【手続補正書】
【提出日】平成23年1月6日(2011.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と配線層とを複数層に積層した積層体として形成された多層配線基板であって、
前記積層体の一方の面が半導体素子の搭載面、他方の面が外部接続端子の接合面として形成され、
前記外部接続端子の接合面を有する絶縁層が、ガラスクロスを含む絶縁層として形成され、
前記外部接続端子の接合面を有する絶縁層に積層される他の絶縁層が、ガラスクロスを含まない絶縁層として形成され、
前記ガラスクロスを含む絶縁層には、外部接続端子用パッドと、該外部接続端子用パッドと電気的に接続され、厚さ方向に貫通するビアが形成され、
前記外部接続用パッドは、前記ガラスクロスを含む絶縁層から露出されており、
前記ガラスクロスを含む絶縁層は、前記他の絶縁層に比べて厚く形成されていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記ガラスクロスを含む絶縁層は、前記半導体素子の搭載面側に位置する一方の面とガラスクロスとのクリアランスが１０μｍ以上に設けられていることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項３】
各配線層の配線面積比率は、前記ガラスクロスを含む絶縁層に形成された前記外部接続端子用パッドを含む配線層が最も低いことを特徴とする請求項１または２記載の多層配線基板。
【請求項４】
絶縁層と配線層とを複数層に積層した積層体として形成された多層配線基板であって、
前記積層体の一方の面が半導体素子の搭載面、他方の面が外部接続端子の接合面として形成され、
少なくとも一つの絶縁層が、ガラスクロスを含む絶縁層として形成され、
前記外部接続端子の接合面を有する絶縁層には、外部接続端子用パッドと、該外部接続端子用パッドと電気的に接続され、厚さ方向に貫通するビアが形成され、
前記外部接続用パッドは、前記外部接続端子の接合面を有する絶縁層から露出されており、
前記ガラスクロスを含む絶縁層は、ガラスクロスを含まない絶縁層に比べて厚く形成されていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項５】
前記ガラスクロスを含む絶縁層は、前記半導体素子の搭載面側に位置する一方の面とガラスクロスとのクリアランスが１０μｍ以上に設けられていることを特徴とする請求項４記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記ガラスクロスを含む絶縁層の厚さが５０μｍ以上に設けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の多層配線基板。
【請求項７】
支持金属板上に、外部接続端子が接合されるパッドを備えた配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターンが形成された支持金属板上に、少なくとも一つの絶縁層についてはガラスクロス入りの樹脂材によって形成される絶縁層を層間に介して前記配線パターンと電気的に接続する配線層を積層してビルドアップ層を形成する工程と、
前記ビルドアップ層を保持する支持金属板を選択的にエッチングして除去する工程と、
を備えることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記ビルドアップ層を形成する工程において、
前記ガラスクロス入りの樹脂材によって形成する絶縁層の厚さを５０μｍ以上に設定することを特徴とする請求項７記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記ビルドアップ層を形成する工程において、
前記支持金属板に接して形成される第１の絶縁層をガラスクロス入りの樹脂材によって形成することを特徴とする請求項７または８記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記支持金属板上に配線パターンを形成する工程において、
前記支持金属板上にレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして前記支持金属板を給電層とする電解めっきにより前記配線パターンを形成することを特徴とする請求項７〜９のいずれか一項記載の多層配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は次の構成を備える。
