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【手続補正書】
【提出日】平成22年11月24日(2010.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、前記絶縁層の上面に形成された配線と、を備えた配線基板の製造方法であって、
前記絶縁層の上面を覆う密着層を形成する密着層形成工程と、
前記密着層の上面に、前記配線の形成領域に対応する部分の前記密着層の上面を露出する配線形成用開口部を有したレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜の上面と、前記配線形成用開口部を構成する前記レジスト膜の側面及び前記密着層の上面とを覆うように、前記密着層よりもエッチングされにくい金属層を形成する金属層形成工程と、
前記金属層を給電層とする電解めっき法により、前記配線形成用開口部をめっき膜で充填するめっき膜形成工程と、
前記レジスト膜の上面よりも上方に形成された部分の前記金属層及び前記めっき膜を除去する金属層及びめっき膜除去工程と、
前記金属層及びめっき膜除去工程後に、前記レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、
前記レジスト膜除去工程後に、前記金属層に覆われていない不要な部分の前記密着層をエッチングにより除去する密着層除去工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記金属層は、前記密着層よりもエッチングされにくい保護金属層と、前記給電層となるシード層とが積層された構成とされており、
前記金属層形成工程は、シード層を形成するシード層形成工程と、
前記シード層と前記レジスト膜及び前記密着層との間に、前記保護金属層を形成する保護金属層形成工程と、を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記保護金属層形成工程では、前記密着層を除去後に、前記めっき膜の側壁に前記保護金属層が残るような厚さとなるように、前記保護金属層を形成することを特徴とする請求項２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記密着層及び前記保護金属層の材料は、Ｎｉ−Ｃｕ合金であり、
前記保護金属層を構成するＮｉ−Ｃｕ合金は、前記密着層を構成するＮｉ−Ｃｕ合金よりもＮｉの含有率が高いことを特徴とする請求項２又は３記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記配線の下方に位置する部分の前記絶縁層にパッドを形成するパッド形成工程と、
前記配線と前記パッドとの間に位置する部分の前記絶縁層に、前記配線及び前記パッドと接続されるビアを形成するビア形成工程と、をさらに設けたことを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
絶縁層と、前記絶縁層の上面に形成された配線と、を備えた配線基板の製造方法であって、
前記絶縁層の上面に、前記配線の形成領域に対応する部分の前記絶縁層の上面を露出する配線形成用開口部を有したレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜の上面と、前記配線形成用開口部を構成する部分の前記レジスト膜の側面及び前記絶縁層の上面とを覆う金属層を形成する金属層形成工程と、
前記金属層を給電層とする電解めっき法により、前記配線形成用開口部をめっき膜で充填するめっき膜形成工程と、
前記レジスト膜の上面よりも上方に形成された部分の前記金属層及び前記めっき膜を除去して、前記配線を形成する配線形成工程と、
前記配線形成工程後に、前記レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、を含み、
前記金属層形成工程は、前記給電層となるシード層を形成するシード層形成工程と、
前記シード層と前記絶縁層及び前記レジスト膜との間に配置される密着層を形成する密着層形成工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記シード層の材料と前記密着層の材料とは、互いに異種の金属であることを特徴とする請求項６記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記配線の下方に位置する部分の前記絶縁層にパッドを形成するパッド形成工程と、
前記配線と前記パッドとの間に位置する部分の前記絶縁層に、前記配線及び前記パッドと接続されるビアを形成するビア形成工程と、をさらに設けたことを特徴とする請求項６又は７記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
次いで、図３に示す工程では、無電解めっき法により、図２に示す構造体の上面を覆うＣｕ層２２８と、図２に示す構造体の下面を覆うＣｕ層２３５とを形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明の他の観点によれば、絶縁層と、前記絶縁層の上面に形成された配線と、を備えた配線基板の製造方法であって、前記絶縁層の上面に、前記配線の形成領域に対応する部分の前記絶縁層の上面を露出する配線形成用開口部を有したレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜の上面と、前記配線形成用開口部を構成する部分の前記レジスト膜の側面及び前記絶縁層の上面とを覆う金属層を形成する金属層形成工程と、前記金属層を給電層とする電解めっき法により、前記配線形成用開口部をめっき膜で充填するめっき膜形成工程と、前記レジスト膜の上面よりも上方に形成された部分の前記金属層及び前記めっき膜を除去して、前記配線を形成する配線形成工程と、前記配線形成工程後に、前記レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程と、を含み、前記金属層形成工程は、前記給電層となるシード層を形成するシード層形成工程と、前記シード層と前記絶縁層及び前記レジスト膜との間に配置される密着層を形成する密着層形成工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月17日(2010.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
