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【手続補正書】
【提出日】平成22年12月14日(2010.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録装置であって、
ディスク状記録媒体に対して信号を記録する記録手段と、
前記記録手段が信号の記録を停止した後、前記ディスク状記録媒体に信号の記録を開始する直前の所定期間において、前記記録装置の動作状態に基づいて前記記録手段による記録を中止するか否かを制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記記録手段が信号の記録を停止した要因に基づいて前記記録手段による記録を中止するための条件を設定することを特徴とする記録装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記要因が前記ディスク状記録媒体の傷によるものであると判断した場合には、傷以外の要因により記録を停止したと判断した場合に比べ、記録中止と判別されにくくなるように前記条件を設定することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
前記ディスク状記録媒体に形成されたトラックの蛇行周期に応じたウォブル信号を生成し、前記ウォブル信号に同期したクロックを生成するクロック生成手段と、
前記ウォブル信号と前記クロックとの位相差を、第１の閾値及び前記第１の閾値よりも大きい第２の閾値と比較した比較結果をそれぞれ示す複数の位相差検知信号を出力する位相差検出手段とを備え、
前記制御手段は、前記要因が前記ディスク状記録媒体の傷によるものであると判断した場合には前記位相差と前記第２の閾値との比較結果を示す位相差検知信号に基づいて前記信号の記録を中止するか否かを判断し、傷以外の要因により記録を停止したと判断した場合には前記位相差と前記第１の閾値との比較結果を示す位相差検知信号に基づいて前記信号の記録を中止するか否かを判断することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項４】
前記ディスク状記録媒体に形成されたトラックと前記記録手段との間のトラッキングずれ量を検出し、前記トラッキングずれ量を第１の閾値及び前記第１の閾値よりも大きい第２の閾値と比較した比較結果をそれぞれ示す複数のトラッキングエラー検知信号を出力するトラッキングエラー検知手段を備え、
前記制御手段は、前記要因が前記ディスク状記録媒体の傷によるものであると判断した場合には前記トラッキングずれ量と前記第２の閾値との比較結果を示すトラッキングエラー検知信号に基づいて前記信号の記録を中止するか否かを判断し、傷以外の要因により記録を停止したと判断した場合には前記トラッキングずれ量と前記第１の閾値との比較結果を示すトラッキングエラー検知信号に基づいて前記信号の記録を中止するか否かを判断することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項５】
前記記録手段は前記ディスク状記録媒体に対して光ビームを照射するピックアップを有し、
前記ディスク状記録媒体に対する前記光ビームのフォーカスずれ量を検出し、前記フォーカスずれ量を第１の閾値及び前記第１の閾値よりも大きい第２の閾値と比較した比較結果をそれぞれ示す複数のフォーカスエラー検知信号を出力するフォーカスエラー検知手段を備え、
前記制御手段は、前記要因が前記ディスク状記録媒体の傷によるものであると判断した場合には前記フォーカスずれ量と前記第２の閾値との比較結果を示すフォーカスエラー検知信号に基づいて前記信号の記録を中止するか否かを判断し、傷以外の要因により記録を停止したと判断した場合には前記フォーカスずれ量と前記第１の閾値との比較結果を示すフォーカスエラー検知信号に基づいて前記信号の記録を中止するか否かを判断することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項６】
前記記録手段は前記ディスク状記録媒体に対して光ビームを照射するピックアップを有し、
前記ディスク状記録媒体からの前記光ビームの反射光を検出するセンサを備え、
前記制御手段は、前記センサの出力を用いて前記要因が前記ディスク状記録媒体の傷によるものであるか否かを判断することを特徴とする請求項２から５の何れか１項に記載の記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記録装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は記録装置に関し、特に、記録媒体に対して情報を記録する装置に用いて好適な技術に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の記録装置は、記録装置であって、ディスク状記録媒体に対して信号を記録する記録手段と、前記記録手段が信号の記録を停止した後、前記ディスク状記録媒体に信号の記録を開始する直前の所定期間において、前記記録装置の動作状態に基づいて前記記録手段による記録を中止するか否かを制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記記録手段が信号の記録を停止した要因に基づいて前記記録手段による記録を中止するための条件を設定することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月14日(2010.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録装置であって、
ディスク媒体に対して信号を記録する記録手段と、
前記記録装置に係る複数種類の動作状態がそれぞれ良好でないことを検知する検知手段と、
前記複数種類の動作毎に異なる長さの判定期間を設定し、前記設定された判定期間内に前記検知手段により前記複数種類の動作状態が良好でないことが検知された場合に、前記ディスク媒体に対する信号の記録を中止するよう前記記録手段を制御する制御手段とを備えることを特徴とする記録装置。
【請求項２】
前記ディスク媒体に形成されたトラックの蛇行周期に応じたウォブル信号を生成し、前記ウォブル信号に同期したクロックを生成するクロック生成手段と、
前記記録装置の振動を検出する振動検知部とを備え、
前記記録手段は前記ディスク媒体に対して光ビームを照射するピックアップを有し、
前記検知手段は、前記クロックと前記ウォブル信号とが位相差を検出するウォブルエラー検知部と、前記記録手段と前記トラックとの間のトラッキングずれ量を検出するトラッキングエラー検知部と、前記ディスク媒体に対する光ビームのフォーカスずれ量を検出するフォーカスエラー検知部とを有し、
