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【手続補正書】
【提出日】平成22年10月29日(2010.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸素と不活性ガスとからなる混合ガスと気化させたシリカ源とを用い、化学蒸着法によって多孔質基材の細孔を一部閉塞するように又は狭めるようにシリカが製膜されている水素分離膜であって、
前記シリカ源は、少なくとも１つ以上のメトキシ基と少なくとも１つ以上の嵩高い基を有するシラン類、テトラアリールオキシシラン類からなる群から選択される少なくとも１種であり、
Ｈ２透過速度が１．０×１０−６モル／ｍ２・秒・Ｐａ以上であることを特徴とする水素分離膜。
【請求項２】
請求項１に記載の水素分離膜において、
前記少なくとも１つ以上のメトキシ基と少なくとも１つ以上の嵩高い基を有するシラン類は、以下に示す一般式（Ｉ）のものであり、
【化１】
2009106912.tif 000001
（式中、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3は、独立にメトキシ基、単環炭化水素基、オキシ単環炭化水素基、縮合環炭化水素基、オキシ縮合環炭化水素基および単環炭化水素基、オキシ単環炭化水素基、縮合環炭化水素基、オキシ縮合環炭化水素基における少なくとも１つの炭素原子が窒素原子、酸素原子、硫黄原子のいずれかにより置換された基からなる群から選択される基であり、但し、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3がすべてメトキシ基であるものを除く。）
前記テトラアリールオキシシラン類は、以下に示す一般式（ＩＩ）のもの、
【化２】
2009106912.tif 000002
（式中、各Ｒは、単環炭化水素基、縮合環炭化水素基および単環炭化水素基、縮合環炭化水素基における少なくとも１つの炭素原子が窒素原子、酸素原子、硫黄原子のいずれかにより置換された基からなる群から選択される基であって、各Ｒが同一基であっても異なる基であってもよい。）
であることを特徴とする水素分離膜。
【請求項３】
請求項２に記載の水素分離膜において、
前記少なくとも１つ以上のメトキシ基と少なくとも１つ以上の嵩高い基を有するシラン類は、以下に示す一般式（ＩＩＩ）に示すフェニルトリメトキシシラン、ジメトキシジフェニルシランのいずれかの構造を有するものであり、
【化３】
2009106912.tif 000003
前記テトラアリールオキシシラン類は、以下に示す一般式（ＩＶ），（Ｖ）のいずれかのもの、
【化４】
2009106912.tif 000004
（式中、Ａｒは、芳香族炭化水素基である。）
【化５】
2009106912.tif 000005
であることを特徴とする水素分離膜。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の水素分離膜において、
前記多孔質基材の片側に酸素と不活性ガスとからなる混合ガスと気化させたシリカ源とを流して製膜されていることを特徴とする水素分離膜。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の水素分離膜において、
前記多孔質基材は、１〜２０ｎｍの径の孔を有する多孔質セラミックであることを特徴とする水素分離膜。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の水素分離膜において、
前記多孔質基材は、多層構造を有し、最上層は１〜２０ｎｍの径の孔を有し、最下層は１００ｎｍ以上の径の孔を有することを特徴とする水素分離膜。
【請求項７】
水素分離膜の製造方法であって、
酸素と不活性ガスとからなる混合ガスと、気化させたシリカ源として少なくとも１つ以上のメトキシ基と少なくとも１つ以上の嵩高い基を有するシラン類、テトラアリールオキシシラン類からなる群から選択される少なくとも１種である気化シリカ源とを、多孔質基材の片側に流し、化学蒸着法によって多孔質基材の細孔を一部閉塞するように又は狭めるようにシリカ薄膜を製膜させることにより、Ｈ２透過速度が１．０×１０−６モル／ｍ２・秒・Ｐａ以上である水素分離膜を前記多孔質基材の細孔内に形成することを特徴とする製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の水素分離膜の製造方法において、
前記少なくとも１つ以上のメトキシ基と少なくとも１つ以上の嵩高い基を有するシラン類は、以下の一般式（Ｉ）のもの、
【化６】
2009106912.tif 000006
（式中、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3は、独立にメトキシ基、単環炭化水素基、オキシ単環炭化水素基、縮合環炭化水素基、オキシ縮合環炭化水素基および単環炭化水素基、オキシ単環炭化水素基、縮合環炭化水素基、オキシ縮合環炭化水素基における少なくとも１つの炭素原子が窒素原子、酸素原子、硫黄原子のいずれかにより置換された基からなる群から選択される基であり、但し、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3がすべてメトキシ基であるものを除く。）
であり、
前記テトラアリールオキシシラン類は、以下の一般式（ＩＩ）のもの、
【化７】
2009106912.tif 000007
（式中、各Ｒは、単環炭化水素基、縮合環炭化水素基および単環炭化水素基、縮合環炭化水素基における少なくとも１つの炭素原子が窒素原子、酸素原子、硫黄原子のいずれかにより置換された基からなる群から選択される基であって、各Ｒが同一基であっても異なる基であってもよい。）
であることを特徴とする水素分離膜の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の水素分離膜の製造方法において、
前記少なくとも１つ以上のメトキシ基と少なくとも１つ以上の嵩高い基を有するシラン類は、以下の一般式（ＩＩＩ）
【化８】
2009106912.tif 000008
に示すフェニルトリメトキシシラン、ジメトキシジフェニルシランのいずれかの構造を有するものであり、
前記テトラアリールオキシシラン類は、以下の一般式（ＩＶ），（Ｖ）のもの
【化９】
2009106912.tif 000009
（式中、Ａｒは、芳香族炭化水素基である。）
【化１０】
2009106912.tif 000010
であることを特徴とする水素分離膜の製造方法。
【請求項１０】
請求項７から請求項９のいずれか１項に記載の水素分離膜の製造方法において、
