Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月6日(2009.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子ブロックと、
前記端子ブロック上のインデックス・ストリップであって、第１の複数の導体受容スロットを備えるインデックス・ストリップと、
前記インデックス・ストリップに取り付けられた１つまたは複数のコネクタブロックと、
前記１つまたは複数のコネクタブロック内に少なくとも部分的に取り付けられた複数対のチップ・リング絶縁変位コネクタ（ＩＤＣ）と、
を備えている交差接続配線システムであって、
前記ＩＤＣの各々は、第１の相手導体と電気接続する第１の端と、第２の相手導体と嵌合する、前記第１の端と略反対側の第２の端とを有し、前記第２の端は、前記第１の端からずらされ、
前記ＩＤＣの各々は、前記第１の端に、第１の方向を向く開端を有する第１のスロットを備えていると共に、前記第２の端に、前記第１の方向と略反対の第２の方向を向く開端を有する第２のスロットを備えていることを特徴とする交差接続配線システム。
【請求項２】
前記ＩＤＣの各々の前記第１の端および前記第２の端は、前記端子ブロックの同一の側に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の交差接続配線システム。
【請求項３】
前記１つまたは複数のコネクタブロックは、各々、第２の複数の導体受容スロットを備え、前記インデックス・ストリップは、前記第１の複数の導体受容スロットを画定する複数の支柱を備えていることを特徴とする、請求項２に記載の交差接続配線システム。
【請求項４】
前記ＩＤＣの各々は、実質的に平面状であり、前記複数対のＩＤＣは、４対のＩＤＣであり、前記４対のＩＤＣは、前記１つまたは複数のコネクタブロックの単一のコネクタブロックに収容されていることを特徴とする、請求項２に記載の交差接続配線システム。
【請求項５】
前記ＩＤＣは、前記複数のＩＤＣ対の第１の対における１つのＩＤＣの第１の端と前記複数のＩＤＣ対の第２の対における両方のＩＤＣの第１の端との間の距離が略同一であり、前記複数のＩＤＣ対の前記第１の対における他のＩＤＣの第２の端と前記複数のＩＤＣ対の前記第２の対における両方のＩＤＣの第２の端との間の距離が略同一であるように、配置されていることを特徴とする、請求項２に記載の交差接続配線システム。
【請求項６】
前記ＩＤＣの各々の前記第１および第２のスロットは、略平行に延び、かつ同一線上に並ばないように配置され、前記チップＩＤＣは第１の列に配置され、前記リングＩＤＣは第２の列に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の交差接続配線システム。
【請求項７】
第１のＩＤＣ対のＩＤＣの前記第１の端および前記第２の端、および前記第１のＩＤＣ対と隣接する第２のＩＤＣ対のＩＤＣの前記第１の端および前記第２の端は、前記第１のＩＤＣ対および前記第２のＩＤＣ対の前記ＩＤＣ間のクロストークを自己補償するように、配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の交差接続配線システム。
【請求項８】
端子ブロックと、
前記端子ブロックに取り付けられた少なくとも１つのコネクタブロックと、
前記少なくとも１つのコネクタブロック内に少なくとも部分的に収容される複数対のチップ・リング絶縁変位コネクタ（ＩＤＣ）と、
を備えている交差接続配線システムであって、
前記ＩＤＣの各々は、第１の相手導体と電気接続する第１のスロットと、第２の相手導体と嵌合する、前記第１のスロットと略反対側の第２のスロットとを有し、前記ＩＤＣの各々は、略平面状であり、前記ＩＤＣの各々の前記第１のスロットおよび前記第２のスロットは、略平行に延び、かつ同一線上に並ばないように配置され、
前記ＩＤＣの各々の前記第１のスロットおよび前記第２のスロットは、前記端子ブロックの同じ側に配置されていることを特徴とする交差接続配線システム。
【請求項９】
前記少なくとも１つのコネクタブロックは、前記複数のチップ・リングＩＤＣを収容する単一のコネクタブロックを含み、前記チップＩＤＣは、前記単一コネクタブロック内において第１の列に配置され、前記リングＩＤＣは、前記単一コネクタブロック内において第２の列に配置されていることを特徴とする、請求項８に記載の交差接続配線システム。
【請求項１０】
前記端子ブロック上にインデックス・ストリップをさらに備え、前記インデックス・ストリップは、複数の導体受容スロットを備え、前記少なくとも１つのコネクタブロックは、前記コネクタブロックを前記インデックス・ストリップに取り付けることによって、前記端子ブロックに取り付けられるようになっており、前記複数のＩＤＣ対の第１の対における第１のＩＤＣの第１の端は、前記複数のＩＤＣ対の第２の対における両方のＩＤＣの第１の端から実質的に等距離にあることを特徴とする、請求項９に記載の交差接続配線システム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月18日(2009.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
自己熱改質装置において水素リッチ生成ガスを製造する方法において、
−  混合室に一つの導管を通して水蒸気／キャリヤーガス混合物を供給し及び燃料／酸化剤混合物を、ノズルに通して供給し、
−  燃料／水蒸気／酸化剤／キャリヤーガス混合物を反応室において発熱反応及び吸熱反応で接触的に水素リッチ生成ガスに転化し、
−  この場合に放出される熱を第一の反応室を取り囲む熱交換器に放出し、
−  燃料電池からの残留アノードガスをバーナー室において発熱反応で有害物質の少ない排ガスに接触的に転化し、
−  この場合に放出される熱を第二の反応室を取り囲む熱交換器に放出し、
−  水を水蒸気／キャリヤーガス混合物中で水蒸気に蒸発するために必要な熱の一部を、水素リッチの生成ガス、及び有害物質の少ないバーナー室からの排ガスの冷却によって供給し、その際に水蒸気／キャリヤーガス混合物を相前後する両方の熱交換器に通す
ことを特徴とする、上記方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図中の記号は以下の意味を有する：
ＲＴ：  改質器部分
ＢＴ：  バーナー部分
ＲＲ：  反応室
ＢＲ：  バーナー室
ＭＫ１：第一の混合室
ＭＫ２：第二の混合室
ＷＴ１：第一の熱交換器
ＷＴ２：第二の熱交換器
ＷＴ３：第三の熱交換器
Ｃ／Ｏ：燃料／酸化剤混合物
Ｈ２Ｏ／Ｔ：水／キャリヤーガス混合物
Ｄ／Ｔ：水蒸気／キャリヤーガス混合物
ＲＥ：  改質生成物
ＡＲ：  残留アノードガス
ＢＡ：  バーナー排ガス
ＡＲ／Ｏ：残留アノードガス／酸化剤混合物
ＢＺ：  バーナー供給手段
ＲＡ：  改質生成物出口
ＷＬＺ／ＤＡ：水及び空気供給／水蒸気出口
ＤＺ：  水蒸気供給
ＫＬＺ：燃料及び空気供給。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図１中に、自熱改質器の反応室（ＲＲ）及びバーナーのバーナー室（ＢＲ）を見ることができる。両方の室では発熱工程が行われる。ここで発生する熱の少なくとも一部は一方では改質生成物（ＲＥ）から第一の熱交換器（ＷＴ１）によって及びもう一方ではバーナー排ガス（ＢＡ）から第二の熱交換器（ＷＴ２）によって放出される。両方の熱交換器はこの熱を水／酸化剤混合物（Ｈ２Ｏ／Ｔ）を加熱するために利用され、次いで、この水／酸化剤混合物（Ｈ２Ｏ／Ｔ）は水蒸気／キャリヤーガス混合物（Ｄ／Ｔ）として第一の混合室に供給される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
