【手続補正書】
【提出日】平成23年2月2日(2011.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板の上方に形成された下部電極と、前記下部電極の上方に形成された光電変換層と、前記光電変換層の上方に形成された上部電極とを含む光電変換素子を少なくとも１つ有する画素が複数配列された光電変換装置であって、
隣り合う前記画素同士の間に形成され、前記上部電極と電気的に接続された導電性の隔壁と、
前記上部電極上に設けられた透明絶縁膜とを備え、
前記画素が前記隔壁と前記透明絶縁膜とによって封止されている光電変換装置。
【請求項２】
上記請求項１に記載の光電変換装置であって、
前記上部電極の上面が前記隔壁の上部よりも低く形成されている光電変換装置。
【請求項３】
上記請求項１又は２に記載の光電変換装置であって、
前記隔壁が光の入射側から視て井桁状に形成され、前記画素が前記隔壁によってそれぞれ隔離されて配列されている光電変換装置。
【請求項４】
上記請求項１から３のいずれか１項に記載の光電変換装置であって、
前記隔壁が導電性で、下層壁部と、前記下層壁部の上に連接され、該下層壁部よりも画素側から退避するように寸法が変化した上層壁部とを有し、前記下層壁部及び前記上層壁部が前記上部電極と接触する光電変換装置。
【請求項５】
上記請求項１から３のいずれか１項に記載の光電変換装置であって、
前記隔壁が導電性で、下層壁部と、前記下層壁部の上に連接され、該下層壁部よりも画素側に突出するように寸法が変化した上層壁部とを有し、前記下層壁部及び前記上層壁部が前記上部電極と接触する光電変換装置。
【請求項６】
上記請求項１から５のいずれか１項に記載の光電変換装置であって、
前記上部電極が透明である光電変換装置。
【請求項７】
上記請求項１から６のいずれか１項に記載の光電変換装置であって、
隣り合う前記画素の前記下部電極同士を離間する絶縁膜が形成され、前記絶縁膜上に前記隔壁が形成される光電変換装置。
【請求項８】
上記請求項１から３，５，及び７のいずれか１項に記載の光電変換装置であって、
前記画素それぞれの前記上部電極と前記光電変換層と前記下部電極とが、光の入射側から視て、等しい面積で、かつ、重なるように配置される光電変換装置。
【請求項９】
上記請求項１から８のいずれか１項に記載の光電変換装置であって、
前記光電変換素子が前記光電変換層で生成された電子を前記下部電極に捕集する構成であって、前記光電変換層が前記隔壁と接触し、前記隔壁の仕事関数の値が前記上部電極の仕事関数の値より大きい光電変換装置。
【請求項１０】
上記請求項１から８のいずれか１項に記載の光電変換装置であって、
前記光電変換素子が前記光電変換層で生成された正孔を前記下部電極に捕集する構成であって、前記光電変換層が前記隔壁と接触し、前記隔壁の仕事関数の値が前記上部電極の仕事関数の値より小さい光電変換装置。
【請求項１１】
上記請求項１から１０のいずれか１項に記載の光電変換装置であって、
前記複数の画素が、第１の波長の電磁波を光電変換する光電変換素子を含む第１の画素と、第２の波長の電磁波を光電変換する光電変換素子を含む第２の画素と、を含む光電変換装置。
【請求項１２】
上記請求項１から１０のいずれか１項に記載の光電変換装置であって、
前記複数の画素が、赤色光を光電変換する光電変換素子を含む赤色画素と、緑色光を光電変換する光電変換素子を含む緑色画素と、青色光を光電変換する光電変換素子を含む青色画素と、を含む光電変換装置。
【請求項１３】
上記請求項１から１０のいずれか１項に記載の光電変換装置であって、
各画素が、第１の波長の電磁波を光電変換する光電変換素子と第２の波長の電磁波を光電変換する光電変換素子とを有する光電変換装置。
