【手続補正書】
【提出日】平成23年1月5日(2011.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）酸性触媒の存在下、フェノールとアセトンを反応させて、ビスフェノールを含んで成る生成混合物を形成すること；
（ｂ）該生成混合物から、結晶化、濾過及び洗浄によって、ビスフェノール／フェノール付加物の形態で、該ビスフェノールの少なくとも一部を取り出して、ビスフェノール／フェノール付加物結晶を提供すること；及び
（ｃ）該ビスフェノール／フェノール付加物結晶から、該フェノールの少なくとも一部を除去して、９９．７％より高い純度を有するビスフェノールを提供すること
を含む方法であって、
該結晶化は、連続懸濁結晶化を含んで成り、
該結晶化は、該生成混合物を、まず、該結晶化の第１段階において、並列に接続された第１結晶化装置及び第２結晶化装置で、５０〜７０℃の温度に冷却し、続いて、該結晶化の第２段階において、該第１結晶化装置及び第２結晶化装置と直列に下流で接続された第３結晶化装置で、４０〜５０℃の温度に冷却するように配置された少なくとも３つの結晶化装置で行われ、
該結晶化において、該生成混合物の合計の滞留時間は４時間より長い、方法。
【請求項２】
該ビスフェノールは、ビスフェノールＡを含んで成る請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該少なくとも３つの結晶化装置の合計の結晶化容量は、単位時間当たり、結晶化に供給される生成混合物の量の少なくとも４倍であり、結晶化の第１段階は、該合計の結晶化容量の少なくとも５０〜８５％を占める請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該少なくとも３つの結晶化装置の合計の結晶化容量は、単位時間当たり、結晶化に供給される生成混合物の量の少なくとも４倍であり、結晶化の第１段階は、該合計の結晶化容量の少なくとも５０〜８５％を占める請求項２に記載の方法。
【請求項５】
該結晶化の第１段階の前に、該生成混合物を８０℃以下の温度に冷却する請求項４に記載の方法。
【請求項６】
該結晶化に供給する該生成混合物は、
１５〜４０重量％のビスフェノールＡ、６０〜８５重量％のフェノール、０．５〜７重量％のｏ，ｐ−ビスフェノールＡ、０〜５重量％の１又はそれ以上のトリスフェノール、０〜７重量％の１又はそれ以上のインダン／インデン、０〜７重量％の１又はそれ以上のクロマン／クロメン、０〜５重量％の水、０〜８重量％のアセトン、０〜５重量％のｏ，ｏ−ビスフェノールＡ、及び０〜５重量％の１又はそれ以上のイソプロペニルフェノールを含んで成り、
重量％は、該生成混合物の重量を基準とする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
該少なくとも３つの結晶化装置の合計の結晶化容量は、単位時間当たり、結晶化に供給される生成混合物の量の少なくとも４倍であり、結晶化の第１段階は、該合計の結晶化容量の少なくとも５０〜８５％を占める請求項６に記載の方法。
【請求項８】
該結晶化の第１段階の前に、該生成混合物を８０℃以下の温度に冷却する請求項７に記載の方法。
【請求項９】
（ａ）酸性触媒の存在下、フェノールとアセトンを反応させて、
１５〜４０重量％のビスフェノールＡ、６０〜８５重量％のフェノール、０．５〜７重量％のｏ，ｐ−ビスフェノールＡ、０〜５重量％の１又はそれ以上のトリスフェノール、０〜７重量％の１又はそれ以上のインダン／インデン、０〜７重量％の１又はそれ以上のクロマン／クロメン、０〜５重量％の水、０〜８重量％のアセトン、０〜５重量％のｏ，ｏ−ビスフェノールＡ、及び０〜５重量％の１又はそれ以上のイソプロペニルフェノールを含む生成混合物を形成すること、但し、該重量％は、該生成混合物の重量を基準とする；
