【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年1月6日(2009.1.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 第一の犠牲基層の上に設けられた構成部品及び第二の非犠牲基層の上に設けられた構成部品を組み合わせて集積化した装置を形成する方法において、
第一の複数の構成部品を保持する前記犠牲基層及び第二の複数の構成部品を保持する前記非犠牲基層をそれぞれ中間の接合材料により接合するステップと、
前記犠牲基層をパターン化し且つ薄厚化するか、又は、前記犠牲基層をパターン化或いは薄厚化するステップと、
犠牲基層の構成部品を非犠牲基層上の構成部品と相互に接続するステップとを備える方法。
【請求項２】 請求項１の方法において、中間の接合材料を剥離して除去することを更に備える、方法。
【請求項３】 請求項１の方法において、前記犠牲基層上の構成部品が変換器であり、前記非犠牲基層上の構成部品が読取り装置（ＲＯＩＣ）装置である、方法。
【請求項４】 請求項１の方法において、前記基層には前記電気的相互接続のための接点パッドが設けられる、方法。
【請求項５】 請求項１の方法において、前記犠牲基層上の構成部品と前記非犠牲基層上の構成部品との間に設けられた導電性材料による電気的相互接続部を有する、方法。
【請求項６】 請求項１の方法において、前記中間の接合材料が、ポリイミド、ブチルシクロブテン（ＢＣＢ）、エポキシ、フォトレジストから選ばれた接着剤である、方法。
【請求項７】 請求項３の方法において、前記変換器がＩＲ検出器、ＲＦ装置及び光学的装置から成る群から選ばれる、方法。
【請求項８】 請求項７の方法において、ＩＲ検出器がボロメータ、量子井戸検出器、及びパイロ電気検出器から成る群から選ばれる、方法。
【請求項９】 請求項１の方法において、前記接合が基層を共に接着させ且つ圧力を加え、更に加熱することにより行われる、方法。
【請求項１０】 請求項１の方法において、犠牲基層の前記薄厚化が、機械的手段により又は基層の一部分又はその全体をエッチングして除去することにより行われる、方法。
【請求項１１】 請求項１の方法において、前記中間の接合が前記基層の少なくとも一方に前記中間の接合材料を提供することにより行われる、方法。
【請求項１２】 請求項１１の方法において、前記中間の接合が前記基層の一部分上でのみ提供される、方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
本発明による方法は、例えば、ボロメータのような、非冷却型の熱赤外線検出器（ＩＲ−検出器）を製造するのに特に適している。しかし、この方法は、非限定的に、量子井戸検出器、パイロ電気検出器等のような、多岐に亙る熱及び非熱型検出器装置に適用可能である。本発明は、何らかの理由のため、別の構造体（例えば、読み出しエレクトロニクス）が存在する基層上に直接、１つの構造体（例えば、検出器要素）を加工し／パターン化し／堆積させることができない場合に特に適している。このことは、例えば、上記基層上に配置させた構造体が、その上に提供すべき構造体を加工する過程の温度に対し温度的に敏感である場合である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
図１には、本発明の方法が一般的な語で概略図的に図示されている。これにより、読み出し回路（及び（又は）その他の型式の回路）を有する第一のウエハ１がＡＳＩＣ製造又は「ＩＣ」鋳造所で一般に採用されている方法（これは、それ自体、本発明の一部を構成しない）のような、何らかの標準的な型式で且つ経済的な方法にて製造される。しかし、これらの予め作成したウエハにおいて、電気接点又は要素を設け、これにより、１つ又は複数の装置３（例えば、検出器又は何らかの他の型式の一般的な変換器；これらは、以下の説明において、「検出器」又は「検出器要素」と称するが、任意のその他の型式の電気／機械／光学的装置あるいはＲＦ装置とすることができることを理解すべきである）を第二のウエハ２上に設け、また、読み出しエレクトロニクスウエハに取り付けるべき予め作成した装置を集積化することができる。図１ａ。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
（例１（図２の過程））
