Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月5日(2011.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電動送風機と、該電動送風機の排気を濾過するフィルタと、前記電動送風機と前記フィルタとを連通する部材と、コードリールと、を有する掃除機本体を有する電気掃除機において、
前記電動送風機と前記コードリールは、前記掃除機本体内で隣り合うように配置され、
前記フィルタは、前記掃除機本体内で前記電動送風機の前から前記コードリールの前に至るまで設けられていることを特徴とする電気掃除機。
【請求項２】
電動送風機と、該電動送風機の排気を濾過するフィルタと、中空の部材とを有する電気掃除機において、
前記部材は第１の通路部分と第２の通路部分とからなり、
前記第１の通路部分と前記第２の通路部分は、それぞれ２つずつの開口部を有しており、
前記第１の通路部分の一方の開口部は前記電動送風機と連結しており、
前記第１の通路部分の他方の開口部は前記第２の通路部分の一方の開口部と連結しており、
前記第２の通路部分の他方の開口部は前記フィルタと連結しており、
前記第１の通路部分は、前記第１の通路部分の一方の開口部から前記第１の通路部分の他方の開口部へと大きくなっていくことを特徴とする電気掃除機。
【請求項３】
電動送風機と、フィルタと、コードリールと、前記電動送風機と前記フィルタとが連通する部材と、集塵装置と、を有する掃除機本体を有する電気掃除機において、
前記電動送風機と前記コードリールは前記掃除機本体内で、隣り合い、かつ、前記集塵装置よりも後部に配置され、
前記フィルタは、前記掃除機本体内で前記電動送風機や前記コードリールよりも下部、かつ、前記電動送風機の下流に設けられており、
前記部材が前記電動送風機から前記フィルタへと大きくなっていくことを特徴とした電気掃除機。
【請求項４】
集塵装置と、２つのフィルタと、電動送風機と、部材と、コードリールと、を有する掃除機本体を有する電気掃除機において、
前記電動送風機は前記掃除機本体内で前記集塵装置よりも後部に配置され、
前記電動送風機と前記コードリールは、前記掃除機本体内で隣り合うように配置され、
前記２つのフィルタのうち一方のフィルタは前記集塵装置の下流かつ前記電動送風機の上流に設けられ、
前記２つのフィルタのうち他方のフィルタは前記電動送風機の下流かつ前記一方のフィルタの下方に設けられ、
前記部材は前記電動送風機と前記他方のフィルタとを連通し、
前記他方のフィルタは、前記掃除機本体内で前記電動送風機の前から前記コードリールの前に至るまで設けられていることを特徴とする電気掃除機。
【請求項５】
集塵装置と、２つのフィルタと、電動送風機と、部材と、コードリールと、を有する掃除機本体を有する電気掃除機において、
前記電動送風機は前記掃除機本体内で前記集塵装置よりも後部に配置され、
前記電動送風機と前記コードリールは、前記掃除機本体内で隣り合うように配置され、
前記２つのフィルタのうち一方のフィルタは前記集塵装置の下流かつ前記電動送風機の上流に設けられ、
前記２つのフィルタのうち他方のフィルタは前記掃除機本体内で前記電動送風機や前記コードリールよりも前部かつ前記一方のフィルタの下方、かつ、前記電動送風機の下流に設けられ、
前記電動送風機と前記コードリールは前記掃除機本体内で、隣り合い、かつ、前記集塵装置よりも後部に配置され、
前記部材は前記電動送風機と前記他方のフィルタとを連通し、
前記部材は、前記電動送風機から前記他方のフィルタへと大きくなっていくことを特徴とする電気掃除機。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月26日(2010.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】廃液装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の吸引孔と、打ち捨てられた液体を受ける液体打ち捨て溝とを備えた支持部と、
記録ヘッドにより打ち捨てられた前記液体を前記支持部の下方に導く廃液誘導通路と、
前記廃液誘導通路を介して前記液体を回収する廃液回収部と、
前記吸引孔に連通し、前記支持部の上方に負圧を供給する吸引導路と
を備え、
前記吸引導路が前記吸引孔を覆うように延びた樋状に形成され、前記支持部の下方に前記吸引導路と前記廃液回収部を上下に重ねて配置し、
前記吸引導路が、前記支持部の領域外に配設された吸引手段に連結されたこと
を特徴とする廃液装置。
【請求項２】
前記廃液回収部は、当該装置前面側から挿抜自在に装着されていることを特徴とする請求項１に記載の廃液装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の単結晶半導体基板を隙間なく平面に敷き詰めて構成された第１のシード基板を配置して、固定基板上に接合し、
表面から所定の深さの領域にイオンが注入されてなる第１の分離層を有する複数の単結晶半導体基板を隙間なく平面に敷き詰めて構成された第２のシード基板を前記単結晶半導体基板の隙間が互いに重ならないように配置して、前記第１のシード基板上に接合し、
前記第１のシード基板と前記第２のシード基板とを重ね合わせた状態で熱処理を行うことにより、前記第２のシード基板の前記第１の分離層に亀裂を生じさせ、
前記第１のシード基板上に前記第２のシード基板の一部である第１の単結晶半導体膜を複数残存させたまま前記第２のシード基板を剥離し、
前記第１の単結晶半導体膜上およびその隙間を覆うようにエピタキシャル成長により結晶化した第２の単結晶半導体膜を形成し、
前記第１の単結晶半導体膜および前記第２の単結晶半導体膜を含んでなる第３の単結晶半導体膜の表面から所定の深さの領域にイオンを注入して第２の分離層を形成し、
前記第３の単結晶半導体膜と絶縁表面を有する基板とを重ね合わせて接合し、
前記第３の単結晶半導体膜と前記絶縁表面を有する基板とを重ね合わせた状態で熱処理を行うことにより、前記第２の分離層に亀裂を生じさせ、
前記絶縁表面を有する基板上に前記第３の単結晶半導体膜の一部を残存させたまま前記固定基板および前記第１のシード基板を剥離することにより、前記絶縁表面を有する基板上に第４の単結晶半導体膜を形成する、
ことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記固定基板は、複数の単結晶半導体基板を上下の隙間どうしが互いに重ならないように平面に敷き詰めて構成されていることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
固定基板を構成する複数の単結晶半導体基板のそれぞれ表面に接合膜を形成し、
前記複数の単結晶半導体基板を隙間なく平面に敷き詰めて構成された第１のシード基板を前記接合膜で構成された接合層を挟んで重ね合わせて配置し、前記固定基板上に接合し、
前記第１のシード基板上にそれぞれが表面から所定の深さの領域にイオンが注入されて
