Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月18日(2009.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射性材料を生成するための製造設備（１００）を提供する方法であって、
前記製造設備（１００）を設計する段階と、
前記製造設備（１００）を設置場所に運搬する段階と、
前記サイクロトロン（１１２）を設置場所に運搬する段階と、
前記製造設備（１００）内に前記サイクロトロン（１１２）を密閉する段階と、
を含む方法。
【請求項２】
前記サイクロトロン（１１２）から第１の放射性材料を受け取って第２の放射性材料を生成するよう設計された合成ユニット（１３２）を前記製造設備（１００）に備え付ける段階を更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の放射性材料が放射性同位体であり、前記第２の放射性材料が放射性医薬品であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記合成ユニット（１３２）が、前記サイクロトロン（１１２）から１８Ｆ−を受け取り、２−［１８Ｆ］−フルオロ−２−デオキシグルコースを生成することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の放射性材料が、ポジトロン放射型コンピュータ断層撮影スキャナ又は単光子放射型コンピュータ画像撮影スキャナでの使用に適合されていることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記製造設備（１００）を設置場所に運搬する前に、前記製造設備（１００）に包装ルーム（１７０）を備え付ける段階を更に含む請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記サイクロトロン（１１２）が生成する放射線を遮蔽するために、前記製造設備（１００）を運搬する前に前記製造設備（１００）に放射線遮蔽物（１１４）を装備する段階を更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記製造設備（１００）を設置場所に運搬した後に、前記製造設備（１００）の壁内に放射線遮蔽物（１１４）を設置する段階を更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記製造設備を設置場所に運搬する前に、前記製造設備（１００）に品質制御装置を備え付ける段階を更に含む請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記製造設備を設置場所に運搬する前に、前記製造設備（１００）に放射性医薬品包装装置を備え付ける段階を更に含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記製造設備（１００）を設置場所に運搬する前に、前記サイクロトロン（１１２）の少なくとも１つのセンサに接続されている通信ポートを前記製造設備（１００）に備え付ける段階を更に含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記製造設備（１００）が、前記設置場所がある管轄区域の法律及び規則の全ての要求事項を満たすように設計されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２の放射性材料を１つ又はそれ以上の容器に計量分配するために、前記製造設備（１００）を運搬する前に前記製造設備（１００）にクリーンルームを装備する段階を更に含む請求項２に記載の方法。
【請求項１４】
放射性材料を生成するための製造設備（１００）を提供する方法であって、
前記製造設備（１００）がサイクロトロン（１１２）を受けるように設計する段階と、
放射性医薬品の容器にラベルを付け、該放射性医薬品の生成及び配送の記録を保存することができる包装ルーム（１７０）と合成ユニット（１３２）を前記製造設備（１００）に備え付ける段階と、
前記製造設備（１００）を設置場所に運搬する段階と、
前記サイクロトロン（１１２）を設置場所に運搬する段階と、
前記製造設備（１００）内に前記サイクロトロン（１１２）を密閉する段階と、
を含み、
前記製造設備（１００）が前記設置場所所轄の全ての法律や規則を満たすように設計されている、方法。
【請求項１５】
前記サイクロトロン（１１２）から第１の放射性材料を受け取って前記放射性材料を生成するよう設計された合成ユニット（１３２）を受け入れるラボラトリルームを前記製造設備（１００）に備え付ける段階を更に含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記製造設備を設置場所に運搬する前に、前記製造設備（１００）に前記放射性材料の品質を計測する品質制御装置を備え付ける段階を更に含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記製造設備を設置場所に運搬する前に、前記製造設備（１００）に放射性医薬品包装装置を備え付ける段階を更に含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２の放射性材料を１つ又はそれ以上の容器に計量分配するために、前記製造設備（１００）を運搬する前に前記製造設備（１００）にクリーンルームを装備する段階を更に含む請求項１４に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年5月28日(2009.5.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スクリーンと、
光軸を有して画像を投影するためのレンズシステムと、
スクリーンに対して略平行であり前記画像を前記スクリーンに反射するための平面状の背面鏡と、
前記レンズシステムにより映写される前記画像を前記背面鏡に反射するための平面状の中間鏡とを備えており、
前記中間鏡が前記背面鏡に対して略平行になっていると共に、前記中間鏡が、前記レンズシステムの光軸に対して略垂直である、表示装置。
【請求項２】
前記スクリーンが、全反射（ＴＩＲ）型フレネルレンズを備えてなる、請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記スクリーンが、屈折型フレネルレンズを備えてなる、請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記レンズシステムに前記画像を投影するために少なくとも一つの微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）をさらに備えてなる、請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
前記レンズシステムに前記画像を投影するために少なくとも一つのデジタルマイクロミラー装置（ＤＭＤ）をさらに備えてなる、請求項４記載の表示装置。
【請求項６】
前記レンズシステムに前記画像を投影するために少なくとも一つのグレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）をさらに備えてなる、請求項１記載の表示装置。
