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【手続補正書】
【提出日】平成23年6月6日(2011.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第1の凸部を有し、半導体でなる第1のボンド基板をベース基板上に貼り合わせた後、前記複数の第1の凸部を前記第1のボンド基板から分離することで、複数の第1の半導体膜を前記ベース基板上に形成し、
前記複数の第1の半導体膜が形成されている領域とは異なる領域において、複数の第2の凸部を有し、半導体でなる第2のボンド基板を前記ベース基板上に貼り合わせた後、前記複数の第2の凸部を前記第2のボンド基板から分離することで、複数の第2の半導体膜を前記ベース基板上に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
複数の第1の凸部を有し、半導体でなる第1のボンド基板をベース基板上に貼り合わせた後、前記複数の第1の凸部を前記第1のボンド基板から分離することで、複数の第1の半導体膜を前記ベース基板上に形成し、
前記複数の第1の半導体膜が形成されている領域とは異なる領域において、複数の第2の凸部を有し、半導体でなる第2のボンド基板を前記ベース基板上に貼り合わせた後、前記複数の第2の凸部を前記第2のボンド基板から分離することで、複数の第2の半導体膜を前記ベース基板上に形成し、
前記第2のボンド基板に対して垂直方向における前記複数の第2の凸部の幅は、前記複数の第1の半導体膜の膜厚より大きいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
複数の第1の凸部を有し、半導体でなる第1のボンド基板をベース基板上に貼り合わせた後、前記複数の第1の凸部を前記第1のボンド基板から分離することで、複数の第1の半導体膜を前記ベース基板上に形成し、
半導体でなる第2のボンド基板が前記複数の第1の半導体膜の少なくとも一つと重なるように、前記複数の第1の半導体膜が形成されている領域とは異なる領域において、複数の第2の凸部を有する前記第2のボンド基板を前記ベース基板上に貼り合わせた後、前記複数の第2の凸部を前記第2のボンド基板から分離することで、複数の第2の半導体膜を前記ベース基板上に形成し、
前記第2のボンド基板に対して垂直方向における前記複数の第2の凸部の幅は、前記複数の第1の半導体膜の膜厚より大きいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
複数の第1の凸部を有し、半導体でなる第1のボンド基板をベース基板上に貼り合わせた後、前記複数の第1の凸部を前記第1のボンド基板から分離することで、複数の第1の半導体膜を前記ベース基板上に形成し、
半導体でなる第2のボンド基板が有する複数の第2の凸部以外の領域において、前記第2のボンド基板が前記複数の第1の半導体膜の少なくとも一つと重なるように、前記複数の第2の凸部を有する前記第2のボンド基板を前記ベース基板上に貼り合わせた後、前記複数の第2の凸部を前記第2のボンド基板から分離することで、複数の第2の半導体膜を前記ベース基板上に形成し、
前記第2のボンド基板に対して垂直方向における前記複数の第2の凸部の幅は、前記複数の第1の半導体膜の膜厚より大きいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
複数の第1の凸部を有し、半導体でなる第1のボンド基板をベース基板上に貼り合わせた後、前記複数の第1の凸部を前記第1のボンド基板から分離することで、複数の第1の半導体膜を前記ベース基板上に形成し、
前記複数の第1の半導体膜が形成されている領域とは異なる領域において、複数の第2の凸部を有し、半導体でなる第2のボンド基板を前記ベース基板上に貼り合わせた後、前記複数の第2の凸部を前記第2のボンド基板から分離することで、複数の第2の半導体膜を前記ベース基板上に形成し、
前記第2のボンド基板に対して垂直方向における前記複数の第2の凸部の幅は、前記複数の第1の半導体膜の膜厚より大きく、
前記複数の第1の凸部は、前記第1のボンド基板の縁から離れた位置に形成されており、
前記複数の第2の凸部は、前記第2のボンド基板の縁から離れた位置に形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
複数の第1の凸部を有し、半導体でなる第1のボンド基板をベース基板上に貼り合わせた後、前記複数の第1の凸部を前記第1のボンド基板から分離することで、複数の第1の半導体膜を前記ベース基板上に形成し、
半導体でなる第2のボンド基板が前記複数の第1の半導体膜の少なくとも一つと重なるように、前記複数の第1の半導体膜が形成されている領域とは異なる領域において、複数の第2の凸部を有する前記第2のボンド基板を前記ベース基板上に貼り合わせた後、前記複数の第2の凸部を前記第2のボンド基板から分離することで、複数の第2の半導体膜を前記ベース基板上に形成し、
前記第2のボンド基板に対して垂直方向における前記複数の第2の凸部の幅は、前記複数の第1の半導体膜の膜厚より大きく、
前記複数の第1の凸部は、前記第1のボンド基板の縁から離れた位置に形成されており、
前記複数の第2の凸部は、前記第2のボンド基板の縁から離れた位置に形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
複数の第1の凸部を有し、半導体でなる第1のボンド基板をベース基板上に貼り合わせた後、前記複数の第1の凸部を前記第1のボンド基板から分離することで、複数の第1の半導体膜を前記ベース基板上に形成し、
半導体でなる第2のボンド基板が有する複数の第2の凸部以外の領域において、前記第2のボンド基板が前記複数の第1の半導体膜の少なくとも一つと重なるように、前記複数の第2の凸部を有する前記第2のボンド基板を前記ベース基板上に貼り合わせた後、前記複数の第2の凸部を前記第2のボンド基板から分離することで、複数の第2の半導体膜を前記ベース基板上に形成し、
前記第2のボンド基板に対して垂直方向における前記複数の第2の凸部の幅は、前記複数の第1の半導体膜の膜厚より大きく、
前記複数の第1の凸部は、前記第1のボンド基板の縁から離れた位置に形成されており、
前記複数の第2の凸部は、前記第2のボンド基板の縁から離れた位置に形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項1乃至請求項7のいずれか1項において、
前記複数の第1の凸部上には、ヒドロ酸化またはプラズマ酸化を用いて絶縁膜が形成されており、
前記複数の第1の凸部は、前記絶縁膜を間に挟むように、前記ベース基板上に貼り合わされることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項1乃至請求項7のいずれか1項において、
前記複数の第2の凸部上には、ヒドロ酸化またはプラズマ酸化を用いて絶縁膜が形成されており、
前記複数の第2の凸部は、前記絶縁膜を間に挟むように、前記ベース基板上に貼り合わされることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項1乃至請求項7のいずれか1項において、
