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【手続補正書】
【提出日】平成23年8月2日(2011.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
処理容器内で被処理基板に対して処理を行うための基板処理装置において、前記処理容器内で被処理基板を載置する基板載置台であって、
載置台本体と、
前記載置台本体に対して基板を昇降する基板昇降機構と
を具備し、
前記基板昇降機構は、
前記載置台本体に設けられた複数の挿通孔にそれぞれ挿通され、その先端で基板を支持して基板を昇降させる複数の昇降ピンと、
前記昇降ピンを支持する昇降アームと、
前記昇降アームを介して前記昇降ピンを昇降させるアクチュエータと、
前記昇降ピンを前記昇降アームに取り付ける昇降ピン取り付け部とを有し、
前記昇降ピン取り付け部は、
前記昇降アームの上面の前記昇降ピンに対応する位置に設けられた凹所と、
前記昇降ピンがねじ止めされ、前記昇降アームの上面と面接触する底面を有し、かつその底面から下方へ突出して前記凹所に遊嵌される突出部を有するベース部材と、
前記ベース部材をクランプして前記昇降ピンを固定するクランプ部材とを有することを特徴とする基板載置台。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
基板が収容される処理容器と、
前記処理容器内で被処理基板を載置する請求項１から請求項１０のいずれかに記載された基板載置台と、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、
被処理基板に所定の処理を施す処理機構と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
前記プラズマ生成機構は、複数のスロットを有する平面アンテナと、該平面アンテナを介して前記処理容器内にマイクロ波を導くマイクロ波導入手段とを有し、導入されたマイクロ波により処理ガスをプラズマ化することを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点では、処理容器内で被処理基板に対して処理を行うための基板処理装置において、前記処理容器内で被処理基板を載置する基板載置台であって、載置台本体と、前記載置台本体に対して基板を昇降する基板昇降機構とを具備し、前記基板昇降機構は、前記載置台本体に設けられた複数の挿通孔にそれぞれ挿通され、その先端で基板を支持して基板を昇降させる複数の昇降ピンと、前記昇降ピンを支持する昇降アームと、前記昇降アームを介して前記昇降ピンを昇降させる昇降機構と、前記昇降ピンを前記昇降アームに取り付ける昇降ピン取り付け部とを有し、前記昇降ピン取り付け部は、前記昇降アームの上面の前記昇降ピンに対応する位置に設けられた凹所と、前記昇降ピンがねじ止めされ、前記昇降アームの上面と面接触する底面を有し、かつその底面から下方へ突出して前記凹所に遊嵌される突出部を有するベース部材と、前記ベース部材をクランプして前記昇降ピンを固定するクランプ部材とを有することを特徴とする基板載置台を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月2日(2011.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
内部が真空に保持可能な処理容器と、
前記処理容器内を所定の真空雰囲気とするための排気機構と、
原料形成面に重合膜を形成するための複数の原料を所定パターンで固体状に形成した第１の基板と、重合膜を形成すべき成膜面を有する第２の基板とを、前記原料形成面と前記成膜面とが向き合うように対向して支持する基板支持手段と、
前記第１の基板を前記複数の原料が蒸発する第１の温度に加熱する第１の加熱機構と、
前記第２の基板を前記複数の原料が重合反応を生ずる第２の温度に加熱する第２の加熱機構と
を具備し、
前記第１の基板から蒸発した複数の原料を前記第２の基板の前記成膜面で反応させ、前記成膜面に所定の重合膜を形成することを特徴とする重合膜の成膜装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
前記基板支持手段は、第１の基板と第２の基板の対を複数対支持し、前記第１の加熱機構および前記第２の加熱機構により、各対の第１の基板および第２の基板をそれぞれ第１の温度および第２の温度に加熱するようにすることを特徴とする請求項１１から請求項１７に記載の重合膜の成膜装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の第２の観点では、内部が真空に保持可能な処理容器と、前記処理容器内を所定の真空雰囲気とするための排気機構と、原料形成面に重合膜を形成するための複数の原料を所定パターンで固体状に形成した第１の基板と、重合膜を形成すべき成膜面を有する第２の基板とを、前記原料形成面と前記成膜面とが向き合うように対向して支持する基板支持手段と、前記第１の基板を前記複数の原料が蒸発する第１の温度に加熱する第１の加熱機構と、前記第２の基板を前記複数の原料が重合反応を生ずる第２の温度に加熱する第２の加熱機構とを具備し、前記第１の基板から蒸発した複数の原料を前記第２の基板の前記成膜面で反応させ、前記成膜面に所定の重合膜を形成することを特徴とする重合膜の成膜装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月24日(2011.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
評価対象の太陽電池に照射される光を出射する光源と、
前記光源から前記太陽電池に照射される光をライン状の光に変換する光変換手段と、
前記太陽電池に対する前記ライン状の光の方向を変化させる変化手段と、
前記変化手段によってライン状の光を異なる方向とした時の前記太陽電池の出力を検出する検出器と、
前記検出器での検出結果に基づいて、前記太陽電池の発電効率分布を算出する処理部とを備え、
前記光変換手段がスリット付き遮光板を有し、
前記変化手段が前記スリット付き遮光板を回転させることで、前記太陽電池に対する前記ライン状の光の方向を変化させる太陽電池の評価装置。
【請求項２】
前記ライン状の光の方向を一定にした状態で、前記ライン状の光と直交する方向に、前記ライン状の光をスキャンすることを特徴とする請求項１に記載の評価装置。
【請求項３】
前記処理部が、バックプロジェクション法を用いて前記発電効率分布を算出する請求項１、又は２に記載の評価装置。
【請求項４】
前記検出器で検出された出力電流を電圧に変換する電流・電圧変換回路をさらに備え、
前記電流・電圧変換回路が、前記太陽電池の電極間容量と直列に接続された抵抗を有している請求項１〜３のいずれか１項に記載の評価装置。
【請求項５】
前記電流・電圧変換回路が０Ｖバイアスで駆動されるオペアンプを有している請求項４に記載の評価装置。
【請求項６】
前記電流・電圧変換回路が一定電圧で駆動されるオペアンプを有している請求項４に記載の評価装置。
