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【手続補正書】
【提出日】平成22年12月10日(2010.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学コードの画像を収集する画像収集装置であって、
前記光学コードの前記画像を収集する前に前記光学コードの動きを静止させるために、すべての画素の露光を同時に開始し同時に停止する静止画電子シャッタを有する画像収集装置を備えたことを特徴とする画像スキャニング装置。
【請求項２】
前記画像収集装置が、相補型金属酸化膜半導体又は電荷結合素子を有する請求項１に記載の画像スキャニング装置。
【請求項３】
前記光学コードが、バーコード、人間が読み取れるコード又は画像である、請求項１に記載の画像スキャニング装置。
【請求項４】
前記光学コードの画像を前記画像収集装置に方向付け、焦点を合わせるように構成した光学装置をさらに備える、請求項１に記載の画像スキャニング装置。
【請求項５】
様々な方向からの複数の画像を前記画像収集装置に順次に方向付けるようにさらに構成される、請求項４に記載の画像スキャニング装置。
【請求項６】
光学コードの画像を画像収集装置に方向付ける工程と、
前記画像収集装置で実施される、静止画電子シャッタを用いて前記方向付けられた画像全体の動きを静止させる工程と、
前記シャッタをすべての画素の露光を同時に開始し同時に停止する工程と、
前記光学コードの前記静止画像を収集する工程と、
の各工程を有する光学コードの画像スキャニング方法。
【請求項７】
前記光学コードの画像スキャニング方法が、相補型金属酸化膜半導体又は電荷結合素子を用いて行われる、請求項６に記載の画像スキャニング方法。
【請求項８】
前記光学コードが、バーコード、人間が読み取れるコード又は画像である、請求項６に記載の画像スキャニング方法。
【請求項９】
画像方向付け装置が、光学コードの画像を前記画像収集装置に方向付けるために使用される、請求項６に記載の画像スキャニング方法。
【請求項１０】
光学コードと関連付けた情報を格納するように構成したサーバコンピュータと、
前記サーバコンピュータと通信するローカルコンピュータと、
前記ローカルコンピュータと通信する画像スキャニング装置と、
を備え、
前記画像スキャニング装置は、前記光学コードの画像を収集する画像収集装置を備え、
前記画像収集装置は、前記光学コードの前記画像を収集する前に前記光学コードの動きを静止させるために、すべての画素の露光を同時に開始し同時に停止する静止画電子シャッタと、を備える画像スキャニングシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月16日(2011.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
閉塞空間を有する処理チャンバと、ワイドギャップ半導体基板が載置される基台と、前記処理チャンバ内を減圧する排気装置と、前記処理チャンバ内にガスを供給するガス供給装置と、環状のコイルとを有し、このコイルに高周波電力を供給して、前記処理チャンバ内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成装置と、前記基台に高周波電力を供給する高周波電源とを備えたエッチング装置を用いて、前記基台上のワイドギャップ半導体基板をプラズマエッチングする方法であって、
前記基台上に前記ワイドギャップ半導体基板を載置した後、
前記排気装置によって減圧された前記処理チャンバ内に、前記ガス供給装置によってエッチングガスを供給し、供給したエッチングガスを前記プラズマ生成装置によってプラズマ化し、且つ、前記高周波電源によって前記基台にバイアス電位を与えて前記ワイドギャップ半導体基板をエッチングするとともに、
前記ワイドギャップ半導体基板を２００℃〜４００℃に加熱した状態でエッチングするようにしたことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項２】
前記ワイドギャップ半導体基板は、炭化珪素基板であることを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング方法。
【請求項３】
前記ワイドギャップ半導体基板を２００℃〜４００℃の温度に予め加熱した後、この温度を維持しながら前記ワイドギャップ半導体基板をエッチングするようにしたことを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマエッチング方法。
【請求項４】
前記ワイドギャップ半導体基板を予め加熱する際に、前記ガス供給装置により不活性ガスを前記処理チャンバ内に供給し、供給した不活性ガスを前記プラズマ生成装置によってプラズマ化し、且つ、前記高周波電源によって前記基台にバイアス電位を与え、前記不活性ガスのプラズマ化により生成されたイオンを前記ワイドギャップ半導体基板に入射させて該ワイドギャップ半導体基板を加熱するようにしたことを特徴とする請求項３記載のプラズマエッチング方法。
【請求項５】
前記ワイドギャップ半導体基板の加熱温度を、３００℃〜４００℃の範囲内に設定したことを特徴とする請求項１乃至４記載のいずれかのプラズマエッチング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するための本発明は、
閉塞空間を有する処理チャンバと、ワイドギャップ半導体基板が載置される基台と、前記処理チャンバ内を減圧する排気装置と、前記処理チャンバ内にガスを供給するガス供給装置と、環状のコイルとを有し、このコイルに高周波電力を供給して、前記処理チャンバ内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成装置と、前記基台に高周波電力を供給する高周波電源とを備えたエッチング装置を用いて、前記基台上のワイドギャップ半導体基板をプラズマエッチングする方法であって、
前記基台上に前記ワイドギャップ半導体基板を載置した後、前記排気装置によって減圧された前記処理チャンバ内に、前記ガス供給装置によってエッチングガスを供給し、供給したエッチングガスを前記プラズマ生成装置によってプラズマ化し、且つ、前記高周波電源によって前記基台にバイアス電位を与えて前記ワイドギャップ半導体基板をエッチングするとともに、前記ワイドギャップ半導体基板を２００℃〜４００℃に加熱した状態でエッチングするようにしたことを特徴とするプラズマエッチング方法に係る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明によれば、ワイドギャップ半導体基板（以下、単に「半導体基板」と言う。）をプラズマエッチングするに当たり、当該半導体基板を２００℃〜４００℃に加熱している。このようにしているのは、本願発明者らの研究の結果、前記エッチング装置を用いて、原子間の結合が強い半導体基板をエッチングする際には、当該半導体基板の加熱温度は２００℃〜４００℃であることが好ましいと判明したからである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月12日(2011.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蓄電池であって、
