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【手続補正書】
【提出日】平成23年3月24日(2011.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上面に形成された遮光膜と、
前記遮光膜を被覆する層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜の上面に形成された画素電極及び画素トランジスタと、
前記複数の画素電極の外周部及び前記画素トランジスタを被覆するように形成された保護絶縁膜と、
前記画素電極の上部に形成された発光機能層と、
前記保護絶縁膜の上部に形成され、前記発光機能層の形成領域を画定する隔壁と、
を備え、
前記遮光膜は、前記保護絶縁膜または前記隔壁の少なくともいずれか一方と平面視において同一形状であることを特徴とする発光パネル。
【請求項２】
前記保護絶縁膜は前記遮光膜と平面視において同一形状であり、前記隔壁は平面視において前記遮光膜より小さい形状を有することを特徴とする請求項１記載の発光パネル。
【請求項３】
前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された金属膜と、前記金属膜の上面に形成された反射防止膜とからなることを特徴とする請求項１又は２記載の発光パネル。
【請求項４】
前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜の上面に形成された金属膜とからなることを特徴とする請求項１又は２記載の発光パネル。
【請求項５】
前記金属膜はクロムからなり、前記反射防止膜は酸化クロムからなることを特徴とする請求項３または４に記載の発光パネル。
【請求項６】
前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された第１の反射防止膜と、前記第１の反射防止膜の上面に形成された金属膜と、前記金属膜の上面に形成された第２の反射防止膜とからなることを特徴とする請求項１又は２記載の発光パネル。
【請求項７】
前記金属膜はクロムからなり、前記第１の反射防止膜及び前記第２の反射防止膜は酸化クロムからなることを特徴とする請求項６記載の発光パネル。
【請求項８】
画素電極上に形成された発光機能層を有してなる発光素子を備える発光パネルの製造方法であって、
基板の上面に遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜を被覆する層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜の上面に前記画素電極及び該画素電極を駆動する画素トランジスタを形成する工程と、
前記画素電極及び前記画素トランジスタを被覆する保護絶縁膜を形成する工程と、
前記基板の下側から光を照射して、前記保護絶縁膜に前記画素電極を露出させる開口部を形成する開口部形成工程、または前記発光機能層の形成領域を画定する隔壁を形成する隔壁形成工程、の少なくともいずれか一方を含む裏面露光工程と、
を含むことを特徴とする発光パネルの製造方法。
【請求項９】
前記裏面露光工程は前記開口部形成工程を含み、
該開口部形成工程は、前記保護絶縁膜の上面にフォトレジストを塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記フォトレジストを露光する工程と、現像された前記フォトレジストを用いて前記保護絶縁膜に前記開口部を形成する工程と、を含み、前記開口部が形成された前記保護絶縁膜の上部に前記隔壁を形成する工程を含むことを特徴とする請求項８記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記裏面露光工程は前記隔壁形成工程を含み、
該隔壁形成工程は、前記保護絶縁膜の上面に感光性樹脂を塗布する工程と、前記基板の
下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記感光性樹脂を露光することで前記隔壁を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項８記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記裏面露光工程は前記開口部形成工程及び前記隔壁形成工程を含み、
該開口部形成工程は、前記保護絶縁膜の上面にフォトレジストを塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記フォトレジストを露光する工程と、現像された前記フォトレジストを用いて前記保護絶縁膜に前記開口部を形成する工程と、を含み、
前記隔壁形成工程は、前記開口部が形成された前記保護絶縁膜及び前記画素電極の上面に感光性樹脂を塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記感光性樹脂を露光することで前記隔壁を形成する工程と、を含む
ことを特徴とする請求項８記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１２】
前記裏面露光工程は前記隔壁形成工程を含み、
該隔壁形成工程は、前記保護絶縁膜の上面に感光性樹脂を塗布する工程と、前記基板の下側から光を照射して、前記遮光膜を通過した光により前記感光性樹脂を露光することで前記隔壁を形成する工程と、を含み、
更に、形成された前記隔壁をレジストマスクとして用いて前記保護絶縁膜をエッチングして、前記保護絶縁膜に前記画素電極を露出させる開口部を形成する工程を含む、ことを特徴とする請求項８記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１３】
前記隔壁を形成した後、前記画素電極の上部に前記発光機能層を形成する前に、前記隔壁に対しプラズマアッシングまたはプラズマエッチングによる表面処理を行う工程を含むことを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１４】
前記感光性樹脂を露光して前記隔壁を形成する工程における前記感光性樹脂の露光時間を、マスク線幅と仕上がり線幅が同じになる適正な露光時間よりも長くすることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１５】
前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された金属膜と、前記金属膜の上面に形成された反射防止膜とからなることを特徴とする請求項８〜１４のいずれか一項に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１６】
前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜の上面に形成された金属膜とからなることを特徴とする請求項８〜１４のいずれか一項に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１７】
