【手続補正書】
【提出日】平成21年8月19日(2009.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造
【化１】
2009506072.tif 000001
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、フルオロカーボン基、複素環化合物残基、酸素含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、硫黄含有基、リン含有基、炭素含有基、ケイ素含有基、であり、それらの二以上が互いに結合して環を形成していてもよく、Ａｒは、任意に一以上の水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、フルオロカーボン基、複素環化合物残基、酸素含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、硫黄含有基、リン含有基、炭素含有基（例えば、炭化水素）、ケイ素含有基、で置換されていてもよく、それらの二以上が互いに結合して環を形成していてもよい芳香族炭化水素または複素環からなる群から選択される。）
を有するキラルアニリンの製造方法であって、
【化２】
2009506072.tif 000002
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、上で定義したとおりである。）と
【化３】
2009506072.tif 000003
（式中、Ａｒは、上で定義したとおりである。）
とを触媒有効量のＣＦ３ＳＯ３Ｈ、またはＨＣｌもしくはＨＢＦ４以外の別の強酸の存在下、２０〜２５０℃の温度において、（ＩＩＩ）：（ＩＩａ）のモル比、１０：１〜０．１：１で反応させる工程を包含する、キラルアニリンの製造方法。
【請求項２】
該温度が１００〜２００℃の範囲である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
【化４】
2009506072.tif 000004
およびこれらの混合物からなる群から選択される構造を有するアニリンの製造方法であって、
【化５】
2009506072.tif 000005
と
【化６】
2009506072.tif 000006
（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３並びにＡｒは、請求項１において定義されるとおりである。）
とを触媒有効量のＣＦ３ＳＯ３ＨまたはＨＣｌもしくはＨＢＦ４以外の別の強酸の存在下、２０〜２５０℃の温度において、（ＩＩＩ）：（ＩＩｂ）のモル比、１０：１〜２：１で反応させる工程を包含する、アニリンの製造方法。
【請求項４】
該温度が１００〜２００℃の範囲である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
構造
【化７】
2009506072.tif 000007
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、請求項１において定義されるとおりであり、Ｒ５およびＲ６は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、フルオロカーボン基、複素環化合物残基、酸素含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、硫黄含有基、リン含有基、炭素含有基、またはケイ素含有基であり、互いに結合するかまたはＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７もしくはＲ８の一以上に結合して環を形成していてもよく、Ｒ７およびＲ８は、異なり、水素でなく、代わりにそれぞれハロゲン原子、フルオロカーボン基、複素環化合物残基、芳香族基、酸素含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、硫黄含有基、リン含有基、炭素含有基、またはケイ素含有基であり、互いに結合して環を形成していてもよい。）
を有する化合物。
【請求項６】
Ｒ１がｓｅｃ−フェネチルであり、Ｒ３がＭｅであり、Ｒ５／Ｒ６がＨ、Ｍｅまたはアセナフテンキノン誘導体であり、Ｒ７＝Ｍｅ、Ｒ８＝Ｐｈ、かつｓｅｃ−フェネチル基の全立体中心が同一の絶対配置である場合を除く、請求項５に記載の化合物。
【請求項７】
式
【化８】
2009506072.tif 000008
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７またはＲ８は、請求項５において定義されるとおりであり；ｎは、１〜３の整数であり；ｍは、０〜５の整数であり；Ｍは、第３〜１１族遷移金属であり；Ｒ９およびＲ１０は、任意であり同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、フルオロカーボン基、複素環化合物残基、酸素含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、硫黄含有基、リン含有基、炭素含有基、またはケイ素含有基であり、それらの二以上が互いに結合して環を形成していてもよく；Ｙは、水素原子、ハロゲン原子、酸素含有基、硫黄含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、アルミニウム含有基、リン含有基、ハロゲン含有基、複素環化合物残基、炭素含有基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基または錫含有基であり、ｍが２、３または４である場合、複数の基Ｙは同一であっても異なっていてもよく、互いに結合するかまたはＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９もしくはＲ１０の一以上に結合して環を形成していてもよく；ＭとＮとの間の結合は配位結合、共有結合またはイオン結合である。）