ＲＴ：  改質器部分
ＢＴ：  バーナー部分
ＲＲ：  反応室
ＢＲ：  バーナー室
ＭＫ１：第一の混合室
ＭＫ２：第二の混合室
ＷＴ１：第一の熱交換器
ＷＴ２：第二の熱交換器
ＷＴ３：第三の熱交換器
Ｃ／Ｏ：燃料／酸化剤混合物
Ｈ２Ｏ／Ｔ：水／キャリヤーガス混合物
Ｄ／Ｔ：水蒸気／キャリヤーガス混合物
ＲＥ：  改質生成物
ＡＲ：  残留アノードガス  
ＢＡ：  バーナー排ガス
ＡＲ／Ｏ：残留アノードガス／酸化剤混合物
ＢＺ：  バーナー供給手段
ＲＡ：  改質生成物出口
ＷＬＺ／ＤＡ：水及び空気供給／水蒸気出口
ＤＺ：  水蒸気供給
ＫＬＺ：燃料及び空気供給
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月22日(2008.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低欠陥密度のハイブリッド配向基板を形成する方法であって、
第１表面配向を有し、第２表面配向を有する下層の半導体基板上に配置された、直接半導体接合層を含むハイブリッド配向基板であって、前記直接半導体接合層の選択された領域はアモルファス化され、第１温度又はそれ以下の温度で再結晶化アニールを受けて、前記第２表面配向を有する前記直接半導体接合層の選択された領域をもたらす、ハイブリッド配向基板を準備するステップと、
前記第２表面配向を有する前記直接半導体接合層の前記選択された領域を、前記第１表面配向を有する前記直接半導体接合層の領域から横方向に分離するための、前記直接半導体接合層の少なくとも厚さと同じ深さまで延びる誘電体分離領域を形成するステップと、
前記第１温度より高い第２温度又はそれ以下の温度で欠陥除去アニールを実行するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記第１及び第２表面配向は、１００、１１０、又は１１１のうちの１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ハイブリッド配向基板を準備するステップは、（ｉ）下層の半導体基板上に配置された前記直接半導体接合層を含む２層テンプレート・スタックを形成するステップと、（ｉｉ）前記直接半導体接合層の選択された領域を、アモルファス化領域及び初期配向領域を有する選択された領域を残すように、前記下層の半導体基板層に至るまでアモルファス化するステップと、（ｉｉｉ）前記第１温度又はそれ以下の温度で再結晶化アニールを実行して、前記アモルファス化領域を前記下層の半導体基板の配向を有する変更配向半導体の領域に変換するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記再結晶化アニールは、５００℃から９００℃までの温度範囲においてアニールするステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記欠陥除去アニールは、１２００℃から１３５０℃までの温度範囲においてアニールするステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記誘電体分離領域は、前記欠陥除去アニールの前に処分可能な絶縁体で充填又は部分的に充填され、前記処分可能な絶縁体は前記欠陥除去アニール後に永続的な絶縁体で置き替えられる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１表面配向を有する前記直接半導体層、前記第２表面配向を有する前記選択された領域及び前記誘電体分離領域の各々は、互いに同一平面にある上部表面を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
低欠陥密度のハイブリッド配向の半導体・オン・インシュレータ基板を形成する方法であって、
第１配向を有する第１の下部の単結晶半導体・オン・インシュレータ層と、前記第１配向とは異なる第２配向を有する第２の上部の単結晶半導体層とを含む、２層テンプレート層スタックを絶縁基板層上に形成するステップと、
前記２層テンプレート・スタックの前記下部半導体層を選択された範囲でアモルファス化して局所的なアモルファス化領域を形成するステップと、
第１温度又はそれ以下の温度で再結晶化アニールを実行して、前記下部半導体層の前記アモルファス化領域を前記上部半導体層の配向を有する変更配向半導体の領域に変換するステップと、
前記スタックの前記上部半導体層を除去して前記下部半導体層を露出させるステップと、
前記下部半導体層の前記初期配向領域と前記変更配向領域を横方向に分離するための、前記絶縁基板層と接触する誘電体分離領域を形成するステップと、
前記第１温度より高い第２温度又はそれ以上の温度で欠陥除去アニールを実行するステップと
を含む方法。
【請求項９】
前記第１及び第２表面配向は、１００、１１０、又は１１１のうちの１つを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１表面配向は１１０であり、前記第２表面配向は１００である、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記再結晶化アニールは、５００℃から９００℃までの温度範囲においてアニールするステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記欠陥除去アニールは、１２００℃から１３５０℃までの温度範囲においてアニールするステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記誘電体分離領域は、前記欠陥除去アニールの前に、処分可能な絶縁体で充填又は部分的に充填され、前記処分可能な絶縁体は前記欠陥除去アニール後に永続的な絶縁体で置き替えられる、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
ハイブリッド配向基板を形成する方法であって、
第１表面配向を有し、第２表面配向を有する下層の半導体基板層上に配置された、直接半導体接合層を備えた出発基板を準備するステップと、
前記直接半導体接合層の選択された領域を溶融し再結晶化して、前記第２表面配向を有する前記直接半導体接合層の選択された領域を作成するステップと
を含む方法。
【請求項１５】
配向変更の溶融及び再結晶化に対して前記選択された領域と、配向変更の溶融及び再結晶化に対して選択されない領域との間に絶縁体充填の分離領域を形成するステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記絶縁体充填の分離トレンチは、前記溶融及び再結晶化ステップの前に形成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記絶縁体充填の分離トレンチは、前記溶融及び再結晶化ステップの後に形成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
再結晶化後の欠陥除去アニールをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月27日(2009.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する単位セルを含み、
