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【手続補正書】
【提出日】平成23年1月17日(2011.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二酸化炭素を含有する混合ガスから二酸化炭素を分離するメンブレンであって、延伸ポリテトラフルオロエチレン及びポリシロキサンを含む、二酸化炭素分離用メンブレン。
【請求項２】
混合ガスが二酸化炭素及び窒素を含有する、請求項１又は２記載のメンブレン。
【請求項３】
ポリシロキサンが次式のポリオルガノシロキサンである、請求項１記載のメンブレン。
ＭＤｑＴｓＭ
式中、ＭはＲ２ａＲ３３−ａＳｉＯ１／２であり、ＤはＲ４２ＳｉＯ２／２であり、ＴはＲ５ＳｉＯ３／２であり、Ｒ２は炭素原子数１〜６０のアルコキシ、アリールオキシ又はアラルコキシであり、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は各々独立に炭素原子数１〜６０のアルキル、アリール又はアラルキルであり、ａは１〜３の整数であり、ｑ及びｓは各々独立に０〜３００の整数である。
【請求項４】
ポリオルガノシロキサンの粘度が約１０ｃＳｔ〜約１００００００ｃＳｔの範囲である、請求項３記載のメンブレン。
【請求項５】
ポリオルガノシロキサンが線状ヒドロキシル末端ポリジメチルシロキサンである、請求項３又は４記載のメンブレン。
【請求項６】
当該メンブレンが２つの支持層と１つの活性層とを含む、請求項１から５のいずれか１項記載のメンブレン。
【請求項７】
前記活性層が２つの支持層間に挟まれた、請求項６記載のメンブレン。
【請求項８】
前記支持層が延伸ポリテトラフルオロエチレンを含み、前記活性層がポリシロキサンを含む、請求項６又は７記載のメンブレン。
【請求項９】
前記メンブレンの二酸化炭素透過係数が４０００ｂａｒｒｅｒ超である、請求項１から８のいずれか１項記載のメンブレン。
【請求項１０】
二酸化炭素を含有する混合ガスから二酸化炭素を分離する方法であって、延伸ポリテトラフルオロエチレン及びポリシロキサンを含むメンブレンを通して混合ガスを供給することを含んでなる方法。
【請求項１１】
二酸化炭素を含有する混合ガスから二酸化炭素を分離するメンブレンであって、延伸ポリテトラフルオロエチレンを各々含む２つの支持層及びポリシロキサンを含む１つの活性層を有し、活性層が２つの支持層間に挟まれた、二酸化炭素分離用メンブレン。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月23日(2011.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子ピン（１２）と、基準電位端子（１４）と、これらの端子ピン（１２）と基準電位端子（１４）の間に接続されるＥＳＤ保護回路（１６）とを有し、
前記ＥＳＤ保護回路（１６）は第１の電流端子（２０）と第２の電流端子（２２）と制御端子（２４）を備えたＥＳＤトランジスタ（１８）を有しており、
前記ＥＳＤトランジスタ（１８）は導通制御された状態において端子ピン（１２）から第１の電流端子（２０）及び第２の電流端子（２２）を介して基準電位端子（１４）までつながる第１の電流パス（２６）に接続されており、
前記制御端子（２４）はキャパシタンス（２８）を介して第１の電流端子（２０）と第２の電流端子（２２）に抵抗結合されている回路（１０）において、
前記第１の電流端子（２０）がさらに抵抗性素子（３４）を有する第２の電流パス（３２）を介して基準電位端子（１４）に結合されることを特徴とする回路（１０）。
【請求項２】
前記抵抗性素子（３４）の抵抗値は、前記キャパシタンス（２８）がＥＳＤトランジスタ（１８）の非導通制御状態のもとで１秒よりも小さい時定数でもって放電される値である、請求項１記載の回路（１０）。
【請求項３】
前記ＥＳＤトランジスタ（１８）の制御端子（２４）と第２の電流端子（２２）の間にオーム抵抗（３０）が設けられている、請求項１または２記載の回路（１０）。
【請求項４】
前記ＥＳＤトランジスタ（１８）の制御端子（２４）と第２の電流端子（２２）の間に抵抗として接続される制御トランジスタが設けられ、該制御トランジスタが抵抗結合を生じさせている、請求項１または２記載の回路（１０）。
【請求項５】
前記接続ピン（１２）と第１の電流端子（２０）の間の第１の電流パス（２６）内に第１のダイオード（Ｄ１）が順方向に配設されている、請求項１から４いずれか１項記載の回路（１０）。
【請求項６】
前記接続ピン（１２）と基準電位端子（14）の間に第２のダイオード（Ｄ２）が阻止方向に配設されている、請求項１から５いずれか１項記載の回路（１０）。
【請求項７】
前記キャパシタンス（２８）はＥＳＤトランジスタ（１８）の寄生キャパシタンスである、請求項１から６いずれか１項記載の回路（１０）。
【請求項８】
前記ＥＳＤトランジスタ（１８）の制御端子（２４）と基準電位端子（１４）の間の第３の電流パス内に制御電圧制限ダイオード（Ｄ３）が阻止方向に配設されている、請求項１から７いずれか１項記載の回路（１０）。
【請求項９】
前記ＥＳＤトランジスタ（１８）の第１の電流端子（２０）と制御端子（２４）の間の第４の電流パス内に少なくとも１つのさらなる第４のダイオード（Ｄ４；Ｄ４.１〜Ｄ４.ｘ）が阻止方向に配設されている、請求項１から８いずれか１項記載の回路（１０）。
【請求項１０】
前記第１の電流端子（２０）と基準電位端子（１４）の間の抵抗性素子（３４）と直列に第５のダイオード（Ｄ５）が阻止方向に配設されている、請求項１から９いずれか１項記載の回路（１０）。
【請求項１１】
前記第１の電流端子（２０）と基準電位端子（１４）の間の抵抗性素子（３４）と直列に複数の第５のダイオード（Ｄ５）からなる直列回路が阻止方向に配設されている、請求項１から９いずれか１項記載の回路（１０）。
【請求項１２】
前記抵抗性素子（３４）は、制御電圧制限ダイオード（Ｄ３）に対して直列に、あるいは制御電圧制限ダイオード（Ｄ３）と少なくとも１つのさらなるダイオード（Ｄ４；Ｄ４.１〜Ｄ４.ｘ）からなる直列回路に対して直列に、第１の電流端子（２０）と基準電位端子（１４）の間の電流パス内に設けられている、請求項１から９いずれか１項記載の回路（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月14日(2011.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の白色発光層から赤色の発光成分を取り出す第１の発光素子と、第２の白色発光層から青色の発光成分を取り出す第２の発光素子と、第３の白色発光層から緑色の発光成分を取り出す第３の発光素子と、を有する発光装置の作製方法であって、
第１の基板上に前記第１乃至第３の発光素子のそれぞれに用いられる第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に液滴吐出法により材料層を選択的に形成し、
発光材料を含む膜を設けた第２の基板の面と、前記材料層を形成した前記第１の基板面とを向かい合わせ、前記第２の基板を加熱して前記材料層上に前記発光材料を含む前記第１乃至第３の白色発光層を形成し、
前記第１乃至第３の白色発光層上に第２の電極を形成し、
