Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月25日(2011.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パケット通信により送信装置から送信された画像データを受信する受信装置であって、
前記画像データを伝送するためのパケットを受信する受信手段と、
前記パケットの伝送エラーを検出する検出手段と、
前記検出手段が伝送エラーを検出したパケットの再送要求を前記送信装置へ送信する送信手段と、
を備え、
前記送信手段は、
前記画像データの予め設定された注目領域に対応するパケットの伝送エラーを前記検出手段が検出した場合、当該パケットの再送要求を、前記注目領域に対応しないパケットの伝送要求よりも優先して送信する
ことを特徴とする受信装置。
【請求項２】
前記送信手段が前記再送要求を送信した回数をパケット毎に計数する計数手段をさらに備え、
前記送信手段は、伝送エラーが検出された場合、伝送エラーがなくパケットを前記受信手段が受信するか、または、当該パケットについて前記計数手段が計数した前記回数が予め定められた上限値を超えるまで、当該パケットの再送要求の送信を繰り返す
ことを特徴とする請求項１に記載の受信装置。
【請求項３】
前記上限値は、前記注目領域に対応するパケットと、対応しないパケットとのそれぞれについて定められており、
前記注目領域に対応するパケットについての前記上限値は、前記注目領域に対応しないパケットについての前記上限値よりも大きい
ことを特徴とする請求項２に記載の受信装置。
【請求項４】
前記送信手段は、前記注目領域に対応しないパケットの伝送エラーが検出された場合には、当該パケットの再送要求は送信しない
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の受信装置。
【請求項５】
前記画像データに関するパケットの受信を開始してからの経過時間を計測する計測手段をさらに備え、
前記受信手段は、前記計測手段が計測した前記経過時間が予め定められた上限値を超えた場合、前記パケットの受信を中止する
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の受信装置。
【請求項６】
ユーザの指示に応じて前記注目領域を設定する設定手段をさらに備えることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の受信装置。
【請求項７】
パケット通信により送信装置から送信された画像データを受信する受信装置の制御方法であって、
受信手段が、前記画像データを伝送するためのパケットを受信する受信工程と、
検出手段が、前記パケットの伝送エラーを検出する検出工程と、
送信手段が、前記検出工程において伝送エラーが検出されたパケットの再送要求を前記送信装置へ送信する送信工程と、
を備え、
前記送信工程においては、
送信手段が、前記画像データの予め設定された注目領域に対応するパケットの伝送エラーが前記検出工程において検出された場合、当該パケットの再送要求を、前記注目領域に対応しないパケットの伝送要求よりも優先して送信する
ことを特徴とする受信装置の制御方法。
【請求項８】
コンピュータを請求項１から６のいずれか１項に記載の受信装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項９】
請求項８に記載のプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明による受信装置の制御方法は以下の構成を備える。即ち、
パケット通信により送信装置から送信された画像データを受信する受信装置の制御方法であって、
受信手段が、前記画像データを伝送するためのパケットを受信する受信工程と、
検出手段が、前記パケットの伝送エラーを検出する検出工程と、
送信手段が、前記検出工程において伝送エラーが検出されたパケットの再送要求を前記送信装置へ送信する送信工程と、
を備え、
前記送信工程においては、
送信手段が、前記画像データの予め設定された注目領域に対応するパケットの伝送エラーが前記検出工程において検出された場合、当該パケットの再送要求を、前記注目領域に対応しないパケットの伝送要求よりも優先して送信する
ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月29日(2011.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の解像度を持つ、位相が互いにずれた複数の低解像度画像データを出力するスキャナ手段と、
前記スキャナ手段の解像力が、予め指定された解像力よりも小さい場合、前記スキャナ手段で出力される低解像度画像データの解像力が前記予め指定された解像力になるように、超解像処理手段で用いる低解像度画像データの枚数を決定する決定手段と、
前記決定手段で決定した枚数の低解像度画像データを用いて、より解像度の高い第２の解像度を持つ高解像度画像データを生成する超解像処理手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記スキャナ手段で出力される低解像度画像データの解像力を示す値と、該値を実現するために必要な前記超解像処理手段で用いる低解像度画像データの枚数を示す値とを登録したテーブルを保存する保存手段を有し、
前記決定手段は、前記低解像度画像データの枚数を、前記保存手段により保存される前記テーブルを参照して決定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
第１の解像度を持つ、位相が互いにずれた複数の低解像度画像データを出力するスキャナ手段と、
前記スキャナ手段の解像力を測定する測定手段と、
前記測定手段で測定されたスキャナ手段の解像力が、予め指定された解像力よりも小さい場合、前記スキャナ手段で出力される低解像度画像データの解像力が前記予め指定された解像力になるように、超解像処理手段で用いる低解像度画像データの枚数を決定する決定手段と、
前記決定手段で決定した枚数の低解像度画像データを用いて、より解像度の高い第２の解像度を持つ高解像度画像データを生成する超解像処理手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項４】
第１の解像度を持つ、位相が互いにずれた複数の低解像度画像データを出力するスキャナを有する画像処理装置の制御方法であって、
