【手続補正書】
【提出日】平成23年1月14日(2011.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機エレクトロルミネセンス発光層を一対の電極で挟んで形成される有機エレクトロルミネセンス素子と、
第１の半導体層を有し、前記有機エレクトロルミネセンス素子をアクティブ駆動するスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の上方に形成された遮光膜と、
前記スイッチング素子と前記遮光膜との間に、前記有機エレクトロルミネセンス素子の前記一対の電極の一方の一部を開口する開口部を有する光透過性の絶縁膜と、を有し、
前記有機エレクトロルミネセンス素子の前記一対の電極の他方は、光反射性であるとともに前記遮光膜上を覆う、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項２】
前記遮光膜は第２の半導体層を有し、前記第２の半導体層は、前記スイッチング素子の前記第１の半導体層と同じ材料を含む、
ことを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３】
前記スイッチング素子は、ソース、ドレイン電極を有し、前記スイッチング素子の前記第１の半導体層のチャネル形成領域の上方が前記ソース、ドレイン電極間において露出された構造であり、前記遮光膜は、前記スイッチング素子の前記第１の半導体層の前記チャネル領域の上部に位置する、
ことを特徴とする請求項１又は２記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４】
前記遮光膜の膜厚は、前記スイッチング素子の前記第１の半導体層の膜厚以上の厚さである、
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項５】
前記絶縁膜と前記一対の電極の他方との間に光透過性の第２絶縁膜が介在している、
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項６】
有機エレクトロルミネセンス発光層を一対の電極で挟んで形成される有機エレクトロルミネセンス素子を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法において、
基板の上に、第１の半導体層を有し、前記有機エレクトロルミネセンス素子をアクティブ駆動するスイッチング素子を形成するスイッチング素子形成工程と、
前記スイッチング素子の上に光透過性の絶縁膜を形成する、絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜の上に遮光膜を形成する、遮光膜形成工程と、
前記一対の電極の一方の一部を開口する前記絶縁膜の開口部内に前記有機エレクトロルミネセンス発光層を形成する有機エレクトロルミネセンス発光層形成工程と、
前記遮光膜の上方及び前記有機エレクトロルミネセンス発光層上に光反射性の前記一対の電極の他方を形成する一対の電極の他方形成工程と、を有する、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記遮光膜は第２の半導体層を有し、前記第２の半導体層は、前記スイッチング素子の前記第１の半導体層と同じ材料を含む、
ことを特徴とする請求項６記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記スイッチング素子の前記第１の半導体層及び前記遮光膜の前記第２の半導体層は、プラズマ化学気相成長法により形成され、
前記スイッチング素子の前記第１の半導体層の形成における高周波電力の電力密度より、前記遮光膜の前記第２の半導体層の形成における高周波電力の電力密度のほうが大きい、
ことを特徴とする請求項７記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁膜と前記遮光膜とは、同一のチャンバ内において真空中で連続して成膜されることにより形成される、
ことを特徴とする請求項６乃至８の何れかに記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁膜と前記一対の電極の他方との間に光透過性の第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程を有する、
ことを特徴とする請求項６乃至９の何れかに記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するため、この発明の第１の観点に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、
有機エレクトロルミネセンス発光層を一対の電極で挟んで形成される有機エレクトロルミネセンス素子と、
第１の半導体層を有し、前記有機エレクトロルミネセンス素子をアクティブ駆動するスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の上方に形成された遮光膜と、
前記スイッチング素子と前記遮光膜との間に、前記有機エレクトロルミネセンス素子の前記一対の電極の一方の一部を開口する開口部を有する光透過性の絶縁膜と、を有し、
前記有機エレクトロルミネセンス素子の前記一対の電極の他方は、光反射性であるとともに前記遮光膜上を覆うことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記遮光膜は第２の半導体層を有し、前記第２の半導体層は、前記スイッチング素子の前記第１の半導体層と同じ材料を含む、ことが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記スイッチング素子と前記遮光膜との間に、前記有機エレクトロルミネセンス素子の前記一対の電極の一方の一部を開口する開口部を有する光透過性の絶縁膜が介在している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記絶縁膜と前記一対の電極の他方との間に光透過性の第２絶縁膜が介在していてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するため、この発明の第２の観点に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、
有機エレクトロルミネセンス発光層を一対の電極で挟んで形成される有機エレクトロルミネセンス素子を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法において、
基板の上に、第１の半導体層を有し、前記有機エレクトロルミネセンス素子をアクティブ駆動するスイッチング素子を形成するスイッチング素子形成工程と、
前記スイッチング素子の上に光透過性の絶縁膜を形成する、絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜の上に遮光膜を形成する、遮光膜形成工程と、
前記一対の電極の一方の一部を開口する前記絶縁膜の開口部内に前記有機エレクトロルミネセンス発光層を形成する有機エレクトロルミネセンス発光層形成工程と、
前記遮光膜の上方及び前記有機エレクトロルミネセンス発光層上に光反射性の前記一対の電極の他方を形成する一対の電極の他方形成工程と、を有する、ことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記遮光膜は第２の半導体層を有し、前記第２の半導体層は、前記スイッチング素子の前記第１の半導体層と同じ材料を含む、ことが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
前記スイッチング素子の前記第１の半導体層及び前記遮光膜の前記第２の半導体層は、プラズマ化学気相成長法により形成され、
前記スイッチング素子の前記第１の半導体層の形成における高周波電力の電力密度より、前記遮光膜の前記第２の半導体層の形成における高周波電力の電力密度のほうが大きい、ことが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
前記絶縁膜と前記遮光膜とは、同一のチャンバ内において真空中で連続して成膜されることにより形成されてもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記絶縁膜と前記一対の電極の他方との間に光透過性の第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程を有してもよい。