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【手続補正書】
【提出日】平成23年8月2日(2011.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面及び下面と、前記上面と前記下面を連結する側面とを持つ半導体チップと、
前記上面に形成された電子回路と、
前記下面に形成された下面電極と、
前記半導体チップの角において前記側面に形成され、前記電子回路と前記下面電極を接続する側面配線とを備え、
前記側面配線は貫通孔１／４個分の構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記上面において前記上面の互いに隣接する２つの角を結ぶように形成された上面配線を更に備え、
前記電子回路は、前記上面配線を介して前記側面配線に接続されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記上面は、第１の角と、前記第１の角に隣接する第２の角と、前記第１の角の対角線上に存在する第３の角と、前記第２の角の対角線上に存在する第４の角とを有する四角形であり、
前記上面配線は、前記第１の角と前記第２の角を結ぶように形成された第１の上面配線と、前記第３の角と前記第４の角を結ぶように形成された第２の上面配線とを有し、
前記電子回路は、前記第１の上面配線に接続された第１の端子と、前記第２の上面配線に接続された第２の端子とを有し、
前記下面電極は、前記第１の角に対応する前記下面の角に形成された第１の下面電極と、前記第３の角に対応する前記下面の角に形成された第２の下面電極とを有し、
前記側面配線は、前記半導体チップの前記第１の角において前記側面に形成され、前記第１の上面配線と前記第１の下面電極とを接続する第１の側面配線と、前記半導体チップの前記第３の角において前記側面に形成され、前記第２の上面配線と前記第２の下面電極とを接続する第２の側面配線とを有することを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
表面に前記半導体チップが実装された搭載部と、
前記搭載部の表面において四角形を構成するように配置された第１〜第４の表面電極と、
前記第１の表面電極及び前記第２の表面電極に接続された第１の表面配線と、
前記第２の表面電極と前記表面配線との間に接続され、インピーダンスを変換するインピーダンス変換回路と、
前記第３の表面電極及び前記第４の表面電極に接続された第２の表面配線とを更に備え、
前記第２の表面電極は前記第１の表面電極に隣接し、
前記第３の表面電極は前記第１の表面電極の対角線上に存在し、
前記第４の表面電極は前記第２の表面電極の対角線上に存在し、
前記第１の下面電極が前記第１の表面電極に接続され前記第２の下面電極が前記第３の表面電極に接続されているか、又は、前記第１の下面電極が前記第２の表面電極に接続され前記第２の下面電極が前記第４の表面電極に接続されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
上面及び下面と、前記上面と前記下面を連結する側面とを持つ半導体チップと、
前記上面において前記上面の外周に沿って形成された上面配線と、
前記上面に形成され、前記上面配線に接続された電子回路と、
前記下面に形成された下面電極と、
前記半導体チップの角において前記側面に形成され、前記上面配線と前記下面電極を接続する側面配線とを備え、
前記側面配線は貫通孔１／４個分の構造を有し、
前記上面配線の前記上面の外周における長さが前記上面の一辺以上であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
第１の発明は、上面及び下面と、前記上面と前記下面を連結する側面とを持つ半導体チップと、前記上面に形成された電子回路と、前記下面に形成された下面電極と、前記半導体チップの角において前記側面に形成され、前記電子回路と前記下面電極を接続する側面配線とを備え、前記側面配線は貫通孔１／４個分の構造を有することを特徴とする半導体装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第２の発明は、上面及び下面と、前記上面と前記下面を連結する側面とを持つ半導体チップと、前記上面において前記上面の外周に沿って形成された上面配線と、前記上面に形成され、前記上面配線に接続された電子回路と、前記下面に形成された下面電極と、前記半導体チップの角において前記側面に形成され、前記上面配線と前記下面電極を接続する側面配線とを備え、前記側面配線は貫通孔１／４個分の構造を有し、前記上面配線の前記上面の外周における長さが前記上面の一辺以上であることを特徴とする半導体装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月29日(2010.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】  
【請求項１】
アガリクス（Agaricus）属、サンゴハリタケ（Hericium）属、フスコポリア（Fuscoporia）属、グリフォラ（Grifola）属に属するきのこの抽出物、リナム（Linum）属、シナピス（Sinapis）属、ローズマリー（Rosmarinus）属、バンジロウ（Psidium）属、グナファリウム（Gnaphalium）属、セントーレ（Centaurea）属、ヒソップ（Hyssopus）属、レオントポジウム（Leontopodium）属、アンスリスカス（Anthriscus）属、ロールス（Laurus）属、ニンファエア（Nymphaea）属、シリンガ（Syringa）属、カレンデュラ（Calendula）属、プリムラ（Primula）属、トルネラ（Turnera）属、スカビー（Scurvy）属、トリフォリウム（Trifolium）属、コンバラリア（Convallaria）属、コンソリダ（Consolida）属、ガーデニア（Gardenia）属、シトラス（Citrus）属に属する植物の抽出物の1種又は2種以上からなるコラゲナーゼ阻害剤。
【請求項2】
アガリクス（Agaricus）属に属するきのこがアガリクス（Agaricusblazei murill）、ハラタケ（Agaricus campetris
