【手続補正書】
【提出日】平成23年6月29日(2011.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光部、遮光部及び露光光の一部を透過する半透光部を含む所定のパターンを有し、エッチング加工がなされる被加工層上に形成されたレジスト膜に対して、所定の露光条件下における透過光により前記所定のパターンを転写させ、前記レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなる所定形状のレジストパターンとなすフォトマスクの製造方法において、
前記所定の露光条件を模した露光条件を露光手段により再現し、所定のテストパターンが形成されたテストマスクを用いたテスト露光を行い、このテストマスクの透過光パターンを撮像手段により取得し、取得された透過光パターンに基づいて透過光パターンデータを得る工程と、
前記透過光パターンデータに基づいて、前記所定の露光条件下における前記所定のテストパターンの実効透過率を得る工程と、
前記所定のテストパターンの実効透過率に基づいて、前記所定の露光条件下において前記レジスト膜を所定形状のレジストパターンとすることができる、前記フォトマスクのパターンの形状、前記半透光部を含む領域に形成する膜の素材、または、前記半透光部を含む領域の膜厚を決定する工程と、
を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２】
前記テストマスクは、遮光部、透光部及び半透光部を有し、半透光部のパターン形状、または、該半透光部を形成する膜の素材、あるいは、膜厚のいずれかの半透光部特性が異なる複数のテストパターンを備え、
前記フォトマスクの半透光部のパターン形状、該半透光部を含む領域に形成する膜の素材、または、該領域の膜厚の決定は、前記複数のテストパターンにより得られた複数の透過光パターンデータより、前記半透光部特性と、この半透光部の特性に対応する実効透過率との相関を把握し、把握された相関に基づいて行うことを特徴とする請求項１記載のフォトマスク製造方法。
【請求項３】
前記フォトマスクの所定のパターンに含まれる該半透光部は、透明基板上に半透光膜が形成されてなることを特徴とする請求項１、または、請求項２記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項４】
前記フォトマスクにおいて、半透光部及び遮光部においては、透明基板上に半透光膜が形成されており、遮光部においては、前記半透光膜上に遮光膜が形成されていることを特徴とする請求項３記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項５】
前記フォトマスクにおいて、遮光部においては、透明基板上に遮光膜が形成されるとともに、この遮光膜上に半透光膜が形成されており、半透光部においては、透明基板上に半透光膜が形成されていることを特徴とする請求項３記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項６】
前記半透光部の実効透過率は、前記半透光膜の固有の透過率より小さいことを特徴とする請求項３記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項７】
前記フォトマスクが液晶装置の薄膜トランジスタ製造用のフォトマスクであることを特徴とする請求項１、または、請求項２記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項８】
請求項１、または、請求項２記載のフォトマスクの製造方法によって製造されたフォトマスクを用いて、前記レジスト膜に前記所定の露光条件による露光を行うことを特徴とするパターン転写方法。
【請求項９】
透光部、遮光部及び露光光の一部を透過する半透光部を含む所定のパターンを有し、エッチング加工がなされる被加工層上に形成されたレジスト膜に対して、所定の露光条件下における透過光により前記所定のパターンを転写させ、前記レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなる所定形状のレジストパターンとなすフォトマスクにおいて、
前記半透光部の透過率として所定の透過率値を有し、該透過率値は、前記転写パターンを、前記露光条件を近似露光条件下において露光し、得られた実効透過率を基に決定されたものであることを特徴とするフォトマスク。
【請求項１０】
前記透明基板上に半透光膜が形成された部分を含む半透光部を有し、該半透光部の透過率値は、前記半透光膜の固有の透過率より小さいことを特徴とする請求項９記載のフォトマスク。
【請求項１１】
遮光部、透光部及び半透光部を有し、半透光部のパターン形状、または、該半透光部を形成する膜の素材、あるいは、膜厚のいずれかの半透光部特性が異なる複数のテストパターンに対して、所定の露光条件を再現する露光手段を用いてテスト露光を行い、
これらテストパターンの透過光パターンを撮像手段により取得し、取得された透過光パターンに基づいて透過光パターンデータを得て、
この透過光パターンデータに基づき、前記複数のテストパターンの半透光部の実効透過率を得て、
前記半透光部の特性と、これに対応する実効透過率とを、一定の規則にしたがって配列したことを特徴とする半透過部の実効透過率のデータベース。
【請求項１２】
遮光部、透光部及び半透光部を有し、半透光部のパターン形状、または、該半透光部を形成する膜の素材、あるいは、膜厚のいずれかの半透光部特性が異なる複数のテストパターンに対して、複数の露光条件を設定し、これら複数の露光条件を適用してテスト露光を行い、
これらテストパターンの透過光パターンを撮像手段により取得し、取得された透過光パターンに基づいて複数の透過光パターンデータを得て、
これら透過光パターンデータに基づいて前記複数の露光条件下における前記テストパターンの半透光部の実効透過率を得て、
前記露光条件と、前記半透光部の特性と、これに対応する実効透過率とを、一定の規則にしたがって配列したことを特徴とする半透過部の実効透過率のデータベース。
【請求項１３】
透光部、遮光部、及び露光光の一部を透過する半透光部を含む所定の転写パターンを有するフォトマスクにおいて、
