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【手続補正書】
【提出日】平成21年1月30日(2009.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ個の送信アンテナを有するマルチアンテナ通信システムにおいてデータを送信する方法であって、該方法が、
少なくとも１つのロングトレーニングフィールドを有するプリアンブルおよび少なくともＮ個の追加のロングトレーニングフィールドを前記Ｎ個の送信アンテナ各々について有する拡張部分を送信するステップからなり、前記少なくともＮ個の追加のロングトレーニングフィールドのうちの１以上が１つだけのＯＦＤＭシンボルで構成されている方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記既存のプリアンブルが８０２.１１ａ/ｇ規格対応プリアンブルである方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、前記拡張部分がさらに、電力推定のための１つ又は２つ以上のショートトレーニングフィールドと、プリアンブルフォーマットを識別する信号フィールドと、周波数オフセット推定のための１つ又は２つ以上の追加のＯＦＤＭシンボルと、２つの反復されるＯＦＤＭシンボルで構成される第１の高スループットロングトレーニングフィールド、および１つだけのＯＦＤＭシンボルで構成されるＮ−１個の高スループットロングトレーニングフィールドと、１つだけのＯＦＤＭシンボルで構成されるＮ個の高スループットロングトレーニングフィールドと、を含む方法。
【請求項４】
マルチアンテナ通信システムにおける送信機であって、
Ｎ個の送信アンテナであって、少なくとも１つのロングトレーニングフィールドを有するプリアンブル、および少なくともＮ個の追加のロングトレーニングフィールドを前記Ｎ個の送信アンテナ各々について有する拡張部分を送信するためのＮ個の送信アンテナからなり、前記少なくともＮ個の追加のロングトレーニングフィールドのうちの１以上が１つだけのＯＦＤＭシンボルで構成されている送信機。
【請求項５】
請求項４記載の送信機において、前記Ｎ個の追加のロングトレーニングフィールドが前記Ｎ個の送信アンテナについてトーンインタリーブされている送信機。
【請求項６】
請求項４記載の送信機において、前記拡張部分がさらに、電力推定のための１つ又は２つ以上のショートトレーニングフィールド、およびプリアンブルフォーマットを識別する信号フィールドと、周波数オフセット推定のための１つ又は２つ以上の追加のＯＦＤＭシンボルと、２つの反復されるＯＦＤＭシンボルで構成される第１の高スループットロングトレーニングフィールド、および１つだけのＯＦＤＭシンボルで構成されるＮ−１個の高スループットロングトレーニングフィールドと、１つだけのＯＦＤＭシンボルで構成されるＮ個の高スループットロングトレーニングフィールドと、を含む送信機。
【請求項７】
マルチアンテナ通信システムにおいてＮ個の送信アンテナを有する送信機によって送信されたデータを少なくとも１つの受信アンテナで受信する方法であって、該方法が、
少なくとも１つのロングトレーニングフィールドを有するプリアンブル、および少なくともＮ個の追加のロングトレーニングフィールドを前記Ｎ個の送信アンテナ各々について有する拡張部分を受信するステップからなり、前記少なくともＮ個の追加のロングトレーニングフィールドのうちの１以上が１つだけのＯＦＤＭシンボルで構成されている方法。
【請求項８】
請求項７記載の方法において、前記拡張部分がさらに、電力推定のための１つ又は２つ以上のショートトレーニングフィールドと、プリアンブルフォーマットを識別する信号フィールドと、周波数オフセット推定のための１つ又は２つ以上の追加のＯＦＤＭシンボルと、２つの反復されるＯＦＤＭシンボルで構成される第１の高スループットロングトレーニングフィールド、および１つだけのＯＦＤＭシンボルで構成されるＮ−１個の高スループットロングトレーニングフィールドと、１つだけのＯＦＤＭシンボルで構成されるＮ個の高スループットロングトレーニングフィールドと、を含む方法。
【請求項９】
Ｎ個の送信アンテナを持つ少なくとも１つの送信機を有するマルチアンテナ通信システムにおける受信機であって、
少なくとも１つのロングトレーニングフィールドを有するプリアンブル、および少なくともＮ個の追加のロングトレーニングフィールドを前記Ｎ個の送信アンテナ各々について有する拡張部分を受信するための少なくとも１つの受信アンテナからなり、前記少なくともＮ個の追加のロングトレーニングフィールドの１以上が１つだけのＯＦＤＭシンボルで構成されている受信機。
【請求項１０】
請求項９記載の受信機において、前記拡張部分がさらに、電力推定のための１つ又は２つ以上のショートトレーニングフィールドと、プリアンブルフォーマットを識別する信号フィールドと、周波数オフセット推定のための１以上の追加のＯＦＤＭシンボルと、２つの反復されるＯＦＤＭシンボルで構成される第１の高スループットロングトレーニングフィールド、および１つだけのＯＦＤＭシンボルで構成されるＮ−１個の高スループットロングトレーニングフィールドと、１つだけのＯＦＤＭシンボルで構成されるＮ個の高スループットロングトレーニングフィールドと、を含む受信機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月9日(2009.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クラスＥ増幅器と共に使用するための負荷を設計する方法において、
前記負荷の集中等価回路表示を与え、時間ドメインシミュレーションを使用して予め定められた周波数範囲で理想に近い電流及び電圧動作特性を実現するために前記負荷の集中等価回路表示を最適化し、前記最適化された前記負荷の集中等価回路表示を分布回路表示に変換し、時間ドメインシミュレーションを使用して予め定められた周波数範囲で理想に近い電流及び電圧動作特性を実現するために前記分布負荷回路表示を最適化するステップを含んでいる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月13日(2009.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種類の酵素活性を含む操作的な代謝経路を有する微生物において、前記経路が４−クマル酸を生産し、かつそれからリスベラトロール又はそのオリゴマー誘導体又はグリコシド結合誘導体を生産することを特徴とする微生物。
【請求項２】
前記リスベラトロールが、内在性のマロニル−ＣｏＡが基質である酵素により触媒される反応で生成されることを特徴とする請求項１に記載の微生物。
【請求項３】
前記リスベラトロールが、４−クマロイル−ＣｏＡからリスベラトロールシンターゼに
より生成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の微生物。
【請求項４】
前記リスベラトロールシンターゼが、前記微生物中において、前記微生物に固有ではない前記酵素をコードする核酸から発現することを特徴とする請求項３に記載の微生物。
【請求項５】
