【手続補正書】
【提出日】平成23年3月2日(2011.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップをテープキャリアに搭載してなる半導体装置であって、
前記テープキャリアと前記半導体チップとの間隙に充填され側面にテーパー部が形成されている絶縁性樹脂と、
前記半導体チップの裏面上及び前記テープキャリア上の少なくとも一部ならびに前記テーパー部上に接触するように形成される前記絶縁性樹脂より熱伝導率が高い樹脂層と、
前記半導体チップ及び前記テーパー上の絶縁性樹脂層と相応する形状の凹みを備えて前記樹脂層と密着するように形成される金属層と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記金属層が前記樹脂層の形状に沿って形成されるシート状の金属層であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップ上領域の前記金属層の一部に１または複数の穴が形成されることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項４】
前記金属層の凹みが形成される反対の表面に切り込みを有することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記テープキャリアの裏面に第２の金属層を有することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２の金属層の前記半導体チップに対向する領域が前記テープキャリアの方向に突出することを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記金属層、前記テープキャリア及び前記第２の金属層がネジまたはリベットにて固定されることを特徴とする請求項５または請求項６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ネジまたは前記リベットが前記テープキャリア及び前記金属層を貫通することを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記テープキャリアの裏面に第３の金属層を形成し、前記ネジまたは前記リベットが前記第３の金属層、前記テープキャリア及び前記金属層を貫通することを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記ネジ及び前記リベットが前記半導体チップから５０ｍｍ以内に設けられることを特徴とする請求項７〜請求項９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記テープキャリアの半導体チップに対向する領域に穴が形成されることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記テープキャリアの裏面に第２の樹脂層を有することを特徴とする請求項１１記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第２の樹脂層の裏面に前記半導体チップに対向する領域が前記テープキャリアの方向に突出する突出部を備える筐体を有することを特徴とする請求項１２記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記金属層、前記テープキャリア及び前記第２の樹脂層がネジまたはリベットにて固定されることを特徴とする請求項１２または請求項１３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記樹脂層に導電性のフィラーが混在していることを特徴とする請求項１〜請求項１４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記樹脂層に低融点の金属フィラーを有することを特徴とする請求項１〜請求項１５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記樹脂層が熱可塑性の樹脂であることを特徴とする請求項１〜請求項１４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１８】
半導体チップをテープキャリアに搭載してなる半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップの表面に形成される複数の電極パッドと前記テープキャリアに形成されて前記電極パッドと対応する複数の導体配線とを突起電極を介して位置合わせして接続する工程と、
前記テープキャリアと前記半導体チップとの間隙に側面にテーパー部が形成されるように絶縁性樹脂を充填する工程と、
前記半導体チップの裏面上及び前記テープキャリア上の少なくとも一部ならびに前記テーパー部上に接触するように前記絶縁性樹脂層より熱伝導率が高い樹脂層を形成する工程と、
前記半導体チップ及び前記テーパー部上の絶縁性樹脂層と相応する形状の凹みを備える金属層を前記樹脂層と密着するように固着する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
半導体チップをテープキャリアに搭載してなる半導体装置の製造方法であって、
前記半導体チップの表面に形成される複数の電極パッドと前記テープキャリアに形成されて前記電極パッドと対応する複数の導体配線とを突起電極を介して位置合わせして接続する工程と、
前記テープキャリアと前記半導体チップとの間隙に側面にテーパー部が形成されるように絶縁性樹脂を充填する工程と、
前記半導体チップ及び前記テーパー部上の絶縁性樹脂層と相応する形状の凹みを備える金属層に前記絶縁性樹脂層より熱伝導率が高い樹脂層を形成する工程と、
前記半導体チップの裏面上及び前記テープキャリア上の少なくとも一部ならびに前記テーパー部上に前記樹脂層が接触するように前記金属層を固着する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記樹脂層がシート状の形態であることを特徴とする請求項１８または請求項１９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記樹脂層がペースト状であることを特徴とする請求項１８または請求項１９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記金属層の前記半導体チップ上の一部に１または複数の穴が形成されることを特徴とする請求項１８または請求項１９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
前記金属層を固着する工程の後に、加熱して前記金属層をさらに密着させることを特徴とする請求項１８〜請求項２２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項１〜請求項１７記載の半導体装置をネジにより筐体に実装することを特徴とする半導体装置の実装体。
