【手続補正書】
【提出日】平成21年3月27日(2009.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層成形製品であって、
（ｉ）（ａ）総二酸残基に基づき約７０〜約１００モルパーセントのテレフタル酸残基と；０〜約３０モルパーセントの、最大２０個の炭素原子を有する少なくとも１つの修飾芳香族ジカルボン酸残基と；０〜約１０モルパーセントの、最大１６個の炭素原子を有する少なくとも１つの修飾脂肪族ジカルボン酸残基とを含む二酸残基と；
（ｂ）総ジオール残基に基づき約１〜約９９モルパーセントの２,２,４,４−テトラメチル−１,３−シクロブタンジオール残基と；約１〜約９９モルパーセントの１,４−シクロヘキサンジメタノール残基とを含むジオール残基とを、含む少なくとも１つのポリエステルを含む第１層と；
（ii）少なくとも２つのポリアミドのアミド基転移均一配合物を含む第２層とを含んでなり、
ここで該第２層（ii）と該第１層（ｉ）は屈折率の差［ＲＩ（第２層）−ＲＩ（第１層）］が約０.００６〜約−０.０００６であり、該成形製品は透過パーセントが少なくとも７５％で曇り価が１０％又はそれ以下であることを特徴とする、上記成形製品。
【請求項２】
該第１及び該第２層の混合物を含むリグラインドをさらに含む、請求項１の成形製品。
【請求項３】
該第１及び該第２層は該リグラインドを含む、請求項２の成形製品。
【請求項４】
該リグラインドは、該製品の総重量に基づき、該製品の約５重量パーセント〜約６０重量パーセントである、請求項２の成形製品。
【請求項５】
該リグラインドは、該製品の総重量に基づき、該製品の約１０重量パーセント〜約４０重量パーセントである、請求項４の成形製品。
【請求項６】
該リグラインドは、該製品の総重量に基づき、該製品の約２０重量パーセント〜約３０重量パーセントである、請求項５の成形製品。
【請求項７】
層（ii）の該均一配合物は、該少なくとも２つのポリアミドをアミド基転移を引き起こすのに有効な温度で接触させることにより形成される、請求項１の成形製品。
【請求項８】
該温度は約２９０℃〜約３４０℃である、請求項７の成形製品。
【請求項９】
押出しにより形成される、請求項１の成形製品。
【請求項１０】
該接触は押出し機中である、請求項７の成形製品。
【請求項１１】
２〜７層を有する、請求項１の成形製品。
【請求項１２】
押出し、カレンダー加工、熱成形、吹込み成形、押出し吹込成形、射出成形、圧縮成形、鋳造、ドラフティング、幅出し、又は吹込みにより製造される、請求項１の成形製品。
【請求項１３】
シート、フィルム、チューブ、ビン、又は予備成形物である、請求項１２の成形製品。
【請求項１４】
ＡＢＡ、ＡＢＡＢＡ、ＡＢＣＢＡ、又はＡＣＢＣＡで示される層構造（ここで、Ａ層は該第１層（ｉ）を含み、Ｂ層は該第２層（ii）を含み、Ｃ層は、スクラップ第１及び第２層（ｉ）と（ii）、消費者使用後のリサイクルにより得られるポリエステルもしくはポリカーボネート、又はこれらの混合物を含む）を有する、請求項１１の成形製品。
【請求項１５】
該第２層（ii）と該第１層（ｉ）は、屈折率の差［ＲＩ（第２層）−ＲＩ（第１層）］が約０.００５〜約−０.０００６である、請求項１の成形製品。
【請求項１６】
該修飾芳香族ジカルボン酸は、４,４'−ビフェニルジカルボン酸、イソフタル酸、１,４−ナフタレンジカルボン酸、１,５−ナフタレンジカルボン酸、２,６−ナフタレンジカルボン酸、２,７−ナフタレンジカルボン酸、４,４'−オキシ安息香酸、及びトランス−４,４'−スチルベンジカルボン酸から選択され；該修飾脂肪族ジカルボン酸は、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、及びドデカン二酸から選択される、請求項１の成形製品。
【請求項１７】
該ジオール残基は、総ジオール残基に基づき約２５モルパーセント又はそれ以下の、エチレングリコール、１,２−プロパンジオール、１,３−プロパンジオール、１,４−ブタンジオール、１,５−ペンタンジオール、１,６−ヘキサンジオール、ｐ−キシレングリコール、ネオペンチルグリコール、ポリエチレングリコール、ジエチレングリコール、ポリテトラメチレングリコールから選択される少なくとも１つの修飾ジオールの残基をさらに含む、請求項１の成形製品。
【請求項１８】
該ポリエステルは、総二酸又はジオール残基に基づき約０.０１〜１モルパーセントの、トリメリト酸、無水トリメリト酸、及びピロメリト酸二無水物、グリセロール、ソルビトール、１,２,６−ヘキサントリオール、ペンタエリトリトール、酒石酸、クエン酸、トリメチロールエタン、及びトリメシン酸から選択される少なくとも１つの分岐物質の残基をさらに含む、請求項１の成形製品。
