Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月23日(2011.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）及び（II）：
【化１】
2011080093.tif 000001
［式中、Ｒはポリオール、ポリアミン又はアミノアルコール開始剤の残基であり、該開始剤のアミン又はアルコール基の少なくとも一つがアルコキシル化剤と反応されて、該開始剤の数平均分子量が少なくとも６２５とされており、
Ｘ及びＸ′は、同じか又は異なっていてよく、そしてＯ、Ｎ又はＮＨであり、ｐは１〜５の整数であり、ｑは１〜５の整数であり（但し、ｐ＋ｑは２〜８である）、ｔは２〜８の整数であり、そしてＡは、同じか又は異なっていてよく、そしてＡ１、Ａ２及びＡ３を含み、ここで、Ａ１は式（III）：
【化２】
2011080093.tif 000002
であり、Ａ２は式（IV）：
【化３】
2011080093.tif 000003
であり、Ａ３は式（Ｖ）：
【化４】
2011080093.tif 000004
（式中、ｍ、ｎ、ｖ、ｒ、ｓ、ａ、ｂ及びｃは整数であり、ｍは３よりも大きく、ｎはゼロ又はそれ以上でありそしてｍ＋ｎは１１〜１９であり、ｖは３よりも大きく、ｒはゼロ以上であり、ｓはゼロ又はそれ以上でありそしてｖ＋ｒ＋ｓは１０〜１８であり、ａは０より大きく３５以下であり、ｂは０より大きく３５以下であり、そしてｃは０より大きく３５以下であるが、Ａ３の量は植物油系ポリオールの少なくとも０．０５重量％であり、そして植物油系ポリオール中において（ａ＋ｂ＋ｃ）／（ｐ＋ｑ＋ｔ）は０よりも大きく１００までである）
である］
を含んでなる植物油系ポリオール。
【請求項２】
（ａ＋ｂ＋ｃ）／（ｐ＋ｑ＋ｔ）が０．５〜５０である請求項１に記載の植物油系ポリオール。
【請求項３】
（ａ＋ｂ＋ｃ）／（ｐ＋ｑ＋ｔ）が１〜２５である請求項２に記載の植物油系ポリオール。
【請求項４】
開始剤が第二級ヒドロキシル基を有する請求項１に記載の植物油系ポリオール。
【請求項５】
植物油系ポリオールの少なくとも一部が、構造：
【化５】
2011080093.tif 000005
（式中、少なくとも１個のＸ′−Ｈ基は第一級ヒドロキシル又は第一級アミンであり、そして少なくとも１個のＸ−Ａ−Ｈは開始剤の第二級ヒドロキシル又は第二級アミンに対応する位置に配置されている）
を有する請求項１に記載の植物油系ポリオール。
【請求項６】
植物油系ポリオールの少なくとも一部が、構造
【化６】
2011080093.tif 000006
（式中、Ｘ′−Ｈ基の全ては第一級ヒドロキシル又は第一級アミンであり、そしてＸ−Ａ−Ｈ基の全ては開始剤の第二級ヒドロキシル又は第二級アミンに対応する位置に配置されている）
を有する請求項５に記載の植物油系ポリオール。
【請求項７】
開始剤がグリセロールであり、前記グリセロールのアルコール基の少なくとも１個がエチレンオキシド又はプロピレンオキシドと反応されている請求項６に記載の植物油系ポリオール。
【請求項８】
開始剤がネオペンチルグリコール、１，４−シクロヘキサンジオール、２，５−ヘキサンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，２−プロピレングリコール、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ソルビトール、スクロース、グリセロール、１，６−ヘキサンジオール、１，４−ブタンジオール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ビス−３−アミノプロピルメチルアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、９（１）−ヒドロキシメチルオクタデカノール、１，４−ビスヒドロキシメチルシクロヘキサン、８，８−ビス（ヒドロキシメチル）トリシクロ［５，２，１，０2,6］デセン、ジメロールアルコール、水素化ビスフェノール、９，９（１０，１０）−ビスヒドロキシメチルオクタデカノール、１，２，６−ヘキサントリオール、その中に存在するアルコール又はアミン基の少なくとも１個が、エチレンオキシド、プロピレンオキシド又はこれらの混合物と反応している上記のもののいずれか及びこれらの組合せからなる群から選択される請求項１に記載の植物油系ポリオール。
【請求項９】
植物油系ポリオールが液体であり、そして少なくとも１５００の重量平均分子量を有する請求項１に記載の植物油系ポリオール。
【請求項１０】
重量平均分子量が少なくとも１８００である請求項９に記載の植物油系ポリオール。
【請求項１１】
ポリイソシアネートと請求項１に記載の植物系ポリオールとの反応生成物を含むポリウレタン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
例１〜２７：植物油系脂肪酸メチルエステルからのポリオールの製造方法
大豆油のヒドロキシメチル化した脂肪酸メチルエステル及び９，（１０）−ヒドロキシメチルステアレート（オレイン酸メチルから）を、前記の発明者Ｄｏｎａｌｄ  Ｍｏｒｒｉｓｏｎ等を有する、同時に出願された特許出願、発明の名称「種子油から誘導されたアルデヒド及びアルコール組成物」、代理人ドケット番号第６３１０４号（注：ＷＯ２００４／０９６７４４に相当）に記載されている手順に従って製造する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月17日(2011.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カルボキシル基含有単量体（Ａ）、カルボキシル基を有さない（メタ）アクリル系単量体（Ｂ）、及び芳香族ビニル系化合物（Ｃ）を含有する単量体混合物から得られる共重合体粒子を含有する水性分散液であり、
上記カルボキシル基含有単量体（Ａ）の含有量が、上記単量体混合物全量に対して、２〜１５重量％であり、上記芳香族ビニル系化合物（Ｃ）の含有量が、上記単量体混合物全量に対して２０〜７０重量％であり、かつ、上記共重合体粒子の表面酸価が１０〜４０ｍｇＫＯＨ／ｇである水性分散液からなる耐透水性コーティング剤組成物。
【請求項２】
上記カルボキシル基含有単量体（Ａ）が、アクリル酸、メタクリル酸及びイタコン酸からなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載の耐透水性コーティング剤組成物。
【請求項３】
フィルム化したときのクリア皮膜膨潤率が３〜３０％である請求項１又は２に記載の耐透水性コーティング剤組成物。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の耐透水性コーティング剤組成物を、多孔質無機質板からなる下地基材に塗布して得られる耐透水性塗膜。
