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【手続補正書】
【提出日】平成23年6月7日(2011.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系を介してレチクルのパターンを基板に投影して前記基板を走査露光する露光装置であって、
前記基板を保持する基板ステージを、前記投影光学系の光軸方向と直交する第１方向に走査移動させ、前記光軸方向及び前記第１方向に直交する第２方向にステップ移動させる駆動機構と、
前記駆動機構が前記基板ステージを前記第１方向に走査移動させるときに、前記光軸方向における前記基板ステージの位置を計測する第１計測器と、
前記基板の上で前記第２方向に延びる一つの直線上に位置する複数の計測点で前記光軸方向における前記基板の表面位置を計測する第２計測器と、
制御器と、
を備え、
前記制御器は、前記基板ステージが前記第２方向にステップ移動する前と後との双方において、前記基板の少なくとも１つの前記ステップ移動の前後で同一の領域を前記第２計測器に前記複数の計測点の中の前記ステップ移動の前後で互いに異なる計測点で計測させ、当該第２計測器による計測結果に基づいて前記基板ステージの前記第２方向に沿った移動に伴う前記第１計測器の計測誤差を算出する、
ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記制御器は、前記第１計測器の計測誤差を算出するモードにおいて、前記第２計測器が前記基板の少なくとも１つの前記ステップ移動の前後で同一の領域を前記ステップ移動の前後で互いに異なる計測点で計測できるように、前記基板ステージが前記第２方向にステップ移動する幅を決定することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記制御器は、前記算出した第１計測器の計測誤差を用いて前記第１計測器の計測結果を補正することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記第１計測器は、バーミラー及び干渉計を含み、
前記制御器は、前記算出した第１計測器の計測誤差に基づいて前記バーミラーの形状を計測する時期を決定することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記第２計測器は、前記基板の少なくとも１つの同一の領域における互いに異なる計測点での前記計測を、前記露光装置の電源を投入したとき、前記基板ステージの原点位置を決定するとき、又は、露光処理を行うロットの最初の基板が前記基板ステージに搭載されたときに行うことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記第２計測器は、前記基板の少なくとも１つの同一の領域における互いに異なる計測点での前記計測を、予め定められた枚数の基板が処理される毎に、又は、予め定められた時間が経過する毎に行うことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記第２計測器は、前記基板の少なくとも１つの同一の領域における互いに異なる計測点での前記計測を、下地のパターンを有さない基板に対して行うことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記露光装置は、前記投影光学系を介して基板を走査露光する露光領域と、基板を計測する計測領域と、前記露光領域及び前記計測領域を移動可能な複数の基板ステージとを有し、前記計測領域で計測された基板をその計測結果に従って位置決めしながら前記露光領域で走査露光する露光装置であって、
前記第１計測器と前記第２計測器とは前記計測領域に配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記露光装置は、基板を前記第１計測器の計測結果に基づいて位置決めしながら走査露光することを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を走査露光する工程と、
前記工程で走査露光された基板を現像する工程と、
を含むデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明は、投影光学系を介してレチクルのパターンを基板に投影して前記基板を走査露光する露光装置であって、
前記基板を保持する基板ステージを、前記投影光学系の光軸方向と直交する第１方向に走査移動させ、前記光軸方向及び前記第１方向に直交する第２方向にステップ移動させる駆動機構と、
前記駆動機構が前記基板ステージを前記第１方向に走査移動させるときに、前記光軸方向における前記基板ステージの位置を計測する第１計測器と、
前記基板の上で前記第２方向に延びる一つの直線上に位置する複数の計測点で前記光軸方向における前記基板の表面位置を計測する第２計測器と、
制御器と、
を備え、
前記制御器は、前記基板ステージが前記第２方向にステップ移動する前と後との双方において、前記基板の少なくとも１つの前記ステップ移動の前後で同一の領域を前記第２計測器に前記複数の計測点の中の前記ステップ移動の前後で互いに異なる計測点で計測させ、当該第２計測器による計測結果に基づいて前記基板ステージの前記第２方向に沿った移動に伴う前記第１計測器の計測誤差を算出する、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月2日(2011.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記犠牲膜が、除去可能な膜と、流体通過可能な膜とを含む多層膜であり、
前記犠牲膜を前記層間絶縁膜上から取り除く工程が、前記除去可能な膜を、前記流体通過可能な膜を介して取り除く工程であることを特徴とする請求項７乃至請求項９いずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記犠牲膜が、除去可能な膜と、流体通過可能な膜とを含む多層膜であり、
前記犠牲膜を前記層間絶縁膜上から取り除く工程が、前記除去可能な膜を、前記流体通過可能な膜を介して取り除く工程であり、
前記犠牲膜が除去された前記層間絶縁膜及び／又は前記配線を、疎水改質処理する工程が、前記流体通過可能な膜を介して前記犠牲膜が除去された前記層間絶縁膜及び／又は前記配線を、疎水改質処理する工程であることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月15日(2011.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被着体を支持するテーブルと、当該テーブルを収容するとともに内部に減圧室を形成する開閉可能なケースと、前記被着体に臨む位置に接着シートを供給する供給手段とを含み、前記ケースを閉塞して減圧室の圧力を所定制御して接着シートを被着体に押圧して貼付するシート貼付装置において、