その表面に１μｍのＳｉＯ2層１２が形成されるようにシリコンウエハ１０を酸化加熱炉内で酸化させる。次に、１μｍ厚さのポリシリコン層１４を高温の加熱炉内にてウエハ上で成長させる。Ｔｉ／Ｐｔ（５０／３００乃至５００Å）層１６をポリシリコン上に堆積させる。その後、フォトレジストをウエハ上で旋回させ且つフォトリソグラフィ法によりパターン化する。次に、最初にＴｉ／Ｐｔ、その後、ポリシリコンを深反応性イオンエッチングによりＳｉＯ2層まで下方にエッチングする。フォトレジストを剥離した後、ポリシリコン隔離部がウエハ表面に残る（ａ）。ウエハの裏側のポリシリコン及びＳｉＯ2を反応性イオンエッチングによりエッチング除去し、ウエハの裏側の材料がシリコンのバルク材料のみとなるようにする。次のステップにおいて、最初に、例えば、フォトレジストのような接合材料１８をＲＯＩＣウエハ１１上で旋回させ且つ約５分間、ホットプレート（６０℃）上で前硬化させる（ｂ）。次に、２つのウエハを真空内で約１００．００ｋＰａ（約１バール）の接合圧力にて共に接合する（ｃ）。圧力を加えつつ、ウエハの温度を２時間内で３５０℃まで上昇させ、ポリイミドを硬化させる。このステップの後、例えば、深反応エッチングによりシリコンウエハ１０の裏側をＳｉＯ2層まで薄厚にする（ｄ）。次に、緩衝層ＨＦ（ＢＨＦ）によりＳｉＯ2層をエッチングする。次に、再度、残りのポリイミド上でフォトレジストを旋回させ（ｅ）、ポリイミドをパターン化し且つエッチングする（プラズマエッチング）。この過程の結果は、ＲＯＩＣ上の領域を「開き」また、ポリイミド内に傾斜壁が得られることである（ｆ）。次のステップにて、ＲＯＩＣとポリシリコン隔離部との間の金属接点としてＴｉ／Ｐｔを堆積させる（ｇ）。構造体を機械的に強化するため、この頂部に窒化ＰＥ−シリコンを堆積させる（ｈ）。次に、ＰＥ−ＳｉＮ及びＴｉ／Ｐｔの双方をパターン化し且つエッチングし（フォトレジストに対する標準的な方法）「脚構造体」を形成する。最後のステップとして、残りのポリイミド（以前の接合材料）をＯ2プラズマ内で剥離し、自由に懸垂する高度に断熱したボロメータが得られる。選択可能に、Ｔｉ／Ｐｔを堆積させた後、ＩＲ吸収材料２２（例えば、シリサイドモリブデン）を提供することができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
Ｔｉ／Ｐｔ（５０＋３００Å）層をポリシリコン上に堆積させ且ついわゆるリフトオフによってパターン化する。Ｔｉ／Ｐｔの構造体はボロメータ構造体を表わす。次に、０．５乃至４ｍのポリイミド「犠牲層」をウエハ上（Ｔｉ／Ｐｔパターンの頂部）で旋回させ且つ硬化させる。ポリイミドの小さい面積をＴｉ／Ｐｔ構造体上で開放させる。このことは、ポリイミドがこの開口部上に傾斜壁を有するようにする仕方にて行われる。別のリフトオフにより、Ｔｉ／Ｐｔの第二の層が検出器の脚部構造体を表わすポリイミド上にてパターン化される。ポリイミドの傾斜壁は、２つのＴｉ／Ｐｔ層の間にて段部分を良好に覆うこと、従って、適正に電気的に接触することを保証する。次に、ＳｉＮ層を脚部構造体の機械的支持体としてＴｉ／Ｐｔと同一の構造体により堆積し且つパターン化する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
ここから、ＲＯＩＣとＴｉ／Ｐｔ層（接点）との間の電気的及び機械的相互接続の過程は、それ以前の過程順序と基本的に同一である。フォトレジストをＳｉＯ2上にて旋回させ、ＳｉＯ2、ポリシリコン及びポリイミドをパターン化し且つエッチングする。このことは、ＲＯＩＣ上のＡｌ接点の上方の領域を開放することになる。４μｍのＡｌ層を堆積し且つパターン化することは、Ａｌピラーを形成することになる。このピラーは、ＲＯＩＣとポロメータのボロメータ／Ｔｉ／Ｐｔ層間の電気的及び機械的接点である。次に、ＳｉＯ2層を緩衝ＨＦ（ＢＨＦ）にてエッチングし、ポリシリコンをパターン化し且つエッチングする。ＳｉＮのエッチングの後、Ｔｉ／Ｐｔ構造体をマスクとして使用し、シリサイドモリブデンの薄い層（１００Å）をポリシリコン上に堆積させる。最終的なステップとして、残りの全てのポリイミド（双方の犠牲ポリイミド層）をＯ2プラズマ内で剥離し、自由に懸垂する極高度に断熱したボロメータが得られるようにする。膜の下方に脚部を有するこの設計上の戦略は、膜の下側の全ての空間を使用して脚部を極めて長く形成することができるから、検出器列内にてより大きい充填係数を有し、しかも極めて良好に断熱されたボロメータを得ることを許容する。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図４】
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【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図５】
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