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【手続補正書】
【提出日】平成23年4月18日(2011.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に直方体とみなせる本体と、
上記本体の互いに直交した三面に垂直な方向に第１、第２、第３の軸を定義し、この３軸の方向に対応して検出が可能な第１、第２、第３の振動検出手段と、
上記本体の異なる面に配置された複数の機能部と、
上記３つの振動検出手段の出力に応じて上記機能部の一つを選択し、この選択された機能部の動作条件を設定する設定手段と、
を有することを特徴とする撮影装置。
【請求項２】
実質的に直方体とみなせる本体と、
上記本体の互いに直交した２面に垂直な方向に、第１、第２の軸を定義し、この２軸の方向に対応して検出が可能な第１、第２の振動検出手段と、
上記本体の異なる面に配置された複数の機能部と、
操作スイッチと、
上記２つの振動検出手段の出力に応じて上記機能部の一つを選択し、この選択された機能部の動作条件を上記２つの振動検出手段の出力と上記操作スイッチの操作に応じて設定する設定手段と、
を有することを特徴とする撮影装置。
【請求項３】
上記設定手段は、最初にいずれかの機能を設定した後、再度、上記振動検出手段によって、上記軸方向への振動を検出した場合には、上記設定された機能部の下層の動作条件を設定することを特徴とする請求項１、２に記載の撮影装置。
【請求項４】
本体の異なる面に配置された複数の機能部と、
上記面に向けてタップ操作が行われたことを検出するための複数の振動検出手段と、
上記複数の振動検出手段の一つが振動を検出すると、上記タップ操作が行われた面に割り当てられた上記機能部を選択する手段と、
を有し、
上記タップ操作によって上記機能部を選択するタップ操作モードを有し、上記タップ操作モードが操作部材による操作によって選択された際、上記選択する手段が上記機能部を選択することを特徴とする撮影装置。
【請求項５】
複数の振動検出手段によってタップ操作を検出し、
上記振動を検出すると、上記振動の方向に応じて、タップ操作が行われた面に割り当てられた上記機能部を選択する、
ことを特徴とする撮影装置の設定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
第１の発明に係わる撮影装置は、実質的に直方体とみなせる本体と、上記本体の互いに直交した３面に垂直な方向に第１、第２、第３の軸を定義し、この３軸の方向に対応して検出が可能な第１、第２、第３の振動検出手段と、上記本体の異なる面に配置された複数の機能部と、上記３つの振動検出手段の出力に応じて上記機能部の一つを選択し、この選択された機能部の動作条件を設定する設定手段と、を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第２の発明に係わる撮影装置は、実質的に直方体とみなせる本体と、上記本体の互いに直交した２面に垂直な方向に、第１、第２の軸を定義し、この２軸の方向に対応して検出が可能な第１、第２の振動検出手段と、上記本体の異なる面に配置された複数の機能部と、操作スイッチと、上記２つの振動検出手段の出力に応じて上記機能部の一つを選択し、この選択された機能部の動作条件を上記２つの振動検出手段の出力と上記操作スイッチの操作に応じて設定する設定手段と、を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第３の発明に係わる撮影装置は、上記第１および第２の発明において、上記設定手段は、最初にいずれかの機能を設定した後、再度、上記振動検出手段によって、上記軸方向への振動を検出した場合には、上記設定された機能部の下層の動作条件を設定する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第４の発明に係わる撮影装置は、本体の異なる面に配置された複数の機能部と、上記面に向けてタップ操作が行われたことを検出するための複数の振動検出手段と、上記複数の振動検出手段の一つが振動を検出すると、上記タップ操作が行われた面に割り当てられた上記機能部を選択する手段と、を有し、上記タップ操作によって上記機能部を選択するタップ操作モードを有し、上記タップ操作モードが操作部材による操作によって選択された際、上記選択する手段が上記機能部を選択する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第５の発明に係わる撮影装置の設定方法は、複数の振動検出手段によってタップ操作を検出し、上記振動を検出すると、上記振動の方向に応じて、タップ操作が行われた面に割り当てられた上記機能部を選択する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2009302808.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月10日(2011.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力部に入力される入力画像に含まれる被写体が、特定の状態であると判定されたことに応じて、当該判定から一定時間が経過するまで判定を停止させる判定制御部と、
前記入力部に入力される入力画像に含まれる被写体が、前記特定の状態であると判定されたことに応じて、前記入力部に入力される入力画像の記録動作を開始させる静止画記録トリガーを発生させる制御を行う静止画記録トリガー発生制御部と
を具備する画像処理装置。
【請求項２】
動画の記録動作状態を管理する動画管理部と、
静止画の記録動作状態を管理する静止画管理部とをさらに具備し、
前記静止画記録トリガー発生制御部は、前記動画の記録動作状態および前記静止画の記録動作状態の少なくとも一方に基づいて、前記静止画記録トリガーを発生させるか否かを決定する
請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記静止画記録トリガー発生制御部は、前記入力部に入力される入力画像に含まれる被写体が前記特定の状態であると判定された場合に、前記動画の記録動作中であれば前記静止画記録トリガーを発生させる制御を行う請求項２記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記静止画記録トリガー発生制御部は、前記入力部に入力される入力画像に含まれる被写体が前記特定の状態であると判定された場合に、前記動画の記録動作中であるとともに前記静止画の記録動作中であれば前記静止画記録トリガーを発生させないように制御を行う請求項３記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記判定制御部は、前記入力部に入力される入力画像に含まれる被写体が前記特定の状態であると判定された場合に、その旨を示す特定状態判定通知を前記静止画記録トリガー発生制御部に出力し、前記特定状態判定通知に対応して前記静止画記録トリガーを発生させた旨を示す静止画記録トリガー発生通知が前記静止画記録トリガー発生制御部から出力された場合に、前記判定を停止させ、