【請求項７】
前記レンズシステムに前記画像を投影するために少なくとも一つの液晶表示装置（ＬＣＤ）をさらに備えてなる、請求項１記載の表示装置。
【請求項８】
前記レンズシステムに前記画像を投影するために反射型液晶素子（ＬＣＯＳ）をさらに備えてなる、請求項７記載の表示装置。
【請求項９】
前記スクリーンが、溝角度が連続的に変化するフレネルレンズを備えてなる、請求項１記載の表示装置。
【請求項１０】
前記スクリーンが、第一のゾーンと第二のゾーンとを有するフレネルレンズを備えており、該第一のゾーンが第一の溝角度を有し、該第二のゾーンが第二の溝角度を有してなる、請求項１記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第二のゾーンが前記第一のゾーンを囲むように構成されている、請求項１０記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第一の溝角度が前記第二の溝角度より小さくなるように構成されている、請求項１１記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第一の溝角度が前記第二の溝角度より大きくなるように構成されている、請求項１１記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第一のゾーンが前記第二のゾーンを部分的に囲むように構成されている、請求項１０記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第一の溝角度が、前記第二の溝角度より小さくなるように構成されている、請求項１４記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第一の溝角度が、前記第二の溝角度より大きくなるように構成されている、請求項１４記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第一の溝角度が約３５°であり、前記第二の溝角度が約４１°であるように構成されている、請求項１０記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第二のゾーンが、全反射領域を供するように構成されている、請求項１０記載の表示装置。
【請求項１９】
前記第一のゾーンと前記第二のゾーンとが、前記フレネルレンズの第一の側にあるように構成されている、請求項１０記載の表示装置。
【請求項２０】
前記第一のゾーンと第二のゾーンとの間の境界では、前記第一のゾーンの面角度と前記第二のゾーンの面角度とが略等しくなるように構成されている、請求項１０記載の表示装置。
【請求項２１】
前記第一のゾーンと前記第二のゾーンとの間の境界では、前記第一のゾーンの面角度の変化率と前記第二のゾーンの面角度の変化率とが略等しくなるように構成されている、請求項２０記載の表示装置。
【請求項２２】
前記第一のゾーンが前記フレネルレンズの第一の側にあり、前記第二のゾーンが前記フレネルレンズの第二の側にあるように構成されている、請求項１０記載の表示装置。
【請求項２３】
前記スクリーンが、フレネルレンズを備えてなり、
前記フレネルレンズは、前記フレネルレンズの中央から最も遠い位置にある隅からの光を前記フレネルレンズの中央方向に導くとともに、前記フレネルレンズの中央領域からの光を前記フレネルレンズに対して略垂直な方向に導くように構成されている、請求項１記載の表示装置。
【請求項２４】
前記レンズシステムが広角レンズシステムである、請求項１記載の表示装置。
【請求項２５】
前記広角レンズシステムが、前記レンズのフィールドのうちの半分の部分を用いて前記画像を投影するように構成されている、請求項２４記載の表示装置。
【請求項２６】
前記広角レンズシステムが、前記レンズのフィールドのうちの上側部分より小さい部分を用いて前記中間鏡へ前記画像を投影するように構成されている、請求項２５記載の表示装置。
【請求項２７】
前記広角レンズシステムが、前記レンズのフィールドのうちの下側部分より小さい部分を用いて前記中間鏡へ前記画像を投影するように構成されている、請求項２５記載の表示装置。
【請求項２８】
前記レンズシステムが、前記レンズフィールドのうちの２分の１より小さい部分を用いて前記画像を投影するように構成されている、請求項２４記載の表示装置。
【請求項２９】
前記略平行は、完全平行に対する配置誤差が±１０°であるものを含むものである、請求項１記載の表示装置。
【請求項３０】
前記略垂直は、完全垂直に対する配置誤差が±１０°であるものを含むものである、請求項１記載の表示装置。
【請求項３１】
光軸を有する広角レンズシステムの使用可能なレンズフィールドの一部分のみを用いて画像を投影することと、
スクリーンに対して略平行であり且つ前記レンズシステムの光軸に対して略垂直である平面状の中間鏡を用いて、前記レンズシステムによって投影される前記画像を反射させることと、
スクリーンに対して略平行であり且つ前記レンズシステムの光軸に対して略垂直である平面鏡を用いて、前記中間鏡で反射された前記画像を前記スクリーンへと反射させることとを含んでなる、方法。
【請求項３２】
前記広角レンズシステムが、前記レンズフィールドのうちの半分の部分を用いて前記画像を投影する、請求項３１記載の方法。
【請求項３３】
前記広角レンズシステムが、前記レンズのフィールドのうちの下側部分より小さい部分を用いて前記中間鏡へ前記画像を投影するように構成されている、請求項３２記載の方法。
【請求項３４】
前記広角レンズシステムが、前記レンズフィールドのうちの２分の１よりも小さい部分を用いて前記画像を投影する、請求項３１記載の方法。
【請求項３５】
前記広角レンズシステムが、前記レンズのフィールドのうちの上側部分より小さい部分を用いて前記中間鏡へ前記画像を投影するように構成されている、請求項３１記載の方法。
【請求項３６】
前記略平行は、完全平行に対する配置誤差が±１０°であるものを含むものである、請求項３１記載の方法。
【請求項３７】
前記略垂直は、完全垂直に対する配置誤差が±１０°であるものを含むものである、請求項３１記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年8月7日(2009.8.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１７】
次のもの：
2-（3-（アミノ）メチルフェニル）-3-（（1-（3-フェニルプロピルスルホニル）アミノ-2-メチルプロピル）（ヒドロキシ）ホスフィノイル）プロパン酸、メチルエステル；
2-(3-(t-ブトキシカルボニルアミノ)メチルフェニル)-3-((1-(3-フェニルプロピルスルホニル) アミノ- 2-メチルプロピル) (ヒドロキシ) ホスフィノイル) プロパン酸 ;
2-(3-(t-ブトキシカルボニルアミノ) メチルフェニル)-3-((1-(3-フェニルプロピルスルホニル) アミノ- 2-メチルプロピル) (ヒドロキシ) ホスフィノイル) プロパン酸, メチルエステル; 
2-(3-(アミノ) メチルフェニル)-3-((1-(3-フェニルプロピルスルホニル) アミノ-2-メチルプロピル)- (ヒドロキシ) ホスフィノイル) プロパン酸 ;
