Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月20日(2011.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽光及び太陽熱を利用したヒートポンプ発電システムにおいて、
太陽光と太陽熱を集光及び集熱する集光器と、該集光器で集光された太陽光を受けて発電する発電パネルと、前記集光器で集熱した熱で生成した温熱又は冷却して生成した冷熱の供給先を切替える切替器と、該切替器を経由した冷熱又は温熱を蓄積する蓄熱装置と、該蓄熱装置で蓄熱された冷熱又は温熱を熱源として発電するヒートポンプ発電機とを備えたことを特徴とするヒートポンプ発電システム。
【請求項２】
太陽光及び太陽熱を利用したヒートポンプ発電システムにおいて、
太陽光と太陽熱を集光及び集熱する集光器と、該集光器で集光された可視光領域の波長領域の太陽エネルギーを利用して発電する発電パネルと、前記集光器で集熱された赤外領域の波長領域の太陽エネルギーを利用して生成した温熱又は冷熱の供給先を切替える切替器と、該切替器を経由した冷熱又は温熱を蓄積する蓄熱装置と、該蓄熱装置で蓄熱された冷熱又は温熱を熱源として発電するヒートポンプ発電機とを備えたことを特徴とするヒートポンプ発電システム。
【請求項３】
太陽光及び太陽熱を利用したヒートポンプ発電システムにおいて、
太陽光を集光する集光器と、該集光器で集光された太陽光を受けて発電する発電パネルと、前記集光器で集光された太陽光によって加熱される集熱管と、該集熱管と接続された熱交換器と、該熱交換器で回収した冷熱及び温熱の供給先を切替える切替器と、前記冷熱を蓄積する蓄冷器と、前記温熱を蓄積する蓄熱装置と、前記蓄冷器の冷熱及び前記蓄熱器の温熱を熱源として発電するヒートポンプ発電機と、前記発電パネルで発電した電気の周波数を調整するインバータと、該インバータ及び前記ヒートポンプ発電機で発電した電気の周波数を同期させる同期器と、該同期器で同期させた電気の電圧，電流を調整する調整器と、該調整器を経由した電気の系統に対する供給を遮断する遮断器を備えたことを特徴とするヒートポンプ発電システム。
【請求項４】
請求項１に記載のヒートポンプ発電システムにおいて、
前記蓄熱装置は、温熱を蓄積する蓄熱器と、冷熱を蓄積する蓄冷器によって構成したことを特徴とするヒートポンプ発電システム。
【請求項５】
請求項１に記載のヒートポンプ発電システムにおいて、
前記切替器は、太陽光が照射している時間帯は集熱して生成した前記温熱に、太陽光が照射していない時間帯は冷却して生成した前記冷熱に切替えることを特徴とするヒートポンプ発電システム。
【請求項６】
請求項１に記載のヒートポンプ発電システムにおいて、
前記ヒートポンプ発電機は、ヒートポンプサイクルとランキンサイクルの組み合わせにより構成したものであって、前記ヒートポンプサイクルは前記温熱を熱源として前記温熱より高温の熱を出力し、前記ランキンサイクルは前記ヒートポンプサイクルから出力される熱と前記冷熱を熱源として電気を発生させるように構成したことを特徴とするヒートポンプ発電システム。
【請求項７】
請求項４に記載のヒートポンプ発電システムにおいて、
前記切替器は、太陽光が照射している時間帯は前記温熱を前記蓄熱器又は前記ヒートポンプ発電機の熱源として該ヒートポンプ発電機に直接供給し、太陽光が照射していない時間帯は前記冷熱を蓄冷器に供給するように切替えることを特徴とするヒートポンプ発電システム。
【請求項８】
請求項４に記載のヒートポンプ発電システムにおいて、
前記ヒートポンプ発電機は、ヒートポンプサイクルとランキンサイクルを組み合わせて構成したものであって、前記ヒートポンプサイクルは前記切替器から供給される温熱を熱源として熱を発生させて前記蓄熱器に供給し、前記ランキンサイクルは前記蓄熱器の温熱と前記蓄冷器の冷熱を熱源として電気を発生させるように構成したことを特徴とするヒートポンプ発電システム。
【請求項９】
請求項４に記載のヒートポンプ発電システムにおいて、
前記ヒートポンプ発電機は、ヒートポンプサイクルとランキンサイクルを組み合わせて構成したものであって、前記ヒートポンプサイクルは前記切替器を経て分岐した一方の温熱を熱源として発生させた熱を前記蓄熱器に供給し、前記ランキンサイクルは前記蓄熱器の温熱又は前記分岐した他方の温熱と、前記蓄冷器の冷熱を熱源として電気を発生させるように構成したことを特徴とするヒートポンプ発電システム。
【請求項１０】
請求項８，９に記載のヒートポンプ発電システムにおいて、
前記蓄熱器は、前記ヒートポンプ発電機で発電する電気が一定となるように、前記蓄熱器に蓄積した温熱を前記ランキンサイクルに供給することを特徴とするヒートポンプ発電システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月18日(2011.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前後方向に移動可能に設けられた複数の屋根フレームと、各屋根フレームに覆設されたテントシートと、各屋根フレーム間に設けられて各屋根フレームを伸縮可能に連結するパンダグラフ機構と、各屋根フレーム間に設けられて各屋根フレームを平行移動可能に連結する平行移動機構と、から構成した事を特徴とする蛇腹式テント。
【請求項２】
平行移動機構は、隣接する屋根フレーム間に配置される可動板と、一方の屋根フレームと可動板との間に設けられて俯仰可能に枢結される上下の第一平行リンクと、可動板と他方の屋根フレームとの間に設けられて俯仰可能に枢結される上下の第二平行リンクとを備え、一方の屋根フレームと可動板と上下の第一平行リンクとに依り第一の平行リンク機構が形成されていると共に、他方の屋根フレームと可動板と上下の第二平行リンクとに依り第二の平行リンク機構が形成されている請求項１に記載の蛇腹式テント。
【請求項３】
第一平行リンクと第二平行リンクと可動板とは、共通の枢結点で枢結されている請求項２に記載の蛇腹式テント。
【請求項４】
第一平行リンク及び第二平行リンクと屋根フレームとの間には、取付板が設けられ、第一平行リンク及び第二平行リンクが取付板に俯仰可能に枢結されていると共に、取付板が屋根フレームに着脱可能に取付けられる請求項２又は３に記載の蛇腹式テント。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月18日(2011.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
２−３．ケイフッ化ナトリウムの合成
上記２−２．のろ過液４１０ｋｇを１ｍ３の本体が鉄製で内面がポリプロピレンライニングされたジャケット付反応器に計り採り、反応器のジャケットに減圧蒸気を流して液温を４５℃に加熱した。
次に、液を攪拌しながら、炭酸水素ナトリウムの粉末１０３ｋｇ（ケイフッ化水素酸のモル数の２．３０倍）を炭酸ガスの発生を調整しながら、少しずつ添加した。添加終了後、３時間攪拌をした。そのとき、反応熱も発生して、反応温度は５８℃になった。
