Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月19日(2011.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基材上に、電子部品の搭載エリアに対応する部分を囲んで環状の開口部を有するようパターン形成された第１のレジスト層を形成する工程と、
前記第１のレジスト層の開口部から露出している前記支持基材上に、犠牲導体層を形成する工程と、
前記第１のレジスト層を除去後、前記支持基材及び前記犠牲導体層上に、前記電子部品の搭載エリア内に対応する部分に所要の形状の開口部を有するようパターン形成された第２のレジスト層を形成する工程と、
前記第２のレジスト層の開口部から露出している前記支持基材上に、パッドを形成する工程と、
前記第２のレジスト層を除去後、前記支持基材及び前記犠牲導体層上に、前記パッドを露出させて絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記パッドに接続されるビアを含む配線層を形成する工程と、
以降、所要の層数となるまで絶縁層と配線層を交互に積層した後、前記支持基材及び前記犠牲導体層を除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記犠牲導体層を形成する工程において、前記支持基材を構成する材料と同じ材料を用いて当該犠牲導体層を形成し、
前記パッドを形成する工程において、めっき法により、当該支持基材上に複数の金属層を順次積層してパッドを形成するに際し、その最下層の金属層を、前記支持基材及び犠牲導体層を構成する材料と異なる材料を用いて形成することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
支持基材上に、電子部品の搭載エリアを囲んで環状の部分のみが残存するようパターン形成された第１のレジスト層を形成する工程と、
前記第１のレジスト層から露出している前記支持基材上に、犠牲導体層を形成する工程と、
前記第１のレジスト層を除去後、前記支持基材及び前記犠牲導体層上に、前記電子部品の搭載エリア内に対応する部分に所要の形状の開口部を有するようパターン形成された第２のレジスト層を形成する工程と、
前記第２のレジスト層の開口部から露出している前記犠牲導体層上に、パッドを形成する工程と、
前記第２のレジスト層を除去後、前記支持基材及び前記犠牲導体層上に、前記パッドを露出させて絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記パッドに接続されるビアを含む配線層を形成する工程と、
以降、所要の層数となるまで絶縁層と配線層を交互に積層した後、前記支持基材及び前記犠牲導体層を除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記犠牲導体層を形成する工程において、前記支持基材を構成する材料と同じ材料を用いて当該犠牲導体層を形成し、
前記パッドを形成する工程において、めっき法により、当該犠牲導体層上に複数の金属層を順次積層してパッドを形成するに際し、その最下層の金属層を、前記支持基材及び犠牲導体層を構成する材料と異なる材料を用いて形成することを特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１のレジスト層を形成する工程において、さらに前記電子部品の搭載エリア内で各パッド間を分断する格子状の開口部も有するようにパターン形成された第１のレジスト層を形成し、
前記犠牲導体層を形成する工程において、前記第１のレジスト層の各開口部から露出している前記支持基材上に当該犠牲導体層を形成することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
支持基材上に、電子部品の搭載エリアに対応する部分を囲んで環状の凹部又は凸部を形成する工程と、
前記支持基材の前記凹部又は凸部が形成されている側の面に、前記電子部品の搭載エリア内に対応する部分に所要の形状の開口部を有するようパターン形成されたレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層の開口部から露出している支持基材上に、パッドを形成する工程と、
前記レジスト層を除去後、前記支持基材上に、前記パッドを露出させて絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記パッドに接続されるビアを含む配線層を形成する工程と、
以降、所要の層数となるまで絶縁層と配線層を交互に積層した後、前記支持基材を除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記支持基材上に前記凹部又は凸部を形成する工程において、凸部を形成する際に、前記支持基材上の凸部形成領域を除いた部分にエッチングを施して当該部分を所要の厚さに薄くすることを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
複数の配線層が絶縁層を介在させて積層され、各絶縁層に形成されたビアを介して層間接続された構造を有した配線基板において、
電子部品を搭載する面側の最外層の絶縁層の表面と同一面に露出し、前記電子部品の搭載エリア内に配列されたパッドと、
前記最外層の絶縁層上で前記電子部品の搭載エリアを囲んで環状に形成された凹部とを有し、
前記最外層の絶縁層の表面は、前記凹部が形成されている領域を除いて平坦となっていることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
複数の配線層が絶縁層を介在させて積層され、各絶縁層に形成されたビアを介して層間接続された構造を有した配線基板において、
電子部品を搭載する面側の最外層の絶縁層の表面と同一面に露出し、前記電子部品の搭載エリア内に配列されたパッドと、
前記最外層の絶縁層上で前記電子部品の搭載エリアを囲んで環状に形成された凸部とを有し、
前記最外層の絶縁層の表面は、前記凸部が形成されている領域を除いて平坦となっており、前記凸部は前記最外層の絶縁層と一体に形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
さらに、前記最外層の絶縁層の、前記電子部品の搭載エリア内に配列されている各パッド間を分断する形態で格子状に凹部が設けられていることを特徴とする請求項８に記載の配線基板。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月18日(2011.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に第１導電型クラッド層、ガイド層、ＩｎＧａＮ系量子井戸活性層、第２導電型クラッド層および第２導電型コンタクト層を順次成長させる工程を有する窒化物半導体光素子の製造方法であって、
前記ＩｎＧａＮ系量子井戸活性層を成長させる工程は、ＩｎＧａＮ井戸層を成長させる工程と、ＩｎＧａＮ障壁層を成長させる工程とを含み、
前記ＩｎＧａＮ障壁層を成長させる工程は、
窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気に水素を添加して膜を成長させる第１工程と、窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気で膜を成長させる第２工程とを含み、
前記第１工程の水素濃度は、前記第２工程の水素濃度よりも高いことを特徴とする窒化物半導体光素子の製造方法。
【請求項２】
前記第１工程における前記水素の添加濃度は、前記ガス雰囲気の１％〜１０％であることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体光素子の製造方法。
【請求項３】
前記第１工程で成長させる膜の厚さは、１ｎｍ〜５ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体光素子の製造方法。
【請求項４】
前記第２工程で成長させる膜の厚さは、４ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体光素子の製造方法。
【請求項５】
前記ＩｎＧａＮ系量子井戸活性層を有機金属気相成長法で成長させることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体光素子の製造方法。
【請求項６】
前記ＩｎＧａＮ井戸層を成長させる工程は、
窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気にパルス状に水素を添加して膜を成長させる第３工程と、窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気で膜を成長させる第４工程とをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体光素子の製造方法。
【請求項７】
前記ＩｎＧａＮ障壁層は、前記ＩｎＧａＮ井戸層の上部に、第１工程の後、第２工程を経て形成されることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体光素子の製造方法。
【請求項８】
半導体基板上に第１導電型クラッド層、ＩｎＧａＮガイド層、ＩｎＧａＮ系量子井戸活性層、第２導電型クラッド層および第２導電型コンタクト層を順次成長させる工程を有する窒化物半導体光素子の製造方法であって、
前記ＩｎＧａＮガイド層を成長させる工程は、
窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気で膜を成長させる第１工程と、前記第１工程の後、窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気に水素を添加して膜を成長させる第２工程と、前記第２工程の後、窒素およびアンモニアからなるガス雰囲気で膜を成長させる第３工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体光素子の製造方法。
【請求項９】
前記第２工程における前記水素の添加濃度は、前記ガス雰囲気の１％以上であることを特徴とする請求項８記載の窒化物半導体光素子の製造方法。
【請求項１０】
半導体基板上に第１導電型クラッド層、ガイド層、ＩｎＧａＮ系量子井戸活性層、第２導電型クラッド層および第２導電型コンタクト層が順次積層された窒化物半導体光素子であって、
前記ＩｎＧａＮ系量子井戸活性層は、ＩｎＧａＮ井戸層と、前記ＩｎＧａＮ井戸層の上部に形成されたＩｎＧａＮ障壁層とを含み、
前記ＩｎＧａＮ井戸層と前記ＩｎＧａＮ障壁層との間に、さらにＧａＮ層が形成されていることを特徴とする窒化物半導体光素子。
【請求項１１】
前記ＧａＮ層の厚さは、１ｎｍ〜５ｎｍであることを特徴とする請求項１０記載の窒化物半導体光素子。
【請求項１２】
前記ＩｎＧａＮ障壁層の厚さは、４ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１０記載の窒化物半導体光素子。
【請求項１３】
前記ＩｎＧａＮ井戸層は、ＩｎＧａＮ層とＧａＮ層との積層構造で構成されていることを特徴とする請求項１０記載の窒化物半導体光素子。
【請求項１４】
前記ガイド層は、ＩｎＧａＮ層とＧａＮ層との積層構造で構成されていることを特徴とする請求項１０記載の窒化物半導体光素子。
【請求項１５】
前記ＩｎＧａＮ系量子井戸活性層の発光波長は、４４０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１０記載の窒化物半導体光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月8日(2011.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
地上デジタル放送の放送信号を受信する受信部と、
該受信した放送信号に基づいて、地上デジタル放送の放送番組の映像を表すアナログ信号を生成する、アナログ信号生成部と、
地上デジタル放送の放送信号と前記アナログ信号が多重された高周波を生成する、高周波生成部と、
を備えたことを特徴とする放送信号変換装置。
【請求項２】
前記高周波生成部は、
前記アナログ信号が、現在又は過去における地上アナログ放送用のチャンネルに多重された高周波を生成することを特徴とする請求項１に記載の放送信号変換装置。
【請求項３】
前記高周波生成部は、
前記アナログ信号が、ＶＨＦ１ｃｈからＶＨＦ１２ｃｈの何れかのチャンネルに多重された高周波を生成することを特徴とする請求項２に記載の放送信号変換装置。
【請求項４】
地上デジタル放送の放送番組についての番組情報を受信して取得する、番組情報取得部を備え、
前記アナログ信号生成部は、
前記放送番組の映像に、該放送番組についての番組情報を重畳させ、
該重畳させた映像を表すアナログ信号を生成することを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の放送信号変換装置。
【請求項５】
地上デジタル放送の各放送番組についての番組表を受信して取得する、番組表取得部と、
該番組表を表す映像のアナログ信号である番組表信号を生成する、番組表信号生成部と、
を備え、
前記高周波生成部は、
地上デジタル放送の放送信号、前記アナログ信号、および該番組表信号が多重された高周波を生成することを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の放送信号変換装置。
【請求項６】
デジタル放送をアナログ信号に変換し、
デジタル放送の放送信号と前記アナログ信号を出力することを特徴とする放送信号変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月16日(2011.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象物を載せたまま異なる２方向に移動させることができる可動ステージと、
上記可動ステージと対向配置され、上記検査対象物を撮影して、連続する複数のフレーム画像からなる動画像を生成するカメラと、
上記カメラによって撮影された２以上の静止画像を張り合わせて、当該カメラの実視野よりも視野の広いモザイク画像を生成するモザイク画像生成手段と、
上記フレーム画像及び上記モザイク画像から特徴量を抽出する特徴量抽出手段と、
