Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月24日(2011.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子、発光装置、並びに電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、
一般式（Ｇ１）で表される構造を有する有機金属錯体と、高分子化合物とを含む層を有し、
前記有機金属錯体と、前記高分子化合物とを含む層は、発光層であることを特徴とする発光素子。
【化１】
2008266605.tif 000001
（式中、Ａｒはアリーレン基を表す。また、Ｒ１は水素、またはアルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。また、Ｒ２はアルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。また、Ｒ３は水素、またはアルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。また、Ｍは中心金属であり、第９族元素、または第１０族元素のいずれかを表す。）
【請求項２】
一対の電極間に、
一般式（Ｇ２）で表される有機金属錯体と、高分子化合物とを含む層を有し、
前記有機金属錯体と、前記高分子化合物とを含む層は、発光層であることを特徴とする発光素子。
【化２】
2008266605.tif 000002
（式中、Ａｒはアリーレン基を表す。また、Ｒ１は水素、またはアルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。また、Ｒ２はアルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。また、Ｒ３は水素、またはアルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。また、Ｍは中心金属であり、第９族元素、または第１０族元素のいずれかを表す。また、Ｌはモノアニオン性の配位子である。また、前記Ｍが第９族元素の場合ｎ＝２であり、前記Ｍが第１０族元素の場合ｎ＝１である。）
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記Ｒ１は、アルキル基、またはアリール基であることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
一対の電極間に、
一般式（Ｇ３）で表される構造を有する有機金属錯体と、高分子化合物とを含む層を有し、
前記有機金属錯体と、前記高分子化合物とを含む層は、発光層であることを特徴とする発光素子。
【化３】
2008266605.tif 000003
（式中、Ｒ１はアルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。また、Ｒ２はアルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。また、Ｒ３は水素、またはアルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。また、Ｒ４〜Ｒ７は、それぞれ、アルキル基、またはハロゲン、またはハロアルキル基を表す。また、Ｍは中心金属であり、第９族元素、または第１０族元素のいずれかを表す。）
【請求項５】
一対の電極間に、
一般式（Ｇ４）で表される有機金属錯体と、高分子化合物とを含む層を有し、
前記有機金属錯体と、前記高分子化合物とを含む層は、発光層であることを特徴とする発光素子。
【化４】
2008266605.tif 000004
（式中、Ｒ１はアルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。また、Ｒ２はアルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。また、Ｒ３は水素、またはアルキル基、またはアリール基のいずれかを表す。また、Ｒ４〜Ｒ７は、それぞれ、アルキル基、またはハロゲン、またはハロアルキル基を表す。また、Ｍは中心金属であり、第９族元素、または第１０族元素のいずれかを表す。また、Ｌはモノアニオン性の配位子である。また、前記Ｍが第９族元素の場合ｎ＝２であり、前記Ｍが第１０族元素の場合ｎ＝１である。）
【請求項６】
請求項２または請求項５において、
前記Ｌは下記構造式（Ｌ１）〜（Ｌ８）で表されるモノアニオン性の配位子のいずれかであることを特徴とする発光素子。
【化５】
2008266605.tif 000005
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記Ｒ３は水素であることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記Ｍは、イリジウムまたは白金であることを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記高分子化合物は、有機半導体材料であることを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記高分子化合物は、バインダーであることを特徴とする発光素子。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記発光層は、さらに有機半導体材料を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記発光層と接する正孔輸送層は、低分子化合物を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記発光層と接する電子輸送層は、低分子化合物を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の発光素子と、前記発光素子の発光を制御する制御手段とを有する発光装置。
【請求項１５】
表示部を有し、
前記表示部は、請求項１乃至請求１３のいずれか一項に記載の発光素子と前記発光素子の発光を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月24日(2011.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で示される化合物を含有することを特徴とする活性エネルギー線硬化型液体組成物。
2008266636.tif 000001
