Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月15日(2008.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン−オン−インシュレータ構造を提供するステップを含み、前記構造は基板、前記基板を覆うシリコン層と、前記基板とシリコン層との間に設けられた第１絶縁層とを含むものであり、
前記シリコン−オン−インシュレータ構造の第１領域に、前記シリコン層と前記第１絶縁層の一部を取り除くことによって開口部を形成し、前記基板層の一部をさらすステップと、
前記開口部にエピタキシャルシリコンを選択的に成長させるステップと、
前記第１領域の前記開口部に成長した前記シリコンに第２絶縁層を形成し、前記開口部に成長したシリコンと基板との間に絶縁層を提供するステップと、を含み、前記第１領域における前記第２絶縁層の層厚は、前記構造の第２領域における前記第１絶縁層の層厚よりも薄いものであって、さらに、
前記第１領域に一部空乏型MOSFETを形成し、前記第２領域に完全空乏型MOSFETを形成するステップを含む、半導体デバイスを形成する方法。
【請求項２】
前記第２絶縁層を形成するステップは、前記蒸着したシリコンに酸素イオンを注入するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記開口部のサイドウォールに絶縁サイドウォールスペーサを形成するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第１領域を前記第２領域から絶縁するように、前記構造中に絶縁領域を形成するステップをさらに含む、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記絶縁領域を形成するステップは、前記絶縁サイドウォールスペーサを取り除くステップを含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記構造は、前記第１領域から離間された第２領域を含み、前記第１領域において前記第２絶縁層を覆う前記シリコン層は、第１の結晶方位を有するシリコンと、前記第２領域において前記第１絶縁層を覆う前記シリコン層は、第２結晶方位を有するシリコンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記基板は前記第１結晶方位を有するシリコンを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１結晶方位および前記第２結晶方位は、＜１００＞、＜１１０＞、＜１１１＞、＜３１１＞からなるシリコン結晶方位群と、これらの方位に向けられた結晶面から選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１結晶方位を有する前記シリコンの結晶方位は＜１００＞であり、前記第２結晶方位を有するシリコンの結晶方位は＜１１０＞である、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
前記第１領域にNMOSFETを形成し、前記第２領域にPMOSFETを形成するステップをさらに含む、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記成長したシリコン層は、ドープした選択的エピタキシャル蒸着によって成長される、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
シリコン−オン−インシュレータ構造を提供するステップを含み、前記構造は基板、前記基板を覆うシリコン層と、前記基板とシリコン層との間に設けられた第１絶縁層とを含むものであり、
前記シリコン−オン−インシュレータ構造の第１領域に、前記シリコン層と前記第１絶縁層の一部を取り除くことによって開口部を形成し、前記基板層の一部をさらすステップと、
前記開口部にエピタキシャルシリコンを選択的に成長させるステップと、
前記第１領域の前記開口部に成長した前記シリコンに第２絶縁層を形成し、前記開口部に成長したシリコンと基板との間に絶縁層を提供するステップと、を含み、前記第１領域における前記第２絶縁層の層厚は、前記構造の第２領域における前記第１絶縁層の層厚よりも薄いものであって、
前記第１領域に一部空乏型MOSFETを形成し、前記第２領域に完全空乏型MOSFETを形成するステップと、前記シリコン層を覆う隆起したソースおよびドレイン領域を形成するステップと、を含む、半導体デバイスを形成する方法。
【請求項１３】
前記隆起したソースおよびドレイン領域にシリサイドコンタクトを形成するステップをさらに含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記一部空乏型MOSFETにハロ注入を形成するステップをさらに含む、請求項１２記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月6日(2009.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
ポンプとモーターの両者は、厳しいトルク拘束力に対処するためと、信頼性と長寿命を有するためと、製造コストを下げるために、回転ピストングループの領域において同じ構成をしている。図７は、ポンプ３の部分切取図を示しており、ピストン８１とピストンリング８２が露出されている。側面負荷力がピストンとシリンダから完全に除去され、リングがシーリングに使用されるならば、性能および使用寿命を減少することなしに、高速、大容積の製造に対する製造許容誤差を低減することができる。図７−１０に示されるように、ピストン８１と、ピストンリング８２と、シリンダ１７、１８は、いかなる側面負荷も受けず、作動油に対する直接の直線力を受けるのみである。これは、カムローラー８３が中心線上でピストンに取り付けられている状態で、ピストン壁を通して中心に取り付けられたピストンピン８５を有するピストン８１の拡張壁により達成される。このように、カムトラック１６に対するローラー８３の動作による特定方向に向けられた任意の推力は、ポンプ体８０において機械加工されたトラック（軌道）を走行する半径方向のローラーを介して支持されるピン／軸（シャフト）８５の中心線上に正確に加えられる。図９を参照すると、カムトラック１６は接触領域で平坦なので、１つの実施の形態においては、オフセットカムトラックリングにより、半径方向の接線負荷が加えられるが、軸方向の負荷は加えられない。図８に示されるように、加工されたトラック８７を走行する半径方向のローラー８５は、ピンに加えられる側面負荷を含めて、すべての半径方向の負荷を受け、これらの力のいずれもがピストンに到達するのを回避する。ピン８５には段が付けられ、それにより、ニードルローラーベアリング８４とローラー８３がピン上で組立てられ、ローラー８５が、機械加工された半径方向のスロット８７内に下げられ、カムトラックリング１６がピストングループの周りに設置されたときに、１つの実施の形態においては、他のアセンブリは不要である。図１０を参照すると、低コスト製造の１つの代替の実施の形態において、平坦面を有するローラー８３は、側面負荷が、面プレート（図示せず）により支えられたスラストワッシャにより回避されるので、平坦面８７上を走行できる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月14日(2008.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物レパートリを調製するための方法であって、（ａ）  ２つ以上の一次化合物セットをマイクロカプセルに区画化し、かくして前記マイクロカプセルの一定割合が前記セットの各々を代表する１つ以上の化合物の多重コピーを含むようになっており、前記１つ以上の化合物が前記一次化合物セットのサブセットを形成する工程；および（ｂ）  異なるセットからの一次化合物間の化学反応により前記マイクロカプセル内で二次化合物を形成する工程、を含み、前記工程（ａ）および（ｂ）の１つ以上がマイクロ流体制御下で実施される方法。
