【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年5月9日(2011.5.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｓｉ1-xＧｅx（式中、ｘは０よりも大きく１以下）の基板上で、高温酸化により二酸化ケイ素層を調製する方法であって、該方法が以下の連続ステップ：
ａ）厚さｈyであり全体式Ｓｉ1-yＧｅy（式中、ｙは０よりも大きくｘ未満）の少なくとも１つの追加層が、式Ｓｉ1-xＧｅxの該基板上に堆積されるステップ；および
ｂ）全体式Ｓｉ1-yＧｅyの該追加層の該高温酸化が実施され、これにより、該追加層が、完全または部分的に、酸化ケイ素ＳｉＯ2層へと変換されるステップ
を含む方法。
【請求項２】
前記基板が、支持体上で、Ｓｉ1-xＧｅx層から構成され、該支持体が、単一材料でできているか、あるいは、ベース基板を含み、該ベース基板上で、１つ以上の緩衝適合層が作られる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記Ｓｉ1-xＧｅx層が、単結晶のＳｉ1-xＧｅx層から構成される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記単一材料が、ゲルマニウムまたはケイ素である、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記ベース基板が、Ｓｉでできている、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記緩衝適合層が、ＳｉＧｅでできている、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
ｙおよび／またはｈyが、前記酸化後に、前記酸化ケイ素層下に横たわる前記ＳｉＧｅ合金層のゲルマニウム濃度をコントロールするよう選ばれる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
ｙおよび／または前記厚さｈyにより定義される前記追加層の組成が、前記Ｓｉ1-xＧｅx基板および／または前記酸化ケイ素ＳｉＯ2層の厚さおよび／または前記酸化ケイ素層直下に横たわる前記ケイ素−ゲルマニウム合金層のゲルマニウム濃度によって選ばれる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
ｙおよび／または前記厚さｈyにより定義される前記追加層の組成が、Ｓｉ1-xＧｅxおよびＳｉ1-yＧｅy間の結晶格子パラメーターにおける違いにより生成される歪みを制限するよう選ばれる、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
ステップｂ）の間に、前記追加層が部分的に酸化ケイ素へと変換され、式Ｓｉ1-zＧｅzおよび厚さｈzの層上に酸化ケイ素層を与える、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
ｚが実質的にｘに等しい、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記追加層が、前記ゲルマニウム濃度が連続的に変動する勾配の付けられた組成の層である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記追加層が、前記ゲルマニウム濃度が前記基板（側）から連続的に減少して行く勾配の付けられた組成の層である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ｙ値において異なる幾つかの追加層が堆積される、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記基板近くに位置する前記追加層（側）から前記厚さｈyに位置する層までｙ値が減少して行く、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
ＳｉＧｅ補完層もまた、少なくとも１つの前記追加層上に堆積され、該補完層もまた、酸化ケイ素ＳｉＯ2層へと完全に変換される、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
ＳｉＯ2補完層もまた、少なくとも１つの前記追加層上に堆積される、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記酸化が、乾式および／または湿式酸化熱処理による酸化である、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
光学部品または電子部品を調製する方法であって、二酸化ケイ素層が、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法により調製される少なくとも１つのステップを含む、方法。
【請求項２０】
Ｓｉ1-xＧｅxＯＩ構造体を調製する方法であって、酸化ケイ素ＳｉＯ2層により覆われるＳｉ1-xＧｅxフィルムを含む構造体が、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法により調製され、該Ｓｉ1-xＧｅxフィルム内に位置する層が、ステップｂ）前もしくは後に、弱体化され、この弱められた層を含むこの構造体が、基板へと結合され、該基板および該構造体を含む組み立て品を得、この組み立て品が、熱処理および／または機械処理により、この弱められた層において分離される方法。
【請求項２１】
前記弱体化が、気体状化学種の侵入により行われる、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記基板が、シリコン基板である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
Ｓｉ1-xＧｅxＯＩ構造体を調製する方法であって、酸化ケイ素ＳｉＯ2層により覆われるＳｉ1-xＧｅxフィルムを含む構造体が、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法により調製され、この構造体が基板へと結合され、該基板および該構造体を含む組み立て品を得、この組み立て品が、機械的および／または化学的に薄くされる方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
