Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年4月13日(2009.4.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  
複数の固定接触子（２，３，４）が、負荷時タップ切換器の外側でこの負荷時タップ切換器の長手方向沿いに切換えるべき複数の相に応じて離れて一直線状に配置されていて、かつこの長手方向に沿って摺動可能な１本の切換ロッド（５）によって操作可能であり、
この切換ロッド（５）は、切換えるべき各相に対して１つの電気伝導性の選択器の接触ブリッジ（６）を有し、それぞれ隣合った複数の選択器の固定接触子（２，３，４）が導通するように、この選択器の接触部材は寸法決めされる、タップ付変圧器の異なる複数のタップ巻線間を連続して切換えるこの選択器を有する負荷時タップ切換器において、
選択器の全体が、負荷時タップ切換器から分離された構成郡として独立した絶縁材ハウジング（１；２３）内に格納されていて、この切換ロッド（５；２７）は、この絶縁材ハウジング（１；２３）の内部に沿って移動すること、
この選択器の複数の固定接触子（２，３，４；２４，２５，２６）が、環状に形成されていて、かつこの絶縁材ハウジング（１；２３）内部の異なる複数の平面内でこの切換ロッド（５；２７）に周設されていること、及び、
半径方向にバネで付勢される複数の接触部材（８，９，１０，１１；１７，１８；３０，３１）が、それぞれこの選択器のこれらの固定接触子（２，３，４；２４，２５，２６）との接触時に弾性力に逆らって内側に押圧可能であるように、これらの接触部材（８，９，１０，１１；１７，１８；３０，３１）は、複数の選択器の接触ブリッジ（６；２８）の各々に対して配置されていることを特徴とする負荷時タップ切換器。
【請求項２】  
選択器の複数の接触部材（６；２８）の各々は、切換ロッド（５；２７）を少なくとも一部を包囲する１本の接触キャリア（７；２９）を有し、複数の接触部材（８，９，１０，１１；１７，１８；３０，３１）が、この接触キャリア（７；２９）面に接して配置されていることを特徴とする請求項１に記載の負荷時タップ切換器。
【請求項３】  
接触部材（８，９，１０，１１；１７，１８；３０，３１）の弾性作用が、バネ対（１２，１３，１４，１５；１９，２０；３２，３３）によって得られ、これらのバネ対（１２，１３，１４，１５；１９，２０；３２，３３）は、切換ロッド（５；２７）又は接触キャリア（７；２９）に接していることを特徴とする請求項１又は２に記載の負荷時タップ切換器。
【請求項４】  
接触部材（８，９，１０，１１；１７，１８；３０，３１）のバネ変位は、バネ変位部の上と下のストッパ（１６；３４）によって制限可能であることを特徴とする請求項１，２又は３に記載の負荷時タップ切換器。
【請求項５】  
接触部材（８，９，１０，１１；１７，１８；３０，３１）のバネ変位が、外側ストッパを有し、孔を貫通する横方向に平行な複数のピン（２１）によって制限可能であることを特徴とする請求項１，２又は３に記載の負荷時タップ切換器。
【請求項６】  
既に接触していた隣合った両固定接触子が、それぞれ操作時に二重遮断、すなわち同時に解離するように、個々の接触部材（３０，３１）は、その中央範囲（３５，３６）内で徐々に薄くなっている、すなわち内側に向かってくびれていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の負荷時タップ切換器。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年11月27日(2008.11.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
図５−図７は、発泡体内のいわゆる吹き込み孔又は吹く込み通路形成の方法詳細を示し、これによって接合閉鎖部３が関係発泡クッション部材１の窪み部７内にセットされる。この目的のために、モールドとして、関係接合閉鎖部３の結合部材５を受け入れて保護する窪み部１１を表面に有し、発泡モールドの壁９に錨固定できるモールド部２３が用いられる。窪み部１１の狭幅端には強磁性のカバー部材１５の端縁領域とを接触させるための磁性細片１７が設けられている。その長手方向の側部域は、発泡材に対してのシール接触をさせるために、図６及び図７に示されるように、モールド部２３の丸まった端２５の付近に、側部の磁性細片１７が設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月18日(2008.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
この種の有用な実質的にＶＤＦ非含有であるフルオロポリマーの例として、ポリ（エチレン−ｃｏ−テトラフルオロエチレン）、ポリ（テトラフルオロエチレン−ｃｏ−プロピレン）、ポリ（クロロトリフルオロエチレン−ｃｏ−エチレン）、およびターポリマーポリ（エチレン−ｃｏ−テトラフルオロエチレン−ｃｏ−ヘキサフルオロプロピレン）ならびに溶融処理可能な完全フッ素化（過フッ素化）(perfluorinated)プラスチックが挙げられる。また、有用な実質的にＶＤＦ非含有であるフルオロポリマーは数多く市販されており、例えば、ミネソタ州セントポールのＤｙｎｅｏｎ，ＬＬＣが販売するＸ６８１０およびＸ６８２０；アラバマ州ＤｅｃａｔｕｒのＤａｉｋｉｎ Ａｍｅｒｉｃａ，Ｉｎｃ．が販売するＮＥＯＦＬＯＮ ＥＰ−５４１、ＥＰ−５２１、およびＥＰ−６１０；日本、東京の旭硝子社が販売するＡＦＬＯＮ ＣＯＰ Ｃ５５Ａ、Ｃ５５ＡＸ、Ｃ８８Ａ；デラウェア州ウィルミントンのＤｕＰｏｎｔが販売するＴＥＦＺＥＬ ２３０および２９０；旭硝子社製ＡＦＬＡＳシリーズコポリマー、およびＤｕＰｏｎｔ Ｄｏｗ Ｅｌａｓｔｏｍｅｒｓ製ＶＩＴＯＮ ＥＴＰ ５００および９００が挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月8日(2009.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図５に示されているように、本実施形態によれば、行オフ電圧５５０が列完全オン電圧５１０より高い正電圧である。本実施形態では、図示のように、行オフ電圧５５０が約＋２０Ｖに設定されている一方、列完全オン電圧が＋１５Ｖである。したがって、行線が消勢された時はいつでも、行線に接続された電子放出素子４０が逆バイアスをかけられる。本発明によれば、本実施形態の電子方式５００を使用することによって、放出電流を経時的に増加させることができる。このため、本実施形態は、エミッタの劣化を防止するだけでなく、ＦＥＤスクリーンの輝度を改善するためにも使用できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の行線と、複数の列線と、該複数の行線および該複数の列線の一方に接続された複数の電子放出素子と、該複数の列線および該複数の行線の他方に接続された複数のゲート電極と、
前記複数の列線に接続されて、列完全オン電圧と列オフ電圧との間で変調された列電圧を前記複数の列線に送る列ドライバと、
前記複数の行線に接続されて、行オン電圧または行オフ電圧を前記複数の行線に送る行ドライバと、
を備える電界放射ディスプレイであって、
