【手続補正書】
【提出日】平成21年3月19日(2009.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノメートル・フィラメント状構造体の巨視的集合体であって、前記巨視的集合体が、一緒に結合され同じ方向に実質的に整列する複数の絡み合ったナノメートル・フィラメント状構造体、および／またはそれらの束を備え、前記巨視的集合体が約８ｍｇ／ｃｍ3未満の密度を有する、巨視的集合体。
【請求項２】
前記巨視的集合体が７ｍｇ／ｃｍ3未満の密度を有する、請求項１に記載の巨視的集合体。
【請求項３】
前記巨視的集合体が約０．８ｍｇ／ｃｍ3から約６ｍｇ／ｃｍ3の密度を有する、請求項１に記載の巨視的集合体。
【請求項４】
前記束が約１００ｎｍ未満の、好ましくは約５０ｎｍ未満の、より好ましくは約３０ｎｍ未満の直径を有する、請求項１に記載の巨視的集合体。
【請求項５】
前記束が約２ｎｍから約２５ｎｍの直径を有する、請求項１に記載の巨視的集合体。
【請求項６】
前記巨視的集合体がフィラメントの形態である、請求項１から５のいずれか一項に記載の巨視的集合体。
【請求項７】
前記巨視的集合体が発泡体の形態である、請求項１から６のいずれか一項に記載の巨視的集合体。
【請求項８】
何らかの金属微粒子および／または被覆物質が前記ナノメートル・フィラメント状構造体、および／またはそれらの束の間に配設される、請求項１から７のいずれか一項に記載の巨視的集合体。
【請求項９】
前記ナノメートル・フィラメント状構造体がカーボン・ナノチューブである、請求項１から８のいずれか一項に記載の巨視的集合体。
【請求項１０】
前記ナノメートル・フィラメント状構造体が単層カーボン・ナノチューブである、請求項１から８のいずれか一項に記載の巨視的集合体。
【請求項１１】
一緒に結合された前記ナノメートル・フィラメント状構造体がフラクタル・パターンを実質的に形成する、請求項１から１０のいずれか一項に記載の巨視的集合体。
【請求項１２】
ナノメートル・フィラメント状構造体を電極のうちの少なくとも１つに堆積させるために、前記ナノメートル・フィラメント状構造体を含むガス相に電界を発生させる少なくとも２つの前記電極の間に画成される空間を通過させるステップと、
前記堆積中、前記堆積するナノメートル・フィラメント状構造体が前記電極を架橋することを少なくとも実質的に防止するステップとを含む、ナノメートル・フィラメント状構造体を堆積させる方法。
【請求項１３】
前記ナノメートル・フィラメント状構造体の堆積中、これらの構造体の少なくとも一部分が前記電極のうちの１つに接触するのを取り除くことによって、前記少なくとも２つの電極を架橋するどのような構造体もそのような位置から少なくとも実質的に取り除くことにより、前記堆積中、前記堆積するナノメートル・フィラメント状構造体が前記電極を架橋することを少なくとも実質的に防止する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記電極が、ナノメートル・フィラメント状構造体の前記堆積物が電極間を架橋するのを防止するために、互いに対し回転関係にある、または互いに対し平行移動関係にある、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記堆積中、前記堆積するナノメートル・フィラメント状構造体が前記電極を架橋することをに防止するために、前記電極のうちの１つが回転させられるようになされ、それによってナノメートル・フィラメント状構造体の前記堆積物が少なくとも部分的に前記電極周りに巻き上げられる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記電界が約１×１０4Ｖ／ｍから約１×１０7Ｖ／ｍの値を有する巨視的電界である、請求項１２から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記電界が約１×１０5Ｖ／ｍから約５×１０6Ｖ／ｍの値を有する巨視的電界である、請求項１２から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記ガス相が１ｃｍ3当たり約１×１０6から約１×１０12の、好ましくは１ｃｍ3当たり約１×１０7から約１×１０11のナノメートル・フィラメント状構造体の密度を有する、請求項１２から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記ガス相が１ｃｍ3当たり約５×１０8から約５×１０10のナノメートル・フィラメント状構造体の密度を有する、請求項１２から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
電極間に電流の増加を起こさせるように、ナノメートル・フィラメント状構造体を含むガス相に、電界を発生させる少なくとも２つの前記電極の間に画成される空間を通過させるステップと、
所定の時間にわたり前記電流の挙動を分析する、かつ／または前記ナノメートル・フィラメント状構造体またはそれらの凝集体のサイズ、密度または形状を分析するステップとを含む、ナノメートル・フィラメント状構造体の製造を監視する方法。
