Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月15日(2011.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線ＬＡＮ通信部と制御部とを有する携帯端末であって、
前記無線ＬＡＮ通信部は、
スキャン対象のアクセスポイントが記録されるスキャン対象アクセスポイント記憶部と、
前記スキャン対象アクセスポイント記憶部に記録されているアクセスポイントに対するスキャンを行って、当該アクセスポイントを検出するアクセスポイントスキャン部と
を有し、
前記制御部は、
自動起動対象のホームアクセスポイントが記録されるホームアクセスポイント記憶部と、
前記無線ＬＡＮ通信部に前記スキャンを指示する自動起動制御手段と、
アクセスポイントが記録されるアクセスポイントリスト記憶部と、
アクセスポイントと接続成功した場合の当該アクセスポイントを記録する接続中アクセスポイント記憶部と、
前記アクセスポイントリスト記憶部のアクセスポイントを前記スキャン対象アクセスポイント記憶部に書き込んで、前記無線ＬＡＮ通信部に前記スキャンを指示し、接続したアクセスポイントを前記接続中アクセスポイント記憶部に記録する手動接続制御部と、
無線ＬＡＮ通信を行っていないときは、前記ホームアクセスポイント記憶部のホームアクセスポイントを前記スキャン対象アクセスポイント記憶部に書き込み、無線ＬＡＮ通信中のときは、前記接続中アクセスポイント記憶部のアクセスポイントを前記スキャン対象アクセスポイント記憶部に書き込むスキャン対象アクセスポイント制御手段と
を有することを特徴とする携帯端末。
【請求項２】
無線ＬＡＮ通信部と制御部とを有する携帯端末であって、
前記無線ＬＡＮ通信部は、
スキャン対象のアクセスポイントが記録されるスキャン対象アクセスポイント記憶部と、
前記スキャン対象アクセスポイント記憶部に記録されているアクセスポイントに対するスキャンを行って、当該アクセスポイントを検出するアクセスポイントスキャン部と、
アクセスポイントからの送信電波の受信電界強度を測定して、受信電界強度信号を前記スキャン対象アクセスポイント制御手段へ出力する受信電界強度測定部とを有し、
前記制御部は、
自動起動対象のホームアクセスポイントが記録されるホームアクセスポイント記憶部と、
前記無線ＬＡＮ通信部に前記スキャンを指示する自動起動制御手段と、
アクセスポイントが記録されるアクセスポイントリスト記憶部と、
アクセスポイントと接続成功した場合の当該アクセスポイントを記録する接続中アクセスポイント記憶部と、
携帯端末を低消費電力状態であるサスペンド状態に所定周期毎に起動するタイミング信号を発生するタイマーと、
前記タイマーにより所定周期毎に起動されて、前記受信電界強度信号が判定閾値に対して圏外状態であれば、前記ホームアクセスポイント記憶部のホームアクセスポイントを前記スキャン対象アクセスポイント記憶部に書き込み、前記受信電界強度信号が判定閾値に対して圏内状態であれば、前記接続中アクセスポイント記憶部のアクセスポイントを前記スキャン対象アクセスポイント記憶部に書き込むスキャン対象アクセスポイント制御手段と
を有することを特徴とする携帯端末。
【請求項３】
前記アクセスポイントリスト記憶部には、ユーザ操作入力により１乃至複数のアクセスポイントが優先度が指定されて記録され、
前記手動接続制御部は、前記アクセスポイントリスト記憶部の複数のアクセスポイントを前記優先度順に前記スキャン対象アクセスポイント記憶部に書き込んで、前記無線ＬＡＮ通信部に前記スキャンを指示する
ことを特徴とする請求項１記載の携帯端末。
【請求項４】
前記スキャン対象アクセスポイント制御手段が判断する前記圏外状態は、前記受信電界強度信号が判定閾値に対して圏外状態が所定時間連続した場合であることを特徴とする請求項２記載の携帯端末。
【請求項５】
前記スキャン対象アクセスポイント制御手段は、さらに、携帯端末を低消費電力状態であるサスペンド状態にするためのサスペンド指示信号を出力し、
さらに、
前記アクセスポイントスキャン部がアクセスポイントを検出したとき、携帯端末を稼動状態であるレジューム状態にし、前記スキャン対象アクセスポイント制御手段からサスペンド指示信号を受けたとき、携帯端末をサスペンド状態にする電源制御部を
有することを特徴とする請求項２記載の携帯端末。
【請求項６】
複数のアクセスポイントに接続可能な携帯端末であって、
周期的にアクティブ状態にされ、前記アクティブ状態にされたとき、対象のアクセスポイントを探すために前記複数のアクセスポイントをスキャンし、スキャンしている間に、前記複数のアクセスポイントから受信された信号の強度を測定する第１部と、
前記第１部によるスキャンによって、前記対象のアクセスポイントが検出された後に、無線通信を実行する第２部と、
前記第１部によって測定された前記信号強度に基づいて、前記携帯端末が前記対象のアクセスポイントのサービスエリア圏外にあると判断された場合、ホームアクセスポイントを前記対象のアクセスポイントとして指定し、前記スキャンによって前記ホームアクセスポイントが検出された後に、前記第２部に電力を供給する制御部とを具備することを特徴とする携帯端末。
【請求項７】
操作部をさらに具備し、
前記対象のアクセスポイントが前記ホームアクセスポイントでない場合、前記スキャンと前記無線通信とは、前記操作部で行われた操作に応じて手動で行われることができることを特徴とする請求項６記載の携帯端末。
【請求項８】
前記制御部は、前記複数のアクセスポイントの内のいずれが、前記対象のアクセスポイント及び前記ホームアクセスポイントであるかを示す前記複数のアクセスポイントのリストを有することを特徴とする請求項６記載の携帯端末。
【請求項９】
前記制御部は、前記複数のアクセスポイントの順序を示す前記複数のアクセスポイントのリストを有し、前記スキャンは、前記順序に応じて手動で行われることができることを特徴とする請求項７記載の携帯端末。
【請求項１０】
前記制御部は、前記スキャン中に前記複数のアクセスポイントから受信される認証データのために、前記複数のアクセスポイントの内のいずれが前記無線通信を行うためのパスワードを必要とするかを示す、前記複数のアクセスポイントのリストを有することを特徴とする請求項６記載の携帯端末。
【請求項１１】
前記携帯端末は、さらに、サスペンドされることに対応し、前記第１部は、サスペンド状態からの復帰に同期して周期的に前記アクティブ状態にされることを特徴とする請求項６記載の携帯端末。
【請求項１２】