化学蒸着法による製膜温度は、４００℃以上７００℃以下であることを特徴とする水素分離膜の製造方法。
【請求項１１】
請求項７から請求項１０のいずれか１項に記載の水素分離膜の製造方法において、
化学蒸着法による製膜時に、前記多孔質基材のもう一方側を減圧する化学蒸着法を、特徴とする水素分離膜の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の水素分離膜の製造方法において、
前記減圧時の前記多孔質基材のもう一方側の圧力は、シリカ源側圧力が１００ＫＰａから１ＭＰａに対し、その１００分の１以下であることを特徴とする水素分離膜の製造方法。
【請求項１３】
請求項７から請求項１２のいずれか１項に記載の水素分離膜の製造方法において、
前記シリカ源は、少なくとも２種以上選択され、且つ２種以上のシリカ源は、前記化学蒸着法による製膜時にシリカ源の流量比が制御され、製膜後の孔径を調整可能であることを特徴とする水素分離膜の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月22日(2010.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排気通路(13)に設けられ排ガスが通過可能な多孔質に形成された第１触媒層(11a)と、前記第１触媒層(11a)の排ガス下流側の表面に積層され前記排ガスが通過可能な多孔質に形成された第２触媒層(11b)とを備えた選択還元型触媒であって、
前記第１触媒層(11a)が鉄−ゼオライト触媒からなり１５０〜４００℃の範囲内の排ガス温度で前記排ガスに含まれるＮＯｘの６０％以上を低減する触媒活性を示し、
前記第２触媒層(11b)が鉄−アルミナ、鉄−ジルコニア、鉄−セリア及び鉄−チタニアからなる群より選ばれた１種又は２種以上の単体触媒、混合触媒又は複合酸化物触媒からなり前記第１触媒層(11a)の触媒活性を示す温度範囲より高い４００〜７００℃の範囲内の排ガス温度で前記排ガスに含まれるＮＯｘの６０％以上を低減する触媒活性を示し、
前記第１及び第２触媒層(11a,11b)の双方により１５０〜７００℃の範囲内の排ガス温度で前記排ガスに含まれるＮＯｘの７０％以上を低減する触媒活性を示す
ことを特徴とする選択還元型触媒。
【請求項２】
排気通路(13)に多孔質の隔壁(14b)で仕切られ互いに平行であって前記排気通路(13)の長手方向に延びる複数の貫通孔(14c)を有する担体(14a)が設けられ、第２触媒層(11b)が排ガス上流側の前記隔壁(14b)表面に積層され、第１触媒層(11a)が前記第２触媒層(11b)の表面に積層された請求項１記載の選択還元型触媒。
【請求項３】
排気通路に設けられ排ガスが通過可能な多孔質に形成された第１触媒粒子と、前記第１触粒子と混合され前記排ガスが通過可能な多孔質に形成された第２触媒粒子とを備えた選択還元型触媒であって、
前記第１触媒粒子が鉄−ゼオライト触媒からなり１５０〜４００℃の範囲内の排ガス温度で前記排ガスに含まれるＮＯｘの６０％以上を低減する触媒活性を示し、
前記第２触媒粒子が鉄−アルミナ、鉄−ジルコニア、鉄−セリア及び鉄−チタニアからなる群より選ばれた１種又は２種以上の単体触媒、混合触媒又は複合酸化物触媒からなり前記第１触媒粒子の触媒活性を示す温度範囲より高い４００〜７００℃の範囲内の排ガス温度で前記排ガスに含まれるＮＯｘの６０％以上を低減する触媒活性を示し、
前記第１及び第２触媒粒子の双方により１５０〜７００℃の範囲内の排ガス温度で前記排ガスに含まれるＮＯｘの７０％以上を低減する触媒活性を示す
ことを特徴とする選択還元型触媒。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項３に係る発明は、排気通路に設けられ排ガスが通過可能な多孔質に形成された第１触媒粒子と、第１触媒粒子と混合され排ガスが通過可能な多孔質に形成された第２触媒粒子とを備えた選択還元型触媒であって、第１触媒粒子が鉄−ゼオライト触媒からなり１５０〜４００℃の範囲内の排ガス温度で排ガスに含まれるＮＯｘの６０％以上を低減する触媒活性を示し、第２触媒粒子が鉄−アルミナ、鉄−ジルコニア、鉄−セリア及び鉄−チタニアからなる群より選ばれた１種又は２種以上の単体触媒、混合触媒又は複合酸化物触媒からなり第１触媒粒子の触媒活性を示す温度範囲より高い４００〜７００℃の範囲内の排ガス温度で排ガスに含まれるＮＯｘの６０％以上を低減する触媒活性を示し、第１及び第２触媒粒子の双方により１５０〜７００℃の範囲内の排ガス温度で排ガスに含まれるＮＯｘの７０％以上を低減する触媒活性を示すことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
なお、上記実施の形態では、第２触媒層を排ガス上流側の隔壁表面に積層し、第１触媒層を第２触媒層の表面に積層したが、排ガスが通過可能な多孔質に形成された第１触媒粒子と、排ガスが通過可能な多孔質に形成された第２触媒粒子とを混合することにより、選択還元型触媒を構成してもよい。第１触媒粒子の組成は上記実施の形態の第１触媒層と同一に構成され、第２触媒粒子の組成は上記実施の形態の第２触媒層と同一に構成される。
このように構成された選択還元型触媒では、排ガス温度が１５０〜４００℃の低温時に、排気管に尿素系液体を供給すると、この尿素系液体が加水分解してアンモニアが生成される。排ガスが第１触媒粒子にアンモニアとともに流入又は接触すると、アンモニアが還元剤として機能し、排ガス中のＮＯ、ＮＯ2が第１触媒粒子により高効率で還元されてＮ2やＨ2Ｏに変化する。この結果、ＮＯｘの大気への排出量を低減できる。このとき余剰のアンモニア（ＮＨ3）がＮＯｘと反応することなく第１触媒粒子にトラップされる。一方、排ガス温度が４００℃以上の高温になると、上記第１触媒粒子にトラップされた余剰のアンモニアが第１触媒粒子から離脱して、上記排気管に供給された尿素系液体の加水分解によるアンモニアとともに第１触媒粒子近傍の第２触媒粒子に流入又は接触する。この第２触媒粒子が高温時に高い触媒活性を示すには、比較的多くのアンモニアを必要とするけれども、上記のように比較的多くのアンモニアが第２触媒粒子に流入又は接触するため、排ガス中のＮＯ、ＮＯ2は第２触媒粒子により高効率で還元されてＮ2やＨ2Ｏに変化する。この結果、ＮＯｘの大気への排出量を低減できる。従って、第１及び第２触媒粒子の双方により１５０〜７００℃の範囲内の排ガス温度で排ガスに含まれるＮＯｘの７０％以上を低減する触媒活性を示すので、排ガス温度が１５０〜７００℃と低温から高温にかけて広い温度域で高いＮＯｘ低減性能を確保できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月13日(2011.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周期律表の６または８族遷移金属に基づく錯体触媒であって前記金属にカルベン様の方式で結合された少なくとも１個の配位子を有するメタセシス触媒と、アルカリ土類金属塩化物、好ましくは塩化カルシウムまたは塩化マグネシウムと、を含む触媒系。