前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された第１の反射防止膜と、前記第１の反射防止膜の上面に形成された金属膜と、前記反射膜の上面に形成された第２の反射防止膜とからなることを特徴とする請求項８〜１４のいずれか一項に記載の発光パネルの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
好ましくは、前記保護絶縁膜は前記遮光膜と平面視において同一形状であり、前記隔壁は平面視において前記遮光膜より小さい形状を有する。
好ましくは、前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された金属膜と、前記金属膜の上面に形成された反射防止膜とからなる。
好ましくは、前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された反射防止膜と、前記反射防止膜の上面に形成された金属膜とからなる。
好ましくは、前記金属膜はクロムからなり、前記反射防止膜は酸化クロムからなる。
好ましくは、前記遮光膜は、前記基板の上面に形成された第１の反射防止膜と、前記第１の反射防止膜の上面に形成された金属膜と、前記金属膜の上面に形成された第２の反射防止膜とからなる。
好ましくは、前記金属膜はクロムからなり、前記第１の反射防止膜及び前記第２の反射防止膜は酸化クロムからなる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月26日(2011.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データを複数のブロックに分割する分割手段と、
前記分割された各々のブロックの属性を判別する判別手段と、
前記判別された属性と属性に対応付けられた画像処理の内容に応じて、属性毎に画像処理モジュールを選択し、前記選択された画像処理モジュールを用いて属性毎に画像処理フローを生成する生成手段と、
前記画像処理フローが画像処理領域に構築可能か否かを判断する判断手段と、
前記判断の結果、前記画像処理フローが前記画像処理領域に構築可能であると判断された場合、前記画像処理フローを前記画像処理領域に構築し、前記判断の結果、前記画像処理フローの処理領域が前記画像処理領域に構築不可能であると判断された場合、前記画像処理フローの処理領域が前記画像処理領域におさまるように、属性毎に生成された複数の前記画像処理フローの中から、他の画像処理フローが保持していない画像処理モジュールを有する画像処理フローを選択し、前記選択された画像処理フローを前記画像処理領域に構築する構築手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記構築手段は、複数の前記画像処理フローの中から、属性情報が１つであるブロックの画像処理フローを優先的に前記画像処理領域に構築することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記構築手段は、前記画像処理領域に構築されないブロックを、前記画像処理領域に構築されないブロックの画像処理モジュールを包含している画像処理フローに割り当てることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記画像処理領域に構築された各ブロックの画像処理フローで画像処理を施すブロック数が、特定の画像処理フローに集中する場合は、前記画像処理領域にブロックが集中した画像処理フローを追加する追加手段と、
前記追加した画像処理フローにブロックを分配する第１の分配手段と
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記画像処理領域に構築された各ブロック群の画像処理フローで画像処理を施すブロック数が、特定の画像処理フローに集中する場合は、ブロックが集中した画像処理フローの画像処理モジュールを包含している画像処理フローに、ブロックを分配する第２の分配手段をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記属性は、画像読取装置でスキャンされた画像、イメージ、文字、図形のいずれかを含むことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記画像処理フローは、下地除去処理、色変換処理、濃度補正処理、フィルター処理、ハーフトーン処理、スムージング処理のいずれかを含むことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項８】
画像データを複数のブロックに分割する分割ステップと、
前記分割された各々のブロックの属性を判別する判別ステップと、
前記判別された属性と属性に対応付けられた画像処理の内容に応じて、属性毎に画像処理モジュールを選択し、前記選択された画像処理モジュールを用いて属性毎に画像処理フローを生成する生成ステップと、
前記画像処理フローが画像処理領域に構築可能か否かを判断する判断ステップと、
前記判断の結果、前記画像処理フローが前記画像処理領域に構築可能であると判断された場合、前記画像処理フローを前記画像処理領域に構築し、前記判断の結果、前記画像処理フローの処理領域が前記画像処理領域に構築不可能であると判断された場合、前記画像処理フローの処理領域が前記画像処理領域におさまるように、属性毎に生成された複数の前記画像処理フローの中から、他の画像処理フローが保持していない画像処理モジュールを有する画像処理フローを選択し、前記選択された画像処理フローを前記画像処理領域に構築する構築ステップと
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項９】
コンピュータを請求項１乃至７のいずれか一項に記載された画像処理装置として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明に係る画像処理装置は、画像データを複数のブロックに分割する分割手段と、前記分割された各々のブロックの属性を判別する判別手段と、前記判別された属性と属性に対応付けられた画像処理の内容に応じて、属性毎に画像処理モジュールを選択し、前記選択された画像処理モジュールを用いて属性毎に画像処理フローを生成する生成手段と、前記画像処理フローが画像処理領域に構築可能か否かを判断する判断手段と、前記判断の結果、前記画像処理フローが前記画像処理領域に構築可能であると判断された場合、前記画像処理フローを前記画像処理領域に構築し、前記判断の結果、前記画像処理フローの処理領域が前記画像処理領域に構築不可能であると判断された場合、前記画像処理フローの処理領域が前記画像処理領域におさまるように、属性毎に生成された複数の前記画像処理フローの中から、他の画像処理フローが保持していない画像処理モジュールを有する画像処理フローを選択し、前記選択された画像処理フローを前記画像処理領域に構築する構築手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月23日(2011.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子を用いて連続して撮像された画像を取得する取得手段と、
