Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月6日(2010.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粉末Ｘ線回折パターンにおいて、２θで表される下記回折角度にピークを有することを特徴とする、
【表１】
2009040783.tif 000001
下記化学式で表される塩酸ドネペジルの多形結晶(III)。
【化１】
2009040783.tif 000002
【請求項２】
臭化カリウム中の赤外吸収スペクトルにおいて、波数 559、641、648、702、749、765、786、807、851、872、927、949、966、975、982、1007、1034、1071、1080、1111、1119、1131、1177、1190、1205、1217、1230、1250、1265、1292、1313、1367、1389、1420、1438、1453、1461、1470、1500、1589、1605、1697、2407、2419、2461、2624、2641、2651、2667、2837、2848、2873、2924、2954、2961、2993、3007、3377、3433cm-1に吸収を有することを特徴とする塩酸ドネペジルの多形結晶(III)。
【請求項３】
ドネペジルをエタノールに溶解し、塩酸または塩化水素を加え、次いでジエチルエーテル、イソプロピルエーテル、n-ヘキサンまたはｔ−ブチルメチルエーテルから選ばれた溶媒１種を加えることを特徴とする塩酸ドネペジルの多形結晶(III)の製造法。
【請求項４】
溶媒がイソプロピルエーテルであり、結晶析出1時間以上後に濾取することを特徴とする請求項３記載の塩酸ドネペジルの多形結晶(III)の製造法。
【請求項５】
ドネペジルを酢酸エチルに溶解し、塩酸または塩化水素を加え、次いでｔ−ブチルメチルエーテルを加えることを特徴とする塩酸ドネペジルの多形結晶(III)の製造法。
【請求項６】
塩酸ドネペジルの多形結晶(I)または(II)を加熱することを特徴とする塩酸ドネペジルの多形結晶(III)の製造法。
【請求項７】
塩酸ドネペジルをエタノールに溶解し、t-ブチルメチルエーテルまたはアセトニトリルを加え、10℃以上で撹拌することを特徴とする塩酸ドネペジルの多形結晶(III)の製造法。
【請求項８】
塩酸ドネペジルの多形結晶(I)、(II)、(IV)、(V)または非晶質を溶媒中で撹拌し変換することを特徴とする塩酸ドネペジルの多形結晶(III)の製造法。
【請求項９】
溶媒がメタノール、エタノール、酢酸エチルまたはアセトンから選ばれた１種以上である、請求項８記載の塩酸ドネペジルの多形結晶(III)の製造法。
【請求項１０】
塩酸ドネペジルの多形結晶(III)からなる医薬。
【請求項１１】
塩酸ドネペジルの多形結晶(III)を有効成分とするアセチルコリンエステラーゼ阻害作用が有効な疾患の予防・治療・改善剤。
【請求項１２】
塩酸ドネペジルの多形結晶(III)を有効成分とする老年性痴呆予防・治療・改善剤。
【請求項１３】
塩酸ドネペジルの多形結晶(III)を有効成分とするアルツハイマー病予防・治療・改善剤。
【請求項１４】
塩酸ドネペジルの多形結晶(III)を含有する医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月30日(2011.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）Ｌ−乳酸を主原料とし、触媒存在下、直接重縮合によって、Ｌ−乳酸単位を主成分とする重量平均分子量が２万〜５万のポリ−Ｌ−乳酸を製造する工程（１−１）およびＤ−乳酸を主原料とし、触媒存在下、直接重縮合によって、Ｄ−乳酸単位を主成分とする重量平均分子量が２万〜５万のポリ−Ｄ−乳酸を製造する工程（１−２）からなる第１工程、
（２）前記第１工程で得たポリ−Ｌ−乳酸とポリ−Ｄ−乳酸を混合する第２工程、および
（３）前記第２工程で得たポリ−Ｌ−乳酸とポリ−Ｄ−乳酸の混合物を、混合物の融点よりも低い温度で固相重合する第３工程を含むポリ乳酸ブロック共重合体の製造方法。
【請求項２】
前記第１工程で使用する触媒が、塩化第一錫以外の錫化合物、チタン化合物、鉛化合物、亜鉛化合物、コバルト化合物、鉄化合物、リチウム化合物、希土類化合物、およびスルホン酸化合物から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項１に記載のポリ乳酸ブロック共重合体の製造方法。
【請求項３】
前記第１工程で使用する触媒が、塩化第一錫以外の錫化合物から選択される１種以上および／またはスルホン酸化合物から選択される１種以上を用いることを特徴とする請求項１または２に記載のポリ乳酸ブロック共重合体の製造方法。
【請求項４】
塩化第一錫以外の錫化合物が、酢酸錫（ＩＩ）、オクチル酸錫（ＩＩ）および塩化錫（ＩＶ）から選ばれる少なくとも一種であり、スルホン酸化合物がメタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンジスルホン酸、およびナフタレンジスルホン酸から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項３に記載のポリ乳酸ブロック共重合体の製造方法。
【請求項５】
前記第１工程において、温度１５０〜２００℃、および圧力１３Ｐａ以下の条件下で直接重縮合を行うことを特徴とする請求項１〜４に記載のポリ乳酸ブロック共重合体の製造方法。
【請求項６】
前記第３工程において、固相重合時の温度を段階的に昇温することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のポリ乳酸ブロック共重合体の製造方法。
【請求項７】
得られるポリ乳酸ブロック共重合体の重量平均分子量が１０万以上であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のポリ乳酸ブロック共重合体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、本発明のポリ乳酸ブロック共重合体の製造方法は、以下のとおりである。
１．（１）Ｌ−乳酸を主原料とし、触媒存在下、直接重縮合によって、Ｌ−乳酸単位を主成分とする重量平均分子量が２万〜５万のポリ−Ｌ−乳酸を製造する工程（１−１）およびＤ−乳酸を主原料とし、触媒存在下、直接重縮合によって、Ｄ−乳酸単位を主成分とする重量平均分子量が２万〜５万のポリ−Ｄ−乳酸を製造する工程（１−２）からなる第１工程、
（２）前記第１工程で得たポリ−Ｌ−乳酸とポリ−Ｄ−乳酸を混合する第２工程、および
（３）前記第２工程で得たポリ−Ｌ−乳酸とポリ−Ｄ−乳酸の混合物を、混合物の融点よりも低い温度で固相重合する第３工程を含むポリ乳酸ブロック共重合体の製造方法。
