Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月21日(2009.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノチューブ製造反応器からの排出流れとして生成されたナノチューブ粒子の流体エアロゾルからナノチューブの薄膜を直接製造する方法であって、
ナノチューブ粒子を、流動エアロゾル懸濁物からフィルター基材上に蒸着し、
蒸着したままのナノチューブ粒子を第二の基材に接着することを含む、方法。
【請求項２】
第二の基材が接着剤を塗布した基材を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
接着剤が前もって決められたパターンで第二の基材に塗布され、蒸着された粒子が前記の前もって決められたパターンで第二の基材に付着する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
ナノチューブ粒子を自然親和力により第二の基材に接着する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
蒸着されたナノチューブ粒子を覆う工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
蒸着されたナノチューブ粒子が、蒸着されたままの粒子の物理的配向を保ちながらフィルター基材から分離される、請求項１記載の方法。
【請求項７】
連続方法として実施される、請求項１記載の方法。
【請求項８】
ナノチューブ粒子が移動するフィルター基材上に蒸着される、請求項７記載の方法。
【請求項９】
移動するフィルター基材が該エアロゾル懸濁物の流れに実質的に直角な角度に向けられる、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
移動フィルター基材が該エアロゾル懸濁物の流れに直角でない角度に向けられ、それによりナノチューブ粒子が基材に蒸着した時に配列される、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
粒子がフィルター基材上に蒸着される領域において、粒子に磁場をかけて該粒子を配向する工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
粒子がフィルター基材上に蒸着される領域において、粒子に電場をかける工程により該粒子を配向する工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
該流動エアロゾル懸濁物を熱交換器に通し、該流動エアロゾル懸濁物を該フィルター基材の許容される温度領域に適合する温度に冷却し、その後フィルター基材上に粒子を蒸着させる工程を含む、請求項１記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明はプロセスの連続運転が可能で、ＣＮＴフィルムが直接製造できる、即ち停止もなくフィルムを取り扱うこともないという利点を有する。又生成ＣＮＴフィルムは先行技術のフィルムより低密度である。
種々の変更が本発明の精神と範囲から逸脱することなしに行える。
本発明はその実施態様として以下のものを包含する。
実施態様１：  ナノチューブ製造反応器からの排出流れとして生成されたナノチューブ粒子の流体エアロゾルからナノチューブの薄膜を直接製造する方法であって、
ナノチューブ粒子を、流動エアロゾル懸濁物からフィルター基材上に蒸着し、
蒸着したままのナノチューブ粒子を第二の基材に接着することを含む、方法。
実施態様２：  第二の基材が接着剤を塗布した基材を含む、実施態様１記載の方法。
実施態様３：  接着剤が有機物質を含む、実施態様２記載の方法。
実施態様４：  接着剤がパラフィンを含む、実施態様３記載の方法。
実施態様５：  接着剤がワックス、タール、ポリマー、グリーンセラミック、カーボンスラリー、糖及びこれらの二つ以上の組み合わせからなる群から選択される、実施態様２記載の方法。
実施態様６：  接着剤が前もって決められたパターンで第二の基材に塗布され、蒸着された粒子が前記の前もって決められたパターンで第二の基材に付着する、実施態様１記載の方法。
実施態様７：  ナノチューブ粒子を自然親和力により第二の基材に接着する、実施態様１記載の方法。
実施態様８：  蒸着されたナノチューブ粒子を覆う工程を含む、実施態様１記載の方法。
実施態様９：  蒸着されたナノチューブ粒子がフィルムで覆われる、実施態様８記載の方法。
実施態様１０：  蒸着されたナノチューブ粒子が、蒸着されたままの粒子の物理的配向を保ちながらフィルター基材から分離される、実施態様１記載の方法。
実施態様１１：  連続方法として実施される、実施態様１記載の方法。
実施態様１２：  ナノチューブ粒子が移動フィルター基材上に蒸着される、実施態様１１記載の方法。
実施態様１３：  移動するフィルター基材が多孔性ベルトを含む、実施態様１２記載の方法。
実施態様１４：  移動するフィルター基材が該エアロゾル懸濁物の流れに実質的に直角な角度に向けられる、実施態様１２記載の方法。
実施態様１５：  移動するフィルター基材が該エアロゾル懸濁物の流れに直角でない角度に向けられ、それによりナノチューブ粒子が基材に蒸着した時に配列される、実施態様８記載の方法。
実施態様１６：  フィルター基材が多孔質フィルター媒体を含む、実施態様１記載の方法。
実施態様１７：  粒子がフィルター基材上に蒸着される領域において、粒子に磁場をかけて該粒子を配向する工程を含む、実施態様１記載の方法。
実施態様１８：  粒子がフィルター基材上に蒸着される領域において、粒子に電場をかける工程により該粒子を配向する工程を含む、実施態様１記載の方法。
実施態様１９：  ナノチューブ粒子がカーボンナノチューブを含む、実施態様１記載の方法。
実施態様２０：  カーボンナノチューブがＣＶＤ反応器内で形成される、実施態様１９記載の方法。
実施態様２１：  カーボンナノチューブがプラズマジェット反応器内で形成される、実施態様１９記載の方法。
実施態様２２：  該流動エアロゾル懸濁物を熱交換器に通し、該流動エアロゾル懸濁物を該フィルター基材の許容される温度領域に適合する温度に冷却し、その後フィルター基材上に粒子を蒸着させる工程を含む、実施態様１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月25日(2009.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互連結され連続した炭素リガメントから構成される連続気泡体を備えている高密度炭素フォームであって、該高密度炭素フォームは、少なくとも約１．２ｇ／ｃｃの密度および約１％よりも大きい灰含有量を有する、高密度炭素フォーム。
【請求項２】
前記灰含有量は、約２％よりも大きく、約２０％よりも小さい、請求項１に記載の高密度炭素フォーム。
【請求項３】
前記密度は、約１．２ｇ／ｃｃよりも大きく、約１．８ｇ／ｃｃよりも小さい、請求項１に記載の高密度炭素フォーム。
【請求項４】
前記高密度炭素フォームは、約５，０００  ｌｂ／ｉｎ２〜約２５，０００  ｌｂ／ｉｎ２の範囲の破砕強度を有する、請求項１に記載の高密度炭素フォーム。
【請求項５】