前記単位セルは、
（ａ）前記複数の画素に共有された増幅器入力用トランジスタと、
（ｂ）浮遊拡散配線層によって結合されていると共に前記増幅器入力用トランジスタに接続された複数の浮遊拡散領域と、
（ｃ）出力信号用配線を構成する配線層であって、前記出力信号用配線の上に設けられる前記浮遊拡散配線層をシールドする配線層と、
を含むことを特徴とする画像センサ。
【請求項２】
複数の画素を有する単位セルを含み、各画素はフォトディテクタおよび転送ゲートを含んでおり、
前記単位セルは、（ａ）浮遊拡散配線層によって結合された複数の浮遊拡散領域を含み、
前記浮遊拡散領域内にｐ型ウェル埋め込み領域が付加されず、
前記複数の浮遊拡散領域は、ｎ型ソース／ドレイン埋め込み領域を有し、
ｎ型埋め込み領域が前記ｎ型ソース／ドレイン埋め込み領域を囲んで接合容量を低下させていることを特徴とする画像センサ。
【請求項３】
複数の画素を有する単位セルを含み、各画素はフォトディテクタおよび転送ゲートを含んでおり、
前記単位セルは、（ａ）浮遊拡散配線層によって結合された、ｎ型ソース／ドレイン埋め込み領域を有する複数の浮遊拡散領域を含み、
ｎ型埋め込み領域が前記ｎ型ソース／ドレイン埋め込み領域を囲んで接合容量を低下させていることを特徴とする画像センサ。
【請求項４】
請求項１に記載の画像センサを備えることを特徴とするカメラ。
【請求項５】
請求項２に記載の画像センサを備えることを特徴とするカメラ。
【請求項６】
請求項３に記載の画像センサを備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月19日(2009.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）無極性｛１−１００｝ｍ面III 族窒化物を適当な基板上に有機金属化学気相成膜法（ＭＯＣＶＤ）を用いて成長する工程を含むことを特徴とする、平坦な無極性ｍ面III 族窒化物のエピタキシャル薄膜を成長する方法。
【請求項２】
前記基板はｍ−炭化珪素（ＳｉＣ）基板を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。                                                            
【請求項３】
前記無極性ｍ面III 族窒化物はｍ面窒化ガリウム（ＧａＮ）を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記成長工程の前に、前記基板表面から酸化物を除去するために前記基板を溶剤で洗浄し、酸に浸漬する工程を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記成長工程の前に、前記基板を熱処理する工程を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記基板上に核形成層を成長する工程と、前記核形成層上に前記無極性ｍ面III 族窒化物を成長する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記核形成層は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含むことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
（１）前記基板を熱処理する工程と、
（２）前記熱処理工程の後に、前記基板上に核形成層を成長する工程、および
（３）前記核形成層上に前記無極性ｍ面III 族窒化物を成長する工程
を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記無極性ｍ面III 族窒化物が平坦なエピタキシャル層であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法を用いて作られるデバイス、ウェーハ、基板、或いはテンプレート。
【請求項１１】
（ａ）適当な基板上に有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いて無極性ｍ面III 族窒化物を成長する工程を含むことを特徴とし、
（１）前記基板表面から酸化膜を除去するために前記基板を溶剤で洗浄し、酸に浸漬する工程と、
（２）前記溶剤で洗浄し酸に浸漬する工程の後に、前記基板を熱処理する工程と、
（３）前記熱処理工程後に前記基板上に核形成層を成長する工程と、
（４）前記核形成層上に前記無極性ｍ面III 族窒化物の平坦なエピタキシャル層を成長する工程
を含む、平坦な無極性ｍ面III 族窒化物のエピタキシャル薄膜を成長する方法。
【請求項１２】
適当な基板上に有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いて無極性ｍ面III 族窒化物の薄膜を成長する工程を含むことを特徴とする、無極性ｍ面III 族窒化物の薄膜を成長する方法。
【請求項１３】
前記基板は、ｍ−ＳｉＣ、ｍ−ＧａＮ、ＬｉＧａＯ2 、またはＬｉＡｌＯ2 基板を含むことを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記無極性ｍ面III 族窒化物の薄膜は、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮまたはＩｎＧａＮを含むことを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記基板上に核形成層を成長する工程と、前記核形成層上に前記無極性ｍ面III 族窒化物の薄膜を成長する工程をさらに含むこと特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記核形成層は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含むことを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
（１）前記基板表面から酸化膜を除去するために前記基板を溶剤で洗浄し、酸に浸漬する工程と、
（２）前記溶剤で洗浄し酸に浸漬する工程の後に、前記基板を熱処理する工程と、
（３）前記熱処理工程後に前記基板上に核形成層を成長する工程と、
（４）前記核形成層上に前記無極性ｍ面III 族窒化物のエピタキシャル層を成長する工程
を含むことを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１２に記載の方法を用いて作られるデバイス、ウェーハ、基板或いはテンプレート。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月15日(2009.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子装置であって、前記電子装置は、
部分として一体的に形成されたアンテナを含むパッケージ・フレームと、
前記パッケージ・フレームに取り付けられたＩＣ（集積回路）チップと、
前記ＩＣチップ及び前記アンテナへの電気的接続を提供する相互配線と、
パッケージ・カバーと、
を含む、前記電子装置。
【請求項２】
前記パッケージ・フレームは、パッケージ・リード・フレーム、パッケージ基板、パッケージ・キャリヤ、または、パッケージ・コアを含む、請求項１の装置。
【請求項３】
