(57)【要約】  キャパシタを製造するための方法が提供される。本方法において、誘電体が金属（例えばニッケル）基板上に形成されてもよく、銅電極がその上に形成され、その後に、金属基板の、そのコートされていない面から薄化が行なわれ、次いで、基板の薄化されたコートされていない面上に銅電極を形成する。
2012525716.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１および第２の表面を有する非銅金属基板を提供する工程と、
（ｂ）誘電体材料を前記金属基板の前記第１の表面上に堆積させて誘電体層をその上に形成する工程と、
（ｃ）導電材料を前記誘電体層上に堆積させて電極をその上に形成する工程と、
（ｄ）金属を前記金属基板の前記第２の表面から除去して前記金属基板の厚さを低減させる工程と、
（ｅ）導電材料を前記金属基板の前記第２の表面上に堆積させて電極をその上に形成する工程と
を含む、キャパシタを製造する方法。
【請求項２】
前記金属基板が均一な厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記金属基板が箔を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記非銅金属がニッケルを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記誘電体材料を堆積させる前に前記金属基板をアニールする工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記金属基板をアニールする工程が、前記金属基板をその融解温度の約３５％以上の温度において少なくとも約３０分間加熱する工程を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記誘電体材料をその上に堆積させる前に前記金属基板の前記第１の表面を磨く工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記金属基板の前記第１の表面を磨く工程が、約７１ミクロンの表面形状測定のサンプリング長さについてｒｍｓ≦約１００ｎｍの表面形状の粗さをその上に提供する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記誘電体材料をその上に堆積させる前に前記金属基板の前記第１の表面を緩衝層でコートする工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
工程（ｃ）および／または工程（ｅ）において堆積された前記導電材料が銅を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
工程（ｄ）が前記キャパシタの前記第２の表面を電気化学浴に暴露する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
（ａ）前記誘電体材料を堆積させる前に前記金属基板をアニールする工程と、（ｂ）前記誘電体材料をその上に堆積させる前に前記金属基板の前記第１の表面を磨く工程とをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
（ａ）前記誘電体材料を堆積させる前に前記金属基板をアニールする工程と、（ｂ）前記誘電体材料をその上に堆積させる前に前記金属基板の前記第１の表面を緩衝層でコートする工程とをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
（ａ）前記誘電体材料を堆積させる前に前記金属基板をアニールする工程と、（ｂ）前記誘電体材料をその上に堆積させる前に前記金属基板の前記第１の表面を磨く工程と、（ｃ）前記誘電体材料をその上に堆積させる前に前記金属基板の前記第１の表面を緩衝層でコートする工程とをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜キャパシタおよびかかるキャパシタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体産業によって埋め込みコンデンサが開発されており、小形化およびより速いクロック速度に対するますます大きくなる需要に対処している。かかるデバイスは、箔基板電極と上部電極との間に挟まれた高誘電率の誘電体層からなり、両方の電極は典型的に銅である。金属箔上への薄い誘電体層のコーティングは、反応性スパッタリング、レーザーアブレーション、有機金属化学蒸着法、液体ミスト化学蒸着法（ＬＳＭＣＤ）、化学溶液堆積、スピンコーティングまたは噴霧、もしくは浸漬などの方法によって行なわれてもよい。しかしながら、ほとんど全ての場合において、堆積された誘電体層を堆積後に熱化学処理するために、その中の有機金属先駆物質を熱処理して最初にそれらの有機分子成分を除去し、次いで、無機残留物を焼結および結晶化して有用な性質を有する誘電体層を提供する。
【０００３】
誘電体酸化物先駆物質を金属箔電極上に堆積する薄膜キャパシタ（「ＴＦＣ」）を製造する時に、酸素中でおよび高温において誘電体酸化物先駆物質の配合を行なうのが望ましく、その理由を挙げると、高誘電率、低損失および高い絶縁抵抗を特徴とする密度の高い大きなグレインを有する誘電体層が得られるように誘電体層がその熱処理の間に酸素を必要とするからである。しかしながら、高い酸素圧において、基板中の金属が酸化し、高温が基板中の金属の融点に近づく場合があり、および／または金属にその結合性を失わせるリスクがある。
【０００４】
さらに、誘電体層の高温処理は、金属箔基板が受けるミクロ構造の変化および化学変化に起因して、誘電体内におよび／または誘電体／基板の境界面において欠陥の形成を誘発する場合がある。誘電体層が上に堆積される金属箔基板の表面を横断するグレイン境界は、誘電体層を合成する間に欠陥の発生源として作用することがある。
【０００５】
銅ベース箔基板電極は、それらの容易な入手可能性、より高い電子導電率の他、埋め込まれた成分の形態においてのこの材料の集積化に対して、膨大なノウハウが当該産業にはあるので好ましい。しかしながら、銅ベースの組成物の不十分な耐酸化性と低めの融点、そして伝熱とガス発生のそれらの傾向は、銅基板上にＴＦＣを製造するために使用できる酸素分圧および加工温度の上限を非常に低下させる。例えば、銅電気導体は、１００℃より高い温度の空気中に保持される時に酸化され、それは導電率および強度の減少をもたらす。さらに、銅が薄い金属箔として使用されるとき、薄い横断面は、箔の機械的頑強性を弱化し、誘電体層の堆積前、中および後の製造工程の結果として皺の形での取扱い損傷を非常に受けやすくなる。
