【手続補正書】
【提出日】平成23年5月2日(2011.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層の一部の領域にレーザー光を照射し、
前記単結晶半導体層のレーザー光が照射されていない領域を用いて画素部の回路を形成し、
前記単結晶半導体層のレーザー光が照射された領域を用いて、前記画素部の回路を駆動する駆動回路を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に、単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層に加熱処理を施し、
前記加熱処理が施された単結晶半導体層の一部の領域にレーザー光を照射し、
前記単結晶半導体層のレーザー光が照射されていない領域を用いて画素部の回路を形成し、
前記単結晶半導体層のレーザー光が照射された領域を用いて、前記画素部の回路を駆動する駆動回路を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
単結晶半導体基板の表面から所定の深さに損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板上に形成された絶縁層を介して、前記単結晶半導体基板を、絶縁表面を有する基板に接合させ、
前記単結晶半導体基板を、前記損傷領域において分離することにより、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層の一部の領域にレーザー光を照射し、
前記単結晶半導体層のレーザー光が照射されていない領域を用いて画素部の回路を形成し、
前記単結晶半導体層のレーザー光が照射された領域を用いて、前記画素部の回路を駆動する駆動回路を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
単結晶半導体基板の表面から所定の深さに損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板上に形成された絶縁層を介して、前記単結晶半導体基板を、絶縁表面を有する基板に接合させ、
前記単結晶半導体基板を、前記損傷領域において分離することにより、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層に加熱処理を施し、
前記加熱処理が施された単結晶半導体層の一部の領域にレーザー光を照射し、
前記単結晶半導体層のレーザー光が照射されていない領域を用いて画素部の回路を形成し、
前記単結晶半導体層のレーザー光が照射された領域を用いて、前記画素部の回路を駆動する駆動回路を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
単結晶半導体基板の表面から所定の深さに損傷領域を形成し、
絶縁表面を有する基板上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を介して、前記単結晶半導体基板を、前記絶縁表面を有する基板に接合させ、
前記単結晶半導体基板を、前記損傷領域において分離することにより、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層の一部の領域にレーザー光を照射し、
前記単結晶半導体層のレーザー光が照射されていない領域を用いて画素部の回路を形成し、
前記単結晶半導体層のレーザー光が照射された領域を用いて、前記画素部の回路を駆動する駆動回路を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
単結晶半導体基板の表面から所定の深さに損傷領域を形成し、
絶縁表面を有する基板上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を介して、前記単結晶半導体基板を、前記絶縁表面を有する基板に接合させ、
前記単結晶半導体基板を、前記損傷領域において分離することにより、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層に加熱処理を施し、
前記加熱処理が施された単結晶半導体層の一部の領域にレーザー光を照射し、
前記単結晶半導体層のレーザー光が照射されていない領域を用いて画素部の回路を形成し、
前記単結晶半導体層のレーザー光が照射された領域を用いて、前記画素部の回路を駆動する駆動回路を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項３乃至６のいずれか一において、
前記絶縁層は、有機シランガスを用いた化学気相成長法により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
単結晶半導体基板の表面から所定の深さに損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板上に形成された第１の絶縁層及び前記第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層を介して、前記単結晶半導体基板を、絶縁表面を有する基板に接合させ、
前記単結晶半導体基板を、前記損傷領域において分離することにより、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層の一部の領域にレーザー光を照射し、
前記単結晶半導体層のレーザー光が照射されていない領域を用いて画素部の回路を形成し、
前記単結晶半導体層のレーザー光が照射された領域を用いて、前記画素部の回路を駆動する駆動回路を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
単結晶半導体基板の表面から所定の深さに損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板上に形成された第１の絶縁層及び前記第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層を介して、前記単結晶半導体基板を、絶縁表面を有する基板に接合させ、
前記単結晶半導体基板を、前記損傷領域において分離することにより、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層に加熱処理を施し、
前記加熱処理が施された単結晶半導体層の一部の領域にレーザー光を照射し、
前記単結晶半導体層のレーザー光が照射されていない領域を用いて画素部の回路を形成し、
前記単結晶半導体層のレーザー光が照射された領域を用いて、前記画素部の回路を駆動する駆動回路を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
