Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月12日(2008.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
傍細胞輸送を強化することによって特徴付けられる患者用のナノ粒子の薬学的組成物において、各ナノ粒子が、少なくとも１の生物活性剤でできた第１成分と、負に帯電している第２成分と、低分子量のキトサンでできた第３成分とを具え、前記第３成分が前記ナノ粒子の表面上を占めることを特徴とする薬学的組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の薬学的組成物において、前記第２成分が、ＰＧＡである薬学的組成物。
【請求項３】
請求項１に記載の薬学的組成物において、前記第２成分が、γ−ＰＧＡである薬学的組成物。
【請求項４】
請求項３に記載の薬学的組成物において、ナノ粒子中のγ−ＰＧＡに対する前記キトサンの重量比が、０．７５から０．１６７又はそれ以上である薬学的組成物。
【請求項５】
請求項１に記載の薬学的組成物において、前記第１成分がインスリン又はインシュリンアナログである薬学的組成物。
【請求項６】
請求項１に記載の薬学的組成物において、前記第１成分がインスリンであり、前記第２成分がγ−ＰＧＡであり、前記３つの成分の重量比が０．０８３：０．１６７：０．７５である薬学的組成物。
【請求項７】
請求項１に記載の薬学的組成物において、前記第１成分がインスリンであり、インスリン負荷容量が前記ナノ粒子の少なくとも８ｗ／ｗ％である薬学的組成物。
【請求項８】
請求項１に記載の薬学的組成物において、前記第１成分がインスリンであり、インスリン負荷容量が前記ナノ粒子の少なくとも１４ｗ／ｗ％である薬学的組成物。
【請求項９】
請求項１に記載の薬学的組成物において、前記ナノ粒子のゼータ電位が約１５から４０ｍＶである薬学的組成物。
【請求項１０】
請求項１に記載の薬学的組成物において、前記ナノ粒子のゼータ電位が約２５から４０ｍＶである薬学的組成物。
【請求項１１】
請求項１に記載の薬学的組成物において、前記第２成分が、ヘパリン又はアルギン酸塩である薬学的組成物。
【請求項１２】
請求項１に記載の薬学的組成物において、前記少なくとも１の生物活性剤が、タンパク質又はペプチドである薬学的組成物。
【請求項１３】
請求項１に記載の薬学的組成物において、前記ナノ粒子が、さらに、カプセル内にカプセル化される薬学的組成物。
【請求項１４】
請求項１３に記載の薬学的組成物において、前記カプセルの表面がグリセリンを含む薬学的組成物。
【請求項１５】
請求項１３に記載の薬学的組成物において、前記カプセルの表面が、親水性である薬学的組成物。
【請求項１６】
請求項１に記載の薬学的組成物において、前記第３成分が架橋されている薬学的組成物。
【請求項１７】
請求項１に記載の薬学的組成物において、前記第３成分が５０％未満の架橋度で架橋されている薬学的組成物。
【請求項１８】
請求項１に記載の薬学的組成物において、前記第３成分がゲニピン、その誘導体、アナログ、立体異性体、及びそれらの混合物からなる群から選択される架橋剤で架橋された薬学的組成物。
【請求項１９】
請求項１に記載の薬学的組成物において、前記キトサンが８０ｋＤａ又はそれ以下の分子量を有する薬学的組成物。
【請求項２０】
請求項１に記載の薬学的組成物において、前記キトサンが、さらに、ポリアクリル酸でグラフト化される薬学的組成物。
【請求項２１】
請求項１に記載の薬学的組成物において、前記キトサンが、約４０ｋＤａ未満の分子量を有する薬学的組成物。
【請求項２２】
請求項１に記載の薬学的組成物において、前記ナノ粒子が、約１００から３００ナノメータの平均粒子径を有する薬学的組成物。
【請求項２３】
請求項１に記載の薬学的組成物において、前記ナノ粒子が、単純で穏やかなイオンゲル法を介して形成される薬学的組成物。
【請求項２４】
請求項１に記載の薬学的組成物において、前記ナノ粒子が経口投与により患者に送達される薬学的組成物。
【請求項２５】
請求項１に記載の薬学的組成物において、前記ナノ粒子が、血管投与を介して患者に送達される薬学的組成物。
【請求項２６】
請求項２５に記載の薬学的組成物において、前記少なくとも１つの生物活性剤が、アルツハイマー病拮抗剤である薬学的組成物。
【請求項２７】
正に帯電したキトサンと負に帯電したＰＧＡを含む腸管内傍細胞輸送を増強するナノ粒子の経口用薬学的組成物において、前記キトサンが前記ナノ粒子の表面を占め、負に帯電したＰＧＡが、ナノ粒子の中心部において、正に帯電したキトサンにより中和される経口用薬学的組成物。
【請求項２８】
請求項２７に記載の経口用薬学的組成物において、ＰＧＡに対する前記キトサンの重量比が、０．７５から０．１６７又はそれ以上である経口用薬学的組成物。
【請求項２９】
請求項２７に記載の経口用薬学的組成物において、前記ナノ粒子が、少なくとも１つの生物活性剤をさらに含む経口用薬学組成物。
【請求項３０】
請求項２７に記載の経口用薬学的組成物において、前記ナノ粒子の前記表面が、正の表面荷電で特徴づけられる経口用薬学組成物。
【請求項３１】
請求項２７に記載の経口用薬学的組成物において、前記ナノ粒子のゼータ電位が、約１５から４０ｍＶである経口用薬学的組成物。
【請求項３２】
請求項２７に記載の経口用薬学的組成物において、前記ナノ粒子のゼータ電位が、約２５から４０ｍＶである請求項２７の経口用薬学的組成物。
【請求項３３】
請求項２７に記載の経口用薬学的組成物において、前記ナノカプセルが、さらに、カプセルにカプセル化されている経口用薬学的組成物。
【請求項３４】
請求項３３に記載の経口用薬学的組成物において、前記カプセルの表面がグリセリンを具える経口用薬学的組成物。
【請求項３５】
請求項３３に記載の経口用薬学的組成物において、前記カプセルの表面が親水性である経口用薬学的組成物。
【請求項３６】
ナノ粒子の１回投与量の投与を含む、被験動物における少なくとも１つの生物活性剤の傍細胞輸送を強化する方法において、各ナノ粒子が、少なくとも１つの生物活性剤、負に荷電した第２成分、及び、低分子量キトサンの第３成分を含み、前記第３成分が、前記ナノ粒子の表面を占める強化する方法。
【請求項３７】
請求項３６に記載の方法において、ナノ粒子の前記用量を投与するステップが、傍細胞輸送を増強するために経口投与を介している方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月9日(2008.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：
【化１】
2008528441.tif 000001
〔式中、Ｒ1は、ハロゲンまたはアルキルであり、
Ｒ2は、水素またはハロゲンであり、
Ａｒは、以下の基：
【化２】
2008528441.tif 000002
（式中、Ｒ3およびＲ4は、独立に、水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ハロアルキル、アルコキシ、ハロアルコキシ、アルキルチオ、ヒドロキシ、フェニル、ハロフェニル、シアノフェニル、ピリジル、ハロピリジル、チエニルまたはハロチエニルであるか、あるいはＲ3およびＲ4は、それらが結合している炭素原子と一緒に、縮合ベンゼン環、縮合フラン環または縮合ジヒドロフラン環を形成する）
