Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月13日(2011.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂中に分散された金属微粒子の近傍に気化材料が配置されてなる光情報記録媒体に対して、情報の記録時に集光される記録光に対する光反応又は熱反応によって上記気化材料を気化させることにより空洞でなる記録マークを形成する記録ステップ
を有する光情報記録方法。
【請求項２】
上記金属微粒子には保護材料が配位されている
請求項１に記載の光情報記録方法。
【請求項３】
上記気化材料は、
熱により気化する熱気化材料である
請求項２に記載の光情報記録方法。
【請求項４】
上記気化材料は、
上記金属微粒子に配位することにより上記金属微粒子の近傍に配置された
請求項１に記載の光情報記録方法。
【請求項５】
上記気化材料は、
末端が上記金属微粒子に配位する配位末端基に置換されたアルキル鎖を有している
請求項４に記載の光情報記録方法。
【請求項６】
上記配位末端基は、
チオール基である
請求項５に記載の光情報記録方法。
【請求項７】
上記気化材料は、
２光子吸収によって気化する２光子吸収材料の一部がアルキルチオール基に置換されてなる
請求項６に記載の光情報記録方法。
【請求項８】
上記気化材料は、（化１）式の一般式によって表される
【化１】
2009170013.tif 000001
請求項７に記載の光情報記録方法。
【請求項９】
上記気化材料は、
光に応じて反応開始因子を発生する光重合開始剤である
請求項８に記載の光情報記録方法。
【請求項１０】
上記金属微粒子は、
Ａｇの微粒子である
請求項１乃至９に記載の光情報記録方法。
【請求項１１】
上記気化材料は、
金属微粒子に対して過剰量が配合されることにより上記金属微粒子の近傍に配置された 請求項１乃至９に記載の光情報記録方法。
【請求項１２】
樹脂中に分散された金属微粒子の近傍に気化材料が配置されてなり、情報の記録時に集光される記録光に対する光反応又は熱反応によって上記気化材料を気化させることにより空洞でなる記録マークを形成する記録層
を有する光情報記録媒体。
【請求項１３】
所定の波長でなる記録光を集光して照射することにより、２光子吸収による光反応によって形成された気泡でなる記録マークを有する光情報記録媒体に対し、所定の再生光源から出射された上記記録光よりも波長の短い読出光を集光して照射する対物レンズと、
上記光情報記録媒体における上記記録マークの有無に応じて変調された上記読出光を検出する光検出部と
を有する光情報再生装置。
【請求項１４】
所定の波長でなる記録光を集光して照射することにより、２光子吸収による光反応によって形成された気泡でなる記録マークを有する光情報記録媒体に対して上記記録光よりも波長の短い読出光を集光して照射する読出光照射ステップと、
上記光情報記録媒体における上記記録マークの有無に応じて変調された上記読出光を検出する光検出ステップと
を有する光情報再生方法。
【請求項１５】
所定の波長でなる記録光を出射する第１の光源と、
上記記録光よりも波長の短い読出光を出射する第２の光源と、
情報の記録時に上記記録光を集光して光情報記録媒体に照射することにより、上記光情報記録媒体における２光子吸収による光反応によって気泡でなる記録マークを形成し、上記情報の再生時に上記読出光を集光して光情報記録媒体に照射する対物レンズと、
上記光情報記録媒体における上記記録マークの有無に応じて変調された上記読出光を検出する光検出部と
を有する光情報記録再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
金属ナノ粒子は、第１の実施の形態におけるアルカンチオール誘導体（化２）を保護材料に置き換えたこと以外は、２光子吸収パーティクルと同様の手法にて作製することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月28日(2011.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
前記第一成膜工程の前に、前記シートの表面に凹凸を設ける工程を有し、該凹凸を設けた表面に前記第一の層を成膜することが好ましい。このような凹凸としては、筋状の凹凸が好ましい。前記シートの表面に凹凸を設ける工程としては、ラビング処理又は研磨処理が好適に用いられる。前記第二の層の表面に固体高分子電解質膜を接合する工程は、前記凹凸の凸部上に形成された第二の層と、該凹凸の凹部上に形成された第二の層の少なくとも一部と、前記固体高分子電解質膜に接合する工程であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月16日(2010.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系の結像性能を評価する評価方法であって、前記投影光学系に入射する光の偏光状態と前記投影光学系から射出される光の偏光状態との関係を示す前記投影光学系の偏光状態変換特性を特定する特定ステップと、
前記特定ステップで特定された前記投影光学系の偏光状態変換特性に相関を有するパラメータの値を計算する第１計算ステップと、
前記パラメータの値を単位量だけ変化させたときの前記投影光学系の結像性能を示す指標値の変化量と、前記第１計算ステップで計算されたパラメータの値とに基づいて、前記特定ステップで特定された偏光状態変換特性を有する状態における前記投影光学系の結像性能を示す指標値を計算する第２計算ステップと、
を含むことを特徴とする評価方法。
【請求項２】
前記パラメータの値が第１の値であるときにおける前記投影光学系の結像性能を示す第１の指標値と前記パラメータの値が前記第１の値に対して単位量だけ異なる第２の値であるときにおける前記投影光学系の結像性能を示す第２の指標値との差分を前記指標値の変化量として決定する決定ステップと、
前記決定ステップで決定された前記指標値の変化量をメモリに登録する登録ステップとを更に含み、
前記第２計算ステップにおいて、前記メモリに登録された前記指標値の変化量が参照される、
ことを特徴とする請求項１に記載の評価方法。
【請求項３】
前記決定ステップでは、前記第１の値として、前記投影光学系が無収差である場合における前記パラメータの値を使用して前記第１の指標値を計算する、ことを特徴とする請求項２に記載の評価方法。
【請求項４】
前記決定ステップでは、前記第１の値として、計測に基づいて得られた値を使用して前記第１の指標値を計算する、ことを特徴とする請求項２に記載の評価方法。
【請求項５】
前記投影光学系の偏光状態変換特性は、ジョーンズ・マトリクスで表現され、前記パラメータの値は、前記ジョーンズ・マトリクスから得られる、ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の評価方法。