【請求項５】
カルボキシル基含有単量体（Ａ）、カルボキシル基を有さない（メタ）アクリル系単量体（Ｂ）、及び芳香族ビニル系化合物（Ｃ）を含有する単量体混合物から得られる共重合体粒子であり、
上記カルボキシル基含有単量体（Ａ）の含有量が、上記単量体混合物全量に対して２〜１５重量％であり、かつ、上記共重合体粒子の表面酸価が１０〜４０ｍｇＫＯＨ／ｇである共重合体粒子を下記の（１）〜（３）のいずれかの方法を用いて乳化重合を行うことにより製造する共重合体粒子の製造方法。
（１）カルボキシル基含有単量体（Ａ）の使用量を多くして、共重合体全体の酸価を高くする。
（２）カルボキシル基を有さない（メタ）アクリル系単量体（Ｂ）として、カルボキシル基含有単量体（Ａ）との共重合の際に、カルボキシル基含有単量体（Ａ）より重合反応性が高く、かつ、重合時に（Ｂ）の連鎖が生成しやすいものを選び、反応末期に相対的に（Ａ）の残留量が多くなって重合体粒子の表面近傍で（Ａ）の組成比の高い共重合体が生成するようにする。
（３）各単量体（Ａ），（Ｂ）と、それから生成する重合体、及び水性媒体との親和性を比較して、単量体の、重合体及び水性媒体への分配比率が、（Ｂ）は重合体側に、（Ａ）は水性媒体側により多くなるように、（Ａ）及び（Ｂ）の種類・量を選択・調整する。
【請求項６】
上記カルボキシル基含有単量体（Ａ）がアクリル酸、メタクリル酸、及びイタコン酸からなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項５に記載の共重合体粒子の製造方法。
【請求項７】
芳香族ビニル系化合物（Ｃ）の含有量が、上記単量体混合物全量に対して、２０重量％以上７０重量％以下である請求項５又は６に記載の共重合体粒子の製造方法。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれかに記載の共重合体粒子の製造方法によって製造される共重合体粒子を含有する水性分散液。
【請求項９】
請求項８に記載の水性分散液を含有する耐透水性コーティング剤組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上記（Ｃ）成分の含有量は、上記単量体混合物全量に対し、１０重量％以上がよく、２０重量％以上が好ましく、３０重量％以上がより好ましい。１０重量％より少ないと、疎水成分が少なくなって、耐水性が低下する傾向がある。一方、上記（Ｃ）成分の含有量の上限は、７０重量％がよく、６０重量％が好ましく、５０重量％がより好ましい。７０重量％より多いと、この（Ｃ）成分の単独重合体が生成して、ゲル化することがある。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月21日(2010.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられ、一対の不純物領域の間に設けられたチャネル形成領域を含む島状の半導体層と、
前記半導体層の側面に接して設けられた第１絶縁層と、
前記チャネル形成領域上に設けられ、前記半導体層の中央部を横断するように設けられたゲート電極と、
前記チャネル形成領域及び前記ゲート電極の間に設けられた第２絶縁層と、
を有し、
前記半導体層は、局所的に薄膜化され、前記薄膜化された領域に前記チャネル形成領域が設けられており、
前記第２絶縁層は、少なくとも前記ゲート電極が重畳する領域の前記半導体層の側面に設けられた前記第１絶縁層を覆うことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に設けられ、一対の不純物領域の間に設けられたチャネル形成領域と、前記不純物領域に接して設けられたシリサイド領域と、を含む島状の半導体層と、
前記半導体層の側面に接して設けられた第１絶縁層と、
前記チャネル形成領域上に設けられ、前記半導体層の中央部を横断するように設けられたゲート電極と、
前記チャネル形成領域及び前記ゲート電極の間に設けられた第２絶縁層と、
前記ゲート電極の側面に設けられた第３絶縁層と、
を有し、
前記半導体層は、局所的に薄膜化され、前記薄膜化された領域に前記チャネル形成領域が設けられており、
前記第２絶縁層は、少なくとも前記ゲート電極が重畳する領域の前記半導体層の側面に設けられた前記第１絶縁層を覆うことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記半導体層に設けられたシリサイド領域上に接して設けられ、前記不純物領域と前記シリサイド領域を介して電気的に接続される導電層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記シリサイド領域は、ニッケルシリサイド、チタンシリサイド、コバルトシリサイド、又は白金シリサイドのいずれかを含む領域であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一において、
前記シリサイド領域は、前記不純物領域と同じ導電型を付与する不純物元素が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記半導体層の局所的に薄膜化された領域は、膜厚１０ｎｍ乃至２５ｎｍの範囲であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第２絶縁層は、膜厚１ｎｍ乃至１０ｎｍの範囲であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記半導体層は、前記チャネル形成領域と前記不純物領域の間に、前記不純物領域と同じ導電型を付与する不純物元素が添加され、且つ前記不純物領域と比較して低い濃度で前記不純物元素が添加された低濃度不純物領域を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
基板上に島状の半導体層を形成し、
前記半導体層の側面と接して第１絶縁層を形成し
前記半導体層を選択的にエッチングして局所的に薄膜化し、
前記半導体層上及び前記半導体層の側面に第２絶縁層を形成し、
前記半導体層の薄膜化した領域及び前記第２絶縁層上で、且つ前記半導体層の中央部を横断するようにゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を添加し、自己整合的に一対の不純物領域と、前記一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記ゲート電極の側面と接して第３絶縁層を形成し、
前記第３絶縁層及び前記ゲート電極をマスクとして前記第２絶縁層を選択的にエッチングすることにより、前記半導体層を選択的に露出させ、
少なくとも前記露出させた半導体層上に金属層を形成し、