前記テーブルに相対する位置でケース内に配置された挟込手段を更に含み、当該挟込手段は、前記ケースを閉塞して単一の減圧室が形成された状態で、前記テーブルと相互に作用して被着体の外周部のみに接して当該被着体の外周部を接着シートと共に挟み込むことを特徴とするシート貼付装置。
【請求項２】
前記挟込手段は、前記接着シートと被着体との間に、前記減圧室から独立した貼付前空間を形成することを特徴とする請求項１記載のシート貼付装置。
【請求項３】
前記テーブルは前記被着体の外周部を下方から支持する支持凸部を備える一方、前記挟込手段は前記支持凸部に対応するとともに接着シートの上方から当該接着シートを挟み込む挟込凸部を備えていることを特徴とする請求項１又は２記載のシート貼付装置。
【請求項４】
被着体を支持するテーブルと、当該テーブルを収容するとともに内部に減圧室を形成する開閉可能なケースと、前記被着体に臨む位置に接着シートを供給する供給手段とを含むシート貼付装置を用いたシート貼付方法において、
前記テーブルに板状部材を支持する工程と、前記板状部材に相対する位置に接着シートを供給する工程と、前記ケースを閉塞して減圧室を形成する工程と、前記減圧室を減圧する工程と、前記テーブルと相互に作用して板状部材の外周部のみに接して当該被着体の外周部を接着シートと共に挟み込む工程と、前記減圧室の減圧を解除して接着シートを板状部材に押圧して貼付する工程とを含むことを特徴とするシート貼付方法。
【請求項５】
前記被着体の外周部を下方から支持する支持凸部と、この支持凸部に対応するとともに接着シートの上方から当該接着シートを挟み込む挟込凸部とにより板状部材の外周部を接着シートと共に挟み込むことを特徴とする請求項４記載のシート貼付方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
前記目的を達成するため、本発明は、被着体を支持するテーブルと、当該テーブルを収容するとともに内部に減圧室を形成する開閉可能なケースと、前記被着体に臨む位置に接着シートを供給する供給手段とを含み、前記ケースを閉塞して減圧室の圧力を所定制御して接着シートを被着体に押圧して貼付するシート貼付装置において、
前記テーブルに相対する位置でケース内に配置された挟込手段を更に含み、当該挟込手段は、前記ケースを閉塞して単一の減圧室が形成された状態で、前記テーブルと相互に作用して被着体の外周部のみに接して当該被着体の外周部を接着シートと共に挟み込む、という構成を採っている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明は、被着体を支持するテーブルと、当該テーブルを収容するとともに内部に減圧室を形成する開閉可能なケースと、前記被着体に臨む位置に接着シートを供給する供給手段とを含むシート貼付装置を用いたシート貼付方法において、
前記テーブルに板状部材を支持する工程と、前記板状部材に相対する位置に接着シートを供給する工程と、前記ケースを閉塞して減圧室を形成する工程と、前記減圧室を減圧する工程と、前記テーブルと相互に作用して板状部材の外周部のみに接して当該被着体の外周部を接着シートと共に挟み込む工程と、前記減圧室の減圧を解除して接着シートを板状部材に押圧して貼付する工程とを含む手法を採っている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月18日(2011.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント配線基板に実装可能なシールド板構造であって、前記プリント基板に実装されたシールドベースと、前記シールドベースを覆うように取付けられ、前記シールドベース内の電気部品をシールドするシールドカバーとを備え、前記シールドカバーは、取り外す時に、前記シールドベースを支点に前記シールドカバーを外側に押し広げるように治具を挿入可能な切欠き部を設けたことを特徴とするシールド板取付け構造。
【請求項２】
前記シールドカバーの切欠き部を、前記シールドベースの半田付けする足部の対向する位置に設けたことを特徴とする請求項１記載のシールド板取付け構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記目的を達成するために、本発明の請求項１に記載の発明は、プリント配線基板に実
装可能なシールド板構造であって、前記プリント基板に実装されたシールドベースと、前記シールドベースを覆うように取付けられ、前記シールドベース内の電気部品をシールドするシールドカバーとを備え、前記シールドカバーは、取り外す時に、前記シールドベースを支点に前記シールドカバーを外側に押し広げるように治具を挿入可能な切欠き部を設
けたことを特徴とするシールド板取付け構造を提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月30日(2011.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極および負極と共に電解質を備え、
前記負極は、負極集電体と、その負極集電体に設けられると共にケイ素（Ｓｉ）の単体および化合物からなる群のうちの少なくとも１種を含む負極活物質層とを含み、
前記負極集電体が、粒子状の強磁性体を含む複数の突起部が前記負極活物質層の側の表面に設けられた導電性の基材を有し、
前記強磁性体の磁化が、前記基材の表面と交差する方向に配向している
ようにした二次電池。
【請求項２】
前記強磁性体は、鉄（Ｆｅ），ニッケル（Ｎｉ），コバルト（Ｃｏ）またはチタン（Ｔｉ）の単体および化合物からなる群のうちの少なくとも１種を含む
請求項１記載の二次電池。
【請求項３】
前記強磁性体は、０．０５μｍ以上５．０μｍ以下の直径を有する
請求項１または請求項２記載の二次電池。
【請求項４】
前記強磁性体の少なくとも一部と前記基材の表面の少なくとも一部とを連続して覆う金属被膜をさらに有する
請求項１記載の二次電池。
【請求項５】
前記金属被膜は、銅（Ｃｕ），鉄（Ｆｅ），ニッケル（Ｎｉ），コバルト（Ｃｏ）またはリチウムと合金化しない金属元素の単体および化合物からなる群のうちの少なくとも１種を含む
請求項４記載の二次電池。
【請求項６】
前記基材が、銅または銅合金からなり、８μｍ以上２５μｍ以下の厚みを有する
請求項１記載の二次電池。
【請求項７】
前記負極活物質層が、気相法により形成されたものである
請求項１記載の二次電池。
【請求項８】
前記電解質が、溶媒として４−フルオロ−１，３−ジオキソラン−２−オンおよび４，５−ジフルオロ−１，３−ジオキソラン−２−オンのうちの少なくとも１種を含んでいる
請求項１記載の二次電池。
【請求項９】
