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【手続補正書】
【提出日】平成22年12月3日(2010.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被駆動部材を直交する２軸の各々の周りに回転駆動する２軸駆動装置であって、
前記被駆動部材を支持する支持ピンと、
前記支持ピンが固定される固定部材と、
前記支持ピンの前記被駆動部材と接触する部分を支点として前記被駆動部材を前記２軸周りに回転させるための、磁石とコイルを含む磁気駆動部と、
前記磁気駆動部による前記被駆動部材の回転量を光学的に検出するエンコーダと、
を有し、
前記磁石と前記コイルの一方は前記被駆動部材と前記固定部材の一方に固定され、前記磁石と前記コイルの他方は前記被駆動部材と前記固定部材の他方に固定され、
前記磁石は、前記支持ピンの周りに配置された４つの磁石部を有し、前記支持ピンに関して反対側にある２つの磁石部はＮ極とＳ極の向きが同じであり、前記支持ピンの周りで隣り合う２つの磁石部はＮ極とＳ極の向きが反対であり、
前記コイルは、前記磁石と離れて対向し、４の自然数倍個設けられることを特徴とする２軸駆動装置。
【請求項２】
前記２軸駆動装置は、
前記被駆動部材に固定され、非磁性体の樹脂から構成される球面体又は球面体の一部よりなる物体を更に有し、
前記エンコーダは、
前記２軸の各軸周りに同心円状のパターンとして前記球面体又は球面体の一部よりなる物体の表面又は内面に形成された光学スケールと、
各々が前記光学スケールに光を照射する発光素子と前記光学スケールを反射または透過した光が形成する干渉光を受光する受光素子とを有する少なくとも一対の読み取り部と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の２軸駆動装置。
【請求項３】
入射光束を反射する反射面を有する反射部材と、
被駆動部材としての前記反射部材を駆動する請求項１又は２に記載の２軸駆動装置と、
を有することを特徴とする光偏向装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一側面としての２軸駆動装置は、被駆動部材を直交する２軸の各々の周りに回転駆動する２軸駆動装置であって、前記被駆動部材を支持する支持ピンと、前記支持ピンが固定される固定部材と、前記支持ピンの前記被駆動部材と接触する部分を支点として前記被駆動部材を前記２軸周りに回転させるための、磁石とコイルを含む磁気駆動部と、前記磁気駆動部による前記被駆動部材の回転量を光学的に検出するエンコーダと、を有し、前記磁石と前記コイルの一方は前記被駆動部材と前記固定部材の一方に固定され、前記磁石と前記コイルの他方は前記被駆動部材と前記固定部材の他方に固定され、前記磁石は、前記支持ピンの周りに配置された４つの磁石部を有し、前記支持ピンに関して反対側にある２つの磁石部はＮ極とＳ極の向きが同じであり、前記支持ピンの周りで隣り合う２つの磁石部はＮ極とＳ極の向きが反対であり、前記コイルは、前記磁石と離れて対向し、４の自然数倍個設けられることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月21日(2010.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する表示装置に供給された第１の画像データを消去する第１の消去ステップおよび前記表示装置に第２の画像データを供給する書き込みステップを含む書き換え処理を行う書き換え手段と、
前記複数の画素の各々について、当該画素に所定の電圧が印加された時間に関するパラメータを測定する測定手段と、
前記測定手段により測定されたパラメータを各画素について記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されたパラメータがしきい値を超えた場合、当該しきい値を超えたパラメータに対応する画素については前記書き換え処理を行わないように前記書き換え手段を制御する制御手段と
を有する画像書き換え制御装置。
【請求項２】
前記表示装置が有する画素のうち前記書き換え処理を行わない画素の割合がしきい値を超えた場合、前記制御手段は、前記第１の消去ステップよりも長い期間をかけて前記表示装置から前記第１の画像データを消去する第２の消去ステップを含むリフレッシュ処理を行うように前記書き換え手段を制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像書き換え制御装置。
【請求項３】
前記表示装置が有する画素のうち一の画素について連続して前記書き換え処理を行わなかった回数がしきい値を超えた場合、前記制御手段は、前記第１の消去ステップよりも長い期間をかけて前記表示装置から前記第１の画像データを消去する第２の消去ステップを含むリフレッシュ処理を行うように前記書き換え手段を制御する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像書き換え制御装置。
【請求項４】
前記パラメータは、前記各画素において同一階調の表示が連続した回数を示す
ことを特徴とする請求項１−３のいずれかの項に記載の画像書き換え制御装置。
【請求項５】
前記パラメータは、前記各画素において同一極性の電圧の印加が連続した時間を示す
ことを特徴とする請求項１−３のいずれかの項に記載の画像書き換え制御装置。
【請求項６】
前記パラメータは、前記各画素において過去の所定回数の表示に対して所定の階調が表示された割合を示す
ことを特徴とする請求項１−３のいずれかの項に記載の画像書き換え制御装置。
【請求項７】
前記パラメータは、前記各画素において過去の所定時間の電圧印加に対して所定の電圧が印加された時間の割合を示す
ことを特徴とする請求項１−３のいずれかの項に記載の画像書き換え制御装置。
【請求項８】
請求項１−７のいずれかの項に記載の画像書き換え制御装置と、
前記画像書き換え制御装置により駆動される前記表示装置と
を有する情報表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月18日(2011.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変倍を行うためのズームレンズと、該ズームレンズを駆動させるアクチュエータと、変倍動作を指令するズーム操作手段と、該ズーム操作手段による変倍動作に際してズーム速度を一定速とする一定速駆動モードか可変速とする可変速駆動モードかの選択が可能なズーム一定速・可変速選択手段と、前記一低速駆動モードにおけるズーム速度の選択が可能なズーム速度選択手段と、前記アクチュエータの駆動制御を行う制御手段とを有し、
