【手続補正書】
【提出日】平成22年12月14日(2010.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドが有するインプリントパターンを、基板上の樹脂に反映させた状態で該樹脂を硬化させ、硬化した前記樹脂から前記モールドを離型するインプリント方法であって、
前記モールドと硬化した前記樹脂とが置かれている雰囲気中の気体分子をイオン化するための電磁波を、
前記モールドの前記インプリントパターンが形成されている領域全体、及び硬化した前記樹脂に照射しながら、前記離型を行うことを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記電磁波を、前記モールドの前記領域及び硬化した前記樹脂に照射することによって、
前記離型の際に、前記樹脂や前記モールドに生じる帯電を除去しながら、該離型を行うことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記硬化した前記樹脂への前記電磁波の照射は、前記モールドを介して行なわれることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記電磁波の波長は、１００ｎｍ以上２００ｎｍ未満の範囲から選択されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記電磁波の波長は、０．１ｎｍ以下の範囲から選択されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項６】
前記基板上の樹脂を硬化させた後、前記モールドと硬化した前記樹脂とが置かれている雰囲気中に、前記イオン化のための不活性ガスを導入することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項７】
前記基板上の樹脂を硬化させた後、前記モールドと硬化した前記樹脂とが置かれている雰囲気中の気圧を、０．１Ｐａ以上１００Ｐａ以下にすることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項８】
前記樹脂に光硬化樹脂が用いられた際、該樹脂を硬化させるために照射する光の波長と、
前記雰囲気中の気体分子をイオン化するための電磁波の波長とが異なることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項９】
前記インプリントパターンが形成されているパターン形成面と前記樹脂との接触を、前記モールドと硬化した前記樹脂とが置かれている雰囲気中の気圧が０．１Ｐａ以上１００Ｐａ以下の状態で行った後、
該雰囲気中に、不活性ガスを導入して前記帯電の除去を行うことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項１０】
チップの製造方法であって、
請求項１から９のいずれか１項に記載のインプリント方法を用いて得られる、基板上に硬化した前記樹脂を有する部材を用意し、
硬化した前記樹脂をマスクにして、前記基板を加工すること特徴とするチップの製造方法。
【請求項１１】
基板上の樹脂にインプリントするためのインプリント装置であって、
インプリントパターンを有するモールドを保持するためのモールド保持部と、
基板を保持するための基板保持部と、
前記モールド保持部が保持する前記モールドが置かれている雰囲気中の気体分子をイオン化するための電磁波発生源とを備え、
前記電磁波発生源から発生する電磁波が、前記モールドの前記インプリントパターンが形成されているパターン形成面とは反対の面側から、該パターン形成面に向かって照射されるように、前記モールドや前記樹脂に生じる帯電を除去するための帯電除去用として設けられていることを特徴とするインプリント装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、つぎのように構成したインプリント方法、チップの製造方法及びインプリント装置を提供するものである。
第１の本発明に係るインプリント方法は、
モールドが有するインプリントパターンを、基板上の樹脂に反映させた状態で該樹脂を硬化させ、硬化した前記樹脂から前記モールドを離型するインプリント方法であって、
前記モールドと硬化した前記樹脂とが置かれている雰囲気中の気体分子をイオン化するための電磁波を、
前記モールドの前記インプリントパターンが形成されている領域全体、及び硬化した前記樹脂に照射しながら、前記離型を行うことを特徴とする。
第２の本発明に係るチップの製造方法は、
第１の本発明のインプリント方法を用いて得られる、基板上に硬化した前記樹脂を有する部材を用意し、
硬化した前記樹脂をマスクにして、前記基板を加工すること特徴とする。
