【手続補正書】
【提出日】平成22年12月27日(2010.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅または銅合金からなるバンプと、
第１の面と該バンプに接合している第２の面とによって厚みが規定され、前記第２の面に接する前記バンプの形状に応じて周縁が規定される低融点金属層と
を備えてなり、支持部材により保持されて他の回路基板または電子回路部品に接続されるバンプ構造。
【請求項２】
前記低融点金属層の金属が、スズ、スズ−銅、スズ−鉛、スズ−亜鉛、スズ−ビスマス、スズ−インジウム、スズ−銀−銅、スズ−亜鉛−ビスマス、および、スズ−銀−インジウム−ビスマスからなるスズ系金属の群から選択される、請求項１に記載のバンプ構造。
【請求項３】
前記低融点金属層の金属がガリウム系金属であり、該ガリウム系金属が、亜鉛、スズ、インジウム、ビスマス、銅、ニッケル、コバルト、金からなる金属群から選択される少なくとも一種類の金属をガリウムとともに含む合金からなる、請求項１に記載のバンプ構造。
【請求項４】
前記バンプは、接続用リフロー処理を行うソルダリングによって他の回路基板または電子回路部品に接続されるリフロー接続用バンプであり、
前記低融点金属層が該接続用リフロー処理において融解しない融点をもつ金属からなる請求項１に記載のバンプ構造。
【請求項５】
前記バンプは、接続用リフロー処理を行うソルダリングによって他の回路基板または電子回路部品に接続されるリフロー接続用バンプであり、
前記低融点金属層が該接続用リフロー処理において融解しうる融点をもつ金属からなり、
前記低融点金属層の該融点よりも高い融点をもち、前記低融点金属層の前記周縁を少なくとも被覆する高融点金属による保護層をさらに備える請求項１に記載のバンプ構造。
【請求項６】
前記接続用ハンダとして、前記バンプの少なくとも一部を覆うように設けられるハンダボールをさらに備える請求項１に記載のバンプ構造。
【請求項７】
前記バンプが、低融点金属層の前記第１の面が前記支持部材における金属端子に接するように前記低融点金属層により該金属端子に接合されて前記支持部材から突出しており、それにより該金属端子が他の回路基板または電子回路部品に電気的に接続可能にされている請求項１に記載のバンプ構造。
【請求項８】
前記支持部材が配線層であり、前記他の回路基板と該配線層により絶縁層が挟持されており、前記バンプが、該絶縁層の貫通穴を通って前記配線層と前記他の回路基板に設けられた金属部とに接続されていて、それにより、前記配線層と前記金属部が前記他の回路基板に電気的に接続可能にされている請求項１に記載のバンプ構造。
【請求項９】
前記バンプが前記支持部材の絶縁部に少なくとも一部が埋め込まれて支持されていて、前記低融点金属層の前記第１の面が前記絶縁部から露出しており、前記バンプが前記第２の面に接する面以外の一部において電子回路部品の金属端子に接続または接合されていて、これにより前記電子回路部品の金属端子が他の回路基板または電子回路部品に接続可能にされている請求項１に記載のバンプ構造。
【請求項１０】
前記低融点金属層において、互いに組成の異なる複数の層または領域が前記第１の面から第２の面までの間に存在し、当該複数の層または領域のいくつかは隣接する層または領域よりも銅の組成比率が高くなっている請求項１に記載のバンプ構造。
【請求項１１】
金属支持層と該金属支持層に接して配置された低融点金属層と該低融点金属層に接して配置された銅または銅合金の箔とを含む組立体を準備するステップであって、前記低融点金属層は、第１の面において前記金属支持層に接し第２の面において前記銅または銅合金の箔に接するように配置されるものである、組立体を準備するステップと、
エッチング用レジスト層を該銅または銅合金の箔の表面に接するよう配置し、該エッチング用レジスト層に所定のレジストパターンを形成するステップと、
