【手続補正書】
【提出日】平成23年5月12日(2011.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、
前記データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、
前記データから対向するエッジを有した基準パターンを生成する生成手段と、
前記検査対象パターン画像を生成する生成手段と、
前記検査対象パターン画像における対向するエッジを検出する手段と、
前記検査対象パターン画像のエッジと前記線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、前記検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、
前記検査手段は、前記検査対象パターン画像における対向するエッジ間の距離と前記基準パターンにおける対向するエッジ間の距離とを比較することにより、前記検査対象パターンを検査することを特徴とするパターン検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載のパターン検査装置において、前記基準パターンを用いる検査方法として、直線形状パターンの線幅検査方法、スペース幅検査方法、平均線幅検査方法、平均スペース幅検査方法、曲線形状パターンの線幅検査方法、スペース幅検査方法、平均線幅検査方法、平均スペース幅検査方法、切断・短絡、切断もしくは短絡しやすい部分の検査方法、ゲート線幅検査方法のうち少なくとも一つの方法を使うことを特徴とするパターン検査装置。
【請求項３】
請求項１に記載のパターン検査装置において、前記基準パターンのエッジとは異なった方向に前記検査対象パターン画像のエッジを検出することにより切断もしくは短絡した欠陥であるか検査することを特徴とするパターン検査装置。
【請求項４】
請求項１に記載のパターン検査装置において、前記検査対象パターンが形成された試料に形成されてはならない前記データに付加された補正パターンを検査する場合に、前記補正パターンから生成された前記基準パターンと前記検査対象パターン画像の前記エッジを対応づけて前記補正パターンが前記試料に形成されているかどうかを検査することを特徴とするパターン検査装置。
【請求項５】
請求項１に記載のパターン検査装置において、同一の前記データに基づいて製造された複数の半導体デバイスに対して、前記データ上の座標で表現された同じ検査領域から欠陥位置と欠陥サイズを得て、前記得られた欠陥位置と欠陥サイズから前記欠陥が重なっていると判断された場合に、繰り返し発生する欠陥と認識する欠陥認識手段とを備えることを特徴とするパターン検査装置。
【請求項６】
請求項５に記載のパターン検査装置において、前記複数の半導体デバイスから得られた前記欠陥位置と欠陥サイズのうち、少なくとも一つの第１の前記半導体デバイスについては、前記検査領域から前記欠陥位置と欠陥サイズを得て、それ以外の第２の前記半導体デバイスについては、前記第１の半導体デバイスから得られた欠陥位置の近傍のみを検査することを特徴とするパターン検査装置。
【請求項７】
請求項１に記載のパターン検査装置において、前記検査対象パターン画像の取得直後における前記検査対象パターン画像の歪量の検出により、前記基準パターン、前記検査対象パターン画像、前記検査対象パターン画像のエッジと前記基準パターンとの間のベクトルのうち少なくとも一つが補正されることを特徴とするパターン検査装置。
【請求項８】
請求項１に記載のパターン検査装置において、前記検査対象パターン画像を生成する生成手段は、画像の歪補正ベクトルを予め求めておき、前記画像歪補正ベクトルを用いて走査位置を補正するか、前記画像歪補正ベクトルを用いて前記検査対象パターン画像を補正することを特徴とするパターン検査装置。
【請求項９】
請求項１に記載のパターン検査装置において、前記検査対象パターン画像を生成する生成手段は、画像位置に依存する線幅の変動量を予め求めておき、前記画像位置に依存する線幅の変動量を用いて前記検査対象パターン画像から得られた線幅を補正することを特徴とするパターン検査装置。
【請求項１０】
請求項１に記載のパターン検査装置において、前記基準パターンから信号強度補正を必要とする線分を抽出して、前記信号強度補正の量に応じて前記線分の位置を補正すること、もしくは、許容パターン変形量を設定することを特徴とするパターン検査装置。
【請求項１１】
請求項１に記載のパターン検査装置において、前記検査手段は、前記基準パターンから得られた幾何学情報と前記検査対象パターン画像のエッジから得られた幾何学情報を使用してマッチングを行うことを特徴とするパターン検査装置。
【請求項１２】
請求項１に記載のパターン検査装置において、前記検査手段は、前記基準パターンの内部に相当する画像の統計量と外部に相当する画像の統計量とを比較することにより、前記検査対象パターン画像と前記基準パターンとのマッチングを行うことを特徴とするパターン検査装置。
【請求項１３】
検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査方法であって、
前記データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンであって、対向するエッジを有した基準パターンを生成し、
前記検査対象パターン画像を生成し、
前記検査対象パターン画像における対向するエッジを検出し、
前記検査対象パターン画像における対向するエッジ間の距離と前記基準パターンにおける対向するエッジ間の距離とを比較することにより、前記検査対象パターンを検査することを特徴とするパターン検査方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載のパターン検査方法において、前記基準パターンのエッジとは異なった方向に前記検査対象パターン画像のエッジを検出することにより切断もしくは短絡した欠陥であるか検査することを特徴とするパターン検査方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載のパターン検査方法において、前記検査対象パターンが形成された試料に形成されてはならない前記データに付加された補正パターンを検査する場合に、前記補正パターンから生成された前記基準パターンと前記検査対象パターン画像の前記エッジを対応づけて前記補正パターンが前記試料に形成されているかどうかを検査することを特徴とするパターン検査方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載のパターン検査方法において、同一の前記データに基づいて製造された複数の半導体デバイスに対して、前記データ上の座標で表現された同じ検査領域から欠陥位置と欠陥サイズを得て、前記得られた欠陥位置と欠陥サイズから前記欠陥が重なっていると判断された場合に、繰り返し発生する欠陥と認識する欠陥認識手段とを備えることを特徴とするパターン検査方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