（上記式（Ｉ）において、Ａは、水素原子又は置換基を有していてもよい１価の有機残基を表し、Ｒ1及びＲ2はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよい２価の有機基を表し、Ｅはアミド結合を表し、Ｒnはカルボニル基と該カルボニル基の炭素原子に隣接した不飽和炭素−炭素結合を有する環状連結基を表す。また、ｍは０以上の数を表し、ｎは２以上の数を表し、かつ、ｍ＋ｎ＝３である。またＺは、下記式で表される２級又は３級アミノ結合構造を示す。該アミノ結合は、２級又は３級アミンの塩であってもよい。）
2008266636.tif 000002
【請求項２】
前記一般式（Ｉ）で示される化合物が、下記一般式（Ｉ’）で表される化合物である請求項１に記載の活性エネルギー線硬化型液体組成物。
2008266636.tif 000003
（上記式（Ｉ’）中の−Ｒ3−は、下記一般式（Ｒ３）で表され、該式（Ｒ３）中のｐは、０から５の範囲内の数である。
2008266636.tif 000004
上記式（Ｉ’）中のＲ4は、置換基を有していてもよい炭素数１から６のアルキレン基であり、また、Ｒn1は、少なくとも一方のカルボニル基の炭素原子に隣接した炭素原子が炭素−炭素二重結合を有する炭素数２乃至５で構成される２価の基を表す。上記式（Ｉ’）中のＡ2は、水素原子又は下記一般式（Ａ２）を表し、該一般式（Ａ２）中のｐは、０から５の範囲内の数を表す。
2008266636.tif 000005
上記式（Ｉ’）中の、ｍは０以上の数を、ｎは２以上の数を表し、かつ、ｍ＋ｎ＝３である。）
【請求項３】
前記式（Ｉ’）中のＲn1が、下記構造式（II）、（III）及び（IV）のいずれかである請求項２に記載の活性エネルギー線硬化型液体組成物。
2008266636.tif 000006
【請求項４】
一般式（Ｉ）で示される化合物の水溶性が、２５℃・１気圧下の純水に対し１質量％以上完全溶解するものである請求項１乃至３のいずれか１項に記載の活性エネルギー線硬化型液体組成物。
【請求項５】
前記一般式（Ｉ）で示される化合物が、下記例示化合物１〜１３からなる群より選ばれる少なくとも１つの化合物である請求項１に記載の活性エネルギー線硬化型液体組成物。
2008266636.tif 000007
2008266636.tif 000008
2008266636.tif 000009
2008266636.tif 000010
2008266636.tif 000011
2008266636.tif 000012
2008266636.tif 000013
2008266636.tif 000014
2008266636.tif 000015
2008266636.tif 000016
2008266636.tif 000017
2008266636.tif 000018
2008266636.tif 000019
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の活性エネルギー線硬化型液体組成物を含むことを特徴とする水性インク。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の活性エネルギー線硬化型液体組成物を収容してなる液体収容部を具備することを特徴とする液体カートリッジ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】活性エネルギー線硬化型液体組成物、水性インク及び液体カートリッジ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
さらに本発明は、上記の活性エネルギー線硬化型液体組成物を含むことを特徴とする水性インクを提供する。さらに本発明は、第二の実施態様として、上記の活性エネルギー線硬化型液体組成物を収容してなる液体収容部を具備することを特徴とする液体カートリッジを提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月25日(2011.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、下記一般式（Ｖ）で表される活性エネルギー線重合性物質を含有することを特徴とする活性エネルギー線硬化型液体組成物。
2008266635.tif 000001
（上記一般式（Ｖ）中、［Ａ］は、下記一般式（II）で表される環状基であり、
2008266635.tif 000002
該式（II）中の［Ｙ］は、カルボニル基と該カルボニル基の炭素原子に隣接した不飽和炭素結合を含む部位を有する環状連結基を示し、上記式（Ｖ）中のＥは、少なくとも１種のアミド結合と置換基を有していてもよい２価の有機基の少なくとも１種を含有する結合基を示し、ｊ１は１乃至６の範囲の数であり、ｍは０乃至２の範囲の数であり、ｎは０乃至２の範囲の数である。［Ｚ１］は２価乃至６価のポリオール残基を示し、［Ｄ］は、置換基を有していてもよいエチレンオキシド鎖、置換基を有していてもよいプロピレンオキシド鎖及び分岐していてもよい置換又は未置換のアルキレン鎖からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する末端アミノ基を有する結合基を示す。［Ｇ］は、置換基を有していてもよいエチレンオキシド鎖、置換基を有していてもよいプロピレンオキシド鎖及び分岐していてもよい置換又は未置換のアルキレン鎖からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する末端水酸基を有する結合基を示す。）
【請求項２】
前記Ｅが、少なくとも１種のアミド結合と、置換基を有していてもよいエチレンオキシド鎖、置換基を有していてもよいプロピレンオキシド鎖及び分岐していてもよい置換又は未置換のアルキレン鎖からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する結合基である請求項１に記載の活性エネルギー線硬化型液体組成物。
【請求項３】
前記［Ａ］−Ｅ−が、下記一般式（VI）で示される請求項１又は２に記載の活性エネルギー線硬化型液体組成物。
2008266635.tif 000003
（上記一般式（VI）中、Ｅ１はアミド結合であり、Ｒ1及びＲ2は各々独立して、置換基を有していてもよいエチレンオキシド鎖、置換基を有していてもよいプロピレンオキシド鎖及び分岐していてもよい置換又は未置換のアルキレン鎖、からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する２価の結合基である。）
