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【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年12月6日(2010.12.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  開口端と閉鎖端と両者の間に延在して試料を収容するチューブ内部空間を規定する円筒壁とを有する細長い試料採集チューブと、
前記チューブの前記開口端に取り外し可能に且つ密閉可能に取付けられたキャップ本体を有するキャップ・アセンブリとを具え、該キャップ本体は、プローブの突き刺しによって前記チューブの内部へのアクセスを可能にする突き刺し可能な膜を支持し、該膜は熱可塑性エラストマーで形成され、プローブが引き抜かれると自己密閉可能であり、かつ前記膜は、平らな面と、該平らな面と反対側の面であって前記チューブの内部空間から離れている凹んだ面と、を有する円盤形状をなし、前記キャップ本体によって密閉的に支持されていることを特徴とする試料採集アセンブリ。
【請求項２】  前記キャップ本体は、上面と、その反対側の下面と、両者の間の円筒側壁とを具え、該円筒側壁は前記チューブの前記上部開口端に密閉係合可能であることを特徴とする請求項１に記載の試料採集アセンブリ。
【請求項３】  前記キャップ本体は、更に、前記キャップ本体の前記上面から下方に延びる環状スカートを具え、前記円筒側壁と前記環状スカートが、両者の間に前記チューブの前記開口端を収容するための環状領域を規定し、前記環状スカートが前記キャップ本体を貫通するアクセス通路を規定し、前記膜が前記アクセス通路内に支えられていることを特徴とする請求項２に記載の試料採集アセンブリ。
【請求項４】  前記環状スカートは、両者間に前記通路が規定されている上端と下端とを有する細長い円筒状スカートを具え、該スカート壁の前記下端は前記チューブの内部空間に入り込み、前記膜は前記スカート壁の前記下端を横切って密閉支持されていることを特徴とする請求項３に記載の試料採集アセンブリ。
【請求項５】  上部開口端を有する試料採集容器を密閉的にカバーするキャップ・アセンブリであって、
前記容器の前記開口端の上に取り外し可能に固定される剛性材料で形成されたキャップ本体と、
前記キャップ本体に支持され、プローブの突き刺しによって前記キャップを通じて前記容器へのアクセスを可能にする突き刺し可能な隔壁とを具え、該突き刺し可能な隔壁は、プローブが引き抜かれると自己密閉可能な熱可塑性エラストマーの隔壁で形成され、
前記隔壁は、前記通路を横切って支持され、前記自己閉塞を促進するために、前記平らな面と、該平らな面と反対側の面であって前記キャップ本体の前記上面に面する凹んだ面と、を有する円盤状部材であることを特徴とするキャップ・アセンブリ。
【請求項６】  前記キャップ本体は、更に、前記キャップ本体の前記上面から下方に延びた環状スカートを具え、前記円筒側壁と前記環状スカートが両者の端に環状領域を規定し、前記環状スカートが前記キャップ本体を貫通するアクセス通路を規定し、前記隔壁が前記アクセス通路内に支えられていることを特徴とする請求項５に記載のキャップ・アセンブリ。
【請求項７】  前記環状スカートは、両者の間に前記通路を規定する上端と下端とを有する細長い円筒スカート壁を具え、前記隔壁が前記スカート壁の前記下端を横切って密閉的に支えられている請求項６に記載のキャップ・アセンブリ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
最も好ましくは、容器の開口端には、キャップ本体が取り外し可能に且つ密閉的に取付けられている。このキャップ本体は、容器の内部空間に再密閉可能にアクセスできる膜を支えている。この膜は、針又は機器のプローブによって繰り返して突き刺されそして再密閉可能な材料で形成されている。最も好ましくは、この膜は熱可塑性エラストマーで形成されている。この熱可塑性エラストマーは、バーモント州、St. Albansの QST,Inc. から発売されているMONOPRENE (QST, Inc.の商標）等のイソプレン・プロピレンで構成されている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
好ましくは、この膜は容器の内部空間から遠い方の側に凹面を有する円盤状をなし、膜の再密閉を容易にしている。この熱可塑性エラストマーは突き破られた膜の再密閉を可能にし、この採集アセンブリが逆さまの姿勢に保持された場合にも試料が洩れないようになっている。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
好ましくは、キャップ本体は、上部と、下部と、この上部から下部に延びる外面と内面を有する円筒側壁と、前記上部のアクセス通路と、該通路を横切って支えられている膜とを具えている。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
キャップ本体は、更に、前記上部から容器の内部空間内に延出し、前記円筒側壁と共に環状領域を規定する下向きの環状スカートを具えている。容器の開口端はこの環状領域に収容されている。この下向きのスカートはアクセス通路を具え、この通路を横切って前記膜が支えられている。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
好ましくは、この膜とキャップ本体とは共に射出成形されるか或いはインサート成形される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
本発明の隔壁の利点は、(i) 多数回の突き刺しと再密閉が可能であり、(ii)突き刺しエレメントがこれを突き破るのに２ポンド以下の力ですみ、(iii) 凹面が、突き刺しエレメントが取り除かれた後に膜が適正に密閉されることを助けることである。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
更に、キャップ本体３０は、環状スカート４２の下限部４６に隔壁３２を支えている。この隔壁３２は、熱可塑性エラストマーで形成された円盤状の膜である。図４に示されているように、隔壁３２は平坦部分５０と上方に延びた環状突出部５２を具えている。この環状突出部５２は、これが環状スカート４２の開口下限部４６に押し込まれて嵌合し、密閉係合状態に維持される直径をする。隔壁３２の平坦部分５０は容器１２の内部空間に対面している。環状突出部５２は、前記平坦部分５０の反対側に凹面５３を形成している。隔壁３２はその中央に約０．０２８インチの厚さを有する部分５４を形成している。この部分５４によって、容器１２の内部空間１７から液体サンプルを吸い出すのに使用されるカニューレ或いはプローブを約２ポンドの力で隔壁に容易に突き刺すことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月11日(2010.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