前記制御部は、前記第１部によって測定された前記信号強度が、しきい値よりも繰り返し小さい場合、前記携帯端末が前記対象のアクセスポイントの前記サービスエリア圏外であると判断することを特徴とする請求項６記載の携帯端末。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月17日(2011.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明によるＯＦＤＭアレー受信装置は、復調後の信号レベルが既知であるパイロットキャリアを含むＯＦＤＭ信号をｋ（ｋは２以上の整数）個のアンテナ素子にて受信し、各アンテナ素子にて受信された受信信号に対してＡＤ変換およびキャリア周波数同期処理を行う時間ドメイン処理手段と、時間ドメイン処理手段から入力された時間軸シリアルデータ列をパラレルデータ列に変換して出力するシリアル−パラレル変換手段と、シリアル−パラレル変換手段から入力されたパラレルデータ列に対して離散フーリエ変換してＤＦＴ結果を出力するＤＦＴ手段と、各受信信号の所定シンボルにおけるＤＦＴ結果を、同一タイミングかつ同一キャリア番号順にｊ（ｊは２以上の整数）回繰り返して出力する周波数ドメインデータ供給手段と、周波数ドメインデータ供給手段から入力されたキャリア番号に対応するキャリアデータと、アンテナ素子の指向性を制御するウェイトベクトルとの合成演算を行い、パイロットキャリアを参照信号とする理想値と合成演算の結果との誤差をパイロットキャリアに対応するキャリア番号において算出し、誤差とキャリアデータとからウェイトベクトルを算出して更新するものであって、各前記受信信号の所定シンボルにおける前記ｊ回目の前記キャリアデータと前記ウェイトベクトルとの前記合成演算の結果を出力するアダプティブアレー手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によると、各受信信号の所定シンボルにおけるＤＦＴ結果を、同一タイミングかつ同一キャリア番号順にｊ（ｊは２以上の整数）回繰り返して出力する周波数ドメインデータ供給手段と、周波数ドメインデータ供給手段から入力されたキャリア番号に対応するキャリアデータと、アンテナ素子の指向性を制御するウェイトベクトルとの合成演算を行い、パイロットキャリアを参照信号とする理想値と合成演算の結果との誤差をパイロットキャリアに対応するキャリア番号において算出し、誤差とキャリアデータとからウェイトベクトルを算出して更新するものであって、各前記受信信号の所定シンボルにおける前記ｊ回目の前記キャリアデータと前記ウェイトベクトルとの前記合成演算の結果を出力するアダプティブアレー手段とを備えるため、伝送路歪みが存在する場合であっても最適Ｗベクトルの高速応答性および収束安定性を向上させることが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
復調後の信号レベルが既知であるパイロットキャリアを含む直交周波数分割多重（Ｏｒｔｈｏｇｏｎａｌ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ：ＯＦＤＭ）信号をｋ（ｋは２以上の整数）個のアンテナ素子にて受信するＯＦＤＭアレー受信装置において、
各前記アンテナ素子にて受信された受信信号に対してＡＤ変換およびキャリア周波数同期処理を行う時間ドメイン処理手段と、
前記時間ドメイン処理手段から入力された時間軸シリアルデータ列をパラレルデータ列に変換して出力するシリアル−パラレル変換手段と、
前記シリアル−パラレル変換手段から入力された前記パラレルデータ列に対して離散フーリエ変換してＤＦＴ結果を出力するＤＦＴ（Ｄｉｓｃｒｅｔｅ  Ｆｏｕｒｉｅｒ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ）手段と、
各前記受信信号の所定シンボルにおける前記ＤＦＴ結果を、同一タイミングかつ同一キャリア番号順にｊ（ｊは２以上の整数）回繰り返して出力する周波数ドメインデータ供給手段と、
前記周波数ドメインデータ供給手段から入力された前記キャリア番号に対応するキャリアデータと、前記アンテナ素子の指向性を制御するウェイトベクトルとの合成演算を行い、前記パイロットキャリアを参照信号とする理想値と前記合成演算の結果との誤差を前記パイロットキャリアに対応するキャリア番号において算出し、前記誤差と前記キャリアデータとから前記ウェイトベクトルを算出して更新するものであって、各前記受信信号の所定シンボルにおける前記ｊ回目の前記キャリアデータと前記ウェイトベクトルとの前記合成演算の結果を出力するアダプティブアレー手段と、
を備えることを特徴とする、ＯＦＤＭアレー受信装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記周波数ドメインデータ供給手段は、各前記受信信号の所定シンボルにおける前記ＤＦＴ結果を、同一タイミングかつ同一キャリア番号順にｊ（ｊはｐ＊（ｋ＋１）＋１以上の整数であり、かつ、ｐは２以上の整数）回繰り返して出力し、
前記誤差累積加算手段は、前記周波数ドメインデータ供給手段からｊ回繰り返して出力するデータ列のうちのｐ回分を１インデックスとし、前記パイロットキャリアを参照信号とする理想値と前記合成演算の結果との誤差を前記インデックス単位の期間で累積加算することを特徴とする、請求項２に記載のＯＦＤＭアレー受信装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記周波数ドメインデータ供給手段は、前記ＤＦＴ結果を前記アダプティブアレー手段に繰り返して出力する前記インデックス回数のうち、最終回のみ前記ＤＦＴ結果の全キャリアを出力し、それ以外は前記ＤＦＴ結果のうち少なくとも１つ以上の前記パイロットキャリアを繰り返して出力することを特徴とする、請求項１ないし６のいずれかに記載のＯＦＤＭアレー受信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月24日(2011.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直交周波数を用いてユーザが多重されている信号を受信する受信部と、
前記受信部により受信した信号から所望ユーザの信号成分の周波数帯域が通過するように時間領域においてフィルタリング処理するフィルタ部と、
前記フィルタ部によりフィルタリング処理した信号の復号処理結果を用いて生成したレプリカを、該フィルタリング処理した信号から除去して出力する干渉除去部と、
前記干渉除去部が出力した信号を、時間領域の信号から周波数領域の信号に変換する時間周波数変換部と、
前記周波数領域の信号を復号処理して復号処理結果を出力する信号検出部と、
を備え、
前記干渉除去部による処理と、前記時間周波数変換部による処理と、前記信号検出部による処理とを、所定の条件が満たされるまで繰り返し行い、
前記フィルタ部の通過帯域は、前記時間周波数変換部により変換される周波数帯域より狭い周波数帯域であること、
を特徴とする受信装置。
【請求項２】
前記受信部により受信した信号に含まれる制御信号から所望ユーザに対するデータ信号がマッピングされているサブキャリア位置を検出する制御信号検出部をさらに備えること、
