Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月8日(2008.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれスタブラジエータを規定する連続的なトランスバーススタブのセットを有する上部導電性プレート構造と、
この上部プレート構造に関して間隔を隔てられた関係で配置されている下部導電性プレート構造と、
電磁エネルギの伝播のためにオーバーモードの導波管媒体を上部導電性プレート構造及び下部導電性プレート構造と共に規定する側壁プレート構造とを具備し、
前記各スタブに対しては、１以上のトランスバース装置アレイ（ＴＤＡ）位相シフタが配置されている連続的なトランスバーススタブを放射素子として使用するアンテナアレイ。
【請求項２】
前記１以上のＴＤＡ位相シフタは複数の縦続配置されたＴＤＡ位相シフタを含んでいる請求項１記載のアレイ。
【請求項３】
前記１以上のＴＤＡ位相シフタはそれぞれ、その上に規定されている回路を有するほぼ平坦の誘電体基板と、それぞれ電圧可変リアクタンスを有する複数の間隔を隔てられているディスクリートな半導体ダイオード素子を含む回路と、スタブラジエータの側壁表面に対して横断方向であるスタブラジエータ内に配置されている基板とを具備し、
前記電圧可変リアクタンスに影響を与える逆バイアス電圧を与えるバイアス回路と、
スタブラジエータを通って伝播するマイクロ波またはミリメートル波エネルギの位相に変化を生じさせる逆バイアス下のＴＤＡ位相シフタとを具備している請求項１記載のアレイ。
【請求項４】
前記１以上のＴＤＡ位相シフタはスタブラジエータ内で間隔を隔てられた関係で複数の縦続された位相シフタを含んでいる請求項３記載のアレイ。
【請求項５】
各ＴＤＡ位相シフタ回路は誘電体基板を具備し、前記複数の位相シフタのそれぞれの基板は並列に整列して配置されている請求項３記載のアレイ。
【請求項６】
オーバーモードの導波管媒体は、均質で等方性の誘電体材料で充填されている請求項１記載のアレイ。
【請求項７】
側壁プレート構造は、アレイの動作中心周波数の波長の“Ｎ”倍であるように選択された広い幅の壁の寸法を有している請求項１記載のアレイ。
【請求項８】
トランスバース装置のアレイの位相シフタはディスクリートな半導体ダイオードを含んでいる請求項１記載のアレイ。
【請求項９】
ディスクリートな半導体ダイオードはバラクタダイオードまたはショッツキダイオードまたは電圧可変キャパシタを含んでいる請求項８記載のアレイ。
【請求項１０】
さらに、傾斜された波頭を有する入力波を発射するための送信／受信モジュールまたは位相シフタのアレイを具備している請求項１記載のアレイ。
【請求項１１】
連続的なトランスバーススタブのセットを有する広い幅の壁の上部導電性表面と、広い幅の壁の下部導電性表面と、対向する第１及び第２の導電性側壁表面とを有するオーバーモードの導波管構造と、
前記各スタブ中に配置されている少なくとも１つのトランスバース装置アレイ回路と、
半導体接合部を逆バイアスする逆バイアス電圧を供給するバイアス回路と、
１次元でビームを走査するために、前記スタブを通って伝播するマイクロ波またはミリメートル波エネルギの位相に変化を生じさせる逆バイアスにされた少なくとも１つのトランスバース装置アレイ回路とを具備し、
前記トランスバース装置アレイ回路はそれぞれマイクロ波回路がその上で規定されているほぼ平坦な誘電体基板と複数の間隔を隔てて配置されそれぞれ半導体接合部を有するディスクリートな半導体装置素子とを含んでおり、
前記スタブ内に配置されている基板は前記側壁表面に対して横断方向に延在している１次元の連続的なトランスバーススタブの電子的に走査されたアレイ。
【請求項１２】
各半導体素子はバラクタダイオード構造を具備している請求項１１記載のアレイ。
【請求項１３】
少なくとも１つのトランスバース装置アレイ回路は、スタブ中に配置されている複数の間隔を隔てられたトランスバース装置アレイ回路を具備し、各回路は基板を具備し、複数の間隔を隔てられたトランスバース装置アレイ回路の基板は縦続形態で配置されている請求項１１記載のアレイ。
【請求項１４】
さらに、前記導波管構造中に配置されている誘電体の充填材料を具備している請求項１記載のアレイ。
【請求項１５】
それぞれスタブラジエータを規定する連続的なトランスバーススタブのセットを有する上部導電性プレート構造と、
前記上部プレート構造に関して間隔を隔てられた関係で配置されている下部導電性プレート構造と、
上部導電性プレート構造及び下部導電性プレート構造と共に電磁エネルギの伝播のためのオーバーモードの導波管媒体を規定する側壁プレート構造と、
傾斜された波頭を有する入力波を導波管媒体中へ発射する手段とを具備し、
前記各スタブでは、１以上のトランスバース装置アレイ（ＴＤＡ）位相シフタが配置されている連続的なトランスバーススタブを放射素子として使用するアンテナアレイ。
【請求項１６】
前記１以上のＴＤＡ位相シフタは複数の縦続配置されたＴＤＡ位相シフタを含んでいる請求項１５記載のアレイ。
【請求項１７】
前記１以上のＴＤＡ位相シフタはそれぞれ、その上に規定された回路を有する誘電体基板と、それぞれ電圧可変リアクタンスを有する複数の間隔を隔てられているディスクリートな半導体ダイオード素子を含む回路と、スタブラジエータの側壁表面に対して横断方向であるスタブラジエータ内に配置されている基板と、
前記電圧可変リアクタンスに影響を与える逆バイアス電圧を与えるバイアス回路とを具備し、
逆バイアス下の前記１以上のＴＤＡ位相シフタはスタブラジエータを通って伝播するマイクロ波またはミリメートル波エネルギの位相に変化を生じさせる請求項１５記載のアレイ。
【請求項１８】
前記１以上のＴＤＡ位相シフタはスタブラジエータ内で間隔を隔てられた関係で複数の縦続された位相シフタを含んでいる請求項１７記載のアレイ。
【請求項１９】
各ＴＤＡ位相シフタ回路は誘電体基板を具備し、前記複数の位相シフタのそれぞれの基板は並列に整列されて配置されている請求項１７記載のアレイ。
【請求項２０】
オーバーモードの導波管媒体は、均質で等方性の誘電体材料で充填されている請求項１５記載のアレイ。
【請求項２１】
側壁プレート構造は、アレイの動作中心周波数の波長の“Ｎ”倍であるように選択された広い幅の壁の寸法を有している請求項１５記載のアレイ。
【請求項２２】
トランスバース装置のアレイ位相シフタはディスクリートな半導体ダイオードを含んでいる請求項１５記載のアレイ。
【請求項２３】
ディスクリートな半導体ダイオードはバラクタダイオードまたはショッツキダイオードまたは電圧可変キャパシタを含んでいる請求項２２記載のアレイ。
【請求項２４】
さらに、前記発射手段と２次元でビームを走査するための前記バイアス回路とを制御するためのビーム操縦制御装置を具備している請求項１７記載のアレイ。
【請求項２５】
