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【手続補正書】
【提出日】平成21年1月8日(2009.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水蒸気透過性複合シートであって：
二つの対向する表面を有し、０重量パーセント〜９５重量パーセントの間の合成熱可塑性繊維、および１００重量パーセント〜５重量パーセントの間の吸収性繊維を含んでなる、吸収性繊維質不織層、
二つの対向する表面を有する撥液性不織層であって、撥液性不織層は、撥液性組成物を含んでなる合成繊維を含んでなる撥液性不織層、および
前記撥液性不織層と前記吸収性不織層との間に挟まれている、厚み２５マイクロメートル以下の、非多孔性で、液体不浸透性で、水蒸気透過性のフィルム層、
を含んでなる水蒸気透過性複合シート。
【請求項２】
水蒸気透過性複合シートであって：
二つの対向する表面を有するステープルファイバーの吸収性繊維質不織層、および
二つの対向する表面を有する撥液性不織層であって、撥液性不織層は、撥液性組成物を含んでなる合成繊維を含んでなる撥液性不織層、および
前記撥液性不織層と前記吸収性不織層との間に挟まれている、厚み２５マイクロメートル以下の、非多孔性で、液体不浸透性で、水蒸気透過性のフィルム層、
を含んでなる水蒸気透過性複合シート。
【請求項３】
水蒸気透過性複合シートであって：
二つの対向する表面を有する吸収性繊維質不織層、および
厚み２５マイクロメートル以下の、非多孔性で、液体不浸透性で、水蒸気透過性のフィルム層、
を含んでなる複合シート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
表２のデータから、本発明による撥液性層および吸収性層を用いた複合材料積層物が、市販されている複合材料積層物に比較して、撥液性、吸収性および帯電防止性、さらにはバリヤー性および通気性を示すことが判る。同様にして、本発明の実施例１〜１２は、同様のタイプのフィルム層を有する積層物の、比較例サンプルＥおよびＦに比較して、バリヤー性を維持しながら、より良好なＭＶＴＲ数を有している。比較例サンプルＣ、ＤおよびＥは、内側不織層の吸収性がない。比較例サンプルＣ、Ｄ、およびＦは、そのトップ層に撥液性がない。
次に、本発明の好ましい態様を示す。
１．水蒸気透過性複合シートであって：
二つの対向する表面を有し、０重量パーセント〜９５重量パーセントの間の合成熱可塑性繊維、および１００重量パーセント〜５重量パーセントの間の吸収性繊維を含んでなる、吸収性繊維質不織層、
二つの対向する表面を有する撥液性不織層であって、撥液性不織層は、撥液性組成物を含んでなる合成繊維を含んでなる撥液性不織層、および
前記撥液性不織層と前記吸収性不織層との間に挟まれている、厚み２５マイクロメートル以下の、非多孔性で、液体不浸透性で、水蒸気透過性のフィルム層、
を含んでなる水蒸気透過性複合シート。
２．前記吸収性繊維質不織層が、３０重量パーセント〜７０重量パーセントの間の合成熱可塑性繊維、および７０重量パーセント〜３０重量パーセントの間の吸収性繊維を含んでなる上記１に記載の水蒸気透過性複合シート。
３．前記吸収性繊維質不織層が、ポリ（エチレンテレフタレート）、ポリ（トリメチレンテレフタレート）、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびポリアミドよりなる群から選択される熱可塑性合成繊維を含んでなる上記１に記載の水蒸気透過性複合シート。
４．前記吸収性繊維質不織層が、天然セルロース系繊維、再生セルロース系繊維、吸収性合成繊維、動物性繊維、およびそれらのブレンド物よりなる群から選択される吸収性繊維を含んでなる上記１に記載の水蒸気透過性複合シート。
５．前記水蒸気透過性フィルム層が、前記吸収性不織層の一つの表面の上に押出し成形されることにより形成され、前記撥液性不織層の一つの表面が、中間接着剤層によって前記水蒸気透過性フィルム層に接着される上記１に記載の水蒸気透過性複合シート。
６．前記水蒸気透過性フィルム層が、ブロックポリエーテルエステルコポリマー、ポリエーテルアミドコポリマー、ポリウレタンコポリマー、ポリ（エーテルイミド）エステルコポリマー、ポリビニルアルコール、およびそれらの組合せよりなる群から選択される上記１に記載の水蒸気透過性複合シート。
７．水蒸気透過性複合シートであって：
二つの対向する表面を有するステープルファイバーの吸収性繊維質不織層、および
二つの対向する表面を有する撥液性不織層であって、撥液性不織層は、撥液性組成物を含んでなる合成繊維を含んでなる撥液性不織層、および
前記撥液性不織層と前記吸収性不織層との間に挟まれている、厚み２５マイクロメートル以下の、非多孔性で、液体不浸透性で、水蒸気透過性のフィルム層、
を含んでなる水蒸気透過性複合シート。
８．前記吸収性繊維質不織層が粉末接着されている上記７に記載の水蒸気透過性複合シート。
９．前記吸収性繊維質不織層が水流交絡されている上記１に記載の水蒸気透過性複合シート。
１０．水蒸気透過性複合シートであって：
二つの対向する表面を有する吸収性繊維質不織層、および
厚み２５マイクロメートル以下の、非多孔性で、液体不浸透性で、水蒸気透過性のフィルム層、
を含んでなる複合シート。
１１．前記吸収性繊維質不織層が、０重量パーセント〜９５重量パーセントの間の合成熱可塑性繊維、および１００重量パーセント〜５重量パーセントの間の吸収性繊維を含んでなる上記１０に記載の複合シート。
１２．前記熱可塑性合成繊維が、ポリ（エチレンテレフタレート）、ポリ（トリメチレンテレフタレート）、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびポリアミドならびにそれらのブレンド物よりなる群から選択される上記１１に記載の複合シート。
１３．前記吸収性繊維が、天然セルロース系繊維、再生セルロース系繊維、吸収性合成繊維、動物性繊維、およびそれらのブレンド物よりなる群から選択される上記１１に記載の複合シート。
１３．前記吸収性繊維質不織層が粉末接着されている上記１０に記載の水蒸気透過性複合シート。
１４．前記吸収性繊維質不織層が水流交絡されている上記７に記載の水蒸気透過性複合シート。
１５．前記フィルム層が、ブロックポリエーテルエステルコポリマー、ポリエーテルアミドコポリマー、ポリウレタンコポリマー、ポリ（エーテルイミド）エステルコポリマー、ポリビニルアルコール、およびそれらの組合せよりなる群から選択される組成物でできている上記１０に記載の複合シート。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月22日(2008.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホーンとアンビルとの間にギャップが形成されるように、前記ホーンを前記アンビルに近接させて位置決めするステップと、
前記ホーンを前記アンビルに向けて付勢するように、前記ホーンに付勢力を加えるステップと、
前記付勢力を加えることにより、前記ホーンに作動的に接続された部材が変形可能な止め具に当接して前記止め具を変形するような場所に、前記変形可能な止め具を位置決めするステップと、
