第７の態様は、絶縁基材の表面に導電性の下地層を形成し、該下地層の表面にフォトレジスト層を形成して該フォトレジスト層に所定のパターンを露光・現像してパターニングすることにより前記下地層を露出させる凹部を形成し、この凹部の下地層上に銅めっき層を形成し、その後、パターニングされたフォトレジスト層を剥離し、次いで、フォトレジスト層の剥離により露出した下地層を除去して配線パターンを形成することを特徴とするプリント配線基板の製造方法にある。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
かかる第７の態様では、セミアディティブ法による銅めっき層を含む配線パターンを形成し、その後、レジストパターンと下地層とを除去するようにすることにより、超ファインピッチで表面が平坦な配線を有するプリント配線基板を形成することができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明の第８の態様は、前記銅めっき層上の少なくとも端子部に金めっき層を形成した後、前記パターニングされたフォトレジスト層を剥離することを特徴とする第７の態様に記載のプリント配線基板の製造方法にある。
かかる第８の態様では、銅めっき層の端子部上に金めっき層を有するプリント配線基板が形成できる。
本発明の第９の態様は、前記銅めっき層の形成をＰＰＲ（周期的逆電流パルス）めっき法で行い、その際に硫酸銅五水和物の濃度が５０〜９０ｇ／Ｌで硫酸濃度が１８０〜２１０ｇ／Ｌのめっき液を用い、印加するパルスの電流密度比を正：負＝１：１．２〜１：１．８の範囲のめっき条件とすることを特徴とする第６の態様に記載のプリント配線基板の製造方法にある。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
かかる第９の態様では、銅めっき層の形成を所定条件下のＰＰＲ法で行うことにより、より確実に横断面の表面が平坦な超ファインピッチの配線を形成することができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明の第１０の態様は、前記銅めっき層の形成で印加するパルスの印加時間を、正を１８〜２０ｍｓｅｃ、負を０．５〜１．５ｍｓｅｃとすることを特徴とする第９の態様に記載のプリント配線基板の製造方法にある。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
かかる第１０の態様では、ＰＰＲ法のパルスを所定のパルスとすることにより、さらに確実に平坦な超ファインピッチの配線を製造できる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明の第１１の態様は、配線のピッチが３０μｍ以下、線幅が６μｍ以上、幅線間の間隔が１５μｍ以下であり、配線の厚さが６〜１５μｍであり、当該配線の表面が平坦であり且つ側面の垂直面に対する傾きが５°以下である配線パターンを形成することを特徴とする第７〜１０の何れか１つの態様に記載のプリント配線基板の製造方法にある。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
かかる第１１の態様では、端子部の配線のピッチが３０μｍ以下、線幅が６μｍ以上、幅線間の間隔が１５μｍ以下であり、配線の厚さが６〜１５μｍであり、当該配線の表面が平坦であり且つ側面の垂直面に対する傾きが５°以下であるプリント配線基板を得ることができる。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明の第１２の態様は、前記下地層が、Ｎｉ−Ｃｒ合金からなるシード層と銅薄膜層とで形成することを特徴とする第７〜１１の何れか１つの態様に記載のプリント配線基板の製造方法にある。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
かかる第１２の態様では、下地層をＮｉ−Ｃｒ合金からなるシード層と銅薄膜層とで形成することにより、銅めっき層が良好に形成でき且つレジスト剥離後の下地層の除去が比較的容易であり、より確実に表面が平坦な超ファインピッチの配線パターンが得られる。