Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月15日(2011.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置される第１の基板及び第２の基板と、
前記第１の基板と第２の基板との間に充填された液晶とを備えた液晶表示装置において、
前記第１の基板の前記液晶と反対側の面に、塗布によって形成された偏光層を備え、
当該偏光層の前記第１の基板とは反対側の面に、集光レンズまたは光硬化型樹脂により形成された樹脂層を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記偏光層上に前記樹脂層を備え、
前記樹脂層の前記偏光層とは反対の面に、集光レンズを備えたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記偏光層上に前記集光レンズを備えたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記偏光層は、リオトロピック液晶性を有する二色性色素を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１の基板と前記偏光層との間に、前記偏光層の配向を行う配向処理層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記液晶より前記第１の基板側に、前記集光レンズを介して前記液晶を照射する照明装置を備え、
前記照明装置は、その光線の光強度が５０％となる角度が少なくとも一軸において±１５°以内のコリメート性を有していることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記集光レンズがオフセット印刷を用いて形成されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記偏光層は、その層厚が０．０１μｍから１０μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
対向配置される第１の基板及び第２の基板と、
前記第１の基板と第２の基板との間に充填された液晶とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、
前記第１の基板の前記液晶とは反対側の面に、偏光層材料を塗布及び硬化させることにより偏光層を形成する工程と、
形成した前記偏光層の前記第１の基板とは反対の面に、集光レンズまたは樹脂層を形成する工程とを備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記偏光層上に光硬化型樹脂を塗布して硬化させることにより、前記樹脂層を形成することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記樹脂層と前記偏光層とは反対の面に、集光レンズを形成する工程を備えることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記偏光層は、リオトロピック液晶性を有する二色性色素を含むことを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記偏光層を形成する前に、前記第１の基板の前記液晶とは反対側の面に配向処理層を形成する工程を備え、
前記配向処理層上に前記偏光層が形成されることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記集光レンズをオフセット印刷によって形成することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記偏光層の層厚を０．０１μｍから１０μｍの範囲内に設定することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明による液晶表示装置は、たとえば、対向配置される第１の基板及び第２の基板と、前記第１の基板と第２の基板との間に充填された液晶とを備えた液晶表示装置において、前記第１の基板の前記液晶と反対側の面に、塗布によって形成された偏光層を備え、当該偏光層の前記第１の基板とは反対側の面に、集光レンズまたは光硬化型樹脂により形成された樹脂層を備えたことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、たとえば、対向配置される第１の基板及び第２の基板と、前記第１の基板と第２の基板との間に充填された液晶とを備えた液晶表示装置の製造方法であって、前記第１の基板の前記液晶とは反対側の面に、偏光層材料を塗布及び硬化させることにより偏光層を形成する工程と、形成した前記偏光層の前記第１の基板とは反対の面に、集光レンズまたは樹脂層を形成する工程とを備えることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
これらの図を用いて、本発明の液晶表示装置の製造方法の実施例を説明する。まず、ＴＦＴ基板507（図５参照）およびカラーフィルター基板502（図５参照）のそれぞれの主面に液晶504の分子を配向させる配向膜503（図５参照）を形成する（図１、Ｐ-１）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
本実施例では、ドライバＩＣ203やフレキシブル・プリント基板204などの実装工程（図１１、Ｐ−７）後、偏光層508の形成（図１１、Ｐ−８）前にインクジェットを用いてアクリルモノマーと光反応開始剤を含む材料を用いて平坦な層を形成し、布を巻いたローラーでその平坦な層の表面を擦るラビング処理を行い、配向処理層521を形成した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
本実施例では、ドライバＩＣ203やフレキシブル・プリント基板204などの実装工程（図１１、Ｐ−７）後、偏光層508の形成（図１１、Ｐ−８）前にインクジェットを用いてアクリルモノマーと光反応開始剤を含む材料を用いて平坦な層を形成し、布を巻いたローラーでその平坦な層の表面を擦るラビング処理を行い、配向処理層521を形成した。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月22日(2010.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方向からの回転力で駆動する駆動軸と、駆動歯車、遊離して、被動軸を同軸線上に設置する。被動軸の一部分にスプラインを設け、該スプライン軸上に伝動回転車を設け、油圧シリンダー、ピストンロットにより瞬時に伝動回転車を摩擦円盤の直経全域間を移動可能にする。他の軸線上には、摩擦円盤軸と被動歯車をスプラインで嵌合し、２組の可動式摩擦円盤内蔵の歯車として、前記、駆動歯車と歯合させ、両摩擦円盤の軸先端部に、圧力増減を油圧装置にて行こない、両摩擦円盤のみ可動させ、両摩擦円盤間の間隔を変位させ、前記伝動回転車に対して、両端からの荷重の強弱を伝達すること特微とする構造にした無段変速機。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月18日(2010.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板貼り合せのための光照射装置において、光硬化性樹脂を形成した基板を設置するステージと、前記ステージの上方に配置された光照射ユニットを備えた光照射装置であって、