前記ベース基板上には絶縁膜が形成されており、
前記複数の第1の凸部または前記複数の第2の凸部は、前記絶縁膜を間に挟むように、前記ベース基板上に貼り合わされることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項1乃至請求項10のいずれか1項において、
前記第1のボンド基板の分離は、ドーピングにより前記第1のボンド基板に脆化層を形成した後、マイクロ波による誘電加熱を用いて前記第1のボンド基板を選択的に加熱することで、前記脆化層において行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月22日(2011.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、チャネル形成領域を有する微結晶半導体膜と、
前記微結晶半導体膜上のバッファ層と、
前記バッファ層上のソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域上のソース電極と、
前記ドレイン領域上のドレイン領域と、を有し、
前記バッファ層は、前記ソース領域又は前記ドレイン領域と接する領域以外の領域に凹部を有し、
前記ソース電極の端部は、前記ソース領域の端部よりも内側に位置し、
前記ドレイン電極の端部は、前記ドレイン領域の端部よりも内側に位置し、
前記凹部において、前記ソース領域及びドレイン領域の端部と、前記バッファ層の凹部の側面は一致している薄膜トランジスタを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、チャネル形成領域を有する微結晶半導体膜と、
前記微結晶半導体膜上のバッファ層と、
前記バッファ層上のソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域上のソース電極と、
前記ドレイン領域上のドレイン領域と、
前記バッファ層、前記ソース領域及び前記ドレイン領域、前記ソース電極及び前記ドレイン電極に接して設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の開口を介して前記ソース電極又はドレイン電極に接続する、前記絶縁膜上の画素電極と、を有し、
前記バッファ層は、前記ソース領域又は前記ドレイン領域と接する領域以外の領域に凹部を有し、
前記ソース電極の端部は、前記ソース領域の端部よりも内側に位置し、
前記ドレイン電極の端部は、前記ドレイン領域の端部よりも内側に位置し、
前記凹部において、前記ソース領域及びドレイン領域の端部と、前記バッファ層の凹部の側面は一致している薄膜トランジスタを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記微結晶半導体膜の表面は、水素で表面が終端された前記バッファ層と接していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記バッファ層中の酸素濃度は、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記バッファ層は、非晶質半導体を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記バッファ層は、窒素を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記バッファ層は、水素を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記バッファ層は、フッ素、塩素、臭素、またはヨウ素を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月20日(2011.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に対して水素プラズマ処理を行いながら微結晶半導体膜を形成し、
前記微結晶半導体膜をチャネル形成領域に用いることを特徴とするトランジスタの作製方法。
【請求項２】
ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に対して水素及び珪素を含むガスを用いて水素プラズマ処理を行いながら、前記ガスにおいて珪素に対する水素の流量比を小さくして微結晶半導体膜を形成し、
前記微結晶半導体膜をチャネル形成領域に用いることを特徴とするトランジスタの作製方法。
【請求項３】
ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に対して水素プラズマ処理を行った後、前記ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を形成し、
前記微結晶半導体膜をチャネル形成領域に用いることを特徴とするトランジスタの作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記微結晶半導体膜を形成した後、前記微結晶半導体膜上に非晶質半導体膜からなるバッファー層及び一導電型を付与する不純物を有する半導体膜を連続的に形成することを特徴とするトランジスタの作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記一導電型を付与する不純物元素を有する半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域の前記一導電型を付与する不純物を有する半導体膜及び前記非晶質半導体膜からなるバッファー層を選択的にエッチングすることにより、ソース領域及びドレイン領域を形成し、かつ前記バッファー層に溝部を形成することを特徴とするトランジスタの作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記エッチングは、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の端部が、それぞれ前記ソース電極及び前記ドレイン電極の端部の外側に位置するように行うことを特徴とするトランジスタの作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載のトランジスタを覆って絶縁膜を形成し、前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記トランジスタに電気的に接続する画素電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタの作製方法及び表示装置の作製方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月4日(2011.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上の第１の単結晶半導体層と、
前記第１の単結晶半導体層上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の導電層と、
