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【手続補正書】
【提出日】平成23年5月23日(2011.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成された第１半導体層と、該第１半導体層上に形成された第２半導体層と、該第２半導体層と接続される電極とを有する半導体装置であって、
前記第２半導体層は、前記第１半導体層の−側端上まで延びる延長部を有し、
前記電極は、前記第２半導体層の前記延長部と接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１半導体層と前記第２半導体層は、発光ダイオード素子を構成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体装置と、該半導体装置を駆動する駆動装置と、前記半導体装置の発する光を集光するレンズとを備え、
前記半導体装置は、基板と、該基板上に形成された第１半導体層と、該第１半導体層上に形成された第２半導体層と、該第２半導体層と接続される電極とを有し、
前記第２半導体層は、前記第１半導体層の−側端上まで延びる延長部を有し、
前記電極は、前記第２半導体層の前記延長部と接続される
ことを特徴とするＬＥＤプリントヘッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
基板と、該基板上に形成された第１半導体層と、該第１半導体層上に形成された第２半導体層と、該第２半導体層と接続される電極とを有する半導体装置であって、
前記第２半導体層は、前記第１半導体層の−側端上まで延びる延長部を有し、
前記電極は、前記第２半導体層の前記延長部と接続されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、上記第２半導体層は、第１半導体層の−側端上に至るまで形成され、上記電極は、上記第２の半導体層の前記形成部に接続されるので、接続配線が第１半導体層を乗り越えることなく電極と接続することができるようになり、乗り越えによる接続配線の断線を防ぐことができ、半導体装置の信頼性を向上させることができるという効果を得る。更に、半導体装置の素子面に覆うものが無くなるので、光量を増加させることができるという効果を得る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2009004502.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月17日(2011.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワード線（ＷＬ）に接続されている第１ゲート電極と、
ビット線（ＢＬ）に接続されている第１ソース／ドレイン電極と、
第１ロードトランジスタ（Ｔ３）のゲート電極と、ドライバトランジスタ（Ｔ４）のゲート電極と、第２ロードトランジスタ（Ｔ２）の第１ソース／ドレイン電極と、に接続されている第２ソース／ドレイン電極と、
を有するアクセストランジスタ（Ｔ１）を備え、
前記第２ロードトランジスタ（Ｔ２）の第２ソース／ドレイン電極は供給電圧に接続されており、
前記第１ロードトランジスタ（Ｔ３）と前記ドライバトランジスタ（Ｔ４）は、前記供給電圧の前記端子に直列に接続されている、
ＳＲＡＭタイプのランダム・アクセス・メモリセルであって、
前記アクセストランジスタ（Ｔ１）と前記第２ロードトランジスタ（Ｔ２）の各々は、対応する前記第１ゲート電極から電気的に独立している少なくとも１つの第２ゲート電極を備えており、
前記アクセストランジスタ（Ｔ１）の前記第２ゲート電極は、前記第２ロードトランジスタ（Ｔ２）の前記第１ゲート電極に接続されており、
前記第２ロードトランジスタ（Ｔ２）の前記第２ゲート電極は、前記供給電圧に接続されており、
前記アクセストランジスタ（Ｔ１）は、ドレイン電流が、それの第１ゲートに供給される前記電圧に、前記メモリセルの前記他のトランジスタの電流／電圧特性よりも、より強く依存する前記電流／電圧特性を有する事を特徴とするメモリセル。
【請求項２】
前記ロードトランジスタ（Ｔ２，Ｔ３）はＰＭＯＳタイプである事を特徴とする請求項１に記載のメモリセル。
【請求項３】
前記アクセストランジスタ（Ｔ１）とドライバトランジスタ（Ｔ４）はＮＭＯＳタイプである事を特徴とする請求項１と請求項２の何れか１項に記載のメモリセル。
【請求項４】
前記ドライバトランジスタ（Ｔ４）と前記第１ロードトランジスタ（Ｔ３）の各々は、付加ゲート電極を備える事を特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載のメモリセル。
【請求項５】
前記ドライバトランジスタ（Ｔ４）の前記２つのゲート電極は、互いに接続されている事を特徴とする請求項４に記載のメモリセル。
【請求項６】
前記第１ロードトランジスタ（Ｔ３）の前記２つのゲート電極は、互いに接続されている事を特徴とする請求項４又は請求項５に記載のメモリセル。
【請求項７】
前記アクセストランジスタ（Ｔ１）及びドライバトランジスタ（Ｔ４）と同じタイプの付加アクセストランジスタ（Ｔ５）は、
前記第１ロードトランジスタ（Ｔ３）及び前記ドライバトランジスタ（Ｔ４）に共通の前記点（Ｆ１）と、書き込みビット線（ＢＬｗｒ）と、の間に接続されており、
書き込みワード線（ＷＬｗｒ）に接続されているゲート電極を備える事を特徴とする請求項１から請求項６の何れか１項に記載のメモリセル。
【請求項８】
前記付加アクセストランジスタ（Ｔ５）は付加ゲート電極を備える事を特徴とする請求項７に記載のメモリセル。
【請求項９】
前記付加アクセストランジスタ（Ｔ５）の前記２つのゲート電極は、互いに接続されている事を特徴とする請求項８に記載のメモリセル。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月20日(2011.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタを有するシフトレジスタと、第１の単結晶半導体基板またはＳＯＩ基板に形成された素子を用いたコントローラとを有し、
前記薄膜トランジスタは、第２の単結晶半導体基板を絶縁基板に貼り付けた後、前記第２の単結晶半導体基板を分離することによって、前記絶縁基板に固定された単結晶半導体層を有し、
電源から前記コントローラおよび前記シフトレジスタに電源電圧が供給され、前記電源電圧の大きさが３ボルト以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
薄膜トランジスタを有するシフトレジスタと、第１の単結晶半導体基板またはＳＯＩ基板に形成された素子を用いたコントローラとを有し、