【請求項２】
標的に結合するかまたはその活性を変調させる能力をもつ二次化合物を形成するべく一緒に反応する一次化合物を同定するための方法であって、（ａ）  前記マイクロカプセルの一定割合が２つ以上の化合物を含有するように、一次化合物の２つ以上のセットをマイクロカプセルに区画化する工程；（ｂ）  異なるセットからの一次化合物間の化学反応により、前記マイクロカプセル内で二次化合物を形成する工程；および（ｃ）  前記標的に結合するかまたは前記標的の前記活性を変調させる二次化合物を形成するべく反応する一次化合物サブセットを同定する工程、を含み、工程（ａ）および（ｂ）および（ｃ）のうちの１つ以上のものがマイクロ流体制御下で実施される、方法。
【請求項３】
前記標的に結合するかまたはその活性を変調させる能力が増強されている化合物を合成する方法であって、（ａ）  前記発明の前記第２の態様の工程（ｃ）で同定された一次化合物のサブセットをマイクロカプセルに区画化し、任意には、一次化合物の付加的セットを区画化する工程；（ｂ）  異なるセットに由来する一次化合物間の化学反応により、前記マイクロカプセル内で二次化合物を形成する工程；および（ｃ）  前記標的に結合するかまたは前記標的の前記活性を変調させる二次化合物を形成するべく反応する一次化合物サブセットを同定する工程、を含み、工程（ａ）および（ｂ）および（ｃ）のうちの１つ以上のものがマイクロ流体制御下で実施される、方法。
【請求項４】
前記標的に結合するかまたはその活性を変調させる個々の化合物を同定するための方法であって、（ａ）  本願発明の第２または第３の態様の工程（ｃ）において同定された一次化合物および付加的な一次化合物セットをマイクロカプセルに区画化する工程；（ｂ）  異なるセットに由来する一次化合物間の化学反応により、前記マイクロカプセル内で二次化合物を形成する工程；および（ｃ）  前記標的に結合するかまたは前記標的の前記活性を変調させる二次化合物を形成するべく反応する一次化合物サブセットを同定する工程、を含み、工程（ａ）および（ｂ）および（ｃ）のうちの１つ以上のものが、マイクロ流体制御下で実施される、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月6日(2008.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器内にダンネージを自動的に計量分配するためのシステムであって、
ダンネージを供給し得る出口を有する計量分配機と、
前記出口に隣接する容器閉塞機とを含み、
該容器閉塞機は、容器の開放側の少なくとも部分的な封鎖をもたらす可動部材を有する、
システム。
【請求項２】
前記可動部材は、容器のフラップを直立向きから前記容器の開放側を越えて延びる内向き傾斜向きに移動するための第一可動部材を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記容器閉塞機は、前記フラップを内向き傾斜向きから実質的に水平な閉塞向きに移動するよう移動可能な実質的に水平な第二稼働部材を含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
ダンネージを容器の内部に自動的に計量分配する方法であって、
前記容器の開放側を部分的に閉塞するために、前記容器の１つ又はそれよりも多くのフラップを前記容器の前記開放側に対して内向きに移動するステップと、
前記容器の前記開放側と整列する前記計量分配機の出口から、ダンネージを前記部分的に閉塞された容器内に送り込むために計量分配機を使用するステップとを含む、
方法。
【請求項５】
前記容器は、前記容器の頂縁部に沿って前記容器のそれぞれの側壁に接続される１つ又はそれよりも多くのフラップを有し、前記フラップのうちの少なくとの１つは、前記容器内への前記ダンネージ片の供給の間にそれが接続される前記頂縁部で少なくとも部分的に内向きに閉塞される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
容器の内部にダンネージ片を自動的に計量分配する方法であって、
ある長さのダンネージ片を計量分配機の出口から長さ方向に送り出すために計量分配機を使用するステップと、
前記ダンネージ片が前記計量分配機の前記出口から送り出されるときに、前記ダンネージ片が容器の限度内でそれ自体の上に前後に渦巻き状になり或いは折り重なるよう、前記出口を容器に対して位置付けるステップと、
前記容器のカバー又はフラップを前記容器を閉塞する位置に移動するために、容器閉塞機を使用するステップとを含む、
方法。
【請求項７】
ダンネージを容器に自動的に供給するためのシステムであって、
ある長さのダンネージ片を長さ方向にダンネージ計量分配機の出口から送り出すための手段と、
前記ダンネージ片が前記計量分配機の前記出口から送り出されるときに、前記ダンネージ片が前記容器の限度内でそれ自体の上に渦巻き状になり或いは前後に折り重なるよう、前記出口を容器に対して位置付けるための手段と、
前記容器のカバー又はフラップを前記容器を閉塞する位置に移動するための手段とを含む、
システム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月2日(2009.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性ポリマーアロイのフィルムまたはシートを形成する方法であって、ポリマー物質Ｐ１およびポリマー物質Ｐ２の密接混合物が形成され、ブレンドはダイを通って押し出され、押出されたフィルムは押出後に延伸され、ダイを通る流路が出口ギャップを有する出口オリフィスを含み、出口オリフィスの上流に、混合物が通過する１つまたは複数のグリッドを含むグリッドチャンバーが提供され、該１つまたは複数のグリッドは、流れの主表面に垂直な長さ方向の断面において少なくとも４つの近接して配置されたラメラを有し、該ラメラは流れ方向に数ミリ伸びた壁を有し、それらは間隔を置いて相互に連結され、流れの方向に垂直な断面においてそれらはネットワークを形成し、前記の間隔はそれぞれのラメラ対の間の距離よりも実質的に長く、１つまたは複数のグリッドがラメラの間に有する開口のサイズはブレンド内のＰ１またはＰ２の分散された相の平均サイズを減少させるように選択され、１つまたは複数のグリッドはチャンバー内に位置し、ギャップは前述の出口ギャップより広く、グリッドチャンバーはさらにスクリーンとダイ出口の間にギャップ低減部分をさらに含み、混合物がそれを通って流れるギャップがダイ出口のギャップへの通路の少なくとも一部で減少される、熱可塑性ポリマーアロイのフィルムまたはシートを形成する方法。
【請求項２】
前記の間隔が、それぞれのラメラの対の間の距離の少なくとも２倍、好ましくは少なくとも３倍、より好ましくは少なくとも５倍である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
