【手続補正書】
【提出日】平成21年3月9日(2009.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスチャンバのポートの内部に設置されるプラグと、
前記プラグの水平面に対して垂直に配向され、少なくとも１つの遷移金属又は貴金属を含み、かつ、前記ポートを通過して前記プロセスチャンバ内に挿入される少なくとも１つの検知エレメントと、
前記垂直な配向で前記検知エレメントを支持する電気接触構造と、を備え、
前記検知エレメントは、少なくとも１つの１５０μｍ未満の長さを有するものである、
センサ。
【請求項２】
前記少なくとも１つの検知エレメントは、少なくとも１つの２５μｍ未満の長さを有するものである、
請求項１に記載のセンサ。
【請求項３】
前記少なくとも１つの検知エレメントは、フィラメントを有するものである、
請求項１に記載のセンサ。
【請求項４】
前記少なくとも１つの検知エレメントは、ニッケルを含むものである、
請求項１に記載のセンサ。
【請求項５】
前記少なくとも１つの検知エレメントは、炭化ケイ素コアの上に配置されたニッケルコーティングを有するものである、
請求項１に記載のセンサ。
【請求項６】
サーモパイル、サーミスタ及び熱電エレメントのうちの少なくとも１つを有する温度センサを備える、
請求項１に記載のセンサ。
【請求項７】
熱絶縁構造と、触媒材料と、加熱器と、温度センサと、を備えたガスセンサであって、
前記温度センサは、サーモパイル、サーミスタ及び熱電エレメントのうちの少なくとも１つを有するものであり、
前記触媒材料は、流体と触媒相互作用して前記流体を反応させることによって熱効果を生成するものであり、
前記温度センサは、前記熱効果を検知し、前記熱効果と相関関係のある、前記触媒材料と接触している前記流体の存在及び／又は濃度を表す出力を生成するように適合されるものであり、かつ、
前記熱絶縁構造は、前記加熱器による前記触媒材料の加熱を少なくとも部分的に制限するようになされるものである、
センサ。
【請求項８】
前記触媒材料は、ニッケルを含有するものである、
請求項７に記載のセンサ。
【請求項９】
炭化ケイ素で形成された基板をさらに備える、
請求項７に記載のセンサ。
【請求項１０】
前記加熱器は、電気抵抗性材料を有するものであり、前記触媒材料は、電気接続されていないものである、
請求項７に記載のセンサ。
【請求項１１】
前記加熱器は、ポリシリコンを有するものである、
請求項７に記載のセンサ。
【請求項１２】
前記加熱器は、前記加熱器による加熱の変化が前記流体と前記触媒材料の触媒相互作用を表すよう、前記温度センサの基準部分が一定の温度を維持するように適合されるものである、
請求項７に記載のセンサ。
【請求項１３】
前記加熱器は、温度の変化が前記流体と前記触媒材料の触媒相互作用を表すよう、電圧、電流及び電力の中から選択される一定の電気状態で動作するように適合されるものである、
請求項７に記載のセンサ。
【請求項１４】
前記加熱器は、サーモパイルを有するものである、
請求項７に記載のセンサ。
【請求項１５】
前記触媒材料は、炭化ケイ素コア又は基板の上に配置されたニッケル層を有するものである、
請求項７に記載のセンサ。
【請求項１６】
電気めっきニッケル炭化ケイ素フィラメントを備え、前記電気めっきニッケル炭化ケイ素フィラメントの電気抵抗が一定の抵抗を維持するように構成されるとともに、前記電気抵抗の変化が前記触媒材料と接触している前記流体の存在及び／又は濃度を表すものである、
請求項７に記載のセンサ。
【請求項１７】
電気接触構造を備え、
前記触媒材料及び前記温度センサは、前記電気接触構造に対して実質的に直角に配置されたニッケル含有フィラメントとして統合されるものである、
請求項７に記載のセンサ。
【請求項１８】
放出流中の流体を検知するように適合されたセンサであって、
温度検知エレメントと、前記流体が反応して、前記温度検知エレメントによる検出が可能な熱応答を生成する流体相互作用エレメントと、を備えており、加熱器によるジュール加熱によって加熱され、以下の関係
ΔＷ＋｛ｈ(k,v)×ΔＴeffluent＋Ｔelement×Δ［ｈ(k,v)］｝＋ΔＨ・ｒ＝０
（ΔＷは前記検知エレメントを設定温度Ｔelementに維持するために必要なジュール加熱の変化、ｈは熱対流係数でかつ放出熱伝導率ｋ及び動粘性率ｖの関数、Ｔeffluentは実効放出温度、ΔＨは前記検知エレメントの表面に生じる反応のエンタルピー、ｒは反応速度）に従って動作するように適合された、
センサ。
【請求項１９】
前記検知エレメントの電気特性の変化によってチャンバ浄化操作の終点を決定するように適合された、
請求項１から１８の何れか一項に記載のセンサ。
【請求項２０】
