Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月11日(2009.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１波長の光を発生可能な発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む１つ以上のＬＥＤの配置と、
前記１つ以上のＬＥＤに近接して配置され、第１波長の光によって照射されたとき第２波長の光を放出する蛍光体材料と、
テーパー状光学要素を少なくとも備え、第１波長および第２波長の光が通過する集光ユニットと、
第１偏光状態にある第１波長および第２波長の光を透過し、第１偏光状態に対して直交する第２偏光状態にある第１波長および第２波長の光を反射するように配置された反射偏光子とを備え、
反射偏光子によって反射された第１波長および第２波長の光は、角度範囲を実質的に増加させることなく蛍光体材料に向けられており、
第１波長および第２波長の偏光光を含む出射光ビームを生成する照明光源。
【請求項２】
反射偏光子は、蛍光体材料付近において中心を持つ曲率半径を有する、湾曲した反射偏光子を備える、請求項１に記載の照明光源。
【請求項３】
蛍光体材料を通過した第１波長の光の第１部分を反射し、蛍光体材料を通過した第１波長の光の第２部分を透過するように配置された反射性要素をさらに備える、請求項１に記載の照明光源。
【請求項４】
反射偏光子は、（ｉ）多層光学フィルム偏光ビームスプリッタおよびミラー、（ｉｉ）ワイヤーグリッド偏光子および、（ｉｉｉ）コレステリック偏光子、から選択される、請求項１に記載の照明光源。
【請求項５】
前記１つ以上のＬＥＤの配置は、第３波長の光を発生可能なＬＥＤをさらに備え、
反射偏光子は、第１の偏光状態にある第１、第２および第３の波長の光を透過し、第２の偏光状態にある第１、第２および第３の波長の光を反射し、出射ビームは、第３波長の偏光光をさらに含む、請求項１に記載の照明光源。
【請求項６】
画像形成装置をさらに備え、第２波長の光は画像形成装置に向けらており、
画像形成装置からの画像を投影するように配置された投影レンズユニットと、画像が投影されるスクリーンとをさらに備える、請求項１に記載の照明光源。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月29日(2009.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学コネクタ内に光ファイバーを取り付けるための組立ツールであって、
基部上で前記光学コネクタを受容して固定するためのコネクタ実装領域を有する該基部であって、前記コネクタがハウジングとその中に配置されるフェルールとを備える、基部と、
前記光ファイバーの端末部の突出部を設定し、前記突出部は前記コネクタフェルールの端面から伸長する前記ファイバーの前記端末部の距離に相当する、突出設定機構とを備える組立ツール。
【請求項２】
前記コネクタ実装領域に隣接する前記基部上に枢動可能に実装された作動装置アームを更に備え、これにより、前記コネクタ内でファイバー固定機構に係合させるようにし、
前記コネクタ実装領域は、前記基部上に配置されたコネクタクランプを含み、前記基部に対する前記コネクタハウジングの位置を固定するようにした、請求項１に記載の組立ツール。
【請求項３】
前記突出設定機構は、シムと、ファイバー止めとを備え、
前記シムは、プラスチック、金属、及びセラミックの１つから形成されており、
前記ファイバー止めは、プラスチック、金属、ガラス、石英、及びセラミックの１つから形成されている、請求項１に記載の組立ツール。
【請求項４】
突出部を設定するための前記機構は、前記基部と摺動自在に係合可能な止めブロックを備え、
前記止めブロックは、前記距離に相当する深さを有するその第１面に形成された刻み目部を含み、
前記第１面は、前記フェルールの前記端面と係合するように構成され、
前記止めブロックは、前記ファイバーの端末部と係合するように構成された、前記刻み目部に配置される第２面を備え、
前記基部は、前記止めブロックの位置決めを容易にするよう構成された通路を含む、請求項１に記載の組立ツール。
【請求項５】
突出部を設定するための前記機構は、前記基部と摺動自在に係合可能な止めブロックを備え、
前記止めブロックは、第１の材料と第２の材料とを有する積層構造を含み、
前記止めブロックの熱膨張挙動が前記光ファイバーコネクタの熱膨張挙動を相殺するように、前記材料が選択される、請求項１に記載の組立ツール。
【請求項６】
コネクタ内に光ファイバーを取り付ける方法であって、
端末部を有する、調製済みの光ファイバーを提供する工程と、
光学コネクタを、請求項１〜５に記載のいずれかの組立ツールに配置する工程とを有し、
前記光学コネクタは、ハウジングとフェルールとを含み、
更に、前記光ファイバーの前記調製済みの端末部を前記コネクタに挿入する工程と、
前記突出部の距離を設定する工程と、
前記光ファイバーをコネクタ内に固定する工程とを有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月4日(2009.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造の物理特性を決定する方法であって、
ａ）振幅変調されたポンプレーザビームを使用して前記半導体構造の表面の領域を照明するステップであって、該ポンプビームは、前記半導体構造内の半導体材料の最小バンド間遷移エネルギーより大きいエネルギーの少なくとも１つの波長を含み、それにより、前記半導体構造内の電子電荷密度の時間周期的変化を誘起して、前記半導体構造内の電界が時間周期的変調を得るようにし、前記半導体構造内の前記半導体材料はバンド間遷移エネルギーの時間周期的変調を受け易い、照明するステップと、
ｂ）別個のプローブレーザビームによりステップａ）の前記領域の一部を照明するステップであって、該プローブビームは、前記半導体構造内の前記半導体材料のバンド間遷移エネルギーの近くの、且つ前記バンド間遷移エネルギーの近くで発生する半導体材料光応答の前記誘起された変化を記録するために適した、少なくとも１つの波長を含む、照明するステップと、
ｃ）前記半導体構造の前記照明からの反射された交流プローブ光を記録するステップであって、該交流プローブ光は、光反射信号として知られる、前記半導体材料光応答の前記誘起された変化を含む、記録するステップと、
ｄ）ステップａ）、ｂ）及びｃ）で収集された情報を使用して前記半導体構造の物理特性を決定するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
物理的歪みが、正規化された前記光反射信号の符号及び振幅を該物理的歪みに関連付ける経験的に決定された較正曲線に従って監視される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