【請求項４】
前記Ｒ2が、置換基を有していてもよい炭素数１乃至６のアルキレン基である請求項３に記載の活性エネルギー線硬化型液体組成物。
【請求項５】
前記一般式（Ｖ）で表される活性エネルギー線重合性物質の水溶性が、２５℃・１気圧下の純水に対して１質量％以上完全溶解するものである請求項１乃至４のいずれか１項に記載の活性エネルギー線硬化型液体組成物。
【請求項６】
前記一般式（Ｖ）で表わされる活性エネルギー線重合性物質が、下記例示化合物１〜１４からなる群より選ばれる少なくとも１つの化合物である請求項１に記載の活性エネルギー線硬化型液体組成物。
2008266635.tif 000004
2008266635.tif 000005
2008266635.tif 000006
2008266635.tif 000007
2008266635.tif 000008
2008266635.tif 000009
（例示化合物６において−（Ｏ−ＣＨ2−ＣＨ2）b−は平均分子量約４００で表されるポリエチレングリコール鎖である。平均ユニット数ｂは約９である。またユニット数の平均値ａ＋ｃは約３．６である。）
2008266635.tif 000010
2008266635.tif 000011
2008266635.tif 000012
2008266635.tif 000013
2008266635.tif 000014
2008266635.tif 000015
（例示化合物１２において−（Ｏ−ＣＨ2−ＣＨ2）b−は平均分子量約４００で表されるポリエチレングリコール鎖である。平均ユニット数ｂは約９である。またユニット数の平均値ａ＋ｃは約３．６である。）
2008266635.tif 000016
2008266635.tif 000017
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の活性エネルギー線硬化型液体組成物を含むことを特徴とする水性インク。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の活性エネルギー線硬化型液体組成物を収容してなる液体収容部を具備することを特徴とする液体カートリッジ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】活性エネルギー線硬化型液体組成物、水性インク及び液体カートリッジ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記の目的は以下の発明によって達成される。すなわち、本発明の第一の実施態様として、少なくとも、下記一般式（Ｖ）で表される活性エネルギー線重合性物質を含有することを特徴とする活性エネルギー線硬化型液体組成物を提供する。
2008266635.tif 000018
（上記一般式（Ｖ）中、［Ａ］は、下記一般式（II）で表される環状基であり、
2008266635.tif 000019
該式（II）中の［Ｙ］は、カルボニル基と該カルボニル基の炭素原子に隣接した不飽和炭素結合を含む部位を有する環状連結基を示し、上記式（Ｖ）中のＥは、少なくとも１種のアミド結合と置換基を有していてもよい２価の有機基の少なくとも１種を含有する結合基を示し、ｊ１は１乃至６の範囲の数であり、ｍは０乃至２の範囲の数であり、ｎは０乃至２の範囲の数である。［Ｚ１］は２価乃至６価のポリオール残基を示し、［Ｄ］は、置換基を有していてもよいエチレンオキシド鎖、置換基を有していてもよいプロピレンオキシド鎖及び分岐していてもよい置換又は未置換のアルキレン鎖からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する末端アミノ基を有する結合基を示す。［Ｇ］は、置換基を有していてもよいエチレンオキシド鎖、置換基を有していてもよいプロピレンオキシド鎖及び分岐していてもよい置換又は未置換のアルキレン鎖からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する末端水酸基を有する結合基を示す。）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、上記の活性エネルギー線硬化型液体組成物を含むことを特徴とする水性インクを提供する。さらに本発明は第二の実施態様として、上記の活性エネルギー線硬化型液体組成物を収容してなる液体収容部を具備することを特徴とする液体カートリッジを提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月10日(2010.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）炭素繊維前駆体トウの原料を紡糸・乾燥緻密化してトウを得る工程と、
（ｂ）第１のガイドおよび第１の溝付きロールにより、前記トウの幅を狭める第１のトウ
幅狭幅化工程と、
（ｃ）エア流体を噴出する扁平矩形断面形状の第１の交絡器により、前記第１のガイドお
よび第１の溝付きロールを通過したトウに交絡を付与する第１の交絡付与工程と、
（ｄ）第２のガイドおよび第２の溝付きロールにより、前記第１の交絡器を通過したトウ
の幅を狭める第２のトウ幅狭幅化工程と、
（ｅ）エア流体を噴出する扁平矩形断面形状の第２の交絡器により、前記第２のガイドお
よび第２の溝付きロールを通過したトウに交絡を付与する第２の交絡付与工程と、
を有し、下記式（１）〜（７）の条件を全て満たすことを特徴とする炭素繊維前駆体トウ
の製造方法。
０．８×Ｗ１’≦Ｒ’≦Ｗ１’                （１）
０．８×Ｗ１”≦Ｒ”≦Ｗ１”                （２）
０．３４×Ｗ０≦Ｗ１’≦０．５２×Ｗ０      （３）
０．２８×Ｗ０≦Ｗ１”≦０．５２×Ｗ０      （４）
Ｗ１’≧Ｗ１”                              （５）
Ｗ１’≦Ｗ２’≦１．２×Ｗ１’              （６）
Ｗ１”≦Ｗ２”≦１．２×Ｗ１”              （７）
上記式（１）〜（７）中、Ｗ０は乾燥緻密化後のトウの幅（ｍｍ）、Ｗ１’は第１の溝
付きロールの溝頂部幅（ｍｍ）、Ｒ’は第１の溝付きロールの溝底部曲率半径（ｍｍ）、
Ｗ２’は第１の交絡器の扁平矩形断面の長辺寸法（ｍｍ）、Ｗ１”は第２の溝付きロール
の溝頂部幅（ｍｍ）、Ｒ”は第２の溝付きロールの溝底部曲率半径（ｍｍ）、Ｗ２”は第
２の交絡器の扁平矩形断面の長辺寸法（ｍｍ）を示す。
【請求項２】
炭素繊維前駆体トウの原料を紡糸・乾燥緻密化するトウ製造手段と、