前記薄膜トランジスタは、第２の単結晶半導体基板を絶縁基板に貼り付けた後、前記第２の単結晶半導体基板を分離することによって、前記絶縁基板に固定された単結晶半導体層を有し、
電源から前記コントローラおよび前記シフトレジスタに電源電圧が供給され、前記コントローラから信号が出力され、前記シフトレジスタに振幅の大きさが同じである前記信号が入力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記シフトレジスタから出力された信号をレベルシフトするレベルシフタを有し、該レベルシフタは、能動負荷を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記絶縁基板は、ガラス基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記第２の単結晶半導体基板は、シリコン基板であり、前記単結晶半導体層は、シリコン層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置および表示素子を具備する表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置および液晶素子を具備する液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置および発光素子を具備する発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置および操作スイッチを具備する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月22日(2011.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一の基板上にアナログ駆動回路とデジタル駆動回路とが形成された非接触タグを有し、
前記アナログ駆動回路のトランジスタは劈開単結晶半導体層を用いて形成されており、
前記デジタル駆動回路のうち変調回路のトランジスタは前記劈開単結晶半導体層を用いて形成されており、
前記デジタル駆動回路のうち前記変調回路以外の回路のトランジスタは非単結晶半導体層を用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
同一の基板上にアナログ駆動回路とデジタル駆動回路とが形成された非接触タグを有し、
前記アナログ駆動回路のトランジスタは劈開単結晶半導体層を用いて形成されており、
前記デジタル駆動回路のトランジスタは非単結晶半導体層を用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記基板上にフォトＩＣが設けられており、
前記フォトＩＣの回路のトランジスタは前記劈開単結晶半導体層を用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記劈開単結晶半導体層は、水素、ヘリウム及びハロゲンから選ばれた一又は複数の同一の原子から成るイオン種を単結晶半導体基板に注入して、前記単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域にイオン層を形成し、前記単結晶表面に接合層を形成し、前記接合層と基板とを貼り合わせた後、前記単結晶半導体基板にエネルギーを加えることによって前記イオン層に亀裂を生じさせることによって、前記基板上に残存させた半導体層であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月15日(2011.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の回路群および第２の回路群を有し、
前記第１の回路群は、第１の単結晶半導体層と、第１のゲート絶縁層とを含む第１のトランジスタを有し、
前記第２の回路群は、第２の単結晶半導体層と、第２のゲート絶縁層とを含む第２のトランジスタを有し、
前記第１の単結晶半導体層および前記第２の単結晶半導体層は、それぞれ支持基板上に転置され、
前記第１の単結晶半導体層および前記第２の単結晶半導体層と、前記支持基板との間に絶縁層を有し、
前記第１の単結晶半導体層は、前記第２の単結晶半導体層よりも薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の回路群は、表示装置のデータドライバ、ロジック回路、又は読み出し専用のメモリ回路を含み、
前記第２の回路群は、表示装置のスキャンドライバ、表示装置の画素部、電源回路、又は電気的に書き込み／書き換えを行うメモリ回路を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の回路群、第２の回路群、および第３の回路群を有し、
前記第１の回路群は、第１の単結晶半導体層と、第１のゲート絶縁層とを含む第１のトランジスタを有し、
前記第２の回路群は、第２の単結晶半導体層と、第２のゲート絶縁層とを含む第２のトランジスタを有し、
前記第３の回路群は、非晶質半導体層又は多結晶半導体層と、第３のゲート絶縁層とを含む第３のトランジスタを有し、
前記第１の単結晶半導体層および前記第２の単結晶半導体層は、それぞれ支持基板上に転置され、
前記第１の単結晶半導体層および前記第２の単結晶半導体層と、前記支持基板との間に絶縁層を有し、
前記第１の単結晶半導体層は、前記第２の単結晶半導体層よりも薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の回路群は、表示装置のデータドライバ、ロジック回路、又は読み出し専用のメモリ回路を含み、
前記第２の回路群は、表示装置のスキャンドライバ、電源回路、又は電気的に書き込み／書き換えを行うメモリ回路を含み、
前記第３の回路群は表示装置の画素部を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１のゲート絶縁層は、前記第２のゲート絶縁層よりも薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の単結晶半導体層と前記支持基板との間に設けられた前記絶縁層は、前記第２の単結晶半導体層と前記支持基板との間に設けられた前記絶縁層よりも厚いことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の単結晶半導体層および前記第２の単結晶半導体層と、前記支持基板との間の前記絶縁層は積層されており、