前記画像に対し、予め定めた被写体を画像認識によって継続的に検出する第１の検出手段と、
前記画像のうち連続する複数の画像に対し、前記第１の検出手段で検出された前記被写体の領域の動きを順次検出することにより、前記被写体を検出する第２の検出手段と、
前記画像のうち直近の予め定めた複数の画像に対する第１の検出手段の検出結果に基づいて、現在の画像に対する前記第１の検出手段の検出結果の信頼度を継続的に判定する判定手段とを有し、
前記第２の検出手段は、前記判定手段により前記現在の画像に対する前記第１の検出手段の検出結果の信頼度が高いと判定された場合に、前記第１の検出手段で前記現在の画像から検出された前記被写体の領域の動きを検出し、前記判定手段により前記現在の画像に対する前記第１の検出手段の検出結果の信頼度が低いと判定された場合には、前記第１の検出手段で前記現在の画像から検出された前記被写体の領域の動きを検出しないことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記判定手段が、前記直近の予め定めた複数の画像において、前記第１の検出手段によって前記被写体が検出された回数が予め定めた回数未満である場合に前記検出結果の信頼度が低いと判定することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記判定手段が、前記直近の予め定めた複数の画像において前記第１の検出手段によって前記被写体が検出された回数が予め定めた回数以上であり、さらに、前記直近の予め定めた複数の画像において前記第１の検出手段によって検出された前記被写体の領域の移動量及びサイズの変動量が予め定めた閾値未満である場合に前記検出結果の信頼度が高いと判定することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第１の検出手段が、前記予め定めた被写体として、人間の顔を検出することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
撮像素子を用いて連続して撮像された画像を取得する取得工程と、
第１の検出手段が、前記画像に対し、予め定めた被写体を画像認識によって継続的に検出する第１の検出工程と、
第２の検出手段が、前記画像のうち連続する複数の画像に対し、前記第１の検出工程において検出された前記被写体の領域の動きを順次検出することにより、前記被写体を検出する第２の検出工程と、
判定手段が、前記画像のうち直近の予め定めた複数の画像に対する前記第１の検出工程の検出結果に基づいて、現在の画像に対する前記第１の検出工程の検出結果の信頼度を継続的に判定する判定工程とを有し、
前記第２の検出工程において前記第２の検出手段は、前記判定工程により前記現在の画像に対する前記第１の検出工程の検出結果の信頼度が高いと判定された場合に、前記第１の検出工程で前記現在の画像から検出された前記被写体の領域の動きを検出し、前記判定工程により前記現在の画像に対する前記第１の検出工程の検出結果の信頼度が低いと判定された場合には、前記第１の検出工程で前記現在の画像から検出された前記被写体の領域の動きを検出しないことを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項６】
撮像装置が有するコンピュータに、請求項５記載の撮像装置の制御方法の各工程を実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述の目的は、撮像素子を用いて連続して撮像された画像を取得する取得手段と、画像に対し、予め定めた被写体を画像認識によって継続的に検出する第１の検出手段と、画像のうち連続する複数の画像に対し、第１の検出手段で検出された被写体の領域の動きを順次検出することにより、被写体を検出する第２の検出手段と、画像のうち直近の予め定めた複数の画像に対する第１の検出手段の検出結果に基づいて、現在の画像に対する第１の検出手段の検出結果の信頼度を継続的に判定する判定手段とを有し、第２の検出手段は、判定手段により現在の画像に対する第１の検出手段の検出結果の信頼度が高いと判定された場合に、第１の検出手段で現在の画像から検出された被写体の領域の動きを検出し、判定手段により現在の画像に対する第１の検出手段の検出結果の信頼度が低いと判定された場合には、第１の検出手段で現在の画像から検出された被写体の領域の動きを検出しないことを特徴とする撮像装置によって達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、上述の目的は、撮像素子を用いて連続して撮像された画像を取得する取得工程と、第１の検出手段が、画像に対し、予め定めた被写体を画像認識によって継続的に検出する第１の検出工程と、第２の検出手段が、画像のうち連続する複数の画像に対し、第１の検出工程において検出された被写体の領域の動きを順次検出することにより、被写体を検出する第２の検出工程と、判定手段が、画像のうち直近の予め定めた複数の画像に対する第１の検出工程の検出結果に基づいて、現在の画像に対する第１の検出工程の検出結果の信頼度を継続的に判定する判定工程とを有し、第２の検出工程において第２の検出手段は、判定工程により現在の画像に対する第１の検出工程の検出結果の信頼度が高いと判定された場合に、第１の検出工程で現在の画像から検出された被写体の領域の動きを検出し、判定工程により現在の画像に対する第１の検出工程の検出結果の信頼度が低いと判定された場合には、第１の検出工程で現在の画像から検出された被写体の領域の動きを検出しないことを特徴とする撮像装置の制御方法によっても達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月10日(2011.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮影して画像データを得る撮影手段と、
前記撮影手段の撮影範囲を変化させるズーム動作を行うズーム手段と、
前記ズーム手段によるズーム動作完了後の前記撮影範囲である目標撮影範囲を指定する指定手段と、
表示画面において、前記撮影手段により得られた画像データに基づくスルー画像を表示するとともに、前記指定手段により指定された目標撮影範囲に対応するズーム指標を表示する表示手段と、
前記ズーム手段によるズーム動作の進行に伴い、前記ズーム動作の進行に応じて前記スルー画像の大きさを変化させて表示させる一方、前記ズーム指標の大きさを維持させて表示させる第１の表示制御手段と、
を備えることを特徴とする撮影装置。
【請求項２】
前記スルー画像の大きさと前記ズーム指標の大きさとが一致したときに、一致したときの撮影範囲でもって、前記スルー画像を前記表示手段に全画面表示させる第２の表示制御手段を備えることを特徴とする請求項1記載の撮影装置。
【請求項３】
前記指定手段は、前記ズーム手段によるズーム動作中において、前記目標撮影範囲を可変的に指定する手段を備えることを特徴とする請求項１又は２記載の撮影装置。
【請求項４】
前記画像データとは、時間的に連続する複数の画像データからなる動画データであり、
この動画データを記録する記録手段と、
