Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月22日(2009.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４−（２−（４−アミノ−１，２，５−オキサジアゾール−３−イル）−１−エチル−７−｛［（３Ｓ）−３−ピペリジニルメチル］オキシ｝−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］ピリジン−４−イル）−２−メチル−３−ブチン−２−オール；
４−（２−（４−アミノ−１，２，５−オキサジアゾール−３−イル）−１−エチル−７−｛［（２Ｓ）−２−チオモルホリニルメチル］オキシ｝−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］ピリジン−４−イル）−２−メチル−３−ブチン−２−オール；
４−（２−（４−アミノ−１，２，５−オキサジアゾール−３−イル）−１−エチル−７−｛［（２Ｓ）−２−モルホリニルメチル］オキシ｝−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］ピリジン−４−イル）−２−メチル−３−ブチン−２−オール；および
４−［２−（４−アミノ−１，２，５−オキサジアゾール−３−イル）−１−エチル−７−（｛［（２Ｒ）−６−メチル−２−モルホリニル］メチル｝オキシ）−１Ｈ−イミダゾ［４，５−ｃ］ピリジン−４−イル］−２−メチル−３−ブチン−２−オール；
および／またはその医薬上許容される塩、水和物および溶媒和物 から選択される化合物。
【請求項２】
請求項１記載の化合物、および／またはその医薬上許容される塩、水和物もしくは溶媒和物 および医薬上許容される担体を含む医薬組成物。
【請求項３】
医薬上許容される担体および有効量の請求項１記載の化合物、および／またはその医薬上許容される塩、水和物もしくは溶媒和物 を含有する医薬組成物の製法であって、請求項１記載の化合物および／またはその医薬上許容される塩、水和物もしくは溶媒和物 を医薬上許容される担体中と結合させることを特徴とする方法。
【請求項４】
治療上有効量の請求項１記載の化合物および／またはその医薬上許容される塩、水和物もしくは溶媒和物を含む、癌および関節炎から選択される疾患または病態を治療あるいは該疾患または病態の重篤度を軽減するための医薬組成物。
【請求項５】
癌が脳腫瘍（神経膠腫）、神経膠芽腫、Ｂａｎｎａｙａｎ−Ｚｏｎａｎａ症候群、コーデン病、Ｌｈｅｒｍｉｔｔｅ−Ｄｕｃｌｏｓ病、乳癌、結腸癌、頭頚部癌、腎臓癌、肺癌、肝臓癌、黒色腫、卵巣癌、膵臓癌、前立腺癌、肉腫および甲状腺癌から選択される請求項４記載の医薬組成物。
【請求項６】
癌および関節炎から選択される疾患または病態の治療あるいは該疾患または病態の重篤度の軽減において用いられる医薬の製造における請求項１記載の化合物および／またはその医薬上許容される塩、水和物もしくは溶媒和物 の使用。
【請求項７】
治療上有効量の請求項１記載の化合物および／またはその医薬上許容される塩、水和物もしくは溶媒和物を含む、Ａｋｔ活性を阻害するための医薬組成物。
【請求項８】
治療上有効量の
ａ）請求項１記載の化合物および／またはその医薬上許容される塩、水和物もしくは溶媒和物 、および
ｂ）少なくとも１つの抗新生物剤
を含む、癌を治療するための医薬組成物。
【請求項９】
少なくとも１つの抗新生物剤が、 抗微小管剤、白金配位錯体、アルキル化剤、抗生物質剤、トポイソメラーゼＩＩ阻害剤、代謝拮抗剤、トポイソメラーゼＩ阻害剤、ホルモンおよびホルモン類似物、シグナル変換経路阻害剤、非受容体チロシンキナーゼ脈管形成阻害剤、免疫治療剤、プロアポトーシス剤、および細胞周期シグナル伝達阻害剤からなる群から選択される請求項８記載の医薬組成物。
【請求項１０】
治療において用いられる、治療上有効量の
ａ）請求項１記載の化合物および／またはその医薬上許容される塩、水和物もしくは溶媒和物、および
ｂ）少なくとも１つの抗新生物剤
からなる医薬の組み合わせ。
【請求項１１】
癌の治療において用いられる医薬の製造のための、治療上有効量の
ａ）請求項１記載の化合物および／またはその医薬上許容される塩、水和物もしくは溶媒和物、および
ｂ）少なくとも１つの抗新生物剤
からなる医薬の組み合わせの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月28日(2009.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ：
【化１】
2009516697.tif 000001
（Ｉ）
［式中、
Ｒ１は水素、ヒドロキシ基、ハロ基、メチルチオ基、アミノスルホニル基、ピリド−２−イルアミノ基、３−メチルアミノカルボニルフェニル基、−Ｃ（Ｏ）ＮＲ８Ｒ９、−（ＣＨ２）０−１ＮＨＳＯ２Ｒ１２、−ＣＨ２ＮＨＣＯＮＨＲ１３、−ＮＨＣ（Ｏ）Ｒ１４又はエチルオキシカルボニル基で任意に置換されてもよいピロリジノニル基であり；
Ｒ２は水素、ヒドロキシ基、ハロ基、シアノ基、（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基又は（Ｃ１−Ｃ４）アルコキシ基であり；
Ｒ３は水素、ハロ基又はメチル基であり；
Ｒ４は
（ａ）−ＮＲ６Ｒ７、又は
（ｂ）アミノメチルシクロヘキシル基、ピペリジニル基、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イル基、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イルエテニル基、４−（Ｃ１−Ｃ４）アルキルピペリジン−４−イル基又はピロリジニル基であり；
ここに、（ｂ）は（Ｃ２−Ｃ４）アルケニル基、（Ｃ３−Ｃ６）シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）Ｒ１０、及びハロ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基又は（Ｃ３−Ｃ６）シクロアルキル基で任意に置換されてもよい（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基からなる群から選択される置換基で任意に置換されてもよく；
Ｒ５は、ｎが１〜７であるときに水素であるか、又はｎが２〜７であるときにヒドロキシ基であり；
Ｒ６は水素又は（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基であり；
Ｒ７は水素、（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基、（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基で任意に置換されてもよいピペリジン−４−イル基、（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基で任意に置換されてもよいピペリジニルカルボニル基、（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基で任意に置換されてもよいピロリジン−３−イル基、及び（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基で任意に置換されてもよいピロリジニルカルボニル基からなる群から選択されるか；
