Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月9日(2009.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージの周りに包装されたフィルムと、
芳香性物質を封入する複数の層を含むラベルと、
前記ラベルを前記フィルムに結合する第１の接着剤と、
前記芳香性物質が前記ラベルから放出されるように前記フィルム及び前記ラベルを通して薄切りするための引き裂き用ストリップと、
を含むことを特徴とする製品。
【請求項２】
前記ラベルの少なくとも一部分は、前記引き裂き用ストリップから正反対側の前記フィルムの外側に位置していることを特徴とする請求項１に記載の製品。
【請求項３】
前記部分は、前記ラベルの縁部であることを特徴とする請求項２に記載の製品。
【請求項４】
前記ラベルの第１の外側層は、第２の接着剤を使用して該ラベルの第２の外側層に取り付けられ、該第２の外側層は、前記第１の接着剤を用いて前記フィルムに結合されることを特徴とする請求項３に記載の製品。
【請求項５】
前記第１の外側層の一部分は、前記第２の外側層の一部分と重なっており、
前記第１の外側層の前記部分は、前記引き裂き用ストリップから正反対側の前記フィルムの前記外側に位置した前記ラベルの前記部分であり、前記第２の層に重なる該第１の外側層の該部分には、第３の接着剤が設けられる、
ことを特徴とする請求項４に記載の製品。
【請求項６】
前記第１の接着剤は、前記第２の接着剤よりも強力であることを特徴とする請求項４に記載の製品。
【請求項７】
前記第３の接着剤は、前記第２の接着剤よりも強力であることを特徴とする請求項５に記載の製品。
【請求項８】
パッケージの周りに包装されたフィルムと、
支持層、
ラベルを前記フィルムに取り付けるために前記支持層の第１の側面上にかつ該支持層の縁部に沿って形成された接着剤、及び
前記接着剤によって取り囲まれて前記フィルムへの前記ラベルの前記取付によって封入された前記支持層の前記第１の側面上に形成された芳香性物質、
を含む、前記フィルムに取り付けられたラベルと、
前記芳香性物質が前記ラベルから放出されるように、前記フィルムを通して薄切りされ、かつ該ラベルの少なくとも一部分を該フィルムから分離するための引き裂き用ストリップと、
を含むことを特徴とする製品。
【請求項９】
芳香性ラベルをパッケージに取り付ける方法であって、
担体テープに開口を設ける段階と、
ラベルを、該ラベルが前記開口の周りで前記担体テープに接触し、かつ該ラベルが該開口を覆うように該担体テープに取り付ける段階と、
前記担体テープの開口を通して前記ラベルに芳香性物質を付加する段階と、
前記ラベルを前記担体テープからフィルムに転送する段階と、
前記フィルムを用いて前記パッケージを包装する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月30日(2009.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の柔軟な側壁と、
第１の側壁と重なり接合されて内容積を提供する第２の柔軟な側壁と、
吸収剤と接着剤を含み、内容積内に配置された吸収粘着性混合物と、を有し、
前記内容積へのアクセスは、前記第１と第２の柔軟な側壁の間に配置された開口部を介して行えるバッグ。
【請求項２】
吸収粘着性混合物は、高吸収性ポリマーを含む、請求項１に記載のバッグ。
【請求項３】
高吸収性ポリマーは、ポリアクリル酸ソーダである、請求項２に記載のバッグ。
【請求項４】
臭気中和成分を更に含む、請求項１に記載のバッグ。
【請求項５】
臭気中和成分は収粘着性混合物の一部である、請求項４に記載のバッグ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月8日(2009.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単体ブランク（４０、５０）から形成したばら詰め喫煙可能材料（４）を収容し、かつ実質的に剛体の容器である箱（２）（６２）であって、
ばら詰め喫煙可能材料（４）を収容し、かつアクセス開口部を有するレセプタクル部分（６）と、
前記レセプタクル部分（６）と一体であり、かつフラップ（８）が該レセプタクル部分（６）の周りで少なくとも部分的に折り畳まれて前記開口部の上に重なる折り畳み位置と、フラップ（８）が該レセプタクル部分（６）から外向きに延びる拡張位置との間で移動可能なフラップ（８）と、
前記フラップ（８）と一体であり、かつその側面に沿って少なくとも途中まで延びる、実質的に剛体であって独立型の、１対の対向する直立壁（３０）と、
を含むことを特徴とする箱。
【請求項２】
前記フラップ（８）は、前記レセプタクル部分（６）の第１の壁（１２）に接続され、かつ前記折り畳み位置で、該第１の壁（１２）にほぼ対向する、該レセプタクル部分（６）の第２の壁（１０）の少なくとも一部の上に重なっていることを特徴とする請求項１に記載の箱（２）（６２）。
【請求項３】
前記対向する直立壁（３０）は、前記フラップ（８）の前記側面に沿って前記レセプタクル部分（６）から延びていることを特徴とする請求項１に記載の箱（２）（６２）。
【請求項４】
前記折り畳み位置で前記フラップ（８）を保持するための保持手段（５２、５４）を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の箱（２）（６２）。
【請求項５】
請求項１に記載の箱（６２）であって、一体型の閉鎖舌状体（６４）を更に含み、
前記閉鎖舌状体（６４）は、前記レセプタクル部分（６）に接続され、閉鎖舌状体（６４）が前記開口部を覆って前記レセプタクル部分（６）に収容されたばら詰め喫煙可能材料にアクセス不能である閉鎖位置と、前記開口部を通じて前記レセプタクル部分（６）に収容されたばら詰め喫煙可能材料（４）にアクセス可能な開放位置と、の間で移動可能な一体型の閉鎖舌状体（６４）である、箱（６２）。
【請求項６】
前記閉鎖舌状体（６４）は、前記レセプタクル部分（６）に取り外し可能に接続される、請求項５に記載の箱（６２）。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月28日(2009.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所望の時間にわたり揮発性液体（３）を周辺雰囲気中に分配するように適合された装置（１）であって、
雰囲気に対して単一の開口を有する貯蔵器（２）を含み、この開口は、装置が動作しているときには前記貯蔵器内の液体と接触していない透過性膜（４）で閉止されており、前記膜は、厚さが０．１〜５ｍｍであり、また前記膜は前記液体と直接接触すると、所望の期間にわたって蒸発するある量の液体を吸収することができる、前記装置。
【請求項２】
膜厚が、０．５〜５ｍｍ、好ましくは０．２〜３ｍｍ、より好ましくは０．６〜２ｍｍ、最も好ましくは０．６〜１．０ｍｍである、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
