Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月19日(2011.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２３】
【図１】本発明の実施形態を示す電気自動車の上面図
【図２】同電気自動車の車体底パネル構造図
【図３】同電気自動車の後部正面図
【図４】同電気自動車の自動車底の構造図
【図５】同電気自動車の横面正面図
【図６】同電気自動車のドア構造図
【図７】同電気自動車の後部正面図
【図８】同電気自動車のサイドドアのガラス構造図
【図９】同電気自動車の高出力モータータイヤの構造説明図
【図１０】同電気自動車の前の横面の構造図
【図１１】同電気自動車の非常停車燈の構造説明図
【図１２】同電気自動車の後部の超小型非常停車燈の構造説明図
【図１３】同電気自動車のブレーキランプとウインカーランプの構造説明図
【図１４】同電気自動車の光電子増幅型の発光ダイオードライト玉構造説明図
【図１５】同電気自動車の運転席の計器取り付けの正面図
【図１６】同電気自動車の冷却装置の構造説明図
【図１７】同電気自動車の上面図
【図１８】同電気自動車の映像パネルカメラ付きバックミラー図
【図１９】同電気自動車の細胞蘇生活性化装置のプロテクター構造説明図
【図２０】同電気自動車の壷電気熱陽陰電子打ちマッサージ機の構造説明図
【図２１】同電気自動車の高出力ＤＣブラシレスインバータ制御電気熱発電モーターの構造説明図
【図２２】同電気自動車の高出力発電回路内蔵型循環発電機→別名高出力水発電機→高出力循環型燃料電池の構造説明図
【図２３】同電気自動車の2010年9月8日の北海道庁知事へ特許文章の一部送達記録の事実確認図
【図２４】同電気自動車の2010年9月16日の北海道知事への特許文章の一部送達記録の事実確認図
【図２５】同電気自動車の2010年9月20日の自動車積載予定の、生ゴミ合成紙の著作権考案を、ハガキに簡単に説明した文章を北海道知事へはがき連絡した著作権文章考案証拠説明図
【図２６】同電気自動車の特許文章の一部を北海道庁知事に送った時の特許文章の原本写し証拠説明図
【図２７】産業上の利用可能性の電気充電の入らない未来製品説明図
【図２８】産業上の利用可能性の電気配線の入らない置き型冷蔵庫クーラーの未来製品説明図
【図２９】産業上の利用可能性の家庭電気配線の入らない空気清浄加湿器の未来製品説明図
【図３０】産業上の利用可能性の家庭電気配線の入らない全自動瞬間乾燥機の未来製品説明図
【図３１】産業上の利用可能性の電気充電の必要の無い全自動ニャンワンロボット掃除機の未来製品説明図
【図３２】産業上の利用可能性の全自動高出力食器洗い乾燥機の未来製品説明図
【図３３】産業上の利用可能性の電気の入らない発酵熱発電池積載の扇風機の未来製品説明図
【図３４】産業上の利用可能性のトリプル録画再生長時間置き型ビデオの未来製品説明図
【図３５】産業上の利用可能性の磁気認識と異なるライトカメラ画像認識印刷機の未来製品説明図
【図３６】産業上の利用可能性の多層式カードカートリッジ型情報装置の未来製品説明図
【図３７】産業上の利用可能性の軽水素酸素水を、使った沸騰水全自動制御発電暖房機の未来製品説明図
【図３８】産業上の利用可能性の別の高出力ソーラーパネルの未来製品説明図
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月27日(2011.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明に係る梱包装置は、所定の開口部を有する略矩形状に構成された上板と、この上板と所定の間隔を置いて対向して設けられ、前記上板とほぼ同一形状でほぼ同一サイズの下板と、前記上板と前記下板の間の空間の前記上板及び前記下板の長手方向に、フォークリフトの爪の挿入穴を形成するように所定の間隔をおいて立設された少なくとも１つの支持部材と、側板と、を有するスキッドと、前記スキッドの上板の前記下板側と反対側の面に固定されるシ−トと、梱包対象品と前記シートとの間に介在するように前記シートに取り付けられ、弾性部材で構成された緩衝材と、を備え、前記シートは、前記上板に固定されたとき、前記上板の開口部の位置にほぼ合致するように配置され且つ前記開口部の大きさよりも小さい穴を有し、前記緩衝材は前記シートの穴と嵌合し、前記シートの厚さと前記上板の厚さの合計値以下の高さを持つように形成された凸部を有するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明に係る梱包装置は、底部緩衝材のスキッドへの固定方法がシートによるものである為、構造が簡単で組立作業性が良く、廃棄処分時の分解、組立が極めて容易な上、緩衝材はシートの穴と嵌合し、前記シートの厚さと前記上板の厚さの合計値以下の高さを持つように形成された凸部を有するので、緩衝材の嵌合部がフォークリフトの爪の挿入穴範囲に入ることはない。従って、フォークリフトの爪による底部緩衝材の担ぎが原因となる不良品を減少させ、担ぎを気にせずフォークリフトを作業できる為、運搬作業者の負担を軽減することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、前記嵌合穴１０ａ，１０ｂの形状を左右非対称とすることにより、前記底部緩衝材８の嵌め間違いを防止することができる。
また、前記底部緩衝材８の凸形状部位９の大きさは前記段ボールシート７の穴に嵌合した後、抜け難くなる程度に前記段ボールシート７の穴よりもわずかに大きいことが好ましい。これにより、底部緩衝材８は段ボールシート７にしっかりと固定される。
また、前記段ボールシート７は、前記スキッド１の上板３全体をほぼ覆うような形状を持つことが好ましい。これにより、美観を高めるとともに、底部緩衝材８の固定がより確実になる。
なお、上記の例では、空気調和機の梱包装置について説明したが、空気調和機に限る必要はなく、他の機器に適用できることは言うまでもない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の開口部を有する略矩形状に構成された上板と、この上板と所定の間隔を置いて対向して設けられ、前記上板とほぼ同一形状でほぼ同一サイズの下板と、前記上板と前記下板の間の空間の前記上板及び前記下板の長手方向に、フォークリフトの爪の挿入穴を形成するように所定の間隔をおいて立設された少なくとも１つの支持部材と、側板と、を有するスキッドと、
前記スキッドの上板の前記下板側と反対側の面に固定されるシ−トと、
梱包対象品と前記シートとの間に介在するように前記シートに取り付けられ、弾性部材で構成された緩衝材と、を備え、
前記シートは、前記上板に固定されたとき、前記上板の開口部の位置にほぼ合致するように配置され且つ前記開口部の大きさよりも小さい穴を有し、
前記緩衝材は前記シートの穴と嵌合し、前記シートの厚さと前記上板の厚さの合計値以下の高さを持つように形成された凸部を有することを特徴とする梱包装置。
【請求項２】
前記上板は、長手方向のほぼ中央を軸として対称の位置に形成された開口部を有することを特徴とする請求項１に記載の梱包装置。
【請求項３】
