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【手続補正書】
【提出日】平成23年11月2日(2011.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技機構成部材である第１部材又は第２部材の少なくとも一方に対してネジ結合されるネジ溝を含む軸部と、その軸部を回転操作する工具が係合される工具係合部を含む頭部と、これら軸部及び頭部を連結するとともに、その工具係合部に所定トルク以上の回転力が加えられることにより前記軸部から前記頭部を分離させる分離部と、を有するネジ部材を備え、
当該ネジ部材を用いて、前記第１部材と前記第２部材とが連結される構成であり、
前記ネジ部材は前記第１部材側からネジ込まれるものであり、
前記第１部材の反第２部材側の端面における前記ネジ部材がネジ込まれる差込部の周辺領域には、差込側凹凸部が設けられていることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
遊技機構成部材である第１部材又は第２部材の少なくとも一方に対してネジ結合されるネジ溝を含む軸部と、その軸部を回転操作する工具が係合される工具係合部を含む頭部と、これら軸部及び頭部を連結するとともに、その工具係合部に所定トルク以上の回転力が加えられることにより前記軸部から前記頭部を分離させる分離部と、を有するネジ部材を備え、
当該ネジ部材を用いて、前記第１部材と前記第２部材とが連結される構成であり、
前記分離部によって前記軸部から分離された前記頭部が所定位置又は所定範囲内に保持されるようにするために設けられる保持部を備え、
前記ネジ部材は前記第１部材側からネジ込まれるものであり、
前記第１部材の反第２部材側の端面における前記ネジ部材がネジ込まれる差込部の周辺領域には、差込側凹凸部が設けられていることを特徴とする遊技機。
【請求項３】
前記軸部は、前記ネジ溝を有する部位と前記分離部との間に前記軸部の軸線方向と直交する方向へ拡張された拡張部を備え、
前記軸線方向と直交する方向における前記頭部の大きさが、前記拡張部よりも大きくされていることを特徴とする請求項２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記軸部は、前記ネジ溝を有する部位と前記分離部との間に前記軸部の軸線方向と直交する方向へ拡張された拡張部を備え、
前記保持部は、軸線方向に離間した位置に第１規制部及び第２規制部を一体に有した状態で前記ネジ部材に設けられており、
前記頭部及び前記拡張部は、前記第１規制部と前記第２規制部とによって挟まれた領域に配置されており、
前記第１規制部によって前記頭部の反軸部側への移動が規制されるとともに、前記第２規制部によって前記拡張部の反頭部側への移動が規制され、
前記差込側凹凸部は、前記第１部材の反第２部材側の端面における前記拡張部に遮蔽される領域の少なくとも一部に設けられていることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の遊技機。
【請求項５】
前記第１規制部は、前記工具係合部に工具が通される通し孔を有しており、
前記保持部は、前記頭部及び拡張部の前記軸線方向に沿った外周側を覆う筒部であり、
前記第２規制部における内周側面に、軸線外側から軸線内側に向かった下り傾斜が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の遊技機。
【請求項６】
前記第１規制部は、前記工具係合部に工具が通される通し孔を有しており、
前記保持部は、前記頭部及び拡張部の前記軸線方向に沿った外周側を覆う筒部であり、
前記第２規制部には、前記頭部側から前記軸部側に向けて貫通された規制部側通し孔を有していることを特徴とする請求項４に記載の遊技機。
【請求項７】
前記第２規制部は、貫通孔を有しているものであり、
前記拡張部よりも前記軸部側には、前記第２規制部における前記貫通孔を介して前記保持部から軸部側へ突出する突出部が設けられており、
前記突出部は、前記差込側凹凸部を前記頭部側から隠すように前記軸部の軸線方向と直交する方向へ拡張されていることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１に記載の遊技機。
【請求項８】
前記第１部材には、前記ネジ部材が当接する当接部が設けられており、
前記差込側凹凸部は、前記当接部よりも反頭部側に設けられており、
前記第２規制部は、貫通孔を有しているものであり、
前記拡張部よりも前記軸部側には、前記第２規制部における前記貫通孔を介して前記保持部から軸部側へ突出する突出部が設けられており、
前記突出部は、前記当接部に当接するように、かつ、前記差込側凹凸部を前記頭部側から隠すように前記軸部の軸線方向と直交する方向へ拡張されており、前記軸部側の面に、前記差込側凹凸部と対向するネジ側凹凸部を有しているものであることを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１に記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項１記載の発明は、遊技機構成部材である第１部材又は第２部材の少なくとも一方に対してネジ結合されるネジ溝を含む軸部と、その軸部を回転操作する工具が係合される工具係合部を含む頭部と、これら軸部及び頭部を連結するとともに、その工具係合部に所定トルク以上の回転力が加えられることにより前記軸部から前記頭部を分離させる分離部と、を有するネジ部材を備え、当該ネジ部材を用いて、前記第１部材と前記第２部材とが連結される構成であり、前記ネジ部材は前記第１部材側からネジ込まれるものであり、前記第１部材の反第２部材側の端面における前記ネジ部材がネジ込まれる差込部の周辺領域には、差込側凹凸部が設けられていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月2日(2011.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技機構成部材である第１部材又は第２部材の少なくとも一方に対してネジ結合されるネジ溝を含む軸部と、その軸部を回転操作する工具が係合される工具係合部を含む頭部と、これら軸部及び頭部を連結するとともに、その工具係合部に所定トルク以上の回転力が加えられることにより前記軸部から前記頭部を分離させる分離部と、を有するネジ部材を備え、
当該ネジ部材を用いて、前記第１部材と前記第２部材とが連結される構成であり、
前記分離部によって前記軸部から分離された前記頭部が所定位置又は所定範囲内に保持されるようにするために設けられる保持部を備え、
前記軸部は、前記ネジ溝を有する部位と前記分離部との間に前記軸部の軸線方向と直交する方向へ拡張された拡張部を有し、
前記軸線方向と直交する方向における前記頭部の大きさが、前記拡張部より大きくされていることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記頭部は、分離後においても前記軸部側の領域における前記軸部の軸線が通過する部位を反軸部側から隠していることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記保持部は、前記頭部よりも前記軸部側に設けられており、
