Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月28日(2011.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ステータコアにティースが複数配列され、所定の形状に整形された第１系列のコイルが前記複数のティース間のスロットに組み込まれているとともに、所定の形状に整形された第２系列のコイルが前記複数のティース間のスロットに組み込まれた電機における固定子において、
前記第１系列のコイルのコイルエンドが、前記ステータコアのスロットに挿入された挿入部から、前記ティースの前記ステータコアからの突設方向と反対方向へ延びる一対の屈曲部と、該屈曲部同士を接続する渡り部とを備え、
前記第２系列のコイルのコイルエンドが、前記スロットに挿入された挿入部から延びて前記ステータコアの端面より突出する一対の起立部と、該起立部同士を接続する渡り部とを備え、
前記第１系列のコイルと第２系列のコイルとは、前記第１系列のコイルの渡り部が、前記ティースの前記ステータコアからの突設方向と反対方向において前記第２系列のコイルの渡り部よりも外側に配置されるとともに、前記第２系列のコイルの渡り部が前記第１系列のコイルの屈曲部を跨ぐように配置されており、
前記第１系列のコイル及び第２系列のコイルそれぞれは、同一系列中にＵ相、Ｖ相、及びＷ相のコイルのうち少なくとも２相のコイルが混在するように配置されるとともに、第１系列と第２系列とで同じ相同士のコイルが接続され、
前記ティースが、前記ステータコアに対し一体成形された固定ティースと、前記ステータコアに対し装着可能な分割ティースとからなる電機における固定子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
全てのティースのうち半分が前記固定ティースである請求項１〜請求項３の何れか一項に記載の電機における固定子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、ステータコアにティースが複数配列され、所定の形状に整形された第１系列のコイルが前記複数のティース間のスロットに組み込まれているとともに、所定の形状に整形された第２系列のコイルが前記複数のティース間のスロットに組み込まれた電機における固定子において、前記第１系列のコイルのコイルエンドが、前記ステータコアのスロットに挿入された挿入部から、前記ティースの前記ステータコアからの突設方向と反対方向へ延びる一対の屈曲部と、該屈曲部同士を接続する渡り部とを備え、前記第２系列のコイルのコイルエンドが、前記スロットに挿入された挿入部から延びて前記ステータコアの端面より突出する一対の起立部と、該起立部同士を接続する渡り部とを備え、前記第１系列のコイルと第２系列のコイルとは、前記第１系列のコイルの渡り部が、前記ティースの前記ステータコアからの突設方向と反対方向において前記第２系列のコイルの渡り部よりも外側に配置されるとともに、前記第２系列のコイルの渡り部が前記第１系列のコイルの屈曲部を跨ぐように配置されており、前記第１系列のコイル及び第２系列のコイルそれぞれは、同一系列中にＵ相、Ｖ相、及びＷ相のコイルのうち少なくとも２相のコイルが混在するように配置されるとともに、第１系列と第２系列とで同じ相同士のコイルが接続され、前記ティースが、前記ステータコアに対し一体成形された固定ティースと、前記ステータコアに対し装着可能な分割ティースとからなっていることを要旨とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
これによれば、Ｕ相、Ｖ相、及びＷ相のコイルのうち少なくとも２相のコイルが同一系列中に混在するように配置されている。また、第１系列のコイルは、ティースのステータコアからの突設方向と反対方向において、渡り部が第２系列のコイルの渡り部より外側に配置され、各相のコイルはそれぞれ第１系列のコイルと第２系列のコイルとで構成されている。よって、３相のコイルを有しながらも、第１系列のコイルと第２系列のコイルの２種類のコイルを整形するだけでよく、３相のコイルそれぞれが別々の形状に整形されている場合に比べて、コイルの整形に要する作業、及び治具を減らしてコイルの製造コストを抑え、固定子の製造コストを抑えることができる。
また、ステータコアに一体成形された固定ティースと、ステータコアに対し装着可能な分割ティースとを設けたので、第１系列のコイル及び第２系列のコイルを固定ティースに組付けた後、分割ティースをステータコアに装着してスロットが区画される。そして、このスロットに、第１系列のコイル及び第２系列のコイルをステータコアが組み込まれている。よって、分布巻の固定子の製造時であっても、第１系列のコイル及び第２系列のコイルをスロットに組み込む際に変形させる必要がなく、コイル線が損傷を受けたりすることを防止することができ、固定子の製造に伴う回転電機の性能低下を防止することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、前記第１系列のコイルは全て同じ形状をなし、前記第２系列のコイルは全て同じ形状をなすものでもよい。
これによれば、同一系列中に配置された第１系列のコイルは全て同一形状となり、同一系列中に配置された第２系列のコイルも全て同一形状となる。よって、各相毎のコイル長さを同じにしてコイルインピーダンスのバラツキを抑えることができる。
また、全てのティースのうち半分が前記固定ティースであってもよい。
これによれば、例えば、全てのティースを分割ティースとする場合と比べると、ステータコアに全てのティースを装着するのに要する時間を短縮し、部品点数を減らして固定子の製造コストを抑えることができる。さらに、全てのティースを分割ティースとする場合と比べると、分割ティースとステータコアとの嵌合部のギャップによる鉄損増加を少なくすることができるとともに、ステータコアの周方向に隣り合うティース間のギャップのバラツキを抑えることができ、その結果として、トルクリップルが大きくなることを防止することができる。加えて、全てのティースを分割ティースとする場合は、全ての分割ティースをステータコアに装着する際に発生する塑性変形量が大きくなるが、本実施形態では、全てのティースのうち半分のみが分割ティースであるため、分割ティースを組付ける際の塑性変形量を減らして電磁気特性の劣化を抑えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月16日(2011.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
