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【手続補正書】
【提出日】平成22年12月15日(2010.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子、発光装置、及び照明装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
前記第１の電極上に形成された複合材料を含む層と、
前記複合材料を含む層上に形成された正孔輸送層と、
前記正孔輸送層上に形成された発光層と、
前記発光層上に形成された第１の層と、
前記第１の層上に形成された電子輸送層と、
前記電子輸送層上に形成された電子注入層と、
前記電子注入層上に形成された第２の電極と、を有し、
前記第１の電極は、酸化珪素を含むインジウムスズ酸化物を用いて形成され、
前記複合材料を含む層は、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、及び酸化モリブデン（ＶＩ）を用いて形成され、
前記正孔輸送層は、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルを用いて形成され、
前記発光層は、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール、及びＮ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミンを用いて形成され、
前記第１の層は、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）、及び２、３、２’、３’−テトラキス（４−フルオロフェニル）−６，６’−ビキノキサリンを用いて形成され、
前記電子輸送層は、バソフェナントロリンを用いて形成され、
前記電子注入層は、フッ化リチウムを用いて形成され、
前記第２の電極は、アルミニウムを用いて形成されていることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
第１の電極と第２の電極の間に、第１の層と、発光物質を含む第２の層とを有し、
前記第１の層は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物とを有し、
前記第１の層は、前記第２の層と前記第２の電極の間に設けられており、
前記第１の層において、前記第２の有機化合物よりも第１の有機化合物が多く含まれており、
前記第１の有機化合物は、電子輸送性を有する有機化合物であり、
前記第２の有機化合物は、電子トラップ性を有する有機化合物であり、
前記第２の有機化合物のエネルギーギャップは、前記発光物質のエネルギーギャップよりも大きく、
前記第１の電極の電位が前記第２の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加することにより、前記第２の層からの発光が得られることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
第１の電極と第２の電極の間に、第１の層と、発光物質を含む第２の層とを有し、
前記第１の層は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物とを有し、
前記第１の層は、前記第２の層と前記第２の電極の間に設けられており、
前記第１の層において、前記第２の有機化合物よりも第１の有機化合物が多く含まれており、
前記第１の有機化合物は、電子輸送性を有する有機化合物であり、
前記第２の有機化合物の最低空軌道準位は、前記第１の有機化合物の最低空軌道準位より０．３ｅＶ以上低く、
前記第２の有機化合物のエネルギーギャップは、前記発光物質のエネルギーギャップよりも大きく、
前記第１の電極の電位が前記第２の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加することにより、前記第２の層からの発光が得られることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、前記第２の有機化合物のエネルギーギャップが３．０ｅＶ以上であり、前記第２の有機化合物の発光ピーク波長が３５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一において、前記第２の層は、前記発光物質と第３の有機化合物とを有し、前記第３の有機化合物は、前記発光物質よりも多く含まれており、前記第３の有機化合物は電子輸送性を有することを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項５において、前記第３の有機化合物はアントラセン誘導体であることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項２乃至６のいずれか一において、前記第１の層と前記第２の層とが接するように設けられていることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項２乃至７のいずれか一において、前記第１の層の膜厚は、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項２乃至８のいずれか一において、前記第１の有機化合物は、金属錯体であることを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
請求項２乃至９のいずれか一において、前記第２の有機化合物は、キノキサリン誘導体であることを特徴とする発光素子。
【請求項１１】
請求項２乃至９のいずれか一において、前記第２の有機化合物は、２，３−ジフェニルキノキサリン誘導体であることを特徴とする発光素子。
【請求項１２】
請求項２乃至９のいずれか一において、前記第２の有機化合物は、２，３，２’，３’−テトラフェニル−６，６’−ビキノキサリン誘導体であることを特徴とする発光素子。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一に記載の発光素子を有する発光装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のいずれか一に記載の発光素子と、前記発光素子の発光を制御する制御手段とを有する発光装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１２のいずれか一に記載の発光素子を有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月3日(2011.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と重畳し、前記重畳領域の外側に不純物領域が形成された半導体層と、
