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【手続補正書】
【提出日】平成23年2月15日(2011.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、前記ベース基板上の開口部が形成された絶縁膜と、前記開口部以外の領域において前記絶縁膜に接する半導体膜と、前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の電極と、を有し、
前記半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記電極と重なるチャネル形成領域を有し、
前記チャネル形成領域は、前記開口部と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ベース基板と、前記ベース基板上の複数の開口部が形成された絶縁膜と、前記複数の開口部以外の領域において前記絶縁膜に接する半導体膜と、前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の電極と、を有し、
前記半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記電極と重なるチャネル形成領域を有し、
前記チャネル形成領域は、前記複数の開口部と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ベース基板と、前記ベース基板上の第１の開口部及び第２の開口部が形成された絶縁膜と、前記第１の開口部及び前記第２の開口部以外の領域において前記絶縁膜に接する半導体膜と、前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の電極と、を有し、
前記半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記電極と重なるチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域を間に挟んでいる一対の不純物領域と、を有し、
前記一対の不純物領域の一方は、前記第１の開口部と重なっており、
前記一対の不純物領域の他方は、前記第２の開口部と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ベース基板と、前記ベース基板上の複数の第１の開口部及び複数の第２の開口部が形成された絶縁膜と、前記複数の第１の開口部及び前記複数の第２の開口部以外の領域において前記絶縁膜に接する半導体膜と、前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の電極と、を有し、
前記半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記電極と重なるチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域を間に挟んでいる一対の不純物領域と、を有し、
前記一対の不純物領域の一方は、前記複数の第１の開口部と重なっており、
前記一対の不純物領域の他方は、前記複数の第２の開口部と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
ベース基板と、前記ベース基板上の開口部が形成された絶縁膜と、前記開口部以外の領域において前記絶縁膜に接する半導体膜と、前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の電極と、を有し、
前記半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記電極と重なるチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域を間に挟んでいる一対の不純物領域と、を有し、
前記チャネル形成領域及び前記一対の不純物領域は、前記開口部と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
ベース基板と、前記ベース基板上の複数の開口部が形成された絶縁膜と、前記複数の開口部以外の領域において前記絶縁膜に接する半導体膜と、前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の電極と、を有し、
前記半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記電極と重なるチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域を間に挟んでいる一対の不純物領域と、を有し、
前記チャネル形成領域及び前記一対の不純物領域は、前記複数の開口部のそれぞれと重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
絶縁膜をベース基板上に形成し、
エッチングにより前記絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部が形成された前記絶縁膜を間に挟んで前記ベース基板にボンド基板を貼り合わせ、前記ボンド基板を劈開させることで、前記ボンド基板の一部である半導体膜を、前記絶縁膜上に転置し、
前記転置した半導体膜を所望の形状に加工し、前記絶縁膜上および前記開口部上に島状の半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記開口部上の前記島状の半導体膜は、チャネル形成領域であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７において、
前記開口部上の前記島状の半導体膜は、不純物領域であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月17日(2011.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＳＯＩ基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコン基板の一表面から一定の深さに形成された脆化層と、前記単結晶シリコン基板の前記一表面上に形成された第１の絶縁膜とを有する第１の基板を用意し、
前記第１の絶縁膜または第２の基板の少なくとも一方の表面をプラズマ雰囲気もしくはイオン雰囲気にさらして活性化し、
前記第１の基板と前記第２の基板とを、前記第１の絶縁膜を介して貼り合わせ、
前記脆化層の界面において前記第１の基板を分断して、前記第２の基板上に前記第１の絶縁膜を介して単結晶シリコン膜を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
単結晶シリコン基板の一表面から一定の深さに形成された脆化層と、前記単結晶シリコン基板の前記一表面上に形成された第１の絶縁膜とを有する第１の基板を用意し、
前記第１の絶縁膜または第２の基板の少なくとも一方の表面にアルゴンイオンビームを照射して活性化し、
前記第１の基板と前記第２の基板とを、前記第１の絶縁膜を介して貼り合わせ、
前記脆化層の界面において前記第１の基板を分断して、前記第２の基板上に前記第１の絶縁膜を介して単結晶シリコン膜を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
