【手続補正書】
【提出日】平成23年8月30日(2011.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に接合層が形成され、所望の深さに損傷領域が形成された複数の単結晶半導体基板と、ベース基板とを用意し、
複数の前記単結晶半導体基板をトレイに配置し、
前記トレイに配置された複数の前記単結晶半導体基板を、前記接合層を介して、前記ベース基板に密接させることで、前記接合層の表面と前記ベース基板表面とを接合させて、前記ベース基板と複数の前記単結晶半導体基板を貼り合わせ、
前記トレイに配置された複数の前記単結晶半導体基板の加熱によって前記損傷領域に亀裂を生じさせ、各単結晶半導体基板から分離された複数の第１の単結晶半導体層が密着されたベース基板を形成することを特徴とする半導体膜付き基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記接合層は、前記単結晶半導体基板に接して形成された絶縁層上に形成されていることを特徴とする半導体膜付き基板の作製方法。
【請求項３】
上面に絶縁層が形成され、前記絶縁層上に接合層が形成され、所望の深さに損傷領域が形成された複数の単結晶半導体基板と、ベース基板とを用意し、
複数の前記単結晶半導体基板を第１のトレイに配置し、
前記第１のトレイに配置された複数の前記単結晶半導体基板を、前記接合層を介して、前記ベース基板に密接させることで、前記接合層の表面と前記ベース基板表面とを接合させて、前記ベース基板と複数の前記単結晶半導体基板を貼り合わせ、
複数の前記単結晶半導体基板の加熱によって前記損傷領域に亀裂を生じさせ、各単結晶半導体基板から分離された複数の第１の単結晶半導体層が密着されたベース基板を形成し、
前記絶縁層の形成工程は、第２のトレイに複数の前記単結晶半導体基板を配置した状態で、前記単結晶半導体基板上に、１層または２層以上の絶縁膜を形成することを含み、
前記損傷領域の形成工程は、第３のトレイに前記絶縁層が形成された複数の前記単結晶半導体基板を配置した状態で、ソースガスを励起してプラズマを生成し、前記プラズマに含まれるイオン種を前記単結晶半導体基板に照射することで、前記単結晶半導体基板中に前記損傷領域を形成することを含み、
前記接合層の形成工程は、第４のトレイに前記絶縁層および前記損傷領域が形成された複数の前記単結晶半導体基板を配置した状態で、前記単結晶半導体基板上に、前記絶縁層を介して前記接合層を形成することを含み、
前記第２のトレイ、前記第３のトレイ、および前記第４のトレイは同一のトレイでも、異なるトレイでもよく、
前記第１のトレイと前記第４のトレイは、同一のトレイでも、異なるトレイでもよいことを特徴とする半導体膜付き基板の作製方法。
【請求項４】
上面に絶縁層が形成され、前記絶縁層上に接合層が形成され、所望の深さに損傷領域が形成された複数の単結晶半導体基板と、ベース基板とを用意し、
複数の前記単結晶半導体基板を第１のトレイに配置し、
前記第１のトレイに配置された複数の前記単結晶半導体基板を、前記接合層を介して、前記ベース基板に密接させることで、前記接合層の表面と前記ベース基板表面とを接合させて、前記ベース基板と複数の前記単結晶半導体基板を貼り合わせ、
複数の前記単結晶半導体基板の加熱によって前記損傷領域に亀裂を生じさせ、各単結晶半導体基板から分離された複数の第１の単結晶半導体層が密着されたベース基板を形成し、
前記絶縁層の形成工程は、第２のトレイに複数の前記単結晶半導体基板を配置した状態で、複数の前記単結晶半導体基板上に、１層または２層以上の絶縁膜を形成することを含み、
前記接合層の形成工程は、第３のトレイに前記絶縁層が形成された複数の前記単結晶半導体基板を配置した状態で、複数の前記単結晶半導体基板上に、前記絶縁層を介して前記接合層を形成することを含み、
