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【手続補正書】
【提出日】平成21年3月5日(2009.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レンダリングシステムにおいて、格納されている情報の中の仮想オブジェクトにアクセスして、前記格納されている情報を表示する方法であって、前記表示ステップが、前記仮想オブジェクトを提供することを含んでおり、
前記格納されている情報が、予め定義されている第一フォーマットに準拠する基本アプリケーションモードを提供する基本モードのレンダリングデバイスにおいてレンダリングするために、前記予め定義されている第一フォーマットに従って編成され、前記第一フォーマットが、表示される第一フォーマットの仮想オブジェクトを備えており、
前記格納されている情報がさらに、予め定義されている第二フォーマットに準拠するエンハンスドアプリケーションモードを提供するエンハンスドモードのレンダリングデバイスにおいてレンダリングするために、前記予め定義されている第二フォーマットに従って編成され、前記第二フォーマットが、表示される第二フォーマットの仮想オブジェクトを備えており、
前記方法が、
−  前記エンハンスドアプリケーションモードにおいて、前記第一フォーマットの仮想オブジェクトの少なくとも1つを表す、前記格納されている情報のサブセットを、情報の新しいサブセットに変換し、シミュレートされた仮想オブジェクトを生成するステップ、
を備える、
方法。
【請求項２】
前記変換が、前記エンハンスドアプリケーションモードにおいて、予め定義されているプログラミング言語に従って定義されているアプリケーションプログラムインタフェースを介して利用可能にされる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記予め定義されているプログラミング言語が、標準のプログラミング言語であり、特定の場合においては、前記標準のプログラミング言語がJAVA（登録商標）である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
当該変換ステップが、前記基本アプリケーションモードにおいて前記第一フォーマットの仮想オブジェクトを復号化するようにされている復号器、からの復号化されたイメージデータに基づくイメージを提供することによって、イメージへのアクセスを提供すること、を備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
当該変換ステップが、インタラクティブなオブジェクトと、前記インタラクティブなオブジェクトの少なくとも1つのインタラクティブ状態に関する、関連する状態データとを提供することによって、インタラクティブなアクセスを提供することを備えており、特定の場合においては、前記オブジェクトがボタンであり、かつ、前記状態データが、関連するコマンドを備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
当該変換ステップが、前記基本アプリケーションモードからのポジションデータ、ボタングループ、メニューページ、ウィンドウ、アニメーションのうちの少なくとも1つに基づいて、前記エンハンスドアプリケーションモードにおける前記仮想オブジェクトへのマッピング（同期情報を含む）を提供することによって、複合アクセスを提供すること、を備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
当該変換ステップが、前記基本アプリケーションモードにおける前記第一フォーマットの仮想オブジェクトからのサウンドデータに基づいて、前記エンハンスドアプリケーションモードにおける前記仮想オブジェクトに含まれるサウンドオブジェクトを提供することを備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
レンダリングシステムにおいて仮想オブジェクトにアクセスして、格納されている情報を表示するコンピュータプログラムであって、前記プログラムが、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法をプロセッサに実行させるように動作する、コンピュータプログラム。
【請求項９】
格納されている情報をレンダリングするデバイスであって、前記デバイスが、
−  前記格納されている情報を取得する読み取り手段と、
−  表示信号を生成して前記格納されている情報を表示し、前記格納されている情報の中の仮想オブジェクトにアクセスするレンダリング手段であって、
前記表示ステップが、前記仮想オブジェクトを提供することを含んでおり、
前記格納されている情報が、予め定義されている第一フォーマットに準拠する基本アプリケーションモードを提供する基本モードのレンダリングデバイスにおいてレンダリングするために、前記予め定義されている第一フォーマットに従って編成され、前記第一フォーマットが、表示される第一フォーマットの仮想オブジェクトを備えており、
前記格納されている情報がさらに、予め定義されている第二フォーマットに準拠するエンハンスドアプリケーションモードを提供するエンハンスドモードのレンダリングデバイスにおいてレンダリングするために、前記予め定義されている第二フォーマットに従って編成され、前記第二フォーマットが、表示される第二フォーマットの仮想オブジェクトを備えている、
前記レンダリング手段と、
−  前記エンハンスドアプリケーションモードにおいて、前記第一フォーマットの仮想オブジェクトの少なくとも1つを表す前記格納されている情報のサブセットを、情報の新しいサブセットに変換して、シミュレートされた仮想オブジェクトを生成する変換ユニットと、
を備えている、デバイス。
【請求項１０】
仮想オブジェクトを含んでいる格納されている情報を担持する記憶媒体であって、前記仮想オブジェクトが、前記格納されている情報を表示するために、レンダリングシステムにおいてアクセスされ、前記表示ステップが、前記仮想オブジェクトを提供することを含んでおり、
前記格納されている情報が、予め定義されている第一フォーマットに準拠する基本アプリケーションモードを提供する基本モードのレンダリングデバイスにおいてレンダリングするために、前記予め定義されている第一フォーマットに従って編成され、前記第一フォーマットが、表示される第一フォーマットの仮想オブジェクトを備えており、
前記格納されている情報がさらに、予め定義されている第二フォーマットに準拠するエンハンスドアプリケーションモードを提供するエンハンスドモードのレンダリングデバイスにおいてレンダリングするために、前記予め定義されている第二フォーマットに従って編成され、前記第二フォーマットが、表示される第二フォーマットの仮想オブジェクトを備えており、
前記格納されている情報が、前記エンハンスドアプリケーションモードにおいて、シミュレートされた仮想オブジェクトを生成するために情報の新しいサブセットに変換される、前記第一フォーマットの仮想オブジェクトの少なくとも1つを表すサブセット、を備えている、
記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月6日(2009.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレスネットワークに渡って情報を送信する方法であって、
アプリケーションストリームのレイテンシ要求仕様を含むトラフィック仕様、及びデバイスのローカルリソースに基づいて許容される最大周期的通信インタバルを決定するステップと、
正規化された周期的通信インタバルを生成するために前記最大周期的通信インタバルを正規化するステップと、