上記目的を達成するために、本発明のパターン検査装置は、検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査装置であって、前記データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、前記データから対向するエッジを有した基準パターンを生成する生成手段と、前記検査対象パターン画像を生成する生成手段と、前記検査対象パターン画像における対向するエッジを検出する手段と、前記検査対象パターン画像のエッジと前記線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、前記検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、前記検査手段は、前記検査対象パターン画像における対向するエッジ間の距離と前記基準パターンにおける対向するエッジ間の距離とを比較することにより、前記検査対象パターンを検査することを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
本発明の一態様は、上記パターン検査装置において、前記基準パターンを用いる検査方法として、直線形状パターンの線幅検査方法、スペース幅検査方法、平均線幅検査方法、平均スペース幅検査方法、曲線形状パターンの線幅検査方法、スペース幅検査方法、平均線幅検査方法、平均スペース幅検査方法、切断・短絡、切断もしくは短絡しやすい部分の検査方法、ゲート線幅検査方法のうち少なくとも一つの方法を使うことを特徴とする。
本発明の一態様は、上記パターン検査装置において、前記基準パターンのエッジとは異なった方向に前記検査対象パターン画像のエッジを検出することにより切断もしくは短絡した欠陥であるか検査することを特徴とする。
本発明の一態様は、上記パターン検査装置において、前記検査対象パターンが形成された試料に形成されてはならない前記データに付加された補正パターンを検査する場合に、前記補正パターンから生成された前記基準パターンと前記検査対象パターン画像の前記エッジを対応づけて前記補正パターンが前記試料に形成されているかどうかを検査することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
本発明の一態様は、同一の前記データに基づいて製造された複数の半導体デバイスに対して、前記データ上の座標で表現された同じ検査領域から欠陥位置と欠陥サイズを得て、前記得られた欠陥位置と欠陥サイズから前記欠陥が重なっていると判断された場合に、繰り返し発生する欠陥と認識する欠陥認識手段とを備えることを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
本発明の一態様は、上記パターン検査装置において、前記複数の半導体デバイスから得られた前記欠陥位置と欠陥サイズのうち、少なくとも一つの第１の前記半導体デバイスについては、前記検査領域から前記欠陥位置と欠陥サイズを得て、それ以外の第２の前記半導体デバイスについては、前記第１の半導体デバイスから得られた欠陥位置の近傍のみを検査することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
本発明の一態様は、上記パターン検査装置において、前記検査対象パターン画像の取得直後における前記検査対象パターン画像の歪量の検出により、前記基準パターン、前記検査対象パターン画像、前記検査対象パターン画像のエッジと前記基準パターンとの間のベクトルのうち少なくとも一つが補正されることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
本発明の一態様は、上記パターン検査装置において、前記検査対象パターン画像を生成する生成手段は、画像の歪補正ベクトルを予め求めておき、前記画像歪補正ベクトルを用いて走査位置を補正するか、前記画像歪補正ベクトルを用いて前記検査対象パターン画像を補正することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
本発明の一態様は、上記パターン検査装置において、前記検査対象パターン画像を生成する生成手段は、画像位置に依存する線幅の変動量を予め求めておき、前記画像位置に依存する線幅の変動量を用いて前記検査対象パターン画像から得られた線幅を補正することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
本発明の一態様は、上記パターン検査装置において、前記基準パターンから信号強度補正を必要とする線分を抽出して、前記信号強度補正の量に応じて前記線分の位置を補正すること、もしくは、許容パターン変形量を設定することを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
本発明の一態様は、上記パターン検査装置において、前記検査手段は、前記基準パターンから得られた幾何学情報と前記検査対象パターン画像のエッジから得られた幾何学情報を使用してマッチングを行うことを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
本発明の一態様は、上記パターン検査装置において、前記検査手段は、前記基準パターンの内部に相当する画像の統計量と外部に相当する画像の統計量とを比較することにより、前記検査対象パターン画像と前記基準パターンとのマッチングを行うことを特徴とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
本発明のパターン検査方法は、検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用するデータを用いて検査するパターン検査方法であって、前記データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンであって、対向するエッジを有した基準パターンを生成し、前記検査対象パターン画像を生成し、前記検査対象パターン画像における対向するエッジを検出し、前記検査対象パターン画像における対向するエッジ間の距離と前記基準パターンにおける対向するエッジ間の距離とを比較することにより、前記検査対象パターンを検査することを特徴とするものである。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
本発明の一態様は、上記パターン検査方法において、前記基準パターンのエッジとは異なった方向に前記検査対象パターン画像のエッジを検出することにより切断もしくは短絡した欠陥であるか検査することを特徴とする。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
本発明の一態様は、上記パターン検査方法において、前記検査対象パターンが形成された試料に形成されてはならない前記データに付加された補正パターンを検査する場合に、前記補正パターンから生成された前記基準パターンと前記検査対象パターン画像の前記エッジを対応づけて前記補正パターンが前記試料に形成されているかどうかを検査することを特徴とする。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
本発明の一態様は、上記パターン検査方法において、同一の前記データに基づいて製造された複数の半導体デバイスに対して、前記データ上の座標で表現された同じ検査領域から欠陥位置と欠陥サイズを得て、前記得られた欠陥位置と欠陥サイズから前記欠陥が重なっていると判断された場合に、繰り返し発生する欠陥と認識する欠陥認識手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】削除
【補正の内容】