前記静止画記録トリガー発生制御部は、前記特定状態判定通知が前記判定制御部から出力された場合に、静止画の記録動作中であれば前記特定状態判定通知を破棄して前記静止画記録トリガーを発生させないように制御を行い、前記静止画の記録動作中でなければ前記静止画記録トリガー発生通知を前記判定制御部に出力して前記静止画記録トリガーを発生させる制御を行う
請求項１記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記一定時間は、前記静止画記録トリガーの発生に基づいて行われる静止画の記録動作に要する最小時間よりも長い請求項１記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記静止画記録トリガー発生制御部は、前記静止画記録トリガーの発生に基づいて行われた静止画の記録動作中に、前記入力部に入力される入力画像に含まれる被写体が前記特定の状態であると判定された旨を示す特定状態判定通知が前記判定制御部から出力された場合には、前記特定状態判定通知を破棄して前記静止画記録トリガーを発生させないように制御を行う請求項１記載の画像処理装置。
【請求項８】
被写体を撮像して前記入力画像を生成する撮像部と、
前記生成された入力画像に含まれる被写体を検出する被写体検出部と、
前記検出された被写体が前記特定の状態であるか否かを判定する判定部と
をさらに具備する請求項１記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記被写体は、人物の顔であり、
前記特定の状態は、人物の顔の表情が笑顔である状態である
請求項１記載の画像処理装置。
【請求項１０】
静止画記録操作を受け付ける操作受付部と、
前記静止画記録トリガー発生制御部による制御に基づいて前記静止画記録トリガーを発生する発生部とをさらに具備し、
前記発生部は、前記静止画記録操作が受け付けられた場合には、前記静止画記録トリガー発生制御部による制御にかかわらず前記静止画記録トリガーを発生する
請求項１記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記記録動作により記録される入力画像は、前記判定の対象になった入力画像である請求項１記載の画像処理装置。
【請求項１２】
入力部に入力される入力画像に含まれる被写体が、特定の状態であると判定されたことに応じて、当該判定から一定時間が経過するまで判定を停止させる手順と、
前記入力部に入力される入力画像に含まれる被写体が、前記特定の状態であると判定されたことに応じて、前記入力部に入力される入力画像の記録動作を開始させる静止画記録トリガーを発生させる制御を行う手順と
を具備する画像処理方法。
【請求項１３】
入力部に入力される入力画像に含まれる被写体が、特定の状態であると判定されたことに応じて、当該判定から一定時間が経過するまで判定を停止させる手順と、
前記入力部に入力される入力画像に含まれる被写体が、前記特定の状態であると判定されたことに応じて、前記入力部に入力される入力画像の記録動作を開始させる静止画記録トリガーを発生させる制御を行う手順と
をコンピュータに実行させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置、画像処理方法およびプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、画像処理装置に関し、特に、画像に含まれる人物等の顔の表情に基づいて静止画記録動作を行う画像処理装置および画像処理方法ならびに当該方法をコンピュータに実行させるプログラムに関する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月6日(2011.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音声出力部と、前記音声出力部に音楽情報を提供する音源部と、前記音声出力部の音量を調節する調節部と、前記音声出力部に告知情報を提供する告知情報発生部と、前記音声出力部により前記告知情報発生部による情報を告知するときは前記調節部による調節にかかわらず強制的に所定の音量を選択する制御部とを有することを特徴とするモバイル機器。
【請求項２】
前記告知情報発生部は、モバイル機器の持ち主が乗車した車両の降車予定場所への到着を事前予知する告知情報を発生することを特徴とする請求項１記載のモバイル機器。
【請求項３】
前記音声出力部により前記告知情報発生部による情報を告知するとき、前記制御部は、それに先立つ所定時間、前記音声出力部からの音声出力を禁止することを特徴とする請求項１または２記載のモバイル機器。
【請求項４】
前記制御部は、前記音声出力禁止所定時間に先立ち、音声出力部に前記音源部から強制的に音楽情報を提供することを特徴とする請求項３記載のモバイル機器。
【請求項５】
前記音声出力部はイヤホンを含むことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のモバイル機器。
【請求項６】
前記音声出力部から出力されるべき複数種類のアナウンスデータを保持する保持部を有し、前記制御部は、前記告知情報発生部からの告知情報に基づき前記複数種類のアナウンスデータの一つを選択して前記音声出力部から出力させることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のモバイル機器。
【請求項７】
前記複数種類のアナウンスデータは、前記告知情報の確度に応じて異なるものが保持されていることを特徴とする請求項６記載のモバイル機器。
【請求項８】
振動発生部と、前記振動発生部により振動を発生させるかどうかを選択する選択部と、告知情報発生部と、前記告知情報発生部による情報を告知するときは、前記選択部による選択にかかわらず強制的に前記振動発生部により振動を発生させるよう制御する制御部とを有することを特徴とするモバイル機器。
【請求項９】
前記告知情報発生部は、モバイル機器の持ち主が乗車した車両の降車予定場所への到着を事前予知する告知情報を発生することを特徴とする請求項８記載のモバイル機器。
【請求項１０】
前記制御部は、前記告知情報発生部により告知情報が発生した後、自動的にリセットすることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載のモバイル機器。
【請求項１１】