前記入力波の発射手段は、入力波を発射するための送信／受信モジュールまたは位相シフタを具備している請求項１５記載のアレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月11日(2008.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各デコーダが、それぞれ異なるＮ個の均等レジスタ区分におけるＭ個のタップノードに伴うＭ個の電圧を受け取り、受け取ったＭ個の電圧のうちの第１の電圧及び第２の電圧を、前記Ｎ個の均等レジスタ区分のうちのレジスタ区分の中心における電圧に対する補助電圧として、対応する一組の第１のノード及び第２のノードへと供給するためのＮ個のデコーダを有する第１の復号段と、
Ｎ個の前記第１の電圧及び第２の電圧を受け取り、Ｎ個の前記第１の電圧のうちの１つを第３の電圧として、Ｎ個の前記第２の電圧のうちの１つを第４の電圧として、また、前記第３の電圧及び第４の電圧を、レジスタの中心における電圧に対する補助電圧として、１組の第３の出力ノード及び第４の出力ノードへと供給する第２の復号段と、
前記第３の電圧と第４の電圧のうちの１つを、デジタル／アナログ変換器の第１の出力端子へと供給し、また、前記第３の電圧と第４の電圧のうちの他の１つを、デジタル／アナログ変換器の第２の出力端子へと供給する第３の復号段と
を有する差動デジタル／アナログ変換器。
【請求項２】
前記第１の復号段における各デコーダは、２進復号操作を行う請求項１に記載の差動デジタル／アナログ変換器。
【請求項３】
前記第１の復号段における各デコーダは、ツリー復号操作を行う請求項１に記載の差動デジタル／アナログ変換器。
【請求項４】
前記第１の復号段における各デコーダは、２進復号操作及びツリー復号操作の両方を行う請求項１に記載の差動デジタル／アナログ変換器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月18日(2008.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハンドル部（１２）と変形可能部（１４）とを備えた手持ち式等尺運動装置（１０）であって、
前記変形可能部（１４）は、前記装置が前記ハンドル部（１２）で握られ表面に押し付けられた時に使用者により与えられる力に応答して変形するように配置され、
前記ハンドル部（１２）は、細長く、使用者の手によってしっかりと掴んで握られるように配置され、かつ前記変形可能部（１４）の変形を少なくとも部分的に支援するように使用者によって前記変形可能部（１４）に押し付けられ得る程度の十分な剛性を示し、
前記変形可能部（１４）を変形させるように使用者によって加えられた力のレベルを決定し且つ表示する手段（１６）をさらに備え、
前記変形可能部（１４）の外表面の少なくとも一部は、前記ハンドル部（１２）が配置された領域と反対の前記変形可能部（１４）の領域に配置された平坦な部分を含み、前記装置が押し付けられる前記表面との安定した係合を支援するように構成される、手持ち式等尺運動装置。
【請求項２】
前記ハンドル部（１２）は、前記変形可能部（１４）と一体に形成される、請求項１に記載の手持ち式等尺運動装置。
【請求項３】
前記ハンドル部（１２）及び前記変形可能部（１４）は、単一の部材として形成される、請求項２に記載の手持ち式等尺運動装置。
【請求項４】
前記ハンドル部（１２）は、使用者が前記ハンドル部（１２）を握ることを可能にする開口を形成するように前記変形可能部（１４）から隔てられている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の手持ち式等尺運動装置。
【請求項５】
前記変形可能部（１４）は、弾力のある材料から形成される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の手持ち式等尺運動装置。
【請求項６】
前記変形可能部（１４）は、少なくとも１つの空洞を有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の手持ち式等尺運動装置。
【請求項７】
前記少なくとも１つの空洞は、少なくとも一部が流体で満たされている、請求項６に記載の手持ち式等尺運動装置。
【請求項８】
前記変形可能部は、細長い形状を有し円筒状である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の手持ち式等尺運動装置。
【請求項９】
前記変形可能部を変形させるように加えられた力のレベルを決定する手段は、前記装置の使用中に前記変形可能部内に生じる圧力の増加を決定するように配置された圧力検出手段を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の手持ち式等尺運動装置。
【請求項１０】
前記使用者によって加えられた力のレベルを表示する手段は、視覚的表示手段を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の手持ち式等尺運動装置。
【請求項１１】
前記視覚的表示手段は、英数字表示装置を含む、請求項１０に記載の手持ち式等尺運動装置。
【請求項１２】
前記表示手段は、生成した最大の表示値を保存するように配置されている、請求項１０又は１１に記載の手持ち式等尺運動装置。
【請求項１３】
前記視覚的表示手段は、閾値レベルの力を超えた時に視覚的に識別可能な出力を発生するように配置されている、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の手持ち式等尺運動装置。
【請求項１４】
前記加えられた力のレベルを表示するための手段は、有利には可聴出力を提供する手段を含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の手持ち式等尺運動装置。
【請求項１５】
前記可聴出力を提供する手段は、閾値レベルの力を超えた時に前記出力を提供するように配置されている、請求項１４に記載の手持ち式等尺運動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月16日(2008.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分析物を検出するための比色分析システムであり：
比色分析センサーであって：
レセプター；
少なくとも１種のジアセチレン化合物を含む重合した組成物；
を含み、前記レセプターが前記重合した組成物の中に組み込まれてトランスデューサーを形成している、比色分析センサー；ならびに
前記分析物と前記トランスデューサーとの間の相互作用を媒介する緩衝剤組成物；
を含む比色分析システムであって、
前記トランスデューサーは、分析物と接触したときに色の変化を示し；
そしてさらに、前記ジアセチレン化合物が重合前に下記の式を有しており：
【化１】
2008524603.tif 000001
式中、Ｒ1は以下のものを含み、
Ｃ1〜Ｃ20アルキル、
【化２】
2008524603.tif 000002
Ｒ2は、以下のものを含み
