【手続補正書】
【提出日】平成20年12月24日(2008.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク構造部寸法値を得るために、基板（１００）上の層（１１０）の上面に形成されたパターン形成マスク層（１１５）のマスク構造部（１４５）を測定する（２５０）ステップと、
前記マスク構造部寸法値と、マスク構造部寸法目標値（２５５）と、前記層をプラズマ・エッチングする（２７５）ためのプラズマ・エッチ・ツール（１８０）の１つ又は複数のプラズマ・エッチ・チャンバに生じた事象以降の、前記プラズマ・エッチ・ツールの選択された無線周波数電源投入時間の合計（２６０）と、前記層のプラズマ・エッチの間に前記マスク構造部によって保護されていない前記層から形成されることになる層構造部についてのエッチ・バイアス目標とに基づいて、前記パターン形成マスク層のためのマスク・トリム・プラズマ・エッチ時間を計算する（２６５）ステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記マスク・トリム・プラズマ・エッチ時間にわたって前記パターン形成マスク層のマスク・トリム・プラズマ・エッチを実行する（２７０）ステップと、
前記マスク・トリム・プラズマ・エッチを実行する前記ステップの後で、前記層の前記プラズマ・エッチングを実行する（２７５）ステップと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記マスク・トリム・プラズマ・エッチ時間を計算する（２６５）前記ステップは、１つ又は複数の基板のロットにおける第１の基板（１００）に対して実行され、前記１つ又は複数の基板のロットの全ての基板が、前記マスク・トリム・プラズマ・エッチ時間にわたってマスク・トリム・プラズマ・エッチングされ（２７０）、同じ層プラズマ・エッチ時間にわたって層プラズマ・エッチングされる（２７５）、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記マスク・トリム・プラズマ・エッチ時間を計算する（２６５）前記ステップは、基板の各々について固有のマスク・トリム・プラズマ・エッチ時間を生成するために、１つ又は複数の基板のロットにおける各々の基板（１００）に対して実行され、前記１つ又は複数の基板のロットの各々の基板が、対応する固有のマスク・トリム・プラズマ・エッチ時間にわたってマスク・トリム・プラズマ・エッチングされ（２７０）、同じ層プラズマ・エッチ時間にわたって層プラズマ・エッチングされる（２７５）、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記事象は、前記プラズマ・エッチ・ツール（１８０）の前記プラズマ・エッチ・チャンバのクリーニング、又は、クリーニング及びシーズニングの両方であり、前記選択された無線周波数電源投入時間の合計は、前記事象の各々の後でゼロにリセットされる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記選択された無線周波数電源投入時間（２６０）は、層プラズマ・エッチ・プロセス（２７５）の全ての無線周波数電源投入時間、又は、層プラズマ・エッチ・プロセスの全ての無線周波数電源投入時間とマスク・トリム・プラズマ・エッチ・プロセス（２７０）の全ての無線周波数電源投入時間との両方を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記層構造部（１５０）についての前記エッチ・バイアス目標は、適用されたマスク・トリム・プラズマ・エッチ時間と結果として生じるエッチ・バイアスの測定値との間の経験的に求められた関係に基づくものである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記マスク・トリム・プラズマ・エッチ時間は、経験的関係
【数１】
2008541445.tif 000001
によって計算され（２６５）、
ここで、
ＷＴ１＝前記マスク構造部寸法目標値、単位はミクロン、
ＴＴＲＩＭ＝ＷＴ１の値に基づく範囲にわたる前記マスク・トリム・プラズマ・エッチ時間、単位は秒、
ＴＢＩＡＳ＝ＷＴ１の前記値に基づく範囲にわたる前記エッチ・バイアス目標、単位は秒、
Ｗ１＝ＷＴ１の前記値に基づく範囲にわたる前記マスク構造部寸法値、単位はミクロン、
ＴＲＦ＝ＷＴ１の前記値に基づく範囲にわたる、最後のクリーニング及びシーズニング以降の前記選択された無線周波数電源投入時間の合計、単位は時、