あるいは、Ｒ６及びＲ７はそれらが結合する窒素原子と一緒になって、ピペラジニル基、ホモピペラジニル基、４−ジメチルアミノピペリジン−１−イル基、３−ジメチルアミノピロリジン−１−イル基又はヘキサヒドロ−ピロロ［３，４−ｃ］ピロリル基からなる群から選択される環を形成し；
ここに、該環は（Ｃ２−Ｃ４）アルケニル基、（Ｃ３−Ｃ６）シクロアルキル基、Ｃ（Ｏ）Ｒ１０、及び任意にヒドロキシ基で置換されてもよい１〜３個の（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基からなる群からなる基で任意に置換されてもよく；
Ｒ８は水素又は（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基であり；
Ｒ９は水素、（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基、（Ｃ１−Ｃ４）アルコキシ基、（Ｃ３−Ｃ６）シクロアルキル基、チアゾリル基、イミダゾリル基、ピリジル基、ハロ基で任意に置換されてもよいフェニル基、２−ヒドロキシ−２−フェニルエチル基、イミダゾリルエチル基、６−クロロピリド−３−イルメチル基又はフラン−２−イル−（Ｃ１−Ｃ４アルキル）基であるか；
あるいは、Ｒ８及びＲ９はそれらが結合する窒素原子と一緒になって、モルフォリニル基及びチアジニル基からなる群から選択されるヘテロ環を形成し；
Ｒ１０は水素、（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基又はＮＨＲ１１であり；
Ｒ１１は水素又は（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基であり；
Ｒ１２は（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基、トリフルオロ（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基、ベンジル基又は（Ｃ３−Ｃ６）シクロアルキル基であり；
Ｒ１３は（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基、（Ｃ３−Ｃ６）シクロアルキル基、又は（Ｃ１−Ｃ４）アルキル基、ハロ若しくは（Ｃ１−Ｃ４）アルコキシ基で任意に置換されてもよいベンジル基であり；
Ｒ１４は（Ｃ３−Ｃ６）シクロアルキル基、ピペリジニル基、インドリルメチル基、又は３−ジメチルアミノ−２−ヒドロキシプロポキシ基で任意に置換されてもよいベンジル基であり；
但し、Ｒ４がピペリジニル基であるとき、Ｒ１は−Ｃ（Ｏ）ＮＲ８Ｒ９であり；
ｎは１〜７であり；
但し、Ｒ４が−アミノメチルシクロヘキシル基又は２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イルエテニル基であるとき、ｎは１のみである］
で示される化合物又はその薬理学的に許容できる塩。
【請求項２】
２−｛５−メチル−２−［３−（４−メチルピペラジン−１−イル）−プロピルアミノ］−ピリミジン−４−イル｝−ベンゾ［ｂ］チオフェン−４−カルボン酸メチルアミドである、請求項１の化合物又はその薬理学的に許容できる塩。
【請求項３】
多発性骨髄腫、大腸癌、肺大細胞癌、神経膠芽腫及び卵巣癌からなる群から選択される癌の治療用医薬組成物であって、請求項１又は２のいずれか１項記載の化合物又はその薬理学的に許容できる塩を１以上の医薬的に許容される賦形剤、担体又は希釈剤とともに含む、医薬組成物。
【請求項４】
慢性関節リウマチ及び慢性閉塞性肺疾患からなる群から選択される炎症性疾患の治療用医薬組成物であって、請求項１又は２のいずれか１項記載の化合物又はその薬理学的に許容できる塩を１以上の医薬的に許容される賦形剤、担体又は希釈剤とともに含む、医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月2日(2009.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｔ１Ｒアゴニストを有効成分として含有する、消化管機能亢進剤。
【請求項２】
前記消化管機能亢進が機能性消化管障害の予防・改善である、請求項１記載の剤。
【請求項３】
前記機能性消化管障害が上部消化管機能障害である、請求項２記載の剤。
【請求項４】
前記機能性消化管障害が機能性胃腸症又は胃食道逆流症である、請求項２記載の剤。
【請求項５】
Ｔ１Ｒアゴニストを有効成分として含有する、食欲調節剤。
【請求項６】
Ｔ１Ｒアゴニストが、アミド誘導体またはサイクラメートである、請求項１〜５のいずれかに記載の剤。
【請求項７】
アミド誘導体が、下記一般式（Ｉ）：
【化１】
2009516637.tif 000001
（式中、Ｒ１は置換基を有していても良いアリール基、置換基を有していても良いアラルキル基、置換基を有していても良いアリールアルケニル基、置換基を有していても良いヘテロアリール基、置換基を有していても良いヘテロアラルキル基、置換基を有していても良いヘテロアリールアルケニル基、Ｒ３−ＮＨ−ＣＯ−又はＲ３−ＮＨ−（Ｒ３は置換基を有していても良いアリール基、置換基を有していても良いアラルキル基、置換基を有していても良いアリールアルケニル基、置換基を有していても良いヘテロアリール基、置換基を有していても良いヘテロアラルキル基又は置換基を有していても良いヘテロアリールアルケニル基を示す。）、Ｒ２は置換基を有していても良い炭素数２〜２５のアルキル基、置換基を有していても良い炭素数３〜２５のシクロアルキル基（当該シクロアルキル基はベンゼンと縮合していてもよい）、置換基を有していても良いアリール基、置換基を有していても良いアラルキル基、置換基を有していても良いアリールアルケニル基、置換基を有していても良いヘテロアリール基、置換基を有していても良いヘテロアラルキル基又は置換基を有していても良いヘテロアリールアルケニル基を示す。）
で表される化合物またはその薬理学的に許容される塩である、請求項６に記載の剤。
【請求項８】
アミド誘導体が下記：
（１）３，６−ジクロロ−Ｎ−（４−エトキシフェニル）−２−メトキシベンズアミド、
（２）２，５−ジクロロ−Ｎ−（４−エトキシフェニル）ベンズアミド、
（３）Ｎ−（１−エチルプロピル）−ベンゾフラン−２−カルボン酸アミド、
（４）Ｎ−（１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−１−イル）−ベンゾ［１，３］ジオキソール−５−カルボン酸アミド、
（５）４−エトキシ−Ｎ−（１−プロピルブチル）ベンズアミドおよび
（６）３−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−（１−プロピルブチル）アクリルアミド