特許文献１は、ゲルマニウム層上における高品質二酸化ケイ素層の調製方法に関し、該方法においては、シリコン層がゲルマニウム層上に堆積され、次いでこの層が酸化され、ＳｉＯ2層を与える。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
これとは反対に、該Ｓｉ層が非晶質（アモルファス）または多晶質Ｓｉの形態で堆積される場合には、Ｇｅを有する界面の質をコントロールするのは難しくなる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
この必要性およびその他の必要性もまた、本発明によって、式Ｓｉ1-xＧｅxを有する基板上での高温酸化による二酸化ケイ素層の調製方法により叶えられ、式中、ｘは０よりも大きく１以下であり、該方法は以下の連続ステップを含む。
ａ）厚さｈyおよび全体式Ｓｉ1-yＧｅy（式中、ｙは０よりも大きくｘ未満）を有する更に少なくとも１つの層が、式Ｓｉ1-xＧｅxの該基板上に堆積される。
ｂ）全体式Ｓｉ1-yＧｅyのこの更なる層が高温酸化され、これによって、この更なる層が完全もしくは部分的に、酸化ケイ素ＳｉＯ2層へと変換される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
厚さｈyおよび全体式Ｓｉ1-yＧｅyを有する少なくとも１つの更なる層が式Ｓｉ1-xＧｅxの該基板表面上に堆積されることを、本発明の方法は必須の特徴とする。用語「全体式」とは、該層により表される平均式を、該層全体に関してｙの平均値を採ることにより意味付けするよう理解されるものであり、該平均値は、例えば種々の厚さにおいて測定されるｙの種々の値から得られるものである。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
更なるＳｉ1-yＧｅy層を堆積するこのようなステップは、先行技術中には記載も示唆もされていない。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
こうして、米国特許第６，３５２，９４２号では「更なる層」と呼ばれてもよい層が堆積されるが、これはシリコン層であって、特定の組成を有するシリコンゲルマニウム合金ではない。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
本発明による方法は、特にステップｂ）における該追加層の堆積のお陰で、先行技術の方法の欠点、短所、制限、および不利を持たず、先行技術の方法の問題を解決する。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
更に、該追加Ｓｉ1-yＧｅy層の適切な選択により、該酸化シリコンとの界面近傍において、実質的に一定なゲルマニウム濃度を得ることも可能であり、該ゲルマニウムの分離も該界面近くのそれの濃度の上昇もない。これ故に該基板表面上で得られるのはＳｉ1-xＧｅxであり、但し、ＳｉＯ2層を伴う。こうするために、Ｓｉ1-yＧｅy追加層が堆積され、ｙは、酸化後にこの追加層の一部が消費され、該層の残りがＳｉ1-xＧｅxへと変換されるように選ばれる。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
ｙ値において異なる幾つかの追加層が堆積されてもよく、好ましくは該ｙ値は、該層が厚さｈyに位置する限り、該基板近くに位置する該追加層から減少して行く。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
少なくとも１層の該追加層上にＳｉＧｅ補完層を堆積することも更に可能であり、該補完層もまた、酸化シリコンＳｉＯ2層へと完全に変換される。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
あるいは、少なくとも１層の該追加層上にＳｉＯ2補完層を堆積することも可能である。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
該Ｓｉ1-xＧｅx基板はまた、好ましくは層またはフィルム形態であってもよく、好ましくは単結晶層またはフィルムであり、一般的には５ｎｍ〜１ないし数ミクロン（例えば、１、２、５、または１０μｍ）の厚さのＳｉ1-xＧｅx（１２、２２、３２、４２）であり、これ自体が支持体（１１、２１、３１、４１）上に堆積される。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
該支持体（１１、２１、３１、４１）は、単一材料でできた支持体（いわゆる単一材料支持体）であってもよく、例えば、ゲルマニウムまたはシリコンでできたものであるが、それは組成物支持体であってもよい。この支持体は、例えばシリコンでできたベース基板を含んでもよく、この上に、例えばＳｉＧｅの１以上の緩衝適合層が、この技術分野の当業者には既知の種々の技術によって作られる。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
該Ｓｉ1-xＧｅx（基板）層またはフィルム（１２、２２、３２、４２）は、例えば、エピタキシーまたはＣＶＤ（化学的蒸着）によって、該支持体上に堆積される。それは一般的に、緩和層である。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
本発明の方法によれば（ステップａ））、全体式Ｓｉ1-yＧｅyであり厚さｈy（式中、ｙは０よりも大きく、ｘよりも小さく、例えばｘ＝０．３の場合、ｙは０．２５の値を持っている）の、少なくとも１層の追加層またはフィルムが、式Ｓｉ1-xＧｅxの基板上に堆積される。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
該追加層（単数または複数）は、この技術分野の当業者には既知の如何なる方法、例えばＣＶＤ（化学蒸着）プロセスによって堆積されてもよく、好ましいプロセスはＲＰＣＶＤ（減圧化学蒸着）を介してのエピタキシーである。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６９】
