【手続補正書】
【提出日】平成23年5月30日(2011.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硬化アリールポリシロキサン組成物であって、
Ａ．アルキレン架橋アリールポリシロキサンであって、
少なくとも１つのケイ素架橋アルキレン部分；および
アルキレン架橋アリールポリシロキサンのケイ素結合有機基の総モルを基準にして、少なくとも１０モルパーセントから９９．９モルパーセント以下のケイ素結合アリール基（ただし、フェノキシフェニル基を含まない）：
を含むアルキレン架橋アリールポリシロキサン；並びに
Ｂ．ヒドロシル化触媒：
を含み、
ヒドロシル化触媒は白金、ロジウム、パラジウムおよびそれらの組み合わせから選択されるＶＩＩＩ族元素を含む金属もしくは金属化合物であり；および
ヒドロシル化触媒およびそれらのあらゆる誘導体は、硬化アリールポリシロキサン組成物の重量を基準にし、ＶＩＩＩ族元素当量値として表して、少なくとも０．００５ｐｐｍから３．０ｐｐｍ以下の合計量で存在し；および
ＣＩＥ  １９７６  Ｌ＊ａ＊ｂ＊  Ｄ６５（照射角）／１０（観察角）色試験法を用いて決定される、熱エージング後の硬化アリールポリシロキサン組成物の０．６ミリメートル厚検体によって測定される２．０以下のＣＩＥｂ値で示される、空気中２００℃で１４日の熱エージングの間に変色しない硬化アリールポリシロキサン組成物。
【請求項２】
ヒドロシル化触媒およびそれらのあらゆる誘導体が、硬化アリールポリシロキサン組成物の総重量を基準にし、ＶＩＩＩ族元素当量値として表して、少なくとも０．００５ｐｐｍから１．０ｐｐｍ未満の合計量で存在する、請求項１記載の硬化アリールポリシロキサン組成物。
【請求項３】
アルキレン架橋アリールポリシロキサンが平均組成式Ｉによって表される、請求項１記載の硬化アリールポリシロキサン組成物：
（Ｒ１ｎＳｉＯ（４−ｎ）／２）ａ（Ｏ（４−ｐ−ｒ）／２Ｒ２ｐＳｉＺｒＳｉＲ３ｑＯ（４−ｑ−ｒ）／２）ｂ  （Ｉ）
（式中、
各々の（Ｒ１ｎＳｉＯ（４−ｎ）／２）単位について、
下付きｎは、独立に、０、１、２もしくは３に等しく；
各々の（Ｏ（４−ｐ−ｒ）／２Ｒ２ｐＳｉＺｒＳｉＲ３ｑＯ（４−ｑ−ｒ）／２）単位について、
下付きｐは０、１、２もしくは３に等しく；
下付きｑは０、１、２もしくは３に等しく；
ｐ＋ｑ＝０から［８−（２ｒ＋１）］；
下付きｒ＝１、２もしくは３；
Ｚは−ＣＨＲ４ＣＨＲ５−ＸＳ−、アリーレン、置換アリーレンおよびそれらの組み合わせから選択され、ここで、
−ＣＨＲ４ＣＨＲ５−ＸＳ−はケイ素−架橋アルキレン部分であり；
Ｘは、独立に、メチレン、フェニル、置換フェニルおよびそれらの組み合わせから選択され；
下付きｓ＝０もしくは１；並びに
Ｒ４およびＲ５は、独立に、水素原子およびアルキルから選択され；
Ｒ１、Ｒ２およびＲ３はアルケニル、水素原子、アリール、アルキル、ヒドロキシ、アルコキシ、アリールオキシ、他の炭化水素基およびそれらの組み合わせから選択され；
下付きａおよびｂは、それぞれ、（Ｒ１ｎＳｉＯ（４−ｎ）／２）単位および（Ｏ（４−ｐ−ｒ）／２Ｒ２ｐＳｉＺｒＳｉＲ３ｑＯ（４−ｑ−ｒ）／２）単位のモル分率と整合するように選択され；