前記行オフ電圧と前記列オフ電圧は、前記行オフ電圧と前記列オフ電圧とが印加されている電子放出素子とゲート電極との間に当該電子放出素子の電位を当該ゲート電極の電位よりも高くする逆バイアスが印加されるように、設定されていることを特徴とする電界放射ディスプレイ。
【請求項２】  前記複数の列線に前記複数のゲート電極が接続されており、前記複数の行線に前記複数の電子放出素子が接続されており、
前記行オフ電圧は、前記列完全オン電圧と前記列オフ電圧との中間の電圧値、または、前記列完全オン電圧と前記列オフ電圧よりも高い電圧値に設定されることを特徴とする請求項１に記載の電界放射ディスプレイ。
【請求項３】  前記電界放射ディスプレイは前記電界放射ディスプレイの輝度を調整する回路を備えており、前記回路は、前記電界放射ディスプレイの放出電流を測定する電流センサと前記行オフ電圧を調整する調整回路とを含んでおり、前記調整回路は、前記電流センサによって測定された電流と予め設定された基準値との差を低減するように前記行オフ電圧を調整する回路であることを特徴とする請求項１または２に記載の電界放射ディスプレイ。
【請求項４】  前記複数の電子放出素子に接続する前記複数の行線または前記複数の列線に送る電圧を、前記複数のゲート電極に接続する前記複数の行線または前記複数の列線に送る電圧よりも高くすることで、前記複数の電子放出素子に逆バイアスを印加することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電界放射ディスプレイ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年1月22日(2009.1.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
自動トランスミッションを備え、自動車の車輪（４）において車輪回転速度信号がとられ、また、制御装置が車輪回転数信号から現在の曲率半径を周期的に計算するように成された自動車（２）のコーナリング検出法において、
現在の曲率半径が前輪の回転数信号から得られ、
現在の曲率半径が第１限界曲率半径と比較され、この第１限界曲率半径を下回る際にコーナリング段階の始点が決定され、
次に現在の曲率半径が第２限界曲率半径と比較され、この第２限界曲率半径を超える際には自動車によって通過された行程が制御装置において得られ、
この自動車によって通過された行程が特定の行程と比較され、
自動車によって通過された行程が特定の行程を超える場合、および、前記の特定の行程が通過される間に現在の限界曲率半径が第１限界曲率半径を再び下回らない場合に、コーナリング段階の終点が決定される
ことを特徴とする方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】請求項８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項８】
コーナリング中にアップシフトまたはダウンシフトの起動が影響されてしまうような自動トランスミッションの制御に対しての請求項１乃至７のいずれかに記載の方法の応用。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
本発明によれば、前輪の回転数信号から計算された曲率半径が第１限界曲率半径を超え（て下回）る時にコーナリング段階の始点が決定される。コーナリング段階をできるだけ早期に検出するため、前輪の回転数が使用される。第２限界曲率半径を超えた後、自動車の長さに依存する特定の距離が走行され、その間に第１限界曲率半径をもはや下回らない場合にのみ、コーナリング段階の終点が決定される。セミトレーラの例をとれば、コーナリング段階の終点はトラクタが再び直進する時に検出されるのでなく、連結車がなおもカーブにそって走行する間にトラクタが特定距離を走行した後においてのみ、コーナリング段階の終点が検出される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
コーナリング中にアップシフトまたはダウンシフトの起動が影響されてしまうような自動トランスミッションの制御に対して、本発明の方法およびその実施態様を効果的に利用することができる。このようにして、コーナリング中の望ましくないアップシフトまたはダウンシフトの起動が避けられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】  明細書
【補正対象項目名】  ００１９
【補正方法】        変更
【補正の内容】
【００１９】
段階Ｚ２において、例えば直進運動に際して、周期的に前述のようにして現在の曲率半径ｒ＿ｋｕｒｖｅ＿ｆｉｌｔが得られる。現在の曲率半径ｒ＿ｋｕｒｖｅ＿ｆｉｌｔが第１限界曲率半径＃ｒ＿ｋｕｒｖｅ＿ｍｉｎと比較される。この限界曲率半径を下回っている場合、コーナリング段階の始点が決定される。その際に、トランジションＴ３にシフトされて、そこで段階Ｚ３が生かされ、同時にコーナリングに切り替えられる。段階Ｚ３において、現在の曲率半径ｒ＿ｋｕｒｖｅ＿ｆｉｌｔが第２限界曲率半径と比較され、この第２限界曲率半径は第１限界曲率半径と特定のヒステリシス値との和に対応する。この第２限界値が超えられるとトランジションＴ４が切り替えられるので、いまや段階Ｚ４が生かされる。この段階において例えば自動車の前輪はすでに再び直進段階にあり、これに対して自動車の後部（連結車）はまだカーブにある。段階Ｚ４に入った時、自動車の走行した距離の測定が開始される。走行距離の値が所定の限界値に達した時、トランジションＴ５がシフトされ、これと共に段階Ｚ４から段階Ｚ２（直進）に移行する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年1月29日(2009.1.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１１】
ステップ（ａ）において使用する為のクローンが、ＣＨＯ細胞、又は、任意の真核細胞株に対する、真核発現ベクター内のｈＴＳＨ−Ｒのコーディング領域を含むｃＤＮＡと、プロモーター及び反応物の両方を有するレポーターカセットを含むｃＤＮＡとの安定した同時感染により得ることが可能であることを特徴とする請求項１から１０までの中のいずれか１つに記載の検定方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年4月22日(2009.4.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
本発明に従い、式ＩＩの好ましい化合物は、
（２５Ｓ）−２６−Ｏ−β−Ｄ−グルコピラノシル−２２−ヒドロキシ−５β−フロスト−２β，３β，２６−トリオール−３−Ｏ−β−Ｄ−グルコピラノシル（１→２）−β−Ｄ−ガラクトピラノシド、
（２５Ｓ）−２６−Ｏ−β−Ｄ−グルコピラノシル−２２−メトキシ−５β−フロスト−２β，３β，２６−トリオール−３−Ｏ−β−Ｄ−グルコピラノシル（１→２）−β−Ｄ−ガラクトピラノシド、
（２５Ｓ）−２６−Ｏ−β−Ｄ−グルコピラノシル−５β−フロスト−２０（２２）−エン−２β，３β，２６−トリオール−３−Ｏ−β−Ｄ−グルコピラノシル（１→２）−β−ガラクトピラノシド、
