【手続補正書】
【提出日】平成23年6月21日(2011.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基材上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層上に犠牲導体層を形成する工程と、
前記犠牲導体層上に、所要の配線パターンの形状に応じてパターニングされた開口部を有するドライフィルムレジスト層を形成する工程と、
前記開口部から露出している前記犠牲導体層の部分を除去後、前記樹脂層の露出している部分に溝を形成する工程と、
前記溝の壁面及び底面を含めて前記樹脂層上に、無電解めっきにより第１の導体層を形成する工程と、
前記第１の導体層で覆われた前記溝内に、電解めっきにより第２の導体層を形成する工程と、
前記ドライフィルムレジスト層を除去し、さらに前記犠牲導体層が露出した残りの部分を除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記犠牲導体層と前記第１の導体層とは電気的に接続しており、前記犠牲導体層と前記第１の導体層とを給電層として前記電解めっきを行うことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記ドライフィルムレジスト層を形成する工程において、前記開口部を、形成されるべき前記溝のパターン幅よりも大きくパターニングすることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記ベース基材上に樹脂層を形成する工程において、少なくとも一方の面に配線層が形成されたベース基材を用意し、該ベース基材の配線層が形成されている側の面を覆って当該樹脂層を形成し、
前記樹脂層の露出している部分に溝を形成する工程において、さらに当該溝内に前記ベース基材の配線層に達するビアホールを形成し、
前記第１の導体層を形成する工程において、該第１の導体層をさらに前記ビアホールの壁面及び底面にも形成することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
ベース基材上に樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層上に犠牲導体層を形成する工程と、
前記犠牲導体層上にドライフィルムレジスト層を形成する工程と、
所要の配線パターンの形状に応じて前記ドライフィルムレジスト層の上から前記犠牲導体層を貫通して前記樹脂層に、当該配線パターンの形状に応じた溝を形成する工程と、
前記溝の壁面及び底面を含めて前記樹脂層上に、無電解めっきにより第１の導体層を形成する工程と、
前記第１の導体層で覆われた前記溝内に、電解めっきにより第２の導体層を形成する工程と、
前記ドライフィルムレジスト層を除去し、さらに前記犠牲導体層が露出した残りの部分を除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記犠牲導体層と前記第１の導体層とは電気的に接続しており、前記犠牲導体層と前記第１の導体層とを給電層として前記電解めっきを行うことを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記ベース基材上に樹脂層を形成する工程において、少なくとも一方の面に配線層が形成されたベース基材を用意し、該ベース基材の配線層が形成されている側の面を覆って当該樹脂層を形成し、
前記溝を形成する工程において、さらに当該溝内に前記ベース基材の配線層に達するビアホールを形成し、
前記第１の導体層を形成する工程において、該第１の導体層をさらに前記ビアホールの壁面及び底面にも形成することを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】配線基板の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体素子（チップ）等の電子部品を搭載するのに用いられる配線基板（以下、便宜上、「半導体パッケージ」ともいう。）の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
かかる従来技術に関連する技術としては、例えば、特許文献１に記載されたプリント基板の製造方法、特許文献２に記載された回路基板の製造方法がある。また、特許文献３に記載されたダマシンプロセスを利用した配線基板の製造方法がある。
【特許文献１】特開平１−９９２８１号公報
【特許文献２】特開平１１−６８２８８号公報
【特許文献３】特開２００６−４９８０４号公報
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、かかる従来技術における課題に鑑み創作されたもので、配線密着強度を改善し、微細配線の確実な形成を実現することができる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る配線基板の製造方法の他の構成上の特徴及びそれに基づく有利な利点等については、以下に記述する発明の実施の形態を参照しながら説明する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図１及び図２は本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法の工程（本発明に関連する部分の工程）を断面図の形態で示したものである。また、図５はその製造方法を使用して得られた配線基板（半導体パッケージ）の一例を断面図の形態で示したものであり、図６はその配線基板に半導体素子を実装したときの状態（半導体装置）を断面図の形態で示したものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
先ず、本実施形態の配線基板（半導体パッケージ）１０の構成について、図５を参照しながら説明する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
以上のように構成された配線基板（半導体パッケージ）１０には、図６に一例として示すように、半導体素子（チップ）４０がその電極端子４１を介して表面実装され得る。チップ４０と配線基板１０の電気的接続は、配線基板１０のパッド部２４Ｐに被着されたはんだ２９上にチップ４０の電極端子４１を当接させてリフローにより行う。さらに、配線基板１０とチップ４０の間隙に、エポキシ系樹脂等のアンダーフィル樹脂４２を充填し、熱硬化させて固定化する。図示の半導体装置５０においては、チップ実装面側と反対側の面に外部接続端子としてのはんだボール３０が接合されている。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
先ず最初の工程では（図１（ａ）参照）、ベース基材としてコア基板１１を用意し、その所要の箇所にスルーホールを形成して導体を充填し、さらに両面に所要のパターン形状に配線層１３（１４）を形成する。例えば、プリント配線板に広く用いられているガラス布基材エポキシ樹脂銅張積層板を用意し、その所要の箇所にドリル加工等によりスルーホールを形成する。次に、その積層板の両面に無電解銅（Ｃｕ）めっきを施し、この無電解Ｃｕめっき膜をシード層（給電層）として利用した電解Ｃｕめっきにより、あるいはＣｕペーストを用いたスクリーン印刷法やインクジェット法等により、当該スルーホールに導体１２（図５参照）を充填する。さらに、この導体１２に接続されるようにしてコア基板１１の両面に、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、インクジェット法等により、所要のパターン形状に１層目の配線層１３（１４）を形成する。セミアディティブ法もしくはインクジェット法を用いた場合には、スルーホールへの導体１２の充填と同時に配線層１３（１４）を形成することができ、工程の簡素化に寄与する。