Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月29日(2011.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷物を搭載するフォーク、該フォークを駆動する油圧シリンダ、該油圧シリンダを駆動
する油圧ポンプを備え、該油圧ポンプを電力変換器を介して駆動し、搭載した荷物を下降
方向に駆動するとき前記荷物の位置エネルギを前記電力変換器の電源に回生するフォーク
リフトにおいて、
前記変換器を制御するコントローラは、前記荷物の荷重および前記荷物の慣性力を演算
し、演算した荷重および慣性力の和が前記油圧ポンプを駆動するモータの許容トルクによ
り定まる牽引力以下となるように下降速度を制限する目標速度演算部を備えたことを特徴
とするフォークリフト。
【請求項２】
請求項１記載のフォークリフトにおいて、
その傾度に応じてフォークの上昇または下降速度を制御するリフトレバーを備え、
前記目標値演算部は、リフトレバー位置に対するフォークの下降速度が前記下降速度の
制限値に達した以降は、リフトレバー位置にかかわらずフォークの下降速度を前記制限値
に制限することを特徴とするフォークリフト。
【請求項３】
請求項１記載のフォークリフトにおいて、
フォークリフトの走行速度を検出する走行速度センサを備え、前記走行速度が大きいほ
どフォークの下降速度を小さくなるように設定したことを特徴とするフォークリフト。
【請求項４】
請求項１記載のフォークリフトにおいて、
アクセルペタルの踏み込み量が所定値以下であるか、あるいは、走行モータ回転方向と
シフトレバー位置信号の組み合わせが、フォークリフトの車輪が進行方向とは逆に回転し
ていることを表しているとき、フォークの下降速度を小さくなるように設定することを特
徴とするフォークリフト。
【請求項５】
荷物を搭載するフォーク、該フォークを駆動する油圧シリンダ、該油圧シリンダを介し
て駆動する油圧ポンプを備え、該油圧ポンプをインバータにより駆動し、搭載した荷物を
下降方向に駆動するとき前記荷物の位置エネルギをインバータの電源に回生するフォーク
リフトの制御方法において、
前記荷物の荷重および前記荷物を搭載したフォークが下降を停止するとき生じる慣性力
を演算し、演算した荷重および慣性力の和が設定値以下となるように下降速度を制限して
、下降停止時における衝撃を緩和することを特徴とするフォークリフトの制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月30日(2010.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
血管標的アプローチの別の効果的なバージョンは、腫瘍脈管構造内で発現または吸着されたマーカーに対して凝固因子を標的にすることである（Ｈｕａｎｇら、１９９７；米国特許第５，８７７，２８９、同第６，００４，５５５号、および同第６，０９３，３９９号。毒素よりむしろ凝血薬を腫瘍脈管構造に送達することは、減少した免疫原性、および毒素の副作用のさらに低い危険性のさらなる利点を有する。米国特許第５，８７７，２８９号に記載されるように、このような腫瘍特異的「凝血薬」における使用に好ましい凝固因子は、短縮形態のヒト凝固誘導タンパク質、組織因子（ＴＦ）、血液凝固の主なイニシエータである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６７】
コアグリガンドを用いる腫瘍標的化および処置は、以下の特許および特許出願に記載され、それらの各々は、特にコアグリガンドおよび凝固因子に関する本教示をなおさらに補強するために参考として本明細書中に援用される：米国出願第０７／８４６，３４９号；同第０８／２０５，３３０（米国特許第５，８５５，８６６号）；同第０８／３５０，２１２号（米国特許第５，９６５，１３２号）；同第０８／２７３，５６７号；同第０８／４８２，３６９号（米国特許第６，０９３，３９９号；同第０８／４８５，４８２号；同第０８／４８７，４２７号（米国特許第６，００４，５５５号）；同第０８／４７９，７３３号（米国特許第第５，８７７，２８９号）；および同第０８／４７２，６３１；同第０８／４７９，７２７号および同第０８／４８１，９０４号（米国特許第６，０３６，９
５５号）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７９】