反応液を１日間放冷した。その後、結晶を遠心ろ過機で分離し後、乾燥させて、ケイフッ化ナトリウム９８．９ｋｇを得た。
その分析結果は、純度９９．５重量％、平均粒子径（ｄ５０）が１１３μｍであった。
また、ろ過液中のケイフッ化水素酸を分析したところ、その濃度は０．０１５重量％であった。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月29日(2011.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信システムにおいて複数の端末から基地局に複数のシグネチャ信号を送信する方法であって、
前記通信システムは、複数のシグネチャシーケンスにより基地局と通信する複数の端末を備え、
前記複数のシグネチャ信号は、基地局における伝播ラウンドトリップ遅延の推定に使用可能であり、
前記伝播ラウンドトリップ遅延は、前記基地局と前記複数の端末との距離に依存し、
前記方法は、
前記各端末において行われるステップとして、
前記端末においてシグネチャ信号を発生するステップと、
前記シグネチャ信号を基地局で受信するために端末から送信するステップと、
を含み、
前記複数のシグネチャシーケンスは、前記複数のシグネチャシーケンスのうちの１つを参照シーケンスとして選んだ場合に、他のシグネチャシーケンスが、前記参照シーケンスから導かれるシグネチャシーケンスを含む関係にあることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記複数のシグネチャシーケンスの各々は、一続きのデータの集まりであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シグネチャ信号は、前記参照シーケンスより長さの短い巡回拡張部をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記シグネチャ信号は、前記参照シーケンスの一部と同じデータ構造を有する巡回拡張部を備えることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記複数のシグネチャシーケンスは、前記参照シーケンスを巡回シフトしたものであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
通信システムにおいて基地局にシグネチャ信号を送信する端末であって、
前記通信システムは、複数のシグネチャシーケンスにより基地局と通信する複数の端末を備え、
前記複数のシグネチャ信号は、基地局における伝播ラウンドトリップ遅延の推定に使用可能であり、
前記伝播ラウンドトリップ遅延は、前記基地局と前記端末との距離に依存し、
前記端末は、
前記端末においてシグネチャ信号を発生する発生手段と、
前記端末から前記基地局に前記シグネチャ信号を送信する送信手段と、
を含み、
前記複数のシグネチャシーケンスは、前記複数のシグネチャシーケンスのうちの１つを参照シーケンスとして選んだ場合に、他のシグネチャシーケンスが、前記参照シーケンスから導かれるシグネチャシーケンスを含む関係にあることを特徴とする端末。
【請求項７】
前記複数のシグネチャシーケンスの各々は、一続きのデータの集まりであることを特徴とする請求項６に記載の端末。
【請求項８】
前記シグネチャ信号は、前記参照シーケンスより長さの短い巡回拡張部をさらに備えることを特徴とする請求項６または７に記載の端末。
【請求項９】
前記シグネチャ信号は、前記参照シーケンスの一部と同じデータ構造を有する巡回拡張部を備えることを特徴とする請求項６ないし８のいずれかに記載の端末。
【請求項１０】
前記複数のシグネチャシーケンスは、前記参照シーケンスを巡回シフトしたものであることを特徴とする請求項６ないし９のいずれかに記載の端末。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】複数のシグネチャ信号を送信する方法およびシグネチャ信号を送信する端末
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
［発明の技術分野］
本発明は、通信システムにおいて、複数の端末から基地局へシグネチャ信号を送信する方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
［発明の概要］
本発明の目的は、ＲＴＤ推定の精度を増加させる、サイズが最適化されたシグネチャ受信タイムスロットを有する、時間領域でのＲＴＤ推定に使用可能な、シグネチャ信号の送信方法を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
特定の実施の形態によれば、シグネチャ信号を送信するための方法は、次の特徴：［従属請求項２〜５］の１つ又は２つ以上を含む。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明は、端末［請求項６］にも関係する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
特定の実施の形態によれば、この端末は、次の特徴：［従属請求項６〜１０］の１つ又は２つ以上を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月2日(2011.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光又は放射線を電気信号に変換する変換素子とスイッチ素子とを有する画素が行及び列方向に複数配置されたセンサアレーと、列方向の複数の前記スイッチ素子に接続された信号配線と、前記信号配線に接続された読み出し回路部と、を有する撮像装置であって、
前記読み出し回路部は、第１の電源電圧が供給された第１の増幅回路と、前記第１の増幅回路の後段に接続されており、第２の電源電圧が供給された第２の増幅回路とを有し、
前記第１の電源電圧が、前記第２の電源電圧より大きいことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第１の増幅回路は前記信号配線に接続され、積分容量Ｃｆを有し、
前記スイッチ素子はゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を有し、
前記信号配線は列方向の複数の前記スイッチ素子のソース電極又はドレイン電極の一方に接続されており、
前記スイッチ素子のゲート及びソース間の寄生容量をＣｇｓ、前記スイッチ素子のオン電圧をＶｏｎ、前記スイッチ素子のオフ電圧をＶｏｆｆとすると、前記第１の電源電圧であるＶ１は、
Ｖ１＞Ｃｇｓ×（Ｖｏｎ−Ｖｏｆｆ）／Ｃｆ
の関係を満たすことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第１の電源電圧であるＶ１は、
Ｖ１／２≧Ｃｇｓ×（Ｖｏｎ−Ｖｏｆｆ）／Ｃｆ
