【手続補正書】
【提出日】平成23年4月5日(2011.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハ上の全面に下地金属層を形成する工程と、
前記下地金属層上に未露光のネガ型のメッキレジスト膜を形成する工程と、
第１の露光を行なうことにより、前記メッキレジスト膜の周辺部の内側をリング状の露光部とし、それ以外の領域を非露光部とする工程と、
第２の露光を行なうことにより、前記メッキレジスト膜の電解メッキ層形成用開口部形成領域および周辺部を非露光部とし、それ以外の領域を露光部とする工程と、
現像を行なうことにより、前記メッキレジスト膜に電解メッキ層形成用開口部を形成し、且つ、前記メッキレジスト膜の周辺部を除去して前記下地金属層の周辺部をメッキ用接続端子部として使用するために露出させ、さらに、前記メッキ用接続端子部の内側に前記メッキレジスト膜からなるリング状のシールリング接触部を形成する工程と、
前記シールリング接触部に、前記メッキ用接続端子部の部分をメッキしないためのメッキ治具のシールリングを接触させ、且つ、前記メッキ用接続端子部に前記メッキ治具の給電部材を接触させた状態で、電解メッキを行なうことにより、前記メッキレジスト膜の電解メッキ層形成用開口部内に電解メッキ層を形成する工程と、
前記シールリング接触部を含む前記メッキレジスト膜を剥離する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、未露光の前記メッキレジスト膜はドライフィルムレジストによって形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の発明において、前記第１の露光は、前記メッキレジスト膜の周辺部の内側に対応する領域をリング状の透過部とされ、それ以外の領域を遮光部とされたシールリング接触部形成用露光マスクを用いた全面露光であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の発明において、前記第２の露光は、前記メッキレジスト膜の周辺部上面に遮光リングを配置した状態で、電解メッキ層形成領域に対応する領域を遮光部とされ、それ以外の領域を透過部とされた電解メッキ層形成用露光マスクを用いたステップ露光であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の発明において、未露光の前記メッキレジスト膜を形成する前に、
前記下地金属層上に未露光の別のメッキレジスト膜を形成する工程と、
前記別のメッキレジスト膜の周辺部を除去して前記下地金属層の周辺部をメッキ用接続端子部として使用するために露出させる工程と、
露光および現像を行なうことにより、前記別のメッキレジスト膜に配線用上部金属層形成用開口部を形成し、且つ、前記下地金属層上において前記メッキ用接続端子部の内側に前記別のメッキレジスト膜からなるリング状の別のシールリング接触部を形成する工程と、
前記別のシールリング接触部に、前記メッキ用接続端子部の部分をメッキしないための前記メッキ治具のシールリングを接触させ、且つ、前記メッキ用接続端子部に前記メッキ治具の給電部材を接触させた状態で、電解メッキを行なうことにより、前記別のメッキレジスト膜の配線用上部金属層形成用開口部内の前記下地金属層上に配線用上部金属層を形成する工程と、
前記別のシールリング接触部を含む前記別のメッキレジスト膜を剥離する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の発明において、前記別のメッキレジスト膜はポジ型の液状レジストによって形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の発明において、前記別のメッキレジスト膜に対する露光は、前記別のメッキレジスト膜の周辺部上面に遮光リングを配置した状態で、配線用上部金属層形成領域に対応する領域を透過部とされ、それ以外の領域を遮光部とされた配線用上部金属層形成用露光マスクを用いたステップ露光であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項５乃至７の何れか一項に記載の発明において、前記電解メッキ層は柱状電極であり、該柱状電極は前記配線用上部金属層の接続パッド部上に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