前記４−クマル酸が、トランス−ケイヒ酸からシンナメート４−ヒドロキシラーゼにより生成されることを特徴とする前記いずれかの請求項に記載の微生物。
【請求項６】
前記シンナメート４−ヒドロキシラーゼが、微生物において、前記微生物に固有ではない前記酵素をコードする核酸から発現することを特徴とする請求項５に記載の微生物。
【請求項７】
前記４−クマル酸が、Ｌ−フェニルアラニンアンモニアリアーゼ又はチロシンアンモニアリアーゼによりチロシンから生成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の微生物。
【請求項８】
前記チロシンアンモニアリアーゼが、微生物において、前記微生物に固有ではない前記酵素をコードする核酸から発現することを特徴とする請求項７に記載の微生物。
【請求項９】
前記トランス−ケイヒ酸が、Ｌ−フェニルアラニンからＬ−フェニルアラニンアンモニ
アリアーゼにより形成されることを特徴とする請求項５又は６に記載の微生物。
【請求項１０】
前記Ｌ−フェニルアラニンアンモニアリアーゼが、微生物において、前記微生物に固有ではない前記酵素をコードする核酸から発現することを特徴とする請求項９に記載の微生物。
【請求項１１】
４−クマロイル−ＣｏＡが、ＡＴＰとＣｏＡが基質であり、ＡＤＰが産物である酵素として４−クマレート−ＣｏＡリガーゼにより触媒される反応で形成されることを特徴とする前記いずれかの請求項に記載の微生物。
【請求項１２】
天然のＮＡＤＰＨ：チトクロームＰ４５０レダクターゼ（ＣＰＲ）が、前記微生物で過剰発現している、又は、ＮＡＤＰＨ：チトクロームＰ４５０レダクターゼ（ＣＰＲ）が、前記微生物に組換えで導入されていることを特徴とする前記いずれかの請求項に記載の微生物。
【請求項１３】
チロシンアンモニアリアーゼをコードする遺伝子配列の少なくとも１つのコピーが、前記生物中の前記遺伝子配列に天然では関連しない発現シグナルに作動可能に連結していることを特徴とする前記いずれかの請求項に記載の微生物。
【請求項１４】
フェニルアラニンアンモニアリアーゼをコードする遺伝子配列の少なくとも１つのコピーが、前記生物中の前記遺伝子配列に天然では関連しない発現シグナルに作動可能に連結していることを特徴とする前記いずれかの請求項に記載の微生物。
【請求項１５】
シンナメート４−ヒドロキシラーゼをコードする遺伝子配列の少なくとも１つのコピーが、前記生物において前記遺伝子配列に天然では関連しない発現シグナルに作動可能に連結していること特徴とする前記いずれかの請求項に記載の微生物。
【請求項１６】
４−クマレート−ＣｏＡリガーゼをコードする遺伝子配列の少なくとも１つのコピーが、前記生物において前記遺伝子配列に天然では関連しない発現シグナルに作動可能に連結していることを特徴とする前記いずれかの請求項に記載の微生物。
【請求項１７】
リスベラトロールシンターゼをコードする遺伝子配列の少なくとも１つのコピーが、前記生物において前記遺伝子配列に天然では関連しない発現シグナルに作動可能に連結していることを特徴とする前記いずれかの請求項に記載の微生物。
【請求項１８】
真菌又は細菌であることを特徴とする前記いずれかの請求項に記載の微生物。
【請求項１９】
発現シグナルに作動可能に連結されたフェニルアラニンアンモニアリアーゼをコードする異種ＤＮＡ配列の１つ以上のコピーを含有し、発現シグナルに作動可能に連結されたシンナメート−４−ヒドロキシラーゼをコードする異種ＤＮＡ配列の１つ以上のコピーを含有し、発現シグナルに作動可能に連結された４−クマレート−ＣｏＡ−リガーゼをコードする異種ＤＮＡ配列の１つ以上のコピーを含有し、発現シグナルに作動可能に連結されたリスベラトロールシンターゼをコードする異種ＤＮＡ配列の１つ以上のコピーを含有することを特徴とする請求項１に記載の微生物。
【請求項２０】
シンナメート−４−ヒドロキラーゼ活性を欠如し、発現シグナルに作動可能に連結されたチロシンアンモニアリアーゼをコードする異種ＤＮＡ配列の１つ以上のコピーを含有し、発現シグナルに作動可能に連結された４−クマレート−ＣｏＡ−リガーゼをコードする異種ＤＮＡ配列の１つ以上のコピーを含有し、発現シグナルに作動可能に連結されたリスベラトロールシンターゼをコードする異種ＤＮＡ配列の１つ以上のコピーを含有する請求項１に記載の微生物。
【請求項２１】
適当なリスベラトロール産生代謝経路を有する非植物細胞を炭素基質に４−クマル酸の外部源の実質的な非存在下において接触させる工程を含むことを特徴とする、リスベラトロール又はそのオリゴマー誘導体又はグリコシド結合誘導体の製造方法。
【請求項２２】
前記非植物細胞が、請求項１〜２０に記載の微生物の細胞であることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記炭素基質が、単糖類、小糖類及び多糖類からなる発酵性炭素基質の群より選択されることを特徴とする請求項２１又は２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記炭素基質が、エタノール、アセテート、グリセロール、ラクテート、及びアミノ酸で構成される非発酵性炭素基質からなる群より選択されることを特徴とする請求項２１又は２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記非発酵性炭素基質が、フェニルアラニン及びチロシンからなる群より選択されることを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
フェニルアラニンアンモニアリアーゼ、シンナメート４−ヒドロキシラーゼ、４−クマレート−ＣｏＡ−リガーゼ及びリスベラトロールシンターゼをコードするヌクレオチド配列の異種発現によるリスベラトロール又はそのオリゴマー誘導体又はグリコシド結合誘導体の製造方法。
【請求項２７】
チロシンアンモニアリアーゼ、４−クマレート−ＣｏＡリガーゼ及びリスベラトロールシンターゼをコードするヌクレオチド配列の異種発現によるリスベラトロール又はそのオリゴマー誘導体又はグリコシド結合誘導体の製造方法。
【請求項２８】
さらに、生産されたリスベラトロール又はそのオリゴマー誘導体又はグリコシド結合誘導体を乳製品又は飲み物中の栄養補助食品として使用することを含む請求項２１〜２７のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月28日(2009.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも部分的にコンピュータによって実行される方法であって、
前記方法が、
区分的線形補正関数を使用するデバイス非依存座標に対する選択的３刺激値補正の適用を含み、
前記区分的線形補正関数が、対応するデバイス依存色空間の境界条件において前記区分的線形補正関数の最大値を生じ、かつ、異なる境界条件または中立軸のいずれかに前記対応するデバイス依存色空間内の値が近づくに従って前記区分的線形補正関数がゼロまたは概略ゼロまで線形減少するように定義される方法。
【請求項２】
少なくとも部分的にコンピュータによって実行される方法であって、
前記方法は、
線形のデバイス依存座標に少なくとも基づいてデバイス依存座標空間内の複数の色領域のそれぞれに対応するデバイス非依存座標に対する３刺激値補正を決定し、