物理的歪みが、関係ΔＲ／Ｒ＝ｍχ＋ｂに従って監視され、式中、ΔＲ／Ｒは正規化された前記光反射信号であり、χは前記物理的歪みであり、ｍは経験的に決定された線形相関係数であり、ｂは経験的に決定されたオフセットである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記電子電荷密度は、正規化された前記光反射信号を該電子電荷密度に関連付ける経験的に決定された較正曲線に従って監視される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記電子電荷密度は、関係ΔＲ／Ｒ＝ｍＮｅ＋ｂに従って監視され、式中、ΔＲ／Ｒは正規化された前記光反射信号であり、Ｎｅは電荷密度であり、ｍは経験的に決定された線形相関係数であり、ｂは経験的に決定されたオフセットである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記電界は、関係ΔＲ／Ｒ＝ｍＦ２＋ｂに従って監視され、式中、ΔＲ／Ｒは正規化された前記光反射信号であり、Ｆは前記電界であり、ｍは経験的に決定された線形相関係数であり、ｂは経験的に決定されたオフセットである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
電子電荷深さプロファイルが、正規化された前記光反射信号を該電子電荷深さプロファイルに関連付ける経験的に決定された較正曲線に従って監視される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記プローブレーザは、前記半導体材料の前記光応答における少なくとも１つのバンド間遷移エネルギーに近い複数の波長を提供する可変波長レーザであり、交流プローブ光波長情報を使用して、前記バンド間遷移エネルギーの位置、振幅、スペクトル幅及び／又はスペクトル形状が決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記半導体構造はセミコンダクタ・オン・インシュレータ（semiconductor-on-insulator）膜構造を含み、前記ポンプビームの前記波長は、電気的に絶縁された半導体層の厚さより小さいか又はそれに対応し、したがって前記絶縁された半導体層内の前記電子電荷密度の時間周期的変化を誘起するために適した、吸収深さを提供するように選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記半導体構造は、電気的に絶縁された半導体材料を含み、前記ポンプビームの前記波長は、前記半導体材料の物理的寸法より小さいか又はそれに対応し、したがって前記絶縁された半導体材料内の前記電子電荷密度の時間周期的変化を誘起するために適した、吸収深さを提供するように選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
ポンプビーム強度の関数としての前記光反射信号の変化が決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
半導体構造の物理特性を検出する装置であって、
反射表面を有する半導体構造と、
およそ５ｍＷ以上の光出力で動作すると共に、前記半導体構造内の半導体材料の最小バンド間遷移エネルギーを上回るエネルギーの少なくとも１つの波長を含む、１００ｋＨｚ〜５０ＭＨｚの範囲の変調周波数の振幅変調されたレーザビームを提供するポンプレーザ系と、
およそ１０ｍＷ以下の光出力で動作すると共に、前記半導体構造内の前記半導体材料のバンド間遷移エネルギーに近い少なくとも１つの波長を含む、連続波レーザビームを提供するプローブレーザ系と、
５０ミクロン以下の径の前記半導体構造の表面の共通の焦点スポットにいずれかのレーザビームを集束させ、サンプルから反射されるプローブ光を分離して受光器に向けるために有効な光学系と、
入力強度に比例する電流を生成するように構成されている前記受光器と、
前記受光器出力を記録するように接続されている位相同期信号検出系と、
測定及びシステム制御ソフトウェアを含むコンピュータと、
を具備する、装置。
【請求項１３】
前記半導体構造はシリコン・オン・インシュレータ基板を含み、前記ポンプレーザ波長はおよそ５００ｎｍ以下である、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記プローブレーザの波長はおよそ３７５ｎｍである、請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記プローブレーザは、前記半導体構造内の前記半導体材料のバンド間遷移エネルギーに近い複数の波長を提供する外部共振器型可変波長レーザである、請求項１２に記載の装置。
【請求項１６】
前記ポンプレーザビーム及び前記プローブレーザビームは、２色性ビームスプリッタを使用することによって同一線上にされる、請求項１２に記載の装置。
【請求項１７】
同一線上の前記ポンプレーザビーム及び前記プローブレーザビームは、アクロマティック対物レンズを使用して前記半導体構造の表面の領域に同時集束される、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
ポンプ光は、カラーフィルタを使用することによって反射交流プローブ光から分離される、請求項１２に記載の装置。
【請求項１９】
前記ポンプレーザの強度は、位相同期検出系の内部に生成される参照信号によって直接変調される、請求項１２に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月18日(2009.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明装置であって、照明器具と、照明器具によって機械的に取り囲まれたＬＥＤモジュールと、を備え、
ＬＥＤモジュールが、
少なくともひとつのＬＥＤと、
この少なくともひとつのＬＥＤにＬＥＤ駆動信号を提供するように、少なくともひとつのＬＥＤに電気的に接続されたＬＥＤドライバと、
温度センサであって、温度センサによって検出された少なくともひとつのＬＥＤの動作温度に基づいて、ＬＥＤドライバによるＬＥＤ駆動信号の大きさの制御を容易にするように作動可能な、上記温度センサと、
を備えていることを特徴とする照明装置。
【請求項２】
ＬＥＤモジュールが、少なくともひとつのＬＥＤから照明器具への熱伝達を容易にするように、少なくともひとつのＬＥＤ及び照明器具に熱的に接続された温度管理システムをさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
ＬＥＤモジュールが、少なくともひとつのＬＥＤによって放射された放射ビームの照明輪郭を変更するように、少なくともひとつのＬＥＤに光学的に接続されたビーム成形装置をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項４】
