【手続補正書】
【提出日】平成23年1月25日(2011.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状に形成された上部電極および下部電極と、
前記上部電極と下部電極とによって挟まれて配置された誘電体層と、
前記上部電極および下部電極の外面を被覆する絶縁樹脂からなる被覆部とを備えることを特徴とするキャパシタ部品。
【請求項２】
前記上部電極と下部電極の少なくとも一方に、
基板にキャパシタ部品を内蔵する際に、配線パターンに接続して形成されるビアよりも大径に形成された開口穴が、少なくとも一つ設けられていることを特徴とする請求項１記載のキャパシタ部品。
【請求項３】
前記上部電極と下部電極の双方に、前記ビアよりも大径に形成された開口穴と、前記ビアよりも小径に形成された開口穴が設けられ、
前記上部電極と下部電極に形成された小径の開口穴が、前記下部電極と上部電極にそれぞれ形成された大径の開口穴の平面領域内に位置するように設けられていることを特徴とする請求項２記載のキャパシタ部品。
【請求項４】
前記開口穴は、平面形状が円形に形成され、小径の開口穴と大径の開口穴が同芯に配置されていることを特徴とする請求項３記載のキャパシタ部品。
【請求項５】
金属からなる支持層の表面に誘電層が積層され、誘電層に金属層が積層されて形成されたキャパシタシートを使用するキャパシタ部品の製造方法であって、
前記金属層と前記支持層を所定パターンにエッチングし、それぞれ上部電極と下部電極として形成する工程と、
前記上部電極と下部電極が形成されたキャパシタシートの面を、絶縁樹脂により被覆する工程と、
前記絶縁樹脂による被覆部が形成されたキャパシタシートを個片のキャパシタ部品に切断する工程とを備えることを特徴とするキャパシタ部品の製造方法。
【請求項６】
平板状に形成された上部電極および下部電極と、前記上部電極と下部電極とによって挟まれて配置された誘電体層と、前記上部電極および下部電極の外面を被覆する絶縁樹脂からなる被覆部とを備えるキャパシタ部品を有しており、
前記キャパシタ部品の被覆部の外面が粗面に形成されており、
前記キャパシタ部品が層間絶縁層に埋設されて、前記被覆部の外面と前記層間絶縁層が密着しており、
ビアを介して前記上部電極および下部電極と配線パターンとが電気的に接続されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項７】
前記キャパシタ部品は、前記上部電極と下部電極の双方に、前記ビアよりも大径に形成された開口穴と、前記ビアよりも小径に形成された開口穴が設けられるとともに、前記上部電極と下部電極に形成された小径の開口穴が、前記下部電極と上部電極にそれぞれ形成された大径の開口穴の平面領域内に位置するように設けられ、
前記ビアは、前記上部電極と下部電極にそれぞれ形成された小径の開口穴に位置合わせして、前記層間絶縁層と前記キャパシタ部品を厚さ方向に貫通して設けられ、
前記ビアの一方は、前記上部電極と電気的に接続され、他方は、前記下部電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項６記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記キャパシタ部品は、前記上部電極と下部電極の少なくとも一方に、前記ビアよりも大径に形成された開口穴が、少なくとも一つ設けられ、
前記ビアの一方は、前記上部電極と下部電極の一方に接続され、他方は、前記開口穴位置に位置合わせして前記上部電極と下部電極の他方に接続されていることを特徴とする請求項６記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
平板状に形成された上部電極および下部電極と、前記上部電極と下部電極とによって挟まれて配置された誘電体層と、前記上部電極および下部電極の外面を被覆する絶縁樹脂からなる被覆部とを備えるキャパシタ構造をコア基板に備え、
基板の表面に形成された配線パターンと、前記上部電極および下部電極とが、ビアを介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記キャパシタ構造は、前記上部電極と下部電極の双方に、前記ビアよりも大径に形成された開口穴と、前記ビアよりも小径に形成された開口穴が設けられるとともに、前記上部電極と下部電極に形成された小径の開口穴が、前記下部電極と上部電極にそれぞれ形成された大径の開口穴の平面領域内に位置するように設けられ、
前記ビアは、前記上部電極と下部電極にそれぞれ形成された小径の開口穴に位置合わせして、前記コア基板を厚さ方向に貫通して設けられ、前記ビアの一方は、前記上部電極と電気的に接続され、他方は、前記下部電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項９記載の半導体パッケージ。
【請求項１１】
前記キャパシタ構造は、前記上部電極と下部電極の少なくとも一方に、前記ビアよりも大径に形成された開口穴が、少なくとも一つ設けられ、
前記ビアの一方は、前記上部電極と下部電極の一方に接続され、他方は、前記開口穴位置に位置合わせして前記上部電極と下部電極の他方に接続されていることを特徴とする請求項９記載の半導体パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は次の構成を備える。
