【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１）と、
前記基板（１）上に配置されている第１の電極（２）と、
駆動時に電磁的な１次放射を放出する活性領域（３０）を備えた放射放出型の層列（３）と、
前記放射放出型の層列（３）上に配置されている、前記１次放射に対して透過性である第２の電極（４）と、
前記第２の電極（４）上に析出されているカプセル化装置（１０）とを有し、
前記カプセル化装置（１０）は、複数の第１のバリア層（６１，６２，６３）と、前記１次放射を少なくとも部分的に電磁的な２次放射に変換する、複数の波長変換層（５１，５２）とを備えた積層体を有し、ただし、前記複数のバリア層（６１，６２，６３）および複数の波長変換層（５１，５２）は交互に重なって配置されており、
前記カプセル化装置（１０）は少なくとも部分的に前記１次放射および／または前記２次放射に対して透過性であることを特徴とする、オプトエレクトロニクス素子。
【請求項２】
前記１次放射は第１の特性波長を有し、
前記２次放射は第２の特性波長を有し、
前記複数のバリア層（６１，６２，６３）の個々のバリア層はそれぞれ、前記１次放射の第１の特性波長以下の厚さまたは前記２次放射の第２の特性波長以下の厚さを有する、請求項１記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項３】
前記複数のバリア層（６１，６２，６３）は酸化物または窒化物または窒素酸化物を含有し、
前記の酸化物または窒化物または窒素酸化物はアルミニウムまたはケイ素またはスズまたは亜鉛を有する、請求項１または２記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項４】
前記複数のバリア層（６１，６２，６３）は蒸着法または成長法によって被着される、請求項１から３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項５】
前記複数のバリア層（６１，６２，６３）のうちの第１のバリア層（６１）は前記第２の電極（４）上に配置されている、請求項１から４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項６】
前記複数の波長変換層（５１，５２）のうちの第１の波長変換層（５１）は前記第２の電極（４）上に配置されており、前記第１のバリア層（６）は前記第１のバリア層（５）上に配置されている、請求項１から４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項７】
前記複数のバリア層（６１，６２，６３）の前記第１のバリア層（６１）内に第２のバリア層（６２）へと向かうマイクロチャネルが存在し、該マイクロチャネルは、前記第１のバリア層（６１）と前記第２のバリア層（６２）との間における、前記複数の波長変換層（５１，５２）のうちの第１の波長変換層（５１）によって阻止されている、請求項１から６までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項８】
前記複数のバリア層（６１，６２，６３）は、それぞれ、前記第１の特性波長および／または前記第２の特性波長以下、且つ、前記第１の特性波長および／または前記第２の特性波長の１／１０以上の厚さを有する、請求項２項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項９】
前記波長変換層（５１，５２）は、それぞれ、波長変換材料（５０１）をマトリクス材料（５０２）内に有し、該マトリクス材料（５０２）は、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアクリル、ポリメチルメタクリラート、エポキシ、ポリシロキサン、ポリウレタンおよびポリマー、コポリマーおよびそれらの混合物によって形成されるグループの内の少なくとも１つを含有する、請求項１から８までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１０】
前記波長変換材料（５０１）は、希土類のガーネットおよびアルカリ土類金属のガーネット、窒化物、ニトリドシリケート、サイオン、サイアロン、アルミン酸塩、酸化物、ハロホスフェート、オルトシリケート、硫化物、バナジウム酸塩およびクロロシリケート、ペリレン、ベンゾピレン、クマリン、ローダミンおよびアゾ系色素によって形成されるグループの内の少なくとも１つの材料を含有する、請求項１から９までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１１】
前記カプセル化装置（１０）は前記放射放出型の層列（３）とは反対側の表面上に表面構造化部（７０）を有する、請求項１から１０までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１２】
前記表面構造化部（７０）は粗面化部、溝、プリズム、レンズまたは円錐断端形状部の内の少なくとも１つを有する、請求項１から１１までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１３】
前記カプセル化装置（１０）は外部層（７）を有し、該外部層（７）上に前記表面構造化部（７０）が設けられている、請求項１１または１２記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１４】
前記カプセル化装置（１０）は少なくとも１つの別のバリア層および少なくとも１つの別の波長変換層を備えた別の層列を、前記基板（１）の前記放射放出型の層列（３）とは反対側の表面上に有する、請求項１から１３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１５】
オプトエレクトロニクス素子を製造する方法において、
Ａ）第１の電極（１）と、該第１の電極上（１）に設けられている、駆動時に電磁的な１次放射を放出する活性領域（３０）を備えた放射放出側の層列（３）と、該放射放出型の層列（３）上に設けられている第２の電極（４）とを有する基板（１）を準備するステップと、
Ｂ）前記１次放射を少なくとも部分的に電磁的な２次放射に変換する複数の波長変換層（５１，５２）と、複数のバリア層（６１，６２，６３）とが交互に重なって配置されているものからなる積層体を有するカプセル化装置（１０）を前記放射放出型の層列（３）上に被着させるステップとを有することを特徴とする、オプトエレクトロニクス素子を製造する方法。
【請求項１６】
前記１次放射は第１の特性波長を有し、
前記２次放射は第２の特性波長を有し、
前記複数のバリア層（６１，６２，６３）の個々のバリア層はそれぞれ、前記１次放射の第１の特性波長以下の厚さまたは前記２次放射の第２の特性波長以下の厚さを有する、請求項１記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１７】
前記ステップＢ）において前記複数のバリア層（６１，６２，６３）を蒸着法または成長法により被着させる、請求項１５または１６記載の方法。
【請求項１８】
前記ステップＢ）は以下の部分ステップ、
Ｂ１）前記複数のバリア層（６１，６２，６３）のうちの第１のバリア層（６１）を前記第２の電極（４）上に被着させるステップと、
Ｂ２）前記複数の波長変換層（５１，５２）のうちの第１の波長変換層（５１）を前記第１のバリア層（６１）上に被着させるステップとを有する、請求項１５から１７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１９】
前記ステップＢ）は以下の部分ステップ、
Ｂ１’）前記複数の波長変換層（５１，５２）のうちの第１の波長変換層（５１）を前記第２の電極（４）上に被着させるステップと、
Ｂ２’）前記複数のバリア層（６１，６２，６３）のうちの第１のバリア層（６１）を前記第１の波長変換層（５）上に被着させるステップとを有する、請求項１５から１７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２０】
Ｃ）表面構造化部（７０）を、前記カプセル化装置（１０）の前記放射放出型の層列（３）側とは反対側の表面上に被着させる、請求項１５から１９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２１】
前記ステップＣ）において、前記表面構造化部（７０）を型押し、エッチング、粗面化またはレーザ除去の内の少なくとも１つによって形成する、請求項２０記載の方法。