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【手続補正書】
【提出日】平成22年10月15日(2010.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲートライン及び前記ゲートラインと連結されたゲート電極を含むゲート配線が形成された基板上にゲート絶縁膜及び活性層を順次に形成する段階と、
前記活性層上に第１金属層、第２金属層、及び第３金属層が連続して積層されたデータ用金属膜を形成する段階と、
前記データ用金属膜上にチャンネル形成領域に対応する部分が前記チャンネル形成領域以外に対応する部分に対して相対的に薄い厚みを有する第１フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第１フォトレジストパターンを利用して前記第３金属層をドライエッチングする段階と、
前記第１フォトレジストパターンを利用して前記第２金属層及び前記第１金属層を同時にドライエッチングしてデータラインを形成する段階と、
前記第１フォトレジストパターンを利用して前記活性層をドライエッチングする段階と、
前記第１フォトレジストパターンをエッチングして前記チャンネル形成領域に対応する部分が除去された第２フォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第２フォトレジストパターンを利用して前記データ用金属膜の前記チャンネル形成領域をドライエッチングして前記データラインと連結されたソース電極及び前記ソース電極と離隔したドレイン電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１金属層はモリブデンを含み、前記第２金属層はアルミニウムを含み、前記第３金属層はモリブデンを含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１フォトレジストパターンを利用して前記第２金属層及び前記第１金属層を同時にドライエッチングする段階は、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）ガスと塩素（Ｃｌ２）ガスを利用して進行することを特徴とする請求項１または２記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項４】
前記三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）ガスと前記塩素（Ｃｌ２）ガスの組成比は１：１〜１：５であることを特徴とする請求項３記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項５】
前記第２フォトレジストパターンを利用して前記データ用金属膜の前記チャンネル形成領域をドライエッチングする段階は、
前記第２フォトレジストパターンを利用して前記第３金属層をドライエッチングする段階と、
前記第２フォトレジストパターンを利用して前記第２金属層及び前記第１金属層を同時にドライエッチングする段階と、
を含むことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項６】
前記活性層は、非晶質シリコンからなるチャンネル層及びイオンがドーピングされた非晶質シリコンからなるオーミックコンタクト層を含み、
前記ソース電極及びドレイン電極を形成する段階後に、前記第２フォトレジストパターンを利用して前記チャンネル形成領域の前記オーミックコンタクト層を除去して薄膜トランジスタを形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項７】
前記薄膜トランジスタが形成された基板上に保護膜を形成する段階と、
前記保護膜上に前記ドレイン電極と電気的に連結される画素電極を形成する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項６記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項８】
ゲートライン及び前記ゲートラインと連結されたゲート電極を含むゲート配線が形成された基板上にゲート絶縁膜及び活性層を順次に形成する段階と、
前記活性層上に第１金属層、第２金属層、及び第３金属層が連続して積層されたデータ用金属膜を形成する段階と、
前記データ用金属膜上にチャンネル形成領域に対応する部分が前記チャンネル形成領域以外に対応する部分に対して相対的に薄い厚みを有するフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンを利用して前記第３金属層をドライエッチングする段階と、
前記フォトレジストパターンを利用して前記第２金属層をドライエッチングする段階と、
前記フォトレジストパターンを利用して前記第１金属層及び前記活性層を同時にドライエッチングしてデータラインを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンを利用して前記データ用金属膜の前記チャンネル形成領域をドライエッチングして前記データラインと連結されたソース電極及び前記ソース電極と離隔したドレイン電極を形成する段階と、
を含む薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１金属層はモリブデンを含み、前記第２金属層はアルミニウムを含み、前記第３金属層はモリブデンを含むことを特徴とする請求項８記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記フォトレジストパターンを利用して前記第１金属層及び前記活性層を同時にドライエッチングする段階は、フッ素（Ｆ）系列ガスと塩素（Ｃｌ２）ガスを利用して進行することを特徴とする請求項８または９記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記フッ素（Ｆ）系列ガスは、六フッ化硫黄（ＳＦ６）ガスを含むことを特徴とする請求項１０記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記六フッ化硫黄（ＳＦ６）ガスと前記塩素（Ｃｌ２）ガスの組成比は、１：５〜１：７であることを特徴とする請求項１１記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１３】
前記フォトレジストパターンを利用して前記第１金属層及び前記活性層を同時にドライエッチングする過程で前記チャンネル形成領域の前記第３金属層が同時にエッチングされることを特徴とする請求項８から１２のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記活性層は、非晶質シリコンからなるチャンネル層及びイオンがドーピングされた非晶質シリコンからなるオーミックコンタクト層を含み、