上記特徴量の比較によって、上記フレーム画像及び上記モザイク画像間の相対位置を判定する相対位置判定手段と、
上記相対位置の判定結果に基づいて、上記フレーム画像の上記モザイク画像に対する表示位置を更新し、上記モザイク画像上に上記動画像を表示するライブ画像表示手段とを備え、
上記ライブ画像表示手段は、上記相対位置判定手段によって上記フレーム画像の位置合わせに成功したと判定された場合に、上記表示位置を上記相対位置に応じて変更し、上記フレーム画像の位置合わせに失敗したと判定された場合に、上記表示位置を固定することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
上記ライブ画像表示手段が、位置合わせに成功したと判定された最後のフレーム画像の表示位置付近に上記表示位置を固定することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
上記ライブ画像表示手段は、上記フレーム画像の位置合わせに失敗した後、上記最後のフレーム画像の表示位置に上記表示位置を固定して新たに取得されるフレーム画像を表示し、当該表示位置に表示されるフレーム画像を新たに取得されるフレーム画像に更新することによって、動画像の表示を継続することを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
上記特徴量抽出手段は、上記モザイク画像から特徴量を抽出する際に、当該モザイク画像に対して最後に張り合わされた静止画像を基準画像として、当該基準画像内の特徴量を抽出し、
上記相対位置判定手段は、上記フレーム画像の位置合わせに失敗した後に取得されるフレーム画像について、当該フレーム画像と上記モザイク画像との間の相対位置をフレーム画像内の特徴量と上記基準画像内の特徴量とを比較することによって判定し、上記基準画像内の特徴量との比較では相対位置が判定できなかった場合に、フレーム画像内の特徴量と上記モザイク画像の上記基準画像を除く画像領域内の特徴量とを比較することによって上記相対位置を判定することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項５】
上記相対位置判定手段は、上記フレーム画像全体の特徴量と上記基準画像全体の特徴量との比較によっても上記相対位置が判定できなかった場合に、上記モザイク画像に対して最後に張り合わされた静止画像に隣接する静止画像を基準画像として、この基準画像全体の特徴量と上記フレーム画像全体の特徴量とを比較することによって上記相対位置を判定することを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
上記特徴量抽出手段は、上記モザイク画像から特徴量を抽出する際に、当該モザイク画像に対して最後に張り合わされた静止画像を基準画像として、当該基準画像内の特徴量を抽出し、
上記相対位置判定手段は、過去の相対位置の判定結果に基づいて上記フレーム画像及び上記基準画像間の重複領域を推定し、上記重複領域内の特徴量を比較することによって上記相対位置を判定し、上記重複領域内の特徴量の比較では上記相対位置が判定できなかった場合に、上記フレーム画像全体の特徴量と上記基準画像全体の特徴量とを比較することによって上記相対位置を判定することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項７】
上記ライブ画像表示手段は、位置合わせに失敗したと判定されたフレーム画像を成功したと判定された場合とは異なる表示態様で表示することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項８】
上記動画像を構成するフレーム画像を縮小して位置合わせ用フレーム画像を生成し、上記モザイク画像を縮小して位置合わせ用モザイク画像を生成する位置合わせ用縮小手段と、
上記動画像を構成するフレーム画像を縮小して表示用フレーム画像を生成し、上記モザイク画像を縮小して表示用モザイク画像を生成する表示用縮小手段とを備え、
上記特徴量抽出手段が、上記位置合わせ用フレーム画像及び上記位置合わせ用モザイク画像から特徴量を抽出し、
上記相対位置判定手段が、上記位置合わせ用フレーム画像及び上記位置合わせ用モザイク画像間の相対位置を判定し、
上記ライブ画像表示手段が、上記表示用モザイク画像上に上記表示用フレーム画像によって構成される動画像をライブ画像として表示し、
上記モザイク画像生成手段が、上記位置合わせ用モザイク画像よりも高い解像度でフレーム画像及びモザイク画像間の相対位置を推定して当該フレーム画像を当該モザイク画像に張り合わせ、新たなモザイク画像を生成することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項９】
検査対象物を載せたまま異なる２方向に移動させることができる可動ステージと、
上記可動ステージの位置を検出する位置センサーと、
上記可動ステージと対向配置され、上記検査対象物を撮影して、連続する複数のフレーム画像からなる動画像を生成するカメラと、
上記カメラによって撮影された２以上の静止画像を張り合わせて、当該カメラの実視野よりも視野の広いモザイク画像を生成するモザイク画像生成手段と、
上記位置センサーの出力に基づいて、上記フレーム画像及び上記モザイク画像間の相対位置を判定する相対位置判定手段と、
上記相対位置の判定結果に基づいて、上記フレーム画像の上記モザイク画像に対する表示位置を更新し、上記モザイク画像上に上記動画像を表示するライブ画像表示手段とを備え、
上記ライブ画像表示手段は、上記フレーム画像に対応する静止画像では上記モザイク画像と滑らかに連結できなくなった場合に、上記表示位置を固定することを特徴とする撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月9日(2011.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
タイルバッファ１０４は１タイル分の画素データを格納する領域を持ち、タイル分割部１０３から出力されるタイルデータを順次格納していく。タイルバッファ１０４に必要とされる容量はＴｗ×Ｔｈ×３（ＲＧＢ分）バイトである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
先ず、ステップＳ１５０１にて、１個のノンフラットブロックＢnを着目ブロックとし、２×２画素の画素ブロックデータを入力する。そして、ステップＳ１５０２にて、着目画素ブロックＢnが、以下の式（２）が成立するブロックであるかどうかの判定を行う。
Ｂn（０，１）＝Ｂn+1（０，０）
且つ
Ｂn（１，０）＝Ｂn+b（０，０）
且つ
Ｂn（１，１）＝Ｂn+b+1（０，０）          …（２）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
上記式（２）が成り立つブロックＢnを、以降、周囲３画素一致ブロックと定義する。上記式（２）に示すように、ペア｛Ｂn（０，１）、Ｂn+1（０，０）｝、｛Ｂn（１，０）、Ｂn+b（０，０）｝、及び、｛Ｂn（１，１）とＢn+b+1（０，０）｝との一致／不一致を判定するのには、理由がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