偏光された光を出射する光源と、
複数の画素領域を有し、前記光源から出射された光の偏光を前記画素領域ごとに変調する液晶層を含む光制御部と、
前記光制御部で変調された光のうち、所定方向に偏光された光のみを通過させる偏光板と、
前記偏光板を通過した光によって励起されてフォトルミネセンス光を放出する発光層と、
を備えることを特徴とするフォトルミネセンス液晶表示装置。
【請求項２】
前記光源は、半導体レーザーダイオードであることを特徴とする請求項１に記載のフォトルミネセンス液晶表示装置。
【請求項３】
前記光制御部の側面方向に前記光源が配置される場合、前記光制御部の背面に配置されて、前記光源から出射される光を、偏光方向を維持しながら前記光制御部に案内する導光板をさらに備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のフォトルミネセンス液晶表示装置。
【請求項４】
前記光源は、前記光制御部の背面方向に配置されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のフォトルミネセンス液晶表示装置。
【請求項５】
前記光制御部の背面に光が均一に照明されるように、前記光源から出射された光のビーム幅を拡張させるビーム伸張器をさらに備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のフォトルミネセンス液晶表示装置。
【請求項６】
前記光制御部の背面に光が均一に照明されるように、前記光源から出射された光を均一にするコリメーティングレンズ群をさらに備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のフォトルミネセンス液晶表示装置。
【請求項７】
前記光源は、単色レーザー光を出射することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のフォトルミネセンス液晶表示装置。
【請求項８】
前記光源は、近紫外光を出射することを特徴とする請求項７に記載のフォトルミネセンス液晶表示装置。
【請求項９】
前記レーザー光は、３７０ｎｍ〜４２０ｎｍ帯域の波長を有することを特徴とする請求項８に記載のフォトルミネセンス液晶表示装置。
【請求項１０】
前記発光層は、前記光の波長に対する吸収スペクトルを有することを特徴とする請求項９に記載のフォトルミネセンス液晶表示装置。
【請求項１１】
前記発光層は、
前記光制御部の画素領域に対応して青色発光領域、緑色発光領域、及び赤色発光領域を含むことを特徴とする請求項８〜１０のいずれか一項に記載のフォトルミネセンス液晶表示装置。
【請求項１２】
前記発光層の出射面側に配置され、紫外光を遮断する紫外線遮断フィルタをさらに備えることを特徴とする請求項８〜１１のいずれか一項に記載のフォトルミネセンス液晶表示装置。
【請求項１３】
前記光源は、青色レーザー光を出射することを特徴とする請求項７に記載のフォトルミネセンス液晶表示装置。
【請求項１４】
前記レーザー光は、４２０ｎｍ〜４８０ｎｍ帯域の波長を有することを特徴とする請求項１３に記載のフォトルミネセンス液晶表示装置。
【請求項１５】
前記発光層は、
前記光制御部の画素領域に対応して透明領域、緑色発光領域、及び赤色発光領域を含むことを特徴とする請求項１４に記載のフォトルミネセンス液晶表示装置。
【請求項１６】
前記緑色発光領域と赤色発光領域とは、前記波長に対する吸収スペクトルを有することを特徴とする請求項１５に記載のフォトルミネセンス液晶表示装置。
【請求項１７】
前記光源は、少なくとも２色のレーザー光を出射することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のフォトルミネセンス液晶表示装置。
【請求項１８】
前記光源は、青色レーザー光及び赤色レーザー光を出射することを特徴とする請求項１７に記載のフォトルミネセンス液晶表示装置。
【請求項１９】
前記青色レーザー光は、４２０ｎｍ〜４８０ｎｍ帯域の青色波長を有し、前記赤色レーザー光は、６００ｎｍ〜７２０ｎｍ帯域の赤色波長を有することを特徴とする請求項１８に記載のフォトルミネセンス液晶表示装置。
【請求項２０】
前記発光層は、
前記光制御部の画素領域に対応して青色透明領域、緑色発光領域、及び赤色透明領域を含むことを特徴とする請求項１９に記載のフォトルミネセンス液晶表示装置。
【請求項２１】
前記緑色発光領域は、前記青色レーザー光に対する吸収スペクトルを有することを特徴とする請求項２０に記載のフォトルミネセンス液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月7日(2011.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、
多数本の電線と、
前記多数本の電線と前記回路基板とを電気的に中継接続するＦＰＣを有する中継接続体と、
該中継接続体を覆い、該中継接続体が前記回路基板から分離する方向へ動くことを規制する保護カバーと、
を備えた基板用電線接続構造体。
【請求項２】
前記保護カバーが、天井壁と、該天井壁の縁部に続く周壁とを有し、前記中継接続体が前記天井壁内面に当接することにより、前記中継接続体が前記回路基板から分離する方向へ動くことが規制される請求項１に記載の基板用電線接続構造体。
【請求項３】
回路基板と、
多数本の電線と、
前記多数本の電線と前記回路基板とを電気的に中継接続するＦＰＣを有する中継接続体と、
該中継接続体の両側をクランプして、該中継接続体が前記回路基板から分離する方向へ動くことを規制するクランピングユニットと、
を備えた基板用電線接続構造体。
【請求項４】
前記回路基板の周辺部に凹所が設けられ、該凹所内に前記クランピングユニットが配置されている請求項３に記載の基板用電線接続構造体。
【請求項５】
前記クランピングユニットが、前記回路基板に固定されるベース部材と、該ベース部材に開閉自在に装着されるカバー部材とを備え、前記ベース部材と前記カバー部材との間で前記中継接続体の両側部分をクランプする請求項３に記載の基板用電線接続構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月26日(2011.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子放出素子を有するリアプレートと、
抵抗性のアノードと、該アノードと電源とを電気的に接続する給電電極とを有し、前記アノードが前記電子放出素子に対向するように前記リアプレートと対向して位置するフェースプレートと、
