Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月17日(2008.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型又はｎ型ドーピング結晶半導体材料製のアブソーバー（吸収層）と、前記アブソーバー（吸収層）とは逆にドーピングされたアモルファス半導体材料製のエミッタと、前記アブソーバー（吸収層）と前記エミッタとの間の前記アモルファス半導体材料製の真性（高純度）中間層と、前記アブソーバー（吸収層）の光と同じ方向の面上のカバー層と、少数荷電坦体（キャリア）を反射する表面電界を形成する層列と、並びに、前記アブソーバー（吸収層）の前記光と同じ方向の面上の最小の陰影面を備えた一方のオーミックコンタクト構造と、前記アブソーバー（吸収層）の前記光とは反対方向の面上の他方のオーミックコンタクト構造とを備えた層構造のヘテロ接合太陽電池において、
反転した幾何形状の層構造（invertierten Schichtstrukturgeometrie）で、エミッタ（ＥＭ）は、アブソーバー（吸収層）（ＡＢ）の、光とは反対側の下側面（ＬＵ）上に設けられており、カバー層（ＤＳ）は、アブソーバー（吸収層）（ＡＢ）の、光の側の面上に、吸収材料に依存する材料選択により、透明の反射防止膜（ＡＲＳ）としても、少数荷電坦体（キャリア）を反射する表面電界（ＦＳＦ）としても形成された、前記アブソーバー（吸収層）（ＡＢ）のパッシベーション層（ＰＳ）としても形成されており、前記アブソーバー（吸収層）（ＡＢ）の、光の側の表面（ＬＯ）上のオーミックコンタクト構造（ＯＫＳ）は、前記透明の反射防止膜（ＡＲＳ）を透過し、別のオーミックコンタクト構造（ＵＫＳ）は、大部分、前記アブソーバー（吸収層）（ＡＢ）の、前記光とは反対側の下側面（ＬＵ）上の前記エミッタ（ＥＭ）上に形成されていることを特徴とするヘテロ接合太陽電池。
【請求項２】
透明の反射防止膜（ＡＲＳ）を貫通するコンタクト構造（ＯＫＳ）の下側に、アブソーバー（吸収層）（ＡＢ）内に荷電坦体（キャリア）を反射する領域（ｎ＋）が形成されている請求項１記載のヘテロ接合太陽電池。
【請求項３】
アブソーバー（吸収層）（ＡＢ）は、ｎ型ドーピング結晶シリコン（ｎ  ｃ−Ｓｉ）製であり、エミッタ（ＥＭ）は、ｐ型ドーピングアモルファスシリコン（ｐ  a−Ｓｉ：Ｈ）製であり、真性（高純度）中間層（ＩＺＳ）は、非ドーピングアモルファスシリコン（ｉ  ａ−Ｓｉ：Ｈ）製である請求項１又は２記載のヘテロ接合太陽電池。
【請求項４】
透明の反射防止膜（ＡＲＳ）は、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）製である請求項１から３迄の何れか１記載のヘテロ接合太陽電池。
【請求項５】
一方のオーミックコンタクト構造（ＯＫＳ）は、アブソーバー（吸収層）（ＡＢ）の、光の側の表面（ＬＯ）上に銀（Ａｇ）製のコンタクトフィンガ又は格子（ＫＧ）として形成されており、他方のオーミックコンタクト構造（ＵＫＳ）は、金（Ａｕ）製の平坦な薄金属層（ＭＳ）として形成されている請求項１から４迄の何れか１記載のヘテロ接合太陽電池。
【請求項６】
アブソーバー（吸収層）（ＡＢ）は、自己保持型のウエーハである請求項１から５迄の何れか１記載のヘテロ接合太陽電池。
【請求項７】
太陽電池（ＳＺ）の各層用の薄膜構造及び支持ガラス基板は、アブソーバー（吸収層）（ＡＢ）の光とは反対側の下側面（ＬＵ）上に設けられている請求項１から６迄の何れか１記載のヘテロ接合太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月3日(2009.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性電極材料として亜鉛粉末を含む二次電池用電極であって、充電および放電下で該電極の電気化学的活性を増すための電気的活性成分、有機ゲル化剤、有機結合剤、およびカルシウム亜鉛酸塩をさらに含んでなる電極。
【請求項２】
亜鉛粉末が質量を基準として以下の粒子サイズ分布である：
（ｉ）粒子の少なくとも９０％が５〜４００μｍの範囲内のサイズを有し；
（ｉｉ）粒子の少なくとも２５％が１００μｍまたはそれより大きいサイズの大きな粒子であり；および
（ｉｉｉ）粒子の少なくとも２５％が１００μｍより小さいサイズの小さい粒子であり；
大きい粒子および小さい粒子は、粒子対粒子の接触域を促進するように密接して分配される、請求項１に記載の電極。
【請求項３】
亜鉛粉末が２００μｍより大きなサイズの大きな粒子を少なくとも２５％有する、請求項１または２に記載の電極。
【請求項４】
亜鉛粉末が２００μｍより大きなサイズの大きい粒子を少なくとも３０％と、１００μｍより小さなサイズの小さい粒子を少なくとも３０％とを有する請求項１〜３のいずれかに記載の電極。
【請求項５】
亜鉛粉末が第一および第二の亜鉛粉末の混合物として形成され、第一の亜鉛粉末は１００μｍまたはそれより大きなサイズを有する大きい粒子を主に含み、第二の亜鉛粉末は１００μｍまたはそれより小さなサイズを有する小さい粒子を主に含む、請求項１〜４のいずれかに記載の電極。
【請求項６】
第一の亜鉛粉末が７５〜４００μｍの範囲の粒子を少なくとも９０質量％有し、且つ第二の亜鉛粉末が１００μｍより小さな粒子を少なくとも８０質量％有する、請求項５に記載の電極。
【請求項７】
亜鉛粉末が、質量比率が１：４〜４：１であり、好ましくは１：１である、第一および第二の亜鉛粉末からなる、請求項５または６に記載の電極。
【請求項８】
ゲル化剤が、粉末形態のポリマーであり且つカルボキシメチルセルロース、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ポリビニルアルコール、ポリエチレン酸化物、ポリアクリレートおよびそれらの塩からなる群から選択され；または架橋したおよび分岐したタイプの（メタ）アクリレートおよびそれらの塩、好ましくはポリアクリレート、カルボキシメチルセルロース、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ポリビニルアルコール、スターチまたはスターチ誘導体からなる群から選択した粒状形態のポリマーである、請求項１〜７のいずれかに記載の電極。
【請求項９】
ゲル化剤が、５質量％またはそれより少ない量で、好ましくは０．５質量％〜２質量％の量で存在する、請求項１〜８のいずれかに記載の電極。
【請求項１０】
結合剤がポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、およびゴムポリマーからなる群から選択される、請求項１〜９のいずれかに記載の電極。
【請求項１１】
結合剤が、４質量％またはそれより少ない量で存在する、請求項１〜１０のいずれかに記載の電極。
【請求項１２】
５質量％またはそれより少ないカルシウム亜鉛酸塩を含む、請求項１〜１１のいずれかに記載の電極。
【請求項１３】
電気的活性成分が金属酸化物であり、該金属酸化物における金属が少なくともＺｎ並みの高導電性を有する、請求項１〜１２のいずれかに記載の電極。
【請求項１４】
電気的活性成分が、Ａｇ2Ｏ、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯおよびＣｏＯからなる群から選択される、請求項１〜１３のいずれかに記載の電極。
【請求項１５】
電気的活性成分が、酸化銀（Ａｇ2Ｏ）である、請求項１〜１４のいずれかに記載の電極。
【請求項１６】