前記損傷領域の形成工程は、第３のトレイに前記絶縁層および前記接合層が形成された複数の前記単結晶半導体基板を配置した状態で、ソースガスを励起してプラズマを生成し、前記プラズマに含まれるイオン種を、複数の前記単結晶半導体基板に照射することで、複数の前記単結晶半導体基板中に前記損傷領域を形成することを含み、
前記第２のトレイ、前記第３のトレイ、および前記第４のトレイは同一のトレイでも、異なるトレイでもよく、
前記第１のトレイと前記第４のトレイは、同一のトレイでも、異なるトレイでもよいことを特徴とする半導体膜付き基板の作製方法。
【請求項５】
上面に絶縁層が形成され、前記絶縁層上に接合層が形成され、所望の深さに損傷領域が形成された複数の単結晶半導体基板と、ベース基板とを用意し、
複数の前記単結晶半導体基板を第１のトレイに配置し、
前記第１のトレイに配置された複数の前記単結晶半導体基板を、前記接合層を介して、前記ベース基板に密接させることで、前記接合層の表面と前記ベース基板表面とを接合させて、前記ベース基板と複数の前記単結晶半導体基板を貼り合わせ、
複数の前記単結晶半導体基板の加熱によって前記損傷領域に亀裂を生じさせ、各単結晶半導体基板から分離された複数の第１の単結晶半導体層が密着されたベース基板を形成し、
前記損傷領域の形成工程は、第２のトレイに複数の前記単結晶半導体基板を配置した状態で、ソースガスを励起してプラズマを生成し、前記プラズマに含まれるイオン種を、複数の前記単結晶半導体基板にドープすることで、複数の前記単結晶半導体基板中に前記損傷領域を形成することを含み、
前記絶縁層の形成工程は、第３のトレイに、前記損傷領域が形成された複数の前記単結晶半導体基板を配置した状態で、複数の前記単結晶半導体基板上に、１層または２層以上の絶縁膜を形成することを含み、
前記接合層の形成工程は、第４のトレイに、前記損傷領域および前記絶縁層が形成された複数の前記単結晶半導体基板を配置した状態で、複数の前記単結晶半導体基板上に、前記絶縁層を介して前記接合層を形成することを含み、
前記第２のトレイ、前記第３のトレイ、および前記第４のトレイは同一のトレイでも、異なるトレイでもよく、
前記第１のトレイと前記第４のトレイは、同一のトレイでも、異なるトレイでもよいことを特徴とする半導体膜付き基板の作製方法。
【請求項６】
上面に絶縁層が形成され、前記絶縁層に接合層が形成され、かつ所望の深さに損傷領域が形成された複数の単結晶半導体基板と、ベース基板とを用意し、
複数の前記単結晶半導体基板を第１のトレイに配置し、
前記第１のトレイに配置された複数の前記単結晶半導体基板を、前記接合層を介して、前記ベース基板に密接させることで、前記接合層の表面と前記ベース基板表面とを接合させて、前記ベース基板と複数の前記単結晶半導体基板を貼り合わせ、
前記第１のトレイに配置された状態での複数の前記単結晶半導体基板の加熱によって前記損傷領域に亀裂を生じさせ、各単結晶半導体基板から分離された複数の第１の単結晶半導体層が密着されたベース基板を形成し、
前記絶縁層の形成工程は、フッ化物ガスまたはフッ素ガスを含む反応室に、第２のトレイに配置された複数の前記単結晶半導体基板を設置し、前記反応室にプロセスガスを導入し、前記プロセスガスを励起してプラズマを生成し、当該プラズマに含まれる活性種の化学反応により、複数の前記単結晶半導体基板上に１層または２層以上の絶縁膜を形成することを含み、
前記第１のトレイと前記第２のトレイは同じでも、異なっていてもよいことを特徴とする半導体膜付き基板の作製方法。
【請求項７】
上面に絶縁層が形成され、前記絶縁層上に接合層が形成され、所望の深さに損傷領域が形成された複数の単結晶半導体基板と、ベース基板とを用意し、
複数の前記単結晶半導体基板を第１のトレイに配置し、