前記トウ製造手段により得られたトウの幅を狭めるための、第１のガイドおよび第１の溝
付きロールと、
前記第１のガイドおよび第１の溝付きロールを通過したトウに交絡を付与するための、エ
ア流体を噴出する扁平矩形断面形状の第１の交絡器と、
前記第１の交絡器を通過したトウの幅を狭めるための、第２のガイドおよび第２の溝付き
ロールと、
前記第２のガイドおよび第２の溝付きロールを通過したトウに交絡を付与するための、エ
ア流体を噴出する扁平矩形断面形状の第２の交絡器と、
を有し、下記式（１）〜（７）の条件を全て満たすことを特徴とする炭素繊維前駆体トウ
の製造装置。
０．８×Ｗ１’≦Ｒ’≦Ｗ１’                （１）
０．８×Ｗ１”≦Ｒ”≦Ｗ１”                （２）
０．３４×Ｗ０≦Ｗ１’≦０．５２×Ｗ０      （３）
０．２８×Ｗ０≦Ｗ１”≦０．５２×Ｗ０      （４）
Ｗ１’≧Ｗ１”                              （５）
Ｗ１’≦Ｗ２’≦１．２×Ｗ１’              （６）
Ｗ１”≦Ｗ２”≦１．２×Ｗ１”              （７）
上記式（１）〜（７）中、Ｗ０は乾燥緻密化後のトウの幅（ｍｍ）、Ｗ１’は第１の溝
付きロールの溝頂部幅（ｍｍ）、Ｒ’は第１の溝付きロールの溝底部曲率半径（ｍｍ）、
Ｗ２’は第１の交絡器の扁平矩形断面の長辺寸法（ｍｍ）、Ｗ１”は第２の溝付きロール
の溝頂部幅（ｍｍ）、Ｒ”は第２の溝付きロールの溝底部曲率半径（ｍｍ）、Ｗ２”は第
２の交絡器の扁平矩形断面の長辺寸法（ｍｍ）を示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
０．８×Ｗ１’≦Ｒ’≦Ｗ１’                （１）
０．８×Ｗ１”≦Ｒ”≦Ｗ１”                （２）
０．３４×Ｗ０≦Ｗ１’≦０．５２×Ｗ０      （３）
０．２８×Ｗ０≦Ｗ１”≦０．５２×Ｗ０      （４）
Ｗ１’≧Ｗ１”                              （５）
Ｗ１’≦Ｗ２’≦１．２×Ｗ１’              （６）
Ｗ１”≦Ｗ２”≦１．２×Ｗ１”              （７）
上記式（１）〜（７）中、Ｗ０は乾燥緻密化後のトウの幅（ｍｍ）、Ｗ１’は第１の溝
付きロールの溝頂部幅（ｍｍ）、Ｒ’は第１の溝付きロールの溝底部曲率半径（ｍｍ）、
Ｗ２’は第１の交絡器の扁平矩形断面の長辺寸法（ｍｍ）、Ｗ１”は第２の溝付きロール
の溝頂部幅（ｍｍ）、Ｒ”は第２の溝付きロールの溝底部曲率半径（ｍｍ）、Ｗ２”は第
２の交絡器の扁平矩形断面の長辺寸法（ｍｍ）を示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
０．８×Ｗ１’≦Ｒ’≦Ｗ１’                （１）
０．８×Ｗ１”≦Ｒ”≦Ｗ１”                （２）
０．３４×Ｗ０≦Ｗ１’≦０．５２×Ｗ０      （３）
０．２８×Ｗ０≦Ｗ１”≦０．５２×Ｗ０      （４）
Ｗ１’≧Ｗ１”                              （５）
Ｗ１’≦Ｗ２’≦１．２×Ｗ１’              （６）
Ｗ１”≦Ｗ２”≦１．２×Ｗ１”              （７）
ここで、Ｗ０は乾燥緻密化後のトウの幅（ｍｍ）、Ｗ１’は第１の溝付きロールの溝頂
部幅（ｍｍ）、Ｒ’は第１の溝付きロールの溝底部曲率半径（ｍｍ）、Ｗ２’は第１の交
絡器の扁平矩形断面の長辺寸法（ｍｍ）、Ｗ１”は第２の溝付きロールの溝頂部幅（ｍｍ
）、Ｒ”は第２の溝付きロールの溝底部曲率半径（ｍｍ）、Ｗ２”は第２の交絡器の扁平
矩形断面の長辺寸法（ｍｍ）を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月25日(2010.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶融したポリフェニレンサルファイドを紡糸口金から紡出し未延伸糸を採取し、次いで未延伸糸を３倍以上４倍以下で熱延伸し、温度１８０℃以上で４秒間以上の定長熱処理を行った後、温度１８０℃以上のスチームを満たしたクリンパー内で捲縮付与し所定の長さに切断するポリフェニレンサルファイド短繊維の製造方法であって、熱延伸後から捲縮付与前までの間の弛緩率が１％以上６％以下となるように、定長熱処理の前後で弛緩せしめる、ポリフェニレンサルファイド短繊維の製造方法。
【請求項２】
熱延伸後から定長熱処理前までの間の弛緩率および定長熱処理後から捲縮付与前までの間の弛緩率がそれぞれ０．５〜３％である、請求項１に記載のポリフェニレンサルファイド短繊維の製造方法。
【請求項３】
ポリフェニレンサルファイド短繊維の引張強度が、５ｃＮ／ｄｔｅｘ以上、捲縮弾性率が７５％以上である、請求項１又は２に記載のポリフェニレンサルファイド短繊維の製造方法。
【請求項４】
ポリフェニレンサルファイド短繊維が沸点２００℃以上の揮発成分を０．１５重量％以下含有する、請求項１〜３のいずれかに記載のポリフェニレンサルファイド短繊維の製造方法。
【請求項５】
ポリフェニレンサルファイド短繊維を２００℃で２０００時間の熱処理した時の引張強度低下が４０％以内である、請求項１〜４のいずれかに記載のポリフェニレンサルファイド短繊維の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法により得られるポリフェニレンサルファイド短繊維であって、バグフィルター濾布用であることを特徴とするポリフェニレンサルファイド短繊維。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のポリフェニレンサルファイド短繊維の製造方法は、前記した目的を達成するために次の構成を有する。
すなわち、溶融したポリフェニレンサルファイドを紡糸口金から紡出し未延伸糸を採取し、次いで未延伸糸を３倍以上４倍以下で熱延伸し、温度１８０℃以上で４秒間以上の定長熱処理を行った後、温度１８０℃以上のスチームを満たしたクリンパー内で捲縮付与し所定の長さに切断するポリフェニレンサルファイド短繊維の製造方法であって、熱延伸後から捲縮付与前までの間の弛緩率が１％以上６％以下となるように、定長熱処理の前後で弛緩せしめる、ポリフェニレンサルファイド短繊維の製造方法である。
