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【手続補正書】
【提出日】平成21年8月28日(2009.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インディシアを読み取る電気光学読み取り機におけるレーザによって放出されたレーザビームの出力パワーを調整するためのレーザパワー制御装置であって、
レーザ駆動回路であって、該レーザ駆動回路は、異なる第１および第２の較正駆動電流にそれぞれ対応する異なる第１および第２の出力パワーを有するレーザビームを放出するための較正モードにおいて、実質的に同じ第１の温度で複数回、該レーザを活性化し、異なる第１および第２の動作駆動電流にそれぞれ対応する同じ第１および第２の出力パワーを有するレーザビームを放出するための動作モードにおいて、実質的に同じ第２の温度で複数回、該レーザを活性化する、レーザ駆動回路と、
該第１および第２の較正駆動電流の間の較正の差を格納するメモリであって、該較正の差は、該較正モードにおける該第１の温度における変動の影響を受けず、該メモリは、該第１および第２の動作駆動電流の間の動作中の差を格納するようにさらに動作可能であり、該動作中の差は、該動作モードにおける該第２の温度における変動の影響を受けない、メモリと、
コントローラであって、該動作モードにおいて、該第１の温度と該第２の温度との間の変動の影響を受けないように第１および第２の動作駆動電流の間の動作中の差と、該第１および第２の較正駆動電流の間の較正の差とを比較するように動作可能であり、動作中の差が所定の量だけ該較正の差を超過するときに、該レーザを不活性化するように動作可能である、コントローラと
を備えている、装置。
【請求項２】
前記レーザ駆動回路は、デジタルポテンショメータを含んでおり、該デジタルポテンショメータは、前記コントローラによって、前記第１および第２の出力パワーに対応するポテンショメータ設定を設定するように制御される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記メモリは、前記ポテンショメータ設定を格納するように動作可能である、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記コントローラは、前記レーザに接続された制御スイッチを含んでおり、該制御スイッチは、前記動作駆動電流が前記レーザに到達することを妨げるように、該コントローラによって開かれる、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記レーザ駆動回路は、モニタフォトダイオードと、冗長フィードバック回路とを含んでおり、該モニタフォトダイオードは、前記レーザによって放出されたレーザビームを検出し、該冗長フィードバック回路は、該モニタフォトダイオードの検出に基づいて、該レーザを冗長的に不活性化するフィードバック信号を生成する、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
インディシアを読み取る電気光学読み取り機におけるレーザによって放出されたレーザビームの出力パワーを調整するためのレーザパワー制御方法であって、
異なる第１および第２の較正駆動電流にそれぞれ対応する異なる第１および第２の出力パワーを有するレーザビームを放出するための較正モードにおいて、実質的に同じ第１の温度で複数回、該レーザを活性化し、異なる第１および第２の動作駆動電流にそれぞれ対応する同じ第１および第２の出力パワーを有するレーザビームを放出するための動作モードにおいて、実質的に同じ第２の温度で複数回、該レーザを活性化するステップと、
該第１および第２の較正駆動電流の間の較正の差を格納するステップであって、該較正の差は、該較正モードにおける該第１の温度における変動の影響を受けない、ステップと、
該第１および第２の動作駆動電流の間の動作中の差を格納するステップであって、該動作中の差は、該動作モードにおける該第２の温度における変動の影響を受けない、ステップと、
該動作モードの間に、該第１の温度と該第２の温度との間の変動の影響を受けないように該第１および第２の動作駆動電流の間の動作中の差と、該第１および第２の較正駆動電流の間の較正の差とを比較し、該動作中の差が所定の量だけ該較正の差を超過するときに、該レーザを不活性化するステップと
を包含する、方法。
【請求項７】
前記第１および第２の出力パワーに対応するデジタルポテンショメータ設定を確立するステップをさらに含んでいる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ポテンショメータ設定を格納するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記レーザに接続された制御スイッチを開き、前記動作駆動電流が該レーザに到達することを妨げるステップをさらに含んでいる、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記レーザによって放出されたレーザビームを検出し、該検出するステップに基づいて、該レーザを冗長的に不活性化するフィードバック信号を生成するステップをさらに含んでいる、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月4日(2009.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動体通信ネットワークにおける受信局で実行される、アップリンクチャネル上のフィードバック負荷を制御する方法であって、
多アンテナ送信局へ、第１のアンテナ構成に対応する第１のダウンリンク送信モードについてのチャネル品質フィードバックを提供するステップと、
性能評価基準を生成するステップと、
前記性能評価基準が第１の閾値を超える場合、１つ又は複数のさらなるダウンリンク送信モードについてのチャネル品質フィードバックを前記送信局に提供するステップを有することを特徴とする方法。
【請求項２】
移動体通信ネットワークにおける受信局であって、
リモート局から信号を受信する受信器と、
前記リモート局へ信号を送信する送信器と、
前記受信器及び前記送信器と動作可能に接続され、前記受信器及び前記送信器を制御するコントローラとを有し、
前記コントローラが、
多アンテナ送信局へ、第１のアンテナ構成に対応する第１のダウンリンク送信モードについてのチャネル品質フィードバックを提供し、
性能評価基準を生成し、
前記性能評価基準が第１の閾値を超える場合、１つ又は複数のさらなるダウンリンク送信モードについてのチャネル品質フィードバックを前記送信局に提供するように動作することを特徴とする受信局。
【請求項３】
前記性能評価基準が、前記第１のダウンリンク送信モードにおいて予期される性能を表すことを特徴とする請求項２記載の受信局。
【請求項４】
前記コントローラが、前記性能評価基準が満たされた場合、さらなるダウンリンク送信モードの各々についてのチャネル品質フィードバックを提供することを特徴とする請求項３記載の受信局。
【請求項５】
前記コントローラが、前記性能評価基準が満たされた場合、さらなるダウンリンク送信モードのうち、指定された最大モードまでの各々についてのチャネル品質フィードバックを提供することを特徴とする請求項３記載の受信局。
【請求項６】
