【手続補正書】
【提出日】平成22年12月15日(2010.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の受光画素を有し、
前記複数の受光画素は、光を電荷に変換する受光部と、前記受光部に電気的に接続されたスイッチング素子とを有し、
前記受光部は、前記複数の受光画素ごとに分離された複数の第１の導電層と、光電変換層と、前記複数の受光画素に共通な第２の導電層とを有し、
前記第２の導電層は、前記第２の導電層の上層に形成された取出し配線と電気的に接続され、
前記取出し配線は、前記第２の導電層の下層に形成された取出し端子と電気的に接続されることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項２】
複数の受光画素を有し、
前記複数の受光画素は、光を電荷に変換する受光部と、前記受光部に電気的に接続されたスイッチング素子とを有し、
前記受光部は、前記複数の受光画素ごとに分離された複数の第１の導電層と、光電変換層と、前記複数の受光画素に共通な第２の導電層とを有し、
前記第２の導電層は、前記第２の導電層の上層に形成された取出し配線と電気的に接続され、
前記取出し配線は、前記第２の導電層の下層に形成された第１の取出し端子と電気的に接続され、
前記第１の取出し端子は、前記第１の取出し端子の下層に形成された第２の取出し端子と電気的に接続されることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項３】
請求項１において、
前記取出し端子は前記複数の第１の導電層と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項４】
請求項２において、
前記第１の取出し端子は前記複数の第１の導電層と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項５】
請求項１において、
前記スイッチング素子は、信号を読み出す受光画素を選択するための信号が入力される選択線と電気的に接続され、
前記取出し端子は前記選択線と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項６】
請求項２または請求項４において、
前記スイッチング素子は、信号を読み出す受光画素を選択するための信号が入力される選択線と電気的に接続され、
前記第２の取出し端子は前記選択線と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項７】
請求項１において、
前記スイッチング素子は、受光画素から読み出した信号を出力するための信号線と電気的に接続され、
前記取出し端子は前記信号線と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項８】
請求項２または請求項４において、
前記スイッチング素子は、受光画素から読み出した信号を出力するための信号線と電気的に接続され、
前記第２の取出し端子は前記信号線と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項９】
請求項１、請求項３、請求項５、または請求項７のいずれか一において、
前記取出し配線と前記取出し端子とは、複数のコンタクトホールによって電気的に接続されていることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項１０】
請求項２、請求項４、請求項６、または請求項８のいずれか一において、
前記取出し配線と前記第１の取出し端子とは、複数のコンタクトホールによって電気的に接続されていることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項１１】
請求項２、請求項４、請求項６、請求項８、または請求項１０のいずれか一において、
前記第１の取出し端子と前記第２の取出し端子とは、複数のコンタクトホールによって電気的に接続されていることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一において、
前記複数のコンタクトホールの間隔は、前記複数の受光画素の画素ピッチと等しいことを特徴とするイメージセンサ。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記取出し配線には一定の電位が与えられることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、
前記複数の受光画素が配置された矩形状の受光画素領域の隣り合う２辺において、前記複数の受光画素は駆動回路と電気的に接続されることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一において、
前記スイッチング素子は薄膜トランジスタであることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一に記載のイメージセンサが形成された基板と同一基板上に表示マトリクスを有し、
前記表示マトリクスは、能動素子と、前記能動素子に電気的に接続された複数の画素電極とを有することを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一に記載のイメージセンサが形成された基板と同一基板上に表示マトリクスを有し、
前記表示マトリクスは、能動素子と、前記能動素子を覆う電極層と、前記能動素子に電気的に接続された複数の画素電極とを有することを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記複数の第１の導電層は、前記電極層と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１９】
請求項１７または請求項１８において、
前記表示マトリクスにおいて、
前記能動素子は第１の絶縁膜に覆われ、
前記電極層は前記第１の絶縁膜上に形成され、
前記複数の画素電極は前記電極層を覆う第２の絶縁膜上に形成され、
前記イメージセンサにおいて、
前記スイッチング素子は前記第１の絶縁膜に覆われ、
前記複数の第１の導電層は前記第１の絶縁膜上に形成され、
前記第２の導電層は前記第２の絶縁膜に覆われていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２０】
複数の受光画素が配置された矩形状の受光画素領域に、光を電荷に変換する受光部と、前記受光部に電気的に接続されたスイッチング素子とを有し、
前記受光部は、前記複数の受光画素ごとに分離された複数の第１の導電層と、光電変換層と、前記複数の受光画素に共通な第２の導電層とを有し、
前記第２の導電層は、前記第２の導電層と異なる層に形成された取出し配線と電気的に接続されたイメージセンサと、
前記イメージセンサが形成された基板と同一基板上に表示マトリクスを有し、
前記表示マトリクスは、能動素子と、前記能動素子を覆う電極層と、前記能動素子に電気的に接続された複数の画素電極とを有し、
前記複数の第１の導電層は、前記電極層と同じ出発膜で形成されていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２１】
複数の受光画素が配置された矩形状の受光画素領域に、光を電荷に変換する受光部と、前記受光部に電気的に接続されたスイッチング素子とを有し、
前記受光部は、前記複数の受光画素ごとに分離された複数の第１の導電層と、光電変換層と、前記複数の受光画素に共通な第２の導電層とを有し、
前記第２の導電層は、前記第２の導電層と異なる層に形成された取出し配線と電気的に接続されたイメージセンサと、
前記イメージセンサが形成された基板と同一基板上に表示マトリクスを有し、
前記表示マトリクスは、能動素子と、前記能動素子を覆う電極層と、前記能動素子に電気的に接続された複数の画素電極とを有し、
前記表示マトリクスにおいて、
前記能動素子は第１の絶縁膜に覆われ、
前記電極層は前記第１の絶縁膜上に形成され、
前記画素電極は前記電極層を覆う第２の絶縁膜上に形成され、
前記イメージセンサにおいて、
前記スイッチング素子は前記第１の絶縁膜に覆われ、
前記複数の第１の導電層は前記第１の絶縁膜上に形成され、
前記第２の導電層は前記第２の絶縁膜に覆われていることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２２】
請求項１６乃至請求項２１のいずれか一において、
前記能動素子は薄膜トランジスタであることを特徴とするイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２３】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一に記載のイメージセンサを用いることを特徴とする電子機器。
【請求項２４】
請求項１６乃至請求項２２のいずれか一に記載のイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置を用いることを特徴とする電子機器。