【化３】
2008524603.tif 000003
Ｒ3、Ｒ8、Ｒ13、Ｒ21、Ｒ24、Ｒ31、およびＲ33は独立して、Ｃ1〜Ｃ20アルキルであり；
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ7、Ｒ14、Ｒ16、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ22、Ｒ25、およびＲ32は独立して、Ｃ1〜Ｃ14アルキレンであり；
Ｒ6、Ｒ15、Ｒ18、およびＲ26は独立して、Ｃ1〜Ｃ14アルキレン、Ｃ2〜Ｃ8アルケニレン、またはＣ6〜Ｃ13アリーレンであり；
Ｒ9は、Ｃ1〜Ｃ14アルキレンまたは−ＮＲ34−であり；
Ｒ10、Ｒ12、Ｒ27、およびＲ29は独立して、Ｃ1〜Ｃ14アルキレンまたは（Ｃ1〜Ｃ14アルキレン）−（Ｃ2〜Ｃ8アリーレン）であり；
Ｒ11およびＲ28は独立して、Ｃ2〜Ｃ30アルキニルであり；
Ｒ17は、エステル活性化基であり；
Ｒ23は、Ｃ6〜Ｃ13アリーレンであり；
Ｒ30は、Ｃ1〜Ｃ14アルキレンまたは−ＮＲ36−であり；
Ｒ34およびＲ36は、Ｃ1〜Ｃ4アルキルであり；
ｐは、１〜５であり；そして
ｎは、１〜２０であるが；
ここで、Ｒ1とＲ2は同一ではない、
比色分析システム。
【請求項２】
分析物を検出するための方法であって：
レセプターおよびジアセチレンを含む重合した組成物を含む比色分析センサーを形成する工程であって、前記レセプターが前記重合した組成物の中に組み込まれて、色の変化を示すことが可能なトランスデューサーを形成する、工程；
前記センサーをプローブと接触させる工程；
前記センサーを、緩衝剤組成物の存在下に、標的分析物を含んでいる疑いのある試料とさらに接触させる工程；および
分析物が存在している場合には、色の変化を観察する工程
を含む方法であり；
ここで、前記ジアセチレン化合物が重合前に下記の式を有しており：
【化４】
2008524603.tif 000004
式中、Ｒ1は以下のものを含み、
Ｃ1〜Ｃ20アルキル、
【化５】
2008524603.tif 000005
Ｒ2は、以下のものを含み、
【化６】
2008524603.tif 000006
Ｒ3、Ｒ8、Ｒ13、Ｒ21、Ｒ24、Ｒ31、およびＲ33は独立して、Ｃ1〜Ｃ20アルキルであり；
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ7、Ｒ14、Ｒ16、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ22、Ｒ25、およびＲ32は独立して、Ｃ1〜Ｃ14アルキレンであり；
Ｒ6、Ｒ15、Ｒ18、およびＲ26は独立して、Ｃ1〜Ｃ14アルキレン、Ｃ2〜Ｃ8アルケニレン、またはＣ6〜Ｃ13アリーレンであり；
Ｒ9は、Ｃ1〜Ｃ14アルキレンまたは−ＮＲ34−であり；
Ｒ10、Ｒ12、Ｒ27、およびＲ29は独立して、Ｃ1〜Ｃ14アルキレンまたは（Ｃ1〜Ｃ14アルキレン）−（Ｃ2〜Ｃ8アリーレン）であり；
Ｒ11およびＲ28は独立して、Ｃ2〜Ｃ30アルキニルであり；
Ｒ17は、エステル活性化基であり；
Ｒ23は、Ｃ6〜Ｃ13アリーレンであり；
Ｒ30は、Ｃ1〜Ｃ14アルキレンまたは−ＮＲ36−であり；
Ｒ34およびＲ36は、Ｃ1〜Ｃ4アルキルであり；
ｐは、１〜５であり；そして
ｎは、１〜２０であるが；
ここで、Ｒ1とＲ2は同一ではない、
方法。
【請求項３】
分析物を検出するための方法であって：
レセプターおよびジアセチレンを含む重合した組成物を含む比色分析センサーを形成する工程であって、前記レセプターが前記重合した組成物の中に組み込まれて、プローブの存在下に色の変化を示すことが可能なトランスデューサーを形成する、工程；
緩衝剤組成物の存在下に、前記トランスデューサーを、標的分析物を含んでいる疑いのある試料、ならびに前記標的分析物および前記レセプターの両方に対して親和性を有するプローブと接触させる工程；および
分析物が存在している場合には、色の変化が本質的に観察されない工程を、含む方法であり；
ここで、前記ジアセチレン化合物が重合前に下記の式を有しており：
【化７】
2008524603.tif 000007
式中、Ｒ1は以下のものを含み、
Ｃ1〜Ｃ20アルキル、
【化８】
2008524603.tif 000008
Ｒ2は、以下のものを含み、
【化９】
2008524603.tif 000009
Ｒ3、Ｒ8、Ｒ13、Ｒ21、Ｒ24、Ｒ31、およびＲ33は独立して、Ｃ1〜Ｃ20アルキルであり；
Ｒ4、Ｒ5、Ｒ7、Ｒ14、Ｒ16、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ22、Ｒ25、およびＲ32は独立して、Ｃ1〜Ｃ14アルキレンであり；
Ｒ6、Ｒ15、Ｒ18、およびＲ26は独立して、Ｃ1〜Ｃ14アルキレン、Ｃ2〜Ｃ8アルケニレン、またはＣ6〜Ｃ13アリーレンであり；
Ｒ9は、Ｃ1〜Ｃ14アルキレンまたは−ＮＲ34−であり；
Ｒ10、Ｒ12、Ｒ27、およびＲ29は独立して、Ｃ1〜Ｃ14アルキレンまたは（Ｃ1〜Ｃ14アルキレン）−（Ｃ2〜Ｃ8アリーレン）であり；
Ｒ11およびＲ28は独立して、Ｃ2〜Ｃ30アルキニルであり；
Ｒ17は、エステル活性化基であり；
Ｒ23は、Ｃ6〜Ｃ13アリーレンであり；
Ｒ30は、Ｃ1〜Ｃ14アルキレンまたは−ＮＲ36−であり；
Ｒ34およびＲ36は、Ｃ1〜Ｃ4アルキルであり；
ｐは、１〜５であり；そして
ｎは、１〜２０であるが；
ここで、Ｒ1とＲ2は同一ではない、
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月12日(2008.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバと接続した時に圧力センサとして用いるためのファブリ・ペロー圧力チップであって、
第１の表面を含む本体と、
前記第１の表面を覆って前記本体に固定され、かつ第２の表面を形成し、該第１及び第２の表面が、ある一定の距離だけ分離されてファブリ・ペロー共振器を形成する隔膜と、  を含み、
前記本体は、光ファイバ末端を受容してそこに該光ファイバを固定するための第２の空洞を含み、該第２の空洞は、該挿入された末端に緊密に適合する形を有し、それによって該挿入された末端を該第２の空洞内に固定するのに必要な接着剤が少量である、
ことを特徴とするチップ。
【請求項２】
前記本体は、前記第１の表面を含むホウケイ酸ガラス部分を含むことを特徴とする請求項１に記載のファブリ・ペロー圧力チップ。
【請求項３】
前記本体は、前記第１の表面を形成する凹部空洞を含むことを特徴とする請求項１に記載のファブリ・ペロー圧力チップ。
【請求項４】
前記第１の表面は、半反射層を含むことを特徴とする請求項１に記載のファブリ・ペロー圧力チップ。
【請求項５】
前記光ファイバは、光源と前記ファブリ・ペロー共振器の間で光を中継するためのものであり、該光ファイバの末端は、ファイバファブリ・ペロー圧力センサを提供するために、チップの前記第２の空洞に挿入されてそこに接着剤で固定されている、
ことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載のファブリ・ペロー圧力チップ。
【請求項６】
光ファイバと接続した時に圧力センサとして用いられるファブリ・ペロー圧力チップを製造する方法であって、
底面と上面とを有し、該底面と該上面の間で光を中継するようになった基板を準備する段階と、
前記上面に第１の表面を作成する段階と、
ＳｉＯ2層上に第２の表面を形成するシリコン層を有する「絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）」ウェーハをシリコン基板上の設け、
前記第２の表面が前記第１の表面を向くように前記ＳＯＩウェーハを前記上面に固定し、
前記シリコン基板及び前記ＳｉＯ2を除去し、かつ
前記第１及び第２の表面が、ある一定の距離だけ分離されてファブリ・ペロー共振器を生成する、
ようにして、前記基板の前記上面に装着されたシリコン隔膜を作成する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
光ファイバと接続した時に圧力センサとして用いるためのファブリ・ペロー圧力チップであって、
第１の表面を含み、かつ熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する本体と、
前記第１の表面を覆って前記本体に固定され、かつ内部表面及び外部表面を有し、該第１の表面及び内部表面が、ある一定の距離だけ分離されてファブリ・ペロー共振器を形成し、温度変化による隔膜の変形を補償するために、該本体の前記ＣＴＥと異なる熱膨張係数を有する材料の層を更に含む隔膜と、
を含むことを特徴とするチップ。
【請求項８】
前記材料の層の熱膨張係数は、前記本体のＣＴＥよりも低く、
前記材料の層は、前記外部表面の中心部分及び前記内部表面の周縁部分の一方に配置されている、
ことを特徴とする請求項７に記載のファブリ・ペロー圧力チップ。
【請求項９】
前記材料の層の熱膨張係数は、前記本体のＣＴＥよりも高く、
前記材料の層は、前記外部表面の周縁部分及び前記内部表面の中心部分の一方に配置されている、
ことを特徴とする請求項７に記載のファブリ・ペロー圧力チップ。
【請求項１０】
前記本体は、光信号を前記ファブリ・ペロー共振器に中継するための光ファイバの末端を受容してそこに固定するための第２の空洞を含むことを特徴とする請求項７に記載のファブリ・ペロー圧力チップ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月10日(2008.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ・エンティティをマッピングするための方法であって、
複数の分類軸及び各軸についての複数の分類ラベルを含むデータ・ドメインを定義する段階と、
関心のある属性を潜在的に有する複数のデータ・エンティティにアクセスする段階と、
前記データ・ドメインの軸及びラベルに対応するデータ・エンティティ内の属性を識別する段階と、
前記識別されたデータ・エンティティ属性を、前記軸及びラベルの対応する属性に従って分類する段階と、
を有している方法。
【請求項２】
前記データ・エンティティはテキスト文書を含み、前記属性は文書内に含まれるワード又はフレーズを含んでいる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記データ・エンティティは、テキスト文書と軸及びラベルに関連したワード又はフレーズとの間でのワード又はフレーズの整合によって識別される、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記データ・エンティティは、テキスト文書内のワード又はフレーズと前記軸及びラベルに関連したワード又はフレーズとの整合についての近似判定基準によって識別される、 請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記データ・エンティティは画像データを含んでおり、
前記画像データによって符号化された関心のある属性に基づいて画像データ・エンティティを識別する段階を含んでおり、
画像データが医学的画像を符号化し、また分類は画像データから検出可能な病状の分析を含んでいる、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記方法は、ラベルの複数の属性を定義する段階を含み、該ラベルの属性に整合する属性を持つデータ・エンティティが識別される、請求項１記載の方法。
【請求項７】
分類のためのベースを表すデータを含むデータ・エンティティの候補サブセットを定義する段階を含んでいる請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記データ・エンティティを分析する際に用いるべき判定基準のユーザ選択のためにドメイン定義に基づいて検索テンプレートを作成する段階を含んでおり、
前記テンプレートは、前記選択された判定基準に対応する属性を持つデータ・エンティティを識別するための検索判定基準のユーザ選択を可能にする、請求項１記載の方法。
【請求項９】
分類されたデータ・エンティティを予測結果と比較する段階と、該比較に基づいて、ドメイン定義、或いは識別又は分類のためのベースを改良修正する段階とを含んでいる請求項１記載の方法。
【請求項１０】
関心のある分野における知的財産権をマッピングするための方法であって、
予め定義されたユーザ選択可能な経路を形成する複数の分類軸及び各軸についての複数の分類ラベルと、前記軸及びラベルに関連した複数の用語とを含むデータ・ドメインを定義する段階と、
各々が関連した特許データを持つ複数の特許文書にアクセスする段階と、
前記データ・ドメインの前記軸、前記ラベル及び前記用語に基づいて、軸、ラベル及び関連した用語に対応する特許データを識別する段階と、
前記識別された特許データを前記データ・ドメインの複数の軸又はラベルに従って分類する段階と、
を有している方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
既存のデータ・エンティティ識別、分析及び分類手法は、多くの場合、関連した文書及び他のデータ項目を識別すると共に、ある程度、それらの項目自体又は関連部分のいずれかを収集するように設計されている。共通の検索エンジンが、例えば、ワードのブール検索又は他の判定基準を可能にする。検索は、文書自体又は文書の一部分、インデックス付き文書などについて実行することができる。ある特定の検索ツールは、同じ様な目的のための関連した用語による文書のタグ付けを用いている。その結果として、典型的には、リストを作成することができ、それらには時として文書に対するリンクが設けられる。これらの共通の手法はまた、文書の関連性についてのランク付けを用いている。
