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【手続補正書】
【提出日】平成23年4月7日(2011.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ヘッドの飛行高さ関連パラメータ再設定条件が発生したか否かを判断する段階と、
前記磁気ヘッドの飛行高さ関連パラメータ再設定条件が発生した場合に、ディスクドライブの温度を測定する段階と、
前記測定された温度での磁気ヘッドの飛行高さを調整するヒータに供給されるパワー変化による前記磁気ヘッドとディスクとの間隔変化を表す磁気ヘッド飛行高さプロファイルを算出する段階と、
前記算出された磁気ヘッド飛行高さプロファイルから、目標とする磁気ヘッドの飛行高さに対応する前記ヒータに供給するパワーを決定する段階と、
を含むことを特徴とする、適応的磁気ヘッド飛行高さ調整方法。
【請求項２】
前記磁気ヘッドの飛行高さ関連パラメータ再設定条件は、ディスクドライブがアイドルモードに変移される条件を含むことを特徴とする、請求項１に記載の適応的磁気ヘッド飛行高さ調整方法。
【請求項３】
前記磁気ヘッド飛行高さプロファイルは、リードモード及びライトモードでそれぞれ算出されることを特徴とする、請求項１に記載の適応的磁気ヘッド飛行高さ調整方法。
【請求項４】
前記磁気ヘッド飛行高さプロファイルを算出する段階は、
前記ディスクドライブに保存されている磁気ヘッドの飛行高さプロファイルの温度のうち、前記測定された温度と最も近接した温度の磁気ヘッドの飛行高さプロファイルを検索し、前記測定された温度と前記検索された磁気ヘッドの飛行高さプロファイルが測定された温度との差を演算する段階と、
前記演算された温度の差と初期設定された臨界値とを比較する段階と、
前記比較の結果、前記演算された温度の差が前記臨界値を超える場合に、前記測定された温度に対する磁気ヘッドの飛行高さプロファイルを新たに測定して保存する段階と、
前記比較の結果、前記演算された温度の差が前記臨界値を超えない場合に、前記ディスクドライブに保存されている磁気ヘッドの飛行高さプロファイルから、前記測定温度に対する標準化された磁気ヘッドの飛行高さプロファイルを算出する段階と、
を含むことを特徴とする、請求項１に記載の適応的磁気ヘッド飛行高さ調整方法。
【請求項５】
前記標準化された磁気ヘッドの飛行高さプロファイルを算出する段階では、
前記ディスクドライブに保存されている温度別磁気ヘッドの飛行高さプロファイルのうち、前記測定温度に最も近接した温度の磁気ヘッドの飛行高さプロファイルに温度変化量に係る補正値を反映し、前記測定された温度に対する標準化された磁気ヘッドの飛行高さプロファイルを算出することを特徴とする、請求項４に記載の適応的磁気ヘッド飛行高さ調整方法。
【請求項６】
情報を保存するディスクと、
前記ディスク上の磁界を感知する磁気判読素子及び前記ディスクを磁化させる磁気記録素子を備え、前記ディスク表面と前記磁気判読素子及び磁気記録素子との間に空気ベアリング表面を生成させる構造を有し、前記空気ベアリング表面を生成させる構造物を加熱するヒータを備える磁気ヘッドと、
ディスクドライブの動作温度を測定する温度センサと、
前記ヒータに供給されるパワー変化による前記磁気ヘッドとディスクとの間隔変化を表す磁気ヘッド飛行高さプロファイル情報を、測定温度と共に保存するメモリ素子と、
磁気ヘッドの飛行高さ関連パラメータ再設定条件が発生した場合に、前記メモリ素子に保存された磁気ヘッド飛行高さプロファイル情報に基づいて、前記温度センサで測定された温度での前記ヒータに供給されるパワー変化による前記磁気ヘッドとディスクとの間隔変化を表す磁気ヘッド飛行高さプロファイルを算出し、前記算出した磁気ヘッド飛行高さプロファイルから、目標とする磁気ヘッドの飛行高さに対応する前記ヒータに供給するパワーを決定するコントローラと、
前記コントローラで決定されたパワーに相応する電流を発生させ、前記ヒータに印加する電流供給回路と、
を備えることを特徴とする、ディスクドライブ。
【請求項７】
磁気ヘッドとディスクとの間の空間を生成させるように飛行高さプロファイルを利用してディスクドライブのヒータに供給される電流を決定するコントローラと、
前記ディスクドライブの温度を測定するための温度センサと、
を備え、
前記コントローラは、前記温度センサで測定された温度によって基準飛行高さプロファイルから新しい飛行高さプロファイルを生成させることを特徴とする、ディスクドライブ。
【請求項８】
前記生成された飛行高さプロファイルを保存するために、前記ディスクドライブに配置されたメモリ素子をさらに備えることを特徴とする、請求項７に記載のディスクドライブ。
【請求項９】
ディスクドライブの温度を検出するための温度センサと、
基準飛行高さプロファイルと、前記温度センサで検出される温度の変化によって基準飛行高さプロファイルから変更された新しい飛行高さプロファイルとを保存するメモリ素子と、
前記検出された温度及び前記新しい飛行高さプロファイルによってヒータに電流を供給するためのコントローラと、
を備えることを特徴とする、ディスクドライブ。
【請求項１０】
複数の温度に対する飛行高さプロファイルとそれぞれの温度に相応する電流値とを保存するメモリ手段と、
ディスクドライブの現在温度を検出するための温度センサと、
前記検出された温度に相応する新しい飛行高さプロファイルの電流値のうちの１つの電流値によってヒータに電流を供給するためのコントローラと、
を備えることを特徴とする、ディスクドライブ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月6日(2011.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に転写パターンを形成するための薄膜を有するマスクブランク用の基板であって、
前記基板は、主表面と該主表面の周縁に形成された側面を含む端面とを有し、
前記側面の平坦度が、５０μｍ以下であることを特徴とするマスクブランク用基板。
【請求項２】
前記端面は、前記基板の側面と、該側面と前記主表面との間に介在する面取り面とを含み、前記側面の平坦度が、５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク用基板。
【請求項３】
前記側面の表面粗さが、算術平均表面粗さ（Ｒａ）で２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のマスクブランク用基板。
【請求項４】