前記第１のトレイに配置された複数の前記単結晶半導体基板を、前記接合層を介して、前記ベース基板に密接させることで、前記接合層の表面と前記ベース基板表面とを接合させて、前記ベース基板と複数の前記単結晶半導体基板を貼り合わせ、
複数の前記単結晶半導体基板の加熱によって前記損傷領域に亀裂を生じさせ、各単結晶半導体基板から分離された複数の第１の単結晶半導体層が密着されたベース基板を形成し、
前記絶縁層の形成工程は、フッ化物ガスまたはフッ素ガスを含む反応室に、第２のトレイに配置された複数の前記単結晶半導体基板を設置し、前記反応室にプロセスガスを導入し、前記プロセスガスを励起してプラズマを生成し、当該プラズマに含まれる活性種の化学反応により、複数の前記単結晶半導体基板上に１層または２層以上の絶縁膜を形成することを含み、
前記損傷領域の形成工程は、第３のトレイに前記絶縁層が形成された複数の前記単結晶半導体基板を配置した状態で、ソースガスを励起してプラズマを生成し、前記プラズマに含まれるイオン種を複数の前記単結晶半導体基板に照射することで、複数の前記単結晶半導体基板中に前記損傷領域を形成することを含み、
前記接合層の形成工程は、第４のトレイに前記絶縁層および前記損傷領域が形成された複数の前記単結晶半導体基板を配置した状態で、複数の前記単結晶半導体基板上に、前記絶縁層を介して前記接合層を形成することを含み、
前記第２のトレイ、前記第３のトレイ、および前記第４のトレイは同一のトレイでも、異なるトレイでもよく、
前記第１のトレイと前記第４のトレイは、同一のトレイでも、異なるトレイでもよいことを特徴とする半導体膜付き基板の作製方法。
【請求項８】
上面に絶縁層が形成され、前記絶縁層上に接合層が形成され、所望の深さに損傷領域が形成された複数の単結晶半導体基板と、ベース基板とを用意し、
複数の前記単結晶半導体基板を第１のトレイに配置し、
前記第１のトレイに配置された複数の前記単結晶半導体基板を、前記接合層を介して、前記ベース基板に密接させることで、前記接合層の表面と前記ベース基板表面とを接合させて、前記ベース基板と複数の前記単結晶半導体基板を貼り合わせ、
複数の前記単結晶半導体基板の加熱によって前記損傷領域に亀裂を生じさせ、各単結晶半導体基板から分離された複数の第１の単結晶半導体層が密着されたベース基板を形成し、
前記絶縁層の形成工程は、フッ化物ガスまたはフッ素ガスを含む反応室に、第２のトレイに配置された複数の前記単結晶半導体基板を設置し、前記反応室にプロセスガスを導入し、前記プロセスガスを励起してプラズマを生成し、当該プラズマに含まれる活性種の化学反応により、複数の前記単結晶半導体基板上に１層または２層以上の絶縁膜を形成することを含み、
前記接合層の形成工程は、第３のトレイに前記絶縁層が形成された複数の前記単結晶半導体基板を配置した状態で、複数の前記単結晶半導体基板上に、前記絶縁層を介して前記接合層を形成することを含み、
前記損傷領域の形成工程は、第３のトレイに前記絶縁層および前記接合層が形成された複数の前記単結晶半導体基板を配置した状態で、ソースガスを励起してプラズマを生成し、前記プラズマに含まれるイオン種を複数の前記単結晶半導体基板に照射することで、複数の前記単結晶半導体基板中に前記損傷領域を形成することを含み、
前記第２のトレイ、前記第３のトレイ、および前記第４のトレイは同一のトレイでも、異なるトレイでもよく、
前記第１のトレイと前記第４のトレイは、同一のトレイでも、異なるトレイでもよいことを特徴とする半導体膜付き基板の作製方法。
【請求項９】
上面に絶縁層が形成され、前記絶縁層上に接合層が形成され、所望の深さに損傷領域が形成された複数の単結晶半導体基板と、ベース基板とを用意し、
複数の前記単結晶半導体基板を第１のトレイに配置し、
前記第１のトレイに配置された状態で複数の前記単結晶半導体基板を、前記接合層を介して、前記ベース基板に密接させることで、前記接合層の表面と前記ベース基板表面とを接合させて、前記ベース基板と複数の前記単結晶半導体基板を貼り合わせ、
