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【手続補正書】
【提出日】平成21年2月10日(2009.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
安定化フッ素系界面活性剤含有フルオロポリマー水性分散液のフッ素系界面活性剤含有量を低減する方法であって、
陰イオン交換樹脂の第１固定床に前記安定化フッ素系界面活性剤含有フルオロポリマー水性分散液を通して、フッ素系界面活性剤を低減する工程であって、前記第１固定床が、前記イオン交換樹脂が飽和するにしたがって前記固定床を通って移動する作業領域を有する工程と、
前記分散液が前記第１固定床から出た際に、前記分散液の特性をモニターし、前記第１固定床の飽和を示している前記作業領域の漏出を決定する工程であって、前記特性が、ｐＨおよび導電率からなる群から選択される工程と
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
第１カラムの飽和を確認するために、第２カラムに界面活性剤を逸らす前に、安定化界面活性剤のフッ素系界面活性剤含有量が、オフラインで約２００ｐｐｍであると決定され、作業領域の漏出、つまりカラムの飽和が確認される。
本出願は、特許請求の範囲に記載の発明を含め、以下の発明を包含する。
（１）  安定化フッ素系界面活性剤含有フルオロポリマー水性分散液のフッ素系界面活性剤含有量を低減する方法であって、
陰イオン交換樹脂の第１固定床に前記安定化フッ素系界面活性剤含有フルオロポリマー水性分散液を通して、フッ素系界面活性剤を低減する工程であって、前記第１固定床が、前記イオン交換樹脂が飽和するにしたがって前記固定床を通って移動する作業領域を有する工程と、
前記分散液が前記第１固定床から出た際に、前記分散液の特性をモニターし、前記第１固定床の飽和を示している前記作業領域の漏出を決定する工程であって、前記特性が、ｐＨおよび導電率からなる群から選択される工程と
を含むことを特徴とする方法。
（２）  前記モニタリングが、前記第１固定床の飽和を決定した場合に、第２固定床に前記分散液を通す工程をさらに含むことを特徴とする（１）に記載の方法。
（３）  前記固定床が、カラムに収容されていることを特徴とする（１）に記載の方法。
（４）  前記陰イオン交換樹脂が、ポリマーマトリックスおよび第４級アンモニウム基を含む官能基を含むことを特徴とする（１）に記載の方法。
（５）  前記陰イオン交換樹脂が、陰イオン交換樹脂のビーズを含み、前記ビーズが単分散であることを特徴とする（１）に記載の方法。
（６）  陰イオン交換樹脂の第１固定床に前記安定化フッ素系界面活性剤含有フルオロポリマー水性分散液を通してフッ素系界面活性剤含有量を低減する前記工程が、約３００ｐｐｍ以下の所定のレベルにフッ素系界面活性剤含有量を低減することを特徴とする（１）に記載の方法。
（７）  陰イオン交換樹脂の第１固定床に前記安定化フッ素系界面活性剤含有フルオロポリマー水性分散液を通してフッ素系界面活性剤含有量を低減する前記工程が、約１００ｐｐｍ以下の所定のレベルにフッ素系界面活性剤含有量を低減することを特徴とする（１）に記載の方法。
（８）  陰イオン交換樹脂の第１固定床に前記安定化フッ素系界面活性剤含有フルオロポリマー水性分散液を通してフッ素系界面活性剤含有量を低減する前記工程が、約５０ｐｐｍ以下の所定のレベルにフッ素系界面活性剤含有量を低減することを特徴とする（１）に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月10日(2009.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＯＳＳ及びＰＯＳからなる群より選択されるナノ構造材料で、ゼオライト若しくは分子篩の内部表面を被覆することを含むゼオライト若しくは分子篩の透過性の調整方法であって、ゼオライト若しくは分子篩の気体分離特性が、被覆の結果変性されものである、方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、ゼオライト若しくは分子篩は、無溶媒技術及び超臨界流体支援技術から成る群より選択される技術を使用して、ナノ構造材料で被覆される方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法であって、その技術が、溶融状態処理法、噴霧処理法、流動処理法及び混合処理法から成る群より選択される処理方法である方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法であって、ナノ構造材料が、ＰＯＳＳ-シラノール、式［(ＲＳｉＯ１．５)４(Ｒ１ＸＳｉＯ１．０)３］Σ7のシロキサイド、ポリシルセスキオキサン［(ＲＳｉＯ１．５)ｎ］Σ＃及びＰＯＳＳ断片［(ＲＳｉＯ１．５)ｍ(Ｒ１ＸＳｉＯ１．０)ｎ］Σ＃から成る群より選択される化合物由来であり、ここで、ＲとＲ１は、有機置換基を表し、同一か異なることができ、Ｘは、官能基であり、ｍ及びｎは、式の化学量論を表し、Σは、ナノ構造を表し、＃は、ナノ構造内に含まれる珪素原子の数を表す、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月10日(2009.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素系界面活性剤の存在下において水性媒体中で少なくとも１つのフルオロモノマーを重合し、第１ｐＨおよび初期フッ素系界面活性剤含有量を有するフルオロポリマー水性分散液を生成する工程と、
非イオン界面活性剤を添加して、前記分散液を安定化する工程と、
前記安定化されたフッ素系界面活性剤含有フルオロポリマー水性分散液を強塩基性陰イオン交換樹脂と接触させて、所定のレベルにフッ素系界面活性剤含有量を低減する工程であって、前記陰イオン交換樹脂が水酸化物の形態である工程と、
フッ素系界面活性剤が低減された後、前記分散液から前記陰イオン交換樹脂を分離する工程であって、前記分離された分散液が第２ｐＨを有する工程と
を含む、低フッ素系界面活性剤含有量を有するフルオロポリマー水性分散液を生成する方法であって、
前記第１ｐＨは、陰イオン交換樹脂との接触から生じるｐＨの増加が、コーティングおよびフィルム用途における非イオン界面活性剤の揮発よりも熱分解を促進するｐＨ未満の第２ｐＨをもたらすように十分に低いことを特徴とする方法。
【請求項２】
分散液中のフルオロポリマー固形分の重量を基準にして非イオン界面活性剤約２〜約１１重量％を含む、水性媒体中のフルオロポリマー粒子を含むフルオロポリマー水性分散液であり、前記分散液が、約３０〜約７０重量％のフルオロポリマー固形分、約３００ｐｐｍ以下のフッ素系界面活性剤含有量、およびｐＨ約９〜約１１を有することを特徴とするフルオロポリマー水性分散液。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
（製品）