を特徴とする請求項１に記載の受信装置
【請求項３】
前記干渉除去部は、前記サブキャリア位置に基づいて干渉除去処理を行うこと、
を特徴とする請求項２に記載の受信装置。
【請求項４】
前記フィルタ部は、前記サブキャリア位置に基づいて前記通過帯域を設定すること、を特徴とする請求項２に記載の受信装置。
【請求項５】
前記信号検出部は誤り訂正復号処理を行って軟判定値を出力し、
前記干渉除去部は、
前記信号検出部により出力した軟判定値を用いて前記レプリカである干渉レプリカを生成するレプリカ生成部と、
前記フィルタ部によりフィルタリング処理した信号から前記干渉レプリカを減算する減算部と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の受信装置。
【請求項６】
直交周波数を用いてユーザが多重されている信号を受信する第１の過程と、
前記第１の過程によりに受信した信号から所望ユーザの信号成分の周波数帯域が通過するように時間領域においてフィルタリング処理する第２の過程と、
前記第２の過程によりフィルタリング処理した信号の復号処理結果を用いて生成したレプリカを、該フィルタリング処理した信号から除去して出力する第３の過程と、
前記第３の過程で出力した信号を、時間領域の信号から周波数領域の信号に変換する第４の過程と、
前記周波数領域の信号を復号処理して復号処理結果を出力する第５の過程と、
を有し、
前記第３の過程による処理と、前記第４の過程による処理と、前記第５の過程による処理とを、所定の条件が満たされるまで繰り返し行い、
前記第２の過程のフィルタリング処理の通過帯域は、前記第４の過程により変換される周波数帯域より狭い周波数帯域であること、
を特徴とする受信方法。
【請求項７】
直交周波数を用いてユーザを多重した信号を送信する送信装置と、
前記送信装置により送信された信号を受信し復号する受信装置とを備える通信システムであって、
前記受信装置は、
前記送信された信号を受信する受信部と、
前記受信部により受信した信号から所望ユーザの信号成分の周波数帯域が通過するように時間領域においてフィルタリング処理するフィルタ部と、
前記フィルタ部によりフィルタリング処理した信号の復号処理結果を用いて生成したレプリカを、該フィルタリング処理した信号から除去して出力する干渉除去部と、
前記干渉除去部が出力した信号を、時間領域の信号から周波数領域の信号に変換する時間周波数変換部と、
前記周波数領域の信号を復号処理して復号処理結果を出力する信号検出部と、
を備え、
前記干渉除去部による処理と、前記時間周波数変換部による処理と、前記信号検出部による処理とを、所定の条件が満たされるまで繰り返し行い、
前記フィルタ部の通過帯域は、前記時間周波数変換部により変換される周波数帯域より狭い周波数帯域であること、
を特徴とする通信システム。
【請求項８】
直交周波数を用いてユーザを多重した信号を送信する過程と、
前記送信する過程により送信された信号を受信装置により受信する過程とを有する通信方法であって、
前記受信する過程は、
前記送信された信号を受信する第１の過程と、
前記第１の過程によりに受信した信号から所望ユーザの信号成分の周波数帯域が通過するように時間領域においてフィルタリング処理する第２の過程と、
前記第２の過程によりフィルタリング処理した信号の復号処理結果を用いて生成したレプリカを、該フィルタリング処理した信号から除去して出力する第３の過程と、
前記第３の過程で出力した信号を、時間領域の信号から周波数領域の信号に変換する第４の過程と、
前記周波数領域の信号を復号処理して復号処理結果を出力する第５の過程と、
を有し、
前記第３の過程による処理と、前記第４の過程による処理と、前記第５の過程による処理とを、所定の条件が満たされるまで繰り返し行い、
前記第２の過程のフィルタリング処理の通過帯域は、前記第４の過程により変換される周波数帯域より狭い周波数帯域であること、
を特徴とする通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月13日(2011.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光電変換モジュールが配置されてなる光電変換装置であって、
前記複数の光電変換モジュールのうち基点となる光電変換モジュールにその位置情報を伝達するための第１信号を送信する信号送信部と、
前記複数の光電変換モジュールのうち終点となる光電変換モジュールから前記複数の光電変換モジュールの各位置情報を有する第２信号を受信する信号受信部と、
該信号受信部から受信した前記第２信号に基づき、前記複数の光電変換モジュールの各位置情報を取得する位置情報取得部と、を備え、
前記複数の光電変換モジュールは、それぞれ、隣接して配置された光電変換モジュール間で前記光電変換モジュールの位置情報を授受する制御部を有しており、
各前記制御部は、該制御部が配置された当該光電変換モジュールに対して前記信号送信部側に位置する第１の光電変換モジュールから、前記第１の光電変換モジュールの位置情報を受信し、前記第１の光電変換モジュールの位置情報に基づいて出力された、前記当該光電変換モジュールの位置情報を信号で前記当該光電変換モジュールに対して前記信号受信部側に位置する第２の光電変換モジュールに伝達することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記第１信号は、前記基点となる光電変換モジュールの位置情報そのものである、請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記制御部は、該制御部が配置された当該光電変換モジュールに対して前記信号送信部側に位置する前記第１の光電変換モジュールが複数配置される場合に、該複数の前記信号送信部側に位置する前記第１の光電変換モジュールの少なくとも一の光電変換モジュールからの前記信号が未入力である場合には、該信号が未入力であることを前記信号受信部側に位置する第２の光電変換モジュールに当該光電変換モジュールの位置情報とともに伝達することを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記第１の光電変換モジュールに異常があった場合、前記信号を前記第２の光電変換モジュールに伝達しないことを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記第１の光電変換モジュールの位置情報を受信する受信手段と、前記第１の光電変換モジュールの位置情報に基づいて出力された当該光電変換モジュールの位置情報を前記第２の光電変換モジュールに送信する送信手段と、を有しており、
前記複数の光電変換モジュールのうち隣接する２つの光電変換モジュールの一方の光電変換モジュールの前記送信手段と他方の光電変換モジュールの前記送信手段とが互いに対
