【手続補正書】
【提出日】平成23年3月25日(2011.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイボンディングフィルム、及び前記ダイボンディングフィルムの一方の面に貼付された非粘着フィルムを有するレーザーダイシング用のダイシング−ダイボンディングテープと、半導体ウェーハとを用意する工程と、
ダイシング−ダイボンディングテープの前記ダイボンディングフィルムの前記非粘着フィルムが貼付された面とは反対側の面に半導体ウェーハを接合する工程と、
ダイシング−ダイボンディングテープが接合された半導体ウェーハを前記ダイボンディングフィルムごとレーザー光の照射により切断し、個々の半導体チップに分割する工程と、
ダイシング後に、前記半導体チップが接合された前記ダイボンディングフィルムを前記非粘着フィルムから剥離し、ダイボンディングフィルムごと半導体チップを取り出す工程とを備え、
前記ダイボンディングフィルムとして、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含むダイボンディングフィルムを用い、
前記非粘着フィルムとして、樹脂組成物の架橋体を主成分として含み、２５℃における貯蔵弾性率が１〜１０００ＭＰａの範囲にあり、かつ６０℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上である非粘着フィルムを用いることを特徴とする、半導体チップの製造方法。
【請求項２】
前記非粘着フィルムの２５℃における貯蔵弾性率が３〜１０００ＭＰａの範囲にある、請求項１に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項３】
前記樹脂組成物の架橋体が、（メタ）アクリル樹脂又はオレフィン系樹脂を含む樹脂組成物の架橋体である、請求項１又は２に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項４】
前記樹脂組成物の架橋体が、（メタ）アクリル樹脂を含む樹脂組成物の架橋体である、請求項３に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項５】
前記樹脂組成物が、前記（メタ）アクリル樹脂として、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーを含む、請求項３または４に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項６】
前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーが、炭素数６以上のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーである、請求項５に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項７】
前記ダイボンディングフィルムの熱硬化前の２５℃における貯蔵弾性率が、１０６〜１０９Ｐａの範囲にある、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項８】
前記ダイボンディンフィルムが、前記熱硬化性化合物としてエポキシ樹脂と、エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーと、前記熱硬化剤とを含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項９】
前記エポキシ樹脂の分子量が１０００以下である、請求項８に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１０】
前記ダイボンディングフィルムが、前記エポキシ樹脂１００重量部に対して、前記エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーを１０〜１００重量部の割合で含む、請求項８または９に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１１】
前記ダイシング−ダイボンディングテープとして、前記非粘着フィルムの前記ダイボンディングフィルムが貼付された面とは反対側の面に、ダイシングフィルムが貼付されているダイシング−ダイボンディングテープを用いる、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１２】
前記個々の半導体チップに分割する工程において、レーザー光の照射により、前記非粘着フィルムが切断されることなく、かつ前記非粘着フィルムに切り込みが形成されることなく、前記半導体ウェーハ及び前記ダイボンディングフィルムを切断することを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１３】
前記半導体チップを取り出す工程において、前記ダイボンディングフィルムと前記非粘着フィルムとの間の剥離力を変化させることなく、半導体チップを取り出すことを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体チップの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体チップの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体チップの製造に用いられるダイシング−ダイボンディングテープを用いた半導体チップの製造方法に関し、より詳細には、半導体ウェーハが接合され、該半導体ウェーハをレーザーダイシングするのに用いられるダイシング−ダイボンディグテープを用いた半導体チップの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の目的は、レーザーダイシング用のダイシング−ダイボンディングテープを用いた半導体チップの製造方法であって、レーザーダイシングするに際し、非粘着フィルムに切り込みが形成され難く、半導体ウェーハとダイボンディングフィルムとを精度良く切断でき、かつ、レーザーダイシングした後に、半導体チップをダイボンディングフィルムごと容易に剥離して、取り出すことができるダイシング−ダイボンディングテープを用いた半導体チップの製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明によれば、ダイボンディングフィルム、及び前記ダイボンディングフィルムの一方の面に貼付された非粘着フィルムを有するレーザーダイシング用のダイシング−ダイボンディングテープと、半導体ウェーハとを用意する工程と、ダイシング−ダイボンディングテープの前記ダイボンディングフィルムの前記非粘着フィルムが貼付された面とは反対側の面に半導体ウェーハを接合する工程と、ダイシング−ダイボンディングテープが接合された半導体ウェーハを前記ダイボンディングフィルムごとレーザー光の照射により切断し、個々の半導体チップに分割する工程と、ダイシング後に、前記半導体チップが接合された前記ダイボンディングフィルムを前記非粘着フィルムから剥離し、ダイボンディングフィルムごと半導体チップを取り出す工程とを備え、前記ダイボンディングフィルムとして、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含むダイボンディングフィルムを用い、前記非粘着フィルムとして、樹脂組成物の架橋体を主成分として含み、２５℃における貯蔵弾性率が１〜１０００ＭＰａの範囲にあり、かつ６０℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上である非粘着フィルムを用いることを特徴とする、ダイシング−ダイボンディングテープが提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の半導体チップの製造方法のある特定の局面では、前記ダイボンディングフィルムの熱硬化前の２５℃における貯蔵弾性率は、１０６〜１０９Ｐａの範囲にある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の半導体チップの製造方法の他の特定の局面では、前記ダイボンディングフィルムは、前記熱硬化性化合物としてエポキシ樹脂と、エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーと、前記熱硬化剤とを含む。前記エポキシ樹脂の分子量は、１０００以下であることが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の半導体チップの製造方法のさらに他の特定の局面では、前記ダイシング−ダイボンディングテープとして、前記非粘着フィルムの前記ダイボンディングフィルムが貼付された面とは反対側の面に、ダイシングフィルムが貼付されているダイシング−ダイボンディングテープを用いる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】