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【手続補正書】
【提出日】平成23年4月21日(2011.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケイ素原子およびアルミニウム原子を含有する少なくとも１種の改変ＥＵ−１ゼオライトと、少なくとも１種のマトリクスと、元素周期律表の第VIII族からの少なくとも１種の金属とを含む触媒であって、
前記改変ＥＵ−１ゼオライト中に存在する六配位アルミニウム原子の数は、前記改変ＥＵ−１ゼオライト中に存在するアルミニウム原子の総数の２０重量％超を示すことを特徴とする触媒。
【請求項２】
前記改変ＥＵ−１ゼオライトは、前記改変ＥＵ−１ゼオライト中に存在するアルミニウム原子の総数の２２重量％超を示す多数の六配位アルミニウム原子を有する、請求項１に記載の触媒。
【請求項３】
前記改変ＥＵ−１ゼオライトは、前記改変ＥＵ−１ゼオライト中に存在するアルミニウム原子の総数の２５重量％超を示す多数の六配位アルミニウム原子を有する、請求項１に記載の触媒。
【請求項４】
前記改変ＥＵ−１ゼオライトは、前記改変ＥＵ−１ゼオライト中に存在するアルミニウム原子の総数の３０重量％超を示す多数の六配位アルミニウム原子を有する、請求項１に記載の触媒。
【請求項５】
前記改変ＥＵ−１ゼオライトの全体Ｓｉ／Ａｌ原子比は、１０〜３５である、請求項１〜４のいずれか１つに記載の触媒。
【請求項６】
前記第VIII族金属は、白金である、請求項１〜５のいずれか１つに記載の触媒。
【請求項７】
第IIIA、IVAおよびVIIB族からの金属によって形成される群から選択される少なくとも１種のさらなる金属を含む、請求項１〜６のいずれか１つに記載の触媒。
【請求項８】
硫黄を含む、請求項１〜７のいずれか１つに記載の触媒。
【請求項９】
前記マトリクスは、アルミナである、請求項１〜８のいずれか１つに記載の触媒。
【請求項１０】
押出物の形態である、請求項１〜９のいずれか１つに記載の触媒。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１つに記載の触媒を調製する方法であって、
ａ１）全体Ｓｉ／Ａｌ原子比が５〜１００である、少なくとも１種のＥＵ−１ゼオライトを合成する工程と、
ｂ１）前記工程ａ１）からのゼオライトを水蒸気の存在下に熱処理して、改変ＥＵ−１ゼオライトを得る工程と、
ｃ１）マトリクスを用いて前記改変ＥＵ−１ゼオライトを成形して、改変ゼオライト担体を形成する工程と、
ｄ１）元素周期律表の第VIII族からの少なくとも１種の金属を担持させる工程とを少なくとも包含し、前記工程ｃ１）およびｄ１）を行う順番は、前記工程ｂ１）の次であれば特定されない、方法。
【請求項１２】
水蒸気の存在下での前記熱処理は、２００〜４７０℃の温度で、０．５〜２４時間の期間にわたって行われ、水蒸気の容積百分率は、５〜１００％である、請求項１１に記載の調製方法。
【請求項１３】
前記工程ｃ１）は、前記工程ｄ１）に先行する、請求項１１または１２に記載の調製方法。
【請求項１４】
請求項１〜１０のいずれか１つに記載の触媒を調製する方法であって、
ａ２）全体Ｓｉ／Ａｌ原子比が５〜１００である少なくとも１種のＥＵ−１ゼオライトを合成する工程と、
ｂ２）マトリクスを用いて前記工程ａ２）からのＥＵ−１ゼオライトを成形して、ゼオライト担体を形成する工程と、
ｃ２）工程ｂ２）において成形されたゼオライト担体を水蒸気の存在下に熱処理する工程と、
ｄ２）元素周期律表の第VIII族からの少なくとも１種の金属を工程ｃ２）からの改変ゼオライト担体上に担持させる工程と
を少なくとも包含する方法。
【請求項１５】
請求項１〜１０のいずれか１つに記載の触媒を調製する方法であって、
ａ３）全体Ｓｉ／Ａｌ原子比が５〜１００である少なくとも１種のＥＵ−１ゼオライトを合成する工程と、
ｂ３）マトリクスを用いて前記工程ａ３）からのＥＵ−１ゼオライトを成形して、ゼオライト担体を形成する工程と、
ｃ３）元素周期律表の第VIII族からの少なくとも１種の金属を前記工程ｂ３）からのゼオライト担体上に担持させる工程と、
ｄ３）前記工程ｃ３）からの少なくとも前記第VIII族金属を含浸させられたゼオライト担体を水蒸気の存在下に熱処理する工程と
を少なくとも包含する方法。
【請求項１６】
１分子当たり８個の炭素原子を含む少なくとも１種の芳香族化合物を含有する留分を異性化する方法であって、前記芳香族留分を、触媒反応器内に存在する請求項１〜１０のいずれか１つに記載の改変ゼオライトを含む少なくとも１種の触媒または請求項１１〜１５のいずれか１つにより調製された触媒と接触させる工程を包含する方法。
【請求項１７】
温度：３００〜５００℃；水素分圧：０．３〜１．５ＭＰａ、全圧：０．４５〜１．９ＭＰａおよび毎時の触媒の重量（ｋｇ）当たりの導入される供給材料の重量（ｋｇ）で表される空間速度：０．２５〜３０ｈ−１の操作条件下に行われる、請求項１６に記載の異性化方法。
【請求項１８】
前記触媒中に存在するＥＵ−１ゼオライトは、水蒸気の存在下での熱処理によって改変され、該処理は、現場でおよび前記触媒を前記芳香族留分と接触させる前に行われる、請求項１６または１７に記載の異性化方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明は、上記の触媒を調製する方法であって、
ａ１）全体Ｓｉ／Ａｌ原子比が５〜１００である、少なくとも１種のＥＵ−１ゼオライトを合成する工程と、
ｂ１）前記工程ａ１）からのゼオライトを水蒸気の存在下に熱処理して、改変ＥＵ−１ゼオライトを得る工程と、
ｃ１）マトリクスを用いて前記改変ＥＵ−１ゼオライトを成形して、改変ゼオライト担体を形成する工程と、
ｄ１）元素周期律表の第VIII族からの少なくとも１種の金属を担持させる工程とを少なくとも包含し、前記工程ｃ１）およびｄ１）を行う順番は、前記工程ｂ１）の次であれば特定されないものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
本発明はまた、１分子当たり８個の炭素原子を含む少なくとも１種の芳香族化合物を含有する留分を異性化する方法であって、前記芳香族留分を、本発明による少なくとも前記触媒と触媒反応器において接触させる工程を包含する方法に関連する。特に、１分子当たり８個の炭素原子を含む少なくとも１種の芳香族化合物を含有する前記芳香族留分は、キシレン類の混合物のみ、または、エチルベンゼンのみ、またはキシレン類とエチルベンゼンの混合物のいずれかを含む。本発明の前記異性化方法は、一般的には、以下の操作条件下に行われる：