前記コントローラがさらに、１つ又は複数のさらなるダウンリンク送信モードについて予期されるレート増加を算出し、前記１つ又は複数のさらなるダウンリンク送信モードのうち、前記予期されるレート増加がレート増加閾値を超えるものについてのチャネル品質フィードバックを提供することを特徴とする請求項３記載の受信局。
【請求項７】
前記コントローラが、
前記１つ又は複数のさらなるダウンリンク送信モードについて前記性能評価基準を生成し、
前記１つ又は複数のさらなるダウンリンク送信モードのうち、対応する前記性能評価基準が前記閾値を満たすものについてのチャネル品質フィードバックを提供することを特徴とする請求項２記載の受信局。
【請求項８】
前記コントローラが、
前記１つ又は複数のさらなるダウンリンク送信モードについて前記性能評価基準を生成し、
前記１つ又は複数のさらなるダウンリンク送信モードのうち、対応する前記性能評価基準が前記閾値を満たすものについてのチャネル情報を前記チャネル品質フィードバックとして提供することを特徴とする請求項２記載の受信局。
【請求項９】
前記性能評価基準がチャネル品質評価基準又はレート評価基準の一方であることを特徴とする請求項２記載の受信局。
【請求項１０】
前記性能評価基準が、信号と干渉及び雑音の合計との比と、チャネル品質表示の一方を含むことを特徴とする請求項９記載の受信局。
【請求項１１】
前記性能評価基準が、最初のモードから上位モードへの予期されるレート増加を含むことを特徴とする請求項９記載の受信局。
【請求項１２】
前記受信局が、複数の連続する干渉除去ステージを含み、前記性能評価基準が前記受信局の最初のステージについての信号と干渉及び雑音の合計との比を含むことを特徴とする請求項２記載の受信局。
【請求項１３】
移動体通信ネットワークにおける基地局であって、
１つ又は複数のリモート局について、ダウンリンクチャネルに関連する状況に基づくフィードバック閾値を生成するように構成されるコントローラと、
前記リモート局から多アンテナ送信局で受信されるチャネル品質フィードバックの量を制御するため、前記フィードバック閾値を前記リモート局の１つ又は複数に送信するように構成される送信器とを有することを特徴とする基地局。
【請求項１４】
前記コントローラが、前記移動体通信ネットワークのシステム容量及びリソース利用率の少なくとも一方に基づいて前記フィードバック閾値を生成することを特徴とする請求項１３記載の基地局。
【請求項１５】
前記送信器がさらに、前記リモート局から受信されるチャネル品質フィードバックの量を制御するため、前記リモート局の１つ又は複数に最大モードインジケータを送信するように構成されることを特徴とする請求項１３記載の基地局。
【請求項１６】
前記送信器がさらに、前記リモート局から受信されるチャネル品質フィードバックの量を制御するため、前記リモート局の１つ又は複数にレート増加閾値を送信するように構成されることを特徴とする請求項１３記載の基地局。
【請求項１７】
移動体通信ネットワークにおいて、基地局で１つ又は複数のリモート局から受信するチャネル品質フィードバックの量を制御するための方法であって、
基地局と１つ又は複数のリモート局との間のダウンリンクチャネルに関連する状況に基づいてフィードバック閾値を生成するステップと、
前記リモート局から多アンテナ送信局で受信されるチャネル品質フィードバックの量を制御するため、前記フィードバック閾値を前記リモート局の１つ又は複数に送信するステップとを有することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月18日(2009.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線インタフェース（１０６）を経てランダムアクセス手順を実行する方法であって、
前記無線インタフェースを経たアクセスバースト（１１２）の送信のためにアクセス・タイム・スロットを選択するステップ（２０４）と、
前記アクセスバーストの送信のためにアクセス帯域幅（ＢＷRACH）を設定するステップ（２０６）とを有し、
前記アクセス帯域幅が、前記無線インタフェースと関連するアップリンク送信のために利用可能なシステムの伝送帯域幅より小さく設定されることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記利用可能なシステムの伝送帯域幅と、前記アクセス帯域幅と、前記アクセス帯域幅を有するアクセス周波数帯域の位置との少なくとも１つに関する情報を受信するステップをさらに有することを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法において、
前記利用可能なシステムの伝送帯域幅内に前記アクセス帯域幅を有するアクセス周波数帯域を選択するステップをさらに有することを特徴とする方法。
【請求項４】
無線インタフェース（１０６）のためにランダム・アクセス・チャネルを提供する方法であって、
前記ランダム・アクセス・チャネルのためにアクセス・タイム・スロットを定義するステップ（２２４）と、
アクセス要求のためにアクセス帯域幅（ＢＷRACH）を設定するステップ（２２６）とを有し、
前記アクセス帯域幅が、前記無線インタフェースと関連するアップリンク送信のために利用可能なシステムの伝送帯域幅より小さく設定されることを特徴とする方法。
【請求項５】
無線インタフェース（１０６）を経てランダムアクセス手順を実行する移動体端末（１０２、１２０）であって、
前記無線インタフェースを経たアクセスバースト（１１２）の送信のためにアクセス・タイム・スロットを選択するタイムスロット選択手段（１２２）と、
前記アクセスバーストの送信のためにアクセス帯域幅（ＢＷRACH）を設定する帯域幅設定手段（１２４）とを有し、
前記帯域幅設定手段が、前記無線インタフェースと関連するアップリンク送信のために利用可能なシステムの伝送帯域幅より前記アクセス帯域幅を小さく設定することを特徴とする移動体端末。
【請求項６】
無線インタフェース（１０６）のためにランダム・アクセス・チャネルを提供する無線基地局（１０４、１４０）であって、
前記ランダム・アクセス・チャネルのためにアクセス・タイム・スロットを定義するタイムスロット定義手段（１４８）と、
アクセス要求のためにアクセス帯域幅（ＢＷRACH）を設定する帯域幅設定手段（１５０）とを有し、
前記帯域幅設定手段が、前記無線インタフェースと関連するアップリンク送信のために利用可能なシステムの伝送帯域幅より前記アクセス帯域幅を小さく設定することを特徴とする無線基地局。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月19日(2009.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ転送を適応的に制御するコンピュータ実装方法であって、
選択された優先度を使用してソースから配信されるデータを複数のゲートウェイにおいて受信するステップと、
前記選択された優先度を使用して、前記データを前記複数のゲートウェイから複数の受信機に送信するステップと、を含み、
前記複数のゲートウェイは全て、適応型帯域幅制御処理と、前記データが前記選択された優先度で送信されるように前記適応型帯域幅制御処理を制御する各パラメータ・セットと、を有し、