遊技に応じて遊技者に特定の遊技価値を付与する遊技機の制御を行う遊技制御基板と、該遊技制御基板を収納する基板ベース及び基板カバーと、を備えた遊技機基板ケースにおいて、
前記基板ベース及び前記基板カバーを上下位置に重合して組み合わせたとき、前記遊技機基板ケースの側面には前記基板カバー及び前記基板ベースに連通してなる凹状の空間部を有し、
前記基板ベースから前記基板カバーにかけてＩＣチップとアンテナを内蔵したテープ型のインレットを前記空間部に貼着し、
前記空間部には貼着した前記インレットの少なくとも一部を被覆するスペーサーを嵌め込み可能とすることを特徴とする遊技機基板ケース。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１に記載の遊技機基板ケースは、遊技に応じて遊技者に特定の遊技価値を付与する遊技機の制御を行う遊技制御基板と、該遊技制御基板を収納する基板ベース及び基板カバーと、を備えた遊技機基板ケースにおいて、前記基板ベース及び前記基板カバーを上下位置に重合して組み合わせたとき、前記遊技機基板ケースの側面には前記基板カバー及び前記基板ベースに連通してなる凹状の空間部を有し、前記基板ベースから前記基板カバーにかけてＩＣチップとアンテナを内蔵したテープ型のインレットを前記空間部に貼着し、前記空間部には貼着した前記インレットの少なくとも一部を被覆するスペーサーを嵌め込み可能とすることを特徴とする。
ＩＣチップにはメモリが内蔵され、当該メモリはシステム領域とユーザ領域からなる。
テープ型のインレットは薄いフィルムであり、その裏面にはアクリル樹脂系の接着剤が塗布されている。また表面には目視可能な印字を施しても構わない。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月25日(2011.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端面発光型半導体レーザチップであって、
−  素子構造（５０）のための成長基板とは異なる支持基板（１）と、
−  ボンディング層として構成される第一の中間層（２）と、
− 第二の中間層（２）と、
を有し、前記第一の中間層（２）を介して支持基板（１）は端面発光型半導体レーザチップの素子構造（５０）に直接結合されていて、前記第一の中間層（２）は支持基板（１）及び素子構造（５０）と直接接触しており、その際、該素子構造（５０）は、ビーム形成のために設けられているアクティブ領域（５）を有しており、前記アクティブ領域（５）を有する素子構造（５０）は第一の中間層と第二の中間層（２）の間に配置されており、前記第二の中間層（２）は、素子構造（５０）及びコンタクト層（７）と直接接触しており、かつ該コンタクト層（７）の素子構造（５０）とは反対側に、コンタクト材料を有する電気的コンタクト（８）が存在する形式のものにおいて、
− 前記第一の中間層（２）及び前記第二の中間層（２）は、それぞれ端面発光型半導体レーザチップのクラッド層（３，３０）を成すことと、
− 前記第一の中間層（２）は、電気的に絶縁性であり、素子構造（５０）と支持基板（１）とを電気的に絶縁することと、
− 前記第二の中間層（２）は、ボンディング層であり、該ボンディング層を介して素子構造（５０）が前記コンタクト層（７）に結合されていることと、
を特徴とする、端面発光型半導体レーザチップ。
【請求項２】
請求項１記載の端面発光型半導体レーザチップであって、素子構造（５０）は、ｎ側の導波路層（６）と、ｐ側の導波路層（１２）と、それらの導波路層（６，１２）の間のアクティブ領域（５）とからなる、端面発光型半導体レーザチップ。
【請求項３】
請求項１又は２記載の端面発光型半導体レーザチップであって、第二の中間層（２）は、以下の材料：透明で導電性の酸化物、酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化亜鉛の少なくとも１つを含有するか又はそれらの少なくとも１つからなる、端面発光型半導体レーザチップ。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１項記載の端面発光型半導体レーザチップであって、中間層（２）は、素子構造（５０）より低い屈折率を有する、端面発光型半導体レーザチップ。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１項記載の端面発光型半導体レーザチップであって、第一の中間層（２）が、以下の材料：酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウムの少なくとも１つを含有するか又はそれらの少なくとも１つからなる、端面発光型半導体レーザチップ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月20日(2010.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光沢差のある画像をシミュレートするシステムであって、
関連するメモリに記憶されている命令を実行するプレビュー画像ジェネレータを備え、
該プレビュー画像ジェネレータが、
背景画像および光沢効果画像を読み取り、
前記背景画像を印刷するときに光沢差画像を生成するために、前記光沢効果画像が、第１および第２のハーフトーンの前記背景画像に対する選択的適用を制御するように構成されており、
中間階調グレーレベルの領域が強調された前記背景画像にもとづいてマスクを形成し、
フィルタリング済みの光沢効果画像を形成するために、前記光沢効果画像に対してエッジ効果フィルタを適用し、
