Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月9日(2011.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る電動車両１の側面図である。また、図２は、外装部品を取り外した状態の電動車両１の後方斜視図である。電動車両１は、低床フロア９ａを有するスクータ型の自動二輪車であり、スイングアーム１２に内設された電動モータ５０の回転駆動力で後輪ＷＲを駆動するように構成されている。なお、電動モータ５０（図４参照）に電力を供給する高電圧バッテリ３１は、車体に設けられた不図示の充電口に外部電源を接続することによって充電される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
スイングアーム１２の下部には、高電圧バッテリ３１から供給される直流電流を、交流電流に変換して電動モータ５０へ供給するモータドライバ（または、ＰＤＵ：パワー・ドライブ・ユニット）３５が配設されている。モータドライバ３５からの供給電力は、３本の電力供給ラインＬを介して電動モータ５０に供給される。電動モータ５０の後方側には、後述する減速機構の第１減速歯車４６および第２減速歯車４７が配設されており、後輪ＷＲは、第２減速歯車４７に固定された車軸１９によって駆動される。また、モータドライバ３５の近傍には、平滑コンデンサ３６が配設されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
操向ハンドル７の車体前方側には、外装部品としてのフロントカウル９が設けられており、フロントカウルの上部には、速度計等を含むメータユニット８が取り付けられている。フロントカウル９の車体前方側には前照灯１０が設けられている。また、高電圧バッテリ３１の上部には、乗員が足を乗せる低床フロア９ａが形成されており、リヤフレーム６の外方にはシートカウル１５が設けられている。シートカウル１５の上部には、車体前方側のヒンジで開閉するシート１４が取り付けられている。また、シートカウル１５の後端部には、尾灯装置１６が取り付けられている。ピボットプレート２０には、車幅方向に離間した２本の脚部を有するセンタースタンド１８が取り付けられている。センタースタンド１８は、ピボットプレート２０の車幅方向内側でロアフレーム５に結合されるスタンドブラケット１５０に回動自在に軸支されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
ヘッドパイプ３の車幅方向右側には、前照灯１０等や制御装置等に電力を供給する低電圧バッテリ３０（例えば、１２Ｖ）が配設されている。低電圧バッテリ３０は、高電圧バッテリ３１の電力によって充電させることができる。シートカウル１５の内側で荷室１７の前方には、高電圧バッテリ３１の高電圧（７２Ｖ）を低電圧（１２Ｖ）に変換するＤＣ−ＤＣコンバータ３２と、ヒューズやリレー等を収納するコンタクターボックス３３が配設されている。さらに、車幅方向右側のリヤフレーム６の外側には、モータドライバ３５等を制御する制御装置（ＭＧＵ：マネージングユニット）３４が、取付ステー３４ａを介して取り付けられている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
スイングアーム１２の車体前方側には、モータドライバ３５を収納する幅広ケース部８０が形成されている。カバー部材２１（図３参照）は、この幅広ケース部８０の車体下面側に取り付けられている。幅広ケース部８０の車体上部には、モータドライバ３５を冷却するための複数の放熱フィン８１が一体的に設けられており、この放熱フィン８１の車体上方側に、強制送風により冷却効果を高めるための電動ファン８２が配設されている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月7日(2011.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
監視対象に設けられた監視対象側の端末と、前記監視対象側の端末から受信した監視情報を利用する利用者側に設けられた利用者側の端末と、前記監視対象側の端末と前記利用者側の端末との通信を管理する通信管理装置と、を有した監視システムであって、
前記監視対象側の端末又は前記利用者側の端末の一方が他方に接続を要求するとき、該接続元の端末は、接続先の端末の識別情報を含むＳＩＰの招待メッセージを前記通信管理装置に送信するように構成され、
前記通信管理装置は、
ＳＩＰサーバと、
接続が認可されるべき監視対象側の端末と利用者側の端末との組合せを表す接続認可情報を記憶した認可情報記憶部と、
前記接続認可情報を参照して監視対象側の端末と利用者側の端末との接続を認可するか否かを判定する認可処理部と、
を有し、
前記ＳＩＰサーバは、前記接続元の端末から前記招待メッセージを取得したとき、前記招待メッセージに含まれる前記接続先の端末の識別情報を前記認可処理部に供給し、前記認可処理部が監視対象側の端末と利用者側の端末との接続を認可した場合に、前記ＳＩＰサーバが前記接続元の端末からの招待メッセージを前記接続先の端末へ供給することを特徴とする監視システム。
【請求項２】
前記接続先の端末は、前記招待メッセージを前記通信管理装置から受信したときにＳＩＰのＯＫメッセージを前記通信管理装置に送信し、前記招待メッセージ及び前記ＯＫメッセージには、ＳＩＰセッション確立後に前記接続元及び接続先の端末間で前記通信管理装置を介さない端末間接続を確立するために使われる接続確立情報が付加されることを特徴とする請求項１に記載の監視システム。
【請求項３】
前記通信管理装置を介さない端末間接続は、端末間にＶＰＮを構築して接続する端末間ＶＰＮであることを特徴とする請求項２に記載の監視システム。
【請求項４】
前記招待メッセージは、前記接続元の端末のＩＰアドレスと電子証明書を前記接続確立情報として含み、前記ＯＫメッセージは、前記接続先の端末のＩＰアドレスと電子証明書を前記接続確立情報として含むことを特徴とする請求項３に記載の監視システム。
【請求項５】
