Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月10日(2011.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３次元モデルを構成する座標データからワークに対する機械加工用工具の軌跡データを作成し、該軌跡データに基づいて前記ワークに機械加工を施す機械加工用制御方法であって、
前記３次元モデルの表面に前記工具の第１移動軌跡を所定間隔、且つ平行に連続して設定する第１加工パス設定工程と、
前記第１移動軌跡が終端した位置から前記所定間隔の軌跡の間に前記第１移動軌跡の始端に指向して所定間隔、且つ平行に連続して前記工具の第２移動軌跡を設定する第２加工パス設定工程と、
前記第１移動軌跡と前記第２移動軌跡に沿って順次前記工具を移動させて前記ワークに機械加工を施す加工工程と、
を有することを特徴とする機械加工用制御方法。
【請求項２】
請求項１記載の機械加工用制御方法において、
前記第１移動軌跡に沿って移動した工具の摩耗量を検出する工具摩耗量測定工程をさらに有し、前記摩耗量に基づいて、必要に応じて前記第２加工パス設定工程で設定された前記第２移動軌跡を補正することを特徴とする機械加工用制御方法。
【請求項３】
３次元モデルを構成する座標データからワークに対する機械加工用工具の軌跡データを作成し、該軌跡データに基づいて前記ワークに機械加工を施す機械加工用制御方法を行う機械加工用制御システムであって、
前記機械加工用制御方法は、
前記３次元モデルの表面に前記工具の第１移動軌跡を所定間隔、且つ平行に連続して設定する第１加工パス設定工程と、
前記第１移動軌跡が終端した位置から前記所定間隔の軌跡の間に前記第１移動軌跡の始端に指向して所定間隔、且つ平行に連続して前記工具の第２移動軌跡を設定する第２加工パス設定工程と、
前記第１移動軌跡と前記第２移動軌跡に沿って順次前記工具を移動させて前記ワークに機械加工を施す加工工程と、
を有することを特徴とする機械加工用制御方法を行う機械加工用制御システム。
【請求項４】
請求項３記載の機械加工用制御方法を行う機械加工用制御システムにおいて、
前記機械加工用制御方法は、
前記第１移動軌跡に沿って移動した工具の摩耗量を検出する工具摩耗量測定工程をさらに有し、前記摩耗量に基づいて、必要に応じて前記第２加工パス設定工程で設定された前記第２移動軌跡を補正することを特徴とする機械加工用制御方法を行う機械加工用制御システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】機械加工用制御方法及び該方法を行う機械加工用制御システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、数値制御加工装置（以下、ＮＣ加工装置と記す）等に用いられる機械加工用工具の軌跡データを作成し、この軌跡データによって金型等を加工するのに好適な機械加工用制御方法及び該方法を行う機械加工用制御システムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記した問題点を解決するためになされたもので、生成された工具軌跡データに従い、ワークを加工する際、加工後のワーク形状の精度にバラツキを生じることなく、ワークを確実に所定の形状に加工することができ、また機械加工の工数を削減することにより、作業効率を向上させることができる機械加工用制御方法及び該方法を行う機械加工用制御システムを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記の目的を達成するために、本発明に係る機械加工用制御方法は、
３次元モデルを構成する座標データからワークに対する機械加工用工具の軌跡データを作成し、該軌跡データに基づいて前記ワークに機械加工を施す機械加工用制御方法であって、
前記３次元モデルの表面に前記工具の第１移動軌跡を所定間隔、且つ平行に連続して設定する第１加工パス設定工程と、
前記第１移動軌跡が終端した位置から前記所定間隔の軌跡の間に前記第１移動軌跡の始端に指向して所定間隔、且つ平行に連続して前記工具の第２移動軌跡を設定する第２加工パス設定工程と、
前記第１移動軌跡と第２移動軌跡に沿って順次前記工具を移動させて前記ワークに機械加工を施す加工工程と、
を有することを特徴とする。
前記機械加工用制御方法を行う機械加工用制御システムも本発明に含まれる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
ステップＳ３において、軌跡生成部３８は、供給されたワーク形状データと工具データとから、軌跡データを生成する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
ここで、第２加工開始位置は、例えば、図６Ａ及び図６Ｂに示すように、第１加工終了位置より、矢印Ｘ１方向又は第２加工工程方向（以下、矢印Ｘ２方向とする。矢印Ｘ２方向は、矢印Ｘ１方向に対し、逆方向である。）に略１／２第１ピッチＰａ移動した位置とする。すなわち、第１加工工程後のワークにおいて、機械加工されずに残った前記ワークの加工残に対し第２加工工程を行うことにより、ワークを確実に所定の形状に加工することが可能となる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2010003214.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月18日(2011.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
認証時に画面上に表示する画像であるパス画像の画像情報を取得する取得手段と、
認証時に前記パス画像を含む複数の画像を前記画面上に表示した場合にユーザが該画面上で指示すべき指示位置と、前記パス画像の表示位置と、の位置関係を示す位置関係情報を設定する設定手段と、
前記取得手段が取得した画像情報と、前記設定手段が設定した位置関係情報と、を含む認証情報を作成し、メモリに登録する登録手段と
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記設定手段は、
前記パス画像の表示位置を示す矩形領域を含む矩形領域群を表示する表示手段と、
前記矩形領域群のうちユーザによって指定された矩形領域と、前記パス画像の表示位置を示す矩形領域と、の位置関係を求め、求めた位置関係を示す位置関係情報を設定する手段と
を備えることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記設定手段は、音声認識を行う認識手段を備え、
前記位置関係が音声で入力された場合、前記認識手段は、該入力された音声に対する音声認識の結果を前記位置関係情報として取得し、設定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項に記載の情報処理装置が作成した認証情報に基づいて認証処理を行う情報処理装置であって、