一般に、着目画素と、その着目画素に隣接する画素間の相関度は高いし、そのような画像が多い。そのため、着目画素の画素値を予測する場合には、その隣接する画素を予測のための参照画素として使用することが多い。着目ブロック内の４画素が全て同一ではない、すなわち、フラットブロックではないという条件下では、ペア｛Ｂn（０，１）、Ｂn+1（０，０）｝、｛Ｂn（１，０）、Ｂn+b（０，０）｝、及び、｛Ｂn（１，１）とＢn+b+1（０，０）｝とが一致する可能性が高いことを実験により得られた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
この理由で、Ｂn（０，１）とＢn+1（０，０）とが一致するか否かを判定するようにした。他のペア｛Ｂn（１，０）、Ｂn+b（０，０）｝、及び、｛Ｂn（１，１）とＢn+b+1（０，０）｝を比較するのも同じ理由である。そして、先に示した式（２）が満たされる場合（３つのペアが互いに等しい場合）、短い符号語を割り当てることで情報量の削減できた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
図４に、注目する２×２画素の画素ブロックを示す。図４に示す画素Ｘが縮小画像生成のためにサブサンプリングされた画素を示し、着目画素ブロックＢｎ内の画素Ｂn（０，０）に相当するものである。また、画素Ｘａ，Ｘｂ，Ｘｃは着目ブロックＢn内の画素（０，１），Ｂn（１，０），Ｂn（１，１）の画素を示している。以下、画素Ｘ、Ｘａ，Ｘｂ，Ｘｃを用いて説明する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
次いで、ステップＳ１５０８にて、着目ブロックＢn内の縮小画像に利用された画素Ｘを除く画素Ｘａ，Ｘｂ，Ｘｃのうち、画素Ｘと異なる色の画素と同じ色の画素が、近傍に存在するか否かを判断する。本実施形態では、比較する近傍の画素は、着目ブロックの右隣のブロックＢn+1の画素Ｂn+1（０，０）、着目ブロックの直下のブロックＢn+bの画素Ｂn+b（０，０）、着目ブロックの右下に隣接するブロックＢn+b+1の画素Ｂn+b+1（０，０）とし、この順番に比較する。３画素のいずれかと一致するかを示せば良いので、この比較結果は２ビットとした。そして、一致するのが、Ｂn+1（０，０）であった場合には２ビットの“１１”、Ｂn+b（０，０）と一致するなら２ビットの“０１”、Ｂn+b+1（０，０）とが一致するなら２ビットの“１０”を出力する（ステップＳ１５０９）。また、周辺の３画素のいずれとも一致しない場合（ＮＯ）には、処理をステップＳ１５１０へ移し、２ビットのフラグ“００”を出力する。そして、第２色の画素値を出力し（ステップＳ１５１１）、注目ブロックＢnに対する処理を終了する。本実施形態では符号化対象画像が、各色８ビットのＲＧＢデータであるからステップＳ１５１１においては２４ビットが出力される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月20日(2010.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の操作に応じて撮像部で撮像した映像信号を記録媒体に記録する撮像装置であって、
前記所定の操作がなされると、前記記録媒体への記録を開始し、予め定められた一定時間経過後に記録を停止する記録手段と、
前記記録媒体の残容量から記録可能時間を算出する記録可能時間算出手段と、
前記記録可能時間算出手段により算出された記録可能時間と前記予め定められた一定時間とから記録可能シーン数を算出する記録可能シーン数算出手段と、
前記記録可能シーン数算出手段により算出された記録可能シーン数を表示手段に表示する表示制御手段とを備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
所定の操作に応じて撮像部で撮像した映像信号を記録媒体に記録する撮像装置であって、
前記所定の操作がなされる毎に前記記録媒体への記録と記録停止とを交互に切り替える第１の撮影モードと、前記所定の操作がなされると、前記記録媒体への記録を開始し、予め定められた一定時間経過後に記録を停止する第２の撮影モードとのうち選択された撮影モードを実行する記録手段と、
前記記録媒体の残容量から記録可能時間を算出する記録可能時間算出手段と、
前記第２の撮影モードが選択されているときに、前記記録可能時間算出手段により算出された記録可能時間と前記予め定められた一定時間とから記録可能シーン数を算出する記録可能シーン数算出手段と、
前記第１の撮影モードが選択されているときは、前記記録可能時間算出手段により算出された記録可能時間を表示手段に表示し、前記第２の撮影モードが選択されているときは、前記記録可能シーン数算出手段により算出された記録可能シーン数を表示手段に表示する表示制御手段とを備えたことを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、固定時間撮影モードを有する撮像装置に関し、特に固定時間撮影モード中におけるカメラの状態表示に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の撮像装置は、所定の操作に応じて撮像部で撮像した映像信号を記録媒体に記録する撮像装置であって、前記所定の操作がなされると、前記記録媒体への記録を開始し、予め定められた一定時間経過後に記録を停止する記録手段と、前記記録媒体の残容量から記録可能時間を算出する記録可能時間算出手段と、前記記録可能時間算出手段により算出された記録可能時間と前記予め定められた一定時間とから記録可能シーン数を算出する記録可能シーン数算出手段と、前記記録可能シーン数算出手段により算出された記録可能シーン数を表示手段に表示する表示制御手段とを備えたことを特徴とする。
本発明の別の撮像装置は、所定の操作に応じて撮像部で撮像した映像信号を記録媒体に記録する撮像装置であって、前記所定の操作がなされる毎に前記記録媒体への記録と記録停止とを交互に切り替える第１の撮影モードと、前記所定の操作がなされると、前記記録媒体への記録を開始し、予め定められた一定時間経過後に記録を停止する第２の撮影モードとのうち選択された撮影モードを実行する記録手段と、前記記録媒体の残容量から記録可能時間を算出する記録可能時間算出手段と、前記第２の撮影モードが選択されているときに、前記記録可能時間算出手段により算出された記録可能時間と前記予め定められた一定時間とから記録可能シーン数を算出する記録可能シーン数算出手段と、前記第１の撮影モードが選択されているときは、前記記録可能時間算出手段により算出された記録可能時間を表示手段に表示し、前記第２の撮影モードが選択されているときは、前記記録可能シーン数算出手段により算出された記録可能シーン数を表示手段に表示する表示制御手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月1日(2011.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明に係る急速充電装置は、負荷である動力用蓄電池への急速充電が可能な蓄電池と、蓄電池より電気容量の大きい大容量蓄電池と、動力用蓄電池を充電する際、蓄電池と大容量蓄電池とを直列に接続し、大容量蓄電池の電力を蓄電池の電力に加算して動力用蓄電池に供給するコントローラーと、動力用蓄電池と接続されるＤＣ／ＤＣコンバーターとを備え、コントローラーは、加算した電力により動力用蓄電池を充電しているときに、蓄電池の電力が充電に必要な電力以下になると、大容量蓄電池のみの電力がＤＣ／ＤＣコンバーターを経由して動力用蓄電池に供給されるように、ＤＣ／ＤＣコンバーターを制御する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷である動力用蓄電池への急速充電が可能な蓄電池と、
