【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年7月27日(2009.7.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  レーザ種でドープされたガラス基板を含み、かつ該基板とは異なる屈折率を有する基板内のチャンネルによって画成される１つ又はこれより多い導波部を有する光装置において、
上記基板がＥｒ及びＹｂでドープされた燐酸アルカリガラスであって、Ｙｂ：Ｅｒのドーパントの重量比が、約３：１から約８：１までの範囲である光装置。
【請求項２】  ２つ又はこれより多い導波部を有する請求項１に記載の光装置。
【請求項３】  上記導波部が、Ｅｒ及びＹｂでドープされた燐酸アルカリガラスを含み、その屈折率が上記基板のそれよりも高くなるように処理されたものである請求項２に記載の光装置。
【請求項４】  該光装置が、基板に形成されるべき導波部に対応する幅及び長さの孔部を有するガラス基板にマスクを当て、イオン交換溶剤との接触によるイオン交換を実行して孔部を介して導波部を形成することにより調製されたものである請求項３に記載の光装置。
【請求項５】  該光装置が、基板に形成されるべき導波部に対応する幅及び長さの孔部を有するガラス基板にマスクを当て、フォトリソグラフィを実行して孔部を介して導波部を形成することにより調製されたものである、請求項３に記載の光装置。
【請求項６】  注入されたときにレーザ効果を生じさせる、上記導波部と共同する反射部材をさらに含んでいる、レーザの形態の請求項１に記載の光装置。
【請求項７】  上記反射部材が、基板上に設けられた回折格子である請求項６に記載の光装置。
【請求項８】 上記反射部材が、基板上に設けられたＤＢＲ格子である請求項６に記載の光装置。
【請求項９】 波長１５ｍｍ以下のレーザの形態である、請求項６に記載の光装置。
【請求項１０】 Ｙｂ：Ｅｒのドーパントの重量比が約４：１である、請求項１に記載の光装置。
【請求項１１】 上記基板中のＥｒ濃度が６×１０２０イオン／ｃｍ３以下である、請求項１に記載の光装置。
【請求項１２】 上記基板中のＥｒ濃度が約１×１０２０イオン／ｃｍ３である、請求項１に記載の光装置。
【請求項１３】 上記基板は、１．１５重量％のＥｒ２Ｏ３及び４．７３重量％のＹｂ２Ｏ３でドープされたものである、請求項１に記載の光装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
この調査の前は、このような適用のエルビウム・イッテルビウムでドープ処理されたガラスは、典型的には、低濃度のエルビウム（通常１ｗｔ％Ｅｒ２Ｏ３成分よりはるかに低い）と対応する高濃度のイッテルビウム成分（典型的には、ガラスに入射された各１個のエルビウムイオンに対して１０個以上のイッテルビウムイオンのイオン比率）とによって特徴付けられていたもので、このようなガラスは、例えば、米国特許 5,334,559 と米国特許 5,491,708 に開示されている。このような高レベルのＹｂは、最初は、珪酸と燐酸ガラスの形成による従来の経験に基づいて、高出力パワーと高スロープ効率をもたらすものと期待されていた、例えば、米国特許 4,962,067 参照。従来技術では、低レベルのエルビウムドーピング（高々０.１５モル％Ｅｒ２Ｏ３）が自己冷却効果を避けるために必要であり、イッテルビウム成分は、レーザガラス内に吸収された光を注入する量を最適化するために、可能な限り高く（基本的には、入射Ｙｂ２Ｏ３をガラスの溶解限度に近い、少なくとも６モル％Ｙｂ２Ｏ３に）設定されるべきことが記載されていた。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
このドーピング選択モデル法によって以下のような結論が得られた。即ち、ガラス中のＥｒ濃度を一定としてガラスに添加するＹｂを増加させると、ＥｒイオンとＹｂイオンとの間の平均距離は減少し、その結果、Ｙｂ−Ｅｒ間のエネルギー転移の交差緩和効率が増加する。ここでの問題点は、より多い励起エネルギー（pump energy）がより近い間隔に吸収されることにある。その結果、より少ないＥｒイオンは所定範囲に反転し、そのため３準位のＥｒイオンレーザにおける付加的な再吸収損失と同様に利用可能な利得はより少なくなる。このためレーザ性能は劣化する。この欠点のために閾値はより高くなり、スロープ効率（slope efficiency）はより低くなる。最適性能を得るためには、励起エネルギーの関数としてのＹｂ−Ｅｒの交差緩和と反転イオン（inverted ions）の総数との両方を同時に最適化しなければならない。ある特定の装置の場合、励起波長（光励起波長９８０ｎｍでの吸収断面積は１４．５×１０−２１ｃｍ２）でのイッテルビウムの吸収特性と意図したデバイス長さ（２．２ｃｍ）に基づき、モデル化の結果、ガラスは１．