Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月14日(2009.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
環状外周と、外径と、端と、軸長と、前記軸長に沿って前記ターゲットの端に隣接する端部と、前記ターゲットの端に隣接するエンドブロックのスピンドルとを含む円筒状ターゲットを含むスパッタリングシステムであって、
前記ターゲットの端部内で前記ターゲットの軸長に沿った第１の位置の前記ターゲットの外周の周りの溝と、
前記溝内にあるリテーニングリングと、
前記ターゲットの軸長に沿った第２の位置の前記ターゲットの外周の周りのフランジリングであって、前記第１の位置は、前記第２の位置より前記ターゲットの端に接近するフランジリングと、
前記フランジリングおよび前記スピンドルを互いに固定するのに十分であるクランプと、を含み、
前記リテーニングリングは、前記ターゲットの端に向けた方向に、前記第１の位置を越えて前記ターゲットの軸長に沿って前記フランジリングの移動を防ぐのに十分であり、前記フランジリングは、前記ターゲットの端部で前記ターゲットの軸長に沿って自由に移動するシステム。
【請求項２】
請求項１記載のシステムにおいて、
前記フランジリングは、前記ターゲットの端部で前記ターゲットの外径以上の内径を含むシステム。
【請求項３】
請求項１記載のシステムにおいて、
前記リテーニングリングは、前記ターゲットの端部で前記ターゲットの外径未満の内径および前記ターゲットの端部で前記ターゲットの外径より大きな外径を含むシステム。
【請求項４】
請求項１記載のシステムにおいて、
前記クランプは、内側半径方向および内側軸方向に力を及ぼすのに十分なクランプリングを含むシステム。
【請求項５】
請求項１記載のシステムにおいて、
前記ターゲットの端部はらせん形溝を含み、前記第１の位置は前記らせん形溝と前記ターゲットの端との間にあるシステム。
【請求項６】
請求項１記載のシステムにおいて、
前記スピンドルと前記ターゲットとの間に密閉を付与するのに十分なＯリングをさらに含むシステム。
【請求項７】
環状外周と、外径と、端と、軸長と、前記軸長に沿って前記ターゲットの端に隣接する端部とを含む円筒状ターゲットを含むターゲットアセンブリであって、
前記ターゲットの端部内で前記ターゲットの軸長に沿った第１の位置の前記ターゲットの外周の周りの溝と、
前記溝内にあるリテーニングリングと、
前記ターゲットの軸長に沿った第２の位置の前記ターゲットの外周の周りのフランジリングであって、前記第１の位置は、前記第２の位置より前記ターゲットの端に接近するフランジリングと、を備え、
前記リテーニングリングは、前記ターゲットの端に向けた方向に、前記第１の位置を越えて前記ターゲットの軸長に沿って前記フランジリングの移動を防ぐのに十分であり、前記フランジリングは、前記ターゲットの端部で前記ターゲットの軸長に沿って自由に移動するターゲットアセンブリ。
【請求項８】
請求項７記載のターゲットアセンブリにおいて、
前記フランジリングは、前記ターゲットの端部で前記ターゲットの外径以上の内径を含むターゲットアセンブリ。
【請求項９】
請求項７記載のターゲットアセンブリにおいて、
前記リテーニングリングは、前記ターゲットの端部で前記ターゲットの外径未満の内径および前記ターゲットの端部で前記ターゲットの外径より大きな外径を含むターゲットアセンブリ。
【請求項１０】
請求項７記載のターゲットアセンブリにおいて、
前記ターゲットの端部はらせん形溝を含み、前記第１の位置は前記らせん形溝と前記ターゲットの端との間にあるターゲットアセンブリ。
【請求項１１】
円筒状ターゲットの端をエンドブックの隣接するスピンドルに接続する方法であって、前記ターゲットは、環状外周と、外径と、軸長と、前記軸長に沿って前記ターゲットの端に隣接する端部とを含む方法において、
前記ターゲットの端部の前記ターゲットの軸長に沿った第１の位置で前記ターゲットの外周の周りに溝を形成するステップと、
前記ターゲットの軸長に沿った第２の位置で前記ターゲットの外周の周りにフランジリングを設置するステップであって、前記第１の位置は、前記第２の位置より前記ターゲットの端に接近し、前記フランジリングは、前記ターゲットの端部で前記ターゲットの軸長に沿って自由に移動するステップと、
前記形成するステップおよび設置するステップの後に、前記溝内にリテーニングリングを位置するステップであって、前記リテーニングリングは、前記ターゲットの端に向けた方向に、前記第１の位置を越えて前記ターゲットの軸長に沿って前記フランジリングの移動を防ぐのに十分であるステップと、
前記リテーニングリングを位置するステップの後に、前記フランジリングを前記スピンドルに取り付けるステップと、
を含む方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の方法において、
前記取り付けるステップは、内側半径方向および内側軸方向に力が及ぼすように、前記フランジリングを前記スピンドルに固定するステップを含む方法。
【請求項１３】
請求項１１記載の方法において、
前記ターゲットの端部はらせん形溝を含み、前記第１の位置は前記らせん形溝と前記ターゲットの端との間にある方法。
【請求項１４】
請求項１１記載の方法において、
前記ターゲットは、反対の端と、前記反対の端に隣接する反対の端部とを含み、
前記ターゲットの反対の端部の前記ターゲットの軸長に沿った第３の位置で前記ターゲットの外周の周りに個別の溝を形成するステップと、
前記ターゲットの軸長に沿った第４の位置で前記ターゲットの外周の周りに個別のフランジリングを設置するステップであって、前記第３の位置は、前記第４の位置より前記ターゲットの反対の端に接近し、前記個別のフランジリングは、前記ターゲットの端部で前記ターゲットの軸長に沿って自由に移動するステップと、
前記個別の溝を形成するステップおよび前記個別のフランジリングを設置するステップの後に、前記個別の溝に個別のリテーニングリングを位置するステップであって、前記個別のリテーニングリングは、前記ターゲットの反対の端に向けた方向に、前記第３の位置を越えて前記ターゲットの軸長に沿って前記個別のフランジリングの移動を防ぐのに十分であるステップと、
前記個別のリテーニングリングを位置するステップの後に、前記個別のフランジリングを単独で前記ターゲットの反対の端に隣接するスピンドルに取り付けるステップと、
をさらに含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月2日(2009.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの層を含む有孔フィルムであって、前記少なくとも１つの層が、１００ミクロン（μｍ）またはそれ以下のサイズを個々に有する穿孔を含み、総フィルム表面積に対する総穿孔面積の比が、１平方インチのフィルムあたり４００，０００〜２，０００，０００平方ミクロン（（μｍ）2／（ｉｎ）2）である、フィルム。
【請求項２】