前記蓄電池より電気容量の大きい大容量蓄電池と、
動力用蓄電池を充電する際、前記蓄電池と前記大容量蓄電池とを直列に接続し、前記大容量蓄電池の電力を前記蓄電池の電力に加算して動力用蓄電池に供給するコントローラーと、
動力用蓄電池と接続されるＤＣ／ＤＣコンバーターとを備え、
前記コントローラーは、加算した電力により動力用蓄電池を充電しているときに、前記蓄電池の電力が充電に必要な電力以下になると、前記大容量蓄電池のみの電力が前記ＤＣ／ＤＣコンバーターを経由して動力用蓄電池に供給されるように、前記ＤＣ／ＤＣコンバーターを制御することを特徴とする急速充電装置。
【請求項２】
前記蓄電池を複数備え、
前記コントローラーは、動力用蓄電池への充電により、前記大容量蓄電池と直列に接続された蓄電池の電力が充電に必要な電力以下になったときには、次の蓄電池と前記大容量蓄電池とを直列に接続することを特徴とする請求項１記載の急速充電装置。
【請求項３】
交流電源と接続されるＡＣ／ＤＣコンバーターを備え、
前記コントローラーは、次の蓄電池と前記大容量蓄電池とを直列に接続して動力用蓄電池への充電を行っているときに、充電に必要な電力以下となった蓄電池をＡＣ／ＤＣコンバーターと接続して、その蓄電池に電力が供給されるように、前記ＡＣ／ＤＣコンバーターを制御することを特徴とする請求項２記載の急速充電装置。
【請求項４】
前記コントローラーは、動力用蓄電池への充電休止時に、前記大容量蓄電池の電力が前記ＤＣ／ＤＣコンバーターを経由して前記蓄電池に充電されるように、そのＤＣ／ＤＣコンバーターを制御することを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の急速充電装置。
【請求項５】
動力用蓄電池と接続される過大電流抑制用の緩衝抵抗を備え、
前記コントローラーは、加算した電力により動力用蓄電池を充電する際、その電力を前記緩衝抵抗を経由させて動力用蓄電池に供給することを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の急速充電装置。
【請求項６】
前記コントローラーは、加算した電力により動力用蓄電池を充電する際、その電力が前記ＤＣ／ＤＣコンバーターを経由して動力用蓄電池に供給されるように、そのＤＣ／ＤＣコンバーターを制御することを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の急速充電装置。
【請求項７】
前記コントローラは、動力用蓄電池への充電休止時に、前記ＡＣ／ＤＣコンバーターから前記大容量蓄電池に電力が充電されるように、そのＡＣ／ＤＣコンバーターを制御することを特徴とする請求項３乃至６の何れかに記載の急速充電装置。
【請求項８】
前記コントローラーは、動力用蓄電池への充電休止時に、前記ＡＣ／ＤＣコンバーターから前記蓄電池に電力が充電されるように、そのＡＣ／ＤＣコンバーターを制御することを特徴とする請求項３乃至７の何れかに記載の急速充電装置。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れかに記載の急速充電装置を車両に備えたことを特徴とする移動式充電装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年12月24日(2010.12.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
射出成形
Fanuc Roboshot EV110トンの射出成形機を用いて、サンプルの射出成形を行なった。射出サイクル時間は、ポリスチレン材料及びＥＳＩブレンド材料から作ったサンプルについては３０秒、模型ワックスで作ったサンプルについては６０秒とした。ワックス製サンプルの射出成形は、サンプルの形状に応じて、温度１４０〜１６０°Ｆ、パック圧力１５０〜２００ｐｓｉで行なった。ポリスチレン製サンプルの射出成形は、サンプルの形状に応じて、温度３９０〜５５０°Ｆ、パック圧力６０００〜１００００ｐｓｉで行なった。ＥＳＩブレンドサンプル(表１のＣＡＳＰＥＲ材料と称されるNo.５以外の実験材料)の射出成形は、サンプルの形状に応じて、温度２３５〜３３０°Ｆ、パック圧力３５００〜１１０００ｐｓｉで行なった。ＣＡＳＰＥＲブレンドサンプル(表１の実験材料No.５)の射出成形は、サンプルの形状(Ｉビーム、引張強度試験棒、楔形試験片)に応じて、温度２６０〜２９０°Ｆ、パック圧力６５００〜８０００ｐｓｉで行なった。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
燃焼性能(Burnout Performance)
図５Ａの楔形ブロック模型を用いて、フラッシュ脱ワックス処理による模型の取外し中に、燃焼性能(モールドスプリッティングに対する感受性)を評価した。この楔形模型は、楔の縁部に沿って、シェルモールドにクラックを生じさせることがしばしばある。試験用楔形シェルモールドは、各楔形ブロック模型とは異なる模型材料をブレンドしたのものを用いて組み立てたものである。６つの異なる楔形模型を、夫々のドレンチューブＴに連結し、注湯カップＰＣに取り付けられた共通のリングゲートＧの上に配置し、図５Ａに示す模型組立体を形成した。模型組立体の各々は、従来のワックスによる楔形模型と、ポリスチレン製楔形模型を対照として含んでいる。次に、各模型組立体は、ＤＳ／ＳＣ(指向性凝固／単結晶)セラミックシェルモールドの製造と同じ要領でインベスト鋳造した。シェルモールドは、市販のシェルモールド構造であり、アルミナ及びアルミン酸コバルトを用いて形成したセラミックのスラリー／スタッコの表面コート、４層のセラミック(ジルコン)のスラリー／スタッコからなるバックアップ層、及びスラリー被覆層からなり、模型材料の評価を行なうのに適当な製造方法を用いて、燃焼による処理を行なった。
本発明に係る模型用ブレンド材料を有するシェルモールド(図５Ｂ)を、１４５０°Ｆのガス燃焼式トンネル型キルン炉の中でフラッシュ加熱した。従来のワックス模型だけを含むシェルモールドは、ボイラークレーブ内でワックスの大部分を取り除いた後、１４５０°Ｆのガス燃焼式トンネル型キルン炉の中でフラッシュ脱ワックスした。シェルモールドのスプリットのタイプ、位置(楔形の尖端、側部又は表面)、及び深刻度(スプリットの長さ)に関して、目視検査を行なった。異なる模型材料でブレンドしたサンプルについて、模型を取り外す際のモールドスプリッティングを対照ワックス模型と比較して、「劣る(worse)」「同等(equal to)」「優れる(better)」を評価した。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