・温度：３００〜５００℃、好ましくは３２０〜４５０℃、より好ましくは３４０〜４３０℃；
・水素分圧：０．３〜１．５ＭＰａ、好ましくは０．４〜１．２ＭＰａ、より好ましくは０．７〜１．２ＭＰａ；
・全圧：０．４５〜１．９ＭＰａ、好ましくは０．６〜１．５ＭＰａ；および
・毎時の触媒の重量（ｋｇ）当たり導入される供給材料の重量（ｋｇ）で表される空間速度：０．２５〜３０ｈ−１、好ましくは１〜１０ｈ−１、より好ましくは２〜６ｈ−１。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月6日(2011.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ポリオレフィンワックスを調製するためのメタロセン触媒は、式 M1Lxのキラルまたはアキラル遷移金属化合物であるのが好ましい。遷移金属化合物 M1Lxは、少なくとも１個の中心金属原子M1を含み、それに少なくとも１つのπ―リガンド，例えばシクロペンタジエニルリガンド，が結合される。加えて，ハロゲン，アルキル，アルコキシまたはアリール基のような置換基が中心金属原子 M1に結合されることができる。M1 は、元素周期表の主族III，IV，V または VI の元素，例えば、Ti，Zr またはHfであるのが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明の目的から、シクロペンタジエニルリガンドは、非置換のシクロペンタジエニルラジカルおよび置換されたシクロペンタジエニルラジカル、例えば、メチルシクロペンタジエニル，インデニル，2-メチルインデニル，2-メチル-4-フェニルインデニル，テトラヒドロインデニルまたはオクタヒドロフルオレニルラジカルである。π―リガンドは、橋かけするかまたは非橋かけにすることができ，環系を経ることを含む，単一のおよび複数の橋が可能である。メタロセンなる用語は、また、多核メタロセンとして知られている1つより多くのメタロセン断片(fragment)を有する化合物も包含する。これらは、任意の置換パターンおよび橋かけ変種を有することができる。そのような多核メタロセンの個々のメタロセン断片は、同一にするかまたは互いに異なるかのいずれかにすることができる。そのような多核メタロセンの例は、例えば，EP-A-0 632 063に記載されている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月7日(2011.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機圧電材料を溶解した溶液を延伸することにより有機圧電膜を製造する有機圧電膜の製造方法において、保留粒子径が１０ミクロン以下の濾過材を用いて、有機圧電材料を溶解した溶液の未溶解物を濾過した後、この濾液を延伸することを特徴とする有機圧電膜の製造方法。
【請求項２】
濾水時間が２０秒以上の濾過材を用いることを特徴とする請求項１に記載の有機圧電膜の製造方法。
【請求項３】
厚さが０．８ｍｍ以上の濾過材を用いることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機圧電膜の製造方法。
【請求項４】
前記有機圧電材料を溶解した溶液の溶剤は、良溶媒と貧溶媒の混合比率が、良溶媒が９９．９質量％以下８０質量％以上であり、貧溶媒が０．１質量％以上２０質量％以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機圧電膜の製造方法。
【請求項５】
前記有機圧電材料が、ウレア構造を有する高分子材料、もしくはウレア構造を有する高分子材料を含有する複合材料であることを特徴とする請求項１に記載の有機圧電膜の製造方法。
【請求項６】
前記有機圧電材料が、ポリフッ化ビニリデンを主成分とする高分子材料、もしくはポリフッ化ビニリデンを主成分とする高分子材料を含有する複合材料であることを特徴とする請求項１に記載の有機圧電膜の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法によって製造されたことを特徴とする有機圧電膜。
【請求項８】
請求項７に記載の有機圧電膜を用いたことを特徴とする超音波振動子。
【請求項９】
超音波送信用振動子と超音波受信用振動子を具備する超音波探触子であって、請求項８に記載の超音波振動子を超音波受信用振動子として用いたことを特徴とする超音波探触子。
【請求項１０】
電気信号を発生する手段と、前記電気信号を受けて超音波を被検体に向けて送信し、前記被検体から受けた反射波に応じた受信信号を生成する複数の振動子が配置された超音波探触子と、前記超音波探触子が生成した前記受信信号に応じて、前記被検体の画像を生成する画像処理手段とを有する超音波医用画像診断装置において、前記超音波探触子として、請求項９に記載の超音波探触子を用いたことを特徴とする超音波医用画像診断装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に係る上記課題は以下の手段により達成される。
１．有機圧電材料を溶解した溶液を延伸することにより有機圧電膜を製造する有機圧電膜の製造方法において、保留粒子径が１０ミクロン以下の濾過材を用いて、有機圧電材料を溶解した溶液の未溶解物を濾過した後、この濾液を延伸することを特徴とする有機圧電膜の製造方法。
２．濾水時間が２０秒以上の濾過材を用いることを特徴とする前記１に記載の有機圧電膜の製造方法。
３．厚さが０．８ｍｍ以上の濾過材を用いることを特徴とする前記１又は２に記載の有機圧電膜の製造方法。
４．前記有機圧電材料を溶解した溶液の溶剤は、良溶媒と貧溶媒の混合比率が、良溶媒が９９．９質量％以下８０質量％以上であり、貧溶媒が０．１質量％以上２０質量％以下であることを特徴とする前記１〜３のいずれか一項に記載の有機圧電膜の製造方法。
５．前記有機圧電材料が、ウレア構造を有する高分子材料、もしくはウレア構造を有する高分子材料を含有する複合材料であることを特徴とする前記１に記載の有機圧電膜の製造方法。
６．前記有機圧電材料が、ポリフッ化ビニリデンを主成分とする高分子材料、もしくはポリフッ化ビニリデンを主成分とする高分子材料を含有する複合材料であることを特徴とする前記１に記載の有機圧電膜の製造方法。
７．前記１〜６のいずれか１項に記載の方法によって製造されたことを特徴とする有機圧電膜。
８．前記７に記載の有機圧電膜を用いたことを特徴とする超音波振動子。
９．超音波送信用振動子と超音波受信用振動子を具備する超音波探触子であって、前記８に記載の超音波振動子を超音波受信用振動子として用いたことを特徴とする超音波探触子。