L.:Fr.）サンゴハリタケ（Hericium）属に属するきのこがサンゴハリタケ（Hericium ramosum (Merat) Banker）、ヤマブシタケ（Hericium erinaceum(Bull.:Fr.)Pers.）、フスコポリア（Fuscoporia）属に属するきのこが白樺茸（Fuscoporiaobliqua）、グリフォラ（Grifola）属に属するきのこがマイタケ（Grifola frondosa (Fr) Gray）、さらに、リナム（Linum）属植物が亜麻（Linum usitatissimum L.）、シナピス（Sinapis）属植物が白介（Sinapisalba L.）、ローズマリー（Rosmarinus）属に属する植物がローズマリー（Rosmarinus officinalis L.）、バンジロウ（Psidium）属に属する植物がグアバ（Psidium guajava L.）、グナファリウム（Gnaphalium）属に属する植物がエバーラスティング（Gnaphalium uliginosum L.）、セントーレ（Centaurea）属に属する植物がコーンフラワー（Centaurea cyanus L.）、ヒソップ（Hyssopus）属に属する植物がヒソップ（Hyssopusofficinalis L.）、レオントポジウム（Leontopodium）属に属する植物がエーデルワイス（Leontopodium alpinum ）、アンスリスカス（Anthriscus）属に属する植物がチャービル（Anthriscus cerefolium (L.)HOFFM.）、ロールス（Laurus）属に属する植物がローレル（Laurus nobilis L.）、ニンファエア（Nymphaea）属に属する植物がホワイトウォーターリリー（Nymphaea alba L.）、シリンガ（Syringa）属に属する植物がライラック（Syringa vulgaris）、カレンデュラ（Calendula）属に属する植物がポットマリーゴールド（Calendula officinalis）、プリムラ（Primula）属に属する植物がプライムローズ（Primula vulgarisHUDS.）、サクラソウ（Primula sieboldi E.Morren）、ユキワリソウ（Primulamodesta Bisset et S. Moore var. modesta）、トルネラ（Turnera）属に属する植物がダミアナ（Turnera diffusa WILLD.var
aphrodisiaca(WARD.)URB.）、スカビー（Scurvy）属に属する植物がスカビーグラス(Scurvy grass)、トリフォリウム（Trifolium）属に属する植物がレッドクローバー（Trifolium pratenseL.）、コンバラリア（Convallaria）属に属する植物がリリーオブザバリー（Convallaria majalis L.）、コンソリダ（Consolida）属に属する植物がヒエンソウ（Consolida ambigua）、ガーデニア（Gardenia）属に属する植物がクチナシ（Gardenia jasminoides
Ellis f. grandiflora Makino）、シトラス（Citrus）属に属する植物がレモン（Citrus limon BURM.）であることを特徴とする請求項1記載のコラゲナーゼ阻害剤。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月7日(2011.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（コ）ポリカーボネートおよび臭素置換オリゴカーボネートを含有し、前記オリゴカーボネート対前記（コ）ポリカーボネートの重量比が０．１１１２〜１であり、前記（コ）ポリカーボネートがその分子構造中に１，１−ビス−（４−ヒドロキシ−フェニル）−３，３，５−トリメチル−シクロヘキサンの残基を（コ）ポリカーボネートの重量に対して３７パーセント以下含む、ＯＳＵ１００／１００の最大発熱速度および２分発熱要件を満たす透明窓ガラスを備える航空機の窓。
【請求項２】
前記比が０．１７６〜０．６６７である、請求項１に記載の窓。
【請求項３】
前記比が０．２５０〜０．５３８である、請求項１に記載の窓。
【請求項４】
前期比が０．３５１〜０．４９３である、請求項１に記載の窓。
【請求項５】
該オリゴカーボネートが
【化１】
2009084558.tif 000001
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、互いに独立して、Ｈ、Ｂｒ、またはＣＨ３である（ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の少なくとも一つはＢｒである。）。）
である、請求項１に記載の窓。
【請求項６】
前記オリゴカーボネートが、フェニル、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル、クミル、ノニルフェニルおよびｉｓｏ−ノニルフェニル基からなる群から選択される末端基を含む、請求項５に記載の窓。
【請求項７】
該オリゴカーボネートが
【化２】
2009084558.tif 000002
である、請求項２に記載の窓。
【請求項８】
該窓ガラスが押出品である、請求項１に記載の窓。
【請求項９】
該窓ガラスが射出成形品である、請求項１に記載の窓。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
比較例は、それぞれ、ＰＣおよび本発明の範囲外の難燃剤を含んだ。用語ＰＦＲは、
【化６】
2009084558.tif 000003
（式中、ｎは１〜５である。）
のホスフェート難燃剤をいい、ＢＦＲは、
【化７】
2009084558.tif 000004
の臭素置換ホスフェート（トリス（３−ブロモ−２，２（ブロモメチル）プロピル）ホスフェート）をいう。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月15日(2011.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｉ）（メタ）アクリル系樹脂及びii）（メタ）アクリル系ゴムと芳香族ビニル化合物の共重合体に（メタ）アクリル系樹脂がグラフトされたグラフト共重合体を前記ｉ）（メタ）アクリル系樹脂１００重量部当たりに前記ii）グラフト共重合体５〜４５重量部含み、前記ii）グラフト共重合体のコアに含まれる（メタ）アクリル系ゴムはガラス転移温度が０℃以下であることを特徴とする光学フィルム。
【請求項２】
前記ii）グラフト共重合体は（メタ）アクリル系ゴムと芳香族ビニル化合物の共重合体がコア（ｃｏｒｅ）を構成し、その周辺に前記（メタ）アクリル系樹脂がシェル（ｓｈｅｌｌ）を構成するコア−シェルタイプのグラフト共重合体であることを特徴とする、請求項１に記載の光学フィルム。
【請求項３】
前記ii）グラフト共重合体のコアに含まれる（メタ）アクリル系ゴムはグラフト共重合体１００重量部に対し２０〜６０重量部で含まれることを特徴とする、請求項２に記載の光学フィルム。
【請求項４】
前記ii）グラフト共重合体のコアに含まれる芳香族ビニル化合物はグラフト共重合体１００重量部に対し１０〜３０重量部で含まれることを特徴とする、請求項２に記載の光学フィルム。
【請求項５】
前記ii）グラフト共重合体のシェルを構成する（メタ）アクリル系樹脂は（メタ）アクリル系単量体と芳香族ビニル系単量体の共重合体を含むことを特徴とする、請求項２に記載の光学フィルム。
【請求項６】
前記ii）グラフト共重合体のシェルに含まれる（メタ）アクリル系樹脂中、（メタ）アクリル系単量体はグラフト共重合体１００重量部に対し２０〜６０重量部で含まれることを特徴とする、請求項５に記載の光学フィルム。
【請求項７】
前記ii）グラフト共重合体のシェルに含まれる（メタ）アクリル系樹脂中、芳香族ビニル系単量体はグラフト共重合体１００重量部に対し５〜２５重量部で含まれることを特徴とする、請求項５に記載の光学フィルム。
【請求項８】
