【手続補正書】
【提出日】平成23年3月28日(2011.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板の上に形成された絶縁材料からなる絶縁層と、
該絶縁層の上に設けられた通電により発熱する材料からなる発熱抵抗層と、
該発熱抵抗層の上に設けられ、前記発熱抵抗層に通電するために用いられる一対の配線と、
前記発熱抵抗層と前記一対の配線とを覆うように、絶縁材料からなる層を複数有する絶縁保護層と、を有し、
前記絶縁保護層が有する複数の層の少なくとも１層がラジカルシャワーＣＶＤ法で形成された層であることを特徴とする液体吐出ヘッド用基体。
【請求項２】
前記絶縁保護層は、ラジカルシャワーＣＶＤ法により形成された層よりも上に、触媒ＣＶＤ法により形成された層を有していることを特徴とする請求項１に記載の液体吐出ヘッド用基体。
【請求項３】
基板と、
該基板の上に形成された絶縁材料からなる絶縁層と、
該絶縁層の上に設けられた通電により発熱する材料からなる発熱抵抗層と、
該発熱抵抗層の上に設けられ、前記発熱抵抗層に通電するために用いられる一対の配線と、
前記発熱抵抗層と前記一対の配線とを覆うように、ラジカルシャワーＣＶＤ法により形成された絶縁材料からなる絶縁保護層と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッド用基体。
【請求項４】
前記絶縁保護層は、シリコンを含有する絶縁材料からなり、シリコンの比が層厚方向で変化するように設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基体。
【請求項５】
前記絶縁保護層は、シリコン窒化層、シリコン酸窒化層、シリコン酸炭化層およびシリコン窒素炭化層のいずれか１つまたはこれらを組み合わせて設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基体。
【請求項６】
前記絶縁保護層上に金属材料からなる金属保護層がさらに形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基体。
【請求項７】
絶縁保護層の上側に、液体を吐出するための吐出口と、該吐出口に連通し液体を供給するために用いられる流路と、を構成する流路形成部材をさらに有することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基体。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基体を備えた液体吐出ヘッド。
【請求項９】
絶縁材料からなる絶縁層と、通電により発熱する材料からなる発熱抵抗層と、前記発熱抵抗層に通電するために用いられる一対の配線と、がこの順に積層された基板を用意する工程と、
前記発熱抵抗層と前記一対の配線とを覆うように、絶縁材料からなる層を複数積層して絶縁保護層を形成する工程と、
を有し、
前記絶縁保護層が有する複数の層の少なくとも１層をラジカルシャワーＣＶＤ法により形成する
ことを特徴とする液体吐出ヘッド用基体の製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁保護層を形成する工程において、前記ラジカルシャワーＣＶＤ法の後に、ラジカルシャワーＣＶＤ法以外の方法を用いることを特徴とする請求項１１に記載の液体吐出ヘッド用基体の製造方法。
【請求項１１】
前記ラジカルシャワーＣＶＤ法以外の方法は、触媒ＣＶＤ法であることを特徴とする請求項１０に記載の液体吐出ヘッド用基体の製造方法。
【請求項１２】
絶縁材料からなる絶縁層と、通電により発熱する材料からなる発熱抵抗層と、前記発熱抵抗層に通電するために用いられる一対の配線と、がこの順に積層された基板を用意する工程と、
ラジカルシャワーＣＶＤ法を用いて、前記発熱抵抗層と前記一対の配線とを覆うように絶縁材料からなる絶縁保護層を形成する工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッド用基体の製造方法。
【請求項１３】
前記ラジカルシャワーＣＶＤ法は、
ラジカルを生成する生成ガスを用いてラジカルを生成する工程と、
生成された前記ラジカルと、モノシランガスまたはジシランガスからなる材料ガスと、を反応させる工程と、
を有することを特徴とする請求項９乃至請求項１２のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【請求項１４】
前記ラジカルシャワーＣＶＤ法は、前記基板の温度が４００℃以下となる条件で行われることを特徴とする請求項９乃至請求項１３のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基体の製造方法。
【請求項１５】
前記絶縁保護層上に金属材料からなる金属保護層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項９乃至請求項１４のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基体の製造方法。
【請求項１６】
絶縁保護層の上側に、液体を吐出するための吐出口と、該吐出口に連通し液体を供給するために用いられる流路と、を構成する流路形成部材を設ける工程をさらに有することを特徴とする請求項９乃至請求項１５のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