なる第１の分離層を有する複数の単結晶半導体基板を隙間なく平面に敷き詰めて構成された第２のシード基板を配置し、前記第１のシート基板上に接合し、
前記第１のシード基板と前記第２のシード基板との隙間が互いに重ならないように重ね合わせた状態で熱処理を行うことにより、前記第２のシード基板の前記第１の分離層に亀裂を生じさせ、
前記第１のシード基板上に前記第２のシード基板の一部である第１の単結晶半導体膜を複数残存させたまま前記第２のシード基板を剥離し、
前記第１の単結晶半導体膜上およびその隙間を覆うようにエピタキシャル成長により結晶化した第２の単結晶半導体膜を形成し、
前記第１の単結晶半導体膜および前記第２の単結晶半導体膜を含んでなる第３の単結晶半導体膜の表面から所定の深さの領域にイオンを注入して第２の分離層を形成し、
前記第３の単結晶半導体膜と絶縁表面を有する基板とを重ね合わせて接合し、
前記第３の単結晶半導体膜と前記絶縁表面を有する基板とを重ね合わせた状態で熱処理を行うことにより、前記第２の分離層に亀裂を生じさせ、
前記絶縁表面を有する基板上に前記第３の単結晶半導体膜の一部を残存させたまま前記固定基板、前記接合層、および前記第１のシード基板を剥離することにより、前記絶縁表面を有する基板上に第４の単結晶半導体膜を形成する、
ことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記接合膜は、前記固定基板を構成する複数の単結晶半導体基板上に有機シランガスを用いて化学気相成長法により形成された酸化シリコン膜であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記有機シランガスが、珪酸エチル（ＴＥＯＳ：化学式Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 ）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ：化学式Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 ）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、トリエトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 ）、トリスジメチルアミノシラン（ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ3 ）2 ）3 ）から選ばれた一であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項２乃至請求項５のいずれか一において、
前記固定基板および前記第１のシード基板が同一サイズの単結晶半導体基板を隙間なく平面に複数敷き詰めて構成されており、かつ前記固定基板を構成する単結晶半導体基板間の隙間が互いに重ならない前記第１のシード基板を構成する単結晶半導体基板が配置されていることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項２乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１のシード基板および前記第２のシード基板が同一サイズの単結晶半導体基板を複数敷き詰めて構成されており、かつ前記第１のシード基板を構成する単結晶半導体基板間の隙間が互いに重ならない前記第２のシード基板を構成する単結晶半導体基板が配置されていることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項８】
請求項２乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１のシード基板および前記第２のシード基板が、それぞれ四角形の単結晶半導体基板を複数用いて構成されることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一に記載された方法で作製されたＳＯＩ基板を用いた半導体装置の作製方法であり、
前記第４の単結晶半導体膜をエッチングにより素子分離し、
前記素子分離された第４の単結晶半導体膜を含むトランジスタを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月13日(2011.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のパルス発振のレーザ発振器または連続発振のレーザ発振器から射出されたレーザ光を位相シフトマスクに入射して、長軸方向の強度分布を有するレーザ光へと変調させ、
前記位相シフトマスクを透過した前記レーザ光を、シリンドリカルレンズ又はレンズを通過させて、絶縁基板上に設けられた非晶質半導体膜に照射し、
前記レーザ光を前記レーザ光の長軸方向と垂直な方向に走査して、前記非晶質半導体膜を結晶化する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のパルス発振のレーザ発振器または連続発振のレーザ発振器から射出されたレーザ光を位相シフトマスクに入射して、長軸方向の強度分布を有するレーザ光へと変調させ、
前記位相シフトマスクを透過した前記レーザ光を、シリンドリカルレンズ又はレンズを通過させて、非晶質半導体膜を介して絶縁基板上に設けられたキャップ膜に照射し、
前記レーザ光を前記レーザ光の長軸方向と垂直な方向に走査して、前記非晶質半導体膜を結晶化する半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記結晶化に際して、結晶化を助長する元素を用いる半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記レーザ発振器から射出した前記レーザ光は、スリットを通過した後に前記位相シフトマスクに入射する半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記シリンドリカルレンズは、非球面シリンドリカルレンズである半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記レンズは、非球面レンズである半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記位相シフトマスクは、前記レーザ光の走査方向に対してθ度傾いて配置されており、
前記照射面におけるビームスポットの幅をφとし、前記位相シフトマスクの厚さをｄとし、前記位相シフトマスクに入射したときの前記レーザ光の屈折角をθ’としたとき、前記θが、φ＜４ｄ・ｔａｎθ’・ｃｏｓθを満たす半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月8日(2011.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板の一方の面から、複数の元素からなるソースガスをプラズマ励起して生成されたイオンを照射することにより、単結晶半導体基板に分離層を形成し、
