【手続補正書】
【提出日】平成21年1月19日(2009.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電子デバイスモジュールであって、
可撓性バルク導電体より形成された下部電極と、下部電極と導電性バックプレーンの間に挟まれた絶縁体層と、導電性バックプレーンと、を備えたスタート基板と；
活性層が下部電極と透明導電層の間にあるように配置された活性層および透明導電層と；
透明導電層とバックプレーンの間の１または複数の電気接点と、電気接点は透明導電層、活性層、可撓性バルク導電体および絶縁層を貫通して形成されており、電気接点は、活性層、下部電極および絶縁層から電気的に絶縁されていることと；
を備えたデバイスモジュール。
【請求項２】
可撓性バルク導電体が第１金属箔である請求項１に記載のデバイスモジュール。
【請求項３】
第１金属箔がアルミニウム箔である請求項２に記載のデバイスモジュール。
【請求項４】
第１金属箔の厚みが約１μｍと約２００μｍの間にある請求項２に記載のデバイスモジュール。
【請求項５】
バックプレーンが導電性グリッドである請求項２に記載のデバイスモジュール。
【請求項６】
絶縁層が第１金属箔の陽極酸化表面である請求項２に記載のデバイスモジュール。
【請求項７】
バックプレーンが第２金属箔である請求項２に記載のデバイスモジュール。
【請求項８】
絶縁層が第１金属箔と第２金属箔の間に積層されている請求項７に記載のデバイスモジュール。
【請求項９】
絶縁層がプラスチック箔より形成されている請求項７に記載のデバイスモジュール。
【請求項１０】
プラスチック箔の厚みが約１μｍと約２００μｍの間にある請求項９に記載のデバイスモジュール。
【請求項１１】
前記透明導電層と前記バックプレーンの間の前記１または複数の電気接点が、
第１デバイスモジュールの透明導電層、活性層、可撓性バルク導電体および絶縁層を貫通して形成されたビア；
透明導電層、活性層、可撓性バルク導電体および絶縁層を貫通してバックプレーンまで通路が形成されるようにする、前記ビアの絶縁材被覆側壁；および
前記通路を少なくとも実質的に充填すると共に透明導電層とバックプレーンの間の電気接点を形成する、導電性材料より形成されたプラグ；
を備えた請求項１に記載のデバイスモジュール。
【請求項１２】
前記ビアの直径が約０．１ミリメートルと約１．５ミリメートルの間にある請求項１１に記載のデバイスモジュール。
【請求項１３】
前記ビアの直径が約０．５ミリメートルと約１ミリメートルの間にある請求項１２に記載のデバイスモジュール。
【請求項１４】
前記ビアの側壁に沿った絶縁材の厚みが約１μｍと約２００μｍの間にある請求項１２に記載のデバイスモジュール。
【請求項１５】
前記ビアの側壁に沿った絶縁材の厚みが約１０μｍと約１００μｍの間にある請求項１４に記載のデバイスモジュール。
【請求項１６】
前記プラグの直径が約５μｍと約５００μｍの間にある請求項１５に記載のデバイスモジュール。
【請求項１７】
前記プラグの直径が約２５μｍと約１００μｍの間にある請求項１６に記載のデバイスモジュール。
【請求項１８】
隣接するビア間のピッチが約０．２ｃｍと約２ｃｍの間にある請求項１１に記載のデバイスモジュール。
【請求項１９】
プラグと電気接触した状態で透明導電層上に配置された１または複数の導電トレースをさらに備える請求項１１に記載のデバイスモジュール。
【請求項２０】
前記１または複数の導電トレースが、互いに隣接している２またはそれより多い電気接点と電気的に接続する請求項１９に記載のデバイスモジュール。
【請求項２１】
導電トレースが、複数のトレースが１または複数の電気接点から放射状に外側に広がるパタ−ンを形成する請求項２０に記載のデバイスモジュール。
【請求項２２】
導電トレースが分岐に分かれて「分水界」パタ−ンを形成する請求項２１に記載のデバイスモジュール。
【請求項２３】
導電トレースが電気接点の各々の周囲にパタ−ンを形成する請求項１９に記載のデバイスモジュール。
【請求項２４】
１または複数の電気接点が、透明導電層、活性層および下部電極の一部を包囲する閉ループトレンチを備える請求項１に記載のデバイスモジュール。
【請求項２５】
１または複数の電気接点が、閉ループトレンチ内に配置された絶縁材をさらに備える請求
項２４に記載のデバイスモジュール。
【請求項２６】
１または複数の電気接点が、第１デバイスモジュールの透明導電層、絶縁層、および下部電極を貫通して絶縁材まで形成された閉ループトレンチを備え、閉ループトレンチは透明導電層、活性層、および下部電極の一部を分離し、閉ループトレンチにより閉じられた部分が、
閉ループトレンチ内に配置された電気絶縁材料；
分離された部分の透明導電層と分離された部分の下部電極との間の電気接続；
透明導電層の１または複数の部分の上に配置された１または複数の導電性フィンガーと、透明導電層の１または複数の部分は分離部分を有することと；
導電性フィンガーと分離された部分の下部電極との間の電気接点を作成することと；および
分離部分の下部電極とバックプレーンとの間の絶縁層を通る電気接続と；
を備える請求項１に記載のデバイスモジュール。
【請求項２７】
透明導電層と活性層を貫通して下部電極まで形成され、前記閉ループトレンチを包囲する分離トレンチをさらに備える請求項２６に記載のデバイスモジュール。
【請求項２８】