前記側面の平坦度は、前記基板の角部における側面を丸めた部分およびその側面を丸めた部分と前記側面との境界近傍を除いた側面の領域で測定される平坦度であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一に記載のマスクブランク用基板。
【請求項５】
前記側面の平坦度は、側面の長手方向の両端から５ｍｍの幅を側面の全面から除いた領域で測定される平坦度であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一に記載のマスクブランク用基板。
【請求項６】
前記側面は、その側面の高さが中心領域から周縁部に向かって漸次低くなる凸形状を有することを特徴とする請求項１乃至５の何れか一に記載のマスクブランク用基板。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一に記載のマスクブランク用基板の主表面上に、転写パターンを形成するための薄膜が形成されていることを特徴とするフォトマスクブランク。
【請求項８】
前記薄膜上にレジスト膜を有することを特徴とする請求項７に記載のフォトマスクブランク。
【請求項９】
請求項１乃至６の何れか一に記載のマスクブランク用基板の主表面上に、交互積層膜からなる多層反射膜と、転写パターンを形成するための薄膜である吸収体膜が形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。
【請求項１０】
請求項７又は８に記載のフォトマスクブランクの薄膜に転写パターンを形成してなることを特徴とするフォトマスク。
【請求項１１】
請求項９に記載の反射型マスクブランクの吸収体膜に転写パターンを形成してなることを特徴とする反射型マスク。
【請求項１２】
基板上に転写パターンを形成するための薄膜を有するマスクブランク用の基板の製造方法であって、
前記基板は、主表面と該主表面の周縁に形成された側面を含む端面とを有し、
前記側面の平坦度が５０μｍ以下となるように前記基板の端面を研磨することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１３】
研磨砥粒を含有した研磨液を供給しながら、研磨用のブラシ毛が突設された研磨ブラシと前記基板とを相対的に移動させて、前記基板の端面を研磨することを特徴とする請求項１２に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】マスクブランク用基板及びその製造方法、フォトマスクブランク、反射型マスクブランク、フォトマスク並びに反射型マスク
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月6日(2011.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に転写パターンを形成するための薄膜を有するマスクブランク用の基板であって、
前記基板は、主表面と該主表面の周縁に形成された端面とを有し、該端面は、前記基板の側面と、該側面と前記主表面との間に介在する面取り面とを含み、
前記面取り面のうち少なくとも前記薄膜を成膜する主表面と連続する面取り面の平坦度が、５０μｍ以下であることを特徴とするマスクブランク用基板。
【請求項２】
前記面取り面のうち少なくとも前記薄膜を成膜する主表面と連続する面取り面の表面粗さが、算術平均表面粗さ（Ｒａ）で２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク用基板。
【請求項３】
前記面取り面の平坦度は、前記基板の丸みをつけた角部の面取り部分およびその角部の面取り部分と前記面取り面との境界近傍を除いた面取り面の領域で測定される平坦度であることを特徴とする請求項１又は２に記載のマスクブランク用基板。
【請求項４】
前記面取り面の平坦度は、面取り面の長手方向の両端から５ｍｍの幅を面取り面の全面から除いた領域で測定される平坦度であることを特徴とする請求項１又は２に記載のマスクブランク用基板。
【請求項５】
前記面取り面は、その面取り面の高さが中心領域から周縁部に向かって漸次低くなる凸形状を有することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一に記載のマスクブランク用基板。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一に記載のマスクブランク用基板の主表面上に、転写パターンを形成するための薄膜が形成されていることを特徴とするフォトマスクブランク。
【請求項７】
前記基板の面取り面上に導電性を有する薄膜が形成されていることを特徴とする請求項６に記載のフォトマスクブランク。
【請求項８】
前記薄膜上にレジスト膜を有することを特徴とする請求項６又は７に記載のフォトマスクブランク。
【請求項９】
請求項１乃至５の何れか一に記載のマスクブランク用基板の主表面上に、交互積層膜からなる多層反射膜と、転写パターンを形成するための薄膜である吸収体膜が形成されていることを特徴とする反射型マスクブランク。
【請求項１０】
請求項６乃至８の何れか一に記載のフォトマスクブランクの薄膜に転写パターンを形成してなることを特徴とするフォトマスク。
【請求項１１】
請求項９に記載の反射型マスクブランクの吸収体膜に転写パターンを形成してなることを特徴とする反射型マスク。
【請求項１２】
基板上に転写パターンを形成するための薄膜を有するマスクブランク用の基板の製造方法であって、
前記基板は、主表面と該主表面の周縁に形成された端面とを有し、該端面は、前記基板の側面と、該側面と前記主表面との間に介在する面取り面とを含み、
前記面取り面のうち少なくとも前記薄膜を成膜する主表面と連続する面取り面の平坦度が５０μｍ以下となるように前記基板の端面を研磨することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１３】
研磨砥粒を含有した研磨液を供給しながら、研磨用のブラシ毛が突設された研磨ブラシと前記基板とを相対的に移動させて、前記基板の端面を研磨することを特徴とする請求項１２に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】マスクブランク用基板及びその製造方法、フォトマスクブランク、反射型マスクブランク、フォトマスク並びに反射型マスク
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月11日(2010.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶パネルと温度測定装置と、を含む液晶表示装置であって、
