【手続補正書】
【提出日】平成21年3月10日(2009.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ加速原子層成膜（ＰＥＡＬＤ）処理を用いて、基板上に膜を設置する方法であって、
前記ＰＥＡＬＤ処理を行うことができるように構成された処理チャンバ内に、前記基板を配置するステップと、
前記処理チャンバ内に、ＴａＣｌ５を含む第１の処理材料を導入するステップと、
前記処理チャンバ内に、Ｈ２を含む第２の処理材料を導入するステップと、
前記基板の表面での前記第１および第２の処理材料の間の還元反応を促進させるプラズマを発生させるため、前記第２の処理材料の導入の間、前記処理チャンバに６００Ｗを超える電磁力を結合するステップと、
前記第１の処理材料と前記第２の処理材料の交互の導入により、前記基板上に前記膜を形成するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記膜を形成するステップは、抵抗率が約４６０μΩｃｍ未満のタンタル膜を形成するステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の処理材料を導入するステップは、前記ＴａＣｌ５と、ＴａＦ５、ＴａＢｒ５、ＴａＩ５、Ｔａ（ＣＯ）５、ＰＥＭＡＴ、ＰＤＭＡＴ、ＰＤＥＡＴ、ＴＢＴＤＥＴ、Ｔａ（ＮＣ２Ｈ５）（Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２）３、Ｔａ（ＮＣ（ＣＨ３）２Ｃ２Ｈ５）（Ｎ（ＣＨ３）２）３、Ｔａ（ＮＣ（ＣＨ３）３）（Ｎ（ＣＨ３）２）３、ＴｉＦ４、ＴｉＣｌ４、ＴｉＢｒ４、ＴｉＩ４、ＴＥＭＡＴ、ＴＤＭＡＴ、ＴＤＥＡＴ、Ｔｉ（ＮＯ３）、ＷＦ６、Ｗ（ＣＯ）６、ＭｏＦ６、Ｃｕ（ＴＭＶＳ）（ｈｆａｃ）、ＣｕＣｌ、Ｚｒ（ＮＯ３）４、ＺｒＣｌ４、Ｈｆ（ＯＢｕｔ）４、Ｈｆ（ＮＯ３）４、ＨｆＣｌ４、ＮｂＣｌ５、ＺｎＣｌ２、Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４、Ｓｉ（ＮＯ３）４、ＳｉＣｌ４、ＳｉＨ２Ｃｌ２、Ａｌ２Ｃｌ６、Ａｌ（ＣＨ３）３、Ｇａ（ＮＯ３）３またはＧａ（ＣＨ３）３のうちの少なくとも一つと、を含む処理材料を導入するステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の処理材料を導入するステップは、前記Ｈ２と、Ｎ２、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、ＮＨ３、Ｈ２Ｏ２、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＮＨ（ＣＨ３）２、またはＮ２Ｈ３ＣＨ３のうちの少なくとも一つと、を含む処理材料を導入するステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記結合するステップは、前記第２の処理材料の導入の間、前記処理チャンバに約１０００Ｗの電磁力を結合するステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記結合するステップは、前記処理チャンバのプラズマ電極および基板ホルダの少なくとも一つに、電磁力を結合するステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
さらに、キャリアガスを用いて、前記第１および第２の処理材料の少なくとも一つを導入するステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
さらに、前記第１の処理材料の前記基板への吸着を助長するプラズマを発生させるため、前記第１の処理材料の導入の間、前記処理チャンバに電磁力を結合するステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
さらに、前記第１の処理材料の導入と前記第２の処理材料の導入の間、前記処理チャンバに、パージガスを導入するステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記パージガスを導入するステップは、前記処理チャンバに不活性ガスを導入するステップを有することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
さらに、前記基板上に、バリア層、シード層、接着層、ゲート層、金属層、金属酸化層、金属窒化物層、または誘電体層のうちの少なくとも一つを形成するステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
基板処理システムプロセッサ上で実行されるプログラム指令を含むコンピュータ可読媒体であって、
前記プロセッサによる実行の際に、前記基板処理システムにより、請求項１に記載の方法の各ステップが実施される、コンピュータ可読媒体。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法によって形成された、バリア層、シード層、接着層、ゲート層、金属層、金属酸化層、金属窒化物層、および誘電体層のうちの少なくとも一つを有する半導体装置。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法によって形成された、塩素量が０．９５原子％（ａｔ％）未満のタンタル膜を含むバリア層を有する半導体装置。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法によって形成された、抵抗率が約４６０μΩｃｍ未満のタンタル膜を含むバリア層を有する半導体装置。
【請求項１６】
前記第２の処理材料を導入するステップは、約５秒間またはそれ以下の時間、前記第２の処理材料を導入するステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
プラズマ加速原子層成膜（ＰＥＡＬＤ）処理を用いて、基板上に膜を設置する方法であって、
前記ＰＥＡＬＤ処理を行うことができるように構成された処理チャンバ内に、前記基板を配置するステップと、
前記処理チャンバ内に第１の処理材料を導入するステップと、
前記処理チャンバ内に第２の処理材料を導入するステップと、
前記基板の表面での前記第１および第２の処理材料の間の還元反応を促進させるプラズマを発生させるため、前記第２の処理材料の導入の間、前記処理チャンバに６００Ｗを超える電磁力を結合するステップと、
前記第１の処理材料と前記第２の処理材料の交互の導入により、前記基板上に前記膜を形成するステップと、
を有し、
前記第１の処理材料を導入するステップは、前記処理チャンバ内に、ＴａＣｌ５を導入するステップを有し、
前記第２の処理材料を導入するステップは、前記処理チャンバ内に、Ｈ２を導入するステップを有し、
前記結合するステップは、Ｈ２の導入の間、前記処理チャンバに約１０００Ｗの電磁力を結合するステップを有することを特徴とする方法。
【請求項１８】
基板処理システムプロセッサ上で実行されるプログラム指令を含むコンピュータ可読媒体であって、
前記プロセッサによる実行の際に、前記基板処理システムにより、請求項１７に記載の方法の各ステップが実施される、コンピュータ可読媒体。
【請求項１９】
請求項１７に記載の方法によって形成された、金属層を有する半導体装置。
【請求項２０】
プラズマ加速原子層成膜（ＰＥＡＬＤ）処理を用いて、基板上に膜を設置する方法であって、
前記ＰＥＡＬＤ処理を行うことができるように構成された処理チャンバ内に、前記基板を配置するステップと、
前記処理チャンバ内に第１の処理材料を導入するステップと、
前記処理チャンバ内に第２の処理材料を導入するステップと、
前記基板の表面での前記第１および第２の処理材料の間の還元反応を促進させるプラズマを発生させるため、前記第２の処理材料の導入の間、前記処理チャンバに６００Ｗを超える電磁力を結合するステップと、
前記第１の処理材料と前記第２の処理材料の交互の導入により、前記基板上に前記膜を形成するステップと、
を有し、
前記第１の処理材料を導入するステップは、前記処理チャンバ内に、ＴａＣｌ５を導入するステップを有し、
前記第２の処理材料を導入するステップは、前記処理チャンバ内に、Ｈ２を導入するステップを有し、
前記膜を形成するステップは、塩素量が０．９５原子％（ａｔ％）未満のタンタル膜を形成するステップを有することを特徴とする方法。