ＬＥＤドライバは、ＡＣ入力信号をＬＥＤ駆動信号に変換するように作動可能なコンバータを具備していることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項５】
ＬＥＤドライバは、調光制御信号に基づいてコンバータによるＬＥＤ駆動信号の大きさの制御を容易にするように、コンバータに電気的に接続された調光装置をさらに具備していることを特徴とする請求項４に記載の照明装置。
【請求項６】
温度センサは、温度センサによって検出された少なくともひとつのＬＥＤの動作温度に基づいて、コンバータによるＬＥＤ駆動信号の大きさの制御を容易にするように、コンバータに電気的に接続されていることを特徴とする請求項４に記載の照明装置。
【請求項７】
ＬＥＤモジュールは、光学センサによって検出された照明器具の外部の周辺光の照明レベルに基づいて、コンバータによるＬＥＤ駆動信号の大きさの制御を容易にするように、コンバータに電気的に接続された光学センサをさらに具備していることを特徴とする請求項４に記載の照明装置。
【請求項８】
コンバータは、降圧スイッチングレギュレータとして動作するバックコンバータを具備していることを特徴とする請求項４に記載の照明装置。
【請求項９】
温度センサは、少なくともひとつのＬＥＤの動作温度を指示するフィードバックをバックコンバータに提供するように作動可能なサーミスタを具備していることを特徴とする請求項８に記載の照明装置。
【請求項１０】
温度センサは、サーミスタによってバックコンバータに提供された、少なくともひとつのＬＥＤの動作温度を指示するフィードバックを高めるように作動可能なトランジスタをさらに具備していることを特徴とする請求項９に記載の照明装置。
【請求項１１】
少なくともひとつのＬＥＤは、降圧スイッチングレギュレータとしての、バックコンバータの動作を容易にする手段として働くことを特徴とする請求項８に記載の照明装置。
【請求項１２】
照明装置であって、照明器具と、照明器具によって機械的に取り囲まれたＬＥＤモジュールと、を備え、
ＬＥＤモジュールが、温度管理システムに取り付けられた少なくともひとつのＬＥＤを備え、温度管理システムが、照明器具に熱的に接続され、少なくともひとつのＬＥＤから照明器具への熱伝達を容易にすることを特徴とする照明装置。
【請求項１３】
ＬＥＤモジュールが、少なくともひとつのＬＥＤによって放射された放射ビームの照明輪郭を変更するように、少なくともひとつのＬＥＤに光学的に接続されたビーム成形装置をさらに備えていることを特徴とする請求項１２に記載の照明装置。
【請求項１４】
温度管理システムが、
少なくともひとつのＬＥＤが取り付けられた、金属製のプリント回路基板と、
金属製のプリント回路基板及び照明器具に熱的に接続され、それにより、少なくともひとつのＬＥＤから照明器具への熱伝達を容易にするヒートシンクと、
を備えていることを特徴とする請求項１２に記載の照明装置。
【請求項１５】
温度管理システムは、金属製のプリント回路基板とヒートシンクとに貫設されたスルーホールをさらに具備し、
スルーホールは、金属製のプリント回路基板への電力配線の接続を容易にするように、ヒートシンクのキャビティと整列されていることを特徴とする請求項１６に記載の照明装置。
【請求項１６】
ＬＥＤモジュールは、ＬＥＤドライバをさらに具備し、ヒートシンクにて、少なくともひとつのＬＥＤに電気的に接続され、少なくともひとつのＬＥＤにＬＥＤ駆動信号を提供し、
ヒートシンクは、ＬＥＤドライバの少なくとも一部分が取り付けられてなる、非金属製のプリント回路基板を取り囲むような、キャビティを具備している、
ことを特徴とする請求項１４に記載の照明装置。
【請求項１７】
温度管理システムはさらに、金属製のプリント回路基板とヒートシンクとに貫設されたスルーホールを具備し、
スルーホールは、金属製のプリント回路基板から非金属製のプリント回路基板への配線を容易にするように、ヒートシンクのキャビティと整列されていることを特徴とする請求項１６に記載の照明装置。
【請求項１８】
照明装置であって、照明器具と、照明器具によって機械的に取り囲まれたＬＥＤモジュールと、を備え、
ＬＥＤモジュールが、
少なくともひとつのＬＥＤと、
少なくともひとつのＬＥＤによって放射された放射ビームの照明輪郭を変更するように、少なくともひとつのＬＥＤに光学的に接続されたビーム成形装置と、を備え、
このビーム成形装置が、
少なくともひとつのＬＥＤによって放射された放射ビームの照明輪郭を変更するように、少なくともひとつのＬＥＤに光学的に整列された少なくともひとつの光学要素と、
少なくともひとつの光学要素の少なくともひとつのＬＥＤに対する光学的整列をしっかりと維持するように、少なくともひとつの光学要素のまわりに取り付けられた少なくともひとつの熱収縮管と、
を備えていることを特徴とする照明装置。
【請求項１９】
少なくともひとつの光学要素は、光学拡散器及び透明板のうちの少なくともひとつを具備していることを特徴とする請求項１８に記載の照明装置。
【請求項２０】
少なくともひとつの光学要素は、少なくともひとつの光学要素のまわりにおける少なくともひとつの熱収縮管のしっかりした取り付けを高めるための延長部を有する透明板を具備していることを特徴とする請求項１８に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月15日(2009.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
点火先端部５０は、接合された材料８４から切取られると、拾い上げられて、次いでスパークプラグの上に組立てられる。もちろん、スパークプラグ１０の上に組立てる前に、特定の任意の組立ステップを行なってもよい。ベース電極４２と溶接材料５４との間の接着をよりよくするために、図１０Ａに示すようにリベットヘッド６０を溶接端部５４に追加するなど、特定の加工動作を点火先端部５０に対して行なってもよい。リベットヘッド６０を点火先端部５０に追加する１つの方法は、点火先端部５０を頭部ダイ（heading die）９６と整列させて、点火先端部５０を頭部ダイ９６に押込むという方法である。点火
先端部５０は孔開け機９４によって支持されており、孔開け機９４は次いで点火ピン５０を頭部ダイ９６に押込んで、リベットヘッド６０を形成する。孔開け機９４はまた、イリジウム端部に押込まれて溶接端部５４を変形させ、リベット６０に向かわせるキックアウトピン（図示せず）を用いて、中空の態様で形成されてもよい。イリジウムおよび他の貴金属合金は概して非常に脆いので、イリジウム部分を孔開け機９４で支持することによって放電端部５２が砕けるのを防止する。次いで、リベットヘッド６０をベース電極４２上の空洞の中に配置し、次いでレーザ１００などによって溶接することによって、図１０Ｂおよび図１１に示すように点火先端部５０を取付け得る。ベース電極４２、より具体的には中心電極アセンブリ４０の点火端部４４をさらに形成するために他の加工ステップも行なってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月7日(2009.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノーマルデータストリーム及び付加データストリームを含む伝送ストリームが受信されると、前記付加データストリームを復調する復調部と、