前記通信管理装置と前記監視対象側又は利用者側の端末との接続は、前記通信管理装置と前記監視対象側又は利用者側の端末間にＶＰＮを構築したセンタ端末間ＶＰＮにより接続されており、前記ＳＩＰサーバは、前記センタ端末間ＶＰＮを介して前記監視対象側又は利用者側の端末とＳＩＰメッセージを通信することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の監視システム。
【請求項６】
前記監視情報は、前記監視対象で撮影された画像、前記監視対象で検出された監視信号、前記利用者側にて生成された制御情報の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の監視システム。
【請求項７】
監視対象に設けられた監視対象側の端末と前記監視対象側の端末から受信した監視情報を利用する利用者側に設けられた利用者側の端末との通信を管理する通信管理装置であって、
前記通信管理装置は、
ＳＩＰサーバと、
接続が認可されるべき監視対象側の端末と利用者側の端末との組合せを表す接続認可情報を記憶した認可情報記憶部と、
前記接続認可情報を参照して監視対象側の端末と利用者側の端末との接続を認可するか否かを判定する認可処理部とを有し、
前記ＳＩＰサーバが、前記監視対象側の端末又は利用者側の端末の一方から他方へ宛てた識別情報を含むＳＩＰの招待メッセージを取得したとき、前記認可処理部が、前記招待メッセージに含まれる前記接続先の端末の識別情報に基づき、前記監視対象側の端末と利用者側の端末との接続を認可するか否かを判定し、
前記認可処理部が接続を認可した場合に、前記ＳＩＰサーバが、前記接続元の端末からの招待メッセージを前記接続先の端末へ供給することを特徴とす通信管理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月21日(2011.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(a) 乾燥真核生物粉末細胞培養栄養培地を流動床装置に入れる工程；および
(b) 凝集真核生物細胞培養培地粉末を生成する条件下で乾燥真核生物粉末細胞培養培地に溶媒を導入する工程； 
の方法によって製造される凝集粉末であって、
(c) 該凝集真核生物細胞培養培地粉末は、低下した粉塵化と乾燥粉末細胞培養培地よりも大きな粒径を示し、工程(a)の乾燥粉末細胞培養培地中もしくは工程(b)の溶媒中に含められる炭酸水素ナトリウム緩衝剤を含む、凝集粉末。
【請求項２】
細胞培養栄養培地への再構成の際にpHの調整を必要とすることなく、再構成に伴って細胞培養栄養培地が真核生物細胞培養もしくは細胞増殖の支持に最適なpHとなる、請求項１記載の凝集粉末。
【請求項３】
再構成用溶媒によって再構成した際に、培地が6.0〜8.0、より好ましくは6.4〜7.5、最も好ましくは7.0〜7.5のpHを有する、請求項１もしくは２記載の凝集粉末。 
【請求項４】
凝集粉末が栄養培地補充物粉末であり、１つ以上の栄養培地成分を含む、請求項３記載の凝集粉末。 
【請求項５】
真核細胞培養培地粉末が、昆虫細胞、線虫細胞、鳥類細胞および哺乳類細胞から成る群より選択される動物細胞を培養するのに適したものである、請求項１記載の凝集粉末。 
【請求項６】
前記植物細胞が藻類細胞および真菌細胞を含む、請求項５記載の凝集粉末。
【請求項７】
凝集粉末が溶媒による再構成の際に、より速やかな溶解を示す、請求項１、２もしくは３記載の凝集粉末。
【請求項８】
再構成用培地が水を含む、請求項７記載の凝集粉末。
【請求項９】
粉末がサイトカイン粉末、インスリン粉末、脂質粉末、動物器官抽出粉末、動物腺抽出粉末、動物組織抽出粉末、酵素粉末およびとトランスフェリン粉末から成る群より選択される、請求項１記載の凝集細胞培養栄養培地補充物粉末。
【請求項１０】
粉末がトランスフェリン粉末である、請求項９記載の滅菌凝集細胞培養栄養培地補充物粉末。
【請求項１１】
細胞の培養に使用するためのキットであって、１つ以上の容器を含み、第１の容器が請求項１〜１０のいずれか一項記載の粉末を含む、キット。
【請求項１２】
１つ以上の細胞を含む１つ以上の別の容器；または１つ以上の溶媒を含む１つ以上の別の容器をさらに含む、請求項１１記載のキット。
【請求項１３】
約1〜100メッシュのサイズの粒子を含む、インビトロでの真核生物細胞の培養を支持する請求項１記載の凝集粉末栄養培地、培地補充物、培地サブグループ、もしくは緩衝剤、またはそれらの組合せ。
【請求項１４】
粒子が約2〜50メッシュのものである、請求項１３記載の凝集粉末栄養培地、培地補充物、培地サブグループ、もしくは緩衝剤、またはそれらの組合せ。
【請求項１５】
粒子が約50〜100メッシュのものである、請求項１３記載の凝集粉末栄養培地、培地補充物、培地サブグループ、もしくは緩衝剤、またはそれらの組合せ。
【請求項１６】
a) 粉末栄養培地、培地補充物、培地サブグループ、もしくは緩衝剤、またはそれらの組合せを流動床装置に入れる工程；
b) 該粉末栄養培地、培地補充物、培地サブグループ、もしくは緩衝剤、またはそれらの組合せを上方に移動するガスのカラム中で浮遊させる工程； 
c) 該粉末栄養培地、培地補充物、培地サブグループ、もしくは緩衝剤、またはそれらの組合せをフィルターに通す工程であって、該フィルターがメッシュスクリーンである工程； 
d) 該粉末栄養培地、培地補充物、培地サブグループ、もしくは緩衝剤、またはそれらの組合せの流れに、制御された規定量の液体を注入して、湿った状態を生じさせる工程；および
e) 工程(d)の産物を乾燥させて、凝集した粉末栄養培地、培地補充物、培地サブグループ、もしくは緩衝剤、またはそれらの組合せを生成する工程
を含む方法によって得られうる、前記の請求項のいずれか記載の凝集粉末栄養培地、培地補充物、培地サブグループ、もしくは緩衝剤、またはそれらの組合せ。
【請求項１７】
単一成分の凝集栄養培地、培地補充物、培地サブグループ、もしくは緩衝剤を生成するために、個々の成分が凝集処理の前に混合される、前記の請求項のいずれか記載の凝集粉末栄養培地、培地補充物、培地サブグループ、もしくは緩衝剤、またはそれらの組合せ。
【請求項１８】
工程(a)の粉末栄養培地、培地補充物、培地サブグループ、もしくは緩衝剤、またはそれらの組合せよりも大きな粒径を有する、請求項１〜３のいずれか一項記載の凝集粉末栄養培地、培地補充物、培地サブグループ、もしくは緩衝剤、またはそれらの組合せ。
【請求項１９】
