【手続補正書】
【提出日】平成23年6月14日(2011.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テラヘルツ波を発生或は検出するための光伝導素子であって、
光照射によってキャリアを発生させるためのキャリア発生層と、
前記キャリア発生層の一方の面に設けられた導体からなり、互いに並行して配置されているストリップ線路を含み構成される2つの電極部と、
それぞれが前記2つの電極部にそれぞれ接する導体からなり、前記キャリア発生層に光を照射するための間隙を介して対向して配置されている2つのアンテナ部と、
それぞれが前記2つの電極部にそれぞれ接する導体からなり、前記キャリアによって発生或は検出されるテラヘルツ波の伝搬状態を調整するための2つの調整スタブと、を有し、
前記2つの調整スタブは、前記キャリアによって発生或は検出されるテラヘルツ波の動作波長λ以下の長さを有し、且つ前記アンテナ部と前記電極部の接続部分から前記波長λ以下の範囲に位置していることを特徴とする光伝導素子。
【請求項２】
テラヘルツ波を発生或は検出するための光伝導素子であって、
光照射によってキャリアを発生させるためのキャリア発生層と、
前記キャリア発生層の一方の面に設けられた導体からなり、互いに並行して配置されているストリップ線路を含み構成される2つの電極部と、
それぞれが前記2つの電極部にそれぞれ接する導体からなり、前記キャリア発生層に光を照射するための間隙を介して対向して配置されている2つのアンテナ部と、
それぞれが前記2つの電極部にそれぞれ接する導体からなり、前記キャリアによって発生或は検出されるテラヘルツ波の伝搬状態を調整するための2つの調整スタブと、を有し、
前記2つの調整スタブは、前記キャリアによって発生或は検出されるテラヘルツ波の動作波長λ以下の長さを有する導体であり、且つ前記ストリップ線路の長手方向の延長線上に接続され、
前記調整スタブの端部は、前記アンテナ部と前記電極部の接続部分から前記波長λ以内の範囲にあることを特徴とする光伝導素子。
【請求項３】
前記2つの調整スタブは、前記ストリップ線路の長手方向の延長線上に接続され、前記アンテナ部と前記電極部の接続部分から0．5λから0．8λの長さを有することにより、前記キャリアから発生される或は前記キャリアが検出するテラヘルツ波の周波数特性が平坦化することを特徴とする請求項2に記載の光伝導素子。
【請求項４】
前記2つの調整スタブは、前記ストリップ線路の長手方向の延長線上に接続され、前記アンテナ部と前記電極部の接続部分から0．1λから0．5λの長さを有することにより、前記キャリアから発生される或は前記キャリアが検出するテラヘルツ波の周波数特性が偏在化することを特徴とする請求項2に記載の光伝導素子。
【請求項５】
テラヘルツ波を発生或は検出するための光伝導素子であって、
光照射によってキャリアを発生させるためのキャリア発生層と、
前記キャリア発生層の一方の面に設けられた導体からなり、互いに並行して配置されているストリップ線路を含み構成される2つの電極部と、
それぞれが前記2つの電極部にそれぞれ接する導体からなり、前記キャリア発生層に光を照射するための間隙を介して対向して配置されている2つのアンテナ部と、
それぞれが前記2つの電極部にそれぞれ接する導体からなり、前記キャリアによって発生或は検出されるテラヘルツ波の伝搬状態を調整するための2つの調整スタブと、を有し、
前記2つの調整スタブは、前記キャリアによって発生或は検出されるテラヘルツ波の動作波長λ以下の長さを有し、且つ前記ストリップ線路の外縁に沿って、前記アンテナ部と前記電極部の接続部分から前記波長λ以内の範囲で前記電極部に接続することを特徴とする光伝導素子。
【請求項６】
前記2つの調整スタブは、0．1λから0．2λの長さを有し、前記ストリップ線路の外縁に沿って、前記アンテナ部と前記電極部の接続部分から該調整スタブの長さに等しい位置に接続されることにより、前記キャリアから発生される或は前記キャリアが検出するテラヘルツ波の周波数特性が平坦化することを特徴とする請求項5に記載の光伝導素子。
【請求項７】
