【手続補正書】
【提出日】平成23年2月14日(2011.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板とプローブ針とを有するプローブカードの製造方法であって、
前記基板に貫通孔を設け、前記基板の表面及び前記貫通孔の側面に、絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を形成する工程の後に、前記貫通孔を充填し、かつ、前記絶縁膜を覆うように、第１のレジスト膜を形成する工程と、
前記第１のレジスト膜の前記貫通孔に充填された部分を貫通する第１の開口部と、前記第１のレジスト膜の前記基板の一方の面の絶縁膜の上面を露出させるように開口する第２の開口部と、を形成する工程と、
前記第１の開口部を覆うように金属板を設け、前記金属板を給電層とする電解めっきにより、前記第１の開口部に前記プローブ針の貫通部を形成する貫通部形成工程と、
前記貫通部形成工程の後に、前記基板の一方の面側の全面に、シード層を形成する工程と、
前記シード層上に第２のレジスト膜を形成し、前記第２のレジスト膜に、前記プローブ針の支持部を形成するための第３の開口部を形成する工程と、
前記シード層を給電層とする電解めっきにより、前記第２の開口部及び前記第３の開口部に前記プローブ針の支持部を形成する工程と、
前記第２のレジスト膜を除去した後、露出した前記シード層を除去する工程と、
前記第１のレジスト膜を除去する工程と、を含むプローブカードの製造方法。
【請求項２】
前記貫通部形成工程において、前記基板の一方の面に前記金属板を設け、前記金属板を給電層とする電解めっきにより、前記第１の開口部に前記プローブ針の貫通部を形成し、
前記貫通部形成工程の後に、かつ、前記シード層を形成する工程の前に、
前記基板の他方の面側の全面に、第３のレジスト膜を形成し、前記第３のレジスト膜に、前記プローブ針の貫通部の下端面を露出させる第４の開口部を形成する工程と、
前記金属板を給電層とする電解めっきにより、前記第４の開口部に前記プローブ針の突起部を形成する工程と、を含む請求項１記載のプローブカードの製造方法。
【請求項３】
貫通孔を有する基板本体と、前記基板本体の表面を覆う絶縁膜と、を有する基板と、
前記基板と接触しないように、前記貫通孔に配置されると共に、前記基板の両面から突出する貫通部と、前記貫通部の一方の端部と一体的に構成されると共に、前記基板の一方の面と接続され、バネ性を有する支持部とを備えたプローブ針と、を備え、
前記支持部は、前記絶縁膜との接続部を除き、前記基板の絶縁膜との間に空隙を形成する片持ち梁形状であり、前記貫通部上まで延在し、前記支持部の一方の端部の下面が前記貫通部の一方の端部と接続されており、
前記基板本体の材料は、シリコンからなり、
電極パッドを有した半導体チップの電気的検査を行う際、前記貫通部の他方の端部が前記電極パッドと接触することを特徴とするプローブカード。
【請求項４】
前記支持部は、スパイラル形状であることを特徴とする請求項３記載のプローブカード。
【請求項５】
前記プローブ針の材料は、Ｃｕであることを特徴とする請求項３又は４記載のプローブカード。
【請求項６】
前記貫通部の他方の端部に、前記電極パッドと接触するバンプを設けたことを特徴とする請求項３ないし５のうち、いずれか１項記載のプローブカード。
【請求項７】
前記貫通部の他方の端部の形状は、ラウンド形状又は先の尖った形状であることを特徴とする請求項３ないし５のうち、いずれか１項記載のプローブカード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プローブカード及びその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電極パッドを有した半導体チップの電気的検査を行う際、電極パッドと接触するプローブ針を備えたプローブカード及びその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一観点によれば、基板とプローブ針とを有するプローブカードの製造方法であって、前記基板に貫通孔を設け、前記基板の表面及び前記貫通孔の側面に、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を形成する工程の後に、前記貫通孔を充填し、かつ、前記絶縁膜を覆うように、第１のレジスト膜を形成する工程と、前記第１のレジスト膜の前記貫通孔に充填された部分を貫通する第１の開口部と、前記第１のレジスト膜の前記基板の一方の面の絶縁膜の上面を露出させるように開口する第２の開口部と、を形成する工程と、前記第１の開口部を覆うように金属板を設け、前記金属板を給電層とする電解めっきにより、前記第１の開口部に前記プローブ針の貫通部を形成する貫通部形成工程と、前記貫通部形成工程の後に、前記基板の一方の面側の全面に、シード層を形成する工程と、前記シード層上に第２のレジスト膜を形成し、前記第２のレジスト膜に、前記プローブ針の支持部を形成するための第３の開口部を形成する工程と、前記シード層を給電層とする電解めっきにより、前記第２の開口部及び前記第３の開口部に前記プローブ針の支持部を形成する工程と、前記第２のレジスト膜を除去した後、露出した前記シード層を除去する工程と、前記第１のレジスト膜を除去する工程と、を含むプローブカードの製造方法が提供される。
本発明の他の観点によれば、貫通孔を有する基板本体と、前記基板本体の表面を覆う絶縁膜と、を有する基板と、前記基板と接触しないように、前記貫通孔に配置されると共に、前記基板の両面から突出する貫通部と、前記貫通部の一方の端部と一体的に構成されると共に、前記基板の一方の面と接続され、バネ性を有する支持部とを備えたプローブ針と、を備え、前記支持部は、前記絶縁膜との接続部を除き、前記基板の絶縁膜との間に空隙を形成する片持ち梁形状であり、前記貫通部上まで延在し、前記支持部の一方の端部の下面が前記貫通部の一方の端部と接続されており、前記基板本体の材料は、シリコンからなり、電極パッドを有した半導体チップの電気的検査を行う際、前記貫通部の他方の端部が前記電極パッドと接触することを特徴とするプローブカードが提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
次いで、図２７に示す工程では、金属板６５を給電層とする電解めっき法により、開口部３２を充填するようにめっき膜（例えば、Ｃｕ膜）を析出成長させることで、プローブ針６２の貫通部６３を形成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
次いで、図２９に示す工程では、金属板６５を給電層とする電解めっき法により、開口部６６Ａを充填するようにめっき膜（例えば、Ｃｕ膜）を析出成長させることで、プローブ針６２の突起部６４を形成する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
本発明は、電極パッドを有した半導体チップの電気的検査を行う際、電極パッドと接触するプローブ針を備えたプローブカード及びその製造方法に適用できる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
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