【手続補正書】
【提出日】平成21年7月16日(2009.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板の上にオーバーコートされるポリマー層と、および
該ポリマー層の上にオーバーコートされるダイヤモンドライクガラス層と
を備える、湿気又は酸素感受性物品を保護するための複合アセンブリ。
【請求項２】
基板を提供する工程と、
チャンバー中で電極上に該基板を設置する工程と、
該チャンバー中にプラズマを導入する工程と、
該電極を用いて該基板にバイアスをかける工程と、
該プラズマを用いてポリマー層を該基板の上にオーバーコートする工程と、および
該プラズマを用いてダイヤモンドライクガラス層を該第ポリマー層の上にオーバーコートする工程と
を含み、該ダイヤモンドライクガラス層が、炭素およびシリコンを包含する少なくとも実質的に非晶質のガラスを含み、酸素のシリコンに対する１．５未満の比を有するものである、湿気又は酸素感受性物品を保護するための複合アセンブリを製造するための方法。
【請求項３】
基板を提供する工程と、
チャンバー中で電極上に該基板を設置する工程と、
該チャンバー中にプラズマを導入する工程と、
該電極を用いて該基板にバイアスをかける工程と、
該プラズマを用いてポリマー層を該基板の上にオーバーコートする工程と、
該プラズマを用いてダイヤモンドライクガラス層を該第ポリマー層の上にオーバーコートする工程と、および
無機バリア層を該ダイヤモンドライクガラス層の上にオーバーコートする工程と
を含み、該ダイヤモンドライクガラス層が、炭素およびシリコンを包含する少なくとも実質的に非晶質のガラスを含むものである、湿気又は酸素感受性物品を保護するための複合アセンブリを製造するための方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
本出願では、以下の態様が提供される。
１．  基板と、該基板の上にオーバーコートされる第１のポリマー層と、および該第１のポリマー層の上にオーバーコートされる第２のポリマー層とを備える湿気又は酸素感受性物品を保護するための複合アセンブリであって、前記第１のポリマー層が第１のポリマーから構成され、前記第２のポリマー層が該第１のポリマーと異なる第２のポリマーから構成され、および該第２のポリマーがプラズマポリマーを含む、前記複合アセンブリ。
２．  前記基板が剛性材料又は可撓性材料を含む、態様１に記載のアセンブリ。
３．  前記第１のポリマー層がプラズマポリマーを含む、態様１に記載のアセンブリ。
４．  前記第１のポリマー層が紫外線硬化アクリレートを含む、態様１に記載のアセンブリ。
５．  前記第１のポリマー層の上にオーバーコートされた前記第２のポリマー層がダイアドを含み、該アセンブリが前記基板の上にオーバーコートされた複数の前記ダイアドを有する、態様１に記載のアセンブリ。
６．  少なくとも２つの前記ダイアドの間に追加の層をさらに含む、態様５に記載のアセンブリ。
７．  基板と、該基板上にオーバーコートされるポリマー層と、および該ポリマー層の上にオーバーコートされるダイヤモンドライクカーボン層とを備える湿気又は酸素感受性物品を保護するための複合アセンブリ。
８．  前記基板が剛性材料又は可撓性材料を含む、態様７に記載のアセンブリ。
９．  前記ダイヤモンドライクカーボン層が、約０．２０〜約０．２８グラム原子／ｃｃのグラム原子密度を有し、約５０〜約９０％が四面体結合で構成されている、約５０〜９０原子％の炭素および約１０〜５０原子％の水素を含むコーティングを含む、態様７に記載のアセンブリ。
１０．  前記ダイヤモンドライクカーボン層の上にオーバーコートされる前記ポリマー層がダイアドを含み、該アセンブリが前記基板の上にオーバーコートされた複数の前記ダイアドを有する、態様７に記載のアセンブリ。
１１．  少なくとも２つの前記ダイアドの間に追加の層をさらに含む、態様１０に記載のアセンブリ。
１２．  基板と、該基板の上にオーバーコートされるポリマー層と、および該ポリマー層の上にオーバーコートされるダイヤモンドライクガラス層とを備える湿気又は酸素感受性物品を保護するための複合アセンブリ。
１３．  前記基板が剛性材料又は可撓性材料を含む、態様１２に記載のアセンブリ。
１４．  前記ダイヤモンドライクガラス層が、炭素およびシリコンを包含する少なくとも実質的に非晶質のガラスを含む、態様１２に記載のアセンブリ。
１５．  前記ダイヤモンドライクガラス層が、水素、窒素、酸素、フッ素、硫黄、チタン、および銅を含む群から選択される１以上の構成要素をさらに含む、態様１４に記載のアセンブリ。
１６．  前記ダイヤモンドライクガラス層は、酸素のシリコンに対する比が約１．５未満である酸素欠損型の層を含む、態様１２に記載のアセンブリ。
１７．  前記ダイヤモンドライクガラス層の上にオーバーコートされた前記ポリマー層がダイアドを含み、該アセンブリが前記基板の上にオーバーコートされた複数の前記ダイアドを有する、態様１２に記載のアセンブリ。
１８．  少なくとも２つの前記ダイアドの間に追加の層をさらに含む、態様１７に記載のアセンブリ。
１９．  前記ダイヤモンドライクガラス層が厚さ約１ミクロンの場合、該層が約４００ｎｍ〜約８００ｎｍのほぼ全波長の放射に対して少なくとも７０％を透過する、態様１２に記載のアセンブリ。
２０．  基板を提供する工程と、第１のポリマー層を該基板の上にオーバーコートする工程と、および該第１のポリマー層の上に第２のポリマー層をオーバーコートする工程とを含む湿気又は酸素感受性物品を保護するための複合アセンブリを製造するための方法であって、前記第１のポリマー層が第１のポリマーから構成され、前記第２のポリマー層が該第１のポリマーと異なる第２のポリマーから構成される、前記方法。
２１．  前記第２のポリマー層をオーバーコートする工程が、１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）未満の圧力および５００Ｖより大きい基板バイアスを有する環境において実施されることをさらに含む、態様２０に記載の方法。
２２．  前記第２のポリマー層をオーバーコートする工程がプラズマポリマーをオーバーコートする工程を包含する、態様２０に記載の方法。
２３．  基板を提供する工程と、ポリマー層を該基板の上にオーバーコートする工程と、および該第ポリマー層の上にダイヤモンドライクカーボン層をオーバーコートする工程とを含む湿気又は酸素感受性物品を保護するための複合アセンブリを製造するための方法。
２４．  前記ポリマー層をオーバーコートする工程が、１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）未満の圧力および５００Ｖより大きい基板バイアスを有する環境下で実施されることをさらに含む、態様２３に記載の方法。
２５．  基板を提供する工程と、ポリマー層を該基板の上にオーバーコートする工程と、および該第ポリマー層の上にダイヤモンドライクガラス層をオーバーコートする工程とを含む湿気又は酸素感受性物品を保護するための複合アセンブリを製造するための方法。
２６．  前記ポリマー層をオーバーコートする工程が、１．３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）未満の圧力および５００Ｖより大きい基板バイアスを有する環境下で実施されることをさらに含む、態様２５に記載の方法。
２７．  前記ダイヤモンドライクガラス層をオーバーコートする工程は、酸素のシリコンに対する比が約１．５未満である酸素欠損型の層をオーバーコートする工程含む、態様２５に記載の方法。
本発明は、添付図面と共になされる様々な実施形態の以下の詳細な説明によってさらに十分に理解され得る。