前記電解質は、六フッ化リン酸リチウム（ＬｉＰＦ6 ）および四フッ化ホウ酸リチウム（ＬｉＢＦ4 ）のうちの少なくとも１種を含有する電解質塩を含んでいる
請求項１記載の二次電池。
【請求項１０】
前記電解質は、スルホ安息香酸無水物およびスルホプロピオン酸無水物のうちの少なくとも１種を含んでいる
請求項１記載の二次電池。
【請求項１１】
粒子状の強磁性体を含む複数の突起部が表面に設けられた導電性の基材を有し、
前記強磁性体の磁化が、前記基材の表面と交差する方向に配向している
負極集電体。
【請求項１２】
導電性の基材を用意する工程と、
前記基材の表面と交差する方向の磁場を印加しつつ、粒子状の強磁性体を前記基材の表面に散布したのち、前記強磁性体を前記基材の表面に固定することで複数の突起部を形成する工程と
を含む負極集電体の形成方法。
【請求項１３】
負極集電体と、その負極集電体に設けられると共にケイ素（Ｓｉ）の単体および化合物からなる群のうちの少なくとも１種を含む負極活物質層とを含み、
前記負極集電体が、粒子状の強磁性体を含む複数の突起部が前記負極活物質層の側の表面に設けられた導電性の基材を有し、
前記強磁性体の磁化が、前記基材の表面と交差する方向に配向している
ようにした負極。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月19日(2011.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性支持体の表面に、
多数のカーボンナノ線状構造体がその一部で接し合い、二次元に集積した導電材が設  けられており、
前記導電材が前記カーボンナノ線状構造体のみで構成された光透過性導電材であり、
前記光透過性支持体表面とこの表面に接しているカーボンナノ線状構造体との間、及  び、接し合っているカーボンナノ線状構造体同士の間には、直接に結合が形成されてい  る
、光透過性導電体。
【請求項２】
前記カーボンナノ線状構造体がその一部で上下に重なっている、請求項１に記載した光透過性導電体。
【請求項３】
前記カーボンナノ線状構造体がカーボンナノチューブであり、前記光透過性支持体がガラス板又は高分子樹脂板である、請求項１に記載した光透過性導電体。
【請求項４】
前記光透過性支持体表面又は前記カーボンナノ線状構造体に、前記カーボンナノ線状構造体又は前記光透過性支持体表面との親和性を高めるための処理が施されている、請求項１に記載した光透過性導電体。
【請求項５】
前記光透過性支持体が、オゾン処理、オゾンガス存在下での紫外線処理、酸素ガス存在下でのコロナ処理、酸素ガス存在下でのプラズマ処理、及びシランカップリング剤による処理の少なくとも１つによって表面が親水化されているか、又は表面に親水層が積層されている高分子樹脂板である、請求項４に記載した光透過性導電体。
【請求項６】
前記導電材は、面抵抗が１０〜３０００００Ω／□であり、且つ、可視光の透過率が７０％以上である、請求項１に記載した光透過性導電体。
【請求項７】
前記光透過性支持体表面とこの表面に接しているカーボンナノ線状構造体との接合部を被覆する高分子樹脂層が設けられている、請求項１に記載した光透過性導電体。
【請求項８】
前記導電材が透明電極を形成している、請求項１に記載した光透過性導電体。
【請求項９】
光透過性支持体の表面に、
多数のカーボンナノ線状構造体がその一部で接し合い、二次元に集積した導電材が設  けられており、
前記導電材が前記カーボンナノ線状構造体のみで構成された光透過性導電材であり、
前記光透過性支持体表面とこの表面に接しているカーボンナノ線状構造体との間、及  び、接し合っているカーボンナノ線状構造体同士の間には、直接に結合が形成されてい  る
光透過性導電体の製造方法であって、
カーボンナノ線状構造体が分散用溶媒中に分散している分散液に前記光透過性支持体  を所定の時間浸漬し、前記光透過性支持体表面にカーボンナノ線状構造体を吸着させる  工程と、
前記分散液から取り出した前記光透過性支持体表面を洗浄用溶媒によって洗浄し、吸  着されていないカーボンナノ線状構造体を除去する工程と、
前記分散用溶媒及び前記洗浄用溶媒を蒸発させ、吸着されたカーボンナノ線状構造体  を固着させる工程と
からなる一連の工程を所定の回数行う、光透過性導電体の製造方法。
【請求項１０】
前記カーボンナノ線状構造体としてカーボンナノチューブを用い、前記分散用溶媒としてハロゲン化炭化水素を用い、前記光透過性支持体としてガラス板又は高分子樹脂板を用いる、請求項９に記載した光透過性導電体の製造方法。
【請求項１１】
前記光透過性支持体表面又は前記カーボンナノ線状構造体に、前記カーボンナノ線状構造体又は前記光透過性支持体表面との親和性を高めるための処理を施す、請求項９に記載した光透過性導電体の製造方法。
【請求項１２】
前記光透過性支持体として高分子樹脂板を用い、その表面をオゾン処理、オゾンガス存在下での紫外線処理、酸素ガス存在下でのコロナ処理、酸素ガス存在下でのプラズマ処理、及びシランカップリング剤による処理の少なくとも１つによって親水化するか、又は表面に親水層を積層する、請求項１１に記載した光透過性導電体の製造方法。
【請求項１３】
前記カーボンナノ線状構造体を、過酸化水素水、硝酸、及び濃硫酸のうちの少なくとも１種との加熱処理によって親水化する、請求項９に記載した光透過性導電体の製造方法。
【請求項１４】
前記光透過性支持体表面とこの表面に接しているカーボンナノ線状構造体との接合部を被覆する高分子樹脂層を設ける工程を有する、請求項９に記載した光透過性導電体の製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜８のいずれか１項に記載した光透過性導電体からなる、帯電除去シート。
【請求項１６】
請求項１〜８のいずれか１項に記載した光透過性導電体が設けられている、電子デバイス。
【請求項１７】
前記導電材が透明電極を形成している、請求項１６に記載した電子デバイス。
【請求項１８】
前記導電材をセンサ部とする物質センサとして構成されている、請求項１６に記載した電子デバイス。
【請求項１９】
前記導電材が薄膜トランジスタを構成している、請求項１６に記載した電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月16日(2011.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性体により構成され、開口部を有するセードと、
平板状であり、外周が上記開口部の内周より広い平板部と、上記平板部を吊り下げる吊り下げ部とを有する器具本体と
を備えることを特徴とする照明器具。
【請求項２】
上記セードは、上記開口部に上記吊り下げ部が通り、上記平板部の上に乗せ掛けた状態で使用することを特徴とする請求項１に記載の照明器具。
【請求項３】
上記セードは、上記開口部が略円形であり、