前記選択された優先度で行われる各ゲートウェイからの前記データの送信は、前記複数のゲートウェイのうちの異なるゲートウェイに関する前記パラメータ・セットについて異なる値が設定されている場合には、前記異なるゲートウェイの他のトラフィックに異なる影響を与えることになる、
コンピュータ実装方法。
【請求項２】
前記パラメータ・セットは、閾値と、βと、最大待ち時間と、を含む、請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項３】
前記複数のゲートウェイのうちの特定のゲートウェイに関するパラメータ・セットを構成するステップを更に含み、前記特定のゲートウェイに関する前記パラメータ・セットは、前記複数のゲートウェイのうちの別のゲートウェイに関する前記パラメータ・セットとは異なる、
請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項４】
前記適応型帯域幅制御処理では、前記複数のゲートウェイのうちのあるゲートウェイから前記配信の受信機までの経路に沿った輻輳が加味される、請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項５】
前記各パラメータ・セットは、前記複数のゲートウェイのうちの各ゲートウェイ毎に異なる、請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項６】
前記データは、データ・ファイル、アプリケーション・アップデート、及びウイルス・パッチのうちの１つを含む、請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法の各ステップをコンピュータに実行させるコンピュータ・プログラム。
【請求項８】
データ処理システムであって、
バスと、
前記バスに接続された通信ユニットと、
前記バスに接続され、１組のコンピュータ使用可能なプログラム・コードを含む記憶デバイスと、
前記バスに接続され、前記１組のコンピュータ使用可能なプログラム・コードを実行して請求項１乃至６のいずれか一項に記載の各ステップを実施する処理ユニットと、
を備えるデータ処理システム。
【請求項９】
カスタマイズ・データ転送をクライアントに提供する方法であって、
ネットワーク特性及びゲートウェイＩＤを含むカスタマイズ・データ転送要求を前記クライアントから受信するステップと、
それぞれ前記ゲートウェイＩＤ及び前記ネットワーク特性に基づいてゲートウェイに割り当てられるカスタム・パラメータ・セットを生成するステップと、
選択された優先度を使用してソースから配信されるデータを複数のゲートウェイにおいて受信するために、コンピュータ使用可能なプログラム・コードと共に使用される前記カスタム・パラメータ・セットを前記クライアントに送信するステップと、
前記選択された優先度を使用して、前記データを前記複数のゲートウェイから複数の受信機に送信するステップと、を含み、
前記複数のゲートウェイは全て、適応型帯域幅制御処理と、前記データが前記選択された優先度で送信されるように前記適応型帯域幅制御処理を制御する各パラメータ・セットと、を有し、
前記選択された優先度で行われる各ゲートウェイからの前記データの送信は、前記複数のゲートウェイのうちの異なるゲートウェイに関する前記パラメータ・セットについて異なる値が設定されている場合には、前記異なるゲートウェイの他のトラフィックに異なる影響を与えることになる、
方法。
【請求項１０】
前記送信するステップは、前記コンピュータ使用可能なプログラム・コードと共に前記カスタム・パラメータ・セットを送信するステップを更に含む、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月16日(2009.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハの表面を固定砥粒で改質するのに有用な化学的機械的研磨組成物であって、水と、酸化剤と、錯化剤と、金属イオンとの均質な相乗混合物を含み、前記錯化剤の大部分が単純な一官能性酸、単純な二官能性酸、単純な三官能性酸、それらの塩、又はそれらの組み合わせから選択される場合、前記組成物中に存在する錯化剤と金属イオンとのモル比が少なくとも３対１であり、前記混合物が研磨粒子を実質的に有しておらず、且つ、任意に、前記混合物は不動態化剤を実質的に有していない化学的機械的研磨組成物。
【請求項２】
前記錯化剤の大部分が、単純な一官能性酸、単純な二官能性酸、単純な三官能性酸、それらの塩、又はそれらの組み合わせから選択される場合、液体中に存在する錯化剤と金属イオンとのモル比が少なくとも４対１である、請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項３】
前記錯化剤は多座配位性であり、且つ、任意に、前記錯化剤は、クエン酸、２−ヒドロキシイソ酪酸、乳酸、シュウ酸、マロン酸、メチルマロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、それらの対応する塩及びそれらの混合物から選択される、請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項４】
前記金属イオンは、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｓｂ、及びそれらの組み合わせから選択された金属のイオンである、請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項５】
前記酸化剤は少なくとも１つの過化合物であり、且つ、任意に、前記酸化剤は過酸化水素である、請求項１に記載の研磨組成物。
【請求項６】
固定砥粒パッドと、請求項１〜５のいずれか１項に記載の研磨組成物とを含み、且つ、任意に、前記固定砥粒パッドは、研磨物品に固定された複数の三次元的な研磨複合材を含み、前記研磨複合材は、結合剤中に固定して分散された複数の研磨粒子を含み、且つ、任意に、前記酸化剤は、使用時まで前記金属イオン及び前記固定砥粒パッドから分離したままで保たれる、化学的機械的研磨システム。
【請求項７】
半導体デバイスの加工に好適な、半導体ウェハの表面を改質する方法であって、
ａ）エッチングされてパターンを形成した表面を有する少なくとも第１の材料と、前記第１の材料の表面の上方に配置された少なくとも第２の材料とを含むウェハを用意するステップと、
ｂ）請求項１〜５のいずれか１項に記載の研磨組成物の存在下で、研磨物品に固定された複数の三次元的な研磨複合材に前記ウェハの前記第２の材料を接触させるステップであって、前記研磨複合材は結合剤中に固定して分散された複数の研磨剤粒子を含む、ステップと、
ｃ）前記ウェハの露出した表面が、実質的に平坦となり、且つ露出した第１の材料の少なくとも１つの領域、及び露出した第２の材料の１つの領域を含むようになるまで、前記第２の材料が前記複数の研磨複合材と接触している間に前記ウェハを相対的に移動させるステップと、を含む方法。
【請求項８】
半導体デバイスの加工に好適な、ウェハの表面を改質する方法であって、
ａ）パターン表面を有する少なくとも１つの誘電材料を含むウェハを用意するステップであって、前記誘電材料は少なくとも１つの中間層で実質的に覆われており、且つ前記中間層は少なくとも１つの導電材料で実質的に覆われており、且つ、任意に、前記中間層は接着／バリア層であり、且つ、任意に、前記導電材料はタングステンを含む、ステップと、