前記ステージの表面に、光吸収部材を形成したことを特徴とする光照射装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光照射装置において、
前記光照射ユニットは、複数の光学素子を一方向に配列し、前記各光学素子から出射される光ビームから直線状ビーム光を生成し、前記一方向に伸びる直線状ビーム光を、前記表面に前記光吸収部材を形成したステージに載置した前記基板に形成した直線状の光硬化性樹脂に対して、その直線状の光硬化樹脂の形成方向に一致させて照射することを特徴とする光照射装置。
【請求項３】
請求項２に記載の光照射装置において、
前記光照射ユニットに設けた複数の光学素子は、紫外線発光ダイオードであって、その複数の紫外線発光ダイオードから出射される紫外線ビームから生成される直線状ビーム光を、前記ステージに載置された液晶ディスプレイパネルの貼合わせ基板間に介在された紫外線硬化性樹脂からなる直線状のシール材に照射するとともに、
前記ステージの表面に形成した前記光吸収部材は、前記紫外線を吸収する紫外線吸収膜であることを特徴とする光照射装置。
【請求項４】
請求項３に記載の光照射装置において、
前記ステージの表面に形成した前記紫外線吸収膜は、黒色の紫外線吸収膜であることを特徴とする光照射装置。
【請求項５】
請求項４に記載の光照射装置において、
前記ステージは、アルミニウム製であって、前記黒色の紫外線吸収膜は、前記アルミニウム製のステージの表面を、黒アルマイト処理して形成した黒アルマイトであることを特徴とする光照射装置。
【請求項６】
請求項３〜５のいずれか１つに記載の光照射装置において、
前記光照射ユニットは、前記複数の紫外線発光ダイオードの出射側にそれぞれ半球レンズを配置し、その各半球レンズの前記紫外線発光ダイオードとは反対側の位置に棒状のシリンドリカルレンズを配置して、前記各紫外線発光ダイオードから出射される紫外線ビームから直線状ビーム光を生成するとともに、
前記紫外線発光ダイオードと前記半球レンズの間、又は、前記半球レンズと前記シリンドリカルレンズの間に、前記直線状ビーム光の線幅の方向に拡散を遮蔽制御するマスクを配置したことを特徴とする光照射装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、基板貼り合せのための光照射装置において、光硬化性樹脂を形成した基板を設置するステージと、前記ステージの上方に配置された光照射ユニットを備えた光照射装置であって、前記ステージの表面に、光吸収部材を形成した。
請求項１に記載の発明によれば、光硬化性樹脂に照射されずに、ステージまで到達したビーム光の一部は、光吸収部材にて吸収される。ステージまで到達したビーム光の一部が、ステージによって反射されて、光硬化性樹脂が形成された以外の基板の位置に照射されることがない。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の光照射装置において、前記光照射ユニットは、複数の光学素子を一方向に配列し、前記各光学素子から出射される光ビームから直線状ビーム光を生成し、前記一方向に伸びる直線状ビーム光を、前記表面に前記光吸収部材を形成したステージに載置した前記基板に形成した直線状の光硬化性樹脂に対して、その直線状の光硬化樹脂の形成方向に一致させて照射する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項２に記載の発明によれば、直線状の光硬化性樹脂に照射されずに、ステージまで到達した直線状ビーム光の一部は、光吸収部材にて吸収される。ステージまで到達した直線状ビーム光の一部が、ステージによって反射されて、光硬化性樹脂が形成された以外の基板の位置に照射されることがない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の光照射装置において、前記光照射ユニットに設けた複数の光学素子は、紫外線発光ダイオードであって、その複数の紫外線発光ダイオードから出射される紫外線ビームから生成される直線状ビーム光を、前記ステージに載置された液晶ディスプレイパネルの貼合わせ基板間に介在された紫外線硬化性樹脂からなる直線状のシール材に照射するとともに、前記ステージの表面に形成した前記光吸収部材は、前記紫外線を吸収する紫外線吸収膜である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項３に記載の発明によれば、シール材に照射されるべき直線状ビーム光の一部が、シール材に囲まれた領域に封入された液晶に照射されるのが防止され、紫外線による液晶の変質を防止することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の光照射装置において、前記ステージの表面に形成した前記紫外線吸収膜は、黒色の紫外線吸収膜である。
請求項４に記載の発明によれば、黒色は他の色に比べて紫外線を良く吸収することから、シール材に照射されずにステージに照射された直線状ビーム光の一部は、反射することなく吸収される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の光照射装置において、前記ステージは、アルミニウム製であって、前記黒色の紫外線吸収膜は、前記アルミニウム製のステージの表面を、黒アルマイト処理して形成した黒アルマイトである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項５に記載の発明によれば、ステージをアルミニウム製にし、それに黒アルマイト処理することで、ステージに紫外線を吸収する紫外線吸収膜を容易に作成できる。
