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【手続補正書】
【提出日】平成23年8月4日(2011.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画像を構成する画面をマクロブロック単位で符号化する映像符号化装置であって、
入力映像信号の予測符号化方法を決定する予測符号化方法決定手段と、
前記予測符号化方法決定手段で決定された予測符号化方法に従い前記入力映像信号を予測符号化する予測符号化処理手段であって、マクロブロック単位の処理時間情報を保持する予測符号化処理手段と、
前記予測符号化方法決定手段及び前記予測符号化処理手段により共用されるメモリと、
前記処理時間情報に従って前記メモリに対する伝送帯域の状態を判定し、前記予測符号化方法決定手段による予測符号化方法の決定に係る予測方法決定処理条件を、前記処理時間情報に従って判定された前記メモリに対する伝送帯域の状態に応じて制御する制御手段
とを有することを特徴とする映像符号化装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記メモリに対する伝送帯域が不足していると判定された場合には、予測符号化方法を決定するための負荷を軽減するように前記予測方法決定処理条件を変更し、前記メモリに対する伝送帯域に余裕があると判定された場合には、予測符号化方法を決定するための負荷を緩和するように前記予測方法決定処理条件を変更する
ことを特徴とする請求項１に記載の映像符号化装置。
【請求項３】
前記処理時間情報は、１マクロブロック当りの前記予測符号化に係る実処理時間が要求処理時間に対して超過の場合に加算され、未満の場合に減算されるカウント値であり、
前記制御手段は、前記カウント値の大きさにより前記メモリに対する伝送帯域の状態を判定する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の映像符号化装置。
【請求項４】
前記処理時間情報は、１マクロブロック当りの前記予測符号化に係る実処理時間が要求処理時間に対して増減した時間の累積加算値であり、
前記制御手段は、前記累積加算値の大きさにより前記メモリに対する伝送帯域の状態を判定する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の映像符号化装置。
【請求項５】
前記予測方法決定処理条件は、動き探索範囲、動きベクトル数、動きベクトルの画素精度、及びこれらの組み合わせの何れかを含むことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の映像符号化装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る映像符号化装置は、動画像を構成する画面をマクロブロック単位で符号化する映像符号化装置であって、入力映像信号の予測符号化方法を決定する予測符号化方法決定手段と、前記予測符号化方法決定手段で決定された予測符号化方法に従い前記入力映像信号を予測符号化する予測符号化処理手段であって、マクロブロック単位の処理時間情報を保持する予測符号化処理手段と、前記予測符号化方法決定手段及び前記予測符号化処理手段により共用されるメモリと、前記処理時間情報に従って前記メモリに対する伝送帯域の状態を判定し、前記予測符号化方法決定手段による予測符号化方法の決定に係る予測方法決定処理条件を、前記処理時間情報に従って判定された前記メモリに対する伝送帯域の状態に応じて制御する制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
共有されるメモリへのアクセスを上述のように適応制御することにより、共有メモリの伝送帯域を有効活用でき、図４に示すように、記録処理部２４にメモリ１６を共有させることも可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月7日(2011.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス拡散層を提供することと；
少なくとも一つの触媒、約５ｍｇ／ｃｍ２〜約１００ｍｇ／ｃｍ２の範囲内のリン酸触媒、架橋剤、および、少なくとも一つのトリアゾール変性ポリマーを含むバインダーを有する混合物を反応させることにより、触媒層を形成することと；を有する燃料電池電極の製造方法であって、
前記トリアゾール変性ポリマーが、ポリシロキサン骨格およびトリアゾール置換基を有することを特徴とする燃料電池電極の製造方法。
【請求項２】
前記触媒層が白金、白金合金、炭素またはそれらの混合物を含むものであることを特徴とする請求項１に記載の燃料電池電極の製造方法。
【請求項３】
前記トリアゾール変性ポリマーが、１,２,３−トリアゾールグラフトポリシロキサン、１，２，４−トリアゾールグラフトポリシロキサン、および、それらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の燃料電池電極の製造方法。
【請求項４】
前記燃料電池電極が１２０℃および周囲圧力下で、ピーク出力が少なくとも約０．２２Ｗ／ｃｍ２である請求項１に記載の燃料電池電極の製造方法。
【請求項５】
前記触媒が炭素担体上に担持された白金を含むことを特徴とする請求項１に記載の燃料電池電極の製造方法。
【請求項６】
前記リン酸および前記トリアゾール変性ポリマーが、リン酸３モル当りトリアゾール変性ポリマー１モルのモル比であることを特徴とする請求項１に記載の燃料電池電極の製造方法。
【請求項７】
前記触媒層は、微小区画構造を有することを特徴とする請求項１に記載の燃料電池電極の製造方法。
【請求項８】
前記架橋剤がＴＥＯＳ（テトラエチルオルトシリケート）を含むことを特徴とする請求項１に記載の燃料電池電極の製造方法。
【請求項９】
前記架橋剤がオルガノシロキサン架橋剤であることを特徴とする請求項１に記載の燃料電池電極の製造方法。
【請求項１０】
前記触媒層がインクの形態において、前記ガス拡散層の少なくとも一つの表面上に塗布されることを特徴とする請求項１に記載の燃料電池電極の製造方法。
【請求項１１】
さらに、前記混合物を超音波浴に運搬することを特徴とする請求項１に記載の燃料電池電極の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月22日(2011.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器本体の外装部材と、
複数の電子部品および基板間コネクタの一方が実装され、前記複数の電子部品が前記外装部材に対して位置決めされる回路基板と、