前記正規化された周期的通信インタバル内にメディアアクセス時間の連続的な期間を決定するステップと、
前記メディアアクセス時間内に前記情報を送信するステップと
を有する方法。
【請求項２】
前記正規化するステップは、前記正規化された周期的通信インタバルが前記最大周期的通信インタバルよりも小さくなるか、又は等しくなることを可能にする最小整数でスーパーフレームを除算するステップを更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記正規化するステップは、前記正規化された周期的通信インタバルが前記最大周期的通信インタバルよりも小さくなるか、又は等しくなることを可能にするように、n={0…∞}の場合に2nになる最小整数でスーパーフレームを除算するステップを更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記最大周期的通信インタバルを決定するステップは、
遅延要求仕様を含む前記トラフィック仕様、及び各々の前記ストリームのための前記ローカルリソースに基づいて、各々の前記アプリケーションストリームに対して前記最大周期的通信インタバルを決定するステップと、
全ての並行の前記アプリケーションストリームの複数の前記最大周期的通信インタバルのうちの最小を選択するステップと
を更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
信号を送信するための送信器と、
前記信号を受信するための受信器と、
プロセッサと、
電源と
を各々有する複数のワイヤレスデバイス
を有するワイヤレスネットワークであって、
前記プロセッサは、アプリケーションストリームの遅延要求仕様を含むトラフィック仕様、及び前記デバイスのローカルリソースに基づいて、周期的通信インタバルを決定し、正規化された周期的通信インタバルを生成するために最大周期的通信インタバルを正規化し、前記正規化された周期的通信インタバル内にメディアアクセス時間の連続的な期間を決定し、前記メディアアクセス時間内にデータを送信するように前記送信器に命令する
ワイヤレスネットワーク。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月17日(2009.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）反応チャンバ内に基板を収納すること；
ｂ）−式（Ｒ1Ｒ2Ｎ）xＳｉＨ4-x、ここでＲ1およびＲ2は、Ｈ，Ｃ1〜Ｃ4直線、分岐または環状の炭素鎖で、かつｘは１と４の間を含む、を有するアミノシラン、
−式；
Ｓｉ（ＯＲ1）（ＯＲ2）（ＯＲ3）（ＯＲ4），または
（ＯＲ1）（ＯＲ2）（ＯＲ3）ＳｉＳｉ（ＯＲ4）（ＯＲ5）（ＯＲ6）、または
（ＯＲ1）（ＯＲ2）（ＯＲ3）ＳｉＲＳｉ（ＯＲ4）（ＯＲ5）（ＯＲ6）、または
Ｓｉ（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ1）（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ2）（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ3）（Ｏ−
Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ4）、好ましくはテトラ（アセトキシ）シランＳｉ（Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）
−Ｍｅ）4
ここで、Ｒ，Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5，Ｒ6は単独でＨ，Ｏ，Ｃ1〜Ｃ6直線、分岐
または環状の炭素鎖である、
を有するアルコキシシランまたはアセトキシシラン、
−式（ＳｉＨ3）nＲ、ｎは１と４の間を含み、ＲはＨ，Ｎ，Ｏ，ＣＨ2，ＣＨ2−
ＣＨ2．ＳｉＨ2，ＳｉＨ，Ｓｉである、を有するシラン、
−式Ｓｉ（ＮＣＯ）4を有するテトラ（イソシアネート）シラン
からなる群から選ばれる少なくとも１つのシリコン含有化合物を前記反応チャンバに注入すること、
ｃ）少なくとも１つの酸素含有ガス、好ましくはオゾン、酸素および／または湿気（水分）からなる群から選ばれる、を前記反応チャンバに注入すること、
ｄ）前記基板上に堆積されたシリコン酸化物含有膜を得るために前記反応チャンバ内で少なくとも１つのシリコン含有化合物と少なくとも１つのオゾン含有ガスを４００℃以下の温度で反応させること、
ｅ）所期の膜厚が得られるまで工程ｂ）〜ｄ）を繰返すこと、
の工程を含むシリコン酸化物含有膜の形成方法。
【請求項２】
前記基板は、その導入、好ましくは反応チャンバ温度に達する後、工程ｂ）、ｃ）、ｄ）およびまたはｅ）をなす前に反応チャンバ内で加熱される請求項１記載の方法。
【請求項３】
少なくとも１つの工程ｂ）および／またはｃ）は、少なくとも１つの前記化合物および／またはガスの中断された注入によってなされる請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
パルス化学気相堆積（ＣＶＤ）または原子層堆積（ＡＬＤ）は、前記反応チャンバ内でなされる請求項１〜３いずれか記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの化合物および少なくとも１つの酸素含有ガスの同時注入は、前記反応チャンバ内でなされる請求項１〜４いずれか記載の方法。
【請求項６】
少なくとも１つの化合物および少なくとも１つの酸素含有ガスの択一的な注入は、前記反応チャンバ内でなされる請求項１〜４いずれか記載の方法。
【請求項７】
少なくとも１つの化合物または少なくとも１つの酸素含有ガスは、別の化合物および／または少なくとも１つの酸素含有ガスの注入前に前記基板表面に吸着される請求項１〜６いずれか記載の方法。
【請求項８】
各化合物および／または酸素含有ガス注入は、前記反応チャンバ内に不活性ガスのようなパージガス注入の後に続く請求項１〜７いずれか記載の方法。
【請求項９】
化合物および／またはガス注入は、所期のＳｉＯ2含有膜厚が得られるまで繰返される請求項１〜８いずれか記載の方法。
【請求項１０】
前記反応チャンバ圧力は、最大１００Ｔｏｒｒ，好ましくは最大５Ｔｏｒｒである請求項１〜９いずれか記載の方法。
【請求項１１】
前記ＳｉＯ2含有膜中のＨ結合量は、８．１０21原子／ｃｃ以下である請求項１〜１０いずれか記載の方法。
【請求項１２】
オゾン含有ガスは、酸素に対するオゾン比２０体積％以下、好ましくは５〜２０体積％を持つ酸素とオゾンを含むガス混合物である請求項１〜１１いずれか記載の方法。
【請求項１３】
前記酸素／オゾン混合物は、不活性ガス、好ましくは窒素で希釈される請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記シリコン含有化合物は、
（ＴＳＡ）トリシリルアミン                      （ＳｉＨ3）3Ｎ
ＤＳＯ  ジシロキサン                            （ＳｉＨ3）2Ｏ
ＢＤＥＡＳ  ビス（ジエチルアミノ）シラン        ＳｉＨ2（ＮＥｔ2）2
ＢＤＭＡＳ  ビス（ジメチルアミノ）シラン        ＳｉＨ2（ＮＭｅ2）2
ＴｒｉＤＭＡＳ  トリス（ジメチルアミノ）シラン  ＳｉＨ（ＮＭｅ2）3
ビス（トリメチルシリルアミノ）シラン            ＳｉＨ2（ＮＨＳｉＭｅ3）2
ＴＩＣＳ  テトラ（イソシアネート）シラン        Ｓｉ（ＮＣＯ）4
ＴＥＡＳ  テトラキス（エチルアミノ）シラン      Ｓｉ（ＮＨＥｔ）4
ＢＴＥＳＥ  ビス（トリエトキシシリル）エタン    （ＥｔＯ）3Ｓｉ−ＣＨ2−ＣＨ2