２質量％またはそれより少ない酸化銀を含んでなる、請求項１５に記載の電極。
【請求項１７】
二次電池用の亜鉛電極を形成する方法であって、以下のステップ：
−亜鉛粉末を提供すること；
−該亜鉛粉末をカルシウム亜鉛酸塩および電気的活性成分と混合すること並びに該粉末を有機結合剤に押し込み凝集体を形成すること；
−ゲル化剤を該凝集体と混合させること；
−電解質を加えてペーストを形成すること；並びに
−該ペーストにカレント・コレクタを押し込むこと、を含んでなる方法。
【請求項１８】
ポータブル電子機器用途のための亜鉛−空気電池、亜鉛−銀電池または亜鉛／ニッケルにおいて、請求項１〜１６のいずれかによる亜鉛電極または請求項１７によって作製した亜鉛電極を使用する方法。
【請求項１９】
請求項１〜１６のいずれかによる亜鉛電極または請求項１７によって作製した亜鉛電極を含んでなる二次電池であって、亜鉛−空気電池、亜鉛−銀電池または亜鉛／ニッケル電池である二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月11日(2008.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタルコンテンツ提供システムにおける広告区間識別方法であって、
デジタルコンテンツでの広告区間を示す広告区間識別情報（ＰｏｄＩｄ）を含むセグメントメタデータを生成するステップと、
該セグメントメタデータ及びデジタルコンテンツをユーザ端末に伝送するステップと
を含むことを特徴とするデジタルコンテンツ提供システムにおける広告区間識別方法。
【請求項２】
前記セグメントメタデータが、
前記広告区間識別情報（ＰｏｄＩｄ）を含むセグメントグループ情報（ＳｅｇｍｅｎｔＧｒｏｕｐＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ）を含むことを特徴とする請求項１に記載のデジタルコンテンツ提供システムにおける広告区間識別方法。
【請求項３】
前記広告区間識別情報（ＰｏｄＩｄ）が、
ＣＲＩＤタイプであることを特徴とする請求項２に記載のデジタルコンテンツ提供システムにおける広告区間識別方法。
【請求項４】
前記広告区間識別情報（ＰｏｄＩｄ）が、
前記セグメントグループ情報（ＳｅｇｍｅｎｔＧｒｏｕｐＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ）のセグメント識別子（ＳｅｇｍｅｎｔＩｄ）を含むことを特徴とする請求項２に記載のデジタルコンテンツ提供システムにおける広告区間識別方法。
【請求項５】
前記広告区間識別情報（ＰｏｄＩｄ）が、
前記セグメントグループ情報（ＳｅｇｍｅｎｔＧｒｏｕｐＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ）が含むプログラム参照情報（ＰｒｏｇｒａｍＲｅｆ）を更に含むことを特徴とする請求項４に記載のデジタルコンテンツ提供システムにおける広告区間識別方法。
【請求項６】
前記広告区間位置情報を含むセグメントメタデータを生成するステップを更に含み、
前記セグメントメタデータが、
前記広告区間位置情報を含むセグメント情報（ＳｅｇｍｅｎｔＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ）を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のデジタルコンテンツ提供システムにおける広告区間識別方法。
【請求項７】
前記広告区間位置情報が、
前記セグメント情報（ＳｅｇｍｅｎｔＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ）のセグメント位置情報（ＳｅｇｍｅｎｔＬｏｃａｔｏｒ）を用いて提供されることを特徴とする請求項６に記載のデジタルコンテンツ提供システムにおける広告区間識別方法。
【請求項８】
デジタルコンテンツ提供システムにおける広告区間識別方法であって、
デジタルコンテンツ及びセグメントメタデータを受信するステップと、
該セグメントメタデータからセグメントグループ情報（ＳｅｇｍｅｎｔＧｒｏｕｐＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ）を抽出するステップと、
該セグメントグループ情報（ＳｅｇｍｅｎｔＧｒｏｕｐＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ）からデジタルコンテンツでの広告区間を示す広告区間識別情報（ＰｏｄＩｄ）を獲得するステップと
を含むことを特徴とするデジタルコンテンツ提供システムにおける広告区間識別方法。
【請求項９】
前記広告区間識別情報（ＰｏｄＩｄ）が、
ＣＲＩＤタイプであることを特徴とする請求項８に記載のデジタルコンテンツ提供システムにおける広告区間識別方法。
【請求項１０】
前記広告区間識別情報（ＰｏｄＩｄ）が、
前記セグメントグループ情報（ＳｅｇｍｅｎｔＧｒｏｕｐＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ）のセグメント識別子（ＳｅｇｍｅｎｔＩｄ）を含むことを特徴とする請求項８に記載のデジタルコンテンツ提供システムにおける広告区間識別方法。
【請求項１１】
前記広告区間識別情報（ＰｏｄＩｄ）が、
前記セグメントグループ情報（ＳｅｇｍｅｎｔＧｒｏｕｐＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ）のプログラム参照情報（ＰｒｏｇｒａｍＲｅｆ）を更に含むことを特徴とする請求項１０に記載のデジタルコンテンツ提供システムにおける広告区間識別方法。
【請求項１２】
前記セグメントメタデータからセグメント情報（ＳｅｇｍｅｎｔＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ）を抽出するステップと、
該セグメント情報（ＳｅｇｍｅｎｔＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ）から前記広告区間位置情報を獲得するステップと
を更に含むことを特徴とする請求項８に記載のデジタルコンテンツ提供システムにおける広告区間識別方法。
【請求項１３】
前記広告区間位置情報が、
前記セグメント情報（ＳｅｇｍｅｎｔＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ）のセグメント位置情報（ＳｅｇｍｅｎｔＬｏｃａｔｏｒ）を用いて獲得されることを特徴とする請求項１２に記載のデジタルコンテンツ提供システムにおける広告区間識別方法。
【請求項１４】
デジタルコンテンツ提供システムにおける広告区間識別方法であって、
デジタルコンテンツでの広告区間の挿入位置情報である広告区間位置情報を含むデジタルコンテンツのパケットヘッダを生成するステップと、
デジタルコンテンツに挿入された広告の広告区間識別情報（ＰｏｄＩｄ）をＵＲＩタイプで生成して前記パケットヘッダに追加するステップと、
前記デジタルコンテンツのパケットヘッダを伝送するステップと
を含むことを特徴とするデジタルコンテンツ提供システムにおける広告区間識別方法。
【請求項１５】
前記広告区間位置情報が、
前記パケットヘッダのアダプテーションフィールド（Ａｄａｐｔａｔｉｏｎ  Ｆｉｅｌｄ）に含まれることを特徴とする請求項１４に記載のデジタルコンテンツ提供システムにおける広告区間識別方法。
【請求項１６】
前記広告区間識別情報が、