前記制御部は、前記告知情報のリセットにより次の告知情報の発生に備えることを特徴とする請求項１０記載のモバイル機器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月25日(2010.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に塗布液を塗布する塗布ユニット及び露光された後の基板に現像液を供給して現像する現像ユニットが設けられた処理ブロックを備え、基板の表面に液層を形成して液浸露光を行う露光装置に接続される塗布、現像装置において、
前記露光装置にて液浸露光された基板が処理ブロックに搬送される搬送経路に設けられ、液浸露光後の基板に洗浄処理を行う洗浄ユニットと、
液浸露光後の基板を保持体に保持して前記洗浄ユニットに搬送する基板搬送機構と、
前記洗浄ユニット及び基板搬送機構を制御する制御部と、を備え、
前記洗浄ユニットは、
搬送口を備えた筐体と、
この筐体内に設けられ、基板を水平に保持するための載置台と、
この載置台を鉛直軸回りに回転させる駆動機構と、
前記載置台を囲むようにして設けられ、底部に廃液管が接続されたカップ体と、
前記筐体内における搬送口と前記載置台との間にて前記基板搬送機構の保持体の移動路の上方に位置するように設けられ、当該保持体に洗浄液を供給するための第１の洗浄液供給部と、
前記カップ体の上方に設けられ、載置台に保持された基板の表面へ洗浄液を供給するための第２の洗浄液供給部と、
前記筐体内における搬送口と前記載置台との間にて前記基板搬送機構の保持体の移動路の下方に位置するように設けられ、第１の洗浄液供給部より供給される洗浄液を回収するための回収部と、を備え、
前記制御部は、基板搬送機構の保持体を、基板を保持しない状態で前記筐体内に進入させながら、当該保持体を洗浄するために第１の洗浄液供給部から洗浄液を供給するように制御信号を出力するものであることを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項２】
前記筐体内には、洗浄後の保持体を乾燥させるために当該保持体に乾燥用のガスを供給するガス供給部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の塗布、現像装置。
【請求項３】
前記回収部には、洗浄液を吸引して回収するために、吸引手段に一端が接続された吸引管の他端が接続されていることを特徴とする請求項１または２記載の塗布、現像装置。
【請求項４】
前記制御部は、基板搬送機構が予め設定した回数だけ基板を搬送した後に、基板搬送機構が基板を搬送しない状態で前記洗浄ユニット内に進入し、第１のノズルからの洗浄液により基板搬送機構の保持体を洗浄するように制御信号を出力するものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記第１のノズルの下方側を前記保持体が複数回往復し、この時に当該保持体に対して洗浄液の吐出及びパージガスの供給が行われるように制御信号を出力することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】塗布、現像装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウエハ等の基板に対してレジスト液の塗布処理や、露光後の現像処理等を行う塗布、現像装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る塗布、現像装置は、基板の表面に塗布液を塗布する塗布ユニット及び露光された後の基板に現像液を供給して現像する現像ユニットが設けられた処理ブロックを備え、基板の表面に液層を形成して液浸露光を行う露光装置に接続される塗布、現像装置において、
前記露光装置にて液浸露光された基板が処理ブロックに搬送される搬送経路に設けられ、液浸露光後の基板に洗浄処理を行う洗浄ユニットと、
液浸露光後の基板を保持体に保持して前記洗浄ユニットに搬送する基板搬送機構と、
前記洗浄ユニット及び基板搬送機構を制御する制御部と、を備え、
前記洗浄ユニットは、
搬送口を備えた筐体と、
この筐体内に設けられ、基板を水平に保持するための載置台と、
この載置台を鉛直軸回りに回転させる駆動機構と、
前記載置台を囲むようにして設けられ、底部に廃液管が接続されたカップ体と、
前記筐体内における搬送口と前記載置台との間にて前記基板搬送機構の保持体の移動路の上方に位置するように設けられ、当該保持体に洗浄液を供給するための第１の洗浄液供給部と、
前記カップ体の上方に設けられ、載置台に保持された基板の表面へ洗浄液を供給するための第２の洗浄液供給部と、
前記筐体内における搬送口と前記載置台との間にて前記基板搬送機構の保持体の移動路の下方に位置するように設けられ、第１の洗浄液供給部より供給される洗浄液を回収するための回収部と、を備え、
前記制御部は、基板搬送機構の保持体を、基板を保持しない状態で前記筐体内に進入させながら、当該保持体を洗浄するために第１の洗浄液供給部から洗浄液を供給するように制御信号を出力するものであることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明によれば、露光装置により液浸露光を受けた基板を洗浄しているため、基板に液浸露光時のレジストの溶出物等のパーティクルが付着していたとしても除去される。従って基板の加熱処理時にパーティクルによりパターンの線幅が影響を受けたり、現像処理時にパーティクルによりパターンが損傷されたり、液浸露光の際にパーティクルが液層に乗って露光領域を移動することで露光が妨げられたりするといった不具合を抑えることができるので、基板にレジストパターンの形成を正確に行うことができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月22日(2011.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、
上側及び下側表面を備え、それぞれ前記上側及び下側表面のうちの選択された１つに設けられたソースコンタクト領域、ゲートコンタクト領域、及びドレインコンタクト領域を備える半導体ダイと、
前記半導体ダイの前記ソースコンタクト領域と接触するソース接続平坦部分と、前記ソース接続平坦部分から延び出す複数のソースリード部分とを含むソースリードと、
前記半導体ダイの前記ゲートコンタクト領域と接触するゲート接続平坦部分と、前記ゲート接続平坦部分から延び出すゲートリード部分とを含むゲートリードと、
前記半導体ダイの前記ドレインコンタクト領域と接触するドレイン接続平坦部分と、前記ドレイン接続平坦部分から延び出す複数のドレインリード部分とを含むドレインリードと、
少なくとも前記半導体ダイの一部、及び前記ドレインリードの一部を封入する封入体とを備えることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】