上記平板部は、外周の一部に切り欠き部分がある略円板状であり、上記外周の半径が上記開口部の半径よりも大きく、中心から上記切り欠き部分までの距離が上記開口部の半径よりも小さいことを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の照明器具。
【請求項４】
上記セードは、外力を加えることにより弾性変形し、上記開口部に上記平板部を通すことが可能となることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の照明器具。
【請求項５】
上記器具本体は、
上記平板部の上に位置し、上記平板部の上に乗せ掛けたセードと上記平板部との間に隙間を生じさせるスペーサーを有することを特徴とする請求項２に記載の照明器具。
【請求項６】
上記セードは、上記開口部の周囲に位置し、上記平板部の上に乗せ掛けた際、上記平板部との間に隙間を生じさせる突起部を有することを特徴とする請求項２または請求項５に記載の照明器具。
【請求項７】
上記セードは、上端に上底面を有し中間に中底面を有する略筒状であり、上記上底面及び上記中底面それぞれに略同じ広さの上記開口部を有することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の照明器具。
【請求項８】
上記セードは、折り返し可能な薄肉部を有することを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の照明器具。
【請求項９】
上記セードは、上記器具本体に接続するランプを覆う覆い部を有し、一体に成形されていることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の照明器具。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月11日(2011.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送通路を形成するケースと、搬送通路に沿って紙葉を搬送する搬送装置と、搬送通路に沿って移動される紙葉の物理的特徴を検出して検出信号を発生する光学式のセンサ装置と、センサ装置からの検出信号を受信して搬送装置の駆動を制御する制御装置とを備え、
ケースは、光透過性で撥水性の樹脂により形成されて搬送通路の下面を形成する下部カバーと、下部カバーの底部に結合される下部トレイとを有する下部ケースを備え、
下部カバーと下部トレイとの間にセンサ装置の下部光学センサを配置することを特徴とする紙葉類取扱装置。
【請求項２】
下部カバーの上面は、平滑な紙葉の搬送面を形成する請求項１に記載の紙葉類取扱装置。
【請求項３】
嵌合部を介して下部カバーに下部トレイを結合し、センサ装置の下部光学センサを嵌合部の内側に配置した請求項１又は２に記載の紙葉類取扱装置。
【請求項４】
搬送通路内に侵入する液体を排出する排水通路を下部カバー及び下部トレイに形成した請求項１乃至３の何れか１項に記載の紙葉類取扱装置。
【請求項５】
排水通路は、下部ケースの後方に形成される排出口を備え、排水通路を通る異物は、排出口から排出される請求項４に記載の紙葉類取扱装置。
【請求項６】
ケースは、搬送通路の上面を形成する上部ケースを更に備え、
上部ケースは、光透過性で撥水性の樹脂により形成される上部トレイと、上部トレイの上部に結合される上部カバーとを備え、
センサ装置の上部光学センサは、上部トレイと上部カバーとの間に配置される請求項１乃至５の何れか１項に記載の紙葉類取扱装置。
【請求項７】
上部トレイの底面は、平滑な紙葉の搬送面を形成する請求項６に記載の紙葉類取扱装置。
【請求項８】
嵌合部を介して上部トレイに上部カバーを結合し、嵌合部の内側にセンサ装置の上部光学センサを配置した請求項６又は７に記載の紙葉類取扱装置。
【請求項９】
センサ装置は、下部カバーと下部トレイとの間に配置される発光素子と、上部トレイと上部カバーとの間に配置される受光素子とを備え、
受光素子は、発光素子から照射されて、下部カバーを通り紙葉を透過した後、上部トレイを通る光を受光する請求項６乃至８の何れか１項に記載の紙葉類取扱装置。
【請求項１０】
センサ装置は、上部トレイと上部カバーとの間に配置される上部光学センサと、上部光学センサから照射されて、上部トレイを通り紙葉を透過した後、下部カバーを通る光を受光する受光素子とを備え、
受光素子を下部カバーと下部トレイとの間に配置する請求項６乃至９の何れか１項に記載の紙葉類取扱装置。
【請求項１１】
下部ケースと上部ケースとを覆う下部ケーシングと上部ケーシングとを備え、下部ケーシングと下部ケースとの間に基板を配置した請求項６乃至１０の何れか１項に記載の紙葉類取扱装置。
【請求項１２】
下部ケースの下部カバーと下部トレイとを一体に樹脂成形し、折曲部で折り曲げて、センサ装置の一部を下部カバーと下部トレイとの間に配置する請求項１乃至１１の何れか１項に記載の紙葉類取扱装置。
【請求項１３】
上部ケースの上部トレイと上部カバーとを一体に樹脂成形し、折曲部で折り曲げて、センサ装置の上部光学センサを上部トレイと上部カバーとの間に配置する請求項６乃至１２の何れか１項に記載の紙葉類取扱装置。
【請求項１４】
搬送通路を形成するケースと、搬送通路に沿って紙葉を搬送する搬送装置と、搬送通路に沿って移動される紙葉の物理的特徴を検出して検出信号を発生する光学式のセンサ装置と、センサ装置からの検出信号を受信して搬送装置の駆動を制御する制御装置とを備え、
ケースは、下部ケースと上部ケースとを備え、
下部ケースは、光透過性で撥水性の樹脂により形成されて搬送通路の下面を形成する下部カバーと、下部カバーの底部に結合される下部トレイとを有し、
上部ケースは、光透過性で撥水性の樹脂により形成される上部トレイと、上部トレイの上部に結合される上部カバーとを有し、
センサ装置の下部光学センサを下部カバーと下部トレイとの間にセンサ装置の下部光学センサを配置すると共に、センサ装置の上部光学センサを上部トレイと上部カバーとの間に配置し、
下部ケースの下部カバーと上部ケースの上部トレイとの間に搬送通路を形成したことを特徴とする紙葉類取扱装置。
【請求項１５】
搬送通路内に突出して搬送装置のベルト又はローラを配置する開口部を下部カバーと上部トレイに形成した請求項１４に記載の紙葉類取扱装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月9日(2011.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の通信手段と第２の通信手段とを有する記録媒体と接続する接続手段と、
前記第１の通信手段と通信を行う第３の通信手段と、
前記第２の通信手段と通信を行う第４の通信手段と、
前記記録媒体が接続されたことを検出する検出手段と、