対応する前記色領域内のデバイス非依存座標に対して３刺激値補正を適用して補正されたデバイス非依存座標を得ることを含み、
前記３刺激値補正は、
前記３刺激値補正の最大値が対応するデバイス依存色空間の境界条件で生じ、
かつ、前記対応するデバイス依存色空間内の値が異なる境界条件または中立軸のいずれかに近づくに従って、該３刺激値補正がゼロまたは概略ゼロまで線形減少するように定義される方法。
【請求項３】
方法であって、
表示デバイスに関連付けされたデバイス依存色空間の有彩色について、彩度、色相、および輝度における所望の変更に少なくとも基づいて補正レベルを決定し、
前記表示デバイスに関連付けされた線形補正関数に少なくとも基づいて、補正係数を計算し、
前記補正係数および前記補正レベルを、プリンティングデバイスの有彩色を定義するデバイス非依存座標に適用して色彩的に補正されたデバイス非依存座標を作成することを含み、
前記補正係数が、前記デバイス依存色空間の境界条件において前記補正係数の最大値を生じ、かつ異なる境界条件または中立軸のいずれかにデバイス依存色空間内の値が近づくに従って前記補正係数がゼロまたは概略ゼロまで線形減少するように、定義される方法。
【請求項４】
コンピュータアクセス可能メモリであって、
プロセッサに、区分的線形補正関数を使用するデバイス非依存座標に対する選択的３刺激値補正を適用させるためのインストラクションを含み、
前記区分的線形補正関数が、
前記区分的線形補正関数の最大値が対応するデバイス依存色空間の境界条件において生じ、かつ、異なる境界条件または中立軸のいずれかに前記対応するデバイス依存色空間内の値が近づくに従って前記区分的線形補正関数がゼロまたは概略ゼロまで線形減少するように定義されるコンピュータアクセス可能メモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月9日(2009.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２進値のシーケンスで構成する予め符号化された部分応答信号を復調する装置であって、
少なくとも１つのバッファであって、同相ベースバンド・サンプルのシーケンスおよび直交位相ベースバンド・サンプルのシーケンスを記憶し、前記同相ベースバンド・サンプルのシーケンスおよび前記直交位相ベースバンド・サンプルのシーケンスはその中に部分応答信号を運ぶ、前記少なくとも１つのバッファと、
チャネル推定ブロックであって、前記少なくとも１つのバッファに結合し、前記同相ベースバンド・サンプルのシーケンスおよび前記直交位相ベースバンド・サンプルのシーケンスに作用して前記サンプル内のタイミング誤差の推定値を得、また前記同相ベースバンド・サンプルのシーケンスおよび前記直交位相ベースバンド・サンプルのシーケンスを変換して前記タイミング誤差を補償する、前記チャネル推定ブロックと、
反回転ブロックであって、前記チャネル推定ブロックに結合し、前記同相および直交位相のベースバンド・サンプルの変換されたシーケンスに作用して前記部分応答信号内のシンボル当たりπ／２の反回転を行うことにより、それぞれが実数部および虚数部を有する複素数値のシーケンスを生成する、前記反回転ブロックと、
推定ブロックであって、前記反回転ブロックに結合し、第１の寄与を第２の寄与に加えることにより前記部分応答信号内の所定のビット毎の推定値を得、前記第１の寄与は第１の複素数値の虚数部から得られ、前記第２の寄与は第２の複素数値の実数部から得られ、前記第１および第２の複素数値は１シンボル離れている、前記推定ブロックと、
で構成する復調装置。
【請求項２】
前記予め符号化された部分応答信号は差動的に符号化されたＧＭＳＫ信号を含む、請求項１記載の復調装置。
【請求項３】
前記タイミング誤差は、サンプル・タイミング誤差、搬送波周波数誤差、および搬送波位相誤差の少なくとも１つを含む、請求項２記載の復調装置。
【請求項４】
前記チャネル推定ブロックは予め決められた同期ワードを検出する相関器を含む、請求項３記載の復調装置。
【請求項５】
前記補償された同相ベースバンド・サンプルのシーケンスは、前記予め符号化された部分応答信号のｎ個のシンボルについてｒI（ｋ）’で示され（ｋ＝１，．．．，ｎ）、
前記補償された直交位相ベースバンド・サンプルのシーケンスは、前記予め符号化された部分応答信号のｎ個のシンボルについてｒQ（ｋ）’で示され、
前記反回転ブロックは前記予め符号化された部分応答信号のｎ個のシンボルについてベクトル・シーケンス
2008530951.tif 000001
を生成し、すなわち、
2008530951.tif 000002
であり、
前記反回転ブロックはベクトル・シーケンス
2008530951.tif 000003
にｊ-kを掛けて反回転ベクトル・シーケンス
2008530951.tif 000004
を計算する、すなわち、
2008530951.tif 000005
である、
請求項１記載の復調装置。
【請求項６】
ｙI（ｋ）’はベクトル
2008530951.tif 000006
の実数部であり、ｙQ（ｋ）’ はベクトル
2008530951.tif 000007
の虚数部であり、
前記推定ブロックは前記予め符号化された部分応答信号のｎ個のシンボルについてベクトル・シーケンス
2008530951.tif 000008
を生成し、すなわち、
2008530951.tif 000009
であり、ＥＩ（ｋ）およびＥＱ（ｋ）は２つの直交軸の振幅係数であり、これらの振幅係数は所定のシンボル（ｋ）に対応する時刻での前記受信器内の雑音および倍率の変動に比例する、
請求項５記載の復調装置。
【請求項７】
２進値のシーケンスを含む予め符号化された部分応答信号を復調する方法であって、
同相ベースバンド・サンプルのシーケンスおよび直交位相ベースバンド・サンプルのシーケンスを記憶し、前記同相ベースバンド・サンプルのシーケンスおよび前記直交位相ベースバンド・サンプルのシーケンスはその中に前記部分応答信号を運び、
前記同相ベースバンド・サンプルのシーケンスおよび前記直交位相ベースバンド・サンプルのシーケンスを用いて前記サンプル内のタイミング誤差の推定値を得、
前記同相ベースバンド・サンプルのシーケンスおよび前記直交位相ベースバンド・サンプルのシーケンスを変換して前記タイミング誤差を補償し、
前記同相および直交位相のベースバンド・サンプルの変換されたシーケンスに作用して前記部分応答信号内のシンボル当たりπ／２の反回転を行うことにより、それぞれが実数部および虚数部を有する複素数値のシーケンスを生成し、
第１の寄与を第２の寄与に加えることにより前記部分応答信号内の所定のビット毎の推定値を得、前記第１の寄与は第１の複素数値の虚数部から得られ、前記第２の寄与は第２の複素数値の実数部から得られ、前記第１および第２の複素数値は１シンボル離れている、
復調する方法。
【請求項８】
前記予め符号化された部分応答信号は差動的に符号化されたＧＭＳＫ信号を含む、請求項７記載の復調する方法。
【請求項９】
前記タイミング誤差は、サンプル・タイミング誤差、搬送波周波数誤差、および搬送波位相誤差の少なくとも１つを含む、請求項８記載の復調する方法。
【請求項１０】