１０．電気信号を発生する手段と、前記電気信号を受けて超音波を被検体に向けて送信し、前記被検体から受けた反射波に応じた受信信号を生成する複数の振動子が配置された超音波探触子と、前記超音波探触子が生成した前記受信信号に応じて、前記被検体の画像を生成する画像処理手段とを有する超音波医用画像診断装置において、前記超音波探触子として、前記９に記載の超音波探触子を用いたことを特徴とする超音波医用画像診断装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月9日(2011.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を撮影する撮影手段と、
前記画像に設けられた複数の評価枠のそれぞれにおける動きベクトルを求める動きベクトル評価手段と、
前記撮影手段で撮影された画像を格納する格納手段と、
前記格納手段に格納された前記画像から被写体を示す特徴部分を検出することで、前記画像における被写体が位置する部分領域を検出する特徴検出手段と、
前記動きベクトル評価手段にて求められた前記動きベクトルと、前記特徴検出手段にて検出された前記部分領域を用いて、前記特徴検出手段にて前記部分領域が検出されたフレームの画像とは異なるフレームの画像における前記部分領域を割り出す制御手段とを有し、
前記動きベクトル評価手段は、第２フレームの画像の複数の評価枠のそれぞれにおいて求めた動きベクトルを用いて、前記第２フレームの画像の１フレーム前の第１フレームの画像における前記複数の評価枠内の画像の位置を求め、
前記制御手段は、前記第１フレームの画像における前記複数の評価枠内の画像のうち、前記第１フレームの画像から前記特徴検出手段にて検出された前記部分領域と重なる領域を求め、当該重なる領域に対応する前記第２フレームの画像における領域の重心を、前記第２フレームの画像における前記部分領域の中心とすることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記動きベクトル評価手段は、第３フレームの画像の複数の第２の評価枠のそれぞれにおいて求めた動きベクトルを用いて、前記第３フレームの画像の１フレーム前の前記第２フレームの画像における前記複数の第２の評価枠内の画像の位置を求め、
前記制御手段は、前記第２フレームの画像における前記複数の第２の評価枠内の画像のうち、前記第２フレームの画像から割り出した前記部分領域と重なる領域を求め、当該重なる領域に対応する前記第３フレームの画像における領域の重心を、前記第３フレームの画像における前記部分領域の中心とすることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御手段にて割り出された前記部分領域を示す枠を、前記部分領域を割り出したフレームの画像に描画する描画手段をさらに有することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記撮影手段で撮影された画像を複数の領域に分けて、それぞれの領域における露出の状態を評価する露出評価手段と、
前記露出評価手段で評価された露出の状態を記憶する記憶手段とをさらに有し、
前記制御手段は、割り出した前記部分領域の位置に対応する前記露出の状態を前記記憶手段から読み出して露出の制御を行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項５】
前記撮影手段で撮影された画像を複数の領域に分けて、それぞれの領域におけるフォーカスの状態を評価するフォーカス評価手段と、
前記フォーカス評価手段で評価されたフォーカスの状態を記憶する記憶手段とをさらに有し、
前記制御手段は、割り出した前記部分領域の位置に対応する前記フォーカスの状態を前記記憶手段から読み出してフォーカスの制御を行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ビデオカメラなどの撮像装置に関し、より具体的には、被写体を検出する撮像装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の目的は、検出された被写体の位置を適切な位置に補正することができる撮像装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために、請求項１記載の撮像装置は、画像を撮影する撮影手段と、前記画像に設けられた複数の評価枠のそれぞれにおける動きベクトルを求める動きベクトル評価手段と、前記撮影手段で撮影された画像を格納する格納手段と、前記格納手段に格納された前記画像から被写体を示す特徴部分を検出することで、前記画像における被写体が位置する部分領域を検出する特徴検出手段と、前記動きベクトル評価手段にて求められた前記動きベクトルと、前記特徴検出手段にて検出された前記部分領域を用いて、前記特徴検出手段にて前記部分領域が検出されたフレームの画像とは異なるフレームの画像における前記部分領域を割り出す制御手段とを有し、前記動きベクトル評価手段は、第２フレームの画像の複数の評価枠のそれぞれにおいて求めた動きベクトルを用いて、前記第２フレームの画像の１フレーム前の第１フレームの画像における前記複数の評価枠内の画像の位置を求め、前記制御手段は、前記第１フレームの画像における前記複数の評価枠内の画像のうち、前記第１フレームの画像から前記特徴検出手段にて検出された前記部分領域と重なる領域を求め、当該重なる領域に対応する前記第２フレームの画像における領域の重心を、前記第２フレームの画像における前記部分領域の中心とすることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、検出された被写体の位置を適切な位置に補正することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月1日(2011.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも外殻部が金属層で構成されるロール本体と、
前記ロール本体の外側に配置され、磁心と前記磁心を巻回するコイル線からなる高周波コイルを用いて前記ロール本体を誘導加熱する誘導加熱装置とを含み、
前記金属層は、磁束をつらぬく位置に配置されている誘導加熱ロールであって、
前記誘導加熱装置は、Ｅ型断面を有するフェライト鉄心からなる磁心と、前記磁心を巻回するコイル線とを含む高周波コイルと、前記高周波コイルの周囲に冷却風を流す冷却手段を含み、
前記ロール本体の内部には密閉された空間が形成され、前記密閉された空間内に熱媒体が封入されていることを特徴とする誘導加熱ロール。
【請求項２】
