【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年8月24日(2011.8.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料の表面に適用された材料を試験する方法であって、
既知のビーム幅および強度断面を有する励起ビームを、特徴部分を含む前記試料の領域上を走査し、
前記励起ビームに応答して前記領域から放射される蛍光Ｘ線の強度のプロファイルを測定し、
測定された前記蛍光Ｘ線の強度のプロファイル、ならびに前記励起ビームの前記強度断面に応答して、前記特徴部分の模擬プロファイルと、前記励起ビームの前記強度断面を表すビームモデルとの間の畳み込みを計算することにより、前記ビーム幅よりも微細な空間分解能で前記特徴部分内における前記材料の分布を概算することを含む方法。
【請求項２】
前記試料が半導体ウエハを含み、前記領域が前記ウエハ上の金属で充填された特徴部分を含み、かつ前記分布を概算することが、前記特徴部分内の欠陥を識別することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記欠陥が、ディッシング効果およびティルティング効果の少なくとも１つを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
強度を測定することが、測定ＸＲＦプロファイルからバックグラウンドノイズを減算することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ビームモデルが少なくとも１つのガウス関数を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記分布を概算することが、模擬ＸＲＦプロファイルを測定ＸＲＦプロファイルに適合させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記模擬プロファイルを適合させることが、前記特徴部分の前記模擬ＸＲＦプロファイルに対して反復最適化プロセスを適用することを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記反復プロセスを適用することが、前記測定ＸＲＦプロファイルと前記模擬ＸＲＦプロファイルとの差を定量化するために、性能指数（ＦＯＭ）関数を計算することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記反復プロセスを適用することが、遺伝的アルゴリズム（ＧＡ）を適用することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記概算された分布の前記空間分解能が前記ビーム幅の半分よりも微細である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
試料の表面に適用された材料を試験する装置であって、
既知のビーム幅および強度断面を有する励起ビームを、特徴部分を含む前記試料の領域上を走査するように結合された放射源と、
前記励起ビームに応答して前記領域から放射される蛍光Ｘ線の強度のプロファイルを測定するように結合された検出器のアレイと、
前記特徴部分の模擬プロファイルと、前記励起ビームの前記強度断面を表すビームモデルとの間の畳み込みを計算することにより、測定された前記蛍光Ｘ線の強度のプロファイル、ならびに前記励起ビームの前記強度断面に応答して、前記ビーム幅よりも微細な空間分解能で前記特徴部分内における前記材料の分布を概算するように構成されたプロセッサとを備える装置。
【請求項１２】
前記試料が半導体ウエハを含み、前記領域が前記ウエハ上の金属で充填された特徴部分を含み、かつ前記プロセッサが、前記特徴部分内の欠陥を識別するように構成された、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記欠陥が、ディッシング効果およびティルティング効果の少なくとも１つを含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記プロセッサが、測定ＸＲＦプロファイルからバックグラウンドノイズを減算するように構成された、請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
前記ビームモデルが少なくとも１つのガウス関数を含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１６】
前記プロセッサが、前記材料の前記分布を概算するために、模擬ＸＲＦプロファイルを測定ＸＲＦプロファイルに適合させるように構成された、請求項１１に記載の装置。
【請求項１７】
