【手続補正書】
【提出日】平成23年5月2日(2011.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクスデバイスであって、
当該オプトエレクロニクスデバイスは活性層（６）を有しており、
当該活性層（６）は、複数の導波体層（５、８）の間に配置されており、
前記活性層（６）と前記導波体層（８）との間に、バリア層（７）が配置されており、
前記活性層と反対側の、前記導波体層の面にジャケット層が配置されており、
少なくとも１つのジャケット層は、半導体層構造を有しており、
該半導体層構造は超格子（９）を有しており、該超格子は、第１のタイプ（ａ）と少なくとも１つの第２のタイプ（ｂ）の積み重ねられた層（９ａ，９ｂ）から成り、
・前記第１のタイプ（ａ）と少なくとも１つの第２のタイプ（ｂ）の層（９ａ，９ｂ）はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であり、
・超格子（９）内の異なるタイプの隣接する層は、少なくとも１つの元素の組成において異なっており、
・超格子（９）内で、同じタイプの少なくとも２つの層は、少なくとも１つの元素の異なる含有量（ＣＡｌ，ＣIｎ）を有しており、
・前記超格子（９）の複数の層（９ａ，９ｂ）の該少なくとも１つの元素の含有量（ＣＡｌ，ＣIｎ）は、勾配状であり、
・超格子（９）の層（９ａ、９ｂ）は所定の濃度でドーピング材料を含んでおり、当該超格子（９）は、マグネシウムによって、異なる濃度でドープされた層(９ａ，９ｂ)を有しており、
前記少なくとも１つの元素の含有量（ＣＡｌ，ＣIｎ）は、前記超格子内で最大値を有しており、当該最大値は前記超格子の中央に位置していない、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項２】
前記超格子（９）は、交互に積み重ねられたＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ層及びＩｎwＡｌｚＧａ1-w-zＮ層を有しており、式中０≦ｘ、ｙ、ｗ、ｚ≦１及びｘ＋ｙ≦１およびｗ＋ｚ≦１である、請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項３】
前記超格子（９）は、交互に積み重ねられたＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＰ層及びＩｎwＡｌzＧａ1-w-zＰ層を有しており、式中０≦ｘ、ｙ、ｗ、ｚ≦１であるか、または交互に積層されたＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＡｓ層及びＩｎwＡｌzＧａ1-w-zＡｓ層を有しており、式中０≦ｘ、ｙ、ｗ、ｚ≦１及びｘ＋ｙ≦１及びｗ＋ｚ≦１である、請求項１記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項４】
前記超格子（９）の個々の層に半導体層構造内の垂直位置（ｚ）が割り当てられており、層内の前記少なくとも１つの元素の含有量（ＣＡｌ，ＣIｎ）は、所定のように、半導体層構造内の自身の垂直位置（ｚ）に依存している、請求項１または２記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項５】
前記垂直位置（ｚ）に対する少なくとも１つの元素の含有量（ＣＡｌ，ＣIｎ）の依存性は、超格子（９）の全ての層(９ａ，９ｂ)に対して、共通の関数によって設定されている、請求項４記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項６】
前記垂直位置（ｚ）に対する少なくとも１つの元素の含有量（ＣＡｌ，ＣIｎ）の依存性は、第１のタイプ（ａ）の層（９ａ）に対しては第１の関数によって設定されており、少なくとも１つの第２のタイプ（ｂ）の層（９ｂ）に対しては少なくとも１つの第２の関数によって定められている、請求項４記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項７】
前記第１の関数および／または少なくとも１つの第２の関数および／または共通の関数は、階段関数または単調増加関数／減少関数または一次関数または多項式関数または指数関数または対数関数または周期関数またはこれらの関数を重ね合わせたものであるか、またはこれらの関数の一部を有している、請求項５または６記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項８】
前記少なくとも１つの元素の含有量（ＣＡｌ，ＣIｎ）は、超格子（９）の１つの層（９ａ、９ｂ）内で一定である、請求項１または２記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項９】
全ての層（９ａ、９ｂ）は同じ厚さを有している、請求項１または２記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１０】
異なるタイプ（ａ、ｂ）の層（９ａ、９ｂ）は異なる厚さを有している、請求項１または２記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１１】
同じタイプの少なくとも２つの層において含有量（ＣＡｌ）が異なっている少なくとも１つの元素はＡｌであり、半導体層構造の超格子（９）内のＡｌ含有量（ＣＡｌ）は、当該光学活性層（６）からの距離が増すとともに上昇する、請求項１または２記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１２】
同じタイプの少なくとも２つの層において含有量（ＣＡｌ）が異なっている少なくとも１つの元素はＡｌであり、半導体層構造の超格子（９）内のＡｌ含有量（ＣＡｌ）は、当該光学活性層（６）からの距離が増すとともに低下する、請求項１または２記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１３】
発光ダイオードである、請求項１または２記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１４】
レーザーダイオードである、請求項１または２記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】超格子を有する半導体層構造を有するオプトエレクトロニクスデバイス
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
本発明は、活性層を有するオプトエレクロニクスデバイスに関する。活性層は、複数の導波体層の間に配置されており、活性層と導波体層との間に、バリア層が配置されており、活性層と反対側の、導波体層の面にジャケット層が配置されており、少なくとも１つのジャケット層は、半導体層構造を有しており、該半導体層構造は第１のタイプの積層された層および少なくとも１つの第２のタイプの積層された層から成る超格子を有する。ここで第１のタイプの層および少なくとも１つの第２のタイプの層はIII−Ｖ族化合物半導体であり、超格子内の、タイプが異なる隣接している層は少なくとも１つの元素の組成において異なっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の課題は、電気特性および光学特性が改善された、冒頭に記載した形式の超格子を有する半導体層構造を有するオプトエレクトロニクスデバイスを提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上述の課題は、請求項１に相応して、冒頭に記載した形式のオプトエレクトロニクスデバイスによって解決される。当該オプトエレクロニクスデバイスは活性層を有しており、当該活性層は、複数の導波体層の間に配置されており、前記活性層と前記導波体層との間に、バリア層が配置されており、前記活性層と反対側の、前記導波体層の面にジャケット層が配置されており、少なくとも１つのジャケット層は、半導体層構造を有しており、該半導体層構造は超格子を有しており、該超格子は、第１のタイプと少なくとも１つの第２のタイプの積み重ねられた層から成り、前記第１のタイプと少なくとも１つの第２のタイプの層はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であり、超格子内の異なるタイプの隣接する層は、少なくとも１つの元素の組成において異なっており、超格子内で、同じタイプの少なくとも２つの層は、少なくとも１つの元素の異なる含有量（ＣＡｌ，ＣIｎ）を有しており、前記超格子の複数の層の該少なくとも１つの元素の含有量（ＣＡｌ，ＣIｎ）は、勾配状であり、超格子の層は所定の濃度でドーピング材料を含んでおり、当該超格子は、マグネシウムによって、異なる濃度でドープされた層を有しており、前記少なくとも１つの元素の含有量（ＣＡｌ，ＣIｎ）は、前記超格子内で最大値を有しており、当該最大値は前記超格子の中央に位置していない。