(2R)-2-(3-(アミノ)メチルフェニル)-3-(((1R)-1-(3-フェニルプロピルスルホニル) アミノ- 2-メチルプロピル) (ヒドロキシ) ホスフィノイル) プロパン酸 ; 
(2S)-2-(3-(アミノ)メチルフェニル)-3-(((1R)-1-(3-フェニルプロピルスルホニル) アミノ- 2-メチルプロピル) (ヒドロキシ) ホスフィノイル) プロパン酸 ;
(2R/S)-2-(3-(アミノ)メチルフェニル)-3-(((1S)-1-(3-フェニルプロピルスルホニル) アミノ- 2-メチルプロピル) (ヒドロキシ) ホスフィノイル) プロパン酸 ; 
(2R/S)-2-(3-(アミノ)メチルフェニル)-3-(((1R)-1-(3-フェニルプロピルスルホニル) アミノ- 2-メチルプロピル) (ヒドロキシ) ホスフィノイル) プロパン酸 ; 
(2R)-2-(3-(アミノ)メチルフェニル)-3-(((1S)-1-(3-フェニルプロピルスルホニル) アミノ- 2-メチルプロピル) (ヒドロキシ) ホスフィノイル) プロパン酸 ; 
(2S)-2-(3-(アミノ) メチルフェニル)-3-(((1 S)-1-(3-フェニルプロピルスルホニル) アミノ- 2-メチルプロピル) (ヒドロキシ) ホスフィノイル) プロパン酸 ; 
2-(3-(t-ブトキシカルボニルアミノ)メチルフェニル)-3-((1-(3-フェニルプロピルスルホニル)アミノ- 2-メチルプロピル) (エトキシ) ホスフィノイル) プロパン酸, t-ブチルエステル; 
2-(3-(アミノ)メチルフェニル)-3-((1-(2-フェニルエチルスルホニル)アミノ-2-メチルプロピル)- (ヒドロキシ) ホスフィノイル) プロパン酸 ; 
2-(3-(アミノ)メチルフェニル)-3-((1-(ベンジルスルホニル)アミノ-2-メチルプロピル)- (ヒドロキシ) ホスフィノイル) プロパン酸 ; 
2-(3-(アミノ)メチルフェニル)-3-((1-(2-(ナフト-1-イル)エチルスルホニル)アミノ-2-メチルプロピル)- (ヒドロキシ) ホスフィノイル) プロパン酸 ; 
2-(3-(アミノ)メチルフェニル)-3-((1-(3-(4-メトキシフェニル)プロピルスルホニル)アミノ- 2-メチルプロピル) (ヒドロキシ) ホスフィノイル) プロパン酸 ; 
2-(3-(アミノ)メチルフェニル)-3-((1-(2-(4-メトキシフェニル)エチルスルホニル)アミノ- 2-メチルプロピル) (ヒドロキシ) ホスフィノイル) プロパン酸 ;
2- (3- (アミノ) メチルフェニル)-3- ( (1- (メチルスルホニル) アミノ- 2-メチルプロピル) (ヒドロキシ) ホスフィノイル) プロパン酸 ; 
2-(3-(アミノ) メチルフェニル)-3-((1-(2-ベンジルオキシエチルスルホニル) アミノ-2-メチルプロピル)- (ヒドロキシ) ホスフィノイル) プロパン酸 ;
2-(3-(アミノ) メチルフェニル)-3-((1-(2-ヒドロキシエチルスルホニル) アミノ-2-メチルプロピル)- (ヒドロキシ) ホスフィノイル) プロパン酸 ; 
2-(3-アミノフェニル)-3-((1-(3-フェニルプロピルスルホニル)アミノ-2-メチルプロピル)- (ヒドロキシ) ホスフィノイル) プロパン酸 ; 
2-(3-グアニジノフェニル)-3-((1-(3-フェニルプロピルスルホニル)アミノ-2-メチルプロピル) (ヒドロキシ) - ホスフィノイル) プロパン酸; 
2-(3-(アミノ)メチルフェニル)-3-((1-(4-フェニルブチルスルホニル)アミノ-2-メチルプロピル)- (ヒドロキシ) ホスフィノイル) プロパン酸； 及び
2-(3-(アミノ) メチルフェニル)-3-((1-(2-フェニルエテニルスルホニル) アミノ-2-メチルプロピル)- (ヒドロキシ) ホスフィノイル) プロパン酸から成る群から選択される請求項16記載の化合物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
そのようなN−ヘテロシクリル基の例は、次のものを包含するが、但しそれらだけには限定されない：アゼピニル、アゼチジニル、ベンズイミダゾリル、ベンズオキサゾリル、カルバゾリル、デカヒドロイソキノリル、キヌクリジニル、イミダゾリル、イミダゾリニル、イミダゾリジニル、イソチアゾリジニル、インドリル、イソインドリル、インドリニル、イソインドリニル、インドリジニル、イソキサゾリル、イソキサゾリジニル、モルホリニル、ベンゾチアジアゾリル、オキサジアゾリル、オクタヒドロインドリル、オクタヒドロイソインドリル、２−オキソピペラジニル、２−オキソピペリジニル、２−オキソピロリジニル、２−オキソアゼピニル、オキサゾリル、オキサゾリジニル、ペルヒドロアゼピニル、ピペリジニル、ピペラジニル、４−ピペリドニル、フェナジニル、フェノチアジニル、フェノキサジニル、フタラジニル、プテリジニル、プリニル、ピロリル、ピロリジニル、ピラゾリル、ピラゾリジニル、ピリジニル、ピラジニル、ピリミジニル、ピリダジニル、キナゾリニル、キノキサリニル、キノリニル、キヌクリジニル、イソキノリニル、チアゾリル、チアゾリジニル、チアジアゾリル、トリアゾリル、テトラゾリル、テトラヒドロイソキノリル、チオモルホリニル、チオモルホリニルスルホキシド、及びチオモルホリニルスルホン。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月19日(2008.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造プロセスを監視および制御するシステムであって、
ウェハが製造プロセスを通過する際に、スキャトロメトリに基づく技術によって、前記ウェハの少なくとも一部に形成される繰返し回路内構造と相互作用する測定システムと、
回路内構造の１つ以上の許容できない測定値を補償するように動作可能な少なくとも１つの製造コンポーネントを選択し、前記測定システムが測定値を取得すると、少なくとも１つの製造コンポーネントと、その製造コンポーネントに関連する動作パラメータと、の少なくとも一方を選択的に調整して前記製造プロセスを修正するように、前記測定システムおよび１つ以上の前記製造コンポーネントに動作可能に結合されている制御システムとを備えたシステム。
【請求項２】
前記繰返し回路内構造は、ほぼ長尺状のマークを有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記構造は互いにほぼ平行に配置されている請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記構造は集積回路（ＩＣ）のメモリコア領域の１つ以上の部分に対応している請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記構造はＳＲＡＭメモリセルの１つ以上の部分に対応している請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記測定システムによって取得された前記測定値は、所定のデータおよび履歴試験データのうちの少なくとも一方と比較される請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記測定システムは限界寸法およびオーバーレイの少なくとも一方を定期的に測定する請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記測定システムは、前記繰返し回路内構造の高さ、幅および傾斜の少なくとも１つを定期的に測定して、前記構造が前記ウェハ内に均一に形成されているかどうかの判定を容易にする請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記測定システムは前記繰返し回路内構造に光を照射する１つ以上の発光体と、