【表２】
2004255465.tif 000001
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
表２に示す燃焼性能(burnout performance)は、シェルモールドにクラック、スプリット、破砕が起こったり、表面コートの反応又は鋳造介在物(casting inclusions)などの欠陥を生ずることなく、未焼成シェルモールドから取り外すことのできる模型材料の能力である。燃焼品質(burnout quality)は、多くの熱機械的材料特性による影響を受ける。この熱機械的材料特性として、例えば、軟化温度(Ｔs)、溶解温度(Ｔm)、膨張係数(％)、ＣＴＥ(最大膨張及び最大傾斜)、メルトフローレート(ＭＦＲ)が挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
業界の経験では、模型材料は、Ｔs値、Ｔm値及び膨張係数が低く、ＭＦＲが高い場合には、燃焼において最も良い結果をもたらすとされている。模型材料の軟化及び溶解温度が１００℃よりも高いか、及び／又は膨張係数が３.０％より大きいと、通常の場合、材料は速やかに溶解温度に達することができず、未焼成シェルモールドから流れ出すことができない。従って、膨張によってシェルモールドにスプリット又はクラックが生ずる前に、シェル欠陥を生ずる。ＭＦＲも同様に、熱による模型材料の取外しプロセスに影響を及ぼす重要な材料特性である。例えば、模型材料が溶解すると、溶解材料は、加熱されたシェルモールドから速やかに流れ出ることができるため、内部圧力によって生じる欠陥の液体模型材料への拡大は防止される。ＭＦＲが３５０よりも小さいと、模型材料のシェルモールド内での滞留時間が長くなり過ぎるので、商業的規模で生産を行なう燃焼プロセスでは受け入れ難いことが分かった。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
No.３、No.５及びNo.６の模型材料は、溶解温度が低く、膨張率が小さく、ＭＦＲが大きいため、燃焼特性(burnout propeties)については、模型ワックス材料と同等であるが、ポリスチレン模型材料よりは遙かにすぐれた結果を示した。本発明に基づくこれらの模型材料ブレンドは、模型ワックス材料と同様、燃焼性能は、「同等(Fair)」乃至「優れる(Good)」レベルであり、ポリスチレン模型材料に一般的に現れるシェル関連欠陥については、低減又は解消させることができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年2月9日(2011.2.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
0.01〜20質量％のカチオン両性ポリマーと、
0.01〜20質量％のアニオン有用物質
を含む組成物であって、
前記両性ポリマーは、式Iのポリ（ビニルピリジン）
【化１】
2004244633.tif 000001
（式中、aは1〜99のモル％を表し、bは1〜99のモル％を表し、cは0〜98のモル％を表し、R1は(CR6R7)m1からなる群から選択され、R2は(CR8R9)m2、ベンジル、ベンゼンおよび置換ベンゼンからなる群から選択され、Zはエチレン不飽和モノマーから該ポリマー中に取り込まれた残基であり、m1およびm2は独立に0〜20であり、R6、R7、R8およびR9はそれぞれ独立に、水素、ヒドロキシル、アルキル、アリールまたはアルカリールからなる群から選択されて各反復単位において異なっていてもよく、DはSO3−、SO2−、CO2−、PO3−およびPO4−から選択されるアニオン電荷を担う基から選択され、そしてR3、R4、R5、R10、R11およびR12は独立にHまたはアルキルである。）
を含むものであり、
前記アニオン有用物質が、オクチルアクリルアミド／アクリレート／メタクリル酸ブチ
ルアミノエチルのコポリマー、アクリレートのコポリマー、ポリスチレンスルホン酸ナト
リウムポリマーおよびビニルアセテート／クロトン酸／ビニルネオデカノエートのコポリ
マー、天然および変性ジャガイモデンプン、および酸化デンプン類からなる群から選択される、組成物。
【請求項２】
前記両性ポリマーが、ベタイン含有モノマーと、カチオンモノマーと、中性モノマーとの式IIによって表されるコポリマーを更に含み、
【化２】
2004244633.tif 000002
式中、xは1〜99のモル％を表し、yは1〜99のモル％を表し、zは0〜98のモル％を表し、Bはベタイン官能基を含有するエチレン不飽和モノマーから該ポリマー中に取り込まれた残基を表し、Cはカチオン電荷を含有するエチレン不飽和モノマーから該ポリマー中に取
り込まれた残基を表し、Nは荷電した官能基を伴わないエチレン不飽和モノマーから該ポ
リマー中に取り込まれた残基を表す、請求項1に記載の組成物。    
【請求項３】
０．１〜５０重量％の少なくとも１種類の界面活性剤をさらに含む、請求項1または2のいずれかに記載の組成物。
【請求項４】
少なくとも1種類の化粧品としてまたは皮膚科的に許容される基剤をさらに含む、請求項1から3のいずれかに記載の組成物。
【請求項５】
請求項1〜4のいずれか１項に記載の組成物を含む水性組成物を毛髪に塗付し、水で該毛髪をすすぐことを含む、毛髪の洗浄、コンディショニングまたはスタイリングの方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
好適なアニオン有用物質にはまた、エチレン不飽和モノマー（例えば、アクリレート、ビニルエステル類、ビニルエーテル類、メタクリレート類、クロトネート類、マレエート類、マレイン酸およびアクリルアミド類）の重合または共重合から生じるものなど、合成のアニオンポリマーおよびコポリマーがある。実例には、ポリマー群AMPHOMER（登録商標）ポリマー樹脂、ポリマー群BALANCE（登録商標）CR（アクリレートコポリマー）およびFLEXAN（登録商標）130（ポリスチレンスルホン酸ナトリウム）ならびに樹脂RESYN（登録商標）28-2930（ビニルアセテート／クロトン酸／ビニルネオデカノエートのコポリマー）がある。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月17日(2011.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像部と、前記撮像部への焦点調節状態の検出するための可視光域において６０％以上の量子効率を有するセンサと、前記センサの出力に基づいて前記撮像部への焦点調節を行う制御信号を出力する制御部とを有することを特徴とする自動焦点調節カメラ。
【請求項２】
前記センサは赤外域においても６０％以上の量子効率を有することを特徴とする請求項１記載の自動焦点調節カメラ。
【請求項３】
前記センサへの入射光量を制限する減光手段を有することを特徴とする請求項１または２記載の自動焦点調節カメラ。
【請求項４】
撮像部と、前記撮像部への焦点調節状態の検出するための可視光域から赤外にわたる広い感度領域を有するセンサと、前記センサの出力に基づいて前記撮像部への焦点調節を行う制御信号を出力する制御部と、前記センサへの光路に挿入される赤外カットフィルタおよび可視光カットフィルタとを有することを特徴とする自動焦点調節カメラ。