前記温度測定装置は、
直列に連結された抵抗可変素子と固定抵抗によって生成された第１温度可変電圧を出力する温度感知部と、
基準電圧を出力する分圧器と、
前記第１温度可変電圧と前記基準電圧との差を増幅して生成された第２温度可変電圧を出力する差動増幅器と、を備え、
前記第１温度可変電圧は、前記液晶パネルの温度によって電圧値が可変され、
前記抵抗可変素子は、前記液晶パネルの温度によって抵抗値が変化する液晶表示装置。
【請求項２】
前記抵抗可変素子の抵抗値は、
前記液晶パネルの温度が上がれば増加し、
前記液晶パネルの温度が下がれば減少する請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記温度感知部は、前記第１温度可変電圧を電圧値の変動なしに前記差動増幅器に提供するバッファをさらに含む請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記液晶パネルは、映像が表示される表示領域と映像が表示されない非表示領域に区分され、
前記抵抗可変素子は、前記非表示領域に形成される請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記差動増幅器は、前記液晶パネルの温度の変化による前記第１温度可変電圧が変化する大きさを増幅して生成された前記第２温度可変電圧を出力する請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第２温度可変電圧を較正して温度情報を出力する較正部であって、
ターゲット温度−電圧グラフが前記液晶パネルの温度に対応するターゲット電圧を有するグラフのとき、前記第２温度可変電圧を前記ターゲット温度−電圧グラフ上の前記液晶パネルの温度に対応する前記ターゲット電圧に較正し、前記ターゲット電圧に対応する前記温度情報を出力する較正部をさらに含む請求項１〜５のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第２温度可変電圧を前記ターゲット温度−電圧グラフ上の前記液晶パネルの温度に対応する前記ターゲット電圧に較正するための較正データが格納されたメモリであって、前記第２温度可変電圧に対応する前記較正データを前記較正部に提供するメモリをさらに含む請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記抵抗可変素子は、導電体である請求項１〜７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
液晶パネルと、
第２温度可変電圧を出力する少なくとも１つの温度測定装置と、
較正した温度情報を出力する較正部と、を含む液晶表示装置であって、
前記第２温度可変電圧は、前記液晶パネルの温度によって電圧値が可変され、
前記温度情報は、前記第２温度可変電圧を較正して生成され、
ターゲット温度−電圧グラフが前記液晶パネルの温度に対するターゲット電圧を有するグラフのとき、前記第２温度可変電圧を前記ターゲット温度−電圧グラフ上の前記液晶パネルの温度に対応する前記ターゲット電圧に較正する液晶表示装置。
【請求項１０】
前記較正部は、
前記第２温度可変電圧をデジタル形態の温度可変データに変換し、
既に格納された較正データを用いて前記温度可変データを論理演算し、
前記論理演算処理で得られた前記温度情報を出力する請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記較正データを前記較正部に提供するメモリをさらに含む請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記較正部は、
前記各温度測定装置から出力された前記第２温度可変電圧の平均値を算出し、
前記第２温度可変電圧の平均値を較正して前記温度情報を出力する請求項１０または請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記各温度測定装置は、直列に連結された抵抗可変素子と固定抵抗によって生成された前記第２温度可変電圧を出力し、
前記抵抗可変素子は、前記液晶パネルの温度によって抵抗値が変化する請求項９〜１１のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記各温度測定装置は、
直列に連結された抵抗可変素子と固定抵抗によって生成された第１温度可変電圧を出力する温度感知部と、
基準電圧を出力する分圧器と、
前記第１温度可変電圧と前記基準電圧との差を増幅して生成された前記第２温度可変電圧を出力する差動増幅器と、を含み、
前記抵抗可変素子は、前記液晶パネルの温度によって抵抗値が変化することを含む請求項９〜１１のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記各温度測定装置は、前記第１温度可変電圧を電圧値の変動なしに前記差動増幅器に提供するバッファをさらに含む請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記抵抗可変素子は、導電体であり、
前記抵抗可変素子の抵抗値は、
前記温度が上がれば増加し、
前記温度が下がれば減少する請求項１３または請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記液晶パネルは、映像が表示される表示領域と映像が表示されない非表示領域に区分され、
前記抵抗可変素子は、前記非表示領域に形成された請求項１３または請求項１４に記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月16日(2010.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トークンを生成するトークン生成方法であって、
トークンに関連付けられる対象の口座を識別する口座識別情報を受け取る口座識別受信工程と、
前記口座からバリューを移転するよう認可された事業主体を識別する事業主体識別情報を受け取る事業主体識別情報受取工程と、
売り手又は売り手クラスを識別する売り手情報を受け取る売り手情報受取工程と、
アイテム又は前記アイテムのクラスを識別するアイテム情報を受け取るアイテム受取工程と、
前記口座識別情報、事業主体識別情報、売り手情報、及びアイテム情報を有するトークンを生成するトークン生成工程とを備え、
少なくとも、
前記口座識別情報が暗号化されること
