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【手続補正書】
【提出日】平成21年7月23日(2009.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種のポリマー、および精製されたカーボンナノチューブを含むポリマー組成物。
【請求項２】
カーボンブラックを更に含む請求項１記載のポリマー組成物。
【請求項３】
前記ポリマーがエチレン含有ポリマーを含む請求項１記載のポリマー組成物。
【請求項４】
前記エチレン含有ポリマーがエチレンエチルアクリレート共重合体である請求項３記載のポリマー組成物。
【請求項５】
前記エチレン含有ポリマーが、エチレンエチルアクリレート共重合体、エチレンビニルアセテート共重合体、エチレンプロピレンゴム、エチレンプロピレンジエンモノマー、またはそれらの混合物を含む請求項３記載のポリマー組成物。
【請求項６】
請求項３〜５のいずれか１項記載のポリマー組成物および架橋剤を含む組成物であって、前記エチレン含有ポリマーが、前記組成物の総質量を基準として約７０質量％から約９９．９５質量％の量で存在し、
前記カーボンナノチューブが、前記組成物の総質量を基準として約０．０５質量％から約６０質量％の量で存在し、
架橋剤が、前記組成物の総質量を基準として約１質量％から約１０質量％の量で存在する組成物。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項記載のポリマー組成物の少なくとも１種および架橋剤を含む組成物または請求項６記載の組成物から、少なくとも一部が形成された製造物品。
【請求項８】
ケーブルである請求項７記載の製造物品。
【請求項９】
前記組成物が半導体組成物であり、そして製造物品が金属導体コア、半導体シールド、絶縁層、および外部半導体層を含み、該組成物が半導体シールドまたは外部半導体層の少なくとも１つで用いられている電力ケーブルである請求項７または８記載の製造物品。
【請求項１０】
前記組成物が絶縁層に直接結合されており、また、絶縁層がエチレン単独重合体または共重合体を含む請求項９記載の製造物品。
【請求項１１】
物品の少なくとも一部を静電塗装によって被覆することを含む物品の静電塗装方法であって、該物品が請求項１記載のポリマー組成物を含み、該ポリマーが導電性ポリマーである方法。
【請求項１２】
カーボンブラックが以下の特徴、ＣＤＢＰ（粉砕したカーボンブラックのジブチル吸収値）がカーボンブラック１００グラム当たり３０〜１００ｃｃ、ヨウ素価が１５〜１，５００ｍｇ／ｇ、一次粒子径が７〜２００ｎｍ、ＢＥＴ表面積が１２〜１，８００ｍ2／ｇ、およびＤＢＰがカーボンブラック１００グラム当たり３０〜１，０００ｃｃ、の１つまたはそれ以上を有している請求項２記載のポリマー組成物。
【請求項１３】
請求項１記載のポリマー組成物を含む物品。
【請求項１４】
前記物品が自動車用物品である請求項１３記載の物品。
【請求項１５】
前記物品が、内部トリム、ダッシュボード、パネル、バンパーフェイシア、ミラー、シート繊維、スイッチ、ハウジングである請求項１３記載の物品。
【請求項１６】
前記物品がフィンガートラップ安全システムである請求項１３記載の物品。
【請求項１７】
前記物品がパイプ、異形材（profile）、チューブ、テープ、フィルム、膜、外被（jacketing）、それらの成分、またはそれらの部品である請求項１３記載の物品。
【請求項１８】
前記物品が圧力パイプである請求項１３記載の物品。
【請求項１９】
前記物品が燃料ラインである請求項１３記載の物品。
【請求項２０】
前記物品が押出成形品である請求項１３記載の物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
表５の欄３は、本発明の種々の組成物の表面導電性を与えている。導電性は先ず圧縮成形したプラーク（plaque）を調製して測定した。圧縮成形されたプラークは通常は約１６×１６ｃｍのサイズおよび約１ｍｍの厚さを有していた。これらは次の圧縮成形プログラムを用いることによって調製した。１８０℃で、９０ｋＮの圧の下で２分間、次いで１８０℃で１８０ｋＮの圧の下に３分間、次いで１８０℃で２７０ｋＮの圧の下に３分間、次いで２枚の水冷された板の間で９０ｋＮの圧の下に２分間冷却した。次いでそれぞれのプラークの表面抵抗率を測定した。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月21日(2009.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムにおいて受信機のＡＲＱ（ａｕｔｏｍａｔｉｃ  ｒｅｐｅａｔ  ｒｅｑｕｅｓｔ）遂行方法において、
送信機から受信される少なくとも一つのデータブロックが損失されたか否かを検出し、
損失されたデータブロックが検出される時、状態報告の誘発のためのタイマを開始し、及び、
前記タイマが満了される時、前記送信機に前記状態報告を伝送し、前記状態報告は、少なくとも一つの受信されたデータブロックの肯定的な応答を含む方法。
【請求項２】
現在受信されたデータブロックの一連番号（ｓｅｑｕｅｎｃｅ  ｎｕｍｂｅｒ、ＳＮ）が、以前に受信されたデータブロックの一連番号より大きいと、前記損失されたデータブロックが検出されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
受信されたデータブロックのうち最も高い一連番号を有するデータブロックの一連番号の次の一連番号が、受信されるデータブロックの最も低い一連番号より大きいと、前記損失されたデータブロックが検出されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
受信されたデータブロックのうち最も高い一連番号を有するデータブロックの一連番号の次の一連番号が、最近に順次的に受信されるデータブロックの次の一連番号より大きいと、前記損失されたデータブロックが検出されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記状態報告の誘発を防止するために、前記タイマが満了される前に前記送信機から前記損失されたデータブロックが受信されると、前記タイマを中止することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記タイマの開始時点に受信されたデータブロックのうち最も高い一連番号を有するデータブロックの一連番号の次の一連番号と、最も最近に順次的に受信されるデータブロックの次の一連番号と、が同じであると、前記タイマが中止されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記データブロックは、ＲＬＣ（Ｒａｄｉｏ  Ｌｉｎｋ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）ＰＤＵ（Ｐｒｏｔｏｃｏｌ  Ｄａｔａ  Ｕｎｉｔ）であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記状態報告は、前記損失されたデータブロックの否定的な応答をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
送信機のＲＬＣ個体とＡＲＱを遂行するＲＬＣ個体を含み、前記ＲＬＣ個体は、
前記送信機から受信される少なくとも一つのデータブロックが損失されたか否かを検出し、