前記半導体層の前記ゲート電極と反対側の面に設けられ、前記不純物領域と一部が接する第１導電層と、
前記ゲート電極及び前記半導体層の上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層に形成され、且つ前記第１導電層と少なくとも一部が重畳する開口を介して、前記第１導電層と接する第２導電層と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記不純物領域はシリサイド化されており、前記シリサイド化された領域と前記第１導電層が接することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記シリサイド化された領域は、ニッケルシリサイド、チタンシリサイド、コバルトシリサイド、又は白金シリサイドのいずれかを含む領域であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記半導体層は、膜厚１０ｎｍ乃至２５ｎｍの範囲であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記半導体層は、前記ゲート電極と重畳する領域に形成されたチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域と前記不純物領域の間に、前記不純物領域と同じ導電型を付与する不純物元素が添加され、且つ前記不純物領域と比較して低い濃度で前記不純物元素が添加された低濃度不純物領域を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１導電層の端部はテーパ形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記開口は、前記絶縁層の前記半導体層と重畳しない位置に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年1月5日(2011.1.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】液浸リソグラフィにおけるその場でレンズクリーニングするためのシステムおよび方法
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
[0001]  本発明は液浸リソグラフィに、特に液浸リソグラフィシステムにおけるその場でレンズクリーニングするための方法を提供することに関する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
[0005]  必要とされているのは、屈折率が高い液浸流体とともに動作する液浸リソグラフィシステムで使用されるレンズのその場でのクリーニングのための方法である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
[0007]  本発明は、液浸リソグラフィシステムの露光ゾーンに液浸流体を提供する液浸流体シャワーヘッドを有する液浸リソグラフィシステム内にて最終レンズ要素をその場でクリーニングする方法も提供する。方法は、最終レンズ要素にクリーニングが必要であることを判断することを含む。この判断をすると、液浸流体がシャワーヘッドおよび露光ゾーンから排出される。次に、クリーニングガスが、シャワーヘッドを通して、液浸流体に曝された最終レンズ要素表面の向こう側までにわたって送られる。あるいは、ガスはシャワーヘッド以外の手段を通ることができる。最終レンズ要素がクリーニングガスに曝されている間、最終レンズ要素は、紫外線光にも曝されている。紫外線光が存在する状態で、クリーニングガスがウェットレンズの表面の汚染物質と反応し、レンズから汚染物質／デブリを除去する。反応によって蒸発したデブリは、流れるクリーニングガスによって掃き取られ、それによって最終レンズ要素をクリーニングする。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
[0009]  本発明は、最終レンズ要素を損傷せず、レンズの取外しおよび再配置という骨の折れる作業も必要としない最終レンズ要素のその場でのクリーニングのための効率的なシステムおよび方法を提供する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
[00033]  図５は、本発明の実施形態により液浸リソグラフィシステム内で最終レンズ要素をその場でクリーニングする方法５００のフローチャートを提供する。方法５００はステップ５１０で開始する。ステップ５１０で、最終レンズ要素はクリーニングが必要であるという指示を判断する。以上で検討したように、炭素付着物が、最終レンズ要素の表面に堆積している。１つの実施形態では、ドーズセンサ２７０などのドーズセンサを使用して、最終レンズ要素１３６などの最終レンズ要素にクリーニングが必要であるか、判断することができる。あるいは、液浸流体のタイプおよび流体処理装置のクリーニングに基づいて、最終レンズ要素をクリーニングする時であるかを判断することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月16日(2011.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に設けられた、メモリセルアレイ及び駆動回路部を含むメモリを有し、
前記メモリセルアレイは、第１のゲート電極層と、第１のソース領域、第１のドレイン領域、及び第１のチャネル形成領域を含む第１の半導体層と、第１のゲート絶縁層とを含む第１の薄膜トランジスタを有し、
前記駆動回路部は、第２のゲート電極層と、第２のソース領域、第２のドレイン領域、及び前記第１のチャネル形成領域より膜厚の薄い第２のチャネル形成領域を含む第２の半導体層と、第２のゲート絶縁層とを含む第２の薄膜トランジスタを有し、
前記第２の半導体層において局所的に薄膜化された領域に前記第２のチャネル形成領域が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に設けられた、メモリセルアレイ及び駆動回路部を含むメモリを有し、
前記メモリセルアレイは、第１のゲート電極層と、第１のソース領域、第１のドレイン領域、及び第１のチャネル形成領域を含む第１の半導体層と、第１のゲート絶縁層とを含む第１の薄膜トランジスタを有し、