前記繰返し回路内構造から反射される光を集光する１つ以上の光検出コンポーネントを含み、前記反射光は、前記製造プロセスの進捗に伴い前記回路構造内が進化すると、角度、強度、位相、および偏光の少なくとも１つが変化する請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記繰返し回路内構造の１つ以上が均一に形成されているかどうか、限界寸法の１つ以上が許容誤差を外れているかどうか、およびオーバーレイ誤差が発生しているかどうかの少なくとも１つを判定するため、１つ以上の記憶されたシグニチャと比較される１つ以上のシグニチャを作成するために、光検知コンポーネントの１つ以上からの出力が分析され得る請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記制御システムは、位置合せ、露光、露光後ベーク、現像、フォトリソグラフィ、エッチング、研磨、成膜、露光時間、露光強度、露光拡大、露光縮小、ステッパモータによる移動、プロセスに関連する温度、プロセスに関連する圧力、プロセスに適用されるガスの濃度、プロセスに適用される化学物質の濃度、プロセスに適用されるガスの流量、プロセスに適用される化学物質の流量、プロセスに適用される化学物質の流量、プロセスに関連する励起電圧、照射時間、照射強度、ＣＭＰ中に適用されるスラリーの濃度、ＣＭＰ中に適用されるスラリーの研磨度、ＣＭＰ中に適用される圧力、ベーク時間、ベーク温度、およびエッチャント濃度の少なくとも１つを制御し得る、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
半導体製造プロセスを監視および制御するための方法であって、
ウェハに製造プロセスが実行されると、前記ウェハの少なくとも一部に形成される１つ以上の繰返し回路内構造をスキャトロメトリに基づく技術によって測定するステップと、
前記測定に基づいて制御データを作成するステップと、
１つ以上の製造コンポーネントに対して、前記制御データをフィードフォワードおよびフィードバックの少なくともいずれかを行うステップと、
許容できない測定値を補償するために、前記製造プロセスを修正するよう前記制御データに従って、前記製造コンポーネントの１つ以上に関連する１つ以上の動作パラメータを選択的に調整するステップと、を有する方法。
【請求項１３】
前記製造コンポーネントは投影システム、位置合せシステム、ガス供給システム、酸化システム、温度システム、圧力システム、ＣＭＰシステムおよびエッチングシステムの少なくとも１つを備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
測定のために１つ以上の繰返し回路内構造を設けるステップをさらに有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記回路内構造の高さ、幅、および傾斜の少なくとも１つを測定するステップをさらに有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記繰返し回路内構造の１つ以上が均一に形成されているかどうか、限界寸法の１つ以上が許容誤差を外れているかどうか、およびオーバーレイ誤差が発生しているかどうかの少なくとも１つを判定するステップをさらに有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記繰返し回路内構造は、互いにほぼ平行に配置され、かつ集積回路（ＩＣ）のメモリコア領域の１つ以上の部分に対応しているほぼ長尺状のマークを有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
半導体製造プロセスを監視および制御するシステムであって、
製造プロセスが実行されているウェハの少なくとも一部に形成されている繰返し回路内構造に光を照射する手段と、
前記構造から反射される光を集光する手段と、
前記光が集光されると、前記製造プロセスを修正するために、１つ以上の製造コンポーネントまたはこの製造コンポーネントに関連する１つ以上の動作パラメータを調整する手段と、
費用対効果分析に基づいて前記ウェハあるいはその一部を選択的に破棄するかどうかを判定する手段と、を備えたシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年12月17日(2008.12.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動エンジンで駆動され自動的に切り換えられる複数の速度段を備えた自動車であって、運転者の負荷入力がアクセルペダルによって行われ、アクセルペダル位置およびエンジン回転数ないし変速機回転数に関係して、速度段間におけるシフトアップやシフトダウンが自動的に開始され、アクセルペダルの完全な踏込み時に作動されるキックダウン・スイッチが存在し、エンジンないし変速機の第１限界回転数（ｎ１）以下における第１回転数範囲で、キックダウン・スイッチの作動によりシフトダウンが開始される自動車における、有段自動変速機の制御方法において、
特に、１つないし複数の高速段に対して、第２限界回転数（ｎ−ＫＤ−Ｓｃｈｗ）を上回る第２回転数範囲では、大きな負荷入力によってもシフトダウンは開始されず、キックダウン・スイッチの作動によって、シフトアップのみが開始される、ことを特徴とする自動車における有段自動変速機の制御方法。
【請求項２】
第１限界回転数範囲と第２限界回転数範囲とが、互いに境を直に接している、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
第２限界回転数範囲が、第３限界回転数（ＨＳ１５−１６）によって上限づけられ、第３限界回転数（ＨＳ１５−１６）を超える範囲において、次の高速段へのシフトアップが行われる、ことを特徴とする請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
第３限界回転数（ＨＳ１５−１６）の値が、負荷入力に関係して求められる、ことを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
キックダウン・スイッチの作動が、最高速段から２番目および３番目の速度段より出発してしか、シフトアップを開始させない、ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項６】
第２限界回転数（ｎ−ＫＤ−Ｓｃｈｗ）を超過しているか下回っているかを運転者に知らせる光学式ないし音響式の表示器（１６）が備えられている、ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
キックダウン・スイッチが不作動状態から作動状態に転換されたときに生じる、キックダウン・スイッチによって発生される信号の変化に基づいて、切換が開始される、ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