前記（メタ）アクリル系単量体と芳香族ビニル系単量体の共重合体は共単量体として酸無水物、ビニルシアン化合物、（メタ）アクリル酸及びイミド系単量体の中から選択される１種以上の単量体をさらに含むことを特徴とする、請求項５に記載の光学フィルム。
【請求項９】
前記酸無水物、ビニルシアン化合物、（メタ）アクリル酸及びイミド系単量体の中から選択される単量体は各々グラフト共重合体１００重量部に対し０超過１５重量部以下で含まれることを特徴とする、請求項８に記載の光学フィルム。
【請求項１０】
前記ii）グラフト共重合体は共単量体として多官能性単量体をグラフト共重合体１００重量部に対し０．０２〜２重量部でさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の光学フィルム。
【請求項１１】
前記多官能性単量体は、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、１，３−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリメチロールメタントリアクリレート、アリルメタクリレート、トリアリルイソシアヌレート、トリアリルアミン及びジアリルアミンの中から選択される１種以上を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の光学フィルム。
【請求項１２】
前記ii）グラフト共重合体はコアの粒径が３５００〜７５００Åで、ゲル含量は７０〜９９％であり、グラフト率は２０〜６０％であることを特徴とする、請求項２に記載の光学フィルム。
【請求項１３】
前記ｉ）（メタ）アクリル系樹脂は（メタ）アクリル系単量体、芳香族ビニル系単量体及び酸無水物の共重合体を含むことを特徴とする、請求項１に記載の光学フィルム。
【請求項１４】
前記（メタ）アクリル系単量体、芳香族ビニル系単量体及び酸無水物の共重合体１００重量部に対し（メタ）アクリル系単量体、芳香族ビニル系単量体及び酸無水物は各々６０〜９０重量部、９〜３０重量部及び１〜１５重量部で含まれたことを特徴とする、請求項１３に記載の光学フィルム。
【請求項１５】
前記（メタ）アクリル系単量体、芳香族ビニル系単量体及び酸無水物の共重合体は共単量体としてビニルシアン化合物、（メタ）アクリル酸及びイミド系単量体のうち１種以上をさらに含むことを特徴とする、請求項１３に記載の光学フィルム。  
【請求項１６】
前記ｉ）（メタ）アクリル系樹脂と前記ii）グラフト共重合体の屈折率差が０．０１以下であることを特徴とする、請求項１に記載の光学フィルム。
【請求項１７】
ａ）（ｉ）（メタ）アクリル系樹脂及びii）（メタ）アクリル系ゴムと芳香族ビニル化合物の共重合体に（メタ）アクリル系樹脂がグラフトされたグラフト共重合体を前記ｉ）（メタ）アクリル系樹脂１００重量部当たりに前記ii）グラフト共重合体５〜４５重量部含む樹脂組成物を準備するステップ、及びｂ）前記樹脂組成物を利用してフィルムを形成するステップを備え、前記ii）グラフト共重合体のコアに含まれる（メタ）アクリル系ゴムはガラス転移温度が０℃以下であることを特徴とする光学フィルムの製造方法。
【請求項１８】
請求項１〜１６のうちのいずれか一項の光学フィルムを延伸した位相差フィルム。
【請求項１９】
ａ）ｉ）（メタ）アクリル系樹脂及びii）（メタ）アクリル系ゴムと芳香族ビニル化合物の共重合体に（メタ）アクリル系樹脂がグラフトされたグラフト共重合体を前記ｉ）（メタ）アクリル系樹脂１００重量部当たりに前記グラフト共重合体５〜４５重量部含む樹脂組成物を準備するステップ、ｂ）前記樹脂組成物を利用してフィルムを形成するステップ、及びｃ）前記フィルムを１軸又は２軸延伸するステップを備え、前記ii）グラフト共重合体のコアに含まれる（メタ）アクリル系ゴムはガラス転移温度が０℃以下であることを特徴とする位相差フィルムの製造方法。
【請求項２０】
偏光子及び前記偏光子の少なくとも一面に備わった保護フィルムを含む偏光板として、前記保護フィルムのうち少なくとも一つが請求項１〜１６のうちのいずれか一項の光学フィルムであることを特徴とする偏光板。
【請求項２１】
請求項１〜１６のうちのいずれか一項の光学フィルムを含む電子装置。
【請求項２２】
請求項１８の位相差フィルムを含む電子装置。
【請求項２３】
請求項２０の偏光板を含む電子装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月2日(2011.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゴム強化スチレン系樹脂（Ｉ）１００重量部に対し、ガラス繊維（ＩＩ）６〜３０重量部および鱗片状ガラスフレーク（ＩＩＩ）３〜６０重量部を、重量比｛（ＩＩ）／（ＩＩＩ）｝が２〜０．５となるよう添加してなる組成物であって、該組成物中のガラス繊維（ＩＩ）の数平均長さが２５０μｍ以上である自動車内装部品用熱可塑性樹脂組成物。
【請求項２】
前記ゴム強化スチレン系樹脂（Ｉ）が、グラフト（共）重合体（Ａ）とビニル系（共）重合体（Ｂ）からなる請求項１に記載の自動車内装部品用熱可塑性樹脂組成物。
【請求項３】
前記組成物中のガラス繊維（ＩＩ）の数平均長さが４００〜１０００μｍである請求項１または２に記載の自動車内装部品用熱可塑性樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の自動車内装部品用熱可塑性樹脂組成物からなる成形品。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月10日(2011.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ
【化１】
2009084284.tif 000001
のカルバペネムまたはその医薬に許容可能な塩もしくは水和物を安定化する方法であって、溶液中で前記化合物を十分な量の二酸化炭素源と接触させて式ＩＩ
【化２】
2009084284.tif 000002
の化合物またはその医薬に許容可能な塩もしくは水和物を生成させることを含む方法。
【請求項２】
二酸化炭素源を二酸化炭素、炭酸ナトリウム及び重炭酸ナトリウムから選択することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
二酸化炭素源を炭酸ナトリウム及び重炭酸ナトリウムから選択することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
溶液のｐＨが６．２〜８．５であることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
接触工程から得られる溶液を凍結乾燥し、式ＩＩの化合物、または１もしくはそれ以上のその医薬に許容可能な塩、またはそれらの両者を含む凍結乾燥混合物を提供することを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
二酸化炭素源を二酸化炭素、炭酸ナトリウム及び重炭酸ナトリウムから選択することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
