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【手続補正書】
【提出日】平成23年6月10日(2011.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気コネクタに使用されるプラグであって、前記電気コネクタは前記プラグを受入れるためのレセプタクルを含み、前記プラグは、
外周、内部孔、及び前記孔を通して延びる縦軸を有する管状コアと、
前記内部孔内の少なくとも１つの電気接点と、
前記コアに前記外周の周囲において結合されているカラーと、
を含み、
前記カラーは、前記縦軸を中心として回転可能であり、また前記プラグを前記レセプタクルに確保するようになっており、
前記プラグは更に、
前記カラー上の少なくとも１つの窓と、
前記コアの前記外周上の視覚インディケータと、
を含み、
前記視覚インディケータは、前記カラー上の窓の下に位置合わせされ、前記窓と共同して前記プラグが前記レセプタクルに完全に結合されたことの視覚標示を与える、
ことを特徴とするプラグ。
【請求項２】
前記視覚インディケータは、前記プラグが前記レセプタクルと完全に結合されていない時には前記窓を通して見ることができ、前記プラグが前記レセプタクルに完全に結合された時には見ることを遮られるように位置決めされていることを特徴とする請求項１に記載のプラグ。
【請求項３】
前記視覚インディケータは、前記コアの前記外周の少なくとも一部分上の色付き材料からなることを特徴とする請求項１に記載のプラグ。
【請求項４】
電気コネクタであって、
レセプタクルを含み、
前記レセプタクルは、
外周、及び中を通る軸方向孔を有する管状ハウジングと、
前記レセプタクルハウジングの前記軸方向孔内の少なくとも１つの第１の電気接点と、  前記レセプタクルの前記軸方向孔内に受入れられるプラグと、
を含み、
前記プラグは、
外周、軸方向孔、及び前記孔を通って延びる縦軸を有する管状コアと、
前記コアの前記軸方向孔内の少なくとも１つの第２の電気接点と、
を含み、
前記第２の電気接点は、前記プラグが前記レセプタクルに完全に結合された時、前記レセプタクル内の前記第１の電気接点と係合するようになっており、
前記プラグは更に、
前記コアの前記外周の周囲において前記コアに結合され、前記縦軸を中心として回転可能であって前記プラグを前記レセプタクルに確保するカラーと、
前記カラー上の少なくとも１つの窓と、
を含み、
前記電気コネクタは更に、
前記コアの前記外周の少なくとも一方上に視覚インディケータ、
を含み、
前記視覚インディケータは、前記レセプタクル及び前記プラグの少なくとも結合された状態において前記カラー上の窓の下に位置合わせされるように位置決めされ、前記窓と共同して前記プラグが前記レセプタクルと完全に結合したことの視覚表示を与える
ことを特徴とする電気コネクタ。
【請求項５】
前記視覚インディケータは、前記プラグが前記レセプタクルに完全に結合されていない時には前記窓を通して見ることができ、前記プラグが前記レセプタクルに完全に結合された時には前記窓を通して見ることを遮られるように位置決めされていることを特徴とする請求項４に記載の電気コネクタ。
【請求項６】
前記視覚インディケータは、前記コアの前記外周の少なくとも一部分上の色付き材料からなることを特徴とする請求項４に記載の電気コネクタ。
【請求項７】
電気コネクタのプラグとレセプタクルとを結合する方法であって、
カラー上の窓を通して、結合されていない前記電気コネクタの色を見るステップと、
前記プラグを前記レセプタクル内に挿入するステップと、
前記プラグ上のカラーを回転させて前記ハウジング上の対応表面と係合させるステップと、
前記カラー上の前記窓を通して前記色の変化を見て前記プラグが前記レセプタクルに完全に結合されているか否かを決定するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
前記色の変化を見るステップは、先ずある色を見るステップと、次いである色の欠如を見るステップとからなる請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記色の変化を見るステップは、先ず第１の色を、次いで第２の色を見るステップからなる請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月28日(2010.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室と、前記処理室に電磁波を放射するためのアンテナと、前記処理室内にガスを供給するためのシャワープレートと、前記シャワープレートに供給された前記ガスを分散させるガス分散板と、前記ガス分散板にガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内を減圧する真空排気手段と、被処理体を載置する電極と、前記アンテナに高周波電力を供給する電磁波放射電源とを有するプラズマ処理装置であって、
前記ガス供給手段は、複数のガス供給源から供給されたガス種毎に設けられたガス流量調節器を有し、
前記ガス分散板は、内側の領域と外側の領域に分割され、
ＣＤ寸法制御用の少なくとも１種類のガス以外の複数のガスからなる混合ガスである第１のガスの流量を所定のガス流量比に制御し、前記所定のガス流量比に制御されたガスを分配させる第一のガス分配手段と、前記ＣＤ寸法制御用の少なくとも１種類のガスである第２のガスの流量を所定のガス流量比に制御し、前記所定のガス流量比に制御されたガスを分配させる第二のガス分配手段とを備え、
前記第一のガス分配手段により分岐された一方の第１のガスが前記ガス分散板の内側の領域に、前記第一のガス分配手段により分岐された他方の第１のガスが前記ガス分散板の外側の領域にそれぞれ供給され、かつ、前記第二のガス分配手段により分岐された一方の第２のガスが前記ガス分散板の内側の領域に、前記第二のガス分配手段により分岐された他方の第２のガスが前記ガス分散板の外側の領域にそれぞれ供給されることによって、
前記シャワープレートの内側領域と外側領域からそれぞれ供給される前記第２のガスの流量を前記第１のガスとは独立に制御できることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記ＣＤ寸法制御用の少なくとも１種類のガスは、Ｏ２ガスまたはＮ２ガス、あるいはＯ２ガス及びＮ２ガスであることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記第一のガス分配手段は、ガス分配器を有し、前記第二のガス分配手段は、前記Ｏ２ガスまたはＮ２ガス、あるいはＯ２ガス及びＮ２ガスがそれぞれ複数のガス流量調整器で供給されることにより、前記Ｏ２ガスまたはＮ２ガス、あるいはＯ２ガス及びＮ２ガスを分配することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記アンテナは内側領域と外側領域に分割され、