前記タイミング誤差を得ることは予め決められた同期ワードを検出する相関を含む、請求項９記載の復調する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月30日(2009.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子カメラであって、景色の出力画像を生成し、前記電子カメラは：
第１のセンサー出力を生成する第１の画像センサー；
前記景色の第１の画像を前記第１の画像センサーに形成する第１のレンズ；
第２のセンサー出力を生成する第２の画像センサー；
前記第１のレンズと同一の方向に向けられ及び同一の前記景色の第２の画像を前記第２の画像センサーに形成し、前記第２の画像を提供するために最小焦点距離と最大焦点距離の間で調整可能であるズームレンズ；
前記第１の画像センサーからの第１のセンサー出力又は前記第２の画像センサーからの第２のセンサー出力の何れかを選択し、それにより選択センサー出力を提供する制御素子；及び
前記選択センサー出力から前記出力画像を生成する処理部、を有する電子カメラ。
【請求項２】
前記第１のレンズは固定焦点距離を有する、請求項１記載の電子カメラ。
【請求項３】
ユーザーに焦点距離を選択可能にするユーザー制御を更に有し、及び前記制御素子は、前記ユーザー制御に応答し対応するセンサー出力を選択する、請求項２記載の電子カメラ。
【請求項４】
前記第１のレンズの固定焦点距離は前記ズームレンズの最小焦点距離より短く、それにより間に焦点距離ギャップが残される、請求項３記載の電子カメラ。
【請求項５】
前記処理部は、焦点距離ギャップの少なくとも一部にわたり電子的にズームを行う電子ズーム能力を有する、請求項４記載の電子カメラ。
【請求項６】
前記ユーザー制御はズーム位置の選択を可能にし、それにより前記ズーム位置は、（ａ）前記ズーム位置が前記第１のレンズの固定焦点距離であるか又は前記ズームレンズの焦点距離の範囲内である場合、光学焦点距離として見なされ、及び（ｂ）前記第１のレンズの固定焦点距離と前記ズームレンズの最小焦点距離との間のギャップの範囲内である場合、電子ズーム量として見なされる、請求項５記載の電子カメラ。
【請求項７】
前記第１の画像センサーにより提供された画像はパノラマ画像である、請求項２記載の電子カメラ。
【請求項８】
前記第１及び第２の画像センサーに形成された前記第１及び第２の画像は、前記第１の画像センサーのパノラマアスペクト比を有する異なるアスペクト比を有する、請求項２記載の電子カメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月3日(2009.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
微粒子を操作するために用いる撮像システムの一形態が、２００４年１０月２８日出願の米国特許出願１０／９７４，９７６号、発明の名称「ホログラフィーによる光トラッピングを利用したナノ材料の操作・処理システム及び方法」、及び２００４年９月３日出願の米国特許出願１０／９３４，５９７号、発明の名称「レーザー運転による、粒子と細胞の多層流分離」に記載されており、両出願の開示を本明細書に参照として取り込む。
なお、本出願に対応する外国の特許出願においては下記の文献が発見または提出されている。
【特許文献１】米国特許第４６６０９７１号明細書
【特許文献２】米国特許第６５２４８６０号明細書
【特許文献３】米国特許第４６６７８３０号明細書
【特許文献４】米国特許第３９６０４４９号明細書
【特許文献５】米国特許出願公開第２００６／０１５２７０７号明細書
【特許文献６】米国特許出願公開第２００２／０１２２１６７号明細書
【特許文献７】米国特許第７３１５３５７号明細書
【特許文献８】米国特許第７１９３７０６号明細書
【特許文献９】米国特許第７１１８６７６号明細書
【特許文献１０】米国特許第６７６３１４９号明細書
【特許文献１１】米国特許第６６２８３８５号明細書
【特許文献１２】米国特許第６３８８７８８号明細書
【特許文献１３】米国特許第６２５６０９６号明細書
【特許文献１４】米国特許第６２１１９５５号明細書
【特許文献１５】米国特許第５９５６１３９号明細書
【特許文献１６】米国特許第５６３５４０２号明細書
【特許文献１７】米国特許第４８７３６５３号明細書
【特許文献１８】米国特許第３８３０５６８号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月9日(2009.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ロータと、
真空バリアを隔てて第１ロータを回転させ、真空チャンバ内のロボットアームの第１軸の回転を制御するように用いられる第１ステータと、
第１ロータ下方の第２ロータと、
第１ステータの下方に在り、整流することで真空バリアを隔てて第２ロータを回転させ、真空チャンバ内のロボットアームの第２軸の回転を制御するように用いられる第２ステータと、
ロボットアームの第１軸の回転をモニタするように用いられる第１フィードバック装置と、
ロボットアームの第２軸の回転をモニタするように用いられる第２フィードバック装置とを含む多軸真空モータアセンブリ。
【請求項２】
第１及び第２ステータが真空バリアの外気側に位置されている請求項１記載の多軸真空モータアセンブリ。
【請求項３】
第１及び第２ステータが垂直方向に整列されている請求項２記載の多軸真空モータアセンブリ。
【請求項４】
第１及び第２ステータが真空バリアに直接的に取り付けられている請求項２記載の多軸真空モータアセンブリ。
【請求項５】
第１ステータと第１ロータが同一水平面上に在る請求項１記載の多軸真空モータアセンブリ。
【請求項６】
第１ステータ、第２ステータ、第１フィードバック装置、第２フィードバック装置が真空チャンバの底部を越えて下方に延びないように配置されている請求項１記載の多軸真空モータアセンブリ。
【請求項７】
第１ステータは整流することで第１ロータを回転させ、第１フィードバック装置及び第２フィードバック装置は、各々、真空バリアを隔てた受動磁気結合を介してロボットアームの第１軸及びロボットアームの第２軸の回転をモニタするように用いられる請求項１記載の多軸真空モータアセンブリ。
【請求項８】
第１ステータは第１ロータと磁気結合し、第２ステータは第２ロータと磁気結合するように用いられる請求項１記載の多軸真空モータアセンブリ。
【請求項９】
第１ステータは整流することで第１ロータを回転させ、第２ステータは整流することで第２ロータを回転させるように用いられる請求項１記載の多軸真空モータアセンブリ。
【請求項１０】
第１ロータと、
真空バリアを隔てて第１ロータを回転させ、真空チャンバ内のロボットアームの第１軸の回転を制御するように用いられる第１ステータと、
第１ロータ下方の第２ロータと、
第１ステータの下方に在り、真空バリアを隔てて第２ロータを回転させ、真空チャンバ内のロボットアームの第２軸の回転を制御するように用いられる第２ステータと、
ロボットアームの第１軸の回転をモニタするように用いられる第１フィードバック装置と、
ロボットアームの第２軸の回転をモニタするように用いられる第２フィードバック装置とを含む多軸真空モータアセンブリを提供し、
第１ステータと第２ステータを用いてロボットアームの第１軸と第２軸を回転させることでロボットアームを伸長又は後退させるロボットアームの操作方法。
【請求項１１】