フィルターが約3.5〜15メッシュのメッシュスクリーンである、請求項1〜３のいずれか一項記載の凝集粉末栄養培地、培地補充物、培地サブグループ、もしくは緩衝剤、またはそれらの組合せ。
【請求項２０】
フィルターが約4〜6メッシュのメッシュスクリーンである、請求項1〜３のいずれか一項記載の凝集粉末栄養培地、培地補充物、培地サブグループ、もしくは緩衝剤、またはそれらの組合せ。
【請求項２１】
真核生物細胞培養培地粉末、酵母細胞培養培地、真菌もしくは哺乳類細胞培養培地粉末である、請求項1〜３のいずれか一項記載の凝集粉末栄養培地、培地補充物、培地サブグループ、もしくは緩衝剤、またはそれらの組合せ。
【請求項２２】
前記の請求項のいずれか記載の凝集粉末栄養培地、培地補充物、培地サブグループ、もしくは緩衝剤、またはそれらの組合せの使用であって、粉末栄養培地、培地補充物、培地サブグループ、もしくは緩衝剤、またはそれらの組合せが、細胞に接触させられる前に再構成される、使用。
【請求項２３】
実質的に粉塵を生じさせず、かつ／もしくは、再構成時に迅速に溶解して自動的にpHの調整された溶液を生じ、場合によっては、個々の成分を混合することによって得られる単一成分の培地、培地補充物、培地サブグループ、もしくは緩衝剤、またはそれらの組合せである、インビトロでの細胞の培養を支持する粉末栄養培地、培地補充物、培地サブグループ、もしくは緩衝剤、またはそれらの組合せ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年4月15日(2011.4.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
本発明によるこのエンドレス支持体を、画像形成層がそこに塗布される前に処理するため、それはドラム２００に押し被される。このドラムは、円形の周辺端部を形成する、１５ｍｍ厚のアルミニウムの壁２０１を有する。ドラムの直径は３８２．００ｍｍで、長さは５０ｃｍである。直径は、支持体１００が小さな伸張力でドラム２００にぴったり合うように選択される。ドラム上へのベルトの適用を簡易化するため、ドラムの一端はやや先細りにされる。このようにして、図面に示されるＦの方向で、ベルトをドラムの一端に簡単に押し被せることができる。支持体のドラムへのさらなる押し被せを簡易化するため、ポンプ（図示せず）を用いて、孔２０２に空気を吹き込む。この空気により、支持体は、３８２．０ｍｍよりもわずかに大きい内径を有するように数１０ｍｍ伸張される。このようにして、支持体をドラム上に容易に押し被せることができる。支持体がドラム全体に完全に押し被されると、支持体が再び収縮してドラムを囲むようにポンプのスイッチがオフにされる。支持体は、例えば溶剤を用いて洗浄することにより清掃される。清掃後、ドラムは、８５℃の温度に保たれたオーブン内に配置される。このオーブンは、空気を循環させるファンを含む。装置の加熱の結果、ドラム壁２０１は支持体１００を超えて伸張し、このようにして支持体の伸長力はさらに増大する。支持体と共にドラムもこの温度になされたあとに、この状況が１５分間維持される。その後、自然に室温まで冷却するため、ドラムはオーブンから取り出される。処理全体は、できるだけ支持体が汚れるのを防ぐため、低ダストの状況下で実行される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月27日(2011.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置と第１のデバイスとを含むネットワークにおいて該装置によってエラー情報を配信する方法であって、
第１のオーディオ・ビジュアル・サービスを求めるリクエストを前記第１のデバイスから受信するステップと、
前記第１のオーディオ・ビジュアル・サービスが配信されない可能性がある場合に、前記第１のデバイスに対してオーディオ・ビジュアル・コンテンツのアイテムを配信するステップであって、前記オーディオ・ビジュアル・コンテンツのアイテムは、ユーザに対して表示されたとき、前記第１のオーディオ・ビジュアル・サービスの不配信についてのエラー情報を前記ユーザに提示する該ステップと、
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記ネットワークが、少なくとも１つの第２のデバイスをさらに含み、
当該方法が、第２のオーディオ・ビジュアル・サービスを前記少なくとも１つの第２のデバイスに配信する先行ステップをさらに含み、
前記第１のオーディオ・ビジュアル・サービスの配信を行うために前記第２のオーディオ・ビジュアル・サービスを拒絶するべきである場合に、
前記第２のオーディオ・ビジュアル・サービスの配信を拒絶するステップと、
前記少なくとも１つの第２のデバイスに対してオーディオ・ビジュアル・コンテンツのアイテムを配信するステップであって、該オーディオ・ビジュアル・コンテンツのアイテムは、ユーザに対して表示されたとき、前記第２のオーディオ・ビジュアル・サービスの不配信についてのエラー情報を前記ユーザに提示する、該ステップと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記オーディオ・ビジュアル・コンテンツのアイテムが画像である請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のオーディオ・ビジュアル・サービスは、第２のネットワークを介して前記装置によってアクセスされる請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のオーディオ・ビジュアル・サービスおよび前記第２のオーディオ・ビジュアル・サービスが第２のネットワークを介して前記装置によってアクセスされる請求項２に記載の方法。
【請求項６】
第１のデバイスを含むネットワークに接続するように構成された装置であって、
第１のオーディオ・ビジュアル・サービスを求めるリクエストを前記第１のデバイスから受信するように構成されたインタフェースと、
前記第１のオーディオ・ビジュアル・サービスが配信されない可能性がある場合に、前記第１のデバイスに対してオーディオ・ビジュアル・コンテンツのアイテムを配信するように構成されたプロセッサであって、前記オーディオ・ビジュアル・コンテンツのアイテムは、ユーザに対して表示されたとき、前記第１のオーディオ・ビジュアル・サービスの不配信についてのエラー情報を前記ユーザに提示する、該プロセッサと、