を特徴とするトークン生成方法。
【請求項２】
前記トークンの一部分が、
前記トークンに関連したマシン読み取り可能な情報にコード化されたことを特徴とする
請求項１記載のトークン生成方法。
【請求項３】
請求項1記載のトークン生成方法であって、
バリュー限度を受け取るバリュー限度受取工程を更に備えることを特徴とするトークン生成方法。
【請求項４】
請求項1記載のトークン生成方法であって、
前記トークン生成工程は、
前記口座からバリューを移転するよう認可された前記事業主体の公開暗号化鍵を用いて、前記口座識別情報を暗号化する暗号化工程を備えるトークン生成方法。
【請求項５】
請求項１記載のトークン生成方法であって、
第１の売り手に前記トークンを供給する供給工程を更に備えるトークン生成方法。
【請求項６】
請求項１記載のトークン生成方法であって、
認可情報を受け取る認可情報受取工程と、
前記認可情報受取工程により受け取りをした前記認可情報を暗号化する
認可情報暗号化工程とを更に備え、
前記トークン情報は、
前記暗号化認可情報を備えるトークン生成方法。
【請求項７】
トークンを用いて取引を行うトークン取引方法において、売り手システムの
トークンからトークン関連情報を取得するトークン関連情報取得工程と、
前記口識別情報を暗号化する口座識別情報暗号化工程と、
前記口座識別情報暗号化工程により暗号化された前記暗号化情報を
前記事業主体に、前記売り手システムから通信する第一の通信工程と、
取引に関する情報を備えた取引情報を前記売り手システムから前記事業主体に通信する第二の通信工程と、
前記売り手に移転される対象のバリューを識別するバリュー識別工程と、
前記売り手への、前記バリューの移転の承認又は却下を示すコードを受け取るコード受取工程と、を備え、
前記トークン関連情報取得工程により取得されたトークン関連情報は、
口座を識別する口座識別情報、及び前記口座からバリューを移転するよう認可された事業主体を識別する事業主体識別情報を有することを特徴とするトークン取引方法。
【請求項８】
請求項７記載のトークン取引方法であって、
前記トークン関連情報は、
アイテム又はアイテムのクラスを識別するアイテム情報を備え、
前記アイテム識別情報を、
前記売り手システムから前記事業主体に通信するアイテム識別情報通信工程を更に有し、
前記事業主体に通信される通信情報は、前記通信情報に関係する前記アイテム識別情報を備えるトークン取引方法。
【請求項９】
請求項７記載のトークン取引方法であって、
前記トークン関連情報は、
売り手又は売り手クラスを識別する売り手情報を備え、
前記売り手情報を前記売り手システムから前記事業主体に通信する売り手情報工程を有し、
前記事業主体に通信される通信情報は、
前記売り手情報を備えるトークン取引方法。
【請求項１０】
請求項７記載のトークン取引方法であって、
前記トークン関連情報は、バリュー限度を識別するバリュー限度識別情報を備え、
前記売り手システムから前記事業主体に前記バリュー限度を通信するバリュー限度通信工程を更に備えるトークン取引方法。
【請求項１１】
請求項７記載のトークン取引方法であって、
前記トークン関連情報取得工程は、
前記トークン上に印刷されたマシン読み取り可能なコードを読み取るコード読取工程を備えるトークン取引方法。
【請求項１２】
トークンを生成するトークン生成システムであって、
複数の命令を記憶するメモリと、
前記複数の命令を実行するよう構成されたプロセッサを備え、
前記プロセッサは、前記複数の命令を実行すると、トークンに関連付けられる対象の口座を識別する口座識別情報を受け取り、
前記口座からバリューを移転するよう認可された事業主体を識別する事業主体識別情報を受け取り、
売り手又は売り手クラスを識別する売り手情報を受け取り、
アイテム又は前記アイテムのクラスを識別するアイテム情報を受け取り、
前記口座識別情報、事業主体識別情報、売り手情報、及びアイテム情報を有するトークンを生成させるよう構成され、
少なくとも、
前記口座識別情報が暗号化されること
を特徴とするトークン生成システム。 
【請求項１３】
トークンを用いて取引を行うトークン取引システムであって、
複数の命令を記憶するメモリと、
前記複数の命令を実行するよう構成されたプロセッサを備え、
前記プロセッサは、前記複数の命令を実行すると、売り手システムのトークンからトークン関連情報を取得し、
前記口座識別情報を暗号化し、
前記暗号化情報を事業主体に、売り手システムから通信し、
取引に関する情報を備えた取引情報を前記売り手システムから前記事業主体に通信し、
前記売り手に移転される対象のバリューを識別し、
前記売り手への、前記バリューの移転の承認又は却下を示すコードを受け取り、
前記取得されたトークン関連情報は、
口座を識別する口座識別情報、及び前記口座からバリューを移転するよう認可された事業主体を識別する事業主体識別情報を有すること
を特徴とするトークン取引システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月29日(2011.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークプリンタ装置の点検および保守を行う方法であって、
ネットワーク内で保守または点検を要する複数のプリンタ装置を識別するステップと、
前記ネットワーク内の複数のプリントジョブに関するジョブ追跡データを収集するステップであって、前記ジョブ追跡データは、サブミットする側のユーザ端末の識別情報と前記複数のプリントジョブのそれぞれが最初にサブミットされた宛先のプリンタ装置の識別情報とを含む、ステップと、
前記ジョブ追跡データに基づいて親和性データを決定するステップであって、前記親和性データは、サブミットされた前記プリントジョブについて選択された前記宛先のプリンタ装置に対するユーザの選好に基づく、前記宛先のプリンタ装置と前記サブミットする側のユーザ端末との間の関連性を示す、ステップと、
前記親和性データに少なくとも部分的に基づいて、前記複数のプリンタ装置の優先順位を決定するステップと、
前記優先順位に従って、前記ネットワーク内の前記複数のプリンタ装置の点検または保守を実施するステップと、を含み、
前記親和性データは、前記サブミットする側のユーザ端末により前記プリントジョブについて前記宛先のプリンタ装置がよく選択されるかどうかの尺度である、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
動作可能なようにネットワークと結合された複数のユーザ端末と、
動作可能なように前記ネットワークと結合された複数のプリンタ装置と、