請求項６に記載の発明は、請求項３〜５のいずれか１つに記載の光照射装置において、前記光照射ユニットは、前記複数の紫外線発光ダイオードの出射側にそれぞれ半球レンズを配置し、その各半球レンズの前記紫外線発光ダイオードとは反対側の位置に棒状のシリンドリカルレンズを配置して、前記各紫外線発光ダイオードから出射される紫外線ビームから直線状ビーム光を生成するとともに、前記紫外線発光ダイオードと前記半球レンズの間、又は、前記半球レンズと前記シリンドリカルレンズの間に、前記直線状ビーム光の線幅の方向に拡散を遮蔽制御するマスクを配置した。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項６に記載の発明によれば、直線状ビーム光の線幅をシール材の線幅に近づけることができ、シール材から外れにくい直線状ビーム光を生成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月14日(2009.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の成分（ｉ）〜（ｉｉｉ）：
（ｉ）１種以上のハロゲン化ランタニドを含むマトリクス材料、
（ｉｉ）セリウム、プラセオジム及びセリウムとプラセオジムの混合物からなる群から選択される元素を含むマトリックス材料用賦活剤、及び
（ｉｉｉ）ビスマス
及び場合によりそれらの反応生成物を含んでいて、ハロゲン化ランタニドと賦活剤とビスマスのモル比が９８：１：１〜１：１：９８である、シンチレータ組成物。
【請求項２】
ハロゲン化ランタニドと賦活剤とビスマスのモル比が９８：１：１〜８９：１：１０である、請求項１記載のシンチレータ組成物。
【請求項３】
ハロゲン化ランタニドマトリクス材料が（イ）２種以上のハロゲン化ランタニドの固溶体及び（ロ）酸素を実質的に含まないヨウ化ランタンからなる群から選択される、請求項１又は請求項２記載のシンチレータ組成物。
【請求項４】
成分（ｉ）のハロゲン化ランタニドが、臭化ランタン、塩化ランタン、ヨウ化ランタン、塩化ルテチウム、臭化ルテチウム、塩化イットリウム、臭化イットリウム、塩化ガドリニウム、臭化ガドリニウム、塩化プラセオジム、臭化プラセオジム及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のシンチレータ組成物。
【請求項５】
前記固溶体が塩化ランタンと臭化ランタンとを含む、請求項３記載のシンチレータ組成物。
【請求項６】
塩化ランタンと臭化ランタンとのモル比が１：９９〜９９：１である、請求項３記載のシンチレータ組成物。
【請求項７】
ヨウ化ランタンをさらに含む、請求項５又は請求項６記載のシンチレータ組成物。
【請求項８】
ヨウ化ランタンの存在量が、固溶体中に存在するハロゲン化ランタンの総モル数を基準にして０．１〜９９モル％である、請求項７記載のシンチレータ組成物。
【請求項９】
高エネルギー放射線用の放射線検出器であって、
（ａ）請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載のシンチレータ組成物からなる結晶シンチレータと、
（ｂ）シンチレータで発生した光パルスの放出に応答して電気信号を発生することができるようにシンチレータと光学的に結合した光検出器と
を備える放射線検出器。
【請求項１０】
シンチレーション検出器での高エネルギー放射線の検出方法であって、当該方法が
（ａ）賦活ハロゲン化ランタニド系シンチレータ結晶で放射線を受けて、放射線に特有の光子を発生させるステップと、
（ｂ）シンチレータ結晶と結合した光子検出器で光子を検出するステップと
を含み、上記シンチレータ結晶が請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載のシンチレータ組成物からなる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月25日(2011.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
島状の半導体膜を用いた半導体素子を有する素子層と、積層された複数の繊維体に有機樹脂が含浸された一対の構造体とを有し、
前記素子層は前記一対の構造体の間に固着されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記一対の構造体は、一方の厚さに対する他方の厚さの比が０．８以上１．２以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記半導体素子は、トランジスタであり、
前記トランジスタは、互いに分離した複数のチャネル形成領域を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記半導体素子は、複数のトランジスタであり、
前記複数のトランジスタは、互いにゲート、ソース、ドレインがそれぞれ接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、前記繊維体は織布または不織布であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記複数の繊維体は、それぞれ織布であって、有機化合物または無機化合物の単糸が複数束ねられた経糸及び緯糸を用いていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記複数の繊維体のうち少なくとも２つの繊維体は、前記経糸及び前記緯糸の方向が互いにずれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
前記繊維体は、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維を用いることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
前記有機樹脂は、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、またはシアネート樹脂であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項９において、
前記熱可塑性樹脂は、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、またはフッ素樹脂であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項において、
前記一対の構造体を重ね合わせた厚さは、２０μｍ以上１００μｍ以下である特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項において、
前記繊維体の糸束内又は前記有機樹脂内に高熱伝導性フィラーを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項において、
前記素子層の厚さは、１μｍ以上１０μｍ以下である特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月16日(2011.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気部品（３）を備えたモジュール（１０）であって、