ラメラが平坦か、またはわずかに曲げられ、グリッドに入る時の流れの主境界に対して傾斜し、これらの境界と約１０から約７０度の間の角度を形成する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
相互に異なる方向に傾斜する少なくとも２つのグリッドが存在する、請求項３記載の方法。
【請求項５】
ラメラがグリッドに入る時の流れの主境界と平行であり、各ラメラの相対する側の連結が互いに異なる箇所に配置される、請求項１記載の方法。
【請求項６】
ブレンド中にＰ１が重量で、５から７５％、好ましくは１０から６０％、より好ましくは２０から５％の量で存在する、請求項１から５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
Ｐ１が少なくとも０．１、好ましくは約０．５のＭＦＩを有している、請求項１から６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
Ｐ１がプロピレン（コ）ポリマー、ポリアミド、エチレン−ビニルアルコールコポリマー、ビニリデン（コ）ポリマーおよびポリエステル類から選択され、Ｐ２が主としてオレフィンポリマーを含む、請求項１から７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
Ｐ２がプロピレン（コ）ポリマーまたはエチレン（コ）ポリマーである、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
Ｐ２が未延伸の状態で、２０℃において、Ｐ１の弾性率（Ｅ）よりも少なくとも１５％小さい弾性率を示す、請求項１から９のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
フィルムまたはシートを形成するための熱可塑性物質の押出装置であって、溶融物質がそれを通る出口オリフィスを有するダイ、押出された後に物質を延伸するための延伸手段を含み、出口オリフィスからの上流にグリッドチャンバーが提供され、グリッドチャンバーは押出物が通過する、１つ（３０１）またはさらなる（３０２）グリッドを含み、１つまたは複数のグリッドはチャンバー内で出口オリフィスギャップよりも広いギャップを有する位置に配置され、グリッドチャンバーはさらに１つまたは複数のグリッドとダイ出口の間にギャップ減少部分をさらに含み、ギャップは出口オリフィスのギャップへの流路の少なくとも一部で減少され、１つまたは複数のグリッドは流れの主表面に垂直な長さ方向の断面において少なくとも４つの近接して配置されたラメラ（３０３）を有し、該ラメラは流れの方向に数ミリ伸びた壁を有し、流れの方向に垂直な断面において間隔を置いて内部連結されて（３０６）ネットワークを形成し、前記の間隔は、各対のラメラ間の距離より本質的に長い。
【請求項１２】
前記の間隔は、各対のラメラ間の距離の少なくとも２倍、好ましくは少なくとも３倍、より好ましくは少なくとも５倍の距離を有する、請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
ラメラが、平らかまたはわずかに曲げられ、グリッドに入る時の流れの主境界に対して傾いており、これらの境界に対して約１０から約７０度の角度を形成する、請求項１１記載の装置。
【請求項１４】
相互に異なる方向に傾斜する少なくとも２つのグリッドを有する、請求項１３記載の装置。
【請求項１５】
流れがグリッドに入るときに、ラメラは流れの主境界と平行であり、各ラメラの相対する側の連結部分が互いに異なる箇所に配置される、請求項１１記載の装置。
【請求項１６】
熱可塑性ポリマーアロイのフィルムまたはシートを形成する方法であって、ポリマー物質Ｐ１およびポリマー物質Ｐ２の密接混合物が形成され、ブレンドはダイを通って押し出され、押出されたフィルムは押出後に延伸され、ダイを通る流路が出口ギャップを有する出口オリフィスを含み、
出口オリフィスの上流に、混合物が通過する少なくとも２つのグリッドＳおよびＴ、ここでＳはＴの直接上流にある、を含むグリッドチャンバーが提供され、該グリッドは、流れの主表面に垂直な長さ方向の断面において少なくとも４つの近接して間隔をおいて配置されたラメラを有し、該ラメラは流れ方向に数ミリ伸びた壁を有し、ラメラの開口のサイズはブレンド内のＰ１またはＰ２の分散された相の平均サイズを減少させるように選択され、グリッドはギャップが前述の出口ギャップより広いチャンバー内の場所に位置し、グリッドチャンバーはさらにスクリーンとダイ出口の間にギャップ低減部分をさらに含み、混合物がそれを通って流れるギャップがダイ出口のギャップへの通路の少なくとも一部で減少され、
該グリッドはグリッドＳのラメラによって形成された流れ中のそれぞれのダイ−ラインが、グリッドＴ中の一対のまたは隣接するラメラの間の空間の中間となるように配置される、熱可塑性ポリマーアロイのフィルムまたはシートを形成する方法。
【請求項１７】
フィルムまたはシートを形成するための熱可塑性物質の押出装置であって、溶融物質がそれを通る出口オリフィスを有するダイ、押出された後に物質を延伸するための延伸手段を含み、出口オリフィスからの上流にグリッドチャンバーが提供され、グリッドチャンバーは押出物が通過する、２またはより多くのグリッドを含み、１つまたは複数のグリッドはチャンバー内で出口オリフィスギャップよりも広いギャップを有する位置に配置され、グリッドチャンバーはさらにグリッドの間にギャップ減少部分をさらに含み、ギャップは出口オリフィスのギャップへの少なくとも一部で減少され、前記の少なくとも２つのグリッドＳおよびＴにおいて、ＳはＴのすぐ上流にあり、グリッドはグリッドＳのラメラによって形成された流れの中のそれぞれのダイ−ラインが、一対のまたはグリッドＴ中の隣接したラメラの間のスペースの真中になるように配置される装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年3月10日(2009.3.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  管腔内器具を供給するための装置(110)であって、長手方向軸(120)を
それらの間に区画する近位端(116)と遠位端(118)を有する取扱い部材(112)と、この取扱
い部材(112)の内孔(176)に滑動自在に収容され、近位端(152)と遠位端(151)の間に軸方向
に延びる内孔(147)を有する外側の管状部分(150)と、上記取扱い部材(112)に滑動自在に
連結された制御部分(140)を有する制御部材(114)と、上記外側の管状部分(150)の内孔(14
7)に滑動自在に収容されるカテーテルなどの伸びた内側の管状部材とを備え、上記制御部
分(140)は、上記外側の管状部分(150)を内側の管状部材に対して引っ込めるべく、上記取
扱い部材(112)に対して遠位位置と近位位置の間で軸方向に滑動することができる装置に
おいて、この装置は、
上記取扱い部材(112)上のレール(132)と、このレールと協働するホイール(184)とを備
え、上記制御部材(114)の制御部分(140)は、上記外側の管状部材(150)に連結され、上記
ホイール(184)は、上記レール(132)に嵌合して、回転に伴って上記制御部分(140)を介し
て上記管状部分(150)を軸方向に動かすことを特徴とする装置。
【請求項２】  請求項１に記載の装置において、上記取扱い部材(112)は、上記伸び
た内側の管状部材が上記外側の管状部分(150)の内孔(147)に挿入されるのを可能にする開