第１及び第２ステータが真空バリアの外気側に位置されている請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
第１及び第２ステータが垂直方向に整列されている請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
第１及び第２ステータが真空バリアに直接的に取り付けられている請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
第１ステータは第１ロータと磁気結合し、第２ステータは第２ロータと磁気結合するように用いられる請求項１０記載の方法。
【請求項１５】
第１ステータは整流することで第１ロータを回転させ、第２ステータは整流することで第２ロータを回転させるように用いられる請求項１０記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月5日(2009.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の整流された出力電圧を入力電圧から生成するステップダウンコンバータとして配置されたスイッチングトランジスタ、第１のインダクタンス、及び第１のダイオードを有するスイッチングコンバータであって、
前記スイッチングトランジスタは、第２のインダクタンスを介して前記入力電圧へ入力端子により結合され、
第２のダイオードは、第２の整流された出力電圧を生成するよう、前記第２のインダクタンスと前記スイッチングトランジスタとの間に配置されたタップへ結合される、ことを特徴とするスイッチングコンバータ。
【請求項２】
電源は、前記第１の出力電圧を安定させるよう制御回路及び帰還ループを有する、ことを特徴とする請求項１記載のスイッチングコンバータ。
【請求項３】
前記第２のダイオードは、前記入力電圧よりも高い第２の出力電圧を生成するよう、前記第２のインダクタンスへその陽極側で接続される、請求項１又は２記載のスイッチングコンバータ。
【請求項４】
前記第２のインダクタンスのインダクタンス値は、前記第１のインダクタンスの値の３０％より小さい、ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項記載のスイッチングコンバータ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月12日(2008.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ、Ｃ、Ｏ及びＨの原子を含み、三次元ネットワーク構造を有する誘電体材料であって、前記材料が、１．４０未満のＣＨ３＋ＣＨ２伸縮についてのピーク面積、０．２０未満のＳｉＨ伸縮についてのピーク面積、２．０より大きいＳｉＣＨ３結合についてのピーク面積、及び６０より大きいＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合についてのピーク面積を含むＦＴＩＲスペクトルと、２０％より大きい多孔度とを有する、誘電体材料。
【請求項２】
前記材料は、３．０未満の誘電率を有する、請求項１に記載の誘電体材料。
【請求項３】
前記誘電率は、２．２から２．８までの範囲内にある、請求項２に記載の誘電体材料。
【請求項４】
前記ＣＨ３＋ＣＨ２伸縮についてのピーク面積は、２８３０ｃｍ−１から３０５０ｃｍ−１に位置し、前記ＳｉＨ伸縮についてのピーク面積は、２１７０ｃｍ−１から２２４０ｃｍ−１に位置し、前記ＳｉＣＨ３結合についてのピーク面積は、１２５０ｃｍ−１から１２９０ｃｍ−１及び７５０ｃｍ−１から８６０ｃｍ−１に位置し、前記Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合についてのピーク面積は、９６０ｃｍ−１から１２２０ｃｍ−１に位置する、請求項１に記載の誘電体材料。
【請求項５】
前記ＣＨ３＋ＣＨ２伸縮についてのピーク面積は１．３５であり、前記ＳｉＨ伸縮についてのピーク面積は０．１３であり、前記ＳｉＣＨ３結合についてのピーク面積は２．１８であり、前記Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合についてのピーク面積は６２．９である、請求項１に記載の誘電体材料。
【請求項６】
前記多孔度は、２２％から２５％までである、請求項１に記載の誘電体材料。
【請求項７】
前記誘電体材料は、６ＧＰａから１２ＧＰａまでの範囲のモジュラス値と、０．８ＧＰａから１．６ＧＰａまでの範囲の硬度と、３５ＭＰａから７０ＭＰａまでの範囲の応力と、２．５Ｊ／ｍ２から６Ｊ／ｍ２までの結合力と、１×１０−１２ｍ／秒から４×１０−１０ｍ／秒までの１．２μｍにおけるクラック速度と、４×１０２２原子／ｃｍ３から９×１０２２原子／ｃｍ３までの密度とを有する、請求項１に記載の誘電体材料。
【請求項８】
前記材料は、７ＭＶ／ｃｍより大きい破壊電圧と、２ＭＶ／ｃｍ以上の印加電圧における１×１０−９Ａｍｐ／ｃｍ２の漏れ密度とを有する、請求項１に記載の誘電体材料。
【請求項９】
前記材料を処理して、９ＧＰａから１１ＧＰａまでのモジュラスを有する材料を提供する、請求項１に記載の誘電体材料。
【請求項１０】
Ｓｉ、Ｃ、Ｏ及びＨの原子を含み、三次元ネットワーク構造を有する少なくとも１つの誘電体材料を含む基板上に配置された相互接続構造体であって、前記材料は、１．４０未満のＣＨ３＋ＣＨ２伸縮についてのピーク面積、０．２０未満のＳｉＨ伸縮についてのピーク面積、２．０より大きいＳｉＣＨ３結合についてのピーク面積及び６０より大きいＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合についてのピーク面積を含むＦＴＩＲスペクトルと、２０％より大きい多孔度とを有する、相互接続構造体。
【請求項１１】
前記誘電体材料は、その中に埋め込まれた少なくとも１つの導電性領域を有する、請求項１０に記載の相互接続構造体。
【請求項１２】
前記誘電体材料は、層間誘電体、層内誘電体、キャッピング層、又はハード・マスクのうちの１つである、請求項１０に記載の相互接続構造体。
【請求項１３】
基板上にＳｉＣＯＨ誘電体を形成する方法であって、
リアクタ内に基板を配置するステップと、
Ｓｉ、Ｃ、Ｏ及びＨの原子を含む第１の前駆体と、酸化剤と、不活性キャリアとを前記リアクタ内に導入するステップと、
を含む方法。
【請求項１４】
前記第１の前駆体は、少なくともＳｉ、Ｃ、Ｏ及びＨの原子を含む環状構造を有する有機分子を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の前駆体は、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン（「ＴＭＣＴＳ」又は「Ｃ４Ｈ１６Ｏ４Ｓｉ４」）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ジエトキシメチルシラン（ＤＥＭＳ）、ジメチルジメトキシシラン（ＤＭＤＭＯＳ）、ジエチルメトキシシラン（ＤＥＤＭＯＳ）、或いは、他の環状及び非環状シラン又はシロキサンのうちの１つを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記酸化剤は、Ｏ２、ＣＯ２、又はＮ２Ｏのうちの少なくとも１つを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記不活性キャリアは、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｘｅ、又はこれらの混合物を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１の前駆体はＯＭＣＴＳであり、前記酸化剤はＯ２であり、前記不活性キャリアはＨｅである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