前記灰含有量は、約２％よりも大きく、約２０％よりも小さく、前記密度は、約１．２ｇ／ｃｃよりも大きく、約１．８ｇ／ｃｃよりも小さく、前記高密度炭素フォームは、約５，０００  ｌｂ／ｉｎ２〜約２５，０００  ｌｂ／ｉｎ２の範囲の破砕強度を有する、請求項１に記載の高密度炭素フォーム。
【請求項６】
高密度炭素フォームを製造する方法であって、
粉砕された、集塊の炭素原材料を第１の上昇した温度に加熱するステップであって、該第１の上昇した温度は、実質的に均質な非焼結の連続気泡炭素材料を形成するのに十分である、ステップと、
該全体的に均質な連続気泡炭素材料を該実質的に均質な非焼結の連続気泡炭素材料の軟化溶融性を本質的に除去するのに十分な時間、上昇した温度で維持し、高密度炭素フォームを形成するステップと
を包含する、方法。
【請求項７】
前記固体の炭素原材料は、石炭抽出物、水素化石炭抽出物、および中間相材料から成るグループから選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記炭素原材料は、集塊の瀝青炭である、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記高密度炭素フォームを約７００℃よりも高い第２の上昇した温度で加熱するステップをさらに包含する、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２の上昇した温度は約９５０℃よりも高い、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記加熱は、本質的に不活性で酸化しない雰囲気の下で行なわれる、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
高密度炭素フォームを製造する方法であって、該方法は、
容器に粉砕された石炭を投入し、コールベッドを形成するステップであって、該粉砕された石炭は瀝青炭である、ステップと、
圧縮力を該コールベッドに与えるステップと、
該容器を蓋で覆うステップと、
該コールベッドを第１の上昇した温度に加熱するステップであって、該第１の上昇した温度は、実質的に均質な非焼結の連続気泡炭素材料を形成するのに十分である、ステップと、
該実質的に均質な非焼結の連続気泡炭素材料を該実質的に均質な非焼結の連続気泡炭素材料の軟化溶融性を本質的に除去するのに十分な時間、上昇した温度で継続的に加熱し、高密度炭素フォームを提供するステップと
を包含する、方法。
【請求項１３】
前記高密度炭素フォームを約７００℃よりも高い第２の上昇した温度に加熱するステップをさらに包含する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の上昇した温度は約９５０℃よりも高い、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記加熱は、本質的に不活性で酸化しない雰囲気の下で行なわれる、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月6日(2009.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリテンショナと制御系とを含み、該制御系は、車両の操舵角に関する測定パラメータに対応して出力を行い、少なくとも前記操舵角の増減率に対応して前記プリテンショナを制御するシートベルトプリテンショナ装置において、前記制御系は、前記操舵角の増減率が第１の閾値を超過すると該増減率に対応して前記プリテンショナにシートベルトの張力を増大させるよう構成され、前記操舵角の増減率の第１の閾値は、前記車両の縦速度が増大するとともに減少する閾値であることを特徴とするシートベルトプリテンショナ装置。
【請求項２】
前記制御系は、前記操舵角の増減率の増加に対応して、前記プリテンショナにシートベルトの張力を増大させるよう構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記制御系はさらに、前記操舵角が所定の第２の閾値を超過すると該操舵角に対応して前記プリテンショナを作動させるよう構成される、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記制御系は、前記操舵角の第２の閾値が、前記車両の縦速度が増大するとともに減少する閾値となるよう構成される、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
操舵角センサと車両の縦速度センサとから入力信号を受信する第１のプロセッサが設けられ、前記操舵角センサからの信号を時間で微分する微分器と前記縦速度センサとから入力信号を受信する第２のプロセッサが設けられ、各プロセッサは、前記入力信号に対応して、所望のシートベルト張力をそれぞれ表す複数の出力のいずれかを生成し、各出力信号は、順次設けられた所定の閾値が超過されると生成され、各プロセッサの出力は、各プロセッサからの２つの出力信号のうち大きい出力信号を選択するセレクタに送られ、該セレクタは、該選択した出力信号に対応して前記プリテンショナを制御し、安全ベルトに所望の程度の張力を与える、請求項１〜４のいずれか１つに記載の装置。
【請求項６】
前記セレクタは、両方のプロセッサの出力がいずれの閾値も超えないレベルまで低下してから所定の期間が経過するまで、前記プリテンショナを制御して、選択された最も高い張力レベルを維持するよう構成される、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記プリテンショナは、シートベルトの一部が巻かれるリトラクタと、張力を前記シートベルトに加える機構とを含む、請求項１〜６のいずれか１つに記載の装置。
【請求項８】
プリテンショナと制御系とを含み、該制御系は、操舵角センサと車両の縦速度センサとから入力信号を受信する第１のプロセッサと、前記操舵角センサからの信号を時間で微分する微分器と縦速度センサとからの入力信号を受信する第２のプロセッサとを有し、各プロセッサは、前記入力信号に対応して、所望のシートベルト張力をそれぞれ表す複数の出力のいずれかを生成し、各出力信号は、順次設けられた所定の閾値が超過されると生成され、各プロセッサの出力は、各プロセッサからの２つの出力信号のうち大きい出力信号を選択するセレクタに送られ、該セレクタは、該選択した出力信号に対応して前記プリテンショナを制御し、安全ベルトに所望の程度の張力を与える、シートベルトプリテンショナ装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年11月21日(2008.11.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
本発明の方法は、特に、従来技術のものと同様に構成したハンガーラベルの製造についても用いることができる。完成製品の特性は、本発明により明らかに改良されるが、特に、ＰＥ、ＰＰ、ＰＢＴ又はＰＥＴの２３〜１６５μｍ、好ましくは、８６〜１６５μｍの通常の厚さの範囲の従来のフィルム又はフィルム複合体を、開始材料としてそのまま役立てることができる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