【０００６】
銅ベース箔基板の欠陥のいくつかに対処するために、基板は、ニッケルなどの他の金属で作製されている。例えば、特許文献１には、無電解めっき、電解めっき、スパッタリングまたは真空めっきからなる群から選択される金属堆積法によって導電性金属層上にニッケルリンのバリア層を堆積する工程を含む、多層箔を形成する方法が開示されている。
【０００７】
特許文献２には、銅箔面の１つの上に配置された約１〜約３μｍの厚さのニッケルリンを含むバリア層を有し、そこにおいてニッケルリン層のリン濃度が約４〜約１１重量％である、約１０〜約５０μｍの厚さの銅層を含む多層箔が開示されている。
【０００８】
特許文献３には、ニッケルのコートされた銅箔基板が開示されている。そして、特許文献４には、銅箔の面の各々の上に配置された０．５〜２μｍの厚さを有するバリア層が開示されており、そこにおいてバリア層は、３原子パーセント未満の銅を含む電着ニッケル層である。
【０００９】
それにもかかわらず、基板金属の選択として銅に起因する問題から妨げられずに高誘電率のＴＦＣを提供するために使用できる材料および技術が必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】米国特許第６，８４１，０８０号明細書
【特許文献２】米国特許第６，５４１，１３７号明細書
【特許文献３】米国特許第６，６４９，９３０号明細書
【特許文献４】米国特許第７，１９０，０１６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的の一つは、誘電体層が非銅基板上に結晶化されているキャパシタを提供することである。従って、ここに開示された本発明は、キャパシタの製造方法、かかる方法の使用、そしてかかる方法によって得られたおよび得ることができるキャパシタを包含する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の方法の特定の実施形態の一つは、（ａ）第１および第２の表面を有する非銅金属基板を提供する工程と、（ｂ）誘電体材料を金属基板の第１の表面上に堆積させて誘電体層をその上に形成する工程と、（ｃ）導電材料を誘電体層上に堆積させて電極をその上に形成する工程と、（ｄ）金属を金属基板の第２の表面から除去して金属基板の厚さを低減させる工程と、（ｅ）導電材料を金属基板の第２の表面上に堆積させて電極をその上に形成する工程とによってキャパシタを製造する方法を提供する。
【００１３】
本発明のさらに別の実施形態は、実質的に図１に示されるかまたは説明されたキャパシタである。
【００１４】
本発明のキャパシタ、および本発明の方法によって製造されたキャパシタは、通常の銅電極キャパシタに劣らず高い電流容量を有するが、誘電体層の結晶化の間に生じた欠陥によって引き起こされる可能性がある性能低下の特徴をもたない誘電体層を有することが見出された。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本方法の実施形態の１つによって製造されたキャパシタの様々な構成部分の側面図のレイアウトを含む。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明は、非銅金属から作製された基板の使用を必要とする、薄膜キャパシタなどのキャパシタを製造する方法を提供する。非銅金属は、銅を含有しないかまたはごく微量の銅を例えば、不純物として、または合金などの混合物中の成分として含有する金属である。非銅金属中の微量の銅は、非銅金属中の全ての金属成構成要素を合わせた全重量に基づいて、例えば１重量％未満、または０．１重量％未満、または０．０１重量％未満、または０．００１重量％未満の銅である。
【００１７】
非銅金属の一次的または限定的な金属構成要素は、例えば、ニッケル、ステンレス鋼、チタン、白金、アルミニウムおよび／またはバナジウムでありうる。ニッケル、またはニッケル合金が好ましい。基板を作製する非銅金属などの金属の選択に関係なく、可能な限りその中の有機不純物を少なくするのが好ましい。例えばニッケルが非銅金属として使用されるとき、Ｎｉ２７０以上の組成純度を有するニッケルが好ましい。
【００１８】
本方法によって提供される非銅金属から作製された基板は箔として作製可能であり、それは、薄いが自立しており、可撓性であることを特徴とする。箔としてあるいは他の方法で作製された非銅金属基板は平面の形状を有し、それ故に、長さおよび幅（または横幅）のその寸法の大きさが深さのその寸法の大きさよりかなり大きい。深さの寸法に対して長さおよび幅／横幅の寸法の超過が大きいこの条件によって平面基板は「薄い」ことを明確に特徴とすることになるが、その深さの寸法（およびここにおいて他の堆積層の深さの寸法）は、本明細書において「厚さ」と称される。平面構造物は、上面および下面を有することを明確に特徴とし、ここにおいて使用された非銅金属基板は、同様に、本明細書において第１および第２の表面と称される表面を有する。
【００１９】
１つの実施形態において、その横断面の厚さが小さめであるよりは大きめの金属基板を選択することが有利であるが、理由を挙げると、厚さを増加させるとき、（ａ）基板がより大きい機械的頑強性を有し、他の製造工程の間に取扱の結果としてしわなどの損傷を受ける可能性が低く、（ｂ）金属のグレインが円柱状であり、それらが基板を通してその一方の表面から他方の表面に延びており、単位面績当り基板の表面を横断するグレイン境界の長さが低減される確率が高く、（ｃ）他の製造工程の間に、特に誘電体層を形成する間に、基板の表面を横断するグレイン境界が欠陥の発生源として作用する確率が低くなる。本方法によって提供される非銅金属基板は、例えば、４０ミクロン以上、または５５ミクロン以上、または７０ミクロン以上、さらに１２０ミクロン以下、１０５ミクロン以下、または９０ミクロン以下の厚さを有してもよい。好ましくは、非銅金属基板が均一な厚さを有する。
【００２０】
