Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月7日(2009.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３次元環境に関するデジタルコンテンツを表示するディスプレイスクリーンを有している装置を使用して、治療中に患者の注意を逸らすための方法であって、
前記患者によって生成された前記装置の動きを監視するステップと、
前記監視された前記装置の動きに基づいて、前記ディスプレイスクリーンに提供された前記デジタルコンテンツを変化させるステップと、
を含んでいる方法において、
前記患者は、前記装置を動かすことによって前記３次元環境と対話することができ、前記対話によって前記治療から前記患者の注意を逸らすことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記装置は、一組のセレクター要素を含み、前記一組のセレクターは、選択するために前記装置上に互換性を有して取り付け可能であり、
前記方法は、前記一組のセレクター要素を使用して、前記患者によってなされた選択に基づいて、前記ディスプレイスクリーンに表示された前記デジタルコンテンツを変化させるステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記装置は、タッチスクリーンを含み、
前記方法は、前記患者が前記タッチスクリーンを接触することに応じて、前記ディスプレイスクリーンに表示された前記デジタルコンテンツを変化させるステップを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記装置は、１つ又は複数の出力装置を含み、前記出力装置のそれぞれは、振動要素又は音声発生装置を含み、
前記方法は、前記患者の対話に従って、前記１つ又は複数の出力装置から出力を提供するステップを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記装置は、前記装置と外部デバイスとの間の通信のためのリンクを有し、
前記方法は、前記外部デバイスからの前記デジタルコンテンツまたは他の機能を提供および／または処理するステップを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記装置は、生理学的センサを含み、
前記方法は、前記生理学的センサから前記患者の監視された状態を受容するステップと、前記患者の装置との対話を提供するために前記監視された状態を使用するステップと、を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記装置は、タブレットデバイスであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記装置は、ヘッドマウントディスプレイであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
治療中に患者によって保持され、且つ動かされるように構成されたタブレットデバイスと、
前記タブレットデバイス上に取り付けるための一組の互換性を有する物理的セレクター要素と、
を含んでいるダイバージョナルセラピーの装置において、
前記タブレットデバイスは、
その中に取り付けられたハウジングと、
前記タブレットデバイスの動きを感知するための動作センサと、
前記動作センサを通して前記タブレットデバイスの動きを判断し、前記タブレットデバイスの動きに従ってデジタルコンテンツを前記ディスプレイスクリーン上に表示するためのコントローラであって、前記デジタルコンテンツは３次元環境を規定し、前記患者が前記タブレットデバイスの動きによって前記３次元環境と対話するコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、前記タブレットデバイス上にどのセレクター要素が取り付けられたかを判断し、前記判断に従って前記デジタルコンテンツを変化させていることを特徴とする装置。
【請求項１０】
前記ハウジングは、耐水性であることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
動作中に前記タブレットデバイスを支持するために、前記タブレットデバイスの後方面にドーム形状部分を含むことを特徴とする請求項９又は１０のいずれかに記載の装置。
【請求項１２】
前記タブレットデバイスは、前記ハウジング上に一対のハンドグリップを含み、前記ハンドグリップは、前記タブレットデバイスの水平方向に対して傾斜した軸に沿って設けられていることを特徴とする請求項９から１１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】
前記タブレットデバイスは、タッチスクリーン、音声センサ、音声発生装置、振動モータ、及び生理学的センサのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項９から１２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
治療中に患者の注意を逸らすための方法であって、
請求項９〜１２のいずれか一項に記載の装置を患者に提供するステップと、
前記治療中に、前記患者が前記装置を操作することを可能にするステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
ダイバージョナルセラピーの装置の一部を形成しているタブレットデバイスであって、
前記タブレットデバイス上に取り付けるための、一組の互換性を有する物理的セレクター要素とともに使用するために意図された前記タブレットデバイスにおいて、
前記タブレットデバイスは、
その中に取り付けられたハウジングと、
前記タブレットデバイスの動きを感知するための動作センサと、
前記動作センサを通して前記タブレットデバイスの動きを判断し、前記タブレットデバイスの動きに従ってデジタルコンテンツを前記ディスプレイスクリーン上に表示するためのコントローラであって、前記デジタルコンテンツは３次元環境を規定し、前記患者が前記タブレットデバイスの動きによって前記３次元環境と対話するコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、前記タブレットデバイス上にどのセレクター要素が取り付けられたかを判断し、前記判断に従って前記デジタルコンテンツを変化させていることを特徴とするタブレットデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月28日(2009.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノスケールの触媒粒子を坦持するミクロ構造化支持体ウィスカーを含むナノ構造化要素を含む担持触媒の製造方法であって、少なくとも３種の金属元素を含む単一ターゲットから、ミクロ構造化支持体ウィスカー上に、少なくとも３種の金属元素を含む触媒材料を堆積する工程を含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
本出願では、以下の態様が提供される。
１．  ナノスケールの触媒粒子を坦持するミクロ構造化支持体ウィスカーを含むナノ構造化要素を含む担持触媒の製造方法であって、少なくとも３種の金属元素を含む単一ターゲットから、ミクロ構造化支持体ウィスカー上に、少なくとも３種の金属元素を含む触媒材料を堆積する工程を含む方法。