前記パケットヘッダの冗長フィールド（ｒｅｄｕｎｄａｎｔ  ｆｉｅｌｄ）に含まれることを特徴とする請求項１５に記載のデジタルコンテンツ提供システムにおける広告区間識別方法。
【請求項１７】
デジタルコンテンツ提供システムにおける広告区間識別方法であって、
デジタルコンテンツのパケットを受信するステップと、
該パケットのパケットヘッダを抽出するステップと、
該パケットヘッダからデジタルコンテンツでの広告区間の挿入位置情報である広告区間位置情報を獲得するステップと、
前記パケットヘッダからＵＲＩタイプの広告区間識別情報（ＰｏｄＩｄ）を獲得するステップと
を含むことを特徴とするデジタルコンテンツ提供システムにおける広告区間識別方法。
【請求項１８】
前記広告区間位置情報が、
前記パケットヘッダのアダプテーションフィールド（Ａｄａｐｔａｔｉｏｎ  Ｆｉｅｌｄ）の内容を用いて獲得することを特徴とする請求項１７に記載のデジタルコンテンツ提供システムにおける広告区間識別方法。
【請求項１９】
デジタルコンテンツでの広告区間を識別するためのメタデータが記録されたコンピュータで読み取り可能な記録媒体において、
前記広告区間を示す広告区間識別情報（ＰｏｄＩｄ）を含むことを特徴とするメタデータが記録されたコンピュータで読み取り可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月11日(2009.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオ監視システムであって、
ユーザインターフェースを含み、そのユーザインターフェースが、
一次ビデオ監視カメラによりキャプチャされた一次ビデオデータ画像を表示するための一次カメラウィンドウ枠と、
前記一次カメラウィンドウ枠の近傍にある２つ以上の隣接カメラウィンドウ枠であって、各隣接カメラウィンドウ枠が、一組の二次ビデオ監視カメラの１つによりキャプチャされた二次ビデオデータ画像を表示する、２つ以上の隣接カメラウィンドウ枠と、
前記一次カメラウィンドウ枠に表示された一次ビデオデータに応じて、前記一組の二次ビデオ監視カメラを決定するためのカメラ選択モジュールとを含む、ビデオ監視システム。
【請求項２】
前記一組の二次ビデオ監視カメラが、前記一次ビデオ監視カメラと複数のビデオ監視カメラとの間の空間的関係に基づいている、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記一組の二次ビデオ監視カメラが、前記一次ビデオ監視カメラと複数のビデオ監視カメラとの間の統計的関係に基づいて推測される、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記一次カメラウィンドウ枠に表示される前記ビデオデータが、２つ以上の小区域に分割される、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記一組の二次ビデオ監視カメラが、前記２つ以上の小区域の１つの選択に基づいている、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記一次カメラウィンドウ枠に表示された前記ビデオデータの小区域の選択を容易にするための入力装置を更に含む、請求項４に記載のシステム。
【請求項７】
前記一次カメラウィンドウ枠に示された前記ビデオデータ内の関心のある対象物の選択を容易にするための入力装置を更に含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記一組の二次ビデオ監視カメラが、前記一次カメラウィンドウ枠に示された前記ビデオデータ内の前記選択された関心のある対象物に基づいている、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記一組の二次ビデオ監視カメラが、前記一次カメラウィンドウ枠に示された前記ビデオデータ内の前記選択された関心のある対象物の動きに基づいている、請求項７に記載のシステム。
【請求項１０】
前記一組の二次ビデオ監視カメラが、少なくとも部分的に移行の尤度の測定基準に基づいている、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記一組の二次ビデオ監視カメラが、前記一次カメラウィンドウ枠に示された前記ビデオデータ内の前記選択された関心のある対象物の画像品質に基づいている、請求項７に記載のシステム。
【請求項１２】
前記カメラ選択モジュールが、互いに対して前記２つ以上の隣接カメラウィンドウ枠の配置を更に決定する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記カメラ選択モジュールが前記選択された二次ビデオデータ画像を前記一次ビデオデータ画像として指定するように、前記二次ビデオデータ画像の１つを選択し、且つ前記隣接カメラウィンドウ枠に表示されるべき二次ビデオデータ画像の第２の組を決定するための入力装置を更に含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
ディスプレイのビデオデータ画像を選択する方法であって、
一次ビデオデータ画像を一次ビデオデータウィンドウ枠に表示し、
一次ビデオウィンドウ枠における対象物のしるしを受け取り、
前記しるしに応じて二次ビデオデータ画像を二次ビデオデータウィンドウ枠に表示し、
前記二次ビデオデータ画像の示された対象物の動きを検出し、それに基づいて、前記一次ビデオデータウィンドウ枠において前記一次ビデオデータ画像を前記二次ビデオデータ画像と置き換え、及び
前記二次ビデオデータウィンドウ枠に表示するための新たな二次ビデオデータ画像を選択することを含む、ディスプレイのビデオデータ画像を選択する方法。
【請求項１５】
前記新たな二次ビデオデータ画像が、少なくとも部分的に移行の尤度の測定基準に基づいて決定される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記移行の尤度の測定基準が、
一組の候補ビデオデータ画像を定義するステップと、
各候補ビデオデータ画像に対して、前記一次ビデオデータウィンドウ枠で追跡される対象物が前記候補ビデオデータ画像へと移行する可能性を表す隣接確率を割り当てるステップとに従って決定される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記隣接確率が所定の規則に従って変化する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記候補ビデオデータ画像が、利用可能なデータ画像のサブセットを表し、前記候補ビデオデータ画像が、所定の規則に従って定義されている、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記隣接確率が多次元マトリクスで格納される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記多次元マトリクスが、候補ビデオデータ画像の数に基づいた次元からなる、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記多次元マトリクスが、時間ベースの次元からなる、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
少なくとも部分的に前記隣接確率に基づいて、前記多次元マトリクスをサブマトリクスにセグメント化することを更に含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