本方法の別の実施形態において、非銅金属基板は、誘電体材料がその第１の表面上に堆積される前にアニールされてもよい。アニールは典型的に基板のミクロ構造および化学安定性を改良すると共に、誘電体材料自体を後で高温に暴露することも含めて基板の第１の表面上に誘電体層を形成することは、最終的に、単位面積当たりのキャパシタンス、誘電損失および絶縁抵抗の低下によって表されるような得られたキャパシタの性能の低下を引き起こす可能性を低減する。
【００２１】
基板がアニールされるとき、基板の形成自体の結果であったかもしれない残留応力の低減、すなわち、元のグレイン内の転位密度の低減、および／またはグレイン境界の動きの結果として変形された元のグレインと置換する、規則等軸である応力の残留していない再結晶化グレインの形成があると思われる。アニールによって与えられた熱誘起再結晶は、基板の一方の表面から他方の表面に延びている境界を有する円柱形状を有するグレインをもたらすと思われる。これらの円柱状グレインの基礎直径分布は、例えば、グレインの約８０％超が基板の厚さ測定値の約８０％超の直径を有するような基礎直径分布であってもよい。
【００２２】
非銅金属基板は、銅基板よりも高い温度および高い酸素濃度に暴露されてもよい。非銅金属基板のアニールは、基板を加熱して少なくとも約３０分間その融点の温度の少なくとも約３５％の温度にそれを暴露することによって行なわれてもよい。アニールは、還元的環境中、真空中または水素雰囲気中で行なわれるのが好ましい。
【００２３】
本方法の別の実施形態において、非銅基板の第１の表面の粗さの程度を誘電体材料がその上に堆積される前に低減することができる。基板の第１の表面の粗さの程度は、第１の表面と誘電体層との境界面またはその付近の領域において、その上に形成される誘電体層の性質および性能に影響を与えることがある。その領域は、基板の表面の粗さの二乗平均（「ｒｍｓ」）によって増減する厚さを有することができ、したがって第１の表面の粗さを低減することは、このような粗さがキャパシタの誘電体層の性能に悪影響を与える確率を低下させる。第１の表面の粗さが影響を与えうる誘電体層の性質には、例えば、その絶縁抵抗および漏れ電流などがある。例えば、キャパシタの誘電体層中の電荷蓄積に対して漏れ電流は、誘電体層が接する基板の表面の粗さのｒｍｓによって増減することがある。
【００２４】
非銅基板の第１の表面の粗さｒｍｓの程度の低減は、高度に磨かれた鏡面仕上ロールによる冷間圧延、研磨材スラリー研磨、研磨材スラリーバフ磨き、電気化学研磨、およびダイヤモンド旋削などの方法を含めた方法で達成されてもよい。電気化学研磨において、表面形状のピークは典型的に谷よりも速い速度で除去される。非銅基板の第１の表面の粗さｒｍｓの程度を低減する時に、本方法のこの段階において、非銅基板の厚さの１５パーセント以上、または２５パーセント以上、または３５パーセント以上、さらに６５パーセント以下、または５５パーセント以下、または４５パーセント以下を除去することができる。例えば、第１の表面に電気化学研磨を処置して、約７１ミクロンの表面粗さ測定のサンプリング長さについて約１００ｎｍ未満、約５０ｎｍ未満または約１０ｎｍ未満のｒｍｓを有する表面形状の粗さをその上に提供することができる。
【００２５】
表面の粗さを接触または非接触方法によって測定することができる。接触方法は一般に、表面の高さの小さな変化をたどる針、および表面の高さの大きな変化を追うスキッドを使用する。特定の距離および特定の接触力に対してダイアモンド針が試料と接触して縦に移動され、次いで、試料にわたって横に移動される。表面粗さ計は、位置の関数として縦の針の移動において小さな表面の変化を測定することができる。針とスキッドとを一緒に使用することによって、表面の粗さの測定時に平らでない表面の影響を低減する。スキッドと針との間の相対運動は、磁気回路と誘導コイルとによって測定される。誘導コイルは増幅器、および他の信号調節ハードウェアを駆動する。次いで増幅された信号を用いて針の位置、および粗さ値を表示するデジタル読み取り値を示す記録計を駆動する。
【００２６】
針が記録する経路の長さは、測定長さと呼ばれる。データを分析するために使用される最低周波数フィルターの波長は通常、サンプリング長さとして定義される。測定長さは一般に、サンプリング長さの少なくとも７倍の長さであり、一般に、目的の特徴の波長よりも少なくとも１０倍の長さである。アセスメント長さまたは評価長さは、分析のために使用されるデータの長さである。通常、１つのサンプリング長さは、測定長さの各終端から廃棄される。典型的な表面粗さ計は、１０ナノメートル〜１ミリメートルの高さの範囲の小さな縦の特徴を測定することができる。ダイアモンド針の半径は、２０ナノメートル〜２５ミクロンの範囲であり、水平方向解像度は、走査速度およびデータ信号サンプリング速度によって制御される。針のトラッキング力は、１ミリグラム未満〜５０ミリグラムの範囲であってもよい。
【００２７】
表面粗さを測定する非接触方法には、レーザー三角測量（三角測量センサー）、干渉法（垂直走査干渉法、白色干渉法、移相干渉法）、共焦点顕微鏡法、電子顕微鏡法、原子間力顕微鏡、走査型トンネル顕微鏡法、静電容量、デジタルホログラフィ、および超音波などがある。超音波の使用時に、例えば、球面集束超音波センサーが表面の上に非垂直入射角で配置される。センサーは、粗さパラメータの分析および計算のためにパーソナルコンピュータに超音波パルスを送る。
【００２８】
本方法の別の実施形態において、誘電体材料がその上に堆積される前に緩衝層を第１の表面上に堆積することができる。緩衝層は、（ａ）誘電体層を合成する間に誘電体層への金属成分の拡散を阻止し、（ｂ）誘電体層を合成する間に、キャパシタのキャパシタンスを低減させる酸化物の形成を遅らせ、および／または（ｃ）金属が後で基板の第２の表面から除去される率を減少させるバリアとして役立つことができる。緩衝層と基板の第１の表面との間の熱刺激相互拡散は、基板に対する緩衝層の接着性を改良することができ、緩衝層によって与えられた耐薬品性を改良して誘電体材料を誘電体層へのその形成中に保護することができる。
【００２９】
例えば、チタン酸バリウム［ＢａＴｉＯ３（「ＢＴ」）］が物理蒸着法または化学溶液堆積法によってニッケル箔である基板上に誘電体材料として堆積されるとき、基板の金属と堆積された誘電体材料との間の境界面にＮｉＯが存在しない場合にはより高いキャパシタンスが得られる。スパッタが誘電体材料の目標を金属基板上に気化させる物理蒸着法は有機化合物がないのが好ましいが、それにもかかわらず、誘電体材料の堆積の間に金属の酸化の可能性があり、および／または焼成プロセスの間により高い温度においてさらに酸化して誘電体材料を結晶化する可能性がある。また、基板として用いるために適した大部分の金属は、デバイスのキャパシタンスを低下させる傾向がある自然酸化膜をその表面上に有し、それは連続したキャパシタの以下の式によって説明される。