なお、下ケース体２０の側壁部２２の外壁箇所には、上ケース体１０と係合固定するための断面三角形状の係止部２４が突設されており、上ケース体１０の側壁部１２には、前記下ケース体２０の係止部２４と対向する位置に係止部２４と係合する弾性フック部１４が一体に設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月9日(2010.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部接続用端子と前記外部接続用端子上に配置された突起状端子とを備える第１の主面と、素子搭載部と内部接続用端子とを備え、前記第１の主面とは反対側の第２の主面とを有する配線基板と、
前記配線基板の前記素子搭載部上に搭載され、少なくとも外形の一辺に沿って配列された電極パッドを有する半導体素子と、
前記半導体素子の前記電極パッドと前記配線基板の前記内部接続用端子とを電気的に接続する接続部材と、
前記半導体素子を前記接続部材と共に封止するように、前記配線基板の前記第２の主面上に設けられた封止樹脂層とを具備し、
前記外部接続用端子は前記配線基板の外形辺のうちの対向する二辺に沿って配列されており、かつ前記外部接続用端子が配列された辺に向かう方向に伸びた長方形形状を有すると共に、前記長方形形状を有する外部接続用端子の形成ピッチをＰ、短辺の長さをＷ、長辺の長さをＬとしたとき、前記外部接続用端子は０．４Ｐ≦Ｗ≦０．６Ｐ、Ｗ＜Ｌ≦２Ｗの条件を満足する長方形形状を有し、
前記配線基板の前記第１の主面には、前記外部接続用端子の形成領域を除く内側領域にテスト用端子が設けられていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
外部接続用端子を備える第１の主面と、素子搭載部と内部接続用端子とを備え、前記第１の主面とは反対側の第２の主面とを有する配線基板と、
前記配線基板の前記素子搭載部上に搭載され、少なくとも外形の一辺に沿って配列された電極パッドを有する半導体素子と、
前記半導体素子の前記電極パッドと前記配線基板の前記内部接続用端子とを電気的に接続する接続部材と、
前記半導体素子を前記接続部材と共に封止するように、前記配線基板の前記第２の主面上に設けられた封止樹脂層とを具備し、
前記外部接続用端子は前記配線基板の外形辺のうちの対向する二辺に沿って配列されており、かつ前記外部接続用端子が配列された辺に向かう方向に伸びた長方形形状を有することを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項３】
外部接続用端子を備える第１の主面と、素子搭載部と内部接続用端子とを備え、前記第１の主面とは反対側の第２の主面とを有する配線基板と、
前記配線基板の前記素子搭載部上に積層されて搭載され、少なくとも外形の一辺に沿って配列された電極パッドを有する複数の半導体素子を備える半導体素子群と、
前記複数の半導体素子の前記電極パッドと前記配線基板の前記内部接続用端子とを電気的に接続する接続部材と、
前記半導体素子群を前記接続部材と共に封止するように、前記配線基板の前記第２の主面上に形成された封止樹脂層とを具備し、
前記外部接続用端子は前記配線基板の外形辺のうちの対向する二辺に沿って配列されており、かつ前記外部接続用端子が配列された辺に向かう方向に伸びた長方形形状を有することを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項４】
請求項３記載の半導体パッケージにおいて、
前記配線基板の前記第１の主面には、前記外部接続用端子の形成領域を除く内側領域にテスト用端子が設けられていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項５】
請求項２ないし請求項４のいずれか１項記載の半導体パッケージにおいて、
さらに、前記外部接続用端子上に配置された突起状端子を具備することを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項６】
請求項２ないし請求項５のいずれか１項記載の半導体パッケージにおいて、
前記長方形形状を有する外部接続用端子の形成ピッチをＰ、短辺の長さをＷ、長辺の長さをＬとしたとき、前記外部接続用端子は０．４Ｐ≦Ｗ≦０．６Ｐ、Ｗ＜Ｌ≦２Ｗの条件を満足する長方形形状を有することを特徴とする半導体パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月15日(2010.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号値を出力信号値に変換する色変換テーブルを作成する色処理装置であって、
前記色変換テーブルの各格子点に対応する出力信号値の初期値を設定する設定手段と、
前記出力信号値によって再現される色値を取得する色値の取得手段と、
前記取得した色値に含まれる、色空間の上で隣接する二つの色値を結ぶベクトルを算出し、前記ベクトルの外積ベクトルを算出する算出手段と、
前記外積ベクトルの向きに基づき、前記色変換テーブルの画質評価値を計算する計算手段と、
前記画質評価値に基づき、前記色変換テーブルの出力信号値を修正する修正手段とを有することを特徴とする色処理装置。
【請求項２】
前記計算手段は、前記色空間の上で前記色値が構成する曲線の曲がる向きを前記外積ベクトルの向きによって判定し、前記色変換テーブルの階調性を表す画質評価値を計算することを特徴とする請求項1に記載された色処理装置。
【請求項３】
前記修正手段は、前記画質評価値が所定の閾値未満になるまで、前記修正を繰り返すことを特徴とする請求項1または請求項2に記載された色処理装置。
【請求項４】
前記色値の取得手段は、印刷物の画質を表す画質データを取得する画質データの取得手段、および、前記画質データに基づき、前記色値を予測する予測手段を有することを特徴とする請求項1から請求項3の何れか一項に記載された色処理装置。
【請求項５】
設定手段、取得手段、算出手段、計算手段、修正手段を有し、入力信号値を出力信号値に変換する色変換テーブルを作成する色処理装置の色処理方法であって、
前記設定手段が、前記色変換テーブルの各格子点に対応する出力信号値の初期値を設定し、
前記取得手段が、前記出力信号値によって再現される色値を取得し、
前記算出手段が、前記取得した色値に含まれる、色空間の上で隣接する二つの色値を結ぶベクトルを算出し、前記ベクトルの外積ベクトルを算出し、
前記計算手段が、前記外積ベクトルの向きに基づき、前記色変換テーブルの画質評価値を計算し、
前記修正手段が、前記画質評価値に基づき、前記色変換テーブルの出力信号値を修正することを特徴とする色処理方法。
【請求項６】
