【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年11月25日(2008.11.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ記憶媒体であって、
１種以上のプラスチック樹脂部分を含む第１の側部を有する、基板を備え、前記基板は表面の粗さが１０Åより小さく、１Ｇの正弦波負荷が加えられたときの振動下での、前記基板の軸方向の最大変位が２５０μｍ未満であり、前記プラスチック部分は５０μｍ未満の厚さであり、
前記データ記憶媒体はさらに、１０００Å未満の厚さの追加層を有し、前記追加層は前記プラスチック部分に物理的に接触して配置され、前記追加層は、１つまたはそれ以上のデータ記憶層、保護層、誘電層、反射層、絶縁層およびこれらの組み合わせを含み、
前記データ記憶媒体はさらに、前記追加層上に磁気データ層を有し、前記磁気データ層は、１５００エルステッドより大きい磁気保持度を有し、
前記データ層は、少なくとも１つのエネルギ場によって、少なくとも部分的に読み出し、書き込み又はそれらの組合せを行うことができ、
上記エネルギ場が当該記憶媒体に接する際にエネルギ場が上記基板に入射する前にデータ層に入射する、記憶媒体。
【請求項２】
データ記憶媒体であって、
プラスチック樹脂部分を含む第１の側部を有する、基板を備え、前記基板は表面の粗さが１０Åより小さく、１Ｇの正弦波負荷が加えられたときの振動下での、前記基板の軸方向の最大変位が２５０μｍ未満であり、前記プラスチック部分は５０μｍ未満の厚さであり、
前記データ記憶媒体はさらに、前記基板上に磁気データ層を有し、前記データ層は、前記プラスチック部分に物理的に接触し、前記磁気データ層は、１５００エルステッドより大きい磁気保持度を有し、
前記磁気データ層は、少なくとも１つのエネルギ場によって、少なくとも部分的に読み出し、書き込み又はそれらの組合せを行うことができ、
上記エネルギ場が当該記憶媒体に接する際に、前記エネルギ場が上記基板に入射する前にデータ層に入射する、記憶媒体。
【請求項３】
ハードディスクデータ記憶媒体であって、
前記記憶媒体は表面の粗さが１０Åより小さいハードディスク基板を有し、前記基板は１．２ｍｍ未満の厚さを有し、
前記記憶媒体はさらに、プラスチック膜を有し、前記プラスチック膜は５０μｍ未満の膜厚を有し、
前記記憶媒体はさらに、前記プラスチック膜上に配置された磁気データ層を有し、前記データ層は、１５００エルステッドより大きい磁気保持度を有し、
前記データ層は、少なくとも部分的に読み出し、書き込み又はそれらの組合せを行うことができ、
前記記憶媒体は、静止した状態で測定して１°未満の傾きを有し、前記傾きは、半径方向の傾き及び接線方向の傾きからなる群から選択され、
（i）前記データ層が前記プラスチック膜に物理的に接触する条件、または（ii）１０００Å未満の厚さの追加層を有し、前記追加層が、前記プラスチック膜と物理的に接触し且つ前記データ層と前記プラスチック膜との間に配置される条件、
のうちの一方の条件を満たす、記憶媒体。
【請求項４】
請求項１乃至３に記載の記憶媒体であって、
厚さが場所に応じて変化するコアをさらに有する、記憶媒体。
【請求項５】
ピット、溝、エッジ特徴、凹凸及びこれらの１以上を含む組合せからなる群から選択される表面特徴をさらに有し、前記表面特徴が、オリジナルマスタの９０％超の複製率を有する、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項６】
前記基板のエッジリフト高さが約８μｍ未満である、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項７】
１Ｇの正弦波負荷が加えられたときの振動励起下での基板の軸方向変位のピークが約２５０μｍ未満である、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項８】
前記基板の慣性モーメントが約５．５×１０−３スラグ−平方インチ以下である、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項９】
前記基板が、静止した状態で測定したときに、１０°以下の傾きを有し、該傾きが半径方向の傾き及び接線方向の傾きからなる群から選択される、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１０】
相対湿度８５％及び８０℃の試験条件下で平衡状態で４週間経過した後の前記基板の水分量の変化が約０．５％未満である、請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１１】
前記基板が、温度２４℃で約０．０４を超える機械的減衰係数を有する、請求項１乃至請求項１０のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１２】
前記基板が約２５０Ｈｚを超える共振周波数を有する、請求項１乃至請求項１１のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１３】
前記基板が約１．５未満の比重を有する、請求項１乃至請求項１２のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１４】
前記基板が金属コアを含み、該コアの少なくとも片面の少なくとも一部にプラスチックフィルムが配設されている、請求項１乃至請求項１３のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１５】