損失されたデータブロックが検出される時、状態報告の誘発のためのタイマを開始し、及び、
前記タイマが満了される時、前記送信機に前記状態報告を伝送し、前記状態報告は、少なくとも一つの受信されたデータブロックの肯定的な応答を含む受信機。
【請求項１０】
受信されたデータブロックのうち最も高い一連番号を有するデータブロックの一連番号の次の一連番号が、最近に順次的に受信されるデータブロックの次の一連番号より大きいと、前記損失されたデータブロックが検出されることを特徴とする請求項９に記載の受信機。
【請求項１１】
前記ＲＬＣ個体は、前記状態報告の誘発を防止するために、前記タイマが満了される前に前記送信機から前記損失されたデータブロックが受信されると、前記タイマを中止することを特徴とする請求項９に記載の受信機。
【請求項１２】
前記タイマの開始時点に受信されたデータブロックのうち最も高い一連番号を有するデータブロックの一連番号の次の一連番号と、最も最近に順次的に受信されるデータブロックの次の一連番号と、が同じであると、前記タイマが中止されることを特徴とする請求項１１に記載の受信機。
【請求項１３】
無線通信システムにおいて送信機のＡＲＱ（ａｕｔｏｍａｔｉｃ  ｒｅｐｅａｔ  ｒｅｑｕｅｓｔ）遂行方法において、
受信機にデータブロックを伝送し、
前記受信機から状態報告を受信し、前記状態報告は、前記データブロックの損失が検出される時に開始される前記受信機におけるタイマの満了により発生され、及び、
前記状態報告から前記データブロックの損失であると決定されると、前記データブロックを再伝送し、前記状態報告は、少なくとも一つの受信されたデータブロックの肯定的な応答を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月9日(2009.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２電極と、
前記第１及び第２電極の間にあり、かつ半導体材料を備える再結合層と、
前記第１電極と前記再結合層との間にある第１光学活性層と、
前記第２電極と前記再結合層との間にある第２光学活性層と
を備えるシステムであって、光電池システムとして構成されるシステム。
【請求項２】
前記半導体材料がｐ型半導体材料及びｎ型半導体材料を備える請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ｐ型半導体材料が、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリビニルカルバゾール類、ポリフェニレン類、ポリフェニルビニレン類、ポリシラン類、ポリチエニレンビニレン類、ポリイソチアナフタネン類、ポリシクロペンタジチオフェン類、ポリシラシクロペンタジチオフェン類、ポリシクロペンタジチアゾール類、ポリチアゾロチアゾール類、ポリチアゾール類、ポリベンゾチアジアゾール類、ポリ（チオフェンオキシド）類、ポリ（シクロペンタジチオフェンオキシド）類、ポリチアジアゾロキノキサリン類、ポリベンゾイソチアゾール類、ポリベンゾチアゾール類、ポリチエノチオフェン類、ポリ（チエノチオフェンオキシド）類、ポリジチエノチオフェン類、ポリ（ジチエノチオフェンオキシド）類、ポリテトラヒドロイソインドール類、及びそれらのコポリマーからなる群より選択される一つのポリマーを備える請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記ｎ型半導体材料が金属酸化物を備える請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記ｎ型半導体材料が、フラーレン類、無機ナノ粒子、オキサジアゾール類、円盤状液晶、カーボンナノロッド、無機ナノロッド、ＣＮ基を有するポリマー、ＣＦ３基を有するポリマー、及びそれらの組合せからなる群より選択される一つの材料を備える請求項２に記載のシステム。
【請求項６】
前記ｐ型及びｎ型半導体材料が一つの層に混合される請求項２に記載のシステム。
【請求項７】
前記再結合層が２つの層を備え、一方の層は前記ｐ型半導体材料を備え、かつ、他方の層がｎ型半導体材料を備える請求項２に記載のシステム。
【請求項８】
前記第１又は第２光学活性層が電子ドナー材料及び電子アクセプタ材料を備える請求項１〜７のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項９】
前記第１光学活性層が第１バンドギャップを有し、かつ、前記第２光学活性層が前記第１バンドギャップとは異なる第２バンドギャップを有する請求項１〜８のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１０】
前記第１光学活性層と前記第１電極との間に正孔キャリア層をさらに備える請求項１〜９のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１１】
前記第２光学活性層と前記第２電極との間に正孔ブロック層をさらに備える請求項１〜１０のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１２】
ロール・ツー・ロール方式によって再結合層を有する光電池システムを構成する工程を備える方法。
【請求項１３】
前記方法が、光学活性層の上に前記再結合層を配置する工程をさらに備える請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記配置する工程が、前記光学活性層の上に第１半導体材料を含む第１層を配置する工程、及び前記第１層の上に第２半導体材料を含む第２層を配置する工程を備え、前記第２半導体は前記第１半導体とは異なる請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１及び第２半導体材料の一方がｎ型半導体材料であり、かつ、前記第１及び第２半導体材料の他方がｐ型半導体材料である請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記再結合層が、溶融コーティング、インクジェット印刷、スピンコーティング、ディップコーティング、ナイフコーティング、バーコーティング、スプレーコーティング、ローラコーティング、スロットコーティング、グラビアコーティング、及びスクリーン印刷からなる群より選択される少なくとも一つの工程を用いて前記光学活性層の上に配置される請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電池システム及びそれを構成する方法
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月28日(2009.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のドーパント型がドープされた基板と、
前記基板に結合された前記第１のドーパント型がドープされた第１のエピタキシャル層と、
前記第１のエピタキシャル層に隣接する第１の金属層と、
前記第１のエピタキシャル層内に窪み、各々が前記金属層に結合された導電性材料を有する複数のトレンチと、
各々互いに離間されるとともに、各々前記複数のトレンチのうちの対応するトレンチの下に形成された、各々第２のドーパント型がドープされた複数のウェルと、
前記複数のウェルの各々と前記対応するトレンチとの間に配置された導電層と、
