【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年3月7日(2011.3.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）第１のビア及び第２のビアを有するインタポーザと、
ｂ）アプリケータシート上に付着又は配置されているアンテナ及び／又はインダクタであって、該アンテナ及び／又はインダクタは、前記インタポーザの第１の面に付着又は結合されており、前記インタポーザの第２の面に前記第１のビア及び前記第２のビアを介して露出される第１の端子及び第２の端子を有しており、前記第２の面は、前記第１の面の反対側である、アンテナ及び／又はインダクタと、
ｃ）前記インタポーザ上に設けられた集積回路であり、該集積回路は、前記アンテナ及び／又はインダクタの前記第１の端子に前記第１のビアを介して電気的に結合されるとともに、前記アンテナ及び／又はインダクタの前記第２の端子に前記第２のビアを介して電気的に結合されており、該集積回路は、前記インタポーザの表面と物理的に接触する最下層膜と、前記最下層膜上の第１の次続層膜と、前記第１の次続層膜上の第２の次続層膜と、を有する前記集積回路と、
を備える認識装置。
【請求項２】
前記最下層膜、前記第１の次続層膜及び前記第２の次続層膜は、一以上の印刷層を備える請求項１に記載の認識装置。
【請求項３】
前記一以上の印刷層が半導体層を備える請求項２に記載の認識装置。
【請求項４】
最下層膜、前記第１の次続層膜及び前記第２の次続層膜は、ゲート金属層と半導体層と前記ゲート金属層及び前記半導体層の間のゲート絶縁体層とを備える請求項２に記載の認識装置。
【請求項５】
前記半導体層がソースとドレインとを更に備える請求項４に記載の認識装置。
【請求項６】
前記集積回路が、前記ゲート金属層と、前記ソースの端子と、前記ドレインの端子とに電気的に接続する複数の金属伝導体を更に備える請求項５に記載の認識装置。
【請求項７】
前記集積回路が前記金属伝導体と前記半導体層との間に中間絶縁体層を更に備える請求項６に記載の認識装置。
【請求項８】
前記一以上の印刷層が、ゲート金属層、中間絶縁体層及びインタコネクタ金属層のうちのいずれか一以上の層を備える請求項２に記載の認識装置。
【請求項９】
前記インタポーザが、ポリイミド、ガラス／ポリマーラミネート、高温ポリマー又は金属膜を備える請求項１に記載の認識装置。
【請求項１０】
ａ）インタポーザの第１の面に物理的に接触する集積回路の最下層膜を形成するステップと、
ｂ）前記集積回路の前記最下層膜に物理的に接触する集積回路の第１の次続層膜を形成するステップと、
ｃ）前記第１の次続層膜上に第２の次続層膜を形成するステップと、
ｄ）アプリケータシート上にアンテナ及び／又はインダクタを付着又は配置するステップと、
ｅ）前記アプリケータシート上の前記アンテナ及び／又はインダクタを付着又は結合するステップであって、前記アンテナ及び／又はインダクタの第１の端子及び第２の端子は、前記集積回路に各々第１のビア及び第２のビアを介して電気的に結合されている、ステップと、
を含む認識装置の製造方法。
【請求項１１】
前記集積回路の最下層膜を形成するステップが、前記集積回路の最下層膜を印刷する工程を含む請求項１０に記載の認識装置の製造方法。
【請求項１２】
前記集積回路の前記第１の次続層膜及び前記第２の次続層膜を形成するステップが、前記第１の次続層膜及び前記第２の次続層膜のうちの一以上の層を印刷する工程を含む請求項１０に記載の認識装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の次続層膜及び前記第２の次続層膜のうちの一以上の層が半導体層を備える請求項１２に記載の認識装置の製造方法。
【請求項１４】
前記集積回路の前記第１の次続層膜及び前記第２の次続層膜が、ソース／ドレイン層、ゲート絶縁体層、ゲート金属層、及びインタコネクタ／金属化層（metallization）の２つを備える請求項１０に記載の認識装置の製造方法。
【請求項１５】