２．  前記第１工程で使用する触媒が、塩化第一錫以外の錫化合物、チタン化合物、鉛化合物、亜鉛化合物、コバルト化合物、鉄化合物、リチウム化合物、希土類化合物、およびスルホン酸化合物から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする１に記載のポリ乳酸ブロック共重合体の製造方法。
３．  前記第１工程で使用する触媒が、塩化第一錫以外の錫化合物から選択される１種以上および／またはスルホン酸化合物から選択される１種以上を用いることを特徴とする１または２に記載のポリ乳酸ブロック共重合体の製造方法。
４．  塩化第一錫以外の錫化合物が、酢酸錫（ＩＩ）、オクチル酸錫（ＩＩ）および塩化錫（ＩＶ）から選ばれる少なくとも一種であり、スルホン酸化合物がメタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンジスルホン酸、およびナフタレンジスルホン酸から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする３に記載のポリ乳酸ブロック共重合体の製造方法。
５．  前記第１工程において、温度１５０〜２００℃、および圧力１３Ｐａ以下の条件下で直接重縮合を行うことを特徴とする１〜４に記載のポリ乳酸ブロック共重合体の製造方法。
６．  前記第３工程において、固相重合時の温度を段階的に昇温することを特徴とする１〜５のいずれかに記載のポリ乳酸ブロック共重合体の製造方法。
７．  得られるポリ乳酸ブロック共重合体の重量平均分子量が１０万以上であることを特徴とする１〜６のいずれかに記載のポリ乳酸ブロック共重合体の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
（３）ポリ−Ｌ−乳酸とポリ−Ｄ−乳酸の混合物を固相重合する第３工程
ＰＬＤ０１を真空乾燥機に入れ、圧力条件を１３．３Ｐａとし、１５０℃で１０時間、１７０℃で１０時間、１９０℃で２０時間反応させたポリマー（ＰＬＤｓ０１）を得た。ＰＬＤｓ０１を２５０℃で５分間プレスすることにより、厚み約０．１ｍｍのフィルム（ＰＬＤｓＦ０１）を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月20日(2010.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の成分（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）
（Ａ）エポキシ樹脂
（Ｂ）下記一般式（１）
【化１】
2009040989.tif 000001
（式中、Ｒ１は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ２はエーテル結合
を含んでいても良い炭素数１〜４のアルキレン基を表す）
で示されるビニルエーテル基を有するオキセタン化合物
（Ｃ）カチオン重合開始剤
を含有することを特徴とする液状硬化性組成物。
【請求項２】
更に、アミンおよび／または重合禁止剤を含有する請求項１記載の液状硬化性組成物。
【請求項３】
成分（Ａ）のエポキシ樹脂が、芳香族エポキシ樹脂および／または脂環式エポキシ樹脂である請求項１又は２記載の液状硬化性組成物。
【請求項４】
成分（Ａ）のエポキシ樹脂が、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、水素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂および水素化ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種のエポキシ樹脂である請求項１又は２記載の液状硬化性組成物。
【請求項５】
成分（Ａ）のエポキシ樹脂が、少なくとも１個のエポキシシクロヘキシル基を含む脂環式エポキシドである請求項１又は２記載の液状硬化性組成物。
【請求項６】
成分（Ａ）の含有量が、成分（Ａ）と成分（Ｂ）の総量に対して１〜９９質量％である請求項１〜５のいずれか一項に記載の液状硬化性組成物。
【請求項７】
成分（Ｂ）のオキセタン化合物が、３−エチル−３−（ビニルオキシメチル）オキセタンである請求項１〜６のいずれか一項に記載の液状硬化性組成物。
【請求項８】
成分（Ｃ）のカチオン重合開始剤が、オニウム塩である請求項１〜７のいずれか一項に記載の液状硬化性組成物。
【請求項９】
成分（Ｃ）のカチオン重合開始剤が、スルホニウム塩である請求項１〜７のいずれか一項に記載の液状硬化性組成物。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れかに記載の液状硬化性組成物を硬化して得られる硬化物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月1日(2011.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
前記巻取紙輪転印刷機が、
新ウェブ・ロールの帯状体を旧ウェブ・ロールの帯状体に貼付け、連続して帯状体を供給する帯状体連続供給手段と、
版胴上に支持された刷版を交換する刷版交換手段と、
次の印刷の折仕様に応じて折機の状態を切り替える折機の折仕様切替手段と、
前記巻取紙輪転印刷機の状態を次の印刷状態へ切り替える際、前記帯状体連続供給手段、前記刷版交換手段及び前記折機の折仕様切替手段の各自動切替装置を予め定められた順に動作させる制御手段と、
を備えたことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４１５】
さらに、ＢＵＳ（母線）には、現在の紙幅記憶用メモリＭ３２と折仕様記憶用メモリＭ３４と設定回転速度記憶用メモリＭ３５とオート・ペースト装置の動作状況記憶用メモリＭ３６と前回の回転速度記憶用メモリＭ３７と減速時の回転速度修正値記憶用メモリＭ３８と現在の回転速度記憶用メモリＭ３９が接続される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月28日(2011.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査方向と交わる方向に配列した複数の記録素子の群が複数設けられた記録ヘッドを、走査方向に走査して記録を行う記録方法であって、
複数の記録素子群間の記録素子配列方向における記録位置の調整処理であって、複数の記録素子群間の記録位置のずれ量に応じて、それぞれの記録素子群ごとに記録に使用する記録素子を限定する第１の記録位置調整、および
複数の記録素子群間の記録素子配列方向における記録位置の調整処理であって、複数の記録素子群間の記録位置のずれ量に応じて、それぞれの記録素子群ごとに対応する記録データをずらす第２の記録位置調整、
を実行可能であることを特徴とする記録方法。
【請求項２】
記録条件に応じて、前記第１の記録位置調整または前記第２の記録位置調整を実行することを特徴とする請求項１に記載の記録方法。
【請求項３】
前記記録条件は記録モードであり、
第１の記録モードでは、第１の記録位置調整を実行し、