前記検出手段により前記記録媒体が接続されたことが検出されたときに、前記第３の通信手段と前記第１の通信手段との通信を行い、前記第３の通信手段から前記第１の通信手段に対して前記第２の通信手段と前記第４の通信手段との通信を停止させる要求を送信するよう制御する制御手段と、を備えることを特徴とする通信制御装置。
【請求項２】
前記第３の通信手段は、伝送線路により通信を行う接触通信手段であり、前記第４の通信手段は、電波により通信を行う非接触通信手段であることを特徴とする請求項１記載の通信制御装置。
【請求項３】
当該通信制御装置に接続されていない記録媒体と前記第４の通信手段を介して通信を行うことを特徴とする請求項２記載の通信制御装置。
【請求項４】
第１の通信手段と第２の通信手段とを有する通信制御装置に接続可能な記録媒体であって、
前記第１の通信手段と通信可能な第３の通信手段と、
前記第２の通信手段と通信可能な第４の通信手段と、
前記通信制御装置に接続されたことを検出する検出手段と、
前記検出手段により前記通信制御装置に接続されたことが検出されたときに前記第３の通信手段により前記第１の通信手段と通信が可能である場合に、前記第２の通信手段による通信を停止するよう制御を行う制御手段と、を備えることを特徴とする記録媒体。
【請求項５】
前記第３の通信手段は、伝送線路により通信を行う接触通信手段であり、前記第４の通信手段は、電波により通信を行う非接触通信手段であることを特徴とする請求項４記載の記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信制御装置及び記録媒体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、異なる複数の通信方式にて通信を行う通信制御装置及びその通信制御装置に接続される記録媒体に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の目的は、第１の記録媒体と第２の記録媒体の両方へ同時に記録する場合や、記録媒体間でデータを転送する場合の通信効率の低下を防止することができる通信制御装置及びその通信制御装置に接続される記録媒体を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的を達成するために、請求項１記載の通信制御装置は、第１の通信手段と第２の通信手段とを有する記録媒体と接続する接続手段と、前記第１の通信手段と通信を行う第３の通信手段と、前記第２の通信手段と通信を行う第４の通信手段と、前記記録媒体が接続されたことを検出する検出手段と、前記検出手段により前記記録媒体が接続されたことが検出されたときに、前記第３の通信手段と前記第１の通信手段との通信を行い、前記第３の通信手段から前記第１の通信手段に対して前記第２の通信手段と前記第４の通信手段との通信を停止させる要求を送信するよう制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項４記載の記録媒体は、第１の通信手段と第２の通信手段とを有する通信制御装置に接続可能な記録媒体であって、前記第１の通信手段と通信可能な第３の通信手段と、前記第２の通信手段と通信可能な第４の通信手段と、前記通信制御装置に接続されたことを検出する検出手段と、前記検出手段により前記通信制御装置に接続されたことが検出されたときに前記第３の通信手段により前記第１の通信手段と通信が可能である場合に、前記第２の通信手段による通信を停止するよう制御を行う制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の通信制御装置によれば、第１の記録媒体と第２の記録媒体の両方へ同時に記録する場合や、記録媒体間でデータを転送する場合の通信効率の低下を防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月30日(2011.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅からなる突起部が表面に設けられた導電性の基材と、
前記突起部の少なくとも一部と前記基材の表面の少なくとも一部とを連続して覆い、かつ銅以外の金属からなるめっき膜と
を有する負極集電体。
【請求項２】
前記突起部は、電解析出法により析出された銅微粒子である
請求項１記載の負極集電体。
【請求項３】
前記めっき膜は、コバルト（Ｃｏ），鉄（Ｆｅ）またはニッケル（Ｎｉ）の単体および化合物からなる群のうちの少なくとも１種を含む
請求項１記載の負極集電体。
【請求項４】
前記基材および突起部の合計の重量に対する前記めっき膜の重量の比が、０．５よりも大きく５．０未満である
請求項３記載の負極集電体。
【請求項５】
表面粗さが、十点平均粗さＲｚ値で３．２μｍ以上５．２μｍ以下である
請求項１記載の負極集電体。
【請求項６】
前記突起部の平均径は、０．５μｍ以上５．０μｍ以下である
請求項１記載の負極集電体。
【請求項７】
前記基材が、銅または銅合金からなり、８μｍ以上２５μｍ以下の厚みを有する
請求項１記載の負極集電体。
【請求項８】
負極集電体と、その負極集電体に設けられると共にケイ素（Ｓｉ）の単体および化合物からなる群のうちの少なくとも１種を含む負極活物質層とを含み、
前記負極集電体が、銅からなる突起部が前記負極活物質層の側の表面に設けられた導電性の基材と、前記突起部と前記基材の表面とを連続的に覆い、かつ銅以外の金属からなるめっき膜とを有する
ようにした負極。
【請求項９】
正極および負極と共に電解質を備え、
前記負極は、負極集電体と、その負極集電体に設けられると共にケイ素（Ｓｉ）の単体および化合物からなる群のうちの少なくとも１種を含む負極活物質層とを含み、
前記負極集電体は、銅からなる突起部が前記負極活物質層の側の表面に設けられた導電性の基材と、前記突起部と前記基材の表面とを連続的に覆い、かつ銅以外の金属からなるめっき膜とを有する
二次電池。
【請求項１０】
前記めっき膜は、コバルト（Ｃｏ），鉄（Ｆｅ）またはニッケル（Ｎｉ）の単体および化合物からなる群のうちの少なくとも１種を含む
請求項９記載の二次電池。
【請求項１１】
前記基材および突起部の合計の重量に対する前記めっき膜の重量の比が、０．５よりも大きく５．０未満である
請求項９記載の二次電池。
【請求項１２】
前記基材が、銅または銅合金からなり、８μｍ以上２５μｍ以下の厚みを有する
請求項９記載の二次電池。
【請求項１３】
前記負極活物質層が、気相法により形成されたものである
請求項９記載の二次電池。
【請求項１４】
前記電解質が、溶媒として４−フルオロ−１，３−ジオキソラン−２−オンおよび４，５−ジフルオロ−１，３−ジオキソラン−２−オンのうちの少なくとも１種を含んでいる
請求項９記載の二次電池。
【請求項１５】
前記電解質は、六フッ化リン酸リチウム（ＬｉＰＦ6 ）および四フッ化ホウ酸リチウム（ＬｉＢＦ4 ）のうちの少なくとも１種を含有する電解質塩を含んでいる