また、本発明のポリフェニレンサルファイド短繊維は、上記の製造方法により得られる短繊維であって、バグフィルター濾布用であるポリフェニレンサルファイド短繊維である。この短繊維は、繊維の引張強度が、５ｃＮ／ｄｔｅｘ以上、捲縮弾性率が７５％以上である、ポリフェニレンサルファイド短繊維であることが好ましい。また、２００℃で２０００時間の熱処理した時の引張強度低下が４０％以内であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月25日(2010.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリフェニレンサルファイドの粉末を減圧下で温度３５０℃未満で溶融してペレット化したペレットを、温度１３０〜１７０℃の減圧下で乾燥した後、溶融し、紡糸口金から紡出し、延伸した後に所定の長さに切断することにより、沸点が２００℃以上の揮発成分を０．１５重量％以下含有するポリフェニレンサルファイド短繊維を製造する、ポリフェニレンサルファイド短繊維の製造方法。
【請求項２】
ポリフェニレンサルファイド短繊維を２００℃で２０００時間の熱処理した時の引張強度低下が４０％以内である、請求項１に記載のポリフェニレンサルファイド短繊維の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の製造方法により得られるポリフェニレンサルファイド短繊維であって、バグフィルター濾布用であることを特徴とするポリフェニレンサルファイド短繊維。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、前記した目的を達成するために次の構成を有する。
すなわち、ポリフェニレンサルファイドの粉末を減圧下で温度３５０℃未満で溶融してペレット化したペレットを、温度１３０〜１７０℃の減圧下で乾燥した後、溶融し、紡糸口金から紡出し、延伸した後に所定の長さに切断することにより、沸点が２００℃以上の揮発成分を０．１５重量％以下含有するポリフェニレンサルファイド短繊維を製造する、ポリフェニレンサルファイド短繊維の製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明のＰＰＳ短繊維は、前記した製造方法により得られるポリフェニレンサルファイド短繊維であって、バグフィルター濾布用であるポリフェニレンサルファイド短繊維である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月10日(2011.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
アノードを基材に対して同基材の被めっき面側に配置して電気めっきを行うことにより前記被めっき面に金属膜が形成されてなるめっき製品の製造方法であって、
前記電気めっきを行う際に、前記アノードは、前記被めっき面の端部における所定幅の部位を除いた内側の部位と対峙するように配置される
ことを特徴とするめっき製品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１において、
前記電気めっきの際に、前記アノードは、前記被めっき面の各部位において同アノード側に突出する凸部の曲率が大きくなるほど、同被めっき面の各部位から前記アノードまでの距離が長くなるように配置される
ことを特徴とするめっき製品の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記電気めっきの際に、前記アノードは、前記被めっき面の各部位において同アノードから遠ざかるように形成される凹部の曲率が大きくなるほど、同被めっき面の各部位から前記アノードまでの距離が短くなるように配置される
ことを特徴とするめっき製品の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、アノードを基材に対して同基材の被めっき面側に配置して電気めっきを行うことにより前記被めっき面に金属膜が形成されてなるめっき製品の製造方法であって、前記電気めっきを行う際に、前記アノードは、前記被めっき面の端部における所定幅の部位を除いた内側の部位と対峙するように配置されることを要旨とする。
アノードと基材とを対峙させた状態で、アノードを基材の被めっき面の端部までを含む全ての部位と対峙するように配置すると、端部の近傍は、アノードから被めっき面へ向かう電気力線同士の反発が少ないために、見かけ上電気力線の経路が広くなり、電流密度が高くなりやすい。この点、上記の構成によれば、この被めっき面の端部における所定幅の部位にはアノードを対峙させないために、この端部の電流密度が他の部位に比べて高くなることを抑制することができる。なお、被めっき面のこの端部には、被めっき面の内側部位と対峙するアノードの端部から電流が流れる。このようにして、上記の構成によれば、被めっき面の各部位において、電流密度をより均一とすることができるため、被めっき面に金属膜をむらなく均一に形成することができる。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記電気めっきの際に、前記アノードは、前記被めっき面の各部位において同アノード側に突出する凸部の曲率が大きくなるほど、同被めっき面の各部位から前記アノードまでの距離が長くなるように配置されることを要旨とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の発明において、前記電気めっきの際に、前記アノードは、前記被めっき面の各部位において同アノードから遠ざかるように形成される凹部の曲率が大きくなるほど、同被めっき面の各部位から前記アノードまでの距離が短くなるように配置されることを要旨とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月5日(2011.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性金属部を有する被めっき材料にめっき処理を施して導電層を形成する導電性材料の製造方法であって、
前記めっき処理の前段に、実質的にめっき物質を含まない電解液中で前記導電性金属部をカソードとして前記被めっき材料を通電する通電工程
を有することを特徴とする導電性材料の製造方法。
【請求項２】
支持体上に銀塩を含有する銀塩乳剤層を有する感光フイルムを露光して現像し、金属銀部を形成する金属銀部形成工程と、
実質的にめっき物質を含まない電解液中で前記金属銀部をカソードとして通電する通電工程と、
前記通電された金属銀部にめっき処理を施して導電層を形成するめっき工程と、
を有することを特徴とする導電性材料の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の導電性材料の製造方法において、