前記導電層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の第２の単結晶半導体層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上の第１の単結晶半導体層と、
前記第１の単結晶半導体層上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の導電層と、
前記導電層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の第２の単結晶半導体層と、を有し、
前記導電層は、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層を介して、前記第１の単結晶半導体層及び前記第２の単結晶半導体層に電界を加えるためのものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の単結晶半導体層、前記第１の絶縁層、及び前記導電層により、トップゲート型の第１のトランジスタが形成され、
前記導電層、前記第２の絶縁層、及び前記第２の単結晶半導体層により、ボトムゲート型の第２のトランジスタが形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１のトランジスタのソース領域又はドレイン領域と、前記第２のトランジスタのソース領域又はドレイン領域には、それぞれ異なる導電性を付与する不純物元素が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記半導体装置は相補型半導体装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１の損傷領域を有する第１の単結晶半導体基板の表面と、絶縁表面を有する基板の表面に形成された第１の絶縁層とを貼り合わせ、
前記第１の単結晶半導体基板を、前記第１の損傷領域において分離して、前記絶縁表面を有する基板上に第１の単結晶半導体層を形成し、
前記第１の単結晶半導体層上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上の前記第１の単結晶半導体層の一部と重なる領域に導電層を形成し、
前記第２の絶縁層及び前記導電層を覆うように第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層の上面を平坦化し、
前記第３の絶縁層上に第４の絶縁層を形成し、
第２の損傷領域を有する第２の単結晶半導体基板の表面と、前記第４の絶縁層とを貼り合わせ、
前記第２の単結晶半導体基板を、前記第２の損傷領域において分離して、前記絶縁表面を有する基板上に第２の単結晶半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
第１の損傷領域を有する第１の単結晶半導体基板の表面に形成された第１の絶縁層と、絶縁表面を有する基板の表面とを貼り合わせ、
前記第１の単結晶半導体基板を、前記第１の損傷領域において分離して、前記絶縁表面を有する基板上に第１の単結晶半導体層を形成し、
前記第１の単結晶半導体層上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上の前記第１の単結晶半導体層の一部と重なる領域に導電層を形成し、
前記第２の絶縁層及び前記導電層を覆うように第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層の上面を平坦化し、
前記第３の絶縁層上に第４の絶縁層を形成し、
第２の損傷領域を有する第２の単結晶半導体基板の表面と、前記第４の絶縁層とを貼り合わせ、
前記第２の単結晶半導体基板を、前記第２の損傷領域において分離して、前記絶縁表面を有する基板上に第２の単結晶半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記第１の単結晶半導体層、前記第２の絶縁層、及び前記導電層により、トップゲート型の第１のトランジスタを形成し、
前記導電層、前記第４の絶縁層、及び前記第２の単結晶半導体層により、ボトムゲート型の第２のトランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記第１のトランジスタのソース領域又はドレイン領域と、前記第２のトランジスタのソース領域又はドレイン領域には、それぞれ異なる導電性を付与する不純物元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月20日(2011.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
少なくとも２組の差動信号配線が並行して配置された信号配線層と、前記信号配線層の下に絶縁層を介して配置されたＧＮＤ層と、を備えたプリント配線板において、
前記少なくとも２組の差動信号配線は、前記プリント配線板の第１の領域と第２の領域を接続しており、
一方の組の差動信号配線を構成する２つの配線は、前記第１の領域から第２の領域に向かってそれぞれの配線幅が同じ割合で狭まり、かつ２つの配線の間の幅は一定であり、
他方の組の差動信号配線は、前記一方の組の差動信号配線に隣り合って配置され、前記他方の差動信号配線を構成する２つの配線は、前記第１の領域から第２の領域に向かってそれぞれの配線幅が同じ割合で拡がり、かつ２つの配線の間の幅は一定であり、
前記ＧＮＤ層には、前記一方の組の差動信号配線の直下において、前記第１の領域から第２の領域に向かって開口幅が狭まっている第１のスリットと、前記他方の組の差動信号配線の直下において、前記第１の領域から第２の領域に向かって開口幅が拡がっている第２のスリットが形成されていることを特徴とするプリント配線板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
スリット１０４ｓのスリット幅をＷｓａ、スリット１０５ｓのスリット幅をＷｓｂとする。図２（ａ）に示した配線１０４ａ、１０４ｂの配線幅Ｗａ１、Ｗａ２が、矢印Ｘ方向に向かって細くなるにつれて、スリット１０４ｓのスリット幅をＷｓａは、徐々に狭くなっている。すなわち、図３（ａ）に示すＡ−Ａ断面におけるＷｓａは、図３（ｂ）に示すＢ−Ｂ断面におけるＷｓａより大きくなっている。また、図２（ａ）に示した１０５ａ、１０５ｂの配線幅Ｗｂ２、Ｗｂ１が、矢印Ｘ方向に向かって広くなるにつれて、スリット１０５ｓのスリット幅をＷｓｂは、徐々に拡がっている。すなわち、図３（ａ）に示すＡ−Ａ断面におけるＷｓａは、図３（ｂ）に示すＢ−Ｂ断面におけるＷｓａより狭くなっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図１２において、ＧＮＤ層１０２には、４つのスリット４０４ａ、４０４ｂ、４０５ａ、４０５ｂが形成されている。スリット４０４ａは信号配線層１０６の配線１０４ａの直下に形成され、配線１０４ａの幅が第１の領域から第２の領域に向かって狭まるにつれてその開口幅は狭まっている。またスリット４０４ｂは配線１０４ｂの直下に形成され、配線１０４ｂの幅が第１の領域から第２の領域に向かって狭まるにつれてその開口幅はスリット４０４ａと同様に狭まっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