を備える、前記装置。
【請求項７】
前記装置が、少なくとも１つの第２のデバイスに接続するようにさらに構成され、
前記プロセッサが、
第２のオーディオ・ビジュアル・サービスを前記少なくとも１つの第２のデバイスに配信し、
前記第１のオーディオ・ビジュアル・サービスの配信を行うために前記第２のオーディオ・ビジュアル・サービスを拒絶するべきである場合に、
前記第２のオーディオ・ビジュアル・サービスの配信を拒絶し、
前記少なくとも１つの第２のデバイスに対して、ユーザに対して表示されたとき、前記第２のオーディオ・ビジュアル・サービスの不配信についてのエラー情報を前記ユーザに提示するオーディオ・ビジュアル・コンテンツのアイテムを配信する、ように構成されてなる、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記オーディオ・ビジュアル・コンテンツのアイテムが画像である請求項６または７に記載の装置。
【請求項９】
前記装置は、第２のネットワークに接続するように構成された第２のインタフェースを含み、
前記プロセッサは、前記第２のネットワークを介して前記第１のオーディオ・ビジュアル・サービスにアクセスするようにさらに構成された、請求項６に記載の装置。
【請求項１０】
前記装置は、第２のネットワークに接続するのに適した第２のインタフェースを含み、
前記プロセッサは、さらに、第２のネットワークを介して前記第１のオーディオ・ビジュアル・サービスおよび前記第２のオーディオ・ビジュアル・サービスにアクセスするように構成された、請求項７に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月3日(2011.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面および第２の表面を有する基板と、第１の導体アームと、前記基板の前記第１の表面上に配置された第２の導体アームと、前記第１の導体アームの下を通る前記第２の導体アームに給電するフィーダラインとを備えた広帯域ダイポールタイプアンテナであって、前記フィーダラインが前記第２の導体アームの下に配置されたライン素子により形成されたフィルタ手段で延長されており、阻止周波数帯域に対応する周波数帯域におけるライン素子内に導かれる波長をλｇとすると、前記ライン素子がλｇ／２程度の長さを有することを特徴とする広帯域ダイポールタイプアンテナ。
【請求項２】
前記第１の導体アームが、前記基板の前記第１の表面および前記第２の表面上で互いに向かい合って配置された同一形状の２つの導電素子を備えたことを特徴とする請求項１に記載のアンテナ。
【請求項３】
前記フィーダラインが、ストリップライン構造を構成する前記２つの導電素子間に配置されていることを特徴とする請求項２に記載のアンテナ。
【請求項４】
前記第２の導体アームが、前記基板の前記第１の表面および前記第２の表面上で互いに向かい合って配置された同一形状の２つの導電素子を備えたことを特徴とする請求項１に記載のアンテナ。
【請求項５】
前記第１の導体アームおよび前記第２の導体アームの各々が、前記基板の前記第１の表面および前記第２の表面上で互いに向かい合って配置された２つの導電素子により構成されており、前記２つの導電素子が前記基板を通過し導電材料を充填した孔により接続されていることを特徴とする請求項１に記載のアンテナ。
【請求項６】
前記孔が、前記導電素子周辺に形成されていることを特徴とする請求項５に記載のアンテナ。
【請求項７】
前記フィーダラインが、前記基板の第１の表面上に形成された単一の導体素子を備えた前記第１の導体アームの下を通るマイクロストリップラインにより実現されており、前記マイクロストリップラインが前記基板の前記第２の表面上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のアンテナ。
【請求項８】
前記第２の導体アームが、前記基板の前記第１の表面上に形成された単一の導電素子から形成されていることを特徴とする請求項７に記載のアンテナ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月9日(2011.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を撮像してアナログ画像信号を出力する撮像手段と、
前記アナログ画像信号をデジタル画像信号に変換する変換手段と、
前記撮像手段及び前記変換手段に供給するべき同期信号を生成し、前記撮像手段に同期信号を供給する同期信号生成手段と、
前記同期信号生成手段により生成された同期信号を前記変換手段に供給するタイミングを補正し、前記変換手段に同期信号を供給する補正手段と
を有し、
前記補正手段は、前記撮像手段の自己発熱の影響を受ける位置に設けられており、温度に応じて前記同期信号生成手段によって生成された同期信号を遅延することを特徴とする画像撮像装置。
【請求項２】
前記撮像手段と前記補正手段とが同一の半導体チップ上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の画像撮像装置。
【請求項３】
前記同期信号生成手段から前記撮像手段へ同期信号を供給するための伝送路の長さと、前記同期信号生成手段から前記補正手段へ同期信号を供給するための伝送路の長さとが同長であることを特徴とする請求項２に記載の画像撮像装置。
【請求項４】
前記撮像手段から前記変換手段へ前記アナログ画像信号を供給するための伝送路の長さと、前記補正手段から前記変換手段へ同期信号を供給するための伝送路の長さとが同長であることを特徴とする請求項２または３に記載の画像撮像装置。
【請求項５】
前記補正手段が前記撮像手段の位置的な歪みを防止する部材の上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の画像撮像装置。
【請求項６】
前記部材は、セラミック板であることを特徴とする請求項５に記載の画像撮像装置。
【請求項７】
画像撮像装置であって、
画像を撮像してアナログ画像信号を出力する撮像手段と、
前記アナログ画像信号をデジタル画像信号に変換する変換手段と、
