【手続補正書】
【提出日】平成21年5月8日(2009.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上のエッチング層内にエッチング特徴を形成するための方法であって、
少なくとも１枚の層で形成されるエッチングマスクスタックを、前記エッチング層の上に形成する工程と、
幅を伴う複数の間隔を定める第１のマスクを、前記エッチングマスクスタックの上に形成する工程と、
前記第１のマスクによって定められる前記間隔の幅を低減させる側壁層を、前記第１のマスクの上に形成する工程と、
前記第１のマスクによって定められる前記間隔の幅より小さい幅を有する第１組の特徴を、前記側壁層を通して、少なくとも部分的に前記エッチングマスクスタック内へとエッチングする工程と、
前記マスクおよび前記側壁層を除去する工程と、
追加の特徴の工程であって、
幅を伴う複数の間隔を定める追加のマスクを、前記エッチングマスクスタックの上に形成する工程と、
前記追加のマスクによって定められる前記間隔の幅を低減させる側壁層を、前記追加のマスクの上に形成する工程と、
前記追加のマスクによって定められる前記間隔の幅より小さい幅を有する第２組の特徴を、前記側壁層を通して、少なくとも部分的に前記エッチングマスクスタック内へとエッチングする工程と、
前記マスクおよび前記側壁層を除去する工程と、
を含む工程と、
前記エッチングマスクスタック内の前記第１組の特徴および前記第２組の特徴を通して、複数の特徴を前記エッチング層内にエッチングする工程と、
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記エッチングマスクスタックは、前記第１のマスクおよび前記第２のマスクと比べて剥離に対する耐性が強い材料の、耐剥離性の層を含む、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
前記耐剥離性の層は、非晶質炭素、炭化水素、ハイドロフルオロカーボン、およびポリマ材料のうちの少なくとも１つを含む、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、
前記エッチングマスクスタックは、更に、前記耐剥離性の層の上に剥離保護層を含む、方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、
前記エッチングマスクスタックは、更に、前記剥離保護層と前記耐剥離性の層との間にエッチング停止層を含む、方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の方法であって、更に、
前記追加の特徴の工程を少なくとも１回繰り返す工程を備える方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の方法であって、
前記第１のマスクの上に側壁層を形成する工程は、少なくとも１つのサイクルであり、
デポジションプラズマを形成して前記第１のマスクの前記側壁の上に堆積物を形成するために、第１のガス化学剤を使用する、堆積の段階と、
前記第１のマスクの前記側壁の上の前記堆積物の輪郭を成形するために、第２のガス化学剤を使用する、輪郭成形の段階であって、前記第１のガス化学剤は、前記第２のガス化学剤と異なる、段階と、
を含み、
前記追加のマスクの上に側壁層を形成する工程は、少なくとも１つのサイクルであり、
デポジションプラズマを形成して前記追加のマスクの前記側壁の上に堆積物を形成するために、第３のガス化学剤を使用する、堆積の段階と、
前記追加のマスクの前記側壁の上の前記堆積物の輪郭を成形するために、第４のガス化学剤を使用する、輪郭成形の段階であって、前記第３のガス化学剤は、前記第４のガス化学剤と異なる、段階と、
を含む、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、
前記第１のマスクの上に側壁層を形成する工程は、少なくとも２つのサイクルに渡って実施され、前記追加のマスクの上に側壁層を形成する工程は、少なくとも２つのサイクルに渡って実施される、方法。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の方法であって、
前記側壁層を形成する工程は、略垂直の側壁を形成する、方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の方法であって、
前記第１のマスクおよび前記追加のマスクは、フォトレジストマスクであり、前記側壁層は、ポリマ材料で形成される、方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の方法であって、
前記マスクおよび前記側壁層を除去する工程は、前記マスクおよび前記側壁層をアッシングする工程を含む、方法。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の方法であって、