前記第１の記録モードよりも前記記録ヘッドの駆動解像度が高い第２の記録モードでは、第２の記録位置調整を実行することを特徴とする請求項２に記載の記録方法。
【請求項４】
前記記録条件は記録媒体の種類であり、
記録媒体の種類が高品位用紙の場合に、第１の記録位置調整を実行し、
記録媒体の種類が普通紙の場合に第２の記録位置調整を実行することを特徴とする請求項２に記載の記録方法。
【請求項５】
前記記録条件は前記ずれ量および記録すべき画像のサイズであり、
前記記録条件は前記ずれ量と記録すべき画像のサイズとに応じて、第１の記録位置調整または第２の記録位置調整を実行することを特徴とする請求項２に記載の記録方法。
【請求項６】
記録位置調整処理として、複数の記録素子群間の記録位置のずれ量に応じて、それぞれの記録素子群ごとに記録に使用する記録素子を限定する記録位置調整処理を実行したときの、記録媒体の所定領域を記録するための記録ヘッドの走査の回数の変化を判断し、
記録素子の限定によって走査回数が変化しないときは、前記第１の記録位置調整を行い、
記録素子の限定によって走査回数が変化するときは、前記第２の記録位置調整を行うことを特徴とする請求項１に記載の記録方法。
【請求項７】
記録位置調整処理として、複数の記録素子群間の記録位置のずれ量に応じて、それぞれの記録素子群ごとに対応する記録データをずらす記録位置調整処理を実行したときの、記録素子の記録ヘッドの副走査方向に対応した解像度と、記録データをずらす処理を行う際の記録データの記録ヘッドの副走査方向に対応した解像度と、を比較し、
前記記録データの縦方向の解像度が前記記録素子の縦方向の解像度より低いときは、前記第１の記録位置調整を行い、
前記記録データの縦方向の解像度が前記記録素子の縦方向の解像度以上のときは、前記第２の記録位置調整を行うことを特徴とする請求項１に記載の記録方法。
【請求項８】
走査方向と交わる方向に配列した複数の記録素子の群が複数設けられた記録ヘッドを、走査方向に走査して記録を行う記録装置であって、
複数の記録素子群間の記録素子配列方向における記録位置の調整処理であって、複数の記録素子群間の記録位置のずれ量に応じて、それぞれの記録素子群ごとに記録に使用する記録素子を限定する第１の記録位置調整、および
複数の記録素子群間の記録素子配列方向における記録位置の調整処理であって、複数の記録素子群間の記録位置のずれ量に応じて、それぞれの記録素子群ごとに対応する記録データをずらす第２の記録位置調整、
を実行可能であることを特徴とする記録装置。
【請求項９】
記録条件に応じて、前記第１の記録位置調整または前記第２の記録位置調整を実行することを特徴とする請求項８に記載の記録装置。
【請求項１０】
前記記録条件は記録モードであり、
第１の記録モードでは、第１の記録位置調整を実行し、
前記第１の記録モードよりも前記記録ヘッドの駆動解像度が高い第２の記録モードでは、第２の記録位置調整を実行することを特徴とする請求項９に記載の記録装置。
【請求項１１】
前記記録条件は記録媒体の種類であり、
記録媒体の種類が高品位用紙の場合に、第１の記録位置調整を実行し、
記録媒体の種類が普通紙の場合に第２の記録位置調整を実行することを特徴とする請求項９に記載の記録装置。
【請求項１２】
前記記録条件は前記ずれ量および記録すべき画像のサイズであり、
前記記録条件は前記ずれ量と記録すべき画像のサイズとに応じて、第１の記録位置調整または第２の記録位置調整を実行することを特徴とする請求項９に記載の記録装置。
【請求項１３】
記録位置調整処理として、複数の記録素子群間の記録位置のずれ量に応じて、それぞれの記録素子群ごとに記録に使用する記録素子を限定する記録位置調整処理を実行したときの、記録媒体の所定領域を記録するための記録ヘッドの走査の回数の変化を判断し、
記録素子の限定によって走査回数が変化しないときは、前記第１の記録位置調整を行い、
記録素子の限定によって走査回数が変化するときは、前記第２の記録位置調整を行うことを特徴とする請求項８に記載の記録装置。
【請求項１４】
記録位置調整処理として、複数の記録素子群間の記録位置のずれ量に応じて、それぞれの記録素子群ごとに対応する記録データをずらす記録位置調整処理を実行したときの、記録素子の記録ヘッドの副走査方向に対応した解像度と、記録データをずらす処理を行う際の記録データの記録ヘッドの副走査方向に対応した解像度と、を比較し、
前記記録データの縦方向の解像度が前記記録素子の縦方向の解像度より低いときは、前記第１の記録位置調整を行い、
前記記録データの縦方向の解像度が前記記録素子の縦方向の解像度以上のときは、前記第２の記録位置調整を行うことを特徴とする請求項８に記載の記録装置。
【請求項１５】
コンピュータに読取られることにより、該コンピュータを記録データ生成処理の制御装置として機能させるプログラムであって、前記機能は、
複数の記録素子群間の記録素子配列方向における記録位置の調整処理であって、複数の記録素子群間の記録位置のずれ量に応じて、それぞれの記録素子群ごとに記録に使用する記録素子を限定する記録位置調整処理と、記録ヘッドの走査領域単位ごとに行われる画像処理と、をこの順序で実行する第１の処理、または、
複数の記録素子群間の記録素子配列方向における記録位置の調整処理であって、複数の記録素子群間の記録位置のずれ量に応じて、それぞれの記録素子群ごとに対応する記録データをずらす記録位置調整処理と、記録ヘッドの走査領域単位ごとに行われる画像処理と、をこの順序で実行する第２の処理、
を実行することを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年12月24日(2009.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
脚体に支持される枠体を備え、該枠体で囲繞される面を平面に形成して基準面とし、該枠体の基準面の前側に装飾花部材が付設される装飾面を有した飾り部を設け、上記飾り部に貫通窓を形成し、外部から常時視認可能な常時表示物が表示された表示面を有した透光性の表示板を上記貫通窓に設け、上記表示板の裏側に点灯されて該表示板に向けて光を照射する光源を設けた花輪において、
上記表示板の表示面を、上記枠体の基準面に対して下向きに傾斜させ、
上記表示板の裏側に、上記光源の点灯時に上記表示板の表示面を通して映し出されて視認可能な特殊表示物が表示された透光性のシート部材を設けたことを特徴とする花輪。
【請求項２】
上記枠体の基準面と上記表示板の表示面との傾斜角度θを、θ＝５°〜５０°に設定したことを特徴とする請求項１記載の花輪。
【請求項３】
上記表示板を上記枠体に対して下側に偏らせて設けたことを特徴とする請求項１又は２記載の花輪。
【請求項４】
上記表示板を、透明若しくは半透明の板本体と、該板本体に貼着され上記常時表示物が描かれるとともに、上記光源の非点灯時に上記シート部材の特殊表示物を視認しにくくし、上記光源の点灯時に視認し易くする非透明で透光性の表示フィルムとを備えて構成したことを特徴とする請求項１乃至３何れかに記載の花輪。
【請求項５】
上記シート部材を、特殊表示物が表示され上記表示フィルムに貼着されるフィルムで構成したことを特徴とする請求項４記載の花輪。
