Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月13日(2011.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つのメモリセルに複数ビットの記憶が可能なメモリセルで構成された半導体不揮発性記憶媒体を複数配置し、上記複数のビットのそれぞれに異なったページのデータが格納されるように割り当てられた記憶領域を構成する半導体不揮発性メモリ部と、
半導体揮発性記憶媒体で構成され、少なくとも退避対象データを格納するように割り当てられた記憶領域を含む半導体揮発性メモリ部と、
上記半導体不揮発性メモリ部及び半導体揮発性メモリ部に対するアクセスを制御するコントローラ部と、
電源検出回路と、
電圧保持回路とを有し、
上記半導体不揮発性メモリ部は、１つのメモリセルに上記記憶可能な複数ビットに対応した複数アドレスが割り当てられ、かかる複数アドレスに対応した複数ページモードを有し、記憶領域に退避領域とデータ領域が割り当てられ、
上記コントローラ部は、
電源投入時においてホストから供給される電源電圧を、上記コントローラ部、半導体揮発性メモリ部及び半導体不揮発性メモリ部それぞれへの動作電圧として供給するとともに、上記半導体不揮発性メモリ部における上記退避領域に格納された退避対象データを読み出して上記半導体揮発性メモリ部に書き込みを行い、
この後の電源供給状態において上記半導体不揮発性メモリ部の退避領域以外に対する書き込み動作は、上記複数ビットのそれぞれに割り当てられた各ページに対し書き込む複数ページモードにより行うように制御し、
電源遮断時においては、
上記電源検出回路の検出する電源遮断検出信号に応じて、上記電圧保持回路が保持する電圧を、上記コントローラ部、半導体揮発性メモリ部及び半導体不揮発性メモリ部の動作電圧としてそれぞれ供給するように切り替え、
上記半導体揮発性メモリ部に記憶されている退避対象データの上記半導体不揮発性メモリの退避領域への書き込み動作は、上記複数ページモードのうち最下位ビットに対応した第１ページモードのみにより行うように制御する構成の記憶装置。
【請求項２】
請求項１において、
上記コントローラ部は、ホストとの間でのデータの入出力を行うＨＤＤ互換性のインターフェイス部とコントローラ部の動作に必要な制御データの記憶回路とを更に備え、
上記半導体不揮発性メモリ部は、ＮＡＮＤ型多値フラッシュメモリで構成される複数の記憶媒体からなり、
上記記憶回路の制御データは、上記電源遮断時の上記退避対象データの一部として上記半導体不揮発性メモリ部の退避領域に記憶され、上記電源投入時の上記退避対象データの一部は上記記憶回路に記憶される記憶装置。
【請求項３】
請求項２において、
上記半導体不揮発性メモリ部の退避領域からの読み出しは、上記第１ページモードに対応した１つの参照電圧による１回の読み出しにより行う記憶装置。
【請求項４】
請求項３において、
上記コントローラ部は、上記インターフェイス部を介して入力されたデータ量が上記半導体揮発性メモリ部の所定の記憶容量内にあるときには、上記半導体揮発性メモリ部をアクセスして上記退避データとして書き込み、上記入力されたデータ量が上記半導体揮発性メモリ部の所定の記憶容量を超えるときには、上記半導体不揮発性メモリ部のデータ領域をアクセスして上記複数ページモードにより書き込むメモリアクセスモードを含む記憶装置。
【請求項５】
請求項４において、
上記コントローラ部は、制御入力端子を有し、上記制御入力端子から入力された制御信号により、上記半導体揮発性メモリ部の退避データを読み出して上記半導体不揮発性メモリ部のデータ領域に上記複数ページモードにより書き込みを行うメモリアクセスモードを含む記憶装置。
【請求項６】
請求項５において、
上記電圧保持回路は、コンデンサで構成される記憶装置。
【請求項７】
請求項６において、
上記記憶装置は、２．５インチ又は３．５インチのハードディスクドライブ装置に対応された外形サイズ及びコネクタピンを備えたパッケージに搭載され、
上記２．５インチ又は３．５インチのハードディスクドライブ装置との互換性を持つ記憶装置。
【請求項８】
１つのメモリセルに複数ビットの記憶が可能なメモリセルで構成された半導体不揮発性記憶媒体を複数配置し、退避領域と、上記複数のビットのそれぞれに異なったページのデータが格納されるように割り当てられたデータ領域と、を含む記憶領域を構成する半導体不揮発性メモリ部と、
半導体揮発性記憶媒体で構成され、少なくとも退避対象データを格納するように割り当てられた記憶領域を含む半導体揮発性メモリ部と、
コントローラ部と、
ホストからの電源供給状態を検出する電源検出手段と、ホストからの電源で充電されるキャパシタを含む電圧保持手段と、スイッチ手段と、を含む電源部と、
ホストとの間でのデータ伝送を行うインターフェイスとを有し、
上記コントローラ部は、
電源供給状態においては、
上記ホストから供給される電源電圧を、上記コントローラ、半導体揮発性メモリ部及び半導体不揮発性メモリ部それぞれへの動作電圧として供給するとともに、上記キャパシタを充電する接続状態に維持し、
上記インターフェイスを介してホストから伝送されるデータの上記半導体不揮発性メモリ部の上記データ領域に対する書き込み動作が、上記複数ビットに割り当てられた複数ページに対し行われる複数ページモードによって行われる
ように制御し、
電源遮断時においては、
上記電源検出手段が検出した電源遮断検出信号に応じて、上記キャパシタが保持する電圧を上記コントローラ部、半導体揮発性メモリ部及び半導体不揮発性メモリ部それぞれへの動作電圧として供給するように上記スイッチ手段を切り替え、
上記半導体揮発性メモリ部に記憶されている退避対象データの上記半導体不揮発性メモリ部の上記退避領域への書き込み動作が、上記退避領域における各メモリセルの最下位ビットに割り当てられた第１ページに対し書き込む第１ページモードのみで行われるように制御する構成の記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月26日(2011.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報処理装置であって、
デバイスを検索するための検索要求を、他の情報処理装置から受信する受信手段と、
前記受信手段によって受信された検索要求に含まれる検索条件を満たすデバイスを検索する検索手段と、
検索手段で検索されたデバイスの情報を含む検索結果を、前記他の情報処理装置に送信する送信手段と、
検索要求の転送先が前記情報処理装置に登録されているか否かを判断する判断手段と、
前記判断手段によって、前記転送先が登録されていると判断された場合、前記受信手段によって受信された検索要求に基づいて、登録されている前記転送先に検索要求を転送する転送手段と、
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記判断手段によって、前記転送先が登録されていると判断された場合、前記受信手段によって受信された検索要求に基づいて、転送先に転送すべき検索要求を生成する生成手段を更に有し、