コンピュータを請求項1から請求項4の何れか一項に記載された色処理装置の各手段として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明にかかる色処理は、入力信号値を出力信号値に変換する色変換テーブルを作成する際に、前記色変換テーブルの各格子点に対応する出力信号値の初期値を設定し、前記出力信号値によって再現される色値を取得し、前記取得した色値に含まれる、色空間の上で隣接する二つの色値を結ぶベクトルを算出し、前記ベクトルの外積ベクトルを算出し、前記外積ベクトルの向きに基づき、前記色変換テーブルの画質評価値を計算し、前記画質評価値に基づき、前記色変換テーブルの出力信号値を修正することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月10日(2010.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対のリード部材を絶縁材の介在により金属外環に貫通植設した気密端子と、前記リード部材の内部リードにマウント接合する電子素子と、前記金属外環に圧入封着する金属キャップとを具備する円筒型パッケージにおいて、前記リード部材の一対の内部リードは整形加工した接合部位および離合部位を設け、かつ前記電子素子は基部とこの基部から分岐した振動腕部および支持腕部とを有する圧電材であることを特徴とする電子素子用円筒型パッケージ。
【請求項２】
前記一対の内部リードは、接合部位が先端位置の突起手段、離合部位が中間位置の窪み手段であることを特徴とする請求項１に記載の電子素子用円筒型パッケージ。
【請求項３】
前記一対の内部リードは接合部位の先端方向に向かってＶ字状に開脚して所定間隔を形成し、前記電子素子は前記振動腕部からＵターンした前記支持腕部を前記接合部位にマウント接合したことを特徴とする請求項２に記載の電子素子用円筒型パッケージ。
【請求項４】
前記一対の内部リードはその先端側から楔状治具を適用してＶ字状に開脚する曲げ加工により、前記接合部位を前記支持腕部の端子間隔と一致する間隔に整形し、前記離合部位は前記接合部位の下方側で前記内部リードの中間位置に圧潰治具を側面から適用して整形したことを特徴とする請求項３に記載の電子素子用円筒型パッケージ。
【請求項５】
金属外環、ガラスタブレットおよびリード用部材を所定位置に組み込み加熱焼成して気密封着する気密端子の製作工程、前記金属外環に絶縁材の介在により一対のリード部材を貫通植設した前記気密端子の内部リードをその先端側から楔状治具でＶ字状に開脚して接合部位を形成する第一整形工程、開脚した一対の内部リードの中間位置に対し側面側から圧潰治具で少なくとも一方の面を圧潰して離合部位を形成する第二整形工程、前記内部リードの開脚した先端位置の接合部位に電子素子の端子を接合するマウント工程、および前記電子素子のマウント後に前記気密端子の金属外環に金属キャップを嵌め込む封着工程を含む電子素子用円筒型パッケージの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月2日(2010.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体層に溝を形成する工程と、
前記溝内に、Ａｌ元素を含有する第２の半導体層を形成する工程と、
前記第１の半導体層および前記第２の半導体層上に第３の半導体層を形成する工程と、
前記第３の半導体層上に、前記第２の半導体層の上方を覆うように絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜をマスクとして、前記第２の半導体層を露出させずに前記第１の半導体層および第３の半導体層をエッチングしてストライプ構造を形成する工程と、
前記ストライプ構造を埋込層で埋め込む工程とを備え、
前記絶縁膜の幅が前記第２の半導体層の幅より広いことを特徴とする半導体光素子の製造方法。
【請求項２】
前記ストライプ構造を形成した後、前記埋込層を形成する前に、前記埋込層を形成するための結晶成長装置内において、ハロゲン系ガスによるドライエッチングにより前記第２の半導体層の側面を露出させる工程を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る半導体光素子の製造方法は、第１の半導体層に溝を形成する工程と、溝内に、Ａｌ元素を含有する第２の半導体層を形成する工程と、第１の半導体層および第２の半導体層上に第３の半導体層を形成する工程と、第３の半導体層上に、第２の半導体層の上方を覆うように絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜をマスクとして、第２の半導体層を露出させずに第１の半導体層および第３の半導体層をエッチングしてストライプ構造を形成する工程と、ストライプ構造を埋込層で埋め込む工程とを備え、絶縁膜の幅が第２の半導体層の幅より広い。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月2日(2010.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が収容された処理室に原料ガスと触媒ガスを供給する第１の工程と、前記処理室から前記原料ガスと前記触媒ガスを除去する第２の工程と、前記処理室に酸化性ガスと触媒ガスを供給する第３の工程と、前記処理室から前記酸化性ガスと前記触媒ガスを除去する第４の工程とを少なくとも備え、前記第１〜第４の工程が複数回繰返し実行され、前記触媒ガスには脱水処理が施されたガスを使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
基板を収容する処理室と、
前記処理室に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、
前記処理室に脱水処理が施された触媒ガスを供給する触媒ガス供給手段と、
前記処理室に酸化性ガスを供給する酸化性ガス供給手段と、
前記処理室を排気する排気手段と、
を有し、前記原料ガスおよび前記触媒ガスと、前記酸化性ガスと前記触媒ガスを互いに混合しないよう交互に供給して基板に酸化膜を形成することを特徴とする基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法および基板処理装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハ等の基板に薄膜を生成して半導体装置を製造する基板処理方法、半導体装置の製造方法および基板処理装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一態様によれば、基板が収容された処理室に原料ガスと触媒ガスを供給する第１の工程と、前記処理室から前記原料ガスと前記触媒ガスを除去する第２の工程と、前記処理室に酸化性ガスと触媒ガスを供給する第３の工程と、前記処理室から前記酸化性ガスと前記触媒ガスを除去する第４の工程とを少なくとも備え、前記第１〜第４の工程が複数回繰返し実行され、前記触媒ガスには脱水処理が施されたガスを使用する半導体装置の製造方法が提供される。
