【手続補正書】
【提出日】平成21年2月26日(2009.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空計であって、
導電性材料からなり、反応領域（３）を画定する内壁表面を形成する壁を備えたハウジングと、
エミッタ表面によって少なくとも断続的に占有されるエミッタ部を備えた、電子を前記反応領域（３）中に放出するための電界放出陰極（６）と、
導電性のゲート（９）であって、前記ゲート（９）に接続され前記ハウジングを通じて外部に至るフィードスルーとともに、前記エミッタ部を断続的に覆い、前記エミッタ表面から電気的に絶縁され、前記エミッタ表面に垂直な方向に一定のゲート距離だけ前記エミッタ表面から間隔を開けた電気絶縁スペーサ手段によって支持される導電性のゲート（９）と、
前記電界放出陰極（６）からある距離を置いて前記反応領域（３）の内部に配置されるイオンコレクタ（４）であって、前記イオンコレクタ（４）に接続され前記ハウジングを通じて外部に至るフィードスルーとともに配置されるイオンコレクタと、を備える真空計において、
前記エミッタ部が前記壁表面に配置されることを特徴とする真空計。
【請求項２】
前記イオンコレクタ（４）上に位置する少なくとも１つの点から見て、前記エミッタ部がカバーする立体角が少なくとも２πであることを特徴とする請求項１に記載の真空計。
【請求項３】
前記エミッタ部が０．５ｃｍ2〜８０ｃｍ2を覆うことを特徴とする請求項１または２に記載の真空計。
【請求項４】
前記エミッタ部が１ｃｍ2〜５０ｃｍ2を覆うことを特徴とする請求項１または２に記載の真空計。
【請求項５】
前記エミッタ表面から前記イオンコレクタ（４）までの最小距離が前記ゲート距離の少なくとも２０倍であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項６】
前記エミッタ部が少なくとも部分的に凹形であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項７】
前記エミッタ部が凹形円筒形表面の少なくとも一部を備えることを特徴とする請求項６に記載の真空計。
【請求項８】
前記反応領域（３）が円筒形であり、前記エミッタ部によって少なくとも部分的に占有される前記壁表面の円筒形の部分によって側方を画定され、その一方で前記イオンコレクタ（４）が前記反応領域（３）の軸の付近に配置されることを特徴とする請求項７に記載の真空計。
【請求項９】
前記反応領域（３）の直径が１ｃｍ〜８ｃｍ、その高さが２ｃｍ〜８ｃｍであることを特徴とする請求項８に記載の真空計。
【請求項１０】
前記反応領域（３）の直径が１ｃｍ〜６ｃｍであり、その高さが２ｃｍ〜５ｃｍであることを特徴とする請求項８に記載の真空計。
【請求項１１】
前記エミッタ部が前記壁表面の円筒形部分を完全に覆うことを特徴とする請求項８〜１０のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項１２】
前記エミッタ表面が、カーボンナノチューブ、ダイヤモンドライクカーボン、金属または金属の混合物、または半導体材料、からなるエミッタ層（７）の前面であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項１３】
前記エミッタ表面が、カーボンナノチューブ、ダイヤモンドライクカーボン、金属または金属の混合物、またはカーバイドまたはモリブデンでコーティングしたものでもよいシリコン、からなるエミッタ層（７）の前面であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項１４】
前記エミッタ層（７）が、モリブデン、タングステン、またはステンレス鋼からなることを特徴とする請求項１２または１３に記載の真空計。
【請求項１５】
前記エミッタ層（７）が、前記壁表面上に蒸着した薄層であることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項１６】
前記エミッタ層（７）が、化学蒸着または物理蒸着によって前記壁表面上に蒸着した薄層であることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項１７】
前記エミッタ表面が前記壁表面自体の少なくとも一部によって形成され、前記壁が金属、合金、ステンレス鋼からなることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項１８】
前記エミッタ表面が、機械的に、または、エッチングによって粗くされることを特徴とする請求項１７に記載の真空計。
【請求項１９】
前記エミッタ表面が、プラズマエッチングまたは化学エッチングによって粗くされることを特徴とする請求項１７に記載の真空計。
【請求項２０】
前記ゲート距離が１μｍ〜２００μｍであることを特徴とする請求項１〜１９のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項２１】
前記ゲート距離が５μｍ〜２００μｍであることを特徴とする請求項１〜１９のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項２２】
前記ゲート（９）が格子であることを特徴とする請求項１〜２１のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項２３】
前記ゲート（９）が金網であることを特徴とする請求項１〜２１のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項２４】
前記スペーサ手段が、前記エミッタ部の上に分布する電気絶縁スペーサ（８）を備えることを特徴とする請求項１〜２３のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項２５】
前記ゲートが、前記スペーサの表面を覆うゲートパッチからなることを特徴とする請求項２４に記載の真空計。
【請求項２６】
前記スペーサ手段が、前記エミッタ表面を覆い、前記エミッタ表面の前に配置される電子浸透層を備えることを特徴とする請求項１〜２５のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項２７】
前記イオンコレクタ（４）と前記ゲート（９）との間に配置される陽極（５）であって、前記イオンコレクタ（４）を取り囲む円筒形の格子として構成される陽極（５）をさらに備えることを特徴とする請求項１〜２６のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項２８】
前記イオンコレクタ（４）が直線の導電性素子であることを特徴とする請求項１〜２７のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項２９】
前記ハウジングの外部に配置された制御回路（１０）であって、
前記制御回路が、少なくとも前記ハウジングに導電的に接続され、かつ、各々前記フィードスルーを通じて前記ゲート（９）及び前記イオンコレクタ（４）に接続され、かつ、
前記エミッタ表面をエミッタ電圧に保持することと、
前記ゲート（９）を前記エミッタ電圧より高いゲート電圧（ＶG）に保持することと、
前記イオンコレクタ（４）を前記エミッタ電圧に等しいかまたはそれより低いコレクタ電圧に保持することと、
前記イオンコレクタ（４）からのコレクタ電流（ＩIC）を監視することとに適している制御回路をさらに備えることとを特徴とする請求項１〜２８のいずれか一項に記載の真空計。
【請求項３０】
前記ゲート電圧（ＶG）が、前記エミッタ電圧より高い２００Ｖ〜１，０００Ｖであることを特徴とする請求項２９に記載の真空計。
【請求項３１】
前記ゲート電圧（ＶG）が、前記エミッタ電圧より高い２００Ｖ〜６００Ｖであることを特徴とする請求項２９に記載の真空計。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る真空計では、より大きなエミッタ部を所定の寸法のハウジングに収容できる。エミッタ表面を大きくできるので、そこで要求される電子流密度は比較的小さくてもよくなり、適度に抑えた電界強度でも普通は十分となる。このため陰極に対する要求が緩和され、エミッタ表面のための材料と構造の選択の幅が広がる。