前記生成手段で生成する検索要求では、前記他の情報処理装置が、当該検索要求に対する検索結果を送信する送信先として指定されていることを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記受信手段によって受信された検索要求に、検索結果の送信先を示す情報が含まれているか否かを判断する第２の判断手段を更に有し、
前記送信手段は、前記第２の判断手段によって、送信先を示す情報が含まれていると判断された場合には、当該送信先に検索結果を送信し、前記第２の判断手段によって、送信先を示す情報が含まれていないと判断された場合には、前記他の情報処理装置に検索結果を送信することを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記情報処理装置は、複数のサブネットによって構成されたネットワークに接続されており、前記他の情報処理装置は、前記情報処理装置と同じサブネットに接続され、登録されている前記転送先は、前記情報処理装置と異なるサブネットに接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記情報処理装置は、階層構造によって構成されたネットワークに接続されており、前記検索要求の転送先の装置は、前記情報処理装置よりも上位の階層のネットワークに接続されていることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記検索要求は、当該検索要求を転送する回数の制限値を示す情報を含み、
前記転送手段は、前記制限値を示す情報に従って、前記検索要求を転送することを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記検索要求は、当該検索要求の転送先となった装置を示す情報を含み、前記転送手段は、前記登録されている転送先の装置のうち、前記検索要求に含まれる情報によって示される装置以外の装置に当該検索要求を転送することを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の情報処理装置。
【請求項８】
情報処理装置の制御方法であって、
デバイスを検索するための検索要求を、他の情報処理装置から受信する受信ステップと、
前記受信ステップによって受信された検索要求に含まれる検索条件を満たすデバイスを検索する検索ステップと、
検索ステップで検索されたデバイスの情報を含む検索結果を、前記他の情報処理装置に送信する送信ステップと、
検索要求を転送する転送先の装置が前記情報処理装置に登録されているか否かを判断する判断ステップと、
前記判断ステップによって、転送先の装置が登録されていると判断された場合、前記受信ステップによって受信された検索要求に基づいて、登録されている転送先の装置に検索要求を転送する転送ステップと、
を有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項９】
コンピュータプログラムであって、
デバイスを検索するための検索要求を、他の情報処理装置から受信する受信ステップと、
前記受信ステップによって受信された検索要求に含まれる検索条件を満たすデバイスを検索する検索ステップと、
検索ステップで検索されたデバイスの情報を含む検索結果を、前記他の情報処理装置に送信する送信ステップと、
検索要求を転送する転送先の装置が前記情報処理装置に登録されているか否かを判断する判断ステップと、
前記判断ステップによって、転送先の装置が登録されていると判断された場合、前記受信ステップによって受信された検索要求に基づいて、登録されている転送先の装置に検索要求を転送する転送ステップと、
をコンピュータに実行させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記問題を解決するために、本発明における情報処理装置は、デバイスを検索するための検索要求を、他の情報処理装置から受信する受信手段と、前記受信手段によって受信された検索要求に含まれる検索条件を満たすデバイスを検索する検索手段と、検索手段で検索されたデバイスの情報を含む検索結果を、前記他の情報処理装置に送信する送信手段と、検索要求の転送先が前記情報処理装置に登録されているか否かを判断する判断手段と、前記判断手段によって、前記転送先が登録されていると判断された場合、前記受信手段によって受信された検索要求に基づいて、登録されている前記転送先に検索要求を転送する転送手段とを有することを特徴とする情報処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、ルータを介して接続された複数のサブネットを有するネットワークシステムにおいても、他のサブネットに存在するデバイスを検索できるようになる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月16日(2011.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
発光色の異なる複数の発光素子を有する発光素子群を複数有しており、
各発光素子は、第１電極と、透光性の第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成されている発光層と、を有しており、
前記発光層よりも第１電極側に形成されている第１反射面と、前記発光層よりも第２電極側に形成されている第２反射面との間の光学距離が、前記発光層で発光した光を強め合うように設定されている表示装置において、
前記発光素子群の光取り出し側に、前記表示装置の法線方向に対して角度を有する方向の光に対して特定の波長域を吸収する部材が設けられており、
前記特定の波長域は、前記発光素子群が白色を発光する際に、前記角度を有する方向に出射される発光の色相が黄色になるように設定されていることを特徴とする表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この課題を解決するために、本発明に係る表示装置は、
発光色の異なる複数の発光素子を有する発光素子群を複数有しており、
各発光素子は、第１電極と、透光性の第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成されている発光層と、を有しており、
前記発光層よりも第１電極側に形成されている第１反射面と、前記発光層よりも第２電極側に形成されている第２反射面との間の光学距離が、前記発光層で発光した光を強め合うように設定されている表示装置であって、
前記発光素子群の光取り出し側に、前記表示装置の法線方向に対して角度を有する方向の光に対して特定の波長域を吸収する部材が設けられており、