前記ロール本体は、前記外殻部を形成する外筒体と、前記外筒体内に同軸的に配置され、前記外筒体との間で前記密閉された空間を形成する内筒体とを備えたジャケット構造となっている請求項１に記載の誘導加熱ロール。
【請求項３】
前記ロール本体の一端には、前記内筒体の内部空間に連通する開口部が形成され、
前記ロール本体は、前記開口部から前記内筒体の内部に冷却流体を流す手段を含む請求項２に記載の誘導加熱ロール。
【請求項４】
前記ロール本体の長手方向に、長さの異なる複数の誘導加熱装置を組み合わせて配置した請求項１〜３のいずれか１項に記載の誘導加熱ロール。
【請求項５】
前記内筒体の外周面には、凹凸が形成されている請求項２に記載の誘導加熱ロール。
【請求項６】
前記凹凸の形状は、スパイラル状である請求項５に記載の誘導加熱ロール。
【請求項７】
前記スパイラル状の凹凸は、前記内筒体の長手方向の中央部を境にスパイラル方向が逆である請求項６に記載の誘導加熱ロール。
【請求項８】
前記密閉された空間の内部容積がＰＶ≦０．０４（但し、ＰＶとは圧力（ａｔｍ）×容積（ｍ3）をいう。）となるように設定されている請求項１又は２に記載の誘導加熱ロール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の誘導加熱ロールは、少なくとも外殻部が金属層で構成されるロール本体と、前記ロール本体の外側に配置され、磁心と前記磁心を巻回するコイル線からなる高周波コイルを用いて前記ロール本体を誘導加熱する誘導加熱装置とを含み、前記金属層は、磁束をつらぬく位置に配置されている誘導加熱ロールであって、前記誘導加熱装置は、Ｅ型断面を有するフェライト鉄心からなる磁心と、前記磁心を巻回するコイル線とを含む高周波コイルと、前記高周波コイルの周囲に冷却風を流す冷却手段を含み、前記ロール本体の内部には密閉された空間が形成され、前記密閉された空間内に熱媒体が封入されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
誘導加熱装置２とロール本体３との離間距離を最適なものとするため、図２〜図４に示す構成の誘導加熱装置と鉄板（縦１００ｍｍ、横７４５ｍｍ、厚み１５ｍｍ）とを用いて加熱試験を行った。具体的には、まず誘導加熱装置２内の高周波コイル２０に対して５ｋｗの高周波電源から給電リード線４０を介して高周波を給電する。すると、高周波電圧の印加により高周波コイル２０から高周波磁界が発生し、鉄板を誘導加熱する。このときの入力電流値、容量、および出力表示を、誘導加熱装置２と鉄板との離間距離を９ｍｍ〜１５．０ｍｍの範囲内で変化させながら測定した。表１に測定結果を示した。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月6日(2011.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素系物質を含む材料によりフィルム状に形成され、２次元的等方向の熱伝導を有する帯状の発熱体と、
前記発熱体における対向する両端に電力を供給する電力供給部と、
前記発熱体と前記電力供給部の一部を内包する容器と、を具備する発熱体ユニットであって、
前記容器の内部における前記電力供給部は、前記発熱体の両端にある発熱体保持部を保持する保持具と、前記保持具に接続された内部リード線部と、を有し、前記保持具は、前記発熱体保持部を受ける掛止受部と、前記掛止受部から延設されて前記発熱体を係止する係止部と、前記発熱体保持部を挟んで前記掛止受部に装着される掛止部と、を有して構成された発熱体ユニット。
【請求項２】
前記掛止受部において、前記発熱体保持部を受ける部位が前記発熱体の長手方向に直交する幅方向に延設された請求項１に記載の発熱体ユニット。
【請求項３】
前記発熱体保持部に孔又は切り欠きが形成され、前記孔又は切り欠きの内部に前記係止部が配置された請求項２に記載の発熱体ユニット。
【請求項４】
前記孔又は切り欠きの内部に配置された前記係止部が前記内部リード線部に接合された請求項３に記載の発熱体ユニット。
【請求項５】
前記掛止受部と前記係止部が線材により一体的に形成され、前記掛止受部が前記線材を屈曲させて前記発熱体保持部が巻き付けられるよう構成され、前記係止部が前記内部リード線部に繋がるよう構成された請求項４に記載の発熱体ユニット。
【請求項６】
前記掛止受部と前記係止部が線材により一体的に形成され、前記発熱体保持部の幅方向の縁部に形成された切り欠きの内部に前記係止部が配置された請求項４に記載の発熱体ユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明に係る第１の観点の発熱体ユニットは、
炭素系物質を含む材料によりフィルム状に形成され、２次元的等方向性の熱伝導を有する帯状の発熱体と、
前記発熱体における対向する両端に電力を供給する電力供給部と、
前記発熱体と前記電力供給部の一部を内包する容器と、を具備する発熱体ユニットであって、
前記容器の内部における前記電力供給部は、前記発熱体の両端にある発熱体保持部を保持する保持具と、前記保持具に接続された内部リード線部と、を有し、前記保持具は、前記発熱体保持部が巻き付けられる掛止受部と、前記掛止受部から延設されて前記発熱体を係止する係止部と、前記発熱体保持部を挟んで前記掛止受部に装着される掛止部と、を有して構成されている。このように構成された本発明に係る第１の観点の発熱体ユニットは、被加熱体を所望の配熱分布で、且つ高温度に加熱することができ、安全性及び信頼性が高く、且つ効率の高い熱源となり、製造の容易な構成となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明に係るその他の観点の発熱体ユニットにおいて、前記第１乃至第６の観点の前記掛止受部と前記係止部が一本の線材により形成され、前記線材を屈曲させて前記掛止受部と前記係止部が形成されている。このように構成された本発明に係る発熱体ユニットは、簡単な構成を有しており、製造容易な熱源となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に係るその他の観点の発熱体ユニットにおいて、前記第１乃至第６の観点の前記掛止部が弾性材で形成され、前記掛止受部に対して弾性力により装着されるよう構成されている。このように構成された本発明に係る発熱体ユニットは、掛止受部に発熱体を容易に、且つ確実に固定することができ、安全性及び信頼性の高い熱源を容易に製造することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明に係るその他の観点の発熱体ユニットにおいて、前記第１乃至第６の観点の前記掛止受部が導電性材料で形成されている。