の関係を満たすことを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第１の増幅回路及び前記第２の増幅回路は、同一の結晶シリコン基板に形成された集積回路であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記第１の増幅回路は、一方の入力端子が前記信号配線に接続された演算増幅器を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記演算増幅器は、積分容量が接続された電荷読み出しアンプを構成することを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記読み出し回路部は、前記第２の電源電圧が供給されたＡ／Ｄ変換器を有していることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記Ａ／Ｄ変換器は、前記信号配線に対応した数だけ設けられていることを特徴とする請求項７に記載の撮像装置。
【請求項９】
さらに、前記第１の電源電圧と前記第２の電源電圧のうちの少なくとも一方を変化させることが可能な制御部を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の撮像装置と、放射線を発生する放射線発生手段と、を有することを特徴とする放射線撮像システム。
【請求項１１】
光又は放射線を電気信号に変換する変換素子とスイッチ素子とを有する画素が行及び列方向に複数配置されたセンサアレーと、列方向の複数の前記スイッチ素子に接続された信号配線と、前記信号配線に接続された読み出し回路部と、を有する撮像装置の制御方法であって、
前記読み出し回路部は、第１の増幅回路と、前記第１の増幅回路の後段に接続された第２の増幅回路とを有しており、
前記第２の増幅回路に供給されている電源電圧よりも大きい電源電圧が前記第１の増幅回路に供給されていることを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置、放射線撮像システム、及び、撮像装置の制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の撮像装置は、光又は放射線を電気信号に変換する変換素子とスイッチ素子とを有する画素が行及び列方向に複数配置されたセンサアレーと、列方向の複数の前記スイッチ素子に接続された信号配線と、前記信号配線に接続された読み出し回路部とを有し、前記読み出し回路部は、第１の電源電圧が供給された第１の増幅回路と、前記第１の増幅回路の後段に接続されており、第２の電源電圧が供給された第２の増幅回路とを有し、前記第１の電源電圧が、前記第２の電源電圧より大きいことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月1日(2011.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
ウエットエッチングにより前記酸化物半導体層を加工して、島状の酸化物半導体層を形成し、
前記島状の酸化物半導体層を覆う導電層を形成し、
ドライエッチングにより前記導電層を加工して、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
ドライエッチングにより前記島状の酸化物半導体層の一部を除去して、前記島状の酸化物半導体層に凹部を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
ウエットエッチングにより前記酸化物半導体層を加工して、島状の酸化物半導体層を形成し、
前記島状の酸化物半導体層を覆う導電層を形成し、
ドライエッチングにより、前記導電層を加工してソース電極及びドレイン電極を形成するとともに、前記島状の酸化物半導体層の一部を除去して前記島状の酸化物半導体層に凹部を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第１の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層上に、前記第１の酸化物半導体層よりも導電率が高い第２の酸化物半導体層を形成し、
ウエットエッチングにより前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層を加工して、島状の第１の酸化物半導体層及び島状の第２の酸化物半導体層を形成し、
前記島状の第２の酸化物半導体層を覆う導電層を形成し、
ドライエッチングにより前記導電層を加工して、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
ドライエッチングにより前記島状の第１の酸化物半導体層及び前記島状の第２の酸化物半導体層の一部を除去して、前記島状の第１の酸化物半導体層に凹部を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第１の酸化物半導体層を形成し、
前記第１の酸化物半導体層上に、前記第１の酸化物半導体層よりも導電率が高い第２の酸化物半導体層を形成し、
ウエットエッチングにより前記第１の酸化物半導体層及び前記第２の酸化物半導体層を加工して、島状の第１の酸化物半導体層及び島状の第２の酸化物半導体層を形成し、
前記島状の第２の酸化物半導体層を覆う導電層を形成し、
ドライエッチングにより、前記導電層を加工してソース電極及びドレイン電極を形成するとともに、前記島状の第１の酸化物半導体層及び前記島状の第２の酸化物半導体層の一部を除去して前記島状の第１の酸化物半導体層に凹部を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記凹部を形成する際のドライエッチングを、塩素を含むガスを用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記ゲート絶縁層を、酸化シリコンを含む材料を用いて形成し、前記塩素を含むガスに酸素を含ませることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記酸素の含有量を、前記塩素を含むガスの１５体積％以上とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記凹部を形成した後、２００〜６００℃の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、直径が１〜１０ｎｍである結晶粒を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月11日(2011.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反強磁性層と、
積層磁化固定層と、
第２非磁性中間層と、
磁化自由層と、を有する磁気抵抗素子であって、
前記反強磁性層はマンガンを含有し、