鉛よりなる正電極と、
完全に亜鉛よりなる負電極と、
アルカリ金属硫酸塩の群から選択された塩の水溶液を含む電解質と、
を含む蓄電池。  
【請求項２】
請求項１の蓄電池において、前記アルカリ金属は、リチウムである蓄電池。
【請求項３】
請求項１の蓄電池において、前記アルカリ金属は、ナトリウムである蓄電池。
【請求項４】
請求項１の蓄電池において、前記アルカリ金属は、カリウムである蓄電池。
【請求項５】
請求項１の蓄電池において、前記アルカリ金属は、ルビジウムである蓄電池。
【請求項６】
請求項１の蓄電池において、前記アルカリ金属は、セシウムである蓄電池。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月20日(2011.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項９の発明は、請求項７に記載の被印刷物の配置状態判定方法であって、前記被印刷物の前記中心線に平行な辺に切り欠きをさらに設ける、ことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
請求項７に記載の被印刷物の配置状態判定方法であって、
前記被印刷物の前記中心線に平行な辺に切り欠きをさらに設ける、
ことを特徴とする被印刷物の配置状態判定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月27日(2011.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
台座は土台にネジにより固定され、ＲＦコンタクトが上記ネジより外側に設けられたことを特徴とする請求項１に記載のドリフトチューブ線形加速器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月23日(2011.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光出射部と、
前記光出射部の両側部に設けられ、入射する光を受ける光入射部と、
前記光出射部と対向して位置し、前記光入射部を通じて入射した光を前記光出射部に向かって反射させるプリズムパターンが設けられる反射部と、
を備え、前記反射部は、前記光入射部の有効発光幅に鑑みて前記反射部の任意の位置に達する光量が同一になるように決定した形状であることを特徴とする光ガイドバー。
【請求項２】
前記光出射部と前記反射部との幅は、中央部では広く、前記光入射部へ行くほど狭くなることを特徴とする請求項１に記載の光ガイドバー。
【請求項３】
出射光軸の方向をｙ、前記出射光軸に垂直な方向をｘ、前記反射部の中央部から前記光入射部の一方までのｘ方向の距離をＬ、前記反射部の端部と中央部とのｙ方向の距離をｈ０とすれば、前記反射部の形状は、
【数１】
2009026754.tif 000001
で表現されることを特徴とする請求項１に記載の光ガイドバー。
【請求項４】
出射光軸と平行な線により分割される前記プリズムパターンの頂角の２つの角をそれぞれ第１角、第２角とすれば、前記第１及び第２角は、前記光入射部の有効発光幅の中心から照射される光が前記出射光軸と平行に出射されるように決定されることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の光ガイドバー。
【請求項５】
前記プリズムパターンは、出射光軸と平行な線に対して左右非対称である頂角を有することを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の光ガイドバー。
【請求項６】
請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の光ガイドバーと、
前記光入射部に光を照射する光源と、
を備えることを特徴とする線光源装置。
【請求項７】
出射光軸と平行な線により分割される前記プリズムパターンの頂角の２つの角をそれぞれ第１角、第２角とすれば、前記第１及び第２角は、前記光入射部の有効発光幅の中心から照射された光が前記出射光軸と平行に出射するように決定されることを特徴とする請求項６に記載の線光源装置。
【請求項８】
前記プリズムパターンは、出射光軸と平行な線に対して左右非対称である頂角を有することを特徴とする請求項６に記載の線光源装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月16日(2011.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子源と、
前記荷電粒子源によって放出された荷電粒子から荷電粒子ビームを形成する集束カラムと、
前記荷電粒子ビームが向けられているサンプルを保持するサンプル・ステージを含むサンプル真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に配置された２次粒子検出器であって、前記検出器に向けて２次粒子を引き付ける電界を有する導電グリッド、前記サンプルの面の上方に位置するシンチレータであって２次電子が当たるときに光を放出するシンチレータ、および前記シンチレータによって放出された前記光を検出して前記光を電流に変換する光電子倍増管を含む、２次粒子検出器と、
を備える荷電粒子ビーム・システムであって、前記シンチレータおよび前記光電子倍増管が、前記サンプル真空チャンバ内にすべて配置される、荷電粒子ビーム・システム。
【請求項２】
第２荷電粒子源、および前記第２荷電粒子源によって放出された荷電粒子から荷電粒子ビームを形成する第２集束カラムをさらに備える、請求項１に記載の荷電粒子ビーム・システム。
【請求項３】
前記２次粒子検出器の位置が、２次粒子の収集を向上させるように前記真空チャンバ内において調節可能である、請求項１または２に記載の荷電粒子ビーム・システム。
【請求項４】
前記２次粒子検出器が、イオン−電子変換器を含む、請求項１〜３のいずれかに記載の荷電粒子ビーム・システム。
【請求項５】
前記シンチレータから前記光電子倍増管に光を伝達するために光ガイドをさらに備える、請求項１〜４のいずれかに記載の荷電粒子ビーム・システム。
【請求項６】
前記光ガイドが、２５ｍｍ未満の長さである、請求項５に記載の荷電粒子ビーム・システム。
【請求項７】
前記２次粒子検出器が、１２０ｍｍ未満の長さである、請求項１〜６のいずれかに記載の荷電粒子ビーム・システム。
【請求項８】
前記２次粒子検出器が、６０ｍｍ未満の長さである、請求項７に記載の荷電粒子ビーム・システム。
【請求項９】
前記シンチレータの前に配置されたイオン−電子変換器をさらに備える、請求項１〜８のいずれかに記載の荷電粒子ビーム・システム。
【請求項１０】
前記イオン−電子変換器が、２次イオンを電子に変換するための円筒表面を含む、請求項９に記載の荷電粒子ビーム・システム。
【請求項１１】
サンプル真空チャンバにおいて１次荷電粒子ビームをサンプル表面に向けることと、
前記真空チャンバ内において前記１次荷電粒子ビームが当たる際に前記表面から放出された荷電粒子を、荷電粒子が衝突する際に光子を放出する材料であって、前記サンプルの面の上方に位置する材料に向けて、電界を有する導電グリッドによって引き付けることと、