１／Ｃ全＝１／Ｃ１＋１／Ｃ２＋１／Ｃ３＋．．．＋１／Ｃｎ
上式中、全キャパシタンスは最も低い誘電率を有する材料、この場合はＮｉＯによって支配される。一切のＮｉＯの影響を緩衝層によって出来る限り除くことによって、その時、デバイスのキャパシタンスは堆積された誘電体材料の性質によって支配され、１平方センチメートル当り０．１マイクロファラド超、好ましくは１マイクロファラド超のキャパシタンスを有するデバイスは典型的に容易に達成可能である。
【００３０】
緩衝層を形成してもよい適した材料は、基板から誘電体材料への酸素および／または金属成分の拡散を遅らせる材料であり、例えば、ＳｉＣ、ＴｉＡｌＮおよびホウ化ニッケルなどがある。緩衝層は物理蒸着、化学蒸着、または無電解めっきによって第１の表面に適用されてもよい。第１の表面に適用される緩衝層の厚さは、１ミクロン以上、または２ミクロン以上、または３ミクロン以上、さらに６ミクロン以下、または５ミクロン以下、または４ミクロン以下であってもよい。
【００３１】
誘電体層をその上に形成する目的のために誘電体材料が金属基板の第１の表面上に堆積される。チタン酸バリウムの他に、多種多様な誘電体材料をこのような目的のために使用することができ、適した誘電体材料の例には、磁器（セラミック）、マイカ、石英、サファイア、ガラスの他、アルミニウム、ホウ素、ベリリウム、マグネシウム、ケイ素、ストロンチウム、タンタル、チタンおよびジルコニウムなどの様々な金属の酸化物および窒化物などがある。
【００３２】
化学溶液堆積、スピンコーティング、浸漬、ブラッシングまたはナイフブレーディングなどの様々な異なったコーティング技術によって誘電体材料を溶液中で金属基板の第１の表面に適用することができる。誘電体材料の堆積のために適した溶剤には、アルコール、カルボン酸およびアルコールとカルボン酸との混合物などがある。誘電体材料の溶液のより均一なコーティングは、金属基板の第１の表面がアセトンなどの有機溶剤中で脱脂されて表面の湿潤を増加させる場合に金属基板上に得られる。誘電体材料は、非銅金属基板の第１の表面上に堆積されるとき、約０．１ミクロン以上、または約０．２５ミクロン以上、または約０．５ミクロン以上、さらに約２．０ミクロン以下、または約１．７５ミクロン以下、または約１．５ミクロン以下の厚さを有することができる。
【００３３】
誘電体材料の溶液が基板上にコートされると、溶剤は蒸発工程で除去されるが、それは例えば、約１〜約６０分の範囲の数分間、約１００℃の温度まで加熱することによって行なうことができる。蒸着フィルムの脱溶媒の後、約１〜約６０分間約２５０℃〜約４００℃の温度において焼付け工程でさらに加熱することによって溶液中の一切の有機成分を分解することができ、その後、誘電体材料、またはそれの非晶質先駆物質の堆積物は金属基板の第１の表面上に残る。
【００３４】
チタン酸バリウム（「ＢＴ」）は特に有用な誘電体材料であり、それを例えば化学溶液堆積によって金属基板の表面に適用することができる。このような化学溶液堆積において、先駆物質分子が金属基板の表面上に堆積され、先駆物質分子は溶剤中に保持され、バリウム、チタンに結合した配位子およびＢＴと共に使用される一切のドーパント成分を含有する。適したバリウムおよびチタン（ＩＶ）先駆物質は、以下に示された構造式によって表されるタイプである。
【化１】
2012525716.tif 000003
【００３５】
適用された材料の溶液のバリウムおよびチタネート成分は、ストロンチウム、ＩＩ族元素、ＩＩＩ族元素、遷移金属または希土類などの他の成分でドープされてもよい。
【００３６】
金属基板の第１の表面上にこのように堆積された誘電体材料、またはそれの非晶質先駆物質は、次に、結晶化工程においてさらに加熱される。誘電体材料が非銅基板上に堆積されたとき、使用される結晶化の温度は、銅基板によって許容されうる温度よりもかなり高くてもよい。結晶化は、例えば、５００℃を超える温度で行なわれてもよい。しかしながら、長時間にわたり空気中で４００℃を超える温度に金属基板を暴露するのは、基板中の金属の酸化につながることがある。その結果として形成された酸化物は、金属基板と誘電体層との間の境界面の欠陥として作用して、キャパシタのキャパシタンス値を低下させる可能性が高く、これは望ましくない。従って、誘電体材料は、空気中に存在する酸素の分圧を低めにして金属基板を加熱することによって結晶化されるのが好ましい。約１０−８ａｔｍ〜約１０−１０ａｔｍの範囲の酸素分圧を有する雰囲気中で、約１０秒〜約２時間の間、または約１〜約６０分間の間、少なくとも約５５０℃、または少なくとも約７５０℃の温度まで誘電体材を加熱するのが、基板中の金属の酸化を遅らせたまま誘電体材料を結晶化させるために典型的に適していることが見出されている。
【００３７】
誘電体材料を結晶化して誘電体層を形成し終えた後、導電材料を誘電体層上に堆積して電極をその上に形成する。このような目的に用いるために適した導電材料には、例えば、銅、ニッケル、銀、金または白金などがある。銅が好ましい。導電材料を誘電体層上に堆積して電極をその上に形成する工程は、例えば、無電解めっき、電気化学めっき、化学溶液堆積、化学蒸着、プラズマ蒸着または溶射などの技術を使用することによって行なわれてもよい。導電材料は、誘電体層上に堆積されるとき、約１ミクロン以上、または約１．５ミクロン以上、または約３ミクロン以上、さらに約２０ミクロン以下、または約１６ミクロン以下、または約１２ミクロン以下の厚さを有することができる。
【００３８】
次に、金属を金属基板の第２の表面から除去して金属基板の厚さを低減させる。（紙および／またはスラリーによる）機械的研磨、湿式化学溶解（ｗｅｔ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｄｉｓｓｏｌｕｔｉｏｎ）、（例えば電気化学浴中で）電気化学溶解、乾燥エッチング、熱昇華またはイオンビームスパッタリングなどの技術を用いて金属を金属基板の第２の表面から除去することができる。金属を金属基板の第２の表面から除去してその厚さを低減させるとき、この製造方法のその段階において（すなわち誘電体層を形成してその上に電極を堆積した後に）非銅基板の厚さの約１５パーセント以上、または約２５パーセント以上、または約３５パーセント以上、さらに約９０パーセント以下、または約７５パーセント以下、または約６０パーセント以下の除去がなされる場合がある。