また、スリット４０５ａは信号配線層１０６の配線１０５ａの直下に形成され、配線１０５ａの幅が第１の領域から第２の領域に向かって拡がるにつれてその開口幅は拡がっている。またスリット４０５ｂは配線１０５ｂの直下に形成され、配線１０５ｂの幅が第１の領域から第２の領域に向かって拡がるにつれてその開口幅はスリット４０５ａと同様に拡がっている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2009038341.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月2日(2011.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デュアル仕事関数半導体デバイスの製造方法であって、
基板（１）上に第１および第２の制御電極（１７、１８）を形成する工程であって、第１の制御電極（１７）は第１仕事関数を有する金属半導体化合物から形成され、第２の制御電極（１８）は、第１仕事関数とは異なる第２仕事関数を有する金属半導体化合物から形成される工程と、
第１の制御電極（１７）の金属半導体化合物から、第２の制御電極（１８）の金属半導体化合物に、金属が拡散するのを防止するブロック領域（２３）を形成する工程とを含み、
ブロック領域（２３）は、第１および第２の制御電極（１７、１８）の間の界面（２１）が形成される、または形成された位置に、金属半導体化合物がそれから形成される金属の溶解度より、金属半導体化合物中での溶解度が低いドーパント元素を注入することにより形成されることを特徴とする製造方法。
【請求項２】
第１および第２の制御電極（１７、１８）を形成する工程は、
それぞれが誘電体層（７）と半導体層（８）とのスタックを含む第１および第２の制御電極（９、１０）を形成する工程と、
第１および第２の制御電極（９、１０）の一方の半導体層（８）を薄くする工程と、
少なくとも第１および第２の制御電極（９、１０）の上に金属層を形成する工程と、
金属層と半導体層（８）とを熱的に反応させて、第１および第２の制御電極（１７、１８）の金属半導体化合物を形成する工程とを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１および第２の制御電極（１７、１８）を形成する工程は、
それぞれが誘電体層（７）と半導体層（８）とのスタックを含む第１および第２の制御電極（９、１０）を形成する工程と、
第１膜厚の第１金属層を第１の制御電極（９）の上に形成し、第２膜厚の第２金属層を第２の制御電極（１０）の上に形成する工程であって、第１膜厚と第２膜厚とは異なる工程と、
金属層と半導体層（８）とを熱的に反応させて、第１および第２の制御電極（１７、１８）の金属半導体化合物を形成する工程とを含む請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
デュアル仕事関数半導体デバイスが、活性領域（１９）を有する第１型のデバイスと、活性領域（２０）を有する第２型のデバイスとを含み、ドーパント元素の注入工程が、
第１型と第２型のデバイスの活性領域（１９、２０）を覆うが、第１および第２の制御電極（１７、１８）の間の境界（２１）が形成される、または形成された位置の領域を露出させるマスクを形成する工程と、
第１および第２の制御電極（１７、１８）の間の境界（２１）が形成される、または形成された位置の領域に、ドーパント元素を注入する工程とを含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
ドーパント元素のブランケット注入が行われる請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項６】
ドーパント元素の注入が、金属層と半導体層（８）とを熱的に反応させた後に行い、第１および第２の制御電極（１７、１８）の金属半導体化合物を形成する請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
ドーパント元素の注入が、金属層と半導体層（８）とを熱的に反応させる間に行い、第１および第２の制御電極（１７、１８）の金属半導体化合物を形成する請求項１〜６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
ドーパント元素の注入が、金属層と半導体層（８）とを熱的に反応させる前に行い、第１および第２の制御電極（１７、１８）の金属半導体化合物を形成する請求項１〜７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
第１および第２の制御電極（９、１０）のそれぞれが、誘電体層（７）と半導体層（８）とのスタックを含み、
ドーパント元素の注入が、第１および第２の制御電極（９、１０）の半導体層（８）にドーパント元素を注入して行うことを特徴とする請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
ドーピング元素の注入が、１Ｅ１４ｃｍ−２と１Ｅ１６ｃｍ−２の間の注入ドーズで行われる請求項１〜９のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１１】
デュアル仕事関数半導体デバイスは、ＮＭＯＳデバイスとＰＭＯＳデバイスを含み、
更に、ＮＭＯＳデバイスをＰＭＯＳデバイスから電気的に分離するための分離ゾーン（２）を形成する工程を含む請求項１〜１０のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１２】
デュアル仕事関数半導体デバイスは、ＮＭＯＳデバイスとＰＭＯＳデバイスを含み、
更に、ＮＭＯＳデバイスとＰＭＯＳデバイスに、第１および第２の主電極（１３、１４）を形成する工程を含む請求項１〜１１のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１３】
デュアル仕事関数半導体デバイスであって、
第１仕事関数を有する金属半導体化合物から形成された第１の制御電極（１７）と、
第２仕事関数を有する金属半導体化合物から形成された第２の制御電極（１８）と、
第１および第２の制御電極（１７、１８）の間に形成され、第１の制御電極（１７）の金属半導体化合物から、第２の制御電極（１８）の金属半導体化合物に、金属が拡散するのを防止するブロック領域（２３）とを含み、
ブロック領域（２３）が、金属半導体化合物がそこから形成される金属の溶解度より、金属半導体化合物中での溶解度が低いドーパント元素を含むデュアル仕事関数半導体デバイス。
【請求項１４】
ブロック領域（２３）は、１０ｎｍと４０ｎｍとの間の幅（ｗ）を有する請求項１３に記載のデュアル仕事関数半導体デバイス。
【請求項１５】
金属半導体化合物が、金属シリサイドである請求項１３または１４に記載のデュアル仕事関数半導体デバイス。