−Ｓｉ（ＯＥｔ）3
ＴＡＳ  テトラ（アセトキシ）シラン              Ｓｉ（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｍｅ）4
を含む群から選ばれる請求項１〜１３いずれか記載の方法。
【請求項１５】
不活性ガスもまた前記反応チャンバ内に導入される請求項１〜１４いずれか記載の方法。
【請求項１６】
１％以下のＨｆ（ＮＥｔ2）4またはＮＨＥｔ2のような少量の触媒は、前記反応チャンバ内に導入される請求項１〜１５いずれか記載の方法。
【請求項１７】
ａ）反応チャンバを準備し、かつ少なくとも１つの基板を前記反応チャンバに配置すること；
ｂ）ビス（ジエチルアミノ）シランを前記反応チャンバに導入すること；
ｃ）少なくとも酸素含有ガスを前記反応チャンバに導入すること、前記酸素含有ガスは酸素、オゾンおよび水蒸気から選ばれる；および
ｄ）二酸化シリコン膜を前記基板上に堆積すること、前記基板は約１００℃と約４００℃の間の温度に維持される、
を含む基板上へのシリコン酸化物含有膜の形成方法。
【請求項１８】
前記二酸化シリコン酸化膜は、原子層堆積（ＡＬＤ）型方法によって前記基板上に堆積される請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記二酸化シリコン酸化膜は、化学気相堆積（ＣＶＤ）型方法によって前記基板上に堆積される請求項１７記載の方法。
【請求項２０】
前記ビス（ジエチルアミノ）シランの導入と前記酸素含有ガスの導入の間に不活性ガスで前記反応チャンバをパージすることをさらに含む請求項１７〜１９いずれか記載の方法。
【請求項２１】
前記酸素含有ガスの導入後に不活性ガスで前記反応チャンバをパージすることをさらに含む請求項１７〜２０いずれか記載の方法。
【請求項２２】
二酸化シリコン膜を前記基板上に堆積することをさらに含み、前記堆積膜は立方センチメータあたり平均８×１０21以下の水素原子を含む請求項１７〜２１いずれか記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月17日(2009.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体シードレーザ主発振器レーザと、
駆動レーザ出力光ビームを生成するガス放電エキシマレーザ利得発生器レーザと、
を含むことを特徴とするレーザシステム。
【請求項２】
前記固体シードレーザは、第３高調波Ｎｄ：ＹＬＦレーザを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記固体シードレーザは、同調可能である、
ことを更に含むことを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記ガス放電エキシマレーザ利得発生器レーザは、ＸｅＦエキシマレーザパワー増幅器を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記レーザシステムは、ＥＵＶ駆動レーザシステムである、
ことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記ガス放電エキシマレーザ利得発生器レーザは、パワー発振器を含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記固体シードレーザは、レーザ結晶の温度を変えることによって同調される同調可能レーザを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記固体シードレーザは、波長選択要素を利用することによって同調される同調可能レーザを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記波長選択要素は、リオ・フィルタを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記波長選択要素は、エタロンを含む、
ことを更に含むことを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月4日(2009.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２枚の鏡を備え、開口絞りを前記２枚の鏡の間に配置し、前記２枚の鏡の一方から前記２枚の鏡の他方へ進む光路には、前記開口絞りの他に光学素子は配置されておらず、主光線は投影光学系の光学軸（ＨＡ）に対して主光線角度（α）が１４度以下で前記開口絞りを通過し、像側開口数（ＮＡ）は０．３以上、好ましくは０．３５以上、最も好ましくは０．４である、マイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項２】
前記２枚の鏡の一方から前記２枚の鏡の他方への光学軸に沿った軸方向距離は、前記投影光学系の構造上の長さの４０％を上回り、好ましくは前記投影光学系の構造上の長さの５０％を上回り、より好ましくは前記投影光学系の構造上の長さの６０％を上回り、特に前記投影光学系の構造上の長さの７０％を上回り、最も好ましくは前記投影光学系の構造上の長さの８０％を上回り、前記投影光学系の構造上の長さは物体面から像面への軸方向距離として定義される、請求項１に記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項３】
前記投影光学系が、物体面から像面へレンズを通過する光束の光線が入射する使用領域（Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３）を有した少なくとも３枚の鏡（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３）を備える、請求項１又は２に記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項４】
前記開口絞りを前記第１の使用領域（Ｎ１）と前記第２の使用領域（Ｎ２）の間に配置した、請求項３記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項５】
前記開口絞りを前記第２の使用領域（Ｎ２）と前記第３の使用領域（Ｎ３）の間に配置した、請求項３記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項６】
前記投影光学系が、第１の使用領域（Ｎ１）、第２の使用領域（Ｎ２）、第３の使用領域（Ｎ３）、第４の使用領域（Ｎ４）の少なくとも４つの使用領域を有する、請求項１又は２に記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項７】
前記開口絞りを前記第１の使用領域と前記第２の使用領域の間に配置した、請求項６記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項８】
前記開口絞りを前記第２の使用領域と前記第３の使用領域の間に配置した、請求項６記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項９】
前記開口絞りを前記第３の使用領域と前記第４の使用領域の間に配置した、請求項６記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項１０】
前記投影光学系が、第１の使用領域（Ｎ１）、第２の使用領域（Ｎ２）、第３の使用領域（Ｎ３）、第４の使用領域（Ｎ４）、第５の使用領域（Ｎ５）の少なくとも５つの使用領域を有する、請求項１又は２に記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項１１】