前記特定の波長域は、前記発光素子群が白色を発光する際に、前記角度を有する方向に出射される発光の色相が黄色になるように設定されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月9日(2011.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外管と、
この外管内に収納され、かつ端部にチップオフ部が形成されている内管と、
この内管の内部に配置された発光管とを備え、
前記チップオフ部と前記外管の内面のうち、前記チップオフ部に対面する部分との間には、前記チップオフ部から前記対面部分に向かう方向に弾性変形するコイル状のばねが設けられていることを特徴とするランプ。
【請求項２】
前記コイル状のばねは、前記外管と前記内管との間に挟持されて保持されていることを特徴とする請求項１記載のランプ。
【請求項３】
前記コイル状のばねは、前記チップオフ部側よりも前記対面部分側が径小となっていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のランプ。
【請求項４】
前記コイル状のばねは、前記外管の内面と前記内管の外面とにそれぞれ当接しており、
前記コイル状のばねには、前記チップオフ部から前記対面部分に向かう方向に圧縮応力が働いていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のランプ。
【請求項５】
前記コイル状のばねは、ステンレスからなり、かつ線径が０．２［ｍｍ］以上１．０［ｍｍ］以下の範囲内に設定されていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のランプ。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のランプと、このランプが取り付けられた照明器具とを備えたことを特徴とする照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の請求項３記載のランプは、前記本発明の請求項１または請求項２に記載のランプにおいて、前記コイル状のばねは、前記チップオフ部側よりも前記対面部分側が径小となっていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月27日(2011.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極と、前記一対の電極間の放電空間を覆うガラス管を含み、前記一対の電極間における放電により発光する第１ランプと、
前記第１ランプから発した光を、前記第１ランプとは異なる方向に反射する第１リフレクタと、
前記第１ランプから発した光を前記第１ランプを介して前記第１リフレクタに導く第１反射面を有する光源装置において、
前記第１反射面はトーリック面であることを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記一対の電極を結ぶ方向をＸ軸とするとき、
前記第１反射面は、前記Ｘ軸を法線とする第１平面における形状が円であることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
前記一対の電極を結ぶ方向をＸ軸とするとき、
前記第１反射面は、前記Ｘ軸を法線とする第１平面における曲率半径が、前記Ｘ軸を含む第２平面における曲率半径よりも小さいことを特徴とする請求項１又は２に記載の光源装置。
【請求項４】
前記一対の電極を結ぶ方向をＸ軸とするとき、
前記第１反射面は、前記Ｘ軸を含む第１平面における曲率半径が、両端に向かうにつれて大きくなるような非球面形状であることを特徴とする請求項１乃至３いずれか１項に記載の光源装置。
【請求項５】
一対の電極と、前記一対の電極間の放電空間を覆うガラス管を含み、前記一対の電極間における放電により発光する第２ランプと、
前記第２ランプから発した光を、前記第２ランプとは異なる方向に反射する第２リフレクタと、
前記第１ランプの第１リフレクタで反射された光と前記第２ランプの第２リフレクタで反射された光とを合成する光路合成素子を有することを特徴とする請求項１乃至４いずれか１項に記載の光源装置。
【請求項６】
一対の電極と、前記一対の電極間の放電空間を覆うガラス管を含み、前記一対の電極間における放電により発光する第２ランプと、
前記第２ランプから発した光を、前記第２ランプとは異なる方向に反射する第２リフレクタと、
前記第２ランプから発した光を前記第２ランプを介して前記第２リフレクタに導く第２反射面を備えており、
前記第１反射面が形成された部材の、前記第１反射面の裏面側に前記第２反射面が配置されていることを特徴とする請求項１乃至４いずれか１項に記載の光源装置。
【請求項７】
請求項１乃至６いずれか１項に記載の光源装置と、
前記光源装置からの光を、偏光ビームスプリッターを介して被照明面に導く照明光学系を有することを特徴とする照明装置。
【請求項８】
請求項１乃至４いずれかえに記載の光源装置と、
前記光源装置からの光を、偏光ビームスプリッターを介して被照明面に導く照明光学系を有しており、
前記一対の電極を結ぶ方向をＸ軸とするとき、
前記照明光学系の光軸と前記偏光ビームスプリッターの偏光分離面の法線により定義される第３平面が、前記Ｘ軸と平行であることを特徴とする照明装置。
【請求項９】
請求項５又は６に記載の光源装置と、
前記光源装置からの光を、偏光ビームスプリッターを介して被照明面に導く照明光学系を有しており、
前記第１ランプと前記第２ランプとを配列した方向を配列方向とするとき、
前記照明光学系の光軸と前記偏光ビームスプリッターの偏光分離面の法線により定義される第３平面が、前記配列方向と垂直であることを特徴とする照明装置。
【請求項１０】
画像表示素子と、
前記画像表示素子を照明する、請求項７乃至９いずれか１項に記載の照明装置を備えることを特徴とする画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月6日(2011.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板に所定の間隔で形成され、前記透明基板の列方向に伸在し且つ行方向に沿って配列された、導電膜から成るＮ（Ｎ≧２）本の検出用列配線と、
前記透明基板上に前記複数の検出用列配線と立体交差する様に所定の間隔で形成され、前記透明基板の前記行方向に伸在し且つ前記列方向に沿って配列された、前記導電膜から成るＭ（Ｍ≧２）本の検出用行配線と、
タッチした指示体と前記検出用列配線との間に形成される静電容量及び前記指示体と前記検出用行配線との間に形成される静電容量を検出する容量検出回路と、
それぞれが前記Ｎ本の検出用列配線の内の対応する検出用列配線を前記容量検出回路の入力端に接続するＮ個のスイッチを有する第１検出線選択スイッチ回路と、
それぞれが前記Ｍ本の検出用行配線の内の対応する検出用行配線を前記容量検出回路の入力端に接続するＭ個のスイッチを有する第２検出線選択スイッチ回路と、
前記第１検出線選択スイッチ回路の前記Ｎ個のスイッチの選択接続及び前記第２検出線選択スイッチ回路の前記Ｍ個のスイッチの選択接続を制御する検出制御回路と、