前記駆動回路部は、第２のゲート電極層と、第２のソース領域、第２のドレイン領域、及び前記第１のチャネル形成領域より膜厚の薄い第２のチャネル形成領域を含む第２の半導体層と、前記第１のゲート絶縁層より膜厚の薄い第２のゲート絶縁層とを含む第２の薄膜トランジスタを有し、
前記第２の半導体層において局所的に薄膜化された領域に前記第２のチャネル形成領域が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記第１のゲート電極層及び前記第２のゲート電極層の側面にサイドウォール構造の絶縁層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記第１のソース領域、前記第１のドレイン領域、前記第２のソース領域、及び前記第２のドレイン領域の表面にシリサイドが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は側面にサイドウォール構造の絶縁層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の側面に設けられた前記サイドウォール構造の絶縁層は、酸素を含む雰囲気下で前記第１の半導体層の端部及び前記第２の半導体層端部にハロゲンを導入してからプラズマ処理を行うことによって形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記第２の半導体層において局所的に薄膜化された領域は、プラズマ処理によって前記第２の半導体層の表面を改質し、前記改質した領域を除去することによって形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、前記メモリは昇圧回路を有し、
前記昇圧回路は、第３のゲート電極層と、第３のソース領域、第３のドレイン領域、及び前記第２の半導体層のチャネル形成領域より膜厚の厚い第３のチャネル形成領域を含む半導体層と、第３のゲート絶縁層とを含む第３の薄膜トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一項において、前記絶縁表面を有する基板上に電源回路を有し、
前記電源回路は、第３のゲート電極層と、第３のソース領域、第３のドレイン領域、及び前記第２の半導体層のチャネル形成領域より膜厚の厚い第３のチャネル形成領域を含む半導体層と、第３のゲート絶縁層とを含む第３の薄膜トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月26日(2011.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１のバッファ膜を形成し、
前記第１のバッファ膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に第２のバッファ膜を形成し、
前記第２のバッファ膜上に光吸収膜を形成し、
前記光吸収膜の上方からレーザ光を照射して、前記第１の半導体膜及び前記光吸収膜を溶融することで、前記第１の半導体膜を結晶性半導体膜にすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記光吸収膜の厚さは、３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の半導体膜の厚さは、５０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項において、
前記光吸収膜は、半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか１項において、
前記光吸収膜はシリコンまたはゲルマニウムを主成分とする半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記シリコンまたはゲルマニウムを主成分とする半導体膜は、非晶質シリコンまたは微結晶のシリコン、非晶質または微結晶のゲルマニウム、非晶質または微結晶のシリコンゲルマニウム（ＳｉｘＧｅ１−ｘ、０＜ｘ＜１）でなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１のバッファ膜は絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第２のバッファ膜は絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月24日(2011.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記酸の吸収機能を持つ無機粒子がハイドロタルサイト、焼成ハイドロタルサイトおよびハイドロタルサイト酸化物からなる群から選択される１以上であり、水の吸収機能を持つ無機粒子が、ゼオライト、焼成ハイドロタルサイト、ハイドロタルサイト酸化物および０〜３水和物の硫酸マグネシウムからなる群から選択される１以上である、請求項１〜５のいずれか１項記載のリチウム二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
酸の吸収機能を持つ無機粒子としては、金属炭酸化物、ハイドロタルサイト、焼成ハイドロタルサイトおよびハイドロタルサイト酸化物が挙げられるが、好ましくはハイドロタルサイト、焼成ハイドロタルサイトおよびハイドロタルサイト酸化物である。酸の吸収機能を持つ無機粒子は１種類を単独で使用してもよく、また、複数の種類を混合して使用してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月17日(2011.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光が入射される入射面、前記光が出射される出射面を含む本体と、
前記出射面に形成され長さ方向に垂直な断面が不等辺梯形形状を有する第１突出部及び前記第１突出部と互いに対称される形状を有する第２突出部と、
を含むことを特徴とする導光板。
【請求項２】
前記第１突出部は、前記出射面に傾斜を成す第１面、前記第１面から延長された第２面、前記第２面から前記出射面に伸びている第３面を含むことを特徴とする請求項１記載の導光板。
【請求項３】
前記出射面と前記第１面とが成す角は、４５°乃至６０°であることを特徴とする請求項２記載の導光板。
【請求項４】
前記第１突出部は、前記出射面を基準にして１０乃至６０μｍの高さを有することを特徴とする請求項１記載の導光板。
【請求項５】
前記第１及び第２突出部は、互いに平行に配列されて形成されることを特徴とする請求項１記載の導光板。
【請求項６】