前記電磁波放射電源は、分配器により前記アンテナの内側領域と前記アンテナの外側領域にそれぞれ高周波電力を供給することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記載置電極の内側領域に高周波電力を供給する第一の高周波電源と、前記載置電極の外側領域に高周波電力を供給する第二の高周波電源とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記第一のガス分配手段は、ガス分配器を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記第一及び第二のガス分配手段は、ガス分配器を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明では、処理室と、前記処理室に電磁波を放射するためのアンテナと、前記処理室内にガスを供給するためのシャワープレートと、前記シャワープレートに供給された前記ガスを分散させるガス分散板と、前記ガス分散板にガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内を減圧する真空排気手段と、被処理体を載置する電極と、前記アンテナに高周波電力を供給する電磁波放射電源とを有するプラズマ処理装置であって、前記ガス供給手段は、複数のガス供給源から供給されたガス種毎に設けられたガス流量調節器を有し、前記ガス分散板は、内側の領域と外側の領域に分割され、ＣＤ寸法制御用の少なくとも１種類のガス以外の複数のガスからなる混合ガスである第１のガスの流量を所定のガス流量比に制御し、前記所定のガス流量比に制御されたガスを分配させる第一のガス分配手段と、前記ＣＤ寸法制御用の少なくとも１種類のガスである第２のガスの流量を所定のガス流量比に制御し、前記所定のガス流量比に制御されたガスを分配させる第二のガス分配手段とを備え、前記第一のガス分配手段により分岐された一方の第１のガスが前記ガス分散板の内側の領域に、前記第一のガス分配手段により分岐された他方の第１のガスが前記ガス分散板の外側の領域にそれぞれ供給され、かつ、前記第二のガス分配手段により分岐された一方の第２のガスが前記ガス分散板の内側の領域に、前記第二のガス分配手段により分岐された他方の第２のガスが前記ガス分散板の外側の領域にそれぞれ供給されることによって、前記シャワープレートの内側領域と外側領域からそれぞれ供給される前記第２のガスの流量を前記第１のガスとは独立に制御できることを特徴とする。
さらに、本発明では、前記ＣＤ寸法制御用の少なくとも１種類のガスは、Ｏ２ガスまたはＮ２ガス、あるいはＯ２ガス及びＮ２ガスであることを特徴とする。
さらに、本発明では、前記第一のガス分配手段は、ガス分配器を有し、前記第二のガス分配手段は、前記Ｏ２ガスまたはＮ２ガス、あるいはＯ２ガス及びＮ２ガスがそれぞれ複数のガス流量調整器で供給されることにより、前記Ｏ２ガスまたはＮ２ガス、あるいはＯ２ガス及びＮ２ガスを分配することを特徴とする。
さらに、本発明では、前記アンテナは内側領域と外側領域に分割され、前記電磁波放射電源は、分配器により前記アンテナの内側領域と前記アンテナの外側領域にそれぞれ高周波電力を供給することを特徴とする。
さらに、本発明では、前記載置電極の内側領域に高周波電力を供給する第一の高周波電源と、前記載置電極の外側領域に高周波電力を供給する第二の高周波電源とを有することを特徴とする。
さらに、本発明では、前記第一のガス分配手段は、ガス分配器を有することを特徴とする。
さらに、本発明では、前記第一及び第二のガス分配手段は、ガス分配器を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明では、処理室と、処理室に処理ガスを供給する手段と、処理室を減圧する真空排気手段と、被処理体を載置する電極と、電磁波放射電源とを有するプラズマ処理装置において、Ｏ２あるいはＮ２の組成比あるいは流量比が異なる少なくとも２種類の処理ガスを、互いに異なるガス導入口から導入することで、被処理体の面内における加工深さを均一に保ったまま、被処理体面内でＣＤ寸法を均一にできるようにする。
さらに、本発明では、Ｏ２とＮ２以外の処理ガスを第１の処理ガスとして複数に分配し、分配した後の第１のガスに第２のガスとしてＯ２とＮ２を添加することで、互いにＯ２あるいはＮ２の組成や流量が異なる処理ガスを、互いに異なるガス導入口から処理室内に導入できるようにする。このとき、複数に分配した後の第１のガスに添加するＯ２あるいはＮ２の添加量に関わらず、第１の処理ガスが所定の流量比に分配できるように、第１のガスを複数に分配するためのガス分配器を用いる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月15日(2011.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光起電力セルのために設けられたシリコンウェファ（１）上に導体路（３２２、４２２、５２２）を形成する方法において、
刻印箔（２）、特に熱刻印箔から、少なくとも１つの電気的に導通する転写層（２２）を、全体的に、あるいは部分的に、シリコンウェファ（１）の表面上に転写することを特徴とする、導体路を形成する方法。
【請求項２】
全面的な、電気的に導通する転写層（２２）を有する刻印箔（２）が使用され、かつ転写層（２２）が、シリコンウェファ（１）上に転写される際に構造父型（３）によって構造化されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
導体路（３２２、５２２）が、１つより多い刻印ステップにおいて形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
２つまたはそれより多い転写層の転写によって、導通性勾配を、導体路内に形成することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
導体路（３２２、４２２、５２２）の幾何学的構造および／または導通構造を、刻印父型（３）および／または刻印箔（２）の形成によって調節することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも特性、たとえば厚みおよび／または柔軟性および／または材料の組成、において互いに異なるキャリア層（２０）を有する刻印箔（２）が使用されることを特徴とする請求項３ないし５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
１つまたは複数の転写層（２２）の転写後に、焼結プロセスが実施され、焼結温度が３００℃と８００℃との間に設定されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
２つの互いに連続する刻印プロセスの間に、焼結プロセスが実施されることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
２つまたはそれより多い焼結プロセスが、異なる温度および／または滞留時間において実施されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
転写層が、光学的に変化する素子を有する終端層として設けられることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の方法を実施するための刻印箔において、
刻印箔（２）が、構造化された、電気的に導通する転写層（２２）を有していることを特徴とする刻印箔。
【請求項１２】
転写層（２２）が、その横断面において構造化されていることを特徴とする請求項１１に記載の刻印箔。
