【手続補正書】
【提出日】平成23年8月22日(2011.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクを作製するためのマスクブランクで使用される基板を複数枚セットとしたマスクブランク用基板セットであって、
前記複数枚セットで用いられる各基板は、転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面の形状が中央で相対的に高く、周縁部で相対的に低くなるような凸形状であり、前記主表面の中央部を含む１４２ｍｍ角内の領域における平坦度が０．３μｍ以下であり、前記主表面の形状を、基準基板の基準主表面の形状に対して中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域でフィッティングしたときの差が４０ｎｍ以下であることを特徴とするマスクブランク用基板セット。
【請求項２】
前記基準基板は、仮想基板であり、前記仮想基板は、前記複数枚セットで用いられる各基板の薄膜を設ける側の主表面形状を平均した形状の基準主表面を有することを特徴とする請求項１記載のマスクブランク用基板セット。
【請求項３】
前記基準基板は、実在基板であり、前記実在基板は、前記複数枚セットで用いられる各基板のうち、いずれか１つの基板であることを特徴とする請求項１記載のマスクブランク用基板セット。
【請求項４】
前記基準基板は、仮想基板であり、前記仮想基板は、主表面の中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域での形状が球面形状である基準主表面を有する仮想基板であることを特徴とする請求項１記載のマスクブランク用基板セット。
【請求項５】
前記仮想基板は、前記基準主表面の中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域における平坦度が０．２μｍ以下であることを特徴とする請求項４記載のマスクブランク用基板セット。
【請求項６】
前記仮想基板は、前記基準主表面の球面形状が２１，７２０，０００ｍｍ以上の曲率半径を有することを特徴とする請求項５記載のマスクブランク用基板セット。
【請求項７】
露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクを作製するためのマスクブランクを複数枚セットとしたマスクブランクセットであって、
前記複数枚セットで用いられる各マスクブランクは、基板の主表面上に転写パターンを形成するための薄膜を有し、
各マスクブランクの基板は、転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面の形状が中央で相対的に高く、周縁部で相対的に低くなるような凸形状であり、前記主表面の中央部を含む１４２ｍｍ角内の領域における平坦度が０．３μｍ以下であり、前記主表面の形状を、基準基板の基準主表面の形状に対して中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域でフィッティングしたときの差が４０ｎｍ以下であることを特徴とするマスクブランクセット。
【請求項８】
前記基準基板は、仮想基板であり、前記仮想基板は、前記複数枚セットで用いられる各基板の薄膜を設ける側の主表面形状を平均した形状の基準主表面を有することを特徴とする請求項７記載のマスクブランクセット。
【請求項９】
前記基準基板は、実在基板であり、前記実在基板は、前記複数枚セットで用いられる各基板のうち、いずれか１つの基板であることを特徴とする請求項７記載のマスクブランクセット。
【請求項１０】
前記基準基板は、仮想基板であり、前記仮想基板は、主表面の中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域での形状が球面形状である基準主表面を有する仮想基板であることを特徴とする請求項７記載のマスクブランクセット。
【請求項１１】
前記仮想基板は、前記基準主表面の中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域における平坦度が０．２μｍ以下であることを特徴とする請求項１０記載のマスクブランクセット。
【請求項１２】
前記仮想基板は、前記基準主表面の球面形状が２１，７２０，０００ｍｍ以上の曲率半径を有することを特徴とする請求項１１記載のマスクブランクセット。
【請求項１３】
露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクを複数枚セットとしたフォトマスクセットであって、
前記複数枚セットで用いられる各フォトマスクは、基板の主表面上に転写パターンが形成された薄膜を有し、
前記各フォトマスクの基板は、転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面の形状が中央で相対的に高く、周縁部で相対的に低くなるような凸形状であり、前記主表面の中央部を含む１４２ｍｍ角内の領域における平坦度が０．３μｍ以下であり、前記主表面の形状を、基準基板の基準主表面の形状に対して中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域でフィッティングしたときの差が４０ｎｍ以下であることを特徴とするフォトマスクセット。
【請求項１４】
前記各フォトマスクセットの薄膜には、ダブルパターニング技術またはダブル露光技術のいずれかを適用して生成された転写パターンが形成されていることを特徴とする請求項１３記載のフォトマスクセット。
【請求項１５】
前記基準基板は、仮想基板であり、前記仮想基板は、前記複数枚セットで用いられる各基板の薄膜を設ける側の主表面形状を平均した形状の基準主表面を有することを特徴とする請求項１３または１４のいずれかに記載のフォトマスクセット。
【請求項１６】
前記基準基板は、実在基板であり、前記実在基板は、前記複数枚セットで用いられる各基板のうち、いずれか１つの基板であることを特徴とする請求項１３または１４のいずれかに記載のフォトマスクセット。
【請求項１７】
前記基準基板は、仮想基板であり、前記仮想基板は、主表面の中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域での形状が球面形状である基準主表面を有する仮想基板であることを特徴とする請求項１３または１４のいずれかに記載のフォトマスクセット。
【請求項１８】
前記仮想基板は、前記基準主表面の中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域における平坦度が０．２μｍ以下であることを特徴とする請求項１７記載のフォトマスクセット。
【請求項１９】
前記仮想基板は、前記基準主表面の球面形状が２１，７２０，０００ｍｍ以上の曲率半径を有することを特徴とする請求項１８記載のフォトマスクセット。
【請求項２０】