これらの穿孔が等しいサイズを有する、請求項１に記載のフィルム。
【請求項３】
ガーレイ透過度が、１００ｃｃ空気あたり５０秒未満である、請求項１または２に記載のフィルム。
【請求項４】
１平方インチのフィルムあたり６０〜１，０００穿孔を含む、請求項１から３のいずれかに記載のフィルム。
【請求項５】
これらの穿孔が、９０ミクロンまたはそれ以下のサイズを個々に有する、請求項１から４のいずれかに記載のフィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月26日(2009.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
創傷の修復を調節する医薬組成物であって、フライトレスIの発現及び/又は活性を調節する有効量の作用物質を含むことを特徴とする医薬組成物。
【請求項２】
前記作用物質が、フライトレスIの発現及び/又は活性を減少させる、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記作用物質が、薬物、小分子、核酸、オリゴヌクレオチド、オリゴペプチド、ポリペプチド、タンパク質、酵素、多糖、糖タンパク質、ホルモン、受容体、受容体のリガンド、コファクター、アンチセンスオリゴヌクレオチド、リボザイム、低分子干渉RNA、ミクロRNA、脂質、アプタマー、ウイルス、及び抗体又はその抗原結合部から成る群より選択される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記作用物質が、フライトレスＩに対する中和抗体、又はその抗原結合部である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項５】
創傷修復、瘢痕形成又は線維形成に関与する細胞の移動及び/又は増殖を調節する医薬組成物であって、創傷修復、瘢痕形成又は線維形成に関与する細胞の移動及び/又は増殖を調節する有効量の作用物質を含むことを特徴とする医薬組成物。
【請求項６】
前記作用物質が、薬物、小分子、核酸、オリゴヌクレオチド、オリゴペプチド、ポリペプチド、タンパク質、酵素、多糖、糖タンパク質、ホルモン、受容体、受容体のリガンド、コファクター、アンチセンスオリゴヌクレオチド、リボザイム、低分子干渉RNA、ミクロRNA、脂質、アプタマー、ウイルス、及び抗体又はその抗原結合部から成る群より選択される、請求項５に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記作用物質が、前記細胞内のフライトレスＩの発現及び/又は活性を減少させることにより、細胞の移動及び/又は増殖を増加させる、請求項５に記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記作用物質が、前記細胞内のフライトレスＩの発現及び/又は活性を増加させることにより、細胞の移動及び/又は増殖を減少させる、請求項５に記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記作用物質が、中和抗体又はその抗原結合部である、請求項５に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
細胞内のTGF-βの発現、分泌及び/又は活性の１つ以上を調節するか、及び/又は細胞内のコラーゲンの発現及び/又は分泌を調節する医薬組成物であって、細胞内のフライトレスＩの発現及び/又は活性を調節し、もって、細胞内のTGF-βの発現、分泌及び/又は活性の１つ以上を調節するか、及び/又は細胞内のコラーゲンの発現及び/又は分泌を調節する有効量の作用物質を含むことを特徴とする医薬組成物。
【請求項１１】
前記細胞が創傷修復及び/又は瘢痕形成に関与する細胞である、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
前記細胞が線維芽細胞又はケラチノサイトである、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
前記細胞内のフライトレスＩの発現及び/又は活性を減少させることによって、前記細胞内のTGE-βの発現及び/又は活性の減少及び/又は前記細胞内のコラーゲンの発現及び/又は分泌の減少をもたらす、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
前記細胞内のフライトレスＩの発現及び/又は活性を増加させることによって、前記細胞内のTGE-βの発現及び/又は活性の増加及び/又は前記細胞内のコラーゲンの発現及び/又は分泌の増加をもたらす、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
前記TGF-βが、TGE-β１及び／又はTGE-β３である、請求項１４に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
前記細胞がin vivoで存在する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
対象の創傷内の瘢痕形成を調節する医薬組成物であって、フライトレスＩの発現及び/又は活性を調節し、もって、創傷内の瘢痕形成を調節する有効量の作用物質を含むことを特徴とする医薬組成物。
【請求項１８】
創傷治癒組成物であって、創傷修復に関与する細胞におけるフライトレスＩの発現及び/又は活性を減少させる治療的有効量の作用物質を含むことを特徴とする医薬組成物。
【請求項１９】
前記作用物質が、フライトレスＩに対する中和抗体又はその抗原結合部である、請求項１８に記載の医薬組成物。
【請求項２０】
局所投与組成物である請求項１８又は１９に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月20日(2009.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１０ミル（０．２５ｍｍ）以上の厚さを有するとともに、部分的に中和されたα，β−エチレン性不飽和カルボン酸を導入しているイオノマーまたはイオノマーブレンドを含む少なくとも１つの層を有する高分子シートであって、前記イオノマーまたはイオノマーブレンドが前記α，β−エチレン性不飽和カルボン酸の中和の全量を基準にして約１〜約６０％の範囲の量で１種以上の一価金属のイオンと、約４０〜約９９％の範囲の量で１種以上の多価金属のイオンとを含むことを特徴とする高分子シート。
【請求項２】
（ａ）１０ミル（０．２５ｍｍ）以上の厚さを有するとともに、部分的に中和されたα，β−エチレン性不飽和カルボン酸成分を導入しているイオノマーまたはイオノマーブレンドを含む少なくとも１層を有する高分子シートであって、前記イオノマーまたはイオノマーブレンドが中和の全量を基準にして約１〜約６０％の範囲の量で１種以上の一価金属のイオンと、約４０〜約９９％の範囲の量で１種以上の多価金属のイオンとを含むことを特徴とする高分子シートと、