【請求項１３】
転写層（２２）が、金属層の形態で形成されまたはカーボンナノチューブおおよび/または導電性ポリマーから形成されていることを特徴とする請求項１１または１２に記載の刻印箔。
【請求項１４】
刻印箔（２）が、１つまたは複数の剥離層（２１）を有していることを特徴とする請求項１１ないし１３のいずれか１項に記載の刻印箔。
【請求項１５】
シリコンウェファのベース上の光起電力セルであって、その表面上に、特に請求項１２ないし１４のいずれか１項に記載の、刻印箔の電気的に導通する、構造化された転写層が適用されている、光起電力セル。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月13日(2011.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に相変化物質用前駆体及び窒素を含む反応性ラジカルを提供して相変化物質膜を形成するステップを有することを特徴とする相変化メモリ装置の形成方法。
【請求項２】
前記反応性ラジカルは、化学式ＮＲｎＨ３―ｎ又はＮ２ＲｎＨ４−ｎ（０≦ｎ≦２、ｎは整数）を有し、前記Ｒは炭化水素基であることを特徴とする請求項１に記載の相変化メモリ装置の形成方法。
【請求項３】
前記炭化水素基は、アルキル基（ａｌｋｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、アルケニル基（ａｌｋｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、アルキニル基（ａｌｋｙｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、アレン基（ａｌｌｅｎｉｃ  ｇｒｏｕｐ）又はこれらの結合からなるグループから選択されることを特徴とする請求項２に記載の相変化メモリ装置の形成方法。
【請求項４】
前記アルキル基の炭素数は１以上１０以下であり、前記アルケニル基の炭素数は２以上１２以下であり、前記アルキニル基の炭素数は２以上１３以下であることを特徴とする請求項３に記載の相変化メモリ装置の形成方法。
【請求項５】
前記相変化物質用前駆体は、アミン基（ａｍｉｎｅ  ｇｒｏｕｐ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の相変化メモリ装置の形成方法。
【請求項６】
前記相変化物質用前駆体は炭化水素基を含み、
前記炭化水素基は、アルキル基（ａｌｋｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、アルケニル基（ａｌｋｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、アルキニル基（ａｌｋｙｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、又はアレン基（ａｌｌｅｎｉｃ  ｇｒｏｕｐ）であり、
前記アルキル基の炭素数は１以上１０以下であり、前記アルケニル基の炭素数は２以上１２以下であり、前記アルキニル基の炭素数は２以上１３以下であることを特徴とする請求項５に記載の相変化メモリ装置の形成方法。
【請求項７】
前記相変化物質用前駆体は、ゲルマニウム前駆体、アンチモン前駆体、テルル前駆体を含み、
前記ゲルマニウム前駆体は化学式ＧｅＲ１ｘ（ＮＲ２Ｒ３）４−ｘ（０≦ｘ≦３、ｘは整数）を有し、前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は水素又は炭化水素基であり、
前記アンチモン前駆体は化学式ＳｂＲ１ｙ（ＮＲ２Ｒ３）３−ｙ（０≦ｙ≦２、ｙは整数）を有し、前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は水素又は炭化水素基であり、
前記テルル前駆体は化学式ＴｅＲ１ｚ（ＮＲ２Ｒ３）２−ｚ（０≦ｚ≦２、ｚは整数）を有し、前記Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は水素又は炭化水素基であることを特徴とする請求項１に記載の相変化メモリ装置の形成方法。
【請求項８】
前記炭化水素基は、アルキル基（ａｌｋｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、アルケニル基（ａｌｋｅｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、アルキニル基（ａｌｋｙｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）、アレン基（ａｌｌｅｎｉｃ  ｇｒｏｕｐ）又はこれらの結合からなるグループから選択されることを特徴とする請求項７に記載の相変化メモリ装置の形成方法。
【請求項９】
前記ゲルマニウム前駆体、前記アンチモン前駆体、及び前記テルル前駆体は周期的及び交番的に提供され、
前記反応性ラジカルは、前記ゲルマニウム前駆体、前記アンチモン前駆体、及び前記テルル前駆体のうちの何れか一つの前駆体が提供された後、他の前駆体が提供される前に提供されることを特徴とする請求項７に記載の相変化メモリ装置の形成方法。
【請求項１０】
前記ゲルマニウム前駆体及び前記アンチモン前駆体は周期的及び交番的に提供され、
前記テルル前駆体は、前記ゲルマニウム前駆体及び前記アンチモン前駆体と共に提供され、
前記反応性ラジカルは、前記ゲルマニウム前駆体及び前記アンチモン前駆体のうちの何れか一つの前駆体が提供された後、他の前駆体が提供される前に提供されることを特徴とする請求項７に記載の相変化メモリ装置の形成方法。
【請求項１１】
前記相変化物質膜は、１５０〜２５０℃の工程温度で形成されることを特徴とする請求項１に記載の相変化メモリ装置の形成方法。
【請求項１２】
前記相変化物質膜は、原子層蒸着工程（ＡＬＤ）又は化学気相蒸着工程（ＣＶＤ）を行うことによって形成されることを特徴とする請求項１に記載の相変化メモリ装置の形成方法。
【請求項１３】
基板上に第１開口部を有する第１絶縁膜を形成するステップと、
前記基板に相変化物質用前駆体及び窒素を含む反応性ラジカルを提供して、前記第１開口部内に相変化物質膜を形成するステップと、
前記相変化物質膜上に第２導電体を形成するステップと、を有することを特徴とする相変化メモリ装置の形成方法。
【請求項１４】
前記相変化物質膜を形成するステップは、
前記第１開口部の底及び側壁上に第１導電膜を形成するステップと、
前記第１開口部内の前記第１導電膜上に第２絶縁膜を形成するステップと、
前記第１開口部の側壁上に形成された第１導電膜の一部分を除去して第１導電体を形成し、前記第２絶縁膜と前記第１絶縁膜との間に第２開口部を形成するステップと、
前記第２開口部内に相変化物質を蒸着するステップと、を含むことを特徴とする請求項１３に記載の相変化メモリ装置の形成方法。
【請求項１５】
前記第２開口部はリング形態を有することを特徴とする請求項１４に記載の相変化メモリ装置の形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】相変化メモリ装置の形成方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、相変化メモリ装置の形成方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の目的は、相変化物質を含む相変化メモリ装置の形成方法を提供することに