【請求項６】
前記投影光学系の偏光状態変換特性は、ジョーンズ・マトリクスで表現され、前記パラメータの値は、前記ジョーンズ・マトリクスをパウリ展開して得られる固有値に基づいて得られる、ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の評価方法。
【請求項７】
請求項１乃至６に記載の評価方法を用いて投影光学系の結像性能を示す指標値を計算する計算ステップと、
前記計算ステップで計算された指標値に基づいて前記投影光学系の結像性能を調整する調整ステップと、
を含むことを特徴とする調整方法。
【請求項８】
原版を照明する照明光学系と、
前記照明光学系によって照明された前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系と、
前記投影光学系の結像性能を調整する制御部とを備え、
前記制御部は、
前記投影光学系に入射する光の偏光状態と前記投影光学系から射出される光の偏光状態との関係を示す前記投影光学系の偏光状態変換特性を特定する特定ステップと、
前記特定ステップで特定された前記投影光学系の偏光状態変換特性に相関を有するパラメータの値を計算する第１計算ステップと、
前記パラメータの値を単位量だけ変化させたときの前記投影光学系の結像性能を示す指標値の変化量と、前記第１計算ステップで計算されたパラメータの値とに基づいて、前記特定ステップで特定された偏光状態変換特性を有する状態における前記投影光学系の結像性能を示す指標値を計算する第２計算ステップと、
前記第２計算ステップで計算された指標値に基づいて前記投影光学系の結像性能を調整する調整ステップと、
を含む処理を実行する、
ことを特徴とする露光装置。
【請求項９】
投影光学系の結像性能を評価するための処理をコンピュータに実行させるプログラムであって、前記コンピュータに、
前記投影光学系に入射する光の偏光状態と前記投影光学系から射出される光の偏光状態との関係を示す前記投影光学系の偏光状態変換特性を特定する特定ステップと、
前記特定ステップで特定された前記投影光学系の偏光状態変換特性に相関を有するパラメータの値を計算する第１計算ステップと、
前記パラメータの値を単位量だけ変化させたときの前記投影光学系の結像性能を示す指標値の変化量と、前記第１計算ステップで計算されたパラメータの値とに基づいて、前記特定ステップで特定された偏光状態変換特性を有する状態における前記投影光学系の結像性能を示す指標値を計算する第２計算ステップと、
を実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項１０】
前記第２計算ステップで計算された指標値に基づいて前記投影光学系の結像性能を調整する調整ステップを前記コンピュータに更に実行させることを特徴とする請求項９に記載のプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】評価方法、調整方法、露光装置、およびプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、投影光学系の結像性能の評価方法および調整方法、そのような機能を備える露光装置、ならびに、それらのためのプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第１の側面は、投影光学系の結像性能を評価する評価方法に係り、前記評価方法は、前記投影光学系に入射する光の偏光状態と前記投影光学系から射出される光の偏光状態との関係を示す前記投影光学系の偏光状態変換特性を特定する特定ステップと、前記特定ステップで特定された前記投影光学系の偏光状態変換特性に相関を有するパラメータの値を計算する第１計算ステップと、前記パラメータの値を単位量だけ変化させたときの前記投影光学系の結像性能を示す指標値の変化量と、前記第１計算ステップで計算されたパラメータ値とに基づいて、前記特定ステップで特定された偏光状態変換特性を有する状態における前記投影光学系の結像性能を示す指標値を計算する第２計算ステップとを含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第２の側面は、投影光学系の結像性能を調整する調整方法に係り、前記調整方法は、第１の側面に係る評価方法を用いて投影光学系の結像性能を示す指標値を計算する計算ステップと、前記計算ステップで計算された指標値に基づいて前記投影光学系の結像性能を調整する調整ステップとを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月17日(2011.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体と、この本体内において所定間隔で対向させた内部電極と、この内部電極に電気的に接続されると共に、前記本体の外部に設けられた外部電極とを備え、前記外部電極は、内部電極に電気的に接続されると共に、前記本体に接して設けられたガラスを含まない樹脂外部電極と、この樹脂外部電極の外表面に設けられためっき電極とを有したセラミック電子部品において、前記本体と前記樹脂外部電極の接合強度をＦ１、前記樹脂外部電極と前記めっき電極の接合強度をＦ２とした時、
Ｆ１＞Ｆ２
の関係を満たしていることを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項２】
前記樹脂外部電極は、少なくとも前記本体側とめっき電極側表面部分が実質的な非酸化劣化層を有していることを特徴とした請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項３】
前記樹脂外部電極中の実質的な非酸化劣化層部分における金属粉末は、酸化膨張による非粒成長状態であることを特徴とした請求項１に記載のセラミック電子部品。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月18日(2011.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
ネットワークノードを備えるネットワークにおける複数のノードの各々に同一に配置された、通信を送信および受信するためのサイクル長の所定のパターンを前記ネットワークノードにおいて記憶するための、プロセッサによって実行可能な第１の情報と、サイクル長の前記所定のパターンは少なくとも１つの受信部分と、少なくとも１つの送信部分とを具備し、
任意の所定の時に前記ネットワークノードおよび前記複数のノードがそれぞれ送信および受信するためのサイクル長の前記所定のパターンの異なる点にあるように、通信を送信および受信するためのサイクル長の前記所定のパターンを実行するために前記ネットワークノードを構成するための、前記プロセッサによって実行可能な第２の情報と、