【請求項５】
前記制御部は、前記センサと前記赤外カットフィルタにより得られる前記センサの出力に基づいて前記撮像部への可視光領域フォーカス状態を判定するとともに、前記センサと前記可視光カットフィルタにより前記撮像部への赤外領域フォーカス状態を判定することを特徴とする請求項４記載の自動焦点調節カメラ。
【請求項６】
撮像部と、前記撮像部への焦点調節状態の検出するためのセンサと、前記センサの出力に基づいて前記撮像部への焦点調節を行う制御信号を出力する制御部と、前記センサへの入射光量を制限する減光手段を有することを特徴とする自動焦点調節カメラ。
【請求項７】
前記減光手段によってセンサに入射しなくなった光量を測光手段で活用することを特長とする請求項６記載の自動焦点調節カメラ。
【請求項８】
可視光領域に感度をもつ撮像部と、可視光領域に感度を持つ可視光センサと、赤外領域に感度を有する赤外センサと、前記赤外センサの出力および前記可視光センサの出力に基づいて前記撮像部への焦点調節を行う処理制御部とを有することを特徴とする自動焦点調節カメラ。
【請求項９】
前記可視光センサと前記赤外センサは、可視光から赤外にわたる感度領域をもつ一つのセンサであることを特徴とする請求項８記載の自動焦点調節カメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
補正環と可変開口絞りとを備えることを特徴とする顕微鏡対物レンズ。
【請求項２】
前記補正環は、前記可変開口絞りよりも物体側に配置されることを特徴とする請求項1に記載の顕微鏡対物レンズ。
【請求項３】
前記可変開口絞りが開放時に開口数が０．６以上であり、観察範囲が１ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の顕微鏡対物レンズ。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか1項に記載の顕微鏡対物レンズを備えたことを
特徴とする拡大撮像装置。
【請求項５】
前記補正環と前記可変開口絞りを制御する制御手段を備えたことを特徴とする請求項４に記載の拡大撮像装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記補正環を駆動する時には前記可変開口絞りを開放状態であるように制御することを特徴とする請求項５に記載の拡大撮像装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記可変開口絞りを開放状態へ駆動した後に前記補正環を駆動し、前記補正環を駆動した後に前記可変開口絞りを前記開放状態から駆動することを特徴とする請求項５または６に記載の拡大撮像装置。
【請求項８】
前記制御手段は、前記顕微鏡対物レンズの合焦の制御を含み、
前記顕微鏡対物レンズの合焦の時には前記可変開口絞りが開放状態であるように制御することを特徴とする請求項５から７のいずれか１項に記載の拡大撮像装置。
【請求項９】
励起光を照射するための照明装置と、
標本内の蛍光物質から放射された蛍光を定量的に測定する測定手段と、
前記励起光と前記蛍光とを分離する分離手段をさらに備えることを特徴とする請求項４から８のいずれか1項に記載の拡大撮像装置。
【請求項１０】
前記顕微鏡対物レンズによって拡大された前記蛍光を結像する結像レンズと、
前記結像レンズによって結像された１次像をリレーするリレー光学系と、をさらに備え、
前記分離手段は、前記リレー光学系内に存在する瞳位置の近傍に配置されることを特徴とする請求項９に記載の拡大撮像装置。
【請求項１１】
前記リレー光学系によって作られる２次像を変倍する変倍光学系を備え、
前記制御手段は、前記変倍光学系と前記可変開口絞りを関連付けて制御することを特徴とする請求項１０に記載の拡大撮像装置。
【請求項１２】
補正環と可変開口絞りとを有する対物レンズを備えた拡大撮像装置の制御方法において、
前記拡大装置は前記補正環と前記可変開口絞りを制御する制御手段を備え、
前記制御手段は、前記補正環を駆動する時には前記可変開口絞りを開放状態であるように制御することを特徴とする拡大撮像装置の制御方法。
【請求項１３】
補正環と可変開口絞りとを有する対物レンズと変倍光学系とを備えた拡大撮像装置の制御方法において、
前記拡大撮像装置は前記補正環と前記可変開口絞りと前記変倍光学系とを制御する制御手段を備え、
前記変倍光学系の状態に応じて前記開口絞りの開口径を調節することを特徴とする拡大撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の上記課題は、補正環と可変開口絞りとを備えることによって解決される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月13日(2011.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体に画像形成を行う画像形成装置において、
現像剤を収容する収容部と、
前記収容部に収容する前記現像剤の時間情報を取得する時聞情報取得部と、
前記現像剤の量を取得する量取得部と、
前記時間情報取得部及び前記量取得部を所定の条件で制御する制御部と、
前記制御部により制御される画像形成のために消費する前記現像剤の使用量を前記時間情報に基づき増加させる設定に変更する変更手段とを有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記現像剤の使用量を増加させる前記設定は、前記現像剤の使用量を抑制して印刷動作を行うことを解除する印刷条件であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記画像形成装置の使用頻度を増加させる設定を操作者に促す報知手段を有することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記画像形成装置の使用頻度を増加させる前記設定は、前記操作者が選択することができる複数の装置の内から、前記操作者が選択した装置を用いて印刷動作を行う印刷条件であることを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記操作者が任意に選択した前記装置は、単一又は複数であることを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記印刷条件は、前記現像剤の使用期限に基づいて設定することを特徴とする請求項２又は請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記印刷条件は、前記現像剤の残量に基づいて設定することを特徴とする請求項２又は請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記印刷条件は、前記現像剤の使用量に基づいて設定することを特徴とする請求項２又は請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記変更手段は、前記現像剤の使用量を増加させる設定を操作者に促す報知手段を有することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記収容部は、画像形成装置本体に対して着脱自在であり、