前記伝送ストリームに対して等化を行う等化部と、を含み、
前記ノーマルデータストリームは第１圧縮方式によって圧縮処理されたものであり、付加データストリームは第２圧縮方式によって圧縮処理されたものであることを特徴とするデジタル放送受信機。
【請求項２】
前記伝送ストリームのうち前記ノーマルデータストリームを処理して前記ノーマルデータストリームを復元する第１処理部と、
前記伝送ストリームのうち前記付加データストリームを処理して前記付加データストリームを復元する第２処理部と、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のデジタル放送受信機。
【請求項３】
前記第１処理部は、
前記伝送ストリームのうち前記ノーマルデータストリームに対してエラー訂正デコーディングを行うビタビデコーダ
を含むことを特徴とする請求項２に記載のデジタル放送受信機。
【請求項４】
前記第２処理部は、
前記伝送ストリームのうち前記付加データストリームに対してエラー訂正デコーディングを行うターボデコーダ
を含むことを特徴とする請求項２に記載のデジタル放送受信機。
【請求項５】
前記第１処理部は、
前記エラー訂正デコーディングされたノーマルデータストリームをデインターリービングする第１デインターリーバと、
前記デインターリービングされたノーマルデータストリームをリードソロモンデコーディングするＲＳデコーダと、
前記リードソロモンデコーディングされたノーマルデータストリームを逆ランダム化して前記ノーマルデータストリームを復元する第１逆ランダム化部と、
を更に含むことを特徴とする請求項３に記載のデジタル放送受信機。
【請求項６】
前記ターボデコーダは、前記エラー訂正デコーディングされた付加データストリームを伝送ストリームに挿入して前記伝送ストリームを再構成し、
前記第２処理部は、
前記再構成された伝送ストリームをデインターリービングする第２デインターリーバと、
前記デインターリービングされた伝送ストリームに存在するパリティを除去するパリティ除去部と、
前記パリティの除去された伝送ストリームを逆ランダム化する第２逆ランダム化部と、を更に含むことを特徴とする請求項４に記載のデジタル放送受信機。
【請求項７】
前記ノーマルデータストリーム及び前記付加データストリームは、互いに異なる圧縮方式によって圧縮処理されたものであることを特徴とする請求項１に記載のデジタル放送受信機。
【請求項８】
前記第１圧縮方式は、ＭＰＥＧ−２（Ｍｏｖｉｎｇ  Ｐｉｃｔｕｒｅ  Ｅｘｐｅｒｔｓ  Ｇｒｏｕｐ−２）、Ｈ.２６４、及びＭＰＥＧ−４のうち少なくとも一つであることを特徴とする請求項１に記載のデジタル放送受信機。
【請求項９】
前記第２圧縮方式は、ＭＰＥＧ−２（Ｍｏｖｉｎｇ  Ｐｉｃｔｕｒｅ  Ｅｘｐｅｒｔｓ  Ｇｒｏｕｐ−２）、Ｈ.２６４、及びＭＰＥＧ−４のうち少なくとも一つであることを特徴とする請求項１に記載のデジタル放送受信機。
【請求項１０】
デジタル放送受信機のストリーム処理方法において、
ノーマルデータストリーム及び付加データストリームを含む伝送ストリームを受信するステップと、
前記伝送ストリームに含まれた前記付加データストリームを復調するステップと、
前記伝送ストリームに対して等化を行うステップと、を含み、
前記ノーマルデータストリームは第１圧縮方式によって圧縮処理されたものであり、付加データストリームは第２圧縮方式によって圧縮処理されたものであることを特徴とするストリーム処理方法。
【請求項１１】
前記伝送ストリームのうち前記ノーマルデータストリームを処理して前記ノーマルデータストリームを復元するステップと、
前記伝送ストリームのうち前記付加データストリームを処理して前記付加データストリームを復元するステップと、
を更に含むことを特徴とする請求項１０に記載のストリーム処理方法。
【請求項１２】
前記ノーマルデータストリームを処理するステップは、
前記伝送ストリームのうち前記ノーマルデータストリームに対してエラー訂正デコーディングを行うステップ
を含むことを特徴とする請求項１１に記載のストリーム処理方法。
【請求項１３】
前記付加データストリームを処理するステップは、
前記伝送ストリームのうち前記付加データストリームに対してエラー訂正デコーディングを行うステップ
を含むことを特徴とする請求項１１に記載のストリーム処理方法。
【請求項１４】
前記ノーマルデータストリームを処理するステップは、
前記エラー訂正デコーディングされたノーマルデータストリームをデインターリービングするステップと、
前記デインターリービングされたノーマルデータストリームをリードソロモンデコーディングするステップと、
前記リードソロモンデコーディングされたノーマルデータストリームを逆ランダム化して前記ノーマルデータストリームを復元するステップと、
を更に含むことを特徴とする請求項１２に記載のストリーム処理方法。
【請求項１５】
前記付加データストリームを処理するステップは、
前記エラー訂正デコーディングされた付加データストリームを前記伝送ストリームに挿入して前記伝送ストリームを再構成するステップと、
前記再構成された伝送ストリームをデインターリービングするステップと、
前記デインターリービングされた伝送ストリームに存在するパリティを除去するステップと、
前記パリティの除去された伝送ストリームを逆ランダム化するステップと、
を更に含むことを特徴とする請求項１３に記載のストリーム処理方法。
【請求項１６】
前記ノーマルデータストリーム及び前記付加データストリームは、互いに異なる圧縮方式によって圧縮処理されたものであることを特徴とする請求項１０に記載のストリーム処理方法。
【請求項１７】
前記第１圧縮方式は、ＭＰＥＧ−２（Ｍｏｖｉｎｇ  Ｐｉｃｔｕｒｅ  Ｅｘｐｅｒｔｓ  Ｇｒｏｕｐ−２）、Ｈ.２６４、及びＭＰＥＧ−４のうち少なくとも一つであることを特徴とする請求項１０に記載のストリーム処理方法。
【請求項１８】
前記第２圧縮方式は、ＭＰＥＧ−２（Ｍｏｖｉｎｇ  Ｐｉｃｔｕｒｅ  Ｅｘｐｅｒｔｓ  Ｇｒｏｕｐ−２）、Ｈ.２６４、及びＭＰＥＧ−４のうち少なくとも一つであることを特徴とする請求項１０に記載のストリーム処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月14日(2009.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一ドーパント型を有する第一半導体層と、
前記第一半導体層上に設けられて第二ドーパント型を有する第二半導体層と、
前記第二半導体層上の第三半導体層と、
