【手続補正書】
【提出日】平成23年8月10日(2011.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化１】
2011089125.tif 000001
（式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は独立して、水素または直鎖状もしくは分岐したヒドロキシアルキル基である。）
のヒドロキシアルキルデンプンを、反応の前には酸化されていないその還元末端で式（ＩＩ）
Ｒ'−ＮＨ−Ｒ"      （ＩＩ）
｛式中、Ｒ'は水素または直鎖状アルキル基またはアルコキシ基であり、
Ｒ"は、−ＳＨ、−ＮＨ2、−Ｏ−ＮＨ2、−ＮＨ−Ｏ−アルキル、−（Ｃ＝Ｇ）−ＮＨ−ＮＨ2、−Ｇ−（Ｃ＝Ｇ）−ＮＨ−ＮＨ2、−ＮＨ−（Ｃ＝Ｇ）−ＮＨ−ＮＨ2、および−ＳＯ2−ＮＨ−ＮＨ2（式中、Ｇは、ＯまたはＳであり、２つ存在する場合は、Ｇは独立して、ＯまたはＳである。）からなる群から選択される少なくとも１つの官能基Ｘを含む。｝
の化合物と反応させる工程であって、化合物（ＩＩ）がヒドロキシルアミンであるか、
またはＲ"が、Ｒ'とＲ"とを架橋するＮＨ基に直接連結される少なくとも１つのさらなる官能基Ｗを含み、該Ｒ'とＲ"とを架橋するＮＨ基が、Ｗと一緒に以下の基：
【化２】
2011089125.tif 000002
（式中、Ｇは、ＯまたはＳであり、２つ存在する場合は、Ｇは独立して、ＯまたはＳである。）
の１つを形成し、化合物（ＩＩ）が、Ｒ'とＲ"とを架橋する前記ＮＨ基を介して式（Ｉ）の酸化されていない還元末端と反応する工程と、
化合物（ＩＩ）を、化合物（Ｉ）と化合物（ＩＩ）の反応前または反応後に前記官能基Ｘを介して架橋化合物と反応させる工程
を含むヒドロキシアルキルデンプン誘導体を生成する方法。
【請求項２】
前記ヒドロキシアルキルデンプンが、ヒドロキシエチルデンプンである請求項１に記載の方法。
【請求項３】
Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が独立して、水素または２−ヒドロキシエチル基である請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
Ｒ'が、水素またはメチル基もしくはメトキシ基である請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
Ｒ'が、水素である請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
式（ＩＩ）の化合物が、以下の化合物：
【化３】
2011089125.tif 000003
からなる群から選択される請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
式（ＩＩ）の化合物が、Ｏ−［２−（２−アミノオキシ−エトキシ）エチル］ヒドロキシルアミン
【化４】
2011089125.tif 000004
またはカルボヒドラジド
【化５】
2011089125.tif 000005
である請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
化合物（Ｉ）と化合物（ＩＩ）との反応が、水性溶媒中５〜４５℃の温度で、４．５〜６．５の範囲のｐＨで行われ、化合物（ＩＩ）がヒドロキシルアミンまたはヒドラジドである請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記架橋化合物が、架橋化合物に含まれる官能基Ｖを介して前記官能基Ｘと反応する請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
官能基Ｘまたは官能基Ｖが、チオ基であり、官能基Ｖまたは官能基Ｘが、下記基：
【化６】
2011089125.tif 000006
（式中、Ｈａｌは、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである。）
からなる群から選択される請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記官能基Ｖが、活性化エステル、または任意に活性化エステルに変換されるカルボキシ基からなる群から選択され、前記官能基Ｘが、化学構造−ＮＨ−を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記架橋化合物が、少なくとも２つの官能基を含むホモ二官能性またはヘテロ二官能性の架橋化合物であり、該架橋化合物の少なくとも２つの官能基が、直接一緒に連結されるか、または直鎖状もしくは分岐したアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アリールシクロアルキル基、アルカリール基またはシクロアルキルアリール基により隔離されており、これらの基は、少なくとも１つのヘテロ原子を含んでよく置換されていてよい請