本発明は、分散液中のフルオロポリマー固形分の重量を基準にして非イオン界面活性剤約２〜約１１重量％を含む、水性媒体中のフルオロポリマー粒子を含むフルオロポリマー水性分散液を提供する。分散液は、約３０〜約７０重量％のフルオロポリマー固形分、約３００ｐｐｍ以下のフッ素系界面活性剤含有量、ｐＨ約９〜約１１を有する。好ましくは、ｐＨは、約９．５〜約１０．５である。好ましくは、フルオロポリマー水性分散液は、約１００ｐｐｍ以下、さらに好ましくは約５０ｐｐｍ以下のフッ素系界面活性剤含有量を有する。本発明による好ましい低フッ素系界面活性剤の分散液は、焼付け／焼結した場合に望ましくない色を形成しにくいことから、分散液塗布用途に特に適している。さらに、好ましい低フッ素系界面活性剤の分散液は、細菌成長に対する耐性がある。
本出願は、特許請求の範囲に記載の発明を含め、以下の発明を包含する。
（１）  フッ素系界面活性剤の存在下において水性媒体中で少なくとも１つのフルオロモノマーを重合し、第１ｐＨおよび初期フッ素系界面活性剤含有量を有するフルオロポリマー水性分散液を生成する工程と、
非イオン界面活性剤を添加して、前記分散液を安定化する工程と、
前記安定化されたフッ素系界面活性剤含有フルオロポリマー水性分散液を強塩基性陰イオン交換樹脂と接触させて、所定のレベルにフッ素系界面活性剤含有量を低減する工程であって、前記陰イオン交換樹脂が水酸化物の形態である工程と、
フッ素系界面活性剤が低減された後、前記分散液から前記陰イオン交換樹脂を分離する工程であって、前記分離された分散液が第２ｐＨを有する工程と
を含む、低フッ素系界面活性剤含有量を有するフルオロポリマー水性分散液を生成する方法であって、
前記第１ｐＨは、陰イオン交換樹脂との接触から生じるｐＨの増加が、コーティングおよびフィルム用途における非イオン界面活性剤の揮発よりも熱分解を促進するｐＨ未満の第２ｐＨをもたらすように十分に低いことを特徴とする方法。
（２）  塩基を添加して前記分散液の最終ｐＨを制御して、細菌成長を抑制し、かつコーティングおよびフィルム用途における前記非イオン界面活性剤の熱分解を抑制する工程をさらに含むことを特徴とする（１）に記載の方法。
（３）  前記第１ｐＨが、約２〜約５であることを特徴とする（１）に記載の方法。
（４）  前記第２ｐＨが、約１１未満であることを特徴とする（１）に記載の方法。
（５）  前記最終ｐＨが、約９〜約１１であることを特徴とする（２）に記載の方法。
（６）  前記最終ｐＨが、約９．５〜約１０．５であることを特徴とする（２）に記載の方法。
（７）  前記分散液からフィルムまたはコーティングを形成する工程をさらに含むことを特徴とする（１）に記載の方法。
（８）  前記分散液を濃縮する工程をさらに含むことを特徴とする（１）に記載の方法。
（９）  さらに、前記陰イオン交換樹脂が、第４級アンモニウム基を含む官能基を有するポリマーを含むことを特徴とする（１）に記載の方法。
（１０）  前記フッ素系界面活性剤含有フルオロポリマー水性分散液と陰イオン交換樹脂との前記接触が、フッ素系界面活性剤含有量を約３００ｐｐｍ以下の所定のレベルに低減することを特徴とする（１）に記載の方法。
（１１）  前記フッ素系界面活性剤含有フルオロポリマー水性分散液と陰イオン交換樹脂との前記接触が、フッ素系界面活性剤含有量を約１００ｐｐｍ以下の所定のレベルに低減することを特徴とする（１）に記載の方法。
（１２）  前記フッ素系界面活性剤含有フルオロポリマー水性分散液と陰イオン交換樹脂との前記接触が、フッ素系界面活性剤含有量を約５０ｐｐｍ以下の所定のレベルに低減することを特徴とする（１）に記載の方法。
（１３）  前記初期フッ素系界面活性剤含有量が、少なくとも約５００ｐｐｍである、（１）に記載の方法。
（１４）  分散液中のフルオロポリマー固形分の重量を基準にして非イオン界面活性剤約２〜約１１重量％を含む、水性媒体中のフルオロポリマー粒子を含むフルオロポリマー水性分散液であり、前記分散液が、約３０〜約７０重量％のフルオロポリマー固形分、約３００ｐｐｍ以下のフッ素系界面活性剤含有量、およびｐＨ約９〜約１１を有することを特徴とするフルオロポリマー水性分散液。
（１５）  ｐＨ約９．５〜約１０．５を有することを特徴とする（１４）に記載のフルオロポリマー水性分散液。
（１６）  約１００ｐｐｍ以下のフッ素系界面活性剤含有量を有することを特徴とする（１４）に記載のフルオロポリマー水性分散液。
（１７）  約５０ｐｐｍ以下のフッ素系界面活性剤含有量を有することを特徴とする（１４）に記載のフルオロポリマー水性分散液。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月10日(2009.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素粒子からモノマーを重合することと、
該炭素粒子およびイオン性官能基を含む１つまたは２つ以上のポリマー鎖を含むポリマー改質炭素粒子を生成するために、該反応性またはイオン化可能な官能基の少なくとも一部分をイオン性官能基に転化することと、
を含む分散性炭素粒子の調製方法、
該炭素粒子が、１つまたは２つ以上の移動可能な原子または基を含む１つまたは２つ以上の結合した基を含み、そして該モノマーの少なくとも一部分が、反応性またはイオン化可能な官能基を含み、該炭素粒子および該反応性またはイオン化可能な官能基を含む１つまたは２つ以上のポリマー鎖を含むポリマー改質炭素粒子を生成する。
【請求項２】
該反応性またはイオン化可能な官能基が、アミノ基であり、そして該反応性またはイオン化可能な官能基の少なくとも一部分を転化することが、該アミノ基の少なくとも一部分を四級化して、該炭素粒子および第四級アンモニウム基を含む１つまたは２つ以上のポリマー鎖を含むポリマー改質炭素粒子を生成することを含む請求項１の方法。
【請求項３】
該イオン性官能基が、第四級アンモニウム基またはカルボン酸基の少なくとも一つである請求項１の方法。
【請求項４】
該炭素粒子が、カーボンブラックである請求項１の方法。
【請求項５】
該モノマーの少なくとも一部分がアミノ基を含まない請求項２の方法。
【請求項６】
該反応性またはイオン化可能な官能基が、エステル基であり、そして該反応性またはイオン化可能な官能基の少なくとも一部分を転化することが、該エステル基の少なくとも一部分を加水分解または脱アルキル化して、該炭素粒子およびカルボン酸基を含む１つまたは２つ以上のポリマー鎖を含むポリマー改質炭素粒子を生成すること、および該カルボン酸基の少なくとも一部分をカルボン酸塩に転化することの１つを含む請求項１の方法。
【請求項７】
該エステル基が、ｔ−ブチル基を含む請求項６の方法。
【請求項８】
該ラジカル重合可能なモノマーの少なくとも一部分が、エステル基を含まない請求項６の方法。
【請求項９】
少なくとも１つのカルボン酸基を含む改質された炭素粒子と、ラジカル移動可能な原子または基を含む官能性開始剤とを反応させて、１つまたは２つ以上のラジカル移動可能な原子または基を含む結合した１つまたは２つ以上の基を有する該炭素粒子を生成することをさらに含む請求項１の方法。
【請求項１０】
該ポリマー改質炭素粒子の水性分散体を生成することをさらに含む請求項１の方法。
【請求項１１】
炭素粒子および該第四級アンモニウム塩を含む１つまたは２つ以上のポリマー鎖を含むポリマー改質炭素粒子を生成するために、炭素粒子からモノマーを重合させることを含む分散性炭素粒子の調製方法、