画像群を一覧表示する表示手段と、
前記表示手段が表示した画像群のうちユーザによって指示された画像との位置関係が、前記ユーザに対応する注目認証情報に含まれている位置関係情報が示す位置関係となるような位置に表示されている画像を特定し、該特定した画像の画像情報が、前記注目認証情報に含まれているパス画像の画像情報と一致するか否かを判断する判断手段と、
前記判断手段が一致すると判断した場合には認証成功と判断し、前記判断手段が一致していないと判断した場合には認証失敗と判断する手段と
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項５】
前記表示手段は、現在表示している画像群以外の画像群を表示する旨の指示を受ける毎に、該現在表示している画像群とは異なる画像群を一覧表示し、表示する何れかの画像群には前記パス画像が含まれていることを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
情報処理装置が行う情報処理方法であって、
前記情報処理装置の取得手段が、認証時に画面上に表示する画像であるパス画像の画像情報を取得する取得工程と、
前記情報処理装置の設定手段が、認証時に前記パス画像を含む複数の画像を前記画面上に表示した場合にユーザが該画面上で指示すべき指示位置と、前記パス画像の表示位置と、の位置関係を示す位置関係情報を設定する設定工程と、
前記情報処理装置の登録手段が、前記取得工程で取得した画像情報と、前記設定工程で設定した位置関係情報と、を含む認証情報を作成し、メモリに登録する登録工程と
を備えることを特徴とする情報処理方法。
【請求項７】
請求項１乃至３の何れか１項に記載の情報処理装置が作成した認証情報に基づいて認証処理を行う情報処理装置が行う情報処理方法であって、
前記認証処理を行う情報処理装置の表示手段が、画像群を一覧表示する表示工程と、
前記認証処理を行う情報処理装置の判断手段が、前記表示工程で表示した画像群のうちユーザによって指示された画像との位置関係が、前記ユーザに対応する注目認証情報に含まれている位置関係情報が示す位置関係となるような位置に表示されている画像を特定し、該特定した画像の画像情報が、前記注目認証情報に含まれているパス画像の画像情報と一致するか否かを判断する判断工程と、
前記認証処理を行う情報処理装置の制御手段が、前記判断工程で一致すると判断した場合には認証成功と判断し、前記判断工程で一致していないと判断した場合には認証失敗と判断する工程と
を備えることを特徴とする情報処理方法。
【請求項８】
コンピュータを請求項１乃至５の何れか１項に記載の情報処理装置の各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【請求項９】
請求項８に記載のコンピュータプログラムを格納した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
即ち、認証時に画面上に表示する画像であるパス画像の画像情報を取得する取得手段と、
認証時に前記パス画像を含む複数の画像を前記画面上に表示した場合にユーザが該画面上で指示すべき指示位置と、前記パス画像の表示位置と、の位置関係を示す位置関係情報を設定する設定手段と、
前記取得手段が取得した画像情報と、前記設定手段が設定した設定した位置関係情報と、を含む認証情報を作成し、メモリに登録する登録手段と
を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月18日(2011.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像を撮影して得られた第１画像データと、撮影者自身の顔画像を撮影して得られた第２画像データを記憶する画像データ記憶部と、
上記第１画像データ及び上記第２画像データを処理して、上記被写体像及び上記顔画像の態様を検出する画像処理部と、
上記被写体像及び上記顔画像の態様に応じて、上記第１画像データと上記第２画像データを合成する画像合成部と、
を備え、
上記画像処理部は、上記撮影者自身の表情やしぐさを判定し、
上記画像合成部は、上記表情やしぐさの態様が変化した際に、上記第１画像データと上記第２画像データを合成する、
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
撮影時には、常時、上記第１画像データと上記第２画像データの両方を記録し、再生時に、上記第１画像データと上記第２画像データを合成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
上記画像合成部は、上記表情やしぐさの態様が、変化が起こる前から上記第１画像データと上記第２画像データを合成することを特徴とする請求項１、２に記載の画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、画像処理装置に関し、詳しくはカメラ前面と背面を撮影し、ここで得られた画像を用いて再生表示可能な画像処理装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであり、被写体の画像だけでは読み取れないような撮影者の様子も画像に反映させることのできる画像処理装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するため第１の発明に係わる画像処理装置は、被写体像を撮影して得られた第１画像データと、撮影者自身の顔画像を撮影して得られた第２画像データを記憶する画像データ記憶部と、上記第１画像データ及び上記第２画像データを処理して、上記被写体像及び上記顔画像の態様を検出する画像処理部と、上記被写体像及び上記顔画像の態様に応じて、上記第１画像データと上記第２画像データを合成する画像合成部と、を備え、上記画像処理部は、上記撮影者自身の表情やしぐさを判定し、上記画像合成部は、上記表情やしぐさの態様が変化した際に、上記第１画像データと上記第２画像データを合成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第２の発明に係わる画像処理装置は、上記第１の発明において、撮影時には、常時、上記第１画像データと上記第２画像データの両方を記録し、再生時に、上記第１画像データと上記第２画像データを合成する。