熱処理を行うことにより、前記半導体層及び前記金属層が接する領域の一部をシリサイド化して、前記半導体層の一部にシリサイド領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９において、
前記ゲート電極の側面と接して第３絶縁層を形成し、
前記第３絶縁層及び前記ゲート電極をマスクとして前記第２絶縁層を選択的にエッチングすることにより、前記半導体層を選択的に露出させ、
前記ゲート電極及び前記第３絶縁層をマスクとして前記半導体層に不純物元素を添加し、自己整合的に一対の不純物領域と、前記一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を形成し、
少なくとも前記露出させた半導体層上に金属層を形成し、
熱処理を行うことにより、前記半導体層及び前記金属層が接する領域の一部をシリサイド化して、前記半導体層の一部にシリサイド領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１において、
前記金属層は、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、又は白金（Ｐｔ）から選ばれる金属元素、又は当該金属元素を含む合金材料を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一において、
前記シリサイド領域に接して導電層を形成することにより、前記導電層と前記不純物領域とを電気的に接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項９乃至請求項１３のいずれか一において、
前記第２絶縁層は、前記ゲート電極が重畳する領域の前記半導体層の側面と接して形成された前記第１絶縁層を覆うように形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項９乃至請求項１４のいずれか一において、
前記半導体層は、薄膜化した領域が膜厚１０ｎｍ乃至２５ｎｍの範囲となるように、選択的にエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月13日(2010.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体膜を形成し、
線状のレーザビームを走査しながら、前記線状のレーザビームを前記半導体膜に照射して、前記半導体膜を完全に溶融させることで、結晶性半導体を形成し、
前記結晶性半導体が形成された半導体膜を所定の形状に加工して、結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜にチャネル形成領域を有する素子を形成し、
被照射面での前記線状のレーザビームの走査方向の幅は、前記結晶性半導体の結晶粒の、前記走査方向に対して垂直方向の幅と同じ、又は前記垂直方向の幅よりも細いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記被照射面での前記線状のレーザビームの前記走査方向の幅は、２μｍ未満であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にキャップ膜を形成し、
線状のレーザビームを走査しながら、前記キャップ膜を通過させて、前記線状のレーザビームを前記半導体膜に照射して、前記半導体膜を完全に溶融させることで、結晶性半導体を形成し、
前記結晶性半導体が形成された半導体膜を所定の形状に加工して、結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜にチャネル形成領域を有する素子を形成し、
被照射面での前記線状のレーザビームの走査方向の幅は、前記結晶性半導体の結晶粒の、前記走査方向に対して垂直方向の幅と同じ、又は前記垂直方向の幅よりも細いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記被照射面での前記線状のレーザビームの前記走査方向の幅は、５μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項において、非球面シリンドリカルレンズまたは屈折率分布レンズにより、前記線状のレーザビームは前記走査方向に集光されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項において、前記レーザビームは、連続発振のレーザビーム又は擬似連続発振のレーザビームであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月6日(2011.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための方法であって、
前記基板を真空チャンバに位置決めするステップであって、前記基板の表面がその上に形成された第１の酸化物の層を有しているステップと、
前記第１の酸化物の層及び前記基板の表面に特徴部をエッチングするステップと、
前記特徴部に前記基板の表面を超える量の第２の酸化物を堆積させるステップと、
処理ガス混合物の活性種を発生させるステップであって、前記処理ガス混合物が第１のガスおよび第２のガスを備えており、前記第１のガス対前記第２のガスのモル比が３：１〜３０：１であるステップと、
前記第１の酸化物の少なくとも一部及び前記第２の酸化物の少なくとも一部を、前記基板の表面上の膜に変換するステップと、
前記特徴部上に形成された膜を昇華させて、前記基板の表面を実質的に平坦化するステップと、
を備える方法。
【請求項２】
前記第２の酸化物を堆積させるステップが、前記第２の酸化物を堆積させる前に、前記特徴部にライナー酸化物を堆積させ、前記ライナー酸化物上に窒化物ライナーを堆積させるステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記活性種を発生させる前に、前記基板を１５℃〜６５℃の第１の温度まで冷却するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記活性種が窒素原子およびフッ素原子を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のガスがアンモニア（ＮＨ3）であり、前記第２のガスが三フッ化窒素（ＮＦ3）である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記処理ガスのアンモニア（ＮＨ3）対三フッ化窒素（ＮＦ3）のモル比が５：１である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記処理ガスの前記第１のガス対前記第２のガスのモル比が３：１〜１０：１である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