前記緩衝材の凸部の大きさは前記シートの穴に嵌合した後、抜け難くなる程度に前記シートの穴よりもわずかに大きいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の梱包装置。
【請求項４】
前記シートの穴の形状と前記緩衝材の凸部の形状は、前記短手方向を軸として非対称であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の梱包装置。
【請求項５】
前記シートは、前記スキッドの上板を覆うような形状を持つことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の梱包装置。
【請求項６】
前記シートは、前記スキッドの上板に針止めされることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の梱包装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月8日(2011.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薬学的に活性なペプチド化合物とキャリア巨大分子との水不溶性複合体を含む、薬学的組成物。
【請求項２】
前記水不溶性複合体の処方物が、前記薬学的に活性なペプチド化合物と前記キャリア巨大分子との間のイオン性相互作用により、少なくとも部分的に媒介される、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項３】
前記薬学的に活性なペプチド化合物がカチオン性であり、前記キャリア巨大分子がアニオン性である、請求項２に記載の薬学的組成物。
【請求項４】
前記薬学的に活性なペプチド化合物がアニオン性であり、前記キャリア巨大分子がカチオン性である、請求項２に記載の薬学的組成物。
【請求項５】
該複合体のペプチド含有量が少なくとも５７重量％である、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項６】
前記ペプチド化合物およびキャリア巨大分子が、０．５：１ないし０．１：１のキャリア：ペプチド化合物の重量比で前記薬学的組成物中に存在し、かつ、前記複合体がマイクロカプセルではない、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項７】
前記ペプチド化合物およびキャリア巨大分子が、０．１：１のキャリア：ペプチド化合物の重量比で前記薬学的組成物中に存在し、かつ、前記複合体がマイクロカプセルではない、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項８】
前記薬学的に活性なペプチド化合物が、ブラジキニンアナログ、副甲状腺ホルモン、副腎皮質刺激ホルモン(ACTH)、カルシトニン、およびバソプレッシンアナログからなる群より選択される、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項９】
前記水不溶性複合体の１回の用量が、前記薬学的組成物を被験体に投与した後少なくとも１週間、該被験体に前記ＬＨＲＨアンタゴニストの持続した送達を提供する、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項１０】
薬学的に活性なペプチド化合物およびキャリア巨大分子から本質的になる水不溶性複合体を含む、薬学的組成物。
【請求項１１】
薬学的組成物を調製する方法であって、
ペプチド化合物およびキャリア巨大分子を提供する工程；
ペプチド化合物およびキャリア巨大分子の水不溶性複合体を形成するような条件下でペプチド化合物およびキャリア巨大分子を組み合わせる工程；および
水不溶性複合体を含む薬学的処方物を調製する工程
を包含する、方法。
【請求項１２】
ペプチド化合物の溶液およびキャリア巨大分子の溶液が、ペプチド化合物およびキャリア巨大分子の水不溶性複合体が沈殿するまでに、組み合わせられる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ペプチド化合物の溶液およびキャリア巨大分子の溶液が、水性溶液である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ペプチド化合物がカチオン性であり、キャリア巨大分子がアニオン性である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
ペプチド化合物がアニオン性であり、キャリア巨大分子がカチオン性である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
薬学的に活性なペプチド化合物で処置可能な病態の処置のための医薬の製造における請求項１に記載の薬学的組成物の使用。
【請求項１７】
水不溶性複合体の１回の用量が、前記薬学的組成物を被験体に投与した後少なくとも１週間、該被験体に前記ＬＨＲＨアンタゴニストの持続した送達を提供する、請求項１６に記載の使用。
【請求項１８】
薬学的に活性なペプチド化合物がＬＨＲＨアナログである、請求項１６に記載の使用。
【請求項１９】
前記薬学的に活性なペプチド化合物が、ブラジキニンアナログ、副甲状腺ホルモン、副腎皮質刺激ホルモン(ACTH)、カルシトニン、およびバソプレッシンアナログからなる群より選択される、請求項１に記載の薬学的組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月21日(2011.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１の多孔質コンクリートの製造方法で、発泡スチロールの代わりに適度な粒に粉砕したゼリー状の寒天とコンクリート用材料とを練り合わせたコンクリート製品が、ゼリー状の寒天が乾燥することで、コンクリート製品に意図的に人工の空隙ができることを特徴とした多孔質コンクリートの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項１の多孔質コンクリートの製造方法で、植物を主原料とした生分解性機能のある発泡スチロール及びプラスチック類を適度な粒に破砕したものと、コンクリート用材料とを練り合わせたコンクリート製品が、生分解性機能のある発泡スチロール及びプラスチック類が自然分解することで、コンクリート製品に意図的に人工の空隙ができることを特徴とした多孔質コンクリートの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項２の多孔質コンクリートの製造方法で、寒天の代わりとなる、ゼラチン及び多糖類で構成された食物繊維からなるゼリー状の材料を適度な粒に粉砕し、これらのものとコンクリート用材料とを練り合わせたコンクリート製品が、ゼリー状の材料が乾燥することで、コンクリート製品に意図的に人工の空隙ができることを特徴とした多孔質コンクリートの製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項１及び請求項２及び請求項３及び請求項４の多孔質コンクリートの製造方法で、練り合わせた生コンクリートを型枠代わりに、布製のシーツ等を用いることにより、特別な専用型枠を使用しなくても製造できることを特徴とした多孔質コンクリートの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月8日(2011.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