前記光子を検出し、光電子倍増管を使用して前記光子を電流に変換し、前記電流は、前記荷電粒子ビームが衝突する際に前記サンプル表面から検出された荷電粒子数に比例することと、
前記真空チャンバから前記電流を伝導することと、
前記真空チャンバ内において前記光子が電流に変換されることと、
を備える２次電子を検出する方法。
【請求項１２】
前記サンプル真空チャンバにおいて１次荷電粒子ビームをサンプル表面に向けることが、イオン・ビームまたは電子ビームを向けることを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
光管を経て前記光電子倍増管に光子を伝達することをさらに備える、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記真空チャンバにおいて前記光子を検出して、電流に変換することが、長さが１５ｃｍ未満であるデバイス内において前記光子を検出して、電流に変換することを含む、請求項１１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記１次荷電粒子ビームが当たる際に前記表面から放出された荷電粒子を引き付けることが、イオンを引き付けることを含み、前記イオンを電子に変換することをさらに備える、請求項１１〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
走査型電子顕微鏡の真空室内に配置する２次粒子検出器であって、
２次電子が当たるとき、光を放出するシンチレータと、
前記シンチレータに向けて２次電子を引き付ける電界を有する導電グリッドと、
前記シンチレータによって放出された前記光を検出し、前記光を電流に変換する光電子倍増管と、
前記シンチレータから前記光電子倍増管への５０ｍｍ未満の光路を有し、前記シンチレータから前記光電子倍増管に光を導く光ガイドと、
を備え、走査型電子顕微鏡内の前記サンプルの面の上方に位置する２次粒子検出器。
【請求項１７】
前記光ガイドは前記シンチレータから前記光電子倍増管への２５ｍｍ未満の光路を有する請求項１６に記載の２次粒子検出器。
【請求項１８】
シンチレータ、光電子倍増管、および光ガイドの全ての長さが８０ｍｍ未満である請求項１６または１７に記載の２次粒子検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月6日(2011.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリオレフィン樹脂多孔膜の少なくとも片面に、無機フィラーと樹脂バインダとを含む多孔層を備え、
前記ポリオレフィン樹脂多孔膜の、熱収縮応力の最大値が１０ｇ以下であることを特徴とする多層多孔膜。
【請求項２】
前記無機フィラーの平均粒径が０．１μｍ以上３．０μｍ以下である請求項１に記載の多層多孔膜。
【請求項３】
前記樹脂バインダの、前記無機フィラーと前記樹脂バインダとの総量に占める割合が体積分率で０．５％以上８％以下である請求項１又は２に記載の多層多孔膜。
【請求項４】
前記多層多孔膜の総厚の、総層厚に占める割合が１５％以上５０％以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の多層多孔膜。
【請求項５】
前記多層多孔膜の透気度が１０秒／ｃｃ以上６５０秒／ｃｃ以下である請求項１〜４のいずれか１項に記載の多層多孔膜。
【請求項６】
前記多層多孔膜の総厚が２μｍ以上２００μｍ以下である請求項１〜５のいずれか１項に記載の多層多孔膜。
【請求項７】
前記樹脂バインダが、ケン化度８５％以上のポリビニルアルコールである請求項１〜６のいずれか１項に記載の多層多孔膜。
【請求項８】
前記多孔層に面する前記ポリオレフィン樹脂多孔膜表面の濡れ指数が４０ｍＮ／ｍ以上である請求項１〜７のいずれか１項に記載の多層多孔膜。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の多層多孔膜を用いた非水電解液電池用セパレータ。
【請求項１０】
請求項９に記載の非水電解液電池用セパレータを用いた非水電解液電池。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の多層多孔膜の製造方法であって、ポリオレフィン樹脂多孔膜の少なくとも片面に、無機フィラーと樹脂バインダとを含有する分散液を塗布することを特徴とする多層多孔膜の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月1日(2011.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モーションキャプチャデータからの顔面アニメーションの方法であって、
複数のモーションキャプチャマーカを含んだ基準画像を、複数の仮想マーカを含んだ仮想基準画像に対してマッピングし、
前記複数のモーションキャプチャマーカのそれぞれの、前記複数の仮想マーカのうちの対応する仮想マーカへのオフセットを決定するステップと、
前記オフセットに基づいてアニメーションライブラリ内の複数の所定の顔面状態のそれぞれに対する重みの解を決定するステップと、
顔面アニメーションを生成するために、前記重みの解に従って前記複数の所定の顔面状態を結合するステップと、を有する方法。
【請求項２】
モーションキャプチャデータの基準画像を仮想基準画像に位置決めおよび位置合わせするステップを更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数のモーションキャプチャマーカのそれぞれの前記オフセットを決定する前記ステップは、前記複数のモーションキャプチャマーカのそれぞれについてデルタベクトルを決定するステップを有する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記オフセットを決定する前記ステップは、仮想基準画像から前記対応する仮想マーカまでの距離を決定するステップを有する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記重みの解を決定する前記ステップは、最小二乗拒理を含む所定の性能指標を最適化する前記重みの解を決定するステップを有する請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記複数の所定の顔面状態を結合する前記ステップは、前記重みの解に従った顔面状態の線形頂点モーフィングを含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記複数の所定の顔面状態を結合する前記ステップは、前記重みの解に従って、各顔面状態について曲線のメッシュを変形させるステップを有する請求項１に記載の方法。
【請求項８】
顔面アニメーション装置であって、
複数の顔面状態、および基準画像からのモーションキャプチャマーカにマップされた仮想マーカを含む仮想基準画像のアニメーションライブラリと、
モーションキャプチャデータにアクセスし、前記アニメーションライブラリ内の前記顔面状態のそれぞれに対して、性能指標を最適化するために重みの解を決定するように構成された重みソルバと、
前記モーションキャプチャデータに対する顔面アニメーションを生成するために、前記重みの解に従って前記複数の顔面状態を結合するように構成された形状デフォーマと、を有する装置。