好ましくは基層上に分離線３を打抜きした後、好ましくは二重スクリーン印刷により基層１上に印刷した橋渡し層６により、良好な供給性を保証するために、基層１の残りの部分に対する吊下げタブ２の移動度が抑制される。３μｍから数十μｍまでの厚さを有するが、それにもかかわらず、何の問題もなく、何らかの助けを借りることもなく、吊下げタブを基層１の残りの部分から引き出すことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月26日(2009.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
航空機用のランディングフラップ駆動システムであって、
ランディングフラップを駆動する第１駆動モータ（５０１）と、
前記ランディングフラップを固定するブレーキ装置と、
前記ランディングフラップを駆動するアクチュエータ（５０２）と、
第１駆動モータ（５０１）を制御するモータ電子機器（５０３）と、
前記アクチュエータは、第１駆動モータによって駆動され、
前記ランディングフラップ駆動システムが、前記ランディングフラップのトラック（５０９）に統合された、
前記第１駆動モータと第２駆動モータとの同期取りが、前記第１駆動モータと前記第２駆動モータとの間に機械的な連結手段を用いることなく電気的に行われる、ランディングフラップ駆動システム。
【請求項２】
前記ランディングフラップの動作速度を低減させる減速ギヤ装置をさらに備えた、請求項１に記載のランディングフラップ駆動システム。
【請求項３】
前記ランディングフラップを駆動する第２駆動モータをさらに備えた、請求項１又は２に記載のランディングフラップ駆動システム。
【請求項４】
構造的な完全性を保証する安全荷重経路をさらに備え、
前記安全荷重経路は、構造的な故障の際に、前記ランディングフラップを保持するように設計された、請求項１から３のいずれか１項に記載のランディングフラップ駆動システム。
【請求項５】
前記ランディングフラップ駆動システムを航空機の翼に取り付けるための第１取付領域と、
前記ランディングフラップ駆動システムを前記ランディングフラップに取り付けるための第２取付領域と、をさらに備えた、請求項１から４のいずれか１項に記載のランディングフラップ駆動システム。
【請求項６】
前記ランディングフラップ駆動システムをエネルギー供給部に接続する第１インターフェース部と、
前記ランディングフラップ駆動システムを、該ランディングフラップ駆動システムの制御用信号線に接続する第２インターフェース部と、をさらに備えた、請求項１から５のいずれか１項に記載のランディングフラップ駆動システム。
【請求項７】
前記第１駆動モータと第２駆動モータとの同期取りが、前記第１駆動モータと前記第２駆動モータとの間に機械的な連結手段を用いることなく電気的に行われる、請求項３から６のいずれか１項に記載のランディングフラップ駆動システム。
【請求項８】
前記第１駆動モータが電気機械式モータである、請求項１から７のいずれか１項に記載のランディングフラップ駆動システム。
【請求項９】
前記トラック（５０９）が、請求項１から８のいずれか１項に記載のランディングフラップ駆動システムを備えた、航空機用ランディングフラップのトラック。
【請求項１０】
請求項１から８のいずれか１項に記載のランディングフラップ駆動システムを有する航空機。
【請求項１１】
航空機において、請求項１から８のいずれか１項に記載のランディングフラップ駆動システムを使用する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月20日(2009.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
STA-21またはその誘導体、アナログ、プロドラッグ、またはその薬学的に許容される塩、および薬学的に許容される担体を含む、薬学的組成物。
【請求項２】
細胞と接触させて、該細胞中のStat3活性を阻害するための、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項３】
Stat3活性の上昇を有する細胞と接触させて、該細胞の増殖を阻害するための、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項４】
動物に投与して、該動物におけるStat3活性の上昇と関連する障害を処置、寛解、または予防するための、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項５】
細胞と接触させて、該細胞におけるアポトーシスおよび/または細胞周期停止を誘導するための、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項６】
細胞と接触させて、該細胞をアポトーシスの誘導因子に対して感受性にするための、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項７】
アポトーシスの誘導因子と組み合わせ、細胞と接触させるための、請求項6に記載の薬学的組成物。
【請求項８】
アポトーシスの誘導因子が化学療法剤である、請求項７に記載の薬学的組成物。
【請求項９】
アポトーシスの誘導因子が放射線である、請求項７に記載の薬学的組成物。
【請求項１０】
動物に投与して、該動物におけるアポトーシスの誘導に応答性である障害を処置、寛解、または予防するための、請求項１記載の薬学的組成物。
【請求項１１】
アポトーシスの誘導因子と組み合わせ、該動物に投与するための、請求項１０記載の薬学的組成物。
【請求項１２】
アポトーシスの誘導因子が化学療法剤である、請求項１１記載の薬学的組成物。
【請求項１３】
アポトーシスの誘導因子が放射線である、請求項１１記載の薬学的組成物。
【請求項１４】
アポトーシスの誘導に応答性である障害が過剰増殖性疾患である、請求項１０記載の薬学的組成物。
【請求項１５】
過剰増殖性疾患が癌である、請求項１４記載の薬学的組成物。
【請求項１６】
癌が乳癌または卵巣癌である、請求項１５記載の薬学的組成物。
【請求項１７】
過剰増殖性疾患が乾癬である、請求項１４記載の薬学的組成物。
【請求項１８】
アポトーシスの誘導因子の前に投与される、請求項１１記載の薬学的組成物。
【請求項１９】
アポトーシスの誘導因子の後に投与される、請求項１１記載の薬学的組成物。
【請求項２０】
アポトーシスの誘導因子と同時に投与される、請求項１１記載の薬学的組成物。
【請求項２１】
STA-21またはその誘導体、アナログ、プロドラッグ、またはその薬学的に許容される塩が化合物1(STA-21)、2、および3
2008535785.tif 000001
からなる群より選択される、請求項1〜６および１０のいずれか一項記載の薬学的組成物。
【請求項２２】
STA-21またはその誘導体、アナログ、プロドラッグ、またはその薬学的に許容される塩、および化合物を動物に投与するための説明書を含む、キット。
【請求項２３】
アポトーシスの誘導因子をさらに含む、請求項22記載のキット。
【請求項２４】
アポトーシスの誘導因子が化学療法剤である、請求項23記載のキット。
【請求項２５】
説明書が、過剰増殖性疾患を有する動物に化合物を投与するためのものである、請求項22記載のキット。
【請求項２６】
過剰増殖性疾患が癌である、請求項25記載のキット。
【請求項２７】
癌が乳癌または卵巣癌である、請求項26記載のキット。
【請求項２８】