【請求項２】
メタセシス反応、好ましくは閉環メタセシス（ＲＣＭ）、交叉メタセシス（ＣＭ）または開環メタセシス（ＲＯＭＰ）における、請求項１に記載の触媒系の使用。
【請求項３】
ニトリルゴムの分子量を低下させるための方法であって、少なくとも１種の共役ジエン、少なくとも１種のα，β−不飽和ニトリル、および場合によっては１種または複数のさらなる共重合性モノマーの繰り返し単位を含むコポリマーまたはターポリマーをニトリルゴムとして使用し、前記ニトリルゴムを、適切であるならば共オレフィンの存在下に、請求項１に記載の触媒系と接触させる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月20日(2011.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶ディスプレイあるいは物理的リールを有し、さらに該液晶ディスプレイあるいは物理的リール上に少なくとも１つのフィーチャーを表示してゲームを実行するゲーミングマシンであって、
該ゲーム開始時あるいは開始前に該ゲーミングマシンが受け取ったベットに加え、さらに該ベットとは異なる追加ベットを該ゲーミングマシンが受け取った場合に、該ゲーミングマシンは該少なくとも１つのフィーチャーをアクティベイトすることを特徴とし、ここで該ベットの額と該追加ベットの額はそれぞれ独立して調節可能なように設定されていることを特徴とするゲーミングマシン。
【請求項２】
前記ゲーミングマシンは少なくとも１種類のフリーゲームを実行し、該ゲーミングマシンが受け取ったベット額および追加ベット額の総額が変化した場合に、該ゲーミングマシンはその総額の変化に応じて該フリーゲームの実行回数を変化することを特徴とする請求項１に記載のゲーミングマシン。
【請求項３】
前記ゲーミングマシンは少なくとも１種類のプログレッシブゲームを実行し、該ゲーミングマシンが受け取ったベット額および追加ベット額の総額が変化した場合に、該ゲーミングマシンはその総額の変化に応じて該プログレッシブゲームでの払い戻し確率を変化することを特徴とする請求項１または２に記載のゲーミングマシン。
【請求項４】
前記ゲーミングマシンは少なくとも１種類のスペシャルシンボルを前記液晶ディスプレイあるいは物理的リール上に表示するボーナスゲームを実行し、該ゲーミングマシンが受け取ったベット額および追加ベット額の総額が変化した場合に、その総額の変化に応じて該ゲーミングマシンは該スペシャルシンボルの表示により実行される機能を変化することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のゲーミングマシン。
【請求項５】
前記ゲーミングマシンは少なくとも１種類のスペシャルシンボルを前記液晶ディスプレイあるいは物理的リール上に表示するボーナスゲームを実行し、該ゲーミングマシンが受け取ったベット額および追加ベット額の総額が変化した場合に、その総額の変化に応じて該ゲーミングマシンは該スペシャルシンボルの出現率を変化することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のゲーミングマシン。
【請求項６】
前記ゲーミングマシンが受け取ったベット額および追加ベット額の総額が変化した場合に、その総額の変化に応じて該ゲーミングマシンは前記液晶ディスプレイあるいは物理的リール上に表示された前記フィーチャーに対応する払い戻し率を変化することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のゲーミングマシン。
【請求項７】
前記ゲーミングマシンが受け取ったベット額および追加ベット額の総額が変化した場合に、その総額の変化に応じて該ゲーミングマシンは前記液晶ディスプレイあるいは物理的リール上に表示された前記フィーチャーをトリガーする確率を変化することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のゲーミングマシン。
【請求項８】
前記ゲーミングマシンが受け取ったベット額および追加ベット額の総額が変化した場合に、その総額の変化に応じて該ゲーミングマシンは前記液晶ディスプレイあるいは物理的リール上でアクティベイトする前記フィーチャーの数を変化することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のゲーミングマシン。
【請求項９】
前記ゲーミングマシンは前記液晶ディスプレイあるいは物理的リール上に表示される複数種のフィーチャーのうち少なくとも１つのフィーチャーを選択可能なように設定されており、該選択可能な複数種のフィーチャーの種類の数が、前記ゲーミングマシンが受け取ったベット額および追加ベット額の総額の変化に依存して変化されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のゲーミングマシン。
【請求項１０】
前記ゲーミングマシンは前記液晶ディスプレイあるいは物理的リール上に表示される複数のフィーチャーのうち少なくとも１つのフィーチャーを選択可能なように設定されており、該フィーチャーの選択可能な数が、前記ゲーミングマシンが受け取ったベット額および追加ベット額の総額の変化に依存して変化されることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載のゲーミングマシン。
【請求項１１】
前記ゲーミングマシンは前記液晶ディスプレイあるいは物理的リール上でアクティベイトされるフィーチャーの数が、前記ゲーミングマシンが受け取ったベット額および追加ベット額の総額の変化に依存して変化されることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載のゲーミングマシン。
【請求項１２】
プライマリーゲームおよびボーナスゲームを含むゲームを実行するためのゲーミングマシンであって、
該ゲームを実行するために複数のシンボルを表示するディスプレイと、
該プライマリーゲームの開始前あるいは実行中にベットを受け取るベットユニットと、
該ゲーミングマシンの外部の指示に基づき、該受け取ったベットの額をボーナスゲーム中に変化させるコントローラーと、