からなる群より選択される化合物である、請求項６または７に記載の剤。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の剤を含有する医薬組成物。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれかに記載の剤を含有する飲食品であって、飲食品中の有効成分の含有量が０．０１〜１００，０００重量ｐｐｍである飲食品。
【請求項１１】
Ｔ１Ｒ受容体を発現する細胞を用いた、消化管機能を亢進し得る物質のスクリーニング方法。
【請求項１２】
消化管機能を亢進し得る物質が、Ｔ１Ｒアゴニスト若しくはＴ１Ｒモジュレータである、請求項１１に記載のスクリーニング方法。
【請求項１３】
以下の工程（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）を含む、消化管機能を亢進し得る物質のスクリーニング方法：
（ａ）被検物質とＴ１Ｒ受容体を発現する細胞とを接触させる工程、
（ｂ）被検物質に接触させた細胞におけるＧ蛋白質の活性化を測定し、該活性化を被検物質に接触させない対照細胞における活性化と比較する工程、
（ｃ）上記（ｂ）の比較結果に基づいて、消化管機能を亢進し得る物質を選択する工程。
【請求項１４】
Ｇ蛋白質の活性化を測定する指標が、細胞内カルシウム濃度、細胞内ｃＡＭＰ量、細胞外プロトン量及び細胞内消化管ホルモン分泌量から選ばれるものである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
以下の工程（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）を含む、消化管機能を亢進し得る物質のスクリーニング方法：
（ａ）Ｔ１Ｒ受容体を発現する細胞に、被検物質及びＴ１Ｒに作用するリガンドを接触させる工程、
（ｂ）当該細胞の細胞膜に結合したリガンドの量を測定し、該リガンドの量を被検物質に接触させない対照細胞におけるリガンドの量と比較する工程、
（ｃ）上記（ｂ）の比較結果に基づいて、消化管機能を亢進し得る物質を選択する工程。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月20日(2009.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
航空機システムであって、
翼（２２０）と、
翼に結合され、かつ、第１の収容位置と第１の展開位置との間で、第１の運動軌道に沿って翼に対して可動である内側後縁装置（２３１）とを含み、内側後縁装置が第１の展開位置にある場合、内側後縁装置と翼との間には空気流用の隙間が存在し、前記航空機システムはさらに、
内側後縁装置の外側で翼に結合され、かつ、第２の収容位置と第２の展開位置との間で、第１の運動軌道と平行でない第２の運動軌道に沿って翼に対して可動である外側後縁装置（２３２）を含み、外側後縁装置が第２の展開位置にある場合、外側後縁装置と翼との間には空気流用の隙間が存在し、前記航空機システムはさらに、
内側後縁装置と外側後縁装置との間で翼に結合され、かつ、第３の収容位置と第３の展開位置との間で、第１および第２の運動軌道双方と平行でない第３の運動軌道に沿って翼に対して可動である中間後縁装置（２６０）を含み、中間後縁装置が第３の展開位置にある場合、中間後縁装置と翼との間には空気流用の隙間が存在する、航空機システム。
【請求項２】
内側後縁装置（２３１）は第１の前縁（２７１）を有し、外側後縁装置（２３２）は第２の前縁（２７２）を有し、中間後縁装置（２６０）は第３の前縁（２７３）を有し、
後縁装置がそれらの収容位置にある場合、第１、第２および第３の前縁は互いに段違いになっており、
第１の展開位置は多数の第１の展開位置のうちの１つであり、第２の展開位置は多数の第２の展開位置のうちの１つであり、第３の展開位置は多数の第３の展開位置のうちの１つであり、
第１の展開位置と第２の展開位置と第３の展開位置との少なくとも１つの組合せについて、第１、第２および第３の前縁は、ほぼ単調な関数に従う複合前縁プロファイルを形成する、請求項１に記載の航空機システム。
【請求項３】
第１、第２および第３の運動軌道は、後部方向において互いに向かって集束する、請求項１および２に記載の航空機システム。
【請求項４】
中間後縁装置（２６０）は、ほぼ台形のプラットフォーム形状を有する、請求項１〜３
のいずれかに記載の航空機システム。
【請求項５】
内側後縁装置（２３１）は第１の前縁（２７１）を有し、外側後縁装置（２３２）は第２の前縁（２７２）を有し、中間後縁装置（２６０）は第３の前縁（２７３）を有し、後縁装置がそれらの収容位置にある場合、第１、第２および第３の前縁は互いに段違いになっている、請求項１〜４のいずれかに記載の航空機システム。
【請求項６】
内側後縁装置（２３１）は第１の後縁（２８１）を有し、外側後縁装置（２３２）は第２の後縁（２８２）を有し、中間後縁装置（２６０）は第３の後縁（２８３）を有し、後縁装置がそれらの収容位置にある場合、第１、第２および第３の後縁は、ほぼ単調な関数に従う複合後縁プロファイルを形成する、請求項１〜５のいずれかに記載の航空機システム。
【請求項７】
翼（２２０）は長手軸を有し、内側後縁装置（２３１）は長手軸に対して第１の振り角度を備えた第１の前縁（２７１）を有し、外側後縁装置（２３２）は第２の振り角度を備えた第２の前縁（２７２）を有し、内側後縁装置（２３１）は第１の前縁にほぼ垂直に動き、外側後縁装置（２３２）は第２の前縁にほぼ垂直に動く、請求項１〜６のいずれかに記載の航空機システム。
【請求項８】
翼（２２０）は長手軸を有し、内側スポイラ（２５１）は長手軸に対して第１の振り角度を備えた第１のヒンジ線を有し、外側スポイラ（２５２）は長手軸に対して第２の振り角度を備えた第２のヒンジ線を有し、中間スポイラ（２５３）は長手軸に対して第３の振り角度を備えた第３のヒンジ線を有し、第３の振り角度は第１の振り角度よりも大きく、かつ第２の振り角度よりも小さい、請求項１〜７のいずれかに記載の航空機システム。
【請求項９】
内側スポイラ（２５１）は第１の後縁を有し、外側スポイラ（２５２）は第２の後縁を有し、中間スポイラ（２５３）は第３の後縁を有し、スポイラが下方に偏向された位置にある場合、第１、第２および第３の後縁は、ほぼ連続的な複合後縁を形成する、請求項１〜８のいずれかに記載の航空機システム。
【請求項１０】
機体（２１１）をさらに含み、翼（２２０）は機体に結合されている、請求項１〜９のいずれかに記載の航空機システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【図１Ａ】先行技術に従って構成された航空機翼を示す図である。
【図１Ｂ】先行技術に従って構成された航空機翼を示す図である。
【図１Ｃ】先行技術に従って構成された航空機翼を示す図である。
【図２】この発明の一実施例に従って構成された後縁装置を備えた翼を有する航空機の等角図である。
【図３】図２に示す翼のうちの１つの拡大上面図である。
【図４Ａ】図３に示す翼の一部の拡大平面図である。
【図４Ｂ】収容位置および展開位置にある、図４Ａに示す翼の後縁装置を示す図である。
【図５Ａ】この発明の一実施例に従った、収容位置にある中間後縁装置の概略側面図である。