単結晶シリコン基板の一表面から一定の深さに形成された脆化層と、前記単結晶シリコン基板の前記一表面上に第１の絶縁膜とを有する第１の基板を用意し、
第２の基板表面に第２の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜または前記第２の絶縁膜の少なくとも一方の表面をプラズマ雰囲気もしくはイオン雰囲気にさらして活性化し、
前記第１の基板と前記第２の基板とを、前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を介して貼り合わせ、
前記脆化層の界面において前記第１の基板を分断して、前記第２の基板上に前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を介して単結晶シリコン膜を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
単結晶シリコン基板の一表面から一定の深さに形成された脆化層と、前記単結晶シリコン基板の前記一表面上に第１の絶縁膜とを有する第１の基板を用意し、
第２の基板表面に第２の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜または前記第２の絶縁膜の少なくとも一方の表面にアルゴンイオンビームを照射して活性化し、
前記第１の基板と前記第２の基板とを、前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を介して貼り合わせ、
前記脆化層の界面において前記第１の基板を分断して、前記第２の基板上に前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜を介して単結晶シリコン膜を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１または請求項３において、
前記プラズマ雰囲気にさらすときに用いるガスは、酸素、窒素、水素、ハロゲンガス、希ガス、Ｈ２Ｏ、シラン系を除く化合物ガス、またはこれらの混合ガスであることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１、３または５において、
前記プラズマ雰囲気もしくは前記イオン雰囲気は２０ｅＶ以上２００ｅＶ未満のエネルギーを持つイオンを有することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記脆化層は、前記第１の絶縁膜の形成後に形成されることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
Ｈ３＋イオンを主とした水素イオン種を、前記単結晶シリコン基板の前記一表面側から添加することにより、前記脆化層は形成されることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月18日(2010.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン単結晶ウェーハの表面からイオン注入を行う工程と、
前記イオン注入されたウェーハを５００℃以上、シリコンの融点以下の温度で熱処理を施す工程と、を有し、
空孔集合体欠陥を消滅させることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記イオンのドーズ量が、１×１０１７／ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項１記載のシリコン単結晶ウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記注入されたイオンの濃度ピークが、ウェーハ表面から３μｍ以下の深さであることを特徴とする請求項１又は２に記載のシリコン単結晶ウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記熱処理工程における熱処理時間が、１時間以下であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のシリコン単結晶ウェーハの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月26日(2011.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）チップ搭載部、および前記チップ搭載部とは電気的に分離された第１リードを有するリードフレームを準備する工程と、
（ｂ）第１パッドが配置された主面、および前記主面とは反対側の裏面を有する半導体チップを前記チップ搭載部上に搭載する工程と、
（ｃ）前記半導体チップの前記第１パッドと金属リボンの一端とをボンディングツールを用いて電気的に接続する工程と、
（ｄ）前記リードフレームの前記第１リードと前記金属リボンの他端とを前記ボンディングツールを用いて電気的に接続する工程と、
を有し、
前記（ｃ）工程と前記（ｄ）工程とは、それぞれ別々に行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｃ）工程で用いる前記ボンディングツールと、前記（ｄ）工程で用いる前記ボンディングツールは、同一のボンディングツールであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｃ）工程では、前記半導体チップの前記第１パッドと前記金属リボンとが接続された第１接続部が形成され、
前記（ｄ）工程では、前記リードフレームの前記第１リードと前記金属リボンとが接続された第２接続部が形成され、
前記（ｃ）工程では、さらに前記半導体チップの前記第１パッドと前記金属リボンとが接続された第３接続部が形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第３接続部は、前記第１接続部と前記第２接続部との間に位置するように形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記金属リボンは複数本であって、前記（ｃ）工程および前記（ｄ）工程において、前記ボンディングツールは、前記複数本の金属リボンを同時にボンディングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法であって、
前記複数本の金属リボンのそれぞれの幅は等しいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記金属リボンは、アルミニウムリボンであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップは第２パッドをさらに有し、
前記リードフレームは、前記チップ搭載部とは電気的に分離された第２リードをさらに有し、
前記（ｄ）工程の後に、前記半導体チップの前記第２パッドと前記リードフレームの前記第２リードとは、金属ワイヤにより接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法であって、
前記金属ワイヤは、金線であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