複数のスイッチおよび前記基板間コネクタの他方が実装され、前記外装部材に対して位置決めされずに、前記回路基板に前記基板間コネクタによって接続されるスイッチ基板と、
前記複数のスイッチのそれぞれに対応して、前記電子機器本体の外装部材側に配置された操作ボタンとを有し、
前記基板間コネクタの他方の実装位置と前記複数のスイッチの実装位置とが所定の距離以上となる位置に、その押下箇所が凸形状の第１のスイッチが実装されるとともに、前記第１のスイッチに対応する操作ボタンには平面形状の押し子が形成されていることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記基板間コネクタの他方の実装位置と前記複数のスイッチの実装位置とが所定の距離以下となる位置に、その押下箇所がドーム形状の第２のスイッチが実装されるとともに、前記第２のスイッチに対応する操作ボタンには凸形状の押し子が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記第１のスイッチは、前記第２のスイッチの操作上のスウィートスポットよりもその操作上のスウィートスポットが広いことを特徴とする請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記回路基板には、外部インターフェース用の部品が実装されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記目的を達成するために、本発明の電子機器は、電子機器本体の外装部材と、複数の電子部品および基板間コネクタの一方が実装され、前記複数の電子部品が前記外装部材に対して位置決めされる回路基板と、複数のスイッチおよび前記基板間コネクタの他方が実装され、前記外装部材に対して位置決めされずに、前記回路基板に前記基板間コネクタによって接続されるスイッチ基板と、
前記複数のスイッチのそれぞれに対応して、前記電子機器本体の外装部材側に配置された操作ボタンとを有し、前記基板間コネクタの他方の実装位置と前記複数のスイッチの実装位置とが所定の距離以上となる位置に、その押下箇所が凸形状の第１のスイッチが実装されるとともに、前記第１のスイッチに対応する操作ボタンには平面形状の押し子が形成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、スイッチ基板１７の基板間コネクタ１８ｂを設けたのとは反対の平面上には、複数のドーム型のタクトスイッチ１９と、押下箇所が凸形状に形成された複数のタクトスイッチ２１とを配置する。すなわち、タクトスイッチ１９は押下箇所がドーム形状のドーム形状スイッチ（第２のスイッチ）であり、タクトスイッチ２１は押下箇所が凸形状の凸形状スイッチ（第１のスイッチ）である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月11日(2011.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
特開２００７−２７０１３号公報［特許文献２］には、エッジライト方式の面光源装置における導光体裏面のパターンの潰れ発生の防止のために、拡散パターンを導光体裏面の部分的に窪ませた凹部内に設けさせて、拡散パターンは導光体の裏面から飛び出ないように形成されている。拡散パターン３８は、導光方向と直交する方向において波形を描くように高さが変化しており、導光方向では両端部を除いて均一な断面形状を有することが開示されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
ＷＯ２００７／００７７９９号公報［特許文献３］には、エッジライト方式の面光源装置における輝度むら特に導光体薄型化に伴う導光体光入射端面近傍領域での輝度むらが視認される問題の発生防止のために、面光源装置用導光体の裏面に光入射端面を横切る方向に延在し且つ互いに平行に配列されて形成された複数のプリズム列のそれぞれの頂部を、その延在方向に関し少なくとも一部の領域で、基準レンズとなる断面形状においてその延在方向に関して少なくとも一部の領域でその断面形状の一部が分割または増減することが開示されている。
【特許文献１】特開平７−２７０６２４号公報
【特許文献２】特開２００７−２７０１３号公報
【特許文献３】ＷＯ２００７／００７７９９号公報
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月17日(2011.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学ファインダと、可視光域において６０％以上の量子効率を有する撮像センサと、前記光学ファインダによる被写体像観察および前記撮像センサによる撮像のために被写体からの可視光域における光を分割する光分割手段と、前記撮像センサの出力に基づく被写体像を表示する表示部とを有することを特徴とするライブビュー可能なカメラ。
【請求項２】
光学ファインダと、可視光域および赤外粋に感度を有する撮像センサと、前記光学ファインダによる被写体像観察および前記撮像センサによる撮像のために被写体からの可視光域における光を分割するとともに被写体からの赤外域における光についてはこれを前記撮像センサに導く波長選択性の光分割手段と、前記撮像センサの出力に基づく被写体像を表示する表示部とを有することを特徴とするライブビュー可能なカメラ。
【請求項３】
光学ファインダと、可視光域において６０％以上の量子効率を有する撮像センサと、前記光学ファインダによる被写体像観察および前記撮像センサによる撮像のいずれか一方に被写体からの光を導く光路切り替え手段と、前記撮像センサの出力に基づく被写体像を表示する表示部とを有することを特徴とするライブビュー可能なカメラ。
【請求項４】
被写体からの光を記録のために撮像する記録用撮像部を有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のライブビュー可能なカメラ。
【請求項５】
前記撮像センサに被写体から光が入射するときは前記記録用撮像部に被写体からの光が入射しないことを特徴とする請求項４記載のライブピュー可能なカメラ。
【請求項６】
前記撮像センサは赤外域においても６０％以上の量子効率を有することを特徴とする請求項１または３記載のライブビュー可能なカメラ。
【請求項７】
前記撮像センサへの赤外域における光の入射を防止する赤外カットフィルタを有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のライブビュー可能なカメラ。
【請求項８】
前記赤外カットフィルタと差し替え可能な前記撮像センサへの可視光域における光の入射を防止する可視光カットフィルタを有することを特徴とする請求項７記載のライブビュー可能なカメラ。
【請求項９】