前記頭部は、前記保持部を反軸部側から隠すように形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記保持部は、軸線方向に離間した位置に設けられた第１規制部及び第２規制部を有し、
前記拡張部は、前記第１規制部と前記第２規制部とによって挟まれて設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１に記載の遊技機。
【請求項５】
前記頭部は、前記第１規制部を含めて反軸部側からみて隙間がない形で一体に設けられていることを特徴とする請求項４に記載の遊技機。
【請求項６】
前記保持部は、前記頭部外周側から前記軸部側へ延びる筒部を更に備え、
前記頭部と前記筒部との間に反軸部側からみて隙間がないように、当該頭部と筒部とが一体形成されており、
前記筒部の前記軸部側の端部に前記第２規制部が設けられていることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の遊技機。
【請求項７】
前記第２規制部は、前記頭部に係合されており、
前記頭部は、前記第２規制部と前記頭部との係合部分を反軸部側からみて隠すことを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１に記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項１記載の発明は、遊技機構成部材である第１部材又は第２部材の少なくとも一方に対してネジ結合されるネジ溝を含む軸部と、その軸部を回転操作する工具が係合される工具係合部を含む頭部と、これら軸部及び頭部を連結するとともに、その工具係合部に所定トルク以上の回転力が加えられることにより前記軸部から前記頭部を分離させる分離部と、を有するネジ部材を備え、当該ネジ部材を用いて、前記第１部材と前記第２部材とが連結される構成であり、前記分離部によって前記軸部から分離された前記頭部が所定位置又は所定範囲内に保持されるようにするために設けられる保持部を備え、前記軸部は、前記ネジ溝を有する部位と前記分離部との間に前記軸部の軸線方向と直交する方向へ拡張された拡張部を有し、前記軸線方向と直交する方向における前記頭部の大きさが、前記拡張部より大きくされていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月20日(2011.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グルコース含有培地において物質を生産する細胞株を培養するための方法であって、
ここで前記物質を生成する細胞株の培養が、栄養培地が供給されながら行われる培養であり、
ここで供給されるグルコースの量が、従来の非グルコース制限プロセス対照の場合に予想生細胞数が系において最大限に消費することができる量の５０％以下である、
方法。
【請求項２】
前記細胞株の培養がグルコース制限が前記培地中において起こるように行われる培養であり、
ここでこれらの細胞の既知の最大比グルコース消費速度に対する観察される比グルコース消費速度の比率が0.5より低い比率である、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記比率が0.3より低い比率である、請求項２記載の方法。
【請求項４】
培養中に前記グルコース制限が増加する（グルコース制限度（DGL）値が低下する）、請求項２または3記載の方法。
【請求項５】
前記細胞が細胞の保持を伴う連続プロセスによって培養される、請求項１〜４のいずれか一項記載の方法。
【請求項６】
前記栄養培地の供給が0.03〜0.05 h-1の流速によって行われる、請求項１〜５のいずれか一項記載の方法。
【請求項７】
供給されるグルコースの量が開始からそのプロセスの間は一定に保たれる、請求項１〜６のいずれか一項記載の方法。
【請求項８】
前記細胞株が哺乳動物細胞である、請求項１〜７のいずれか一項記載の方法。
【請求項９】
前記哺乳動物細胞がCHO-K1細胞株である、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記細胞株が遺伝子組換え細胞である、請求項１〜９のいずれか一項記載の方法。
【請求項１１】
前記物質が糖タンパク質または抗体である、請求項１〜１０のいずれか一項記載の方法。
【請求項１２】
前記連続プロセスが開始される前にバッチとして開始される、請求項５〜１１のいずれか一項記載の方法。
【請求項１３】
前記プロセスがフェドバッチとして操作される、請求項１〜４および６〜１２のいずれか一項記載の方法。
【請求項１４】
前記栄養培地の供給が1.8 x 106細胞／ml培地の濃度において開始される、請求項１〜１３のいずれか一項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月24日(2011.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電流を交流電流に変換する半導体チップと、
前記直流電流を前記半導体チップに伝達する配線板と、を有する電極モジュールと、
前記電極モジュールを収納するためのケースと、を備え、
前記ケースは、第１及び第２の放熱ベースと、前記第１の放熱ベースの外周を囲んで形成される第１の薄肉部と、前記第２の放熱ベースの外周を囲んで形成される第２の薄肉部と、により構成され、
前記第１の薄肉部は、前記第１の放熱ベースよりも薄く形成され、
前記ケースは、第１の窪み部を有し、前記第１の放熱ベースが前記第１の窪み部の底面を形成し、前記第１の薄肉部が前記第１の窪み部の側面を形成することを特徴とするパワーモジュール。
【請求項２】
請求項１記載のパワーモジュールにおいて、
前記配線板は、第１と第２の配線板を備え、
前記半導体チップは、前記第１の配線板と前記第２の配線板の間に配置されていることを特徴とするパワーモジュール。
【請求項３】
請求項１又は２記載のパワーモジュールにおいて、
前記電極モジュールは、前記第１の放熱ベースと前記第２の放熱ベースとの間に配置されていることを特徴とするパワーモジュール。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれかに記載のパワーモジュールにおいて、
前記第２の薄肉部は、前記第２の放熱ベースより薄く形成され、
前記ケースは、第２の窪み部を備え、
前記第２の放熱ベースは、前記第２の窪み部の底面に形成され、
前記第２の薄肉部は前記第２の窪み部の側面に形成されることを特徴とするパワーモジュール。
【請求項５】
請求項１記載の電力変換装置において、
前記電極モジュールは、前記電極モジュールが前記第１の放熱ベースと前記第２の放熱ベースによって支持されるよう前記ケースに配置されたことを特徴とする電力変換装置。
【請求項６】
請求項１に記載の電力変換装置において、