該炭素粒子は、１つまたは２つ以上の移動可能な原子または基を含む１つまたは２つ以上の結合した基を含み、そして該モノマーの少なくとも一部分は、第四級アンモニウム塩またはカルボン酸基、またはそれらの塩の少なくとも一つを含む。
【請求項１２】
炭素粒子と、
該炭素粒子に結合した複数のポリマー鎖（ここで、該ポリマー鎖の少なくとも一部分は、イオン官能性で且つ２.０未満のＰＤＩを含む）と、
を含む分散性炭素粒子。
【請求項１３】
該イオン官能性が、カルボン酸基、それらの塩、または第四級またはプロトン化されたアミノ基の少なくとも一つを含む請求項１２の分散性炭素粒子。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月2日(2008.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の式：
【化１】
2008530305.tif 000001
の第１のポリマー、およびアミン反応基を有する第２の成分を含む、生体適合性の合成マクロマー組成物であって、
式（Ｉ）において、Ｒ１およびＲ２は、同じであるかまたは異なり、アルコキシまたは生体吸収性基を有するアルコキシであり得、Ｑは、フタル酸、ビスフェノールＡ、ビフェニル、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル、エトキシル化ビスフェノールＡ、テレフタル酸、フェニレンジアミン、トルエンジアミン、イミドからなる群より選択される、生体適合性の合成マクロマー組成物。
【請求項２】
Ｒ１およびＲ２が、ポリエチレンオキシドである、請求項１に記載の生体適合性の合成マクロマー組成物。
【請求項３】
前記生体吸収性基が、エステル、脂肪族エステル、カルボネート、オルトエステル、ホスホエステル、グリコール酸、グリコリド、乳酸、ラクチド、１，４−ジオキサン−２−オン、１，３−ジオキサン−２−オン、ε−カプロラクトン、およびそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１に記載の生体適合性の合成マクロマー組成物。
【請求項４】
Ｒ１およびＲ２が、ポリエチレングリコールである、請求項１に記載の生体適合性の合成マクロマー組成物。
【請求項５】
前記第１のポリマーが、前記合成マクロマー組成物の約１０重量％〜約９０重量％の量で存在する、請求項１に記載の生体適合性の合成マクロマー組成物。
【請求項６】
前記第２の成分が、エチレンジイソシアネート、１−６−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４’−オキシビス（フェニルイソシアネート）、リジンジイソシアネート、２，４，６−トリメチル−１，３−フェニレンジイソシアネート、シクロヘキサン−１，４−ジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、ｐ−キシリレンジイソシアネート、テトラメチルキシレンジイソシアネート、１，４−フェニレンジイソシアネート、２−４−トルエンジイソシアネート、２，６−トルエンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、ポリメチレンポリフェニルポリイソシアネート２，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、３（４）−イソシアナトメチル−１−メチルシクロヘキシルイソシアネート、１，５−ナフチレンジイソシアネート、およびそれらの組み合わせからなる群より選択されるジイソシアネートである、請求項１に記載の生体適合性の合成マクロマー組成物。
【請求項７】
前記第２の成分が、トルエンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、メチレンジフェニルジイソシアネート、およびイソシアネート末端ポリエチレングリコールからなる群より選択されるジイソシアネートである、請求項１に記載の生体適合性の合成マクロマー組成物。
【請求項８】
前記第２の成分が、以下の式：
【化２】
2008530305.tif 000002
のものであり、
ここで、ｎ＞１であり、Ｘは、スクシンイミジル基、イソシアネート基、およびそれらの組み合わせからなる群より選択され、そしてＲ３は、ソルビトール、マンニトール、デキストラン、シクロデキストリン、ポリアルキレンオキシド、ラクチド結合を有するポリエチレングリコール、およびポリプロピレンオキシドを有するポリエチレンオキシドコポリマーからなる群より選択される、請求項１に記載の生体適合性の合成マクロマー組成物。
【請求項９】
前記第２の成分が、二官能性ポリマー、三官能性ポリマー、四官能性ポリマー、およびそれらの混合物からなる群より選択される、請求項１に記載の生体適合性の合成マクロマー組成物。
【請求項１０】
前記第２の成分が、複数のイソシアネート基を有するポリエチレングリコールである、請求項１に記載の生体適合性の合成マクロマー組成物。
【請求項１１】
前記第２の成分が、前記合成マクロマー組成物の約９０重量％〜約１０重量％の量で存在する、請求項１に記載の生体適合性の合成マクロマー組成物。
【請求項１２】
前記第１のポリマーが、加水分解的に分解可能な成分と結合される、請求項１に記載の生体適合性の合成マクロマー組成物。
【請求項１３】
前記第１のポリマーが、酵素的に分解可能な成分と結合される、請求項１に記載の生体適合性の合成マクロマー組成物。
【請求項１４】
前記第２の成分が、加水分解的に分解可能な成分と結合される、請求項１に記載の生体適合性の合成マクロマー組成物。
【請求項１５】
前記第２の成分が、酵素的に分解可能な成分と結合される、請求項１に記載の生体適合性の合成マクロマー組成物。
【請求項１６】
結合剤をさらに含む、請求項１に記載の生体適合性の合成マクロマー組成物。
【請求項１７】
前記結合剤がカルボジイミドを含む、請求項１６に記載の生体適合性の合成マクロマー組成物。
【請求項１８】
前記カルボジイミドが、１−エチル−３（３−ジメチル−アミノプロピル）−カルボジイミドヒドロクロリドである、請求項１７に記載の生体適合性の合成マクロマー組成物。
【請求項１９】
請求項１に記載の生体適合性の合成マクロマー組成物を含む創傷閉鎖用の接着剤。
【請求項２０】
請求項１に記載の生体適合性の合成マクロマー組成物を含む医学的適用において使用するための封止剤。
【請求項２１】
創傷を閉鎖するための請求項１に記載の組成物であって、前記生体適合性の合成マクロマー組成物が固められ得、それによって該創傷を閉鎖し得る、組成物。
【請求項２２】
前記創傷が外科的切開である、請求項２１に記載の組成物。
【請求項２３】
動物組織における空隙を充填するための請求項１に記載の組成物であって、前記生体適合性の合成マクロマー組成物が固められ得、それによって該空隙を充填し得る、組成物。
【請求項２４】
医療用デバイスを動物組織の表面に接着させるための請求項１に記載の組成物であって、
該デバイス、前記生体適合性の合成マクロマー組成物および表面は、互いに接触されるのに適しており；ならびに
該生体適合性の合成マクロマー組成物が固められ得、それによって該デバイスと表面とを互いに接着し得る、
組成物。
【請求項２５】