前記第１突出部は、互いに170乃至230μｍの離隔距離を置いて形成されることを特徴とする請求項１記載の導光板。
【請求項７】
前記本体は、前記出射面に対向する反射面をさらに含み、 前記入射面に平行な方向に延長される三角柱形状であることを、互いに離隔距離を間に置いて形成されることを第３突出部をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の導光板。
【請求項８】
前記第３突出部は、前記入射面に平行する方向に形成される複数の、前記入射面から遠くなるほど長さが長くなることを三角柱を含むことを特徴とする請求項７記載の導光板。
【請求項９】
前記第１突出部は、中央線を基準にして左側に形成され、前記第２突出部は中央線を基準にして右側に形成されることを特徴とする請求項１記載の導光板。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月7日(2011.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
〔低温下における消毒薬の効果試験〕
消毒薬はＰＢＳで希釈した。ウイルス液はすべてＰＢＳを用いて希釈した。希釈したすべての溶液は使用まで氷中で保存した。１０７ＥＩＤ５０に希釈したウイルス液０．２５ｍｌと等量のＰＢＳをまず混和した。次にこの混合液０．５ｍｌと同量の希釈した消毒薬を混和した。この混合溶液１ｍｌを恒温層内で５℃１０分間反応させた。反応溶液は３個の１０日齢発育鶏卵に０．１ｍｌずつ接種した。３５℃で４８時間培養後、尿液中のＨＡ価を測定した。３個すべての卵でウイルス増殖が認められなかった消毒薬の希釈倍数から、ウイルス不活化に有効な消毒薬の最大希釈倍数を求めた。
その結果を下記表に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月30日(2010.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）で表わされるβ−ケトカルボン酸銀と、孤立電子対を有する化合物とを含むインク。
【化１】
2009114232.tif 000001
［前記式（Ｉ）において、Ｒは、直鎖、分枝もしくは環状の飽和もしくは不飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基、Ｒ1−ＣＹ2−、ＣＹ3−、Ｒ1−ＣＨＹ−、Ｒ2Ｏ−、フェニル基、１個もしくは複数の置換基で置換されたフェニル基、Ｒ5Ｒ4Ｎ−、水酸基、アミノ基、または、（Ｒ3Ｏ）2ＣＹ−である。
ただし、Ｙは、同一であるかまたは異なり、それぞれフッ素原子、塩素原子、臭素原子または水素原子であり、Ｒ1は直鎖、分枝または環状の飽和または不飽和Ｃ1〜Ｃ19脂肪族炭化水素基、または、フェニル基であり、Ｒ2は直鎖、分枝または環状の飽和または不飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基であり、Ｒ3は直鎖、分枝または環状の飽和または不飽和Ｃ1〜Ｃ16脂肪族炭化水素基であり、Ｒ4およびＲ5は、同一であるかまたは異なり、それぞれ直鎖、分枝または環状の飽和または不飽和Ｃ1〜Ｃ18脂肪族炭化水素基である。
前記式（Ｉ）において、Ｘは、同一であるかまたは異なり、それぞれ水素原子、直鎖、分枝または環状の飽和または不飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基、Ｒ6Ｏ−、Ｒ6Ｓ−、Ｒ6−ＣＯ−、Ｒ6−ＣＯ−Ｏ−、ハロゲン、ベンジル基、フェニル基、１個もしくは複数の置換基で置換されたフェニル基もしくはベンジル基、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基である。
ただし、Ｒ6は直鎖、分枝もしくは環状の飽和もしくは不飽和Ｃ1〜Ｃ10脂肪族炭化水素基、チオフェニル基、フェニル基、ジフェニル基、または、１個もしくは複数の置換基で置換されたフェニル基もしくはジフェニル基である。］
【請求項２】
前記Ｒが直鎖もしくは分枝の飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基またはフェニル基である請求項１に記載のインク。
【請求項３】
前記Ｘが水素原子、直鎖の飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基またはベンジル基である請求項１または２に記載のインク。
【請求項４】
前記Ｘが互いに異なり、それぞれが水素原子と、直鎖の飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基またはベンジル基とである請求項１〜３のいずれか一項に記載のインク。
【請求項５】
前記孤立電子対を有する化合物が、アミン化合物、チオール化合物およびリン化合物からなる群から選択される１以上である請求項２〜４のいずれか一項に記載のインク。
【請求項６】
さらに溶剤を含む請求項１〜５のいずれか一項に記載のインク。
【請求項７】
前記溶剤が、アルコール、ケトン、エーテル、エステル、芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素、シアノ基またはハロゲン原子で置換された脂肪族炭化水素および水からなる群から選択される１以上である請求項６に記載のインク。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のインクを基板上に配置し、
前記インクが配置された基板を焼成することにより配線を形成する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インク、及び配線を形成する方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
［前記式（Ｉ）において、Ｒは、直鎖、分枝もしくは環状の飽和もしくは不飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基、Ｒ1−ＣＹ2−、ＣＹ3−、Ｒ1−ＣＨＹ−、Ｒ2Ｏ−、フェニル基、１個もしくは複数の置換基で置換されたフェニル基、Ｒ5Ｒ4Ｎ−、水酸基、アミノ基、または、（Ｒ3Ｏ）2ＣＹ−である。
ただし、Ｙは、同一であるかまたは異なり、それぞれフッ素原子、塩素原子、臭素原子または水素原子であり、Ｒ1は直鎖、分枝または環状の飽和または不飽和Ｃ1〜Ｃ19脂肪族炭化水素基、または、フェニル基であり、Ｒ2は直鎖、分枝または環状の飽和または不飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基であり、Ｒ3は直鎖、分枝または環状の飽和または不飽和Ｃ1〜Ｃ16脂肪族炭化水素基であり、Ｒ4およびＲ5は、同一であるかまたは異なり、それぞれ直鎖、分枝または環状の飽和または不飽和Ｃ1〜Ｃ18脂肪族炭化水素基である。
