【手続補正書】
【提出日】平成23年10月21日(2011.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置された、入射した放射線又は光を電気信号に変換する変換素子を有する複数の画素と、外部回路と接続するために前記複数の画素の周辺部に配置された接続電極と、を有するマトリクスアレイを準備する工程と、
前記マトリクスアレイの前記基板側とは反対側に、前記複数の画素及び前記接続電極を覆う可撓性支持体を固定する工程と、
前記マトリクスアレイから前記基板を剥離する工程と、
を有することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
【請求項２】
前記可撓性支持体は、第１の電磁シールド層であり、
前記可撓性支持体を固定する工程は、第１のシンチレータ層を複数の画素上に固定し、前記第１のシンチレータ層の上に前記第１の電磁シールド層を固定して、前記複数の画素、前記第１のシンチレータ層、前記第１の電磁シールド層の順の積層構成とすることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項３】
前記可撓性支持体は、第１の電磁シールド層であり、
前記可撓性支持体を固定する工程は、予め互いに固定された第１のシンチレータ層と前記第１の電磁シールド層の前記第１のシンチレータ層側を、前記複数の画素上に固定して、前記複数の画素、前記第１のシンチレータ層、前記第１の電磁シールド層の順の積層構成とすることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項４】
前記可撓性支持体は、第１のシンチレータ層であり、
前記可撓性支持体を固定する工程は、前記第１のシンチレータ層を複数の画素上に固定し、前記第１のシンチレータ層の上に第１の電磁シールド層を固定して、前記複数の画素、前記第１のシンチレータ層、前記第１の電磁シールド層の順の積層構成とすることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項５】
前記可撓性支持体は、第１のシンチレータ層であり、
前記可撓性支持体を固定する工程は、予め互いに固定された前記第１のシンチレータ層と第１の電磁シールド層の前記第１のシンチレータ層側を、前記複数の画素上に固定して、前記複数の画素、前記第１のシンチレータ層、前記第１の電磁シールド層の順の積層構成とすることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁層の前記基板が前記剥離された側の表面に、第２のシンチレータ層を固定する工程を更に有すること特徴とする請求項２から５のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁層の前記基板が剥離された側の表面に、第２のシンチレータ層を固定し、前記第２のシンチレータ層の上に第２の電磁シールド層を固定する工程を更に有すること特徴とする請求項２から５のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁層の前記剥離した前記基板側の表面に、予め互いに固定された第２のシンチレータ層と第２の電磁シールド層の前記第２のシンチレータ層側を固定する工程を更に有すること特徴とする請求項２から５のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項９】
前記変換素子と前記第２のシンチレータ層との距離が１００ｎｍ以上、５０μｍ以下であることを特徴とする請求項６から８のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項１０】
前記接続電極に前記外部回路を接続する工程を更に有することを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項１１】
前記可撓性支持体は、前記外部回路の少なくとも一部を更に覆うことを特徴とする請求項１０に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項１２】
前記外部回路を接続する工程は、前記基板を剥離する工程の後に前記絶縁層側から行うことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項１３】
前記電磁シールド層を前記外部回路の接地電極と電気的に接続する工程を有することを特徴とする請求項１０から１２のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁層の前記剥離した前記基板側の表面に、可撓性光源を固定する工程を有することを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項１５】
絶縁層と、前記絶縁層上に配置された、入射した光又は放射線を電気信号に変換する変換素子を有する複数の画素と、外部回路と接続するために前記複数の画素の周辺部に配置された接続電極と、を有する可撓性マトリクスアレイと、
前記可撓性マトリクスアレイの前記複数の画素の側に配置された、前記複数の画素及び前記接続電極を覆う可撓性支持体と、を有する放射線検出装置。
【請求項１６】
前記可撓性支持体は、第１の電磁シールド層を含むことを特徴とする請求項１５に記載の放射線検出装置。
【請求項１７】
前記第１の電磁シールド層と前記複数の画素との間に配置された第１のシンチレータ層を有する請求項１６に記載の放射線検出装置。
【請求項１８】
前記可撓性支持体は、第１のシンチレータ層を含むことを特徴とする請求項１５に記載の放射線検出装置。
【請求項１９】
前記接続電極と電気的に接続された前記外部回路を更に有し、前記可撓性支持体は、更に外部回路の少なくとも一部を覆うことを特徴とする請求項１５から１８のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項２０】
前記電磁シールド層は、前記外部回路の接地電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１６又は１７に記載の放射線検出装置。
【請求項２１】
更に、第２のシンチレータ層を有し、前記第２のシンチレータ層、前記可撓性マトリクスアレイ、前記第１のシンチレータ層、前記第１の電磁シールド層の順の積層構成を有すること特徴とする請求項１７に記載の放射線検出装置。
【請求項２２】
更に第２の電磁シールド層を有し、前記第２の電磁シールド層、前記第２のシンチレータ層、前記可撓性マトリクスアレイ、前記第１のシンチレータ層、前記第１の電磁シールド層の順の積層構成を有すること特徴とする請求項２１に記載の放射線検出装置。
【請求項２３】
前記変換素子と前記第２のシンチレータ層との距離が１００ｎｍ以上、５０μｍ以下であることを特徴とする請求項２１又は２２に記載の放射線検出装置。
【請求項２４】
前記可撓性マトリクスアレイの前記可撓性支持体側とは反対側に配置された、可撓性光源を有することを特徴とする請求項１５から２３のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項２５】
前記変換素子は、入射した放射線を直接電気信号に変換する素子であり、前記可撓性支持体は絶縁層であることを特徴とする請求項１５に記載の放射線検出装置。
【請求項２６】
請求項１５から２５のいずれかに記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送手段と、
前記放射線を発生させるための放射線源とを具備することを特徴とする放射線撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の放射線検出装置の製造方法は、基板と、前記基板上に配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置された、入射した放射線又は光を電気信号に変換する変換素子を有する複数の画素と、外部回路と接続するために前記複数の画素の周辺部に配置された接続電極と、を有するマトリクスアレイを準備する工程と、前記マトリクスアレイの前記基板側とは反対側に、前記複数の画素及び前記接続電極を覆う可撓性支持体を固定する工程と、前記マトリクスアレイから前記基板を剥離する工程と、を有することを特徴とする。