膜の材料が、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリスチレン、エチレン／プロピレンコポリマー類、エチレン／へキシレンコポリマー類、エチレン／ブテンコポリマー類、プロピレン／ブテンコポリマー類、エチレン／プロピレン／ブテンコポリマー類、およびエチレンまたはプロピレンとエチレン不飽和のモノカルボン酸とのコポリマー類からなる群から選択され、膜の材料は好ましくは充填材入りである、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
膜が、微孔質の充填材入りポリオレフィンである、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
膜の材料が、主として、少なくとも３００，０００の分子量（重量平均）、０．１未満の標準荷重メルトインデックス、および４．０以上の還元粘度を有する８〜１００容量％のポリオレフィンと、１〜９２容量％の充填材と、１〜４０容量％の可塑剤との均質な混合物からなる、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
充填材が、０．０１から約２０μｍの範囲の平均粒度（直径）を有する、微粉シリカ（ケイ酸）であって、前記充填材の表面積が、３０から９５０ｍ２／ｇの範囲、好ましくは少なくとも１００ｍ２／ｇである、請求項３に記載の装置。
【請求項７】
所望の時間にわたって揮発性液体を周辺雰囲気中に分配する方法であって、永久的に前記雰囲気に晒されない側の有孔質膜の面に、前記液体を供給することを含み、前記膜は、０．１〜５ｍｍの厚さを有して、前記雰囲気に晒される側の前記膜の面から、所望の時間にわたって蒸発させるのに十分な液体を吸収することができる、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月28日(2009.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２００のシリカ／アルミナモル比を有するリン含有ＺＳＭ−５型ゼオライトを有してなる触媒であって、該リン含有ＺＳＭ−５型ゼオライトが、ゼオライトの少なくとも８質量％のリン含有量を有し、約０から約−５０ｐｐｍまでに最大値を持つ少なくとも２つの31Ｐ  ＭＡＳ  ＮＭＲピークにより示される多数のリン種を有することを特徴とする触媒。
【請求項２】
約０ｐｐｍ、約−１１ｐｐｍ、約−３１ｐｐｍまたは約−４４ｐｐｍに最大値を持つ少なくとも２つの31Ｐ  ＭＡＳ  ＮＭＲピークにより示される多数のリン種を有することを特徴とする請求項１記載の触媒。
【請求項３】
約０ｐｐｍ、約−１１ｐｐｍ、約−３１ｐｐｍまたは約−４４ｐｐｍに最大値を持つ少なくとも３つの31Ｐ  ＭＡＳ  ＮＭＲピークにより示される多数のリン種を有することを特徴とする請求項１記載の触媒。
【請求項４】
約０ｐｐｍ、約−１１ｐｐｍ、約−３１ｐｐｍおよび約−４４ｐｐｍに最大値を持つ31Ｐ  ＭＡＳ  ＮＭＲピークにより示される多数のリン種を有することを特徴とする請求項１記載の触媒。
【請求項５】
前記リン含有ＺＳＭ−５型ゼオライトが０．２ｍｌ／ｇ以下の総細孔体積を有することを特徴とする請求項１記載の触媒。
【請求項６】
前記リン含有ＺＳＭ−５型ゼオライトが約３００ｍ2／ｇから約１０ｍ2／ｇのＢＥＴ表面積を有することを特徴とする請求項１記載の触媒。
【請求項７】
前記リン含有ＺＳＭ−５型ゼオライトが０．１８ｍｌ／ｇ以下の総細孔体積を有することを特徴とする請求項１記載の触媒。
【請求項８】
前記ゼオライトが、27Ａｌ  ＭＡＳ−ＮＭＲにより測定された、０．１２から０．２５の枠組みアルミニウムの追加の枠組みアルミニウムに対する比を有することを特徴とする請求項１記載の触媒。
【請求項９】
芳香族アルキル化方法において、
少なくとも２００のシリカ／アルミナモル比を有するリン含有ＺＳＭ−５型ゼオライトを有してなる触媒であって、ゼオライトの少なくとも８質量％のリン含有量を有し、約０から約−５０ｐｐｍまでに最大値を持つ少なくとも２つの31Ｐ  ＭＡＳ  ＮＭＲピークにより示される多数のリン種を有するリン含有ＺＳＭ−５型ゼオライトを提供し、
前記触媒を、芳香族アルキル化に適した反応条件下で、芳香族炭化水素およびアルキル化剤を含有する芳香族アルキル化供給物と接触させる、
各工程を有してなる方法。
【請求項１０】
約０ｐｐｍ、約−１１ｐｐｍ、約−３１ｐｐｍまたは約−４４ｐｐｍに最大値を持つ少なくとも２つの31Ｐ  ＭＡＳ  ＮＭＲピークにより示される多数のリン種を有することを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】
約０ｐｐｍ、約−１１ｐｐｍ、約−３１ｐｐｍまたは約−４４ｐｐｍに最大値を持つ少なくとも３つの31Ｐ  ＭＡＳ  ＮＭＲピークにより示される多数のリン種を有することを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１２】
約０ｐｐｍ、約−１１ｐｐｍ、約−３１ｐｐｍおよび約−４４ｐｐｍに最大値を持つ31Ｐ  ＭＡＳ  ＮＭＲピークにより示される多数のリン種を有することを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１３】
前記リン含有ＺＳＭ−５型ゼオライトが０．２ｍｌ／ｇ以下の細孔体積を有することを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１４】
前記リン含有ＺＳＭ−５型ゼオライトが０．１８ｍｌ／ｇ以下の細孔体積を有することを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１５】
前記リンの含有量がゼオライトの約８質量％から約１０質量％であることを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１６】
前記リン含有ＺＳＭ−５型ゼオライトが約３００ｍ2／ｇから約１０ｍ2／ｇのＢＥＴ表面積を有することを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１７】
前記リン含有ＺＳＭ−５型ゼオライトが、約５０ｐｐｍおよび約−１４ｐｐｍに27Ａｌ  ＭＡＳ−ＮＭＲピークを有することを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１８】
前記ゼオライトが、27Ａｌ  ＭＡＳ−ＮＭＲにより測定された、０．１２から０．２５の枠組みアルミニウムの追加の枠組みアルミニウムに対する比を有することを特徴とする請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月12日(2009.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保護表面改質系を適用して、良好な外観、魅力的な触覚的特徴および改善された耐摩耗性を付与する方法であって、
（ａ）基材に、直接かまたは前記基材上のプライマー層に、
（ｉ）紫外線硬化性エチレン性不飽和樹脂と、
（ｉｉ）前記基材またはプライマー層に実質的に不活性な、前記紫外線硬化性樹脂用の溶媒と、
（ｉｉｉ）乳化剤と、
（ｉｖ）紫外線開始剤と、
（ｖ）水と
を含む組成物を適用する工程と、
（ｂ）前記（ａ）の組成物を紫外線により硬化して、固体塗膜を形成する工程と、