該シンボルが所定の条件を満たす形で該ディスプレイ上に表示された場合に、賞を払い戻すペイユニットと、を有することを特徴とするゲーミングマシン。
【請求項１３】
前記コントローラーは、前記ベット額の変化に応じて、前記ボーナスゲームにおける少なくとも１つのルールを変化することを特徴とする請求項１２に記載のゲーミングマシン。
【請求項１４】
前記ディスプレイは、前記ボーナスゲームのペイテーブルを表示し、前記コントローラーは、前記ベット額の変化に応じて、該ペイテーブルに表示されている値を変化することを特徴とする請求項１２または１３に記載のゲーミングマシン。
【請求項１５】
前記コントローラーは、前記ベット額の変化に応じて、前記ボーナスゲームの結果に関連する払戻し率を変化することを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか１項に記載のゲーミングマシン。
【請求項１６】
前記ボーナスゲームには少なくとも１種類のプログレッシブゲームが含まれ、前記コントローラーは、前記ベット額の変化に応じて、該プログレッシブゲームに関連する払い戻し率を変化することを特徴とする請求項１２〜１５のいずれか１項に記載のゲーミングマシン。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月29日(2011.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
玉子液をシート状に延ばす矩形状の玉子ケースと、該玉子ケースを加熱し得る加熱装置と、該玉子ケース上でシート状に延ばされた玉子焼きを玉子ケースの上面からすくい取るこてと、該こてを玉子ケース上のシート状玉子焼きの重ね方向に移動させると共に、該こてを玉子ケース上で反転させる駆動装置と、この駆動装置の駆動を制御する制御装置と、を具備し、
該こてをシート状の玉子焼きと玉子ケース上面との間に差し入れた後、該こてを反転させることでこての上に乗ったシート状玉子焼きを隣接するシート状玉子焼きの上に重ねるように、該駆動装置の駆動が該制御装置によって制御されている玉子焼きの製造装置。
【請求項２】
前記駆動装置は、玉子ケースと平行に架設されたスクリュー軸と、このスクリュー軸を回転駆動するモータと、スクリュー軸に螺合されスクリュー軸の回転に伴って移動するこて移動装置と、該こて移動装置に昇降可能に取り付けられたこて昇降部と、を有する請求項１に記載の玉子焼きの製造装置。
【請求項３】
前記こて昇降部にアームが揺動可能に取り付けられ、このアームの先端部に前記こてが固定され、該アームを揺動させることで該こての先端部が玉子ケースの表面に近接する状態で該こてが揺動する請求項１又は２に記載の玉子焼きの製造装置。
【請求項４】
前記こての先端部が玉子ケースの表面に沿って変形可能であり、該こてをシート状の玉子焼きと玉子ケース上面との間に差し入れる際に、該こての基部が玉子ケース上面との間で所定の傾斜角度を有すると共に、該こての先端部が玉子ケース上面に沿って変形する請求項１〜３のいずれかに記載の玉子焼きの製造装置。
【請求項５】
前記駆動装置は、玉子ケースの両側に配設された第１のこて移動装置および第２のこて移動装置と、該第１および/または第２のこて移動装置に昇降可能に取り付けられたこて昇降部と、有し、
第１のこて移動装置および第２のこて移動装置間にこてが連結され、こてが第１のこて移動装置および第２のこて移動装置によって支持された状態で揺動する請求項１〜４のいずれかに記載の玉子焼きの製造装置。
【請求項６】
前記駆動装置は、架台の両側に架台の長手方向に沿って配設された一対のレールと、一方のレールに沿って移動可能な第１のこて移動装置と、該第１のこて移動装置に取り付けられたこて昇降部と、他方のレールに沿って移動可能な第２のこて移動装置と、を有し、
第１および第２のこて移動装置間にこてが揺動可能に取り付けられ、該こて昇降部によってこてが昇降可能とされている請求項１〜５のいずれかに記載の玉子焼きの製造装置。
【請求項７】
前記第１のこて移動装置に取り付けられたこて昇降部は、クランク機構と、該クランク機構を揺動させるシリンダと、クランク機構の揺動によって昇降可能な第１昇降板と、該第１昇降板に固定されたサーボモータと、を有し、このサーボモータの回転軸に略Ｌ字形の接続部材を介してこてが接続されている請求項６に記載の玉子焼きの製造装置。
【請求項８】
液をシート状に延ばす矩形状のケースと、該ケースを加熱し得る加熱装置と、該ケース上でシート状に延ばされたシート状食品をケースの上面からすくい取るこてと、該こてをケース上のシート状食品の重ね方向に移動させると共に、該こてをケース上で反転させる駆動装置と、この駆動装置の駆動を制御する制御装置と、を具備し、
該こてを該シート状食品とケース上面との間に差し入れた後、該こてを反転させることでこての上に乗ったシート状食品を隣接するシート状食品の上に重ねるように、該駆動装置の駆動が該制御装置によって制御されている重ねられたシート状食品の製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月17日(2011.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内視鏡器械の動作を操縦するための制御組立体であって、その制御組立体は次を含んでなる：
内視鏡器械を支えるに適しそして内視鏡器械取り付け配置により支えられる内視鏡器械の動作の三つの独立した自由度のみを提供し、各動作の自由度がそれぞれの軸の周囲あるいは軸に沿っている内視鏡器械取り付け配置；
動作の自由度の一つのみで内視鏡器械を駆動するようそれぞれ設定されている三つの駆動配置；および
三つの独立した制御部品のそれぞれの推進が、使用者の入力に従う他の二つの駆動配置のそれぞれの一つを独立して制御するところの三つの対応する制御信号の一つをそれぞれ制御するように、使用者の入力を受信するよう設定されている三つの独立した制御部品。
【請求項２】
内視鏡器械が内視鏡である前記の請求項に従う制御組立体。
【請求項３】
前記のいずれかの請求項に従う制御組立体であって、ここで内視鏡器械取付け配置は次を含んでなる：
制御組立体の支持構造に関して回転軸の周囲を回転するように設定されている曲線のトラックで、回転軸に沿った曲率の中心をもっている曲線のトラック；および
内視鏡装置を支え、曲線のトラックに沿って動き、そして曲線のトラックに関して半径方向に器械を動かす設定になっている内視鏡器械取り付け台。
【請求項４】
前記のいずれかの請求項に従う制御組立体であって、ここで制御部品の少なくとも一つがそれぞれの制御信号を受信しそして駆動配置の一つを推進する一つあるいはそれ以上のリレーをさらに含む。
【請求項５】
