【手続補正書】
【提出日】平成23年3月15日(2011.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
金属箔に第１のキャリアテープを接着する工程と、
前記金属箔に第１の絶縁層を積層し、該第１の絶縁層に開口部を形成する工程と、
前記第１の絶縁層の表面に第２のキャリアテープを積層する工程と、
前記第１のキャリアテープを除去する工程と、
前記金属箔をエッチングし、第１の配線パターン層を形成する工程と、
前記第１の配線パターン層を覆う配置に第２の絶縁層を積層する工程と、
第２の配線パターン層が予め形成された第３のキャリアテープを前記第２の配線パターン層形成面を前記第２の絶縁層に積層し、前記第２の配線パターン層を前記第２の絶縁層内に埋没させる工程と、
前記第３のキャリアテープを除去する工程と、
前記第２の絶縁層にヴィア穴を形成する工程と、
前記ヴィア穴の一部に導電体を充填する工程と、
前記第２の配線パターン層の露出面を含む前記第２の絶縁層の表面にアンダーフィル樹脂を形成する工程と、
前記導電体が充填されていないヴィア穴に電極が形成された半導体素子をフェースダウンで搭載し、前記ヴィア穴位置で露出した第１の配線パターン層に電気的に接続する工程と、
前記半導体素子を樹脂成形し、封止樹脂部を形成する工程と、
前記第２のキャリアテープを除去する工程と、
前記第２のキャリアテープを除去したことで前記開口部から露出した前記第１の配線パターン層に外部接続端子を取り付ける工程と、を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
金属箔に第１のキャリアテープを接着する工程と、
前記金属箔に第１の絶縁層を積層し、該第１の絶縁層に開口部を形成する工程と、
前記第１の絶縁層の表面に第２のキャリアテープを積層する工程と、
前記第１のキャリアテープを除去する工程と、
前記金属箔をエッチングし、第１の配線パターン層を形成する工程と、
前記第１の配線パターン層を覆う配置に第２の絶縁層を積層する工程と、
第２の配線パターン層が予め形成された第３のキャリアテープを前記第２の配線パターン層形成面を前記第２の絶縁層に積層し、前記第２の配線パターン層を前記第２の絶縁層内に埋没させる工程と、
前記第３のキャリアテープを除去する工程と、
前記第２の絶縁層にヴィア穴とスルーホールを形成する工程と、
前記ヴィア穴に導電体を充填する工程と、
前記第２の配線パターン層の露出面を含む前記第２の絶縁層の表面にアンダーフィル樹脂を形成する工程と、
前記スルーホールに電極が形成された半導体素子をフェースダウンで搭載し、前記スルーホールにより連通した前記開口部に前記電極を挿入する工程と、
前記半導体素子を樹脂成形し、封止樹脂部を形成する工程と、
前記第２のキャリアテープを除去する工程と、
前記第２のキャリアテープを除去したことで前記開口部から露出した前記第１の配線パターン層と前記電極のうち少なくとも前記第１の配線パターン層に外部接続端子を取り付ける工程と、を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、他の発明として半導体装置の製造方法の発明がある。
すなわち、金属箔に第１のキャリアテープを接着する工程と、前記金属箔に第１の絶縁層を積層し、該第１の絶縁層に開口部を形成する工程と、前記第１の絶縁層の表面に第２のキャリアテープを積層する工程と、前記第１のキャリアテープを除去する工程と、前記金属箔をエッチングし、第１の配線パターン層を形成する工程と、前記配線パターンを覆う配置に第２の絶縁層を積層する工程と、第２の配線パターン層が予め形成された第３のキャリアテープを前記第２の配線パターン層形成面を前記第２の絶縁層に積層し、前記第２の配線パターン層を前記第２の絶縁層内に埋没させる工程と、前記第３のキャリアテープを除去する工程と、前記第２の絶縁層にヴィア穴を形成する工程と、前記ヴィア穴の一部に導電体を充填する工程と、前記第２の配線パターン層の露出面を含む前記第２の絶縁層の表面にアンダーフィル樹脂を形成する工程と、前記導電体が充填されていないヴィア穴に電極が形成された半導体素子をフェースダウンで搭載し、前記ヴィア穴位置で露出した第１の配線パターン層に電気的に接続する工程と、前記半導体素子を樹脂成形し、封止樹脂