【請求項１４】
上記請求項１から１０のいずれか１項に記載の光電変換装置であって、
各画素が、赤色光を光電変換する光電変換素子と緑色光を光電変換する光電変換素子と青色光を光電変換する光電変換素子とを有する光電変換装置。
【請求項１５】
上記請求項１から１４のいずれか１項に記載の光電変換装置を備えた撮像装置であって、
前記基板内に、前記下部電極に接続され、電荷に応じた信号を出力する駆動回路が設けられている撮像装置。
【請求項１６】
上記請求項１５に記載の撮像装置であって、
前記駆動回路がＣＣＤ型又はＣＭＯＳ型である撮像装置。
【請求項１７】
基板と、該基板の上方に形成された下部電極と、前記下部電極の上方に形成された光電変換層と、前記光電変換層の上方に形成された上部電極とを含む光電変換素子を少なくとも１つ有する画素が複数配列された光電変換装置の製造方法であって、
（ａ）前記下部電極上に導電性材料を成膜する工程と、
（ｂ）前記導電性材料の膜に、各画素を形成する領域に応じて開口を設けることで前記画素間に隔壁を形成する工程と、
（ｃ）上記（ｂ）の工程の後、前記光電変換層を成膜する工程と、
（ｄ）前記光電変換層を成膜した後、上部電極を成膜する工程と、
（ｅ）前記上部電極を成膜した後、透明絶縁膜を成膜する工程と、
（ｆ）前記開口を設けた部分以外に成膜された、前記光電変換層、前記上部電極、前記透明絶縁膜を除去する工程と、を含む光電変換装置の製造方法。
【請求項１８】
基板と、該基板の上方に形成された下部電極と、前記下部電極の上方に形成された光電変換層と、前記光電変換層の上方に形成された上部電極とを含む光電変換素子を少なくとも１つ有する画素が複数配列された光電変換装置の製造方法であって、
（ａ）前記下部電極上に第１の導電性材料を成膜する工程と、
（ｂ）前記第１の導電性材料の膜に、各画素を形成する領域に応じて第１の開口を設けることで前記画素間に隔壁を形成する工程と、
（ｃ）上記（ｂ）の工程の後、前記光電変換層を成膜する工程と、
（ｄ）前記光電変換層を成膜した後、上部電極を成膜する工程と、
（ｅ）前記上部電極を成膜した後、該上部電極上に第２の導電性材料を成膜する工程と、
（ｆ）前記第１の導電性材料の上に形成された、前記光電変換層、前記上部電極、該上部電極に積層する前記導電性材料を除去する工程と、
（ｇ）前記導電性材料の膜に、前記第１の開口よりも開口面積の小さい第２の開口を設ける工程と、
（ｈ）透明絶縁膜を成膜する工程と、を含む光電変換装置の製造方法。
【請求項１９】
基板と、該基板の上方に形成された下部電極と、前記下部電極の上方に形成された光電変換層と、前記光電変換層の上方に形成された上部電極とを含む光電変換素子を少なくとも１つ有する画素が複数配列された光電変換装置の製造方法であって、
（ａ）絶縁性材料を成膜する工程と、
（ｂ）成膜された前記絶縁性材料のうえに導電性材料を成膜する工程と、
（ｃ）前記絶縁性材料及び前記導電性材料の膜に、各画素を形成する領域に応じて開口を設ける工程と、
（ｄ）前記下部電極を成膜する工程と、
（ｅ）前記光電変換層を成膜する工程と、
（ｆ）前記光電変換層を成膜した後、上部電極を成膜する工程と、
（ｇ）前記上部電極を成膜した後、前記透明絶縁膜を成膜する工程と、
（ｈ）前記開口を設けた領域以外の、前記下部電極、前記光電変換層、前記上部電極、前記透明絶縁膜を除去する工程と、を含む光電変換装置の製造方法。
【請求項２０】
基板と、該基板の上方に形成された下部電極と、前記下部電極の上方に形成された光電変換層と、前記光電変換層の上方に形成された上部電極とを含む光電変換素子を少なくとも１つ有する画素が複数配列された光電変換装置の製造方法であって、