ある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
以下、本発明の相変化メモリ装置の形成方法を実施するための最良の形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。しかし、本発明はこの明細書で説明する実施の形態に限定されず、他の形態で具体化することもできる。この明細書で紹介する実施の形態は、開示された内容を徹底させ且つ完全になるように、そして当業者に本発明の思想が十分に伝達されるようにするために提供されるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月4日(2011.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に島状の半導体膜を形成し、
前記島状の半導体膜上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記島状の半導体膜に不純物元素を導入して、一対の不純物領域と、前記一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を形成し、
前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜をエッチングして、前記一対の不純物領域の少なくとも一部をそれぞれ露出するコンタクトホールを形成し、
前記一対の不純物領域及び前記層間絶縁膜上に第１の金属膜を形成し、
前記第１の金属膜上に、反射膜として機能する第２の金属膜を形成し、
前記一対の不純物領域上に位置する前記第２の金属膜を除去し、
前記第１の金属膜にレーザ光を照射して、前記一対の不純物領域において選択的に前記島状の半導体膜と前記第１の金属膜とを反応させた後、前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁基板上に島状の半導体膜を形成し、
前記島状の半導体膜上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記島状の半導体膜に不純物元素を導入して、一対の不純物領域と、前記一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を形成し、
前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜をエッチングして、前記一対の不純物領域の少なくとも一部をそれぞれ露出するコンタクトホールを形成し、
前記一対の不純物領域及び前記層間絶縁膜上に熱伝導膜として機能する第１の金属膜を形成し、
前記一対の不純物領域上に位置する前記第１の金属膜を除去し、
前記一対の不純物領域上及び、前記第１の金属膜上に第２の金属膜を形成し、
前記第２の金属膜にレーザ光を照射して、前記一対の不純物領域において選択的に前記島状の半導体膜と前記第２の金属膜とを反応させた後、前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記レーザ光はエキシマレーザであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３において、
前記チャネル形成領域の膜厚は、前記一対の不純物領域の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４において、
前記チャネル形成領域の膜厚は、１０ｎｍ乃至３０ｎｍであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５の作製方法で作製した半導体装置を用いることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月18日(2011.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板の表面から所定の深さにイオンドーピング層を形成し、前記単結晶半導体基板上に第１の絶縁層を形成し、
絶縁性基板上の一部に第２の絶縁層を形成し、前記第２の絶縁層上に非単結晶半導体層を形成し、
前記第１の絶縁層を介して、前記単結晶半導体基板を前記絶縁性基板の前記第２の絶縁層が形成されていない領域に接合させ、
前記単結晶半導体基板を、前記イオンドーピング層において分離させることにより、前記絶縁性基板上に単結晶半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板の表面から所定の深さにイオンドーピング層を形成し、前記単結晶半導体基板上に第１の絶縁層を形成し、
絶縁性基板上の一部に第２の絶縁層を形成し、前記第２の絶縁層上に非単結晶半導体層を形成し、
前記第１の絶縁層を介して、前記単結晶半導体基板を前記絶縁性基板の前記第２の絶縁層が形成されていない領域に接合させ、
前記単結晶半導体基板を、前記イオンドーピング層において分離させることにより、前記絶縁性基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記絶縁性基板上の前記単結晶半導体層を用いて高速動作が要求される回路を形成し、
前記絶縁性基板上の前記非単結晶半導体層を用いて高速動作が要求されない回路を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
単結晶半導体基板の表面から所定の深さにイオンドーピング層を形成し、前記単結晶半導体基板上に第１の絶縁層を形成し、
絶縁性基板上の一部に第２の絶縁層を形成し、前記第２の絶縁層上に非単結晶半導体層を形成し、
前記第１の絶縁層を介して、前記単結晶半導体基板を前記絶縁性基板の前記第２の絶縁層が形成されていない領域に接合させ、
前記単結晶半導体基板を、前記イオンドーピング層において分離させることにより、前記絶縁性基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記絶縁性基板上の前記単結晶半導体層を用いて駆動回路を形成し、
前記絶縁性基板上の前記非単結晶半導体層を用いて表示部の回路を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記非単結晶半導体層形成後、前記非単結晶半導体層及び前記第２の絶縁層を島状にエッチングして、前記第２の絶縁層が形成されていない領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
単結晶半導体基板の表面から所定の深さにイオンドーピング層を形成し、前記単結晶半導体基板上に第１の絶縁層を形成し、
絶縁性基板上の一部に第２の絶縁層を形成し、前記第２の絶縁層上に非単結晶半導体層を形成し、
前記第１の絶縁層を介して、前記単結晶半導体基板を前記絶縁性基板の前記第２の絶縁層が形成されていない領域に接合させ、
前記単結晶半導体基板を、前記イオンドーピング層において分離させることにより、前記絶縁性基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記非単結晶半導体層を選択的にエッチングし、島状の非単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層を選択的にエッチングし、島状の単結晶半導体層を形成し、