前記パッケージ・カバーは前記ＩＣチップ及びパッケージ・フレームを完全にカプセル封じする、請求項１の装置。
【請求項４】
前記パッケージ・フレームは、前記パッケージ・フレームの第１の側にアンテナ領域を含み、そこにおいて放射が前記アンテナから発せられ或いは前記アンテナに結合される、請求項１の装置。
【請求項５】
前記パッケージ・カバーは、前記パッケージ・フレームの前記第１の側を露出させるように形成される、請求項４の装置。
【請求項６】
前記パッケージ・カバーは、少なくとも前記パッケージ・フレームの前記第１の側の前記アンテナ領域を露出させるように形成される、請求項４の装置。
【請求項７】
前記ＩＣチップは、前記パッケージ・フレームの前記第１の側とは反対側の前記パッケージ・フレームの第２の側に取り付けられる、請求項４の装置。
【請求項８】
前記ＩＣチップは、前記アンテナ領域に隣接する領域において前記パッケージ・フレームの前記第１の側に取り付けられる、請求項４の装置。
【請求項９】
前記パッケージ・フレームは、一体的に形成されたアンテナ・フィード回路網、または、一体的に形成されたインピーダンス整合回路網を更に含む、請求項１の装置。
【請求項１０】
前記相互配線は前記ＩＣチップ上のボンド・パッドをアンテナ・フィード回路網に接続するボンド・ワイヤを含む、請求項１の装置。
【請求項１１】
前記相互配線は、前記パッケージ・フレームの部分として一体的に形成された伝送線路を含む、請求項１の装置。
【請求項１２】
前記相互配線は、前記パッケージ・フレームと、前記パッケージ・フレームにフリップ・チップ取り付けされた前記ＩＣチップとの間のはんだボール接続部を含む、請求項１の装置。
【請求項１３】
前記ＩＣチップは、一体化された無線レシーバ回路、一体化された無線トランスミッタ回路、一体化された無線トランシーバ回路を含む、請求項１の装置。
【請求項１４】
電子装置であって、前記電子装置は、
金属製リード・フレームであって、パッケージ・リード・フレームの部分として１つ以上のアンテナ素子を形成するようにパターニングされた金属製リード・フレームと、
前記パッケージ・リード・フレームのダイ・パドルに取り付けられたＩＣ（集積回路）チップと、
前記ＩＣチップ及び前記アンテナへの電気的接続を提供する相互配線と、
パッケージ・カバーと、
を含む、前記電子装置。
【請求項１５】
前記金属製リード・フレームはリード無しフレームである、請求項１４の装置。
【請求項１６】
前記金属製リード・フレームは、その一方の側に、前記１つ以上のアンテナ素子が形成される凹所領域を有する、請求項１４の装置。
【請求項１７】
前記凹所領域は前記パッケージ・カバーを形成する材料で満たされる、請求項１６の装置。
【請求項１８】
前記凹所領域は空気空洞を含む、請求項１６の装置。
【請求項１９】
前記ダイ・パドルの少なくとも一部分は前記アンテナの放射素子を含む、請求項１４の装置。
【請求項２０】
チップ・パッケージを作る方法であって、
一体的に形成されたアンテナを有するパッケージ・フレームを形成することと、
前記パッケージ・フレームにＩＣ（集積回路）チップを取り付けることと、
パッケージ・カバーを形成することと、
を含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月29日(2009.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
６３０ｎｍから６９０ｎｍの範囲の波長を持った光学出力を生成するよう適合されたキャビティ（２１）を有する垂直キャビティ表面放射光学デバイスであって、該デバイスは、そのデバイスの中央の軸部分の中で電流を濃縮するための酸化物アパーチャ（８０）と、実質的に単一の横動作モードを選択するよう適合されたデバイスの出力表面における表面レリーフ特徴（５２）と、を含むことを特徴とする垂直キャビティ表面放射光学デバイス。
【請求項２】
表面レリーフ特徴（５２）はｍλ／４ｎの範囲に高さ（１４２）を持ち、ここで、λは６３０ｎｍから６９０ｎｍの範囲にあり、ｍは奇数であり、ｎは表面レリーフ特徴が形成される材料（１８）の波長λでの屈折率であることを特徴とする請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項３】
表面レリーフ特徴（５２）は、ＧａＡｓキャップ層（１８）と下に横たわるＩｎＧａＰエッチング停止層（１７）との間、またはＩｎＧａＡｓキャップ層とＡｌＧａＩｎＰエッチング停止層との間に段差として提供されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光学デバイス。
【請求項４】
表面レリーフ特徴（５２）は、光軸上に中心を合わせられた低いレリーフ部を有することを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３に記載の光学デバイス。
【請求項５】
表面レリーフ特徴（５２）は、光軸上に中心を合わせられた高いレリーフ部を有することを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３に記載の光学デバイス。
【請求項６】
表面レリーフ特徴（５２）は、デバイスの光軸上に中心を合わせられ、酸化物アパーチャと同軸の円形のレリーフ領域を有することを特徴とする請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項７】
表面レリーフ特徴（５２）の直径（１４１）と酸化物アパーチャ（８０）の直径（１４０）は、
ｙ≦ｘ／８＋４．２５、および、ｙ≦−４ｘ／３＋２５．６７
で表わされる関係にあり、ここで、ｘはミクロン単位の酸化物アパーチャであり、ｙはミクロン単位の表面レリーフ直径であることを特徴とする請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項８】
表面レリーフ直径（１４１）は３ミクロンより大きく、酸化物アパーチャ直径（１４０）は６ミクロンより大きいことを特徴とする請求項７に記載の光学デバイス。
【請求項９】
表面レリーフ直径（１４１）は３から５ミクロンの範囲にあり、酸化物アパーチャ直径（１４０）は６から１５ミクロンの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項１０】
表面レリーフ直径（１４１）は４．８から５ミクロンの範囲にあり、酸化物アパーチャ直径（１４０）は８から９ミクロンの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項１１】
基板（４）と、
基板の上に形成した下側の反射構造（２０）と、
光学デバイスのキャビティ（２１）を規定する下側の反射構造の上の量子井戸構造（１４）と、
量子井戸構造の上に形成された上側の反射構造（１６）と、
前記表面レリーフ特徴を規定する上側の層または層群（１８）と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項１２】
下側の反射構造（２０）は、５５対のＡｌＡｓ／Ａｌ（０．５）Ｇａ（０．５）Ａｓの交互層（９、８Ａ）を備えた分布ブラッグ反射ミラーを有し、その状況で、上側の反射構造（１６）は、３５対のＡｌ（０．９８−０．９５）ＧａＡｓ／Ａｌ（０．５）ＧａＡｓの交互層（１０、８Ｂ、１５、８Ｃ）を備えた分布ブラッグ反射ミラーを有することを特徴とする請求項１１に記載の光学デバイス。
【請求項１３】