ｂ）請求項１〜５のいずれか１項に記載の研磨組成物の存在下で、研磨物品に固定された複数の三次元的な研磨複合材に前記ウェハの前記導電材料を接触させるステップであって、前記複数の研磨複合材は結合剤中に固定され且つ分散された複数の研磨剤粒子を含み、且つ、任意に、前記研磨粒子は、シリカ粒子又は、アルミナ粒子、セリア粒子、及びそれらの組み合わせから選択される金属酸化物粒子である、ステップと、
ｃ）前記ウェハの露出した表面が、露出した導電材料の少なくとも１つの領域、露出した中間層の少なくとも１つの領域、及び／又は露出した誘電材料の少なくとも１つの領域を含むようになるまで、前記導電材料が前記複数の研磨複合材と接触している間に前記ウェハを相対的に移動させるステップと、
を含む方法。
【請求項９】
前記研磨物品は、サブパッドに取り付けられ且つ／又はサブパッドによって支持され、任意に、前記サブパッドは積層体であり、且つ、任意に、前記積層体はポリカーボネートシート及び／又はポリウレタンフォームを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ステップ（ｃ）の露出したウェハ表面は、４，０００Å未満のＲｔ値を有し、任意に、前記ステップ（ｃ）の露出した表面は１，０００Å未満のＲｔ値を有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記研磨複合材は少なくとも１つの添加剤を更に含み、任意に、前記添加剤は、研磨粒子用の表面改質剤、不動態化剤、カップリング剤、充填剤、膨張剤、繊維、静電気防止剤、開始剤、懸濁剤、潤滑剤、湿潤剤、界面活性剤、顔料、染料、紫外線安定化剤、錯化剤、連鎖移動剤、促進剤、触媒、活性剤、及びそれらの組み合わせから選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記ウェハは、前記誘電材料を実質的に覆うバリア層を更に含み、且つ、任意に、前記ウェハは第２のバリア層を更に含む、請求項８に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
実施例１０
研磨溶液は、実施例９と同様である。この溶液を研磨に先立って４日間エージングさせた。この溶液のｐＨは２．５２であった。ブランケットタングステンウェハ及びパターンタングステンウェハを研磨した。ブランケットウェハの除去速度を表１に示す。Ｔｉ及びＴｉＮ層を含めて、パターンウェハを、２分間の研磨の後洗浄した。ディッシング（dishing，配線厚さ変動）及び浸食は良好であった。９０％の稠密配列（９μｍ線／１μｍ間隔）、１００μｍ（孤立線）及び１０μｍ線（配列）により、それぞれ５５０Å、４７６Å、及び３４１ÅのＴＩＲ値が生じた。実施例９の結果と比較すると、この研磨溶液は、過酸化水素の添加後、優れた可使時間を示しており、際立った気泡形成がないことにより、過酸化水素の分解はほとんど認められない。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月8日(2009.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１表面を有する基板と、
基板の第１表面の上に配置される半導体チップと、
基板の第１表面の上に配置される電気絶縁構造と、前記電気絶縁構造は電気リード、及び電気リードと一体成形される有機系要素を有することと、
電気絶縁構造及び基板の第１表面を一体的に接続する半田要素とを備え、
前記電気絶縁構造は金属要素をさらに備え、
前記有機系要素は前記金属要素と一体成形され、
前記有機系要素は前記金属要素と電気リードの間に配置される、半導体構造。
【請求項２】
半導体チップと基板の第１表面との間に配置され、かつ半導体チップ及び基板の第１表面を一体的に接続する接着剤をさらに備え、
半田要素は第１溶融温度を有し、
接着剤は第１溶融温度よりも高い第２溶融温度を有する、請求項１記載の半導体構造。
【請求項３】
前記基板は導電材料からなり、前記半導体チップに電気的に接続される、請求項１記載の半導体構造。
【請求項４】
第１表面を有する基板と、
基板の第１表面の上に配置される半導体チップと、
基板の第１表面の上に配置される電気絶縁構造と、前記電気絶縁構造は電気リード、及び電気リードと一体成形される有機系要素を有することと、
電気絶縁構造及び基板の第１表面を一体的に接続する半田要素とを備え、
前記有機系要素はプラスチックからなり、
前記電気絶縁構造は金属要素をさらに備えている、半導体構造。
【請求項５】
第１表面を有する基板と、
基板の第１表面の上に配置される半導体チップと、
基板の第１表面の上に配置される電気絶縁構造と、前記電気絶縁構造は電気リード、及び電気リードと一体成形される有機系要素を有することと、
電気絶縁構造及び基板の第１表面を一体的に接続する半田要素と、
半導体チップと基板の第１表面との間に配置され、かつ半導体チップ及び基板の第１表面を一体的に接続する接着剤とを備え、
前記半田要素は第１溶融温度を有し、
前記接着剤は第１溶融温度よりも高い第２溶融温度を有し、
前記有機系要素はプラスチックからなる、半導体構造。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月19日(2009.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを配設する方法において、
導電配線及びボンディングパッドが設けられた主面を有するチップを設ける工程と、
バッファ層を形成すべくチップの主面の少なくとも一部をバッファ層の材料で被覆する工程と、
前記ダイを封止材料で封止する工程と、
バッファ層をパターニングして、チップを外部リードに接続するために使用されるボンディングパッド上の領域の大部分を露出させる間に、バッファ層を導電配線の少なくとも一部の上に残す工程とを備え、
前記バッファ層材料は、（１）前記封止材料の誘電率よりも低い誘電率、及び、（２）前記封止材料の損失正接よりも低い損失正接のうちの少なくとも一方を有する、方法。
【請求項２】
前記バッファ層材料の誘電率は３．０よりも低い、請求項１記載の方法。
【請求項３】
バッファ層の材料で被覆する前記工程では、バッファ層が均一な厚さを有するように前記ダイの主面の大部分をバッファ層で被覆する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
被覆する工程の後に、シール層をバッファ層の外側表面上に形成する工程をさらに備える、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記半導体ダイは所定の周波数で動作したときにフリンジ電界を生じ、前記バッファ層材料で被覆する工程では、前記フリンジ電界をバッファ層の内部に収めるために十分な一定の膜厚を有したバッファ層を形成すべく前記ダイの主面の大部分をバッファ層で被覆する、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月7日(2009.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を処理するための装置において、
メタルフリー燒結固体炭化ケイ素材料で製造された１つ以上の構成部分を含む処理キット、
を備える装置。
【請求項２】