プロセス材料の流れが通過するように適合されたチャンバと、前記プロセス材料に流体が存在している場合に前記流体を検知するように適合された請求項１から１８の何れか一項に記載のセンサと、を備えた、
化学処理アセンブリ。
【請求項２１】
前記センサは、前記チャンバと整合するように適合されたフランジ又はプラグを有するものである、
請求項２０に記載のアセンブリ。
【請求項２２】
請求項１から１８の何れかに記載のセンサを備えた、
半導体処理制御システム。
【請求項２３】
流体を含有した又は流体を含有することが可能な放出流中の流体を検知する方法であって、
請求項１から１８の何れかに記載のセンサの使用を含む、
方法。
【請求項２４】
前記センサから得られる信号を利用して半導体処理制御システムを制御するステップをさらに含む、
請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
エッチングプラズマ処理設備のプラズマ状態を決定するためのシステムであって、
前記エッチングプラズマ処理設備の下流側の位置で、フルオロ化学種、塩素化学種、臭素化学種、ヨウ素化学種及び前記エッチングプラズマ処理設備によって生成されるＨ２Ｏから誘導されない酸素化学種のうちの何れかを含有したプラズマ含有放出流体の流れから流体試料を得るための流体試料採集デバイスと、
前記流体試料に露出するために前記流体試料採集デバイスに動作的に結合された少なくとも１つのセンサエレメントであって、前記フルオロ化学種、塩素化学種、臭素化学種、ヨウ素化学種及び酸素化学種のうちの何れかの存在による温度変化を示し、かつ、その温度変化に応じて前記温度変化を表す出力信号を生成するように適合され、また、耐フルオロ性外部表面を有する少なくとも１つのセンサエレメントと、
前記少なくとも１つのセンサエレメントに動作的に結合されたモニタリングデバイスであって、前記少なくとも１つのセンサエレメントによって生成される、前記プラズマ含有放出流体の流れに前記フルオロ化学種、塩素化学種、臭素化学種、ヨウ素化学種及び酸素化学種のうちの何れかが存在することによって生じる温度変化を表す前記出力信号をモニタし、かつ、前記出力信号に基づいて前記エッチングプラズマ処理設備のプラズマ状態を決定するためのモニタリングデバイスと、を備える、
システム。
【請求項２６】
前記放出流体の流れは、フルオロ化学種を含有するものであり、
前記少なくとも１つのセンサエレメントは、少なくとも１つの耐フルオロ性金属又は金属合金を含有するものである、
請求項２５に記載のシステム。
【請求項２７】
前記少なくとも１つのセンサエレメントは、
（ａ）異なる金属又は金属合金を含有し、それらの間に熱電接点を有する少なくとも２つの構成要素
（ｂ）サーミスタ
（ｃ）抵抗温度検出器
のうちの何れかを有するものである、
請求項２５に記載のシステム。
【請求項２８】
前記少なくとも１つのセンサエレメントは、ポリテトラフルオロエチレン、アルミナ、グループＩＩの金属フッ化物及びペルフッ化重合体のうちの何れかを含有した耐フルオロ性コーティングを有するものである、
請求項２５に記載のシステム。
【請求項２９】
前記少なくとも１つのセンサエレメントは、ニッケルを含有するものである、
請求項２５から２８の何れかに記載のシステム。
【請求項３０】
複数のセンサエレメントは、第１の流体化学種を検知するように適合された第１のセンサエレメントと、第２の流体化学種を検知するように適合された第２のセンサエレメントと、を有するものである、
請求項２５に記載のシステム。
【請求項３１】
（Ａ）フルオロ化学種、塩素化学種、臭素化学種、ヨウ素化学種、及び酸素化学種のうちの何れかを含有した流体の存在に応じた温度変化を示し、かつ、（Ｂ）その温度変化に応じて前記温度変化を表す出力信号を生成するように適合された少なくとも１つのセンサエレメントを利用して、エッチングプラズマ処理設備のプラズマ状態を決定するための方法であって、
前記エッチングプラズマ処理設備の中で、フルオロ化学種、塩素化学種、臭素化学種、ヨウ素化学種及びＨ２Ｏから誘導されない酸素化学種のうちの何れかを含有したプラズマを生成するステップと、
前記フルオロ化学種、塩素化学種、臭素化学種、ヨウ素化学種及び酸素化学種のうちの何れかを含有した放出流体の流れを前記エッチングプラズマ処理設備から排気するステップと、
前記少なくとも１つのセンサエレメントを前記エッチングプラズマ処理設備の下流側の位置で前記放出流体の流れに接触させるステップと、
前記少なくとも１つのセンサエレメントによって生成される、前記プラズマ含有放出流体の流れに前記フルオロ化学種、塩素化学種、臭素化学種、ヨウ素化学種、及び酸素化学種のうちの何れかが存在することによって生じる温度変化を表す前記出力信号に基づいて、前記エッチングプラズマ処理設備のプラズマ状態を決定するステップと、を含む、
方法。