【請求項６】
上記枠体に上記光源を支持する背面板を設け、上記背面板と上記表示板との間に該光源から照射された光を通過させる通光路を構成する筒部材を設けたことを特徴とする請求項１乃至５何れかに記載の花輪。
【請求項７】
上記貫通窓に対応した内周枠と、該内周枠より大きく形成され上記枠体に取付けられる外周枠と、当該内周枠と該外周枠との間に架設される複数の架設棒とを備えて形成されたフレーム体を備え、該フレーム体の内周枠，外周枠及び架設棒の前面に上記飾り部を付設したことを特徴とする請求項１乃至６何れかに記載の花輪。
【請求項８】
上記フレーム体の外周枠を上記枠体より小さく形成し、該フレーム体の外周枠と上記枠体との間に装飾板を設けたことを特徴とする請求項７記載の花輪。
【請求項９】
上記飾り部を、金網を用いて構成したことを特徴とする請求項１乃至８何れかに記載の花輪。
【請求項１０】
上記枠体に補強フレームを複数本架設し、該補強フレームに上記枠体の下端から突出しシート状の名札が吊下される吊下部材を設けたことを特徴とする請求項１乃至９何れかに記載の花輪。
【請求項１１】
上記補強フレームに上記脚体を着脱可能に取付けるための脚体取付部を形成したことを特徴とする請求項１０記載の花輪。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月30日(2010.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）、
【化１】
2008163025.tif 000001
のアミノメチルピペリジンの調製方法であって、一般式（ＩＩ）、
【化２】
2008163025.tif 000002
のシアノピリジンを、場合によりＮｉ、Ｆｅ、またはＣｏ含有触媒の存在下に、かつ場合によりアンモニアの存在下に、加圧下で水素を用いて水素化することによる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月1日(2010.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学像を投影する投射ユニットと、
前記投射ユニットで発生する熱を示す情報に基づいて前記投射ユニットの連続投影時間を制限する制御手段とを備えることを特徴とするプロジェクタ付きカメラ。
【請求項２】
請求項１に記載のプロジェクタ付きカメラにおいて、
前記制御手段は、前記投射ユニットによる投影輝度に基づいて前記投射ユニットの連続投影時間を制限することを特徴とするプロジェクタ付きカメラ。
【請求項３】
光学像を投影する投射ユニットと、
電池の残量情報を検出する検出手段と、
前記検出手段で検出された残量情報に基づいて前記投射ユニットの連続投影時間を制限する制御手段とを備えることを特徴とするプロジェクタ付きカメラ。
【請求項４】
請求項３に記載のプロジェクタ付きカメラにおいて、
前記制御手段は、前記残量情報および前記投射ユニットによる投影輝度に基づいて前記投射ユニットの連続投影時間を制限することを特徴とするプロジェクタ付きカメラ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のプロジェクタ付きカメラにおいて、
前記連続投影時間は、前記投射ユニットが投影コンテンツを替えながら投影するスライドショー投影時間であることを特徴とするプロジェクタ付きカメラ。
【請求項６】
請求項５に記載のプロジェクタ付きカメラにおいて、
前記制御手段は、前記連続投影時間に応じて前記投影コンテンツの再生速度を変えるように前記投射ユニットをさらに制御することを特徴とするプロジェクタ付きカメラ。
【請求項７】
請求項５に記載のプロジェクタ付きカメラにおいて、
前記制御手段は、前記連続投影時間に応じて前記投影コンテンツの再生時間を延ばすように前記投射ユニットをさらに制御することを特徴とするプロジェクタ付きカメラ。
【請求項８】
請求項７に記載のプロジェクタ付きカメラにおいて、
前記制御手段は、前記投影コンテンツの再生時間を遅くする、または前記投影コンテンツを繰り返し投影するように前記投射ユニットを制御することを特徴とするプロジェクタ付きカメラ。
【請求項９】
請求項５に記載のプロジェクタ付きカメラにおいて、
前記制御手段は、前記連続投影時間に応じた前記投影コンテンツを選んで前記投射ユニットに投影させることを特徴とするプロジェクタ付きカメラ。
【請求項１０】
光学像を投影する投射ユニットと、
電池の残量情報を検出する検出手段と、
前記検出手段で検出された残量情報に基づいて前記投射ユニットの連続投影時間を制限する第１制御手段と、
前記投射ユニットで発生する熱を示す情報に基づいて前記投射ユニットの連続投影時間を制限する第２制御手段と、
前記第１制御手段による制限値および前記第２制御手段による制限値のいずれか一方を選択する選択手段とを備えることを特徴とするプロジェクタ付きカメラ。
【請求項１１】
請求項１０に記載のプロジェクタ付きカメラにおいて、
前記選択手段は、短い方の制限値を選択することを特徴とするプロジェクタ付きカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
（１）請求項１に記載の発明によるプロジェクタ付きカメラは、光学像を投影する投射ユニットと、投射ユニットで発生する熱を示す情報に基づいて投射ユニットの連続投影時間を制限する制御手段とを備えることを特徴とする。
（２）請求項１に記載のプロジェクタ付きカメラにおいて、制御手段は、投射ユニットによる投影輝度に基づいて投射ユニットの連続投影時間を制限するのが好ましい。
（３）請求項３に記載の発明によるプロジェクタ付きカメラは、光学像を投影する投射ユニットと、電池の残量情報を検出する検出手段と、検出手段で検出された残量情報に基づいて投射ユニットの連続投影時間を制限する制御手段とを備えることを特徴とする。
（４）請求項３に記載のプロジェクタ付きカメラにおいて、制御手段は、残量情報および投射ユニットによる投影輝度に基づいて投射ユニットの連続投影時間を制限するのが好ましい。
（５）請求項１〜４のいずれか一項に記載のプロジェクタ付きカメラにおいて、連続投影時間は、投射ユニットが投影コンテンツを替えながら投影するスライドショー投影時間であってもよい。
（６）請求項５に記載のプロジェクタ付きカメラにおいて、制御手段は、連続投影時間に応じて投影コンテンツの再生速度を変えるように投射ユニットをさらに制御するのが好ましい。
（７）請求項５に記載のプロジェクタ付きカメラにおいて、制御手段は、連続投影時間に応じて投影コンテンツの再生時間を延ばすように投射ユニットをさらに制御するのが好ましい。
（８）請求項７に記載のプロジェクタ付きカメラにおいて、制御手段は、投影コンテンツの再生時間を遅くする、または投影コンテンツを繰り返し投影するように投射ユニットを制御するのが好ましい。
（９）請求項５に記載のプロジェクタ付きカメラにおいて、制御手段は、連続投影時間に応じた投影コンテンツを選んで投射ユニットに投影させるのが好ましい。