第３の発明に係わる画像処理装置は、上記第１、２の発明において、上記画像合成部は、上記表情やしぐさの態様が、変化が起こる前から上記第１画像データと上記第２画像データを合成する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明によれば、被写体の画像だけでは読み取れないような撮影者の様子も画像に反映させることのできる画像処理装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月28日(2010.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】  本発明は、色素を吸着したゼオライト等を（多孔質）酸化チタン（多孔質の酸化チタンも含むという意味であり、本発明において同じ。）で被覆し高分子吸収体でゲル化したもの、又は色素を吸着した（多孔質）酸化チタンを同様にゲル化したもの等を、粘着性（粘弾性）を損なわない範囲で乾燥させて後に、例えば粒子状にしたり細分化し又はそのままの状態でさらに一体的に加圧凝縮等（薄膜化、均一化を含み以下同。）の加工をして均一で高密度かつ弾力性を持つゴム状ゲル材（同様に成形した色素、電解液及び電極を含む。）に形成して用いた色素増感太陽電池およびその製造方法に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】  高分子吸収体とは、高吸水性高分子、高吸水性高分子ゲル、高吸水性樹脂、高吸収性ポリマー、高吸水性ポリマーと同じもので、架橋構造を持つ親水性のポリマーで、自重の１０倍以上の吸水力があり、圧力をかけても離水しにくいものをいう。具体的にはグラフト重合又はカルボキシメチル化によるでんぷん系及びセルロース系、ポリアクリル酸塩系・ポリビニルアルコール系・ポリアクリルアミド系・ポリオキシエチレン系などの合成ポリマー系と、様々に組成や合成方法があるが、主流はポリアクリル酸ナトリウム系である。ただし、それらと同程度の性能を有する高分子材（既述以外の高吸水性ポリマーや有機溶媒系に対応する高分子材を含む。）を排除しない。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月9日(2011.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
すなわち、例えば第１金属細線１２ａについてみたとき、円弧２６の配列周期の数が最も少ない（円弧２６の配列周期の長さが最も長い）第１金属細線１２ａを第１番目として、該第１番目の第１金属細線１２ａ（１）から一方向に並ぶ第１金属細線１２ａの円弧２６の配列周期の数が順番に段階的に増加する（円弧２６の配列周期の長さが段階的に短くなる）形態となっている。図１４の例では、第１番目の第１金属細線１２ａ（１）の円弧２６の配列周期の数は１であり、該第１番目の第１金属細線１２ａ（１）に一方向に隣接する第２番目の第１金属細線１２ａ（２）の円弧２６の配列周期の数は２、該第２番目の第１金属細線１２ａ（２）に一方向に隣接する第３番目の第１金属細線１２ａ（３）の円弧２６の配列周期の数は３となっており、この組み合わせが一方向に配列された形態となっている。従って、第１番目の第１金属細線１２ａ（１）に他方向に隣接する第１金属細線１２ａの円弧２６の配列周期の数は３となる。つまり、円弧２６の配列周期の数が最大の第１金属細線１２ａと、円弧２６の配列周期の数が最小の第１金属細線１２ａとが隣接した形態となる。これは第２金属細線１２ｂでも同様である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
すなわち、導電部１２の波線形状が一定の周期を有する。図２４の例では、交差部２４間の円弧の配列周期を１周期とした例を示している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
また、第１線分の長さＬａと第２線分の長さＬｂが同じ点、第３線分の長さＬｃと第４線分の長さＬｄが同じ点は第１導電性フイルムと同様であるが、図２４に示すように、各メッシュ形状Ｍの外周線上であって、且つ、メッシュ形状Ｍの中心Ｃに対して点対称の位置にある任意の一対の接線が互いに平行となっている。具体的には、図２４において、例えば第１の一対の接線（１）（１）、第２の一対の接線（２）（２）、第３の一対の接線（３）（３）が挙げられているが、各一対の接線がそれぞれ互いに平行となっており、しかも、接線の方向は、第１の一対の接線（１）（１）、第２の一対の接線（２）（２）、第３の一対の接線（３）（３）でそれぞれ異なっている。光の屈折や回折は接線方向に強く現れるが、第５導電性フイルム１０Ｅでは、異なった接線方向が多数組み合わされた形態となるため、光の屈折や回折が拡散され、これにより、ぎらつきが目立たなくなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
同様に、１つの交差部２４と、該交差部２４から第２金属細線１２ｂの延在方向に沿って一方に隣接する第３交差部２４ｃとの間に形成される円弧の配列周期と、１つの交差部２４と、他方に隣接する第４交差部２４ｄとの間に形成される円弧の配列周期とが異なる。図２７の例では、交差部２４と第３交差部２４ｃ間の円弧の配列周期が１．５周期であり、交差部２４と第４交差部２４ｄ間の円弧の配列周期が０．５周期となっている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７２】
露光のパターンは表１に示すパターンで幅２４ｃｍ長さ１０ｍ連続するように行った。露光は、メッシュパターン２２を焼き付けられるように、下記の設定に従って行った。メッシュパターン２２を構成する交差部２４間の波線形状の周期、第１ピッチＬ１（第１金属細線１２ａのピッチ）、第２ピッチＬ２（第２金属細線１２ｂのピッチ）は表１に示した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８９】
【図１】第１導電性フイルムを一部省略して示す平面図である。
【図２】図１におけるＩＩ−ＩＩ線上の断面図である。
【図３】第１導電性フイルムを透明発熱体とした場合の一構成例を示す平面図である。
【図４】第１導電性フイルムのメッシュパターンを模式的に示す説明図である。
【図５】第１導電性フイルムを１つの物品（導電シート）に適用した場合における第１導電シートを示す正面図である。
【図６】第１導電シートを示す背面図である。
【図７】第１導電シートを示す平面図である。
【図８】第１導電シートを示す底面図である。
【図９】第１導電シートを示す左側面図である。
【図１０】第１導電シートを示す右側面図である。
【図１１】第１導電シートを示す斜視図である。
【図１２】第１導電シートの使用状態を示す正面図である。
【図１３】第２導電性フイルムを一部省略して示す平面図である。
【図１４】第３導電性フイルムのメッシュパターンを模式的に示す説明図である。
【図１５】第３導電性フイルムを１つの物品（導電シート）に適用した場合における第２導電シートを示す正面図である。
【図１６】第２導電シートを示す背面図である。
【図１７】第２導電シートを示す平面図である。
【図１８】第２導電シートを示す底面図である。
【図１９】第２導電シートを示す左側面図である。
【図２０】第２導電シートを示す右側面図である。
【図２１】第２導電シートを示す斜視図である。
【図２２】第２導電シートの使用状態を示す正面図である。
【図２３】第４導電性フイルムのメッシュパターンを模式的に示す説明図である。
