Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月25日(2011.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性を有する基板と、
前記基板上の、第１の島状半導体層を有する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタ上の、第２の島状半導体層を有する第２のトランジスタと、を有し、
前記第１の島状半導体層と前記第２の島状半導体層とは重ならず、
前記第１の島状半導体層は、第１のソース領域及び第１のドレイン領域を有し、
前記第２の島状半導体層は、第２のソース領域及び第２のドレイン領域を有し、
前記第１のソース領域、前記第１のドレイン領域、前記第２のソース領域、及び前記第２のドレイン領域を前記基板側からの同一のレーザ照射により加熱するために、前記第１の島状半導体層と前記基板との間、及び前記第２の島状半導体層と前記基板との間には、単層又は積層の光透過性を有する層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
光透過性を有する基板と、
前記基板上の、第１の島状半導体層を有する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタ上の、第２の島状半導体層を有する第２のトランジスタと、
前記第２のトランジスタ上の、第３の島状半導体層を有する第３のトランジスタと、を有し、
前記第１の島状半導体層、前記第２の島状半導体層、及び前記第３の島状半導体層はそれぞれが重ならず、
前記第１の島状半導体層は、第１のソース領域及び第１のドレイン領域を有し、
前記第２の島状半導体層は、第２のソース領域及び第２のドレイン領域を有し、
前記第３の島状半導体層は、第３のソース領域及び第３のドレイン領域を有し、
前記第１乃至第３のソース領域、及び前記第１乃至第３のドレイン領域を前記基板側からの同一のレーザ照射により加熱するために、前記第１の島状半導体層と前記基板との間、前記第２の島状半導体層と前記基板との間、及び前記第３の島状半導体層と前記基板との間には、単層又は積層の光透過性を有する層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の島状半導体層は単結晶半導体からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記基板は、ガラス基板、石英基板、セラミック基板、又はサファイア基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
光透過性を有する基板上に、第１の島状半導体層を有する第１のトランジスタを形成し、
前記第１のトランジスタ上に、前記第１の島状半導体層と重ならない第２の島状半導体層を有する第２のトランジスタを形成し、
前記基板側からレーザ照射して、前記第１の島状半導体層に設けられた第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、前記第２の島状半導体層に設けられた第２のソース領域及び第２のドレイン領域とを同時に加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
光透過性を有する基板上に、第１の島状半導体層を有する第１のトランジスタを形成し、
前記第１のトランジスタ上に、前記第１の島状半導体層と重ならない第２の島状半導体層を有する第２のトランジスタを形成し、
前記第１の島状半導体層及び前記第２の島状半導体と重ならない第３の島状半導体層を有する第３のトランジスタを形成し、
前記基板側からレーザ照射して、前記第１の島状半導体層に設けられた第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、前記第２の島状半導体層に設けられた第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、前記第３の島状半導体層に設けられた第３のソース領域及び第３のドレイン領域とを同時に加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
光透過性を有する基板上に、第１の島状半導体層を有する第１のトランジスタを形成し、
前記第１のトランジスタ上に、前記第１の島状半導体層と重ならない第２の島状半導体層を有する第２のトランジスタを形成し、
前記第１の島状半導体層又は前記第２の島状半導体と重なる第３の島状半導体層を有する第３のトランジスタを形成し、
前記基板側からレーザ照射して、前記第１の島状半導体層に設けられた第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、前記第２の島状半導体層に設けられた第２のソース領域及び第２のドレイン領域とを同時に加熱し、
前記基板側とは反対側からレーザ照射して、前記第３の島状半導体層に設けられた第３のソース領域及び第３のドレイン領域を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一項において、
前記第１の島状半導体層は、水素イオン注入剥離法により単結晶半導体から剥離され、絶縁層を介して前記基板に張り合わされていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月4日(2011.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共鳴光による量子干渉効果を利用した原子発振器であって、
前記共鳴光を出射する光源と、
ガス状の金属原子が封入され前記共鳴光が入射されるガスセルと、
前記共鳴光が通過する開口部を有し前記ガスセルを加熱する加熱手段と、
前記ガスセルを通過した前記共鳴光を検出する光検出手段と、を備えたことを特徴とする原子発振器。
【請求項２】
前記共鳴光が通過する開口部を有し前記ガスセルを加熱する第１の加熱手段と、
前記共鳴光が通過する開口部を有し前記ガスセルを加熱する第２の加熱手段と、
前記ガスセルが前記第１の加熱手段と前記第２の加熱手段とに挟まれた構成と、を備えたことを特徴とする請求項１に記載の原子発振器。
【請求項３】
前記ガスセルを通過した前記共鳴光を反射して前記ガスセルへ入射させる反射手段を備え、
前記加熱手段は、前記光源からの前記共鳴光が通過する第１の開口部と、前記反射手段からの前記共鳴光が通過する第２の開口部と、を備えたことを特徴とする請求項1記載の原子発振器。
【請求項４】
前記ガスセルを通過した前記共鳴光を反射して前記ガスセルへ入射させる反射手段を備え、
前記第１の加熱手段は、前記光源からの前記共鳴光が通過する第１の開口部と、前記反射手段からの前記共鳴光が通過する第２の開口部を備え、
前記第２の加熱手段は、前記光源からの前記共鳴光が通過する第３の開口部と、  前記反射手段からの前記共鳴光が通過する第４の開口部を備えたことを特徴とする請求項２記載の原子発振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】原子発振器
