【手続補正書】
【提出日】平成22年12月14日(2010.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
粗研磨工程において、表面うねり（Ｗａ）が１ｎｍ以下となるように硬質結晶基板の表面が研磨される。これは、表面うねり（Ｗａ）が１ｎｍを超えると、粗研磨工程に続く仕上げ研磨工程において、研磨代（シロ）が少ないため、表面うねりの修正が困難となるからである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
（第一の粗研磨工程）  第一の粗研磨は、パッドレス研磨であった。定盤を回転させ、定盤の表面に研磨スラリーを供給し、ワークホルダーに保持したＧａＮ基板の表面を定盤の表面に押し付け、ワークホルダーを回転させて、ＧａＮ基板の表面の第一の粗研磨をした。研磨条件は下記の表５に示すとおりであった。第一の研磨工程後、パラフィン系炭化水素を使用して砥粒を洗い流した後に、アルコール類でＧａＮ基板を洗うことによってＧａＮ基板をリンスし、ＧａＮ基板の表面の平均表面粗さ（Ｒａ）と表面うねり（Ｗａ）を市販の測定装置（製品名：ＮｅｗＶｉｅｗ５０００、Ｚｙｇｏ社）を使用して測定した。なお、平均表面粗さ（Ｒａ）と表面うねり（Ｗａ）の測定条件は、下記の表２に示すとおりであった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
（第二の粗研磨工程）  第二の粗研磨は、パッドレス研磨であった。上記の第一の粗研磨と同様に、定盤を回転させ、定盤の表面に研磨スラリーを供給し、ワークホルダーに保持したＧａＮ基板の表面を定盤の表面に押し付け、ワークホルダーを回転させて、ＧａＮ基板の表面の第二の粗研磨をした。研磨条件は下記の表５に示すとおりであった。第二の研磨工程後、上記の第一の粗研磨工程と同様に、パラフィン系炭化水素を使用して砥粒を洗い流した後に、アルコール類でＧａＮ基板を洗うことによってＧａＮ基板をリンスし、ＧａＮ基板の表面の平均表面粗さ（Ｒａ）と表面うねり（Ｗａ）を市販の測定装置（製品名：ＮｅｗＶｉｅｗ５０００、Ｚｙｇｏ社）を使用して測定した。なお、平均表面粗さ（Ｒａ）と表面うねり（Ｗａ）の測定条件は、上記の表２に示すとおりであった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
（第一の粗研磨工程）  比較例１の第一の粗研磨では、上記の実施例１の第一の粗研磨と同じ定盤及び油性の研磨スラリー（表３）を使用し、上記の実施例１の第一の粗研磨と同じ研磨条件（表５）でＧａＮ基板をパッドレス研磨した。第一の研磨工程後、パラフィン系炭化水素を使用して砥粒を洗い流した後に、アルコール類でＧａＮ基板を洗うことによってＧａＮ基板をリンスし、ＧａＮ基板の表面の平均表面粗さ（Ｒａ）と表面うねり（Ｗａ）を市販の測定装置（製品名：ＮｅｗＶｉｅｗ５０００、Ｚｙｇｏ社）を使用して測定した。なお、平均表面粗さ（Ｒａ）と表面うねり（Ｗａ）の測定条件は、上記の表２に示すとおりであった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
（仕上げ研磨工程）仕上げ研磨は、上記の実施例１の仕上げ研磨と同じくパッドレス研磨であった。定盤として、上記の実施例１の仕上げ研磨で使用した定盤と同じものを使用した。定盤を回転させ、定盤の表面に比較例１の油性研磨スラリーを供給し、ワークホルダーに保持したＧａＮ基板の表面を定盤の表面に押し付け、ワークホルダーを回転させて、ＧａＮ基板の表面の仕上げ研磨をした。研磨条件は上記の表５に示すとおりであった。仕上げ研磨工程後、パラフィン系炭化水素を使用して砥粒を洗い流した後に、アルコール類でＧａＮ基板を洗うことによってＧａＮ基板をリンスし、ＧａＮ基板の表面の平均表面粗さ（Ｒａ）と表面うねり（Ｗａ）を市販の測定装置（製品名：ＮｅｗＶｉｅｗ５０００、Ｚｙｇｏ社）を使用して測定した。なお、平均表面粗さ（Ｒａ）と表面うねり（Ｗａ）の測定条件は、上記の表２に示すとおりであった。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