【請求項２１】
前記電流挙動が分析され、当該分析が、時間の関数として前記電流の微分値を分析することによって行われ、前記電流の平均強度を時間および電流の標準偏差の関数として分析することによって行われ、かつ／または前記電流の抵抗値を時間の関数として分析することによって行われる、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
ナノメートル・フィラメント状構造体のサイズ、密度または形状が分析され、当該分析が、前記ガス相内に存在する前記ナノメートル・フィラメント状構造体の光学的吸収を分析することによって行われ、またはカメラによって当該ナノメートル・フィラメント状構造体の堆積を監視することによって行われる、請求項２０または２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記電流挙動が分析され、当該分析が、前記電流のまたは抵抗の変化を時間に対して監視することによって、前記ガス相が前記空間を通過する間にリアルタイムで行われる、請求項２０または２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記分析が、前記ナノメートル・フィラメント状構造体の存在または不存在を判定するために、かつ／または前記ナノメートル・フィラメント状構造体の品質を評価するために、標準グラフと比較される、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記ナノメートル・フィラメント状構造体が、Ｃ、ＢＮ、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｈｇ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｖ2Ｏ3、ＭがＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、ＷまたはＲｅでありＸがＳ、ＳｅまたはＴｅであるＭＸ2、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、Ｇａ2Ｏ3、ＺｎＯ、Ｉｎ2Ｏ3、Ｎａ2Ｖ3Ｏ7、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＣｄＯ、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2、ＣｕＯ、（ＳＮ）X、Ｃｕ2Ｓ、ＢxＣyＮz、ＮｉＣｌ2、ＩｎＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、Ａｇ2Ｓｅ、ＳｉＣ、Ｂ4Ｃ、ＭがＬｉまたはＮａでありＸがＳｅまたはＴｅであるＭ2ＭｏＸ6、それらの被覆された構造体およびそれらの混合物からなる群から好ましく選択される構成要素の、ナノワイヤ、ナノロッド、ナノファイバ、ナノリボン、ナノチューブまたはそれらの束などの１次元ナノ構造体である、請求項１２から２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
前記ナノメートル・フィラメント状構造体がカーボン・ナノチューブである、請求項１２から２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２７】
前記ナノメートル・フィラメント状構造体が単層カーボン・ナノチューブである、請求項１２から２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
内部穴、入口および出口を画成するハウジングであって、前記入口および前記出口が前記穴と流体流れ連通するハウジングと、
前記内部穴内に配設され、間に前記ナノメートル・フィラメント状構造体を含むガス相を受けるように寸法設定される空間を画成する第１の電極および第２の電極であって、第１の電極が前記ハウジングに接続され第２の電極が前記ハウジングに隣接する支持部材に接続され、電極のうちの少なくとも１つに前記ナノメートル・フィラメント状構造体を堆積させるために電界を発生させるようになされている電極と、
前記堆積するナノメートル・フィラメント状構造体が前記電極を架橋することを少なくとも実質的に防止する手段とを備える、ナノメートル・フィラメント状構造体を堆積させるための装置。
【請求項２９】
前記電極が、当該構造体が電極を架橋するのを少なくとも実質的に防止するために、互いに対し回転関係にあるようになされている、請求項２８に記載の装置。
【請求項３０】
前記装置が、ナノメートル・フィラメント状構造体の存在を検知するために、当該ガス相内の前記ナノメートル・フィラメント状構造体の密度あるいは前記ナノメートル・フィラメント状構造体の入口供給速度を監視するために、所望の場合、前記空間と流体流れ連通するようになされた監視機器をさらに備える、請求項２８または２９に記載の装置。
【請求項３１】
前記電極のうちの少なくとも１つに堆積される前記ナノメートル・フィラメント状構造体を収集するための手段をさらに備える、請求項２８から３０のいずれか一項に記載の装置。