一対（１５、８Ｃ）の下側の反射構造（１０）がＡｌ（０．９８）ＧａＡｓを利用し、残りの３４対の層（１０、８Ｂ）がＡｌ（０．９５）ＧａＡｓを、それぞれの対の構成の１つとして利用することを特徴とする請求項１２に記載の光学デバイス。
【請求項１４】
下側の反射構造（２０）と量子井戸構造（１４）との間に拡散バリア層（１１）をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の光学デバイス。
【請求項１５】
量子井戸構造（１４）と上側の反射構造（１６）との間にスペーサ層（２２）を含むことを特徴とする請求項１１に記載の光学デバイス。
【請求項１６】
スペーサ層（２２）はＭｇでドープされることを特徴とする請求項１５に記載の光学デバイス。
【請求項１７】
前記表面レリーフ特徴（５２）を規定する上側の層または層群（１７、１８）は、下側のＩｎＧａＰエッチング停止層（１７）と４分の１波長逆位相層（１８）とを有することを特徴とする請求項１１に記載の光学デバイス。
【請求項１８】
表面レリーフ特徴（５２）は４０ｎｍから４６ｎｍの範囲に高さを持つことを特徴とする請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項１９】
ＶＣＳＥＬを有することを特徴とする請求項１から１８のいずれか１項に記載の光学デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月5日(2008.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記ニオブ酸化物は、ＮｂＯ0.7、ＮｂＯ1.0、ＮｂＯ1.1及びＮｂＯ2からなる群から選択されること特徴とする請求項１に記載の湿式電解コンデンサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の具体的な実施形態において、酸化物被膜１４は、ニオブと酸素の原子比率が１：２．５未満、特に、１：１．５未満、特に、１：１．１未満、特に、１：０．５±０．２のニオブ酸化物を含むことができる。例えば、ニオブ酸化物は、ＮｂＯ0.7、ＮｂＯ1.0、ＮｂＯ1.1及びＮｂＯ2とすることができる。好ましい実施形態において、酸化物被膜１４は、ＮｂＯ2を含む。ＮｂＯ2は、通常の状態の下では陽極酸化しない、比較的伝導性を有するニオブ酸化物である。ＮｂＯ2は又、Ｈ2ＳＯ4又は他の液体電解質において安定であり、容易に溶解しない。更には、ＮｂＯ2は、高温での焼結後も化学的に安定である。すなわち、ＮｂＯ2被覆されたカソードは、ＮｂＯ2としての化学的構造を維持しつつ、ＮｂＯ2がカソード基体（例えば、タンタル缶又はタンタル箔）とよく結合するように、十分に高温で焼結されることができる。例えば、高温での焼結後、ＮｂＯ2はタンタル基体としっかりと結合してカソードを形成するが、ＮｂＯ2としての化学的構造を維持することが、Ｘ線回折試験によって示される。ＮｂＯ2は又、典型的には、非常に小さな表面積の粒子を含む均質な被覆を用いた場合よりも多くの場所で液体電解質がカソードと接することができるような大きな表面積を有する。これに加えて、ＮｂＯ2被覆されたカソードは、湿式電解コンデンサに用いられる従来のカソードよりも幅広いｐＨ範囲にわたって効率的に動作することができると考えられている。例を示すだけであるが、ＲｕＯ2被覆されたカソードを用いて形成された湿式電解コンデンサといった、特定の従来の湿式電解コンデンサは、正しい動作のために非常に特定されたｐＨ範囲を必要とすると考えられている。しかしながら、本発明の特定の実施形態によって形成されたＮｂＯ2を含む被覆カソードは、幅広いｐＨ範囲にわたって動作することができ、それによって、これらのカソードで形成されたコンデンサにおいて、幅広い範囲のアノードを用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月6日(2009.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギー発生のための光電気化学的方法であって、以下を含む：
少なくとも水溶性の電解物質、移動可能な電子運搬物質、およびエネルギー源を使用し、水を酸化または光電解し、次いで水素原子で酸素原子を結合して、Ｈ２Ｏ分子を再生成することを含み；
前記光電解の反応は前記エネルギー源に励起された電子が電解物質の外部から内部へ取り出され、次いで低エネルギー電子から高エネルギー電子を生成し、高エネルギー電子は、運搬物質により電解物質の反応中心に移動し、反応中心で受容体に捕捉され、別の電子の第一受容体に運搬され、該電子の運搬は陽子勾配の形成に用いられるエネルギーを遊離し、正に帯電した供与体または酸化剤および負に帯電した受容体または還元剤を形成し；
前記光電解はＯ２分子および４Ｈ＋を生成し、２の水分子から４電子の移動を伴い、該移動は各電子につき１ずつ４光子を吸収し；
続く前記水素原子で酸素原子を結合することは、水分子とそれに伴うエネルギーを生成し；
前記プロセスの全体は、２〜４５℃およびｐＨ２〜９で行われる、光電気化学的方法。
【請求項２】
前記メラニン電解物質がメラニン、メラニン前駆体、メラニン誘導体、メラニン類似物質（ａｎａｌｏｇｕｅ）およびメラニン変異体（ｖａｒｉａｎｔ）のいずれかであり、粒径が１Å以上４ｃｍ以下で電気活性であり；前記電解物質は懸濁液中、溶液中またはゲル中に存在し、天然物または植物、動物、鉱物もしくはそれらの混合物由来の人工物であり、純粋物またはこれらの、もしくは、無機物もしくは有機物との、すなわちドープされた、混合物であり、前記電解物質のシステム中の濃度が、０．１〜１００％である請求項１に記載の光電気化学的方法。
【請求項３】
前記電子運搬物質がキノン類または無機受容体である請求項１または２に記載の光電気化学的方法。
【請求項４】
前記エネルギー源が、波長２００〜９００ｎｍの自然光であり、集束光、コヒーレント光もしくは発散光、機械的運動として力学的エネルギーを与えるエネルギー源である請求項１〜３のいずれか一項に記載の光電気化学的方法。
【請求項５】
反応におけるｐＨが７前後である請求項１〜４のいずれか一項に記載の光電気化学的方法。
【請求項６】
還元生成物を代わりに得るための電気化学的プロセスにおいて、エネルギーを発生する電解物質としての、メラニン、メラニン前駆体、メラニン誘導体、メラニン類似物質およびメラニン変異体のいずれかの使用。
【請求項７】
前記電気化学的プロセスが、電気エネルギーを発生するか、またはバッテリーもしくは蓄電池として電気エネルギーを蓄える請求項６に記載の使用。
【請求項８】
前記電気化学的プロセスが、二酸化炭素、硫酸塩または硝酸塩を代わりに還元する、請求項６または７に記載の使用。
【請求項９】
前記電気化学的プロセスが、Ｏ２分子を生成するか、または、酸素の部分的な還元により、超酸化アニオン、過酸化水素もしくはヒドロキシル（ｈｙｄｒｏｘｙｌｓ）を代わりに得る請求項６〜８のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１０】
電解物質であるメラニンを用いてエネルギーを生成するかまたは保存する電気化学的プロセスを実施する装置であって、モノリシック設計中に半導体材料および水の電解物質を一体化させた反応セル、並びに、レンズによって光を集束または選択することを可能にした、電極を備えた自然光のエネルギー源を含む、電気化学的プロセスを実施する装置。
【請求項１１】