２．  前記金属元素の少なくとも１種が白金である、態様１に記載の方法。
３．  前記金属元素の少なくとも１種がマンガンである、態様１に記載の方法。
４．  前記金属元素の少なくとも１種がマンガンである、態様２に記載の方法。
５．  前記金属元素の少なくとも１種がコバルトである態様１に記載の方法。
６．  前記金属元素の少なくとも１種がコバルトである、態様２に記載の方法。
７．  前記金属元素の少なくとも１種がコバルトである、態様３に記載の方法。
８．  前記金属元素の少なくとも１種がコバルトである、態様４に記載の方法。
９．  態様１に記載の方法に従って製造されたナノスケールの触媒粒子を坦持するミクロ構造化支持体ウィスカーを含むナノ構造化要素を含む、担持触媒。
１０．  態様９に記載の担持触媒を含む、燃料電池膜電極組立体。
１１．  態様２に記載の方法に従って製造されたナノスケールの触媒粒子を坦持するミクロ構造化支持体ウィスカーを含むナノ構造化要素を含む、担持触媒。
１２．  態様１１に記載の担持触媒を含む、燃料電池膜電極組立体。
１３．  態様３に記載の方法に従って製造されたナノスケールの触媒粒子を坦持するミクロ構造化支持体ウィスカーを含む、ナノ構造化要素を含む担持触媒。
１４．  態様１３に記載の担持触媒を含む、燃料電池膜電極組立体。
１５．  態様４に記載の方法に従って製造されたナノスケールの触媒粒子を坦持するミクロ構造化支持体ウィスカーを含むナノ構造化要素を含む、担持触媒。
１６．  態様１５に記載の担持触媒を含む、燃料電池膜電極組立体。
１７．  態様６に記載の方法に従って製造されたナノスケールの触媒粒子を坦持するミクロ構造化支持体ウィスカーを含むナノ構造化要素を含む、担持触媒。
１８．  態様１７に記載の担持触媒を含む、燃料電池膜電極組立体。
１９．  態様８に記載の方法に従って製造されたナノスケールの触媒粒子を坦持するミクロ構造化支持体ウィスカーを含むナノ構造化要素を含む、担持触媒。
２０．  態様１９に記載の担持触媒を含む、燃料電池膜電極組立体。
本発明の様々な修正及び変更は、本発明の範囲及び原理から逸脱することなく当業者に明白となり、本発明が、上記で説明した例示的な実施形態に過度に限定するものではないことを理解すべきである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月7日(2009.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの収着表面（Ｓ）を有する収着ドライヤ又はクリーナ（１）を再生する方法であって、
当該方法は、収着される物質が前記収着表面から分離される温度まで前記収着表面（Ｓ）を周期的に加熱することによるものであり、前記表面（Ｓ）は、固定されて維持され、加熱手段（４）の作用に対して周期的に露出され、
前記加熱手段（４）は、ネットワークにおいて接続される前記表面（Ｓ）に沿って分布されて配置される複数の加熱素子（５）を有し、前記表面（Ｓ）は、該表面（Ｓ）に沿って前記加熱手段（４）の少なくとも活性部分を移動させるよう、一度に前記ネットワークの異なる部分のスイッチをオン及びオフに交互に切り替えることによって前記加熱手段（４）の前記作用に対して周期的に露出される、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記表面（Ｓ）の異なる部分は、連続的に加熱される、
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記収着ドライヤ又はクリーナ（１）の一部の前記再生中、前記収着ドライヤ又はクリーナ（１）の残りの部分は、通常通り作動し続ける、
ことを特徴とする請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記表面（Ｓ）は、そこから分離される前記物質の沸点を下回る温度まで加熱される、
ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの収着表面（Ｓ）を有する収着ドライヤ又はクリーナ（１）を再生する装置であって、
収着される物質が前記表面から分離される温度まで前記表面（Ｓ）を周期的に加熱する手段（４）を有し、前記表面（Ｓ）は、固定されており、前記加熱手段（４）は、その作用に対して前記表面（Ｓ）を周期的に露出するよう適合され、
前記加熱手段（４）は、前記表面に沿って移動可能である少なくとも１つの活性部分を有し、前記加熱手段（４）は、ネットワークにおいて接続される前記表面（Ｓ）に沿って分布されて配置される複数の加熱素子（５）、及び、一度に前記ネットワークの異なる部分のスイッチをオン及びオフに交互に切り替えるコントロール（６）を有する、
ことを特徴とする再生装置。
【請求項６】
前記加熱手段（４）は、前記表面（Ｓ）の異なる部分を連続的に加熱するよう適合される、
ことを特徴とする請求項５記載の再生装置。
【請求項７】
前記加熱素子（５）は、ネットワークにおいて接続される加熱ワイヤである、
ことを特徴とする請求項５又は６記載の再生装置。
【請求項８】
前記加熱素子（５）及び前記コントロール（６）は、前記表面（Ｓ）に対して接続されるキャリア（７）において収容される、
ことを特徴とする請求項７記載の再生装置。
【請求項９】
前記キャリア（７）は、フォイルの形状をとり、その上へと前記加熱素子（５）及び前記コントロール（６）がプリントされる、
請求項７記載の再生装置。
【請求項１０】
前記加熱手段（４）は、前記表面（Ｓ）から分離される前記物質の沸点を下回る温度まで前記表面（Ｓ）を加熱するよう適合される、
ことを特徴とする請求項５乃至９のうちいずれか一項記載の再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月14日(2009.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
拡張可能なフレームおよび弁状構造を含む自己拡張型の人工弁と、
チューブ状スリーブであって、その中を通り延在する通路を画定する、チューブ状スリーブと、
該チューブ状スリーブの該通路を通過して摺動可能に前進するように構成されたバルブカテーテルと、
該バルブカテーテルの遠位端部に沿って配置され、該人工弁の近位端部のみに係合するための複数のフレキシブルエクステンションアームであって、該複数のフレキシブルエクステンションアームは、治療部位における前記人工弁の拡張時に、該人工弁を安定させるように構成されている、複数のフレキシブルエクステンションアームと、
該人工弁を前記フレキシブルエクステンションアームに固定するための少なくとも１本の縫合糸と、
該バルブカテーテルの近位端部に沿って配置され、該縫合糸を切断することなく該人工弁から該縫合糸を解除し、それによって該人工弁を該フレキシブルエクステンションアームから解放する作動機構と
を備える、ヒトの心臓の自然弁を治療するためのシステム。
【請求項２】
前記作動機構に取り付けられ、かつ前記人工弁に向かい遠位方向に延在する、少なくとも１つの摺動可能な部材をさらに備える、請求項１に記載のシステムであって、該摺動可能な部材は、該人工弁から前記縫合糸を取り外すために引き込み可能である、システム。
【請求項３】