【００３９】
金属を金属基板の第２の表面から除去した後、導電材料を金属基板の第２の表面上に堆積して電極をその上に形成する。このような目的に用いるために適した導電材料には、例えば、銅、ニッケル、銀、金または白金などがある。銅が好ましい。導電材料を金属基板の第２の表面上に堆積して電極をその上に形成する工程は、例えば、無電解めっき、電気化学めっき、化学溶液堆積、化学蒸着、プラズマ蒸着または溶射などの技術を使用することによって行なわれてもよい。導電材料は、金属基板の第２の表面上に堆積されるとき、約１ミクロン以上、または約１．５ミクロン以上、または約３ミクロン以上、さらに約２０ミクロン以下、または約１６ミクロン以下、または約１２ミクロン以下の厚さを有することができる。
【００４０】
本発明の方法によって製造されたキャパシタを図１に示された側面図によってさらに説明してもよい。図１において、示されたキャパシタの要素は以下の通りである。それから一切の金属を除去する前の非銅金属基板２；基板２の第１の表面上に配置された誘電体層４；誘電体層４上に配置された導電性金属電極６；その第２の表面から除去された基板の部分８；その第２の表面から金属を除去した後に残っている基板の部分１０；および基板の第２の表面上に配置された導電性金属電極１２。
【００４１】
キャパシタを製造するための他の方法は、米国特許第７，０２９，９７１号明細書および米国特許公開第２００７／００４９０２６号明細書（その各々がこの参照によってこの一部としてその全体において組み込まれる）に開示されている。
【００４２】
本明細書のほかの箇所で名を挙げられた販売業者の他に、キャパシタの製造のために本方法において使用された材料は当該技術分野で公知の方法によって製造されてもよく、および／またはＡｌｆａ  Ａｅｓａｒ（Ｗａｒｄ  Ｈｉｌｌ，  Ｍａｓｓａｃｈｕｓｅｔｔｓ）、Ｃｉｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ（Ｗｅｓｔ  Ｈａｖｅｎ、Ｃｏｎｎｅｃｔｉｃｕｔ）、Ｆｉｓｈｅｒ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ（Ｆａｉｒｌａｗｎ、Ｎｅｗ  Ｊｅｒｓｅｙ）、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ（Ｓｔ．  Ｌｏｕｉｓ、Ｍｉｓｓｏｕｒｉ）またはＳｔａｎｆｏｒｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ（Ａｌｉｓｏ  Ｖｉｅｊｏ、Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ）などの供給元から市販されている。
【００４３】
本発明の方法の有利な特質および効果は、本方法を実施することができる様々な方法の、以下に示された一連の説明からより完全に理解されうる。以下の説明が基づいている本方法の実施形態は代表例であるにすぎず、本発明を記載するためのそれらの実施形態の選択は、これらの説明に記載されていない材料、成分、反応体、条件、技術または工程がこれらの方法を実施するために適していないということ、またはこれらの説明に記載されていない主題は添付されたクレームの範囲およびその等価物から除外されるということを示さない。
【００４４】
以下の説明において、吹付コーティングの前に、金属基板の無被覆金属を１８ＭＯｈｍのＤＩ水中の音波粉砕、アセトン中の音波粉砕、イソプロピルアルコール（「ＩＰＡ」）中の音波粉砕および１８ＭＯｈｍのＤＩ水中の最終的な音波粉砕によって清浄にすることができる。次に、過剰な溶剤は、ろ過された圧縮エアジェットを用いて除去される。次に、０．２Ｍのチタン酸バリウム（「ＢＴ」）先駆物質配合物は、以下の手順を用いて調製される。
２，４ペンタンジオン（Ａｃａｃ）が等級４Ａ分子篩の床上のＳｃｈｌｅｎｋラインで凍結／ポンプ／融解方法によって脱気され、アルゴンガスを補充される。窒素充填ドライボックス内で、３４．０４１ｇのチタン（ＩＶ）ｎ−ブトキシド（Ａｃｒｏｓ；０．１００モル）を１００ｍｌのビン内に置き、次に２０．０２０ｇの２，４ペンタンジオン（０．２００モル；Ａｌｄｒｉｃｈ）を滴下し、１２時間攪拌させる。ヒュームフード内で、３１．７５０ｇの水酸化バリウム水和物（０．１０１モル；Ａｌｄｒｉｃｈ）を５００ｍｌの容量フラスコに添加する。次に、１−ブタノール／プロパン酸の５０：５０溶液２００ｍｌを添加し、攪拌してプロパン酸バリウムを形成する。次に、チタン溶液［ビス（アセチルアセトナト）／ビス（ブトキソ）チタン］をドライボックスから除去し、水酸化バリウム溶液を保有する容量フラスコに添加する。丸底フラスコを５０：５０の１−ブタノール：プロパン酸溶液で数回洗浄して容量フラスコに入れる。次いで、５０：５０の１−ブタノール：プロパン酸溶液を印まで５００ｍｌフラスコに添加し、次いで攪拌棒を加える。溶液をさらに１２時間攪拌する。
【００４５】
次に、ＢＴ先駆物質配合物を以下の手順で吹付けコートする。
１．Ｓｏｎｏｔｅｋ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎによって製造された固定型平面先端超音波噴霧ノズル（８７００−１２０；製品番号０６−０４３１５ＭＴ）の２インチ下に配置されたＸＹ精密位置決めステージ上に箔を置く。
２．溶液を０．２ミクロンのフィルターを通して濾過してプログラム可能なシリンジポンプ内に置かれているシリンジに入れる。
３．０．８ワットで駆動する超音波発生器によって作動されているノズルにシリンジポンプから１ｃｃ／分で溶液を分配する。２８マイクロメーターのザウター平均径の液体粒子を有する微細ミストが発生され、それは基板の表面上への７  ＳＬＭの窒素流によって同伴される。
４．基板の所望のコート可能なフットプリントにわたる隣接したパス間の０．５ｃｍの指標を用いて、２４ｍ／分の速度においてノズル下の前後運動でステージ上の基板をコートする。
【００４６】
吹付コーティングの後、各々の先駆物質下層を５分間１５０℃、次いで１５分間４００℃までの空気中において二段法で乾燥させる。
【００４７】