対応するウェルが前記対応するトレンチ内の前記導電性材料から電気的に絶縁されるように、各々対応するトレンチの壁および底部上に形成された、複数の酸化物層と、
前記第１のエピタキシャル層内に形成された前記第１のドーパント型がドープされ、各々前記複数のウェルからの２つの対応するウェル間に位置するとともに、各々前記第１のエピタキシャル層より高濃度に前記第１のドーパント型にドープされた複数のチャネル領域と
を備える整流装置。
【請求項２】
前記基板と前記第１のエピタキシャル層との間に位置する第２のエピタキシャル層をさらに備え、
前記第２のエピタキシャル層は、前記基板より低濃度にドープされているとともに、前記第１のエピタキシャル層より高濃度にドープされている、請求項１に記載の整流装置。
【請求項３】
ショットキー障壁が前記第１の金属層と前記第１のエピタキシャル層とを離間するように、前記第１の金属層の下に配置されたショットキー障壁をさらに備える請求項１に記載の整流装置。
【請求項４】
複数のＰｉＮ領域をさらに備え、
前記複数のＰｉＮ領域の各々に対する前記ショットキー障壁の領域の比がおよそ１以上である、請求項３に記載の整流装置。
【請求項５】
前記複数のトレンチの各々が非ドープシリコンを備える、請求項１に記載の整流装置。
【請求項６】
前記第１のドーパント型はｎ型ドーパントである、請求項１に記載の整流装置。
【請求項７】
前記複数のウェルおよび前記第１の金属層に結合され、遠隔に位置する複数のコンタクト領域をさらに備え、前記遠隔に位置するコンタクト領域の各々が、前記複数のウェルの各一部と前記第１の金属層とを結合するように構成された、請求項１に記載の整流装置。
【請求項８】
第１のドーパント型がドープされた基板と、
前記基板に結合され前記第１のドーパント型が低濃度ドープされた第１のエピタキシャル層と、
前記第１のエピタキシャル層に隣接する第１の金属層と、
前記第１のエピタキシャル層内に窪み、前記金属層に結合された導電性材料を有する第１のトレンチと、
前記第１のトレンチの下に形成され、第２のドーパント型がドープされた第１のウェルと、
前記第１のエピタキシャル層内に窪み、前記金属層に結合された導電性材料を有する第２のトレンチと、
前記第２のトレンチの下に形成され、第２のドーパント型がドープされた第２のウェルと、
前記第１および第２のウェルの各々と前記対応するトレンチとの間に配置された導電層と、
前記第１のエピタキシャル層内に形成されるとともに前記第１のウェルと前記第２のウェルとの間に位置する、前記第１のエピタキシャル層より高濃度に前記第１のドーパント型がドープされたチャネル領域と
を備える超高速ダイオード。
【請求項９】
前記第１のウェルが前記第１のトレンチ内の前記第１の導電性材料から電気的に絶縁されるように、前記第１のトレンチの壁および底部上に形成された第１の酸化物層と、
前記第２のウェルが前記第２のトレンチ内の前記第２の導電性材料から電気的に絶縁されるように、前記第２のトレンチの壁および底部上に形成された第２の酸化物層と
をさらに備える、請求項８に記載の超高速ダイオード。
【請求項１０】
前記基板に隣接する第２の金属層をさらに備える、請求項８に記載の超高速ダイオード。
【請求項１１】
前記第１のドーパント型がｎ型ドーパントを備える、請求項８に記載の超高速ダイオード。
【請求項１２】
前記基板と前記第１のエピタキシャル層との間に位置する前記第１のドーパント型の第２のエピタキシャル層をさらに備え、
前記基板が前記第２のエピタキシャル層より高濃度にドープされ、前記第２のエピタキシャル層が前記第１のエピタキシャル層より高濃度にドープされているとともに、前記基板は前記第１のドーパント型がドープされている、請求項８に記載の超高速ダイオード。
【請求項１３】
前記第１のウェル、前記第２のウェル、および前記第１の金属層に結合された少なくとも１つの遠隔に位置するコンタクト領域をさらに備える、請求項８に記載の超高速ダイオード。
【請求項１４】
前記第１の金属層と前記第１の半導体層との間に位置するショットキー障壁をさらに備える、請求項８に記載の超高速ダイオード。
【請求項１５】
ＰｉＮ領域をさらに備え、
前記ＰｉＮ領域に対する前記ショットキー障壁の領域の比がおよそ１以上である、請求項１４に記載の超高速ダイオード。
【請求項１６】
前記導電層がチタンシリサイド（ＴｉＳｉ２）層である、請求項１に記載の整流装置。
【請求項１７】
前記導電層がチタンシリサイド（ＴｉＳｉ２）層である、請求項８に記載の超高速ダイオード。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月28日(2009.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
整流装置であって、
第１の極性の基板と、
前記基板の第１の表面に結合された前記第１の極性の低濃度ドープ層と、
前記整流装置のアノードとして前記低濃度ドープ層上に配置された金属層と、
前記整流装置のカソードとして前記基板上に配置された金属コンタクトと、
前記低濃度ドープ層内に垂直に窪み、各々に導電性材料が充填された複数のトレンチと、
互いに離間され、前記複数のトレンチの下に且つ隣接して形成され、第２の極性のドーピングがなされ、前記複数のトレンチ内で前記導電性材料を介して前記金属層に電気的に結合された複数のウェルと、
前記低濃度ドープ層の少なくとも一部によって前記金属層から離間され、前記複数のウェルのウェル間に位置し、前記低濃度ドープ層より高濃度に前記第１の極性にドープされ、前記複数のウェルとおよそ同じ垂直寸法を有し、前記金属層と前記基板との間に複数の垂直電流チャネルを形成するように構成された複数のＪＦＥＴチャネル領域と
を備える整流装置。
【請求項２】
前記複数のトレンチの各々の上に、酸化物サイドウォールを形成する複数の酸化物層をさらに備える、請求項１に記載の整流装置。
【請求項３】
前記第１の極性が負（ｎ型）である、請求項１に記載の整流装置。
【請求項４】
前記低濃度ドープ層がエピタキシャル層である、請求項１に記載の整流装置。
【請求項５】
前記金属層がアルミニウムを備える、請求項１に記載の整流装置。
【請求項６】
前記金属層がシリコンを備える、請求項５に記載の整流装置。
【請求項７】
前記金属層と前記低濃度ドープ層との間にショットキー障壁をさらに備える、請求項１に記載の整流装置。
【請求項８】
ＰｉＮ領域をさらに備え、前記ＰｉＮ領域に対する前記ショットキー障壁の領域の比が１．０より大きい、請求項１に記載の整流装置。
【請求項９】
前記複数のトレンチ間の間隔が約１．０ミクロン未満である、請求項１に記載の整流装置。
【請求項１０】
前記複数のトレンチの深さが約０．９ミクロン未満である、請求項１に記載の整流装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月6日(2009.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乾燥粉末吸入器などの粒状薬剤を投薬するための送達デバイスであって、
複数の面で形成された、使用時にユーザにより吸引される空気フローが流れる流路と、
本体部（１）とを備え、
流路は空気フローの入口および出口を含むチャンバを有し、
チャンバは本体部（１）に対して相対的に回転可能であり、
除去手段がチャンバの内側表面に当接して配置され、