位置と、上記伸びた内側の管状部材を取扱い部材(112)に対して軸方向に固定する閉位置
との間で位置調整できるロック機構(138)を備える装置。
【請求項３】  請求項２に記載の装置において、上記ロック機構(138)は、上記取扱
い部材(112)の近位端(116)上の止血シールを備える装置。
【請求項４】  請求項１に記載の装置において、上記ホイール(184)は、上記制御部
材(114)の制御部分(140)に回転自在に搭載され、回転に伴って上記制御部分(140)を軸方
向に動かすべく上記レール(132)に嵌合する装置。
【請求項５】  請求項１に記載の装置において、上記外側の管状部分(150)は、遠位
端(151)を有し、上記内側の管状部材は、上記外側の管状部分(150)の遠位端(151)の近傍
に配置された遠位端を有し、上記制御部分(140)が遠位位置と近位位置の間で動くとき、
上記外側の管状部分(150)は、遠位位置と近位位置の間で動くことができて、上記内側の
管状部材の遠位端を覆ったり露出させたりする装置。
【請求項６】  請求項５に記載の装置において、上記内側の管状部材は、遠位端上に
処置要素を有する装置。
【請求項７】  請求項６に記載の装置において、上記処置要素は、上記内側の管状部
材の遠位端が上記外側の管状部分(150)から露出するとき、展開しうる拡張可能なプロテ
ーゼを備える装置。
【請求項８】  請求項６に記載の装置において、上記処置要素は、拡張可能な部材を
備える装置。
【請求項９】  請求項１に記載の装置において、上記内側の管状部材と外側の管状部
分(150)は、外側の管状部分(150)が遠位位置にあり、外側の管状部分(150)の遠位端(151)
が内側の管状部材の遠位端を越えて予め定められた距離だけ延び出したとき、拡張可能な
プロテーゼを収容する凹部が画定されるような予め定められた相対長さを有する装置。
【請求項１０】  請求項９に記載の装置において、上記凹部に収容される拡張可能な
プロテーゼを更に備える装置。
【請求項１１】  請求項１０に記載の装置において、上記拡張可能なプロテーゼは、
ステントである装置。
【請求項１２】  請求項１１に記載の装置において、上記内側の管状部材は、上記凹
部からステントを展開させるために、上記外側の管状部分(150)が引っ込まれるとき、ス
テントが近位側へ動くのを防止するバンパー部材を備えた装置。
【請求項１３】  請求項１に記載の装置において、上記内側の管状部材は、上記取扱
い部材(112)に対して軸方向に固定される装置。
【請求項１４】  請求項１３に記載の装置において、上記取扱い部材(112)は、上記
内側の管状部材の近位端を上記取扱い部材(112)に軸方向に固定するロック機構(138)を備
える装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
遠位端をもつ(図示しない)カテーテルまたは他のレールは、血管形成バルーン、ステントまたはその他のプロテーゼ、および／または電極アレイなどの処置要素を備える。取扱い部材112の止血弁138が開かれ、カテーテルの遠位端が、止血シール138を経て内孔122に導入される。カテーテルの遠位端は、シースの遠位端に近づく、つ まり処置要素がシースの遠位端に近づくまで、制御部材の管状部分150の内孔147を通ってシースの内孔に達するように前進させられる。すると、止血弁138は、閉じられて内孔122を実質上封止し、カテーテルを取扱い部材112に実質上固定する。これと択一的に、カテーテルは、シースの遠位端に導入さ れて、近位端が止血弁138に近づくまで近位側へ動かされる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月13日(2009.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９１】  分割工程において、中断されたＢ’用オリフィスを造ることなくｙ軸に沿った１つ以上の場所で中断されたＡ’用の各内部オリフィスを造ることによってｙ−方向において互いに分離されたＡ’の隣接セグメント相互の間に１つ以上のＢ’層も介在させ、それによって剪断が通常ｘｙ面で伸びる一つまたは複数のＢ’の層の介在または形成を達成する請求項４２〜９０の何れか一つに記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１００】  請求項４２に記載の方法を実施するのに適する装置において、２種類の異なった押出可能物質の流れのためのチャンネルおよびｘ方向で互いに分離される各チャンネルからの物質の通常ｚ方向の出口のためのオリフィスを有する押出ダイを含み、更に通常ｘ方向で流れを分割するためにオリフィスを横切って動くことによって押出物の少なくとも２つの流れの列を生じることを可能とする分割部材（１０）を含みそして更に比較的柔らかい物質から比較的硬い物質に生成物の各成分を変換する条件に生成物を付す手段を含む、上記装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年2月26日(2009.2.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
予備燃焼器３４内の、シャフト４４、特に第２の中空シャフト部４８に結合された第１の回転噴射器７６は、注入口８０および予備燃焼器３４と流通している少なくとも１つの第１のロータリーオリフィス７８を具備する。注入口８０は、第１の中空シャフト部４６の内部８２および第２の中空シャフト部４８の内部６２内の関連する流路（fluid path）を通して液体酸素１８を供給する酸素スクロール２６と流通する。第１のロータリーオリフィス７８はシャフト４４とともに、シャフト４４の軸１６を中心に回転する。第１の回転噴射器７６は、注入口９０および出口９２を有する第１の流路８８を含む少なくとも１つの第１の回転圧力トラップ８６をさらに備え、かかる注入口９０および出口９２は第１の流路８８にわたってその長さ方向に流通している。この第１の流路８８は回転軸１６を中心に回転されると、第１の流路８８内のどの点における遠心加速度も、その注入口９０または出口９２の何れにおける遠心加速度を上回るよう構成される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
液体水素の主要の流れは、回転環状ダクト１２４から、予燃焼器３４内のシャフト４４に、特に第２の中空シャフト部４８に結合された第２のロータリー噴射装置１４２へ外向きに供給される。第２のロータリー噴射装置１４２は、環状ダクト１２４および予燃焼室３４と流通している少なくとも１つの第２のロータリーオリフィス１４４を備える。第２のロータリーオリフィス１４４は、その回転軸１６を中心にシャフト４４とともに回転する。第２のロータリー噴射装置１４２はさらに、少なくとも１つの第２の回転圧力トラップ１４６を備えており、この第２の回転圧力トラップ１４６は、第２の流路の長さ方向に沿って第２の流路で流通している注入口１５０および排出口１５２を有する第２の流路１４８を備える。第２の流路１４８は、回転軸１６を中心に回転した際に、第２の流路１４８内のどの地点における遠心加速度も、注入口１５０または排出口１５２の何れにおける遠心加速度よりも大きくなるように適合される。図２ａ、図３、および図６を参照すると、各第２の回転圧力トラップ１４６の各排出口１５２は、環状マニホルド１５４と流通しており、この環状マニホルド１５４は、複数の放射状ベーン１５８によって複数の放射状室１６０に分割された環状室１５６と流通しており、その放射状室１６０の少なくともいくつかは、それぞれ第２のロータリーオリフィス１４４へ解放される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