１０の下層を堆積させて乾燥させた後、１つの最終焼成工程を実施してＢＴ層を結晶化させる。この工程を１１０ｓｃｃｍで流れる１０ミリトールのＡｒを有するクライオポンプを組み込んだステンレス鋼室内で実施し、それによって金属基板は、それに６０Ｈｚの電流を流すことによって１５分間８５０℃で抵抗加熱される。この手順によって、約０．６ミクロンの厚さのＢＴ層を生じさせる。
【実施例】
【００４８】
実施例１
ＨＰＭ（Ｌａｎｃａｓｔｅｒ  ＰＡ）から入手可能な厚さ７５ミクロンのＮｉ２７０箔を冷間圧延条件において３インチ×８．５インチの大きさのストリップに切断する。このようなストリップの中央の３インチ×６インチの領域を、クライオポンプを組み込んだステンレス鋼室を通って流れる１０ミリトールのＡｒ−４％のＨ２中で３０分間１０００℃において抵抗加熱する。このような手順は、箔の上面から下面に延びている境界を有する円柱状グレインを含む再結晶化微細構造を生じる。
【００４９】
次いで箔がプラスチック板に対して固定され、ＤＣ  電源に接続されて電気化学電池のアノードになり、次に、上部の１インチ×３インチの領域を槽の外側に残して６０体積％のＨ２ＳＯ４および２００ｍＬ／Ｌのグリセリンの溶液中に部分的に浸漬される。３インチ×８．５インチのＮｉ２７０板がＤＣ電源の他方の端子に接続されてカソードとして作用し、次に溶液中に同様に浸漬され、２インチ離隔してアノードに対向する。次に、外部熱交換器によって２０℃に保持された循環水を使用するセルペンチンプラスチックコイルによって溶液がサーモスタット制御される。また、窒素をバブリングしながら槽が十分に攪拌される。次に、Ｎｉ２７０基板は２０分間３００ｍＡ／ｃｍ２において電気化学的に磨かれる。このような手順は、約７１ミクロンの表面粗さ測定のサンプリング長さについて２０ｎｍ未満の粗さｒｍｓを有する鏡状表面を生じさせる。
【００５０】
次に、箔の中央の６インチの長さの領域がコンタクトマスクを用いて上に記載された手順の後にＢＴ層でコートされる。
【００５１】
次に、３５分間３０ワット／ｃｍ２の目標電力密度を用いて１０ミリトールのＡｒのＤＣマグネトロンスパッタリングによってＢＴ層の上面がコンタクトマスクを通して銅でコートされ、第１の銅電極層を形成する。コンタクトマスクは、３インチ×６インチのＢＴコート領域の外面の周りの幅０．１２５インチのリムを除いてＢＴ表面の大部分を銅蒸気に暴露する。この第１の銅電極の厚さは約１０μｍである。
【００５２】
次に、第１の銅電極の上面をマニキュア液の薄い層で刷毛でコートし、次いで、２．５インチ×５の大きさの中央の開口を画定するＮｉ２７０コンタクトシャドウマスクによってプラスチック板に固定する。次に、サンドイッチがＤＣ電源に接続されて電気化学電池のアノードになり、次いで６０体積％のＨ２ＳＯ４および２００ｍＬ／Ｌのグリセリンの溶液中に浸漬される。Ｎｉ２７０板がＤＣ電源の他方の端子に接続されてカソードとして作用し、次いで溶液中に浸漬され、２インチ離隔してアノードに対向する。次に、外部熱交換器によって２０℃に保持された循環水を使用するセルペンチンプラスチックコイルによって溶液がサーモスタット制御される。また、窒素をバブリングしながら槽が十分に攪拌される。次に、Ｎｉ２７０基板は２０分間３００ｍＡ／ｃｍ２において電気化学的に薄化される。そのとき、Ｎｉ箔基板の残りの厚さは約９ミクロン未満である。
【００５３】
次に、電気化学的に薄化された領域が元の３インチ×８．５インチのコートされた箔から切り離される。次いで２．５インチ×５インチの試料をスパッタリング反応器のテーブル上に置く。中央の２インチ×２インチの開口を画定するコンタクトシャドウマスクを試料の上に置く。次いで、反応器のテーブルが、１０ミリトールのＡｒ−４％のＨ２中で１５分間０．２５ワット／ｃｍ２の電力密度においてカソードとしてＲＦ強熱される。引き続いて、３５分間３０ワット／ｃｍ２の目標電力密度を用いて１０ミリトールのＡｒのＤＣマグネトロンスパッタリングによって、マスクされた試料を次いで銅でコートし、第２の銅電極層を形成する。この第２の銅電極の厚さは約１０ミクロンである。
【００５４】
次に２．５インチ×５インチの試料をアセトン中に浸漬して第１の銅電極層上に塗られたマニキュア液を除去する。
【００５５】
実施例２
ＨＰＭ（Ｌａｎｃａｓｔｅｒ  ＰＡ）から入手可能な厚さ７５μｍのＮｉ２７０箔を冷間圧延の条件において３インチ×８．５インチの大きさのストリップに切断する。次に箔がプラスチック板に対して固定され、ＤＣ電源に接続されて電気化学電池のアノードになり、次いで、上部の１インチ×３インチの領域を槽の外側に残して６０体積％のＨ２ＳＯ４および２００ｍＬ／Ｌのグリセリンの溶液中に部分的に浸漬される。３インチ×８．５インチのＮｉ２７０板がＤＣ電源の他方の端子に接続されてカソードとして作用し、次に溶液中に同様に浸漬され、２インチ離隔してアノードに対向する。次に、外部熱交換器によって２０℃に保持された循環水を使用するセルペンチンプラスチックコイルによって溶液がサーモスタット制御される。また、窒素をバブリングしながら槽が十分に攪拌される。次に、Ｎｉ２７０基板は２０分間３００ｍＡ／ｃｍ２において電気化学的に磨かれる。このような手順は、約７１ミクロンの表面粗さ測定のサンプリング長さについて２０ｎｍ未満の粗さｒｍｓを有する鏡状表面を生じさせる。
【００５６】
次に、このようなストリップの中央の３インチ×６インチの領域を、クライオポンプを組み込んだステンレス鋼室を通って流れる１０ミリトールのＡｒ−４％のＨ２中で３０分間１０００℃において抵抗加熱する。このような手順は、箔の上面から下面に延びている境界を有する円柱状グレインを含む再結晶化微細構造を生じる。
【００５７】
次に、箔の中央の６インチの長さの領域がコンタクトマスクを用いて上に記載された手順の後にＢＴ層でコートされる。
【００５８】
次に、２５分間３０ワット／ｃｍ２の目標電力密度を用いて１０ミリトールＡｒのＤＣマグネトロンスパッタリングによってＢＴ層の上面がコンタクトマスクを通して銅でコートされ、第１の銅電極層を形成する。コンタクトマスクは、３インチ×６インチのＢＴコート領域の外面の周りの幅０．１２５インチのリムを除いてＢＴ表面の大部分を銅蒸気に暴露する。この第１の銅電極の厚さは約１０μｍである。
【００５９】
