【手続補正書】
【提出日】平成23年9月8日(2011.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上の導電膜と、
前記導電膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられ、前記導電膜と重なる第１の半導体膜と、
前記第１の半導体膜上に設けられ、一導電型を付与する第１の不純物元素を有する一対の第２の半導体膜と、を有し、
前記第１の半導体膜は、微結晶半導体を有し、
前記第１の半導体膜は、前記ゲート絶縁膜及び前記一対の第２の半導体膜と離隔し、かつ、前記第１の不純物元素と同じ導電型を付与する第２の不純物元素を有する層を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
絶縁表面上の導電膜と、
前記導電膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられ、前記導電膜と重なる第１の半導体膜と、
前記第１の半導体膜上に設けられ、一導電型を付与する第１の不純物元素を有する一対の第２の半導体膜と、を有し、
前記第１の半導体膜は、微結晶半導体を有する第３の半導体膜、及び前記第３の半導体膜と前記一対の第２の半導体膜の間に設けられかつ非晶質半導体を有する第４の半導体膜を少なくとも有し、
前記第３の半導体膜は、前記ゲート絶縁膜と離隔し、かつ、前記第１の不純物元素と同じ導電型を付与する第２の不純物元素を有する層を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
請求項２において、
前記第４の半導体膜は、微結晶半導体を有し、
前記第３の半導体膜は、前記第４の半導体膜よりも多くの微結晶半導体を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記一対の第２の半導体膜の外側に、前記第１の半導体膜の一部が突出していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記第１の半導体膜は、前記一対の第２の半導体膜と重なる第１の領域及び前記一対の第２の半導体膜と重ならない第２の領域を有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりも膜厚が大きいことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記第２の不純物元素を有する層内における前記第２の不純物元素のピーク濃度は、１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記第２の不純物元素は、リン、ヒ素、アンチモン、硫黄、テルル、またはセレンであることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項８】
絶縁表面上の第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられ、前記第１の導電膜と重なる第１の半導体膜と、
前記第１の半導体膜上に設けられ、一導電型を付与する第１の不純物元素を有する一対の第２の半導体膜と、
前記一対の第２の半導体膜上の一対の第２の導電膜と、を有し、
前記第１の半導体膜は、微結晶半導体を有し、
前記第１の半導体膜は、前記ゲート絶縁膜及び前記一対の第２の半導体膜と離隔し、かつ、前記第１の不純物元素と同じ導電型を付与する第２の不純物元素を有する層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
絶縁表面上の第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられ、前記第１の導電膜と重なる第１の半導体膜と、
前記第１の半導体膜上に設けられ、一導電型を付与する第１の不純物元素を有する一対の第２の半導体膜と、
前記一対の第２の半導体膜上の一対の第２の導電膜と、を有し、
前記第１の半導体膜は、微結晶半導体を有する第３の半導体膜、及び前記第３の半導体膜と前記一対の第２の半導体膜の間に設けられかつ非晶質半導体を有する第４の半導体膜を少なくとも有し、
前記第３の半導体膜は、前記ゲート絶縁膜と離隔し、かつ、前記第１の不純物元素と同じ導電型を付与する第２の不純物元素を有する層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第４の半導体膜は、微結晶半導体を有し、
前記第３の半導体膜は、前記第４の半導体膜よりも多くの微結晶半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記一対の第２の導電膜と前記第２の不純物元素を有する層が離隔していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか１項において、
前記第１の半導体膜は、前記一対の第２の半導体膜と重なる第１の領域及び前記一対の第２の半導体膜と重ならない第２の領域を有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりも膜厚が大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか１項において、
前記第２の不純物元素を有する層内における前記第２の不純物元素のピーク濃度は、１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
絶縁表面上の第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられ、前記第１の導電膜と重なる第１の半導体膜と、
前記第１の半導体膜上の第２の半導体膜と、
前記第２の半導体膜上の第３の半導体膜と、
前記第３の半導体膜上の一対の第４の半導体膜と、
前記一対の第４の半導体膜上の一対の第２の導電膜と、を有し、
前記一対の第４の半導体膜は、一導電型を付与する第１の不純物元素を有し、
前記第２の半導体膜は、微結晶半導体を有し、
前記第３の半導体膜は、非晶質半導体を有し、
前記第１の半導体膜が有する第２の不純物元素の濃度は、前記第２の半導体膜が有する前記第２の不純物元素の濃度よりも低く、
前記第１の不純物元素と前記第２の不純物元素は、同じ導電型であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記第１の半導体膜が有する前記第２の不純物元素の濃度は、二次イオン質量分析法の検出限界未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
絶縁表面上の第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられ、前記第１の導電膜と重なる第１の半導体膜と、
前記第１の半導体膜上の第２の半導体膜と、
前記第２の半導体膜上の第３の半導体膜と、
前記第３の半導体膜上の一対の第４の半導体膜と、
前記一対の第４の半導体膜上の一対の第２の導電膜と、を有し、
前記一対の第４の半導体膜は、一導電型を付与する第１の不純物元素を有し、
前記第２の半導体膜は、微結晶半導体を有し、
前記第３の半導体膜は、非晶質半導体を有し、
前記第１の半導体膜は、非晶質半導体を有し、
前記第２の半導体膜は、前記第１の不純物元素と同じ導電型を付与する第２の不純物元素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記第３の半導体膜の上面と接する絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１６または請求項１７において、
前記絶縁膜は、前記一対の第２の導電膜上に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１６乃至請求項１８のいずれか１項において、
前記一対の第４の半導体膜の少なくとも一方の端部は、前記絶縁膜の端部と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１４乃至請求項１９のいずれか１項において、
前記第１の半導体膜、前記第２の半導体膜、または前記第３の半導体膜は、前記一対の第４の半導体膜の端部の外側に突出した部分を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項１４乃至請求項２０のいずれか１項において、
前記第３の半導体膜は、前記一対の第４の半導体膜と重なる第１の領域及び前記一対の第４の半導体膜と重ならない第２の領域を有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりも膜厚が大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
請求項１４乃至請求項２１のいずれか１項において、
前記第２の半導体膜が有する前記第２の不純物元素のピーク濃度は、１×１０１７ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】
請求項１４乃至請求項２２のいずれか１項において、
前記第３の半導体膜は、微結晶半導体を有し、
前記第２の半導体膜は、前記第３の半導体膜よりも多くの微結晶半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２４】
請求項８乃至請求項２３のいずれか１項において、
前記第２の不純物元素は、リン、ヒ素、アンチモン、硫黄、テルル、またはセレンであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２５】
請求項８乃至請求項２４のいずれか１項に記載の半導体装置を用いた電子機器。