前記容量検出回路が出力する計数結果に基づいて、前記指示体のタッチ位置の位置座標を算出するタッチ座標算出回路とを備えており、
（１）タッチ検出モードの場合には、
前記検出制御回路は、
前記第１検出線選択スイッチ回路に対しては、ｎ（ｎ≧２且つＮ＝α×ｎ：αは自然数）個の隣合うスイッチを同時に接続状態にしてｎ本の隣合う検出用列配線を１本の検出用列配線群として一まとめにして前記容量検出回路の前記入力端に接続する状態で、α本の前記検出用列配線群がスキャンされる様に前記Ｎ個のスイッチのオン・オフ状態を制御するスイッチング制御信号を出力する一方、
前記第２検出線選択スイッチ回路に対しては、ｍ（ｍ≧２且つＭ＝β×ｍ：βは自然数）個の隣合うスイッチを同時に接続状態にしてｍ本の隣合う検出用行配線を１本の検出用行配線群として一まとめにして前記容量検出回路の前記入力端に接続する状態で、β本の前記検出用行配線群がスキャンされる様に前記Ｍ個のスイッチのオン・オフ状態を制御するスイッチング制御信号を出力し、
前記タッチ座標算出回路は、α個の計数結果の中で最大値となる計数結果を与える検出用列配線群に属するｎ本の検出用列配線を含む検出用列配線を、位置検出モードに於いて再度スキャンすべきタッチ検出列配線として特定し、且つ、β個の計数結果の中で最大値となる計数結果を与える検出用行配線群に属するｍ本の検出用列配線を含む検出用行配線を、位置検出モードに於いて再度スキャンすべきタッチ検出行配線として特定した上で、前記検出制御回路に対して、前記位置検出モードで前記第１及び第２検出線選択スイッチ回路を制御する様に指令し、
（２）前記位置検出モードの場合には、
前記検出制御回路は、
前記第１検出線選択スイッチ回路に対しては、前記タッチ検出列配線の各々を１本毎に前記容量検出回路の前記入力端に接続する様に、前記タッチ検出列配線の各々に対応するスイッチを１個ずつ接続状態に制御するスイッチング制御信号を出力する一方、
前記第２検出線選択スイッチ回路に対しては、前記タッチ検出行配線の各々を１本毎に前記容量検出回路の前記入力端に接続する様に、前記タッチ検出行配線の各々に対応するスイッチを１個ずつ接続状態に制御するスイッチング制御信号を出力すると共に、
前記タッチ座標算出回路は、前記タッチ検出列配線の各々が前記容量検出回路の前記入力端に接続されたときに前記容量検出回路が出力する計数結果に基づいて、前記指示体と前記タッチ検出列配線の各々との間に形成される各静電容量を検出し、且つ、前記タッチ検出行配線の各々が前記容量検出回路の前記入力端に接続されたときに前記容量検出回路が出力する計数結果に基づいて、前記指示体と前記タッチ検出行配線の各々との間に形成される各静電容量を検出することで、各静電容量検出結果に基づいて前記指示体の前記タッチ位置の前記位置座標を算出することを特徴とする、
タッチパネル。
【請求項２】
請求項１記載のタッチパネルであって、
前記位置検出モードの場合に、前記タッチ座標算出回路は、α個の計数結果の中で最大値となる計数結果を与える検出用列配線群に属するｎ本の検出用列配線と、当該検出用列配線群に隣接する検出用列配線とを、再度スキャンすべきタッチ検出列配線として特定し、且つ、β個の計数結果の中で最大値となる計数結果を与える検出用行配線群に属するｍ本の検出用列配線と、当該検出用行配線群に隣接する検出用行配線とを、再度スキャンすべきタッチ検出行配線として特定した上で、前記検出制御回路に対して、前記位置検出モードで前記第１及び第２検出線選択スイッチ回路を制御する様に指令することを特徴とする、
タッチパネル。
【請求項３】
請求項１記載のタッチパネルであって、
前記容量検出回路は、
前記検出制御回路により制御される発振回路と、
前記検出制御回路の制御の下で前記発振回路の出力信号の発振周期を計数して、前記発振周期の計数を開始してから前記発振周期の計数値が所定の計数値に達するまでの期間を計数する計数回路とを備えることを特徴とする、
タッチパネル。
【請求項４】
請求項３記載のタッチパネルであって、
前記検出制御回路は、前記発振回路に接続された検出用配線で形成される容量を充電あるいは放電する電流を決定する回路定数を制御することを特徴とする、
タッチパネル。
【請求項５】
請求項３記載のタッチパネルであって、
前記タッチ検出モードの場合に於いてのみ、
前記検出制御回路は、
前記第１検出線選択スイッチ回路に対しては、各隣合う両検出用列配線群がタイミング的に前記発振回路の前記入力端に重なって接続される状態が無い期間が存在しない様に、前記Ｎ個のスイッチのオン・オフ状態を制御するスイッチング制御信号を出力する一方、
前記第２検出線選択スイッチ回路に対しては、各隣合う両検出用行配線群がタイミング的に前記発振回路の前記入力端に重なって接続される状態が無い期間が存在しない様に、前記Ｍ個のスイッチのオン・オフ状態を制御するスイッチング制御信号を出力することを特徴とする、
タッチパネル。
【請求項６】
請求項３記載のタッチパネルであって、
前記発振回路は、
前記発振回路の前記入力端をそのプラス入力端子とし、その出力信号が前記発振回路の前記出力信号となるコンパレータ回路を備えており、
前記検出制御回路は、
前記コンパレータ回路のマイナス入力端子とグランド間に接続される比較基準電圧の電圧値が、前記タッチ検出モードの場合には、前記位置検出モードの場合よりも小さくなる様に、前記比較基準電圧を制御することを特徴とする、
タッチパネル。
【請求項７】
請求項３乃至請求項６の何れかに記載のタッチパネルであって、
前記検出制御回路は、
前記計数回路に設定される前記所定の計数値が、前記タッチ検出モードの場合には、前記位置検出モードの場合よりも小さくなる様に、前記計数回路を制御することを特徴とする、
タッチパネル。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月30日(2011.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アプリケーションをインストールする機能を有するインストーラによって複数のアプリケーションをインストールする情報処理装置において、
エラーメッセージを表示器に表示させないモードでインストーラに前記複数のアプリケーションのインストールを実行させる実行手段と、
インストーラによるアプリケーションのインストールが終了した際に、アプリケーションのインストールの結果を判定する判定手段と、
前記判定手段により、アプリケーションのインストールに失敗したと判定された場合、エラーメッセージを表示器に表示させるモードでインストールに失敗したアプリケーションのインストールを再実行させる再実行手段とを有し、
前記再実行させた結果、エラーメッセージが表示器に表示されることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
インストーラがアプリケーションをインストールする前に、前記情報処理装置の状態を保存する保存手段と、