（ｂ）前記高分子シートに積層された硬質シートであって、ガラス、ポリカーボネート、ポリ（メタ）アクリレート、環式ポリオレフィン、ポリスチレンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される硬質シートと
を含む積層物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６６】
積層物は４．２ｌｂ／ｉｎ未満の引き剥がし粘着力を有することが判明した。
次に、本発明の好ましい態様を示す。
1.  １０ミル（０．２５ｍｍ）以上の厚さを有するとともに、部分的に中和されたα，β−エチレン性不飽和カルボン酸を導入しているイオノマーまたはイオノマーブレンドを含む少なくとも１つの層を有する高分子シートであって、前記イオノマーまたはイオノマーブレンドが前記α，β−エチレン性不飽和カルボン酸の中和の全量を基準にして約１〜約６０％の範囲の量で１種以上の一価金属のイオンと、約４０〜約９９％の範囲の量で１種以上の多価金属のイオンとを含むことを特徴とする高分子シート。
2.  １種の一価金属が存在し、それがナトリウムであり、１種の多価金属が存在し、それが亜鉛であることを特徴とする上記１に記載の高分子シート。
3.  ナトリウムのイオンが約１５〜約５０％の範囲の量であり、亜鉛のイオンが約５０〜約８５％の範囲の量であることを特徴とする上記２に記載の高分子シート。
4.  前記シートが透明であることを特徴とする上記１〜３のいずれか一項に記載の高分子シート。
5.  （ａ）１０ミル（０．２５ｍｍ）以上の厚さを有するとともに、部分的に中和されたα，β−エチレン性不飽和カルボン酸成分を導入しているイオノマーまたはイオノマーブレンドを含む少なくとも１層を有する高分子シートであって、前記イオノマーまたはイオノマーブレンドが中和の全量を基準にして約１〜約６０％の範囲の量で１種以上の一価金属のイオンと、約４０〜約９９％の範囲の量で１種以上の多価金属のイオンとを含むことを特徴とする高分子シートと、
（ｂ）前記高分子シートに積層された硬質シートであって、ガラス、ポリカーボネート、ポリ（メタ）アクリレート、環式ポリオレフィン、ポリスチレンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される硬質シートと
を含む積層物品。
6.  １種以上の一価金属のイオンが約１５〜約５０％の範囲の量であり、１種以上の多価金属のイオンが約５０〜約８５％の範囲の量であることを特徴とする上記５に記載の積層物品。
7.  前記高分子シートの他の表面に積層された追加の硬質シートであって、ガラス、ポリカーボネート、ポリ（メタ）アクリレート、環式ポリオレフィン、ポリスチレンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される追加の硬質シートを更に含むことを特徴とする上記５または６に記載の積層物品。
8.  前記硬質シートがガラスを含むことを特徴とする上記７に記載の積層物品。
9.  １種の一価金属が存在し、それがナトリウムであり、１種の多価金属が存在し、それが亜鉛であることを特徴とする上記５〜８のいずれか一項に記載の積層物品。
10.  前記物品が透明であることを特徴とする上記５〜９のいずれか一項に記載の積層物品。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月19日(2009.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリラクチドをベースとする複合材料を含む成形容器であって、前記ポリラクチドをベースとする複合材料は、
ポリラクチドをベースとするポリマーマトリックスであって、任意選択的に前記マトリックスがポリマーブレンド及び／又はポリラクチドコポリマーを含み、
強化繊維であって、前記繊維は任意選択的に亜麻繊維、ケナフ繊維、および綿繊維を含む群から選択される再生可能な天然資源に由来する強化繊維と、
要素が前記容器の壁を横断して前記容器の内部へ通過するのを少なくとも部分的に防止する阻害剤であって、再生可能な資源に由来する阻害剤と
を含む、成形容器。
【請求項２】
前記成形容器が、射出成形容器又はブロー成形容器であり、任意選択的に前記容器が完全に生分解性である、請求項１に記載の成形容器。
【請求項３】
前記ポリラクチドをベースとする複合材料が、前記強化繊維を前記複合材料の約５重量％未満の量で含む、請求項１又は２に記載の成形容器。
【請求項４】
前記阻害剤が、以下の特徴：
（ｉ）前記阻害剤が、天然抗酸化物質であり、任意選択的にターメリックであり、
（ｉｉ）前記阻害剤が、抗菌剤もしくは抗真菌剤であり、
（ｉｉｉ）前記阻害剤が、前記容器内に保持される物質の保管寿命１ヶ月当たり容器容量１ｍＬ当たり約１〜約１００μｇの量で存在し、及び／又は
（ｉｖ）前記阻害剤が、前記壁を横断する紫外線スペクトル内の電磁放射線の量を制限する
のうち１つ以上を含む、請求項１〜３のいずれかに記載の成形容器。
【請求項５】
前記容器が、積層体構造の多層壁を含み、前記ポリラクチドをベースとする複合材料が前記積層体の少なくとも１つの層を形成する、請求項１〜４のいずれかに記載の成形容器。
【請求項６】
農産物のための包装用織物であって、前記包装用織物はポリラクチドをベースとする複合材料から形成された複数の糸を含み、前記ポリラクチドをベースとする複合材料はポリラクチドポリマーマトリックスおよび農産物に由来する強化繊維を含む、包装用織物。
【請求項７】
前記織物が織布であるか、かつ／もしくは、前記織物が前記ポリラクチドをベースとする複合材料から形成された糸を含む、請求項６に記載の織物。
【請求項８】
前記農産物が、綿である、請求項６又は７に記載の包装用織物。
【請求項９】
前記ポリラクチドをベースとする複合材料が、阻害剤をさらに含み、前記阻害剤は前記包装用織物の第１側から前記包装用織物の第２側へ、要素が通過するのを少なくとも部分的に防止し、前記阻害剤は再生可能な資源に由来する、請求項６〜８のいずれかに記載の包装用織物。
【請求項１０】
前記包装用織物が、完全に生分解性である、請求項６〜９のいずれかに記載の包装用織物。
【請求項１１】
成形容器を形成するための方法であって、
約５０ｐｐｍ未満の水分含量を有するポリラクチドをベースとするポリマー樹脂を提供する工程と、
前記ポリラクチドをベースとするポリマーを複数の強化繊維と混合する工程であって、前記強化繊維が任意選択的に亜麻繊維、ケナフ繊維、および綿繊維を含む群から選択される再生可能な天然資源に由来し、前記強化繊維が前記ポリラクチドをベースとするポリマーの約５重量％未満の量で前記ポリラクチドをベースとするポリマー樹脂と混合され、前記繊維が再生可能な資源に由来する、混合する工程と、
前記ポリラクチドをベースとするポリマー樹脂を阻害剤と混合する工程であって、前記阻害剤が再生可能な資源に由来する、混合する工程と、
構造体を形成するために前記ポリラクチドをベースとするポリマー樹脂と、前記強化繊維と、および前記阻害剤とを含む混合物を成形する工程であって、前記阻害剤は要素が前記構造体を横断して通過するのを少なくとも部分的に防止する、成形する工程とを含む、方法。
