【手続補正書】
【提出日】平成23年11月4日(2011.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サファイア基板又はＳｉＣ基板である第１の基板上に窒化ガリウム系化合物半導体をエピタキシャル成長させて層を形成する窒化ガリウム系化合物半導体層の形成方法であって、
前記第１の基板上に、主として酸化ケイ素から成る第１の層を形成する工程と、
前記第１の層を部分的に除去して前記第１の基板の露出部を形成する工程と、
前記露出部を持つ第１の基板上に、非晶質窒化ガリウム系化合物半導体を堆積する工程と、
前記第１の層上の前記非晶質窒化ガリウム系化合物半導体を蒸発させ、前記第１の基板の露出部上に前記非晶質窒化ガリウム系化合物半導体の核を形成する工程と、
前記非晶質窒化ガリウム系化合物半導体の核から、前記第１の基板上に窒化ガリウム系化合物半導体のエピタキシャル層を形成する工程と、
前記第１の基板の露出部上の前記窒化ガリウム系化合物半導体のエピタキシャル層を除去して分離溝を形成する工程と、
を含むことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体層の形成方法。
【請求項２】
前記窒化ガリウム系化合物半導体は、ＧａＮとＡｌＧａＮとＧａＩｎＮのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体層の形成方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の窒化ガリウム系化合物半導体層の形成方法で得られた第１の基板上の窒化ガリウム系化合物半導体層を他の基板へ移設する移設方法であって、
前記第１の基板上の第１の層の端部を表出させる工程と、
処理により分離可能状態となる分離層を表面に有し貫通溝が存在する第２の基板を用意する工程と、
前記分離層を介して前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせる工程と、
前記貼り合わせた第１の基板と第２の基板をエッチング液に浸潤してエッチング液を前記貫通溝と前記分離溝を通して前記第１の層と接触させることにより、前記第１の層を選択的にエッチングして前記第１の基板上の前記エピタキシャル層を前記第２の基板に移設する工程と、
前記第２の基板に移設された前記エピタキシャル層の少なくとも一部を第３の基板に接合し、前記第２の基板と前記エピタキシャル層を前記分離層で分離して前記エピタキシャル層を前記第２の基板から前記第３の基板に移設する工程と、
を含むことを特徴とする移設方法。
【請求項４】
前記第３の基板は、シリコン基板または金属基板であることを特徴とする請求項３に記載の移設方法。
【請求項５】
前記エピタキシャル層は前記第２の基板から前記第３の基板にウェーハスケールで移設されることを特徴とする請求項３又は４に記載の移設方法。
【請求項６】
前記エピタキシャル層の一部と、前記第３の基板上の前記エピタキシャル層の一部が移設される領域との、少なくとも一方に所定の厚さの接合層を設け、前記エピタキシャル層の一部と前記第３の基板とを前記接合層により接合し、前記第２の基板から、前記第３の基板に前記接合層で接合された前記エピタキシャル層の一部のみを前記分離層で分離することを特徴とする請求項３又は４に記載の移設方法。
【請求項７】
前記第３の基板上の、前記移設されるエピタキシャル層の一部以外の領域に対応する領域の表面に所定の凹凸を形成することを特徴とする請求項６に記載の移設方法。
【請求項８】
前記第２の基板は透光性を有し、
前記分離層は、光の照射により分解又は結合強度が低下する材料を含み、
前記移設されるエピタキシャル層と前記第２の基板との間の前記分離層に光の照射を行って前記移設されるエピタキシャル層と前記第２の基板を前記分離層で分離することを特徴とする請求項３から７のいずれか１項に記載の移設方法。
【請求項９】
前記分離層は、加熱又は冷却により分解又は結合強度が低下する材料を含み、
前記移設されるエピタキシャル層と前記第２の基板との間の前記分離層を加熱又は冷却して前記移設されるエピタキシャル層と前記第２の基板を前記分離層で分離することを特徴とする請求項３から７のいずれか１項に記載の移設方法。
【請求項１０】
前記第１の基板上に窒化ガリウム系化合物半導体のエピタキシャル層を形成する工程は、前記非晶質窒化ガリウム系化合物半導体の核のサイズ増大、合体、結晶成長、ファセット形成、転移線の屈曲、前記第１の層上への横方向結晶成長、隣接する結晶粒同士の衝突、合体、転移網の形成、平坦表面形成を経て、前記第１の基板上に窒化ガリウム系化合物半導体のエピタキシャル層を形成することを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の形成方法。
【請求項１１】
請求項１、２又は１０に記載の窒化ガリウム系化合物半導体層の形成方法で得られた窒化ガリウム系化合物半導体層が接合されたシリコン基板、または金属基板、または透光性基板から成ることを特徴とする基板。
【請求項１２】
請求項１１に記載のシリコン基板、または金属基板、透光性基板上の窒化ガリウム系化合物半導体層を加工して作製されたことを特徴とするデバイス。
【請求項１３】
請求項１１に記載のシリコン基板、または金属基板、または透光性基板上の窒化ガリウム系化合物半導体層を加工して作製されたことを特徴とするＬＥＤアレイ。
【請求項１４】
請求項１３に記載のＬＥＤアレイに、ロッドレンズアレイまたはマイクロレンズアレイが実装されていることを特徴とするＬＥＤプリンタヘッド。
【請求項１５】
請求項１３に記載のＬＥＤアレイを含むＬＥＤプリンタヘッド又は請求項１４に記載のＬＥＤプリンタヘッドと、感光ドラムと、帯電器とを含み、
前記ＬＥＤプリンタヘッドを光源として、前記感光ドラムに静電潜像を書き込む作像ユニットを備えることを特徴とするＬＥＤプリンタ。
【請求項１６】
請求項１３に記載のＬＥＤアレイを含むＬＥＤプリンタヘッド又は請求項１４に記載のＬＥＤプリンタヘッドと、感光ドラムと、帯電器とを含み、
前記ＬＥＤプリンタヘッドを光源として、前記感光ドラムに静電潜像を書き込む作像ユニットを複数備えることを特徴とするカラーＬＥＤプリンタ。
【請求項１７】
請求項１１に記載の基板上の窒化ガリウム系化合物半導体層を加工して作製されたことを特徴とするトランジスタとその集積回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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