二酸化炭素源を炭酸ナトリウム及び重炭酸ナトリウムから選択することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
溶液のｐＨが６．２〜８．５であることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
式Ｉ
【化３】
2009084284.tif 000003
のカルバペネムまたはその医薬に許容可能な塩もしくは水和物を安定化する方法であって、溶液中で前記化合物を十分な量の二酸化炭素源と接触させて、前記式Ｉのカルバペネム又はその医薬に許容可能な塩若しくは水和物を少なくとも含有する溶液を生成させることを含む方法。
【請求項１０】
二酸化炭素源を二酸化炭素、炭酸ナトリウム及び重炭酸ナトリウムから選択することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
二酸化炭素源を炭酸ナトリウム及び重炭酸ナトリウムから選択することを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
溶液のｐＨが６．２〜８．５であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
溶液の状態にされるべき組成物において式Ｉ
【化４】
2009084284.tif 000004
のカルバペネムまたはその医薬に許容可能な塩もしくは水和物を安定化する方法であって、
溶液中で前記式Ｉのカルバペネムを十分な量の二酸化炭素源と接触させて、前記式Ｉのカルバペネムを少なくとも含有する溶液を生成させること、
前記接触工程で得られた溶液を凍結乾燥して、凍結乾燥混合物を生成させること、及び
前記凍結乾燥混合物を含む医薬組成物を調製すること
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月12日(2011.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ４−［（２，２−ジフルオロ−４Ｈ−ベンゾ［１，４］オキサジン−３−オン）−６−イル］−５−フルオロ−Ｎ２−［３−（メチルアミノカルボニルメチレンオキシ）フェニル］−２，４−ピリミジンジアミンのキシナホ酸塩。
【請求項２】
−７６．５４ｐｐｍにおける共鳴に割り当てられるトリフルオロ酢酸（Ｈ２Ｏ中５０容積％）の外部試料を基準としたフッ素固体ＮＭＲにより特徴付ける場合に、約−６９．２、−７２．４および−１６４．０ｐｐｍにおけるシフトを有する、請求項１に記載のキシナホ酸塩。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のキシナホ酸塩および薬学的に許容できる賦形剤を含む医薬組成物。
【請求項４】
哺乳動物においてＳｙｋ阻害薬が適応とされる疾患を治療する方法であって、それを必要としている哺乳動物に、治療有効量の請求項１または請求項２に記載のキシナホ酸塩を投与することを含む方法。
【請求項５】
医薬品として使用するための請求項１または請求項２に記載のキシナホ酸塩。
【請求項６】
Ｓｙｋ阻害薬が適応とされる疾患の治療において使用するための請求項１または請求項２に記載のキシナホ酸塩。
【請求項７】
Ｓｙｋキナーゼ阻害薬が適応とされる疾患を治療するための医薬品を製造するための請求項１または請求項２に記載のキシナホ酸塩の使用。
【請求項８】
Ｓｙｋ阻害薬が適応とされる疾患が喘息である、請求項４に記載の方法、請求項６に記載のキシナホ酸塩または請求項７に記載の使用。
【請求項９】
請求項１または請求項２に記載のキシナホ酸塩と第二の薬理活性物質の組合せ。
【請求項１０】
請求項１に記載のキシナホ酸塩の製法であって、Ｎ４−［（２，２−ジフルオロ−４Ｈ−ベンゾ［１，４］オキサジン−３−オン）−６−イル］−５−フルオロ−Ｎ２−［３−（メチルアミノカルボニルメチレンオキシ）フェニル］−２，４−ピリミジンジアミンおよび１〜１．１モル当量の１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸を最小量の適当な有機溶媒に溶解し、溶液から塩が沈殿するまで、場合により撹拌しながらゆっくりと溶液を冷却することを含む製法。
【請求項１１】
溶媒が、アセトン、アセトニトリルまたはメチルエチルケトン（ＭＥＫ）であり、各々が、少量の水を含有していてもよい請求項１０に記載の製法。
【請求項１２】
溶媒が、約５容積％の水を含有するメチルエチルケトンである請求項１１に記載の製法。
【請求項１３】
乾燥粉末インヘイラーにおいて使用するために製剤化された請求項１に記載の化合物。
【請求項１４】
乾燥粉末インヘイラーと、該乾燥粉末インヘイラーから乾燥粉末の形態で投与するために製剤化されたＮ４−［（２，２−ジフルオロ−４Ｈ−ベンゾ［１，４］オキサジン−３−オン）−６−イル］−５−フルオロ−Ｎ２−［３−（メチルアミノカルボニルメチレンオキシ）フェニル］−２，４−ピリミジンジアミンのキシナホ酸塩とを含む、製品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
キシナホ酸塩は、Ｎ４−［（２，２−ジフルオロ−４Ｈ−ベンゾ［１，４］オキサジン−３−オン）−６−イル］−５−フルオロ−Ｎ２−［３−（メチルアミノカルボニルメチレンオキシ）フェニル］−２，４−ピリミジンジアミンおよび１〜１．１モル当量の１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸を最小量の適当な有機溶媒に溶解し、溶液から塩が沈殿するまで、場合により撹拌しながら溶液をゆっくりと冷却することにより調製することができる。適当な溶媒は、アセトン、アセトニトリルおよびメチルエチルケトン（ＭＥＫ）であり、各々は、少量の水（例えば、１０％未満）を含有していてもよい。メチルエチルケトンは、特に適しており、５容積％の水と一緒に使用されることが好ましい。反応物は、通常、室温を超えるが溶媒の沸点未満の温度において溶媒に溶解される。
[請求項1001]
Ｎ4−［（2，2−ジフルオロ−4Ｈ−ベンゾ［1，4］オキサジン−3−オン）−6−イル］−5−フルオロ−Ｎ2−［3−（メチルアミノカルボニルメチレンオキシ）フェニル］−2，4−ピリミジンジアミンのキシナホ酸塩。
[請求項1002]
−76．54ｐｐｍにおける共鳴に割り当てられるトリフルオロ酢酸（Ｈ2Ｏ中50容積％）の外部試料を基準としたフッ素固体ＮＭＲにより特徴付ける場合に、約−69．2、−72．4および−164．0ｐｐｍにおけるシフトを有する、請求項1001に記載のキシナホ酸塩。
[請求項1003]
請求項1001または請求項1002に記載のキシナホ酸塩および薬学的に許容できる賦形剤を含む医薬組成物。
[請求項1004]
哺乳動物においてＳｙｋ阻害薬が適応とされる疾患を治療する方法であって、それを必要としている哺乳動物に、治療有効量の請求項1001または請求項1002に記載のキシナホ酸塩を投与することを含む方法。
[請求項1005]
医薬品として使用するための請求項1001または請求項1002に記載のキシナホ酸塩。
[請求項1006]
Ｓｙｋ阻害薬が適応とされる疾患の治療において使用するための請求項1001または請求項1002に記載のキシナホ酸塩。