前記開口絞りを前記第１の使用領域と前記第２の使用領域の間に配置した、請求項１０記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項１２】
前記開口絞りを前記第２の使用領域と前記第３の使用領域の間に配置した、請求項１０記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項１３】
前記開口絞りを前記第３の使用領域と前記第４の使用領域の間に配置した、請求項１０記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項１４】
前記開口絞りを前記第４の使用領域と前記第５の使用領域の間に配置した、請求項１０記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項１５】
前記投影光学系が、第１の使用領域（Ｎ１）、第２の使用領域（Ｎ２）、第３の使用領域（Ｎ３）、第４の使用領域（Ｎ４）、第５の使用領域（Ｎ５）、第６つの使用領域（Ｎ６）の少なくとも６の使用領域を有する、請求項１又は２に記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項１６】
前記開口絞りを前記第２の使用領域と前記第３の使用領域の間に配置した、請求項１５記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項１７】
前記開口絞りを前記第３の使用領域と前記第４の使用領域の間に配置した、請求項１５記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項１８】
前記開口絞りを前記第４の使用領域と前記第５の使用領域の間に配置した、請求項１５記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項１９】
前記投影光学系が、第１の使用領域（Ｎ１）、第２の使用領域（Ｎ２）、第３の使用領域（Ｎ３）、第４の使用領域（Ｎ４）、第５の使用領域（Ｎ５）、第６の使用領域（Ｎ６）、第７の使用領域（Ｎ７）の少なくとも７つの使用領域を有する、請求項１又は２に記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項２０】
前記開口絞りを前記第３の使用領域と前記第４の使用領域の間に配置した、請求項１９記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項２１】
前記開口絞りを前記第４の使用領域と前記第５の使用領域の間に配置した、請求項１９記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項２２】
前記投影光学系が、第１の使用領域（Ｎ１）、第２の使用領域（Ｎ２）、第３の使用領域（Ｎ３）、第４の使用領域（Ｎ４）、第５の使用領域（Ｎ５）、第６の使用領域（Ｎ６）、第７の使用領域（Ｎ７）、第８の使用領域（Ｎ８）の少なくとも８つの使用領域を有する、請求項１又は２に記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項２３】
前記開口絞りを前記第４の使用領域と前記第５の使用領域の間に配置した、請求項２２記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項２４】
前記マイクロリソグラフィー投影光学系が少なくとも１つの中間像を生成する、請求項１から請求項２３迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項２５】
前記マイクロリソグラフィー投影光学系が少なくとも２つの中間像を生成する、請求項１から請求項２４迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項２６】
前記マイクロリソグラフィー投影光学系が、波長λで物体面の物体を像面の像に結像し、波長λが２４８ｎｍ以下、好ましくは１９３ｎｍ以下、特にλが１から３０ｎｍの範囲のＥＵＶリソグラフィー用である、請求項１から請求項２５迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項２７】
前記マイクロリソグラフィー投影光学系が反射式投影光学系である、請求項１から請求項２６迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項２８】
前記マイクロリソグラフィー投影光学系が反射屈折型投影光学系である、請求項１から請求項２６迄の何れかに記載のマイクロリソグラフィー投影光学系。
【請求項２９】
波長λの放射線を生成する放射線源と、
前記放射線源から射出された放射線を部分的に収集し、それを透過させてフィールドを照明する照明部と、
基板システム上の構造を有し、前記フィールドの面に配置されたマスクと、
前記構造を有するマスクの被照射部分を像フィールドに結像する請求項１から請求項２８迄の何れかに記載の投影光学系と、
前記投影光学系の前記像フィールドの面に配置された、前記基板システム上の感光性基板とを備えた投影露光光学系。
【請求項３０】
請求項２９記載の投影露光光学系を用いてチップを製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月10日(2009.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザーダイオード組立体であって、
放射面及び該放射面と対向する反射面を有するレーザーダイオードにして、前記放射面及び反射面間に第１及び第２の側面を有する前記レーザーダイオードと、
前記レーザーダイオードの前記第１の側面に第１の半田接合部を介して取付けられた第１の電気絶縁性ヒートシンクにして、第１の冷却流路を有する前記第１の電気絶縁性ヒートシンクと、
前記レーザーダイオードの前記第２の側面に第２の半田接合部を介して取付けられた第２の電気絶縁性ヒートシンクにして、第２の冷却流路を有する前記第２の電気絶縁性ヒートシンクと、
頂部側を有する基板にして、前記頂部側は前記第１の電気絶縁性ヒートシンクの第１の底部側及び前記第２の電気絶縁性ヒートシンクの第２の底部側と連通し、かつ前記第１の冷却流路及び前記第２の冷却流路に冷却剤（ｃｏｏｌａｎｔ）を送る流れ流路システムを有する、前記基板と、
前記第１の電気絶縁性ヒートシンク及び前記第２の電気絶縁性ヒートシンクに取付けられた金属化層にして、前記レーザーダイオードに電気的に連結されて該レーザーダイオードに電流を伝導し、かつ前記冷却剤から分離される前記金属化層とを備える、前記レーザーダイオード組立体。
【請求項２】
レーザーダイオード組立体であって、
放射面及び該放射面と対向する反射面を有するレーザーダイオードにして、前記放射面及び反射面間に第１及び第２の側面を有する前記レーザーダイオードと、
前記レーザーダイオードの前記第１の側面に取付けられた第１のヒートシンクにして、第１の冷却流路を作り出す第１の組の接合層を有する前記第１のヒートシンクと、
前記レーザーダイオードの前記第２の側面に取付けられた第２のヒートシンクにして、第２の冷却流路を作り出す第２の組の接合層を有する前記第２のヒートシンクと、
前記第１のヒートシンク及び前記第２のヒートシンクと連通する少なくとも１つの基板にして、前記第１の冷却流路及び前記第２の冷却流路に冷却剤を送る流れ流路システムを有する前記少なくとも１つの基板と、
前記レーザーダイオードに電気的に連結されて該レーザーダイオードに電流を伝導する金属通路とを備える、前記レーザーダイオード組立体。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のレーザーダイオード組立体において、前記基板と連通する流体マニホールドをさらに含み、該流体マニホールドは前記基板に前記冷却剤を分配する、前記レーザーダイオード組立体。
