【手続補正書】
【提出日】平成21年6月8日(2009.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  処理室内の処理領域の外の領域における不必要なプラズマ形成を最小にするプラズマ閉じ込め機構であって、
前記処理領域の周辺近傍に位置し、電気的に接地されると共に前記処理領域に対して露出された伝導性表面を含む第１閉じ込め要素と、
前記処理領域の周辺近傍に位置し、露出された絶縁表面を含む第２閉じ込め要素であって、前記露出された絶縁表面は、電気的に接地された非露出伝導性コアを少なくとも部分的に覆うように構成され、前記第２閉じ込め要素は、前記閉じ込め要素の内の一方が前記処理室の上部に配置されると共に他方が前記処理室の下部に配置されるように前記第１閉じ込め要素から距離を置かれている第２閉じ込め要素と、
を備え、
前記第１閉じ込め要素および前記第２閉じ込め要素は、それらの間を通るプラズマ形成要素の効果を実質的に低減するプラズマ閉じ込め機構。
【請求項２】  請求項１に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、
絶縁材料から形成され、前記第１閉じ込め要素および前記第２閉じ込め要素の間に配置され、前記処理領域の前記周辺近傍にある第３閉じ込め要素をさらに含み、
前記第３閉じ込め要素は、処理領域の内部にプラズマを物理的に含み、前記第１閉じ込め要素および前記第２閉じ込め要素の間を通るプラズマ形成要素の効果を実質的に低減する、プラズマ閉じ込め機構。
【請求項３】  請求項２に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、前記第３閉じ込め要素は、前記処理領域の少なくとも一部を囲むリングであり、
前記第３閉じ込め要素は、前記プラズマを前記処理領域内に実質的に閉じ込めながらも、前記処理からの副生成物ガスが通れるように構成されるプラズマ閉じ込め機構。
【請求項４】  請求項１に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、前記プラズマ形成要素は帯電粒子または電界であるプラズマ閉じ込め機構。
【請求項５】  請求項４に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、
前記第１閉じ込め要素および前記第２閉じ込め要素は、帯電粒子を前記露出された伝導性表面に導き、それらを通して帯電粒子をグラウンドに吸い込むことによって前記処理領域の外の領域における帯電粒子の密度を低減するプラズマ閉じ込め機構。
【請求項６】  請求項４に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、前記第１閉じ込め要素および前記第２閉じ込め要素は、電界を前記接地された伝導性表面および前記接地された伝導性部分にそれぞれ引きつけることによって前記処理領域の外の領域における電界強度を低減するプラズマ閉じ込め機構。
【請求項７】  請求項１に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、前記第１閉じ込め要素は前記処理室の上部に配置され、前記第２閉じ込め要素は前記処理室の下部に配置されるプラズマ閉じ込め機構。
【請求項８】  請求項７に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、前記第１閉じ込め要素は上部電極を囲むリングであり、前記第２閉じ込め要素下部電極を囲むリングであり、前記上部および下部電極はプラズマの点火および維持に寄与する電界を発生するように構成されるプラズマ閉じ込め機構。
【請求項９】  請求項１に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、前記第１閉じ込め要素は前記処理室の下部に配置され、前記第２閉じ込め要素は前記処理室の上部に配置されるプラズマ閉じ込め機構。
【請求項１０】  請求項９に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、前記第１閉じ込め要素は底部電極を囲むリングであり、前記第２閉じ込め要素は上部電極を囲むリングであり、前記上部および底部電極はプラズマの点火および維持に寄与する電界を発生するように構成されるプラズマ閉じ込め機構。
【請求項１１】  請求項１に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、前記非露出伝導性コアはアルミから形成され、前記露出された絶縁表面は陽極酸化アルミから形成されるプラズマ閉じ込め機構。
【請求項１２】  請求項１に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、前記第１閉じ込め要素の前記伝導性表面は、前記処理中の前記処理室内のプラズマによるエッチングに実質的に耐えるか、または金属汚染に実質的に寄与しない電気的伝導性材料から形成されるプラズマ閉じ込め機構。
【請求項１３】  請求項１に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、前記露出された伝導性表面は、前記露出された絶縁表面が前記露出された伝導性表面と前記非露出伝導性コアとの間に配置されるように、前記露出された絶縁表面に対向するプラズマ閉じ込め機構。
【請求項１４】 請求項１に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、前記絶縁表面は、電子または陰イオンが、前記露出された伝導性表面と前記非露出伝導性コアとの間に捕捉されることを防止するプラズマ閉じ込め機構。
【請求項１５】 請求項１に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、前記接地および露出された伝導性表面、および、前記電気的に接地された非露出伝導性コアを覆う前記露出された絶縁表面は、ＲＦ電圧が前記処理室に印加された時に協働してそれらの間にＤＣ電位を形成し、前記ＤＣ電位が、前記接地および露出された伝導性表面に帯電粒子を導き、前記接地および露出された伝導性表面が、それを通して、前記導かれた帯電粒子をグラウンドに吸い込むことで、前記処理領域の外の領域における帯電粒子の密度を低減するプラズマ閉じ込め機構。