すなわち、本発明に係るキャパシタ部品は、平板状に形成された上部電極および下部電極と、前記上部電極と下部電極とによって挟まれて配置された誘電体層と、前記上部電極および下部電極の外面を被覆する絶縁樹脂からなる被覆部とを備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、金属からなる支持層の表面に誘電層が積層され、誘電層に金属層が積層されて形成されたキャパシタシートを使用するキャパシタ部品の製造方法であって、前記金属層と前記支持層を所定パターンにエッチングし、それぞれ上部電極と下部電極として形成する工程と、前記上部電極と下部電極が形成されたキャパシタシートの面を、絶縁樹脂により被覆する工程と、前記絶縁樹脂による被覆部が形成されたキャパシタシートを個片のキャパシタ部品に切断する工程とを備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明に係る半導体パッケージは、平板状に形成された上部電極および下部電極と、前記上部電極と下部電極とによって挟まれて配置された誘電体層と、前記上部電極および下部電極の外面を被覆する絶縁樹脂からなる被覆部とを備えるキャパシタ部品を有しており、前記キャパシタ部品の被覆部の外面が粗面に形成されており、前記キャパシタ部品が層間絶縁層に埋設されて、前記被覆部の外面と前記層間絶縁層が密着しており、ビアを介して前記上部電極および下部電極と配線パターンとが電気的に接続されていることを特徴とする。
また、半導体パッケージの構成として、前記キャパシタ部品は、前記上部電極と下部電極の双方に、前記ビアよりも大径に形成された開口穴と、前記ビアよりも小径に形成された開口穴が設けられるとともに、前記上部電極と下部電極に形成された小径の開口穴が、前記下部電極と上部電極にそれぞれ形成された大径の開口穴の平面領域内に位置するように設けられ、前記ビアは、前記上部電極と下部電極にそれぞれ形成された小径の開口穴に位置合わせして、前記層間絶縁層と前記キャパシタ部品を厚さ方向に貫通して設けられ、前記ビアの一方は、前記上部電極と電気的に接続され、他方は、前記下部電極と電気的に接続されていることを特徴とする。
また、半導体パッケージの構成として、前記キャパシタ部品は、前記上部電極と下部電極の少なくとも一方に、前記ビアよりも大径に形成された開口穴が、少なくとも一つ設けられ、前記ビアの一方は、前記上部電極と下部電極の一方に接続され、他方は、前記開口穴位置に位置合わせして前記上部電極と下部電極の他方に接続されていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明に係る半導体パッケージは、平板状に形成された上部電極および下部電極と、前記上部電極と下部電極とによって挟まれて配置された誘電体層と、前記上部電極および下部電極の外面を被覆する絶縁樹脂からなる被覆部とを備えるキャパシタ構造をコア基板に備え、基板の表面に形成された配線パターンと、前記上部電極および下部電極とが、ビアを介して電気的に接続されていることを特徴とする。
また、半導体パッケージの他の構成として、前記キャパシタ構造は、前記上部電極と下部電極の双方に、前記ビアよりも大径に形成された開口穴と、前記ビアよりも小径に形成された開口穴が設けられるとともに、前記上部電極と下部電極に形成された小径の開口穴が、前記下部電極と上部電極にそれぞれ形成された大径の開口穴の平面領域内に位置するように設けられ、前記ビアは、前記上部電極と下部電極にそれぞれ形成された小径の開口穴に位置合わせして、前記コア基板を厚さ方向に貫通して設けられ、前記ビアの一方は、前記上部電極と電気的に接続され、他方は、前記下部電極と電気的に接続されていることを特徴とする。
また、半導体パッケージの他の構成として、前記キャパシタ構造は、前記上部電極と下部電極の少なくとも一方に、前記ビアよりも大径に形成された開口穴が、少なくとも一つ設けられ、前記ビアの一方は、前記上部電極と下部電極の一方に接続され、他方は、前記開口穴位置に位置合わせして前記上部電極と下部電極の他方に接続されていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本実施形態のキャパシタ部品３０は、誘電体層１４が上部電極１８と下部電極２０によって挟まれ、被覆部２４によって両面が被覆されて樹脂成形されたことによって、誘電体層１４および上部電極１８および下部電極２０が被覆部２４によって保護され、所定の保形性を備えた製品として得られる。キャパシタの電気容量は誘電体層１４の誘電率、厚さ、および上部電極１８、下部電極２０の平面積によって決まる。誘電体層１４と上部電極１８、下部電極２０の平面積を大きくすることによって電気容量を大きくすることができる。本実施形態のキャパシタ部品によれば、１μF/cm2程度の電気容量が得られる。
また、本実施形態のキャパシタ部品３０は、被覆部２４の厚さを含めた全体の厚さが80〜100μｍ程度であり、薄型に形成されることから、基板内蔵用として好適に用いられる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
キャパシタシートの片面を被覆部２４によって封止した場合と、両面を被覆部２４によって封止した場合とを比較すると、キャパシタシートの両面を被覆部２４によって封止する場合の方がキャパシタ部品の反り等の変形を抑えることができる点で有利である。キャパシタシートの片面を樹脂によって封止する場合は、樹脂の厚さを薄くし、電極の厚さをある程度厚くすることによって、反り等の変形を抑えることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
本発明に係るキャパシタ部品あるいはキャパシタ構造を内蔵した配線基板（半導体パッケージ）は、誘電体層１４を上部電極１８と下部電極２０とで挟む構造としているから、誘電体層１４の大きさ、言い換えれば上部電極１８と下部電極２０の大きさを大きくすることによってより大きな電気容量を確保することが可能である。また、誘電体層１４、上部電極１８、下部電極２０を積層した構造としたことにより、薄型化、小型化が図れ、ビルドアップ層に組み込んでキャパシタ内蔵型の配線基板を形成するといったことが容易に可能になる。また、上部電極１８および下部電極２０は任意のパターンに形成できるから、キャパシタ部品を組み込む製品に応じて電極のパターンや開口穴のパターンを適宜設計することが可能になる等の利点を有する。