前記撮像手段及び前記変換手段に供給するべき同期信号を生成し、前記撮像手段に同期信号を供給する同期信号生成手段と、
前記同期信号生成手段により生成された同期信号を前記変換手段に供給するタイミングを補正し、前記変換手段に同期信号を供給する補正手段と
を有し、
前記撮像手段と前記補正手段は同一の半導体チップ上に形成されていることを特徴とする画像撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、撮像手段の自己発熱によって撮像手段とアナログ画像信号をデジタル画像信号に変換する変換手段の同期がくずれないようにすることを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明は、画像を撮像してアナログ画像信号を出力する撮像手段と、
前記アナログ画像信号をデジタル画像信号に変換する変換手段と、
前記撮像手段及び前記変換手段に供給するべき同期信号を生成し、前記撮像手段に同期信号を供給する同期信号生成手段と、
前記同期信号生成手段により生成された同期信号を前記変換手段に供給するタイミングを補正し、前記変換手段に同期信号を供給する補正手段と
を有し、
前記補正手段は、前記撮像手段の自己発熱の影響を受ける位置に設けられており、温度に応じて前記同期信号生成手段によって生成された同期信号を遅延することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明は、撮像手段の自己発熱によって撮像手段とアナログ画像信号をデジタル画像信号に変換する変換手段の同期がくずれないようにすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月11日(2011.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の縁部上で膜を研磨する装置であって、
基板の縁部上で膜に研磨材料を押し付けるように適合されたバッキングプレートを有する研磨ヘッドを備え、
前記バッキングプレートが、前記基板の研磨中に、予め設定された膜プロファイルを提供するように適合されたプロファイル部分を有する装置。
【請求項２】
前記プロファイル部分が、滑らかである、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記プロファイル部分が、前記膜プロファイルに漸進的な曲率を提供するように適合された、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記プロファイル部分が、平坦領域及び曲線状領域により形成される、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記平坦領域及び前記曲線状領域が、カットオフジョイントで結合されている、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記カットオフジョイントが、シャープな且つ角度のついた膜プロファイルを提供するように適合された、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記バッキングプレートが、前記基板の縁部の周りで揺動するように適合された、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
基板の縁部上で膜を研磨するシステムであって、
基板を支持及び回転させるように適合された基板支持体と、
基板の縁部上で膜に研磨材料を押し付けるように適合されたバッキングプレートを有する研磨ヘッドであって、前記バッキングプレートが、前記基板の研磨中に、予め設定された膜プロファイルを提供するように適合されたプロファイル部分を有する、研磨ヘッドと、
前記研磨ヘッドの移動を動作させるように適合されたコントローラと、
を備えるシステム。
【請求項９】
前記プロファイル部分が、滑らかである、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記プロファイル部分が、漸進的な曲率を前記膜プロファイルに提供するように適合された、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記プロファイル部分が、平坦領域及び曲線状領域により形成される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１２】
前記平坦領域及び前記曲線状領域が、カットオフジョイントで結合されている、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記カットオフジョイントが、シャープな且つ角度のついた膜プロファイルを提供するように適合された、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記バッキングプレートが、前記基板の縁部の周りで揺動するように適合された、請求項８に記載のシステム。
【請求項１５】
基板の縁部上で膜を研磨する方法であって、
プロファイルされたバッキングプレートのための揺動開始角度及び揺動終了角度を選択するステップと、
基板の縁部上で膜を前記バッキングプレート及び研磨材料に接触させるステップと、
研磨中に、前記基板の縁部上で前記膜に対して前記バッキングプレートを揺動させるステップと、
を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月24日(2010.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に入射光を光電変換する受光部を形成する固体撮像装置の製造方法において、
前記受光部が形成された半導体基板上に界面準位を下げる膜を形成する工程と、
前記界面準位を下げる膜上に負の固定電荷を有する膜を形成する工程とを有し、
前記負の固定電荷を有する膜を形成した後、前記負の固定電荷を有する膜の表面に窒素プラズマ処理を施し、
前記負の固定電荷を有する膜により前記受光部の受光面側にホール蓄積層を形成させる
固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記負の固定電荷を有する膜は酸化ハフニウム膜からなる請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