前記チューブ状スリーブの遠位端から延在する拡張可能な移行部材をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記移行部材は、少なくとも１つの円錐領域を形成する先細の遠位端部を有する膨張可能なバルーンを備える、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記膨張可能なバルーンは、少なくとも部分的に前記人工弁の中に配置され、該膨張可能なバルーンの膨張が該人工弁の拡張を促進するように構成されている、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記移行部材は、拡張可能な機械式バスケットを備え、該拡張可能な機械式バスケットは、前記治療部位における前記人工弁の拡張後に、患者の身体から取り外されるように構成されている、請求項３に記載のシステム。
【請求項７】
前記チューブ状スリーブに取り付けられた遠位端部と、前記バルブカテーテルに取り付けられた近位端部とを有するハンドルアセンブリをさらに備える、請求項１に記載のシステムであって、該ハンドルアセンブリは、該デリバリスリーブを該バルブカテーテルに対して制御可能な状態で引き込むために調整可能である、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
人工弁と、
近位端を有するチューブ状デリバリスリーブと、
該チューブ状デリバリスリーブの該近位端に連結された親ネジナットと、
該人工弁に対して解除可能に取り付けられるように構成された遠位端を有するバルブカテーテルであって、該バルブカテーテルおよび該人工弁は、該デリバリスリーブを通過して摺動可能に前進することができる、バルブカテーテルと、
該バルブカテーテルに連結された親ネジと、
を備える、ヒトの心臓の治療装置であって、
該親ネジは該親ネジナットと係合し、該親ネジの回転が、該バルブカテーテルおよび該人工弁を該デリバリスリーブに対して前進させる、装置。
【請求項９】
前記人工弁の中に配置され、自然弁の中での該人工弁の拡張を促進する膨張可能なバルーンをさらに備える、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記膨張可能なバルーンは、前記チューブ状デリバリスリーブから延在して拡張器を提供するように構成された先細の遠位端部を有する、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記チューブ状デリバリスリーブは親水性皮膜で被覆されている、請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
前記バルブカテーテルの遠位端に沿って配置された複数のフレキシブルエクステンションをさらに備える、請求項８に記載の装置であって、該フレキシブルエクステンションは前記人工弁に対して解除可能に取り付けられるように構成される、装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年1月8日(2009.1.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステップ：
１．１  基板に少なくとも１つのアモルファスＳｉ：Ｈ薄膜をプラズマアシステッドＣＶＤ被覆する、
１．２  水素プラズマを用いてアモルファスＳｉ：Ｈ膜をプラズマアシステッド処理し、その際アモルファスＳｉ：Ｈ膜を微結晶質Ｓｉ：Ｈ膜に変換させる、及び
１．３  ステップ１．１及び１．２を繰り返す
からなる、基板に微結晶質Ｓｉ：Ｈ膜を製造するプラズマＣＶＤ方法において、被覆もしくは処理を被覆ガスもしくは処理ガスの連続的流れで及びプラズマを励起するパルス化した電磁ビ−ムで実施し、２．５４ＧＨｚのマイクロ波ビ−ムの励起周波数を使用し、電磁ビ−ムのパルスのパルス継続期間を≧０．１ｍｓに設定し、電磁ビ−ムの２つのパルスの間のパルス休止期間を≦２００ｍｓに設定し、基板温度が２００℃を上回らないことを特徴とする、薄膜太陽電池の構成成分用微結晶質Ｓｉ：Ｈ膜を製造するためのプラズマ活性化ＣＶＤ方法。
【請求項２】
それぞれ１〜５０のアモルファスＳｉ：Ｈ膜からなるアモルファスＳｉ：Ｈ膜を堆積させる請求項１記載の方法。
【請求項３】
それぞれ１つの０．１〜５ｎｍの薄いアモルファスＳｉ：Ｈ膜を堆積させかつ変換させる請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
パルス化した水素プラズマでの処理継続時間を３０秒までに設定する請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
基板上に総計５０００ｎｍまでの厚さの微結晶質Ｓｉ：Ｈ膜を製造する請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
プラズマをマイクロ波ビ−ムを用いて励起する請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
１５０ｍＷ／ｃｍ3〜１５００ｍＷ／ｃｍ3の平均マイクロ波ビ−ムを使用する請求項５記載の方法。
【請求項８】
少なくとも１種のＳｉ有機膜形成剤を含有するアモルファスＳｉ：Ｈ膜を堆積させる請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
被覆ガスとしてシラン、ＳｉＨ4又はクロルシランを使用する請求項８記載の方法。
【請求項１０】
被覆ガスに水素を添加する請求項８又は９記載の方法。
【請求項１１】
プロセス圧を０．１〜１ヘクトパスカルに設定する請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
各アモルファスＳｉ：Ｈ膜の後に被覆ガスを交換する請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
基板温度が１００℃を上回らない請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
基板温度が５０℃を上回らない請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
微結晶質Ｓｉ：Ｈ膜の導電率を１０-7Ｓ／ｃｍ〜１０Ｓ／cmに設定する請求項１から１４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１６】
ガラス、ガラスセラミック又はプラスチックからなる基板を使用する請求項１から１５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１７】
基板が透明な導電性膜を備えている請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
透明な導電性膜がＩＴ０膜、ド−ピングされたＳｎＯ2膜又はド−ピングされたＺｎＯ膜である請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
請求項１から１８までのいずれか１項記載のプラズマ活性化ＣＶＤ方法で基板に微結晶質Ｓｉ：Ｈ膜を製造する装置において、装置の内部表面に微結晶質Ｓｉ：Ｈ膜の製造前にアモルファスＳｉ：Ｈ膜が堆積されていることを特徴とする薄膜太陽電池の構成成分用微結晶質Ｓｉ：Ｈ膜を製造するためのプラズマ活性化ＣＶＤ装置。
【請求項２０】