前記プラスチック樹脂部分が、熱硬化性樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ＡＢＳ樹脂、ポリスチレン、ポリブタジエン、ポリアクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、エチレン−酢酸ビニル、ポリビニルアセテート、液晶ポリマー、エチレンテトラフルオロエチレン、芳香族ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリ塩化ビニリデン、テフロン、部分水素化ポリスチレン、ポリ（シクロヘキシルエチレン）、ポリ（スチレン−コ−アクリロニトリル）、ポリ（スチレン−コ−無水マレイン酸）、並びにこれらの樹脂の１種以上を含むブレンド、複合体、混合物、反応生成物及び共重合体からなる群から選択される樹脂を含む、請求項１乃至請求項１３のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１６】
前記プラスチック樹脂部分が、加硫ゴム、アクリルゴム、シリコーンゴム、ポリブタジエンゴム、ポリイソブチレンゴム、ポリエーテルゴム、イソブチレン−イソプレン共重合体、イソシアネートゴム、ニトリルゴム、クロロプレンゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、ポリスルフィドゴム、フッ素ゴム、ブロック共重合体、熱可塑性エラストマー材料、ポリウレタン、並びにこれらの材料の１種以上を含む組合せからなる群から選択される１種以上の材料をさらに含む、請求項１乃至請求項１５のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１７】
前記基板が、金属、ガラス、セラミック、及び少なくともこれらの１つを有する組合せ基板からなる群から選択され、前記プラスチック部分は、物理的なパターンを有し、前記プラスチック膜は、２０μｍ未満の膜厚を有し、前記基板は、０．８ｍｍ乃至１．２ｍｍの基板厚さを有する、請求項１乃至請求項１６のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１８】
前記プラスチック部分はさらに、マイクロ繊維、ウィスカー、フィブリル、ナノチューブからなる群から選択される材料を有する、請求項１乃至請求項１７のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項１９】
前記基板が、凹状、凸状、テーパ状又はこれらの組合せからなる群から選択される幾何形状を有するコアをさらに備える、請求項１乃至請求項１８のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項２０】
前記基板が、該基板の外径と略等しい外径を有するコアをさらに備える、請求項１乃至請求項１９のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項２１】
前記基板が、該基板のデータ層とは反対側の面に取り付けられた複数の部分からなる挿入材をさらに備える、請求項１乃至請求項２０のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項２２】
前記基板が機械的動作周波数よりも大きい第１のモード周波数を有する、請求項１乃至請求項２１のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項２３】
前記基板が前記機械的動作周波数よりも小さいモード周波数を１つだけ有する、請求項１乃至請求項２２のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項２４】
前記基板が第１の機械的動作周波数より大きい第１のモード周波数及び第２の機械的動作周波数を有する、請求項１乃至請求項２３のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項２５】
前記プラスチック樹脂部分が、コアの少なくとも一部の上に配設されたフィルムである、請求項１乃至請求項２４のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項２６】
前記コアが、金属、セラミック、ガラス、カーボン、並びにこれらの１種以上を含む組合せからなる群から選択される、請求項２５記載の記憶媒体。
【請求項２７】
前記フィルムが約５０μｍ以下の厚さを有する、請求項２５記載の記憶媒体。
【請求項２８】
前記基板が約２５０ｋｐｓｉ以上の曲げ弾性率を有する、請求項１乃至請求項２７のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項２９】
前記基板が、第１のモード周波数を機械的動作周波数外にする比重及び曲げ弾性率を有する、請求項１乃至請求項２８のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項３０】
前記基板が約７０ＧＰａ以上のヤング率を有する、請求項１乃至請求項２９のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項３１】
前記基板が約２００ＧＰａ以上のヤング率を有する、請求項１乃至請求項３０のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項３２】