前記積層磁化固定層は前記反強磁性層側に設けられた第１強磁性層と第２強磁性層、前記第２非磁性中間層側に設けられた第３強磁性層と第４強磁性層、及び前記第２強磁性層と前記第３強磁性層との間に設けられた第１非磁性中間層を有し、
前記第１強磁性層は下記の式１により示される合金を有し、
前記第２強磁性層、前記第３強磁性層及び前記第４強磁性層は下記の式２により示される合金を有し、
前記式１は、
（ＦｅａＣｏｂＮｉｃ）ｄ（Ｍ）ｅ
（０≦ａ＜１００、０≦ｂ＜１００、０≦ｃ＜１００、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００、９９．５≧d≧５０、０．５≦e≦５０、d＋e＝１００  Ｍは、白金族系金属を示す。）であり、
前記式２は、
（ＦｅｘＣｏｙＮｉｚ）ｍ（Ｂ）ｎ
（０≦ｘ＜１００、０≦ｙ＜１００、０≦ｚ＜１００、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、ｍ＋ｎ＝１００、０≦ｎ＜３０、７０＜m≦１００  Ｂはボロンを示す。）であることを特徴とする磁気抵抗素子。
【請求項２】
前記第１強磁性層にはボロンが０．５原子％〜３０原子％含有されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗素子。
【請求項３】
前記白金族系金属は、白金、イリジウム、オスミウム、パラジウム、ルテニウムまたはロジウムから選択された少なくとも１種の金属であり、
前記第２非磁性中間層はＭｇＯを有するトンネルバリア層であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気抵抗素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】磁気抵抗素子
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明はトンネル磁気抵抗素子及び巨大磁気抵抗素子などの磁気抵抗素子に関し、特に磁気ディスク駆動装置の磁気ヘッド及び磁気ランダムアクセスメモリに用いることができるトンネル磁気抵抗素子及び巨大磁気抵抗素子などの磁気抵抗素子に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の目的は、熱安定性にすぐれ、ＭＲ比の高い磁気抵抗素子、例えば、トンネル磁気抵抗素子及び巨大磁気抵抗素子を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記の目的を達成する本発明の１つの側面にかかる磁気抵抗素子は、反強磁性層と、積層磁化固定層と、第２非磁性中間層と、磁化自由層と、を有する磁気抵抗素子であって、前記反強磁性層はマンガンを含有し、前記積層磁化固定層は前記反強磁性層側に設けられた第１強磁性層と第２強磁性層、前記第２非磁性中間層側に設けられた第３強磁性層と第４強磁性層、及び前記第２強磁性層と前記第３強磁性層との間に設けられた第１非磁性中間層を有し、前記第１強磁性層は下記の式１により示される合金を有し、前記第２強磁性層、前記第３強磁性層及び前記第４強磁性層は下記の式２により示される合金を有し、前記式１は、
（ＦｅａＣｏｂＮｉｃ）ｄ（Ｍ）ｅ
（０≦ａ＜１００、０≦ｂ＜１００、０≦ｃ＜１００、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００、９９．５≧d≧５０、０．５≦e≦５０、d＋e＝１００  Ｍは、白金族系金属を示す。）であり、
前記式２は、
（ＦｅｘＣｏｙＮｉｚ）ｍ（Ｂ）ｎ
（０≦ｘ＜１００、０≦ｙ＜１００、０≦ｚ＜１００、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、ｍ＋ｎ＝１００、０≦ｎ＜３０、７０＜m≦１００  Ｂはボロンを示す。）であることを特徴とする磁気抵抗素子。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
一般式Ａ
（ＦｅａＣｏｂＮｉｃ）d（Ｍ）e
（但し、０≦ａ＜１００、０≦ｂ＜１００、０≦ｃ＜１００、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００、９
９．５≧d≧５０、０．５≦e≦５０、d＋e＝１００）  Ｍは、白金族系金属を示す。）
本発明で用いる白金族系金属としては、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウ
ム（Ｏｓ）、パラジウム（Ｐｄ）、ルテニウム（Ｒｕ）及びロジウム（Ｒｈ）からなる白金系元素から選ばれる少なくとも１種類以上の元素（これら元素の合金を含む）の金属を用いることが出来る。特に、本発明では、上記白金族系金属として、白金（Ｐｔ）を用いることが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
一般式Ｂ
（ＦｅxＣｏyＮｉz）ｍ（B）ｎ
（但し、０≦ｘ＜１００、０≦ｙ＜１００、０≦ｚ＜１００、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００、ｍ
＋ｎ＝１００、０≦ｎ＜３０、７０＜m≦１００）   
また、上記の第二強磁性固定層１５は、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウ
ム（Ｏｓ）、パラジウム（Ｐｄ）、ルテニウム（Ｒｕ）又はロジウム（Ｒｈ）などの白金系元素からなる白金族系金属を添加含有させることができる。この際、白金族系金属の合金中での含有量は、０．５原子％〜３０原子％、好ましくは、５原子％〜２５原子％である。特に、白金族系金属のうち、白金（Ｐｔ）を用いるのが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
また、第二実施形態では、第四強磁性層２２、第五強磁性層２３及び第六強磁性層２４
のうち少なくとも一つの層中に、好ましくは、全層中に、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉ
ｒ）、オスミウム（Ｏｓ）、パラジウム（Ｐｄ）、ルテニウム（Ｒｕ）又はロジウム（Ｒｈ）などの白金系元素からなる白金族系金属を添加含有させることができる。この際、白金族系金属の合金中での含有量は、０．５原子％〜３０原子％、好ましくは、５原子％〜２５原子％である。特に、白金族系金属のうち、白金（Ｐｔ）を用いるのが好ましい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
成膜チャンバ３７Ａ、３７Ｂ及び３７Ｃのそれぞれでスパッタリング成膜を行って積層が完了したトンネル磁気抵抗素子は、熱処理炉において、アニーリング処理が行われる。