電気部品（３）を取り囲んでいる内部ハウジング（１）が設けられていて、該内部ハウジング（１）が、少なくとも１つの外側に第１の電気コンタクト手段（２）を有しており、
内部ハウジング（１）が内部に配置されている外側ハウジング（５）が設けられており、
外側ハウジング（５）が第２の電気コンタクト手段（６）を有しており、
第２の電気コンタクト手段（６）が外側ハウジング（５）の内部から少なくとも１つの外側にまで延びている形式のものにおいて、
複数のピンが設けられていて、これらのピンのうちの少なくとも１つのピンが、面状に内部ハウジング（１）の下に配置されているコンタクトピンであり、
第１のコンタクト手段（２）と第２のコンタクト手段（６）とが互いに接続されており、
第１のコンタクト手段（２）と第２のコンタクト手段（６）とが、電気部品（３）のための電磁遮蔽体を形成しており、
モジュール（１０）がセンサモジュールであって、電気部品（３）がマイクロメカニカルセンサであり、
第１のコンタクト手段（２）と第２のコンタクト手段（６）とが少なくとも１つの領域において互いに向かい合って位置するように配置されていて、電気部品（３）がこの領域において第１のコンタクト手段（２）と第２のコンタクト手段（６）との間に配置されていることを特徴とする、電気部品（３）を備えたモジュール（１０）。
【請求項２】
第１のコンタクト手段（２）と第２のコンタクト手段（６）とが、溶接結合、ろう接結合、プレス結合又はワイヤボンディング結合によって互いに接続されている、請求項１記載のモジュール（１０）。
【請求項３】
内側ハウジング（１）が外側ハウジング（５）内に、接着結合又は封止用コンパウンドを用いて又は包埋成形に基づいて固定されている、請求項１記載のモジュール（１０）。
【請求項４】
電気部品（３）が、付加的なプリント基板なしに直接外側ハウジング（５）内に組み込まれている、請求項１記載のモジュール（１０）。
【請求項５】
マイクロメカニカルセンサが、評価回路と金属製のリードフレームとを有していて、外側ハウジング（５）内に組み込まれている、請求項１記載のモジュール（１０）。
【請求項６】
マイクロメカニカルセンサが、評価回路と、金属製の導体路を備えた坦体基板としての積層板とを有していて、外側ハウジング（５）内に組み込まれている、請求項１記載のモジュール（１０）。
【請求項７】
第１のコンタクト手段（２）と第２のコンタクト手段（６）とが、溶接結合、ろう接結合、プレス結合又はワイヤボンディング結合によって互いに接続されており、内側ハウジング（１）が外側ハウジング（５）内に、接着結合又は封止用コンパウンドを用いて又は包埋成形に基づいて固定されている、請求項１記載のモジュール（１０）。
【請求項８】
電気部品（３）が、付加的なプリント基板なしに直接外側ハウジング（５）内に組み込まれており、パッシブ型の電気部品が、モジュールハウジング内に組み込まれており、マイクロメカニカルセンサが、評価回路と金属製のリードフレームとを有していて、外側ハウジング（５）内に組み込まれている、請求項７記載のモジュール（１０）。
【請求項９】
電気部品（３）が、付加的なプリント基板なしに直接外側ハウジング（５）内に組み込まれており、パッシブ型の電気部品が、モジュールハウジング内に組み込まれており、マイクロメカニカルセンサが、評価回路と、金属製の導体路を備えた坦体基板としての積層板とを有していて、外側ハウジング（５）内に組み込まれている、請求項７記載のモジュール（１０）。
【請求項１０】
電気部品（３）が、付加的なプリント基板なしに直接外側ハウジング（５）内に組み込まれており、パッシブ型の電気部品が、モジュールハウジング内に組み込まれており、マイクロメカニカルセンサが、評価回路と金属製のリードフレームとを有していて、外側ハウジング（５）内に組み込まれている、請求項１記載のモジュール（１０）。
【請求項１１】
電気部品（３）が、付加的なプリント基板なしに直接外側ハウジング（５）内に組み込まれており、パッシブ型の電気部品が、モジュールハウジング内に組み込まれており、マイクロメカニカルセンサが、評価回路と、金属製の導体路を備えた坦体基板としての積層板とを有していて、外側ハウジング（５）内に組み込まれている、請求項１記載のモジュール（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月19日(2011.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧａＡｓを含んで成る半導体基板（３）上に少なくとも２つの相互に積層して配置されたレーザ積層体（４ａ，４ｂ，４ｃ）を有し、前記レーザ積層体が、導波層（８）の間に配置されているそれぞれ１つの活性領域（７）を含み、かつ前記導波層（８）が、活性領域（７）とは反対側でそれぞれ１つのクラッド層（６）に隣接している、多重ビームレーザダイオードとしての構造を有するモノリシック集積型レーザダイオードチップであって、少なくとも１つのレーザ積層体（４ａ，４ｂ，４ｃ）の前記の導波層（８）もしくはクラッド層（６）の少なくとも１つが、ＡｌxＧａ1-xＡｓ（式中、０≦ｘ≦１）と、少なくとも１つの第ＩＩＩ主族もしくは第Ｖ主族の付加的な元素とを有し、少なくとも１つの付加的な元素を有する少なくとも１つの導波層（８）もしくはクラッド層（６）と、ＧａＡｓを含んで成る半導体基板（３）との間の格子不整合が低減され、前記少なくとも１つの導波層（８）もしくはクラッド層（６）の格子定数が前記付加的な元素によって低減されており、かつ前記少なくとも１つの導波層（８）もしくはクラッド層（６）が基板と隣接していることを特徴とするレーザダイオードチップ。
【請求項２】
請求項１に記載のレーザダイオードチップであって、少なくとも１つの付加的な元素が、Ｐ、Ｎ、ＩｎもしくはＳｂであることを特徴とするレーザダイオードチップ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のレーザダイオードチップであって、少なくとも１つの導波層（８）と少なくとも１つのクラッド層（６）又は少なくとも２つの導波層（８）もしくは少なくとも２つのクラッド層（６）が、ＡｌxＧａ1-xＡｓ（式中、０≦ｘ≦１）と、少なくとも１つの付加的な元素とを含有することを特徴とするレーザダイオードチップ。
【請求項４】
請求項３に記載のレーザダイオードチップであって、少なくとも１つの導波層（８）と少なくとも１つのクラッド層（６）又は少なくとも２つの導波層（８）もしくは少なくとも２つのクラッド層（６）が、少なくとも１つの付加的な元素を異なる濃度で有することを特徴とするレーザダイオードチップ。
【請求項５】
