【手続補正書】
【提出日】平成23年6月29日(2011.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、
（Ａ）酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ不溶性又は難溶性の樹脂であって、該酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となるベース樹脂、
（Ｂ）酸発生剤、
（Ｃ）塩基性成分として窒素を含有する化合物、
を含有するレジスト組成物であって、前記ベース樹脂は、下記一般式（１）で表される繰り返し単位を含有するポリマーであるか、下記一般式（１）で表される繰り返し単位を含有すると共に、下記一般式（２）及び（３）で表される繰り返し単位を少なくとも１種以上含有するポリマーであり、更に、前記ベース樹脂を構成する全繰り返し単位中、下記一般式（１）、（２）及び（３）で表される繰り返し単位を合計で７０モル％以上含有するものであることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
2011013419.tif 000001
（式中、Ｘは酸不安定基を示し、Ｒ１は水素原子、ハロゲン原子、１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、酸により脱離しない炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシ基、又は酸により脱離しない炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアシル基であり、Ｘ及びＲ１は複数種類が選択されても良い。）
【請求項２】
前記ベース樹脂は、酸不安定基で保護された酸性官能基を持つ繰り返し単位として、上記一般式（２）並びに下記一般式（４）、（５）及び（６）で表される繰り返し単位のうち少なくとも１種以上を含有するものであることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【化２】
2011013419.tif 000002
（式中、Ｙ及びＺは酸不安定基を示し、Ｒは水素原子又はメチル基を示す。Ｙ、Ｚ及びＲは複数種類が選択されても良い。）
【請求項３】
前記ベース樹脂が、更に下記一般式（９）及び（６’）で表される繰り返し単位のうち少なくとも１種以上を含有するものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のポジ型レジスト組成物。
【化３】
2011013419.tif 000003
（式中、Ｒは水素原子またはメチル基を示す。Ｒ２は水素原子、水酸基、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、酸により脱離しない炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルコキシ基、又は酸により脱離しない炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアシル基であり、Ｒ２は複数種類が選択されても良い。）
【請求項４】
前記ベース樹脂は、酸不安定基で保護された酸性官能基を持つ繰り返し単位として、下記一般式（５−１）で表される繰り返し単位を含有するものであることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載のポジ型レジスト組成物。
【化４】
2011013419.tif 000004
（式中、Ｒは水素原子又はメチル基である。Ｚ１は下記一般式（７）及び（８）より選ばれる。
【化５】
2011013419.tif 000005
（式中、
【化６】
2011013419.tif 000006
は、置換又は非置換の芳香族炭化水素基を示す。Ｒ３は炭素数１〜１２の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、Ｒ４は水素原子、炭素数１〜１２の直鎖状、分枝状もしくは環状のアルキル基、又は芳香族炭化水素基、あるいはＲ３、Ｒ４はそれらの結合する炭素原子とともに環を形成しても良く、その場合Ｒ３とＲ４を合わせて炭素数４〜１２のアルキレン基を表す。ａは１又は２を示す。また、（Ｏ）はカルボキシル基の酸素原子であり、一般式（７）および（８）の結合位置を示すために記入したものである。））
【請求項５】
前記ベース樹脂は、酸不安定基で保護された酸性官能基を持つ繰り返し単位として、上記一般式（２）並びに下記一般式（４）及び（５−１）で表される繰り返し単位を含有し、更に前記酸不安定基Ｘがアセタール基、下記酸不安定基Ｙが炭素数４〜１５の第三級アルキル基であることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載のポジ型レジスト組成物。
【化７】
2011013419.tif 000007
（式中、Ｒは水素原子又はメチル基である。Ｙは酸不安定基を示し、Ｚ１は下記一般式（７）及び（８）より選ばれる。
【化８】
2011013419.tif 000008
（式中、
【化９】
2011013419.tif 000009
は、置換又は非置換の芳香族炭化水素基を示す。Ｒ３は炭素数１〜１２の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、Ｒ４は水素原子、炭素数１〜１２の直鎖状、分枝状もしくは環状のアルキル基、又は芳香族炭化水素基、あるいはＲ３、Ｒ４はそれらの結合する炭素原子とともに環を形成しても良く、その場合Ｒ３とＲ４を合わせて炭素数４〜１２のアルキレン基を表す。ａは１又は２を示す。また、（Ｏ）はカルボキシル基の酸素原子であり、一般式（７）および（８）の結合位置を示すために記入したものである。））
【請求項６】
前記（Ｂ）成分である酸発生剤として下記一般式（１０）で表される酸発生剤を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載のポジ型レジスト組成物。
【化１０】
2011013419.tif 000010
（式中、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は相互に独立に置換もしくは非置換の炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、アルケニル基、もしくはオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数６〜１８のアリール基、アラルキル基、もしくはアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはＲ５、Ｒ６及びＲ７のうちのいずれか２つ以上が単結合または酸素原子を介するエーテル結合により相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。Ｒ８は芳香環あるいは炭素数５以上の脂環式炭化水素構造を有する一価の炭化水素基を示す。ｎは１〜３を示す。）
【請求項７】
前記（Ｃ）成分である塩基性成分として、少なくとも、カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素原子に共有結合で結合する水素を有しないアミン化合物及びアミンオキシド化合物のうち少なくとも１種以上を含むものであることを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか１項に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項８】
前記カルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素原子に共有結合で結合する水素を有しないアミン化合物及びアミンオキシド化合物として、下記一般式（１１）〜（１３）で表される化合物を少なくとも１種以上含有するものであることを特徴とする請求項７に記載のポジ型レジスト組成物。
【化１１】
2011013419.tif 000011
（式中、Ｒ１３、Ｒ１４は、それぞれ炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素数２〜１０のヒドロキシアルキル基、炭素数２〜１０のアルコキシアルキル基、炭素数３〜１０のアシルオキシアルキル基、又は炭素数１〜１０のアルキルチオアルキル基である。またＲ１３とＲ１４が結合して環構造を形成してもよい。Ｒ１５は水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素数２〜１０のヒドロキシアルキル基、炭素数２〜１０のアルコキシアルキル基、炭素数３〜１０のアシルオキシアルキル基、炭素数１〜１０のアルキルチオアルキル基、ハロゲン原子、又は水酸基であり、結合する炭素及びそれに隣接する炭素と共に環を形成してもよい。Ｒ１６は単結合、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、又は炭素数６〜２０のアリーレン基であり、水酸基、カルボキシル基、カルボニル基等を１つ又は複数含んでいてもよい。）
【化１２】
2011013419.tif 000012
（式中、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６は上記と同様である。）
【化１３】
2011013419.tif 000013
（式中、Ｒ１７は炭素数２〜２０の直鎖状又は分岐状の置換可アルキレン基であり、ただしアルキレン基の炭素−炭素間にカルボニル基、エーテル基、エステル基、スルフィドを１個あるいは複数個含んでいてもよい。また、Ｒ１８は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、又は炭素数６〜２０のアリーレン基である。）
【請求項９】
リソグラフィーによりレジストパターンを形成する方法であって、少なくとも、請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のポジ型レジスト組成物を用いて被加工基板上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜に高エネルギー線を露光し、その後アルカリ性現像液を用いて現像してレジストパターンを得ることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
【請求項１０】
前記被加工基板として、フォトマスクブランクを用いることを特徴とする請求項９に記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項１１】
前記フォトマスクブランクの最表層上に、クロム化合物膜が成膜されていることを特徴とする請求項１０に記載のレジストパターンの形成方法。