インストールを再実行させる前に、前記保存手段で保存した前記情報処理装置の状態を復元する復元手段とを更に有し、
前記インストールに失敗したときのエラーメッセージを表示器に表示させることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記エラーメッセージを表示器に表示させないモードに対応しないインストーラの場合、前記実行手段は、インストーラを、前記エラーメッセージを表示器に表示させるモードで実行させることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記判定手段は、インストーラがエラーメッセージ用のウィンドウを表示した場合、インストーラはインストールに失敗したと判定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記実行手段によってインストーラがインストールを全て終了した後に、前記再実行手段が行なわれることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項６】
アプリケーションをインストールする機能を有するインストーラによって複数のアプリケーションをインストールする情報処理装置におけるインストール方法であって、
実行手段が、エラーメッセージを表示器に表示させないモードでインストーラに前記複数のアプリケーションのインストールを実行させる実行工程と、
判定手段が、インストーラによるアプリケーションのインストールが終了した際に、アプリケーションのインストールの結果を判定する判定工程と、
再実行手段が、前記判定工程により、アプリケーションのインストールに失敗したと判定された場合、エラーメッセージを表示器に表示させるモードでインストールに失敗したアプリケーションのインストールを再実行させる再実行工程とを有し、
前記再実行させた結果、エラーメッセージが表示器に表示されることを特徴とするインストール方法。
【請求項７】
アプリケーションをインストールする機能を有するインストーラを備え、インストーラによって複数のアプリケーションをインストールするコンピュータで実行されるプログラムであって、
エラーメッセージを表示器に表示させないモードでインストーラに前記複数のアプリケーションのインストールを実行させる実行工程と、
インストーラによるアプリケーションのインストールが終了した際に、アプリケーションのインストールの結果を判定する判定工程と、
前記判定工程により、アプリケーションのインストールに失敗したと判定された場合、エラーメッセージを表示器に表示させるモードでインストールに失敗したアプリケーションのインストールを再実行させる再実行工程とをコンピュータに実行させ、
前記再実行させた結果、エラーメッセージが表示器に表示されることを特徴とするプログラム。
【請求項８】
請求項７に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明は、アプリケーションをインストールする機能を有するインストーラによって複数のアプリケーションをインストールする情報処理装置におけるインストール方法であって、実行手段が、エラーメッセージを表示器に表示させないモードでインストーラに前記複数のアプリケーションのインストールを実行させる実行工程と、判定手段が、インストーラによるアプリケーションのインストールが終了した際に、アプリケーションのインストールの結果を判定する判定工程と、再実行手段が、前記判定工程により、アプリケーションのインストールに失敗したと判定された場合、エラーメッセージを表示器に表示させるモードでインストールに失敗したアプリケーションのインストールを再実行させる再実行工程とを有し、前記再実行させた結果、エラーメッセージが表示器に表示されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月14日(2011.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
仮想空間内で画像を整理するのに適したアイテムを含む上記仮想空間を表示する仮想空間表示部と、
画像をグループに分類する分類手段と、
上記分類されたグループのそれぞれに属する画像の枚数に応じて、上記グループのそれぞれと上記アイテムとの関連付けを行う画像群化手段と、
上記画像群化手段で上記グループに関連付けられた上記アイテムを指定して、上記仮想空間表示部の上記仮想空間内に上記グループ毎に上記画像を表示させる表示制御手段と、
を備えることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
上記アイテムは、画像表示面を有する表示用アイテムと画像表示面を持たない保管用アイテムとからなり、
上記画像群化手段は、属する画像の枚数に従って、上記表示用アイテム又は上記保管用アイテムを上記グループと関連付けることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
上記アイテムは、撮影条件に従ってデザインを変更可能な表紙を有するアルバム用アイテムからなることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項４】
上記画像を上記グループに分類するときには時間情報が利用されることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の画像表示装置。
【請求項５】
上記アイテムは、額縁用アイテム、フォトスタンド用アイテム、ＣＤケース用アイテムの何れかであり、
上記画像群化手段は、上記時間情報の新しい順に、上記額縁用アイテム、上記フォトスタンド用アイテム、上記ＣＤケース用アイテムの順で切り替えて上記グループと関連付けることを特徴とする請求項４に記載の画像表示装置。
【請求項６】
上記画像を上記グループに分類するときには位置情報が利用されることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の画像表示装置。
【請求項７】
通信機能を有するカメラとネットワークを介して接続され、仮想空間内で画像を整理するのに適したアイテムを含む上記仮想空間を表示する仮想空間表示部を有する画像表示装置であって、
上記ネットワークを介して上記カメラから送信された画像の枚数に応じて、上記グループのそれぞれと上記アイテムとの関連付けを行う指定情報判定手段と、
上記指定情報判定手段により上記送信された画像に関連付けられた上記アイテムを指定して、上記仮想空間表示部の上記仮想空間内に上記送信された画像を表示させる表示制御手段と、