水分含有液体が水、例えば地下水（井戸水）、河川水、湖沼水、海水淡水化水、農業用水、湧き水、ダムの水、工業用水、水道水、軟水、凝縮水、雨水、排水および廃水の何れかである場合、水素ガス製造部２は、下記式（１）の還元反応により、水素を生成する。
Ｃ＋２Ｈ2Ｏ→２Ｈ2＋ＣＯ2＋３９３．５ＭＪ（発生熱量）・・・（１）
この（１）式は以下の二つの既知の反応式から導き出せる。
Ｃ＋Ｈ2Ｏ→Ｈ2＋ＣＯ＋１１０．５ＭＪ・・・・（１ａ）
ＣＯ＋１１０．５ＭＪ＋Ｈ2Ｏ→Ｈ2+ＣＯ2+３９３．５ＭＪ・・（１ｂ）
（１ａ）式と（１ｂ）式を足すと（１）式となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
水分含有液体が発酵生成エタノール（Ｃ2Ｈ5ＯＨ、エタノール１４．６体積％、Ｈ2Ｏ８５．４体積％）の場合、水素ガス製造部２は、下記式（２）の還元反応により、水素を生成する。
Ｃ＋０．２５Ｃ2Ｈ5ＯＨ＋４．７５Ｈ2Ｏ＋２８９．５ＭＪ（必要入熱）→３．５Ｈ2＋１．５ＣＯ2＋２Ｈ2Ｏ＋１,１６１．９ＭＪ（発生熱量）・・・（２）
このように発生熱量は加えるべき熱量の約４倍であるため、スタートアップ時のみ外部からの熱が必要だが、定常運転では外部からの熱は不要である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、ホッパー１１に投入された炭素含有物（例えば、木炭、コークス、竹炭、無煙炭、カーボンブラック、黒鉛、炭化珪素、活性炭、練炭、ヤシガラ炭およびトナー（廃トナーも含む）が、粉砕機１２で粒径１００μｍ以下の粉体とされた状態で、混合機１５に供給される。ただし、トナーはすでに粉状なので粉砕不要である。混合機１５では、供給された粉体状炭素含有物が、例えばカーボンからなるコピー機用トナーが水に溶けて黒い液となるように、水に溶けて混合し、水分炭素混合液体となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
図７は本発明の水素ガス製造装置の第５の実施形態を示すブロック構成図である。図７において、第５の実施形態における水素ガス製造装置１０Ｄは、水素ガスを製造する装置であり、バイオマス（木質系、農産物加工残渣）を加熱して熱分解させ、水素と二酸化炭素と一酸化炭素とを生成する炭化炉３と、その炭化炉から導入された一酸化炭素と、供給された水蒸気とを反応させて二酸化炭素と水素に変換し、炭化炉３から導入された水素および二酸化炭素とともに、水素ガスユーザー側に送出するシフト反応部４とを備えている。この水素ガス製造部２Ｃは、水素ガスと共に二酸化炭素ガスを発生させる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
また、ＣＯ2も５０．５ｋｍｏｌ排出されるが、この炭素（Ｃ）はバイオマスからのＣＯ2であるので、ゼロカウントとみなされる。排出権取引にも利用できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
本発明の水素ガス製造システムの特長をまとめると以下のようになる。
ａ）安価な原料から高価な水素ガス（Ｈ2）が製造できる。そのうちのほとんどの割合を占めるのが木質系バイオマスと水である。
ｂ）原料の原料も含めて、すべてバイオマスと水であるため製造ガス中に硫黄（Ｓ）分を全く含まない（脱硫設備不要）。
ｃ）この水素製造プロセスの木炭炉（炭化炉）は製鉄所のコークス炉と同じであるため、設計が簡単にできる。発生ガス処理設備設計も同様である。
ｄ）現在休止中のバイオエタノール製造プラントを活用できる。
ｅ）休耕田を活用できる。発酵生成エタノールの原料は糖質原料であるサトウキビ，テンサイ等及びデンプン質原料であるトウモロコシ、小麦、米等。
ｆ）雇用の創出ができる。林業、農業、鉱工業の雇用の創出ができる。
ｇ）消費も含め経済が活性化する。林業、農業、鉱業、工業とほとんどの産業が活性化する。
ｈ）廃バイオマス（廃木材等）及び廃水を利用できる。すなわちＨがかなりの割合で入っていれば良い。原料中に一部廃プラスチック等でも可。
ｉ）木タールは現在稼動中の”タール蒸留”と同様、付加価値の高い石炭酸（フェノール）等及び炭素繊維の原料であるピッチの製造も可能である。すなわち、石炭化学ならぬ木質系バイオマス化学への展開も可能である。
ｊ）森林火災の防止にも役立つ。米国を含めた海外では大きな面積にわたって森林が火災にあっている。前もって樹木を伐採しておけば環境問題エネルギー問題及び森林火災問題は解決できるはずである。
ｋ）Ｈ2Ｏが循環するだけで、系内のＨ2Ｏは増加する。原料の水以外の原料中の水素（Ｈ）と酸素（Ｏ）からＨ2Ｏを生成することができる。
ｌ）発電所と結びつければ、Ｈ2Ｏをメークアップする必要がない。（９）式の６２ｋｍｏｌの水は、１０４．５ｋｍｏｌの水素（Ｈ2＋０．５Ｏ2→Ｈ2Ｏ）から確保できる。
ｍ）離島用発電プラントにはぴったりである。森林、バイオマス（サトウキビ等）及び水が豊富である。現在の発電コストより小さくしかもＣＯ2ゼロエミッションである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月20日(2010.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７９】
【化４２】
2011057686.tif 000001
実施例１０
化合物１１１１を用いるフォレート標的化因子でのプロドラッグの調製
化合物１１１１は、求電子性基を有し、この基が軽度に塩基性の有機または水性の条件（すなわち、２０ｍＭ〜５００ｍＭの炭酸水素ナトリウム）下で求核性アミノ基と反応して非可逆性のチオ尿素結合を形成し得る。適切な求核性アミノ基は、標的化生体高分子フォレートに存在する。フォレート分子ＡおよびＣを、塩基トリメチルアミンまたはジイソプロピルエチルアミンの存在下でほぼ等しい割合で混合することによってＤＭＦ中のアミノ基を介して化合物１１１１に結合して、化合物ＢおよびＤを得た（スキーム７）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２７８】
【化８６】
2011057686.tif 000002
実施例５６
化合物Ａ０５２−１０の合成
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
搬送方向に並設された複数の区画部に搬送されてくる物品を受入位置で順次、受け入れて排出位置まで搬送する搬送コンベヤと、
前記排出位置に移動した区画部から複数の物品を把持して取り出す把持部を有し、該把持部が該搬送コンベヤから取り出した物品を包装機に接続した供給コンベヤの供給タイミングに合わせて該供給コンベヤに載置する移載手段と
を備えた物品供給装置であって、