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月7日(2011.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
本発明の第２の実施形態の入力調整ユニット２ａを図６及び図７に示す。この入力調整ユニット２ａの回路は、擬似線路回路群１００と、図３に示した可変減衰器５０と、周波数特性等化器群１０２とを縦続接続した縦続接続体に構成されている。擬似線路回路群１００は、図３に示した擬似線路回路３４、３６、３８、４０、スライドスイッチ４２、４４、４６、４８からなり、これらは図３と同様に接続されている。周波数特性等化器群１０２は、図３に示した周波数特性等化器５２、５４、５６、５８、スライドスイッチ６０、６２、６４、６６からなり、これらは図３と同様に接続されている。また、第１の実施形態と同様にソケット６８、７４を有しているが、ソケット７４も、図７に示すようにケース７２内に収容されている。そして、擬似線路回路群１００の一端がソケット６８のピン６８ａに接続され、周波数特性等化器群１０２の一端がソケット７４のピン７４ｂに接続されている。なお、ソケット６８、７４のピン６８ｂ、７４ａは、接地電位に接続されている。或いは空き端子とされている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2009218635.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月6日(2010.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント基板に実装された表面実装デバイスと、
前記プリント基板に取り付けられ、前記表面実装デバイスの上面の少なくとも一部を覆う天板を有する補強部材と、
前記補強部材の前記天板を貫通して前記表面実装デバイスの上面に当接し、固着部材によって前記天板に固定された前記表面実装デバイスの押さえ部材とを備えた表面実装デバイスの実装構造体。
【請求項２】
前記押さえ部材が、押さえピン及び押さえバーの少なくとも１つである、請求項１に記載の表面実装デバイスの実装構造体。
【請求項３】
前記押さえ部材における前記表面実装デバイスの上面に当接した部位が、前記表面実装デバイスの端子と前記プリント基板の電極との半田接続部の上方に位置している、請求項２に記載の表面実装デバイスの実装構造体。
【請求項４】
前記押さえ部材は４本の押さえピンからなり、前記４本の押さえピンは前記表面実装デバイスの方形状上面の４つのコーナー部に当接している、請求項１に記載の表面実装デバイスの実装構造体。
【請求項５】
前記押さえ部材は押さえバーからなり、その押さえバーは前記表面実装デバイスの上面に当接するバーと、前記バーに連結され、前記補強部材の前記天板を貫通し、固着部材によって前記天板に固定された支持ピンとを備えた、請求項１に記載の表面実装デバイスの実装構造体。
【請求項６】
前記押さえバーを４個備え、前記４個の押さえバーの各バーは前記表面実装デバイスの方形状上面の４つの辺に沿って配置されている、請求項５に記載の表面実装デバイスの実装構造体。
【請求項７】
前記プリント基板に設けられた位置決め孔に、前記補強部材の一部が嵌挿され、固定されている、請求項１〜６のいずれかに記載の表面実装デバイスの実装構造体。
【請求項８】
プリント基板上に配置された表面実装デバイスの補強実装方法であって、
前記表面実装デバイスを覆う天板を有し、かつ、その天板を貫通した状態で該天板に半田付け部により固定された押さえ部材を有する補強部材を用意し、
前記補強部材を、その天板が前記表面実装デバイスの上面を覆った状態で、かつ、前記押さえ部材が前記表面実装デバイスの上面から離れた状態で前記プリント基板上に配置し、
前記半田付け部を加熱溶融することにより、前記押さえ部材を自重下降させてその押さえ部材を前記表面実装デバイスの上面に当接させ、
前記半田付け部の冷却固化により前記押さえ部材は前記天板に再固定され、表面実装デバイスはその上面が前記押さえ部材によって押えられるようにしたことを特徴とする表面実装デバイスの補強実装方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、本実施の形態の実装構造体１においては、押さえピン９を４本設け、４本の押さえピン９を、それぞれ、ＢＧＡパッケージ３の方形状上面の４つの各コーナー部に当接させているので、押さえピン９による力がＢＧＡパッケージ３に均一に加わることとなる。その結果、押さえピン９を設けたことに起因してＢＧＡパッケージ３の半田接合部（外部接合端子部）に新たなストレスがかかることはない。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月8日(2011.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データを画像受信装置に送信する画像送信装置であって、
前記画像データを送信する送信先の画像受信装置と前記画像受信装置において実行される処理との指示を入力する入力手段と、
前記入力手段によって、前記画像データを前記画像受信装置へリモートコピーし、かつ、前記画像データを前記画像受信装置の記憶部に格納する指示が入力された場合、前記画像データに対してハーフトーン化する処理を行い、前記ハーフトーン化された画像データを前記画像受信装置へ送信する第１の送信手段と、
前記第１の送信手段によって前記ハーフトーン化された画像データが送信された後、前記ハーフトーン化する前の画像データを前記画像受信装置へ送信する第２の送信手段と、
を有することを特徴とする画像送信装置。
【請求項２】
前記画像受信装置との通信により、前記画像受信装置の稼働状態を示す送信先情報を取得する取得手段と、
前記送信先情報に基づいて、前記画像受信装置が印刷処理を実行できるか否かを判定する印刷処理判定手段とを更に備えることを特徴とする請求項１に記載の画像送信装置。
【請求項３】
前記送信先情報には、前記画像受信装置がエラー状態であるかを示す情報、前記画像受信装置における画像処理部のキャリブレーションの実行に関する情報が含まれることを特徴とする請求項２に記載の画像送信装置。
【請求項４】
前記取得手段によって取得された前記画像処理部のキャリブレーションの実行に関する情報と、予め記憶部に格納されている前記画像処理部のキャリブレーションの実行に関する情報とを比較する比較手段を更に備え、
前記比較手段による比較の結果、前記取得された前記キャリブレーションの実行に関する情報が予め前記記憶部に格納されている前記キャリブレーションの実行に関する情報と一致しない場合、前記取得手段は、前記画像受信装置から前記画像処理部の特性を示す情報を取得することを特徴とする請求項３に記載の画像送信装置。
【請求項５】
前記印刷処理判定手段により前記画像受信装置において印刷処理が実行できないと判定された場合、前記第２の送信手段は、多値画像データを前記画像受信装置に送信することを特徴とする請求項４に記載の画像送信装置。