前記変形可能な止め具の変形の程度を調節しかつ前記ホーンと前記アンビルとの間のギャップを実質一定に維持すべく、前記ホーンの動作中に前記付勢力を繰り返し調節するステップと、を含み、
前記ギャップが前記ホーンの共振周波数に基づいて監視される、方法。
【請求項２】
前記ホーンと前記アンビルとの間のギャップに基づいて、前記調節された付勢力を計算するステップをさらに含み、
前記調節された付勢力が、前記変形可能な止め具の剛性にさらに基づいたものである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ホーンの温度に基づいて、前記ホーンと前記アンビルとの間のギャップを監視するステップをさらに含み、
前記ホーンに前記付勢力を加えるステップが、前記部材に作動的に接続されたブラダを膨張させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ホーンと前記アンビルとの間のギャップに基づいて、前記調節された付勢力と既知の関係にある量を決定するステップをさらに含み、
前記調節された付勢力と既知の関係にある量を決定するステップが、前記ギャップに対応する前記調節された付勢力を得るために表にアクセスすること、又は、前記ギャップに対応する制御信号値を得るために表にアクセスすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
並進部材および固定された弾性変形可能な止め具を含むマウントと、
超音波エネルギー源に連結され、前記並進部材に作動的に接続されたホーンと、
ギャップの分だけ前記ホーンから分離されたアンビルと、
前記ホーンを前記アンビルに向けて付勢するとともに、前記ホーンと前記アンビルとの間のギャップがシステムの動作中に実質一定に維持されるように、前記ホーンに作動的に連結された部材が前記弾性変形可能な止め具に当接してさまざまな程度に前記弾性変形可能な止め具を変形するように構成された力アプリケータと、を含むシステムであって、
前記ギャップが前記ホーンの共振周波数に基づいて監視される、システム。
【請求項６】
前記力アプリケータが、前記部材に作動的に接続された膨張可能なブラダを含み、
前記弾性変形可能な止め具が鋼製部材を含む、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記力アプリケータが制御信号に応答する力を加え、前記システムが前記制御信号を前記力アプリケータに送り出すように構成されたコントローラをさらに含み、
前記コントローラがプロセッサおよびメモリを含み、前記メモリが命令セットを格納し、
前記命令セットが実行されたときに前記プロセッサが、
前記ホーンの長さの変化を決定することと、
前記長さの変化に基づいて、前記ホーンと前記アンビルとの間のギャップを決定することと、
前記ギャップに基づいて、前記力アプリケータによって加えられる力を決定することとを実行する、請求項５に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月17日(2008.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
剛性マウントシステムによって基準から所与の距離に固定された固定部分を有する振動本体と、前記基準との間のギャップを監視する方法であって、
前記振動本体の共振周波数を検出するステップと、
前記振動本体の共振周波数を受信するステップと、
前記共振周波数に基づいて、前記ギャップの長さの近似変化と既知の関係にある量を決定するステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記振動本体は複合体であるとともに、コンバータ、ブースタおよび超音波ホーンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ギャップの長さを実質一定に維持するように、前記振動本体の前記固定部分と前記基準との間の所与の距離を調節するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記振動本体の共振周波数に基づいて、前記振動本体の前記固定部分と前記基準との間の所与の距離を調節するステップをさらに含み、
前記振動本体の前記固定部分と前記基準との間の所与の距離が、前記振動本体の共振周波数から生じた制御信号に基づいて調節される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
超音波エネルギーをワークピースに加えるシステムであって、
コンバータ、ブースタおよびホーンを含むホーンスタックと、
前記ホーンスタックが取り付けられるマウントシステムと、
前記ホーンスタックに連結されたエネルギー源と、
前記ワークピースを支持する表面を有するアンビルと、
前記ホーンスタックの共振周波数を受信し、前記ホーンスタックと前記アンビルとの間のギャップの変化と既知の関係にある量を決定するように構成されたコントローラと、を含むシステム。
【請求項６】
前記マウントシステムが、実質的に前記ホーンスタックの節点において前記ホーンスタックと係合する、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記システムの動作中、前記ホーンスタックと前記アンビルとの間のギャップを実質一定に維持するように、前記ホーンスタックの位置を調節するための、前記ホーンスタックに連結された位置調節システムをさらに含む、請求項５に記載のシステム。
【請求項８】
前記ホーンスタックの共振周波数に基づいて、前記ホーンスタックの位置を調節するための、前記ホーンスタックに連結された位置調節システムをさらに含む、請求項５に記載のシステム。
【請求項９】
前記ホーンスタックの共振周波数から発生する制御信号に基づいて、前記ホーンスタックの位置を調節するための、前記ホーンスタックに連結された位置調節システムをさらに含む、請求項５に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月18日(2008.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の軸を有する回転可能なツールロール（４２）と、
前記回転可能なツールロールが第１の軸を中心に回転可能であるように、さらに前記回転可能なツールロールが２つの追加自由度のみを有するように、前記回転可能なツールロールを支持する装着システム（１００／３００）とを備える、不定長のウェブと接触する装置であって、
第１の追加自由度が、前記第１の軸に垂直な方向での並進移動であり、
第２の追加自由度が、前記第１の軸および前記第１の追加自由度の方向の両方に垂直である第２の軸を中心とする回転移動である、
装置。
【請求項２】
前記装着システム（１００／３００）が、
各々が支持面を有するとともに内部にスロットを有する２つの側板（１７）を備えたフレームと、
前記ツールロール（４２）が回転自在であるように、各々が前記ツールロールに係合するように構成された１対の支持要素（３２）とを備え、
各支持要素が、
前記スロットのうちの１つ（１７Ａ）に摺動可能に係合しているスライド部と、
前記支持面に係合している湾曲面を有する支持部（３８）とを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記装着システムが、