第２の中空シャフト部４８はさらに、それぞれ第２の中空シャフト部４８の第１の端１６８および第２の端１７０に近接している閉端１６４および第２の端１６６を有するシャフト・ライナ１６２を備えており、シャフト・ライナ１６２の閉端１６４は、第３の回転圧力トラップ１７４の境界部１７２を形成するように成形されている。第３の回転圧力トラップ１７４は、第３の流路の長さ方向に沿って第３の流路で流通している注入口１７８および排出口１８０を有する第３の流路１７６を備える。第３の流路１７６は境界部１７２によって、回転軸１６を中心に回転した際に、第３の流路１７６内のどの地点における遠心加速度も、注入口１７８または排出口１８０のいずれにおける遠心加速度よりも大きくなるように適合されている。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
本明細書に参照により援用される、米国特許第４，８７０，８２５号の技術によれば、回転圧力トラップは注入口および排出口を有する流路を備え、流路は、回転圧力トラップが回転した際に、流路内のどの点における遠心加速度も、注入口または排出口の何れの地点における遠心加速度よりも大きくなるように適合されている。したがって、流路が、かかる液体のような比較的高い濃度の媒体で満たされる場合、注入口および排出口の放射レベルは、その間に圧力差がない場合と等しく、そうでない場合には、圧力差および回転速度の大きさに依存している量だけ等しくないであろう。したがって、排出口で比較的高い圧力領域に供給する回転圧力トラップの注入口へ比較的低い圧力の液体供給がある場合には、回転圧力トラップは、蒸気がそこを通って逆流することを防止することができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年3月25日(2009.3.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
本発明にしたがった一つの好ましい集成装置においては、出口孔は、装置の統合部である。特に好ましい態様においては、出口孔および液体貯蔵槽の一つ又は両方が、適切なプラスチック材料から成形され、それによってそれらを使い捨てにすることができる。より好ましくは、出口孔および液体貯蔵槽は、両方ともに適切なプラスチックから成形され、最も好ましくは、一体成形されてカートリッジを形成する。あるいは、このようなカートリッジは、シリカ又はステンレス鋼のような一つ以上の他の適切な材料から作製されることができる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
上述の種類のカートリッジは、単数を提供してもよいが、好ましくは複数をカセットにして提供する。このような集成装置は新規であり、それ自身に利点があり、したがって、第二の側面から見た場合、本発明は、そこから液体を分注するための複数のカートリッジを含むカセットであって、各カートリッジが突出しているノズルの形態の出口孔およびそれと一体成形された液体貯蔵槽を有する、カセットを提供する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
好ましくは、カートリッジは、一体成形され、前記カセットを形成する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
好ましくは、少なくとも前記カートリッジの液体貯蔵槽は、互いに一体成形され、前記カセットを形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年3月2日(2007.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定システムであって、
絶縁体上半導体の構造上に形成され、パワー入力および出力を有し、前記入力へ電力が印加された時間に関連したオフセットを有するセンサと、
電圧と前記パワー入力との間に接続されたスイッチと、
前記センサの出力に結合された入力と、前記スイッチに結合された出力とを有するコントローラと、
前記コントローラで作用する手段であって、
（ａ）第一の期間、前記スイッチを閉じさせ、
（ｂ）第一の読取値を得るようにし、
（ｃ）前記第一の期間の開始時に存在していたオフセットまで前記センサを回復させるのに十分な第二の期間、前記スイッチを開かせ、
（ｄ）前記第一の期間と等しい第三の期間、前記スイッチを閉じさせ、
（ｅ）第二の読取値を得るようにする
ための手段と
を備える測定システム。
【請求項２】
測定を行う方法であって、
絶縁体上シリコンの構造上に形成され、初期オフセット値を有するセンサを設けるステップと、
第一の期間、前記センサに電力を加えるステップと、
前記第一の期間中に前記センサから測定変量の第一の読取値を得るステップと、
前記センサを前記初期オフセット値まで回復させるのに十分な第二の期間、前記センサの電力を断つステップと、
前記第一の期間と等しい第三の期間、前記センサに電力を加えるステップと、
前記第三の期間中に前記測定変量の第二の読取値を得るステップと
を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月22日(2009.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】工具シャフト（１４）を有する工具（１６）をクランプする及びクランプ外すための装置であって、この装置が工具受部（１０）を有し、この工具受部（１０）が、その自由端（２４）にて開いていて且つ導電性の材料から成る、工具シャフト（１４）を摩擦拘束的に受け入れるためのブッシュ部分（１２）を有し、更に、工具受部（１０）のブッシュ部分（１２）を包囲して有利には高周波交流で付勢可能であり且つ環状コイルまたは円筒コイルとして形成されている、ブッシュ部分（１２）を加熱するための誘導コイル（２６）を有する前記装置において、
工具受部（１０）を越える工具（１６）の突出部分が、ブッシュ部分（１２）の自由端の領域で誘導コイル（２６）の電磁的な漏れフィールドに対して遮蔽されていることを特徴とする装置。
【請求項２】ブッシュ部分（１２）の自由端に隣接している誘導コイル（２６）の端面にて、工具（１６）のための中央の通過開口部（３６）を有し且つ電気的な絶縁特性をもつ導磁性の材料から成る磁極片（３４）が配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】工具シャフト（１４）を有する工具（１６）をクランプする及びクランプ外すための装置であって、この装置が工具受部（１０）を有し、この工具受部（１０）が、その自由端（２４）にて開いていて且つ導電性の材料から成る、工具シャフト（１４）を摩擦拘束的に受け入れるためのブッシュ部分（１２）を有し、更に、工具受部（１０）のブッシュ部分（１２）を包囲して有利には高周波交流で付勢可能であり且つ環状コイルまたは円筒コイルとして形成されている、ブッシュ部分（１２）を加熱するための誘導コイル（２６）を有する前記装置において、
ブッシュ部分（１２）の自由端に隣接している誘導コイル（２６）の端面にて、工具（１６）のための中央の通過開口部（３６）を有し且つ電気的な絶縁特性をもつ導磁性の材料から成る磁極片（３４）が配置されていることを特徴とする装置。