であり、Ｃ１及びＣ２が、ＷＴ１の値に基づいて経験的に求められる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記マスク・トリム・プラズマ・エッチ時間は、経験的関係
【数２】
2008541445.tif 000002
によって計算され（２６５）、
ここで、
ＴＴＲＩＭ＝約２２秒から約３５秒までの範囲にわたる前記マスク・トリム・プラズマ・エッチ時間、単位は秒、
ＴＢＩＡＳ＝約１８秒から約２７秒までの範囲にわたる前記エッチ・バイアス目標、単位は秒、
Ｗ１＝ミクロン単位の前記マスク構造部寸法値であって、Ｃ１＝１及びＣ２＝１のときには約０．１１２ミクロンから約０．１１８ミクロンまでの範囲にわたるマスク構造部寸法値であり、Ｃ１＝０．１及びＣ２＝１．５のときには約０．０８２ミクロンから約０．０８８ミクロンまでの範囲にわたるマスク構造部寸法値である、
ＷＴ１＝前記マスク構造部寸法目標値であって、Ｃ１＝１及びＣ２＝１のときには約０．１１５ミクロンであり、Ｃ１＝０．１及びＣ２＝１．５のときには約０．０８５ミクロンである、
ＴＲＦ＝約４時間から約４５０時間の範囲にわたる、最後のクリーニング及びシーズニング以降の前記選択された無線周波数電源投入時間の合計、単位は時、
である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
マイクロプロセッサ（２０６）と、前記プロセッサと通信するように結合されたメモリ・ユニット（２０７）とを含むプロセス制御システムであって、前記メモリ・ユニットは、実行されたときにプラズマ・エッチ・プロセスを制御するための方法を実施する命令を格納しており、前記方法は、
基板（１００）上の層（１１０）の上面に形成されたパターン形成マスク層（１１５）のマスク構造部（１４５）のマスク構造部寸法値を求め（２５０）、
前記マスク構造部寸法値と、マスク構造部寸法目標値（２５５）と、前記層をプラズマ・エッチングするためのプラズマ・エッチ・ツール（１８０）の１つ又は複数のプラズマ・エッチ・チャンバに生じた事象以降の、前記プラズマ・エッチ・ツールの選択された無線周波数電源投入時間の合計と、前記層のプラズマ・エッチの間に前記マスク構造部によって保護されていない前記層から形成されることになる層構造部（１５０）についてのエッチ・バイアス目標とに基づいて、前記パターン形成マスク層のためのマスク・トリム・プラズマ・エッチ時間を計算する（２６５）、
マイクロプロセッサによって実施されるステップを含む、プロセス制御システム。
【請求項１１】
前記マスク・トリム・プラズマ・エッチ時間にわたって前記パターン形成マスク層（１１５）のマスク・トリム・プラズマ・エッチ（２７０）を実行するように前記プラズマ・エッチ・ツール（１８０）に命令するステップと、
前記マスク・トリム・プラズマ・エッチの完了後に、前記層（１１０）の前記プラズマ・エッチ（２７５）を実行するように前記プラズマ・エッチ・ツールに命令するステップと、
をさらに含む、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記マスク・トリム・プラズマ・エッチ時間を計算する（２６５）前記ステップは、１つ又は複数の基板のロットにおける第１の基板（１００）に対して実行される、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記マスク・トリム・プラズマ・エッチ時間を計算する（２６５）前記ステップは、１つ又は複数の基板のロットにおける各々の基板（１００）に対して実行される、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１４】
前記事象は、前記プラズマ・エッチ・ツール（１８０）の前記プラズマ・エッチ・チャンバのクリーニング、又は、クリーニング及びシーズニングの両方である、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１５】
前記選択された無線周波数電源投入時間（２６０）は、層プラズマ・エッチ・プロセスの全ての無線周波数電源投入時間、又は、層プラズマ・エッチ・プロセスの全ての無線周波数電源投入時間とマスク・トリム・プラズマ・エッチ・プロセスの全ての無線周波数電源投入時間とを含む、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１６】
前記層構造部（１５０）についての前記エッチ・バイアス目標は、適用されたマスク・トリム・プラズマ・エッチ時間と結果として生じるエッチ・バイアスの測定値との間の経験的に求められた関係に基づくものである、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１７】