前記複数種類の動作状態は、前記クロックとウォブル信号との位相差、前記トラッキングずれの量、前記フォーカスずれ量、及び前記振動の状態のうちの少なくとも二つを含むことを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記振動の状態に対する判定期間よりも前記トラッキングずれの状態と前記クロックとウォブル信号の同期の状態に対する判定期間を短く設定し、前記トラッキングずれの状態に対する判定期間よりも前記クロックとウォブル信号の同期の状態に対する判定期間を短く設定することを特徴とする請求項２に記載の記録装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記フォーカスずれの状態に対する判定期間よりも前記トラッキングずれの状態と前記クロックとウォブル信号の同期の状態に対する判定期間を短く設定し、前記トラッキングずれの状態に対する判定期間よりも前記クロックとウォブル信号の同期の状態に対する判定期間を短く設定することを特徴とする請求項２に記載の記録装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記ディスク媒体に対する記録開始の予定タイミングの直前の期間を判定期間として設定することを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記録装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は記録装置に関し、特に、ランダムアクセス可能な記録媒体に情報を記録するために用いて好適な技術に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の記録装置は、記録装置であって、ディスク媒体に対して信号を記録する記録手段と、前記記録装置に係る複数種類の動作状態がそれぞれ良好でないことを検知する検知手段と、前記複数種類の動作毎に異なる長さの判定期間を設定し、前記設定された判定期間内に前記検知手段により前記複数種類の動作状態が良好でないことが検知された場合に、前記ディスク媒体に対する信号の記録を中止するよう前記記録手段を制御する制御手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月2日(2011.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する基板上に設けられた第１の島状の補強膜と、
前記第１の島状の補強膜上に、チャネル形成領域と不純物領域とを具備する半導体膜と、
前記チャネル形成領域の上方にゲート絶縁膜を介して設けられた第１の導電膜と、
前記第１の導電膜及び前記ゲート絶縁膜を覆って設けられた第２の島状の補強膜と、
前記第２の島状の補強膜及び前記ゲート絶縁膜を覆って設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に、開口部を介して前記不純物領域と電気的に接続するように設けられた第２の導電膜とを有し、
前記チャネル形成領域の全域が前記第１の島状の補強膜と前記第２の島状の補強膜との間に設けられ、
前記第１の島状の補強膜及び前記第２の島状の補強膜は、窒化珪素、窒化酸化珪素、金属酸化物、或いは金属窒化物で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
可撓性を有する基板上に設けられた第１の島状の補強膜と、
前記第１の島状の補強膜上に、チャネル形成領域と不純物領域とを具備する複数の半導体膜と、
前記複数の半導体膜の各々の具備するチャネル形成領域の上方にゲート絶縁膜を介して設けられた第１の導電膜と、
前記第１の導電膜及び前記ゲート絶縁膜を覆って設けられた第２の島状の補強膜と、
前記第２の島状の補強膜及び前記ゲート絶縁膜を覆って設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に、開口部を介して前記不純物領域と電気的に接続するように設けられた第２の導電膜とを有し、
前記チャネル形成領域の全域が前記第１の島状の補強膜と前記第２の島状の補強膜との間に設けられ、
前記第１の島状の補強膜及び前記第２の島状の補強膜は、窒化珪素、窒化酸化珪素、金属酸化物、或いは金属窒化物で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
可撓性を有する基板上に設けられた第１の島状の補強膜と、
前記第１の島状の補強膜上に、チャネル形成領域と第１の不純物領域と第２の不純物領域とを具備する半導体膜と、
前記チャネル形成領域の上方にゲート絶縁膜を介して設けられた第１の導電膜と、
前記第１の導電膜を覆って設けられた第２の島状の補強膜と、
前記第２の島状の補強膜を覆って設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に、開口部を介して前記第２の不純物領域と電気的に接続するように設けられた第２の導電膜とを有し、
前記チャネル形成領域の全域が前記第１の島状の補強膜と前記第２の島状の補強膜との間に設けられ、
前記第１の島状の補強膜及び前記第２の島状の補強膜は、窒化珪素、窒化酸化珪素、金属酸化物、或いは金属窒化物で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
可撓性を有する基板上に設けられた第１の島状の補強膜と、
前記第１の島状の補強膜上に、チャネル形成領域と不純物領域とを具備する半導体膜と、
前記チャネル形成領域の上方にゲート絶縁膜を介して設けられた第１の導電膜と、
前記第１の導電膜を覆って設けられた第２の島状の補強膜と、
前記第２の島状の補強膜を覆って設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に開口部を介して前記不純物領域と電気的に接続するように設けられた第２の導電膜とを有し、
前記チャネル形成領域の全域が前記第１の島状の補強膜と前記第２の島状の補強膜との間に設けられ、
前記第１の島状の補強膜と前記第２の島状の補強膜とが接し、
前記第１の島状の補強膜及び前記第２の島状の補強膜は、窒化珪素、窒化酸化珪素、金属酸化物、或いは金属窒化物で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の島状の補強膜及び前記第２の島状の補強膜は、前記半導体膜よりもヤング率の高い材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第２の島状の補強膜は、前記第１の島状の補強膜と同じ材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の島状の補強膜の膜厚は５０ｎｍ乃至２００ｎｍであり、かつ前記第２の島状の補強膜の膜厚は１００ｎｍ乃至４００ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の島状の補強膜の膜厚に比べて前記第２の島状の補強膜の膜厚が厚いことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の島状の補強膜の膜厚と前記第２の島状の補強膜の膜厚は同じであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１の島状の補強膜の膜厚と前記第２の島状の補強膜の膜厚の比率（第１の島状の補強膜の膜厚／第２の島状の補強膜の膜厚）は１／２以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月9日(2011.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に第１の無機絶縁膜を形成し、
前記第１の無機絶縁膜上に第１の半導体素子層を形成し、
前記第１の半導体素子層上に第２の無機絶縁膜を形成し、
前記第２の無機絶縁膜を平坦化処理し、
第２の基板上に第２の剥離層をスパッタリング法により形成し、
前記第２の剥離層を逆スパッタリング法により平坦化処理し、
前記平坦化処理された第２の剥離層上に第３の無機絶縁膜をスパッタリング法により形成し、
前記第３の無機絶縁膜上に第２の半導体素子層を形成し、