の１つである〕
の化合物またはその薬理的に許容しうる塩。
【請求項２】
Ｒ1がハロゲンであり、Ｒ2が水素であり、Ｒ3およびＲ4が、独立に、水素、ハロゲン、アルキル、ハロアルキル、アルコキシ、ハロアルコキシ、アルキルチオ、フェニル、ハロフェニル、シアノフェニル、ピリジルまたはハロピリジルであるか、あるいはＲ3およびＲ4が、それらが結合している炭素原子と一緒に、縮合ベンゼン環、縮合フラン環または縮合ジヒドロフラン環を形成している、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ3およびＲ4が、独立に、水素、ハロゲン、アルキル、ハロアルキル、アルコキシ、ハロアルコキシであるか、あるいはＲ3およびＲ4が、それらが結合している炭素原子と一緒に、縮合フラン環または縮合ジヒドロフラン環を形成している、請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
Ａｒが、
【化３】
2008528441.tif 000003
である、請求項２に記載の化合物。
【請求項５】
Ｒ3が、ハロゲン、アルキル、ハロアルキル、アルコキシまたはハロアルコキシである、請求項４に記載の化合物。
【請求項６】
Ｒ1が塩素である、請求項５に記載の化合物。
【請求項７】
Ｒ3が、ハロゲン、ハロアルキルまたはハロアルコキシである、請求項６に記載の化合物。
【請求項８】
Ｒ1がフッ素であり、Ｒ3が、アルキル、アルコキシ、ハロアルキルまたはハロアルコキシである、請求項４に記載の化合物。
【請求項９】
Ａｒが、
【化４】
2008528441.tif 000004
である、請求項２に記載の化合物。
【請求項１０】
Ｒ1がハロゲンであり、Ｒ3が、ハロゲンまたはアルキルである、請求項９に記載の化合物。
【請求項１１】
Ａｒが、
【化５】
2008528441.tif 000005
（式中、
【化６】
2008528441.tif 000006
は、単結合または二重結合を表す）
である、請求項２に記載の化合物。
【請求項１２】
請求項１に記載の化合物またはその薬理的に許容しうる塩を有効成分とする医薬組成物。
【請求項１３】
血糖降下剤である、請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
糖尿病、糖尿病性合併症、遅延創傷治癒、インスリン抵抗性、高血糖症、高インスリン血症、高脂肪酸血症、高グリセロール血症、高脂血症、肥満症、高トリグリセリド血症、Ｘ症候群、アテローム硬化症または高血圧症の予防または治療剤である請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
式（ＩＩ）：
【化８】
2008528441.tif 000007
（式中、Ｒ5は、ヒドロキシ基の保護基であり、他の記号は請求項１で定義されたと同様である）
の化合物を脱保護し、続いて、所望により、得られた化合物をその薬理的に許容しうる塩に変換することからなる式：
【化７】
2008528441.tif 000008
（式中、記号は上で定義されたと同様である）
の化合物またはその薬理的に許容しうる塩の製造方法。
【請求項１６】
式（ＩＩ）：
【化９】
2008528441.tif 000009
（式中、Ｒ5は、ヒドロキシ基の保護基であり、他の記号は請求項１で定義されたと同様である）
の化合物またはその塩。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月21日(2009.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｒ4+:Ｍｇ2-xＭxＳｉ1-yＡyＯ4の単結晶を含む、レーザー媒質。
（式中、ＭはＭｇ2+よりも大きなイオン半径を有する2価のイオンであり、ＡはＳｉ4+よりも大きなイオン半径を有する4価のイオンであって；さらに、
ａ）0≦ｘ＜２ 及び 0＜ｙ＜1；又は
ｂ）0＜ｘ＜２ 及び ｙ＝0 若しくは ｙ＝1（但し、ＭがＣａ2+で、ｘ＝1 である場合には、ｙは0ではない）
のどちらかである）
【請求項２】
ＡがＧｅ4+、Ｔｉ4+及びＺｒ4+から選択された、請求項１に記載のレーザー媒質。
【請求項３】
ＭがＣａ2+、Ｓｒ2+及びＢａ2+から選択された、請求項２に記載のレーザー媒質。
【請求項４】
0.1≦ｙ≦0.9 である、請求項２に記載のレーザー媒質。
【請求項５】
0.1≦ｘ≦1.9 である、請求項１に記載のレーザー媒質。
【請求項６】
前記レーザー媒質がＭｇ2ＳｉＯ4を含む基材上で処置される、請求項１に記載のレーザー媒質。
【請求項７】
ＡがＧｅ4+で ｘ＝0 である、請求項１に記載のレーザー媒質。
【請求項８】
Ｃｒ4濃度が少なくとも 1at% である、請求項１に記載のレーザー媒質。
【請求項９】
Ｃｒ4+:Ｍｇ2-xＭxＳｉ1-yＡyＯ4の単結晶を含むレーザー媒質を含む、レーザー。
（式中、ＭはＭｇ2+よりも大きなイオン半径を有する2価のイオンであり、ＡはＳｉ4+よりも大きなイオン半径を有する4価のイオンであって；さらに、
ａ）0≦ｘ＜２ 及び 0＜ｙ＜1；又は
ｂ）0＜ｘ＜２ 及び ｙ＝0 若しくは ｙ＝1（但し、ＭがＣａ2+で、ｘ＝1 である場合には、ｙは0ではない。）
のどちらかである）
【請求項１０】
前記レーザーが近赤外線レーザーである、請求項９に記載のレーザー。
【請求項１１】
前記レーザー媒質が薄ディスク又は薄ウェッジである、請求項９に記載のレーザー。
【請求項１２】
前記レーザー媒質の表面に取り付けられたヒートシンクをさらに含む、請求項９に記載のレーザー。
【請求項１３】
前記レーザー媒質へポンピング光を提供するために構成され配置されたポンプ光源をさらに含む、請求項９に記載のレーザー。
【請求項１４】
前記レーザー媒質によって放射された光の周波数を調整するためのチューニング素子をさらに含む、請求項９に記載のレーザー。
【請求項１５】
前記レーザーが連続波モード同期型である、請求項９に記載のレーザー。
【請求項１６】
溶媒中で処置されるレーザー媒質を形成するための少なくとも一つの置換体を含む溶液を形成することを含み、
前記の少なくとも一つの置換体が金属オキシドであり；さらに、
前記溶液からＣｒ4+:Ｍｇ2-xＭxＳｉ1-yＡyＯ4の少なくとも一つの結晶を形成することを含む、レーザー媒質の製造方法。
（式中、ＭはＭｇ2+よりも大きなイオン半径を有する2価のイオンであり、ＡはＳｉ4+よりも大きなイオン半径を有する4価のイオンであって；さらに、
ａ）0≦ｘ＜２ 及び 0＜ｙ＜1；又は
ｂ）0＜ｘ＜２ 及び ｙ＝0 若しくは ｙ＝1（但し、ＭがＣａ2+で、ｘ＝1 である場合には、ｙは0ではない。）
のどちらかである）
【請求項１７】
少なくとも一つの結晶を形成することが、液相エピタキシによって基材上にＣｒ4+:Ｍｇ2-xＭxＳｉ1-yＡyＯ4の層を形成することを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
基材を提供することが、Ｍｇ2ＳｉＯ4基材を提供することを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
Ｃｒ4+:Ｍｇ2-xＭxＳｉ1-yＡyＯ4の少なくとも一つの結晶を形成することが、式中、ＡがＧｅ4+、Ｔｉ4+及びＺｒ4+から選択されたＣｒ4+:Ｍｇ2-xＭxＳｉ1-yＡyＯ4の少なくとも一つの結晶を形成することを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