基板上の請求項１から１８までのいずれか１項の記載に基づき製造されたＳｉ：Ｈ膜の、薄膜太陽電池の構成成分としての使用。
【請求項２１】
基板上の請求項１から１８までのいずれか１項の記載に基づき製造されたＳｉ：Ｈ膜の、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の構成成分としての使用。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は、基板上に薄膜太陽電池の構成成分用微結晶質ＳＩ：Ｈ膜を製造するためのプラズマ活性化ＣＶＤ方法及び装置並びにその特に薄膜太陽電池としての使用に関する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
このことから出発して、本発明が解決しようとする課題は、アモルファスＳｉ：Ｈ膜を水素プラズマで処理することにより微結晶質Ｓｉ：Ｈ膜が製造される、基板上に薄膜太陽電池の構成成分用微結晶質Ｓｉ：Ｈ膜を製造するためのプラズマＣＶＤ法及びプラズマＣＶＤ装置を提供することである。この場合、廉価に高い堆積速度で、基板上に高価な微結晶質Ｓｉ：Ｈ膜を製造を製造することを目的とする。膜厚さ及び組成は制御して調整及び調節可能であるべきあり、製造は基板の可能な限り低い加熱で行われるべきである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
前記課題を解決するために、本発明によれば請求項１記載に基づき、ステップ：
１．１  基板に少なくとも１つのアモルファスＳｉ：Ｈ薄膜をプラズマアシステッドＣＶＤ被覆する、
１．２  水素プラズマを用いてアモルファスＳｉ：Ｈ膜をプラズマアシステッド処理し、その際アモルファスＳｉ：Ｈ膜を微結晶質Ｓｉ：Ｈ膜に変換させる、及び
１．３  場合によりステップ１．１及び１．２を繰り返す
からなる、基板に薄膜太陽電池の構成成分用微結晶質Ｓｉ：Ｈ膜を製造するプラズマＣＶＤ方法において、被覆もしくは処理を被覆ガスもしくは処理ガスの連続的流れで及びプラズマを励起するパルス化した電磁ビ−ムで実施し、２．５４ＧＨｚのマイクロ波ビ−ムの励起周波数を使用し、電磁ビ−ムのパルスのパルス継続期間を≧０．１ｍｓに設定し、電磁ビ−ムの２つのパルスの間のパルス休止期間を≦２００ｍｓに設定し、基板温度が２００℃を上回らないことを特徴とする前記方法を提供する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
装置に関しては、請求項１９記載の装置により解決され、該装置は、プラズマＣＶＤ法で基板に薄膜太陽電池の構成成分用微結晶質Ｓｉ：Ｈ膜を製造する装置において、装置の内部表面、特に堆積室の内部表面に微結晶質Ｓｉ：Ｈ膜の製造前にアモルファスＳｉ：Ｈ膜が堆積されていることを特徴とする。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
本発明を以下の実施例及び図面により詳細に説明する：
プラズマＣＶＤ法で基板上に薄膜太陽電池の構成成分用μｃ−Ｓｉ：Ｈ膜を製造するための本発明による装置を、堆積室（反応器）の内部表面にａ−Ｓｉ：Ｈ膜がパルス誘導されて堆積されるように前状態調節した。その際に、堆積室内に、数１０ｎｍ、有利には数１００ｎｍを有するａ−Ｓｉ：Ｈ膜を付着させた。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年4月28日(2009.4.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
担体は広範囲の材料をベースとするものでよい。この種の材料は天然または人工の無機材料であってもよく、これらは耐火材料、炭化ケイ素、粘土、ゼオライト、木炭、また炭酸カルシウム等のアルカリ土類金属炭酸塩を含んでいてもよい。アルミナ、マグネシア、ジルコンおよびシリカのような耐火材料が好ましい。最も好ましい材料はα−アルミナである。一般的には、担体は少なくとも８５重量％、さらに一般的には９０重量％、特に９５重量％のα−アルミナ、多くの場合９９．９重量％までのα−アルミナを含む。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年1月21日(2009.1.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非植物毒性物質と反応して植物毒性物質を生成する1つ以上の酵素をコードするポリヌクレオチドで、植物材料を形質転換し、そしてこうして形質転換された材料を植物に再生させる工程を含む雄不稔性又は雌不稔性植物の製造方法であって、前記非植物毒性物質を雄性又は雌性配偶子の形成時及び/又は成熟時まで該植物に適用し、これにより該非植物毒性物質が、前記配偶子の形成を選択的に妨げるか、或いは前記配偶子を選択的に無機能性にする植物毒性物質の生成を可能にし、ここで、当該酵素が、雄性又は雌性の生殖構造内で優先的に発現される形式のものにおいて、
(i)  該非植物毒性物質が、Ｄ−ホスフィノスリシンであり、そして(ii）当該酵素が、Ｄ−アミノ酸オキシダーゼであることを特徴とする、雄性不稔性又は雌性不稔性植物の製造方法。
【請求項２】
前記非植物毒性物質が、毒性緩和剤、殺配偶子剤、グルタチオン-S-トランスフェラーゼ誘発剤、シトクロムP450誘発剤、除草剤、肥料、抗線虫剤、共力剤、殺虫剤、殺菌剤、ホルモン、植物成長調整剤及びシトクロムP450阻害剤から成る群から選択された1つ以上の更なる物質とともに、混合物で適用される、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記非植物毒性物質が葉に適用される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記酵素が、ロドトルラ・グラシリス(Rhodotorula gracilis)から得ることができる突然変異型D-アミノ酸オキシダーゼであって、野生型配列と比較すると213及び/又は238位に置換を含む、突然変異型Ｄ−アミノ酸オキシダーゼである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ロドトルラから得ることができる前記オキシダーゼが、Arg, Lys, Ser, Cys, Asn及びAlaから成る群から選択されたアミノ酸を213位に有し、且つ/又は、His, Ser, Cys, Asn及びAlaから成る群から選択されたアミノ酸を238位に有する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記非植物毒性物質が、植物毒性物質を含有する混合物中に含まれる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記酵素が、ロドトルラ・グラシリスから得ることができる突然変異型D-アミノ酸オキシダーゼであって、野生型配列と比較すると213位及び/又は238位に置換を含む、突然変異型Ｄ−アミノ酸オキシダーゼである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ロドトルラから得ることができる前記オキシダーゼが、Arg, Lys, Ser, Cys, Asn及びAlaから成る群から選択されたアミノ酸を213位に有し、且つ/又は、His, Ser, Cys, Asn及びAlaから成る群から選択されたアミノ酸を238位に有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記混合物がD及びL両方のホスフィノスリシンを含み、前記植物材料が、PAT遺伝子を、実質的に緑色組織においてのみ発現させる、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記植物がタバコ植物である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記Ｄ−αアミノ酸オキシダーゼが、真菌由来である、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＰＡＴ遺伝子が、無機能性とされる配偶子以外の配偶子を産生する花組織において発現される、請求項９に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９５】
