【手続補正書】
【提出日】平成23年8月10日(2011.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のローディングゾーンと第２のローディングゾーンとに接続された処理ゾーンを形成するチャンバ本体と、
上記処理ゾーンを上記第１のローディングゾーン及び上記第２のローディングゾーンから選択的に分離するための第１及び第２のドアと、
基板を支持するように構成された第１の基板支持体と、
基板を支持するように構成された第２の基板支持体と、
上記第１の基板支持体及び上記第２の基板支持体に結合されるシャトルであって、
上記シャトルは、上記第１のドアを通って、上記処理ゾーンと上記第１のローディングゾーンとの間で上記第１の基板支持体を移動させるように構成され、且つ、上記第２のドアを通って、上記処理ゾーンと上記第２のローディングゾーンとの間で上記第２の基板支持体を移動させるように構成されたシャトルと、
を備え、
上記処理ゾーンは、上記第１の基板支持体及び上記第２の基板支持体を交互に収容するように構成された処理空間を有している、
半導体処理チャンバ。
【請求項２】
上記シャトルは、第１の位置と、第２の位置とを有しており、上記シャトルが上記第１の位置にある時には、上記第１の基板支持体は上記第１のローディングゾーンにあり且つ上記第２の基板支持体は上記処理ゾーンにあり、上記シャトルが上記第２の位置にある時には、上記第１の基板支持体は上記処理ゾーンにあり且つ上記第２の基板支持体は上記第２のローディングゾーンにある、請求項１に記載の半導体処理チャンバ。
【請求項３】
上記処理ゾーンに配設され、アニール領域へエネルギーを投射するように構成されたエネルギー源を更に備え、上記第１の基板支持体及び上記第２の基板支持体は、基板の望ましい部分を上記アニール領域と整列させるように構成されている、請求項１又は請求項２に記載の半導体処理チャンバ。
【請求項４】
上記第１の基板支持体及び上記第２の基板支持体の各々は、
基板を固定するように構成された基板チャックと、
上記基板チャックを第１の方向に沿って並進移動させるように構成された第１のステージと、
上記基板チャックを第２の方向に沿って並進移動させるように構成された第２のステージと、
上記基板チャックを上記基板チャックの中心軸の周りに回転させるように構成された回転機構と、
を備える、請求項３に記載の半導体処理チャンバ。
【請求項５】
上記第１の基板支持体及び上記第２の基板支持体の各々は、更に、上記基板チャックに配置された基板を加熱又は冷却するように構成された温度制御アセンブリを備える、請求項４に記載の半導体処理チャンバ。
【請求項６】
上記エネルギー源は、パルス化レーザエネルギーを投射するように構成されている、請求項３乃至請求項５のいずれかに記載の半導体処理チャンバ。
【請求項７】
処理ゾーン、第１のローディングゾーン及び第２のローディングゾーンを有する処理チャンバと、
上記処理ゾーンを上記第１のローディングゾーン及び上記第２のローディングゾーンから選択的に分離するための複数のドアと、
上記第１のローディングゾーンと上記処理ゾーンとの間で基板を支持して移送するように構成された第１の基板支持アセンブリと、
上記第２のローディングゾーンと上記処理ゾーンとの間で基板を支持して移送するように構成された第２の基板支持アセンブリと、
上記第１の基板支持アセンブリ及び上記第２の基板支持アセンブリを上記処理ゾーンに交互に配置するように構成されたシャトルと、
上記処理ゾーンにおけるアニール領域へエネルギーを投射するように構成されたエネルギー源と、
を備えるアニールシステム。
【請求項８】
上記第１のローディングゾーン及び上記第２のローディングゾーンは、上記処理ゾーンの互いに反対側に配置されており、上記シャトルは、第１の位置及び第２の位置を有しており、上記シャトルが上記第１の位置にある時には、上記第１の基板支持アセンブリは上記第１のローディングゾーンにあり且つ上記第２の基板支持アセンブリは上記処理ゾーンにあり、上記シャトルが上記第２の位置にある時には、上記第１の基板支持アセンブリは上記処理ゾーンにあり且つ上記第２の基板支持アセンブリは上記第２のローディングゾーンにある、請求項７に記載のアニールシステム。
【請求項９】
上記第１の基板支持アセンブリ及び上記第２の基板支持アセンブリの各々は、
基板を固定するように構成された基板チャックと、
上記基板チャックを第１の方向に沿って並進移動させるように構成された第１のステージと、
上記基板チャックを第２の方向に沿って並進移動させるように構成された第２のステージと、
上記基板チャックを上記基板チャックの中心軸の周りに回転させるように構成された回転機構と、
を備える、請求項７又は請求項８に記載のアニールシステム。
【請求項１０】
上記第１の基板支持アセンブリ及び上記第２の基板支持アセンブリの各々は、更に、上記基板チャックに配置された基板を加熱又は冷却するように構成された温度制御アセンブリを備える、請求項９に記載のアニールシステム。
【請求項１１】
半導体基板を処理するための方法において、
第１のローディングゾーンに配置された第１の基板支持アセンブリに第１の基板をローディングするステップと、
上記第１のローディングゾーンにおいて上記第１の基板を予熱するステップと、
第１のドアを通って上記第１の基板支持アセンブリを上記処理ゾーンへ移動させて、上記第１の基板を処理ゾーンに配置するステップと、
上記処理ゾーンに配置された第２の基板支持アセンブリを、第２のドアを通って、第２のローディングゾーンに配置するステップと、
上記第１の基板の第１の領域を上記処理ゾーンに配設されたエネルギー源のアニール領域と整列させるステップと、
上記処理ゾーンと第１のローディングゾーンとの間の上記第１のドア、及び、上記処理ゾーンと第２のローディングゾーンとの間の上記第２のドアを、閉鎖し密閉することによって、上記第１及び第２のローディングゾーンから上記処理ゾーンが流体的に分離されるようにするステップと、
上記エネルギー源を使用して上記第１の基板の上記第１の領域へパルス化エネルギーを投射するステップと、
を備えた方法。
【請求項１２】
上記第１の基板の第２の領域を上記エネルギー源の上記アニール領域と整列させるステップと、
上記エネルギー源を使用して上記第１の基板の上記第２の領域へパルス化エネルギーを投射するステップと、
を更に備えた、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
上記第１の基板を上記エネルギー源と整列させ上記第１の基板へパルス化エネルギーを投射している時に、上記第２のローディングゾーンに配置された上記第２の基板支持アセンブリに上記第２の基板をロードし上記第２の基板を予熱するステップと、
上記第１の基板支持アセンブリを上記処理ゾーンから上記第１のローディングゾーンへと移動させることにより、上記第１のドアを通って上記第１の基板を上記処理ゾーンから上記第１のローディングゾーンへと移動させ、同時に、上記第２のドアを通って上記第２の基板支持アセンブリを上記処理ゾーンへと移動させることにより、上記第２の基板を上記処理ゾーンに配置するステップと、
を更に備えた、請求項１１又は請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
上記第１の基板の上記第１の領域を上記アニール領域と整列させるステップは、
上記第１の基板支持アセンブリに配置された第１のステージを使用して第１の方向に沿って上記第１の基板を並進移動させる段階と、
上記第１の基板支持アセンブリに配置された第２のステージを使用して第２の方向に沿って上記第１の基板を並進移動させる段階と、
を含む、請求項１１乃至請求項１３のいずれかに記載の方法。