前記表示手段の画面上において、前記スルー画像の大きさと前記ズーム指標の大きさとの差が所定以下となったか否かを判断する判断手段と、
この判断手段により、前記所定以下になったと判断された場合、前記ズーム手段によるズーム動作の速度を、前記所定以下になったと判断されない場合よりも低下させるズーム制御手段と、
を備えることを特徴とする請求項１、２又は３記載の撮影装置。
【請求項５】
前記判断手段により、前記所定以下になったと判断された場合、前記表示手段の画面において前記スルー画像の大きさが変化する速度を、前記所定以下になったと判断されない場合よりも低下させる第３の表示制御手段を備えることを特徴とする請求項５記載の撮影装置。
【請求項６】
前記指定手段により指定された前記目標撮影範囲に対応するズーム倍率を、前記スルー画像の大きさ変化に伴って前記表示手段の画面上に発生する余白部分に表示させる第４の
表示制御手段を備えることを特徴とする請求項１から５にいずれか記載の撮影装置。
【請求項７】
被写体を撮影して画像データを得る撮影手段と、前記撮影手段の撮影範囲を変化させるズーム動作を行うズーム手段と、表示画面と、を備えるコンピュータを、
前記ズーム手段によるズーム動作完了後の前記撮影範囲である目標撮影範囲を指定する指定手段、
前記表示画面において、前記撮影手段により得られた画像データに基づくスルー画像を表示させるとともに、前記スルー画像上に前記指定手段により指定された目標撮影範囲に対応するズーム指標をさせる第１の表示制御手段、
前記ズーム手段によるズーム動作の進行に伴い、前記ズーム動作の進行に応じて前記スルー画像の大きさを変化させて表示させる一方、前記ズーム指標の大きさを維持させて表示させる第１の表示制御手段、
として機能させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記課題を解決するため請求項１記載の発明に係る影装置にあっては、被写体を撮影して画像データを得る撮影手段と、前記撮影手段の撮影範囲を変化させるズーム動作を行うズーム手段と、前記ズーム手段によるズーム動作完了後の前記撮影範囲である目標撮影範囲を指定する指定手段と、表示画面において、前記撮影手段により得られた画像データに基づくスルー画像を表示するとともに、前記指定手段により指定された目標撮影範囲に対応するズーム指標を表示する表示手段と、前記ズーム手段によるズーム動作の進行に伴い、前記ズーム動作の進行に応じて前記スルー画像の大きさを変化させて表示させる一方、前記ズーム指標の大きさを維持させて表示させる第１の表示制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、請求項７記載の発明にかかるプログラムにあっては、被写体を撮影して画像データを得る撮影手段と、前記撮影手段の撮影範囲を変化させるズーム動作を行うズーム手段と、表示画面と、を備えるコンピュータを、前記ズーム手段によるズーム動作完了後の前記撮影範囲である目標撮影範囲を指定する指定手段、前記表示画面において、前記撮影手段により得られた画像データに基づくスルー画像を表示させるとともに、前記スルー画像上に前記指定手段により指定された目標撮影範囲に対応するズーム指標をさせる第１の表示制御手段、前記ズーム手段によるズーム動作の進行に伴い、前記ズーム動作の進行に応じて前記スルー画像の大きさを変化させて表示させる一方、前記ズーム指標の大きさを維持させて表示させる第１の表示制御手段、として機能させる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月12日(2011.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データを入力する入力手段と、
前記入力手段で入力した画像データの各画素毎に属性情報を生成する属性情報生成手段と、
前記入力手段で入力した画像データを、予め定められたサイズの複数のブロックに分割する分割手段と、
前記分割手段で分割した着目ブロック内に出現する色と画素数のヒストグラムを生成する生成手段と、
前記生成手段で生成したヒストグラムによって規定される領域毎に色置換処理を行う色置換手段と、
前記色置換手段での色置換結果に基づいて、前記着目ブロックにおける着目領域内で、前記着目ブロックと該着目ブロックに隣接する隣接ブロックとの境界に接する着目画素と、前記隣接ブロックにおける、前記着目領域に隣接する隣接領域内で前記境界に接し、前記着目画素に隣接する隣接画素との色差を算出する算出手段と、
前記算出手段で算出された色差が予め定められた範囲内であるか否かを判定する第１の判定手段と、
前記第１の判定手段で前記色差が予め定められた範囲内であると判定された、前記着目画素と前記隣接画素との組の数Ｘに対する、前記属性情報が前記着目画素及び前記隣接画素のうちの少なくとも一方に付加された前記着目画素と前記隣接画素との組の数Ｙの割合Ｙ／Ｘが予め定められた閾値以下であるか否かを判定する第２の判定手段と、
前記第２の判定手段で前記割合Ｙ／Ｘが前記閾値以下であると判定された場合に、前記境界を横断するグラデーションが存在するとみなして、前記着目領域と前記隣接領域とを統合して、前記着目領域及び前記隣接領域に連続するグラデーションを生成する統合手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記属性情報生成手段は、前記着目画素が、前記着目領域のエッジに位置するか否かを識別する前記属性情報を生成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
入力手段が、画像データを入力する入力工程と、
属性情報生成手段が、前記入力工程で入力した画像データの各画素毎に属性情報を生成する属性情報生成工程と、
分割手段が、前記入力工程で入力した画像データを、予め定められたサイズの複数のブロックに分割する分割工程と、
生成手段が、前記分割工程で分割した着目ブロック内に出現する色と画素数のヒストグラムを生成する生成工程と、
色置換手段が、前記生成工程で生成したヒストグラムによって規定される領域毎に色置換処理を行う色置換工程と、
算出手段が、前記色置換工程での色置換結果に基づいて、前記着目ブロックにおける着目領域内で、前記着目ブロックと該着目ブロックに隣接する隣接ブロックとの境界に接する着目画素と、前記隣接ブロックにおける、前記着目領域に隣接する隣接領域内で前記境界に接し、前記着目画素に隣接する隣接画素との色差を算出する算出工程と、
第１の判定手段が、前記算出工程で算出された色差が予め定められた範囲内であるか否かを判定する第１の判定工程と、
第２の判定手段が、前記第１の判定工程で前記色差が予め定められた範囲内であると判定された、前記着目画素と前記隣接画素との組の数Ｘに対する、前記属性情報が前記着目画素及び前記隣接画素のうちの少なくとも一方に付加された前記着目画素と前記隣接画素との組の数Ｙの割合Ｙ／Ｘが予め定められた閾値以下であるか否かを判定する第２の判定工程と、
統合手段が、前記第２の判定工程で前記割合Ｙ／Ｘが前記閾値以下であると判定された場合に、前記境界を横断するグラデーションが存在するとみなして、前記着目領域と前記隣接領域とを統合して、前記着目領域及び前記隣接領域に連続するグラデーションを生成する統合工程と