前記のいずれかの請求項に従う制御組立体であって、制御部品を函に入れるに適した使用者操作制御盤をさらに含む。
【請求項６】
前記のいずれかの請求項に従う制御組立体であって、ここで動作の三つの自由度が固定点の周りの自由空間において実質的に共焦点である。
【請求項７】
前記のいずれかの請求項に従う制御組立体であって、ここで各駆動組立体は一つの自由度のみで操作する。
【請求項８】
内視鏡装置の動作を操縦するための制御組立体を製造する方法であって、その方法は次を含んでなる：
内視鏡器械を支えるに適しそして内視鏡器械取り付け配置により支えられる内視鏡器械の動作の三つの独立した自由度のみを提供し、各動作の自由度がそれぞれの軸の周囲あるいは軸に沿っている内視鏡器械取り付け配置を提供し；
動作の自由度の一つのみで内視鏡器械を駆動するようそれぞれ設定されている三つの駆動配置を提供し；そして
三つの独立した制御部品のそれぞれの推進が、使用者の入力に従う他の二つの駆動配置のそれぞれの一つを独立してそれぞれ制御するところの三つの対応する制御信号の一つを制御するように、使用者の入力を受信するよう設定されている三つの独立した制御部品を提供する。
【請求項９】
内視鏡器械が内視鏡である請求項８に従う方法。
【請求項１０】
請求項８あるいは９に従う方法であって、内視鏡器械取り付け配置を提供する段階が次を含んでなる：
制御組立体の支持構造に関して回転軸の周囲を回転するように設定されている曲線のトラックで、回転軸に沿った曲率の中心をもっている曲線のトラックを提供し；および
内視鏡装置を支え、曲線のトラックに沿って動き、そして曲線のトラックに関して半径方向に器械を動かす設定になっている内視鏡器械取り付け台を提供する。
【請求項１１】
請求項８から１０のいずれかの一つに従う方法であって、ここで三つの制御部品を提供する段階が、一つあるいはそれ以上の信号を受信しそして駆動配置の一つを推進するに適した一つあるいはそれ以上のリレーをともなう少なくとも一つの制御部品を提供する段階を含んでなる。
【請求項１２】
請求項８から１１のいずれかの一つに従う方法であって、制御部品を函に入れるに適した使用者操作制御盤を提供する段階をさらに含む。
【請求項１３】
請求項８から１２のいずれかの一つに従う方法であって、ここで内視鏡器械取り付け配置を提供する段階が、動作の三つの自由度が固定点の周囲の自由空間で実質的に共焦点である内視鏡器械取り付け配置を提供することを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月1日(2011.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示面に画像を表示する表示部と、
上記表示部が上記画像表示面に画像を表示するときに発する光が、上記画像表示面に接触している対象物に反射した反射光を、上記画像表示面に対して上記対象物の反対側の位置にて撮像する撮像部と、
上記撮像部が上記対象物の撮像を行うときに、上記画像表示面に所定の色を表示させる表示画像管理手段とを備えていることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
上記表示画像管理手段は、上記撮像部にて撮像された上記対象物の画像に基づいて行われる処理と、上記所定の色とが対応付けられた情報を参照して、上記処理のための撮像を行うときに、該処理に応じた色を表示させることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
上記対象物は、指であり、
上記撮像部にて時間的に連続して撮像された上記対象物の複数枚の画像における、上記指が接触する位置の輝度値の経時変化に基づいて、上記対象物の脈拍を測定する脈拍測定手段を備え、
上記表示画像管理手段は、上記撮像部が脈拍測定のための撮像を行うときに、上記情報を参照して、脈拍測定処理と対応付けられた色を上記画像表示面に表示させることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
上記対象物は、指または掌であり、
上記撮像部にて撮像された上記対象物の画像に基づいて、上記対象物の指紋または掌紋の照合を行う指紋照合手段を備え、
上記表示画像管理手段は、上記撮像部が指紋照合または掌紋照合のための撮像を行うときに、上記情報を参照して、指紋照合処理または掌紋照合処理と対応付けられた色を上記画像表示面に表示させることを特徴とする請求項２または３に記載の撮像装置。
【請求項５】
上記撮像部にて撮像された上記対象物の画像に基づいて、上記対象物の上記画像表示面上の接触位置を検出する接触検出手段を備え、
上記表示画像管理手段は、上記撮像部が接触位置検出のための撮像を行うときに、上記情報を参照して、接触位置検出処理と対応付けられた色を上記画像表示面に表示させ、
上記撮像部が時間的に連続して複数回の撮像を行うときに、上記接触位置が検出された後は、上記接触検出手段が検出した接触位置を含む、上記画像表示面上の予め定めた範囲のみの撮像を行うように制御する撮像制御手段を備えていることを特徴とする請求項２から４の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
請求項１から５の何れか１項に記載の撮像装置を備えていることを特徴とする携帯電話機。
【請求項７】
画像表示面に画像を表示する表示部と、上記表示部が上記画像表示面に画像を表示するときに発する光が、上記画像表示面に接触している対象物に反射した反射光を、上記画像表示面に対して上記対象物の反対側の位置にて撮像する撮像部とを備える撮像装置の制御方法であって、
上記画像表示面に所定の色を表示させる表示画像管理ステップと、
上記画像表示面に上記所定の色が表示された状態で、上記撮像部にて上記対象物を撮像する撮像ステップとを含むことを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項８】
請求項１から５の何れか１項に記載の撮像装置を動作させるための撮像装置制御プログラムであって、
コンピュータを上記表示画像管理手段として機能させるための撮像装置制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置、携帯電話機、撮像装置の制御方法、及び撮像装置制御プログラム
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月23日(2011.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
一般式ＳｒＭｎＯ(３−Ｚ)（式中、ｚの値は０〜０．１の間である。）で表わされるマンガン酸ストロンチウムを含む顔料の製造方法において、