【請求項６】
前記キャリブレーションの実行に関する情報には、次回のキャリブレーション開始までの印刷可能枚数と、キャリブレーション開始枚数に到達したときに印刷処理を中断するか印刷処理を継続するかの動作内容と、が含まれることを特徴とする請求項５に記載の画像送信装置。
【請求項７】
前記キャリブレーションの実行に関する情報に基づき、ハーフトーン画像データの印刷処理の途中でキャリブレーションが開始されて印刷処理が中断されるか判定する中断判定手段を更に備え、
前記中断判定手段の判定結果により前記印刷処理が中断されると判定された場合、前記第２の送信手段は、前記多値画像データを前記画像受信装置に送信することを特徴とする請求項６に記載の画像送信装置。
【請求項８】
画像データを画像受信装置に送信する画像送信装置における画像データの処理方法であって、
前記画像送信装置の入力手段が、前記画像データを送信する送信先の画像受信装置と前記画像受信装置において実行される処理との指示を入力する入力工程と、
前記画像送信装置の第１の送信手段が、前記入力工程によって、前記画像データを前記画像受信装置へリモートコピーし、かつ、前記画像データを前記画像受信装置の記憶部に格納する指示が入力された場合、前記画像データに対してハーフトーン化する処理を行い、前記ハーフトーン化された画像データを前記画像受信装置へ送信する第１の送信工程と、
前記画像送信装置の第２の送信手段が、前記第１の送信工程によって前記ハーフトーン化された画像データが送信された後、前記ハーフトーン化する前の画像データを前記画像受信装置へ送信する第２の送信工程と、
を有することを特徴とする画像データの処理方法。
【請求項９】
画像データを画像受信装置に送信する画像送信装置であって、
前記画像データとして、ハーフトーン画像データを前記画像受信装置に送信するハーフトーン画像データ送信手段と、
前記ハーフトーン画像データが送信された後に、前記ハーフトーン画像データに対応する多値画像データを前記画像受信装置に送信する多値画像データ送信手段と、
を有することを特徴とする画像送信装置。
【請求項１０】
前記画像データを印刷する指定と、前記画像データを再利用するための指定とがされている場合に、前記多値画像データ送信手段が実行されることを特徴とする請求項９に記載の画像送信装置。
【請求項１１】
前記画像受信装置の画像処理部においてキャリブレーションが実行された場合に、前記多値画像データ送信手段が実行されることを特徴とする請求項９に記載の画像送信装置。
【請求項１２】
コンピュータを、
画像データを送信する送信先の画像受信装置と前記画像受信装置において実行される処理との指示を入力する入力手段と、
前記入力手段によって、前記画像データを前記画像受信装置へリモートコピーし、かつ、前記画像データを前記画像受信装置の記憶部に格納する指示が入力された場合、前記画像データに対してハーフトーン化する処理を行い、前記ハーフトーン化された画像データを前記画像受信装置へ送信する第１の送信手段と、
前記第１の送信手段によって前記ハーフトーン化された画像データが送信された後、前記ハーフトーン化する前の画像データを前記画像受信装置へ送信する第２の送信手段として機能させるためのプログラム。
【請求項１３】
コンピュータを、
画像受信装置に送信する画像データとして、ハーフトーン画像データを前記画像受信装置に送信するハーフトーン画像データ送信手段と、
前記ハーフトーン画像データが送信された後に、前記ハーフトーン画像データに対応する多値画像データを前記画像受信装置に送信する多値画像データ送信手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像送信装置、画像データの処理方法、およびプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明に係る画像データを画像受信装置に送信する画像送信装置は、
前記画像データを送信する送信先の画像受信装置と前記画像受信装置において実行される処理との指示を入力する入力手段と、
前記入力手段によって、前記画像データを前記画像受信装置へリモートコピーし、かつ、前記画像データを前記画像受信装置の記憶部に格納する指示が入力された場合、前記画像データに対してハーフトーン化する処理を行い、前記ハーフトーン化された画像データを前記画像受信装置へ送信する第１の送信手段と、
前記第１の送信手段によって前記ハーフトーン化された画像データが送信された後、前記ハーフトーン化する前の画像データを前記画像受信装置へ送信する第２の送信手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月15日(2010.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のサブキャリアを含むコントロールチャネルエレメントが複数結合されて構成された制御チャネルを用いて端末装置に対して制御信号を送信する基地局であって、
複数のコントロールチャネルエレメントの結合からなる制御チャネル候補をそれぞれ複数含む複数の制御チャネル候補群のうち、第１の端末装置に対応する第１の制御チャネル候補群に含まれる制御チャネル候補から前記第１の端末装置に対する制御チャネルを決定し、
前記複数の制御チャネル候補群のうち、第２の端末装置に対応する第２の制御チャネル候補群に含まれる制御チャネル候補から前記第２の端末装置に対する制御チャネルを決定するように構成され、
前記第１の制御チャネル候補群と第２の制御チャネル候補群とは共通の制御チャネル候補を含む
ことを特徴とする基地局。
【請求項２】
前記第１の制御チャネル候補群および第２の制御チャネル候補群は、それぞれ複数種類の数のコントロールチャネルエレメントの結合からなる制御チャネル候補を含み、前記第１の制御チャネル候補群と第２の制御チャネル候補群に共通に含まれる制御チャネル候補は、所定数以上のコントロールチャネルエレメントの結合からなる
ことを特徴とする請求項１に記載の基地局。
【請求項３】
前記コントロールチャネルエレメントは連続した番号を付され、前記第１の制御チャネル候補群および第２の制御チャネル候補群に含まれる制御チャネル候補は、それぞれ所定範囲の連続した番号を付された複数のコントロールチャネルエレメントの結合からなる
ことを特徴とする請求項２に記載の基地局。
【請求項４】
前記第１の制御チャネル候補群および第２の制御チャネル候補群は、それぞれ２個、４個または８個のコントロールチャネルエレメントの結合からなる制御チャネル候補を含み、前記第１の制御チャネル候補群と第２の制御チャネル候補群に共通に含まれる制御チャネル候補は、４個または８個のコントロールチャネルエレメントの結合からなる
ことを特徴とする請求項１に記載の基地局。
【請求項５】
前記コントロールチャネルエレメントは総数が３２個であって連続した番号を付され、前記第１の制御チャネル候補群および第２の制御チャネル候補群に含まれる制御チャネル候補は、それぞれ連続した番号を付されたコントロールチャネルエレメントの結合からなる