前記マスク・トリム・プラズマ・エッチ時間は、経験的関係
【数３】
2008541445.tif 000003
によって計算され（２６５）、
ここで、
ＷＴ１＝前記マスク構造部寸法目標値、単位はミクロン、
ＴＴＲＩＭ＝ＷＴ１の値に基づく範囲にわたる前記マスク・トリム・プラズマ・エッチ時間、単位は秒、
ＴＢＩＡＳ＝ＷＴ１の前記値に基づく範囲にわたる前記エッチ・バイアス目標、単位は秒、
Ｗ１＝ＷＴ１の前記値に基づく範囲にわたる前記マスク構造部寸法値、単位はミクロン、
ＴＲＦ＝ＷＴ１の前記値に基づく範囲にわたる、最後のクリーニング及びシーズニング以降の前記選択された無線周波数電源投入時間の合計、単位は時、
であり、Ｃ１及びＣ２が、ＷＴ１の値に基づいて経験的に求められる、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１８】
前記マスク・トリム・プラズマ・エッチ時間は、経験的関係
【数４】
2008541445.tif 000004
によって計算され（２６５）、
ここで、
ＴＴＲＩＭ＝約２２秒から約３５秒までの範囲にわたる前記マスク・トリム・プラズマ・エッチ時間、単位は秒、
ＴＢＩＡＳ＝約１８秒から約２７秒までの範囲にわたる前記エッチ・バイアス目標、単位は秒、
Ｗ１＝ミクロン単位の前記マスク構造部寸法値であって、Ｃ１＝１及びＣ２＝１のときには約０．１１２ミクロンから約０．１１８ミクロンまでの範囲にわたるマスク構造部寸法値であり、Ｃ１＝０．１及びＣ２＝１．５のときには約０．０８２ミクロンから約０．０８８ミクロンまでの範囲にわたるマスク構造部寸法値である、
ＷＴ１＝前記マスク構造部寸法目標値であって、Ｃ１＝１及びＣ２＝１のときには約０．１１５ミクロンであり、Ｃ１＝０．１及びＣ２＝１．５のときには約０．０８５ミクロンである、
ＴＲＦ＝約４時間から約４５０時間の範囲にわたる、最後のクリーニング及びシーズニング以降の前記選択された無線周波数電源投入時間の合計、単位は時、
である、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１９】
マスク・トリム・プラズマ・エッチ時間を生成する（２６５）ように適合され、フィード・フォワード・コントローラ（３０５）に連結されたマスク・トリム・エッチ時間アルゴリズム・ソルバ（３００）であって、前記フィード・フォワード・コントローラが前記マスク・トリム・プラズマ・エッチ時間をプラズマ・エッチ・ツール・プロセス・レシピに組み込むように適合された、マスク・トリム・エッチ時間アルゴリズム・ソルバ（３００）と、
プラズマ・エッチ・ツールの無線周波数電源投入時間を収集し、かつ、無線周波数電源投入時間の全合計を格納するように適合され、前記無線周波数電源投入時間の全合計を格納するように適合されたデータ記憶ユニットに連結された、無線周波数電源投入時間コレクタ（３１０）と、
前記データ記憶ユニットと前記マスク・トリム・エッチ時間アルゴリズム・ソルバとの間に連結され、前記無線周波数電源投入時間の全合計を前記マスク・トリム・エッチ時間アルゴリズム・ソルバに転送するように適合された、マスク・トリム・エッチ・アルゴリズム・アップデータ（３２０）と、
を含む、プロセス制御システム。
【請求項２０】
前記マスク・トリム・エッチ時間アルゴリズム・ソルバ（３００）に連結され、選別されたマスク構造部測定値の組を前記マスク・トリム・エッチ時間アルゴリズム・ソルバに転送するように適合された、異常値フィルタ（２９５）をさらに含む、請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】
前記異常値フィルタ（２９５）は、統計分析又は予めプログラムされた基準に基づいて、マスク構造部測定値の組から個々のマスク構造部測定値を除去する、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２２】
前記無線周波数電源投入時間の全合計は、層プラズマ・エッチ・プロセス（２７５）の全ての無線周波数電源投入時間、又は、特定の事象後に行われた層プラズマ・エッチ・プロセスの全ての無線周波数電源投入時間と、特定の事象後に行われたマスク・トリム・プラズマ・エッチ・プロセス（２７０）の全ての無線周波数電源投入時間との両方を含む、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２３】
前記特定の事象は、プラズマ・エッチ・ツール（１８０）のプラズマ・エッチ・チャンバのクリーニング、又は、クリーニング及びシーズニングの両方である、請求項２２に記載のシステム。