【請求項１６】 処理室内の処理領域の外の領域における不必要なプラズマ形成を最小にするプラズマ閉じ込め機構であって、
ワークピースの処理のためにプラズマが点火および維持される前記処理領域と、前記プラズマが必要ない前記処理領域の外の前記領域との間の境界に配置された第１閉じ込め要素であって、前記処理室内で前記処理領域に露出され、電気的に接地された伝導性部材を備える第１閉じ込め要素と、
処理のために前記プラズマが点火および維持される前記処理領域と、前記プラズマが必要ない前記処理領域の外の前記領域との間の前記境界に配置された第２閉じ込め要素と
を備え、
前記第２閉じ込め要素は、
前記処理室内で露出された絶縁部分と、
前記処理室内で露出されないように前記絶縁部分によって覆われ、電気的に接地された伝導性部分と
を備え、
前記第２閉じ込め要素は、前記第１閉じ込め要素から離間されていることで、それらの間に開放領域を形成し、前記開放領域は、前記処理領域から前記処理領域の外の前記領域に副生成物ガスを通しつつ、前記処理領域から前記処理領域の外の前記領域に帯電粒子または電界が通ることを実質的に防止し、
前記第１閉じ込め要素は、第１電極を囲むように構成された第１リングとして形成され、前記第２閉じ込め要素は、前記第１電極から離間され前記第１電極と平行な第２電極を囲むように構成された第２リングとして形成され、前記第１および第２電極は、それらの間に前記処理領域を定義すると共に、前記処理室の前記処理領域内で前記プラズマを点火および維持するのに十分な強さの電界を生成するよう構成されている
プラズマ閉じ込め機構。
【請求項１７】 請求項１６に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、さらに、
誘電体材料から形成され、前記第１および第２リングの間に配置される圧力制御リングを備え、前記圧力制御リングは、前記処理領域内にプラズマを物理的に閉じ込めつつ、処理ガスがその中を通れるように構成されているプラズマ閉じ込め機構。
【請求項１８】 請求項１６に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、前記露出された絶縁表面は、前記第２電極の上面と同じ高さにあるように構成されるプラズマ閉じ込め機構。
【請求項１９】 請求項１６に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、前記第１リングは、前記第１電極と前記処理室の室壁との間に配置されるよう構成されており、前記第２リングは、前記第２電極と前記処理室の前記室壁との間に配置されるよう構成されているプラズマ閉じ込め機構。
【請求項２０】 請求項１９に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、前記第１リングは、前記室壁から横方向に離間されていることにより、前記第１リングおよび前記室壁の間に開放領域を形成するプラズマ閉じ込め機構。
【請求項２１】 請求項１６に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、前記第１リングは内側リングおよび外側リングを含み、
前記内側リングは誘電体材料から形成され、前記第１電極および前記外側リングの間に配置されるよう構成され、
前記外側リングは前記第１リングの前記伝導性部材を含むプラズマ閉じ込め機構。
【請求項２２】 請求項１６に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、前記第２リングは内側リングおよび外側リングを含み、
前記内側リングは誘電体材料から形成され、前記第２電極および前記外側リングの間に配置されるよう構成され、
前記外側リングは前記伝導性部分および前記絶縁部分を含むプラズマ閉じ込め機構。
【請求項２３】 請求項１６に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、前記伝導性部分は前記処理室の一部であるプラズマ閉じ込め機構。
【請求項２４】 請求項１６に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、前記第１リングおよび前記第２リングは、前記処理室の軸について半径方向に延びるよう構成されており、前記第１リングの外側端部は前記第２リングの外側端部よりもさらに延びているプラズマ閉じ込め機構。
【請求項２５】 請求項１６に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、前記第１および第２閉じ込め要素は、前記処理領域および排気口の間に位置するよう構成されるプラズマ閉じ込め機構。
【請求項２６】 請求項１６に記載のプラズマ閉じ込め機構であって、前記第１閉じ込め要素の前記露出された伝導性部材および前記第２閉じ込め要素の前記露出された絶縁部分は、それぞれ、実質的に互いに平行で、ワークピースの処理のためにプラズマが点火および維持される前記処理領域と前記プラズマが必要ない前記処理領域の外の前記領域との間の前記境界と垂直である表面を備えるプラズマ閉じ込め機構。
【請求項２７】 処理室内の処理領域の外の領域における不必要なプラズマ形成を最小にするプラズマ閉じ込め機構であって、
電気的に接地されると共に前記処理領域に対して露出された伝導性表面を備えた第１閉じ込め要素であって、前記伝導性表面は、それを通して帯電粒子をグラウンドに吸い込むことで前記処理領域の外の領域における電界強度を低減し、さらに、電界を引き付けることで前記処理領域の外の領域における前記電界強度を低減するよう構成されている第１閉じ込め要素と、
電気的に接地された非露出伝導性コアを覆う露出された絶縁表面を備えた第２閉じ込め要素であって、前記絶縁表面は、前記非露出伝導性コアに帯電粒子が吸い込まれることを防止し、前記非露出伝導性コアは、電界を引き付けることで前記処理領域の外の領域における前記電解強度を低減するよう構成されている第２閉じ込め要素と
を備えるプラズマ閉じ込め機構。
【請求項２８】 基板を処理するプラズマリアクタであって、
室壁を持つ処理室と、
電界を発生させて、前記処理室内での前記処理のためのプラズマを点火し維持するよう構成された電極構成であって、前記構成は、第１電極と、前記第１電極から距離をおかれている第２電極とを有し、前記第１電極および前記第２電極はそれらの間に処理領域を定義する電極構成と、
請求項１ないし請求項２７のいずれかに記載のプラズア閉じ込め機構と
を備えるプラズマリアクタ。