【手続補正書】
【提出日】平成23年8月23日(2011.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含み、周囲よりもＩｎの含有量が多い組織と、周囲よりもＧａ及びＺｎの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなり、
前記酸化物焼結体のＩｎ、Ｇａ及びＺｎの原子比が下記の式を満たす、スパッタリングターゲット。
０．２０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．６５
０．１０≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．５０
０．１０≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．６０
０．６０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ）
０．５１≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）
【請求項２】
前記Ｉｎの含有量が多い組織の酸素含有量が、周囲の組織よりも少ない、請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
前記Ｉｎの含有量が多い組織が、１５μｍ以上の連結構造を有している、請求項１又は２に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】
前記酸化物焼結体が、Ｉｎ２Ｏ３で表されるビックスバイト構造とＩｎＧａＺｎＯ４で表されるホモロガス構造を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５】
前記酸化物焼結体が、Ｉｎ２Ｏ３で表されるビックスバイト構造とＺｎＧａ２Ｏ４で表されるスピネル構造を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６】
前記酸化物焼結体が、Ｉｎ２Ｏ３で表されるビックスバイト構造とＩｎ１．５Ｇａ０．５Ｚｎ２Ｏ５で表されるホモロガス構造を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項７】
前記酸化物焼結体が、さらに下記式を満たす原子比でＳｎを含有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲット。
０．０００１＜Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＜０．１０
【請求項８】
実質的にＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯのみを含有する、請求項請求項１〜６のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項９】
ＺｎＧａ２Ｏ４で表されるスピネル構造を持つ酸化物を含む成形体を焼結する工程を含む、請求項５に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲットを用いて酸化物膜を成膜する工程を含む、半導体素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【図１】実施例１で得られたターゲットを用いて作製されたチャンネルストッパー型薄膜トランジスタの構成を示す模式図である。
【図２】参考例１で作製した酸化物のＥＰＭＡによるＩｎ，Ｇａ，Ｚｎの分散ＭＡＰを示す顕微鏡写真である。
【図３】参考例１で作製した酸化物焼結体のＥＰＭＡによるＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｏの分散ＭＡＰを示す顕微鏡写真である。
【図４】参考例１で作製した酸化物焼結体のＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｏの分散ＭＡＰにおける、Ｉｎリッチ組織の連結構造を示す顕微鏡写真である。
【図５】参考例１で作製した酸化物焼結体のＩｎリッチ組織のアスペクト比の算出例を示す顕微鏡写真である。
【図６】本発明で得られるＩｎ１．５Ｇａ０．５Ｚｎ２Ｏ５で表されるホモロガス構造のＸ線回折測定（Ｃｕｋα線）により得られるチャートの一例である。
【図７】新規結晶構造の構造式Ｉｎ１．５Ｇａ０．５Ｚｎ２Ｏ５を推定した過程を示す図である。
【図８】実施例１で得られた酸化物焼結体のＸ線回折測定（Ｃｕｋα線）により得られたチャートである。
【図９】実施例２で得られた酸化物焼結体のＸ線回折測定（Ｃｕｋα線）により得られたチャートである。
【図１０】実施例３で得られた酸化物焼結体のＸ線回折測定（Ｃｕｋα線）により得られたチャートである。
【図１１】実施例５で得られた酸化物焼結体のＸ線回折測定（Ｃｕｋα線）により得られたチャートである。
【図１２】実施例１で作製した酸化物焼結体のＥＰＭＡによるＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｏの分散ＭＡＰを示す顕微鏡写真である。
【図１３】実施例２で作製した酸化物焼結体のＥＰＭＡによるＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｏの分散ＭＡＰを示す顕微鏡写真である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
Ｉｎリッチ組織、及びＧａ，Ｚｎリッチ組織を備えていることは、電子プローブマイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）を用いたＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｏの分散ＭＡＰにより確認できる。
例えば、後述する参考例１で得られた酸化物焼結体のＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｏの分散ＭＡＰを図２に示す。図２からわかるように、本発明のターゲットを構成する酸化物焼結体では、Ｉｎリッチ組織とＧａ，Ｚｎリッチ組織とが混在した状態となっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
Ｉｎリッチ組織の酸素含有量がＧａ，Ｚｎリッチ組織やその他の組織の酸素含有量よりも少ないことは、ＥＰＭＡを用いたＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｏの分散ＭＡＰにより確認できる。例えば、後述する参考例１で得られた酸化物焼結体のＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｏの分散ＭＡＰを示す図３において、各組織を比較すれば、Ｉｎリッチ組織の酸素含有量が周囲の組織よりも少ないことがわかる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
Ｉｎリッチ組織が１５μｍ以上の連結構造を有していることは、ＥＰＭＡを用いたＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｏの分散ＭＡＰにより確認できる。
例えば、後述する参考例１で得られた酸化物焼結体のＥＰＭＡ画像の拡大図を図４に示す。図４における点線で示した部分がＩｎリッチ組織の連結構造である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
尚、連結構造の長さと幅とは、連結構造に外接する楕円形の長軸と短軸をいう。また、長軸÷短軸をアスペクト比とする。連結構造のアスペクト比が高いほど比抵抗が下がることが期待できる。後述する参考例１で得られたターゲットにおけるアスペクト比の測定の一例を、図５に示す。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５２】
実施例２〜６、参考例１〜３及び比較例１〜４
表１−１又は表１−２の組成・条件とした以外は実施例１と同様にターゲット及びＴＦＴを作製・評価した。結果を表１−１及び表１−２に示す。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５３】
参考例４
ＺｎＯ粉及びＧａ２Ｏ３粉をＺｎとＧａの原子比が１：２となる割合で混合し仮焼後、粉砕した原料粉及びＩｎ２Ｏ３原料粉を用い成形体を成形した。成形体はＺｎＧａ２Ｏ４で表される結晶型を含んでいた（Ｘ線回折で解析して確認した）。この成形体を用い、表１−１に示す組成・条件とした以外は、実施例１と同様にターゲット及びＴＦＴを作製・評価した。結果を表１−１に示す。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５４】
実施例２、３及び５で得られたターゲット表面のＸ線回折測定（Ｃｕｋα線）により得られたチャートを図９〜１１に示す。
実施例１及び２で作製した酸化物焼結体のＥＰＭＡによるＩｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｏの分散ＭＡＰを示す顕微鏡写真を図１２及び図１３に示した。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５６】
【表１−１】
2011105995.tif 000001