【請求項９】
前記顔面アニメーションのために、前記重みの解のうちの１つ以上の重みに対する調整を受け取るように構成されたユーザインタフェースと、
前記重みソルバに対する１つ以上のパラメータまたは制約を変更するように構成されたエディタと、を更に有する請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
実際の俳優からモーションキャプチャマーカの位置を記録するように構成された少なくとも１つのカメラと、
前記少なくとも１つのカメラに結合され、モーションキャプチャマーカの位置から前記実際の俳優の頭部の動きを除去することによって、モーションキャプチャデータを生成するように構成された安定化モジュールと、を更に有する請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記基準画像にアクセスし、前記モーションキャプチャマーカのそれぞれの位置を仮想マーカの対応する位置にマッピングするように構成された基準キャプチャモジュールを更に有する請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
前記複数の顔面状態のそれぞれは、顔面アニメーションモデルに従った前記仮想基準画像の変形を含む請求項８に記載の装置。
【請求項１３】
前記重みソルバは、少なくとも１つの制約の存在下で前記性能指標を最適化するように構成されている請求項８に記載の装置。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの制約は、前記重み解にある各重みが変化できる有界範囲を指定している請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記重みソルバは、前記モーションキャプチャデータ内のモーションキャプチャマーカの位置および仮想マーカの位置に基づいて、有界最小二乗解を実行するように構成されている請求項８に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月16日(2011.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
与えられた目標位置を基に直交座標系の速度指令を生成する速度指令生成部と、前記直交座標系の速度指令を各駆動軸の速度指令に変換する逆運動学変換部とを備えた移動ロボット制御装置において、
前記逆運動学変換部から出力された各駆動軸速度指令にゲインを乗じて調整した値を出力する速度ゲイン乗算部と、
前記移動ロボットから周囲物体までの距離を計測する環境認識センサと、
前記移動ロボットの駆動機構の情報を取得する内界センサと、
直交座標系の速度指令および前記センサによって取得した情報から駆動軸速度補正量を計算する駆動軸速度補正量計算部と、
前記駆動軸速度補正量計算部から出力された補正量に基づき前記速度ゲイン乗算部の出力値の補正を行う駆動軸補正部と、を備えたことを特徴とする移動ロボット制御装置。
【請求項２】
逐次目標対象物教示モデルとのマッチングをとって目標位置に到達するようにモデル補正量を求めるモデル補正量計算部と、
前記モデル補正量計算部にて求められたモデル補正量により目標値を変更する目標値変更部と、を備えたことを特徴とする請求項１記載の移動ロボット制御装置。
【請求項３】
前記駆動軸速度補正量計算部は、前記センサ情報から自己位置推定を行って求められた推定位置を微分して移動平均を乗じ、前記速度指令生成部から出力値と前記移動平均値との偏差を計算し、前記偏差を積分したものに位置ループゲイン乗算、逆運動学変換、フィルタによる平滑化の処理を施して駆動軸速度補正量を出力することを特徴とする請求項１または２記載の移動ロボット制御装置。
【請求項４】
前記モデル補正量計算部は、ＩＣＰ（Ｉｔｅｒａｔｉｖｅ Ｃｌｏｓｅｓｔ Ｐｏｉｎｔ）法により前記目標対象物教示モデルとのマッチングを行って補正量を計算することを特徴とする請求項２記載の移動ロボット制御装置。
【請求項５】
前記目標対象物教示モデルは、地図のノード情報に付帯したノード特徴データより抽出して前記モデル補正量計算部に入力することを特徴とする請求項２または４記載の移動ロボット制御装置。
【請求項６】
前記自己位置推定は、環境認識センサおよびロボット内界センサの情報を用いてカルマンフィルタにより位置推定を行うことを特徴とする請求項３記載の移動ロボット制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記問題を解決するため、本発明は、次のように構成したのである。
請求項１に記載の発明は、与えられた目標位置を基に直交座標系の速度指令を生成する速度指令生成部と、前記直交座標系の速度指令を各駆動軸の速度指令に変換する逆運動学変換部とを備えた移動ロボット制御装置において、前記逆運動学変換部から出力された各駆動軸速度指令にゲインを乗じて調整した値を出力する速度ゲイン乗算部と、前記移動ロボットから周囲物体までの距離を計測する環境認識センサと、前記移動ロボットの駆動機構の情報を取得する内界センサと、直交座標系の速度指令および前記センサによって取得した情報から駆動軸速度補正量を計算する駆動軸速度補正量計算部と、前記駆動軸速度補正量計算部から出力された補正量に基づき前記速度ゲイン乗算部の出力値の補正を行う駆動軸補正部とを備えたことを特徴とするものである。
また、請求項２に記載の発明は、逐次目標対象物教示モデルとのマッチングをとって目標位置に到達するようにモデル補正量を求めるモデル補正量計算部と、前記モデル補正量計算部にて求められたモデル補正量により目標値を変更する目標値変更部とを備えたことを特徴とするものである。
また、請求項３に記載の発明は、前記駆動軸速度補正量計算部は、前記センサ情報から自己位置推定を行って求められた推定位置を微分して移動平均を乗じ、前記速度指令生成部から出力値と前記移動平均値との偏差を計算し、前記偏差を積分したものに位置ループゲイン乗算、逆運動学変換、フィルタによる平滑化の処理を施して駆動軸速度補正量を出力することを特徴とするものである。
また、請求項４に記載の発明は、前記モデル補正量計算部は、ＩＣＰ（Ｉｔｅｒａｔｉｖｅ Ｃｌｏｓｅｓｔ Ｐｏｉｎｔ）法により前記目標対象物教示モデルとのマッチングを行って補正量を計算することを特徴とするものである。
また、請求項５に記載の発明は、前記目標対象物教示モデルは、地図のノード情報に付帯したノード特徴データより抽出して前記モデル補正量計算部に入力することを特徴とするものである。
また、請求項６に記載の発明は、前記自己位置推定は、環境認識センサおよびロボット内界センサの情報を用いてカルマンフィルタにより位置推定を行うことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１、３、６に記載の発明によると、自己位置推定値から制御周期毎に常に位置補正を行うようにしているため、動作パターンを限定したり一旦停止したりすることなく、シームレスな動作によって位置決め精度を向上することができる。