向するように配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の光電変換装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の光電変換装置は、複数の光電変換モジュールが配置されてなる光電変換装置であって、前記複数の光電変換モジュールのうち基点となる光電変換モジュールにその位置情報を伝達するための第１信号を送信する信号送信部と、前記複数の光電変換モジュールのうち終点となる光電変換モジュールから前記複数の光電変換モジュールの各位置情報を有する第２信号を受信する信号受信部と、該信号受信部から受信した前記第２信号に基づき、前記複数の光電変換モジュールの各位置情報を取得する位置情報取得部と、を備え、前記複数の光電変換モジュールは、それぞれ、隣接して配置された光電変換モジュール間で前記光電変換モジュールの位置情報を授受する制御部を有しており、各前記制御部は、該制御部が配置された当該光電変換モジュールに対して前記信号送信部側に位置する第１の光電変換モジュールから、前記第１の光電変換モジュールの位置情報を受信し、前記第１の光電変換モジュールの位置情報に基づいて出力された、前記当該光電変換モジュールの位置情報を信号で前記当該光電変換モジュールに対して前記信号受信部側に位置する第２の光電変換モジュールに伝達することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月1日(2010.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
実施例１において、シリコーン樹脂（東レダウコーニング製 ＯＥ６６６５）をシリコーン樹脂（モメンティブ製  ＴＳＲ−１１７）に変更した以外は同様の方法にてカバーレイフィルムを作製した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
実施例１において、シリコーン樹脂（東レダウコーニング製 ＯＥ６６６５）をシリコーン樹脂（信越化学工業製 ＫＥＲ−２５００）に変更した以外は同様の方法にてカバーレイフィルムを作製した。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月20日(2011.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を収容する収容部が長手方向に間隔を保って形成された複数のキャリアテープを複数のテープフィーダを介して平行に配置して、前記電子部品の吸着により空となった前記収容部の次の電子部品が収容された前記収容部を、前記テープフィーダの作動により部品吸着位置に間欠的に搬送する電子部品搬送工程と、
前記電子部品の搬送方向および前記搬送方向に直交する方向に移動可能な移載ヘッドに設けられた複数の部品吸着ノズルが吸着すべき一組の電子部品の部品吸着可能位置におけるそれぞれの位置を確認する位置確認工程と、
前記複数の部品吸着ノズルを上下移動させながら前記一組の電子部品をそれぞれ別個のタイミングによって各部品吸着ノズルで吸着する電子部品吸着工程と
を備えた電子部品の吸着方法であって、
前記複数の部品吸着ノズルのうちの所定の２個の部品吸着ノズルの一方が電子部品を吸着して上昇を開始するときに、上昇した状態から他方の部品吸着ノズルの下降を開始させて、
前記複数の部品吸着ノズルがそれぞれ下降を開始してから上昇が終了するまでの上下移動の時間における、前記一方の部品吸着ノズルの上昇移動の時間と、前記他方の部品吸着ノズルの下降移動の時間とが重複する時間帯を設けるようにし、
前記一方の部品吸着ノズルが上昇するときに、前記移載ヘッドを移動させて前記他方の部品吸着ノズルが吸着する電子部品の上方に前記他方の部品吸着ノズルを位置させるようにして、
前記移載ヘッドを移動させながら前記複数の部品吸着ノズルで一組の電子部品を順次吸着するようにし、
さらに、前記テープフィーダに前記キャリアテープの幅方向の両側上面を覆ってガイドするガイド部が備わっており、前記一方の部品吸着ノズルに吸着された電子部品の下端部が前記ガイド部よりも上方に達したときに、前記移載ヘッドを移動させて前記一方の部品吸着ノズルが吸着する電子部品の上方に前記他方の部品吸着ノズルを位置させるようにしたことを特徴とする電子部品の吸着方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前述した目的を達成するため、本発明に係る電子部品の吸着方法の構成上の特徴は、電子部品を収容する収容部が長手方向に間隔を保って形成された複数のキャリアテープを複数のテープフィーダを介して平行に配置して、電子部品の吸着により空となった収容部の次の電子部品が収容された収容部を、テープフィーダの作動により部品吸着位置に間欠的に搬送する電子部品搬送工程と、電子部品の搬送方向および搬送方向に直交する方向に移動可能な移載ヘッドに設けられた複数の部品吸着ノズルが吸着すべき一組の電子部品の部品吸着可能位置におけるそれぞれの位置を確認する位置確認工程と、複数の部品吸着ノズルを上下移動させながら一組の電子部品をそれぞれ別個のタイミングによって各部品吸着ノズルで吸着する電子部品吸着工程とを備えた電子部品の吸着方法であって、複数の部品吸着ノズルのうちの所定の２個の部品吸着ノズルの一方が電子部品を吸着して上昇を開始するときに、上昇した状態から他方の部品吸着ノズルの下降を開始させて、複数の部品吸着ノズルがそれぞれ下降を開始してから上昇が終了するまでの上下移動の時間における、一方の部品吸着ノズルの上昇移動の時間と、他方の部品吸着ノズルの下降移動の時間とが重複する時間帯を設けるようにし、一方の部品吸着ノズルが上昇するときに、移載ヘッドを移動させて他方の部品吸着ノズルが吸着する電子部品の上方に他方の部品吸着ノズルを位置させるようにして、移載ヘッドを移動させながら複数の部品吸着ノズルで一組の電子部品を順次吸着するようにし、さらに、テープフィーダにキャリアテープの幅方向の両側上面を覆ってガイドするガイド部が備わっており、一方の部品吸着ノズルに吸着された電子部品の下端部がガイド部よりも上方に達したときに、移載ヘッドを移動させて一方の部品吸着ノズルが吸着する電子部品の上方に他方の部品吸着ノズルを位置させるようにしたことにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明に係る電子部品の吸着方法では、複数の部品吸着ノズルのうちの所定の２個の部品吸着ノズルの一方が電子部品を吸着して上昇を開始するときに、他方の部品吸着ノズルの下降を開始させ、一方の部品吸着ノズルが上昇するときに、移載ヘッドを移動させて他方の部品吸着ノズルが吸着する電子部品の上方に他方の部品吸着ノズルを位置させるようにしている。