前記島状の非単結晶半導体層及び前記島状の単結晶半導体層上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に第３の絶縁層を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして一導電型を付与する不純物元素を添加し、前記島状の非単結晶半導体層に一対の第１の不純物領域と第１のチャネル形成領域を、前記島状の単結晶半導体層に一対の第２の不純物領域と第２のチャネル形成領域を、形成し、
前記ゲート電極の側面にサイドウォール絶縁層を形成し、
前記ゲート電極及び前記サイドウォール絶縁層をマスクとして一導電型を付与する不純物元素を添加し、前記第１の不純物領域に一対の第１の高濃度不純物領域を、前記第２の不純物領域に一対の第２の高濃度不純物領域を、形成し、
前記第３の絶縁層の露出部をエッチングし、
前記絶縁性基板上に第４の絶縁層を形成し、
前記第４の絶縁層に、前記第１の高濃度不純物領域及び前記第２の高濃度不純物領域に達する開口を形成し、
前記開口を埋め込むように導電層を形成し、
前記島状の非単結晶半導体層を有するトランジスタは駆動回路を形成し、
前記島状の単結晶半導体層を有するトランジスタは表示部の回路を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記絶縁性基板上に形成された前記単結晶半導体層は矩形状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記非単結晶半導体層は化合物半導体層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記イオンドーピング層に、Ｈ３＋イオンが含まれたイオンが、打ち込まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記第１の絶縁層又は前記第２の絶縁層は、積層構造で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第１の絶縁層の前記単結晶半導体層と接する部分と、前記第２の絶縁層の前記非単結晶半導体層と接する部分とは、同じ材料を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０において、
前記第１の絶縁層の前記単結晶半導体層と接する部分、及び前記第２の絶縁層の前記非単結晶半導体層と接する部分として、酸化窒化シリコン層を形成し、
前記酸化窒化シリコン層に接するように窒化酸化シリコン層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか一において、
前記第１の絶縁層の前記絶縁性基板と接する部分として、酸化シリコン層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、
前記酸化シリコン層はケミカルオキサイドであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一において、
前記非単結晶半導体層の膜厚より前記単結晶半導体層の膜厚を小さくすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一において、
前記単結晶半導体層の膜厚と前記第１の絶縁層の膜厚との和を、前記非単結晶半導体層の膜厚と前記第２の絶縁層の膜厚との和に等しくすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一において、
前記絶縁性基板上に前記単結晶半導体層を形成した後にレーザー光を照射することで、前記単結晶半導体層及び前記非単結晶半導体層の特性を向上させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月13日(2011.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハロゲンを含む酸化雰囲気中で熱処理を行い半導体基板の表面に第１の酸化層を形成し、
前記第１の酸化層の一部及び前記半導体基板の一部をエッチングして、凸部を有する半導体基板と前記凸部の表面上の第２の酸化層とを形成し、
前記凸部側から前記凸部を有する半導体基板に一又は複数の原子からなる質量の異なるイオンを照射して、前記凸部を有する半導体基板の表面から一定の深さを有する領域に、脆弱領域を形成し、
支持基板と前記凸部を有する半導体基板とを前記第２の酸化層を挟んで重ね合わせて接合し、
熱処理により、前記脆弱領域において前記凸部を有する半導体基板を分離することで、前記支持基板上に半導体層を残し、
前記半導体層を用いて半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ハロゲンを含む酸化雰囲気中で熱処理を行い半導体基板の表面に第１の酸化層を形成し、
前記第１の酸化層の一部及び前記半導体基板の一部をエッチングして、凸部を有する半導体基板と前記凸部の表面上の第２の酸化層とを形成し、
前記凸部側から前記凸部を有する半導体基板に一又は複数の原子からなる質量の異なるイオンを照射して、前記凸部を有する半導体基板の表面から一定の深さを有する領域に、脆弱領域を形成し、
支持基板上に接合層を形成し、
前記支持基板と前記凸部を有する半導体基板とを前記第２の酸化層及び前記接合層を挟んで重ね合わせて接合し、
熱処理により、前記脆弱領域において前記凸部を有する半導体基板を分離することで、前記支持基板上に半導体層を残し、
前記半導体層を用いて半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
ハロゲンを含む酸化雰囲気中で熱処理を行い半導体基板の表面に第１の酸化層を形成し、
前記第１の酸化層の一部及び前記半導体基板の一部をエッチングして、凸部を有する半導体基板と前記凸部の表面上の第２の酸化層とを形成し、
前記凸部側から前記凸部を有する半導体基板に一又は複数の原子からなる質量の異なるイオンを照射して、前記凸部を有する半導体基板の表面から一定の深さを有する領域に、脆弱領域を形成し、
支持基板上に剥離層を形成し、
支持基板と前記凸部を有する半導体基板とを前記第２の酸化層及び前記剥離層を挟んで重ね合わせて接合し、
熱処理により、前記脆弱領域において前記凸部を有する半導体基板を分離することで、前記支持基板上に半導体層を残し、
前記半導体層を用いて形成した半導体素子を有する素子層を形成し、
前記素子層上に可撓性基板を設け、
前記可撓性基板及び前記素子層から、前記支持基板を前記剥離層で剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
ハロゲンを含む酸化雰囲気中で熱処理を行い半導体基板の表面に第１の酸化層を形成し、
前記第１の酸化層の一部及び前記半導体基板の一部をエッチングして、凸部を有する半導体基板と前記凸部の表面上の第２の酸化層とを形成し、
前記凸部側から前記凸部を有する半導体基板に一又は複数の原子からなる質量の異なるイオンを照射して、前記凸部を有する半導体基板の表面から一定の深さを有する領域に、脆弱領域を形成し、
支持基板上に、剥離層及び前記剥離層上の接合層を形成し、
