【手続補正書】
【提出日】平成21年8月17日(2009.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＥＭＳデバイスを製造する方法であって、
基板の上に犠牲層を形成する段階と、
開口を形成するために、前記犠牲層をパターン形成する段階と、
前記パターン形成された犠牲層の上に支持層を形成する段階と、
前記支持層の上にマスクを形成する段階と、
前記犠牲層内の開口内に少なくとも部分的に位置する少なくとも１つの支持構造を形成するために、前記マスクを使用して前記支持層をパターン形成する段階と、
テーパ縁を形成するために、前記支持構造をテーパリングする段階と、
を備え、前記マスクの少なくとも一部は、前記テーパリングの間その場所にとどまる、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記支持層をパターン形成する段階、および前記支持構造をテーパリングする段階は、単一のエッチングプロセスを含み、前記マスクは、前記エッチングプロセスの間その場所にとどまる、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、更に、
前記支持層の上にエッチング誘導層を形成する段階を備え、前記エッチング誘導層は、前記マスクと前記支持層との間に形成される、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、
前記支持構造をテーパリングする段階は、前記エッチング誘導層を前記支持構造よりも速い速度でエッチングするエッチングを使用することを含む、方法。
【請求項５】
請求項３に記載の方法であって、
前記支持構造をテーパリングする段階は、
前記支持構造をほとんどエッチングしない第１のエッチングを使用して、前記エッチング誘導層の一部をエッチングすることと、
前記少なくとも１つの支持構造を形成するために、続いて、前記支持層をエッチングすることと、
を含む、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記支持層を形成する段階は、前記層の厚さとともに変化する特性を有する支持層を形成することを含む、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記層の厚さとともに変化する特性を有する前記支持層を形成する段階は、前記支持層の堆積の最中にプロセス条件を変化させることを含む、方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法であって、
前記層の厚さとともに変化する特性を有する前記支持層を形成する段階は、
前記犠牲層の上に第１の副層を堆積することと、
前記テーパリングの最中に使用されるエッチャントによって前記第１の副層よりも速い速度でエッチング可能な少なくとも１枚の第２の副層を、前記第１の副層の上に堆積することと、
を含む、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記支持層の上にマスクを形成する段階は、前記支持層に対する接着に乏しいマスクを堆積することを含む、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
前記支持構造をテーパリングする段階は、
前記支持層の露出部分をエッチングすることと、
前記マスクの一部を除去し、前記支持構造の追加部分を露出させることと、
前記露出部分と、前記マスクの一部の除去によって露出された前記追加部分とをエッチングすることと、
を含む、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、
前記マスクの一部を除去する段階は、前記マスクを部分的にアッシングすることを含む、方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の方法であって、更に、
前記犠牲層と前記支持層との間にエッチング停止層を形成する段階を備える方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法であって、
前記少なくとも１つの支持構造は、前記テーパ縁を含む水平に広がる羽部分を含む、方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法であって、更に、
前記少なくとも１つの支持構造に隣接して移動可能層を形成する段階を備える方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
前記移動可能層は、前記支持材料の層の堆積後に形成され、前記少なくとも１つの支持構造の上に形成される、方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の方法であって、
前記移動可能層を形成する段階は、
前記犠牲層の上に反射性副層を形成することと、
前記反射性副層の上に機械的副層を形成することと、
を含む、方法。
【請求項１７】
請求項１に記載の方法であって、更に、
前記犠牲層を除去するためにリリースエッチングを実施し、前記移動可能層と前記基板との間に位置するエアギャップを形成する段階を備える方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の方法であって、更に、
前記犠牲層の堆積に先立って、前記基板の上に下部電極層を形成する段階を備え、前記犠牲層は、前記下部電極層の上に形成される、方法。
【請求項１９】
請求項１に記載の方法であって、