【請求項１２】
前記ポリラクチドをベースとするポリマー樹脂が、ポリマーブレンドを含むか、前記強化繊維および前記阻害剤と混合された溶融液であるか、又は、前記強化繊維および前記阻害剤と混合された溶液である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記構造体が、射出成形される、又は、射出ブロー成形される、請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記阻害剤が、以下の特徴：
（ｉ）前記阻害剤が、天然抗酸化物質であり、任意選択的にターメリックであり、
（ｉｉ）前記阻害剤が、抗菌剤もしくは抗真菌剤であり、及び／又は
（ｉｉｉ）前記阻害剤が、前記構造体を横断する紫外線スペクトルの電磁放射線の通過を防止する
のうち１つ以上を含む、請求項１１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記構造体は容器である、請求項１１〜１４のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月24日(2009.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
９００ＭＰａ以上の引張強度、鋼板長手方向で０．８５以下の低降伏比、及び鋼板板幅方向で−４０℃でのシャルピー衝撃試験の値が１２０Ｊ以上の靭性を有する高強度二相鋼であって、質量％で、
炭素：０．０３％〜０．１２％、
ニッケル：０．１％〜１．０％未満、
ニオブ：０．００５％〜０．０５％、
チタン：０．００５％〜０．０３％、
モリブデン：０．１％〜０．６％、及び
マンガン：０．５％〜２．５％、
を含み、残部鉄及び不可避的不純物からなり、かつ平均結晶粒サイズが５μｍ未満の細粒フェライトからなる１０〜６０体積％の第１相と、細粒マルテンサイト、細粒下部ベイナイト、細粒粒状ベイナイト、細粒擬似上部ベイナイト、又はそれらの混合組織からなる４０〜９０体積％の第２相、からなることを特徴とする高強度二相鋼。
【請求項２】
さらに、銅：１．０質量％以下を含むことを特徴とする請求項１に記載の高強度二相鋼。
【請求項３】
さらに、クロム：１．０質量％以下を含むことを特徴とする請求項１に記載の高強度二相鋼。
【請求項４】
さらに、カルシウム：０．０１質量％以下を含むことを特徴とする請求項１に記載の高強度二相鋼。
【請求項５】
前記第１相が５０体積％未満の加工フェライト組織を含むことを特徴とする請求項１〜４の何れかの項に記載の高強度二相鋼。
【請求項６】
前記二相鋼が１０〜２５ｍｍの厚みを有する厚板であることを特徴とする請求項１〜５の何れかの項に記載の高強度二相鋼。
【請求項７】
さらに、質量％で、バナジウム：０．１％以下、ホウ素：０．００２％以下、クロム：１．０％以下、マグネシウム：０．００６％以下、窒素：０．０１０％以下、ケイ素：０．５％以下、銅：１．０％以下、アルミニウム：０．０６％以下、リン：０．０１５％以下、および硫黄：０．００４％以下の１種または２種以上を含むことを特徴とする請求項１記載の高強度二相鋼。
【請求項８】
９００ＭＰａ以上の引張強度、鋼板長手方向で０．８５以下の低降伏比、及び鋼板板幅方向で−４０℃でのシャルピー衝撃試験の値が１２０Ｊ以上の靭性を有する高強度二相鋼板の製造方法であって、
オーステナイト相からなる鋼スラブとするために１０００〜１２５０℃の温度範囲で再加熱する工程、
前記オーステナイト相を再結晶化するに充分な第１の温度範囲で単数又は複数回のパスで熱間圧延する工程；
前記第１の温度より低い第２の温度範囲で、オーステナイト相の未再結晶温度域のＡｒ3変態点温度より高い温度域で一回又は複数回のパスで熱間圧延する工程；
前記第２の温度域から５００℃以上の温度まで周囲空気中で鋼板を冷却する工程；及び
予め選択された焼入れ停止温度まで１０℃／秒（１８°Ｆ／秒）以上の冷却速度で鋼板を焼入れする工程、から成ることを特徴とする高強度二相鋼板の製造方法。
【請求項９】
前記周囲空気中での冷却工程において焼入れするに先立ち、鋼板を５００〜６５０℃の間の温度まで冷却することを特徴とする請求項８に記載の高強度二相鋼板の製造方法。
【請求項１０】
前記鋼板の平均結晶粒サイズが５μｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載の高強度二相鋼板の製造方法。
【請求項１１】
前記鋼板の旧オーステナイト結晶粒サイズが１０μｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載の高強度二相鋼板の製造方法。
【請求項１２】
予め選択された焼入れ停止温度が４００℃と室温の間にあることを特徴とする請求項８に記載の高強度二相鋼板の製造方法。
【請求項１３】
予め選択された焼入れ停止温度が２００〜４００℃の間にあることを特徴とする請求項８に記載の高強度二相鋼板の製造方法。
【請求項１４】
オーステナイト相からなる鋼スラブとするために１０００〜１２５０℃の温度範囲で再加熱する工程；
前記オーステナイト相を再結晶化するに充分な第１の温度で一回又は複数回のパスで鋼スラブを熱間圧延する工程；
前記第１の温度より低い第２の温度範囲で、オーステナイト相の未再結晶温度域のＡｒ3変態点温度より高い温度域で一回又は複数回のパスで鋼板を熱間圧延する工程；
Ａｒ3変態温度とＡｒ1変態温度の間の第３の温度範囲で一回又は複数回のパスで鋼板を熱間圧延する工程；及び
予め選択された焼入れ停止温度まで１０℃／秒（１８°Ｆ／秒）以上の冷却速度で鋼板を焼入れする工程、からなる方法で製造され、該鋼板が細粒フェライトを含み１０〜６０体積％の第１相と、細粒マルテンサイト、細粒下部ベイナイト、細粒粒状ベイナイト、細粒擬似上部ベイナイト、又はそれらの混合組織からなる１０〜９０体積％の第２相を含み、９００ＭＰａ以上の引張強度、鋼板長手方向で０．８５以下の低降伏比、及び鋼板板幅方向で−４０℃でのシャルピー衝撃試験の値が１２０Ｊ以上の靭性を有することを特徴とする高強度二相鋼板の製造方法。
【請求項１５】
予め選択された焼入れ停止温度が４００℃と室温の間にあることを特徴とする請求項１４に記載の高強度二相鋼板の製造方法。
【請求項１６】
予め選択された焼入れ停止温度まで焼入れするに先立ち、熱間圧延工程後に５００℃以上の温度まで周囲空気中で鋼板を冷却する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の高強度二相鋼板の製造方法。
【請求項１７】
周囲空気中での冷却工程において、鋼板を予め選択された焼入れ停止温度まで焼入れするのに先立ち、５００〜６５０℃の間の温度まで冷却することを特徴とする請求項１６に記載の高強度二相鋼板の製造方法。
【請求項１８】
前記鋼板が５μｍ以下のフェライト平均結晶粒及び１０μｍ以下の旧オーステナイト結晶粒を含むことを特徴とする請求項１４に記載の高強度二相鋼板の製造方法。
【請求項１９】
前記鋼板をパイプに成形する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の高強度二相鋼板の製造方法。