を有する錯体。
【請求項８】
式
【化９】
2009506072.tif 000009
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７およびＲ８は、請求項５において定義されるとおりであり；ｎは、１〜３の整数であり；ｍは、０〜４の整数であり；Ｍは、第３〜１１族遷移金属であり；Ｌは、炭素含有基、ケイ素含有基、またはホウ素含有基でありうる結合ブリッジであり；Ｙは、水素原子、ハロゲン原子、酸素含有基、硫黄含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、アルニウム含有基、リン含有基、ハロゲン含有基、複素環化合物残基、炭素含有基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基または錫含有基であり、ｍが２、３または４である場合、複数の基Ｙは、同一であっても異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよく；ＭとＮとＬとＮとの間の結合は、配位結合、共有結合、またはイオン結合である。）
を有する錯体。
【請求項９】
Ｒ１がｓｅｃ−フェネチルであり、Ｒ３がＭｅであり、Ｒ７＝Ｍｅ、Ｒ８＝Ｐｈ、Ｌがα−ジケトン誘導体であり、ＭがＮｉであり、ｎが１であり、ＹｍがＢｒ２であり、かつｓｅｃ−フェネチル基の全立体中心が同一の絶対配置である場合を除く、請求項８に記載の錯体。
【請求項１０】
式
【化１０】
2009506072.tif 000010
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、およびＲ８は、請求項５において定義されるとおりであり；ｎは、１〜３の整数であり；ｍは、０〜４の整数であり；Ｍは第３〜１１族遷移金属であり；Ｘは、金属に結合可能な基、例えば、Ｏ、ＯＲ１１、ＮＲ１１、Ｎ（Ｒ１１）２、Ｐ（Ｒ１１）２、２−Ｃ５Ｈ４Ｎ、Ｃ５（Ｒ１１）４、であり；Ｒ１１は、任意であり、複数のＲ１１基が存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１１は、水素原子、ハロゲン原子、フルオロカーボン基、複素環化合物残基、酸素含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、硫黄含有基、リン含有基、炭素含有基、またはケイ素含有基であり、それらの二以上が互いに結合して環を形成していてもよく；Ｌは炭素含有基、ケイ素含有基、またはホウ素含有基である結合ブリッジであり；Ｙは水素原子、ハロゲン原子、酸素含有基、硫黄含有基、窒素含有基、ホウ素含有基、アルミニウム含有基、リン含有基、ハロゲン含有基、複素環化合物残基、炭素含有基、ケイ素含有基、ゲルマニウム含有基または錫含有基であり、ｍが２、３または４である場合、複数の基Ｙは同一であっても異なってもよく、互いに結合して環を形成していてもよく；Ｎ−Ｌ、Ｌ−Ｘ、Ｘ−Ｍ、およびＭ−Ｎ間の結合は、配位結合、共有結合、またはイオン結合である。）
を有する錯体。
【請求項１１】
Ｒ１がｓｅｃ−フェネチルであり、Ｒ３がＭｅであり、Ｒ７＝Ｍｅ、Ｒ８＝Ｐｈ、Ｘ＝Ｎ（２，６−ジ−ｓｅｃ−フェネチル−４−メチル−フェニル）、Ｌがα−ジケトン誘導体であり、ＭがＮｉであり、ｎが１であり、ＹｍがＢｒ２であり、かつｓｅｃ−フェネチル基の全立体中心が同一の絶対配置である場合を除く、請求項１０に記載の錯体。
【請求項１２】
式
【化１１】
2009506072.tif 000011
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８は、請求項５において定義されるとおりである。）
を有する錯体。
【請求項１３】
触媒有効量の請求項７〜１２のいずれか一項に記載の錯体の存在下、温度−８０〜２００℃においてプロピレンを重合する工程を包含する、Ｔｍが５０℃超であり、ＰＤＩが３未満であるアイソタクチックポリプロピレンの製造方法。
【請求項１４】
触媒有効量の請求項７〜１２のいずれか一項に記載の錯体の存在下、温度−８０〜２００℃においてプロピレンを重合する工程を包含する、３，１−挿入の割合少なくとも１％、例えば、少なくとも６％または少なくとも２０％、およびＰＤＩ３未満を有するレジオランダムポリプロピレンの製造方法。
【請求項１５】
触媒有効量の請求項７〜１２のいずれか一項に記載の錯体の存在下、温度−８０〜２００℃において、次にまたはその前に温度−８０〜２００℃において、各ブロックを重合する工程を包含する、Ｔｍ５０℃超かつＰＤＩ３未満のアイソタクチックポリプロピレンのブロック並びに３，１−挿入の割合少なくとも１％およびＰＤＩ３未満を有するレジオランダムポリプロピレンのブロックを含有するブロックコポリマーの製造方法。