前記電解液が、電解質及び溶媒を含むことを特徴とする導電性材料の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の導電性材料の製造方法において、
前記電解質が、アルカリ金属塩、アンモニウム塩、過塩素酸塩及びホウ酸塩からなる群から選ばれる少なくとも１つであることを特徴とする導電性材料の製造方法。
【請求項５】
請求項３記載の導電性材料の製造方法において、
前記溶媒が、水及び/又は非水溶媒であることを特徴とする導電性材料の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の導電性材料の製造方法において、
前記非水溶媒が、アミド、ピロリドン、二トリル、ケトン及びテトラヒドロフランからなる群から選ばれる少なくとも１つであることを特徴とする導電性材料の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性材料の製造方法において、
前記めっき処理が、無電解めっき処理及び/又は電気めっき処理であることを特徴とする導電性材料の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の導電性材料の製造方法において、
前記電気めっき処理が、電気銅めっき処理及び/又は電気黒化めっき処理であることを特徴とする導電性材料の製造方法。
【請求項９】
導電性金属部を有する被めっき材料にめっき処理を施して導電層を形成する導電性材料の製造装置であって、
前記導電性金属部に接触して給電する給電ローラと、前記給電ローラより前記被めっき材料の搬送方向下流側に配置され、前記導電性金属部を電解液内で通電処理する通電処理槽とを備える通電処理装置と、
前記通電処理装置の後段に配置され、前記導電性金属部にめっき処理するめっき処理槽を備えるめっき装置と、
を有する導電性材料の製造装置。
【請求項１０】
請求項９記載の導電性材料の製造装置において、
前記給電ローラの水素過電圧が前記導電性金属部の水素過電圧より大きいことを特徴とする導電性材料の製造装置。
【請求項１１】
請求項９又は１０記載の導電性材料の製造装置において、
前記めっき処理槽が、無電解めっき槽及び/又は電気めっき槽を有することを特徴とする導電性材料の製造装置。
【請求項１２】
請求項９又は１０記載の導電性材料の製造装置において、
前記めっき処理槽が無電解めっき槽及び電気めっき槽を有し、前記被めっき材料の搬送方向下流側に向かって無電解めっき槽、電気めっき槽の順に配置されていることを特徴とする導電性材料の製造装置。
【請求項１３】
請求項９又は１０記載の導電性材料の製造装置において、
前記めっき処理槽が無電解めっき槽、電気めっき槽及び電気黒化めっき槽を有し、前記被めっき材料の搬送方向下流側に向かって無電解めっき槽、電気銅めっき槽、電気黒化めっき槽の順に配置されていることを特徴とする導電性材料の製造装置。
【請求項１４】
導電性金属部を有する導電性材料の製造方法であって、
実質的にめっき物質を含まない電解液中で前記導電性金属部をカソードとして通電する通電工程
を有することを特徴とする導電性材料の製造方法。
【請求項１５】
支持体上に銀塩を含有する銀塩乳剤層を有する感光フイルムを露光して現像し、金属銀部を形成する金属銀部形成工程と、
実質的にめっき物質を含まない電解液中で前記金属銀部をカソードとして通電する通電工程と、
を有することを特徴とする導電性材料の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
［１３］  ［９］又は［１０］において、前記めっき処理槽が無電解めっき槽、電気めっき槽及び電気黒化めっき槽を有し、前記被めっき材料の搬送方向下流側に向かって無電解めっき槽、電気銅めっき槽、電気黒化めっき槽の順に配置されていることを特徴とする。
［１４］  第４の本発明に係る導電性材料の製造方法は、導電性金属部を有する導電性材料の製造方法であって、実質的にめっき物質を含まない電解液中で前記導電性金属部をカソードとして通電する通電工程を有することを特徴とする。
［１５］  支持体上に銀塩を含有する銀塩乳剤層を有する感光フイルムを露光して現像し、金属銀部を形成する金属銀部形成工程と、実質的にめっき物質を含まない電解液中で前記金属銀部をカソードとして通電する通電工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月28日(2010.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
示差走査熱量計による吸熱ピークの少なくとも１つが１６０℃以上であるポリプロピレン系樹脂（Ａ）５０〜８０重量％と、ポリエチレン系樹脂（Ｂ）５０〜２０重量％で構成されるポリオレフィン系樹脂組成物（（Ａ）＋（Ｂ））を１００重量部としたとき、熱可塑性エラストマー（Ｃ）２５〜５０重量部を含有し、見かけ密度範囲が５０〜１００ｋｇ／ｍ３、ゲル分率が４５％以上であることを特徴とする、架橋ポリオレフィン系樹脂発泡体。
【請求項２】
２５％圧縮硬さと見かけ密度の関係が下記式を満たすことを特徴とする、請求項１記載の架橋ポリオレフィン系樹脂発泡体。
２５％圧縮硬さ（ｋＰａ）＜３．５×見かけ密度（ｋｇ／ｍ３）−９０
【請求項３】
熱可塑性エラストマー（Ｃ）がタイプＡのデュロメータを用いてＪＩＳ  Ｋ６２３５に基づいて測定した硬度が８０度以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の架橋ポリオレフィン系樹脂発泡体。
【請求項４】
前記熱可塑性エラストマー（Ｃ）が、エチレン−エチレン・ブチレン−エチレンブロック共重合体（CEBC）及び／又はエチレンプロピレンゴム（EPM）であることを特徴とする、請求項１から３いずれかに記載の架橋ポリオレフィン系樹脂発泡体。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の架橋ポリオレフィン系樹脂発泡体に、他素材を貼り合わせてなる積層体。
【請求項６】
請求項１から４のいずれかに記載の架橋ポリオレフィン系樹脂発泡体、もしくは請求項５に記載の積層体を成形して得られる成形体。
【請求項７】
請求項６記載の成形体からなる自動車内装材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記の課題を解決するために、次のような手段を採用するものである。すなわち、本発明の架橋ポリオレフィン系樹脂発泡体は以下である。