前記ドレインリードが、ドレインリード上側表面とドレインリード下側表面とを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記封入体が、前記ドレインリード下側表面を露出するように前記ドレインリードの一部を封入することを特徴とする請求項２に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記ドレインリードの前記ドレイン接続平坦部分を前記半導体ダイの前記ドレインコンタクト領域に取着する第１の接着剤層と、
前記ソースリードの前記ソース接続平坦部分を前記半導体ダイの前記ソースコンタクト領域に取着する第２の接着剤層と、
前記ゲートリードの前記ゲート接続平坦部分を前記半導体ダイの前記ゲートコンタクト領域に取着する第３の接着剤層とをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記封入体が、前記ソースリードの一部を封入し、かつ前記封入体が、前記ゲートリードの一部も封入することを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記ドレインリード、前記ソースリード、前記ゲートリードはそれぞれ、成形可能な半硬質の導電性材料を含み、かつ、前記半導体ダイは、その上に形成された複数のパワーＭＯＳＦＥＴを含むことを特徴とする請求項５を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
半導体デバイスを製造するための方法であって、
上側及び下側表面を備え、それぞれ前記上側及び下側表面のうちの選択された１つに設けられたソースコンタクト領域、ゲートコンタクト領域、及びドレインコンタクト領域を備える半導体ダイを準備する過程と、
ソース接続平坦部分と、前記ソース接続平坦部分から延び出す複数のソースリード部分とを含むソースリードを形成する過程と、
前記ソースリードの前記ソース接続平坦部分を前記半導体ダイの前記ソースコンタクト領域に結合する過程と、
ゲート接続平坦部分と、前記ゲート接続平坦部分から延び出すゲートリード部分とを含むゲートリードを形成する過程と、
前記ゲートリードの前記ゲート接続平坦部分を前記半導体ダイの前記ゲートコンタクト領域に結合する過程と、
ドレイン接続平坦部分と、前記ドレイン接続平坦部分から延び出す複数のドレインリード部分とを含むドレインリードを形成する過程と、
前記ドレインリードの前記ドレイン接続平坦部分を前記半導体ダイの前記ドレインコンタクト領域に結合する過程と、
電気的絶縁性封入体で、前記半導体ダイの一部、前記ゲートリードの一部、及び前記ドレインリードの一部を封入する過程とを有することを特徴とする方法。
【請求項８】
前記ドレインリードを、ドレインリード上側表面とドレインリード下側表面とを有するものとすることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記封入する過程が、電気的絶縁性封入体で、前記ドレインリード下側表面を露出するように前記ドレインリードの一部を封入する過程を含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ドレインリード、前記ソースリード、前記ゲートリードはそれぞれ、成形可能な半硬質の導電性材料から形成されるものとし、かつ、前記半導体ダイを、その上に形成された複数のパワーＭＯＳＦＥＴを含むものとすることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
パワーＭＯＳＦＥＴを有する半導体デバイスであって、
上側及び下側表面を備え、前記上側及び下側表面のうちの選択された１つに設けられた複数のソースコンタクト領域及び複数のゲートコンタクト領域を備え、かつ前記上側表面と前記下側表面との間で電流を流すべく形成された複数のパワーＭＯＳＦＥＴを備える半導体ダイと、
複数のソースリードであって、少なくとも１つのソースリードは、前記複数のソースコンタクト領域の１つと接触する第１のソース部分と、前記第１のソース部分から延び出し、前記半導体ダイの第１の側から突出する第２のソース部分と、前記第１のソース部分から延び出し、前記半導体ダイの前記第１の側と反対側の第２の側から突出する第３のソース部分とを有する、該複数のソースリードと、
複数のゲートリードであって、少なくとも１つのゲートリードは、前記複数のゲートコンタクト領域の１つと接触する第１のゲート部分と、前記第１のゲート部分から延び出し、前記半導体ダイの第１の側から突出する第２のゲート部分と、前記第１のゲート部分から延び出し、前記半導体ダイの前記第１の側と反対側の第２の側から突出する第３のゲート部分とを有する、該複数のゲートリードと、
前記半導体ダイの少なくとも一部、前記複数のソースリードの少なくとも一部、及び前記複数のゲートリードの少なくとも一部を封入する封入体とを備えることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１２】
パワーＭＯＳＦＥＴを有する半導体デバイスであって、
上側及び下側表面を備え、前記上側及び下側表面のうちの選択された１つに設けられた１つのソースコンタクト領域及び１つのゲートコンタクト領域を備え、前記１つのソースコンタクト領域と前記１つのゲートコンタクト領域とは、互いに横方向に反対側の位置に配置され、かつ前記上側表面と前記下側表面との間で電流を流すべく形成された複数のパワーＭＯＳＦＥＴを備える半導体ダイと、
１つのソースリードであって、前記１つのソースコンタクト領域と接触する第１のソース部分と、前記第１のソース部分から延び出し、前記半導体ダイの第１の側から突出する第２のソース部分とを有する、該１つのソースリードと、
１つのゲートリードであって、前記１つのゲートコンタクト領域と接触する第１のゲート部分と、前記第１のゲート部分から延び出し、前記第１のゲート部分から延び出し、前記半導体ダイの前記第１の側と反対側の第２の側から突出する第２のゲート部分とを有する、該１つのゲートリードと、
前記半導体ダイの少なくとも一部、前記１つのソースリードの少なくとも一部、及び前記１つのゲートリードの少なくとも一部を封入する封入体とを備えることを特徴とする半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月23日(2011.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸着対象物が載置される基体と、接着層と、ベースプレートとを有し、
前記基体は、前記接着層を介して前記ベースプレート上に固定されている基板温調固定装置であって、
前記接着層は、複数の開口部を有する部材を内包し、