前記少なくとも１つの受信部分または前記少なくとも１つの送信部分の間に前記ネットワークにおける前記複数のノードの１つと通信を交換するための、前記プロセッサによって実行可能な第３の情報と、
を具備するコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
送信情報を得るための、前記プロセッサによって実行可能な第４の情報と、
第２のノードによって実行される、通信を送信および受信するためのサイクル長の前記所定のパターンの受信部分に対応する前記少なくとも１つの送信部分の１部の間に前記複数のノードから前記第２のノードへ前記送信情報を送信するための、前記プロセッサによって実行可能な第５の情報と、
をさらに具備する請求項１５記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
通信を送信および受信するためのサイクル長の前記所定のパターンにおける前記ネットワークノードに対する前記第２のノードの相対的なオフセットを得るための、前記プロセッサによって実行可能な第６の情報と、
前記相対的なオフセットに基づいて前記送信をスケジュールするための、前記プロセッサによって実行可能な第７の情報と、
をさらに具備する請求項１６記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月14日(2011.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
画像表示ユニットと、
正面に図形が施され、前記画像表示ユニットの表示画面に沿って当該表示画面上を移動する移動部材と、
前記移動部材の正面の一部を隠蔽する隠蔽部材と、を備え、
前記移動部材は、
前記隠蔽部材から常時露出する露出部分を有し、かつ、前記露出部分が露出した第１の位置と、前記露出部分に加えて他の部分が前記隠蔽部材から露出する第２の位置と、で移動することを特徴とする遊技台。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、画像表示ユニットと、正面に図形が施され、前記画像表示ユニットの表示画面に沿って当該表示画面上を移動する移動部材と、前記移動部材の正面の一部を隠蔽する隠蔽部材と、を備え、前記移動部材は、前記隠蔽部材から常時露出する露出部分を有し、かつ、前記露出部分が露出した第１の位置と、前記露出部分に加えて他の部分が前記隠蔽部材から露出する第２の位置と、で移動することを特徴とする遊技台が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月2日(2011.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
棚本体と、
前記棚本体に引出可能に設けられ、複数の送風孔が形成された後端プレートを備えたトレイ支持台と、
前記トレイ支持台に取外可能に載置され、引出方向に沿って複数の薬剤を整列させた状態で収容可能な薬剤トレイと、
前記棚本体に設けられ、薬剤を収容した状態で、前記薬剤トレイを前記トレイ支持台と共に前記棚本体内に押し込んだ際、収容された薬剤を引出方向に付勢する付勢部材と、
を備えたことを特徴とする薬剤払出装置。
【請求項２】
前記付勢部材は、前記薬剤トレイに収容された薬剤を付勢して整列させた状態で、その数量を計数する計数部を備えたことを特徴とする請求項１に記載の薬剤払出装置。
【請求項３】
前記薬剤トレイは、引出方向に沿って複数列に仕切可能な仕切プレートを取外可能に装着され、
前記付勢部材は、前記仕切プレートにより仕切られた各列に対応して、前記棚本体に取外可能に装着されることを特徴とする請求項１又は２に記載の薬剤払出装置。
【請求項４】
前記薬剤トレイは、前記各列に、前記付勢部材によって押圧され、収容された薬剤を直接押圧可能な薬剤ガイド部材を取外可能に備えたことを特徴とする請求項３に記載の薬剤払出装置。
【請求項５】
前記薬剤ガイド部材は、一端部に凹部を形成され、他端に凸部を形成され、
前記薬剤トレイは、前記凹部に係止する係止部と、前記凸部が係止する係止孔とを備えたことを特徴とする請求項４に記載の薬剤払出装置。
【請求項６】
前記薬剤ガイド部材は、前記各列に配置されるガイド軸と、該ガイド軸を往復移動可能で、前記付勢部材によって押圧されることにより薬剤を押圧するプッシャ部とを備えたことを特徴とする請求項４又は５に記載の薬剤払出装置。
【請求項７】
前記仕切プレートは、一端部に凹部を形成され、他端に凸部を形成され、
前記薬剤トレイは、前記凹部に係止する係止部と、前記凸部が係止する係止孔とを備えたことを特徴とする請求項４から６のいずれか１項に記載の薬剤払出装置。
【請求項８】
前記薬剤トレイは、前記仕切プレートの脱落を防止する抜け防止カバーを備えたことを特徴とする請求項４から７のいずれか１項に記載の薬剤払出装置。
【請求項９】
前記付勢部材は、トレイ支持台の引出方向側に位置する端部に表示部を形成され、
前記表示部に入力条件に応じた所定の表示を行わせる表示制御手段を備えたことを特徴とする請求項３から８のいずれか１項に記載の薬剤払出装置。
【請求項１０】
前記表示部は、前記トレイ支持台の前面部に設けられていることを特徴とする請求項３から８のいずれか１項に記載の薬剤払出装置。
【請求項１１】
前記表示部は、処方データに基づく払出対象となる薬剤が収容された列であること、薬剤を返却する場合の返却先の列であること、又は、薬剤の欠品が生じた列であることのうち、少なくともいずれか２つを識別可能に表示するものであることを特徴とする請求項９又は１０に記載の薬剤払出装置。
【請求項１２】
前記棚本体の前面に開閉扉を備え、
前記棚本体の側部に、前記開閉板が折り畳まれた状態で収納可能な扉収納部を形成し、
前記開閉扉は、互いに隣接する一方の側縁部を回動可能に連結された第１平板と第２平板からなり、前記第１平板は、他方の側縁部を前記扉収納部に侵入可能にガイドされ、前記第２平板は、他方の側縁部の上方側に設けたスライドユニットを、棚本体の上方部に設けたガイドレールに沿ってスライド可能に支持され、前記棚本体の前面から前方に向かって折り畳み可能となっていることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の薬剤払出装置。
【請求項１３】
前記開閉扉は、折り畳み時に、第１平板と第２平板の境界部分に膨出して指の侵入を防止する弾性ガイド片からなる指詰め防止構造を備えたことを特徴とする請求項１２に記載の薬剤払出装置。
【請求項１４】
前記開閉扉は、スライドユニットに回転可能に支持された軸部と、前記第１平板に回動可能に設けられ、前記軸部に回転可能に連結された回動片とを備え、