前記第２の半導体素子層に第１の保持基板を接着し、
前記第２の剥離層において、前記第３の無機絶縁膜及び前記第２の半導体素子層を前記第２の基板より剥離し、
前記剥離により前記第３の無機絶縁膜に残存した前記第２の剥離層を除去することにより、前記第３の無機絶縁膜を露出し、
前記平坦化処理された第２の無機絶縁膜と、前記露出された第３の無機絶縁膜とを接合することにより、前記第２の無機絶縁膜及び前記第３の無機絶縁膜を介して前記第１の半導体素子層と前記第２の半導体素子層とを積層し、
前記第１の保持基板を前記第２の半導体素子層より剥離し、
前記第２の無機絶縁膜及び前記第３の無機絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールに配線層を形成することにより、前記第１の半導体素子層に設けられた第１のトランジスタと前記第２の半導体素子層に設けられた第２のトランジスタとを電気的に接続し、
前記第２の半導体素子層及び前記配線層上に樹脂層を形成し、
前記樹脂層上に第２の保持基板を接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板上に第１の剥離層をスパッタリング法により形成し、
前記第１の剥離層を逆スパッタリング法により平坦化処理し、
前記平坦化処理された第１の剥離層上に第１の無機絶縁膜をスパッタリング法により形成し、
前記第１の無機絶縁膜上に第１の半導体素子層を形成し、
前記第１の半導体素子層上に第２の無機絶縁膜を形成し、
前記第２の無機絶縁膜を平坦化処理し、
第２の基板上に第２の剥離層をスパッタリング法により形成し、
前記第２の剥離層を逆スパッタリング法により平坦化処理し、
前記平坦化処理された第２の剥離層上に第３の無機絶縁膜をスパッタリング法により形成し、
前記第３の無機絶縁膜上に第２の半導体素子層を形成し、
前記第２の半導体素子層に第１の保持基板を接着し、
前記第２の剥離層において、前記第３の無機絶縁膜及び前記第２の半導体素子層を前記第２の基板より剥離し、
前記剥離により前記第３の無機絶縁膜に残存した前記第２の剥離層を除去することにより、前記第３の無機絶縁膜を露出し、
前記平坦化処理された第２の無機絶縁膜と、前記露出された第３の無機絶縁膜とを接合することにより、前記第２の無機絶縁膜及び前記第３の無機絶縁膜を介して前記第１の半導体素子層と前記第２の半導体素子層とを積層し、
前記第１の保持基板を前記第２の半導体素子層より剥離し、
前記第２の無機絶縁膜及び前記第３の無機絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールに配線層を形成することにより、前記第１の半導体素子層に設けられた第１のトランジスタと前記第２の半導体素子層に設けられた第２のトランジスタとを電気的に接続し、
前記第２の半導体素子層及び前記配線層上に樹脂層を形成し、
前記樹脂層上に第２の保持基板を接着し、
前記第１の剥離層において、前記第１の基板を前記第１の無機絶縁膜より剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記平坦化処理された第２の無機絶縁膜及び前記露出された第３の無機絶縁膜の双方にプラズマ処理を行った後、前記平坦化処理された第２の無機絶縁膜と、前記露出された第３の無機絶縁膜とを接合することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月15日(2011.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＳＯＩ基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソースガスを励起してプラズマを生成し、前記プラズマに含まれるイオン種を単結晶半導体基板の一方の面から添加して、前記単結晶半導体基板に損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板の一方の面上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を間に挟んで前記単結晶半導体基板と向かい合うように支持基板を密着させ、
前記単結晶半導体基板を加熱することにより、前記損傷領域において、単結晶半導体層が接着された前記支持基板と単結晶半導体基板とに分離し、
前記支持基板に接着された前記単結晶半導体層を押圧し、
押圧した前記単結晶半導体層の表面にドライエッチング又はウェットエッチングを行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
ソースガスを励起してプラズマを生成し、前記プラズマに含まれるイオン種を単結晶半導体基板の一方の面から添加して、前記単結晶半導体基板に損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板の一方の面上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を間に挟んで前記単結晶半導体基板と向かい合うように支持基板を密着させ、
前記単結晶半導体基板を加熱することにより、前記損傷領域において、単結晶半導体層が接着された前記支持基板と単結晶半導体基板とに分離し、
前記単結晶半導体層に対して選択的にエッチングを行うことにより、島状の単結晶半導体層を複数形成し、
前記複数の島状の単結晶半導体層を押圧し、
押圧した前記複数の島状の単結晶半導体層の表面にドライエッチング又はウェットエッチングを行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
ソースガスを励起してプラズマを生成し、前記プラズマに含まれるイオン種を単結晶半導体基板の一方の面から添加して、前記単結晶半導体基板に損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板の一方の面に絶縁層を形成し、
前記絶縁層が形成された前記単結晶半導体基板に対して選択的にエッチングを行い、前記絶縁層及び前記単結晶半導体基板に前記損傷領域よりも深い開口部を設け、
前記絶縁層を間に挟んで前記単結晶半導体基板と向かい合うように支持基板を密着させ、
前記単結晶半導体基板を加熱することにより、前記損傷領域において、複数の単結晶半導体層が接着された前記支持基板と単結晶半導体基板とに分離し、
前記支持基板に接着された前記複数の単結晶半導体層を押圧し、