前記第１の薄肉部は、前記第１の放熱ベースと一体で形成されていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項７】
請求項４記載の電力変換装置において、
前記第１の薄肉部は、前記第１の放熱ベースと一体形成されており、
前記第２の薄肉部は、前記第２の放熱ベースと一体形成されていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項８】
請求項１記載の電力変換装置において、
前記ケースは、前記第１及び第２の放熱ベースの外周にフィンを備えることを特徴とする電力変換装置。
【請求項９】
請求項１乃至８いずれかに記載の電力変換装置において、
前記電極モジュールは、前記半導体チップと前記配線板と一体化する樹脂材料と接着性のある絶縁層を有し、
前記配線板は前記樹脂材料の一部から露出し、前記絶縁層は前記露出した一部の配線板の上に配置されることを特徴とする電力変換装置。
【請求項１０】
請求項９記載の電力変換装置において、
前記絶縁層は、エポキシ樹脂に熱伝導性のフィラーを混ぜ合わせた絶縁シートからなることを特徴とする電力変換装置。
【請求項１１】
請求項４記載の電力変換装置において、
前記ケースは、前記第１及び第２の放熱ベースの外周にフィンと、
冷却媒体が流れるための流路を有する冷却ジャケットとを備え、
前記ケースは、前記第１及び第２の放熱ベースが前記流路内に配置されるよう前記冷却ジャケットに固定されており、
前記フィンは、前記第１及び第２の窪み部から突出していることを特徴とする電力変換装置。
【請求項１２】
直流電流を交流電流に変換する半導体チップと、前記直流電流を前記半導体チップに伝達する配線板と、を有する電極モジュールと、第１及び第２の放熱ベースと、前記第１の放熱ベースの外周を囲んで形成されかつ前記第１の放熱ベースよりも薄い第１の薄肉部と、前記第２の放熱ベースの外周を囲んで形成される第２の薄肉部とにより構成されるケースと、を備えるパワーモジュールの製造方法であって、
前記ケースに電極モジュールを挿入し、
前記ケースの外面を加圧して前記第１薄肉部を変形させることを特徴とするパワーモジュールの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載のパワーモジュールの製造方法において、
前記第１及び第２の薄肉部が形成されるよう前記ケースの外面を加圧し、
前記第２の薄肉部が前記第２の放熱ベースより薄くなるよう形成することを特徴とするパワーモジュールの製造方法。
【請求項１４】
請求項１２記載のパワーモジュールの製造方法において、
前記ケースは、前記第１の窪み部を形成し、
前記第１の放熱ベースは前記第１の窪み部の底面を形成し、前記第１の薄肉部は前記第１の窪み部を形成することを特徴とするパワーモジュールの製造方法。
【請求項１５】
請求項１２記載のパワーモジュールの製造方法において、
前記ケースは、前記第１及び第２の放熱ベースの外周にフィンを備えるように成形されることを特徴とするパワーモジュールの製造方法。
【請求項１６】
請求項１２記載のパワーモジュールの製造方法において、
前記電極モジュールが前記第１及び第２の放熱ベースに支持されるよう前記ケースの外周を加圧することを特徴とするパワーモジュールの製造方法。
【請求項１７】
請求項１２記載のパワーモジュールの製造方法において、
接着性のある絶縁層を固着させるために前記ケースの外周を加圧し、
前記電極モジュールは、前記半導体チップと前記配線板とを一体化する樹脂材料と接着性のある絶縁層を有し、
前記配線板は前記樹脂材料の一部から露出し、前記絶縁層は前記露出した一部の配線板の上に配置されるように形成されることを特徴とするパワーモジュールの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月4日(2011.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面ブロック、背面ブロック及び前記背面ブロックを前記前面ブロックに対して開閉自在に支持するブロック間支持機構を含む遊技機本体と、
前記背面ブロックを前記前面ブロックに対して施錠するブロック間施錠部及び所定の鍵により操作され前記ブロック間施錠部を作動させる操作部を含む施錠機構と、
を備える遊技機であって、
前記背面ブロックが閉鎖されている状態において前記前面ブロックと前記背面ブロックとを相互に付勢する付勢機構と、
前記施錠機構の前記操作部に対する所定の操作に応じた前記付勢機構による前記背面ブロックの開放を制限する開放制限機構と、
を備え、
前記ブロック間施錠部は、前記背面ブロックが所定の開放範囲で開放されている状態において前記所定の操作を伴わない前記背面ブロックの開放側及び閉鎖側への移動を許容し、
前記開放制限機構は、前記付勢機構による前記背面ブロックの開放を前記背面ブロックが前記所定の開放範囲で開放されている状態で停止させる、
ことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記ブロック間施錠部は、前記背面ブロックが閉鎖されている状態において前記所定の操作を伴わない前記背面ブロックの開放側への移動を禁止し、前記背面ブロックが前記所定の開放範囲を超えて大きく開放されている状態において前記所定の操作を伴わない前記背面ブロックの前記所定の開放範囲への移動を禁止する、
請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記開放制限機構は、前記前面ブロックに形成された前面ブロック側係合部と前記背面ブロックに形成された背面ブロック側係合部とを含み、前記前面ブロックが前記所定の開放範囲の少なくとも一部の範囲で開放されている状態において前記前面ブロック側係合部と前記背面ブロック側係合部とのうちの一方が他方に弾性変形を伴って乗り上がるように構成され、前記付勢機構による前記背面ブロックの開放を前記前面ブロック側係合部と前記背面ブロック側係合部との間の摩擦により停止させる、
請求項１又は２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記開放制限機構は、前記前面ブロックが前記所定の開放範囲を超えて連続する一部の開放範囲で開放されている状態において前記前面ブロック側係合部と前記背面ブロック側係合部とのうちの一方の係合部が他方の係合部に弾性変形を伴って乗り上がるように構成されている、
請求項３に記載の遊技機。
【請求項５】
前記ブロック間施錠部は、前記前面ブロックと前記背面ブロックとの一方に形成された固定係合体と、前記前面ブロックと前記背面ブロックとの他方に形成され、前記固定係合体と前後方向に対向する対向状態と前記固定係合体と前後方向に対向しない非対向状態とをとるように移動可能な可動係合体と、前記可動係合体を非対向位置側から対向位置側に付勢する付勢体とを含み、
前記可動係合体は、前記背面ブロックが施錠されている状態において前記固定係合体の前方側に前記対向状態で配置され、前記所定の操作に応じて前記付勢体からの付勢力に抗して対向状態から非対向状態となり、前記背面ブロックが前記所定の開放範囲で開放されている状態において前記所定の操作を伴わない場合には前記固定係合体の上端及び下端のいずれか一方に当接して前記対向状態とならない、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の遊技機。