前記搬送コンベヤに搬送されてくる所定時間あたりの物品数と前記包装機の所定時間あたりの包装個数である処理能力に差が生じて、前記排出位置までの区画部に収容された物品の貯留量を変化させる際に、該物品の貯留量を増加させる条件が満たされると前記包装機の処理能力を低くし、該物品の貯留量を減少させる条件が満たされると前記包装機の処理能力を高くして、該物品の貯留量を変化させ、
該物品の貯留量の変化に応じて変化した前記排出位置で前記把持部が前記搬送コンベヤ上において物品と共に搬送する方向に移動して前記複数の物品を把持するよう構成したことを特徴とする物品供給装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、搬送されてくる物品を複数個ずつ集合させて包装機に供給する物品供給装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１の発明に係る物品供給装置１は、下記の搬送コンベヤ５と移載手段７とを備えている。搬送コンベヤ５は、搬送方向に並設された複数の区画部１０に搬送されてくる物品４を受入位置Ａで順次、受け入れて排出位置Ｂまで搬送する。移載手段７は、前記排出位置Ｂに移動した区画部１０から複数の物品４を把持して取り出す把持部１６を有し、該把持部１６が該搬送コンベヤ５から取り出した物品４を包装機３に接続した供給コンベヤ６の供給タイミングに合わせて該供給コンベヤ６に載置する。前記搬送コンベヤ５に搬送されてくる所定時間あたりの物品４の数と前記包装機３の所定時間あたりの包装個数である処理能力に差が生じて、前記排出位置Ｂまでの区画部１０に収容された物品４の貯留量を変化させる際に、該物品４の貯留量を増加させる条件が満たされると包装機３の処理能力を低くし、該物品４の貯留量を減少させる条件が満たされると包装機３の処理能力を高くして、該物品４の貯留量を変化させる。また、該物品４の貯留量の変化に応じて変化した前記排出位置Ｂで前記把持部１６が前記搬送コンベヤ５上において物品４と共に搬送する方向に移動して前記複数の物品４を把持するよう構成した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、物品の貯留量の変化に応じて変化した排出位置で、把持部が搬送コンベヤ上において物品と共に搬送する方向に移動して複数の物品を把持するので、物品の位置が区画部と共に変化しても物品を確実に把持して搬送コンベヤから取り出すことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
以上のことから、高速包装処理時に搬送されてくる物品に遅れが生じても、搬送コンベヤに貯留した物品を後工程の包装機への物品供給タイミングに合わせて、的確な位置に供給することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月26日(2011.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上側バンパー部分と下側バンパー部分との間に配置された横方向に細長いグリル開口部を有するバンパー構造体と、
前記バンパー構造体の細長いグリル開口部を通して露出されたカバー部分を有する下側グリル組立体であって、該下側グリル組立体の下側に配置され前記バンパー構造体の下側バンパー部分により形成される空洞部内にて前方に延在する下側グリル空洞部用充填部材を備え、前記下側グリル空洞部用充填部材が前記空洞部の外側部分から前記空洞部の中央部分を仕切るという下側グリル組立体と、
を具備する、車両用のフロントエンド組立体。
【請求項２】
前記空洞部が前記バンパー構造体内に前方に延在する空洞部となるように、前記下側バンパー部分は前方に延在する、請求項１に記載のフロントエンド組立体。
【請求項３】
下側グリル組立体は、前記カバー部分を支持するフレームを有し、前記下側グリル空洞部用充填部材は、前記フレームから下方に延在する、請求項１に記載のフロンエンド組立体。
【請求項４】
前記フレームの頂部は、前記フレームの底部の前方に配置される、請求項３に記載のフロントエンド組立体。
【請求項５】
前記下側グリル空洞部用充填部材は、前記フレームから下方に延在する鉛直部分と、該鉛直部分から前方に延在する水平部分とを有し、該水平部分は、前記空洞部内に配置される、請求項３に記載のフロントエンド組立体。
【請求項６】
前記下側グリル空洞部用充填部材は、該下側グリル空洞部用充填部材を包含する前記空洞部の断面積の少なくとも５０パーセント以上を占有する、請求項１に記載のフロントエンド組立体。
【請求項７】
前記下側グリル空洞部用充填部材は、前記下側グリル組立体と一体的に形成される、請求項１に記載のフロントエンド組立体。
【請求項８】
前記下側グリル空洞部用充填部材は第１の下側グリル空洞部用充填部材であり、前記下側グリル組立体はさらに、前記空洞部の外側部分から前記空洞部の中央部分を仕切るように、前記第１の下側グリル空洞部用充填部材から横方向に離間された第２の下側グリル空洞部用充填部材を有する、請求項１に記載のフロントエンド組立体。
【請求項９】
前記下側グリル空洞部用充填部材は、冷却空気の低圧力領域の方への加熱された空気の通過を阻止すべく、前記下側バンパー部分により形成される前記空洞部の一部分を充填するような大きさ及び配置とされる、請求項１に記載のフロントエンド組立体。
【請求項１０】
前記バンパー構造体に接続される側部デフレクターをさらに有する、請求項１に記載のフロントエンド組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月3日(2011.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つ以上の集電体をパターニングする工程であって、各集電体は、２つの誘電体ストリップ部材に隣接する導電性ストリップ部材部分を含む工程と、
前記２つ以上の集電体を配置し、順次的な集電体間の空間中に少なくとも１つの電解質開口部を形成する工程と、
各集電体の一部の周囲にフレームを適用する工程と、
前記少なくとも１つの電解質開口部の中に電解質を配置する工程と、
前記配置された電解質の少なくとも一部上に触媒を配置する工程と
を含む電気化学セルアレイの製造方法。
【請求項２】