（ａ）前記基板に絶縁性材料を成膜する工程と、
（ｂ）成膜された前記絶縁性材料に、前記下部電極と接続される接続部を形成するための第１の孔と、前記第１の孔と連通し、かつ、該第１の孔より開口面積の大きい第２の孔を形成する工程と、
（ｃ）導電性材料を成膜する工程と、
（ｄ）前記導電性材料の膜に、各画素を形成する領域に応じて開口を設ける工程と、
（ｅ）前記下部電極を成膜する工程と、
（ｆ）前記光電変換層を成膜する工程と、
（ｇ）前記光電変換層を成膜した後、上部電極を成膜する工程と、
（ｈ）前記上部電極を成膜した後、前記透明絶縁膜を成膜する工程と、
（ｉ）前記開口を設けた領域以外の、前記下部電極、前記光電変換層、前記上部電極、前記透明絶縁膜を除去する工程と、を含む光電変換装置の製造方法。
【請求項２１】
基板と、該基板の上方に形成された下部電極と、前記下部電極の上方に形成された光電変換層と、前記光電変換層の上方に形成された上部電極とを含む光電変換素子を少なくとも１つ有する画素が複数配列された光電変換装置の製造方法であって、
（ａ）絶縁性材料を成膜する工程と、
（ｂ）前記絶縁性材料の膜に、各画素を形成する領域に応じて第１の開口を設けることで前記画素間に隔壁を形成する工程と、
（ｃ）前記下部電極を成膜する工程と、
（ｄ）前記光電変換層を成膜する工程と、
（ｅ）前記光電変換層を成膜した後、上部電極を成膜する工程と、
（ｆ）前記上部電極を成膜した後、導電性材料を成膜する工程と、
（ｇ）前記開口を設けた部分以外に成膜された、前記下部電極、前記光電変換層、前記上部電極、該上部電極に積層する前記導電性材料を除去する工程と、
（ｈ）各画素の導電性材料の膜の上面、及び、前記絶縁性材料の膜の上面に前記導電性材料を成膜する工程と、
（ｉ）上記（ｇ）の工程で成膜した導電性材料に、前記第１の開口よりも開口面積が小さい第２の開口を設ける工程と、
（ｊ）透明絶縁膜を成膜する工程と、を含む光電変換材料の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、下記に示すものである。
（１）基板と、該基板の上方に形成された下部電極と、前記下部電極の上方に形成された光電変換層と、前記光電変換層の上方に形成された上部電極とを含む光電変換素子を少なくとも１つ有する画素が複数配列された光電変換装置であって、
隣り合う前記画素同士の間に形成され、前記上部電極と電気的に接続された導電性の隔壁と、
前記上部電極上に設けられた透明絶縁膜とを備え、
前記画素が前記隔壁と前記透明絶縁膜とによって封止されている光電変換装置。
（２）上記（１）に記載の光電変換装置であって、
前記上部電極の上面が前記隔壁の上部よりも低く形成されている光電変換装置。
（３）上記（１）又は（２）に記載の光電変換装置であって、
前記隔壁が光の入射側から視て井桁状に形成され、前記画素が前記隔壁によってそれぞれ隔離されて配列されている光電変換装置。
（４）上記（１）から（３）のいずれか１つに記載の光電変換装置であって、
前記隔壁が導電性で、下層壁部と、前記下層壁部の上に連接され、該下層壁部よりも画素側から退避するように寸法が変化した上層壁部とを有し、前記下層壁部及び前記上層壁部が前記上部電極と接触する光電変換装置。
（５）上記（１）から（３）のいずれか１つに記載の光電変換装置であって、
前記隔壁が導電性で、下層壁部と、前記下層壁部の上に連接され、該下層壁部よりも画素側に突出するように寸法が変化した上層壁部とを有し、前記下層壁部及び前記上層壁部が前記上部電極と接触する光電変換装置。
（６）上記（１）から（５）のいずれか１つに記載の光電変換装置であって、
前記上部電極が透明である光電変換装置。
