【手続補正書】
【提出日】平成23年4月15日(2011.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の所定の深さの領域に脆化層を形成し、
前記半導体基板上に絶縁層を形成し、
前記半導体基板の外縁を前記脆化層よりも深い領域まで前記絶縁層側から選択的にエッチングし、
前記半導体基板と、絶縁表面を有する基板とを前記絶縁層を挟んで重ね合わせて接合し、
前記半導体基板を加熱して、前記絶縁表面を有する基板上に半導体層を残して、前記半導体基板を前記脆化層で分離することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項２】
半導体基板の絶縁層が形成された面から所定の深さの領域に脆化層を形成し、
前記半導体基板の外縁を前記脆化層よりも深い領域まで前記絶縁層側から選択的にエッチングし、
前記半導体基板と、絶縁表面を有する基板とを前記絶縁層を挟んで重ね合わせて接合し、
前記半導体基板を加熱して、前記絶縁表面を有する基板上に半導体層を残して、前記半導体基板を前記脆化層で分離することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記半導体基板と前記絶縁層との間に、窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、或いは酸化窒化シリコン層から選ばれた一層の単層構造又は複数の層による積層構造を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記窒化シリコン層、前記窒化酸化シリコン層、或いは前記酸化窒化シリコン層から選ばれた一層の単層構造又は複数の層による積層構造は、前記半導体基板に前記脆化層が形成される前に、前記半導体基板上に形成されることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項５】
半導体基板の所定の深さの領域に脆化層を形成し、
前記半導体基板の外縁を前記脆化層よりも深い領域まで選択的にエッチングし、
絶縁表面を有する基板上に絶縁層を形成し、
前記半導体基板と、前記絶縁表面を有する基板とを前記絶縁層を挟んで重ね合わせて接合し、
前記半導体基板を加熱して、前記絶縁表面を有する基板上に半導体層を残して、前記半導体基板を前記脆化層で分離することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記絶縁表面を有する基板と前記絶縁層との間に、窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、或いは酸化窒化シリコン層から選ばれた一層の単層構造又は複数の層による積層構造を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記絶縁層としては酸化シリコン層又はシロキサン結合を含む絶縁層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記酸化シリコン層は、モノシラン、ジシラン、又はトリシランを原料ガスに用いて化学気相成長法により形成することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項９】
請求項７において、
前記酸化シリコン層は、有機シランを原料ガスに用いて化学気相成長法により形成することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記有機シランとしては、テトラエトキシシラン、テトラメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルジシラザン、トリエトキシシラン、又はトリスジメチルアミノシランから選ばれた一種を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記半導体基板又は前記絶縁層が形成された前記半導体基板の外縁の一部を固定治具で固定した後、
前記イオンを照射して前記脆化層を形成し、
前記半導体基板の外縁は前記固定治具が重畳した領域を含んでおり、前記半導体基板の固定治具が重畳した領域を含む外縁を選択的にエッチングすることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１２】
半導体基板の所定の深さの領域に脆化層を形成し、
前記半導体基板上に第１絶縁層を形成し、
前記半導体基板の外縁を前記脆化層よりも深い領域まで前記第１絶縁層側から選択的にエッチングし、
絶縁表面を有する基板上に第２絶縁層を形成し、
前記半導体基板と、前記絶縁表面を有する基板とを前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層を挟んで重ね合わせて接合し、
前記半導体基板を加熱して、前記絶縁表面を有する基板上に半導体層を残して、前記半導体基板を前記脆化層で分離することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１３】
半導体基板の第１絶縁層が形成された面から所定の深さの領域に脆化層を形成し、
前記半導体基板の外縁を前記脆化層よりも深い領域まで前記第１絶縁層側から選択的にエッチングし、
絶縁表面を有する基板上に第２絶縁層を形成し、
前記半導体基板と、前記絶縁表面を有する基板とを前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層を挟んで重ね合わせて接合し、
前記半導体基板を加熱して、前記絶縁表面を有する基板上に半導体層を残して、前記半導体基板を前記脆化層で分離することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２又は請求項１３において、
前記半導体基板と前記第１絶縁層との間に、窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、或いは酸化窒化シリコン層から選ばれた一層の単層構造又は複数の層による積層構造を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記窒化シリコン層、前記窒化酸化シリコン層、或いは前記酸化窒化シリコン層から選ばれた一層の単層構造又は複数の層による積層構造は、前記半導体基板に前記脆化層が形成される前に、前記半導体基板上に形成されることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１６】
請求項１２乃至請求項１５のいずれか一において、
前記絶縁表面を有する基板と前記第２絶縁層との間に、窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、或いは酸化窒化シリコン層から選ばれた一層の単層構造又は複数の層による積層構造を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１７】
請求項１２乃至請求項１６のいずれか一において、
前記第１絶縁層、又は前記第２絶縁層としては、酸化シリコン層或いはシロキサン結合を含む絶縁層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記酸化シリコン層は、モノシラン、ジシラン、又はトリシランを原料ガスに用いて化学気相成長法により形成することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１９】
請求項１７において、
前記酸化シリコン層は、有機シランを原料ガスに用いて化学気相成長法により形成することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項２０】
請求項１９において、
前記有機シランとしては、テトラエトキシシラン、テトラメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルジシラザン、トリエトキシシラン、又はトリスジメチルアミノシランから選ばれた一種を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項２１】
請求項１２乃至請求項２０のいずれか一において、
前記半導体基板又は前記第１絶縁層が形成された前記半導体基板の外縁の一部を固定治具で固定した後、
前記イオンを照射して前記脆化層を形成し、
前記半導体基板の外縁は前記固定治具が重畳した領域を含んでおり、前記半導体基板の固定治具が重畳した領域を含む外縁を選択的にエッチングすることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項２２】
請求項１乃至請求項２１のいずれか一において、
前記脆化層は、一或いは複数の同一の原子からなる質量が異なるイオンを照射して形成することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項２３】
請求項２２において、
前記質量が異なるイオンとしては、Ｈ＋イオン、Ｈ２＋イオン、及びＨ３＋イオンを用いることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項２４】
請求項１乃至請求項２３のいずれか一において、
前記半導体基板の外縁のエッチングは、ウェットエッチング法、ドライエッチング法、又は前記ウェットエッチング法及び前記ドライエッチング法を組み合わせて行うことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項２５】
請求項１乃至請求項２４のいずれか一において、
前記半導体基板を前記脆化層で分離する際の加熱は、４００℃以上７００℃未満の温度範囲で行うことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。