このとき、アニーリング温度は例えば約２００℃〜４００℃であり、例えば８ｋＯｅ（６３６ｋＡ／ｍ）の磁場中で、例えば４時間アニーリング処理が行われる。これにより、トンネル磁気抵抗素子の反磁性層であるＰｔＭｎに所要の磁化が与えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月15日(2010.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る半導体光素子は、活性層と、
前記活性層を挟むクラッド層とからなる導波層を含む積層構造体と、
前記積層構造体の一対の相対する端面部の少なくとも一方の端面部に形成された多層反射膜とを備え、
前記多層反射膜は、前記導波層を導波する波長λにおける反射率が、
前記多層反射膜に代えて屈折率ｎｆの単層膜を、
０を含む正の整数をｍとして、
厚さλ（２ｍ+１）／（４ｎｆ）だけ前記端面部に形成した場合の反射率と等しく、
かつ前記多層反射膜の振幅反射率の実部又は虚部の少なくとも一方が
ゼロでないことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、前記多層反射膜は、
前記積層構造体の実効屈折率ｎｃの平方根より大きい屈折率を有する第１反射膜と、
前記実効屈折率ｎｃの平方根より小さい屈折率を有する第２反射膜とを含み、
前記第１反射膜と前記第２反射膜とを一対とし、
前記対が多段に積層されていてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層と、
前記活性層を挟むクラッド層とからなる導波層を含む積層構造体と、
前記積層構造体の一対の相対する端面部の少なくとも一方の端面部に形成された多層反射膜とを備え、
前記多層反射膜は、前記導波層を導波する波長λにおける反射率が、
前記多層反射膜に代えて屈折率ｎｆの単層膜を、
０を含む正の整数をｍとして、
厚さλ（２ｍ+１）／（４ｎｆ）だけ前記端面部に形成した場合の反射率と等しく、
かつ前記多層反射膜の振幅反射率の実部又は虚部の少なくとも一方が
ゼロでないことを特徴とする半導体光素子。
【請求項２】
前記多層反射膜は、
前記積層構造体の実効屈折率ｎｃの平方根より大きい屈折率を有する第１反射膜と、
前記実効屈折率ｎｃの平方根より小さい屈折率を有する第２反射膜とを含み、
前記第１反射膜と前記第２反射膜とを一対とし、
前記対が多段に積層されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月7日(2011.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保護物質（Ａ）によって被覆された導電性物質（Ｂ）と、１〜４個の水酸基を有する炭素数１０〜１８の化合物（Ｃ）とを含む導電性インキ。
【請求項２】
１〜４個の水酸基を有する炭素数１０〜１８の化合物（Ｃ）が、炭素数１０〜１８の一価アルコール、多価アルコール、または、グリコールエーテルである請求項１記載の導電性インキ。
【請求項３】
導電性物質（Ｂ）が、平均粒子径０．００１〜１０μｍ の導電性微粒子である請求項
１または２記載の導電性インキ。
【請求項４】
請求項１〜３いずれかに記載の導電性インキから形成される導電層（Ｄ）と、保護物質（Ａ）に対するイオン交換能を有する物質（Ｅ）を含むイオン交換層（Ｆ）と、の積層によって、導電層（Ｄ）から形成されることを特徴とする導電性被膜。
【請求項５】
請求項１〜３いずれかに記載の導電性インキと、保護物質（Ａ）に対するイオン交換能を有する物質（Ｅ）とを含む組成物から形成されることを特徴とする導電性被膜。
【請求項６】
基材上に、請求項４または５記載の導電性被膜が設けられてなる導電性積層体

【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また本発明は、１〜４個の水酸基を有する炭素数１０〜１８の化合物（Ｃ）が、炭素数１０〜１８の一価アルコール、多価アルコール、または、グリコールエーテルである上記導電性インキに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月8日(2011.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
リチウム源としては、例えば、炭酸リチウム（Ｌｉ2ＣＯ3）や水酸化リチウム一水和物（ＬｉＯＨ・Ｈ2Ｏ）などの公知のリチウム化合物を用いることができる。リン源としては、例えば、リン酸二水素アンモニウム（ＮＨ4Ｈ2ＰＯ4）やリン酸水素二アンモニウム（（ＮＨ4）2ＨＰＯ4）などの公知のリン酸塩を用いることができる。このようにＬｉ成分とＰＯ4成分とをそれぞれ個別に含む化合物を用いてもよいが、Ｌｉ成分とＰＯ4成分との両方を含む化合物を用いることが秤量の回数を減らすことができるため好ましい。このような化合物としては、例えば、リン酸二水素リチウム（ＬｉＨ2ＰＯ4）などが挙げられる。遷移金属源としては、遷移金属がＦｅを含む場合には、例えば、シュウ酸鉄（II）（ＦｅＣ2Ｏ4）やフマル酸鉄（II）（ＦｅＣ4Ｈ2Ｏ4）、塩化鉄（II）（ＦｅＣｌ2）などの公知の２価の鉄化合物を用いることができる。このうち、シュウ酸鉄（II）及びフマル酸鉄（II）がより好ましい。シュウ酸鉄（II）やフマル酸鉄（II）は塩化鉄（II）に比べて、焼成時に発生するガスの腐食性が低いためである。また、遷移金属がＭｎを含む場合には、例えば、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ3）や塩化マンガン四水和物（ＭｎＣｌ2・４Ｈ2Ｏ）などの公知の２価のマンガン化合物を用いることができる。また、遷移金属がＮｉを含む場合には、例えば、酸化ニッケル（ＮｉＯ）や水酸化ニッケル（Ｎｉ（ＯＨ）2）などの公知の２価のニッケル化合物を用いることができる。また、遷移金属がＣｏを含む場合には、例えば、酸化コバルト（ＣｏＯ）や塩化コバルト（ＣｏＣｌ2）などの公知の２価のコバルト化合物を用いることができる。Ｘ源としては、ＸがＢを含むときはホウ酸（Ｈ3ＢＯ3）などを用いることができる。ＸがＡｌのときは塩基性炭酸アルミニウムや水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）3）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）などを用いることができる。なお、各源は、ここに列記したものに限定されるものではない。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月31日(2011.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に配線層及び絶縁層が交互に複数積層されてなる電子回路基板に形成されたコイル構造体であって、
前記絶縁層は、前記配線層を被覆しており、
前記配線層は、
配線パターンよりなるコイルと、
前記コイルの中心に配置されるとともに、前記配線層に垂直な方向に延びる複数の柱状部によって分割された磁性体コアと、
を含み、
前記磁性体コアと他層の磁性体コアとは、各層の面内方向で同様の位置に形成されていることを特徴とするコイル構造体。