【請求項７】
スリット付き遮光板を用いて、太陽電池にライン状の光を照射するステップと、
前記ライン状の光が照射されたときの、前記太陽電池からの出力を検出するステップと、
前記スリット付き遮光板を回転させることで、前記太陽電池に対する前記ライン状の光を異なる方向にするステップと、
前記ライン状の光を異なる方向にした時の、前記太陽電池からの出力の検出結果を記憶するステップと、
前記検出結果に基づいて、前記太陽電池の発電効率分布を算出するステップと、を備える太陽電池の評価方法。
【請求項８】
前記ライン状の光の方向を一定にした状態で、前記ライン状の光と直交する方向に、前記ライン状の光をスキャンすることを特徴とする請求項７に記載の評価方法。
【請求項９】
前記検出結果をバックプロジェクション法の投影データとして、前記発電効率分布を算出する請求項７、又は８に記載の評価方法。
【請求項１０】
前記太陽電池からの出力電流を電圧に変換する電流・電圧変換回路において、前記太陽電池の電極間容量と直列に接続された抵抗が設けられている請求項７〜９のいずれか１項に記載の評価方法。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の評価方法を用いて、太陽電池を評価するステップを有する太陽電池の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月4日(2011.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
本構成の柱６５６、６５７は、その内側面に、導体線６４３ａ、６４３ｂに向かう突出部５６１、５７１を有している。図において、突出部５６１、５７１は直方体で、導体線６４３ａ、６４３ｂに対向する面は、導体線６４３ａ、６４３ｂと平行である。導体線６４３ａ、６４３ｂの間の間隙の距離はＳ１で示され、突出部５６１、５７１と導体線６４３ａ、６４３ｂとの間のそれぞれの間隙の距離はＳ２で示されている。突出部５６１と導体線６４３ａとの間隙の距離と、突出部５７１と導体線６４３ｂとの間隙の距離とは、同一のＳ２である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
導体線対による信号伝送特性への影響を抑えるためには、導体線に沿って互いに離間して配列された柱の間には他の金属層が存在することなく、単一孔が形成されていることが好ましい。しかし、設計によっては、柱間を導体の梁によって接続するようにしてもよい。図１０（ａ）、（ｂ）は、同一列において隣接する柱を接続する梁を有する高周波伝送線路部の一部構成を模式的に示している。図１０（ａ）はその高周波伝送線路部の一部を示す側面図、図１０（ｂ）は梁を含む一部構成を模式的に示す斜視図である。図１０（ａ）、（ｂ）は導体線６４３ａ、６４３ｂ、柱６５１ａ、６５１ｂ、６５２ａ、６５２ｂ、そして梁６５８、６５９ａ、６５９ｂのみを示し、他の構成要素は省略している。梁６５９ｂは、一部のみ示している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
梁６５８、６５９ａ、６５９ｂは、他のシールド金属層と同様に銅で形成することが好ましい。梁６５８、６５９ａは、導体線６４３ａ、６４３ｂに沿って延在し、隣接する柱６５１ａと柱６５１ｂの間、あるいは隣接する柱６５２ａと柱６５２ｂの間をつないでいる。梁６５８、６５９ａ、６５９ｂは、上下のシールド６４７、６５０からは離間している。そのため、上記他の構成のように柱の間に単一孔６５３ａが形成されている構成と異なり、柱の間には二つの孔が形成されている。図１０（ａ）の例においては、離間した柱６５２ａと柱６５２ｂとの間を梁６５９ａが接続し、柱６５２ａ、６５２ｂの間に二つの孔６８１ａ、６８１ｂが形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
上記各構成において、上部シールド６５０と下部シールド６４７とは完全に閉じており、孔が形成されていない一枚の連続した板で構成されている。高周波信号伝送のためには、このような構造を有することが好ましい。しかし、さらに小さい剛性を要求される部分については、上部シールドあるいは下部シールドの剛性を小さくするために、孔を形成してもよい。あるいは、上部シールドを形成することなくマイクロストリップ構造とすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
以上、本発明を好ましい実施形態を例として説明したが、本発明が上記の実施形態に限定されるものではない。当業者であれば、上記の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能である。本発明は、アシスト電磁界を生成する他の素子を有するＨＧＡに適用することができる。上下シールドを接続する柱は、製造及び設計の容易性の点から角柱であることが好ましいが、これと異なる形状を有する柱を使用してもよい。伝送線路構造における各寸法の関係は、設計により適切なものを採用し、上記構成のものに限定されるものではない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
１１  磁気ディスク、１２  ベース、１３  スピンドル・モータ
１５  ヘッド・スライダ、１６  アクチュエータ、１７  回動軸、１８  ＦＰＣ
１６１  サスペンション、１６２  アーム、１６３  コイル・サポート
１６４  伝送線路、１６９  マルチコネクタ、１８１  ＦＰＣコネクタ
１８２  プリアンプＩＣ、５１０  スライダ、５１１  絶縁層、５１２  下部シールド
５１３  上部シールド、５１４  再生素子、５１５  主磁極、５１６、５１７  電極対
５１８、５１９  軟磁性膜、５２０  下部磁性層、５２１ａ、５２１ｂ  コイル
５２２  軟磁性膜、５２３ａ、５２３ｂ  絶縁層、５６１、５７１  突出部
６１１  ジンバル、６１２  ロード・ビーム、６１３  マウント・プレート
６２１  ヒンジ部、６４１ａ、６４１ｂ  導体線、６４２ａ、６４２ｂ  導体線
６４３ａ、６４３ｂ  導体線、６４４  ステンレス金属層、６４５  ポリイミド絶縁層
６４６  ポリイミド保護層、６４７  下部シールド、６４８  下部ポリイミド絶縁層
６４９  上部ポリイミド絶縁層、６５０  上部シールド、６５１ａ、６５１ｂ  柱
６５２ａ〜６５２ｃ  柱、６５３ａ、６５３ｂ  孔、６５６、６５７  柱、６５８  梁
６５９ａ、６５９ｂ  梁、６６２  再生信号伝送線路部、６６１  記録信号伝送線路部
６６３  高周波伝送線路部、６８１ａ、６８１ｂ  孔、７５１、７５２  柱列
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2010073297.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月12日(2011.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１の光電変換部及び複数の第２の光電変換部を含む複数の光電変換部が行方向及び列方向に配列された半導体基板と、