【請求項１６】
第１の制御電極（１７）が、Ｎｉ２ＳｉまたはＮｉ３１Ｓｉ１２を含み、第２の制御電極（１８）が、ＮｉＳｉを含む請求項１５に記載のデュアル仕事関数半導体デバイス。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年1月5日(2011.1.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル画像データをデモザイクする方法であって、
所与の画像に対するＲＡＷ画素データを受信するステップと、
各画素に対する第１レベルの補間画素データを決定するために、第１のデモザイクカーネルサイズを使用して前記ＲＡＷ画素データを低域通過フィルタリングするステップと、
各画素に対する第２レベルの補間画素データを決定するために、第２のデモザイクカーネルサイズを使用して前記ＲＡＷ画素データを低域通過フィルタリングするステップと、
前記第１レベルの補間画素データからの各画素に対して、アーティファクトが存在するかどうかを判定するステップと、
前記アーティファクトが所与の画素に存在しない場合に、前記所与の画素に対する調整済みの補間画素データを、前記所与の画素に対する前記第１レベルの補間画素データと等しくなるように設定するステップと、
前記アーティファクトが前記所与の画素に存在する場合に、前記所与の画素に対する前記調整済みの補間画素データを、前記所与の画素に対する前記第１レベルの補間画素データと前記第２レベルの補間画素データとを混合したものと等しくなるように設定するステップと、
前記調整済みの補間画素データを計算装置可読媒体に記憶するステップと、
を含み、
前記第２のデモザイクカーネルサイズが前記第１のデモザイクカーネルサイズよりも大きい、
方法。
【請求項２】
前記ＲＡＷ画素データがベイヤ画素データを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
各画素に対する前記第１レベルの補間画素データが、赤（Ｒ）の色値、赤の行の緑（Ｇｒ）の色値、青の行の緑（Ｇｂ）の色値、及び青（Ｂ）の色値を含み、
各画素に対する前記第２レベルの補間画素データが、赤（Ｒ）の色値、赤の行の緑（Ｇｒ）の色値、青の行の緑（Ｇｂ）の色値、及び青（Ｂ）の色値を含む、
請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
カラーアーティファクトが存在するかどうかを判定するステップが、前記第１レベルの補間画素データ内の、赤の行の緑（Ｇｒ）の色値と青の行の緑（Ｇｂ）の色値との絶対差を判定するステップを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
[0007]別の実施形態では、方法には、所与の画像に対するベイヤフィルタ画素データのストリームを受信するステップが含まれる。各画素に対する水平方向の第１レベル及び第２レベルの低域通過フィルタの値は、それぞれ第１及び第２のカーネルサイズを利用して決定される。各画素に対する垂直方向の第１レベル及び第２レベルの低域通過フィルタの値も、それぞれ第１及び第２のカーネルサイズを利用して決定される。各画素に対する第１レベルの補間画素データは、水平及び垂直方向の第１レベルの低域通過フィルタの値から決定される。各画素に対する第２レベルの補間画素データも同様に、水平及び垂直方向の第２レベルの低域通過フィルタの値から決定される。第１及び第２レベルの補間画素データの色空間は、各レベルに対する彩度及び輝度（ｌｕｍａ）の成分を分離するために変換される。第１レベルの補間画素データの彩度成分は、調整済みの補間画素データを生成するために、所与の画素のそれぞれの画素データの赤の行の緑の彩度成分と青の行の緑の彩度成分との間の差に応じて低減される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
[0011]次に、図３は、本発明の一実施形態に係る、デジタル画像データをデモザイクする方法を示す図である。この方法は、ステップ３１０において、所与の画像に対するＲＡＷ画素データを受信するところから始まる。ＲＡＷ画素データには、ストリームとして受信される赤、緑、及び青の画素データが含まれてもよく、画素を受信すると以下の処理が実質的に実行される。ステップ３２０において、受信された画素データは第１のデモザイクカーネルサイズを使用して低域通過フィルタリングされて、各画素に対する第１レベルの補間画素データＰＬ１が決定される。第１レベルの補間画素データＰＬ１には、赤（Ｒ）の色値、赤の行の緑（Ｇｒ）の色値、青の行の緑（Ｇｂ）の色値、及び青（Ｂ）の色値が含まれる。ステップ３３０において、受信された画素データはまた、第２のデモザイクカーネルサイズを使用して低域通過フィルタリングされて、各画素に対する第２レベルの補間画素データＰＬ２が決定される。第２レベルの補間画素データには、赤（Ｒ）の色値、赤の行の緑（Ｇｒ）の色値、青の行の緑（Ｇｂ）の色値、及び青（Ｂ）の色値が含まれる。第２レベルのカーネルサイズは、第１レベルのカーネルサイズよりも大きい。第１及び第２レベルでの低域通過フィルタリングは、水平方向での画素データの平均化、及び垂直方向での画素データの再帰型フィルタリング（ｒｅｃｕｒｓｉｖｅ  ｆｉｌｔｅｒｉｎｇ）によって実行されてもよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
[0020]次に図７及び８を参照すると、本発明の他の実施形態に係る、デジタル画像データをデモザイクする方法が示してある。この方法は、ステップ７１０において、所与の画像に対するベイヤ画素データを受信するところから始まる。ベイヤ画素データは、赤、緑、及び青の画素データのストリームとして受信されてもよく、それらの画素が受信されたときにそれらに対して直ちに以下の処理が実質上実行される。ステップ７２０において、ベイヤ画素データは第１のデモザイクカーネルサイズを用いて低域通過フィルタリングされ、各画素に対する第１レベルの補間画素データＰＬ１が決定される。第１レベルの補間画素データには、赤（Ｒ）の色信号、赤の行の緑（Ｇｒ）の色信号、青の行の緑（Ｇｂ）の色信号、及び青（Ｂ）の色信号が含まれる。ステップ７３０において、受信された画素データはまた、第２のデモザイクカーネルサイズを用いて低域通過フィルタリングされて、各画素に対する第２レベルの補間画素データＰＬ２が決定される。第２レベルの補間画素データには、赤（Ｒ）の色信号、赤の行の緑（Ｇｒ）の色信号、青の行の緑（Ｇｂ）の色信号、及び青（Ｂ）の色信号が含まれる。第２レベルのカーネルサイズは、第１レベルのカーネルサイズよりも大きい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月17日(2011.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本実施形態における上記バックライトユニット２は、例えば白色光を主面である上面から出射するものであって、図１及び図２に示すように、発光素子３と発光素子３を長方形状の実装面に実装する略直方体形状のパッケージ基板４と発光素子３を封止して前記実装面に形成された略直方体形状の透明樹脂部５とを備えた複数の発光素子パッケージ６と、前記実装面に対向する透明樹脂部５の前面に側端面を突き合わせた状態で設置された導光板７と、導光板７上に配され導光板７からの光を拡散させて面内の光強度を均一にする拡散シート８と、拡散シート８上に配され拡散シート８からの光を液晶表示パネル１に向けた上方向への照射光として出射する第１プリズムシート９Ａ及び第２プリズムシート９Ｂと、導光板７の上面の側端部から透明樹脂部５の上面にわたって設けられ内側（透明樹脂部側）が反射面である光源側反射シート１０と、導光板７の下面全体から透明樹脂部５の下面にわたって設けられ内側（導光板側）が反射面である導光板側反射シート１１と、パッケージ基板４の上面に接続されたフレキシブルプリント基板１２と、を備えている。
