【手続補正書】
【提出日】平成22年12月10日(2010.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内で複数の基板を平面的に円周状に配置された状態で支持する基板支持部材と、
前記チャンバー内に設けられ、前記基板支持部材に対向させた状態で第１の処理ガスを吐出する複数の吐出口を有する第１の処理ガス吐出部と、
前記チャンバー内の前記第１の処理ガス吐出部とは異なる位置に設けられ、前記支持部材に対向させた状態で第２の処理ガスを吐出する複数の吐出口を有する第２の処理ガス吐出部と、
前記第１の処理ガス吐出部と前記第２の処理ガス吐出部との間に位置し、パージガスを吐出するパージガス吐出部と、
前記支持部材を回転させる回転機構と、
前記基板を加熱する加熱手段と
を具備し、
前記第１の処理ガス吐出部と前記第２の処理ガス吐出部とは、前記基板支持部材の基板配置領域の上方に交互に基板の移動軌跡に沿って円周状に配置され、
前記パージガス吐出部は、前記第１の処理ガス吐出部と前記第２の処理ガス吐出部との間に配置され、前記パージガス吐出部の前記基板支持部材の径方向に対応する長さが、少なくとも前記基板配置領域に配置された基板の径方向の長さを覆う長さであり、
前記基板支持部材を回転させることにより、前記基板支持部材に支持された基板が、前記第１の処理ガス吐出部、前記第２の処理ガス吐出部、および前記パージガス吐出部の直下を通過し、基板上に前記第１の処理ガスおよび前記第２の処理ガスを交互に吸着させることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記パージガス吐出部は、前記基板支持部材の径方向に対応する長さが円周方向に対応する長さよりも長いことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記パージガス吐出部は、前記パージガスを吐出する吐出口の下方に延びるように設けられた、吐出された前記パージガスの流れが拡散することを防止するスカート部を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記パージガス吐出部の吐出口の高さ位置が、前記第１の処理ガス吐出部における吐出口の高さ位置および前記第２の処理ガス吐出部における吐出口の高さ位置よりも高いことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記第１の処理ガスは、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｉ、ＷおよびＲｕのうちいずれか１種を含み、前記第２の処理ガスはＮまたはＯを含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項６】
Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＦ、ＷＮ、ＷＳｉおよびＲｕＯ２のうちいずれか１種を成膜することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記回転機構は、前記第１の処理ガスおよび前記第２の処理ガスの吸着速度に応じてその回転数が可変であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項８】
前記第１の処理ガス吐出部および前記第２の処理ガス吐出部は、クリーニングガスを吐出することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項９】
前記クリーニングガスはＣｌＦ３であることを特徴とする請求項８に記載の成膜装置。
【請求項１０】
チャンバー内で複数の基板を基板支持部材に平面的に円周状に配置された状態で支持させ、
第１の処理ガスを吐出する第１の処理ガス吐出部と第２の処理ガスを吐出する第２の処理ガス吐出部とを、前記基板支持部材の基板配置領域の上方に交互に基板の移動軌跡に沿って円周状に配置し、
パージガスを吐出するパージガス吐出部を、前記第１の処理ガス吐出部と前記第２の処理ガス吐出部との間に、前記基板支持部材の径方向に対応する長さが、少なくとも前記基板配置領域に配置された基板の径方向の長さを覆う長さとなるように配置し、
前記基板支持部材を回転させ、かつ前記第１の処理ガス、前記第２の処理ガス、前記パージガスを吐出させた状態で、前記基板支持部材に支持された基板を、前記第１の処理ガス吐出部、前記第２の処理ガス吐出部、および前記パージガス吐出部の直下に通過させ、基板上に前記第１の処理ガスおよび前記第２の処理ガスを交互に吸着させることを特徴とする成膜方法。
【請求項１１】
前記第１の処理ガスは、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｉ、ＷおよびＲｕのうちいずれか１種を含み、前記第２の処理ガスはＮまたはＯを含むことを特徴とする請求項１０に記載の成膜方法。
【請求項１２】
Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＦ、ＷＮ、ＷＳｉおよびＲｕＯ２のうちいずれか１種を成膜することを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の成膜方法。