【請求項２０】
ＵＯＥ成形法を用いて前記鋼板をラインパイプに成形する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の高強度二相鋼板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月18日(2009.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気化ゾーンを有する蒸着チェンバーの中に材料を供給してその材料を気化させて層を形成するためのカートリッジであって、
（a）材料の汚染を防ぐために制御された環境下で材料を受け取るキャビティを規定するカートリッジと；
（b）そのキャビティから材料を送り出し、送り出されたその材料を供給路に沿って気化ゾーンまで移動させる手段と；
（c）上記カートリッジを上記蒸着チェンバーに取外し可能に固定する手段とを備えるカートリッジ。
【請求項２】
上記カートリッジの中で材料を流動化する手段をさらに備える、請求項１に記載のカートリッジ。
【請求項３】
上記カートリッジが上記供給路を備える、請求項１に記載のカートリッジ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月19日(2009.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性のラキニモドナトリウム粒子の混合物であって、
i)  10%以上の総体積量のラキニモドナトリウム粒子が40ミクロンをこえるサイズを有している、
ii)  少なくとも0.6 g/mlのタップ密度を有している、または
iii)  ラキニモドナトリウムの総量に基づいて計算される２ ppm以下の重金属を有している混合物。
【請求項２】
請求項1に記載の混合物であって、50%以上の総体積量のラキニモドナトリウム粒子は、15ミクロンをこえるサイズを有する混合物。 
【請求項３】
少なくとも 0.4 g/mLの容積密度を有している請求項1〜2の何れか１項に記載の混合物。
【請求項４】
0.8 g/mL未満のタップ密度を有している請求項1〜3の何れか１項に記載の混合物。
【請求項５】
ラキニモドナトリウムおよび組成物中のラキニモドナトリウムの総量に基づいて計算される2 ppm以下の重金属、および薬学的に許容される担体を含んでいる組成物。
【請求項６】
前記重金属が鉄, ニッケル またはクロムである、請求項1〜4の何れか一項に記載の混合物または請求項5に記載の組成物。
【請求項７】
請求項1〜4の何れか１項に記載の混合物と薬学的に許容される担体とを含んでいる薬学的組成物。
【請求項８】
錠剤またはカプセル剤の形態の請求項7に記載の薬学的組成物または請求項5または6に記載の組成物。
【請求項９】
ラキニモドナトリウムの再結晶化の方法であって、以下を備える方法：
a)  ラキニモドナトリウムを水に溶解して水溶液を形成することと；
b)  前記水溶液を濾過して固形の不純物を除去することと；
c)  前記水溶液を濃縮して濃縮溶液を形成することと；
d)  水混和性の貧溶媒を前記濃縮溶液に添加してラキニモドナトリウム結晶を形成することと；
e)  前記ラキニモドナトリウム結晶を単離すること。
【請求項１０】
請求項9に記載の方法であって、
i)  工程a)は、前記水溶液を40〜80℃の温度に加温することで行われる、または
ii)  工程c)に続いて溶液が10°C未満の温度まで冷却される、または
iii)  工程b)に続いて濃縮溶液がラキニモドナトリウムでシーディングされる、または
i, ii, およびiiiの任意を組み合わせる方法。
【請求項１１】
請求項9〜10の何れか１項に記載の方法であって、前記濃縮溶液は、ラキニモドナトリウムのグラムあたり1〜4ミリリットル、好ましくは1〜2ミリリットルの水を含む方法。
【請求項１２】
請求項9〜11の何れか１項に記載の方法であって、前記貧溶媒は、エタノール, イソプロパノール, およびアセトンからなる群の一つであるか又は二つ以上の混合物である方法。
【請求項１３】
請求項9〜11の何れか１項に記載の方法であって、前記貧溶媒は、ラキニモドナトリウムのグラムあたり3および15ミリリットルの間の量で添加される方法。
【請求項１４】
請求項9〜13の何れか１項に記載の方法によって調製されたラキニモドナトリウム。
【請求項１５】
請求項7または8に記載の薬学的組成物を作出するための方法であって、以下を備える方法：
a)  ラキニモドナトリウムのバッチを取得することと；
b)  不溶物が工程a)のバッチに存在するかどうかを、前記バッチからのサンプルを脱イオン水中、室温で少なくとも110 mgのサンプルに対し1.0 mlの水の比で混合して決定すること、及び生じた混合物を不溶物の存在に関して検査することと；
c)  工程b)において不溶物がラキニモド製剤の安定性に有害な効果を生じることが判明している規定量未満で存在すると決定された場合、工程a)のバッチを少なくとも一つの薬学的に許容される担体と混合すること。
【請求項１６】
請求項15に記載の方法であって、工程b)の混合物における不溶物が規定量未満で存在しないと決定された場合、前記方法は更に以下を備える方法：
d)  工程a)のバッチを水に溶解して水溶液を形成することと；
e)  工程d)の水溶液を濾過して不溶物の量を規定量未満に減少させることと；
f)  工程e)の水溶液を濃縮して濃縮溶液を形成することと；
g)  水混和性の貧溶媒を工程f)の濃縮溶液に添加してラキニモドナトリウム結晶を形成することと；
h)  工程g)のラキニモドナトリウム結晶を単離すること。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月30日(2009.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
色域内において光を放射できる可変色照明システムの色出力を制御するための方法であって、
目標色の要求を受けるステップと、
前記目標色を、照明システムの制御パラメータの設定に変換するステップと、
前記照明システムの制御パラメータの設定を適用して、それにより、前記照明システムにおける色出力を制御するステップとを備え、
前記変換するステップが、
前記目標色に対応する、照明システムの制御パラメータの目標設定を決定するステップと、
照明システムの制御パラメータにおける前記目標設定を、許容可能な制御パラメータの範囲に対して評価して、それにより、前記目標色が前記色域の外部にあるか否かを決定するステップと、を備え、
前記目標色が前記色域の外部にあるとき、制御パラメータの近似設定を決定し、前記近似設定は、前記色域内における出力色に対応し、前記出力色は、前記目標色の近似になっている、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
近似設定を決定する前記ステップが、
前記色域内の色に対応する照明システムの制御パラメータにおける修正設定を選択するステップと、