前記第１乃至第３の発光素子を形成する発光装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記材料層は金属酸化物を含み、
前記金属酸化物は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、又はレニウム酸化物であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の発光素子の前記材料層と、前記第２の発光素子の前記材料層と、前記第３の発光素子の前記材料層は、それぞれ互いに異なる膜厚を有していることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の電極は反射材料であり、
前記第１の発光素子の前記材料層の膜厚は、前記第１の白色発光層から射出される光と、前記第１の電極で反射した反射光とを干渉させて前記赤色の発光成分を強調して取りだす膜厚であり、
前記第２の発光素子の前記材料層の膜厚は、前記第２の白色発光層から射出される光と、前記第１の電極で反射した反射光とを干渉させて前記青色の発光成分を強調して取りだす膜厚であり、
前記第３の発光素子の前記材料層の膜厚は、前記第３の白色発光層から射出される光と、前記第１の電極で反射した反射光とを干渉させて前記緑色の発光成分を強調して取りだす膜厚であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の電極は反射材料であり、
前記第１の発光素子の前記材料層の膜厚は、前記第１の白色発光層から射出される光と、前記第２の電極で反射した反射光とを干渉させて前記赤色の発光成分を強調して取りだす膜厚であり、
前記第２の発光素子の前記材料層の膜厚は、前記第２の白色発光層から射出される光と、前記第２の電極で反射した反射光とを干渉させて前記青色の発光成分を強調して取りだす膜厚であり、
前記第３の発光素子の前記材料層の膜厚は、前記第３の白色発光層から射出される光と、前記第２の電極で反射した反射光とを干渉させて前記緑色の発光成分を強調して取りだす膜厚であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第２の基板の加熱は、ヒータ、ランプ、または前記第２の基板への電圧印加による加熱であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月8日(2011.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電表面基板上に第１の有機層を形成し、
前記第１の導電表面基板の一方の端部に電源のアノードを電気的に接続し、もう一方の端部に前記電源のカソードを電気的に接続し、
第１の電極を有する第２の基板を前記第１の導電表面基板と対向する位置に配置し、
前記アノードと前記カソードを通電させて前記第１の導電表面基板上の前記第１の有機層を加熱した後、第１の導電表面基板と対向する前記第２の基板面に設けられた前記第１の電極上に第２の有機層を形成し、前記第２の有機層上に第２の電極を形成する発光装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の導電表面基板と前記第２の基板の間に、開口を有するマスクを配置して、前記第２の基板面に前記第２の有機層を選択的に形成する発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の有機層は、前記第１の有機層と同じ材料を含む発光装置の作製方法。
【請求項４】
第１の導電表面基板の第１の面上に第１の有機層を形成し、
前記第１の導電表面基板の第２の面上に第２の有機層を形成し、
前記第１の導電表面基板の一方の端部に電源のアノードを電気的に接続し、もう一方の端部に前記電源のカソードを電気的に接続し、
前記第１の導電表面基板を挟んで第２の基板と第３の基板をそれぞれ対向させて配置し、
前記アノードと前記カソードを通電させて前記第１の面上の第１の有機層及び前記第２の面上の第２の有機層を加熱した後、前記第１の面に対向する第２の基板の面に第３の有機層を形成し、前記第２の面に対向する第３の基板の面に第４の有機層を形成する発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記第３の有機層は、前記第１の有機層と同じ材料を含み、且つ、前記第４の有機層は、前記第２の有機層と同じ材料を含む発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記第１の導電表面基板の導電表面と前記第３の基板の表面との間隔は、０．５ｍｍ以上３０ｍｍ以下である発光装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の導電表面基板の導電表面と前記第２の基板の表面との間隔は、０．５ｍｍ以上３０ｍｍ以下である発光装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第１の導電表面基板は、導電材料からなる基板、導電膜を表面に有する半導体基板、または導電膜を表面に有する絶縁基板である発光装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第１の導電表面基板は、表面に平坦な導電膜が形成されたガラス基板または石英基板である発光装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第１の導電表面基板は、平坦な表面を有する金属基板である発光装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記第１の導電表面基板は、矩形であり、その面積は、前記第２の基板の面積よりも広い発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月21日(2011.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、ＬｉＣｏＯ２を正極材料として用いた非水リチウムイオン二次電池では、５．０Ｖ（ｖｓ．Ｌｉ／Ｌｉ＋）まで充放電を繰り返すと放電容量密度の低下が大きい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
次に、作用極１と対極２との間にセパレータ４を挿入し、ラミネート容器１０内に作用極１、対極２および例えばリチウム金属からなる参照極３を配置する。そして、ラミネート容器１０内に上記非水電解質５を注入することにより試験セルとしての非水電解質二次電池を作製する。なお、作用極１と参照極３との間にもセパレータ４を挿入する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
図２の上段のＮａ０．７Ｌｉ０．１６Ｍｎ０．５Ｃｏ０．５Ｏ２のＸ線回折データでは、回折角２θが１８．０°から１９．５°の範囲にピークが現れている。図２の中段のＸ線回折データとの比較から、Ｎａ０．７Ｌｉ０．１６Ｍｎ０．５Ｃｏ０．５Ｏ２は六方晶系の空間群Ｐ６３／ｍｍｃに属する結晶構造を有していることがわかる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