（１０）請求項１０に記載の発明によるプロジェクタ付きカメラは、光学像を投影する投射ユニットと、電池の残量情報を検出する検出手段と、検出手段で検出された残量情報に基づいて投射ユニットの連続投影時間を制限する第１制御手段と、投射ユニットで発生する熱を示す情報に基づいて投射ユニットの連続投影時間を制限する第２制御手段と、第１制御手段による制限値および第２制御手段による制限値のいずれか一方を選択する選択手段とを備えることを特徴とする。
（１１）請求項１０に記載のプロジェクタ付きカメラにおいて、選択手段は、短い方の制限値を選択するのが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月5日(2011.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
ＮＲ制御ユニット２５０内では、撮像装置ノイズモデル、拡張「Ｂｕｒｎｓ  ＆  Ｂｅｒｍｓ」（ＢＢ）ベースのノイズ伝播、予測バンド関連ノイズマトリックス、及び閾値変換が実施される。拡張ＢＢに関して、本明細書に引用によって組み込まれている「信号処理システムにおけるノイズ解析の方法及び装置」という名称の現在特許出願中の米国特許出願第１１／７３１，２６１号を参照されたい。好ましくは、ＮＲ制御ユニット２５０は、内蔵プロセッサ上で実施される。ＮＲ制御ユニット２５０は、バンド分割ベースのＮＲブロック２１６が適切にノイズをフィルタリング除去することができるように、バンド関連ノイズに関する閾値を最終的に判断する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
段階３０４において、バンド関連ノイズが伝播される。本明細書に引用によって組み込まれている「信号処理システム内のノイズ解析の方法及び装置」という名称の現在特許出願中の米国特許出願第１１／７３１，２６１号に開示されているノイズ伝播方法は、カメラ信号処理パイプラインに多くの場合に使用される重要な信号操作、線形、非線形、及び空間的変形を考慮に入れることができ、パイプラインに沿って伝播するノイズを正確に予測することができる。式（２）は、Ｎ個のバンドにバンド分割される。その結果、式（２）は、そのサイズが３Ｎ×３Ｎであるノイズマトリックスのバンド関連式になる。次に、「信号処理システム内のノイズ解析の方法及び装置」という名称の米国特許出願第１１／７３１，２６１号に説明した演算を適用することによって、ノイズ除去アルゴリズムが適用される任意の信号処理ノード（例えば、ＹＣｂＣｒ）で、バンド関連ノイズマトリックスが可能である。ノイズ伝播は、パッチの数にわたって反復される。例えば、「Ｍａｃｂｅｔｈ  ＣｏｌｏｒＣｈｅｃｋｅｒ」の場合、その数は、２４である。従って、２４のバンド関連ノイズマトリックスが存在し、ここで、Ｎはバンドの数である。同時に、次の段階で使用するために信号伝播も行われ、１組の２４×３の信号値が格納される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月17日(2010.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮像して画像のデータを生成する撮像部と、
前記画像から前記被写体の顔領域を検出する顔検出部と、
ユーザーからの操作を受け付ける操作部と、
前記顔検出部が前記顔領域を複数検出したときに、少なくとも２以上のグループのいずれかに各々の前記顔領域を分類するグループ化処理を行う第１制御部と、
複数の前記グループのなかから前記操作で指定された指定グループを基準として所定の処理を実行する第２制御部と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像装置において、
前記第２制御部は、前記指定グループを基準とする合焦制御、前記指定グループを基準とする自動露出制御、前記指定グループを基準とするオートホワイトバランス制御、前記指定グループ内の前記顔領域に関するメタデータの生成、のうちの少なくとも１つを実行することを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の撮像装置において、
前記操作部は、ユーザーから主要被写体となる前記顔領域の指定入力を受け付け、
前記第１制御部は、前記主要被写体の前記顔領域の位置に基づいて前記グループ化処理を実行することを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の撮像装置において、
前記第１制御部は、複数のアルゴリズムに基づいて前記グループ化処理をそれぞれ実行するとともに、前記操作部から前記グループの変更入力があったときに、前記変更入力前とは異なる前記アルゴリズムで求めた前記グループ化処理の結果をユーザーに提示することを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の撮像装置において、
前記第１制御部は、各々の前記顔領域の大きさに基づいて前記グループ化処理を実行することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の撮像装置において、
各々の前記顔領域と前記グループとの対応関係を示す確認画像を表示するモニタをさらに備えることを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
第２の発明は、第１の発明において、第２制御部は、指定グループを基準とする合焦制御、指定グループを基準とする自動露出制御、指定グループを基準とするオートホワイトバランス制御、指定グループ内の顔領域に関するメタデータの生成、のうちの少なくとも１つを実行する。
第３の発明は、第１または第２の発明において、操作部は、ユーザーから主要被写体となる顔領域の指定入力を受け付ける。また、第１制御部は、主要被写体の顔領域の位置に基づいてグループ化処理を実行する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
第４の発明は、第１から第３のいずれかの発明において、第１制御部は、複数のアルゴリズムに基づいてグループ化処理をそれぞれ実行する。また、第１制御部は、操作部からグループの変更入力があったときに、変更入力前とは異なるアルゴリズムで求めたグループ化処理の結果をユーザーに提示する。
第５の発明は、第１から第４のいずれかの発明において、第１制御部は、各々の顔領域の大きさに基づいてグループ化処理を実行する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
第６の発明は、第１から第５のいずれかの発明において、各々の顔領域とグループとの対応関係を示す確認画像を表示するモニタを撮像装置がさらに備える。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月22日(2011.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた半導体膜に、不純物を導入する半導体製造装置であって、