前記目標設定を、修正係数が乗算された前記修正設定と組み合わせ、前記近似設定を形成するステップと、
を備えている請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記近似設定（ＤA）は、以下の式に従って形成され、
ＤA ＝ ＤT ＋ ａ*ＤC
ここで、ＤAは近似設定、ＤTは目標設定、ＤCは修正設定、及び、ａは修正係数である、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記制御パラメータのそれぞれの設定は、前記照明システムに備えられた少なくとも３つの光源における動作周期の設定に対応している、
先行するいずれかの請求項に記載の方法。
【請求項５】
前記色域の外部にある目標色は、負の値を有する前記目標設定に含まれている少なくとも一の前記動作周期によって指示される、
請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記修正係数は、前記近似設定に含まれるすべての動作周期がゼロ以上になるように決定される、
請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】
前記修正設定は、黒体曲線上の白色点に対応している、
請求項２乃至６に記載の方法。
【請求項８】
前記修正設定は、単位ベクトルである、
請求項２乃至６に記載の方法。
【請求項９】
さらに、少なくとも一つの第２の照明システムに、色域外警告を伝達する、
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
さらに、前記少なくとも第２の照明システムに、前記出力色を指示する色座標を伝達する、
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも２つの照明装置を備えた可変色照明システムの色出力を制御するための制御装置であって、
目標色の要求を受け、
前記目標色を、照明システムの制御パラメータの設定に変換し、
照明システムの制御パラメータの前記設定を、前記照明装置に適用して、それにより、前記照明システムの色出力を制御するように構成されている制御装置において、
前記目標色に対応する、照明システムの制御パラメータの目標設定を決定し、
照明システムの制御パラメータにおける前記目標設定を、許容可能な制御パラメータの範囲に対して評価して、それにより、前記目標色が前記色域の外部にあるか否かを決定するステップと、を備え、
前記目標色が前記色域の外部にあるとき、制御パラメータの近似設定を決定し、前記近似設定は、前記色域内における出力色に対応し、前記出力色は、前記目標色の近似になっている、
ことを特徴とする制御装置。
【請求項１２】
前記制御装置が、さらに、
前記色域内の色に対応する、照明システムの制御パラメータにおける修正設定を選択し、
前記目標設定を、修正係数が乗算された、前記修正設定と結合させて、前記近似設定を形成するように構成されている、
請求項１１に記載の制御装置。
【請求項１３】
制御装置は、以下の式に従って前記近似設定（ＤA）を形成するように構成され、
ＤA ＝ ＤT ＋ ａ*ＤC
ここで、ＤAは近似設定、ＤTは目標設定、ＤCは修正設定、及び、ａは修正係数である、
請求項１２に記載の制御装置。
【請求項１４】
制御装置がさらに、少なくとも一つの第２の照明システムに、色域外警告を伝達するように構成されている、
請求項１１乃至１３に記載の制御装置。
【請求項１５】
制御装置はさらに、前記少なくとも第２の照明システムに、前記出力色を指示する色座標を伝達するように構成されている、
請求項１４に記載の制御装置。
【請求項１６】
色域内の光を放射できる可変色照明システムであって、このシステムが、
少なくとも２つの照明装置であって、それぞれ原色の光を制御可能に放射するように構成される照明装置と、
請求項１１乃至１５に従った制御装置と、
を備えている可変色照明システム。
【請求項１７】
照明ネットワークであって、請求項１６に従った複数の可変色照明システムを備え、前記可変色照明システムは、前記照明ネットワークを介して通信するように構成されている、
ことを特徴とする照明ネットワーク。
【請求項１８】
コンピュータプログラムモジュールであって、請求項１に記載のステップを実行するために、可変色照明システムにおける制御装置で走らせるように構成されている、
ことを特徴とするコンピュータプログラムモジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月30日(2009.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の連続した工程：
（ａ）結晶シリコンを含む未コンディショニングのアノード、カソード及び電解質を含む電気化学セルを用意する工程、
（ｂ）シリコンアノードが、結晶シリコンのリチウム化電位より小さい電圧に到達するように電気化学セルを充電する工程、
（ｃ）電気化学セルを少なくとも部分的に放電する工程、
（ｄ）工程（ｂ）及び（ｃ）を少なくとも１回は繰り返す工程、そして
（ｅ）コンディショニング済みアノードの電位を、結晶シリコンのリチウム化電位より上に維持するように電気化学セルを稼動する工程、
を含む、電気化学セルの使用方法。
【請求項２】
下記の連続した工程：
（ａ）電気化学セルを用意する工程であって、該電気化学セルが、
結晶シリコンを含むアノードであって、
（ｉ）前記シリコンアノードの電圧が前記結晶シリコンのリチウム化電位未満にまで到達するように前記シリコンアノードをコンディショニングすることと、
（ｉｉ）前記電気化学セルを少なくとも部分的に放電することと、
（ｉｉｉ）工程（ｉ）及び（ｉｉ）を少なくとも１回繰り返すこと、とから成る連続した工程を含む方法により調製した、コンディショニング済みアノードと、
カソードと、
電解質とを含む電気化学セルを用意する工程、そして
（ｂ）コンディショニング済みアノードの電位を、結晶シリコンのリチウム化電位より上に維持するように電気化学セルを稼動する工程、
を含む、電気化学セルの使用方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月9日(2009.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サブストレートと、
前記サブストレートの上を覆っている光熱変換層であって、結像放射線吸収剤物質と、硬化波長の放射線の照射によって硬化可能な放射線硬化型物質を含む光熱変換層と
を含む熱転写素子であって、
前記結像放射線吸収剤物質が、前記硬化波長において放射線吸収度が実質的に上昇しない熱転写素子。
【請求項２】
サブストレートと、前記サブストレートの上を覆っているとともに、像感光物質と放射線硬化型物質から形成された光熱変換層とを含む熱転写素子を作製するための方法であって、
前記サブストレートの上に前記光熱変換層をコーティングする工程と、