また、図２の下段のＸ線回折データとの比較から、Ｎａ０．７Ｌｉ０．１６Ｍｎ０．５Ｃｏ０．５Ｏ２は、Ｌｉ２ＭｎＯ３を含む固溶体もしくは混合物またはその両方であると考えられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
表１からわかるように、リチウム（Ｌｉ）の組成比が０．０５〜０．２６の正極活物質を用いた実施例１〜１０の試験セルでは、充放電範囲２．５−５．０Ｖでの放電容量密度が１７２ｍＡｈ／ｇ以上と高くなった。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
図５からわかるように、実施例４のＸ線回折データでは、回折角２θ＝１６°にメインピークが現れ、回折角２θ＝３２．０°〜３４．５°の範囲に２番目に大きなピークが現れている。また、回折角２θ＝１８．０°〜１９．５°の範囲にＬｉ２ＭｎＯ３相またはこれに準ずる相によるピークが現れている。一方、比較例２のＸ線回折データでは、これらの範囲にピークが現れなかった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
図６からわかるように、実施例４のＸ線回折データでは、回折角２θ＝１８．０°〜１９．５°の範囲にＬｉ２ＭｎＯ３相またはこれに準ずる相によるピークが現れている。一方、実施例１７のＸ線回折データでは、この範囲にピークが現れなかった。これは、マンガン層にリチウムが置換されるためであると考えられる。また、実施例１７のＸ線回折データでは回折角２θ＝２２．０°〜２４．０°の範囲にピークが現れた。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月18日(2011.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタ、前記トランジスタの下方に形成された第１の絶縁層及び前記トランジスタの上方に形成された第２の絶縁層を含む素子層と、
前記第２の絶縁層上に、２μｍ以上２００μｍ以下の間隔で互いに離間して設けられた複数の突起部材と、を有し、
前記複数の突起部材を形成する材料の縦弾性係数は、前記第２の絶縁層を形成する材料の縦弾性係数よりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
トランジスタ、前記トランジスタの下方に形成された第１の絶縁層及び前記トランジスタの上方に形成された第２の絶縁層を含む素子層と、
前記第２の絶縁層上に設けられたアンテナ層と、
前記第２の絶縁層上に、２μｍ以上２００μｍ以下の間隔で互いに離間して設けられた複数の突起部材と、を有し、
前記複数の突起部材を形成する材料の縦弾性係数は、前記第２の絶縁層を形成する材料の縦弾性係数よりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記複数の突起部材を形成する材料は、ポリイミド、アクリル、ポリスチレン、ポリベンゾオキサゾール、ノボラック樹脂、シリコーン樹脂又は有機シロキサン樹脂のいずれか一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
トランジスタ、前記トランジスタの下方に形成された第１の絶縁層及び前記トランジスタの上方に形成された第２の絶縁層を含む素子層を有し、
前記素子層に複数の開口部を設け、前記開口部にはそれぞれ１つの突起部材を設け、前記突起部材は他の開口部の突起部材とは２μｍ以上２００μｍ以下の間隔で互いに離間し、かつ前記第２の絶縁層より高くなっており、
前記突起部材を形成する材料の縦弾性係数は、前記第１の絶縁層及び第２の絶縁層を形成する材料の縦弾性係数よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記複数の突起部材は、前記第１の絶縁層と接して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記複数の突起部材を形成する材料は、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）又はクロム（Ｃｒ）からのいずれか一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記トランジスタは、薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記複数の突起部材は、前記トランジスタのチャネル形成領域と重ならないように設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記半導体装置は、可撓性を有する基板で封止されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
トランジスタ、第１の絶縁層及び第２の絶縁層を含む素子層を有する半導体装置の作製方法であって、
第１の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に前記第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に前記トランジスタを形成し、
前記トランジスタ上に前記第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に、前記第２の絶縁層を形成する材料の縦弾性係数よりも低い縦弾性係数の材料で突起部材を複数形成し、
前記複数の突起部材の表面に接着層を有する第２の基板を貼り合わせ、前記第１の基板から前記素子層を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
トランジスタ、第１の絶縁層及び第２の絶縁層を含む素子層を有する半導体装置の作製方法であって、
第１の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に前記第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に前記トランジスタを形成し、
前記トランジスタ上に前記第２の絶縁層を形成し、
前記素子層に複数の開口部を設け、
前記複数の開口部それぞれに前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層を形成するそれぞれの材料の縦弾性係数よりも高い縦弾性係数の材料で突起部材を複数形成し、
前記複数の突起部材の表面に接着層を有する第２の基板を貼り合わせ、前記第１の基板から前記素子層を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月23日(2011.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の素子群が設けられた第１の基板と、
第２の素子群が設けられた第２の基板と、を有し、
前記第１の素子群は第１のアンテナに接続され、
前記第２の素子群は第２のアンテナに接続され、
前記第１のアンテナと前記第２のアンテナを介して、前記第１の素子群は前記第２の素子群と無線通信を行い、
前記第１の基板と前記第２の基板とは接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の素子群が設けられた第１の基板と、
