【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年6月5日(2009.6.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームでレジストを含むパターンを走査する方法であって、
第１走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子ビームを導くステップであって、パターンは、荷電粒子ビームとの相互作用の結果、その特性の一つを変え、その特性の変化には前記パターンの線を形成するレジストの収縮が含まれる、前記ステップと、
第２走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子ビームを導くステップであって、第１走査路と第２走査路との間の距離は、荷電粒子ビームの径より大きい、前記ステップと、
を備える、前記方法。
【請求項２】
パターンは、実質的にレジストで形成されている、請求項１記載の方法。
【請求項３】
荷電粒子ビームは、電子ビームである、請求項１記載の方法。
【請求項４】
パターンとの相互作用から生じる荷電粒子を収集するステップを更に備える、請求項１記載の方法。
【請求項５】
収集された荷電粒子を処理するステップを更に備える、請求項４記載の方法。
【請求項６】
処理するステップは、パターンの限界寸法表示を提供する工程を備える、請求項５記載の方法。
【請求項７】
パターンを配置する予備ステップを更に備える、請求項１記載の方法。
【請求項８】
荷電粒子ビームでレジストを含むパターンを走査する方法であって、
第１走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子ビームを導くステップであって、パターンは、荷電粒子ビームとの相互作用の結果、その特性の一つを変え、その特性の変化には前記パターンの線を形成するレジストの収縮が含まれる、前記ステップと、
第２走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子ビームを導くステップと、
前記荷電粒子ビームの第２走査路に沿った前記パターンとの相互作用の後に、第１走査路と第２走査路の位置を、これらの現在の位置のいずれとも異なる別個の位置にそれぞれ変え、前記第１走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子ビームを導く前記ステップおよび前記第２走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子ビームを導く前記ステップを繰り返すステップと、
を備える、前記方法。
【請求項９】
パターンは、実質的にレジストで形成されている、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
荷電粒子ビームは、電子ビームである、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
パターンとの相互作用から生じる荷電粒子を収集するステップを更に備える、請求項８記載の方法。
【請求項１２】
収集された荷電粒子を処理するステップを更に備える、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
処理するステップは、パターンの限界寸法表示を提供する工程を備える、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
パターンを配置する予備的なステップを更に備える、請求項８記載の方法。
【請求項１５】
荷電粒子ビームでレジストを含むパターンを走査する方法であって、
第１走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子ビームを導くステップであって、パターンは、荷電粒子ビームとの相互作用の結果、その特性の一つを変え、その特性の変化には前記パターンの線を形成するレジストの収縮が含まれ、荷電粒子ビームの横断面は楕円面である、前記ステップと、
第２走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子ビームを導くステップであって、荷電粒子ビームの横断面が楕円面である、前記ステップと、
を備える、前記方法。
【請求項１６】
パターンは、実質的にレジストで形成されている、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
荷電粒子ビームは、電子ビームである、請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
パターンとの相互作用から生じる荷電粒子を収集するステップを更に備える、請求項１５記載の方法。
【請求項１９】
収集された荷電粒子を処理するステップを更に備える、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
処理するステップは、パターンの限界寸法表示を提供する工程を備える、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
パターンを配置する予備ステップを更に備える、請求項１５記載の方法。
【請求項２２】
荷電粒子ビームでレジストを含むパターンを走査する装置であって、
荷電粒子ビームを発生させる手段と、
第１走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子ビームを導く手段であって、パターンは、荷電粒子ビームとの相互作用の結果、その特性の一つを変え、その特性の変化には前記パターンの線を形成するレジストの収縮が含まれ、前記導く手段は更に、第２走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子を導く為に動作可能であり、第１走査路と第２走査路間の距離は、荷電粒子ビームの径より大きい、前記手段と、
を備える、前記装置。
【請求項２３】
荷電粒子ビームでレジストを含むパターンを走査する装置であって、
荷電粒子を発生させる手段と、
第１走査路および第２走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子ビームを導く手段と、
を備え、
パターンは、荷電粒子ビームとの相互作用の結果、その特性の一つを変え、その特性の変化には前記パターンの線を形成するレジストの収縮が含まれ、前記導く手段は、荷電粒子ビームを導くステップを繰り返すときに第１走査路と第２走査路の位置を、これらの現在の位置のいずれとも異なる別個の位置にそれぞれ変える、前記装置。
【請求項２４】
荷電粒子ビームでレジストを含むパターンを走査する装置であって、
荷電粒子ビームを発生させる手段と、
第１走査路および第２走査路に沿ってパターンと相互作用するように荷電粒子ビームを導く手段と、
を備え、
パターンは、荷電粒子ビームとの相互作用の結果、その特性の一つを変え、その特性の変化には前記パターンの線を形成するレジストの収縮が含まれる、前記装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
[0041]図４を参照すると、本発明の実施形態が例示されている。線４４の一区分は、たとえば走査路６０（１，１）−６０（３，１）のような複数の水平走査路により走査される。走査路６０（１，１）の連続した画素６１（１，１，１）−１００（１，１，ｍ）間の水平変位は、走査路６０（１，１）と、隣接した走査路６０（２，１）間の垂直変位より、かなり小さくなる。換言すると、画素６１（１，１，１，）のような各画素は、矩形であり、画素６１（１，１，１）の幅ＷＤは、およそ数ナノメートルの長さより小さくてもよいが、その長さＬ（高さ）は、数百ナノメートルを超えてもよい。更なる画素が例示されることに注意されたい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
[0053]本発明の一態様によると、走査路の位置は、審査セッション間で変更される。審査セッションは、限界寸法表示を与えるように処理される複数の審査が含まれる。例示的な審査セッションは、単一の走査ウインドウの測定を含んでもよい。この第２実施形態によると、一の走査用ウインドウと他の走査用ウインドウが部分的に重複するとしても、これらの走査用ウインドウ間で走査路の位置は異なる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
[0055]図５を参照すると、３つの別個の測定セッション間に走査される３本の走査路６０（１，１）、６０（１，２）、６０（１，３）と、幾つかの対応する画素６１（１，１，１）−６１（１，１，６）、６１（１，２，７）−６１（１，２，１２）、６１（１，３，１３）−６１（１，３，１８）が例示されている。走査路６０（１，１）は、第１測定セッション中に追従され、走査路６０（１，２）は第２測定セッション中に追従され、走査路６０（１，３）は第３測定セッション中に追従される。走査路６０（１，２）と６０（１，３）は、反復性測定セッションが同一の検査区分の更なる収縮を発生させないように別個の位置で、荷電粒子に線４４と相互作用させる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
[0057]方法１６０は、測定される寸法の一つを都合良く有するように、検査されるべきパターンを配置するステップで開始する。線４４の、先の例示区分４５を参照すると、線４４は、線４４の幅を測定する為に検査されるものである。