請求項２、４、５に記載の発明によると、逐次目標対象物教示モデルとのマッチングとって目標値の補正を行うようにしているため、目標位置に不確かさを持った簡易的な地図においても一般的な形状の周囲物体との位置関係を指定して正確な補正量を求め、動作パターンを限定したり一旦停止したりすることなく、シームレスな動作によって位置決め精度を向上することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月16日(2011.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
たて糸とよこ糸から構成されるガラス繊維織布と、絶縁樹脂組成物とからなるガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートにおいて、前記ガラス繊維織布をたて糸と垂直方向に任意に切断した時のたて糸中に存在する空隙の個数が、たて糸１０万本あたり０．１個以上１０個以下であることを特徴とするガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート。
【請求項２】
前記たて糸中に存在する空隙は、ほぼ円柱状であって、各々の空隙の最大直径が、０．０１μｍ以上１．２μｍ以下である請求項１に記載のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート。
【請求項３】
前記たて糸中に存在する空隙のたて糸方向の長さが２００ｍｍ以下である請求項１または２に記載のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート。
【請求項４】
前記ガラス繊維織布を構成するガラス繊維の線膨張係数が１ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下である請求項１ないし３のいずれかに記載のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート。
【請求項５】
前記ガラス繊維織布の厚さが１０μｍ以上１００μｍ以下、質量が１０ｇ／ｍ２以上１１０ｇ／ｍ２以下である請求項１ないし４のいずれかに記載のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート。
【請求項６】
前記ガラス繊維織布は、ガラス中に少なくとも、５０重量％以上７５重量％以下のＳｉＯ２、５重量％以上３０重量％以下のＡｌ２Ｏ３、及び２０重量％以下のＭｇＯを含むものである請求項１ないし５のいずれかに記載のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート。
【請求項７】
前記ガラス繊維織布は、ガラス中に少なくとも、０．１重量％以上２重量％以下のＴｉＯ２を含むものである請求項１ないし６のいずれかに記載のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートを１枚以上重ね合わせ、前記ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シートの少なくとも一方の外側の面に銅箔を配置して加熱加圧成形してなる積層板。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれかに記載のガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート及び／または請求項８に記載の積層板を用いてなる多層プリント配線板。
【請求項１０】
請求項９に記載の多層プリント配線板に半導体素子を搭載してなる半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月20日(2010.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの第１のＭＥＭＳセンサと、少なくとも１つの第２のＭＥＭＳセンサとを製造するための方法であって、
少なくとも１つの第１のＭＥＭＳセンサの第１のサブアセンブリ（１３）と、少なくとも１つの第２のＭＥＭＳセンサの第１のサブアセンブリとを含む第１のウェハ（１２，５１）を製造するステップと、
少なくとも１つの第１のＭＥＭＳセンサの第１のサブアセンブリの各々に対応する少なくとも１つの第１のＭＥＭＳセンサの第２のサブアセンブリ（１６）と、少なくとも１つの第２のＭＥＭＳセンサの第１のサブアセンブリの各々に対応する少なくとも１つの第２のＭＥＭＳセンサの第２のサブアセンブリとを含む第２のウェハ（１５，５４）を製造するステップと、
少なくとも１つの第１のＭＥＭＳセンサ（１４）を形成する少なくとも１つの第１のＭＥＭＳセンサの第１のサブアセンブリと少なくとも１つの第１のＭＥＭＳセンサの第２のサブアセンブリとを整列させ、少なくとも１つの第２のＭＥＭＳセンサ（１４）を形成する少なくとも１つの第２のＭＥＭＳセンサの第１のサブアセンブリと少なくとも１つの第２のＭＥＭＳセンサの第２のサブアセンブリとを整列させるように、第１のウェハ（１２）と接触するように第２のウェハ（１５）を持ってくるステップと、
少なくとも１つの第１のＭＥＭＳセンサに向かうように方位付けされた第１のジョイント内部アスペクトと、ＭＥＭＳセンサから離れるように方位付けされた第１のジョイント外部アスペクトとを備えた第１のジョイントと、少なくとも１つの第２のＭＥＭＳセンサに向かうように方位付けされた第２のジョイント内部アスペクトと、ＭＥＭＳセンサから離れるように方位付けされた第２のジョイント外部アスペクトとを備えた少なくとも１つの第２のＭＥＭＳセンサの各々を取り囲む第２のジョイントとを有する少なくとも１つの第１のＭＥＭＳセンサの各々を取り囲む第１のウェハ（１２）（５７）に第２のウェハ（１５）を溶融するステップと
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
第１のウェハを実質的に貫通することなく第２のウェハを完全に横断するような深さで第１の外部アスペクトの実質的に直近に間隔が隔てられた第１のひき目（３６）を切断することによりインタースペースから材料（６０）を除去するステップと、
前記第１のひき目から間隔が隔てられ、前記第２の外部アスペクトに対して実質的に直近の第２のひき目（３６）（６３）を切断するステップと、
前記第１のひき目及び前記第２のひき目によって画定されたインタースペースから第２のウェハの材料（１８）（６６）を除去するステップと
を更に有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のウェハを製造するステップが、
実質的に第１のジョイントから実質的に第２のジョイントまで延びるチャネルを画定するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも１つの第１のＭＥＭＳセンサ及び少なくとも１つの第２のＭＥＭＳセンサを包含する溶融混合ウェハであって、
少なくとも１つの第１のＭＥＭＳセンサの第１のサブアセンブリ（１３）と、
少なくとも１つの第２のＭＥＭＳセンサの第１のサブアセンブリ（１３）と
を備えた第１のウェハ（１２）と、
少なくとも１つの第１のＭＥＭＳセンサの第２のサブアセンブリ（１６）と、
少なくとも１つの第２のＭＥＭＳセンサの第２のサブアセンブリ（１６）と
を備えた第２のウェハ（１５）と、
溶融マトリックスと
を有し、
前記溶融マトリックスが、