前記ＭＥＭＳデバイスは、インターフェロメトリックモジュレータである、方法。
【請求項２０】
請求項１に記載の方法によって形成されるＭＥＭＳデバイス。
【請求項２１】
ＭＥＭＳデバイスであって、
基板と、
少なくとも１つの支持構造と、
前記支持構造によって前記基板から隔てられた移動可能層と、
を備え、前記支持構造は、外向きのテーパ縁部分を含み、前記支持構造の上部は、前記支持構造の下位部分よりも速い速度でエッチングプロセスによってエッチング可能である、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項２２】
請求項２１に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記支持構造の前記下位部分は、第１の副層を含み、
前記支持構造の前記上部は、前記第１の副層の上位にある第２の副層を含み、前記第２の副層は、前記第１の副層よりも速い速度でエッチングプロセスによってエッチング可能である、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項２３】
請求項２１に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記少なくとも１つの支持構造は、前記支持構造の厚さとともに変化する特性を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項２４】
請求項２１に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記支持構造は、前記外向きのテーパ縁部分を含む水平に広がる羽部分を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項２５】
請求項２１に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記移動可能層は、
反射性副層と、
前記反射性副層の上位の機械的副層と、
を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項２６】
請求項２１に記載のＭＥＭＳデバイスであって、更に、
前記基板の上に位置する電極層を備え、前記移動可能層は、前記少なくとも１つの支持構造によって前記電極層から隔てられる、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項２７】
請求項２６に記載のＭＥＭＳデバイスであって、更に、
前記電極に隣接する部分反射層を備え、前記移動可能層は、前記少なくとも１つの支持構造によって前記部分反射層から隔てられる、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項２８】
請求項２１に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記ＭＥＭＳデバイスは、インターフェロメトリックモジュレータを含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項２９】
ＭＥＭＳデバイスを製造する方法であって、
電極層を形成する段階と、
前記電極層の上にマスクを形成する段階と、
電極部材を形成するために、前記マスクを使用して前記電極層をパターン形成する段階と、
外向きのテーパ縁部分を形成するために、前記電極部材をテーパリングする段階と、
を備え、前記マスクの少なくとも一部は、前記テーパリングの間その場所にとどまる、方法。
【請求項３０】
請求項２９に記載の方法であって、
前記電極部材は、移動可能な電極部材を含む、方法。
【請求項３１】
請求項２９に記載の方法であって、
前記電極層をパターン形成する段階、および前記電極部材をテーパリングする段階は、単一のエッチングプロセスを含み、前記マスクは、前記エッチングプロセスの間その場所にとどまる、方法。
【請求項３２】
請求項２９に記載の方法であって、更に、
前記電極層の上にエッチング誘導層を形成する段階を備え、前記エッチング誘導層は、前記マスクと前記電極層との間に形成される、方法。
【請求項３３】
請求項３２に記載の方法であって、
前記電極部材をテーパリングする段階は、前記エッチング誘導層を前記電極部材よりも速い速度でエッチングするエッチングを使用して、前記電極部材をエッチングすることを含む、方法。
【請求項３４】
請求項３２に記載の方法であって、
前記電極部材をテーパリングする段階は、
前記電極部材をほとんどエッチングしない第１のエッチングによって、前記エッチング誘導層の一部をエッチングすることと、
前記外向きのテーパ縁部分を形成するために、続いて、前記電極部材をエッチングすることと、
を含む、方法。
【請求項３５】
請求項３２に記載の方法であって、更に、
前記電極層の堆積に先立って、犠牲層を形成する段階を備え、前記電極層は、前記犠牲層の上に形成される、方法。
【請求項３６】
請求項３５に記載の方法であって、
前記エッチング誘導層は、前記犠牲層をエッチングするエッチングによってエッチング可能である、方法。
【請求項３７】
請求項３６に記載の方法であって、
前記電極部材をテーパリングする段階は、更に、
前記エッチング誘導層と前記電極部材との間で非選択性で、前記第１の犠牲層を露出させない第１のエッチングによって、前記エッチング誘導層および前記電極部材の一部をエッチングすることと、
前記エッチング誘導層に対して選択性で、前記第１の犠牲層の一部を露出させる第２のエッチングによって、前記電極部材の一部をエッチングすることと、
を含む、方法。
【請求項３８】