上記処理キットの上記構成部分は、基板支持体、予熱リング、リフトピン及び基板支持ピンのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
上記処理キットの上記構成部分は、予熱リングを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
チャンバ本体を更に備え、
上記処理キットは、上記チャンバ本体に配設される少なくとも基板支持体を備え、上記基板支持体は、メタルフリー燒結固体炭化ケイ素で製造される、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
リアクタは、堆積処理、エッチング処理、プラズマ堆積及び／又はエッチング処理、及び熱処理のうちの少なくとも１つを行うように適応される、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
リアクタは、化学気相堆積処理、急速加熱処理、又はエピタキシャルシリコン堆積処理のうちの少なくとも１つを行うように適応される、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
上記基板支持体は、更に、そこに置かれる基板の表面上に所定の温度分布を達成するように機械加工された凹状上方表面を備える、請求項４に記載の装置。
【請求項８】
上記凹状上方表面は、上記凹状上方表面の中央領域に第１の粗さを、及び上記凹状上方表面の周辺領域に第２の粗さを有する、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
上記第１の粗さは、約０．２μｍから８μｍであり、上記第２の粗さは、約８μｍから２０μｍである、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
上記基板支持体は、更に、そこに置かれる基板の周辺縁部に接触するように適応された基板座面を備える、請求項４に記載の装置。
【請求項１１】
上記基板支持体は、更に、複数の基板リフトピンを収容するように適応された複数の開口を備え、上記複数の開口のリフトピン係合表面は、約０．２μｍから５μｍの粗さまで研磨される、請求項４に記載の装置。
【請求項１２】
メタルフリー燒結固体炭化ケイ素で製造された複数のリフトピンを更に備える、請求項４に記載の装置。
【請求項１３】
上記リフトピンの基板係合表面は、約０．２μｍから５μｍの粗さまで研磨される、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
上記基板支持体は、複数の基板支持ピンによって支持され、上記複数の基板支持ピンのうちの少なくとも１つは、メタルフリー燒結固体炭化ケイ素で製造される、請求項４に記載の装置。
【請求項１５】
上記チャンバ本体に配設され上記基板支持体を取り囲むガス予熱リングを更に備え、上記ガス予熱リングはメタルフリー燒結固体炭化ケイ素で製造される、請求項４に記載の装置。
【請求項１６】
上記基板支持体は、更に、そこを通して形成され基板支持領域に配設された１つ以上の開口を備える、請求項４に記載の装置。
【請求項１７】
上記開口は、上記基板支持体に半径方向に配置される、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
上記開口は、上記基板支持体の表面に亘って約５パーセントから１５パーセントのパーセント開口領域を与える、請求項１６に記載の装置。
【請求項１９】
上記基板支持体は、所定の厚み変化プロフィールを有する、請求項４に記載の装置。
【請求項２０】
上記基板支持体の上方表面と上記基板支持体上に置かれるときの基板の裏側に対応する位置との間に画成されるギャップを更に備える、請求項４に記載の装置。
【請求項２１】
上記ギャップは、所定の変化プロフィールを有する、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
上記ギャップの上記プロフィールは、約０．０１２インチだけ変化する、請求項２０に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月9日(2009.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加入者セッションおよびトラフィック・フローのうち少なくとも一つに対してポリシ施行を規定するシステムであって、
加入者セッションおよびトラフィック・フローのうち前記少なくとも１つを開始する移動体加入者と、
前記移動体加入者と通信し、加入者セッションおよびトラフィック・フローのうち前記少なくとも１つを確立し、加入者セッションおよびトラフィック・フローのうち前記少なくとも１つに対してポリシを施行するポリシ施行点と、
ポリシ・サーバと通信する前記ポリシ施行点に対するインターフェースであって、前記ポリシ施行点は、アクセス要求メッセージを用いて、前記ポリシ・サーバからポリシを要求し、認定変更メッセージを用いて、前記ポリシ・サーバから未要請のポリシを受信する、インターフェースと、
を備えている、システム。
【請求項２】
請求項１記載のシステムにおいて、前記ポリシ施行点は、パケット・データ配給ノード（ＰＤＳＮ）である、システム。
【請求項３】
請求項１記載のシステムであって、更に、前記移動体加入者および前記ポリシ・サーバと通信するアプリケーション・サーバを備えており、
前記移動体加入者は、アプリケーションを開始するために、前記アプリケーション・サーバに情報を送る、システム。
【請求項４】
請求項３記載のシステムにおいて、前記インターフェースは、前記移動体加入者が開始するアプリケーションに関するサービス品質（ＱｏＳ）施行を規定する属性を含む前記認定変更メッセージを受信する、システム。
【請求項５】
請求項１記載のシステムにおいて、前記インターフェースは、ユーザ名、サービス・タイプ、およびフィルタＩｄの属性のうち少なくとも１つを含む前記認定変更メッセージを受信する、システム。
【請求項６】
請求項１記載のシステムであって、更に、前記インターフェースは、前記ポリシ・サーバから切断メッセージを受信する、システム。
【請求項７】
加入者セッションおよびトラフィック・フローのうち少なくとも一つに対してポリシ施行を規定する方法であって、
少なくとも１つの加入者セッションを移動体加入者から開始するステップと、
前記移動体加入者と通信するポリシ施行点において、前記少なくとも１つの加入者セッションを確立するステップと、
前記ポリシ施行点からポリシ・サーバにアクセス要求メッセージを送るステップと、
前記ポリシ・サーバからアクセス受理メッセージを受信するステップと、
前記アクセス受理メッセージにおいて受信したポリシを、前記ポリシ施行点において、前記少なくとも１つの加入者セッションに対して適用するステップと、
を備えている、方法。
【請求項８】
請求項７記載の方法であって、更に、
前記ポリシ施行点において、フロー設定要求メッセージを受信するステップと、
トラフィック・フローを設定するための情報を含むアクセス要求メッセージを、前記ポリシ施行点からポリシ・サーバに送るステップと、
を備えている、方法。
【請求項９】
請求項７記載の方法であって、更に、
前記移動体加入者からリネゴシエーション・メッセージを受信するステップと、