【特許文献１】米国特許第６８２００９４号
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月5日(2008.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
図１８は、スクラッチパッドブロック１８９０内に記憶された関連性のないデータの他の例を示す。ここで、セクタＸ，Ｘ＋１，Ｘ＋２は、前述したように記憶され更新される。しかし、ここで、セクタＹも並列的に記憶され更新される。更新されたセクタは、どのバージョンが記憶されているかを示す下付き文字によって表される。例えば、セクタＸ0 は、セクタＸの元バージョンである一方で、Ｘ1 は、セクタＸの第１の更新バージョンである。セクタＹは、頻繁に更新される制御データセクタまたはホストデータのセクタであってもよい。あるシステムにおいて、ＦＡＴ情報などの制御データは、ホストデータが記憶される際に更新される。少量のホストデータが受信される場合、スクラッチパッドブロック１８９０内の制御データを更新するのは利点でありうる。これにより、制御データの単一セクタのみが更新される制御構造を更新することを避けるようにしてもよい。後の時点で、スクラッチパッドブロックからの制御データを使用して、制御データ構造を更新してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月5日(2008.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが周波数及び位相を有する第１の複数のクロック信号を、処理システムへ与える段階と、
処理要求に応答して、それぞれが周波数及び位相を有する第２の複数のクロック信号を生成する段階と、
前記第１の複数のクロック信号と前記第２の複数のクロック信号の位相を調節して、第１の複数のクロック信号と第２の複数のクロック信号スペクトル成分を制御する段階と、
第１の１又は２以上のクロック周波数を第２の１又は２以上のクロック周波数に切り換える段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
第１の複数のクロック信号は基準周波数に位相固定され、第２の複数のクロック信号は前記基準周波数に位相固定され、かつ第１の複数のクロック信号に位相整合されるものである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の複数のクロック信号とは独立した第１の複数の作動電圧を生成する段階と、
前記第２の複数のクロック信号とは独立した第２の複数の作動電圧を生成する段階と、
処理要求に応答して、第１の複数の作動電圧から第２の複数の作動電圧へ切り換える段階と、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第１の複数の作動電圧から第２の複数の作動電圧へ切り換える前記段階は、処理システムを停止することなく、単一のステップ内で行われる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
第１の１又は２以上のクロック周波数を第２の１又は２以上のクロック周波数に切り換える前記段階は、処理システムを停止することなく、単一のステップ内で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の複数のクロック周波数に対する前記第２の複数のクロック周波数に対する比率は、ほぼ６桁までのマグニチュードである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
処理システムを停止することなく第１の１又は２以上のクロック周波数を第２の１又は２以上のクロック周波数に切り換える段階をさらに含み、ここで前記第２の１又は２以上のクロック周波数は、処理要求に応答して生成されるものである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
処理システムを停止することなく第１の１又は２以上の電圧を第２の１又は２以上の電圧に切り換える段階をさらに含み、ここで前記第２の１又は２以上の電圧は、処理要求に応答して生成されるものである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
処理システム内のシステムバスに接続され、前記処理システム内のシステムバス上の複数の処理イベントを検出するバスインターフェースと、
前記バスインターフェースに接続されたプログラマブル記憶デバイスとを含み、
前記バスインターフェースは、さらに、前記プログラマブル記憶デバイスにプログラムされた処理イベントのパターンを認識し、前記処理イベントのパターンを処理要求と相関付けるよう動作することを特徴とする装置。
【請求項１０】
前記複数の処理イベントは、複数のシステム要求を含むものである、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記処理イベントのパターンは、単位時間当たりの平均的な処理イベント数を含むものである、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記バスインターフェースは、前記単位時間当たりの平均的な処理イベント数を、動作クロック周波数と比較する、請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
処理システムを停止することなく第１の１又は２以上のクロック周波数を第２の１又は２以上のクロック周波数に切り換えるクロック領域マネージャをさらに含み、ここで前記第２の１又は２以上のクロック周波数は、処理要求に応答して生成されるものである、請求項９に記載の装置。
【請求項１４】
処理システムを停止することなく第１の複数の電圧を第２の複数の電圧に切り換える配電マネージャをさらに含み、ここで前記第２の複数の電圧は、処理要求に応答して生成されるものである、請求項９に記載の装置。
【請求項１５】
前記装置に結合され、温度依存処理変数及びデバイスの変数を補正するために、前記装置からの電圧及び周波数の指令を補正する、補正エンジンをさらに含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１６】
前記補正エンジンは、システムの作動点に影響を与える温度を測定しかつ報告する温度センサを含んでいる、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
第１の複数の電圧を処理システムに供給する段階と、
前記システムの処理要求に応答して第２の複数の電圧を発生させる段階と、
過渡電力サージを最小にする順番で前記第１の複数の電圧の各々から前記第２の複数の電圧の各々に切り換える段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１８】