前記隣接確率が、少なくとも部分的に履歴データに基づいている、請求項１６に記載の方法。
【請求項２４】
監視ビデオを編集する方法であって、
ビデオデータ画像源として一次ビデオデータ画像を用いて監視ビデオを生成し、
しるしを受け取って、前記監視ビデオの前記ビデオ源を前記一次ビデオデータ画像から二次ビデオデータ画像に変更し、及び
前記監視ビデオを前記二次ビデオデータ画像からのビデオデータと連結することを含む、監視ビデオを編集する方法。
【請求項２５】
前記一次ビデオデータ画像の観察者が、前記一次ビデオデータ画像から前記二次ビデオデータ画像への前記変更を指示する、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記ビデオ源を変更するための前記しるしが、前記一次ビデオデータ画像内の動きに基づいて自動的に生成される、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記監視ビデオを音声で強化することを更に含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２８】
前記音声により、前記一次ビデオデータ画像の観察者の観察結果が記録される、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記音声が、一次ビデオデータ画像を供給するカメラによりキャプチャされる、請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
１つ又は複数のテキスト、グラフィクス、及び音声で前記監視ビデオを強化することを更に含む、請求項２４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月19日(2009.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
埋め込み型医療デバイスにおいて、
ハウジングと、
前記ハウジングに連結されたヘッダと、
前記ヘッダ内に配置されたアンテナとを有し、
前記アンテナの少なくとも一部が蛇行形体を有する、埋め込み型医療デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月11日(2009.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
請求項１３に記載の基板処理方法において、前記少なくとも２台の研磨ユニット内における前記ベベル研磨部又は前記ノッチ研磨部の動作が前記搬送装置から見て互いに対称な動作をすることを特徴とする基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
請求項１５に記載の基板処理方法において、前記少なくとも２台の研磨ユニット内における前記ベベル研磨部又は前記ノッチ研磨部の動作が前記搬送装置から見て互いに対称な動作をすることを特徴とする基板処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
請求項１７に記載の基板処理方法において、前記少なくとも２台の研磨ユニット内における前記ベベル研磨部又は前記ノッチ研磨部の動作が前記搬送装置から見て互いに対称な動作をすることを特徴とする基板処理方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
図３Ｂに示すように、ウエハカセット１０３の開口部と基板処理装置１の間には、シリンダ１１３により上下に駆動されるシャッター１１４が配置され、ロードアンロードポート１００−２と基板処理装置１内を仕切っている。前記シャッター１１４は、第１搬送ロボット２００Ａがウエハカセット１０３に対してウエハを搬入出している場合を除き閉じられている。図３Ａに示すように、基板処理装置１の側壁３ａに対して複数台並設された各ロードアンロードステージ１０４の間が隔壁１１７で仕切られている。これにより、いずれかのウエハカセット１０３の交換作業中に隣のウエハカセット１０３が稼働中でも、作業者が誤ってこれに接触することを防止できる。また、図３Ｂに示すように、ロードアンロードポート１００−２の前面には扉１１５が設置され外部と仕切られている。扉１１５には、ロック機構（図示せず）と開閉判別用のセンサが設けられており、基板処理中には扉１１５をロックすることで、ウエハカセット１０３の保護と人体への危険を未然に防止している。また、扉１１５が一定時間開放された状態になっている場合はアラーム（警報）を発するようになっている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
図７は、測定ユニット３１０の一例を示す概略斜視図である。また図８Ａは、測定ユニット３１０の概略平面図であり、図８Ｂは、図８ＡのＡ方向矢視図である。また、図９Ａは測定ユニット３１０が備える基板保持回転機構３６１の斜視図であり、図９Ｂは平面図である。なお、図７、図８Ａおよび８Ｂでは基板保持回転機構３６１の図示を省略している。測定ユニット３１０は、ウエハＷの外径寸法（直径）を計測する直径計測機構を備えたもので、計測したウエハＷの直径からウエハ側面（ベベル部側面）の研磨量を計測するものである。この測定ユニット３１０は、基板保持回転機構３６１と、該基板保持回転機構３６１で保持されたウエハＷの周縁部の所定位置の上下に設置した一対の投光装置３１２及び受光装置３１３からなるセンサ機構（レーザーセンサ）３１１を具備している。投光装置３１２はレーザー光を投光する装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月13日(2009.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマクラスタツールを設定するための方法であって、
オプション仕様からキーファイルを生成することと、
キーファイルを使用して少なくとも１つのシステム全体設定ファイルと少なくとも１つのコンポーネントレベル設定ファイルを生成し、キーファイルがプラズマクラスタツールに特に課される設定制限をカプセル化することと、
オプション定義ファイル、前記少なくとも１つのシステム全体設定ファイル、及び前記少なくとも１つのコンポーネントレベル設定ファイルのデータベースからランタイム実行可能オブジェクトを生成することと、
プラズマクラスタツールを設定するためにランタイム実行可能オブジェクトを利用することと、
を備える方法。
【請求項２】
前記オプション定義ファイルのデータベースが、前記プラズマクラスタツールのために設定できるすべての考えられるリソースについて設定情報を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記キーファイルが、前記プラズマクラスタツールの設定可能性の程度を制限するデータをカプセル化する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記キーファイルが前記クラスタツールと関連付けられた第１のメディアアクセスコントローラ（ＭＡＣ）アドレスを含み、