前記半導体基板の上に配され、前記複数の光電変換部のそれぞれに対する開口領域を規定する多層配線構造と、
前記複数の第１の光電変換部のそれぞれに第１の色の光が入射するように前記複数の第１の光電変換部のそれぞれの上方にそれぞれが配された複数の第１の色フィルタを含み、各第１の色フィルタが、それに隣接する他の第１の色フィルタに接続されている第１の色フィルタ層と、
前記複数の第２の光電変換部のそれぞれに第２の色の光が入射するように前記複数の第２の光電変換部のそれぞれの上方にそれぞれが配された複数の第２の色フィルタを含む第２の色フィルタ層と、
を備え、
前記多層配線構造は、
前記複数の光電変換部のそれぞれに対する前記開口領域を規定する最上の配線層と、
前記最上の配線層を覆うように配された絶縁膜と、
を含み、
前記第１の色フィルタ層及び前記第２の色フィルタ層は、前記絶縁膜を覆うように配されている
ことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記第１の色フィルタ層では、複数の前記第１の色フィルタが市松模様を形成するように平面的に配置され、各第１の色フィルタの角部が、当該第１の色フィルタの対角方向に隣接する他の第１の色フィルタの角部に接続されている
ことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記絶縁膜は、無機材料で形成され、
前記第１の色フィルタ層及び前記第２の色フィルタ層は、それぞれ有機材料で形成され、
各第１の色フィルタの縁部は、当該第１の色フィルタの行方向又は列方向に隣接する第２の色フィルタの縁部に重なっている
ことを特徴とする請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記絶縁膜は、前記最上の配線層に応じた凹凸を有し、
前記第１の色フィルタ層及び前記第２の色フィルタ層は、前記絶縁膜における凸部の上で重なり合い、
前記第１の色フィルタ層及び前記第２の色フィルタ層が互いに重なる部分の幅は、前記絶縁膜における凸部の幅の１／２以上であり凸部の幅以下である
ことを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第１の色フィルタ層が前記絶縁膜における凸部に重なる部分の幅は、前記凸部の幅の１／２以上であり凸部の幅以下である
ことを特徴とする請求項４に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記第２の色フィルタ層が前記第１の色フィルタ層の上に重なる部分の幅は、前記凸部の幅の１／２以上であり凸部の幅以下である
ことを特徴とする請求項５に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記複数の光電変換部は、複数の第３の光電変換部をさらに含み、
前記光電変換装置は、前記複数の第３の光電変換部のそれぞれに第３の色の光が入射するように前記複数の第３の光電変換部のそれぞれの上方にそれぞれが配された複数の第３の色フィルタを含む第３の色フィルタ層をさらに備え、
前記第１の色フィルタ層、前記第２の色フィルタ層、及び前記第３の色フィルタ層は、前記絶縁膜を覆うように配されており、
複数の前記第１の色フィルタ、複数の前記第２の色フィルタ、及び複数の前記第３の色フィルタの配列は、ベイヤー配列を形成している
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記第２の色フィルタの縁部は、隣接する前記第３の色フィルタの縁部に重なっていない
ことを特徴とする請求項７に記載の光電変換装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置の撮像面へ像を形成する光学系と、
前記光電変換装置から出力された信号を処理して画像データを生成する信号処理部と、
を備えたことを特徴とする撮像システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月30日(2011.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有し、該開口部の周囲にリード部が櫛歯状に延在するように成形されたリードフレームと、
前記リードフレームの開口部に、フェイスダウンの態様で配置された第１の半導体素子と、
前記第１の半導体素子上にフェイスアップの態様で搭載され、その電極パッドがワイヤを介して前記リードフレームのリード部に接続された第２の半導体素子と、
前記第１の半導体素子及び前記リードフレームをその一面側に搭載する態様で設けられた積層配線層と、
前記積層配線層上の前記リードフレームと前記第１、第２の半導体素子及び前記ワイヤを埋め込むように形成された封止樹脂層とを備え、
前記積層配線層は、前記第１の半導体素子の電極パッド及び前記リードフレームのリード部からそれぞれひき出された配線パターンが、前記積層配線層の他面側に設けられるパッド部と電気的に繋がるようにそれぞれパターン形成された複数の配線層を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記リードフレームの開口部は、前記第１の半導体素子が配置される第１の開口部と、その周囲にリード部が櫛歯状に延在するように成形された第２の開口部とを有し、
前記第２の半導体素子は、前記第１の半導体素子より大きいサイズを有し、その周辺部分が前記第１、第２の開口部間のリードフレーム部分で支持された構造を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の半導体素子は、前記第１の半導体素子より大きいサイズを有し、その周辺部分が前記リードフレームの各リード部で支持された構造を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の半導体素子として複数個の半導体素子が、前記リードフレームの開口部に並設されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１、第２の各半導体素子の厚さは、前記リードフレームのリード部の厚さと同じであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
開口部を有し、該開口部の周囲にリード部が櫛歯状に延在するように成形されたリードフレームを、フィルム状の基材に貼り付けたものを用意する工程と、
前記基材上の、前記リードフレームの開口部に対応する部分に、第１の半導体素子をフェイスダウンの態様で搭載する工程と、
前記第１の半導体素子上に第２の半導体素子をフェイスアップの態様で搭載し、さらに該第２の半導体素子の電極パッドと前記リードフレームのリード部とをワイヤにより接続する工程と、
前記基材上の前記リードフレームと前記第１、第２の半導体素子及び前記ワイヤを埋め込むように封止樹脂で封止する工程と、