０＜ａ＜１；０＜ｂ＜１；並びに
ａ＋ｂ＝１）。
【請求項４】
合わせたＲ１、Ｒ２およびＲ３の少なくとも７０モルパーセントから１００モルパーセントがビニル、水素原子、メチル、フェニル、ナフチルおよびそれらの組み合わせから選択される、請求項３記載の硬化アリールポリシロキサン組成物。
【請求項５】
請求項１記載の硬化アリールポリシロキサン組成物の製造方法であって、
Ａ．ｉ）アリールアルケニルポリシロキサンであって、
少なくとも２つのケイ素結合アルケニル基；および
アリールアルケニルポリシロキサンのケイ素結合有機基の総モルを基準にして、少なくとも１０モルパーセントから９９．９モルパーセント以下のケイ素結合アリール基（ただし、フェノキシフェニル基を含まない）：
を含むアリールアルケニルポリシロキサン；
ｉｉ）ヒドリドケイ素化合物であって、
少なくとも２つのケイ素結合水素原子；および
ヒドリドケイ素化合物のケイ素結合有機基の総モルを基準にして、０モルパーセントから９９．９モルパーセント以下のケイ素結合アリール基：
を含むヒドリドケイ素化合物；並びに
ｉｉｉ）ヒドロシル化触媒：
を用意する工程；
Ｂ．アリールアルケニルポリシロキサン、ヒドリドケイ素化合物およびヒドロシル化触媒を合わせて硬化性アリールシロキサン組成物を生成する工程；
Ｃ．硬化性アリールシロキサン組成物を硬化させて硬化アリールポリシロキサン組成物を形成する工程；並びに
Ｄ．任意工程として、硬化アリールポリシロキサン組成物を、ヒドロシル化触媒の少なくとも一部の除去、ヒドロシル化触媒の少なくとも一部の失活、およびそれらの組み合わせから選択される工程を含む技術によって精製する工程：
を含み、
ヒドロシル化触媒は白金、ロジウム、パラジウムおよびそれらの組み合わせから選択されるＶＩＩＩ族元素を含む金属もしくは金属化合物であり；
ヒドロシル化触媒は、硬化性アリールシロキサン組成物の重量を基準にし、ＶＩＩＩ族元素当量値として表して、少なくとも０．００５ｐｐｍから３．０ｐｐｍ以下の量で存在し；並びに
硬化アリールポリシロキサン組成物は、ＣＩＥ  １９７６  Ｌ＊ａ＊ｂ＊  Ｄ６５（照射角）／１０（観察角）色試験法を用いて決定される、熱エージング後の硬化アリールポリシロキサン組成物の０．６ミリメートル厚検体によって測定される２．０以下のＣＩＥｂ値で示される、空気中２００℃で１４日の熱エージングの間に変色しない；
方法。
【請求項６】
Ｅ．半導体要素を含む半導体装置を用意する工程；並びに
Ｆ．硬化の工程の前もしくはその間に、硬化性アリールシロキサン組成物を表面に適用すること；
硬化アリールポリシロキサン組成物を表面に適用すること；および
それらの組み合わせ：
から選択される工程を含む技術によって、少なくとも１つの半導体要素の少なくとも１つの表面上にコーティングを形成する工程：
をさらに含む請求項５記載の方法。
【請求項７】
アリールアルケニルポリシロキサンが平均組成式ＩＩによって表される、請求項５記載の方法：
（Ｒ６３ＳｉＯ１／２）ｃ（Ｒ７２ＳｉＯ２／２）ｄ（Ｒ８ＳｉＯ３／２）ｅ（ＳｉＯ４／２）ｆ  （ＩＩ）
（式中、