（ｅ）前記半導体チップ、前記第１リードの一部、前記チップ搭載部の一部、および前記金属リボンをモールドレジンで封止する工程と、
（ｆ）前記リードフレームから前記モールドレジンの外側に露出した前記第１リードの他の部分を切断する工程と、
（ｇ）前記第１リードをガルウイング形状に成形する工程と、
をさらに有する半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｅ）工程において、前記チップ搭載部は、前記モールドレジンから前記チップ搭載部の裏面が露出するように前記モールドレジンにより封止されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項８記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップには、パワーＭＯＳＦＥＴが形成されており、
前記半導体チップの前記第１パッドはソースパッドであり、
前記半導体チップの前記第２パッドはゲートパッドであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ソースパッドは、前記ゲートパッドよりも広い面積を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップの裏面は、前記パワーＭＯＳＦＥＴのドレイン電極であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップの裏面は、前記チップ搭載部上に銀ペーストを介して接着されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体装置の製造方法であって、
前記銀ペーストの弾性率（Ｐａ）は、Ｐａ＜２．６×Ａｇペーストの接着厚さ／Ａｌリボン超音波ボンディング可能変位×Ａｇペーストの剪断強度
なる関係を満たすことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１５記載の半導体装置の製造方法であって、
前記Ａｇペーストの弾性率は０．２〜５．３ＧＰａの範囲であり、剪断強度は８．５ＭＰａ以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の半導体装置の製造方法は、
（ａ）チップ搭載部、および前記チップ搭載部とは電気的に分離された第１リードを有するリードフレームを準備する工程と、
（ｂ）第１パッドが配置された主面、および前記主面とは反対側の裏面を有する半導体チップを前記チップ搭載部上に搭載する工程と、
（ｃ）前記半導体チップの前記第１パッドと金属リボンの一端とをボンディングツールを使用して電気的に接続する工程と、
（ｄ）前記リードフレームの前記第１リードと前記金属リボンの他端とを前記ボンディングツールを用いて電気的に接続する工程と、を有し、
前記（ｃ）工程と前記（ｄ）工程とは、それぞれ別々に行われるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月31日(2011.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
体表に接触させて音を採取するためのチェストピースを備えた電子聴診器であって、前記チェストピースは、音を採取する時の密閉空間の体積に対する、前記密閉空間内の振動する部位の面積の値が０．１／ｍｍより大きいことを特徴とする電子聴診器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明による電子聴診器は、体表に接触させて音を採取するためのチェストピースを備えた電子聴診器であって、前記チェストピースは、音を採取する時の密閉空間の体積に対する、前記密閉空間内の振動する部位の面積の値が０．１／ｍｍより大きいことを特徴とする。この構成によれば、密閉空間の体積に対する、体表との接触面積の値を適切に設定でき、生体音を良好に取得することができる。
また、上記電子聴診器において、前記チェストピースは、その内部に、マイクロフォンを有してもよい。マイクロフォンを採用することにより、密閉空間の体積に対する、体表との接触面積の値を適切に設定でき、生体音を良好に取得することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月12日(2011.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
傘の長手方向の把持部側の一部を覆って保持する保持部と、
前記保持部に固定され、前記傘の長手方向に伸縮自在であり、伸長した状態で前記傘の前記保持部よりも先端側の一部を覆う伸縮部と、
使用者の携帯品に装着するための装着部と、を備え、
前記保持部は、平面からなる背面を有し、
前記装着部は、前記保持部の前記背面に設けられていることを特徴とする傘ホルダ。
【請求項２】
傘の先端部を支持し、傘に付着した水滴を貯留する受皿部をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の傘ホルダ。
【請求項３】
前記受皿部に配置され、傘に付着した水滴を吸水する吸水部材をさらに備えることを特徴とする請求項２記載の傘ホルダ。
【請求項４】
前記吸水部材は、前記受皿部から取外し可能であることを特徴とする請求項３記載の傘ホルダ。
【請求項５】
前記受皿部は、前記伸縮部に着脱可能であることを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の傘ホルダ。
【請求項６】
前記伸縮部は、蛇腹構造を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の傘ホルダ。
【請求項７】
前記伸縮部は、コイル状の形状記憶部材によって伸縮可能であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の傘ホルダ。
【請求項８】
前記保持部の傘と接触する面は、撥水性を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の傘ホルダ。
【請求項９】
前記伸縮部の傘と接触する面は、撥水性を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の傘ホルダ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る傘ホルダは、傘の長手方向の把持部側の一部を覆って保持する保持部と、保持部に固定され傘の長手方向に伸縮自在であり伸長した状態で傘の保持部よりも先端側の一部を覆う伸縮部と、使用者の携帯品に装着するための装着部と、を備え、前記保持部は、平面からなる背面を有し、前記装着部は、前記保持部の前記背面に設けられていることを特徴とするものである。本発明に係る傘ホルダは装着部を介して使用者の携帯品に装着可能であることから、使用者は傘を持つ必要がなくなる。また、傘の使用時には伸縮部を収縮させることによって、本発明に係る傘ホルダをコンパクト化させることができる。それにより、本発明に係る傘ホルダの携帯性が向上する。また、保持部および伸縮部によって傘が覆われることから、傘に付着した水滴の露出が抑制される。それにより、傘に付着した水滴によるカバン、衣服等の濡れを抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月25日(2011.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