前記リアプレートと前記フェースプレートとの間に配置され、長手方向の端部が前記アノードの外側に位置するようにアノードを横切る板状スペーサと
を有する画像表示装置であって、
前記給電電極は、前記板状スペーサの長手方向において、前記アノードの外側に位置し、
前記フェースプレートは、前記アノードと前記給電電極との間の部分に、該アノードよりも低電位に規定された電極を更に有し、
前記板状スペーサの長手方向の端部は、前記アノードと前記給電電極との間に位置するとともに、前記低電位に規定された電極と重なっていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記給電電極は、前記アノードを囲むように位置していることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記低電位に規定された電極は、絶縁層で覆われていることを特徴とする請求項１または２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記給電電極は、絶縁層で覆われていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記アノードは、行列状に位置する複数の導電部材と、前記複数の導電部材を互いに接続する抵抗体とを有することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記フェースプレートは、前記給電電極を囲むように該給電電極の外側に位置し該アノードよりも低電位に規定された電極を更に有することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記抵抗性のアノードの単位長さあたりの抵抗値は、前記給電電極の単位長さあたりの抵抗値の１０００倍以上大きいことを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題を解決する、本願発明は、電子放出素子を有するリアプレートと、抵抗性のアノードと、該アノードと電源とを接続する給電電極とを有し、前記アノードが前記電子放出素子に対向するように前記リアプレートと対向して位置するフェースプレートと、前記リアプレートと前記フェースプレートとの間に配置され、長手方向の端部が前記アノードの外側に位置するようにアノードを横切る板状スペーサとを有する画像表示装置であって、前記給電電極は、前記板状スペーサの長手方向において、前記アノードの外側に位置し、前記フェースプレートは、前記アノードと前記給電電極との間の部分に、該アノードよりも低電位に規定された電極を更に有し、前記板状スペーサの長手方向の端部は、前記アノードと前記給電電極との間に位置するとともに、前記低電位に規定された電極と重なっていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2010092769.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月15日(2011.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された該多層反射膜を保護する保護膜と、該保護膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有する反射型マスクブランクであって、
前記保護膜は、ルテニウム（Ｒｕ）とＸ（Ｘは、ニオブ（Ｎｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）から選ばれる少なくとも１種）とを含有するルテニウム化合物からなり、該保護膜の前記基板とは反対側の表層に前記Ｘを主成分とする酸化層を有することを特徴とする反射型マスクブランク。
【請求項２】
前記Ｘはニオブ（Ｎｂ）であることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランク。
【請求項３】
前記保護膜は、膜厚が０．８ｎｍ〜５ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の反射型マスクブランク。
【請求項４】
前記酸化層は、膜厚が０．５ｎｍ〜１．５ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の反射型マスクブランク。
【請求項５】
前記保護膜と前記吸収体膜との間に、該吸収体膜とエッチング特性が異なるバッファ膜を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の反射型マスクブランク。
【請求項６】
前記バッファ膜は、クロム（Ｃｒ）を含有するクロム系材料からなることを特徴とする請求項５に記載の反射型マスクブランク。
【請求項７】
前記バッファ膜は、窒化クロム（ＣｒＮ）を主成分とする材料からなることを特徴とする請求項５に記載の反射型マスクブランク。
【請求項８】
前記吸収体膜は、タンタル（Ｔａ）を含有するタンタル系材料からなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の反射型マスクブランク。
【請求項９】
前記保護膜は、前記酸化層を除いた部分におけるルテニウムの含有量が１０〜９５ａｔ％であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の反射型マスクブランク。
【請求項１０】
前記酸化層は、オゾン水洗浄に対して耐性を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の反射型マスクブランク。
【請求項１１】
前記Ｘはニオブであり、前記酸化層は、塩素系ガスを含むエッチングガスを用いたドライエッチングに対して耐性を有することを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランク。
【請求項１２】
前記Ｘはジルコニウムであり、前記酸化層は、フッ素系ガスを含むエッチングガスを用いたドライエッチングに対して耐性を有することを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランク。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記多層反射膜の上面にルテニウム（Ｒｕ）とＸとを含有するルテニウム化合物からなる保護膜を成膜した後、該保護膜の表面を酸化させることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の反射型マスクブランクの前記吸収体膜に、被転写体に対する転写パターンとなる吸収体膜パターンを形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項１５】