の発明において、前記メッキレジスト膜を剥離した後に、前記配線用上部金属層をマスクとして前記下地金属層の不要な部分をエッチングして除去する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の発明において、前記下地金属層の不要な部分を除去した後に、前記柱状電極の周囲を覆う封止膜を形成する工程と、前記柱状電極上に半田ボールを形成する工程と、ダイシングにより前記半導体ウエハを切断して半導体装置を複数個得る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ上の全面に下地金属層を形成する工程と、前記下地金属層上に未露光のネガ型のメッキレジスト膜を形成する工程と、第１の露光を行なうことにより、前記メッキレジスト膜の周辺部の内側をリング状の露光部とし、それ以外の領域を非露光部とする工程と、第２の露光を行なうことにより、前記メッキレジスト膜の電解メッキ層形成用開口部形成領域および周辺部を非露光部とし、それ以外の領域を露光部とする工程と、現像を行なうことにより、前記メッキレジスト膜に電解メッキ層形成用開口部を形成し、且つ、前記メッキレジスト膜の周辺部を除去して前記下地金属層の周辺部をメッキ用接続端子部として使用するために露出させ、さらに、前記メッキ用接続端子部の内側に前記メッキレジスト膜からなるリング状のシールリング接触部を形成する工程と、前記シールリング接触部に、前記メッキ用接続端子部の部分をメッキしないためのメッキ治具のシールリングを接触させ、且つ、前記メッキ用接続端子部に前記メッキ治具の給電部材を接触させた状態で、電解メッキを行なうことにより、前記メッキレジスト膜の電解メッキ層形成用開口部内に電解メッキ層を形成する工程と、前記シールリング接触部を含む前記メッキレジスト膜を剥離する工程と、を有することを特徴とする。
好ましくは、未露光の前記メッキレジスト膜はドライフィルムレジストによって形成する。
好ましくは、前記第１の露光は、前記メッキレジスト膜の周辺部の内側に対応する領域をリング状の透過部とされ、それ以外の領域を遮光部とされたシールリング接触部形成用露光マスクを用いた全面露光である。
好ましくは、前記第２の露光は、前記メッキレジスト膜の周辺部上面に遮光リングを配置した状態で、電解メッキ層形成領域に対応する領域を遮光部とされ、それ以外の領域を透過部とされた電解メッキ層形成用露光マスクを用いたステップ露光である。
好ましくは、未露光の前記メッキレジスト膜を形成する前に、前記下地金属層上に未露光の別のメッキレジスト膜を形成する工程と、前記別のメッキレジスト膜の周辺部を除去して前記下地金属層の周辺部をメッキ用接続端子部として使用するために露出させる工程と、露光および現像を行なうことにより、前記別のメッキレジスト膜に配線用上部金属層形成用開口部を形成し、且つ、前記下地金属層上において前記メッキ用接続端子部の内側に前記別のメッキレジスト膜からなるリング状の別のシールリング接触部を形成する工程と、前記別のシールリング接触部に、前記メッキ用接続端子部の部分をメッキしないための前記メッキ治具のシールリングを接触させ、且つ、前記メッキ用接続端子部に前記メッキ治具の給電部材を接触させた状態で、電解メッキを行なうことにより、前記別のメッキレジスト膜の配線用上部金属層形成用開口部内の前記下地金属層上に配線用上部金属層を形成する工程と、前記別のシールリング接触部を含む前記別のメッキレジスト膜を剥離する工程と、を有する。
好ましくは、前記別のメッキレジスト膜はポジ型の液状レジストによって形成する。
好ましくは、前記別のメッキレジスト膜に対する露光は、前記別のメッキレジスト膜の周辺部上面に遮光リングを配置した状態で、配線用上部金属層形成領域に対応する領域を透過部とされ、それ以外の領域を遮光部とされた配線用上部金属層形成用露光マスクを用いたステップ露光である。
好ましくは、前記電解メッキ層は柱状電極であり、該柱状電極は前記配線用上部金属層の接続パッド部上に形成する。
好ましくは、前記メッキレジスト膜を剥離した後に、前記配線用上部金属層をマスクとして前記下地金属層の不要な部分をエッチングして除去する工程を有する。
好ましくは、前記下地金属層の不要な部分を除去した後に、前記柱状電極の周囲を覆う封止膜を形成する工程と、前記柱状電極上に半田ボールを形成する工程と、ダイシングにより前記半導体ウエハを切断して半導体装置を複数個得る工程とを有する。