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項４】
コンピュータに読み込ませ実行させることで、前記コンピュータを請求項１又は２に記載の画像処理装置として機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項５】
請求項４に記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月12日(2011.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データを入力する入力手段と、
前記入力手段で入力した画像データの各画素毎に、属性情報を生成する属性情報生成手段と、
前記入力手段で入力した画像データを、予め定められたサイズの複数のブロックに分割する分割手段と、
前記分割手段で分割した着目ブロック内に出現する色と画素数のヒストグラムを生成する生成手段と、
前記生成手段で生成したヒストグラムで得られた着目色を持つ領域の面積が予め定められた閾値よりも大きい場合、着目色の領域を有意な領域として決定する第１の決定手段と、
前記生成手段で生成したヒストグラムで得られた着目色を持つ領域の面積が予め定められた閾値以下の場合であって、着目色の領域が着目ブロックの境界に位置し、且つ、前記着目色の領域内の前記境界の画素に対する、前記属性情報生成手段で生成された属性情報が、予め定められた属性を示す場合、前記着目色の領域が有意な領域として決定する第２の決定手段と、
前記第１、第２の決定手段のいずれでも、前記着目色の領域が有意な領域として決定されなかった場合、前記着目色の領域の色を、当該着目色の領域が接する他の色の領域における色と同じ色とするため、前記着目色の領域内の画素の色を前記他の色に置換する置換手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記属性情報生成手段は、着目画素が、該着目画素を含む領域のエッジに位置するか否かに基づいて、前記属性情報を生成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記属性情報生成手段は、着目画素が、文字領域に含まれるか否かに基づいて、前記属性情報を生成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記置換手段により置換された画像データに基づいて、符号化データを生成する符号化手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項５】
入力手段が、画像データを入力する入力工程と、
属性情報生成手段が、前記入力工程で入力した画像データの各画素毎に、属性情報を生成する属性情報生成工程と、
分割手段が、前記入力工程で入力した画像データを、予め定められたサイズの複数のブロックに分割する分割工程と、
生成手段が、前記分割工程で分割した着目ブロック内に出現する色と画素数のヒストグラムを生成する生成工程と、
第１の決定手段が、前記生成工程で生成したヒストグラムで得られた着目色を持つ領域の面積が予め定められた閾値よりも大きい場合、着目色の領域を有意な領域として決定する第１の決定工程と、
第２の決定手段が、前記生成工程で生成したヒストグラムで得られた着目色を持つ領域の面積が予め定められた閾値以下の場合であって、着目色の領域が着目ブロックの境界に位置し、且つ、前記着目色の領域内の前記境界の画素に対する、前記属性情報生成工程で生成された属性情報が、予め定められた属性を示す場合、前記着目色の領域が有意な領域として決定する第２の決定工程と、
置換手段が、前記第１、第２の決定工程のいずれでも、前記着目色の領域が有意な領域として決定されなかった場合、前記着目色の領域の色を、当該着目色の領域が接する他の色の領域における色と同じ色とするため、前記着目色の領域内の画素の色を前記他の色に置換する置換工程と
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項６】
コンピュータに読み込ませ実行させることで、前記コンピュータを請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置として機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項７】
請求項６に記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月10日(2010.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
第１半導体層と、第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層構造体と、
前記積層構造体の前記第２半導体層の側の第１主面上に設けられ前記第１半導体層に接続された第１電極と、
前記積層構造体の前記第１主面上に設けられ前記第２半導体層に接続された第２電極と、
を備え、
前記第２電極は、
前記第２半導体層の上に設けられ、前記第２半導体層に対する接触抵抗が相対的に低い第１膜と、
前記第２半導体層の上において前記第１膜の周縁に設けられ、前記第２半導体層に対する接触抵抗が相対的に高い第２膜と、
を有し、
前記第２膜の外側の縁端から前記第１膜までの距離は、前記第１電極と前記第２電極とが対向する部分よりも、前記第１電極と前記第２電極とが対向する前記部分以外の部分において大きいことを特徴とする半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の別の一態様によれば、第１半導体層と、第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層構造体と、前記積層構造体の前記第２半導体層の側の第１主面上に設けられ前記第１半導体層に接続された第１電極と、前記積層構造体の前記第１主面上に設けられ前記第２半導体層に接続された第２電極と、を備え、前記第２電極は、前記第２半導体層の上に設けられ、前記第２半導体層に対する接触抵抗が相対的に低い第１膜と、前記第２半導体層の上において前記第１膜の周縁に設けられ、前記第２半導体層に対する接触抵抗が相対的に高い第２膜と、を有し、前記第２膜の外側の縁端から前記第１膜までの距離は、前記第１電極と前記第２電極とが対向する部分よりも、前記第１電極と前記第２電極とが対向する前記部分以外の部分において大きいことを特徴とする半導体発光素子が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月10日(2010.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
基板の上に、第１半導体層、発光層及び第２半導体層を積層して形成する工程と、
前記第２半導体層と前記発光層の一部を除去して前記第１半導体層を露出させる工程と、
前記露出した前記第１半導体層の第１領域に、第１金属膜を形成する工程と、