Ｒ６３ＳｉＯ１／２、Ｒ７２ＳｉＯ２／２、Ｒ８ＳｉＯ３／２およびＳｉＯ４／２は、それぞれ、Ｍ−単位、Ｄ−単位、Ｔ−単位およびＱ−単位であって、それらの全ては一次シロキサン単位であり；
下付きｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ、Ｒ６３ＳｉＯ１／２、Ｒ７２ＳｉＯ２／２、Ｒ８ＳｉＯ３／２およびＳｉＯ４／２のモル分率と整合するように選択され；
０．００１≦ｃ≦１；０≦ｄ≦０．９９９；０≦ｅ≦０．５０；０≦ｆ≦０．１０；
ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１；
ケイ素結合アルケニル基はアリールアルケニルポリシロキサン中に、アリールアルケニルポリシロキサンのケイ素結合有機基の総モルを基準にして、少なくとも０．１モルパーセントから６０モルパーセント以下の量で存在し；
ケイ素結合アリール基はアリールアルケニルポリシロキサン中に、アリールアルケニルポリシロキサンのケイ素結合有機基の総モルを基準にして、少なくとも１０モルパーセントから９９．９モルパーセント以下の量で存在し；並びに
Ｒ６−Ｒ８は、アルケニル、水素原子、アリール、アルキル、ヒドロキシ、アルコキシ、アリールオキシ、他の炭化水素基およびそれらの組み合わせから選択される）。
【請求項８】
ヒドリドケイ素化合物が以下から選択されるヒドリドケイ素化合物を含む、請求項５記載の方法：
ｉ）平均組成式ＩＩＩを有するヒドリドケイ素化合物、
（Ｒ９３ＳｉＯ１／２）ｇ（Ｒ１０２ＳｉＯ２／２）ｈ（Ｒ１１ＳｉＯ３／２）ｊ（ＳｉＯ４／２）ｋ  （ＩＩＩ）、
（式中、
Ｒ９３ＳｉＯ１／２、Ｒ１０２ＳｉＯ２／２、Ｒ１１ＳｉＯ３／２およびＳｉＯ４／２は、それぞれ、Ｍ−単位、Ｄ−単位、Ｔ−単位およびＱ−単位であって、それらの全ては一次シロキサン単位であり；
下付きｇ、ｈ、ｊおよびｋは、それぞれ、Ｒ９３ＳｉＯ１／２、Ｒ１０２ＳｉＯ２／２、Ｒ１１ＳｉＯ３／２およびＳｉＯ４／２のモル分率と整合するように選択され；
０．００１≦ｇ≦１；０≦ｈ≦０．９９９；０≦ｊ≦０．５０；０≦ｋ≦０．１０；
ｇ＋ｈ＋ｊ＋ｋ＝１；
ケイ素結合水素原子はヒドリドケイ素化合物中に、ヒドリドケイ素化合物のケイ素結合有機基の総モルを基準にして、少なくとも０．１モルパーセントから６０モルパーセント以下の量で存在し；
ケイ素結合アリール基はヒドリドケイ素化合物中に、ヒドリドケイ素化合物のケイ素結合有機基の総モルを基準にして、少なくとも１０モルパーセントから９９．９モルパーセント以下の量で存在し；並びに
Ｒ９−Ｒ１１はアルケニル、水素原子、アリール、アルキル、ヒドロキシ、アルコキシ、アリールオキシ、他の炭化水素基およびそれらの組み合わせから選択される）；および
ｉｉ）式ＩＶを有するヒドリドケイ素化合物、
Ｒ１２ｍＳｉＨ（４−ｍ）  （ＩＶ）
（式中、
ｍ＝１もしくは２；並びに
Ｒ１２はアルケニル、アリール、アルキル、ヒドロキシ、アルコキシ、アリールオキシ、他の炭化水素基およびそれらの組み合わせから選択される）；
並びにそれらの組み合わせ。
【請求項９】
半導体要素を含む封止半導体装置であって、半導体要素の１つ以上が請求項１記載の硬化アリールポリシロキサン組成物でコートされている封止半導体装置。