【手続補正書】
【提出日】平成23年3月3日(2011.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）配線基板と、
（ｂ）前記配線基板の第１面上に搭載された半導体チップと、
（ｃ）前記配線基板に形成された複数の電極と前記半導体チップに形成されている複数のボンディングパッドとをそれぞれ接続する複数のワイヤとを備え、
前記配線基板は、
（ａ１）前記配線基板の前記第１面に形成された前記複数の電極と、
（ａ２）前記配線基板の前記第１面に形成され、前記複数の電極と平面的に重ならないように設けられた複数の第１ランドと、
（ａ３）前記配線基板の前記第１面に形成され、前記複数の電極と前記複数の第１ランドとをそれぞれ電気的に接続する複数の第１配線と、
（ａ４）前記複数の第１ランドのそれぞれに平面的に内包されるように形成され、かつ、前記配線基板を貫通する複数のビアと、
（ａ５）前記配線基板の前記第１面とは反対側の面である第２面に形成され、前記複数のビアのそれぞれを平面的に内包するように形成され、かつ、前記複数のビアのそれぞれと電気的に接続する複数の第２ランドと、
（ａ６）前記配線基板の前記第２面に形成された保護膜であって、前記複数の第２ランドのそれぞれの面積よりも大きく、かつ、前記複数の第２ランドのそれぞれを内包する複数の第１開口部を有する前記保護膜と、
（ａ７）前記保護膜に形成された前記複数の第１開口部のそれぞれに設けられ、前記複数の第２ランドのそれぞれと電気的に接続する複数の第１突起電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記配線基板は矩形形状をしており、
前記複数の電極は、前記配線基板の辺に沿って配置され、
前記複数の第１ランドの一部は、前記複数の電極が配置されている前記配線基板の領域よりも外側領域に配置されており、
前記複数の第１ランドの一部は、前記複数の電極が配置されている前記配線基板の領域よりも内側領域に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置であって、
前記配線基板の前記第２面には、さらに、
（ａ８）前記複数のビアのそれぞれと平面的に重ならないように設けられた複数の第３ランドと、
（ａ９）前記複数の第２ランドの一部と前記複数の第３ランドのそれぞれとを電気的に接続する第２配線と、
（ａ１０）前記配線基板の前記第２面に形成された前記保護膜であって、前記複数の第３ランドのそれぞれの面積よりも小さく、かつ、前記第２配線を露出せずに前記複数の第３ランドに平面的に包含される複数の第２開口部を有する前記保護膜と、
（ａ１１）前記保護膜に形成された前記複数の第２開口部のそれぞれに設けられ、前記複数の第３ランドのそれぞれと電気的に接続する複数の第２突起電極とを有し、
前記複数の第２ランドのうち、前記複数の第３ランドのそれぞれと電気的に接続しているランドは前記保護膜で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置であって、
前記複数の第１突起電極のそれぞれの高さと前記複数の第２突起電極のそれぞれの高さは、ともに０．１ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３記載の半導体装置であって、
前記複数の第１突起電極のそれぞれの高さと前記複数の第２突起電極のそれぞれの高さは、ともに０．１ｍｍよりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項３記載の半導体装置であって、
前記複数の第１突起電極は、前記配線基板のコーナ部に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項３記載の半導体装置であって、
前記配線基板は矩形形状をしており、
前記配線基板の前記第１面に形成されている前記複数の電極は、前記配線基板の辺に沿って配置されており、
前記配線基板の前記第２面に形成されている前記複数の第１突起電極は、平面的に、前記複数の電極が配置されている領域よりも外側領域に配置されている一方、前記配線基板の前記第２面に形成されている前記複数の第２突起電極は、平面的に、前記複数の電極が配置されている領域よりも内側領域に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置であって、
前記複数の第１突起電極は、前記配線基板の最外周に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記複数の第１突起電極のそれぞれの高さは、０．１ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記複数の第１突起電極のそれぞれの高さは、０．１ｍｍよりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記複数の電極のそれぞれは、矩形形状をしており、
前記複数の第２ランドのそれぞれと前記複数の第１開口部のそれぞれは、円形形状をしていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記配線基板は矩形形状をしており、
前記複数の電極は、前記配線基板の外周部に配置されており、
前記複数の第１ランドは、前記複数の電極が配置されている前記配線基板の前記外周部よりも内側領域に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記配線基板を貫通する前記複数のビアのそれぞれは、前記配線基板の前記第１面での径よりも前記配線基板の前記第２面での径が小さく、前記配線基板の前記第１面から前記配線基板の前記第２面に進むにつれて前記複数のビアのそれぞれの径が小さくなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記半導体チップは、携帯電話機に使用されるＲＦＩＣチップであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の半導体装置であって、