前記ソース電極及びドレイン電極を形成する段階後に、前記フォトレジストパターンを利用して前記チャンネル形成領域の前記オーミックコンタクト層を除去して薄膜トランジスタを形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項８から１３のいずれかに記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１５】
前記薄膜トランジスタが形成された基板上に保護膜を形成する段階と、
前記保護膜上に前記ドレイン電極と電気的に連結される画素電極を形成する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項１４記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月3日(2010.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
断熱壁で形成した冷蔵庫本体と、前記冷蔵庫本体の上部に設けた冷蔵室と、前記冷蔵室内を照射する照明装置と、前記冷蔵室の扉は回転式扉であり、前記照明装置は、可視光線領域内の波長を発光する発光ダイオードを複数個実装した実装基板と前記基板を支持する支持部材と透明樹脂製のカバーにより構成し、前記照明装置は、前記実装基板を保持する前記支持部材の辺を手前になるように傾けて前記冷蔵室の内箱両側壁面の断熱壁内に発泡断熱材により固定され、前記冷蔵室内の前側面から斜め後方に向かって前記発光ダイオードからの光を照射することを特徴とする冷蔵庫。
【請求項２】
前記冷蔵室内の上下方向に複数の棚を備え、前記発光ダイオードの光の照射中心線が前記棚上で交わるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の冷蔵庫。
【請求項３】
前記冷蔵室の扉は観音開き式扉としたことを特徴とする請求項１に記載の冷蔵庫。
【請求項４】
前記照明装置の照明手段である発光ダイオードの照射方向は、前記棚の中心に向かって照射することを特徴とした請求項１または３に記載の冷蔵庫。
【請求項５】
前記扉の少なくとも１枚が開いた時、両側壁面に配置している前記照明装置を動作させることを特徴とした請求項３または４に記載の冷蔵庫。
【請求項６】
前記扉が開いた時、開いた扉側の照明装置のみを動作させることを特徴とした請求項２または４に記載の冷蔵庫。
【請求項７】
前記扉が開いた時、閉じている扉側の照明装置のみを動作させることを特徴とした請求項２または４に記載の冷蔵庫。
【請求項８】
冷蔵室側面の前記照明装置が配設した断熱壁中には真空断熱材を配設したことを特徴とした請求項１から７のいずれか一項に記載の冷蔵庫。
【請求項９】
前記断熱壁を形成する内箱と、前記透明樹脂製のカバーは、同一平面となることを特徴とした請求項１から８のいずれか一項に記載の冷蔵庫。
【請求項１０】
前記実装基板の下部にコネクタを配置し、コネクタ接続方向は下から上とすることを特徴とした請求項１から９のいずれか一項に記載の冷蔵庫。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記従来の課題を解決するために、本発明の冷蔵庫は、断熱壁で形成した冷蔵庫本体と、前記冷蔵庫本体の上部に設けた冷蔵室と、前記冷蔵室内を照射する照明装置と、前記冷蔵室の扉は回転式扉であり、前記照明装置は、可視光線領域内の波長を発光する発光ダイオードを複数個実装した実装基板と前記基板を支持する支持部材と透明樹脂製のカバーにより構成し、前記照明装置は、前記実装基板を保持する前記支持部材の辺を手前になるように傾けて前記冷蔵室の内箱両側壁面の断熱壁内に発泡断熱材により固定され、前記冷蔵室内の前側面から斜め後方に向かって前記発光ダイオードからの光を照射するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項１に記載の発明は、断熱壁で形成した冷蔵庫本体と、前記冷蔵庫本体の上部に設けた冷蔵室と、前記冷蔵室内を照射する照明装置と、前記冷蔵室の扉は回転式扉であり、前記照明装置は、可視光線領域内の波長を発光する発光ダイオードを複数個実装した実装基板と前記基板を支持する支持部材と透明樹脂製のカバーにより構成し、前記照明装置は、前記実装基板を保持する前記支持部材の辺を手前になるように傾けて前記冷蔵室の内箱両側壁面の断熱壁内に発泡断熱材により固定され、前記冷蔵室内の前側面から斜め後方に向かって前記発光ダイオードからの光を照射するものであり、冷蔵庫内の保存物を側面から照射でき、保存物の上下位置による影の発生を抑制することができるので、庫内の下部においても保存物の視認性を向上することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、支持部材の高さ寸法を極力抑えることができ、必要断熱壁を確保し支持部材部の結露を防止できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記冷蔵室内の上下方向に複数の棚を備え、前記発光ダイオードの光の照射中心線が前記棚上で交わるようにしたものであり、庫内全体を均一に照らすことができ、保存物の視認性を更に向上することができる、また請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明において、前記冷蔵室の扉は観音開き式扉としたものであり、保存物の取り入れ出しに扉の開放を最小限に抑えることができ、省エネの向上が図れる。また、扉の開閉負担が半減近くまで軽減され、かつ、扉開放に伴う前方スペースの確保が小さくて済み、大容量化されても冷蔵庫の実質占有スペースをコンパクトに抑えることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項４に記載の発明は、請求項１または３のいずれか一項に記載の発明において、前記照明装置の照明手段である発光ダイオードの照射方向は、前記棚の中心に向かって照射するものであり、庫内全体を均一に照らすことができ、保存物の視認性を更に向上することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項６に記載の発明は、請求項２または４に記載の発明において、前記扉が開いた時、開いた扉側の照明装置のみを動作させるので、照明装置の消費電力が半減でき省エネが図れる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