【図５Ｂ】この発明の一実施例に従った、展開位置にある中間後縁装置の概略側面図である。
【図５Ｃ】この発明の一実施例に従った、展開位置にある中間後縁装置の概略側面図である。
【図５Ｄ】この発明のいくつかの実施例に従った、後縁装置の翼弦長によって無次元化され、かつ翼と後縁装置との交点に対して位置するヒンジ点の場所を示すグラフである。
【図６Ａ】この装置のさらなる特徴を示す、図５Ａに示す中間後縁装置の部分概略側面図である。
【図６Ｂ】この装置のさらなる特徴を示す、図５Ｂに示す中間後縁装置の部分概略側面図である。
【図６Ｃ】この装置のさらなる特徴を示す、図５Ｃに示す中間後縁装置の部分概略側面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月27日(2009.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡＧＹ−９４８０６をＪＮＫ／ｐ３８経路が活性化される培養細胞に接触させることを含む、ＪＮＫ／ｐ３８経路の活性化方法。
【請求項２】
ＡＧＹ−９４８０６が、０．０１μＭから１００μＭの濃度である請求項１記載の方法。
【請求項３】
ＡＧＹ−９４８０６が、０．１μＭから１０μＭの濃度である請求項２記載の方法。
【請求項４】
活性化が神経細胞の神経突起の生長を高める請求項１〜３のいずれか記載の方法。
【請求項５】
ＡＧＹ−９４８０６の有効量を含有する、被験者に投与するためのＪＮＫ／ｐ３８経路の活性化剤。
【請求項６】
活性化が神経細胞の神経突起の生長を高める請求項５記載の活性化剤。
【請求項７】
ヒトに投与する請求項５又は６記載の活性化剤。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月29日(2009.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷回路板のためのプリプレグ又はラミネートであって、
プリプレグ又はラミネートが
エポキシ樹脂及び
粒子の９９％が１５ミクロン又はそれ未満の直径を有する微粒子径メラミンシアヌレート又は微粒子径メラミンシアヌレートと微粒子径メラミンポリホスフェートとの混合物である難燃剤を含むプリプレグ又はラミネート。
【請求項２】
前記メラミンシアヌレート及びメラミンポリホスフェート粒子の５０％が３．０ないし３．５ミクロンの直径を有する、請求項１に記載のプリプレグ又はラミネート。
【請求項３】
前記エポキシ樹脂がビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、シクロペンタジエン含有エポキシ樹脂、多官能エポキシ樹脂及びそれ等の組み合わせから成る群から選ばれる、請求項１に記載のプリプレグ又はラミネート。
【請求項４】
フェノールノボラック型硬化剤、クレゾールノボラック型硬化剤、ジシクロペンタジエンフェノール型硬化剤、リモネン型硬化剤、軟質型硬化剤、無水物及びその組み合わせから成る群から選ばれる硬化剤を更に含む、請求項１に記載のプリプレグ又はラミネート。
【請求項５】
式
【化１】
2009516379.tif 000001
又は
（式中、
Ｒ1及びＲ2は同一又は異なり、及び線状又は枝分かれした炭素原子数１ないし６のアルキル基又は炭素原子数１ないし１０のアリール基を表し、
Ｒ3は、線状又は枝分かれした炭素原子数１ないし１０のアルキレン基、炭素原子数６な
いし１０のアリーレン基、炭素原子数７ないし１４のアルキルアリーレン基又は炭素原子数７ないし１４のアリールアルキレン基を表し、
Ｍはマグネシウム、カルシウム、アルミニウム又は亜鉛を表し、
ｍは２又は３を表し、
ｎは１又は３を表し、及び
ｘは１又は２を表す。）
で表されるホスフィネート及び／又はジホスフィネート難燃剤を更に含む請求項１に記載のプリプレグ又はラミネート。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月13日(2009.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、
上面及び底面を有する基板と、
前記基板の前記上面に近接して形成された複数のトランジスタであって、前記複数のトランジスタは、第１の導電型を有する第１のウェルに配置された第１トランジスタと、前記第１の導電型とは異なる第２の導電型を有する第２のウェルに配置された第２トランジスタとを含む、該複数のトランジスタと、
イオン注入によって前記第１及び第２のウェルの下方にそれらから垂直に離隔して形成され、かつ前記複数のトランジスタの下方でかつ前記第１及び第２のウェルの少なくとも一部分の下方において実質的に連続的に延在するようにして形成された、前記第１の導電型を有し、かつ不純物濃度が前記基板の不純物濃度よりも高い埋め込み層と、
前記埋め込み層からデバイスパッケージのコンタクトへ電流を伝導するように構成された、前記基板の前記底面の導電性層とを含むことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】
前記基板が、前記第１の導電型を有するバルクシリコンウェハから形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記基板の前記上面の上に形成されたエピタキシャル層をさらに含み、
前記複数のトランジスタが、前記エピタキシャル層内に形成された複数のソース領域及びドレイン領域をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記エピタキシャル層が、前記第１の導電型を有していることを特徴とする請求項３に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記エピタキシャル層の不純物濃度が、前記基板の前記不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項３に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記複数のトランジスタのうちの少なくとも１つが電界効果トランジスタであり、
前記電界効果トランジスタが、
第１の幅を有するソース領域と、
第２の幅を有するドレイン領域と、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域の間に配置されたチャネル領域とを備え、
前記チャネル領域が、或るチャネル長さを有し、かつ前記第１の幅及び前記第２の幅のそれぞれよりも広い幅の第３の幅を有し、それによって、少なくとも１つのチャネル拡張部を形成し、
前記少なくとも１つのチャネル拡張部が、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の間で、前記チャネル長さよりも長い、ネットチャネルエッジ長さを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記少なくとも１つのチャネル拡張部が、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域から離隔して、前記少なくとも１つのチャネル拡張部の長さ方向に沿って配置されたチャネル拡張部不純物領域をさらに含み、