これによると、各部品吸着ノズルが吸着動作を行う順に、所定の部品吸着ノズルが上昇するときに、つぎの部品吸着ノズルが下降し、その部品吸着ノズルが上昇するときに、そのつぎの部品吸着ノズルが下降するといったことを繰り返すとともに、部品吸着ノズルの下降と、移載ヘッドの移動とが略同時に行われるため、吸着操作の時間に無駄がなくなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明に係る電子部品の吸着方法では、テープフィーダにキャリアテープの幅方向の両側上面を覆ってガイドするガイド部が備わっており、一方の部品吸着ノズルに吸着された電子部品の下端部がガイド部よりも上方に達したときに、移載ヘッドを移動させて一方の部品吸着ノズルが吸着する電子部品の上方に他方の部品吸着ノズルを位置させるようにしている。これによると、電子部品の位置ずれが搬送方向に直交する方向、すなわち搬送方向から横にずれる方向に大きい場合であっても、部品吸着ノズルが吸着した電子部品がガイド部に当接することを確実に防止できる。この結果、部品吸着ノズルに吸着された電子部品の姿勢を適正な状態に維持できる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月9日(2011.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するために、この発明は、所定のオフ角を有する炭化珪素基板の表面上に、活性領域となる所定のＣ／Ｓｉ比を有する第１の炭化珪素層を形成する第１工程と、前記第１の炭化珪素層の表面上に、前記所定のＣ／Ｓｉ比より小さく、かつ、表面が平坦となるＣ／Ｓｉ比を有する第２の炭化珪素層を形成する第２工程と、前記第２の炭化珪素層をエッチング除去する第３工程とを備えている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
以上の説明から明らかなように、この発明によれば、活性領域となる所定のＣ／Ｓｉ比を有する第１の炭化珪素層の表面上に、所定のＣ／Ｓｉ比より小さく、かつ、表面が平坦となるＣ／Ｓｉを有する第２の炭化珪素層を形成した後に、この第２の炭化珪素層をエッチング除去するようにした。これにより、第１の炭化珪素層表面に生じるステップバンチング部が除去されるので、凹凸の大きいステップバンチングに対しても平坦化可能であり、また平坦化にあたりＣＭＰ研磨などの研磨装置及び研磨工程も必要としないのでコスト増加も抑制することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のオフ角を有する炭化珪素基板の表面上に、活性領域となる所定のＣ／Ｓｉ比を有する第１の炭化珪素層を形成する第１工程、
前記第１の炭化珪素層の表面上に、前記所定のＣ／Ｓｉ比より小さく、かつ、表面が平坦となるＣ／Ｓｉ比を有する第２の炭化珪素層を形成する第２工程、
前記第２の炭化珪素層をエッチング除去する第３工程、
を含む炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の炭化珪素層を形成するＣ／Ｓｉ比は０．８以下であり、
前記第２の炭化珪素層を形成する温度は１６００℃以下である
請求項１記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の炭化珪素層を形成するＣ／Ｓｉ比は０．５である
請求項２記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の炭化珪素層を形成するＣ／Ｓｉ比は１．５以上であり、
前記第２の炭化珪素層を形成する温度は１５５０℃以上１６５０℃以下である
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記所定のオフ角は、（０００１）面に対して５度以下である
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の炭化珪素層をエッチング除去する前記第３工程は、
水素ガスを用いたドライエッチングにより行われる
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の炭化珪素層をエッチング除去する前記第３工程は、
前記第２の炭化珪素層の全部を熱酸化法により犠牲酸化膜に置換する第３ａ工程、
前記犠牲酸化膜を、フッ化水素酸を用いたウェットエッチングにより除去する第３ｂ工程、
を含む請求項１乃至５のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の炭化珪素層をエッチング除去する前記第３工程は、
前記第２の炭化珪素層の一部を熱酸化法により犠牲酸化膜に置換する第３ａ工程、
前記犠牲酸化膜を、フッ化水素酸を用いたウェットエッチングにより除去する第３ｂ工程、
を含み、前記第２の炭化珪素層が除去されるまで、前記第３ａ工程と前記第３ｂ工程とを繰り返し行う請求項１乃至５のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２の炭化珪素層をエッチング除去する前記第３工程は、
前記第２の炭化珪素層に加えて、前記第１の炭化珪素層の表面上に形成されたステップバンチングも除去する
請求項１、６乃至８のいずれか１項に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月6日(2011.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１配線層と、前記第１配線層の上側又は下側に形成された第２配線層とを半導体基板上に備えており、
前記第１配線層は複数の第１配線ブロックを含み、当該各第１配線ブロックには、第１電位を持ち且つ少なくとも二方向以上に延びる第１配線と、前記第１電位と異なる第２電位を持ち且つ少なくとも二方向以上に延びる第２配線とが配置されており、
前記第２配線層は、前記複数の第１配線ブロックのうちの互いに隣り合う一対の第１配線ブロックにおける前記第１配線同士を電気的に接続する第３配線と、前記一対の第１配線ブロックにおける前記第２配線同士を電気的に接続する第４配線とを含み、
前記第２配線層は、前記第３配線及び前記第４配線がそれぞれ配置された複数の第２配線ブロックを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記一対の第１配線ブロックのうちの一方の第１配線ブロックにおける前記第１配線及び前記第２配線の配置の仕方と、前記一対の第１配線ブロックのうちの他方の第１配線ブロックにおける前記第１配線及び前記第２配線の配置の仕方とが異なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置において、
前記第３配線及び前記第４配線はそれぞれ二方向以上に延びることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第１配線の抵抗と前記第３配線の抵抗とは異なっており、