前記第１の単結晶半導体層と前記支持基板との間に設けられた前記積層された絶縁層は、前記第２の単結晶半導体層と前記支持基板との間に設けられた前記積層された絶縁層よりも厚いことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記絶縁層は、有機シランガスを用いて化学気相成長法により形成された酸化シリコン膜でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記支持基板は、透光性を有する材料でなることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月3日(2011.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法、及び半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素又はハロゲンから選ばれたイオン種を第１の単結晶半導体基板にイオンドーピング法又はイオン注入法によって添加して、前記第１の単結晶半導体基板の表面から第１の深さの領域に第１の脆化層を形成し、
前記第１の単結晶半導体基板上に、有機シランガスを用いた化学気相成長法により第１の酸化シリコン膜を形成し、
前記第１の単結晶半導体基板及び前記第１の酸化シリコン膜に対し、マスクを用いたエッチングを行って、前記第１の酸化シリコン膜が上面に形成された第１の単結晶半導体層を形成し、
前記第１の単結晶半導体層と、絶縁基板とを、前記第１の酸化シリコン膜を介して重ね合わせ、
前記重ね合わされた状態で加熱処理を行って前記第１の脆化層に亀裂を生じさせ、前記絶縁基板上に前記第１の単結晶半導体層を残存させたまま前記第１の単結晶半導体基板を分離する第１の工程と、
水素又はハロゲンから選ばれたイオン種を第２の単結晶半導体基板にイオンドーピング法又はイオン注入法によって添加して、前記第２の単結晶半導体基板の表面から第２の深さの領域に第２の脆化層を形成し、
前記第２の単結晶半導体基板上に、有機シランガスを用いた化学気相成長法により第２の酸化シリコン膜を形成し、
前記第２の単結晶半導体基板及び前記第２の酸化シリコン膜に対し、マスクを用いたエッチングを行って、前記第２の酸化シリコン膜が上面に形成された第２の単結晶半導体層を形成し、
前記第２の単結晶半導体層と、前記絶縁基板とを、前記第２の酸化シリコン膜を介して重ね合わせ、
前記重ね合わされた状態で加熱処理を行って前記第２の脆化層に亀裂を生じさせ、前記絶縁基板上に前記第２の単結晶半導体層を残存させたまま前記第２の単結晶半導体基板を分離する第２の工程とを有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の深さは、前記絶縁基板上の前記第１の単結晶半導体層の膜厚であり、前記第２の深さは前記第２の単結晶半導体層の膜厚であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
水素又はハロゲンから選ばれたイオン種を第１の単結晶半導体基板にイオンドーピング法又はイオン注入法によって添加して、前記第１の単結晶半導体基板の表面から第１の深さの領域に第１の脆化層を形成し、
前記第１の単結晶半導体基板上に、最上層が有機シランガスを用いた化学気相成長法により第１の酸化シリコン膜でなる第１の接着層を形成し、
前記第１の単結晶半導体基板及び前記第１の接着層に対し、マスクを用いたエッチングを行って、前記第１の接着層が上面に形成された第１の単結晶半導体層を形成し、
前記第１の単結晶半導体層と、絶縁基板とを、前記第１の接着層を介して重ね合わせ、
前記重ね合わされた状態で加熱処理を行って前記第１の脆化層に亀裂を生じさせ、前記絶縁基板上に前記第１の単結晶半導体層を残存させたまま前記第１の単結晶半導体基板を分離する第１の工程と、
水素又はハロゲンから選ばれたイオン種を第２の単結晶半導体基板にイオンドーピング法又はイオン注入法によって添加して、前記第２の単結晶半導体基板の表面から第２の深さの領域に第２の脆化層を形成し、
前記第２の単結晶半導体基板上に、最上層が有機シランガスを用いた化学気相成長法により第２の酸化シリコン膜でなる第２の接着層を形成し、
前記第２の単結晶半導体基板及び前記第２の接着層に対し、マスクを用いたエッチングを行って、前記第２の接着層が上面に形成された第２の単結晶半導体層を形成し、
前記第２の単結晶半導体層と、前記絶縁基板とを、前記第２の接着層を介して重ね合わせ、
前記重ね合わされた状態で加熱処理を行って前記第２の脆化層に亀裂を生じさせ、前記絶縁基板上に前記第２の単結晶半導体層を残存させたまま前記第２の単結晶半導体基板を分離する第２の工程とを有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の深さは、前記絶縁基板上の前記第１の単結晶半導体層の膜厚であり、前記第２の深さは前記第２の単結晶半導体層の膜厚であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の深さは、前記絶縁基板上の前記第１の単結晶半導体層の膜厚であり、前記第２の深さは前記第２の単結晶半導体層の膜厚であって、前記第１の深さは、前記第２の深さより浅いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記絶縁基板上に残存された前記第１の単結晶半導体層及び前記第２の単結晶半導体層にレーザを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記絶縁基板上に残存された前記第１の単結晶半導体層及び前記第２の単結晶半導体層に対して加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記絶縁基板上に残存された前記第２の単結晶半導体層のみをＣＭＰ法を用いて研磨し、前記第１及び第２の単結晶半導体層の膜厚を揃えることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁基板の同一表面に設けられた複数の単結晶半導体を有し、
前記単結晶半導体は、ｎ型の不純物領域を有する第１の単結晶半導体層と、ｐ型の不純物領域を有する第２の単結晶半導体層とを含み、
前記第１の単結晶半導体層の結晶面と、前記第２の単結晶半導体層の結晶面とは同じであって、
前記第１の単結晶半導体層のチャネル長方向の結晶軸と、前記第２の単結晶半導体層のチャネル長方向の結晶軸とは異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第１の単結晶半導体層及び前記第２の単結晶半導体層の結晶面は｛１１０｝であり、
前記第１の単結晶半導体層のチャネル長方向が＜１００＞方位であり、前記第２の単結晶半導体層のチャネル長方向が＜１１０＞方位であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月20日(2011.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型半導体層と、
ウェル層とバリア層とが少なくとも２回以上交互に積層されてなる活性層と、
ｐ型半導体層と、