なお、ｎ１は第１限界回転数であり、その第１限界回転数を下回る場合において、キックダウン・スイッチの作動はシフトダウンを開始させる。第２限界回転数ｎ−ＫＤ−Ｓｃｈｗは、第１限界回転数ｎ１の幾分上回る位置にあり、従って、意図しない切換が十分に回避される。変速機出力回転数が、第２限界回転数ｎ−ＫＤ−Ｓｃｈｗと回転数ｎ３との間に位置するときには、キックダウン・スイッチが作動されない限り、１６速段へのシフトアップは行われない。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年6月22日(2009.6.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乾式ポンプ装置であって、
ポンプ機構と、
ポンプ機構の作動を制御するコントローラと、
ポンプ機構の作動温度を検出するためのセンサーと、
を有し、コントローラは、
ａ）汚染粒状物が存在するポンプ機構の作動を停止させる工程と、
ｂ）温度センサーによってポンプ機構の温度をモニターする工程と、
ｃ）予め定めた温度に達するまで又は予め定めた時限が経過するまで、存在する汚染粒状物の部分を除去するように、少なくとも１つの予め選択された温度差の降下の度に、一定時間ポンプ機構の作動を開始する工程と、を含む自動停止シーケンスを実行するように構成されていることを特徴とする乾式ポンプ装置。
【請求項２】
コントローラはマイクロプロセッサーからなる、請求項１記載の乾式ポンプ装置。
【請求項３】
マイクロプロセッサーはコンピュータに組み込まれている、請求項２記載の乾式ポンプ装置。
【請求項４】
コンピュータは、前記方法の工程ａ）〜ｃ）を行わせるコンピュータソフトウェアをインストールしている、請求項３記載の乾式ポンプ。
【請求項５】
ポンプ機構は、クロータイプのローター装置を含む、請求項１乃至４の何れか１項に記載の乾式ポンプ。
【請求項６】
乾式ポンプにおける再始動故障の発生を減らすための方法であって、
ａ）汚染粒状物が存在するポンプ機構の作動の停止を検出する工程と、
ｂ）作動の停止後ポンプ機構の温度をモニターする工程と、
ｃ）予め定めた温度に達するまで又は予め定めた時限が経過するまで、存在する汚染粒状物の部分を除去するように、少なくとも１つの予め選択された温度差の降下の度に一定時間ポンプ機構の作動を開始する工程と、を有することを特徴とする方法。
【請求項７】
工程ｃ）は、ポンプ機構のモニター温度の規則正しい降下に相当する予め選択された温度差で行われる、請求項６記載の方法。
【請求項８】
規則正しい降下差は１０℃である、請求項７記載の方法。
【請求項９】
一定の時間は１５秒と４５秒の間である、請求項６乃至８の何れか１項に記載の方法。
【請求項１０】
一定時間はそれぞれ予め選択された温度差と同じである、請求項６乃至９の何れか１項に記載の方法。
【請求項１１】
一定時間は３０秒である、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
一定時間はそれぞれの予め選択された温度差によって異なる、請求項６乃至９の何れか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記方法は予め定めた時限で行われる、請求項６乃至１２の何れか１項に記載の方法。
【請求項１４】
予め定めた時限は、作動の停止から２時間である、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
ポンプ機構の作動の各一定時間の終わりに、別の入口除去機能がコントローラによって行われる、請求項６乃至１４の何れか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記方法は、第１の所定温度又は予め定めた時限に達したとき停止される、請求項６乃至１５の何れか１項に記載の方法。
【請求項１７】
汚染粒状物が存在するポンプ機構と、前記ポンプ機構の作動温度を検出するセンサーと、前記ポンプ機構の作動の停止及び開始を制御し、時限及び時間を予め定めることが可能であり、前記センサーに接続されたコンピュータと、を有する乾式ポンプ装置のためのコンピュータプログラムであって、
前記コンピュータにインストールされるとき、コンピュータに請求項６乃至１４の何れか１項に記載の方法の各工程を行わせるためのコンピュータプログラム。
【請求項１８】
請求項１７に記載のコンピュータプログラムを記録した、コンピュータ読み込み可能な記録媒体。
【請求項１９】
前記記録媒体は、フロッピー（登録商標）ディスク、ＣＤ、ミニディスク又はデジタルテープから選択される、請求項１８記載のコンピュータ読み込み可能な記録媒体。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図３】
2006504033.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月14日(2008.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロテイン系物質ではない少なくとも一の骨格形成剤を含み、任意的に添加された少なくとも一以上の活性物質と、同じく任意的に添加された少なくとも一以上の補助物質を含む一定形状の形成物を身体表面に治療的または美容的に適用する、形成物の身体表面への利用法であって、
前記少なくとも一の骨格形成剤は、２０℃、ｐH値６〜８におけるその１重量％水溶液の粘度が２０００ｍPa・s未満である、
ことを特徴とする形成物の身体表面への利用法。
【請求項２】
請求項１に記載した形成物の身体表面への利用法において、
前記骨格形成剤は、一の多糖類又はその誘導体を含む、
ことを特徴とする形成物の身体表面への利用法。
【請求項３】
請求項１ないし２のいずれかに記載した形成物の身体表面への利用法において、
前記骨格形成剤は、ナトリウムアルギナートである、
ことを特徴とする形成物の身体表面への利用法。。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載した形成物の身体表面への利用法において、
前記形成物は、体積が０．１ｃｍ3〜６ｃｍ3であり、幾何学形状が球形状である、
ことを特徴とする形成物の身体表面への利用法。。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載した形成物の身体表面への利用法において、
前記形成物は、プロテインではない少なくとも一の骨格形成剤と、任意的に添加された一以上の活性物質と、同じく任意的に添加された一以上の補助物質とを含む凝固溶液または懸濁液をフリーズドライ処理することにより得られるものである、
ことを特徴とする形成物の身体表面への利用法。
【請求項６】
請求項５に記載した形成物の身体表面への利用法において、
前記形成物は、
（a）少なくとも一のバイオポリマーを含み、任意的に添加された生理的効果を有する  一以上の活性物質と、同じく任意的に添加された一以上の補助物質とを含む溶液又は懸  濁液を作製するステップと、
（ｂ）前記溶液を鋳型に注入するステップと、
（ｃ）前記鋳型中の溶液を凝固するステップと、
（ｄ）前記凝結溶液をフリーズドライ処理して形成物を形成するステップと、
を有する工程により得られる、