前記撮像センサの画像を記録する記録手段を有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のライブビュー可能なカメラ。
【請求項１０】
前記撮像センサへの焦点調節を行う自動焦点調節手段を有することを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載のライブビュー可能なカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月12日(2011.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写界像を逐次撮像し、撮像画像を出力する撮像手段と、
予め設定された顔パターン情報に基づいて、前記撮像手段が出力する撮像画像から顔領域を検出する第１の顔領域検出手段と、
前記撮像手段が出力する撮像画像における動体領域を、該撮像画像より前に前記撮像手段が出力した撮像画像を用いて検出し、該撮像画像より前に前記撮像手段が出力した撮像画像において前記第１の顔領域検出手段で検出された顔領域の情報に基づいて、前記動体領域の中から顔領域を検出する第２の顔領域検出手段と、
自装置の姿勢を検出する姿勢検出手段と、
前記姿勢検出手段により検出された自装置の姿勢が予め設定された範囲内の姿勢であるか否かを判定し、前記自装置の姿勢が前記予め設定された範囲内の姿勢である場合には前記第１及び第２の顔領域検出手段のうち少なくとも前記第１の顔領域検出手段を用いて顔領域を検出し、前記自装置の姿勢が前記予め設定された範囲内の姿勢でない場合には前記第１の顔領域検出手段を用いずに前記第２の顔領域検出手段を用いて顔領域を検出するように前記第１及び第２の顔領域検出手段を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第２の顔領域検出手段は、前記撮像画像の各々について、直近に撮像された撮像画像を用いて前記動体領域を検出して当該動体領域の動きベクトルを記憶し、直近に前記第１の顔領域検出手段で検出された顔領域の情報と、直近に前記第１の顔領域検出手段が顔領域を検出した撮像画像の後に撮像された撮像画像について記憶された前記動きベクトルとから、最新の撮像画像における顔領域を検出することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記顔パターン情報が複数設定され、前記顔パターン情報の各々には、その顔パターン情報を用いて前記第１の顔領域検出手段で顔検出を行う前記自装置の姿勢の範囲が対応づけられており、
前記制御手段は、対応付けられた姿勢の範囲に前記姿勢検出手段が検出した自装置の姿勢が含まれる前記顔パターン情報を、前記第１の顔領域検出手段が用いる顔パターン情報に決定することを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
ユーザから撮像指示を受け付ける操作手段を更に備え、
前記制御手段は、前記操作手段が撮像指示を受け付けた場合、前記第１の顔領域検出手段又は前記第２の顔領域検出手段により検出された顔領域が適切に撮像されるように、前記撮像手段の露出調整及び焦点調整の少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項５】
被写界像を逐次撮像して撮像画像を出力する撮像手段と、
予め設定された顔パターン情報に基づいて、前記撮像手段が出力する撮像画像から顔領域を検出する第１の顔領域検出手段と、
前記撮像手段が出力する撮像画像における動体領域を、該撮像画像より前に前記撮像手段が出力した撮像画像を用いて検出し、該撮像画像より前に前記撮像手段が出力した撮像画像において前記第１の顔領域検出手段で検出された顔領域の情報に基づいて、前記動体領域の中から顔領域を検出する第２の顔領域検出手段と、
自装置の姿勢を検出する姿勢検出手段と、制御手段とを有する撮像装置の制御方法であって、
前記制御手段が、前記姿勢検出手段により検出された自装置の姿勢が予め設定された範囲内の姿勢であるか否かを判定し、前記自装置の姿勢が前記予め設定された範囲内の姿勢である場合には前記第１及び第２の顔領域検出手段のうち少なくとも前記第１の顔領域検出手段を用いて顔領域を検出し、前記自装置の姿勢が前記予め設定された範囲内の姿勢でない場合には前記第１の顔領域検出手段を用いずに前記第２の顔領域検出手段を用いて顔領域を検出するように前記第１及び第２の顔領域検出手段を制御する制御工程を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項６】
前記撮像装置が有するコンピュータに、請求項５に記載の撮像装置の制御方法の各工程を実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的は、被写界像を逐次撮像し、撮像画像を出力する撮像手段と、予め設定された顔パターン情報に基づいて、撮像手段が出力する撮像画像から顔領域を検出する第１の顔領域検出手段と、撮像手段が出力する撮像画像における動体領域を、撮像画像より前に撮像手段が出力した撮像画像を用いて検出し、撮像画像より前に撮像手段が出力した撮像画像において第１の顔領域検出手段で検出された顔領域の情報に基づいて、動体領域の中から顔領域を検出する第２の顔領域検出手段と、自装置の姿勢を検出する姿勢検出手段と、姿勢検出手段により検出された自装置の姿勢が予め設定された範囲内の姿勢であるか否かを判定し、自装置の姿勢が予め設定された範囲内の姿勢である場合には第１及び第２の顔領域検出手段のうち少なくとも第１の顔領域検出手段を用いて顔領域を検出し、自装置の姿勢が予め設定された範囲内の姿勢でない場合には第１の顔領域検出手段を用いずに第２の顔領域検出手段を用いて顔領域を検出するように第１及び第２の顔領域検出手段を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする撮像装置によって達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、上記目的は、被写界像を逐次撮像して撮像画像を出力する撮像手段と、予め設定された顔パターン情報に基づいて、撮像手段が出力する撮像画像から顔領域を検出する第１の顔領域検出手段と、撮像手段が出力する撮像画像における動体領域を、撮像画像より前に撮像手段が出力した撮像画像を用いて検出し、撮像画像より前に撮像手段が出力した撮像画像において第１の顔領域検出手段で検出された顔領域の情報に基づいて、動体領域の中から顔領域を検出する第２の顔領域検出手段と、自装置の姿勢を検出する姿勢検出手段と、制御手段とを有する撮像装置の制御方法であって、制御手段が、姿勢検出手段により検出された自装置の姿勢が予め設定された範囲内の姿勢であるか否かを判定し、自装置の姿勢が予め設定された範囲内の姿勢である場合には第１及び第２の顔領域検出手段のうち少なくとも第１の顔領域検出手段を用いて顔領域を検出し、自装置の姿勢が予め設定された範囲内の姿勢でない場合には第１の顔領域検出手段を用いずに第２の顔領域検出手段を用いて顔領域を検出するように第１及び第２の顔領域検出手段を制御する制御工程を有することを特徴とする撮像装置の制御方法によっても達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