請求項１又は２に記載のレーザダイオードチップであって、少なくとも１つのレーザ積層体（４ａ，４ｂ，４ｃ）の各導波層（８）及び各クラッド層（６）中に、ＡｌxＧａ1-xＡｓ（式中、０≦ｘ≦１）と、少なくとも１つの付加的な元素とが含まれていることを特徴とするレーザダイオードチップ。
【請求項６】
請求項１又は２に記載のレーザダイオードチップであって、各レーザ積層体（４ａ，４ｂ，４ｃ）の各導波層（８）及び各クラッド層（６）中に、ＡｌxＧａ1-xＡｓ（式中、０≦ｘ≦１）と、少なくとも１つの付加的な元素とが含まれていることを特徴とするレーザダイオードチップ。
【請求項７】
請求項１又は２に記載のレーザダイオードチップであって、少なくとも１つの付加的な元素が、少なくとも１つの導波層（８）もしくはクラッド層（６）の内部で、その濃度において空間的に変化していることを特徴とするレーザダイオードチップ。
【請求項８】
請求項１又は２に記載のレーザダイオードチップであって、少なくとも１つの導波層（８）もしくはクラッド層（６）が、少なくとも１つの第ＩＩＩ主族もしくは第Ｖ主族の他の付加的な元素を有することを特徴とするレーザダイオードチップ。
【請求項９】
請求項８に記載のレーザダイオードチップであって、少なくとも１つの導波層（８）もしくはクラッド層（６）が、ＩｎＡｌＧａＡｓＰ、ＩｎＡｌＧａＡｓＰＳｂもしくはＡｌＧａＡｓＰＳｂを含有することを特徴とするレーザダイオードチップ。
【請求項１０】
請求項１又は２に記載のレーザダイオードチップであって、少なくとも１つの他の導波層（８）もしくはクラッド層（６）が、ＡｌxＧａ1-xＡｓ（式中、０≦ｘ≦１）と、少なくとも１つの第ＩＩＩ主族もしくは第Ｖ主族の他の元素とを有し、少なくとも１つの他の元素を有する少なくとも１つの他の導波層（８）もしくはクラッド層（６）と、ＧａＡｓを含んで成る半導体基板（３）との間の格子不整合が低減されていることを特徴とするレーザダイオードチップ。
【請求項１１】
請求項１又は２に記載のレーザダイオードチップであって、少なくとも１つの付加的な元素を有する少なくとも１つの導波層（８）もしくはクラッド層（６）と、ＧａＡｓを含んで成る半導体基板（３）とが、同じ格子定数を有することを特徴とするレーザダイオードチップ。
【請求項１２】
請求項１又は２に記載のレーザダイオードチップであって、少なくとも１つの付加的な元素が、第Ｖ主族の元素であり、前記付加的な元素の割合が、第Ｖ主族の元素について、少なくとも１つの導波層（８）もしくはクラッド層（６）において、高くても１５％であることを特徴とするレーザダイオードチップ。
【請求項１３】
請求項１又は２に記載のレーザダイオードチップであって、少なくとも１つの付加的な元素が、第ＩＩＩ主族の元素であり、前記付加的な元素の割合が、第ＩＩＩ主族の元素について、少なくとも１つの導波層（８）もしくはクラッド層（６）において、高くても１５％であることを特徴とするレーザダイオードチップ。
【請求項１４】
請求項１又は２に記載のレーザダイオードチップであって、レーザ積層体（４ａ，４ｂ，４ｃ）が、トンネル接合（５）によって互いに接続されていることを特徴とするレーザダイオードチップ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月27日(2011.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート構造物を形成する段階と、
前記ゲート構造物上に層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜の表面を水素ガス雰囲気に露出して前記基板を熱処理する段階と、
前記熱処理する段階の後、前記層間絶縁膜上にシリコン窒化膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜上に金属配線を形成する段階と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記金属配線は、銅を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記熱処理する段階の前に、前記基板と接触する前記層間絶縁膜を貫通するプラグを形成する段階を更に含み、
前記金属配線は、前記プラグに電気的に接続されることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記プラグは、タングステンを含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記熱処理する段階の前に、前記基板と接触する前記層間絶縁膜を貫通するプラグを形成する段階を更に含み、
前記金属配線は、前記プラグに電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記プラグを形成する段階は、
前記基板を露出する開口を前記層間絶縁膜に形成する段階と、
前記開口の内部及び前記層間絶縁膜上に導電膜を形成する段階と、
前記導電膜の上部を前記層間絶縁膜が露出するまで平坦化する段階と、
を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記導電膜の上部を平坦化する段階は、機械的化学的研磨工程、エッチバック工程、またはこれらの混合工程によって行われることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記層間絶縁膜を形成する段階は、前記ゲート構造物を覆う第１層間絶縁膜を形成する段階を含み、
前記金属配線を形成する段階は、
前記シリコン窒化膜上に第２層間絶縁膜を形成する段階と、
前記第２層間絶縁膜及び前記シリコン窒化膜を貫通しかつ前記プラグを露出させるホールを形成する段階と、
前記ホールを埋め立てる金属膜を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２層間絶縁膜は、低誘電物質を含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記熱処理工程は、前記層間絶縁膜の表面を水素ガス及び非活性ガスを含む混合ガス雰囲気に露出して行われることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月20日(2011.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に導電膜パターンを形成する段階と、
前記基板表面及び前記導電膜パターンの表面上に酸化膜を形成する段階と、
不純物の拡散に要求されるエネルギーが上昇するように前記酸化膜を表面処理して拡散防止膜を形成する段階と、