前記電解質開口部の少なくとも１つの面に剥離層を適用することによって、前記配置された電解質が硬化するのに十分な時間、前記配置された電解質を所定の位置に保持することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記２つ以上の集電体をパターニングすることが、集電体の連続シートをパターニングすることを含み、前記連続シートが、少なくとも第１の集電体及び第２の集電体を含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記連続集電体シートをパターニングすることが、非多孔質材料を含浸させたか又は非多孔質材料を積層した炭素繊維シートをパターニングすることを含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記２つ以上の集電体をパターニングすることが、その中に組み込まれた前記少なくとも１つの電解質開口部を有するプラスチック又は導電性材料の少なくとも１つを押出し成形することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記２つ以上の集電体をパターニングすることが、グラファイト系材料、炭素系材料又は金属系材料をパターニングすることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つの電解質開口部の中に電解質を配置することが、浸漬鋳込法、スロットダイキャスティング法、薄膜流延法、注射器注入法、インクジェット印刷法、又はスクリーン印刷法の少なくとも１つを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記電解質の少なくとも一部上に前記触媒を配置することが、集電体の少なくとも一部上に前記触媒を重ねるか、又は集電体の少なくとも一部と前記触媒とを接触させ、それらの間に接続を実現させることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記集電体の少なくとも一部と前記触媒とを接触させることが、電気的接続を実現させる請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記電解質の少なくとも一部上に前記触媒を配置することが、噴霧法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、又はデカル転写法の少なくとも１つを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
掻取り工程、サンディング工程、研磨工程、機械加工工程又はエッチング工程の少なくとも１つによって集電体の少なくとも一部から前記配置された電解質を除去することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記配置された電解質の少なくとも一部上に前記触媒を配置した後、各集電体の周囲から前記フレームを除去することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの電解質開口部の中に前記電解質を配置することが、硬化性分散物を配置することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの電解質開口部の中に前記電解質を配置することが、イオノマー樹脂を射出成形することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記２つ以上の集電体をパターニングすることが、モールディング法、押出し成形法、スタンピング法、レーザパターニング法、ウォータージェットパターニング法、研削材噴射パターニング法、化学エッチング法、機械加工法、又は打抜き法の少なくとも１つを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記２つ以上の集電体をパターニングすることが、結合工程又は積層工程を用いて、前記導電性ストリップ部材部分及び前記２つの誘電体ストリップ部材を取り付けることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
適用される圧力を用いて、少なくとも前記配置された電解質に前記触媒を結合することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
２つ以上の集電体をパターニングする工程であって、各集電体は、２つの誘電体ストリップ部材に隣接する導電性ストリップ部材部分を含む工程と、
前記２つ以上の集電体を配置し、順次的な集電体間の空間中に少なくとも１つの電解質開口部を形成する工程と、
前記電解質開口部の少なくとも１つの面に剥離層を適用する工程と、
前記少なくとも１つの電解質開口部の中に電解質を配置し、前記配置された電解質が硬化するのに十分な時間、前記配置された電解質を所定の位置に保持する工程と、
前記配置された電解質の少なくとも一部上に触媒を配置し、圧力を適用して前記配置された電解質の前記部分に前記触媒を結合させる工程と
を含む電気化学セルアレイの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月28日(2011.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水平方向に延長される半導体物質の基板と、
前記基板上の複数の層間絶縁膜と、
隣接する下部層間絶縁膜と隣接する上部層間絶縁膜の間に各々配置される複数のゲートパターンと、
前記複数の層間絶縁膜とゲートパターンを貫通し垂直方向に延長される半導体物質の垂直チャンネルとを含み、
前記各々のゲートパターンと垂直チャンネルの間には前記垂直チャンネルから前記ゲートパターンを絶縁させるゲート絶縁膜が具備され、各々の前記ゲートパターンとゲート絶縁膜の間に電荷トラップ膜が具備され、前記電荷トラップ膜は前記ゲートパターンとゲート絶縁膜の間で垂直方向に延長される第１部分、前記ゲートパターンと隣接する上部層間絶縁膜の間で水平方向に延長される第２部分、及び前記ゲートパターンと隣接する下部層間絶縁膜の間で水平方向に延長される第３部分を含むことを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記基板及び垂直チャンネルは単結晶半導体物質を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
【請求項３】
前記ゲート絶縁膜は熱酸化膜を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
【請求項４】
上部選択トランジスタの上部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最上部に位置する最上部ゲートパターンと、
下部選択トランジスタの下部選択ゲートに提供され、複数のゲートパターンのうち、最下部に位置する最下部ゲートパターンと、
半導体素子の共通ストリングのメモリセルトランジスタのコントロールゲートに提供され、前記最上部選択ゲート及び最下部選択ゲートの間に位置する複数の残りのゲートパターンと、
前記半導体素子のワードラインに提供されるように互いに接続され、第１水平方向に配置され、同一層に割当てられるセルトランジスタのコントロールゲートと、
前記垂直チャンネルによって互いに直列に接続されて半導体素子の共通のセルストリングをなすメモリセルトランジスタと、
前記半導体素子の第２水平方向に配置され、半導体素子のビットラインと互いに接続される垂直チャンネルの上部とを含み、
前記半導体素子は不揮発性メモリー素子を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
【請求項５】
水平方向に延長される半導体物質の基板を提供する段階と、
前記基板上に複数の層間絶縁膜を提供する段階と、
隣接する下部層間絶縁膜と隣接する上部層間絶縁膜の間に各々配置される複数のゲートパターンを提供する段階と、