前記制御手段は、前記ズーム一定速・可変速選択手段により一定速駆動モードが選択されている場合に、所定時間で前記ズーム速度選択手段によって選択された速度に達するように前記ズーム速度選択手段によって選択された速度に応じて前記アクチュエータの加速制御を行うことを特徴とする撮影装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記ズーム速度選択手段によって選択された速度が大きい方が、前記アクチュエータの加速制御における加速度が大きくなるように前記アクチュエータを制御することを特徴とする請求項１に記載の撮影装置。
【請求項３】
前記所定時間は、前記ズーム速度選択手段によって選択された速度に関わらず一定であることを特徴とする請求項１または２に記載の撮影装置。
【請求項４】
加速度を記憶するズーム加速テーブル記憶手段を有し、前記ズーム一定速・可変速選択手段により可変速駆動モードが選択されている場合に、前記ズーム速度制御手段は前記ズーム加速テーブル記憶手段から前記加速速度を読み出して可変速制御を行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するための本発明に係る撮影装置は、変倍を行うためのズームレンズと、該ズームレンズを駆動させるアクチュエータと、変倍動作を指令するズーム操作手段と、該ズーム操作手段による変倍動作に際してズーム速度を一定速とする一定速駆動モードか可変速とする可変速駆動モードかの選択が可能なズーム一定速・可変速選択手段と、前記一低速駆動モードにおけるズーム速度の選択が可能なズーム速度選択手段と、前記アクチュエータの駆動制御を行う制御手段とを有し、前記制御手段は、前記ズーム一定速・可変速選択手段により一定速駆動モードが選択されている場合に、所定時間で前記ズーム速度選択手段によって選択された速度に達するように前記ズーム速度選択手段によって選択された速度に応じて前記アクチュエータの加速制御を行うことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月7日(2010.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を備えた電気光学装置において、
前記複数の画素は各々、互いに異なる２色の光を出射する複数のサブ画素を備え、
前記複数のサブ画素のうち、少なくとも１つのサブ画素は、同色の光を出射する複数の分割サブ画素を備えるとともに、当該複数の分割サブ画素は各々、２階調で独立して駆動されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
１つの前記画素は、２つのサブ画素によって構成され、前記２つのサブ画素は各々、赤色と緑色の光を出射することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記２つのサブ画素のいずれもが、前記複数の分割サブ画素を備えていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
１つの前記サブ画素は、２つの分割サブ画素によって構成されることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記サブ画素内において、前記複数の分割サブ画素は同一の輝度特性を備えていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記サブ画素内において、前記複数の分割サブ画素は互いに異なる輝度特性を備えていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記サブ画素内において、前記複数の分割サブ画素は互いに異なる濃さのカラーフィルタを備えていることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記サブ画素内において、前記複数の分割サブ画素は互いに異なる光出射面積を備えていることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記サブ画素に対応する画素電極が形成された素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、前記素子基板と前記対向基板との間に保持された液晶とを備えていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項９に記載の電気光学装置に光を供給する光源と、該光源から出射された光を前記電気光学装置により光変調してなる表示光を被投射面に向けて投射する光学系とを有することを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
複数の画素を備えた電気光学装置の駆動方法において、
前記複数の画素の各々に、互いに異なる２色の光を出射する複数のサブ画素を設けるとともに、当該複数のサブ画素のうち、少なくとも１つのサブ画素には、同じ色の光を出射する複数の分割サブ画素を設け、
当該複数の分割サブ画素を各々、２階調で独立して駆動することを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明では、複数の画素を備えた電気光学装置において、前記複数の画素は各々、互いに異なる２色の光を出射する複数のサブ画素を備え、前記複数のサブ画素のうち、少なくとも１つのサブ画素は、同色の光を出射する複数の分割サブ画素を備えるとともに、当該複数の分割サブ画素は各々、２階調で独立して駆動されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明において、「前記複数の画素は各々、互いに異なる２色の光を出射する複数のサブ画素を備え」とは、画素が、白色光を出射するサブ画素と、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）などの有色光を出射するサブ画素とによって構成されている場合を含む意味である。また、「同じ色の光を出射する複数の分割サブ画素を備える」とは、分割サブ画素が各々、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）などの有色光を出射する場合の他、白色光を出射する場合も含む意味である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月20日(2011.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の間隙をおいて対向配置された第１の導電性膜及び第２の導電性膜と、
一端が前記第１の導電性膜に接続された第１のカーボン膜と、
一端が前記第２の導電性膜に接続され、他端が前記第１のカーボン膜の他端と前記第１の間隙内の第２の間隙を挟んで対向する第２のカーボン膜と、
を有する電子放出素子であって、