押圧した前記複数の単結晶半導体層の表面にドライエッチング又はウェットエッチングを行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記押圧を、真空プレス法を用いて行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記押圧を、油圧プレス法又は空気圧プレス法を用いて行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記押圧は、弾性材料でなるクッションが設けられたダイヤフラムが凹むことにより行われることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記押圧時に加熱処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記単結晶半導体層にレーザビームを照射して前記単結晶半導体層の平坦性を向上させることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記レーザビームの照射後に前記単結晶半導体層に５００℃以上７００℃以下の加熱処理を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記ソースガスに水素ガスを用い、Ｈ＋イオン、Ｈ２＋イオン及びＨ３＋イオンの総量に対してＨ３＋イオンが７０％以上含まれる前記イオン種を前記単結晶半導体基板の一方の面からイオンドーピング装置を用いて添加することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記絶縁層は、シリコンソースガスに有機シランガスを用いて化学気相成長法により形成された酸化シリコン膜であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記有機シランガスは、珪酸エチル、テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルジシラザン、トリエトキシシラン、トリスジメチルアミノシランから選ばれたガスであることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記絶縁層の膜厚は、５００ｎｍ乃至１０００ｎｍであることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月15日(2011.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複合基板の物質を選択的に酸化する方法であって：
該複合基板をチャンバ内に配置するステップと；
該チャンバに酸素含有ガスと水素含有ガスを含むガス混合物を導入するステップであって、該酸素含有ガスが該ガス混合物の約８５％である、前記ステップと；
該チャンバを約４５０トールに加圧するステップと；
該チャンバを所定の温度に所定の時間加熱して該水素含有ガスと該酸素含有ガスを該チャンバ内部で反応させ、該複合基板を選択的に酸化させるステップと；
を含む、前記方法。
【請求項２】
該所定の温度が７００℃を超える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該水素含有ガスと該酸素含有ガスを該チャンバの外部で混合して、該ガス混合物を生成させる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該複合基板を選択的に酸化するステップが、シリコン含有物質のみを酸化する工程を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
該複合基板が、一つ以上のシリコン含有物質層と一つ以上の金属含有物質層を持つ基板を構成する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
基板を処理する方法であって：
該基板を急速熱処理（ＲＴＰ）チャンバ内に配置するステップと；
該チャンバに非反応性ガスを導入するステップと；
該チャンバにある量の水素含有ガスとある量の酸素含有ガスを導入してガス混合物を形成するステップであって、該ガス混合物が水素を多く含むガス混合物を含む、前記ステップと；
該チャンバを２５０トールを超える圧力に加圧するステップと；
該チャンバを処理温度に加熱して該ガス混合物を該チャンバ内部で反応させるステップと；
該基板を選択的に酸化させるステップと；
を含む、前記方法。
【請求項７】
該水素含有ガスの該量が、該水素を多く含むガス混合物の該量の７０％〜９０容積％である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
該水素含有ガスの該量に対する比率を指定することによって該酸素含有ガスの該量を制御するステップを更に含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
該圧力が少なくとも４５０トールである、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
少なくともシリコン含有層と金属層を備える基板をチャンバ内で処理する方法であって：
該チャンバに水素を多く含むガス混合物を導入するステップと；
該チャンバを２５０トールを超える圧力に加圧するステップと；
該水素を多く含むガス混合物を該チャンバ内部で反応させて水蒸気を生成させるステップと；
該シリコン含有層を選択的に酸化するステップと；
を含む、前記方法。
【請求項１１】
該水素を多く含むガスが、非反応性ガスと、酸素含有ガスと、６５容積％を超える水素ガス（Ｈ２）を含み、ここで、該非反応性ガスが、ヘリウム（Ｈｅ）、窒素ガス（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）、及びこれらの組合わせからなる群より選ばれる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
該水素ガス（Ｈ２）の量が該水素を多く含むガスの量の６５％〜８５容積％であり、該圧力が少なくとも４５０トールである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
該金属層が、タングステン（Ｗ）、窒化タングステン（ＷＮ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、コバルト（Ｃｏ）、又はこれらの組合わせを含む、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月2日(2011.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被膜上に半導体膜を形成する第１の工程と、
フッ素、フッ化物気体、または水素の少なくとも一つ以上を導入し高周波電源を印加して、前記半導体膜の一部をエッチングする第２の工程と、
シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体、フッ化物気体またはフッ素、及び水素を導入し高周波電源を印加して前記被膜上に微結晶半導体膜を形成する第３の工程と、を有することを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の工程の前に、フッ素、フッ化物気体、または水素の少なくとも一つ以上を導入し高周波電源を印加して、前記被膜の一部をエッチングする工程を有することを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の工程の前に、ドナーとなる不純物元素を含む気体を前記第１の工程を行う反応室内に流す工程を有することを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１の工程において、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と共に、ドナーとなる不純物元素を含む気体を導入し高周波電力を印加して、前記被膜上に前記ドナーとなる不純物元素を含む半導体膜を形成することを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第２の工程において、前記フッ素、フッ化物気体、または水素の少なくとも一つ以上と共に、ドナーとなる不純物元素を含む気体を導入し高周波電力を印加して、前記半導体膜の一部をエッチングすると共に、前記エッチングされた半導体膜に前記ドナーとなる不純物元素を添加することを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記第３の工程において、前記シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体、フッ化物気体またはフッ素、及び水素と共に、ドナーとなる不純物元素を含む気体を導入し、高周波電力を印加して、前記ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体膜を形成することを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項７】