半導体基板に入射光を光電変換する受光部を形成する固体撮像装置の製造方法において、
前記受光部が形成された半導体基板上に界面準位を下げる膜を形成する工程と、
前記界面準位を下げる膜上に負の固定電荷を有する膜を形成する工程とを有し、
前記負の固定電荷を有する膜を形成した後、前記負の固定電荷を有する膜の表面に電子線キュア処理を施し、
前記負の固定電荷を有する膜により前記受光部の受光面側にホール蓄積層を形成させる
固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記負の固定電荷を有する膜は酸化ハフニウム膜からなる請求項３記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
半導体基板に入射光を光電変換する受光部を形成する固体撮像装置の製造方法において、
前記受光部が形成された半導体基板上に界面準位を下げる膜を形成する工程と、
前記界面準位を下げる膜上に負の固定電荷を有する膜を形成する工程とを有し、
前記負の固定電荷を有する膜を形成する工程は、
前記界面準位を下げる膜上に非晶質の膜を形成する工程と、
前記非晶質の膜表面に光照射処理を施して前記非晶質の膜を結晶化する工程とを有し、
前記負の固定電荷を有する膜により前記受光部の受光面側にホール蓄積層を形成させる
固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記非晶質の膜は非晶質の酸化ハフニウム膜である請求項５記載の固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固体撮像装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、暗電流の発生を抑制した固体撮像装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板に入射光を光電変換する受光部を形成する固体撮像装置の製造方法において、前記受光部が形成された半導体基板上に界面準位を下げる膜を形成する工程と、前記界面準位を下げる膜上に負の固定電荷を有する膜を形成する工程とを有し、前記負の固定電荷を有する膜により前記受光部の受光面側にホール蓄積層を形成させることを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記固体撮像装置の製造方法では、界面準位を下げる膜上に負の固定電荷を有する膜を形成することから、負の固定電荷に起因した電界により、受光部の受光面側の界面にホール蓄積（ホールアキュミュレーション）層が十分に形成される。したがって、界面から発生する電荷（電子）が、抑制されるとともに、電荷（電子）が発生しても受光部でポテンシャルの井戸になっている電荷貯蓄部分に流入することなく、ホールが多数存在するホール蓄積層を流動し、消滅させることができる。よって、この界面起因の電荷による暗電流が受光部で検知されるのを防ぐことができ、界面準位起因による暗電流が抑制される。さらに、受光部の受光面に界面準位を下げる膜が形成されていることから、界面準位に起因する電子の発生がさらに抑制されるので、界面準位に起因する電子が暗電流として受光部中に流れ込むことが抑制される。そして、負の固定電荷を有する膜を用いることで、イオン注入およびアニールを施すことなくＨＡＤ構造の形成が可能となる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の固体撮像装置の一の製造方法は、上記本発明の固体撮像装置の製造方法において、さらに、前記負の固定電荷を有する膜を形成した後、前記負の固定電荷を有する膜の表面に窒素プラズマ処理を施すことを特徴とする。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の固体撮像装置の他の製造方法は、上記本発明の固体撮像装置の製造方法において、さらに、前記負の固定電荷を有する膜を形成した後、前記負の固定電荷を有する膜の表面に電子線キュア処理を施すことを特徴とする。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の固体撮像装置のさらに他の製造方法は、上記本発明の固体撮像装置の製造方法において、さらに、前記負の固定電荷を有する膜を形成する工程は、前記界面準位を下げる膜上に非晶質の膜を形成する工程と、前記非晶質の膜表面に光照射処理を施して前記非晶質の膜を結晶化する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月17日(2011.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板から分離された半導体層と、前記半導体層が固定されている第１基板を有する半導体装置製造用基板の作製方法であって、
水素ガス、希ガス、ハロゲンガス及びハロゲン化合物ガスから選ばれた１種または複数種類のガスを含むソースガスを励起してイオン種を生成し、前記半導体基板でなる第２基板に前記イオン種を注入することにより、前記第２基板の表面から所定の深さの領域にイオン注入層を形成し、
前記第１基板上に第１接合層を形成し、
前記第２基板に第２接合層を形成し、
前記第１接合層と前記第２接合層を接合することで、前記第１基板と前記第２基板を貼り合わせ、
前記第２基板の加熱によって前記イオン注入層で前記第２基板を分離することにより、前記第２基板から分離された半導体層が固定された第１基板を形成し、
前記半導体層が分離された第２基板を再生処理する工程を含み、
前記再生処理は、前記半導体層が分離された面側から前記第２基板にレーザ光を照射する工程を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記再生処理において、窒素雰囲気で前記レーザ光を照射することを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記再生処理において、前記レーザ光を照射した後、前記第２基板を熱酸化して、酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記再生処理において、前記レーザ光を照射した後、ハロゲンを含む雰囲気で前記第２基板を熱酸化させることを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項５】