動作可能なように前記ネットワークと結合されたプリンタ装置マネージャコンポーネントと、を備え、前記プリンタ装置マネージャコンポーネントが、保守または点検を要する、前記ネットワーク内の複数のプリンタ装置を識別し、サブミットする側のユーザ端末の識別情報と前記複数のプリントジョブのそれぞれが最初にサブミットされた宛先のプリンタ装置の識別情報とを含むジョブ追跡データに基づいて親和性データを決定し、前記親和性データは、サブミットされた前記プリントジョブについて選択された前記宛先のプリンタ装置に対するユーザの選好に基づく、前記宛先のプリンタ装置と前記サブミットする側のユーザ端末との間の関連性を示し、前記親和性データに少なくとも部分的に基づいて、前記複数のプリンタ装置の優先順位を決定し、前記優先順位に従って、前記ネットワーク内の前記複数のプリンタ装置の点検または保守を実施するように動作可能であり、
前記親和性データは、前記サブミットする側のユーザ端末により前記プリントジョブについて前記宛先のプリンタ装置がよく選択されるかどうかの尺度である、ことを特徴とするネットワーク印刷システム。
【請求項３】
請求項２に記載のシステムであって、前記プリンタ装置マネージャコンポーネントが、前記複数のプリンタ装置のプリント回数値に少なくとも部分的に基づいて、前記優先順位を決定することを特徴とするシステム。
【請求項４】
ネットワークに接続されたプリンタ装置の点検または保守の優先順位付けを行うプリンタ装置マネージャシステムであって、
前記ネットワークに接続されたサーバを備え、
前記サーバは、
前記ネットワーク内のプリントジョブに関するジョブ追跡データを収集し、前記ジョブ追跡データは、サブミットする側のユーザ端末の識別情報と前記複数のプリントジョブのそれぞれが最初にサブミットされた宛先のプリンタ装置の識別情報とを含み、サブミットされた前記プリントジョブについて選択された前記宛先のプリンタ装置に対するユーザの選好に基づく、前記宛先のプリンタ装置と前記サブミットする側のユーザ端末との間の関連性を示す親和性データを決定するように動作可能な親和性コンポーネントと、
点検または保守を要する複数のプリンタ装置の優先順位を、前記親和性データに少なくとも部分的に基づいて決定し、前記優先順位に従って、前記ネットワーク内の前記複数のプリンタ装置の点検または保守を実施するように動作可能な点検および保守優先順位付けコンポーネントと、を備え、
前記親和性データは、前記サブミットする側のユーザ端末により前記プリントジョブについて前記宛先のプリンタ装置がよく選択されるかどうかの尺度である、ことを特徴とするプリンタ装置マネージャシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月18日(2011.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ファイルまたはフォルダに対して行うべき処理の選択を操作者から受け付け、前記選択を受け付けた処理を前記ファイルまたはフォルダに対して実行する実行手段を有する装置であって、
操作者から処理の選択を受け付けると、当該処理が前記実行手段において過去に実行されたファイルまたはフォルダを検索する検索手段と、
前記検索手段で検索されたファイルまたはフォルダの識別情報を表示画面に表示する操作対象表示手段とを備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
ファイルまたはフォルダに対して行うべき処理の選択を操作者から受け付け、前記選択を受け付けた処理を前記ファイルまたはフォルダに対して実行する実行手段を有する装置であって、
前記実行手段で実行した処理の識別情報と、当該処理の実行されたファイルまたはフォルダの識別情報とを並べて表示手段に表示する操作履歴表示手段と、
前記操作履歴表示手段で前記処理の実行されたファイルまたはフォルダの識別情報と並べて表示された処理の識別情報の選択を操作者から受け付けると、当該処理が前記実行手段において過去に実行されたファイルまたはフォルダを検索する検索手段と、
前記検索手段で検索されたファイルまたはフォルダの識別情報を表示画面に表示する操作対象表示手段とを備えることを特徴とする装置。
【請求項３】
前記操作対象表示手段は、前記処理が前記実行手段において過去に実行されたファイルまたはフォルダの識別情報を、前記処理が前記実行手段において実行された日時の順に並べたリストを表示画面に表示することを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記操作対象表示手段は、前記処理が前記実行手段において過去に実行されたファイルまたはフォルダのうち、前記処理と並んで前記表示手段に表示されている識別情報に示されるファイルまたはフォルダより以前に前記処理が前記実行手段において実行されたファイル又はフォルダの識別情報が並んだリストを表示画面に表示することを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記操作対象表示手段は、前記処理が前記実行手段において過去に実行されたファイルまたはフォルダのうち、前記処理と並んで前記表示手段に表示されている識別情報に示されるファイルまたはフォルダの付近のファイル又はフォルダの識別情報が並んだリストを表示画面に表示することを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項６】
ファイルまたはフォルダに対して行うべき処理の選択を操作者から受け付け、前記選択を受け付けた処理を前記ファイルまたはフォルダに対して実行する実行ステップを有する方法であって、
操作者から処理の選択を受け付けると、当該処理が前記実行ステップにおいて過去に実行されたファイルまたはフォルダを検索する検索ステップと、
前記検索ステップで検索されたファイルまたはフォルダの識別情報を表示画面に表示する操作対象表示ステップとを備えることを特徴とする方法。
【請求項７】
ファイルまたはフォルダに対して行うべき処理の選択を操作者から受け付け、前記選択を受け付けた処理を前記ファイルまたはフォルダに対して実行する実行ステップを有する方法であって、
前記実行ステップで実行した処理の識別情報と、当該処理の実行されたファイルまたはフォルダの識別情報とを並べて表示ステップにより表示する操作履歴表示ステップと、
前記操作履歴表示ステップで前記処理の実行されたファイルまたはフォルダの識別情報と並べて表示された処理の識別情報の選択を操作者から受け付けると、当該処理が前記実行ステップにおいて過去に実行されたファイルまたはフォルダを検索する検索ステップと、