前記堆積ステップは、１５０ワット以下のオーダーの低い高周波（ＨＦ）／低周波（ＬＦ）電力を用いて実行される、請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
前記堆積ステップは、１：２又はそれより大きい酸化剤／第１の前駆体モル比を用いて実行される、請求項１３に記載の方法。
【請求項２１】
前記堆積ステップは、基板温度を２５０℃から４５０℃までの間に設定するステップと、高周波ＲＦ電力密度を０．２０Ｗ／ｃｍ２から０．８５Ｗ／ｃｍ２までの間に設定するステップと、前記第１の前駆体の流量を１８００ｍｇ／分から３６００ｍｇ／分までの間に設定するステップと、前記酸化剤の流量を１２０ｓｃｃｍから３２０ｓｃｃｍまでの間に設定するステップと、前記不活性キャリア・ガスの流量を５００ｓｃｃｍから２０００ｓｃｃｍまでの間に設定するステップと、リアクタ圧力を４Ｔｏｒｒから８Ｔｏｒｒまでの間の圧力に設定するステップと、高周波ＲＦ電力を１５０Ｗから８００Ｗまでの間に設定するステップと、低周波電力を０Ｗから２００Ｗまでの間に設定するステップとを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２２】
前記堆積された誘電体材料に後処理ステップを施すステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２３】
前記後処理ステップは、熱、電子ビーム、プラズマ、マイクロ波、及びＵＶ光放射から選択されるエネルギー源を用いるステップを含む、請求項２２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月13日(2009.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記第二無線ネットワークが、前記第一無線ネットワークのスーパーフレームの最初の半分の中にビーコン期間開始時刻を有する、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月30日(2009.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘリカルアンテナを形成する方法であって、
（Ａ）前記ヘリカルアンテナの所望の電気特性が得られるように導電部分の長さを決定するステップと、
（Ｂ）前記導電部分を支持部分に貼り合わせてテープアセンブリを形成するステップであって、前記導電部分が前記支持部分上に斜めに配置されるステップと、
（Ｃ）前記テープアセンブリを誘電体コアに巻き付けるステップと、
（Ｄ）電気コネクタを前記導電部分に電気的に結合するステップと、
（Ｅ）前記誘電体コアのほぼ中心を通して中心導体を挿入するステップと、
（Ｆ）前記テープアセンブリの少なくとも１つのタブを前記誘電体コアの少なくとも１つの端部に折り曲げるステップと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
（Ｇ）前記少なくとも１つのタブをアイレットにピン留めするステップをさらに含む方法。
【請求項３】
誘電体コアと、
前記誘電体コアに巻き付けられるテープアセンブリであって、
支持部分と、
前記支持部分上に所定のピッチで斜めに配置され、所望の電気特性が得られる長さおよび幅を有する導電部分と、
少なくとも１つのタブであって、前記誘電体コアの少なくとも１つの端部において折り曲げられる少なくとも１つのタブと、を備えるテープアセンブリと、
前記テープアセンブリの前記導電部分に結合される電気コネクタと、
前記誘電体コアの中心を通って配置され、テープアセンブリの前記導電部分および前記電気コネクタに電気的に結合される中心導体と、
前記誘電体コアの電気的に結合された端部において前記中心導体に固定されるアイレットと、
を備えるヘリカルアンテナアセンブリ。
【請求項４】
誘電体コアと、
前記誘電体コアに巻き付けられるテープアセンブリであって、
支持部分と、
前記支持部分上に所定のピッチで斜めに配置され、所望の電気特性が得られる長さおよび幅を有する導電部分と、
２つのタブであって、各タブが前記誘電体コアの対応する端部において折り曲げられる２つのタブと、
前記誘電体コアの各端部において中心導体に固定される２つのアイレットであって、各アイレットが前記２つのタブの１つにピン留めされる２つのアイレットと、を備えるテープアセンブリと、
前記テープアセンブリの前記導電部分に結合される電気コネクタと、
前記誘電体コアの中心を通って配置され、テープアセンブリの前記導電部分および前記電気コネクタに電気的に結合される前記中心導体と、
を備えるヘリカルアンテナアセンブリ。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
（Ｇ）周囲の構成要素の寄生効果を補正するように前記テープアセンブリの前記導電部分をトリミングするステップをさらに含む方法。
【請求項６】
ヘリカルアンテナを形成する方法であって、
（Ａ）前記ヘリカルアンテナの所望の電気特性が得られるように導電部分の長さを決定するステップと、
（Ｂ）前記導電部分を支持部分に貼り合わせてテープアセンブリを形成するステップであって、前記導電部分が前記支持部分上に斜めに配置されるステップと、
（Ｃ）前記テープアセンブリを誘電体コアに巻き付けるステップであって、前記テープアセンブリのテープ端が前記誘電体コアの端面に平行し、前記テープアセンブリの幅が前記誘電体コアの長さにほぼ等しいステップと、
（Ｄ）電気コネクタを前記導電部分に電気的に結合するステップと、
を含む方法。
【請求項７】
誘電体コアと、
前記誘電体コアに巻き付けられるテープアセンブリであって、前記テープアセンブリのテープ端が前記誘電体コアの端面に平行し、前記テープアセンブリの幅が前記誘電体コアの長さにほぼ等しく、前記テープアセンブリが、
支持部分と、
前記支持部分上に所定のピッチで斜めに配置され、所望の電気特性が得られる長さおよび幅を有する導電部分と、を備えるテープアセンブリと、
前記テープアセンブリの前記導電部分に結合される電気コネクタと、
を備えるヘリカルアンテナアセンブリ。
【請求項８】
誘電体コアと、
前記誘電体コアの周りに巻き付けられるテープアセンブリであって、前記テープアセンブリのテープ端が前記誘電体コアの端面に平行し、前記テープアセンブリの幅が前記誘電体コアの長さにほぼ等しく、前記テープアセンブリが、
支持部分と、
前記支持部分上に配置され、中心給電ポイントにおいて所定のピッチで合流する２つの斜めの導電区間を含み、所定のピッチで前記支持部分上に斜めに配置される導電部分であって、各斜めの導電区間が、所望の電気特性が得られる長さおよび幅を有する導電部分と、を備えるテープアセンブリと、