２つの側板を有するフレームと、
前記ツールロールが回転自在であるように、各々が前記ツールロールに係合するように構成された１対の支持要素と、
少なくとも２対のリーフスプリング（Ｍ１３）とを備え、
前記リーフスプリングの一方の対は、前記支持要素の一方及び前記側板の一方に取り付けられ、前記リーフスプリングの他方の対は、前記支持要素の他方及び前記側板の他方に取り付けられる、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記装着システムに隣接して装着されたアンビルロール（２１）と、
前記ツールロール（４２）を前記アンビルロールに向けて付勢するように、前記装着システムに力を印加するように配置された力発生装置（６１）とをさらに備え、
前記力発生装置が、空気ベローズ（６１）、リニアアクチュエータ、空気圧シリンダおよび油圧シリンダからなる群から選択される、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記第２の追加自由度内の最大移動量を制限する歯車付き７節リンク機構（６２−６７）をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記ツールロールが超音波溶接ホーンであり、
前記装置が、
前記ツールロールに結合された超音波エネルギー源と、
前記装着システムに隣接して装着されたアンビルと、
前記超音波エネルギーの周波数に基づいて信号を供給するように配置された周波数センサとをさらに備え、
前記力発生装置が、前記信号に基づいて所定の方法で前記アンビルと前記ツールロールとの間の距離を調整する、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
前記湾曲面が、円筒のセクタ又は球体のセクタである少なくとも１つの部分を有する、請求項２に記載の装置。
【請求項８】
前記装着システムに隣接して装着されたアンビル（２１）と、
前記アンビル上に装着された第１の対の軸受リング（２６）と、
第２の対の軸受リングとさらに備え、
前記第２の対の軸受リングの各々が前記支持要素のうちの１つに装着され、
前記第１の対の軸受リングの各々が、前記アンビルと前記ツールロールとの間の最小距離を制限するように、前記第２の対の軸受リングのうちの１つに接触可能である、請求項２に記載の装置。
【請求項９】
回転可能なツールロールを支持する装着システムを、前記回転可能なツールロールが第１の軸を中心に回転可能であるように、さらに前記回転可能なツールロールが２つの追加自由度のみを有するように設けるステップと、
第１の軸を有する回転可能なツールロールを前記装着システム内に装着するステップと、
ウェブを処理するために該ウェブを前記ツールロールに接触させるステップとを含む、不定長のウェブを処理する方法であって、
第１の追加自由度が、前記第１の軸に垂直な方向の並進移動であり、
第２の追加自由度が、前記第１の軸および前記第１の追加自由度の方向の両方に垂直である第２の軸を中心とする回転移動である、方法。
【請求項１０】
アンビルロールを前記ツールロールに隣接して配置するステップと、
超音波ホーンである前記ツールロールを超音波周波数で振動させるステップと、
前記第２の追加自由度内の最大移動量を制限する歯車付き７節リンク機構を設けるステップとをさらに含み、
前記接触させるステップが、前記ウェブを前記アンビルロールおよび前記ツールロールに同時に接触させることを含み、
前記装着システムが、
各々が支持面を有するとともに内部にスロットを有する２つの側板を有するフレームと、
前記ツールロールが回転自在であるように、各々が前記ツールロールに係合するように構成された１対の支持要素とを備え、
各支持要素が、
前記スロットのうちの１つに摺動可能に係合しているスライド部と、
前記支持面に係合している湾曲面を有する支持部とを備える、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月17日(2008.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨物品であって、
面積を有する第１の主面、第２の主面および前記第１の主面から前記第２の主面へと延在する複数の開口を有するオープンメッシュバッキングと、前記バッキングの前記第１の主面の少なくとも一部分に固定された研磨層であって、複数の直立して配向された研磨粒子および少なくとも１種のバインダーを含んでなる研磨層とを含んでなるスクリーン研磨材と、
前記オープンメッシュバッキングの前記第２の主面と関連する多孔性付着インターフェースであって、２部式の機械式係合システムのループ部分を含んでなり、かつ前記スクリーン研磨材と協同して前記研磨物品を貫通する粒子の流動を可能にする多孔性付着インターフェースと、
を含んでなる研磨物品。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月14日(2009.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つが溶接困難な材料を含む、またはそのような材料から作られる、少なくとも２つの、チューブのような要素１、２を接合する方法であって、
要素を一体に溶接する工程と、その後、溶接接合部３を断熱する工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記断熱工程が、断熱性を有するスリーブ４および／またはスリーブ８を配置し、前記溶接接合部３と、該溶接接合部により接合される前記要素１、２の前記溶接接合部に最も近接する領域とを覆うことを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記断熱工程が、前記要素の外部に対して溶接接合部に断熱材を与えるように、前記溶接接合部と前記要素１、２の前記領域とを取り囲むように、前記溶接接合部３の外側に前記スリーブ４を配置することを含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも前記溶接接合部により接合する領域が中空である、チューブのような要素１、２を接合する方法であって、
前記断熱工程は、前記要素の内部に対して溶接接合部に断熱材を与えるように、前記溶接接合部３と、溶接接合部に最も近接した、要素の前記領域とを覆うように、前記要素の内側に前記スリーブ８を配置することを含むことを特徴とする請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
スリーブ４が、セラミックスファイバのような耐火材料６を少なくとも部分的に充填され、例えば金属またはセラミックスで作られた、前記溶接接合部３の外側に配置する外側ジャケット５を含んで成ることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項６】
スリーブ８が、セラミックスファイバのような耐火材料１０により少なくとも部分的に取り囲まれ、例えば金属またはセラミックスで作られた、前記要素の内側に配置する内側ジャケット９を含んで成ることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