前記スキャナの解像力が、予め指定された解像力よりも小さい場合、前記スキャナで出力される低解像度画像データの解像力が前記予め指定された解像力になるように、超解像処理工程で用いる低解像度画像データの枚数を決定する決定工程と、
前記決定工程で決定した枚数の低解像度画像データを用いて、より解像度の高い第２の解像度を持つ高解像度画像データを生成する超解像処理工程と
を有することを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項５】
第１の解像度を持つ、位相が互いにずれた複数の低解像度画像データを出力するスキャナを有する画像処理装置の制御方法であって、
前記スキャナの解像力を測定する測定工程と、
前記測定工程により測定されたスキャナの解像力が、予め指定された解像力よりも小さい場合、前記スキャナで出力される低解像度画像データの解像力が前記予め指定された解像力になるように、超解像処理工程で用いる低解像度画像データの枚数を決定する決定工程と、
前記決定工程で決定した枚数の低解像度画像データを用いて、より解像度の高い第２の解像度を持つ高解像度画像データを生成する超解像処理工程と
を有することを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の画像処理装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置およびその制御方法とプログラム
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月22日(2011.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置であって、
通信パラメータを提供可能な状態の基地局と、初期化時に設定される通信パラメータとは異なる通信パラメータが設定されている基地局を検出するための検索処理を行う検索手段と、
前記検索手段による検索結果に基づいて、通信パラメータを受信するために接続する基地局を選択する選択手段と、
前記選択手段により選択された基地局、もしくは該基地局と通信する外部装置から通信パラメータを受信する受信手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記選択手段は、初期化時に設定される通信パラメータとは異なる通信パラメータが設定されている基地局より、通信パラメータを提供可能な状態の基地局を優先的に選択することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記受信手段による通信パラメータの受信処理がエラー終了した場合、前記選択手段は、前記検索処理によって検出された基地局の中から、未だ選択済みでない基地局を新たに選択することを特徴とする請求項１又は２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記受信手段による通信パラメータの受信処理がエラー終了した場合、前記検索処理によって検出された全ての基地局が選択済みであれば、前記検索処理を再び行うことを特徴とする請求項３記載の通信装置。
【請求項５】
前記受信手段による通信パラメータの受信処理がエラー終了した場合、通信パラメータを提供可能な状態に切替わった基地局を検出するために、前記検索処理を再び行うことを特徴とする請求項１又は２記載の通信装置。
【請求項６】
基地局が通信パラメータを提供する提供装置として通信パラメータの設定処理を起動した場合、もしくは、前記基地局と通信する前記外部装置が提供装置として通信パラメータの設定処理を起動した場合に、該基地局は通信パラメータを提供可能な状態の基地局として、前記検索処理によって検出されることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項７】
前記検索処理は、基地局を検索するための検索信号を送信し、前記検索信号に対する応答信号の受信を待機することにより、周囲に存在する基地局を検索する処理であり、
前記応答信号に付加された情報に基づいて、通信パラメータを提供可能な状態の基地局、及び、初期化時に設定される通信パラメータとは異なる通信パラメータが設定されている基地局を検出することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項８】
前記検索処理は、基地局から送信される報知信号を監視することにより、周囲に存在する基地局を検索する処理であり、
前記報知信号に付加された情報に基づいて、通信パラメータを提供可能な状態の基地局、及び、初期化時に設定される通信パラメータとは異なる通信パラメータが設定されている基地局を検出することを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項９】
前記検索手段は、通信パラメータを提供可能な状態の基地局として、通信パラメータを提供する提供装置として通信パラメータ自動設定処理を起動中の基地局、または、通信パラメータ自動設定処理を起動している外部装置と通信可能な基地局を検索することを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１０】
基地局が通信パラメータを提供する提供装置として通信パラメータの設定処理を起動した場合、もしくは、前記基地局と通信する前記外部装置が提供装置として通信パラメータの設定処理を起動した場合、該基地局は通信パラメータを提供可能な状態の基地局であることを示す情報を送信し、前記検索手段は、検出した信号に含まれる情報に基づいて、通信パラメータを提供可能な状態の基地局と、初期化時に設定される通信パラメータとは異なる通信パラメータが設定されている基地局を検出することを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１１】
通信装置の制御方法であって、
通信パラメータを提供可能な状態の基地局と、初期化時に設定される通信パラメータとは異なる通信パラメータが設定されている基地局を検出するための検索処理を行う検索工程と、
前記検索工程における検索結果に基づいて、接続する基地局を選択する選択工程と、
前記選択工程において選択された基地局へ接続し、該基地局もしくは該基地局と通信する外部装置から通信パラメータを受信する受信工程と、