前記システム全体設定ファイルと前記コンポーネントレベル設定ファイルが、第１のメディアアクセスコントローラアドレスに一致するアドレスを持たないプラズマクラスタツール上にインストールされた場合に、ランタイム実行可能オブジェクトを生成することが阻止される請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記オプション定義ファイルのデータベースで設定できるリソースの少なくとも一つのサブセットが、保護されているフラグと関連付けられている請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記キーファイルが暗号化されている請求項１に記載の方法。
【請求項７】
非表示オプションファイルを提供し、該非表示オプションファイルが、設定オプションを特に知らされていないユーザから通常は隠されている非表示設定オプションのセットを含むことと、
少なくとも１つのシステム全体設定ファイルと少なくとも１つのコンポーネントレベル設定ファイルを生成する際に前記非表示オプションファイルを利用することと、
をさらに備える請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
システム全体の設定ファイルは、一実施形態では、設定されるクラスタツールを制御するホストコンピュータのメディアアクセスコントローラ（ＭＡＣ）アドレスを含む。ｓｙｓｃｏｎｆｉｇ．ｔｘｔファイル内にＭＡＣアドレスが存在することにより、ＵＣＴが（意図されているクラスタツールとは異なるクラスタツールと関連付けられてよい）別のホストコンピュータで実行されるときに検出が可能になる。この特長が、ユーザを間違ったクラスタツールで間違った設定ファイルを利用することから保護し、著作権侵害からＵＣＴの製造メーカを保護する。代りに、あるいは加えて、ハードディスクＩＤまたはデジタル証明書が利用することもできる。さらに、システム全体の設定ファイルは設定ファイルの予想締切日、つまりクラスタツール及び／またはこのシステム全体の設定ファイルの使用がそれ以上許可されなくなる日付を含む。ＭＡＣアドレス（及び／またはハードディスクＩＤ及び／またはデジタル証明書）及び締切日は、クラスタツール及び／またはＵＣＴのための使用許諾条件の順守を強化することを目的とする保護装置の一部を形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月23日(2009.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び第２面を備える第１半導体パッケージを準備することであって、前記第１面は該第１面に設けられて前記第１半導体パッケージへの電気的接続を行う複数の第１導電バンプを有し、前記第１面の反対側にある非平面状の前記第２面はモールドキャップ及び隣接する複数の半田ランを有することと、
第２半導体パッケージを前記第１半導体パッケージの上に重ねるように配置することであって、前記第２半導体パッケージは第１面及び該第１面の反対側にある第２面を備え、前記第２面は該第２面の中央部の外側に位置して前記第１半導体パッケージの前記隣接する複数の半田ランと接触する第２の複数の導電バンプを有することと、
介在要素を前記第１半導体パッケージと前記第２半導体パッケージとの間に直接接触するように配置することであって、前記介在要素は前記第１半導体パッケージ及び前記第２半導体パッケージの各々に接着し且つ前記介在要素に接触する前記第１半導体パッケージ及び前記第２半導体パッケージの隣接面に剛性を提供するのに十分な粘着性を有することと、
前記介在要素を前記第１半導体パッケージ及び前記第２半導体パッケージの少なくとも一つの周囲の外側へ横方向に延出させるとともに前記介在要素を一つの角度に曲折させることと、
前記第２の複数の導電バンプ及び前記半田ランを介して、前記第１半導体パッケージと前記第２半導体パッケージとの間の直接的な電気的接触を行うことと、
下部基板を前記第１半導体パッケージに接続することであって、前記下部基板は複数の接点を有し、各接点を前記第１半導体パッケージの前記第１の複数の導電バンプのうちの少なくとも１つに接触させることと、
を備える半導体パッケージの積層方法。
【請求項２】
前記第１半導体パッケージ又は前記第２半導体パッケージのうちの一つの外側に沿って前記介在要素を延出させるとともに曲折させることと、
前記下部基板に向かって且つ同下部基板を通過するように前記介在要素を曲折することと、
前記介在要素に電気的又は物理的接触のうちの少なくとも一方を前記下部基板の背面側から行うことと、
を更に備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１面及び第２面を備える第１半導体パッケージであって、前記第１面は該第１面に設けられて前記第１半導体パッケージへの電気的接続を行う複数の第１導電バンプを有し、前記第１面の反対側にある非平面状の前記第２面はモールドキャップ及び隣接する複数の電気的接点を有することと、
前記第１半導体パッケージに重なり合う第２半導体パッケージであって、前記第２半導体パッケージは第１面及び該第１面の反対側にある第２面を備え、その第２面は該第２面の中央部の外側に位置して前記第１半導体パッケージの前記隣接する複数の電気的接点と接触する複数の第２導電バンプを有し、前記第２半導体パッケージは複数の第２導電バンプを介して前記第１半導体パッケージと直接的な電気的接触を行うことと、
前記第１半導体パッケージと前記第２半導体パッケージとの間に直接接触するように配置される介在要素であって、前記介在要素は前記第１半導体パッケージ及び前記第２半導体パッケージの各々に接着し且つ前記介在要素に接触する前記第１半導体パッケージ及び前記第２半導体パッケージの隣接面に剛性を提供するのに十分な粘着性を有し、前記介在要素は前記第１半導体パッケージ及び前記第２半導体パッケージに対して表面適合性を有し、前記介在要素は前記第１半導体パッケージ及び前記第２半導体パッケージの少なくとも一つの周囲の外側へ横方向に延出するとともに所定量だけ曲折することと、
複数の接点を有する下部基板であって、前記下部基板における前記複数の接点の各々は前記第１半導体パッケージにおける前記複数の第１導電バンプのうちの少なくとも１つに接触することと、
を備える積層半導体パッケージアッセンブリ。
【請求項４】
前記介在要素は前記第１半導体パッケージ及び前記第２半導体パッケージの周囲から外側に向けて横方向に延びる請求項３に記載の積層半導体パッケージアッセンブリ。
【請求項５】
前記介在要素は、前記第１半導体パッケージ及び前記第２半導体パッケージの周囲から外側に向けて横方向に延びるとともに、電気的又は物理的接触のうちの少なくとも一方を前記下部基板の背面側から行うために前記下部基板に向かって且つ同下部基板を通過するように曲げられる請求項４に記載の積層半導体パッケージアッセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月2日(2009.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１端から第２端まで伸びる少なくとも１つの導電性配線を表面に有するフレキシブル基板であって、前記少なくとも１つの導電性配線が、前記基板の前記第１端に接続される第１回路と前記基板の前記第２端に接続される第２回路との間の電気的接続を形成するように構成されている、フレキシブル基板と、
導電性粒子を含み、前記基板の前記第１端及び第２端上にある熱硬化性接着剤と
を含んでなる、物品。
【請求項２】
前記熱硬化性接着剤によって前記フレキシブル基板の前記第１端に取り付けた第１回路、及び必要に応じて前記熱硬化性接着剤によって前記フレキシブル基板の前記第２端に取り付けた第２回路を更に含む、請求項１に記載の物品。
【請求項３】