前記チャネル拡張部不純物領域が、少なくとも１つの前記ソース領域及び前記ドレイン領域の深さよりも深い深さまで延在していることを特徴とする請求項６に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
方法であって、
上面及び底面を有するウェハを供給するステップと、
前記ウェハへイオンを注入して、第１の導電型を有し、かつ不純物濃度が前記ウェハの不純物濃度よりも高い埋め込み層を、前記ウェハ内に実質的に連続的に形成するステップと、
第１の導電型を有する第１のウェル及び前記第１の導電型とは異なる第２の導電型を有する第２のウェルを形成するステップと、
前記ウェハの前記上面に近接して複数のトランジスタを形成するステップであって、前記複数のトランジスタは、第１の導電型を有する第１のウェルに配置された第１トランジスタと、前記第１の導電型とは異なる第２の導電型を有する第２のウェルに配置された第２トランジスタとを含み、前記埋め込み層が、前記第１及び第２のウェルの下方にそれらから垂直に離隔し、かつ前記複数のトランジスタの下方でかつ前記第１及び第２のウェルの少なくとも一部分の下方において延在する、該ステップと、
前記ウェハの前記底面に導電性層を形成するステップとを含み、
前記導電性層が、前記埋め込み層からデバイスパッケージのコンタクトへ電流を伝導するように構成されていることを特徴とする方法。
【請求項９】
前記ウェハが、
基板と、
前記基板上に形成された半導体のエピタキシャル層とを含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記複数のトランジスタを形成するステップが、
第１のウェル領域内に、第１の幅を有するソース領域を形成するステップと、
前記第１のウェル領域内に、第２の幅を有するドレイン領域を形成するステップと、
前記第１のウェル領域内にチャネル領域を形成するステップとをさらに含み、
前記チャネル領域が、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の間に配置され、
前記チャネル領域が、或るチャネル長さを有し、前記第１の幅及び前記第２の幅のそれぞれよりも広い幅の第３の幅を有し、それによって、少なくとも１つのチャネル拡張部を形成し、
前記少なくとも１つのチャネル拡張部が、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の間で、前記チャネル長さよりも長い、ネットチャネルエッジ長さを有していることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記チャネル領域を形成するステップが、
前記ソース領域及びドレイン領域から離隔して、前記少なくとも１つのチャネル拡張部の長さ方向に沿って配置されるようにチャネル拡張部不純物領域を形成するために、イオンを注入するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記チャネル拡張部不純物領域が、少なくとも１つの前記ソース領域及び前記ドレイン領域の深さよりも深い深さまで延在することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記チャネル拡張部不純物領域が、前記ウェハの前記不純物濃度よりも高い不純物濃度を有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記埋め込み層が、少なくとも、前記第１及び第２のウェル内に配置された各トランジスタの活性化デバイス領域の下に延在していることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
前記埋め込み層が、前記第２のウェルの逆ドーピングを実質的に回避するために十分に前記第２のウェルから下方に離隔して設けられることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月18日(2009.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図２では中心電極アセンブリ３４がより詳細に示されており、中心電極アセンブリ３４は、あらゆる材料から製作されることができるが、好ましい実施形態はニッケルまたはニッケル合金でできている主要な本体３８を有する。中央フランジ４０が上部棚４２を確定し、ここから小径の上部ポスト４４が延びている。この実施形態において、上部ポスト４４は、ガラスシール３６を貫通し、ばね３５と物理的および電気的に接触している。この本体３８の下端部または遠位端は、機械加工されるかまたは別の方法で球形のほぞの形に形成され、ショルダ４６およびチーク４８を確定する。任意選択のアンダーカットが、ショルダ４６およびチーク４８の交差部で示されている。代替の構成（図示せず）では、上部ポスト４４が省略され、ガラスシール３６がファイヤーイン抑制シール（ＦＩＳＳ）と置き換えられている。代替のＦＩＳＳ設計は、ＲＦＩ(Radio Frequency Interference)抑制を提供し、ばね３５と中心電極アセンブリ３４との間に導電路を形成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月4日(2009.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱伝導材料から製造されたベースと、
前記ベースに配置されたＬＥＤ照明要素と、
前記ＬＥＤ照明要素から発生された光の向きを定めるようになっているコリメータの反射器とを備え、
前記コリメータの反射器は、少なくとも１本の直線状のボーダーラインを有する少なくとも１つの第１反射器表面を備え、前記コリメータの反射器は、前記ボーダーラインによってカットオフが形成されるように、前記ＬＥＤ照明要素からの光を反射するようになっており、
前記第１反射器の表面は、前記ベースの表面となっていることを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記第１反射表面は、第１のボーダーラインと、これに対向する第２ボーダーラインを備えた平面状表面であり、前記第１ボーダーラインは、前記直線状のボーダーラインであり、
前記第２ボーダーラインのほうが前記ＬＥＤ照明要素に接近している、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記ベースは、前記ボーダーラインに対して所定の関係となるように設けられた少なくとも１つの機械的基準要素を備える、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記機械的基準要素は、溝、ウェブ、複数のキャビティまたは複数の盛り上がった部分のうちの１つを備え、前記基準要素は、前記ボーダーラインに対して平行なラインに配置されている、請求項３記載の装置。
【請求項５】
前記ベースは、キャビティを備え、前記キャビティ内には前記ＬＥＤ照明要素が取り付けられており、前記キャビティにはインサートが少なくとも部分的に収納されており、