ことを特徴とする請求項４に記載の基地局。
【請求項６】
前記制御チャネルには１つのコントロールチャネルエレメントからなるものを含み、
前記制御チャネル候補には１つのコントロールチャネルエレメントからなるものを含む
ことを特徴とする請求項１、２または４に記載の基地局。
【請求項７】
複数のサブキャリアを含むコントロールチャネルエレメントが複数結合されて構成された制御チャネルを用いて端末装置に対して制御信号を送信する基地局における無線通信方法であって、
複数のコントロールチャネルエレメントの結合からなる制御チャネル候補をそれぞれ複数含む複数の制御チャネル候補群のうち、第１の端末装置に対応する第１の制御チャネル候補群に含まれる制御チャネル候補から前記第１の端末装置に対する制御チャネルを決定する第１制御チャネル決定ステップと、
前記複数の制御チャネル候補群のうち、第２の端末装置に対応する第２の制御チャネル候補群に含まれる制御チャネル候補から前記第２の端末装置に対する制御チャネルを決定する第２制御チャネル決定ステップと、
を備え、
前記第１の制御チャネル候補群と第２の制御チャネル候補群とは共通の制御チャネル候補を含む
ことを特徴とする無線通信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基地局および無線通信方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月14日(2011.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性多孔質体と疎水性材料とからなるガス拡散層において、
前記ガス拡散層の表面に存在する疎水性材料の量が、前記ガス拡散層の内部に存在する疎水性材料の量よりも多く、
前記ガス拡散層の表面の少なくとも一部の領域である領域（ａ）の疎水性が、前記ガス拡散層の内部の少なくとも一部の領域であって前記領域（ａ）に隣接して存在する領域である領域（ｂ）の疎水性よりも高く、
前記疎水性材料が、少なくとも一つの官能基を有するフッ素化合物であることを特徴とするガス拡散層。
【請求項２】
前記フッ素化合物の分子量が、１００００以下であることを特徴とする請求項１に記載のガス拡散層。
【請求項３】
請求項１または２に記載のガス拡散層と、アノードと、カソードと、を有することを特徴とする膜電極接合体。
【請求項４】
請求項１または２に記載のガス拡散層と、アノードと、カソードと、燃料供給層と、を有することを特徴とする固体高分子型燃料電池。
【請求項５】
前記固体高分子型燃料電池が、前記ガス拡散層に接触して存在する酸素供給層もしくは燃料供給層を有し、前記ガス拡散層の表面の少なくとも一部の領域が、前記ガス拡散層の前記酸素供給層と接触する部分を含むことを特徴とする請求項４に記載の固体高分子型燃料電池。
【請求項６】
導電性多孔質体の表面に少なくとも一つの官能基を有する疎水性化合物を付与する工程と、
前記疎水性化合物が付与された前記導電性多孔質体にＵＶ光を照射して前記疎水性化合物を前記導電性多孔質体に固定する工程と、
を有することを特徴とするガス拡散層の製造方法。
【請求項７】
前記疎水性化合物の分子量が１００００以下であることを特徴とする請求項６に記載のガス拡散層の製造方法。
【請求項８】
前記導電性多孔質体の表面に少なくとも一つの官能基を有する疎水性化合物を付与する工程が、前記疎水性化合物を溶媒に溶解させた溶液を前記導電性多孔質体の表面に付与する工程であることを特徴とする請求項６または７に記載のガス拡散層の製造方法。
【請求項９】
前記疎水性化合物が付与された前記導電性多孔質体にＵＶ光を照射して前記疎水性化合物を前記導電性多孔質体に固定する工程が、前記疎水性化合物が付与された前記導電性多孔質体に２００℃以下の温度を付与し、かつＵＶを照射して前記疎水性化合物を前記導電性多孔質体に固定する工程であることを特徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載のガス拡散層の製造方法。
【請求項１０】
前記疎水性化合物がフッ素化合物であることを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載のガス拡散層の製造方法。
【請求項１１】
前記導電性多孔質体が支持層とマイクロポーラス層とを有することを特徴とする請求項６乃至１０のいずれかに記載のガス拡散層の製造方法。
【請求項１２】
請求項６乃至１１のいずれかに記載のガス拡散層を製造する工程を有することを特徴とする膜電極接合体の製造方法。
【請求項１３】
請求項６乃至１１のいずれかに記載のガス拡散層を製造する工程を有することを特徴とする燃料電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、導電性多孔質体と疎水性材料とからなるガス拡散層において、
前記ガス拡散層の表面に存在する疎水性材料の量が、前記ガス拡散層の内部に存在する疎水性材料の量よりも多く、
前記ガス拡散層の表面の少なくとも一部の領域である領域（ａ）の疎水性が、前記ガス拡散層の内部の少なくとも一部の領域であって前記領域（ａ）に隣接して存在する領域である領域（ｂ）の疎水性よりも高く、
前記疎水性材料が、少なくとも一つの官能基を有するフッ素化合物であることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記フッ素化合物の分子量が、１００００以下であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月25日(2011.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セパレータを介して対向された正極および負極と、非水電解質と、を備え、
上記正極、上記負極、上記セパレータおよび上記非水電解質のうちの少なくとも１つは、式（１）で表される化合物を含む
二次電池。
【化１】
2009218191.tif 000001
（Ｒ１〜Ｒ５は水素または置換基である。Ｒ１〜Ｒ５は同一であっても、異なっていてもよく、結合していてもよい。Ｘは−ＯＭ、アミノ基またはハロゲン基である。Ｍは長周期型周期表における１族元素もしくは２族元素、または炭化水素基もしくはアルキルシリル基である。ｎ＝０〜４である。）
【請求項２】
上記式（１）で表される化合物は、式（２）で表される化合物である
請求項１記載の二次電池。
【化２】
2009218191.tif 000002
（Ｒ１〜Ｒ５は水素または置換基である。Ｒ１〜Ｒ５は同一であっても、異なっていてもよく、結合していてもよい。Ｘは−ＯＭ、アミノ基またはハロゲン基である。Ｍは長周期型周期表における１族元素もしくは２族元素、または炭化水素基もしくはアルキルシリル基である。）
【請求項３】
上記式（１）で表される化合物は、式（３）、式（４）または式（５）で表される化合物である
請求項１記載の二次電池。
【化３】
2009218191.tif 000003
（Ｒ１〜Ｒ５は水素または置換基である。Ｒ１〜Ｒ５は同一であっても、異なっていてもよく、結合していてもよい。ｎ＝０〜４である。）