前記複数の層間絶縁膜とゲートパターンを貫通して垂直方向に延長される半導体物質の垂直チャンネルを提供する段階と、
前記各々のゲートパターンと垂直チャンネルの間には前記垂直チャンネルから前記ゲートパターンを絶縁させるゲート絶縁膜を提供する段階と、
各々の前記ゲートパターンとゲート絶縁膜の間に電荷トラップ膜を提供する段階とを含み、前記電荷トラップ膜は前記ゲートパターンとゲート絶縁膜の間で垂直方向に延長される第１部分、前記ゲートパターンと隣接する上部層間絶縁膜の間で水平方向に延長される第２部分、及び前記ゲートパターンと隣接する下部層間絶縁膜の間で水平方向に延長される第３部分を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記基板を提供する段階は、単結晶半導体物質を含む基板を提供することを含み、前記垂直チャンネルを提供する段階は、単結晶半導体物質を含む垂直チャンネルを提供することを含むことを特徴とする請求項５記載の半導体素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月8日(2011.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理システムであって、
外部チャンバ圧とは異なる内部チャンバ圧を保持することのできる内部を有する処理チャンバと、
前記チャンバへ結合され、物質を前記処理チャンバから除去するように適合されたポンプ・システムと、
基板を前記処理チャンバの内側で支持するように適合された基板支持部材、及び回転的に固定された仕方で前記基板支持部材へ結合され、前記処理チャンバに対して回転できる基板支持シャフトを備える基板支持アセンブリと、
前記基板支持シャフトへ結合され、１ＲＰＭ（回転／分）と２０００ＲＰＭとの間の回転速度で前記基板支持アセンブリを回転するように構成されたモータと、
前記基板支持シャフトと前記処理チャンバとの間に結合され、前記基板支持アセンブリが回転しているときでも、外部チャンバ圧とは異なる内部チャンバ圧を維持することを前記システムに許す少なくとも１つの回転シールと、
少なくとも１つの静止チャネルと前記処理チャンバ内の少なくとも１つの回転可能チャネルとの間で流体を伝導するように構成された少なくとも２つの回転流体結合であって、
前記少なくとも２つの回転流体結合の２つが、前記回転する基板支持アセンブリを介して温度制御流体を循環させるために使用され、前記温度制御流体が、前記基板支持シャフトの中のチャネルを通過して前記基板支持部材及び前記基板の前記温度を低減し、
前記処理チャンバの外側の少なくとも１つの静止導体と前記処理チャンバの内側の少なくとも１つの回転可能導体との間で電気が通ることを許すように構成された回転電気フィードスルーと
を備える半導体処理システム。
【請求項２】
前記少なくとも１つの回転シールが、少なくとも２つの回転シールを備え、差動ポンプ管接続口が、前記少なくとも２つの回転シールの間からガスを除去するチャネルを提供するように構成される、請求項１に記載の半導体処理システム。
【請求項３】
前記回転電気フィードスルーが、前記基板支持部材の近くでヒータへ電力を提供するように使用され、前記ヒータが、前記基板支持部材及び前記基板の温度を増加する加熱源を提供する、請求項１又は２に記載の半導体処理システム。
【請求項４】
前記回転電気フィードスルーが、前記基板支持部材の静電吸着機構へ電圧を提供するために使用される、請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体処理システム。
【請求項５】
前記回転速度が、約１０ＲＰＭと約１２０ＲＰＭとの間である、請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体処理システム。
【請求項６】
前記モータが、時計回り方向と反時計回り方向の双方で前記シャフトを回転するように構成される、請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体処理システム。
【請求項７】
前記温度制御流体が、前記基板支持シャフトの中のチャネルを通過して前記少なくとも１つの回転シールを冷却する、請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体処理システム。
【請求項８】
前記少なくとも１つの回転流体結合の１つが、前記基板支持シャフトの中を前記基板支持部材まで上方へ真空を伝導し、前記基板を前記基板支持部材の上に吸着するように使用される、請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体処理システム。
【請求項９】
前記回転電気フィードスルーが、液体水銀、金属ブラシ、金属ブシュ、玉軸受、及び転がりリングから構成される群の少なくとも１つを利用して回転電気接続を作る、請求項１に記載の半導体処理システム。
【請求項１０】
前記基板が円形であり、前記基板の中心が前記基板支持シャフトの軸の上にあって、前記基板が回転するとき、前記基板の前記中心が有意には回転しない、請求項１に記載の半導体処理システム。
【請求項１１】
前記基板が円形であり、前記基板の前記中心が前記基板支持シャフトの前記軸の上になく、前記基板支持シャフトが回転するとき、前記基板の前記中心が回転する、請求項１に記載の半導体処理システム。
【請求項１２】
前記基板が円形であり、前記基板の前記軸が前記基板支持シャフトの前記軸に関して傾斜されており、前記基板支持シャフトが回転するときに揺れを作り出す、請求項１に記載の半導体処理システム。
【請求項１３】
前記基板の前記軸の前記傾斜が、前記基板支持シャフトの前記軸から約０.１°以下である、請求項１２に記載の半導体処理システム。
【請求項１４】
前記基板の前記軸の前記傾斜が、膜の堆積中に調節可能である、請求項１２に記載の半導体処理システム。
【請求項１５】
前記基板が、前記膜の堆積中に非傾斜位置から傾斜位置へ調節される、請求項１２に記載の半導体処理システム。
【請求項１６】
前記システムが、前記基板支持部材を上昇及び下降させるため前記シャフトへ結合されたリフト機構を備える、請求項１に記載の半導体処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月9日(2010.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子搭載領域と、複数のアウターリードを有するアウターリード部と、複数のインナーリードを有し、前記インナーリードの少なくとも一部が前記素子搭載領域内を引き回されているインナーリード部と、前記素子搭載領域の少なくとも一部に位置する前記インナーリードの間隙に充填された絶縁樹脂とを備える回路基材と、
前記回路基材の第１の面側の前記素子搭載領域に搭載され、電極パッドを有する少なくとも一つの第１の半導体素子を備える第１の素子群と、
前記回路基材の第２の面側の前記素子搭載領域に搭載され、電極パッドを有する少なくとも一つの第２の半導体素子を備える第２の素子群と、
