【手続補正書】
【提出日】平成23年1月7日(2011.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定電極が設けられた第１の基板と、
前記固定電極にギャップを隔てて対向し、前記固定電極との間で発生させた静電気力により動作する可動電極が設けられた第２の基板と、
を備え、
前記第２の基板には、前記可動電極と前記固定電極との間に供給する駆動電圧を制御するスイッチング素子であるＭＯＳ・ＦＥＴが設けられ、
前記可動電極は、前記ＭＯＳ・ＦＥＴのドレイン端子を含む
ことを特徴とする静電アクチュエータ。
【請求項２】
前記第２の基板はＮ型のシリコン基板であり、
前記ＭＯＳ・ＦＥＴはＰ型のＭＯＳ・ＦＥＴである
ことを特徴とする請求項１に記載の静電アクチュエータ。
【請求項３】
前記第２の基板の表面に絶縁膜が設けられ、
前記ＭＯＳ・ＦＥＴのゲート端子は前記絶縁膜を介して前記第２の基板に設けられている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の静電アクチュエータ。
【請求項４】
固定電極が設けられた第１の基板と、
前記固定電極にギャップを隔てて対向し、前記固定電極との間で発生させた静電気力により動作する可動電極が設けられた第２の基板と、
を備え、
前記第１の基板には、前記可動電極と前記固定電極との間に供給する駆動電圧を制御するスイッチング素子であるＭＯＳ・ＦＥＴが設けられ、
前記固定電極は、前記ＭＯＳ・ＦＥＴのドレイン端子を含む
ことを特徴とする静電アクチュエータ。
【請求項５】
前記第１の基板はＮ型のシリコン基板であり、
前記ＭＯＳ・ＦＥＴはＰ型のＭＯＳ・ＦＥＴである
ことを特徴とする請求項４に記載の静電アクチュエータ。
【請求項６】
固定電極が設けられた第１の基板と、
前記固定電極にギャップを隔てて対向し、前記固定電極との間で発生させた静電気力により動作する可動電極が設けられた第２の基板と、
を備え、
前記第１の基板及び前記第２の基板には、前記可動電極と前記固定電極との間に供給する駆動電圧を制御するスイッチング素子であるＭＯＳ・ＦＥＴが設けられ、
前記可動電極及び前記固定電極は、前記ＭＯＳ・ＦＥＴのドレイン端子を含む
ことを特徴とする静電アクチュエータ。
【請求項７】
前記第１の基板及び前記第２の基板はＮ型のシリコン基板であり、
前記第１の基板及び前記第２の基板の前記ＭＯＳ・ＦＥＴはＰ型のＭＯＳ・ＦＥＴである
ことを特徴とする請求項６に記載の静電アクチュエータ。
【請求項８】
前記第１の基板の表面には凹部が設けられた絶縁膜が設けられ、
前記凹部によって前記ギャップが設けられている
ことを特徴とする請求項４〜７のいずれかに記載の静電アクチュエータ。
【請求項９】
前記第１の基板の前記ＭＯＳ・ＦＥＴのゲート端子は前記絶縁膜を介して前記第１の基板に設けられている
ことを特徴とする請求項８に記載の静電アクチュエータ。
【請求項１０】
前記絶縁膜は熱酸化膜である
ことを特徴とする請求項３、８又は９に記載の静電アクチュエータ。
【請求項１１】
前記ゲート端子はポリシリコンを含む
ことを特徴とする請求項３又は９に記載の静電アクチュエータ。
【請求項１２】
前記ＭＯＳ・ＦＥＴはＣＭＯＳである
ことを特徴とする請求項１、４又は６のいずれかに記載の静電アクチュエータ。
【請求項１３】
前記第２の基板はボロンドープ層を含む
ことを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の静電アクチュエータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】静電アクチュエータ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る静電アクチュエータは、固定電極が設けられた第１の基板と、固定電極にギャップを隔てて対向し、固定電極との間で発生させた静電気力により動作する可動電極が設けられた第２の基板と、を備え、第２の基板には、可動電極と固定電極との間に供給する駆動電圧を制御するスイッチング素子であるＭＯＳ・ＦＥＴが設けられ、可動電極は、ＭＯＳ・ＦＥＴのドレイン端子を含むことを特徴とする。したがって、小電圧の信号で、大電圧の駆動ＯＮ／ＯＦＦスイッチングが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る静電アクチュエータは、第２の基板はＮ型のシリコン基板であり、ＭＯＳ・ＦＥＴはＰ型のＭＯＳ・ＦＥＴであることを特徴とする。