【手続補正書】
【提出日】平成23年10月27日(2011.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
半導体製造プロセス技術を利用して、これに機械加工技術や材料技術などを組み合わせることによって、基板上に三次元的な微細構造を有するシステムを実現するＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術が、近年センサーやポンプなどのデバイスの小型化、軽量化のために広く用いられている。このＭＥＭＳ技術を用いたセンサー（ＭＥＭＳセンサー）としては、例えば加速度センサ、角速度センサー、圧力センサーなどが広く用いられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【図１】本発明の一実施例である流量センサーの上面側斜視図
【図２】同じく底面側斜視図
【図３】同じく分解斜視図
【図４】同じく側断面図であって、図３における直線３４に沿うIV−IV線断面図
【図５】下基板にセンサーチップを固定した状態を示す斜視図
【図６】下基板に上基板を積層した状態を示す斜視図
【図７】図４におけるVII部の矢視部分の拡大図
【図８】センサーチップの回路パターンを示す平面図
【図９】図８の抵抗素子で形成するホイートストーンブリッジ接続回路
【図１０】本発明の一実施例である流量検出装置の斜視図
【図１１】同じく主管材の中心線に沿って断面した斜視図
【図１２】同じく主管材の中心線に沿った左側面図
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
流量検出手段は、流体通路の途中に設けた絞り（開口、オリフィス）の上流側と下流側の圧力差に基づいて変位するメンブレン（ダイヤフラム）を持ち、メンブレンの変位から流量を検出する差圧式のセンサーが適する（請求項２）。メンブレンに設ける絞りは１つであってもよいが複数であっても良い。１つの絞りを設ける場合は、メンブレンの中央に設けるのがよい。後記するように（請求項６）４個の抵抗器でブリッジ回路を形成する場合に、各抵抗器の均衡が取り易いからである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
メンブレンは四角形とし、４個の抵抗器を各辺の中央付近に配置しておけば各抵抗器でホイートストーンブリッジを構成する場合に、各抵抗器の条件が揃い都合がよい（請求項６）。上基板にはメンブレンの周囲を囲みかつこの上面に間隙を持って対向する突起（突起状の壁）を設けておき、この上基板には前記間隙に接着剤を供給するための窓を形成しておくことができる（請求項７）。この場合に用いる接着剤は、チクソ性を持つパーフルオロ系の接着剤であり、この接着剤は毛細管現象によって間隙に流入させることができる（請求項１０）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
下基板１４の上面には、図３、４により明らかなように、中央より一方に偏心した位置に平面視四角形のセンサーチップ収納室２２が形成されている。この収納室２２はその底部２４の各辺長が上部２６の各辺長よりも短い四角形であり、２つの四角形の間に水平な段部２８を介して同心に重ねた形状となっている。この段部２８の上には、後記するセンサーチップ４２が固着される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
次にセンサーチップ４２を説明する。このセンサーチップ４２は、半導体製造工程を利用して４辺が３mm程度の大きさのＳｉ（シリコン）基板４４に形成される。シリコン単結晶のＳｉ基板４４は前記下基板１４の収納部２２に入る寸法の平板であり、その下面中央には四角錐面４６で囲まれた薄いメンブレン４８が形成されている。このメンブレン４８は公知のエッチング、（例えばＩＣＰ（誘導結合プラズマ）、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）などにより形成できる。このメンブレン４８の中央には、絞りとなる開口５０が形成されている。この開口５０は同様にエッチングやレーザ加工などで形成できる。開口５０の直径は測定レンジ（範囲）や流体種（液体か気体かなど）によっては変更してもよいが、この実施例では直径５０μｍとしている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
メンブレン４８を形成したシリコン基板４４の上面には、４個の抵抗素子（歪みゲージ）Ｒ１〜Ｒ４と、外周縁に沿って形成した多数（６個）のパッド（電極）５４（５４ａ〜５４ｆ）と、これらをつなぐ内部回路パターン５６とが形成されている（図８、９）。これらはフォトリソグラフィなどの半導体製造技術を用いて形成することができる。なお抵抗Ｒ１〜４は図８に示すように、平面視で四角形のメンブレン４８の各辺中央から僅かに内側に位置し、回路パターン５６は抵抗Ｒ１〜４から外周方向に伸びてからメンブレン４８の外周（四角錐面の外周）に沿って形成されたパッド５４にそれぞれ接続されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
このように形成されたセンサーチップ４２は、下基板１４の収納部２２に収納される。すなわち図３、４に示すように、収納部２２に上から装填し、シリコン基板４４の周囲部５２を収納部２２の段部２８に保持する。なおこのセンサーチップ４２は接着剤を用いてこの収納部２２に固定される。この状態でセンサーチップ４２のパッド５４、５８は、下基板１４の外部回路パターン３８の内側の端部にワイヤボンディングされる。すなわち図５に示すように、Ａｕ（金）あるいはＡｌ（アルミ）のワイヤ６２をパッド５４，５８と外部回路パターン３８とに熱圧着あるいは超音波接合により接続する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
前記上基板１６の下面（下基板１４に対向する面）にはセンサーチップ４２の上面に間隙６４（図７）を持って対向する突起６６が形成されている。すなわちこの突起６６は平面視で四角錐面４６の上方に位置し、メンブレン４８を囲む垂れ壁状である。この間隙６４には後でチクソ性接着剤６８を毛細管現象あるいは表面張力を利用して流入させる。間隙６４は好ましくは５〜１５マイクロメートルとする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
前記上基板１６を熱硬化性接着シート１７を挟んで下基板１４に重ねることにより（図３）、メンブレン４８の上面に突起６６が所定間隙６４を持って対向し、この状態で上基板１６は下基板１４に接着固定される。なお上基板１６および蓋板１８には、図３、６に示すように、突起６６の外側からセンサーチップ４２の上面周囲に臨む４つの窓７４が形成されている。これらの窓７４は前記したように、センサーチップ４２と突起６６との間にチクソ性接着剤６８を供給する際に利用される。またこの接着剤６８が硬化した後には、この窓７４から他の接着剤を注入し、ワイヤ６２を固定する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
接続部材８８の下面には図１２に示すように、流量センサー１０の流入口３０と流出口３２の距離だけ離して第１および第２の副管材９０、９２の上端が固定されている。接続部材８８は主管材８０の管壁に開けた開口に液密に固定され、この時に第１および第２の副管材９０、９２が主流路８２を横断して固定される。第１および第２の副管材９０、９
２の上端はこの接続部材８８を貫通し、さらに制御基板８６に設けた開口を介して流量センサー１０の流入口３０および流出口３２に液密に接続されるものである。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
上基板にはメンブレンの周囲を囲みかつこの上面に間隙を持って対向する突起が形成され、この上基板には前記間隙に接着剤を供給するための窓が形成されている請求項４の流量センサー。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
分流路は、主流路に交差しそれぞれ前記流量センサーの流入口と流出口に連通する第１および第２の副管材を備え、第１の副管材には主流路の上流方向を指向する開口が形成され、第２の副管材には主流路の下流方向を指向する開口が形成されている請求項１４の流量検出装置。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
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