背景が修正されたフィルタリング済み効果光沢画像を生成するために、前記マスクを前記フィルタリング済み光沢効果画像に適用し、
前記光沢差画像の表示を生成するために、前記背景修正済みのフィルタリング済み光沢効果画像を前記背景画像に適用する、
システム。
【請求項２】
光沢差のある画像をシミュレートする方法であって、
プレビュー画像ジェネレータによって背景画像を提供し、
中間階調グレーレベルの領域を強調する背景画像にもとづいてマスクを形成し、
２つの異なるハーフトーン構造体がバイナリ光沢効果画像にしたがって適用される場合、前記背景画像に光沢差のある透かしを提供するように構成されている該バイナリ光沢効果画像を提供し、
背景修正された光沢効果画像を形成するために前記バイナリ光沢効果画像から取得される画像データに前記マスクを適用し、
前記プレビュー画像ジェネレータによって、前記２つの異なるハーフトーン構造体が前記バイナリ光沢効果画像にしたがって適用される場合、生成される光沢差のある画像をシミュレートするために前記背景画像に背景修正された光沢効果画像を適用し、
シミュレーションによって、ハーフトーン構造体が適用されるならば、光沢差が異なる透かしが他の領域よりさらに明瞭に描写される背景画像の領域を視覚により識別することができる、
方法。
【請求項３】
光沢差のある画像をシミュレートする方法であって、
プレビュー画像ジェネレータによって背景画像を提供し、
光沢効果画像を提供し、
前記背景画像を印刷したときに光沢差画像を生成するために、第１および第２のハーフトーンの前記背景画像に対する選択的適用を制御するように、前記光沢効果画像が構成されており、
前記プレビュー画像ジェネレータによって、中間階調グレーレベルの領域が強調された前記背景画像にもとづいてマスクを形成し、
抑制済みの光沢効果画像を形成するために前記光沢効果画像を抑制し、
背景が修正された抑制済み光沢効果画像を生成するために、前記マスクを前記抑制済み光沢効果画像に適用し、
前記光沢差画像の表示を生成するために、前記背景修正済みの抑制済み光沢効果画像を前記背景画像に適用する、
方法。
【請求項４】
前記マスクを形成することは、前記背景画像から取得される画像データに対して階調再現曲線を適用することを含む、請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月7日(2011.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１不純物濃度を有する第１水平部及び該第１不純物濃度より大きい第２不純物濃度を有する第２水平部を具備するドリフト領域と、
前記ドリフト領域上及び前記第１及び第２水平部間の境界上部に形成された絶縁性構造物と、
前記第１水平部の露出した部分上に形成されたゲート絶縁膜パターンと、
前記ゲート絶縁膜パターンと前記絶縁性構造物の一部上に形成されたゲート電極と、
前記ドリフト領域の第１水平部に向かうように配置されるソースと、
前記ドリフト領域の第２水平部に向かうように配置されるドレインと、
前記ドレインに向かう第２水平部に形成され前記ドリフト領域の一部で形成される追加Ｎ型ドリフト部と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁性構造物は、前記第１及び第２水平部間の境界を中心として位置するフィールド酸化膜構造物であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２不純物濃度は、前記第１不純物濃度より少なくとも２倍以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１及び第２不純物は、それぞれＮ型不純物であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記追加Ｎ型ドリフト部に形成されるＰ型ドレイン領域を更に有し、
前記Ｐ型ドレイン領域は前記ドレインを形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記追加Ｎ型ドリフト部は、前記第２水平部の第２不純物濃度より大きいＮ型不純物濃度を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
内部に前記ドリフト領域を有するシリコン層及び該シリコン層の下部に配置される絶縁層と、該絶縁層の下部に配置される半導体基板とを含む、シリコン−オン−インシュレータ（ＳＯＩ）装置であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】
基板上に第１不純物濃度を有する第１水平部及び該第１不純物濃度より大きい第２不純物濃度を有する第２水平部を具備するドリフト領域を形成する段階と、
前記ドリフト領域上及び前記第１及び第２水平部間の境界上部に絶縁性構造物を形成する段階と、
前記第２水平部の第２不純物濃度より高い第３不純物濃度を有し、前記ドリフト領域のうち、前記第２水平部により前記第１水平部から水平的に離隔される追加ドリフト部を形成する段階と、
前記第１水平部の露出した部分上にゲート絶縁膜パターンを形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜パターン及び前記絶縁性構造物の一部上にゲート電極を形成する段階と、
前記ドリフト領域の第１水平部に向かうように配置されるソースを形成する段階と、
前記ドリフト領域の第２水平部に向かうように配置されるドレインを形成する段階と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１、第２、及び第３不純物はＮ型不純物であり、前記ソースは、前記ゲート電極の該ソース側に配置されるＮ型ソース領域及び該Ｎ型ソース領域の側面に配置されるＰ型不純物領域を含み、前記ドレインは前記追加ドリフト部に形成されるＰ型ドレイン領域を含むことを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
シリコン膜に該シリコン膜の表面から所定の深さまで延長して第１不純物濃度を有する第１Ｎ型不純物領域を形成する段階と、