このように構成された本発明に係る発熱体ユニットは、発熱体への電力供給が確実なものとなり信頼性の高い熱源を提供することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明に係るその他の観点の発熱体ユニットにおいて、前記第１乃至第６の観点の前記保持具は、前記発熱体を前記容器の内部の所定位置に配置するための位置規制機能を有し、前記保持具における端部が前記容器の内面に近接して配置される。このように構成された本発明に係る発熱体ユニットは、発熱体が容器内の所望の位置に配置され、安全性及び信頼性の高い熱源を提供することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明に係るその他の観点の発熱体ユニットにおいて、前記第１乃至第６の観点の前記発熱体が発熱体自体における熱収縮及び熱膨張を吸収する弾性力を有する構造を持ち、前記保持具に電力を供給する前記内部リード線部に弾性構造を有しない構成である。このように構成された本発明に係る発熱体ユニットは、発熱体を簡単な構成で容器内の所望の位置に確実に配置されるため、信頼性及び効率の高い熱源となる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明に係るその他の観点の発熱体ユニットにおいて、前記第１乃至第６の観点の前記発熱体は、炭素系物質を含む材料により形成された層間構造を有する。このように構成された本発明に係る発熱体ユニットは、高温度に加熱することができ、安全性及び信頼性が高く、且つ効率の高い熱源となる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明に係るその他の観点の発熱体ユニットにおいて、前記第１乃至第６の観点の前記容器は、耐熱性を有するガラス管又はセラミックス管により形成され、不活性ガスが充填されて前記電力供給部において封止されている。このように構成された本発明に係る発熱体ユニットは、被加熱体を均一に、且つ高温度に加熱することができ、安全性及び信頼性が高い熱源となる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明に係るその他の観点の加熱装置は、前記第１乃至第６の観点の発熱体ユニットを熱源として装備しているため、安全性及び信頼性が高く、容易に製造することができる構成となる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月22日(2011.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１部材と第２部材との間に設けられた接合部材を、局所加熱光を用いて溶融させて、前記第１部材と前記第２部材とを接合させる接合方法であって、
前記第１部材と前記第２部材との間に、第１領域を含む接合部材を設ける工程と、
一定強度の局所加熱光による前記接合部材への照射領域が前記接合部材の前記第１領域の領域から前記接合部材の前記第１領域外の領域に漸次移動するように、前記局所加熱光を走査させることによって、前記接合部材の前記局所加熱光による照射領域を漸次溶融せしめる工程と、を含み、
前記局所加熱光の強度は、非溶融状態にある前記第１領域外の前記領域にのみ前記局所加熱光を照射した際に、前記第１領域外の前記領域が非溶融状態を維持する強度であり、且つ、溶融状態にある前記第１領域外の前記領域に前記局所加熱光を照射した際に、前記第１領域外の前記領域が溶融状態を維持する強度であり、
前記第１領域は、前記局所加熱光の照射によって、前記第１領域外の前記領域のうちの前記第１領域に隣接する領域の少なくとも一部が溶融するために必要な温度に上昇する領域である、
ことを特徴とする接合方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
第１基板と、第２基板と、該第１基板と該第２基板との間に設けられた側壁とを備え、前記第１基板と前記第２基板と前記側壁とで囲まれた内部空間を有する、気密容器の製造方法であって、
第１基板または前記第２基板の少なくとも一方と、前記側壁との間に、第１領域を含む接合部材を設ける工程と、
一定強度の局所加熱光による前記接合部材への照射領域が前記接合部材の前記第１領域の領域から前記接合部材の前記第１領域外の領域に漸次移動するように、前記局所加熱光を走査させることによって、前記接合部材の前記局所加熱光による照射領域を漸次溶融せしめる工程と、を含み、
前記局所加熱光の強度は、非溶融状態にある前記第１領域外の前記領域にのみ前記局所加熱光を照射した際に、前記第１領域外の前記領域が非溶融状態を維持する強度であり、且つ、溶融状態にある前記第１領域外の前記領域に前記局所加熱光を照射した際に、前記第１領域外の前記領域が溶融状態を維持する強度であり、
前記第１領域は、前記局所加熱光の照射によって、前記第１領域外の前記領域のうちの前記第１領域に隣接する領域が溶融するために必要な温度に上昇する領域である、
ことを特徴とする気密容器の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、第１部材と第２部材との間に設けられた接合部材を、局所加熱光を用いて溶融させて、前記第１部材と前記第２部材とを接合させる接合方法であって、
第１部材と第２部材との間に、第１領域を含む接合部材を設ける工程と、一定強度の局所加熱光による前記接合部材への照射領域が前記接合部材の前記第１領域の領域から前記接合部材の前記第１領域外の領域に漸次移動するように、前記局所加熱光を走査させることによって、前記接合部材の前記局所加熱光による照射領域を漸次溶融せしめる工程と、を含み、
前記局所加熱光の強度は、非溶融状態にある前記第１領域外の前記領域にのみ前記局所加熱光を照射した際に、前記第１領域外の前記領域が非溶融状態を維持する強度であり、且つ、溶融状態にある前記第１領域外の前記領域に前記局所加熱光を照射した際に、前記第１領域外の前記領域が溶融状態を維持する強度であり、前記第１領域は、前記局所加熱光の照射によって、前記第１領域外の前記領域のうちの前記第１領域に隣接する領域の少なくとも一部が溶融するために必要な温度に上昇する領域である、ことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明は、第１基板と、第２基板と、該第１基板と該第２基板との間に設けられた側壁とを備え、前記第１基板と前記第２基板と前記側壁とで囲まれた内部空間を有する、気密容器の製造方法であって、