前記第２配線の抵抗と前記第４配線の抵抗とは異なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第１配線と前記第３配線とは第１コンタクトを介して電気的に接続されており、
前記第２配線と前記第４配線とは第２コンタクトを介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第１配線及び前記第２配線のそれぞれはリング状に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第１配線及び前記第２配線のそれぞれは渦巻き状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第１配線層における前記複数の第１配線ブロック同士の間に信号配線が配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記半導体基板の平面形状は方形状であり、
前記複数の第１配線ブロックは、前記半導体基板の各辺が延びる方向に配列されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記半導体基板の平面形状は方形状であり、
前記複数の第１配線ブロックは、前記半導体基板の各辺が延びる方向に対して斜め方向に配列されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置において、
前記半導体基板の平面形状は正方形状であり、
前記複数の第１配線ブロックは、前記半導体基板の各辺が延びる方向に対して４５度の方向に配列されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第３配線及び前記第４配線のそれぞれはリング状に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月14日(2011.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体電解質を含むセパレータと、
該セパレータの両側に配置された２つの電極であって、該２つの電極の各電極は、該電解質が該２つの電極のうちの少なくとも１つに浸透するように、該セパレータに接触する第１の面と、該第１の面に対向する第２の面とを有する、２つの電極と、
各電極の該第２の面に配置されたコレクタと
を備え、
１つの電極または両方の電極は、
電解質で充填されており、かつ、
１つの電極または両方の電極が線状、上方に凹形、または下方に凹形の有孔率勾配を含むように、該電極の該第２の面から該第１の面に向かう方向に沿って増大する有孔率を有している、電池。
【請求項２】
前記電極の有孔率の平均は、１０％〜７０％である、請求項１に記載の電池。
【請求項３】
前記電極の有孔率の平均は、２０％〜５０％である、請求項２に記載の電池。
【請求項４】
前記電極の有孔率の平均は、３０％〜４５％である、請求項２に記載の電池。
【請求項５】
前記電極の前記第１の面における該電極の有孔率は、該電極の有孔率の平均よりも少なくとも１０％大きい、請求項１に記載の電池。
【請求項６】
前記電極の前記第１の面における該電極の有孔率は、該電極の有孔率の平均よりも少なくとも２０％大きい、請求項１に記載の電池。
【請求項７】
前記電極の前記第１の面における該電極の有孔率は、該電極の有孔率の平均よりも少なくとも３０％大きい、請求項１に記載の電池。
【請求項８】
前記電極の前記第２の面における該電極の有孔率は、該電極の有孔率の平均よりも少なくとも１０％低い、請求項１または５に記載の電池。
【請求項９】
前記電極の前記第２の面における該電極の有孔率は、該電極の有孔率の平均よりも少なくとも２０％低い、請求項１または６に記載の電池。
【請求項１０】
前記電極の前記第２の面における該電極の有孔率は、該電極の有孔率の平均よりも少なくとも３０％低い、請求項１または７に記載の電池。
【請求項１１】
前記電極の有孔率は、該電極の前記第２の面から前記第１の面に向かう方向に垂直な方向に沿って±１０％を超えて変動しない、請求項１に記載の電池。
【請求項１２】
前記電極の有孔率は、該電極の前記第２の面から前記第１の面に向かう方向に垂直な方向に沿って±５％を超えて変動しない、請求項１に記載の電池。
【請求項１３】
前記電極の有孔率は、該電極の前記第２の面から前記第１の面に向かう方向に垂直な方向に沿って±３％を超えて変動しない、請求項１に記載の電池。
【請求項１４】
前記電極の有孔率は、該電極の前記第２の面から前記第１の面に向かう方向に垂直な方向に沿って±１％を超えて変動しない、請求項１に記載の電池。
【請求項１５】
前記電極は、該電極に沿って任意の位置において５％未満変動する傾きを有する前記第２の面から前記第１の面への有孔率勾配を有する、請求項１に記載の電池。
【請求項１６】
前記電極は、該電極に沿って任意の位置において１０％未満変動する傾きを有する前記第２の面から前記第１の面への有孔率勾配を有する、請求項１に記載の電池。
【請求項１７】
前記電極は、該電極に沿って任意の位置において１５％未満変動する傾きを有する前記第２の面から前記第１の面への有孔率勾配を有する、請求項１に記載の電池。
【請求項１８】
液体電解質を含むセパレータと、２つの電極と、２つのコレクタとを有する電池を製造する方法であって、
該方法は、
該セパレータを用意することと、
該セパレータの両側に該２つの電極を配置することであって、該２つの電極の各電極は、該電解質が該２つの電極のうちの少なくとも１つに浸透するように、該セパレータに接触する第１の面と、該第１の面に対向する第２の面とを有する、ことと、
各電極の該第２の面にコレクタを配置することと
を包含し、
１つの電極または両方の電極は、
電解質で充填されており、かつ、
１つの電極または両方の電極が線状、上方に凹形、または下方に凹形の有孔率勾配を含むように、少なくとも１つの電極の該第２の面から該第１の面に向かう方向に沿って増大する有孔率を有している、方法。
【請求項１９】
前記２つの電極のそれぞれは、各電極の前記第２の面から前記第１の面に向かう方向に沿って増大する有孔率を有している、請求項１に記載の電池。
【請求項２０】
前記２つの電極のそれぞれは、各電極の前記第２の面から前記第１の面に向かう方向に沿って増大する有孔率を有している、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
１つの電極または両方の電極は、下方に凹形の有孔率勾配を含む、請求項１に記載の電池。
【請求項２２】
１つの電極または両方の電極は、上方に凹形の有孔率勾配を含む、請求項１に記載の電池。
【請求項２３】
１つの電極または両方の電極は、線状の有孔率勾配を含む、請求項１に記載の電池。
【請求項２４】