記処理ガス混合物がさらにキャリアガスを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記活性種を発生させる前にキャリアガスを前記真空チャンバに導入するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記膜が窒素原子およびフッ素原子を含む塩である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記膜がヘキサフルオロケイ酸アンモニウムを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記膜を昇華させるステップが、前記基板を７５℃〜２００℃の第２の温度まで加熱するステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記昇華させた膜の材料を前記真空チャンバから除去するステップをさらに備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
基板を処理するための方法であって、
前記基板を真空チャンバに位置決めするステップであって、前記基板が、その表面上に形成された第１の酸化物の層と、前記第１の酸化物の層及び前記基板の表面に形成された特徴部と、前記特徴部に形成された前記基板の表面を超える量の第２の酸化物の層とを有しているステップと、
前記第１の酸化物及び前記第２の酸化物を前記基板の表面から選択的に除去するステップと、
を備え、前記選択的に除去するステップが、
処理ガスを前記真空チャンバに導入するステップであって、前記処理ガスが、第１のガスおよび第２のガスを備えており、前記第１のガス対前記第２のガスのモル比が３：１〜２０：１であるステップと、
前記処理ガスのプラズマを発生させるステップと、
前記第１の酸化物の層及び前記第２の酸化物の層を前記処理ガスの前記プラズマに暴露するステップと、
前記第１の酸化物の層の少なくとも一部及び前記第２の酸化物の層の少なくとも一部により、窒素およびフッ素を含む膜を形成するステップと、
前記窒素およびフッ素を含む膜を、前記基板の表面から昇華させるステップと、
を備えるプロセスを備える方法。
【請求項１５】
前記第２の酸化物を堆積させる前に、前記特徴部にライナー酸化物を形成し、前記ライナー酸化物上に窒化物ライナーを形成する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ライナー酸化物の層の暴露された部分により、窒素およびフッ素を含む膜を形成して、前記ライナー酸化物並びに前記基板の表面を実質的に平坦化するステップをさらに備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記処理ガスのアンモニア（ＮＨ3）対三フッ化窒素（ＮＦ3）のモル比が３：１〜１０：１である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記窒素およびフッ素を含む膜がヘキサフルオロケイ酸アンモニウムを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記処理ガスがさらにキャリアガスを備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記窒素およびフッ素を含む膜を前記基板の表面から昇華させるステップが、前記基板を７５℃〜２００℃の温度まで加熱するステップを備える、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月7日(2011.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅ターゲットと、スパッタ処理される基板を支持するペデスタル電極とを有するマグネトロンスパッタチャンバ内で実行される、誘電体層内のホール内に形成される銅メタライゼーションのための銅堆積プロセスであって、
第１のターゲットレベルのＤＣ電力を前記銅ターゲットに印加して、前記チャンバ内の第１のプラズマを励起し、前記ターゲットからの銅をスパッタし、更に、第１のバイアスレベルの高周波電力で前記ペデスタル電極を電気的にバイアスし、銅を前記基板上に堆積することを含む、前記チャンバ内で実行される第１の堆積ステップと、
前記チャンバ内の第２のプラズマを励起し、及び第２のバイアスレベルの高周波電力で前記ペデスタル電極を電気的にバイアスして、前記基板上に堆積された銅をイオンでスパッタエッチングするために、異なるプロセス条件下で、前記チャンバ内で実行される、後のエッチングステップと、
を備えるプロセス。
【請求項２】
前記チャンバが、前記チャンバの周りに巻かれたＲＦコイルを含み、前記エッチングステップが、前記第１のターゲットレベルよりも小さいＤＣ電力を前記銅ターゲットに印加することと、前記チャンバ内にアルゴンを入れることと、前記基板を、前記第２のプラズマ中のアルゴンイオンでスパッタエッチングすることとを含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記１．５ミリトール未満のアルゴンが、前記エッチングステップ中に前記チャンバ内に入れられ、前記エッチングステップが、第２のターゲットレベルのＤＣ電力を前記銅ターゲットに印加することと、前記基板を前記第２のプラズマ中の銅イオンでスパッタエッチングすることとを含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】
前記チャンバが、前記チャンバの周りで巻かれたＲＦコイルを含み、前記エッチングステップが、高周波電力を前記コイルに印加することを含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項５】
前記ホールの残りの部分を、めっきプロセスにおいて、銅で充填する後のステップをさらに備える、請求項１に記載のプロセス。
【請求項６】
前記ターゲットからの銅を前記基板上にスパッタすることを含む、前記チャンバ内で実行される後の第２の堆積ステップをさらに備える、請求項１に記載のプロセス。
【請求項７】
前記後の第２の堆積ステップが、前記第１のバイアスレベルよりも小さい第３のバイアスレベルの高周波電力を前記ペデスタル電極に印加することを含む、請求項６に記載のプロセス。
【請求項８】
前記第２の堆積ステップが、前記ペデスタル電極を電気的にフローティングさせること、又は、前記ペデスタル電極を、前記第１のバイアスレベルよりも小さい第１のバイアスレベルの高周波電力で電気的にバイアスすることを含む、請求項７に記載のプロセス。
【請求項９】
前記第１の堆積ステップ及びエッチングステップが、前記第２の堆積ステップの前に、複数回繰り返される、請求項６に記載のプロセス。
【請求項１０】