請求項３７に記載の方法であって、更に、
前記第２のエッチングを実施した後に、前記エッチング誘導層の上位の前記マスクを除去する段階と、
第３のエッチングを通じて前記エッチング誘導層を除去する段階と、
を備える方法。
【請求項３９】
請求項３８に記載の方法であって、
前記第３のエッチングは、前記電極層に対して選択性である、方法。
【請求項４０】
請求項２９に記載の方法であって、
前記電極層を形成する段階は、前記層の厚さとともに変化する特性を有する前記電極層を形成することを含む、方法。
【請求項４１】
請求項４０に記載の方法であって、
前記層の厚さとともに変化する特性を有する前記電極層を形成する段階は、前記電極層の堆積の最中にプロセス条件を変化させることを含む、方法。
【請求項４２】
請求項４０に記載の方法であって、
前記層の厚さとともに変化する特性を有する前記電極層を形成する段階は、
前記第１の犠牲層の上に第１の副層を堆積することと、
前記テーパリングで使用されるエッチャントによって前記第１の副層よりも速い速度でエッチング可能な少なくとも１枚の第２の副層を、前記第１の副層の上に堆積することと、
を含む、方法。
【請求項４３】
請求項２９に記載の方法であって、
前記電極層の上にマスクを形成する段階は、前記電極層に対する接着に乏しいマスクを堆積することを含む、方法。
【請求項４４】
請求項２９に記載の方法であって、
前記電極部材をテーパリングする段階は、
前記電極層の露出部分をエッチングすることと、
前記マスクの一部を除去することによって、前記電極層の追加部分を露出させることと、
前記電極層の前記露出部分と、前記マスクの一部の除去によって露出された前記追加部分とをエッチングすることと、
を含む、方法。
【請求項４５】
請求項４４に記載の方法であって、
前記マスクの一部を除去する段階は、前記マスクを部分的にアッシングすることを含む、方法。
【請求項４６】
請求項４４に記載の方法であって、更に、
前記電極層の下にエッチング停止層を形成する段階を備える方法。
【請求項４７】
請求項２９に記載の方法であって、更に、
基板の上に下部電極層を形成する段階と、
前記下部電極層の上に第１の犠牲層を形成する段階と、
を備え、前記電極部材は、前記第１の犠牲層の上に形成される、方法。
【請求項４８】
請求項４７に記載の方法であって、更に、
前記電極部材の上に第２の犠牲層を形成する段階と、
前記電極部材の一部を露出させるために、前記第２の犠牲層をパターン形成する段階と、
前記第２の犠牲層と、前記電極部材の前記露出部分との上に、機械層を形成する段階と、
を備える方法。
【請求項４９】
請求項４８に記載の方法であって、更に、
前記第１の犠牲層を除去し、前記下部電極層と前記電極部材との間に位置するエアギャップを形成する段階を備える方法。
【請求項５０】
請求項２９に記載の方法であって、
前記電極層を形成する段階は、実質的に平坦な下面を有する反射層を形成することを含む、方法。
【請求項５１】
請求項２９に記載の方法であって、
前記ＭＥＭＳデバイスは、インターフェロメトリックモジュレータである、方法。
【請求項５２】
請求項２９に記載の方法によって形成されるＭＥＭＳデバイス。
【請求項５３】
ＭＥＭＳデバイスであって、
基板と、
前記基板から隔てられた移動可能層と、
前記移動可能層と前記基板との間に位置する電極層であって、
前記電極層は、前記移動可能層によって支持され、前記移動可能層から少なくとも部分的に分離され、
前記電極層は、外向きのテーパ縁部分を含み、
前記電極の上部は、前記支持構造の下位部分よりも速い速度でエッチングプロセスによってエッチング可能である、電極層と、
を備えるＭＥＭＳデバイス。
【請求項５４】
請求項５３に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記電極層は、前記電極層の厚さとともに変化する特性を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項５５】
請求項５３に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記電極は、
第１の副層と、
前記第１の副層の上位の第２の副層であって、前記第１の副層よりも速い速度でエッチングプロセスによってエッチング可能である、第２の副層と、
を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項５６】
請求項５３に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記電極は、反射性材料を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項５７】
請求項５３に記載のＭＥＭＳデバイスであって、更に、
前記基板と前記第１の電極との間に位置する第２の電極を備え、前記第２の電極は、前記第１の電極から隔てられる、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項５８】
請求項５７に記載のＭＥＭＳデバイスであって、更に、
前記第２の電極に隣接する部分反射層を備え、前記移動可能層は、前記少なくとも１つの支持構造によって前記部分反射層から隔てられる、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項５９】
請求項５３に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記ＭＥＭＳデバイスは、インターフェロメトリックモジュレータを含む、ＭＥＭＳデバイス。