前記支持基板と前記凸部を有する半導体基板とを、前記第２の酸化層、前記剥離層及び前記接合層を挟んで重ね合わせて接合し、
熱処理により、前記脆弱領域において前記凸部を有する半導体基板を分離することで、前記支持基板上に半導体層を残し、
前記半導体層を用いて形成した半導体素子を有する素子層を形成し、
前記素子層上に可撓性基板を設け、
前記可撓性基板及び前記素子層から、前記支持基板を前記剥離層で剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１において、前記支持基板上にブロッキング層が設けられた状態で、前記支持基板と前記凸部を有する半導体基板とを、前記ブロッキング層を挟んで重ね合わせて接合することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項２において、前記支持基板と前記接合層との間にブロッキング層が設けられた状態で、前記支持基板と前記凸部を有する半導体基板とを、前記ブロッキング層を挟んで重ね合わせて接合することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項３において、前記剥離層上にブロッキング層が設けられた状態で、前記支持基板と前記凸部を有する半導体基板とを、前記ブロッキング層を挟んで重ね合わせて接合することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項４において、前記剥離層と前記接合層との間にブロッキング層が設けられた状態で、前記支持基板と前記凸部を有する半導体基板とを、前記ブロッキング層を挟んで重ね合わせて接合することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記第２の酸化層上にブロッキング層が設けられた状態で、前記支持基板と前記凸部を有する半導体基板とを、前記ブロッキング層を挟んで重ね合わせて接合することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月8日(2011.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層と、該活性層に隣接して配置されるフォトニック結晶層と、該フォトニック結晶層上に設けられた電極と、光を放出する出射領域と、を有する面発光レーザ素子であって、
前記フォトニック結晶層は２次元の屈折率周期構造を有し、かつ、
前記電極の下に設けられ、面内方向に光を共振させる屈折率周期構造による第１のフォトニック結晶領域と、
前記出射領域の下に設けられ、面垂直方向に光を放射させる屈折率周期構造による第２のフォトニック結晶領域と、
を含み構成され、
前記第２のフォトニック結晶領域はフォトニックバンドのΓ点におけるモードを有するフォトニック結晶により構成されており、
前記第１のフォトニック結晶領域は該フォトニックバンドのΓ点以外のフォトニックバンド端で、光すいよりも下に存在するモードを有するフォトニック結晶により構成されていることを特徴とする面発光レーザ素子。
【請求項２】
前記第１のフォトニック結晶領域と、前記第２のフォトニック結晶領域が同一のフォトニック結晶層に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ素子。
【請求項３】
前記第１のフォトニック結晶領域と、前記第２のフォトニック結晶領域は異なるフォトニック結晶層に設けられており、
前記第１のフォトニック結晶領域と、前記第２のフォトニック結晶領域は前記面垂直方向に分離して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ素子。
【請求項４】
前記出射領域が２以上設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の面発光レーザ素子。
【請求項５】
前記フォトニック結晶が、媒質に円柱状の空孔を４角格子状に設けた構造を有し、
前記第１のフォトニック結晶領域の格子定数が第２のフォトニック結晶領域の格子定数の√２分の１であり、互いの結晶方位が４５°回転していることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の面発光レーザ素子。
【請求項６】
前記フォトニック結晶が、媒質に円柱状の空孔を３角格子状に設けた構造を有し、
前記第１のフォトニック結晶領域の格子定数が第２のフォトニック結晶領域の格子定数の√３分の１であり、互いの結晶方位が３０°回転していることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の面発光レーザ素子。
【請求項７】
前記フォトニック結晶が、媒質に円柱状の空孔を４角格子、または４角格子状に設けた構造を有し、
前記第１のフォトニック結晶領域の格子定数が第２のフォトニック結晶領域の格子定数の２分の１であり、結晶方位が互いに等しいことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の面発光レーザ素子。
【請求項８】
前記第１または第２のフォトニック結晶領域の境界に、反射率制御構造が構成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の面発光レーザ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、以下のような構成の面発光レーザ素子を提供するものである。
本発明の面発光レーザ素子は、活性層と、該活性層に隣接して配置されるフォトニック結晶層と、該フォトニック結晶層上に設けられた電極と、光を放出する出射領域と、を有する面発光レーザ素子であって、
前記フォトニック結晶層は２次元の屈折率周期構造を有し、かつ、
前記電極の下に設けられ、面内方向に光を共振させる屈折率周期構造による第１のフォトニック結晶領域と、
前記出射領域の下に設けられ、面垂直方向に光を放射させる屈折率周期構造による第２のフォトニック結晶領域と、
を含み構成され、
前記第２のフォトニック結晶領域はフォトニックバンドのΓ点におけるモードを有するフォトニック結晶により構成されており、
前記第１のフォトニック結晶領域は該フォトニックバンドのΓ点以外のフォトニックバンド端で、光すいよりも下に存在するモードを有するフォトニック結晶により構成されていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザ素子は、前記第１のフォトニック結晶領域と、前記第２のフォトニック結晶領域が同一のフォトニック結晶層に設けられていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザ素子は、前記第１のフォトニック結晶領域と、前記第２のフォトニック結晶領域は異なるフォトニック結晶層に設けられており、
前記第１のフォトニック結晶領域と、前記第２のフォトニック結晶領域は前記面垂直方向に分離して形成されていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザ素子は、前記出射領域が２以上設けられていることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザ素子は、前記フォトニック結晶が、媒質に円柱状の空孔を４角格子状に設けた構造を有し、