インクジェット記録方法は、微少量のインクを液滴として吐出口から高速で吐出することにより、高精細な画像の高速記録が可能であるという特徴を持っている。また、この液体吐出方法により、インクのみならず、各種の液体を吐出させる技術が開発されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
デジタルカメラの普及及び高精細化に伴い、インクジェット記録装置により記録される画像には、高解像化、高画質化、高速化が求められている。高解像化、高画質化の解決手段の一つとして、１ドット当りの吐出インク量の小液滴化（インクを滴として吐出する場合にはインク滴の小径化）がある。従来、インクの小液滴化には、吐出口開口の面積を小さくするとともに発熱部の面積を小さくすることによる対応がなされてきた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、高速記録の要求に対しては、例えば以下の対応がなされてきた。
（１）電気熱変換素子を駆動する電気パルスの幅を短くし、駆動周波数を上げ、単位時間当たりの吐出回数を増加させる。
（２）インクを吐出させる吐出口の数を増やすことで、１回のインクの吐出により記録可能な面積を増加させる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
特開平８−１１２９０２号公報には、この問題に対処するための基体として、図１３に示す構成が開示されている。この基体１０１では、基板１２０として、シリコン基板あるいはＩＣ素子作り込み済みのシリコン基板が用いられている。基板１２０の表面には、蓄熱層１０６としてのＳｉＯ2層が設けられている。蓄熱層１０６の表面には、更に、発熱部を形成するためのＴａＮ層である発熱抵抗層１０７及び配線１０３、１０４となるＡｌ層が形成されている。これらの配線パターンは、配線パターン以外の部分の発熱抵抗層１０７及びＡｌ層を除去することで形成される。発熱抵抗層１０７が露出するようにＡｌ層の一部を除去することで、その部位に発熱部１０２が形成される。このＡｌ層の一部除去により、Ａｌ層の対向する２つの端部が形成され、各端部からの部分がそれぞれＡｌ配線１０３、１０４となる。発熱部１０２（発熱抵抗層１０７であるＴａＮ層の露出した部位）、Ａｌ配線１０３、１０４を覆う第１の絶縁保護層１０８ａが形成される。絶縁保護層１０８ａの発熱部１０２に対応する部分は除去されている。更に、少なくとも発熱部１０２を覆う位置に、第２の絶縁保護層１０８ｂ及びＴａ保護層１１０が形成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
本発明にかかる液体吐出ヘッド用基体の第一の態様は、
基板と、
該基板の上に形成された絶縁材料からなる絶縁層と、
該絶縁層の上に設けられた通電により発熱する材料からなる発熱抵抗層と、
該発熱抵抗層の上に設けられ、前記発熱抵抗層に通電するために用いられる一対の配線と、
前記発熱抵抗層と前記一対の配線とを覆うように、絶縁材料からなる層を複数有する絶縁保護層と、を有し、
前記絶縁保護層が有する複数の層の少なくとも１層がラジカルシャワーＣＶＤ法で形成された層であることを特徴とする。
本発明にかかる液体吐出ヘッド用基体の第二の態様は、
基板と、
該基板の上に形成された絶縁材料からなる絶縁層と、
該絶縁層の上に設けられた通電により発熱する材料からなる発熱抵抗層と、
該発熱抵抗層の上に設けられ、前記発熱抵抗層に通電するために用いられる一対の配線と、
前記発熱抵抗層と前記一対の配線とを覆うように、ラジカルシャワーＣＶＤ法により形成された絶縁材料からなる絶縁保護層と、
を有することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
本発明にかかる液体吐出ヘッド用基体の製造方法の第一の態様は、
絶縁材料からなる絶縁層と、通電により発熱する材料からなる発熱抵抗層と、前記発熱抵抗層に通電するために用いられる一対の配線と、がこの順に積層された基板を用意する工程と、
前記発熱抵抗層と前記一対の配線とを覆うように、絶縁材料からなる層を複数積層して絶縁保護層を形成する工程と、
を有し、
前記絶縁保護層が有する複数の層の少なくとも１層をラジカルシャワーＣＶＤ法により形成する
ことを特徴とする。
本発明にかかる液体吐出ヘッド用基体の製造方法の第二の態様は、
絶縁材料からなる絶縁層と、通電により発熱する材料からなる発熱抵抗層と、前記発熱抵抗層に通電するために用いられる一対の配線と、がこの順に積層された基板を用意する工程と、
ラジカルシャワーＣＶＤ法を用いて、前記発熱抵抗層と前記一対の配線とを覆うように絶縁材料からなる絶縁保護層を形成する工程と、
を有することを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
その結果、比較例１のインクジェットヘッド用基体においてはシリコン窒化層が約８０ｎｍ減少したのに対し、実施例１〜３、５〜９のインクジェットヘッド用基体においては約２０ｎｍ程度の減少しか見られず、インクに対して耐性の強い層（膜）であることがわかった。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
実施例７においては、発泡開始電圧Ｖｔｈは、比較例１に比べて高い値となっているが、これは層厚を５００ｎｍと厚くしているためで、層厚換算でみると消費電力の改善がされている。次に、このＶｔｈの１．３倍を駆動電圧Ｖｏｐとし、１５００文字の標準文書の記録を行ったところ、実施例１〜実施例９のいずれのヘッドにおいても、５０００枚以上の記録が可能であることが確認され、かつ記録品位の劣化も見られなかった。