ことを特徴とする形成物の身体表面への利用法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載した形成物の身体表面への利用法において、
前記骨格形成剤の身体表面への適用は、使用者によって直接塗布される、
ことを特徴とする形成物の身体表面への利用法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載した形成物の身体表面への利用法において、
前記形成物は、水、または活性物質及び／又は補助物質の水溶液、で湿らせてゲルにし、皮膚又は髪に適用される、
ことを特徴とする形成物の身体表面への利用法。
【請求項９】
少なくとも１０ｗｔ％の一以上の骨格形成剤と、
０．０００００１ｗｔ％〜５０ｗｔ％の一以上の活性物質と、
０．１ｗｔ％〜７０ｗｔ％の一以上の補助物質と、
２０ｗｔ％までの水、
を含む形成物であり、
前記骨格形成剤の１重量％水溶液又は懸濁液の粘度が２０℃及びｐH値６〜８において２０００ｍPa.s未満であり、
前記形成物は、骨格形成剤に由来するプロテインを含まない、
ことを特徴とする形成物。
【請求項１０】
請求項９に記載の形成物において、
前記骨格形成剤がナトリウムアルギナートである、
ことを特徴とする形成物。
【請求項１１】
プロテインではない少なくとも一の骨格形成剤と、任意的に添加された一以上の活性物質と、同じく任意的に添加された一以上の補助物質とを有する、身体表面塗布を目的とした、請求項９又は１０で規定された形成物であって、
前記形成物は、
密度が０．０１ｇ／ｃｍ3〜０．８ｇ／ｃｍ3であり、
体積が０．１ｃｍ3〜６ｃｍ3であり、
直径（前記形成物における最も遠く離れた二点の距離）が少なくとも６ｍｍである、
ことを特徴とする形成物。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載された少なくとも一の形成物と、一以上の活性物質及び／又は一以上の補助物質を含んだ少なくとも一の水溶液と、をセットにした詰め合わせ物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年10月27日(2009.10.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９８】
フラスコ中で、１つまたは複数のオルガノシロキサンを単独または１つまたは複数のアルコキシシラン（すべてＧｅｌｅｓｔ  Ｉｎｃ．、Ｔｕｌｌｙｔｏｗｎ，ＰＡから）と組合せて、アルコール（ＨＰＬＣ用品種、Ｊ．Ｔ．Ｂａｋｅｒ、Ｐｈｉｌｌｉｐｓｂｕｒｇｈ、ＮＪ）および０．１規定塩酸（Ａｌｄｒｉｃｈ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ、Ｍｉｌｗａｕｋｅｅ、ＷＩ）と混合した。得られた溶液を撹拌し、アルゴンまたは窒素雰囲気下で、１６時間還流した。アルコールを大気圧で、蒸留によって除去した。残存するアルコールおよび揮発性化学種を、アルゴンまたは窒素を流したストリーム中で、１１５〜１４０℃で、１〜２時間加熱することによって、または減圧下、１２５℃で、１〜２時間加熱することによって除去した。得られたポリオルガノアルコキシシロキサンは、無色粘性の液体であった。生成物ポリオルガノアルコキシシロキサン（ＰＯＳ）を作製するために使用されたオルガノトリアルコキシシランおよびアルコキシシランに対する化学式を表１に表示する。これらの生成物を調製するために使用される出発材料に対する特定量を表２に表示する。実施例１ｅは、（３−メタクリロキシプロピル）トリメトキシラン２９８ｇおよびオクチルトリエトキシシラン２２１ｇから作製した。実施例１ｊは、ビス（トリメトキシシリルプロピル）アクリルアミドおよびテトラエトキシシランから作製した。ビス（トリメトキシシリルプロピル）アクリルアミドは、ビス（トリメトキシシリルプロピル）アミン（Ｇｅｌｅｓｔ  Ｉｎｃ．、Ｔｕｌｌｙｔｏｗｎ，ＰＡ）２当量およびアクリル酸塩化物成（Ａｌｄｒｉｃｈ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ、Ｍｉｌｗａｕｋｅｅ、ＷＩ）１当量を乾燥ヘキサン（ＨＰＬＣ用品種、Ｊ．Ｔ．Ｂａｋｅｒ、Ｐｈｉｌｌｉｐｓｂｕｒｇｈ、ＮＪ）中で反応させて別途調製した。第２の当量のアミンが、アミド形成ＨＣｌ凝縮物を分離させた。そこで、アミン塩酸塩を濾過によってアミド溶液から取り出した。生成物構造を、１Ｈ、１３Ｃおよび２９ＳｉＮＭＲ分光分析法によって確認した。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月13日(2008.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
代替方法として、フルオロポリマー粒子を使用する代わりに、またはフルオロポリマー粒子を使用することに加えて、フッ素化液体を使用することができる。「液体」という用語は、その化合物が、重合プロセスで用いられる温度および圧力条件で液体であるはずであることを意味する。通常、フッ素化液体は、気圧で少なくとも５０℃、好ましくは少なくとも８０℃の沸点を有する。フッ素化液体は、特に高フッ素化炭化水素ならびに液体フッ化モノマーを含む。本発明に関連する「高フッ素化」という用語は、ほとんど水素原子、好ましくはすべての水素原子がフッ素原子で置換されている化合物、ならびにその化合物における水素原子の大部分がフッ素原子で置換されており、残りの水素原子のほとんど、またはすべてが臭素、塩素またはヨウ素で置換されている化合物を示すために使用される。通常、本発明に関連する高フッ素化化合物は、フッ素以外のハロゲンによって置換される、わずか数個、例えば１個または２個の水素原子を有し、および／または残りのわずか１個または２個の水素原子を有する。すべての水素原子がフッ素または他のハロゲンによって置換されるわけではない、つまり化合物が完全フッ化（過フッ化）(perfluorinated)されない場合、水素原子は一般に、実質的にそれに連鎖移動が起こらないような、つまり化合物が重合において不活性物質として働く、つまり化合物がラジカル重合に関与しないような、化合物上の位置にあるはずである。その化合物におけるすべての水素がフッ素および／または他のハロゲン原子によって置換されている化合物は、本明細書において「過フッ化」と呼ばれる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月28日(2009.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｇｐ１２０の９１位のアミノ酸における変異、ｇｐ１２０の２４３位のアミノ酸における変異、ｇｐ１２０の２４５位のアミノ酸における変異およびｇｐ１２０の２４９位のアミノ酸における変異を含む、分離されたＨＩＶ−１エンベロープタンパク質。
【請求項２】
９１位の変異がＤ９１Ｎである、請求項１に記載のＨＩＶ−１エンベロープタンパク質。
【請求項３】
２４３位の変異がＮ２４３Ｋである、請求項１に記載のＨＩＶ−１エンベロープタンパク質。
【請求項４】
２４５位の変異がＴ２４５Ｓである、請求項１に記載のＨＩＶ−１エンベロープタンパク質。
【請求項５】
２４９位の変異がＰ２４９Ｓである、請求項１に記載のＨＩＶ−１エンベロープタンパク質。
【請求項６】