前記集積回路の前記最下層膜、前記第１の次続層膜及び前記第２の次続層膜のうちの少なくとも一層が、トランジスタのチャネル層を備える請求項１０に記載の認識装置の製造方法。
【請求項１６】
前記集積回路の最下層膜を形成するステップが、前記最下層膜を印刷する工程又はディスプレイ処理によって前記最下層膜を形成する工程を含み、
前記集積回路の前記第１の次続層膜及び前記第２の次続層膜のうちの少なくとも一層を形成するステップが、前記第１の次続層膜及び前記第２の次続層膜のうちの少なくとも一層を印刷する工程又はディスプレイ処理によって前記第１の次続層膜及び前記第２の次続層膜のうちの少なくとも一層を形成する工程を含む請求項１０に記載の認識装置の製造方法。
【請求項１７】
前記インタポーザが絶縁体を備える請求項１０に記載の認識装置の製造方法。
【請求項１８】
前記インタポーザが金属膜を備える請求項１０に記載の認識装置の製造方法。
【請求項１９】
前記アンテナ及び／又はインダクタを形成するため金属膜をエッチングするステップを更に含む請求項１０に記載の認識装置の製造方法。
【請求項２０】
ａ）検出可能な電磁的な信号を放射し、反射し又は変調するに十分な電流を請求項１に記載の認識装置に発生させ又は誘導するステップと、
ｂ）前記検出可能な電磁的な信号を検出するステップと、
を含む認識装置の読取り方法。
【請求項２１】
前記インタポーザが前記第１のビア及び前記第２のビアを有しており、
前記アンテナ及び／又はインダクタを付着又は結合するステップは、前記アンテナ及び／又はインダクタを前記インタポーザの前記第１の面の反対側の第２の面に付着又は結合する工程を含む、請求項１０に記載の認識装置の製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
［0037］次に、図１の（Ａ）のパッド３４及び３６の形成プロセスと同様に、集積回路１１０が形成されているインタポーザ１３２の表面と同一の表面上にパッド１３４及び１３６を形成する。しかし、図２の（Ａ）の典型的なプロセスにおいては、集積回路１１０に存在する複数の回路構成要素（一般的に、上層の金属化層又はインタコネクト。例えば、図３の（Ｇ）〜（Ｈ）及び次の説明参照）との電気的な接合を可能とするための、集積回路１１０の最上の絶縁体層（パッシベーション層（不動態化層）として知られている）に存在する複数の穴又は複数のビアが一般的にある。基本的に、パッド１３４及び１３６は図１の（Ａ）のパッド３４及び３６と同様の機能を果たす。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
［0038］次に、パッド１３４及び１３６と集積回路１１０とが形成されている面の反対側のインタポーザ１３２の主面上に、複数の穴又は複数のビアが形成されてもよい。一般的に、そして図２の（Ａ）に示すように、パッド１３４及び１３６の表面を露出すると共にアンテナ／インダクタ１５２の端子と電気的に接触を可能とするインタポーザ１３２を貫通する一つの穴又はビアが存在する。一般的に、スループットが比較的高くかつリゾリューションが比較的低い取付方法（チップ２０をインダクタ基板４０に接続するため用いられるピックアンドプレイス作業又はワイヤーボンディングプロセスと比較した場合；図１の（Ｂ）参照）により、アンテナ／インダクタ１５２の一つの端子とそれに対応するパッドとの容易なコンタクトを可能とする位置に各穴／ビアは存在し、またそれを可能とする面積を各穴／ビアは有する。図２の（Ｂ）に示すように、インタポーザ１３２内に存在する複数の穴又は複数のビアに対応する位置でパッド１３４及び１３６とアンテナ／インダクタ１５２の複数の端子との間に電気的な結合が形成されるように、インダクタ及び／又はアンテナ１５２（アプリケータシート１５０上に付着されているか又は配置されている）をインタポーザ１３２に結合又は付着する。短時間にわたりアニーリングすることで（更に集積化インタポーザ１３２及びアプリケートシート１５０の反対側の主面に小さい圧力を加えてもよい）インダクタ及び／又はアンテナ１５２を集積化インタポーザ１３２に相当に確実に固定することができる。