中間銅電気めっきプロセスを伴うことなく、前記基板を後に化学的機械的研磨するステップをさらに備える、請求項９に記載のプロセス。
【請求項１１】
前記第１の堆積ステップ、第２の堆積ステップ及び前記エッチングステップが、前記ホールを銅で充填する、請求項９に記載のプロセス。
【請求項１２】
前記堆積ステップ中の前記ペデスタルの温度を、５０〜２５０℃の範囲に維持するステップをさらに備える、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１３】
前記範囲が１５０〜２５０℃である、請求項１２に記載のプロセス。
【請求項１４】
銅ターゲットと、マグネトロンスパッタチャンバを包囲するＲＦコイルと、スパッタ処理される基板を支持するペデスタル電極とを有する前記マグネトロンスパッタチャンバ内で実行される、誘電体層内のホール内に形成される銅メタライゼーションのための銅堆積プロセスであって、
第１のターゲットレベルのＤＣ電力を前記銅ターゲットに印加し、かつ第１のコイルレベル未満の高周波電力を前記ＲＦコイルに印加して、前記チャンバ内の第１のプラズマを励起し、前記ターゲットからの銅をスパッタし、及び第１のバイアスレベルの高周波電力で前記ペデスタル電極を電気的にバイアスし、銅を前記基板上に堆積することを含む、前記チャンバ内で実行される第１の堆積ステップと、
第２のターゲットレベルのＤＣ電力を前記銅ターゲットに印加し、前記第１のコイルレベルよりも大きい第２のコイルレベルの高周波電力を前記ＲＦコイルに印加して、前記チャンバ内の第２のプラズマを励起することと、前記ペデスタルを第２のバイアスレベルの高周波電力で電気的にバイアスして、前記基板上に堆積された銅を銅イオンでスパッタエッチングすることとを含む、前記チャンバ内で実行される後のエッチングステップと、
を備えるプロセス。
【請求項１５】
前記エッチングステップが、１．５ミリトール未満の前記チャンバ内のアルゴン圧力で実行される、請求項１４に記載のプロセス。
【請求項１６】
前記ペデスタルが、前記堆積ステップ中に、５０〜２５０℃の範囲の温度に維持される、請求項１４に記載のプロセス。
【請求項１７】
銅ターゲットと、マグネトロンスパッタチャンバを包囲するＲＦコイルと、スパッタ処理される基板を支持するペデスタル電極とを有する前記マグネトロンスパッタチャンバ内で実行される、誘電体層内のホール内に形成される銅メタライゼーションのための銅堆積プロセスであって、
第１のターゲットレベルのＤＣ電力を前記銅ターゲットに印加して、前記チャンバ内の第１のプラズマを励起し、前記ターゲットからの銅をスパッタし、及び第１のバイアスレベルの高周波電力で前記ペデスタル電極を電気的にバイアスし、銅を前記基板上に堆積することを含む、前記チャンバ内で実行される第１の堆積ステップと、
アルゴンを前記スパッタチャンバ内に入れることと、高周波電力を前記ＲＦコイルに印加して、前記チャンバ内のアルゴンプラズマを励起することと、前記ペデスタルを第２のバイアスレベルの高周波電力で電気的にバイアスして、前記基板上に堆積された銅をアルゴンイオンでスパッタエッチングすることとを含む、前記チャンバ内で実行される後のエッチングステップと、
を備えるプロセス。
【請求項１８】
前記ペデスタルが、前記堆積ステップ中に、５０〜２５０℃の範囲の温度に維持される、請求項１７に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月2日(2011.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検者の眼底に測定指標を投影し、眼底からの反射光束を受光素子で受光して被検者眼の屈折力を得る眼屈折力測定手段と、被検者眼に呈示する視標を遠用距離から近用距離まで可変させる視標呈示光学系とを備え、前記視標呈示光学系により雲霧が掛けられる遠用距離に視標を呈示して遠用屈折力を得る眼屈折力測定装置において、
所定の近用距離に視標が呈示された状態での被検者が視標を判読できるか否かを確認するときに前記眼屈折力測定手段により屈折力測定を実行する近用屈折力測定実行手段と、
被検者眼の遠用屈折力と前記近用距離とに基づいて被検者眼が前記近用距離の視標を見るために必要な屈折力を求め、該求めた屈折力と前記近用屈折力測定実行手段により得られた近用の屈折力とを比較し、被検者眼が加入度を必要とするか否か判断してその結果を報知する判断手段と、を備えることを特徴とする眼屈折力測定装置。
【請求項２】
請求項１の眼屈折力測定装置において、
近用視力測定モードに移行する信号を入力する測定モード移行信号入力手段と、
近用視力測定モードに移行されたときに、前記視標呈示光学系の視標を前記所定の近用距離に切換える制御手段と、を備えることを特徴とする眼屈折力測定装置。
【請求項３】
請求項１〜２のいずれかの眼屈折力測定装置において、
前記視標呈示光学系の光路に配置され、被検者眼の乱視屈折力及び球面屈折力を矯正する矯正光学系を備え、
前記制御手段は、近用視力測定モードに移行されたときに、遠用屈折力に基づいて前記矯正光学系を駆動して乱視屈折力誤差及び球面屈折力誤差を矯正することを特徴とする眼屈折力測定装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかの眼屈折力測定装置において、前記近用距離の視標を見るために必要な屈折力と前記近用屈折力測定実行手段により得られた近用の屈折力とに基づいて被検者眼に必要な加入度を演算する加入度演算手段と、近用視力測定時に前記矯正光学系に加入度を付加させる指令信号を入力する加入度付加スイッチと、を備え、
前記制御手段は、前記加入度付加スイッチの信号に基づいて前記矯正光学系の駆動を制御し、前記加入度演算手段により演算された加入度分を付加させることを特徴とする眼屈折力測定装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかの眼屈折力測定装置において、前記判断手段は、前記比較結果の度数が眼の調節ラグの所定度数を超えている場合に被検者眼が加入度を必要とすると判断することを特徴とする眼屈折力測定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
（１）
被検者の眼底に測定指標を投影し、眼底からの反射光束を受光素子で受光して被検者眼の屈折力を得る眼屈折力測定手段と、被検者眼に呈示する視標を遠用距離から近用距離まで可変させる視標呈示光学系とを備え、前記視標呈示光学系により雲霧が掛けられる遠用距離に視標を呈示して遠用屈折力を得る眼屈折力測定装置において、
所定の近用距離に視標が呈示された状態での被検者が視標を判読できるか否かを確認するときに前記眼屈折力測定手段により屈折力測定を実行する近用屈折力測定実行手段と、