前記導電部分の前記中心給電ポイントに結合される電気コネクタと、
を備える二重ヘリカルアンテナアセンブリ。
【請求項９】
請求項６に記載の方法であって、
（Ｅ）周囲の構成要素の寄生効果を補正するように前記テープアセンブリの前記導電部分をトリミングするステップをさらに含む方法。
【請求項１０】
請求項６に記載の方法であって、
（Ｅ）前記誘電体コアのほぼ中心を通して中心導体を挿入するステップをさらに含む方法。
【請求項１１】
請求項７に記載のヘリカルアンテナアセンブリであって、
前記誘電体コアの中心を通って配置され、テープアセンブリの前記導電部分および前記電気コネクタに電気的に結合される中心導体をさらに備えるヘリカルアンテナアセンブリ。
【請求項１２】
請求項１１に記載のヘリカルアンテナアセンブリであって、
前記誘電体コアの電気的に結合された端部において前記中心導体に固定されるアイレットをさらに備えるヘリカルアンテナアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月26日(2009.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一電荷輸送層に電荷を導入するように配置された第一電極に接触している第一無機物質含有第一電荷輸送層、
第二電極、及び
該第一電極と該第二電極との間に配置された複数の半導体ナノクリスタルを含む、発光デバイス。
【請求項２】
前記第二電極と接触している第二電荷輸送層をさらに含み、該第二電極が該第二電荷輸送層に電荷を導入するように配置されている、請求項１記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記第二電荷輸送層が第二無機物質を含む、請求項２記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記第二無機物質がアモルファス、又は多結晶質である、請求項１〜３のいずれか１項記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記第二無機物質が無機半導体である、請求項１〜４のいずれか１項記載の発光デバイス。
【請求項６】
前記無機半導体が金属カルコゲニドを含む、請求項５記載の発光デバイス。
【請求項７】
前記金属カルコゲニドが混合金属カルコゲニドである、請求項６記載の発光デバイス。
【請求項８】
前記金属カルコゲニドが酸化亜鉛、酸化チタン、酸化ニオブ、硫化亜鉛、酸化インジウムスズ、又はそれらの混合物を含む、請求項６記載の発光デバイス。
【請求項９】
前記第一電荷輸送層が正孔輸送層、又は電子輸送層である、請求項１〜８のいずれか１項記載の発光デバイス。
【請求項１０】
前記複数の半導体ナノクリスタルが単層を形成する、請求項１〜９のいずれか１項記載の発光デバイス。
【請求項１１】
前記複数の半導体ナノクリスタルが、半導体ナノクリスタルの実質的な単分散集団である、請求項１〜１０のいずれか１項記載の発光デバイス。
【請求項１２】
前記複数の半導体ナノクリスタルがパターン状に配置された、請求項１〜１１のいずれか１項記載の発光デバイス。
【請求項１３】
前記デバイスが透明である、請求項１〜１２のいずれか１項記載の発光デバイス。
【請求項１４】
電極の上に、第一無機物質含有第一電荷輸送層を堆積すること、及び
該電極の上に複数の半導体ナノクリスタルを堆積することを含む、請求項１〜１３のいずれか１項記載のデバイスの製造方法であって、
該複数の半導体ナノクリスタルを、該第一電荷輸送層と電気的に接触させる、前記方法。
【請求項１５】
請求項１〜１３のいずれか１項記載のデバイスを提供すること、及び
前記第一電極と前記第二電極とにわたって、光を発生する電位を印加することを含む、光を発生する方法。
【請求項１６】
請求項１〜１３のいずれか１項記載の発光デバイスを複数含む、ディスプレイ。
【請求項１７】
前記第一無機物質を堆積することが、スパッタリングを含む、請求項１４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月25日(2009.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変更されたサービス情報（ＭＳＩ）メッセージおよび変更されていないサービス情報（ＵＳＩ）メッセージを用いて、少なくとも１つのマルチメディア放送／マルチキャストサービスのための端末（ＵＥ）において情報を受信する方法であって、該方法は、
該変更されたサービス情報（ＭＳＩ）メッセージに含まれる変更されたＭＢＭＳサービスのグループを示す指示子を、制御チャネルを介して受信することと、
該変更されたＭＢＭＳサービスのグループを示す該指示子が該変更されたサービス情報（ＭＳＩ）メッセージに含まれる場合には、該変更されていないサービス情報（ＵＳＩ）メッセージ内の変更されたＭＢＭＳサービスのグループに関する該変更された情報を、該制御チャネルを介して受信することと、
該変更されていないサービス情報（ＵＳＩ）メッセージ内の該変更された情報を用いて、ＭＢＭＳデータを受信することと
を包含する、方法。
【請求項２】
前記制御チャネルは、ポイントツーマルチポイント制御チャネルである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記制御チャネルは、ＭＢＭＳ制御チャネル（ＭＣＣＨ）である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記変更されたサービス情報（ＭＳＩ）メッセージは、変更された制御情報に関連するＭＢＭＳサービスのリストを備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
変更されたサービス情報（ＭＳＩ）メッセージおよび変更されていないサービス情報（ＵＳＩ）メッセージを用いて、少なくとも１つのマルチメディア放送／マルチキャストサービス（ＭＢＭＳ）のためのネットワークにおいて情報を送信する方法であって、該方法は、
該変更されたサービス情報（ＭＳＩ）メッセージ内の変更されたＭＢＭＳサービスのグループを示す指示子を、制御チャネルを介して送信することと、
該変更されていないサービス情報（ＵＳＩ）メッセージ内の該指示子によって示された該変更されたＭＢＭＳサービスのグループに関する変更された情報を、該制御チャネルを介して送信して、その結果、端末（ＵＥ）は該制御チャネルを介して受信された該変更された情報に従うプロセスを実行することであって、該端末は、ＭＢＭＳデータを受信するために、該変更されていないサービス情報（ＵＳＩ）メッセージ内の該変更された情報を利用する、ことと
を包含する、方法。
【請求項６】
前記制御チャネルは、ポイントツーマルチポイント制御チャネルである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記制御チャネルは、ＭＢＭＳ制御チャネル（ＭＣＣＨ）である、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記変更されたサービス情報（ＭＳＩ）メッセージは、変更された制御情報に関連するＭＢＭＳサービスのリストを備えている、請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月13日(2009.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信機から送信中のデータを受信するための受信状態（２）で動作し、また、１つ以上の更なる状態（１−７）で動作するように構成されたマルチメディアブロードキャスト／マルチキャストサービス受信機（３０）を制御する方法であって、