Ｃｒ4+:Ｍｇ2-xＭxＳｉ1-yＡyＯ4の少なくとも一つの結晶を形成することが、式中、ＭがＣａ2+、Ｓｒ2+及びＢａ2+から選択されたＣｒ4+:Ｍｇ2-xＭxＳｉ1-yＡyＯ4の少なくとも一つの結晶を形成することを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
Ｃｒ4+:Ｍｇ2-xＭxＳｉ1-yＡyＯ4の少なくとも一つの結晶を形成することが、式中、0.1≦ｙ≦0.9 であるＣｒ4+:Ｍｇ2-xＭxＳｉ1-yＡyＯ4の少なくとも一つの結晶を形成することを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
Ｃｒ4+:Ｍｇ2-xＭxＳｉ1-yＡyＯ4の少なくとも一つの結晶を形成することが、式中、0.1≦ｘ≦1.9 であるＣｒ4+:Ｍｇ2-xＭxＳｉ1-yＡyＯ4の少なくとも一つの結晶を形成することを含む、請求項１６に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
（概要）
ある実施態様は、Ｃｒ4+:Ｍｇ2-xＭxＳｉ1-yＡyＯ4（式中、ＭはＭｇ2+よりも大きなイオン半径を有する2価のイオンであり、ＡはＳｉ4+よりも大きなイオン半径を有する4価のイオンである）の単結晶を含むレーザー媒質である。さらに、ａ）0≦ｘ＜２ 及び 0＜ｙ＜1；又はｂ）0＜ｘ＜２ 及び ｙ＝0 若しくは ｙ＝1（但し、ＭがＣａ2+で、ｘ＝1 である場合には、ｙは0ではない。）のどちらかである。
他の実施態様は、前記レーザー媒質を含むチューナブル近赤外線レーザーのようなレーザーである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
さらに他の実施態様は、レーザー媒質の製造方法である。当該方法は、溶媒中で処置されるレーザー媒質を形成するための少なくとも一つの置換体を含む溶液を形成することを含み、前記の少なくとも一つの置換体は金属オキシドである。Ｃｒ4+:Ｍｇ2-xＭxＳｉ1-yＡyＯ4（式中、ＭはＭｇ2+よりも大きなイオン半径を有する2価のイオンであり、ＡはＳｉ4+よりも大きなイオン半径を有する4価のイオンである）の少なくとも一つの結晶が、前記溶液から形成される。さらに、ａ）0≦ｘ＜２ 及び 0＜ｙ＜1；又はｂ）0＜ｘ＜２ 及び ｙ＝0 若しくは ｙ＝1（但し、ＭがＣａ2+で、ｘ＝1 である場合には、ｙは0ではない。）のどちらかである。ある実施態様において、当該方法は、基材を提供すること及び液相エピタキシによって当該基材上にＣｒ4+:Ｍｇ2-xＭxＳｉ1-yＡyＯ4の層を形成することを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月9日(2009.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリヒドロキシル化されたベンゼン誘導体のヒドロデオキシゲネーションにより多成分金属酸化物に基づく触媒の存在下でフェノールを製造する方法であって、前記酸化物が、灰重石構造と関連する結晶形態の少なくとも一つの活性酸化物相と非灰重石の結晶または非晶質構造を備えた材料とを含み、前記灰重石構造が下記の組成：
Ｂｉ(1-x/3)Ｖ(1-x)wＮｂ(1-x)(1-w)ＭｏxＯ4、
Ｃｕ(1-z)ＺｎzＷ(1-y)ＭｏyＯ4
から選択されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記選択的ヒドロデオキシゲネーションが、ポリヒドロキシル化されたベンゼン誘導体を、気相において、２５０〜５００℃の温度、０．１〜１０ＭＰａの圧力、および供給されたポリヒドロキシル化されたベンゼン誘導体に関して計算された０．１〜１０ｈ-1の空間速度（ＷＨＳＶ）で水素と反応させることにより行われる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ヒドロデオキシゲネーションが３００〜４５０℃に亘る温度で実施される請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ヒドロデオキシゲネーションが０．３〜５ＭＰａに亘る圧力で実施される請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記ヒドロデオキシゲネーションが０．５〜５ｈ-1に亘る空間速度で実施される請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記ヒドロデオキシゲネーションが、触媒を含む断熱固定床リアクタの中で実施され、該リアクタに対して、水素の流れと共に５〜６０質量％濃度のベンゼン−ジオールの水中溶液を、全水素のモル数とベンゼンジオールの間の比が２：１〜５０：１の範囲になるような量で供給することにより行われる請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記水中のベンゼン−ジオールの溶液が１０〜４０質量％の濃度であり、全水素のモル数とベンゼン−ジオールの比が５：１〜３０：１の範囲である請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ヒドロデオキシゲネーションが、直列の２以上の断熱固定床リアクタの中で実施され、水供給および水素供給の両方を単一のリアクタへと分割することにより行われる請求項２に記載の方法。
【請求項９】
前記ヒドロデオキシゲネーションが、銅、バナジウム、ビスマス、モリブデン、ニオブ、鉄、タングステン、亜鉛、ニッケルおよびそれらの組み合せから選択される少なくとも一つの金属を含む多成分金属酸化物に基づく触媒の存在下で行われる請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記触媒がキャリア上に堆積され、またはバインダの使用により形成される請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記触媒が、本質的に結晶形態の活性酸化物相を含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記非灰重石の結晶または非晶質構造を備えた材料が、該構造の酸素保存能力を増大させることができる材料から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記材料が、ランタニド酸化物または他の酸化物とのその混合物から選択される請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ランタニド酸化物から酸化セリウムが選択され、また前記他の酸化物とのその混合物から酸化セリウム−酸化ジルコニウム混合物が選択される請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ベンゼンの選択的ヒドロキシル化により多成分金属酸化物に基づく触媒の存在下でフェノールを製造する方法であって、前記酸化物が、ＶＢ族、ＶＩＢ族、ＶＩＩＩ族、ＩＢ族、ＩＩＢ族、ＩＶＡ族、ＶＡ族から選択される少なくとも一つの金属を含み、前記選択的ヒドロキシル化が、変換されたベンゼンの故に化学量論的量に比較して低い量又はゼロ量で、酸素または他の酸化剤を反応に供給することによって行われ、補完的な化学量論的酸素が触媒によって与えられ、該触媒が本質的に結晶形態の活性酸化物相を含んでいる方法。