絶縁性キャリア基板をさらに備え、バックプレーンがキャリア基板に取り付けられている請求項１に記載のデバイスモジュール。
【請求項２９】
ポリマールーフィング膜材料から形成された構造膜をさらに備え、キャリア基板が構造膜に取り付けられている請求項２８に記載のデバイスモジュール。
【請求項３０】
ポリマールーフィング膜材料が熱可塑性ポリオレフィン（ＴＰＯ）またはエチレンプロピレンジエンモノマー（ＥＰＤＭ）である請求項２９に記載のデバイスモジュール。
【請求項３１】
活性層が光起電性活性層である請求項１に記載のデバイスモジュール。
【請求項３２】
光起電性活性層が、ＩＢ、ＩＩＩＡおよびＶＩＡ群元素を含む材料に基づく吸収材層、シリコン（ドープまたは非ドープ）、マイクロまたはポリ結晶シリコン（ドープまたは非ドープ）、アモルファスシリコン（ドープまたは非ドープ）、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ、Ｇｒａｅｔｚｅｌセル構造、有機材料により充填された孔を備えた無機多孔性鋳型を有するナノ構造化層（ドープまたは非ドープ）、ポリマー／混合セル構造、オリゴマー吸収材（ドープまたは非ドープ）、有機染料、Ｃ60および／または他の小分子、マイクロ結晶シリコンセル構造、ランダムに配置されたナノロッドおよび／または有機マトリックス中に分散された無機材料のテトラポッド、量子ドットセル、またはそれらの組み合わせの１または複数に基づいている請求項３１に記載のデバイスモジュール。
【請求項３３】
直列に相互接続された光電子デバイスモジュールのアレイであって、
第１デバイスモジュールおよび第２デバイスモジュールと、各デバイスモジュールはａ）可撓性バルク導電体より形成された下部電極、ｂ）下部電極と導電性バックプレーンの間に挟まれた絶縁体層、およびｃ）導電性バックプレーンを備えたスタート基板を有することと；
活性層が下部電極と透明導電層の間にあるように配置された活性層および透明導電層と；
透明導電層とバックプレーンの間の１または複数の電気接点と、電気接点は透明導電層、活性層、可撓性バルク導電体および絶縁層を貫通して形成されており、電気接点は、活性層、下部電極および絶縁層から電気的に絶縁されていることと；
を備えたアレイ。
【請求項３４】
光電子デバイスモジュールを製造する方法であって、
可撓性バルク導電体より形成された下部電極と、下部電極と導電性バックプレーンの間に挟まれた絶縁体層と、導電性バックプレーンと、を備えたスタート基板を形成する工程と；
活性層が下部電極と透明導電層の間にあるように、活性層と透明導電層とを形成する工程と；
透明導電層、活性層、可撓性バルク導電体および絶縁層を貫通して、透明導電層とバックプレーンとの間に１または複数の電気接点を形成する工程と；
活性層、下部電極および絶縁層から電気接点を電気的に絶縁する工程と；
からなる方法。
【請求項３５】
直列に相互接続された光電子デバイスモジュールのアレイの製造方法であって、各デバイスモジュールは下部電極と透明導電層の間に配置された活性層を備え、前記方法は、
第１デバイスモジュールの下部電極と第１デバイスモジュールの背面上部電極との間に絶縁層を配置する工程と；
第１デバイスモジュールの透明導電層、活性層、下部電極および絶縁層を貫通して、透明導電層と背面上部電極との間に電気接点を形成する１または複数の電気接点を形成する工程と；
絶縁層の一部を露出するために第２デバイスモジュールの背面上部電極の一部を切除する工程と；
第２デバイスモジュールの下部電極の一部を露出するために第２デバイスモジュールの絶縁層の一部を少なくとも部分的に切除する工程と；
絶縁キャリア基板に第１および第２デバイスモジュールを取り付ける工程と；および
第１デバイスモジュールの背面上部電極と、第２デバイスモジュールの下部電極の露出部分との間の電気接触を行なう工程と；
からなる方法。
【請求項３６】
直列に相互接続された光電子デバイスモジュールのアレイであって、
絶縁性キャリア基板と；
キャリア基板に取り付けられた第１デバイスモジュールおよび第２デバイスモジュールと、各デバイスモジュールは、下部電極と透明導電層の間に配置された活性層と、下部電極と背面上部電極の間に配置された絶縁層とを備えていることと；
透明導電層と背面上部電極の間の１または複数の電気接点と、電気接点は、透明導電層、活性層、下部電極および絶縁層を貫通して形成され、電気接点は活性層、下部電極および絶縁層から電気的に絶縁されることと；
第２デバイスモジュールの背面上部電極は第２デバイスモジュールの絶縁層の一部を露出させるために切除されることと；
絶縁層の露出部分は第２デバイスモジュールの下部電極の一部を露出させるために部分的に切除されることと；
第１デバイスモジュールの背面上部電極と第２デバイスモジュールの下部電極の露出部分との間の電気接点と、
を備えたアレイ。
【請求項３７】
光電子デバイスモジュールであって、
下部電極と、下部電極と導電性バックプレーンの間に挟まれた絶縁体層と、導電性バックプレーンとを備えたスタート基板と；
活性層が下部電極と透明導電層の間にあるように配置された活性層および透明導電層と；
透明導電層とバックプレーンの間の１または複数の電気接点と、電気接点は透明導電層
、活性層および絶縁層を貫通して形成されており、電気接点は、活性層、下部電極および絶縁層から電気的に絶縁されていることと；
を備えた光電子デバイスモジュール。