【手続補正書】
【提出日】平成22年11月19日(2010.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、前記基材上に設けられたシロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含む原子構造を有するＳｉ骨格と前記Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含む接合膜と、を備える第１の構造体と、
第２の構造体と、を有し、
前記接合膜を介して前記第１の構造体と前記第２の構造体とが接合されることにより形成される閉空間にデバイスが収納されてなる封止型デバイスの製造方法であって、
前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記脱離基を前記Ｓｉ骨格から脱離させ、前記接合膜に接着性を発現させる工程と、
前記第１の構造体と前記第２の構造体とを前記接合膜を介して貼り合わせて、前記デバイスが収納された前記閉空間を気密封止する工程とを有することを特徴とする封止型デバイスの製造方法。
【請求項２】
基材と、前記基材上に設けられたシロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含む原子構造を有するＳｉ骨格と前記Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含む接合膜と、を備える第１の構造体と、
第２の構造体と、を有し、
前記接合膜を介して前記第１の構造体と前記第２の構造体とが接合されることにより形成される閉空間にデバイスが収納されてなる封止型デバイスの製造方法であって、
前記第１の構造体と前記第２の構造体とを前記接合膜を介して重ね合わせて、前記デバイスが収納された前記閉空間を有する仮接合体を得る工程と、
前記仮接合体中の前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記脱離基を前記Ｓｉ骨格から脱離させ、前記接合膜に接着性を発現させることにより、前記第１の構造体と前記第２の構造体とを接合して、前記閉空間を気密封止する工程とを有することを特徴とする封止型デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記Ｓｉ骨格の結晶化度は、４５％以下である請求項１または２に記載の封止型デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記脱離基は、Ｈ原子、Ｂ原子、Ｃ原子、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｐ原子、Ｓ原子およびハロゲン系原子、またはこれらの各原子が前記Ｓｉ骨格に結合するよう配置された原子団からなる群から選択される少なくとも１種で構成されたものである請求項１ないし３のいずれかに記載の封止型デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記脱離基は、アルキル基である請求項４に記載の封止型デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記接合膜は、プラズマ重合により形成されたものである請求項１ないし５のいずれかに記載の封止型デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されている請求項６に記載の封止型デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物である請求項７に記載の封止型デバイスの製造方法。
【請求項９】
基材と、前記基材上に設けられた金属原子と前記金属原子に結合する酸素原子と前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含む接合膜と、を備える第１の構造体と、
第２の構造体と、を有し、
前記接合膜を介して前記第１の構造体と前記第２の構造体とが接合されることにより形成される閉空間にデバイスが収納されてなる封止型デバイスの製造方法であって、
前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記脱離基を前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離させ、前記接合膜に接着性を発現させる工程と、
前記第１の構造体と前記第２の構造体とを前記接合膜を介して貼り合わせて、前記デバイスが収納された前記閉空間を気密封止する工程とを有することを特徴とする封止型デバイスの製造方法。
【請求項１０】
基材と、前記基材上に設けられた金属原子と有機成分で構成される脱離基とを含む接合膜と、を備える第１の構造体と、
第２の構造体と、を有し、
前記接合膜を介して前記第１の構造体と前記第２の構造体とが接合されることにより形成される閉空間にデバイスが収納されてなる封止型デバイスの製造方法であって、
前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記脱離基を前記接合膜から脱離させ、前記接合膜に接着性を発現させる工程と、
前記第１の構造体と前記第２の構造体とを前記接合膜を介して貼り合わせて、前記デバイスが収納された前記閉空間を気密封止する工程とを有することを特徴とする封止型デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項１ないし１０のいずれかに記載の封止型デバイスの製造方法。
【請求項１２】
減圧下または不活性ガス存在下において、前記閉空間を気密封止する請求項１ないし１１のいずれかに記載の封止型デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記第２の構造体は、前記接合膜と同様の接合膜を有するものであり、
前記第１の構造体を、前記各接合膜同士が密着するようにして前記第２の構造体と貼り合わせる請求項１ないし１２のいずれかに記載の封止型デバイスの製造方法。