前記部材は、耐プラズマ性を有する物質を主成分とすることを特徴とする基板温調固定装置。
【請求項２】
前記接着層は、前記部材と接着剤とを含み、前記複数の開口部には前記接着剤が充填されていることを特徴とする請求項１記載の基板温調固定装置。
【請求項３】
前記複数の開口部は、前記部材に網目状に形成されていることを特徴とする請求項２記載の基板温調固定装置。
【請求項４】
前記部材は、平面視において少なくとも前記接着層の外縁部に内包されていることを特徴とする請求項２又は３記載の基板温調固定装置。
【請求項５】
前記部材は、平面視において少なくとも前記接着層の貫通孔の周辺部に内包されていることを特徴とする請求項２乃至４の何れか一項記載の基板温調固定装置。
【請求項６】
前記耐プラズマ性を有する物質は、フッ素系樹脂であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項記載の基板温調固定装置。
【請求項７】
前記フッ素系樹脂は、ポリテトラフルオロエチレンであることを特徴とする請求項６記載の基板温調固定装置。
【請求項８】
更に、前記基体及び前記接着層を貫通し、前記基体の上面と前記吸着対象物の下面とが形成する空間に圧力を調整した不活性ガスを充填するガス路を有し、
少なくとも、平面視において前記接着層の前記ガス路が貫通する部分を囲むように、前記部材が内包されていることを特徴とする請求項２乃至７の何れか一項記載の基板温調固定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記目的を達成するため、本発明は、吸着対象物が載置される基体と、接着層と、ベースプレートとを有し、前記基体は、前記接着層を介して前記ベースプレート上に固定されている基板温調固定装置であって、前記接着層は、複数の開口部を有する部材を内包し、前記部材は、耐プラズマ性を有する物質を主成分とすることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月3日(2011.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電電極が内蔵されている基体を有し、前記静電電極に電圧を印加することで吸着対象物を吸着保持する静電チャックであって、
前記基体の上面には誘電体を含んで構成される載置部が着脱可能な状態で載置されており、
前記吸着対象物は、前記載置部の上面に載置されることを特徴とする静電チャック。
【請求項２】
前記載置部がセラミックスからなることを特徴とする請求項１記載の静電チャック。
【請求項３】
前記静電電極に電圧が印加されると、前記載置部及び前記載置部の上面に載置される前記吸着対象物が、クーロン力により前記基体の上面に吸着保持されることを特徴とする請求項１又は２記載の静電チャック。
【請求項４】
前記載置部は、前記基体の上面に設けられた位置決め部により位置決めされていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項記載の静電チャック。
【請求項５】
前記位置決め部は、前記基体の上面の外縁部に平面視において円環状に設けられていることを特徴とする請求項４記載の静電チャック。
【請求項６】
前記載置部の上面には、複数の突起部が平面視水玉模様状に点在するように設けられていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項記載の静電チャック。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項記載の静電チャックと、前記静電チャックを支持するベースプレートとを有し、
前記静電チャックは、前記ベースプレート上に接着層を介して固定されている基板温調固定装置。
【請求項８】
前記載置部は、前記基体の上面及び側面、並びに、前記接着層の側面を覆うように設けられていることを特徴とする請求項７記載の基板温調固定装置。
【請求項９】
前記ベースプレートは、前記静電チャックに不活性ガスを導入するガス路と、前記静電チャックを加熱する発熱体と、前記静電チャックを冷却する水路とを内蔵することを特徴とする請求項７又は８記載の基板温調固定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第２の発明は、本発明に係る静電チャックと、前記静電チャックを支持するベースプレートとを有し、前記静電チャックは、前記ベースプレート上に接着層を介して固定されている基板温調固定装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月17日(2010.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポテンシャル障壁と量子井戸とを備えた多重量子井戸を含む多層膜構造と、前記多層膜構造に電界を印加するための電界印加手段と、を有し、前記多層膜構造は2つの第一の領域と第二の領域を少なくとも含み、前記第二の領域は前記第一の領域で挟まれるカスケードレーザ素子であって、
前記第一の領域は複数のサブバンドを含み、電界が印加されるとき前記第一の領域におけるエネルギーの上流側のサブバンドからポテンシャル障壁を介したエネルギーの下流側のサブバンドへ、キャリアが光と相互作用することで許容されるトンネリングによって輸送され、
前記第二の領域は、前記光の表皮深さの2倍よりも薄く、エネルギーバンドを備えた膜を少なくとも含み、前記エネルギーバンドにおいて前記キャリアはエネルギー緩和される、ことを特徴とするカスケードレーザ素子。
【請求項２】
前記エネルギーバンドを備えた膜は、前記キャリアのド・ブロイ波長より厚い膜であることを特徴とする請求項1記載のカスケードレーザ素子。
【請求項３】
前記エネルギーバンドを備えた膜は、ほぼ連続的なエネルギーバンドを持つことを特徴とする請求項2記載のカスケードレーザ素子。
【請求項４】
前記エネルギーバンドを備えた膜はキャリアを有していることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のカスケードレーザ素子。
【請求項５】
前記電界印加手段により前記多重量子井戸に所定の電界が印加されるときに、前記多重量子井戸に電流が流れ、前記第一の領域において光を放出或いは吸収することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のカスケードレーザ素子。
【請求項６】
前記第一の領域において放出される光に共振する光共振器構造を有し、レーザ発振することを特徴とする請求項5記載のカスケードレーザ素子。
【請求項７】
前記多重量子井戸は光を吸収する構造を有し、光検出することを特徴とする請求項5記載のカスケードレーザ素子。
【請求項８】