前記第二ドーパント型を有する前記第三半導体層内に設けられた第一半導体領域と、
前記第一半導体領域と前記第二半導体層との間の前記第三半導体層内に設けられて前記第一ドーパント型を有する第二半導体領域と、
前記第二半導体領域上の前記第三半導体層内に設けられて前記第一ドーパント型を有する第三半導体領域と、
前記第三半導体領域に隣接する前記第三半導体層内に設けられて第一濃度の前記第二ドーパント型を有する第四半導体領域と、
前記第三半導体領域に隣接すると共に前記第四半導体領域に隣接する前記第三半導体層内に設けられて第二濃度の前記第二ドーパント型を有し、前記第二濃度が前記第一濃度よりも高いソース接触領域と、
前記第一半導体領域の少なくとも一部の上方と前記第三半導体領域の少なくとも一部の上方とに設けられて前記第四半導体領域に隣接し、更に前記ソース接触領域と反対の前記第四半導体領域の側面に設けられたゲート電極と
を備える半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第二濃度は、前記第一濃度よりも少なくとも１００倍高い半導体装置。
【請求項３】
第一導電型の第一層と第二導電型の第二層とを有する半導体基板と、
前記基板上のエピタキシャル層であって、前記第二導電型の第一半導体領域と、前記第一半導体領域と前記半導体基板の前記第二層と間に前記第一導電型を有する第二半導体領域と、前記第二半導体領域の上方に前記第一導電型の第三半導体領域と、前記第三半導体領域に隣接する前記第二導電型の第四半導体領域と、前記第三半導体領域に隣接すると共に前記第四半導体領域に隣接する前記第二導電型のソース接触領域と、前記第三半導体領域に隣接する前記第二導電型のボディ接触領域と、前記第一半導体領域に隣接する前記第二導電型のドレイン接触領域とを有するエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層の前記第一半導体領域の少なくとも一部の上方と前記第三半導体領域の少なくとも一部の上方と設けられて、前記第四半導体領域に隣接し、更に前記ソース接触領域と反対の第四半導体領域の側面に存在するゲート電極と、
前記第四半導体領域及び前記ソース接触領域は前記第二導電型のドーパントでドープされ、前記第四半導体領域は第一濃度の前記ドーパントを有し、前記ソース接触領域は第二濃度の前記ドーパントを有し、前記第二濃度は前記第一濃度よりも高いマイクロ電子組立体。
【請求項４】
半導体装置を構築する方法であって、
第一ドーパント型を有する半導体基板に第二ドーパント型を有する埋め込み層を形成するステップと、
前記埋め込み層上に前記第一ドーパント型を有するエピタキシャル半導体層を形成するステップと、
前記エピタキシャル半導体層に前記第二ドーパント型を有する第一半導体領域を形成するステップであって、前記第一ドーパント型の第二半導体領域は、前記第一半導体領域と前記埋め込み層との間の前記エピタキシャル半導体層に規定されるステップと、
前記エピタキシャル半導体層に前記第一ドーパント型を有する第三半導体領域を形成するステップと、
前記第一半導体領域の少なくとも一部の上方と前記第三半導体領域の少なくとも一部の上方とにゲート電極を形成するステップと、
前記第三半導体領域に隣接すると共に前記ゲート電極に隣接した前記エピタキシャル半導体層に第一濃度の前記第二ドーパント型を有する第四半導体領域を形成するステップと、
前記第三半導体領域に隣接すると共に前記第四半導体領域に隣接し、更に前記ゲート電極と反対の前記第四半導体領域の側面にある前記エピタキシャル半導体層に第二濃度の前記第二ドーパント型を有するソース接触領域を形成するステップであって、前記第二濃度は前記第一濃度よりも高いステップと、
前記第一半導体領域に隣接した前記エピタキシャル半導体層に前記第二ドーパント型を有するドレイン接触領域を形成するステップと、
前記第三半導体領域に隣接した前記エピタキシャル半導体層に前記第一ドーパント型を有するボディ接触領域を形成するステップと
を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月21日(2009.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
慣性分離器（２６）を有するブラシレス電気モータであって、
固定子筐体（２）内に設けられた固定子（３）と、
回転軸（５）に対して前記固定子（３）と同心状に設けられた回転子（４）と、
筐体底（９）とを備え、前記筐体底（９）は、前記固定子筐体（２）の内部に位置し且つ前記固定子（３）を収容する固定子空間（１１）を、前記回転子（４）を収容する回転子空間（１２）から分離するように、前記回転子（４）と前記固定子（３）との間に径方向に拡がって形成された環状ギャップ（８）を貫通して延びる非磁性部分（１０）を有し、
前記電気モータ（１）は、慣性分離器（２６）に接続され、
前記電気モータ（１）の前記回転子（４）は、前記慣性分離器（２６）の回転子（２７）に駆動接続され、
前記慣性分離器（２６）の分離器筐体（２８）は、前記慣性分離器（２６）の前記回転子（２７）が設けられている未処理空間（２９）を取り囲み、
前記筐体底（９）は、前記回転子空間（１２）が前記未処理空間（２９）に向かって開口するように、前記分離器筐体（２８）の前記電気モータ（１）に対向する側に設けられ、
前記筐体底（９）の前記非磁性部分に、流出口導管（１５）が設けられ、
前記流出口導管（１５）は、前記回転子空間（１２）に連通すると共に、前記固定子空間（１１）を貫通して前記固定子筐体（２）からその外部に延びていることを特徴とする電気モータ。
【請求項２】
請求項１に記載の電気モータにおいて、
前記非磁性部分（１０）は、前記回転子（４）および前記固定子（３）と同軸状に前記環状ギャップ（８）に設けられた円筒部分として設計されていることを特徴とする電気モータ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電気モータにおいて、
前記回転子空間（１２）は、前記固定子空間（１１）とは逆側に開口しており、
前記回転子（４）は、前記開口を通って前記回転子空間（１２）へ突出していることを特徴とする電気モータ。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の電気モータにおいて、
前記固定子筐体（２）には、前記電気モータ（１）の電気的および／または電子的な構成要素のための少なくとも１つの回路基板（１７）が設けられ、
前記少なくとも１つの回路基板（１７）は、前記流出口導管（１５）が貫通する開口部（１８）を備えていることを特徴とする電気モータ。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の電気モータにおいて、
前記回転子（４）は、回転子軸受（２０）に回転可能に取り付けられ、
前記回転子軸受（２０）は、前記筐体底（９）に支持された軸受支持部（２１）に設けられていることを特徴とする電気モータ。