前記前記システムの処理要求を決定する段階をさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
処理システム内の処理要求をモニタするシステムコントローラと、
前記システムコントローラに接続され、第１の複数の電圧を前記処理システムに与えて、第１の複数の電圧のそれぞれを第２の複数の電圧のそれぞれに順番に切り換える配電マネージャを含み、
前記順番は、過渡電力サージを最小限に抑えるものであることを特徴とする装置。
【請求項２０】
前記配電マネージャに接続され、処理システムを停止することなく第１の１又は２以上のクロック信号と第２の１又は２以上のクロック信号とを切り換えるクロック領域マネージャをさらに含む請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記配電マネージャに接続され、処理システムを停止することなく第１の１又は２以上のクロック信号と第２の１又は２以上のクロック信号とを切り換える補正エンジンをさらに含む請求項１９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月22日(2008.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
前記形成するステップは、
Ｙ値に基づいて輝度バンドを決定するステップと、
Ｕ値及びＶ値に基づいてカラーコラムを決定するステップと、
マップされたビンに前記画素の色を累積するステップと、
前記マップされたビンの前記画素カウントを増分するステップと、を備えることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月2日(2008.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置によって実現される方法であって、
リソース上のファイルシステムプロトコルによって規定されるファイルシステム操作を実行するための要求をリクエスタからデータベースサーバが受取るステップを備え、前記要求は状態識別データを含み、前記方法はさらに、
前記要求に関連付けられる状態情報を、前記データベースサーバにおけるルックアップ機構を使用して、前記データベースサーバが検索するステップを備え、前記状態情報は、リクエスタによって前記リソース上で以前に実行された状態保持操作を指定し、
前記ルックアップ機構は、前記状態識別データを前記状態情報に関連付ける特定のデータを備え、
前記ルックアップ機構を使用することは、前記特定のデータと前記状態識別データとを使用して前記状態情報をルックアップすることを備え、前記方法はさらに、
少なくとも一部には前記状態情報に基づいて前記要求を前記データベースサーバが処理するステップと、
前記要求の処理に応答して、ファイルシステム操作がリソース上で実行された後にリソースの操作状態を指定するようにルックアップ機構における状態情報を更新し、更新された状態情報を識別しかつリクエスタに関連付けられる第２の状態識別データを作成するステップとを備え、更新された状態情報も、リクエスタによって前記リソース上で以前に実行された状態保持操作を指定し、前記方法はさらに、
前記リクエスタに前記第２の状態識別データを伝送するステップを備える、方法。
【請求項２】
前記要求に関連付けられる前記状態情報を検索する前記ステップは、
前記状態情報を検索するために前記ルックアップ機構においてキーの値として前記状態識別データを使用することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ルックアップ機構は、ｂ−ツリーおよびハッシュテーブルからなる群から選択される１つのメンバーである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の状態情報は、前記要求の処理に応答して前記リクエスタによって開かれたファイルを指定する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の状態情報は、前記要求の処理に応答して前記リクエスタに付与されたファイル上の新しいロックを指定し、前記第２の状態情報は、前記リクエスタに以前に付与されたいずれのロックも指定する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記新しいロックは、前記ファイルの指定されたバイト範囲をカバーし、前記指定されたバイト範囲は前記ファイルのすべてには及ばない、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記要求は第２の要求であって、前記方法はさらに、
前記第２の要求を受取る前に、リクエスタのためのクライアント識別子を確立するための第１の要求を前記データベースサーバにおいて受取るステップと、
前記リクエスタに前記クライアント識別子を伝送するステップとを備え、
前記第２の要求は前記クライアント識別子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記要求は特定のリクエスタを識別し、前記方法はさらに、
前記要求に関連付けられる前記状態情報を検索する前記ステップの前に、要求を発行したリクエスタが実際に要求において識別される特定のリクエスタであるかどうかを判断するステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記要求はリクエスタによって発行され、前記方法はさらに、
前記要求によって要求された特定の操作を実行する前に、前記リクエスタが前記特定の操作を実行するのに十分な許可レベルを有しているかどうかを判断するステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記要求はリクエスタによって発行され、前記要求を処理する前記ステップはさらに、
前記リクエスタを指定するように、前記データベースサーバに維持されるリクエスタデータを更新するステップを備え、前記リクエスタデータはファイルシステム操作を発行するために登録されるリクエスタを識別する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記要求はリクエスタによって発行され、前記ファイルシステム操作はファイルを開くための操作であって、前記要求を処理する前記ステップはさらに、
前記リクエスタが前記ファイルを開いたことを反映するように、前記データベースサーバに維持されるファイルデータを更新するステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記要求はリクエスタによって発行され、前記ファイルシステム操作はファイルの一部をロックするための操作であって、前記要求を処理する前記ステップはさらに、
前記リクエスタがロックした前記ファイルの前記一部を反映するように、前記データベースサーバに維持されるロックデータを更新するステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