前記式（Ｉ）において、Ｘは、同一であるかまたは異なり、それぞれ水素原子、直鎖、分枝または環状の飽和または不飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基、Ｒ6Ｏ−、Ｒ6Ｓ−、Ｒ6−ＣＯ−、Ｒ6−ＣＯ−Ｏ−、ハロゲン、ベンジル基、フェニル基、１個もしくは複数の置換基で置換されたフェニル基もしくはベンジル基、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基である。
ただし、Ｒ6は直鎖、分枝もしくは環状の飽和もしくは不飽和Ｃ1〜Ｃ10脂肪族炭化水素基、チオフェニル基、フェニル基、ジフェニル基、または、１個もしくは複数の置換基で置換されたフェニル基もしくはジフェニル基である。］
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のインクにおいては、前記Ｒが直鎖もしくは分枝の飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基またはフェニル基であることが好ましい。
本発明のインクにおいては、前記Ｘが水素原子、直鎖の飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基またはベンジル基であることが好ましい。
本発明のインクにおいては、前記Ｘが互いに異なり、それぞれが水素原子と、直鎖の飽和Ｃ1〜Ｃ20脂肪族炭化水素基またはベンジル基とであることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のインクにおいては、前記孤立電子対を有する化合物が、アミン化合物、チオール化合物およびリン化合物からなる群から選択される１以上であることが好ましい。
本発明のインクにおいては、さらに溶剤を含むことが好ましい。
本発明のインクにおいては、前記溶剤が、アルコール、ケトン、エーテル、エステル、芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素、シアノ基またはハロゲン原子で置換された脂肪族炭化水素および水からなる群から選択される１以上であることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は、上記本発明のインクを基板上に配置し、前記インクが配置された基板を焼成することにより配線を形成する方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月8日(2011.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
杭径Dpが600ｍｍである場合、杭の許容沈下量（許容変位量、δa）を杭径の10％である60ｍｍとすると、式（１）において右辺δaは60ｍｍであり、δSGを20ｍｍとすれば、δPSは40ｍｍ以下となる。すなわち、杭とソイルセメントとの間の相対変位が40ｍｍ以下で荷重Ｗが得られるようにソイルセメント強度や杭突起の仕様を決めれば、許容沈下量60ｍｍの発生時にＷ以上の支持力が得られることになる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月7日(2011.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排気管に排気浄化触媒を備えた内燃機関に適用される空燃比制御装置であって、
燃料カット状態から燃料供給が再開されるときに空燃比をリッチ化すると共に、そのときの吸入空気量が多いほど速い速度でリッチ化が小さくなる方向に変化させるリッチ化手段と、
前記内燃機関の実際の空燃比と目標空燃比とを比較して空燃比操作量を出力する空燃比制御手段と、
前記リッチ化手段によるリッチ化に応じて、前記空燃比制御手段における目標空燃比を補正する目標空燃比補正手段と、
を含む、内燃機関の空燃比制御装置。
【請求項２】
前記燃料カット中に前記排気浄化触媒に吸蔵された酸素量が多いほど、前記リッチ化手段におけるリッチ化をより大きな値に設定するリッチ化設定手段を更に含む、請求項１記載の内燃機関の空燃比制御装置。
【請求項３】
前記リッチ化設定手段が、前記燃料カット中における内燃機関の吸入空気量の積算値に基づいて、燃料カット中に前記排気浄化触媒に吸蔵された酸素量を推定し、該酸素吸蔵量に基づいて前記リッチ化を設定する、請求項２記載の内燃機関の空燃比制御装置。
【請求項４】
前記空燃比制御手段が、前記内燃機関の実際の空燃比が、判定値未満であることを条件に、前記空燃比操作量の出力制御を行う、請求項１〜３のいずれか１つに記載の内燃機関の空燃比制御装置。
【請求項５】
前記リッチ化設定手段が、前記酸素吸蔵量を、予め設定された最小量付近の値を初期値として推定する、請求項３記載の内燃機関の空燃比制御装置。
【請求項６】
前記リッチ化設定手段が、前記酸素吸蔵量の推定値を、所定の上限値以下に制限する、請求項３又は５記載の内燃機関の空燃比制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そのため請求項１記載の発明では、燃料カット状態から燃料供給が再開されるときに空燃比をリッチ化すると共に、そのときの吸入空気量が多いほど速い速度でリッチ化が小さくなる方向に変化させると共に、内燃機関の実際の空燃比と目標空燃比とを比較して空燃比操作量を出力する空燃比制御における目標空燃比を、前記リッチ化に応じて補正するようにした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月15日(2010.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に成膜した層に形成された格子を有し、前記格子は、断面形状が凹凸状でかつ、凸部上面が実質的に平坦であり、前記凸部が対称である回折素子において、
前記格子は、前記格子の１周期に占める、前記凸部上面の幅の割合が、前記凸部の底部の幅の割合以下であり、
前記凸部を構成する材料として前記透明基板よりも高屈折率の材料が用いられ、さらに、前記凸部上部のみに前記凸部の材料とは異なる１層以上の光学材料が積層されてなる低反射コーティングを有し、
前記格子の１周期が、入射する光の波長の０．５５〜１．４５倍の範囲にあり、かつ、前記光が格子形成面の法線に対して、１５°〜８０°までの角度で入射して、透過型として用いられる回折素子。