【請求項１６】
続く再酸化段階において、触媒が酸素または他の酸化性化合物によって元の状態に修復される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記選択的ヒドロキシル化及び再酸化段階が、循環的に行われる、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ベンゼンの選択的ヒドロキシル化が、１５０〜７００℃に亘る温度、０．０１〜１０ＭＰａに亘る圧力、および全供給混合物に対して計算して０．０１〜１０００ｈ-1に亘る空間速度ＷＨＳＶで動作するリアクタの中で実施される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記ベンゼンの選択的ヒドロキシル化が、２００〜６００℃に亘る温度で実施される請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記ベンゼンの選択的ヒドロキシル化が、２５０〜５５０℃に亘る温度で実施される請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記ベンゼンの選択的ヒドロキシル化が、０．１〜３ＭＰａに亘る圧力で実施される請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
前記ベンゼンの選択的ヒドロキシル化が、１〜１００ｈ-1に亘る空間速度で実施される請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
前記ベンゼンの選択的ヒドロキシル化が、２〜５０ｈ-1に亘る空間速度で実施される請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記ベンゼンの選択的ヒドロキシル化が幾つかのリアクタの中で実施され、そのうちの少なくとも一つは前記触媒の再生専用であり、前記触媒を反応リアクタから再生リアクタへと物理的に移動させることによって、または反応リアクタと再生リアクタとの間で流れを交換することによって行われる請求項１５に記載の方法。
【請求項２５】
前記ベンゼンの選択的ヒドロキシル化が、１以上の流動床リアクタの中で実施される請求項１５に記載の方法。
【請求項２６】
前記選択的ヒドロキシル化が、銅、バナジウム、ビスマス、モリブデン、ニオブ、鉄、タングステン、亜鉛、ニッケルおよびそれらの組み合せから選択される少なくとも一つの金属を含む多成分金属酸化物に基づく触媒の存在下で行われる請求項１５に記載の方法。
【請求項２７】
前記触媒がキャリア上に堆積され、またはバインダの使用により形成される請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記酸化物が、灰重石構造と関連する結晶形態の少なくとも一つの活性酸化物相と非灰重石の結晶または非晶質構造を備えた材料とを含み、前記灰重石構造が下記の組成から選択される請求項１５に記載の方法。
Ｂｉ(1-x/3)Ｖ(1-x)wＮｂ(1-x)(1-w)ＭｏxＯ4、
Ｃｕ(1-z)ＺｎzＷ(1-y)ＭｏyＯ4
【請求項２９】
前記非灰重石の結晶または非晶質構造を備えた材料が、該構造の酸素保存能力を増大させることができる材料から選択される請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記材料が、ランタニド酸化物または他の酸化物とのその混合物から選択される請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
前記ランタニド酸化物から酸化セリウムが選択され、また前記他の酸化物とのその混合物から酸化セリウム−酸化ジルコニウム混合物が選択される請求項３０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月13日(2009.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インク滴が排出され得る１つ以上のノズルを備えるインクジェットプリントヘッドと、
溶媒によって湿らされ、該ノズルの近傍に溶媒蒸気を生成するように適合された基板と
を備える、インクジェット印刷システムであって、
該インクジェットプリントヘッドと該基板とが、該基板が該溶媒で湿らされるときに、該溶媒蒸気が該ノズルと該基板との間のギャップ内にあり、該ギャップが該ノズルと該基板との間で維持されるように、構成される、インクジェット印刷システム。
【請求項２】
前記プリントヘッドと前記基板との間の相対的な動きを生じさせて該基板を前記ノズルに隣接させ得るメカニズムをさらに備える、請求項１に記載のインクジェット印刷システム。
【請求項３】
前記メカニズムが前記基板を前記ノズルに隣接させるときに該基板の表面および該ノズルを少なくとも部分的に包囲する囲いをさらに備える、請求項２に記載のインクジェット印刷システム。
【請求項４】
前記メカニズムは、前記基板の表面を前記ノズルのプレートから１０ミリメートル内に配置するように構成される、請求項２に記載のインクジェット印刷システム。
【請求項５】
前記メカニズムは、前記基板の表面を前記ノズルのプレートから５ミリメートル内に配置するように構成される、請求項２に記載のインクジェット印刷システム。
【請求項６】
前記メカニズムは、前記基板の表面を前記ノズルのプレートから２ミリメートル内に配置するように構成される、請求項２に記載のインクジェット印刷システム。
【請求項７】
前記基板の表面を加熱するヒータをさらに備える、請求項１〜６のいずれか一項に記載のインクジェット印刷システム。
【請求項８】
前記基板は、前記溶媒を吸収することが可能な多孔性の材料を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載のインクジェット印刷システム。
【請求項９】
前記基板に溶媒を供給する溶媒コンテナをさらに備える、請求項１〜８のいずれか一項に記載のインクジェット印刷システム。
【請求項１０】
前記溶媒は、前記インクの成分または蒸発抑制剤を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載のインクジェット印刷システム。
【請求項１１】
インク滴を排出するように適合された１つ以上のノズルを備えるインクジェットプリントヘッドを提供することと、
基板を溶媒で湿らせて、溶媒蒸気を生成することと、
該ノズルと該基板とがギャップによって分離されるように、該インクジェットプリントヘッドと該基板との間の相対的な動きを生じさせることと、
該基板が該ギャップ内に該溶媒蒸気を生成する間に、該ノズルと該基板との間の該ギャップを維持することと
を包含する、インクジェット印刷する方法。
【請求項１２】