スリーブが、前記溶接接合部を覆うように配置する、少なくとも１つの空隙を含むことを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記スリーブ４および／または前記スリーブ８が、溶接接合部により接合される前記要素１、２の少なくとも１つに固定して取り付けられることを特徴とする請求項２〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
接合する、チューブのような前記要素１、２が中空である、請求項１〜８のいずれかに記載の方法であって、
要素１、２の少なくとも１つの１またはそれ以上の接合する端部に、前記要素の残りの部分の厚さと比較して、より厚い壁部７を設け、該より厚い壁部７に断熱材を取り付ける工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
より厚い壁部７に、断熱材４を支持するように、１またはそれ以上の耐荷重肩部のような耐荷重手段を設置する工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記スリーブ４が、支持リングのような支持手段により支持されることを特徴とする請求項２〜７に記載の方法。
【請求項１２】
前記断熱材４、８が、耐火材料またはセラミックス材料を含むことを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記断熱材４、８が、ケイ酸アルミニウムのような耐火ファイバを含むことを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記溶接困難な材料が、
Ｃ：最大０．０８ｗｔ％、
Ｓｉ：最大０．７ｗｔ％、
Ｃｒ：１０ｗｔ％〜２５ｗｔ％、
Ａｌ：１ｗｔ％〜１０ｗｔ％、
Ｍｏ：１．５ｗｔ％〜５ｗｔ％、
Ｍｎ：最大０．４ｗｔ％、
残部：Ｆｅおよび通常存在する不純物
を含有する合金のような、分散強化型合金を含むことを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
耐火材料またはセラミックス材料を含むことを特徴とする請求項２および請求項２を引用する請求項３〜１４のいずれかに記載の方法に用いるスリーブ。
【請求項１６】
ケイ酸アルミニウムのような耐火ファイバを含むことを特徴とする請求項２および請求項２を引用する請求項３〜１４のいずれかに記載の方法に用いるスリーブ。
【請求項１７】
セラミックスファイバのような耐火材料６が少なくとも部分的に充填され、例えば金属またはセラミックスで作られる外側ジャケット５を含んで成ることを特徴とする請求項３および請求項３を引用する請求項４〜１４のいずれかに記載の方法に用いるスリーブ。
【請求項１８】
セラミックスファイバのような耐火材料１０により、少なくとも部分的に取り囲まれ、例えば金属またはセラミックスから作られる内側ジャケット９を含んで成ることを特徴とする請求項４および請求項２を引用する請求項５〜１４のいずれかに記載の方法に用いるスリーブ。
【請求項１９】
空隙を少なくとも１つ備えることを特徴とする請求項２および請求項２を引用する請求項３〜１４のいずれかに記載の方法に用いるスリーブ。
【請求項２０】
請求項１〜１４のいずれかに記載の方法、または請求項１５〜１９のいずれかに記載のスリーブの腐食条件、または９００℃以上の温度のような高温での使用。
【請求項２１】
請求項１〜１４のいずれかに記載の方法、または請求項１５〜１９のいずれかに記載のスリーブの分解炉または熱交換器での使用。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月8日(2009.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層ガラスパネルを製造する方法であって、
第１のガラス層、
第１のポリマーフィルム、および
前記第１のガラス層と前記第１のポリマーフィルムとの間に配設された１以上の追加の層の第１セット、
を含む第１の積層を形成する工程；
第２のガラス層、
第２のポリマーフィルム、および
前記第２のガラス層と前記第２のポリマーフィルムとの間に配設された１以上の追加の層の第２セット、
を含む第２の積層を形成する工程；
前記第１の積層と前記第２の積層を互いに接触するように配設して第３の積層を形成する工程、ここで第１のポリマーフィルムと第２のポリマーフィルムは互いに接触して、ラミネーション後まで前記第１の積層と前記第２の積層とを互いに接触させたまま第３の積層として維持する；
前記第３の積層をラミネーションする工程；および
ラミネーション後、前記第３の積層を、前記第１のポリマーフィルムと前記第２のポリマーフィルムとの境界面で分離する工程；
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記１以上の追加の層の第１セットが、ポリ（ビニルブチラール）を含む第１のポリマーシートを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記１以上の追加の層の第２セットが、ポリ（ビニルブチラール）を含む第２のポリマーシートを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のポリマーシートおよび前記第２のポリマーシートが、それぞれ０．２〜３．０ｍｍの厚さを有する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のポリマーシートおよび前記第２のポリマーシートが、それぞれ０．２５〜１．０ｍｍの厚さを有する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のポリマーフィルムおよび前記第２のポリマーフィルムが、それぞれポリ（エチレンテレフタレート）を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のガラス層または前記第２のガラス層あるいは両方が、強化ガラス、熱処理されたガラス、またはソーラーガラスである、請求項３に記載の方法。
【請求項８】
前記第３の積層のラミネーションが、ニップロール非オートクレーブ法を使用することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のポリマーシートおよび前記第２のポリマーシートが、それぞれ０．３５重量％未満の湿気含有量を有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第３の積層のラミネーションが、真空バッグ非オートクレーブ法を使用することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１のポリマーシートおよび前記第２のポリマーシートが、それぞれ少なくとも０．２重量％の湿気含有量を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
多層ガラスパネルを製造する方法であって、
第１のガラス層、
第１のポリマーフィルム、
前記第１のガラス層と前記第１のポリマーフィルムとの間に配設された１以上の追加の層の第１セット、
第２のガラス層、
第２のポリマーフィルム、
前記第２のガラス層と前記第２のポリマーフィルムとの間に配設された１以上の追加の層の第２セット、