請求項３乃至６のいずれか一項において、
前記ドナーとなる不純物元素は、リン、砒素、またはアンチモンであることを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記半導体膜は、非晶質半導体膜であり、
前記第２の工程において、前記半導体膜の一部をエッチングすることにより、前記半導体膜の非晶質半導体成分をエッチングするとともに、一部を結晶化して結晶核を形成することを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記半導体膜は、微結晶半導体膜であり、
前記第２の工程において、前記半導体膜の一部をエッチングすることにより、前記半導体膜の非晶質半導体成分をエッチングして結晶核を残存させることを特徴とする微結晶半導体膜の作製方法。
【請求項１０】
ゲート絶縁膜を形成する第１の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に半導体膜を形成する第２の工程と、
フッ素、フッ化物気体、または水素の少なくとも一つ以上を導入し高周波電源を印加して、前記半導体膜の一部をエッチングする第３の工程と、
シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体、フッ化物気体またはフッ素、及び水素を導入し高周波電源を印加して前記ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を形成する第４の工程と、を有し、
前記ゲート絶縁膜、及び前記微結晶半導体膜を用いて薄膜トランジスタを作製することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第２の工程の前に、フッ素、フッ化物気体、または水素の少なくとも一つ以上を導入し高周波電源を印加して、前記ゲート絶縁膜の一部をエッチングする工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１２】
請求項１０または１１において、
前記第２の工程の前に、ドナーとなる不純物元素を含む気体を前記第１の工程を行う反応室内に流す工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれか一項において、
前記第２の工程において、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と共に、ドナーとなる不純物元素を含む気体を導入し高周波電力を印加して、前記ゲート絶縁膜上にドナーとなる不純物元素を含む半導体膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至１３のいずれか一項において、
前記第３の工程において、前記フッ素、フッ化物気体、または水素の少なくとも一つ以上と共に、ドナーとなる不純物元素を含む気体を導入し高周波電力を印加して、前記半導体膜の一部をエッチングすると共に、前記エッチングされた半導体膜に前記ドナーとなる不純物元素を添加することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１５】
請求項１０乃至１４のいずれか一項において、
前記第４の工程において、前記シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体、フッ化物気体またはフッ素、及び水素と共に、ドナーとなる不純物元素を含む気体を導入し、高周波電力を印加して、前記ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１６】
請求項１２乃至１５のいずれか一項において、
前記ドナーとなる不純物元素は、リン、砒素、またはアンチモンであることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１７】
請求項１０乃至１６のいずれか一項において、
前記半導体膜は、非晶質半導体膜であり、
前記第３の工程において、前記半導体膜の一部をエッチングすることにより、前記半導体膜の非晶質半導体成分をエッチングするとともに、一部を結晶化して結晶核を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１８】
請求項１０乃至１６のいずれか一項において、
前記半導体膜は、微結晶半導体膜であり、
前記第３の工程において、前記半導体膜の一部をエッチングすることにより、前記半導体膜の非晶質半導体成分をエッチングして結晶核を残存させることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１９】
請求項１０乃至１８のいずれか一項において、
前記第４の工程の後、前記ゲート絶縁膜上の前記微結晶半導体膜上にバッファ層を形成し、前記バッファ層上に一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２０】
請求項１乃至９のいずれか一項に示す微結晶半導体膜を用いて少なくとも一組の半導体接合を作製することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月9日(2011.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板にイオンを照射することにより、前記単結晶半導体基板に損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板の表面に第１の配線層を形成し、
前記単結晶半導体基板の表面に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の配線層及び前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層と絶縁体でなる基板を接合させ、
前記単結晶半導体基板を前記損傷領域にて分離させることにより、前記絶縁体でなる基板の表面に前記第１の配線層と単結晶半導体層との積層体を形成し、
前記単結晶半導体層を所定の形状に加工することにより、前記第１の配線層の一部を露出させ、
加工した前記単結晶半導体層上にゲート絶縁層を介してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層に開口部を形成することにより前記第１の配線層の一部を露出させ、
前記第３の絶縁層上に、前記開口部を介して前記第１の配線層と電気的に接続する第２の配線層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記単結晶半導体基板の表面の第１の領域に、前記第１の配線層を形成し、