複数の前記単結晶半導体基板の加熱によって前記損傷領域に亀裂を生じさせ、各単結晶半導体基板から分離された複数の第１の単結晶半導体層が密着されたベース基板を形成し、
前記損傷領域の形成工程は、第２のトレイに複数の前記単結晶半導体基板を配置した状態で、ソースガスを励起してプラズマを生成し、前記プラズマに含まれるイオン種を複数の前記単結晶半導体基板に照射することで、複数の前記単結晶半導体基板中に前記損傷領域を形成することを含み、
前記絶縁層の形成工程は、フッ化物ガスまたはフッ素ガスを含む反応室に、前記損傷領域が形成された複数の前記単結晶半導体基板を第３のトレイに配置した状態で設置し、前記反応室にプロセスガスを導入し、前記プロセスガスを励起してプラズマを生成し、当該プラズマに含まれる活性種の化学反応により、複数の前記単結晶半導体基板上に１層または２層以上の絶縁膜を形成することを含み、
前記接合層の形成工程は、第４のトレイに、前記損傷領域および前記絶縁層が形成された複数の前記単結晶半導体基板を配置した状態で、前記単結晶半導体基板上に、前記絶縁層を介して前記接合層を形成することを含み、
前記第２のトレイ、前記第３のトレイ、および前記第４のトレイは同一のトレイでも、異なるトレイでもよく、
前記第１のトレイと前記第４のトレイは、同一のトレイでも、異なるトレイでもよいことを特徴とする半導体膜付き基板の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか１項において、
前記反応室をフッ化物ガスまたはフッ素ガスによるプラズマガスエッチングによって前記反応室内をクリーニングし、前記クリーニングにより、前記フッ化物ガスまたは前記フッ素ガスが残留している前記反応室内で、前記絶縁層を形成することを特徴とする半導体膜付き基板の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項において、
前記損傷領域の形成のためのソースガスに水素ガスを用い、
前記水素ガスを励起して、Ｈ３＋を含むプラズマを生成し、前記プラズマに含まれるイオン種を加速して、前記単結晶半導体基板にドープすることで、前記損傷領域を形成することを特徴とする半導体膜付き基板の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項において、
前記ベース基板に密着された複数の前記第１の単結晶半導体層にレーザビームを照射することを特徴とする半導体膜付き基板の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか１項において、
前記ベース基板に密着された複数の前記第１の単結晶半導体層にレーザビームを照射することを含み、
前記レーザビームの照射領域を少なくとも窒素または希ガス雰囲気にして、前記第１の単結晶半導体層に前記レーザビームを照射することを特徴とする半導体膜付き基板の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか１項において、
前記ベース基板は、ガラス基板であることを特徴とする半導体膜付き基板の作製方法。
【請求項１５】
ベース基板と、
前記ベース基板上面に密着された複数の絶縁層と、
１つの前記絶縁層の上面に密着された複数の単結晶半導体層と、を有し、
前記絶縁層はフッ素を含むことを特徴とする半導体膜付き基板。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記絶縁層において、前記ベース基板と前記絶縁層との界面または界面近傍は、フッ素の濃度が他の領域よりも高いことを特徴とする半導体膜付き基板。
【請求項１７】
請求項１５又は１６において、
前記ベース基板は、ガラス基板であることを特徴とする半導体膜付き基板。