前記第１の導電性膜と前記第２の導電性膜の対向方向をＸ方向、前記基板表面に平行で該Ｘ方向に直交する方向をＹ方向とした時、前記第１のカーボン膜及び前記第２のカーボン膜がそれぞれ、前記第１の導電性膜と前記第２の導電性膜とが対向する部位からＹ方向に延びる延在部を有し、
前記第２の間隙内において、前記基板表面は凹部を有するとともに、前記第２の間隙及び前記凹部は、前記カーボン膜の延在部の最外周部にまで連続して至っていることを特徴とする電子放出素子。
【請求項２】
請求項１に記載の電子放出素子を複数備えたことを特徴とする電子源。
【請求項３】
請求項２に記載の電子源と、該電子源から放出される電子を照射することにより発光する発光体とを有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
基板上に、第１の間隙をおいて第１の導電性膜及び第２の導電性膜を形成した後、
炭素含有ガスを含む雰囲気下において、前記第１の導電性膜と前記第２の導電性膜との間にパルス状の電圧を印加して、前記第１の導電性膜に接続された第１のカーボン膜と、前記第２の導電性膜に接続された第２のカーボン膜とを、前記第１の間隙内の第２の間隙を挟むように形成するとともに、前記第２の間隙内の前記基板表面に凹部を形成し、
次いで、前記第１の導電性膜と第２の導電性膜の対向方向をＸ方向、基板表面に平行で該Ｘ方向に直交する方向をＹ方向とした時、前記雰囲気よりも炭素含有ガスの分圧が高い雰囲気下において、前記第１の導電性膜と前記第２の導電性膜との間にパルス状の電圧を印加して、前記第１のカーボン膜と前記第２のカーボン膜に、第１の導電性膜と第２の導電性膜が対向する部位からＹ方向に延びる延在部をそれぞれ設けることを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項５】
表面に酸化シリコン層を有する基板を用い、前記第１のカーボン膜と第２のカーボン膜の形成時に、前記第２の間隙内の酸化シリコン層に前記凹部を形成することを特徴とする請求項４に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項６】
前記第１のカーボン膜及び前記第２のカーボン膜にそれぞれ延在部を設けた後、前記第２の間隙の基板表面を、フッ化水素を含む水溶液に曝すことを特徴とする請求項４に記載の電子放出素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第１は、基板上に第１の間隙をおいて対向配置された第１の導電性膜及び第２の導電性膜と、
一端が前記第１の導電性膜に接続された第１のカーボン膜と、
一端が前記第２の導電性膜に接続され、他端が前記第１のカーボン膜の他端と前記第１の間隙内の第２の間隙を挟んで対向する第２のカーボン膜と、
を有する電子放出素子であって、
前記第１の導電性膜と前記第２の導電性膜の対向方向をＸ方向、前記基板表面に平行で該Ｘ方向に直交する方向をＹ方向とした時、前記第１のカーボン膜及び前記第２のカーボン膜がそれぞれ、前記第１の導電性膜と前記第２の導電性膜とが対向する部位からＹ方向に延びる延在部を有し、
前記第２の間隙内において、前記基板表面は凹部を有するとともに、前記第２の間隙及び前記凹部は、前記カーボン膜の延在部の最外周部にまで連続して至っていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第４は、基板上に、第１の間隙をおいて第１の導電性膜及び第２の導電性膜を形成した後、
炭素含有ガスを含む雰囲気下において、前記第１の導電性膜と前記第２の導電性膜との間にパルス状の電圧を印加して、前記第１の導電性膜に接続された第１のカーボン膜と、前記第２の導電性膜に接続された第２のカーボン膜とを、前記第１の間隙内の第２の間隙を挟むように形成するとともに、前記第２の間隙内の前記基板表面に凹部を形成し、
次いで、前記第１の導電性膜と第２の導電性膜の対向方向をＸ方向、基板表面に平行で該Ｘ方向に直交する方向をＹ方向とした時、前記雰囲気よりも炭素含有ガスの分圧が高い雰囲気下において、前記第１の導電性膜と前記第２の導電性膜との間にパルス状の電圧を印加して、前記第１のカーボン膜と前記第２のカーボン膜に、第１の導電性膜と第２の導電性膜が対向する部位からＹ方向に延びる延在部をそれぞれ設けることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の電子放出素子の製造方法においては、
表面に酸化シリコン層を有する基板を用い、前記第１のカーボン膜と第２のカーボン膜の形成時に、前記第２の間隙内の酸化シリコン層に前記凹部を形成すること、
前記第１のカーボン膜及び前記第２のカーボン膜にそれぞれ延在部を設けた後、前記第２の間隙の基板表面を、フッ化水素を含む水溶液に曝すこと、
を好ましい態様として含む。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月7日(2011.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＸ電極と、
前記Ｘ電極と交差する複数のＹ電極とを有し、
前記Ｘ電極と前記Ｙ電極とは、互いに重なり合う交差部と、２つの交差部間に形成された電極部とを有し、
前記電極部は、前記Ｘ電極と前記Ｙ電極共に、前記交差部で幅が狭く、前記交差部で挟まれた部分が前記交差部よりも幅が広くなる形状を有し、
前記Ｘ電極の１ラインの延在方向の長さに対し、前記Ｙ電極の１ラインの延在方向の長さが短く、
前記Ｘ電極よりも面積の小さいダミー電極が、前記Ｘ電極に近接して形成されることを特徴とするタッチパネル。
【請求項２】
前記ダミー電極は、浮遊電極であることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記Ｘ電極と前記Ｙ電極のいずれか一方は、透明導電膜で構成されることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項４】
前記Ｘ電極と前記Ｙ電極とは、絶縁膜を挟んで形成された透明導電膜で構成されることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項５】
前記Ｘ電極と前記Ｙ電極とは、絶縁膜を挟んで形成された透明導電膜で構成され、
前記ダミー電極は、前記Ｘ電極の電極部と同層に形成された透明導電膜で構成されることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項６】
複数のＸ電極と、
前記Ｘ電極と交差する複数のＹ電極と、
長辺と短辺とを有する基板とを有し、
前記Ｘ電極と前記Ｙ電極とは、互いに重なり合う交差部と、２つの交差部間に形成され前記交差部よりも幅が広い個別電極とを有し、
前記Ｘ電極は、前記基板の長辺に沿って形成され、
前記Ｙ電極は、前記基板の短辺に沿って形成され、
前記Ｘ電極の個別電極は、前記Ｙ電極の個別電極よりも面積が小さいことを特徴とするタッチパネル。
【請求項７】