第１基板または前記第２基板の少なくとも一方と、前記側壁との間に、第１領域を含む接合部材を設ける工程と、一定強度の局所加熱光による前記接合部材への照射領域が前記接合部材の前記第１領域の領域から前記接合部材の前記第１領域外の領域に漸次移動するように、前記局所加熱光を走査させることによって、前記接合部材の前記局所加熱光による照射領域を漸次溶融せしめる工程と、を含み、
前記局所加熱光の強度は、非溶融状態にある前記第１領域外の前記領域にのみ前記局所加熱光を照射した際に、前記第１領域外の前記領域が非溶融状態を維持する強度であり、且つ、溶融状態にある前記第１領域外の前記領域に前記局所加熱光を照射した際に、前記第１領域外の前記領域が溶融状態を維持する強度であり、前記第１領域は、前記局所加熱光の照射によって、前記第１領域外の前記領域のうちの前記第１領域に隣接する領域が溶融するために必要な温度に上昇する領域である、
ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月6日(2011.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素系物質を含む材料によりフィルム状に形成され、２次元的等方向性の熱伝導を有する帯状の発熱体と、
前記発熱体における長手方向の両端に電力を供給する電力供給部と、
前記発熱体と前記電力供給部の一部を内包する容器と、を具備する発熱体ユニットであって、
前記発熱体は、当該発熱体の長手方向に沿って対向する両側縁部より、互いに対向する縁部に対して延設されるとともに長手方向に所定の間隔を有して配置された複数の第１のスリットと、
前記複数の第１のスリットの長手方向の間で前記第１のスリットと平行に所定間隔を有し、前記発熱体の長手方向に直交する幅方向の中央部分に形成され、前記両側縁部までの縁部分に電流通路を形成する複数の第２のスリットと、を有して構成され、
前記第１のスリットと前記第２のスリットが、前記発熱体の長手方向に平行な軸線に対して斜角を有して、前記発熱体の長手方向に伸長可能に形成された発熱体ユニット。
【請求項２】
前記発熱体が前記電力供給部により前記容器の内部に張設されることにより、当該発熱体の長手方向に対して伸長して、前記発熱体の長手方向に直交する幅方向の断面が湾曲形状となる請求項１に記載の発熱体ユニット。
【請求項３】
前記容器の長手方向に直交する断面が円形状であり、前記電力供給部材により張設されていない状態の前記発熱体が、前記容器の内径より長い長手方向に直交する幅方向の寸法を有する請求項２に記載の発熱体ユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明に係る第１の観点の発熱体ユニットは、
炭素系物質を含む材料によりフィルム状に形成され、２次元的等方向性の熱伝導を有する帯状の発熱体と、
前記発熱体における長手方向の両端に電力を供給する電力供給部と、
前記発熱体と前記電力供給部の一部を内包する容器と、を具備する発熱体ユニットであって、
前記発熱体は、当該発熱体の長手方向に沿って対向する両側縁部より、互いに対向する縁部に対して延設されるとともに長手方向に所定の間隔を有して配置された複数の第１のスリットと、
前記複数の第１のスリットの長手方向の間で前記第１のスリットと平行に所定間隔を有し、前記発熱体の長手方向に直交する幅方向の中央部分に形成され、前記両側縁部までの縁部分に電流通路を形成する複数の第２のスリットと、を有して構成され、
前記第１のスリットと前記第２のスリットが、前記発熱体の長手方向に平行な軸線に対して斜角を有して、前記発熱体の長手方向に伸長可能に形成されている。このように構成された第１の観点の発熱体ユニットは、被加熱体を所望の配熱パターンで加熱することができ、且つ高効率で高温度に加熱することができる優れた耐久性を有する熱源となる。このように構成された第１の観点の発熱体ユニットは、第２のスリットの両端から発熱体の長手方向に沿って対向する両側縁部までの縁部分に電流通路が形成され、発熱体の長手方向に伸長可能な形状となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る第２の観点の発熱体ユニットは、前記第１の観点の前記発熱体が前記電力供給部により前記容器の内部に張設されることにより、当該発熱体の長手方向に対して伸長して、前記発熱体の長手方向に直交する幅方向の断面が湾曲形状となる。このように構成された第２の観点の発熱体ユニットは、加熱領域の広狭を容易に設定することが可能となり、効率高く加熱できる耐久性を有する熱源となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る第３の観点の発熱体ユニットは、前記第２の観点の前記容器の長手方向に直交する断面が円形状であり、前記電力供給部材により張設されていない状態の前記発熱体が、前記容器の内径より長い長手方向に直交する幅方向の寸法を有する。このように構成された第３の観点の発熱体ユニットは、小型で効率の高い加熱が可能な熱源となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係るその他の観点の発熱体ユニットは、前記観点の発熱体における第１のスリット及び第２のスリットが、貫通した孔又は切り込みにより形成してもよい。このように構成された本発明に係る発熱体ユニットは、発熱体の長手方向に伸長可能な形状を容易に製造することができる構成となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明に係るその他の観点の発熱体ユニットは、前記観点の発熱体が、炭素系物質を含む材料により形成された層間構造を有する構成としてもよい。このように構成された本発明に係る発熱体ユニットは、被加熱体を均一に、且つ高温度に加熱することができ、効率の高い熱源となる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に係るその他の観点の発熱体ユニットは、前記観点の容器が、耐熱性を有するガラス管又はセラミックス管により構成され前記電力供給部において封止し、容器内部に不活性ガスを充填する構成としてもよい。このように構成された本発明に係る発熱体ユニットは、高温度に加熱することができる効率の高い熱源となる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明に係るその他の観点の加熱装置は、前記観点の発熱体ユニットを熱源として装備しており、被加熱体を均一に、且つ高温度に加熱することができ、信頼性が高く、且つ効率の高い加熱装置となる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月15日(2011.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器本体に設けられる接続部を覆う閉鎖位置と前記接続部を露出する開放位置とにわたって変位可能に設けられる操作カバー片と、