請求項７に記載の発明は、請求項２または４に記載の発明において、前記扉が開いた時、閉じている扉側の照明装置のみを動作させるので、照明装置の消費電力が半減でき省エネが図れる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月19日(2011.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鍵盤を構成する各鍵に離間して配置された２つのスイッチのオン時間差を計測することにより、押鍵速度を示すタッチレスポンスデータを算出するタッチレスポンス検出装置であって、
前記鍵の２つのスイッチのうち第１のスイッチのオンに伴って、当該鍵に関するカウント値の計数を開始し、所定のタイミングで、現在のカウント値に、カウントレート値を加算するベロシティカウント手段と、
前記現在のカウント値を記憶する記憶手段と、
前記第２のスイッチのオンに伴って、前記鍵の現在のカウント値に基づくタッチレスポンスデータを出力するインタフェース手段と、
前記現在のカウント値に加算すべきカウントレート値を算出するカウントレート値算出手段と、を備え、
前記記憶手段が、前記カウント値の所定の上位ビットのビット値に関連付けられたカウントレート値を記憶し、
前記カウントレート値算出手段が、前記記憶手段から出力された、前記現在のカウント値に基づくカウントレート値を、前記現在のカウント値の上記上位ビットを除く所定の下位ビットのビット値により補間したカウントレート値の補間値を求める補間手段を有し、前記カウントレート値の補間値が、前記現在のカウント値に加算されることを特徴とするタッチレスポンス検出装置。
【請求項２】
前記補間手段が、前記上位ビットのビット値に関連付けられたカウントレート値と当該ビット値の次の値の関連付けられたカウントレート値との差分値と、前記カウント値の前記所定の下位ビットのビット値との乗算値、および、前記カウントレート値の加算値を、前記カウントレート値の補間値として算出することを特徴とする請求項１に記載のタッチレスポンス検出装置。
【請求項３】
前記上位ビットを除く所定の下位ビットが、前記現在のカウント値の最下位ビットを含む所定数の下位ビットを除いた、現在のカウント値の中位ビットであることを特徴とする請求項１または２に記載のタッチレスポンス検出装置。
【請求項４】
前記カウントレート値算出手段が、前記補間値を指数変換する指数変換テーブルを有することを特徴とする請求項１ないし３の何れか一項に記載のタッチレスポンス検出装置。
【請求項５】
前記インタフェース手段が、前記現在のカウント値のビットを反転することで、タッチレスポンスデータを得ることを特徴とする請求項１ないし４の何れか一項に記載のタッチレスポンス検出装置。
【請求項６】
複数の鍵を備え、各鍵において、離間して配置された２つのスイッチを有する鍵盤と、
前記鍵盤を構成する各鍵の２つのスイッチのオン時間差を計測することにより、押鍵速度を示すタッチレスポンスデータを算出するタッチレスポンス検出手段と、
当該算出されたタッチレスポンスデータおよび押鍵された鍵の音高を受信して、かつ、指定された音色で、受信した音高で、かつ、当該タッチレスポンスデータに基づくベロシティの楽音の生成を、楽音発生手段に指示する制御手段と、
前記制御手段から指示された音色、音高、および、ベロシティの楽音データを生成する楽音発生手段と、を有する電子楽器であって、
前記タッチレスポンス検出手段が、
前記鍵の２つのスイッチのうち第１のスイッチのオンに伴って、当該鍵に関するカウント値の計数を開始し、所定のタイミングで、現在のカウント値に、カウントレート値を加算するベロシティカウント手段と、
前記現在のカウント値を記憶する記憶手段と、
前記第２のスイッチのオンに伴って、前記鍵の現在のカウント値に基づくタッチレスポンスデータを出力するインタフェース手段と、
前記現在のカウント値に加算すべきカウントレート値を算出するカウントレート値算出手段と、を備え、
前記記憶手段が、前記カウント値の所定の上位ビットのビット値に関連付けられたカウントレート値を記憶し、
前記カウントレート値算出手段が、前記記憶手段から出力された、前記現在のカウント値により読み出されたカウントレート値を、前記現在のカウント値の上記上位ビットを除く所定の下位ビットのビット値に基づいて補間し、当該補間されたカウントレート値を出力する補間手段を有する、
ことを特徴とする電子楽器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の目的は、複数の鍵を備え、各鍵において、離間して配置された２つのスイッチを有する鍵盤と、
前記鍵盤を構成する各鍵の２つのスイッチのオン時間差を計測することにより、押鍵速度を示すタッチレスポンスデータを算出するタッチレスポンス検出手段と、
当該算出されたタッチレスポンスデータおよび押鍵された鍵の音高を受信して、かつ、指定された音色で、受信した音高で、かつ、当該タッチレスポンスデータに基づくベロシティの楽音の生成を、楽音発生手段に指示する制御手段と、
前記制御手段から指示された音色、音高、および、ベロシティの楽音データを生成する楽音発生手段と、を有する電子楽器であって、
前記タッチレスポンス検出手段が、
前記鍵の２つのスイッチのうち第１のスイッチのオンに伴って、当該鍵に関するカウント値の計数を開始し、所定のタイミングで、現在のカウント値に、カウントレート値を加算するベロシティカウント手段と、
前記現在のカウント値を記憶する記憶手段と、
前記第２のスイッチのオンに伴って、前記鍵の現在のカウント値に基づくタッチレスポンスデータを出力するインタフェース手段と、
前記現在のカウント値に加算すべきカウントレート値を算出するカウントレート値算出手段と、を備え、
前記記憶手段が、前記カウント値の所定の上位ビットのビット値に関連付けられたカウントレート値を記憶し、
前記カウントレート値算出手段が、前記記憶手段から出力された、前記現在のカウント値により読み出されたカウントレート値を、前記現在のカウント値の上記上位ビットを除く所定の下位ビットのビット値に基づいて補間し、当該補間されたカウントレート値を出力する補間手段を有する、
ことを特徴とする電子楽器により達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月19日(2011.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鍵盤を構成する各鍵に離間して配置された２つのスイッチのオン時間差を計測することにより、押鍵速度を示すタッチレスポンスデータを算出するタッチレスポンス検出装置であって、
前記鍵の２つのスイッチのうち第１のスイッチのオンに伴って、当該鍵に関するカウント値の計数を開始し、所定のタイミングで、現在のカウント値に、カウントレート値を加算するベロシティカウント手段と、
前記現在のカウント値を記憶する記憶手段と、
前記第２のスイッチのオンに伴って、前記鍵の現在のカウント値に基づくタッチレスポンスデータを出力するインタフェース手段と、