部を形成する工程と、前記第２のキャリアテープを除去する工程と、前記第２のキャリアテープを除去したことで前記開口部から露出した前記第１の配線パターン層に外部接続端子を取り付ける工程と、を有していることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに他の製造方法として、金属箔に第１のキャリアテープを接着する工程と、前記金属箔に第１の絶縁層を積層し、該第１の絶縁層に開口部を形成する工程と、前記第１の絶縁層の表面に第２のキャリアテープを積層する工程と、前記第１のキャリアテープを除去する工程と、前記金属箔をエッチングし、第１の配線パターン層を形成する工程と、前記配線パターンを覆う配置に第２の絶縁層を積層する工程と、第２の配線パターン層が予め形成された第３のキャリアテープを前記第２の配線パターン層形成面を前記第２の絶縁層に積層し、前記第２の配線パターン層を前記第２の絶縁層内に埋没させる工程と、前記第３のキャリアテープを除去する工程と、前記第２の絶縁層にヴィア穴とスルーホールを形成する工程と、前記ヴィア穴に導電体を充填する工程と、前記第２の配線パターン層の露出面を含む前記第２の絶縁層の表面にアンダーフィル樹脂を形成する工程と、前記スルーホールに電極が形成された半導体素子をフェースダウンで搭載し、前記スルーホールにより連通した前記開口部に前記電極を挿入する工程と、前記半導体素子を樹脂成形し、封止樹脂部を形成する工程と、前記第２のキャリアテープを除去する工程と、前記第２のキャリアテープを除去したことで前記開口部から露出した前記第１の配線パターン層と前記電極のうち少なくとも前記第１の配線パターン層に外部接続端子を取り付ける工程と、を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法の発明がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
(第２実施形態)
第１実施形態においては、半導体素子６０の電極６２は第１の配線パターン層１４の上側面に電気的に接続されているが、この形態に限定されるものではない。例えば、図６に示すように、ソルダーレジスト３０に形成した開口部３２から電極６２が露出する半導体装置１００の形態を採用することもできる。
この構成を採用した場合、ヴィア穴４４を形成する際に、絶縁樹脂４２の表面からソルダーレジスト３０の下側表面に貫通するスルーホール４５を形成し、導電体４６を充填する際には、スルーホール４５を被覆する開口パターンに形成されたマスクプレートを用いてスキージ等を用いた印刷法を適用する。導電体４６の充填を終えた後、マスクプレートを除去し、アンダーフィル樹脂５０を供給した後、半導体素子６０に形成された電極６２をスルーホール４５に差し込むことで図６に示す半導体装置１００を得ることができる。スルーホール４５には電極６２と共にアンダーフィル樹脂５０も入り込み、ソルダーレジスト３０側の開口部３２から電極６２とアンダーフィル樹脂５０が露出することになる。開口部３２からはみ出した余分なアンダーフィル樹脂５０は適宜取り除けばよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
以上に本願発明にかかる半導体装置１００および半導体装置１００の製造方法について実施形態に基づいて詳細に説明したが、本願発明は以上に示した実施形態に限定されるものではないのはもちろんである。例えば、第３実施形態においては、第１実施形態における第１および第２の配線パターン層１４，１６の形成方法をサブトラクティブ法に代えてセミアディティブ法により形成した実施形態について説明しているが、第２および第４の実施形態における配線パターン１４，１６，１７の形成方法についても、サブトラクティブ法に代えてセミアディティブ法により形成しても良いのはもちろんである。
また、第２実施形態は、第１実施形態の変形例を示したものであるが、第３実施形態および第４実施形態に第２実施形態の構成を適用することも可能である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
また、具体的な説明はしていないが、上記のすべての実施形態を適宜組み合わせた形態であっても、本願発明の技術的範囲に属することはいうまでもない。