（１）  示差走査熱量計による吸熱ピークの少なくとも１つが１６０℃以上であるポリプロピレン系樹脂（Ａ）５０〜８０重量％と、ポリエチレン系樹脂（Ｂ）５０〜２０重量％で構成されるポリオレフィン系樹脂組成物（（Ａ）＋（Ｂ））を１００重量部としたとき、熱可塑性エラストマー（Ｃ）２５〜５０重量部を含有し、見かけ密度範囲が５０〜１００ｋｇ／ｍ３、ゲル分率が４５％以上であることを特徴とする、架橋ポリオレフィン系樹脂発泡体。
（２）  ２５％圧縮硬さと見かけ密度の関係が下記式を満たすことを特徴とする、前記（１）の架橋ポリオレフィン系樹脂発泡体。
２５％圧縮硬さ（ｋＰａ）＜３．５×見かけ密度（ｋｇ／ｍ３）−９０
（３）  熱可塑性エラストマー（Ｃ）がタイプＡのデュロメータを用いてＪＩＳ  Ｋ６２３５に基づいて測定した硬度が８０度以下であることを特徴とする前記（１）または（２）に記載の架橋ポリオレフィン系樹脂発泡体。
（４）  前記熱可塑性エラストマー（Ｃ）が、エチレン−エチレン・ブチレン−エチレンブロック共重合体（CEBC）及び／又はエチレンプロピレンゴム（EPM）であることを特徴とする、前記（１）から（３）いずれかに記載の架橋ポリオレフィン系樹脂発泡体。
（５）  前記（１）から（４）いずれかに記載の架橋ポリオレフィン系樹脂発泡体に、他素材を貼り合わせてなる積層体。
（６）  前記（１）から（４）いずれかに記載の架橋ポリオレフィン系樹脂発泡体、もしくは前記（５）記載の積層体を成形して得られる成形体。
（７）  前記（６）記載の成形体からなる自動車内装材。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月24日(2010.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フコイダンまたはフコイダン含有素材を有効成分として含み、尿のｐＨを持続的に上昇させることを特徴とする酸性尿を改善するための経口投与用医薬組成物。
【請求項２】
尿のｐＨを０．２またはそれ以上上昇させる請求項１記載の医薬組成物。
【請求項３】
尿のｐＨを２４時間またはそれ以上にわたって上昇させる請求項１または２記載の医薬組成物。
【請求項４】
１日に６００ｍｇまたはそれ以上のフコイダンが摂取される請求項１〜３のいずれか１項記載の医薬組成物。
【請求項５】
フコイダン含有素材がもずくまたはその抽出物である請求項１〜４のいずれか１項記載の医薬組成物。
【請求項６】
尿のｐＨを持続的に上昇させることを特徴とする酸性尿を改善するための飲食物を製造するためのフコイダンまたはフコイダン含有素材の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月4日(2011.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｒＦエキシマレーザー露光用フォトマスクを作製するために用いられる透光性基板上に遮光膜を備えたフォトマスクブランクであって、
前記遮光膜は、モリブデンシリサイドを含有する材料からなり、
前記遮光膜は、遮光層と、前記遮光層の前記透光性基板側とは反対側の表面に接して形成された反射防止層とからなり、
前記反射防止層は、酸素、窒素のうち少なくとも一方を含むモリブデンシリサイド化合物からなり、モリブデンの含有量が０原子％超、１０原子％以下である
ことを特徴とするフォトマスクブランク。
【請求項２】
前記反射防止層に接して形成される膜であり、クロムを主成分とする材料からなるエッチングマスク膜を備える
ことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランク。
【請求項３】
前記エッチングマスク膜は、
窒化クロム、酸化クロム、窒化酸化クロム、酸化炭化窒化クロムのいずれかを主成分とする材料で形成されている
ことを特徴とする請求項２記載のフォトマスクブランク。
【請求項４】
前記エッチングマスク膜は、膜厚が５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２または３に記載のフォトマスクブランク。
【請求項５】
前記遮光層は、モリブデンの含有量が２０原子％超、４０原子％以下であるモリブデンシリサイド金属からなり、層の厚さが４０ｎｍ未満であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
【請求項６】
透光性基板に、透過する露光光に対して所定の位相差を生じさせる位相シフト部を設けた位相シフトマスクを作製するためのフォトマスクブランクであって、
前記位相シフト部は、位相シフト部を設けていない部分の前記透光性基板を透過する露光光に対し、所定の位相差を生じさせる掘込深さで前記透光性基板の表面から掘り込んだ掘込部であり、
前記透光性基板をドライエッチングで掘り込むときに使用するエッチングガスに対してエッチング選択性を有する材料からなる層が、前記遮光層の下面に接し、かつ前記透光性基板を掘り込む側の表面に接して形成される
ことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
【請求項７】
透光性基板に、透過する露光光に対して所定の位相差を生じさせる位相シフト部を設けた位相シフトマスクを作製するためのフォトマスクブランクであって、
前記位相シフト部は、透過する露光光に対して所定量の位相変化を与える位相シフト膜であり、
前記位相シフト膜をドライエッチングするときに使用するエッチングガスに対してエッチング選択性を有する材料からなる層が、前記遮光層の下面に接し、かつ前記位相シフト膜の表面に接して形成される
ことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
【請求項８】
前記透光性基板または前記位相シフト膜をドライエッチングするときに使用するエッチングガスに対してエッチング選択性を有する材料からなる層は、
クロム、窒化クロム、酸化クロム、窒化酸化クロム、酸化炭化窒化クロム、タンタル−ハフニウム、タンタル−ジルコニウムのいずれかを主成分とする材料で形成されている
ことを特徴とする請求項６または７のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
【請求項９】
前記位相シフト膜は、モリブデンシリサイド、モリブデンシリサイドの窒化物、モリブデンシリサイドの酸化物、モリブデンシリサイドの窒化酸化物、モリブデンシリサイドの窒化酸化炭化物のいずれかを主成分とする材料で形成されていることを特徴とする請求項７または８に記載のフォトマスクブランク。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれかに記載のフォトマスクブランクを用いて作製されるフォトマスク。