前記拡散防止膜を通じて前記導電膜パターン両側の基板及び前記導電膜パターンに前記不純物を注入して、前記基板に不純物領域を形成する段階と、を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記酸化膜は２０〜１００Åの厚さに形成され、前記不純物はＰ型不純物を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記拡散防止膜を形成する段階は、水素、ヘリウム、窒素、アルゴン、酸素、及びオゾンからなる群より選択された少なくとも一種のガスから生成されたプラズマを用いるプラズマ処理を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記プラズマ処理は、１〜５分間３００〜７００℃の温度にて行われることを特徴とする請求項３に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記拡散防止膜を形成する段階は、紫外線照射を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記紫外線照射は、４００〜６００℃の温度で不活性ガス雰囲気下で行われることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項７】
前記拡散防止膜上にスペーサ膜を形成する段階と、
前記拡散防止膜をエッチング防止膜に用いて前記スペーサ膜を異方性エッチングすることによって前記導電膜パターンの側壁に位置する拡散防止膜上にスペーサを形成する段階と、を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記スペーサ膜を形成する段階と前記拡散防止膜を形成する段階とは、インサイチュで行われることを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項９】
前記酸化膜を形成する段階の前に、前記基板にＰ型不純物を注入して低濃度不純物領域を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
前記導電膜パターンの両側に前記低濃度不純物領域の位置を調節するためのオフセットスペーサを形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項１０に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
前記不純物領域の形成された基板を熱処理して前記不純物領域にドープされている不純物を活性化させる段階を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月27日(2011.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波エネルギーを発生させるためのマイクロ波エネルギー発生器、を備えるタイプの紫外線ランプシステム、のための検出器であって、
前記マイクロ波エネルギーを検出するよう構成された、過剰な量のマイクロ波エネルギーに晒されると故障することができる少なくとも１つの放射線感受性素子を備える第１の回路と、
前記第１の回路に繋がれており、前記放射線感受性素子が故障したかどうかを断続的にテストするよう構成された第２の回路と、
を備える検出器。
【請求項２】
前記第２の回路は、前記放射線感受性素子をテストするために、既知の信号を前記第１の回路に供給するよう構成される、請求項１に記載の検出器。
【請求項３】
前記第２の回路は更に、前記放射線感受性素子をテストするために、前記第１の回路による前記マイクロ波エネルギーの検出を一時的に停止させるよう構成される、請求項２に記載の検出器。
【請求項４】
前記放射線感受性素子は検出ダイオードであって、前記第２の回路は該検出ダイオードを隔てての開回路またはショート回路を検出するよう構成される、請求項１に記載の検出器。
【請求項５】
前記放射線感受性素子は抵抗器であって、前記第２の回路は該抵抗器を隔てての開回路またはショート回路を検出するよう構成される、請求項１に記載の検出器。
【請求項６】
紫外線ランプシステムから放出されるマイクロ波エネルギーを監視するための方法であって、
過剰な量のマイクロ波エネルギーに晒されると故障することができる少なくとも１つの放射線感受性素子を備える第１の回路を介してマイクロ波エネルギーを監視する段階と、  前記放射線感受性素子をテストして、前記放射線感受性素子が故障したかどうかを決定する段階と、
を含む、方法。
【請求項７】
前記放射線感受性素子のテストは、前記放射線感受性素子の故障を検出するために既知の信号を前記第１の回路へ断続的に供給する段階を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記放射線感受性素子のテストは、
前記第１の回路による前記マイクロ波エネルギーの監視を断続的に停止させる段階と、  前記マイクロ波エネルギーの監視が停止されている間に前記既知の信号を供給する段階と、
を更に含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記放射線感受性素子のテストは、開回路またはショート回路を検出する段階を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
マイクロ波エネルギーが存在しないときに前記放射線感受性素子の較正テスト値を記憶する段階を更に含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記放射線感受性素子のテストは、
前記マイクロ波エネルギーの存在を検出する段階と、
前記マイクロ波エネルギーの存在に応答して、前記放射線感受性素子の故障を検出するために、前記第１の回路に既知の信号を断続的に供給する段階と、
前記マイクロ波エネルギーの不在に応答して、前記放射線感受性素子からの信号を前記較正テスト値と比較して較正におけるドリフトを検出する段階と、
を含む、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月1日(2011.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両用の楕円型ヘッドライトであって、
当該ヘッドライトは、光（３）を送出するランプ（２）と、当該送出された光（３）の少なくとも一部分を反射させるリフレクター（４）と、当該反射された光（６）の少なくとも一部を、車両前方の走行路上に光分布として投影する投影レンズ（７）とを有しており、
前記ランプ（２）は長手軸方向延在部を有する発光体（５）を有しており、前記発光体（５）の長手軸方向延在部が、前記リフレクター（４）の光軸（ＡＡ）に対して実質的に軸方向に配向されるように、前記ランプ（２）が前記リフレクター（４）内に組み込まれている形式のものにおいて、