（ｃ）前記（ａ）の固体塗膜に、
（ｉ）融点が少なくとも６０℃のワックスと、
（ｉｉ）前記（ａ）の固体塗膜に実質的に不活性な、前記ワックス用の溶媒と、
（ｉｉｉ）アミノ官能性シリコーンと、
（ｉｖ）アミノ官能性でないシリコーンと、
（ｖ）水と
を含む組成物を適用する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
（ａ）基材と、
（ｂ）
（ｉ）紫外線硬化性エチレン性不飽和樹脂、
（ｉｉ）前記基材またはプライマー層に実質的に不活性な、前記紫外線硬化性樹脂用の溶媒、
（ｉｉｉ）乳化剤、
（ｉｖ）紫外線開始剤、
（ｖ）水
から誘導されるＵＶ硬化塗膜と、
（ｃ）
（ｉ）融点が少なくとも６０℃のワックス、
（ｉｉ）前記（ｂ）の固体塗膜に実質的に不活性な、前記ワックス用の溶媒、
（ｉｉｉ）アミノ官能性シリコーン、
（ｉｖ）アミノ官能性でないシリコーン、
（ｖ）水
から誘導される固体塗膜と
を順番に含むことを特徴とする物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
（実施例５）
（花崗岩基材への適用）
上述した表面改質系を、市販の磨き花崗岩に適用した。耐引っ掻き性に対する大きな影響は観察されなかった。しかしながら、汚れ、特に、食用油やラード等の油系汚れの防止に大きな改善が見られた。目視および触覚上の効果も改善された。
本発明は、以下の態様を包含する。
[１]
保護表面改質系を適用して、良好な外観、魅力的な触覚的特徴および改善された耐摩耗性を付与する方法であって、
（ａ）基材に、直接かまたは前記基材上のプライマー層に、
（ｉ）紫外線硬化性エチレン性不飽和樹脂と、
（ｉｉ）前記基材またはプライマー層に実質的に不活性な、前記紫外線硬化性樹脂用の溶媒と、
（ｉｉｉ）乳化剤と、
（ｉｖ）紫外線開始剤と、
（ｖ）水と
を含む組成物を適用する工程と、
（ｂ）前記（ａ）の組成物を紫外線により硬化して、固体塗膜を形成する工程と、
（ｃ）前記（ａ）の固体塗膜に、
（ｉ）融点が少なくとも６０℃のワックスと、
（ｉｉ）前記（ａ）の固体塗膜に実質的に不活性な、前記ワックス用の溶媒と、
（ｉｉｉ）アミノ官能性シリコーンと、
（ｉｖ）アミノ官能性でないシリコーンと、
（ｖ）水と
を含む組成物を適用する工程と、
を含むことを特徴とする方法。
[２]
前記基材がポリマーを含むことを特徴とする[１]に記載の方法。
[３]
前記基材がミネラルを含むことを特徴とする[１]に記載の方法。
[４]
前記ミネラルがプライマー塗膜を有することを特徴とする[３]に記載の方法。
[５]
前記紫外線エチレン性不飽和樹脂が、アクリル酸のエステル、メタクリル酸のエステル、ウレタンアクリレート、ウレタンメタクリレート、エポキシアクリレート、エポキシメタクリレート、メラミンアクリレート、メラミンメタクリレート、アクリレート官能化不飽和ポリエステル、メタクリレート官能化不飽和ポリエステル、ビニルモノマー、アリルモノマー、ウレタン、アクリル、エポキシ、不飽和ポリエステル、シロキサン、シランおよびこれらの組み合わせから誘導される群から選択されることを特徴とする[１]に記載の方法。
[６]
前記紫外線硬化性樹脂用の前記溶媒が、トルエン、キシレン、酢酸ブチル、アセトン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、メタノール、イソプロパノール、ブタノール、ヘキサン、エチレングリコール、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ナフサおよびミネラルスピリッツの群から選択されることを特徴とする[１]に記載の方法。
[７]
前記乳化剤が、モルホリンオレエート石鹸、オレイン酸トリエタノールアミン石鹸、オレイン酸／モルホリン混合物、オレイン酸／トリエタノールアルニン混合物、ステアリン酸／モルホリン混合物、ステアリン酸／トリエタノールアミン混合物、オレイン酸ナトリウム、アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ノニルフェノールの酸化エチレン付加物、ソルビタンモノオレエートおよびこれらの組み合わせの群から選択されることを特徴とする[１]に記載の方法。
[８]
前記ワックスが、パラフィンワックス、マイクロクリスタリンワックス、ミネラルワックス、植物ワックス、動物ワックス、炭化水素ワックス、有機金属ワックス、硬化油ワックス、塩素化ワックス、カルナウバワックスおよびこれらの組み合わせの群から選択されることを特徴とする[１]に記載の方法。
[９]
前記ワックス用の前記溶媒が無臭ミネラルスピリッツであることを特徴とする[１]に記載の方法。
[１０]
アミノ官能性でない前記シリコーンがポリジメチルシロキサン油であることを特徴とする[１]に記載の方法。
[１１]
（ａ）基材と、
（ｂ）
（ｉ）紫外線硬化性エチレン性不飽和樹脂、
（ｉｉ）前記基材またはプライマー層に実質的に不活性な、前記紫外線硬化性樹脂用の溶媒、
（ｉｉｉ）乳化剤、
（ｉｖ）紫外線開始剤、
（ｖ）水
から誘導されるＵＶ硬化塗膜と、
（ｃ）
（ｉ）融点が少なくとも６０℃のワックス、
（ｉｉ）前記（ｂ）の固体塗膜に実質的に不活性な、前記ワックス用の溶媒、
（ｉｉｉ）アミノ官能性シリコーン、
（ｉｖ）アミノ官能性でないシリコーン、
（ｖ）水
から誘導される固体塗膜と
を順番に含むことを特徴とする物品。
[１２]
前記基材が、少なくとも５０重量％のポリマーを含有することを特徴とする[１]に記載の物品。
[１３]
前記基材が、少なくとも８０重量％のミネラルとポリマーバインダーを含有することを特徴とする[１１]に記載の物品。
[１４]
前記基材が、ポリマーバインダーを含有しないミネラルであることを特徴とする[１１]に記載の物品。
[１５]
（ａ）と（ｂ）の間にプライマーを含有することを特徴とする[１１]に記載の物品。
[１６]
キッチンカウンタートップの形態にあることを特徴とする[１１]に記載の物品。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月17日(2009.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のポートレットを含むポータル・ページを生成する方法であって、
ポートレットのサブセットがスタック可能であるかどうかを判別するステップと、
前記ポートレットのサブセットがスタック可能であることに応答して、前記ポートレットのサブセットがポートレットのスタックとして生成されるようにポータル・ページを生成するステップであって、前記ポートレットのスタックが、前記ポートレットのサブセット内からの第１のポートレットと、前記ポートレットのサブセット内から現在提示されていない第２のポートレットを選択するためのコントロールとを提示する、ステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記ポートレットのサブセットがスタック可能であるかどうかを判別する前記ステップが、
各ポートレットがアクセスするソフトウェア・プロセスおよびハードウェア・リソースを検査するステップと、