除去手段およびチャンバは、互いに対して相対的に回転可能であって、除去手段およびチャンバが互いに対して回転するとき、チャンバの内部が除去手段によりクリーニングされ、その結果、チャンバの内部への薬剤の蓄積が抑制されることを特徴とする送達デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の送達デバイスであって、
チャンバは少なくとも部分的にマウスピースインサート（３）により形成され、
除去手段およびマウスピースインサートは、互いに対して相対的に回転可能であり、除去手段およびマウスピースインサートが互いに対して相対的に回転したとき、マウスピースインサートの内部が除去手段によりクリーニングされ、その結果、マウスピースインサートの内部への薬剤の蓄積が削減されることを特徴とする送達デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載の送達デバイスであって、
送達デバイスの入口および出口の間に配設された螺旋部であって、使用時、送達デバイスに吸引された空気に回転移動を与えるための螺旋部をさらに有し、
螺旋部はマウスピースインサートの内部に当接するように配置され、
螺旋部は除去手段（４）に含まれ、除去手段およびマウスピースインサートが互いに対して回転するとき、マウスピースインサートの内側表面が螺旋部によりクリーニングされることを特徴とする送達デバイス。
【請求項４】
請求項３に記載の送達デバイスであって、
螺旋部は複数のより合わさった螺旋領域（４ａ，４ｂ）を有することを特徴とする送達デバイス。
【請求項５】
請求項４に記載の送達デバイスであって、
螺旋部は２つのより合わさった螺旋領域（４ａ，４ｂ）を有することを特徴とする送達デバイス。
【請求項６】
請求項２〜５のいずれか１に記載の送達デバイスであって、
螺旋部はマウスピースインサート（３）の内部に付勢力を与える付勢手段を有し、
付勢力は送達デバイスの長手方向軸に対して実質的に垂直方向に加えられることを特徴とする送達デバイス。
【請求項７】
請求項５または６に記載の送達デバイスであって、
より合わさった螺旋領域は弾性を有し、マウスピースインサート（３）の内部に付勢力を与え、付勢力は送達デバイスの長手方向軸に対して実質的に垂直方向に加えられることを特徴とする送達デバイス。
【請求項８】
請求項２〜７のいずれか１に記載の送達デバイスであって、
マウスピースインサート（３）は第１の部分（３ａ）および第２の部分（３ｂ）を有し、
除去手段（４）は、マウスピースインサートの第１の部分（３ａ）の内側表面に当接して配置される除去部（４ｃ）をさらに有し、
螺旋部は、マウスピースインサートの第２の部分（３ｂ）の内側表面に当接して配置され、
除去手段およびマウスピースインサートが互いに対して回転するとき、第１の部分（３ａ）の内側表面が除去部（４ｃ）によりクリーニングされ、第２の部分（３ｂ）の内側表面が螺旋部によりクリーニングされることを特徴とする送達デバイス。
【請求項９】
請求項２〜８のいずれか１に記載の送達デバイスであって、
送達デバイスはマウスピースインサートホルダ（２）をさらに備え、
マウスピースインサート（３）およびマウスピースインサートホルダはそれぞれ、互いに対して係合する部分を有し、
除去手段（４）およびマウスピースインサート（３）は、インサートホルダをねじ回して固定または外す際に、互いに対して相対的に回転することを特徴とする送達デバイス。
【請求項１０】
請求項２〜９のいずれか１に記載の送達デバイスであって、
除去手段（４）および本体部（１）はそれぞれ、本体部およびマウスピースインサートが互いに対して確実に固定されるように、互いに対して係合する部分を有することを特徴とする送達デバイス。
【請求項１１】
請求項１０に記載の送達デバイスであって、
除去手段（４）は、本体部およびインサートが互いに対して確実に固定されるように、本体部（１）の切り込みに係合するように構成された突起部（４ｄ）を有することを特徴とする送達デバイス。
【請求項１２】
送達デバイスをクリーニングする方法であって、
この送達デバイスは、
複数の面で形成された、使用時にユーザにより吸引される空気フローが流れる流路と、
本体部（１）とを備え、
流路は空気フローの入口および出口を含むチャンバを有し、
チャンバは本体部（１）に対して回転可能であり、
除去手段がチャンバの内側表面に当接して配置され、
チャンバの内部が除去手段（４）によりクリーニングされ、その結果、チャンバの内部への薬剤の蓄積が抑制されるように、除去手段（４）およびチャンバを互いに対して回転させるステップを有することを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
吸入する前において、除去手段（４）およびチャンバを互いに対して回転させるステップを有することを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載の方法であって、
除去手段（４）が付勢手段を有し、
除去手段がチャンバの内部に付勢力を与え、付勢力は送達デバイスの長手方向軸に対して実質的に垂直方向に加えられることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１〜１０に記載の送達デバイスの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月30日(2009.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
歯列矯正装置であって、
基部と、
前記基部から外向きに延在する本体と、
概して近位−遠位方向に前記矯正装置を横断して延在するアーチワイヤスロットと、
前記本体から外向きに延在する柱部と、
前記アーチワイヤスロットにアーチワイヤを解放可能に保持するラッチとを備え、
前記ラッチが、第一部分、前記第一部分に対向する第二部分、及び第一部分と第二部分とを相互連結する第三部分を有するクリップを備え、前記クリップが、前記第一部分と前記第二部分との間に、アーチワイヤが前記アーチワイヤスロットに配置されるときに前記アーチワイヤを受容する領域を備え、前記第三部分が、前記アーチワイヤを受容する領域から離れる方向に面する外縁部を有し、前記基部が、前記外縁部と接触する壁部を備え、前記壁部と接触する前記外縁部が凸形状を有する、
歯列矯正装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月23日(2009.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
葉酸受容体アルファに特異的に結合し、免疫エフェクター活性の誘発と、葉酸受容体アルファ提示細胞への内部移行をすることができる、インアウト抗葉酸受容体アルファ抗体。
【請求項２】
請求項１に記載の抗体であって、
前記抗体が、少なくとも1 x 10 -7 M、好ましくは1 x 10-8 M、特に好ましくは1 x 10-9 M、最も好ましくは1 x 10-10 Mの親和性で前記葉酸受容体アルファに結合する、
インアウト抗葉酸受容体アルファ抗体。
【請求項３】
請求項１または２に記載の抗体であって、
前記抗体が、キメラ抗体であり、好ましくはヒト−マウスキメラ抗体である、
インアウト抗葉酸受容体アルファ抗体。
【請求項４】
請求項１または２に記載の抗体であって、
前記抗体が、ヒト化抗体またはヒト抗体である、
インアウト抗葉酸受容体アルファ抗体。
【請求項５】
PTA-7552の細胞培養液から得られる抗体。
【請求項６】
請求項１及至5いずれかに記載の抗体であって、