前記基材を除去する工程と、
前記第１の半導体素子の電極パッド及び前記リードフレームのリード部からそれぞれ配線パターンをひき出し、以降、所要の数の配線層を積層する工程であって、前記配線パターンが、積層後の配線層の露出する面側に設けられるパッド部と電気的に繋がるように各配線層を積層する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記リードフレームを前記基材に貼り付けたものを用意する工程において、前記リードフレームを、第１の半導体素子が配置される第１の開口部と、その周囲に前記リード部が櫛歯状に延在するように成形された第２の開口部とを有するように成形し、
前記第１の半導体素子上に前記第２の半導体素子を搭載し、さらに該第２の半導体素子の電極パッドと前記リードフレームのリード部とをワイヤにより接続する工程において、前記第１の半導体素子より大きいサイズを有した第２の半導体素子を、その周辺部分を前記第１、第２の開口部間のリードフレーム部分上に位置合わせして搭載することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の半導体素子上に前記第２の半導体素子を搭載し、さらに該第２の半導体素子の電極パッドと前記リードフレームのリード部とをワイヤにより接続する工程において、前記第１の半導体素子より大きいサイズを有した第２の半導体素子を、その周辺部分を前記リードフレームの各リード部上に位置合わせして搭載することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の半導体素子を搭載する工程において、前記基材上の、前記リードフレームの開口部に対応する部分に、該第１の半導体素子として複数個の半導体素子を並設することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１、第２の各半導体素子の厚さは、前記リードフレームのリード部の厚さと同じであることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
かかる従来技術に関連する技術としては、例えば、特許文献１に記載された半導体装置及びその製造方法がある。また、特許文献２に記載された半導体装置及びその製造方法、特許文献３に記載された半導体装置、特許文献４に記載された半導体装置がある。
【特許文献１】特開２００６−２６１５０９号公報
【特許文献２】特開２００８−９１４１８号公報
【特許文献３】特開２００２−８３９０２号公報
【特許文献４】特開昭６０−１８２７３１号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
この後（図９（ｃ）〜図１０（ｄ）の工程）、上述した図３（ｃ）〜図４（ｄ）の工程で行った処理と同じ処理を経て、本実施形態の半導体装置７０（図７）が製造される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
次の工程では（図１５（ｂ）参照）、図３（ｂ）の工程で行った処理と同様にして、下側チップ３０上に、上側チップ３２ａを、その電極パッド３３ａが形成されている側の面を上にしたフェイスアップの態様で搭載する。その際、上側チップ３２ａの周辺部分をリードフレーム２０ｂのリード部２２の先端部上に位置合わせし、各チップ３０，３２ａの裏面に付着しているダイ・アタッチ・フィルムの粘着性を利用して各チップ３０，３２ａを規定の位置に保持する。さらに、上側チップ３２ａの電極パッド３３ａとリードフレーム２０ｂの対応するリード部２２とをボンディングワイヤ３４ａにより接続する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
この後（図１５（ｃ）〜図１６（ｄ）の工程）、上述した図３（ｃ）〜図４（ｄ）の工程で行った処理と同じ処理を経ることで、本実施形態の半導体装置８０（図１３）が製造される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月26日(2011.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧に排気され得る反応容器と、
前記反応容器内に回転可能に設けられ、基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部の外縁部から中央部へ向けて第１の反応ガスを流す第１の原料供給部と、
前記基板保持部の外縁部から中央部へ向けて第２の反応ガスを流す第２の原料供給部と、
前記第１及び前記第２の原料供給部の間に設けられ、前記基板保持部の外縁部から中央部へ向けて分離ガスを流す分離ガス供給部と、
前記基板保持部の中央部に設けられ、前記第１の反応ガス、前記第２の反応ガス、及び前記分離ガスを排気する排気部と
を備える成膜装置。
【請求項２】
前記基板保持部が、前記基板が載置される基板載置部を有する基板保持ディスクを含む、請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記基板保持部が、所定の間隔をおいて重ねられる複数の前記基板保持ディスクを含む、請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記基板保持ディスクが、前記基板保持部の回転方向に沿って配置される複数の前記基板載置部を含む、請求項２又は３の成膜装置。
【請求項５】
前記基板保持ディスク上に、複数の前記基板載置部のうちの隣り合う２つの基板載置部の間に仕切り板が配置される、請求項２から４のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記基板保持ディスクが中央部に開口を有し、
前記排気部が、前記基板保持ディスク上を流れるガスを流通させる開口が形成される、前記開口に挿入可能な円筒部を含む、請求項２から５のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記基板保持ディスクの前記開口に挿入される前記排気部の前記円筒部に、
前記第１の原料ガス供給部に向いた一の前記開口と、
前記第２の原料ガス供給部に向いた他の前記開口と
を有する、請求項６に記載の成膜装置。
【請求項８】
前記排気部が、前記円筒部の内部を、前記一の開口と連通する一の空間と前記他の開口と連通する他の空間とに分割する板状部材を更に含む、請求項７に記載の成膜装置。
【請求項９】
減圧に排気され得る反応容器に回転可能に設けられる基板保持部に基板を収納する工程と、
前記基板が収納された前記基板保持部を回転する工程と、
前記基板保持部の外縁部から中央部へ向けて第１の反応ガスを流す工程と、
前記基板保持部の外縁部から中央部へ向けて第２の反応ガスを流す工程と、
前記第１及び前記第２の原料供給部の間において、前記基板保持部の外縁部から中央部へ向けてパージガスを流す工程と、
前記基板保持部の中央部から前記第１の反応ガス、前記第２の反応ガス、及び前記パージガスを排気する工程と
を含む成膜方法。