前記現像剤を収容する現像剤収容部を更に有し、
前記現像剤の前記製造時間情報は、前記現像剤収容部に設けられた前記時間情報取得部に記憶されることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記現像剤の前記使用量は、前記現像剤収容部に設けられた前記使用量取得部に記憶されることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前述の課題を解決すべく、本発明に係る画像形成装置は、媒体に画像形成を行う画像形成装置において、現像剤を収容する収容部と、前記収容部に収容する前記現像剤の時間情報を取得する時聞情報取得部と、前記現像剤の量を取得する量取得部と、前記時間情報取得部及び前記量取得部を所定の条件で制御する制御部と、前記制御部により制御される画像形成のために消費する前記現像剤の使用量を前記時間情報に基づき増加させる設定に変更する変更手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの電極との間に配された電解質溶液を有し、前記２つの電極の間を流れる電流の向きを設定することにより前記２つの電極のうちの１つの電極に電気めっき膜が形成される、電気めっきを調光に利用した反射型表示装置であって、
前記２つの電極を第１及び第２の電極としたとき、前記第１の電極に形成される電気めっき膜の前記第１の電極と接する第１の面と、前記第２の電極に形成される電気めっき膜の前記第２の電極と接しない第２の面とで、反射率及び吸収率の少なくとも一方が異なり、
前記第１の電極に電気めっき膜が形成された場合は前記第１の面からの反射光を表示に用い、前記第２の電極に電気めっき膜が形成された場合は前記第２の面からの反射光を表示に用いることを特徴とする反射型表示装置。
【請求項２】
前記電解質溶液は、めっき種としての第１の金属元素と、前記第１の金属元素と酸化還元電位が近い第２の金属元素と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の反射型表示装置。
【請求項３】
前記第１の金属元素は銀であり、前記第２の金属元素は銅であることを特徴とする請求項２に記載の反射型表示装置。
【請求項４】
前記第１の電極と前記第２の電極とは対向して配置され、
前記第１の電極及び第２の電極の少なくとも一方の電極と対向し且つ他方の電極と隣接して配置された第３の電極を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の反射型表示装置。
【請求項５】
前記第２の電極は光透過性を有し、前記第２の電極の前記第１の電極と対向する側とは反対の側に、特定の波長帯域を反射する反射体を設けたことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の反射型表示装置。
【請求項６】
少なくとも前記第１の電極、前記第２の電極及び前記第３の電極の間を流れる電流の向きを設定する制御手段を有し、
前記制御手段は、
前記第１の電極に、前記第１の電極と接する前記第１の面を形成する第１の電気めっき膜を形成する第１のモードと、
前記第２の電極に、前記第２の電極と接しない前記第２の面を形成する第２の電気めっき膜を形成し、前記第１の電極に前記第１の電気めっき膜がない状態とする第２のモードと、
前記第３の電極に電気めっき膜を形成し、前記第１及び第２の電極に前記第１及び第２の電気めっき膜がない状態とする第３のモードと、を与えることを特徴とする請求項４又は５に記載の反射型表示装置。
【請求項７】
前記第２の電極は、特定の波長帯域を反射する材料からなる請求項１から６のいずれか１項に記載の反射型表示装置。
【請求項８】
光透過性を有する第１の基板に前記第１の電極が配され、第２の基板に前記第２の電極が配されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の反射型表示装置。
【請求項９】
前記第２の電極は複数ライン状に一方向に配され、前記第１の電極は複数ライン状に配された前記第２の電極と交差するように、複数ライン状に前記一方向と直角な方向に配されてなる請求項１から８のいずれか１項に記載の反射型表示装置。
【請求項１０】
前記第１又は第２の電極のうちの一方の電極がマトリックス状に配列され、
マトリックス状に配された前記一方の電極のそれぞれは第１のスイッチに接続され、前記第１の電極と前記第２の電極との間を流れる電流は前記第１のスイッチを介して流れ、
前記第１のスイッチの導通を制御する第２のスイッチを前記第１のスイッチの制御端子に接続してなり、
前記一方の電極、前記第１及び第２のスイッチは画素ごとに設けられていることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の反射型表示装置。
【請求項１１】
前記第１の電極の前記第２の電極の対向する側とは反対の側に、光を拡散させる層を有する請求項１から１０のいずれか１項に記載の反射型表示装置。
【請求項１２】
前記第１の電極は光を拡散させる凹凸形状を有する請求項１から１１のいずれか１項に記載の反射型表示装置。
【請求項１３】
電解質溶液と接する電極を有し、該電極に電気めっき膜が形成される、電気めっきを調光に利用した反射型表示装置であって、
前記電気めっき膜は、前記電極と接する第１の面と、前記第１の面とは反対の側の第２の面とで、反射率及び吸収率の少なくとも一方が異なり、
前記第１の面からの反射光及び第２の面からの反射光の少なくとも一方が表示に用いられることを特徴とする反射型表示装置。
【請求項１４】
前記電解質溶液は、めっき種としての第１の金属元素と、前記第１の金属元素と酸化還元電位が近い第２の金属元素と、を含むことを特徴とする請求項１３に記載の反射型表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の反射型表示装置は、電解質溶液と接する電極を有し、該電極に電気めっき膜が形成される、電気めっきを調光に利用した反射型表示装置であって、
前記電気めっき膜は、前記電極と接する第１の面と、前記第１の面とは反対の側の第２の面とで、反射率及び吸収率の少なくとも一方が異なり、前記第１の面からの反射光及び第２の面からの反射光の少なくとも一方が表示に用いられることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また本発明の反射型表示装置は、少なくとも２つの電極との間に配された電解質溶液を有し、前記２つの電極の間を流れる電流の向きを設定することにより前記２つの電極のうちの１つの電極に電気めっき膜が形成される、電気めっきを調光に利用した反射型表示装置であって、
前記２つの電極を第１及び第２の電極としたとき、前記第１の電極に形成される電気めっき膜の前記第１の電極と接する第１の面と、前記第２の電極に形成される電気めっき膜の前記第２の電極と接しない第２の面とで、反射率及び吸収率の少なくとも一方が異なり、
前記第１の電極に電気めっき膜が形成された場合は前記第１の面からの反射光を表示に用い、前記第２の電極に電気めっき膜が形成された場合は前記第２の面からの反射光を表示に用いることを特徴とする。