画素が２次元に配列された撮像素子により被写体を撮像して画像データを生成する撮像手段と、
前記撮像素子の蓄積時間をライン単位で制御する制御手段と、
前記制御手段により前記撮像素子の各ラインの蓄積時間を少なくとも２つの蓄積時間を含むように制御し、蓄積時間の異なる複数の画像データを取得する取得手段と、
前記取得手段により取得した画像データを比較し、前記取得した画像データにフリッカが発生しているか判定する判定手段と、
前記複数の画像データのうち、前記判定手段によりフリッカが発生していないと判定された画像データに基づいた被写体画像を表示する表示手段とを有することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
画素が２次元に配列された撮像素子により被写体を撮像して画像データを生成する撮像手段と、前記撮像素子の蓄積時間をライン単位で制御する制御手段と、を有する撮像装置の制御方法であって、
前記制御手段により前記撮像素子の各ラインの蓄積時間を少なくとも２つの蓄積時間を含むように制御し、蓄積時間の異なる複数の画像データを取得する取得工程と、
前記取得工程により取得した画像データを比較し、前記取得した画像データにフリッカが発生しているか判定する判定工程と、
前記複数の画像データのうち、前記判定工程によりフリッカが発生していないと判定された画像データに基づいた被写体画像を表示する表示工程とを有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置及びその制御方法
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の撮像装置は、画素が２次元に配列された撮像素子により被写体を撮像して画像データを生成する撮像手段と、前記撮像素子の蓄積時間をライン単位で制御する制御手段と、前記制御手段により前記撮像素子の各ラインの蓄積時間を少なくとも２つの蓄積時間を含むように制御し、蓄積時間の異なる複数の画像データを取得する取得手段と、前記取得手段により取得した画像データを比較し、前記取得した画像データにフリッカが発生しているか判定する判定手段と、前記複数の画像データのうち、前記判定手段によりフリッカが発生していないと判定された画像データに基づいた被写体画像を表示する表示手段とを有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明の撮像装置の制御方法は、画素が２次元に配列された撮像素子により被写体を撮像して画像データを生成する撮像手段と、前記撮像素子の蓄積時間をライン単位で制御する制御手段と、を有する撮像装置の制御方法であって、前記制御手段により前記撮像素子の各ラインの蓄積時間を少なくとも２つの蓄積時間を含むように制御し、蓄積時間の異なる複数の画像データを取得する取得工程と、前記取得工程により取得した画像データを比較し、前記取得した画像データにフリッカが発生しているか判定する判定工程と、前記複数の画像データのうち、前記判定工程によりフリッカが発生していないと判定された画像データに基づいた被写体画像を表示する表示工程とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月15日(2011.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置及び発光装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の可撓性基板間に、繊維体に有機樹脂を含浸させてなる構造体と、前記構造体を挟んで形成された第１の素子形成層および第２の素子形成層と、を有し、
前記第１の素子形成層に形成される薄膜トランジスタ、および前記第２の素子形成層に形成される発光素子は、前記構造体内部の所望の位置に形成された導電体を介して電気的に接続されることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記一対の可撓性基板の一方または両方が繊維体に有機樹脂を含浸させてなる構造体であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記一対の可撓性基板の一方の前記構造体、前記第１の素子形成層および前記第２の素子形成層に対して反対側に形成された第１の衝撃緩和層と、
前記一対の可撓性基板の他方の前記構造体、前記第１の素子形成層および前記第２の素子形成層に対して反対側に形成された第２の衝撃緩和層とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記発光素子は、前記導電体と電気的に接続される第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極に挟まれたＥＬ層と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第２の電極と前記一対の可撓性基板の一方との間に形成された絶縁層を有することを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記導電体は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）のいずれか一を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６に記載の発光装置を有することを特徴とする電子機器。
【請求項８】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に薄膜トランジスタおよび前記薄膜トランジスタと電気的に接続された配線を有する素子形成層を形成し、
前記素子形成層上に繊維体に有機樹脂を含浸させてなる構造体を形成し、
前記構造体上であって、前記配線と重なる位置に導電性ペーストを塗布し、
前記導電性ペーストを前記構造体内部に浸透させることにより、前記配線と接触させた後、前記構造体を硬化し、
前記基板から前記素子形成層および前記構造体を剥離し、剥離面に第１の可撓性基板を貼り合わせ、
前記構造体上であって、前記導電性ペーストを塗布した位置に開口部を有する第１の絶縁層を形成し、