【請求項６】
枠体と、
前記遊技機本体を前記枠体に対して開閉自在に支持する本体支持機構と、
を備え、
前記施錠機構は、前記遊技機本体を前記枠体に対して施錠する本体施錠部を含み、
前記操作部は、前記所定の鍵による前記ブロック間施錠部を作動させる場合と異なる操作により前記本体施錠部を作動させ、
前記施錠機構は、前記遊技機本体が閉鎖されている状態において、前記背面ブロックの開放側への移動を防止する開放防止部を含む、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月20日(2010.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シャフト、及び、該シャフトから同軸で延設されたグリップを備える柄と、
前記シャフトの先端に、前記柄に対して屈曲して設けられた刃部と、
前記グリップの前記シャフト側の端部から分岐し、前記柄に対して前記刃部が屈曲している方向とは反対の方向に延設された、ハンマーで打つための被叩打部と
を具備することを特徴とする手術用骨切りノミ。
【請求項２】
前記グリップは、前記シャフトより太く形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の手術用骨切りノミ。
【請求項３】
前記被叩打部の端部の叩打点は、前記刃部の軸を、前記柄に対して前記刃部が屈曲している方向とは反対の方向に延長した線上に位置する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の手術用骨切りノミ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】手術用骨切りノミ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
参考例を図４に基づいて説明する。図４に図示するように、主要構造は刃部１４と、把持するための柄１５と、ハンマーを打つための被叩打部１６で構成され、刃部１４は柄１５に対して屈曲している。柄１５には手で把持するために太くなった部分であるグリップ１７と刃部１４に連続するシャフト１８から構成される。被叩打部１６は柄１５の端にて屈曲して連続し、刃部１４の先端を中心点とする弧を描いた形状となっていて、刃の方向の反対の延長線上を通過するような長さがある硬性構造物である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の実施形態を図５に基づいて説明する。主要構造は刃部１９と、把持するための柄２０と、ハンマーを打つための被叩打部２１で構成され、刃部１９は柄２０に対して屈曲している。柄２０には手で把持するために太くなった部分であるグリップ２２と刃部１９に連続するシャフト２３から構成される。被叩打部２１は、柄２０のグリップ２２の下端より分枝して、刃部１９の屈曲方向とは反対に延設されている硬性構造物で、刃の方向とは反対の方向の延長線上付近に叩打点２４が付属する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【図１】正常腰部脊柱管の軸断面図である。
【図２】腰部脊柱管狭窄症の脊柱管の軸断面図である。
【図３】従来の屈曲ノミの側面図である。
【図４】参考例の側面図である。
【図５】本発明の実施形態の側面図である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
７  従来の展開側の外側骨切り線
８  理想的な展開側の外側骨切線
９  従来の骨切り刃の柄
１０  従来の骨切り刃の叩打するポイント
１１  従来の骨切り刃の刃
１２  従来の骨切り刃の刃の方向の反対の延長線上
１３  従来の骨切り刃の刃先と叩打するポイントを結んだ線上
１４  参考例の刃部
１５  参考例の柄
１６  参考例の被叩打部
１７  参考例のグリップ
１８  参考例のシャフト
１９  実施形態の刃部
２０  実施形態の柄
２１  実施形態の被叩打部
２２  実施形態のグリップ
２３  実施形態のシャフト
２４  実施形態の叩打点
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月26日(2011.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通常モードと、指令モードとを有し、遊技球の始動口への入賞を契機として通常モードから指令モードへの移行抽選をおこなうとともに、前記指令モードのときに指令内容としての所定の演出内容を通知する遊技機の演出制御基板であって、
遊技球の始動口への入賞により主制御基板から図柄変動に関する情報を取得する取得手段と、
現在時間から前記指令モードの終了時間までの残余時間を計時する計時手段と、
前記指令モード中に前記取得手段によって前記図柄変動に関する情報が取得されたときに、前記計時手段によって計時された前記残余時間の情報に基づいて、前記所定の演出内容の抽選比率を変更して抽選をおこなう抽選手段と、
前記抽選手段によって抽選された演出内容に基づいて、演出をおこなう演出手段と、
を備えることを特徴とする演出制御基板。
【請求項２】
前記抽選手段は、前記計時手段によって計時された前記残余時間が短いときほど、前記所定の演出内容の抽選比率を高くして抽選をおこなうことを特徴とする請求項１に記載の演出制御基板。
【請求項３】
前記指令内容としての所定の演出内容は、所定の図柄を示すリーチ演出であり、
前記取得手段は、前記図柄変動に関する情報としてリーチ演出時間の情報を取得し、
前記取得手段によって取得された前記リーチ演出時間の情報と、前記計時手段によって計時された前記残余時間の情報とに基づいて、前記リーチ演出の終了時間が前記指令モードの終了時間を超えるか否かを判定する判定手段をさらに備え、
前記抽選手段は、前記判定手段によって前記リーチ演出の終了時間が前記指令モードの終了時間を超えないと判定された場合に、前記所定の図柄の抽選比率を高くして抽選をおこなうことを特徴とする請求項１または２に記載の演出制御基板。
【請求項４】
前記抽選手段は、前記判定手段によって前記リーチ演出の終了時間が前記指令モードの終了時間を超えると判定された場合に、前記所定の図柄の抽選比率を低くして抽選をおこなうことを特徴とする請求項３に記載の演出制御基板。
【請求項５】
前記取得手段は、前記リーチ演出時間の情報とともに、大当たりを示す大当たり情報を取得し、
前記抽選手段は、前記取得手段によって前記大当たり情報が取得された場合に、前記所定の図柄の抽選比率を変更して抽選をおこなうことを特徴とする請求項３または４に記載の演出制御基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】演出制御基板