（７）上記（１）から（６）のいずれか１つに記載の光電変換装置であって、
隣り合う前記画素の前記下部電極同士を離間する絶縁膜が形成され、前記絶縁膜上に前記隔壁が形成される光電変換装置。
（８）上記（１）から（３），（５），及び（７）のいずれか１つに記載の光電変換装置であって、
前記画素それぞれの前記上部電極と前記光電変換層と前記下部電極とが、光の入射側から視て、等しい面積で、かつ、重なるように配置される光電変換装置。
（９）上記（１）から（８）のいずれか１つに記載の光電変換装置であって、
前記光電変換素子が前記光電変換層で生成された電子を前記下部電極に捕集する構成であって、前記光電変換層が前記隔壁と接触し、前記隔壁の仕事関数の値が前記上部電極の仕事関数の値より大きい光電変換装置。
（１０）上記（１）から（８）のいずれか１つに記載の光電変換装置であって、
前記光電変換素子が前記光電変換層で生成された正孔を前記下部電極に捕集する構成であって、前記光電変換層が前記隔壁と接触し、前記隔壁の仕事関数の値が前記上部電極の仕事関数の値より小さい光電変換装置。
（１１）上記（１）から（１０）のいずれか１つに記載の光電変換装置であって、
前記複数の画素が、第１の波長の電磁波を光電変換する光電変換素子を含む第１の画素と、第２の波長の電磁波を光電変換する光電変換素子を含む第２の画素と、を含む光電変換装置。
（１２）上記（１）から（１０）のいずれか１つに記載の光電変換装置であって、
前記複数の画素が、赤色光を光電変換する光電変換素子を含む赤色画素と、緑色光を光電変換する光電変換素子を含む緑色画素と、青色光を光電変換する光電変換素子を含む青色画素と、を含む光電変換装置。
（１３）上記（１）から（１０）のいずれか１つに記載の光電変換装置であって、
各画素が、第１の波長の電磁波を光電変換する光電変換素子と第２の波長の電磁波を光電変換する光電変換素子とを有する光電変換装置。
（１４）上記（１）から（１０）のいずれか１つに記載の光電変換装置であって、
各画素が、赤色光を光電変換する光電変換素子と緑色光を光電変換する光電変換素子と青色光を光電変換する光電変換素子とを有する光電変換装置。
（１５）上記（１）から（１４）のいずれか１つに記載の光電変換装置を備えた撮像装置であって、
前記基板内に、前記下部電極に接続され、電荷に応じた信号を出力する駆動回路が設けられている撮像装置。
（１６）上記（１５）に記載の撮像装置であって、
前記駆動回路がＣＣＤ型又はＣＭＯＳ型である撮像装置。
（１７）基板と、該基板の上方に形成された下部電極と、前記下部電極の上方に形成された光電変換層と、前記光電変換層の上方に形成された上部電極とを含む光電変換素子を少なくとも１つ有する画素が複数配列された光電変換装置の製造方法であって、
（ａ）前記下部電極上に導電性材料を成膜する工程と、
（ｂ）前記導電性材料の膜に、各画素を形成する領域に応じて開口を設けることで前記画素間に隔壁を形成する工程と、
（ｃ）上記（ｂ）の工程の後、前記光電変換層を成膜する工程と、
（ｄ）前記光電変換層を成膜した後、上部電極を成膜する工程と、
（ｅ）前記上部電極を成膜した後、透明絶縁膜を成膜する工程と、
（ｆ）前記開口を設けた部分以外に成膜された、前記光電変換層、前記上部電極、前記透明絶縁膜を除去する工程と、を含む光電変換装置の製造方法。
（１８）基板と、該基板の上方に形成された下部電極と、前記下部電極の上方に形成された光電変換層と、前記光電変換層の上方に形成された上部電極とを含む光電変換素子を少なくとも１つ有する画素が複数配列された光電変換装置の製造方法であって、
（ａ）前記下部電極上に導電性材料を成膜する工程と、
（ｂ）前記導電性材料の膜に、各画素を形成する領域に応じて第１の開口を設けることで前記画素間に隔壁を形成する工程と、