を備え、前記バリア層の厚さは、前記ウェル層の厚さの１０倍〜１５倍であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】
前記バリア層は、前記ｐ型半導体層と隣り合う第１のバリア層と、前記第１のバリア層を除く残りのバリア層としての第２のバリア層と、から構成され、
前記第１のバリア層における第１の領域はｎ型不純物でドープされ、第２の領域はアンドープされ、前記第２のバリア層の少なくとも１層がｎ型不純物でドープされることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項３】
ｎ型半導体層と、
ウェル層とバリア層とが少なくとも２回以上交互に積層されてなる活性層と、
ｐ型半導体層と、
を備え、前記バリア層の厚さは、前記ウェル層の厚さの少なくとも２倍以上であって、
前記バリア層は、前記ｐ型半導体層と隣り合う第１のバリア層と、前記第１のバリア層を除く残りのバリア層としての第２のバリア層と、から構成され、
前記第１のバリア層における第１の領域はｎ型不純物でドープされ、第２の領域はアンドープされ、前記第２のバリア層の少なくとも１層がｎ型不純物でドープされることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項４】
前記第１のバリア層における第１の領域は前記ウェル層と隣り合う領域であり、前記第２の領域は前記ｐ型半導体層と隣り合う領域であることを特徴とする請求項２又は３に記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記第２の領域の厚さは、前記第１の領域の厚さの少なくとも１．５倍以上であることを特徴とする請求項４に記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記第１の領域は、前記第２の領域に近づくにつれて前記ｎ型不純物の濃度が下がるようにドープされることを特徴とする請求項４に記載の発光ダイオード。
【請求項７】
基板の上にｎ型半導体層を形成するステップと、
ウェル層とバリア層とが少なくとも２回以上交互に積層して活性層を形成するステップと、
前記活性層の上にｐ型半導体層を形成するステップと、
を含み、前記活性層を形成するステップは、前記バリア層の厚さが前記ウェル層の厚さの１０倍〜１５倍になるように形成するステップを備えることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項８】
前記活性層を形成するステップは、
前記ｐ型半導体層と隣り合う第１のバリア層は少なくとも一部をｎ型不純物でドープし、前記第１のバリア層を除く残りのバリア層としての第２のバリア層の少なくとも１層をｎ型不純物でドープするステップを含むことを特徴とする請求項７に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項９】
基板の上にｎ型半導体層を形成するステップと、
ウェル層とバリア層とが少なくとも２回以上交互に積層して活性層を形成するステップと、
前記活性層の上にｐ型半導体層を形成するステップと、
を含み、前記活性層を形成するステップは、前記バリア層の厚さが前記ウェル層の厚さの少なくとも２倍以上になるように形成するステップを備え、
前記活性層を形成するステップは、
前記ｐ型半導体層と隣り合う第１のバリア層は少なくとも一部をｎ型不純物でドープし、前記第１のバリア層を除く残りのバリア層としての第２のバリア層の少なくとも１層をｎ型不純物でドープするステップを含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項１０】
前記第１のバリア層の少なくとも一部をｎ型不純物でドープするステップは、
前記第１のバリア層が前記ウェル層と隣り合う第１の領域はｎ型不純物でドープし、前記第１のバリア層が前記ｐ型半導体層と隣り合う第２の領域はアンドープするステップを含むことを特徴とする請求項８又は９に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項１１】
前記第１のバリア層の少なくとも一部をｎ型不純物でドープするステップは、
前記第２の領域の厚さが前記第１の領域の厚さの少なくとも１．５倍以上になるようにドープするステップを含むことを特徴とする請求項１０に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項１２】
前記第１のバリア層の少なくとも一部をｎ型不純物でドープするステップは、
前記第１の領域を前記第２の領域に近づくにつれて前記ｎ型不純物の濃度が下がるようにドープするステップを含むことを特徴とする請求項１０に記載の発光ダイオードの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月16日(2011.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
角質層を貫通する複数の微小突起と
前記微小突起の少なくとも一部分の上に配置された、最低１種の有益な作用物質と該作用物質以外であって、非還元糖から選択される最低１種の水に可溶性の生物適合性の担体を包含するコーティングを含んで成り、かつ、
微小突起が角質層中を貫通した後に前記コーティングが体液との接触状態に置かれる、
ことを特徴とする角質層を通して有益な作用物質を送達するための装置。
【請求項２】
非還元糖がショ糖、トレハロース、メレジトース、ラフィノースおよびスタキオースよりなる群から選択される、請求項１記載の装置。
【請求項３】
最低１種の有益な作用物質がタンパク質、糖タンパク質、ペプチド、多糖、オリゴ糖、オリゴヌクレオチドおよびＤＮＡよりなる群から選択される、請求項１または２記載の装置。
【請求項４】
最低１種の有益な作用物質がヒト成長ホルモンである、請求項１〜３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
コーティングが１．０マイクロメートルと１０マイクロメートルとの間の厚さを有する、請求項１〜４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
最低１種の有益な作用物質が副甲状腺ホルモンである、請求項１〜３および５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
装置が微小突起アレイを含むことを特徴とする請求項６記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月8日(2011.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
「どちらもその第１主電極と第２主電極の役割がその両主電極間の印加電圧方向によって互いに入れ換わることができ、しかも、互いに相補関係に有る２つのオン・オフ制御スイッチング手段」が有って、