を有することを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の制御方法を、コンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月2日(2011.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の通信機器間で送受信するデータを一つ以上のブロックに分け、前記複数の通信機器間に確立した複数のコネクションを用いて送受信する複数コネクションを用いたデータ通信方法において、
送信側通信機器は、一つの送信すべき前記ブロックを、前記複数のコネクションを用いて並列に送信する送信方法と、前記複数のコネクションのいずれか一つを用いて送信する送信方法と、のどちらを選択して送信するかを決定する送信方法選択情報を繰り返し取得し、
取得した前記送信方法選択情報が前記複数のコネクションを用いて並列に送信することを示している場合は、前記送信側通信機器は、一つ以上の送信すべき前記ブロックを、前記複数のコネクションを用いて並列に送信し、
取得した前記送信方法選択情報が前記複数のコネクションのいずれか一つを用いて送信することを示している場合は、前記送信側通信機器は、一つ以上の送信すべき前記ブロックの各々を、前記複数のコネクションのいずれか一つを用いて送信し、
受信側通信機器は、前記複数のコネクションのいずれか一つから受信した前記ブロックを採用する
ことを特徴とする複数コネクションを用いたデータ通信方法。
【請求項２】
請求項１に記載の複数コネクションを用いたデータ通信方法において、
前記送信方法選択情報は、前記送信側通信機器が送信しようとするブロック数と、前記複数のコネクションにより前記送信側通信機器が送信し前記受信側通信機器が受信に成功したブロック数と、に依存する
ことを特徴とする複数コネクションを用いたデータ通信方法。
【請求項３】
請求項２に記載の複数コネクションを用いたデータ通信方法において、
前記複数のコネクションを用いて並列に送信する送信方法を選択している場合に取得する前記送信方法選択情報は、前記複数のコネクションのいずれか一つが送信できない状態であるか否かを示し、
前記送信側通信機器は、取得した前記送信方法選択情報が、前記複数のコネクションのいずれか一つが送信できない状態を示していれば、前記複数のコネクションのいずれか一つを用いて送信する送信方法に切り替え、
前記複数のコネクションのいずれか一つを用いて送信する送信方法を選択している場合に取得する前記送信方法選択情報は、送信待ちのブロックがあるか否かを示し、
前記送信側通信機器は、取得した前記送信方法選択情報が、送信待ちのブロック数が一定のしきい値以下を示していれば、前記複数のコネクションを用いて並列に送信する送信方法に切り替える
ことを特徴とする複数コネクションを用いたデータ通信方法。
【請求項４】
請求項２または３に記載の複数コネクションを用いたデータ通信方法において、
前記送信方法選択情報は、前記受信側通信機器から取得する前記複数のコネクションを用いて送信したブロックの損失率であって、
前記送信側通信機器は、
取得した前記ブロックの損失率が、予め定めた所定値より高ければ、前記複数のコネクションのいずれか一つを用いて送信する送信方法を選択し、
取得した前記ブロックの損失率が、予め定めた所定値以下であれば、前記複数のコネクションを用いて並列に送信する送信方法を選択する
ことを特徴とする複数コネクションを用いたデータ通信方法。
【請求項５】
請求項１に記載の複数コネクションを用いたデータ通信方法において、
前記受信側通信機器は、前記複数のコネクションから最初に受信した前記ブロックを採用する
ことを特徴とする複数コネクションを用いたデータ通信方法。
【請求項６】
請求項３に記載の複数コネクションを用いたデータ通信方法において、
前記複数のコネクションがTCP (Transmission Control Protocol)で制御されており、前記複数のコネクションを用いて並列に送信する送信方法を選択している場合の前記送信方法選択情報は、前記送信側通信機器の前記複数のコネクションの各々について備えているバッファ内の空き容量であって、
前記送信側通信機器は、前記バッファ内の空き容量に基づき、前記複数のコネクション各々の送信可否を判断する
ことを特徴とする複数コネクションを用いたデータ通信方法。
【請求項７】
請求項２、３、４または６に記載の複数コネクションを用いたデータ通信方法において、
前記複数のコネクションがUDP (User Datagram Protocol)で制御されている場合、前記送信側通信機器は、
前記受信側通信機器から、当該受信側通信機器が受信に成功したブロックの情報を取得し、
前記送信側通信機器が送信したブロックの情報と、取得した前記受信に成功したブロックの情報と、に基づき、前記複数のコネクションのいずれか一つを用いて送信する送信方法を選択するか、前記複数のコネクションを用いて並列に送信する送信方法を選択するか、を判断する
ことを特徴とする複数コネクションを用いたデータ通信方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一に記載の複数コネクションを用いたデータ通信方法において、
送信すべきデータのブロックを、前記複数のコネクションのいずれか一つを用いて送信する場合に、
前記送信側通信機器は、各コネクションで送信された、および／または、送信中の前記ブロック番号に基づき、前記ブロックの送信に用いるコネクションと当該コネクションで次に送信するブロックを選択する
ことを特徴とする複数コネクションを用いたデータ通信方法。
【請求項９】
請求項８に記載の複数コネクションを用いたデータ通信方法において、
前記送信側通信機器は、送信する前記ブロックに識別子を付与して送信し、
前記受信側通信機器は、受信した前記ブロックに含まれている識別子を送信側の通信機器に返信し、
前記送信側通信機器は、受信した前記識別子に基づき、送信したブロック数と送信時間を求めることで各コネクションの転送速度を求める
ことを特徴とする複数コネクションを用いたデータ通信方法。
【請求項１０】
請求項３または６に記載の複数コネクションを用いたデータ通信方法において、
前記送信側通信機器は、
前記複数のコネクションの各々において、前記受信側通信機器が受信していない、送信中および送信待ちの前記ブロックを監視し、
監視対象の前記ブロックについて、他の前記コネクションでの送信を行うかどうかを、前記送信待ちブロックの量に基づいて判断し、
前記判断の結果に従い、監視対象の前記ブロックを、前記他のコネクションで送信する