半導体基板から分離された半導体層と、前記半導体層が固定されている第１基板を有する半導体装置製造用基板の作製方法であって、
水素ガス、希ガス、ハロゲンガス及びハロゲン化合物ガスから選ばれた１種または複数種類のガスを含むソースガスを励起してイオン種を生成し、前記半導体基板でなる第２基板に前記イオン種を注入することにより、前記第２基板の表面から所定の深さの領域にイオン注入層を形成し、
前記第１基板に第１接合層を形成し、
前記第２基板に第２接合層を形成し、
前記第１接合層と前記第２接合層を接合することで、前記第１基板と前記第２基板を貼り合わせ、
前記第２基板の加熱によって前記イオン注入層で前記第２基板を分離することにより、前記第２基板から分離された前記半導体層が固定された第１基板を形成し、
前記半導体層が分離された第２基板を再生処理する工程を含み、
前記再生処理は、前記第２基板を熱酸化して、酸化膜を形成する工程を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記再生処理において、ハロゲンを含む雰囲気で前記第２基板を熱酸化させることを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項７】
請求項５において、
前記再生処理において、塩酸を含む雰囲気で前記第２基板を熱酸化させることを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一項において、
前記再生処理において、前記酸化膜を形成した後、前記酸化膜を介して、前記第２基板にレーザ光を照射することを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
窒素雰囲気中で前記レーザ光を照射することを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記第２基板にバリア層を形成し、
前記バリア層上に前記第２接合層を形成し、
前記バリア層を介して、前記第２基板に前記イオン種を注入することを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記バリア層は、窒化シリコン膜又は窒化酸化シリコン膜の一方を少なくとも含む単層膜又は２以上の膜が積層された多層膜であることを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項１２】
請求項１０において、
前記バリア層は、前記第２基板を酸化して形成した酸化膜を少なくとも含む単層膜又は２以上の膜が積層された多層膜であることを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項において、
前記第１接合層又は前記第２接合層として酸化シリコン膜を形成することを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項において、
前記イオン注入層の形成に、イオンドーピング装置を用いることを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一項において、
前記イオン注入層の形成に前記ソースガスに水素ガスを用い、
前記水素ガスを励起してＨ＋、Ｈ２＋及びＨ３＋を生成し、前記Ｈ＋、Ｈ２＋及びＨ３＋を含むイオンビームを注入して、前記イオン注入層を形成し、
前記イオンビームは、Ｈ＋、Ｈ２＋、Ｈ３＋の総量に対してＨ３＋イオンの割合が７０％以上であることを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一項において、
前記再生処理を行った第２基板を再利用して、前記半導体装置製造用基板を作製することを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の作製方法で作製された半導体装置製造用基板を用いて、半導体装置を作製する方法であり、
前記第１基板上の前記半導体層を含む半導体素子を作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月11日(2011.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
チョーク，天然の粉砕または沈降炭酸カルシウム，カルシウム・マグネシウム炭酸塩，酸化カルシウム，ケイ酸塩，バライト，グラファイト，カーボンブラックまたはバーミキュライト，雲母，タルクまたは層状ケイ酸塩 が無機充填剤として使用される、請求項1〜3のいずれか一に記載の組成物。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、a) 一種以上のポリオレフィンおよび b) 一種以上の無機充填剤を含む組成物の、物品を建築部位に固定する働きをする接続部位としての使用に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
無機充填剤は、たくさんの無機塩およびミネラルの中から選ぶことができる。好適な充填剤として，ここに、チョーク、天然の粉砕もしくは沈降炭酸カルシウム，カルシウム・マグネシウム炭酸塩，酸化カルシウム，ケイ酸塩およびバライトを挙げることができる。更なる適した充填剤は、バーミキュライト，雲母，タルクまたは同様の層状ケイ酸塩のような小板様充填剤，同様に、グラファイトまたはカーボンブラックである。充填剤の少なくとも一部が、表面処理されているのが有利になり得る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
試験結果は、充填剤Snowcal 70 (CaCO3) による硬化時間の非常に大きな短縮，および引張強度および/または剛性の相当の増大を示した。高い充填剤含有量 (F1) を有する組成物の場合に，伸び率は0%と測定された，これは、組成物の高い脆性を示す。
使用した商品の特性表示:
Licocene PP MA 6252 TP: ポリプロピレン，無水マレイン酸でグラフトした，
Clariant Produkte (Deutschland) GmbH.