請求項１３から１９のいずれかに記載のフォトマスクセットを用いて、リソグラフィー法により各フォトマスクの転写パターンを半導体基板上にパターン転写することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】マスクブランク用基板セット、マスクブランクセット、フォトマスクセット、及び半導体デバイスの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のマスクブランク用基板セットは、露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクを作製するためのマスクブランクで使用される基板を複数枚セットとしたマスクブランク用基板セットであって、前記複数枚セットで用いられる各基板は、転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面の形状が中央で相対的に高く、周縁部で相対的に低くなるような凸形状であり、前記主表面の中央部を含む１４２ｍｍ角内の領域における平坦度が０．３μｍ以下であり、前記主表面の形状を、基準基板の基準主表面の形状に対して中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域でフィッティングしたときの差が４０ｎｍ以下であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のマスクブランク用基板セットにおいては、前記基準基板は、仮想基板であり、前記仮想基板は、前記複数枚セットで用いられる各基板の薄膜を設ける側の主表面形状を平均した形状の基準主表面を有することが好ましい。また、本発明のマスクブランク用基板セットにおいては、前記基準基板は、実在基板であり、前記実在基板は、前記複数枚セットで用いられる各基板のうち、いずれか１つの基板であることが好ましい。また、本発明のマスクブランク用基板セットにおいては、前記基準基板は、仮想基板であり、前記仮想基板は、主表面の中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域での形状が球面形状である基準主表面を有する仮想基板であることが好ましい。また、本発明のマスクブランク用基板セットにおいては、前記仮想基板は、前記基準主表面の中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域における平坦度が０．２μｍ以下であることが好ましい。また、本発明のマスクブランク用基板セットにおいては、前記仮想基板は、前記基準主表面の球面形状が２１，７２０，０００ｍｍ以上の曲率半径を有することが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明のマスクブランクセットは、露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクを作製するためのマスクブランクを複数枚セットとしたマスクブランクセットであって、前記複数枚セットで用いられる各マスクブランクは、基板の主表面上に転写パターンを形成するための薄膜を有し、各マスクブランクの基板は、転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面の形状が中央で相対的に高く、周縁部で相対的に低くなるような凸形状であり、前記主表面の中央部を含む１４２ｍｍ角内の領域における平坦度が０．３μｍ以下であり、前記主表面の形状を、基準基板の基準主表面の形状に対して中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域でフィッティングしたときの差が４０ｎｍ以下であることを特徴とする。
また、本発明のマスクブランクセットにおいては、前記基準基板は、仮想基板であり、前記仮想基板は、前記複数枚セットで用いられる各基板の薄膜を設ける側の主表面形状を平均した形状の基準主表面を有することが好ましい。また、本発明のマスクブランクセットにおいては、前記基準基板は、実在基板であり、前記実在基板は、前記複数枚セットで用いられる各基板のうち、いずれか１つの基板であることが好ましい。また、本発明のマスクブランクセットにおいては、前記基準基板は、仮想基板であり、前記仮想基板は、主表面の中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域での形状が球面形状である基準主表面を有する仮想基板であることが好ましい。また、本発明のマスクブランクセットにおいては、前記仮想基板は、前記基準主表面の中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域における平坦度が０．２μｍ以下であることが好ましい。また、本発明のマスクブランクセットにおいては、前記仮想基板は、前記基準主表面の球面形状が２１，７２０，０００ｍｍ以上の曲率半径を有することが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明のフォトマスクセットは、露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクを複数枚セットとしたフォトマスクセットであって、前記複数枚セットで用いられる各フォトマスクは、基板の主表面上に転写パターンが形成された薄膜を有し、前記各フォトマスクの基板は、転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面の形状が中央で相対的に高く、周縁部で相対的に低くなるような凸形状であり、前記主表面の中央部を含む１４２ｍｍ角内の領域における平坦度が０．３μｍ以下であり、前記主表面の形状を、基準基板の基準主表面の形状に対して中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域でフィッティングしたときの差が４０ｎｍ以下であることを特徴とする。
また、本発明のフォトマスクセットにおいては、前記各フォトマスクセットの薄膜には、ダブルパターニング技術またはダブル露光技術のいずれかを適用して生成された転写パターンが形成されていることが好ましい。また、本発明のフォトマスクセットにおいては、前記基準基板は、仮想基板であり、前記仮想基板は、前記複数枚セットで用いられる各基板の薄膜を設ける側の主表面形状を平均した形状の基準主表面を有することが好ましい。また、本発明のフォトマスクセットにおいては、前記基準基板は、実在基板であり、前記実在基板は、前記複数枚セットで用いられる各基板のうち、いずれか１つの基板であることが好ましい。また、本発明のフォトマスクセットにおいては、前記基準基板は、仮想基板であり、前記仮想基板は、主表面の中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域での形状が球面形状である基準主表面を有する仮想基板であることが好ましい。また、本発明のフォトマスクセットにおいては、前記仮想基板は、前記基準主表面の中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域における平坦度が０．２μｍ以下であることが好ましい。また、本発明のフォトマスクセットにおいては、前記仮想基板は、前記基準主表面の球面形状が２１，７２０，０００ｍｍ以上の曲率半径を有することが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の半導体デバイスの製造方法は、上記のフォトマスクセットを用いて、リソグラフィー法により各フォトマスクの転写パターンを半導体基板上にパターン転写することを特徴とする。