（２５Ｒ）−２６−Ｏ−β−Ｄ−グルコピラノシル−２２−ヒドロキシ−５−エン−フロスト−３β，２６−ジオール−３−Ｏ−β−Ｄ−グルコピラノシル（１→４）−β−Ｄ−ガラクトピラノシド、
（２５Ｒ）−２６−Ｏ−β−Ｄ−グルコピラノシル−２２−メトキシ−５−エン−フロスト−３β，２６−ジオール−３−Ｏ−β−Ｄ−グルコピラノシル（１→４）−β−Ｄ−ガラクトピラノシド、
（２５Ｒ）−２６−Ｏ−β−Ｄ−グルコピラノシル−５−エン−フロスト−２０（２２）−エン−３β，２６−ジオール−３−Ｏ−β−Ｄ−グルコピラノシル（１→４）−β−Ｄ−ガラクトピラノシド
より成る群から選択される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年4月16日(2009.4.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
技術に関係しないものでかつより根本的な他の制限は、磁気共鳴（gyromagnetic resonance）の現象である。この共鳴周波数は、周知のように、使用可能な周波数範囲における上限となるものである。この共鳴周波数以下の周波数では、相対透磁率は実用的には一定であり、かつその静的な値（static value）に等しい。所定の組成の合金において、簡単な熱処理によって透磁率及び共鳴周波数を変えることが可能であることは周知である。そのため、磁気共鳴による制限は周波数だけでは表せない。所定の組成の合金に対する積μS・ｆr2 （ここで、μS及びｆrはそれぞれ透磁率の静的な値、磁気共鳴周波数である）が、堆積後の処理を通してμS及びｆrを同時に変更するときには一定であることを示すことができる。この積は、組成にだけ依存する材料に対する標準感度となる。この積が実用上合金の自発的磁性にだけ依存することを示すことができる。Fe-Ni合金に対しては：μS・ｆr2＝1300 GHz2 である。 占積率ηの複合体に対しては、単純に：μS・ｆr2＝η・1300 GHz2 である。 このような関係の存在は、μSとｆrを独立に変更できないことを示している。 
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】 
【課題を解決するための手段】 
本発明は、磁気回路の作動周波数を増大することを含んでいる。磁気回路の作動周波数の増大は、少なくとも最も制限的な現象をより高い周波数レベルにまで引き上げることを意味する。この現象には、特に磁気共鳴、スキン効果、寸法依存共鳴等である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
磁性要素において、損失を最小にするために、磁気回路の透磁率を最大にする試みが時々行われていることを強調することができる。そのため、先に指摘した、透磁率と共鳴周波数の２乗との積が所定の材料に対して一定であるという関係によって、材料の有効透磁率が高いほど、磁気共鳴周波数が低くなる；これが、要素の作動周波数範囲を制限する。この制限は、（特に携帯電話に対して有効な）集積ＨＦインダクタ、ＨＦ変圧器、ＨＦ磁気記録ヘッド等のような高周波数応用に対して障害となりうる。 
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
本発明は、多くの利点を有する：ａ）本発明は、同時に最良の可能な透磁率を維持しながら、コアあるいは磁気回路の作動周波数範囲と構成要素の作動周波数範囲とを調整する手段を提供する。実際、同じ磁性材料を用いながら、特に磁気共鳴周波数と他の特性周波数とが構成要素の仕様に合致するように、このギャップに対してギャップサイズと間隔とを選択することが可能である。磁性材料あるいは所望の各周波数範囲に対する磁気回路の形状のいずれかを変える代わりに、各ペア（材料、回路形状）に対して広範囲の可能周波数を有すること可能である。ｂ）本発明は、回路製造プロセスと十分に互換性がある。ｃ）本発明は、磁気回路の要素の巨視的な形状を変えない。ｄ）本発明は、異なる作動周波数を有する要素を作るために同じ磁性材料を用いる手段を提供する。 
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】図面の簡単な説明
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図面の簡単な説明】 
【図１】 ギャップのピッチ（ｐ）に対する幅（ｅ）の比（ｅ／Ｐ）に対する磁気共鳴周波数ｆrの変化を示している。 
【図２】 （ａ）本発明の第一の実施形態に対する磁気回路の製造段階の一部を示す図である。（ｂ）（ａ）に示した段階の次の段階を示す図である。（ｃ）（ｂ）に示した段階の次の段階を示す図である。（ｄ）（ｃ）に示した段階の次の段階を示す図である。（ｅ）（ｄ）に示した段階の次の段階を示す図である。 
【図３】 （ａ）本発明の第二の実施形態に対する磁気回路の製造段階の一部を示す図である。（ｂ）に示した段階の次の段階を示す図である。（ｃ）に示した段階の次の段階を示す図である。 
【図４】 本発明による磁気回路の例であって、トロイド形状のものを示す図である。 
【図５】 本発明による磁気回路の他の例であって、磁気ピックアップヘッドに適用されるものを示す図である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年9月15日(2009.9.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
更に、マイクロカプセルを製造する方法であって、以下の工程を具備する方法が提供される:
(a) 装填物質(loading substance)の水性混合物、殻材料の第一のポリマー成分および殻材料の第二のポリマー成分を提供すること:
(b) pH、温度、濃度、混合速度またはその組み合わせを調整し、殻材料を形成すること、ここで、殻材料は第一および第二のポリマー成分を具備し、当該殻材料は当該装填物質の周囲に一次殻を形成する:
(c) 当該一次殻が集塊を形成するまで、当該水性混合物を当該殻材料のゲル化点を越える温度にまで冷却すること；および
(d) 更に、当該水混合物を冷却し、当該集塊の周囲に殻材料の外殻を形成すること。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
更にまた、マイクロカプセルを製造する方法が提供され、当該方法は以下を具備する:
(a) 殻材料の第一のポリマー成分の水性混合物を提供すること:
(b) 当該水性混合物に装填物質を分散すること:
(c) 次に、当該水性混合物に殻材料の第二のポリマー成分を添加すること:
(d) pH、温度、濃度、混合速度またはその組み合わせを調整し、殻材料を形成すること、ここで、殻材料は、当該第一および第二のポリマー成分を含有し、当該殻材料は一次殻を当該装填物質の周囲に形成する:
(e) 当該一次殻が集塊を形成するまで、当該水性混合物を当該殻材料のゲル化点を越える温度にまで冷却すること:
(f) 更に当該水性混合物を冷却し、当該集塊の周囲に殻材料の外殻を形成すること。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