前記導電性ペーストと接するように前記開口部に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上にＥＬ層を形成し、
前記ＥＬ層上に第２の電極を形成し、
前記第２の電極上に第２の絶縁層を形成し、
前記絶縁膜上に第２の可撓性基板を貼り合わせることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
第１の可撓性基板上に薄膜トランジスタおよび前記薄膜トランジスタと電気的に接続された配線を有する素子形成層を形成し、
前記素子形成層上に繊維体に有機樹脂を含浸させてなる構造体を形成し、
前記構造体上であって、前記配線と重なる位置に導電性ペーストを塗布し、
前記導電性ペーストを前記構造体内部に浸透させることにより、前記配線と接触させた後、前記構造体を硬化し、
前記構造体上であって、前記導電性ペーストを塗布した位置に開口部を有する第１の絶縁層を形成し、
前記導電性ペーストと接するように前記開口部に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上にＥＬ層を形成し、
前記ＥＬ層上に第２の電極を形成し、
前記第２の電極上に第２の絶縁層を形成し、
前記絶縁膜上に第２の可撓性基板を貼り合わせることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、
前記第１の可撓性基板および前記第２の可撓性基板の一方、又は両方が繊維体に有機樹脂を含浸させてなる構造体であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一において、
前記有機樹脂としてエポキシ樹脂を用い、
前記導電性ペーストとして銀ペーストを用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月18日(2011.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示装置を構成するＴＦＴにおいて、ソース電極およびドレイン電極が、銅を主体とする層と該銅を主体とする層を被覆する酸化マンガンを含む酸化物層からなり、半導体層と前記ソース電極あるいは前記ドレイン電極とが、電気的にオーミック接合性を有していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記ＴＦＴにおいて、前記半導体層がｎ＋  ａ−Ｓｉである請求項１の液晶表示装置。
【請求項３】
前記ＴＦＴにおいて、前記半導体層がａ−Ｓｉである請求項１の液晶表示装置。
【請求項４】
前記ＴＦＴにおいて、前記半導体層がマイクロクリスタルＳｉである請求項１の液晶表示装置。
【請求項５】
液晶表示装置を構成するＴＦＴにおいて、ソース電極あるいはドレイン電極が、銅を主体とした層と該銅を主体とした層を被覆する酸化マンガンを含む酸化物層からなり、、半導体層と前記ソース電極あるいは前記ドレイン電極との間に電圧が印加されて、該電圧と該電流との関係がほぼ直線的になる電気的特性を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
前記ＴＦＴにおいて、前記半導体層がｎ＋  ａ−Ｓｉである請求項５の液晶表示装置。
【請求項７】
前記ＴＦＴにおいて、前記半導体層がａ−Ｓｉである請求項５の液晶表示装置。
【請求項８】
前記ＴＦＴにおいて、前記半導体層がマイクロクリスタルＳｉである請求項５の液晶表示装置。
【請求項９】
液晶表示装置を構成するＴＦＴにおいて、ソース電極あるいはドレイン電極が、銅を主体とした層と該銅を主体とした層を挟持する酸化マンガンを含む酸化物層からなり、半導体層と前記ソース電極あるいは前記ドレイン電極とが、電気的にオーミック接合性を有していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
前記ＴＦＴにおいて、前記半導体層がｎ＋  ａ−Ｓｉである請求項９の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記ＴＦＴにおいて、前記半導体層がａ−Ｓｉである請求項９の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記ＴＦＴにおいて、前記半導体層がマイクロクリスタルＳｉである請求項９の液晶表示装置。
【請求項１３】
液晶表示装置を構成するＴＦＴにおいて、ソース電極あるいはドレイン電極が、銅を主体とした層と該銅を主体とした層を挟持する酸化マンガンを含む酸化物層からなり、半導体層と前記ソース電極あるいは前記ドレイン電極との間に電圧が印加されて、該電圧と該電流との関係がほぼ直線的になる電気的特性を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】
前記ＴＦＴにおいて、前記半導体層がｎ＋  ａ−Ｓｉである請求項１３の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記ＴＦＴにおいて、前記半導体層がａ−Ｓｉである請求項１３の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記ＴＦＴにおいて、前記半導体層がマイクロクリスタルＳｉである請求項１３の液晶表示装置。
【請求項１７】
液晶表示装置を構成するＴＦＴにおいて、ソース電極あるいはドレイン電極が、マンガンを含む銅を主体とした層と該マンガンを含む銅を主体とした層を被覆する酸化マンガンを含む酸化物層からなり、半導体層と前記ソース電極あるいは前記ドレイン電極とが、電気的にオーミック接合性を有していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１８】
前記ＴＦＴにおいて、前記半導体層がｎ＋  ａ−Ｓｉである請求項１３の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記ＴＦＴにおいて、前記半導体層がａ−Ｓｉである請求項１３の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記ＴＦＴにおいて、前記半導体層がマイクロクリスタルＳｉである請求項１３の液晶表示装置。
【請求項２１】
液晶表示装置を構成するＴＦＴにおいて、ソース電極あるいはドレイン電極が、マンガンを含む銅を主体とした層と該マンガンを含む銅を主体とした層を挟持する酸化マンガンを含む酸化物層からなり、半導体層と前記ソース電極あるいは前記ドレイン電極との間に電圧が印加されて、該電圧と該電流との関係がほぼ直線的になる電気的特性を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２２】