１５重量％のＥｒ２Ｏ３と４．７３重量％のＹｂ２Ｏ３とがドープされ、Ｅｒ濃度が１×１０２０イオン／ｃｍ３となっていた。６×１０２０イオン／ｃｍ３までのＥｒ濃度を利用できるが、全体のドーピング濃度は、ガラス母材（glass host）への希土類イオンの溶解度により限られている。この溶解度のレベルは、米国特許５，０７７，２４０号と米国特許第５，０３９，６３１号に示されているように、１ｃｍ３当たり１０×１０２０希土類イオン程度である。高性能のレーザデバイスのためには、エルビウムのドーピングレベルは従来技術レベルにおける最大値の２倍、選択元素のイッテルビウム濃度は従来技術レベルの１／４から１／５であるという従来の知識に反して、これらの普通でないドーピングレベルが選択された。発見された最適ドーピングレベルによって達成された結果に基づいて得られるレーザによって、遠隔通信やデータ転送ハイエンドのダイオードレーザで現在利用できるものより大きなパワーを得ることができる。従来の一般的なダイオードレーザは２〜２０ｍＷの出力を有している。本発明のレーザは利用可能な励起パワーによってのみ限定される出力、即ち、２０ｍＷを超え、例えば２５−１８０ｍＷの出力を有している。このような高出力レベルを有するので、ネットワークでの不経済な光学的増幅を行う必要がなく、大都市エリアネットワークにガラス導波路レーザを利用することができる。この利点は、特に波長１５ｍｍ以下のレーザに関して明らかである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
本発明のレーザ用基板として使用されるガラスは、例えば、米国特許第5,334,559号に列挙されている合成物などの、リン酸ナトリウムアルミニウムからなる。リン酸ガラス内で導波管レーザを生成するための、導波管を製造する簡単な例が、米国特許第5,491,708号に開示されている。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
溶融した塩浴イオン交換工程での有力な水源は、開始時の塩内での残留水酸基であると考えられていた。その理由は、これらの化学薬品は本来的に水を含むからである。この水を制御する方法は、以下のように考えられた。すなわち、「結びつける（tie-up）」ための塩浴への化学変化を起こすものの添加である。これは、粉末アルミニウム、珪酸、無水酸化アルミニウム、珪藻土、遊離P2O5、ＯＨと反応して揮発性ハロゲン化ガスをなす化学薬品を含むハロゲンなどを含む。そして、塩浴を通過する乾燥ガスの沸騰（bubbling）により、直接水を除去する（direct water removal）脱水を行う。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
本発明によれば、そのように結合された部分は次の様にして形成され得る。結合されるガラスブロックは、最初に、１つ以上の素子を生産するのに適したサイズにカットされる。その後、結合される表面が研磨され、磨かれる。高品質の磨きは必須ではないが、有益である。しかしながら、６００gritのエメリー研磨紙による単純な研磨が適当である。次に、サンプルは光学産業において周知の方法を用いて徹底的に磨かれる。そして、結合表面は直接コンタクトに配置され、複数積層構造を形成する。そして、ガラス片の融解は、アセンブリ全体を、ガラスの相変位点Ｔgより高い温度（一般に約１００°Ｃより上）まで、融解が行なわれる期間の間、好ましくは０．５から２時間の間加熱することにより行なわれる。その後、融解した部分は、例えば、Ｔgより上の３０°Ｃまで冷却され、熱的に均一になるよう例えば２−４時間保持され、例えば３０°Ｃから５０°Ｃのゆっくりとした冷却傾斜下降により室温まで冷却される。融解された結合部分はその後、切断され、研磨され、必要に応じて磨かれる。導波管は融解したブロック内に融解が起こる前に設けられ得る。その場合、融解したブロックは伝達において整列してなければならない。もしくは、導波管は融解の後に設けられ得る。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０７】
例３：周囲の環境から保護されたるつぼイオン交換
ウエハーの両面への液化硝酸塩触媒を用いたイオン交換で援護された電界の目的のために David Funk により設計された密閉Ａｌるつぼを使用して、イオン交換後に欠陥のないガラスが観察された。ガラスシールへの研磨されたＡｌが漏れたエッジのまわりで腐食されたが、チャンバーへエアーが漏れなかった内部では欠陥および腐食は皆無であった。その結果、実験により、気密のグラファイトガスケット材料でるつぼをシールすることが導かれる。このことは、ＮＩＳＴ-1(IOG-1) 無欠陥/無腐食の燐酸塩ガラスにおいて、イオン交換の繰返し可能なデモンストレーションに導かれる。