前記ポートレットのサブセットに共通の少なくとも１つのソフトウェア・プロセスまたはハードウェア・リソースを識別するステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ポートレットのサブセットがスタック可能であるかどうかを判別する前記ステップが、
各ポートレットが表示するコンテンツ要素およびマークアップ要素を検査するステップと、
前記ポートレットのサブセットに共通の少なくとも１つのコンテンツ要素またはマークアップ要素を識別するステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ポートレットのサブセットがスタック可能であるかどうかを判別する前記ステップが、
ユーザ・プロファイルをロードすることによって、ポートレットのスタックに関するユーザ・プリファレンスを取得するステップであって、前記ユーザ・プリファレンスに基づいて、前記ポートレットのサブセットがスタック可能であることが判別される、ステップ
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ポートレットのサブセットがスタック可能であるかどうかを判別する前記ステップが、
ユーザに問い合わせることによって、ポートレットのスタックに関するユーザ・プリファレンスを取得するステップであって、前記ユーザ・プリファレンスに基づいて、前記ポートレットのサブセットがスタック可能であることが判別される、ステップ
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記コントロールがタブ、スクロール・バー、ボタン、またはリンクである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
スタック可能な２つまたはそれ以上のポートレットのスタックを識別するステップをさらに含み、
前記ポータル・ページを生成することが、前記２つまたはそれ以上のポートレットのスタックがポートレットのスタックとして生成されるように前記ポータル・ページを生成することを含み、前記ポートレットのスタックが、ポートレットの第１のスタックと、前記２つまたはそれ以上のポートレットのスタック内から現在提示されていない第２のスタックを選択するためのコントロールとを提示する、
請求項１に記載の方法。
【請求項８】
各々がポートレットを生成する、複数のポートレット生成手段と、
ポータル・ページ生成手段であって、
ポートレットのサブセットを含むポータル・ページに関するクライアント要求を受信し、
前記ポートレットのサブセットを検査し、
前記ポートレットのサブセットにおける少なくとも１つの共通点を識別し、
前記ポートレットのサブセットがスタック可能であるかどうかを判別し、
前記ポートレットのサブセットがスタック可能であることに応答して、前記ポートレットのサブセットが、第１のポートレットと、現在提示されていない第２のポートレットを選択するためのコントロールとを提示するように、前記ポートレットのサブセットがスタックされたポータル・ページを生成する、
ポータル・ページ生成手段と、
を備える装置。
【請求項９】
コンピュータの内部メモリにロード可能な、コンピュータ・プログラムであって、当該コンピュータに、
ポートレットのサブセットがスタック可能であるかどうかを判別するステップと、
前記ポートレットのサブセットがスタック可能であることに応答して、前記ポートレットのサブセットがポートレットのスタックとして生成されるようにポータル・ページを生成するステップであって、前記ポートレットのスタックが、前記ポートレットのサブセット内からの第１のポートレットと、前記ポートレットのサブセット内から現在提示されていない第２のポートレットを選択するためのコントロールとを提示する、ステップと、
を実行させるための、コンピュータ・プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月21日(2009.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
動作について、上述したように、像発生器３１０は、レンズ１００から既知の距離に配置される。像発生器３１０は、コントローラ３３０によって制御され、光源を用いて、既知のサイズの物体Ｓを発生し、光線をＳからレンズ１００へ向ける。上述したように、物体Ｓから、レンズ１００は反射虚像を形成し、反射虚像のサイズは像検出器３２０によって測定される。そして、上述したような数式を用いて、コントローラ３３０は、レンズ１００の表面についての特性、例えば、曲率を決定することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月12日(2009.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ可読命令を内部に記憶した１つまたは複数のコンピュータ可読記憶媒体であって、前記命令がコンピュータによって実行されると、前記コンピュータに、
メッセージに基づいて、かつ、ブロック暗号を用いて前記メッセージの部分を暗号化して、暗号化された部分を提供する動作と、前記暗号化された部分と前記メッセージの部分との排他的論理和（ＸＯＲ）を計算して、前記無作為に現れる要素を提供する動作とを含むプロセスを用いて無作為に現れる要素を生成する動作と、
前記要素と前記メッセージとを組み合わせてアセンブリを提供する動作とを実行させ、  前記アセンブリは、ハッシュを提供するためにセキュアハッシュ関数でハッシュすることができ、前記ハッシュは、同じセキュアハッシュ関数によって前記メッセージをハッシュして得られる第２のハッシュの長さと同じ長さを有し、
前記プロセスは、第２のメッセージに基づいて第２の無作為に現れる要素を生成することができ、前記第２の無作為に現れる要素は、前記第２のメッセージが前記第１のメッセージと同じ場合には、前記第１の無作為に現れる要素と同じであることを特徴とする媒体。
【請求項２】
組み合わせる前記動作は、前記無作為に現れる要素と前記メッセージとを連結する動作を含むことを特徴とする請求項１に記載の媒体。
【請求項３】
前記無作為に現れる要素を生成する前記動作は、
前記メッセージに基づいて無作為に現れる中間要素を受け取る動作と、
前記無作為に現れる中間要素から無作為に現れる暗号キーを導出する動作と、
前記無作為に現れる暗号キーを利用する暗号関数で前記メッセージの部分を暗号化して暗号化された部分を提供する動作と、
前記暗号化された部分と前記部分との排他的論理和（ＸＯＲ）を計算して、前記無作為に現れる要素を提供する動作とを含むことを特徴とする請求項１に記載の媒体。
【請求項４】
前記暗号関数は、１２８ビットのＡＥＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｅｎｃｒｙｐｔｉｏｎ  Ｓｔａｎｄａｒｄ）のブロック暗号による暗号関数を含むことを特徴とする請求項３に記載の媒体。
【請求項５】
コンピュータ可読命令を内部に記憶した１つまたは複数のコンピュータ可読記憶媒体であって、前記命令がコンピュータによって実行されると、前記コンピュータに、
データのブロックの第１のサブブロックおよび第２のサブブロックを暗号化して、暗号化された第１のサブブロックおよび暗号化された第２のサブブロックを提供する動作と、