該レジストパターンを用いて銅または銅合金の箔をエッチングし、エッチング用レジストのない領域の前記銅または銅合金の箔を除去して前記低融点金属層を露出させ、前記レジストパターンに応じて銅または銅合金からなるバンプを形成するステップと、
前記エッチング用レジスト層を除去するステップと、
バンプの形成されない領域に露出している前記低融点金属層を除去するステップと
を含んでなり、それにより前記第２の面に接するバンプの形状に応じて周縁が規定される前記低融点金属層と前記バンプとからなるバンプ構造を得るバンプ構造形成方法。
【請求項１２】
前記組立体を準備するステップは、
前記第１の面が前記金属支持層に接するように前記低融点金属層を前記金属支持層に配置するステップと、
前記銅または銅合金の箔を、前記低融点金属層の前記第２の面に接するように配置し、該低融点金属層によって該銅または銅合金の箔を前記金属支持層の少なくとも一部に接合するステップと
を含む、請求項１１に記載のバンプ構造形成方法。
【請求項１３】
前記銅または銅合金の箔は、前記低融点金属層の前記第２の面が前記銅または銅合金の箔に接するよう前記低融点金属層があらかじめ配置されているものであり、
前記組立体を準備するステップは、前記低融点金属層の前記第１の面が前記金属支持層の表面の少なくとも一部に接するよう該銅または銅合金の箔を配置し、該低融点金属層によって前記銅または銅合金の箔を前記金属支持層の前記一部に接合するステップを含む、請求項１１に記載のバンプ構造形成方法。
【請求項１４】
前記組立体を準備するステップは、前記組立体を厚み方向にプレスして該低融点金属層によって前記銅または銅合金の箔を前記金属支持層の前記一部に接合するステップを含む、請求項１１に記載のバンプ構造形成方法。
【請求項１５】
前記低融点金属層の金属が前記金属支持層の耐熱温度より融点が低いものであり、
前記組立体を準備するステップは、前記低融点金属層のソルダリングによって前記銅または銅合金の箔を前記金属支持層の前記一部に接合するステップを含む、請求項１１に記載のバンプ構造形成方法。
【請求項１６】
前記低融点金属層の配置が、無電解めっき、電解めっき、置換めっき、ハンダレベラー、および、クラッディングからなる群から選択される手法により行われる請求項１１に記載のバンプ構造形成方法。
【請求項１７】
銅または銅合金の箔をエッチングしてバンプを形成する前記ステップが、前記銅または銅合金の箔に対して高いエッチングレートを示すとともに、前記低融点金属層の金属に対して低いエッチングレートを示すかまたはエッチングすることができない第１のエッチャントを用いてエッチングを行うステップであり、
低融点金属層を除去する前記ステップが、前記低融点金属層の金属に対して高いエッチングレートを示すとともに、前記銅または銅合金の箔に対して低いエッチングレートを示すかまたはエッチングすることができない第２のエッチャントを用いてエッチングを行うステップである、請求項１１に記載のバンプ構造形成方法。
【請求項１８】
前記第１のエッチャントがアルカリ性エッチング液であり、
前記第２のエッチャントが酸性エッチング液である、請求項１７に記載のバンプ構造形成方法。
【請求項１９】
前記低融点金属層を除去する前記ステップが、前記第１のエッチャントを用いてエッチングを行うステップか、または、前記銅または銅合金の箔に対して高いエッチングレートを示す第３のエッチャントを用いてエッチングするステップをさらに含み、これにより該低融点金属層に偏析した銅の比率の高い組成物を除去する請求項１７に記載のバンプ構造形成方法。
【請求項２０】
前記バンプ構造のうち少なくとも前記バンプを支持部材により保持するステップと、
該前記金属支持層を除去するステップと
をさらに含み、低融点金属層がスズ系金属からなる請求項１１に記載のバンプ構造形成方法。
【請求項２１】
第１の表面を備える第１の基板と、
前記第１の表面に露出され、第１の面を備える第１の薄い導体素子と、
前記第１の面に接続された底部を備え、前記第１の面から離れた末端まで伸びる第１の導体突起であって、側壁が前記底部と前記末端との間に規定されるようにしてなる第１の導体突起と、