前記単結晶半導体基板の一方の面と、絶縁表面を有する基板とを接合し、
熱処理を行うことにより、前記分離層に亀裂を生じさせ、
前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を残存させたまま前記単結晶半導体基板を剥離することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板の一方の面から、シラン又はハロゲン化ケイ素をプラズマ励起して生成されたイオンを照射することにより、単結晶半導体基板に分離層を形成し、
前記単結晶半導体基板の一方の面と、絶縁表面を有する基板とを接合し、
熱処理を行うことにより、前記分離層に亀裂を生じさせ、
前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を残存させたまま前記単結晶半導体基板を剥離することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項３】
単結晶半導体基板の一方の面から、シラン又はハロゲン化ケイ素をプラズマ励起して生成されたイオンを照射することにより、単結晶半導体基板に分離層を形成し、
絶縁表面を有する基板の表面に有機シランガスを用いて化学気相成長法により酸化シリコン膜を形成し、
前記単結晶半導体基板の一方の面と、前記酸化シリコン膜が形成された前記絶縁表面を有する基板とを接合し、
熱処理を行うことにより、前記分離層に亀裂を生じさせ、
前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を残存させたまま前記単結晶半導体基板を剥離することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項４】
単結晶半導体基板の一方の面から、シラン又はハロゲン化ケイ素をプラズマ励起して生成されたイオンを照射することにより、単結晶半導体基板に分離層を形成し、
前記単結晶半導体基板の一方の面に有機シランガスを用いて化学気相成長法により酸化シリコン膜を形成し、
前記酸化シリコン膜が形成された前記単結晶半導体基板の一方の面と、絶縁表面を有する基板とを接合し、
熱処理を行うことにより、前記分離層に亀裂を生じさせ、
前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を残存させたまま前記単結晶半導体基板を剥離することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一において、
前記単結晶半導体基板は、シリコンからなる単結晶半導体基板であることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項６】
請求項２乃至請求項５のいずれか一において、
前記シランとしてＳｉＨ４を用い、
前記イオンとして、ＳｉＨ＋イオン、ＳｉＨ２＋イオン、ＳｉＨ３＋イオン、及びＳｉＨ４＋イオンのうち、少なくとも一のイオンを前記単結晶半導体基板に照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項７】
請求項２乃至請求項５のいずれか一において、
前記ハロゲン化ケイ素として、フッ化ケイ素、塩化ケイ素、臭化ケイ素、又はヨウ化ケイ素を用いることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記フッ化ケイ素としてＳｉＦ４を用い、
前記イオンとして、ＳｉＦ＋イオン、ＳｉＦ２＋イオン、ＳｉＦ３＋イオン、及びＳｉＦ４＋イオンのうち、少なくとも一のイオンを前記単結晶半導体基板に照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項９】
請求項７において、
前記塩化ケイ素としてＳｉＣｌ４を用い、
前記イオンとして、ＳｉＣｌ＋イオン、ＳｉＣｌ２＋イオン、ＳｉＣｌ３＋イオン、及びＳｉＣｌ４＋イオンのうち、少なくとも一のイオンを前記単結晶半導体基板に照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項１０】
請求項７において、
前記臭化ケイ素としてＳｉＢｒ４を用い、
前記イオンとして、ＳｉＢｒ＋イオン、ＳｉＢｒ２＋イオン、ＳｉＢｒ３＋イオン、及びＳｉＢｒ４＋イオンのうち、少なくとも一のイオンを前記単結晶半導体基板に照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項１１】
請求項７において、
前記ヨウ化ケイ素としてＳｉＩ４を用い、
前記イオンとして、ＳｉＩ＋イオン、ＳｉＩ２＋イオン、ＳｉＩ３＋イオン、及びＳｉＩ４＋イオンのうち、少なくとも一のイオンを前記単結晶半導体基板に照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記イオンの照射を、イオンドーピング装置を用いて行うことを特徴とする半導体基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プレートと、第１の誘電体コンポーネントを有する静電チャックの少なくとも一部分を再生するための方法において、
上記第１の誘電体コンポーネントは、前記プレートに挿入されたチューブ又は多孔性プラグのうち１つを含み、上記プレートはプレナムを画成するためチャンネル内に位置するように適応され、上記第１の誘電体コンポーネントは、前記プレナムに結合する流体通路の少なくとも一部分を与えるものであり、上記方法は、
上記静電チャックの上記プレートから上記第１の誘電体コンポーネントを取り外すステップ、を備え、基板が上記静電チャック上に配置されるとき、上記第１の誘電体コンポーネントは、上記静電チャックに面する上記基板の後面に流体を供給するように位置し、
更に、上記第１の誘電体コンポーネントを第２の誘電体コンポーネントと置き換えるステップ、
を備える方法。
【請求項２】
上記第１の誘電体コンポーネントを露出するように誘電体層の少なくとも一部分を取り除くステップと、
上記第１の誘電体コンポーネントを上記第２の誘電体コンポーネントと置き換えた後、上記誘電体層の上記取り除いた少なくとも一部分を上記誘電体層の新しい少なくとも一部分と置き換えるステップと、
を更に備えた、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記第２の誘電体コンポーネントは、上記プレートにおける開口へ圧力ばめされる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
上記第２の誘電体コンポーネントは、チューブを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
上記第２の誘電体コンポーネントは、多孔性プラグを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項６】