前記Ｘ電極の個別電極に近接してダミー電極が形成されていることを特徴とする請求項６に記載のタッチパネル。
【請求項８】
前記Ｘ電極と前記Ｙ電極のいずれか一方は、透明導電膜で構成されることを特徴とする請求項６に記載のタッチパネル。
【請求項９】
前記Ｘ電極と前記Ｙ電極とは、絶縁膜を挟んで形成された透明導電膜で構成されることを特徴とする請求項６に記載のタッチパネル。
【請求項１０】
前記Ｘ電極と前記Ｙ電極とは、絶縁膜を挟んで形成された透明導電膜で構成され、
前記ダミー電極は、前記Ｘ電極と同層の透明導電膜で構成されることを特徴とする請求項６に記載のタッチパネル。
【請求項１１】
複数のＸ電極と、
前記Ｘ電極と交差する複数のＹ電極とを有し、
前記Ｘ電極と前記Ｙ電極とは、互いに重なり合う交差部と、２つの交差部間に形成され前記交差部よりも幅が広い個別電極とを有し、
前記Ｘ電極は、ｎ個の前記個別電極を有し、
前記Ｙ電極は、ｍ個の前記個別電極を有し、
前記Ｘ電極の個別電極の面積と前記Ｙ電極の個別電極の面積の関係は、ｍ：ｎであることを特徴とするタッチパネル。
【請求項１２】
前記Ｘ電極の個別電極に近接して浮遊電位が供給されるダミー電極が形成されていることを特徴とする請求項１１に記載のタッチパネル。
【請求項１３】
前記Ｘ電極と前記Ｙ電極のいずれか一方は、透明導電膜で構成されることを特徴とする請求項１１に記載のタッチパネル。
【請求項１４】
前記Ｘ電極と前記Ｙ電極とは、絶縁膜を挟んで形成された透明導電膜で構成されることを特徴とする請求項１１に記載のタッチパネル。
【請求項１５】
前記Ｘ電極と前記Ｙ電極とは、絶縁膜を挟んで形成された透明導電膜で構成され、
前記ダミー電極は、前記Ｘ電極と同層の透明導電膜で構成されることを特徴とする請求項１１に記載のタッチパネル。
【請求項１６】
複数のＸ電極と、
前記Ｘ電極と交差する複数のＹ電極と、
長辺と短辺とを有する基板とを有し、
前記Ｘ電極は、前記基板の長辺に沿って延在し、
前記Ｙ電極は、前記基板の短辺に沿って延在し、
前記Ｘ電極と前記Ｙ電極とは、互いに重なり合う交差部と、２つの交差部間に形成され電極部とを有し、
前記Ｘ電極は、第１の交差部と第２の交差部との間のＸ電極の幅が、前記第１の交差部と第２の交差部との中間で最大の幅となる形状を有し、
前記Ｘ電極と前記Ｙ電極との間には、分割されて複数のダミー電極が形成されていることを特徴とするタッチパネル。
【請求項１７】
前記Ｘ電極と、前記Ｙ電極とは、同一基板上に形成されることを特徴とする請求項１６に記載のタッチパネル。
【請求項１８】
前記ダミー電極は、浮遊電極であることを特徴とする請求項１６に記載のタッチパネル。
【請求項１９】
前記Ｘ電極と前記Ｙ電極のいずれか一方は、透明導電膜で構成されることを特徴とする請求項１６に記載のタッチパネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】タッチパネル
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極と、
上部電極と、
前記下部電極と前記上部電極との間に形成された絶縁層とを有し、
前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加することで前記上部電極側より電子を放出する薄膜電子源である電子放出素子であって、
前記上部電極の表面に表面材料を有し、
前記表面材料は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含み、
前記下部電極は、主構成元素と添加物元素との合金であって、前記添加物元素の前記主
構成元素に対する割合は１原子％以上であり、
前記絶縁層は、前記主構成元素の酸化物であって、前記絶縁層に含まれる前記添加物元
素の前記主構成元素に対する割合は１原子％以下であることを特徴とする電子放出素子。
【請求項２】
下部電極と、
上部電極と、
前記下部電極と前記上部電極との間に形成された絶縁層とを有し、
前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加することで前記上部電極側より電子を放出する薄膜電子源である電子放出素子であって、
前記上部電極は、表面あるいは内部にアルカリ金属またはアルカリ土類金属を含み、
前記下部電極は、主構成元素と添加物元素との合金であって、前記添加物元素の前記主構成元素に対する割合は１原子％以上であり、
前記絶縁層は、前記主構成元素の酸化物であって、前記絶縁層に含まれる前記添加物元素の前記主構成元素に対する割合は１原子％以下であることを特徴とする電子放出素子。
【請求項３】
前記主構成元素は、陽極酸化可能な元素であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子放出素子。
【請求項４】
前記主構成元素は、Ａｌであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項５】
前記添加物元素は、Ｎｄ，Ｔａ，Ｔｉの中のいずれか１つ、あるいは、複数の元素であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項６】
前記アルカリ金属は、セシウムを含むことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項７】
前記上部電極と前記絶縁層との界面に、Ｐを有することを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項８】
下部電極と、
上部電極と、
前記下部電極と前記上部電極との間に形成された絶縁層とを有し、
前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加することで前記上部電極側より電子を放出する薄膜電子源である電子放出素子であって、
前記上部電極の表面に表面材料を有し、
前記表面材料は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含み、
前記絶縁層は、前記下部電極を陽極酸化して形成された陽極酸化膜であり、
前記下部電極は、Ａｌと添加物元素とを有する合金の単層構造であり、
前記添加物元素は、Ｍｇ、Ｙ、Ｓｃの中のいずれか１つ、あるいは、複数の組み合わせであることを特徴とする電子放出素子。
【請求項９】
下部電極と、
上部電極と、
前記下部電極と前記上部電極との間に形成された絶縁層とを有し、
前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加することで前記上部電極側より電子を放出する薄膜電子源である電子放出素子であって、
前記上部電極は、表面或いは内部にアルカリ金属またはアルカリ土類金属を含み、
前記絶縁層は、前記下部電極を陽極酸化して形成された陽極酸化膜であり、
前記下部電極は、Ａｌと添加物元素とを有する合金の単層構造であり、