１つの追加層は、該基板または幾つかの追加層上に、堆積されてよい。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７１】
図１Ａ中例示される本発明による方法を履行する第１の方法では、単一追加層（１３）が堆積され、これは一般的に１〜数ｎｍの厚さｈyを持ち（例えば、２、５、または１０ｎｍ）、この層（１３）は式Ｓｉ1-yＧｅyを持ち、ｙの値は該層（１３）全体の厚さについて一定に保たれ、前に定義された通りであり、例えば０．２５に等しい（Ｓｉ0.75Ｇｅ0.25）。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７６】
図３Ａ中例示される本発明による方法を履行する第３の方法では、幾つかの追加層が堆積される。これ故に、図３Ａ中では、４層の追加層（３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ，３３Ｄ）が堆積されるが、これは１例に過ぎない。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８０】
図３Ａでは４層の追加層が堆積されているが、ｙは例えば、該基板寄りの３３Ａ層についての０．２７５（ｙ0）から下って行って、最外層３３Ｄについての０．２００（ｙhy）まで変動し、０．２５の段差または増加分Δｙを伴う。これら４層はこれ故に、０．２７５、０．２５０、０．２２５、および０．２００といったｙ値を持つことになるであろう。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８１】
第４の履行方法では、「補完層」と呼ばれる層が、該追加層（単数または複数）上に更に堆積される。これ故に、図４Ａでは、補完層（４４）が、例えばｈwの厚さをもって、追加層（４３）上に堆積されている。該補完層はまた、酸化シリコンＳｉＯ2層へと完全に変換されてよい。変法として、それが直接、例えばＬＰＣＶＤによって堆積される酸化物（ＳｉＯ2）であってもよい。
【誤訳訂正２３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８２】
この補完層は例えば、該追加層（単数または複数）の組成に対応して決定する厚さが許容するものよりも厚い酸化物の厚さを得ることが望まれる場合、有利である。有利なことに、この層は、例えば式Ｓｉ1-wＧｅwのＳｉＧｅでできていてよい。この層は、酸化層へと完全に変換されるのであるが、高い結晶品質である必要はなく、それは、多晶質、非晶質、またはその他の単結晶であってもよく、高転位密度を有する。
【誤訳訂正２４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８３】
一旦該追加層（単数または複数）および任意の該補完層が該Ｓｉ1-xＧｅx基板上に堆積されると、全体式Ｓｉ1-yＧｅyの該追加層（単数または複数）の高温酸化が実施され、これによって、該追加層（単数または複数）および任意の該補完層が、完全または部分的に、酸化シリコンＳｉＯ2、またより厳密には、酸化シリコンＳｉＯ2層へと変換される。
【誤訳訂正２５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１００
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１００】
この構造において、例えば米国特許第５，３７４，５６４号に記載のような気体化学種の侵入により、このＳｉＧｅまたはＧｅフィルム中、被覆される弱い領域を作り出すよう注意が払われてもよく、該侵入は、該酸化の前もしくは後または該追加層の堆積前においてさえ、実施され得る。
【誤訳訂正２６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０４】
［実施例１］
この実施例では、本発明による方法の履行が、従来技術から既知の種々の技術、例えばＣＶＤまたはＲＰＣＶＤエピタキシー、例えば堆積に関する連続勾配技術を使用して、基板上において、例えばシリコンでできた基板（２００ｎｍのシリコン「初期」基板）上において、ＳｉＧｅ緩衝層の堆積をもって始まり、Ｓｉ1-xＧｅx層の濃度ｘが、その表面において０から所望の濃度へと連続的に変動する。
【誤訳訂正２７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０５】
次に、厚さ１μｍの緩和Ｓｉ0.7Ｇｅ0.3フィルムが、積層したＳｉＧｅ緩衝層上において、例えばＣＶＤまたはＲＰＣＶＤエピタキシーにより、生産される。約６５ｎｍの、犠牲的および特異的なＳｉ0.75Ｇｅ0.25（ｙ＝０．２５）追加フィルムが次いで、本発明の方法により、例えばＣＶＤエピタキシーにより、該Ｓｉ0.7Ｇｅ0.3フィルム上に堆積される。
【誤訳訂正２８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１１】
【図１】図１Ａおよび１Ｂは、本発明による方法を履行する第１の方法を例示し、ここで、式Ｓｉ1-yＧｅyを持つ追加層またはフィルムが前記基板上に堆積され、該層またはフィルムは酸化により、Ｇｅに富む式Ｓｉ1-zＧｅzのフィルムおよびＳｉＯ2フィルムを提供する。
【図２】図２Ａおよび２Ｂは、本発明による方法を履行する第２の方法を例示し、ここで、Ｓｉ1-grad yＧｅgrad yの勾配を付けられた組成物フィルムである追加層またはフィルムが前記基板上に堆積され、該層またはフィルムは酸化により、Ｇｅに富む式Ｓｉ1-grad zＧｅgrad zのフィルムおよびＳｉＯ2フィルムを提供する。
【図３】図３Ａおよび３Ｂは、本発明による方法を履行する第３の方法を例示し、ここで、式Ｓｉ1-yＧｅy（ｙの値は種々）を保有する幾つかの追加層またはフィルムが前記基板上に堆積され、これらの層は酸化により、Ｇｅに富む式Ｓｉ1-zＧｅzのフィルムおよびＳｉＯ2フィルムを提供する。
【図４】図４Ａおよび４Ｂは、本発明による方法を履行する第４の方法を例示し、ここで、例えば式Ｓｉ1-wＧｅwの補完層またはフィルムも前記Ｓｉ1-yＧｅy追加層上に堆積され、その酸化の間に、Ｇｅに富む式Ｓｉ1-zＧｅzのフィルムが該追加層中生成され、ＳｉＯ2酸化物フィルムが該補完層および該追加層中に生成される。