【図２４】第５導電性フイルムのメッシュパターンを模式的に示す説明図である。
【図２５】第６導電性フイルムのメッシュパターンを模式的に示す説明図である。
【図２６】第７導電性フイルムのメッシュパターンを模式的に示す説明図である。
【図２７】第８導電性フイルムのメッシュパターンを模式的に示す説明図である。
【図２８】図２８Ａ〜図２８Ｅは本実施の形態に係る導電性フイルムの第１の製造方法を示す工程図である。
【図２９】図２９Ａ及び図２９Ｂは本実施の形態に係る導電性フイルムの第２の製造方法を示す工程図である。
【図３０】図３０Ａ及び図３０Ｂは本実施の形態に係る導電性フイルムの第３の製造方法を示す工程図である。
【図３１】本実施の形態に係る導電性フイルムの第４の製造方法を示す工程図である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2010003667.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月11日(2011.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
すなわち、スライドファスナーを開いた状態でファスナー取り付け部分から内容物を充填し、その後スライドファスナーを閉じながらその上部を熱融着して行っている。しかしながら、内容物が粉体や液体の場合には、充填時に内容物がスライドファスナーに付着し、スライドファスナーが閉じにくくなるといった問題が発生することがある。
【特許文献１】特開２００５−８１６３号公報
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月2日(2011.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画像を構成する各ピクチャを、ピクチャ内符号化方式及びピクチャ間予測符号化方式のいずれかを用いて圧縮符号化可能な符号化手段と、
前記符号化手段によって符号化されているピクチャの発生符号量の積算値が所定の値を超える場合に、当該ピクチャの途中から符号化圧縮率を高くして、当該ピクチャのその後の発生符号量を大幅に減少させる打ち切り処理を前記符号化手段で実行することを決定する決定手段と、
前記符号化手段によって前記打ち切り処理が実行されたピクチャより後に符号化される他のピクチャが、前記打ち切り処理が実行されたピクチャを前記ピクチャ間予測符号化方式を用いた圧縮符号化における参照ピクチャとして参照しないように、前記符号化手段による前記他のピクチャの符号化を制御する制御手段とを有することを特徴とする動画像符号化装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記他のピクチャが、前記ピクチャ内符号化方式を用いて圧縮符号化されるように制御することを特徴とする請求項１に記載の動画像符号化装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記他のピクチャが、前記打ち切り処理が実行されたピクチャ以外のピクチャを参照する前記ピクチャ間符号化方式を用いて圧縮符号化されるように制御することを特徴とする請求項１に記載の動画像符号化装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記他のピクチャに対して、前記打ち切り処理が実行されたピクチャより前に符号化され、前記打ち切り処理が実行されていない符号化済ピクチャのうち、参照ピクチャとして用いられていない符号化済ピクチャを参照するように参照ピクチャを変更することを特徴とする請求項３に記載の動画像符号化装置。
【請求項５】
前記符号化済ピクチャを保持するメモリ手段と、
前記メモリ手段に保持される前記符号化済ピクチャのうち、前記参照ピクチャとして用いられるように前記制御手段によって変更された符号化済ピクチャのピクチャタイプを再設定する再設定手段をさらに有することを特徴とする請求項４に記載の動画像符号化装置。
【請求項６】
動画像を構成する各ピクチャを、ピクチャ内符号化方式及びピクチャ間予測符号化方式のいずれかを用いて圧縮符号化可能な符号化手段を有する動画像符号化装置の制御方法であって、
決定手段が、前記符号化手段によって符号化されているピクチャの発生符号量の積算量が所定の値を超える場合に、当該ピクチャの途中から符号化圧縮率を高くして、当該ピクチャのその後の発生符号量を大幅に減少させる打ち切り処理の実行を決定する決定ステップと、
制御手段が、前記符号化手段によって前記打ち切り処理が実行されたピクチャより後に符号化される他のピクチャが、前記打ち切り処理が実行されたピクチャを前記ピクチャ間予測符号化方式を用いた圧縮符号化における参照ピクチャとして参照しないように、前記符号化手段による前記他のピクチャの符号化を制御する制御ステップとを有することを特徴とする動画像符号化装置の制御方法。
【請求項７】
前記制御手段は前記制御ステップにおいて、前記他のピクチャが、前記ピクチャ内符号化方式を用いて圧縮符号化されるように制御することを特徴とする請求項６に記載の動画像符号化装置の制御方法。
【請求項８】
前記制御手段は前記制御ステップにおいて、前記他のピクチャが、前記打ち切り処理が実行されたピクチャ以外のピクチャを参照する前記ピクチャ間符号化方式を用いて圧縮符号化されるように制御することを特徴とする請求項６に記載の動画像符号化装置の制御方法。
【請求項９】
前記制御手段は前記制御ステップにおいて、前記他のピクチャに対して、前記打ち切り処理が実行されたピクチャより前に符号化され、前記打ち切り処理が実行されていない符号化済ピクチャのうち、参照ピクチャとして用いられていない符号済ピクチャを参照するように参照ピクチャを変更することを特徴とする請求項８に記載の動画像符号化装置の制御方法。
【請求項１０】
前記動画像符号化装置が、前記符号化済ピクチャを保持するメモリ手段をさらに備え、
再設定手段が、前記メモリ手段に保持される前記符号化済ピクチャのうち、前記参照ピクチャとして用いられるように前記制御ステップにおいて変更された符号化済ピクチャのピクチャタイプを再設定する再設定ステップをさらに有することを特徴とする請求項９に記載の動画像符号化装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上述の目的は、動画像を構成する各ピクチャを、ピクチャ内符号化方式及びピクチャ間予測符号化方式のいずれかを用いて圧縮符号化可能な符号化手段と、符号化手段によって符号化されているピクチャの発生符号量の積算値が所定の値を超える場合に、当ピクチャの途中から符号化圧縮率を高くして、当ピクチャのその後の発生符号量を大幅に減少させる打ち切り処理を符号化手段で実行することを決定する決定手段と、符号化手段によって前記打ち切り処理が実行されたピクチャより後に符号化される他のピクチャが、前記打ち切り処理が実行されたピクチャをピクチャ間予測符号化方式を用いた圧縮符号化における参照ピクチャとして参照しないように、符号化手段による他のピクチャの符号化を制御する制御手段とを有することを特徴とする動画像符号化装置によって達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、上述の目的は、動画像を構成する各ピクチャを、ピクチャ内符号化方式及びピクチャ間予測符号化方式のいずれかを用いて圧縮符号化可能な符号化手段を有する動画像符号化装置の制御方法であって、決定手段が、符号化手段によって符号化されているピクチャの発生符号量の積算量が所定の値を超える場合に、当ピクチャの途中から符号化圧縮率を高くして、当ピクチャのその後の発生符号量を大幅に減少させる打ち切り処理の実行を決定する決定ステップと、制御手段が、符号化手段によって前記打ち切り処理が実行されたピクチャより後に符号化される他のピクチャが、前記打ち切り処理が実行されたピクチャをピクチャ間予測符号化方式を用いた圧縮符号化における参照ピクチャとして参照しないように、符号化手段による他のピクチャの符号化を制御する制御ステップとを有することを特徴とする動画像符号化装置の制御方法によっても達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月19日(2011.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状可撓性基板上に、薄膜トランジスタを含む回路と、内部アンテナと、超弾性合金材料または形状記憶合金材料で形成された、らせん状、ジグザグ状、くし形状、格子状、放射状またはネット状の外部アンテナと、を有し、
前記内部アンテナは、前記薄膜トランジスタと電気的に接続され、且つ前記回路上に重なって設けられ、前記外部アンテナは、前記内部アンテナと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記外部アンテナは、前記外部アンテナ自身の形状を保つと共に前記平板状可撓性基板の形状を保つことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記平板状可撓性基板は、フィルム、紙、薄膜化されたプラスチックのいずれか１つであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記超弾性合金材料または形状記憶合金材料は、バナジウム、クロム、マンガン、コバルト、アルミニウム、銀、金、チタンのいずれか１つを含む合金であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記超弾性合金材料または形状記憶合金材料は、カドミウムを含む合金、チタン及びニッケルを含む合金、ニッケルを含む合金、銅を含む合金、インジウムを含む合金、鉄を含む合金のいずれか１つであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記カドミウムを含む合金は、Ａｕ−ＣｄまたはＡｇ−Ｃｄ、
前記チタン及びニッケルを含む合金は、Ｔｉ−Ｎｉ、Ｔｉ−Ｎｉ−Ｃｕ、Ｔｉ−Ｎｉ−Ｆｅ、Ｔｉ−Ｐｄ−Ｎｉのいずれか１つ、
前記ニッケルを含む合金は、Ｎｉ−Ａｌ、
前記銅を含む合金は、Ｃｕ−Ａｌ−Ｎｉ、Ｃｕ−Ａｕ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｚｎのいずれか１つ、
前記インジウムを含む合金は、Ｉｎ−ＴｉまたはＩｎ−Ｃｄ、
前記鉄を含む合金は、Ｆｅ−Ｐｔ、Ｆｅ−Ｐｄ、Ｆｅ−Ｍｎ−Ｓｉ、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ−Ｔｉのいずれか１つであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
第１基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に薄膜トランジスタを含む回路を形成し、
前記回路上に内部アンテナを形成し、
前記第１基板を前記剥離層で分離し、平板状可撓性基板である第２基板を接着材を介して前記下地膜に貼り合わせ、
前記第２基板に、前記内部アンテナと電気的に接続する、超弾性合金材料または形状記憶合金材料で形成された、らせん状、ジグザグ状、くし形状、格子状、放射状またはネット状の外部アンテナを形成し、
前記第２基板上に前記内部アンテナ、前記外部アンテナ及び前記回路を挟んで平板状可撓性基板である第３基板を貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記内部アンテナを、下地配線と、チタン、タンタル、タングステン又はモリブデンのいずれかとニッケルとの合金の窒化膜と、銅メッキ層の積層構造で形成し、
前記外部アンテナをチタン−ニッケル−銅合金でインクジェット法を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月7日(2011.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画面内符号化画像データを含む符号化動画像データにおいて、画面内符号化画像データを選択的に復号して出力する再生手段と、
画面内符号化画像データのデータサイズが閾値以下であるか否かを判定する判定手段と、
復号対象の画面内符号化画像データのデータサイズが前記閾値以下でないと前記判定手段により判定された場合、当該復号対象の画面内符号化画像データの復号及び出力を行わないように前記再生手段を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする再生装置。
【請求項２】
前記制御手段は、復号及び出力が行われない前記復号対象の画面内符号化画像データの代わりに、当該復号対象の画面内符号化画像データの直前に復号された画面内符号化画像データを出力するように前記再生手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の再生装置。
【請求項３】
復号対象の画面内符号化画像データのデータサイズが前記閾値以下でないと前記判定手段により判定された場合、当該復号対象の画面内符号化画像データの前後の復号対象の画面内符号化画像データの間にある画面内符号化画像データから、データサイズが前記閾値以下の画面内符号化画像データを検索する検索手段を更に備え、
データサイズが前記閾値以下の画面内符号化画像データが前記検索手段により発見された場合、前記制御手段は、復号及び出力が行われない前記復号対象の画面内符号化画像データの代わりに、当該発見された画面内符号化画像データを復号して出力するように前記再生手段を制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の再生装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記発見された画面内符号化画像データの、前記前後の復号対象の画面内符号化画像データの間における位置に対応するタイミングで、前記再生手段の出力を、前記発見された画面内符号化画像データの直前に復号された画面内符号化画像データから復号された前記発見された画面内符号化画像データに切り替えるように前記再生手段を制御することを特徴とする請求項３に記載の再生装置。