を備えることを特徴とする画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち請求項１に記載の発明は、仮想空間内で画像を整理するのに適したアイテムを含む上記仮想空間を表示する仮想空間表示部と、画像をグループに分類する分類手段と、上記分類されたグループのそれぞれに属する画像の枚数に応じて、上記グループのそれぞれと上記アイテムとの関連付けを行う画像群化手段と、上記画像群化手段で上記グループに関連付けられた上記アイテムを指定して、上記仮想空間表示部の上記仮想空間内に上記グループ毎に上記画像を表示させる表示制御手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項７に記載の発明は、通信機能を有するカメラとネットワークを介して接続され、仮想空間内で画像を整理するのに適したアイテムを含む上記仮想空間を表示する仮想空間表示部を有する画像表示装置であって、上記ネットワークを介して上記カメラから送信された画像の枚数に応じて、上記グループのそれぞれと上記アイテムとを関連付ける指定情報判定手段と、上記指定情報判定手段により上記送信された画像に関連付けられた上記アイテムを指定して、上記仮想空間表示部の上記仮想空間内に上記送信された画像を表示させる表示制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月25日(2010.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項１〜請求項４の何れか１項に記載の二次電池用非水電解液において、上記の被膜形成化合物が、４−フルオロエチレンカーボネート、エチレンサルファイト、ビニルエチレンカーボネート、ＬｉＢ（Ｃ2Ｏ4）2、ＬｉＢＦ2（Ｃ2Ｏ4）から選択される少なくとも１種である二次電池用非水電解液。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
例えば、上記のフッ素化鎖状カルボン酸エステルであるＣＦ3ＣＨ2ＣＯＯＣＨ3やＣＨ3ＣＯＯＣＨ2ＣＦ3に対して１ｍｏｌ／ｌとなるようＬｉＰＦ6を溶解させ、黒鉛負極を作用電極として用い、走査速度１ｍＶ／ｓｅｃの測定条件にてＣＶ測定した場合、金属リチウムとリチウムイオンとの平衡電位に対して、ＣＦ3ＣＨ2ＣＯＯＣＨ3の場合には＋１．２Ｖ程度、ＣＨ3ＣＯＯＣＨ2ＣＦ3の場合には＋０．８Ｖ程度で還元分解される。このため、＋１．０Ｖ以上で分解する被膜形成化合物を含有させることで、上記のフッ素化鎖状カルボン酸エステルが負極と反応して分解するのを抑制することができ、或いはこのフッ素化鎖状カルボン酸エステルが負極の被膜形成に部分的に関与し、過大に分解するのを抑制することができる。また、非水電解液を注液した時の黒鉛負極の電位は＋３．０Ｖ程度であるため、＋３．０Ｖ以下で分解する被膜形成化合物を含有させる必要がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
そして、上記のような被膜形成化合物としては、例えば、４−フルオロエチレンカーボネート、エチレンサルファイト、ビニルエチレンカーボネート、ＬｉＢ（Ｃ2Ｏ4）2、ＬｉＢＦ2（Ｃ2Ｏ4）から選択される少なくとも１種を用いることができ、特に、負極に適切な被膜を形成すると共に非水系溶媒として有効に機能する４−フルオロエチレンカーボネートを用いることが好ましい。ここで、金属リチウムとリチウムイオンとの平衡電位を基準として分解される電位は、４−フルオロエチレンカーボネートでは約１．２Ｖ、エチレンサルファイトでは約１．１Ｖ、ビニルエチレンカーボネートでは約１．３Ｖ、ＬｉＢ（Ｃ2Ｏ4）2では約２．０Ｖ、ＬｉＢＦ2（Ｃ2Ｏ4）では約１．７Ｖである。また、４−フルオロエチレンカーボネートの誘導体、エチレンサルファイトの誘導体、ビニルエチレンカーボネートの誘導体としても、金属リチウムとリチウムイオンとの平衡電位を基準として分解される電位が＋１．０〜３．０Ｖの範囲のものを用い、好ましくは＋１．１〜２．０Ｖの範囲のものを用いるようにする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
１リットルのナス型フラスコに、ジイソプロピルアミン３５ｇ（３５０ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン３００ｍｌとを仕込み、氷冷、攪拌しながら、１．６Ｍノルマルブチルリチウム／ヘキサン２１９ｍｌ（３５０ｍｍｏｌ）を徐々に滴下し、更に室温で３０分間攪拌してリチウムジイソプロピルアミドを調製した。次いで、このリチウムジイソプロピルアミド溶液を−８０℃に冷却し、メチルアセテート２６ｇ（３５０ｍｍｏｌ）を徐々に滴下して、１５分間熟成した後に、クロロトリメチルシラン３８ｇ（３５０ｍｍｏｌ）を加えてクエンチし、室温で一晩攪拌した。そして、生成した固体を濾別した後、溶媒を留去して得た黄色のオイルをノルマルヘキサン２００ｍｌに溶解し、−７８℃に冷却し、攪拌しながらヨードトリフルオロメタン７０ｇ（３６０ｍｍｏｌ）を加えた。そして、１Ｍトリエチルボラン／ヘキサン１０ｍｌ（１０ｍｍｏｌ）を加え、約２時間で室温まで昇温した。次いで、水２００ｍｌを加えてクエンチした後、分液ロートにより有機層を分離し、硝酸マグネシウムで乾燥させた。その後、蒸留により精製を行い、３，３，３−トリフルオロプロピオン酸メチルを１０ｇ（収率２０％）得た。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
１リットルのセパラブルフラスコに、トリフルオロエタノール８５ｇ（０．８５ｍｏｌ）とジエチルエーテル８０ｍｌとを仕込み、さらにトリエチルアミン１２９ｇ（１．２７ｍｏｌ／１．５ｅｑ）を加えた。そして、これを氷冷、攪拌しながら、アセチルクロリド１００ｇ（１．２７ｍｏｌ／１．５ｅｑ）をジエチルエーテル８０ｍｌで希釈した液を、滴下ロートにて滴下した。反応液の温度が２７〜３５℃になるように滴下し、２０分間で終了した。その後、室温で１．５時間攪拌した後、水３５０ｍｌを加えて反応を終了した。次いで、分液ロートにより有機層を分離し、硝酸マグネシウムで乾燥させた後、蒸留により精製を行い、酢酸２，２，２−トリフルオロエチルを８８ｇ（収率７３％）得た。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月11日(2011.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が載置される支持基板と、該支持基板に接合部材を介して配される被覆部材とを有し、該被覆部材と前記支持基板の間に空間を有する半導体装置であって、
前記半導体素子は前記空間に収納されており、