過剰増殖性疾患が乾癬である、請求項25記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月16日(2009.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ペプチドをベースとする金属酸化物サンスクリーン剤、および
（ｂ）流体ビヒクル
を含んでなるサンスクリーン製剤。
【請求項２】
ペプチドをベースとする金属酸化物サンスクリーン剤の金属酸化物が二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化セリウムおよび酸化鉄ならびにこれらの組み合わせよりなる群から選択される請求項１に記載のサンスクリーン製剤。
【請求項３】
ペプチドをベースとする金属酸化物サンスクリーン剤の金属酸化物が二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化セリウムおよび酸化鉄ならびにこれらの組み合わせよりなる群から選択される金属酸化物ナノ粒子を含んでなる請求項１に記載のサンスクリーン製剤。
【請求項４】
ペプチドをベースとする金属酸化物サンスクリーン剤がサンスクリーン製剤の総重量の２５ｗｔ％までを含んでなる請求項１に記載のサンスクリーン製剤。
【請求項５】
ペプチドをベースとする金属酸化物サンスクリーン剤が、一般構造（ＳＢＰ）ｎ−ＳＳＡ（ここで、ＳＢＰは皮膚結合ペプチドであり、ＳＳＡは金属酸化物サンスクリーン剤であり、かつｎは１〜５０の範囲である）を有するジブロック組成物を含んでなる請求項１に記載のサンスクリーン製剤。
【請求項６】
ｎが１〜１０である請求項５に記載のサンスクリーン製剤。
【請求項７】
ペプチドをベースとする金属酸化物サンスクリーン剤が、一般構造［（ＳＢＰ）ｍ−Ｓ］ｎ−ＳＳＡ（ここで、ＳＢＰは皮膚結合ペプチドであり、Ｓは第１および第２の末端を有するスペーサーであり、ＳＳＡは前記金属酸化物サンスクリーン剤であり、ｍは１〜５０の範囲であり、かつｎは１〜５００の範囲である）を有するトリブロック組成物を含んでなる請求項１に記載のサンスクリーン製剤。
【請求項８】
ｎが１〜１０である請求項７に記載のサンスクリーン製剤。
【請求項９】
ＳＢＰが配列番号１である請求項５または７に記載のサンスクリーン製剤。
【請求項１０】
ＳＢＰが配列番号２、３、４、５、６、７および８よりなる群から選択されるペプチドである請求項５または７に記載のサンスクリーン製剤。
【請求項１１】
スペーサーが配列番号９を有するプロテアーゼカスパーゼである請求項７に記載のサンスクリーン製剤。
【請求項１２】
スペーサーがアルキル鎖、フェニル化合物、エチレングリコール、アミド、およびエステルから選択される請求項７に記載のサンスクリーン製剤。
【請求項１３】
スペーサーが、エタノールアミン、エチレングリコール、６個の炭素の原子鎖長を有するポリエチレン、３〜６反復単位を有するポリエチレングリコール、フェノキシエタノール、プロパノールアミド、ブチレングリコール、ブチレングリコールアミド、プロピルフェニル、エチル、プロピル、ヘキシル、ステリル、セチル、およびパルミトイルアルキルの鎖から選択される請求項７に記載のサンスクリーン製剤。
【請求項１４】
ペプチドをベースとする金属酸化物サンスクリーン剤の金属酸化物の結晶格子が前記金属酸化物の金属とは異なる元素でドープされて前記金属酸化物の色を変更する請求項１に記載のサンスクリーン製剤。
【請求項１５】
格子が鉄またはマンガンでドープされている請求項１４に記載のサンスクリーン製剤。
【請求項１６】
ペプチドをベースとする金属酸化物サンスクリーン剤の金属酸化物の結晶格子が前記金属酸化物とは異なる元素でドープされて前記金属酸化物の光活性を低下させる請求項１に記載のサンスクリーン製剤。
【請求項１７】
金属酸化物の結晶格子がマンガン、鉄、バナジウム、またはクロムでドープされている請求項１６に記載のサンスクリーン製剤。
【請求項１８】
ドーパントが金属酸化物の総重量を基準にして０.０１％〜５％の範囲の量で存在する請求項１４または１６に記載のサンスクリーン製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月3日(2009.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
過酸化水素溶液は反応混合物の約１０重量％〜約５０重量％である、請求項９に記載の植物油由来ポリオールの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
過酸化水素溶液は反応混合物の約１０重量％〜約５０重量％である、請求項１８に記載の植物油由来ポリオールの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月6日(2009.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
バイアスをかける工程は、約１秒間〜３分間行われる請求項１に記載の複数の電極上で孤立Ｐｄ（０）触媒反応を行う方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電極アレイデバイス（又は配列機器：array device）上で、電気化学的に孤立（隔離又は単離：isolated）Ｐｄ（０）触媒反応を行う方法を提供する。好ましくは、Ｐｄ（０）触媒反応はヘック反応である。具体的には、本発明の方法は、複数の電極上で孤立Ｐｄ（０）触媒反応を行う方法であって、複数の電極と金属又は導電性電極表面上にマトリックス又は被覆（又はコーティング）材料を有する電極アレイデバイスを準備すること、遷移金属触媒と閉じ込め剤（コンフィニング剤：confining agent）を含んで成り、前記電極アレイデバイスを浸す溶液を準備すること、及び前記電極アレイデバイス上で電圧又は電流により１又は複数の電極にバイアスをかけて、孤立Ｐｄ（０）触媒反応に必要な前記遷移金属触媒を再生することを含んで成り、その前記閉じ込め剤が各選択電極表面を取り囲むボリューム（又は体積：volume）内に前記遷移金属触媒の拡散を制限する方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月30日(2009.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
請求項９に記載の量子井戸構造体において、
前記量子ドットは、まずＴＭＩｎ、ＴＥＩｎ及びＥＤＭＩｎのうち少なくとも１つを第１の流量にて第１の時間だけ供給して核を形成し、その後、ＴＭＩｎ、ＴＥＩｎ及びＥＤＭＩｎのうち少なくとも１つをＴＭＧ及びアンモニアと共に第２の流量にて供給して、前記核を成長させて前記量子井戸に埋め込まれたようにすることにより形成される
ことを特徴とする量子井戸構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
請求項９に記載の量子井戸構造体において、
前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ量子井戸層の厚さは約１〜１０ｎｍであり、前記ＩｎｙＧａ１−ｙＮ量子バリヤ層の厚さは約５〜３０ｎｍである
ことを特徴とする量子井戸構造体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