また、本発明の他の態様によれば、基板を収容する処理室と、前記処理室に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記処理室に脱水処理が施された触媒ガスを供給する触媒ガス供給手段と、前記処理室に酸化性ガスを供給する酸化性ガス供給手段と、前記処理室を排気する排気手段と、を有し、前記原料ガスおよび前記触媒ガスと、前記酸化性ガスと前記触媒ガスを互いに混合しないよう交互に供給して基板に酸化膜を形成することを特徴とする基板処理装置が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、処理工程中の残留水分を低減し得、膜厚の均一性を向上し得ると言う優れた効果を発揮する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
先ず、図１に於いて、本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程である基板処理方法が実施される基板処理装置について概略を説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月25日(2011.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層の一方の主表面に設けられた配線層と、
前記配線層と電気的に接続され、前記配線層から前記絶縁樹脂層側に突出している突起電極と、を備え、
前記突起電極の側面は、突起電極の中心軸を含む断面視で前記中心軸方向に湾曲するとともに、側面の曲率半径が配線層側端部から先端側端部にかけて連続的に変化することを特徴とする素子搭載用基板。
【請求項２】
前記側面の曲率半径は、前記配線層側端部および前記先端側端部の近傍よりも中央領域で小さいことを特徴とする請求項１に記載の素子搭載用基板。
【請求項３】
前記突起電極の基底部の径に対する頂部の径の比率は、０．２５〜０．６０であることを特徴とする請求項１または２に記載の素子搭載用基板。
【請求項４】
絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層の一方の主表面に設けられた配線層と、
前記配線層と電気的に接続され、前記配線層から前記絶縁樹脂層側に突出している突起電極と、を備え、
前記突起電極は、略富士山形状であることを特徴とする素子搭載用基板。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の素子搭載用基板と、
前記突起電極に対向する素子電極が設けられた半導体素子と、
を備え、
前記突起電極が前記絶縁樹脂層を貫通し、前記突起電極と前記素子電極とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項６】
金属板の一方の主表面の所定領域にマスクを設けた状態でエッチング液を吹き付けて、前記マスクの中心軸を含む断面視で、側面が前記中心軸方向に湾曲するとともに、前記側面の曲率半径が金属板側端部から先端側端部にかけて連続的に変化する突起電極を形成す
る工程と、
前記突起電極が形成された側の前記金属板の主表面に絶縁樹脂層を積層する工程と、
前記金属板を選択的に除去して配線層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする素子搭載用基板の製造方法。
【請求項７】
金属板の一方の主表面の所定領域にマスクを設けた状態でエッチング液を吹き付けて、前記マスクの中心軸を含む断面視で、側面が前記中心軸方向に湾曲するとともに、前記側面の曲率半径が金属板側端部から先端側端部にかけて連続的に変化する突起電極を形成する工程と、
前記金属板と、前記突起電極に対応する素子電極が設けられた半導体素子とを、絶縁樹脂層を介して圧着し、前記突起電極が前記絶縁樹脂層を貫通することにより、前記突起電極と前記素子電極とを電気的に接続させる圧着工程と、
前記金属板を選択的に除去して配線層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【請求項８】
前記絶縁樹脂層は、加圧によって塑性流動を起こすことを特徴とする請求項７に記載の半導体モジュールの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】素子搭載用基板、素子搭載用基板の製造方法、半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月25日(2011.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層の一方の主表面に設けられた配線層と、
前記配線層と電気的に接続され、前記配線層から前記絶縁樹脂層側に突出している突起電極と、を備え、
前記突起電極の側面に凹凸が形成され、前記突起電極の頂部面よりも前記側面の方が表面粗さが大きいことを特徴とする素子搭載用基板。
【請求項２】
前記凹凸は、前記側面上の任意の２点間の直線距離に対する、前記２点間の凹凸の表面に沿った道のりの割合が、１．２２より大きいものであることを特徴とする請求項１に記載の素子搭載用基板。
【請求項３】
前記側面の表面粗さＲｍａｘは、１．０〜２．０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の素子搭載用基板。
【請求項４】
前記突起電極は、圧延金属からなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の素子搭載用基板。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の素子搭載用基板と、
前記突起電極に対向する素子電極が設けられた半導体素子と、
を備え、
前記突起電極が前記絶縁樹脂層を貫通し、前記突起電極と前記素子電極とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項６】
突起電極が突設され、圧延金属からなる金属板を準備する工程と、
前記突起電極の側面に凹凸を形成する粗化工程と、
前記突起電極が形成された側の前記金属板の主表面に絶縁樹脂層を積層する工程と、