第２の素子群が設けられた第２の基板と、を有し、
前記第１の素子群は第１のアンテナに接続され、
前記第２の素子群は第２のアンテナに接続され、
前記第１のアンテナと前記第２のアンテナを介して、前記第１の素子群は前記第２の素子群と無線通信を行い、
前記第１の基板と前記第２の基板とは、接着層を介して接合され、
前記接着層は、前記第１の基板の一部又は全面、及び、前記第２の基板の一部又は全面に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の素子群が設けられた第１の基板と、
第２の素子群が設けられた第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に第３の基板と、を有し、
前記第１の素子群は第１のアンテナに接続され、
前記第２の素子群は第２のアンテナに接続され、
前記第１のアンテナと前記第２のアンテナを介して、前記第１の素子群は前記第２の素子群と無線通信を行い、
前記第１の基板と前記第３の基板とは接合され、前記第２の基板と前記第３の基板とは接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の基板と前記第３の基板、又は前記第２の基板と前記第３の基板は、陽極接合又は表面活性化接合により接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の基板と前記第２の基板は、前記第１の素子群が設けられた面と、前記第２の素子群が設けられた面が対向していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の基板と前記第２の基板は、前記第１の素子群が設けられた面と、前記第２の素子群が設けられた面の反対側の面が対向していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の基板と前記第２の基板は、前記第１の素子群が設けられた面の反対側の面と、前記第２の素子群が設けられた面の反対側の面が対向していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１の素子群が設けられた第１の基板と、
第２の素子群が設けられた第２の基板と、を有し、
前記第１の素子群は第１のアンテナに接続され、
前記第２の素子群は第２のアンテナに接続され、
前記第２の基板は、第１の領域と第２の領域を有し、前記第２の領域は底面に平面を有する凹部を有し、前記第２の領域に前記第２の素子群が設けられ、
前記第１のアンテナと前記第２のアンテナを介して、前記第１の素子群は前記第２の素子群と無線通信を行い、
前記第１の基板と前記第２の基板は、前記第１の素子群が設けられた面と、前記第２の素子群が設けられた面が対向し、
前記第１の基板と前記第２の基板の前記第１の領域とは接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第１の素子群が設けられた第１の基板と、
第２の素子群が設けられた第２の基板と、を有し、
前記第１の素子群は第１のアンテナに接続され、
前記第２の素子群は第２のアンテナに接続され、
前記第２の基板は、第１の領域と第２の領域を有し、前記第２の領域は底面に平面を有する凹部を有し、前記第２の領域に前記第２の素子群が設けられ、
前記第１のアンテナと前記第２のアンテナを介して、前記第１の素子群は前記第２の素子群と無線通信を行い、
前記第１の基板と前記第２の基板は、前記第１の素子群が設けられた面の反対側の面と、前記第２の素子群が設けられた面が対向し、
前記第１の基板と前記第２の基板の前記第１の領域とは接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
第１の素子群が設けられた第１の基板と、
第２の素子群が設けられた第２の基板と、を有し、
前記第１の素子群は第１のアンテナに接続され、
前記第２の素子群は第２のアンテナに接続され、
前記第２の基板は、第１の領域と第２の領域を有し、前記第２の領域は底面に平面を有する凹部を有し、前記第２の領域の反対側の面に前記第２の素子群が設けられ、
前記第１のアンテナと前記第２のアンテナを介して、前記第１の素子群は前記第２の素子群と無線通信を行い、
前記第１の基板と前記第２の基板は、前記第１の素子群が設けられた面の反対側の面と、前記第２の素子群が設けられた面の反対側の面が対向し、
前記第１の基板と前記第２の基板の前記第１の領域とは接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一において、
前記第１の基板と前記第２の基板の前記第１の領域は、陽極接合又は表面活性化接合により接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記第１の素子群又は前記第２の素子群は、薄膜トランジスタ又は電界効果型トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記第１の素子群又は前記第２の素子群は、トランスデューサ又はマイクロアクチュエータを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、
前記第１の基板又は前記第２の基板は、単結晶シリコン基板、シリコン化合物基板、化合物半導体基板、ＳＯＩ基板、無アルカリガラス基板、ソーダガラス基板、石英基板、プラスチック基板又は金属基板であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月22日(2011.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に第１の半導体膜を形成する工程と、
前記第１の半導体膜上にキャップ膜を形成する工程と、
前記絶縁性基板を走査しながら、前記第１の半導体膜に連続発振のレーザビームまたは繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のパルス発振のレーザビームを照射することにより、前記第１の半導体膜を溶融させ、結晶性を有する第２の半導体膜を形成する工程と、
前記キャップ膜を除去する工程と、
前記結晶性を有する第２の半導体膜の上に金属膜を形成する工程と、
加熱処理することにより、前記結晶性を有する第２の半導体膜を前記金属膜と反応させる工程とを有し、
前記絶縁性基板の走査速度をｘ（ｃｍ／ｓｅｃ）、前記レーザビームのパワーをｙ（Ｗ）とするとき、
前記走査速度ｘ（ｃｍ／ｓｅｃ）が１０ｃｍ／ｓｅｃ以上２０ｃｍ／ｓｅｃ未満において、前記パワーｙ（Ｗ）は、下記の（式１）以上、下記の（式２）未満を満たし、
前記走査速度ｘ（ｃｍ／ｓｅｃ）が２０ｃｍ／ｓｅｃ以上３５ｃｍ／ｓｅｃ未満において、前記パワーｙ（Ｗ）は、下記の（式１）以上、下記の（式３）未満を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
ｙ  ＝  ０．００１２ｘ２＋  ０．０８３ｘ  ＋  ４．４ （式１）
ｙ  ＝  ０．２８ｘ  ＋  ４．２ （式２）
ｙ  ＝  −０．０６８３ｘ  ＋  １１．１６７ （式３）
【請求項２】
絶縁性基板上に第１の半導体膜を形成する工程と、
前記第１の半導体膜上にキャップ膜を形成する工程と、