請求項９に記載の量子井戸構造体において、
１＞ｘ＞ｙ＞０又はｙ＝０である
ことを特徴とする量子井戸構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月6日(2009.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機光電子デバイスであって、
a)アノードと、
b)カソードと、
c)前記アノードと前記カソードとの間に配置された発光層であって、
i)燐光ドーパントHOMOエネルギーレベル、燐光ドーパントLUMOエネルギーレベル、三重項エネルギー、および一重項エネルギーを有する燐光ドーパントと、
ii)発光層ホストHOMOエネルギーレベルおよび発光層ホストLUMOエネルギーレベルを有する発光層ホストとを含む発光層と、
d)前記発光層に隣接して配置される輸送層とを備え、
前記輸送層は、第1の材料HOMOエネルギーレベルおよび第1の材料LUMOエネルギーレベルを有する第1の材料を備え、発光層に導入される電子と正孔とは、ドーパントに一重項を形成するのに要するエネルギーより小さいエネルギー差であって、ドーパントに三重項を形成するのに十分ではあるが、ドーパントに一重項を形成するのにはエネルギー的に不利であるエネルギー差を有する有機光電子デバイス。
【請求項２】
前記発光層ホストLUMOと前記燐光ドーパントHOMOとの間の前記エネルギー差は、前記燐光ドーパントの前記三重項エネルギーより最大でも0.1eV小さいに過ぎない請求項1に記載のデバイス。
【請求項３】
前記発光層ホストHOMOと前記燐光ドーパントLUMOとの間の前記エネルギー差は、前記燐光ドーパントの前記三重項エネルギーより最大でも0.1eV小さいに過ぎない請求項1に記載のデバイス。
【請求項４】
前記輸送層は電子輸送層であり、前記第1の材料LUMOと前記燐光ドーパントHOMOとの間の前記エネルギー差は、前記燐光ドーパントの前記三重項エネルギーより最大でも0.1eV小さいに過ぎない請求項1に記載のデバイス。
【請求項５】
前記輸送層は正孔輸送層であり、前記第1の材料HOMOと前記燐光ドーパントLUMOとの間の前記エネルギー差は、前記燐光ドーパントの前記三重項エネルギーより最大でも0.1eV小さいに過ぎない請求項1に記載のデバイス。
【請求項６】
電子輸送材料を含む電子輸送層と、正孔輸送材料を含む正孔輸送層との2つの輸送層を備え、前記電子輸送材料LUMOと前記正孔輸送材料HOMOとの間の前記エネルギー差は、前記燐光ドーパントの前記三重項エネルギーより最大でも0.1eV小さいに過ぎない請求項1に記載のデバイス。
【請求項７】
前記エネルギー差は、前記燐光ドーパントの前記一重項エネルギーより少なくとも約0.2eV小さい請求項6に記載のデバイス。
【請求項８】
前記燐光ドーパントは、約500nm未満である発光スペクトルにピークを有する請求項1に記載のデバイス。
【請求項９】
前記輸送層は複数の材料を含み、各材料はHOMOエネルギーレベル及びLUMOエネルギーレベルを有し、前記複数の材料の各々の少なくとも一のエネルギーレベルは併せて、前記発光層の少なくとも一のエネルギーレベルにつながる一群のエネルギーステップを形成し、該一群のエネルギーステップの各ステップは0.2eV以上ではない請求項1に記載の有機光電子デバイス。
【請求項１０】
a)基板上にアノードを堆積する段階と、
b)前記アノード上に発光層を堆積する段階であって、前記発光層は、
i)燐光ドーパントHOMOエネルギーレベル、燐光ドーパントLUMOエネルギーレベル、三重項エネルギー、および一重項エネルギーを有する燐光ドーパントと、
ii)発光層ホストHOMOエネルギーレベルおよび発光層ホストLUMOエネルギーレベルを有する発光層ホストとを含む、前記段階と、
c)前記発光層上に電子輸送層を堆積する段階であって、前記電子輸送層は、電子輸送材料LUMOエネルギーレベルを有する電子輸送材料を含む段階と、
d)前記電子輸送層上にカソードを堆積する段階とを含み、
前記発光層に導入される電子と正孔とは、ドーパントに一重項を形成するのに要するエネルギーより小さいエネルギー差であって、ドーパントに三重項を形成するのに十分ではあるが、ドーパントに一重項を形成するのにはエネルギー的に不利であるエネルギー差を有する方法。
【請求項１１】
前記電子輸送材料LUMOと前記燐光ドーパントHOMOとは、少なくとも燐光ドーパントの三重項エネルギーに等しくかつ燐光ドーパントの一重項エネルギーより少なくとも0.2eV小さいエネルギー差を有する請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記発光層LUMOと前記燐光ドーパントHOMOとは、少なくとも燐光ドーパントの三重項エネルギーに等しくかつ燐光ドーパントの一重項エネルギーより少なくとも0.2eV小さいエネルギー差を有する請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
有機光電子デバイスであって、
a)アノードと、
b)カソードと、
c)前記アノードと前記カソードとの間に配置された発光層であって、
i)燐光ドーパントHOMOエネルギーレベル、燐光ドーパントLUMOエネルギーレベル、三重項エネルギー、および一重項エネルギーを有する燐光ドーパントと、
ii)発光層ホストHOMOエネルギーレベルおよび発光層ホストLUMOエネルギーレベルを有する発光層ホストとを含む発光層と、
d)前記発光層に隣接して配置される輸送層とを備え、
前記輸送層は複数の材料を含み、各材料はHOMOエネルギーレベル及びLUMOエネルギーレベルを有し、前記複数の材料の各々の少なくとも一のエネルギーレベルは併せて、前記発光層の少なくとも一のエネルギーレベルにつながる一群のエネルギーステップを形成し、該一群のエネルギーステップの各ステップは0.2eV以上ではない有機光電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月13日(2009.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
従って、ワイヤー接合部の不純物を減少させるシステムおよび方法を提供することが望ましい。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
【特許文献１】欧州特許第０，２３９，３８９号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００１／０２０５４６号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２００４／０２６４１２号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第２００４／０２６３８５号明細書
【特許文献５】欧州特許第０，２７０，１４４号明細書
【特許文献６】米国特許第６，３２０，１５５号明細書
【特許文献７】米国特許第５，４１４，３２３号明細書
【特許文献８】米国特許第５，４３３，３７１号明細書
【特許文献９】米国特許第５，４５６，９７２号明細書
【特許文献１０】米国特許第５，５４５，３８０号明細書
【特許文献１１】米国特許第５，７９８，１４６号明細書
【特許文献１２】米国特許第５，９７２，１６３号明細書
【特許文献１３】米国特許第４，２２６，７１０号明細書