前記半導体膜表面を洗浄する洗浄ユニットと、
前記半導体膜表面に不純物を付着させる不純物導入ユニットと、
前記不純物が表面に付着した半導体膜にレーザビームを照射して、前記半導体膜を結晶化させるレーザ結晶化ユニットと、
前記洗浄ユニット、前記不純物導入ユニット、及び前記レーザ結晶化ユニットをそれぞれ接続することができるとともに、前記基板を搬送できる搬送ロボットと、
を有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
基板上に設けられた半導体膜に、不純物を導入する半導体製造装置であって、
前記半導体膜表面を洗浄する洗浄ユニットと、
前記半導体膜表面に不純物を付着させる不純物導入ユニットと、
前記不純物が表面に付着した半導体膜にレーザビームを照射して、前記半導体膜を結晶化させるレーザ結晶化ユニットと、
前記洗浄ユニット、前記不純物導入ユニット、及び前記レーザ結晶化ユニットをそれぞれ接続することができるとともに、前記基板を搬送できる搬送ロボットと、
を有し、
前記不純物導入ユニットにおいて、前記半導体膜を前記不純物雰囲気中で暴露する時間によって、前記半導体膜へ付着される前記不純物の量が制御されていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】
基板上に設けられた半導体膜に、不純物を導入する半導体製造装置であって、
前記半導体膜表面を洗浄する洗浄ユニットと、
前記半導体膜上に酸化膜を形成する成膜ユニットと、
前記酸化膜表面に不純物を付着させる不純物導入ユニットと、
前記不純物が付着した前記酸化膜及び前記半導体膜にレーザビームを照射して、前記半導体膜を結晶化させるレーザ結晶化ユニットと、
前記洗浄ユニット、前記成膜ユニット、前記不純物導入ユニット、及び前記レーザ結晶化ユニットをそれぞれ接続することができるとともに、前記基板を搬送できる搬送ロボットと、
を有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記不純物導入ユニットは、
不純物雰囲気チャンバーと、
前記不純物雰囲気チャンバー内に供給する不純物ガスを生成する不純物生成部と、
を有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記不純物雰囲気チャンバーは、
前記基板を支持するワイヤーと、
前記ワイヤーを固定するワイヤー固定部と、
前記ワイヤー固定部を前記不純物雰囲気チャンバー内で把持する支持機構と、
前記支持機構を前記不純物雰囲気チャンバー内で上下させる駆動部と、
を有し、
前記不純物導入ユニットに搬入された前記基板は、搬入された順に、前記レーザ結晶化ユニットへ搬出されていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記不純物生成部は、第１３族元素、または第１５族元素を含む不純物ガスを生成することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、
前記不純物生成部は、
ジボラン、またはホスフィンを水素希釈して不純物ガスを生成することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項８】
請求項４乃至請求項７のいずれか一項において、
前記不純物生成部は、
不純物を含むエステル化合物、又は、ファンフィルターユニットを用いて不純物ガスを生成することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記不純物を含むエステル化合物は、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリエチル、ホウ酸トリイソプロピル、ホウ酸トリプロピル、ホウ酸トリ−ｎ−オクチル、リン酸トリメチル、リン酸トリエチル、リン酸トリ−ｎ−アミル、または、リン酸ジフェニル−２−エチルヘキシルのいずれか一種であることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記レーザ結晶化ユニットは、レーザ発振器を有し、
前記レーザ発振器から射出したレーザビームを、前記不純物が付着した前記半導体膜に照射して、１×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ3乃至１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の濃度の不純物を含む結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１１】
基板上に半導体膜を成膜し、
前記半導体膜表面を洗浄した後、前記基板を不純物雰囲気中に搬送して、前記半導体膜表面に不純物を付着させ、
前記不純物が付着した前記基板を搬送して、ステージ上に載置し、
レーザ発振器から射出されたレーザビームを前記ステージ上の前記基板に照射し、
前記不純物が付着した前記半導体膜を結晶化し、不純物を含む結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
基板上に半導体膜を成膜し、
前記半導体膜表面を洗浄した後、前記半導体膜上に酸化膜を形成し、
前記酸化膜を設けた前記基板を不純物雰囲気中に搬送して、前記酸化膜を介して前記半導体膜上に不純物を付着させ、
前記不純物が付着した前記基板を搬送して、ステージ上に載置し、
レーザ発振器から射出されたレーザビームを前記ステージ上の前記基板に照射し、
前記不純物が付着した前記半導体膜を結晶化し、不純物を含む結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２において、
前記不純物雰囲気には、第１３族元素、または第１５族元素が含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記不純物を含む結晶性半導体膜には、１×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ3乃至１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の濃度の前記不純物が含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月5日(2011.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上にキャップ膜を形成し、
前記非晶質半導体膜の第１の領域に連続発振または繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のパルス発振の第１のレーザビームを照射して、膜表面に対して平行な面方位が｛００１｝の結晶領域を形成し、
