【手続補正書】
【提出日】平成22年11月10日(2010.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能的蛍光ナノ結晶であって、
蛍光ナノ結晶と、
該蛍光ナノ結晶に施されたコーティングとを含み、
該コーティングが金属カチオンに有効に結合したイミダゾールを含む化合物を含む錯体を含有している、機能的蛍光ナノ結晶。
【請求項２】
機能的蛍光ナノ結晶であって、
蛍光ナノ結晶と、
該蛍光ナノ結晶に施されたコーティングとを含み、
該コーティングが金属カチオンに有効に結合したイミダゾールを含む化合物を含む錯体を含有しており、該コーティングが架橋されている、機能的蛍光ナノ結晶。
【請求項３】
架橋に使用される反応性官能基が、アミノ基、カルボキシル基、および、その組み合わせから選択されるものである、請求項２記載の機能的蛍光ナノ結晶。
【請求項４】
コーティングがホスフィン架橋化合物をさらに含んでいる、請求項２〜３のいずれか一項記載の機能的蛍光ナノ結晶。 
【請求項５】
金属カチオンが、硫黄を含む化合物と有効な結合を持つものである、請求項１〜４のいずれか一項記載の機能的蛍光ナノ結晶。
【請求項６】
金属カチオンがZn2+である、請求項１〜５のいずれか一項記載の機能的蛍光ナノ結晶。
【請求項７】
金属カチオンが半導体物質を含むものである、請求項１〜６のいずれか一項記載の機能的蛍光ナノ結晶。
【請求項８】
さらに分子プローブを含み、その１又はそれ以上の分子が前記のコーティングされた蛍光物質に有効に結合している、請求項１〜７のいずれか一項記載の機能的蛍光ナノ結晶。
【請求項９】
前記蛍光ナノ結晶が、コア半導体物質、コア／シェル半導体ナノ結晶、ドープ金属酸化物ナノ結晶、および、その組み合わせから選択されるものである、請求項１〜８のいずれか一項記載の機能的蛍光ナノ結晶。
【請求項１０】
金属カチオンが、Zn2+、Cu2+、Fe2+、Ni2+、Cd2+および Co2+のうちの１つ又はそれ以上を含むものである、請求項１〜９のいずれか一項記載の機能的蛍光ナノ結晶。
【請求項１１】
コーティングが、イミダゾールの錯体化によってCd2+に有効に結合したイミダゾールを含む化合物を含んでいる、請求項１〜９のいずれか一項記載の機能的蛍光ナノ結晶。
【請求項１２】
コーティングが、イミダゾールの錯体化によってZn2+に有効に結合したイミダゾールを含む化合物を含んでいる、請求項１〜９のいずれか一項記載の機能的蛍光ナノ結晶。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項記載の機能的蛍光ナノ結晶と、コーティングされた蛍光ナノ結晶から蛍光を引き出すのに適当な励起源とを含む、検出システム。
【請求項１４】
コーティングされたナノ結晶であって、
金属カチオンを含む蛍光ナノ結晶と、
該蛍光ナノ結晶に施されたコーティングとを含み、
該コーティングがイミダゾールを含む化合物を含有しており、該イミダゾールを含む化合物が金属カチオンに有効に結合しており、該コーティングが架橋されている、コーティングされたナノ結晶。
【請求項１５】
架橋に使用される反応性官能基が、アミノ基、カルボキシル基、および、その組み合わせから選択される、請求項１４記載のコーティングされたナノ結晶。
【請求項１６】
架橋剤がホスフィン架橋化合物を含むものである、請求項１４〜１５のいずれか一項記載のコーティングされたナノ結晶。
【請求項１７】
コーティングされた蛍光物質に有効に結合した分子プローブをさらに含んでいる、請求項１４〜１６のいずれか一項記載のコーティングされたナノ結晶。
【請求項１８】
前記蛍光ナノ結晶が、コア半導体物質、コア／シェル半導体ナノ結晶、ドープ金属酸化物ナノ結晶、および、その組み合わせから選択されるものである、請求項１４〜１７のいずれか一項記載のコーティングされたナノ結晶。
【請求項１９】