【請求項６】
請求項５に記載の電気モータにおいて、
前記軸受支持部（２１）は、露受皿として設計されると共に、前記回転子軸受（２０）が設けられる流出口（２４）を有していることを特徴とする電気モータ。
【請求項７】
請求項６に記載の電気モータにおいて、
前記流出口（２４）は、前記回転子空間（１２）に通じていることを特徴とする電気モータ。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の電気モータにおいて、
前記固定子（３）は、前記固定子筐体（２）と前記筐体底（９）との間に設けられている固定子支持部（１３）に取り付けられていることを特徴とする電気モータ。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の電気モータにおいて、
前記固定子筐体（２）は、前記固定子支持部（１３）を介して、周辺部に取り付け可能であることを特徴とする電気モータ。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の電気モータにおいて、
前記固定子支持部（１３）は、熱伝導材料、例えばアルミニウム、または、銅、または、真鍮でできていることを特徴とする電気モータ。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項に記載の電気モータにおいて、
前記電気モータ（１）の前記回転子（４）は、内部回転子として設計されていることを特徴とする電気モータ。
【請求項１２】
請求項１から１０のいずれか１項に記載の電気モータにおいて、
前記電気モータ（１）の前記回転子（４）は、外部回転子として設計されていることを特徴とする電気モータ。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか１項に記載の電気モータにおいて、
前記回転子（４）は、少なくとも１つの永久磁石（７）を有していることを特徴とする電気モータ。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか１項に記載の電気モータにおいて、
前記電気モータ（１）の内部回転子として設計された回転子（４）の前記筐体底（９）の前記非磁性部分（１０）は、径方向の外面で前記固定子（３）に接触していることを特徴とする電気モータ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月27日(2009.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
既定の直流電圧を供給する電源（１２５）、
電源（１２５）と非安定器照明（１３０，１３６，１４２）との間を結合した制御装置（１２８，１３５，１４０，１４１）であって、既定の直流電圧を非安定器照明（１３０，１３６，１４２）によって要求される他の直流電圧電圧に変換するＤＣ−ＤＣコンバータを含む制御装置（１２８，１３５，１４０，１４１）、
非安定器照明装置（１３０，１３６，１４２）の低電力ＯＮ／ＯＦＦ制御のための低電圧線を通じてＤＣ−ＤＣコンバータに結合された遠隔スイッチ（１２９）と、
を有することを特徴とする非安定器照明（１３０，１３６，１４２）の低電力ＯＮ／ＯＦＦ制御システム。
【請求項２】
前記非安定器照明装置（１３０，１３６，１４２）が一つ以上の発光ダイオード、または一つ以上のハロゲンランプであることを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記電源（１２５）が、太陽エネルギーを既定の直流電圧に変換するソーラーパネル（１２６）を有することを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記制御装置（１２８，１３５，１４０，１４１）は、前記遠隔スイッチ（１２９）と電源（１２５）の間に結合されたアイソレータ（１５８）を有していることを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項５】
前記アイソレータ（１５８）が、発光ダイオードと光検出器を有するフォトアイソレータであることを特徴とする請求項４記載のシステム。
【請求項６】
非安定器型照明装置（１４２）を制御する第１のサブシステムの一部である前記電源（１２５）と前記制御装置（１４０）、
追加の非安定器型照明装置（１４２）の制御のための第２のサブシステムの一部である他の電源（１２５）と他の制御装置（１４１）、
および、前記制御装置（１４０，１４１）と、非安定器型照明装置（１４２，１４２）のオン／オフ制御のための両方の制御装置（１４０，１４１）を制御するための制御信号を発生する遠隔スイッチ（１２９）との間の、低電力線（１４３）を有することを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項７】
前記ＤＣ−ＤＣコンバータが既定の電圧から非安定器型照明装置（１３６，１４１、１４２）で要求される低い直流電圧へ低減することを特徴とする請求項１記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月6日(2009.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持構造と、
該支持構造の上に形成される制御領域であって、該制御領域の各々が発光領域を備える、制御領域と、
該制御領域のそれぞれの組を覆う、押しボタン式相互作用装置と、
ユーザ制御インターフェースの１つ以上の動作モードに基づいて、該発光領域のうちのどれが、該相互作用装置のそれぞれから出力されるかを制御する、該制御領域と結合されたコントローラと、
を備える、複数の装置の機能性を制御するための、ユーザ制御インターフェース。
【請求項２】
前記発光領域は、単色または多色のうちの１つである光源、光パネル、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）ディスプレイ、発光ダイオード、または光導体のうちの１つを備える、請求項１に記載のユーザ制御インターフェース。
【請求項３】
前記支持構造は、前記コントローラおよび前記制御領域を結合する回路を備える、請求項１に記載のユーザ制御インターフェース。
【請求項４】
前記押しボタン式相互作用装置は、物理的ボタンである、請求項１に記載のユーザ制御インターフェース。
【請求項５】
前記動作モードは、休止モード、チャンネルモード、転送モード、および電話モードのうちの少なくとも１つを備える、請求項１に記載のユーザ制御インターフェース。
【請求項６】
前記制御領域は、前記押しボタン式相互作用装置のそれぞれが押下されると起動されるスイッチを備え、該スイッチの起動は、前記動作モードに基づいて動作を開始する、請求項１に記載のユーザ制御インターフェース。
【請求項７】