前記セルは反応系の活性化のための電磁波を透過させる材料で形成され、間仕切りを設けることができ、前記セルの容積は少なくとも１μＬであり、セル内のガス分圧は０．１ｍｍＨｇ〜４気圧である、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記レンズは、両凸、または、集光のために露光する面が凸であり他方の面が平面であるマイクロレンズであり、前記レンズは０．１〜１００ジオプトリーである請求項１０または１１に記載の装置。
【請求項１３】
バッテリーまたは蓄電池として、電気エネルギーを蓄える請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月21日(2009.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
上記薬剤組成物を構成する顆粒が、澱粉、特にトウモロコシ澱粉、高分散二酸化ケイ素、及びステアリン酸マグネシウムを含む混合物で構成された外側の相で被覆されている、請求項１〜８いずれか１項記載の薬剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月10日(2008.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
活性成分として請求項１の化合物を含む、11-β-ヒドロキシステロイドデヒドロゲナーゼI型阻害剤療法を必要とする疾患を治療し、予防し、またはその進行を遅らせるための医薬組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
活性成分として請求項１の化合物を含む、糖尿病、高血糖、肥満、異常脂質血症、高血圧、認知障害、慢性関節リウマチ、変形性関節症、緑内障、および代謝症候群を治療し、予防し、またはその進行を遅らせるための医薬組成物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
活性成分として請求項１の化合物を含む、酵素11-β-ヒドロキシステロイドデヒドロゲナーゼI型を阻害する医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月8日(2009.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルキレンオキシド−ラクトン系ポリマーを含むパーソナルケア組成物であって、該アルキレンオキシド−ラクトン系ポリマーが、以下：
Ａ．式（Ｉ）のアルキレンオキシド、
【化１】
2008543753.tif 000001
［式中、各Ｒは独立に、水素、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ1〜Ｃ12ハロアルキル、もしくは、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基であり、または、式中、２つのＲ置換基は隣接する両方のエポキシ炭素と一緒に、飽和もしくはモノエチレン性不飽和脂環式炭化水素環を形成する。］および
Ｂ．式（ＩＩ）のラクトン、
【化２】
2008543753.tif 000002
［式中、ｎは２以上であり、各Ｒ'は独立に水素、Ｃ1〜Ｃ8アルキル、シクロヘキシル、またはＣ1〜Ｃ8アルコキシであり、ただし４つ以上のＲ'は水素である。］
をランダム共重合形態で含む、パーソナルケア組成物。
【請求項２】
前記アルキレンオキシド−ラクトン系ポリマーが、式Ｉのアルキレンオキシドおよび式ＩＩのラクトンをランダムに共重合した形態で含み、前記ポリマーが、重合した式Ｉのアルキレンオキシドのブロックによってキャッピングされている、請求項１のパーソナルケア組成物。
【請求項３】
前記アルキレンオキシド−ラクトン系ポリマー中の前記アルキレンオキシドが、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、または、ブチレンオキシドである、請求項１または２のパーソナルケア組成物。
【請求項４】
前記アルキレンオキシド−ラクトン系ポリマーが、重合したエチレンオキシドのブロックでキャッピングされている、請求項２または３のパーソナルケア組成物。
【請求項５】
前記アルキレンオキシド−ラクトン系ポリマー中の前記ラクトンが、ε−カプロラクトンである、請求項１から４のいずれかのパーソナルケア組成物。
【請求項６】
前記ε−カプロラクトンが、式（ＩＩＩ）で表される、請求項５のパーソナルケア組成物。
【化３−１】
2008543753.tif 000003
［式中、各Ｒ''は独立に、水素またはＣ1〜Ｃ4アルキルもしくはＣ1〜Ｃ4アルコキシ基であり、ただし、３つ以下のＲ''置換基は水素以外の基である。］
【請求項７】
前記ε−カプロラクトンが、非置換ε−カプロラクトンである、請求項６のパーソナルケア組成物。
【請求項８】
前記組成物の総重量を基準として、０．０５から５パーセントのアルキレンオキシド−ラクトン系ポリマーを含む、請求項１から７のいずれかのパーソナルケア組成物。
【請求項９】
カチオン性ポリマーをさらに含む、請求項１から８のいずれかのパーソナルケア組成物。
【請求項１０】
前記組成物の総重量を基準として、０．０５から２パーセントのカチオン性ポリマーを含む、請求項９のパーソナルケア組成物。
【請求項１１】
シリコーンをさらに含む、請求項１から１０のいずれかのパーソナルケア組成物。
【請求項１２】
ヘアまたはスキンクレンジング組成物の形態である、請求項１から１１のいずれかのパーソナルケア組成物。
【請求項１３】
リーブオンヘアまたはスキンケア組成物の形態である、請求項１から１１のいずれかのパーソナルケア組成物。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれかの前記パーソナルケア組成物を毛髪または皮膚に施用して、前記毛髪または皮膚をトリートメントする方法。
【請求項１５】
改良された保湿されたまたは柔らかい皮膚の感触を提供するスキンケア組成物を製造する方法であって、該スキンケア組成物中にアルキレンオキシド−ラクトン系ポリマーが含まれ、かつ該アルキレンオキシド−ラクトン系ポリマーが、以下：
Ａ．式（Ｉ）のアルキレンオキシド、
【化３−２】
2008543753.tif 000004
［式中、各Ｒは独立に、水素、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ1〜Ｃ12ハロアルキル、もしくは、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基であり、または、式中、２つのＲ置換基は隣接する両方のエポキシ炭素と一緒に、飽和もしくはモノエチレン性不飽和脂環式炭化水素環を形成する。］および
Ｂ．式（ＩＩ）のラクトン、
【化３−３】
2008543753.tif 000005
［式中、ｎは２以上であり、各Ｒ'は独立に水素、Ｃ1〜Ｃ8アルキル、シクロヘキシル、またはＣ1〜Ｃ8アルコキシであり、ただし４つ以上のＲ'は水素である。］
を共重合形態で含む、方法。
【請求項１６】
改良された保湿およびスキンバリア効果を有するリーブオンスキンケア組成物を製造する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の前記アルキレンオキシド−ラクトン系ポリマーが前記スキンケア組成物中に含まれる、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