前記第１のサブブロックと前記暗号化された第１のサブブロックとの排他的論理和（ＸＯＲ）を計算して、第１のＸＯＲサブブロックを提供する動作と、
前記第２のサブブロックと前記暗号化された第２のサブブロックとのＸＯＲを計算して、第２のＸＯＲサブブロックを提供する動作と、
前記第１のＸＯＲサブブロックおよび前記第２のＸＯＲサブブロックと、前記第１のサブブロックおよび前記第２のサブブロックとを組み合わせて、第１の組み合わされたブロックおよび第２の組み合わされたブロックを提供する動作とを実行させることを特徴とする媒体。
【請求項６】
暗号化する前記動作は、前記第１のサブブロックおよび前記第２のサブブロックに対してブロック暗号を実施する動作を含むことを特徴とする請求項５に記載の媒体。
【請求項７】
暗号化する前記動作は、
前記第２のサブブロックから導出される第１の暗号キーを用いて前記第１のサブブロックを暗号化する動作と、
前記第１のサブブロックから導出される第２の暗号キーを用いて前記第２のサブブロックを暗号化する動作とを含むことを特徴とする請求項５に記載の媒体。
【請求項８】
暗号化する前記動作は、第３のサブブロックおよび第４のサブブロックを暗号化する動作を含み、前記第１、第２、または第４のサブブロックから導出される第３の暗号キーを用いて前記第３のサブブロックを暗号化する動作と、前記第１、第２、または第３のサブブロックから導出される第４の暗号キーを用いて前記第４のサブブロックを暗号化する動作とをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の媒体。
【請求項９】
前記第１の組み合わされたブロックまたは前記第２の組み合わされたブロックは、前記第１のＸＯＲブロック、前記第２のＸＯＲブロック、前記第３のサブブロック、および前記第４のサブブロックの連結体であることを特徴とする請求項８に記載の媒体。
【請求項１０】
暗号化する前記動作は、ＡＥＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｅｎｃｒｙｐｔｉｏｎ  Ｓｔａｎｄａｒｄ）のブロック暗号による暗号関数を実施する動作を含むことを特徴とする請求項５に記載の媒体。
【請求項１１】
前記ブロックはメッセージの一部であり、前記媒体は、前記ブロックを前記第１のサブブロックおよび前記第２のサブブロックに分割する動作をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の媒体。
【請求項１２】
前記メッセージを複数のブロックに分割する動作をさらに含み、前記ブロックは、前記複数のブロックの１つであることを特徴とする請求項１１に記載の媒体。
【請求項１３】
前記第１および第２の組み合わされたブロックのハッシュを計算する動作をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の媒体。
【請求項１４】
コンピュータのプロセッサが、Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤそれぞれをメッセージのある部分とし、Ｅを暗号関数、ｃｄを前記部分ＣおよびＤから導出される暗号キー、ａｂを前記部分ＡおよびＢから導出される暗号キーとして、
【数１】
2008545163.tif 000001
を計算する動作と、
前記コンピュータのプロセッサが、Ｈをセキュアハッシュ関数として、
【数２】
2008545163.tif 000002
を計算してハッシュｈを提供する動作とを含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
Ｅは、１２８ビットのＡＥＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｅｎｃｒｙｐｔｉｏｎ  Ｓｔａｎｄａｒｄ）による暗号関数を含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月6日(2009.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的にアクティブな第１の層システムを持つ多層体であって、
前記第１の層システム（１０）が光学的可変デバイス（ＯＶＤ）であることと、前記第１の層システム（１０）の光学的効果が電気的に制御可能な第２の層システム（２０）から影響を受ける場合もあることと、前記第２の層システム（２０、４０、５０、６０）が前記第１の層システム（１０）の上に配置されることと、前記第１の層システム（１０）が、前記第２の層システム（２０、４０、５０）の下部電極層を形成する金属反射層（１４）を有することを特徴とする多層体。
【請求項２】
前記第２の層システム（２０、４０、５０、６０）の光学特性、特に光学密度及び／又は光散乱及び／又は色が電気的に制御できる場合もあることを特徴とする請求項１に記載の多層体。
【請求項３】
前記第２の層システム（２０、４０、５０）が上部電極層（２４、５４）と下部電極層（１４）とを有し、また、前記上部電極層（２４、５４）と前記下部電極層（１４）との間に、１つ又は複数の層が配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層体。
【請求項４】
前記上部電極層（２４）と前記下部電極層（１４）との間に配置されたポリママトリックスの中で接合されている多数の液晶バブル（２２ｆ）を有する層（２２）を、前記第２の層システム（２０、４０、５０）が有することを特徴とする請求項３に記載の多層体。
【請求項５】
前記第２の層システム（２０、４０、５０）が、前記上部電極層（２４）と前記下部電極層（１４）との間に配置された液晶層（４２）と、少なくとも１つの偏光層（４６ｏ、４６ｕ）とを有することを特徴とする請求項３に記載の多層体。
【請求項６】
前記第２の層システム（２０、４０、５０）が、前記上部電極層（５４）と前記下部電極層（１４）との間に配置された電解質層（５２）を有することと、前記上部電極層（５４）が、例えばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料から成るエレクトロクロミック層であることと、あるいは、前記電解質層（５２）がエレクトロクロミック層であることを特徴とする請求項３に記載の多層体。
【請求項７】
前記第２の層システム（６０）が、サーモクロミック層（６２）と、前記サーモクロミック層（６２）の上方又は下方に配置された電気抵抗層とを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかの１項に記載の多層体。
【請求項８】
前記第１の層システム（１０）の少なくとも１層が、前記第２の層システム（６０）の電気抵抗層を形成していることを特徴とする請求項７に記載の多層体。
【請求項９】
前記電気抵抗層が、前記第１の層システム（１０）の下に配置されていることを特徴とする請求項７に記載の多層体。
【請求項１０】
前記第２の層システム（２０、４０、５０、６０）の光学的効果が不可逆制御できることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかの１項に記載の多層体。
【請求項１１】