前記ＲＦＩＣチップは、送信時にベースバンド信号を無線周波数の送信信号に変調する機能と、受信時に無線周波数の受信信号をベースバンド信号に復調する機能を実現する回路が形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
（ａ）配線基板の第１面に半導体チップを搭載する工程と、
（ｂ）前記配線基板に形成されている複数の電極と、前記半導体チップに形成されている複数のボンディングパッドとをそれぞれ複数のワイヤで接続する工程と、
（ｃ）前記配線基板の前記第１面に搭載されている前記半導体チップを樹脂で封止する工程と、
（ｄ）前記配線基板の前記第１面とは反対側の第２面にマスクを介して半田ペーストを塗布することにより、複数の第１突起電極を形成する工程とを備え、
前記（ａ）工程前に準備されている前記配線基板には、
前記配線基板の前記第１面に形成された前記複数の電極と、
前記配線基板の前記第１面に形成され、前記複数の電極と平面的に重ならないように設けられた複数の第１ランドと、
前記配線基板の前記第１面に形成され、前記複数の電極と前記複数の第１ランドとをそれぞれ電気的に接続する複数の第１配線と、
前記複数の第１ランドのそれぞれに平面的に内包されるように形成され、かつ、前記配線基板を貫通する複数のビアと、
前記配線基板の前記第１面とは反対側の面である前記第２面に形成され、前記複数のビアのそれぞれを平面的に内包するように形成され、かつ、前記複数のビアのそれぞれと電気的に接続する複数の第２ランドと、
前記配線基板の前記第２面に形成された保護膜であって、前記複数の第２ランドのそれぞれの面積よりも大きく、かつ、前記複数の第２ランドのそれぞれを内包する複数の第１開口部を有する前記保護膜が形成されており、
前記（ｄ）工程は、前記保護膜に形成された前記複数の第１開口部を介して前記複数の第２ランドのそれぞれと接続するように前記複数の第１突起電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の半導体装置の製造方法であって、
前記複数の第１突起電極のそれぞれの高さは、０．１ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１６記載の半導体装置の製造方法であって、
前記配線基板の前記第２面には、さらに、
前記複数のビアのそれぞれと平面的に重ならないように設けられた複数の第３ランドと、
前記複数の第２ランドの一部と前記複数の第３ランドのそれぞれとを電気的に接続する第２配線と、
前記配線基板の前記第２面に形成された前記保護膜であって、前記複数の第３ランドのそれぞれの面積よりも小さく、かつ、前記第２配線を露出せずに前記複数の第３ランドに平面的に包含される複数の第２開口部を有する前記保護膜が形成され、
前記（ｄ）工程は、前記保護膜に形成された前記複数の第１開口部を介して前記複数の第２ランドのそれぞれと接続するように前記複数の第１突起電極を形成し、かつ、前記保護膜に形成された前記複数の第２開口部を介して前記複数の第３ランドのそれぞれと接続するように前記複数の第２突起電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の半導体装置の製造方法であって、
前記複数の第１突起電極は、前記配線基板のコーナ部に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１８記載の半導体装置の製造方法であって、
前記配線基板は矩形形状をしており、
前記配線基板の前記第１面に形成されている前記複数の電極は、前記配線基板の辺に沿って配置されており、
前記配線基板の前記第２面に形成されている前記複数の第１突起電極は、平面的に、前記複数の電極が配置されている領域よりも外側領域に配置されている一方、前記配線基板の前記第２面に形成されている前記複数の第２突起電極は、平面的に、前記複数の電極が配置されている領域よりも内側領域に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の半導体装置の製造方法であって、
前記複数の第１突起電極は、前記配線基板の最外周に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
（ａ）配線基板の第１面に半導体チップを搭載する工程と、
（ｂ）前記配線基板に形成されている複数の電極と、前記半導体チップに形成されている複数のボンディングパッドとをそれぞれ複数のワイヤで接続する工程と、
（ｃ）前記配線基板の前記第１面に搭載されている前記半導体チップを樹脂で封止する工程と、
（ｄ）前記配線基板の前記第１面とは反対側の第２面に半田ボールを搭載することにより、複数の第１突起電極を形成する工程とを備え、
前記（ａ）工程前に準備されている前記配線基板には、
前記配線基板の前記第１面に形成された前記複数の電極と、
前記配線基板の前記第１面に形成され、前記複数の電極と平面的に重ならないように設けられた複数の第１ランドと、
前記配線基板の前記第１面に形成され、前記複数の電極と前記複数の第１ランドとをそれぞれ電気的に接続する複数の第１配線と、
前記複数の第１ランドのそれぞれに平面的に内包されるように形成され、かつ、前記配線基板を貫通する複数のビアと、
前記配線基板の前記第１面とは反対側の面である前記第２面に形成され、前記複数のビアのそれぞれを平面的に内包するように形成され、かつ、前記複数のビアのそれぞれと電気的に接続する複数の第２ランドと、
前記配線基板の前記第２面に形成された保護膜であって、前記複数の第２ランドのそれぞれの面積よりも大きく、かつ、前記複数の第２ランドのそれぞれを内包する複数の第１開口部を有する前記保護膜が形成されており、
前記（ｄ）工程は、前記保護膜に形成された前記第１開口部を介して前記複数の第２ランドのそれぞれと接続するように前記複数の第１突起電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
請求項２２記載の半導体装置の製造方法であって、
前記複数の第１突起電極のそれぞれの高さは、０．１ｍｍよりも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。