前記単結晶半導体基板の表面の前記第１の領域以外の第２の領域に、前記第１の絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
単結晶半導体基板にイオンを照射することにより、前記単結晶半導体基板に損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板の表面に第１の配線層及び第１の電極を形成し、
前記単結晶半導体基板の表面に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の配線層、前記第１の電極及び前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層と絶縁体でなる基板を接合させ、
前記単結晶半導体基板を前記損傷領域にて分離させることにより、前記絶縁体でなる基板の表面に前記第１の配線層及び前記第１の電極と単結晶半導体層との積層体を形成し、
前記単結晶半導体層を所定の形状に加工することにより、前記第１の配線層の一部と前記第１の電極を露出させ、
加工した前記単結晶半導体層上にゲート絶縁層を介してゲート電極を形成するとともに、前記第１の電極上に前記ゲート絶縁層を介して第２の電極を形成し、
前記ゲート電極及び前記第１の配線層上に第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層に開口部を形成することにより前記第１の配線層の一部を露出させ、
前記第３の絶縁層上に、前記開口部を介して前記第１の配線層と電気的に接続する第２の配線層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記単結晶半導体基板の表面の第１の領域に、前記第１の配線層及び前記第１の電極を形成し、
前記単結晶半導体基板の表面の前記第１の領域以外の第２の領域に、前記第１の絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記単結晶半導体層を加工する前に、前記単結晶半導体層にレーザー光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の配線層を形成する前に、前記単結晶半導体基板に不純物を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
加工した前記単結晶半導体層に不純物領域を形成し、
前記第１の配線層の一部は前記不純物領域と接触し、
前記第２の配線層は前記不純物領域と電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記損傷領域を形成した後で前記第１の配線層を形成し、
前記第１の配線層を形成した後で前記第１の絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第２の絶縁層と前記絶縁体でなる基板を接触させることによって、前記第２の絶縁層と前記絶縁体でなる基板を接合させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁体でなる基板上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第１の配線層と、
前記第１の絶縁層上の、前記第１の配線層が設けられた領域以外の領域に設けられた第２の絶縁層と、
前記第１の配線層及び前記第２の絶縁層上に設けられ、チャネル形成領域と不純物領域を有する単結晶半導体層と、
前記チャネル形成領域上にゲート絶縁層を介して設けられたゲート電極と、
前記第１の配線層、前記第２の絶縁層、前記単結晶半導体層及び前記ゲート電極を覆う第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上の第２の配線層と、を有し、
前記第１の配線層と前記不純物領域が電気的に接続されており、
前記第１の配線層と前記第２の配線層が電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
絶縁体でなる基板上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第１の配線層及び第１の電極と、
前記第１の絶縁層上の、前記第１の配線層及び前記第１の電極が設けられた領域以外の領域に設けられた第２の絶縁層と、
前記第１の配線層及び前記第２の絶縁層上に設けられ、チャネル形成領域と不純物領域を有する単結晶半導体層と、
前記チャネル形成領域上にゲート絶縁層を介して設けられたゲート電極と、
前記第１の電極上に前記ゲート絶縁層を介して設けられた第２の電極と、
前記第１の配線層、前記第２の絶縁層、前記単結晶半導体層、前記第１の電極及び前記第２の電極及び前記ゲート電極を覆う第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上の第２の配線層と、を有し、
前記第１の配線層と前記不純物領域が電気的に接続されており、
前記第１の配線層と前記第２の配線層が電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１において、
前記第２の配線層は、前記第３の絶縁層に接し、
前記第２の配線層は、前記第３の絶縁層に設けられた開口部において、前記単結晶半導体層とは異なる単結晶半導体層の不純物領域に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第１の絶縁層は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素のいずれかを含む層の積層構造を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月7日(2011.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微結晶ゲルマニウム膜と、前記微結晶ゲルマニウム膜の一方の面に接するゲート絶縁膜と、ゲート電極とが重畳し、
前記微結晶ゲルマニウム膜の他方の面に接してバッファ層を設けたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された微結晶ゲルマニウム膜と、
前記微結晶ゲルマニウム膜上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層上に形成された一導電型を付与する不純物を含む一対の半導体膜とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたドナーとなる不純物元素を含む微結晶ゲルマニウム膜と、
前記ドナーとなる不純物元素を含む微結晶ゲルマニウム膜上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層上に形成された一導電型を付与する不純物を含む一対の半導体膜とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成され表面が凹凸状のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された微結晶ゲルマニウム膜と、
前記微結晶ゲルマニウム膜上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層上に形成された一導電型を付与する不純物を含む一対の半導体膜とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記バッファ層は、非晶質シリコン膜で形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項６】