前記添加物元素は、Ｍｇ、Ｙ、Ｓｃの中のいずれか１つ、あるいは、複数の組み合わせであることを特徴とする電子放出素子。
【請求項１０】
前記上部電極と、前記絶縁層との界面に、Ｐを有することを特徴とする請求項８または請求項９に記載の電子放出素子。
【請求項１１】
前記アルカリ金属は、セシウムを含むことを特徴とする請求項８ないし請求項１０のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項１２】
請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の電子放出素子を有する基板と、蛍光体を有する面板とを有することを特徴とする画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子放出素子および画像表示装置
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月2日(2011.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図３は第２実施形態を示す。第２実施形態は、第１実施形態が端子１を水平状態にして、その電線５を保持した電線接続部３をヒュージング溶接電極７、８で上下に挟むのと異なり、端子１を垂直にして、電線５を保持した電線接続部３をヒュージング溶接電極７、８で左右に挟むものである。また、ヒュージング溶接電極７、８に第１実施形態のような投入用孔１５は開けられておらず、フラックスおよびハンダは撚り線の束の電線５の上方から投入される。その他の構成は、第１実施形態と同様である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月24日(2011.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に設けられた画素電極と、前記基板上に前記画素電極を区画するようパターン形成された隔壁と、前記隔壁の側面上に設けられた導電性を有する反射層と、前記画素電極及び前記反射層の上に設けられた発光機能層と、前記発光機能層の上に設けられた対向電極と、を有する発光素子であって、前記画素電極と前記反射層の間、前記反射層と前記隔壁の側面上の前記発光機能層の間、前記隔壁の側面上の前記発光機能層と前記対向電極の間、のうち少なくともいずれか一箇所に絶縁層が設けられていること、を特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記反射層と前記隔壁の側面上の前記発光機能層との間、前記隔壁の側面上の前記発光機能層と前記対向電極の間、のうち少なくともいずれか一箇所に前記絶縁層が設けられている場合は、前記絶縁層は透明性を有していること、を特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の発光素子及び駆動手段を備えた画素回路を、二次元状に配置した表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月5日(2011.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面上に複数の開口部を備えた遮光性の導電体層を配して構成され、第一の波長の光を選択的に透過せしめる光学フィルタであって、
前記開口は、直交する２つの方向に有限の第一の波長以下の大きさを有し、
前記基板表面の面積に対する前記導電体層の面積の割合が、３６％以上７４％以下の範囲にあると共に、
前記導電体層に接して形成された誘電体層を備え、
前記導電体層に入射する光により前記開口部に誘起される表面プラズモンにより前記第一の波長の透過率を極大値とさせることを特徴とする光学フィルタ。
【請求項２】
前記複数の開口部が、格子状に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光学フィルタ。
【請求項３】
前記第一の波長は可視域にあることを特徴とする請求項１または２に記載の光学フィルタ。
【請求項４】
前記開口の形状が円形、正多角形のいずれかであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の光学フィルタ。
【請求項５】
前記導電体層の層厚は、可視域の光の波長以下の長さである請求項１から４のいずれかに記載の光学フィルタ。
【請求項６】
前記導電体層がＡｌもしくはＡｌを含む合金で構成されたことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の光学フィルタ。
【請求項７】
前記基板は、誘電体からなることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の光学フィルタ。
【請求項８】
前記誘電体が酸化ケイ素、酸化チタン、窒化シリコンのいずれかで構成されることを特徴とする請求項７に記載の光学フィルタ。
【請求項９】
前記開口の径が２２０ｎｍ以上２７０ｎｍ以下の範囲にあり、厚さは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にあり、配列周期が３１０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の範囲にあって、透過スペクトルの極大値が波長６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲に発現することを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の光学フィルタ。
【請求項１０】
前記開口の径が１８０ｎｍ以上２２０ｎｍ未満の範囲にあり、厚さは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にあり、配列周期が２５０ｎｍ以上３１０ｎｍ以下の範囲にあって、透過スペクトルの極大値が波長５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満の範囲に発現することを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の光学フィルタ。
【請求項１１】
前記開口の径が１００ｎｍ以上１８０ｎｍ未満の範囲にあり、厚さは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にあり、配列周期が１７０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下の範囲にあって、透過スペクトルの極大値が波長４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満の範囲に発現することを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の光学フィルタ。
【請求項１２】