ことを特徴とする複数コネクションを用いたデータ通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月16日(2010.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
上記実施形態においては、ケーシング(2)の底壁(4)内面に突起(29)(30)が設けられているが、これに限定されるものではなく、頂壁(3)内面に突起が設けられていてもよく、あるいは頂壁(3)内面および底壁(4)内面の両方に突起が設けられていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層内に設けられ、前記絶縁層表面に一部が露出しているパッドと、を有し、
前記パッドは、複数のめっき層が積層されてなり、
前記めっき層同士が積層された面のうち、少なくとも一つの面が粗化面であることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記絶縁層の、前記パッドが露出する表面と反対側の面に、前記パッド裏面を露出するビアホールが設けられ、
前記反対側の面に、前記ビアホールを介して前記パッド裏面に接続する配線層が設けられていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記パッドが、
前記絶縁層表面から露出する第１めっき層と、
前記第１めっき層に積層された第２めっき層と、
前記第２めっき層に積層された第３めっき層と、を含み、
前記第２めっき層の前記第３めっき層が積層される面が、前記粗化面であることを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
前記第２めっき層が、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、又はその合金のうちの何れか一つ、又はこれらのうち二つ以上からなる積層体からなることを特徴とする請求項３記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１めっき層が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｓｎ、又はその合金のうちの何れか一つ、又はこれらのうち二つ以上からなる積層体からなることを特徴とする請求項３又は４記載の配線基板。
【請求項６】
前記第３めっき層が、Ｃｕからなることを特徴とする請求項３乃至５の何れか一項記載の配線基板。
【請求項７】
前記粗化面の表面粗さＲａは１００ｎｍよりも大きいことを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項記載の配線基板。
【請求項８】
前記絶縁層上に、更に他の絶縁層と配線層が多層に積層されてなることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項記載の配線基板。
【請求項９】
前記パッドが、半導体チップとの接続用又はマザーボードとの接続用であることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項記載の配線基板。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか一項記載の配線基板上に半導体チップが実装されている半導体パッケージ。
【請求項１１】
支持体上に、複数のめっき層が積層されてなるパッドを形成するパッド形成工程と、
前記支持体上に前記パッドを被覆する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記支持体を除去し、前記絶縁層の支持体除去面から前記パッドの一部を露出する支持体除去工程と、を有し、
前記パッド形成工程において、あるめっき層の表面を粗化面とした後、前記粗化面上に次層のめっき層を積層することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁層に、前記パッドを露出するビアホールを形成するビアホール形成工程と、
前記絶縁層上に、前記ビアホールを介して前記パッドに接続する配線層を形成する配線層形成工程と、を有することを特徴とする請求項１１記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記パッド形成工程が、
前記絶縁層表面から露出する第１めっき層を形成する工程と、
前記第１めっき層上に第２めっき層を積層する工程と、
前記第２めっき層上に第３めっき層を積層する工程と、を含み、
前記第２めっき層表面を粗化面とした後、前記粗化面上に前記第３めっき層を積層することを特徴とする請求項１１又は１２記載の配線基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第２めっき層が、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、又はその合金のうちの何れか一つ、又はこれらのうち二つ以上からなる積層体からなることを特徴とする請求項１３記載の配線基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第１めっき層が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｓｎ、又はその合金のうちの何れか一つ、又はこれらのうち二つ以上からなる積層体からなることを特徴とする請求項１３又は１４記載の配線基板の製造方法。
【請求項１６】
前記第３めっき層が、Ｃｕからなることを特徴とする請求項１３乃至１５の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１７】
前記粗化面の表面粗さＲａが１００ｎｍよりも大きいことを特徴とする請求項１１乃至１６の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１８】
前記絶縁層上に、更に他の絶縁層と配線層を多層に積層する工程を有することを特徴とする請求項１１乃至１７の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１９】
前記パッドが、半導体チップとの接続用又はマザーボードとの接続用であることを特徴とする請求項１１乃至１８の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項２０】