１つの電極または両方の電極は、下方に凹形の有孔率勾配を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２５】
１つの電極または両方の電極は、上方に凹形の有孔率勾配を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２６】
１つの電極または両方の電極は、線状の有孔率勾配を含む、請求項１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月8日(2011.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
（製造例１）
＜ニッケルメッキ粒子Ａの作製＞
数平均粒子径３．８μｍのスチレン樹脂粒子（積水化学工業社製、商品名：ミクロパール）を、硝酸タリウム水溶液に投入し、６０℃に加温させた状態で攪拌しながら、アンモニア水又は硫酸で所定のｐＨに調整した、硫酸ニッケル（アルドリッチ社製）、次亜リン酸ナトリウム（アルドリッチ社製）、クエン酸ナトリウム（アルドリッチ社製）、硝酸タリウム（アルドリッチ社製）の混合溶液を３０ｍＬ／分の速度で添加することでニッケルメッキ処理を行った。そのメッキ液をろ過し、ろ過物を純水で洗浄した後、８０℃の真空乾燥機で乾燥させることにより、導電層のリン濃度が１．３質量％、平均厚みが１０１ｎｍのニッケルメッキ層が形成されたニッケルメッキ粒子Ａを作製した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
（製造例２）
＜ニッケルメッキ粒子Ｂの作製＞
製造例１において、混合溶液中の硫酸ニッケル、次亜リン酸ナトリウム、クエン酸ナトリウム、硝酸タリウムの混合比を変更したこと以外は、製造例１と同様にして、導電層のリン濃度が２．６質量％、平均厚みが約１０１ｎｍのニッケルメッキ層が形成されたニッケルメッキ粒子Ｂを作製した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
（製造例３）
＜ニッケルメッキ粒子Ｃの作製＞
製造例１において、混合溶液中の硫酸ニッケル、次亜リン酸ナトリウム、クエン酸ナトリウム、硝酸タリウムの混合比を変更したこと以外は、製造例１と同様にして、導電層のリン濃度が４．８質量％、平均厚みが約１０２ｎｍのニッケルメッキ層が形成されたニッケルメッキ粒子Ｃを作製した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
（製造例４）
＜ニッケルメッキ粒子Ｄの作製＞
製造例１において、混合溶液中の硫酸ニッケル、次亜リン酸ナトリウム、クエン酸ナトリウム、硝酸タリウムの混合比を変更したこと以外は、製造例１と同様にして、導電層のリン濃度が６．９質量％、平均厚みが約１００ｎｍのニッケルメッキ層が形成されたニッケルメッキ粒子Ｄを作製した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
（製造例５）
＜ニッケルメッキ粒子Ｅの作製＞
製造例１において、混合溶液中の硫酸ニッケル、次亜リン酸ナトリウム、クエン酸ナトリウム、硝酸タリウムの混合比を変更したこと以外は、製造例１と同様にして、導電層のリン濃度が９．８質量％、平均厚みが約１０２ｎｍのニッケルメッキ層が形成されたニッケルメッキ粒子Ｅを作製した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
（製造例６）
＜ニッケル金メッキ粒子Ｆの作製＞
ニッケルメッキ粒子Ａを置換メッキ法により表面に金メッキを施すことで、導電層のリン濃度が０質量％、平均厚みが８１ｎｍのニッケルメッキ層及び厚みが２０ｎｍの金メッキ層が形成されたニッケル金メッキ粒子Ｆを作製した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
（製造例７）
＜ニッケルメッキ粒子Ｇの作製＞
製造例１において、スチレン樹脂粒子を用いる代わりに、平均粒子径５．０μｍのニッケル粒子（日興リカ社製、商品名ニッケルパウダー１２３）を用いたこと以外は、製造例１と同様にして、導電層のリン濃度が５．０質量％、平均厚みが１０１ｍｍのメッキ層が形成された金メッキ−ニッケル粒子Ｇを作製した。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
（実施例８）
＜撥水処理粒子（疎水化処理粒子）Ｈの作製＞
実施例３において、リン酸エステル界面活性剤（フォスファノールＧＦ−１９９、東邦化学工業（株）製）を用いる代わりに、リン酸エステル界面活性剤（フォスファノールＳＭ−１７２、東邦化学工業（株）製）を用いたこと以外は、実施例３と同様にして、撥水処理（疎水化処理）前の導電層のリン濃度が４．８質量％、平均厚みが１０２ｍｍのメッキ層が形成された撥水処理粒子（疎水化処理粒子）Ｈを作製した。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
（比較例３）
実施例３において、リン酸エステル界面活性剤（フォスファノールＧＦ−１９９、東邦化学工業（株）製）を用いる代わりに、シランカップリング剤（商品名：Ａ−１８７、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）を用いたこと以外は、実施例３同様にして、導電層のリン濃度が４．８質量％、平均厚みが１０２ｍｍのメッキ層が形成されたシランカップリング処理粒子Ｃを作製し、接合材料１１及び接合体１１を得て、粒子の電気伝導度の測定、粒子の硬度測定、接合体の接続抵抗測定、保存安定性試験、腐食評価サンプル作製、及び腐食評価を行った。結果を表１及び表２に示す。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
【表１】
2010278026.tif 000001
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
表１及び表２より、メッキ層表面にリン含有化合物による疎水化処理がなされた導電性粒子を用いた実施例１〜８では、メッキ層表面に疎水化処理がなされていない導電性粒子を用いた比較例１〜４と比較して、電気伝導度、導通抵抗（初期及び信頼性試験後）、保存安定性、腐食評価において、良好な結果が得られることが分かった。
また、表１及び表２より、疎水化処理前の導電層におけるリン濃度が２．６質量％〜６．９質量％の導電性粒子を用いた実施例２〜４が、実施例１及び５〜７と比較して、電気伝導度、導通抵抗（初期及び信頼性試験後）、保存安定性、腐食評価において、良好な結果が得られたことが分かった。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月9日(2011.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項２または３に記載のパケット無中断伝送システムにおいて、