前記押しボタン式相互作用装置は、前記発光領域の側方向出力を実質的に消去する、請求項１に記載のユーザ制御インターフェース。
【請求項８】
前記押しボタン式相互作用装置は、前記動作モードが休止モードであるときには、前記
発光領域の出力を実質的に消去する、請求項１に記載のユーザ制御インターフェース。
【請求項９】
支持構造と、
該支持構造の上に形成される制御領域であって、該制御領域の各々が発光領域を備える、制御領域と、
ユーザ制御インターフェースの動作のモードに基づいて、該発光領域のうちのどれが、相互作用装置のそれぞれから出力されるかを制御する、該制御領域と結合されたコントローラと、
該制御領域のそれぞれを覆う押しボタン式相互作用装置と
を備え、該押しボタン式相互作用装置は、
表面壁と、
該表面壁上の膜層と、
該表面壁に垂直に結合された第１〜第４の側壁と、
該表面壁に垂直に結合され、少なくとも２つの側壁の間に結合された隔壁と、
該隔壁に対して延出する延出部であって、該延出部は該制御領域のそれぞれと相互作用する、延出部と
を備える、システム。
【請求項１０】
前記表面壁は、前記１つ以上の動作モードの各々に対応するように成形され前記発光領域のそれぞれと位置合わせされる開口を含み、
前記少なくとも１つの隔壁は光ガイドを形成し、その結果として、前記発光装置のうちの対応する１つのみが、前記開口の対応する１つを照射する、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記表面壁の前記開口は、前記１つ以上の動作モードのうちの、休止以外のモードの間のみ可視となる、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記押しボタン式相互作用装置の中に受容される差し込み式装置をさらに備える、請求項９に記載のシステムであって、
該差し込み式装置は、前記少なくとも１つの隔壁を前記表面壁および第１から第４までの側壁と結合することによって形成される凹部の数に対応する数の、差し込み式部分を備え、
該差し込み式部分は、前記発光領域のそれぞれと位置合わせされる、
システム。
【請求項１３】
前記差し込み式部分の各々の上面は、前記１つ以上の動作モードの各々に対応して成形された開口を含む、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記開口は、前記１つ以上の動作モードのうちの、休止以外のモードの間のみ可視となる、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記コントローラと結合され、前記１つ以上の動作モードのそれぞれの間に情報を表示する、ディスプレイ装置をさらに備える、請求項１に記載のユーザ制御インターフェース。
【請求項１６】
第１の動作モードの間に、第１の組の押しボタン式相互作用装置の第１の組の開口を照射することと、
第２の動作モードの間に、該第１の組または第２の組の押しボタン式相互作用装置のうちの１つの第２の組の開口を照射することであって、該第２の組の開口は、該第１の組の開口の全てまたは一部を含むか、あるいはいずれも含まない、ことと、
を包含する、複数の装置の機能性を制御するユーザ制御インターフェースを使用するための方法。
【請求項１７】
後続の動作モードの間に、前記第１の組の押しボタン式相互作用装置、前記第２の組の押しボタン式相互作用装置、または追加の組の押しボタン式相互作用装置のうちの１つの１つ以上の追加の組の開口を照射することであって、該１つ以上の追加の組の開口は、該第１の組の開口および該第２の組の開口のうちの少なくとも１つの全てまたは一部を含む、ことをさらに包含する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１の組または第２の組の開口の第１の開口が照射されるとき、該第１の組または第２の組の開口の第２の開口が光学的に隠される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記押しボタン式相互作用装置は半透明である、請求項１に記載のユーザ制御インターフェース。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（例示的な制御領域）
図５および図６はそれぞれ、本発明のユーザインターフェース１００を備えるボタンの特定の構造要素の、斜視図および分解図を示す。各々のボタンは、インターフェース１００によって制御される多機能装置の一部である、支持層５１０上に配列されるアセンブリ５１２を有する。本発明の一実施形態によると、各々のボタンは、光パネル（例えば、エレクトロルミネセント（ＥＬ）ディスプレイ）または発光ダイオード（ＬＥＤ）５１４のような１つ以上の単色または多色の光源の配列を備え、光源は、支持層５１０上に配置される不透明の脚／スペーサ５１６内に取り付けられる。脚／スペーサ５１６は、ＬＥＤの物理的格納に加えて、ＬＥＤから放出される光の横方向への発散をも防止する。ＬＥＤの代わりに、他の種類の光源または光導体、などが使用され得る。１つのボタンに割り当てられるＬＥＤ５１４の数は、各々のＬＥＤが装置の１つの機能性を照射すための専用である場合には、多機能装置によって実行され得る動作の機能／モードの数に対応し得る。代替案として、単一のＬＥＤの光を複数の照射領域に伝達するために光導体が使用され得、必要とされるＬＥＤの数を減少し得る。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月12日(2009.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルス状イオン源と、
前記パルス状イオン源によって生成されたイオンを閉じ込め、閉じ込められたイオンの位置を特定する第１のイオントラップであって、該位置の特定は、閉じ込めに続く第１のイオントラップからの放出のためである、第１のイオントラップと、
前記第１のイオントラップが前記イオンを閉じ込めることを可能にするのに適しているピーク圧において、冷却ガスのパルスを前記第１のイオントラップに導くためのガス吸気手段と、
前記閉じ込められたイオンが、前記第１のイオントラップから放出される前に、前記冷却ガスの圧力を減らすためのポンプ手段と、
前記第１のイオントラップから放出されたイオンを受け取り分析するための第２のイオントラップと、を備える質量分析計であって、
前記パルス状イオン源は、試料が堆積し第１のイオントラップの端壁を形成する平坦な試料プレートを含み、前記パルス状イオンが第１のイオントラップ内部で発生し、
また、前記ガス吸気手段は、前記ポンプ手段によって得られるポンブダウン時定数より少ない開放時間を有するバルブを含む、質量分析計。
【請求項２】
前記パルス状イオン源が、レーザおよび前記試料上へレーザ放射のパルスを向けるための手段を含む、請求項１に記載の質量分析計。
【請求項３】
前記パルス状イオン源がマトリックス支援レーザ脱離イオン化（ＭＡＬＤＩ）イオン源である、請求項２に記載の質量分析計。