当該水性混合物は、次に制御された冷却率と混合パラメータの下で冷却され、当該一次殻の集塊が可能となり、カプセル化された一次殻の集塊が形成される。当該カプセル化された集塊は、それら自身分離している粒子である。当該殻材料のゲル化点を越える温度でのカプセル化された集塊の形成を制御すること、および過剰な殻材料でより厚い外殻を形成させることが有利である。また、この段階で、更なるポリマー成分、同じ種類または異なる種類の任意のポリマー成分を添加することによって、当該外殻を厚くすることおよび/または異なる組成物の一次および外殻を有するマイクロカプセルを製造することも可能である。約5℃ないし約10℃、好ましくは約5℃の温度に到達するまでは、当該温度は好ましくは10分間に1℃の割合で下げられる。当該外殻は、一次殻の集塊をカプセル化し、硬くカプセル化されたマイクロカプセルの集塊を形成する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
例１：
54.5グラムのゼラチン 275 ブルーム・タイプ・A(Bloom type A)(等電点は約9)を0.5％アスコルビン酸ナトリウムを含有する600グラムの脱イオン水と攪拌しながら50℃で完全に溶解するまで混合した。5.45グラムのポリホスフェートナトリウムを0.5％アスコルビン酸ナトリウムを含有する104グラムの脱イオン水に溶解した。30％のエイコサペンタエン酸エチルエステル(EPA)と20％ ドコサヘキサエン酸エチルエステル (DHA)(Ocean Nutrition Canada Ltd.から入手可能)を含有する90グラムの魚油を、1.0％の抗酸化剤(天然香味料、トコフェロールおよびクエン酸を混合したDuralox（登録商標）としてKalsec（登録商標）から入手可能)と共に当該ゼラチン溶液に高速ポリトロン（登録商標）ホモジナイザーを用いて拡散した。水中油型乳剤を形成した。当該油脂小滴サイズは、平均サイズ約1μmで狭い範囲に分布していることがコールター（登録商標）LS230粒子サイズ分析器(Coulter LS230 Particle Size Analyzer)により測定された。当該乳剤を0.5％のアスコルビン酸ナトリウムを含有する700グラムの脱イオン水で50℃で希釈した。当該ポリホスフェートナトリウム溶液を次に当該乳剤に添加し、ライトニン攪拌器(Lightnin（登録商標）)を用いて600rpmで混合した。当該pHを次に4.5に10％の酢酸水溶液で調整した。pH調整とpH調整後の冷却工程の間に、当該ゼラチンとポリホスフェートから形成されたコアセルベートが当該油脂小滴をコートし、一次マイクロカプセルを形成した。冷却は、当該ゼラチンとポリホスフェートのゲル化点を越える温度まで実施され、当該一次マイクロカプセルは集塊を形成し始めて、攪拌の下で塊が形成された。更なる当該混合物の冷却において、当該水相に残留するポリマーが更に当該一次マイクロカプセルの塊をコートし、外殻を有し且つ平均サイズが50μmのマイクロカプセルのカプセル化された集塊が形成された。一旦、当該温度が5℃にまで冷却された後、2.7グラムの50％グルタールアルデヒドを当該混合物に添加し、更に当該殻を強化した。当該混合物は次に、室温にまで温めて、12時間に亘り攪拌を維持した。最後に、当該マイクロカプセル懸濁液を水で洗浄した。当該洗浄された懸濁液は次にスプレードライされ、自由に流動する粉末が得られた。60％の有効装填量が得られえた。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年10月21日(2009.10.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
補強マイクロファイバーは、望ましくは、上の方法のダイ３１４温度でポリマーコア材料の溶融粘度に類似の溶融粘度（毛細管粘度計で測定されるように）を有する材料で形成される。補強マイクロファイバー材料は、ポリマー材料中に不混和性であるが、それと相容性であるべく選択される。伸張剥離できるテープの物理的性質は、マイクロファイバーがいかにうまく形成されるかによって影響され、マイクロファイバーの形成は加工条件およびコア層ポリマー樹脂との相容性によって影響される。マイクロファイバー形成性樹脂およびコアポリマーの溶融粘度がぴったりとマッチし、加工条件が連続のマイクロファイバーを生み出すのに適切であることが重要である。典型的にはマイクロファイバー形成性樹脂とコアポリマーとの溶融粘度の比は約１：３０から約３０：１、好ましくは約１：２０から２０：１である。マイクロファイバー材料は典型的には溶融され、混合され、実質的に球状の樹脂小滴としてコア材料中に分散される。これらの小滴は一般に約２０マイクロメートル未満の、時々約１０マイクロメートル未満の平均直径を有する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年2月9日(2009.2.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２２０】
分析テスト法：
ゲル浸透クロマトグラフィ：Waters 996ダイオードアレイおよびWaters 410示差屈折率検出器を持つWaters 2690で分離を行った。その分離は、２つのPLゲル3μm混合−E 300×7.5mmカラム上でクロロホルムを1ml/minで流して行われた。25μlのインジェクション量の約1mg/ml濃度の溶液を２回流した。良い再現性が観察された。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年4月17日(2009.4.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
３Ｄマウス：
３Ｄマウスは電磁気または超音波測位技術を使用して、３Ｄ空間内の位置を監視装置に示す。今日使用されているコードレスマウスは、ワイヤレス接続性のためにＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）ならびに同様の無線およびＩＲ送信機を使用する。無線またはＩＲはワイヤレス接続性、つまりシグナリングの問題に対処するだけである。測位は一般的にマウス自体内の移動トラッカを含み、それは光学に基づくことができる。単純な移動追跡は２Ｄソリューションを提供する。３Ｄソリューションは、例えば次のいずれかを使用して生成することができる。
１）音響：マウスは超音波およびＩＲパルスを放射し、それはデスクトップ受信器によって受信される。飛行時間を測定することによって、三角測量を実行することができる。
２）ＩＲセンサ：マウスはＩＲパルスを放射し、その角度がデスクトップ受信器によって測定される。幾つかの角度センサが３次元三角測量を可能にし、こうして特別な位置が得られる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１４６】