（ｃ）上記（ｂ）の工程の後、前記光電変換層を成膜する工程と、
（ｄ）前記光電変換層を成膜した後、上部電極を成膜する工程と、
（ｅ）前記上部電極を成膜した後、前記導電性材料を成膜する工程と、
（ｆ）前記導電性材料の上に形成された、前記光電変換層、前記上部電極、該上部電極に積層する前記導電性材料を除去する工程と、
（ｇ）前記導電性材料の膜に、前記第１の開口よりも開口面積の小さい第２の開口を設ける工程と、
（ｈ）透明絶縁膜を成膜する工程と、を含む光電変換装置の製造方法。
（１９）基板と、該基板の上方に形成された下部電極と、前記下部電極の上方に形成された光電変換層と、前記光電変換層の上方に形成された上部電極とを含む光電変換素子を少なくとも１つ有する画素が複数配列された光電変換装置の製造方法であって、
（ａ）絶縁性材料を成膜する工程と、
（ｂ）成膜された前記絶縁性材料のうえに導電性材料を成膜する工程と、
（ｃ）前記絶縁性材料及び前記導電性材料の膜に、各画素を形成する領域に応じて開口を設ける工程と、
（ｄ）前記下部電極を成膜する工程と、
（ｅ）前記光電変換層を成膜する工程と、
（ｆ）前記光電変換層を成膜した後、上部電極を成膜する工程と、
（ｇ）前記上部電極を成膜した後、前記透明絶縁膜を成膜する工程と、
（ｈ）前記開口を設けた領域以外の、前記下部電極、前記光電変換層、前記上部電極、前記透明絶縁膜を除去する工程と、を含む光電変換装置の製造方法。
（２０）基板と、該基板の上方に形成された下部電極と、前記下部電極の上方に形成された光電変換層と、前記光電変換層の上方に形成された上部電極とを含む光電変換素子を少なくとも１つ有する画素が複数配列された光電変換装置の製造方法であって、
（ａ）前記基板に絶縁性材料を成膜する工程と、
（ｂ）成膜された前記絶縁性材料に、前記下部電極と接続される接続部を形成するための第１の孔と、前記第１の孔と連通し、かつ、該第１の孔より開口面積の大きい第２の孔を形成する工程と、
（ｃ）導電性材料を成膜する工程と、
（ｄ）前記導電性材料の膜に、各画素を形成する領域に応じて開口を設ける工程と、
（ｅ）前記下部電極を成膜する工程と、
（ｆ）前記光電変換層を成膜する工程と、
（ｇ）前記光電変換層を成膜した後、上部電極を成膜する工程と、
（ｈ）前記上部電極を成膜した後、前記透明絶縁膜を成膜する工程と、
（ｉ）前記開口を設けた領域以外の、前記下部電極、前記光電変換層、前記上部電極、前記透明絶縁膜を除去する工程と、を含む光電変換装置の製造方法。
（２１）基板と、該基板の上方に形成された下部電極と、前記下部電極の上方に形成された光電変換層と、前記光電変換層の上方に形成された上部電極とを含む光電変換素子を少なくとも１つ有する画素が複数配列された光電変換装置の製造方法であって、
（ａ）絶縁性材料を成膜する工程と、
（ｂ）前記絶縁性材料の膜に、各画素を形成する領域に応じて第１の開口を設けることで前記画素間に隔壁を形成する工程と、
（ｃ）前記下部電極を成膜する工程と、
（ｄ）前記光電変換層を成膜する工程と、
（ｅ）前記光電変換層を成膜した後、上部電極を成膜する工程と、
（ｆ）前記上部電極を成膜した後、導電性材料を成膜する工程と、
（ｇ）前記開口を設けた部分以外に成膜された、前記下部電極、前記光電変換層、前記上部電極、該上部電極に積層する前記導電性材料を除去する工程と、
（ｈ）各画素の導電性材料の膜の上面、及び、前記絶縁性材料の膜の上面に前記導電性材料を成膜する工程と、
（ｉ）上記（ｇ）の工程で成膜した導電性材料に、前記第１の開口よりも開口面積が小さい第２の開口を設ける工程と、
（ｊ）透明絶縁膜を成膜する工程と、を含む光電変換材料の製造方法。