被検者眼の遠用屈折力と前記近用距離とに基づいて被検者眼が前記近用距離の視標を見るために必要な屈折力を求め、該求めた屈折力と前記近用屈折力測定実行手段により得られた近用の屈折力とを比較し、被検者眼が加入度を必要とするか否か判断してその結果を報知する判断手段と、を備えることを特徴とする。
（２）
（１）の眼屈折力測定装置において、
近用視力測定モードに移行する信号を入力する測定モード移行信号入力手段と、
近用視力測定モードに移行されたときに、前記視標呈示光学系の視標を前記所定の近用距離に切換える制御手段と、を備える。
（３）
（１）〜（２）のいずれかの眼屈折力測定装置において、
前記視標呈示光学系の光路に配置され、被検者眼の乱視屈折力及び球面屈折力を矯正する矯正光学系を備え、
前記制御手段は、近用視力測定モードに移行されたときに、遠用屈折力に基づいて前記矯正光学系を駆動して乱視屈折力誤差及び球面屈折力誤差を矯正する。
（４）
（１）〜（３）のいずれかの眼屈折力測定装置において、前記近用距離の視標を見るために必要な屈折力と前記近用屈折力測定実行手段により得られた近用の屈折力とに基づいて被検者眼に必要な加入度を演算する加入度演算手段と、近用視力測定時に前記矯正光学系に加入度を付加させる指令信号を入力する加入度付加スイッチと、を備え、
前記制御手段は、前記加入度付加スイッチの信号に基づいて前記矯正光学系の駆動を制御し、前記加入度演算手段により演算された加入度分を付加させる。
（５）
（１）〜（４）のいずれかの眼屈折力測定装置において、前記判断手段は、前記比較結果の度数が眼の調節ラグの所定度数を超えている場合に被検者眼が加入度を必要とすると判断することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月2日(2011.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定光源と、測定光源から発せられた光を測定光と参照光に分割する分割手段と、前記分割手段によって分割された測定光を被検眼の所定部位上で走査させる走査手段と、被検眼の所定部位に照射された前記測定光による反射光と参照光とが合成された光を受光する第１の受光素子と、を有し、被検眼の所定部位における断層画像を得るための干渉光学系と、
被検眼の前記所定部位に照明光を照射する照明光学系と、被検眼の前記所定部位からの反射光を第２の受光素子により受光する受光光学系と、を有し、前記所定部位における正面画像を得るための観察光学系と、
を備える眼科撮影装置において、
前記走査手段を制御して前記測定光を眼底上で二次元的に走査させ前記第１の受光素子からの受光信号に基づいて眼底の３次元画像を取得し、前記第２受光素子から受光信号に基づいて観察用正面画像を得る制御手段と、
前記３次元画像の取得時において前記第１受光素子により得られる受光信号に基づいてＯＣＴ正面画像を取得し、該ＯＣＴ正面画像と前記観察用正面画像とを比較して３次元画像の取得時における位置ずれを画像処理により検出する位置ずれ検出手段を備えることを特徴とする眼科撮影装置。
【請求項２】
請求項１の眼科撮影装置において、前記位置ずれ検出部は、前記ＯＣＴ正面画像全体と前記観察用正面画像とを比較してＯＣＴ正面画像の全体的な位置ずれ量を検出すると共に、該ＯＣＴ正面画像全体を複数の領域に分割し，分割された各領域におけるＯＣＴ正面画像と前記観察用正面画像とを比較してＯＣＴ正面画像の局所的な位置ずれ量を検出することを特徴とする眼科撮影装置。
【請求項３】
請求項１〜２のいずれかの眼科撮影装置において、前記位置ずれ検出部から出力される位置ずれが所定の許容範囲を満たすか否かを判定処理する判定処理手段を備え、
前記表示制御手段は、前記判定処理手段によって判定された結果を表示することを特徴とする眼科撮影装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかの眼科撮影装置において、前記干渉光学系は、フーリエ・ドメイン型のＯＣＴ光学系であって、
前記位置ずれ検出部は、前記断層画像を取得するためのフーリエ解析がなされる前段階において、フーリエ解析がなされる前の受光信号に基づいてＯＣＴ正面画像を取得して前記位置ずれを検出することを特徴とする眼科撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（１）
測定光源と、測定光源から発せられた光を測定光と参照光に分割する分割手段と、前記分割手段によって分割された測定光を被検眼の所定部位上で走査させる走査手段と、被検眼の所定部位に照射された前記測定光による反射光と参照光とが合成された光を受光する第１の受光素子と、を有し、被検眼の所定部位における断層画像を得るための干渉光学系と、
被検眼の前記所定部位に照明光を照射する照明光学系と、被検眼の前記所定部位からの反射光を第２の受光素子により受光する受光光学系と、を有し、前記所定部位における正面画像を得るための観察光学系と、
を備える眼科撮影装置において、
前記走査手段を制御して前記測定光を眼底上で二次元的に走査させ前記第１の受光素子からの受光信号に基づいて眼底の３次元画像を取得し、前記第２受光素子から受光信号に基づいて観察用正面画像を得る制御手段と、
前記３次元画像の取得時において前記第１受光素子により得られる受光信号に基づいてＯＣＴ正面画像を取得し、該ＯＣＴ正面画像と前記観察用正面画像とを比較して３次元画像の取得時における位置ずれを画像処理により検出する位置ずれ検出手段を備えることを特徴とする。
（２）  （１）の眼科撮影装置において、前記位置ずれ検出部は、前記ＯＣＴ正面画像全体と前記観察用正面画像とを比較してＯＣＴ正面画像の全体的な位置ずれ量を検出すると共に、該ＯＣＴ正面画像全体を複数の領域に分割し，分割された各領域におけるＯＣＴ正面画像と前記観察用正面画像とを比較してＯＣＴ正面画像の局所的な位置ずれ量を検出することを特徴とする眼科撮影装置。
（３）  （１）〜（２）のいずれかの眼科撮影装置において、前記位置ずれ検出部から出力される位置ずれが所定の許容範囲を満たすか否かを判定処理する判定処理手段を備え、
前記表示制御手段は、前記判定処理手段によって判定された結果を表示することを特徴とする。
（４）  （１）〜（３）のいずれかの眼科撮影装置において、前記干渉光学系は、フーリエ・ドメイン型のＯＣＴ光学系であって、
前記位置ずれ検出部は、前記断層画像を取得するためのフーリエ解析がなされる前段階において、フーリエ解析がなされる前の受光信号に基づいてＯＣＴ正面画像を取得して前記位置ずれを検出することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月2日(2011.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定光源と、測定光源から発せられた光を測定光と参照光に分割する分割手段と、前記分割手段によって分割された測定光を被検眼の所定部位上で走査させる走査手段と、被検眼の所定部位に照射された前記測定光による反射光と参照光とが合成された光を受光する第１の受光素子と、を有し、被検眼の所定部位における断層画像を得るための干渉光学系と、