【請求項２】
下層側の前記磁性体コアと上層側の前記磁性体コアとの間には、絶縁層と密着層とが形成されていることを特徴とする請求項１に記載のコイル構造体。
【請求項３】
前記柱状部の前記配線層と平行な断面は多角形状であることを特徴とする請求項１又は２に記載のコイル構造体。
【請求項４】
前記磁性体コアはＮｉ又はＮｉを含む合金からなることを特徴とする請求項１又は２に記載のコイル構造体。
【請求項５】
前記積層された各コイルは直列に接続されるとともに、各コイルを流れる電流の向きが同じであることを特徴とする請求項２に記載のコイル構造体。
【請求項６】
基材上に配線層及び絶縁層が交互に積層されてなる電子回路基板の内部に形成されるコイル構造体の製造方法であって、
前記基材上方の一面にシード層を形成する工程と、
前記シード層の上にコイル状の開口部を有する第１のめっきレジスト層を形成する工程と、
前記第１のめっきレジスト層の開口部内に導電材料を堆積させてコイルを形成する工程と、
前記第１のめっきレジスト層を除去した後、前記シード層及び前記コイルを覆うとともに、前記コイルの中心側に複数の開口部を有する第２のめっきレジスト層を形成する工程と、
前記第２のめっきレジスト層の複数の開口部内に磁性材料を堆積させて、複数の柱状部によって分割された磁性体コアを形成する工程と、
前記第２のめっきレジスト層を除去した後、露出した前記シード層を除去する工程と、
前記シード層を除去した後、前記コイル及び前記磁性体コアを覆う絶縁膜を形成する工程と、
を有することを特徴とするコイル構造体の製造方法。
【請求項７】
さらに、前記磁性体コアの上に密着層を形成することを特徴とする請求項６に記載のコイル構造体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一観点によれば、基材上に配線層及び絶縁層が交互に複数積層されてなる電子回路基板に形成されたコイル構造体であって、前記絶縁層は、前記配線層を被覆しており、前記配線層は、配線パターンよりなるコイルと、前記コイルの中心に配置されるとともに、前記配線層に垂直な方向に延びる複数の柱状部によって分割された磁性体コアと、を含み、前記磁性体コアと他層の磁性体コアとは、各層の面内方向で同様の位置に形成されているコイル構造体が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、別の一観点によれば、基材上に配線層及び絶縁層が交互に積層されてなる電子回路基板の内部に形成されるコイル構造体の製造方法であって、前記基材上方の一面にシード層を形成する工程と、前記シード層の上にコイル状の開口部を有する第１のめっきレジスト層を形成する工程と、前記第１のめっきレジスト層の開口部内に導電材料を堆積させてコイルを形成する工程と、前記第１のめっきレジスト層を除去した後、前記シード層及び前記コイルを覆うとともに、前記コイルの中心側に複数の開口部を有する第２のめっきレジスト層を形成する工程と、前記第２のめっきレジスト層の複数の開口部内に磁性材料を堆積させて、複数の柱状部によって分割された磁性体コアを形成する工程と、前記第２のめっきレジスト層を除去した後、露出した前記シード層を除去する工程と、前記シード層を除去した後、前記コイル及び前記磁性体コアを覆う絶縁膜を形成する工程と、を有するコイル構造体の製造方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
コイル１２Ａ及びコイル１２Ｂの内周側の端部には、それぞれ他の部分よりも幅広に形成されたパッド１２ａが設けられている。また、コイル１２Ａ及びコイル１２Ｂの外周側の端部には、それぞれ他の部分よりも幅広に形成されたパッド１２ｂが設けられている。各パッド１２ａは、基材表面に平行な面内方向で同一の位置に形成されている。また、各パッド１２ｂも基材表面に平行な面内方向で同一の位置に形成されている。パッド１２ａ、１２ｂ部分にはビア１３が形成されている。高さ方向に隣接するコイル１２Ａ及びコイル１２Ｂ間は、このビア１３を介して接続されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
次に、図３及び図４で説明したのと同様の工程で、絶縁層２２の上に４層目のコイル１２Ｂを形成する。４層目のコイル１２Ｂは２層目のコイル１２Ｂと同様の左巻きの渦巻状のパターンであり、３層目のコイル１２Ａのパッド１２ａの上にビア１３を形成して３層目のコイル１２Ａと接続する。なお、４層目のコイル１２Ｂに接続される配線１４は、コイル１２Ｂの形成と同時に電解銅（Ｃｕ）めっきにより形成される。４層目のコイル１２Ａを形成した後、めっきレジスト層（図示せず）及び露出しているシード層１６を除去する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月6日(2011.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化剤極に供給される酸化剤ガスと、燃料極に供給される燃料ガスとを電気化学的に反応されることにより、電力を発電する燃料電池と、
前記燃料電池の燃料極に前記燃料ガスを供給する燃料ガス供給手段と、
前記燃料ガス供給手段を制御することにより前記燃料電池の燃料極へ前記燃料ガスを供給するとともに、第１の圧力幅で圧力変動を行う状態と、前記第１の圧力幅よりも大きな第２の圧力幅で圧力変動を行う状態とによって、前記燃料電池の燃料極における前記燃料ガスの圧力を変動させる制御手段と
を有することを特徴とする燃料電池システム。
【請求項２】
前記制御手段は、前記第１の圧力幅で圧力変動を行う状態と、前記第２の圧力幅で圧力変動を行う状態とによって、前記燃料電池の燃料極における前記燃料ガスの圧力を周期的に変動させることを特徴とする請求項１に記載の燃料電池システム。
【請求項３】
前記制御手段は、前記第１の圧力幅で圧力変動を行う状態を周期的に行うことを特徴とする請求項１に記載の燃料電池システム。
【請求項４】
前記燃料電池の燃料極から排出される排出ガスを制限する制限手段をさらに有し、
前記制限手段は、
前記燃料電池の燃料極から排出ガスを排出する排出流路と、
前記排出流路に設けられて、所定容量の空間を備える容積手段と、
前記排出流路において前記容積手段よりも下流側に設けられており、前記排出流路を遮断する遮断手段と
を有することを特徴とする請求項１に記載された燃料電池システム。
【請求項５】
前記制御手段は、前記第１の圧力幅で圧力変動を行う状態を複数回行った後に、前記第２の圧力幅で圧力変動を行う状態とすることを特徴とする請求項１に記載された燃料電池システム。
【請求項６】
前記制御手段は、前記燃料ガス供給手段から前記燃料ガスを所定の運転圧力で供給することにより前記燃料電池の発電を行った状態において、前記燃料電池への前記燃料ガスの供給を停止させるとともに、前記燃料電池の燃料極における前記燃料ガスの圧力が所定の圧力幅低下したことを条件に、前記燃料電池への前記燃料ガスの供給を再開させることにより、前記燃料電池の燃料極における前記燃料ガスの圧力を変動させることを特徴とする請求項１に記載された燃料電池システム。