前記第１のフォトニック結晶領域の格子定数が第２のフォトニック結晶領域の格子定数の√２分の１であり、互いの結晶方位が４５°回転していることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザ素子は、前記フォトニック結晶が、媒質に円柱状の空孔を３角格子状に設けた構造を有し、
前記第１のフォトニック結晶領域の格子定数が第２のフォトニック結晶領域の格子定数の√３分の１であり、互いの結晶方位が３０°回転していることを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザ素子は、前記フォトニック結晶が、媒質に円柱状の空孔を４角格子、または４角格子状に設けた構造を有し、
前記第１のフォトニック結晶領域の格子定数が第２のフォトニック結晶領域の格子定数の２分の１であり、結晶方位が互いに等しいことを特徴とする。
また、本発明の面発光レーザ素子は、前記第１または第２のフォトニック結晶領域の境界に、反射率制御構造が構成されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月15日(2011.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素領域及びリファレンス回路を有し、
前記画素領域にトランジスタと、前記リファレンス回路にバイポーラトランジスタとを有し、
前記画素領域の前記トランジスタ及び前記リファレンス回路の前記バイポーラトランジスタは素子分離領域により電気的に分離された連続した単結晶半導体層で形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
画素領域及びリファレンス回路を有し、
前記画素領域にトランジスタと、前記リファレンス回路にバイポーラトランジスタとを有し、
前記画素領域の前記トランジスタ及び前記リファレンス回路の前記バイポーラトランジスタは素子分離領域により電気的に分離された連続した単結晶半導体層で形成されており、
前記画素領域の前記トランジスタは発光素子と電気的に接続しており、
前記連続した単結晶半導体層は前記発光素子と重畳する領域では開口が設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
画素領域及びリファレンス回路を有し、
前記画素領域にトランジスタと、前記リファレンス回路にバイポーラトランジスタとを有し、
前記画素領域の前記トランジスタ及び前記リファレンス回路の前記バイポーラトランジスタは素子分離領域により電気的に分離された連続した単結晶半導体層で形成されており、
前記画素領域の前記トランジスタは発光素子と電気的に接続しており、
前記連続した単結晶半導体層は前記発光素子と重畳する領域では開口が設けられ、
前記単結晶半導体層は、有機シランガスを用いて化学気相成長法により成膜された酸化シリコン膜を用いて、前記画素領域及び前記リファレンス回路が設けられる支持基板と接合していることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記有機シランガスが、珪酸エチル、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルジシラザン、トリエトキシシラン、及びトリスジメチルアミノシランから選ばれた一であることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一項において、
前記開口は絶縁層で充填されていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項２乃至５のいずれか一項において、
前記発光素子は有機発光材料を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記単結晶半導体層は、単結晶半導体基板より転置された単結晶半導体層であり、前記単結晶半導体層は１μｍ以上３μｍ以下の膜厚を有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記画素領域及び前記リファレンス回路が設けられる支持基板上に駆動回路領域を有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月29日(2011.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＳＯＩ基板の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面から一定の深さにイオンを照射して形成された分離層をそれぞれ有する第１の単結晶半導体基板及び第２の単結晶半導体基板を用意し、
前記第１の単結晶半導体基板と前記第２の単結晶半導体基板とが離間した状態で、ガラス基板上に前記第１の単結晶半導体基板及び前記第２の単結晶半導体基板を接合させ、
前記第１の単結晶半導体基板及び前記第２の単結晶半導体基板に第１の熱処理を行い、各前記分離層において前記第１の単結晶半導体基板及び前記第２の単結晶半導体基板を分離させ、前記ガラス基板上に第１の単結晶半導体層及び第２の単結晶半導体層を形成し、
前記ガラス基板を前記ガラス基板の歪み点以上の温度で第２の熱処理を行い、前記第１の単結晶半導体層及び前記第２の単結晶半導体層にレーザ光を照射することで、前記第１の単結晶半導体層及び前記第２の単結晶半導体層を一体化することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項２】
表面から一定の深さにイオンを照射して形成された分離層をそれぞれ有する第１の単結晶半導体基板及び第２の単結晶半導体基板を用意し、
前記第１の単結晶半導体基板と前記第２の単結晶半導体基板とが離間した状態で、ガラス基板上に前記第１の単結晶半導体基板及び前記第２の単結晶半導体基板を接合させ、
前記第１の単結晶半導体基板及び前記第２の単結晶半導体基板に第１の熱処理を行い、各前記分離層において前記第１の単結晶半導体基板及び前記第２の単結晶半導体基板を分離させ、前記ガラス基板上に第１の単結晶半導体層及び第２の単結晶半導体層を形成し、
前記ガラス基板を前記ガラス基板の歪み点以上の温度で第２の熱処理を行い、前記第１の単結晶半導体層と前記第２の単結晶半導体層が接するように、前記ガラス基板を収縮させ、
前記第１の単結晶半導体層及び前記第２の単結晶半導体層にレーザ光を照射し、前記第１の単結晶半導体層及び前記第２の単結晶半導体層を一体化することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記ガラス基板と前記第１の単結晶半導体基板との間及び前記ガラス基板と前記第２の単結晶半導体基板との間に絶縁膜を設けた状態で、前記ガラス基板上に前記第１の単結晶半導体基板及び前記第２の単結晶半導体基板を接合させることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、前記絶縁膜は、前記第１の単結晶半導体基板及び前記第２の単結晶半導体基板上に形成された酸化膜であることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記イオンは、Ｈ＋、Ｈ２＋、Ｈ３＋イオンであることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、Ｈ３＋イオンの割合が他のイオン種よりも高いことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記第１の熱処理は、前記ガラス基板の歪み点より低い温度で行うことを特徴するＳＯＩ基板の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６９】