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、遊技球の始動口への入賞を契機として通常モードから指令モードへの移行抽選をおこなうとともに、指令の達成率を指令モードの残余時間に基づいて調整する演出制御基板に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、指令モード中の指令内容に対する達成率を可変にすることにより、指令モード中の興趣性を向上させることができる演出制御基板を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明によれば、指令モードの残余時間の情報に基づいて所定の演出内容の抽選比率を変更して抽選をおこなうようにしたので、指令内容に対する達成率を可変にすることができ、指令モード中の興趣性を向上させることができる。したがって、指令モード中に、遊技者が遊技している遊技台を放棄することを抑制でき、稼働率の向上を図ることができるという効果を奏する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる演出制御基板の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（遊技機の基本構成）
まず、本実施の形態にかかるぱちんこ遊技機の基本構成について説明する。図１は、ぱちんこ遊技機の一例を示す正面図である。図１に示すように、本実施の形態のぱちんこ遊技機１００は、遊技盤１０１を備えている。遊技盤１０１の下部位置には、発射部（図２符号２９２を参照）が配置されている。発射部の駆動によって発射された遊技球は、レール１０２ａ，１０２ｂ間を上昇して遊技盤１０１の上部位置に達した後、遊技領域１０３内を落下する。遊技領域１０３には、図示を省略する複数の釘が設けられ、遊技球を各種の方向に向けて落下させるとともに、落下途中の位置には、遊技球の落下方向を変化させる風車や、入賞口が配設されている。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５１】
以上説明したように、本発明にかかる演出制御基板によれば、指令モード中の指令内容に対する達成率を可変にすることにより、指令モード中の興趣性を向上させることができる。したがって、ミッションモード中に遊技者が遊技している遊技台を放棄することを抑制でき、よって、稼働率の向上を図ることができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月27日(2011.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体と、
前記筐体に設けられた第１の音孔と、
前記筐体内に設けられた略矩形状の電気音響変換器と、
前記第１の音孔と前記電気音響変換器との間に設けられた略円形状の膜部材と、
前記膜部材と前記電気音響変換器との間に設けられた板状部材と、
前記板状部材に設けられた第２の音孔と、
を備え、
前記第１の音孔と前記第２の音孔は、前記膜部材および前記電気音響変換器と平面視において重なり合う位置に配置された、
電子機器。
【請求項２】
前記膜部材は、前記電気音響変換器に対する防水のために設けられる請求項１記載の電子機器。
【請求項３】
前記筐体と前記膜部材の間に設けられて前記筐体と前記膜部材の間を密封する第１の密封部材と、
前記膜部材と前記板状部材との間に設けられて前記膜部材と前記板状部材の間を密封する第２の密封部材と、
前記板状部材と前記電気音響変換器との間に設けられて前記板状部材と前記電気音響変換器の間を密封する第３の密封部材とを備えた請求項１または請求項２記載の電子機器。
【請求項４】
前記電気音響機器は、スピーカである請求項１から請求項３のいずれかに記載の電子機器。
【請求項５】
前記板状部材の表面における前記第２の音孔の総面積は、前記筐体の表面における前記第１の音孔の総面積よりも大きい請求項１から請求項４のいずれかに記載の電子機器。
【請求項６】
前記板状部材は、前記筐体と一体に形成される請求項１から請求項５のいずれかに記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の電子機器は、筐体と、前記筐体に設けられた第１の音孔と、前記筐体内に設けられた略矩形状の電気音響変換器と、前記第１の音孔と前記電気音響変換器との間に設けられた略円形状の膜部材と、前記膜部材と前記電気音響変換器との間に設けられた板状部材と、前記板状部材に設けられた第２の音孔と、を備え、前記第１の音孔と前記第２の音孔は、前記膜部材および前記電気音響変換器と平面視において重なり合う位置に配置された構成を採る。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月2日(2011.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の貯留部に液体が貯留されたメインタンクと、
前記メインタンクから液体が補給される液室を有するサブタンクと、
前記サブタンクから供給される液体を吐出するヘッドと、
前記ヘッド及び前記サブタンクが搭載されて移動可能なキャリッジと、
前記キャリッジが移動することにより可動部材によって前記液室を拡張させて前記メインタンクから液体を引き込む拡張機構と、
前記ヘッドに形成された液体吐出用のノズルから液体を吸引して前記ノズルのクリーニングを行う吸引機構と、を有する液体供給装置であって、
前記メインタンクの液体残量を検出する残量検出部と、
前記メインタンクの液体残量と所定値とを比較する比較部と、
前記ノズルのクリーニングを行う第１クリーニングモードと、前記第１クリーニングモードよりも低圧の吸引圧で行う第２クリーニングモードとに設定する設定部と、を備え、
前記比較部が前記メインタンクの液体残量と前記所定値とを比較した結果、前記メインタンクの液体残量が前記所定値以上である場合には前記ノズルのクリーニングを前記第１クリーニングモードで行い、前記所定値未満である場合には前記ノズルのクリーニングを前記第２クリーニングモードで行うことを特徴とする液体供給装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液体供給装置であって、
前記サブタンクの前記液室には、前記ヘッドへの液体の流路と連通する凹部が形成されていることを特徴とする液体供給装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の液体供給装置であって、
前記第１クリーニングモードでのクリーニング時の吸引圧が、前記メインタンクの液体残量に応じて変化することを特徴とする液体供給装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の液体供給装置であって、
前記残量検出部は、前記キャリッジの移動に要する電流値から前記メインタンクの液体残量を求めることを特徴とする液体供給装置。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか一項に記載の液体供給装置であって、
前記残量検出部は、前記ヘッドからの液体の吐出量から前記メインタンクの液体残量を求めることを特徴とする液体供給装置。