前記医療用デバイスがインプラントである、請求項２４に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月16日(2009.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）空気中２０℃／分の速度で７００℃に加熱されたときに、その重量の少なくとも１０パーセントを保持するセルロース含有繊維と、
（ｂ）ウールと
を含んでなり、（ｂ）が、（ａ）および（ｂ）を基準として１５〜７０重量％の範囲で存在する耐炎性布。
【請求項２】
（ａ）耐炎性布を追加の布と直接または接着剤を介して接触させることと、
（ｂ）両方の布を接合することと、
を含んでなる、耐炎性布を追加の布と接合する方法であって、耐炎性布が請求項１に記載の布である方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
サンプルＤ（ウールを含有するがアラミドを含有しない）およびサンプルＨ（ウールおよびアラミドの両方を含有する）は、５０％の圧縮を有した。
次に、本発明の好ましい態様を示す。
1.  （ａ）空気中２０℃／分の速度で７００℃に加熱されたときに、その重量の少なくとも１０パーセントを保持するセルロース含有繊維と、
（ｂ）ウールと
を含んでなり、（ｂ）が、（ａ）および（ｂ）を基準として１５〜７０重量％の範囲で存在する耐炎性布。
2.  ウールが、セルロース繊維およびウールを基準として１５〜７０重量％の範囲で存在する上記１に記載の布。
3.  １２５℃〜５００℃の範囲の熱的性能温度を有する上記１に記載の布。
4.  ２００℃〜４００℃の範囲の熱的性能温度を有する上記３に記載の布。
5.  修正ＡＳＴＭ  Ｄ６５７１−０１に従って２４時間で測定される圧縮が少なくとも４０％である上記１に記載の布。
6.  セルロース含有繊維がケイ酸を含有する上記１に記載の布。
7.  ０．３〜６．０ポンド／立方フィート（５〜９６キログラム／立方メートル）の範囲の密度を有する上記１に記載の布。
8.  ３〜１８オンス／平方ヤード（１０２〜６１０グラム／平方ヤード）の範囲の坪量を有する上記１に記載の布。
9.  ４〜１２オンス／平方ヤード（１３６〜４０７グラム／平方ヤード）の範囲の坪量を有する上記９に記載の布。
10.  カリフォルニア州試験基準ＴＢ６０３に従ってマットレス内で試験したときに、３０分の試験時間の間の放熱の最高速度が２００ｋｗ未満であり、試験開始の１０分以内の放熱の総量が２０ＭＪ未満であるという結果になる上記１に記載の布。
11.  耐熱性繊維をさらに含有する上記１に記載の布。
12.  耐熱性繊維が、アラミド、ポリベンゾアゾール、ポリベンゾイミダゾールまたはポリイミドである上記１１に記載の布。
13.  アラミドがポリ（パラフェニレンテレフタルアミド）である上記１２に記載の布。
14.  製品の芯材として存在する上記１に記載の布。
15.  マットレス内に存在する上記１に記載の布。
16.  家具内に存在する上記１に記載の布。
17.  （ａ）耐炎性布を追加の布と直接または接着剤を介して接触させることと、
（ｂ）両方の布を接合することと、
を含んでなる、耐炎性布を追加の布と接合する方法であって、耐炎性布が上記１に記載の布である方法。
18.  接合が縫合によるものである上記１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月5日(2009.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅含有原料を浸出し、該浸出生成物を硫化鉄が含まれる材料の存在下で転換して硫化銅を採取する銅含有原料処理方法において、該転換で得られた硫化銅をさらに処理する前に、該硫化銅に対して脈石鉱物分離を行うことを特徴とする銅含有原料処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記脈石鉱物の分離は、浮遊選鉱によって行われることを特徴とする銅含有原料処理方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法において、前記硫化銅中の有価成分は、脈石鉱物分離中に前記脈石鉱物から浮遊分離されることを特徴とする銅含有原料処理方法。
【請求項４】
請求項２に記載の方法において、前記脈石鉱物は、脈石鉱物分離中に、前記硫化銅中の有価成分から浮遊分離されることを特徴とする銅含有原料処理方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、脈石鉱物の分離は、比重量の差に基づいて行われることを特徴とする銅含有原料処理方法。
【請求項６】
前記請求項のいずれかに記載の方法において、前記脈石鉱物の分離を向上させるために、該脈石鉱物の除去より先行する硫化銅転換を170〜260℃の温度範囲で実行することを特徴とする銅含有原料処理方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法において、前記脈石鉱物の分離を向上させるために、該脈石鉱物除去より先行する硫化銅転換を好ましくは200〜220℃の温度範囲で実行することを特徴とする銅含有原料処理方法。
【請求項８】
前記請求項のいずれかに記載の方法において、前記脈石鉱物分離で採取された脈石鉱物の生成物を、前記転換より先行する浸出に送ることを特徴とする銅含有原料処理方法。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれかに記載の方法において、前記脈石鉱物分離で採取された脈石鉱物生成物を、前記転換より先行する銅含有鉱石の選鉱に送ることを特徴とする銅含有原料処理方法。
【請求項１０】
請求項１ないし７のいずれかに記載の方法において、前記脈石鉱物分離で採取された脈石鉱物生成物を、無機電極を使用して電気化学的に調整される浸出または浮遊選鉱などのさらなる処理に送ることを特徴とする銅含有原料処理方法。
【請求項１１】
前記請求項のいずれかに記載の方法において、前記脈石鉱物分離で採取された硫化銅生成物を、生銅を製造する溶解炉に送ることを特徴とする銅含有原料処理方法。
【請求項１２】
前記請求項のいずれかに記載の方法において、無機電極を用いる電気化学的ポテンシャル測定を、前記脈石鉱物の分離で利用することを特徴とする銅含有原料処理方法。
【請求項１３】
前記請求項のいずれかに記載の方法において、交流分光測定法を前記脈石鉱物の分離で利用することを特徴とする銅含有原料処理方法。
【請求項１４】
前記請求項のいずれかに記載の方法において、前記転換で採取された硫化銅原料から水を分離すると共に、塩化物および／またはフッ化物などのハロゲン化物を分離することを特徴とする銅含有原料処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月22日(2008.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって、
高圧プロセスチャンバにおいて、前記基板を支持するよう構成されるプラッテンに基板を置く工程；
流体の圧力を該流体の臨界圧力より高く調整し、前記流体の温度を該流体の臨界温度より高く調整して、該流体から超臨界流体を生成する工程；
前記超臨界流体を前記高圧プロセスチャンバへ導入する工程；