上記第１又は第２の誘電体コンポーネントのうち少なくとも１つは、セラミックを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項７】
上記セラミックは、アルミナを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
上記取り外すステップは、上記第１の誘電体コンポーネントをドリリングする段階を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項９】
上記置き換えられた誘電体層を研磨するステップを更に含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
チャネルを含む本体と、
開口を含み、プレナムを形成するため上記チャネルに結合されるように適応されたプレートと、
上記プレナムからの流体通路の少なくとも一部分を画成するため上記開口に配置された誘電体コンポーネントと、
基板支持表面を形成するため上記本体の少なくとも一部分及び上記プレートの少なくとも一部分を覆う誘電体層と、
上記流体通路の部分を形成するために上記誘電体コンポーネントを覆う多孔性誘電体層と、
を備える静電チャック。
【請求項１１】
上記流体通路は、上記プレナムから上記基板支持表面への視線路を形成していない、請求項１０に記載の静電チャック。
【請求項１２】
上記誘電体コンポーネントは、第１の端部、第２の端部及び軸方向貫通孔を含む誘電体チューブであり、上記誘電体チューブは、上記プレートにおける上記開口内へ配置されており、上記誘電体層は、上記誘電体チューブの上記第１の端部の少なくとも一部分を覆っており、上記軸方向貫通孔及び上記誘電体層の上記少なくとも一部分は、上記流体通路を形成している、請求項１０に記載の静電チャック。
【請求項１３】
半導体基板を処理するための装置において、
処理領域を画成するチャンバと、
上記処理領域に半導体基板を保持するための請求項１０から１２のいずれか１項に記載の静電チャックと、
を備える装置。
【請求項１４】
静電チャックを形成する方法において、
プレナムを形成するため本体におけるチャネルへプレートを配置するステップと、
誘電体コンポーネントを上記プレートにおける開口へ挿入するステップと、を備え、上記誘電体コンポーネントは、第１の端部、第２の端部、及び上記第１の端部及び上記第２の端部を接続する軸方向貫通孔を備える誘電体チューブを備え、
更に、上記チャネル内に上記誘電体チューブの上記軸方向貫通孔に対向して誘電体エンドキャップを配置して、上記誘電体チューブの上記第２の端部を上記誘電体エンドキャップの内側に、ギャップを形成するように上記誘電体エンドキャップから離間して配置するステップと、
支持表面を形成するため上記本体の少なくとも一部分及び上記プレートの少なくとも一部分を覆う誘電体層を堆積するステップと、
上記誘電体層を特定の厚さまで研磨するステップと、
上記支持表面と上記プレナムとの間の通路を画成するため、上記誘電体層及び上記誘電体コンポーネントを貫通する開口を形成し、上記ギャップと上記軸方向貫通孔が前記通路を形成するようにするステップと、を備える方法。
【請求項１５】
上記誘電体チューブを上記開口内へ配置し、上記第１の端部の少なくとも一部分を上記誘電体層で覆い、上記誘電体層の少なくとも一部分が上記通路を形成するようにするステップ、
を更に備える、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月17日(2011.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバの内部容積内に配置された拡散装置と、
チャンバに配置され、内部容積の一部を画成するバッキングプレートと、
バッキングプレート内を動くように配置され、かつ拡散装置とチャンバ内部容積の外部に配置されたフレーム構造体に連結された拡散装置支持部材を備えているガス分散装置。
【請求項２】
バッキングプレートと拡散装置との間の間隔が可変である請求項１記載の装置。
【請求項３】
バッキングプレートが更に開口部を備え、拡散装置支持部材が開口部内を動くように配置されている請求項１記載の装置。
【請求項４】
拡散装置支持部材と関連したシーリング装置を更に備えている請求項３記載の装置。
【請求項５】
シーリング装置によりバッキングプレートの開口部に真空シールが施される請求項４記載の装置。
【請求項６】
シーリング装置が拡散装置支持部材と滑り接触するＯリングを備えている請求項５記載の装置。
【請求項７】
シーリング装置がバッキングプレートの開口部と滑り接触するＯリングを備えている請求項５記載の装置。
【請求項８】
シーリング装置が可撓性蛇腹部を備えている請求項５記載の装置。
【請求項９】
拡散装置支持部材が拡散装置の中央領域に連結されている請求項１記載の装置。
【請求項１０】
バッキングプレートが拡散装置の縁部に連結されている請求項１記載の装置。
【請求項１１】
底部と壁部を含むチャンバ本体部と、
チャンバ本体部の上に配置されたバッキングプレートと、
チャンバ本体部とバッキングプレートによって画成されたチャンバ内部容積と、
チャンバ内部容積内に配置された拡散装置と、
バッキングプレート内を動くように配置され、かつ拡散装置とチャンバ内部容積の外部に配置されたフレーム構造体に連結された拡散装置支持部材を備えたガス分散装置。
【請求項１２】
構造体が拡散装置支持部材から電気的に隔離されている請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
拡散装置支持部材とフレーム構造体を連結する連結アセンブリを更に備えている請求項１１記載の装置。
【請求項１４】
連結アセンブリがフレーム構造体に連結された吊具と、吊具と拡散装置支持部材に連結された支持リングを備えている請求項１３記載の装置。
【請求項１５】
支持リングが絶縁材料を含む請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
支持リングが導電性材料を含む請求項１４記載の装置。
【請求項１７】
拡散装置支持部材の周囲に少なくとも部分的に配置された絶縁スリーブを更に備えている請求項１１記載の装置。
【請求項１８】
吊具の周囲に少なくとも部分的に配置された絶縁スリーブを更に備えている請求項１４記載の装置。
【請求項１９】
フレーム構造体を電気的に隔離するための、フレーム構造体を覆うカバーを更に備えている請求項１１記載の装置。
【請求項２０】
チャンバの内部容積内に配置された拡散装置と、
チャンバに配置され、内部容積の一部を画成するバッキングプレートと、
バッキングプレート内を動くように配置され、かつ拡散装置とチャンバ内部容積の外部に配置されたフレーム構造体に連結された拡散装置支持部材と、
バッキングプレートと拡散装置との間に可変の間隔を備えているガス分散装置。
【請求項２１】
真空力をバッキングプレートに加えるための真空ポンプを更に備えている請求項２０記載の装置。