【図１】図１は、パッドレス研磨装置の側面図である。
【図２】図２Ａは、粗研磨工程で使用する定盤の断面図であり、図２Ｂは、この定盤の部分拡大平面写真である。
【図３】図３Ａは、仕上げ研磨工程で使用する定盤の断面図であり、図３Ｂは、この定盤の部分拡大平面写真である。
【図４】図４は、実施例１、２の第一の粗研磨工程で使用した砥粒（多結晶ダイヤモンド粒子）の粒度分布のグラフと顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図５】図５は、実施例１、２の第二の粗研磨工程で使用した砥粒（多結晶ダイヤモンド粒子）の粒度分布のグラフと顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図６】図６は、実施例１の油性研磨スラリーに含まれる砥粒（平均粒度２７ｎｍの人工ダイヤモンドクラスター）の粒度分布のグラフと顕微鏡（ＳＥＭ、ＴＥＭ）写真である。
【図７】図７は、比較例１の油性研磨スラリーに含まれる砥粒（平均粒度３０ｎｍの多結晶ダイヤモンド粒子）の粒度分布のグラフと顕微鏡（ＴＥＭ）写真である。
【図８】図８Ａ及び図８Ｂは、それぞれ、実施例１における第一の粗研磨工程後のＧａＮ基板表面の平面（図８Ａ）及び斜視（図８Ｂ）部分拡大写真である。
【図９】図９Ａ及び図９Ｂは、それぞれ、実施例１における第二の粗研磨工程後のＧａＮ基板表面の平面（図９Ａ）及び斜視（図９Ｂ）部分拡大写真である。
【図１０】図１０Ａ及び図１０Ｂは、それぞれ、実施例１における仕上げ研磨工程後のＧａＮ基板表面の平面（図１０Ａ）及び斜視（図１０Ｂ）部分拡大写真である。
【図１１】図１１Ａ及び図１１Ｂは、それぞれ、比較例１における第一の粗研磨工程後のＧａＮ基板表面の平面（図１１Ａ）及び斜視（図１１Ｂ）部分拡大写真である。
【図１２】図１２Ａ及び図１２Ｂは、それぞれ、比較例１における第二の粗研磨工程後のＧａＮ基板表面の平面（図１２Ａ）及び斜視（図１２Ｂ）部分拡大写真である。
【図１３】図１３Ａ及び図１３Ｂは、それぞれ、比較例１における仕上げ研磨工程後のＧａＮ基板表面の平面（図１３Ａ）及び斜視（図１３Ｂ）部分拡大写真である。
【図１４】図１４Ａ及び図１４Ｂは、それぞれ、比較例２における第一の粗研磨工程後のＧａＮ基板表面の平面（図１４Ａ）及び斜視（図１４Ｂ）部分拡大写真である。
【図１５】図１５Ａ及び図１５Ｂは、それぞれ、比較例２における第二の粗研磨工程後のＧａＮ基板表面の平面（図１５Ａ）及び斜視（図１５Ｂ）部分拡大写真である。
【図１６】図１６Ａ及び図１６Ｂは、それぞれ、比較例２における仕上げ研磨工程後のＧａＮ基板表面の平面（図１６Ａ）及び斜視（図１６Ｂ）部分拡大写真である。
【図１７】図１７Ａ及び図１７Ｂは、それぞれ、実施例２における第一の粗研磨工程後のＳｉＣ基板表面の平面（図１７Ａ）及び斜視（図１７Ｂ）部分拡大写真である。
【図１８】図１８Ａ及び図１８Ｂは、それぞれ、実施例２における第二の粗研磨工程後のＳｉＣ基板表面の平面（図１８Ａ）及び斜視（図１８Ｂ）部分拡大写真である。
【図１９】図１９Ａ及び図１９Ｂは、それぞれ、実施例２における仕上げ研磨工程後のＳｉＣ基板表面の平面（図１９Ａ）及び斜視（図１９Ｂ）部分拡大写真である。