基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された該多層反射膜を保護する保護膜と、該保護膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜パターンとを有する反射型マスクであって、
前記保護膜は、ルテニウム（Ｒｕ）とＸ（Ｘは、ニオブ（Ｎｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）から選ばれる少なくとも１種）とを含有するルテニウム化合物からなり、該保護膜の前記基板側とは反対側の表層に前記Ｘを主成分とする酸化層を有することを特徴とする反射型マスク。
【請求項１６】
前記Ｘはニオブ（Ｎｂ）であることを特徴とする請求項１５に記載の反射型マスク。
【請求項１７】
前記保護膜は、膜厚が０．８ｎｍ〜５ｎｍであることを特徴とする請求項１５又は１６に記載の反射型マスク。
【請求項１８】
前記酸化層は、膜厚が０．５ｎｍ〜１．５ｎｍであることを特徴とする請求項１５乃至１７のいずれか一項に記載の反射型マスク。
【請求項１９】
前記保護膜は、前記酸化層を除いた部分におけるルテニウムの含有量が１０〜９５ａｔ％であることを特徴とする請求項１５乃至１８のいずれか一項に記載の反射型マスク。
【請求項２０】
前記酸化層は、オゾン水洗浄に対して耐性を有することを特徴とする請求項１５乃至１９のいずれか一項に記載の反射型マスク。
【請求項２１】
前記Ｘはニオブであり、前記酸化層は、塩素系ガスを含むエッチングガスを用いたドライエッチングに対して耐性を有することを特徴とする請求項１５に記載の反射型マスク。
【請求項２２】
前記Ｘはジルコニウムであり、前記酸化層は、フッ素系ガスを含むエッチングガスを用いたドライエッチングに対して耐性を有することを特徴とする請求項１５に記載の反射型マスク。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
次に、上述のように得られた多層反射膜付き基板の保護膜上に、バッファ膜を形成した。バッファ膜は、窒化クロム膜を２０ｎｍの厚さに形成した。Ｃｒターゲットを用いて、スパッタガスとしてアルゴン（Ar）と窒素（N2）の混合ガスを用いてDCマグネトロンスパッタリング法によって成膜した。成膜されたCrNx膜において、窒素（N）は10at%（ｘ＝０．１）とした。
次に、このバッファ膜上に、吸収体膜として、TaとBとNを含む材料を８０ｎｍの厚さで形成した。即ち、Ta及びBを含むターゲットを用いて、アルゴン（Ar）に窒素（N2）を１０％添加して、DCマグネトロンスパッタリング法によって成膜し、本実施例の反射型マスクブランクを得た。なお、成膜したTaBN膜の組成比は、Taが80at%、Bが10at%、Nが10at%であった。
次に、この反射型マスクブランクを用いて、デザインルールが０．０７μｍの16Gbit-DRAM用のパターンを有するEUV露光用反射型マスクを以下のように作製した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
次に、上述のように得られた多層反射膜付き基板の保護膜上に、吸収体膜として、TaとBとNを含む材料を８０ｎｍの厚さで形成した。即ち、Ta及びBを含むターゲットを用いて、アルゴン（Ar）に窒素（N2）を１０％添加して、DCマグネトロンスパッタリング法によって成膜し、本実施例の反射型マスクブランクを得た。なお、成膜したTaBN膜の組成比は、Taが80at%、Bが10at%、Nが10at%であった。
次に、この反射型マスクブランクを用いて、デザインルールが０．０７μｍの16Gbit-DRAM用のパターンを有するEUV露光用反射型マスクを以下のように作製した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びにこれらの製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月7日(2011.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と前記第１の面に対向する第２の面とを備えたシリコン基板に前記第１の面から第３族元素をイオン注入する第１の工程と、
前記シリコン基板の前記第１の面から第５族元素をイオン注入する第２の工程と、前記シリコン基板をアニールして、シリコン層の上に前記第３族元素と前記第５族元素との化合物からなる前記バッファ層を得る第３の工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記バッファ層の上にエピタキシャル層を形成する第４の工程を含み、
前記バッファ層は、前記シリコン層の格子定数と、前記エピタキシャル層の格子定数との間の格子定数をもつ材料によって形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第３族元素はホウ素であり、前記第５族元素は砒素であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記エピタキシャル層は、立方晶の炭化ケイ素、または立方晶の窒化ガリウムを含むことを特徴とする請求項１ないし３いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の工程において前記第３族元素をイオン注入する際の注入エネルギーは２．０ＫｅＶ以下であることを特徴とする請求項１ないし４いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の工程において、前記第５族元素をイオン注入する際の注入エネルギーは２．０ＫｅＶ以下であることを特徴とする請求項１ないし５いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記バッファ層は、前記シリコン層に接する第１のバッファ層と、前記エピタキシャル層に接する第２のバッファ層とを少なくとも備え、前記第１のバッファ層と前記第２のバッファ層とは互いに異なるに格子定数で、かつ、前記第１のバッファ層は前記第２のバッファ層よりも前記シリコン層の格子定数に近い格子定数をもつ材料から形成されることを特徴とする請求項１ないし６いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の工程における前記第３族元素をイオン注入する工程又は前記第２の工程における前記第５族元素をイオン注入する工程では、前記バッファ層が１原子層以上の厚みとなるように、単位面積あたりのイオン注入量を設定することを特徴とする請求項１ないし６いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
シリコン層に前記第１の面から第３族元素をイオン注入する第１の工程と、