【請求項２２】
バッキングプレートと拡散装置との間の可変の間隔がバッキングプレートに印加された真空圧の関数である請求項２０記載の装置。
【請求項２３】
バッキングプレートの運動がバッキングプレートと拡散装置との間に可変の間隔を生じさせる請求項２０記載の装置。
【請求項２４】
バッキングプレートが拡散装置の縁部に連結されている請求項２０記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月9日(2011.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一強磁性層と、前記第一強磁性層の上に位置するＭｇＯ層と、前記ＭｇＯ層の上に位置する第二強磁性層と、を有する多層積層膜からなる磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
酸化性ガスに対するゲッタ効果がＭｇＯより大きい物質を含有するターゲットをスパッタリングして、該物質を成膜室の構成部材に被着する第一工程と、
前記第一工程後に、前記成膜室において、基板とＭｇＯターゲットの間に設けられたシャッタを閉状態にしながら、前記ＭｇＯターゲットに高周波電力を印加してスパッタリングするプリスパッタ工程と、
前記プリスパッタ工程後、前記成膜室において、前記シャッタを開状態にして、前記ＭｇＯターゲットに高周波電力を印加してスパッタリング法により基板に前記ＭｇＯ層を形成する第二工程と、を有すること
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項２】
前記成膜室は、１０−７Ｐａ以下に排気されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項３】
前記第一工程は、前記シャッタを閉状態にしながら、行われることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項４】
前記第一工程は、ダミー基板を基板保持部に載置しながら、行われることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項５】
前記第一工程は、前記プリスパッタ工程の直前に行なわれることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の磁気抵抗効果素子の製造方法は、第一強磁性層と、前記第一強磁性層の上に位置するＭｇＯ層と、前記ＭｇＯ層の上に位置する第二強磁性層と、を有する多層積層膜からなる磁気抵抗効果素子の製造方法であって、酸化性ガスに対するゲッタ効果がＭｇＯより大きい物質を含有するターゲットをスパッタリングして、該物質を成膜室の構成部材に被着する第一工程と、前記第一工程後に、前記成膜室において、基板とＭｇＯターゲットの間に設けられたシャッタを閉状態にしながら、前記ＭｇＯターゲットに高周波電力を印加してスパッタリングするプリスパッタ工程と、前記プリスパッタ工程後、前記成膜室において、前記シャッタを開状態にして、前記ＭｇＯターゲットに高周波電力を印加してスパッタリング法により基板に前記ＭｇＯ層を形成する第二工程と、を有することを特徴とする。また、本発明に係る前記成膜室は、１０−７Ｐａ以下に排気されていることを特徴とする。また、本発明に係る前記第一工程は、前記シャッタを閉状態にしながら、行われることを特徴とする。また、本発明に係る前記第一工程は、ダミー基板を基板保持部に載置しながら、行われることを特徴とする。また、本発明に係る前記第一工程は、前記プリスパッタ工程の直前に行なわれることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月17日(2011.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路の相互接続部にアルミニウムを堆積させる方法であって：
パターン形成されていないアルミニウム層を高温に保持された基板にスパッタ堆積させるステップと；
その後、該パターン形成されていないアルミニウム層を実質的に酸素からなる活性ガスを含有する雰囲気中で部分的に酸化させるステップと；
を含む、前記方法。
【請求項２】
該酸化が、該基板が冷却される冷却ステップにおいて行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該雰囲気が、５トール以下のアルゴンと酸素の全圧までアルゴンを更に含有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
該雰囲気が、酸素よりアルゴンを更に多く含有する、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
まず、アルゴンを供給し、その後、アルゴンの供給を終了するステップと、その後、該基板が冷却されるチャンバに酸素を供給し始めるステップと、を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
該雰囲気が、０.０１〜１トールの酸素分圧を含む、請求項２〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
第一ベース圧に保持された第一搬送チャンバに隣接して配置されたカセットから基板を装填するステップであって、
スパッタリングが、該第一ベース圧未満の第二ベース圧に保持された第二搬送チャンバに隣接したスパッタチャンバ内で行われ、
冷却が、該第一搬送チャンバと該第二搬送チャンバ双方から接近できる通過チャンバ内で行われる、
前記ステップを更に含む、請求項２〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
冷却中の該ウエハを含有するチャンバが、スパッタリングが行われるスパッタチャンバの内部と同時に連通していることを防止するステップを更に含む、請求項２〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
スパッタリングプラットフォームであって、
第一ロボットがその中に配置された第一搬送チャンバと；
複数の基板を運搬し該第一ロボットによって接近できるカセットを含有する該第一搬送チャンバにバルブによって結合されたロードロックチャンバと；
第二ロボットがその中に配置された第二搬送チャンバと；
該第二搬送チャンバにバルブによって結合されたアルミニウムをスパッタするように構成されたスパッタチャンバと；
それぞれのバルブによって該第一搬送チャンバと該第二搬送チャンバに結合され、該一該第一ロボットと該第二ロボットによって接近できる通過チャンバと；
該通過チャンバに制御可能に供給される酸素源と；
を備える、前記プラットフォーム。
【請求項１０】
該通過チャンバに制御可能に供給されるアルゴン源と；
該通過チャンバへのアルゴンと酸素の交互供給に対する制御手段と；
を更に備える、請求項９に記載のプラットフォーム。
【請求項１１】