第２の表面と、前記第２の表面から離れた第３の表面とを備える誘電体層であって、前記第２の表面が前記第１の基板の前記第１の表面に沿って伸び、前記誘電体層がその中に形成された第１の隙間を備え、前記第１の隙間が周縁を備えるようにしてなる誘電体層と、及び、
前記第１の導体突起上に形成され、前記底部と前記末端との間に配置されるように前記末端と前記側壁の一部に沿って伸びる第１のハンダ塊と
を含み、
前記第１の隙間の前記周縁が前記側壁の一部と接触するように、前記第１の導体突起が前記第１の隙間を通して伸び、前記ハンダ塊が前記誘電体層の前記第３の表面に向かって伸びる、超小型電子組立体。
【請求項２２】
前記第１のハンダ塊が前記誘電体層と接触する、請求項２１に記載の超小型電子組立体。
【請求項２３】
前記第１の導体突起が結合層と固体金属層を備え、前記固体金属層が前記第１の導体突起の前記末端を規定し、前記結合層が導体結合材料を備え、前記第１の導体突起の前記底部を規定し、かつ、前記第１の薄い導体素子と前記固体金属層との間に電気的な導電性相互接続を提供する、請求項２１に記載の超小型電子組立体。
【請求項２４】
前記第１の薄い導体素子がパッドである、請求項２１に記載の超小型電子組立体。
【請求項２５】
前記パッドに電気的に接続された配線をさらに備える、請求項２４に記載の超小型電子組立体。
【請求項２６】
少なくとも一つの前記第１の導体支柱が底部金属層と、前記底部金属層を覆う頂部金属層とを備え、前記頂部金属層が前記末端表面とその前記側壁の少なくとも一部を形成する、請求項２１に記載の超小型電子組立体。
【請求項２７】
前記誘電体層が前記頂部金属層の少なくとも一部と接触する、請求項２６に記載の超小型電子組立体。
【請求項２８】
前記誘電体層が前記第２の表面と前記第３の表面との間に規定される厚さを備え、前記第１の隙間が前記誘電体層の前記厚さを通して伸び、かつ、前記周縁を備える内面を規定し、前記内面が前記第１の導体突起の前記側壁の一部と接触する、請求項２１に記載の超小型電子組立体。
【請求項２９】
前記第１の導体支柱が第１の部分と第２の部分とに分けられ、前記第１の部分が前記誘電体層の前記厚さ以内で規定され、かつ、前記底部を備え、前記第２の部分が前記誘電体層の前記厚さの外側に配置され、かつ、前記末端を備える、請求項２８に記載の超小型電子組立体。
【請求項３０】
前記第１の薄い導体素子、前記第１の導体支柱、及び前記第１のハンダ塊が共に第１の相互接続素子を規定し、前記誘電体層が前記第１の隙間の構造と実質的に同様の複数の隙間を備え、前記組立体が前記第１の相互接続素子の構造と実質的に同様の複数の相互接続素子をさらに備え、その隙間の前記周縁が前記突起の前記側壁の一部と接触するように、その導体突起が対応する隙間を通して伸び、前記ハンダ塊の端が前記誘電体層の前記第３の表面に向かって伸びる、請求項２１に記載の超小型電子組立体。
【請求項３１】
少なくとも一つの前記第１の金属支柱の前記底部が、導電性金属の層によって、それぞれ一つの前記導電性パッドに接続される、請求項３０に記載の超小型電子組立体。
【請求項３２】
導体突起を基板の表面に露出された薄い導体素子の面上に形成するステップであって、前記導体突起が前記導体素子の前記面上に底部を備え、かつ、前記面から離れた末端まで伸び、側壁が前記底部と前記末端との間に規定されるようにしてなるステップと、及び、
誘電体層を前記基板の前記表面に渡って形成するステップであって、前記誘電体層が前記基板の前記表面とは別に配置された外表面を備え、隙間が少なくとも前記底部に沿って前記導体突起と接触する周縁を規定するようにしてなるステップと
を含む、超小型電子組立体の形成方法。
【請求項３３】
ハンダ塊を前記導体突起に渡って形成するステップをさらに含み、前記ハンダ塊が前記誘導体層の前記外表面に向かって、前記末端と前記側壁の一部に沿って伸びるように形成される、請求項３２に記載の方法。