１つ以上のプロセッサによって実行されるときに、請求項１から１２のいずれかに記載の方法を１つ以上のプロセッサに実行させる、命令の１つ以上のシーケンスを記憶するコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
granted_locks Ｂ−ツリー
granted_locks Ｂ−ツリーとは、付与されたロックについての情報を維持するＢ−ツリーである。granted_locks Ｂ−ツリーへのキーはファイルハンドルである。granted_locks Ｂ−ツリーは、どのファイルベースのロックが、もしあれば、特定のファイル上に付与されたかをすばやく判断するために使用され得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
フレームワークによって生成されるクライアント識別子の獲得
図３を参照して、最初にステップ３１０において、リクエスタのためのクライアント識別子を確立するための第１の要求がデータベースサーバにおいて受取られる。ステップ３１０は、通信リンク１３０によってクライアント１１０によって送られた、第１の要求を含むパケットを受取るプロトコルインタープリタ２１０によって実行され得る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
ステップ３１４の要求がファイルシステム操作要求を含むことをプロトコルインタープリタ２１０が判断した後、プロトコルインタープリタ２１０は、パケットを読取るために、ステップ３１４の要求を含むパケットをＮＦＳパケットリーダ２２４に送ることができる。その後、ＮＦＳパケットリーダ２２４は、パケットに指定された（以下で「現在の」ファイルシステム操作と称される）第１の未処理のファイルシステム操作についての情報をプロトコルインタープリタ２１０に伝送する。以下でさらに詳細に記載するように、現在のファイルシステム操作が処理された後、フレームワーク２００はパケットに指定されたさらなる未処理のファイルシステム操作を処理することになる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月19日(2008.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
拡散バリア内側層を有する放電ランプ用の石英ガラスのランプ容器を作製するための方法であって、
微晶質の拡散バリア内側層（２２）が、ＣＶＤ法によって前記ランプ容器、好ましくは放電ランプ用の放電容器の内壁に付着された、酸化ケイ素からなる単一の層として付着される、容器作製方法。
【請求項２】
透明な材料のランプ容器、好ましくは拡散バリア内側層を有する放電ランプ用の石英ガラスの放電容器を作製するための方法であって、
拡散バリア内側層（２４）が、前記放電容器の内部表面の熱処理によって生成され、続けて、さらなる拡散バリア内側層（２２）が、ＣＶＤ法によって前記ランプ容器、好ましくは放電ランプ用の放電容器の内壁上に付着される、容器作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のランプ容器、特に放電容器を作製するための方法において、
前記拡散バリア内側層（２２）が、反応性コーティング方法、好ましくは、
ＰＩＣＶＤ（プラズマ衝撃化学気相成長）、
ＰＥＣＶＤ（プラズマ促進化学気相成長）、
ＰＡＣＶＤ（プラズマ利用化学気相成長）、
ＴＣＶＤ（熱化学気相成長）
からなる群から選択された反応性コーティング方法によって付着される容器作製方法。
【請求項４】
ランプ容器、特に拡散バリア内側層を有する放電ランプ用の石英ガラスの放電容器を作製するための方法であって、
拡散バリア内側層（２４）が、容器内部表面、特に放電容器の内部表面の熱処理によって生成される、容器作製方法。
【請求項５】
請求項２又は４に記載のランプ容器、特に放電容器を作製するための方法において、
拡散バリア内側層（２４）が、前記容器内部表面、特に前記放電容器の内部表面上のプラズマ放電による加熱によって生成される容器作製方法。
【請求項６】
請求項５に記載のランプ容器、特に放電容器を作製するための方法において、
拡散バリア内側層（２４）が、前記容器内部表面、特に前記放電容器の内部表面の反応ガスによるプラズマ処理による前記表面の熱処理によって生成される容器作製方法。
【請求項７】
請求項６に記載のランプ容器、特に放電容器を作製するための方法において、
前記表面の前記熱処理が、前記放電容器の内部表面上の反応性エッチング・ガスによるプラズマ処理によって生成され、前記反応性エッチング・ガスが、酸素または六フッ化硫黄である容器作製方法。
【請求項８】
請求項２乃至７の何れか１項に記載のランプ容器、特に放電容器を作製するための方法であって、前記２つの拡散バリア内側層（２２）及び（２４）が、同じ装置の連続するプロセス工程で生成される容器作製方法。
【請求項９】
ガス放電ランプ用の放電容器が拡散バリア層を備える、請求項１乃至８の何れか１項に記載の方法。
【請求項１０】
白熱灯、特にハロゲン・ランプのランプ容器が拡散バリア層を備える、請求項１乃至８の何れか１項に記載の方法。
【請求項１１】
石英ガラスのランプ容器が拡散バリア層を備える、請求項１乃至１０の何れか１項に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の何れか１項に記載の方法によって作製することのできる、拡散バリア内側層を有する石英ガラス製のランプ容器、特に放電ランプ用の放電容器であって、単一の層であり微晶質酸化ケイ素からなる拡散バリア内側層（２４）が付着されるランプ容器、特に放電ランプ用の放電容器。
【請求項１３】
拡散バリア内側層の二酸化ケイ素の結晶子サイズが、５０ｎｍより小さく、好ましくは１０ｎｍより小さい、請求項１２に記載のランプ容器、特に放電容器。
【請求項１４】
拡散バリア内側層の厚さが、１０から２０００ｎｍ、好ましくは５０から５００ｎｍである、請求項１２及び１３の何れか１項に記載のランプ容器、特に放電容器。
【請求項１５】
拡散バリア内側層（２２）が、前記容器内側、特に前記放電容器の前記内部表面上にコーティングとして付着される、請求項１乃至１４の何れか１項に記載のランプ容器、特に放電容器。
【請求項１６】
請求項１２乃至１５の何れか１項に記載のランプ容器、特に放電容器において、
拡散バリア内側層（２４）が、前記容器内側、特に放電容器の放電空間に隣接する、前記容器内側の石英ガラス基板のゾーンであるランプ容器、特に放電容器。
【請求項１７】
請求項１２乃至１６の何れか１項に記載のランプ容器、特に放電容器において、
拡散バリア内側層（２５）が、拡散バリア層（２４）として前記放電空間に隣接する、前記放電容器の前記石英ガラス基板のゾーンと、さらなる拡散バリア層（２２）としての前記放電容器の前記内部表面上の二酸化ケイ素のコーティングとの組合せであるランプ容器、特に放電容器。