前記プロセッサが、前記模擬ＸＲＦプロファイルを前記測定ＸＲＦプロファイルに適合させるために、前記特徴部分の前記模擬ＸＲＦプロファイルに対して反復最適化プロセスを適用するように構成された、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記プロセッサが、前記測定ＸＲＦプロファイルと前記模擬ＸＲＦプロファイルとの差を定量化するために、性能指数（ＦＯＭ）関数を計算するように構成された、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記反復最適化プロセスが遺伝的アルゴリズム（ＧＡ）を含む、請求項１７に記載の装置。
【請求項２０】
前記概算された分布の前記空間分解能が前記ビーム幅の半分よりも微細である、請求項１１に記載の装置。
【請求項２１】
試料の表面に適用された材料を試験するためのコンピュータソフトウェア製品であって、前記製品がプログラム命令が格納されたコンピュータ可読媒体を含み、前記命令が、前記コンピュータで読み出されたときに、励起ビームの強度断面を前記コンピュータに受け取らせ、前記励起ビームが、特徴部分を含む前記試料の領域上を走査し、前記励起ビームに応答して前記領域から放射された蛍光Ｘ線の強度のプロファイルの測定値を受け取り、また、前記特徴部分の模擬プロファイルと、前記励起ビームの前記強度断面を表すビームモデルとの間の畳み込みを計算することにより、前記蛍光Ｘ線の強度のプロファイルの前記測定値ならびに前記励起ビームの前記強度断面に応答して、前記ビーム幅よりも微細な空間分解能で前記特徴部分内における前記材料の分布を概算するのに使用される、コンピュータソフトウェア製品。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
現在利用可能なマイクロ蛍光アナライザは、その能力が、数十ミクロンよりも小さな特徴的なサイズを有する特徴部分（feature）を識別することに制限されている。後述するように、マイクロ蛍光アナライザでウエハの領域を走査する場合、得られるＸＲＦプロファイル（すなわち、走査に沿った位置の関数としての蛍光Ｘ線強度）は、走査された領域の層厚さプロファイルを励起ビームの強度断面で畳み込んだものと見なしてもよい。したがって、ＸＲＦプロファイルの空間分解能は、Ｘ線励起ビームの有限のビーム幅によって制限される。標準的には、Ｘ線ビームは、約２０ミクロンよりも小さなビーム幅には容易に集束させることができない。この制限は、標準的には、集束光学系の性能と、ビームの波長によって規定される臨界角によるものである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
多くの実際の応用例では、標準的には数ミクロン単位のより良好な分解能で、ＸＲＦ走査を実行することが望ましい。そのような１つの応用例は、半導体ウエハ製造プロセスにおけるプロセス不良の検出である。半導体ウエハは、５０〜１００ミクロン単位の特徴的なサイズを有する、導体パッドおよびヴィア（via）などの、金属特徴部分を含んでいる。ウエハの加工形成中に時々生じるいくつかの既知の不良は、導体パッドまたはヴィアの表面からの、金属の望ましくない除去によって特徴付けられる。「ディッシング」および「ティルティング」と称されるこれらの侵食効果は、数ミクロンの特徴的なサイズを有する顕著な幾何学パターンを備えたウエハの金属面を形作る。以下に説明されるように、従来のＸＲＦアナライザは、標準的には、これらの侵食パターンを識別し測定するのに十分な空間分解能を有さない。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
開示される一実施形態では、試料は半導体ウエハを包含し、領域はウエハ上の金属で充填された特徴部分を包含し、かつ分布を概算することは、特徴部分内の欠陥を識別することを含む。加えてまたは別の方法として、欠陥は、ディッシング効果およびティルティング効果の少なくとも１つを包含する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
別の実施形態では、励起ビームを方向付けることが、表面上の特徴部分全体にわたってビームを走査することを包含し、強度を測定することは、走査された特徴部分の測定ＸＲＦプロファイルを作成することを包含する。加えてまたは別の方法として、強度を測定することは、測定ＸＲＦプロファイルからバックグラウンドノイズを減算することを包含する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
さらに別の実施形態では、分布を概算することが、模擬ＸＲＦプロファイルを作成するために、特徴部分の模擬プロファイルと、励起ビームの強度断面を表すビームモデルとの間の畳み込みを計算することを包含する。加えてまたは別の方法として、ビームモデルは少なくとも１つのガウス関数を包含する。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