前記検索ステップで検索されたファイルまたはフォルダの識別情報を表示画面に表示する操作対象表示ステップとを備えることを特徴とする方法。
【請求項８】
前記操作対象表示ステップは、前記処理が前記実行ステップにおいて過去に実行されたファイルまたはフォルダの識別情報を、前記処理が前記実行ステップにおいて実行された日時の順に並べたリストを表示画面に表示することを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記操作対象表示ステップは、前記処理が前記実行ステップにおいて過去に実行されたファイルまたはフォルダのうち、前記処理と並んで前記表示ステップにより表示されている識別情報に示されるファイルまたはフォルダより以前に前記処理が前記実行ステップにおいて実行されたファイル又はフォルダの識別情報が並んだリストを表示画面に表示することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記操作対象表示ステップは、前記処理が前記実行ステップにおいて過去に実行されたファイルまたはフォルダのうち、前記処理と並んで前記表示ステップにより表示されている識別情報に示されるファイルまたはフォルダの付近のファイル又はフォルダの識別情報が並んだリストを表示画面に表示することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
請求項６ないし１０のいずれかに記載の方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月20日(2011.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式1：
2010265283.tif 000001
（式中、
Polyはポリスチレンを表し；
R1は-CH=CH-を表し；
R2は-NR4R5、XR5、またはスルホネートを表し；
XはO、S、SeまたはAsR5であり；
nは1〜5であり；
R3は、各存在ごとに独立に、C1-6アルキルを表し；ならびに
R4およびR5は、各存在ごとに独立に、水素、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アラルキルもしくはヘテロアラルキルを表す；または-NR4R5の例ではR4とR5の間に共有結合が存在して、-NR4R5が複素環を形成する。）
によって表される化合物、および薬学的に許容される担体を含むキット。
【請求項２】
nが1である、請求項1記載のキット。
【請求項３】
R2がスルホネート、メシレート、またはトシレートである、請求項1または2記載のキット。
【請求項４】
R3がn-ブチルである、請求項1〜3のいずれか一項に記載のキット。
【請求項５】
R2が、ヌクレオチド、ヌクレオシド、核酸、プリン、ピリミジン、またはアミノ酸のアミノ基である、請求項1または2記載のキット。
【請求項６】
R2が、置換されていてもよい1-ピペリジニルである、請求項1または2記載のキット。
【請求項７】
R2が-XR5であり、XがOまたはSである、請求項1または2記載のキット。
【請求項８】
前記式1のポリマーが、該ポリマーの複数のモノマー単位において部分-Sn(R3)2R1(CH2)nR2で官能基化されている、請求項1〜7のいずれか一項に記載のキット。
【請求項９】
R2が、式2：
2010265283.tif 000002
（式中、mは1〜8であり；
Rは、各存在ごとに独立に、水素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリルオキシ、アミノ、ニトロ、スルフヒドリル、アルキルチオ、イミン、ホスホリル、ホスホネート、ホスフィン、カルボキサミド、無水物、シリル、チオアルキル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、セレノアルキル、ヘテロアルキル、ニトリル、グアニジン、アミジン、アセタール、ケタール、アミンオキシド、アリール、ヘテロアリール、アジド、アジリジン、エポキシド、ヒドロキサム酸、イミド、オキシム、スルホンアミド、-COR6、 CO2R6、-C(O)N(R6)2、-N(R6)C(O)R6、-OC(O)N(R6)2、-N(R6)CO2R7、-(S)N(R6)2、 N(R6)C(S)R6、-OC(S)N(R6)2、-N(R6)C(S)OR7、-N(R6)C(O)N(R6)2、-N(R6)C(S)N(R6)2、または (CH2)q-R80を表し；
qは1〜10であり；
R80は置換されていてもよいアリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、ヘテロシクリルまたはポリシクリルを表し；
R6は、各存在ごとに独立に、H、アルキル、アルケニル、アリールまたはアラルキルを表し；ならびに
R7は、各存在ごとに独立に、アルキル、アルケニル、アリールまたはアラルキルを表す。）
によって表される基である、請求項1または2記載のキット。
【請求項１０】
前記キットが、酢酸を含有するもしくは含有していないクロラミン-Tのエタノール/水溶液、酢酸を含有するN-クロロスクシンイミドのメタノール溶液、酢酸を含有するtert-ブチルヒドロペルオキシドのクロロホルム溶液、リン酸緩衝液を含有する1,3,4,6-テトラクロロ-3α,6α-ジフェニルグリコールウリル、または酢酸を含有するもしくは含有していないヨードビーズ(iodobead)のメタノール溶液、を更に含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載のキット。
【請求項１１】
前記キットが、18F、11C、76Br、221At、123I、131Iおよび125Iからなる群より選択される放射性同位体を更に含む、請求項1〜10のいずれか一項に記載のキット。
【請求項１２】
前記キットが、フィルター、シリンジ、緩衝液、還元剤、反応バイアル、または該キットの使用のための取扱説明書を更に含む、請求項1〜11のいずれか一項に記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月27日(2011.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号：25のアミノ酸配列からなる単離されたペプチド。
【請求項２】