請求項１４〜１８のいずれか一項記載のコーティングされたナノ結晶と、コーティングされた蛍光ナノ結晶から蛍光を引き出すのに適当な励起源とを含む、検出システム。
【請求項２０】
イミダゾールを含む化合物が、アミノ酸もしくはオリゴペプチドを含むものである、請求項１〜１２および１４〜１８のいずれか一項記載のナノ結晶。
【請求項２１】
イミダゾールを含む化合物がジペプチドを含むものである、請求項２０記載のナノ結晶。
【請求項２２】
イミダゾールを含む化合物が、ヒスチジン、カルノシン、アンセリン、バレイン、ホモカルノシン、1-メチルヒスチジン、3-メチルヒスチジン、イミダゾリシン、5-メチルイミダゾロン、β-2-イミダゾリル-L-α-アラニン、カルシン、もしくはヒスタミンを含むものである、請求項１〜１２および１４〜１８のいずれか一項記載のナノ結晶。
【請求項２３】
イミダゾールを含む化合物が、ヒスチジンもしくはカルノシンを含むものである、請求項２２記載のナノ結晶。
【請求項２４】
ナノ結晶が、少なくとも１つのグループII〜VI半導体物質を含むコアを含み、場合により、グループII〜VI半導体シェルでコーティングされている、請求項１〜１２、１４〜１８および２０〜２３のいずれか一項記載のナノ結晶。
【請求項２５】
ナノ結晶がZnSを含むものである、請求項２４記載のナノ結晶。
【請求項２６】
ナノ結晶がCdSeを含むものである、請求項２４記載のナノ結晶。
【請求項２７】
半導体コアがYZを含むシェルでコーティングされており、ここでYはCdもしくはZnであり、ZはSもしくはSeである、請求項２４〜２６のいずれか一項記載のナノ結晶。
【請求項２８】
コーティングされたナノ結晶を作製する方法であって、 
イミダゾールを含む化合物を含む溶液を金属カチオンを含む溶液と接触させて、金属カチオンに有効に結合したイミダゾールを含む化合物を含む錯体を含有する混合物を生成する工程、および 
該混合物を蛍光ナノ結晶と接触させて、該蛍光ナノ結晶にコーティングを施す工程、
を含む方法。
【請求項２９】
コーティングを架橋させる工程をさらに含む、請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
架橋に使用される反応性官能基が、アミノ基、カルボキシル基、および、その組み合わせから選択される、請求項２９記載の方法。
【請求項３１】
金属カチオンが、硫黄を含む化合物と有効な結合を持つものである、請求項２８〜２９のいずれか一項記載の方法。
【請求項３２】
金属カチオンがZn2+である、請求項３０記載の方法。
【請求項３３】
金属カチオンが半導体物質を含むものである、請求項２８〜２９のいずれか一項記載の方法。
【請求項３４】
コーティングされた蛍光ナノ結晶を分子プローブに有効に結合させる工程をさらに含む、請求項２８〜２９のいずれか一項記載の方法。
【請求項３５】
蛍光ナノ結晶が、コア半導体ナノ結晶、コア／シェル半導体ナノ結晶、ドープ金属酸化物ナノ結晶、および、その組み合わせから選択されるものである、請求項２８〜３２のいずれか一項記載の方法。
【請求項３６】
イミダゾールおよび架橋剤とカチオンとの接触が、金属カチオンに有効に結合したイミダゾールを含む化合物を含む錯体を含む混合物を生成する、請求項２８〜３３のいずれか一項記載の方法。
【請求項３７】
架橋薬剤がホスフィン架橋化合物を含むものである、請求項２９記載の方法。
【請求項３８】
蛍光ナノ結晶にコーティングを施す際、複合半導体を含む蛍光ナノ結晶を１つもしくはそれ以上のイミダゾールを含む化合物を含む溶液と接触させ、そしてその後、１つもしくはそれ以上のホスフィン架橋化合物を含む溶液と接触させる工程を含み、ここで、該イミダゾールを含む化合物は金属カチオンに有効に結合しており、該ホスフィン架橋化合物は対応する非金属要素に有効に結合している、請求項２８記載の方法。
【請求項３９】
金属カチオンがCd2+もしくはZn2+を含むものである、請求項２８〜３６のいずれか一項記載の方法。