前記絶縁性基板を走査しながら、前記第１の半導体膜に連続発振のレーザビームまたは繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のパルス発振のレーザビームを照射することにより、前記第１の半導体膜を溶融させ、結晶性を有する第２の半導体膜を形成する工程と、
前記キャップ膜を除去する工程と、
前記結晶性を有する第２の半導体膜の上に金属膜を形成する工程と、
加熱処理することにより、前記結晶性を有する第２の半導体膜を前記金属膜と反応させる工程とを有し、
前記絶縁性基板の走査速度をｘ（ｃｍ／ｓｅｃ）、前記レーザビームのパワーをｙ（Ｗ）とするとき、
前記走査速度ｘ（ｃｍ／ｓｅｃ）が１０ｃｍ／ｓｅｃ以上２０ｃｍ／ｓｅｃ未満において、前記パワーｙ（Ｗ）は、下記の（式２）以上、下記の（式４）未満を満たし、
前記走査速度ｘ（ｃｍ／ｓｅｃ）が２０ｃｍ／ｓｅｃ以上３５ｃｍ／ｓｅｃ未満において、前記パワーｙ（Ｗ）は、下記の（式３）以上、下記の（式４）未満を満たし、
前記走査速度ｘ（ｃｍ／ｓｅｃ）が３５ｃｍ／ｓｅｃ以上５５ｃｍ／ｓｅｃ未満において、前記パワーｙ（Ｗ）は、下記の（式１）以上、下記の（式５）未満を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
ｙ  ＝  ０．００１２ｘ２＋  ０．０８３ｘ  ＋  ４．４ （式１）
ｙ  ＝  ０．２８ｘ  ＋  ４．２ （式２）
ｙ  ＝  −０．０６８３ｘ  ＋  １１．１６７ （式３）
ｙ  ＝  ０．００２７ｘ２＋  ０．３６ｘ  ＋  ４．２ （式４）
ｙ  ＝  −０．３７ｘ  ＋  ３３ （式５）
【請求項３】
絶縁性基板上に第１の半導体膜を形成する工程と、
前記第１の半導体膜上にキャップ膜を形成する工程と、
前記絶縁性基板を走査しながら、前記第１の半導体膜に連続発振のレーザビームまたは繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のパルス発振のレーザビームを照射することにより、前記第１の半導体膜を溶融させ、結晶性を有する第２の半導体膜を形成する工程と、
前記キャップ膜を除去する工程と、
前記結晶性を有する第２の半導体膜の上に金属膜を形成する工程と、
加熱処理することにより、前記結晶性を有する第２の半導体膜を前記金属膜と反応させる工程とを有し、
前記絶縁性基板の走査速度をｘ（ｃｍ／ｓｅｃ）、前記レーザビームのパワーをｙ（Ｗ）とするとき、
前記走査速度ｘ（ｃｍ／ｓｅｃ）が７０ｃｍ／ｓｅｃ以上９０ｃｍ／ｓｅｃ未満において、前記パワーｙ（Ｗ）は、下記の（式１）以上、前記第１の半導体膜の一部が蒸発する条件未満を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
ｙ  ＝  ０．００１２ｘ２＋  ０．０８３ｘ  ＋  ４．４ （式１）
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記結晶性を有する第２の半導体膜は、一方項に面方位を有する結晶が、４割以上１０割以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記キャップ膜は、ＳｉＮｘＯｙ（０≦ｘ≦４／３、０≦ｙ≦２、０≦３ｘ＋２ｙ≦４）であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記キャップ膜の厚さは、２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記金属膜は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｐｄ又はＣｒのいずれかを主成分とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１の半導体膜及び前記結晶性を有する第２の半導体膜は、シリコンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月22日(2011.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の半導体膜を形成する工程と、
前記第１の半導体膜の上にキャップ膜を形成する工程と、
前記キャップ膜の上からフェムト秒レーザを照射することにより、前記第１の半導体膜を結晶化し、第２の半導体膜を形成するとともに前記キャップ膜を除去する工程とを有する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に第１の半導体膜を形成する工程と、
前記第１の半導体膜の上にキャップ膜を形成する工程と、
前記キャップ膜の上から第１のレーザを照射することにより前記第１の半導体膜を結晶化し、第２の半導体膜を形成する工程と、
前記キャップ膜の上からフェムト秒レーザである第２のレーザを照射することにより前記キャップ膜を除去する工程とを有し、
前記第１のレーザを照射している間に、前記第２のレーザの照射を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に下地膜を形成する工程と、
前記下地膜の上に第１の半導体膜を形成する工程と、
前記第１の半導体膜の上にキャップ膜を形成する工程と、
前記キャップ膜の上からフェムト秒レーザを照射することにより、前記第１の半導体膜を結晶化し、第２の半導体膜を形成するとともに前記キャップ膜を除去する工程とを有する半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に下地膜を形成する工程と、
前記下地膜の上に第１の半導体膜を形成する工程と、
前記第１の半導体膜の上にキャップ膜を形成する工程と、
前記キャップ膜の上から第１のレーザを照射することにより前記第１の半導体膜を結晶化し、第２の半導体膜を形成する工程と、
前記キャップ膜の上からフェムト秒レーザである第２のレーザを照射することにより前記キャップ膜を除去する工程とを有し、
前記第１のレーザを照射している間に、前記第２のレーザの照射を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
前記請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２の半導体膜を用いて、チャネル領域と、ソース領域又はドレイン領域を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記キャップ膜は、ＳｉＮｘＯｙ（０≦ｘ≦４／３、０≦ｙ≦２、０≦３ｘ＋２ｙ≦４）膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記キャップ膜の厚さは、２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第２の半導体膜は、多結晶半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月24日(2011.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＳＯＩ基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１単結晶シリコン基板を分断して、チップサイズの第２単結晶シリコン基板を複数形成し、