前記第２の層システム（２０、４０、５０、６０）の光学的効果が双安定形式で制御できることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかの１項に記載の多層体。
【請求項１２】
前記第１の層システム（１０）が、複製層（１２）と、光学的アイソレーション層又は反射層（１４）とを有し、また、回折起伏構造体（１２ｂ）が、前記複製層（１２）中に形成され、特に、回折格子及び／又はホログラム又はキネグラム又はトラストシールを成していることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかの１項に記載の多層体。
【請求項１３】
前記第１の層システム（１０）が、干渉を用いて色効果をもたらす薄膜層システムであることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかの１項に記載の多層体。
【請求項１４】
前記第１の層システム（１０）がコレステリック液晶層と吸収層とを有することを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかの１項に記載の多層体。
【請求項１５】
前記多層体（１、２、３、４、５）が、有機駆動電子回路及び／又は無機駆動電子回路を有することを特徴とする請求項１乃至１４のいずれかの１項に記載の多層体。
【請求項１６】
前記多層体（１、２、３、４、５）が、１つ又は複数のセンサ及び／又はＲＦＩＤ回路及び／又はディスプレイ及び／又はスイッチ及び／又は電圧源を有することを特徴とする請求項１乃至１５のいずれかの１項に記載の多層体。
【請求項１７】
前記多層体（１、２、３、４、５）が撓みやすいように設計され、且つ／又は、前記多層体（１、２、３、４、５）が、撓むキャリヤ・フィルムを有することを特徴とする請求項１乃至１６のいずれかの１項に記載の多層体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月26日(2008.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの最小作動電圧を動的に変化させるためのシステムであって、
特定のアプリケーションに従って作動する回路を有する被試験電圧アイランド（ＶＩＵＴ）と、
前記電圧アイランドの回路にソース電圧を供給する調整電圧供給部と、
前記電圧アイランドへのソース電圧レベルを設定するための制御手段と、
前記被試験電圧アイランドに結合され、前記回路を試験してＢＩＳＴ試験をパスするために前記電圧アイランドによって要求される最低作動電圧を判定し、前記最低作動電圧を表す制御信号を生成する、ビルト・イン・セルフ・テスト（ＢＩＳＴ）試験手段とを備え、
前記制御手段が、前記制御信号に応答して、前記電圧アイランドへの電圧レベルを前記最低作動電圧に設定する、システム。
【請求項２】
前記電圧アイランドにおける前記被試験回路が論理回路を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記電圧アイランドにおける前記被試験回路がメモリ・アレイ回路を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記ＢＩＳＴ試験が、前記ＶＩＵＴ回路を所定の速度で試験し、前記ＢＩＳＴ試験をパスするかどうかを判定し、前記電圧アイランドの回路に印加される前記ソース電圧をそれに応答して低減するための制御信号を前記制御手段に発行するための繰返しプロセスを含み、前記繰返しプロセスがＢＩＳＴ試験の不合格が発生するまで繰り返される、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記制御手段が、前記電圧アイランドへのソース電圧レベルを設定するためのデジタル−アナログ変換器（ＤＡＣ）を含み、前記ＤＡＣ変換器が、前記ＢＩＳＴ制御信号に応答して、前記電圧アイランドに印加される前記ソース電圧を調節する、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記制御手段が、前記ソース電圧レベルを、最低作動電圧に安全マージン電圧を含む所定の電圧量を加えたレベルに設定することを可能にする手段を含む、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記被試験回路が、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）を含み、前記ＶＩＵＴ回路を所定の速度で試験するための前記ＢＩＳＴ試験が、前記回路をアプリケーション速度で試験することを含む、請求項４に記載のシステム。
【請求項８】
前記被試験回路がスタンバイ作動モードを有し、前記ＶＩＵＴ回路を所定の速度で試験するための前記ＢＩＳＴ試験が、前記回路を、データ情報を維持する能力を与えながら最低限の最小電力レベルが印加されるような低速度で試験することを含む、請求項４に記載のシステム。
【請求項９】
作動条件の変化を検出したときに前記試験ＢＩＳＴをトリガして前記ＶＩＵＴ回路を試験するための手段をさらに備えた、請求項４に記載のシステム。
【請求項１０】
前記作動条件の変化が電圧又は温度における大きな変化を含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記ＶＩＵＴ回路の作動状況を設定するのに用いられる前記制御信号を格納するためのメモリ記憶手段をさらに備え、前記メモリ記憶手段が、プログラム可能ヒューズ装置又はラッチ装置の１つまたは複数を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
半導体チップの最小作動電圧を動的に変化させるための方法であって、
ビルト・イン・セルフ・テスト（ＢＩＳＴ）試験デバイスを用いて、特定のアプリケーションに従って作動する回路を有する電圧アイランド（ＶＩ）を試験するステップであって、前記ＢＩＳＴ試験手段が、前記被試験電圧アイランドに結合され、前記回路を試験してＢＩＳＴ試験をパスするために前記電圧アイランドによって要求される最低作動電圧を判定する、ステップと、
前記最低作動電圧を表す制御信号を生成するステップと、
生成された前記制御信号に基づいて、前記回路の最小作動電圧が与えられるように、前記ＶＩに印加される電力供給電圧を調節するステップと、
を含む方法。
【請求項１３】
前記ＢＩＳＴ試験手段が、
ａ）前記ＶＩ回路を所定の速度で試験するステップと、
ｂ）前記ＢＩＳＴ試験をパスするかどうかを判定し、それに応答して前記電圧アイランドの回路に適用される前記ソース電圧を低減させるように適合された制御手段に、制御信号を発行するステップと、
ｃ）ＢＩＳＴ試験の不合格が発生するまで前記ステップａ）−ｂ）を繰り返すステップと、
を含む繰返しプロセスを実行する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
特定のアプリケーションに従って作動する回路を有する集積回路（ＩＣ）の性能特性を判定するための方法であって、
前記ＩＣの作動モードを検出するステップと、
検出された作動モードに応答して、前記回路を試験してＢＩＳＴ試験をパスするのに前記ＩＣ回路によって要求される最低作動電圧値を判定するために前記ＩＣ回路に作動的に結合されているＢＩＳＴ試験回路を用いて、前記ＩＣを試験するステップと、