前記少なくとも１つの加入者セッションを終了させるために、前記ポリシ施行点から前記ポリシ・サーバに、アクセス要求メッセージを送るステップと、
新しいセッションを開始するために、前記ポリシ施行点から前記ポリシ・サーバにアクセス要求メッセージを送るステップと、
を備えている、方法。
【請求項１０】
請求項７記載の方法であって、更に、
前記ポリシ・サーバから認定変更メッセージを受信するステップと、
前記ポリシ施行点において前記認定変更メッセージを処理するステップと、
を備えている、方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法において、前記認定変更メッセージは、サービス品質（ＱｏＳ）施行を規定するための属性を含む、方法。
【請求項１２】
請求項７記載の方法であって、更に、
前記ポリシ・サーバから切断メッセージを受信するステップと、
前記ポリシ施行点において、前記加入者セッションを切断するステップと、
を備えている、方法。
【請求項１３】
請求項７記載の方法において、前記ポリシ施行点は、パケット・データ配給ノード（ＰＤＳＮ）である、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月13日(2009.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記未受信パイロットサブキャリア周波数間の周波数にあるデータサブキャリアに対する予測されたチャネル周波数応答を取得するために必要に応じて予測されたチャネル周波数応答間において内挿を行うコンピュータコードをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のコンピュータ製品。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月30日(2009.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
現在の動画フレームの現在のマクロブロックに対する符号化モードを決定する方法であって、
前記現在のマクロブロックと前の動画フレームからの基準マクロブロックとの間のフレーム間差の合計を含むＩＮＴＥＲＳＡＤ値を決定すること、
前記現在の動画フレームに関連する少なくとも１つの動画特徴を選択すること、
前記ＩＮＴＥＲＳＡＤ値を各選択された動画特徴の対応する範囲と比較すること、
前記ＩＮＴＥＲＳＡＤ値が各選択された動画特徴の前記対応する範囲内にある場合に、フレーム間符号化を選択すること、
前記ＩＮＴＥＲＳＡＤ値がいずれかの選択された動画特徴の外れ値である場合に、フレーム内予測を行なってフレーム内予測マクロブロックを提供するとともに、前記現在のマクロブロックと前記フレーム内予測マクロブロックとの間のフレーム内差の合計を含むＩＮＴＲＡＳＡＤ値を決定すること、
前記ＩＮＴＥＲＳＡＤ値が前記ＩＮＴＲＡＳＡＤ値よりも大きい場合に、フレーム内符号化を選択し、大きくない場合、フレーム間符号化を選択することを備える方法。
【請求項２】
前記ＩＮＴＥＲＳＡＤ値を決定することは、前記現在のマクロブロックの対応するピクセル値と前記基準マクロブロックの対応するピクセル値との間の絶対差を合計することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つの動画特徴を選択することは、フレーム間差の合計の平均を含むＭＥＡＮＳＡＤ値を選択および決定することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つの動画特徴を選択することは、
フレーム間差の合計の平均を含むＭＥＡＮＳＡＤ値を選択および決定すること、前記現在のマクロブロックの各ピクセル値と前記現在のマクロブロックの平均ピクセル値との間の絶対差の合計を含むＳＡＤＭ値を選択および決定すること、および、量子化パラメータを選択することを含み、
前記方法は、
前記ＭＥＡＮＳＡＤ値に第１範囲値を乗じて第１パラメータを提供すること、
前記ＳＡＤＭ値に第２範囲値を乗じて第２パラメータを提供すること、
前記量子化値に第３範囲値を乗じて第３パラメータを提供すること、
前記第１、第２、および第３パラメータの最小値を決定することを含み、
前記ＩＮＴＥＲＳＡＤ値を比較することは、前記ＩＮＴＥＲＳＡＤ値を前記最小値と比較することをさらに備える、請求項１記載の方法。
【請求項５】
現在の動画フレームの現在のマクロブロックに対して符号化モードを決定する動画符号化回路であって、
第１および第２入力と、出力と、前記第１および第２入力間で選択するためのモード信号を受信する制御入力とを有するセレクタ・スイッチと、
前記現在のフレームおよび少なくとも１つの先のフレームを受信するための入力と、出力とを有する動作予測回路であって、該動作予測回路が前記現在のマクロブロックと前の動画フレームとの間の動作予測を行なって前記動作予測回路の前記出力においてＩＮＴＥＲＳＡＤ値を提供するとともに、基準マクロブロックを提供し、前記ＩＮＴＥＲＳＡＤ値が、前記現在のマクロブロックと前記前の動画フレームからの前記基準マクロブロックとの間のフレーム間差の合計を含む、前記動作予測回路と、
前記動作予測回路の前記出力に結合された入力と、前記スイッチの前記第１入力に結合された出力とを有する動作補償回路であって、第１信号に応答して前記基準マクロブロックに対する動作補償を行なって前記動作補償回路の前記出力においてフレーム間予測マクロブロックを提供する前記動作補償回路と、
前記現在のフレームを受信するための入力と、前記スイッチの前記第２入力に結合された出力とを有するフレーム内予測回路であって、該フレーム内予測回路が第２信号のアサートに応答してフレーム内予測を行なって前記フレーム内予測回路の前記出力においてフレーム内予測マクロブロックを提供するとともに、ＩＮＴＲＡＳＡＤ値を提供し、前記ＩＮＴＲＡＳＡＤ値が、前記現在のマクロブロックと前記フレーム内予測マクロブロックとの間のフレーム内差の合計を含む、前記フレーム内予測回路と、
前記第１信号を提供する第１出力と、前記第２信号を提供する第２出力と、前記モード選択信号を提供する第３出力とを有するモード決定回路であって、前記モード決定回路が、前記現在の動画フレームに関連する少なくとも１つの動画特徴を選択し、前記ＩＮＴＥＲＳＡＤ値を各選択された動画特徴の対応する範囲と比較し、前記ＩＮＴＥＲＳＡＤ値が前記各選択された動画特徴の前記対応する範囲内にある場合に、フレーム間符号化を選択するように前記第１信号および前記モード信号をアサートし、前記ＩＮＴＥＲＳＡＤ値が、いずれかの選択された動画特徴の外れ値である場合に、前記第２信号をアサートし、前記ＩＮＴＥＲＳＡＤ値が前記ＩＮＴＲＡＳＡＤ値よりも大きい場合にフレーム内符号化を選択し、前記ＩＮＴＥＲＳＡＤ値が前記ＩＮＴＲＡＳＡＤ値以下である場合にフレーム間符号化を選択するように前記モード信号をアサートする、前記モード決定回路とを備える動画符号化回路。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月2日(2009.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＩＰプロセスを用いて産業装置から汚れを洗浄する方法であって、以下のステップ：
（ａ）汚れに前処理溶液を適用し、ここで該溶液は、少なくとも０．１０wt％の活性成分を含み、該活性成分は、界面活性浸透剤と、過酸化水素、過酸素化合物、及びそれらの混合物から成る群から選ばれる酸化剤とを含み；