請求項１１乃至１９の何れか一項記載の製造方法で製造された配線基板上に、半導体チップを実装する半導体チップ実装工程を有する半導体パッケージの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成するため、第１の発明は、絶縁層と、前記絶縁層内に設けられ、前記絶縁層表面に一部が露出しているパッドと、を有し、前記パッドは、複数のめっき層が積層されてなり、前記めっき層同士が積層された面のうち、少なくとも一つの面が粗化面であることを特徴とする配線基板である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第３の発明は、支持体上に、複数のめっき層が積層されてなるパッドを形成するパッド形成工程と、前記支持体上に前記パッドを被覆する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記支持体を除去し、前記絶縁層の支持体除去面から前記パッドの一部を露出する支持体除去工程と、を有し、前記パッド形成工程において、あるめっき層の表面を粗化面とした後、前記粗化面上に次層のめっき層を積層することを特徴とする配線基板の製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月22日(2011.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照射された励起光によりキャリアを発生させる光伝導部と、
前記光伝導部に接する抵抗部と、
前記抵抗部に接する第１の導電部と、
前記第１の導電部に対して間隙を有して設けられ、且つ前記光伝導部に接する第２の導電部と、を有することを特徴とする光伝導素子。
【請求項２】
前記第１の導電部は、少なくとも前記間隙近傍で前記抵抗部にのみ接することを特徴とする請求項１に記載の光伝導素子。
【請求項３】
前記抵抗部は、前記間隙の部分における光伝導部より高い電気抵抗を有する高抵抗部であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光伝導素子。
【請求項４】
前記光伝導部は、該光伝導部と格子整合しない基板上に設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項５】
前記光伝導部は、SiとGeを含むIV族半導体、As注入GaAsを含む不純物注入半導体、イオン注入Siとイオン注入Geとイオン注入InGaAsを含むイオン注入半導体、低温成長GaAsと低温成長InAsと低温成長InGaAsと低温成長AlGaAsを含む低温成長半導体、GaAsとInAsを含むIII-V族化合物半導体、及びII-VI族化合物半導体の少なくとも１つから構成されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項６】
前記抵抗部ないし高抵抗部は、窒化シリコン、二酸化シリコン、酸化インジウム、酸化スズ、インジウムチタン酸化物、酸化チタン、ニッケルクロム、ポリシリコン、InP、GaAs、AlAs、AlGaAs、シリサイド、半導体、樹脂、セラミック、誘電体、これらの物質の少なくとも１つに導電性物質を混合した物、及びこれらの物質の少なくとも１つを導電性にせしめる物質をドープした物の少なくとも１つから構成されることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光伝導素子。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の光伝導素子と、前記間隙の領域に励起光を照射する照射部と、前記間隙によって分割される前記第１の導電部と前記第２の導電部間にバイアス電圧を印加する電圧印加部と、を備えることを特徴とするテラヘルツ波発生装置。
【請求項８】
請求項７に記載のテラヘルツ波発生装置を用い、
前記テラヘルツ波発生装置からのテラヘルツ波を検査対象物に照射し、該検査対象物からのテラヘルツ波を検出することで該検査対象物のテラヘルツ波分光情報もしくはテラヘルツ波画像、或いはその両方を取得することを特徴とするテラヘルツ波装置。 
【請求項９】
請求項１から６のいずれか１項に記載の光伝導素子の製造方法であって、
前記抵抗部ないし高抵抗部を、前記光伝導部上に結晶成長によって形成することを特徴とする光伝導素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題に鑑み、テラヘルツ波発生素子などとして用い得る本発明の光伝導素子は、照射された励起光によりキャリアを発生させる光伝導部と、前記光伝導部に接する抵抗部と、前記抵抗部に接する第１の導電部と、前記第１の導電部に対して間隙を有して設けられ、且つ前記光伝導部に接する第２の導電部と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月16日(2011.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と真空処理装置の被クリーニング対象部分に付着した異物を除去する粘着面とを有する粘着シートと、前記基材に接する導電性シートと、該導電性シートを押し付ける押し付け部材と、前記押し付け部材を介して前記粘着面を前記真空処理装置の被クリーニング対象部分に密着させるための力を調整する押し付け力調整機構と、前記導電性シートに正または負の電圧を印加する電圧印加機構とを備え、
前記押し付け部材は前記真空処理装置の被クリーニング対象部分の表面と相似な形状であり、前記粘着面は、前記電圧印加機構により前記導電性シートに印加された正または負の電圧によって静電吸引力を発生させることを特徴とするクリーニング装置。
【請求項２】
請求項１に記載のクリーニング装置において、
前記粘着シートと、前記導電性シートおよび前記押し付け部材を一体に構成するとともに、前記粘着面が、前記真空処理装置の被クリーニング対象部分の曲面の曲率と同じ曲率の曲面を有することを特徴とするクリーニング装置。
【請求項３】
真空処理装置の被クリーニング対象部分に密着した粘着シートに接する導電性シートと、該導電性シートを押し付ける押し付け部材と、前記押し付け部材を介して前記導電シートを前記粘着シートに押し付けるための力を調整する押し付け力調整機構と、前記導電性シートに正または負の電圧を印加する電圧印加機構とを備え、
前記押し付け部材は前記真空処理装置の被クリーニング対象部分の表面と相似な形状であり、前記粘着面は、前記電圧印加機構により前記導電性シートに印加された正または負の電圧によって静電吸引力を発生させることを特徴とするクリーニング装置。
【請求項４】