【請求項２】
前記格子は、前記凸部の壁面と格子形成面の垂線とがなす角度で表されるテーパー角が３〜６°の範囲にある請求項１に記載の回折素子。
【請求項３】
前記凸部の材料が、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｓｉ３Ｎ４、Ｓｉからなる群より選ばれた１つを主成分とするかまたは、これらの混合物からなる請求項１または２に記載の回折素子。
【請求項４】
前記光学材料が、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３から選ばれたものからなる請求項１から３いずれか１項に記載の回折素子。
【請求項５】
前記光学材料は、１層のＳｉＯ２からなる請求項４に記載の回折素子。
【請求項６】
請求項１から５いずれか１項に記載の回折素子の１つの面に、他の光学素子が積層され一体化されている回折素子。
【請求項７】
入射する前記光は、１５２０から１６２０ｎｍの範囲である請求項１から６いずれか１項に記載の回折素子。
【請求項８】
入射する前記光は、１５２０から１５７０ｎｍの範囲である請求項７に記載の回折素子。
【請求項９】
透明基板上に成膜した層に形成された格子を有し、前記格子は、断面形状が凹凸状でかつ、凸部上面が実質的に平坦であり、前記凸部が対称であるとともに、前記格子の１周期に占める、前記凸部上面の幅の割合が、前記凸部の底部の幅の割合以下であり、
前記凸部を構成する材料として前記透明基板よりも高屈折率の材料が用いられ、さらに、前記凸部上部のみに低反射コーティングを有し、前記格子の１周期が入射する光の波長の０．５５〜１．４５倍の範囲にある回折素子の使用方法であって、
前記光が前記回折素子の格子形成面の法線に対して、１５°〜８０°までの角度で入射して、透過型として用いられる回折素子の使用方法。
【請求項１０】
入射する前記光と前記回折素子により生成される回折光とが、前記格子形成面に対してほぼ鏡像の関係にある請求項９に記載の回折素子の使用方法。
【請求項１１】
請求項１から８のいずれか１項に記載の回折素子が用いられている光学装置。
【請求項１２】
請求項１から８のいずれか１項に記載の回折素子が用いられている分光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、透明基板上に成膜した層に形成された格子を有し、前記格子は、断面形状が凹凸状でかつ、凸部上面が実質的に平坦であり、前記凸部が対称である回折素子において、前記格子は、前記格子の１周期に占める、前記凸部上面の幅の割合が、前記凸部の底部の幅の割合以下であり、前記凸部を構成する材料として前記透明基板よりも高屈折率の材料が用いられ、さらに、前記凸部上部のみに前記凸部の材料とは異なる１層以上の光学材料が積層されてなる低反射コーティングを有し、前記格子の１周期が、入射する光の波長の０．５５〜１．４５倍の範囲にあり、かつ、前記光が格子形成面の法線に対して、１５°〜８０°までの角度で入射して、透過型として用いられる回折素子を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、前記格子は、前記凸部の壁面と格子形成面の垂線とがなす角度で表されるテーパー角が３〜６°の範囲にある上記の回折素子を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記凸部の材料が、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｓｉ３Ｎ４、Ｓｉからなる群より選ばれた１つを主成分とするかまたは、これらの混合物からなる上記の回折素子を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記光学材料が、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３から選ばれたものからなる上記の回折素子を提供する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、前記光学材料は、１層のＳｉＯ２からなる上記の回折素子を提供する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、上記の回折素子の１つの面に、他の光学素子が積層され一体化されている上記の回折素子を提供する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、入射する前記光は、１５２０から１６２０ｎｍの範囲である回折素子を提供する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、入射する前記光は、１５２０から１５７０ｎｍの範囲である回折素子を提供する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、透明基板上に成膜した層に形成された格子を有し、前記格子は、断面形状が凹凸状でかつ、凸部上面が実質的に平坦であり、前記凸部が対称であるとともに、前記格子の１周期に占める、前記凸部上面の幅の割合が、前記凸部の底部の幅の割合以下であり、前記凸部を構成する材料として前記透明基板よりも高屈折率の材料が用いられ、さらに、前記凸部上部のみに低反射コーティングを有し、前記格子の１周期が入射する光の波長の０．５５〜１．４５倍の範囲にある回折素子の使用方法であって、前記光が前記回折素子の格子形成面の法線に対して、１５°〜８０°までの角度で入射して、透過型として用いられる回折素子の使用方法を提供する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、入射する前記光と前記回折素子により生成される回折光とが、前記格子形成面に対してほぼ鏡像の関係に  ある上記の回折素子の使用方法を提供する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
さらに、上記の回折素子が用いられている分光装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月1日(2011.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、光源装置と、前記光源装置を格納する光源室と、を有するプロジェクタであって、前記光源室は、上方を上区画板によって覆われ、前記上区画板の上方に、前記光源室からの排気を前記プロジェクタ筐体の外部に排出可能な排気空間を介して伝熱シートが配置されるともに、前記伝熱シートの上方には、前記プロジェクタ筐体の上面を形成するパネルとの間に放熱空間が形成され、前記伝熱シートは、前記プロジェクタ筐体と電気的に接続されているものである。