【請求項１０】
請求項１から８のいずれか一項に記載の成膜装置に請求項９に記載の成膜方法を実行させるプログラムを格納するコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月12日(2011.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記粒径度数分布計測器から得られた前記微小気泡の粒径の度数分布から選択された前記微小気泡の粒径は、最大の度数の前記微小気泡の粒径および最大の度数の前記微小気泡の粒径を含む周辺の度数の前記微小気泡の粒径を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記微小気泡を含む液体を一時的に貯めて前記処理槽に前記微小気泡を含む液体を供給する液貯蔵タンクを備え、前記粒径度数分布計測器は、前記液貯蔵液タンク内の前記微小気泡を含む液体をサンプリングすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記微小気泡を含む液体の温度の変化を測定する温度センサを有することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月9日(2011.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出部にて検出された検出電流を出力する電流出力端子を有する電流出力型の薄膜センサと、
電位レベルが時間的に変動する信号が供給される信号配線と前記電流出力端子との間に介在するように設けられ、前記電流出力端子との間の電位差が時間的に変動しないように電位レベルが設定されたシールド配線と、
を具備することを特徴とする薄膜センサ装置。
【請求項２】
前記シールド配線は、前記薄膜センサを囲むように延伸されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜センサ装置。
【請求項３】
前記薄膜センサは、電源用の接続端子を有し、
前記シールド端子は前記電源用の接続端子に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜センサ装置。
【請求項４】
前記シールド配線は一端が開放状態であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の薄膜センサ装置。
【請求項５】
前記シールド配線の幅は、少なくとも前記配線の幅と同じであることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の薄膜装置。
【請求項６】
前記信号配線は、前記薄膜センサに隣接するように設けられていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の薄膜装置。
【請求項７】
前記薄膜センサ装置と同一基板上に前記薄膜センサ装置と別の回路が設けられていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の薄膜センサ装置。
【請求項８】
前記薄膜センサ装置は、画像を表示する表示装置に設けられ、前記別の回路は前記表示装置の駆動回路であることを特徴とする請求項７に記載の薄膜センサ装置。
【請求項９】
前記表示装置は液晶表示装置であって、前記配線は前記液晶表示装置のコモン電極用の配線であることを特徴とする請求項８に記載の薄膜センサ装置。
【請求項１０】
前記薄膜センサは、照度の変化に従った電流を出力する光センサであることを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の薄膜センサ装置。
【請求項１１】
前記薄膜センサは、温度の変化に従った電流を出力する温度センサであることを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の薄膜センサ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の態様の薄膜センサ装置は、検出部にて検出された検出電流を出力する電流出力端子を有する電流出力型の薄膜センサと、電位レベルが時間的に変動する信号が供給される信号配線と前記電流出力端子との間に介在するように設けられ、前記電流出力端子との間の電位差が時間的に変動しないように電位レベルが設定されたシールド配線とを具備することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月31日(2011.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このような画像形成装置において、認証処理や課金処理を行う画像形成装置が知られている。従来の画像形成装置において、認証処理や課金処理を行うためには、アプリケーションが、ユーザコード・キーカウンター・キーカード等の認証／課金方法の種類を直接意識しながら動作する必要があった。例えば、特許文献１乃至４参照。
【特許文献１】特開２００５−３３８３７７号公報
【特許文献２】特開２００５−３３８３７８号公報
【特許文献３】特開２００５−３３９１３６号公報
【特許文献４】特開２００５−３４１１３３号公報
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月29日(2011.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、図２に示すように、別のオゾンガス供給部５３が、配管５４とバルブ５５を介して第２ヒータ５２を通って供給ノズル１５に接続されている。このため、バルブ５５が制御部２０の指令により開くことにより、オゾンガス供給部５３内のオゾンガスは、配管５４とバルブ５５を介して第２ヒータ５２を通って加熱された後に、供給ノズル１５から基板Ｗに液滴化して噴射されるようになっている。オゾンガス供給部３２，５３は、酸化性ガス供給部の一例である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図３に示す第１多孔質フィルタ８１と第２多孔質フィルタ８２とは、微小気泡発生機構部を構成しており、第１多孔質フィルタ８１は、高分子フィルム等の多孔質体フィルムであり、例えばクレーズ部１３１と、フィルム部１３２から構成されている。クレーズ部１３１は、フィルム部１３２の孔部に形成されており、複数のフィブリル１３３を有しており、各フィブリル１３３の間はボイド１３４である。このボイド１３４が、第１多孔質フィルタ８１の第１孔である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図３の矢印Ｓ方向に沿って、例えば０．３〜３．０ｋｇ／ｃｍ２の加圧力で圧縮気体が与えられると、圧縮されたオゾンガスが各フィブリル１３３の間のボイド１３４をぬって通過して多数の微小気泡が発生する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図３に示すように、微小気泡生成ユニット３０は、オゾンガス供給部３２から供給されたオゾンガスを第１多孔質フィルタ８１に通すことで多数の微小気泡を生成し、硫酸供給部３４から供給された硫酸を第２多孔質フィルタ８２に通すことで、生成された多数の微小気泡を、硫酸中に混入して含ませる。第１多孔質フィルタ８１に対して圧縮されたオゾンガスを供給すると、オゾンガスがクレーズ部１３１のフィブリル１３３の間のボイド１３４をぬって通過して、多数の微小気泡が発生する。これらの微小気泡は、第２多孔質フィルタ８２でフィルム部１３２から切り離すことにより、微小気泡同士の合体が起きずに微小気泡のままで硫酸中に吐き出すことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