血管壁に接着した血管閉塞を破壊するのに適した装置であって、該装置は、以下：
近位末端および遠位末端ならびにそれらの間に延びる内腔、該遠位末端に配置された無外傷性先端、ならびに該内腔と流体連絡される該無外傷性先端の近位に配置される少なくとも１つの送達ポート、を有する注入カテーテルであって、少なくとも１つの送達ポートは、該血管壁の脈管内膜への該閉塞の接着を流体が低減するように、該閉塞内に該流体を注入するよう構成され、該注入カテーテルの長手軸に対して斜角を形成する流体射出を送達し、かつ該流体を遠位方向で排出させる、注入カテーテルと、
近位末端、閉塞要素を含む遠位末端、ならびに該近位末端及び遠位末端の間に延びる内腔を有する塞栓除去カテーテルであって、該内腔がその中を通して該注入カテーテルの長手軸方向の進行を可能にするようにサイズ決めされる、塞栓除去カテーテルと、
近位末端および遠位末端ならびにそれらの間に延びる内腔を有する静脈戻りシースであって、前記塞栓除去カテーテルの内腔と流体連絡され、そして患者の血管系中に配置されるように適合される、静脈戻りシース
を備える、装置。
【請求項２】
前記無外傷性先端が白金コイルを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記送達ポートが環状構造を備える、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記注入カテーテルがさらに、前記無外傷性先端の近位に配置された、少なくとも１つの放射線不透過性マーカーバンドを備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記送達ポートの近位に第１放射線不透過性マーカーバンドが配置され、そして該送達ポートの遠位に第２放射線不透過性マーカーバンドが配置される、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記流体が生理食塩水である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記注入カテーテルの内腔内に長手軸方向に進められるように構成される、取り外し可能なスタイレットをさらに備える、請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記注入カテーテルの内腔中に注入される流体の圧力を制御するように構成される注入ポンプをさらに備える、請求項１〜７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の装置であって、前記塞栓除去カテーテルと前記静脈戻りシースとの間に配置される弁をさらに備え、ここで、該弁が、該塞栓除去カテーテルの内腔と該静脈戻りシースの内腔との間の流体連絡を選択的に阻害するように構成される、装置。
【請求項１０】
前記塞栓除去カテーテルと前記静脈戻りシースとの間に配置されるフィルターをさらに備える、請求項１〜９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
血管壁に接着した閉塞を処置するのに適した装置であって、該装置は、以下：
近位末端および遠位末端ならびにそれらの間に延びる内腔、該遠位末端に配置された無外傷性先端、ならびに該内腔と流体連絡される該無外傷性先端の近位に配置される少なくとも１つの送達ポート、を有する注入カテーテルであって、少なくとも１つの送達ポートは、該血管壁の脈管内膜への該閉塞の接着を流体が低減するように、該閉塞内に該流体を注入するよう構成され、該注入カテーテルの長手軸に対して斜角を形成する流体射出を送達し、かつ該流体を遠位方向で排出させる、注入カテーテル；ならびに
近位末端および遠位末端およびそれらの間に延びる内腔を有する中央決めデバイスであって、該中央決めデバイスは該遠位末端に配置される複数の展開可能なストラットを備え、該内腔は該注入カテーテルが該内腔を通り抜けることを可能にするように適合される、中央決めデバイス
を備える、装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の装置であって、近位末端および遠位末端ならびにそれらの間に延びる内腔を有する外側シースをさらに備え、該外側シースが、該外側シース内に収縮した状態で展開可能なストラットを拘束するように構成される、装置。
【請求項１３】
前記展開可能なストラットが展開した状態で前記血管壁に嵌合するようにサイズ決めされる、請求項１１又は１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記展開可能なストラットがニッケル−チタン合金を含む、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１５】
前記注入カテーテルが、無外傷性先端の近位に配置された、少なくとも１つの放射線不透過性マーカーバンドをさらに備える、請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１６】
前記送達ポートの近位に第１放射線不透過性マーカーバンドが配置され、そして該送達ポートの遠位に第２放射線不透過性マーカーバンドが配置される、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
請求項１１〜１６のいずれか１項に記載の装置であって、近位末端および遠位末端ならびにそれらの間に延びる内腔を有する塞栓除去カテーテルをさらに備え、そして該遠位末端に配置される閉塞要素をさらに備え、ここで、該塞栓除去カテーテルの内腔が中央決めデバイスの長手軸方向の進行を可能とするようにサイズ決めされる、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月13日(2011.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）カイコガ絹糸またはクモ絹糸から得られたフィブロイン、（ｉｉ）治療薬、および（ｉｉｉ）生体適合性ポリマーを含む、組成物。
【請求項２】
生体適合性ポリマーが、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、コラーゲン、フィブロネクチン、ケラチン、ポリアスパラギン酸、ポリリジン、アルギナート、キトサン、キチン、ヒアルロン酸、ペクチン、ポリカプロラクトン、ポリ乳酸、ポリグリコール酸、ポリヒドロキシアルカノエート、デキストラン、およびポリ無水物からなる郡より選択される、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
治療薬が抗感染剤、化学療法剤、抗拒絶剤、鎮痛薬および鎮痛薬の組み合わせ、抗炎症剤、ホルモン、成長因子、抗生物質、抗ウイルス剤、ステロイド、骨形成タンパク質、骨形成様タンパク質、上皮細胞成長因子、線維芽細胞成長因子、血小板由来成長因子、インシュリン様成長因子、トランスフォーミング成長因子、並びに血管内皮成長因子からなる郡より選択される、請求項１記載の組成物。
【請求項４】
組成物が水以外の溶媒を含まない、請求項１記載の組成物。
【請求項５】