を含む積層を形成する工程、ここで前記第１のポリマーフィルムと前記第２のポリマーフィルムは互いに接触して、ラミネーション後まで前記積層をこの配置で維持する；
前記積層をラミネーションする工程；および
ラミネーション後、前記積層を、前記第１のポリマーフィルムと前記第２のポリマーフィルムとの境界面で分離する工程；
を含む、前記方法。
【請求項１３】
前記１以上の追加の層の第１セットが、ポリ（ビニルブチラール）を含む第１のポリマーシートを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記１以上の追加の層の第２セットが、ポリ（ビニルブチラール）を含む第２のポリマーシートを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１のポリマーシートおよび前記第２のポリマーシートが、それぞれ０．２〜３．０ｍｍの厚さを有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１のポリマーシートおよび前記第２のポリマーシートが、それぞれ０．２５〜１．０ｍｍの厚さを有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１のポリマーフィルムおよび前記第２のポリマーフィルムが、それぞれポリ（エチレンテレフタレート）を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１のガラス層または前記第２のガラス層あるいは両方が、強化ガラス、熱処理されたガラス、またはソーラーガラスである、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記積層のラミネーションが、ニップロール非オートクレーブ法を使用することを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１のポリマーシートおよび前記第２のポリマーシートが、それぞれ０．３５重量％未満の湿気含有量を有する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記積層のラミネーションが、真空バッグ非オートクレーブ法を使用することを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１のポリマーシートおよび前記第２のポリマーシートが、それぞれ少なくとも０．２重量％の湿気含有量を有する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
多層ガラスパネルを製造する方法であって、
第１のガラス層、
第１のポリマーフィルム、および
前記第１のガラス層と前記第１のポリマーフィルムとの間に配設された１以上の追加の層の第１セット、
を含む第１の積層を形成する工程；
第２のガラス層、
第２のポリマーフィルム、および
前記第２のガラス層と前記第２のポリマーフィルムとの間に配設された１以上の追加の層の第２セット、
を含む第２の積層を形成する工程；
前記第１の積層と前記第２の積層とを１以上の剥離フィルムと接触するように配設して第３の積層を形成する工程、ここで第１のポリマーフィルムと第２のポリマーフィルムは前記１以上の剥離フィルムと接触して、ラミネーション後まで前記第１の積層と前記第２の積層とを互いに接触させたまま第３の積層として維持する；
前記第３の積層をラミネーションする工程；および
ラミネーション後、前記第３の積層を、前記１以上の剥離フィルムで分離する工程；
を含む、前記方法。
【請求項２４】
多層ガラスパネルを製造する方法であって、
第１のガラス層、
第１のポリマーフィルム、
前記第１のガラス層と前記第１のポリマーフィルムとの間に配設された１以上の追加の層の第１セット、
前記第１のポリマーフィルム上に配設された第１のハードコート層、
第２のガラス層、
第２のポリマーフィルム、
前記第２のガラス層と前記第２のポリマーフィルムとの間に配設された１以上の追加の層の第２セット、
前記第２のポリマーフィルム上に配設された第２のハードコート層、
を含む積層を形成する工程、ここで前記第１のハードコート層と前記第２のハードコート層は互いに接触して、ラミネーション後まで前記積層をこの配置で維持する；
前記積層をラミネーションする工程；および
ラミネーション後、前記積層を、前記第１のハードコート層と第２のハードコート層との境界面で分離する工程；
を含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月13日(2009.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
イオン注入を行う間に、（イオン化した）化学種を基板の結晶格子内に送り込むと、格子内の被注入箇所が、通常は膨張もしくは拡大する。このようなやりかたで格子が過剰に膨張すると、被注入層内部に緊張が生じるのが普通である。したがって、過剰な緊張により被注入層が損傷する可能性がある。こうした損傷は、通常は被注入層内の転位もしくは亀裂として顕れる。こうした転位により、通常は、上質の合成ダイヤモンドの成長（例えば、CVDにより、欠陥もしくは転位が無いかまたはその程度が小さい、ダイヤモンドを製造すること）に関して好ましいとは云えない、基板の外表面が生成されてしまう。しかしながら、格子の膨張の仕方は数多のやりかたで制御可能であると、当業者に実際に確信されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
或る実施形態においては、さらにマスクと注入を用いて、円板様空孔のそれぞれの上に在るダイヤモンドを完全に剥がし、小型のレンズなどの構造物を形成できる。こうした構造物の厚さは、注入を行う高さを束縛条件として、望む侭に選ぶことができる。或る実施形態においては、レンズの厚さを約50μmとし、エタロンもしくは光フィルターの作成に使う。注入の深さと加熱を変更することに加えて、レーザー、およびレンズを剥がすための他の手法を使って、レンズを剥がすこともできる、ということに留意されたい。いくつかの実施形態においては、1μm未満の厚さを用いる。また、この厚さを、こうした構造物を含む光学装置の動作に望まれる波長の函数で決めることもできる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
さらなる用途として、整形用装置の性能を向上できる。人工の膝関節、股関節、肩関節、および肘関節を形成する球体関節（ball and socket）機構には、CVDダイヤモンドを選択的に被せることができ、あるいはいくつかの実施形態においては、CVDダイヤモンドでこうした機構全体をつくることもできる。さらなる装置（椎間円板置換物、螺子、歯床（plate）、結節など）を、ダイヤモンドで形成することも、またはCVDダイヤモンドで蔽うことも可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