上記拡散シート８は、例えばアクリル樹脂やポリカーボネイト樹脂等の透明な樹脂にシリカ粒子等を分散したもので構成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
反射シート１１は、導光板７の下面全体を覆って配されていると共に、透明樹脂部５の下面にまで延在され下面側の反射シートとして機能する延長部１１ａを有している。この反射シート１１は、上面に光反射機能を有する金属板、フィルム、箔等であって、本実施形態では銀蒸着膜を設けたフィルムが採用されている。なお、上記銀蒸着膜の代わりに、アルミ金属蒸着膜などを採用しても構わない。また、バックライトユニット２の各シート類をホルダー（図示略）に固着するために用いられる固定用シートを、上記反射シート１１として配置しても構わない。この際のバックライトユニット固定用シートの上面側は、光反射機能を有する銀等の反射面とされる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
１…液晶表示パネル（画像表示パネル）、２、２２…バックライトユニット（面発光装置）、３…発光素子、４…パッケージ基板、５…透明樹脂部、６，３６，４６…発光素子パッケージ、７…導光板、１０…光源側反射シート、１１…反射シート、４１…導光板側反射シート、１３…正反射面部
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月15日(2010.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続媒体ウェブと、
前記連続媒体ウェブを媒体経路に沿って固体インク画像装置の中を移送するように構成された媒体処理システムと、
前記連続媒体ウェブ上に画像を印刷するように構成された、前記媒体経路に沿って配置された固体インク印刷システムと、
前記固体インク印刷システムが前記連続媒体ウェブ上に画像を印刷した後に前記連続媒体ウェブを加熱できる位置に前記媒体経路に沿って配置され、前記連続媒体ウェブをウェブ加熱温度に加熱するように構成されたウェブ加熱システムと
を含む固体インク画像装置であって、
前記ウェブ加熱システムが、
（１）前記媒体経路に隣接して配置された少なくとも１つの放射加熱ユニットを含み、
前記少なくとも１つの放射加熱ユニットが、
前記媒体経路に隣接するハウジングと、
前記ハウジング内で可変熱出力信号に従って熱放射を放出するように構成された１対の放射加熱パネルと,
を含み、
前記１対の放射加熱パネルが、前記ハウジング内で、前記１対の放射加熱パネルが、熱放射を前記連続媒体ウェブに向かわせるため前記ハウジングの開口内に並んで配置された全開位置と、前記１対の放射加熱パネルが前記ハウジング内にありかつ互いに向き合う後退位置との間のそれらを含む複数の位置のうちの何れにも位置付けられるように構成され、前記連続媒体ウェブに関する前記１対の放射加熱パネルの形態係数が、前記複数の位置の各位置に対して異なり、
前記１対の放射加熱パネルを可変形態係数信号に応答して前記複数の位置のうちの少なくとも１つに位置付けするための、前記１対の放射加熱パネルに動作可能に連結されたパネルドライバをさらに含み、
前記ウェブ加熱システムがさらに、
（２）前記連続媒体ウェブの温度を検出しかつ前記連続媒体ウェブの前記検出された温度を示す温度信号を生成するように構成された少なくとも１つの温度センサと、
（３）前記パネルドライバに動作可能に連結された、前記連続媒体ウェブを前記ウェブ加熱温度に加熱するために、前記パネルドライバの作用のための少なくとも１つの放射加熱ユニットに対して熱出力信号および形態係数信号を選択的に生成するように構成されたウェブ加熱コントローラと
を含み、
前記ウェブ加熱コントローラが、前記少なくとも１つの温度センサによって生成された
前記温度信号に従って前記熱出力信号のうちの少なくとも１つおよび前記形態係数信号を生成するように構成される、
固体インク画像装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つの温度センサは、
前記連続媒体ウェブが複数の放射加熱ユニットに到達する前の位置で前記連続媒体ウェブの温度を検出すると共に前記連続媒体ウェブが複数の放射加熱ユニットに到達する前に、前記連続媒体ウェブの前記検出された温度を示す第１の温度信号を生成するように構成
された第１の温度センサと、
前記連続媒体ウェブが複数の放射加熱ユニットに到達した後の位置で前記連続媒体ウェブの温度を検出すると共に前記連続媒体ウェブが複数の放射加熱ユニットに通過した後に、前記連続媒体ウェブの前記検出された温度を示す第２の温度信号を生成するように構成
された第２の温度センサと、
を備えたことを特徴とする請求項１に記載の固体インク画像装置。
【請求項３】
前記ウェブ加熱コントローラは、前記第１及び第２の温度信号に従って、複数の放射加熱ユニットの１つのために熱出力信号および可変形態係数信号を生成するように構成されたことを特徴とする請求項２に記載の固体インク画像装置。
【請求項４】
前記ウェブ加熱コントローラは、前記複数の放射加熱ユニットの１つを動作させると共に前記連続媒体ウェブを前記ウェブ加熱温度に加熱するために熱放射を放出するために当該複数の放射加熱ユニットの１つのために熱出力信号を生成するように構成され、
前記ウェブ加熱コントローラは、前記ウェブ加熱温度からの前記検出された温度の差を補うために放射加熱ユニットの少なくとも１つの形態係数を調整するための少なくとも１つの可変形態係数信号を生成するように構成された
ことを特徴とする請求項３に記載の固体インク画像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月7日(2011.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体を吐出するヘッドと、
前記ヘッドから吐出される流体を貯留し、装置本体に対して交換可能に設けられた第１流体貯留部と、
前記ヘッドから吐出される流体を貯留する第２流体貯留部であって、前記第１流体貯留部に貯留される流体と同種の流体を貯留し、前記装置本体と一体に設けられている第２流体貯留部と、
前記第１流体貯留部からの流体を流す第１流路に設けられ、前記流体の流れを許容したり遮断したりする第１バルブと、