前記現在のカウント値に加算すべきカウントレート値を算出するカウントレート値算出手段と、を備え、
前記記憶手段が、前記鍵ごとに前記カウントレート値を補正するための補正データを記憶し、
前記カウントレート値算出手段が、前記カウントレート値を、前記補正データに基づいて補正することにより、補正されたカウントレート値を算出し、前記補正されたカウントレート値を、前記ベロシティカウント手段に出力することを特徴とするタッチレスポンス検出装置。
【請求項２】
前記インタフェース手段が、前記現在のカウント値のビットを反転することで、タッチレスポンスデータを得ることを特徴とする請求項１に記載のタッチレスポンス検出装置。
【請求項３】
前記記憶手段が、前記現在のカウント値に応じたカウントレート値を記憶し、
前記カウントレート値算出手段が、前記記憶手段から出力された、前記現在のカウント値に応じたカウントレート値を、前記補正データに基づいて補正することを特徴とする請求項１または２に記載のタッチレスポンス検出装置。
【請求項４】
前記記憶手段に記憶された、前記カウントレート値を補正するための補正データが、前記カウントレート値を増大させ、或いは、減少させるための比の値であり、
前記カウントレート値算出手段が、前記カウントレート値と、前記補正データとを乗算することを特徴とする請求項１ないし３の何れか一項に記載のタッチレスポンス検出装置。
【請求項５】
前記記憶手段に記憶された、前記カウントレート値を補正するための補正データが、鍵ごとの第１のスイッチのオンから第２のスイッチのオンに至る時間差の誤差をキャンセルする値であることを特徴とする請求項４に記載のタッチレスポンス装置。
【請求項６】
前記記憶手段に記憶された、前記カウントレート値を補正するための補正データが、音高の変化にしたがって、その値が増大し、或いは、減少することを特徴とする請求項４に記載のタッチレスポンス装置。
【請求項７】
前記記憶手段に記憶された、前記カウントレート値を補正するための補正データが、楽音発生手段により発音される音色ごとに、当該音色が割り当てられる音域にしたがった値であることを特徴とする請求項４に記載のタッチレスポンス装置。
【請求項８】
複数の鍵を備え、各鍵において、離間して配置された２つのスイッチを有する鍵盤（６）と、
前記鍵盤を構成する各鍵の２つのスイッチのオン時間差を計測することにより、押鍵速度を示すタッチレスポンスデータを算出するタッチレスポンス検出手段と、
当該タッチレスポンスデータおよび押鍵された鍵の音高を受信して、かつ、指定された音色で、受信した音高で、かつ、当該タッチレスポンスデータに基づくベロシティの楽音の生成を、楽音発生手段に指示する制御手段と、
前記制御手段から指示された音色、音高、および、ベロシティの楽音データを生成する楽音発生手段と、
を備えた電子楽器であって、
前記タッチレスポンス検出手段は、
前記鍵の２つのスイッチのうち第１のスイッチのオンに伴って、当該鍵に関するカウント値の計数を開始し、所定のタイミングで、現在のカウント値に、カウントレート値を加算するベロシティカウント手段、
前記現在のカウント値を記憶する記憶手段、
前記第２のスイッチのオンに伴って、前記鍵の現在のカウント値に基づくタッチレスポンスデータを出力するインタフェース手段、並びに、
前記現在のカウント値に加算すべきカウントレート値を算出するカウントレート値算出手段、を有し、
前記記憶手段が、前記鍵ごとに前記カウントレート値を補正するための補正データを記憶し、かつ、前記カウントレート値算出手段が、前記カウントレート値を、前記補正データに基づいて補正することにより、補正されたカウントレート値を算出し、前記補正されたカウントレート値を、前記ベロシティカウント手段に出力する、
ことを特徴とする電子楽器。
【請求項９】
さらに、前記カウントレート値を補正するための、鍵ごとの第１のスイッチのオンから第２のスイッチのオンに至る時間差の誤差をキャンセルする値である第１の補正データと、
音高の変化にしたがって、その値が増大し、或いは、減少するような第２の補正データ、および／または、楽音発生手段により発音される音色ごとに、当該音色が割り当てられる音域に基づく第３の補正データと、を記憶する補正データ記憶手段を備え、
前記制御手段が、前記タッチレスポンス検出手段の、インタフェース手段を介して、前記タッチレスポンス検出手段の記憶手段に、前記第１の補正データ、第２の補正データ或いは第３の補正データを書き込むように構成されたことを特徴とする請求項８に記載の電子楽器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の目的は、複数の鍵を備え、各鍵において、離間して配置された２つのスイッチを有する鍵盤（６）と、
前記鍵盤を構成する各鍵の２つのスイッチのオン時間差を計測することにより、押鍵速度を示すタッチレスポンスデータを算出するタッチレスポンス検出手段と、
当該タッチレスポンスデータおよび押鍵された鍵の音高を受信して、かつ、指定された音色で、受信した音高で、かつ、当該タッチレスポンスデータに基づくベロシティの楽音の生成を、楽音発生手段に指示する制御手段と、
前記制御手段から指示された音色、音高、および、ベロシティの楽音データを生成する楽音発生手段と、
を備えた電子楽器であって、
前記タッチレスポンス検出手段は、
前記鍵の２つのスイッチのうち第１のスイッチのオンに伴って、当該鍵に関するカウント値の計数を開始し、所定のタイミングで、現在のカウント値に、カウントレート値を加算するベロシティカウント手段、
前記現在のカウント値を記憶する記憶手段、
前記第２のスイッチのオンに伴って、前記鍵の現在のカウント値に基づくタッチレスポンスデータを出力するインタフェース手段、並びに、
前記現在のカウント値に加算すべきカウントレート値を算出するカウントレート値算出手段、を有し、
前記記憶手段が、前記鍵ごとに前記カウントレート値を補正するための補正データを記憶し、かつ、前記カウントレート値算出手段が、前記カウントレート値を、前記補正データに基づいて補正することにより、補正されたカウントレート値を算出し、前記補正されたカウントレート値を、前記ベロシティカウント手段に出力する、
ことを特徴とする電子楽器により達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月14日(2011.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【化２】
2008297271.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
合成例３