前記結像放射線吸収剤物質が硬化波長において放射線吸収度を実質的に上昇しないで、前記放射線硬化型物質を放射線硬化させる工程を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月19日(2009.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線発生器であって、
アノード組立体を収容する真空チャンバと、
カソードを備えたトリガ組立体とを有し、
前記カソードが、前記アノードに対向する出口穴を備えた円錐形状ノズルを備えているＸ線発生器。
【請求項２】
前記トリガ組立体は、前記ノズルに対して絶縁された関係で取り付けられた環状のトリガ電極を備えている、請求項１に記載のＸ線発生器。
【請求項３】
前記トリガ電極に対して離間され絶縁された関係で取付けられた円錐部材を更に有し、前記前記円錐部材と前記トリガ電極との間にプラズマチャンバを画定した、請求項２に記載のＸ線発生器。
【請求項４】
前記カソードは、前記出口穴と前記プラズマチャンバとの間に延在する少なくとも１個の追加の穴を備えている、請求項３に記載のＸ線発生器。
【請求項５】
前記プラズマチャンバは略円錐形である、請求項４に記載のＸ線発生器。
【請求項６】
前記出口穴は、前記円錐部材内の空間と連通している、請求項５に記載のＸ線発生器。
【請求項７】
前記アノードをトリガ組立体の前記カソードに対して回転し、Ｘ線発生器の動作中にアノードの異なる部分をカソードに晒す駆動装置を更に有し、前記駆動装置は、前記アノードのための液体クーラントの供給源を備え、前記アノードは、前記カソードと対向する縁において終わる互いに接近する外側壁を備え、前記アノードは、前記外側壁に対して平行で離間した関係で延在するクーラント穴を備えている、請求項６に記載のＸ線発生器。
【請求項８】
前記アノードは略円盤状で、前記縁が前記カソードと対向している、請求項７に記載のＸ線発生器。
【請求項９】
前記アノード組立体は、前記アノードの両側を密閉可能に取り囲んで内部空間を画定する一対のカップ形状のエンドプレートを備えている、請求項８に記載のＸ線発生器。
【請求項１０】
前記穴は、前記外側壁の領域において前記アノードの一方の側から前記アノードを貫通して反対側に延在しており、前記外側壁を通して冷却流体が流れること可能にする、請求項９に記載のＸ線発生器。
【請求項１１】
軟Ｘ線発生器であって、
アノードを備えたアノード組立体、及びこのアノード組立体と離間して取付けられカソードを備えたトリガ組立体を収容するチャンバと、
前記アノードを前記カソードに対して回転し、Ｘ線発生器の動作中にアノードの異なる部分をカソードに晒す駆動装置とを有し、
前記駆動装置は、前記アノードのための液体クーラントの供給源を備え、前記アノードは、前記カソードと対向する縁において終わる互いに接近する外側壁と、前記外側壁に対して平行で離間した関係で延在する収束するクーラント穴を備えている、軟Ｘ線発生器。
【請求項１２】
前記アノードは略円盤状で、前記縁が前記カソードと対向している、請求項１１に記載の軟Ｘ線発生器。
【請求項１３】
前記アノード組立体は、前記アノードの両側を密閉可能に取り囲んで内部空間を画定する一対のカップ形状のエンドプレートを備えている、請求項１２に記載の軟Ｘ線発生器。
【請求項１４】
前記穴は、前記外側縁の領域において前記アノードの一方の側から前記アノードを貫通して反対側に延在しており、前記縁に隣接する前記外側壁を通して冷却流体が流れること可能にする、請求項１３に記載の軟Ｘ線発生器。
【請求項１５】
軟Ｘ線発生器であって、
アノードを備えたアノード組立体を収容する真空チャンバと、
前記チャンバ内において前記アノード組立体と離間して取付けられると共にカソードを備えたトリガ組立体と、
前記アノードを前記トリガ組立体の前記カソードに対して回転し、Ｘ線発生器の動作中に前記アノードの異なる部分を前記カソードに晒す駆動装置を有し、
前記トリガ組立体は、前記カソードに結合された細い先端を有する円錐形状の部材を備えている、軟Ｘ線発生器。
【請求項１６】
前記トリガ組立体は、前記円錐形状部材を取り囲むと共にこれから離間された環状トリガ電極を備えている、請求項１５に記載の軟Ｘ線発生器。
【請求項１７】
前記円錐形状部材の外部と前記トリガ電極の内部との間の空間がプラズマ形成チャンバを画定する、請求項１６に記載の軟Ｘ線発生器。
【請求項１８】
前記カソードは、前記アノードに対向する出口穴を有する円錐形状のノズルを備えている、請求項１７に記載の軟Ｘ線発生器。
【請求項１９】
前記カソードは、前記出口穴を前記チャンバに接続する少なくとも１個の穴を備えている、請求項１８に記載の軟Ｘ線発生器。
【請求項２０】
軟Ｘ線発生器のためのパルス化電源であって、
第１及び第２の共振コンデンサ充電ステージと、
前記第１のステージと前記第２のステージとの間に接続された昇圧変圧器とを有するパルス化電源。
【請求項２１】
第１のコンデンサを所定の周波数で充電及び放電するために前記第１の共振充電ステージに接続されたコントローラを更に有する、請求項２０に記載のパルス化電源。
【請求項２２】
前記第２の共振コンデンサ充電ステージは、前記チャンバ内に配置された少なくとも１個のコンデンサを備えている、請求項２１に記載のパルス化電源。
【請求項２３】
軟Ｘ線発生器であって、
導電性材料製の真空チャンバと、
前記チャンバに電気的に接続されたアノードを備えたアノード組立体と、
前記アノード組立体に対して絶縁され離間された関係で前記真空チャンバに取付けられカソードを備えたトリガ組立体と、
前記アノードと前記カソードとの間に接続された放電コンデンサと、
前記アノードを支持するために前記チャンバ、前記放電コンデンサの片側のプレート、及び前記アノードに電気的に接続された取付け板とを有する軟Ｘ線発生器。
【請求項２４】
前記アノードをトリガ組立体の前記カソードに対して回転し、Ｘ線発生器の動作中にアノードの異なる部分をカソードに晒す駆動装置を更に有する、請求項２３に記載の軟Ｘ線発生器。
【請求項２５】
前記アノードは、前記取付け板に向かって延在する軸を備え、前記取付け板は、前記アノードを回転可能に支持する軸受けを備えている、請求項２４に記載の軟Ｘ線発生器。
【請求項２６】
前記アノード組立体は、前記アノードの両側を密閉可能に取り囲んで内部空間を画定する一対のカップ形状のエンドプレートを備えている、請求項２５に記載の軟Ｘ線発生器。
【請求項２７】
前記アノード組立体の前記内部空間に接続された冷却流体源を有し、前記冷却流体源は、前記アノードを回転するために前記アノード組立体に接続された中空の駆動軸を備えると共に、冷却流体が前記内部空間へ流入すると共にこれから排出されることを可能にするために、クーラント流体を前記内部空間に供給するための内側クーラント供給導管と、前記内部空間からのクーラントの排出のための環状の通路を提供する前記内側クーラント供給導管と駆動軸との間の同心導管とを備えている、請求項１０、１４、又は２６に記載の軟Ｘ線発生器。
【請求項２８】