前記操作カバー片の表面から突出するように設けられ、前記閉鎖位置と前記開放位置とにわたって変位するように前記操作カバー片を案内する円弧形状の案内溝が形成される案内レール片と、
前記案内溝に嵌合する嵌合突起および前記案内レール片の変位を当該案内レール片の長手方向に沿って保持する保持手段を備えるカバー本体とを有することを特徴とする開閉案内機構。
【請求項２】
前記案内レール片には、案内溝の開放方向上流側の端部に連なって、前記嵌合突起が着脱自在に嵌り込んで係止される第１嵌合凹所が形成されることを特徴とする請求項１に記載の開閉案内機構。
【請求項３】
前記案内レール片には、案内溝の開放方向下流側の端部に連なって、前記嵌合突起が着脱自在に嵌り込んで係止される第２嵌合凹所が形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の開閉案内機構。
【請求項４】
前記案内レール片には、前記第１嵌合凹所から開放方向上流側に延び、嵌合突起の先端部が当接して案内される組込み案内溝が形成されることを特徴とする請求項２に記載の開閉案内機構。
【請求項５】
前記案内レール片には、前記第２嵌合凹所内の底面から隆起し、第２嵌合凹所に嵌合した嵌合突起の先端部を支持する隆起部が形成されることを特徴とする請求項３に記載の開閉案内機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明（１）は、電子機器本体に設けられる接続部を覆う閉鎖位置と前記接続部を露出する開放位置とにわたって変位可能に設けられる操作カバー片と、
前記操作カバー片の表面から突出するように設けられ、前記閉鎖位置と前記開放位置とにわたって変位するように前記操作カバー片を案内する円弧形状の案内溝が形成される案内レール片と、
前記案内溝に嵌合する嵌合突起および前記案内レール片の変位を当該案内レール片の長手方向に沿って保持する保持手段を備えるカバー本体とを有することを特徴とする開閉案内機構である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月18日(2011.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に薄膜の積層体を作製する装置であって、
a) 容量結合方式のプラズマ生成手段を内部に備え、容量結合プラズマ生成時の圧力を維持するように閉鎖可能な第１の開口部を備える容量結合プラズマ成膜室と、
b) 誘導結合方式のプラズマ生成手段を内部に備え、誘導結合プラズマ生成時の圧力を維持するように閉鎖可能な第２の開口部を備える誘導結合プラズマ成膜室と、
c) 前記第１開口部を通して前記容量結合プラズマ成膜室と連通すると共に前記第２開口部を通して前記誘導結合プラズマ成膜室と連通し、前記容量結合プラズマ成膜室と前記誘導結合プラズマ成膜室の間で前記基板を搬送する基板搬送手段を内部に備える基板搬送室と、
d) 前記基板搬送室内の圧力を、前記容量結合プラズマ生成時圧力と同じか又は該容量結合プラズマ生成時圧力よりも第１の所定値だけ高い第１の搬送室圧力と、前記誘導結合プラズマ生成時圧力と同じか又は該誘導結合プラズマ生成時圧力よりも第２の所定値だけ高い第２の搬送室圧力のいずれかに切り替える搬送室圧力切り替え手段と、
を備えることを特徴とする薄膜製造装置。
【請求項２】
前記搬送室圧力切り替え手段が前記基板搬送室内の気体を排気する排気装置と前記基板搬送室内に気体を供給する圧力調整ガス供給口を有し、前記誘導結合プラズマ成膜室が前記容量結合プラズマ成膜室よりも前記排気装置に近い位置に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造装置。
【請求項３】
前記第１開口部及び／又は前記第２開口部の近傍に、前記容量結合プラズマ成膜室及び／又は誘導結合プラズマ成膜室と前記基板搬送室の間のガスの移動を遮断するための遮断ガスを供給する遮断ガス供給手段を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜製造装置。
【請求項４】
前記遮断ガスが不活性ガスであることを特徴とする請求項３に記載の薄膜製造装置。
【請求項５】
前記遮断ガスが、前記容量結合プラズマ成膜室及び前記誘導結合プラズマ成膜室においてプラズマを生成するために用いられるプラズマ生成ガスと同じガスであることを特徴とする請求項３に記載の薄膜製造装置。
【請求項６】
前記容量結合プラズマ成膜室を少なくとも２室、前記誘導結合プラズマ成膜室を少なくとも１室備え、
２室の前記容量結合プラズマ成膜室の一方がp型半導体薄膜の成膜室であって他方がn型半導体薄膜の成膜室であり、
１室の前記誘導結合プラズマ成膜室が真性半導体薄膜の成膜室である、
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の薄膜製造装置を用いた太陽電池製造装置。
【請求項７】
少なくとも第１層と第２層を有する薄膜の積層体を基板上に作製する方法であって、
a) 第１の成膜室内において、第１の成膜室圧力下で容量結合方式のプラズマ生成手段を用いて第１層の材料を前記基板上に堆積させることにより第１層を作製する工程と、
b) 前記基板を前記第１成膜室から搬送室を通して第２の成膜室に移送する工程であって、前記搬送室内の圧力を前記第１成膜室圧力と同じか又は前記第１成膜室圧力よりも第１の所定値だけ高い第１の搬送室圧力下で前記第１成膜室から搬送室に移送した後、該搬送室内の圧力を後記第２成膜室圧力と同じか又は後記第２成膜室圧力よりも第２の所定値だけ高い第２の搬送室圧力に変化させ、該基板を前記第２成膜室に移送する工程と、
c) 前記第２成膜室内において、第２の成膜室圧力下で誘導結合方式のプラズマ生成手段を用いて第２層の材料を前記第１層上に堆積させることにより第２層を作製する工程と、
を有することを特徴とする薄膜製造方法。
【請求項８】
少なくとも第１層と第２層を有する薄膜の積層体を基板上に作製する方法であって、
a) 第１の成膜室内において、第１の成膜室圧力下で誘導結合方式のプラズマ生成手段を用いて第１層の材料を前記基板上に堆積させることにより第１層を作製する工程と、