合成例１において、シクロヘキサン−１，４−ジオール  ２３．２ｇ（０．２０ｍｏｌ）の代りにシクロヘキサン−１，３,５−トリオール  ２６．４ｇ（０．２０ｍｏｌ）を用いた他は合成例１と同様に行い、例示化合物３で表される化合物を得た。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
合成例４
合成例１において、シクロヘキサン−１，４−ジオール  ２３．２ｇ（０．２０ｍｏｌ）の代りにトランス−１，２−ノルボルナンジオール  ２５．６ｇ（０．２０ｍｏｌ）を用いた他は合成例１と同様に行い、例示化合物４で表される化合物を得た。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
合成例５
温度計、冷却器、攪拌装置及び滴下漏斗を備えた５００ｍｌの三つ口丸底フラスコに、純度６０％の油性水素化ナトリウム１０．０ｇ（０．２５ｍｏｌ）とトルエン５０ｍｌを入れ、８０℃で加熱攪拌した。これに、純度９８．６％の３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン２９．５ｇ（０．２５ｍｏｌ）を２０ｍｌのトルエンに溶解した液を滴下漏斗から３５分間かけて滴下した。その間、激しい発泡現象が観られるが、滴下終了後も発泡現象が観られなくなるまで攪拌を続けた。引き続き、これに、純度９８．６％のシクロヘキサン−１,４−ジスルホン酸  ２６．０ｇ（０．１０ｍｏｌ）をトルエン３００ｍｌに溶解した液を、滴下漏斗から５０分間かけて滴下した。滴下終了後、更に８０℃で５時間反応を続けた。反応終了後、反応混合物を室温まで冷却して析出物をロ別した。このロ液と析出物をトルエン２０ｍｌで２回洗浄して得られた洗浄液を一緒にして１００ｍｌの水で３回洗浄した。その油相を分離し、塩化カルシウムを加えて乾燥後、トルエンを減圧下で留去すると、残渣として粗精製物  ４１．１ｇを得た。得られた粗精製物を減圧蒸留により精製し、例示化合物５で表される化合物を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月7日(2011.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、第１の色材及び第２の色材、の２つの色材を含有するインクジェット用インクであって、
前記第１の色材が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物及び／又は下記一般式（II）で表される化合物であり、
前記第２の色材が、下記一般式（III）で表される化合物であり、
前記インク中における、前記第１の色材の含有量（質量％）が、前記第２の色材の含有量（質量％）に対して、質量比率で、２．５倍以上１０．０倍以下であることを特徴とするインクジェット用インク。
2008297542.tif 000001
（一般式（Ｉ）中、Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ヒドロキシアルキル基、シクロヘキシル基、又はモノ若しくはジアルキルアミノアルキル基であり、Ｍはそれぞれ独立に、水素原子、アルカリ金属、アンモニウム、又は有機アンモニウムであり、Ｘは連結基である。）
2008297542.tif 000002
（一般式（II）中、Ｒ1は、水素原子又はアルキル基であり、ｍは１乃至３の整数であり、Ｍはそれぞれ独立に、水素原子、アルカリ金属、アンモニウム、又は有機アンモニウムである。）
2008297542.tif 000003
（一般式（III）中、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、及びＲ5はそれぞれ独立に、アルキル基であり、Ｍはそれぞれ独立に、水素原子、アルカリ金属、アンモニウム、又は有機アンモニウムである。）
【請求項２】
前記第１の色材が、少なくとも一般式（Ｉ）で表される化合物を含む請求項１に記載のインクジェット用インク。
【請求項３】
一般式（III）におけるＲ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5がいずれもエチル基である請求項１又は２に記載のインクジェット用インク。
【請求項４】
前記インク中における、前記第１の色材の含有量（質量％）が、前記第２の色材の含有量（質量％）に対して、質量比率で、９．０倍以上１０．０倍以下である請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインクジェット用インク。
【請求項５】
前記インク中における、前記第１の色材の含有量（質量％）が、インク全質量を基準として、２．５質量％以上１０．０質量％以下である請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインクジェット用インク。
【請求項６】
前記インク中における、前記第２の色材の含有量（質量％）が、インク全質量を基準として、０．５質量％以上２．０質量％以下である請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインクジェット用インク。
【請求項７】
前記インク中における、前記第１の色材及び前記第２の色材の合計の含有量（質量％）が、インク全質量を基準として、４．０質量％以上１０．０質量％以下である請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインクジェット用インク。
【請求項８】
前記一般式（Ｉ）におけるＸが、下記連結基１である請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインクジェット用インク。
2008297542.tif 000004
（連結基１中、ｎは２乃至８であり、＊はそれぞれ異なる２つのトリアジン環との結合部位である。）
【請求項９】
インクをインクジェット方式で吐出して記録媒体に記録を行うインクジェット記録方法において、前記インクが、請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインクジェット用インクであることを特徴とするインクジェット記録方法。
【請求項１０】
インクを収容するインク収容部を備えたインクカートリッジにおいて、前記インクが、請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインクジェット用インクであることを特徴とするインクカートリッジ。
【請求項１１】
インクを収容するインク収容部と、インクを吐出するための記録ヘッドとを備えた記録ユニットにおいて、前記インクが、請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインクジェット用インクであることを特徴とする記録ユニット。
【請求項１２】