治療薬と、生体適合性ポリマーを含むカイコガ絹糸またはクモ絹糸から得られた絹糸フィブロイン水溶液とを含む組成物であって、該絹糸フィブロイン水溶液は水以外の溶媒を含まない、組成物。
【請求項６】
治療薬が抗感染剤、化学療法剤、抗拒絶剤、鎮痛薬および鎮痛薬の組み合わせ、抗炎症剤、ホルモン、成長因子、抗生物質、抗ウイルス剤、ステロイド、骨形成タンパク質、骨形成様タンパク質、上皮細胞成長因子、線維芽細胞成長因子、血小板由来成長因子、インシュリン様成長因子、トランスフォーミング成長因子、並びに血管内皮成長因子からなる郡より選択される、請求項５記載の組成物。
【請求項７】
生体適合性ポリマーが、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、コラーゲン、フィブロネクチン、ケラチン、ポリアスパラギン酸、ポリリジン、アルギナート、キトサン、キチン、ヒアルロン酸、ペクチン、ポリカプロラクトン、ポリ乳酸、ポリグリコール酸、ポリヒドロキシアルカノエート、デキストラン、およびポリ無水物からなる郡より選択される、請求項５記載の組成物。
【請求項８】
以下の段階を含む、絹糸ブレンドフィルムを製造する方法：
（ａ）生体適合性ポリマーを溶解したカイコガ絹糸またはクモ絹糸から得られた絹糸フィブロイン水溶液に添加する段階；
（ｂ）段階（ａ）で得られた溶液を乾燥させて、フィルムを得る段階；および
（ｃ）段階（ｂ）の乾燥フィルムとアルコールおよび水の溶液を接触させて、絹糸ブレンドフィルムを得る段階、ここで生体適合性ポリマーは、ポリエチレンオキシド（ＰＥＯ）、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、コラーゲン、フィブロネクチン、ケラチン、ポリアスパラギン酸、ポリリジン、アルギナート、キトサン、キチン、ヒアルロン酸、ペクチン、ポリカプロラクトン、ポリ乳酸、ポリグリコール酸、ポリヒドロキシアルカノエート、デキストラン、およびポリ無水物からなる群より選択される。
【請求項９】
請求項８記載の方法により製造される絹糸ブレンドフィルム。
【請求項１０】
以下の段階を含む、絹糸生体材料足場を調製する方法：
（ａ）型を提供する段階；
（ｂ）溶液を型に注ぐ段階であり、溶液はカイコガ絹糸またはクモ絹糸から得られた絹糸フィブロインおよび生体適合性ポリマーの水溶液を含み、該組成物は水以外の溶媒を含まない段階；
（ｃ）溶液を硬化させる段階；
（ｄ）硬化した足場を型から取り外す段階。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月2日(2011.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
植物細胞で発現可能なプロモータ―領域の下流に、下記（ａ）から（ｃ）のいずれかに記載のヒト由来のDNAが機能的に結合したベクター。
（ａ）配列番号：２に記載のアミノ酸配列からなるタンパク質をコードするDNA
（ｂ）配列番号：１に記載の塩基配列のコード領域を含むDNA
（ｃ）配列番号：２に記載のアミノ酸配列において１または複数のアミノ酸が置換、欠失、付加、および／または挿入されたアミノ酸配列からなるタンパク質をコードするDNA
【請求項２】
請求項１に記載のベクターが導入された形質転換植物細胞。
【請求項３】
請求項２に記載の形質転換植物細胞から再生された、ラクトシルセラミドを生産する能力を有する植物体。
【請求項４】
請求項３に記載の植物体の子孫またはクローンである、ラクトシルセラミドを生産する能力を有する植物体。
【請求項５】
請求項３または４に記載のラクトシルセラミドを生産する能力を有する植物体の繁殖材料。
【請求項６】
請求項２に記載の形質転換植物細胞、請求項３もしくは４に記載の植物体、または請求項５に記載の繁殖材料を用いることを特徴とする、ラクトシルセラミドの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月17日(2011.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芝の生育空間を形成しつつ多角形で連続して構成されたボディー部と、
前記ボディー部の上部に一体に突出形成された突出柱と、
前記ボディー部と外郭枠部の底部に一体に突出形成されたラグ部材と、
マットの下部に提供されマットの地面への陥没を防止する陥没防止手段と、
を含んで構成された芝保護マット。
【請求項２】
前記陥没防止手段は、前記ラグ部材の間に一体となった補強板の下部に設けられた円板形陥没防止手段であることを特徴とする請求項１に記載の芝保護マット。
【請求項３】
前記陥没防止手段は、前記ラグ部材の下端部に一体に円板状で形成された円板形陥没防止手段であることを特徴とする請求項１に記載の芝保護マット。
【請求項４】
前記ボディー部の上部に前記突出柱の間に一体に突出形成された緩衝ウィングと、
前記ボディー部の外郭に連結されマットの形態を維持させる外郭枠部と、
をさらに含んで構成されたことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の芝保護マット。
【請求項５】
前記外郭枠部に水平設置されマットの連結を可能とするフック手段と、
前記外郭枠部の内側に形成されマット締結時に隣接マットの前記フック手段が挿入締結される開口部と、
をさらに含んでマットが締結されるよう構成されたことを特徴とする請求項４に記載の芝保護マット。
【請求項６】
前記フック手段は、
前記外郭枠部の多数の地点から一体に水平突出され弾性作動のための切開部が設けられたフック胴体と、
前記フック胴体の下部に一体に提供され開口部に挿入固定されるフック部と、
を含んでスライディング形で構成されたことを特徴とする請求項５に記載の芝保護マット。
【請求項７】
前記開口部は、隣接マットの上記スライディング形のフック手段と対応する地点であって、外郭枠部の多数の地点に一体に形成された延長板に形成された締結孔と、上記締結孔の前方にフック手段の進入を誘導するよう形成されたフック手段誘導溝とで構成されたことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の芝保護マット。
【請求項８】
前記ボディー部は、四角、六角、八角のうち１つの形態で連続して構成されたことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の芝保護マット。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月11日(2010.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カプシノイド化合物を有効成分とすることを特徴とする抗鬱・抗ストレス剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
請求項１に記載の発明は、カプシノイド化合物を有効成分とすることを特徴とする抗鬱・抗ストレス剤である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月2日(2010.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