前記開閉扉は、棚本体の前面を閉鎖する全閉位置に位置するとき、前記軸部が係止される係止受部を備えたことを特徴とする請求項１２又は１３に記載の薬剤払出装置。
【請求項１５】
個人認証装置と、
前記付勢部材の計数部での計数結果に基づいて薬剤の現在庫数を算出する在庫数算出手段と、
前記個人認証装置によって特定された個人データと、前記在庫数算出手段により算出された薬剤の現在庫数とに基づいて、薬剤の払出数又は返却数を管理する在庫管理手段と、
を備えたことを特徴とする請求項２から１４のいずれか１項に記載の薬剤払出装置。
【請求項１６】
前記在庫管理手段は、処方データに基づいて、薬剤の払出位置、払出数、返却位置、又は、返却数が適切になされているか否かを管理し、不適切な場合、警告手段を介して警告することを特徴とする請求項１５に記載の薬剤払出装置。
【請求項１７】
前記付勢部材の計数部での計数結果に基づいて薬剤の現在庫数を算出する在庫数算出手段と、
前記在庫数算出手段により算出された薬剤の現在庫数と処方データに基づいて、薬剤の払出位置、払出数、返却位置、又は、返却数が適切になされているか否かを管理し、不適切な場合、警告手段を介して警告する在庫管理手段と、を備えたことを特徴とする請求項２から１４のいずれか１項に記載の薬剤払出装置。
【請求項１８】
前記在庫管理手段は、前記薬剤トレイから払い出した薬剤を廃棄又は破損する場合、前記個人認証装置により個人が特定され、前記薬剤が含まれる処方データが特定され、前記薬剤が選択された後、廃棄破損理由が入力され、再度、前記個人認証装置により個人が特定されることにより、廃棄破損処理を実行することを特徴とする請求項１５又は１６に記載の薬剤払出装置。
【請求項１９】
前記在庫管理手段は、廃棄又は破損した薬剤の代替え薬剤がある場合、前記廃棄破損理由の入力後、代替え薬剤の払出処理を実行することを特徴とする請求項１８に記載の薬剤払出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、前記課題を解決するための手段として、
薬剤払出装置を、
棚本体と、
前記棚本体に引出可能に設けられ、複数の送風孔が形成された後端プレートを備えたトレイ支持台と、
前記トレイ支持台に取外可能に載置され、引出方向に沿って複数の薬剤を整列させた状態で収容可能な薬剤トレイと、
前記棚本体に設けられ、薬剤を収容した状態で、前記薬剤トレイを前記トレイ支持台と共に前記棚本体内に押し込んだ際、収容された薬剤を引出方向に付勢する付勢部材と、
を備えた構成としたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この構成により、薬剤トレイのみを取り外して複数種の薬剤の充填作業を同時に行うことができる。薬剤を収容した薬剤トレイは、棚本体から引き出したトレイ支持台に載置し、棚本体内に押し込むことによりセットすることができる。このセット状態で、薬剤トレイに収容された薬剤は、付勢部材によって付勢されて整列される。また、トレイ支持台の後端プレートに形成した送風孔を介して薬剤トレイ内に冷風を供給することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月1日(2011.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スタッドピン（２２）と、熱膨張性材料からなる容器（５０）と、ばね要素（５６）とを備えるスタッドピンアセンブリにおいて、
前記スタッドピンアセンブリ（２０）は、前記容器（５０）が前記ばね要素（５６）と相互に作用し、かつ周囲温度が変化する際に該ばね要素（５６）が前記スタッドピン（２２）を移動させるように構成されており、
前記容器（５０）は、流体（５１）、好ましくは水を収容する流体コンパートメントと、エラストマー（５２）、好ましくはシリコーンを収容するエラストマーコンパートメントを含んでいることを特徴とする、スタッドピンアセンブリ。
【請求項２】
前記ばね要素（５６）は、前記エラストマーコンパートメントによって前記流体コンパートメントから分離されていることを特徴とする、請求項１に記載のスタッドピンアセンブリ。
【請求項３】
所与の周囲温度での前記スタッドピン（２２）の初期の設定を調整する調整手段（１１０，２４０）をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載のスタッドピンアセンブリ。
【請求項４】
前記調整手段は、前記容器（５０）内、好ましくは前記容器（５０）の前記流体コンポーネント内を延びる調整ピン（１１０）または調整ねじであり、
前記調整ピン（１１０）または前記調整ねじの、前記容器（５０）内を延びる延伸長さは変えられることを特徴とする、請求項３に記載のスタッドピンアセンブリ。
【請求項５】
前記調整手段は、所与の周囲温度での前記スタッドピン（２２）の初期の設定を調整するために前記スタッドピン（２２）を移動させるために前記容器（５０）、好ましくは前記容器（５０）の前記エラストマーコンパートメントと相互に作用する第２のばね要素、好ましくは圧縮ばね（２４０）であることを特徴とする、請求項４に記載のスタッドピンアセンブリ。
【請求項６】
スタッドピンアセンブリ（２０）は、前記調整手段（１１０，２４０）、好ましくは第２のばね要素と相互に機械的に作用する調整可能ナットアセンブリ（２３０）であることを特徴とする、請求項３に記載のスタッドピンアセンブリ。
【請求項７】
滑り止め深さ（ＮＳＫ）を有するトレッド（１２）を備える空気入りタイヤにおいて、
前記トレッド（１２）は、請求項１に記載のスタッドピンアセンブリ（２０）を少なくとも１つ含むことを特徴とする、空気入りタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月16日(2010.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
これにより、−ＶAの差を付ける例でいうと、蓄電装置９の蓄電電圧ＶBがＶBｍｉｎとＶBｍａｘの間で変動しても、架線電圧ＶKが蓄電電圧ＶBよりも低くなる範囲は−ＶKPに抑えられ、この場合の充電制御は降圧制御のみとなり、逆に、＋ＶAの差を付ける例では、蓄電装置９の蓄電電圧ＶBがＶBｍｉｎとＶBｍａｘの間で変動しても、架線電圧ＶKが蓄電電圧ＶBよりも高くなる範囲は＋ＶKPに抑えられ、この場合の充電制御は昇圧制御のみとなる。従って、いずれの場合の充電制御も簡略化し、装置の小型化、軽量化、低コスト化が図れる。また、このような充電制御に関連して、架線レス区間では充電制御が不要になることから、図３に示す例では、充電制御回路４１に対してバイパススイッチ４２を設け、架線レス区間での蓄電装置９からの放電による放電走行時にバイパススイッチ４２をオンして充電制御回路４１を働かないものとすることで、さらに制御、および装置が簡略化し、さらなる小型、軽量化、低コスト化に貢献できる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月17日(2010.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも背もたれや座部を有する座席において、座部にくぼみ溝を設けたことを特徴とするくぼみ溝付き座部。