請求項１に記載のクリーニング装置において、
前記粘着シートはロール状に構成され、
前記押し付け部材は前記導電性シートを表面に配置した弾性材料から構成されたローラ状の押し付け部材として構成され、
前記粘着シートをロール状に回収する機構を備えることを特徴とするクリーニング装置。
【請求項５】
請求項１に記載のクリーニング装置において、
前記押し付け部材は前記導電性シートを表面に配置した弾性材料から構成されたローラ状の押し付け部材として構成されることを特徴とするクリーニング装置。
【請求項６】
基材と真空処理装置の被クリーニング対象部分に付着した異物を除去する粘着面とを有する粘着シートと、前記基材に接する導電性シートと、該導電性シートを押し付ける押し付け部材と、前記導電性シートに正または負の電圧を印加する電圧印加機構とを備えるクリーニング装置を用いたクリーニング方法であって、
前記押し付け部材により前記粘着面を前記真空処理装置の被クリーニング対象部分に密着させる第１の工程と、前記電圧印加機構が前記導電性シートに正または負の直流電圧あるいは時間的に極性を変えて電圧を印加する第２の工程とを有することを特徴とするクリーニング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月19日(2011.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の液体又は粘性体にモールドを押し当てて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記モールドが前記液体又は粘性体から離れた第１の状態から該モールドが前記液体又は粘性体に接触した第２の状態に状態を変更する駆動手段と、
前記駆動手段を制御する制御手段と、を有し、
前記制御手段は、前記押し当てを行う場合、前記押し当ての方向において、前記第１の状態においては前記駆動手段を位置制御し、前記第２の状態においては前記駆動手段を力制御することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記第１の状態から前記第２の状態になる前に前記力制御を開始し、前記力制御においては予め決められた速度リミットを超えないように前記駆動手段を制御することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記力制御のための荷重センサまたは圧力センサを有することを特徴とする請求項１または２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記モールドと前記基板との間の距離または前記基板の表面の高さを計測する前記位置制御のための計測器を有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記位置制御を前記力制御に切り換える位置を前記基板の表面の高さに応じて設定することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記位置制御を前記力制御に切り換える位置を、前記基板の表面の領域ごとの高さに応じて変更することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
基板上の液体又は粘性体にモールドを押し当てて前記基板上にパターンを形成するインプリント方法であって、
前記モールドが前記液体又は粘性体から離れた第１の状態から該モールドが前記液体又は粘性体に接触した第２の状態に状態を変更する駆動手段により前記押し当てを行う場合、前記押し当ての方向において、前記第１の状態においては前記駆動手段を位置制御し、前記第２の状態においては前記駆動手段を力制御することを特徴とするインプリント方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インプリント装置及びインプリント方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、基板上の液体又は粘性体にモールドを押し当てて該基板上にパターンを形成するインプリント技術に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、インプリントに要する時間の短さの点で有利なインプリント装置及び方法を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板上の液体又は粘性体にモールドを押し当てて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、前記モールドが前記液体又は粘性体から離れた第１の状態から該モールドが前記液体又は粘性体に接触した第２の状態に状態を変更する駆動手段と、前記駆動手段を制御する制御手段と、を有し、前記制御手段は、前記押し当てを行う場合、前記押し当ての方向において、前記第１の状態においては前記駆動手段を位置制御し、前記第２の状態においては前記駆動手段を力制御することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の他の一側面としてのインプリント方法は、基板上の液体又は粘性体にモールドを押し当てて前記基板上にパターンを形成するインプリント方法であって、前記モールドが前記液体又は粘性体から離れた第１の状態から該モールドが前記液体又は粘性体に接触した第２の状態に状態を変更する駆動手段により前記押し当てを行う場合、前記押し当ての方向において、前記第１の状態においては前記駆動手段を位置制御し、前記第２の状態においては前記駆動手段を力制御することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、インプリントに要する時間の短さの点で有利なインプリント装置及び方法を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月16日(2011.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面の上に配線パターンが配された半導体基板を有した半導体装置の製造方法であって、
集束イオンビームを前記主表面と平行な面方向における前記配線パターンにおける短絡欠陥部の内側に位置する第１の照射領域に照射することにより、前記配線パターンにおける前記第１の照射領域に対応した第１の部分を選択的に除去する第１の照射工程と、