前記１つ以上のノズルを備えるノズルプレートを配置することをさらに包含し、該１つ以上のノズルは、該ノズルプレートの面に実質的に平行であり、該配置することは、前記基板の表面を該ノズルプレートから１０ミリメートル内に配置することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板の表面および前記ノズルを少なくとも部分的に包囲することをさらに包含する、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板の表面および前記ノズルを同じ囲いで少なくとも部分的に包囲することをさらに包含する、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記基板の少なくとも一部分を加熱することをさらに包含する、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記ノズルの内側表面または該ノズルの周囲に前記溶媒蒸気を凝縮することをさらに包含する、請求項１１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記凝縮された溶媒を回収または再循環することをさら包含する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記基板に前記溶媒を供給することと、
該基板に提供される該溶媒のフローレートを制御することと
をさらに包含する、請求項１１〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月29日(2009.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応性成分のポリオール成分およびイソシアネート成分を計量された形態でミキサー（１）へ送り、前記ミキサー内で混合して反応混合物とした後、前記ミキサーから排出して、基材ペーパー（３）へ適用することを含んでなるポリウレタンブロック・フォームを製造する方法であって、前記ミキサーから出た前記反応混合物を、前記基材ペーパー（３）のすぐ上方に設けられているディストリビュータ・デバイス（８）を通して流れさせ、前記ディストリビュータ・デバイス（８）のエッジ部から移送方向に対して実質的に横方向に流出する混合物部分の流速が、移送方向についての前記エッジ部から実質的に移送方向に流出する混合物部分の流速よりも大きいこと、およびフィルム形態でディストリビュータ・デバイス（８）から出る反応混合物が、上側部分のみにおいて周囲の大気との間の境界を形成することを特徴とする方法。
【請求項２】
反応性成分のポリオール成分およびイソシアネート成分のための各リザーバ、前記リザーバからミキサー（１）へ前記反応性成分を計量供給するためのポンプおよび導管、および、反応混合物が適用される基材ペーパー（３）がその上側を移送されるコンベヤ・ベルト（４）および／もしくはアプリケーション・プレート（５）を有してなる、ポリウレタンブロック・フォームを製造するためのデバイスであって、前記ミキサー（１）と基材ペーパー（３）との間にディストリビュータ・デバイス（８）が設けられていること、前記ディストリビュータ・デバイス（８）は反応混合物が通って流れるギャップ（７）を規定すること、前記ディストリビュータ・デバイス（８）は基材ペーパー（３）のすぐ上方に設けられていること、および前記ディストリビュータ・デバイス（８）は基材ペーパー（３）と接触する状態にあることを特徴とするデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
本発明の新しい方法および新しいデバイスは、種々のようにして用いることができる。反応混合物が適用される基材ペーパーを、所定の移送方向のアプリケーションエレメントおよび混合ヘッドの下側に沿って引くか否かということ、または静置ブロック・フォームプラントにおいて、固定された基材ペーパー上に沿って混合ヘッドおよびディスペンスエレメントを移動させるか否かということは、あまり重要ではない。
尚、この出願の発明の好ましい態様には、以下の事項も含まれる。
[事項１］
反応性成分のポリオール成分およびイソシアネート成分を計量された形態でミキサー（１）へ送り、前記ミキサー内で混合して反応混合物とした後、前記ミキサーから排出して、基材ペーパー（３）へ適用することを含んでなるポリウレタンブロック・フォームを製造する方法であって、前記ミキサーから出た前記反応混合物を、前記基材ペーパー（３）のすぐ上方に設けられているディストリビュータ・デバイス（８）を通して流れさせ、前記ディストリビュータ・デバイス（８）のエッジ部から移送方向に対して実質的に横方向に流出する混合物部分の流速が、移送方向についての前記エッジ部から実質的に移送方向に流出する混合物部分の流速よりも大きいこと、およびフィルム形態でディストリビュータ・デバイス（８）から出る反応混合物が、上側部分のみにおいて周囲の大気との間の境界を形成することを特徴とする方法。
[事項２］
移送方向に対して実質的に横方向に前記ディストリビュータ・デバイス（８）のエッジ部から流出する混合物部分の流速が、移送方向についての前記エッジ部から実質的に移送方向に流出する混合物部分の流速よりも、１．５倍〜２００倍、好ましくは２．０倍〜１００倍、特に好ましくは２．５倍〜５０倍の割合で大きいことを特徴とする事項１に記載の方法。
[事項３］
反応混合物がディストリビュータ・デバイス（８）の中を流れる際に、基材ペーパー（３）の表面に対して実質的に平行に前記反応混合物が導かれる事項１または２に記載の方法。
[事項４］
反応性成分のポリオール成分およびイソシアネート成分のための各リザーバ、前記リザーバからミキサー（１）へ前記反応性成分を計量供給するためのポンプおよび導管、および、反応混合物が適用される基材ペーパー（３）がその上側を移送されるコンベヤ・ベルト（４）および／もしくはアプリケーション・プレート（５）を有してなる、ポリウレタンブロック・フォームを製造するためのデバイスであって、前記ミキサー（１）と基材ペーパー（３）との間にディストリビュータ・デバイス（８）が設けられていること、前記ディストリビュータ・デバイス（８）は反応混合物が通って流れるギャップ（７）を規定すること、前記ディストリビュータ・デバイス（８）は基材ペーパー（３）のすぐ上方に設けられていること、および前記ディストリビュータ・デバイス（８）は基材ペーパー（３）と接触する状態にあることを特徴とするデバイス。
[事項５］
前記ディストリビュータ・デバイス（８）の幅ｂの、製造されるブロック・フォームの幅Ｂに対する比が、０．００１〜０．８の範囲、好ましくは０．００５〜０．３の範囲、特に好ましくは０．０１〜０．１の範囲にあることを特徴とする事項４に記載のデバイス。
[事項６］
前記ディストリビュータ・デバイス（８）の長さｌの、ディストリビュータ・デバイス（８）の幅ｂに対する比が、０．５〜２０の範囲、好ましくは０．８〜１０の範囲、特に好ましくは１．０〜５の範囲にあることを特徴とする事項４または５に記載のデバイス。
[事項７］
前記ディストリビュータ・デバイス（８）は上側部分および下側部分を有してなり、前記下側部分は、コンベヤ・ベルト（４）および／もしくはアプリケーション・プレート（５）およびその上方の基材ペーパー（３）によって形成されることを特徴とする事項４〜６のいずれかに記載のデバイス。
[事項８］
前記ディストリビュータ・デバイス（８）の後方領域において、該ディストリビュータ・デバイス（８）と基材ペーパー（３）との間にシーリングエレメント（１２）が設けられていることを特徴とする事項７に記載のデバイス。
[事項９］