【請求項６】
搬送される媒体に対して前記ヘッドからインクを吐出して印刷処理を行う印刷装置であって、
前記ヘッドへインクを供給する装置として、請求項１から５の何れか一項に記載の液体供給装置を備えていることを特徴とする印刷装置。
【請求項７】
複数の貯留部に液体が貯留されたメインタンクと、
前記メインタンクから液体が補給される液室を有するサブタンクと、
前記サブタンクから供給される液体を吐出するヘッドと、
前記ヘッド及び前記サブタンクが搭載されて移動可能なキャリッジと、
前記キャリッジが移動することにより可動部材によって前記液室を拡張させて前記メインタンクから液体を引き込む拡張機構と、
前記ヘッドに形成された液体吐出用のノズルから液体を吸引して前記ノズルのクリーニングを行う吸引機構と、を有する液体供給装置の制御方法であって、
前記メインタンクの液体残量と所定値とを比較する比較工程と、
前記メインタンクの液体残量が所定値以上である場合に前記吸引機構による前記クリーニングを第１クリーニングモードとし、前記メインタンクの液体残量が所定値未満である場合に前記吸引機構による前記クリーニングを前記第１クリーニングモードよりも低圧の吸引圧にて行う第２クリーニングモードとする設定工程と、を含むことを特徴とする液体供給装置の制御方法。
【請求項８】
請求項７に記載の液体供給装置の制御方法であって、
前記第１クリーニングモードでのクリーニング時の吸引圧を、前記メインタンクの液体残量に応じて変化させることを特徴とする液体供給装置の制御方法。
【請求項９】
請求項７または８に記載の液体供給装置の制御方法であって、
前記キャリッジの移動に要する電流値から前記メインタンクの液体残量を求めることを特徴とする液体供給装置の制御方法。
【請求項１０】
請求項７または８に記載の液体供給装置の制御方法であって、
前記ヘッドからの液体の吐出量から前記メインタンクの液体残量を求めることを特徴とする液体供給装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月1日(2011.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９９】
続いて、ステップＰ４４で下流側原動モータ・ドライバ４１２にＤ／Ａ変換器３１１を介して指令回転速度を出力した後、ステップＰ４５で第１の指令回転速度の補正値をメモリＭ４１０より読込む。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月16日(2010.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理室を備え該真空処理室内で被処理物をプラズマ処理する真空処理装置の調整方法において、
前記真空処理室内面をウェットクリーニングした後に当該真空処理室内面に撥水性表面処理を施すことを特徴とする真空処理装置の調整方法。
【請求項２】
請求項１記載の真空処理装置の調整方法において、
前記撥水性表面処理が前記真空処理室内面の表面をＣＦ化する処理であることを特徴とする真空処理装置の調整方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の真空処理装置の調整方法において、
前記真空処理室内壁を備えた部材の汚染層を除去する工程と、
前記汚染層を溶解する工程を経た部材を純水を用いて超音波洗浄を行なう工程と、
前記洗浄工程を経た部材を加熱した雰囲気中で乾燥させ、水分等を揮発除去する工程と、
前記揮発除去工程を経た部材の内壁表面にＣＦ化処理剤を塗布する工程と、
前記塗布工程を経た部材を加熱雰囲気中に放置して内壁表面をＣＦ化する工程
とからなることを特徴とする真空処理装置の調整方法。
【請求項４】
真空処理室を備え該真空処理室内で被処理物をプラズマ処理する真空処理装置の真空処理室内面に設ける内壁部材であり、ウェットクリーニングした後に撥水性表面処理が施される内壁部材であって、
該撥水性表面処理が、
該内壁部材表面の汚染層を除去する工程と、
前記除去工程を経た部材を加熱した雰囲気中で乾燥させ、水分等を揮発除去する工程と、
前記揮発除去工程を経た部材の内壁表面にＣＦ化処理剤を塗布する工程と、
前記塗布工程を経た部材を加熱雰囲気中に放置して内壁表面をＣＦ化する工程
とからなることを特徴とする真空処理装置の内壁部材。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月8日(2010.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板に形成され、ゲート幅方向に凹凸部が形成された第１導電型のウェル領域と、
絶縁膜を介して前記凹凸部に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の凹凸長手方向の一方側に前記ウェル領域の上部近傍に掛けて形成された第２導電型の上部ソース領域と、
前記上部ソース領域の下側に前記ウェル領域より浅く形成された第２導電型の下部ソース領域と、
前記ゲート電極の凹凸長手方向の他方の側に前記ウェル領域の上部近傍に掛けて形成された第２導電型の上部ドレイン領域と、
前記上部ドレイン領域の下側に前記ウェル領域より浅く形成された第２導電型の下部ドレイン領域と、
を具備したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ドレイン領域のうち、前記ゲート電極に隣接する領域では、不純物濃度が低く設定されていることを特徴とする請求項１の半導体装置。
【請求項３】
半導体基板に第１導電型の下部ウェル領域を形成するステップと、
前記下部ウェル領域の一部に第２導電型の下部ソース領域及び下部ドレイン領域を形成するステップと、
前記下部ウェル領域、前記下部ソース領域、前記下部ドレイン領域の基板表面に半導体エピタキシャル層を形成するステップと、
前記半導体エピタキシャル層に上部ウェル領域を形成するステップと、
凹凸部を形成するためのトレンチを前記下部ソース領域及び前記下部ドレイン領域の深さ以上にエッチング形成するステップと、
前記凹凸部全面に絶縁膜を形成した後、当該絶縁膜を介してゲート電極を形成するステップと、
前記形成したゲート電極の両側にイオンを注入して、前記下部ソース領域および前記下部ドレイン領域に接するように上部ソース領域および上部ドレイン領域を形成するステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体基板に第１導電型の下部ウェル領域を形成するステップと、
前記下部ウェル領域の一部に第２導電型の下部低濃度領域を形成するステップと、
前記下部低濃度領域の一部に前記下部低濃度領域より不純物濃度の濃い第２導電型の下部ソース領域及び下部ドレイン領域を形成するステップと、
前記下部ウェル領域、前記下部ソース領域、前記下部ドレイン領域の基板表面に半導体エピタキシャル層を形成するステップと、
前記半導体エピタキシャル層に上部ウェル領域を形成するステップと、
凹凸部を形成するためのトレンチを前記下部ソース領域及び前記下部ドレイン領域の深さ以上にエッチング形成するステップと、
