【手続補正書】
【提出日】平成21年2月6日(2009.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光活性化合物と、金属ヒドロキシキノリン錯体と、正孔輸送化合物とを含むことを特徴とする光活性組成物。
【請求項２】
アノードと、カソードと、それらの間に配置された光活性層とを含み、前記光活性層が光活性化合物と、金属ヒドロキシキノリン錯体と、正孔輸送化合物とを含むことを特徴とする有機電子デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
明快にするために、別々の実施形態の場合において上におよび以下に記載される本発明の特定の特徴はまた、１つの実施形態において組み合わせて提供されてもよいことは理解されるはずである。逆に、簡単にするために、１つの実施形態の場合において記載される本発明の様々な特徴は別々にまたはいずれかのより小さい組合せで提供されてもよい。さらに、範囲で記載された値への言及には、その範囲内の各々のおよび全ての値が含まれる。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．光活性化合物と、金属ヒドロキシキノリン錯体と、正孔輸送化合物とを含むことを特徴とする光活性組成物。
２．前記光活性化合物が有機金属化合物であることを特徴とする前記１．に記載の組成物。
３．前記有機金属化合物が環状金属化イリジウム錯体であることを特徴とする前記２．に記載の組成物。
４．前記イリジウム錯体が式ＩｒＬｉＹｊＺｋを有し、上式中、
Ｌはヘテロ芳香環上の窒素および炭素を介して配位されたモノアニオン性二座配位子であり、
Ｙはモノアニオン性配位子であり、
Ｚは中性配位子であり、
ｉ、ｊ、およびｋは、イリジウムが六配位であり、かつ錯体全体が荷電していないように、０および１〜３の整数から選択されることを特徴とする前記３．に記載の組成物。
５．Ｌがアリール複素環およびヘテロアリール複素環から選択されることを特徴とする前記４．に記載の組成物。
６．前記金属ヒドロキシキノリン錯体が式：
【化１】
2008545014.tif 000001
を有し、上式中、
ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｎ、およびＧｅから選択され、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８は各々、独立に、重水素、ハロ、ニトリル、アルキル、アリール、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルキル、フルオロアリール、フルオロアルコキシ、フルオロアリールオキシ、ヘテロアルキル、ヘテロアリール、ヘテロアルコキシ、ヘテロアリールオキシであり、または隣接した置換基が接合して５または６員環のアリール、ヘテロアリール、またはシクロアルキル基を形成してもよく、
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、およびｈは各々、独立に、０、１、２、または３であることを特徴とする前記１．に記載の組成物。
７．ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、およびｈが０であることを特徴とする前記６．に記載の組成物。
８．Ｒ１〜Ｒ８の少なくとも１つがフルオロまたはフルオロアルキルであることを特徴とする前記６．に記載の組成物。
９．前記正孔輸送化合物が４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（ｍＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）−［１，１’−（３，３’−ジメチル）ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＥＴＰＤ）、テトラキス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−２，５−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、α−フェニル−４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）、ｐ−（ジエチルアミノ）-ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）、トリフェニルアミン（ＴＰＡ）、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）、１−フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−５−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲまたはＤＥＡＳＰ）、１，２−トランス−ビス（９Ｈ−カルバゾル−９−イル）シクロブタン（ＤＣＺＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＴＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＢ）、およびポルフィリン化合物から選択されることを特徴とする前記１．に記載の組成物。
１０．アノードと、カソードと、それらの間に配置された光活性層とを含み、前記光活性層が光活性化合物と、金属ヒドロキシキノリン錯体と、正孔輸送化合物とを含むことを特徴とする有機電子デバイス。
１１．前記光活性化合物が有機金属化合物であることを特徴とする前記１０．に記載のデバイス。
１２．前記有機金属化合物が環状金属化イリジウム錯体であることを特徴とする前記１１．に記載のデバイス。
１３．前記イリジウム錯体が式ＩｒＬｉＹｊＺｋ
を有し、上式中、
Ｌはヘテロ芳香環上の窒素および炭素を介して配位されたモノアニオン性二座配位子であり、
Ｙはモノアニオン性配位子であり、
Ｚは中性配位子であり、
ｉ、ｊ、およびｋは、イリジウムが六配位であり、かつ錯体全体が荷電していないように、０および１〜３の整数から選択されることを特徴とする前記１２．に記載のデバイス。
１４．Ｌがアリール複素環およびヘテロアリール複素環から選択されることを特徴とする前記１３．に記載のデバイス。
１５．前記金属ヒドロキシキノリン錯体が式：
【化２】
2008545014.tif 000002
を有し、上式中、
ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｓｎ、およびＧｅから選択され、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、およびＲ８は各々、独立に、重水素、ハロ、ニトリル、アルキル、アリール、アルコキシ、アリールオキシ、フルオロアルキル、フルオロアリール、フルオロアルコキシ、フルオロアリールオキシ、ヘテロアルキル、ヘテロアリール、ヘテロアルコキシ、ヘテロアリールオキシであり、または隣接した置換基が接合して５または６員環のアリール、ヘテロアリール、またはシクロアルキル基を形成してもよく、
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、およびｈは各々、独立に、０、１、２、または３であることを特徴とする前記１０．に記載のデバイス。
１６．ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、およびｈが０であることを特徴とする前記１５．に記載のデバイス。
１７．Ｒ１〜Ｒ８の少なくとも１つがフルオロまたはフルオロアルキルであることを特徴とする前記１５．に記載のデバイス。
１８．前記正孔輸送化合物が４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（ｍＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）−［１，１’−（３，３’−ジメチル）ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＥＴＰＤ）、テトラキス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−２，５−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、α−フェニル−４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）、ｐ−（ジエチルアミノ）-ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）、トリフェニルアミン（ＴＰＡ）、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）、１−フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−５−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲまたはＤＥＡＳＰ）、１，２−トランス−ビス（９Ｈ−カルバゾル−９−イル）シクロブタン（ＤＣＺＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＴＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＢ）、およびポルフィリン化合物から選択されることを特徴とする前記１０．に記載のデバイス。