図２に示すように、微小気泡を含む硫酸４０が供給ノズル１５から基板Ｗに噴射されて基板Ｗのレジスト剥離が行われた後に、使用した硫酸排液がタンク６５に入って光源６７と光センサ６８の間を通ると、硫酸の濃度が検出される。制御部２０は、硫酸の濃度の検出結果に基づいて、硫酸が再度利用可能であるかどうかを判断して、再度利用可能である場合には、制御部２０はポンプ４５を作動して硫酸を微小気泡生成ユニット３０に戻すが、硫酸が再利用できない場合には、バルブ６６を開けて硫酸をタンク７０に排出する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
図４に示す供給ノズル１５Ｂは基板Ｗの上部に配置されており、制御部２０Ｂの指令により操作部１２Ｂが動作すると、供給ノズル１５Ｂの揺動アーム８０は、Ｚ方向（上下方向）とＸ方向（基板Ｗの半径方向）に移動可能である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
制御部２０Ｂがポンプ８６を作動すると、配管８８を通じて微小気泡生成ユニット３０Ｂ内の硫酸９１が循環されることによりインフューザ８５により加熱される。オゾンガスバブリング部３２Ｂは、オゾンガスの多数の微小気泡を生成して、配管８９を通じて微小気泡生成ユニット３０Ｂ内の硫酸９１に混入させる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
微小気泡を含む硫酸９１は、配管９０を介して供給ノズル１５Ｂから基板Ｗに対して噴射して液滴化することで、基板Ｗのレジスト剥離を行うことができる。この際に、オゾンガス供給部８７からはオゾンガス９２が供給されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
図４に示すように、オゾンガスの微小気泡を含む硫酸９１が供給ノズル１５Ｂから基板Ｗに噴射されて基板Ｗのレジスト剥離が行われた後に、使用した硫酸排液がタンク６５に入って光源６７と光センサ６８の間を通ると、硫酸の濃度が検出される。制御部２０Ｂは、硫酸の濃度の検出結果に基づいて、硫酸が再度利用可能であるかどうかを判断して、再度利用可能である場合には、制御部２０Ｂはポンプ４５を作動して硫酸を微小気泡生成ユニット３０Ｂに戻すが、硫酸が再利用できない場合には、バルブ６６を開けて硫酸をタンク７０に排出する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
加熱された微小気泡を含むレジスト剥離液が用いられる。これにより、酸化性ガスが効率的にレジスト剥離を行うことができ、レジスト剥離性が向上できる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月15日(2011.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の繊維体に第１の有機樹脂が含浸された第１の構造体と、
第２の繊維体に第２の有機樹脂が含浸された第２の構造体と、
前記第１の構造体と前記第２の構造体との間に設けられるとともに、半導体基板を用いて形成された半導体集積回路と、
前記第１の構造体の外側の表面に設けられた第１の導電層と、
前記第２の構造体の外側の表面に設けられた第２の導電層と、を有し、
前記第１の構造体と前記第２の構造体とは、端部において互いに接しており、
前記第１の導電層と前記第２の導電層とは、前記第１の構造体及び前記第２の構造体の内部を貫通する電極を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の繊維体に第１の有機樹脂が含浸された第１の構造体と、
第２の繊維体に第２の有機樹脂が含浸された第２の構造体と、
前記第１の構造体と前記第２の構造体との間に設けられるとともに、半導体基板を用いて形成された半導体集積回路と、
前記第１の構造体の外側の表面に設けられた第１の衝撃拡散層と、
前記第２の構造体の外側の表面に設けられた第２の衝撃拡散層と、
前記第１の衝撃拡散層の外側の表面に設けられた第１の導電層と、
前記第２の衝撃拡散層の外側の表面に設けられた第２の導電層と、を有し、
前記第１の構造体と前記第２の構造体とは、端部において互いに接しており、
前記第１の導電層と前記第２の導電層とは、前記第１の構造体、前記第２の構造体、前記第１の衝撃拡散層、及び前記第２の衝撃拡散層の内部を貫通する電極を介して電気的に接続されており、
前記第１の衝撃拡散層及び前記第２の衝撃拡散層は、前記第１の構造体及び前記第２の構造体よりも弾性率が低く、かつ破断強度が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、前記半導体集積回路の膜厚は、前記第１の構造体及び前記第２の構造体の膜厚よりも小さく、かつ前記第１の衝撃拡散層及び前記第２の衝撃拡散層の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月5日(2011.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークにより接続された機器を対象としたタスクを、当該タスクに指定された時刻に実行するネットワーク管理装置であって、
実行時刻を指定して、タスクをデータベースに登録する登録手段と、
新規タスクを登録する際に、当該新規タスクの処理内容に関連するタスクが前記データベースに存在するか判断する判断手段と、
前記判断手段により前記関連するタスクが存在すると判断された場合、前記関連するタスクの実行時刻に応じて前記新規タスクの実行が可能な時間帯を特定する特定手段と、を有し、
前記登録手段は、前記新規タスクの登録に際して、前記特定された時間帯に実行時刻が指定される前記新規タスクの登録を許容し、前記特定された時間帯に実行時刻が指定されない前記新規タスクの登録を許容しないことを特徴とするネットワーク管理装置。
【請求項２】
前記特定された時間帯は、前記データベースに存在する前記関連するタスクの実行時刻より後の時間帯であることを特徴とする請求項１に記載のネットワーク管理装置。
【請求項３】
さらに、前記新規タスクの登録に際して、前記特定された時間帯を表示するための表示手段を有することを特徴とする請求項１または２に記載のネットワーク管理装置。