その両オン・オフ制御スイッチング手段のうち、一方の第２主電極と他方の第１主電極を接続し、
一方の第１主電極・制御電極間に一方のオン・オフ駆動手段を設け、
「一方の第１主電極」・「他方の制御電極」間に他方のオン・オフ駆動手段を設け、
その２つのオン・オフ駆動手段を使ってその両オン・オフ制御スイッチング手段を同時にオン駆動したり、同時にオフ駆動したりし、
その両オン・オフ制御スイッチング手段の直列回路を双方向性スイッチとして使用することを特徴とする双方向性スイッチング手段。
【請求項２】
その両オン・オフ制御スイッチング手段はどちらも４端子の絶縁ゲート型ＦＥＴであり、
「どちらもそのバックゲート電極とその第１主電極が接続されている」又は「どちらもそのバックゲート電極・第１主電極間も、そのバックゲート電極・第２主電極間も導通しない様にそのバックゲート電極電位が保たれている」ことを特徴とする請求項１記載の双方向性スイッチング手段。
【請求項３】
その両オン・オフ制御スイッチング手段はどちらも「そのコレクタとエミッタの役割がそのコレクタ・エミッタ間の印加電圧方向によって互いに入れ換わることができるバイポーラ型トランジスタ」であることを特徴とする請求項１記載の双方向性スイッチング手段。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月5日(2011.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
骨の内部に骨接合インプラントを挿入するときの案内として利用するガイドピンを、前記骨の内部に適正な角度をもって適正な位置に挿入するためのガイドピン挿入補助具であって、
前記適正な角度および前記適正な位置に配される適正位置と、前記適正な角度に延びる軸線を中心とした回転方向に前記適正位置から外された非適正位置との間で回転移動可能に設けられる本体部を備え、
前記本体部は、Ｘ線の透過しない非透過部を備えており、
前記非透過部は、
前記本体部が前記非適正位置に配されたときに、前記軸線方向に交差する方向に延びる第１の幅寸法が、前記本体部が前記適正位置に配されたときに、前記軸線方向に交差する方向に延びる第２の幅寸法よりも大きくなっていることを特徴とするガイドピン挿入補助具。
【請求項２】
前記非透過部は、
前記第２の幅寸法が、複数の前記非適正位置における第１の幅寸法に対して、最も小さくなるように設けられていることを特徴とする請求項１に記載のガイドピン挿入補助具。
【請求項３】
前記非透過部は、
前記本体部が前記適正位置に配されたときに、前記軸線方向に沿って直線状になるように設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のガイドピン挿入補助具。
【請求項４】
前記非透過部は、
前記本体部が前記適正位置に配されたときに、前記軸線を挟んで対向配置されるように複数設けられていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のガイドピン挿入補助具。
【請求項５】
前記対向配置された複数の前記非透過部の間において、前記ガイドピンが案内されるように前記非透過部が設けられていることを特徴とする請求項４に記載のガイドピン挿入補助具。
【請求項６】
前記本体部は、Ｘ線の透過する透過部を備え、
前記非透過部は、前記軸線方向に非連続に複数設けられており、
前記透過部は、複数の前記非透過部を支持していることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のガイドピン挿入補助具。
【請求項７】
前記透過部は、板状に形成されており、
前記透過部の一方の主面に一方の非透過部が設けられ、前記透過部の他方の主面に他方の非透過部が設けられていることを特徴とする請求項６に記載のガイドピン挿入補助具。
【請求項８】
前記一方の非透過部と前記他方の非透過部とが、平面視して交差するように設けられていることを特徴とする請求項７に記載のガイドピン挿入補助具。
【請求項９】
複数の前記非透過部は、前記軸線方向に重ねられて配されていることを特徴とする請求項６から請求項８のいずれか一項に記載のガイドピン挿入補助具。
【請求項１０】
前記本体部を支持し、前記軸線方向に延ばされる筒状部材を挟持する把持部を備え、
前記把持部の長さ寸法は、前記筒状部材の外径よりも長くなっていることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一つに記載のガイドピン挿入補助具。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月13日(2011.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、ＤＤＳ回路出力周波数自体を上げることは、回路としての消費電力を増大させることにもなり、ＰＬＬ回路の信頼性が低下するという問題点がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
［ＤＳＳ回路：図２］
次に、ＤＤＳ回路５について図２を参照しながら説明する。図２は、ＤＤＳ回路の構成例を示す図である。
ＤＤＳ回路５は、図２に示すように、加算器５１と、フリップフロップ５２と、サインウェーブテーブル５３と、デジタル／アナログコンバータ（ＤＡＣ）５４と、フィルタ５５とから構成されている。
フリップフフロップ５２とＤＡＣ５４には、基準発振器４からの基準周波数Ｆｒｅｆに基づいたサンプリングクロックが入力される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
サインウェーブテーブル５３は、入力値に対するサインウェーブの出力値を記憶するテーブルであり、フリップフフロップ５２からの入力値をテーブルアドレスとして対応するサインウェーブのデータを読み取り、テーブルデータとしてＤＡＣ５４に出力する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
ＤＡＣ５４は、サインウェーブテーブル５３からのテーブルデータをサンプリングクロックを用いてアナログ変換してフィルタ５５に出力する。
フィルタ５５は、ＤＡＣ５４からの出力をフィルタリングしてアナログ・サインウェーブとして第１のＡＭＰ７に出力する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
１...ＶＣＯ、  ２...ＰＬＬ ＩＣ、  ３...アナログフィルタ、  ４...基準発振器、  ５...ＤＤＳ回路、  ６...制御回路、  ７...第１のアンプ（ＡＭＰ）、  ８...可変フィルタ、  ８ａ...フィルタ、  ８ｂ...フィルタ、  ８ｃ...フィルタ、  ９...第２のアンプ（ＡＭＰ）、  １０ａ...第１のスイッチ（ＳＷ（１））、  １０ｂ...第２のスイッチ（ＳＷ（２））、  ５１...加算器、  ５２...フリップフロップ、  ５３...サインウェーブテーブル、  ５４...デジタル／アナログコンバータ（ＤＡＣ）、  ５５...フィルタ、  ６１...制御部、  ６２...周波数テーブル、  ６３...設定値等対応テーブル