前記第１の照射工程の後に、集束イオンビームを前記主表面と平行な面方向における前記短絡欠陥部の外側に位置する領域を含む第２の照射領域に照射することにより、前記配線パターンにおける前記第２の照射領域に対応した第２の部分を除去する第２の照射工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の照射工程に用いられる集束イオンビームの照射エネルギーは、前記第１の照射工程に用いられる集束イオンビームの照射エネルギーより低い
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の照射領域は、前記第１の照射領域を内包する領域である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２の照射領域は、前記主表面と平行な面方向において、前記短絡欠陥部における前記第１の照射領域の外側に位置する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２の照射領域は、前記主表面と平行な面方向において、前記短絡欠陥部における前記第１の照射領域に重ならない領域である
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体基板に光電変換素子と前記光電変換素子にて生じた電荷を転送する転送用トランジスタとを形成する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
主表面に光電変換素子と前記光電変換素子にて生じた電荷を転送する転送用トランジスタとを有し、前記主表面の上に配線パターンが配された光電変換装置の製造方法であって、
集束イオンビームを前記主表面と平行な面方向における前記配線パターンにおける短絡欠陥部の内側に位置する第１の照射領域に照射することにより、前記配線パターンにおける前記第１の照射領域に対応した第１の部分を選択的に除去する第１の照射工程と、
前記第１の照射工程の後に、前記第１の照射工程に用いられる集束イオンビームの照射エネルギーより低い照射エネルギーの集束イオンビームを、前記主表面と平行な面方向における前記短絡欠陥部の外側に位置する領域を含む第２の照射領域に照射することにより、前記配線パターンにおける前記第２の照射領域に対応した第２の部分を除去する第２の照射工程と、を有することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月4日(2011.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１半導体層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成され、凸部と、前記凸部以外の平坦部とを有する第２半導体層と、
前記第２半導体層上に形成された電流ブロック層と、
前記凸部上に形成された第１電極層と、
前記第１電極層上および前記電流ブロック層上に形成された第２電極層とを備え、
前記第１電極層は、共振器端面近傍の領域まで延びて形成されており、
前記第２電極層の前記共振器端面側の端部は、前記共振器端面近傍の領域から所定の間隔を隔てて配置されている、半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記電流ブロック層は、前記第２半導体層の前記共振器端面側の端部にまで形成されている、請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記平坦部の前記共振器端面近傍かつ前記凸部近傍の領域には、凹部が形成されている、請求項１または２に記載の半導体レーザ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月13日(2010.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に多孔質の酸素添加炭化ケイ素からなる第１の絶縁膜を成膜する工程と、
この第１の絶縁膜の上に、窒素添加炭化ケイ素膜からなる第１の保護膜を成膜する工程と、
この第１の保護膜の上にフッ素添加カーボン膜からなる第２の絶縁膜を成膜する工程と、
前記第２の絶縁膜の上に、窒素添加炭化ケイ素膜からなる第２の保護膜を成膜する工程と、
前記第２の保護膜の上にハードマスク用の薄膜を成膜する工程と、
前記ハードマスク用の薄膜を第１のマスクとして、当該第１のマスクの下方側の膜をエッチングして前記第１の絶縁膜に電極埋め込み用のホールを形成する工程と、
前記第１のマスク上に形成された第２のマスクを用い、前記ホールを形成する工程の後に、当該第２のマスクの下方側の膜をエッチングして前記第２の絶縁膜に配線埋め込み用の溝を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
基板上に多孔質の酸素添加炭化ケイ素からなる第１の絶縁膜を成膜する工程と、
この第１の絶縁膜の上に、窒素添加炭化ケイ素膜からなる第１の保護膜を成膜する工程と、
この第１の保護膜の上にフッ素添加カーボン膜からなる第２の絶縁膜を成膜する工程と、
前記第２の絶縁膜の表面をシリコン及び炭素の活性種を含むプラズマに曝す工程と、
次いで基板の表面をシリコン及び炭素の活性種に加えて窒素の活性種を更に含むプラズマに曝して窒素添加炭化ケイ素膜からなるハードマスク用の薄膜を成膜する工程と、
この薄膜の上に更にハードマスク用の薄膜を成膜する工程と、
これら工程で成膜されたハードマスクを用いて、前記第１の絶縁膜に電極埋め込み用のホールを形成し、次いで前記第２の絶縁膜に配線埋め込み用の溝を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
基板上に形成された多孔質の酸素添加炭化ケイ素からなる第１の絶縁膜と、
この第１の絶縁膜の上に形成された窒素添加炭化ケイ素膜からなる保護膜と、
この保護膜の上に形成されたフッ素添加カーボン膜からなる第２の絶縁膜と、
この第２の絶縁膜の上に形成された保護膜またはハードマスクである窒素添加炭化ケイ素膜と、
前記第１の絶縁膜に形成されたのホールと、
前記第１の保護膜、第２の絶縁膜及び窒素添加炭化ケイ素膜の各々に亘って形成された配線埋め込み用の溝と、