該通過チャンバが、冷却チャンバとして作用する、請求項９または１０に記載のプラットフォーム。
【請求項１２】
該通過チャンバに接続され該スパッタチャンバに接続されていないポンプを更に備える、請求項１１に記載のプラットフォーム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月2日(2011.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互横断方向に取り付けられた第１のスライド（２０）及び第２のスライド（３０）を有する稼働部並びに試料（４１）を移動させるために構成された試料テーブル（４０）を有する移動部から構成される試料移動ステージ（１）であって、前記第１のスライド（２０）は、ベースフレーム（１０）に取り付けられ且つ第１のガイドブロック（２１）に沿って移動可能であり、前記第２のスライド（３０）は、前記第１のスライド（２０）に取り付けられ且つ第２のガイドブロック（３２）に沿って移動可能であり、前記試料テーブル（４０）は、ひずみメカニズムモジュール（５０）を介して前記第２のスライド（３０）に取り付けられている当該試料移動ステージ（１）において、
前記ひずみメカニズムモジュール（５０）が、前記試料テーブル（４０）を取り付けるための１つの接続孔（５１）を有する取付部（５２）と、前記取付部（５２）を前記第２のスライド（３０）に取り付けるための１つのブリッジ部（５６）と、特定の規則的な間隔で垂直方向に沿って配置されている複数の緩衝孔（５３）と、前記複数の緩衝孔（５３）の中心につながっている複数の変形ライン（５４）とを有する結果、前記ひずみメカニズムモジュール（５０）が、スライド部の変形を吸収する変形空間を提供するために構成されている、試料移動ステージ（１）。
【請求項２】
前記ひずみメカニズムモジュール（５０）は、前記第２のスライド（３０）上に形成されていて、前記緩衝孔（５３）は、前記第２のスライド（３０）の上面内に形成されている、請求項１に記載の試料移動ステージ（１）。
【請求項３】
スライド部の変形を吸収するために適合された１つのひずみメカニズムモジュール（５０）が、前記第２のスライド（３０）の４つの角の各々に配置されている、請求項１に記載の試料移動ステージ（１）。
【請求項４】
スライド部の変形を吸収するために適合された１つのひずみメカニズムモジュール（５０）が、前記第２のスライド（３０）の１つの側の２つの角ともう１つの第２の側の２つの角とに配置されている、請求項１に記載の試料移動ステージ（１）。
【請求項５】
５つ以上のひずみメカニズムモジュール（５０）が、前記第２のスライド（３０）に対して対称に（ａ）又は非対称に（ｂ）に配置されている、請求項１に記載の試料移動ステージ（１）。
【請求項６】
前記取付部（５２）の上面が、前記試料テーブル（４０）に接触する緩衝材を有する、請求項２に記載の試料移動ステージ（１）。
【請求項７】
前記取付部（５２）と前記ブリッジ部（５６）との接触面が、（ａ）線形、（ｂ）半円形及び（ｃ）楕円形のうちの少なくとも１つの形を有する、請求項２に記載の試料移動ステージ（１）。
【請求項８】
前記ひずみメカニズムモジュール（５０）は、前記第２のスライド（３０）に取り付けられている、請求項１に記載の試料移動ステージ（１）。
【請求項９】
前記移動部は、試料テーブル（４０）上に取付たれたＸバーミラー（４２）及びＹバーミラー（４３）を有し、前記試料移動ステージは、前記稼働部の動作経路に取り付けられたレーザーヘッド（６１）、ビーム分割器（６２）及び干渉計（６３）を有する計測部からさらに構成され、この計測部は、前記Ｘバーミラー（４２）及び前記Ｙバーミラー（４３）によって反射された入力ビーム干渉信号を受信機（６４）から受信することによって変移信号を出力するために構成されている、請求項１に記載の試料移動ステージ（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月15日(2011.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に非結晶質半導体薄膜を形成する工程と、
前記非結晶質半導体薄膜に対してレーザ光を照射して加熱処理を施すことにより、非結晶質半導体薄膜を結晶化させて結晶質半導体薄膜を形成する工程と、
前記結晶質半導体薄膜の検査を行う検査工程と
を含み、
前記検査工程は、
前記透明基板の裏面側から前記結晶質半導体薄膜へ向けて光を照射して撮像することにより、結晶質半導体薄膜の透過画像を取得する工程と、
取得した透過画像に基づいて前記結晶質半導体薄膜に対する選別を行う選別工程とを含む
半導体薄膜の形成方法。
【請求項２】
前記検査工程は、前記結晶質半導体薄膜の結晶化度を検査する工程であると共に、取得した透過画像に基づいて輝度分布を作成する工程をさらに含み、
前記選別工程では、作成した輝度分布を用いて前記結晶質半導体薄膜に対する選別を行う
請求項１に記載の半導体薄膜の形成方法。
【請求項３】
前記選別工程において、前記輝度分布に基づいて輝度の標準偏差を算出すると共に、この標準偏差の大きさに応じて前記結晶質半導体薄膜に対する選別を行う
請求項２に記載の半導体薄膜の形成方法。
【請求項４】
前記選別工程において、前記標準偏差が所定の閾値未満であるときには前記結晶質半導体薄膜が良品であると判定すると共に、前記標準偏差が所定の閾値以上であるときには前記結晶質半導体薄膜が不良品であると判定する
請求項３に記載の半導体薄膜の形成方法。
【請求項５】
前記選別工程において、前記輝度分布に基づいて輝度ピークのピーク幅を算出すると共に、このピーク幅の大きさに応じて前記結晶質半導体薄膜に対する選別を行う
請求項２に記載の半導体薄膜の形成方法。
【請求項６】
前記選別工程において、前記ピーク幅が所定の閾値よりも大きいときには前記結晶質半導体薄膜が良品であると判定すると共に、前記ピーク幅が所定の閾値以下であるときには前記結晶質半導体薄膜が不良品であると判定する
請求項５に記載の半導体薄膜の形成方法。
【請求項７】
前記選別工程において、前記輝度分布に基づいて輝度の最小値を算出すると共に、この最小値の大きさに応じて前記結晶質半導体薄膜に対する選別を行う
請求項２に記載の半導体薄膜の形成方法。
【請求項８】
前記選別工程において、前記最小値が所定の閾値よりも大きいときには前記結晶質半導体薄膜が良品であると判定すると共に、前記最小値が所定の閾値以下であるときには前記結晶質半導体薄膜が不良品であると判定する
請求項７に記載の半導体薄膜の形成方法。
【請求項９】
前記選別工程では、取得した透過画像に基づいて結晶化領域の幅を求めると共に、この結晶化領域の幅の大きさに応じて前記結晶質半導体薄膜の結晶化状態を検査する
請求項１に記載の半導体薄膜の形成方法。
【請求項１０】
前記選別工程では、取得した透過画像に基づいて、予め設定された所定の基準パターンと結晶化領域との距離および方向をそれぞれ求めると共に、これらの距離および方向に基づいて前記結晶質半導体薄膜の結晶化位置を検査する