前記ランプ（２）の長手軸（１４）が実質的に、前記リフレクター（４）の光軸（ＡＡ）に対して横向きに延在し、かつ前記リフレクター（４）の頂部領域に拡張されたリフレクター面が構成されるように、前記ランプ（２）は前記リフレクター（４）内に組み込まれており、
光ビームは当該拡張されたリフレクター面での反射後に新たに前記ランプ（２）のガラスバルブに当たる、
ことを特徴とする楕円型ヘッドライト。
【請求項２】
前記反射された光（６）のビーム路内に、上端（１０）を有するブラインド（９）が配置されており、
明暗境界を有する照明機能を生成する、殊にロービームまたはフォグライトを生成する前記投影レンズ（７）は、前記ブラインド（９）の上端（１０）を光分布の明暗境界として車両前の走行路上に投影する、請求項１記載のヘッドライト。
【請求項３】
前記ランプ（２）は下方から前記リフレクター（４）内に組み込まれる、請求項１または２記載のヘッドライト。
【請求項４】
前記ランプ（２）は側方から前記リフレクター（４）内に組み込まれる、請求項１または２記載のヘッドライト。
【請求項５】
前記ランプ（２）は斜め下方から、ヘッドライトの光軸（ＡＡ）に対して平行に延在している垂直な中心面（１３）に対して角度αで、リフレクター（４）内に組み込まれており、ここで０°＜｜α｜＜９０°、殊に２０°＜｜α｜＜６０°である、請求項１または２記載のヘッドライト。
【請求項６】
前記ランプ（２）はＨ３ランプとして構成されている、請求項１から５までのいずれか１項記載のヘッドライト。
【請求項７】
前記ヘッドライトは、フォグライト分布を生成するように構成されている、請求項１から６までのいずれか１項記載のヘッドライト。
【請求項８】
前記ヘッドライトは、ロービーム分布を生成するように構成されている、請求項１から６までのいずれか１項記載のヘッドライト。
【請求項９】
前記ヘッドライトは、ハイビーム分布を生成するように構成されている、請求項１から６までのいずれか１項記載のヘッドライト。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月18日(2011.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極および負極と共に電解液を備え、
前記負極は、負極集電体と、それに設けられた負極活物質層とを有し、
前記負極活物質層は、ケイ素（Ｓｉ）を含有すると共に３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の孔径の細孔群を有する負極活物質を含み、
ケイ素の単位重量当たりにおける、水銀ポロシメータを用いて水銀圧入法によって測定される３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の孔径の細孔群の容積は、０．２ｃｍ3 ／ｇ以下である、
二次電池。
【請求項２】
ケイ素の単位重量当たりにおける３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の孔径の細孔群の容積は、０．０５ｃｍ3 ／ｇ以下である、請求項１記載の二次電池。
【請求項３】
ケイ素の単位重量当たりにおける３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の孔径の細孔群の容積は、０ｃｍ3 ／ｇである、請求項１記載の二次電池。
【請求項４】
ケイ素の単位重量当たりにおける、水銀ポロシメータを用いて水銀圧入法によって測定される３ｎｍ以上２０ｎｍ以下の孔径の細孔群の容積は、０．２ｃｍ3 ／ｇ以下である、請求項１記載の二次電池。
【請求項５】
ケイ素の単位重量当たりにおける３ｎｍ以上２０ｎｍ以下の孔径の細孔群の容積は、０．０５ｃｍ3 ／ｇ以下である、請求項４記載の二次電池。
【請求項６】
ケイ素の単位重量当たりにおける３ｎｍ以上２０ｎｍ以下の孔径の細孔群の容積は、０ｃｍ3 ／ｇである、請求項４記載の二次電池。
【請求項７】
前記負極活物質層は、前記細孔内に酸化物含有膜を有する、請求項１記載の二次電池。
【請求項８】
前記酸化物含有膜は、ケイ素、ゲルマニウム（Ｇｅ）およびスズ（Ｓｎ）からなる群のうちの少なくとも１種の酸化物を含有する、請求項７記載の二次電池。
【請求項９】
前記酸化物含有膜は、液相析出法、ゾルゲル法、塗布法あるいはディップコーティング法によって形成されている、請求項７記載の二次電池。
【請求項１０】
前記負極活物質層は、前記細孔内に電極反応物質と合金化しない金属材料を有する、請求項１記載の二次電池。
【請求項１１】
前記金属材料は、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）および銅（Ｃｕ）からなる群のうちの少なくとも１種を含有する、請求項１０記載の二次電池。
【請求項１２】
前記金属材料は、電解鍍金法あるいは無電解鍍金法によって形成されている、請求項１０記載の二次電池。
【請求項１３】
前記負極活物質は、複数の粒子状である、請求項１記載の二次電池。
【請求項１４】
前記粒子状の負極活物質は、多層構造を有する、請求項１３記載の二次電池。
【請求項１５】
前記負極活物質は、気相法によって形成されている、請求項１記載の二次電池。
【請求項１６】
前記負極活物質は、酸素を含有し、前記負極活物質中における酸素の含有量は、３原子数％以上４０原子数％以下である、請求項１記載の二次電池。
【請求項１７】
前記負極活物質は、鉄、コバルト、ニッケル、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）およびモリブデン（Ｍｏ）からなる群のうちの少なくとも１種の金属元素を含有する、請求項１記載の二次電池。
【請求項１８】
負極集電体と、それに設けられた負極活物質層とを有し、
前記負極活物質層は、ケイ素を含有すると共に３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の孔径の細孔群を有する負極活物質を含み、
ケイ素の単位重量当たりにおける、水銀ポロシメータを用いて水銀圧入法によって測定される３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の孔径の細孔群の容積は、０．２ｃｍ3 ／ｇ以下である、