前記顔料は、１，１００ｎｍ〜２，５００ｎｍの波長において、５０％を超える赤外線反射率を示し、
前記方法は、
ストロンチウム化合物及びマンガン化合物の混合物を含む顔料前駆体を形成する段階、及び、
前記前駆体を、加熱容器に入れ、有効酸素分圧が少なくとも１％の雰囲気下において、少なくとも１０００℃で約４時間〜約４８時間焼成し、前記顔料を形成する段階を含むことを特徴とする顔料の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また別の態様において、本発明は、一般式ＳｒＭｎＯ（３−Ｚ）（式中、ｚの値は０〜０．１の間である。）で表されるマンガン酸ストロンチウムを含む顔料の製造方法を提供する。前記顔料は、波長１，１００ｎｍ〜２，５００ｎｍにおいて、５０％を超える赤外線反射率を有する。本方法は、ストロンチウム化合物とマンガン化合物の混合物を含む顔料前駆体を提供することを特徴とする。前記前駆体は、その後、加熱容器に入れ、有効酸素分圧が少なくとも１％の雰囲気下において、少なくとも１０００℃の温度で約４時間〜約４８時間焼成し、本顔料を形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
マグネシウムを、表１記載のような顔料に導入して、顔料を製造することも可能である。例えば、４重量％のＭｇＯを表１記載の各アルカリ土類酸化マンガンに添加した。表５に示すように、得られた１０タイプの顔料は、（表３及び５を比べると）明らかな色の違いは認められなかったものの、依然として、ＩＲ反射性を示した（例えば、１，１００ｎｍにおいて５０％を超える反射率）。
【表５】
2009107919.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月23日(2011.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
ところで、上記塗工法には、特許文献２に開示されている間欠塗工方法がある。この間欠塗工方法は、シート状の基材に塗布剤を間欠的に塗布する方法であり、この間欠塗工方法をこの発明の対象である転写方法に取り入れれば、極めて好都合な転写が可能となる。
【特許文献１】特開平１１−３４５４３６号公報
【特許文献２】特開２００２−４５７６２号公報
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月11日(2011.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニッケル、クロム、コバルト、アルミニウム、ホウ素、ハフニウム及びタンタルを含有し、固相線温度が１１８０℃以下、液相線温度が１２５０℃以下である、超合金用ろう材組成物。
【請求項２】
固相線温度が１１２０℃〜１１８０℃、液相線温度が１１９０℃〜１２５０℃である、請求項１記載のろう材組成物。
【請求項３】
固相線温度が１１４０℃〜１１７０℃、液相線温度が１２００℃〜１２３０℃である、請求項２記載のろう材組成物。
【請求項４】
ろう材組成物の重量を基準にした重量％で、５〜３０重量％のクロム、２０重量％以下のコバルト、５重量％以下のアルミニウム、４重量％以下のホウ素、１〜１５重量％のハフニウム、０．５〜２０重量％のタンタル及び残部のニッケルを含有する、超合金用ろう材組成物。
【請求項５】
ろう材組成物の重量を基準にした重量％で、クロムの量が１０〜３０重量％、コバルトの量が１〜１０重量、アルミニウムの量が１〜５重量％、ホウ素の量が０．５〜２．５重量％、ハフニウムの量が１〜１０重量％、タンタルの量が１〜２０重量％及びニッケルの量が４０〜７０重量％である、請求項４記載のろう材組成物。
【請求項６】
さらに、チタン、ジルコニウム、炭素、タングステン、モリブデン、鉄、ニオブ、バナジウム、レニウム、マンガン及びケイ素からなる群から選択される１種又は２種以上の元素を含有する、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載のろう材組成物。
【請求項７】
ろう材組成物の重量を基準にした重量％で、クロムの量が９〜１８重量％、コバルトの量が１〜９重量％、アルミニウムの量が４〜５重量％、ホウ素の量が０．５〜２重量％、タンタルの量が１．５〜２．２重量％である、請求項４記載のろう材組成物。
【請求項８】
ろう材組成物の重量を基準にした重量％で、クロムの量が２２〜２５重量％、コバルトの量が５〜１０重量％、アルミニウムの量が２〜２．５重量％、ホウ素の量が０．５〜２．５重量％、タンタルの量が４．５〜５重量％である、請求項４記載のろう材組成物。
【請求項９】
ろう材組成物の重量を基準にした重量％で、クロムの量が６〜１４重量％、コバルトの量が１〜２０重量％、アルミニウムの量が４．５〜５重量％、ホウ素の量が０．５〜２．２重量％、タンタルの量が４．５〜５重量％である、請求項４記載のろう材組成物。
【請求項１０】
ろう材組成物の重量を基準にした重量％で、クロムの量が１３〜２０重量％、コバルトの量が１〜２０重量％、アルミニウムの量が４．５〜５重量％、ホウ素の量が０．５〜４重量％である、請求項４記載のろう材組成物。
【請求項１１】
ろう材組成物の重量を基準にした重量％で、クロムの量が１２〜２０重量％、コバルトの量が１〜２０重量％、アルミニウムの量が２〜３重量％、ホウ素の量が０．５〜１．５重量％、ハフニウムの量が３〜５重量％、タンタルの量が１．５〜２．５重量％である、請求項４記載のろう材組成物。
【請求項１２】
ろう材組成物の重量を基準にした重量％で、５〜３０重量％のクロム、２０重量％以下のコバルト、５重量％以下のアルミニウム、４重量％以下のホウ素、１〜１５重量％のハフニウム、０．５〜２０重量％のタンタル及び残部のニッケルを配合する工程を含む、超合金用ろう材組成物の製造方法。
【請求項１３】
ろう材組成物を超合金基材に適用し、ろう材組成物をろう材組成物の液相線温度以上かつ超合金基材の固相線温度より低い温度に加熱し、ろう材組成物を冷却して凝固させるとともにろう付け品を形成する工程を含み、
前記ろう材組成物がニッケル、クロム、コバルト、アルミニウム、ハフニウム、タンタル及び所望に応じてホウ素を含有し、固相線温度１１８０℃以下、液相線温度１２２０℃以下である、
超合金基材のろう付け方法。
【請求項１４】
ろう材組成物を超合金基材に適用し、ろう材組成物をろう材組成物の液相線温度以上かつ超合金基材の固相線温度より低い温度に加熱し、ろう材組成物を冷却して凝固させるとともにろう付け品を形成する工程を含み、
前記ろう材組成物が、ろう材合金の重量を基準にした重量％で、５〜３０重量％のクロム、２０重量％以下のコバルト、５重量％以下のアルミニウム、４重量％以下のホウ素、１〜１５重量％のハフニウム、０．５〜２０重量％のタンタル及び残部のニッケルを含有する、