[請求項1007]
Ｓｙｋキナーゼ阻害薬が適応とされる疾患を治療するための医薬品を製造するための請求項1001または請求項1002に記載のキシナホ酸塩の使用。
[請求項1008]
Ｓｙｋ阻害薬が適応とされる疾患が喘息である、請求項1004に記載の方法、請求項1006に記載のキシナホ酸塩または請求項1007に記載の使用。
[請求項1009]
請求項1001または請求項1002に記載のキシナホ酸塩と第二の薬理活性物質の組合せ。
[請求項1010]
請求項1001に記載のキシナホ酸塩の製法であって、Ｎ4−［（2，2−ジフルオロ−4Ｈ−ベンゾ［1，4］オキサジン−3−オン）−6−イル］−5−フルオロ−Ｎ2−［3−（メチルアミノカルボニルメチレンオキシ）フェニル］−2，4−ピリミジンジアミンおよび1〜1．1モル当量の1−ヒドロキシ−2−ナフトエ酸を最小量の適当な有機溶媒に溶解し、溶液から塩が沈殿するまで、場合により撹拌しながらゆっくりと溶液を冷却することを含む製法。
[請求項1011]
溶媒が、アセトン、アセトニトリルまたはメチルエチルケトン（ＭＥＫ）であり、各々が、少量の水を含有していてもよい請求項1010に記載の製法。
[請求項1012]
溶媒が、約5容積％の水を含有するメチルエチルケトンである請求項1011に記載の製法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月19日(2010.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
高屈折率の誘電材料の薄い層と低屈折率の誘電材料の薄い層が交互になった積重体により形成された反射防止コーティング（６）を少なくとも一方の面に有するガラス基材（１）であって、当該積重体を形成する誘電材料の薄い層のおのおのが単一の金属種を含み、当該基材（１）は強化、曲げ加工又は徐冷のような熱処理を受けるものであり、当該熱処理による当該コーティング（６）の光学的性質が変化するのを防止するため、当該反射防止コーティング（６）の一部分を形成していて且つアルカリの拡散に対する遮蔽層として働く少なくとも一つの層がナトリウムイオンのようなアルカリイオンと接触して劣化しやすい積重体の一つ又は複数の層（４）と当該基材（１）との間に存在していて、当該低屈折率の誘電材料層（３、５）の屈折率は１．３５〜１．７０であり、当該高屈折率の誘電材料層（２、４）の屈折率は少なくとも１．８０であることを特徴とするガラス基材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記低屈折率の誘電材料層（３、５）の屈折率が１．３８〜１．６５であり、前記高屈折率の誘電材料層（２、４）の屈折率が１．８０〜２．６０、好ましくは２．１０〜２．３５であることを特徴とする、請求項１記載のガラス基材。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月16日(2010.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
Ｒ２Ｔ１４Ｂにおいては、ｃ面の法線であるｃ軸が磁化容易軸である。本発明による急冷合金は、ｃ面が存在する、両主面及び一方主面から他方主面までの領域にある両主面に平行な面に対して垂直な方向にｃ軸が配向している。なお、本発明においては、両主面及び一方主面から他方主面までの領域にある両主面に平行な面を代表する形で「両主面に対して垂直な方向にｃ軸が配向している」と表記する。また、後述の如く、本発明の急冷合金を単ロール法にて製造する場合は、両主面のうち、一方主面が冷却面、他方主面が放冷面となるため、この場合、冷却面を代表とする形で「冷却面に対して垂直な方向にｃ軸が配向している」と表記する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
一方、ロール周速度が１ｍ／ｓと遅く、合金厚みが厚い比較例の試料番号１では、放冷面における強度比Ｉ（４１０）／Ｉ（００６）が０．２を超えており、その合金を用いた焼結磁石は、上記の冷却面、放冷面ともに０．２以下を満足する合金から製造した本発明による焼結磁石に比べ、残留磁束密度Ｂｒ、保磁力ＨｃＪともに劣っている。また、ロール周速度が１０ｍ／ｓと速く、合金厚みが薄い比較例の試料番号４では、冷却面における強度比Ｉ（４１０）／Ｉ（００６）が０．２を超えており、その合金を用いた焼結磁石は、上記の冷却面、放冷面ともに０．２以下を満足する合金から製造した本発明の焼結磁石に比べ、残留磁束密度Ｂｒが著しく低下している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
【図１】本発明による急冷合金の冷却面のＸ線回折測定結果を示す図である。
【図２】本発明による急冷合金の放冷面のＸ線回折測定結果を示す図である。
【図３】比較例による急冷合金の冷却面のＸ線回折測定結果を示す図である。
【図４】比較例による急冷合金の放冷面のＸ線回折測定結果を示す図である。
【図５】本発明による急冷合金の冷却面の組織写真を示す図である。
【図６】本発明による急冷合金の放冷面の組織写真を示す図である。
【図７】比較例による急冷合金の冷却面の組織写真を示す図である。
【図８】比較例による急冷合金の放冷面の組織写真を示す図である。
【図９】本発明による急冷合金の断面の組織写真を示す図である。
【図１０】比較例による急冷合金の断面の組織写真を示す図である。
【図１１】本発明による急冷合金の研削量とＸ線回折強度比との関係を示す図である。
【図１２】比較例による急冷合金の研削量とＸ線回折強度比との関係を示す図である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月31日(2011.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
層析出装置において、
‐チャンバ（１０）が設けられており、
該チャンバ（１０）が、被覆したい少なくとも１つの基板（１３）を受容するための基板キャリア（１２）を備え、該基板キャリア（１２）が、少なくとも１つの基板（１３）を下方から被覆するための切欠きを有しており、さらに
該チャンバ（１０）が、隔壁（２３）を備えるプロセスガス室（１１）を備え、前記隔壁（２３）が、プロセスガス室（１１）の第１のセグメント（２１）をプロセスガス室（１１）の第２のセグメント（２２）から仕切っており、かつ
‐前記少なくとも１つの基板（１３）を前記隔壁（２３）に対して相対的に運動させる装置（４４）が設けられている
ことを特徴とする、層析出装置。
【請求項２】
前記チャンバ（１０）が、
‐第１のセグメント（２１）内への第１のガス供給部（２５）と、
‐第２のセグメント（２２）内への第２のガス供給部（２６）と、
を有する、請求項１記載の層析出装置。
【請求項３】
前記プロセスガス室（１１）が、少なくとも１つの別のセグメント（３２，３３，３６，３７）と、少なくとも１つの別の隔壁（３０，３１，３８，３９）とを有しており、かつ前記チャンバ（１０）が、前記少なくとも１つの別のセグメント（３２，３３，３６，３７）内への少なくとも１つの別のガス供給部（３４，３５，４０，４１）を有する、請求項２記載の層析出装置。