少なくとも１つの第１のＭＥＭＳセンサの各々を形成するように少なくとも１つの第１のＭＥＭＳセンサの第２のアセンブリの各々と整列する少なくとも１つの第１のＭＥＭＳセンサの第１のアセンブリの各々をカプセル化するように構成された第１のジョイント（２２）と、
少なくとも１つの第２のＭＥＭＳセンサの各々を形成するように少なくとも１つの第２のＭＥＭＳセンサの第２のサブアセンブリの各々と整列する少なくとも１つの第２のＭＥＭＳセンサの第１のサブアセンブリの各々をカプセル化するように構成された第２のジョイント（２２）と
を有することを特徴とする溶融混合ウェハ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月11日(2011.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
すぐに加圧成形できるセラミック粉末を準備する工程、すぐに加圧成形できる粉末を所望の形状の加圧成形体に加圧成形する工程、加圧成形体を高密度のセラミックブランクに焼結する工程から成る粉末冶金処理を含んでなるプロセスにおいて、任意にウィスカを含む、酸化物セラミック、窒化物セラミックまたは混合セラミック材料に基づくセラミック切削インサートを製造する方法であって、セラミックブランクをタンブリングして焼結表皮を除去し且つ刃先丸めを行なう工程を特徴とする方法。
【請求項２】
３０から７０μｍのＷ値、３０から７０μｍのＨ値および０．８から１．６のＷ／Ｈ比を持つ刃先丸めならびに０．３０μｍ以下の平均表面粗度値すなわちＭＲa値を前記ブランクが有するようになるまで前記ブランクをタンブリングすることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
０．２５μｍ以下の平均表面粗度値すなわちＭＲa値を前記ブランクが有するようになるまで前記ブランクをタンブリングすることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ブランクが丸みのある形状を有することを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記セラミック材料がサイアロングレードであることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記タンブリングが３００分間以上行われることを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記タンブリングが振動タンブラー中で実施されることを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
３０から７０μｍのＷ値、３０から７０μｍのＨ値および０．８から１．６のＷ／Ｈ比を持つ刃先丸めならびに０．３０μｍ以下のＭＲa値を持つなめらかな表面を有することを特徴とする、請求項１に記載の方法により製造されたセラミック切削インサート。
【請求項９】
０．２５μｍ以下のＭＲa値を持つなめらかな表面を有することを特徴とする、請求項８に記載のセラミック切削インサート。
【請求項１０】
丸みのある形状を有することを特徴とする、請求項８または９に記載のセラミック切削インサート。
【請求項１１】
サイアロングレードであることを特徴とする、請求項８から１０までのいずれか１項に記載のセラミック切削インサート。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月2日(2011.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
挿通端及び溶融端を有する送給路と、
少なくとも１つのインクスティックを前記送給路の前記挿通端と前記溶融端との間で移送するインクスティック移送手段と、
前記送給路に沿って配置された少なくとも１つのセンサと、
少なくとも１つの前記センサと前記移送手段とに接続されたコントローラと、
被検知符号化部を有するインクスティックであって、少なくとも１つの前記インクスティックの前記被検知符号化部が少なくとも１つの前記センサを作動させて信号を発生させるインクスティックと、
を備え、
前記コントローラは、前記信号に応じ、前記インクスティック移送手段を制御して少なくとも１つの前記インクスティックを前記送給路の前記溶融端に近づく第１の方向と当該溶融端から離れる第２の方向のうち何れかに移送させる、相変化インクイメージング装置のインク送給系用システム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、
前記コントローラは、相変化インクイメージング装置に適する前記インクスティックであることが前記信号によって判明した場合に、少なくとも１つの当該インクスティックを前記第１の方向に移送させる、相変化インクイメージング装置のインク送給系用システム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであって、
前記コントローラは、相変化インクイメージング装置に適さない前記インクスティックであることが前記信号によって判明した場合に、少なくとも１つの当該インクスティックを前記第２の方向に移送させる、相変化インクイメージング装置のインク送給系用システム。
【請求項４】
請求項３に記載のシステムであって、
少なくとも１つの前記インクスティックが前記第２の方向に移送された場合に、警告信号を発生する警告信号発生器をさらに備える、相変化インクイメージング装置のインク送給系用システム。
【請求項５】
請求項３に記載のシステムであって、
前記コントローラは、前記送給路の前記挿通端における挿通口を通過して挿通ポイントを超えて少なくとも１つの前記インクスティックを移送させるよう構成されている、相変化インクイメージング装置のインク送給系用システム。
【請求項６】
インク装填装置の送給チャネルに沿って配置された少なくとも１つのセンサと、
被検知符号化部を有するインクスティックを、前記送給チャネルの溶融端に到達する前に、前記センサの位置を超えて移送するインクスティック移送手段と、
前記インクスティックに関連する可変の制御/属性情報をイメージング装置の制御系に伝えるために、前記インクスティックの外面上に形成された前記被検知符号部であって、少なくとも１つの前記センサを作動させて、前記制御系に伝えられる前記可変の制御/属性情報に対応する符号化パターン信号を発生させる複数の符号要素を含む、前記被検知符号部と、
前記符号化パターン信号を受信して復号化することにより前記インクスティックに関連づけられる前記可変の制御/属性情報を決定し、かつ前記インクスティックの前記復号化された制御情報に基づき、前記インクスティック移送手段の動きを制御する、コントローラと、
を備える、相変化インクイメージング装置用システム。
【請求項７】
請求項６に記載のシステムであって、
前記コントローラは、相変化インクイメージング装置に適する前記インクスティックであることを前記符号化パターン信号が示した場合に、前記インクスティック移送手段を前記溶融端に近づく第１の方向に動かす、相変化インクイメージング装置用システム。
【請求項８】
請求項６に記載のシステムであって、