【特許文献１４】米国特許第４，２３９，１４４号明細書
【特許文献１５】米国特許第６，１９４，０３６号明細書
【特許文献１６】米国特許第６，２６２，５２３号明細書
【特許文献１７】米国特許第６，２７８，２４１号明細書
【特許文献１８】米国特許第６，３２０，１５５号明細書
【特許文献１９】米国特許出願公開第２００２／０００８４８０号明細書
【特許文献２０】米国特許第６，３６５，２３５号明細書
【特許文献２１】米国特許第６，４２９，４００号明細書
【特許文献２２】米国特許第６，４４４，９４３号明細書
【特許文献２３】米国特許出願公開第２００２／０１２９９０２号明細書
【特許文献２４】米国特許第６，４６５，９６４号明細書
【特許文献２５】米国特許第６，７２０，２０４号明細書
【特許文献２６】米国特許第４，２０５，７７３号明細書
【特許文献２７】米国特許第５，３９４，４１３号明細書
【特許文献２８】米国特許第５，３２６，５４２号明細書
【特許文献２９】米国特許第５，６４３，４７２号明細書
【特許文献３０】米国特許第６，０６６，０３２号明細書
【特許文献３１】米国特許第６，２９１，７９６号明細書
【特許文献３２】米国特許第６，４９４，２１７号明細書
【特許文献３３】米国特許第６，５７３，７０２号明細書
【特許文献３４】米国特許第６，６２６，５６１号明細書
【特許文献３５】米国特許出願公開第２００１／０００７４２１号明細書
【特許文献３６】米国特許出願公開第２００１／００１１５４５号明細書
【特許文献３７】米国特許出願公開第２００３／００２７４９６号明細書
【特許文献３８】米国特許出願公開第２００５／０１８４１３３号明細書
【非特許文献０１】ＰＡＴＥＮＴ  ＡＢＳＴＲＡＣＴＳ  ＯＦ  ＪＡＰＡＮ  ｖｏｌ．  ０１６，  ｎｏ．  ４５３  （Ｅ−１２６７），  ２１  Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ  １９９２  （１９９２−０９−２１）−&  ＪＰ  ０４  １５９７３６  Ａ  （ＴＡＮＡＫＡ  ＤＥＮＳＨＩ  ＫＯＧＹＯ  ＫＫ），  ２  Ｊｕｎｅ  １９９２  （１９９２−０６−０２）  ａｂｓｔｒａｃｔ
【非特許文献０２】ＰＡＴＥＮＴ  ＡＢＳＴＲＡＣＴＳ  ＯＦ  ＪＡＰＡＮ  ｖｏｌ  ．  １９９８，  ｎｏ．  １２，  ３１  Ｏｃｔｏｂｅｒ  １９９８  （１９９８−１０−３１）−&  ＪＰ  １０  １８８６９３  Ａ  （ＳＵＭＩＴＯＭＯ  ＭＥＴＡＬ  ＭＩＮＩＮＧ  ＣＯ  ＬＴＤ），  ２１  Ｊｕｌｙ  １９９８  （１９９８−０７−２１）  ａｂｓｔｒａｃｔ
【非特許文献０３】ＰＡＴＥＮＴ  ＡＢＳＴＲＡＣＴＳ  ＯＦ  ＪＡＰＡＮ  ｖｏｌ  ．  ２００２，  ｎｏ．  ０２，  ２  Ａｐｒｉｌ  ２００２  （２００２−０４−０２）−&  ＪＰ  ２００１  ２９３６４９  Ａ  （ＴＡＮＩ  ＹＡＳＵＨＩＲＯ），  ２３  Ｏｃｔｏｂｅｒ  ２００１  （２００１−１０−２３）  ａｂｓｔｒａｃｔ
【非特許文献０４】Ａｎｄｒｅａｓ  Ｓｃｈuｔｚｅ，  Ｊａｍｅｓ  Ｙ．  Ｊｅｏｎｇ，  Ｓｔｅｖｅｎ  Ｅ．  Ｂａｂａｙａｎ，  Ｊａｅｙｏｕｎｇ  Ｐａｒｋ，  Ｇａｒｙ  Ｓ．  Ｓｅｌｗｙｎ，  Ｒｏｂｅｒｔ  Ｆ．  Ｈｉｃｋｓ；  Ｔｈｅ  Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ−Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｐｌａｓｍａ  Ｊｅｔ：  Ａ  Ｒｅｖｉｅｗ  ａｎｄ  Ｃｏｍｐａｒｉｓｏｎ  ｔｏ  Ｏｔｈｅｒ  Ｐｌａｓｍａ  Ｓｏｕｒｃｅｓ；  ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｐｌａｓｍａ  Ｓｃｉｅｎｃｅ，  Ｖｏｌ．  ２６，  Ｎｏ．６  Ｄｅｃｅｍｂｅｒ  １９９８；  Ｐａｇｅｓ  １６８５−１６９４．
【非特許文献０５】Ｋ．  Ｋｏｒｚｅｃ，  Ｍ．  Ｔｅｓｃｈｋｅ，  Ｅ．Ｇ．  Ｆｉｎａｎｔｕ，  Ｇ．  Ｎａｕ，  Ｊ．  Ｅｎｇｅｍａｎｎ；  Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｐｌａｓｍａ  Ｓｏｕｒｃｅ  Ｆｏｒ  Ｗｉｒｅ  Ｃｌｅａｎｉｎｇ；  ２００４  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｏｆ  Ｖａｃｃｕｍ  ｃｏａｔｅｒｓ  ５０５／８５６−７１８８  ＩＳＳＮ  ０７３７−５９２１  ４７ｔｈ  Ａｎｎｕａｌ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  （Ａｐｒｉｌ  ２４−２９，  ２００４）  Ｄａｌｌａｓ，  Ｔｅｘａｓ  Ｕ．Ｓ．Ａ．  ｐａｇｅｓ  ４５５−４６０
【非特許文献０６】ｈｔｔｐ：／／ｔｒｉ−ｓｔａｒ−ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ．ｃｏｍ／ｎｅｗｓ／ａｒｔｉｃｌｅｓ／ＡｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃＰｌａｓｍａＳｕｒｆａｃｅＴｒｅａｔ；  Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ  Ｐｌａｓｍａ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ；  Ｊａｎｕａｒｙ  １５，  ２００４．
【非特許文献０７】Ｗｉｒｅ  Ｂｏｎｄｉｎｇ  ｉｎ  Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ；  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，  Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ，  Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ，  ａｎｄ  Ｙｉｅｌｄ；  Ｇｅｏｒｇｅ  Ｇ．  Ｈａｒｍａｎ；  Ｓｅｃｏｎｄ  Ｅｄｉｔｉｏｎ；  ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ；  １９９７；  Ｃｈ．  ７，  Ｃｌｅａｎｉｎｇ  ｔｏ  Ｉｍｐｒｏｖｅ  Ｂｏｎｄａｂｉｌｉｔｙ  ａｎｄ  Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ，  ｐｇｓ．  １８１−２００；  Ｃｈ．  ８，  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｒｏｂｌｅｍｓ  ｉｎ  Ｗｉｒｅ  Ｂｏｎｄｉｎｇ，  ｐｇｓ  ２２７−２３０
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月27日(2009.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロエレクトロニクス用の加工物をプロセス処理するための装置であって、
ａ）プロセス処理中に前記加工物が位置決められるプロセス処理チャンバー、及び、