請求項１に記載の半導体薄膜の形成方法。
【請求項１１】
前記選別工程では、取得した透過画像に基づいて空間的な輝度分布を求めると共に、この空間的な輝度分布に基づいて前記結晶質半導体薄膜における物理的破壊箇所の検査を行う
請求項１に記載の半導体薄膜の形成方法。
【請求項１２】
前記透過画像を取得する工程において、前記結晶質半導体薄膜へ向けて照射する光として、緑色の波長領域の光を用いる
請求項１に記載の半導体薄膜の形成方法。
【請求項１３】
前記結晶質半導体薄膜を形成する工程において、複数のレーザ光源を用いて前記レーザ光を照射することにより、前記加熱処理を施す
請求項１に記載の半導体薄膜の形成方法。
【請求項１４】
前記結晶質半導体薄膜を形成する工程において、半導体レーザ光源を用いて前記レーザ光を照射する
請求項１に記載の半導体薄膜の形成方法。
【請求項１５】
前記結晶質半導体薄膜が、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）の形成に用いられるものである
請求項１に記載の半導体薄膜の形成方法。
【請求項１６】
前記結晶質半導体薄膜が、Ｓｉ（シリコン）薄膜である
請求項１に記載の半導体薄膜の形成方法。
【請求項１７】
透明基板上に非結晶質半導体薄膜を形成したのちにこの非結晶質半導体薄膜に対してレーザ光を照射して加熱処理を施すことにより結晶化されて形成された結晶質半導体薄膜において検査を行う際に、この結晶質半導体薄膜が形成された透明基板を搭載するステージと、
前記ステージの裏側から前記結晶質半導体薄膜へ向けて光を照射する光源と、
前記光源から発せられて前記ステージおよび前記結晶質半導体薄膜を透過した透過光を受光することにより、結晶質半導体薄膜の透過画像を取得する撮像手段と、
前記撮像手段により得られた透過画像に基づいて前記結晶質半導体薄膜に対する選別を行う選別手段と
を備えた半導体薄膜の検査装置。
【請求項１８】
前記撮像手段により得られた透過画像に基づいて輝度分布を作成する輝度分布作成手段をさらに備え、
前記選別手段は、前記輝度分布作成手段により作成された輝度分布を用いて前記結晶質半導体薄膜に対する選別を行うものであり、
前記結晶質半導体薄膜の結晶化度を検査するための検査装置として構成されている
請求項１７に記載の半導体薄膜の検査装置。
【請求項１９】
前記ステージ上に搭載された透明基板に対して前記光源および前記撮像手段を相対的に変位させるための制御を行う制御手段を備えた
請求項１７に記載の半導体薄膜の検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月17日(2011.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微生物もしくは培養細胞の発酵培養液を分離膜で濾過し、濾液から生産物を回収すると共に未濾過液を前記の発酵培養液に保持または還流し、かつ、発酵原料を前記の発酵培養液に追加する連続発酵による化学品の製造方法であって、前記の分離膜として平均細孔径が０．０１μｍ以上１μｍ未満の細孔を有する多孔性膜を用いて発酵培養液を濾過処理すると共に、前記の発酵培養液から微生物もしくは培養細胞を含む発酵培養液の一部を系外に抜き出すことを特徴とする連続発酵による化学品の製造方法。
【請求項２】
濾過処理を、膜間差圧を０．１から２０ｋＰａの範囲にして行うことを特徴とする請求項１記載の連続発酵による化学品の製造方法。
【請求項３】
多孔性膜の純水透過係数が、２×１０−９ｍ３／ｍ２／ｓ／ｐａ以上６×１０−７ｍ３／ｍ２／ｓ／ｐａ以下であることを特徴とする請求項１から２のいずれかに記載の連続発酵による化学品の製造方法。
【請求項４】
多孔性膜の平均細孔径が、０．０１μｍ以上０．２μｍ未満の範囲内にあり、かつ、該平均細孔径の標準偏差が０．１μｍ以下であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の連続発酵による化学品の製造方法。
【請求項５】
多孔性膜の膜表面粗さが０．１μｍ以下の多孔性膜であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の連続発酵による化学品の製造方法。
【請求項６】
多孔性膜が多孔質樹脂層を含む多孔性膜である請求項１から５のいずれかに記載の連続発酵による化学品の製造方法。
【請求項７】
多孔性膜の膜素材がポリフッ化ビニリデンを含むことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の連続発酵による化学品の製造方法。
【請求項８】
系外に抜き出された微生物もしくは培養細胞を含む発酵培養液の体積と実質的に等しい量の液体を、発酵培養液に添加することを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の連続発酵による化学品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月15日(2011.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微生物もしくは培養細胞の発酵培養液を分離膜で濾過し、濾液から生産物を回収すると共に未濾過液を前記の発酵培養液に保持または還流し、かつ、発酵原料を前記の発酵培養液に追加する連続発酵による化学品の製造方法であって、前記の濾過が間欠的に行われ、かつ、前記の分離膜として平均細孔径が０.０１μｍ以上１μｍ未満の細孔を有する多孔性膜を用い、その膜間差圧を０.１から２０ｋＰａの範囲にして濾過処理することを特徴とする連続発酵による化学品の製造方法。
【請求項２】
多孔性膜の純水透過係数が、２×１０−９ｍ３／ｍ２／ｓ／ｐａ以上６×１０−７ｍ３／ｍ２／ｓ／ｐａ以下であることを特徴とする請求項１記載の連続発酵による化学品の製造方法。
【請求項３】
多孔性膜の平均細孔径が、０.０１μｍ以上０.２μｍ未満の範囲内にあり、かつ、該平均細孔径の標準偏差が０.１μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２記載の連続発酵による化学品の製造方法。
【請求項４】
多孔性膜の膜表面粗さが０．１μｍ以下の多孔性膜であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の連続発酵による化学品の製造方法。
【請求項５】
多孔性膜が多孔質樹脂層を含む多孔性膜である請求項１から４のいずれかに記載の連続発酵による化学品の製造方法。
【請求項６】
多孔性膜の膜素材がポリフッ化ビニリデンを含むことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の連続発酵による化学品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月10日(2011.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
木製振動板と、