【請求項１３】
前記第１の処理ガス吐出部および前記第２の処理ガス吐出部からクリーニングガスを吐出し、チャンバー内をクリーニングすることを特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載の成膜方法。
【請求項１４】
前記クリーニングガスはＣｌＦ３であることを特徴とする請求項１３に記載の成膜方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点では、基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内で複数の基板を平面的に円周状に配置された状態で支持する基板支持部材と、
前記チャンバー内に設けられ、前記基板支持部材に対向させた状態で第１の処理ガスを吐出する複数の吐出口を有する第１の処理ガス吐出部と、
前記チャンバー内の前記第１の処理ガス吐出部とは異なる位置に設けられ、前記支持部材に対向させた状態で第２の処理ガスを吐出する複数の吐出口を有する第２の処理ガス吐出部と、
前記第１の処理ガス吐出部と前記第２の処理ガス吐出部との間に位置し、パージガスを吐出するパージガス吐出部と、
前記支持部材を回転させる回転機構と、
前記基板を加熱する加熱手段と
を具備し、
前記第１の処理ガス吐出部と前記第２の処理ガス吐出部とは、前記基板支持部材の基板配置領域の上方に交互に基板の移動軌跡に沿って円周状に配置され、
前記パージガス吐出部は、前記第１の処理ガス吐出部と前記第２の処理ガス吐出部との間に配置され、前記パージガス吐出部の前記基板支持部材の径方向に対応する長さが、少なくとも前記基板配置領域に配置された基板の径方向の長さを覆う長さであり、
前記基板支持部材を回転させることにより、前記基板支持部材に支持された基板が、前記第１の処理ガス吐出部、前記第２の処理ガス吐出部、および前記パージガス吐出部の直下を通過し、基板上に前記第１の処理ガスおよび前記第２の処理ガスを交互に吸着させることを特徴とする成膜装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記本発明の第１の観点において、前記パージガス吐出部は、前記基板支持部材の径方向に対応する長さが円周方向に対応する長さよりも長い形状とすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第２の観点では、チャンバー内で複数の基板を基板支持部材に平面的に円周状に配置された状態で支持させ、
第１の処理ガスを吐出する第１の処理ガス吐出部と第２の処理ガスを吐出する第２の処理ガス吐出部とを、前記基板支持部材の基板配置領域の上方に交互に基板の移動軌跡に沿って円周状に配置し、
パージガスを吐出するパージガス吐出部を、前記第１の処理ガス吐出部と前記第２の処理ガス吐出部との間に、前記基板支持部材の径方向に対応する長さが、少なくとも前記基板配置領域に配置された基板の径方向の長さを覆う長さとなるように配置し、
前記基板支持部材を回転させ、かつ前記第１の処理ガス、前記第２の処理ガス、前記パージガスを吐出させた状態で、前記基板支持部材に支持された基板を、前記第１の処理ガス吐出部、前記第２の処理ガス吐出部、および前記パージガス吐出部の直下に通過させ、基板上に前記第１の処理ガスおよび前記第２の処理ガスを交互に吸着させることを特徴とする成膜方法を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＦ、ＷＮ、ＷＳｉおよびＲｕＯ２のうちいずれか１種を成膜するようにすることができる。また、前記第１の処理ガス吐出部および前記第２の処理ガス吐出部は、クリーニングガスを吐出してチャンバー内をクリーニングするようにすることができる。この場合に、前記クリーニングガスとしてＣｌＦ３を用いることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、ＡＬＤ法を利用した成膜を行うにあたり、第１の処理ガス吐出部と第２の処理ガス吐出部とを、基板支持部材の基板配置領域の上方に交互に基板の移動軌跡に沿って円周状に配置し、パージガス吐出部を、第１の処理ガス吐出部と第２の処理ガス吐出部との間に配置し、パージガス吐出部の基板支持部材の径方向に対応する長さを、少なくとも基板配置領域に配置された基板の径方向の長さを覆う長さとし、基板支持部材を回転させて、基板支持部材に支持された基板を、第１の処理ガス吐出部、第２の処理ガス吐出部、およびパージガス吐出部の直下を通過するようにし、基板上に第１の処理ガスおよび第２の処理ガスを交互に吸着させるので、パージガスにより第１の処理ガスおよび第２の処理ガスを確実に分離しつつ、かつ高速スイッチングバルブを用いることなく、第１の処理ガスによる単原子層と、第２の処理ガスによる単原子層とを交互に形成することができる。また、基板支持部材に複数の基板を支持した状態で処理を行うので、一度に複数枚数の基板の成膜処理を行うことができ、生産性を高めることができる。