前記支持基板は凸部を有し、該凸部に被覆部材の一部が接するように配置されることにより、前記空間から外部に通じる通気孔が形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記凸部は、前記接合部材が配置される部分と前記半導体素子が載置される部分との間に形成される請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記被覆部材の前記基板と接する面は、上下方向に貫通した貫通孔を有し、該貫通孔の側面に前記接合部材が配される請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記凸部は、前記基板の外縁方向に伸びる延出部を有し、該延出部上面の少なくとも一部は被覆部材で覆われず露出されている請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記延出部は、平面視にて、対称軸に対して互いに対称な位置に設けられる請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記延出部は間隙を介して互いに対向するように少なくとも一対設けられており、前記間隙が前記通気孔となる請求項４または５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記被覆部材が、前記空間を形成する半球状の球面部と、前記球面部の外縁で支持基板と接合される接合部とを有する請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記球面部は透光性のレンズであり、前記接合部は金属部材で形成されている請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記接合部の支持基板と接合される面に凹凸を設けてなる請求項７または８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記凸部は、前記接合部と対応する位置に設けられてなる請求項７乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記凸部が、一部を切り欠いた環状に形成されてなる請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記接合部材が、複数箇所に配置されてなる請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
以上の目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は、半導体素子が載置される支持基板と、該支持基板に接合部材を介して配される被覆部材とを有し、該被覆部材と前記支持基板の間に空間を有する半導体装置であって、前記半導体素子は前記空間に収納されており、前記支持基板は凸部を有し、該凸部に被覆部材の一部が接するように配置されることにより、前記空間から外部に通じる通気孔が形成されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
さらに、前記延出部は間隙を介して互いに対向するように少なくとも一対設けられており、前記間隙が前記通気孔となることが好ましい。
さらに、前記被覆部材が、前記空間を形成する半球状の球面部と、前記球面部の外縁で支持基板と接合される接合部とを有することが好ましい。
前記球面部は透光性のレンズであり、前記接合部は金属部材で形成されていることが好ましい。
前記接合部の支持基板と接合される面に凹凸を設けてなることが好ましい。
前記凸部は、前記接合部と対応する位置に設けられてなることが好ましい。
前記凸部が、一部を切り欠いた環状に形成されてなることが好ましい。
前記接合部材が、複数箇所に配置されてなることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月15日(2011.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板上に実装された電子部品と、
前記配線基板上に実装され、その上面に導電性ワイヤがアーチ状に設けられた導体ポストと、
前記導電性ワイヤを露出させて前記導体ポスト及び前記電子部品を被覆する樹脂層と、 前記樹脂層の表面を覆い、前記導電性ワイヤに電気的に接続されたシールド部材とを備えたことを特徴とする電子部品装置。
【請求項２】
配線基板上に電子部品と共に導体ポストを実装する工程と、
前記導体ポストの上面に、樹脂封止の際に用いる金型よりも軟らかい材料からなる導体を配設する工程と、
前記金型を用いて、該金型を前記導体に接触させながら前記電子部品及び前記導体ポストを樹脂封止する工程とを含むことを特徴とする電子部品装置の製造方法。
【請求項３】
前記導体は、前記導体ポストの上面に導電性ワイヤをアーチ状にボンディングすることによって配設されることを特徴とする請求項２に記載の電子部品装置の製造方法。
【請求項４】
前記樹脂封止する工程後、封止樹脂層の表面から露出している前記導体上に導電性接続材料を付着させて、前記封止樹脂層の表面を覆うようにシールド部材を装着する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の電子部品装置の製造方法。
【請求項５】
前記シールド部材を装着する工程において、前記導体上に前記導電性接続材料を付着させる際に、前記封止樹脂層上の前記導体が露出している部分以外の所要の箇所に接着性材料を付着させることを特徴とする請求項４に記載の電子部品装置の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂封止する工程後、前記シールド部材を装着する前に、前記封止樹脂層の表面から露出している前記導体の表面に粗化処理を施す工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の電子部品装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子部品装置及びその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電子部品装置及びその製造方法に関し、より詳細には、配線基板に半導体素子等の電子部品と共に実装された外部接続端子として供される導体ポストを封止樹脂で封止し、その封止樹脂の表面に導体ポストを露出させた構造を有する電子部品装置及びその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、かかる従来技術における課題に鑑み創作されたもので、ポストの搭載高さの公差等に影響されることなく、外部との接続面（ポストの上面）を容易に露出させることができ、樹脂封止の際に使用していたリリースフィルムを不要としてコストの低減化に寄与することができる電子部品装置の製造方法及び電子部品装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記の従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、配線基板上に電子部品と共に導体ポストを実装する工程と、前記導体ポストの上面に、樹脂封止の際に用いる金型よりも軟らかい材料からなる導体を配設する工程と、前記金型を用いて、該金型を前記導体に接触させながら前記電子部品及び前記導体ポストを樹脂封止する工程とを含むことを特徴とする電子部品装置の製造方法が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