【化４】
2009218191.tif 000004
（Ｒ１〜Ｒ５は水素または置換基である。Ｒ１〜Ｒ５は同一であっても、異なっていてもよく、結合していてもよい。ｎ＝０〜４である。）
【化５】
2009218191.tif 000005
（Ｒ１〜Ｒ５は水素または置換基である。Ｒ１〜Ｒ５は同一であっても、異なっていてもよく、結合していてもよい。Ｒ６は炭化水素基である。ｎ＝０〜４である。）
【請求項４】
上記式（１）で表される化合物は、式（６）、式（７）または式（８）で表される化合物である
請求項１記載の二次電池。
【化６】
2009218191.tif 000006
（Ｒ１〜Ｒ５は水素または置換基である。Ｒ１〜Ｒ５は同一であっても、異なっていてもよく、結合していてもよい。）
【化７】
2009218191.tif 000007
（Ｒ１〜Ｒ５は水素または置換基である。Ｒ１〜Ｒ５は同一であっても、異なっていてもよく、結合していてもよい。）
【化８】
2009218191.tif 000008
（Ｒ１〜Ｒ５は水素または置換基である。Ｒ１〜Ｒ５は同一であっても、異なっていてもよく、結合していてもよい。Ｒ６は炭化水素基である。）
【請求項５】
上記非水電解質は、上記式（１）で表される化合物を含む
請求項１記載の二次電池。
【請求項６】
上記負極活物質層は、ケイ素（Ｓｉ）およびスズ（Ｓｎ）のうちの少なくとも１種を構成元素として含む材料を有する
請求項１記載の二次電池。
【請求項７】
上記負極は、負極集電体に設けられた負極活物質層上に被膜を有し、
上記被膜は、上記式（１）で表される化合物を含む
請求項１記載の二次電池。
【請求項８】
上記負極活物質層は、複数の負極活物質粒子を有すると共に、上記負極活物質粒子の表面を被覆する酸化物含有膜を有する
請求項７記載の二次電池。
【請求項９】
上記酸化物含有膜は、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）およびスズ（Ｓｎ）のうちの少なくとも１種の酸化物を含む
請求項８記載の二次電池。
【請求項１０】
上記負極活物質層は、複数の負極活物質粒子を有すると共に、上記負極活物質粒子間の隙間に電極反応物質と合金化しない金属材料を有する
請求項７記載の二次電池。
【請求項１１】
上記金属材料は、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）および銅（Ｃｕ）のうちの少なくとも１種である
請求項１０記載の二次電池。
【請求項１２】
上記正極は、正極集電体に設けられた正極活物質層上に被膜を有し、
上記被膜は、式（１）で表される化合物を含む
請求項１記載の二次電池。
【請求項１３】
上記セパレータは、その表面に被膜を有し、
上記被膜は、上記式（１）で表される化合物を含む
請求項１記載の二次電池。
【請求項１４】
セパレータを介して対向された正極および負極と、非水電解質と、を備えた二次電池における、
上記正極、上記負極、上記セパレータおよび上記非水電解質のうちの少なくとも１つに式（１）で表される化合物を含ませる
二次電池の製造方法。
【化９】
2009218191.tif 000009
（Ｒ１〜Ｒ５は水素または置換基である。Ｒ１〜Ｒ５は同一であっても、異なっていてもよく、結合していてもよい。Ｘは−ＯＭ、アミノ基またはハロゲン基である。Ｍは長周期型周期表における１族元素もしくは２族元素、または炭化水素基もしくはアルキルシリル基である。ｎ＝０〜４である。）
【請求項１５】
上記正極は、正極集電体上に正極活物質層を有し、上記負極は、負極集電体上に負極活物質層を有し、
上記式（１）で表される化合物を含有する溶液を用いて、上記正極活物質層、上記負極活物質層および上記セパレータのうちの少なくとも１つの表面に、上記式（１）で表される化合物を含む被膜を形成する
請求項１４記載の二次電池の製造方法。
【請求項１６】
上記式（１）で表される化合物を含有する溶液中に上記正極活物質層、上記負極活物質層および上記セパレータのうちの少なくとも１つを浸漬し、または上記式（１）で表される化合物を含有する溶液を上記正極活物質層、上記負極活物質層および上記セパレータのうちの少なくとも１つの表面に塗布する
請求項１５記載の二次電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】二次電池およびその製造方法  
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、正極および負極と共に非水電解質を備える二次電池およびその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
したがって、この発明の目的は、サイクル特性を向上させることができる二次電池およびその製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月23日(2011.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
時間軸とチャンネル軸を有する２次元マップ上に、番組情報を配置して表示する番組マップ表示手段と、
番組情報の中から特定の番組を抽出する第１の特定番組抽出手段と、
特定の時間情報を入力する特定時間情報入力手段と、
前記入力された時間情報に関する番組を、前記第１の特定番組抽出手段で抽出された番組から抽出する第２の特定番組抽出手段と、
前記番組マップ表示手段により表示された番組マップ内において、前記第２の特定番組抽出手段で抽出された番組を含むチャンネルを、チャンネル単位で隣接するように並び替えを行うチャンネル単位移動手段と、
を備える電子番組表表示装置。
【請求項２】
前記特定の時間情報は、特定の時刻の情報であり、
前記第２の特定番組抽出手段は、前記入力された特定時刻が、番組の開始時刻から終了時刻の間に含まれるような番組を、前記第１の特定番組抽出手段で抽出された番組から抽出する、
請求項１に記載の電子番組表表示装置。
【請求項３】
前記特定の時間情報は、特定の時間帯の情報であり、
前記第２の特定番組抽出手段は、前記入力された特定時間帯に、少なくとも番組の開始時刻もしくは終了時刻のどちらか一方が含まれるような番組を、前記第１の特定番組抽出手段で抽出された番組から抽出する、
請求項１に記載の電子番組表表示装置。
【請求項４】
前記特定時間情報入力手段は、カーソルにより、前記番組マップ表示手段により表示された番組マップ内の時間軸の特定の時間情報を指定する、
請求項１から３のいずれかに記載の電子番組表表示装置。
【請求項５】
前記番組マップ表示手段は、表示する番組マップ内の番組のうち、前記第１の特定番組抽出手段によって抽出された番組を、他とは区別して番組マップ内に表示する、
請求項１から４のいずれかに記載の電子番組表表示装置。
【請求項６】
時間軸とチャンネル軸を有する２次元マップ上に、番組情報を配置して表示する番組マップ表示ステップと、
番組情報の中から特定の番組を抽出する第１の特定番組抽出ステップと、
特定の時間情報を入力する特定時間情報入力ステップと、