前記多層膜構造は、前記第一の領域と前記第二の領域とがその順番で繰り返される構造を有することを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載のカスケードレーザ素子。
【請求項９】
請求項1から8のいずれか1項に記載のカスケードレーザ素子と、前記カスケードレーザ素子にキャリアを注入するためのキャリア注入手段と、を備え、
前記電界印加手段により前記カスケードレーザ素子に所定の電界を印加して前記キャリア注入手段からキャリアを注入するときに、光を放出或いは吸収することを特徴とするカスケードレーザ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月10日(2011.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像を光電変換する撮像手段と、
補正系を駆動して前記被写体像を前記撮像手段に対して相対的に変位させる補正駆動手段と、
前記被写体像のうち、主となる被写体の移動速度を検出する移動速度検出手段と、
連写撮影における複数の撮影駒の相対的な撮影条件を予め設定する撮影条件設定手段と、
前記補正駆動手段による前記補正系の変位ストロークと、前記移動速度、前記撮影条件に基づいて、２駒目以降の露光時間が１駒目の露光時間より長くなるように前記複数の撮影駒の各々の撮影パラメータを決定し、該撮影パラメータに基づいて前記複数の撮影駒の撮影を実行する制御手段とを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記移動速度検出手段は、前記撮像手段に結像される被写体像の時間的な変化を基に動き量を算出し、該動き量により前記主となる被写体の移動速度を検出することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記撮影条件設定手段が予め設定する撮影条件は、シャッタ秒時と連写撮影における撮影間隔時間のうち少なくとも１つであることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記撮影パラメータは、前記補正系の変位速度、前記１駒目と前記２駒目以降のシャッタ秒時、連写撮影における撮影間隔時間のうち少なくとも１つであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
被写体像を光電変換する撮像手段と、
補正系を駆動して前記被写体像を前記撮像手段に対して相対的に変位させる補正駆動手段と、
前記被写体像のうち、主となる被写体の移動速度を検出する移動速度検出手段とを有する撮像装置であって、
１駒目のシャッタ秒時と２駒目のシャッタ秒時を、前記２駒目のシャッタ秒時が前記１駒目のシャッタ秒時よりも遅くなるように前記移動速度検出手段の検出結果によって決定し、該シャッタ秒時による連写撮影を実行する制御手段を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記移動速度検出手段の検出結果に応じて連写撮影における撮影間隔を決定することを特徴とする請求項４または５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記連写撮影における撮影間隔時間が所定時間よりも短い場合は、２駒目以降の露光時間が１駒目の露光時間と同じになるように前記複数の撮影駒の各々の撮影パラメータを決定し、該撮影パラメータに基づいて前記複数の撮影駒の撮影を実行することを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記補正駆動手段は、前記１駒目の露光時には前記被写体に追従するようには前記補正系を駆動せず、前記２駒目以降の露光時には前記被写体に追従するように前記補正系を駆動することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記補正系は、撮像レンズの一部を形成する補正光学系である、もしくは前記撮像手段が兼用することを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
上記目的を達成するために、本発明は、被写体像を光電変換する撮像手段と、補正系を駆動して前記被写体像を前記撮像手段に対して相対的に変位させる補正駆動手段と、前記被写体像のうち、主となる被写体の移動速度を検出する移動速度検出手段と、連写撮影における複数の撮影駒の相対的な撮影条件を予め設定する撮影条件設定手段と、前記補正駆動手段による前記補正系の変位ストロークと、前記移動速度、前記撮影条件に基づいて、２駒目以降の露光時間が１駒目の露光時間より長くなるように前記複数の撮影駒の各々の撮影パラメータを決定し、該撮影パラメータに基づいて前記複数の撮影駒の撮影を実行する制御手段とを有することを特徴とする撮像装置とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
同じく上記目的を達成するために、本発明は、被写体像を光電変換する撮像手段と、補正系を駆動して前記被写体像を前記撮像手段に対して相対的に変位させる補正駆動手段と、前記被写体像のうち、主となる被写体の移動速度を検出する移動速度検出手段とを有する撮像装置であって、１駒目のシャッタ秒時と２駒目のシャッタ秒時を、前記２駒目のシャッタ秒時が前記１駒目のシャッタ秒時よりも遅くなるように前記移動速度検出手段の検出結果によって決定し、該シャッタ秒時による連写撮影を実行する制御手段を有することを特徴とする撮像装置とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
尚、本実施例２の場合は説明の関係で被写体移動速度を２つの閾値レベルと比較して３段階に分類しているが、もっと多くの閾値レベルを使って複数段階の分類を行う事も可能である。又、連写撮影駒に関しても２駒目までしか示していないが、実際には３駒目以降も同様の方法でシャッタ秒時を設定することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月7日(2011.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画面内予測符号化を行う画像符号化装置であって、
入力されたマクロブロックを処理単位のブロックに分割する分割手段と、
処理対象のブロックに含まれる各画素の予測値を、他のブロックに含まれる画素を参照して算出し、該予測値を用いて該処理対象のブロックを符号化する符号化手段と、
前記符号化されたブロックを所定の符号化順序に整列する整列手段と
を備え、
前記符号化手段は、参照するすべての画素が前記予測値の算出に利用可能となったブロックから順に符号化を開始し、該符号化をパイプライン処理で行う
ことを特徴とする画像符号化装置。
【請求項２】