超合金基材のろう付け方法。
【請求項１５】
ろう材組成物の形態が溶融ブレンド、粉末、パテ、ペースト、ホイル、スラリー、塗料、テープ、リボン及びワイヤからなる群から選択される、請求項１４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月20日(2010.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芳香族ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリエステル樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂およびポリアセタール樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の熱可塑性樹脂（Ａ成分）１００重量部に対して、平均粒子径が０．０１〜１００μｍの無機フィラーと水溶性ポリエステル樹脂バインダーとからなる、嵩密度が０．４〜１．５ｇ／ｍｌの顆粒状無機フィラー（Ｂ成分）１〜４００重量部を含有する熱可塑性樹脂組成物。
【請求項２】
顆粒状無機フィラー（Ｂ成分）が、顆粒状珪酸塩化合物であることを特徴とする請求項１に記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項３】
顆粒状無機フィラー（Ｂ成分）が、顆粒状タルクであることを特徴とする請求項１または２に記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項４】
顆粒状無機フィラー（Ｂ成分）の粒度において、目開き５００μｍ篩上の割合が５５重量％以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項５】
顆粒状無機フィラー（Ｂ成分）中の水溶性ポリエステル樹脂バインダー含有量が、０．１〜３重量％であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項６】
熱可塑性樹脂（Ａ成分）１００重量部中、芳香族ポリカーボネート樹脂および熱可塑性ポリエステル樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種を３０重量部以上含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項７】
熱可塑性樹脂（Ａ成分）１００重量部が、芳香族ポリカ−ボネ−ト樹脂５０〜８５重量部と、熱可塑性ポリエステル樹脂及び／又はスチレン系樹脂５０〜１５重量部からなることを特徴とする請求項６に記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項８】
更に、ゴム性重合体（Ｃ成分）を、熱可塑性樹脂（Ａ成分）１００重量部に対して１〜４０重量部含有することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項９】
更に、リン系化合物（Ｄ成分）を、顆粒状無機フィラー（Ｂ成分）１００重量部に対して０．１〜５重量部含有することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れかに記載の熱可塑性樹脂組成物を成形して成る樹脂成形品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
即ち本発明の第１の要旨は、芳香族ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリエステル樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂およびポリアセタール樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の熱可塑性樹脂（Ａ成分）１００重量部に対して、平均粒子径が０．０１〜１００μｍの無機フィラーと水溶性ポリエステル樹脂バインダーとからなる、嵩密度が０．４〜１．５ｇ／ｍｌの顆粒状無機フィラー（Ｂ成分）１〜４００重量部を含有する熱可塑性樹脂組成物に存する。そして本発明の第２の要旨は、この熱可塑性樹脂組成物を成形してなる樹脂成形品に存する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月9日(2011.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置のインクローダにおいて用いるインクスティックであって、
前記画像形成装置のインクローダ内に適合するよう形成された、インクスティック本体と、
前記インクスティック本体の外面に形成された複数のコード要素パターンとを含み、各々の前記コード要素パターンは、前記画像形成装置における少なくとも１つのセンサを作動させて所定のコード化信号パターンを生成するように形成された複数のコード要素を有し、各々の前記コード要素パターンは、また、コード要素パターンの始まりを示すための開始インジケータを形成する第１のコード要素と、コード要素パターンの終わりを示すための終了インジケータを形成する第２のコード要素とを含んでいる、
ことを特徴とするインクスティック。
【請求項２】
前記所定のコード化信号パターンが、可変の制御／属性情報を画像形成装置の制御システムに示すコードワードに対応する、ことを特徴とする請求項１に記載のインクスティック。
【請求項３】
コード要素パターンにおける各コード要素は、前記コード要素から反射された光を用いて前記画像形成装置における少なくとも１つのセンサを作動させるように構成されている、請求項１に記載のインクスティック。
【請求項４】
各コード要素パターンは、前記インクスティック本体の表面に沿って実質的に線形のアレイに配置されている、請求項１に記載のインクスティック。
【請求項５】
少なくとも前記第１のコード要素は、前記コード要素パターンの後続のコード要素とは異なる強度で光を反射するように構成されている、請求項１に記載のインクスティック。
【請求項６】
コード要素パターンにおける各コード要素は、光源からの光を反射して前記コード化信号パターンを生成する、請求項２に記載のインクスティック。
【請求項７】
画像形成装置のインクローダにおいて用いるインクスティックであって、
前記画像形成装置のインクローダ内に適合するよう形成された、インクスティック本体と、