内部存続時間インジケータが満了すると、受信状態を離脱してファイル修復状態へ遷移する工程を有する方法。
【請求項２】
前記内部存続期間インジケータは、マルチメディアブロードキャスト／マルチキャストサービスプロトコルで利用可能な満了時間情報によって決まる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記満了時間情報は、ファイル配信表インスタンスの時限属性である請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ファイル修復状態は、１対１ファイル修復状態である請求項１乃至３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記１対１ファイル修復状態は、無作為にバックオフ時間を生成することと、前記バックオフ時間の満了後に修復要求することとを含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
送信機から送信中のデータを受信するための受信状態（２）で動作し、また、１つ以上の更なる状態（１−７）で動作するように構成されたマルチメディアブロードキャスト／マルチキャストサービス受信機（３０）であって、
内部存続時間インジケータが満了すると、受信状態を離脱してファイル修復状態へ遷移するよう制御可能である受信機。
【請求項７】
前記内部存続期間インジケータは、マルチメディアブロードキャスト／マルチキャストサービスプロトコルで利用可能な満了時間情報によって決まる請求項６に記載の受信機。
【請求項８】
前記満了時間情報は、ファイル配信表インスタンスの時限属性である請求項７に記載の受信機。
【請求項９】
前記ファイル修復状態は、１対１ファイル修復状態である請求項６乃至８のいずれか一項に記載の受信機。
【請求項１０】
前記１対１ファイル修復状態は、無作為にバックオフ時間を生成することと、前記バックオフ時間の満了後に修復要求することとを含む請求項９に記載の受信機。
【請求項１１】
受信機のプログラム可能処理装置にロードされ、実行されたときに、請求項１乃至５のいずれか１つの方法を実行するように構成されたコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月12日(2008.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体回路構造用の薄膜抵抗器であって、
抵抗値を有する薄膜導体材料層（２０）と、
前記薄膜導体材料層（２０）の片面に形成された電流密度増強層（ＣＤＥＬ）（５０）であって、前記薄膜抵抗器が、小さな抵抗シフトで、より高い電流密度を伝達することを可能にする電流密度増強層（５０）と
を含む薄膜抵抗器。
【請求項２】
前記薄膜導体材料層（２０）が、Ｔａ、ＴａＮ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、ＷＮ、ＮｉＣｒまたはＳｉＣｒのうちの１つを含む、請求項１に記載の薄膜抵抗器。
【請求項３】
前記電流密度増強層（５０）が金属酸化膜を含む、請求項１に記載の薄膜抵抗器。
【請求項４】
前記金属酸化膜が、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２またはＺｒＯ２のうちの１つを含む、請求項３に記載の薄膜抵抗器。
【請求項５】
前記電流密度増強層（５０）が、原子層付着プロセスによって付着された、請求項３に記載の薄膜抵抗器。
【請求項６】
前記電流密度増強層（５０）の厚さが５０Å以下である、請求項１に記載の薄膜抵抗器。
【請求項７】
バック・エンド・オブ・ライン（ＢＥＯＬ）プロセスにおいて絶縁半導体構造上に形成された、請求項１に記載の薄膜抵抗器。
【請求項８】
導電性バイア構造によって半導体回路の金属レベルに電気的に結合された、請求項７に記載の薄膜抵抗器。
【請求項９】
フロント・エンド・オブ・ライン（ＦＥＯＬ）プロセスにおいて絶縁半導体構造上に形成された、請求項１に記載の薄膜抵抗器。
【請求項１０】
前記ＣＤＥＬ層（５０）が、前記薄膜導体材料層（２０）の上に形成された、請求項１に記載の薄膜抵抗器。
【請求項１１】
前記薄膜導体材料層（２０）の下に形成された追加のＣＤＥＬ層（５０）をさらに含む、請求項１０に記載の薄膜抵抗器。
【請求項１２】
前記ＣＤＥＬ層（５０）が、前記薄膜導体材料層（２０）への良好な付着を提供するように適合された材料からなる、請求項２に記載の薄膜抵抗器。
【請求項１３】
前記薄膜抵抗器の上に形成された絶縁層をさらに含む、請求項２に記載の薄膜抵抗器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月16日(2009.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
哺乳類のアトピー性皮膚炎に罹患した皮膚を治療するための医薬組成物であって、
前記罹患皮膚が皮膚リンパ球抗原陽性Ｔ細胞により特徴付けられ、
前記医薬組成物が、配列番号２又は配列番号４に表わされるアミノ酸配列を含んでなるポリペプチドに特異的に結合する抗体又は抗体断片を含んでなり、
前記医薬組成物の投与に伴い、前記抗体又は抗体断片によって罹患皮膚を改善、予防、抑制又は低減する、医薬組成物。
【請求項２】
前記のアトピー性皮膚炎に罹患した皮膚が掻痒性である、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項３】
哺乳類のアトピー性皮膚炎に関連して生じる掻痒症を治療するための医薬組成物であって、
前記掻痒症が皮膚リンパ球抗原陽性Ｔ細胞により特徴付けられ、
前記医薬組成物が、配列番号２又は配列番号４に表わされるアミノ酸配列を含んでなるポリペプチドに特異的に結合する抗体又は抗体断片を含んでなり、
前記医薬組成物の投与に伴い、前記抗体又は抗体断片によって掻痒症を改善、予防、抑制又は低減する、医薬組成物。
【請求項４】
前記抗体又は抗体断片が、配列番号２に表わされるアミノ酸配列を含んでなるポリペプチドに特異的に結合する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記抗体又は抗体断片が、配列番号４に表わされるアミノ酸配列を含んでなるポリペプチドに特異的に結合する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の医薬組成物による治療を要するアトピー性皮膚炎を患う個体における治療応答を予測するための方法であって、
前記個体由来の生体試料から循環皮膚リンパ球陽性Ｔ細胞を分離する工程と、
分離された皮膚リンパ球陽性Ｔ細胞からのＩＬ−３１産生を検出する工程とを含んでなる方法。
【請求項７】
前記皮膚リンパ球抗原陽性Ｔ細胞を刺激又は活性化する工程を更に含んでなる、請求項６記載の方法。