Licocene PP 2602（登録商標）TP: プロピレンポリマー，Clariant Produkte (Deutschland) GmbH 
Snowcal 70: 炭酸カルシウム，Omya
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月11日(2011.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
整地面の上に遮水性を有する防草シートと、当該防草シートの上に樹皮及び木材チップ層を有し、当該樹皮及び木材チップ層の上に、砕石と粒石とを単独又は混合して敷設した石材層を有することを特徴とする防草構造。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月8日(2011.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多機能トルクコンバータにおいて、
トルクコンバータクラッチのための提供圧力チャンバが設けられており、
環状空間を有する第１の圧力チャンバが設けられており、
提供圧力チャンバ及び第１の圧力チャンバと流体連通しておりかつ、第１の圧力チャンバから提供圧力チャンバへの流体の流れを制御するために配置された、弾性的な流れ制御エレメントが設けられていることを特徴とする、多機能トルクコンバータ。
【請求項２】
弾性的な流れ制御エレメントがさらにばねとプランジャとを含む、請求項１記載のトルクコンバータ。
【請求項３】
トルクコンバータのためのトルクコンバータモードにおいて、弾性的な流れエレメントが、提供圧力チャンバへの流体の流れを遮断するように配置されている、請求項１記載のトルクコンバータ。
【請求項４】
第２の圧力チャンバが設けられており、クラッチが、少なくとも部分的に提供圧力チャンバと第２の圧力チャンバとを仕切っているピストンプレートを有しており、該ピストンプレートが、提供圧力チャンバ及び第２の圧力チャンバと流体連通したオリフィスを有する、請求項１記載のトルクコンバータ。
【請求項５】
冷却流体が設けられており、クラッチが摩擦材料を有しており、トルクコンバータのためのロックアップモードの間、冷却流体が、オリフィスと第２の圧力チャンバとを介して摩擦材料を通って提供圧力チャンバから流れるように配置されている、請求項４記載のトルクコンバータ。
【請求項６】
トルクコンバータモードからアイドル切断モードへの移行時、第２の圧力チャンバ内の圧力が増大される、請求項４記載のトルクコンバータ。
【請求項７】
ポンプクラッチが設けられており、第１の圧力チャンバが、ポンプクラッチのための提供圧力チャンバを有する、請求項１記載のトルクコンバータ。
【請求項８】
トルクコンバータのためのロックアップモードにおいて、弾性的な流れ制御エレメントが、提供圧力チャンバへの流体の流れを可能にするように配置されている、請求項１記載のトルクコンバータ。
【請求項９】
ポンプクラッチが設けられており、第１の圧力チャンバが、ポンプクラッチのための提供圧力チャンバを有しており、第１の圧力チャンバ内の圧力が、トルクコンバータのためのロックアップ及びトルクコンバータモードにおいてポンプクラッチをつなぐように配置されている、請求項１記載のトルクコンバータ。
【請求項１０】
第２の圧力チャンバとポンプクラッチとが設けられており、第１の圧力チャンバが、ポンプクラッチのための提供圧力チャンバを有しており、トルクコンバータのためのアイドル切断モードの間、第２の圧力チャンバ内の圧力が、トルクコンバータクラッチとポンプクラッチとを切断するように増大されるように配置されている、請求項１記載のトルクコンバータ。
【請求項１１】
トルクコンバータクラッチのための提供圧力チャンバと、第１の圧力チャンバとに冷却流体を提供するように配置された第１の圧力チャネルが設けられている、請求項１記載のトルクコンバータ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月12日(2010.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）基板上に配設された複数の細長い半導体ナノ構造であって、第１のタイプのドーピングを有する複数の細長い半導体ナノ構造と、
ｂ）細長い半導体ナノ構造にコンフォーマルに設けられた半導体材料の非晶質層であって、非晶質層と細長い半導体ナノ構造との間に界面を有しており、非晶質層が界面における実質的に真性組成から非晶質層の反対側における実質的に導電性の組成まで組成が傾斜しており、非晶質層の傾斜組成が第２のタイプのドーピングによってもたらされる、非晶質層と
を含んでなる光起電力デバイス。
【請求項２】
さらに、非晶質層の上に層として配置された透明な導電性材料を含んでいる、請求項１記載の光起電力デバイス。
【請求項３】
さらに、デバイスを外部回路に接続するように動作可能な上部及び下部接点を含んでいる、請求項１記載の光起電力デバイス。
【請求項４】
さらに、基板上にあるか、又は基板と一体になっているナノ多孔質テンプレートを含んでおり、そこから細長い半導体ナノ構造が出ている、請求項１記載の光起電力デバイス。
【請求項５】
ａ）第１のタイプのドーピングを有する複数の細長い半導体ナノ構造を基板上に準備し、
ｂ）細長い半導体ナノ構造上にコンフォーマルに半導体材料の非晶質層を界面を形成するようにして設ける
段階を含んでなり、
非晶質層が、界面における実質的に真性組成から非晶質層の反対側における実質的に導電性の組成まで組成が傾斜しており、非晶質層の傾斜組成が第２のタイプのドーピングによってもたらされる、光起電力デバイスを製造する方法。
【請求項６】
さらに、非晶質層上に導電性の透明な材料を付着させることを含んでいる、請求項５記載の方法。
【請求項７】
さらに、デバイスを外部回路に接続するために動作可能な上部及び下部接点を確立することを含んでいる、請求項６記載の方法。
【請求項８】
細長いナノ構造を、ＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、ＨＷＣＶＤ、原子層蒸着、電気化学蒸着、溶液化学蒸着、及びこれらの組合せからなる群から選択される方法によって成長させることによって得る、請求項５記載の方法。
【請求項９】
蒸着の際にドーパント種に分解するドーパント前駆体でドーピングすることにより非晶質層を組成が傾斜させ、この際非晶質層が蒸着されるにつれてドーパント前駆体濃度を次第に増大することにより蒸着中に傾斜様式でドーピングを与える、請求項５記載の方法。
【請求項１０】
請求項１記載の光起電力デバイスを１以上含んでいる太陽電池パネルであって、かかるデバイスをその周囲の大気環境から隔離し、電気出力の生成を可能にする、前記太陽電池パネル。