前記第１組の特徴の前記特徴の幅は、前記第１のマスクによって定められる前記間隔の幅の少なくとも５０％未満である、方法。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の方法であって、
前記第１のマスク内の前記間隔は、ピッチ長を有し、前記エッチング層内に形成される前記特徴は、前記第１のマスクによって定められる前記間隔のピッチ長の少なくとも５０％未満のピッチ長を有する、方法。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれかに記載の方法であって、
前記第１組の特徴をエッチングする工程は、前記エッチング層をエッチングしない、方法。
【請求項１５】
請求項１ないし１４のいずれかに記載の方法であって、更に、
前記エッチングマスクスタックを除去する工程を備える方法。
【請求項１６】
請求項１ないし１５のいずれかに記載の方法によって形成される半導体デバイス。
【請求項１７】
エッチング層内に特徴を形成するための方法であって、
少なくとも１枚の層で形成されるエッチングマスクスタックを、前記エッチング層の上に形成する工程と、
幅を伴う複数の間隔を定める第１のマスクを、前記エッチングマスクスタックの上に形成する工程であって、前記複数の間隔は、限界寸法およびピッチを有する、工程と、
前記第１のマスクによって定められる前記間隔の幅を低減させる側壁層を、前記第１のマスクの上に形成する工程と、
幅および限界寸法を有する第１組の特徴を、第１のエッチング化学剤を使用して、前記側壁層を通して、少なくとも部分的に前記エッチングマスクスタック内へとエッチングする工程であって、前記特徴の幅は、前記第１のマスク内の前記間隔の幅の少なくとも５０％未満であり、前記特徴の限界寸法は、前記第１のマスク内の前記間隔の限界寸法の少なくとも５０％未満であり、前記エッチング層は、エッチングされない、工程と、
前記マスクおよび前記側壁層を除去する工程と、
追加の特徴の工程を実施する工程であって、
幅を伴う複数の間隔を定める追加のマスクを、前記エッチングマスクスタックの上に形成することであって、前記複数の間隔は、限界寸法およびピッチを有する、工程と、
前記追加のマスクによって定められる前記間隔の幅を低減させる側壁層を、前記追加のマスクの上に形成する工程と、
幅および限界寸法を有する追加の特徴を、前記側壁層を通して、少なくとも部分的に前記エッチングマスクスタック内へとエッチングする工程であって、前記追加の特徴の幅は、前記追加のマスク内の前記間隔の幅の少なくとも５０％未満であり、前記追加の特徴の限界寸法は、前記追加のマスク内の前記間隔の限界寸法の少なくとも５０％未満であり、前記特徴および前記追加の特徴は、前記第１のマスク内の前記間隔のピッチおよび前記追加のマスク内の前記間隔のピッチの少なくとも５０％未満のピッチを有し、前記エッチング層は、エッチングされない、工程と、
前記マスクおよび前記側壁層を除去する工程と、
を含む工程と、
前記第１のエッチング化学剤と異なる第２のエッチング化学剤を使用して、前記エッチングマスクスタックの前記第１組の特徴および前記追加の特徴を通して、複数の特徴を前記エッチング層内にエッチングする工程と、
を備える方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、
前記第１のマスクの上に側壁層を形成する工程は、少なくとも２つのサイクルを含み、各サイクルは、
デポジションプラズマを形成して前記第１のマスクの前記側壁の上に堆積物を形成するために、第１のガス化学剤を使用する、堆積の段階と、
前記第１のマスクの前記側壁の上の前記堆積物の輪郭を成形するために、第２のガス化学剤を使用する、輪郭成形の段階であって、前記第１のガス化学剤は、前記第２のガス化学剤と異なる、段階と、
を含み、
前記追加のマスクの上に側壁層を形成する工程は、少なくとも２つのサイクルを含み、各サイクルは、
デポジションプラズマを形成して前記追加のマスクの前記側壁の上に堆積物を形成するために、第３のガス化学剤を使用する、堆積の段階と、
前記追加のマスクの前記側壁の上の前記堆積物の輪郭を成形するために、第４のガス化学剤を使用する、輪郭成形の段階であって、前記第３のガス化学剤は、前記第４のガス化学剤と異なる、段階と、
を含む、方法。
【請求項１９】
請求項１７ないし１８のいずれかに記載の方法であって、
前記第１のマスクは、フォトレジストマスクであり、前記側壁層は、ポリマ材料の層である、方法。
【請求項２０】
請求項１７ないし１９のいずれかに記載の方法であって、
前記エッチングマスクスタックは、前記第１のマスクおよび前記第２のマスクと比べて剥離に対する耐性が強い材料の、耐剥離性の層を含み、前記方法は、更に、前記エッチングスタックマスクを除去する工程を備える、方法。
【請求項２１】
請求項１ないし１５および請求項１７ないし２０のいずれかに記載の方法であって、
前記追加のマスクは、前記第１組の特徴を埋める、方法。