被検眼の前記所定部位に照明光を照射する照明光学系と、被検眼の前記所定部位からの反射光を第２の受光素子により受光する受光光学系と、を有し、前記所定部位における正面画像を得るための観察光学系と、
前記第１の受光素子から出力される受光信号に基づいて断層画像を取得すると共に、前記第２の受光素子から出力される受光信号に基づいて正面画像を取得する画像処理部と、
所定の信号に基づいて前記走査手段による測定光の走査位置を設定する走査位置設定手段と、を備える眼科撮影装置において、
過去に取得された断層画像，該断層画像を取得したときの前記測定光の走査位置情報，及び該断層画像と対応付けられて取得した正面画像を記憶する記憶手段に記憶された前記過去の正面画像と，前記画像処理部によって取得される現在の正面画像とを比較して、前記過去の正面画像に対する現在の正面画像の位置ずれ方向及び位置ずれ量を画像処理により検出する位置ずれ検出手段と、
前記記憶手段から前記走査位置情報を取得し、前記位置ずれ検出手段によって検出された前記位置ずれ方向及び位置ずれ量に基づいて該走査位置情報を補正する補正手段と、
前記走査位置設定手段によって設定される現在の走査位置情報と，前記補正後の走査位置情報と，の走査位置のずれ量を逐次検出し、逐次検出される該ずれ量が所定の許容範囲を満たすか否かを判別する判別手段と、を備えることを特徴とする眼科撮影装置。
【請求項２】
請求項１の眼科撮影装置において、
取得した画像を表示するためのモニタと、
前記判別手段によって前記走査位置のずれ量が所定の許容範囲を満たすと判別されたとき、走査位置の調整が適正である旨を前記モニタ上に表示する表示制御手段と、を備えることを特徴とする眼科撮影装置。
【請求項３】
請求項１〜２のいずれかの眼科撮影装置において、前記判別手段によって前記ずれ量が所定の許容範囲を満たすと判別されたとき、撮影開始のトリガ信号を自動的に発する自動撮影手段を備えることを特徴とする眼科撮影装置。
【請求項４】
請求項１〜３の眼科撮影装置において、
前記表示制御手段は、現在取得される正面画像を前記モニタに表示すると共に、前記過去の断層画像とほぼ同じ部位に走査位置を調整するための目標としてのターゲット指標と、現在の走査位置を示すスキャンラインと、をそれぞれ前記正面画像上に重畳して表示させる表示制御手段であって、
該表示制御手段は、前記補正手段によって補正された走査位置情報に対応する位置に前記ターゲット指標を表示すると共に、前記走査位置設定手段による走査位置の変更に応じて前記スキャンラインの表示位置を変化させることを特徴とする眼科撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（１）
測定光源と、測定光源から発せられた光を測定光と参照光に分割する分割手段と、前記分割手段によって分割された測定光を被検眼の所定部位上で走査させる走査手段と、被検眼の所定部位に照射された前記測定光による反射光と参照光とが合成された光を受光する第１の受光素子と、を有し、被検眼の所定部位における断層画像を得るための干渉光学系と、
被検眼の前記所定部位に照明光を照射する照明光学系と、被検眼の前記所定部位からの反射光を第２の受光素子により受光する受光光学系と、を有し、前記所定部位における正面画像を得るための観察光学系と、
前記第１の受光素子から出力される受光信号に基づいて断層画像を取得すると共に、前記第２の受光素子から出力される受光信号に基づいて正面画像を取得する画像処理部と、
所定の信号に基づいて前記走査手段による測定光の走査位置を設定する走査位置設定手段と、を備える眼科撮影装置において、
過去に取得された断層画像，該断層画像を取得したときの前記測定光の走査位置情報，及び該断層画像と対応付けられて取得した正面画像を記憶する記憶手段に記憶された前記過去の正面画像と，前記画像処理部によって取得される現在の正面画像とを比較して、前記過去の正面画像に対する現在の正面画像の位置ずれ方向及び位置ずれ量を画像処理により検出する位置ずれ検出手段と、
前記記憶手段から前記走査位置情報を取得し、前記位置ずれ検出手段によって検出された前記位置ずれ方向及び位置ずれ量に基づいて該走査位置情報を補正する補正手段と、
前記走査位置設定手段によって設定される現在の走査位置情報と，前記補正後の走査位置情報と，の走査位置のずれ量を逐次検出し、逐次検出される該ずれ量が所定の許容範囲を満たすか否かを判別する判別手段と、を備えることを特徴とする。
（２）  （１）の眼科撮影装置において、
取得した画像を表示するためのモニタと、
前記判別手段によって前記走査位置のずれ量が所定の許容範囲を満たすと判別されたとき、走査位置の調整が適正である旨を前記モニタ上に表示する表示制御手段と、を備えることを特徴とする。
（３）  （１）〜（２）のいずれかの眼科撮影装置において、前記判別手段によって前記ずれ量が所定の許容範囲を満たすと判別されたとき、撮影開始のトリガ信号を自動的に発する自動撮影手段を備えることを特徴とする。
（４）  （１）〜（３）の眼科撮影装置において、
前記表示制御手段は、現在取得される正面画像を前記モニタに表示すると共に、前記過去の断層画像とほぼ同じ部位に走査位置を調整するための目標としてのターゲット指標と、現在の走査位置を示すスキャンラインと、をそれぞれ前記正面画像上に重畳して表示させる表示制御手段であって、
該表示制御手段は、前記補正手段によって補正された走査位置情報に対応する位置に前記ターゲット指標を表示すると共に、前記走査位置設定手段による走査位置の変更に応じて前記スキャンラインの表示位置を変化させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月2日(2011.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定光源と、測定光源から発せられた光を測定光と参照光に分割する分割手段と、前記分割手段によって分割された測定光を被検眼の所定部位上で走査させる走査手段と、被検眼の所定部位に照射された前記測定光による反射光と参照光とが合成された光を受光する受光素子と、を有し、被検眼の所定部位における断層画像を得るための干渉光学系と、
前記受光素子から出力される受光信号に基づいて断層画像を取得する画像処理部と、
を備える眼科撮影装置において、
所定の走査領域にて前記測定光が複数回走査されることによって前記画像処理部によって取得された複数の断層画像を加算処理して平均化させる加算処理手段を備え、
該加算処理手段は、
前記取得された各断層画像を前記走査手段による前記測定光の走査方向に関して複数の領域に分割し、各断層画像間の位置ずれを前記分割された領域毎に検出し位置ずれ情報を得る検出手段と、