又、光源側光学系と、表示素子と、投影側光学系と、をさらに備えていてもよい。
又、冷却装置をさらに備えていてもよい。
又、前記プロジェクタ筐体の内部が、前記冷却装置の排気側に位置する前記光源室と、前記冷却装置の吸気側に位置する吸気側空間室と、に区画されていてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
更に、前記排気空間は、前記上区画板と前記樹脂板の間に形成され、前記上区画板には該排気空間に排風を流入させる開口が形成されているものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
そして、前記プロジェクタ筐体は、略直方体形状とされ、該プロジェクタ筐体の上面を形成するパネルの内面であって前記光源室の上方位置には耐熱シートが配置されているものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
そして、前記放熱空間は、前記上区画板の上方に配置された伝熱シートと前記プロジェクタ筐体の上面を形成するパネルの内面に配置された耐熱シートとの間に形成されているものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源装置と、前記光源装置を格納する光源室と、を有するプロジェクタであって、
前記光源室は、上方を上区画板によって覆われ、
前記上区画板の上方に、前記光源室からの排気を前記プロジェクタ筐体の外部に排出可能な排気空間を介して伝熱シートが配置されるともに、
前記伝熱シートの上方には、前記プロジェクタ筐体の上面を形成するパネルとの間に放熱空間が形成され、
前記伝熱シートは、前記プロジェクタ筐体と電気的に接続されていることを特徴とするプロジェクタ。
【請求項２】
光源側光学系と、表示素子と、投影側光学系と、をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のプロジェクタ。
【請求項３】
冷却装置をさらに備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のプロジェクタ。
【請求項４】
前記プロジェクタ筐体の内部が、前記冷却装置の排気側に位置する前記光源室と、前記冷却装置の吸気側に位置する吸気側空間室と、に区画されていることを特徴とする請求項３に記載のプロジェクタ。
【請求項５】
前記伝熱シートは、該伝熱シートの一部をプロジェクタ筐体底面の導電可能な部位に少なくとも一点接地して配置されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のプロジェクタ。
【請求項６】
前記伝熱シートは、金属製薄板であって前記上区画板の半分以上を覆っていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のプロジェクタ。
【請求項７】
前記伝熱シートは、アルミシートによって形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のプロジェクタ。
【請求項８】
前記上区画板と伝熱シートの間に剛性を有した樹脂板が配置され、前記伝熱シートは該樹脂板に貼着されていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載のプロジェクタ。
【請求項９】
前記排気空間は、前記上区画板と前記樹脂板の間に形成され、前記上区画板には該排気空間に排風を流入させる開口が形成されていることを特徴とする請求項８に記載のプロジェクタ。
【請求項１０】
前記プロジェクタ筐体は、略直方体形状とされ、該プロジェクタ筐体の上面を形成するパネルの内面であって前記光源室の上方位置には耐熱シートが配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれかに記載のプロジェクタ。
【請求項１１】
前記耐熱シートと前記プロジェクタ筐体の上面を形成するパネルとの間にはスペーサーが配置されて断熱空間が形成されていることを特徴とする請求項１０に記載のプロジェクタ。
【請求項１２】
前記スペーサーは、耐熱両面テープによって形成されていることを特徴とする請求項１１に記載のプロジェクタ。
【請求項１３】
前記放熱空間は、前記上区画板の上方に配置された伝熱シートと前記プロジェクタ筐体の上面を形成するパネルの内面に配置された耐熱シートとの間に形成されていることを特徴とする請求項１０乃至請求項１２のいずれかに記載のプロジェクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月17日(2011.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホスト機器であって、
データを一時的に記憶する記憶手段と、
デバイスを接続可能なデバイス接続手段と、
前記デバイスで前記ホスト機器を使用するために該デバイスで実行されるホスト機器対応ファームウェアと、該ホスト機器対応ファームウェアを前記ホスト機器が前記デバイスへダウンロードするために前記ホスト機器で実行されるダウンロードプログラムとを含むバイナリデータを記憶しているサーバと通信可能な通信手段と、
前記デバイスが前記デバイス接続手段に接続されたとき、前記デバイスを認識して前記バイナリデータの取得要求を前記通信手段を介して前記サーバに出力し、該サーバから前記バイナリデータが入力されたとき、該バイナリデータを前記記憶手段に記憶し、その後該記憶手段に記憶された前記バイナリデータに含まれるダウンロードプログラムを実行して前記デバイスへの前記ホスト機器対応ファームウェアのダウンロードを実行する制御手段と、
を備えたホスト機器。
【請求項２】
前記制御手段は、前記ホスト機器対応ファームウェアのダウンロードの実行後、又は前記デバイスの使用終了時に、前記記憶手段から前記バイナリデータを消去する
請求項１に記載のホスト機器。
【請求項３】
前記制御手段は、電源スイッチのオフ時を前記デバイスの使用終了時とみなして前記記憶手段から前記バイナリデータを消去する、
請求項２に記載のホスト機器。
【請求項４】
前記制御手段は、前記デバイスと前記デバイス接続手段との接続が解除されたときを前記デバイスの使用終了時とみなして前記記憶手段から前記バイナリデータを消去する、
請求項２に記載のホスト機器。
【請求項５】
前記デバイスは、スキャナ、タブレット又はデジタルカメラであり、
前記ホスト機器は、プロジェクタである、
請求項１〜４のいずれか１項に記載のホスト機器。
【請求項６】