（ｂ）該生成混合物から、結晶化、濾過及び洗浄によって、該ビスフェノールＡの少なくとも一部を、ビスフェノールＡ／フェノール付加物の形態で取り出して、ビスフェノールＡ／フェノール付加物結晶を提供すること；及び
（ｃ）該ビスフェノールＡ／フェノール付加物結晶から該フェノールの少なくとも一部を除去して、９９．７％より高い純度を有するビスフェノールＡを提供すること
を含む方法であって、
該結晶化は、連続懸濁結晶化を含んで成り、
該結晶化は、該生成混合物を、まず、該結晶化の第１段階において、並列に接続された第１結晶化装置及び第２結晶化装置で、５０〜７０℃の温度に冷却し、続いて、該結晶化の第２段階において、該第１結晶化装置及び第２結晶化装置と直列に下流で接続された第３結晶化装置で、４０〜５０℃の温度に冷却するように配置された少なくとも３つの結晶化装置で行われ、
該結晶化において、該生成混合物の合計の滞留時間は４時間より長く、
該少なくとも３つの結晶化装置の合計の結晶化容量は、単位時間当たり、結晶化に供給される生成混合物の量の少なくとも４倍であり、結晶化の第１段階は、該合計の結晶化容量の少なくとも５０〜８５％を占める、方法。
【請求項１０】
該結晶化の第１段階の前に、該生成混合物を８０℃以下の温度に冷却する請求項９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
本発明の方法により製造されるビスフェノールＡは、界面法によりホスゲンと、又は融解法によりジアリールカーボネート、好ましくは、ジフェニルカーボネートと反応させて、ポリカーボネートを生成することができる。本発明の方法により製造されるＢＰＡは更に、様々なポリマー材料（例えば、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、変性フェノールホルムアルデヒド樹脂、及びエポキシ樹脂等）を製造するための出発材料としても用いることができる。
以下に、本発明の主な態様を示す：
１．（ａ）酸性触媒の存在下、フェノールとアセトンを反応させて、ビスフェノールを含んで成る生成混合物を形成すること；
（ｂ）該生成混合物から、結晶化、濾過及び洗浄によって、ビスフェノール／フェノール付加物の形態で、該ビスフェノールの少なくとも一部を取り出して、ビスフェノール／フェノール付加物結晶を提供すること；及び
（ｃ）該ビスフェノール／フェノール付加物結晶から、該フェノールの少なくとも一部を除去して、９９．７％より高い純度を有するビスフェノールを提供すること
を含む方法であって、
該結晶化は、連続懸濁結晶化を含んで成り、
該結晶化は、該生成混合物を、まず、該結晶化の第１段階において、並列に接続された第１結晶化装置及び第２結晶化装置で、５０〜７０℃の温度に冷却し、続いて、該結晶化の第２段階において、該第１結晶化装置及び第２結晶化装置と直列に下流で接続された第３結晶化装置で、４０〜５０℃の温度に冷却するように配置された少なくとも３つの結晶化装置で行われ、
該結晶化において、該生成混合物の合計の滞留時間は４時間より長い、方法。
２．該ビスフェノールは、ビスフェノールＡを含んで成る上記１に記載の方法。
３該結晶化の第１段階の前に、該生成混合物を８０℃以下の温度に冷却する上記１に記載の方法。
４．該少なくとも３つの結晶化装置の各々は、冷却媒体を有する熱交換器を含んで成り、該冷却媒体と冷却される該生成混合物との温度差は、８°Ｋより小さい上記１に記載の方法。
５．該少なくとも３つの結晶化装置の合計の結晶化容量は、単位時間当たり、結晶化に供給される生成混合物の量の少なくとも４倍であり、結晶化の第１段階は、該合計の結晶化容量の少なくとも５０〜８５％を占める上記１に記載の方法。
６．該結晶化の第１段階の前に、該生成混合物を８０℃以下の温度に冷却する上記５に記載の方法。
７．該少なくとも３つの結晶化装置の合計の結晶化容量は、単位時間当たり、結晶化に供給される生成混合物の量の少なくとも４倍であり、結晶化の第１段階は、該合計の結晶化容量の少なくとも５０〜８５％を占める上記２に記載の方法。