【請求項２】
少なくとも背もたれや座部を有する座席において、座部に着座した時に左右の太腿が座部に接する部分の血行を悪くさせないために、でん部が接するくぼみから前部座部端までくぼみ溝を設けるもので、このくぼみ溝は左右の太腿が座部に接する部分に設けたことを特徴とする請求項１記載のくぼみ溝付き座部。
【請求項３】
少なくとも背もたれや座部を有する座席において、請求項２記載のくぼみ溝付き座部の効果を向上させるために、臀部が座部に接する部分にもくぼみを設け、左右の太腿が座部に接する部分に設けたくぼみ溝と一体化したことを特徴とする請求項１記載のくぼみ溝付き座部。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【請求項２】
また、この発明のくぼみ溝付き座部は、少なくとも背もたれや座部を有する座席において、座部に着座した時に左右の太腿が座部に接する部分の血行を悪くさせないために、でん部が接するくぼみから前部座部端までくぼみ溝を設けるもので、このくぼみ溝は左右の太腿が座部に接する部分に設けたことを特徴とする請求項１記載のくぼみ溝付き座部。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【請求項３】
さらに、この発明のくぼみ溝付き座部は、少なくとも背もたれや座部を有する座席において、請求項２記載のくぼみ溝付き座席の効果を向上させるために、臀部が座部に接する部分にもくぼみ溝を設け、左右の太腿が座部に接する部分に設けたくぼみ溝と一体化したことを特徴とする請求項１記載のくぼみ溝付き座部。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】  以上の課題を解決するために、請求項目１の発明は、図１、図２、図３に示すように左右の太腿８が座部２に接する部分の血行を悪くさせないために座部２に、図２に示す斜線のくぼみ溝６をでん部が接するくぼみから前部座部端まで設けたことを特徴とするくぼみ溝付き座部である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月27日(2010.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶中に含まれる不純物元素の含有量を制御して、選択的に不純物元素の含有量が制御された単結晶を製造する方法であって、
前記単結晶を構成する主要元素を含む溶液または融液中にて前記単結晶を加熱する工程を含むことを特徴とする、選択的に不純物元素の含有量が制御された単結晶の製造方法。
【請求項２】
不純物元素として少なくともドーピング元素を含む単結晶を、該単結晶を構成する主要元素を含む溶液または融液中にて加熱することにより、前記ドーピング元素の含有量を維持または増加させることを特徴とする、請求項１に記載の選択的に不純物の含有量が制御された単結晶の製造方法。
【請求項３】
前記溶液または融液が、ドーピング元素を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の選択的に不純物元素の含有量が制御された単結晶の製造方法。
【請求項４】
不純物元素として少なくともアルカリ金属元素を含む単結晶を、該単結晶を構成する主要元素を含む溶液または融液中にて加熱することにより、前記アルカリ金属元素の含有量を減少させることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の選択的に不純物の含有量が制御された単結晶の製造方法。
【請求項５】
前記単結晶が主要元素としてＧａを含み、前記溶液または融液がＧａ金属および／またはＧａ化合物を含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の選択的に不純物元素の含有量が制御された単結晶の製造方法。
【請求項６】
前記溶液または融液が、溶融塩であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の選択的に不純物元素の含有量が制御された単結晶の製造方法。
【請求項７】
前記溶融塩が、１種類または複数種の金属ハロゲン化物であることを特徴とする請求項６に記載の選択的に不純物元素の含有量が制御された単結晶の製造方法。
【請求項８】
前記溶融塩がＧａＣｌｘを含み、ｘの値が０．１〜３であることを特徴とする請求項７に記載の選択的に不純物元素の含有量が制御された単結晶の製造方法。
【請求項９】
前記溶融塩として、カチオンとアニオンとの化学量論比を変化させた溶融塩を用いることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の選択的に不純物元素の含有量が制御された単結晶の製造方法。
【請求項１０】
前記単結晶が、周期表第１３族金属元素の窒化物結晶であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の選択的に不純物元素の含有量が制御された単結晶の製造方法。
【請求項１１】
前記周期表第１３族金属元素の窒化物結晶がＧａを含む窒化物結晶であることを特徴とする請求項１０に記載の選択的に不純物元素の含有量が制御された単結晶の製造方法。
【請求項１２】
前記周期表第１３族金属元素の窒化物結晶が、ＧａＮ単結晶であることを特徴とする請求項１１に記載の選択的に不純物元素の含有量が制御された単結晶の製造方法。
【請求項１３】
前記単結晶が、あらかじめドーピング元素として少なくともＭｇ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｏ、Ｓ、Ｚｎのいずれかを含むことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の選択的に不純物元素の含有量が制御された単結晶の製造方法。
【請求項１４】
前記単結晶の不純物含有量が１×１０１４／ｃｍ３以上であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の選択的に不純物元素の含有量が制御された単結晶の製造方法。
【請求項１５】
前記溶融塩または溶液がＧａＣｌｘを含み、ｘの値が０．１〜３であることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の選択的に不純物元素の含有量が制御された単結晶の製造方法。