【請求項４】磁極片（３４）がブッシュ部分（１２）の自由端（環状面２４）を部分的に被うことを特徴とする、請求項２又は３に記載の装置。
【請求項５】磁極片（３４）が軸方向および／または半径方向にてブッシュ部分（１２）の自由端に当接することを特徴とする、請求項２〜４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】磁極片（３４）の通過開口部（３６）が工具直径に対して過大寸法を有することを特徴とする、請求項２〜５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】磁極片（３４）が、通過開口部（３６）に向かって部分的に先細りされている横断面を有することを特徴とする、請求項２〜６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】磁極片（３４）が環状ディスクとして形成されていることを特徴とする、請求項２〜７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】前記環状ディスクが、通過開口部（３６）に対して同軸の円錐形の凹部を有することを特徴とする、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】磁極片（３４）が、スポーク状に配置されている複数の半径方向バーにより形成されていることを特徴とする、請求項２〜７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】誘導コイル（２６）が、磁極片（３４）とは反対側のその端面および／または外側のその外殻面にて、電気的な絶縁特性をもつ導磁性の材料から成る磁気遮蔽部（４２、４４）を支持することを特徴とする、請求項２〜１０のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】端面側の磁気遮蔽部（４２）が、工具受部（１０）のブッシュ部分（１２）のための通過開口部（４６）を有する環状ディスクとして形成されていることを特徴とする、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】端面側の磁気遮蔽部（４２）が、スポーク状に配置されている複数の半径方向バーにより形成されていることを特徴とする、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】外殻側の磁気遮蔽部（４４）が円筒ケージとして形成されていることを特徴とする、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１５】前記円筒ケージが周方向にて閉じていることを特徴とする、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】前記円筒ケージが、周方向にて間隔をもって互いに配置されている軸平行の複数のバーで形成されていることを特徴とする、請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】磁極片（３４）が、軟磁性の材料、特に軟フェライト性で酸化セラミック性の材料から構成されていることを特徴とする、請求項２〜１６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１８】磁気遮蔽部（４２、４４）が、軟磁性の材料、特に軟フェライト性で酸化セラミック性の材料から構成されていることを特徴とする、請求項１１〜１７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１９】磁極片（３４）が、通過開口部（３６）に対して同軸であり且つブッシュ部分（１２）の自由端を受け入れるため及び／又は誘導コイル（２６）を環状開口部にて支持するためのリング形状のセンタリングショルダーを有することを特徴とする、請求項２〜１８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２０】誘導コイル（２６）が、有利には多層に巻かれていて高周波リッツ線から成るコイル巻線（３３）を有することを特徴とする、請求項２〜１９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２１】コイル巻線（３３）が空気冷却されていることを特徴とする、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】誘導コイル（２６）が、セラミック材料から成る巻型（３２）を有することを特徴とする、請求項２〜２１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２３】ブッシュ部分（１２）が、工具シャフト（１４）を受け入れるための嵌合穴を有し、この嵌合穴には、自由端に向かって、より大きな直径の部分が接続していることを特徴とする、請求項２〜２２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２４】ブッシュ部分（１２）が円柱形状または円錐台形状の外殻面（２２）を有することを特徴とする、請求項２〜２３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２５】工具受部（１０）が、ブッシュ部分（１２）を支持し且つ高速回転する機械スピンドルと接続可能な連結要素（１８）を有することを特徴とする、請求項２〜２４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２６】工具受部（１０）と誘導コイル（２６）が互いに相対運動可能であることを特徴とする、請求項２〜２５のいずれか一項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月17日(2009.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サッカロミセス・セレビシエ（Saccharomyces cerevisiae）種の酵母の細胞壁を含んでなる組成物であって、
酵母細胞壁のグルカンおよびマンナンの総含量が乾燥体基準で５５質量％〜７０質量％、好ましくは６０質量％〜７０質量％、さらに好ましくは乾燥体基準で６０質量％〜６５質量％であり、かつ
酵母細胞壁のグリコーゲン含量が乾燥体基準で１０．０質量％未満、好ましくは乾燥体基準で８．０質量％未満、さらに好ましくは乾燥体基準で５．０質量％未満、さらにより好ましくは乾燥体基準で３．０質量％未満である、
組成物。
【請求項２】
酵母細胞壁のグリコーゲン含量が乾燥体基準で１．０質量％未満、好ましくは乾燥体基準で０．１質量％未満である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
９０質量％以上、好ましくは９４質量％以上、さらに好ましくは９６質量％以上の乾燥体含量を有する、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
高血糖症の治療に用いられる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項５】
高血糖症の予防に用いられる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
高血糖症が２型糖尿病の場合の高血糖症である、請求項４または５に記載の組成物。