請求項１１、または、請求項１２記載のデータベースに基づいて、前記半透光部が所望の実効透過率を有するように、半透光部のパターン形状、または、該半透光部を形成する膜の素材、あるいは、膜厚のいずれかの半透光部特性を決定したものであることを特徴とするフォトマスク。
【請求項１４】
遮光部、透光部及び半透光部を有し、半透光部のパターン形状、または、該半透光部を形成する膜の素材、あるいは、膜厚のいずれかの半透光部特性が異なる複数のテストパターンに対して、所定の露光条件を再現する露光手段を用いてテスト露光を行い、これらテストパターンの透過光パターンを撮像手段により取得し、取得された透過光パターンに基づいて透過光パターンデータを得て、この透過光パターンデータに基づき、前記複数のテストパターンの半透光部の実効透過率を得て、前記半透光部の特性と、これに対応する実効透過率とを、一定の規則にしたがって配列することによってあらかじめ作成されたデータベースに基づいて、
前記半透光部が所望の実効透過率を有するように、半透光部のパターン形状、または、該半透光部を形成する膜の素材、あるいは、膜厚のいずれかの半透光部特性を決定することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１５】
遮光部、透光部及び半透光部を有し、半透光部のパターン形状、または、該半透光部を形成する膜の素材、あるいは、膜厚のいずれかの半透光部特性が異なる複数のテストパターンに対して、複数の露光条件を設定し、これら複数の露光条件を適用してテスト露光を行い、これらテストパターンの透過光パターンを撮像手段により取得し、取得された透過光パターンに基づいて複数の透過光パターンデータを得て、これら透過光パターンデータに基づいて前記複数の露光条件下における前記テストパターンの半透光部の実効透過率を得て、前記露光条件と、前記半透光部の特性と、これに対応する実効透過率とを、一定の規則にしたがって配列することによってあらかじめ作成されたデータベースに基づいて、
前記半透光部が所望の実効透過率を有するように、半透光部のパターン形状、または、該半透光部を形成する膜の素材、あるいは、膜厚のいずれかの半透光部特性を決定することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
〔構成１〕
透光部、遮光部及び露光光の一部を透過する半透光部を含む所定のパターンを有し、エッチング加工がなされる被加工層上に形成されたレジスト膜に対して、所定の露光条件下における透過光により所定のパターンを転写させ、レジスト膜をエッチング加工におけるマスクとなる所定形状のレジストパターンとなすフォトマスクの製造方法において、所定の露光条件を模した露光条件を露光手段により再現し、所定のテストパターンが形成されたテストマスクを用いたテスト露光を行い、このテストマスクの透過光パターンを撮像手段により取得し、取得された透過光パターンに基づいて透過光パターンデータを得る工程と、透過光パターンデータに基づいて、所定の露光条件下における所定のテストパターンの実効透過率を得る工程と、所定のテストパターンの実効透過率に基づいて、所定の露光条件下においてレジスト膜を所定形状のレジストパターンとすることができる、フォトマスクのパターンの形状、半透光部を含む領域に形成する膜の素材、または、半透光部を含む領域の膜厚を決定する工程と、を有することを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
〔構成７〕
構成１、または、構成２を有するフォトマスクの製造方法において、フォトマスクが液晶装置の薄膜トランジスタ製造用のフォトマスクであることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
〔構成８〕
パターン転写方法であって、構成１、または、構成２を有するフォトマスクの製造方法によって製造されたフォトマスクを用いて、レジスト膜に所定の露光条件による露光を行うことを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
〔構成１３〕
透光部、遮光部、及び露光光の一部を透過する半透光部を含む所定の転写パターンを有するフォトマスクにおいて、構成１１、または、構成１２を有するデータベースに基づいて、半透光部が所望の実効透過率を有するように、半透光部のパターン形状、または、該半透光部を形成する膜の素材、あるいは、膜厚のいずれかの半透光部特性を決定したものであることを特徴とするものである。
〔構成１４〕
フォトマスクの製造方法であって、遮光部、透光部及び半透光部を有し、半透光部のパターン形状、または、該半透光部を形成する膜の素材、あるいは、膜厚のいずれかの半透光部特性が異なる複数のテストパターンに対して、所定の露光条件を再現する露光手段を用いてテスト露光を行い、これらテストパターンの透過光パターンを撮像手段により取得し、取得された透過光パターンに基づいて透過光パターンデータを得て、この透過光パターンデータに基づき、複数のテストパターンの半透光部の実効透過率を得て、半透光部の特性と、これに対応する実効透過率とを、一定の規則にしたがって配列することによってあらかじめ作成されたデータベースに基づいて、半透光部が所望の実効透過率を有するように、半透光部のパターン形状、または、該半透光部を形成する膜の素材、あるいは、膜厚のいずれかの半透光部特性を決定することを特徴とするものである。
〔構成１５〕
フォトマスクの製造方法であって、遮光部、透光部及び半透光部を有し、半透光部のパターン形状、または、該半透光部を形成する膜の素材、あるいは、膜厚のいずれかの半透光部特性が異なる複数のテストパターンに対して、複数の露光条件を設定し、これら複数の露光条件を適用してテスト露光を行い、これらテストパターンの透過光パターンを撮像手段により取得し、取得された透過光パターンに基づいて複数の透過光パターンデータを得て、これら透過光パターンデータに基づいて複数の露光条件下におけるテストパターンの半透光部の実効透過率を得て、露光条件と、半透光部の特性と、これに対応する実効透過率とを、一定の規則にしたがって配列することによってあらかじめ作成されたデータベースに基づいて、半透光部が所望の実効透過率を有するように、半透光部のパターン形状、または、該半透光部を形成する膜の素材、あるいは、膜厚のいずれかの半透光部特性を決定することを特徴とするものである。