前記基板の面内方向に、前記複数の開口からなる開口群とは、異なる別の開口群を有し、前記開口群と、前記別の開口群と、はこれら開口群を構成する開口の周期が互いに異なり、これらの開口群が前記基板上の相違した領域に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の光学フィルタ。
【請求項１３】
前記複数の開口を第１の開口として構成される第１の開口群とは別に、前記基板の面内方向の相違した領域に複数の第２の開口からなる第２の開口群を有し、前記第２の開口は前記第１の開口とは異なる大きさを有し、前記第２の開口群は、前記第一の波長とは異なる第二の波長の光の透過率を極大値とさせることを特徴とする請求項１に記載の光学フィルタ。
【請求項１４】
前記複数の開口を第１の開口として構成される第１の開口群と、これとは別の第２の開口からなる第２の開口群と、が前記基板上の重複した領域に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の光学フィルタ。
【請求項１５】
前記第１の開口群を構成する第１の開口の周期と、前記第２の開口群を構成する第２の開口の周期と、は互いに異なり、前記第１の開口の大きさと、前記第２の開口の大きさと、が互いに等しいことを特徴とする請求項１４に記載の光学フィルタ。
【請求項１６】
前記第１の開口の大きさと、前記第２の開口の大きさと、が異なることを特徴とする請求項１４に記載の光学フィルタ。
【請求項１７】
前記導電体層が、前記基板上に複数層配置されていることを特徴とする請求項１に記載の光学フィルタ。
【請求項１８】
半導体基板に形成された光電変換部と、前記光電変換部に光を導くレンズと、電気回路部と、請求項１から１７のいずれかに記載の光学フィルタと、を備えたことを特徴とする光検出素子。
【請求項１９】
請求項１８に記載の光検出素子をマトリクス状に複数配置したこと特徴とする撮像素子。
【請求項２０】
ＣＭＯＳセンサを構成することを特徴とする請求項１９に記載の撮像素子。
【請求項２１】
撮影レンズと、撮像素子と、を備えたカメラであって、前記撮像素子が請求項１９または２０に記載の撮像素子であることを特徴とするカメラ。
【請求項２２】
複数の画素を備えたセンサと、請求項１から１７のいずれかに記載の光学フィルタと、を有することを特徴とする分光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明により提供される光学フィルタは、基板の表面上に複数の開口部を備えた遮光性の導電体層を配して構成され、第一の波長の光を選択的に透過せしめる光学フィルタであって、
前記開口は、直交する２つの方向に有限の第一の波長以下の大きさを有し、
前記基板表面の面積に対する前記導電体層の面積の割合が、３６％以上７４％以下の範囲にあると共に、
前記導電体層に接して形成された誘電体層を備え、
前記導電体層に入射する光により前記開口部に誘起される表面プラズモンにより前記第一の波長の透過率を極大値とさせることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月27日(2011.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を組み込むための少なくとも３つの画像枠を有するテンプレートに対する組み込み対象である第１の画像の組み込み先となる画像枠を指定する指定手段と、
前記テンプレートの前記指定手段で指定された画像枠に対し、前記第１の画像が組み込まれ、前記指定手段により指定された画像枠以外の複数の画像枠に対し、前記第１の画像以外の画像を組み込んだ複数のパターンを提示する提示手段と、
前記提示手段により提示された複数のパターンのうちの１つを選択する選択手段と、
を有する編集装置。
【請求項２】
前記指定手段は、前記提示手段により提示された前記テンプレートの複数の画像枠に対して異なる画像を組み込んだ複数のパターンの中から、前記第１の画像が組み込まれた画像枠を指定することを特徴とする請求項１に記載の編集装置。
【請求項３】
前記選択手段は、前記指定手段による画像枠の指定と前記提示手段による提示とを繰り返すことにより特定された１つのパターンを選択することを特徴とする請求項１または２に記載の編集装置。
【請求項４】
画像を組み込むための少なくとも３つの画像枠を有するテンプレートに対する組み込み対象である第１の画像の組み込み先となる画像枠を指定し、
前記テンプレートの前記指定された画像枠に対し、前記第１の画像が組み込まれ、前記指定された画像枠以外の複数の画像枠に対し、前記第１の画像以外の画像を組み込んだ複数のパターンを提示し、
前記提示された複数のパターンのうちの１つを選択する選択手段と、
を有する編集方法。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか１項に記載の編集装置の各手段をコンピュータにより実現することを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】編集装置、編集方法及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の編集装置は、画像を組み込むための少なくとも３つの画像枠を有するテンプレートに対する組み込み対象である第１の画像の組み込み先となる画像枠を指定する指定手段と、前記テンプレートの前記指定手段で指定された画像枠に対し、前記第１の画像が組み込まれ、前記指定手段により指定された画像枠以外の複数の画像枠に対し、前記第１の画像以外の画像を組み込んだ複数のパターンを提示する提示手段と、前記提示手段により提示された複数のパターンのうちの１つを選択する選択手段とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月15日(2011.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スタティック型メモリセルを有する半導体装置であって、
複数の前記スタティック型メモリセルが行列状に配置されたメモリセルアレイと、
前記半導体装置内の温度を検知する温度センサ回路と、
前記スタティック型メモリセルの書き込み又は読み出し動作時に、前記温度センサ回路の出力に基づいて、前記メモリセルアレイに供給される電圧を制御する電圧制御回路と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記電圧制御回路により制御される電圧は、選択ワード線の電圧であり、
前記電圧制御回路は、前記半導体装置内の温度が第１温度より低い場合に、前記選択ワード線の電圧を第１電圧に設定し、前記半導体装置内の温度が前記第１温度より高い場合に、前記選択ワード線の電圧を前記第１電圧より低い第２電圧に設定することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記温度センサ回路は、ヒステリシス特性を有するシュミットトリガ回路を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２記載の半導体装置において、