さらに別の開示される実施形態では、分布を概算することが、模擬ＸＲＦプロファイルを測定ＸＲＦプロファイルに適合させることを包含する。加えてまたは別の方法として、模擬プロファイルを適合させることは、特徴部分の模擬ＸＲＦプロファイルに対して反復最適化プロセスを適用することを包含する。さらに加えてまたは別の方法として、反復プロセスを適用することが、測定ＸＲＦプロファイルと模擬ＸＲＦプロファイルとの差を定量化するために、性能指数（ＦＯＭ）関数を計算することを包含する。別の実施形態では、反復プロセスを適用することが、遺伝的アルゴリズム（ＧＡ）を適用することを包含する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
ディッシングおよびティルティング効果
図２は、一般的なディッシング効果を示す、試料２２、本実施例では半導体ウエハの一部を概略的に示す図である。標準的なウエハ加工形成プロセスでは、ウエハは、シリコン基板４２上に形成された、標準的には二酸化シリコンを含む誘電体層４０を含む。導電体のためのヴィア、トレンチ、および導体パッドのための凹部などの特徴部分は、フォトリソグラフィプロセスによって層４０に形成される。これらの特徴部分は、導電材料、標準的には銅で充填される。特徴部分に銅を充填する前処理として、銅が誘電体層に入り込むのを防ぐために、層４０の上にまずバリア層４４が蒸着される。バリア層は、標準的にはタンタルを含む。次いで、特徴部分の残りの容積に、銅充填物４６が充填される。このプロセスは、本発明のいくつかの実施形態の操作を理解する助けとして、一例としてここに記載される。しかしながら、本発明の原理は、他のタイプの材料およびプロセスで生じるディッシング効果を検出するのに同様に適用されてもよい。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
研磨パッドまたはスラリーが、ヴィアまたは導体パッド内から銅充填物の一部を除去する場合、研磨プロセス中に、ディッシング効果が生じることがある。この過剰な銅の除去により、特徴的な皿状のくぼみが作られ、よって「ディッシング」という名がある。当然ながら、ディッシングは、より大きな銅表面を有する特徴部分において、より顕著である。導電ラインなどのより狭い特徴部分は、ディッシングの影響を受けにくい。ＣＭＰプロセスのいくつかの態様、ならびにディッシングおよび他の侵食効果の説明は、シンガーによる文献「ディッシングに照準を合わせた銅ＣＭＰ」（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ（ｗｗｗ．ｒｅｅｄ−ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ．ｃｏｍ／ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ／）、２００４年１０月）にも記載されており、これを参考として本明細書に組み込む。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
プロセッサ３４はまた、ビームモデリングステップ７２において、測定ＸＲＦプロファイルを得るのに使用されるＸ線励起ビーム（「ビームモデル」と称される）の強度断面の初期のモデルを受け取る。標準的には、ビームをモデリングするために、ガウスモデルが使用される。一実施形態では、プロセッサ３４は、ビームを定義するパラメータの初期値の組を使用する。あるいは、ユーザは、ガウスビームをモデリングするために、パラメータのいくつかまたはすべてを指定してもよい。パラメータの標準的な組は次のものを含む。
○ビームのＦＷＨＭ（半値全幅）幅。
○最大ビーム強度。
○バックグラウンドオフセットおよび勾配などのバックグラウンド減算パラメータ（線形のバックグラウンドモデルが使用される場合。バックグラウンド減算は、下記のステップ７６の説明に詳細に記載される。）
○走査線の軸に垂直な、走査された特徴部分の中心からの走査線の距離を表すＹ方向オフセット。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
概算パッドパラメータは、半導体メーカーがウエハ加工形成プロセスを改善する助けとなるように、ディッシングおよびティルティング効果の存在および重大度を識別するのに使用されてもよい。標準的には、ＸＲＦアナライザは、プロセス不良に関する有用な情報を提供するために、ウエハの異なる範囲内の多数のパッドおよび他の特徴部分を走査する。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
上述の方法は導体パッドの測定を扱っているが、同じ方法を、侵食効果の影響を受けやすいウエハ表面上の他のあらゆる特徴部分に適用することができる。加えてまたは別の方法として、開示される方法は、試料中の特徴部分、特に金属特徴部分における幾何学的分布または厚さ分布の変化によって特徴付けられる他のプロセス不良を検出し、定量化するのに使用されてもよい。そのような応用例は当業者には明白であろう。