前記シリコン層の前記第１の面から第５族元素をイオン注入する第２の工程と、
前記シリコン層をアニールして、前記シリコン層の一部に前記第３族元素と前記第５族元素との化合物からなるバッファ層を得る第３の工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９いずれか１項記載の半導体装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
シリコン基板と、
前記シリコン基板の表層付近に形成された立方晶の砒化ホウ素層と、
前記砒化ホウ素層の上に形成された立方晶炭化ケイ素層と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月20日(2011.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐加水分解性を有するプラスチックフィルムからなるＢ層と、Ｂ層に隣接し、表面抵抗値が１×１０7〜１×１０１2であり、かつ３５０〜３６０ｎｍ波長の平均透過率が５％以下であるＡ層とを有する太陽電池モジュール用裏面保護シート用フィルム。
【請求項２】
上記Ａ層がアクリル樹脂と導電成分を含む請求項１に記載の太陽電池モジュール用裏面保護シート用フィルム。
【請求項３】
上記導電成分が酸化亜鉛である請求項２に記載の太陽電池モジュール用裏面保護シート用フィルム。
【請求項４】
促進耐候性試験機で上記Ａ層側から紫外線強度１００ｍＷ／ｃｍ２、４８時間の紫外線照射前後での表色系ｂの差が１０以下である請求項１〜３のいずれかに記載の太陽電池モジュール用裏面保護シート用フィルム。
【請求項５】
加速寿命試験装置で１２０℃、１００％ＲＨ、１２時間保管後の表面抵抗値が、１×１０１2以下であり、かつ３５０〜３６０ｎｍ波長の平均透過率が５％以下であるＡ層を有する請求項１〜４のいずれかに記載の太陽電池モジュール用裏面保護シート用フィルム。
【請求項６】
少なくとも太陽光反射能を有するＣ層と接着能を有するＤ層とを有し、上記Ａ層が屋外暴露面である請求項１〜５のいずれかに記載の太陽電池モジュール用裏面保護シート。
【請求項７】
全厚みが１７０〜２５５μｍであり、部分放電電圧が１０００Ｖ以上である請求項６記載の太陽電池モジュール用裏面保護シート。
【請求項８】
上記Ｄ層がポリエチレンフィルムである請求項６〜７のいずれかに記載の太陽電池モジュール用裏面保護シート。
【請求項９】
上記Ｃ層が白色ポリエステルフィルムである請求項６〜８のいずれかに記載の太陽電池モジュール用裏面保護シート。
【請求項１０】
上記Ｄ層がポリエチレンフィルムであり、上記Ｃ層が白色ポリエステルフィルムである太陽電池モジュール用裏面保護シートであって、該ポリエチレンフィルムの非ラミネート面の表面にコロナ処理を施していない事を特徴とする請求項６または７記載の太陽電池モジュール用裏面保護シート。
【請求項１１】
請求項１〜１０記載の太陽電池モジュール用裏面保護シートを使用した太陽電池モジュール
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明はかかる課題を解決するために次のような手段を採用するものである。
（１）耐加水分解性を有するプラスチックフィルムからなるＢ層と、Ｂ層に隣接し、表面抵抗値が１×１０7〜１×１０１2であり、かつ３５０〜３６０ｎｍ波長の平均透過率が５％以下であるＡ層とを有する太陽電池モジュール用裏面保護シート用フィルム。
（２）上記Ａ層がアクリル樹脂と導電成分を含む（１）に記載の太陽電池モジュール用裏面保護シート用フィルム。
（３）上記導電成分が酸化亜鉛である（２）に記載の太陽電池モジュール用裏面保護シート用フィルム。
（４）促進耐候性試験機で上記Ａ層側から紫外線強度１００ｍＷ／ｃｍ２、４８時間の紫外線照射前後での表色系ｂの差が１０以下である（１）〜（３）のいずれかに記載の太陽電池モジュール用裏面保護シート用フィルム。
（５）加速寿命試験装置で１２０℃、１００％ＲＨ、１２時間保管後の表面抵抗値が、１×１０１2以下であり、かつ３５０〜３６０ｎｍ波長の平均透過率が５％以下であるＡ層を有する（１）〜（４）のいずれかに記載の太陽電池モジュール用裏面保護シート用フィルム。
（６）少なくとも太陽光反射能を有するＣ層と接着能を有するＤ層とを有し、上記Ａ層が屋外暴露面である（１）〜（５）のいずれかに記載の太陽電池モジュール用裏面保護シート。
（７）全厚みが１７０〜２５５μｍであり、部分放電電圧が１０００Ｖ以上である（６）記載の太陽電池モジュール用裏面保護シート。
（８）上記Ｄ層がポリエチレンフィルムである（６）〜（７）のいずれかに記載の太陽電池モジュール用裏面保護シート。
（９）上記Ｃ層が白色ポリエステルフィルムである（６）〜（８）のいずれかに記載の太陽電池モジュール用裏面保護シート。
（１０）上記Ｄ層がポリエチレンフィルムであり、上記Ｃ層が白色ポリエステルフィルムである太陽電池モジュール用裏面保護シートであって、該ポリエチレンフィルムの非ラミネート面の表面にコロナ処理を施していない事を特徴とする（６）または（７）記載の太陽電池モジュール用裏面保護シート。
（１１）（１）〜（１０）記載の太陽電池モジュール用裏面保護シートを使用した太陽電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月20日(2011.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、水素イオン伝導性高分子電解質膜、ならびに前記高分子電解質膜を挟むアノードおよびカソードを有する膜電極接合体と、
アノードに燃料ガスを供給し排出するガス流路を有するアノード側セパレータ板と、
カソードに酸化剤ガスを供給し排出するガス流路を有するカソード側セパレータ板と、
前記アノード側セパレータ板のアノード側表面に設けられたアノード側シール部材と、
前記カソード側セパレータ板のカソード側表面に設けられたカソード側シール部材と、を具備し、
前記アノード側シール部材及び前記カソード側シール部材は、互いに対応する部分において、一方は線状の頂部を有するリブを有し、他方は面状の形状を有しており、
前記リブは、前記アノードまたは前記カソードを囲む部分において、内側が薄く、外側が厚くなる断面を有するくさび型である、高分子電解質型燃料電池に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素イオン伝導性高分子電解質膜、ならびに前記高分子電解質膜を挟むアノードおよびカソードを有する膜電極接合体と、
アノードに燃料ガスを供給し排出するガス流路を有するアノード側セパレータ板と、
カソードに酸化剤ガスを供給し排出するガス流路を有するカソード側セパレータ板と、
前記アノード側セパレータ板のアノード側表面に設けられたアノード側シール部材と、
