【手続補正書】
【提出日】平成23年10月18日(2011.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造を形成するための方法であって、
基板の表面にわたって少なくとも１つの特徴部を形成するステップと、
前記少なくとも１つの特徴部の上に窒化炭化ケイ素層を形成するステップと、
前記窒化炭化ケイ素層を実質的に酸窒化ケイ素層へと酸化するステップと、
前記少なくとも１つの特徴部の少なくとも１つの側壁上の前記酸窒化ケイ素層の第１の部分を第１の速度で取り除き、前記少なくとも１つの特徴部の底部領域に隣接する前記基板の上の前記酸窒化ケイ素層の第２の部分を第２の速度で取り除くステップであって、前記第１の速度が前記第２の速度よりも大きいステップと、
前記酸窒化ケイ素層の上に誘電体層を形成するステップと、
を備える方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの特徴部を形成する前記ステップが、少なくとも１つのトランジスタゲートを形成する工程を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板内に前記少なくとも１つのトランジスタゲートに隣接して少なくとも１つのコンタクト領域を形成するステップと、
前記少なくとも１つのトランジスタゲートの少なくとも１つの側壁上に、少なくとも１つの誘電体スペーサを形成するステップと、
をさらに備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記酸窒化ケイ素層の前記第１の部分および前記第２の部分を取り除く前記ステップが、前記少なくとも１つの特徴部の上の前記酸窒化ケイ素層の第３の部分を第３の速度で取り除く工程であって、前記第２の速度に対する前記第３の速度の比が約２：１以上である工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記酸窒化ケイ素層の前記部分を取り除く前記ステップが、
フッ素含有プラズマを生成する工程と、
前記フッ素含有プラズマを、前記酸窒化ケイ素層の前記第１の部分および前記第２  の部分と相互作用させて、副生成物を生成する工程と、
前記副生成物を熱処理して、前記酸窒化ケイ素層の前記部分を取り除く工程と、
を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記フッ素含有プラズマを生成する前記ステップが、三フッ化物（ＮＦ３）、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）、テトラフルオロメタン（ＣＦ４）、フルオロメタン（ＣＨ３Ｆ）、ジフルオロメタン（ＣＨ２Ｆ２）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）、オクタフルオロプロパン（Ｃ３Ｆ８）およびヘキサフルオロエタン（Ｃ２Ｆ６）からなる群から選択される前駆体を使用する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記フッ素含有プラズマを、前記酸窒化ケイ素層の前記部分と相互作用させる前記ステップが、−約１００℃〜約１，０００℃の温度を有するペデスタル上に前記基板を配置する工程を備える、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記副生成物を熱処理する前記ステップが、前記副生成物を昇華させる工程を備える、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記副生成物を熱処理する前記ステップが、−約５０℃〜約１，０００℃のプロセス温度を有する、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板を持ち上げてシャワーヘッドに近づけるステップをさらに備える、請求項５に記載の方法。
【請求項１１】
トランジスタを形成するための方法であって、
基板の上に少なくとも１つのトランジスタゲートを形成するステップと、
前記少なくとも１つのトランジスタゲートの側壁上に、少なくとも１つの誘電体スペーサを形成するステップと、
前記基板内に前記トランジスタゲートに隣接して少なくとも１つのコンタクト領域を形成するステップと、
前記少なくとも１つのトランジスタゲートの上に窒化炭化ケイ素層を形成するステップと、
前記窒化炭化ケイ素層を実質的に酸窒化ケイ素層へと酸化するステップと、
前記少なくとも１つのトランジスタゲートの少なくとも１つの側壁上の前記酸窒化ケイ素層の第１の部分を第１の速度で取り除き、前記少なくとも１つのトランジスタゲートの底部領域に隣接する前記基板の上の前記酸窒化ケイ素層の第２の部分を第２の速度で取り除くステップであって、前記第１の速度が前記第２の速度よりも大きいステップと、
前記酸窒化ケイ素層の上に誘電体層を形成するステップと、
を備える方法。
【請求項１２】
前記酸窒化ケイ素層の前記第１の部分および前記２の部分を取り除く前記ステップが、
フッ素含有プラズマを生成する工程と、
前記フッ素含有プラズマを、前記酸窒化ケイ素層の前記第１の部分および前記第２の部分と相互作用させて、副生成物を生成する工程と、
前記副生成物を熱処理して、前記酸窒化ケイ素層の前記第１の部分および前記２の部分を取り除く工程と、
を備える、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記フッ素含有プラズマを生成する前記ステップが、三フッ化物（ＮＦ３）、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）、テトラフルオロメタン（ＣＦ４）、フルオロメタン（ＣＨ３Ｆ）、ジフルオロメタン（ＣＨ２Ｆ２）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）、オクタフルオロプロパン（Ｃ３Ｆ８）およびヘキサフルオロエタン（Ｃ２Ｆ６）からなる群から選択される前駆体を使用する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記フッ素含有プラズマを、前記酸窒化ケイ素層の前記部分と相互作用させる前記ステップが、−約１００℃〜約１，０００℃の温度を有するペデスタル上に前記基板を配置する工程を備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記副生成物を熱処理する前記ステップが、前記副生成物を昇華させる工程を備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記副生成物を熱処理する前記ステップが、−約５０℃〜約１，０００℃のプロセス温度を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記基板を持ち上げてシャワーヘッドに近づけるステップをさらに備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