前記超臨界流体へフルオロケイ酸を有するプロセス成分を導入する工程；並びに
前記超臨界流体および前記プロセス成分に前記基板を晒す工程、
を有する方法。
【請求項２】
前記プロセス成分を導入する工程は、溶剤、共溶剤、界面活性剤、酸、塩基、アルコール、またはエッチャントのうちの１又は２以上とともに、前記フルオロケイ酸を導入するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記プロセス成分を導入する工程が、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ガンマ−ブチロラクトン（ＢＬＯ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、エチレンカーボネート（ＥＣ）、ブチレンカーボネート（ＢＣ）、プロピレンカーボネート（ＰＣ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルピペリドン、プロピレンカーボネート、メタノール（ＭｅＯＨ）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、またはエタノールのうちの１又は２以上とともに、前記フルオロケイ酸を導入するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記基板を通り過ぎるように前記超臨界流体を循環させる工程を更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記超臨界流体を生成する工程が、二酸化炭素流体から超臨界流体二酸化炭素を生成するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記圧力を前記臨界圧力より高く調整することが、前記圧力を約１０７０ｐｓｉ（７．３８ＭＰａ）から約１０，０００ｐｓｉ（６８．９ＭＰａ）の範囲の圧力に調整することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記温度を前記臨界温度より高く調整することが、前記温度を約３１℃より高く調整することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記温度を前記臨界温度より高く調整することが、前記温度を約４０℃より高く調整することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記温度を前記臨界温度より高く調整することが、前記温度を約８０℃より高く調整することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記温度を前記臨界温度より高く調整することが、前記温度を約１００℃から約３００℃までの範囲の温度に調整することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記プロセス成分を前記超臨界流体に導入するに先立って該プロセス成分を予加熱するステップを更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記プロセス成分を導入する工程が、有機ペロキシド若しくは無機ペロキシド又はこれらの組み合わせのいずれかを導入するステップを更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記圧力を前記臨界圧力より高く調整することが、前記圧力を約２０００ｐｓｉ（１３．８ＭＰａ）から約１０，０００ｐｓｉ（６８．９ＭＰａ）までの範囲の圧力に調整することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板を晒す工程に引き続き、一連の減圧サイクルを行う工程；および
前記高圧プロセスシステムを換気する工程、
を更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記基板をオゾンに晒す工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記基板を前記オゾンに晒す工程が、前記基板を前記超臨界流体に晒す工程に先行する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
基板を処理する方法であって、
金属表面を有する基板を高圧プロセスチャンバへ入れ、前記基板を支持するよう構成されるプラッテンに置く工程；
二酸化炭素流体の圧力を該二酸化炭素流体の臨界圧力より高く調整し、前記二酸化炭素流体の温度を該二酸化炭素流体の臨界温度より高く調整することにより、前記二酸化炭素流体から超臨界二酸化炭素流体を生成する工程；
前記超臨界二酸化炭素流体を前記高圧プロセスチャンバへ導入する工程；
フルオロケイ酸とＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）とを有する第１のプロセス成分を前記超臨界二酸化炭素流体へ導入する工程；
第１の期間に前記超臨界二酸化炭素流体および前記第１のプロセス成分に前記基板を晒す第１の晒す工程；
その後、Ｎ−メチルピロリドンを有する第２のプロセス成分を前記超臨界二酸化炭素流体へ導入する工程；並びに
第２の期間に前記超臨界二酸化炭素流体および前記第２のプロセス成分に前記基板を晒す第２の晒す工程、
を有する方法。
【請求項１８】
前記第１の晒す工程を、１又は２以上の回数、反復する工程を更に含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
基板を処理する方法であって、
金属表面を有する基板を高圧プロセスチャンバへ入れ、前記基板を支持するよう構成されるプラッテンに置く工程；
二酸化炭素流体の圧力を前記二酸化炭素流体の臨界圧力より高く調整し、前記二酸化炭素流体の温度を前記二酸化炭素流体の臨界温度より高く調整することにより、前記二酸化炭素流体から超臨界二酸化炭素流体を生成する工程；
前記超臨界二酸化炭素流体を前記高圧プロセスチャンバへ導入する工程；
フルオロケイ酸とブチロラクトン（ＢＬＯ）とを有する第１のプロセス成分を前記超臨界二酸化炭素流体へ導入する工程；
第１の期間に前記超臨界二酸化炭素流体および前記第１のプロセス成分に前記基板を晒す第１の晒す工程；
その後、フルオロケイ酸とイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）とを有する第２のプロセス成分を前記超臨界二酸化炭素へ導入する工程；
第２の期間に前記超臨界二酸化炭素流体および前記第２のプロセス成分に前記基板を晒す第２の晒す工程；
その後、メタノールおよび水の混合物、または２−ブタノンペロキシドを含む第３のプロセス成分を前記超臨界流体へ導入する工程；並びに
第３の期間に前記超臨界二酸化炭素流体および前記第３のプロセス成分に前記基板を晒す第３の晒す工程、
を有する方法。
【請求項２０】
前記第１の晒す工程、前記第２の晒す工程、または前記第３の晒す工程を１又は２以上の回数、反復する工程を更に有する、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月15日(2008.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路であって、