【請求項４】
当該層析出装置が、エピタキシー層析出装置として形成されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の層析出装置。
【請求項５】
前記基板キャリア（１２）が、円形のテーブルとして形成されている、請求項１から４までのいずれか１項記載の層析出装置。
【請求項６】
前記基板キャリア（１２）が、プロセスガス室（１１）に対して、前記円形のテーブルの回転対称軸である軸（４５）を中心に回転可能に配置されている、請求項５記載の層析出装置。
【請求項７】
前記少なくとも１つの基板を前記隔壁に対して相対的に運動させる装置（４４）が、モータ（４６）を備え、基板（１３）が、第１の運転状態で第１のセグメント（２１）内に配置され、第２の運転状態で第２のセグメント（２２）内に配置されているようになっている、請求項１から６までのいずれか１項記載の層析出装置。
【請求項８】
前記少なくとも１つの隔壁（２３）が、前記基板キャリア（１２）に対して間隔Ｄ１を有する、請求項１から７までのいずれか１項記載の層析出装置。
【請求項９】
前記間隔Ｄ１が、５ｍｍより小さい値を有する、請求項８記載の層析出装置。
【請求項１０】
前記ガス供給部（２５，２６，３４，３５，４０，４１）の少なくとも１つが、相応のセグメント（２１，２２，３２，３３，３６，３７）内にプロセスガス（Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５，Ｇ６）を分配するための複数の出口（６２）を備えるガス分配装置（６０）を有する、請求項１から９までのいずれか１項記載の層析出装置。
【請求項１１】
プロセスガス（Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５，Ｇ６）を分解するための前分解段が設けられている、請求項１から１０までのいずれか１項記載の層析出装置。
【請求項１２】
前記前分解段が熱分解装置（７０）として形成されている、請求項１１記載の層析出装置。
【請求項１３】
前記前分解段が、プラズマを発生させる装置（８０）として形成されている、請求項１１または１２記載の層析出装置。
【請求項１４】
前記チャンバ（１０）が、前記基板キャリア（１２）に対して前記基板（１３）を回転させる回転装置（９０）を有する、請求項１から１３までのいずれか１項記載の層析出装置。
【請求項１５】
前記プロセスガス室（１１）が前記基板キャリア（１２）の下に配置されている、請求項１から１４までのいずれか１項記載の層析出装置。
【請求項１６】
層析出装置を運転する方法において、
‐被覆したい少なくとも１つの基板（１３）を、被覆したい方の面を下向きに、基板キャリア（１２）上に配置し、該基板キャリア（１２）が、少なくとも１つの基板（１３）を下方から被覆するための切欠きを有しており、
‐第１のプロセス条件をプロセスガス室（１１）の第１のセグメント（２１）内に調整し、第２のプロセス条件をプロセスガス室（１１）の、隔壁（２３）により前記第１のセグメント（２１）から仕切られた第２のセグメント（２２）内に調整し、
‐前記少なくとも１つの基板（１３）を隔壁（２３）に対して相対的に動かす
ことを特徴とする、層析出装置を運転する方法。
【請求項１７】
前記第１のプロセス条件の調整が、前記第１のセグメント（２１）内への第１のプロセスガス（Ｇ１）の供給を含み、前記第２のプロセス条件の調整が、前記第２のセグメント（２２）内への第２のプロセスガス（Ｇ２）の供給を含む、請求項１６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月6日(2011.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明においては、スラックスにプリーツ加工処理を行う前に、裁断した前身頃にのみ予めプリーツ加工処理を行い、加工していない後身頃と縫い合わせてスラックスを縫製する。スラックスの後身頃はほとんどの場合、スラックスの尻部が身体の曲線にあわせやすくするため、アイロンやプレスでくせとりという処理を行い、曲面を作る。こうして得られた後身頃は平面ではないため、前身頃と同じように後中心線で二つに折り、予めプリーツ加工をしようとすると、シワが入って出来ない。また、前後身頃両方に予めプリーツ加工処理をしてしまうと、最終製品のプリーツ加工をするときに、前中心線、脇線、内股線、後中心線全てをぴったり合わせる必要がある。この夫夫の線が少しでもずれるとプリーツが二重になったり、ずれたりするため、美観に劣るものとなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明のスラックスにおいては、前身頃を図６のように広げて判定し、プリーツ性が３級以上あると、プリーツ山が高くプリーツ保持性があると認められる等級であるが、それ以下であると、プリーツ山が低く明確にプリーツ保持性があるとは認められない。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月11日(2011.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所望のパターンのイメージを、液体を通してイメージフィールドに投影する投影システムと、
基板を保持し、該基板上のターゲット部分を前記イメージフィールド内に配置する基板テーブルと、
前記投影システムと前記基板の間との空間を取り囲み、前記液体を前記空間に少なくとも部分的に閉じ込めるバリア部材と、を備え、
前記バリア部材は、
前記バリア部材と前記基板の間にギャップを画定するように前記基板と対向するとともにバリア部材内に開口を形成している第１の表面と、
前記バリア部材の頂部表面に配置され、前記空間からあふれる又は飛び散る可能性のある前記液体を抽出するドレンと、
前記開口の一部を覆いかつ前記第１の表面から前記イメージフィールドの中心に向かって延出するプレートと、を備えたリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記バリア部材は、前記プレートの上方の前記空間への出口を有するチャンバを有し、該出口を介して前記液体が前記プレートの上方の空間に供給される請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記チャンバは、前記第１の表面の開口に連通しており、該開口を介して前記液体が前記ギャップに供給される請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記バリア部材は、前記プレートの上方の前記空間への第２の出口を有する導管を備え、該第２の出口からの加圧された液体が、前記イメージフィールドの中心に向かう噴流を形成する請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記バリア部材は、前記開口よりも半径方向外側に配置されかつ前記ギャップに向かって下側が開口している第２のチャンバをさらに備え、該第２のチャンバを通して前記空間から液体が抽出される、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記第２のチャンバの下側は、前記第２のチャンバを通る流れが実質的に液体のみになるように、微小ふるいによって閉じられている請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記ドレンは、該ドレンを通る流れが実質的に液体のみになるように、微小ふるいによって閉じられている請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記プレートは、前記第１の表面と同一平面である請求項１乃至７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記第１の表面が平らでない請求項１乃至８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記バリア部材は、前記ギャップに向かう開口を有する第３のチャンバを備え、該第３のチャンバの開口からの加圧された液体が、前記イメージフィールドの中心に向かう噴流を形成する請求項１乃至９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
投影システムからの所望のパターンのイメージを、液体を通してイメージフィールドに投影するステップ、
基板上のターゲット部分を前記イメージフィールド内に配置可能にするように、テーブル上に基板を保持するステップ、
前記投影システムと前記基板の間との間に形成される空間に、該空間を取り囲むバリア部材によって前記液体を少なくとも部分的に閉じ込めるステップと、を含み、
前記バリア部材は、
前記バリア部材と前記基板の間にギャップを画定するように前記基板と対向するとともにバリア部材内に開口を形成している第１の表面と、
前記バリア部材の頂部表面に配置され、前記空間からあふれる又は飛び散る可能性のある前記液体を抽出するドレンと、
前記開口の一部を覆いかつ前記第１の表面から前記イメージフィールドの中心に向かって延出するプレートと、を備える、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月6日(2011.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面に形成された複数のアクティブエリアと、
隣接する前記アクティブエリア間に設けられた素子分離部と、
前記複数のアクティブエリア上に設けられたトンネル絶縁膜と、
前記トンネル絶縁膜を介して各前記アクティブエリアと対向する下部ゲート部分、および、前記アクティブエリアの延伸方向に対して垂直の断面において前記下部ゲート部分よりも幅が広く該下部ゲート部分上に設けられた上部ゲート部分をそれぞれ含む複数のフローティングゲートと、
前記複数のフローティングゲートの上面および側面に設けられた中間絶縁膜と、
前記中間絶縁膜を介して少なくとも前記複数のフローティングゲートの上面および側面に設けられたコントロールゲートとを備え、
前記コントロールゲートの下端は、前記上部ゲート部分と前記下部ゲート部分との境界よりも前記半導体基板に近いことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記コントロールゲートの下端は，前記トンネル絶縁膜と前記下部ゲート部分との界面より上方にあることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
隣接する前記フローティングゲート間において、前記コントロールゲートは前記素子分離部の内部へ突出していることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
隣接する前記フローティングゲート間において、前記素子分離部は上面に凹部を有し，前記凹部の表面に前記中間絶縁膜が設けられていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記アクティブエリアの延伸方向において前記フローティングゲートの一方の側面に隣接するビット線コンタクトと、
前記アクティブエリアの延伸方向において前記フローティングゲートの他方の側面に隣接するソース線コンタクトとをさらに備えていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月24日(2011.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信端末に送信する信号を生成する信号処理部と、前記信号処理部にて生成された信号を第１アンテナを介して送信する第１無線部とを備えた無線装置に用いられ、前記第１無線部と前記信号処理部との間の信号路中に挿入される信号変換器であって、
第２アンテナと、
前記第２アンテナを介して信号を送信する第２無線部と、
前記信号処理部にて生成された信号の入力を受け付ける入力部と、
前記入力部に入力された信号を周波数軸信号に変換する第１信号変換部と、
前記第１信号変換部にて変換して得られた周波数軸信号に重み付け演算を行って互いに異なる複数の周波数軸信号を生成する生成部と、
前記生成部にて生成された複数の周波数軸信号のそれぞれを時間軸信号に変換する第２信号変換部と、
前記第２信号変換部にて変換して得られた複数の時間軸信号のうち一部の時間軸信号を前記第１無線部に出力する出力部とを備え、
前記第２無線部は、複数の周波数軸信号のうち残りの時間軸信号を送信する
ことを特徴とする信号変換器。
【請求項２】
第１アンテナを介して信号を受信する第１無線部と、前記第１無線部にて受信した信号に対して所定の処理を実行する信号処理部とを備えた無線装置に用いられ、前記第１無線部と前記信号処理部との間の信号路中に挿入される信号変換器であって、
第２アンテナと、
前記第２アンテナを介して信号を受信する第２無線部と、
前記第１無線部にて受信された第１信号及び前記第２無線部にて受信された第２信号の入力を受け付ける入力部と、
前記入力部に入力された前記第１信号及び前記第２信号を周波数軸信号に変換する第１信号変換部と、
前記第１信号変換部にて変換して得られた複数の周波数軸信号を合成する信号合成部と、
前記信号合成部にて合成して得られた周波数軸信号を時間軸信号に変換する第２信号変換部と、
前記第２信号変換部にて変換して得られた時間軸信号を前記信号処理部に出力する出力部と、
を備えたことを特徴とする信号変換器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月26日(2011.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板の上方に形成された第２基板と、
前記第２基板に形成された複数の圧力室と、
前記第２基板に形成され、前記複数の圧力室へ供給されるインクを貯留するためのリザーバと、
前記複数の圧力室の上方に形成された振動板と、
前記振動板の上方であって、前記複数の圧力室の各々の上方に形成された圧電素子と、
前記圧電素子と電気的に接続された内部配線と、
前記内部配線に外部配線を電気的に接続するための配線接続領域と、
ノズル孔を有するノズルプレート部材と、
を含み、
前記複数の圧力室の各々は、前記第２基板の上面に平行な水平方向の一端において前記リザーバと連通し、前記水平方向の他端において前記ノズル孔と連通している、ユニットヘッドを複数含み、