【請求項１６】
前記加熱を真空下で行うことを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の選択的に不純物元素の含有量が制御された単結晶の製造方法。
【請求項１７】
前記加熱を６００℃〜１３００℃で行うことを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１項に記載の選択的に不純物元素の含有量が制御された単結晶の製造方法。
【請求項１８】
前記単結晶に含まれる不純物元素がアルカリ金属またはアルカリ土類金属であることを特徴とする請求項１〜１７のいずれか１項に記載の選択的に不純物元素の含有量が制御された単結晶の製造方法。
【請求項１９】
前記単結晶が、液相法によって得られた単結晶であることを特徴とする請求項１〜１８
のいずれか１項に記載の選択的に不純物の含有量を制御された単結晶の製造方法。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか１項に記載の製造方法により製造された選択的に不純物の含有量を制御された単結晶。
【請求項２１】
請求項１〜１９のいずれか１項に記載の製造方法により製造された選択的に不純物の含有量を制御された単結晶を用いて製造されたことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２２】
単結晶中に含まれる不純物元素の含有量を制御する方法であって、
前記単結晶を構成する主要元素を含む溶液または融液中にて前記単結晶を加熱する工程を含むことを特徴とする単結晶中の不純物元素含有量の制御方法。
【請求項２３】
ドーピング元素とアルカリ金属元素を含有する単結晶中のドーピング元素含有量を維持または増加させ、単結晶中のアルカリ金属元素含有量を減少させる方法であって、
ドーピング元素とアルカリ金属元素の含有する単結晶を、該単結晶を構成する主要元素を含む溶液または融液中にて加熱する工程を含むことを特徴とする前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月28日(2011.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その塩を含む、式2の構造を有する化合物：
【化１】
2009161540.tif 000001
（式中、Bはホウ素であり、Oは酸素であり、mは0、1、または2であり、
R*およびR**はそれぞれ独立に、置換または無置換アルキル（C1-C4）、置換または無置換シクロアルキル（C3-C6）、置換または無置換ビニル、置換または無置換アルキニル、置換または無置換ベンジル、置換または無置換フェニル、および置換または無置換複素環から選択され、
zは0または1であり、zが1の場合、AはCH、CR10またはNであり、
DはN、CH、またはCR12であり、
EはH、OH、アルコキシまたはN-(モルホリニル)エトキシであり、
rは1または2であり、rが1の場合、Gは=O（二重結合酸素）であり、rが2の場合、各Gは独立にH、メチル、エチルまたはプロピルであり、
R12は(CH2)kOH（ただしk＝1、2または3）、CH2NH2、CH2NH-アルキル、CH2N(アルキル)2、C02H、C02アルキル、CONH2、OH、アルコキシ、アリールオキシ、SH、S-アルキル、S-アリール、S02アルキル、S03H、SCF3、CN、ハロゲン、CF3、N02、NH2、2*-アミノ、3*-アミノ、NH2SO2およびCONH2から選択され、
JはCR10またはNであり、
R9およびR10はそれぞれ独立に水素、アルキル、(CH2)nOH（n＝1、2または3）、CH2NH2、CH2NHアルキル、CH2N(アルキル)2、ハロゲン、CHO、CH=NOH、C02H、C02-アルキル、S-アルキル、S02-アルキル、S-アリール、NH2、アルコキシ、CF3、SCF3、N02、S03HおよびOHからなる群より選択される）。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月17日(2010.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
第２段階の反応で得られる重合体（Ｂ）の酸価（単位：ＫＯＨｍｇ／ｇ）は１以下が好ましく、０．５以下がより好ましい。
本明細書における酸価の値は、重合体をトルエンに溶解し、フェノールフタレインを指示薬として、０．１ＮのＫＯＨエタノール溶液を用いて滴定して求めた値である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月27日(2011.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学気相成長又は原子層堆積によって膜を堆積するための銅前駆体であって、式（Ｉ）、即ち、
【化１】
2009161512.tif 000001
で表され、式中、
Ｒ1及びＲ3がそれぞれ独立して式ＣnＨ2n+1（式中、ｎは１〜４の数である）を有するアルキルから選択され、
Ｒ4がプロピル、ブチル及びペンチルからなる群より選択され、ただしＲ4は常に窒素原子からのＲ4の第２の炭素を介して酸素に結合される、銅前駆体。
【請求項２】
Ｃｕ（ＭｅＣ（Ｏ）ＣＨＣ（ＮＣＨ2ＣＨＭｅＯＳｉＭｅ2Ｃ2Ｈ3）Ｍｅ）。
【請求項３】
Ｃｕ（ＭｅＣ（Ｏ）ＣＨＣ（ＮＣＨ2ＣＨＥｔＯＳｉＭｅ2Ｃ2Ｈ3）Ｍｅ）。
【請求項４】
Ｃｕ（ＭｅＣ（Ｏ）ＣＨＣ（ＮＣＨ2ＣＨＰｒＯＳｉＭｅ2Ｃ2Ｈ3）Ｍｅ）。
【請求項５】
銅膜を含む電子デバイスであって、該膜が、Ｃｕ（ＭｅＣ（Ｏ）ＣＨＣ（ＮＣＨ2ＣＨＭｅＯＳｉＭｅ2Ｃ2Ｈ3）Ｍｅ）と還元剤を含む反応混合物から、原子層堆積又は化学気相成長から選択されるプロセスによって堆積され、該還元剤が、水素、カルボン酸、アルコール、カルボン酸エステル、シラン、ボラン、アラン、ゲルマン、ヒドラジン、アンモニア、又はこれらの混合物から選択される少なくとも１種を含む、電子デバイス。
【請求項６】
前記還元剤がカルボン酸を含む、請求項５に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記カルボン酸がギ酸を含む、請求項６に記載の電子デバイス。
【請求項８】
拡散障壁層の少なくとも一方の表面を提供する工程、並びに
以下の式（Ｉ）、即ち、
【化２】
2009161512.tif 000002
を有する銅前駆体であって、式中、
Ｒ1及びＲ3がそれぞれ独立して式ＣnＨ2n+1（式中、ｎは１〜４の数である）を有するアルキルから選択され、
Ｒ4がプロピル、ブチル及びペンチルからなる群より選択され、ただしＲ4は常に窒素原子からのＲ4の第２の炭素を介して酸素に結合される銅前駆体を用いて、化学気相成長法又は原子層堆積法により前記表面の少なくとも一部の上に銅膜を形成する形成工程