単結晶半導体基板の表面から所定の深さに損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板上に形成された第１の絶縁層及び絶縁表面を有する基板上に形成された第２の絶縁層を介して、前記単結晶半導体基板を、前記絶縁表面を有する基板に接合させ、
前記単結晶半導体基板を、前記損傷領域において分離することにより、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層の一部の領域にレーザー光を照射し、
前記単結晶半導体層のレーザー光が照射されていない領域を用いて画素部の回路を形成し、
前記単結晶半導体層のレーザー光が照射された領域を用いて、前記画素部の回路を駆動する駆動回路を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
単結晶半導体基板の表面から所定の深さに損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板上に形成された第１の絶縁層及び絶縁表面を有する基板上に形成された第２の絶縁層を介して、前記単結晶半導体基板を、前記絶縁表面を有する基板に接合させ、
前記単結晶半導体基板を、前記損傷領域において分離することにより、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層に加熱処理を施し、
前記加熱処理が施された単結晶半導体層の一部の領域にレーザー光を照射し、
前記単結晶半導体層のレーザー光が照射されていない領域を用いて画素部の回路を形成し、
前記単結晶半導体層のレーザー光が照射された領域を用いて、前記画素部の回路を駆動する駆動回路を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれか一において、
前記損傷領域を形成した後に、前記第１の絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至１１のいずれか一において、
前記第１の絶縁層を形成した後に、前記損傷領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項８乃至１３のいずれか一において、
前記第１の絶縁層は、積層構造で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項８乃至１４のいずれか一において、
前記第１の絶縁層は、酸化窒化シリコン層と窒化酸化シリコン層の積層構造で形成され、
前記酸化窒化シリコン層は、前記単結晶半導体基板と接するように形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項８乃至１５のいずれか一において、
前記第２の絶縁層は、有機シランガスを用いた化学気相成長法により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一において、
前記画素部に発光素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
絶縁表面を有する基板と、
前記絶縁表面を有する基板上のレーザー光が照射された第１の単結晶半導体層と、レーザー光が照射されていない第２の単結晶半導体層と、を有し、
前記第２の単結晶半導体層を用いて形成された画素部の回路と、
前記第１の単結晶半導体層を用いて形成された前記画素部の回路を駆動する駆動回路と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
絶縁表面を有する基板と、
前記絶縁表面を有する基板上の絶縁層と、
前記絶縁層上のレーザー光が照射された第１の単結晶半導体層と、レーザー光が照射されていない第２の単結晶半導体層と、を有し、
前記第２の単結晶半導体層を用いて形成された画素部の回路と、
前記第１の単結晶半導体層を用いて形成された前記画素部の回路を駆動する駆動回路と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
絶縁表面を有する基板と、
前記絶縁表面を有する基板上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上のレーザー光が照射された第１の単結晶半導体層と、レーザー光が照射されていない第２の単結晶半導体層と、を有し、
前記第２の単結晶半導体層を用いて形成された画素部の回路と、
前記第１の単結晶半導体層を用いて形成された前記画素部の回路を駆動する駆動回路と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項２０において、
前記第２の絶縁層は、積層構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
請求項２０又は２１において、
前記第２の絶縁層は、酸化窒化シリコン層と窒化酸化シリコン層の積層構造を有し、
前記酸化窒化シリコン層は、前記単結晶半導体層と接することを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】
請求項１８乃至２２のいずれか一において、
前記レーザー光が照射された第１の単結晶半導体層のラマンピークの半値全幅は２．５ｃｍ−１以上３．５ｃｍ−１以下であり、前記レーザー光が照射されていない第２の単結晶半導体層のラマンピークの半値全幅は３．５ｃｍ−１より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２４】
請求項１８乃至２３のいずれか一において、
前記レーザー光が照射された第１の単結晶半導体層のラマンピークのピーク波数は５２０．０ｃｍ−１以上５２１．０ｃｍ−１以下であり、前記レーザー光が照射されていない第２の単結晶半導体層のラマンピークのピーク波数は５２０．０ｃｍ−１未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２５】
請求項１８乃至２４のいずれか一において、
前記レーザー光が照射された第１の単結晶半導体層を用いて形成されたトランジスタのＳ値は、前記レーザー光が照射されていない第２の単結晶半導体層を用いて形成されたトランジスタのＳ値の１／２以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２６】
請求項１８乃至２５のいずれか一において、
前記画素部に発光素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２７】
請求項１８乃至２６のいずれか一に記載の半導体装置を用いた電子機器。