有益な添加剤が毛髪によく付着するか、毛髪のボリュームを制御するのに有用であるか、または毛髪に対して改良された櫛通りを提供するヘアケア組成物を製造する方法であって、該ヘアケア組成物中にアルキレンオキシド−ラクトン系ポリマーが含まれ、かつ該アルキレンオキシド−ラクトン系ポリマーが、以下：
Ａ．式（Ｉ）のアルキレンオキシド、
【化３−４】
2008543753.tif 000006
［式中、各Ｒは独立に、水素、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ1〜Ｃ12ハロアルキル、もしくは、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基であり、または、式中、２つのＲ置換基は隣接する両方のエポキシ炭素と一緒に、飽和もしくはモノエチレン性不飽和脂環式炭化水素環を形成する。］および
Ｂ．式（ＩＩ）のラクトン、
【化３−５】
2008543753.tif 000007
［式中、ｎは２以上であり、各Ｒ'は独立に水素、Ｃ1〜Ｃ8アルキル、シクロヘキシル、またはＣ1〜Ｃ8アルコキシであり、ただし、４つ以上のＲ'は水素である。］
を共重合形態で含む、方法。
【請求項１９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の前記アルキレンオキシド−ラクトン系ポリマーが前記スキンケア組成物中に含まれる、請求項１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月8日(2009.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気および水分に不浸透性であり、不活性ガス充填されたブリスターパックにパッケージされている、治療上有効量の式Ｉの化合物を含む製剤。
【化１】
2008543755.tif 000001
Ｉ
【請求項２】
式１の化合物の前記治療上有効量が約５〜約６０ｍｇの塩基当量である、請求項１に記載の製剤。
【請求項３】
式１の化合物の前記治療上有効量が約５ｍｇの塩基当量である、請求項１に記載の製剤。
【請求項４】
式１の化合物の前記治療上有効量が約１０ｍｇの塩基当量である、請求項１に記載の製剤。
【請求項５】
式１の化合物の前記治療上有効量が約１５ｍｇの塩基当量である、請求項１に記載の製剤。
【請求項６】
式１の化合物の前記治療上有効量が約６０ｍｇの塩基当量である、請求項１に記載の製剤。
【請求項７】
前記ブリスターパックがアルミ箔ブリスターパックである、請求項１に記載の製剤。
【請求項８】
錠剤、カプレットまたはカプセル剤の形態で、不活性ガス充填されたブリスターパックにパッケージされている、請求項１に記載の製剤。
【請求項９】
ａ．式Ｉの化合物を含有する錠剤、カプレットまたはカプセル剤を調製する工程と、
ｂ．不活性ガス充填されたブリスターパック中に、式Ｉの化合物を含有する該錠剤、カプレット、カプセル剤または他の固形剤をパッケージする工程と
を含んでなる、請求項１記載の製剤の製造方法。
【請求項１０】
前記ブリスターパックのヘッドスペースの酸素含有量が、約２％未満〜４．０％に減少し、式Ｉの化合物を含有する錠剤、カプレットまたはカプセル剤の水分活性が約０．２未満〜０．４に調整される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
空気および水分に不浸透性であり、不活性ガス充填されたブリスターパックにパッケージされている式Ｉの化合物を含む製品。
【請求項１２】
心臓血管疾患の治療用の、不活性ガスの陽圧を含む不浸透性の材料中にパッケージされた、式Ｉの化合物を含む医薬を製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月28日(2009.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの（メタ）アクリロイル部分が付着する少なくとも１つの環状アリル硫化物部分を有する重合可能な化合物を含み、該化合物が、該環状アリル硫化物部分の環状構造に直接結合する酸素原子を含む、硬化可能な歯科組成物。
【請求項２】
少なくとも１つの（メタ）アクリロイル部分が付着する少なくとも１つの環状アリル硫化物部分を有する重合可能な化合物を含み、該化合物が以下の式で表される、硬化可能な歯科組成物。
【化１】
2008543743.tif 000001
式Ｉａ
又は
【化２】
2008543743.tif 000002
式Ｉｂ
［式中、各Ｘは、少なくとも１つのＸがＳ、又はＳを含む基であるという条件で、Ｓ、Ｏ、Ｎ、Ｃ、ＳＯ、ＳＯ2、Ｎ−アルキル、Ｎ−アシル、ＮＨ、Ｎ−アリール、及びカルボニルから独立して選択され；
Ｙは、存在しないか、あるいは任意にヘテロ原子を包含するＣ１〜Ｃ３のアルキレン、カルボニル、アシル、又はこれらの組み合わせであり；
Ｚは、Ｏ、ＮＨ、Ｎ−アルキル、又はＮ−アリールであり；
Ｒ'は、少なくとも２つの炭素を有するアルキレン、少なくとも１つのへテロ原子（例えば、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｓ−Ｓ、ＳＯ、ＳＯ２）を有するアルキレン、アリーレン、脂環式、カルボニル、シロキサン、アミド（−ＣＯ−ＮＨ−）、アシル（−ＣＯ−Ｏ−）、ウレタン（−Ｏ−ＣＯ−ＮＨ−）、尿素（−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−）基、並びにこれらの組み合わせから選択される基を含む連結部であり；
Ｒ"はＨ又はＣＨ3であり；
ａは１〜３であり；
ｂは１〜３であり；
ここで、１以上の環状アリル硫化物部分は、任意に環上で、直鎖状又は分岐鎖状アルキル、アリール、シクロアルキル、ハロゲン、ニトリル、アルコキシ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アルキルチオ、カルボニル、アシル、アシルオキシ、アミド、ウレタン基、及び尿素基から選択される１以上の基により、さらに置換され得る。］
【請求項３】
歯科修復剤の調製方法であり、
請求項１に記載の硬化可能な歯科組成物を提供することと、
該組成物を患者の歯に適用することと、
該組成物を重合すること、
とを含む方法。
【請求項４】
次式で表される化合物。
【化３】
2008543743.tif 000003
式Ｉａ
又は
【化４】
2008543743.tif 000004
式Ｉｂ
［式中、各Ｘは、少なくとも１つのＸがＳ、又はＳを含む基であるという条件で、Ｓ、Ｏ、Ｎ、Ｃ、ＳＯ、ＳＯ2、Ｎ−アルキル、Ｎ−アシル、ＮＨ、Ｎ−アリール、及びカルボニルから独立して選択され；
Ｙは、存在しないか、あるいは任意にへテロ原子を包含するＣ１〜Ｃ３のアルキレン、カルボニル、アシル、又はこれらの組み合わせであり；
Ｚは、Ｏ、ＮＨ、Ｎ−アルキル、又はＮ−アリールであり；
Ｒ'は、少なくとも２つの炭素を有するアルキレン、少なくとも１つのへテロ原子（例えば、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｓ−Ｓ、ＳＯ、ＳＯ２）を有するアルキレン、アリーレン、脂環式、カルボニル、シロキサン、アミド（−ＣＯ−ＮＨ−）、アシル（−ＣＯ−Ｏ−）、ウレタン（−Ｏ−ＣＯ−ＮＨ−）、尿素（−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−）基、並びにこれらの組み合わせから選択される基を含む連結部であり；
Ｒ"はＨ又はＣＨ3であり；
ａは１〜３であり；及び
ｂは１〜３であり；
