【手続補正書】
【提出日】平成23年10月19日(2011.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板の搭載面に形成された複数のパッドの各々に、半導体素子の対応する電極端子がフリップチップ接続されている半導体装置であって、
前記配線基板の搭載面の外周縁が、ソルダーレジスト層によって覆われ、
前記ソルダーレジスト層の一部が、前記半導体素子と前記配線基板の搭載面との間隙内に充填する液状のアンダーフィル剤の滴下が開始される滴下開始箇所として、前記間隙内に延出した延出部となっており、
前記半導体素子と前記ソルダーレジスト層の延出部との間隔が、前記半導体素子と前記配線基板の搭載面との間隔よりも狭く形成されており、
前記配線基板の搭載面が前記延出部を除いて前記半導体素子の外周縁に沿って帯状に露出するように、前記ソルダーレジスト層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子と前記ソルダーレジスト層の延出部との間隔が、１０〜２０μｍである請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
配線基板の搭載面に形成された複数のパッドの各々に、半導体素子の対応する電極端子がフリップチップ接続され、
前記配線基板の搭載面の外周縁が、ソルダーレジスト層によって覆われ、
前記ソルダーレジスト層の一部が、前記半導体素子と前記配線基板の搭載面との間隙内に延出した延出部となっており、
前記半導体素子と前記ソルダーレジスト層の延出部との間隔が、前記半導体素子と前記配線基板の搭載面との間隔よりも狭く形成されており、
前記配線基板の搭載面が前記延出部を除いて前記半導体素子の外周縁に沿って帯状に露出するように、前記ソルダーレジスト層が形成された半導体装置の製造方法であって、
前記半導体素子の外周縁の前記延出部上に前記アンダーフィル剤を滴下して該アンダーフィル剤の滴下を開始し、その後、帯状に露出した前記配線基板の搭載面に前記半導体素子の外周縁に沿って前記アンダーフィル剤を滴下していき、前記間隙を前記アンダーフィル剤で封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置およびその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図５及び図６に示す半導体装置によれば、図７に示す様に、矩形状の半導体素子２０４の四隅に形成した開口部２１４の一つから液状のアンダーフィル剤の滴下を開始し、半導体素子２０４の外周縁に沿って露出する配線基板２００の搭載面の帯状露出部に液状のアンダーフィル剤を滴下する。かかる液状のアンダーフィル剤の滴下は、図７の矢印に示す様に、半導体素子２０４の外周縁の二辺に沿って行う。
この様に、液状のアンダーフィル剤を滴下することによって、半導体素子２０４と配線基板２００の搭載面との間隔内にアンダーフィル剤を充填できる。
しかしながら、本発明者の検討によれば、近年、半導体装置の薄型化の要請に伴って、半導体素子２０４と配線基板２００の搭載面との間隔が狭くなり、開口部２１４に液状のアンダーフィル剤を滴下開始したとき、アンダーフィル剤が半導体素子２０４と配線基板２００の搭載面との間隙内に進入できず、開口部２１４からオーバーフローし、図７に示す如く、ペリフェラル状に配置されたパッド２１２上まで溢れ出ることがあった。
そこで、本発明は、半導体素子と配線基板の搭載面との間隔が狭くなったとき、液状のアンダーフィル剤が半導体素子と配線基板の搭載面との間隙内に進入し難い従来の半導体装置の課題を解決し、半導体素子と配線基板の搭載面との間隔が狭くなっても、液状のアンダーフィル剤が半導体素子と配線基板の搭載面との間隙内に容易に進入できる半導体装置を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明者は前記課題を解決すべく検討した結果、液状のアンダーフィル剤の滴下開始箇所及びその近傍の半導体素子との間隔を、半導体素子と配線基板の搭載面との間隔よりも狭くすることによって、滴下した液状のアンダーフィル剤の液滴が半導体素子と配線基板の搭載面との間隙内に容易に進入することを見出し、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、配線基板の搭載面に形成された複数のパッドの各々に、半導体素子の対応する電極端子がフリップチップ接続されている半導体装置であって、前記配線基板の搭載面の外周縁が、ソルダーレジスト層によって覆われ、前記ソルダーレジスト層の一部が、前記半導体素子と前記配線基板の搭載面との間隙内に充填する液状のアンダーフィル剤の滴下が開始される滴下開始箇所として、前記間隙内に延出した延出部となっており、前記半導体素子と前記ソルダーレジスト層の延出部との間隔が、前記半導体素子と前記配線基板の搭載面との間隔よりも狭く形成されており、前記配線基板の搭載面が前記延出部を除いて前記半導体素子の外周縁に沿って帯状に露出するように、前記ソルダーレジスト層が形成されていることを特徴とする半導体装置にある。