前記コントローラは、相変化インクイメージング装置に適さない前記インクスティックであることを前記符号化パターン信号が示した場合に、少なくとも１つの当該インクスティックを前記溶融端と反対の第２の方向に移送させる、相変化インクイメージング装置用システム。
【請求項９】
相変化インクイメージング装置のインク送給系におけるインクスティック送給方法であって、
相変化インクイメージング装置のインク送給系の挿通端にて送給路上に少なくとも１つのインクスティックを受け入れるステップと、
前記送給路の溶融端に近づく第１の方向に少なくとも１つの前記インクスティックを動かすテップと、
前記送給路に沿って、挿通位置の下流領域、挿通位置の下流に対向する領域、挿通位置における第３の領域の１つに位置する少なくとも１つのセンサを、少なくとも１つの前記インクスティックの被符号化部によって作動させて符号化パターン信号を発生させるステップと、
前記符号化パターン信号を復号化することにより少なくとも１つの前記インクスティックに関連づけられる可変の制御情報を決定するステップと、
前記符号化パターン信号に基づき、前記溶融端に近づく第１の方向と該溶融端から遠ざかる第２の方向のうち何れかの方向に少なくとも１つの前記インクスティックを動かすステップと、
を含むインクスティック送給方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
少なくとも１つの前記インクスティックを前記第１の方向と前記第２の方向のいずれかに動かす前記ステップは、さらに、前記相変化インクイメージング装置に適する前記インクスティックであることを前記符号化パターン信号が示した場合に、少なくとも１つの当該インクスティックを前記第１の方向に動かすステップを含む、インクスティック送給方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月24日(2011.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
座標を入力する入力手段を有するオブジェクト処理装置であって、
画面上に表示されたオブジェクトの中から処理対象となるオブジェクトを指定するための前記入力手段を介した座標の入力の軌跡を第１の軌跡として受け付ける第１の受付手段と、
処理対象となるオブジェクトに対して実施する処理内容を指定するための前記入力手段を介した座標の入力の軌跡を第２の軌跡として受け付ける第２の受付手段と、
前記第１の軌跡と、前記第１の軌跡及び前記第２の軌跡の位置関係とに基づいて処理対象となるオブジェクトを決定する処理対象決定手段と、
前記処理対象決定手段により決められた処理対象のオブジェクトに対して前記第２の受付手段により受け付けた前記第２の軌跡により指定された処理内容に基づく処理を実行する実行手段と
を具備することを特徴とするオブジェクト処理装置。
【請求項２】
前記第１の軌跡は、閉曲線形状であり、
前記処理対象決定手段は、
前記第１の軌跡の内側に前記第２の軌跡がある場合、該第１の軌跡の内側を処理対象エリアとし、該処理対象エリアにあるオブジェクトを前記処理対象に決定する
ことを特徴とする請求項１記載のオブジェクト処理装置。
【請求項３】
前記第１の軌跡は、閉曲線形状であり、
前記処理対象決定手段は、
前記第１の軌跡上に前記第２の軌跡がある場合、該第１の軌跡上を処理対象エリアとし、該処理対象エリアにあるオブジェクトを前記処理対象に決定する
ことを特徴とする請求項１記載のオブジェクト処理装置。
【請求項４】
前記第１の軌跡は、閉曲線形状であり、
前記処理対象決定手段は、
前記第１の軌跡の外側に、前記第２の軌跡がある場合、該第１の軌跡の外側を処理対象エリアとし、該処理対象エリアにあるオブジェクトを処理対象に決定する
ことを特徴とする請求項１記載のオブジェクト処理装置。
【請求項５】
前記処理対象決定手段は、
前記第１の軌跡と前記第２の軌跡とが交わる場合、該第１の軌跡上を処理対象エリアとし、該処理対象エリアにあるオブジェクトを前記処理対象に決定し、前記第１の軌跡と前記第２の軌跡とが交わらない場合、該第１の軌跡上以外を処理対象エリアとし、該処理対象エリアにあるオブジェクトを前記処理対象に決定する
ことを特徴とする請求項１記載のオブジェクト処理装置。
【請求項６】
前記処理対象決定手段は、
オブジェクト全体、オブジェクトの一部、オブジェクト内の特定部分、のいずれかが前記処理対象エリアにある場合に、当該オブジェクトを前記処理対象に決定する
ことを特徴とする請求項２乃至５いずれか１項に記載のオブジェクト処理装置。
【請求項７】
前記第２の軌跡と、前記第１の軌跡及び前記第２の軌跡の位置関係とに基づいて前記処理対象となるオブジェクトに対して実行する処理内容を決定する処理内容決定手段
を更に具備し、
前記実行手段は、
前記処理対象決定手段により決められた処理対象となるオブジェクトに対して前記処理内容決定手段により決められた処理を実行する
ことを特徴とする請求項１記載のオブジェクト処理装置。
【請求項８】
前記処理内容決定手段は、
前記処理対象となるオブジェクトに対して位置揃えを行なうと決定した際に更に、前記第１の軌跡及び前記第２の軌跡の位置関係に基づいて該位置揃えを行なう方向を決定する
ことを特徴とする請求項７記載のオブジェクト処理装置。
【請求項９】
前記第１の軌跡は、閉曲線形状であり、
前記第１の受付手段は、
前記第１の軌跡上に複数の座標点を設け、連続する複数の座標点のなす角度が所定の閾値よりも小さい場合には、該当の連続する複数の座標点の中心に位置する座標点を該第１の軌跡から除外する
ことを特徴とする請求項１記載のオブジェクト処理装置。
【請求項１０】
前記第１の受付手段は、
前記第１の軌跡が閉曲線形状でない場合に、該第１の軌跡の始端と終端とを軌跡で接続した軌跡を第１の軌跡として受け付ける
ことを特徴とする請求項１記載のオブジェクト処理装置。
【請求項１１】
座標を入力する入力手段を有するオブジェクト処理装置の処理方法であって、
画面上に表示されたオブジェクトの中から処理対象となるオブジェクトを指定するための前記入力手段を介した座標の入力の軌跡を第１の軌跡として受け付ける第１の受付工程と、
処理対象となるオブジェクトに対して実施する処理内容を指定するための前記入力手段を介した座標の入力の軌跡を第２の軌跡として受け付ける第２の受付工程と、
前記第１の軌跡と、前記第１の軌跡及び前記第２の軌跡の位置関係とに基づいて処理対象となるオブジェクトを決定する処理対象決定工程と、
前記処理対象決定工程で決められた処理対象のオブジェクトに対して前記第２の受付工程で受け付けた前記第２の軌跡により指定された処理内容に基づく処理を実行する実行工程と
を含むことを特徴とするオブジェクト処理装置の処理方法。
【請求項１２】
座標を入力する入力手段を有するオブジェクト処理装置に内蔵されたコンピュータを、
画面上に表示されたオブジェクトの中から処理対象となるオブジェクトを指定するための前記入力手段を介した座標の入力の軌跡を第１の軌跡として受け付ける第１の受付手段、
処理対象となるオブジェクトに対して実施する処理内容を指定するための前記入力手段を介した座標の入力の軌跡を第２の軌跡として受け付ける第２の受付手段、
前記第１の軌跡と、前記第１の軌跡及び前記第２の軌跡の位置関係とに基づいて処理対象となるオブジェクトを決定する処理対象決定手段、