前記カソード側セパレータ板のカソード側表面に設けられたカソード側シール部材と、を具備し、
前記アノード側シール部材及び前記カソード側シール部材は、互いに対応する部分において、一方は線状の頂部を有するリブを有し、他方は面状の形状を有しており、
前記リブは、前記アノードまたは前記カソードを囲む部分において、内側が薄く、外側が厚くなる断面を有するくさび型である、高分子電解質型燃料電池。
【請求項２】
前記燃料ガスの流路と連絡された一対の燃料ガス用マニホールド孔、および前記酸化剤ガスの流路と連絡された一対の酸化剤ガス用マニホールド孔を有しており、
前記一方のシール部材はカソード側シール部材であり、
前記カソード側シール部材は、
前記酸化剤ガスの流路および前記一対の酸化剤ガス用マニホールド孔をそれぞれ囲んで閉ループを構成する帯状の第１の部片と、
前記一対の燃料ガス用マニホールド孔をそれぞれ囲んで閉ループを構成する一対の帯状の第２の部片と、
第１の部片および第２の部片を連結する帯状の第３の部片と、からなり、
前記第１の部片は、内側が薄く、外側が厚くなる断面をもつくさび型であり、
前記第２の部片は、内側が厚く、外側が薄くなる断面をもつくさび型である、請求項１に記載の高分子電解質型燃料電池。
【請求項３】
前記カソード側シール部材の前記カソードを囲む部分と前記カソードとの間に生じる片側クリアランスｃｌとそのクリアランス部の水力直径ｄが次式（１）：
ｄ＜（Ｄ×ｃｌ×Ｐ）／０．５４Ｌ      （１）
ただし、
ｃｌ：片側クリアランス部の長さ
ｄ：片側クリアランス部の水力直径
Ｌ：カソード側セパレータ板の１パス当たりのガス流路の長さ
Ｄ：カソード側セパレータ板の１パス当たりのガス流路の水力直径
Ｐ：カソード側セパレータ板当たりのガス流路のパス数
水力直径ｄ＝（クリアランス部の断面積）÷（クリアランス部の断面部分の周長）×４
を満たす請求項１又は２に記載の高分子電解質型燃料電池。
【請求項４】
さらに片側クリアランスｃｌが次式（２）：
０．２５ｍｍ＜ｃｌ （２）
を満たす請求項１〜３のいずれか１項に記載の高分子電解質型燃料電池。
【請求項５】
電極とガスシール部材との間のクリアランスに基づく圧力損失Ｐｃと電極に対応するガス流路で生じる圧力損失Ｐｆとの比Ｐｃ／Ｐｆが０．９より大きい、請求項１〜４のいずれか１項に記載の高分子電解質型燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月29日(2010.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｂ，Ｔｈ，Ｂｅ，Ｉｎからなる基準グループから選ばれた少なくとも１種の元素を合計で０．００１質量％以上５．０質量％以下含有し、残部がＮｉ及び不純物からなり、
冷陰極蛍光ランプの電極に用いられることを特徴とする電極材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上記基準グループは、Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｖ，Ｆｅ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｗ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｂ，Ｔｈ，Ｍｇ，Ｉｎからなる第一グループと、Ｂｅ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｙ，希土類元素からなる第二グループとに分け、いずれか一方のグループに含まれる元素を添加元素としてもよい。特に、上記第一グループから選ばれた少なくとも１種の元素（以下、元素Ｉと呼ぶ）を添加元素とする場合、その含有量としては、０．００１質量％以上２．０質量％以下が挙げられる。即ち、本発明電極材料は、上記第一グループから選ばれた少なくとも１種の元素を合計で０．００１質量％以上２．０質量％以下含有し、残部がＮｉ及び不純物からなるものとすることができる。元素Ｉをこの範囲で含有するＮｉ合金により電極材料を構成することで、上述した１〜４の特性を有する電極をより低コストで得られる。また、このＮｉ合金からなる鋳造材は、圧延加工や伸線加工といった塑性加工が行える程度の加工性を有しており、上記塑性加工を施して電極材料を作製することができる。更に、この電極材料は、プレス加工や鍛造加工といった塑性加工が行える程度の加工性を十分に有しているため、上記塑性加工を施して電極を作製することができる。元素Ｉは、１種の元素でもよいし、２種以上の複数の元素でもよい。元素Ｉを複数種の元素とする場合、合計含有量が０．００１〜２．０質量％となるように調整してＮｉに添加する。元素Ｉの含有量が０．００１質量％未満では、元素Ｉの含有による特性の改善効果が得られない。一方、この特性改善効果は、元素Ｉの含有量が２．０質量％で飽和する傾向にある。また、２．０質量％を超えて元素Ｉを添加すると、製造コストを上昇させたり、塑性加工性を低下させる恐れがある。そのため、製造コストや塑性加工性を考慮すると、元素Ｉの含有量は、２．０質量％以下が好ましい。元素Ｉとしてより好ましい元素は、Ｍｇ，Ｔｉ，Ｈｆ，ＴｉとＺｒ，ＨｆとＺｒから選択される元素である。特に、Ｍｇの添加は、上記鋳造材の塑性加工性を改善する効果を有する。元素Ｉのより好ましい含有量は、合計で０．０１質量％以上１．０質量％以下である。添加元素をより低減することで、電極材料のコストを低減できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上記第二グループから選ばれた少なくとも１種の元素（以下、元素ＩＩと呼ぶ）のみを添加元素としてもよいが、上記特定範囲の元素Ｉと元素ＩＩとを合わせて添加元素としてもよい。後者の場合、元素ＩＩの含有量は、０．００１質量％以上３．０質量％以下が挙げられる。即ち、電極材料は、上記第一グループから選択される１種以上の元素を合計で０．００１〜２．０質量％含有し、かつ上記第二グループから選択される１種以上の元素を合計で０．００１〜３．０質量％含有し、残部がＮｉ及び不純物からなるものでもよい。元素Ｉに加えて、元素ＩＩを０．００１〜３．０質量％含有するＮｉ合金により電極材料を構成し、この電極材料により製造された電極は、放電性、耐酸化性、耐スパッタリング性をより高めることができる。また、元素ＩＩを０．００１〜３．０質量％含有しても電極材料の塑性加工性にほとんど影響を与えることがない。この元素ＩＩは、１種の元素でもよいし、２種以上の複数の元素でもよい。元素ＩＩを複数種の元素とする場合、合計含有量が０．００１〜３．０質量％となるように調整してＮｉに添加する。元素ＩＩの含有量が０．００１質量％未満では、元素ＩＩの含有による効果が得られない。一方、この効果は、元素ＩＩの含有量が３．０質量％で飽和する傾向にあり、３．０質量％を超えて添加すると、コスト上昇や電極材料の塑性加工性の低下を招く恐れがある。従って、製造コストや塑性加工性を考慮すると、元素ＩＩの含有量は、３．０質量％以下が好ましい。元素ＩＩとしてより好ましい元素は、Ｓｉ，Ａｌ，Ｙである。特に、Ｙを添加元素とする場合、析出物が結晶粒界に存在することで、加熱時の結晶粒の成長や酸化を防止することができる。元素ＩＩのより好ましい含有量は、合計で０．０１質量％以上２．０質量％以下である。添加元素をより低減することで、電極材料のコストを低減できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