前記ＴＦＴにおいて、前記半導体層がｎ＋  ａ−Ｓｉである請求項１３の液晶表示装置。
【請求項２３】
前記ＴＦＴにおいて、前記半導体層がａ−Ｓｉである請求項１３の液晶表示装置。
【請求項２４】
前記ＴＦＴにおいて、前記半導体層がマイクロクリスタルＳｉである請求項１３の液晶表示装置。
【請求項２５】
前記酸化物の主成分がＭｎであり、かつ前記酸化物の副成分がＣｕであることを特徴とする請求項１〜２４に記載の液晶表示装置。
【請求項２６】
前記酸化物は、組成式がＣｕＸＭｎＹＳｉＺＯ（０＜Ｘ＜Ｙ，０＜Ｚ＜Ｙ）であることを特徴とする請求項１〜２４に記載の液晶表示装置。
【請求項２７】
前記銅を主体とした層は、銅合金から形成され、該銅合金の添加元素は、Ｍｎであることを特徴とする請求項１〜１６に記載の液晶表示装置。
【請求項２８】
前記Ｍｎの添加量が、０．５−２５  ａｔ  ％であることを特徴とする請求項２７に記載の液晶表示装置。
【請求項２９】
前記酸化物が、ＣｕおよびＳｉを含むことを特徴とする請求項１〜２４に記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月13日(2011.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性材料を含む導体層と、
前記導体層の少なくとも一方の表面に形成され、導電粒子の表面の全部或いは一部を絶縁性樹脂が被覆された複合フィラーを含む絶縁樹脂層と
を有することを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記導体層が、電源層若しくはグランド層の少なくとも一部であることを特徴とする、請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記導体層が、複数備えられていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記導体層と、
前記導体層の両面に、前記絶縁樹脂層を含む絶縁層を介して形成される配線層と、
前記導体層を貫通するスルーホールの内壁に形成され、前記配線層同士を電気的に接続するスルーホール電極と、
前記導体層と前記スルーホール電極との間を電気的に絶縁するように備えられる絶縁樹脂部と
を有することを特徴とする、請求項１から３のいずれか１つに記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記導体層と、
前記導体層の両面に、前記絶縁樹脂層を含む絶縁層を介して形成される配線層と、
前記導体層を貫通するスルーホールの内壁に形成され、前記配線層同士と前記導体層を電気的に接続するスルーホール電極と
を有することを特徴とする、請求項１から３のいずれか１つに記載の多層配線基板。
【請求項６】
磁性材料を含む導体層と、
前記導体層の少なくとも一方の表面に形成され、導電粒子の表面の全部或いは一部を絶縁性樹脂が被覆された複合フィラーを含む絶縁樹脂層とを含む多層配線基板と、
前記多層配線基板に電気的に接続する半導体チップと
を有することを特徴とする電子装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の一観点によれば、磁性材料を含む導体層と、前記導体層の少なくとも一方の表面に形成され、導電粒子の表面の全部或いは一部を絶縁性樹脂が被覆された複合フィラーを含む絶縁樹脂層とを有する多層配線基板が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月16日(2011.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、ボビン１１は、開口部２２の周囲であって、連結部２８と向かい合う位置に足２６２・２６３が形成されている。さらに、ボビン１１は、開口部２３の周囲であって、連結部２７と向かい合う位置に足２６１・２６４が形成されている。足２６１〜２６４は、コイル装置１の支持部（足）と鍔を兼ねている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、連結部３６・３７の両端付近、換言すると外周面３１Ａの四隅にあたる部分には、他のボビンの孔部及び突起部と嵌合できるように、突起部及び孔部が交互に形成されている。同様に、連結部３８・３９の両端付近、換言すると外周面３１Ｂの四隅にあたる部分には、他のボビンの孔部及び突起部と嵌合できるように、突起部及び孔部が交互に形成されている。すなわち、連結部３６の下端付近（鍔部３４Ｂ側）には突起部３６Ｂが、連結部３６の上端付近（鍔部３４Ａ側）には孔部３６Ａがそれぞれ設けられている。同様に、連結部３７の下端付近（鍔部３５Ｂ側）には孔部３７Ａが、連結部３７の上端付近（鍔部３５Ａ側）には突起部３７Ｂがそれぞれ設けられている。また、連結部３８の下端付近（鍔部３５Ｂ側）には突起部３８Ｂが、連結部３８の上端付近（鍔部３５Ａ側）には孔部３８Ａがそれぞれ設けられている。同様に、連結部３９の下端付近（鍔部３４Ｂ側）には孔部３９Ａが、連結部３９の上端付近（鍔部３４Ａ側）には突起部３９Ｂがそれぞれ設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月15日(2011.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子と、前記半導体素子を搭載した放熱板と、前記放熱板とは別体に形成され前記半導体素子とワイヤを介して接続されたリードと、前記半導体素子を封止した樹脂封止体とを有した樹脂封止型半導体装置を製造する際に、前記放熱板に予め、前記ワイヤのための中継電極部およびＧＮＤ部が一体にパターニングされた配線板を絶縁材料と導電材料とを用いて貼り合わせ、この配線板をパンチングして個々の中継電極部およびＧＮＤ部に分離することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記配線板と同時に前記放熱板をパンチングして前記放熱板に開口部を形成することを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記配線板は前記放熱板よりも板厚が薄いことを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記放熱板に、同一の板材からなる前記ワイヤのための前記中継電極部および前記ＧＮＤ部が各々、前記絶縁材料または前記導電材料を用いて設けられている、請求項１記載の製造方法で製造した樹脂封止型半導体装置。
【請求項５】
前記導電材料および前記絶縁材料は２６０℃以上の融点を有することを特徴とする請求項４記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項６】