上記粗粉砕粉に対して、ＣａＣＯ３粉末をＣａＯ換算で０．３質量％、ＳｉＯ２粉末を０．４質量％添加し、水を溶媒とした湿式ボールミルで、空気透過法による平均粒度が０．５５μｍになるまで微粉砕した。次いで、得られた微粉砕スラリー中の溶媒を除去しながら、磁場中で成形した。成形は約５０ＭＰａの圧力で加圧方向と磁場方向が平行になるように磁場強度約１．３Ｔで行った。得られた成形体を大気中、１２００℃で１時間焼成し、焼結磁石を得た。得られた焼結磁石の残留磁束密度Ｂｒを測定した。測定結果を図１に示す。図１において、縦軸はＢｒ（ｍＴ）、横軸はｘとｙ（ＬａとＣｏ）の相対比ｘ／ｙである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月21日(2010.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
完全焼成PTFEパウダーが、粒径分布が0.5〜20μmであり、嵩密度が0.4〜0.6g/mlである請求項３記載のポリウレタンエラストマー組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
実施例１
水酸基価56.1のポリカプロラクトンジオール100重量部を120℃で溶融させた後、予め120℃に加熱した反応器に仕込み、撹拌しながらo-トリジンジイソシアネート61.2重量部を加えて、30分間反応させてウレタンプレポリマーを得た。得られたウレタンプレポリマーに、完全焼成PTFEパウダー(粒径分布1〜15μm、嵩密度約0.55g/ml)を水酸基価56.1のポリカプロラクトンジオールに33重量％の濃度で分散させ、120℃に加熱したPTFEマスターバッチ68.7重量部を加えて120秒間撹拌した後、60℃の温度に調整した鎖伸長剤としての1,4-ブタンジオール12.4重量部加えて60秒間撹拌した。これを約120℃に加熱した120mm×60mm×2mmの金型に流し込んで硬化させ、さらにこのシート状成形物について125℃、24〜48時間のアニーリングを行った。この場合、注型用ポリウレタンエラストマー100重量部当り、焼成PTFEパウダーが10.4重量部配合されたことになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
以上の各実施例および比較例で得られたポリウレタンエラストマーシート状成形物について、次の各項目の試験を行った。
常態物性：JIS K-6301に準拠して、硬さ、引張強さおよび破断時伸びを測定
液粘性：PTFEパウダー添加後のプレポリマーについて、110℃での粘度を測定し、測定
された粘度に基づき、下記基準により成形性を評価した
◎：PTFE添加プレポリマー粘度≦1,500mPa・秒
○：1,500mPa・秒＜PTFE添加プレポリマー粘度≦2,500mPa・秒
△：2,500mPa・秒＜PTFE添加プレポリマー粘度≦4,000mPa・秒
×：4,000mPa・秒＜PTFE添加プレポリマー粘度
外観：(PTFEパウダー含有)成形物の表面状態を目視にて判断
摺動特性：鈴木式摩擦摩耗試験機を用い、SUS304鋼板を相手材として接触面積を2.0cm2
とし、次の各条件下おける動摩擦係数および摩耗深さを測定
A条件：線速度20mm/秒、荷重98N、時間45分間
B条件：線速度500mm/秒、荷重49N、時間5分間
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月25日(2011.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マグネシウム合金からなる基材と、この基材の上に形成された被覆層とを具えるマグネシウム合金部材であって、
前記基材は、その表面の少なくとも一部に、金属質感が得られるように、微細な凹凸加工が施された表面加工部を具え、
前記表面加工部における微細な凹凸は、その表面粗さがRmaxで10μm以上200μm以下であり、
前記被覆層は、透明であることを特徴とするマグネシウム合金部材。
【請求項２】
前記表面粗さがRmaxで10μm以上50μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のマグネシウム合金部材。
【請求項３】
前記基材は、Mg-Al系マグネシウム合金からなる圧延材で構成され、Alを8質量％以上11質量％以下含有することを特徴とする請求項1又は2に記載のマグネシウム合金部材。
【請求項４】
前記基材は、前記圧延材にプレス加工が施されたプレス材であることを特徴とする請求項3に記載のマグネシウム合金部材。
【請求項５】
前記凹凸加工は、切削加工、研削加工、吹き付け加工及び酸を用いた腐食加工の少なくとも1種であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のマグネシウム合金部材。
【請求項６】
前記凹凸加工は、ヘアライン加工、ダイヤカット加工、スピンカット加工、ショットブラスト加工、及びエッチング加工の少なくとも1種であることを特徴とする請求項5に記載のマグネシウム合金部材。
【請求項７】
前記被覆層は、基材側に配される防食層と、防食層の上に配される塗装層とを具えることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のマグネシウム合金部材。
【請求項８】
前記防食層は、マグネシウムの酸化物を含むことを特徴とする請求項7に記載のマグネシウム合金部材。
【請求項９】
前記防食層は、その厚さが2μm以下である(但し、0μmを除く)ことを特徴とする請求項7又は8に記載のマグネシウム合金部材。
【請求項１０】
前記防食層は、化成処理により形成されていることを特徴とする請求項7〜9のいずれか1項に記載のマグネシウム合金部材。
【請求項１１】
前記塗装層は、その厚さが30μm以下である(但し、0μmを除く)ことを特徴とする請求項7〜10のいずれか1項に記載のマグネシウム合金部材。
【請求項１２】
前記塗装層は、透明な樹脂からなることを特徴とする請求項7〜11のいずれか1項に記載のマグネシウム合金部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
基材は、以下のように作製する。Mg-9.0％Al-1.0％Zn(全て質量％)の組成(AZ91合金相当の組成)を有する双ロール連続鋳造法により得られた厚さ5.0mmの鋳造板を用意する。鋳造はWO/2006/003899に記載の条件で行う。圧延は、加工対象(圧延対象)の加熱温度を200〜400℃、圧延ロールの加熱温度150〜250℃、1パスあたりの圧下率を10〜50％の条件で複数パス行い、厚さが0.5mmの圧延板を作製する。得られた圧延材にレベラー加工、研磨加工を順に施し、所望の大きさに切断した切断片に温間プレス加工を施して、箱状のプレス材を得る。プレス加工は直方体状の凹部を有するダイに、この凹部を覆うように上記切断片を配置して、直方体状のパンチを押し付けることで行う。パンチは60×90mmの直方体状で、切断片に当接する四つ角は所定の丸みを有する。また、上記ダイ及びパンチにはヒーターと熱電対が埋め込まれており、プレス時の温度を所望の温度に調節可能な構成としている。ここでは、200〜300℃に加熱している。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月22日(2011.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被成膜基板を少なくとも第１の領域と第２の領域との２つの領域に分け、