前記入力された時間情報に関する番組を、前記第１の特定番組抽出手段で抽出された番組から抽出する第２の特定番組抽出ステップと、
前記番組マップ表示手段により表示された番組マップ内において、前記第２の特定番組抽出手段で抽出された番組を含むチャンネルを、チャンネル単位で隣接するように並び替えを行うチャンネル単位移動ステップと、
を備える電子番組表表示方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月9日(2011.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動子と、
前記振動子を駆動する駆動回路を有する半導体基板と、
前記半導体基板の一方の面を覆う絶縁性の樹脂膜と、
前記半導体基板及び前記樹脂膜を貫通する貫通孔内の面、及び前記樹脂膜の一方の面の一部を覆う導電部と、を有し、
前記振動子と前記駆動回路とが前記導電部を介して電気的に接続されていることを特徴とする圧電発振器。
【請求項２】
前記駆動回路が前記半導体基板の一方の面の反対面である他方の面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の圧電発振器。
【請求項３】
前記導電部が、前記貫通孔の内側において円柱状に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の圧電発振器。
【請求項４】
前記樹脂膜における前記貫通孔の内寸が前記半導体基板における前記貫通孔の内寸よりも大きくなっていることを特徴とする請求項３に記載の圧電発振器。
【請求項５】
前記半導体基板と前記樹脂膜との間に無機材料からなる絶縁膜が設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の圧電発振器。
【請求項６】
前記樹脂膜の厚みが１０μｍ以上となっていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の圧電発振器。
【請求項７】
前記樹脂膜の一方の面に凹部が設けられており、
前記樹脂膜の一方の面及び前記凹部内の面に前記導電部の一部が設けられていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の圧電発振器。
【請求項８】
前記振動子が２以上の端子を有しており、
前記端子の各々に対応させて前記導電部が設けられており、
前記樹脂膜の一方の面における複数の前記導電部の間に、絶縁部が設けられていること特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の圧電発振器。
【請求項９】
振動子と、
前記振動子を駆動する駆動回路を有する半導体基板と、
前記半導体基板の一方の面を覆う絶縁性の樹脂膜と、
前記半導体基板及び前記樹脂膜を貫通する貫通孔内の面の少なくとも一部、及び前記樹脂膜の一方の面の少なくとも一部を覆う導電部と、を有し、
前記振動子と前記駆動回路とが前記導電部を介して電気的に接続されていることを特徴とする圧電発振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の圧電発振器は、振動子と、前記振動子を駆動する駆動回路を有する半導体基板と、前記半導体基板の一方の面を覆う絶縁性の樹脂膜と、前記半導体基板及び前記樹脂膜を貫通する貫通孔内の面、及び前記樹脂膜の一方の面の一部を覆う導電部と、を有し、前記振動子と前記駆動回路とが前記導電部を介して電気的に接続されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月4日(2011.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートを画像読取位置に搬送するシート搬送装置と、前記シート搬送装置により前記画像読取位置に搬送されたシートの画像を読み取る画像読取手段とを備えた画像読取装置において、
前記シート搬送装置は、
前記画像読取位置の上流側に配置され、シートを前記画像読取位置に搬送する第１シート搬送手段と、
前記画像読取位置の下流側に配置され、前記画像読取位置を通過するシートを搬送する第２シート搬送手段と、を備え、
前記第１シート搬送手段及び前記第２シート搬送手段はいずれも、シート搬送方向と直交する方向に複数配置された回転体対で構成され、
前記第１シート搬送手段および前記第２シート搬送手段はいずれも、前記複数の回転体対が圧接した圧接状態と、前記複数の回転体のうちの少なくとも１つの回転体対が離間するとともに他の回転体対が前記圧接状態の圧接力よりも弱い圧接力で圧接する軽圧接離間状態と、に変更可能であることを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記軽圧接離間状態となった前記第１シート搬送手段の前記複数の回転体対のうちの圧接した回転体対と、前記軽圧接離間状態となった前記第２シート搬送手段の前記複数の回転体対のうちの圧接した回転体対の幅方向の位置が一致していることを特徴とする請求項１記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記第１シート搬送手段及び前記第２シート搬送手段を前記圧接状態と前記軽圧接離間状態とに切り替えることで前記第１シート搬送手段及び前記第２シート搬送手段のシート搬送力を変更させる搬送力変更手段を備え、
前記搬送力変更手段は、シートのサイズに拘らず前記第１シート搬送手段のシート搬送力を、シートの先端が達したときよりもシートの後端が通過するまでに小さくし、前記第２シート搬送手段のシート搬送力を、前記画像読取位置を通過したシートの先端が達した後、大きくするよう変更することを特徴とする請求項１又は２記載の画像読取装置。
【請求項４】
前記搬送力変更手段は、シートのサイズに拘らず、前記軽圧接離間状態にある前記第２シート搬送手段が前記圧接状態へ状態を変更し始めるのを、前記圧接状態にあった前記第１シート搬送手段が前記軽圧接離間状態となるよりも先とすることを特徴とする請求項３に記載の画像読取装置。
【請求項５】
前記搬送力変更手段は、
前記第１シート搬送手段及び前記第２シート搬送手段の前記複数の回転体対のうちの一方の回転体をそれぞれ回転自在に保持する保持部材と、
前記複数の回転体対の状態を変更するよう前記保持部材を回動自在に保持する軸と、
前記軸に取り付けられ、前記保持部材の回動角度を弾性的に規制するストッパと、
前記軸を回転させて前記保持部材を前記軸と一体的に回動させ、前記回転体対の圧接力を連続的に変更させるカム機構と、を備え、
前記複数の回転体対のうち前記軽圧接離間状態で離間する回転体対と前記軽圧接離間状態で圧接力が弱められる回転体対とで前記ストッパの前記軸に対する取り付け位置が異なることを特徴とする請求項３又は４記載の画像読取装置。
【請求項６】
前記圧接状態の前記第１シート搬送手段により搬送されているシートの後端が前記第１シート搬送手段を通過するまでに前記第１シート搬送手段の状態を前記圧接状態から前記軽圧接離間状態に変更し、前記軽圧接離間状態の前記第２シート搬送手段にシートの先端が到達した後、前記第２シート搬送手段の状態を前記軽圧接離間状態から前記圧接状態に変更することを特徴とする請求項１又は２記載の画像読取装置。