【請求項４】
請求項１に記載のレーザーダイオード組立体において、前記第１の電気絶縁性ヒートシンク及び前記第２の電気絶縁性ヒートシンクは電気絶縁性シリコンの接合層から形成される、前記レーザーダイオード組立体。
【請求項５】
請求項１又は２に記載のレーザーダイオード組立体において、前記流れ流路システムは、入口と、出口と、バイパス領域とを有し、前記入口は前記第１のヒートシンクに前記冷却剤を提供し、前記バイパス領域は前記第１のヒートシンクから前記第２のヒートシンクに前記冷却剤を送り、かつ前記出口は前記第２のヒートシンクから前記冷却剤を受取る、前記レーザーダイオード組立体。
【請求項６】
請求項５に記載のレーザーダイオード組立体において、前記基板は、共に溶着されて前記バイパス領域を作り出す複数の層から製作される、前記レーザーダイオード組立体。
【請求項７】
請求項１又は２に記載のレーザーダイオード組立体において、前記第１及び第２のヒートシンクの少なくとも一方は、衝突ノズルを有し、且つ前記レーザーダイオードの前記２つの側面の一方の近くにある壁部に前記冷却剤の複数の流れを衝突させる衝突領域を含む、前記レーザーダイオード組立体。
【請求項８】
請求項１に記載のレーザーダイオード組立体において、前記金属化層は前記第１及び第２の電気絶縁性ヒートシンクの外面に位置する、前記レーザーダイオード組立体。
【請求項９】
請求項２に記載のレーザーダイオード組立体において、前記第１及び前記第２の組の接合層は銅板であり、かつ前記金属通路は該銅板により提供される、前記レーザーダイオード組立体。
【請求項１０】
請求項２に記載のレーザーダイオード組立体において、前記第１及び前記第２の組の接合層はシリコン層であり、前記金属通路は前記第１及び第２のヒートシンク上の金属化層により提供される、前記レーザーダイオード組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月17日(2009.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置の通信リンクが終了したことを判断することと、
通信リンクが終了したことを前記判断することに応じて、なぜ通信が終了したかにかかわらず、前記通信装置において、前記通信リンクの終了を示すための対応する一意な可聴シグナルを提供することと
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
通信装置の通信リンクが終了したことを前記判断することは、無線通信リンクが終了したことを判断することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
通信装置の通信リンクが終了したことを前記判断することは、前記通信装置において、
前記通信リンクが終了したことを判断することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記通信装置において、対応する一意な可聴シグナルを前記提供することは、音声シグナルコンテンツをメモリから抽出することと、前記対応する一意な可聴シグナルを提供するために、前記音声シグナルコンテンツを使用することとを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
音声シグナルコンテンツをメモリから前記抽出することは、一連の単声音と、一連の多声音と、デジタル音声とのうちの少なくとも１つを抽出することを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記デジタル音声は、ＭＰ−３互換デジタル音声を含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記通信装置において、対応する一意な可聴シグナルを前記提供することは、短いＣＭソングと、ＣＭのキャッチフレーズと、音のサンプルと、音響効果のサンプルと、言語コンテンツと、音楽と、ユーザが識別可能な触覚感知とのうちの少なくとも１つを提供することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ダウンロードされた一意なシグナルを提供するために、前記通信装置において、前記対応する一意なシグナルをダウンロードすること
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ダウンロードされた一意なシグナルを記憶すること
をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記通信装置において、前記通信リンクの終了を示すための対応する一意なシグナルを前記提供することは、複数の利用可能な対応する一意なシグナルの候補の中から、前記対応する一意なシグナルを選択することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
複数の利用可能な対応する一意なシグナルの候補の中から、前記対応する一意なシグナルを前記選択することは、特定の通信相手と、時刻と、ランダムな選択と、通信リンクの種類と、終了するまでの通信リンクの持続時間とのうち、少なくとも１つの関数として、少なくとも部分的に、複数の利用可能な対応する一意なシグナルの候補の中から、前記対応する一意なシグナルを選択することを含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
通信リンク終了検出器と、
少なくとも１つの記憶された可聴シグナルと、
前記少なくとも１つの記憶された可聴シグナルに動作的に連結された可聴シグナルドライバであって、該可聴シグナルドライバによって、前記少なくとも１つの記憶された可聴シグナルが、通信リンクの終了に応じて可聴な状態になるように、前記通信リンク終了検出器に応答する、可聴シグナルドライバと
を備えたことを特徴とする通信装置。
【請求項１３】
前記通信リンク終了検出器は、通信リンクの終了を検出する手段を備えたことを特徴とする請求項１２に記載の通信装置。
【請求項１４】
通信リンクの終了を検出する前記手段は、無線通信リンクの終了を検出する手段を含むことを特徴とする請求項１３に記載の通信装置。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの記憶された可聴シグナルは、一連の単声音と、一連の多声音と、デジタル音声とのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１２に記載の通信装置。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの記憶された可聴シグナルは、複数の記憶された可聴シグナルを含み、
前記可聴シグナルドライバは、通信リンクの終了に応じて可聴な状態になるように、前記複数の記憶された可聴シグナルのうち、特定の１つの可聴シグナルを選択する手段を備えたことを特徴とする請求項１２に記載の通信装置。
【請求項１７】
前記可聴シグナルドライバに動作的に連結された、ユーザが選択可能な可聴シグナルドライバ抑制器
をさらに備えたことを特徴とする請求項１２に記載の通信装置。
【請求項１８】
いつ無線通信リンクが終了したかについての可聴通知を円滑に行う方法であって、
双方向無線通信装置において、前記無線通信リンクの終了を識別するために使用されることになるが、他のイベント、条件および状態を識別するためには使用されることにならない、少なくとも１つの可聴シグナルを提供することと、