ｂ）前記加工物を覆いかつ保護する障壁構造を有し、
前記加工物を覆いかつ保護する前記障壁構造の一部が先細り形状となっており、前記障壁構造の前記先細り形状部分と前記加工物の主要表面との間に、先細りの流路を備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記流路が、前記加工物の前記表面に対して、放射状かつ外側方向に先細になり、
並びに、
前記障壁構造が、第１の位置と第２の位置を含む移動範囲で制御可能に移動でき、前記第１の位置において、前記プロセス処理チャンバーが、該プロセス処理チャンバーへ、かつ該処理チャンバーから、前記加工物を搬送させるようにされており、及び、前記第２の位置において、前記障壁構造が、前記主要表面上を流れる少なくとも一つの材料を導くようにされている請求項１の装置。
【請求項３】
ａ）加工物の表面上に位置決めされるときに、該加工物表面上に先細になる流路を形成するように角度付けされた下側表面を備える環状体と、
ｂ）一つ又はそれ以上のプロセス処理材料を、前記加工物の表面上であって下方へ配給するために、前記環状体と一体化された少なくとも一つのノズルと、
ｃ）前記環状体を通って、一つ又はそれ以上のプロセス処理材料が、少なくとも一つのノズルへ供給されるようにされた前記環状体内の一つ又はそれ以上のプロセス処理材料配給用導管と、を含むノズル装置。
【請求項４】
ａ）当該環状体が加工物の表面の上で位置決めされるときに、先細になる流路が、前記加工物の表面の上に形成されるように角度付けされる、下側表面を備える環状体であって、該環状体が、前記環状体の上方の容積部と前記環状体の下方の容積部との間に出口を具備する中央通路を形成するようにされた内側周辺部を含む環状体と、
ｂ）前記環状体に結合し、かつ第１及び第２の通路を形成する中央通路を、基本的に横切るように延在するアーム構造と、
ｃ）少なくとも、前記環状体と一体化された第１の別個独立のノズルアレイであって、該第１のノズルアレイが、前記アーム構造及び前記環状体の第１の半径部の少なくとも一部を横切るように延在し、一つ又はそれ以上のプロセス処理材料を、前記加工物の表面上へ、下方に向かって配給するようにされたノズルアレイと、
ｄ）一つ又はそれ以上のプロセス処理材料を、前記加工物の中央部かつ下方に向かって配給するために、前記中央部のアームと一体化された少なくとも一つの別個独立のノズルと、ｅ）一つ又はそれ以上のプロセス処理材料を、前記中央通路部分の少なくとも一部を通って延在する流路から、前記加工物上へ配給するように位置決めされた少なくとも一つの別個独立したノズルと、を含むノズル装置。
【請求項５】
ａ）一つ又はそれ以上の材料が独立に、加工物表面の半径部の少なくとも一部を横切って、該加工物の表面上へ、噴霧状かつ下方に配給される第１のノズル構造と、
ｂ）一つ又はそれ以上の材料が独立に、前記加工物の表面の中央部上へ配給される第２のノズル構造と、
ｃ）一つ又はそれ以上の材料が独立に、前記加工物の表面上方の上部空間部へ導かれる第３のノズル構造と、を有しており、
前記第１、第２、及び第３のノズル構造が、前記加工物の表面に対して移動可能となるように物理的に結合されているノズル装置。
【請求項６】
マイクロエレクトロニクス用の加工物をプロセス処理するための装置であって、
ａ）加工物が、プロセス処理中に位置決めされるプロセス処理チャンバーと、
ｂ）貫通孔を有する筒部を含み、前記加工物上に位置決めされ、かつ、前記加工物の主要表面に対して移動可能とされる、移動可能な部材と、
ｃ）前記移動可能な部材の移動により、前記加工物の前記主要表面と制御可能に調整される前記ノズル構造との間に、相対的な空間がもたらされるように、前記移動可能な部材と物理的に結合される少なくとも一つの独立したノズル構造と、
ｄ）少なくとも一つの独立の前記ノズル構造及び加工物と流体的に結合される前記筒部の貫通孔内に設けた少なくとも一つの流体用配給通路の少なくとも一部と、を含む装置。
【請求項７】
マイクロエレクトロニクス用の加工物をプロセス処理するための装置であって、
ａ）前記加工物が、前記プロセス処理中に位置決めされるプロセス処理チャンバーと、
ｂ）前記プロセス処理チャンバーから相対的に遠くにある第１の領域と、前記プロセス処理チャンバーに相対的に近くにある第２の領域とを備えるように、前記プロセス処理チャンバー上に横たわり、前記第１の領域と第２の領域の間に出口を備える壁状化された導管を含む天井構造と、
ｃ）前記壁状化された導管に収納された、前記第１の領域から貫通孔へ向かう出口を具備する第１のポートを有する筒部を、少なくとも含み、かつ、前記壁状化された導管及び前記加工物に対して移動可能にされた、前記移動可能な部材と、
ｄ）一つ又はそれ以上のプロセス処理材料を、プロセス処理チャンバーへ配給するために位置決められるように前記移動可能な部材と結合されたノズル構造と、を含む装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
一実施形態において、本発明は、マイクロエレクトロニクス用の加工物をプロセス処理する装置に関する。該装置は、加工物のプロセス処理中に、位置決めされる支持部材を含む。さらに、該装置は、加工物の外側周辺部の近くに、ダクト用入口をそれぞれが持つ、複数のダクト通路の少なくとも一部を画定（形成）する、移動可能かつ入れ子化可能なバッフル部材を含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
他の実施形態において、本発明は、その中で、加工物がプロセス処理中に位置決めされるプロセス処理チャンバーを有する装置に関する。障壁構造が、加工物の主要面に対して、放射状かつ外側方向に先細にされる（テーパーを有する）ように、加工品の主要面に近くに、先細になる流路を備えるのに効果的な態様で、加工品の上に横たわり、かつ加工品を覆うようにされる。障壁構造が、プロセス処理チャンバーが、プロセス処理チャンバーへ及びプロセス処理チャンバーから、加工物を搬送させるように十分に開いている第１の位置と、障壁構造が加工物の主要面の上に流れる少なくとも一つの物質を導くための第２の位置と、を含む移動範囲において制御可能に移動できる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月27日(2009.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロエレクトロニクス用の加工物を処理するための装置であって、
ａ）前記加工物が、処理中に位置決めされる支持部材、及び、
ｂ）前記加工物の外部周辺に近接したダクト入口をそれぞれ有する複数のダクト通路の部分に形成され、移動可能かつ入れ子化可能な複数のバッフル部材を有し、
少なくとも一つの移動可能かつ入れ子化可能な前記バッフル部材が下流へのダクト部への入口を覆い隠すフードを有し、前記下流ダクトへの前記入口が、前記フードの移動によって開かれかつ絞られるように制御されることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記バッフル部材の相互の相対的な位置決めにより、前記ダクト通路を選択的に開き又は絞ることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
マイクロエレクトロニクス用の加工物を処理するための装置であって、