【請求項１４】
さらに、前記閉空間を気密封止した後、前記第１の構造体と前記第２の構造体との接合強度を高める処理を行う工程を有する請求項１ないし１３のいずれかに記載の封止型デバイスの製造方法。
【請求項１５】
請求項１ないし１４のいずれかに記載の封止型デバイスの製造方法により製造されたことを特徴とする封止型デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の封止型デバイスの製造方法は、基材と、前記基材上に設けられたシロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含む原子構造を有するＳｉ骨格と前記Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含む接合膜と、を備える第１の構造体と、
第２の構造体と、を有し、
前記接合膜を介して前記第１の構造体と前記第２の構造体とが接合されることにより形成される閉空間にデバイスが収納されてなる封止型デバイスの製造方法であって、
前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記脱離基を前記Ｓｉ骨格から脱離させ、前記接合膜に接着性を発現させる工程と、
前記第１の構造体と前記第２の構造体とを前記接合膜を介して貼り合わせて、前記デバイスが収納された前記閉空間を気密封止する工程とを有することを特徴とする。
これにより、接合膜を介して接合される部材の構成材料によらず、気密性に優れた閉空間にデバイスを収納してなる封止型デバイスを効率よく製造することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の封止型デバイスの製造方法は、基材と、前記基材上に設けられたシロキサン（Ｓｉ−Ｏ）結合を含む原子構造を有するＳｉ骨格と前記Ｓｉ骨格に結合する脱離基とを含む接合膜と、を備える第１の構造体と、
第２の構造体と、を有し、
前記接合膜を介して前記第１の構造体と前記第２の構造体とが接合されることにより形成される閉空間にデバイスが収納されてなる封止型デバイスの製造方法であって、
前記第１の構造体と前記第２の構造体とを前記接合膜を介して重ね合わせて、前記デバイスが収納された前記閉空間を有する仮接合体を得る工程と、
前記仮接合体中の前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記脱離基を前記Ｓｉ骨格から脱離させ、前記接合膜に接着性を発現させることにより、前記第１の構造体と前記第２の構造体とを接合して、前記閉空間を気密封止する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の封止型デバイスの製造方法では、前記接合膜は、プラズマ重合により形成されたものであることが好ましい。
これにより、接合膜は緻密で均質なものとなる。そして、接合膜は、接合される各部の間を特に強固に、かつ高い気密性を有しつつ接合することができる。また、プラズマ重合法で作製され、エネルギーが付与される前の接合膜は、エネルギーが付与された活性化された状態を比較的長時間にわたって維持することができる。このため、封止型デバイスの製造過程の簡素化、効率化を図ることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の封止型デバイスの製造方法では、前記接合膜は、ポリオルガノシロキサンを主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、接合膜自体が優れた機械的特性を有するものとなる。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示す接合膜が得られる。したがって、この接合膜により、接合される各部の間をより強固に接合することができる。また、非接着性と接着性との制御を容易かつ確実に行える接合膜となる。
本発明の封止型デバイスの製造方法では、前記ポリオルガノシロキサンは、オクタメチルトリシロキサンの重合物であることが好ましい。
これにより、接着性に特に優れる接合膜が得られる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の封止型デバイスの製造方法は、基材と、前記基材上に設けられた金属原子と前記金属原子に結合する酸素原子と前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含む接合膜と、を備える第１の構造体と、
第２の構造体と、を有し、
前記接合膜を介して前記第１の構造体と前記第２の構造体とが接合されることにより形成される閉空間にデバイスが収納されてなる封止型デバイスの製造方法であって、
前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記脱離基を前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離させ、前記接合膜に接着性を発現させる工程と、
前記第１の構造体と前記第２の構造体とを前記接合膜を介して貼り合わせて、前記デバイスが収納された前記閉空間を気密封止する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の封止型デバイスの製造方法は、基材と、前記基材上に設けられた金属原子と有機成分で構成される脱離基とを含む接合膜と、を備える第１の構造体と、
第２の構造体と、を有し、
前記接合膜を介して前記第１の構造体と前記第２の構造体とが接合されることにより形成される閉空間にデバイスが収納されてなる封止型デバイスの製造方法であって、
前記接合膜にエネルギーを付与することにより、前記脱離基を前記接合膜から脱離させ、前記接合膜に接着性を発現させる工程と、
前記第１の構造体と前記第２の構造体とを前記接合膜を介して貼り合わせて、前記デバイスが収納された前記閉空間を気密封止する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】