前記作動モードについての前記最低作動電圧値を表す制御信号を生成するステップと、
前記ＩＣに関連づけられたメモリ装置に前記制御信号を格納するステップと、
を含む方法。
【請求項１５】
特定のアプリケーションに従って作動する回路を有する集積回路（ＩＣ）の性能特性を判定するためのシステムであって、
前記ＩＣの作動モードを検出するための手段と、
前記ＩＣを試験するためのＢＩＳＴ試験回路手段であって、前記被試験電圧アイランドに結合され、前記回路を試験してＢＩＳＴ試験をパスするために前記ＩＣ回路によって要求される最低作動電圧値を判定し、さらに、前記作動モードについての前記最低作動電圧を表す制御信号を生成する、ＢＩＳＴ試験回路手段と、
前記制御信号を格納するための前記ＩＣ回路に関連づけられた手段と、
を備えたシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月11日(2009.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット上に隠されたオブジェクトを検出するための方法であって、
連続波電磁放射線を該ターゲットへ周波数範囲内の選択された周波数で送信するステップと、
選択された各周波数で該ターゲットから反射される２つの直交偏波信号を受信するステップと、
該反射される信号の振幅及び位相を測定するステップと、
周波数領域波形を発生させるステップと、
該波形を、時間窓における該ターゲットまでの距離に対応する時間領域へ変換するステップと、
該時間領域波形を処理して、該ターゲット上にオブジェクトが隠されているかどうかを決定するステップ、を含む方法。
【請求項２】
該周波数領域波形を濾波するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
該濾波するステップはハミング・フィルタを使用することを含む、請求項２記載の方法。
【請求項４】
該変換するステップはチャープＺ変換を使用することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
該変換するステップの結果、該信号がレンジ・ゲーティングされる、請求項１記載の方法。
【請求項６】
複数のユニットを使用し、各ユニットは該送信するステップ及び受信するステップを実行する、請求項１記載の方法。
【請求項７】
該複数のユニットは該送信するステップを順次実行する、請求項６記載の方法。
【請求項８】
各ユニットによる連続波送信は、他のユニットが放射線を送信できるように中断される、請求項７記載の方法。
【請求項９】
各ユニットによる連続波送信の時間は、該放射線が該ユニットから該ターゲットへ送信されて該ユニットへ戻る送信時間より長い、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
該複数のユニットは該受信するステップを順次実行する、請求項６記載の方法。
【請求項１１】
各ユニットは、その固有の送信機によってのみ送信される信号を受信する、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
各ユニットは、別のユニットの送信機によって送信される信号を受信する、請求項６記載の方法。
【請求項１３】
該複数のユニットにより受信される反射信号は比較される、請求項６記載の方法。
【請求項１４】
各ユニットにより受信される信号の振幅は平均される、請求項６記載の方法。
【請求項１５】
該複数のユニットは該ターゲットに対して異なる高さに配置される、請求項６記載の方法。
【請求項１６】
該複数のユニットは該ターゲットを異なる視点から照射するように配向される、請求項６記載の方法。
【請求項１７】
該オブジェクトは、武器、銃火器、爆弾、自爆ベスト、爆発物、商品、タグ、仕掛品、在庫品及び工業製品より成るグループから選択される、請求項１記載の方法。
【請求項１８】
万引きまたは在庫品の窃盗を防止するために実行される、請求項１記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
中間周波数利得制御増幅器１４０は、帯域通過フィルタ１４１を介してミクサ１３２から主要な信号入力を受信する。次に、増幅器１４０からの出力は電力分割器１４４へ送られ、電力分割器１４４は信号を２つの出力に分割する。一方の出力は検出器１４６内で振幅変調され、アナログ−デジタル変換器１６８内でデジタル化された後にプロセッサ１２６へ供給し戻される。電力分割器１４４からの第２の出力は位相検出器１６５へ供給され、戻り信号の位相シフトが測定される。送信機１１２からは方向性結合器１１３を介して送信信号サンプルの基準位相が引き出され、局部発振器１３０から方向性結合器１１１を介して引き出される局部発振器信号のサンプルと共にミクサ１０９へ供給される。ミクサ１０９の出力は増幅器１０７へ供給され、次いで位相検出器１６５へ供給される。位相検出器１６５の出力はアナログであり、続いてアナログ−デジタル変換器１６８内でデジタル化される。デジタル化された信号はコントローラ１２６へ供給され、後続処理が行われる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月18日(2009.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アデニンホスホリボシルトランスフェラーゼをコードするヌクレオチド配列を含む発現ベクターを哺乳動物細胞に導入すること、および、
前記哺乳動物細胞を前記アデニンホスホリボシルトランスフェラーゼの基質の効果的な量と接触させること、を含む哺乳動物細胞を阻害する方法であって、
前記アデニンホスホリボシルトランスフェラーゼの前記基質の前記アデニンホスホリボシルトランスフェラーアゼによる活性化により前記哺乳動物細胞に対して毒性である化合物が生成され、それによって前記哺乳動物細胞が阻害される、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月20日(2009.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
癌の治療の使用のための、少なくとも一つのアネキシンタンパク。
【請求項２】
癌が、泌尿生殖管および／または腸管の癌である、請求項１に記載の少なくとも一つのアネキシンタンパク。
【請求項３】
アネキシンタンパクが、Ａ３アネキシンである、請求項１又は２に記載の少なくとも一つのアネキシンタンパク。
【請求項４】
癌を診断する方法、および／または、癌組織および非癌組織を鑑別する方法であって、
−少なくとも一つのアネキシンタンパクの細胞内量を定量すること、および／または、
−少なくとも一つのアネキシンタンパクの細胞外量を定量すること、
から成る独立工程を含む方法。
【請求項５】
癌が、泌尿生殖管および／または腸管の癌である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
独立工程において、尿サンプルまたはその分画が用いられる、請求項４または５に記載の方法。
【請求項７】