すなわち、絶縁層と配線層とを複数層に積層した積層体として形成された多層配線基板であって、前記積層体の一方の面が半導体素子の搭載面、他方の面が外部接続端子の接合面として形成され、前記外部接続端子の接合面を有する絶縁層が、ガラスクロスを含む絶縁層として形成され、前記外部接続端子の接合面を有する絶縁層に積層される他の絶縁層が、ガラスクロスを含まない絶縁層として形成され、前記ガラスクロスを含む絶縁層には、外部接続端子用パッドと、該外部接続端子用パッドと電気的に接続され、厚さ方向に貫通するビアが形成され、前記外部接続用パッドは、前記ガラスクロスを含む絶縁層から露出されており、前記ガラスクロスを含む絶縁層は、前記他の絶縁層に比べて厚く形成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、前記ガラスクロスを含む絶縁層の厚さが、５０μｍ以上に設けられていることにより、絶縁層の表面にガラスクロスが露出することを防止し、配線パターンを高精度に形成することができ、所要の強度を備えた多層配線基板として提供することができる。
また、前記ガラスクロスを含む絶縁層は、前記半導体素子の搭載面側に位置する一方の面とガラスクロスとのクリアランスが１０μｍ以上に設けられていることにより、配線パターンを微細パターンとして高精度に形成することを可能にする。
また、各配線層の配線面積比率は、前記ガラスクロスを含む絶縁層に形成された前記外部接続端子用パッドを含む配線層が最も低いことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、絶縁層と配線層とを複数層に積層した積層体として形成された多層配線基板であって、前記積層体の一方の面が半導体素子の搭載面、他方の面が外部接続端子の接合面として形成され、少なくとも一つの絶縁層が、ガラスクロスを含む絶縁層として形成され、前記外部接続端子の接合面を有する絶縁層には、外部接続端子用パッドと、該外部接続端子用パッドと電気的に接続され、厚さ方向に貫通するビアが形成され、前記外部接続用パッドは、前記外部接続端子の接合面を有する絶縁層から露出されており、前記ガラスクロスを含む絶縁層は、ガラスクロスを含まない絶縁層に比べて厚く形成されていることを特徴とする。また、前記各々の絶縁層が、ガラスクロスを含む絶縁層として形成され、前記ガラスクロスを含む絶縁層は、前記半導体素子の搭載面側に位置する一方の面とガラスクロスとのクリアランスが１０μｍ以上に設けられていることを特徴とする。この多層配線基板によれば、多層配線基板として所要の強度を備えることができ、配線パターンを微細なパターンに高精度に形成することができる。
また、前記各々の絶縁層の厚さが５０μｍ以上に設けられていることにより、絶縁層の表面にガラスクロスが露出することを防止し、高精度に配線パターンを形成することを可能にする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、多層配線基板の製造方法として、支持金属板上に、外部接続端子が接合されるパッドを備えた配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンが形成された支持金属板上に、少なくとも一つの絶縁層についてはガラスクロス入りの樹脂材によって形成される絶縁層を層間に介して前記配線パターンと電気的に接続する配線層を積層してビルドアップ層を形成する工程と、前記ビルドアップ層を保持する支持金属板を選択的にエッチングして除去する工程と、を備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図２には、参考に、第１の絶縁層１１としてガラスクロスを含有しない樹脂材を使用して多層配線基板を形成した場合（GC無し）の測定結果を示した。このガラスクロスを含有しない樹脂材を使用した場合は、反り量が０．１９ｍｍ程度となり、第１の絶縁層１１の厚さを６０μｍとした場合よりも反り量は小さくなった。第１の絶縁層１１にガラスクロスを含有しない樹脂材を使用することによって多層配線基板の反り量が抑えられたのは、多層配線基板を構成する絶縁層の材質が均質となることにより、多層配線基板全体としての応力がバランスされたためと考えられる。
ただし、絶縁層にガラスクロスを使用しない場合は、多層配線基板の保形性が劣るため半導体素子を搭載する多層配線基板としての実用には適さない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
なお、第１の絶縁層１１、第２の絶縁層１２、第３の絶縁層１３の少なくとも一つの絶縁層をガラスクロス入りの絶縁層として形成することもできる。この場合は、第１の配線パターン１４を形成した支持金属板３０ａ、３０ｂ上に配線層を積層してビルドアップ層を形成する際に、ガラスクロス入りの絶縁層については、ガラスクロス入りの樹脂フィルム（樹脂材）を使用すればよい。