前記双方向無線通信装置において、所与の無線通信リンクが終了したことを検出することと、
前記所与の無線通信リンクの終了を前記検出することに応じて、前記所与の無線通信リンクが終了したという一意な可聴シグナルを前記双方向無線通信装置のユーザに提供するために、前記少なくとも１つの可聴シグナルを可聴な状態にすることと
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの可聴シグナルは、予め定められた最大持続時間を超えない持続時間を有することを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記少なくとも１つの可聴シグナルの提供、および前記少なくとも１つの可聴シグナルの使用のうちの少なくとも１つに対応する料金を課すこと
をさらに備えることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
通信装置において、前記通信装置のための通信リンクが終了したことを判断することと、
前記通信装置において、前記通信リンクが終了したことを前記判断することに応じて、前記通信装置において、前記通信リンクの終了を示すための対応する一意なシグナルを提供することと
を備えることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月26日(2009.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
影像周波数信号消去ミクサであって、
入力無線周波数（ＲＦ）信号を受ける入力端子と、
前記入力ＲＦ信号と局部発振周波数の信号を発生する局部発振器からの信号とを受けるように接続され、第１のミクサ段および第１の出力負荷段を含み第１の出力信号を生ずる第１のミクサと、
前記局部発振器からの前記信号の第１の位相を偏移させて位相偏移ずみの局部発振信号を生ずるように接続した第１の移相器と、
前記入力ＲＦ信号と前記位相偏移ずみの局部発振信号とを受けるように接続され、第２のミクサ段および第２の出力負荷段を含み第２の出力信号を生ずる第２のミクサと、
前記第１のミクサの前記第１の出力負荷段に接続され、前記第１のミクサの前記第１の出力信号の信号波形を修正する第１の出力調整回路と、
前記第２のミクサの前記第２の出力負荷段に接続され、前記第２のミクサの前記第２の出力信号の信号波形を修正する第２の出力調整回路と、
前記第２のミクサの前記第２の出力信号の第２の位相を偏移させて位相偏移ずみの出力信号を生ずるように接続した第２の移相器と、
前記第１の出力信号および前記位相偏移ずみの出力信号を受け、これら出力信号を合成して中間周波数の出力信号を生ずるコンバイナと
を含み、
前記第１の出力調整回路および前記第２の出力調整回路が前記第１の出力信号および前記位相偏移ずみの出力信号の波形を、中間周波数の前記出力信号の中の影像周波数信号成分を含む信号成分のほぼ全部を相殺するように、修正する
影像周波数信号消去ミクサ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月30日(2009.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信を実行する方法であって、
第１のシステムおよび／または第１のオペレータの宇宙ベースのコンポーネントに割り当てられたスペクトルを用いて、地上のコンポーネントによって情報を送信および／または受信し、前記第１のシステムおよび／または第１のオペレータの宇宙ベースのコンポーネントにおける総計干渉レベルを第１の所定の閾値より小さいかまたは実質的に等しく維持することと、
第２のシステムおよび／または第２のオペレータの宇宙ベースのコンポーネントに割当てられたスペクトルを用いて、前記地上のコンポーネントによって情報を送信および／または受信し、前記第２のシステムおよび／または第２のオペレータの宇宙ベースのコンポーネントにおける総計干渉レベルを第２の所定の閾値より小さいかまたは実質的に等しく維持することと
を含む方法。
【請求項２】
前記第１のシステムおよび／または第１のオペレータの宇宙ベースのコンポーネントに割り当てられたスペクトルと、前記第２のシステムおよび／または第２のオペレータの宇宙ベースのコンポーネントに割当てられたスペクトルとを用いて、前記地上のコンポーネントによって情報を意図的に送信および／または受信することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１および／または第２の所定の閾値は、６％ΔＴ／Ｔより小さいかまたは実質的に等しい、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１および／または第２の所定の閾値は、国際電気通信連合によって指定された干渉閾値である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記地上のコンポーネントによる意図的な情報の送信および／または受信に関連する少なくとも１つのパラメータを調整して、宇宙ベースのコンポーネントにおける干渉レベルを制御することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つのパラメータを調整することが、ユーザの数を制限すること、通信のためのデータレートを割当てることおよび／または通信のためのボコーダレートを割当てることを備える、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記通信のためのデータレートを割当てることが、ページング通信および／または低データレート通信を割当てることを備える、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第２のシステムおよび／または第２のオペレータの宇宙ベースのコンポーネントに割当てられたスペクトルを用いて、前記第１のシステムおよび／または第１のオペレータの宇宙ベースのコンポーネントによって情報を送信および／または受信することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
第１のシステムおよび／または第１のオペレータの宇宙ベースのコンポーネントに割り当てられたスペクトルと、第２のシステムおよび／または第２のオペレータの宇宙ベースのコンポーネントに割り当てられたスペクトルとを用いて、地上コンポーネントへ情報を送信し、および／または地上コンポーネントから情報を受信するように構成されたトランスミッタおよび／またはレシーバ回路を備える無線端末。
【請求項１０】
前記トランスミッタおよび／またはレシーバ回路へデータを与え、および／または前記トランスミッタおよび／またはレシーバ回路からデータを与えられるように構成されたベースバンドプロセッサ回路をさらに備える、請求項９に記載の無線端末。
【請求項１１】
総計干渉コントローラが、前記無線端末に関連する少なくとも１つのパラメータを調整して、総計干渉を、所定の閾値よりも小さいかまたは実質的に等しくなるように維持するように構成される、請求項１０に記載の無線端末。
【請求項１２】
前記総計干渉コントローラは、無線端末の数を制限し、データモードおよび／またはボコーダモードを前記無線端末の数に割当てるように構成される、請求項１１に記載の無線端末。
【請求項１３】
前記所定の閾値は、前記第２の衛星オペレータの宇宙ベースのコンポーネントにおいて、６％ΔＴ／Ｔより小さいかまたは実質的に等しい、請求項１１に記載の無線端末。
【請求項１４】
前記所定の閾値は、国際電気通信連合によって指定されたレベルを備える、請求項１１に記載の無線端末。
【請求項１５】