【請求項７】
血糖の安定化に用いられる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項８】
２型糖尿病の場合の血糖の安定化に用いられる、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
酵母細胞壁を含んでなる高血糖症の治療に用いられる治療組成物であって、酵母細胞壁がサッカロミセス・セレビシエ（Saccharomyces cerevisiae）種の酵母由来であり、
酵母細胞壁のグルカンおよびマンナンの総含量が乾燥体基準で少なくとも３４．０質量％、好ましくは乾燥体基準で少なくとも４０．０質量％、さらに好ましくは乾燥体基準で４５．０質量％であり、かつ
酵母細胞壁のグリコーゲン含量が乾燥体基準で１０．０質量％未満、好ましくは乾燥体基準で８．０質量％未満、さらに好ましくは乾燥体基準で５．０質量％未満、さらにより好ましくは乾燥体基準で３．０質量％未満である、
組成物。
【請求項１０】
酵母細胞壁を含んでなる高血糖症の予防に用いられる治療組成物であって、酵母細胞壁がサッカロミセス・セレビシエ（Saccharomyces cerevisiae）種の酵母由来であり、
酵母細胞壁のグルカンおよびマンナンの総含量が乾燥体基準で少なくとも３４．０質量％、好ましくは乾燥体基準で少なくとも４０．０質量％、さらに好ましくは乾燥体基準で４５．０質量％であり、かつ
酵母細胞壁のグリコーゲン含量が乾燥体基準で１０．０質量％未満、好ましくは乾燥体基準で８．０質量％未満、さらに好ましくは乾燥体基準で５．０質量％未満、さらにより好ましくは乾燥体基準で３．０質量％未満である、
組成物。
【請求項１１】
高血糖症が２型糖尿病の場合の高血糖症である、請求項９または１０に記載の治療組成物。
【請求項１２】
酵母細胞壁を含んでなる血糖の安定化に用いられる治療組成物であって、酵母細胞壁がサッカロミセス・セレビシエ（Saccharomyces cerevisiae）種の酵母由来であり、
酵母細胞壁のグルカンおよびマンナンの総含量が乾燥体基準で少なくとも３４．０質量％、好ましくは乾燥体基準で少なくとも４０．０質量％、さらに好ましくは乾燥体基準で４５．０質量％であり、かつ
酵母細胞壁のグリコーゲン含量が乾燥体基準で１０．０質量％未満、好ましくは乾燥体基準で８．０質量％未満、さらに好ましくは乾燥体基準で５．０質量％未満、さらにより好ましくは乾燥体基準で３．０質量％未満である、
組成物。
【請求項１３】
２型糖尿病の場合の血糖の安定化に用いられる、請求項１２に記載の治療組成物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年11月18日(2008.11.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７７】
組成物は、非常に望ましい性質を示す。例えば、成形後の組成物は、約１１０℃以上のガラス転移温度を示すことができる。別の例として、成形後の組成物は、ＡＳＴＭ Ｄ６３４１により測定したときに、ガラス転移温度より下で、約７５ｐｐｍもの熱膨張率を示す可能性がある。硬化組成物は、２５℃で、且つ１ｋＨｚ又は１０ｋＨｚ又は１００ｋＨｚ又は１ＭＨｚでＡＳＴＭ Ｄ１５０により測定した場合、０．０２以下の誘電正接（ｔａｎδ）、好ましくは０．０１以下、さらに好ましくは０．００５以下の誘電正接を示すこともできる。一実施形態では、硬化組成物は、２５℃でＡＳＴＭ Ｄ１５０により測定した場合、１ｋＨｚ及び１０ｋＨｚ及び１００ｋＨｚ及び１ＭＨｚの各々で、０，００５以下の誘電正接を示す。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８１】
【表１】
2007501876.tif 000001
実施例５、比較例１
メタクリレート封鎖ポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテル）をスチレンに溶かした３５％溶液を、約７０〜８０℃に加熱し、流体になるまで撹拌した。トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカンジメタノールジアクリレートを、表２に示す量で添加し、その溶液を５０℃に冷却した。ｔ−ブチルペルオキシベンゾエートを添加し、その溶液を激しく撹拌した。得られた樹脂を室温に冷却し、１５０℃及び５０００ｐｓｉの圧力下で硬化した。対照サンプルは、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカンジメタノールジアクリレートの代わりにトリメチロールプロパントリアクリレートを使用して製造した。誘電正接は、ＡＳＴＭ Ｄ１５０に従い、１、１０、及び１００ｋＨｚと１ＭＨｚで測定した。組成及び特性を、表２に示す。この結果は、縮合脂環式アクリレートを持つ実施例５の組成物が、トリメチロールプロパントリメタクリレートを持つ比較例１の組成物よりも、一貫して且つ実質的に低い誘電正接を表すことを示している。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８２】
【表２】
2007501876.tif 000002
本発明について、好ましい実施形態を参照しながら述べてきたが、当業者なら、本発明の範囲から逸脱することなく、様々な変更を加えることができること、及びその要素の代わりに均等物を用いることができることが理解されよう。さらに、本発明の教示に対し、その本質的な範囲から逸脱することなく特定の状況又は材料を適合させるよう、多くの変更を加えることができる。したがって本発明は、本発明を実施するために企図される最良の形態として開示された特定の実施形態に限定しようとするものではなく、本発明は、添付の特許請求の範囲内に包含される全ての実施形態を含むことになる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月3日(2009.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の測定サンプリング規則を生成し、
前記複数の測定サンプリング規則の各々にサンプリング重み値を代入し、
前記複数の測定サンプリング規則のうちの少なくとも１つに適合する加工品を少なくとも１つ識別し、
前記適合があった測定サンプリング規則の各々に対する前記サンプリング重み値を前記規則に適合する前記識別された加工品と関連付け、
前記サンプリング重み値の累計が予め決められたトリガ値に少なくとも等しい場合に測定工程を行うことを指示する方法。
【請求項２】
前記複数の測定サンプリング規則は異なるサンプリング重み値を有する請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記複数の測定サンプリング規則のうちの少なくとも数個が同じサンプリング重み値を有する請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記加工品は半導体ウェハからなるロットである請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記測定工程は、クリティカルディメンジョン測定工程及び欠陥検査測定工程のうちの少なくとも１つである請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの加工品は半導体製造設備内で処理が行われる請求項１記載の方法。
【請求項７】