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月15日(2011.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上記課題を解決するための本発明は、６０００系のアルミニウム合金からなる合金を連続鋳造法により鋳造した丸棒に均質化処理を施す工程、均質化処理したものを素材として熱間塑性加工により素形材を成形する工程、塑性加工後に溶体化処理を含む熱処理する工程、を含む成形品の製造方法において、均質化処理の温度が４５０℃〜５００℃および熱間塑性加工時の素材温度が４６０℃〜５３０℃の温度条件を満足し、熱間塑性加工が据え込み加工と、この据え込み加工の後に行う鍛造加工とから構成される、ことを特徴とする成形品の製造方法である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
６０００系のアルミニウム合金からなる合金を連続鋳造法により鋳造した丸棒に均質化処理を施す工程、均質化処理したものを素材として熱間塑性加工により素形材を成形する工程、塑性加工後に溶体化処理を含む熱処理する工程、を含む成形品の製造方法において、均質化処理の温度が４５０℃〜５００℃および熱間塑性加工時の素材温度が４６０℃〜５３０℃の温度条件を満足し、熱間塑性加工が据え込み加工と、この据え込み加工の後に行う鍛造加工とから構成される、ことを特徴とする成形品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月14日(2011.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記工程（Ｄ）における洗浄より排出された廃液に、カルシウムもしくは水溶性カルシウム化合物を添加して酒石酸を分離除去することを特徴とする請求項１〜３に記載のニッケル粉の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月16日(2010.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、前記の提案に関連してなされたものであり、間接媒体内への気泡の進入を防止し、より一層高精度に一定量の流体を吐出することが可能なポンプ装置を提供することを目的とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
この第４の実施の形態に係る定量吐出ポンプ１５０では、通電作用下に駆動する回転駆動源１４の代わりに、圧力流体を供給することによって変位機構１５２を変位させている点で、第１及び第２の実施の形態に係る定量吐出ポンプ１０、１００、１２０と相違している。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月18日(2011.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
柱体と、柱体に相対昇降可能に設けられたロックベースと、柱体に設けられたロック孔と、ロックベースに長手方向に移動可能に設けられてロック孔に突入するロック位置とロック孔から抜け出るアンロック位置とをとり得るロックピンと、ロックベースに設けられてロックピンを常時ロック位置に付勢する弾性体と、ロックベースに搖動可能に設けられてロックピンをアンロック位置に作動し得る操作レバーと、ロックピンをロック位置に抜止保持し得る抜止保持手段とから構成し、抜止保持手段は、ロックベースに長手方向に移動可能且つ長手方向軸廻りに回動可能に設けられたロックピンと、ロックピンに設けられてこれを外部から回動操作可能な回動操作体と、ロックピンとロックベースとの間に設けられてロックピンの回動を規制してロックピンを抜止保持位置と抜止解除位置とにし得る回動規制機構と、ロックピンとロックベースとの間に設けられてロックピンが抜止保持位置の時にはロックピンの長手方向の移動を阻止すると共にロックピンが抜止解除位置の時にはロックピンの長手方向の移動を許容する抜止機構とを備えているテント用ロック装置に於て、前記抜止保持手段の回動規制機構は、回動操作体が水平状態の時にはロックピンを抜止保持位置にすると共に、回動操作体が垂直状態の時にはロックピンを抜止解除位置にする様にした事を特徴とするテント用ロック装置。
【請求項２】
抜止保持手段は、回動操作体とロックベースとの間に設けられて回動操作体の回動を水平状態から垂直状態までの間に規制する操作体回動規制機構を備えている請求項１に記載のテント用ロック装置。
【請求項３】
抜止保持手段は、操作レバーとロックピンとの間に設けられて回動操作体が垂直状態を保つ様にロックピンの自由回動を規制する自由回動規制機構を備えている請求項１又は２に記載のテント用ロック装置。
【請求項４】
回動規制機構は、ロックピンに設けられた略小判型の鍔片と、ロックベースに設けられてロックピンが抜止保持位置と抜止解除位置の時には鍔片の端面が当合し得る当片とを備え、抜止機構は、回動規制機構の鍔片と、ロックベースに設けられてロックピンが抜止保持位置の時には鍔片に当合し得ると共にロックピンが抜止解除位置の時には鍔片との当合が回避される抜止片とを備えている請求項１〜３の何れかに記載のテント用ロック装置。
【請求項５】
操作体回動規制機構は、回動操作体と、ロックベースに設けられて回動操作体が水平状態と垂直状態の時には回動操作体の一部が当合し得る突起とを備えている請求項１〜４の何れかに記載のテント用ロック装置。
【請求項６】
自由回動規制機構は、操作レバーの二股状を呈するフォーク片と、ロックピンの鍔片に形成されて回動操作体が垂直状態の時には操作レバーの両フォーク片間に挟まれて嵌合される係合部とを備えている請求項１〜５の何れかに記載のテント用ロック装置。
【請求項７】
柱体は、外筒とこれに摺動可能に内嵌される内筒とを備え、ロックベースは、外筒に固定されていると共に、ロック孔は、内筒に設けられ、外筒には、ロックピンを貫通する通孔が設けられている請求項１〜６の何れかに記載のテント用ロック装置。
【請求項８】
外筒の下部には、内筒を摺動可能に案内する外筒側摺動体が設けられて居り、ロックベースは、外筒側摺動体に依り外筒の下部に着脱可能に取付けられる請求項１〜６の何れかに記載のテント用ロック装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月28日(2011.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒形状の格納庫と、自転車を出し入れする入出庫口と、前記格納庫内に上下多段にかつ放射状に設けられた格納部と、自転車を前記入出庫口と前記格納部との間で搬送する駐輪機械機構とを備え、前記駐輪機械機構は、前記格納庫内に垂直に設けられた、前記格納庫の軸線回りに回転可能なガイドレールと、前記ガイドレールに沿って昇降可能な昇降体と、前記昇降体に設けられた移載装置とを備えている機械式駐輪設備において、