前記利用可能となったブロックが複数ある場合には、該複数のブロックにおける順序を前記所定の符号化順序とすることを特徴とする請求項１に記載の画像符号化装置。
【請求項３】
前記符号化手段は、
前記分割されたブロックのエントロピー符号化を行う複数のエントロピー符号化手段と、
前記複数のエントロピー符号化手段のうち、ブロックを受け入れ可能であるいずれか一つに前記分割されたブロックを入力する切替手段と
を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像符号化装置。
【請求項４】
前記複数のエントロピー符号化手段は二つであることを特徴とする請求項３に記載の画像符号化装置。
【請求項５】
前記所定の符号化順序はＨ．２６４の勧告書に準拠した符号化順序であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像符号化装置。
【請求項６】
画面内予測符号化を行う画像符号化装置の制御方法であって、
分割手段が、入力されたマクロブロックを処理単位のブロックに分割する分割工程と、
符号化手段が、処理対象のブロックに含まれる各画素の予測値を、他のブロックに含まれる画素を参照して算出し、該予測値を用いて該処理対象のブロックを符号化する符号化工程と、
整列手段が、前記符号化されたブロックを所定の符号化順序に整列する整列工程と
を備え、
前記符号化工程において、参照するすべての画素が前記予測値の算出に利用可能となったブロックから順に符号化を開始され、該符号化はパイプライン処理で行われる
ことを特徴とする画像符号化装置。
【請求項７】
コンピュータを請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像符号化装置の各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題に鑑みて、本発明に係る画像符号化装置は、画面内予測符号化を行う画像符号化装置であって、入力されたマクロブロックを処理単位のブロックに分割する分割手段と、処理対象のブロックに含まれる各画素の予測値を、他のブロックに含まれる画素を参照して算出し、該予測値を用いて該処理対象のブロックを符号化する符号化手段と、前記符号化されたブロックを所定の符号化順序に整列する整列手段とを備え、前記符号化手段は、参照するすべての画素が前記予測値の算出に利用可能となったブロックから順に符号化を開始し、該符号化をパイプライン処理で行うことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月1日(2011.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
参照ピクチャを選定するステップを備え、複数の参照ピクチャが存在する場合には、復号化済みブロックが最も多く参照するピクチャを、エラーコンシールメント処理に用いることを特徴とする請求項５に記載の映像復号化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月10日(2011.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス状の金属原子を封入したガスセルと、
前記ガスセルを保持するガスセル保持部材と、
前記ガスセルを前記金属原子がガス化される温度に加熱する加熱手段と、
前記ガスセル中の前記金属原子を励起する励起光を照射する光源と、
前記ガスセルを透過した前記励起光を検出する光検出手段と、を備え、
前記ガスセルは、筒部と、該筒部の両端の開口部をそれぞれ封鎖して前記励起光の光路の入射面および出射面を形成する窓部と、を有し、
前記加熱手段は前記窓部に設けられ、
前記保持部材は前記窓部と非接触の状態で前記筒部を保持することを特徴とする原子発振器。
【請求項２】
複数の前記加熱手段が、前記光路を囲むように設けられていることを特徴とする請求項１記載の原子発振器。
【請求項３】
前記加熱手段の中央に前記励起光を通過させる開口を有することを特徴とする請求項１記載の原子発振器。
【請求項４】
前記筒部に設けられた加熱手段を更に備えたことを特徴とする請求項１乃至３に記載の原子発振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】原子発振器
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月15日(2011.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属箔に第１のキャリアテープを接着する工程と、
前記金属箔に絶縁層を積層し、該絶縁層に開口部を形成する工程と、
前記絶縁層の表面に第２のキャリアテープを積層する工程と、
前記第１のキャリアテープを除去する工程と、
前記金属箔をパターニングし、配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターンにアンダーフィル樹脂を積層する工程と、
半導体素子をフェースダウンにより前記アンダーフィル樹脂の上から前記配線パターンと電気的に接続するように搭載する工程と、
前記半導体素子が搭載された一方の面側を樹脂封止する工程と、
前記第２のキャリアテープを除去する工程と、
前記第２のキャリアテープを除去した後に、前記開口部から露出した前記配線パターンにプラズマエッチングする工程と、
前記開口部から露出した前記配線パターンに外部接続端子を接合する工程と、
を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記アンダーフィル樹脂は、非導電性フィルムにより形成されていて、
前記半導体素子は、前記半導体素子に取り付けられた電極を前記非導電性フィルムに貫通させることにより前記半導体素子と前記配線パターンとを電気的に接続していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記アンダーフィル樹脂は、異方性導電フィルムにより形成されていて、
前記半導体素子は、前記異方性導電フィルムを介して前記配線パターンと電気的に接続していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記金属箔にキャリアテープを接着する工程においては、前記金属箔のシャイニー面にアクリル系接着剤を用いて接着していることを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記金属箔のパターニングは、サブトラクティブ法によってなされることを特徴とする請求項１〜４のうちのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記金属箔のパターニングは、セミアディティブ法によってなされることを特徴とする請求項１〜４のうちのいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そこで本願発明者は、配線パターンを保持する基板を省略することにより半導体装置の厚さ寸法を薄くすることに着目し、基板を有さなくても製造工程中において容易にハンドリングすることが可能な半導体装置の製造方法の提供を目的としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