前記シリコン膜の内部に前記第１Ｎ型不純物領域と水平的に離隔される第１Ｐ型不純物領域を形成する段階と、
前記シリコン膜の全表面にＮ型不純物を注入し、前記シリコン膜のうち前記第１不純物領域が形成されない部分に第２不純物濃度を有して前記第１Ｐ型不純物領域と接する第１水平部、及び前記第１Ｎ型不純物領域の上部に前記第１及び第２不純物濃度より大きい第３不純物濃度を有する第２水平部を含むドリフト領域を形成する段階と、
前記シリコン膜の表面中の前記第１水平部及び前記第２水平部が接する部分にフィールド酸化構造物を形成する段階と、
前記第２水平部のうち前記フィールド酸化構造物でカバーされない部分に前記第３不純物濃度より大きい第４不純物濃度を有する追加Ｎ型ドリフト部を形成する段階と、
前記第１水平部上で前記フィールド酸化構造物から所定の長さまで延長されるゲート絶縁膜パターン、及び該ゲート絶縁膜パターン及び前記フィールド酸化構造物上に形成されるゲート電極を含むゲート構造物を形成する段階と、
前記第１水平部のうち、前記ゲート構造物でカバーされない部分に前記第１Ｐ型不純物領域と接する第２Ｐ型不純物領域を形成する段階と、
前記第２Ｐ型不純物領域の露出した表面のうち、ゲート構造物と隣接した部分にＮ型ソース領域を形成する段階と、
前記第２Ｐ型不純物領域の露出した表面のうち、前記Ｎ型ソース領域と隣接する部分及び前記追加Ｎ型ドリフト部の露出した表面にそれぞれ第３Ｐ型不純物領域及びＰ型ドレイン領域を形成する段階と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月7日(2010.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電波を受信するアンテナ回路と、
前記アンテナ回路において生成された交流電圧を整流して直流電圧を生成し、前記直流電
圧の大きさを調整する充電回路と、
前記充電回路で調整された直流電圧が印加される端子と、
前記充電回路及び前記端子を覆う第１保護材と、
前記アンテナ回路を覆う第２保護材と、
を有する充電装置。
【請求項２】
電波を受信するアンテナ回路と、
前記アンテナ回路において生成された交流電圧を整流して直流電圧を生成し、前記直流電
圧の大きさを調整する充電回路と、
前記充電回路で調整された直流電圧が印加される端子と、
前記充電回路及び前記端子を覆う第１保護材と、
前記充電回路、前記端子及び前記アンテナ回路を覆う第２保護材と、
を有する充電装置。
【請求項３】
電波を受信するアンテナ回路と、
前記アンテナ回路において生成された交流電圧を整流して直流電圧を生成し、前記直流電
圧の大きさを調整する充電回路と、
前記充電回路で調整された直流電圧を用いて前記充電回路により充電される蓄電池を収納する収納部と、
前記充電回路及び前記収納部を覆う第１保護材と、
前記アンテナ回路を覆う第２保護材と、
を有する充電装置。
【請求項４】
電波を受信するアンテナ回路と、
前記アンテナ回路において生成された交流電圧を整流して直流電圧を生成し、前記直流電
圧の大きさを調整する充電回路と、
前記充電回路で調整された直流電圧を用いて前記充電回路により充電される蓄電池を収納する収納部と、
前記充電回路及び前記収納部を覆う第１保護材と、
前記アンテナ回路、前記充電回路及び前記収納部を覆う第２保護材と、
を有する充電装置。
【請求項５】
電波を受信するアンテナ回路と、
前記アンテナ回路において生成された交流電圧を整流して直流電圧を生成する整流回路と
、
前記直流電圧の大きさを調整する電源回路と、
前記電源回路で調整された直流電圧が印加される端子と、
前記端子への前記直流電圧の印加を制御する充電制御回路と、
前記整流回路、前記電源回路、前記端子及び前記充電制御回路を覆う第１保護材と、
前記アンテナ回路を覆う第２保護材と、
を有する充電装置。
【請求項６】
電波を受信するアンテナ回路と、
前記アンテナ回路において生成された交流電圧を整流して直流電圧を生成する整流回路と
、
前記直流電圧の大きさを調整する電源回路と、
前記電源回路で調整された直流電圧が印加される端子と、
前記端子への前記直流電圧の印加を制御する充電制御回路と、
前記整流回路、前記電源回路、前記端子及び前記充電制御回路を覆う第１保護材と、
前記アンテナ回路、前記整流回路、前記電源回路、前記端子及び前記充電制御回路を覆う
第２保護材と、
を有する充電装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、前記第１保護材は、前記第２保護材よりも前記電波を通しにくいことを特徴とする充電装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、前記電波は余剰の電波であることを特徴とする充電装置。
【請求項９】
第１電波を受信する第１アンテナ回路と、
前記第１アンテナ回路において生成された第１交流電圧を用いて第２交流電圧を生成する
充電回路と、
前記第２交流電圧が与えられると第２電波を生成する第２アンテナ回路と、
前記充電回路及び前記第２アンテナ回路を覆う第１保護材と、
前記第１アンテナ回路を覆う第２保護材と、
を有する充電装置。
【請求項１０】
第１電波を受信する第１アンテナ回路と、
前記第１アンテナ回路において生成された第１交流電圧を用いて第２交流電圧を生成する
充電回路と、
前記第２交流電圧が与えられると第２電波を生成する第２アンテナ回路と、
前記充電回路及び前記第２アンテナ回路を覆う第１保護材と、
前記第１アンテナ回路、前記充電回路及び前記第２アンテナ回路を覆う第２保護材と、
を有する充電装置。
【請求項１１】
第１電波を受信する第１アンテナ回路と、
前記第１アンテナ回路において生成された第１交流電圧を整流して直流電圧を生成する整
流回路と、
前記直流電圧の大きさを調整する電源回路と、
前記電源回路で調整された直流電圧が入力されると第２交流電圧を生成する発振回路と、
前記発振回路の駆動を制御する発振制御回路と、
前記第２交流電圧が与えられると第２電波を生成する第２アンテナ回路と、