前記ディストリビュータ・デバイス（８）の上側エッジ部と、該ディストリビュータ・デバイス（８）の下側エッジ部との間の距離ｈは調節することができることを特徴とする事項４〜８のいずれかに記載のデバイス。
[事項１０］
混合物排出経路（２）もしくは混合ゾーンの対称軸（１３）と、ディストリビュータ・デバイス（８）の平面との間の角度αが、５°〜１７５°、好ましくは４５°〜１３５°、特に好ましくは８０°〜１００°の範囲にあること、およびその角度αは調節することができることを特徴とする事項４〜９のいずれかに記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月16日(2009.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レシーバを搬送するように構成されたレシーバ搬送システムであって、該レシーバはレシーバ幅を有し、該レシーバ幅は、少なくとも第一の印刷スワスの幅および第二の印刷スワスの幅よりも狭い、搬送システムと、
第一の流体滴を排出することが可能な流体排出ノズルの第一のセットを含む第一のノズルプレートを備える第一の流体排出ヘッドであって、該流体排出ノズルの第一のセットは、第一の領域にわたっており、該レシーバ幅は、該第一の領域よりも狭い、第一の流体排出ヘッドと、
第二の流体滴を排出することが可能な流体排出ノズルの第二のセットを含む第二のノズルプレートを備える第二の流体排出ヘッドであって、該第二のノズルプレートは、該第一のノズルプレートと実質的に対向し、該流体排出ノズルの第一のセットは、該流体排出ノズルの第二のセットからオフセットされており、該流体排出ノズルの第二のセットは、第二の領域にわたっており、該第二のノズルプレートは、該流体排出ノズルの第二のセットの外側のエリア内および該第二の領域内に、該第一の流体滴をキャプチャするように構成および配置されている、第二の流体排出ヘッドと
を備える、流体排出システム。
【請求項２】
前記第二の領域は、前記第一の領域と実質的に同様である、請求項１に記載の流体排出システム。
【請求項３】
前記第二のノズルプレートは、該第二のノズルプレートによってキャプチャされた前記第一の流体滴を、前記流体排出ノズルの第二のセットのうちの１つ以上のノズルに引き込むように構成されている、請求項１または２に記載の流体排出システム。
【請求項４】
前記第一の流体排出ヘッドは、前記第一の流体滴を前記レシーバの第一の表面上に堆積するように構成されており、前記第二の流体排出ヘッドは、前記第二の流体滴を該レシーバの第二の表面上に堆積するように構成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の流体排出システム。
【請求項５】
コントローラをさらに含み、該コントローラは、前記第一の流体排出ヘッドに、第一の流体パターンを前記レシーバの前記第一の表面上に生成させ、前記第二の流体排出ヘッドに、該第一の流体パターンの鏡像である第二の流体パターンを該レシーバの前記第二の表面上に生成させるように構成されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の流体排出システム。
【請求項６】
前記第一の流体排出ヘッドは、前記レシーバの前記第一の表面のエッジからエッジまで、第一の流体滴を堆積するように構成されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の流体排出システム。
【請求項７】
前記第一のプリントヘッドが、前記レシーバの前記第一の表面上で、前記第一のスワス幅にわたって、第一の流体滴を堆積するように構成されるように、前記流体排出ノズルの第一のセットは、前記第一のノズルプレートの中で、１つ以上の行に分布される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の流体排出システム。
【請求項８】
前記第一の流体排出ヘッドは、インクジェットプリントヘッドである、請求項１〜７のいずれか一項に記載の流体排出システム。
【請求項９】
レシーバを第一の方向に搬送するように構成されたレシーバ搬送システムと、
該レシーバの第一の表面上に、インク滴を堆積するように構成されたインクノズルの第一のセットを含む第一のノズルプレートを備える第一のインクジェットプリントヘッドと、
該レシーバの第二の表面上に、インク滴を堆積するように構成されたインクノズルの第二のセットを含む第二のノズルプレートを備える第二のインクジェットプリントヘッドであって、該第二のノズルプレートは、該流体排出ノズルの第二のセットの外側のエリア内に、該第一の流体滴をキャプチャするように構成されており、該第二のノズルプレートは、該第一のノズルプレートと実質的に対向し、該第二のノズルプレートの該インクノズルの第二のセットは、該第一のノズルプレートの該インクノズルの第一のセットからオフセットされている、第二のインクジェットプリントヘッドと
を備える、両面インクジェット印刷システム。
【請求項１０】
第一の流体排出ヘッドの第一のノズルプレートの中の流体排出ノズルの第一のセットから、第一の流体滴を排出することであって、該流体排出ノズルの第一のセットは、第一の領域にわたっている、ことと、
第二の流体排出ヘッドのノズルプレートの中の流体排出ノズルの第二のセットから、第二の流体滴を排出することであって、該流体排出ノズルの第二のセットは、第二の領域にわたっており、該第二のノズルプレートは、該第一のノズルプレートと実質的に対向し、該流体排出ノズルの第二のセットは、該流体排出ノズルの第一のセットからオフセットされている、ことと、
該第一の流体排出ヘッドと該第二の流体排出ヘッドとの間のギャップを介して、レシーバを搬送することと、
該レシーバの第一の表面上に、該第一の流体滴を堆積することと、
該レシーバの第二の表面上に、該第二の流体滴を堆積することと、
該第二のノズルプレートを用いて、該流体排出ノズルの第二のセットの外側のエリア内および該第二の領域内に、該第一の流体滴をキャプチャすることと
を包含する、流体配送の方法。
【請求項１１】
前記第二の領域は、前記第一の領域と実質的に同様である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第二のノズルプレートによって、キャプチャされた前記第一の流体滴を、前記流体排出ノズルの第二のセットのうちの１つ以上のノズルに引き込むことをさらに包含する、請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記流体排出ノズルの第一のセットは、前記第一のノズルプレートの中で、１つ以上の行に配置され、該１つ以上の行は、前記レシーバの前記第一の表面の寸法の少なくとも１つよりも広い第一のスワス幅にわたって、流体滴を排出することが可能である、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記第一の流体滴を堆積することは、該第一の流体滴を、前記レシーバの前記第一の表面上に、エッジからエッジまで堆積することを包含する、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記第二の流体滴を堆積することは、該第二の流体滴を、前記レシーバの前記第二の表面上に、エッジからエッジまで堆積することを包含する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記レシーバの前記第一の表面上に堆積される前記流体滴は、第一の画像パターンを生成し、該レシーバの前記第二の表面上に印刷される該流体滴は、該第一の画像パターンの鏡像を形成する、請求項１０〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記第一の流体滴を排出することは、インクを排出することを包含する、請求項１０〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月6日(2009.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）プロピレン樹脂を含むシートを形成する工程；