前記検出手段によって得られた前記位置ずれ情報に基づいて前記分割された領域毎に補正する補正手段と、を有し、
前記補正手段によって補正された各断層画像を加算し、平均化することを特徴とする眼科撮影装置。
【請求項２】
請求項１の眼科撮影装置において、
前記検出手段は、前記取得された複数の断層画像から選択された所定の基準画像に対する各断層画像の位置ずれを前記分割された領域毎に検出し、
前記補正手段は、前記基準画像に対する各撮影画像の位置ずれを前記分割された領域毎に補正することを特徴とする眼科撮影装置。
【請求項３】
請求項１〜２の眼科撮影装置において、前記加算処理手段は、断層画像一枚単位で分割領域毎に画像加算を行うことを特徴とする眼科撮影装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかの眼科撮影装置において、
該加算処理手段は、各分割領域の中心位置におけるＡスキャン信号から予め設定されている輝度条件に該当する点を探索し、探索された所定の点を基準位置として設定し、基準位置を中心とする任意の領域をテンプレート画像として設定し、該テンプレート画像を用いて前記位置ずれの検出と補正を行うことを特徴とする眼科撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（１）
測定光源と、測定光源から発せられた光を測定光と参照光に分割する分割手段と、前記分割手段によって分割された測定光を被検眼の所定部位上で走査させる走査手段と、被検眼の所定部位に照射された前記測定光による反射光と参照光とが合成された光を受光する受光素子と、を有し、被検眼の所定部位における断層画像を得るための干渉光学系と、
前記受光素子から出力される受光信号に基づいて断層画像を取得する画像処理部と、
を備える眼科撮影装置において、
所定の走査領域にて前記測定光が複数回走査されることによって前記画像処理部によって取得された複数の断層画像を加算処理して平均化させる加算処理手段を備え、
該加算処理手段は、
前記取得された各断層画像を前記走査手段による前記測定光の走査方向に関して複数の領域に分割し、各断層画像間の位置ずれを前記分割された領域毎に検出し位置ずれ情報を得る検出手段と、
前記検出手段によって得られた前記位置ずれ情報に基づいて前記分割された領域毎に補正する補正手段と、を有し、
前記補正手段によって補正された各断層画像を加算し、平均化することを特徴とする。
（２）  （１）の眼科撮影装置において、
前記検出手段は、前記取得された複数の断層画像から選択された所定の基準画像に対する各断層画像の位置ずれを前記分割された領域毎に検出し、
前記補正手段は、前記基準画像に対する各撮影画像の位置ずれを前記分割された領域毎に補正することを特徴とする。
（３）  （１）〜（２）の眼科撮影装置において、前記加算処理手段は、断層画像一枚単位で分割領域毎に画像加算を行うことを特徴とする。
（４）  （１）〜（３）のいずれかの眼科撮影装置において、
該加算処理手段は、各分割領域の中心位置におけるＡスキャン信号から予め設定されている輝度条件に該当する点を探索し、探索された所定の点を基準位置として設定し、基準位置を中心とする任意の領域をテンプレート画像として設定し、該テンプレート画像を用いて前記位置ずれの検出と補正を行うことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月2日(2011.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技機構成部材である第１部材と第２部材とが連結されてなる遊技機であって、
前記第１部材又は第２部材の少なくとも一方に対してネジ結合されるネジ溝を含む軸部と、
その軸部を回転操作する工具が係合される工具係合部を含む操作部と、
前記第１部材及び第２部材の連結の後に、前記操作部を前記軸部の軸線方向と異なる方向へと変位させた状態で、当該操作部を保持可能な保持部と、
を備えたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
遊技機構成部材である第１部材と第２部材とがネジ部材により連結されてなる遊技機であって、
前記ネジ部材を回転操作する工具が係合される操作部を備え、
前記ネジ部材は、
前記第１部材又は第２部材の少なくとも一方に対してネジ結合されるネジ溝を含む軸部と、
前記軸部に設けられ、当該軸部の軸線上に位置するとともに、前記操作部と係合される係合部を含む操作係合部と、
を有し、
さらに、前記第１部材及び第２部材を連結した場合に、前記操作部を、前記軸部の軸線方向と異なる方向へと変位させる変位手段と、
前記変位手段により前記操作部が変位された状態で、当該操作部を保持可能な保持部と、
を備えたことを特徴とする遊技機。
【請求項３】
前記保持部は、前記変位手段に変位された操作部を前記軸部の軸線上に位置するよう保持することを特徴とする請求項２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記保持部は、各部材を連結する前の状態においては、前記操作部の軸線が前記軸部の軸線とほぼ一致するように当該操作部を保持するものであり、
前記変位手段は、前記操作部に設けられ、前記係合部の軸線方向と交わる方向に付勢する付勢部材であることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の遊技機。
【請求項５】
前記保持部は、前記操作部における前記係合部の軸線方向に沿った外周側を覆う筒部を備え、
当該筒部は、
各部材を連結する前の状態では前記係合部の軸線が前記操作部の軸線とほぼ一致するように当該操作部を覆う第１筒部と、
各部材を連結した場合に前記付勢部材により前記操作部を変位可能にその内周が前記第１筒部よりも拡張された第２筒部と、
を備えていることを特徴とする請求項４に記載の遊技機。
【請求項６】
遊技機構成部材である第１部材又は第２部材の少なくとも一方に対してネジ結合されるネジ溝を含む軸部と、その軸部を回転操作する工具が係合される工具係合部を含む操作部と、これら軸部及び操作部を連結するとともに、その工具係合部に所定トルク以上の回転力が加えられることにより前記軸部から前記操作部を分離させる分離部と、を有するネジ部材を備え、
当該ネジ部材を用いて、前記第１部材と前記第２部材とが連結される構成であり、
さらに、前記操作部が分離された場合、当該操作部を前記軸部の軸線方向と異なる方向へと変位させた状態で、当該操作部を保持可能な保持部を備えたことを特徴とする遊技機。
【請求項７】
前記保持部は、前記分離部における前記軸部側に設けられ、前記軸部側を一端として前記操作部側に延びるとともに、前記操作部側ほど前記軸部の軸線方向と直交する方向の大きさが縮小される軸部側絞部を備え、
前記分離部は、前記軸部側絞部よりも前記操作部側にて分離するものであることを特徴とする請求項６に記載の遊技機。