信号は、間隔を置いて配置された二つまたは三つの別個の検出器２２で検出されることが好ましい。検出器２２の個数は、必要な座標数、つまりポインタの移動を追跡したい次元数に合わせて選択することが好ましい。基地局は好ましくはそれ自体が信号を使用してポインティング装置の座標を算出するのではなく、むしろ信号を多重化して単一のチャネルにまとめる。次いでチャネルはコンピューティング装置のアナログ入力１２に送られる。コンピューティング装置は単に、そのアナログ入力で受け取った信号を逆多重化し、三角測量または類似物を実行して、座標をポインティング装置に割り当てるだけである。好適な実施形態では、各検出器がポインティング装置から同じ信号をピックアップする。しかし、検出器は異なる位置にあるので、位相差または時間の遅れまたは類似物が誘発され、したがって検出された信号間の差異から位置を算出することができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１６４】
音響測位
好適な実施形態は音響測位を利用する。音響測位の概念は、センサアレイに到達する異なる速度の二つの信号間の時間差を測定することである。時間差は、発生源までの距離の指標を与える。二つの異なるセンサを使用する場合、三角測量を使用して発生源の位置を確定することができる。三つの適切に配置されたセンサを使用する場合、三次元の位置を得ることができる。二つの信号は、好適な実施形態では音響信号と、ＩＲまたは他の電磁信号である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１６５】
海面における音波の速度は既知の値である。ＩＲまたは他の電磁信号は光の速度で伝わり、そのようなポインティング装置の精度レベルを目的とした場合、瞬時として扱われる。ＩＲおよびサウンド信号の協調放出が行なわれる。次いで、二つのセンサにおけるＩＲ信号とサウンド信号の二つのバージョンの到着の間の遅延が測定される。二つの遅延は距離に変換され、該距離をマイクロホン間の既知の距離により三角測量して、二次元座標を得ることができる。第三のマイクロホンはサウンド信号の第三バージョンを受信することができ、そこから第三の遅延を使用して第三の座標を加えることができる。マイクロホンの適切な配置により、正確な三次元座標を得ることができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２１１】
対応する復号アルゴリズムは信号の異なる種類の情報部を処理するが、基礎を成す情報は実質的に同様の仕方で処理される。方向および距離の検知は立体視覚の背後にある原理に似ており、二つのセンサにおける角度が明らかになり、三角測量されて位置が得られる。それ以外に、従前の実施形態の復号アルゴリズムの場合と同じ問題、つまりシステムがアナログ入力およびコンピューティング装置のハードウェアを利用する場合、低サンプリングレートおよび低周波数が必要であるという問題が当てはまる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年8月10日(2009.8.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサコア（１２）並びに第１及び第２のメモリ領域（２４，２６）を有する携帯型データ記憶媒体（１０）を対象とするコンパイラ生成プログラムコード（３８）を最適化するための方法において、
−  前記第１のメモリ領域（２４）は最適化されたプログラムコード（４４）を受け取るように準備され、
−  前記第２のメモリ領域（２６）は多数のライブラリコードフラグメント（３０ｘ）を有する既定のライブラリ（２８）を受け取るように準備され、
前記既定のライブラリ（２８）の内容が、最適化実行で処理される前記コンパイラ生成プログラムコード（３８）から独立したものであり、
前記方法が、汎用コンピュータで実行される最適化プログラム（４０）により、前記コンパイラ生成プログラムコード（３８）から、少なくともそれぞれの効果に関して、前記ライブラリコードフラグメント（３０ｘ）のそれぞれ１つに対応しているプログラムコードフラグメント（４２）を探す検索が行なわれ、これにより見いだされた前記プログラムコードフラグメント（４２）が、汎用コンピュータで実行される前記最適化プログラム（４０）により、前記対応するライブラリコードフラグメント（３０ｘ）のそれぞれ１つのコールで置き換えられる、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
プログラムコードフラグメント（４２）とライブラリコードフラグメント（３０ｘ）の実行可能な機械コードとしての形態が一致する場合にのみ、汎用コンピュータで実行される前記最適化プログラム（４０）により、プログラムコードフラグメント（４２）がライブラリコードフラグメント（３０ｘ）で置き換えられることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記コンパイラ生成プログラムコード（３８）がアッセンブラソースコードの形態で存在し、前記最適化の手順がソースコードレベルで実施されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記ライブラリコードフラグメント（３０ｘ）の内の少なくともいくつかが、手続きコールと同様の方法で、パラメータとして１つまたはそれ以上のメモリアドレス又は数値と共に呼び出されるパラメータ化されたライブラリコードフラグメントであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
汎用コンピュータで実行される前記最適化プログラム（４０）により、プログラムフローと干渉しないプログラムコードフラグメント（４２）が、前記対応するライブラリコードフラグメント（３０ｘ）へのサブルーチンコール命令（４６）に置き換えられることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
汎用コンピュータで実行される前記最適化プログラム（４０）が、サブルーチン復帰命令で終わっているプログラムコードフラグメント（４２）を前記対応するライブラリコードフラグメント（３０ｘ）へのジャンプ命令に置き換えることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記既定のライブラリ（２８）が、前記携帯型データ記憶媒体（１０）のハードウエア及び／または前記携帯型データ記憶媒体（１０）のオペレーティングシステム及び／または前記コンパイラ生成プログラムコード（３８）の生成に用いられるコンパイラ（３６）に依存するライブラリコードフラグメント（３０ｘ）を含むように設計されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のプログラム領域（２４）が電気的にプログラム可能であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記第２のメモリ領域（２６）が、マスクプログム可能であることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記携帯型データ記憶媒体において前記第１のメモリ領域（２４）が占有するメモリセル当りのチップ面積が前記第２のメモリ領域（２６）により占有されるメモリセル当りのチップ面積より大きいことを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
コンピュータプログラムであって、請求項１から１０のいずれか１項に記載の方法を汎用コンピュータに実行させる、汎用コンピュータ用のプログラム命令を有することを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１２】