【請求項５】
復号済みで未出力の画面内符号化画像データの数が多いほど前記閾値が大きくなるように前記閾値を変化させる変化手段を更に備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の再生装置。
【請求項６】
前記再生手段が前記符号化動画像データから画面内符号化画像データを取得する速度が高速なほど前記閾値が大きくなるように前記閾値を変化させる変化手段を更に備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の再生装置。
【請求項７】
前記符号化動画像データは、画面内符号化画像データのデータサイズの範囲を示す範囲情報を、画面内符号化画像データそれぞれについて含み、
前記判定手段は、判定対象の画面内符号化画像データのデータサイズを前記範囲の最大値として前記判定を行う
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の再生装置。
【請求項８】
再生装置の再生手段が、画面内符号化画像データを含む符号化動画像データにおいて、画面内符号化画像データを選択的に復号して出力する再生工程と、
前記再生装置の判定手段が、画面内符号化画像データのデータサイズが閾値以下であるか否かを判定する判定工程と、
前記再生装置の制御手段が、復号対象の画面内符号化画像データのデータサイズが前記閾値以下でないと前記判定工程において判定された場合、当該復号対象の画面内符号化画像データの復号及び出力を行わないように前記再生工程を制御する制御工程と、
を備えることを特徴とする再生方法。
【請求項９】
コンピュータを、
画面内符号化画像データを含む符号化動画像データにおいて、画面内符号化画像データを選択的に復号して出力する再生手段、
画面内符号化画像データのデータサイズが閾値以下であるか否かを判定する判定手段、
復号対象の画面内符号化画像データのデータサイズが前記閾値以下でないと前記判定手段により判定された場合、当該復号対象の画面内符号化画像データの復号及び出力を行わないように前記再生手段を制御する制御手段、
として機能させるためのプログラム。
【請求項１０】
前記制御手段は、データサイズが前記閾値以下であると前記判定手段により判定された１つの画面内符号化画像データの復号及び出力を行うように前記再生手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の再生装置。
【請求項１１】
前記制御手段は、
前記符号化動画像データの先頭から順に、データサイズが前記閾値以下である画面内符号化画像データが発見されるまで前記判定を行うように前記判定手段を制御し、
前記発見された画面内符号化画像データを復号して出力するように前記再生手段を制御する
ことを特徴とする請求項１０に記載の再生装置。
【請求項１２】
前記制御手段は、画面内符号化画像データを含む複数の符号化動画像データそれぞれに対して、前記１つの画面内符号化画像データの復号及び出力を行うための前記制御を行うことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、第２の本発明は、再生装置の再生手段が、画面内符号化画像データを含む符号化動画像データにおいて、画面内符号化画像データを選択的に復号して出力する再生工程と、前記再生装置の判定手段が、画面内符号化画像データのデータサイズが閾値以下であるか否かを判定する判定工程と、前記再生装置の制御手段が、復号対象の画面内符号化画像データのデータサイズが前記閾値以下でないと前記判定工程において判定された場合、当該復号対象の画面内符号化画像データの復号及び出力を行わないように前記再生工程を制御する制御工程と、を備えることを特徴とする再生方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月29日(2011.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
永久磁石型回転電動機のロータ又はステータに配設する界磁極用磁石体の製造方法であって、
前記ロータ又はステータに配設するために予め所定の形状に形成された永久磁石を機械的な外力により破断分割して２以上の磁石片を形成する工程と、
前記永久磁石を破断分割することにより表出した磁石片の破断面どうしを対向させて前記永久磁石を復元し界磁極用磁石体を構成する工程とを有することを特徴とする界磁極用磁石体の製造方法。
【請求項２】
前記破断分割に係る隣り合う磁石片どうしを、これらの破断面を対向当接させて界磁極用磁石体を構成することを特徴とする請求項１に記載の界磁極用磁石体の製造方法。
【請求項３】
前記永久磁石の破断分割しようとする位置に破断用切欠きを形成する工程を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の界磁極用磁石体の製造方法。
【請求項４】
前記破断面の少なくとも一方を酸化する工程を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の界磁極用磁石体の製造方法。
【請求項５】
前記永久磁石型回転電動機はＩＰＭモータであり、
前記永久磁石は、前記ロータ又はステータのスロット内に挿入するために予め所定の形状に成形されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の界磁極用磁石体の製造方法。
【請求項６】
前記界磁極用磁石体は、前記永久磁石と同形状かつ同寸法であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の界磁極用磁石体の製造方法。
【請求項７】
前記永久磁石は直方体であり、
前記破断面は前記永久磁石の短辺方向に沿うように形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の界磁極用磁石体の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載した界磁極用磁石体を構成した後、その界磁極用磁石体をロータ又はステータに配設することを特徴とする永久磁石型回転電動機の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の界磁極用磁石体の製造方法により製造した界磁極用磁石体であって、
並列させた磁石片の破断面どうしを直接接触させており、その破断面における電気抵抗値が、当該破断面に垂直な方向における単位長さ１ｃｍあたりの磁石片自体の電気抵抗値に対し、５倍以上であることを特徴とする界磁極用磁石体。
【請求項１０】
