【手続補正書】
【提出日】平成23年4月13日(2011.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シリコンを含む膜のドライエッチング方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明はシリコンを含む膜のドライエッチング方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで、この発明は、ＳＦ６等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、アモルファスシリコン膜および窒化シリコン膜等の薄膜トランジスタを構成する材料を良好にドライエッチングすることができるシリコンを含む膜のドライエッチング方法を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、少なくともＣＯＦ２を含むエッチングガスを用いた平行平板型のドライエッチングにより、アモルファスシリコン膜上に形成されている窒化シリコン膜を、前記アモルファスシリコン膜をストッパーとしてドライエッチングすることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、請求項１に記載の発明において、逆スタガ型でチャネル保護膜型の薄膜トランジスタを製造するとき、前記アモルファスシリコン膜は真正アモルファスシリコン膜であり、該真正アモルファスシリコン膜上に、前記窒化シリコン膜をドライエッチングして、チャネル保護膜を形成することを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、請求項２に記載の発明において、前記エッチングガスはＣＯＦ２ガスおよび酸素ガスを含む混合ガスであることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、請求項３に記載の発明において、ＣＯＦ２ガスに対する酸素ガスの流量比は０．５〜４であることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、請求項３に記載の発明において、ＣＯＦ２ガスに対する酸素ガスの流量比は１.５〜２であることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発明において、前記エッチングガスはさらに不活性ガスを含むことを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発明において、前記ドライエッチングは１〜１００Ｐａの真空雰囲気下で行うことを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、逆スタガ型でチャネル保護膜型の薄膜トランジスタを製造するとき、前記アモルファスシリコン膜をドライエッチングして、前記窒化シリコン膜からなるゲート絶縁膜上に半導体薄膜を形成することを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、請求項８に記載の発明において、逆スタガ型でチャネル保護膜型の薄膜トランジスタを製造するとき、前記アモルファスシリコン膜をドライエッチングして、前記窒化シリコン膜からなるゲート絶縁膜上に半導体薄膜を形成することを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、請求項８または９に記載の発明において、前記アモルファスシリコン膜は、前記窒化シリコン膜上に形成されている真正アモルファスシリコン膜および該真正アモルファスシリコン膜上に形成されたｎ型アモルファスシリコン膜であることを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、請求項１０に記載の発明において、逆スタガ型でチャネル保護膜型の薄膜トランジスタを製造するとき、前記ｎ型アモルファスシリコン膜および前記真正アモルファスシリコン膜を連続してドライエッチングして、前記窒化シリコン膜からなるゲート絶縁膜上に半導体薄膜を形成し、且つ該半導体薄膜の上面両側にオーミックコンタクト層を形成することを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の発明において、前記エッチングガスはＣＯＦ２ガスおよび塩素ガスを含む混合ガスであることを特徴とするものである。
請求項１３に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、請求項１２に記載の発明において、塩素ガスに対するＣＯＦ２ガスの流量比は０．１〜１であることを特徴とするものである。
請求項１４に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、請求項１２に記載の発明において、塩素ガスに対するＣＯＦ２ガスの流量比は０．２５〜０．５であることを特徴とするものである。
請求項１５に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、請求項８乃至１４のいずれか一項に記載の発明において、前記ドライエッチングはカソードカップリングによるドライエッチングであることを特徴とするものである。
請求項１６に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、請求項８乃至１４のいずれか一項に記載の発明において、前記ドライエッチングはアノードカップリングによるドライエッチングであることを特徴とするものである。
請求項１７に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、請求項８乃至１６のいずれか一項に記載の発明において、前記エッチングガスはさらに不活性ガスを含むことを特徴とするものである。
請求項１８に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、請求項８乃至１７のいずれか一項に記載の発明において、前記ドライエッチングは１〜１００Ｐａの真空雰囲気下で行うことを特徴とするものである。
請求項１９に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、少なくともＣＯＦ２を含むエッチングガスを用いた平行平板型のドライエッチングにより、前記窒化シリコン膜はＩＴＯ膜あるいは金属膜からなる下地上に形成されている窒化シリコン膜を、前記ＩＴＯ膜あるいは金属膜をストッパーとしてドライエッチングすることを特徴とするものである。
請求項２０に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、請求項１９に記載の発明において、逆スタガ型でチャネル保護膜型あるいはチャネルエッチ型の薄膜トランジスタを製造するとき、前記下地に対応する部分における前記窒化シリコン膜からなるオーバーコート膜にドライエッチングにより開口部を形成することを特徴とするものである。
請求項２１に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、請求項２０に記載の発明において、前記エッチングガスはＣＯＦ２ガス単体であることを特徴とするものである。
請求項２２に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、請求項２０に記載の発明において、前記エッチングガスはＣＯＦ２ガスおよび酸素ガスを含む混合ガスであることを特徴とするものである。
請求項２３に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、請求項２２に記載の発明において、ＣＯＦ２ガスに対する酸素ガスの流量比は２以下であることを特徴とするものである。
請求項２４に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、請求項２２に記載の発明において、ＣＯＦ２ガスに対する酸素ガスの流量比は０．２〜０．３であることを特徴とするものである。