前記熱硬化性接着剤が、室温で結晶相を有する、請求項１に記載の物品。
【請求項４】
少なくとも１つの導電性配線を表面に有する第１フレキシブル基板を提供すること、
前記少なくとも１つの配線の一部に、導電性粒子を含む熱硬化性接着剤組成物を配置すること、
少なくとも１つの配線を有する第２基板を提供すること、
前記第１基板及び第２基板上の対応する配線を位置合わせすること、及び
前記第１基板及び第２基板を加熱及び加圧下にて接着して、前記対応する配線を電気的に接触させ、且つ前記導電性配線の融点よりも低い温度で、前記配線周囲の前記接着剤を流動及び硬化させること、を含む方法。
【請求項５】
前記接着剤が、異方性導電フィルムである、請求項１に記載の物品又は請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記熱硬化性接着剤組成物が、必要に応じてメラミン／イソシアヌル酸付加化合物を含むタック減少剤を更に含む、請求項１に記載の物品又は請求項４に記載の方法。
【請求項７】
請求項１に記載の物品を含む、電子物品。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月29日(2009.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイス構造体であって、
基板のユニタリ単結晶半導体領域であって、暴露された水平に延びている主要表面を有する前記ユニタリ単結晶半導体領域と、
第１のソース領域及び第１のドレイン領域を有する第１の電界効果トランジスタ（「ＦＥＴ」）であって、前記第１のソース領域及び前記第１のドレイン領域は、前記主要表面から延びている前記ユニタリ単結晶半導体領域の第１のソース部分及び第１のドレイン部分をそれぞれ占めており、前記第１のソース領域及び前記第１のドレイン領域は、第１のソース・ドレイン導電経路を定める、前記第１のＦＥＴと、
前記第１のＦＥＴの前記第１のソース・ドレイン導電経路と電気的に並列接続されている第２のソース・ドレイン導電経路と、前記主要表面から延びている前記ユニタリ単結晶半導体領域の第２の部分を占める第２の拡散領域とを有する少なくとも１つの第２の電界効果トランジスタ（「ＦＥＴ」）であって、前記第２の拡散領域は、少なくとも１つの第２のソース領域及び第２のドレイン領域のうちの少なくとも１つを含み、前記第２のソース・ドレイン導電経路は、前記第２の拡散領域と、前記第１のソース領域及び前記第１のドレイン領域のうちの少なくとも１つとの間に延びている、前記第２のＦＥＴと、
前記主要表面から延びている前記ユニタリ単結晶半導体領域の第３の部分を占める本体コンタクト領域であって、前記第２の拡散領域との接合部を有する前記本体コンタクト領域と
を備える、前記半導体デバイス構造体。
【請求項２】
前記第１のＦＥＴは、前記ユニタリ単結晶半導体領域の第１のチャネル部分を占める第１のチャネル領域をさらに含み、前記第２のＦＥＴは、前記ユニタリ単結晶半導体領域の第２のチャネル部分を占める第２のチャネル領域をさらに含み、前記本体コンタクト領域は、前記第１のＦＥＴの前記第１のチャネル領域に及び前記第２のＦＥＴの前記第２のチャネル領域に導電接続されている、請求項１に記載の半導体デバイス構造体。
【請求項３】
前記基板は、半導体オン・インシュレータ（「ＳＯＩ」）基板であり、前記ＳＯＩ基板は、前記ユニタリ単結晶半導体領域の下にある埋込み酸化物（「ＢＯＸ」）層を含み、かつ、前記ＢＯＸ層の下にあるバルク領域をさらに含む、請求項２に記載の半導体デバイス構造体。
【請求項４】
前記第１のチャネル領域の上にある第１のゲート導体部分と、前記第１のゲート導体部分に導電接続された第２のゲート導体部分とを有する水平に延びるユニタリ導電パターンをさらに含み、前記第２のゲート導体部分は前記第２のチャネル領域の上にあり、前記第１のゲート導体部分は前記第１のＦＥＴの第１のゲート導体部分を定めており、及び前記第２のゲート導体部分は前記第２のＦＥＴの第２のゲート導体部分を定めている、請求項２に記載の半導体デバイス構造体。
【請求項５】
前記第１のゲート導体部分は、前記ユニタリ単結晶半導体領域の長手方向に配向されており、及び、前記第２のゲート導体部分は、前記ユニタリ単結晶半導体領域の実質的に横方向に配向されている、請求項４に記載の半導体デバイス構造体。
【請求項６】
前記第２のゲート導体部分は、前記ユニタリ単結晶半導体領域の幅にわたって完全に延びており、前記第１のゲート導体部分は、前記第２の導体部分の第１の縁部に接続されており、及び前記ユニタリ導電パターンは、前記第１のゲート導体部分とは反対側の前記第２のゲート導体部分の第２の縁部から延びているテール導体部分をさらに含む、請求項５に記載の半導体デバイス構造体。
【請求項７】
前記テール導体部分は前記長手方向に配向されている、請求項６に記載の半導体デバイス構造体。
【請求項８】
請求項４に記載の前記半導体デバイス構造体を含む集積回路であって、前記ユニタリ導電パターンは、前記集積回路のゲート導体についての所定の最小線幅より実質的に大きくない線幅を有する、前記集積回路。
【請求項９】
前記ユニタリ単結晶半導体領域は、前記ユニタリ単結晶半導体領域の長手方向に最大長を境界付ける下縁部及び上縁部と、前記ユニタリ単結晶半導体領域の横方向に幅を境界付ける左縁部及び右縁部とを有し、及び、前記第１のゲート導体部分は、前記下縁部から前記上縁部まで長手方向に延び、前記第２のゲート導体部分は、前記左縁部及び前記右縁部の一方だけから前記第１のゲート導体部分まで延びる、請求項４に記載の半導体デバイス構造体。
【請求項１０】
前記第１のソース領域及び前記第１のドレイン領域のうちの少なくとも一方が、前記ユニタリ単結晶半導体領域の前記上縁部から前記下縁部まで延び、及び前記本体コンタクト領域は、前記第１のソース領域及び前記第１のドレイン領域のうちの少なくとも一方との接合部を形成する、請求項９に記載の半導体デバイス構造体。
【請求項１１】
前記ユニタリ単結晶半導体領域は、前記上縁部と前記下縁部との間に位置する中間縁をさらに含み、前記第１のソース領域及び前記第１のドレイン領域のうちの少なくとも一方が、前記上縁部及び前記下縁部のうちの一方から前記中間縁部だけまで延び、及び前記第２のゲート導体部分は、（ｉ）前記左縁部及び前記右縁部のうちの一方と（ｉｉ）前記第１のゲート導体部分との間だけに延びるように、前記ユニタリ単結晶半導体領域が切り欠かれている、請求項１０に記載の半導体デバイス構造体。
【請求項１２】
前記中間縁部は、トレンチ分離領域によって境界付けられている、請求項１１に記載の半導体デバイス構造体。
【請求項１３】
請求項１２に記載の前記半導体デバイス構造体を含む集積回路であって、前記第１のゲート導体部分は、前記集積回路の最小ゲート導体線幅より実質的に大きい幅を有する、前記集積回路。
【請求項１４】
前記第１のゲート導体部分は、実質的に直角に前記第２のゲート導体部分と交わる、請求項５に記載の半導体デバイス構造体。
【請求項１５】
前記本体コンタクト領域及び前記第２の拡散領域の両方に導電接触する導電性ビアをさらに備える、請求項１に記載の半導体デバイス構造体。
【請求項１６】
前記第２のゲート導体部分は、前記第２のＦＥＴの前記第２の拡散領域から前記第１のＦＥＴを分離するために、前記ユニタリ単結晶半導体領域の幅にわたって完全に延び、及び前記ユニタリ導電パターンは、前記第２のゲート導体部分の縁部から、前記ユニタリ単結晶半導体領域の上縁部及び下縁部のうちの一方に向けて延びているテール部分を含む、請求項４に記載の半導体デバイス構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月22日(2008.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）構造体であって、