前記中継電極部および前記ＧＮＤ部の表面にＡｕまたはＡｇまたはＰｄによるめっき処理が施されていることを特徴とする請求項４記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項７】
前記放熱板上での前記中継電極部および前記ＧＮＤ部の上面の高さが同一であることを特徴とする請求項４記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項８】
前記放熱板上での前記中継電極部および前記ＧＮＤ部の上面が前記リードの前記ワイヤ接続面よりも低位にあることを特徴とする請求項４記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項９】
前記放熱板の中央部に前記半導体素子が搭載され、前記放熱板の周縁部に前記ＧＮＤ部が配置されていることを特徴とする請求項４記載の樹脂封止型半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
配線板と同時に放熱板をパンチングして前記放熱板に開口部を形成することが好ましい。配線板は放熱板よりも板厚が薄いことが好ましい。
上記の製造方法で製造される本発明の樹脂封止型半導体装置は、前記放熱板に、同一の板材からなる前記ワイヤのための前記中継電極部および前記ＧＮＤ部が各々、前記絶縁材料または前記導電材料を用いて設けられていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月12日(2011.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部インターフェースが搭載されたフレームグラウンドパターンと、
信号配線によって前記外部インターフェースと接続された回路部品が搭載されたシグナルグラウンドパターンと、
前記フレームグラウンドパターンと前記シグナルグラウンドパターンとを分離するスリット部と、
前記信号配線とともに前記スリット部を跨いで配置され、前記フレームグラウンドパターンと前記シグナルグラウンドパターンを電気的に接続する接続部材と、
前記接続部材と電気的に接続され、前記接続部材から前記フレームグラウンドパターン及びシグナルグラウンドパターンとは分離されて前記スリット部に沿って延在する導電体と、を有することを特徴とするプリント回路板。
【請求項２】
前記フレームグラウンドパターンと前記導電体とが、前記接続部材とは異なる位置において、抵抗性素子もしくは容量性素子、あるいはその両方を介して接続されたことを特徴とする請求項１に記載のプリント回路板。
【請求項３】
前記導電体は、誘導性素子を備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント回路板。
【請求項４】
積層された第１の導体層と第２の導体層を有するプリント回路板において、
前記第１の導体層には、
外部インターフェースが搭載された第１のフレームグラウンドパターンと、
回路部品が搭載された第１のシグナルグラウンドパターンと、
前記第１のフレームグラウンドパターンと前記第１のシグナルグラウンドパターンとを分離する第１のスリット部と、
前記外部インターフェースと前記回路部品を接続する前記第１のスリット部を跨いで配置された信号配線と、が設けられており、
前記第２の導体層には、
前記第１のフレームグラウンドパターンと同様の第２のフレームグラウンドパターンと、
前記第１のシグナルグラウンドパターンと同様の第２のシグナルグラウンドパターンと、
前記第２のフレームグラウンドパターンと前記第２のシグナルグラウンドパターンとを分離する第２のスリット部と、
前記第２のスリット部を跨いで配置され、前記第２のフレームグラウンドパターンと前記第２のシグナルグラウンドパターンを電気的に接続する接続部材と、
前記接続部材と電気的に接続され、前記接続部材から前記第２のフレームグラウンドパターン及び第２のシグナルグラウンドパターンとは分離されて前記第２のスリット部に沿って延在する導電体と、
が設けられていることを特徴とするプリント回路板。
【請求項５】
積層された第１の導体層と第２の導体層を有するプリント回路板において、
前記第１の導体層には、
外部インターフェースが搭載された第１のフレームグラウンドパターンと、
回路部品が搭載された第１のシグナルグラウンドパターンと、
前記第１のフレームグラウンドパターンと前記第１のシグナルグラウンドパターンとを分離する第１のスリット部と、
前記外部インターフェースと前記回路部品を接続する前記第１のスリット部を跨いで配置された信号配線と、
前記信号配線とともに前記第１のスリット部を跨いで配置され、前記第１のフレームグラウンドパターンと前記第１のシグナルグラウンドパターンを電気的に接続する第１の接続部材と、
前記第１の接続部材と電気的に接続され、前記第１の接続部材から前記第１のフレームグラウンドパターン及び前記第１のシグナルグラウンドパターンとは分離されて前記第１のスリット部に沿って延在する第１の導電体と、が設けられており、
前記第２の導体層には、
前記第１のフレームグラウンドパターンと同様の第２のフレームグラウンドパターンと、
前記第１のシグナルグラウンドパターンと同様の第２のシグナルグラウンドパターンと、
前記第２のフレームグラウンドパターンと前記第２のシグナルグラウンドパターンとを分離する第２のスリット部と、
前記第１の接続部材と同様の、前記第２のスリット部を跨いで配置され、前記第２のフレームグラウンドパターンと前記第２のシグナルグラウンドパターンを電気的に接続する第２の接続部材と、
前記第２の接続部材と電気的に接続され、前記第２の接続部材から前記第２のフレームグラウンドパターン及び第２のシグナルグラウンドパターンとは分離されて前記第２のスリット部に沿って延在する第２の導電体と、
が設けられていることを特徴とするプリント回路板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明のプリント回路板は、外部インターフェースが搭載されたフレームグラウンドパターンと、信号配線によって前記外部インターフェースと接続された回路部品が搭載されたシグナルグラウンドパターンと、前記フレームグラウンドパターンと前記シグナルグラウンドパターンとを分離するスリット部と、前記信号配線とともに前記スリット部を跨いで配置され、前記フレームグラウンドパターンと前記シグナルグラウンドパターンを電気的に接続する接続部材と、前記接続部材と電気的に接続され、前記接続部材から前記フレームグラウンドパターン及びシグナルグラウンドパターンとは分離されて前記スリット部に沿って延在する導電体と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月22日(2011.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転させながら処理液によって処理する基板の処理装置であって、