請求項２５に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、請求項１９乃至２４のいずれか一項に記載の発明において、前記エッチングガスはさらに不活性ガスを含むことを特徴とするものである。
請求項２６に記載の発明に係るシリコンを含む膜のドライエッチング方法は、請求項１９乃至２５のいずれかに記載の発明において、前記ドライエッチングは１〜１００Ｐａの真空雰囲気下で行うことを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明によれば、少なくともＣＯＦ２を含むガスを用いた平行平板型のドライエッチングによりシリコンを含む膜をドライエッチングすることにより、ＳＦ６等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、シリコンを含む膜を良好にドライエッチングすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともＣＯＦ２を含むエッチングガスを用いた平行平板型のドライエッチングにより、アモルファスシリコン膜上に形成されている窒化シリコン膜を、前記アモルファスシリコン膜をストッパーとしてドライエッチングすることを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、逆スタガ型でチャネル保護膜型の薄膜トランジスタを製造するとき、前記アモルファスシリコン膜は真正アモルファスシリコン膜であり、該真正アモルファスシリコン膜上に、前記窒化シリコン膜をドライエッチングして、チャネル保護膜パターンを形成することを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項３】
請求項２に記載の発明において、前記エッチングガスはＣＯＦ２ガスおよび酸素ガスを含む混合ガスであることを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、ＣＯＦ２ガスに対する酸素ガスの流量比は０．５〜４であることを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項５】
請求項３に記載の発明において、ＣＯＦ２ガスに対する酸素ガスの流量比は１.５〜２であることを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発明において、前記エッチングガスはさらに不活性ガスを含むことを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発明において、前記ドライエッチングは１〜１００Ｐａの真空雰囲気下で行うことを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項８】
少なくともＣＯＦ２を含むエッチングガスを用いた平行平板型のドライエッチングにより、窒化シリコン膜上に形成されているアモルファスシリコン膜を、前記窒化シリコン膜をストッパーとしてドライエッチングすることを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項９】
請求項８に記載の発明において、逆スタガ型でチャネル保護膜型の薄膜トランジスタを製造するとき、前記アモルファスシリコン膜をドライエッチングして、前記窒化シリコン膜からなるゲート絶縁膜上に半導体薄膜を形成することを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の発明において、前記アモルファスシリコン膜は、前記窒化シリコン膜上に形成されている真正アモルファスシリコン膜および該真正アモルファスシリコン膜上に形成されたｎ型アモルファスシリコン膜であることを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発明において、逆スタガ型でチャネル保護膜型の薄膜トランジスタを製造するとき、前記ｎ型アモルファスシリコン膜および前記真正アモルファスシリコン膜を連続してドライエッチングして、前記窒化シリコン膜からなるゲート絶縁膜上に半導体薄膜を形成し、且つ該半導体薄膜の上面両側にオーミックコンタクト層を形成することを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の発明において、前記エッチングガスはＣＯＦ２ガスおよび塩素ガスを含む混合ガスであることを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の発明において、塩素ガスに対するＣＯＦ２ガスの流量比は０．１〜１であることを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の発明において、塩素ガスに対するＣＯＦ２ガスの流量比は０．２５〜０．５であることを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項１５】
請求項８乃至１４のいずれか一項に記載の発明において、前記ドライエッチングはカソードカップリングによるドライエッチングであることを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項１６】
請求項８乃至１４のいずれか一項に記載の発明において、前記ドライエッチングはアノードカップリングによるドライエッチングであることを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項１７】
請求項８乃至１６のいずれか一項に記載の発明において、前記エッチングガスはさらに不活性ガスを含むことを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項１８】
請求項８乃至１７のいずれか一項に記載の発明において、前記ドライエッチングは１〜１００Ｐａの真空雰囲気下で行うことを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項１９】
少なくともＣＯＦ２を含むエッチングガスを用いた平行平板型のドライエッチングにより、ＩＴＯ膜あるいは金属膜からなる下地上に形成されている窒化シリコン膜を、前記ＩＴＯ膜あるいは金属膜をストッパーとしてドライエッチングすることを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の発明において、逆スタガ型でチャネル保護膜型あるいはチャネルエッチ型の薄膜トランジスタを製造するとき、前記下地に対応する部分における前記窒化シリコン膜からなるオーバーコート膜にドライエッチングにより開口部を形成することを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の発明において、前記エッチングガスはＣＯＦ２ガス単体であることを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項２２】
請求項２０に記載の発明において、前記エッチングガスはＣＯＦ２ガスおよび酸素ガスを含む混合ガスであることを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の発明において、ＣＯＦ２ガスに対する酸素ガスの流量比は２以下であることを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項２４】
請求項２２に記載の発明において、ＣＯＦ２ガスに対する酸素ガスの流量比は０．２〜０．３であることを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項２５】
請求項１９乃至２４のいずれか一項に記載の発明において、前記エッチングガスはさらに不活性ガスを含むことを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。
【請求項２６】
請求項１９乃至２５のいずれか一項のいずれかに記載の発明において、前記ドライエッチングは１〜１００Ｐａの真空雰囲気下で行うことを特徴とするシリコンを含む膜のドライエッチング方法。