【請求項１９】
該ジオール残基は、約５〜約６０モルパーセントの２,２,４,４−テトラメチル−１,３−シクロブタンジオール残基と約４０〜約９５モルパーセントの１,４−シクロヘキサンジメタノール残基とを含む、請求項１の成形製品。
【請求項２０】
該ジオール残基は、約１５〜約４０モルパーセントの２,２,４,４−テトラメチル−１,３−シクロブタンジオール残基と約６０〜約８５モルパーセントの１,４−シクロヘキサンジメタノール残基とを含む、請求項１９の成形製品。
【請求項２１】
該ジオール残基は、約２０〜約３０モルパーセントの２,２,４,４−テトラメチル−１,３−シクロブタンジオール残基と約７０〜約８０モルパーセントの１,４−シクロヘキサンジメタノール残基とを含む、請求項２０の成形製品。
【請求項２２】
該二酸残基は、約１００モルパーセントのテレフタル酸を含む、請求項１の成形製品。
【請求項２３】
該ジオール残基は、約５〜約６０モルパーセントの２,２,４,４−テトラメチル−１,３−シクロブタンジオール残基と約４０〜約９５モルパーセントの１,４−シクロヘキサンジメタノール残基とを含む、請求項２２の成形製品。
【請求項２４】
該ジオール残基は、約１５〜約４０モルパーセントの２,２,４,４−テトラメチル−１,３−シクロブタンジオール残基と約６０〜約８５モルパーセントの１,４−シクロヘキサンジメタノール残基とを含む、請求項２３の成形製品。
【請求項２５】
多層成形製品であって、
（ｉ）（ａ）総二酸残基に基づき約７０〜約１００モルパーセントのテレフタル酸残基と；０〜約３０モルパーセントの、最大２０個の炭素原子を有する少なくとも１つの修飾芳香族ジカルボン酸残基と；０〜約１０モルパーセントの、最大１６個の炭素原子を有する少なくとも１つの修飾脂肪族ジカルボン酸残基とを含む二酸残基と；
（ｂ）総ジオール残基に基づき約１〜約９９モルパーセントの２,２,４,４−テトラメチル−１,３−シクロブタンジオール残基と；約１〜約９９モルパーセントの１,４−シクロヘキサンジメタノール残基とを含むジオール残基とを、含む少なくとも１つのポリエステルを含む第１層と；
（ii）コポリアミドを含む第２層とを、含んでなり、
ここで該第２層（ii）と該第１層（ｉ）は屈折率の差［ＲＩ（第２層）−ＲＩ（第１層）］が約０.００６〜約−０.０００６であり、該成形製品は透過パーセントが少なくとも７５％で曇り価が１０％又はそれ以下であることを特徴とする、上記成形製品。
【請求項２６】
多層成形製品の製造方法であって、
（ｉ）第１成分を、該第１成分の約Ｔｇ＋１００℃〜約Ｔｇ＋３００℃の温度に加熱し［ここで該第１成分は以下を含む少なくとも１つのポリエステルを含む；
（ａ）総二酸残基に基づき約７０〜約１００モルパーセントのテレフタル酸残基と；０〜約３０モルパーセントの、最大２０個の炭素原子を有する少なくとも１つの修飾芳香族ジカルボン酸残基と；０〜約１０モルパーセントの、最大１６個の炭素原子を有する少なくとも１つの修飾脂肪族ジカルボン酸残基とを含む二酸残基；及び
（ｂ）総ジオール残基に基づき約１〜約９９モルパーセントの２,２,４,４−テトラメチル−１,３−シクロブタンジオール残基と；約１〜約９９モルパーセントの１,４−シクロヘキサンジメタノール残基とを含むジオール残基］；
（ii）コポリアミド、又は少なくとも２つのポリアミドのアミド基転移均一配合物を含む第２成分を、該第２成分の約Ｔｇ＋１００℃〜約Ｔｇ＋３００℃の温度に加熱し；
（iii）第１成分と第２成分を別の層に有する成形製品を作成し；
（iv）スクラップ第１及び第２成分を回収し；
（ｖ）スクラップ第１及び第２成分を粉砕してリグラインドを作成し；
（vi）場合により、リグラインドを乾燥させ；そして
（vii）リグラインドと、工程（ｉ）と（ii）の第１成分、第２成分、又はこれらの組合せとを一緒にすることを含んでなり、
ここで、工程（ii）の第２成分と工程（ｉ）の第１成分は屈折率の差［ＲＩ（第２成分）−ＲＩ（第１成分）］が約０.００６〜約−０.０００６であり、該成形製品は透過パーセントが少なくとも７５％で曇り価が１０％又はそれ以下であることを特徴とする、上記方法。
【請求項２７】
該ポリエステルは約１１０℃〜約１５０℃のガラス転移温度を有する、請求項１の成形製品。
【請求項２８】
該ガラス転移温度は１２０℃〜約１３５℃である、請求項２７の成形製品。
【請求項２９】
該ポリエステルは約１１０℃〜約１５０℃のガラス転移温度を有する、請求項２６の方法。
【請求項３０】
該ガラス転移温度は１２０℃〜約１３５℃である、請求項２９の方法。