実施例1と同様に、この実施例の1変更形の場合、適用されるアミノ酸は、ラセミDLホスフィノスライシンである。この場合、形質転換に使用されるDNA構造は、組織特異的雄性花プロモーター領域、例えば「TA29」の操作可能な発現制御下でD-アミノ酸オキシダーゼをコードするDNA配列に加えて、プロモーター領域、例えばプシウム・サチバム遺伝子に由来するプロモーター領域(この場合、プシウム・サチバム プラストシアニン遺伝子に由来する領域)の操作可能な制御下で、ホスフィノスライシンN-アセチル・トランスフェラーゼ遺伝子、例えば「PAT」遺伝子をコードするDNA配列をも含む。DLホスフィノスライシンの適切な噴霧タイミング、及び250g/ha〜5kg/haの率で、処理済植物は肉眼に見えるような損傷を受けないが、しかし、正常又は正常に近い雌稔性を残しつつ、条件付き雄不稔性にさせられる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０８】
DL ホスフィノスライシンの適用に応じて条件付き雌不稔性である雄性同系繁殖親の穀物又は稲植物を提供するのに適した第2のDNA構造は、3つの遺伝子A), D)及びF)を含む。A)は、大麦プラストシアニン遺伝子に由来するプロモーター領域の操作可能な制御下でL-ホスフィノスライシンをN-アセチル化することができるPAT酵素をコードするDNA配列と、好適なターミネーター、例えばnos又は35S遺伝子に由来するターミネーターとから成り、D)は、最初の配列と類似しているがしかしこの場合、ここでは同じ組織に対して特異的な雄性花プロモーター領域(例えば実施例5に記載されたSGB6又はRA8)の操作可能な制御下にあるPATコード配列と、好適なターミネーターとから成り、F)は、実施例1, 2, 12及び13に記載されているような好適なDAMOX、例えば構造1において使用されるような、同じ組織に対して特異的な雌性花プロモーター領域(例えば実施例4に記載されているP19又はP26)の操作可能な制御下で、位置213においてメチオニンを置換するアルギニン、セリン、システイン、リシン、アスパラギン又はアラニンを有し、且つ/又は、位置238においてチロシンを置換するヒスチジン、セリン、システイン、アスパラギン又はアラニンを有するロドトルラ・グラシリス Dアミノ酸オキシダーゼの突然変異形をコードする好適なDAMOXと、好適なターミネーター領域とから成る。この構造を、前述の実施例によって情報提供された、当業者には標準的な方法を用いて集成する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年6月29日(2009.6.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）配列番号４の連続アミノ酸残基１０−３０に含有されるｐ２１−活性化キナーゼ５  ＧＴＰａｓｅ結合ドメインをコードし、配列番号４の連続アミノ酸残基４５２−７０２をコードするが、ＰＡＫ５制御ドメインをコードしない；または
（ｂ）配列番号４の連続アミノ酸残基４５２−７０２に含有されるｐ２１−活性化キナーゼ５  キナーゼドメインをコードするが、配列番号４の連続アミノ酸残基１０−３０もＰＡＫ５制御ドメインもコードしない、
単離された核酸。
【請求項２】
前記単離された核酸が、配列番号４の連続アミノ酸残基１０−３０に含有されるｐ２１−活性化キナーゼ５  ＧＴＰａｓｅ結合ドメインをコードし、配列番号４の連続アミノ酸残基４５２−７０２をコードする、請求項１に記載の単離された核酸。
【請求項３】
前記単離された核酸が、配列番号４の連続アミノ酸残基４５２−７０２に含有されるｐ２１−活性化キナーゼ５  キナーゼドメインをコードするが、配列番号４の連続アミノ酸残基１０−３０をコードしない、請求項１に記載の単離された核酸。
【請求項４】
外来制御要素に作用可能に連結された、請求項１−３の何れか１項に記載の単離された核酸。
【請求項５】
前記核酸がＤＮＡである、請求項１−４の何れか１項に記載の核酸。
【請求項６】
前記核酸がＲＮＡである、請求項１−４の何れか１項に記載の核酸。
【請求項７】
請求項１−６の何れか１項に記載の核酸を含むベクター。
【請求項８】
前記ベクターが、プラスミド、コスミド、バクテリオファージまたは真核生物ウイルスである、請求項７に記載のベクター。
【請求項９】
前記ベクターが真核生物ウイルスである、請求項８に記載のベクター。
【請求項１０】
前記真核生物ウイルスが、アデノウイルス又はレトロウイルスである、請求項９に記載のベクター。
【請求項１１】
請求項１−６の何れか１項に記載の核酸または請求項７−１０の何れか１項に記載のベクターを含む宿主細胞。
【請求項１２】
前記細胞が、細菌細胞、真菌細胞または動物細胞である、請求項１１に記載の宿主細胞。
【請求項１３】
前記細胞が動物細胞である、請求項１２に記載の宿主細胞。
【請求項１４】
前記動物細胞が、神経細胞、上皮細胞、筋肉細胞、血液細胞、免疫細胞、幹細胞、骨細胞または内皮細胞である、請求項１３に記載の宿主細胞。
【請求項１５】
請求項１−６の何れか１項に記載の核酸と薬学的に許容される担体とを含む組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
第二の核酸は、哺乳類のＰＡＫ５  ＧＴＰａｓｅ結合ドメインをコードするが、哺乳類のＰＡＫ５キナーゼドメイも哺乳類のＰＡＫ５制御ドメインもコードしない配列を含む。
第三の核酸は、哺乳類のＰＡＫ５キナーゼドメインをコードするが、哺乳類のＰＡＫ５  ＧＴＰａｓｅ結合ドメインも哺乳類のＰＡＫ５制御ドメインもコードしない配列を含む。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
第四の核酸は、哺乳類のＰＡＫ５制御ドメインをコードするが、哺乳類のＰＡＫ５  ＧＴＰａｓｅ結合ドメインも哺乳類のＰＡＫ５キナーゼドメインもコードしない配列を含む。
第五の核酸は、哺乳類のＰＡＫ５  ＧＴＰａｓｅ結合ドメインと哺乳類のＰＡＫ５制御ドメインをコードするが、哺乳類のＰＡＫ５キナーゼドメインをコードしない配列を含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