【請求項１６】
プロピレンの３，１−挿入割合が１〜９９％の範囲内であり、プロピレン中の挿入残部が主に１，２挿入であり、ＰＤＩ２．０未満を有する、レジオランダムプロピレンベースのポリマー。
【請求項１７】
レジオランダムポリプロピレンからなる、請求項１６に記載のレジオランダムプロピレンベースのポリマー。
【請求項１８】
ＰＤＩ１．５未満を有する、請求項１７に記載のレジオランダムポリプロピレン。
【請求項１９】
一方のブロックがＴｍ５０℃超およびＭｎ１，０００〜９９９，０００を有するアイソタクチックプロピレンベースのポリマーであり、一方のブロックがポリプロピレンの３，１−挿入の割合１〜９９％、およびＭｎ１，０００〜９９９，０００を有するレジオランダムプロピレンベースのポリマーである、ＰＤＩ３未満およびＭｎ１，０００〜１，０００，０００を有するジブロックコポリマー。
【請求項２０】
該レジオランダムプロピレンベースのポリマーがレジオランダムポリプロピレンからなる、請求項１９に記載のジブロックコポリマー。
【請求項２１】
第一ブロックがＴｍ５０℃超およびＭｎ１，０００〜９９８，０００を有するアイソタクチックプロピレンベースのポリマーであり、第二ブロックがプロピレンの３，１−挿入の割合１〜９９％、およびＭｎ１，０００〜９９８，０００を有するレジオランダムプロピレンベースのポリマーであり、第三ブロックがＴｍ５０℃超およびＭｎ１，０００〜９９８，０００を有するアイソタクチックプロピレンベースのポリマーである、ＰＤＩ３未満およびＭｎ１，０００〜１，０００，０００を有するトリブロックコポリマー。
【請求項２２】
該レジオランダムプロピレンベースのポリマーがレジオランダムポリプロピレンからなる、請求項２１に記載のトリブロックコポリマー。
【請求項２３】
Ｔｍ５０℃超およびＭｎ１，０００〜９９９，０００を有するアイソタクチックプロピレンベースのポリマーのブロック少なくとも一種類並びにポリプロピレンの３，１−挿入の割合１〜９９％およびＭｎ１，０００〜９９９，０００を有するレジオランダムプロピレンベースのポリマーのブロック少なくとも一種類を含有する、ＰＤＩ３未満およびＭｎ１，０００〜１，０００，０００を有するマルチブロックコポリマー。
【請求項２４】
該レジオランダムプロピレンベースのポリマーがレジオランダムポリプロピレンからなる、請求項２３に記載のマルチブロックコポリマー。
【請求項２５】
メチレン基１０００個あたり１〜１００個のメチル基およびＭｎ１，０００〜９９９，０００を有するエチレンベースのポリマーのブロック少なくとも一種類並びにポリプロピレンの３，１−挿入の割合１〜９９％を有するレジオランダムプロピレンのブロック少なくとも一種類を含有する、ＰＤＩ３未満およびＭｎ１，０００〜１，０００，０００を有するマルチブロックコポリマー。
【請求項２６】
該エチレンベースのポリマーがポリエチレンからなり、該プロピレンベースのポリマーがポリプロピレンからなる、請求項２５に記載のマルチブロックコポリマー。
【請求項２７】
メチレン基１０００個あたり１〜１００個のメチル基を有し、Ｍｎ１，０００〜９９９，０００のエチレンベースのポリマーのブロック少なくとも一種類並びにエチレンユニットの割合１〜９９％およびＭｎ１，０００〜９９９，０００を有するポリ（エチレン−ｃｏ−Ｃ３〜Ｃ１０αオレフィン）のブロック少なくとも一種類を含有する、ＰＤＩ３未満およびＭｎ１，０００〜１，０００，０００を有するマルチブロックコポリマー。
【請求項２８】
該エチレンベースのポリマーがポリエチレンからなり、該ポリ（エチレン−ｃｏ−Ｃ３〜Ｃ１０αオレフィン）がポリ（エチレン−ｃｏ−プロピレン）からなる、請求項２７に記載のマルチブロックコポリマー。
【請求項２９】
炭素原子１０００個あたり０〜５０個のメチル分枝およびＭｎ１，０００〜９９９，０００を有するエチレンベースのポリマーのブロック少なくとも一種類並びに炭素原子１０００個あたり５０〜３００個のメチル分枝およびＭｎ１，０００〜９９９，０００を有するエチレンベースのポリマーのブロック少なくとも一種類を含有する、ＰＤＩ３未満およびＭｎ１，０００〜１，０００，０００を有するマルチブロックポリエチレン。
【請求項３０】
単一モノマーからメチルより大きい分枝がなく製造され、かつブロックがブロック中のモノマーの化学連接性で近接ブロックから区別されるマルチブロックポリマー。
【請求項３１】
エチレンからメチルより大きい分枝がなく製造され、かつブロックがブロック中のエチレンユニットの化学連接性で近接ブロックから区別されるマルチブロックポリマー。
【請求項３２】
プロピレンからメチルより大きい分枝がなく製造され、かつブロックがブロック中のプロピレンユニットの化学連接性で近接ブロックから区別されるマルチブロックポリマー。
【請求項３３】
重合中の反応条件を変えてブロックを生じることによって、ブロックがブロック中のモノマーの化学連接性で近接ブロックから区別される、単一モノマーからマルチブロックポリマーを製造する方法。
【請求項３４】
単一モノマーからマルチブロックポリマーを製造する方法であって、異なるポリマー位置化学を製造し、重合中にポリマー鎖を交換してブロックを生じうる二種類以上の触媒を使用することによる、ブロックがブロック中のモノマーの化学連接性で近接ブロックから区別される、マルチブロックポリマーを製造する方法。
【請求項３５】
ミクロ相分離を示さないマルチブロック熱可塑性エラストマー。