したがって、回路構成を複雑にすることなく、小電圧の信号で、大電圧の駆動ＯＮ／ＯＦＦスイッチングが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る静電アクチュエータは、第２の基板の表面に絶縁膜が設けられ、ＭＯＳ・ＦＥＴのゲート端子は絶縁膜を介して第２の基板に設けられていることを特徴とする。したがって、複雑な構成にすることなくスイッチング素子であるＭＯＳ・ＦＥＴを形成することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明に係る静電アクチュエータは、固定電極が設けられた第１の基板と、固定電極にギャップを隔てて対向し、固定電極との間で発生させた静電気力により動作する可動電極が設けられた第２の基板と、を備え、第１の基板には、可動電極と固定電極との間に供給する駆動電圧を制御するスイッチング素子であるＭＯＳ・ＦＥＴが設けられ、固定電極は、ＭＯＳ・ＦＥＴのドレイン端子を含むことを特徴とする。したがって、小電圧の信号で、大電圧の駆動ＯＮ／ＯＦＦスイッチングが可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に係る静電アクチュエータは、第１の基板はＮ型のシリコン基板であり、ＭＯＳ・ＦＥＴはＰ型のＭＯＳ・ＦＥＴであることを特徴とする。したがって、回路構成を複雑にすることなく、小電圧の信号で、大電圧の駆動ＯＮ／ＯＦＦスイッチングが可能となる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明に係る静電アクチュエータは、固定電極が設けられた第１の基板と、固定電極にギャップを隔てて対向し、固定電極との間で発生させた静電気力により動作する可動電極が設けられた第２の基板と、を備え、第１の基板及び第２の基板には、可動電極と固定電極との間に供給する駆動電圧を制御するスイッチング素子であるＭＯＳ・ＦＥＴが設けられ、可動電極及び固定電極は、ＭＯＳ・ＦＥＴのドレイン端子を含むことを特徴とする。したがって、小電圧の信号で、大電圧の駆動ＯＮ／ＯＦＦスイッチングが可能となる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明に係る静電アクチュエータは、第１の基板及び第２の基板はＮ型のシリコン基板であり、第１の基板及び第２の基板のＭＯＳ・ＦＥＴはＰ型のＭＯＳ・ＦＥＴであることを特徴とする。したがって、回路構成を複雑にすることなく、小電圧の信号で、大電圧の駆動ＯＮ／ＯＦＦスイッチングが可能となる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明に係る静電アクチュエータは、第１の基板の表面には凹部が設けられた絶縁膜が設けられ、凹部によってギャップが設けられていることを特徴とする。したがって、ギャップの封止を別途実行しなくても、ギャップを確実に封止することができる。  
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明に係る静電アクチュエータは、第１の基板のＭＯＳ・ＦＥＴのゲート端子は絶縁膜を介して第１の基板に設けられていることを特徴とする。したがって、複雑な構成にすることなくスイッチング素子であるＭＯＳ・ＦＥＴを形成することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明に係る静電アクチュエータは、絶縁膜は熱酸化膜であることを特徴とする。したがって、絶縁膜を熱酸化膜で構成することで絶縁耐圧を容易かつ安価に向上することができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明に係る静電アクチュエータは、ゲート端子はポリシリコンを含むことを特徴とする。したがって、安価にＭＯＳ・ＦＥＴを形成することができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明に係る静電アクチュエータは、ＭＯＳ・ＦＥＴはＣＭＯＳであることを特徴とする。したがって、高電圧とＧＮＤとを切り替えるだけで、静電アクチュエータを駆動でき、簡易化した駆動回路でシンプルな駆動が可能となる。
本発明に係る静電アクチュエータは、第２の基板がボロンドープ層を含むことを特徴とする。