破断面における電気抵抗値が０．５ｍΩ以上であることを特徴とする請求項９に記載の界磁極用磁石体。
【請求項１１】
並列させた磁石片の破断面どうしを直接接触させており、その破断面における電気抵抗値が、当該破断面に垂直な方向における単位長さ１ｃｍあたりの磁石片自体の電気抵抗値に対して、５０倍以上であることを特徴とする請求項９又は１０に記載の界磁極用磁石体。
【請求項１２】
破断面における電気抵抗値が５ｍΩ以上であることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか１項に記載の界磁極用磁石体。
【請求項１３】
並列させた磁石片どうしを接着していることを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載の界磁極用磁石体。
【請求項１４】
並列させた隣り合う磁石片どうしを、これらの破断面間のみに、それらの破断面に垂直な方向の寸法増加が破断前の寸法の１００分の１以下となる厚みであって、その磁石片よりも低い導電率の低導電材を挟入していることを特徴とする請求項９〜１３のいずれか１項に記載の界磁極用磁石体。
【請求項１５】
低導電材を、磁石片の破断面の少なくとも一部の領域に配設していることを特徴とする請求項１４に記載の界磁極用磁石体。
【請求項１６】
低導電材は、接着剤，樹脂又はセラミクスのいずれかであることを特徴とする請求項１４又は１５に記載の界磁極用磁石体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】界磁極用磁石体の製造方法、永久磁石型回転電動機の製造方法及び界磁極用磁石体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、永久磁石型電動機のロータやステータに配設する界磁極用磁石体の製造方法、永久磁石型回転電動機の製造方法及び界磁極用磁石体に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そこで本発明は、磁石片間の寸法公差を小さくできるとともに、製造コストの低減を図ることができる界磁極用磁石体の界磁極用磁石体の製造方法、永久磁石型回転電動機の製造方法及び界磁極用磁石体の提供を主たる目的とし、さらには、発熱抑制効果を向上させることができる界磁極用磁石体の製造方法、永久磁石型回転電動機の製造方法及び界磁極用磁石体の提供を副たる目的としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するための界磁極用磁石体の製造方法は、永久磁石型回転電動機のロータ又はステータに配設するために予め所定の形状に形成された永久磁石を機械的な外力により破断分割して２以上の磁石片を形成する工程と、前記した永久磁石を破断分割することにより表出した磁石片の破断面どうしを対向させて永久磁石を復元し界磁極用磁石体を構成する工程とを有することを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
同上の課題を解決するための永久磁石型回転電動機の製造方法は、上記した界磁極用磁石体を構成した後、その界磁極用磁石体をロータ又はステータに配設することを特徴としている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
同上の課題を解決するための界磁用永久磁石体は、上記した製造方法によって製造されたものであり、並列させた磁石片の破断面どうしを直接接触させており、その破断面における電気抵抗値が、当該破断面に垂直な方向における単位長さ１ｃｍあたりの磁石片自体の電気抵抗値に対し、５倍以上であることを特徴としている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、ロータ又はステータに配設するために予め所定の形状に形成された永久磁石を機械的な外力により破断分割して２以上の磁石片を形成し、その永久磁石を破断分割することにより表出した磁石片の破断面どうしを対向させて前記永久磁石を復元して界磁極用磁石体を構成しているので、それら磁石片間の寸法公差を小さくすることができるとともに、製造コストの低減を図ることができる。
また、磁石片どうしの破断面における電気抵抗値を、当該破断面に垂直な方向における単位長さあたりの磁石片自体の電気抵抗値に対して所定の値とすることにより、発熱抑制効果を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月19日(2011.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板および半導体基板を用意し、
イオンドーピング装置を使用して、ソースガスを励起してプラズマを発生させ、前記プラズマに含まれるイオン種を前記半導体基板に照射して、前記半導体基板中に損傷領域を形成し、
前記ベース基板および前記半導体基板の少なくとも一方に接合層を形成し、
前記接合層を介して、前記ベース基板と前記半導体基板を密着させ、前記接合層の表面と前記接合層との接触面とを接合させることで、前記ベース基板と前記半導体基板を貼り合わせ、
加熱によって前記損傷領域で前記半導体基板を分割し、前記半導体基板から分離された半導体層を前記ベース基板上に形成し、
前記半導体層上に、第１８族元素を含む半導体でなるゲッタリングサイト層を形成し、
前記イオンドーピング装置の使用による前記半導体層中の金属元素を前記ゲッタリングサイト層にゲッタリングさせるための加熱処理を行い、
前記ゲッタリングサイト層、および前記半導体層に残った前記損傷領域を除去することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
ベース基板および半導体基板を用意し、
イオンドーピング装置を使用して、ソースガスを励起してプラズマを発生させ、前記プラズマに含まれるイオン種を前記半導体基板に照射して、前記半導体基板中に損傷領域を形成し、
前記ベース基板および前記半導体基板の少なくとも一方に接合層を形成し、
前記接合層を介して、前記ベース基板と前記半導体基板を密着させ、前記接合層の表面と前記接合層との接触面とを接合させることで、前記ベース基板と前記半導体基板を貼り合わせ、
加熱によって前記損傷領域で前記半導体基板を分割し、前記半導体基板から分離された半導体層を前記ベース基板上に形成し、
前記半導体層上に、第１８族元素を含む半導体でなるゲッタリングサイト層を形成し、
前記イオンドーピング装置の使用による前記半導体層中の金属元素を前記ゲッタリングサイト層にゲッタリングさせるための加熱処理を行い、
前記ゲッタリングサイト層を除去し、
前記半導体層を薄くすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
ベース基板および半導体基板を用意し、
イオンドーピング装置を使用して、ソースガスを励起してプラズマを発生させ、前記プラズマに含まれるイオン種を前記半導体基板に照射して、前記半導体基板中に損傷領域を形成し、