前記コリメータの反射器は、更に少なくとも１つの第２反射表面を備え、前記第２反射表面は、前記インサートの一表面となっている、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記インサートは、プラスチック材料から製造されており、
前記プラスチック材料内に電気接点が成形されており、
前記電気接点は、前記ＬＥＤ照明要素に電気的に接続されている、請求項５記載の装置。
【請求項７】
前記照明装置は、更に電気コネクタを備え、前記インサート内に成形された前記電気接点は、前記電気コネクタに電気的に接続されている、請求項６記載の装置。
【請求項８】
前記インサートは、前記電気接点に接続された電気回路を更に備える、請求項６又は７に記載の装置。
【請求項９】
少なくとも１つの機械的基準要素を備えた、請求項３乃至８の何れか１項に記載の少なくとも１つの装置を含む車両用ヘッドライトであって、
前記照明装置の前記機械的基準要素に係合する少なくとも１つのヘッドライト基準要素を含む、車両用ヘッドライト本体を更に備えることを特徴とする車両用ヘッドライト。
【請求項１０】
熱伝導材料から製造されたベースに前記ＬＥＤ照明要素を配置するステップと、
コリメータの反射器を使って前記ＬＥＤ照明要素から発生される光の向きを定めるためのステップとを備え、
前記コリメータの反射器は、少なくとも１本の直線状のボーダーラインを有する少なくとも１つの第１反射器表面を備え、前記コリメータの反射器は、前記ボーダーラインによってカットオフが形成されるように、前記ＬＥＤ照明要素からの光を反射するようになっており、前記第１反射器の表面は、前記ベースの表面となっている、ＬＥＤ照明要素から発生される光の向きを定めるための方法。
【請求項１１】
熱伝導材料から製造されたベースと、ベース前記に配置されたＬＥＤ照明要素とを備え、
前記ベースは、キャビティを備え、ＬＥＤ照明要素は、前記キャビティ内に取り付けられており、
前記キャビティ内にはインサートが少なくとも部分的に収納されており、前記インサートはコリメータの反射器のうちの少なくとも１つの反射表面を備え、
前記インサートは、プラスチック材料から製造されており、このプラスチック材料内に電気接点が成形されていることを特徴とする照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月9日(2009.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パーソナルケア用品であって、
第１の平均直径を有する、ランダムに分散され相互接着された繊維の、全体として平坦な相互接着繊維層を有し、前記相互接着繊維層内に形状成形された不連続部があり、
第２の平均直径を有する複数の補強ストランドが、間隔をもって前記相互接着繊維層の少なくとも一部に取り付けられ、
前記パーソナルケア用品がプーフであることを特徴とするパーソナルケア用品。
【請求項２】
間隔をもった前記補強ストランドの各々が、互いにほぼ平行であることを特徴とする請求項１に記載のパーソナルケア用品。
【請求項３】
前記形状成形された不連続部が、ほぼ円形であることを特徴とする請求項２に記載のパーソナルケア用品。
【請求項４】
前記形状成形された不連続部が、前記相互接着繊維層の前記表面から出る突起と隣接することを特徴とする請求項３に記載の基層。
【請求項５】
清浄化組成物を含むことを特徴とする請求項１に記載のパーソナルケア用品。
【請求項６】
前記相互接着繊維層の相互接着された前記繊維が、平均孔直径を有する孔を定め、前記ほぼ円形の形状成形された不連続部が、平均直径を定め、前記円形形状成形された不連続部の前記平均直径が、前記相互接着繊維層により定められる前記孔の前記平均孔直径より大きいことを特徴とする請求項３に記載のパーソナルケア用品。
【請求項７】
前記円形形状成形された不連続部の前記平均直径と前記相互接着繊維層により定められる前記孔の前記平均孔直径との比が、少なくとも約１０対１であることを特徴とする請求項６に記載のパーソナルケア用品。
【請求項８】
前記第１の平均直径が、前記第２の平均直径より小さいことを特徴とする請求項１に記載のパーソナルケア用品。
【請求項９】
前記第１の平均直径と前記第２の平均直径との比が、少なくとも約１０対１であることを特徴とする請求項１に記載のパーソナルケア用品。
【請求項１０】
前記相互接着繊維層が、エラストマーの繊維を含むことを特徴とする請求項１に記載のパーソナルケア用品。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月9日(2009.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
アクリレート系接着剤には少なくとも１種類の粘着性樹脂を有利に混入することができる。更にアクリレート系接着剤には架橋剤及び／又は添加物を混入してもよい。添加物は好ましくはミクロスフェア、ナノ粒子、着色剤、熱伝導材、電導材、老化防止剤、光安定剤、酸化防止剤、脂肪酸、可塑剤、核形成剤、膨張剤、促進剤及び／又は充填剤よりなる群から選択される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月19日(2009.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
（ａ）１種以上のフルオロモノマー、過硫酸塩開始剤及び液状キャリアーを一緒にして反応混合物を形成させ；
（ｂ）この反応混合物を１００℃超の温度に加熱し；そして
（ｃ）重合の進行中はこの反応混合物に過硫酸塩開始剤を供給し続ける：
ことによって、長鎖分岐を有し且つゲル含有率が５重量％未満の分岐フルオロポリマーを生産することを含む、分岐フルオロポリマーの生成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月28日(2009.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）０．１乃至９９．９質量％の、一般式（Ｉ）で表され、
【化１】
2009516012.tif 000001
式中、Ｒは水素原子又は炭素原子数１乃至４のアルキル基；Ｒ1及びＲ2は、各々それぞれ独立して、１乃至１８個の炭素原子を有するアルキル基、ヒドロキシルアルキル基、カルボキシアルキル基、カルボキサミドアルキル基又はアルコキシアルキル基を表し；Ｍcは
任意のモノマー（Ｃ）からの残基を表し；ｎ、ｍ及びｐは一般式（Ｉ）で表されるカチオン性反応物の、それぞれ対応するかっこ内の繰り返し単位のモル分率を表し；ｍ＋ｎ＋ｐ＝１でありそして、Ｙ-はアニオンを表す、
少なくとも１種のカチオン性反応物を、
（ｂ）０．１乃至９９．９質量％の、
疎水性又は親水性、アニオン性、カチオン性、両性又は非イオン性であり得、そして、一般式（Ｉ）で表されるポリマーの骨格上に付いているアミノ基と反応性があるが、但し、官能性化合物は、ヒンダードアミンニトロキシド、ヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアンモニウム塩基を含まないか、又は、もしそのような基が官能性化合物中に存在する場合、「基本」ポリマー中のアミノ官能性基の少なくとも一部がまた、同時に又は如何なる順において連続して、ヒンダードアミンニトロキシド、ヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアンモニウム塩基を含まない少なくとも１種の官能性化合物と、反応するものである、