前記凹凸部全面に絶縁膜を形成した後、当該絶縁膜を介してゲート電極を形成するステップと、
前記ゲート電極の両側にイオンを注入して、前記下部低濃度領域と接するように第２導電型の上部低濃度領域を形成するステップと、
前記ゲート電極のソース側と前記ゲート電極のドレイン側の一部に前記第２導電型の上部低濃度領域より不純物濃度の濃い第２導電型の上部ソース領域及び上部ドレイン領域を前記下部ソース領域および前記下部ドレイン領域に接するように形成するステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（１）本発明は、前記目的を達成するために、半導体基板と、前記半導体基板に形成され、ゲート幅方向に凹凸部が形成された第１導電型のウェル領域と、絶縁膜を介して前記凹凸部に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の凹凸長手方向の一方側に前記ウェル領域の上部近傍に掛けて形成された第２導電型の上部ソース領域と、前記上部ソース領域の下側に前記ウェル領域より浅く形成された第２導電型の下部ソース領域と、前記ゲート電極の凹凸長手方向の他方の側に前記ウェル領域の上部近傍に掛けて形成された第２導電型の上部ドレイン領域と、前記上部ドレイン領域の下側に前記ウェル領域より浅く形成された第２導電型の下部ドレイン領域を具備したことを特徴とする半導体装置とする。
（２）前記ドレイン領域のうち、前記ゲート電極に隣接する領域では、不純物濃度が低く設定されていることを特徴とする半導体装置とする。
（３）半導体基板に第１導電型の下部ウェル領域を形成するステップと、前記下部ウェル領域の一部に第２導電型の下部ソース領域及び下部ドレイン領域を形成するステップと、前記下部ウェル領域、前記下部ソース領域、前記下部ドレイン領域の基板表面に半導体エピタキシャル層を形成するステップと、前記半導体エピタキシャル層に上部ウェル領域を形成するステップと、凹凸部を形成するためのトレンチエッチングステップと、前記凹凸部方面に絶縁膜を形成した後、当該絶縁膜を介してゲート電極を作成するステップと、前記形成したゲート電極の両側にイオンを注入して、前記下部ソース領域および前記下部ドレイン領域に接するように上部ソース領域および上部ドレイン領域を形成するステップを有する半導体装置の製造方法とする。
（４）半導体基板に第１導電型の下部ウェル領域を形成するステップと、前記下部ウェル領域の一部に第２導電型の下部低濃度領域を形成するステップと、前記下部低濃度領域の一部に前記下部低濃度領域より不純物濃度の濃い第２導電型の下部ソース領域及び下部ドレイン領域を形成するステップと、前記下部ウェル領域、前記下部ソース領域、前記下部ドレイン領域の基板表面に半導体エピタキシャル層を形成するステップと、前記半導体エピタキシャル層に上部ウェル領域を形成するステップと、凹凸部を形成するためのトレンチエッチングステップと、前記凹凸部方面に絶縁膜を形成した後、当該絶縁膜を介してゲート電極を形成するステップと、前記ゲート電極の両側にイオンを注入して、第２導電型の上部低濃度領域を形成するステップと、前期ゲート電極のソース側と前記ゲート電極の一部のドレイン側に前記第２導電型の上部低濃度領域より不純物濃度の濃い第２導電型の上部ソース領域及び上部ドレイン領域を形成するステップを有する半導体装置の製造方法とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
１  半導体基板
２  ウェル領域
２ａ  上部ウェル領域
２ｂ  下部ウェル領域
３  ゲート電極
４  ゲート絶縁膜
５  ソース領域
５ａ  上部ソース領域
５ｂ  下部ソース領域
６  ドレイン領域
６ａ  上部ドレイン領域
６ｂ  下部ドレイン領域
７  ＬＯＣＯＳ
８  コンタクト
９  チャネル領域
１０  電流経路
１１ａ  凹部（トレンチ）
１１ｂ  凸部
１２  下部ソース・ドレイン用不純物インプラ
１３  下部ソース・ドレインの不純物
１４  上部ウェル用不純物インプラ
１５  上部ウェルの不純物
１６  半導体エピタキシャル層
１７  レジスト
１８  上部ソース・ドレイン用不純物インプラ
１９  下部低濃度領域用不純物インプラ
２０  下部低濃度領域用不純物
２１  下部低濃度領域
２２  上部低濃度領域
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月7日(2011.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の層を挟む第２の層及び第３の層のうち、前記第２の層中に形成されている渦巻状の第１の巻線本体と、当該第１の巻線本体の両端部のうち中心側の端部を起点として外側の端部に向けて前記第１の層中に延在する第１の配線とを有する不平衡型の第１の巻線と、
前記第３の層中に前記第１の巻線本体と対向して形成されている渦巻状の第２の巻線本体と、当該第２の巻線本体の両端部のうち中心側の端部を起点として外側の端部に向けて前記第１の層中に延在する第２の配線とを有する不平衡型の第２の巻線と、
前記第２の巻線本体の全体を覆うように形成されている第１の磁性体分散樹脂と、
前記第１の巻線本体の前記中心側の端部の近傍に形成されており、前記第１の磁性体分散樹脂に繋がっている第２の磁性体分散樹脂と、を含むことを特徴とするインダクタ。
【請求項２】
前記第１の巻線本体と前記第２の巻線本体とは、互いに平行な状態で対向していることを特徴とする請求項１に記載のインダクタ。
【請求項３】
前記第１の巻線に不平衡型の信号が入力され、前記第２の巻線から不平衡型の信号が出力されることを特徴とする請求項１又は２に記載のインダクタ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のインダクタを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月9日(2011.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板と該ガラス基板上に形成された薄膜とを有してなり、前記薄膜及び前記ガラス基板をエッチング加工してインプリントモールドを作製するためのインプリントモールド用マスクブランクであって、
前記薄膜は、少なくとも上層および下層の積層膜よりなり、
前記上層は、タンタル（Ｔａ）又はタンタル化合物、あるいはケイ素（Ｓｉ）又はケイ素化合物のいずれかを主成分とする材料で形成され、
前記下層は、クロム（Ｃｒ）又はクロム化合物で形成されていることを特徴とするインプリントモールド用マスクブランク。
【請求項２】
前記薄膜の上層は、フッ素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工が可能な材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載のインプリントモールド用マスクブランク。
【請求項３】
前記薄膜の上層は、タンタルの窒化物を主成分とする材料で形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリントモールド用マスクブランク。