（ｂ）前記前処理後に前記装置に第２溶液を再循環させ、ここで該第２溶液は希釈洗剤を含み；そして
（ｃ）前記装置を濯ぐ；
を含む前記方法。
【請求項２】
前記前処理溶液は、０．１０〜１．５wt％の酸をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記前処理溶液は、０．０１〜１wt％の酸化剤をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記前処理溶液は、０．４〜１０wt％の浸透剤を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記前処理溶液が、以下の：
（ａ）０．２５〜１．５wt％の、リン酸、硝酸、硫酸、乳酸、酢酸、ヒドロキシ酢酸、及びクエン酸の内の少なくとも１つ；及び
（ｂ）０．０１〜１wt％の、過酸素化合物である酸化剤；
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
以下のステップ：
（ａ）０．２５〜１．５wt％の酸、及び０．０１〜１wt％の酸化剤を含む前処理溶液を適用し；そして
（ｂ）前記前処理溶液の後に装置にアルカリ性第２溶液を再循環させる；
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
（ａ）前記酸が、リン酸、硝酸、硫酸、乳酸、酢酸、ヒドロキシ酢酸、及びクエン酸の内の少なくとも１つであり；そして
（ｂ）酸化剤が過酸素化合物である；
請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月9日(2009.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
巻き付けが、巻管（２８）と直接または間接的に係合する少なくとも１つの回転する巻き付け要素（１０）により行われ、静止した巻き付けコア（２４）にストリップ材料を巻き付ける、少なくとも１つのストリップ材料から巻管（２８）を製造する方法であって、
巻管（２８）の内側のコアマンドレル（１０）を巻き付け要素として用いることを特徴とする方法。
【請求項２】
少なくとも１つのストリップ材料が、少なくとも１つのリールから巻きを解かれることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
少なくとも１つのリールが静止していることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも１つのリールが駆動していることを特徴とする請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つのリールの駆動が、巻き付け要素（１０）の駆動と連動し、巻き付け要素（１０）の駆動が、少なくとも１つのリールの回転速度を規定することを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ストリップ材料が、巻き付けられる前に少なくとも１度向きを変えられることを特徴とする請求項１〜５いずれかに記載の方法。
【請求項７】
螺旋状の保持具（１８）により巻管（２８）が軸方向（Ｃ）に運ばれ、螺旋状の保持具（１８）により粗い襞が巻管に導入されることを特徴とする請求項１〜６いずれかに記載の方法。
【請求項８】
巻管（２８）に直接または間接的に係合し、巻き付けを行う、少なくとも１つの回転する巻き付け要素（１０）と、少なくとも１つのストリップ材料を巻き付ける、静止した巻き付けコア（２４）と、を含む巻管（２８）を製造するための装置であって、
巻き付け要素が、巻管（２８）の内側のコアマンドレル（１０）であることを特徴とする装置。
【請求項９】
コアマンドレル（１０）が、外側係合手段（１２）を備えることを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
ストリップ材料がそこから巻を解かれる少なくとも１つのリールを含むことを特徴とする請求項８または９に記載の装置。
【請求項１１】
少なくとも１つのリールが静止していることを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
少なくとも１つのリールが駆動することを特徴とする請求項１０または１１に記載の装置。
【請求項１３】
少なくとも１つのリールの駆動が、巻き付け要素（１０）の駆動と連動し、巻き付け要素（１０）の駆動が、少なくとも１つのリールの回転速度を規定することを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
少なくとも１つのリールが、概して巻き付け装置と協調していることを特徴とする請求項１０〜１３いずれかに記載の装置。
【請求項１５】
少なくとも１つの向きを変える装置がストリップ材料のために具備されていることを特徴とする請求項８〜１４いずれかに記載の装置。
【請求項１６】
巻き付けコア（２４）がかなり研磨されていることを特徴とする請求項８〜１５いずれかに記載の装置。
【請求項１７】
巻管（２８）を軸方向に運びかつ前記巻管に粗い襞を導入する螺旋状の保持具（１８）を含むことを特徴とする請求項８〜１６いずれかに記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上述した課題は、本発明に係る方法の特徴に対応する特徴を本質的に含む請求項８に示す装置により解決される。とりわけ、直接または間接的に巻管に係合し、巻き付けを行う回転する巻き付け治具を具備する。本発明に係る装置の好ましい実施形態は、本質的に上述した方法の好ましい実施形態と対応する。加えて、好ましくは、少なくとも１つのリールが、静止して取り付けられ、および／または少なくとも１つのリールが、巻き付け装置と概して協調するように取り付けられることを述べておく必要がある。少なくとも１つのストリップ材料は、例えば直径１００ｍｍ〜１５０ｍｍのしっかり研磨したロッドにより向きを変える（または逸らす）ことができる。リールの駆動部は、リール駆動部の回転速度を規定する巻取り要素と連動することができる。さらに、ストリップ材料の信頼性の高い供給を保証するように、リールにストリップの制御を与えてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月27日(2009.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図２Ｂは、本発明による操舵可能なカテーテルデバイスのための第２の端部分１８の半径方向の耐圧縮性がある内部補強１３０の代替の実施形態の斜視図を提供するが、それはまた操舵可能な先端部分２２（図８および図９）の半径方向の耐圧縮性がある内部補強１３０も示し得る。この実施形態では、器具受け入れ通路はコアセクション１３５で充填されている。コアセクション１３５は、図１および図２に示されている実施形態の第２の端部分１８の通路２４に使用されてもよく、また操舵先端部分２２に使用されてもよい。一実施形態では、通路２４は、一方ではチャネル又は閉塞された端部の内部圧力の変化による長手方向の流体流動チャネル３３、３７、４１、４５および閉塞された端部３２、３６、４０、４４の半径方向内側への拡張を抑制するために完全にコアセクション１３５と置換され、他方では第２の端部分１８および／又は操舵先端部分２２の延伸、屈曲、および関節運動等を可能にする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