【請求項４】
前記バルブ開放時間が５ミリ秒未満である、請求項１に記載の質量分析計。
【請求項５】
前記ポンプ手段がターボ分子ポンプである、請求項１に記載の質量分析計。
【請求項６】
前記ガス吸気手段が電磁気駆動弁を含む、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の質量分析計。
【請求項７】
前記ガス吸気手段がピエゾ素子駆動弁を含む、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の質量分析計。
【請求項８】
前記ガス吸気手段が、５×１０−２ミリバールから、１ミリバールまでの範囲のピーク圧で、第１のイオントラップに冷却ガスの前記パルスを導く、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の質量分析計。
【請求項９】
前記ポンプ手段が、前記圧力を、５×１０−３ミリバールより小さい圧力に下げる、請求項８に記載の質量分析計。
【請求項１０】
前記ガス吸気手段の起動および前記パルス状イオン源の次の起動間に予め設定された遅延が存在する、請求項１ないし９のいずれか１項に記載の質量分析計。
【請求項１１】
前記第１のイオントラップが多ポール線形イオントラップである、請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の質量分析計。
【請求項１２】
前記多ポール線形イオントラップが、前記第１のイオントラップの後端に位置するゲート電極を含み、前記電極は、イオンを反射するか放出するために選択的にバイアスしている、請求項１１に記載の質量分析計。
【請求項１３】
第１のイオントラップにおいて軸方向ＤＣポテンシャル井戸をつくるように前記ゲート電極がバイアスしており、第１のイオントラップからの放出の前に第１のイオントラップにおける前記閉じ込められたイオン雲の位置を決める、請求項１２に記載の質量分析計。
【請求項１４】
前記多ポール線形イオントラップが、セグメント化された多ポール線形イオントラップであり、各ポールが、第１のイオントラップの後端に隣接した比較的短いセグメントを含み、前記ＤＣ軸方向ポテンシャル井戸を増大するために、前記後端に隣接した比較的短いセグメントがバイアスしている、請求項１３に記載の質量分析計。
【請求項１５】
前記ゲート電極と前記第１のイオントラップのポールとの間に環状電極を含み、前記ＤＣ軸方向ポテンシャル井戸を増大するために、環状電極がバイアスしている、請求項１３に記載の質量分析計。
【請求項１６】
前記多ポール線形イオントラップが四重ポール線形イオントラップである、請求項１１ないし１５のいずれか１項に記載の質量分析計。
【請求項１７】
前記第１のイオントラップが、縦軸を有する環状電極を含む円筒状イオントラップであって、前記平坦な試料プレートが、その前面にイオントラップの前記端壁を形成し、ゲート電極はその後端に、イオントラップの端壁を形成する、請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の質量分析計。
【請求項１８】
前記環状電極に供給される高周波駆動電圧の位相が、負に荷電したイオンに対して９０度から１７０度までの範囲にあるときに、正に荷電したイオンに対して２７０度から３４０度までの範囲にあるときに、前記パルス状イオン源が起動され、前記位相は、駆動電圧波形の上昇する部分の零交差時間に対して表現される、請求項１７に記載の質量分析計。
【請求項１９】
イオンが、放出される前に、円筒状イオントラップの幾何学的な中心にイオン雲を形成するように位置する、請求項１７又は請求項１８に記載の質量分析計。
【請求項２０】
前記ゲート電極が、イオンに、第１のイオントラップから第２のイオントラップへイオンの放出を引き起こすゲート電極の方に、静電的加速力をかけるためにバイアスしている、請求項１２ないし１５のいずれか１項に記載の質量分析計。
【請求項２１】
第１のイオントラップから閉じ込められたイオンの放出を引き起こすために、前記平坦な試料プレートと前記ゲート電極との間に双極電界を確立するように配置されたＤＣバイアス手段を含み、前記第２のイオントラップが、放出されたイオンを妨害するために、更なる双極電界を確立するように配置される、請求項１７ないし１９のいずれか１項に記載の質量分析計。
【請求項２２】
前記第２のイオントラップが双曲面三次元イオントラップまたは四重ポール線形イオントラップである、請求項１ないし２１のいずれか１項に記載の質量分析計。
【請求項２３】
前記第１および第２のイオントラップが両方とも線形イオントラップである、請求項１ないし１６のいずれか１項に記載の質量分析計。
【請求項２４】
前記第１および第２のイオントラップが共通の縦軸上に連続的に配置される、請求項１ないし２３のいずれか１項に記載の質量分析計。
【請求項２５】
前記第１および第２のイオントラップが、相互の平行軸上に並んで配置され、閉じ込められたイオンを放出するための手段が、前記平行軸に対して直交の方向に、第１から第２のイオントラップに、イオンを放出するために配置される、請求項１ないし２３のいずれか１項に記載の質量分析計。
【請求項２６】
前記第１のおよび／または前記第２のイオントラップが、ＲＦドライブおよびＤＣバイアス電圧が使用のために印加される電気的伝導トラックを持つプリント回路基板から形成されたトンネル構造を備えている、請求項１ないし２５のいずれか１項に記載の質量分析計。
【請求項２７】
前記第１のおよび／または第２の前記イオントラップが、スイッチ回路によって生成される矩形波デジタル駆動電圧によって、駆動される、請求項１ないし２６のいずれか１項に記載の質量分析計。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月10日(2009.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
微結晶性セルロース、第二リン酸カルシウム、デンプングリコール酸ナトリウム 、ステアリン酸マグネシウム及びこれらの混合物からなる群から選ばれる薬学的に許容可能な添加剤をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の複合製剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記フィルム層がヒドロキシプロピルメチルセルロース（ＨＰＭＣ）、ヒドロキシプロピルセルロース（ＨＰＣ）、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、酢酸フタル酸セルロース（ＣＡＰ）、エチルセルロース（ＥＣ）、メチルセルロース（ＭＣ）、ポリメタクリル酸、ポリビニルアルコール−ポリエチレングリコールグラフト共重合体、ポリビニルアルコール又はこれらの群から選ばれる水溶性物質からなることを特徴とする請求項９に記載の方法。