請求項９記載の二次電池。
【請求項１６】
前記電解質は、スルホ安息香酸無水物およびスルホプロピオン酸無水物のうちの少なくとも１種を含んでいる
請求項９記載の二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月13日(2011.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の駆動軸を有し、先端に溶接トーチを装着するロボットと、
前記溶接トーチに接続され前記溶接トーチへ溶接電流を出力する溶接電源と、
前記溶接トーチ近傍に装着されワークの溶接線の位置および前記溶接線のギャップ長を前記溶接トーチに先行して検出するセンサと、
前記センサに接続され前記センサを制御するセンサ制御装置と、
前記ロボットに接続され前記ロボットの駆動軸を制御するとともに、前記溶接電源および前記センサ制御装置に接続され情報の入出力を行うロボット制御装置とを備え、
前記センサによって検出した前記溶接線の位置に基づき前記溶接トーチの位置を補正するとともに、前記ギャップ長に応じて溶接条件を変更しながら溶接作業を行うロボットシステムにおいて、
前記ロボット制御装置は、前記ギャップ長と前記ギャップ長に応じて段階的に変化する前記溶接条件との対応を記録した溶接条件テーブルと、
前記ギャップ長の変化に伴う前記溶接条件の変更の遅れ量を設定する条件緩和パラメータと、
前記溶接条件テーブルでの前記溶接条件の変化点に対応するギャップ長近傍における前記溶接条件の変更を前記条件緩和パラメータによって設定された分だけ遅らせて出力する条件緩和演算部とを備えることを特徴とするロボットシステム。
【請求項２】
前記条件緩和パラメータは、前記ギャップ長の変化の絶対量あるいは変化の比率によって指定されることを特徴とする請求項１記載のロボットシステム。
【請求項３】
前記条件緩和演算部は、前記ギャップ長が減少する際に前記条件緩和パラメータに従って前記溶接条件の変更を遅らせることを特徴とする請求項１または２記載のロボットシステム。
【請求項４】
前記条件緩和演算部は、前記ギャップ長が増加する際に前記条件緩和パラメータに従って前記溶接条件の変更を遅らせることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のロボットシステム。
【請求項５】
複数の駆動軸を有し、先端に溶接トーチを装着するロボットと、
前記溶接トーチに接続され前記溶接トーチへ溶接電流を出力する溶接電源と、
前記溶接トーチ近傍に装着されワークの溶接線の位置および前記溶接線のギャップ長を前記溶接トーチに先行して検出するセンサと、
前記センサに接続され前記センサを制御するセンサ制御装置と、
前記ロボットに接続され前記ロボットの駆動軸を制御するとともに、前記溶接電源および前記センサ制御装置に接続され情報の入出力を行うロボット制御装置とを備え、
前記センサによって検出した前記溶接線の位置に基づき前記溶接トーチの位置を補正するとともに、前記ギャップ長に応じて溶接条件を変更しながら溶接作業を行うロボットシステムにおいて、
前記ロボット制御装置は、前記ギャップ長と前記ギャップ長に応じて段階的に変化する前記溶接条件との対応を記録した溶接条件テーブルと、
前記センサによって検出したギャップ長と前記溶接条件テーブルに設定された前記溶接条件の変化点に対応するギャップ長とを照合し、
前記センサによって検出したギャップ長の前後２つの溶接条件を読み出し、
前記２つの溶接条件に対応するギャップ長と前記センサによって検出したギャップ長との差の比率から前記２つの溶接条件を補間する演算を行い、前記演算によって得られた溶接条件を出力する条件補間演算部とを備えることを特徴とするロボットシステム。
【請求項６】
前記溶接条件は溶接速度であることを特徴とする請求項１または５記載のロボットシステム。
【請求項７】
前記溶接条件はウィービング周波数であることを特徴とする請求項１または５記載のロボットシステム。
【請求項８】
前記溶接条件はウィービング振幅であることを特徴とする請求項１または５記載のロボットシステム。
【請求項９】
前記ギャップ長は、前記ワーク表面に対して平行方向あるいは鉛直方向に生じるズレの大きさであることを特徴とする請求項１または５記載のロボットシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月22日(2010.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デンタルテープにおいて、
第一の外面、および、前記第一の外面とは反対側の第二の外面を有する芯体を備える単繊維、
を備えており、
前記単繊維が前記デンタルテープとして使用するのに適した厚みおよび幅を有し、
前記第一または第二の外面の少なくとも一方は、前記芯体内へと突き出す複数のくぼみを有し、前記複数のくぼみは、前記第一または第二の外面の前記少なくとも一方の全面積の約５％から約９５％に設けられており、
前記くぼみは各々、前記複数のくぼみを備えた前記第一または第二の外面の前記少なくとも一方に関して、前記芯体内への深さを有し、その深さは、前記複数のくぼみを備えた前記第一または第二の外面の前記少なくとも一方に対して横断するようにとった前記芯体の厚みの約０．１％から約９５％に相当する、デンタルテープ。
【請求項２】
請求項１に記載のデンタルテープにおいて、
前記複数のくぼみは、前記デンタルテープの実質的に全幅にわたって設けられている、デンタルテープ。
【請求項３】
請求項１に記載のデンタルテープにおいて、
前記複数のくぼみは、前記デンタルテープの不連続な長手方向の範囲を占めている、デンタルテープ。
【請求項４】
請求項１に記載のデンタルテープにおいて、
結合剤を含むコーティング、
をさらに備えている、デンタルテープ。
【請求項５】
請求項４に記載のデンタルテープにおいて、
前記コーティングは、活性機能を有する添加剤を含んでいる、デンタルテープ。
【請求項６】
請求項１に記載のデンタルテープにおいて、
前記くぼみは、多角形、直線、非直線、卵形、楕円形、および、円形からなる群から選択された形状である、デンタルテープ。
【請求項７】
請求項１に記載のデンタルテープにおいて、
前記第一および第二の外面の各々は、前記複数のくぼみを備えている、デンタルテープ。
【請求項８】
請求項７に記載のデンタルテープにおいて、
前記複数のくぼみが占めている前記第一および第二の外面の各々の表面積は、約５％から約９５％である、デンタルテープ。
【請求項９】
請求項８に記載のデンタルテープにおいて、
前記複数のくぼみは、前記デンタルテープの実質的に全幅にわたって設けられている、デンタルテープ。
【請求項１０】
請求項９に記載のデンタルテープにおいて、
前記複数のくぼみは、前記デンタルテープの不連続な長手方向の範囲を占めている、デンタルテープ。