負極。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の二次電池は、正極および負極と共に電解液を備え、負極が負極集電体とそれに設けられた負極活物質層とを有し、負極活物質層がケイ素を含有すると共に３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の孔径の細孔群を有する負極活物質を含み、ケイ素の単位重量当たりにおける、水銀ポロシメータを用いて水銀圧入法によって測定される３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の孔径の細孔群の容積が、０．２ｃｍ3 ／ｇ以下のものである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月26日(2011.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも３個づつ可動台に対向するように配置された浮上用電磁石を具備した固定台と、前記浮上用電磁石により非接触磁気浮上方式により支持される可動台と、前記可動台に具備された浮上制御用のギャップセンサと、前記可動台の中央に配置された２次元リニアセンサと、前記可動台を駆動するリニアモータとを備え、前記可動台の重心位置近傍の位置を検出する複数の光学式計測手段と低精度ギャップセンサを備えたことを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
前記可動台のＸ軸方向の変位を計測するために、前記可動台のＹ軸方向の移動方向に平行な前記固定台および前記可動台の一面に開口部を備えたことを特徴とする請求項１記載のステージ装置。
【請求項３】
前記可動台の前記開口部は、前記固定台の前記開口部よりも前記可動台のＹ軸方向の移動方向について大きく形成されたことを特徴とする請求項１または２に記載のステージ装置。
【請求項４】
前記可動台の前記開口部は、前記可動部の前記重心位置に対して対称構造に形成されたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載のステージ装置。
【請求項５】
前記可動台の前記重心位置近傍に、前記光学式計測手段の反射ミラーが備えられたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載のステージ装置。
【請求項６】
少なくとも３個づつ可動台に対向するように配置された浮上用電磁石を具備した固定台と、前記浮上用電磁石により非接触磁気浮上方式により支持される可動台と、前記可動台に具備された浮上制御用のギャップセンサと、前記可動台の中央に配置された２次元リニアセンサと、前記可動台を駆動するリニアモータとを備え、前記ギャップセンサが、低精度ギャップセンサとＺ軸光学式計測手段からなり、前記可動台と前記固定台間のギャップを計測し、前記可動台の浮上時に前記低精度ギャップセンサの信号を用いて浮上制御し、浮上後に前記Ｚ軸光学式計測手段の信号を用いて浮上制御し、前記可動台は、前記２次元リニアセンサの信号をもとに駆動され、前記可動台の位置決め時には、センサ信号がＸ軸用光学式計測手段およびＹ軸光学式計測手段の信号を用いて平面内の位置制御されることを特徴とするステージ装置の制御方法。
【請求項７】
前記固定台に備えた直動アクチュエータは、前記固定台に備えた回転検出ギャップセンサの検出信号に基づいて、回転補正し、回転補正後に前記可動台が浮上するようにしたことを特徴とする請求項６記載のステージ装置の制御方法。
【請求項８】
請求項１から５のいずれか１つに記載の前記ステージ装置であって、前記ステージ装置によって被搬送物を位置決めすることを特徴とする露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記問題を解決するため、本発明は、次のように構成したのである。
請求項１記載の発明は、少なくとも３個づつ可動台に対向するように配置された浮上用電磁石を具備した固定台と、前記浮上用電磁石により非接触磁気浮上方式により支持される可動台と、前記可動台に具備された浮上制御用のギャップセンサと、前記可動台の中央に配置された２次元リニアセンサと、前記可動台を駆動するリニアモータとを備え、前記可動台の重心位置近傍の位置を検出する複数の光学式計測手段と低精度ギャップセンサを備えたものである。
また、請求項２記載の発明は、前記可動台のＸ軸方向の変位を計測するために、前記可動台のＹ軸方向の移動方向に平行な前記固定台および前記可動台の一面に開口部を備えたものである。
請求項３に記載の発明は、前記可動台の開口部は、前記固定台の開口部よりも前記可動台のＹ軸方向の移動方向について大きく形成されたものである
請求項４に記載の発明は、前記可動台の前記開口部は、前記可動部の前記重心位置に対して対称構造に形成されたものである。
請求項５に記載の発明は、前記可動台の前記重心位置近傍に、前記光学式計測手段の反射ミラーが備えられたものである。
請求項６に記載の発明は、少なくとも３個づつ可動台に対向するように配置された浮上用電磁石を具備した固定台と、前記浮上用電磁石により非接触磁気浮上方式により支持される可動台と、前記可動台に具備された浮上制御用のギャップセンサと、前記可動台の中央に配置された２次元リニアセンサと、前記可動台を駆動するリニアモータとを備え、前記ギャップセンサが、低精度ギャップセンサとＺ軸光学式計測手段からなり、前記可動台と前記固定台間のギャップを計測し、前記可動台の浮上時に前記低精度ギャップセンサの信号を用いて浮上制御し、浮上後に前記Ｚ軸光学式計測手段の信号を用いて浮上制御し、前記可動台は、前記２次元リニアセンサの信号をもとに駆動され、前記可動台の位置決め時には、センサ信号がＸ軸用光学式計測手段およびＹ軸光学式計測手段の信号を用いて平面内の位置制御されるものである。
請求項７に記載の発明は、前記固定台に備えた直動アクチュエータは、前記固定台に備えた回転検出ギャップセンサの検出信号に基づいて、回転補正し、回転補正後に前記可動台が浮上するようにしたものである。
請求項８に記載の発明は、前記ステージ装置であって、前記ステージ装置によって被搬送物を位置決めするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明によれば、光学式計測器の光路が通じる穴が固定台に具備されたことで、別途に光路が設けられることがないので、ステージ装置は小型化される。小型化されることにより、駆動用リニアモータの発熱量は低減され、熱膨張が抑制されることにより、走行性能や姿勢精度は向上する。
また、可動台に作用する浮上力の作用点と可動台の重心位置の相対関係および発生する浮上力が、可動台の移動位置に係わらず一定となるように浮上用電磁石および浮上用磁性片の形状が形成されたことにより、可動台の位置が変化しても可動台の浮上量は常に一定となることから制御性が向上する。また、浮上量に応じて、ギャップセンサを切り替えることで広範囲な領域で浮上制御ができるとともに、高精度な浮上制御が可能となる。
また、可動台に作用する駆動力の作用点と可動台の重心位置の相対関係および発生する駆動力が、可動台の移動位置に係わらず一定となるように制御されることから制御性が向上する。また、位置決め時のリニアセンサを切り替えることで、広範囲な領域で移動量が制御できるとともに、高精度な位置決め制御が可能となる。
また、可動台が非接触に支持されたステージ装置により、露光作業が可能である。