さらなる実施形態においては、図１３に示したように、所望の厚さのダイヤモンド板1300 を使って、多孔質の膜を作成する。10nmからミクロン以上の大きさの孔 1310 を作成して、この孔の列により膜に所望の濾過特性を与えるようにすることができる。上述したようなマスクしたイオン注入および焼き鈍し、または蝕刻法によって、孔をつくることができる。ダイヤモンドは高い生体適合性を持つので、多様なin situ用途に使える。いくつかの実施形態においては、用途と表面積に依って、膜の厚さを充分に変更できる。孔の大きさと配置も、ここに述べたような具体的な制約を越えて変更可能である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
そうしてから図１６の部材を、第一のダイヤモンド部位 201 が水素注入深さで剥離を起こす上で充分な温度にまで加熱する。そうすることで、ダイヤモンド種子部位 201 の一部が、成長した合成ダイヤモンド部位 202 をつけたまま剥がれる。この作業により、重度硼素添加ダイヤモンド部位 302 が、軽度硼素添加部位 303 と共になって離れるので、ダイヤモンド種子 301 は、元のダイヤモンド種子 101 よりもいくらか小さくなる。図１７に番号 302, 303 として示した、得られる構造物は、Schottkyダイオードの半導体部分を形成する。ダイヤモンドの特性を、珪素などの他の半導体材料に較べて考えると、このような構造物は、特に高い電圧と出力のもとで作動可能である。他の実施例においては、成長した部位を、種子部位よりも重度に硼素添加することで、このダイヤモンド部位の厚さが変わるので、他の構造を作成でき、または設計上の変更が可能になる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
番号 508 では、得られた硼素添加半導体装置をさらに小割り切断および研磨することもできる。また番号 509 に示したように、得られた硼素添加半導体装置に配線を施し、半導体装置として使用するためにパッケージ化することもできる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
本発明に係る種々の実施形態に応じた、半導体装置の他の実施形態としては、図２０に示したような集積回路を形成することが含まれる。この図では、おおざっぱにダイヤモンド半導体基板を番号 600 として示し、この基板は、硼素添加部位もしくは部分 602 を少なくとも含む。第二の部位 603 は、異なる硼素添加濃度を有しており、ダイヤモンド部位 602 と接触するように、成長させたか、もしくは注入したか、または何らかの他の方法で形成したものである。このようにしてSchottkyダイオードの半導体部分を形成できるが、同様の工程を使ってトランジスタや他のさまざまな部品をつくることも可能である。構成部 602, 603 を、適切な仕事函数を持つ金属の配線を用いている回路に接続する。また、さらなる実施例においては、ポリ珪素もしくは他の導電体、または半導体構成部を使って、構成部 602, 603 を、集積回路の他の部分に接続する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶化学気相蒸着ダイヤモンド上にパターン化したマスクを形成するステップと、
前記マスクを通して、前記ダイヤモンドを、選択されたエネルギー量でイオン注入に曝露するステップと、
前記ダイヤモンドを処理して、前記注入されたイオンに近接する空孔を、前記マスク上のパターンに応じて形成するステップと
を含むことを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記マスクを通して、前記ダイヤモンドを、複数の選択されたエネルギー量でイオン注入に曝露することで、三次元ダイヤモンド構造を作成するステップ
をさらに含むことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
構造をCVDダイヤモンドで蔽う方法であって、
ナノ結晶ダイヤモンド種子を、揮発性溶液中で前記構造に播くステップと、
前記ナノ結晶ダイヤモンド種子上でCVDダイヤモンドを成長させて、前記構造の所望の部位をCVDダイヤモンドで蔽うステップと
を含むことを特徴とする、方法。
【請求項４】
構造物と、
前記構造物を選択的に蔽う単結晶CVDダイヤモンド層と
を含むことを特徴とする、移殖可能な医療装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月27日(2008.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶製造装置において結晶成長を制御するためのシステムに関して、該結晶製造装置は、チョクラルスキー法のプロセスに従って単結晶インゴットが成長する半導体メルトを含む加熱されたルツボを有しており、該インゴットは前記半導体メルトから引き上げられる種結晶上で成長するシステムであって、
前記メルトに対してカスプ磁界を適用するために、ルツボの近くに配置される第１のコイルおよび第２のコイル；
前記コイルに通電するための可変式電源；
前記インゴットがメルトから引き上げられる間に、出力を変化させるためのコントロール装置であって、前記可変式電源がコントローラ装置に対応して磁界を変化させて、インゴットとメルトとの間のメルト−固体界面の所望する形状を形成するために、メルト−固体界面に対する磁界のカスプ位置を制御するコントロール装置
を有してなり、メルト−固体界面の所望する形状はインゴットの長さの関数であることを特徴とするシステム。
【請求項２】
可変式電源が、コントロール装置に応答して、メルト−固体界面に対する磁界構成の型を、水平方向に優勢な非対称的磁界構成；軸方向に優勢な非対称的磁界構成；および実質的に対称的な磁界構成の１又はそれ以上の型の磁界構成に対応させて変化させることを特徴とする請求項１のシステム。
【請求項３】
水平方向に優勢な非対称的磁界によって、インゴットに対してよりフラットで凹面のガル・ウイング形状を有するメルト−固体界面形状；メルト−固体界面における増大した軸方向温度勾配；および、メルト−固体界面の近くにおけるインゴット内の軸方向温度勾配の低下した半径方向変動の１又はそれ以上を形成するシステムであって、軸方向に優勢な非対称的磁界によって、インゴットに対してより程度の大きい凸面形状；実質的に安定なメルトフロー；およびインゴット内におけるより低レベルの酸素濃度の１又はそれ以上を達成する請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
第１のコイルがメルト−固体界面よりも高い位置に配され、第２のコイルがメルト−固体界面よりも低い位置に配されることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
可変式電源が、コントロール装置に対応して、第２のコイルよりも第１のコイルにおける出力分配を増大させて、メルト−固体界面の下方へカスプ位置を移動させ、水平方向に優勢な非対称的磁界構成を達成することを特徴とする請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
可変式電源が、コントロール装置に対応して、第１のコイルよりも第２のコイルにおける出力分配を増大させて、メルト−固体界面の上方へカスプ位置を移動させ、軸方向に優勢な非対称的磁界構成を達成することを特徴とする請求項４に記載のシステム。
【請求項７】