前記木製振動板の面上における、前記木製振動板の中心を通る方向に沿った所定領域に配置され、前記木製振動板の面内で音が伝搬する伝搬速度を調整する伝搬速度調整部材と、
を備えることを特徴とする音響振動板。
【請求項２】
木製振動板と、前記木製振動板の面上における前記木製振動板の中心を通る方向に沿った所定領域に配置され、前記木製振動板の面内で音が伝搬する伝搬速度を調整する伝搬速度調整部材とを有する音響振動板と、
前記音響振動板を収納するキャビネットと、
を備えることを特徴とするスピーカ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために、以下の１）及び２）に記載の手段より成る。
すなわち、
１）木製振動板と、
前記木製振動板の面上における、前記木製振動板の中心を通る方向に沿った所定領域に配置され、前記木製振動板の面内で音が伝搬する伝搬速度を調整する伝搬速度調整部材と、
を備えることを特徴とする音響振動板。
２）木製振動板と、前記木製振動板の面上における前記木製振動板の中心を通る方向に沿った所定領域に配置され、前記木製振動板の面内で音が伝搬する伝搬速度を調整する伝搬速度調整部材とを有する音響振動板と、
前記音響振動板を収納するキャビネットと、
を備えることを特徴とするスピーカ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿を搬送する搬送手段と、
前記搬送手段により逐次搬送される原稿の画像を読み取る読取手段と、
前記読取手段により原稿の画像を読み取って得た画像データを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されている画像データを出力する出力手段と、
前記記憶手段に前記読取手段により原稿の画像を読み取って得た画像データを記憶可能な空き容量が不足している場合に前記搬送手段による原稿の搬送と前記読取手段による読み取りを停止させ、前記空き容量が増加した場合に前記搬送手段による原稿の搬送と前記読取手段による読み取りを再開させる制御手段と、
前記記憶手段の前記空き容量を判定する判定手段と、を備え、
前記制御手段は、前記判定手段による判定結果と前記搬送手段により搬送された原稿の位置とに基づき、前記搬送手段により搬送される原稿が所定の位置で停止されるよう停止動作の開始タイミングを制御することを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記制御手段は、不安定領域以外で原稿が停止されるよう前記搬送手段による原稿の搬送を停止させるよう制御することを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記記憶手段の前記空き容量が所定の閾値以下となった場合に前記搬送手段による原稿の搬送と前記読取手段による読み取りを停止させ、かつ原稿が搬送された位置に応じて異なる閾値に従って原稿を停止させることを特徴とする請求項１または２に記載の画像読取装置。
【請求項４】
前記閾値は、前記読取手段により原稿の画像を読み取って得られる画像データの量と前記搬送手段による原稿の搬送を停止させるまでに必要な距離に基づき決定されることを特徴とする請求項３に記載の画像読取装置。
【請求項５】
前記閾値は、さらに原稿が搬送された位置に基づく前記読取手段による読取範囲に基づき決定されることを特徴とする請求項４に記載の画像読取装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記記憶手段の前記空き容量を監視し、前記空き容量が所定量以上になった場合に前記搬送手段による原稿の搬送と前記読取手段による読み取りを再開させることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項７】
原稿を搬送する搬送手段により逐次搬送される原稿の画像を読み取って得た画像データを記憶手段に記憶させ、該記憶手段に記憶されている画像データを出力する画像読取装置であって、前記記憶手段に、読み取られた原稿の画像を読み取って得た画像データを記憶可能な空き容量が不足している場合に前記搬送手段による原稿の搬送と当該原稿の読み取りを停止させ、前記空き容量が増加した場合に前記搬送手段による原稿の搬送と当該原稿の読み取りを再開させる画像読取装置の制御方法であって、
前記記憶手段の前記空き容量を判定し、
前記空き容量の判定結果と前記搬送手段により搬送された原稿の位置とに基づき、前記搬送手段により搬送される原稿が所定の位置で停止されるよう停止動作の開始タイミングを制御することを特徴とする画像読取装置の制御方法。
【請求項８】
請求項７に記載の制御方法をコンピュータで実行するための制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものである。本発明は、搬送される原稿が不安定な位置で停止されたり搬送再開されたりしないようにして画質の劣化等を低減させることができる画像読取装置、画像読取装置の制御方法及び制御プログラムを提供するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明の画像読取装置は、原稿を搬送する搬送手段と、前記搬送手段により逐次搬送される原稿の画像を読み取る読取手段と、前記読取手段により原稿の画像を読み取って得た画像データを記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶されている画像データを出力する出力手段と、前記記憶手段に前記読取手段により原稿の画像を読み取って得た画像データを記憶可能な空き容量が不足している場合に前記搬送手段による原稿の搬送と前記読取手段による読み取りを停止させ、前記空き容量が増加した場合に前記搬送手段による原稿の搬送と前記読取手段による読み取りを再開させる制御手段と、前記記憶手段の前記空き容量を判定する判定手段と、を備え、前記制御手段は、前記判定手段による判定結果と前記搬送手段により搬送された原稿の位置とに基づき、前記搬送手段により搬送される原稿が所定の位置で停止されるよう停止動作の開始タイミングを制御する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の画像読取装置の制御方法は、原稿を搬送する搬送手段により逐次搬送される原稿の画像を読み取って得た画像データを記憶手段に記憶させ、該記憶手段に記憶されている画像データを出力する画像読取装置であって、前記記憶手段に、読み取られた原稿の画像を読み取って得た画像データを記憶可能な空き容量が不足している場合に前記搬送手段による原稿の搬送と当該原稿の読み取りを停止させ、前記空き容量が増加した場合に前記搬送手段による原稿の搬送と当該原稿の読み取りを再開させる画像読取装置の制御方法であって、前記記憶手段の前記空き容量を判定し、前記空き容量の判定結果と前記搬送手段により搬送された原稿の位置とに基づき、前記搬送手段により搬送される原稿が所定の位置で停止されるよう停止動作の開始タイミングを制御する。