前記第１の所定の閾値は、前記第２の所定の閾値とは異なる、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月5日(2008.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
独立型の複合スピーカデバイスであって、高い方の周波数範囲において音を再生するための第１のスピーカと、低い方の周波数範囲において音を再生するための第２のスピーカとを有するフレームを備え、前記周波数範囲はクロスオーバ周波数ｆcを有し、前記第１のスピーカは最大１０００ｍｍ2の第１の放射面を有し、前記第２のスピーカは第２の放射面を有し、前記第１の放射面の中央エリア及び前記第２の放射面の中央エリアは、該デバイスが使用中であると見なされるときに、互いから垂直距離で距離ｄだけ離れて配置され、
７５０Ｈｚ≦ｆc≦３０００Ｈｚであり、
ｄ≧２．λfcであり、ただし、λfcは前記クロスオーバ周波数において前記再生される音の波長であり、ｄは最小７５０ｍｍ且つ最大３０００ｍｍである、独立型の複合スピーカデバイス。
【請求項２】
１０００Ｈｚ≦ｆc≦２０００Ｈｚであり、ｄ≧３．λfcである、請求項１に記載の独立型の複合スピーカデバイス。
【請求項３】
１０００Ｈｚ≦ｆc≦１５００Ｈｚである、請求項２に記載の独立型の複合スピーカデバイス。
【請求項４】
前記低い方の周波数範囲は、共振周波数から前記クロスオーバ周波数にまで及ぶ、請求項１〜３のいずれか一項に記載の独立型の複合スピーカデバイス。
【請求項５】
前記高い方の周波数範囲は、前記クロスオーバ周波数から拡大する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の独立型の複合スピーカデバイス。
【請求項６】
前記第１のスピーカの前記第１の放射面は円形の輪郭を有し、直径は最大３５ｍｍである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の独立型の複合スピーカデバイス。
【請求項７】
前記第２のスピーカは、前記第１のスピーカの真下に配置される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の独立型の複合スピーカデバイス。
【請求項８】
前記第１のスピーカの前記第１の放射面はドーム形の膜の一部である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の独立型の複合スピーカデバイス。
【請求項９】
ただ１つの前記第１のスピーカ及びただ１つの前記第２のスピーカが存在する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の独立型の複合スピーカデバイス。
【請求項１０】
ステレオ音又はステレオのような音を再生するために、請求項１〜９のいずれか一項に記載のデバイスのうちの少なくとも２つを含む、独立型の複合スピーカシステム。
【請求項１１】
複合スピーカハウジングであって、高い方の周波数範囲において音を再生するための第１のスピーカと低い方の周波数範囲において音を再生するための第２のスピーカとから成るセットを備え、前記周波数範囲はクロスオーバ周波数ｆcを定義し、前記第１のスピーカは該ハウジングの第１の面に配置され、最大１０００ｍｍ2の第１の放射面を有し、前記第２のスピーカは、該ハウジングの前記第１の面ではない第２の面に配置され、第２の放射面を有し、前記第１の放射面の中央エリア及び前記第２の放射面の中央エリアは、少なくとも使用中に互いに対して垂直距離ｄだけ離れて配置され、
７５０Ｈｚ≦ｆc≦３０００Ｈｚであり、ｄは最小１５０ｍｍ且つ最大１０００ｍｍである、複合スピーカハウジング。
【請求項１２】
１０００Ｈｚ≦ｆc≦２０００Ｈｚである、請求項１１に記載の複合スピーカハウジング。
【請求項１３】
１０００Ｈｚ≦ｆc≦１５００Ｈｚである、請求項１２に記載の複合スピーカハウジング。
【請求項１４】
前記低い方の周波数範囲は、共振周波数から前記クロスオーバ周波数にまで及ぶ、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の複合スピーカハウジング。
【請求項１５】
前記高い方の周波数範囲は、前記クロスオーバ周波数から拡大する、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の複合スピーカハウジング。
【請求項１６】
前記第１の放射面は円形の輪郭を有し、直径は最大３５ｍｍである、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の複合スピーカハウジング。
【請求項１７】
前記第２のスピーカは前記ハウジングの背面に取り付けられる、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の複合スピーカハウジング。
【請求項１８】
前記第１のスピーカの前記第１の放射面はドーム形の膜の一部である、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の複合スピーカハウジング。
【請求項１９】
ただ１つの前記第１のスピーカ及びただ１つの前記第２のスピーカが前記セットを形成する、請求項１１〜１８のいずれか一項に記載の複合スピーカハウジング。
【請求項２０】
ステレオ音又はステレオのような音を再生するためのさらに別の同様のスピーカのセットを備える、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の複合スピーカハウジング。
【請求項２１】
請求項１〜９のいずれか一項に記載のデバイス、請求項１０に記載のシステム、又は請求項１１〜２０のいずれか一項に記載のハウジングによって形成されるスピーカ構成を配設される、オーディオ装置及び／又はビデオ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月28日(2008.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースと、
基板取り付け面を備えている外面を有するほぼ円形の主要部分と、該主要部分のエッジ部から伸びかつ前記ベースに固定されている外部環状部分と、該主要部分から伸びかつ前記ベースに固定されている内部環状部分と、該内部環状部分の曲がりによって生じる前記基板取り付け面の歪みを減少させる歪み減少手段とを有する可撓性膜と、
を備え、
前記ベースと前記可撓性膜との間の体積が、複数の加圧可能なチャンバを形成している、キャリヤヘッド。
【請求項２】
ドライブシャフトに固定されているハウジングと、該ハウジングに相対して前記ベースの位置を制御するローディングチャンバと、前記ベースに結合した保持リングとを更に備える請求項１記載のキャリヤヘッド。
【請求項３】
５つの加圧可能チャンバを含んでおり、
前記５つの加圧可能チャンバの各々が、基板上の前記可撓性膜の前記主要部分の付随したセグメントによって下向きの圧力を制御している、請求項１記載のキャリヤヘッド。
【請求項４】
ベースアセンブリと、
基板取り付け面を備えている外面を有するほぼ円形の主要部分と、該主要部分のエッジ部から伸びる外部環状部分と、該外側環状部分の一番上の頂点に接続され、前記ベースアセンブリに固定されている第１のフラップと、該外部環状部分の第２の頂点に接続され、前記ベースアセンブリに固定されている第２のフラップとを有する可撓性膜と、
を備え、
前記ベースアセンブリと前記可撓性膜との間の体積が、複数の加圧可能なチャンバを形成している、キャリヤヘッド。
【請求項５】
キャリヤヘッドのための可撓性膜であって、
基板取り付け面を備えている下部表面を有するほぼ円形の主要部分と、
前記可撓性膜がキャリヤヘッドのベースアセンブリに固定される場合に、複数の加圧可能チャンバを形成する可撓性の複数の同心環状フラップと、