【請求項２５】
請求項１〜請求項１７記載の半導体装置をリベットにより筐体に実装することを特徴とする半導体装置の実装体。
【請求項２６】
前記テープキャリアの裏面の第２の金属層を介して筐体に実装することを特徴とする請求項２４または請求項２５のいずれかに記載の半導体装置の実装体。
【請求項２７】
前記半導体装置と前記筐体を第２の樹脂層を介して密着させることを特徴とする請求項２４〜請求項２６のいずれかに記載の半導体装置の実装体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置は、半導体チップをテープキャリアに搭載してなる半導体装置であって、前記テープキャリアと前記半導体チップとの間隙に充填され側面にテーパー部が形成されている絶縁性樹脂と、前記半導体チップの裏面上及び前記テープキャリア上の少なくとも一部ならびに前記テーパー部上に接触するように形成される前記絶縁性樹脂より熱伝導率が高い樹脂層と、前記半導体チップ及び前記テーパー上の絶縁性樹脂層と相応する形状の凹みを備えて前記樹脂層と密着するように形成される金属層とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、前記金属層が前記樹脂層の形状に沿って形成されるシート状の金属層であっても良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記半導体チップ上領域の前記金属層の一部に１または複数の穴が形成されることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、前記金属層の凹みが形成される反対の表面に切り込みを有しても良い。
また、前記テープキャリアの裏面に第２の金属層を有しても良い。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記第２の金属層の前記半導体チップに対向する領域が前記テープキャリアの方向に突出することが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、前記金属層、前記テープキャリア及び前記第２の金属層がネジまたはリベットにて固定されても良い。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、前記ネジまたは前記リベットが前記テープキャリア及び前記金属層を貫通しても良い。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、前記テープキャリアの裏面に第３の金属層を形成し、前記ネジまたは前記リベットが前記第３の金属層、前記テープキャリア及び前記金属層を貫通しても良い。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、前記ネジ及び前記リベットが前記半導体チップから５０ｍｍ以内に設けることが好ましい。
また、前記テープキャリアの半導体チップに対向する領域に穴が形成されても良い。
また、前記テープキャリアの裏面に第２の樹脂層を有することが好ましい。
また、前記第２の樹脂層の裏面に前記半導体チップに対向する領域が前記テープキャリアの方向に突出する突出部を備える筐体を有しても良い。
また、前記金属層、前記テープキャリア及び前記第２の樹脂層がネジまたはリベットにて固定されても良い。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、前記樹脂層に導電性のフィラーが混在しても良い。
また、前記樹脂層に低融点の金属フィラーを有しても良い。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、前記樹脂層が熱可塑性の樹脂であっても良い。
さらに、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップをテープキャリアに搭載してなる半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの表面に形成される複数の電極パッドと前記テープキャリアに形成されて前記電極パッドと対応する複数の導体配線とを突起電極を介して位置合わせして接続する工程と、前記テープキャリアと前記半導体チップとの間隙に側面にテーパー部が形成されるように絶縁性樹脂を充填する工程と、前記半導体チップの裏面上及び前記テープキャリア上の少なくとも一部ならびに前記テーパー部上に接触するように前記絶縁性樹脂層より熱伝導率が高い樹脂層を形成する工程と、前記半導体チップ及び前記テーパー部上の絶縁性樹脂層と相応する形状の凹みを備える金属層を前記樹脂層と密着するように固着する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップをテープキャリアに搭載してなる半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの表面に形成される複数の電極パッドと前記テープキャリアに形成されて前記電極パッドと対応する複数の導体配線とを突起電極を介して位置合わせして接続する工程と、前記テープキャリアと前記半導体チップとの間隙に側面にテーパー部が形成されるように絶縁性樹脂を充填する工程と、前記半導体チップ及び前記テーパー部上の絶縁性樹脂層と相応する形状の凹みを備える金属層に前記絶縁性樹脂層より熱伝導率が高い樹脂層を形成する工程と、前記半導体チップの裏面上及び前記テープキャリア上の少なくとも一部ならびに前記テーパー部上に前記樹脂層が接触するように前記金属層を固着する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、前記樹脂層がシート状の形態であっても良い。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、前記樹脂層がペースト状であっても良い。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、前記金属層の前記半導体チップ上の一部に１または複数の穴が形成されることが好ましい。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、前記金属層を固着する工程の後に、加熱して前記金属層をさらに密着させることが好ましい。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
さらに、本発明の半導体装置の実装体は、前記半導体装置をネジにより筐体に実装することを特徴とする。
また、前記半導体装置をリベットにより筐体に実装しても良い。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、前記テープキャリアの裏面の第２の金属層を介して筐体に実装しても良い。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、前記半導体装置と前記筐体を第２の樹脂層を介して密着させても良い。