（ｂ）工程（ａ）で得たシートを熱成形する工程；を含み、
当該プロピレン樹脂は、以下の特徴：
（ａ）４未満の分子量分布Ｍｗ／Ｍｎ；
（ｂ）０．５０％未満の１３Ｃ−ＮＭＲで測定した２，１挿入；
（ｃ）０．１と１（２００℃で行ったＩＳＯ  ６７２１−１０）の間であるωについての以下の関係：
ｅｔａ＊＞３７００ω（―０．１３）
を満たすｅｔａ＊及び振動数ω；
（ｄ）５未満のメルトフローレート（ＭＦＲ）（ＩＳＯ  １１３３）；
（ｅ）９４％よりも高い１３Ｃ−ＮＭＲにより測定したイソタクチックペンタド（ｍｍｍｍ）；
を有し、当該ポリプロピレン樹脂は、
（ｉ）プロピレンホモポリマー又はエチレンもしくは式ＣＨ２＝ＣＨＺ（式中、Ｚは直鎖又は分枝Ｃ２−Ｃ２０基である）のα−オレフィンの誘導単位０．１ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％を含有するプロピレンコポリマー１０〜１００ｗｔ％；及び
（ｉｉ）エチレン又は式ＣＨ２＝ＣＨＺ（式中、Ｚは直鎖又は分枝Ｃ２−Ｃ２０基である）のα−オレフィンの誘導単位０．１ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％を含有するプロピレンコポリマーであって、プロピレンコポリマー（ｉ）とは異なるエチレン又は式ＣＨ２＝ＣＨＺのα−オレフィンの含量を有するプロピレンコポリマー０〜９０ｗｔ％
を含む、熱成形品を得る方法。
【請求項２】
前記ポリプロピレン樹脂はプロピレンホモポリマーである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
請求項１に記載の特徴を有するポリプロピレン樹脂を含む熱成形品。
【請求項４】
熱成形品を得るためのプロピレン樹脂の使用であって、当該ポリプロピレン樹脂は、
（ｉ）プロピレンホモポリマー又はエチレンもしくは式：ＣＨ２＝ＣＨＺ（式中、Ｚは直鎖又は分枝Ｃ２−Ｃ２０基である）のα−オレフィンの誘導単位０．１ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％を含むプロピレンコポリマー１０ｗｔ％〜１００ｗｔ％；及び
（ｉｉ）エチレン又は式：ＣＨ２＝ＣＨＺ（式中、Ｚは直鎖又は分枝Ｃ２−Ｃ２０基である）のα−オレフィンの誘導単位０．１ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％を含むプロピレンコポリマーであって、プロピレンコポリマー（ｉ）とは異なるエチレン又は式：ＣＨ２＝ＣＨＺのα−オレフィン含量を有するプロピレンコポリマー０ｗｔ％〜９０ｗｔ％
を含み、当該プロピレン樹脂は以下の特徴：
（ａ）４未満、好ましくは３未満の分子量分布Ｍｗ／Ｍｎ；
（ｂ）０．５０％未満、好ましくは０．４０％未満の１３Ｃ−ＮＭＲにより測定した２，１挿入；
（ｃ）０．１と１の間であるωに対する以下の関係：
ｅｔａ＊＞３７００ω（−０．１３）
を満たすｅｔａ＊及び振動数ω
（ｄ）５未満のメルトフローレート（ＭＦＲ）（ＩＳＯ  １１３３）；
（ｅ）９４％よりも高い１３Ｃ−ＮＭＲにより測定したイソタクチックペンタド（ｍｍｍｍ）；
を有することを特徴とする使用。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月19日(2009.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レシーバを第一の方向に搬送するように構成されたレシーバ搬送システムと、
該レシーバの第一の表面上に流体滴を堆積する流体排出ノズルの第一のセットを備える第一の流体排出ヘッドであって、該流体排出ノズルの第一のセットは、 該第一の方向に実質的に平行である該第一の表面のエッジまで少なくとも延びる第一の領域に分布される、第一の流体排出ヘッドと、
該レシーバの第二の表面上に流体滴を堆積する流体排出ノズルの第二のセットを備える第二の流体排出ヘッドと、
該レシーバ上に流体滴を排出し、同時に該レシーバの該エッジの外側にオーバースプレイするために、該第一の流体排出ヘッドを制御するコンピュータと
を備える、流体排出システム。
【請求項２】
前記コンピュータは、前記ノズルの第一のセットを、前記レシーバの前記第一の表面上に、エッジからエッジまで、流体滴を堆積するように制御するように構成される、請求項１に記載の流体排出システム。
【請求項３】
前記第一の流体排出ヘッドは、第一のノズルプレートを備え、前記流体排出ノズルの第一のセットは、該第一のノズルプレートの中に形成される、請求項１に記載の流体排出システム。
【請求項４】
前記第二の流体排出ヘッドは、前記第一のノズルプレートに実質的に面する第二のノズルプレートを備え、前記流体排出ノズルの第二のセットは、該第二のノズルプレートの中に形成される、請求項３に記載の流体排出システム。
【請求項５】
前記第一の流体排出ヘッドの中の前記流体排出ノズルの第一のセットは、前記第二の流体排出ヘッドの中の前記流体排出ノズルの第二のセットと直接対向しない、請求項４に記載の流体排出システム。
【請求項６】
前記第一の方向は、前記第一のノズルプレートまたは前記第二のノズルプレートと実質的に平行である、請求項４に記載の流体排出システム。
【請求項７】
前記コンピュータは、前記ノズルの第二のセットを、前記レシーバの第二の表面上に、エッジからエッジまで、流体滴を堆積するように制御するように構成される、請求項１に記載の流体排出システム。
【請求項８】
前記第一の流体排出ヘッドは、第一の流体パターンを前記レシーバの前記第一の表面上に生成し、前記第二の流体排出ヘッドは、該第一の流体パターンの鏡像である第二の流体パターンを該レシーバの前記第二の表面上に生成する、請求項１に記載の流体排出システム。
【請求項９】
前記第一の表面と前記第二の表面とは、前記レシーバの対面上にある、請求項１に記載の流体排出システム。
【請求項１０】
最大レシーバ幅を有するレシーバを第一の方向に搬送するステップと、
流体排出ノズルの第一のセットによって、該第一の方向に実質的に平行な該第一の表面のエッジまで、該レシーバの第一の表面上に流体滴を堆積するステップと、
同時に該第一の表面の該エッジの外側にオーバースプレイを排出するステップと、
第二の流体排出ヘッドの流体排出ノズルの第二のセットによって、該レシーバの第二の表面上に、流体滴を同時に堆積するステップと
を包含する、流体配送の方法。
【請求項１１】