前記金属板を選択的に除去して配線層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする素子搭載用基板の製造方法。
【請求項７】
金属板の一方の主表面における所定の領域に金属層を形成する工程と、
前記金属層をマスクとして、前記金属層が形成された側の前記金属板の主表面を選択的に除去して突起電極を形成する工程と、
前記突起電極の側面に凹凸を形成する粗化工程と、
前記突起電極が形成された側の前記金属板の主表面に絶縁樹脂層を積層する工程と、
前記金属板を選択的に除去して配線層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする素子搭載用基板の製造方法。
【請求項８】
突起電極が突設され、圧延金属からなる金属板を準備する工程と、
前記突起電極の側面に凹凸を形成する粗化工程と、
前記金属板と、前記突起電極に対応する素子電極が設けられた半導体素子とを、絶縁樹脂層を介して圧着し、前記突起電極が前記絶縁樹脂層を貫通することにより、前記突起電極と前記素子電極とを電気的に接続させる圧着工程と、
前記金属板を選択的に除去して配線層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【請求項９】
金属板の一方の主表面における所定の領域に金属層を形成する工程と、
前記金属層をマスクとして、前記金属層が形成された側の前記金属板の主表面を選択的に除去して突起電極を形成する工程と、
前記突起電極の側面に凹凸を形成する粗化工程と、
前記金属板と、前記突起電極に対応する素子電極が設けられた半導体素子とを、絶縁樹脂層を介して圧着し、前記突起電極が前記絶縁樹脂層を貫通することにより、前記突起電極と前記素子電極とを電気的に接続させる圧着工程と、
前記金属板を選択的に除去して配線層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁樹脂層は、加圧によって塑性流動を起こすことを特徴とする請求項８または９に記載の半導体モジュールの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】素子搭載用基板、素子搭載用基板の製造方法、半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月24日(2011.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式HOOC-(CH2)n-COOHで表されｎが８以下であるジカルボン酸、その塩、および該ジカルボン酸またはそのイオンを水溶液中で形成することが可能な化合物から選ばれる一種または二種以上を０．０１質量％以上含有することを特徴とする溶融亜鉛めっき用洗浄液。
【請求項２】
Ｓｉの含有量が０．２質量％以上である化学組成を有する鋼からなる熱間圧延鋼帯または冷間圧延鋼帯をアルカリ処理液に接触させるアルカリ処理工程と、
当該アルカリ処理工程が施された熱間圧延鋼帯または冷間圧延鋼帯を請求項１に記載される溶融亜鉛めっき用洗浄液に接触させる洗浄工程と、
当該洗浄工程が施された熱間圧延鋼帯または冷間圧延鋼帯を乾燥させる乾燥工程と
を備えることを特徴とする溶融亜鉛めっきの前処理方法。
【請求項３】
前記洗浄工程に引き続いて、当該洗浄工程後の熱間圧延鋼帯または冷間圧延鋼帯の表面に付着する前記溶融亜鉛めっき用洗浄液を薄膜化する薄膜化工程を備え、
前記乾燥工程では、当該薄膜化工程が施された熱間圧延鋼帯または冷間圧延鋼帯の乾燥が当該薄膜化工程終了後３０秒以内に行われる
請求項２記載の溶融亜鉛めっきの前処理方法。
【請求項４】
Ｓｉの含有量が０．２質量％以上である化学組成を有する鋼からなる熱間圧延鋼帯または冷間圧延鋼帯から、過時効帯を有する連続溶融めっきラインを用いて、次の（１）〜（４）の処理を順次施すことを特徴とする溶融亜鉛めっき鋼板の製造方法：
（１）熱間圧延鋼帯または冷間圧延鋼帯を７００℃以上９００℃以下の温度域で３０秒間以上６０秒間以下焼鈍する焼鈍処理、
（２）前記焼鈍処理が施された熱間圧延鋼帯または冷間圧延鋼帯を、３℃／ｓ以上２００℃／ｓ以下の冷却速度で３５０℃以上５５０℃以下の温度域まで冷却する冷却処理、
（３）前記冷却処理が施された熱間圧延鋼帯または冷間圧延鋼帯を、３５０℃以上５５０℃以下の温度域で１０秒間以上９０秒間以下保持する保持処理、および
（４）前記保持処理が施された熱間圧延鋼帯または冷間圧延鋼帯を、全Ａｌ濃度を０．０８質量％以上０．５質量％以下に調整した溶融亜鉛めっき浴に浸漬するめっき処理、
ここで、
前記焼鈍処理から前記保持処理における雰囲気中水素濃度は２体積％以上４０体積％以下であって、かつ
前記焼鈍処理における雰囲気の露点ＤＭと前記保持処理における雰囲気の露点ＤＬとは次の関係を満たす：
ＤＬ≦−３０℃
ＤＭ−ＤＬ≧１０℃。
【請求項５】
請求項２に記載される溶融亜鉛めっきの前処理方法が施された熱間圧延鋼帯または冷間圧延鋼帯に対して請求項３に記載される製造方法を施すことを特徴とする溶融亜鉛めっき鋼板の製造方法。
【請求項６】
請求項４または５に記載される製造方法により製造された溶融亜鉛めっき鋼板に対して４５０℃以上５８０℃以下の温度域で合金化処理を行うことを特徴とする合金化溶融亜鉛めっき鋼板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（１）一般式HOOC-(CH2)n-COOHで表されｎが８以下であるジカルボン酸、その塩、およびそのジカルボン酸またはそのイオンを水溶液中で形成することが可能な化合物から選ばれる一種または二種以上（以下、これらを「ジカルボン酸類」と総称する。）を含有する洗浄液を鋼帯に接触させる前処理を行うことにより、めっき不良が抑制されるとともに合金化処理時間が短縮される。これは、この前処理によってジカルボン酸のＯＨ基が鋼帯の表層に結合し、この鋼帯の表層に吸着したＯＨ基が高温で分解することにより、鋼帯表層の水蒸気分圧を高くなって、安定した高露点焼鈍が実現されていると推測される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（１）一般式HOOC-(CH2)n-COOHで表されｎが８以下であるジカルボン酸、その塩、および該ジカルボン酸またはそのイオンを水溶液中で形成することが可能な化合物から選ばれる一種または二種以上を０．０１質量％以上含有することを特徴とする溶融亜鉛めっき用洗浄液。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