少なくとも１種の官能性化合物と、
反応させることにより得られる主ポリマー骨格を含む官能性カチオン性ポリマー。
【請求項２】
下記一般式で表され、
【化２】
2009516012.tif 000002
式中、Ｒ1及びＲ2は、各々それぞれ独立して、水素原子、１乃至１８個の炭素原子を有するアルキル基、ヒドロキシルアルキル基、カルボキシアルキル基、カルボキサミドアルキル基又はアルコキシアルキル基を表し；Ｍcは任意のモノマー（Ｃ）からの残基を表し；
そしてＹ-は無機又は有機であり得るアニオンを表し；Ｆｇはカチオン性アミノ「基本」
ポリマーにグラフトされる少なくとも１種の官能性反応物からの残基を表し；Ｒ3は水素
原子、炭素原子数１乃至４のアルキル基又はＦｇを表し；ｍ、ｎ及びｐは一般式（Ｉａ）又は（Ｉｂ）で表されるポリマーのそれぞれ対応するかっこ中の繰り返し単位のモル分率を表し；ｍ＋ｎ＋ｐ＝１を表し；そして★は末端基を表すが、但し、官能性残基Ｆｇは、ヒンダードアミンニトロキシド、ヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアンモニウム塩基を含まないか、又は、もしそのような基が存在する場合、ポリマー中のアミノ官能性残基の少なくとも一部が、ヒンダードアミンニトロキシド、ヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアンモニウム塩基を含まない少なくとも１つの官能性残基を有する、
請求項１に記載の官能性カチオン性ポリマー。
【請求項３】
前記カチオン性「基本」ポリマーが、塩化ジアリルジメチルアンモニウム、臭化ジアリ
ルジメチルアンモニウム、硫酸ジアリルジメチルアンモニウム、リン酸ジアリルジメチルアンモニウム、塩化ジメタリルジメチルアンモニウム、塩化ジエチルアリルジメチルアンモニウム、塩化ジアリルジ（β−ヒドロキシエチル）アンモニウム、及び塩化ジアリルジ（β−エトキシエチル）アンモニウムからなる群より選択される少なくとも１種の四級アンモニウムモノマーから製造される、請求項１に記載の官能性カチオン性ポリマー。
【請求項４】
前記官能性化合物が、
その残余のＦｇ’を「基本」ポリマーのアミノ窒素へ結合する
【化４】
2009516012.tif 000003
連結を含む、
【化３】
2009516012.tif 000004
のような官能性基Ｆｇを与える少なくとも１種のエポキシ基又はハロヒドリン化合物である、請求項２に記載の官能性カチオン性ポリマー。
【請求項５】
一般式（ＩＶ）で表され、
【化５】
2009516012.tif 000005
式中、Ｆｇ’は水素原子、炭素原子数１乃至３０のアルキル基又は
【化６】
2009516012.tif 000006
であり、
式中、Ｒは水素原子、炭素原子数１乃至３０のアルキル基、炭素原子数１乃至３０のペルフルオロアルキル基、１乃至１５００のエトキシ単位、１乃至１５００のプロポキシ単位、１乃至１５００の混合エトキシ−プロポキシ単位を表し、ｍ及びｎは、（ｍ＋ｎ）＝１である対応するかっこ中の繰り返し単位のモル分率を表し、そしてｒは１乃至１００の数を表すものである、
請求項４に記載の官能性カチオン性ポリマー。
【請求項６】
一般式（Ｖ）で表され、
【化７】
2009516012.tif 000007
式中、Ｒは１乃至１８個の炭素原子を有するアルキル基を表し、ｍ及びｎは一般式（Ｖ）で表されるポリマーのそれぞれ対応するかっこ中の繰り返し単位のモル分率を表し、ｒは０乃至１００の数を表し、そして、★は末端基を表すものである、請求項５に記載の官能性カチオン性ポリマー。
【請求項７】
部分一般式（ＶＩａ）及び（ＶＩｂ）で表され、
【化８】
2009516012.tif 000008
式中、ヒンダードアミンニトロキシド、ヒドロキシルアミン又はヒドロキシルアンモニウム塩基を含まない、少なくとも１種の付加的な官能性残基Ｆｇ’が該ポリマー中に存在するものである、請求項５に記載の官能性カチオン性ポリマー。
【請求項８】
一般式（ＩＶ）中のＦｇ’が、塩化３−クロロー２−ヒドロキシプロピル−ジメチルド
デシルアンモニウム又は塩化３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル−ジメチルオクタデシルアンモニウムの反応からの残基である、請求項５に記載の官能性カチオン性ポリマー。
【請求項９】
Ａ）０．１乃至９９．９質量％、好ましくは２０質量％乃至９９質量％の、一般式（Ｉ）で表され、
【化９】
2009516012.tif 000009
式中、Ｒは水素原子又は炭素原子数１乃至４のアルキル基を表し；Ｒ1及びＲ2は各々それぞれ独立して、１乃至１８個の炭素原子を有するアルキル基、ヒドロキシアルキル基、カルボキシアルキル基、カルボキサミドアルキル基、又はアルコキシアルキル基を表し；Ｍｃは、（メタ）アクリルアミド又は（メタ）アクリレートのような任意のモノマー（Ｃ）からの残基を表し；ｎ、ｍ及びｐは一般式（Ｉ）で表されるカチオン性反応物のそれぞれ対応するかっこ中の繰り返し単位のモル分率を表し；ｍ＋ｎ＋ｐ＝１を表し；そしてＹ-
はアニオンを表すものである、
少なくとも１種のカチオン性反応物を、
０．１乃至９９．９質量％の、
疎水性又は親水性、アニオン性、カチオン性、両性又は非イオン性であり得、一般式（Ｉ）で表されるポリマーの骨格上のアミノ基に反応性があるものである、少なくとも１種の疎水性／親水性反応物官能性化合物、
と反応させることにより得られる主骨格を有する重合性官能性カチオン性コポリマー、
Ｂ）少なくとも１種の化粧品的機能剤、及び
Ｃ）少なくとも１種の化粧品的に許容される助剤
を含む、パーソナルケア又は化粧品的組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月30日(2009.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
複合構造を強化するために使用される織予備成型品であって、
複数の織り合わされた層を有する中央部分と、
複数の独立した織層を有する第１の端部部分と、
複数の独立した織層を有する第２の端部部分と、
を有し、
前記複数の独立した織層の積層は、三次元布構造を形成するために前記中央部分において前記予備成型品の全長を経て伸張しており、
前記積層は、織布の集積体を形成するために前記端部部分において独立して織られており、
バイアス層が前記第１と第２の端部部分における前記複数の独立した織積層の間に挿入されていることを特徴とする織予備成型品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
複合構造を強化するために使用される織予備成型品を製造するための方法であって、
中央部分を形成するために複数の層を１つとなるように織る工程と、
第１の端部部分を形成するために複数の独立した層を織る工程と、
第２の端部部分を形成するために前記複数の独立した層を織る工程と、