前記ノズルの第一のセットによって、前記レシーバの前記第一の表面上に、エッジからエッジまで、流体滴を堆積するステップをさらに包含する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ノズルの第二のセットによって、前記レシーバの前記第二の表面上に、エッジからエッジまで、流体滴を堆積するステップをさらに包含する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記流体排出ノズルの第一のセットは、第一のノズルプレートの中に形成され、前記流体排出ノズルの第二のセットは、第二のノズルプレートの中に形成される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記第二のノズルプレートは、前記第一のノズルプレートと実質的に平行である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第一の表面と前記第二の表面とは、前記レシーバの対面上にある、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月24日(2008.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一のポリマー種および第二のポリマー種の交互層を有する赤外光反射多層フィルムと、
硬化したポリマーバインダー中に分散した多数の金属酸化物ナノ粒子を含む赤外光吸収ナノ粒子層であって、前記赤外光吸収ナノ粒子層が前記多層フィルムに隣接し、かつ前記金属酸化物が酸化スズまたはドープト酸化スズを含み、前記赤外光吸収ナノ粒子層が１から２０マイクロメートルの範囲の厚さを有する、赤外光吸収ナノ粒子層と
を含む多層フィルム製品。
【請求項２】
第一のポリマー種および第二のポリマー種の交互層を有する赤外光反射多層フィルムと、
硬化したポリマーバインダー中に配置された多数の金属酸化物ナノ粒子を含む赤外光吸収ナノ粒子層であって、前記赤外光吸収ナノ粒子層が前記多層フィルムに隣接し、かつ前記金属酸化物が酸化スズまたはドープト酸化スズを含み、前記赤外光吸収ナノ粒子層が１から２０マイクロメートルの範囲の厚さを有し、前記赤外光反射多層フィルムが赤外光源と前記赤外光吸収ナノ粒子層との間に配置されている、赤外光吸収ナノ粒子層と、
前記赤外光吸収ナノ粒子層または前記赤外光反射多層フィルムのどちらかに隣接して配置されたガラス基板と
を含む、赤外光源からの赤外光を遮断するための光制御製品。
【請求項３】
第一のポリマー種および第二のポリマー種の交互層を有する赤外光反射多層フィルムと、
硬化したポリマーバインダー中に配置された多数の金属酸化物ナノ粒子を含む赤外光吸収ナノ粒子層であって、前記赤外光吸収ナノ粒子層が前記多層フィルムに隣接し、かつ前記金属酸化物が酸化スズまたはドープト酸化スズを含み、前記赤外光吸収ナノ粒子層が１から２０マイクロメートルの範囲の厚さを有する、赤外光吸収ナノ粒子層と
を含む多層フィルム製品であって、
前記多層フィルム製品が、少なくとも４５％の平均可視光透過率と、７８０ｎｍから２５００ｎｍの光に対して１５％未満の平均赤外光透過率とを有する、多層フィルム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月12日(2008.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貯蔵袋であって、
底縁、左側縁、右側縁および上縁を有する柔軟な第１の側壁と、
底縁、左側縁、右側縁および上縁を有する柔軟な第２の側壁と、
ここで、内部容積を画定するために、前記第２の側壁の底縁、左側縁、右側縁および上縁は前記第１の底縁、左側縁、右側縁および上縁とそれぞれ接合しており、
前記第１および２の側壁の上部のそれぞれに、取り付けられた第１および第２の噛み合い封止ストリップと、
ここで、前記第１の側壁は高い弾性の領域を含むもので、
該領域に取り付けられ、前記内部領域と連通する逆止め弁要素と、
を含み、
前記領域は弾力的回復状態と弾力的拡張状態との間で調整可能であり、
前記領域は弾力的拡張状態にあるとき、前記第１の側壁から前記弁要素を離間させる、
ことを特徴とする貯蔵袋。
【請求項２】
前記領域が、弾性的拡張状態にあるとき、前記内容容積と前記弁逆止め弁要素との間で連通する小室を画定する、請求項１に記載の貯蔵袋。
【請求項３】
前記領域内の第１の側壁の材料が第１の厚さを有し、前記第２の材料の第２の厚さを有し、前記第１の厚さは前記第２の厚さより小さい、請求項１の記載の貯蔵袋。
【請求項４】
前記領域内の第１の側壁の材料が第１の弾性率を有し、前記第２の材料の第２の弾性率を有し、前記第１の弾性率は前記第２の弾性率より高い、請求項１の記載の貯蔵袋。
【請求項５】
前記第１の側壁および前記第２の側壁が異なる材料で構成された、請求項１に記載の貯蔵袋。
【請求項６】
前記領域が、さらに、前記第１の複数の領域と第２の複数の領域で構成され、前記第２の複数の領域は前記第１の複数の領域より隆起したリブとして形成された、請求項１に記載の貯蔵袋。
【請求項７】
前記領域が、前記第１の側壁と実質的に同じ広がりをもつ、請求項１に記載の貯蔵袋。
【請求項８】
前記領域が、弾性的拡張状態にあるとき、ほぼドームとして形成される、請求項１に記載の貯蔵袋。
【請求項９】
前記側壁の少なくとも一つが、高密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン酢酸ビニル、ナイロン、ポリエステル、ポリアミド、およびエチレンビニルアルコールから成るグループから選択された材料で構成された、請求項１に記載の貯蔵袋。
【請求項１０】
貯蔵袋であって、
内部容積を与える柔軟な側壁と、
前記柔軟な側壁に取り付けられ、前記内部空間と連通する逆止め弁要素と、
を含み、
前記逆止め弁要素は、真空ノズルと解除可能に係合するロック構造を有し、
前記側壁は高い弾性の領域を含み、
前記逆止め弁要素は前記領域に取り付けられ、
前記領域は弾力的回復状態と弾力的拡張状態との間で調整可能であり、
前記領域は弾力的拡張状態にあるとき、前記側壁から前記弁要素を離間させ、前記逆止め弁要素は、弾性的回復状態にあるとき、前記側壁の平面内にある、
ことを特徴とする貯蔵袋。
【請求項１１】
貯蔵袋であって、
底縁、左側縁、右側縁および上縁を有する第１の側壁と、
底縁、左側縁、右側縁および上縁を有する第２の側壁と、
ここで、内部容積を画定するために、前記第２の側壁の底縁、左側縁、右側縁および上縁は前記第１の底縁、左側縁、右側縁および上縁とそれぞれ接合しており、
前記第１の側壁は、高い弾性の領域を含むパネルを画定し、さらに回復状態と拡張状態との間で調整可能なものであり、
前記領域に取り付けられ、前記内部領域と連通する逆止め弁要素と、
を含み、
前記領域は弾力的拡張状態にあるとき、前記第１の側壁から前記弁要素を離間させ、
前記領域と前記逆止め弁要素は、回復状態にあるとき、ほぼ前記第１の側壁の平面内にある、
ことを特徴とする貯蔵袋。
【請求項１２】
貯蔵袋であって、
内部容積を提供する柔軟な側壁と、
前記内部容積と連通する逆止め弁要素と、
前記逆止め弁要素を前記側壁に接続する分離器と、
を含み、
前記分離器は、前記側壁に取り付けられた基部端と閉じた遠位端との間に延在する細長い管状体を有し、
前記分離器は、拡張状態と折り畳み状態との間で調整可能であり、折り畳み状態にあるとき、前記管状体は前記側壁に対して折り重なる、
ことを特徴とする貯蔵袋。