前記抗体が、化学治療物質に結合している、
インアウト抗葉酸受容体アルファ抗体。
【請求項７】
請求項６に記載の抗体であって、
前記抗体化学治療物質が、放射性核種である、
インアウト抗葉酸受容体アルファ抗体。
【請求項８】
請求項１乃至７いずれかに記載の抗体であって、
前記葉酸受容体アルファが、配列ID番号２のアミノ酸配列を含む、
インアウト抗葉酸受容体アルファ抗体。
【請求項９】
請求項１乃至８いずれかに記載の抗体であって、
前記葉酸受容体アルファが、配列ID番号１のヌクレオチド配列をコードしている、
インアウト抗葉酸受容体アルファ抗体。
【請求項１０】
請求項１乃至９いずれかに記載の抗体であって、
前記免疫エフェクター活性が、抗体依存性細胞障害作用である、
インアウト抗葉酸受容体アルファ抗体。
【請求項１１】
請求項１乃至１０いずれかに記載の抗体の、
重鎖及び／または軽鎖をコードする、
ポリヌクレオチド。
【請求項１２】
請求項１乃至１０いずれかに記載の抗体を含む医薬組成物。
【請求項１３】
請求項１乃至１０いずれかに記載の抗体の、
重鎖及び／または軽鎖をコードする、
ポリヌクレオチドを含むベクター。
【請求項１４】
請求項１１に記載のポリヌクレオチドを含む発現細胞。
【請求項１５】
請求項１３に記載のベクターを含む発現細胞。
【請求項１６】
請求項１４または１５記載の発現細胞であって、
前記細胞が、哺乳類細胞である、
発現細胞。
【請求項１７】
請求項１または２もしくは５に記載の抗体を産生する細胞。
【請求項１８】
請求項１７に記載の細胞であって、
前記細胞がハイブリドーマである、
細胞。
【請求項１９】
葉酸受容体アルファに特異的に結合するインアウト抗体を作製する方法であって、
請求項１６に記載の細胞を培養する工程と、
成長培地から前記抗体を回収する工程と、
を含む方法。
【請求項２０】
葉酸受容体アルファ陽性細胞の成長を阻害する方法であって、
前記細胞を有する対象に、インアウト抗葉酸受容体アルファ抗体を投与する工程を含み、
好ましくは、前記抗体が請求項１乃至１０いずれかに記載の抗体である、
方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法であって、
前記インアウト抗葉酸受容体アルファ抗体が、生体分子に結合している、
葉酸受容体アルファ陽性細胞の成長を阻害する方法。
【請求項２２】
請求項２０または２１記載の方法であって、
前記インアウト葉酸受容体アルファ陽性細胞が、異形成細胞である、
葉酸受容体アルファ陽性細胞の成長を阻害する方法。
【請求項２３】
請求項２０乃至２２いずれかに記載の方法であって、
前記対象が、ヒトである、
葉酸受容体アルファ陽性細胞の成長を阻害する方法。
【請求項２４】
請求項２０乃至２３いずれかに記載の方法であって、
さらに前記対象に、細胞傷害性薬、細胞増殖抑制物質、または化学治療物質を投与する工程を含む、
葉酸受容体アルファ陽性細胞の成長を阻害する方法。
【請求項２５】
請求項２０乃至２４いずれかに記載の方法であって、
前記抗体が、非複合型抗体である、
または非複合型抗体と化学治療物質が複合した抗体との混合物である、
葉酸受容体アルファ陽性細胞の成長を阻害する方法。
【請求項２６】
葉酸受容体アルファに特異的に結合する抗体を含むキットであって、
免疫エフェクター活性の誘発と、葉酸受容体アルファ提示細胞への内部移行に優れた前記抗体と、
対象の葉酸受容体アルファ提示細胞の成長を阻害する方法において、前記キットを使用するための使用説明書と、
を含む、キット。
【請求項２７】
請求項２６に記載のキットが、
さらに、化学治療物質または診断薬のうち少なくとも１つを含む、
キット。
【請求項２８】
請求項２６または２７記載のキットが、
さらに、前記抗体を前記対象に投与するための使用説明書を含む、
キット。
【請求項２９】
キットであって、
インアウト抗葉酸受容体アルファ抗体と、
インビトロまたはインビボで、葉酸受容体アルファ提示細胞の有無を同定する方法において、前記キットを使用するための使用説明書と、
を含む、キット。
【請求項３０】
請求項２９に記載のキットが、
さらに、少なくとも１つの診断薬を含む、
キット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
本発明には、本発明のインアウト抗体を産生する細胞も含まれる。本発明の抗体産生細胞は細菌、酵母、昆虫、動物細胞であり、好ましくは哺乳類細胞である。例えば、本発明の抗体産生細胞には、例えばＳｐｏｄｏｐｔｅｒａ ｆｒｕｇｉｐｅｒｄａ細胞などの昆虫細胞、例えば酵母（Ｓａｃｃｈａｒｏｍｙｃｅｓ ｃｅｒｅｖｉｓｉａｅおよびＳｃｈｉｚｏｓａｃｃｈａｒｏｍｙｃｅｓ ｐｏｍｂｅ）細胞などの酵母細胞、例えばチャイニーズハムスター卵巣由来細胞、胎仔ハムスター腎細胞、ヒト胎児腎臓株２９３、正常イヌ腎臓細胞株、正常ネコ腎臓細胞株、サル腎細胞、アフリカミドリザル腎細胞、ＣＯＳ細胞、および非腫瘍化マウス筋芽細胞Ｇ８細胞、線維芽細胞株、骨髄腫細胞株、マウスＮＩＨ／３Ｔ３細胞、ＬＭＴＫ細胞、マウスｓｅｒｔｏｌｉ細胞、ヒト子宮頸癌細胞、バッファローラット肝細胞、ヒト肺細胞、ヒト肝細胞、マウス乳癌細胞、ＴＲＩ細胞、ＭＲＣ ５細胞、およびＦＳ４細胞などの哺乳類細胞を含む。抗体産生細胞は２００６年４月２４日にＡｍｅｒ．Ｔｙｐｅ Ｃｕｌｔ．Ｃｏｌｌ．（１０８０１ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ Ｂｌｖｄ．，Ｍａｎａｓｓａｓ，Ｖｉｒｇｉｎｉａ ２０１１０−２２０９）に掲載され、受入番号ＰＴＡ−７５５２を割り当てられた。本発明のインアウト抗体の例は、そのような細胞によって産生された抗体である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月16日(2009.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタルホログラフィー顕微鏡検査法によって透明な生体細胞または死んだ細胞から成るサンプルを分析する方法であって、前記サンプルは、細胞培養容器の中に維持され、かつレーザからの光線に曝露され；
（I）少なくとも一つのマトリックス要素を含み、前記マトリックス要素は位相と振幅の情報を含む、時間の第一のポイントにおいて第一のホログラムを作成し；
（II）前記位相情報を使用することによって前記第一のホログラムにおける各マトリックス要素の位相シフトを計算し；
（III）前記振幅情報または複合的な位相および振幅の情報の使用によって前記細胞の焦点深度を測定し；
（IV）前記第一のホログラムにおける各マトリックス要素の前記位相シフトを使用することによって前記第一のホログラムの第一の位相画像を構築する、各ステップを含む前記方法であって、
前記第一の位相画像の少なくとも一つのピクセルにおける位相シフトの分量を分析し、前記第一の位相画像における前記少なくとも一つのピクセルに対応して前記サンプルにおける細胞の展開の前記段階を測定することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記計算、構築、測定および分析の各ステップがコンピュータによって実行されることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記第一の位相画像を使用することによって前記サンプルにおける前記細胞の生体細胞の分量比率と生存能力を測定することを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記サンプルにおける細胞の前記分量、前記寸法または前記屈折率を測定することを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、前記第一の位相画像に基づいて前記サンプルにおける細胞の個数を測定することを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