測定工程を行うことを指示することにおいて、前記複数の測定サンプリング規則のうちの１つに対するサンプリング重み値の累計が予め決められたトリガ値に少なくとも等しい場合に測定工程を行うことを指示する請求項１記載の方法。
【請求項８】
測定工程を行うことを指示することにおいて、前記加工品のうちの１つに対する前記サンプリング重み値の累計が予め決められたトリガ値に少なくとも等しい場合に測定工程を行うことを指示する請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記複数の測定サンプリング規則は、ロット状況情報及びロット履歴情報のうちの少なくとも１つに基づいている請求項４記載の方法。
【請求項１０】
さらに、前記測定工程を行うことを指示する指標がある場合に、前記サンプリング重みの前記累計を前記トリガ値の分だけ減少させる請求項１記載の方法。
【請求項１１】
さらに、前記測定工程を行うことを指示する指標がある場合に、前記サンプリング重みの前記累計を前記トリガ値の分だけ減少させて、最小値はゼロとなる請求項１記載の方法。
【請求項１２】
さらに、前記指示された測定工程を行う請求項１記載の方法。
【請求項１３】
複数の測定サンプリング規則を生成し、
前記複数の測定サンプリング規則の各々にサンプリング重み値を代入し、
前記複数の測定サンプリング規則のうちの少なくとも１つに適合する加工品を少なくとも１つ識別し、
前記適合があった測定サンプリング規則の各々に対する前記サンプリング重み値を前記規則に適合する前記識別された加工品と関連付け、
前記複数の測定サンプリング規則のうちの１つに対する前記サンプリング重み値の累計が予め決められたトリガ値に少なくとも等しい場合に測定工程を行うことを指示する方法。
【請求項１４】
複数の測定サンプリング規則を生成し、
前記複数の測定サンプリング規則の各々にサンプリング重み値を代入し、
前記複数の測定サンプリング規則のうちの少なくとも１つに適合する加工品を少なくとも１つ識別し、
前記適合があった測定サンプリング規則の各々に対する前記サンプリング重み値を前記規則に適合する前記識別された加工品と関連付け、
前記加工品のうちの１つに対する前記サンプリング重み値の累計が予め決められたトリガ値に少なくとも等しい場合に測定工程を行うことを指示する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月7日(2009.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスの形成方法であって、
第１の方向に面する第１の側と、第２の方向に面する第２の側とを有する第１のゲート構造を形成するステップと、前記第１の側と前記第２の側が互いに平行であり、前記第１の方向が、前記第２の方向と実質的に反対であり、
前記第１のゲート構造の上に側壁層を形成するステップと、前記側壁層が、前記第１の側の上にある第１の側壁層部分と、前記第２の側の上にある第２の側壁層部分とを含み、
前記第１の側壁層部分をイオンドーズにさらす一方で、前記第２の側壁層部分がイオンドーズにさらされないステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記第１の方向に面する第１の側と、前記第２の方向に面する第２の側とを有する第２のゲート構造を形成するステップと、
前記第２のゲート構造の上に側壁層を形成するステップと、前記側壁層が、前記第２のゲート構造の前記第１の側の上にある第３の側壁層部分と、前記第２のゲート構造の前記第２の側の上にある第４の側壁層部分とを含み、
前記第１のゲートの前記第１の側が、イオンドーズにさらされるとき、前記第３の側壁層部分をイオンドーズから遮蔽するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の側にスペーサを形成するために、前記第１の側の上にある前記第１の側壁層部分の第１の部分を異方性エッチングするステップと、
前記第２の側にスペーサを形成するために、前記第２の側の上にある前記第２の側壁層部分の第２の部分を異方性エッチングするステップと、
前記第１の側に隣接するソースエクステンションエリアと、前記第２の側に隣接するドレインエクステンションエリアとを形成するようにドーパントを注入するステップとをさらに含み、前記ソースエクステンションエリアが、前記ドレインエクステンションエリアより広くゲート構造の下にある、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の側に隣接してフォトレジスト構造を形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の側に隣接してフォトレジスト構造を形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
イオンビームの経路と、前記ゲート構造の実質的に水平な表面との間に非直交入射角を形成するように、前記ゲート構造の実質的に水平な表面を配向するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記非直交入射角が、７度〜４５度の範囲のものである、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記非直交入射角が、前記側壁層の厚さおよびフォトレジスト構造の垂直方向の寸法に基づく、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記イオンドーズが、１０１２〜１０１５ｃｍ−２の範囲のものである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
第１の厚さを有する前記第１の側に隣接したスペーサと、第２の厚さを有する前記第２の側に隣接したスペーサとを形成するように、前記側壁層をエッチングするステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
半導体基板上にゲート構造を形成するステップを有し、
前記ゲート構造と前記半導体基板の上に側壁層を形成するステップを有し、前記側壁層は、前記ゲート構造の第１の側壁上にある第１の部分を含むものであり、
前記第１の部分に隣接してフォトレジスト構造を形成するステップを有し、
前記フォトレジスト構造を前記イオンビームにさらすステップを有し、前記フォトレジスト構造が、イオンビームから第１の部分の少なくとも一部分を遮蔽する、方法。
【請求項１２】
前記フォトレジスト構造をイオンビームにさらすステップは、前記第１の側壁の向きを、前記イオンビームの経路と前記第１の側壁の表面とが非直交傾斜角をなすものとするステップを有する、請求項１１記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年10月20日(2009.10.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項４】
前記負荷コネクタケース（２）の電気接点（２４）は前記作動機構（４）を介して覆う及び／又は覆いを取ることが可能である、請求項１から３のいずれか１項記載の自動車用コンバータ（１）。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
負荷コネクタケースの電気接点が作動機構を介して覆われる及び／又は覆いを取られることによって、さらに、機械的に作動可能な形で電気接点への接触からの保護が保証される。