前記2つの調整スタブは、0．2λから0．5λの長さを有し、前記ストリップ線路の外縁に沿って、前記アンテナ部と前記電極部の接続部分から該調整スタブの長さに等しい位置に接続されることにより、前記キャリアから発生される或は前記キャリアが検出するテラヘルツ波の周波数特性が偏在化することを特徴とする請求項5に記載の光伝導素子。
【請求項８】
前記波長λは、前記2つのストリップ線路どうしの間隔dの2倍の長さであることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光伝導素子。
【請求項９】
テラヘルツ波を発生或は検出するための光伝導素子であって、
光を照射することによりキャリアを発生させるキャリア発生層と、前記キャリア発生層の面上に設けられた第1の電極と、前記キャリア発生層の面上に設けられ、且つ、前記第1の電極に並行して並んでいる第2の電極と、を有し、
前記第1の電極と前記第2の電極とは、それぞれアンテナ部を含み構成され、前記光を照射する照射位置は、前記第1の電極と前記第2の電極とが有するアンテナ部の間にあり、
前記第1の電極と前記第2の電極との端部のうち少なくとも一方が、前記照射位置から前記第1の電極と前記第2の電極との間隔dの2倍以内の距離に設けられていることを特徴とする光伝導素子。
【請求項１０】
テラヘルツ波を発生或は検出するための光伝導素子であって、
光を照射することによりキャリアを発生させるキャリア発生層と、前記キャリア発生層の面上に設けられた第1の電極と、前記キャリア発生層の面上に設けられ、且つ、前記第1の電極に並行して並んでいる第2の電極と、を有し、
前記第1の電極と前記第2の電極とは、それぞれアンテナ部を含み構成され、前記光を照射する照射位置は、前記第1の電極と前記第2の電極とが有するアンテナ部の間にあり、
前記第1の電極と前記第2の電極とに、互いに対向するように配置される調整スタブが、前記照射位置から、少なくとも前記第1の電極と前記第2の電極との間隔の2倍以内の距離には設けられている導体であることを特徴とする光伝導素子。
【請求項１１】
テラヘルツ波の発生と検出の少なくとも一方を行うための光伝導素子であって、
キャリアを発生するためのキャリア発生層と、
前記キャリア発生層に、間隙を介して導体を対向配置して形成されたアンテナ部と、
2つの導体で構成されるストリップ線路を含んで形成された、前記アンテナ部の間隙に発生するキャリアの伝搬状態を制御するための電極部と、
発生するテラヘルツ波または検出するテラヘルツ波の状態を調整するための一組以上の対を成す調整スタブと、を有し、
前記アンテナ部は、前記ストリップ線路を構成する2つの導体で挟まれて該導体に接続し、
前記一組以上の対を成す調整スタブは、前記ストリップ線路を構成する2つの導体の間隔で規定される動作波長λ以下の長さを有する導体である、対を成す第1の調整スタブと対を成す第2の調整スタブの少なくとも一方を含み、
前記第1の調整スタブは、前記ストリップ線路の長手方向の延長線上に伸びて、前記第1の調整スタブの先端は、前記アンテナ部と前記電極部の接続部分に対し、前記波長λ以内の範囲にあり、
前記第2の調整スタブは、前記ストリップ線路を構成する2つの導体の外縁に沿って、前記アンテナ部と前記電極部の接続部分に対し、前記波長λ以内の範囲で接続することを特徴とする光伝導素子。
【請求項１２】
イメージング装置であって、
請求項1乃至11のいずれか1項に記載の光伝導素子と、
前記アンテナ部の間隙に出力をあててキャリアを発生させる超短パルスレーザと、
発生したキャリアの伝搬状態を制御する前記電極部に接続された駆動ドライバと、を有し、
前記光伝導素子からテラヘルツ波を発生させ、測定対象の表面及び内部の屈折率界面において反射したテラヘルツ波より、測定対象の内部構造情報を取得することを特徴とするイメージング装置。
【請求項１３】
通信装置であって、
請求項1乃至11のいずれか1項に記載の光伝導素子と、
前記アンテナ部の間隙に出力をあててキャリアを発生させる超短パルスレーザと、
発生したキャリアの伝搬状態を制御する前記電極部に接続された駆動ドライバと、
前記駆動ドライバが前記電極部に供給する信号、或いは前記超短パルスレーザの出力を送信情報に従って変調する変調部と、を有し、
大気に存在するテラヘルツ波の周波数帯域に特有の吸収波長域の成分を減少させるように、周波数特性を偏在させたテラヘルツ波を用いて通信を行うことを特徴とする通信装置。