【請求項１１】
請求項８に記載のデンタルテープにおいて、
前記くぼみは、多角形、直線、非直線、卵形、楕円形、および、円形からなる群から選択された形状である、デンタルテープ。
【請求項１２】
請求項８に記載のデンタルテープにおいて、
結合剤を含むコーティング、
をさらに備えている、デンタルテープ。
【請求項１３】
請求項１２に記載のデンタルテープにおいて、
前記コーティングは、活性機能を有する添加剤を含む、デンタルテープ。
【請求項１４】
請求項１に記載のデンタルテープにおいて、
ポリオレフィン、ポリアミド、ポリエステル、および、フルオロポリマーからなる群から選択されたポリマー、
を備える、デンタルテープ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月6日(2011.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アナログＲＦパルス信号が印加されるＲＦコイルと、
前記アナログＲＦパルス信号を生成するＲＦパルス生成回路と、
アナログ磁気共鳴信号を受信し、ベースバンドデジタル磁気共鳴信号に変換する磁気共鳴信号受信回路とを有し、
前記ＲＦパルス生成回路が、
所定のビット数のデジタル搬送波信号を生成する搬送波信号生成部と、
前記デジタル搬送波信号をデジタル包絡線信号で変調し、デジタルＲＦパルス信号を生成するデジタル変調器と、
前記デジタルＲＦパルス信号をアナログＲＦパルス信号に変換するデジタル−アナログ変換器と、
前記デジタル搬送波信号と２の補数の関係にあるデジタル反転搬送波信号を生成し、当該デジタル反転搬送波信号を前記磁気共鳴信号受信回路に送信する反転部とを含み、
前記磁気共鳴信号受信回路が、
アナログ磁気共鳴信号を所定のビット数のデジタル磁気共鳴信号に変換するアナログ−デジタル変換器と、
前記デジタル磁気共鳴信号を前記デジタル反転搬送波信号で復調し、ベースバンドデジタル磁気共鳴信号に変換するデジタル復調器とを含むＭＲＩ装置。
【請求項２】
前記搬送波信号生成部が、
位相増加量を記憶する第１の位相記憶部と、
初期化時に第１の位相の初期値が設定され、クロック周期ごと前記位相増加量が加算されることによって第１の累算位相が算出される第１の位相累算部と、
前記デジタル搬送波信号が記憶されており、前記第１の累算位相が入力されると、前記第１の累算位相に対応する前記デジタル搬送波信号を出力する第１の波形テーブルとを有する
請求項１に記載のＭＲＩ装置。
【請求項３】
前記反転部が、前記搬送波信号生成部で生成された前記デジタル搬送波信号を２の補数に変換することによって前記デジタル反転搬送波信号を生成する
請求項２に記載のＭＲＩ装置。
【請求項４】
前記反転部が、
前記位相増加量を記憶する第２の位相記憶部と、
初期化時に第２の位相の初期値が設定され、クロック周期ごと前記位相増加量が加算されることによって第２の累算位相が算出される第２の位相累算部と、
前記デジタル反転搬送波信号が記憶されており、前記第２の累算位相が入力されると、前記第２の累算位相に対応する前記デジタル反転搬送波信号を出力する第２の波形テーブルとを有し、
前記第１の位相の初期値と前記第２の位相の初期値を調整することにより、前記デジタル搬送波信号と前記デジタル反転搬送波信号の間に任意の位相差を設定することができる
請求項２に記載のＭＲＩ装置。
【請求項５】
前記デジタル変調器が、デジタルミキサである
請求項３または請求項４に記載のＭＲＩ装置。
【請求項６】
前記デジタル復調器が、デジタルミキサである
請求項５に記載のＭＲＩ装置。
【請求項７】
前記アナログＲＦパルス信号に含まれる高調波成分を除去するローパスフィルタ
を有する請求項６に記載のＭＲＩ装置。
【請求項８】
前記高調波成分が除去されたアナログＲＦパルス信号が増幅されて前記ＲＦコイルに印加される
請求項７に記載のＭＲＩ装置。
【請求項９】
前記第１の位相の初期値と前記第２の位相の初期値が、ボア内に被検体が存在しない状態でアナログ磁気共鳴信号に重畳するノイズが最小となるように設定される
請求項４に記載のＭＲＩ装置。
【請求項１０】
所定のビット数のデジタル信号をデジタル反転搬送波信号で復調し、ベースバンドデジタル信号に変換する受信回路を含む装置で用いられるＲＦパルス生成回路であって、
所定のビット数のデジタル搬送波信号を生成する搬送波信号生成部と、
前記デジタル搬送波信号をデジタル包絡線信号で変調し、デジタルＲＦパルス信号を生成するデジタル変調器と、
前記デジタルＲＦパルス信号をアナログＲＦパルス信号に変換するデジタル−アナログ変換器と、
前記デジタル搬送波信号と２の補数の関係にあるデジタル反転搬送波信号を生成し、当該デジタル反転搬送波信号を前記磁気共鳴信号受信回路に送信する反転部とを有するＲＦパルス生成回路。
【請求項１１】
前記搬送波信号生成部が、
位相増加量を記憶する第１の位相記憶部と、
初期化時に第１の位相の初期値が設定され、クロック周期ごと前記位相増加量が加算されることによって第１の累算位相が算出される第１の位相累算部と、
前記デジタル搬送波信号が記憶されており、前記第１の累算位相が入力されると、前記第１の累算位相に対応する前記デジタル搬送波信号を出力する第１の波形テーブルとを有する
請求項１０に記載のＲＦパルス生成回路。
【請求項１２】
前記反転部が、前記搬送波信号生成部で生成された前記デジタル搬送波信号を２の補数に変換することによって前記デジタル反転搬送波信号を生成する
請求項１１に記載のＲＦパルス生成回路。
【請求項１３】
前記反転部が、
前記位相増加量を記憶する第２の位相記憶部と、
初期化時に第２の位相の初期値が設定され、クロック周期ごと前記位相増加量が加算されることによって第２の累算位相が算出される第２の位相累算部と、
前記デジタル反転搬送波信号が記憶されており、前記第２の累算位相が入力されると、前記第２の累算位相に対応する前記デジタル反転搬送波信号を出力する第２の波形テーブルとを有し、
前記第１の位相の初期値と前記第２の位相の初期値を調整することにより、前記デジタル搬送波信号と前記デジタル反転搬送波信号の間に任意の位相差を設定することができる
請求項１１に記載のＲＦパルス生成回路。
【請求項１４】
前記デジタル変調器が、デジタルミキサである
請求項１２または請求項１３に記載のＲＦパルス生成回路。
【請求項１５】
前記デジタル復調器が、デジタルミキサである
請求項１４に記載のＲＦパルス生成回路。
【請求項１６】
前記アナログＲＦパルス信号に含まれる高調波成分を除去するローパスフィルタ
を有する請求項１５に記載のＲＦパルス生成回路。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月19日(2011.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸に取り付けられた回転ディスクと、