インクを収容するインク収容部と、インクを吐出するための記録ヘッドとを備えたインクジェット記録装置において、前記インクが、請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインクジェット用インクであることを特徴とするインクジェット記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月27日(2011.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷機内でのスタブを防止するための紙搬送システムであって、
第１端部、第２端部、及び、第２壁とその反対側に位置する第１壁によって定められる幅を有する紙通路であって、各々が前縁を有する１つ又はそれ以上の紙シートの前記第１端部から前記第２端部への搬送を可能にする紙通路と、
前記第１端部と前記第２端部との間に位置し、１つ又はそれ以上のシートが連続して前記紙通路に入ることを可能にする第１入口点と、
前記第１入口点に隣接して、前記１つ又はそれ以上のシートの前記前縁を前記第１入口点から離れるように向ける第１ニップと、
前記第１入口点から離れて位置し、１つ又はそれ以上のシートが前記紙通路に入ることを可能にする第２入口点と、
前記第２入口点に隣接して、前記１つ又はそれ以上のシートの前記前縁を前記第２入口点から離れるように向ける第２ニップと、
凹部に隣接する凸部を含み、前記１つ又はそれ以上の紙シートを、前記紙通路を通して向けて、前記１つ又はそれ以上のシートの各々の前記前縁を前記第１入口点及び前記第２入口点から離れるように分岐させるゲートレスダイバータとを含み、
前記１つ又はそれ以上の紙シートは前記第１ニップを介して前記凸部に進められ、前記凹部を通って前記第２ニップに進められることを特徴とするシステム。
【請求項２】
印刷機内で紙を搬送するシステムであって、
第１端部、第２端部、及び、第２壁とその反対側に位置する第１壁によって定められる幅を有し、前記第１端部から前記第２端部への紙の搬送を可能にする紙通路と、
１つ又はそれ以上の紙シートが連続して紙通路に入ることを可能にする、紙通路に対する角度をなして位置している第１入口点と、
前記第１入口点に隣接し、１つ又はそれ以上のシートの前縁を第１入口点から離れるように向ける凸部と、
前記第１入口点から距離を置いて位置し、紙が紙通路に入ることを可能にする第２入口点と、
凸部と第２入口点との間に位置し、１つ又はそれ以上の紙シートの前縁を第２入口点から離れるように向ける凹部と、
第１入口点及び第２入口点の各々に隣接して位置し、第１入口点及び第２入口点のそれぞれにより共有される紙通路の側壁の奥まった部分である傾斜路と、
を備え、前記凸部及び凹部は、互いに隣接して内部でＳ字形を形成しているシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月17日(2011.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
牽伸ローラ対を形成する牽伸ローラにより少なくとも一本の繊維スライバを夫々が牽伸する少なくとも２つの被動牽伸システムを有していて、上記牽伸ローラを駆動する力伝達手段と、少なくとも一個の駆動モータとを有し、駆動モータと駆動シャフトとの間には電気的に作用可能な継手が存在するという紡績用前処理機における装置において、
上記モータ(2、3、52)に対しては夫々の制御可能継手(8、9；12、13、53、54)を介して特定の駆動連鎖(B、C、D、E)が接続され、且つ、
上記モータ(2、3、52)の回転速度（ｖ）は係合および係合解除プロセスのために減速され得ることを特徴とする、装置。
【請求項２】
２つの作動ヘッドの一方における不具合の場合、対応する駆動連鎖は、前記制御可能継手により前記モータから分離され得ると共に、上記不具合を正した後で再び結合され得、且つ、前記機械の影響されない方の側は上記不具合が存在する期間の間に生産を継続することを特徴とする、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記各モータの回転速度は係合および係合解除プロセスの前および該プロセスの間において減少され得ることを特徴とする、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記各モータの回転速度は係合および係合解除プロセスの前および該プロセスの間においてゼロまで減少され得ることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記各継手は係合および係合解除のためにパルス的に起動可能であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記各継手を起動するためのパルス駆動時間および中断時間のうちの少なくとも一方は変更可能であることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記各継手を起動する前記パルス駆動時間および中断時間のうちの少なくとも一方は、前記各モータの減少された回転速度に応じて変更可能であることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
使用される前記各継手は電磁的に動作することを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
使用される前記各継手は空気圧的に動作することを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
使用される前記各継手は液圧的に動作することを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
前記駆動モータに対しては速度制御式モータが使用され得ることを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】
前記駆動モータに対しては可変速度モータが使用され得ることを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】
前記紡績用前処理機がダブルヘッド練篠フレームの場合、共通の可変速度駆動モータが夫々の個々の機能に対して使用されることを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
前記２つの牽伸システム(各側)の駆動連鎖は少なくとも２つの制御可能継手を介して前記駆動モータに接続されることを特徴とする、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１５】
前記駆動モータは２つの出力部を有することを特徴とする、請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１６】