前記切替指示手段により切り替えられた切替先の第２の経路の受信パケットから切替元の第１の経路の受信パケットに戻す指示を与える切替解除指示手段をさらに設け、
前記遅延制御手段は、前記切替解除指示手段から解除指示が与えられた時点以降に前記切替元の第１の経路の受信パケットを前記遅延調整メモリから読み出す際の遅延量を所定時間ずつ段階的に減少させる
ことを特徴とするパケット無中断伝送システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月18日(2011.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図６に、子局１０３ａ，１０３ｂから親局１０２へのデータ通信を時系列で示す。図６に示すように、子局１０３ｂは、子局１０３ａよりも親局１０２に近接し通信距離が短い。例えば、時刻ｔ１に子局１０３ａから親局１０２にデータＡの送信が開始されている場合、時刻ｔ２に子局１０３ｂから親局１０２にデータＢが無線通信回線１０６ｂにより送信されるとする。このとき、子局１０３ａから親局１０２への送信が子局１０３ｂからの送信によりパケット損出する、いわゆるＩＰパケット落ちといわれる通信不具合が発生する場合がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2010278810.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月16日(2010.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
閉じた伝導経路を形成すると共に、ＭＲシステム（１０）の第１の超伝導マグネットコイル（７０）の一部に沿って位置決めされた第１の方向の磁場傾斜（Ｇｘ、Ｇｙ、Ｇｚ）が発生させた傾斜磁場と磁気的に結合させ第１の超伝導マグネットコイル（７０）を局所的に遮蔽するように構成された複数の弓形（９２、９４、１１０、１１２、１１６、１１８、１３６、１３８、１５４、１５６、１６４、１６６、１７０、１７２、１８２、１８４）を有する超伝導ワイヤ（７５）を備え、該超伝導ワイヤ（７５）は、前記第１の超伝導マグネットコイル（７０）に沿って巻きつけられる、遮蔽コイル装置。
【請求項２】
前記複数の弓形（９２、９４、１１０、１１２、１１６、１１８、１３６、１３８、１５４、１５６、１６４、１６６、１７０、１７２、１８２、１８４）のうちに第１の超伝導マグネットコイル（７０）の外径（９８、１２０、１４０、１６０、１７４、１８８）に沿って巻きつけられ円周方向にルート設定された第１の弓形（９４、１１８、１３８、１５６、１７２、１８４）をさらに備える請求項１に記載の遮蔽コイル装置。
【請求項３】
前記複数の弓形（９２、９４、１１０、１１２、１１６、１１８、１３６、１３８、１５４、１５６、１６４、１６６、１７０、１７２、１８２、１８４）のうちに第１の超伝導マグネットコイル（７０）の内径（９６、１１４、１３９、１５８、１６８、１８６）に沿って巻きつけられ円周方向にルート設定された第２の弓形（９２、１１０、１３６、１５４、１６６、１８２）をさらに備える請求項２に記載の遮蔽コイル装置。
【請求項４】
第１の弓形（９４、１５６）と第２の弓形（９２、１５４）の間に規定された面がＢｒｚ傾斜磁場方向（８６、１５２）と実質的に直角である、請求項３に記載の遮蔽コイル装置。
【請求項５】
前記複数の弓形（９２、９４、１１０、１１２、１１６、１１８、１３６、１３８、１５４、１５６、１６４、１６６、１７０、１７２、１８２、１８４）のうちに第１の超伝導マグネットコイル（７０）の外径（９８、１２０、１４０、１６０、１７４、１８８）に沿って巻きつけられ円周方向にルート設定された第３の弓形（１１６、１３８、１７０、１８４）と、
前記複数の弓形（９２、９４、１１０、１１２、１１６、１１８、１３６、１３８、１５４、１５６、１６４、１６６、１７０、１７２、１８２、１８４）のうちに第１の超伝導マグネットコイル（７０）の内径（９６、１１４、１３９、１５８、１６８、１８６）に沿って巻きつけられ円周方向にルート設定された第４の弓形（１１２、１３６、１６４、１８２）と、
をさらに備える請求項３に記載の遮蔽コイル装置。
【請求項６】
前記複数の弓形（９２、９４、１１０、１１２、１１６、１１８、１３６、１３８、１５４、１５６、１６４、１６６、１７０、１７２、１８２、１８４）のうちに第１の超伝導マグネットコイル（７０）の外径に沿って巻きつけられ円周方向にルート設定された第５の弓形（９４、１１６、１３８、１５６、１７０、１８４）と、
前記複数の弓形（９２、９４、１１０、１１２、１１６、１１８、１３６、１３８、１５４、１５６、１６４、１６６、１７０、１７２、１８２、１８４）のうちに第１の超伝導マグネットコイル（７０）の外径に沿って巻きつけられ円周方向にルート設定された第６の弓形（９２、１１０、１３６、１５４、１６６、１８２）と、
前記複数の弓形（９２、９４、１１０、１１２、１１６、１１８、１３６、１３８、１５４、１５６、１６４、１６６、１７０、１７２、１８２、１８４）のうちに第１の超伝導マグネットコイル（７０）の内径に沿って巻きつけられ円周方向にルート設定された第７の弓形（１１８、１３８、１７２、１８４）と、
前記複数の弓形（９２、９４、１１０、１１２、１１６、１１８、１３６、１３８、１５４、１５６、１６４、１６６、１７０、１７２、１８２、１８４）のうちに第１の超伝導マグネットコイル（７０）の内径に沿って巻きつけられ円周方向にルート設定された第８の弓形（１１２、１３６、１６４、１８２）と、
をさらに備える請求項５に記載の遮蔽コイル装置。
【請求項７】
第１の弓形（１１８、１７２）と第３の弓形（１１６、１７０）の間に規定された面がＢｒ傾斜磁場方向（１０４、１６２）と実質的に直角である、請求項５に記載の遮蔽コイル装置。
【請求項８】
第１の弓形（１１８、１３８、１５６、１７２、１８４）と第４の弓形（１１２、１３６、１６４、１８２）の間に規定された面がＢｚ傾斜磁場方向（１３０、１８０）と実質的に直角である、請求項５に記載の遮蔽コイル装置。
【請求項９】
前記超伝導ワイヤ（７５）の第１の端部（８０）をその第２の端部（８１）と接続するように構成された超伝導ジョイント（７９）をさらに備える請求項１に記載の遮蔽コイル装置。
【請求項１０】
前記超伝導ワイヤ（７５）は、ＭＲシステム（１０）の第２の超伝導マグネットコイル（７２）の一部に沿って位置決めされた、第１の方向の磁場傾斜（Ｇｘ、Ｇｙ、Ｇｚ）が発生させた傾斜磁場と磁気的に結合させ第２の超伝導マグネットコイル（７２）を局所的に遮蔽するように構成された第２の複数の弓形（９２、９４、１１０、１１２、１１６、１１８、１３６、１３８、１５４、１５６、１６４、１６６、１７０、１７２、１８２、１８４）を有している、請求項１に記載の遮蔽コイル装置。