以上の課題を解決するため本発明は、以下の構成を備える。
すなわち、金属箔に第１のキャリアテープを接着する工程と、前記金属箔に絶縁層を積層し、該絶縁層に開口部を形成する工程と、前記絶縁層の表面に第２のキャリアテープを積層する工程と、前記第１のキャリアテープを除去する工程と、前記金属箔をパターニングし、配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンにアンダーフィル樹脂を積層する工程と、半導体素子をフェースダウンにより前記アンダーフィル樹脂の上から前記配線パターンと電気的に接続するように搭載する工程と、前記半導体素子が搭載された一方の面側を樹脂封止する工程と、前記第２のキャリアテープを除去する工程と、前記第２のキャリアテープを除去した後に、前記開口部から露出した前記配線パターンにプラズマエッチングする工程と、前記開口部から露出した前記配線パターンに外部接続端子を接合する工程と、を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、前記アンダーフィル樹脂は、非導電性フィルムにより形成されていて、前記半導体素子は、前記半導体素子に取り付けられた電極を前記非導電性フィルムに貫通させることにより前記半導体素子と前記配線パターンとを電気的に接続していることを特徴とする。
また、前記アンダーフィル樹脂は、異方性導電フィルムにより形成されていて、
前記半導体素子は、前記異方性導電フィルムを介して前記配線パターンと電気的に接続していることを特徴とする。
これらにより、半導体素子と配線パターンとの隙間寸法を可及的に狭くすることができるため半導体装置をさらに薄型にすることができる。また、アンダーフィル樹脂にフィルム材を用いることにより、半導体装置の厚さ寸法のばらつきを抑えることができ、フィルム材をラミネートするだけでよいので製造工程における作業効率を向上させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、前記金属箔にキャリアテープを接着する工程においては、前記金属箔のシャイニー面にアクリル系接着剤を用いて接着していることを特徴とする。これにより金属箔からのキャリアテープ除去を容易に行うことができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記金属箔のパターニングは、サブトラクティブ法またはセミアディティブ法のいずれかによってなされることを特徴とする。これにより、必要な配線パターンの詳細度に応じて適切に配線パターンを形成することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明にある半導体装置の製造方法によれば、きわめて薄い半導体装置を提供することができる。またこのような基板を有さない半導体装置を製造する際において、各段階における製造工程品を円滑にハンドリングすることができるため、生産効率が向上し、半導体装置を低コストで提供することが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月15日(2011.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ろう材に還元剤を含む有機溶剤を付着させた後、該有機溶剤が付着した前記ろう材の該有機溶剤を乾燥させたダイボンド材と、半導体チップとを実装部上に配置する工程と、
リフローすることにより、前記ダイボンド材を用い前記実装部上に前記半導体チップをダイボンドする工程と、を含み
前記ろう材はＡｕＳｎかつ前記還元剤はエリスリトール、
前記ろう材はＳｎＡｇＣｕかつ前記還元剤はトリメチロールエタン、
前記ろう材はＳｎＡｇＣｕかつ前記還元剤はトリメチロールプロパン、
前記ろう材はＳｎＡｇかつ前記還元剤はトリメチロールエタン、
及び、
前記ろう材はＳｎＡｇかつ前記還元剤はトリメチロールプロパン、のいずれかであることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項２】
前記有機溶剤はテトラエチレングリコールジメチルエーテルまたはエタノールを含む溶剤であることを特徴とする請求項１記載の電子装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体チップをダイボンドする工程における最高温度は、前記ろう材の融点および前記還元剤の蒸発温度以上の温度に設定されていることを特徴とする請求項１記載の電子装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、ろう材に還元剤を含む有機溶剤を付着させた後、該有機溶剤が付着した前記ろう材の該有機溶剤を乾燥させたダイボンド材と、半導体チップとを実装部上に配置する工程と、リフローすることにより、前記ダイボンド材を用い前記実装部上に前記半導体チップをダイボンドする工程と、を含み前記ろう材はＡｕＳｎかつ前記還元剤はエリスリトール、前記ろう材はＳｎＡｇＣｕかつ前記還元剤はトリメチロールエタン、前記ろう材はＳｎＡｇＣｕかつ前記還元剤はトリメチロールプロパン、前記ろう材はＳｎＡｇかつ前記還元剤はトリメチロールエタン、及び、前記ろう材はＳｎＡｇかつ前記還元剤はトリメチロールプロパン、のいずれかであることを特徴とする電子装置の製造方法である。本発明によれば、還元剤をろう材に付着させることにより、液状の還元剤がろう材の表面を覆うためろう材の酸化を抑制することができる。さらに、還元剤を用いる場合に、確実に還元剤がろう材に付着できるようにするために多量の還元剤を用いると、還元剤が蒸発されずに残ってしまう。そのままの状態で、ろう材が溶融するとダイボンド材内に還元剤の残渣によるボイドが発生してしまう。また、還元剤が残らないように少量の還元剤を用いると、ろう材の表面が還元剤に覆われない部分が生じてしまうおそれがある。本発明によれば、有機溶剤が付着したろう材を乾燥させダイボンド材とすることにより、還元剤をろう材に均一に付着させることができる。さらに、ろう材の融点と還元剤の蒸発温度がほぼ同じであるため、温度を上昇させる際に、ろう材の酸化が進む融点に達する前に還元剤が蒸発してしまうことを抑制し、かつ、ろう材の融点を越え酸化が進むことを抑制することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】