前記整流回路、前記電源回路、前記発振回路、前記発振制御回路及び前記第２アンテナ回
路を覆う第１保護材と、
前記第１アンテナ回路を覆う第２保護材と、
を有する充電装置。
【請求項１２】
第１電波を受信する第１アンテナ回路と、
前記第１アンテナ回路において生成された第１交流電圧を整流して直流電圧を生成する整
流回路と、
前記直流電圧の大きさを調整する電源回路と、
前記電源回路で調整された直流電圧が入力されると第２交流電圧を生成する発振回路と、
前記発振回路の駆動を制御する発振制御回路と、
前記第２交流電圧が与えられると第２電波を生成する第２アンテナ回路と、
前記整流回路、前記電源回路、前記発振回路、前記発振制御回路及び前記第２アンテナ回
路を覆う第１保護材と、
前記第１アンテナ回路、前記整流回路、前記電源回路、前記発振回路、前記発振制御回路
及び前記第２アンテナ回路を覆う第２保護材と、
を有する充電装置。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１２のいずれか１項において、前記第２電波の周波数は、前記第１電波の周波数よりも低いことを特徴とする充電装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項において、前記第１保護材は、合成ゴムまたはウレタンに、カーボン材、フェライト材またはカーボニル鉄材を混入したものであり、
前記第２保護材は合成樹脂またはセラミックであることを特徴とする充電装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか１項において、前記第１保護材は、前記第２保護材よ
りも厚いことを特徴とする充電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月28日(2011.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子で発生した熱を放熱する放熱部材とを有する半導体装置であって、
前記半導体素子に形成され、締結用ねじにより前記半導体素子を前記放熱部材へねじ締結するための第１のねじ穴と、
前記放熱部材に形成され、前記第１のねじ穴に対応する第２のねじ穴と、
前記第１及び第２のねじ穴に挿入されて前記半導体素子及び前記放熱部材と、前記締結用ねじとを絶縁する絶縁チューブと、
締結用ねじと対をなすナットと、前記半導体素子又は前記放熱部材との間に介在されており、前記ナットと、前記半導体素子又は前記放熱部材とを絶縁する絶縁ワッシャとを備え、
前記絶縁チューブと前記絶縁ワッシャとを別体で構成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子と前記放熱部材との間には、絶縁シートが介在されていることを特徴とする請求項１に記載のスイッチング装置。
【請求項３】
前記半導体素子は絶縁タイプの半導体素子で構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のスイッチング装置。
【請求項４】
前記絶縁チューブの長さは、前記半導体素子と前記放熱部材と前記前記絶縁シートの各幅の合計より長いことを特徴とする請求項２または請求項３に記載のスイッチング素子
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかの半導体装置を備え、
電池パックの充電端子が接続される出力端子と、
前記半導体装置と前記出力端子とが実装されており、前記半導体素子をスイッチング駆動することで前記出力端子から出力される充電電力を制御する回路基板とを有することを特徴とする充電装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項３の発明では、半導体素子は絶縁タイプの半導体素子で構成されていることを特徴としている。請求項４の発明では、前記絶縁チューブの長さは、前記半導体素子と前記放熱部材と前記前記絶縁シートの各幅の合計より長いことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項５の発明では、請求項１ないし請求項４のいずれかの半導体装置を備え、電池パックの充電端子が接続される出力端子と、半導体装置と出力端子とが実装されており、半導体素子をスイッチング駆動することで出力端子から出力される充電電力を制御する回路基板とを有することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月11日(2011.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グラファイト構造を有する炭素材料を活物質として用い、溶媒と支持電解質とを含む電解液を備えた電気化学デバイスであって、
前記溶媒は、ＢＦ３に環状エーテルが配位したＢＦ３−環状エーテル錯体を主成分とする、電気化学デバイス。
【請求項２】
前記環状エーテルは：
置換基を有してもよいテトラヒドロフラン；および、
置換基を有してもよいテトラヒドロピラン；
から選択される一種または二種以上である、請求項１に記載の電気化学デバイス。
【請求項３】
前記環状エーテルは、テトラヒドロピランである、請求項２に記載の電気化学デバイス。
【請求項４】
前記環状エーテルは、２−メチルテトラヒドロフランである、請求項２に記載の電気化学デバイス。
【請求項５】
前記支持電解質はリチウム塩であり、リチウム二次電池として構成されている、請求項１から４のいずれか一項に記載の電気化学デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月2日(2011.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スルホン酸基および／またはカルボキシ基を有する水溶性導電性ポリマー（Ａ）、ｐｋａが１０以下の塩基性化合物（Ｂ）、および溶剤（Ｃ）を含む導電性組成物を基材に塗布して塗膜を形成する工程と、前記塗膜に対し、１２５〜１８０℃で加熱処理を行う工程とを順次行う導電体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明者は、鋭意検討の結果、スルホン酸基および／またはカルボキシ基を有する導電性ポリマーを含む導電性組成物中に含まれる塩基性化合物が該導電性ポリマーと塩を形成し、該導電性ポリマーの自己ドープを阻害し、本来の導電性が発揮されるのを阻害していることを見出した。そして、該導電性組成物を特定の温度で加熱することにより、該塩基性化合物が充分に除去され、得られる導電体の導電性が大きく向上することを見出し、本発明を完成した。