第３の本発明に係るインプリント装置は、
基板上の樹脂にインプリントするためのインプリント装置であって、
インプリントパターンを有するモールドを保持するためのモールド保持部と、
基板を保持するための基板保持部と、
前記モールド保持部が保持する前記モールドが置かれている雰囲気中の気体分子をイオン化するための電磁波発生源とを備え、
前記電磁波発生源から発生する電磁波が、
前記モールドの前記インプリントパターンが形成されているパターン形成面とは反対の面側から、該パターン形成面に向かって照射されるように、前記モールドや前記樹脂に生じる帯電を除去するための帯電除去用として設けられていることを特徴とする。
また、別の本発明のインプリント方法は、基板上の樹脂に、モールドのパターンをインプリントするインプリント方法であって、
前記基板上の樹脂に、前記モールドのパターンを転写するため該モールドのパターン形成面を接触させる接触工程と、
前記樹脂を硬化させる樹脂硬化工程と、
前記樹脂硬化工程で硬化させた樹脂から前記モールドを離型させる際に、該離型の動作中に生じる帯電を除去する除電処理を行いながら、前記モールドを樹脂から離型する離型工程と、を有することを特徴とする。
また、別の本発明のインプリント方法は、前記離型工程における前記除電処理が、
帯電除去用光源からの光を、前記樹脂と前記モールドのパターン形成面との接触面に照射するに当たり、前記モールドを透過させて該接触面に照射し、または基板及び基板上の樹脂を透過させて該接触面に照射して、
雰囲気中の気体分子をイオン化することにより行われることを特徴とする。
また、別の本発明のインプリント方法は、前記帯電除去用光源からの光は、波長が１００ｎｍ以上、２００ｎｍ未満の範囲から選択される光であることを特徴とする。
また、前記帯電除去用光源からの光はＸ線であり、波長が０．１ｎｍ以下の範囲から選択されることを特徴とする。
また、本発明のインプリント方法は、前記離型工程における前記除電処理が、低酸素ガス雰囲気下で行われることを特徴とする。
また、別の本発明のインプリント方法は、前記離型工程における前記除電処理が、減圧雰囲気下で行われることを特徴とする。
また、別の本発明のインプリント方法は、前記接触工程において、前記モールドと前記樹脂との接触を減圧雰囲気下で行った後、
前記離型工程において、前記除電処理を低酸素ガス雰囲気下で行うことを特徴とする。
また、別の本発明のインプリント方法は、前記樹脂硬化工程において、前記樹脂に光硬化樹脂を用い、該光硬化樹脂に光硬化用光源からの光を照射し、該光硬化樹脂を硬化させることを特徴とする。
また、別の本発明のインプリント方法は、前記光硬化用光源の光と前記帯電除去用光源の光が、同一の照射機構から照射されることを特徴とする。
また、別の本発明のインプリント方法は、前記光硬化用光源と前記帯電除去用光源とが、前記光硬化樹脂を硬化するための波長と前記帯電除去するための波長を共に有する同一の光源で構成されていることを特徴とする。
また、別の本発明のインプリント方法は、基板上の樹脂に、モールドが有するパターンをインプリントするインプリント方法であって、
表面に樹脂を有する基板を用意し、
減圧雰囲気下で、前記樹脂とモールドの凹凸パターン面とを接触させ、
光を照射することにより前記樹脂を硬化させ、
硬化した前記樹脂から前記モールドを離型させるときに、ガスを雰囲気中に導入して除電処理を行いながら、前記離型を行うことを特徴とする。
また、別の本発明のインプリント装置は、
基板上の樹脂に、モールドのパターンを転写するため該モールドのパターン形成面を接触させて該樹脂を硬化させ、該モールドを該樹脂から離型して該モールドのパターンをインプリントするインプリント装置であって、
前記モールドを前記樹脂から離型する動作中に生じる帯電を除去する除電処理手段を備え、
前記除電処理手段が、帯電除去用光源からの光を、前記樹脂と前記モールドのパターン形成面との接触面に照射して、雰囲気中の気体分子をイオン化可能に構成されていることを特徴とする。
また、別の本発明のインプリント装置は、前記帯電除去用光源からの光は、波長が１００ｎｍ以上、２００ｎｍ未満の範囲の光であることを特徴とする。
また、別の本発明のインプリント装置は、前記樹脂が光硬化樹脂であり、該樹脂を硬化させる光を照射する手段として光硬化用光源（樹脂硬化用光源）を備えていることを特徴とする。
また、別の本発明のインプリント装置は、前記光硬化用光源（樹脂硬化用光源）の光と前記帯電除去用光源の光が、同一の照射機構から照射されることを特徴とする。
また、別の本発明のインプリント装置は、前記光硬化用光源（樹脂硬化用光源）と前記帯電除去用光源とが、前記光硬化樹脂を硬化するための波長と前記帯電除去するための波長を共に有する同一の光源で構成されていることを特徴とする。