前記処理対象決定手段により決められた処理対象のオブジェクトに対して前記第２の受付手段により受け付けた前記第２の軌跡により指定された処理内容に基づく処理を実行する実行手段
として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の一態様は、座標を入力する入力手段を有するオブジェクト処理装置であって、画面上に表示されたオブジェクトの中から処理対象となるオブジェクトを指定するための前記入力手段を介した座標の入力の軌跡を第１の軌跡として受け付ける第１の受付手段と、処理対象となるオブジェクトに対して実施する処理内容を指定するための前記入力手段を介した座標の入力の軌跡を第２の軌跡として受け付ける第２の受付手段と、前記第１の軌跡と、前記第１の軌跡及び前記第２の軌跡の位置関係とに基づいて処理対象となるオブジェクトを決定する処理対象決定手段と、前記処理対象決定手段により決められた処理対象のオブジェクトに対して前記第２の受付手段により受け付けた前記第２の軌跡により指定された処理内容に基づく処理を実行する実行手段とを具備することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月24日(2011.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１又は複数のオブジェクトを表示する画面に対して指示された位置の座標値を入力する入力手段と、
前記入力手段により入力された座標値列により表される入力軌跡と、前記オブジェクトに対して処理を指示するための軌跡として予め定められた第２の軌跡とを比較し、前記入力軌跡が第１の軌跡であるか前記第２の軌跡であるかを判断する判断手段と、
前記判断手段により前記入力軌跡が前記第１の軌跡であると判断された場合に、前記入力軌跡と前記オブジェクトとの前記画面上における表示位置に基づいて前記１又は複数のオブジェクトの中からオブジェクトを選択する選択手段と、
前記判断手段により前記入力軌跡が前記第２の軌跡であると判断された場合に、前記選択手段により選択されたオブジェクトに対して前記入力軌跡が示す処理を実行する実行手段と
を具備することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記選択手段は、
前記画面上で前記入力軌跡に交わるオブジェクトを選択し、
前記実行手段は、
前記第１の軌跡と判断された入力軌跡の入力時に該入力軌跡と前記オブジェクトとが交わったのが早いオブジェクトから順番に前記処理を実行する
ことを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記判断手段は、
前記入力軌跡が前記第２の軌跡であるか否かが判断できない場合、前記第１の軌跡であるか前記第２の軌跡であるかの指示をユーザに求める
ことを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記選択手段は、
前記第２の軌跡と判断される入力軌跡が入力されるまでの間に、前記第１の軌跡と判断される入力軌跡が複数入力された場合には、該複数の入力軌跡毎にオブジェクトを選択し、
前記実行手段は、
前記第１の軌跡と判断された複数の入力軌跡により選択されるオブジェクトを所定の類似形状を有する入力軌跡毎にグループ化し、該グループ化されたオブジェクト毎に前記第２の軌跡と判断される入力軌跡が示す処理を切り替えて実行する
ことを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記実行手段は、
前記グループ化された入力軌跡により選択されたオブジェクト毎にメタデータを付与する
ことを特徴とする請求項４記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記判断手段は、
前記入力軌跡が前記第２の軌跡でない場合、前記入力軌跡と、前記選択手段によるオブジェクトの選択の取り消しを指示するための軌跡として予め定められた第３の軌跡とを比較し、前記入力軌跡が前記第１の軌跡であるか前記第３の軌跡であるかを判断し、
前記選択手段は、
前記判断手段により前記第３の軌跡であると判断された場合、前記入力軌跡に基づいてオブジェクトの選択を取り消す
ことを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記実行手段による処理の結果をユーザに提示する提示処理手段
を更に具備することを特徴とする請求項１乃至６いずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
情報処理装置の処理方法であって、
１又は複数のオブジェクトを表示する画面に対して指示された位置の座標値を入力する入力工程と、
前記入力工程で入力された座標値列により表される入力軌跡と、前記オブジェクトに対して処理を指示するための軌跡として予め定められた第２の軌跡とを比較し、前記入力軌跡が第１の軌跡であるか前記第２の軌跡であるかを判断する判断工程と、
前記判断工程で前記入力軌跡が前記第１の軌跡であると判断された場合に、前記入力軌跡と前記オブジェクトとの前記画面上における表示位置に基づいて前記１又は複数のオブジェクトの中からオブジェクトを選択する選択工程と、
前記判断工程で前記入力軌跡が前記第２の軌跡であると判断された場合に、前記選択工程で選択されたオブジェクトに対して前記入力軌跡が示す処理を実行する実行工程と
を含むことを特徴とする情報処理装置の処理方法。
【請求項９】
コンピュータを、
１又は複数のオブジェクトを表示する画面に対して指示された位置の座標値を入力する入力手段、
前記入力手段により入力された座標値列により表される入力軌跡と、前記オブジェクトに対して処理を指示するための軌跡として予め定められた第２の軌跡とを比較し、前記入力軌跡が第１の軌跡であるか前記第２の軌跡であるかを判断する判断手段、
前記判断手段により前記入力軌跡が前記第１の軌跡であると判断された場合に、前記入力軌跡と前記オブジェクトとの前記画面上における表示位置に基づいて前記１又は複数のオブジェクトの中からオブジェクトを選択する選択手段、
前記判断手段により前記入力軌跡が前記第２の軌跡であると判断された場合に、前記選択手段により選択されたオブジェクトに対して前記入力軌跡が示す処理を実行する実行手段
として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の一態様による情報処理装置は、１又は複数のオブジェクトを表示する画面に対して指示された位置の座標値を入力する入力手段と、前記入力手段により入力された座標値列により表される入力軌跡と、前記オブジェクトに対して処理を指示するための軌跡として予め定められた第２の軌跡とを比較し、前記入力軌跡が第１の軌跡であるか前記第２の軌跡であるかを判断する判断手段と、前記判断手段により前記入力軌跡が前記第１の軌跡であると判断された場合に、前記入力軌跡と前記オブジェクトとの前記画面上における表示位置に基づいて前記１又は複数のオブジェクトの中からオブジェクトを選択する選択手段と、前記判断手段により前記入力軌跡が前記第２の軌跡であると判断された場合に、前記選択手段により選択されたオブジェクトに対して前記入力軌跡が示す処理を実行する実行手段とを具備することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】