アミノ酸６４、８４、２１９、２８７、２９０、３００、３１１、３１２、３１４、３１６、３４５、３７１、３７２、３９８、４１８、４２６、４３５、４６６および４７２からなる群より選択される配列番号２のアミノ酸配列に対応する位置に１個以上のアミノ酸置換をさらに含む、請求項１に記載のＨＩＶ−１エンベロープタンパク質。
【請求項７】
Ｖ６４Ａ、Ｑ８４Ｅ、Ｄ２８７Ｎ、Ｄ２９０Ｎ、Ｎ３１１Ｙ、Ｙ３１２Ｎ、Ｋ３１４Ｒ、Ｋ３１６Ｔ、Ｎ３７１Ｋ、Ｐ３７２Ｑ、Ｖ４２６Ｉ、Ｋ４３５Ｎ、Ｅ４６６ＮおよびＤ４７２Ｎからなる群より選択される配列番号２のアミノ酸配列に対応する位置に１個以上のアミノ酸置換をさらに含む、請求項１に記載のＨＩＶ−１エンベロープタンパク質。
【請求項８】
配列番号２の９１位のアミノ酸におけるＤ９１Ｎの変異、配列番号２の２４３位のアミノ酸におけるＮ２４３Ｋの変異、配列番号２の２４５位のアミノ酸におけるＴ２４５Ｓの変異および配列番号２の２４９位のアミノ酸におけるＰ２４９Ｓの変異を含む、請求項１に記載のＨＩＶ−１エンベロープタンパク質。
【請求項９】
アミノ酸６４、８４、２１９、２８７、２９０、３００、３１１、３１２、３１４、３１６、３４５、３７１、３７２、３９８、４１８、４２６、４３５、４６６および４７２からなる群より選択される配列番号２のアミノ酸配列に対応する位置に１個以上のアミノ酸置換をさらに含む、請求項８に記載のＨＩＶ−１エンベロープタンパク質。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載のＨＩＶ−１エンベロープタンパク質を含む組成物。
【請求項１１】
アジュバントをさらに含む、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
薬学的に許容される担体をさらに含む、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１３】
組成物は非経口投与用に製剤化されている、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１４】
請求項１から９のいずれか一項に記載のＨＩＶ−１エンベロープタンパク質を含む、融合タンパク質。
【請求項１５】
ｇｐ４１の１以上のドメインをさらに含む、請求項１４記載の融合タンパク質。
【請求項１６】
ｇｐ４１のドメインは、ロイシンジッパー、膜近傍αヘリックス領域、膜貫通セグメントおよび細胞質尾部からなる群から選ばれる、請求項１５記載の融合タンパク質。
【請求項１７】
ドメイン中に１以上アミノ酸置換を有するｇｐ４１の１以上のドメインをさらに含む、請求項１５記載の融合タンパク質。
【請求項１８】
１以上アミノ酸置換がｇｐ４１のロイシンジッパー中にある、請求項１５記載の融合タンパク質。
【請求項１９】
ＨＩＶ−１に対する免疫反応を生じるためのワクチンまたは免疫原性組成物である、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項２０】
請求項１から９のいずれか一項に記載のＨＩＶ−１エンベロープタンパク質をコードする核酸分子。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年11月20日(2008.11.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外側担体（１２）と、
前記担体内に保持された複数の傾斜パッド（１４）と、
円周上の所与の位置に該傾斜パッドを保持する対応する複数の保持ピン（５０）であって、各々、前記対応する傾斜パッドの空胴（２８）の側面（３８）に当たるよう、前記外側担体中に固定されている複数の保持ピン（５０）とを備える傾斜パッドラジアル軸受アセンブリであって、
少なくとも１つの保持ピン（５０）と、その対応する空胴（２８）は、各々使用時に、傾斜パッド軸受アセンブリおよび前記傾斜パッドの軸線に直角な平面内での前記保持ピン（５０）と前記側面（３８）との間の隙間（ｃ）に関して、前記外側担体（１２）の前記内面にある第１の場所（５４）の方が、前記第１の場所に対して前記側面の半径方向内方の部分の対応するあらゆる場所よりも狭いよう形づくられており、そのために、前記保持ピン（５０）と前記傾斜パッド（１４）との間の接触点（５４，５４'）が、使用時には前記外側担体（１２）の前記内面にあり、前記傾斜パッド（１４）が、前記外側担体（１２）に関して周方向に移動することなく傾斜できることを特徴とする軸受アセンブリ。
【請求項２】
前記保持ピン（５０）が、傾斜パッドラジアル軸受アセンブリおよび前記傾斜パッドの軸線に直角な平面内に、テーパ付き断面を持つことを特徴とする請求項１記載の軸受アセンブリ。
【請求項３】
前記保持ピン（５０）の前記断面の両側のテーパ角αが等しいことを特徴とする請求項２記載の軸受アセンブリ。
【請求項４】
前記空胴（２８）が、傾斜パッドラジアル軸受アセンブリおよび前記傾斜パッドの軸線に直角な平面内での寸法（ｄ）に関し、前記第１の場所（６４）の方が、前記第１の場所（６４）に対して前記側面（６８）の半径方向内方の部分の対応するあらゆる場所よりも狭いように形成されたことを特徴とする請求項１記載の軸受アセンブリ。
【請求項５】
前記空胴（６２）が、傾斜パッドラジアル軸受アセンブリ（１０）および前記傾斜パッド（１４）の軸線に直角な平面内に、テーパ付き断面を持つことを特徴とする請求項４記載の軸受アセンブリ。
【請求項６】
前記空胴（６２）の前記断面の両側のテーパ角βが等しいことを特徴とする請求項５記載の軸受アセンブリ。
【請求項７】
前記保持ピン（５０）と前記空胴（２８）が、各々前記傾斜パッド（１４）および傾斜パッドラジアル軸受アセンブリ（１０）の軸方向（Ａ、Ａ'）において細長いことを特徴とする請求項１から６の１つに記載の軸受アセンブリ。
【請求項８】
前記空胴（２８）が、前記傾斜パッド（１４）の軸方向の広がりの一部しか占有せず、かつ前記保持ピン（５０）が、一致した軸方向の寸法を持つことを特徴とする請求項１から７の１つに記載の軸受アセンブリ。
【請求項９】
前記保持ピン（５０）の形状がピラミッド状であることを特徴とする請求項１から８の１つに記載の軸受アセンブリ。
【請求項１０】
ピラミッド状のピン（５０）が、正方形又は長方形のベースを持つことを特徴とする請求項９記載の軸受アセンブリ。
【請求項１１】
ピラミッド状のピン（５０）が、切頭形であることを特徴とする請求項９又は１０記載の軸受アセンブリ。
【請求項１２】
前記保持ピンの形状が円錐形又は切頭円錐形であることを特徴とする請求項１から６の１つ又は請求項８に記載の軸受アセンブリ。
【請求項１３】
空胴（２８）と保持ピン（５０）を組み合わせたものが２つ以上、各傾斜パッド上で、前記傾斜パッド（１４）および傾斜パッドラジアル軸受アセンブリ（１０）の軸方向（Ａ、Ａ'）に揃えて設けられたことを特徴とする請求項１から１２の１つに記載の軸受アセンブリ。
【請求項１４】
事実上、説明したとおりおよび／又は、添付図面の図５〜図７に図示したとおりの傾斜パッドラジアル軸受アセンブリ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