すなわち本発明は、スルホン酸基および／またはカルボキシ基を有する水溶性導電性ポリマー（Ａ）、ｐｋａが１０以下の塩基性化合物（Ｂ）、および溶剤（Ｃ）を含む導電性組成物を基材に塗布して塗膜を形成する工程と、前記塗膜に対し、１２５〜１８０℃で加熱処理を行う工程とを順次行う導電体の製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月12日(2011.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷対象の領域に対するページの割り当てが可能なアプリケーションにより生成された印刷データに基づく画像を、印刷装置に印刷用紙へ印刷させるための印刷制御装置であって、
前記アプリケーションに所定の用紙サイズを設定することによって、前記アプリケーションにより、前記印刷対象の領域に対して当該所定の用紙サイズに応じて生成されたページのページ数に応じて、当該印刷対象の領域を前記印刷装置に印刷させるときの用紙サイズを決定する決定手段と、
前記決定手段により決定された用紙サイズに基づき、前記アプリケーションにより当該用紙サイズに応じて生成された前記印刷対象の領域に対応する印刷データに基づく画像であって、印刷対象の印刷用紙の大きさに応じた大きさの画像を、印刷装置に当該印刷用紙へ印刷させる印刷制御手段と、
を有することを特徴とする印刷制御装置。
【請求項２】
前記決定手段は、前記アプリケーションにより、前記印刷対象の領域に対して生成されたページの大きさが変更されたときの、当該印刷対象の領域に対するページ数に応じて、前記印刷装置に印刷させるときの用紙サイズを決定することを特徴とする請求項１に記載の印刷制御装置。
【請求項３】
前記決定手段は、所定サイズの第１のページが前記印刷対象の領域に割り当てられたときのページ数に応じて、当該第１のページの当該ページ数分の大きさに対応する第２のページを決定し、当該第２のページの大きさが変更されたときの当該印刷対象の領域に対するページ数に応じて、当該印刷対象の領域に対応する用紙サイズを決定することを特徴とする請求項２に記載の印刷制御装置。
【請求項４】
前記決定手段は、前記第２のページの大きさが変更されたときのページサイズの複数の候補のうちの、前記印刷対象の領域を１ページで含み、当該印刷対象の領域の大きさに合った大きさのページサイズを、当該印刷対象の領域に対応する用紙サイズとして決定することを特徴とする請求項３に記載の印刷制御装置。
【請求項５】
前記印刷制御手段は、前記決定手段により決定された用紙サイズをプリンタドライバに通知し、当該プリンタドライバに、前記アプリケーションにより生成された印刷データに基づく当該用紙サイズに応じた大きさの画像を、印刷対象の印刷用紙の大きさに合わせて変倍させることによって、当該印刷用紙の大きさに応じた当該画像を当該印刷用紙へ印刷させることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の印刷制御装置。
【請求項６】
前記アプリケーションは表計算ソフトウェアであり、前記印刷対象の領域は、当該表計算ソフトウェアにおいて入力可能なセルのうちの、ユーザによる指示に応じて選択されたセルに対応する領域であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の印刷制御装置。
【請求項７】
印刷対象の領域に対するページの割り当てが可能なアプリケーションにより生成された印刷データに基づく画像を、印刷装置に印刷用紙へ印刷させるための印刷制御方法であって、
前記アプリケーションに所定の用紙サイズを設定することによって、前記アプリケーションにより、前記印刷対象の領域に対して当該所定の用紙サイズに応じて生成されたページのページ数に応じて、当該印刷対象の領域を前記印刷装置に印刷させるときの用紙サイズを決定する決定工程と、
前記決定工程において決定された用紙サイズに基づき、前記アプリケーションにより当該用紙サイズに応じて生成された前記印刷対象の領域に対応する印刷データに基づく画像であって、印刷対象の印刷用紙の大きさに応じた大きさの画像を、印刷装置に当該印刷用紙へ印刷させる印刷制御工程と、
を有することを特徴とする印刷制御方法。
【請求項８】
請求項７に記載の印刷制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】印刷制御装置、印刷制御方法、およびプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記の課題を解決するため、本発明の印刷制御装置は、印刷対象の領域に対するページの割り当てが可能なアプリケーションにより生成された印刷データに基づく画像を、印刷装置に印刷用紙へ印刷させるための印刷制御装置であって、前記アプリケーションに所定の用紙サイズを設定することによって、前記アプリケーションにより、前記印刷対象の領域に対して当該所定の用紙サイズに応じて生成されたページのページ数に応じて、当該印刷対象の領域を前記印刷装置に印刷させるときの用紙サイズを決定する決定手段と、前記決定手段により決定された用紙サイズに基づき、前記アプリケーションにより当該用紙サイズに応じて生成された前記印刷対象の領域に対応する印刷データに基づく画像であって、印刷対象の印刷用紙の大きさに応じた大きさの画像を、印刷装置に当該印刷用紙へ印刷させる印刷制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、印刷用紙の大きさに応じた大きさの画像を、印刷装置に印刷させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月1日(2011.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