一方の出力部は一方の牽伸システムを駆動すべく使用され且つ他方の出力部は他方の牽伸システムを駆動すべく使用されることを特徴とする、請求項１５に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月6日(2011.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上にｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層を有し、前記ｎ型クラッド層、前記活性層、前記ｐ型クラッド層のそれぞれの両側が半絶縁性半導体層で埋め込まれた半導体レーザ素子であって、前記半絶縁性半導体層にＲｕが添加されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記半絶縁性半導体層は、ＩｎＰ層、ＩｎＧａＰ組成傾斜層、ＩｎＧａＰ層の積層構造からなり、前記ＩｎＰ層、前記ＩｎＧａＰ組成傾斜層、前記ＩｎＧａＰ層のそれぞれに前記Ｒｕが添加されていることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記ＩｎＧａＰ層と前記ＩｎＰ層の間に、前記ＩｎＧａＰ組成傾斜層を設けたことを特徴とする請求項２記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記ＩｎＧａＰ層の膜厚は、臨界膜厚以下であることを特徴とする請求項２記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
端面発光型レーザ素子であることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
裏面出射型レーザ素子であることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記半導体基板の主面上に、さらに変調器部および導波路部が形成された変調器集積化光源であることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記半導体基板の主面上に、入力した光の分離部、ＭＺ変調器部、および出力光の合波部が形成されたＭＺ変調器であることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月8日(2011.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動可能なステージと、
描画方向に向かって描画されるように前記ステージを第１の方向に移動させると共に、前記第１の方向に前記ステージを移動させながら前記第１の方向と直交する第２の方向に所定の速度と所定の振幅で前記ステージが振動するように駆動制御する駆動部と、
レーザを用いて、前記第２の方向について前記ステージの移動位置を測定する測定部と、
前記第２の方向について前記測定部の測定値から所定の周波数領域の成分を減衰させるフィルタ回路と、
前記フィルタ回路を通過した前記ステージの移動位置データを用いて、試料に荷電粒子ビームを照射することによってパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記描画部は、荷電粒子ビームを偏向する偏向器を有し、
前記所定の振幅は、前記偏向器で偏向可能な幅であることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記フィルタ回路は、
第１のローパスフィルタと、
前記第１のローパスフィルタに並列して配置され、直列に接続された１組のハイパスフィルタと第２のローパスフィルタと、
前記第１のローパスフィルタを通過した第１の測定値と、前記１組のハイパスフィルタと第２のローパスフィルタを通過した第２の測定値とを合成する合成部と、
を有することを特徴とする請求項１又は２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
試料が描画方向に向かって描画されるように前記試料が載置されたステージを第１の方向に移動させると共に、前記第１の方向に前記ステージを移動させながら前記第１の方向と直交する第２の方向に所定の速度と所定の振幅で前記ステージが振動するように駆動制御する工程と、
レーザを用いて、前記第２の方向について、前記第２の方向に振動しながら前記第１の方向に移動している前記ステージの移動位置を測定する工程と、
所定のカットオフ周波数に設定された第１のローパスフィルタを用いて、前記第２の方向について測定された測定値から非線形誤差成分を除去し、結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とする位置測定方法。
【請求項５】
前記所定のカットオフ周波数と同一なカットオフ周波数に設定された１組のハイパスフィルタと第２のローパスフィルタとを用いて、前記非線形誤差成分を除去する際に前記第１のローパスフィルタを用いた結果、測定値に生じた位相遅れを修正する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項４記載の位置測定方法。
【請求項６】
移動可能なステージと、
描画する際に、第１の方向と、前記第１の方向と直交する第２の方向とにそれぞれ所定の速度と所定の振幅で前記ステージが振動するように駆動制御する駆動部と、
レーザを用いて、前記第１と第２の方向について前記ステージの移動位置を測定する測定部と、
前記第１と第２の方向について前記測定部の測定値から所定の周波数領域の成分を減衰させるフィルタ回路と、
前記フィルタ回路を通過した前記ステージの移動位置データを用いて、試料に荷電粒子ビームを照射することによってパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項７】
描画する際に、第１の方向と、前記第１の方向と直交する第２の方向とにそれぞれ所定の速度と所定の振幅で前記ステージが振動するように駆動制御する工程と、
レーザを用いて、前記第１と第２の方向について、振動している前記ステージの移動位置を測定する工程と、
所定のカットオフ周波数に設定されたローパスフィルタを用いて、前記第１と第２の方向について測定されたそれぞれの測定値から非線形誤差成分を除去し、結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とする位置測定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、フィルタ回路は、第１のローパスフィルタと、かかる第１のローパスフィルタに並列して配置され、直列に接続された１組のハイパスフィルタと第２のローパスフィルタと、第１のローパスフィルタと通過した第１の測定値と、１組のハイパスフィルタと第２のローパスフィルタを通過した第２の測定値とを合成する合成部と、を有すると好適である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の一態様の位置測定方法は、