上記基板を保持して回転駆動される回転テーブルと、
この回転テーブルの上方に設けられ上記基板を横切る方向に駆動されながら上記基板に上記処理液を供給する処理液供給手段と、
この処理液供給手段とは別に上記基板の中心部に向けて処理液を供給する乾燥防止手段とを具備し、
上記処理液供給手段によって上記基板の中心部以外の部分が処理されているときに上記乾燥防止手段により上記基板の中心部にむけて処理液を供給するようにしたことを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２】
上記回転テーブルの上方には基端を支点として水平方向に円弧運動するアーム体が設けられ、このアーム体の先端には上記処理液供給手段及び上記アーム体の円弧運動に応じて首振りして上記基板の中心部に上記処理液を供給する上記乾燥防止手段が設けられていることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項３】
上記乾燥防止手段を駆動して首振りさせる首振り機構と、上記アーム体の円弧運動に応じて上記乾燥防止手段からの処理液が上記基板の中心部に供給されるよう上記乾燥防止手段の首振り角度を制御する制御手段と
を具備することを特徴とする請求項２記載の基板の処理装置。
【請求項４】
基板を回転させながら処理液によって処理する基板の処理方法であって、
上記基板を回転駆動させる工程と、
回転駆動される上記基板の上面にこの上面を横切る方向に上記処理液を供給して上記基板を処理する工程と、
上記基板の中心部に向けて上記処理液を供給し上記基板の中心部以外の部分が上記処理液によって処理されているときに上記基板の中心部が乾燥するのを防止する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。
【請求項５】
上記基板の中心部が乾燥するのを防止する工程では液状の処理液を供給するものであり、処理液を上記基板の中心部に供給しているときに、その中心部に上記液状の処理液の供給を停止することを特徴とする請求項４記載の基板の処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明は、基板を回転させながら処理液によって処理する基板の処理装置であって、
上記基板を保持して回転駆動される回転テーブルと、
この回転テーブルの上方に設けられ上記基板を横切る方向に駆動されながら上記基板に上記処理液を供給する処理液供給手段と、
この処理液供給手段とは別に上記基板の中心部に向けて処理液を供給する乾燥防止手段とを具備し、
上記処理液供給手段によって上記基板の中心部以外の部分が処理されているときに上記乾燥防止手段により上記基板の中心部にむけて処理液を供給するようにしたことを特徴とする基板の処理装置にある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
基板の中心部が乾燥するのを防止する工程では液状の処理液を供給するものであり、処理液を上記基板の中心部に供給しているときに、その中心部に上記液状の処理液の供給を停止することが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
上記取り付け杆５８が図２に実線で示す垂直な中立位置にあるとき、上記第２のノズル体５４の軸線Ｏ２と、上記第１のノズル体４６の軸線Ｏ１は上記回転テーブル１６に保持された半導体ウエハＷの上面で一致するよう、上記第２のノズル５４は上記取り付け杆５８に対して傾斜して取り付けられている。そして、アーム体４７が回転駆動されると、上記取り付け杆５８は図２に鎖線で示すように所定の範囲で揺動駆動される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2010050226.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月7日(2011.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この他にもゴム部材中にハイドロタルサイトを添加した耐水性ゴム（特開平６−２０００８０）や、エチレン−プロピレン−エチリデンノルボーネン共重合ゴムを使用したバタフライ弁用のラバーシート（特開平５−４４８５７）や、オレフィン共重合体ポリマーに有機不飽和シランとラジカル発生剤とシラノール重合触媒及び酸化防止剤からなる給水給湯器用のゴムホース（特開２０００−２１９７８５）が提案されている。さらには、エチレンプロピレンゴムとブチルゴムとからなるブレンドゴムにシリカ系充填剤を耐塩素水性ゴム組成物が提案されている。（特開平４−３５３５４３）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
【表７】
2003096253.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
前記各表の成分記号等は以下を意味する。
（ａ）主鎖に２重結合を実質的に有しない飽和系合成ゴム・エスプレン５２４：住友化学工業社製エチレン−プロピレン−ジエンゴム（ＥＰＤＭ）
・ゼットポール１０２０：日本ゼオン社製 水素化ニトリルブタジエンゴム（Ｈ−ＮＢＲ）
（ｂ）主鎖に２重結合を有するゴム素材及び／又は主鎖に２重結合を有する合成樹脂・ＩＲ２２００：日本ゼオン社製ポリイソプレンゴム（ＩＲ）
・ニッポール１０４１：日本ゼオン社製 ニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）
その他のゴム・バイトン Ｅ６０Ｃ：デュポン・ダウ・エラストマー社製 フッ素ゴムで、加硫剤は系中に既に含有されている。
・ブチル３６５：日本ブチル社製 不飽和３％のブチルゴム（ＩＩＲ）
（ｄ）加硫剤及び（ｅ）加硫促進剤加硫系１（硫黄系）
・ノクセラーＣＺ：大内新興化学社製 加硫促進剤・ノクセラーＴＲＡ：大内新興化学社製 加硫促進剤・ノクセラーＭ：大内新興化学社製加硫促進剤・ノクセラーＴＴ：大内新興化学社製 加硫促進剤・アクチングＳＬ：吉富製薬社製 加硫促進剤加硫系２（パーオキサイド系）
・ＴＭＰＴ：トリメチロールプロパントリアクリレート・パーヘキサ２５Ｂ：日本油脂社製有機過酸化物・ペロキシモンＦ４０：日本油脂社製 有機過酸化物（ｃ）充填剤ＦＥＦカーボン：旭カーボン社製その他ノクラツクＣＤ：大内新興化学社製 老化防止剤ノクラックＭＢ：大内新興化学社製 老化防止剤ＴＰ−９５：三洋貿易社製可塑剤