【請求項４】
前記表示手段は、前記新規タスクの登録に際して、前記特定された時間帯に、当該新規タスクの対象となる機器を表示することを特徴とする請求項３に記載のネットワーク管理装置。
【請求項５】
前記判断手段は、前記データベースに存在するタスクの処理内容が機器にファームウェアを更新させることを示し、前記新規タスクが当該ファームウェアの更新により前記機器を対象として実行可能となる場合に、当該新規タスクの処理内容に関連するタスクが前記データベースに存在すると判断することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のネットワーク管理装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の手段としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【請求項７】
ネットワークにより接続された機器を対象としたタスクを、当該タスクに指定された時刻に実行するネットワーク管理装置における管理方法であって、
実行時刻を指定して、タスクをデータベースに登録する登録工程と、
新規タスクを登録する際に、当該新規タスクの処理内容に関連するタスクが前記データベースに存在するか判断する判断工程と、
前記関連するタスクが前記データベースに存在すると判断された場合、前記関連するタスクの実行時刻に応じて前記新規タスクの実行が可能な時間帯を特定する特定工程と、を有し、
前記登録工程では、前記新規タスクの登録に際して、前記特定された時間帯に実行時刻が指定される前記新規タスクの登録が許容され、前記特定された時間帯に実行時刻が指定されない前記新規タスクの登録が許容されないことを特徴とする管理方法。
【請求項８】
前記特定された時間帯は、前記データベースに存在する前記関連するタスクの実行時刻より後の時間帯であることを特徴とする請求項７に記載の管理方法。
【請求項９】
さらに、前記新規タスクの登録に際して、前記特定された時間帯を表示する表示工程を有することを特徴とする請求項７または８に記載の管理方法。
【請求項１０】
前記表示工程では、前記新規タスクの登録に際して、前記特定された時間帯に、当該新規タスクの対象となる機器が表示されることを特徴とする請求項９に記載の管理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述した課題を解決するために、本発明は、ネットワークにより接続された機器を対象としたタスクを、当該タスクに指定された時刻に実行するネットワーク管理装置であって、実行時刻を指定して、タスクをデータベースに登録する登録手段と、新規タスクを登録する際に、当該新規タスクの処理内容に関連するタスクが前記データベースに存在するか判断する判断手段と、前記判断手段により前記関連するタスクが存在すると判断された場合、前記関連するタスクの実行時刻に応じて前記新規タスクの実行が可能な時間帯を特定する特定手段と、を有し、前記登録手段は、前記新規タスクの登録に際して、前記特定された時間帯に実行時刻が指定される前記新規タスクの登録を許容し、前記特定された時間帯に実行時刻が指定されない前記新規タスクの登録を許容しないことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
ステップＳ１０１２で、タスク管理モジュール３０６は、ユーザが登録可能な時刻を取得し、表示する。ステップＳ９１６で、ユーザは、表示された登録可能時刻から実行日時（例えば、実行時刻）を入力する。ステップＳ９１４で、タスク管理モジュール３０６は、ユーザが入力した実行日時を取得する。なお、ステップＳ１０１２については図１１で後述する。ステップＳ９１５で、ユーザが選択した機器情報・ファームウェア情報・実行日時を、タスク情報９００、カラープロファイル配信タスク情報１０００としてデータベースサービス３０７に登録する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月5日(2011.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の単位画像データから選択される基準単位画像データに対応付けられているメタデータの内容に基づいて複数の異なる抽出条件を設定する抽出条件設定手段と、
上記複数の異なる抽出条件ごとに該当する単位画像データを抽出する処理を実行する単位画像データ抽出手段と、
上記単位画像データ抽出手段により抽出される単位画像データである抽出単位画像データのうちから上記抽出条件ごとに対して設定される重み付け値に基づいて選択される抽出単位画像データを、代表抽出単位画像データとして決定する処理を実行する代表抽出単位画像データ決定手段と、
を備える情報処理装置。
【請求項２】
上記代表抽出単位画像データの画像に応じた画像を表示部に表示させるための制御を実行する代表抽出単位画像表示制御手段を備える
請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
上記代表抽出単位画像データ決定手段が代表抽出単位画像データを決定する処理を実行するのに際して、過去において同じ代表抽出単位画像データが決定されている場合には、前回において同じ代表抽出単位画像データを決定したときとは異なる重み付け値のパターンを上記抽出条件ごとに対して設定する重み付け値設定手段を備える、
請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
上記代表抽出単位画像データ決定手段は、複数の代表抽出単位画像データを決定する処理を実行し、
代表抽出単位画像表示制御手段は、上記複数の代表抽出単位画像データに応じた画像を表示部に同時に表示させるとともに、
上記複数の代表抽出単位画像データの画像のうちから１つの画像を選択する操作が行われる操作手段と、
上記操作手段により選択された画像に対応する代表抽出単位画像データと最も関連度が高いとされる抽出条件を認識する抽出条件認識手段と、
上記代表抽出単位画像データ決定手段が代表抽出単位画像データを決定する処理を実行するのに際して、上記抽出条件認識手段により認識された抽出条件の重み付け値が最も高くなるようにして、上記抽出条件ごとに対する重み付け値を設定する重み付け値設定手段とをさらに備える、
請求項２又は請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
上記代表抽出単位画像データ決定手段は、
代表抽出単位画像データを決定する処理を実行するのに際して、過去において同じ代表抽出単位画像データが決定されている場合には、上記抽出条件ごとに対して設定される重み付け値に基づいて抽出単位画像データを選択する処理に代えて、上記抽出単位画像データのうちからランダムに選択した抽出単位画像データを代表抽出単位画像データとして決定する処理を実行する、
請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