次に、第１の銅電極の上面をマニキュア液の薄い層で刷毛でコートし、次いで、２．５インチ×５の大きさの中央の開口を画定するＮｉ２７０コンタクトシャドウマスクによってプラスチック板に固定する。次に、サンドイッチがＤＣ電源に接続されて、電気化学電池のアノードになり、次いで６０体積％のＨ２ＳＯ４および２００ｍＬ／Ｌのグリセリンの溶液中に浸漬される。Ｎｉ２７０板がＤＣ電源の他方の端子に接続されてカソードとして作用し、次いで溶液中に浸漬され、２インチ離隔してアノードに対向する。次に、外部熱交換器によって２０℃に保持された循環水を使用するセルペンチンプラスチックコイルによって溶液がサーモスタット制御される。また、窒素をバブリングしながら槽が十分に攪拌される。次に、Ｎｉ２７０基板は２０分間３００ｍＡ／ｃｍ２において電気化学的に薄化される。そのとき、Ｎｉ基板の残りの厚さは約９ミクロン未満である。
【００６０】
次に、電気化学的に薄化された領域が元の３インチ×８．５インチのコートされた箔から切り離される。次いで２．５インチ×５インチの試料をスパッタリング反応器のテーブル上に置く。２インチ×２インチの開口を有するコンタクト画像フレームマスクを試料の上に置く。次いで、反応器のテーブルが、１０ミリトールのＡｒ−４％のＨ２中で１５分間０．２５ワット／ｃｍ２の電力密度においてカソードとしてＲＦ強熱される。引き続いて、３５分間３０ワット／ｃｍ２の目標電力密度を用いて１０ミリトールのＡｒのＤＣマグネトロンスパッタリングによって、マスクされた試料を次いで銅でコートし、第２のＣｕ電極層を形成する。この第２の銅電極の厚さは約１０ミクロンである。
【００６１】
次に、２．５インチ×５インチの試料をアセトン中に浸漬して第１の銅電極層上に塗られたマニキュア液を除去する。
【００６２】
実施例３
ＨＰＭ（Ｌａｎｃａｓｔｅｒ  ＰＡ）から入手可能な厚さ７５ミクロンのＮｉ２７０箔を冷間圧延条件において３インチ×８．５インチの大きさのストリップに切断する。このようなストリップの中央の３インチ×６インチの領域を、クライオポンプを組み込んだステンレス鋼室を通って流れる１０ミリトールのＡｒ−４％のＨ２中で３０分間１０００℃において抵抗加熱する。このような手順は、箔の上面から下面に延びている境界を有する円柱状グレインを含む再結晶化微細構造を生じる。
【００６３】
次いで箔がプラスチック板に対して固定され、ＤＣ  電源に接続されて電気化学電池のアノードになり、次いで上部の１インチ×３インチの領域を槽の外側に残して６０体積％のＨ２ＳＯ４および２００ｍＬ／Ｌのグリセリンの溶液中に部分的に浸漬される。３インチ×８．５インチのＮｉ２７０板がＤＣ電源の他方の端子に接続されてカソードとして作用し、次に溶液中に同様に浸漬され、２インチ離隔してアノードに対向する。次に、外部熱交換器によって２０℃に保持された循環水を使用するセルペンチンプラスチックコイルによって溶液がサーモスタット制御される。また、窒素をバブリングしながら槽が十分に攪拌される。次に、Ｎｉ２７０基板は２０分間３００ｍＡ／ｃｍ２において電気化学的に磨かれる。このような手順は、約７１ミクロンの表面粗さ測定のサンプリング長さについて２０ｎｍ未満の粗さｒｍｓを有する鏡状表面を生じさせる。
【００６４】
次に、Ｔａ目標（９９．９５％純度）を取り付けられたＤＣマグネトロンスパッタリング装置内で箔をＴａＮでコートする。作業は、１０ミリトールのガス混合物Ａｒ−２５％  Ｎ２および３０ワット／ｃｍ２のタンタル目標電力密度を用いて３０分間行なわれる。このような手順によって公称３ミクロンの厚さのＴａＮ層をコートする。
【００６５】
次に、箔の中央の６インチの長さの領域がコンタクトマスクを用いて上に記載された手順の後にＢＴ層でコートされる。
【００６６】
次に、３５分間３０ワット／ｃｍ２の目標電力密度を用いて１０ミリトールのＡｒのＤＣマグネトロンスパッタリングによってＢＴ層の上面がコンタクトマスクを通して銅でコートされ、第１の銅電極層を形成する。コンタクトマスクは、３インチ×６インチのＢＴコート領域の外面の周りの幅０．１２５インチのリムを除いてＢＴ表面の大部分を銅蒸気に暴露する。この第１の銅電極の厚さは約１０ミクロンである。
【００６７】
次に、第１の銅電極の上面をマニキュア液の薄い層で刷毛でコートし、次いで、２．５インチ×５の大きさの中央の開口を画定するＮｉ２７０コンタクトシャドウマスクによってプラスチック板に固定する。次に、サンドイッチがＤＣ電源に接続されて、電気化学電池のアノードになり、次いで６０体積％のＨ２ＳＯ４および２００ｍＬ／Ｌのグリセリンの溶液中に浸漬される。Ｎｉ２７０板がＤＣ電源の他方の端子に接続されてカソードとして作用し、次いで溶液中に浸漬され、２インチ離隔してアノードに対向する。次に、外部熱交換器によって２０℃に保持された循環水を使用するセルペンチンプラスチックコイルによって溶液がサーモスタット制御される。また、窒素をバブリングしながら槽が十分に攪拌される。次に、Ｎｉ２７０基板は２０分間３００ｍＡ／ｃｍ２において電気化学的に薄化される。次いで、Ｎｉ箔基板の残りの厚さは約９ミクロン未満である。
【００６８】
次に、電気化学的に薄化された領域が元の３インチ×８．５インチのコートされた箔から切り離される。次いで２．５インチ×５インチの試料をスパッタリング反応器のテーブル上に置く。中央の２インチ×２インチの開口を画定するコンタクトシャドウマスクを試料の上に置く。次いで、反応器のテーブルが、１０ミリトールのＡｒ−４％のＨ２中で１５分間０．２５ワット／ｃｍ２の電力密度においてカソードとしてＲＦ強熱される。引き続いて、３５分間３０ワット／ｃｍ２の目標電力密度を用いて１０ミリトールのＡｒのＤＣマグネトロンスパッタリングによって、マスクされた試料を銅でコートして第２のＣｕ電極層を形成する。この第２の銅電極の厚さは約１０ミクロンである。
【００６９】
次に、２．５インチ×５インチの試料をアセトン中に浸漬して第１の銅電極層上に塗られたマニキュア液を除去する。
【００７０】
実施例４
ＨＰＭ（Ｌａｎｃａｓｔｅｒ  ＰＡ）から入手可能な厚さＡ７５ミクロンのＮｉ２７０箔を冷間圧延条件において３インチ×８．５インチの大きさのストリップに切断する。箔がプラスチック板に対して固定され、ＤＣ  電源に接続されて電気化学電池のアノードになり、次いで上部の１インチ×３インチの領域を槽の外側に残して６０体積％のＨ２ＳＯ４および２００ｍＬ／Ｌのグリセリンの溶液中に部分的に浸漬される。３インチ×８．５インチのＮｉ２７０板がＤＣ電源の他方の端子に接続されて、カソードとして作用し、次に溶液中に同様に浸漬され、２インチ離隔してアノードに対向する。次に、外部熱交換器によって２０℃に保持された循環水を使用するセルペンチンプラスチックコイルによって溶液がサーモスタット制御される。また、窒素をバブリングしながら槽が十分に攪拌される。次に、Ｎｉ２７０基板は２０分間３００ｍＡ／ｃｍ２において電気化学的に磨かれる。このような手順によって、約７１ミクロンの表面粗さ測定のサンプリング長さについて２０ｎｍ未満の粗さｒｍｓを有する鏡状表面を生じさせる。