アネキシンタンパクが、アネキシンA1、アネキシンA2、アネキシンA3、アネキシンA4、アネキシンA5、アネキシンA6、アネキシンA7、アネキシンA8、およびアネキシンA10から成るグループの少なくとも1員であり、かつ、前記少なくとも一つのアネキシンタンパクの量は、少なくとも一つのさらに別のタンパク量と共に定量されることを特徴とする、請求項４から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも一つのアネキシンタンパクの量が、少なくとも一つの別のタンパク量と共に定量されることを特徴とする、請求項４から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも一つのアネキシンタンパクの量が、アネキシンA1、アネキシンA2、アネキシンA3、アネキシンA4、アネキシンA5、アネキシンA6、アネキシンA7、アネキシンA8、およびアネキシンA10から成るグループから選ばれる少なくとも一つの別のタンパク量と共に定量されることを特徴とする、請求項４から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも一つのアネキシンタンパクの量が、少なくとも：
（ａ）血清アミロイドP、イソペプチダーゼT、筋肉型脂肪酸結合タンパク、ガレクチン1、熱ショックタンパク90、BiP、タンパクジスルフィドイソメラーゼ、上皮型脂肪酸結合タンパク、エノイル補酵素Aヒドラターゼ、およびヌクレオフォスミンから成るグループから選ばれる、もう一つのタンパク、および／または
（ｂ）14-3-3ファミリー、プロテアソーム、アクチベータサブユニット2、サイトケラチンファミリー、KNP-1アルファ-タンパク、およびKNP-1ベータタンパクから成るグループから選ばれる、もう一つのタンパク、および／または
（ｃ）血液または血清マーカー、および／または
（ｄ）上皮細胞マーカー
の量と共に定量されることを特徴とする、請求項４から９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
血液または血清マーカーが、カリクラインプロテアーゼファミリーの少なくとも一つのメンバーである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
カリクラインプロテアーゼファミリーの少なくとも一つのメンバーが、前立腺特異的抗原（PSA）である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
上皮細胞マーカーが、前立腺特異的膜抗原（PSMA）である、請求項１０から１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
アネキシンA3および／またはアネキシンA8が使用されることを特徴とする、請求項４から１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
アネキシンA3が使用されることを特徴とする、請求項４から１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
癌が、前立腺癌、腎臓癌、膀胱癌、尿道癌、卵巣癌、子宮癌、または結腸癌から成るグループから選ばれることを特徴とする、請求項４から１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
少なくとも一つのアネキシンタンパクの量を定量する前に、尿サンプルまたはその分画に対し分離工程を実施し細胞ペレットおよび上清を生成することを特徴とする、請求項６から１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
（ａ）少なくとも一つのアネキシンタンパクの細胞内量を定量するために、ペレットが用いられる、および／または
（ｂ）少なくとも一つのアネキシンタンパクの細胞外量を定量するために、上清が用いられることを特徴とする、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
少なくとも一つのアネキシンタンパクの量を定量する前に、陽イオンキレート剤が添加されることを特徴とする、請求項４から１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
陽イオンキレート剤が、EDTAおよび／またはEGTAである、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
タンパクの量が、免疫組織化学的方法によって定量されることを特徴とする、請求項４から２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
尿サンプル、またはその分画が、前立腺マッサージ後に回収される尿から得られることを特徴とする、請求項６から２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
尿サンプル、またはその分画が、前立腺マッサージ後に回収される前立腺尿から得られることを特徴とする、請求項６から２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
前立腺マッサージが、直腸への指挿入による前立腺マッサージである、請求項２２または２３に記載の方法。
【請求項２５】
尿サンプルまたはその分画が、精製されることを特徴とする、請求項６から２４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２６】
尿サンプルまたはその分画から好中球、単球、または、抹消血単核球（PMBC）が取り除かれることを特徴とする、請求項６から２４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２７】
磁気ビーズによって、尿サンプルもしくはその分画が精製される；または尿サンプルもしくはその分画から好中球、単球、または、抹消血単核球（PMBC）が取り除かれる、請求項２５または２６に記載の方法。
【請求項２８】
朝の尿サンプル、またはその分画が使用されることを特徴とする、請求項６から２７のいずれか1項に記載の方法。
【請求項２９】
アネキシンレベルが、
（ａ）大便、または腸管上皮細胞において測定される、および／または
（ｂ）大便の任意の分画または調製物における、またはエキソソーム生産の可能性を持つ任意の上皮表面における消化管の上皮癌の診断のために使用される、および／または
（ｃ）結腸直腸癌を診断するために使用される
ことを特徴とする、請求項４から２８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３０】
前記方法が、炎症性病態を鑑別するために、好中球の定量と組み合わせられることを特徴とする、請求項４から２９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３１】
炎症性病態の鑑別が、クローン病または潰瘍性大腸炎を、癌と鑑別することにより実施される、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
好中球の定量が、カルプロテクチンおよび／または好中球ゼラチナーゼ関連リポカリン(NGAL)の定量である、請求項３０または３１に記載の方法。