【請求項７】
シートの画像を読み取る請求項１ないし６のいずれか１項に記載の画像読取装置と、前記画像読取装置により読み取られた画像情報に基づいて画像を形成する画像形成部と、を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明は、シートを画像読取位置に搬送するシート搬送装置と、前記シート搬送装置により前記画像読取位置に搬送されたシートの画像を読み取る画像読取手段とを備えた画像読取装置において、前記シート搬送装置は、前記画像読取位置の上流側に配置され、シートを前記画像読取位置に搬送する第１シート搬送手段と、前記画像読取位置の下流側に配置され、前記画像読取位置を通過するシートを搬送する第２シート搬送手段と、を備え、前記第１シート搬送手段及び前記第２シート搬送手段はいずれも、シート搬送方向と直交する方向に複数配置された回転体対で構成され、前記第１シート搬送手段および前記第２シート搬送手段はいずれも、前記複数の回転体対が圧接した圧接状態と、前記複数の回転体のうちの少なくとも１つの回転体対が離間するとともに他の回転体対が前記圧接状態の圧接力よりも弱い圧接力で圧接する軽圧接離間状態と、に変更可能であることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信されたＩＰパケットを処理する処理装置であって、
第１の記憶手段を制御する制御手段と、
フラグメントされたＩＰパケットの受信状況を示すデータが第２の記憶手段から前記第１の記憶手段へ転送されている間に、前記ＩＰパケットのヘッダが正常に受信されたか否かを判断し、その判断の結果に応じて前記第１の記憶手段に記憶されたデータの更新を前記制御手段に指示する処理手段と、
を有することを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記処理手段は、前記受信されたＩＰパケットの識別子を前記制御手段に通知し、前記制御手段が前記フラグメントされたＩＰパケットの受信状況を示すデータを前記第２の記憶手段から前記第１の記憶手段へ転送している間に、前記ＩＰパケットのヘッダが正常に受信されたか否かを判断することを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記処理手段は、前記受信されたＩＰパケットの識別子を前記制御手段に通知し、前記制御手段が前記第１の記憶手段に記憶されていないと判断したデータを前記第２の記憶手段から前記第１の記憶手段へ転送している間に、前記ＩＰパケットのヘッダが正常に受信されたか否かを判断することを特徴とする請求項１又は２に記載の処理装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記フラグメントされたＩＰパケットの、フラグメントされる前のパケットにおける位置に応じた順序で、前記第２の記憶手段から前記第１の記憶手段にデータを転送することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の処理装置。
【請求項５】
前記処理手段は、前記フラグメントされたＩＰパケットのうち、正常に受信されたＩＰパケットを示すデータが記憶されるように、前記第１の記憶手段に記憶されたデータの更新を前記制御手段に指示することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の処理装置。
【請求項６】
受信されたＩＰパケットを処理する処理装置の処理方法であって、
制御手段が、第１の記憶手段を制御する制御工程と、
処理手段が、フラグメントされたＩＰパケットの受信状況を示すデータが第２の記憶手段から前記第１の記憶手段へ転送されている間に、前記ＩＰパケットのヘッダが正常に受信されたか否かを判断し、その判断の結果に応じて前記第１の記憶手段に記憶されたデータの更新を前記制御手段に指示する処理工程と、
を有することを特徴とする処理装置の処理方法。
【請求項７】
コンピュータを請求項１乃至５の何れか１項に記載の処理装置として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】処理装置及びその処理方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、受信されたＩＰパケットを処理する処理装置であって、第１の記憶手段を制御する制御手段と、フラグメントされたＩＰパケットの受信状況を示すデータが第２の記憶手段から前記第１の記憶手段へ転送されている間に、前記ＩＰパケットのヘッダが正常に受信されたか否かを判断し、その判断の結果に応じて前記第１の記憶手段に記憶されたデータの更新を前記制御手段に指示する処理手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月2日(2011.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体層と、
第２の半導体層と、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に設けられた発光層と、
前記第１の半導体層に接続された第１の電極と、
前記第２の半導体層の上に設けられ、前記第２の半導体層に対向する側が銀及び銀合金の少なくともいずれかからなり、前記第２の半導体層に対向する面に、前記発光層の発光波長以下の幅の空隙を有する第２の電極と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記空隙は、前記第２の電極の前記第２の半導体層との界面、及び、前記第２の電極の前記第２の半導体層とは反対側の界面に設けられることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記空隙は、前記第２の電極の前記第２の半導体層との界面、及び、前記第２の電極の層中に設けられることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記空隙は、前記第２の電極の前記第２の半導体層との界面、及び、前記第２の電極の厚み方向を貫通して設けられることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記空隙は、前記第２の電極に含まれる銀の高温熱処理によるマイグレーションによって形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記第２の電極は、銀単層膜であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記第２の半導体層と前記第２の電極との間に設けられ、前記発光層からの光を透過する透明導電膜をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記透明導電膜は、前記発光層の発光波長のエネルギーよりも大きなバンドギャップを持つ材料からなることを特徴とする請求項７記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記透明導電膜の膜厚は、前記発光層の発光波長における吸収係数の逆数よりも薄いことを特徴とする請求項７または８記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記透明導電膜は、ニッケル、酸化インジウムスズ及び酸化亜鉛の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項７〜９のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