請求項２乃至４のいずれか一項において、
前記一導電型を付与する不純物を含む一対の半導体膜に接する一対の配線と、
前記一対の配線の一方に接する画素電極とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
ゲルマニウムを含む堆積性気体、及び水素を導入し高周波電源を印加して、ゲート絶縁膜上に微結晶ゲルマニウム膜を形成し、
シリコンを含む堆積性気体、及び水素を導入し高周波電源を印加して、前記微結晶ゲルマニウム膜上にバッファ層を形成し、
前記ゲート絶縁膜、前記微結晶ゲルマニウム膜、及び前記バッファ層を用いて薄膜トランジスタを作製することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
ゲート絶縁膜を形成する第１の工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲルマニウム膜を形成する第２の工程と、
フッ素、フッ化物気体、または水素の少なくとも一つ以上を導入し高周波電源を印加して、前記ゲルマニウム膜の一部をエッチングする第３の工程と、
ゲルマニウムを含む堆積性気体、及び水素を導入し高周波電源を印加して、前記ゲート絶縁膜上に微結晶ゲルマニウム膜を形成する第４の工程と、
シリコンを含む堆積性気体、及び水素を導入し高周波電源を印加して、前記微結晶ゲルマニウム膜上にバッファ層を形成する第５の工程と、を有し、
前記ゲート絶縁膜、前記微結晶ゲルマニウム膜、及び前記バッファ層を用いて薄膜トランジスタを作製することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記第２の工程の前に、フッ素、フッ化物気体、または水素の少なくとも一つ以上を導入し高周波電源を印加して、前記ゲート絶縁膜をプラズマに曝す工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１０】
請求項８または９において、
前記第２の工程において、少なくともゲルマニウムを含む堆積性気体を導入し高周波電力を印加して、前記ゲート絶縁膜上に前記ゲルマニウム膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記ゲルマニウム膜は、非晶質ゲルマニウム膜、または微結晶ゲルマニウム膜であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１２】
請求項８または９において、
前記第２の工程において、水素、または希ガスを用いてゲルマニウムターゲットをスパッタリングして、前記ゲート絶縁膜上に前記ゲルマニウム膜として非晶質ゲルマニウム膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至１２のいずれか一項において、
前記第１の工程の前に、ドナーとなる不純物元素を含む気体を前記第１の工程を行う反応室内に流す工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１４】
請求項８乃至１１のいずれか一項において、
前記第２の工程において、前記ゲルマニウム膜を形成する際に、ドナーとなる不純物元素を含む気体を導入し高周波電力を印加して、前記ゲート絶縁膜上に前記ゲルマニウム膜の代わりに、ドナーとなる不純物元素を含むゲルマニウム膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１５】
請求項８乃至１２のいずれか一項において、
前記第３の工程において、前記フッ素、フッ化物気体、または水素の少なくとも一つ以上と共に、ドナーとなる不純物元素を含む気体を導入し高周波電力を印加して、前記ゲルマニウム膜の一部をエッチングすると共に、前記エッチングされたゲルマニウム膜にドナーとなる不純物元素を添加することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１６】
請求項８乃至１２のいずれか一項において、
前記第４の工程において、前記ゲルマニウムを含む堆積性気体、及び水素と共に、ドナーとなる不純物元素を含む気体を導入し、高周波電力を印加して、ドナーとなる不純物元素を含む微結晶ゲルマニウム膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１７】
請求項７乃至１６のいずれか一項において、
前記薄膜トランジスタの一対の配線の一方に接する画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月12日(2011.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体膜の形成方法、薄膜トランジスタの作製方法及び表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素を含む半導体膜に対して水素と希ガスとを含むガス中で表面波プラズマ処理を行うことによって、前記表面波プラズマ処理により形成した半導体の結晶核を有する半導体膜を形成し、
前記結晶核を成長させることによって、成長した結晶核を有する半導体膜を形成することを特徴とする半導体膜の形成方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記表面波プラズマ処理を超高真空中で行うことを特徴とする半導体膜の形成方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
プラズマＣＶＤ法を用いることによって、前記結晶核を成長させることを特徴とする半導体膜の形成方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
水酸化シリコンを用いたＣＶＤ法を用いることによって、前記水素を含む半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の形成方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記成長した結晶核を有する半導体膜は、遷移層を有しないことを特徴とする半導体膜の形成方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記表面波プラズマ処理により形成した半導体の結晶核を有する半導体膜は、非晶質半導体を有することを特徴とする半導体膜の形成方法。
【請求項７】
ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆う絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に、水素を含む半導体膜を形成し、
前記水素を含む半導体膜に対して水素と希ガスとを含むガス中で表面波プラズマ処理を行うことによって、前記表面波プラズマ処理により形成した半導体の結晶核を有する半導体膜を形成し、
前記結晶核を成長させることによって、成長した結晶核を有する半導体膜を形成し、
前記成長した結晶核を有する半導体膜上に、一導電型を付与する不純物元素を有する半導体膜を形成し、