構造を形成するための方法であって、
基板の表面にわたって少なくとも１つの特徴部を形成するステップと、
前記少なくとも１つの特徴部の上に第１の誘電体層を形成するステップと、
前記第１の誘電体層の上に第２の誘電体層を形成するステップと、
前記少なくとも１つの特徴部の少なくとも１つの側壁上の前記第２の誘電体層の第１の部分を第１の速度で取り除き、前記少なくとも１つの特徴部の底部領域に隣接する前記基板の上の前記第２の誘電体層の第２の部分を第２の速度で取り除くステップであって、前記第１の族度が前記第２の速度よりも大きいステップと、
前記エッチングした第２の誘電体層の上に第３の誘電体層を形成するステップと、
を備える方法。
【請求項１９】
前記第２の誘電体層の前記第１の部分および前記第２の部分を取り除く前記ステップが、前記少なくとも１つの特徴部の上の前記第２の誘電体層の第３の部分を第３の速度で取り除く工程であって、前記第２の速度に対する前記第３の速度の比が約２：１以上である工程をさらに備える、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２の誘電体層の前記第１の部分および前記第２の部分を取り除く前記ステップが、前記少なくとも１つの特徴部の底部に隣接する前記第１の誘電体層を実質的には取り除くことなく、前記少なくとも１つの特徴部の上の前記第１の誘電体層の一部分を取り除く工程をさらに備える、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１の誘電体層が、炭化ケイ素層、窒化炭化ケイ素層、窒化ホウ化ケイ素層、窒化ホウ素層、酸化ケイ素層、酸化炭化ケイ素層および酸窒化ケイ素層のうちの少なくとも１つを備え、前記第２の誘電体層が窒化ケイ素層を備える、請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
前記第２の誘電体層の前記第１の部分および前記第２の部分を取り除く前記ステップが、
フッ素含有プラズマを生成する工程と、
前記フッ素含有プラズマを、前記第２の誘電体層の前記第１の部分および前記第２の部分と相互作用させて、副生成物を生成する工程と、
前記副生成物を熱処理して、前記第２の誘電体層の前記第１の部分および前記第２の部分を取り除く工程と、
を備える、請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
前記フッ素含有プラズマを生成する前記ステップが、三フッ化物（ＮＦ３）、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）、テトラフルオロメタン（ＣＦ４）、フルオロメタン（ＣＨ３Ｆ）、ジフルオロメタン（ＣＨ２Ｆ２）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）、オクタフルオロプロパン（Ｃ３Ｆ８）およびヘキサフルオロエタン（Ｃ２Ｆ６）からなる群から選択される前駆体を使用する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記フッ素含有プラズマを、前記誘電体層の前記第１の部分および前記第２の部分と相互作用させる前記ステップが、−約１００℃〜約１，０００℃の温度を有するペデスタル上に前記基板を配置する工程を備える、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記副生成物を熱処理する前記ステップが、前記副生成物を昇華させる工程を備える、請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
前記副生成物を熱処理する前記ステップが、−約５０℃〜約１，０００℃のプロセス温度を有する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２７】
前記基板を持ち上げてシャワーヘッドに近づけるステップをさらに備える、請求項２２に記載の方法。
【請求項２８】
チャンバと、
基板にわたって形成された少なくとも１つの特徴部の上に形成された窒素含有層を有する前記基板を支持するために、前記チャンバ内に構成されたペデスタルと、
前記チャンバ内で前記ペデスタルの上に構成されたシャワーヘッドと、
フッ素イオンおよび水素イオンを含むプラズマを生成するように構成され、前記チャンバに結合されたプラズマ発生器であって、前記プラズマが、前記少なくとも１つの特徴部の少なくとも１つの側壁上の前記窒素含有層の第１の部分を第１の速度で取り除き、前記少なくとも１つの特徴部の底部領域に隣接する前記基板の上の前記窒素含有層の第２の部分を第２の速度で取り除くようにチャンバ内で提供され、前記第１の速度が前記第２の速度よりも大きいプラズマ発生器と、
を備える装置。
【請求項２９】
前記プラズマ発生器と前記チャンバとの間に結合したプラズマ分配装置をさらに備える、請求項２８に記載の装置。
【請求項３０】
前記基板の下に構成された少なくとも１つのピンであって、前記基板を前記シャワーヘッドに向かって持ち上げるように動作可能なピンをさらに備える、請求項２８に記載の装置。
【請求項３１】
前記チャンバ内に少なくとも１つのポンピングチャネルをさらに備える、請求項２８に記載の装置。
【請求項３２】
前記ペデスタルが、−約１００℃〜約１，０００の温度を提供するように動作可能である、請求項２８に記載の装置。
【請求項３３】
前記シャワーヘッドが、−約５０℃〜約１，０００の温度を提供するように動作可能である、請求項２８に記載の装置。