前記プログラム命令がさらに、高水準言語ソースコード（３４）を前記コンパイラ生成プログラムコード（３８）に変換するためのコンパイラ（３６）を実施することを特徴とする請求項１０に記載のコンピュータプログラム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
手続きコールと同様の態様で、１つまたはそれより多くのパラメータ（例えば、メモリアドレスまたは数値）をもつパラメータ化されたコードフラグメントが用いられる場合にも置き換えがおこる場合がある。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
本発明にしたがって提供されるコンピュータプログラム製品は、特に、例えば電子的または磁気的または光学的なメモリ媒体のようなコンピュータ読出可能なデータ記憶媒体とすることができるが、物理的データ記憶媒体に限定されない。コンピュータプログラム製品は、本発明にしたがう最適化ステップを実行するプログラムコードをもつ。コンピュータプログラム製品は、さらに、コンパイラ及び／またはアッセンブラ及び／またはリンカー及び／またはローダープログラムを含むことが好ましい。
本発明にしたがうコンピュータプログラム製品及び本発明にしたがう携帯型データ記憶媒体は、上に説明された特徴／または方法に関する特許請求項に述べられる特徴に相当する特徴をもって開発されることが好ましい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年2月12日(2009.2.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
修理可能な圧力逃がし弁であって、
取り外し工具と係合するためのヒダ付き内面、第一シート面、および、上記修理可能な圧力逃がし弁を圧力容器に取り付けるための第一ねじ付き外面を有する弁箱と、
上記第一シート面に係合するための第二シート面を有し、弁箱に摺動可能に取り付けられ、且つ、第一シート面に向けて付勢されている弁体組立体と、
上記弁体組立体が弁箱に着座したときに、シールを提供するために上記第一および第二のシート面に近接して配置されたシール部材と、
上記シール部材を機械的に支持するために弁体組立体に近接して取り付けられた着脱可能なキャップとを有してなる圧力逃がし弁。
【請求項２】
上記弁体組立体が、弁棒と、弁棒に取り付けられた弁体と、第一シート面と第二シート面との間に所定の閉止力を生じさせるために弁棒と弁箱との間に装着されたばねとを含んでなる請求項１記載の圧力逃がし弁。
【請求項３】
上記弁体が弁棒に固定されてなる請求項２記載の圧力逃がし弁。
【請求項４】
上記弁箱が、弁の閉弁位置において上記シール部材に係合する弁箱上のシール面をさらに含んでなる請求項１記載の圧力逃がし弁。
【請求項５】
上記シール面が２０／１０００〜３０／１０００インチの範囲（０．５１〜０．７６ｍｍの範囲）の半径を有してなる請求項４記載の圧力逃がし弁。
【請求項６】
上記ヒダ付き内面のヒダが六角ソケットを形成してなる請求項１記載の圧力逃がし弁。
【請求項７】
上記シール部材を支持するために、弁体とキャップとの間に第一空洞が形成されてなる請求項１記載の圧力逃がし弁。
【請求項８】
上記キャップと弁体との間の漏洩経路を遮断するための第二シール部材を含んでなる請求項１記載の圧力逃がし弁。
【請求項９】
上記第二シール部材を保持するための第二空洞が弁体とキャップとの間に形成されてなる請求項８記載の圧力逃がし弁。
【請求項１０】
上記弁箱が、容器に対して同一面となるように取り付け可能に構成されてなる請求項１記載の圧力逃がし弁。
【請求項１１】
上記弁箱がステンレス鋼から製造されてなる請求項１記載の圧力逃がし弁。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
典型的には、逃がし弁はその弁箱の位置が容器の内側となるように容器に対して同一面となるように取り付けられる。同一面となるように取り付けられた従来の逃がし弁を取り外すために、弁の露出面上に棒（たとえば大型のマイナス型ねじ回し）を挿入するための溝が形成されている。棒と溝の構造は、その挿入および取り出しの間に逃がし弁に加わるトルク値を制限するようにされている。上記溝は、棒に接触するための小さな面領域のみを提供するものである。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年5月13日(2009.5.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
横断面で台形またはくさび形の形の稜線の優先方向に配向された列を有する微細構造化表面を少なくとも部分的に有する、プラスチック、ガラス、セラミックまたは金属からなる固体において、
稜線は高さ（Ｈ）の点で０ｍｍ〜２ｍｍの範囲内にある極小および極大を有し、かつ
この極小および極大は０．００５〜２０ｍｍの範囲内の波長で周期的に連続しており、かつ
隣接する稜線の列の間隔は相互に０．００２ｍｍ〜５ｍｍであり、その際、列間の谷部は平面状または先端が尖っていてよく、かつ
横断面で台形またはくさび形の形の稜線は２０〜６０°の範囲内のくさび角（α）を有する
ことを特徴とする固体。
【請求項２】
稜線が付加的に横断面−ベース−幅（Ｂ）で周期的に変動している、請求項１記載の固体。
【請求項３】
稜線のくさび角（α）が列に対して一定である、請求項１または２記載の固体。
【請求項４】
稜線が、０．００５〜２０ｍｍの横変動の波長で、優先方向の周囲で横に変動する経過曲線を有する、請求項１から３までのいずれか１項記載の固体。
【請求項５】
稜線に隣接する列の高所部の周期的な変動が交互に互いにずれている、請求項１から４までのいずれか１項記載の固体。
【請求項６】
稜線に隣接する列の高所部の変動がそれぞれ波長の半分だけ互いにずれている、請求項５記載の固体。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか１項記載の固体の製造法において、公知の方法で、１次成形法、再成形法、砥粒加工または溶着法、殊にエンボス法、切削加工、鋳造、射出成形、高エネルギー照射および／またはフォトエッチング技術により微細構造を形成することを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項記載の固体の製造法。
【請求項８】
航空機、船舶または地上用車両の表面上の空気または水の流れの摩擦の低下のための摩擦低下表面を有する構造要素としての、または導管または容器中で迅速に流れる流体における流体の流れの摩擦低下のための導管および容器としての、保護する価値のある表面上の汚染物の付着低減のための、抗菌性表面としての、光屈折表面としての、および／または拡散性光散乱表面としての、反射防止表面としての、請求項１から６までのいずれか１項記載の固体の使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年8月3日(2009.8.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦な非極性の窒化ガリウムフィルムにおいて、螺旋転位密度を減少する方法であって、以下の工程：