得られた線状の軟材及び板状の軟材について、水素含有量（質量割合ｐｐｍ）、軟材を構成する金属の平均結晶粒径（μｍ）、仕事関数（ｅＶ）、エッチングレート（ｎｍ／ｍｉｎ）を測定した。その結果を表３〜６に示す（表３，４：線状の電極材料を用いた試料、表５，６：板状の電極材料を用いた試料）。水素含有量は、不活性ガス中融解−熱伝導度法により測定した（測定装置：堀場製作所製  ＥＭＧＡ−６２０）。金属の平均結晶粒径は、ＪＩＳ  Ｇ  ０５５１に示す方法に準じて測定した。仕事関数は、紫外線光電子分光分析法により測定した。具体的には、前処理として、Ａｒイオンエッチングを数分間実施した後、複合電子分光分析装置（ＰＨＩ製  ＥＳＣＡ−５８００  付属  ＵＶ−１５０ＨＩ）を用い、紫外線源：Ｈｅ  Ｉ  （２１．２２ｅＶ）／８Ｗ，測定時の真空度：３×１０−９〜６×１０−９ｔｏｒｒ（０．４×１０−９〜０．８×１０−９ｋＰａ），測定前のベース真空度：４×１０−１０ｔｏｒｒ（５．３×１０−１１ｋＰａ），印加バイアス：約−１０Ｖ，エネルギー分解能：０．１３ｅＶ，分析エリア：φ８００μｍ  楕円形，分析深さ：約１ｎｍとして測定した。エッチングレートは、鏡面研磨した軟材に真空装置内でアルゴンイオンを照射した後、表面粗さを測定し、照射時間と表面粗さとから求めた。前処理として、軟材に部分的にマスキングを行ってからイオン照射を行った。イオン照射は、Ｘ線光電子分光分析装置（ＰＨＩ製  Ｑｕａｎｔｕｍ−２０００）を用い、加速電圧：４ｋＶ，イオン種：Ａｒ＋，照射時間：１２０ｍｉｎ，真空度：２×１０−８〜４×１０−８ｔｏｒｒ（２．７×１０−９〜５．３×１０−９ｋＰａ），アルゴン圧：約１５ｍＰａ，入射角度：試料面に対して約４５度として行った。表面粗さの測定は、触針式表面形状測定器（Ｖｅｃｃｏ社製  Ｄｅｋｔａｋ−３０３０）を用い、触針：ダイヤモンド  半径＝５μｍ，針圧：２０ｍｇ，走査距離：２ｍｍ，走査速度：Ｍｅｄｉｕｍとして行った。軟材においてイオン照射により表面に窪みができた箇所（マスキングされていない箇所）について窪みの平均深さを表面粗さとし、表面粗さ／照射時間（１２０ｍｉｎ）をエッチングレートとした。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月28日(2011.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、走査荷電粒子顕微鏡に関し、特に半導体デバイスや新材料などの試料表面を観察する走査荷電粒子顕微鏡において、その走査画像に障害をもたらす外部擾乱の振動数を解析する手段を搭載した走査荷電粒子顕微鏡に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月28日(2011.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
封止基板の周縁部にガラスフリットを設け、該ガラスフリットと所定の間隔を隔てて前記封止基板に樹脂層を形成する工程と、
画素領域及び非画素領域を有すると共に当該画素領域に有機ＥＬ素子が形成された基板と、前記封止基板とを、樹脂の軟化温度よりも低い温度で貼り合わせて貼り合わせ基板とする工程と、
第１の雰囲気下で前記ガラスフリットにレーザーを照射し、加熱して溶融し、前記基板と前記封止基板とを接着する工程と、
前記貼り合わせ基板を第２の雰囲気下でベークし、前記画素領域を前記樹脂層で被覆する工程と、を含む有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
前記第１の雰囲気の圧力は前記第２の雰囲気の圧力よりも小さいことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上述した目的を達成するため、以下の特徴点を有している。すなわち、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、次の４つの工程を含んでいる。第１の工程は、封止基板の周縁部にガラスフリットを設け、該ガラスフリットと所定の間隔を隔てて前記封止基板に樹脂層を形成する工程である。第２の工程は、画素領域及び非画素領域を有すると共に当該画素領域に有機ＥＬ素子が形成された基板と、封止基板とを、樹脂の軟化温度よりも低い温度で貼り合わせて貼り合わせ基板とする工程である。第３の工程は、第１の雰囲気下でガラスフリットにレーザーを照射し、加熱して溶融し、基板と封止基板とを接着する工程である。第４の工程は、貼り合わせ基板を第２の雰囲気下でベークし、画素領域を樹脂層で被覆する工程である。そして、第１の雰囲気の圧力は第２の雰囲気の圧力よりも小さいことを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月3日(2011.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力データを複数の分割データに分割する分割手段と、
前記分割データのそれぞれに対して所定の処理を施して処理済分割データを生成する処理手段と、
各々が一つ以上の前記処理済分割データを含む複数の分割データ群をそれぞれ参照して複数の中間データを生成し、該複数の中間データを結合して出力データを生成する生成手段とを備える情報処理装置において、
前記処理済分割データを記憶する一時記憶手段と、
前記複数の分割データ群のうち、前記一時記憶手段に記憶された処理済分割データを含む分割データ群を選択して、該選択された分割データ群に含まれるすべての処理済分割データが前記一時記憶手段に記憶されているか否かを判定する検知手段とをさらに備え、
前記検知手段が前記判定を行った結果、
前記すべての処理済分割データが記憶されていると判定された場合に、前記生成手段は、前記選択された分割データ群を参照して中間データを作成した後に、該選択された分割データ群に含まれるすべての処理済分割データを前記一時記憶手段から削除し、
一部の処理済分割データが記憶されていないと判定された場合に、前記処理手段は、該一部の処理済分割データを優先的に生成することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記処理済分割データのそれぞれに、該処理済分割データと同じ分割データ群に含まれる他の処理済分割データを特定する参照データ特定情報を付加する付加手段をさらに備え、
前記検知手段は、前記参照データ特定情報に基づいて前記判定を行うことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記検知手段は、前記一時記憶手段に新たな処理済分割データが記憶されるごとに、該新たな処理済分割データを含む分割データ群を選択して前記判定を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記処理手段は、複数の分割データに対して時分割に前記所定の処理を施し、
前記一部の処理済分割データを優先して生成する場合、該一部の処理済分割データに対してより多くの処理時間を割り当てることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記処理手段は、複数の分割データを一つずつ選択して前記所定の処理を施し、
前記一部の処理済分割データを優先して生成する場合、該一部の処理済分割データを生成するための分割データを優先して選択することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記入力データはインタレース映像データであり、前記出力データは該インタレース映像データをプログレッシブ変換したプログレッシブ映像データであり、前記分割データは該インタレース映像データのフレームであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記入力データは複数の画像データであり、前記出力データは該複数の画像データを合成した合成画像データであり、前記分割データは該複数の画像データのタイルであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
入力データを複数の分割データに分割する分割手段と、
前記分割データのそれぞれに対して所定の処理を施して処理済分割データを生成する処理手段と、
各々が一つ以上の前記処理済分割データを含む複数の分割データ群をそれぞれ参照して複数の中間データを生成し、該複数の中間データを結合して出力データを生成する生成手段と、
前記処理済分割データを記憶する一時記憶手段と
を備える情報処理装置の制御方法において、
前記複数の分割データ群のうち、前記一時記憶手段に記憶された処理済分割データを含む分割データ群を選択して、該選択された分割データ群に含まれるすべての処理済分割データが前記一時記憶手段に記憶されているか否かを検知手段が判定する検知工程を有し、
前記検知工程において前記判定を行った結果、
前記すべての処理済分割データが記憶されていると判定された場合に、前記生成手段は、前記選択された分割データ群を参照して中間データを作成した後に、該選択された分割データ群に含まれるすべての処理済分割データを前記一時記憶手段から削除し、
一部の処理済分割データが記憶されていないと判定された場合に、前記処理手段は、該一部の処理済分割データを優先的に生成することを特徴とする制御方法。
【請求項９】
コンピュータを請求項１乃至７のいずれか１項に記載の情報処理装置の各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月25日(2011.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検索フォルダ下に複数の検索サブフォルダを作成することが可能であり、前記検索フォルダ下の検索サブフォルダに格納されるコンテンツは、検索フォルダの検索条件と検索サブフォルダの検索条件とを満たすコンテンツであるコンテンツ管理装置の制御方法であって、
判断手段が、前記検索フォルダ直下に、何れの検索サブフォルダにも含まれないコンテンツ要素が格納されているか判断する判断工程と、
フォルダ作成手段が、前記判断工程で、何れの検索サブフォルダにも含まれないと判断されたコンテンツ要素を格納するフォルダを作成するフォルダ作成工程と、を有することを特徴とする制御方法。
【請求項２】
前記フォルダ作成工程では、前記検索フォルダ直下の検索サブフォルダを除いたコンテンツ要素が一定数以上の場合に、自動的に前記フォルダを作成することを特徴とする請求項１に記載の制御方法。
【請求項３】
前記検索フォルダに格納されているコンテンツ要素が一定数以上の場合、検索サブフォルダの作成を促す表示をする検索サブフォルダ作成促進表示工程を有することを特徴とする請求項２に記載の制御方法。
【請求項４】
検索フォルダ下に複数の検索サブフォルダを作成することが可能であり、前記検索フォルダ下の検索サブフォルダに格納されるコンテンツは、検索フォルダの検索条件と検索サブフォルダの検索条件とを満たすコンテンツであるコンテンツ管理装置であって、
前記検索フォルダ直下に、何れの検索サブフォルダにも含まれないコンテンツ要素が格納されているか判断する判断手段と、
前記判断手段で、何れの検索サブフォルダにも含まれないと判断されたコンテンツ要素を格納するフォルダを作成するフォルダ作成手段と、を有することを特徴とするコンテンツ管理装置。
【請求項５】
検索フォルダ下に複数の検索サブフォルダを作成することが可能であり、前記検索フォルダ下の検索サブフォルダに格納されるコンテンツは、検索フォルダの検索条件と検索サブフォルダの検索条件とを満たすコンテンツであるコンテンツ管理装置に、
前記検索フォルダ直下に、何れの検索サブフォルダにも含まれないコンテンツ要素が格納されているか判断する判断ステップと、
前記判断ステップで、何れの検索サブフォルダにも含まれないと判断されたコンテンツ要素を格納するフォルダを作成するフォルダ作成ステップと、を実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】コンテンツ管理装置の制御方法、コンテンツ管理装置及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、検索フォルダを用いて、コンテンツ管理を行う装置の制御方法、コンテンツ管理装置及びプログラムに関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、検索フォルダ下に複数の検索サブフォルダを作成することが可能であり、前記検索フォルダ下の検索サブフォルダに格納されるコンテンツは、検索フォルダの検索条件と検索サブフォルダの検索条件とを満たすコンテンツであるコンテンツ管理装置の制御方法であって、判断手段が、前記検索フォルダ直下に、何れの検索サブフォルダにも含まれないコンテンツ要素が格納されているか判断する判断工程と、フォルダ作成手段が、前記判断工程で、何れの検索サブフォルダにも含まれないと判断されたコンテンツ要素を格納するフォルダを作成するフォルダ作成工程と、を有することを特徴とする。