ここで、１以上の環状アリル硫化物部分は、任意に環上で、直鎖状又は分岐鎖状アルキル、アリール、シクロアルキル、ハロゲン、ニトリル、アルコキシ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アルキルチオ、カルボニル、アシル、アシルオキシ、アミド、ウレタン基、及び尿素基から選択される１以上の基により、さらに置換され得る。］
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月29日(2009.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(ｉ) カルシウムの水溶性塩及び (ii) アリールで置換された尿素であるオーキシン模
倣体を含む農業用組成物であって、ここで、カルシウムの水溶性塩が組成物の２〜15％ w/wの量で組成物中に存在し、そしてオーキシン模倣体が20〜2000ppmの濃度で組成物中に存在する、前記組成物。
【請求項２】
カルシウムの水溶性塩が硝酸塩、硫酸塩又は塩化物である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
カルシウムの水溶性塩が４〜６％ w/wの量で組成物中に存在する、請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
オーキシン模倣体が、非対称的又は対照的に置換されたジフェニル尿素又はその誘導体であり、ここで、オーキシン模倣体のフェニル基の一方又は両方が場合により置換されている、請求項１〜３の何れか１項に記載の組成物。
【請求項５】
オーキシン模倣体がジフェニル尿素（ＤＰＵ）、２−ニトロＤＰＵ（ＮＤＰＵ）、モノ−又はジ−メチルＤＰＵ、及びモノ−又はジ−エチルＤＰＵである、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
オーキシン模倣体がジフェニル尿素（ＤＰＵ）である、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
オーキシン模倣体が20〜200ppmの範囲の濃度で存在する、請求項１〜６の何れか１項に記載の組成物。
【請求項８】
水、追加の栄養素物質、弱酸、植物油、精油、代謝刺激剤、担体若しくは賦形剤、乳化剤、増粘剤、懸濁剤、分散剤又は湿潤剤の農業上許容される成分の１種又はそれ以上をさらに含む、請求項１〜７の何れか１項に記載の組成物。
【請求項９】
栄養素物質を含み、その栄養素物質が亜鉛である、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
酢酸、クエン酸、フミン酸、フルボ酸又はプロパン酸から選択される弱酸をさらに含む、請求項８又は９に記載の組成物。
【請求項１１】
増粘剤ビート糖蜜をさらに含む、請求項８〜１０の何れか１項に記載の組成物。
【請求項１２】
請求項１〜１１の何れか１項に記載の組成物、及び該組成物を分散又は溶解できる媒質を含む、植物に又は植物の環境に投与するための製剤。
【請求項１３】
植物又はその環境に請求項１〜１１の何れか１項に記載の組成物又は請求項１２に記載の製剤を施用することを含む、植物にカルシウムを供給するための、植物によるカルシウムの摂取を向上するための、局所的カルシウム欠乏の領域を防止することによる、細胞の完全性を増大するための、カルシウム不足に関連する生理的障害を低減するための、植物の収穫される部分へのカルシウム吸収の向上による、収穫された農作物の貯蔵寿命を改善するための、局所的カルシウム不足の領域に生じる植物の病気又は感染を防止又は軽減するための、又は異常な高温又は低温条件の間の成長習性を改善するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月13日(2009.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
１９世紀の後半から錠剤は広く使用されており、医薬投与形態の大半は錠剤として販売されている。投与形態としての錠剤の人気の大きな理由は、単純さ、低費用および製造速度である。他の理由は、製品の安定性、包装、輸送および分配の簡便さを含む。患者または消費者のために、錠剤は投与の簡便さ、正確な投与量の容易さ、コンパクトさ、携帯性、味の穏やかさ、投与の容易さおよび洗練された特有の見かけを提供する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
直接圧縮は、粉末物質が、薬剤の物理的および化学的特性を変えることなく直接圧縮されるとい、相対的に速い方法と見なされる。活性成分(複数もある)、直接圧縮賦形剤ならびに流動促進剤および滑剤のような他の補助物質を、ツイン・シェル・ブレンダーまたは類似の低剪断装置中で混合し、その後錠剤に圧縮する。このタイプの混合は、“薬学的に許容される”投与形態の製造のために必須であると信じされてきた。ある製薬科学者は、滑剤の製剤への添加を注意深く制御しなければならないと信じている。従って、滑剤は、通常顆粒に穏やかな混合により添加される。滑剤と顆粒の長時間の混合が、得られる錠剤の硬度および崩壊時間に相当影響し得るとも信じられている。滑剤と顆粒成分の過剰な混合は、顆粒の防水の原因となり得、錠剤硬度または圧縮錠剤の強度を低下する。これらの理由のため、高剪断混合条件が直接圧縮投与形態の製造には用いられていない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
１種、２種、３種またはそれ以上の滑剤を選択できる。薬学的に許容される滑剤および薬学的に許容される流動促進剤の例は、コロイド状シリカ、三ケイ酸マグネシウム、デンプン、タルク、三塩基性リン酸カルシウム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸アルミニウム、ステアリン酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、ポリエチレングリコール、粉末セルロースおよび微結晶性セルロースを含むが、これらに限定されない。本滑剤は、例えば、組成物の約０.１％から約５重量％の量で存在でき；一方、流動促進剤は、例えば、約０.１％から約１０重量％の量で存在できる。滑剤は、典型的に打錠物質がパンチに接着するのを防止し、錠剤圧縮中の摩擦を最小にし、そして圧縮錠剤を金型から除くのを可能にするために添加する。このような滑剤は、一般に最終錠剤混合物に、通常１重量％未満の量で包含される。滑剤成分は疎水性でも親水性でもよい。このような滑剤の例は、ステアリン酸、タルクおよびステアリン酸マグネシウムを含む。ステアリン酸マグネシウムは、圧縮および錠剤の排出中の金型壁と錠剤混合物の摩擦を低下させる。それは錠剤のパンチおよび金型への付着の防止を助ける。ステアリン酸マグネシウムはまたホッパー中のおよび金型への粉末の流動も助ける。４５０−５５０ミクロンの粒子サイズ範囲および１.００−１.８０ｇ／mLの密度範囲を有する。打錠混合中、それは安定であり、重合化しない。好ましい滑剤、ステアリン酸マグネシウムもまた製剤中に用いる。好ましくは、滑剤は、錠剤製剤中に約０.２５％から約６％の量で存在し；また好ましいのは約０.５％から約４重量％のレベルであり；そして最も好ましくは約０.１％から約２重量％である。他の可能な滑剤はタルク、ポリエチレングリコール、シリカおよび硬化植物油を含む。本発明の任意の態様において、本滑剤は製剤には存在しないが、製剤に直接添加するよりも金型またはパンチ上に噴霧する。