図１０の半導体装置は、両面放射型であり、矢印の方向に素子基板１３００側からも、封止基板１３２５側からも光を放射する構造である。よって、第１の電極層１３１７及び第２の電極層１３２０として透光性電極層を用いる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５６】
図１４（Ａ）に示すように、バックライトユニット３５２は、光源として冷陰極管４０１を用いることができる。また、冷陰極管４０１からの光を効率よく反射させるため、ランプリフレクタ３３２を設けることができる。冷陰極管４０１は、大型の半導体装置に用いることが多い。これは冷陰極管からの輝度の強度のためである。そのため、冷陰極管を有するバックライトユニットは、パーソナルコンピュータのディスプレイに用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月25日(2011.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出発地から目的地までの経路を利用者に案内するナビゲーション装置、及び利用者が立ち寄る候補となる経由候補地点を前記ナビゲーション装置が提示するために用いる案内計画情報を生成する案内計画生成装置を備える計算機システムにおいて、
前記案内計画生成装置は、
前記経由候補地点に関する情報を記憶し、
前記ナビゲーション装置の移動範囲を算出し、
前記経由候補地点に関する情報を参照し、前記算出された移動範囲に存在する経由候補地点を選択し、
前記ナビゲーション装置が、前記選択された経由候補地点を利用者に提示するか否かを現在時刻に基づいて判定するための判定情報を生成し、
前記移動範囲に存在する経由候補地点、及び前記各経由候補地点の判定情報を含む前記案内計画情報を生成し、
前記ナビゲーション装置は、
前記案内計画生成装置によって生成された案内計画情報を取得し、
前記取得された案内計画情報に含まれる経由候補地点のうち、前記ナビゲーション装置の現在位置から所定の範囲内に存在する経由候補地点を、提示し得る経由候補地点として選択し、
前記選択された提示し得る経由候補地点の判定情報が、現在時刻に適合する経由候補地点を、提示経由候補地点として取得し、
前記取得された提示経由候補地点、及び前記現在位置から前記提示経由候補地点までの経路を利用者に提示することを特徴とする計算機システム。
【請求項２】
前記案内計画生成装置は、前記経由候補地点に関する情報として、前記経由候補地点で提供される商品又は役務の種類を記憶し、
前記判定情報は、前記経由候補地点で提供される商品又は役務の種類を含み、
前記案内計画生成装置は、前記案内計画情報に含まれる経由候補地点のうち、前記判定情報に含まれる商品又は役務の種類が前記現在時刻に適合する経由候補地点を、前記提示経由候補地点として取得することを特徴とする請求項１に記載の計算機システム。
【請求項３】
前記案内計画生成装置は、前記案内計画生成装置に記憶された前記経由候補地点に関する情報を参照する要求を利用者から受け付けた場合に、前記参照の要求を受け付けた経由候補地点に関する情報を利用者に提示し、
前記判定情報は、前記参照の要求を受け付けた回数を含み、
前記ナビゲーション装置は、前記参照要求を受け付けた回数が多い経由候補地点を優先して利用者に提示することを特徴とする請求項１に記載の計算機システム。
【請求項４】
前記案内計画生成装置は、
道路を、二つの交差点の間を接続するリンクに区分したリンク情報を記憶し、
前記出発地に接続されるリンクを移動するために必要な時間又は前記リンクの距離を示すコストを参照して、前記コストが最小となるリンクを選択し、前記選択されたリンクに接続されるリンクのコストに、前記出発地から前記選択されたリンクまでのコストを加算することによって、累積コストを算出し、前記算出された累積コストが最小となるリンクを選択する処理を、前記目的地まで繰り返し実行し、
前記累積コストが最小となるリンクを選択するためにコストが参照されたリンクを、前記ナビゲーション装置の移動範囲として算出することを特徴とする請求項１に記載の計算機システム。
【請求項５】
前記計算機システムは、経由候補地点に関する情報を利用者に提供する地点情報提供装置をさらに備え、
前記地点情報提供装置は、
情報の提供が要求された経路候補地点に関する情報を前記案内計画生成装置に送信し、
前記案内計画生成装置は、前記地点情報提供装置から送信された前記情報の提供が要求された経由候補地点のうち前記算出された移動範囲に存在する経由候補地点、及び前記算出された移動範囲に存在する各経由候補地点の判定情報を含む前記案内計画情報を生成することを特徴とする請求項１に記載の計算機システム。
【請求項６】
前記案内計画生成装置は、
前記移動範囲において、前記出発地から前記目的地までの複数の経路候補となる経路を算出し、
前記算出された経路候補となる経路上に位置する経由候補地点を選択し、
前記経路候補となる経路上に位置する経由候補地点、前記各経由候補地点の判定情報、及び前記経路候補となる経路を含む案内計画情報を生成し、
前記ナビゲーション装置は、
前記案内計画情報に含まれる経路候補となる経路のうち、前記現在位置から進行可能な経路を選択し、
前記現在位置から進入可能な経路として選択された経路上に位置する経由候補地点の判定情報が、前記現在時刻に適合する経由候補地点を、前記提示経由候補地点として取得し、
前記現在位置から進入可能な経路として選択された経路、及び前記取得された提示経由候補地点を利用者に提示することを特徴とする請求項１に記載の計算機システム。
【請求項７】
利用者が立ち寄る経由候補地点を提示しながら出発地から目的地までの経路を利用者に案内するナビゲーション装置、及び前記ナビゲーション装置が経路を案内するために用いる案内計画情報を生成する案内計画生成装置を備える計算機システムにおける経路案内方法において、
前記案内計画生成装置は、
前記経由候補地点に関する情報を記憶し、
前記ナビゲーション装置の移動範囲を算出し、
前記経由候補地点に関する情報を参照し、前記算出された移動範囲に存在する経由候補地点を選択し、
前記ナビゲーション装置が、前記選択された経由候補地点を利用者に提示するか否かを現在時刻に基づいて判定するための判定情報を生成し、
前記移動範囲に存在する経由候補地点、及び前記各経由候補地点の判定情報を含む前記案内計画情報を生成し、
前記ナビゲーション装置は、
前記案内計画生成装置によって生成された案内計画情報を取得し、
前記取得された案内計画情報に含まれる経由候補地点のうち、前記ナビゲーション装置の現在位置から所定の範囲内に存在する経由候補地点を、提示し得る経由候補地点として選択し、
前記選択された提示し得る経由候補地点の判定情報が、現在時刻に適合する経由候補地点を、提示経由候補地点として取得し、
前記取得された提示経由候補地点、及び前記現在位置から前記提示経由候補地点までの経路を利用者に提示することを特徴とする経路案内方法。