前記半導体装置は、複数のメモリモジュールを有し、
前記複数のメモリモジュールは、それぞれ、前記メモリセルアレイと前記電圧制御回路とを備え、
前記複数のメモリモジュールのそれぞれに対して、前記温度センサ回路の出力が共通に入力していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、
さらに、ヒューズを備え、
前記電圧制御回路は、前記ヒューズと前記温度センサ回路の出力に基づいて前記メモリセルアレイに供給される電圧を制御することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置において、
さらに、前記複数のメモリモジュールの各メモリモジュールよりメモリ容量の大きい第２のメモリモジュールと、
第２の温度センサ回路とを有し、
前記第２の温度センサ回路の出力が、前記第２のメモリモジュールの電圧制御回路に入力していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置において、
前記電圧制御回路により制御される電圧は、前記スタティック型メモリセルの書き込み動作時に、前記スタティック型メモリセルを構成するｐ型ＭＯＳトランジスタのソース側に供給される電圧であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置において、
前記電圧制御回路は、前記半導体装置内の温度が第１温度より高い場合に、前記ｐ型ＭＯＳトランジスタのソース側に供給される電圧を第１電圧に設定し、前記半導体装置内の温度が前記第１温度より低い場合に、前記ｐ型ＭＯＳトランジスタのソース側に供給される電圧を前記第１電圧より低い第２電圧に設定することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
高温にてリードマージンが小さくなり低温にてライトマージンが小さくなるような複数のスタティック型メモリセルを有する半導体装置であって、
複数の前記スタティック型メモリセルが行列状に配置されたメモリセルアレイと、
前記半導体装置内の温度を検知する温度センサ回路と、
前記スタティック型メモリセルの書き込み又は読み出し動作時に、前記温度センサ回路の出力に基づいて、前記メモリセルアレイの選択ワード線に供給される電圧を制御する電圧制御回路と、を有し、
前記電圧制御回路は前記半導体装置の温度が第１の温度より低いときに前記選択ワード線の電圧を第１の電圧に設定し、前記半導体装置の温度が前記第１の温度より高いときに前記第１の電圧より低い第２の電圧に前記選択ワード線の電圧を設定し、高温時の前記リードマージンを大きくすることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置において、
前記温度センサ回路は、ヒステリシス特性を有するシュミットトリガ回路を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置において、
前記半導体装置は、複数のメモリモジュールを有し、
前記複数のメモリモジュールは、それぞれ、前記メモリセルアレイと前記電圧制御回路とを備え、
前記複数のメモリモジュールのそれぞれに対して、前記温度センサ回路の出力が共通に入力していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置において、
さらに、ヒューズを備え、
前記電圧制御回路は、前記ヒューズと前記温度センサ回路の出力に基づいて前記メモリセルアレイに供給される電圧を制御することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置において、
さらに、前記複数のメモリモジュールの各メモリモジュールよりメモリ容量の大きい第２のメモリモジュールと、
第２の温度センサ回路とを有し、
前記第２の温度センサ回路の出力が、前記第２のメモリモジュールの電圧制御回路に入力していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
複数のスタティック型メモリセルを有する半導体装置であって、
複数の前記スタティック型メモリセルが行列状に配置されたメモリセルアレイと、
前記半導体装置内の温度を検知する温度センサ回路と、
前記スタティック型メモリセルの書き込み又は読み出し動作時に、前記温度センサ回路の出力に基づいて、前記メモリセルアレイの選択ワード線に供給される電圧を制御する電圧制御回路と、を有し、
前記電圧制御回路により制御される電圧は、前記スタティック型メモリセルの書き込み動作時に、前記スタティック型メモリセルを構成するｐ型ＭＯＳトランジスタのソース側に供給される電圧であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の半導体装置において、
前記電圧制御回路は、前記半導体装置内の温度が第１温度より高い場合に、前記ｐ型ＭＯＳトランジスタのソース側に供給される電圧を第１電圧に設定し、前記半導体装置内の温度が前記第１温度より低い場合に、前記ｐ型ＭＯＳトランジスタのソース側に供給される電圧を前記第１電圧より低い第２電圧に設定することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月19日(2010.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
横幅と、前記横幅方向に並べて設けられた複数の電気コンタクトとを有する本体を含んだオブジェクトに接続するようにされた携帯型リーダーであって、
異なる幅の複数の受け入れスペースを規定する受け入れ手段（ＣＡＲＥ１，ＣＡＲＥ２）と、各受け入れスペースの幅方向に沿って設けられた一組のコネクタ接触部（ＶＣＣ，ＲＳＴ，ＣＬＫ）とを含み、
前記各受け入れスペースは、対応するオブジェクトの本体を受け入れるよう、当該対応するオブジェクトの幅に対応する幅を有し、
一組のコネクタ接触部（ＶＣＣ，ＲＳＴ，ＣＬＫ）の少なくとも一つ（ＶＣＣ）が、異なるオブジェクトに接続するために受け入れスペースに達する寸法を有することを特徴とする携帯型リーダー。
【請求項２】
前記受け入れ手段（ＣＡＲＥ１，ＣＡＲＥ２）は、ＳＩＭカードとＩＳＯカードの両方を受け入れるようにされている、請求項１に記載の携帯型リーダー。
【請求項３】
さらに、外部コネクタ（ＵＳＢ，ＣＯＮ）を備えている、請求項１又は２に記載の携帯型リーダー。
【請求項４】
前記外部コネクタはＵＳＢ又はＰＣＭＣＩＡ用のコネクタである、請求項３に記載の携帯型リーダー。
【請求項５】
前記外部コネクタは、旋回するよう構成されている、請求項３又は４に記載の携帯型リーダー。