前記第２流体貯留部からの流体を流す第２流路に設けられ、前記流体の流れを許容したり遮断したりする第２バルブと、
前記ヘッドを正常な状態にするためのメンテナンス動作に連動して、前記第２バルブを開放するとともに前記第１バルブを遮断する状態と、前記ヘッドから前記媒体に前記流体を吐出する動作に連動して、前記第１バルブを開放するとともに前記第２バルブを遮断する状態と、に前記第１バルブ及び前記第２バルブの動作を制御するコントローラと、
を有する、流体吐出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の流体吐出装置であって、
前記コントローラは、
前記ヘッドから前記媒体に前記流体を吐出する動作の期間中に、前記第１流体貯留部に貯留された流体の不足が検出された際には、
前記第２バルブを開放するとともに前記第１バルブを遮断し、前記第２流体貯留部に貯留された流体が前記ヘッド側へ供給される状態にする、流体吐出装置。
【請求項３】
流体を吐出するヘッドと、
前記ヘッドから吐出される流体を貯留し、装置本体に対して交換可能に設けられた第１流体貯留部と、
前記ヘッドから吐出される流体を貯留する第２流体貯留部であって、前記第１流体貯留部に貯留される流体と同種の流体を貯留し、前記装置本体と一体に設けられている第２流体貯留部と、
前記第１流体貯留部からの流体を前記ヘッドへ向けて流す第１流路と、
前記第２流体貯留部からの流体を前記ヘッドへ向けて流す第２流路と、を有し、
前記第２流路に設けられ、前記流体の流れを許容したり遮断したりするバルブと、
前記バルブの動作を制御するコントローラであって、前記ヘッドを正常な状態にするためのメンテナンス動作の期間中に亘って前記バルブを開放するコントローラとを有し、
前記第２流路の流路抵抗が、前記第１流路の流路抵抗よりも小さい、流体吐出装置。
【請求項４】
（Ａ）第１流体貯留部に貯留された流体、及び、第２流体貯留部に貯留され、前記第１流体貯留部に貯留された流体と同種の流体について、前記ヘッドを正常な状態にするためのメンテナンス動作または前記ヘッドから前記媒体に前記流体を吐出する動作に応じてヘッドへ供給すべき流体を選択すること、
（Ｂ）前記ヘッドへ供給すべき流体の選択結果に応じて、前記第１流体貯留部及び前記第２流体貯留部と前記ヘッドとの間の流体の供給経路を設定すること、
（Ｃ）設定した供給経路を通じ、前記メンテナンス動作のときには前記第１流体貯留部内の流体を前記ヘッド側へ供給し、前記吐出する動作のときには前記第２流体貯留部内の流体を前記ヘッド側へ供給すること、
（Ｄ）を有する流体吐出方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
前記目的を達成するための主たる発明は、
流体を吐出するヘッドと、
前記ヘッドから吐出される流体を貯留し、装置本体に対して交換可能に設けられた第１流体貯留部と、
前記ヘッドから吐出される流体を貯留する第２流体貯留部であって、前記第１流体貯留部に貯留される流体と同種の流体を貯留し、前記装置本体と一体に設けられている第２流体貯留部と、
前記第１流体貯留部からの流体を流す第１流路に設けられ、前記流体の流れを許容したり遮断したりする第１バルブと、
前記第２流体貯留部からの流体を流す第２流路に設けられ、前記流体の流れを許容したり遮断したりする第２バルブと、
前記ヘッドを正常な状態にするためのメンテナンス動作に連動して、前記第２バルブを開放するとともに前記第１バルブを遮断する状態と、前記ヘッドから前記媒体に前記流体を吐出する動作に連動して、前記第１バルブを開放するとともに前記第２バルブを遮断する状態と、に前記第１バルブ及び前記第２バルブの動作を制御するコントローラと、
を有する、流体吐出装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月2日(2011.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
打球部（２ｂ）となる部分に凹部（２ｂ１）を有する芯材（２）と、
前記凹部（２ｂ１）に装着され、前記打球部（２ｂ）を形成する弾性体（３）とを備え、
前記弾性体（３）を、比重が０．４５以上０．６０以下であり、ＪＩＳ  Ｃ硬度が５４以上８２以下であり、１００％伸び時での弾性率が１．８４ＭＰａ以上２．０３ＭＰａ以下である、ウレタンエラストマー発泡体で構成した、野球またはソフトボール用バット。
【請求項２】
前記弾性体（３）は、表面層（３ａ）と内部（３ｂ）とを有し、
前記表面層（３ａ）の硬度が前記内部（３ｂ）の硬度よりも高く、かつ前記表面層（３ａ）と前記内部（３ｂ）の硬度差を、ＪＩＳ  Ｃ硬度で７以上１５以下とした、請求項１に記載の野球またはソフトボール用バット。
【請求項３】
前記弾性体（３）と芯材（２）との間に潤滑層を設けた、請求項１または請求項２に記載の野球またはソフトボール用バット。
【請求項４】
前記弾性体（３）は、
前記芯材（２）から外した状態の前記弾性体（３）の一部に１０ｍｍ／分の速度で８００Ｎの圧縮荷重を加えた際の荷重と変位との積の積分値から、同じ速度で前記圧縮荷重を除去した際の荷重と変位との積の積分値を引いた値であるヒステリシス値が０．１５Ｊ以上０．４２Ｊ以下である第１特性と、
ＡＳＴＭ−Ｄ２６３２に基づく錘の跳ね返り高さが１２１．２ｍｍ以上１３３．６ｍｍ以下となるような第２特性とをさらに備える、請求項１から請求項３のいずれかに記載の野球またはソフトボール用バット。
【請求項５】
前記弾性体（３）を、セルの大きさが７５μｍ以上１１５μｍ以下である微細セルウレタンエラストマー発泡体で構成した、請求項１から請求項４のいずれかに記載の野球またはソフトボール用バット。
【請求項６】
先端部（２ａ）とグリップ部（２ｄ）とを備え、
前記凹部（２ｂ１）の底面は、前記先端部（２ａ）側に位置する先端側テーパ状部分（２０）と、前記グリップ部（２ｄ）側に位置するグリップ側テーパ状部分（２２）と、前記先端側テーパ状部分（２０）と前記グリップ側テーパ状部分（２２）との間に位置する中央部（２１）とを有し、
前記中央部（２１）を構成する前記芯材（２）の外径を、前記先端側テーパ状部分（２０）および前記グリップ側テーパ状部分（２２）を構成する前記芯材（２）の外径の最小値以下とした、請求項１から請求項５のいずれかに記載の野球またはソフトボール用バット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る野球またはソフトボール用バットは、打球部となる部分に凹部を有する芯材と、この凹部に装着され、打球部を形成する弾性体とを備え、弾性体を、比重が０．４５以上０．６０以下程度であり、ＪＩＳ  Ｃ硬度が５４以上８２以下程度であり、かつ１００％伸び時での弾性率が１．８４ＭＰａ以上２．０３ＭＰａ以下程度である、ウレタンエラストマー発泡体で構成する。つまり、比較的高い硬度と弾性率を有するウレタンエラストマー発泡体で上記弾性体を構成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の野球またはソフトボール用バットでは、打球部となる部分に装着される弾性体を、ＪＩＳ  Ｃ硬度が５４以上８２以下程度であり、かつ１００％伸び時での弾性率が１．８４ＭＰａ以上２．０３ＭＰａ以下程度である、比較的高い硬度と弾性率を有するウレタンエラストマー発泡体で構成しているので、耐久性を確保しながら反発特性をも向上することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月18日(2011.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外気を導入する外気導入部と、