ここで、ジカルボン酸類とは、前述のように、一般式HOOC-(CH2)n-COOHで表されｎが８以下であるジカルボン酸、その塩、およびそのジカルボン酸またはそのイオンを水溶液中で形成することが可能な化合物から選ばれる一種または二種以上をいう。塩におけるカウンターイオンは特に限定されず、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオンなどが例示される。また、カウンターイオンは一種類であってもよい複数種類であってもよい。「水溶液中で形成することが可能な化合物」とは、例えば加水分解により上記のジカルボン酸やそのイオンを形成することが可能な化合物をいい、典型的にはエステルが例示される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
なお、ジカルボン酸の種類としては、一般式HOOC-(CH2)n-COOHにおけるｎが８を越えると、洗浄液の粘度上昇が顕著となり、作業性が低下する。したがって、ｎ数は８を上限とする、つまりセバシン酸を上限とすることが好ましい。下限は０、すなわちシュウ酸である。扱いやすさの観点からは、マロン酸（ｎ＝１）、コハク酸（ｎ＝２）が好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月5日(2011.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（１）本発明に係るターボファンは、中央に膨らみ部を具備し、中心を回転中心とする円盤状の主板と、
該主板に対向配置された円環状のシュラウドと、
前記主板と前記シュラウド間に配置され、前記主板の外周と前記シュラウドの外周とが形成する仮想円筒上にある後縁と、該後縁よりも回転方向の進む方向に進むと共に回転中心寄りにある前縁とを具備する複数枚の翼と、
を有し、
前記翼の前記主板に近い所定の第１領域において、前記主板から遠ざかるほど、前記翼の前縁の入口角が徐々に大きくなり、
前記翼の前記シュラウドに近い所定の第３領域において、前記シュラウドに近づくほど、前記翼の前縁が後縁に徐々に近づくと共に、前記翼の厚みが徐々に薄くなり、且つ、前記翼の負圧面に滑らかに凹む凹状部が形成され、
前記第１領域の前記シュラウドに最も近い位置における回転中心に対して垂直な断面の形状が、前記第３領域の前記主板に最も近い位置における回転中心に対して垂直な断面の形状に同じであって、前記第１領域と前記第３領域に挟まれた第２領域において、前記翼の前縁が回転中心に平行であることを特徴とする。
（２）また、本発明に係る空気調和装置は、空気を吸い込む吸込口および空気を吹き出す吹出口を具備する筐体と、
該筐体内に配置された（１）記載のターボファンと、
該ターボファンの前記主板に連結されたモーターと、
前記ターボファンの前記シュラウドに空気を案内するベルマウスと、
前記ターボファンの周囲に配置された熱交換器と、
を有することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央に膨らみ部を具備し、中心を回転中心とする円盤状の主板と、
該主板に対向配置された円環状のシュラウドと、
前記主板と前記シュラウド間に配置され、前記主板の外周と前記シュラウドの外周とが形成する仮想円筒上にある後縁と、該後縁よりも回転方向の進む方向に進むと共に回転中心寄りにある前縁とを具備する複数枚の翼と、
を有し、
前記翼の前記主板に近い所定の第１領域において、前記主板から遠ざかるほど、前記翼の前縁の入口角が徐々に大きくなり、
前記翼の前記シュラウドに近い所定の第３領域において、前記シュラウドに近づくほど、前記翼の前縁が後縁に徐々に近づくと共に、前記翼の厚みが徐々に薄くなり、且つ、前記翼の負圧面に滑らかに凹む凹状部が形成され、
前記第１領域の前記シュラウドに最も近い位置における回転中心に対して垂直な断面の形状が、前記第３領域の前記主板に最も近い位置における回転中心に対して垂直な断面の形状に同じであって、前記第１領域と前記第３領域に挟まれた第２領域において、前記翼の前縁が回転中心に平行であることを特徴とするターボファン。
【請求項２】
前記シュラウドには、所定の間隙を設けて配置されたベルマウスから回転中心に略平行に空気が流入し、
前記主板の外周、前記シュラウドの外周および前記翼の後縁によって形成された空間から、回転中心に対して略垂直に空気が流出入するものであって、
前記凹状部が、前記シュラウドの外周と前記ベルマウスの内周との間の間隙に相当する位置に形成されることを特徴とする請求項１記載のターボファン。
【請求項３】
前記羽根の前縁の所定範囲に複数のこぶが設置されていることを特徴とする請求項１または２記載のターボファン。
【請求項４】
前記翼の後縁が、少なくとも前記シュラウドに近い所定の第４領域において、前記シュラウドに近づくほど、徐々に回転方向とは反対の方向に後退していることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のターボファン。
【請求項５】
前記翼の後縁が、少なくとも前記主板に近い所定の第５領域において、回転中心に略垂直に形成された複数のスリットによって分断された前記後縁の一方の位置と、前記スリットによって分割された前記後縁の他方の位置とが相違していることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載のターボファン。
【請求項６】
空気を吸引する吸い込む吸込口および空気を吹き出す吹出口を具備する筐体と、
該筐体内に配置された請求項１乃至５の何れかに記載のターボファンと、
該ターボファンの前記主板に連結されたモーターと、
前記ターボファンの前記シュラウドに空気を案内するベルマウスと、
前記ターボファンの周囲に配置された熱交換器と、
を有することを特徴とする空気調和装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月31日(2011.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量比で、Ｃｕ５９．５〜６６．０％、Ｓｎ０．７〜２．５％、Ｂｉ０．５〜２．５％、Ｓｂ０．０５〜０．６％と残部がＺｎと不可避不純物よりなるα＋γ組織、或は、α＋β＋γ組織を有する黄銅合金であり、前記γ相の均一分散に要する評価手段を、以下に示す評価係数として導出することにより、前記黄銅合金における耐応力腐食割れ性の影響度合いを評価し、評価係数が少なくとも０．４６以上となる製造条件により黄銅合金中におけるγ相を所定の割合で均一に分散させることにより、局部的な腐食を抑制させ、耐応力腐食割れ性を向上させたことを特徴とする耐応力腐食割れ性に優れた黄銅合金。
(評価係数)