b) 前記基板を前記第１成膜室から搬送室を通して第２の成膜室に移送する工程であって、前記搬送室内の圧力を前記第１成膜室圧力と同じか又は前記第１成膜室圧力よりも第１の所定値だけ高い第１の搬送室圧力下で前記第１成膜室から搬送室に移送した後、該搬送室内の圧力を後記第２成膜室圧力と同じか又は後記第２成膜室圧力よりも第２の所定値だけ高い第２の搬送室圧力に変化させ、該基板を前記第２成膜室に移送する工程と、
c) 前記第２成膜室内において、第２の成膜室圧力下で容量結合方式のプラズマ生成手段を用いて第２層の材料を前記第１層上に堆積させることにより第２層を作製する工程と、
を有することを特徴とする薄膜製造方法。
【請求項９】
基板上に少なくとも、p型半導体又はn型半導体の薄膜から成る第１層と、真性半導体の薄膜から成る第２層と、前記第１層がp型半導体である場合にはn型半導体から成り、前記第１層がn型半導体である場合にはp型半導体から成る第３層と、を積層した太陽電池を製造する方法であって、
a) 第１の成膜室内において、第１の成膜室圧力下で容量結合方式のプラズマ生成手段を用いて第１層の材料を前記基板上に堆積させることにより前記第１層を作製する工程と、
b) 前記基板を前記第１成膜室から搬送室を通して第２の成膜室に移送する工程であって、前記基板を前記第１成膜室圧力と同じか又は前記第１成膜室圧力よりも第１の所定値だけ高い第１の搬送室圧力下で前記第１成膜室から搬送室に移送した後、該搬送室内の圧力を後記第２成膜室圧力と同じか又は後記第２成膜室圧力よりも第２の所定値だけ高い第２の搬送室圧力に変化させ、該基板を前記第２成膜室に移送する工程と、
c) 前記第２成膜室内において、第２の成膜室圧力下で誘導結合方式のプラズマ生成手段を用いて第２層の材料を前記第１層上に堆積させることにより第２層を作製する工程と、
d) 前記基板を前記第２の搬送室圧力下で前記第２成膜室から前記搬送室に移送した後、該搬送室内の圧力を後記第３成膜室圧力と同じか又は後記第３成膜室圧力よりも第３の所定値だけ高い第３の搬送室圧力に変化させ、該基板を第３の成膜室に移送する工程と、
e) 前記第３成膜室内において、第３の成膜室圧力下で容量結合方式のプラズマ生成手段を用いて第３層の材料を前記第２層上に堆積させることにより第３層を作製する工程と、
を有することを特徴とする太陽電池製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
pin型薄膜太陽電池は、初期の頃にはp層、i層及びn層を同一のチャンバ内で順に形成することにより作製されていた（特許文献１参照）。しかし、この方法ではp層、i層、n層の各層に他の層の原料が混入するおそれがある。特に、p層にドープされるべきドーピング原子（ドナー原子）がi層やn層に混入したり、n層にドープされるべきドーピング原子（アクセプタ原子）がp層やi層に混入したりすると、各層は所定の電気的特性を持たなくなってしまう。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月7日(2011.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１の光電変換部を含む光電変換部と、
前記光電変換部にて生じた電荷を保持する、少なくとも第１の電荷保持部を含む電荷保持部と、
前記電荷保持部の電荷に基づく信号を出力するためのトランジスタを含む複数のトランジスタと、を有する画素ユニット、及び
前記電荷保持部を電気的に分離する素子分離部を有する光電変換装置において、
前記素子分離部は、ＰＮ接合を用いた第１の素子分離部と、前記第１の電荷保持部と前記複数のトランジスタの少なくとも一部との間に配された、絶縁体を用いた第２の素子分離部と、を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
複数の前記画素ユニットが配されており、
前記第１の素子分離部は、前記第１の電荷保持部と、前記第１の電荷保持部を含む画素ユニットと隣接する画素ユニットの第１の光電変換部と、の間に設けられることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
複数の前記画素ユニットが配されており、
前記第１の素子分離部は、前記第１の電荷保持部と、前記第１の電荷保持部を含む画素ユニットと隣接する画素ユニットの第１の電荷保持部と、の間に設けられることを特徴とする請求項１あるいは２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第１の光電変換部と前記第１の電荷保持部との間にゲート電極を有し、
前記ゲート電極と前記第１の光電変換部と前記第１の電荷保持部とで埋め込みチャネルを有するトランジスタを構成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第１の光電変換部は第１導電型の第１の半導体領域を有し、
前記複数のトランジスタのうち少なくとも１つのトランジスタは第１導電型のソース領域及びドレイン領域を有し、
前記ソース領域あるいは前記ドレイン領域は、前記第１の半導体領域に比べて高い不純物濃度を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記画素ユニットは第２の光電変換部と第２の電荷保持部とを有し、
前記第１の素子分離部は、前記第１の電荷保持部と前記第２の光電変換部との間に設けられることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記第１の素子分離部は、前記第１の電荷保持部と前記第２の電荷保持部との間に設けられることを特徴とする請求項６に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記第２の素子分離部はＳＴＩ構造であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記光電変換装置は、
前記電荷保持部が配されるウエルと、
前記ウエルに電位を供給するためのコンタクトが配されるための半導体領域と、をさらに有し、
前記素子分離部は、前記第１の電荷保持部と前記半導体領域との間に配された、絶縁体を用いた第３の素子分離部をさらに有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記第１の電荷保持部は第１導電型の第２の半導体領域を有し、
前記第２の半導体領域の下部に第２導電型の第３の半導体領域が配され、
前記第３の半導体領域は、前記第２の半導体領域への前記電荷の混入を低減する障壁として機能することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置から出力される信号を処理する信号処理回路と、を有する撮像システム。