【請求項４】
前記薄膜の上層は、モリブデン（Ｍｏ）のケイ素化合物を主成分とする材料で形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリントモールド用マスクブランク。
【請求項５】
前記薄膜の上層の膜厚が、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランク。
【請求項６】
前記薄膜の下層は、クロムの窒化物で形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランク。
【請求項７】
前記薄膜の下層の膜厚が、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランク。
【請求項８】
前記薄膜上に形成するレジスト膜の膜厚が、１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランク。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランクにおける前記薄膜上に形成したレジストパターンをマスクとして前記薄膜の上層を、フッ素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工して前記上層のパターンを形成する工程と、該上層パターンをマスクとして前記薄膜の下層を、酸素及び塩素の混合ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工して前記下層のパターンを形成する工程と、該下層パターンをマスクとして前記ガラス基板を、フッ素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工する工程と、を有することを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランクにおける前記薄膜上に形成したレジストパターンをマスクとして前記薄膜の上層を、フッ素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工して前記上層のパターンを形成する工程と、
前記上層のパターンを形成する工程後に前記レジストパターンを除去する工程と、
前記上層パターンをマスクとして前記薄膜の下層を、酸素及び塩素の混合ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工して前記下層のパターンを形成する工程と、
前記下層パターンをマスクとして前記ガラス基板を、フッ素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工し、かつ前記上層のパターンを除去する工程と、
を有することを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月9日(2011.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板と該ガラス基板上に形成された薄膜とを有してなり、前記薄膜及び前記ガラス基板をエッチング加工してインプリントモールドを作製するためのインプリントモールド用マスクブランクであって、
前記薄膜は、少なくとも上層と中間層と下層の積層膜よりなり、
前記上層は、クロム（Ｃｒ）又は酸素を実質的に含まないクロム化合物を材料とし、酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工が可能な厚さに形成され、
前記中間層は、タンタル（Ｔａ）又は酸素を実質的に含まないタンタル化合物で形成され、
前記下層は、クロム（Ｃｒ）又はクロム化合物で形成されていることを特徴とするインプリントモールド用マスクブランク。
【請求項２】
前記薄膜の中間層は、酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工が可能な材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載のインプリントモールド用マスクブランク。
【請求項３】
前記薄膜の中間層は、タンタルの窒化物を主成分とする材料で形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリントモールド用マスクブランク。
【請求項４】
前記薄膜の中間層の膜厚が、３ｎｍ〜１０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランク。
【請求項５】
前記薄膜の上層は、クロムの窒化物で形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランク。
【請求項６】
前記薄膜の上層の膜厚が、１．５ｎｍ〜３ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランク。
【請求項７】
前記薄膜上に形成するレジスト膜の膜厚が、１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランク。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランクにおける前記薄膜上に形成したレジストパターンをマスクとして前記薄膜の上層及び中間層を、酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工して前記上層及び中間層のパターンを形成する工程と、該上層及び中間層のパターンをマスクとして前記薄膜の下層を、酸素及び塩素の混合ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工して前記下層のパターンを形成する工程と、該下層パターンをマスクとして前記ガラス基板を、フッ素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工する工程と、を有することを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランクにおける前記薄膜上に形成したレジストパターンをマスクとして前記薄膜の上層及び中間層を、酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工して前記上層及び中間層のパターンを形成する工程と、
前記上層及び中間層のパターンを形成する工程後に前記レジストパターンを除去する工程と、
前記中間層のパターンをマスクとして前記薄膜の下層を、酸素及び塩素の混合ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工して前記下層のパターンを形成し、かつ前記上層のパターンを除去する工程と、
前記下層パターンをマスクとして前記ガラス基板を、フッ素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工し、かつ前記中間層のパターンを除去する工程と、
を有することを特徴とするインプリントモールドの製造方法。