基板電極と当該基板電極上に設けられた空隙を有する導電性部材とからなり、被実装部品のはんだ電極が溶融接合される電極
を具備することを特徴とする実装回路基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の一観点からは、基板電極と当該基板電極上に設けられた空隙を有する導電性部材とからなり、被実装部品のはんだ電極が溶融接合される電極を具備することを特徴とする実装回路基板が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月5日(2011.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子と、前記光電変換素子にて生じた電荷を転送する転送用トランジスタと、前記転送用トランジスタによって前記電荷が転送される半導体領域及び前記半導体領域に接続されたコンタクトプラグとを含むフローティングディフュージョン部と、を有する、複数の基本セルと、
前記コンタクトプラグに最も近接した第１配線層と前記第１配線層の上部配された第２配線層とを含む複数の配線層と、を有する光電変換装置において、
前記複数の基本セルは、それぞれ前記フローティングディフュージョン部の上部に配置された遮光部を有し、
前記複数の基本セルの遮光部は互いに分離して設けられ、前記フローティングディフュージョン部と導通しておらず、各遮光部の電位はフローティングであり、
前記複数の基本セルの遮光部は、少なくとも、前記第２配線層と同一層に配されることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記遮光部は前記複数の配線層を構成する材料と同一材料によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記基本セルは、複数の光電変換素子を有することを特徴とする請求項１あるいは２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記基本セルに、各基本セルに含まれる複数の光電変換素子の各々に対応して前記半導体領域が設けられており、各基本セルの複数の半導体領域は互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記基本セルは、増幅用トランジスタを有し、
前記増幅用トランジスタのゲート電極が前記半導体領域と前記コンタクトプラグを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記フローティングディフュージョン部は、前記半導体領域と前記増幅用トランジスタのゲート電極とを含むことを特徴とする請求項５に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記複数の光電変換素子のそれぞれに対応して、前記複数の光電変換素子の上部に配されたカラーフィルタを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
各基本セル内の前記複数の半導体領域に対応して遮光部が設けられており、各基本セル内の遮光部どうしが互いに分離されていることを特徴とする請求項４に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記遮光部は、アルミニウムもしくは銅を含んで構成されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記コンタクトプラグがシェアードコンタクトであることを特徴とする請求項５に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記遮光部は、更に、前記第１配線層と同一層に配された部材を含むことを特徴とする請求項１０に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置から出力される信号を処理する信号処理回路とを有する撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の光電変換装置は、光電変換素子と、前記光電変換素子にて生じた電荷を転送する転送用トランジスタと、前記転送用トランジスタによって前記電荷が転送される半導体領域及び前記半導体領域に接続されたコンタクトプラグとを含むフローティングディフュージョン部と、を有する、複数の基本セルと、前記コンタクトプラグに最も近接した第１配線層と前記第１配線層の上部配された第２配線層とを含む複数の配線層と、を有する光電変換装置において、
前記複数の基本セルは、それぞれ前記フローティングディフュージョン部の上部に配置された遮光部を有し、
前記複数の基本セルの遮光部は互いに分離して設けられ、前記フローティングディフュージョン部と導通しておらず、各遮光部の電位はフローティングであり、前記複数の基本セルの遮光部は、少なくとも、前記第２配線層と同一層に配されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月10日(2010.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、第１の部分１４３ａにおけるＳｉ濃度は、ｐ側障壁層１４１ａ以外の障壁層１４１、すなわち、ｎ側障壁層１４１ｂ及び内側障壁層１４１ｃ、におけるＳｉ濃度以下とすることができる。すなわち、第１の部分１４３ａにおけるＳｉ濃度は、すなわち、ｎ側障壁層１４１ｂ及び内側障壁層１４１ｃ、におけるＳｉ濃度と同等とすることができる。また、それよりも低くしても良い。  