前記入出庫口および前記駐輪機械機構は、それぞれ複数個設けられ、複数個の前記駐輪機械機構における前記昇降体は、それぞれ独立して前記ガイドレールに沿って昇降可能であることを特徴とする機械式駐輪設備。
【請求項２】
前記駐輪機械機構は、２台設けられ、一方の駐輪機械機構と他方の駐輪機械機構とは、前記格納庫の軸線を中心として点対称に配され、かつ、前記一方の駐輪機械機構および前記他方の駐輪機械機構の前記移載装置による自転車の移載方向が間隔をあけて平行になるように配され、さらに、前記移載装置により前記昇降体に移載した自転車の前輪が互いに対向するように配されていることを特徴とする、請求項１に記載の機械式駐輪設備。
【請求項３】
前記駐輪機械機構は、２台設けられ、一方の駐輪機械機構および他方の駐輪機械機構の前記ガイドレールは、共通し、前記ガイドレールは、前記格納庫の軸線に沿って設けられ、前記一方の駐輪機械機構および前記他方の駐輪機械機構とは、前記移載装置による自転車の移載方向が前記格納庫の径方向に沿うように一列に配され、かつ、前記移載装置により前記昇降体に移載した自転車の前輪が互いに対向するように配されていることを特徴とする、請求項１に記載の機械式駐輪設備。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第１の発明は、円筒形状の格納庫と、自転車を出し入れする入出庫口と、前記格納庫内に上下多段にかつ放射状に設けられた格納部と、自転車を前記入出庫口と前記格納部との間で搬送する駐輪機械機構とを備え、前記駐輪機械機構は、前記格納庫内に垂直に設けられた、前記格納庫の軸線回りに回転可能なガイドレールと、前記ガイドレールに沿って昇降可能な昇降体と、前記昇降体に設けられた移載装置とを備えている機械式駐輪設備において、前記入出庫口および前記駐輪機械機構は、それぞれ複数個設けられ、複数個の前記駐輪機械機構における前記昇降体は、それぞれ独立して前記ガイドレールに沿って昇降可能であることに特徴を有するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月28日(2011.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自転車を出し入れする入出庫口と、自転車を格納する格納部と、自転車を前記入出庫口と前記格納部との間で搬送する搬機と、自転車を前記入出庫口および前記格納部から前記搬機に引き込むと共に、前記搬機から前記入出庫口および前記格納部へ押し出す、前記搬機に設けられた移載装置とを備えた機械式駐輪設備の緊急停止方法において、
前記移載装置の駆動機構の負荷電流値を所定の監視範囲内で監視し、前記負荷電流値が予め設定した閾値に達した場合に、前記移載装置を一時停止する、機械式駐輪設備の緊急停止方法であって、前記移載装置の一時停止が自転車を前記入出庫口から前記搬機に引き込む入庫時に生じた場合に、前記移載装置の一時停止を解除し、自転車を前記搬機から前記入出庫口へ押し戻すことを特徴とする、機械式駐輪設備の緊急停止方法。
【請求項２】
自転車を出し入れする入出庫口と、自転車を格納する格納部と、自転車を前記入出庫口と前記格納部との間で搬送する搬機と、自転車を前記入出庫口および前記格納部から前記搬機に引き込むと共に、前記搬機から前記入出庫口および前記格納部へ押し出す、前記搬機に設けられた移載装置とを備えた機械式駐輪設備において、
前記移載装置の駆動機構の負荷電流値を所定の監視範囲内で監視し、前記負荷電流値が予め設定した閾値に達した場合に、前記移載装置を一時停止する手段を設けた機械式駐輪設備であって、前記移載装置の一時停止が自転車を前記入出庫口から前記搬機に引き込むときに生じた場合に、前記手段は、前記移載装置の一時停止を解除し、自転車を前記入出庫口へ押し戻す指令を発することを特徴とする機械式駐輪設備。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第１の発明は、自転車を出し入れする入出庫口と、自転車を格納する格納部と、自転車を前記入出庫口と前記格納部との間で搬送する搬機と、自転車を前記入出庫口および前記格納部から前記搬機に引き込むと共に、前記搬機から前記入出庫口および前記格納部へ押し出す、前記搬機に設けられた移載装置とを備えた機械式駐輪設備の緊急停止方法において、前記移載装置の駆動機構の負荷電流値を所定の監視範囲内で監視し、前記負荷電流値が予め設定した閾値に達した場合に、前記移載装置を一時停止する、機械式駐輪設備の緊急停止方法であって、前記移載装置の一時停止が自転車を前記入出庫口から前記搬機に引き込む入庫時に生じた場合に、前記移載装置の一時停止を解除し、自転車を前記搬機から前記入出庫口へ押し戻すことに特徴を有するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
第２の発明は、自転車を出し入れする入出庫口と、自転車を格納する格納部と、自転車を前記入出庫口と前記格納部との間で搬送する搬機と、自転車を前記入出庫口および前記格納部から前記搬機に引き込むと共に、前記搬機から前記入出庫口および前記格納部へ押し出す、前記搬機に設けられた移載装置とを備えた機械式駐輪設備において、前記移載装置の駆動機構の負荷電流値を所定の監視範囲内で監視し、前記負荷電流値が予め設定した閾値に達した場合に、前記移載装置を一時停止する手段を設けた機械式駐輪設備であって、前記移載装置の一時停止が自転車を前記入出庫口から前記搬機に引き込むときに生じた場合に、前記手段は、前記移載装置の一時停止を解除し、自転車を前記入出庫口へ押し戻す指令を発することに特徴を有するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月18日(2011.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第４発明に係るオフセットブーム式油圧ショベルの作業機制御装置は、第３発明において、オフセットブーム式油圧ショベルは左右の履帯を有しており、輸送姿勢検出手段は、作業機のアーム先端が、左右の履帯の間でかつ履帯の高さ以下の領域に侵入したときに、折り畳み姿勢であると判断する。なお、「履帯の高さ」とは、図１で示す斜線領域の高さであり、油圧ショベルに履帯が装着されたときの地面から履帯上面までの距離である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