本発明は、前記核酸とタンパク質を用いて細胞に作用を及ぼす方法を提供する。便宜上、以下の核酸及びタンパク質を「誘導因子」と総称する。（ａ）哺乳類のＰＡＫ５キナーゼドメインをコードするが、哺乳類のＰＡＫ５  ＧＴＰａｓｅ結合ドメインも哺乳類のＰＡＫ５制御ドメインもコードしない配列を含む第一の核酸、（ｂ）前記第六、第九、及び第十の核酸、（ｃ）（ａ）の核酸によってコードされるタンパク質、（ｄ）第六の核酸によってコードされるタンパク質。さらに、便宜上、以下の核酸及びタンパク質を「阻害因子」と総称する。（ａ）（ｉ）哺乳類のＰＡＫ５  ＧＴＰａｓｅ結合ドメインをコードするが、哺乳類のＰＡＫ５キナーゼドメインも哺乳類のＰＡＫ５制御ドメインもコードしない配列、又は（ｉｉ）哺乳類のＰＡＫ５制御ドメインをコードするが、哺乳類のＰＡＫ５  ＧＴＰａｓｅ結合ドメインも哺乳類のＰＡＫ５キナーゼドメインもコードしない配列を含む第一の核酸、（ｂ）前記第五、第七、及び第八の核酸、（ｃ）（ａ）の核酸によってコードされるタンパク質、及び（ｄ）第五、第七、及び第八の核酸によってコードされるタンパク質。本明細書において、このような因子を含んだ組成物は、適宜、「誘導」又は「阻害組成物」と称する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年8月17日(2009.8.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０４４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０４４８】
しかして、本発明の下記の化合物による試験を実施した。
・ｔｒａｎｓ−３−オキソ−４−（スルホオキシ）−２，３，４，５−テトラヒドロ−２，５−メタノ−１Ｈ−２，４−ベンゾジアゼピン−１−カルボキサミドのナトリウム塩、
・３−メチル−５−（スルホオキシ）−５，６，７，８−テトラヒドロ−４，７−メタノ−４Ｈ−［１，２，３］トリアゾロ［４，５−ｅ］［１，３］ジアゼピン−６（３Ｈ）−オンのナトリウム塩、
・ｔｒａｎｓ−１−メチル−６−オキソ−５−（スルホオキシ）−４，５，６，８−テトラヒドロ−４，７−メタノ−１Ｈ−ピラゾロ［３，４−ｅ］［１，３］ジアゼピン−８（７Ｈ）−カルボキサミドのナトリウム塩、
・ｔｒａｎｓ−Ｎ−メチル−３−オキソ−４−（スルホオキシ）−２，３，４，５−テトラヒドロ−２，５−メタノ−１Ｈ−２，４−ベンゾジアゼピン−１−カルボキサミドのナトリウム塩、
・５−（スルホオキシ）−５，６，７，８−テトラヒドロ−４，７−メタノ−４Ｈ−フロ［２，３−ｅ］［１，３］ジアゼピン−６−オンのナトリウム塩、
・１−プロピル−５−（スルホオキシ）−４，５，７，８−テトラヒドロ−４，７−メタノイミダゾ［４，５−ｅ］［１，３］ジアゼピン−６（１Ｈ）−オンのピリジニウム塩、
・ｔｒａｎｓ−６−オキソ−５−（スルホオキシ）−５，６，７，８−テトラヒドロ−４，７−メタノ−４Ｈ−フロ［２，３−ｅ］［１，３］ジアゼピン−８−カルボン酸メチルのナトリウム塩、
・１−メチル−５−（スルホオキシ）−５，６，７，８−テトラヒドロ−４，７−メタノ−４Ｈ−ピラゾロ［３，４−ｅ］［１，３］ジアゼピン−６（１Ｈ）−オンのナトリウム塩、
・ｔｒａｎｓ−３−オキソ−Ｎ−（４−ピリジニルメチル）−４−（スルホオキシ）−２，３，４，５−テトラヒドロ−２，５−メタノ−１Ｈ−２，４−ベンゾジアゼピン−１−カルボキサミドのナトリウム塩、
・ｔｒａｎｓ−６−オキソ−５−（スルホオキシ）−５，６，７，８−テトラヒドロ−４，７−メタノ−４Ｈ−チエノ［２，３−ｅ］［１，３］ジアゼピン−８−カルボキサミドのナトリウム塩、
・ｔｒａｎｓ−６−オキソ−５−（スルホオキシ）−５，６，７，８−テトラヒドロ−４，７−メタノ−４Ｈ−フロ［２，３−ｅ］［１，３］ジアゼピン−８−カルボキサミドのナトリウム塩。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年12月25日(2008.12.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項８】
前記順位付けが、少なくとも幾分か前記素子の入手可能性に依存している請求項２記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
集合データベース３０４は、更新及び／或いは多くの手法で拡張される。例えば、サプライヤ（１−ｎ）が調達データのいくつか（価格、入手可能性など）及び／或いはサプライヤが供給する素子に関連する工学データ（パッケージング、フットプリントなど）を更新することが可能である。加えて、企業の材料決定支援システム（material decision support system：ＭＤＳＳ）３０８は、企業の事業リソース計画（enterprise resource planning）(ＥＲＰ)及びサプライチェーン３１０からのフィードバックに基づいており、集合データベース３０４内で調達データを更新及び／又は拡張することが可能である（例えば、新規の製造業者、好適なベンダ状況、ディスカウントなど）。更に、ＤＦｘ／予測モデリング工程３１２はデータベース３０４内で工学データを更新及び／或いは拡張することが可能である。ＤＦｘ／予測モデリング工程３１２はＰＣＢ組立工程３１４からのフィードバックに基づいている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
図４は、サプライチェーン（調達）データ及び工学データの設計者のデスクトップへの供給を示すブロック線図である。電子素子の集合データベース４０２はサプライチェーン・データ４０４、個人の工学データ４０６及び公共の工学データ４０８を備える。サプライチェーン・データ４０４は電子素子に関連する調達データを備える。該調達データは、価格、製造、製造者優先度、素子の入手可能性、納期、ＡＭＬ度数（AML Frequency）や需要に限定されるものではない。サプライチェーン・データ４０４の大部分は内部で拡張され、企業のビジネス関係に依存する。しかしながら、いくつかのサプライチェーン・データ（例えば、標準価格テーブルなど）は公共のソースから利用可能であってもよい。本発明の本実施形態において、サプライチェーン・データ４０４は企業ＭＤＳＳ４１０から集合データベース４０２に提供される。個人の工学データ４０６は、エリア、フットプリント、ピンアウト、パラメータ・データ、部品形状などの素子に関連するデータを備えるが、これに限定されるものではない。公共の工学データ４０８は個人の工学データ４０６と同様のデータを備えるが、公共の工学データ４０８は１若しくはそれ以上の公共データベース４１２により提供される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年11月28日(2008.11.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つ以上のタンパク質モチーフをコード化した親一本鎖ポリヌクレオチドから、ポリヌクレオチド或いはポリヌクレオチドの集団を生成する方法であって、
a）親ポリヌクレオチドのプラス鎖を構成する一本鎖DNAとマイナス鎖を構成する一本鎖DNAとを準備する工程と；
b）前記プラス鎖とマイナス鎖とをエキソヌクレアーゼで別々に消化して、別々のプラス鎖一本鎖フラグメント集団とマイナス鎖一本鎖フラグメント集団とを生成する工程と；
c）前記プラス鎖から生成された前記フラグメントを前記マイナス鎖から生成された前記フラグメントに接触させる工程と、場合によっては、少なくとも一つの親ポリヌクレオチドの3'末端と5'末端にアニーリング条件下でアニールするプライマーを加える工程と；