前記第１及び第２の端部部分において前記複数の独立した織積層の間にバイアス層を挿入する工程と、
を有し、
前記複数の独立した織層の積層は、前記予備成型品の全長を経て伸張しており、
前記積層は、三次元布構造を形成するために前記中央部分において一体的に織られており、
前記積層は、織布の集積体を形成するために前記端部部分において独立して織られていることを特徴とする織予備成型品を製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月3日(2009.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に平行な２枚のカバーシート間に配置された固化石膏コアを有する石膏をベースとする吸音ボードであって、
前記固化石膏コアがコア調合物の総重量に基づき約７５重量％〜約９０重量％のスタッコと、コア調合物の総重量に基づき約０〜約１５重量％のパーライトと、コア調合物の総重量に基づき約２重量％〜約１２重量％の紙繊維と、コア調合物の総重量に基づき約０．５重量％〜約５重量％のスターチとを有するコアの調合物から作成されており、且つカバーシートを貫通し前記固化石膏コアに及ぶ多数の吸音穿孔を有することを特徴とする吸音ボード。
【請求項２】
前記コア調合物が、前記コア調合物の重量に基づき約８０重量％〜約８５重量％の量のスタッコと、前記コア調合物の重量に基づき約５重量％〜約８重量％の量のパーライトと、前記コア調合物の重量に基づき約６重量％〜約１０重量％の量の紙繊維と、前記コア調合物の重量に基づき約０．５重量％〜約２重量％の量のスターチと、を含む請求項１に記載の吸音ボード。
【請求項３】
前記パーライトが、約３．０ｐｃｆ〜約５．０ｐｃｆの密度を有する、請求項１又は２に記載の吸音ボード。
【請求項４】
表紙及び裏紙を備えるカバーシートを含み、前記穿孔が前記表紙を貫通し前記固化石膏コアに及ぶが前記固化石膏コアを貫通していない、請求項１〜３のいずれか１項に記載の吸音ボード。
【請求項５】
前記表紙が、距離を置いて見るとテクスチャの外観を作り出すパターンを有する、請求項４に記載の吸音ボード。
【請求項６】
前記穿孔が約０．０６２インチ（約１．５７ｍｍ）の直径を有し、１８００フィート（９２９ｃｍ２）当たり約１８００個存在する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の吸音ボード。
【請求項７】
前記ボードは厚さ約０．５４インチ（約１．３７ｃｍ）であり、前記穿孔は深さ約１／４〜約１／２インチ（約０．６４ｃｍ〜約１．２７ｃｍ）である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の吸音ボード。
【請求項８】
前記コア調合物中の前記パーライトが、約１：１．１〜約１：２のパーライト対紙繊維の重量比で存在する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の吸音ボード。
【請求項９】
石膏をベースとする吸音ボードを作製する方法であって、
（ａ）水と、総固形分重量に基づく約７５重量％〜約９０重量％の量のスタッコと、総固形分重量に基づく最大約１５重量％の量のパーライトと、総固形分重量に基づく約２重量％〜約１２重量％の量の紙繊維と、総固形分重量に基づく約０．５重量％〜約５重量％の量のスターチと、を含むスラリーを混合するステップと、
（ｂ）約１０ｐｃｆの密度を有する石けんフォームを前記スラリーに添加するステップと、
（ｃ）第１のカバーシート上に前記スラリーを堆積させるステップと、
（ｄ）前記スタッコが固化石膏コアを形成するのに十分な条件下で前記スラリーを維持するステップと、
（ｅ）前記固化石膏コアの上に第２のカバーシートを設置して吸音ボードを形成するステップと、
（ｆ）前記形成したボードを一定重量まで乾燥させて、最高約２０ｐｃｆの密度を有する乾燥させたボードを生成するステップと、
（ｇ）前記乾燥させたボードを切断するステップと、
（ｈ）穿孔が前記固化石膏コアに及ぶが貫通しないように、ピン数が９２９ｃｍ２当たり約１８００個でかつピン直径が約１．５７ｍｍであるピンを用いて、前記乾燥させたボードの前記カバーシートの一方を穿孔するステップと、を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月1日(2009.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図１５Ａから図１５Ｃまでは、ボルト・ア・ブロックシステム３１を使用したプロトタイプの建造工程の写真を示す。図１５Ａでは、１つ目のブロック４６が基底４８およびバー４４Ａの上に配置されている。非熟練作業者１０２がこの建造工程を開始する。図１５Ｂでは、構築が続行され、２つ目のブロック４６が追加される。ここでは、作業者１０２は動力式ドライバ９５を使用しているが、まさに標準のレンチ４５（図示せず）も容易に使用できる。図１５Ｃでは、作業者１０２が３つ目のブロックを雁行構成に配置している。壁が所望の長さおよび高さに達するまで、構築が継続する。控えまたは硬化時間が必要ないので、第１の作業者１０２のすぐ隣でまたは近くで追加の作業者が作業することもできる。構造物が完成したら、直ちに使用できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
【図１】図１は、ボルト・ア・ブロックシステム全体のスケッチである。
【図２】図２Ａ〜図２Ｅは、組積およびポストテンション構造物の従来技術のスケッチである。
【図３】図３Ａ〜図３Ｆは、従来技術のさらなる描写である。
【図４】図４は、ボルト・ア・ブロックシステムの主構成要素、すなわち、ブロック、バー、ファスナ、およびレンチのスケッチである。
【図５】図５Ａおよび図５Ｂは、ボルト・ア・ブロックシステムであり、本システム固有の部品および特徴を示す。
【図６】図６Ａ〜図６Ｇは、プロトタイプ構造物の詳細なスケッチおよび写真によりボルト・ア・ブロックシステムの詳細を示す。
【図７】図７Ａ〜図７Ｃは、ボルト・ア・ブロックシステムの詳細、および本システムに付随し得るいくつかの特徴を示す。
【図８】図８Ａ〜図８Ｄは、屋根構造物をボルト・ア・ブロックシステムの壁体に確実に取り付ける方法の写真である。
【図９】図９Ａ〜図９Ｅは、ボルト・ア・ブロックシステムによって作成可能な構造物のスケッチを示す。
【図１０】図１０Ａ〜図１０Ｇは、ボルト・ア・ブロックシステムのプロトタイプ壁と共に示された、取り付け装置の例の写真である。
【図１１】図１１Ａ〜図１１Ｍは、ボルト・ア・ブロックシステムのバーおよびアタッチメントのスケッチを示す。
【図１２】図１２Ａ〜図１２Ｄは、ボルト・ア・ブロックシステムによって作成可能なデッキ構造物のスケッチを示す。
【図１３】図１３Ａ〜図１３Ｄは、ボルト・ア・ブロックシステムのオリジナルプロトタイプで使用される工具の写真を示す。
【図１４】図１４Ａ〜図１４Ｅは、ボルト・ア・ブロックシステムでの使用に際して有用な、一般的な中空組積ブロックおよびレンガのスケッチを示す。
【図１５】図１５Ａ〜図１５Ｃは、ボルト・ア・ブロックシステムを使用した建造工程の写真を示す。