試料が描画方向に向かって描画されるように試料が載置されたステージを第１の方向に移動させると共に、第１の方向にステージを移動させながら第１の方向と直交する第２の方向に所定の速度と所定の振幅でステージが振動するように駆動制御する工程と、
レーザを用いて、第２の方向について、第２の方向に振動しながら第１の方向に移動しているステージの移動位置を測定する工程と、
所定のカットオフ周波数に設定された第１のローパスフィルタを用いて、第２の方向について測定された測定値から非線形誤差成分を除去し、結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、所定のカットオフ周波数と同一なカットオフ周波数に設定された１組のハイパスフィルタと第２のローパスフィルタとを用いて、非線形誤差成分を除去する際に第１のローパスフィルタを用いた結果、測定値に生じた位相遅れを修正する工程をさらに備えると好適である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月22日(2011.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
上記したような光入射面側電極の構造によって、光入射面側電極の端部（開口部の外縁部）の電場が増強されるが、その電場増強効果が光電変換層中の半導体層、及び空乏層に及ぶことによって光電変換効率の改良が達成される。このため、空乏層と光入射面側電極との距離が短いことが必要である。具体的には、空乏層の少なくとも一部が、光入射面側電極と光電変換層との接触面から１μｍ以内の距離に配置されていることが好ましく、５００ｎｍ以内の距離であることがより好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明において光入射面側電極を構成する金属は、任意に選択される。ここで金属とは、単体で導体であり、金属光沢を有し、延性があり、常温では固体である金属元素からなるもの、およびそれらからなる合金をいう。本発明における電場増強効果は金属電極中への電磁波の進入により誘起されるため、一実施形態では、金属電極を構成する材料は、電子の振動が入射光の電場の振動に追随できる材料が好ましい。言い換えると、材料が平坦は表面を有したバルク体である場合、太陽光の波長域で反射を示す材料が好ましい。このような材料として、具体的にはアルミニウム、銀、金、白金、ニッケル、コバルト、クロム、銅、およびチタンなどが上げられ、このうちアルミニウム、銀、白金、ニッケル、またはコバルトが好ましい。しかしながら、前記入射光の周波数より低いプラズマ周波数を有する金属であれば、これらの限りではない。本発明においては、インジウムのようなレアメタルを用いる必要が無く、典型的な金属材料を用いることが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月17日(2010.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
焼結孔を有し、かつ９０重量％を超えるＣｒと、３〜８重量％のＦｅと、選択的に０．００１〜２重量％の希土類金属の群の少なくとも１つの元素とを含有する焼結クロム合金から構成される高温固体電解質燃料電池用インターコネクタであって、
前記クロム合金は、０．１〜２重量％のＡｌを含有し、前記焼結孔の一部又は全てがＡｌとＣｒを含む酸化化合物により少なくとも部分的に充填されていることを特徴とするインターコネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の目的は、請求項１に記載のインターコネクタと、請求項１１に記載の高温固体電解質燃料電池と、および請求項１２に記載のインターコネクタを製造する方法と、により達成される。
即ち、「焼結孔を有し、かつ９０重量％を超えるＣｒと、３〜８重量％のＦｅと、選択的に０．００１〜２重量％の希土類金属の群の少なくとも１つの元素とを含有する焼結クロム合金から構成される高温固体電解質燃料電池用インターコネクタであって、前記クロム合金は、０．１〜２重量％のＡｌを含有し、前記焼結孔の一部又は全てがＡｌとＣｒを含む酸化化合物により少なくとも部分的に充填されていることを特徴とするインターコネクタ（請求項１）。」と、「安定化ジルコニウム酸化物から構成されるセラミック固体電解質と、前記請求項１〜１０に記載のインターコネクタと、を備える高温固体電解質燃料電池。（請求項１１）」と、「請求項１〜１０のいずれかに記載のインターコネクタを製造する方法であって、混合し部分的に予備合金化したおよび／または完全に予備合金化した粉末を用いて粉末混合物を生成する工程、５００＜ｐ＜１０００ＭＰａのプレス圧力ｐで型加圧により成形する工程、選択的に、還元雰囲気中において７００℃＜Ｔ＜１２００℃の温度Ｔで予備焼結する工程、および選択的に、５００＜ｐ＜１０００ＭＰａのプレス圧力ｐで型加圧により較正成形する工程、還元雰囲気において１２００℃＜Ｔ＜固相線温度の温度Ｔで焼結する工程、７００℃＜Ｔ＜１２００℃の温度Ｔで酸化処理を好適に行う工程、および選択的にサンドブラストを行う工程、から成るインターコネクタ製造方法。（請求項１２）」と、により達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月19日(2011.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
互いに並走しながら屈曲するように形成された溝群からなる複数の反応ガス流路を備えた板状の燃料電池用セパレータであって、
前記複数の反応ガス流路のうち最も外側の一対の反応ガス流路の一方が第１反応ガス流路を構成し、その他方が第３反応ガス流路を構成し、
前記第１反応ガス流路が、第１の部分と該第１の部分より上流側に位置する第２の部分とを有し、前記第１の部分が前記第１反応ガス流路における前記第２の部分と前記下流端との間の部分のうちで前記上流端に最も近接し、前記第２の部分が前記第１反応ガス流路における前記上流端と前記第１の部分との間の部分のうちで前記下流端に最も近接し、前記第１の部分と前記上流端との間に前記第３反応ガス流路が介在せず、かつ、前記第２の部分と前記下流端との間に前記第３反応ガス流路が介在するように形成され、
隣接する前記溝間に形成される複数のリブのうち、前記第１反応ガス流路を構成する溝のみによって形成されるリブ又は前記第３反応ガス流路のみによって形成されるリブの少なくとも何れか一方のリブ（以下、特定リブ）の幅が該特定リブ以外の何れかのリブの幅よりも広く形成されている、燃料電池用セパレータ。