複数のＩ／Ｏセルを備え、前記複数のＩ／Ｏセルの各Ｉ／Ｏセルは、第一タイプ又は第二タイプのうちの一方であり、
前記第一タイプのＩ／Ｏセルは、ＥＳＤ現象を検出するためのＥＳＤトリガ回路を含み、
前記第二タイプの各Ｉ／Ｏセルは、前記第一タイプのＩ／ＯセルのＥＳＤトリガ回路によるＥＳＤ現象の検出に応答して、ＥＳＤ現象から電流を放電するための放電経路提供用のＥＳＤクランプ・デバイスを含み、且つ前記第二タイプの各Ｉ／Ｏセルは、前記Ｉ／Ｏセルの前記ＥＳＤクランプ・デバイスが応答する対象のＥＳＤトリガ回路を含まない、
集積回路であって、
前記第一タイプのＩ／Ｏセルの各Ｉ／Ｏセルは、第一の能動回路フロア・プランに従う能動回路の物理レイアウトを有し、前記第一タイプの各Ｉ／Ｏセルに対して、前記ＥＳＤトリガ回路の回路は前記第一タイプの能動回路フロア・プランの第一の指定領域に配置され、
前記第二タイプのＩ／Ｏセルの各Ｉ／Ｏセルは、第一の能動回路フロア・プランに従う能動回路の物理レイアウトを有し、前記第一の能動回路フロア・プランは前記第二の能動回路フロア・プランと同一の大きさ及び形状であり、前記第二タイプの各Ｉ／Ｏセルに対して、前記ＥＳＤクランプ・デバイスは前記第二の能動回路フロア・プランの第二の指定領域を占有し、
第一の能動回路フロア・プランにおける前記第一の指定領域の位置は、第二の能動回路フロア・プランにおける前記第二の指定領域の位置に対応する位置である、集積回路。
【請求項２】
前記第一タイプの各Ｉ／Ｏセルは、ＥＳＤトリガ回路によるＥＳＤ現象の検出に応答して、ＥＳＤ現象から電流を放電するための放電経路提供用のＥＳＤクランプ・デバイスを含む、請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】
前記第一タイプのＩ／Ｏセルの各ＥＳＤクランプ・デバイスは、前記第二タイプのＩ／Ｏセルの各ＥＳＤクランプ・デバイスよりも小さな面積の能動回路物理レイアウトを有する、請求項２に記載の集積回路。
【請求項４】
集積回路であって、
Ｉ／Ｏセルの第一のサブセットとＩ／Ｏセルの第二のサブセットとを含む複数のＩ／Ｏセルを備え、Ｉ／Ｏセルの前記第一のサブセットの各々は第一の能動回路フロア・プランに従う能動回路物理レイアウトを有し、Ｉ／Ｏセルの前記第一のサブセットの各々は前記第一の能動回路フロア・プランの第一の指定領域を占有するＥＳＤクランプ・デバイスを含み、
Ｉ／Ｏセルの前記第二のサブセットとの各々は第二の能動回路フロア・プランに従う能動回路物理レイアウトを有し、Ｉ／Ｏセルの前記第二サブセットの各々は前記第二の能動回路フロア・プランの第二の指定領域に配置されるＥＳＤトリガ回路を含み、
第一の能動回路フロア・プランにおける前記第一の指定領域の位置は、第二の能動回路フロア・プランにおける前記第二の指定領域の位置に対応する位置である、集積回路。
【請求項５】
集積回路であって、
セルのバンクに配置される複数のＩ／Ｏセルを備え、前記複数のＩ／Ｏセルの各Ｉ／ＯセルはＩ／Ｏパッドを含み、前記複数のＩ／Ｏセルの各Ｉ／Ｏセルは第一タイプ又は第二タイプの一つであり、
前記第一タイプの各Ｉ／Ｏセルは、第一の能動回路フロア・プランに従う能動回路物理レイアウトを有し、前記第一タイプの各Ｉ／Ｏセルは、ＥＳＤ現象を検出するためのＥＳＤトリガ回路を含み、前記第一タイプの各Ｉ／Ｏセルに対して、前記ＥＳＤトリガ回路の回路は、第一の能動回路フロア・プランとの第一の指定領域に配置され、
前記第二タイプの各Ｉ／Ｏセルは第二の能動回路フロア・プランに従う能動回路物理レイアウトを有し、前記第二タイプの各Ｉ／Ｏセルは、前記第一タイプのＩ／ＯセルのＲＳＤトリガ回路によるＥＳＤ現象の検出に応答して、ＥＳＤ現象による電流を放電するための放電経路を提供するＥＳＤクランプ・デバイスを含み、前記第二タイプの各Ｉ／Ｏセルは前記Ｉ／Ｏセルの前記ＥＳＤクランプ・デバイスが応答する対象のＥＲＳＤトリガ回路を含まず、前記第二タイプの各Ｉ／Ｏセルに対して、前記ＥＳＤクランプ・デバイスは前記能動回路フロア・プランの第二の指定領域を占有し、第一の能動回路フロア・プランにおける前記第一の指定領域の位置は、第二の能動回路フロア・プランにおける前記第二の指定領域の位置に対応する位置である、集積回路。
【請求項６】
前記複数のＩ／Ｏセルの各々はＩ／Ｏパッドを含む、請求項１に記載の集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月6日(2009.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面と背面とを含んだ、アクティブ部分が前面にある、マイクロコントローラ、集積回路または同等物（１、１４、２０）などのウエハベースの電子部品を製造する方法であって、前記背面から手段（１８）を実現するステップを含み、前記手段（１８）が、シリコンウエハを背面から薄化しようとした場合に、前記部品を破壊または損傷するように計画されていることを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記手段（１８）が前記部品（１、１４、２０）の分極に作用しうることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
背面のみから基板ウエハを分極する工程を含むことを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
オペレーションに応じて、基板（２、１５、２１）の分極を用いて、ウエハ（１、１４、２０）を試験する工程（１０１）と、
意図される部品のオペレーションに適した厚さまで基板（２、１５、２１）を薄くする工程と、
背面から基板を分極する工程と、
対応する部品をウエハから切断する工程と
を含むことを特徴とする、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
背面から基板（２、１５、２１）を分極する工程が、
背面分極接続を形成するドープ材料（Ｎ＋またはＰ＋）を用いてボディタイ（１８）またはウェルによって背面をドープする工程と、
背面上に、導電性材料（１９）、例えば金属の層を被着させる工程と、
ウエハ（１、１４、２０）を切断する工程と、
背面が接地に接続された状態で、前記部品を調整する工程と
に存することを特徴とする、請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
ウエハの切断（２９）が、前面分極接続を切り離すように実行されることを特徴とする、請求項５に記載の方法
【請求項７】
ウエハの切断（３０）が、背面分極接続（２８）と前記回路（２６Ｄ）との間の接続を維持するように実行されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
更に、Ｎ＋ドープされ、絶縁材料の層（２５）によって背面メタライゼーション層から絶縁された追加のボディタイまたはダミー（２４）が、背面上に挿入されることを特徴とする、請求項５から７のいずれか一項に記載の方法
【請求項９】