ａ／３２(１＋｜４７０−ｔ｜／１００)×(抽伸を行う：０．６〜０．９)×（抽伸前後の両方に熱処理を行う：０を含まない０．３以下）＝棒材径の影響×α化温度の影響×抽伸の影響×抽伸前後の両方に熱処理を行うことの影響
ここで、棒材径の影響：ａ／３２
α化温度の影響：１＋｜４７０−ｔ｜／１００
抽伸の影響：０．６〜０．９
抽伸前後の両方に熱処理を行うことの影響：０より大きく０．３以下
なお、ａ：棒材径（ｍｍ）、ｔ：α化温度（℃）
【請求項２】
Ｓｅ：０．０１〜０．２０質量％を含有した請求項１に記載の耐応力腐食割れ性に優れた黄銅合金。
【請求項３】
前記抽伸の影響度合いを０．８とした請求項１又は請求項２に記載の耐応力腐食割れ性に優れた黄銅合金。
【請求項４】
前記抽伸前後の両方に熱処理を行うことの影響度合いを０．３とした請求項１乃至３の何れか1項に記載の耐応力腐食割れ性に優れた黄銅合金。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】耐応力腐食割れ性に優れた黄銅合金
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、Ｂｉを含有した耐応力腐食割れ性に優れた黄銅合金に関し、特に、黄銅合金中における腐食割れの発生を抑制して耐応力腐食割れ性を向上させた黄銅合金に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記の目的を達成するため、請求項１に係る発明は、質量比で、Ｃｕ５９．５〜６６．０％、Ｓｎ０．７〜２．５％、Ｂｉ０．５〜２．５％、Ｓｂ０．０５〜０．６％と残部がＺｎと不可避不純物よりなるα＋γ組織、或は、α＋β＋γ組織を有する黄銅合金であり、前記γ相の均一分散に要する評価手段を、以下に示す評価係数として導出することにより、前記黄銅合金における耐応力腐食割れ性の影響度合いを評価し、評価係数が少なくとも０．４６以上となる製造条件により黄銅合金中におけるγ相を所定の割合で均一に分散させることにより、局部的な腐食を抑制させ、耐応力腐食割れ性を向上させた耐応力腐食割れ性に優れた黄銅合金である。
(評価係数)
ａ／３２(１＋｜４７０−ｔ｜／１００)×(抽伸を行う：０．６〜０．９)×（抽伸前後の両方に熱処理を行う：０を含まない０．３以下）＝棒材径の影響×α化温度の影響×抽伸の影響×抽伸前後の両方に熱処理を行うことの影響
ここで、棒材径の影響：ａ／３２
α化温度の影響：１＋｜４７０−ｔ｜／１００
抽伸の影響：０．６〜０．９
抽伸前後の両方に熱処理を行うことの影響：０より大きく０．３以下
なお、ａ：棒材径（ｍｍ）、ｔ：α化温度（℃）
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項２に係る発明は、Ｓｅ：０．０１〜０．２０質量％を含有した耐応力腐食割れ性に優れた黄銅合金である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明によると、合金組織中において優先的に腐食される部位となるγ相を均一に分散するので、局部腐食を抑制して全面腐食状態とすることにより、応力集中を緩和することにより、応力腐食割れに至る亀裂の発生を抑制し、もって耐応力腐食割れ性の向上を図ることができる耐応力腐食割れ性に優れた鉛レス黄銅合金を得ることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
しかも、評価係数と耐応力腐食割れ性との高い相関性が得られるので、耐応力腐食割れ性を向上させた鉛レス黄銅合金の最適設計が可能となる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
更には、適正な基準数値を基準として用いることができるので、評価係数と耐応力腐食割れ性との高い相関性が得られ、鉛レス黄銅合金の最適設計が可能となるため、耐応力腐食割れ性に優れた鉛レス黄銅合金を得ることができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、本発明によると、Ｓｎを含有したＢｉ系で、α＋γ組織、或は、α＋β＋γ組織を有する鉛レス黄銅合金であり、耐応力腐食割れ性に優れた黄銅合金を提供することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
しかも、Ｓｎを含有したＢｉ＋Ｓｂ系またはＳｎを含有したＢｉ＋Ｓｅ＋Ｓｂ系で、かつ、α＋γ組織、或は、α＋β＋γ組織を有する鉛レス黄銅合金であり、耐応力腐食割れ性に優れた鉛レス黄銅合金を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月13日(2011.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、ガスバリア性の外包材内に芯材を収容して密封し、該外包材内を減圧状態にした真空断熱材であって、前記芯材を、連続した有機繊維をシート状に形成した目付が９８ｇ／ｍ2以上の１枚の有機繊維集合体で構成し、又は該有機繊維集合体を積層して構成したものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスバリア性の外包材内に芯材を収容して密封し、該外包材内を減圧状態にした真空断熱材であって、
前記芯材を、連続した有機繊維をシート状に形成した目付が９８ｇ／ｍ2以上の１枚の有機繊維集合体で構成し、又は該有機繊維集合体を積層して構成したことを特徴とする真空断熱材。
【請求項２】
外箱と該外箱の内部に配設された内箱とを有し、前記外箱と内箱との間に形成された隙間内に請求項１の真空断熱材を配置したことを特徴とする断熱箱。
【請求項３】
前記外箱と真空断熱材との間に非導電性のスペーサを介装したことを特徴とする請求項２記載の断熱箱。
【請求項４】
前記外箱と真空断熱材との間及び該真空断熱材と内箱との間の両者又はいずれか一方に断熱材を充填したことを特徴とする請求項２又は３記載の断熱箱。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月25日(2011.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カーボンナノチューブ、有機溶剤、バインダ、分散剤を含むインクジェット用のインクであって、前記分散剤は、ポリアルキロールアミン塩およびポリエーテル変成ポリアルキルシロキサンの中から選ばれた少なくとも１種であり、かつ表面張力が２５ｄｙｎ以上４０ｄｙｎ以下を満たすものであることを特徴とするカーボンナノチューブを含有するインク。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月8日(2011.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の式：