前記第２単結晶シリコン基板の表面上に絶縁層を形成し、
前記第２単結晶シリコン基板の所定の深さに脆化層を形成し、
絶縁表面を有する基板と前記第２単結晶シリコン基板とを、前記絶縁層を介して貼り合わせ、
熱処理することにより、前記脆化層に沿って前記第２単結晶シリコン基板を分断し、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶シリコン薄膜を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
第１単結晶シリコン基板を分断して、チップサイズの第２単結晶シリコン基板を複数形成し、
前記第２単結晶シリコン基板の表面上に第１の絶縁層を形成し、
前記第２単結晶シリコン基板の所定の深さに第１の脆化層を形成し、
第３単結晶シリコン基板を分断して、チップサイズの第４単結晶シリコン基板を複数形成し、
前記第４単結晶シリコン基板の表面上に第２の絶縁層を形成し、
前記第４単結晶シリコン基板の所定の深さに第２の脆化層を形成し、
絶縁表面を有する基板と前記第２単結晶シリコン基板及び前記第４単結晶シリコン基板とを、前記第１及び前記第２の絶縁層を介して貼り合わせ、
熱処理することにより、前記第１の脆化層に沿って前記第２単結晶シリコン基板を分断し、前記第２の脆化層に沿って前記第４単結晶シリコン基板を分断し、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶シリコン薄膜を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
第１単結晶シリコン基板の表面上に絶縁層を形成し、
前記第１単結晶シリコン基板の所定の深さに脆化層を形成し、
前記第１単結晶シリコン基板を分断して、チップサイズの第２単結晶シリコン基板を複数形成し、
絶縁表面を有する基板と前記第２単結晶シリコン基板とを、前記絶縁層を間に介して貼り合わせ、
熱処理することにより、前記脆化層に沿って前記第２単結晶シリコン基板を分断し、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶シリコン薄膜を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
第１単結晶シリコン基板の表面上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１単結晶シリコン基板の所定の深さに第１の脆化層を形成し、
前記第１単結晶シリコン基板を分断して、チップサイズの第２単結晶シリコン基板を複数形成し、
第３単結晶シリコン基板の表面上に第２の絶縁層を形成し、
前記第３単結晶シリコン基板の所定の深さに第２の脆化層を形成し、
前記第３単結晶シリコン基板を分断して、チップサイズの第４単結晶シリコン基板を複数形成し、
絶縁表面を有する基板と前記第２単結晶シリコン基板及び前記第４単結晶シリコン基板とを、前記第１及び前記第２の絶縁層を介して貼り合わせ、
熱処理することにより、前記第１の脆化層に沿って前記第２単結晶シリコン基板を分断し、前記第２の脆化層に沿って前記第４単結晶シリコン基板を分断し、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶シリコン薄膜を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記チップサイズとは、１０ｍｍ角乃至２０ｍｍ角の大きさであることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記絶縁表面を有する基板はガラス基板であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月28日(2011.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板上に分離層及び前記分離層上に複数の単結晶半導体層を有する単結晶半導体基板を用意し、
前記単結晶半導体基板の複数の前記単結晶半導体層が形成された面と、絶縁表面を有する基板の絶縁表面とを内向きに対向させて、前記絶縁表面に複数の前記単結晶半導体層を接合させ、
加熱処理により、前記分離層において前記単結晶半導体基板と複数の前記単結晶半導体層とを分離させ、
前記絶縁表面を有する基板の前記絶縁表面に複数の前記単結晶半導体層を設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板に水素又は希ガス元素を照射することにより、前記単結晶半導体基板の表面から一定の深さに水素又は希ガス元素を含む分離層と前記分離層上の第１の単結晶半導体層とを形成し、
前記第１の単結晶半導体層を選択的にエッチングして、複数の第２の単結晶半導体層に分割し、
前記単結晶半導体基板の複数の前記第２の単結晶半導体層が形成された面と、絶縁表面を有する基板の絶縁表面とを内向きに対向させて、前記絶縁表面に複数の前記第２の単結晶半導体層を接合させ、
加熱処理により、前記分離層において前記単結晶半導体基板と複数の前記第２の単結晶半導体層とを分離させ、
前記絶縁表面を有する基板の前記絶縁表面に複数の前記第２の単結晶半導体層を設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
単結晶半導体基板に表面から所定の深さまでの溝を形成することにより、前記単結晶半導体基板の上部に複数の凸部を形成し、
前記単結晶半導体基板の複数の前記凸部に水素又は希ガス元素を照射することにより、前記凸部の前記溝の深さよりも浅い領域に、水素又は希ガス元素を含む複数の分離層を形成するとともに、複数の前記分離層上に複数の単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体基板の複数の前記単結晶半導体層が形成された面と、絶縁表面を有する基板の絶縁表面とを内向きに対向させて、前記絶縁表面に複数の前記単結晶半導体層を接合させ、
加熱処理により、複数の前記分離層において前記単結晶半導体基板と複数の前記単結晶半導体層とを分離させ、
前記絶縁表面を有する基板の前記絶縁表面に複数の前記単結晶半導体層を設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
単結晶半導体基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記単結晶半導体基板に前記第１の絶縁膜を介して水素又は希ガス元素を照射することにより、前記単結晶半導体基板の表面から一定の深さに水素又は希ガス元素を含む分離層と前記分離層上の第１の単結晶半導体層とを形成し、
前記第１の絶縁膜を選択的にエッチングして、複数の第２の絶縁膜に分割し、
複数の前記第２の絶縁膜をマスクとして前記第１の単結晶半導体層をエッチングして、複数の第２の単結晶半導体層に分割し、
前記単結晶半導体基板の複数の前記第２の絶縁膜が形成された面と、絶縁表面を有する基板の絶縁表面とを内向きに対向させて、複数の前記第２の絶縁膜を介して前記絶縁表面に複数の前記第２の単結晶半導体層を接合させ、
加熱処理により、前記分離層において前記単結晶半導体基板と複数の前記第２の単結晶半導体層及び複数の前記第２の絶縁膜とを分離させ、