前記駆動軸を回転するための駆動モータを更に有し、前記駆動軸とクーラント供給導管は、前記駆動モータのロータを貫通して延び、回転型クーラント供給ユニオンに接続されている、請求項２７に記載の軟Ｘ線発生器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月28日(2009.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノスケールの触媒粒子を有する微細構造の支持ウィスカーを含むナノ構造エレメントを含む燃料電池用カソード触媒、前記触媒は、白金およびマンガン、ならびに白金およびマンガン以外のＶＩｂ族金属、ＶＩＩｂ族金属およびＶＩＩＩｂ族金属から成る群から選択される少なくとも１種の他の金属を含み、前記触媒中での白金の他の全ての金属の合計に対する体積比は約１〜約４であり、そしてＭｎ含有量は面密度で少なくとも約５μｇ／ｃｍ２である。
【請求項２】
ナノスケールの触媒粒子を有する微細構造の支持ウィスカーを含むナノ構造エレメントを含む燃料電池用カソード触媒、前記触媒は、白金およびマンガン、ならびに白金およびマンガン以外のＶＩｂ族金属、ＶＩＩｂ族金属およびＶＩＩＩｂ族金属から成る群から選択される少なくとも１種の他の金属を含み、白金対マンガン対前記少なくとも１種の他の金属の体積比は約６：１：１である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月2日(2009.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
初期設定の質量分析計設定パラメータベクトルと、最新の最適質量分析計設定パラメータベクトルとを評価するために質量分析測定を行うステップと、
前記質量分析測定の結果に従って、前記初期設定の質量分析計設定パラメータベクトルと、前記最新の最適質量分析計設定パラメータベクトルのうちの１つを、開始パラメータベクトルとして選択するステップと、
パラメータ空間において前記開始パラメータベクトルに近位の開始シンプレックスを構築するステップと、
更新された最適質量分析計設定パラメータベクトルを生成するために、前記開始シンプレックスを用いて、シンプレックスの最適化を行うステップとを含むことを特徴とする、質量分析方法。
【請求項２】
前記更新された最適質量分析計設定パラメータベクトルを用いて、サンプルの質量分析測定を行うステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の質量分析方法。
【請求項３】
前記最適質量分析計設定パラメータベクトルは、複数の質量分析計レンズ電圧を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の質量分析方法。
【請求項４】
前記最適質量分析計設定パラメータベクトルは、複数の質量分析器波形パラメータを含むことを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の質量分析方法。
【請求項５】
前記シンプレックスの最適化を行うステップは、進行中のシンプレックスの最良点のサブセットを定期的に再測定するステップを含むことを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の質量分析方法。
【請求項６】
前記シンプレックスの最適化を行うステップは、前記最良点のサブセットの元の測定結果と、前記最良点のサブセットの再測定結果とを平均化するステップを含むことを特徴とする、請求項５に記載の質量分析方法。
【請求項７】
前記シンプレックスの最適化を行うステップは、前記最良点のサブセットの元の測定結果を、前記最良点のサブセットの再測定結果に置換するステップを含むことを特徴とする、請求項５に記載の質量分析方法。
【請求項８】
前記最良点のサブセットはシンプレックスの最良点からなることを特徴とする、請求項５に記載の質量分析方法。
【請求項９】
前記シンプレックスの最適化を行うステップは、前記シンプレックスの最適化に使用するシンプレックスの大きさの収縮率を減少させることで、前記シンプレックスの最適化の収束速度を調整するステップを含むことを特徴とする、請求項１ないし８のいずれか１項に記載の質量分析方法。
【請求項１０】
質量分析計設定パラメータベクトル群を含むシンプレックスを進行させるステップと、
前記シンプレックスの最良点のサブセットを定期的に再測定するステップとを含むことを特徴とする、質量分析方法。
【請求項１１】
前記シンプレックスを進行させるステップは、前記最良点のサブセットの元の測定結果と、前記最良点のサブセットの再測定結果とを平均化するステップを含むことを特徴とする、請求項１０に記載の質量分析方法。
【請求項１２】
前記シンプレックスを進行させるステップは、前記最良点のサブセットの元の測定結果を、前記最良点のサブセットの再測定結果に置換するステップを含むことを特徴とする、請求項１０に記載の質量分析方法。
【請求項１３】
前記最良点のサブセットは、シンプレックスの最良点からなることを特徴とする、請求項１０に記載の質量分析方法。
【請求項１４】
前記シンプレックスを進行させて生成した最適な質量分析計設定パラメータベクトルを用いて、サンプルの質量分析測定を行うステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１０ないし１３のいずれか１項に記載の質量分析方法。
【請求項１５】
前記シンプレックスを進行させるステップは、前記シンプレックスの大きさのシンプレックス収縮率を減少させることで、収束速度を調整するステップを含むことを特徴とする、請求項１０ないし１４のいずれか１項に記載の質量分析方法。
【請求項１６】
前記質量分析計設定パラメータベクトルの各々は、複数の質量分析計レンズ電圧を含むことを特徴とする、請求項１０ないし１５のいずれか１項に記載の質量分析方法。
【請求項１７】
前記質量分析計設定パラメータベクトルの各々は、複数の質量分析器波形パラメータを含むことを特徴とする、請求項１０ないし１６のいずれか１項に記載の質量分析方法。
【請求項１８】
Ｎ＞１であるＮ次元パラメータ空間の標本分布を構築するステップであって、前記標本分布は、中心と前記中心の周辺に配置された複数の外点とを含み、前記複数の外点は、Ｎ個のパラメータ軸の各々に対して、前記中心の対辺に軸座標を有する少なくとも２個の点を含む、ステップと、
前記中心と、前記複数の外点の少なくとも１つのサブセットとから、Ｎ＋１個の点の実質的に非縮退であるサブセットを選択することにより、開始シンプレックスを構築するステップと、
最適な質量分析計設定パラメータベクトルを生成するために、前記開始シンプレックスを進行させるステップとを含むことを特徴とする、質量分析方法。
【請求項１９】
前記開始シンプレックスを構築するステップは、前記Ｎ＋１個の点の実質的に非縮退であるサブセットを、前記中心、最良の外点、および前記最良の外点の隣接点群から選択するステップを含むことを特徴とする、請求項１８に記載の質量分析方法。
【請求項２０】
前記標本分布は、Ｎ次元直平行六面体を含み、
前記最良の外点の前記隣接点群は、最良の角に隣接する角群を含むことを特徴とする、請求項１９に記載の質量分析方法。