【請求項１８】
請求項１２乃至１７の何れか１項に記載のランプ容器、特に放電容器において、
前記拡散バリア内側層が、ナトリウム及び／又はスカンジウム及び／又は亜鉛に対抗する拡散バリアを形成するランプ容器、特に放電容器。
【請求項１９】
請求項１２乃至１８の何れか１項に記載の白熱灯、特にハロゲン・ランプ用のランプ容器。
【請求項２０】
請求項１２乃至１９の何れか１項に記載のランプ容器、特に放電容器において、前記ランプ容器、特に前記放電容器がナトリウムを含有するランプ容器、特に放電容器。
【請求項２１】
請求項１２乃至２０の何れか１項に記載のランプ容器、特に放電容器において、
前記ランプ容器、特に放電容器がヨウ素または臭素を含有するランプ容器、特に放電容器。
【請求項２２】
請求項１２乃至２１の何れか１項に記載のランプ容器、特に放電容器を備えるメタル・ハライド・ランプ。
【請求項２３】
請求項１２乃至２２の何れか１項に記載の放電容器を備える、高圧ランプ又は超高圧ランプ。
【請求項２４】
請求項１２乃至２３の何れか１項に記載のランプ容器、特に放電容器を備えた、自動車分野における照明器具。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月15日(2008.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）１，３−プロパンジオールと、（ｂ）脂肪族または芳香族二酸またはジエステルと、（ｃ）１，３−プロパンジオールと二酸またはエステルとの全モル数に対して、３個以上のカルボン酸タイプの基またはヒドロキシ基を含有する多官能性反応体、約０．０１〜約０．２モル％との重縮合によって調製されたポリ（トリメチレンジカルボキシレート）。
【請求項２】
重縮合触媒の存在下でテレフタル酸またはそのエステルを１：１〜３：１のモル量の１，３−プロパンジオールと、１，３−プロパンジオールと二酸またはエステルとの全モル数に対して約０．０１〜約０．２モル％の量の多官能性反応体と接触させて、多官能性反応体を含有するビス（３−ヒドロキシプロピル）テレフタレートモノマーを形成する工程と、それらを重合させてポリ（トリメチレンテレフタレート）を得る工程とを含む方法によって調製された請求項１に記載のポリ（トリメチレンテレフタレート）。
【請求項３】
請求項１に記載のポリ（トリメチレンジカルボキシレート）から得られた成形品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
本発明の実施態様の前述の開示は、例示および説明の目的のために示された。完全であるかまたは開示された正確な形に本発明を限定することは意図されない。ここに記載された実施態様の多くの変型および改良は開示を考慮に入れて当業者には明白であろう。
次に、本発明の好ましい態様を示す。
1.  （ａ）１，３−プロパンジオールと、（ｂ）脂肪族または芳香族二酸またはジエステルと、（ｃ）１，３−プロパンジオールと二酸またはエステルとの全モル数に対して、３個以上のカルボン酸タイプの基またはヒドロキシ基を含有する多官能性反応体、約０．０１〜約０．２モル％との重縮合によって調製されたポリ（トリメチレンジカルボキシレート）。
2.  前記多官能性反応体が、少なくとも３個以上のカルボキシル基を有するポリカルボン酸、および少なくとも３個以上のヒドロキシル基を有するポリオール、またはそれらの混合物からなる群から選択される、上記１に記載のポリ（トリメチレンジカルボキシレート）。
3.  前記多官能性反応体が、３〜４個のカルボキシル基を有するポリカルボン酸である、上記１に記載のポリ（トリメチレンジカルボキシレート）。
4.  前記多官能性反応体が、３個のカルボキシル基を有するポリカルボン酸である、上記１に記載のポリ（トリメチレンジカルボキシレート）。
5.  前記多官能性反応体が、トリメシン酸、ピロメリト酸、ピロメリト酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、トリメリト酸無水物、ベンゼンテトラカルボン酸無水物、ヘミメリト酸、トリメリト酸、１，１，２，２，エタンテトラカルボン酸、１，２，２−エタントリカルボン酸、１，３，５−ペンタントリカルボン酸、１，２，３，４−シクロペンタンカルボン酸、およびそれらの混合物からなる群から選択されたポリカルボン酸を含む、上記１に記載のポリ（トリメチレンジカルボキシレート）。
6.  前記多官能性反応体が、３〜４個のヒドロキシル基を有するポリオールである、上記１に記載のポリ（トリメチレンジカルボキシレート）。
7.  前記多官能性反応体が、３個のヒドロキシル基を有するポリオールである、上記１に記載のポリ（トリメチレンジカルボキシレート）。
8.  前記多官能性反応体がグリセリン、ペンタエリトリトール、２−（ヒドロキシメチル）−１，３−プロパンジオール、トリメチロールプロパンおよびそれらの混合物からなる群から選択されたポリオールを含む、上記１に記載のポリ（トリメチレンジカルボキシレート）。
9.  前記多官能性反応体がトリメシン酸を含む、上記１に記載のポリ（トリメチレンジカルボキシレート）。
10.  前記脂肪族または芳香族二酸またはジエステルが芳香族ジカルボン酸およびエステルおよびそれらの組合せからなる群から選択される、上記１〜９のいずれか一項に記載のポリ（トリメチレンジカルボキシレート）。
11.  ポリ（トリメチレンテレフタレート）であり、前記二酸またはエステルがテレフタル酸またはそのエステルを含む、上記１〜９のいずれか一項に記載のポリ（トリメチレンジカルボキシレート）。
12.  重縮合触媒の存在下でテレフタル酸またはそのエステルを１：１〜３：１のモル量の１，３−プロパンジオールと、１，３−プロパンジオールと二酸またはエステルとの全モル数に対して約０．０１〜約０．２モル％の量の多官能性反応体と接触させて、多官能性反応体を含有するビス（３−ヒドロキシプロピル）テレフタレートモノマーを形成する工程と、それらを重合させてポリ（トリメチレンテレフタレート）を得る工程とを含む方法によって調製された上記１〜１１のいずれか一項に記載のポリ（トリメチレンテレフタレート）。
13.  前記１，３−プロパンジオールがコモノマージオールを全ジオールの約２０重量％以下で含有する、上記１〜１７のいずれか一項に記載のポリ（トリメチレンジカルボキシレート）。
14.  上記１〜１３のいずれか一項に記載のポリ（トリメチレンジカルボキシレート）から得られた成形品。
15.  上記１〜１３のいずれか一項に記載のポリ（トリメチレンジカルボキシレート）を含むビン。
16.  ブレンド中のポリマーの重量の３５〜６５重量％のポリ（トリメチレンジカルボキシレート）と６５〜３５重量％のポリ（エチレンジカルボキシレート）とのブレンドを含む、上記１５に記載のビン。
17.  上記１〜１３のいずれか一項に記載のポリ（トリメチレンジカルボキシレート）を含むパリソンを製造する工程と、前記パリソンをブローして成形品にする工程とを含む、成形品の製造方法。