【化３１】
2010174033.tif 000001
を有する化合物。
【請求項２】
以下の式：
【化３２】
2010174033.tif 000002
を有する化合物。
【請求項３】
９−［２−（ホスホノメトキシ）プロピル］アデニンまたは９−［２−（ホスホノメトキシ）エチル］アデニンを製造するための方法であって、該方法は、９−（２−ヒドロキシプロピル）アデニン（ＨＰＡ）または９−（２−ヒドロキシエチル）アデニン（ＨＥＡ）、マグネシウムアルコキシド、および保護したｐ−トルエンスルホニルオキシメチルホスホネートとを反応させる工程を包含する、方法。
【請求項４】
９−［２−（ホスホノメトキシ）プロピル］アデニンまたは９−［２−（ホスホノメトキシ）エチル］アデニンを、それぞれ回収する工程をさらに包含する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ｐ−トルエンスルホニルオキシメチルホスホネートのホスホネートが、エチルエステルによって保護される、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記アルコキシドが、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシドである、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記アルコキシドが、ｔ−ブチルオキシドまたはイソプロピルオキシドである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
９−［２−（ホスホノメトキシ）プロピル］アデニンを製造するための、請求項３〜７のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月18日(2011.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機金属錯体、当該有機金属錯体を有する発光素子、及び当該発光素子を有する発光装置、照明装置、電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造式（１４８）で表される有機金属錯体。
【化１】
2010174035.tif 000001
【請求項２】
一対の電極間に、請求項１に記載の有機金属錯体を有することを特徴とする発光素子。
【請求項３】
一対の電極間に発光層を有し、
前記発光層は、請求項１に記載の有機金属錯体を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項４】
一対の電極間に、請求項１に記載の有機金属錯体と高分子化合物とを含む層を有することを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項４において、
前記有機金属錯体と高分子化合物とを含む層は、さらに有機半導体材料を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記有機金属錯体と高分子化合物とを含む層は、発光層であることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項２乃至６のいずれか一に記載の発光素子を有する発光装置。
【請求項８】
請求項２乃至６のいずれか一に記載の発光素子を有する照明装置。
【請求項９】
請求項２乃至６のいずれか一に記載の発光素子を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月20日(2011.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
治療を必要とする患者における慢性クラミジア・ニューモニエ（Chlamydia pneumoniae）感染の治療または予防のための薬剤の製造のための、アジスロマイシン、クラリスロマイシン、およびロキシスロマイシンから選択される第１の抗生物質または抗菌薬、リファマイシンである第２の抗生物質または抗菌薬、ならびにテトラサイクリンである第３の抗生物質または抗菌薬、の使用。
【請求項２】
クラリスロマイシン、リファブチン、およびテトラサイクリンを含む薬学的組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月21日(2011.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースフィルムと、
前記ベースフィルムの上面に形成され、前記ベースフィルムの上面に対して傾いた第１傾斜面と第２傾斜面とが山部分で接して形成された三角柱の形状を有するプリズムパターンと、
第１凹凸パターンと、を含み、
前記プリズムパターンのうち、第１プリズムパターンの第１傾斜面と前記第１プリズムパターンに隣接する前記第２プリズムパターンの第２傾斜面とは谷部分で接し、前記第１凹凸パターンは前記谷部分に形成されることを特徴とする光学シート。
【請求項２】
前記山部分に形成された第２凹凸パターンを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の光学シート。
【請求項３】
前記第２凹凸パターンは、凹んだ形状を有することを特徴とする請求項２に記載の光学シート。
【請求項４】
前記第２凹凸パターンは、２μｍ〜３μｍの直径を有することを特徴とする請求項２に記載の光学シート。
【請求項５】
前記第１凹凸パターンは、凸形状を有することを特徴とする請求項１に記載の光学シート。
【請求項６】
前記第１凹凸パターンは、半球形状を有することを特徴とする請求項５に記載の光学シート。
【請求項７】
前記第１凹凸パターンは、多角錐の形状を有することを特徴とする請求項５に記載の光学シート。
【請求項８】
前記第１凹凸パターンは、１μｍ〜２μｍの直径を有することを特徴とする請求項１に記載の光学シート。
【請求項９】
前記山部分は、波形状に形成されることを特徴とする請求項１に記載の光学シート。
【請求項１０】
前記谷部分は、波形状に形成されることを特徴とする請求項８に記載の光学シート。
【請求項１１】
前記第１傾斜面と第２傾斜面との角度は、８０〜１００°であることを特徴とする請求項１に記載の光学シート。
【請求項１２】
前記ベースフィルムの下面に形成されたバックコーティング層を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の光学シート。