（ａ）該平坦な非極性の窒化ガリウムフィルムを基板上にヘテロエピタキシャルに成長させる工程；
（ｂ）該平坦な非極性の窒化ガリウムフィルム上に誘電性再成長マスクを堆積する工程；
（ｃ）堆積された該マスクをパターン化する工程；および
（ｄ）該平坦な非極性の窒化ガリウムフィルムを選択的に再成長させて、該パターン化マスクに基づく過剰成長を達成する工程であって、ここで、該平坦な非極性の窒化ガリウムフィルムが、垂直な成長方向に対して垂直な方向で該マスクを横方向過剰成長させる前に、該マスク中の開口部を通って垂直に成長する、工程、
を包含する、方法。
【請求項２】
工程（ａ）において形成された前記平坦な非極性の窒化ガリウムフィルムがシード層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記堆積する工程（ｂ）が、プラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）によって、前記平坦な非極性の窒化ガリウムフィルム上に前記誘電性再成長マスクを堆積する工程を包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記堆積されたマスクが、種々の結晶学的方向に方向付けられたストライプの開口部でパターン化される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記過剰成長が、横方向過剰成長した、ストライプを形成した窒化ガリウムを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記横方向過剰成長領域が、前記マスク中の開口部を通って垂直に成長する領域と比較して、減少した転位密度を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記転位が、成長フィルムへの垂直方向の転位の広がりをブロックするマスクによって過剰成長領域において減少される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記転位が、垂直な成長から横方向成長までの移行を介して転位の屈曲によって過剰成長領域において減少される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記過剰成長が、横方向エピタキシャルな過剰成長を使用して行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記過剰成長が、以下：片持ちばりエピタキシー、二重横方向エピタキシャル過剰成長（ｄｏｕｂｌｅ  ｌａｔｅｒａｌ  ｅｐｉｔａｘｉａｌ  ｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ：二重ＬＥＯ）およびＳｉＮナノマスキングからなる群から選択される方法を使用して行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
工程（ｄ）において形成された前記平坦な非極性の窒化ガリウム上に、１つ以上のデバイス層を成長させる工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記平坦な非極性の窒化ガリウムフィルムが、ａ平面フィルムまたはｍ平面フィルムである、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８８】
最後に、サファイア基板以外の基板が、非極性ＧａＮ成長のために使用され得る。これらの基板としては、炭化ケイ素、窒化ガリウム、ケイ素、酸化亜鉛、窒化ホウ素、アルミン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ゲルマニウム、窒化アルミニウム、およびガリウム酸リチウムが挙げられる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年5月19日(2009.5.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９１】
プロセス管理サービスは、物理プロセッサ上でのプロセスの実行の制御を提供する。
ＳＰは、ディスパッチ可能オブジェクトおよび論理ＣＰＵという２つのプロセッサに関連した抽象化を実施する。
ディスパッチ可能オブジェクトは保存された制御のスレッドであり、ドメイン内の関連付けられたアドレス指定コンテキストである。
ディスパッチ可能オブジェクトは、制御のスレッドが以前に割り込みを受けたポイントで実行を再開するのに必要な状態を含む。
アドレス指定コンテキストは、関連付けられた領域ＩＤおよび保護キーの組であり、ドメインの組から引き出される。
これらの値は、ディスパッチ可能オブジェクトの合法的な拡張仮想アドレス指定コンテキストを決定する。
オペレーティングシステムまたはカスタム制御プログラムは、現在の実行状態をあるディスパッチ可能オブジェクトに保存し、別のディスパッチ可能オブジェクトから実行状態を復元することにより、ディスパッチ可能オブジェクトをスケジューリングする。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９５】
メモリ管理メカニズムは、ＴＬＢ、ＶＨＰＴ、および他のページテーブルへの変換を挿入する特権動作を実行する。
プロセッサディスパッチメカニズムは、ディスパッチ可能オブジェクトおよび論理ＣＰＵへの状態の保存、ならびに、ディスパッチ可能オブジェクトおよび論理ＣＰＵからの状態の復元を処理する。
これらのメカニズムは、例えばアドレス指定コンテキストなどの状態の多くが特権を有することから必要とされる。
例外処理メカニズムは、フォルト、トラップ、特別なハードウェアイベント、およびＳＰ発生イベントを取り扱う。
特別なハードウェアイベントは、例えば、マシンチェックやハードウェア環境設定の変更などである。
オペレーティングシステムまたはカスタム制御プログラムは、ＳＰＩを介して例外ハンドラルーチンを登録し、例外が発生した時に例外ハンドラルーチンが起動されるようにする。
例外が発生すると、ＳＰは最小量のプロセッサの状態を保存し、次に、登録された例外ハンドラに制御を転送する。
フォルトおよびトラップの中には、性能のため、または、ドメインオペレーティングシステムもしくはカスタム制御プログラムに対するインタフェースを簡略にするために、ＳＰによって直接処理されるものがある。
オペレーティングシステムまたはカスタム制御プログラムが、インタラプトイベントの通知を受信する必要がある場合には、オペレーティングシステムまたはカスタム制御プログラムは、対応するドメインにおいて発生が予想される各インタラプトに対して、ＳＰＩを介してインタラプトハンドラルーチンを登録する。
インタラプトが発生すると、ＳＰは、予め構成された特別の実行環境で、関連付けられたハンドラルーチンを起動し、高速のインタラプト応答を可能にする。
インタラプトは、時間順を維持した方法で各オペレーティングシステムまたは各カスタム制御プログラムへ配信するために、ＳＰによってキューに入れられる。
ＳＰによって提供される１つの特別なインタラプトは、タイマチック（timer tic）で
あり、これは一定時間間隔で発生するインタラプトである。