【請求項７】
前記制御手段は、前記燃料電池の運転負荷が小さい程、圧力変動に起因して前記燃料極に供給される前記燃料ガスの供給量を小さく設定することを特徴とする請求項１に記載された燃料電池システム。
【請求項８】
前記制御手段は、前記燃料電池の運転温度が低い程、圧力変動に起因して前記燃料極に供給される前記燃料ガスの供給量を小さく設定することを特徴とする請求項１に記載された燃料電池システム。
【請求項９】
前記燃料電池の酸化剤極に前記酸化剤ガスを供給する酸化剤ガス供給手段をさらに有し、
前記制御手段は、前記燃料電池の酸化剤極における酸化剤ガスの運転圧力が小さい程、圧力変動に起因して前記燃料極に供給される前記燃料ガスの供給量を小さく設定することを特徴とする請求項１に記載された燃料電池システム。
【請求項１０】
前記制御手段は、圧力変動に起因して前記燃料極に供給される前記燃料ガスの供給量を小さく設定する場合には、圧力変動の実行周期を大きく設定することを特徴とする請求項７から９のいずれか一項に記載された燃料電池システム。
【請求項１１】
前記制御手段は、圧力変動に起因して前記燃料極に供給される前記燃料ガスの供給量を小さく設定する場合には、圧力幅を小さく設定することを特徴とする請求項７から９のいずれか一項に記載された燃料電池システム。
【請求項１２】
前記制御手段は、圧力変動に起因して前記燃料極に供給される前記燃料ガスの供給量を小さく設定する場合には、前記第１の圧力変動パターンに対する前記第２の圧力変動パターンの実行頻度を少なくすることを特徴とする請求項７から９のいずれか一項に記載された燃料電池システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
かかる課題を解決するために、本発明は、燃料電池の燃料極へ燃料ガスを供給するとともに、第１の圧力幅で圧力変動を行う状態と、第１の圧力幅よりも大きな第２の圧力幅で圧力変動を行う状態とで、燃料電池の燃料極における燃料ガスの圧力を変動させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
圧力変動に起因して燃料極に供給される水素の供給量を小さく設定する場合には、以下に示すように、基本制御パターンを修正する。第１の手法としては、図１１に示すように、水素調圧バルブ１１の開弁時間Ｔを、基本制御パターンのそれよりも長く設定する。換言すれば、圧力変動の実行周期を大きく設定するように、基本制御パターンが修正されることとなる。第２の手法としては、図１２に示すように、圧力制御パターンの差圧（圧力幅）ΔＰ１１，ΔＰ２１を、基本制御パターンにおける圧力制御パターンの差圧（圧力幅）ΔＰ１，ΔＰ２よりも小さく設定する。第３の手法としては、図１３に示すように、ガス攪拌に必要な圧力変動パターンに対する液水排出に必要な圧力変動パターンの実行頻度を、基本制御パターンのそれよりも少なく設定する。これに対して、圧力変動に起因して燃料極に供給される水素の供給量を大きく設定する場合には、第１から第３の手法をそれぞれ逆方向に制御すればよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
制御部４０は、変更した運転状態の状況に応じて、第１から第３の手法のいずれか一つ、あるいは、これらの組み合わせに基づいて、基本制御パターンを修正する。そして、制御部４０は、この修正された圧力制御パターンを現在の制御パターンとして設定する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
雌端子と、前記雌端子の接続位置まで挿入されて前記雌端子に電気的に接続し、前記接続位置から引き抜かれて前記雌端子から電気的に切断される雄端子とを備え、
前記雌端子は、
前記雄端子に電気的に接続可能なディンプルと、
前記ディンプルに対向して設けられ、前記ディンプル上に挿入される前記雄端子を前記ディンプル側に押圧する雄端子押圧バネと、
前記雄端子押圧バネの形状を変形させて前記雄端子押圧バネが前記雌端子内に位置した前記雄端子を押圧しない状態である非押圧状態と、前記雄端子押圧バネの形状を変形させて前記雄端子押圧バネが前記雌端子内に位置した前記雄端子を押圧する状態である押圧状態とに切り替える押圧切替部と
を有し、
前記押圧切替部は、
前記雄端子が前記接続位置まで挿入された場合に、前記雌端子へ前記雄端子を挿入する際に加える挿入力を利用して、前記非押圧状態を前記押圧状態に切り替え、
前記雄端子が前記接続位置から引き抜かれた場合に、前記雌端子から前記雄端子を引き抜く際に加える引抜力を利用して、前記押圧状態を前記非押圧状態に切り替える雄雌接続構造。
【請求項２】
前記押圧切替部は、前記雄端子が前記雌端子に挿入される前に前記雄端子押圧バネの端部を係止しているバネ挿入口と、前記バネ挿入口に隣接する位置で前記雄端子の先端部を係止する雄端子挿入口とを含み、
前記バネ挿入口は、前記雄端子挿入口に前記雄端子の先端部が係止され、前記雄端子が挿入される方向である挿入方向に沿って前記接続位置まで移動することにより、係止している前記雄端子押圧バネの端部を開放して前記非押圧状態を前記押圧状態に切り替える請求項１に記載の雄雌接続構造。
【請求項３】
前記バネ挿入口は、前記雄端子挿入口に前記雄端子の先端部が係止され、前記雄端子が引き抜かれる方向である引抜方向に沿って前記接続位置から離れる方向に移動することにより、開放している前記雄端子押圧バネの端部を前記バネ挿入口に係止して前記押圧状態を前記非押圧状態に切り替える請求項２に記載の雄雌接続構造。
【請求項４】
前記押圧切替部は、前記挿入方向及び前記引抜方向に沿って前記雄端子押圧バネに対して移動可能に設けられる請求項３に記載の雄雌接続構造。
【請求項５】
前記押圧切替部は、前記雄端子が前記雌端子に挿入されて前記雄端子挿入口に前記雄端子の前記先端部が係止された後、前記雄端子の前記挿入方向への移動に伴って前記接続位置に向かって移動し、
前記バネ挿入口は、前記雄端子の移動に伴って、係止している前記雄端子押圧バネの端部を前記接続位置において開放する請求項４に記載の雄雌接続構造。
【請求項６】
前記押圧切替部は、前記雄端子の前記引抜方向への移動に伴って移動し、
前記バネ挿入口は、前記雄端子の移動に伴って、前記接続位置から前記引抜方向側に離れた位置において前記雄端子押圧バネの端部を係止する請求項４に記載の雄雌接続構造。
【請求項７】
雌端子と、前記雌端子の接続位置まで挿入されて前記雌端子に電気的に接続し、前記接続位置から引き抜かれて前記雌端子から電気的に切断される雄端子とを備え、
前記雌端子は、
前記雄端子に電気的に接続可能なディンプルと、
前記ディンプルに対向して設けられ、前記ディンプル上に挿入される前記雄端子を前記ディンプル側に押圧する雄端子押圧バネと、