すなわち、本実施形態に係る半導体発光素子１０では、ｎ側障壁層１４１ｂ、内側障壁層１４１ｃ及び第１の部分１４３ａのＳｉ濃度が相対的に高く、第２の部分１４３ｂのＳｉ濃度が相対的に低い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ｐ型コンタクト層１５０においては、ｐ型閉じ込め層１５１の側におけるＭｇ濃度は１×１０１９ｃｍ−３で、表面側（ｐ型閉じ込め層１５１とは反対の側であり、ｐ側電極１６０の側）におけるＭｇ濃度は５〜９×１０１９ｃｍ−３とすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
ｐ側障壁層１４１ａでは、井戸層１４２の側の第１の部分１４３ａにおいては、ｎ側障壁層１４１ｂ及び内側障壁層１４１ｃと同様に、ＳｉドープのＡｌ０．０６５Ｇａ０．９３Ｉｎ０．００５Ｎを用い、Ｓｉ濃度を１．１〜３．０×１０１９ｃｍ−３とするが、層厚は約４．５ｎｍとすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
以下、本実施形態に係る半導体発光素子１０の作用について説明する。  
ＧａＮ混晶のヘテロ接合では価電子帯側の不連続が少ないため、ホールの閉じ込め効果が弱い。従って、発光部１４０の効率改善には、少数キャリアであるホールを井戸層１４２に強く閉じ込めることが重要であると考えられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
ｐ型閉じ込め層１５１のＡｌ組成比を高めつつ、ｐ型閉じ込め層１５１の膜厚を厚くした状態で、Ｍｇ濃度を高め、Ｍｇ濃度と発光効率の関係を調べたが、この場合も発光効率は小さかった。  
発光効率が増加しない原因を調べるため、ＬＥＤ素子のＳＩＭＳ分析を行った結果、ｐ型閉じ込め層１５１において、Ｍｇ濃度は、発光部１４０側が高く表面側が低くなった特異な分布を示し、さらに、Ｍｇは発光部１４０にまで拡散していた。このように、Ｍｇが発光部１４０へ拡散したために、発光効率が向上しなかったと推測された。  
この分析結果は、Ｍｇの特異な分布は、熱によるものだけではなく、他の要因によっても発生していることを示唆した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
本実施形態に係る半導体発光素子１０は、例えば以下のようにして作製することができる。  
まず、有機金属気相成長法を用いて、表面がサファイアｃ面からなる基板１１０の上に、第１バッファ層１２１となる高炭素濃度（炭素濃度１×１０１９ｃｍ−３〜５×１０２０ｃｍ−３）のＡｌＮ膜を厚さ３ｎｍ〜２０ｎｍで、第２バッファ層１２２となる炭素濃度１×１０１６ｃｍ−３〜１×１０１９ｃｍ−３の高純度ＡｌＮ膜を厚さ２μｍで、格子緩和層１２３となるノンドープＧａＮ膜を厚さ２μｍで、ｎ型コンタクト層となるＳｉ濃度１×１０１９ｃｍ−３〜２×１０１９ｃｍ−３のＳｉドープｎ型ＧａＮ膜を厚さ４μｍで、ｎ型閉じ込め層１３１となるＳｉ濃度２×１０１８ｃｍ−３のＳｉドープｎ型Ａｌ０．１３Ｇａ０．８７Ｎ膜を厚さ０．０２μｍで、積層して成膜し、そして、障壁層１４１（ｎ側障壁層１４１ｂ及び内側障壁層１４１ｃ）となる厚さ１３．５ｎｍのＳｉ濃度１．１〜３×１０１９ｃｍ−３のＳｉドープｎ型Ａｌ０．０６５Ｇａ０．９３Ｉｎ０．００５Ｎ膜と、井戸層１４２となる厚さ４．５ｎｍのＧａＩｎＮ膜と、を交互に６周期積層して成膜し（ただし、第１の部分１４３ａとなるＳｉ濃度１．１〜３．０×１０１９ｃｍ−３の高Ｓｉ濃度Ａｌ０．０６５Ｇａ０．９３Ｉｎ０．００５Ｎ膜は厚さ４．５ｎｍである）、第２の部分１４３ｂとなるＳｉ濃度１×１０１６〜３×１０１８ｃｍ−３のＡｌ０．０６５Ｇａ０．９３Ｉｎ０．００５Ｎ膜を厚さ４．５ｎｍで、ｐ型閉じ込め層１５１となるＭｇドープｐ型Ａｌ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ膜(Ｍｇ濃度は第２の部分１４３側が１．８×１０１９ｃｍ−３で、表面側が１×１０１９ｃｍ−３)を厚さ２４ｎｍで、ｐ型コンタクト層１５０となるＭｇドープｐ型ＧａＮ膜(Ｍｇ濃度はｐ型閉じ込め層１５１側が１×１０１９ｃｍ−３で、表面側が５〜９×１０１９ｃｍ−３)の各層を順次積層して成膜する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
第１の部分１４３ａの層厚は、ｎ側障壁層１４１ｂ及び内側障壁層１４１ｃの厚さと同じであっても良く、また異なっていても良い。  
また、第２の部分１４３ｂの層厚は、第１の部分１４３ａ及びｎ側障壁層１４１ｂ及び内側障壁層１４１ｃの層厚とは独立して、設定することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
ただし、第３の部分１４３ｃにおけるＳｉ濃度は、第４の部分１４３ｄにおけるＳｉ濃度に対して相対的に低くければ良い。すなわち、内側障壁層１４１ｃのそれぞれにおいて、ｐ型閉じ込め層１５１の側からｎ型閉じ込め層１３１の側への方向に進むに従って、Ｓｉ濃度が低下する濃度分布を有していれば良い。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
低Ｓｉ濃度の第３の部分１４３ｃのそれぞれは、高Ｓｉ濃度の第４の部分１４３ｄのそれぞれよりもｎ型閉じ込め層１３１の側に配置される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３４】
（第５の実施の形態）
図７は、本発明の第５の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的断面図である。  
図７に表したように、本発明の第５の実施形態に係る半導体発光素子５０は、ｎ型ＧａＮウェーハ１３３の上に、第１の実施形態で説明したｎ型閉じ込め層１３１、発光部１４０、ｐ型閉じ込め層１５１、及び、ｐ型コンタクト層１５０を順に設けられている。そして、ｐ型コンタクト層１５０の上面に凹凸１５０ａが設けられ、その上にｐ側電極１６０が設けられている。さらに、ｎ型ＧａＮウェーハ１３３の裏面１３３ａの側に、凹凸１３３ｂが設けられ、ｎ側電極１７０は、ｎ型ＧａＮウェーハ１３３の裏面１３３ａの側に、凹凸１３３ｂに接して設けられている。これ以外は、第１の実施形態に係る半導体発光素子１０と同様なので説明を省略する。