を備え、
前記複数の環状フラップの少なくとも１つが、前記複数のチャンバのうち隣接するチャンバの圧力が同じでないことにより前記フラップが曲がることによって、前記主要部分の圧縮を減少させるように構成されている、可撓性膜。
【請求項６】
前記少なくとも１つの環状フラップがノッチを含んでいる、請求項５記載の可撓性膜。
【請求項７】
前記ノッチが、前記少なくとも１つの環状フラップと前記主要部分との間の接続部に形成されている、請求項６記載の可撓性膜。
【請求項８】
前記環状フラップが複数のノッチを含んでいる、請求項６記載の可撓性膜。
【請求項９】
前記複数のノッチのうちの第１のノッチが、前記少なくとも１つの環状フラップと前記主要部分との間の接続部に形成され、前記複数のノッチのうちの第２のノッチが、該環状フラップのほぼ中点に形成されている、請求項８記載の可撓性膜。
【請求項１０】
前記複数の環状フラップの少なくとも１つが、前記少なくとも１つの環状フラップと前記主要部分との間の接続部に隣接した拡張部分を含んでいる、請求項５記載の可撓性膜。
【請求項１１】
前記複数の環状フラップの前記少なくとも１つが、前記基板取り付け面にほぼ平行に伸びる部分を含んでいる、請求項１０記載の可撓性膜。
【請求項１２】
前記拡張部分が、前記基板取り付け面にほぼ平行に伸びる前記部分に近い側の傾斜面と、前記基板取り付け面にほぼ平行に伸びる前記部分の反対側のほぼ垂直な面とを含んでいる、請求項１１記載の可撓性膜。
【請求項１３】
前記基板取り付け面にほぼ平行に伸びる前記部分が前記拡張部分の一番上の頂点に接続している、請求項１２記載の可撓性膜。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの環状フラップが、前記主要部分の圧縮を減少させるために、前記複数のチャンバの少なくとも１つから前記可撓性膜の前記環状フラップを通って前記主要部分まで伝達される下向きの負荷を減少させるように構成されている、請求項５記載の可撓性膜。
【請求項１５】
ベースと、
請求項５〜１４のいずれか一項記載の可撓性膜と、
を備える、キャリヤヘッド。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年4月30日(2009.4.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３】  請求項１または２に記載の式Ｉの化合物であって、Ｒ３およびＲ４が、互いに独立して、
Ｈ、
−ＮＨ２、−ＮＨＣＨ３もしくは−Ｎ（ＣＨ３）２で末端が置換されている、１〜８個の炭素原子を有するアルキル、または
以下の基の１つ：
【化２】
2004516329.tif 000001
式中、ｎは０、１、２、３、４、５、６、７、８、９もしくは１０である、
であることを特徴とする前記化合物。 
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
Ｒ３およびＲ４は、互いに独立して好ましくは、Ｈ、ヘテロ芳香族基、１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基であり、末端が−ＮＨ２、−ＮＨＡ１または−ＮＡ１Ａ２で置換されており、Ａ１およびＡ２は上記に定義したものである。更にＲ３およびＲ４は共に、好ましくは、代替的に３〜７個の炭素原子を有するシクロアルキルまたはシクロアルキレンで、それぞれは、無置換かまたは、−ＮＨ２、−ＮＨＡ１、−ＮＡ１Ａ２、−ＮＨＣＯＡ１、ＮＨＣＯＯＡ１、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＡ１、−ＣＯＮＨ２、−ＣＯＮＨＡ１、または−ＣＯＮＡ１Ａ２で単置換もしくは多置換されており、１つまたは２つの−ＣＨ２−基は、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＮＡ１−、−ＮＣＯＡ１−または−ＮＣＯＯＡ１で置換されてもよい。特に、Ｒ３およびＲ４は、互いに独立して、
Ｈ、
−ＮＨ２、−ＮＨＣＨ３もしくは−Ｎ（ＣＨ３）２で末端が置換されている、１〜８個の炭素原子を有するアルキル、または
以下の基の１つ： 
【化１２】
2004516329.tif 000002
式中、ｎは０、１、２、３、４、５、６、７、８、９もしくは１０である、
である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年11月25日(2008.11.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キルティングされた羽毛布団、キルト、枕などのように吹き入れポリエステル繊維が充填されたカバーであって、
充填物が、０．９〜７dtexの繊度、８〜２４ｍｍの切断長、および単位センチメートル当りの曲がりの数（Ｂｇ）に対するクリンプ（Ｋ１）の比が３．５≦Ｋ１／Ｂｇ≦４．５の関係を満たすように表面がシリコーンで覆われた中空のポリエステル繊維を含み、かつ、単位センチメートル当り少なくとも３つの曲がりの数Ｂｇであることを特徴とするポリエステル繊維充填カバー。
【請求項２】
前記中空ポリエステル繊維がポリエチレン・テレフタラート繊維であることを特徴とする請求項１記載の充填カバー。
【請求項３】
前記中空ポリエステル繊維の切断長が１４〜２０ｍｍであることを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項記載の充填カバー。
【請求項４】
前記切断長が１８ｍｍであることを特徴とする請求項３記載の充填カバー。
【請求項５】
前記中空ポリエステル繊維が種々の繊度の繊維が混ざり合った繊維混合物から成ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の充填カバー。
【請求項６】
前記中空ポリエステル繊維が異なる切断長であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の充填カバー。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
この目的は、キルティングされた羽毛布団、キルト、枕などのような吹き入れ（blown-in）ポリエステル繊維が充填されるカバーによって達成され、その充填物は、０．９〜７dtexの繊度、８〜２４ｍｍの切断長、特に１１〜２８ｍｍの切断長、および単位センチメートル当りの曲がりの数（Ｂｇ）に対するクリンプ（Ｋ１）の比が３．５≦Ｋ１／Ｂｇ≦４．５の関係を満たすように表面がシリコーンで覆われた中空のポリエステル繊維を含み、かつ、単位センチメートル当り少なくとも３つの曲がりの数Ｂｇであることを特徴とする。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
中空のポリエステル繊維は、ポリエチレン・テレフタラートから成ることが好ましい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
本発明の特定の実施例において、中空のポリエステル繊維は、種々の繊度の繊維が混ざり合った繊維混合物および／または異なる繊維長さ（異なるステープル長さ）の繊維の混合物から成る。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年8月20日(2009.8.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
また、上記のいずれでも、柔軟な（ゆるみのある）部材（アイテム）が様々な移動機構に引き込まれないようにする物理的なバリアー（防壁）として一つ又は複数のガード部材を備えることもできる。