複数含まれる前記ユニットヘッドは、前記水平方向に交差する上下方向に積層され、
前記複数含まれる前記ユニットヘッドの各々の前記配線接続領域は、前記上下方向から見て重なっていない、液体噴射ヘッド。
【請求項２】
請求項１において、
前記配線接続領域は、前記第１基板に設けられている、液体噴射ヘッド。
【請求項３】
請求項１において、
前記配線接続領域は、前記第２基板に設けられている、液体噴射ヘッド。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
さらに、前記圧電素子を制御する駆動ＩＣを有する、液体噴射ヘッド。
【請求項５】
請求項４において、
さらに、前記ユニットヘッドと接合されている第３基板を有し、
前記駆動ＩＣは、前記第３基板に形成される、液体噴射ヘッド。
【請求項６】
請求項５において、
前記第３基板は、各前記ユニットヘッドの前記配線接続領域に接合されている、液体噴射ヘッド。
【請求項７】
請求項４において、
前記駆動ＩＣは、前記第１基板または前記第２基板のいずれかに形成される、液体噴射ヘッド。
【請求項８】
請求項７において、
前記駆動ＩＣは、前記第１基板の上面側に形成される、液体噴射ヘッド。
【請求項９】
請求項７において、
前記駆動ＩＣは、前記第１基板の下面側に形成される、液体噴射ヘッド。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかにおいて、
各前記ノズルプレート部材は、積層された前記ユニットヘッドの間で連続し、一体のノズルプレートを構成している、液体噴射ヘッド。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の液体噴射ヘッドを複数有する、ライン型液体噴射ヘッド。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の液体噴射ヘッドを有する、プリンタ。
【請求項１３】
請求項１１に記載のライン型液体噴射ヘッドを有する、ライン型プリンタ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月8日(2011.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の吐出口列を略平行に配列した第１の記録チップと、
複数の吐出口列を略平行に配列した第２の記録チップと、
前記複数の記録チップを、前記吐出口列方向と略直行する方向に相対的に移動させることにより画像を形成させる記録ヘッドとを備え、
共通する画像を形成する第１の吐出口列、第２の吐出口列について、前記２つの吐出口列による画像形成に利用される２値の吐出データの排他関係を、前記２つの吐出口列の距離に応じて制御することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
画像データを各インク色へと色分解した後の多値データに対して前記２つの吐出口列へのデータ分配を行う分配手段と、
前記分配手段により分配された多値データを前記排他関係を制御しつつ２値の吐出データとする２値化手段とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
画像データを各インク色へと色分解した後の多値データを２値の吐出データとする２値化手段と、
前記２値化手段により２値化された２値の吐出データに対して前記排他関係を制御しつつ前記２つの吐出口列へのデータ分配を行う分配手段とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記記録ヘッドは、記録チップとそれにつなげる記録チップとを主走査方向にずらして配置するとともに、前記吐出口列方向において前記第１の吐出口列と前記第２の吐出後列が一部オーバーラップするように構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
複数の吐出口列を略平行に配列した第１の記録チップと、
複数の吐出口列を略平行に配列した第２の記録チップと、
前記複数の記録チップを、前記吐出口列方向と略直行する方向に相対的に移動させることにより画像を形成させる記録ヘッドとを備えた画像記録装置の制御方法であって、
共通する画像を形成する第１の吐出口列、第２の吐出口列について、前記２つの吐出口列による画像形成に利用される２値の吐出データの排他関係を、前記２つの吐出口列の距離に応じて制御することを特徴とする画像形成装置の制御方法。
【請求項６】
複数の吐出口列を略平行に配列した第１の記録チップと、
複数の吐出口列を略平行に配列した第２の記録チップと、
前記複数の記録チップを、前記吐出口列方向と略直行する方向に相対的に移動させることにより画像を形成させる記録ヘッドとを備えた画像記録装置を制御するためのプログラムであって、
共通する画像を形成する第１の吐出口列、第２の吐出口列について、前記２つの吐出口列による画像形成に利用される２値の吐出データの排他関係を、前記２つの吐出口列の距離に応じて制御する処理をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置、その制御方法及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、複数の吐出口列を略平行に配列した複数の記録チップを備えた画像形成装置、その制御方法及びプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の画像形成装置は、複数の吐出口列を略平行に配列した第１の記録チップと、複数の吐出口列を略平行に配列した第２の記録チップと、前記複数の記録チップを、前記吐出口列方向と略直行する方向に相対的に移動させることにより画像を形成させる記録ヘッドとを備え、共通する画像を形成する第１の吐出口列、第２の吐出口列について、前記２つの吐出口列による画像形成に利用される２値の吐出データの排他関係を、前記２つの吐出口列の距離に応じて制御することを特徴とする。
本発明の画像形成装置の制御方法は、複数の吐出口列を略平行に配列した第１の記録チップと、複数の吐出口列を略平行に配列した第２の記録チップと、前記複数の記録チップを、前記吐出口列方向と略直行する方向に相対的に移動させることにより画像を形成させる記録ヘッドとを備えた画像記録装置の制御方法であって、共通する画像を形成する第１の吐出口列、第２の吐出口列について、前記２つの吐出口列による画像形成に利用される２値の吐出データの排他関係を、前記２つの吐出口列の距離に応じて制御することを特徴とする。
本発明のプログラムは、複数の吐出口列を略平行に配列した第１の記録チップと、複数の吐出口列を略平行に配列した第２の記録チップと、前記複数の記録チップを、前記吐出口列方向と略直行する方向に相対的に移動させることにより画像を形成させる記録ヘッドとを備えた画像記録装置を制御するためのプログラムであって、共通する画像を形成する第１の吐出口列、第２の吐出口列について、前記２つの吐出口列による画像形成に利用される２値の吐出データの排他関係を、前記２つの吐出口列の距離に応じて制御する処理をコンピュータに実行させる。