図４の線Ａ−Ａに沿った断面図である図４Ａは、円形のチャンバ本体のチャネル３３を具備する。図４の線Ｂ−Ｂに沿った断面図である図４Ｂは、三日月形のチャンバ本体のチャネル３３を具備する。図４の線Ｃ−Ｃに沿った断面図である図４Ｃは、半円形のチャンバ本体のチャネル３３を具備する。図４の線Ｄ−Ｄに沿った断面図である図４Ｄは、楕円形又は卵形のチャンバ本体のチャネル３３を具備する。図４の線Ｅ−Ｅに沿った断面図である図４Ｅは、三角形のチャンバ本体のチャネル３３を具備する。図４の線Ｆ−Ｆに沿った断面図である図４Ｆは、長方形又は正方形のチャンバ本体のチャネル３３を具備する。図４の線Ｇ−Ｇに沿った断面図である図４Ｇは、Ｔ形のチャンバ本体のチャネル３３を具備する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
操舵先端部分２２は、図２Ｃに関連して前述した耐拡張性の外側補強１４０を更に備えてもよい。同様に、操舵先端部分２２は、図２Ｂに関連して前述したコアセクション１３５を備えてもよい。一実施形態では、前述のように、カテーテル１２内に配置され、第１の端部開口部２６から第２の端部開口部２８まで延びる器具受け入れ中心通路２４があり、通路２４は、カテーテルの可撓性の操舵先端部分２２で中心長手方向軸１１と実質的に同軸であり、ここで膨張可能な閉塞された遠位端３２、４０は通路２４に対して半径方向に偏倚しており、互いに３２、４０、および、存在する場合、他の閉塞された遠位端３６、４４に対して半径方向に偏倚している。或いは、チャンバ本体の閉塞された遠位端３２、３６、４０、４４の半径方向内側への拡張を均一に抑制することによって補強を提供するように、通路２４を前述のようにコアセクション１３５で塞いでもよい。更に、通路２４は、図２Ａに関連して記載するように、操舵先端部分２２および閉塞された遠位端３２、３６、４０、４４又はその近傍に耐圧縮性の内部補強１３０を備えてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月14日(2009.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒プロセスを制御するための方法であって、
触媒レイヤーに非対称な交流電流を印加する工程と、
前記触媒レイヤーの分極インピーダンスをモニターする工程と、
前記非対称な交流電流を変化させることにより、前記分極インピーダンスを制御する工程と、
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
さらに、前記触媒レイヤーから炭素粒子を除去するための酸化反応を生じさせるべく、前記触媒レイヤーに酸素を与える工程を含む、
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
さらに、前記酸化反応を強化するべく、水及び水蒸気の少なくともひとつを前記触媒レイヤーに与える工程を含む、
ことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記触媒レイヤーは触媒リアクタに適用され、
前記触媒リアクタは炭素粒子を保持するフィルタを含む、
ことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項５】
さらに、前記触媒レイヤー上への炭素粒子の堆積をモニターする工程を含む、
ことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項６】
前記炭素粒子の堆積をモニターする工程は、
前記触媒レイヤーの界面インピーダンスを表す少なくともひとつのパラメータをモニターする工程と、
前記少なくともひとつのモニターしたパラメータの値の関数として、前記触媒レイヤー上に堆積する前記炭素粒子の量を決定する工程と、
を含むことを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記少なくともひとつのモニターしたパラメータは、モニターした分極インピーダンス及び界面インピーダンスの位相角の少なくともひとつを含む、
ことを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
さらに、前記触媒レイヤーを再生するために、前記非対称な交流電流の振幅及び位相の少なくともひとつを変化させる工程を含む、
ことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記非対称な交流電流の振幅及び位相の少なくともひとつは、分極インピーダンスの値が所定の範囲外にある場合に前記分極インピーダンスの値を前記所定の範囲内とするように変更される、
ことを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記所定の範囲は、使用前の触媒レイヤーのオリジナルの分極インピーダンス値付近の値の範囲である、
ことを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記非対称な交流電流の振幅及び位相の少なくともひとつは、位相が−５°と＋５°の間の範囲内である触媒レイヤーの界面インピーダンスを達成するべく変更される、
ことを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１２】
さらに、前記触媒レイヤーの再生を強化するべく、前記触媒レイヤーに水、酸素及び熱の少なくともひとつを与えることを制御する工程を含む、
ことを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１３】
さらに、前記再生を強化するべく、前記触媒レイヤーに与えられるキャリアガス中の酸素の分圧を変化させる工程を含む、
ことを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１４】
触媒プロセスを制御するための方法であって、
触媒レイヤーの分極インピーダンスをモニターする工程と、
前記触媒レイヤーに与えられる水の量及び酸素の量の少なくともひとつを制御する工程と、
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項１５】
さらに、前記触媒レイヤーに交流電流を印加する工程と、
前記交流電流を変化させることにより分極インピーダンスを制御する工程と、
を含むことを特徴とする請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
さらに、前記交流電流の位相及び振幅の少なくともひとつを変化させる工程及び、前記触媒レイヤー上の炭素粒子の酸化及び触媒レイヤーの再生を行うべく前記触媒レイヤーに与えられる水の量及び酸素の量の少なくともひとつを制御する工程を含む、
ことを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
さらに、前記触媒レイヤーの再生をさらに制御するために、前記触媒レイヤーに与えられる熱量を制御する工程を含む、
ことを特徴とする請求項１６記載の方法。