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記架橋化合物の少なくとも２つの官能基が、炭素数１〜２０のアルキルまたはアラルキル鎖で隔離されている請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記架橋化合物が、Ｎ−（α−マレイミドアセトキシ）スクシンイミドエステル（ＡＭＡＳ）、Ｎ−（β−マレイミドプロピオン酸）ヒドラジド・ＴＦＡ（ＢＭＰＨ）、Ｎ−（β−マレイミドプロピルオキシ）スクシンイミドエステル（ＢＭＰＳ）、Ｎ−（ε−マレイミドカプロン酸）ヒドラジド（ＥＭＣＨ）、Ｎ−（ε−マレイミドカプロイルオキシ）スクシンイミドエステル（ＥＭＣＳ）、Ｎ−γ−マレイミドブチリルオキシ−スクシンイミドエステル（ＧＭＢＳ）、Ｎ−（κ−マレイミドウンデカン酸）ヒドラジド（ＫＭＵＨ）、スクシンイミジル−４−（Ｎ−マレイミドメチル）シクロヘキサン−１−カルボキシ−（６−アミド−カプロエート）（ＬＣ−ＳＭＣＣ）、スクシンイミジル６−（３'−［２−ピリジル−ジチオ］プロピオンアミド）ヘキサノエート（ＬＣ−ＳＰＤＰ）、ｍ−マレイミドベンゾイル−Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドエステル（ＭＢＳ）、４−（Ｎ−マレイミドメチル）−シクロヘキサン−１−カルボキシル−ヒドラジド・ＨＣｌ・１／２ジオキサン（Ｍ2Ｃ2Ｈ）、４−（４−Ｎ−マレイミドフェニル）−酪酸ヒドラジド・ＨＣｌ（ＭＰＢＨ）、Ｎ−スクシンイミジルＳ−アセチルチオ−アセテート（ＳＡＴＡ）、Ｎ−スクシンイミジルＳ−アセチルチオ−プロピオネート（ＳＡＴＰ）、スクシンイミジル３−（ブロモアセトアミド）プロピオネート（ＳＢＡＰ）、Ｎ−スクシンイミジルヨードアセテート（ＳＩＡ）、Ｎ−スクシンイミジル（４−ヨードアセチル）アミノベンゾエート（ＳＩＡＢ）、スクシンイミジル４−（Ｎ−マレイミドメチル）シクロヘキサン−１−カルボキシレート（ＳＭＣＣ）、スクシンイミジル４−（ｐ−マレイミドフェニル）ブチラート（ＳＭＰＢ）、スクシンイミジル６−（β−マレイミドプロピオンアミド）ヘキサノエート（ＳＭＰＨ）、４−スクシンイミジルオキシ−カルボニル−メチル−α−（２−ピリジルジチオ）トルエン（ＳＭＰＴ）、Ｎ−スクシンイミジル３−（２−ピリジルジチオ）プロピオネート（ＳＰＤＰ）、Ｎ−（ε−マレイミドカプロイルオキシ）スルホスクシンイミドエステル（スルホ−ＥＭＣＳ）、Ｎ−γ−マレイミドブチリルオキシ−スルホスクシンイミドエステル（スルホ−ＧＭＢＳ）、Ｎ−（κ−マレイミドウンデカノイルオキシ）−スルホスクシンイミドエステル（スルホ−ＫＭＵＳ）、スルホスクシンイミジル６−（３'−［２−ピリジル−ジチオ］プロピオンアミド）ヘキサノエート（スルホ−ＬＣ−ＳＰＤＰ）、ｍ−マレイミドベンゾイル−Ｎ−ヒドロキシスルホスクシンイミドエステル（スルホ−ＭＢＳ）、スルホスクシンイミジル（４−ヨードアセチル）アミノベンゾエート（スルホ−ＳＩＡＢ）、スルホスクシンイミジル４−（Ｎ−マレイミドメチル）シクロヘキサン−１−カルボキシレート（スルホ−ＳＭＣＣ）、スルホスクシンイミジル４−（ｐ−マレイミドフェニル）ブチラート（スルホ−ＳＭＰＢ）、スルホスクシンイミジル６−（α−メチル−α−［２−ピリジルジチオ］−トルアミド）ヘキサノエート（スルホ−ＬＣ−ＳＭＰＴ）、およびＮ−スクシンイミジル−（４−ビニルスルホニル）ベンゾエート（ＳＶＳＢ）からなる群から選択される請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記架橋化合物が、下記化合物
【化７】
2011089125.tif 000007
である請求項１〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
化合物（Ｉ）と化合物（ＩＩ）の前記反応生成物が、化合物（Ｉ）との前記反応前に、化合物（ＩＩ）に含まれる少なくとも１つの官能基Ｘを介して前記架橋化合物と反応する請求項１〜１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれかに記載の方法によって得ることができるヒドロキシアルキルデンプン誘導体。
【請求項１８】
化合物（Ｉ）と化合物（ＩＩ）の反応後、化合物（ＩＩ）が前記架橋化合物と反応し、化合物（Ｉ）と化合物（ＩＩ）の反応生成物が式（ＩＩＩａ）：
【化８】
2011089125.tif 000008
の構造を有する請求項１７に記載のヒドロキシアルキルデンプン誘導体。
【請求項１９】
化合物（Ｉ）と化合物（ＩＩ）の反応後、化合物（ＩＩ）が前記架橋化合物と反応し、Ｒ'が水素であり、化合物（Ｉ）と化合物（ＩＩ）の反応生成物が、式（ＩＩＩａ）の化合物または式（ＩＩＩｂ）の化合物
【化９】
2011089125.tif 000009
または式（ＩＩＩａ）と式（ＩＩＩｂ）との化合物の混合物のいずれかである請求項１７に記載のヒドロキシアルキルデンプン誘導体。