前記露出した前記第１半導体層の前記第１領域に隣接する第２領域と、前記第２半導体層の上と、に前記発光層から放出される光に対する反射率が前記第１金属膜よりも高く前記第１半導体層に対する接触抵抗が前記第１金属膜よりも高い第２金属膜を形成する工程と、
前記第１金属膜及び前記第２金属膜から露出した前記第１半導体層及び前記第２半導体層の上に、屈折率の異なる誘電体膜を交互に積層して誘電体積層膜を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の別の一態様によれば、基板の上に、第１半導体層、発光層及び第２半導体層を積層して形成する工程と、前記第２半導体層と前記発光層の一部を除去して前記第１半導体層を露出させる工程と、前記露出した前記第１半導体層の第１領域に、第１金属膜を形成する工程と、前記露出した前記第１半導体層の前記第１領域に隣接する第２領域と、前記第２半導体層の上と、に前記発光層から放出される光に対する反射率が前記第１金属膜よりも高く前記第１半導体層に対する接触抵抗が前記第１金属膜よりも高い第２金属膜を形成する工程と、前記第１金属膜及び前記第２金属膜から露出した前記第１半導体層及び前記第２半導体層の上に、屈折率の異なる誘電体膜を交互に積層して誘電体積層膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、図１（ａ）に例示した発光層３は、上記のＳｉドープｎ型Ａｌ０．１１Ｇａ０．８９Ｎバリア層とＧａＩｎＮ発光層（波長３８０ｎｍ）とが交互に３周期積層されてなる多重量子井戸構造の発光層、及び、多重量子井戸の最終Ａｌ０．１１Ｇａ０．８９Ｎバリア層を含むことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
高濃度Ｍｇドープｐ型ＧａＮコンタクト層のＭｇ濃度を、１×１０２０ｃｍ−３台と高めに設定することで、ｐ側電極とのオーミック接触特性を向上させることができる。ただし、半導体発光ダイオードの場合、半導体レーザダイオードとは異なり、前記コンタクト層と発光層４との距離が短いため、Ｍｇ拡散による特性の劣化が懸念される。そこで、ｐ側電極４と前記コンタクト層の接触面積が広く、動作時の電流密度が低いことを利用して、電気特性を大きく損ねることなく前記Ｍｇ濃度を１×１０１９ｃｍ−３台に抑えることで、Ｍｇの拡散を防ぐことができ、発光特性を改善させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
このように、第１ｎ側電極膜７ａは、ｎ側電極７のｐ側電極４と対向する部分に設けることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
続いて、図８（ａ）に表したように、高効率反射特性を有するｎ側電極領域を形成する。すなわち、オーミック特性を有するｎ側電極領域である第１ｎ側電極膜７ａの、ｐ側電極４とは反対側のｎ型コンタクト層上の領域が開口されたリフトオフ用レジストを形成する（図示しない）。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
次いで、劈開若しくはダイヤモンドブレード等により切断し、個別のＬＥＤ素子とすることで、本実施形態に係る半導体発光素子１０２が作製される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
すなわち、本実施形態に係る半導体発光素子１０２においては、通電時に電流が比較的集中する領域であるｐ側電極４の第２ｐ側電極膜４ｂに対向したｎ側電極７の一部をコンタクト抵抗の低い第１ｎ側電極膜で形成することによって、必ずしもコンタクト抵抗が低くない高効率反射膜をｎ側電極７に形成することによる電気特性への影響を最小限に抑えることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７９】
また、ｐ側パッド４５は、ｐ側電極４の上の一部または全部の他、誘電体積層膜１１の少なくとも一部を覆うように設けても良い。また、ｐ側パッド４５は、ｎ側電極７の上に設けられるｎ側パッド７５と同時に形成することもできる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８３】
第３ｐ側電極膜４ｃは、第２ｐ側電極膜４ｂと第１ｐ側電極膜４ａの間に設けられ、第１ｐ側電極膜４ａが第２ｐ側電極膜４ｂへ拡散または反応するのを防ぐ機能を有する。第３ｐ側電極膜４ｃには、銀と反応しない、または銀に積極的に拡散しない材料を用いることができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５８】
次に、半導体発光素子１０１にボールボンダによって金バンプ２５を形成し、ｐ側電極４用とｎ側電極７用にパターニングされた電極を持つサブマウント２４上に固定し、このサブマウント２４を容器２２の底面の反射膜２３上に設置して固定する。これらの固定には接着剤による接着や半田等を用いることが可能である。また、ボールボンダによる金バンプ２５を用いずに半導体発光素子１０１をサブマウント２４上に直接固定することもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月22日(2011.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板と、
少なくとも前記金属基板の一主面側を被覆する絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられる導電体と、
前記導電体の厚み方向に対して開口し、その周囲を前記導電体にて囲まれる開口部と、
前記開口部と繋がなり、前記導電体を少なくとも２つの領域に区分する分離溝と、
前記開口部の内側に設けられる発光素子と、
前記発光素子の一方の電極と前記分離溝により区分された前記導電体の一方の領域とを電気的に接続し、且つ前記発光素子の他方の電極と前記分離溝により区分された前記導電体の他方の領域とを電気的に接続する金属細線と、
前記開口部内側の前記発光素子と前記金属細線とを被覆するように、前記開口部を埋設する樹脂体とを有することを特長とする発光モジュール。
【請求項２】
前記分離溝には、少なくとも１箇所以上のクランク領域が形成され、前記樹脂体は、前記開口部及び前記分離溝内にて硬化することを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
【請求項３】
前記分離溝の一端は前記開口部側に位置し、前記分離溝の他端は前記導電体の外周端部側に位置し、
前記分離溝の他端には、樹脂流出防止壁が配置されることを特徴とする請求項２に記載の発光モジュール。
【請求項４】
前記開口部には前記導電体を貫通する領域が形成され、
前記開口部の貫通領域に位置する前記絶縁層には、前記金属基板が露出する開口領域が形成され、前記開口領域から露出する前記金属基板には、前記発光素子が固着されることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の発光モジュール。
【請求項５】
前記導電体には前記金属基板の長手方向に複数の前記開口部が形成され、
前記開口部内に配置された前記発光素子は、それぞれ前記金属細線により前記導電体と接続し、