データを一時的に記憶する記憶手段と、デバイスを接続可能なデバイス接続手段と、前記デバイスで前記ホスト機器を使用するために該デバイスで実行されるホスト機器対応ファームウェアと、該ホスト機器対応ファームウェアを前記ホスト機器が前記デバイスへダウンロードするために前記ホスト機器で実行されるダウンロードプログラムとを含むバイナリデータを記憶しているサーバと通信可能な通信手段と、を備えたホスト機器を制御する方法であって、
（ａ）前記デバイスが前記デバイス接続手段に接続されたとき、前記ホスト機器が前記デバイスを認識して前記バイナリデータの取得要求を前記通信手段を介して前記サーバに出力するステップと、
（ｂ）前記ステップ（ａ）の後、前記サーバから前記バイナリデータを入力したとき、前記ホスト機器が該バイナリデータを前記記憶手段に記憶し、該記憶手段に記憶された前記バイナリデータに含まれるダウンロードプログラムを実行して前記デバイスへの前記ホスト機器対応ファームウェアのダウンロードを実行するステップと、
を含むホスト機器の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月11日(2011.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明にかかる照明装置は、導光板と、前記導光板の側面に配置された光源と、前記導光板の裏面において、前記光源からの遠近を規定する第１方向に間欠的に形成された複数のプリズム列とを備え、前記複数のプリズム列の各々は、前記導光板の前記第１方向の断面において、前記光源に最も近い部分が谷の繰り返し谷山形状からなるノコギリ形状であり、前記ノコギリ形状の各谷は、前記導光板の裏面の平面より退避しており、各前記プリズム列において最も前記光源に近い前記谷の退避深さは、他の谷のそれよりも浅く、前記ノコギリ形状の各山は、前記導光板の裏面の平面より突出している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明にかかる照明装置によれば、導光板と、前記導光板の側面に配置された光源と、前記導光板の裏面において、前記光源からの遠近を規定する第１方向に間欠的に形成された複数のプリズム列とを備え、前記複数のプリズム列の各々は、前記導光板の前記第１方向の断面において、前記光源に最も近い部分が谷の繰り返し谷山形状からなるノコギリ形状であり、前記ノコギリ形状の各谷は、前記導光板の裏面の平面より退避しており、各前記プリズム列において最も前記光源に近い前記谷の退避深さは、他の谷のそれよりも浅く、前記ノコギリ形状の各山は、前記導光板の裏面の平面より突出していることにより、プリズム列との反射により想定外の角度で導光板から斜め方向への放射する光が減少するため、正面方向に高い輝度の実現が可能になる。よって光学シートの使用を減らすことができ、光源からの光をディスプレイに効率的に照射できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導光板と、
前記導光板の側面に配置された光源と、
前記導光板の裏面において、前記光源からの遠近を規定する第１方向に間欠的に形成された複数のプリズム列とを備え、
前記複数のプリズム列の各々は、前記導光板の前記第１方向の断面において、前記光源に最も近い部分が谷の繰り返し谷山形状からなるノコギリ形状であり、
前記ノコギリ形状の各谷は、前記導光板の裏面の平面より退避しており、
各前記プリズム列において最も前記光源に近い前記谷の退避深さは、他の谷のそれよりも浅く、
前記ノコギリ形状の各山は、前記導光板の裏面の平面より突出している、
照明装置。
【請求項２】
各前記プリズム列において最も前記光源から遠い前記山は、平坦部を有し、かつ、各前記プリズム列において最も突出する、
請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記複数のプリズム列は、前記光源からの距離が遠くなるに従って、前記複数のプリズム列の間欠的形成の間隔が狭くなる、
請求項１または２に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月18日(2010.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
８は前記インバータ装置１内に、冷却風を流し込むファンユニットで、ファンユニット支持部材としての前記筐体２の一方側の端部に取付けられ、ファンケース９と冷却ファン１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅを有している。前記ファンケース９は、２段構成の前記筐体２に対応させて、上側ファンケース９ａと下側ファンケース９ｂに分割されている。前記上側ファンケース９ａと下側ファンケース９ｂは、上下に積み上げて固定ネジ１０で固定される。前記上側ファンケース９ａには、例えば２台の冷却ファン１１ａ，１１ｂが左右方向に並んで配置され、下側ファンケース９ｂには、例えば３台の冷却ファン１１ｃ，１１ｄ，１１ｅが左右方向に並んで配置されている。１２ａ，１２ｂは、前記上側ファンケース９ａの左右方向の両側に設けられた案内ガイドで、前記ファンユニットの取り付け取り外しをガイドする目的もあり、平板状に形成されている。
前記下側ファンケース９ｂは、ネジ穴を有する前記筐体２上に載置するつば部１３を有している。このつば部１３は、前記下側ファンケース９ｂの周囲に形成されており、固定ネジ１４の頭よりも径が大きいネジ通し穴１５を複数個備えている。また、前記下側ファンケース９ｂのつば部１３の上面には、スライド可能で、かつ、前記固定ネジ１４の頭よりも径の小さい第１の穴１６ａと、前記固定ネジ１４の頭よりも径が大きい第２の穴１６ｂとから形成されたネジ通し穴、例えばダルマ穴１６を有するファンユニット押え板１７を配置している。前記ファンユニット押さえ板１７は、前記下側ファンケース９ｂの周囲に形成されたつば部１３に対応する長方形状でかつ環状に形成されている。
インバータ装置１の筐体２は、ファンユニット支持部材を構成し、ファンユニット支持部材は、前記筐体２の一方端部に、前記ファンユニット８の形状に対応した長方形の穴部１８を有している。
また、前記インバータ装置１の筐体２の前記長方形の穴部１８の左右方向の両側の傍らには、前記ファンユニット８の上側ファンケース９ａの左右方向の両側に形成した案内ガイド１２ａ，１２ｂを固定する支え部材１９ａ，１９ｂが設けられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
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