前記被成膜基板より小さい面積の第１のシャドーマスクおよび第２のシャドーマスクを用い、
前記第１の領域に対して前記第１のシャドーマスクの位置合わせを行い、前記第１の領域に蒸着材料を成膜し、
前記第２の領域に対して前記第２のシャドーマスクの位置合わせを行い、前記第２の領域に蒸着材料を成膜することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
被成膜基板を少なくとも第１の領域と第２の領域との２つの領域に分け、
前記被成膜基板より小さい面積のシャドーマスクを用い、
前記第１の領域に対して前記シャドーマスクとの位置合わせを行い、前記第１の領域に蒸着材料を成膜し、
次に、未成膜領域に前記シャドーマスクを移動し、位置合わせを行い、蒸着材料を成膜し、
前記工程を複数回繰り返すことを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
被成膜基板と、前記被成膜基板より小さい面積のシャドーマスクと、平面状の蒸着源とを用い、
前記シャドーマスクを移動して、前記被成膜基板との位置合わせを行い、
平面状の蒸着源から蒸着材料を気化し、
前記被成膜基板の少なくとも一部に前記蒸着材料を成膜する工程を複数回行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
被成膜基板と、前記被成膜基板より小さい面積のシャドーマスクと、支持基板とを用い、
前記シャドーマスクを移動して、前記被成膜基板との位置合わせを行い、
光源ユニットからの光を前記支持基板に照射し、
照射光を前記支持基板に設けられた光吸収層に吸収させることにより、前記支持基板に設けられた蒸着材料を加熱し、
前記蒸着材料の少なくとも一部を気化させ、
前記シャドーマスクの開口部を介して、前記被成膜基板の表面の少なくとも一部に、前記蒸着材料を成膜し、
前記被成膜基板または前記シャドーマスクを移動する工程を複数回行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記光源ユニットは、前記シャドーマスクとともに移動させることを特徴とする成膜方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記光源ユニットから射出された光は、赤外光であることを特徴する成膜方法。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、
前記光吸収層は、前記光源ユニットから射出された光に対して、吸収率が４０％以上であることを特徴とする成膜方法。
【請求項８】
請求項４乃至請求項７のいずれか一項において、
前記光吸収層の膜厚は、２００ｎｍ以上６００ｎｍ以下であることを特徴とする成膜方法。
【請求項９】
請求項４乃至請求項８のいずれか一項において、
前記光吸収層は、窒化タンタル、チタン、カーボンのいずれかを含むことを特徴とする成膜方法。
【請求項１０】
請求項４乃至請求項９のいずれか一項において、
前記支持基板は、湿式法を用いて、蒸着材料を付着させることを特徴とする成膜方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記蒸着材料は、有機化合物であることを特徴とする成膜方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】成膜方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月21日(2011.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハンドルの操舵力を操舵補助力発生手段によって生み出された操舵補助力を付加しつつ被操舵系に伝達するパワーステアリング装置であって、
ハウジングと、
前記ハウジングに回動可能に支持されると共に前記ハンドルからの操舵力が入力される入力軸と、
前記入力軸と同軸連結された状態で前記ハウジングに回動可能に支持されるピニオン軸と、
前記操舵補助力発生手段からの操舵補助力を前記ピニオン軸に伝達する減速機構と、
前記ピニオン軸の回転運動を直線運動に変換して前記被操舵系に伝達するラック軸と、
前記ピニオン軸をその下部において前記ハウジングに回動可能に支持するための第１のボールベアリングと、
前記ピニオン軸をその上部において前記ハウジングに回動可能に支持するための第２のボールベアリングと、
を備えており、
前記ハウジングが、前記減速機構を支持するギヤケースと、当該ギヤケースに隣接し且つ前記ラック軸及びそのラック軸と噛み合う前記ピニオン軸のピニオン部を収容するギヤボックスと、前記ギヤボックスに隣接し且つ前記入力軸を収容するスタブケースとから構成され、
前記ギヤボックスには、前記ピニオン軸の挿通方向に当該ギヤボックスを貫通すると共に前記挿通方向に対し直交する方向での横断面形状が略長円形状をなすピニオン軸収容室が設けられており、
前記ピニオン軸には、前記ピニオン部よりも上のピニオン軸上部において、組立時に前記第２のボールベアリングを一時退避させるための環状の逃げ凹部が設けられており、
前記ラック軸には、一群のラック歯と、そのラック歯群の一方端にあって組付けの際一時的に前記ピニオン軸との干渉を回避するための逃げ部とが設けられている
ことを特徴とするパワーステアリング装置。
【請求項２】
請求項１に記載のパワーステアリング装置の製造方法であって、
前記入力軸及び前記ピニオン軸の同軸連結体を、そのピニオン軸を前記第１のボールベアリングを用いて前記ギヤケースに回動可能に装着しながら前記減速機構に作動連結することにより、第一次組立て体を構成する第１工程と、
前記横断面略長円形状のピニオン軸収容室の長径方向の一方の端の側に前記第一次組立て体のピニオン軸が相対的に片寄って配置される状態となるように、前記ギヤボックスに前記第一次組立て体を挿通すると共に、その片寄り配置状態において前記ラック軸を前記ギヤボックスのピニオン軸収容室に挿入する第２工程と、
前記ピニオン軸のピニオン部に前記ラック軸の逃げ部を対面させた状態で前記ギヤボックスの位置を調節することにより、前記第一次組立て体のピニオン軸を前記ピニオン軸収容室内の規定位置に位置決めし、当該ピニオン軸を前記第２のボールベアリングを用いて前記ギヤボックスに回動可能に装着すると共に、前記ギヤケースに対し前記ギヤボックスを連結することにより、第二次組立て体を構成する第３工程と、