（I）作成、（II）計算、（III）測定、および（IV）構築の各ステップを繰り返し、作成の前記繰り返し、ステップ（I）が時間の第二のポイントにおいて実行されるようにして、第二の位相画像を構築し、
前記第一の位相画像における前記位相シフトを前記第二の位相画像における前記位相シフトと比較して、前記細胞サンプルにおける細胞の前記増殖を測定すること、をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、前記位相シフトの使用によって位相画像を再構築し、前記振幅情報の使用によって振幅画像を再構築して、前記位相画像における前記位相シフト、または前記振幅画像において、あるいは複合的な位相および振幅の画像において前記振幅情報を表示し、グレーの異なった色合いまたは異なった色として表示することを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、前記位相画像を位相コントラスト顕微鏡によって収集される位相コントラスト画像と結合させることを特徴とする方法。
【請求項９】
細胞サンプルにおける生体細胞、増殖している細胞、死にかかっている細胞、または死んだ細胞を識別するための請求項１に記載の前記方法の使用。
【請求項１０】
前記サンプルにおける生体細胞の比率を測定するための請求項９に記載の使用。
【請求項１１】
デジタルホログラフィー顕微鏡検査法（１）によって透明な生体細胞および／または死んだ細胞から成るサンプルを分析する装置であって、前記サンプル（８）は、細胞培養容器の中に維持され、かつレーザ（２）からの光線に曝露され、前記装置は、
少なくとも一つのマトリックス要素を含み、前記マトリックス要素が位相と振幅の情報を含む、時間の第一のポイントにおいて第一のホログラムを作成する手段と；
前記位相情報を使用することによって前記第一のホログラムにおける各マトリックス要素の位相シフトを計算する手段と；
前記振幅情報または複合的な位相および振幅の情報の使用によって前記細胞の焦点深度を測定する手段と；
前記第一のホログラムにおける各マトリックス要素の前記位相シフトを使用することによって前記第一のホログラムの第一の位相画像を構築する手段と、を含む前記装置であって、
前記第一の位相画像の少なくとも一つのピクセルにおける位相シフトの前記分量を分析し、前記第一の位相画像における前記少なくとも一つのピクセルに対応して前記サンプルにおける細胞の展開の前記段階を測定する手段を特徴とする装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の装置であって、前記総体的な位相シフトを使用することによって前記サンプルにおける生体細胞の分量比率と生存能力を測定する手段を特徴とする装置。
【請求項１３】
請求項１１に記載の装置であって、前記サンプルにおける細胞の前記分量、前記寸法または前記屈折率を測定する手段を特徴とする装置。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載の装置であって、前記装置が、前記第一の位相画像に基づいて生体細胞の前記分量比率における前記細胞の展開の段階を分析する手段を含むことを特徴とする装置。
【請求項１５】
請求項１２に記載の装置であって、生体細胞の前記分量の展開の段階を分析する手段が、前記作成する手段、計算する手段、および測定する手段を利用し、第二のホログラムにおける各マトリックス要素の前記位相シフトを使用することによって、前記第二のホログラムが時間の第二のポイントにおいて作成されるようにして、第二の位相画像を構築する手段と、
前記第一の位相画像における前記位相シフトを前記第二の位相画像における前記位相シフトと比較して、前記細胞サンプルにおける細胞の前記増殖を測定する手段と、を含むことを特徴とする装置。
【請求項１６】
請求項１１に記載の装置であって、前記位相シフトの使用によって位相画像を再構築し、あるいは前記振幅情報の使用によって振幅画像を再構築する手段によって特徴付けられ、前記位相シフトまたは振幅情報は、前記位相画像または振幅画像において、あるいは複合的な位相および振幅の画像において、グレーの異なった色合いまたは異なった色として表示され得ることを特徴とする装置。
【請求項１７】
請求項１５に記載の装置であって、前記位相画像を位相コントラスト顕微鏡によって収集される位相コントラスト画像と結合させる手段を特徴とする装置。
【請求項１８】
請求項１１に記載の装置であって、フレネルホログラムまたはフーリエホログラムを提供するセットアップによって提供されるホログラフィー顕微鏡検査法の手段を特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月4日(2009.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プルーフィングまたは解凍のステップなしに、フリーザーからオーブンへ直接移すことができる冷凍ドウであって、当該冷凍ドウの冷凍比体積は２．２ｃｃ／ｇ未満であり、当該冷凍ドウは直接オーブンに移されて、４ｃｃ／ｇ以上の焼成比体積を達成できるものである冷凍ドウを製造する方法であって
（ａ）１０〜２０％範囲内のグルテン含有量を有するフラワー、脂質源、水、０．０５〜０．５％量の乳化剤、発酵手段および安定剤を混合することによって、ドウを調製すること；
（ｂ）前記ドウに気体核形成サイトを形成すること；
（ｃ）１〜１０サイクルの交互の第一および第二圧力にかけることによって、前記ドウをエクササイズすること：ここで、第一圧力と第二圧力の圧力差は１〜２０インチＨｇの範囲内である；
（ｄ）前記ドウを周囲圧力に戻すこと
（ｅ）必要に応じて、前記ドウに、華氏９０度〜１３０度に軟化点を有する脂質成分をオーバースプレーすること；および
（ｆ）ドウを凍らせること
を含む方法。
【請求項２】
前記の気体核形成サイトを形成するステップが、前記ドウをエクササイズする前に１〜６０分間寝かせることによって行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第一圧力と第二圧力間の圧力差が、１０〜１５インチＨｇの範囲内である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ステップ（ｃ）における半サイクルそれぞれの持続時間が１０〜３０秒である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記のエクササイズするステップが、３〜５回行われる、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
エクササイズする前に、前記ドウを周囲条件にて１０〜１５分間寝かせる、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記オーバースプレーが、菜種油、硬化綿実油、半硬化大豆油、半硬化コーン油、大豆油、バターおよび無水乳脂肪からなる群から選択される脂質を含む、請求項２に記載の方法。 