各オペレーティングシステムまたは各カスタム制御プログラムは、この一定時間間隔の任意の整数倍の時間間隔で通知を受けることを指定することができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年12月22日(2008.12.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチスタティック・レーダ・システムにおいて受信信号のセンサ信号モデルを生成する方法であって、
受信機において、前記受信信号のために、前記受信信号の、特にクラッタ成分を含む信号モデルを定義することであって、
前記クラッタ成分は直接経路信号及び散乱信号を含み、前記信号モデルは、次式：
【数１】
2004537041.tif 000001
に従って定義され、
ここで、
Ｘｐ（ｋ，ｔ）は信号モデルであり、
ｋは受信機サブアパーチャについてのインデックスであり、
ｊは送信機サブアパーチャについてのインデックスであり、
Ｊは送信機サブアパーチャの数であり、
ｔは時刻であり、
Ａ０：ｊ，ｋは、送信信号強度に対する直接経路信号の相対的強度であり、
Ａｃ：ｊ，ｋは、散乱信号の相対強度であり、
【数２】
2004537041.tif 000002
は、クラッタパッチの場所であり、
【数３】
2004537041.tif 000003
は、前記送信機の場所であり、
【数４】
2004537041.tif 000004
は、前記受信機の場所であり、
φｊは、ｊ番目のサブアパーチャを介して送信されたベースバンド信号の位相であり、
ψｊｋは、φｊの遅延バージョンであって、この遅延は、参照送信機サブアパーチャｊ0からｋ番目の受信機サブアパーチャへの直接経路遅延に等しく、
Δτは、前記直接経路遅延に対する、前記送信機から前記クラッタパッチを介して前記受信機へと至る遅延であり、
ｖ（ｔ）は雑音プロセスである
信号モデルを定義することと、
チャネル伝達関数を、次式：
【数５】
2004537041.tif 000005
に従って定義することと、
標本時間に、前記受信信号のサンプリングされたバージョンを生成することであって、
前記サンプリングされたバージョンは、前記チャネル伝達関数に従って、次式：
【数６】
2004537041.tif 000006
に従って生成され、
ここで、
ｎは標本時間であり、
ｍは遅延値についてのインデックスであり、
Ｍは遅延値の数であり、
δτは遅延解像度であり、
【数７】
2004537041.tif 000007
である、
生成することと、
前記信号モデルを、次式：
【数８】
2004537041.tif 000008
に従って改訂することと、
前記改訂された信号モデルに対する線形システムモデルを、次式：
【数９】
2004537041.tif 000009
に従って生成することと
を含む方法。
【請求項２】
更に、前記チャネル伝達関数の中で位相遅延を線形化して、前記受信信号のためにドップラーシフト成分を決定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
更に、前記位相遅延を前記チャネル伝達関数の中へ吸収することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記位相遅延が前記受信機に対するクラッタ方向に相関する、請求項２に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６９】
図７は、本発明の実施形態に従ってセンサ信号モデルを生成するフローチャートである。センサ信号モデルは、受信信号から疑似ランダム・ベースバンド変調を除去することを容易にする。センサ信号モデルは、クラッタ及び目標環境を用いて受信信号を開示することができ、センサ出力を効果的に解釈するために望まれる。ステップ７０２は、センサ信号モデルのためにクラッタ成分を定義することによって実行する。開示された実施形態によれば、
【数２２】
2004537041.tif 000010
であり、ここで、Φjは、ｊ番目のサブアパーチャを介して送信されたベースバンド信号の位相である。Ψjkは、Φjの遅延バージョンに等しい。ここで、遅延は、参照送信機サブアパーチャｊ0からｋ番目の受信機サブアパーチャへの直接経路遅延にほぼ等しい。すなわち、
【数２３】
2004537041.tif 000011
Δτc:jk（ｘc，ｔ）は、前述したように、直接経路遅延に対する、送信機２００から、クラッタパッチを介して受信機３００へと至る遅延である。具体的には、遅延は次式によって与えられる。
【数２４】
2004537041.tif 000012
ここで、φc:jk（ｘc，ｔ）は、直接経路位相遅延に対する、送信機２００から、クラッタパッチを介して受信機３００へと至る遅延である。ＲＦ位相遅延は、次式によって与えられる。
【数２５】
2004537041.tif 000013
Ａ0:j,kは、送信信号強度に対する直接経路信号の相対的強度である。ＧTx:jkは、ｋ番目の受信機サブアパーチャの方向におけるｊ番目の送信機サブアパーチャのサブアパーチャ利得を表す。ＧRx:jkは、ｊ番目の送信機サブアパーチャの方向におけるｋ番目の受信機サブアパーチャのサブアパーチャ利得を表す。Ｌは、直接経路信号成分の経路損失を表す。送信信号強度に対する直接経路信号の相対的強度は、次式によって与えられる。
【数２６】
2004537041.tif 000014
Ａc:j,kは、散乱信号の相対的強度である。ここで、
【数２７】
2004537041.tif 000015
はクラッタパッチの場所を表し、
【数２８】
2004537041.tif 000016
及び
【数２９】
2004537041.tif 000017
は、送信機２００からクラッタパッチを指し、クラッタパッチから受信機３００を指す単位ベクトルである。
【数３０】
2004537041.tif 000018
は
【数３１】
2004537041.tif 000019
におけるグラウンドパッチの相対的バイスタティック反射率である。従って、散乱信号の相対的強度は、次式によって与えられる。
【数３２】
2004537041.tif 000020
更に、ｖ（ｔ）は雑音プロセスを表す。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年3月10日(2009.3.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
基本ユーザＥＪＢは、好ましくは、それを介して内在的属性及び外在的な属性の両方が検索又は更新できる単一で透明なインターフェイスを提供する。基本ユーザＥＪＢは、属性に名前空間修飾を与えるため及び属性タイプ、可能な値等を定義するために使用できる属性組を利用する。属性組は、ユーザ属性に対してデータ構造のように動作する。ここで使用される透明とは、一般に、ユーザ又はアプリケーションがどこにデータが記憶されているか又はそのデータがどんな名前付けコンベンションを使用するかについて注意することなく呼び出し又は要求をできるという事実を言う。もし、データが個性化データベースの代わりにレガシー・データベース中にある場合、ＵＵＰはユーザ又はアプリケーションが名前又は場所について知る必要無くして要求を自動的に処理する。