かかる本発明において、前記半導体素子と前記ソルダーレジスト層の延出部との間隔を１０〜２０μｍとすることが好適である。
また、配線基板の搭載面に形成された複数のパッドの各々に、半導体素子の対応する電極端子がフリップチップ接続され、前記配線基板の搭載面の外周縁が、ソルダーレジスト層によって覆われ、前記ソルダーレジスト層の一部が、前記半導体素子と前記配線基板の搭載面との間隙内に延出した延出部となっており、前記半導体素子と前記ソルダーレジスト層の延出部との間隔が、前記半導体素子と前記配線基板の搭載面との間隔よりも狭く形成されており、前記配線基板の搭載面が前記延出部を除いて前記半導体素子の外周縁に沿って帯状に露出するように、前記ソルダーレジスト層が形成された半導体装置の製造方法であって、前記半導体素子の外周縁の前記延出部上に前記アンダーフィル剤を滴下して該アンダーフィル剤の滴下を開始し、その後、帯状に露出した前記配線基板の搭載面に前記半導体素子の外周縁に沿って前記アンダーフィル剤を滴下していき、前記間隙を前記アンダーフィル剤で封止することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
一般に、配線基板のソルダーレジスト層が形成された搭載面と半導体素子との隙間を封止すべく、半導体素子の外周縁近傍に滴下された液状のアンダーフィル剤は、接触する半導体素子又はソルダーレジスト層の縁に沿った方向と、毛細管現象によって半導体素子と搭載面との隙間に吸い込まれる方向との二方向に進む。
かかる毛細管現象によるアンダーフィル剤の吸い込み力は、半導体素子と配線基板の搭載面との間隔による。
しかし、従来の半導体装置では、半導体素子が搭載される配線基板の搭載箇所には、ソルダーレジスト層は形成されず、半導体素子と配線基板の搭載面との間隔が大きく、アンダーフィル剤の半導体素子又はソルダーレジスト層の縁方向に広がる力が、毛細管現象による半導体素子と搭載面との隙間内へのアンダーフィル剤の吸い込み力よりも大きくなる。このため、アンダーフィル剤の溢れ出しが生じていた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この点、本発明に係る半導体装置では、液状のアンダーフィル剤の滴下が開始される滴下開始箇所の配線基板の搭載面を覆うソルダーレジスト層の一部が半導体素子で覆われた配線基板の領域内に延出し、滴下開始個所及びその近傍の半導体素子とソルダーレジスト層の延出部との間隔が、半導体素子と配線基板の搭載面との間隔よりも狭く形成されている。
このため、かかる滴下開始箇所に滴下したアンダーフィル剤の液滴に対しては、毛細管現象による半導体素子とソルダーレジスト層の延出部との隙間への吸い込み力が、半導体素子又はソルダーレジスト層の縁方向に広がる力よりも大きく作用する。
更に、アンダーフィル剤の液滴に対しては、ソルダーレジスト層の延出部の縁に沿って半導体素子と配線基板の搭載面との間隙内方向に広がる力も作用する。
その結果、滴下開始箇所に滴下したアンダーフィル剤の液滴は、半導体素子と配線基板の搭載面との間隙内に吸い込まれる。
従って、滴下開始箇所に滴下したアンダーフィル剤が、半導体素子と配線基板の搭載面との間隙内に進入せずに、配線基板の外周縁方向に溢れ出す現象を防止できる。
この様に、滴下開始箇所に滴下したアンダーフィル剤は、一旦、半導体素子と配線基板の搭載面との間隙内に吸い込まれた後には、半導体素子の外周縁に沿って帯状に露出する配線基板の搭載面にアンダーフィル剤を滴下することによって、半導体素子と配線基板の搭載面との間隙内にアンダーフィル剤を充填できる。
かかる本願発明に係る半導体装置によれば、アンダーフィル剤の流出防止用のダム又は凹溝を設けることを要しないため、半導体装置の小型化に資することができる。更に、半導体素子と配線基板の搭載面との間隔を狭くしても、アンダーフィル剤を充填でき、半導体装置の薄型化にも資することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る半導体装置の一例を図１及び図２に示す。図１は半導体装置１０の正面図であり、図２（ａ）は図１に示すＡ−Ａでの部分断面図、図２（ｂ）は図１に示すＢ−Ｂでの部分断面図である。
図１及び図２に示す半導体装置１０は、配線基板１２の搭載面に矩形状の半導体素子１４が、その電極端子１６，１６・・の各々が、配線基板１２の搭載面に形成されたパッド１８，１８・・にフリップチップ接続されている。
かかる半導体素子１４の外周縁に沿って配線基板１２の搭載面が帯状に露出するように、ソルダーレジスト層２０が半導体素子１４から露出した配線基板１２の搭載面を覆っている。
この配線基板１２の外周縁に形成された、ソルダーレジスト層２０の凹部の底面には、半導体素子１４の電極端子１６と配線パターン２２によって接続されたパッド２４が露出している。かかるパッド２４は、配線基板１２の外周縁に沿ってペリフェラル状に配置されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
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