【請求項８】
さらに、前記のドウを凍らせるステップの前に、または凍らせるステップの後に、前記ドウをスコアするステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記発酵手段がイーストまたは化学膨張剤またはその組み合わせである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記イーストが約７〜１４％の範囲内で存在する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記イーストが約８〜１２％の範囲内で存在する、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記ドウがホール・シードまたはクラッシュ・シードを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記化学膨張剤がベーキング・ソーダを伴ったＳＡＰＰまたはＳＡＬＰである、請求項２に記載の方法。
【請求項１４】
前記脂質源が乳化油、植物油またはフレーバーオイルである、請求項２に記載の方法。
【請求項１５】
前記安定剤が、天然または合成のガムを０．２〜１．６％の量で含有する親水コロイドである、請求項２に記載の方法。
【請求項１６】
前記ドウがさらに香味料、着色剤、甘味料、人工甘味料、酸化剤、還元剤および／または酵素を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１に記載の方法によって調製された冷凍ドウ。
【請求項１８】
請求項１に記載の方法によって調製された冷凍ドウを得ること、プルーフィングあるいは解凍せずにオーブンに直接移し、前記ドウを焼成して、４ｃｃ／ｇ以上の比体積を持つ焼成製品を得ることを含む、焼成製品の製造方法。
【請求項１９】
前記ドウを焼成して、５ｃｃ／ｇ以上の比体積を持つ焼成製品を得る、請求項１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月5日(2009.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
現実世界のゲームからの機会事象の結果に基づいてプレーヤが応答可能なゲームプレイを有する１以上の仮想ゲームを提供する方法であって、
特定の系列で発生する現実世界の機会事象の１以上のビデオクリップを取り込む工程と、
前記現実世界の機会事象の結果系列を確定する工程と、
前記１以上のビデオクリップを格納する工程と、
前記現実世界の機会事象の前記結果系列を格納する工程と、
プレーヤが、与えられた結果系列と選択された仮想ゲームについて与えられた最終結果とに影響を与える１以上のプレーヤ選択を行うことができるようにするインターフェースを提供する工程と、
前記格納後の所望時刻に、前記１以上のプレーヤ選択により決める必要のある前記現実世界の機会事象の前記格納された系列を与えることにより確定される仮想ゲーム結果をプレーヤに提示する工程と、を含み、
与えられた結果系列と仮想ゲームの最終結果とが前記プレーヤ選択と前記現実世界の機会事象とに基づいて変わる、方法。
【請求項２】
前記機会事象は、
規定された一連のカード値を提供するトランプ一組の配布と、
ルーレット回転盤上のボールの最終位置と、
スロットマシンの最終位置または指示器と、
１つまたは複数のさいころの１回の転がりまたは一組の転がりと、
１つまたは複数の物理的機会指示器を引くことと、
ビンゴゲームにおけるようなラベル付きボールを引くことと、
ビンゴカードの特定の配置を選択することのような機会事象の位置の特定の配置を選択すること、
配布からトランプカードを取るか又は取らないこと、
トランプカードの持ち札をホールドすること、
からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ユーザが、ゲームリプレイとしてゲーム結果を受信することを選択できるようにするインターフェースを提供する工程と、
前記現実世界の機会事象を使用するゲームをシミュレートするためにユーザに複数のビデオクリップを提示する工程と、をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ビデオクリップが、格納された可能なビデオクリップであり、
前記現実世界の機会事象に基づく全体の系列を維持する一方で、前記ビデオクリップが前記選択に応答して順番に提示される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ユーザがゲームを起動し、ゲームプレイに影響を与えることができるようにするクライアント側ユーザインタフェースを提供する工程と、
サーバからゲームビデオストリームと結果系列とを要求し、要求されたゲームビデオストリームと結果系列とを受信し、バッファーに１つまたは複数のゲームビデオストリームおよび結果系列を格納し、遅延無くリアルなゲーミング経験を提供するように前記結果系列に従ってユーザにゲームビデオストリームを提示することができるクライアント側実行可能論理を提供する工程と、をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
一連の前記ビデオクリップと前記ゲーム結果を配信しバッファーする工程と、
通信により生じる遅延または待ち時間なしにライブゲーミング経験を提供するためにバッファーから前記結果とビデオクリップを提示する工程と、をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ゲーミングを提供する方法であって、
現実世界の機会事象の複数のビデオクリップを取り込む工程と、
前記現実世界の機会事象の結果を確定する工程と、
前記複数のビデオクリップを格納する工程と、
前記機会事象の前記結果を格納する工程と、
前記格納後の所望時刻に、前記現実世界の機会事象により確定されるゲーム結果をプレーヤに提示する工程と、を含み、
それにより、プレーヤを空間的および時間的に他のプレーヤおよび機会事象から分離することができる、すべて同じ現実世界の機会事象に基づいて複数の仮想ゲームを提供し、
それにより、同じ現実世界の機会事象を用いるカスタマイズされた新規なプレイ経験をプレーヤに提供することができ、
ユーザにより要求されると、前記格納された現実世界機会事象の部分的に無作為に選択された系列に基づいてゲームをユーザに配信する工程とをさらに含み、
格納された一連の現実世界機会事象はゲーム結果を確定するための機会系列を提供するが、前記ゲーム結果もまた、少なくとも一人のプレーヤの選択肢のうちの１つまたは複数の選択により確定される、方法。
【請求項８】
現実世界の機会事象の前記複数のビデオクリップが１００を越える、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記機会事象はプレーヤにとって幾分興味のある過去のゲームに関係する少なくともいくつかの機会事象を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ビデオクリップが、特定の現実世界ゲームのビデオクリップであり、
前記現実世界の機会事象に基づく全体の系列を維持する一方で、前記ビデオクリップおよび前記ゲーム結果が前記選択に応答して順番に提示される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