前記第１の半導体素子の前記電極パッドと前記回路基材の前記インナーリードとを電気的に接続する第１の金属ワイヤと、
前記第２の半導体素子の前記電極パッドと前記回路基材の前記インナーリードとを電気的に接続する第２の金属ワイヤと、
前記第１および第２の素子群を前記第１および第２の金属ワイヤと共に封止する樹脂封止部とを具備し、
前記アウターリード部は、第１のアウターリードを有する第１のアウターリード部と、前記第１のアウターリードと前記素子搭載領域を介して対向配置された第２のアウターリードを有する第２のアウターリード部とを備え、かつ前記インナーリード部は前記第１のアウターリードに接続された第１のインナーリードと、前記第２のアウターリードに接続された第２のインナーリードとを有し、前記第１および第２のインナーリードの少なくとも一方が前記素子搭載領域内を引き回されており、
前記回路基材は、前記素子搭載領域内の前記インナーリードを有する部分以外の部分に設けられた素子支持部をさらに備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
素子搭載領域と、複数のアウターリードを有するアウターリード部と、複数のインナーリードを有し、前記インナーリードの少なくとも一部が前記素子搭載領域内を引き回されているインナーリード部と、前記素子搭載領域の少なくとも一部に位置する前記インナーリードの間隙に充填された絶縁樹脂とを備える回路基材と、
前記回路基材の第１の面側の前記素子搭載領域に搭載され、電極パッドを有する少なくとも一つの第１の半導体素子を備える第１の素子群と、
前記回路基材の第２の面側の前記素子搭載領域に搭載され、電極パッドを有する少なくとも一つの第２の半導体素子を備える第２の素子群と、
前記第１の半導体素子の前記電極パッドと前記回路基材の前記インナーリードとを電気的に接続する第１の金属ワイヤと、
前記第２の半導体素子の前記電極パッドと前記回路基材の前記インナーリードとを電気的に接続する第２の金属ワイヤと、
前記第１および第２の素子群を前記第１および第２の金属ワイヤと共に封止する樹脂封止部と
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記アウターリード部は、第１のアウターリードを有する第１のアウターリード部と、前記第１のアウターリードと前記素子搭載領域を介して対向配置された第２のアウターリードを有する第２のアウターリード部とを備え、かつ前記インナーリード部は前記第１のアウターリードに接続された第１のインナーリードと、前記第２のアウターリードに接続された第２のインナーリードとを有し、前記第１および第２のインナーリードの少なくとも一方が前記素子搭載領域内を引き回されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２記載の半導体装置において、
前記第１の半導体素子は前記第２の半導体素子より小さい外形を有し、前記絶縁樹脂は少なくとも前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子とが重なる領域に位置する前記インナーリードの間隙に充填されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２または請求項４記載の半導体装置において、
前記回路基材は、前記素子搭載領域内の前記インナーリードを有する部分以外の部分に設けられた素子支持部をさらに備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
素子搭載領域と、複数のアウターリードを有するアウターリード部と、前記複数のアウターリードに接続された複数のインナーリードを有し、前記インナーリードの少なくとも一部が前記素子搭載領域内を引き回されているインナーリード部と、前記素子搭載領域内に位置する前記インナーリードの間隙に充填された絶縁樹脂とを備える回路基材と、
前記回路基材の第１の面側の前記素子搭載領域に搭載され、電極パッドを有する複数の第１の半導体素子を備える第１の素子群と、
前記回路基材の第２の面側の前記素子搭載領域に搭載され、電極パッドを有する複数の第２の半導体素子を備える第２の素子群と、
前記第１の半導体素子の前記電極パッドと前記回路基材の前記インナーリードとを電気的に接続する第１の金属ワイヤと、
前記第２の半導体素子の前記電極パッドと前記回路基材の前記インナーリードとを電気的に接続する第２の金属ワイヤと、
前記第１および第２の素子群を前記第１および第２の金属ワイヤと共に封止する樹脂封止部と
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
素子搭載領域と、
複数のアウターリードを有するアウターリード部と、
複数のインナーリードを有し、前記インナーリードの少なくとも一部が前記素子搭載領域内を引き回されているインナーリード部と、
前記素子搭載領域の少なくとも一部に位置する前記インナーリードの間隙に充填された絶縁樹脂と
を具備することを特徴とするリードフレーム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月28日(2011.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
このように本実施の形態では、レーザビームＬＢと基板１１とを第１方向およびこれとは逆の第２方向に相対的に移動させると共に、基板１１の既照射領域６１と未照射領域６２との光学特性の変化、または既照射領域６１の光学特性を、第１方向と第２方向との各々について計測し、計測結果の第１方向と第２方向との差が所定範囲に収まるようにレーザビームＬＢの照射パワーを変調するようにしたので、レーザビームＬＢを往復させることでスループットを高めつつ、第１方向と第２方向との結晶性の差を確実に抑え、駆動トランジスタＴｒ１等のＴＦＴデバイスの特性差を小さくすることができる。よって、この製造方法により得られた駆動トランジスタＴｒ１等を駆動素子として、これにより駆動される有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを備えた有機発光表示装置を構成すれば、表示むらを抑え、表示品質の高い表示装置を実現することができる。特に、ＴＦＴの特性差により発光性能に影響を受けやすい有機発光表示装置に好適である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月27日(2011.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間にＥＬ層を有する発光素子であって、
前記ＥＬ層は、陽極として機能する電極と発光性を有する第３の層との間に正孔注入性を有する第１の層、および正孔輸送性を有する第２の層とを少なくとも有し、陰極として機能する電極と前記第３の層との間に電子の移動を制御する第４の層を少なくとも有し、
前記第１の層は、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料からなり、
前記第２の層の最高被占有軌道準位の絶対値は、前記第１の層の最高被占有軌道準位の絶対値よりも大きく、