本発明の一実施形態では、保持ピン５０と空胴２８は、各々軸受システムの軸方向に細長い。空胴２８は、傾斜パッド１４の軸方向の寸法の一部しか占有せず、また、保持ピン５０は、一致した軸方向の寸法を持つ。保持ピン５０は、ピラミッド形である。このようなピラミッド形は、正方形又は長方形のベースを持つ。このようなピラミッド形は、切頭のものである。保持ピンは、形状が円錐形又は切頭円錐形である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月14日(2008.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ流体環境において放射化学溶液を生成するための方法であって、
１）複数の導入ポートと、同位元素分離デバイスと、導入ポート及び放射性同位元素分離デバイスと流体連通関係にある少なくとも一つのマイクロチャネルと、を有するマイクロリアクタを備え、
２）放射性同位元素を含むターゲット流体を供給し、このターゲット流体をマイクロリアクタの導入ポートへ導入して同位元素分離デバイスを通し、これによってこの同位元素分離デバイス上に放射性同位元素を収集し、
３）極性非プロトン性溶媒を供給し、この溶媒を導入ポートに導入して同位元素分離デバイスを通し、
４）同位元素分離デバイスから放射性同位元素を極性非プロトン性溶媒に放出して放射性溶液を生成し、
５）前駆体溶液を供給し、この前駆体溶液をマイクロリアクタの導入ポートに導入し、ここで前駆体溶液は放射性同位元素との反応に適した有機溶媒に溶解する反応前駆体を含有し、
６）前駆体溶液をマイクロリアクタのすくなくとも一つのマイクロチャネル内の放射性溶液と混合して、反応前駆体を放射性同位元素と反応させて、前駆体溶液と放射性溶液とがマイクロチャネル内を流れる間に溶液内に放射化学溶液を形成する、
ことを含んでなる方法。
【請求項２】
同位元素分離デバイスが、電気分解セルを含有し、このセルに電圧を印加することによって放射性同位元素が収集されこのセルに印加する電圧を逆転することによって放射性同位元素が放出される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
同位元素分離デバイスが、イオン交換樹脂を含有し、同位元素分離デバイスを通過する間に極性非プロトン性溶媒に溶離液を含有させることによって放射性同位元素が放出される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
複数の導入ポート、同位元素分離デバイス、並びに上記導入ポート及び放射性同位元素分離デバイスと流体連通関係にある少なくとも一つのマイクロチャネルを有する、マイクロ流体環境において放射化学溶液を合成するためのマイクロリアクタ。
【請求項５】
同位元素分離デバイスが、電気分解セルを含有する請求項４に記載のマイクロリアクタ。
【請求項６】
同位元素分離デバイスが、イオン交換樹脂を含有する請求項４に記載のマイクロリアクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月21日(2009.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
転送されるデータ量を減少させる方法であって、
ソース・データ・ブロックが最後にターゲット格納部に転送されたとき以降にソース格納部において前記ソース・データ・ブロックが更新されたかどうかを示す、各ソース・データ・ブロックについての第１のインジケータを維持するステップと、
ターゲット・データ・ブロックが対応するソース・データ・ブロックによって上書きされたとき以降にターゲット格納部において前記ターゲット・データ・ブロックが更新されたかどうかを示す、前記ターゲット格納部内の各ターゲット・データ・ブロックについての第２のインジケータを維持するステップと、
ステージ動作のために、対応するソース・データ・ブロック又は前記ターゲット・データ・ブロックが取り出されるべきかどうかを示す、各ターゲット・データ・ブロックについての第３のインジケータを維持するステップと、
前記ソース格納部から前記ターゲット格納部にデータを転送する時に、前記ソース・データ・ブロックが更新されたことを示すように第１のインジケータが設定された、各ソース・データ・ブロックを転送し、かつ、前記ターゲット・データ・ブロックが更新されたことを示すように第２のインジケータが設定された、ターゲット・データ・ブロックに対応する各ソース・データ・ブロックを転送するステップとを含む方法。
【請求項２】
ソース・データ・ブロックが前記ターゲット格納部にコピーされた時に、前記ターゲット・データ・ブロックについての前記第３のインジケータを更新するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
インクリメンタル仮想コピー動作を受信するステップと、前記ソース・データ・ブロックについての第１のインジケータ及び該ソース・データ・ブロックに対応する前記ターゲット・データ・ブロックについての第２のインジケータに基づいて、各ターゲット・データ・ブロックについての第３のインジケータを更新するステップとをさらに含み、前記ソース格納部から前記ターゲット格納部にデータを転送することは、前記ソース・データ・ブロックが該ターゲット格納部に転送されるべきであることを第３のインジケータが示している、各ソース・データ・ブロックを転送することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
インクリメンタル仮想コピー関連性を確立した後、ステージ動作のために、前記ターゲット・データ・ブロックに対応する前記ソース・データ・ブロックが前記ソース格納部から取り出されるべきであることを示すように、各ターゲット・データ・ブロックについての第３のインジケータを更新するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
転送されるデータ量を減少させるためのシステムであって、ソース・データ・ブロックが最後にターゲット格納部に転送されたとき以降にソース格納部において前記ソース・データ・ブロックが更新されたかどうかを示す、各ソース・データ・ブロックについての第１のインジケータを維持するための手段と、
ターゲット・データ・ブロックが対応するソース・データ・ブロックによって上書きされたとき以降にターゲット格納部において前記ターゲット・データ・ブロックが更新されたかどうかを示す、前記ターゲット格納部内の各ターゲット・データ・ブロックについての第２のインジケータを維持するための手段と、
ステージ動作のために、対応するソース・データ・ブロック又は前記ターゲット・データ・ブロックが取り出されるべきであるかどうかを示す、各ターゲット・データ・ブロックについての第３のインジケータを維持するための手段と、
前記ソース格納部から前記ターゲット格納部にデータを転送する時に、前記ソース・データ・ブロックが更新されたことを示すように第１のインジケータが設定された、各ソース・データ・ブロックを転送するための手段と、
前記ターゲット・データ・ブロックが更新されたことを示すように第２のインジケータが設定された、ターゲット・データ・ブロックに対応する各ソース・データ・ブロックを転送するための手段とを備えるシステム。
【請求項６】
コンピュータ・システムに読み込まれ、前記コンピュータ・システムに、請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の方法のステップを実行させるためのコンピュータ・プログラム。