前記第二次組立て体の入力軸を第３のボールベアリングを用いて前記スタブケースに回動可能に装着すると共に、前記ギヤボックスに対し前記スタブケースを連結する第４工程と、を備えてなるパワーステアリング装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、ハンドルの操舵力を操舵補助力発生手段によって生み出された操舵補助力を付加しつつ被操舵系に伝達するパワーステアリング装置である。本発明のパワーステアリング装置は、ハウジングと、前記ハウジングに回動可能に支持されると共に前記ハンドルからの操舵力が入力される入力軸と、前記入力軸と同軸連結された状態で前記ハウジングに回動可能に支持されるピニオン軸と、前記操舵補助力発生手段からの操舵補助力を前記ピニオン軸に伝達する減速機構と、前記ピニオン軸の回転運動を直線運動に変換して前記被操舵系に伝達するラック軸と、前記ピニオン軸をその下部において前記ハウジングに回動可能に支持するための第１のボールベアリングと、前記ピニオン軸をその上部において前記ハウジングに回動可能に支持するための第２のボールベアリングと、を備えている。前記ハウジングは、前記減速機構を支持するギヤケースと、当該ギヤケースに隣接し且つ前記ラック軸及びそのラック軸と噛み合う前記ピニオン軸のピニオン部を収容するギヤボックスと、前記ギヤボックスに隣接し且つ前記入力軸を収容するスタブケースとから構成される。前記ギヤボックスには、前記ピニオン軸の挿通方向に当該ギヤボックスを貫通すると共に前記挿通方向に対し直交する方向での横断面形状が略長円形状をなすピニオン軸収容室が設けられている。前記ピニオン軸には、前記ピニオン部よりも上のピニオン軸上部において、組立時に前記第２のボールベアリングを一時退避させるための環状の逃げ凹部が設けられている。前記ラック軸には、一群のラック歯と、そのラック歯群の一方端にあって組付けの際一時的に前記ピニオン軸との干渉を回避するための逃げ部とが設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
１  パワーステアリング装置
２  ハンドル
５  入力軸
６  ピニオン軸
８  減速機構
９  ラック軸
９Ａ  ラック歯
９Ｂ  逃げ部
１０  ピニオン軸上部の環状の逃げ凹部
１１  ピニオン軸のピニオン部
１２  ウォームホイール（減速機構の一部）
１３  ウォーム（減速機構の一部）
１４  ギヤケース（ハウジングの一部）
１５  ギヤボックス（ハウジングの一部）
１６  スタブケース（ハウジングの一部）
２２  軸受け受部
２３  第１のボールベアリング
２６  ピニオン軸収容室
２８  軸受け受部
２９  第２のボールベアリング
３０  Ｏリング（環状弾性体）
３６  軸受け受部
３７  第３のボールベアリング
３９  Ｏリング（環状弾性体）
６０  被操舵系
Ｈ  ハウジング
Ｍ  電動モータ（操舵補助力発生手段）
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月24日(2011.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シート束を挟持して折り処理を行う折り手段と、
前記折り手段により折り処理されたシート束の背折り部を押圧して平坦な背表紙を形成する平坦処理手段と、
前記折り手段のシート束の挟持圧を切り替える切替手段と、
を有するシート処理装置において、
前記切替手段は、前記平坦処理が設定されたときは前記平坦処理が設定されないときよりも前記折り手段のシート束の挟持圧が小さくなるよう切り替えることを特徴とするシート処理装置。
【請求項２】
前記折り手段は、ローラ対間にシート束を挟持するように構成され、
前記切替手段は、前記ローラ対のローラ間隔を変更可能に構成した
ことを特徴とする請求項１記載のシート処理装置。
【請求項３】
前記折り処理されたシート束には表紙が設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のシート処理装置。
【請求項４】
前記平坦処理が設定されたとき、前記切替手段は、シート束のシートの枚数に応じて前記折り手段によるシート束の挟持圧を切り替え可能であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項５】
前記平坦処理が設定されたとき、前記切替手段は、シート束の厚さに応じて前記折り手段によるシート束の挟持圧を切り替え可能であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項６】
シートに画像を形成する画像形成部と、
前記画像形成部により画像が形成されたシートを二つ折りして平坦処理する請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のシート処理装置と、
を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するための本発明における代表的な手段は、シート束を挟持して折り処理を行う折り手段と、前記折り手段により折り処理されたシート束の背折り部を押圧して平坦な背表紙を形成する平坦処理手段と、前記折り手段のシート束の挟持圧を切り替える切替手段と、を有するシート処理装置において、前記切替手段は、前記平坦処理が設定されたときは前記平坦処理が設定されないときよりも前記折り手段のシート束の挟持圧が小さくなるよう切り替えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
ステップＳ1001で圧接状態でないと判断された場合は、離間モータＭ13を正転駆動する。これにより、圧接状態へと切り替えを開始し（Ｓ1002）、圧接センサがＯＮすると上折りローラ556ｂが圧接位置に到達したと判断して（Ｓ1003）、離間モータＭ13の駆動を停止する（Ｓ1004）。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月28日(2011.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動を利用して部品を搬送する部品搬送装置であって、
前記振動を発生させるための電磁モータと、
前記電磁モータの出力軸に設置され、当該出力軸の回転により扁芯した回転を行う回転板と、
前記回転板の回転により振動するばね部材と、を備え、
前記電磁モータは、前記出力軸の軸方向が前記ばね部材の平面方向に略垂直となるように固定され、
前記回転板は、前記ばね部材の平面と略平行に回転することを特徴とする部品搬送装置。
【請求項２】
請求項１に記載の部品搬送装置であって、
前記部品を搬送する搬送部と、
前記ばね部材と前記搬送部とを連結し、前記ばね部材の振動を前記搬送部に伝達する振動伝達補助部と、を更に備えることを特徴とする部品搬送装置。
【請求項３】
請求項２に記載の部品搬送装置であって、
前記部品搬送装置を支持する支柱と、
前記支柱を前記搬送部および基台に固定する支柱固定部と、を更に備えることを特徴とする部品搬送装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の部品搬送装置であって、
前記ばね部材は、前記電磁モータを固定するモータ固定領域と、前記回転板の回転により振動する振動部と、当該振動部の振動を伝達する振動伝達領域と、を有し、
前記モータ固定領域、前記振動部、および前記振動伝達領域は、一体に構成されることを特徴とする部品搬送装置。
【請求項５】
請求項４に記載の部品搬送装置であって、
前記振動部は、前記ばね部材の平面と略平行に振動することを特徴とする部品搬送装置。
【請求項６】
請求項５に記載の部品搬送装置であって、
前記振動部は、板ばね部材で構成されていることを特徴とする部品搬送装置。
【請求項７】
請求項６に記載の部品搬送装置であって、
前記板ばね部材は、前記ばね部材の厚さ方向に貫通して形成される切り欠き部に挟まれて形成されることを特徴とする部品搬送装置。
【請求項８】
請求項５に記載の部品搬送装置であって、
前記振動部は、線ばね部材で構成されていることを特徴とする部品搬送装置。
【請求項９】
請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載の部品搬送装置であって、
前記電磁モータの回転速度を減速させる減速ギヤ部を備えることを特徴とする部品搬送装置。