１種以上のプラスチック樹脂部分を含む当該記憶媒体のヘッドスラップ性能が、１種以上のプラスチック樹脂部分を含まない金属基板の記憶媒体と実質的に等しい、請求項１乃至請求項３１のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項３３】
前記プラスチック樹脂部分がスピンコートフィルムからなる、請求項１乃至請求項３２のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項３４】
前記プラスチック樹脂部分が、エンボス処理された表面特徴を含む１種以上の熱硬化性樹脂からなる、請求項１乃至請求項３３のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項３５】
前記プラスチック樹脂部分が１種以上の熱硬化性樹脂からなり、該１種以上の熱硬化性樹脂に表面特徴をエンボス処理するプロセスで該熱硬化性樹脂が少なくとも部分的に硬化する、請求項１乃至請求項３４のいずれか１項記載の記憶媒体。
【請求項３６】
前記基板がさらに、前記基板の前記第１の側部の反対側の第２の側部上に配置された他のプラスチック部分を有する、請求項１乃至３５のいずれか１項に記載の記憶媒体。
【請求項３７】
前記第２の側部上に配置された他のデータ層をさらに有する、請求項１乃至３６のいずれか１項に記載の記憶媒体。
【請求項３８】
前記他のプラスチック部分と前記他のデータ層との間に配置された他の追加層をさらに有する、請求項１乃至３８のいずれか１項に記載の記憶媒体。
【請求項３９】
データを検索する方法であって、
磁気データ層及び基板を有する記憶媒体を回転させるステップを有し、前記磁気データ層は、プラスチック部分に物理的に接触しており、前記磁気データ層は、１５００エルステッドより大きい磁気保持度を有し、前記基板は、プラスチック部分を有する第１の側部を有し、前記基板は、１０Å未満の表面の粗さを有し、前記基板は、１Ｇの正弦波負荷が加えられたときの振動下での、前記基板の軸方向の最大変位が２５０μｍ未満であり、前記プラスチック部分は５０μｍ未満の厚さを有し、
前記方法はさらに、前記記憶媒体にエネルギ場を差し向けるステップを有し、前記エネルギ場が上記基板に入射する前にデータ層に入射し、
前記方法はさらに、前記エネルギ場を介して前記データ層から情報を検索するステップを有する、方法。
【請求項４０】
データ記憶媒体を製造する方法であって、
プラスチック表面及び予備形成コアを有する基板を型形成するステップを有し、前記プラスチック表面は表面特徴を有し、前記表面特徴はオリジナルマスタの９０％超の複製率を有し、
前記方法はさらに、前記基板の表面上に反射層を配置するステップを有し、
前記データ記憶媒体は、１Ｇの正弦波負荷が加えられたときの振動下での、前記基板の軸方向の最大変位が２５０μｍ未満であり、
前記記憶意媒体は、１．２ｍｍまでの厚さを有する、方法。
【請求項４１】
当該方法が、射出成形又は射出成形−圧縮成形からなる、請求項４０記載の方法。
【請求項４２】
基板をエンボス処理する方法であって、当該方法が、
第一の基板を基板表面のガラス転移温度よりも高い温度に加熱し、
上記基板表面のガラス転移温度よりも低い金型温度に金型を予熱及び保温し、
加熱した基板を、予熱した金型に導入し、
前記金型内で加熱基板を圧縮し、
前記圧縮した基板を冷却し、
前記冷却した基板を前記金型から取り出す
を含み、１Ｇの正弦波負荷が加えられたときの振動下での、上記基板の軸方向変位のピークが約２５０μｍ未満である、方法。
【請求項４３】
基板をエンボス処理する方法であって、当該方法が、
第一の基板を基板表面のガラス転移温度よりも高い温度に加熱し、
上記基板表面のガラス転移温度よりも最大３０℃高い金型温度に金型を予熱し、
前記加熱した基板を、前記予熱した金型に導入し、
前記金型内で加熱基板を圧縮し、
前記圧縮した基板を冷却し、
前記冷却した基板を前記金型から取り出す
を含み、１Ｇの正弦波負荷が加えられたときの振動下での、上記基板の軸方向変位のピークが約２５０μｍ未満である、方法。
【請求項４４】
前記圧縮した基板を、基板表面のガラス転移温度よりも低い温度に冷却する工程をさらに含む、請求項４３記載の方法。
【請求項４５】
前記金型を、基板表面のガラス転移温度よりも低い温度に冷却する工程をさらに含む、請求項４３又は請求項４４項記載の方法。
【請求項４６】
前記金型温度が、基板表面のガラス転移温度よりも最大２０℃高い、請求項４３乃至請求項４５のいずれか１項記載の方法。
【請求項４７】
前記基板を冷却しながら、金型温度を基板表面のガラス転移温度の約３０℃以内に保持する工程をさらに含む、請求項４３乃至請求項４６のいずれか１項記載の方法。
【請求項４８】
記表面特徴が、オリジナルマスタの９０％超の複製率を有する、請求項４２乃至請求項４７のいずれか１項記載の方法。
【請求項４９】
前記第一の基板がある粗さを有していて、前記冷却した基板の有する粗さが第一の基板の粗さよりも小さい、請求項４２乃至請求項４８のいずれか１項記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
反射層（１層又は複数層）はデータ検索を可能にするための十分な量のエネルギを反射する十分な厚さを有するべきである。通常、反射層の厚さは約７００Å以内であり、一般的に、約３００Åから約６００Åの厚さが好ましい。可能性のある反射層には特定のエネルギ場を反射できる材料が含まれ、金属（例えば、アルミニウム、銀、金、チタン、合金、それらの少なくとも１つを有する混合物、もしくは、その他の材料）が含まれる。データ記憶層と誘電層と保護層と反射層に加えて、潤滑層等の他の層も用いることができる。役に立つ潤滑剤としては、フルオロ化合物、特に、フルオロ油やグリース等が含まれる。