前記金属基板上の複数の前記発光素子は、前記導電体を介して直列接続することを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の発光モジュール。
【請求項６】
少なくとも前記導電体の一主面側には、メッキ層が形成されることを特徴とする請求項２から請求項５のいずれか１項に記載の発光モジュール。
【請求項７】
金属基板と、
少なくとも前記金属基板の一主面側を被覆する絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられる絶縁性樹脂体と、
前記絶縁性樹脂体の厚み方向に対して開口し、その周囲を前記絶縁性樹脂体にて囲まれる開口部と、
前記開口部の内側及び前記絶縁性樹脂体の一主面上に形成された配線層と、
前記開口部の内側に設けられる発光素子と、
前記発光素子の電極と前記開口部内の前記配線層と電気的に接続する金属細線と、
前記開口部の内側の前記発光素子と前記金属細線とを被覆するように、前記開口部を埋設する樹脂体とを有することを特長とする発光モジュール。
【請求項８】
前記開口部には前記絶縁性樹脂体を貫通する領域が形成され、
前記開口部の貫通領域に位置する前記絶縁層には、前記金属基板が露出する開口領域が形成され、前記開口領域から露出する前記金属基板には、前記発光素子が固着されることを特徴とする請求項７に記載の発光モジュール。
【請求項９】
前記絶縁性樹脂体は、ポリイミド樹脂またはエポキシ樹脂から成ることを特徴とする請求項８に記載の発光モジュール。
【請求項１０】
前記配線層の表面には、メッキ層が形成されることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の発光モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の発光モジュールでは、金属基板と、少なくとも前記金属基板の一主面側を被覆する絶縁層と、前記絶縁層上に設けられる導電体と、前記導電体の厚み方向に対して開口し、その周囲を前記導電体にて囲まれる開口部と、前記開口部と繋がなり、前記導電体を少なくとも２つの領域に区分する分離溝と、前記開口部の内側に設けられる発光素子と、前記発光素子の一方の電極と前記分離溝により区分された前記導電体の一方の領域とを電気的に接続し、且つ前記発光素子の他方の電極と前記分離溝により区分された前記導電体の他方の領域とを電気的に接続する金属細線と、前記開口部内側の前記発光素子と前記金属細線とを被覆するように、前記開口部を埋設する樹脂体とを有することを特長とする。従って、本発明では、金属基板上に接着される導電体が、配線層としての機能と、樹脂体を溜めるダム部としての機能を有することで、発光モジュールの小型化や薄型化が実現される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2010056386.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月19日(2011.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面が（１００）等価面、或いは（１１０）等価面である単結晶シリコン基板の該主面に、作成される構造体の、（１１１）等価面で構成され幅Ｗ１と長さＬ１を有する目標形状に対応するマスクパターンを形成し、
結晶異方性エッチングを施して、前記構造体を形成するシリコンの加工方法であって、
前記マスクパターンに、前記構造体の幅Ｗ１を決定する決定個所を持たせ、
前記マスクパターンの前記幅Ｗ１の決定個所の幅は、幅Ｗ２を有し、
前記マスクパターンの長さ方向にわたって、前記決定個所以外の前記マスクパターンの幅は、前記幅Ｗ２より大きい幅を有していることを特徴とするシリコンの加工方法。
【請求項２】
前記長さＬ１の中央部付近に、前記幅Ｗ２を有する決定個所を存在させることを特徴とする請求項１に記載のシリコンの加工方法。
【請求項３】
前記マスクパターンは凹部を有し、
前記凹部により、前記幅Ｗ２を有する決定個所を形成することを特徴とする請求項１または２に記載のシリコンの加工方法。
【請求項４】
前記マスクパターンの幅を、前記長さＬ１方向にわたって、前記幅Ｗ２を有する決定箇所からの距離に比例して大きくすることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載のシリコンの加工方法。
【請求項５】
前記幅Ｗ２は、該幅Ｗ２の方向が前記幅Ｗ１方向と成す角を角θとすると、
Ｗ１＝Ｗ２・ｃｏｓθ
の関係を有することを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載のシリコンの加工方法。
【請求項６】
前記マスクパターンの前記幅Ｗ２を有する決定個所からの距離をｘとし、前記マスクパターンの長さ方向にわたる前記マスクパターンの幅の分布をＷ（ｘ）とし、前記幅Ｗ１方向と成す角の最大許容量をθ＊とすると、
Ｗ（ｘ）≧Ｗ２＋２・｜ｘ｜・ｔａｎθ＊
の関係を満たすことを特徴とする請求項５に記載のシリコンの加工方法。
【請求項７】
（１００）等価面、或いは（１１０）等価面を主面とする単結晶シリコン基板上に、作成される構造体の、（１１１）等価面で構成され幅Ｗ１と長さＬ１を有する目標形状に対応するマスクパターンを有し、
前記マスクパターンは、前記構造体の幅Ｗ１を決定する決定個所を有し、
前記マスクパターンの前記幅Ｗ１の決定個所の幅は、幅Ｗ２を有し、
前記マスクパターンの長さ方向にわたって、前記決定個所以外の前記マスクパターンの幅は、前記幅Ｗ２より大きい幅を有していることを特徴とするエッチングマスク付きシリコン基板。
【請求項８】
支持基板と、ねじりバネと、前記支持基板に対し前記ねじりバネによってねじり軸まわりにねじり振動可能に支持された可動部と、を有し、前記ねじり軸まわりに少なくとも１つの共振周波数を備えたマイクロ揺動体を製造する方法であって、
請求項１から６の何れか１項に記載のシリコンの加工方法により、前記構造体を前記ねじりバネとなる様に形成することを特徴とするマイクロ揺動体の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載のマイクロ揺動体の製造方法により作成されたマイクロ揺動体と、前記可動部に設けられた光偏向素子と、を有する光偏向器を備え、
前記光偏向器は、光源からの光ビームを反射・偏向し、該光ビームの少なくとも一部を光照射対象物に入射させることを特徴とする光学機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月8日(2011.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の埋め込みチャネル型トランジスタで構成される低ノイズ回路のアナログ回路と、
第２の埋め込みチャネル型トランジスタまたは第１の表面チャネル型トランジスタで構成される低ノイズ回路以外のアナログ回路と、
第２の表面チャネル型トランジスタで構成されるデジタル回路と、
を半導体基板上に備え、