請求項1のペプチドを含む組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月15日(2010.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の式ＶＩＩ：
【化１２】
2010265276.tif 000001
[上式中、Ｘはハロゲン化物であり；Ｗ１及びＷ３は互いに独立して置換されていてもよいアリールである]
のビス-アリールエーテルスルホニルハライドの作製方法であって、該方法は：(ａ)フルオロ置換されたニトロアリール化合物と、対応するヒドロキシド置換されたアリール化合物のアリール金属酸化塩とを組合せて、ビス-アリールエーテルニトロ-芳香族化合物を作製し；(ｂ)ビス-アリールエーテルニトロ-芳香族化合物のニトロ基を還元して、対応するアニリン誘導体を作製し；及び(ｃ)対応するアニリン誘導体をビス-アリールエーテルスルホニルハライドに転換させることを含む方法。
【請求項２】
(ａ)−(ｃ)を記載した順番に実施する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
アリール金属酸化塩が、有機溶媒においてフルオロ置換されたニトロアリールと組合せられる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
有機溶媒が、少なくとも一のＤＭＦ及びアセトニトリルを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
アリール金属酸化塩が、少なくとも一のセシウム塩及びカリウム塩を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
対応するアニリン誘導体が、該対応するアニリン誘導体のジアゾニウム中間生成物を介してビス-アリールエーテルスルホニルハライドに転換される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
フルオロ置換されたニトロアリール化合物が、３,４,５-トリフルオルニトロベンゼンである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
アリール金属酸化塩はセシウム塩である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
対応するヒドロキシド置換されたアリール化合物が４-クロロフェノールである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ビス-アリールエーテルスルホニルハライドが、４-(４-クロロフェノキシ)-３,５-ジフルオロフェニルスルホニルクロリドである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
次の式ＶＩＩＩ：
【化１３】
2010265276.tif 000002
[ここでＸはハロゲンであり；Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８及びＲ１９は互いに独立して、-Ｈ又は-Ｆであり；Ａｒはそれぞれ置換されていてもよいアリール又はヘテロアリールである]
のスルホニル化合物。
【請求項１２】
Ｒ１６及びＲ１８がそれぞれ-Ｈであり；Ｒ１７及びＲ１９はそれぞれ-Ｆである、請求項１１に記載のスルホニルハライド。
【請求項１３】
Ａｒが、フェニル、ビフェニル、ナフチル、テトラヒドロナフタレン、クロメン-２-オン、ジベンゾフラン、ピリル、フリル、ピリジル、１,２,４-チアジアゾリル、ピリミジル、チエニル、イソチアゾリル、イミダゾリル、テトラゾリル、ピラジニル、ピリミジル、キノリル、イソキノリル、ベンゾチエニル、イソベンゾフリル、ピラゾリル、インドリル、プリニル、カルバゾリル、ベンゾイミダゾリル、及びイソオキサゾリルで、それぞれ置換されていてもよいものからなる群から選択される、請求項１２に記載のスルホニルハライド。
【請求項１４】
Ａｒが少なくとも一のハロゲンで置換されていてもよいフェニルである、請求項１３に記載のスルホニルハライド。
【請求項１５】
次の式ＩＸ：
【化１４】
2010265276.tif 000003
のスルホニルハライド。
【請求項１６】
Ｘが-Ｃｌである、請求項１５に記載のスルホニルハライド。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月29日(2010.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(１)両末端シラノール型シリコーン樹脂、(２)アルケニル基含有ケイ素化合物、(３)エポキシ基含有ケイ素化合物、(４)オルガノハイドロジェンシロキサン、(５)縮合触媒、及び(６)ヒドロシリル化触媒を含有してなる、熱硬化性シリコーン樹脂用組成物であって、前記エポキシ基含有ケイ素化合物が、式(III)：
Ｒ３−Ｓｉ(Ｘ２)３                  (III)
(式中、Ｒ３はエポキシ構造含有置換基、Ｘ２はハロゲン原子、アルコキシ基、フェノキシ基又はアセトキシ基を示し、但し、３個のＸ２は同一でも異なっていてもよい)
で表わされる化合物である、熱硬化性シリコーン樹脂用組成物。
【請求項２】
両末端シラノール型シリコーン樹脂が、式(I)：
【化１】
2010265436.tif 000001
(式中、Ｒ１は１価の炭化水素基を示し、ｎは１以上の整数であり、但し、全てのＲ１は同一でも異なっていてもよい)
で表わされる化合物である、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
アルケニル基含有ケイ素化合物が、式(II)：
Ｒ２−Ｓｉ(Ｘ１)３                  (II)
(式中、Ｒ２は置換又は非置換のアルケニル基、Ｘ１はハロゲン原子、アルコキシ基、フェノキシ基又はアセトキシ基を示し、但し、３個のＸ１は同一でも異なっていてもよい)
で表わされる化合物である、請求項１又は２記載の組成物。
【請求項４】
オルガノハイドロジェンシロキサンが、式(IV)：
【化２】
2010265436.tif 000002
(式中、Ａ、Ｂ及びＣは構成単位であり、Ａが末端単位、Ｂ及びＣが繰り返し単位を示し、Ｒ４は１価の炭化水素基、ａは０又は１以上の整数、ｂは２以上の整数を示し、但し、全てのＲ４は同一でも異なっていてもよい)
で表わされる化合物、及び式(V)：
【化３】
2010265436.tif 000003
(式中、Ｒ５は１価の炭化水素基、ｃは０又は１以上の整数を示し、但し、全てのＲ５は同一でも異なっていてもよい)