を含む、拡散障壁層の少なくとも一方の表面に銅膜を形成する方法。
【請求項９】
前記形成工程が、カルボン酸を含む還元剤を導入する工程をさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記カルボン酸がギ酸を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記銅膜が２０Å以下の表面粗さ（Ｒａ）を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記拡散障壁層がルテニウムを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記拡散障壁層がチタンを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記拡散障壁層がタンタルを含む、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月17日(2009.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体（１０）内の内部通路（１８）によって画定される内表面を侵すことなく前記基体（１０）の外表面上の金属コーティングを選択的に剥離する方法であって、
（ａ）７５℃より高い溶融温度を有する熱分解可能なポリエチレンワックス（２０）の溶融ワックスを前記内部通路（１８）内に堆積する段階と、
（ｂ）前記溶融ワックスを凝固させて内部冷却通路（１８）内にポリエチレンワックス（２０）の固体マスクを形成して、内部通路（１８）によって画定される内表面をマスクする段階と、
（ｃ）前記ポリエチレンワックス（２０）の前記溶融温度より低い温度にあり、式ＨXＡＦ6（式中、Ａは珪素、ゲルマニウム、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、またはガリウムであり、ｘが１から６までの数値である。）の酸を含有する水溶液を用いて前記基体（１０）を処理する段階であって、前記水溶液が前記基体（１０）の前記外表面から前記金属コーティングを実質的に除去し、前記ポリエチレンワックス（２０）が前記水溶液に実質的に非反応性であり、前記基体（１０）の前記内表面に前記水溶液が接触することを防止する、段階と、
（ｄ）次いで、前記基体（１０）を加熱してポリエチレンワックス（２０）を溶融させ、その一部を除去した後、さらに基体（１０を加熱して有害な副生成物を生成することなく前記ポリエチレンワックス（２０）を熱分解する段階と
を含む方法。
【請求項２】
前記酸が、フルオロ珪酸であり、前記水溶液中に０．０５Ｍから５Ｍまでのレベルで存在することを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記水溶液がさらに、前記水溶液中に０．１Ｍから０．５Ｍまでのレベルで燐酸を含有することを特徴とする、請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記水溶液がさらに、前記水溶液中に０．０２Ｍから０．１Ｍまでのレベルで塩化水素酸を含有することを特徴とする、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記酸がフルオロ珪酸であり、前記水溶液が２４体積パーセント燐酸（８０％水溶液）、および５体積パーセント塩化水素酸（３７％水溶液）から成る酸含有量を有し、残部は前記フルオロ珪酸（２３％水溶液）であることを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項６】
段階（ｃ）における前記水溶液の温度が７５℃〜８５℃であることを特徴とする、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記金属コーティングがその表面上に酸化物層を有し、前記水溶液が実質的に前記酸化物層を除去することを特徴とする、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記基体（１０）がさらに、前記金属コーティングの上に重なるセラミック層を含むことを特徴とする、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記金属コーティングがアルミニウム含有コーティングであることを特徴とする、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
前記基体（１０）がガスタービン部品（１０）の超合金表面部位であり、前記内部通路（１８）が前記部品（１０）の冷却通路（１８）であり、前記内表面が金属環境コーティングによって保護されることを特徴とする、請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月7日(2011.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
脈管閉塞装置において、
支持部材、
前記支持部材の上に配置されていて組織の増殖を刺激する配合物、および
前記配合物の上に配置されていて前記脈管閉塞装置が血管の中に挿入される時に前記配合物の体液に対する曝露を阻止するための外側バリアを備えており、この外側バリアが体液に対して不活性であるが外部の物質がこの外側バリアに供給される時に溶解すると言う特徴を示す脈管閉塞装置。
【請求項２】
前記配合物が脈管内皮組織の増殖を刺激する請求項１に記載の脈管閉塞装置。
【請求項３】
前記配合物が脈管内皮増殖因子を含む請求項２に記載の脈管閉塞装置。
【請求項４】
前記配合物が塩基性線維芽細胞増殖因子を含む請求項１に記載の脈管閉塞装置。
【請求項５】
前記配合物がトランスホーミング増殖因子βを含む請求項１に記載の脈管閉塞装置。
【請求項６】
前記外側バリアが前記支持部材に供給されている被膜の形態を採っている請求項２に記載の脈管閉塞装置。
【請求項７】
前記外側バリアがエチレン・ビニル・アルコールにより構成されている請求項６に記載の脈管閉塞装置。
【請求項８】
前記外部の物質がジメチル・スルホキシドにより構成されている請求項７に記載の脈管閉塞装置。
【請求項９】
脈管閉塞装置において、
組織の増殖を刺激する配合物を含む支持部材、および
前記支持部材の上に配置されていて前記脈管閉塞装置が体内に挿入される時に前記支持部材と体液との間の接触を阻止するための外側バリアを備えており、この外側バリアが血液に対して実質的に不活性であるが外部の物質の存在下にある時に前記配合物の一部分を露出させると言う特徴を示す脈管閉塞装置。
【請求項１０】
脈管閉塞装置において、
脈管内皮の増殖の生成を刺激する配合物を含む支持要素、および