前記外気導入部に設けられ、温度を検知する温度検知手段と、
前記温度検知手段によって検知された温度を示す温度データを記憶する温度記憶手段と、
画像形成装置の稼働状況を取得する取得手段と、
環境情報を推定する複数の推定処理のうち、前記取得手段により取得された前記稼働状況に対応した推定処理を選択する選択手段と、
前記温度記憶手段に記憶されている温度データを用いて、前記選択手段により選択された前記推定処理を実行することにより前記環境情報を決定する決定手段と、
前記決定手段により決定された前記環境情報に対応した画像形成条件となるように画像形成条件を制御する制御手段と
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記決定手段は、前記稼働状況が、前記画像形成装置への電源投入直後又は前記画像形成装置が省電力モードから復帰した直後であるときに前記選択手段により選択された推定処理を実行することにより、前記環境情報として、前記画像形成装置が設置されている環境の気温を推定することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記推定処理とは、２つ以上の前記温度データから所定時間における温度の変化量を算出し、算出した前記温度の変化量から前記気温を推定する処理であることを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記温度検知手段により第１の時刻に検知された温度から所定温度差だけ変化するのに要した経過時間を計時する計時手段をさらに有し、
前記稼働状況として前記画像形成装置が電源投入直後であるときに前記選択手段により選択された推定処理を実行することにより、前記経過時間から、前記環境情報として、前記画像形成装置が設置されている環境の気温を推定することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記決定手段は、
前記第１の時刻に検知された温度から所定温度差だけ変化したときに、該変化が減少なのか増加なのかを判定する判定手段を有し、
前記変化が減少であれば、前記稼働状況として前記画像形成装置が省電力モードへ移行中であるときに前記選択手段により選択された推定処理を実行することにより、前記経過時間から前記気温を推定し、前記変化が増加であれば、前記画像形成装置が省電力モードへ移行する直前に決定された気温を現在の気温として推定することを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記画像形成装置の連続稼働時間を監視する監視手段をさらに有し、
前記稼働状況として前記画像形成装置が稼働中であるときに前記選択手段により選択された推定処理を実行することにより、前記連続稼働時間と前記温度検知手段によって検知された温度とから、前記気温を推定することを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
現像剤像を定着する定着手段と、
前記定着手段の温度を検出する定着温度検出手段と
をさらに有し、
前記稼働状況として前記画像形成装置が電源投入直後であるときに前記選択手段により選択された推定処理を実行することにより、前記温度検知手段により検知された温度と前記定着手段の温度とから、前記環境情報として、前記画像形成装置が設置されている環境の気温を推定することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記温度検知手段により検知された温度と前記定着手段の温度との温度差が閾値を超えているか否かを判別する判別手段をさらに有し、
前記温度差が前記閾値を超えていれば、前回推定された気温を今回の気温として決定し、
前記温度差が前記閾値を超えていなければ、前記温度検知手段により検知された温度が所定温度差だけ低下するのに要した経過時間から前記気温を推定することを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記決定手段は、
第１の時刻に検知された温度から所定温度差だけ変化したときに、該変化が減少なのか増加なのかを判定する判定手段を有し、
前記変化が減少であれば、前記稼働状況として前記画像形成装置が省電力モードへ移行中であるときに前記選択手段により選択された推定処理を実行することにより、前記経過時間から前記気温を推定し、
前記変化が増加であれば、前記画像形成装置が省電力モードへ移行する直前に決定された気温を現在の気温として推定することを特徴とする請求項８に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記画像形成装置の連続稼働時間を監視する監視手段をさらに有し、
前記稼働状況として前記画像形成装置が稼働中であるときに前記選択手段により選択された推定処理を実行することにより、前記連続稼働時間と前記温度検知手段によって検知された温度とから、前記気温を推定することを特徴とする請求項８又は９に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
画像形成装置に関する温度を検知する温度検知手段と、
前記温度検知手段によって検知した温度の変化履歴を記憶する温度変化履歴記憶手段と、
前記画像形成装置の稼働状況の履歴を記憶する稼働履歴記憶手段と、
前記温度検知手段によって検知した温度と、前記温度変化履歴記憶手段によって記憶している温度変化の履歴と、前記稼働履歴記憶手段によって記憶している稼働状況の履歴とに基づいて、前記画像形成装置が設置されている環境の気温を推定する設置環境気温推定手段と
を有することを特徴とした画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、外気を導入する外気導入部と、
前記外気導入部に設けられ、温度を検知する温度検知手段と、
前記温度検知手段によって検知された温度を示す温度データを記憶する温度記憶手段と、
画像形成装置の稼働状況を取得する取得手段と、
環境情報を推定する複数の推定処理のうち、前記取得手段により取得された前記稼働状況に対応した推定処理を選択する選択手段と、
前記温度記憶手段に記憶されている温度データを用いて、前記選択手段により選択された前記推定処理を実行することにより前記環境情報を決定する決定手段と、
前記決定手段により決定された前記環境情報に対応した画像形成条件となるように画像形成条件を制御する制御手段と
を有することを特徴とする画像形成装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置