【００７１】
このようなストリップの中央の３インチ×６インチの領域を、クライオポンプを組み込んだステンレス鋼室を通って流れる１０ミリトールのＡｒ−４％のＨ２中で３０分間１０００℃において抵抗加熱する。このような手順は、箔の上面から下面に延びている境界を有する円柱状グレインを含む再結晶化微細構造を生じる。
【００７２】
次に、タンタル目標（９９．９５％純度）を取り付けられたＤＣマグネトロンスパッタリング装置内で箔をＴａＮでコートする。作業は、１０ミリトールのガス混合物Ａｒ−２５％  Ｎ２および３０ワット／ｃｍ２のタンタル目標電力密度を用いて３０分間行なわれる。このような手順によって公称３ミクロンの厚さのＴａＮ層をコートする。
【００７３】
次に、箔の中央の６インチの長さの領域がコンタクトマスクを用いて上に記載された手順の後にＢＴ層でコートされる。
【００７４】
次に、３５分間３０ワット／ｃｍ２の目標電力密度を用いて１０ミリトールのＡｒのＤＣマグネトロンスパッタリングによってＢＴ層の上面がコンタクトマスクを通して銅でコートされ、第１の銅電極層を形成する。コンタクトマスクは、３インチ×６インチのＢＴコート領域の外面の周りの幅０．１２５インチのリムを除いてＢＴ表面の大部分を銅蒸気に暴露する。この第１の銅電極の厚さは約１０ミクロンである。
【００７５】
次に、第１の銅電極の上面をマニキュア液の薄い層で刷毛でコートし、次いで、２．５インチ×５の大きさの中央の開口を画定するＮｉ２７０コンタクトシャドウマスクによってプラスチック板に固定する。次に、サンドイッチがＤＣ電源に接続されて、電気化学電池のアノードになり、次いで６０体積％のＨ２ＳＯ４および２００ｍＬ／Ｌのグリセリンの溶液中に浸漬される。Ｎｉ２７０板がＤＣ電源の他方の端子に接続されてカソードとして作用し、次いで溶液中に浸漬され、２インチ離隔してアノードに対向する。次に、外部熱交換器によって２０℃に保持された循環水を使用するセルペンチンプラスチックコイルによって溶液がサーモスタット制御される。また、窒素をバブリングしながら槽が十分に攪拌される。次に、Ｎｉ２７０基板は２０分間３００ｍＡ／ｃｍ２において電気化学的に薄化される。次いで、Ｎｉ箔基板の残りの厚さは約９ミクロン未満である。
【００７６】
次に、電気化学的に薄化された領域が元の３インチ×８．５インチのコートされた箔から切り離される。２．５インチ×５インチの試料をスパッタリング反応器のテーブル上に置く。２インチ×２インチの開口を有するコンタクト画像フレームマスクを試料の上に置く。反応器のテーブルは、１０ミリトールのＡｒ−４％のＨ２中で１５分間０．２５ワット／ｃｍ２の電力密度においてカソードとしてＲＦ強熱される。引き続いて、３５分間３０ワット／ｃｍ２の目標電力密度を用いて１０ミリトールのＡｒのＤＣマグネトロンスパッタリングによって、マスクされた試料を銅でコートし、第２のＣｕ電極層を形成する。この第２の銅電極の厚さは約１０ミクロンである。
【００７７】
次に、２．５インチ×５インチの試料をアセトン中に浸漬して第１の銅電極層上に塗られたマニキュア液を除去する。
【００７８】
数値の範囲が本明細書において列挙または確定される場合、範囲はその端点および範囲内の全ての個々の整数および分数を包含し、また、それらの端点と内側の整数および分数との全ての様々な可能な組み合わせによって形成されたその中のより狭い範囲の各々を包含し、それらのより狭い範囲の各々が明確に列挙されたものとして、同じ程度まで、記載された範囲内の値のより大きなグループのサブグループを形成する。数値の範囲が、表記値よりも大きいものとして本明細書において記載される場合、それにもかかわらず、範囲は有限であり、本明細書に記載された本発明の文脈の範囲内で使用可能である値をその上端としている。数値の範囲が、表記値よりも小さいものとして本明細書において記載される場合、それにもかかわらず、範囲はゼロ以外の値をその下端としている。
【００７９】
本明細書において、他の方法で明記されるかまたは慣例の文脈によって反対に指示されない限り、この主題の実施形態が、特定の特徴または要素を含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）、包含する（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）、含有する（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）、有する（ｈａｖｉｎｇ）、から構成される（ｂｅｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｓｅｄ  ｏｆ）またはよってまたはから構成される（ｃｏｎｓｔｉｔｕｔｅｄ  ｂｙまたはｏｆ）として記載または説明される場合、それらの明確に記載または説明されたそれらの他に１つまたは複数の特徴または要素が実施形態に存在してもよい。しかしながら、この主題の別の実施形態は、本質的に特定の特徴または要素からなるものとして記載または説明されてもよいが、その実施形態において、実施形態の動作原理または特徴的な特性を本質的に変える特徴または要素はそこに存在していない。この主題のさらに別の実施形態が特定の特徴または要素からなるものとして記載または説明されてもよく、その実施形態において、またはその若干の変型において、特に記載または説明された特徴または要素だけが存在する。
【００８０】
本明細書において、他の方法で明記されるかまたは慣例の文脈によって反対に指示されない限り、本明細書に記載された量、サイズ、範囲、配合、パラメータ、および他の量および特性は、特に用語「約」によって修飾されるとき、正確である必要はなく、近似値であってもよく、および／または許容度、換算係数、四捨五入、測定誤差等を反映して、記載された値より（必要に応じて）大きいかまたは小さくてもよく、ならびに本発明の文脈の範囲内で、表記値の機能できるおよび／または使用可能な同等性を有するそれ以外のそれらの値を表記値の範囲内で包含してもよい。
【図１】
2012525716.tif 000004
【国際調査報告】
2012525716.tif 000005
2012525716.tif 000006