【請求項６】
前記受け入れ手段は、前記一組のコネクタ接触部の少なくとも一つの同じ接触部に接触して異なる幅の複数のオブジェクトを受け入れるよう構成されている、請求項１乃至５のいずれかに記載の携帯型リーダー。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月21日(2011.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データの解析機能を有する通信装置であって、
ヘッダとデータ部とを含むパケットデータを取得する取得手段と、
前記取得したパケットデータに所定の条件を満たす特定のデータが存在するか否かを解析する解析手段と、
前記特定のデータが存在する場合、前記取得したパケットデータから当該特定のデータを消去する消去手段と、
前記特定のデータが消去された、前記ヘッダ及び前記データ部を保存する保存手段とを備えたことを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記特定のデータは機密情報であることを特徴とする請求項１記載の通信装置。
【請求項３】
前記取得手段は、前記通信回線であるネットワークから前記パケットデータを取得することを特徴とする請求項１または２記載の通信装置。
【請求項４】
前記パケットデータの種類を判別する判別手段を備え、
前記解析手段は、前記判別されたパケットデータの種類に応じて異なる前記特定のデータが存在するか否かを解析することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項５】
前記消去手段は、前記特定のデータを所定の値に置き換えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項６】
前記通信装置は、ネットワークに接続された画像形成装置であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項７】
前記特定のデータが存在しないと解析された場合、前記消去手段が前記特定のデータを消去することなく、前記保存手段は、前記ヘッダと前記データ部とを保存することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項８】
前記解析手段は、前記特定のデータが前記パケットデータの先頭から何バイト目に存在するかを解析することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項９】
前記解析手段は、前記特定のデータが何バイト分存在するかを解析することを特徴とする請求項８に記載の通信装置。
【請求項１０】
データの解析機能を有する通信装置の制御方法であって、
前記通信装置が、ヘッダとデータ部とを含むパケットデータを取得する取得ステップと、
前記通信装置が、前記取得したパケットデータに所定の条件を満たす特定のデータが存在するか否かを解析する解析ステップと、
前記通信装置が、前記特定のデータが存在する場合、前記取得したパケットデータから当該特定のデータを消去する消去ステップと、
前記通信装置が、前記特定のデータが消去された、前記ヘッダ及び前記データ部を保存する保存ステップとを有することを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項１１】
ヘッダとデータ部とを含むパケットデータを取得する通信装置の制御方法をコンピュータに実行させるプログラムにおいて、
前記制御方法は、
前記コンピュータが、前記取得したパケットデータに所定の条件を満たす特定のデータが存在するか否かを解析する解析ステップと、
前記コンピュータが、前記特定のデータが存在する場合、前記取得したパケットデータから当該特定のデータを消去する消去ステップと、
前記コンピュータが、前記特定のデータが消去された、前記ヘッダ及びデータ部を保存する保存ステップとを有することを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の通信装置は、データの解析機能を有する通信装置であって、ヘッダとデータ部とを含むパケットデータを取得する取得手段と、前記取得したパケットデータに所定の条件を満たす特定のデータが存在するか否かを解析する解析手段と、前記特定のデータが存在する場合、前記取得したパケットデータから当該特定のデータを消去する消去手段と、前記特定のデータが消去された、前記ヘッダ及び前記データ部を保存する保存手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の通信装置の制御方法は、データの解析機能を有する通信装置の制御方法であって、前記通信装置が、ヘッダとデータ部とを含むパケットデータを取得する取得ステップと、前記通信装置が、前記取得したパケットデータに所定の条件を満たす特定のデータが存在するか否かを解析する解析ステップと、前記通信装置が、前記特定のデータが存在する場合、前記取得したパケットデータから当該特定のデータを消去する消去ステップと、前記通信装置が、前記特定のデータが消去された、前記ヘッダ及び前記データ部を保存する保存ステップとを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明のプログラムは、ヘッダとデータ部とを含むパケットデータを取得する通信装置の制御方法をコンピュータに実行させるプログラムにおいて、前記制御方法は、前記コンピュータが、前記取得したパケットデータに所定の条件を満たす特定のデータが存在するか否かを解析する解析ステップと、前記コンピュータが、前記特定のデータが存在する場合、前記取得したパケットデータから当該特定のデータを消去する消去ステップと、前記コンピュータが、前記特定のデータが消去された、前記ヘッダ及びデータ部を保存する保存ステップとを有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の請求項１、２に係る通信装置によれば、データを解析する際、特定のデータを除いたデータを取得することができる。これにより、通信装置で発生した障害を解析する際、特定のデータとして機密情報の漏洩を防止することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項４に係る通信装置によれば、パケットデータの種類に応じて異なる特定のデータの存在が解析されるので、機密情報に限らず、種々の特定のデータの保護が可能となる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項５に係る通信装置によれば、特定のデータを所定の値に置き換えるので、簡単に特定のデータを消去することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2010009223.tif 000001