トランジスタ（４、５、６〜８、９、１０）または同等物などの要素を含むタイプの、マイクロコントローラなどの、前面（３）および背面を備えた、アクティブ部分が前面にある、ウエハベースの電子部品であって、シリコンウエハを背面から薄化しようとした場合に、前記部品を破壊または損傷するように前記背面に形成された手段（１８）を含むことを特徴とするシリコンウエハ電子部品。
【請求項１０】
前記手段が前記ウエハの分極に作用しうることを特徴とする、請求項９に記載の部品。
【請求項１１】
型基板、基板およびＮ型モウト技術または所謂二重モウト技術（２３）を用いた、ＣＭＯＳまたはＮＭＯＳ型トランジスタを含むことを特徴とする、請求項９または１０に記載の部品。
【請求項１２】
各要素またはトランジスタ或いは同等物に対して、背面のみからシリコン基板を分極するための背面分極接続を含むことを特徴とする、請求項９から１１のいずれか一項に記載の部品。
【請求項１３】
背面分極接続がドープ材料のボディタイから構成されることを特徴とする、請求項１２に記載の部品。
【請求項１４】
導電性材料（１９）、例えば金属の層をその背面（１７）上に含むことを特徴とする、請求項９から１３のいずれか一項に記載の部品。
【請求項１５】
各ダミー（１８）が対応するＰ型トランジスタ（１４）のモウト１２のベース（背面）と電気的に接触した、実質的に規則的な分配で背面（１７）上に挿入された、Ｎ＋ドープ材料の多数のダミー（２４）または追加のボディタイも含むことを特徴とする、請求項９から１４のいずれか一項に記載の部品。
【請求項１６】
各ダミー（１８）または追加のボディタイが、電気的に絶縁性材料の層（２５）によって背面メタライゼーション層（１９）から絶縁されていることを特徴とする、請求項１５に記載の部品。
【請求項１７】
請求項１から８の一項に記載の方法によって製造されたウエハベースの電子部品および／または、請求項９から１６の一項に記載の部品を少なくとも含むスマートカード。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月11日(2008.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノスケール触媒粒子を担持する微細構造担体ウイスカを含むナノ構造要素を含む担持触媒を製造する方法であって、窒素の存在下での、少なくとも第１の炭素ターゲットからの材料の真空蒸着の工程ａ）と、少なくとも１つの遷移金属を含み、貴金属を含まない第２のターゲットからの材料の真空蒸着の工程ｂ）とを含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
本発明のさまざまな修正および変更が、本発明の範囲および原理から逸脱することなく、当業者には明らかになるであろう。また、本発明は、上に記載された例示的な実施形態に不当に限定されるべきではないことが理解されるべきである。
以下に、本願発明に関連する発明について、その実施形態を列挙する。
［実施形態１］
ナノスケール触媒粒子を担持する微細構造担体ウイスカを含むナノ構造要素を含む担持触媒を製造する方法であって、窒素の存在下での、少なくとも第１の炭素ターゲットからの材料の真空蒸着の工程ａ）と、少なくとも１つの遷移金属を含み、貴金属を含まない第２のターゲットからの材料の真空蒸着の工程ｂ）とを含む方法。
［実施形態２］
工程ａ）が工程ｂ）の前に行われる、実施形態１に記載の方法。
［実施形態３］
工程ａ）およびｂ）が同時に行われる、実施形態１に記載の方法。
［実施形態４］
前記少なくとも１つの遷移金属が鉄またはコバルトである、実施形態１に記載の方法。
［実施形態５］
前記少なくとも１つの遷移金属が鉄またはコバルトである、実施形態２に記載の方法。
［実施形態６］
前記少なくとも１つの遷移金属が鉄またはコバルトである、実施形態３に記載の方法。
［実施形態７］
前記少なくとも１つの遷移金属が鉄である、実施形態１に記載の方法。
［実施形態８］
前記少なくとも１つの遷移金属が鉄である、実施形態２に記載の方法。
［実施形態９］
前記少なくとも１つの遷移金属が鉄である、実施形態３に記載の方法。
［実施形態１０］
実施形態１に記載の方法に従って製造される、ナノスケール触媒粒子を担持する微細構造担体ウイスカを含むナノ構造要素を含む担持触媒。
［実施形態１１］
実施形態１０に記載の担持触媒を含む燃料電池膜電極アセンブリ。
［実施形態１２］
実施形態２に記載の方法に従って製造される、ナノスケール触媒粒子を担持する微細構造担体ウイスカを含むナノ構造要素を含む担持触媒。
［実施形態１３］
実施形態１２に記載の担持触媒を含む燃料電池膜電極アセンブリ。
［実施形態１４］
実施形態３に記載の方法に従って製造される、ナノスケール触媒粒子を担持する微細構造担体ウイスカを含むナノ構造要素を含む担持触媒。
［実施形態１５］
実施形態１４に記載の担持触媒を含む燃料電池膜電極アセンブリ。
［実施形態１６］
実施形態７に記載の方法に従って製造される、ナノスケール触媒粒子を担持する微細構造担体ウイスカを含むナノ構造要素を含む担持触媒。
［実施形態１７］
実施形態１６に記載の担持触媒を含む燃料電池膜電極アセンブリ。
［実施形態１８］
実施形態８に記載の方法に従って製造される、ナノスケール触媒粒子を担持する微細構造担体ウイスカを含むナノ構造要素を含む担持触媒。
［実施形態１９］
実施形態１８に記載の担持触媒を含む燃料電池膜電極アセンブリ。
［実施形態２０］
実施形態９に記載の方法に従って製造される、ナノスケール触媒粒子を担持する微細構造担体ウイスカを含むナノ構造要素を含む担持触媒。
［実施形態２１］
実施形態２０に記載の担持触媒を含む燃料電池膜電極アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月20日(2009.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粉末材料または粒子状材料を計量して加熱された表面に供給することによりその材料を気化させる方法であって、
（a）少なくとも1つの成分を含む粉末材料または粒子状材料を容器に供給するステップと；
（b）その容器から粉末材料または粒子状材料を受け取る位置に配置された回転可能なスクリューを用意し、そのスクリューが回転することにより、その粉末材料または粒子状材料を供給路に沿って供給位置まで移動させるステップと；
（c）その供給位置に少なくとも1つの開口部を設け、その供給位置でスクリューが回転したときに発生する圧力によって上記の粉末材料または粒子状材料を制御された状態でその開口部から上記加熱された表面へと移動させるステップを含む方法。
【請求項２】
上記の粉末材料または粒子状材料が有機材料であり、気化されてOLEDの表面に有機薄膜層を堆積させる、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
粉末材料または粒子状材料を計量して加熱された表面に供給することによりその材料を気化させる装置であって、
（a）少なくとも1つの成分を含む粉末材料または粒子状材料を収容した容器を備え；
（b）その容器から粉末材料または粒子状材料を受け取る位置に配置された回転可能なスクリューを備え、そのスクリューが回転することにより、その粉末材料または粒子状材料が供給路に沿って供給位置まで移動し；
（c）その供給位置に複数の開口部を備え；