前記ホールに埋め込まれた電極及び前記溝に埋め込まれた配線と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法及び半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、フッ素添加カーボン膜を絶縁膜例えば層間絶縁膜として用いた半導体装置を製造する方法及び半導体装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明はこのような背景の下になされたものであり、その目的は絶縁膜としてフッ素添加カーボン膜を用い、絶縁膜に配線埋め込み用の溝と電極埋め込み用のホールとを形成するにあたり、ホールのを適正な形状にすることができる技術を提供することにある。更に他の目的は、フッ素添加カーボン膜とハードマスクとの間で高い密着性が得られる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に多孔質の酸素添加炭化ケイ素からなる第１の絶縁膜を成膜する工程と、
この第１の絶縁膜の上に、窒素添加炭化ケイ素膜からなる第１の保護膜を成膜する工程と、
この第１の保護膜の上にフッ素添加カーボン膜からなる第２の絶縁膜を成膜する工程と、
前記第２の絶縁膜の上に、窒素添加炭化ケイ素膜からなる第２の保護膜を成膜する工程と、
前記第２の保護膜の上にハードマスク用の薄膜を成膜する工程と、
前記ハードマスク用の薄膜を第１のマスクとして、当該第１のマスクの下方側の膜をエッチングして前記第１の絶縁膜に電極埋め込み用のホールを形成する工程と、
前記第１のマスク上に形成された第２のマスクを用い、前記ホールを形成する工程の後に、当該第２のマスクの下方側の膜をエッチングして前記第２の絶縁膜に配線埋め込み用の溝を形成する工程と、
を含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
他の発明の半導体装置の製造方法は、基板上に多孔質の酸素添加炭化ケイ素からなる第１の絶縁膜を成膜する工程と、
この第１の絶縁膜の上に、窒素添加炭化ケイ素膜からなる第１の保護膜を成膜する工程と、
この第１の保護膜の上にフッ素添加カーボン膜からなる第２の絶縁膜を成膜する工程と、
前記第２の絶縁膜の表面をシリコン及び炭素の活性種を含むプラズマに曝す工程と、
次いで基板の表面をシリコン及び炭素の活性種に加えて窒素の活性種を更に含むプラズマに曝して窒素添加炭化ケイ素膜からなるハードマスク用の薄膜を成膜する工程と、
この薄膜の上に更にハードマスク用の薄膜を成膜する工程と、
これら工程で成膜されたハードマスクを用いて、前記第１の絶縁膜に電極埋め込み用のホールを形成し、次いで前記第２の絶縁膜に配線埋め込み用の溝を形成する工程と、
を含むことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の半導体装置は、基板上に形成された多孔質の酸素添加炭化ケイ素からなる第１の絶縁膜と、
この第１の絶縁膜の上に形成された窒素添加炭化ケイ素膜からなる保護膜と、
この保護膜の上に形成されたフッ素添加カーボン膜からなる第２の絶縁膜と、
この第２の絶縁膜の上に形成された保護膜またはハードマスクである窒素添加炭化ケイ素膜と、
前記第１の絶縁膜に形成されたのホールと、
前記第１の保護膜、第２の絶縁膜及び窒素添加炭化ケイ素膜の各々に亘って形成された配線埋め込み用の溝と、
前記ホールに埋め込まれた電極及び前記溝に埋め込まれた配線と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、絶縁膜として、第１の絶縁膜であるＳｉＣＯ膜（無機系）の上に第２の絶縁膜であるＣＦ膜（有機系）の膜を積層したものを用い、第１の絶縁膜に電極埋め込み用のホールを形成し、その後第２の絶縁膜に配線埋め込み用の溝を形成するようにしている。このため有機系のＣＦ膜をエッチングしている間に無機系であるＳｉＣＯ膜の側面部はエッチングされないのでホールの形状を適正に保つことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月27日(2011.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラミネートフィルム（１）で包装されたキャパシタ（２）に設けられ、前記ラミネートフィルム（１）の内部（Ｘ）の圧力が一定圧力より高くなった場合に、その内部（Ｘ）と外部（Ｙ）とを連通させる圧力開放弁（３）において、
前記圧力開放弁（３）が、前記ラミネートフィルム（１）に設けられた開口部（４）に取付けられ、外部（Ｙ）側に開放した環状の溝部（５１）と、前記溝部（５１）と内部（Ｘ）とを連通する連通孔（５２）とを備えた樹脂材製ハウジング（５）と、前記溝部（５１）の底部（５３）側に保持されている本体部分（６１）と、前記本体部分（６１）から外部（Ｙ）側に向って伸び、前記溝部（５１）の外周面（５５１）と弾性接触している弁部（６２）とを有し、ゴム状弾性体単体で構成され、内部（Ｘ）の圧力が一定圧力より高くなった場合に、前記弁部（６２）と前記外周面（５５１）との接触を解いて、内部（Ｘ）の圧力を外部（Ｙ）に開放するようになした弁体（６）とよりなることを特徴とする圧力開放弁。
【請求項２】
前記圧力開放弁（３）のハウジング（５）の端面（５４）と、前記ラミネートフィルム（１）の前記開口部（４）近傍の内部（Ｘ）側の面とが、熱融着により一体化されていることを特徴とする請求項１記載の圧力開放弁。
【請求項３】
前記溝部（５１）の内周面（５５）若しくは外周面（５５１）の少なくとも何れか一方に、前記本体部分（６１）の外周面（６３）若しくは内周面（６４）が接する部分に、抜け止め用の段部（５６）を設けたことを特徴とする請求項１または２記載の圧力開放弁。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月12日(2011.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
伝送状態情報データを入力し、該伝送状態情報に基づいて、コンスタレーションの評価値として各受信シンボルからその受信シンボルに最も近い理想基準点までの距離の平均値である平均誤差と、各受信シンボルの理想基準点までの距離の最大値である最大誤差の伝送状態を示す評価値（伝送状態表示データ）を取得し、記憶手段に記憶し、記憶された前記伝送状態表示データに基づき伝送状態を表示することを特徴とする伝送状態表示方法。
【請求項２】
請求項１の伝送状態表示方法において、上記伝送状態情報データにタイムスタンプを付加した解析結果を上記記憶手段に記憶し、記憶されている複数の前記解析結果データから、タイムスタンプを参考にして、表示したい期間の前記解析結果データを選択し、該選択された解析結果データに基づき伝送状態を表示することを特徴とする伝送状態表示方法。