半導体基板と、
前記半導体基板の１つの領域上に配置された少なくとも１つのｎＭＯＳデバイスと、
前記半導体基板の別の領域上に配置された少なくとも１つのｐＭＯＳデバイスと
を備え、前記少なくとも１つのｎＭＯＳデバイスは、４．２ｅＶ未満の仕事関数を有する少なくとも低仕事関数の元素状金属と、その場金属キャッピング層とを含むゲート・スタックを含み、前記少なくとも１つのｐＭＯＳデバイスは、４．９ｅＶより大きい仕事関数を有する少なくとも高仕事関数の元素状金属と、金属キャッピング層とを含むゲート・スタックを含む、ＣＭＯＳ構造体。
【請求項２】
前記ｎＭＯＳデバイス及び前記ｐＭＯＳデバイスは、前記半導体基板と前記高仕事関数及び低仕事関数の元素状金属との間に配置された同じゲート誘電体層を含む、請求項１に記載のＣＭＯＳ構造体。
【請求項３】
前記ｎＭＯＳデバイス及び前記ｐＭＯＳデバイスは、前記半導体基板と前記高仕事関数及び低仕事関数の元素状金属との間に配置された異なるゲート誘電体層を含む、請求項１に記載のＣＭＯＳ構造体。
【請求項４】
前記半導体基板と前記高仕事関数及び低仕事関数の元素状金属との間のゲート誘電体層をさらに備え、前記ゲート誘電体層は、酸化物、酸窒化物、窒化物、金属シリケート、窒化金属シリケート、又はそれらの多層構造を含む、請求項１に記載のＣＭＯＳ構造体。
【請求項５】
前記ゲート誘電体層は、ＳｉＯ２、窒化ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＮ、４．０より大きい誘電率を有する高ｋ絶縁体、又はそれらの多層構造である、請求項４に記載のＣＭＯＳ構造体。
【請求項６】
前記ゲート誘電体層は、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｌａ２Ｏ３、ＳｒＴｉＯ３、ＬａＡｌＯ３、ＣｅＯ２、Ｙ２Ｏ３及びそれらの混合物からなる群から選択される高ｋゲート誘電体である、請求項５に記載のＣＭＯＳ構造体。
【請求項７】
前記ゲート誘電体層は、ＳｉＯ２、又はＳｉＯ２及びＨｆＯ２を含むスタックである、請求項４に記載のＣＭＯＳ構造体。
【請求項８】
前記ゲート誘電体と前記高仕事関数及び低仕事関数の元素状金属との間の金属安定化層をさらに備える、請求項４に記載のＣＭＯＳ構造体。
【請求項９】
前記金属安定化層は、３０Å未満の厚さを有し、ＴｉＮ、ＴａＳｉＮ、ＴａＳｉ、ＴａＮ及びＨｆＳｉからなる群から選択される、請求項８に記載のＣＭＯＳ構造体。
【請求項１０】
前記低仕事関数の元素状金属は、元素周期表のＩＩＩＢ族、ＩＶＢ族、又はＶＢ族からの金属を含む、請求項１に記載のＣＭＯＳ構造体。
【請求項１１】
前記高仕事関数の元素状金属は、元素周期表のＶＩＢ族、ＶＩＩＢ族、又はＶＩＩＩ族からの金属である、請求項１に記載のＣＭＯＳ構造体。
【請求項１２】
両方の前記金属キャッピング層は、金属窒化物又は金属シリサイドを含み、前記金属は、元素周期表のＩＶＢ族又はＶＢ族からのものである、請求項１に記載のＣＭＯＳ構造体。
【請求項１３】
前記その場金属キャッピング層は、前記高仕事関数の元素状金属を含有する表面層を含む、請求項１に記載のＣＭＯＳ構造体。
【請求項１４】
前記金属キャッピング層は、前記低仕事関数の元素状金属を含有する表面層を含む、請求項１に記載のＣＭＯＳ構造体。
【請求項１５】
前記高仕事関数金属の上の前記金属キャッピング層は、表面酸化物層を含む、請求項１に記載のＣＭＯＳ構造体。
【請求項１６】
前記ｎＭＯＳデバイスは、ＳｉＯ２及びＨｆＯ２を含有する誘電体スタック、前記低仕事関数の元素状金属としてのＴｉ、及び前記その場金属キャッピング層としてのＴｉＮを含む、請求項１に記載のＣＭＯＳ構造体。
【請求項１７】
制御された界面層を有する半導体構造体であって、
半導体基板と、
前記半導体基板の表面上に配置された界面層と、
前記界面層上に配置された５ｎｍ未満の厚さを有する誘電体層と、
前記誘電体層の上の金属層であって、前記金属層は３ｎｍ未満の厚さを有し、前記厚さは前記界面に影響を与える、金属層と、
前記金属を保護する金属キャッピング層と
を備える、半導体構造体。
【請求項１８】
前記金属は、４．２ｅＶ未満の仕事関数を有する低仕事関数の元素状金属である、請求項１７に記載の半導体構造体。
【請求項１９】
前記金属は、４．９ｅＶより大きい仕事関数を有する高仕事関数の元素状金属である、請求項１７に記載の半導体構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月22日(2008.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３２】
少なくとも１種のエチレン性不飽和カルボン酸は、一般式ＩＶ：
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
【化６】
2008537700.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
例えば、室温条件下で固体であり、そしてカルボキシル基及び／又はカルボン酸エステル基を含むポリマー（ｂ−２）として使用されるエチレン共重合体は、エチレン（Ｃ）及び重合単位の形で組み込まれるエチレン性不飽和カルボン酸（Ｄ）の合計に対して、４０質量％以下、好ましくは３５質量％以下の１種以上の他のコモノマー（Ｅ）、例えば、
Ｃ1〜Ｃ10アルキルカルボン酸又はギ酸のビニル、アリル及びメタリルエステル、例えばギ酸ビニル、プロピオン酸ビニル、特に酢酸ビニル、
好ましくは、式Ｖ：
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３６】
【化７】
2008537700.tif 000002
［但し、Ｒ12がＣ1〜Ｃ10アルキル、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ｓｅｃ−ペンチル、ネオペンチル、１，２−ジメチルプロピル、イソアミル、ｎ−ヘキシル、イソヘキシル、ｓｅｃ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、イソヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル及びｎ−ドデシル、特に好ましくはＣ1〜Ｃ4アルキル、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル及びｔｅｒｔ−ブチルから選択され、
Ｒ13が水素、Ｃ1〜Ｃ10アルキル、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ｓｅｃ−ペンチル、ネオペンチル、１，２−ジメチルプロピル、イソアミル、ｎ−ヘキシル、イソヘキシル、ｓｅｃ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、イソヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル及びｎ−ドデシル、特に好ましくはＣ1〜Ｃ4アルキル、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル及びｔｅｒｔ−ブチルから選択され、