活性化可能な物質を含む外側バリアを備えており、この外側バリアが前記支持要素を被覆していて体液に対して不活性であり、前記脈管閉塞装置が体内に挿入される時に前記支持要素と体液との間の反応を初期的に阻止し、その後に、前記支持要素と体液との反応を可能にすると言う特徴を示す脈管閉塞装置。
【請求項１１】
脈管閉塞装置において、
体内に配置されて体液に曝される時に組織の増殖を刺激する生体活性な支持部材、および
前記脈管閉塞装置が体内に挿入される時に前記生体活性な支持部材と体液との間の反応を阻止するためのバリアを備えており、このバリアが体液に対して不活性であるが活性化用の物質がこのバリアに供給される時に前記生体活性な支持部材と体液との間の反応を可能にすると言う特徴を示す脈管閉塞装置。
【請求項１２】
脈管閉塞装置において、
脈管内皮増殖因子の生成を刺激する配合物を含む支持要素、および
前記支持要素の上に配置されていて前記脈管閉塞装置が血管の中に挿入される時に前記配合物の体液に対する曝露を阻止するための外側バリアを備えており、この外側バリアが体液に対して不活性であるが外部の物質がこの外側バリアに供給される時に溶解すると言う特徴を示す脈管閉塞装置。
【請求項１３】
脈管閉塞装置において、
支持部材、
前記支持部材の上に配置されている脈管内皮増殖因子の生成を刺激する刺激用の配合物、および
前記刺激用の配合物の上に配置されていて前記脈管閉塞装置が体内に挿入される時に前記刺激用の配合物と体液との間の接触を阻止するための外側バリアを備えており、この外側バリアが血液に対して実質的に不活性であるが外部の物質の存在下にある時に前記刺激用の配合物の一部分を体液に対して露出させると言う特徴を示す脈管閉塞装置。
【請求項１４】
脈管閉塞装置において、
脈管内皮増殖因子の生成を刺激する配合物を含む支持要素、および
活性化可能な物質を含む外側バリアを備えており、この外側バリアが前記支持要素を被覆していて体液に対して不活性であり、前記脈管閉塞装置が体内に挿入される時に前記支持要素と体液との間の反応を初期的に阻止し、その後に、前記支持要素と体液との間の反応を可能にすると言う特徴を示す脈管閉塞装置。
【請求項１５】
脈管閉塞装置において、
体内に配置されて体液に曝される時に脈管内皮増殖因子の生成を刺激する生体活性な支持部材、および
前記脈管閉塞装置が体内に挿入される時に前記生体活性な支持部材と体液との間の反応を阻止するためのバリアを備えており、このバリアが体液に対して不活性であるが活性化用の物質がこのバリアに供給される時に前記生体活性な支持部材と体液との間の反応を可能にすると言う特徴を示す脈管閉塞装置。
【請求項１６】
医療装置において、
支持部材、
前記支持部材の上に配置されている脈管内皮増殖因子の生成を刺激する刺激用の配合物、および
前記刺激用の配合物の上に配置されていて前記医療装置が血管の中に挿入される時に前記刺激用の配合物の体液に対する曝露を阻止するための外側バリアを備えており、この外側バリアが体液に対して実質的に不活性であるが活性化用の物質に曝される時に溶解すると言う特徴を示す医療装置。
【請求項１７】
治療方法において、
脈管閉塞装置を供給する工程を含み、この脈管閉塞装置が支持部材、当該支持部材の上に配置されている組織増殖の生成を刺激する刺激用の配合物、および外側バリアを備えており、この外側バリアが前記刺激用の配合物と体液との間の反応を通常において阻止して、外部の物質がこの外側バリアに供給される時に前記刺激用の配合物を体液に対して露出させると言う特徴を示し、さらに
配給カテーテルを血管の中に挿入する工程、
前記カテーテルの先端部分が前記血管の中の選択された部位に近づくまでそのカテーテルの先端部分をその血管の中を通して進行させる工程、
前記脈管閉塞装置を前記配給カテーテルと共に前記選択された部位に配給する工程、および
外部の物質を前記配給カテーテルの中を通して前記血管の中の部位に供給することにより前記外側バリアを活性化して前記刺激用の配合物を体液に曝すことにより、この刺激用の配合物と体液との間の反応を生じて、さらに、組織増殖の生成の刺激を引き起こす工程を含む方法。
【請求項１８】
治療方法において、
脈管閉塞装置を供給する工程を含み、この脈管閉塞装置が刺激用の配合物を含む支持部材を備えており、前記刺激用の配合物は前記支持部材が体液に対して反応する時に種々の増殖因子の生成を刺激し、さらに前記脈管閉塞装置が外側バリアを有しており、この外側バリアは前記支持部材と体液との間の反応を初期的に阻止すると言う特徴を示し、さらに
配給カテーテルを血管の中に挿入する工程、
前記カテーテルの先端部分が選択された部位に近づくまでそのカテーテルの先端部分をその血管の中を通して進行させる工程、
前記脈管閉塞装置を前記配給カテーテルと共に前記選択された部位に配給する工程、および
体液が前記支持部材に対して反応することを可能にして前記支持部材を体液に曝露させることによりこの支持部材と体液との間の反応を生じて、脈管内皮増殖因子の生成の刺激を引き起こす工程を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月13日(2011.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦な板状電極とその上で溶接ガンを縦向き姿勢で上下に昇降させて被溶接物を挟み、溶接チップで加圧通電して溶接するスポット溶接機において、
前記溶接ガンに給電する給電ケーブルと接続した押圧給電体と当接または離間する給電導電体を設け、
前記押圧給電体の周りにピストン・シリンダ機構を一体に設け、
このピストン・シリンダ機構により、前記押圧給電体と前記給電導電体は接離する一方、前記押圧給電体と前記給電導電体の軸心を共通に冷却水通路を内設して成る
ことを特徴とする前記スポット溶接機の前記溶接ガンへの給電装置。
【請求項２】
前記押圧給電体と前記給電導電体にジョイント部材を設け、
絶縁性があり、かつ摺動性のある樹脂材料とし、
前記ジョイント部材の軸心に冷却水通路を貫通させ、外周にはＯリングを複数個埋設した請求項１記載のスポット溶接機の前記溶接ガンへの給電装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2011110585.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月10日(2011.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
また、別の振動子では、引出端子４ｂを水晶片２の下側を通過させて引出電極６ｂに接続するようにしているので、図１４の垂直方向に対する一対の水晶保持端子４が金属カバー３を介してショートするのを防止できる効果がある。
但し、図１４の垂直方向に水晶保持端子４が並んで配置されているため、図１４の横方向のずれには注意する必要がある。