【手続補正書】
【提出日】平成21年5月20日(2009.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に平坦な基板の表面を形成する装置であって、前記装置が、
複数のアパーチャを有する上部プレートと、
間に隆起部分を形成するチャネルネットワークを有する下部プレートであって、各々の隆起部分が、前記上部プレートのアパーチャと対向するように配置される下部プレートと、
前記上部プレートと前記下部プレートとの間の中間構造であって、前記下部プレート上に位置する前記チャネルネットワークと嵌合する隆起部分を備える中間構造と、
前記中間構造と前記下部プレートとの間に配置された可撓性基板とを備え、
前記上部プレートが、前記中間構造上に前記下部プレート方向に下方に圧迫されて、前記基板の部分が、前記下部プレートの前記隆起部分上で伸張する装置。
【請求項２】
前記上部プレートと前記下部プレートとが、熱質量が低い材料から構成される請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記上部プレートが、主にアルミニウムから構成される請求項１に記載の装置。
【請求項４】
間に隆起部分を形成する前記チャネルネットワークが、前記下部プレート上に垂直方向及び水平方向に配置される請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記可撓性基板が、ポリイミド、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、又はポリテトラフルオロエチレン（ＥＰＴＦＥ）から成る群から選択される材料から構成される請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記可撓性基板の厚さが．５ｍｍ〜１ｍｍの範囲である請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記基板が複数の層を含む請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記基板が、前記基板に接合される構成要素の集合に基づくカスタムデザインを有する請求項１に記載の装置。
【請求項９】
隙間が、前記下部プレートの平坦な表面によって形成される請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記下部プレートの前記隆起部分の寸法が、前記下部プレート全体で異なる請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記組み立てられた固定具の厚さが、１．２７〜２５．４ｍｍ（０．０５〜１インチ）の範囲である請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記中間構造が前記基板と一体化して、前記基板用のキャリアを形成する請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記基板用のキャリアの厚さが０．３８１〜３．１８ｍｍ（０．０１５〜０．１２５インチ）である請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記キャリアが、主に強化ガラス積層板から構成される請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記強化ガラス積層板がＦＲ４である請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
実質的に平坦な基板の表面を形成する方法であって、
可撓性基板をフレームと下部プレートとの間に整列させるステップであって、前記下部プレートが、間にチャネルを有する１つ又は複数の隆起部分を備え、前記フレームが、前記下部プレートの前記隆起部分に面する開口部を含むステップと、
前記可撓性基板を前記フレームと前記下部プレートとの間に圧迫し、その結果、前記フレームの開口部が、前記下部プレートの前記隆起部分と嵌合し、それによって、前記下部プレートの前記隆起部分全体に前記可撓性基板の１つ又は複数の部分が伸張するステップとを含む方法。
【請求項１７】
前記圧迫ステップが、
上部プレートをフレーム上に整列させるステップであって、前記上部プレートが、前記フレームの前記開口部と整列する１つ又は複数の開口部を有するステップと、
前記上部プレートを基板組立体を形成するフレーム上に下方に圧迫するステップとを含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記上部プレートの１つ又は複数の開口部を通して、フラックス又は導電性媒体を可撓性基板上に蒸着するステップと、
前記上部プレートの１つ又は複数の関連する開口部を通して、１つ又は複数のデバイスを前記基板組立体の前記可撓性基板上に配置するステップと、
はんだを使用して、構成要素のデバイスの端子を前記可撓性基板の伸張部分に取り付けるステップと、
取り付けられた構成要素を含む基板組立体を加熱して、１つ又は複数の組み立てられた構成要素を形成するステップとをさらに含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記１つ又は複数の組み立てられた構成要素を分離するステップをさらに含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記導電性材料がはんだペーストである請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記デバイスの端子が後続のはんだバンプである請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
アンダーフィル又はオーバーモールドの化合物を蒸着するステップと、
前記アンダーフィル又はオーバーモールドの化合物を硬化させるステップとをさらに含む請求項１８に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄型可撓性基板の平坦な表面を形成する装置及び方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明のいくつかの実施形態によると、薄型ポリマー基板は、最初にキャリアプレートに接合される。薄型ポリマー基板は、Ｋａｐｔｏｎポリイミド、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、又はＥＰＴＦＥを含むがこれらだけに限らないポリマーであり、約０．０１２７〜０．１２７ｍｍ（約．０００５〜０．００５インチ）厚で良い。キャリアは、一般に剛性ポリマー基板、たとえばＦＲ４であり、約０．３８１〜３．１８ｍｍ（約．０１５〜０．１２５インチ）厚である。薄いポリマーを平滑化するには、上部プレート及び下部プレートを含むプレスを使用することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図３ａ〜３ｂは、中間構造３００の一実施形態を示す。薄型可撓性基板３１０は、キャリア、すなわち支持フレーム３２０に取り付けられる。キャリア３２０は、下部プレート２００上に位置するチャネル２３０のネットワークと嵌合可能な隆起部分を形成する。可撓性基板上の回路パターン又は構造は、ＩＣの構造によって決まる。特定の実施形態では、可撓性基板３１０の厚さは０．０１２７〜０．１２７ｍｍ（０．０００５〜０．００５インチ）の範囲であり、構造によって決まる複数の層を含む。主な基板材料の例としては、ポリイミド、液晶ポリマー、ポリテトラフルオロエチレン（ＥＰＴＦＥ）が挙げられるが、これらだけに限らない。キャリア３２０は、一般に、０．３８１〜３．１８ｍｍ（０．０１５〜０．１２５インチ）の範囲の厚さを有する。キャリアは、一般に、強化ガラス積層板（たとえば、ＦＲ４）などの比較的安価な材料から構成されるが、これは必須ではない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
可撓性基板が伸張された後、ダイは、フリップチップ技術を用いて、上部キャリア内の開口部を通して、１つ又は複数のＩＣを平滑化基板にボンディングすることによって組み立てることができる。実施形態によっては、ＩＣを薄型基板に接合した後、上部プレートと下部プレートを取り外し、基板とＩＣの組合せが、機械的分離又はレーザ切断プロセスによりキャリアから切り離される。したがって、残っているものは、薄型基板（＜０．０２５ｍｍ（．００１インチ））、集積回路（約０．２０３ｍｍ（約．００８インチ））、及びこれらを接合するために使用したはんだ（＜０．０７６ｍｍ（．００３インチ））である。結果として得られるパッケージ化ＩＣは、従来の方法により構成されたＩＣより薄くすることができる。さらに、減結合コンデンサ、小型抵抗器、又はその他のＩＣなどの他の構成要素は、主要ＩＣダイに近接して接合され、マルチチップデバイス又はモジュールを形成する。