Ｒ14が水素、Ｃ1〜Ｃ10アルキル、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ｓｅｃ−ペンチル、ネオペンチル、１，２−ジメチルプロピル、イソアミル、ｎ−ヘキシル、イソヘキシル、ｓｅｃ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、イソヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル及びｎ−ドデシル、特に好ましくはＣ1〜Ｃ4アルキル、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル及びｔｅｒｔ−ブチル、
ＣＯＯＣＨ3、ＣＯＯＣ2Ｈ5から選択される。］
で表される１種以上のエチレン性不飽和カルボン酸エステル、そして更に、
芳香族ビニル化合物、例えばα−メチルスチレン及び特にスチレン、
イソブテン、並びに
α−オレフィン、例えばＣＨ2＝ＣＨ−ｎ−Ｃ16Ｈ33、ＣＨ2＝ＣＨ−ｎ−Ｃ18Ｈ37、ＣＨ2＝ＣＨ−ｎ−Ｃ20Ｈ41及びＣＨ2＝ＣＨ−ｎ−Ｃ22Ｈ45、
を重合単位の形で組み込まれるように含んでいても良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９２】
合成増粘剤の好ましい例示は、８５〜９５質量％のアクリル酸、４〜１４質量％のアクリルアミド及び１質量％以下、好ましくは０．１質量％以下の、式ＶＩ：
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９３】
【化８】
2008537700.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月5日(2009.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置用ガス分配部材を製造する方法であって、
前記ガス分配部材の対向する入口面と出口面との間に延在するガス注入孔を形成することと、
前記ガス分配部材の複数のゾーンの各ゾーンに対して、前記出口面において前記ガス注入孔から流出する総ガス流量を測定することと、
前記出口面において所望のガスフロー分配パターンを達成するために、前記ゾーンの各ゾーンに対して測定された前記総ガス流量に基づいて、前記ゾーンの１つ以上のゾーンにおいて前記ガス分配部材のガス透過率を調整することとを有する方法。
【請求項２】
前記ガス分配部材はシリコン又は炭化ケイ素から成るシャワーヘッド電極である請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ガス分配部材はガス分配プレートである請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記調整の後、前記ガス分配部材が前記出口面においてほぼ均一なガスフロー分配パターンを提供できるように、前記ゾーンの各ゾーンはほぼ同一のガス透過率を有する請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記調整の後、前記ゾーンの少なくとも２つのゾーンは互いに異なるガス透過率を有する請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記ガス注入孔は機械的形成技術により形成される請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記ガス注入孔の少なくとも２つのガス注入孔は互いに異なる断面形状を有する請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記ガス分配部材の前記ガス透過率の前記調整は、
前記ゾーンの第１のゾーンを通る最大総ガス流量と前記ゾーンの少なくとも第２のゾーンを通る総ガス流量との差を判定することと、
前記第２のゾーンにおいて、（ｉ）変更されたガス注入孔を通るガス流量を増加するために、少なくとも１つのガス注入孔を変更及び／又は（ｉｉ）前記第１のゾーンの前記ガス透過率に対して前記第２のゾーンの前記ガス透過率を調整するために少なくとも１つの追加ガス注入孔を形成することとを含む請求項１記載の方法。
【請求項９】
（ｉ）及び／又は（ｉｉ）に対して使用される前記形成技術は、前記第２のゾーン内の孔の総数に基づいて判定される請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記ガス分配部材の前記ガス透過率の前記調整は、
所望の総ガス流量と前記ゾーンの各ゾーンを通る前記測定された総ガス流量との差を判定することと、
前記１つ以上のゾーンの各ゾーンにおいて、（ｉ）変更されたガス注入孔を通るガス流量を増加するために、少なくとも１つのガス注入孔を変更及び／又は（ｉｉ）前記所望の総ガス流量に基づいて前記１つ以上のゾーンの前記ガス透過率を調整するために少なくとも１つの追加ガス注入孔を形成することとを含む請求項１記載の方法。
【請求項１１】
（ｉ）及び／又は（ｉｉ）に対して使用される前記形成技術は、前記１つ以上のゾーン内の孔の総数に基づいて判定される請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
プラズマ処理装置用ガス分配部材のガス透過率を調整する方法であって、
ガス分配部材の出口面においてガスが流出するように、前記ガス分配部材のガス注入孔を通してガスを流すことと、
前記ガス分配部材の複数のゾーンの各ゾーンに対して、前記ガス注入孔から流出する総ガス流量を測定することと、
前記出口面において所望のガス流れ分配パターンを達成するために、前記ゾーンの各ゾーンに対して測定された前記総ガス流量に基づいて、前記ゾーンの１つ以上のゾーンにおいて前記ガス分配部材のガス透過率を調整することとを有する方法。
【請求項１３】
前記ガス分配部材はシリコン又は炭化ケイ素から成るシャワーヘッド電極である請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記ガス分配部材の前記ガス透過率の前記調整は、
前記ゾーンの第１のゾーンを通る最大総ガス流量と前記ゾーンの少なくとも第２のゾーンを通る総ガス流量との差を判定することと、
前記第２のゾーンにおいて、（ｉ）変更されたガス注入孔を通るガス流量を増加するために、少なくとも１つのガス注入孔を変更及び／又は（ｉｉ）前記第１のゾーンの前記ガス透過率に対して前記第２のゾーンの前記ガス透過率を調整するために少なくとも１つの追加ガス注入孔を形成することとを含む請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
（ｉ）及び／又は（ｉｉ）に対して使用される前記形成技術は、前記第２のゾーン内の孔の総数に基づいて判定される請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記ガス分配部材の前記ガス透過率の前記調整は、
所望の総ガス流量と前記ゾーンの各ゾーンを通る前記測定された総ガス流量との差を判定することと、
前記１つ以上のゾーンの各ゾーンにおいて、（ｉ）変更されたガス注入孔を通るガス流量を増加するために、少なくとも１つのガス注入孔を変更及び／又は（ｉｉ）前記１つ以上のゾーンの前記ガス透過率を調整するために少なくとも１つの追加ガス注入孔を形成することとを含む請求項１２記載の方法。
【請求項１７】
（ｉ）及び／又は（ｉｉ）に対して使用される前記形成技術は、前記１つ以上のゾーン内の孔の総数に基づいて判定される請求項１６記載の方法。