（d）上記開口部と上記回転可能なスクリューの間に配置されていて圧力を発生させる回転可能なワイパー部材を備え、その圧力により、上記の粉末材料または粒子状材料が、制御された状態でその開口部を通過して上記加熱された表面へと移動する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月27日(2009.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データベースシステムにおいて報告トランザクションを処理する方法であって、
データベースのスナップショットを取得することを備え、前記データベースはプライマリノードおよびフェイルオーバノードにリンクされ、前記方法はさらに、
前記プライマリノードで１つ以上の非報告トランザクションを実行することと、
前記プライマリノードで前記１つ以上の非報告トランザクションを実行するのと同時に前記フェイルオーバノードで報告トランザクションを実行するために前記スナップショットを利用することとを備え、前記報告トランザクションは、同期して複製されたデータに依存することなく実行される、方法。
【請求項２】
前記フェイルオーバノードで１つ以上の一時的なテーブルを作成することをさらに備え、前記１つ以上の一時的なテーブルは、前記報告トランザクションが前記フェイルオーバノードで実行されるときに使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記１つ以上の一時的なテーブルは、前記報告トランザクションにおけるクエリスクリプトを通じて作成される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記１つ以上の一時的なテーブルのうち少なくとも１つは、前記報告トランザクションにおける２つ以上のクエリにアクセス可能である、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記データベースにおける１つ以上のスキーマを修正することをさらに備え、前記１つ以上のスキーマは、前記報告トランザクションが前記フェイルオーバノードで実行されるときに使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記１つ以上のスキーマは、前記プライマリノードで実行する前記１つ以上の非報告トランザクションにアクセス可能ではない、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記１つ以上のスキーマのうち少なくとも１つは１つ以上のテーブルを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記プライマリノードで１つ以上のユーザ定義プロシージャにアクセスすることをさら
に備え、前記１つ以上のユーザ定義プロシージャは、前記報告トランザクションが前記フェイルオーバノードで実行されるときに使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記データベースに一時的なスペースを確保することをさらに備え、前記一時的なスペースは、前記報告トランザクションが前記フェイルオーバノードで実行されるときに使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記プライマリノードおよび前記フェイルオーバノードはクラスタの一部である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記クラスタは１つ以上のさらなるフェイルオーバノードを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記１つ以上の非報告トランザクションのうち少なくとも１つはリード・ライトトランザクションである、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記報告トランザクションおよび前記１つ以上の非報告トランザクションはワークロードの一部である、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記報告トランザクションはリアルタイムに近い報告を与える、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記プライマリノードのみが前記データベースを修正できる、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記スナップショットはユーザコマンドに応答して取得される、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記スナップショットはリード・オンリである、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記スナップショットは前記プライマリノードによって修正されることができない、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記スナップショットおよび前記データベースはディスクスペースを共有する、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記スナップショットは最新のものである、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記スナップショットは、前記フェイルオーバノードで前記報告トランザクションを実行するために直接に使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
コンピュータ可読媒体を含むコンピュータプログラム製品であって、前記コンピュータ可読媒体は、プロセッサによって実行されると、データベースシステムにおいて報告トランザクションを処理するためのプロセスを前記プロセッサに実行させる命令を備え、前記プロセスは、
データベースのスナップショットを取得することを備え、前記データベースはプライマリノードおよびフェイルオーバノードにリンクされ、前記プロセスはさらに、
前記プライマリノードで１つ以上の非報告トランザクションを実行することと、
前記プライマリノードで前記１つ以上の非報告トランザクションを実行するのと同時に前記フェイルオーバノードで報告トランザクションを実行するために前記スナップショットを利用することとを備え、前記報告トランザクションは、同期して複製されたデータに
依存することなく実行される、コンピュータプログラム製品。
【請求項２３】
データベースシステムにおいて報告トランザクションを処理するためのシステムであって、
データベースのスナップショットを取得するための手段を備え、前記データベースはプライマリノードおよびフェイルオーバノードにリンクされ、前記システムはさらに、
前記プライマリノードで１つ以上の非報告トランザクションを実行するための手段と、
前記プライマリノードで前記１つ以上の非報告トランザクションを実行するのと同時に前記フェイルオーバノードで報告トランザクションを実行するために前記スナップショットを利用するための手段とを備え、前記報告トランザクションは、同期して複製されたデータに依存することなく実行される、システム。