前記インクスティック本体の外面に形成された複数のコード要素パターンとを含み、各々の前記コード要素パターンは、インクローダのセンサを動作させて所定の信号コード化パターンを生成するように形成された複数のコード要素を有し、各々の前記コード要素パターンは、また、コード要素パターンの始まりを示す第１のコード要素と、コード要素パターンの終わりを示す第２のコード要素とを含んでいる、
ことを特徴とするインクスティック。
【請求項８】
前記所定のコード化信号パターンが、可変の制御／属性情報を画像形成装置の制御システムに示すコードワードに対応する、ことを特徴とする請求項７に記載のインクスティック。
【請求項９】
コード要素パターンにおける各コード要素は、前記インクスティック本体の表面に沿って実質的に線形のアレイに配置されている、請求項７に記載のインクスティック。
【請求項１０】
各コード要素パターンは、実質的に線形のアレイとして構成されており、前記コード要素パターンは、前記インクスティック本体の表面に沿って延びる単一のラインに配置されている、請求項７に記載のインクスティック。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月3日(2011.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイビングコンピュータシステムであって：
情報を表示するディスプレイ画面を有するダイビングコンピュータと；
前記ダイビングコンピュータと通信する心拍数検出器であって、ユーザが装着可能であり、前記ユーザの心拍を検出するよう動作し、更に、前記心拍を表示する前記ダイビングコンピュータに情報を送信するよう動作する、心拍数検出器とを備え；
前記ダイビングコンピュータは、前記心拍数検出器から送信された前記情報を受信し、前記情報を前記ユーザの心拍数に変換し；
前記ダイビングコンピュータは、減圧アルゴリズムを利用して、減圧停止を計算し；
前記ダイビングコンピュータは、前記ユーザの前記心拍数を利用して実際のユーザ作業負荷に対して前記減圧アルゴリズムを補正し、前記減圧停止を補正する；
システム。
【請求項２】
前記心拍数検出器は、前記ユーザが装着した場合、前記ユーザの皮膚に接触するよう配置される心電図電極を含む装着ベルトである；
請求項１のシステム。
【請求項３】
前記装着ベルトは、調整可能な胸部ベルトであり、前記ダイビングコンピュータに前記情報を無線で送信するよう動作する無線送信器を含む；
請求項２のシステム。
【請求項４】
前記ダイビングコンピュータを前記ユーザの手首に装着可能にするよう前記ダイビングコンピュータと動作可能に結合される手首バンドを更に備える；
請求項１乃至請求項３のいずれか１項のシステム。
【請求項５】
複数の計器を含むコンソールであって、前記ダイビングコンピュータがその中に収容されて動作するコンソールを更に備える；
請求項１乃至請求項４のいずれか１項のシステム。
【請求項６】
潜水ベストに取り付けるよう構成される書き込みスレートであって、前記ダイビングコンピュータと動作可能に結合される書き込みスレートを更に備える；
請求項１乃至請求項５のいずれか１項のシステム。
【請求項７】
前記ダイビングコンピュータは潜水マスクと一体化され、前記潜水マスクのレンズが前記ディスプレイ画面を提供する；
請求項１乃至請求項６のいずれか１項のシステム。
【請求項８】
前記ダイビングコンピュータが、前記ディスプレイ画面上に前記ユーザの前記心拍数を表示する；
請求項１乃至請求項７のいずれか１項のシステム。
【請求項９】
前記心拍数検出器が、前記ダイビングコンピュータに連続的に前記情報を送信する；
請求項１乃至請求項８のいずれか１項のシステム。
【請求項１０】
前記心拍数検出器が、前記ダイビングコンピュータに周期的に前記情報を送信する；
請求項９のシステム。
【請求項１１】
前記心拍数検出器が、前記ダイビングコンピュータに約４秒毎に前記情報を送信する；
請求項１０のシステム。
【請求項１２】
前記ダイビングコンピュータは、前記ユーザが心拍数モニタを有効および無効にできるように構成されている；
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項のシステム。
【請求項１３】
前記ダイビングコンピュータは、前記ユーザが前記減圧アルゴリズムの補正を有効および無効にできるように構成されている；
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項のシステム。
【請求項１４】
前記ダイビングコンピュータは、前記心拍数と併せて、前記ユーザがプログラムした前記ユーザの最高心拍数および休息時心拍数を利用して、前記実際のユーザ作業負荷を判定するように構成されている；
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項のシステム。
【請求項１５】
前記ダイビングコンピュータは、前記減圧アルゴリズムを利用して飛行禁止時間を計算し；
前記ダイビングコンピュータは、前記ユーザの前記心拍数を利用して前記減圧アルゴリズムを補正し、前記飛行禁止時間を変更する；
請求項１乃至請求項１４のいずれか１項のシステム。
【請求項１６】
前記ダイビングコンピュータは、前記ユーザが潜水を終了させた後に水上で前記ユーザの前記心拍数の利用を継続し、前記減圧アルゴリズムを補正する；
請求項１乃至請求項１５のいずれか１項のシステム。
【請求項１７】
前記ダイビングコンピュータは、前記ユーザの前記心拍数が閾値を超えた場合に、ストレス警告信号を一斉送信する；
請求項１乃至請求項１６のいずれか１項のシステム。
【請求項１８】
ダイビングコンピュータシステムであって：
潜水中に提言する減圧停止を計算するように減圧アルゴリズムを用いてプログラミングされたダイビングコンピュータと；
前記ダイビングコンピュータと通信する心拍数検出器とを備え；
前記ダイビングコンピュータは、実際にモニタしたユーザの心拍数に基づいて潜水中に提言する前記減圧停止を変更するように前記減圧アルゴリズムを補正する；
ダイビングコンピュータシステム。
【請求項１９】
前記心拍数検出器は、潜水が終了した後も、前記ユーザの心拍数のモニタを継続するよう動作し；
前記ダイビングコンピュータは、潜水が終了した後も、前記実際にモニタした前記ユーザの心拍数に基づいて前記減圧アルゴリズムの補正を継続する；
請求項１８のダイビングコンピュータシステム。
【請求項２０】
水面下に潜水中に、減圧停止を計算する方法であって：
ダイバーの心拍数をモニタするステップと；
前記心拍数に基づいて前記ダイバーの実際の作業負荷を計算するステップと；
前記ダイバーの前記実際の作業負荷に基づいて前記減圧停止を変更するように減圧アルゴリズムを補正するステップとを備える；
方法。