前記非晶質半導体膜の第２の領域に連続発振または繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のパルス発振の第２のレーザビームを照射して、膜表面に対して平行な面方位が｛２１１｝または｛１０１｝の結晶領域を形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のレーザビームの走査速度ｘと、パワーｙとは、
ｙ＝０．００１２ｘ２＋０．０８３ｘ＋４．４    （式１）
ｙ＝０．２８ｘ＋４．２                      （式２）
ｙ＝−０．０６８３ｘ＋１１．１６７          （式３）
のいずれかの関係を満たし、
前記第１のレーザビームの走査速度が１０ｃｍ／ｓｅｃ以上２０ｃｍ／ｓｅｃ以下の場合、前記第１のレーザビームのパワーは前記式１以上、且つ前記式２未満を満たし、
前記第１のレーザビームの走査速度が２０ｃｍ／ｓｅｃ以上３５ｃｍ／ｓｅｃ以下の場合、前記第１のレーザビームのパワーは前記式１以上、且つ前記式３未満を満たす
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第２のレーザビームの走査速度ｘと、パワーｙとは、
ｙ＝０．００１２ｘ２＋０．０８３ｘ＋４．４    （式１）
ｙ＝０．２８ｘ＋４．２                      （式２）
ｙ＝０．００２７ｘ２＋０．３６ｘ＋４．２      （式４）
ｙ＝−０．３７ｘ＋３３                      （式５）
のいずれかの関係を満たし、
前記第２のレーザビームの走査速度が、１０ｃｍ／ｓｅｃ以上２０ｃｍ／ｓｅｃ以下の場合、前記第２のレーザビームのパワーは前記式２より大きく、且つ前記式４以下を満たし、
前記第２のレーザビームの走査速度が、２０ｃｍ／ｓｅｃ以上３５ｃｍ／ｓｅｃ以下の場合、前記第２のレーザビームのパワーは前記式３より大きく、且つ前記式４以下を満たし、
前記第２のレーザビームの走査速度が、３５ｃｍ／ｓｅｃ以上５５ｃｍ／ｓｅｃ以下の場合、前記式１以上、且つ前記式５以下を満たす
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記面方位が｛００１｝の結晶領域は、前記膜表面に対して平行な面方位が｛００１｝の結晶が４割以上１０割以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記キャップ膜は、ＳｉＮｘＯｙ（０≦ｘ≦１．５、０≦ｙ≦２、０≦４ｘ＋３ｙ≦６）であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記キャップ膜の厚さは、２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記面方位が｛００１｝である結晶領域を用いてｎチャネル型の薄膜トランジスタを作製し、
前記面方位が｛２１１｝または｛１０１｝である結晶領域を用いてｐチャネル型の薄膜トランジスタを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月18日(2011.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性材料よりなるナノ粒子が溶媒に分散された組成物を吐出し、
前記組成物を乾燥し、
前記乾燥により溶媒を気化させた組成物にオゾン雰囲気下で紫外線を照射した後、焼成して配線を形成することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記紫外線の波長は１７５ｎｍ以下であることを特徴とする配線の作製方法。
【請求項３】
導電性材料よりなるナノ粒子が溶媒に分散された組成物を吐出し、
前記組成物を乾燥し、
前記乾燥により溶媒を気化させた組成物に空気中で波長１７５ｎｍ以下の紫外線を照射した後、焼成して配線を形成することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記組成物を、配線形成領域以外に形成された隔壁の内側に吐出することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項５】
請求項１または請求項４において、
前記紫外線を、低圧水銀ランプを用いて照射することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記紫外線を、エキシマランプを用いて照射することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項７】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上にメモリ層を形成し、
前記メモリ層上に、導電性材料よりなるナノ粒子が溶媒に分散された組成物を吐出し、
前記組成物を乾燥し、
前記乾燥により溶媒を気化させた組成物にオゾン雰囲気下で紫外線を照射した後、焼成して第２の導電層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記紫外線の波長は１７５ｎｍ以下であることを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項９】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上にメモリ層を形成し、
前記メモリ層上に、導電性材料よりなるナノ粒子が溶媒に分散された組成物を吐出し、
前記組成物を乾燥し、
前記乾燥により溶媒を気化させた組成物に空気中で波長１７５ｎｍ以下の紫外線を照射した後、焼成して第２の導電層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一項において、
前記メモリ層は有機化合物層であることを特徴とする記憶素子の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月18日(2011.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部及び凸部を有する絶縁表面上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層にレーザビームを照射して、結晶質半導体層を形成するとともに、前記結晶質半導体層を平坦化し、
前記結晶質半導体層をエッチングして、前記凹部上に設けられた第１の領域及び前記凸部上に設けられた第２の領域を有する島状の半導体層を形成し、
前記島状の半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層を介して前記第２の領域上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記第１の領域に不純物元素を添加し、
加熱処理により、前記不純物元素を活性化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に、直線状のストライプパターンに形成された複数の第２の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層及び前記複数の第２の絶縁層によって形成された凹部及び凸部上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層にレーザビームを照射して、結晶質半導体層を形成するとともに、前記結晶質半導体層を平坦化し、