前記回転ディスクに形成され、前記回転軸の回転中心に対して偏心した複数本からなる環状スリットと、
前記環状スリットに対向して固定配置された第１の固定スリットと、
前記環状スリットを透過または反射し、さらに前記第１の固定スリットを透過した光を検出する第１の受光素子と、
を備える、光学式エンコーダ。
【請求項２】
前記環状スリットのスリットピッチは、前記環状スリットの回転中心に対する偏心量以下である、請求項１に記載の光学式エンコーダ。
【請求項３】
前記第1の固定スリットは、複数相の正弦波信号を検出するための位相のずれた複数のスリット群を有し、
前記第1の受光素子は、前記第1の固定スリットのスリット群の数に等しい複数個から構成される、請求項１又は２に記載の光学式エンコーダ。
【請求項４】
前記回転ディスクに、前記回転軸の回転中心に対して放射状に形成されたインクリメンタルスリットと、
前記インクリメンタルスリットに対向して固定配置されたインクリメンタル用固定スリットと、
前記インクリメンタルスリットを透過または反射し、さらに前記インクリメンタル用固定スリットを透過した光を検出するインクリメンタル用受光素子と、
前記第１の受光素子からの信号を処理し得られる角度信号と、前記インクリメンタル用受光素子から得られる角度信号とに基づいて、前記回転軸の絶対角度を演算する演算回路と、更に備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光学式エンコーダ。
【請求項５】
前記インクリメンタル用受光素子から得られる信号を更に内挿分割し高分解能の角度信号を加える演算装置を更に備える、請求項４に記載の光学式エンコーダ。
【請求項６】
前記第１環状スリット及び前記インクリメンタルスリットに対して、共通の投光素子により光を照射する、請求項４又は５に記載の光学式エンコーダ。
【請求項７】
前記第1の固定スリットと前記第1の受光素子とを、複数のスリットパターン状に構成した受光素子で構成した、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光学式エンコーダ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記問題を解決するため、本発明は次のように構成したものである。
すなわち、本発明の一の観点による発明は、回転軸に取り付けられた回転ディスクと、固定部材に設けられた投受光素子からなり、前記回転軸の回転角度を検出する光学式エンコーダにおいて、前記回転ディスク上に前記回転軸の回転中心に対して偏心した複数本からなる環状スリットを形成し、前記環状スリットに対向して第１の固定スリットを配置し、固定部材に設けられた第１の投光素子から照射され、前記環状スリットを透過または反射し、さらに第１の固定スリットを透過した光を検出する第１の受光素子を備えたことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記一の観点による発明は、上記の光学式エンコーダの前記第1の固定スリットと前記第1の受光素子複数のスリットパターン状に構成した受光素子で構成してもよい。
また、上記一の観点による発明は、上記の光学式エンコーダの前記環状スリットのスリットピッチを前記環状スリットの前記回転中心に対する偏心量以下にしてもよい。
また、上記一の観点による発明は、上記の光学式エンコーダの前記第1の固定スリットを複数相の正弦波信号を検出するための位相のずれた複数のスリット群から構成し、前記第1の受光素子は前記第1の固定スリットの前記スリット群の数に等しい複数個から構成されてもよい。
一方、本発明の他の観点による発明は、回転軸に取り付けられた回転ディスクと、固定部材に設けられた投受光素子からなり、前記回転軸の回転角度を検出する光学式エンコーダにおいて、前記回転ディスク上に前記回転軸の回転中心に対して偏心した複数本からなる環状スリットを形成し、前記環状スリットに対向して第１の固定スリットを配置し、固定部材に設けられた第１の投光素子から照射され、前記環状スリットを透過または反射し、さらに第１の固定スリットを透過した光を検出する第１の受光素子を備え、前記回転ディスク上に前記回転軸の回転中心に対して放射状のインクリメンタルスリットを形成し、前記インクリメンタルスリットに対向してインクリメンタル用固定スリットを配置し、投光素子から照射され、前記インクリメンタルスリットを透過または反射し、さらにインクリメンタル用固定スリットを透過した光を検出するインクリメンタル用受光素子と、前記第１の受光素子からの信号を処理し得られる角度信号と前記インクリメンタル用受光素子から得られる角度信号から絶対角度を演算する演算回路を設けたことを特徴とするものである。
また、上記他の観点による発明は、上記の光学式エンコーダの前記インクリメンタル用受光素子から得られる信号をさらに内挿分割した信号を加え高分解能の絶対角度を演算する演算装置を備えてもよい。
また、上記他の観点による発明は、上記の光学式エンコーダの前記インクリメンタル用固定スリットと前記インクリメンタル用受光素子を複数のスリットパターン状に構成した受光素子で構成してもよい。
また、上記他の観点による発明は、上記の光学式エンコーダの前記インクリメンタル用固定スリットを複数相の正弦波信号を検出するための位相のずれた複数のスリット群から構成し、前記インクリメンタル用受光素子は前記インクリメンタル用固定スリットの前記スリット群の数に等しい複数個から構成されてもよい。
また、上記他の観点による発明は、上記の光学式エンコーダにおいて、前記第１の投光素子と前記インクリメンタル用投光素子を共通の投光素子で構成してもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記一の観点による発明によれば、複数本の環状スリットを通過または反射した光を固定スリットを介して受光素子で受光するので小型化でき、また受光光量が増え、信号のS/Nが高くなる。
また、受光素子を複数のスリットパターン状に構成することにより固定スリットが省略でき、構成が簡素化できる。
また、スリットピッチを前記偏心量以下にすることによってＡ相、Ｂ相信号で回転角の絶対値が一義的に決定でき、カウンター等を用いた信号処理が不要になり信号処理が簡素化できる。
また、Ａ相、Ｂ相などの複数相信号が同一の固定スリット上で構成できるため小型化することができる。
また、前記第１の受光素子からの信号を処理し得られる絶対値信号の下位に、インクリメンタルスリットから得られた信号を加えることにより高分解能の絶対角度信号が得られる。
また、インクリメンタルスリットから得られた信号をさらに内挿分割した信号を加えることにより、高分解能な絶対角度信号が得られる。
また、前記第１の投光素子と前記インクリメンタル用投光素子を１つの投光素子で構成でき、小型化することができる。