の一形態に係る電子部品装置の製造方法によれば、樹脂封止の際に用いる金型よりも軟らかい材料からなる導体を導体ポストの上面に配設しておき、樹脂封止の際に、この導体に金型を接触させながら電子部品及び導体ポストの樹脂封止を行っているので、金型が接触している導体の上面に樹脂が付着することはなく、金型から外したときに、導体ポストの上面に設けられた導体の上面を封止樹脂層の表面から確実に露出させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明の他の形態によれば、配線基板と、前記配線基板上に実装された電子部品と、前記配線基板上に実装され、その上面に導電性ワイヤがアーチ状に設けられた導体ポストと、前記導電性ワイヤを露出させて前記導体ポスト及び前記電子部品を被覆する樹脂層と、前記樹脂層の表面を覆い、前記導電性ワイヤに電気的に接続されたシールド部材とを備えたことを特徴とする電子部品装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月25日(2011.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面的に見て多角形状で、かつ実装面側にバンプ状の電極端子を有する被実装体を実装するのに用いられる配線基板であって、
前記被実装体の電極端子と接続される配線層が形成された配線基板本体と、
前記配線基板本体の最表層に設けられ、前記被実装体の実装エリアにおいて少なくとも前記配線層の一部を露出させ、かつ当該実装エリアの外周に沿ってそのエッジ部が位置するよう形成された開口部を有する絶縁性の保護膜とを備え、
前記保護膜は、前記開口部の外側の領域と内側のランド状の領域とに分断され、前記開口部のエッジ部近傍の部分が断面的に見て前記実装エリアの内側に大きく開口された形状を有する樹脂貯留部を備えたことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記開口部は、そのコーナー部を除いてそのエッジ部が前記被実装体の実装エリアの外周に沿ってその内側に位置し、かつ前記コーナー部において局所的に広く開口されるよう形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記樹脂貯留部は、前記保護膜の前記開口部のエッジ部近傍の部分が断面的に見て前記実装エリアの内側に大きく開口されるよう段差状に形成された構造を有していることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記樹脂貯留部は、前記保護膜の前記開口部のエッジ部近傍の部分が断面的に見て前記実装エリアの内側に大きく開口されるようテーパ状に形成された構造を有していることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項５】
前記絶縁性の保護膜は、ソルダレジスト層であり、
前記被実装体は、前記配線基板にフリップチップ接合され、
前記被実装体と前記配線基板との間に充填される樹脂は、アンダーフィル樹脂である、ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
かかる従来技術に関連する技術としては、例えば、特許文献１に記載されるように、実装状態において半導体チップとの間に樹脂が充填される構造のフリップチップ実装用基板がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、特許文献２に記載されるように、配線基板においてその表面に被着したソルダレジスト層の開口部に、半導体チップのバンプとフリップチップ接合するための電極を露出させるとともに、半導体チップの投影面積外に延びる延設開口部を設けたものがある。また、特許文献３に記載されるように、実装状態においてＩＣチップと基板本体との間に樹脂が充填される構造のフリップチップ実装用プリント配線基板がある。
【特許文献１】特開平１１−１１１８９４号公報
【特許文献２】実用新案登録第３１１５８２８号公報
【特許文献３】特開２００５−１７５１１３号公報
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上述した従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、平面的に見て多角形状で、かつ実装面側にバンプ状の電極端子を有する被実装体を実装するのに用いられる配線基板であって、前記被実装体の電極端子と接続される配線層が形成された配線基板本体と、前記配線基板本体の最表層に設けられ、前記被実装体の実装エリアにおいて少なくとも前記配線層の一部を露出させ、かつ当該実装エリアの外周に沿ってそのエッジ部が位置するよう形成された開口部を有する絶縁性の保護膜とを備え、前記保護膜は、前記開口部の外側の領域と内側のランド状の領域とに分断され、前記開口部のエッジ部近傍の部分が断面的に見て前記実装エリアの内側に大きく開口された形状を有する樹脂貯留部を備えたことを特徴とする配線基板が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の一形態に係る配線基板の構成によれば、被実装体（例えば、半導体チップ）の電極端子と接続される配線層の一部を露出させるために保護膜（例えば、ソルダレジスト層）に形成された開口部のエッジ部近傍に、該エッジ部近傍の部分が断面的に見て実装エリアの内側に大きく開口された形状を有する樹脂貯留部が設けられている。これにより、本配線基板に被実装体を実装して当該被実装体との間隙に樹脂を充填する際に、開口部のエッジ部近傍（樹脂注入辺）から注入された樹脂は、この樹脂貯留部において一時的に貯留され、その間隙に一気に流し込まれることはない。そして、この樹脂貯留部に樹脂が貯留されつつ徐々にその間隙に流し込まれていく。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月30日(2011.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置であって、
前記トレンチ素子分離層に含まれる前記導電体は、前記第２拡散層の少なくとも１つに
電気的に接続されている
半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特にトレンチゲートを有する半導体装置及びその製造方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月25日(2011.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記ハイドロプレーン層の厚み制御は、前記シリコンウェーハの表面に対して垂直方向の前記研磨パッドに加える圧力、前記研磨パッドの相対摺動速度、及び／又は前記研磨液の粘性により制御する請求項１又は２記載のシリコンウェーハの研磨方法。