複数の前記第２の絶縁膜を介して前記絶縁表面を有する基板の前記絶縁表面に複数の前記第２の単結晶半導体層を設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
単結晶半導体基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜を選択的にエッチングして、複数の第２の絶縁膜に分割し、
複数の前記第２の絶縁膜をマスクとして前記単結晶半導体基板をエッチングして、前記単結晶半導体基板に表面から所定の深さまでの溝を形成することにより、前記単結晶半導体基板の上部に複数の凸部を形成し、
前記単結晶半導体基板の複数の前記凸部に複数の前記第２の絶縁膜を介して水素又は希ガス元素を照射することにより、前記凸部の前記溝の深さよりも浅い領域に、水素又は希ガス元素を含む複数の分離層を形成するとともに、複数の前記分離層上に複数の単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体基板の複数の前記第２の絶縁膜が形成された面と、絶縁表面を有する基板の絶縁表面とを内向きに対向させて、複数の前記第２の絶縁膜を介して前記絶縁表面に複数の前記単結晶半導体層を接合させ、
加熱処理により、複数の前記分離層において前記単結晶半導体基板と複数の前記単結晶半導体層及び複数の前記第２の絶縁膜とを分離させ、
複数の前記第２の絶縁膜を介して前記絶縁表面を有する基板の前記絶縁表面に複数の前記単結晶半導体層を設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１、３又は５において、複数の前記単結晶半導体層が有する第３の単結晶半導体層と第４の単結晶半導体層の大きさは、互いに異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項２又は４において、複数の前記第２の単結晶半導体層が有する第３の単結晶半導体層と第４の単結晶半導体層の大きさは、互いに異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１、３、５又は６において、複数の前記単結晶半導体層を用いて半導体素子、トランジスタ、又は記憶素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項２、４又は７において、複数の前記第２の単結晶半導体層を用いて半導体素子、トランジスタ、又は記憶素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月3日(2011.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＳＯＩ基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１単結晶シリコン基板を分断して、露光装置の１ショットサイズのｎ倍（ｎは任意の正の整数で、ｎ≧１）の第２単結晶シリコン基板を形成する工程Ａと、
前記第２単結晶シリコン基板の一表面上に絶縁膜を形成し、
前記第２単結晶シリコン基板に前記絶縁膜が形成された面から水素イオンを注入してイオン注入層を形成する工程Ｂと、
第１の熱処理により、絶縁表面を有する基板と前記第２単結晶シリコン基板とを、前記絶縁膜を間に介して貼り合わせ、
第２の熱処理により、前記イオン注入層に沿って前記第２単結晶シリコン基板を分断し、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶シリコン薄膜を形成する工程Ｃと、
を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の熱処理の前に、前記第２単結晶シリコン基板の前記絶縁膜に、アルゴンイオンビームを照射する工程Ｄと、前記絶縁表面を有する基板の接合面に、アルゴンイオンビームを照射する工程Ｅとを有することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１の熱処理の前に、前記第２単結晶シリコン基板の前記絶縁膜に、酸素プラズマを照射する工程Ｆと、前記絶縁表面を有する基板の接合面に、酸素プラズマを照射する工程Ｇとを有することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１において、
前記第１の熱処理の前に、前記第２単結晶シリコン基板の前記絶縁膜に、酸素プラズマを照射し、その後窒素ラジカルを照射する工程Ｈと、前記絶縁表面を有する基板の接合面に、酸素プラズマを照射し、その後窒素ラジカルを照射する工程Ｉとを有することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記工程Ａを繰り返すことにより、前記第２単結晶シリコン基板を複数形成し、
１枚の前記絶縁表面を有する基板に対して前記工程Ｂ及び前記工程Ｃを繰り返すことにより、前記絶縁表面を有する基板上に前記単結晶シリコン薄膜を複数形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記単結晶シリコン薄膜の表面を平坦化することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
第１単結晶シリコン基板の一表面上に絶縁膜を形成し、
前記第１単結晶シリコン基板に前記絶縁膜が形成された面から水素イオンを注入してイオン注入層を形成する工程Ａと、
前記第１単結晶シリコン基板を分断して、露光装置の１ショットサイズのｎ倍（ｎは任意の正の整数で、ｎ≧１）の第２単結晶シリコン基板を形成する工程Ｂと、
第１の熱処理により、絶縁表面を有する基板と前記第２単結晶シリコン基板とを、前記絶縁膜を間に介して貼り合わせ、
第２の熱処理により、前記イオン注入層に沿って前記第２単結晶シリコン基板を分断し、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶シリコン薄膜を形成する工程Ｃと、
を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記絶縁表面を有する基板はガラス基板であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月10日(2011.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための方法であって、
前記基板を第１の温度に維持したもとで、懸濁剤中に、アモルファス炭素、カーボンブラック、黒鉛化カーボンブラック、微粉砕された黒鉛、フラーレン、改質フラーレンまたはこれらの組み合わせを懸濁して懸濁液を形成することによって、前記基板の上面にアブソーバ層を堆積するステップと、
加熱処理チャンバにおいて、前記基板を前記第１の温度より高い第２の温度まで加熱して、前記基板をアニーリングするステップと、
前記基板から前記アブソーバ層を除去するステップと、
を備える方法。
【請求項２】
前記アブソーバ層を堆積するステップが、
前記基板を旋回しながら、前記基板の上面に前記懸濁液を滴下して被膜を形成する工程と、
前記懸濁液の被膜から前記懸濁剤を除去する工程と、