【請求項１１】
請求項１から９のいずれかに記載のフォトマスクブランクを用いるフオトマスクの製造方法。
【請求項１２】
ＡｒＦエキシマレーザー露光用フォトマスクを作製するために用いられる透光性基板上に遮光膜を備えたフォトマスクブランクの製造方法であって、
前記遮光膜は、モリブデンシリサイドを含有する材料からなり、
前記遮光膜は、遮光層と、前記遮光層の前記透光性基板側とは反対側の表面に接して形成された反射防止層とからなり、
前記反射防止層は、酸素、窒素のうち少なくとも一方を含むモリブデンシリサイド化合物からなり、モリブデンの含有量が０原子％超、１０原子％以下であり、
前記反射防止層に接して形成される膜であり、クロムを主成分とする材料からなるエッチングマスク膜をさらに備え、
前記反射防止層を形成した後であって、前記エッチングマスク膜を形成する前に、前記反射防止層に対して、加熱処理を行うことを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
【請求項１３】
前記エッチングマスク膜を形成した後、前記反射防止層に対して行った加熱処理の温度よりも低い温度で加熱処理を行うことを特徴とする請求項１２に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】フォトマスクブランク、フォトマスク及びこれらの製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月16日(2011.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置本体とこの画像形成装置本体に通信可能に接続され、前記画像形成装置本体とは異なる画像処理機能を有する外部コントローラと、を備え、
前記画像形成装置本体は、
画像濃度を検知するための基準濃度パターンデータを生成するとともに、この基準濃度パターンを用いて取得した画像補正用の濃度データを用いて画像の濃度補正を行う画像処理部と、
この画像処理部で生成した基準濃度パターンデータを保存する画像データ記憶部を含むシステム部と、
このシステム部で生成した基準濃度パターンデータを中間転写材にトナー画像として転写し、中間転写材の表面の濃度を検知して前記画像補正用の濃度データを取得する画像形成部と、を備え、
前記外部コントローラは、
画像濃度を検知するための外部コントローラ用の基準濃度パターンを生成するとともに、この基準濃度パターンを用いて取得した画像補正用の濃度データを用いて画像の濃度補正を行う画像処理部と、
この画像処理部で生成した基準濃度パターンデータを保存する画像データ記憶部を含むシステム部と、を備え、
前記画像形成装置本体の画像処理部および前記外部コントローラの画像処理部は、前記濃度補正の実行においては、それぞれの濃度補正の実行のために生成した基準濃度パターンデータを選択して使用することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記画像形成部は、それぞれ異なる色光に対応する複数の感光体ドラムと、これらの感光体ドラムのそれぞれに設けられた現像装置とを含んでいることを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記基準濃度パターンデータは、前記異なる色光に対応し、それぞれの色光において濃度が順次変化する複数の濃度からなるパターンを表すデータであることを特徴とする請求項２記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記外部コントローラ用の基準濃度パターンデータは、前記画像形成装置本体の画像処理部で生成した基準濃度パターンデータとは異なる画像処理が施されていることを特徴とする請求項３記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記外部コントローラ側で濃度補正を行うために使用する基準濃度パターンデータは、予め前記画像形成装置本体内の画像データ記憶部に保存しておくことを特徴とする請求項４記載の画像形成装置
【請求項６】
前記外部コントローラ側で濃度補正を行うために使用する基準濃度パターンデータは、前記画像形成装置本体側での濃度補正を行う時点で外部コントローラから受け取り、これを使用して濃度データを取得することを特徴とする請求項４記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記画像形成装置本体により実行される濃度補正と前記外部コントローラ側で実行される濃度補正とは、同じタイミングで実行されることを特徴とする請求項４記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記外部コントローラにより実行される濃度補正は、前記画像形成装置本体による濃度補正の実行の際、ユーザの指示により実行をスキップすることを特徴とする請求項７記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記ユーザの指示は、前記画像形成装置本体に設けられた表示・操作部に表示される問い合わせに対する回答操作により行われることを特徴とする請求項８記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記外部コントローラにより実行される濃度補正は、前記画像形成装置本体による濃度補正の実行の際、外部コントローラにおける濃度補正を必要とする機能の使用頻度が所定の閾値を越えている場合に、実行することを特徴とする請求項７記載の画像形成装置。
【請求項１１】
画像形成装置本体と、この画像形成装置本体との間で画像データおよび各種情報の通信が可能に接続された外部コントローラとを備え、
前記画像形成装置本体は、中間転写材に基準濃度パターン画像を転写する転写部と、
この中間転写材の表面の反射濃度を検知する検知器と、
前記反射濃度の値に応じた濃度データを保存する画像データ記憶部と、
この画像データ記憶部に記憶された前記濃度データを用いて画像の濃度補正を行う画像処理部と、を有し、
前記外部コントローラは、前記濃度データを用いて画像の濃度補正を行う画像処理部を有し、
前記画像形成装置本体側で濃度補正を行う時に使用する基準濃度パターン画像と、前記外部コントローラ側で濃度補正を行う時に使用するパターン画像とを切り替える切替部と、をさらに備えること特徴とする画像形成装置。