d）前記親ポリヌクレオチドによりコード化された前記一つ以上のタンパク質モチーフに比較して改変された特徴を持つ一つ以上のタンパク質モチーフをコード化した少なくとも一つのポリヌクレオチドを生成するために、互いにアニールする前記フラグメントを増幅する工程と、を有する方法。
【請求項２】
前記エキソヌクレアーゼが、BAL31、エキソヌクレアーゼI、エキソヌクレアーゼV、エキソヌクレアーゼVII、及びエキソヌクレアーゼRec Jfからなる群から選択される請求項1記載の方法。
【請求項３】
前記エキソヌクレアーゼがBAL31である、請求項2記載の方法。
【請求項４】
一つのまたは複数の親ポリヌクレオチドが突然変異誘発を受けている、請求項1、2又は3のいずれか1項に記載の方法。
【請求項５】
工程b）において生成した前記フラグメント集団が突然変異誘発を受けている、請求項1記載の方法。
【請求項６】
前記突然変異誘発がエラー・プロウンPCRである、請求項4又は5に記載の方法。
【請求項７】
工程b）が、異なる長さの一本鎖フラグメントの集団を生成するために実施される、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の方法。
【請求項８】
工程b）が、約50のヌクレオチド以上の平均長を持つ一本鎖フラグメントの集団を生成するために制御される、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
前記コード化されたポリペプチドを産出するために、工程ｄ）で生成した少なくとも1つのポリヌクレオチドを発現する工程を有する、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１０】
前記コード化されたポリペプチドを所望の特性に関して試験する工程を有する、請求項9記載の方法。
【請求項１１】
前記親ポリヌクレオチドが抗体あるいはその抗体フラグメントをコード化する、請求項1乃至10のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１２】
前記親ポリヌクレオチドが酵素をコード化する、請求項1乃至10のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１３】
前記親ポリヌクレオチドが抗原をコード化する、請求項1乃至10のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１４】
請求項1乃至13のいずれか1項に記載の方法に従って所望の特性を持つポリヌクレオチドを同定した後に、前記ポリヌクレオチドを試料中の標的ポリヌクレオチドの検出及び/或いは増幅に使用することを有する方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年12月26日(2008.12.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  組換え線維芽細胞成長因子７（ＦＧＦ７）を含むアフィニティーマトリックスを抗凝血性ヘパリンまたは抗凝血性ヘパラン硫酸を含む混合物と接触させること、および
結合した材料から結合していない材料を分離することを含む、抗凝血性ヘパリンまたは抗凝血性ヘパラン硫酸を単離する方法。
【請求項２】  ＦＧＦ７が融合タンパク質に含まれている請求項１に記載の方法。
【請求項３】  融合タンパク質がグルタチオン−Ｓ−トランスフェラーゼ−ＦＧＦ７融合タンパク質である請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記混合物が、抗凝血性でないヘパリンをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記混合物が粗ヘパリンを含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記混合物が低分子量ヘパリンを含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】  前記混合物が抗凝血性薬剤である請求項１に記載の方法。
【請求項８】  ＦＧＦ７が、支持体に固定化されている請求項１に記載の方法。
【請求項９】  支持体がアガロースである請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  吸着していない材料を溶出させることによって、結合した材料から結合していない材料を分離する請求項１に記載の方法。
【請求項１１】  前記抗凝血性ヘパリンを回収することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】  前記抗凝血性ヘパリンを溶出させることをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１３】  組換え線維芽細胞成長因子７（ＦＧＦ７）を含むアフィニティーマトリックスを、抗凝血性ヘパリンまたは抗凝血性ヘパラン硫酸および抗凝血性でないヘパリンまたは抗凝血性でないヘパラン硫酸を含む混合物と接触させること、
結合していない材料をアフィニティーマトリックスから溶出させることによって、結合していない材料を結合した材料から分離すること、および
結合した材料をアフィニティーマトリックスから脱着させて溶出させることを含む、抗凝血性でないヘパリンまたは抗凝血性でないヘパラン硫酸から抗凝血性ヘパリンまたは抗凝血性ヘパラン硫酸を分離する方法。
【請求項１４】  支持体に固定化させた組換え線維芽細胞成長因子７（ＦＧＦ７）を含み、固定化させたＦＧＦ７が固定化されていない線維芽細胞成長因子７（ＦＧＦ７）のヘパリン結合特異性を保持している、抗凝血性ヘパリンまたは抗凝血性ヘパラン硫酸を単離するためのアフィニティーマトリックス。
【請求項１５】  ＦＧＦ７が融合タンパク質に含まれている請求項１４に記載のマトリックス。
【請求項１６】  融合タンパク質がグルタチオン−Ｓ−トランスフェラーゼ−ＦＧＦ７融合タンパク質である請求項１５に記載のマトリックス。
【請求項１７】  前記支持体がアガロースである請求項１４に記載のマトリックス。
【請求項１８】  組換え線維芽細胞成長因子７（ＦＧＦ７）を準備すること、およびＦＧＦ７を支持体に固定化させることを含む、抗凝血性ヘパリンまたは抗凝血性ヘパラン硫酸を単離するためのアフィニティーマトリックスを調製する方法。
【請求項１９】  ＦＧＦ７が融合タンパク質に含まれている請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】  融合タンパク質がグルタチオン−Ｓ−トランスフェラーゼ−ＦＧＦ７融合タンパク質である請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】  前記支持体がアガロースである請求項１８に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０３】