前記第２の半導体層の上に設けられ、前記第２の電極と接触し、前記第２の半導体層に対して前記第２の電極のオーミック性よりも高いオーミック性を有する第３の電極をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜１０のいすれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層と前記発光層とは、サファイア基板上に形成されていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１３】
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層と前記発光層とは、単結晶窒化アルミニウム層を介してサファイア基板上に形成されていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１４】
前記単結晶窒化アルミニウム層の前記サファイア基板側には、前記単結晶窒化アルミニウム層の内部よりも高い炭素濃度を有する領域が設けられていることを特徴とする請求項１３記載の半導体発光素子。
【請求項１５】
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層と前記発光層とは、ＡｌｘＧａ１−ｘ−ｙＩｎｙＮ（ｘ≧０、ｙ≧０、ｘ＋ｙ≦１）からなることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１６】
前記第１の半導体層はｎ型の導電性を有し、前記第２の半導体層はｐ型の導電性を有することを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１７】
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層と前記発光層は、窒化物半導体からなり、
前記発光層の発光波長は、３７０ｎｍ〜４００ｎｍの間にあり、
３価のＥｕを発光中心とし、前記発光波長の光によって励起されて赤色光を発する蛍光体をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１８】
第１の半導体層と、第２の半導体層と、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に設けられた発光層と、前記第１の半導体層に接続された第１の電極と、前記第２の半導体層の上に設けられ前記第２の半導体層に対向する側が銀及び銀合金の少なくともいずれかからなる第２の電極と、を有する半導体発光素子の製造方法であって、
前記第２の半導体層の上に、前記第２の電極となる導電膜を形成し、
前記導電膜に、水及びイオン化物質のうち少なくともいずれかを付着させ、
前記導電膜を熱処理して前記導電膜の粒界に隙間を作ることによって、前記導電膜の前記第２の半導体層に対向する面に、前記発光層の発光波長以下の幅の空隙を形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項１９】
前記導電膜を形成する前に、水分を除去することを特徴とする請求項１８記載の半導体発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月6日(2010.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面実装デバイスが備える複数の半田ボールの溶融により当該表面実装デバイスが実装されるプリント基板であって、
前記表面実装デバイスが備える複数の半田ボールが溶融接合される複数の実装用パッドを設けると共に、その各実装用パッドにそれぞれ凹型バイアホールを設け、
前記凹型バイアホールの中心位置が、前記実装用パッドの中心からそれぞれ前記凹型バイアホールの直径寸法以上離れていることを特徴とするプリント基板。
【請求項２】
前記実装用パッドの表面形状が、円形、楕円形及び矩形からなる群から選ばれる１つである、請求項１に記載のプリント基板。
【請求項３】
前記凹型バイアホールは、前記実装用パッドの外周近傍に設けられている、請求項２に記載のプリント基板。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のプリント基板に、複数の半田ボールを備えた表面実装デバイスを実装した表面実装デバイスの実装構造体であって、
前記表面実装デバイスの各半田ボールを前記各実装用パッドの中心部に配置した状態で当該半田ボールの溶融により前記表面実装デバイスを前記プリント基板に半田接続したことを特徴とする表面実装デバイスの実装構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記本発明のプリント基板、又は表面実装デバイスの実装構造体の構成においては、前記実装用パッドの表面形状が、円形、楕円形及び矩形からなる群から選ばれる１つであるのが好ましい。また、この場合には、前記実装用パッドの表面形状が円形であり、前記凹型バイアホールが前記実装用パッドの円周近傍に設けられているのが好ましい。また、この場合には、前記実装用パッドの表面形状が楕円形であり、前記凹型バイアホールが前記実装用パッドの長軸方向の端部近傍に設けられているのが好ましい。また、この場合には、前記実装用パッドの表面形状が矩形であり、前記凹型バイアホールが前記実装用パッドのコーナー部近傍に設けられているのが好ましい。これらの好ましい例によれば、上記のような効果を容易に発揮ざせることが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
そして、図５（ａ）に示す表面形状が楕円形の実装用パッド１２を用いる場合において、上記のような効果を容易に発揮させるためには、凹型バイアホール１３が実装用パッド１２の長軸１４方向の端部近傍に設けられているのが好ましい。具体的な数値例を挙げると、実装用パッド１２の長径は４００μｍ、短径は３００μｍであり、凹型バイアホール１３の直径が１００μｍの場合、凹型バイアホール１３は、その中心位置が実装用パッド１２の中心Ｏから１００μｍ以上離れている。尚、「長軸方向の端部近傍」とは、長軸方向の端部と凹型バイアホール１３の中心との距離が凹型バイアホール１３の直径寸法以内にある位置をいう。