ａ）前記加工物が、処理中に位置決めされる支持部材、及び、
ｂ）前記加工物の外部周辺に近接したダクト入口をそれぞれ有する複数のダクト通路の部分に形成され、移動可能かつ入れ子化可能な複数のバッフル部材を有し、
少なくとも一つのダクト通路の少なくとも一部が、トラップ領域を有することを特徴とする装置。
【請求項４】
前記トラップ領域は、一つ又はそれ以上のドレインポートを有することを特徴とする請求項３に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月24日(2009.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ出力光パルスビームのスペクトル品質を微調整するようにされた線狭化ガス放電レーザシステムであって、
発振キャビティと、
レーザ媒体ガスを収容するチャンバハウジングを含む前記発振キャビティ内のレーザチャンバと、
１つの端子が前記チャンバハウジングと１対のガス放電電極の第１の電極とに電気的に接続された少なくとも１つのピーキングコンデンサと、
前記少なくとも１つのピーキングコンデンサの反対の端子に接続され、かつ前記チャンバハウジングから絶縁された前記ガス放電電極の対の第２の電極と、
前記少なくとも１つのピーキングコンデンサが前記チャンバハウジングに電気的に接続される電流戻り経路と、
を含み、
前記少なくとも１つのピーキングコンデンサの前記１つの端子、前記ガス放電電極の対の前記第１の電極、前記レーザ媒体ガス、該ガス放電電極の対の前記第２の電極、前記電流戻り経路、及び該少なくとも１つのピーキングコンデンサの前記第２の端子は、逆流誘導ループを形成し、該逆流誘導ループは、所定のレーザシステムに対して該特定の逆流誘導ループに固有のインダクタンス値を有し、
前記特定の逆流誘導ループに対する前記特定の逆流誘導ループインダクタンス値を変えるための機構を含むスペクトル品質調整機構、
を更に含むことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記発振キャビティ内の線狭化モジュール、
を更に含み、
前記特定の逆流ループインダクタンスの前記変化は、特定のガス放電レーザシステムに対するガス放電の持続時間と、該特定のレーザシステムによって生成されたレーザ出力光パルスビームのスペクトル品質に及ぼす前記線狭化モジュールの影響とを調整する、
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記スペクトル品質は、帯域幅である、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記スペクトル品質調整機構は、特定のレーザシステムに対する前記逆流誘導ループのサイズを変える機構を含むことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記少なくとも１つのピーキングコンデンサの前記反対の端子に電気的に接触した高電圧バス、
を更に含み、
前記スペクトル品質調整機構は、前記少なくとも１つのピーキングコンデンサの前記反対の端子からの前記高電圧バスの変位を制御する変位制御機構を含む、
ことを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記スペクトル品質調整機構は、製造時に又はレーザシステム作動寿命中に現場で必要とされる場合に、特定のレーザシステムに対する前記特定のスペクトル品質を調節するように手動で作動される、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記スペクトル品質調整機構は、スペクトル品質測定システムの出力部を入力部として有するコントローラのフィードバック制御に基づいて前記特定の逆流誘導ループインダクタンスを調節する能動制御システムを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
特定のパルス繰返し数でレーザ出力光パルスビームパルスのパルスエネルギを制御するようにされた高繰返し数ガス放電レーザシステムであって、
レーザガス循環回転送風機と、
所定のレーザ出力光パルスビームパルス繰返し数に対する適切なアークなし送風機速度の現在適用可能な範囲内で前記送風機を作動させる送風機回転速度コントローラと、
前記パルス繰返し数と走査ウィンドウパルス数を表す信号とに基づいて、アークなし送風機速度の前記現在適用可能な範囲内の出力送風機回転速度を供給するパルスエネルギコントローラと、
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項９】
前記送風機回転速度は、複数の露光ウィンドウ及びレーザパルス繰返し数関連フーリエ変換ヌル点のそれぞれの１つ内に送風機速度高調波関連線量移行を整列させるように選択されている、
ことを更に含むことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
送風機速度が、整数の外乱波形を露光ウィンドウ持続時間の期間内に置くように選択されている、
ことを更に含むことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
特定のパルス繰返し数でレーザ出力光パルスビームパルスのパルスエネルギを制御するようにされた高繰返し数ガス放電レーザシステムであって、
レーザガス循環ファンと、
少なくとも１つの先行レーザ出力光パルスビームパルスに対する測定レーザ出力光パルスビームパルスエネルギに少なくとも部分的に基づいて、レーザ出力光パルスビーム出力パルスに対するパルスエネルギ制御信号を生成するパルスエネルギコントローラと、
前記レーザ出力光パルスビームパルスの位相推定値を生成するガス循環ファン位相推定器、
を含むパルスエネルギ制御信号補正機構と、
前記位相推定値と選択高調波モードとに基づいて前記パルスに対する補正値を計算する補正コンピュータと、
を含むことを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月19日(2009.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
積層型パッケージアセンブリを作製するための方法であって、ＬＧＡ基板を提供するステップと、前記ＬＧＡ基板のダイアタッチ面上にダイを取り付けて電気的に接続するステップと、前記ＬＧＡ基板上のダイの上に接着剤を塗布するステップと、分離されたＣＳＰを提供するステップと、前記ＣＳＰを反転し、前記反転されたＣＳＰを前記ＬＧＡ基板上の前記ダイ上の前記接着剤上に載置するステップと、前記接着剤を硬化させるステップと、前記接着剤の硬化後にプラズマ洗浄を実行するステップと、ワイヤボンディングにより前記ＬＧＡ基板の前記ダイアタッチ面と前記ＣＳＰの前記ランド面との間にｚ相互接続を形成するステップと、ワイヤボンディング後にプラズマ洗浄を実行するステップと、成形作業を実行して、前記ＬＧＡ基板の前記ランド面および前記ＣＳＰ基板の前記ランド面の周縁領域内に位置する領域を露出したまま残しながら、前記ＬＧＡの前記ダイアタッチ面、前記ｚ相互接続ワイヤボンドおよびワイヤループ、前記ＣＳＰの縁部、ならびに前記ＣＳＰの前記ランド面の前記周縁領域を封止するステップと、第２レベル配線ソルダボールを前記ＬＧＡ基板の前記露出したランド面上の部位に取り付けるステップとを含む方法。