上記代表抽出単位画像表示制御手段は、上記基準単位画像データに応じた画像を上記代表抽出単位画像データに応じた画像よりも優先して表示部に表示させる
請求項１記載の情報処理装置。
【請求項７】
上記代表抽出単位画像表示制御手段は、上記基準単位画像データに応じた画像を上記代表抽出単位画像データに応じた画像よりも大きく表示部に表示させる
請求項６記載の情報処理装置。
【請求項８】
複数の単位画像データから選択される基準単位画像データに対応付けられているメタデータの内容に基づいて複数の異なる抽出条件を設定する抽出条件設定手順と、
上記記憶媒体から、上記複数の異なる抽出条件ごとに該当する単位画像データを抽出する処理を実行する単位画像データ抽出手順と、
上記単位画像データ抽出手順により抽出される単位画像データである抽出単位画像データのうちから上記抽出条件ごとに対して設定される重み付け値に基づいて選択される抽出単位画像データを、代表抽出単位画像データとして決定する処理を実行する代表抽出単位画像データ決定手順と、
を実行する情報処理方法。
【請求項９】
複数の単位画像データから選択される基準単位画像データに対応付けられているメタデータの内容に基づいて複数の異なる抽出条件を設定する抽出条件設定手順と、
上記記憶媒体から、上記複数の異なる抽出条件ごとに該当する単位画像データを抽出する処理を実行する単位画像データ抽出手順と、
上記単位画像データ抽出手順により抽出される単位画像データである抽出単位画像データのうちから上記抽出条件ごとに対して設定される重み付け値に基づいて選択される抽出単位画像データを、代表抽出単位画像データとして決定する処理を実行する代表抽出単位画像データ決定手順と、
を情報処理装置に実行させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置、情報処理方法、プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えば複数の画像データのうちからしかるべきものを選択して表示によって提示する情報処理装置とその方法に関する。また、このような情報処理装置が実行するプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで本願発明は上記した課題を考慮して、情報処理装置として次のように構成する。
つまり、複数の単位画像データから選択される基準単位画像データに対応付けられているメタデータの内容に基づいて複数の異なる抽出条件を設定する抽出条件設定手段と、上記複数の異なる抽出条件ごとに該当する単位画像データを抽出する処理を実行する単位画像データ抽出手段と、上記単位画像データ抽出手段により抽出される単位画像データである抽出単位画像データのうちから上記抽出条件ごとに対して設定される重み付け値に基づいて選択される抽出単位画像データを、代表抽出単位画像データとして決定する処理を実行する代表抽出単位画像データ決定手段とを備えることとした。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月11日(2011.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続するフレームで構成されているフレーム列を１以上のサブフレーム列に分割する分割手段と、
前記１以上のサブフレーム列のそれぞれについて、当該サブフレーム列を構成する各フレームの画像のうち規定の被写体が映っている画像群を特定し、特定した画像群から１つの画像を選択画像として選択する選択手段と、
前記選択手段が選択した選択画像を、前記フレーム列の代表画像として出力する出力手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記分割手段は、
ｘ（ｘ＝１，２，…）フレーム目の画像と、（ｘ＋１）フレーム目の画像とで、色の相関値を計算し、計算した相関値が閾値以上であればｘフレーム目の画像と（ｘ＋１）フレーム目の画像とは同じサブフレーム列に含め、前記相関値が閾値よりも小さい場合には、ｘフレーム目の画像が属するサブフレーム列とは異なるサブフレーム列に（ｘ＋１）フレーム目の画像を含める、ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記選択手段は、
１つのサブフレーム列を構成する各フレームの画像のうち、規定の被写体が最も多く映っている画像を、前記１つのサブフレーム列に対する選択画像として選択する処理を、それぞれのサブフレーム列について行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記選択手段は、
前記１つのサブフレーム列を構成する各フレームの画像のうち、規定の被写体が最も多く映っている画像が複数存在する場合には、該複数の画像うち該１つのサブフレーム列の先頭フレームに最も近いフレームの画像を、前記１つのサブフレーム列に対する選択画像として選択することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記出力手段は、
前記フレーム列の先頭フレームに最も近い選択画像の背景部分と、その他の選択画像のそれぞれの背景部分との相関値を計算し、前記フレーム列の先頭フレームに最も近い選択画像の背景部分との相関値が閾値よりも小さい選択画像、及び前記フレーム列の先頭フレームに最も近い選択画像、を出力することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
画像処理装置が行う画像処理方法であって、
前記画像処理装置の分割手段が、連続するフレームで構成されているフレーム列を１以上のサブフレーム列に分割する分割工程と、
前記画像処理装置の選択手段が、前記１以上のサブフレーム列のそれぞれについて、当該サブフレーム列を構成する各フレームの画像のうち規定の被写体が映っている画像群を特定し、特定した画像群から１つの画像を選択画像として選択する選択工程と、
前記画像処理装置の出力手段が、前記選択工程で選択した選択画像を、前記フレーム列の代表画像として出力する出力工程と
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項７】
コンピュータを、請求項１乃至５の何れか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【請求項８】
請求項７に記載のコンピュータプログラムを格納した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
即ち、連続するフレームで構成されているフレーム列を１以上のサブフレーム列に分割する分割手段と、
前記１以上のサブフレーム列のそれぞれについて、当該サブフレーム列を構成する各フレームの画像のうち規定の被写体が映っている画像群を特定し、特定した画像群から１つの画像を選択画像として選択する選択手段と、
前記選択手段が選択した選択画像を、前記フレーム列の代表画像として出力する出力手段と
を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】