を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アブソーバ層を堆積するステップが、溶剤中に懸濁した、カーボンブラック、黒鉛化カーボンブラック、フラーレンまたは改質フラーレンの１つまたはこれらの組み合わせを、前記基板の前記上面に電気泳動によって堆積させる工程を備える、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記アブソーバ層を除去するステップが、酸化剤を加熱処理チャンバに提供する工程を含み、前記酸化剤が、遠隔プラズマ源からの酸素プラズマまたはオゾンを含む、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記アブソーバ層を除去するステップが、超音波源を用いて前記基板を洗浄する工程と、前記基板に液体酸化剤を塗布する工程と、を備える、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記基板をアニーリングするステップが、急速加熱処理、動的面アニーリングプロセスまたは急速加熱処理と動的面アニーリングプロセスの組み合わせによって、前記基板を加熱する工程を備える、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
基板をアニーリングするための方法であって、
前記基板上に、前記アニーリング温度より高温に耐える炭素を含有し、かつカーボンブラック、黒鉛化カーボンブラック、微粉砕された黒鉛、フラーレン、改質フラーレンまたはこれらの組み合わせを含有するアブソーバ層をアニーリング温度より低温で堆積するステップと、
前記アニーリング温度まで前記基板の少なくとも一部を急速に加熱するステップと、
前記基板から前記アブソーバ層を除去するステップと、を備える方法。
【請求項８】
前記アブソーバ層を堆積するステップが、
懸濁剤中に黒鉛が懸濁した懸濁液を基板に塗布する工程を有する、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記アブソーバ層を堆積するステップが、
溶媒に前記高温炭素を懸濁する工程と、
前記高温炭素が懸濁した前記溶媒を用いて、前記基板上に被膜を形成する工程と、
前記基板上の前記被膜から前記溶媒を除去する工程と、
を備える、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記アブソーバ層を堆積するステップが、前記基板上に前記高温炭素の層を電気泳動によって堆積する工程を備える、請求項７ないし９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記アブソーバ層を堆積するステップが、前記基板上に前記高温炭素の層を静電気によって堆積する工程を備える、請求項７ないし１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記アニーリング温度まで前記基板の少なくとも一部を急速に加熱する間、前記基板に静電力を印加するステップをさらに備える、請求項７ないし１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記アブソーバ層を堆積するステップが、懸濁剤に懸濁した懸濁黒鉛を前記基板に塗布する工程を備える、請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記懸濁剤は、水を含有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記アブソーバ層を堆積するステップが、コロイド溶液の被覆を基板上にスプレーする工程を有する、請求項１ないし１４のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月3日(2011.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられた第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に設けられた導電層と、を有し、
前記導電層は、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層に設けられた、段差を有する開口部を介して、前記半導体層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面に設けられた第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられた第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上に設けられた導電層と、を有し、
前記導電層は、前記第１の絶縁層、前記半導体層、前記第２の絶縁層及び前記第３の絶縁層に設けられた、段差を有する開口部を介して、前記半導体層と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記半導体層はシリサイド領域を有し、
前記導電層は前記シリサイド領域と接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記シリサイド領域は、ニッケルシリサイド、チタンシリサイド、コバルトシリサイド又は白金シリサイドにより形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記半導体層の端部に絶縁物を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
絶縁表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に段差を有するレジストを形成し、
前記レジストをマスクとして、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層に段差を有する開口部を形成し、
前記第２の絶縁層上に、前記開口部を介して前記半導体層と電気的に接続される導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層上に段差を有するレジストを形成し、
前記レジストをマスクとして、前記第１の絶縁層、前記半導体層、前記第２の絶縁層及び前記第３の絶縁層に段差を有する開口部を形成し、
前記第３の絶縁層上に、前記開口部を介して前記半導体層と電気的に接続される導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記開口部を、ドライエッチングを行うことにより形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、
前記半導体層に接する金属層を形成し、
前記半導体層と前記金属層とを反応させることにより、シリサイド領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記金属層として、ニッケル、チタン、コバルト又は白金を含む層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項６乃至１０のいずれか一項において、
前記半導体層の端部に絶縁物を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。