前記不純物元素を有する半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記表面波プラズマ処理を超高真空中で行うことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項９】
請求項７又は請求項８において、
プラズマＣＶＤ法を用いることによって、前記結晶核を成長させることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一において、
水酸化シリコンを用いたＣＶＤ法を用いることによって、前記水素を含む半導体膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれか一において、
前記成長した結晶核を有する半導体膜は、遷移層を有しないことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１２】
請求項７乃至請求項１１のいずれか一において、
前記表面波プラズマ処理により形成した半導体の結晶核を有する半導体膜は、非晶質半導体を有することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１３】
請求項７乃至請求項１２のいずれか一に記載の薄膜トランジスタの作製方法により形成した前記ソース電極又は前記ドレイン電極を、画素電極と電気的に接続させることを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月24日(2011.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電膜、絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第２の導電膜を順に積層して形成し、
前記第２の導電膜上に第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、前記絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第２の導電膜に第１のエッチングを行って前記第１の導電膜の少なくとも表面を露出させ、
前記第１の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第２の導電膜上に第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第３のエッチングを行ってソース電極層及びドレイン電極層、ソース領域層及びドレイン領域層並びに半導体層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
第１の導電膜、絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第２の導電膜を順に積層して形成し、
前記第２の導電膜上に第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、前記絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第２の導電膜に第１のエッチングを行って前記第１の導電膜の少なくとも表面を露出させ、
前記第２の導電膜上に第２のレジストマスクを形成し、
前記第１の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第３のエッチングを行ってソース電極層及びドレイン電極層、ソース領域層及びドレイン領域層並びに半導体層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
第１の導電膜、絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第２の導電膜を順に積層して形成し、
前記第２の導電膜上に凹部を有する第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、前記絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第２の導電膜に第１のエッチングを行って前記第１の導電膜の少なくとも表面を露出させ、
前記第１の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第１のレジストマスクを後退させることで前記第１のレジストマスクの凹部と重畳する前記第２の導電膜を露出させつつ第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第３のエッチングを行ってソース電極層及びドレイン電極層、ソース領域層及びドレイン領域層並びに半導体層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】
第１の導電膜、絶縁膜、半導体膜、不純物半導体膜及び第２の導電膜を順に積層して形成し、
前記第２の導電膜上に凹部を有する第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、前記絶縁膜、前記半導体膜、前記不純物半導体膜及び前記第２の導電膜に第１のエッチングを行って前記第１の導電膜の少なくとも表面を露出させ、
前記第１のレジストマスクを後退させることで前記第１のレジストマスクの凹部と重畳する前記第２の導電膜を露出させつつ第２のレジストマスクを形成し、
前記第１の導電膜の一部にサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２の導電膜、前記不純物半導体膜及び前記半導体膜の一部に第３のエッチングを行ってソース電極層及びドレイン電極層、ソース領域層及びドレイン領域層並びに半導体層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、
前記第１のレジストマスクは多階調マスクを用いて形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１のエッチングによって素子領域を形成し、
前記第２のエッチングによって前記素子領域の側面から概ね等しい距離だけ内側に前記ゲート電極層の側面を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１のエッチングはドライエッチングであり、
前記第２のエッチングはウエットエッチングであることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の方法により作製した薄膜トランジスタの前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層に接続して画素電極を選択的に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の方法により薄膜トランジスタを作製し、
前記薄膜トランジスタを覆って保護絶縁膜を形成し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の一部を露出させるように前記保護絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部及び前記保護絶縁膜上に画素電極を選択的に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記保護絶縁膜は、ＣＶＤ法又はスパッタリング法により形成した絶縁膜と、スピンコート法により形成した絶縁膜と、を積層して形成することを特徴とする表示装置の作製方法。