可変式電源が、コントロール装置に対応して、実質的に均一な出力分配に従って第１のコイルおよび第２のコイルに通電し、メルト−固体界面の近くへカスプ位置を移動させて、実質的に対照的な磁界構成を達成することを特徴とする請求項４に記載のシステム。
【請求項８】
コントロール装置が出力分配を変化させて、インゴットの長さおよびインゴットの成長段階の１又はそれ以上の関数として、第１のコイルおよび第２のコイルの出力分配を選択的に制御して、磁界強度を変化させることによって、メルト−固体界面の上方または下方の所望する位置にカスプ位置を移動させること、ならびに、前記成長段階は、エンドコーン成長へのネッキング、クラウンおよびレイトボディの１又はそれ以上が含まれることを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項９】
コントロール装置が、酸素濃度の所望のレベルに対応して出力を変化させ、磁界を選択的に調節して、メルト−固体界面の形状を制御し、インゴット内に所望するレベルの酸素濃度を形成することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
コントロール装置が、酸素の半径方向勾配の所望のレベルに対応して出力を変化させ、磁界を選択的に調節して、メルト−固体界面の形状を制御し、インゴット内に所望するレベルの酸素の半径方向勾配を形成することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
チョクラルスキー法のプロセスによって単結晶半導体インゴットを製造する方法であって、
半導体メルトから引き上げる種結晶上で単結晶インゴットを成長させること；
インゴットを成長させる間に、メルトに対して非対称的磁界を適用すること；
インゴットをメルトから引き上げる際に、磁界を変化させて、メルト−固体界面形状を制御し、前記メルト−固体界面形状はインゴットの長さの関数であることを特徴とする方法。
【請求項１２】
非対称的磁界を適用することは、メルト−固体界面に対して、水平方向に優勢な非対称的磁界を適用して、インゴットに対して凹面形状の程度がより小さく、ガル・ウイング形状の程度がより大きいメルト−固体界面形状；メルト−固体界面において増大した軸方向温度勾配；メルト−固体界面の近くにおいて、インゴット内の軸方向温度勾配の低下した半径方向変動；およびインゴットにおける酸素濃度の向上したレベルの１又はそれ以上を形成すること、または、メルト−固体界面に対して、軸方向に優勢な非対称的磁界を適用して、インゴットに対して凸面形状の程度がより大きいメルト−固体界面形状；実質的に安定なメルトフロー；およびインゴットにおける酸素濃度の低下したレベルの１又はそれ以上を形成することを含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
非対称的磁界を適用することは、メルト−固体界面よりも高い位置に配置した第１の磁石に通電し、メルト−固体界面よりも低い位置に配置した第２の磁石に、異なる出力レベルで通電することを含んでなることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
磁界を変化させることは、選択的に磁界を調節して、メルト−固体界面形状を制御し、インゴットにおいて所望のレベルの酸素濃度を形成すること；および選択的に磁界を調節して、メルト−固体界面形状を制御し、インゴットにおいて所望のレベルの酸素の半径方向勾配を形成することの１又はそれ以上を含んでなることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
単結晶インゴットの結晶成長に特徴的な酸素を制御する方法に関して、インゴットはチョクラルスキー法のプロセスに従って結晶成長装置の中で成長させられ、結晶成長装置はインゴットがそこから成長する半導体メルトを含む加熱されたルツボを有しており、インゴットはメルトから引き上げられる種結晶上で成長する方法であって、
カスプ磁界をメルトに適用すること；ならびに、インゴットをメルトから引き上げる際に、磁界を変化させて、メルトとインゴットとの間のメルト−固体界面に対する磁界のカスプ位置を制御し、メルト−固体界面の所望する形状を形成すること；およびメルト−固体界面の所望する形状はインゴット中において所望する酸素特性を形成することを含んでなることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月19日(2008.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉ．Ｓ．タイプのガラス容器成形機械のセクションで使用するための装置であって、
セクションは、加圧あるいは吹込みによって、成形可能なガラスからガラス容器のパリソンを成形するための、少なくとも１つのブランクモールドを有し、
燃料と酸化剤の濃厚な可燃性供給物のパルスを、少なくとも１つのブランクモールドに向って流すために、間欠的に送出するように位置決めされたバーナーを有するスートヘッドと、
スートを出す火炎を生じさせるために、燃料と酸化剤の可燃性供給物を間欠的に点火するように位置決めされたスパークデバイスと、
Ｉ．Ｓ．機械用電子制御システムの固有の作動との干渉を回避するように、高電圧でスパークデバイスを間欠的に賦勢するように前記スートヘッド内に位置決めされた点火コイルと、
比較的低電圧電源を、前記点火コイルに伝えるための手段と、を有する、
ことを特徴とする装置。
【請求項２】
高電圧パルスの各々は、少なくとも、スパークデバイスの間隔をへだてた電極間の隙間を横切るのに十分な電圧を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
高電圧パルスの各々は、約１２，０００〜１５，０００ボルトの電圧を有する、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
比較的低電圧電源を点火コイルに伝えるための電気パネルを更に有し、前記電気パネルは、前記バーナーから遠く離れて位置決めされる、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
比較的低電圧源は、約１２〜２４ボルトＤＣである、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
点火コイルは、１分当り約４，０００パルスの比較的一定の着火パルス速度で作動される、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
Ｉ．Ｓ．タイプのガラス容器成形機械のブランクモールドを潤滑するためのスートを生じさせる方法であって、
燃料と酸化剤の濃厚な可燃性供給物のパルスを、少なくとも１つのブランクモールドに向って流すべく、間欠的に送出するために、バーナーをブランクモールドと整合して位置決めするステップと、
スパークデバイスを間欠的に賦勢することによって、スートを出す火炎を生じさせるために、燃料と酸化剤の可燃性供給物をバーナーの下流位置で点火するステップと、
Ｉ．Ｓ．機械用電子制御システムの固有の作動との干渉を回避すべく、スパークデバイスを間欠的に賦勢するための点火コイルを、前記スートヘッド内に、スパークデバイスの十分近くに位置決めするステップと、
比較的低電圧電源を前記点火コイルに伝えるステップと、を有する、
ことを特徴とする方法。