クライアントシステムとサーバシステムを含んだリアルなビデオゲーミングを提供するシステムであって、
前記クライアントシステムが、
利用可能なビデオゲームを識別する情報を表示するための表示部品と、
ユーザ行動の成績に応答して、一連のゲームビデオクリップを順序付ける要求をサーバシステムに送信する順序付け部品と、
１つまたは複数のゲーミング系列を表現する符号化データを読むことができる復号化部品とを含み、
前記サーバシステムが、
個々のビデオクリップの形式で維持されたビデオおよび／または音声と共にゲームを記録し格納するモジュールと、
プレーヤがゲームをプレイすることを可能にする順番にて予め記録されたフィルムをプレーヤに送信する送信器モジュールと、
を含み、
ビデオクリップを受信する際にプレーヤが経験する遅延を回避するために、前記サーバシステムはクリップをバッチモード（例えば、一度に２手または３手、または２つまたは３つのクラップゲーム）で前記クライアントシステムに送信し、
前記クライアントシステムは、単一プレーヤのプレイ（例えばパス／ヒット）要求に基づいてプレイを提供する特定のプレーヤ経験をプレーヤが完了することを可能にする１組のゲーム事象（例えば移動または配布または転がり）を格納でき、
前記クライアントシステムは、すべての可能なビデオクリップをローカルで格納し、順番だけ受信し、前記クライアントシステムにてビデオ経験を作ることができる、前記システム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月13日(2009.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】手続補正書
【補正対象項目名】手続補正４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
【図１】本発明の一実施例に係るナノギャップセンサの製造工程を示す概略順序図である。
【図２】本発明の方法に係るナノギャップセンサの製作のためのシリコンの厚さとマスクパターンの幅によるギャップサイズ（幅）の設定を数学的に説明するための図である。
【図３】本発明の一実施例によってナノギャップセンサを製作する各工程の段階を示す断面図である。
【図４】酸化工程によるナノギャップ上の二酸化珪素（ＳｉＯ２）の形成を説明するための図である。
【図５】酸化工程の後にギャップの大きさが減少した様子を示す図である。
【図６】本発明のナノギャップ製造方法によって得られたナノギャップの電子顕微鏡写真である。
【図７】図６に示したナノギャップにおけるギャップの大きさを示す電子顕微鏡写真である。
【図８】本発明の方法によって製造されるナノギャップにおいて酸化工程の処理前と後のギャップサイズの差異を比較することが可能なナノギャップの電子顕微鏡写真である。
【図９】本発明によって製造されたナノギャップセンサに抗体を付着させて抗原を検出する状態を示す概略図である。
【図１０】センサ適用実験結果を示すグラフである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月16日(2008.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
好ましくは、グラフィック手段によってシートを処理する機械、具体的には、印刷機、好ましくは、電子写真的に動作される機械内にシートを蓄積するための装置であり、処理済みシートを蓄積し、且つ、好ましくは、積み重ねるための少なくとも１つの蓄積トレイを含み、前記蓄積トレイの蓄積表面は、水平から逸脱する角度に配置され、或いは、配置されることができ、前記蓄積表面は、水平なシート輸送経路に対してある角度で横方向に傾斜され或いは回転される装置であって、前記蓄積表面は、大部分は、或いは、少なくとも複数区画において、仕切り状のフレームを備え、該フレームは、到着シートに面する側で直角に本質的に構成されること、並びに、前記仕切りが垂直軸について旋回され得るよう、前記到着シートに面する、そのように創成される仕切りの前側は、約５°から約１５°、好ましくは、約９°のほぼ同一の角度で頂部から見られるときに、前記シート輸送方向に対して横方向の方向に向けられる垂直表面に対して、前記機械に合体されることを特徴とする、装置。
【請求項２】
前記フレームは、隅部地域及び／又は近隅部地域に、前記シートの隅部のための自由空間として開放区画を有し得ることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記フレームは、前記シートの自由空間を創成するために、頂角線の地域内で横方向に開放されることを特徴とする、上記請求項のうちのいずれか１項に記載の装置。
【請求項４】
輸送方向において、前記蓄積表面は、水平面に対して斜め上向き角度に整列されることを特徴とする、上記請求項のうちのいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記蓄積表面は、前記シート輸送方向に対して横方向に延びる頂角線を有する角度に構成されることを特徴とする、上記請求項のうちのいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記蓄積表面は、初期的には、第一区画において、前記シート輸送方向に第一角度で比較的急勾配で初期的に上昇し、第一区画において、前記水平面に対して比較的より平坦な角度で第二角度に向けられることを特徴とする、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記到着シートに面して、前記蓄積表面の前記第一の最深の区画として、ほぼ水平な区画が設けられることを特徴とする、上記請求項のうちのいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記蓄積トレイは、上昇され且つ下降され得るよう配置されることを特徴とする、上記請求項のうちのいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
上記請求項のうちのいずれか１項に記載の装置のための蓄積トレイであり、前記蓄積トレイの蓄積表面が、少なくとも前記水平から逸脱する角度で配置され或いは配置されることができ、前記蓄積表面は、水平なシート輸送経路に対してある角度で横方向に傾斜され或いは回転される蓄積トレイであって、前記蓄積表面は、大部分において、或いは、少なくとも複数区画において、仕切り状のフレームを備え、該フレームは、前記到着シートに面する側で直角に本質的に構成されること、並びに、前記仕切りが旋回され得るよう、前記到着シートに面する、そのように創成される仕切りの前側は、約５°から約１５°、好ましくは、約９°のほぼ同一の角度で頂部から見られるときに、前記シート輸送方向に対して横方向の方向に向けられる垂直表面に対して、前記機械に合体されることを特徴とする、蓄積トレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月28日(2009.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このような形式の、フィルタ折り畳みの端面側がシールストリップによって閉鎖されているプレート型フィルタインサートは、ヨーロッパ特許公開第０４９０１６９号明細書により公知である。
その他のプレート型フィルタインサートは、ドイツ連邦共和国特許公開第１０２４９１１０号明細書により公知である。