作業機４のアーム２４はキャブ１５内に設けられた操作レバー３５によって操作され、この操作レバー３５によって操作レバー用のパイロット操作弁３６の出力圧（パイロット圧）が制御される。なお、パイロット操作弁３６にはパイロットポンプ５０からパイロット圧が供給されている。そして、アーム２４のダンプ操作については、パイロット操作弁３６のパイロット圧が、そのままアーム用操作弁３７のダンプ側のパイロット圧として入力される。これにより、油圧ポンプ３１からの圧油はアーム用操作弁３７を介してアーム用シリンダ２８のダンプ側の室に入力される。一方で、掘削操作については、パイロット操作弁３６のパイロット圧は一旦ＥＰＣ弁３８に入力され、ＥＰＣ弁３８で調整されたパイロット圧がアーム用操作弁３７の掘削側のパイロット圧として入力される。これにより、油圧ポンプ３１からの圧油はアーム用操作弁３７を介してアーム用シリンダ２８の掘削側の室に入力される。ＥＰＣ弁３８は、コントローラ４０から出力されるＥＰＣ制御用の電流指令によって制御される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月7日(2011.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録データに基づいてインクを吐出可能な記録ヘッドと、前記記録ヘッドにインクを供給するインクタンクと、を搭載可能なキャリッジを備え、前記キャリッジの往復移動を伴って、記録媒体上に画像を記録する記録動作を行うインクジェット記録装置において、
前記キャリッジの前回の移動終了からの経過時間を取得する取得手段と、
前記経過時間が所定時間以上かどうかを判定する判定手段と、
前記判定手段による判定結果に基づいて、前記記録動作と、前記インクタンク内のインクを撹拌するために前記キャリッジを移動する撹拌動作と、を制御する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、（Ａ）前記経過時間が前記所定時間以上と判定された場合、前記攪拌動作を行なってから前記記録動作を行い、（Ｂ）前記経過時間が前記所定時間以上ではないと判定された場合、前記記録動作を行なってから、当該記録動作による前記インクタンク内のインクの撹拌の程度に関する情報に基づいて設定された条件で前記攪拌動作を行なうことを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項２】
前記記録動作による前記インクタンク内のインクの撹拌の程度に関する情報は、前記記録データ、前記記録動作時の前記キャリッジの移動回数、前記記録動作時の前記キャリッジの移動速度、前記記録動作のための記録モード、前記記録媒体の種類のうち少なくとも１つであることを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項３】
前記インクタンクは、前記キャリッジの往復移動により変位してインクを攪拌する撹拌部材を備えることを特徴とする請求項１または２に記載のインクジェット記録装置。
【請求項４】
前記撹拌部材は、前記インクタンク内に揺動自在に支持されることを特徴とする請求項３に記載のインクジェット記録装置。
【請求項５】
前記インクタンクは、顔料インクを収容することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明のインクジェット記録装置は、記録データに基づいてインクを吐出可能な記録ヘッドと、前記記録ヘッドにインクを供給するインクタンクと、を搭載可能なキャリッジを備え、前記キャリッジの往復移動を伴って、記録媒体上に画像を記録する記録動作を行うインクジェット記録装置において、前記キャリッジの前回の移動終了からの経過時間を取得する取得手段と、前記経過時間が所定時間以上かどうかを判定する判定手段と、前記判定手段による判定結果に基づいて、前記記録動作と、前記インクタンク内のインクを撹拌するために前記キャリッジを移動する撹拌動作と、を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、（Ａ）前記経過時間が前記所定時間以上と判定された場合、前記攪拌動作を行なってから前記記録動作を行い、（Ｂ）前記経過時間が前記所定時間以上ではないと判定された場合、前記記録動作を行なってから、当該記録動作による前記インクタンク内のインクの撹拌の程度に関する情報に基づいて設定された条件で前記攪拌動作を行なうことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月16日(2011.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記凸部および凹部は２組設けられていることを特徴とする、請求項９に記載の罫線輪組合体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
以上のような構成を採ることにより、以下のような作用を生じる。すなわち、ダンボールブランクシート１０１の厚さは、罫線Ｋ３のうち右端部（長側面部５との境界部）において最も薄いので、曲げ応力が作用した場合に、当該右端部から折れ曲がり始まる。このため、折曲線の蛇行は生じない。また、更に曲げ応力を加えると、折れ曲がりが罫線Ｋ３の左端（天面部５３との境界部）側に進行してゆく。この結果、稜Ｍ２２は長側面部５との間では所定の角度に折れ曲がるが、天面部３に向かう方向には緩やかな曲面を描いて折れ曲がることとなる。このような構造のダンボールブランクシート１０１から包装箱を形成した場合でも、稜Ｍ２２が変形を吸収することによって、第１の実施形態と同様に胴膨れを抑制することができる。尚、本実施形態では、罫線Ｋ３のうち右端部において最も深く形成されているが、逆に左端部を最も深く形成してもよい。また、ダンボールブランクシート１０１の両面に罫線Ｋ３を形成する必要はなく、表面或いは裏面の少なくとも何れか一方の面に形成するだけでもよい。更に、図４（Ｃ）に示されるように、稜Ｍ２２′を形成する罫線Ｋ３′の両端間の幅方向中間の位置（図では中央で示す）を最も深くなるようにして両側がそれよりも浅くなる（両端が同じ深さになっても異なる深さになってもよい）ように形成してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
尚、本実施形態では、罫線Ｋ４のうち右端部において最も深く形成されているが、逆に左端部を最も深く形成してもよい。また、ダンボールブランクシート２０１の両面に罫線Ｋ３４を形成する必要はなく、表面或いは裏面の少なくとも何れか一方の面に形成するだけでもよい。更に、図５（Ｃ）に示されるように、稜Ｍ３２′を形成する罫線Ｋ４′の両端間の幅方向中間の位置（図では中央で示す）を最も深くなるようにして両側がそれよりも浅くなる（両端が同じ深さになっても異なる深さ厚さになってもよい）ように形成してもよい。