前記結晶質半導体層をエッチングして、前記凹部上に設けられた第１の領域及び前記凸部上に設けられた第２の領域を有する島状の半導体層を形成し、
前記島状の半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層を介して前記第２の領域上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記第１の領域に不純物元素を添加し、
加熱処理により、前記不純物元素を活性化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記レーザビームは線状ビームであり、
前記ストライプパターンが延在する方向と平行な方向に前記レーザビームを走査することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記第１の絶縁層を窒化珪素を用いて形成し、前記第２の絶縁層を酸化珪素を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一において、
前記第１の絶縁層及び前記複数の第２の絶縁層と、前記非晶質半導体層との間に、第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層及び前記非晶質半導体層を、大気に触れさせることなく連続的に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１の領域の膜厚は、前記第２の領域の膜厚よりも大きいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第２の領域の膜厚は、１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月26日(2011.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カメラとカメラレンズを電気的に接続するための電気的コネクタであって、
導電パターン及び穴部が形成された基板と、
前記基板を保持すると共に、開口部を有する保持部材と、
前記基板に直接固定され、前記導電パターンと電気的に接続する接点部材と、
前記基板を付勢する弾性体と、を備え、
前記接点部材が前記開口部から露出しており、
前記接点部材は前記穴部において前記基板を貫通し、前記弾性体は前記接点部材を付勢しないように前記基板を付勢していることを特徴とする、電気的コネクタ。
【請求項２】
前記接点部材と前記導電パターンが、前記穴部の縁において電気的に接続することを特徴とする、請求項１に記載の電気的コネクタ。
【請求項３】
前記弾性体は、前記基板を貫通して突出する前記接点部材の突出部分によって、位置決めされていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の電気的コネクタ。
【請求項４】
前記保持部材は、前記弾性体を保持する段差を有することを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電気的コネクタ。
【請求項５】
前記保持部材は、カメラボディ又はカメラレンズボディと一体に構成されていることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電気的コネクタ。
【請求項６】
カメラに対して着脱可能に取り付けるためのマウント面と、カメラと電気的に接続するための電気的コネクタとを備えるカメラレンズであって、
前記電気的コネクタは、導電パターン及び穴部が形成された基板と、前記基板を保持すると共に開口部を有する保持部材と、前記基板に直接固定され且つ前記導電パターンと電気的に接続する接点部材と、前記基板を付勢する弾性体と、を有し、
前記接点部材が前記開口部から露出しており、
前記接点部材は前記穴部において前記基板を貫通し、前記弾性体は前記接点部材を付勢しないように前記基板を付勢していることを特徴とする、カメラレンズ。
【請求項７】
カメラレンズを着脱可能に取り付けるためのマウント面と、カメラレンズと電気的に接続するための電気的コネクタとを備えるカメラであって、
前記電気的コネクタは、導電パターン及び穴部が形成された基板と、前記基板を保持すると共に開口部を有する保持部材と、前記基板に直接固定され且つ前記導電パターンと電気的に接続する接点部材と、前記基板を付勢する弾性体と、を有し、
前記接点部材が前記開口部から露出しており、
前記接点部材は前記穴部において前記基板を貫通し、前記弾性体は前記接点部材を付勢しないように前記基板を付勢していることを特徴とする、カメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このような問題を解決するため、本発明の電気的コネクタは、カメラとカメラレンズを電気的に接続するための電気的コネクタであって、導電パターン及び穴部が形成された基板と、前記基板を保持すると共に、開口部を有する保持部材と、前記基板に直接固定され、前記導電パターンと電気的に接続する接点部材と、前記基板を付勢する弾性体と、を備え、前記接点部材が前記開口部から露出しており、前記接点部材は前記穴部において前記基板を貫通し、前記弾性体は前記接点部材を付勢しないように前記基板を付勢していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明のカメラレンズは、カメラに対して着脱可能に取り付けるためのマウント面と、カメラと電気的に接続するための電気的コネクタとを備えるカメラレンズであって、前記電気的コネクタは、導電パターン及び穴部が形成された基板と、前記基板を保持すると共に開口部を有する保持部材と、前記基板に直接固定され且つ前記導電パターンと電気的に接続する接点部材と、前記基板を付勢する弾性体と、を有し、前記接点部材が前記開口部から露出しており、前記接点部材は前記穴部において前記基板を貫通し、前記弾性体は前記接点部材を付勢しないように前記基板を付勢していることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明のカメラは、カメラレンズを着脱可能に取り付けるためのマウント面と、カメラレンズと電気的に接続するための電気的コネクタとを備えるカメラであって、前記電気的コネクタは、導電パターン及び穴部が形成された基板と、前記基板を保持すると共に開口部を有する保持部材と、前記基板に直接固定され且つ前記導電パターンと電気的に接続する接点部材と、前記基板を付勢する弾性体と、を有し、前記接点部材が前記開口部から露出しており、前記接点部材は前記穴部において前記基板を貫通し、前記弾性体は前記接点部材を付勢しないように前記基板を付勢していることを特徴とする。