前記第１の埋め込みチャネル型トランジスタでは、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴにおいてＰ型のゲートにＮ型の不純物が注入されないように、前記Ｐ型のゲートの一端部とソース・ドレインを形成するＮ型の高濃度不純物領域の一端部との間にオフセットが設けられている半導体集積回路。
【請求項２】
前記低ノイズ回路のアナログ回路のトランジスタのゲート酸化膜厚は、前記低ノイズ回路以外のアナログ回路及び前記デジタル回路のトランジスタのゲート酸化膜厚よりも薄い請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項３】
前記低ノイズ回路は、増幅回路である請求項１または２記載の半導体集積回路。
【請求項４】
前記低ノイズ回路は、Ａ／Ｄコンバータである請求項１または２記載の半導体集積回路。
【請求項５】
前記低ノイズ回路は、Ｄ／Ａコンバータである請求項１または２記載の半導体集積回路。
【請求項６】
ゲート電極とソース電極を接続した第１のＰチャネル型ＭＯＳトランジスタと、
ゲート電極を前記第１のＰチャネル型のＭＯＳトランジスタのゲート電極と接続し、ソース電極を前記第１のＰチャネル型のＭＯＳトランジスタのソース電極と接続した第２のＰチャネル型のＭＯＳトランジスタと、
ドレイン電極を前記第１のＰチャネル型のＭＯＳトランジスタのドレイン電極に接続し、ゲート電極を第１の入力端子とする第１のＮチャネル型のＭＯＳトランジスタと、
ドレイン電極を前記第２のＰチャネル型のＭＯＳトランジスタのドレイン電極に接続し、ソース電極を前記第１のＮチャネル型のＭＯＳトランジスタのソース電極と接続し、ゲート電極を第２の入力端子とする第２のＮチャネル型のＭＯＳトランジスタと、
からなる増幅回路において、
前記増幅回路を構成する各々のＭＯＳトランジスタが埋め込みチャネル型であり、前記第１および第２のＮチャネル型のＭＯＳトランジスタのゲート電極にＮ型の不純物が入らないように前記ゲート電極の端部とソース・ドレインを形成する高濃度不純物領域の前記ゲート電極に近いそれぞれの端部とがオフセットしていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月6日(2011.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上の全面に配線形成用金属膜を形成する工程と、
前記配線形成用金属膜上に、柱状電極形成領域に対応する部分に開口部を有する柱状電極形成用メッキレジスト膜を形成する工程と、
前記配線形成用金属膜をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、前記柱状電極形成用メッキレジスト膜の開口部内の前記配線形成用金属膜上に柱状電極を形成する工程と、
前記柱状電極形成用メッキレジスト膜を剥離する工程と、
前記柱状電極を含む前記配線形成用金属膜上の配線形成領域にエッチングレジスト膜を形成する工程と、
前記配線形成用レジスト膜をマスクとして前記エッチングレジスト膜下以外の領域における前記配線形成用金属膜をエッチングして除去することにより、前記柱状電極を含む前記エッチングレジスト膜下に配線を形成する工程と、
前記エッチングレジスト膜を剥離する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記配線形成用金属膜を形成する工程は、スパッタにより形成されたチタン膜上にスパッタにより銅膜を形成する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の発明において、前記銅膜の厚さは前記チタン膜の厚さよりも厚くすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、前記配線形成用金属膜の厚さは２〜５μｍとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の発明において、前記柱状電極形成用メッキレジスト膜はドライフィルムレジストで形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の発明において、前記エッチング用レジスト膜は液状レジストで形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の発明において、前記エッチングレジスト膜は、スピンコート法により形成されたレジスト膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６に記載の発明において、前記エッチングレジスト膜はインクジェットプリント法により形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、半導体基板上の全面に配線形成用金属膜を形成する工程と、前記配線形成用金属膜上に、柱状電極形成領域に対応する部分に開口部を有する柱状電極形成用メッキレジスト膜を形成する工程と、前記エッチング金属膜をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、前記柱状電極形成用メッキレジスト膜の開口部内の前記配線形成用金属膜上に柱状電極を形成する工程と、前記柱状電極形成用メッキレジスト膜を剥離する工程と、前記柱状電極を含む前記配線形成用金属膜上の配線形成領域にエッチングレジスト膜を形成する工程と、前記エッチングレジスト膜をマスクとして前記エッチングレジスト膜下以外の領域における前記配線形成用金属膜をエッチングして除去することにより、前記柱状電極を含む前記エッチングレジスト膜下に配線を形成する工程と、前記エッチングレジスト膜を剥離する工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記配線形成用金属膜を形成する工程は、スパッタにより形成されたチタン膜上にスパッタにより銅膜を形成する工程であることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記銅膜の厚さは前記チタン膜の厚さよりも厚くすることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記配線形成用金属膜の厚さは２〜５μｍとすることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記柱状電極形成用メッキレジスト膜はドライフィルムレジストで形成することを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５の何れか一項に記載の発明において、前記エッチングレジスト膜は液状レジストで形成することを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、前記エッチングレジスト膜は、スピンコート法により形成されたレジスト膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより形成することを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、前記エッチングレジスト膜はインクジェットプリント法により形成することを特徴とするものである。