【請求項８】
点火コイルは、スパークデバイスに直接接続される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
スパークデバイスは、少なくとも、スパークデバイスの間隔をへだてた電極間の隙間を横切るのに十分な電圧によって賦勢される、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
スパークデバイスは、約１２，０００〜１５，０００ボルトの電圧によって賦勢される、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
スパークデバイスは、誘導放電法によって賦勢される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
比較的低電圧電源を、高電圧パルスを生じさせるための点火コイルに伝えるステップを更に有し、電源は、電子供給部から遠く離れて位置決めされる、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
電源は、電力を約１２〜２４ボルトＤＣの電圧で点火コイルに伝える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
点火コイルは、１分当り約４，０００パルスの比較的一定の着火パルス速度で作動される、請求項７に記載の方法。
【請求項１５】
Ｉ．Ｓ．タイプのガラス容器成形機械のセクションで使用するための装置であって、
セクションは、複数のブランクモールドを有し、前記複数のブランクモールドの各々は、加圧あるいは吹込みによって、成形可能なガラスからガラス容器のパリソンを成形するために役立ち、
前記装置は、
複数のスートヘッドを有し、前記複数のスートヘッドは、各々、燃料と酸化剤の濃厚な可燃性供給物のパルスを、ブランクモールドの１つに向って流すために、間欠的に送出するように位置決めされたバーナーを有し、
複数のスパークデバイスを有し、各スパークデバイスは、スートを出す火炎を生じさせるために、燃料と酸化剤の可燃性供給物を間欠的に点火するように位置決めされ、
Ｉ．Ｓ．機械用電子制御システムの固有の作動との干渉を回避するように、高電圧でスパークデバイスを間欠的に賦勢するように各スートヘッド内に位置決めされた点火コイルと、
比較的低電圧電源を、前記各点火コイルに伝えるための手段と、を有する、
ことを特徴とする装置。
【請求項１６】
比較的低電圧電源を各点火コイルに伝えるための電気パネルを更に有し、前記電気パネルは、前記バーナーから遠く離れて位置決めされる、請求項１５に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月9日(2008.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジルコニア粒子の製造方法であって、
ジルコニウム塩を含む第一供給原料を調製する工程と；
前記第一供給原料を第一水熱処理に付して、ジルコニウム含有中間体および副生物を形成する工程と；
前記第一水熱処理の副生物の少なくとも一部分を除去することによって、第二供給原料を形成する工程と；
前記第二供給原料を第二水熱処理に付して、ジルコニア粒子を含むジルコニアゾルを形成する工程とを含む方法。
【請求項２】
ジルコニア粒子中の無機酸化物の重量を基準にして１〜８ｗｔ％のイットリウムを含むジルコニア粒子であって、３０ナノメートル以下の平均一次粒度、１〜３の分散指数、３．０以下の強度平均粒度対容積平均粒度比、および少なくとも７０％立方、正方、またはこれらの組み合わせである結晶構造を有するジルコニア粒子。
【請求項３】
ジルコニア粒子の製造方法であって、第１の水熱処理と第２の水熱処理を行うことを含み、追加処理を行う前の第２の水熱処理の生成物がカルボン酸を含む水性媒質中に分散されたジルコニア粒子を含むジルコニアゾルを含み、前記カルボン酸が、４以下の炭素原子を有し、かつポリエーテルカルボン酸を実質的に含まず、前記ジルコニア粒子が、３０ナノメートル以下の平均一次粒度、１〜５の分散指数、３．０以下の強度平均粒度対容積平均粒度比、および少なくとも５０％立方、正方、またはこれらの組み合わせである結晶構造を有するジルコニアゾル。
【請求項４】
有機マトリックス中に分散されたジルコニア粒子を含む複合材料であって、前記ジルコニア粒子が、前記ジルコニア粒子中の無機酸化物の重量を基準にして１〜８ｗｔ％のイットリウムを含み、前記ジルコニア粒子が、３０ナノメートル以下の平均一次粒度、１〜３の分散指数、３．０以下の強度平均粒度対容積平均粒度比、および少なくとも７０％立方、正方、またはこれらの組み合わせである結晶構造を有する複合材料。
【請求項５】
複合材料の製造方法であって、
ジルコニウム塩を含む第一供給原料を調製する工程、
前記第一供給原料を第一水熱処理に付して、ジルコニウム含有中間体および副生物を形成する工程、
前記第一水熱処理の副生物の少なくとも一部分を除去することによって、第二供給原料を形成する工程、および
前記第二供給原料を第二水熱処理に付して、ジルコニア粒子を含むジルコニアゾルを形成する工程
を含むジルコニアゾルを形成する工程と；
有機マトリックス材料をジルコニアゾルに添加する工程と；
前記ジルコニアゾルから液相の少なくとも一部分を除去する工程とを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月16日(2008.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感湿性材料を保持する容器アセンブリであって、
内部にチャンバを画定する選択的に再封止可能な外側容器と、
前記チャンバ内に貯蔵される歯科用感湿性材料と、
外側容器内の前記チャンバ内に配置され湿度制御物質を露出させる内側容器であって、外側容器に接合された内側容器と、
前記内側容器内に収容され湿気を吸収し放出可能な湿度制御物質と、
を備える、容器アセンブリ。
【請求項２】
前記内側容器が該外側容器の底壁に配置される、請求項１に記載の容器アセンブリ。
【請求項３】
前記内側容器が該外側容器の側壁に配置される、請求項１に記載の容器アセンブリ。
【請求項４】
前記内側容器が、感湿性材料の前記チャンバ内へのまたは該チャンバから出る移動に対する妨害を最小限にする形状である、請求項１に記載の容器アセンブリ。
【請求項５】
前記外側容器が、その内部の前記チャンバにアクセスするための単一開口を有し、該外側容器が、該開口を再封止可能に覆うキャップを有する、請求項１に記載の容器アセンブリ。
【請求項６】
前記キャップが、前記外側容器に柔軟に取り付けられる、請求項５に記載の容器アセンブリ。
【請求項７】
前記キャップが、前記開口に隣接する外側容器の部分との嵌め摩擦嵌合により前記開口を封止可能に覆うような形状である、請求項５に記載の容器アセンブリ。
【請求項８】
前記内側および外側容器が超音波溶接可能なポリマー材料で構成される、請求項１に記載の容器アセンブリ。
【請求項９】
前記歯科用感湿性材料が、複数のカプセル内に含まれる、請求項１に記載の容器アセンブリ。
【請求項１０】
前記歯科用感湿性材料が、粉末化形態である、請求項１に記載の容器アセンブリ。
【請求項１１】
前記内側容器が前記外側容器と超音波溶接されている、請求項１に記載の容器アセンブリ。