ＦＧＦ７のＮ末端に可溶性かつ生産能が高い融合パートナーであるグルタチオン−Ｓ−トランスフェラーゼ（ＧＳＴ）を融合させた場合、生物学的活性を保持した約３．２ｍｇ／ｍｌのＦＧＦ７収量が細菌内で生成された。単独での発現は、免疫反応によってほとんど検出できないレベルであった。純粋な融合タンパク質は、グルタチオン（ＧＳＨ）およびヘパリンアフィニティーマトリックスで続いて行ったクロマトグラフィーによって得られた（Ｌｕｏ他、１９９８、Ｌｕ他、１９９９、Ｊａｎｇ他、１９９７）。このことは、ＦＧＦ７のＮ末端は柔軟であり、コンパクトなコア構造の外にあり、ヘパリン結合ドメインが柔軟なＮ末端から離れていることを示す、ＦＧＦ７結晶構造と矛盾しない。ＦＧＦ７自体は、単純に、ｉｎ  ｖｉｖｏの切断現象を模倣するトリプシン消化を行うことによって放出された（Ｌｕｏ他、１９９８、Ｌｕ他、１９９９、Ｊａｎｇ他、１９９７）。図１は、ＧＳＴ−ＦＧＦ７および融合体から単離されたＦＧＦ７が両方とも約０．９Ｍ塩化ナトリウムで溶出され、ほとんど同じヘパリン結合アフィニティーを有することを表す。このことは、ＧＳＴの導入がＦＧＦ７のヘパリン結合能力に作用しないことを示す（図１）。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年10月21日(2009.10.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
活性のプラズマガスを使用したプラズマアークでは、高い熱電子放射率を持った材質のインサートを備えた銅製の電極を使用するのが一般的である。インサートはインサートの端の面が放射面を画定し、露出するように、電極の端の底部にプレスばめ（press fit）される。インサートは通常、ハフニウムかジルコニウムから作られ、円柱状の形状をしている。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
従来の円柱形のインサートは意図したとおりに動作するが、製造者はそのような電極の、特に高電流の処理に対する、耐用期間を改善しようと努力している。したがって、本発明の基本的な目的は電極の耐用期間を改善する、インサート構造を持った電極を提供することである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
（発明の要約）
本発明の基本となる発見は、いくつかの本質的な制限が従来の円柱形のインサートのデザインに由来するということである。これらの制限は、特に高電流の処理の、電極の耐用期間を制限する。従来の円柱形のインサートでは、高い電流容量の動作に対して放射面の寸法は増大されてきた。しかしながら、高い熱電子放射率のインサートは電極本体に比べて低い熱伝導性を持つ。（例えば、ハフニウムは銅の熱伝導率の約５％の熱伝導率を持つ。）これはインサートの中心から熱を（放熱器として振舞う）電極の周りの部分へ除去することを難しくしている。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年6月22日(2009.6.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ラジアルカーカス補強体（１）をクラウン補強体で半径方向に覆い、クラウン補強体をトレッドで半径方向に覆い、トレッドを２つのサイドウォール部（５）により２つのビードＢに連結して形成したタイヤであって、各ビードには固定用ビードワイヤが設けられておらず、カーカス補強体（１）が一方のビードＢから他方のビードに延びているタイヤにおいて、各ビードは、軸方向に互いに近接した４つの補強層（21,31,32,22）を形成するよう折り返された少なくとも２枚のプライ（2,3）を有するアーマチュアＲによって補強され、各補強層は、各層内において互いに平行であって、周方向と０°＜α≦１０°であるような角度αをなす補強要素を含み、２つの軸方向に見て最も内側の補強層（21,31）は、一つの層（21）と次の層（31）とで互いに平行な要素で構成され、軸方向に見てアーマチュアの中心に位置した２つの補強層（31,32）は、一つの層（31）と次の層（32）とで互いに交差された補強要素で構成され、補強層（21,31,32,22 ）の組合せＲは、周方向で測定して、同一サイズの従来型タイヤのビードワイヤに必要な強度に少なくとも等しい引張破断強度を有し、補強層（21,31,32,22 ）は、ビード内で互いに異なる高さＨ21，Ｈ22，Ｈ31，Ｈ32のところに位置した半径方向端部を有しており、少なくとも２つの補強要素の層から成っていて、かつタイヤの回転軸線を中心とする２つの円形平行線間に位置したビードＢの補強アーマチュアＲの任意の環状ストリップが、一つの層と次の層とでは互いに交差した少なくとも２つの補強要素層で形成されるようになっていることを特徴とするタイヤ。
【請求項２】  ビードＢは、周方向の引張破断強度がこれと同一方向に測定した補強アーマチュアＲの引張破断強度よりも相当低い環状要素（20）を有し、前記環状要素（20）の軸線は、タイヤの回転軸線に一致していることを特徴とする請求項１記載のタイヤ。
【請求項３】  カーカス補強体（１）の各縁部は、ターンアップの有無にかかわらず２つの軸方向内側層と２つの軸方向外側層との間に軸方向に保持されていることを特徴とする請求項１又は２記載のタイヤ。
【請求項４】  カーカス補強体（１）は、ビードＢの補強アーマチュアＲの半径方向下端部に巻き付けられていることを特徴とする請求項１又は２記載のタイヤ。
【請求項５】  カーカス補強体（１）のターンアップ（10）は、２つの軸方向外側層相互間に挿入され、これに対応するカーカス補強体の大部分は、２つの軸方向内側層相互間に挿入されていることを特徴とする請求項１又は２記載のタイヤ。
【請求項６】  取付けリムに接触するよう設計されているビードの部分を、タイヤの装着時に少なくともリムフックの領域について外側から且つ少なくとも軸方向に覆う部分（４）は、加硫状態では動的損失弾性率Ｇ″が１未満のゴム配合物から成り、Ｇ″は、ＭPa（メガパスカル）で表され、前記動的損失弾性率は、１０％剪断率、５０℃の温度及び１０Ｈｚの振動数で測定され、前記部分（４）の厚さは、高々２mmであることを特徴とする請求項１〜５のうち何れか一に記載のタイヤ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明のタイヤは、ラジアルカーカス補強体をクラウン補強体で半径方向に覆い、クラウン補強体をトレッドで半径方向に覆い、トレッドを２つのサイドウォール部により２つのビードに連結して形成したものであり、各ビードには固定用ビードワイヤが設けられておらず、カーカス補強体が、一方のビードから他方のビードに延びており、各ビードは、軸方向に互いに近接した４つの補強層を形成するよう折り返された少なくとも２枚のプライを有するアーマチュアによって補強され、各補強層は、各層内において互いに平行であって、周方向と０°＜α≦１０°であるような角度αをなす補強要素を含み、２つの軸方向に見て最も内側の補強層は、一つの層と次の層とで互いに平行な要素で構成され、軸方向に見てアーマチュアの中心に位置した２つの補強層は、一つの層と次の層とで互いに交差された補強要素で構成され、補強層の組合せＲは、周方向で測定して、同一サイズの従来型タイヤのビードワイヤに必要な強度に少なくとも等しい引張破断強度を有し、補強層は、ビード内で互いに異なる高さのところに位置した半径方向端部を有しており、少なくとも２つの補強要素の層から成っていて、かつタイヤの回転軸線を中心とする２つの円形平行線間に位置したビードの補強アーマチュアの任意の環状ストリップが、一つの層と次の層とでは互いに交差した少なくとも２つの補強要素層で形成されるようになっていることを特徴とする。