８．該結晶化の第１段階の前に、該生成混合物を８０℃以下の温度に冷却する上記７に記載の方法。
９．該少なくとも３つの結晶化装置の各々は、冷却媒体を有する熱交換器を含んで成り、該冷却媒体と冷却される該生成混合物との温度差は、８°Ｋより小さい上記８に記載の方法。
１０．該少なくとも３つの結晶化装置の合計の結晶化容量は、単位時間当たり、結晶化に供給される生成混合物の量の少なくとも４倍であり、結晶化の第１段階は、該合計の結晶化容量の少なくとも６０〜８０％を占める上記１に記載の方法。
１１．該結晶化に供給する該生成混合物は、
１５〜４０重量％のビスフェノールＡ、６０〜８５重量％のフェノール、０．５〜７重量％のｏ，ｐ−ビスフェノールＡ、０〜５重量％の１又はそれ以上のトリスフェノール、０〜７重量％の１又はそれ以上のインダン／インデン、０〜７重量％の１又はそれ以上のクロマン／クロメン、０〜５重量％の水、０〜８重量％のアセトン、０〜５重量％のｏ，ｏ−ビスフェノールＡ、及び０〜５重量％の１又はそれ以上のイソプロペニルフェノールを含んで成り、
重量％は、該生成混合物の重量を基準とする、上記１に記載の方法。
１２．該少なくとも３つの結晶化装置の合計の結晶化容量は、単位時間当たり、結晶化に供給される生成混合物の量の少なくとも４倍であり、結晶化の第１段階は、該合計の結晶化容量の少なくとも５０〜８５％を占める上記１１に記載の方法。
１３．該結晶化の第１段階の前に、該生成混合物を８０℃以下の温度に冷却する上記１２に記載の方法。
１４．該少なくとも３つの結晶化装置の各々は、冷却媒体を有する熱交換器を含んで成り、該冷却媒体と冷却される該生成混合物との温度差は、８°Ｋより小さい上記１３に記載の方法。
１５．フェノールを用いて該洗浄を行い、該フェノールの少なくとも一部は、ポリカーボネートの溶融法から得られる上記１に記載の方法。
１６．（ａ）酸性触媒の存在下、フェノールとアセトンを反応させて、
１５〜４０重量％のビスフェノールＡ、６０〜８５重量％のフェノール、０．５〜７重量％のｏ，ｐ−ビスフェノールＡ、０〜５重量％の１又はそれ以上のトリスフェノール、０〜７重量％の１又はそれ以上のインダン／インデン、０〜７重量％の１又はそれ以上のクロマン／クロメン、０〜５重量％の水、０〜８重量％のアセトン、０〜５重量％のｏ，ｏ−ビスフェノールＡ、及び０〜５重量％の１又はそれ以上のイソプロペニルフェノールを含む生成混合物を形成すること、但し、該重量％は、該生成混合物の重量を基準とする；
（ｂ）該生成混合物から、結晶化、濾過及び洗浄によって、該ビスフェノールＡの少なくとも一部を、ビスフェノールＡ／フェノール付加物の形態で取り出して、ビスフェノールＡ／フェノール付加物結晶を提供すること；及び
（ｃ）該ビスフェノールＡ／フェノール付加物結晶から該フェノールの少なくとも一部を除去して、９９．７％より高い純度を有するビスフェノールＡを提供すること
を含む方法であって、
該結晶化は、連続懸濁結晶化を含んで成り、
該結晶化は、該生成混合物を、まず、該結晶化の第１段階において、並列に接続された第１結晶化装置及び第２結晶化装置で、５０〜７０℃の温度に冷却し、続いて、該結晶化の第２段階において、該第１結晶化装置及び第２結晶化装置と直列に下流で接続された第３結晶化装置で、４０〜５０℃の温度に冷却するように配置された少なくとも３つの結晶化装置で行われ、
該結晶化において、該生成混合物の合計の滞留時間は４時間より長く、
該少なくとも３つの結晶化装置の合計の結晶化容量は、単位時間当たり、結晶化に供給される生成混合物の量の少なくとも４倍であり、結晶化の第１段階は、該合計の結晶化容量の少なくとも５０〜８５％を占める、方法。
１７．  該結晶化の第１段階の前に、該生成混合物を８０℃以下の温度に冷却する上記１６に記載の方法。
１８．  該少なくとも３つの結晶化装置の各々は、冷却媒体を有する熱交換器を含んで成り、該冷却媒体と冷却される該生成混合物との温度差は、８°Ｋより小さい上記１７に記載の方法。