前記雄端子押圧バネの形状を変形させて前記雄端子押圧バネが前記雌端子内に位置した 前記雄端子を押圧しない状態である非押圧状態と、前記雄端子押圧バネの形状を変形させて前記雄端子押圧バネが前記雌端子内に位置した前記雄端子を押圧する状態である押圧状態とに、前記雌端子の長手方向に沿って移動させることで切り替える押圧切替部と
を有し、
前記押圧切替部は、前記雄端子が前記雌端子に挿入される前では、前記雄端子押圧バネの端部を係止しており、
前記雄端子が前記接続位置まで挿入された場合に、前記押圧切替部を前記雌端子の長手方向に沿って移動させることで、係止している前記雄端子押圧バネの端部を開放して、前記非押圧状態を前記押圧状態に切り替える雄雌接続構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、上記雄雌接続構造は、押圧切替部は、雄端子の引抜方向への移動に伴って移動し、バネ挿入口は、雄端子の移動に伴って、接続位置から引抜方向側に離れた位置において雄端子押圧バネの端部を係止してもよい。
また、本発明は、上記目的を達成するため、雌端子と、前記雌端子の接続位置まで挿入されて前記雌端子に電気的に接続し、前記接続位置から引き抜かれて前記雌端子から電気的に切断される雄端子とを備え、前記雌端子は、前記雄端子に電気的に接続可能なディンプルと、前記ディンプルに対向して設けられ、前記ディンプル上に挿入される前記雄端子を前記ディンプル側に押圧する雄端子押圧バネと、前記雄端子押圧バネの形状を変形させて前記雄端子押圧バネが前記雌端子内に位置した前記雄端子を押圧しない状態である非押圧状態と、前記雄端子押圧バネの形状を変形させて前記雄端子押圧バネが前記雌端子内に位置した前記雄端子を押圧する状態である押圧状態とに、前記雌端子の長手方向に沿って移動させることで切り替える押圧切替部とを有し、前記押圧切替部は、前記雄端子が前記雌端子に挿入される前では前記雄端子押圧バネの端部を係止しており、前記雄端子が前記接続位置まで挿入された場合に、前記押圧切替部を前記雌端子の長手方向に沿って移動させることで、係止している前記雄端子押圧バネの端部を開放して、前記非押圧状態を前記押圧状態に切り替える雄雌接続構造が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月21日(2011.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも塩素とクリプトンを含むガスが封入される放電容器と、
前記放電容器の軸方向に沿って配置される電極とを備え、
前記塩素の濃度をＭ（％）、前記ガスの封入圧力をＰ（ｋＰａ）とするとき、
塩素濃度、ガスの封入圧力（Ｍ、Ｐ）は、（０．５，７）、（０．５，１３）、（１，２０）、（２，３３）、（２，７）を頂点とする領域内の値に定められることを特徴とする放電ランプ。
【請求項２】
少なくとも塩素とクリプトンを含むガスが封入される放電容器と、
前記放電容器の軸方向に沿って配置される電極対を備え、
前記塩素の濃度をＭ（％）、前記ガスの封入圧力をＰ（ｋＰａ）とするとき、
塩素濃度Ｍ、ガス圧力Ｐは、以下の式をみたすことを特徴とする放電ランプ。
７≦Ｐ≦１３Ｍ＋７    （１．０≦Ｍ≦２．０）
７≦Ｐ≦１４Ｍ＋６    （０．５≦Ｍ≦１．０）
【請求項３】
塩素濃度Ｍ（％）が０．５〜１．０の範囲にあり、ガスの封入圧力Ｐ（ｋＰａ）が１３〜２０の範囲にあることを特徴とする請求項１乃至２のいずれかに記載の放電ランプ。
【請求項４】
前記放電容器が、筒状内管の外周面に筒状外管を溶着させることによって一体化させた単管状放電容器であり、
少なくとも一方の電極が、前記内管の外周面に配置されて前記放電容器の管壁内に埋め込まれていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の放電ランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月20日(2011.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電ガスが封入される内管と、
前記内管の外周面に沿って配置される電極と、
前記内管の外周面と溶着する外管と、
前記外管を前記内管に溶着させるときに前記電極と係合して前記電極の移動を制限する係合部とを備え、
前記内管と前記外管との溶着によって一体的な単管状放電容器が形成されていることを特徴とするエキシマランプ。
【請求項２】
前記係合部が、溶着時に前記内管の周方向に沿った前記電極の移動を少なくとも防止することを特徴とする請求項１に記載のエキシマランプ。
【請求項３】
前記係合部が、前記外管と前記内管の溶着部分に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のエキシマランプ。
【請求項４】
前記係合部が、ランプ軸方向に沿った電極側面と係合することを特徴とする請求項３に記載のエキシマランプ。
【請求項５】
前記係合部が、前記内管の外周面から突出する凸部を有することを特徴とする請求項３に記載のエキシマランプ。
【請求項６】
前記係合部が、前記内管および前記外管と溶着することを特徴とする請求項３乃至５のいずれかに記載のエキシマランプ。
【請求項７】
前記内管のランプ軸方向端部に給電線を固定する止め部材をさらに有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のエキシマランプ。
【請求項８】
前記電極が、軸方向に沿って対向配置される一対の帯状金属箔を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のエキシマランプ。
【請求項９】
前記放電容器内で、誘電体バリア放電もしくは容量結合型高周波放電によってエキシマ分子が形成されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のエキシマランプ。
【請求項１０】
外管と内管とを溶着させて一体的な単管状の放電容器を成形するエキシマランプの製造方法であって、
前記内管の外周面に、電極と係合するように係合部を形成し、
前記係合部と係合させた状態で電極を前記内管の外周面に設置し、
前記内管を前記外管内部に挿入した後、前記内管および前記外管を回転させながら前記外管を加熱縮径させることを特徴とするエキシマランプの製造方法。
【請求項１１】
内管の外周面に沿って配置される電極と、
前記内管の外周面と溶着する外管と、
前記外管を前記内管に溶着させるときに前記電極と係合して前記電極の移動を制限する係合部とを備え、
前記内管と前記外管との溶着によって一体的な放電容器が形成されていることを特徴とするエキシマランプ用放電容器。
【請求項１２】
外管と内管とを溶着させて一体的な放電容器を成形するエキシマランプの製造方法であって、
前記内管の外周面に、電極と係合するように係合部を形成し、
前記係合部と係合させた状態で電極を前記内管の外周面に設置し、
前記内管を前記外管内部に挿入した後、前記内管および前記外管を回転させながら前記外管を加熱縮径させることを特徴とするエキシマランプ用放電容器の製造方法。