前記第４の層は、電子輸送性の第１の有機化合物と正孔輸送性の第２の有機化合物とからなり、前記第２の有機化合物の含有量が質量比で全体の５０％未満であることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の有機化合物の最低空軌道準位の絶対値は、第１の有機化合物の最低空軌道準位の絶対値との差が０．３ｅＶ以下であり、
前記第１の有機化合物の双極子モーメントをＰ１、前記第２の有機化合物の双極子モーメントをＰ２とすると、Ｐ１／Ｐ２≧３の関係を満たすことを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の有機化合物の最低空軌道準位の絶対値は、第１の有機化合物の最低空軌道準位の絶対値との差が０．３ｅＶ以下であり、
前記第１の有機化合物は、金属錯体であり、
前記第２の有機化合物は、芳香族アミン化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
一対の電極間にＥＬ層を有する発光素子であって、
前記ＥＬ層は、陽極として機能する電極と発光性を有する第３の層との間に正孔注入性を有する第１の層、および正孔輸送性を有する第２の層とを少なくとも有し、陰極として機能する電極と前記第３の層との間に電子の移動を制御する第４の層を少なくとも有し、
前記第１の層は、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料からなり、
前記第２の層の最高被占有軌道準位の絶対値は、前記第１の層および前記第３の層の最高被占有軌道準位の絶対値よりも大きく、
前記第４の層は、電子輸送性の第１の有機化合物と電子トラップ性の第２の有機化合物とからなり、前記第２の有機化合物の含有量が質量比で全体の５０％未満であることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項４において、
前記第２の有機化合物の最低空軌道準位の絶対値は、前記第１の有機化合物の最低空軌道準位の絶対値よりも０．３ｅＶ以上大きいことを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記第１の有機化合物は、金属錯体であり、
前記第２の有機化合物は、クマリン誘導体であることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項４または請求項５において、
前記第１の有機化合物は、金属錯体であり、
前記第２の有機化合物は、キナクリドン誘導体であることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第３の層は、電子輸送性の物質を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項４乃至請求項８のいずれか一において、
前記第４の層の膜厚は、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の発光素子を用いて形成されたことを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発光装置を用いて形成されたことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月15日(2011.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法、半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体層を有する半導体装置の作製方法であって、
窒素を含有する第１の絶縁体の堆積と、窒素及びフッ素を含有する第２の絶縁体の堆積を複数回繰り返すことにより、前記半導体層上に、窒素を含有する第１の領域と、窒素及びフッ素を含有する第２の領域を交互に有する絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁体の堆積は、窒素及び珪素を含有するガスを原料ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法により行われ、
前記第２の絶縁体の堆積は、前記第１の絶縁体の堆積に用いられる原料ガスにフッ素を添加したガスを原料ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法により行われ、
前記第１の絶縁体の堆積と、前記第２の絶縁体の堆積とは、同一装置内において連続的に行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の絶縁体は、酸化窒化珪素又は窒化酸化珪素であり、
前記第２の絶縁体は、フッ素を含有する酸化窒化珪素又はフッ素を含有する窒化酸化珪素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記絶縁層の最上面は前記第１の絶縁体により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の領域を、下部から上部に向かうにつれて厚くなるように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２の領域を、下部から上部に向かうにつれて薄くなるように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第２の領域におけるフッ素の濃度を、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記絶縁層を、ドライエッチングを用いて加工することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上の半導体層と、
前記半導体層上の絶縁層を有し、
前記絶縁層は、窒素を含有する第１の絶縁体からなる第１の領域と、窒素及びフッ素を含有する第２の絶縁体からなる第２の領域を交互に複数有し、
前記第１の絶縁体は、酸化窒化珪素又は窒化酸化珪素であり、
前記第２の絶縁体は、フッ素を含有する酸化窒化珪素又はフッ素を含有する窒化酸化珪素であり、
前記絶縁層の最上面は前記第１の絶縁体からなり、
前記第１の領域は、下部から上部に向かうにつれて厚くなるように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記第２の領域は、下部から上部に向かうにつれて薄くなるように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項８又は９において、
前記絶縁層の深さ方向の元素濃度のプロファイルにおいて、フッ素の濃度は前記第２の領域においてピークを有し、窒素の濃度は前記第２の領域においてピークを有しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれか一において、
前記第２の領域におけるフッ素の濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であることを特徴とする半導体装置。