【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年6月3日(2009.6.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造方法であって、前記製造方法は、
ＧａＡｓからなる第１層と、ＩｎＧａＰからなる第２層とを含む基板を提供するステップであって、前記第１層と前記第２層は、ＩｎＧａＡｓＰからなる共通の境界面を介して互いに接合されることと；
前記境界面の少なくとも一部が露出するまで、第１液体組成物を用いて前記第１層をエッチングするステップと；
前記ＩｎＧａＰに対してエッチング停止反応を示す第２液体組成物を用いて、前記境界面をエッチングするステップと
を備え、
前記第２液体組成物はＨ２Ｏ２、ＨＣｌ、およびＨ２Ｏの混合液からなりｐＨ７未満であり、前記第２液体組成物は、２．９モル／リットルのＨ２Ｏ２水溶液と、１２．２モル／リットルのＨＣｌ水溶液とを、１：１から１：３の範囲内の体積比で混合し、且つ
前記Ｈ２Ｏ２水溶液とＨ２Ｏの体積比が１：２０から１：５０の範囲内にあるように、Ｈ２Ｏを混合することによって得られることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２液体組成物において、２．９モル／リットルのＨ２Ｏ２水溶液と、１２．２モル／リットルのＨＣｌ水溶液と、Ｈ２Ｏの体積比は１：２：２０である、請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記第２液体組成物において、Ｈ２Ｏ２水溶液とＨＣｌ水溶液とＨ２Ｏの体積比は、１：１１．２：３２９である、請求項１記載の製造方法。
【請求項４】
前記第１液体組成物は、ＩｎＧａＰに対してエッチング停止反応を示す、請求項１〜３何れか一項記載の制御方法。
【請求項５】
前記第１液体組成物は、
１４．８モル／リットルのＨ３ＰＯ４水溶液と、１２．２モル／リットルのＨＣｌ水溶液を、１：１０から１０：１の範囲内にある体積比で混合し、且つ
前記ＨＣｌ水溶液：Ｈ２Ｏの体積比が１：２から１：０の範囲内にあるように、Ｈ２Ｏを混合することによって得られる、請求項１〜４何れか一項記載の制御方法。
【請求項６】
前記第１液体組成物はＨ３ＰＯ４、ＨＣｌ、およびＨ２Ｏからなり、
Ｈ３ＰＯ４：ＨＣｌの体積比率は、１：３．２から３１：１の範囲内にあり、
ＨＣｌ：Ｈ２Ｏの体積比は、１：２．８から１：１７の範囲内にある、請求項１〜４何れか一項記載の制御方法。
【請求項７】
前記第１液体組成物は、
０．５７モル／リットルのクエン酸水溶液と、２．９モル／リットルのＨ２Ｏ２水溶液を、１：１０から１０：１の範囲内にある体積比で混合することによって得られる、請求項１〜４何れか一項記載の制御方法。
【請求項８】
半導体装置の製造方法であって、前記製造方法は、
ＩＩＩ−Ｖ族化合物によって構成されるヘテロ構造を提供することであって、前記ヘテロ構造は、互いに隣接する第１エピタキシャル層と第２エピタキシャル層を含み、前記第１エピタキシャル層はＧａＡｓからなり、前記第２エピタキシャル層はＩｎＧａＰからなり、前記第１エピタキシャル層と前記第２エピタキシャル層の間にはＩｎＧａＡｓＰからなる境界面が配置されることと；
前記へテロ構造を、前記第１層を選択的にエッチングする第１液体組成物に晒すことと；
前記へテロ構造を、前記境界面を選択的にエッチングする第２液体組成物に晒すことであって、前記第２液体組成物はＨ２Ｏ２、ＨＣｌ、およびＨ２Ｏの混合液からなりｐＨ７未満であり、前記第２液体組成物は、２．９モル／リットルのＨ２Ｏ２水溶液と、１２．２モル／リットルのＨＣｌ水溶液とを、１：１から１：３の範囲内の体積比で混合し、且つ
前記Ｈ２Ｏ２水溶液とＨ２Ｏの体積比が１：２０から１：５０の範囲内にあるように、Ｈ２Ｏを混合することによって得られることと
を備えることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２液体組成物において、２．９モル／リットルのＨ２Ｏ２水溶液と、１２．２モル／リットルのＨＣｌ水溶液と、Ｈ２Ｏの体積比は１：２：２０である、請求項８記載の製造制御方法。
【請求項１０】
前記第２液体組成物において、Ｈ２Ｏ２水溶液とＨＣｌ水溶液とＨ２Ｏの体積比は、１：１１．２：３２９である、請求項８記載の製造方法。
【請求項１１】
前記半導体装置は、電界効果トランジスタである、請求項８〜１０何れか一項記載の制御方法。
【請求項１２】
前記半導体装置は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタである、請求項８〜１０何れか一項記載の制御方法。
【請求項１３】
前記基板は、前記ＩｎＧａＡｓＰからなる前記境界面を複数有する、請求項８〜１０何れか一項記載の制御方法。
【請求項１４】
前記境界面は、前記第１層に接する第１面と、前記第２層に接する第２面とを有する、請求項８〜１０何れか一項記載の制御方法。
【請求項１５】
前記第１層と前記第２層は、互いに平行である、請求項８〜１０何れか一項記載の制御方法。
【請求項１６】
前記第１液体組成物は、ＩｎＧａＰに対してエッチング停止反応を示す、請求項８〜１５何れか一項記載の制御方法。
【請求項１７】
前記第１液体組成物は、
１４．８モル／リットルのＨ３ＰＯ４水溶液と、１２．２モル／リットルのＨＣｌ水溶液を、１：１０から１０：１の範囲内にある体積比で混合し、且つ