前記ベース基板および前記半導体基板の少なくとも一方に接合層を形成し、
前記接合層を介して、前記ベース基板と前記半導体基板を密着させ、前記接合層の表面と前記接合層との接触面とを接合させることで、前記ベース基板と前記半導体基板を貼り合わせ、
加熱によって前記損傷領域で前記半導体基板を分割し、前記半導体基板から分離された半導体層を前記ベース基板上に形成し、
前記半導体層上に、第１８族元素を含む半導体でなるゲッタリングサイト層を形成し、
前記イオンドーピング装置の使用による前記半導体層中の金属元素を前記ゲッタリングサイト層にゲッタリングさせるための加熱処理を行い、
前記ゲッタリングサイト層、および前記半導体層に残った前記損傷領域を除去し、
前記半導体層にレーザ光を照射することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記レーザ光を照射した後、前記半導体層を研磨することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項３において、
前記半導体層を薄くした後、前記半導体層にレーザ光を照射することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項において、
前記ゲッタリングサイト層は、前記第１８族元素として、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ればれた１種類または２種類以上の元素を含むことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項において、
少なくとも第１８族元素ガスを含んだソースガスからＣＶＤ法で第１８族元素を含んだ半導体膜を形成することで、前記ゲッタリングサイト層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか１項において、
プロセスガスに少なくとも第１８族元素ガスを用いたスパッタリング法で第１８族元素を含んだ半導体膜を形成することで、前記ゲッタリングサイト層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至６のいずれか１項において、
ＣＶＤ法またはスパッタリング法で半導体膜を形成し、前記半導体膜中に第１８族元素を添加することで、前記ゲッタリングサイト層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項において、
前記損傷領域の形成のためのソースガスに水素ガスを用い、
前記水素ガスを励起して、イオン種としてＨ＋、Ｈ２＋およびＨ３＋を含むプラズマを生成し、前記Ｈ＋、Ｈ２＋およびＨ３＋を含むイオンビームを照射して、前記損傷領域を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記Ｈ＋、前記Ｈ２＋、前記Ｈ３＋の総量に対して、前記Ｈ３＋が７０％以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至９のいずれか１項において、
前記損傷領域の形成のためのソースガスにヘリウムガスを用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至９のいずれか１項において、
前記損傷領域の形成のためのソースガスにハロゲンガスを用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか１項において、
前記ベース基板はガラス基板であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１３のいずれか１項において、
前記ベース基板は、アルミノシリケートガラス基板、アルミノホウケイ酸ガラス基板、バリウムホウケイ酸ガラス基板のいずれかであることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか１項に記載された方法で作製されたＳＯＩ基板を用いた半導体装置の作製方法であり、
前記ＳＯＩ基板の前記半導体層をエッチングにより素子分離し、
前記素子分離された半導体層を含むトランジスタを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月8日(2011.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単層カーボンナノチューブおよび有機半導体材料を含む有機トランジスタ材料であって、前記単層カーボンナノチューブから得られる膜の波長１０００ｎｍにおける吸光度（Ａ）に対する波長１２００ｎｍにおける吸光度（Ｂ）の比（Ｂ／Ａ）が１．０未満である有機トランジスタ材料。
【請求項２】
前記単層カーボンナノチューブの表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着している請求項１に記載の有機トランジスタ材料。
【請求項３】
前記有機半導体材料がチオフェン骨格を含有する分子量３０００以下の有機低分子半導体である請求項１または２に記載の有機トランジスタ材料。
【請求項４】
有機半導体材料１００重量部に対して０．０１〜３重量部の単層カーボンナノチューブを含む請求項１〜３のいずれか記載の有機トランジスタ材料。
【請求項５】
ゲート電極、絶縁層、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を有する有機電界効果型トランジスタであって、前記半導体層が請求項１〜４のいずれか記載の有機トランジスタ材料を用いてなる有機電界効果型トランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を達成するために、本発明は下記の構成からなる。
（１）単層カーボンナノチューブおよび有機半導体材料を含む有機トランジスタ材料であって、前記単層カーボンナノチューブから得られる膜の波長１０００ｎｍにおける吸光度（Ａ）に対する波長１２００ｎｍにおける吸光度（Ｂ）の比（Ｂ／Ａ）が１．０未満である有機トランジスタ材料。
（２）前記単層カーボンナノチューブの表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着している上述（１）記載の有機トランジスタ材料。
（３）前記有機半導体材料がチオフェン骨格を含有する分子量３０００以下の有機低分子半導体である上述（１）または（２）に記載の有機トランジスタ材料。
（４）有機半導体材料１００重量部に対して０．０１〜３重量部の単層カーボンナノチューブを含む上記（１）〜（３）のいずれか記載の有機トランジスタ材料。
（５）ゲート電極、絶縁層、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を有する有機電界効果型トランジスタであって、前記半導体層が上記（１）〜（４）のいずれか記載の有機トランジスタ材料を用いてなる有機電界効果型トランジスタ。