で表わされる化合物、からなる群より選ばれる少なくとも１種である、請求項１〜３いずれか記載の組成物。
【請求項５】
縮合触媒が水酸化テトラアルキルアンモニウムである、請求項１〜４いずれか記載の組成物。
【請求項６】
水酸化テトラアルキルアンモニウムの含有量が、両末端シラノール型シリコーン樹脂100モルに対して、0.1〜50モルである、請求項５記載の組成物。
【請求項７】
請求項１〜６いずれか記載の組成物を半硬化させてなる、シリコーン樹脂シート。
【請求項８】
請求項７記載のシリコーン樹脂シートを硬化させてなる、シリコーン樹脂硬化物。
【請求項９】
請求項７記載のシリコーン樹脂シートを用いて光半導体素子を封止してなる、光半導体装置。
【請求項１０】
請求項１〜６いずれか記載の組成物を成形してなる、マイクロレンズアレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月4日(2011.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(１)両末端シラノール型シリコーン樹脂、(２)アルケニル基含有ケイ素化合物、(３)エポキシ基含有ケイ素化合物、(４)オルガノハイドロジェンシロキサン、(５)縮合触媒、及び(６)ヒドロシリル化触媒を含有してなる、熱硬化性シリコーン樹脂用組成物であって、さらに、(７)蛍光体無機粉末を含有してなる、熱硬化性シリコーン樹脂用組成物。
【請求項２】
両末端シラノール型シリコーン樹脂が、式(I)：
【化１】
2010265437.tif 000001
(式中、Ｒ１は１価の炭化水素基を示し、ｎは１以上の整数であり、但し、全てのＲ１は同一でも異なっていてもよい)
で表わされる化合物である、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
アルケニル基含有ケイ素化合物が、式(II)：
Ｒ２−Ｓｉ(Ｘ１)３                  (II)
(式中、Ｒ２は置換又は非置換のアルケニル基、Ｘ１はハロゲン原子、アルコキシ基、フェノキシ基又はアセトキシ基を示し、但し、３個のＸ１は同一でも異なっていてもよい)
で表わされる化合物である、請求項１又は２記載の組成物。
【請求項４】
エポキシ基含有ケイ素化合物が、式(III)：
Ｒ３−Ｓｉ(Ｘ２)３                  (III)
(式中、Ｒ３はエポキシ構造含有置換基、Ｘ２はハロゲン原子、アルコキシ基、フェノキシ基又はアセトキシ基を示し、但し、３個のＸ２は同一でも異なっていてもよい)
で表わされる化合物である、請求項１〜３いずれか記載の組成物。
【請求項５】
オルガノハイドロジェンシロキサンが、式(IV)：
【化２】
2010265437.tif 000002
(式中、Ａ、Ｂ及びＣは構成単位であり、Ａが末端単位、Ｂ及びＣが繰り返し単位を示し、Ｒ４は１価の炭化水素基、ａは０又は１以上の整数、ｂは２以上の整数を示し、但し、全てのＲ４は同一でも異なっていてもよい)
で表わされる化合物、及び式(V)：
【化３】
2010265437.tif 000003
(式中、Ｒ５は１価の炭化水素基、ｃは０又は１以上の整数を示し、但し、全てのＲ５は同一でも異なっていてもよい)
で表わされる化合物、からなる群より選ばれる少なくとも１種である、請求項１〜４いずれか記載の組成物。
【請求項６】
さらに、微粒子を含有してなる、請求項１〜５いずれか記載の組成物。
【請求項７】
微粒子がシリカである、請求項６記載の組成物。
【請求項８】
請求項１〜７いずれか記載の組成物を半硬化させてなる、シリコーン樹脂シート。
【請求項９】
請求項８記載のシリコーン樹脂シートを硬化させてなる、シリコーン樹脂硬化物。
【請求項１０】
請求項８記載のシリコーン樹脂シートを用いて光半導体素子を封止してなる、光半導体装置。
【請求項１１】
請求項１〜７いずれか記載の組成物を成形してなる、マイクロレンズアレイ。
【請求項１２】
請求項１〜７いずれか記載の組成物を完全硬化させてなるシリコーン樹脂硬化物層に、(１)両末端シラノール型シリコーン樹脂、(２)アルケニル基含有ケイ素化合物、(３)エポキシ基含有ケイ素化合物、(４)オルガノハイドロジェンシロキサン、(５)縮合触媒、及び(６)ヒドロシリル化触媒を含有してなる、熱硬化性シリコーン樹脂用組成物を半硬化させてなるシリコーン樹脂半硬化物層が積層されてなるシリコーン樹脂シート。
【請求項１３】
シリコーン樹脂半硬化物層を形成する熱硬化性シリコーン樹脂用組成物がさらに、微粒子を含有してなる、請求項１２記載のシリコーン樹脂シート。
【請求項１４】
微粒子がシリカである、請求項１３記載のシリコーン樹脂シート。
【請求項１５】
半硬化させた組成物からなる層が光半導体素子を封止するように、請求項１２〜１４いずれか記載のシリコーン樹脂シートを用いて封止してなる、光半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月6日(2011.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上側の嵌合部４１と下側の嵌合部４２との間には、衝撃荷重による鉄蓋５０の沈み込みを防止するための沈み込み防止部４３が設けられている。沈み込み防止部４３は、例えば道路段差等の影響で鉄蓋５０に車輛荷重などの衝撃荷重が加わったときに、鉄蓋５０の沈み込みを防止するための領域である。具体的には、図６に示すように、沈み込み防止部４３は、受け枠部３０の上側の嵌合部４１の勾配面を若干寸法Ｓ３だけ（例えば０．５ｍｍ程度）延長させた内周面部（内面壁部）６１と、受け枠部３０の内周面３１に形成され上側の嵌合部４１の勾配面より大きい勾配角度（鉛直方向に対する勾配角度）θ３を有する勾配面からなる中間内周面部６２と、鉄蓋５０の外周面５１の上側の嵌合部４１の下側に上側の嵌合部４１の勾配面の勾配角度θ１より大きくかつ中間内周面部６２の勾配角度θ３よりもさらに大きい勾配角度（鉛直方向に対する勾配角度）θ４で形成された勾配面からなる中間外周面部６３と、で構成されている。受け枠部３０の中間内周面部６２と鉄蓋５０の中間外周面部６３との間には所定広さの空間が形成されている。また、勾配面（中間外周面部）６３は途中から略鉛直方向の外周面部６４に接続しており、この鉄蓋５０側の外周面部６４および受け枠部３０側の中間内周面部６２は、下側の嵌合部４２の上端に接続されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記複数の嵌合部の鉛直方向に対する勾配角度は上側の嵌合部の方が下側の嵌合部よりも小さいことを特徴とする特徴とする請求項１に記載の鉄蓋受け枠構造。