前記ＨＣｌ水溶液：Ｈ２Ｏの体積比が１：２から１：０の範囲内にあるように、Ｈ２Ｏを混合することによって得られる、請求項８〜１５何れか一項記載の制御方法。
【請求項１８】
前記第１液体組成物はＨ３ＰＯ４、ＨＣｌ、およびＨ２Ｏからなり、
Ｈ３ＰＯ４：ＨＣｌの体積比率は、１：３．２から３１：１の範囲内にあり、
ＨＣｌ：Ｈ２Ｏの体積比は、１：２．８から１：１７の範囲内にある、請求項８〜１５何れか一項記載の制御方法。
【請求項１９】
前記第１液体組成物は、
０．５７モル／リットルのクエン酸水溶液と、２．９モル／リットルのＨ２Ｏ２水溶液を、１：１０から１０：１の範囲内にある体積比で混合することによって得られる、請求項８〜１５何れか一項記載の制御方法。
【請求項２０】
前記第２液体組成物のｐＨは、５よりも大きい、請求項８〜１５何れか一項記載の制御方法。
【請求項２１】
前記制御方法は更に、第３溶液を用いて前記第２層をエッチングするステップを備え、
前記第３液体組成物はＨ３ＰＯ４とＨＣｌからなり、
Ｈ３ＰＯ４：ＨＣｌの体積比は３．１：１から９．３：１の範囲内にある、請求項８〜１５何れか一項記載の制御方法。
【請求項２２】
前記制御方法は更に、第３溶液を用いて前記第２層をエッチングするステップを備え、
前記第３液体組成物は、１４．８モル／リットルのＨ３ＰＯ４水溶液と、１２．２モル／リットルのＨＣｌ水溶液を、１：１から３：１の範囲内にある体積比で混合することによって得られる、請求項８〜１５何れか一項記載の制御方法。
【請求項２３】
前記ＩｎＧａＡｓＰは、式ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙただし、０＜ｘ，ｙ＜１によって表され、前記ＩｎＧａＰは、式ＩｎｘＧａ１−ｘＰ（ここで、０＜ｘ＜１）によって表される、請求項８〜１５何れか一項記載の制御方法。
【請求項２４】
基板のエッチング方法であって、前記エッチング方法は、
ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ、ただし０＜ｘ，ｙ＜１の層を有する基板を提供するステップと；
前記ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ層を、Ｈ２Ｏ２、ＨＣｌ、およびＨ２Ｏからなる液体組成物を用いてエッチングするステップと、
を含み、
前記液体組成物はＨ２Ｏ２、ＨＣｌ、およびＨ２Ｏの混合液からなりｐＨ７未満であり、前記液体組成物は、２．９モル／リットルのＨ２Ｏ２水溶液と、１２．２モル／リットルのＨＣｌ水溶液とを、１：１から１：３の範囲内の体積比で混合し、且つ
前記Ｈ２Ｏ２水溶液とＨ２Ｏの体積比が１：２０から１：５０の範囲内にあるように、Ｈ２Ｏを混合することによって得られることを特徴とする、基板のエッチング方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法、およびエッチング方法
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は、一般に無機基板の化学エッチングに関し、より詳細にはＩｎＧａＡｓＰの四元境界層の化学エッチングに関する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
（実施例１１〜１４）
以下の実施例は、エッチング溶液中のＨＣｌ、Ｈ２Ｏ２、およびＨ２Ｏの体積比の変化が、ＧａＡｓ／ＩｎＧａＰ層対間に存在するＩｎＧａＡｓＰ境界面に対する溶液のエッチング反応に与える効果を示している。 ＨＣｌ、Ｈ２Ｏ２、およびＨ２Ｏの体積比を変化させた４種類の異なったＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏの水溶液を、周囲条件でＨＢＴ中のＧａＡｓ／ＩｎＧａＰ層対の境界層をエッチングするそれらの水溶液の能力の観点から評価した。各混合物中のＨＣｌ、Ｈ２Ｏ２、およびＨ２Ｏの体積比を表２に示す。これらの混合物は、１２．２ＭのＨＣｌ水溶液、２．９ＭのＨ２Ｏ２水溶液、およびＨ２Ｏを、表に示した比で一緒に混合して得た。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
【表２】
2005517286.tif 000001
実施例１１の溶液が最も有効に作用し、最も制御可能でかつ反復可能なエッチング特性を示した。この溶液は、ＩｎＧａＰに対して高い選択性を示し、境界面からＩｎＧａＡｓＰ生成物をすべて除去し、次のエッチングステップのためにＩｎＧａＰの清浄表面を露出させた。実施例１２〜１４の溶液は、実施例１１の溶液ほどＩｎＧａＰに対する良好な選択性を示さなかった点において、それほど望ましくなかった。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
【表３】
2005517286.tif 000002
ＴｉＷＮをマスクとして使用して、一連のＩｎＧａＡｓ／傾斜ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ層が、クエン酸：過酸化水素水＝３：１の溶液（体積比、実施例１〜１０に述べたクエン酸と過酸化水素水の溶液を使用して）で最初にエッチングされ、そしてＩｎＧａＰ層上で（エッチングを）選択的に停止する。このエッチングは非常に確実で、ＩｎＧａＰに対する事実上無限の選択性を示す。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図３】
2005517286.tif 000003