以下の特許および特許出願が、コアグリガンド調製、精製および使用（二重特異性抗体コアグリガンドを含む）に関する本教示をいっそうさらに補う目的のために、本明細書中に参考として各々が援用される：米国出願番号０７／８４６，３４９；０８／２０５，３３０（米国特許第５，８５５，８６６号）；０８／３５０，２１２（米国特許第５，９６５，１３２号）；０８／２７３，５６７；０８／４８２，３６９（米国特許第６，０９３，３９９号；０８／４８５，４８２；０８／４８７，４２７（米国特許第６，００４，５５５号）；０８／４７９，７３３（米国特許第５，８７７，２８９号）；０８／４７２，６３１；および０８／４７９，７２７および０８／４８１，９０４（米国特許第６，０３６，９５５号）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４２５】
以下の特許および特許出願は、抗体の機能的な抗原結合領域（抗ＶＥＧＦ抗体のｓｃＦｖ、Ｆｖ、Ｆａｂ’、ＦａｂおよびＦ（ａｂ’）2フラグメントを含む）の調製および使用に関する本教示をなおさらに補足する目的のために、本明細書中に参考として具体的に援用される：米国特許第５，８５５，８６６号；同第５，９６５，１３２号；同第６，０５１，２３０号；同第６，００４，５５５号；および同第５，８７７，２８９号；ならびに米国特許出願第０８／４８２，３６９号（１９９８年１０月２０日に特許証発行料金が支払われた）。ＷＯ９８／４５３３１もまた、抗体の可変領域、超可変領域、および相補性決定領域（ＣＤＲ）の調製をなおさらに記載および教示することを含む目的のために、本明細書中に参考として援用される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４２９】
本発明と共に使用するための適度な結合型改変は、サルベージレセプター結合エピトープを抗体フラグメントに組み込む工程を包含する。これを達成するための技術としては、抗体フラグメントの適切な領域の変異、または抗体フラグメントに付着するペプチドタグとしてのエピトープの組み込みが挙げられる。ＷＯ９６／３２４７８は、このような技術をさらに説明する目的のために、本明細書中に参考として具体的に援用される。サルベージレセプター結合エピトープは、代表的には、抗体フラグメントの類似の位置に移されるＦｃドメインの１つまたは２つのループ（ｌｏｏｐ）由来の３つ以上のアミノ酸の領域である。ＷＯ９８／４５３３１のサルベージレセプター結合エピトープは、本発明と共に使用するために、本明細書中に参考として援用される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０７０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０７０５】
以下の特許および特許出願は、腫瘍支質を標的化する薬剤の調製および使用に関する本発明の教示をなおさらに補完する目的のために、参考として本明細書中に具体的に援用される：米国特許出願第０８／４８２，３６９号（米国特許第６，０９３，３９９号；同第０８／４８５，４８２号；同第０８／４８７，４２７号（米国特許第６，００４，５５５号）；同第０８／４７９，７３３号（米国特許第５，８７７，２８９号）；同第０８／４７２，６３１号および同第０８／４７９，７２７号および同第０８／４８１，９０４号（米国特許第６，０３６，９５５号）。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
筒状フィルムの搬送路を挟んで対向する一対のシール体で筒状フィルムを挟持し筒状フィルムの搬送と共に移動して横シールを施す製袋充填機のシール装置であって、第１歯車と、該第１歯車に噛合する第２歯車と、前記第１歯車の軸心に同心で回動すると共に前記第２歯車を回動可能に支持する回動部材と、前記第２歯車を挟んで前記第１歯車とは反対に延設された前記回動部材に接続され、該回動部材を前記第１歯車の軸心に同心で回動させる連携機構と、前記第２歯車の偏心位置に回動可能に支持された前記一対のシール体における一方のシール体と対向する他方のシール体とを開閉動作可能に支持したシール手段と、前記第１歯車を駆動する第１制御モータと、前記連携機構を駆動する第２制御モータとを備え、該第２制御モータによって前記回動部材を回動し、前記第１制御モータによって両シール体が筒状フィルムの搬送と共に移動する際のシール体間の距離を調節し得るよう構成したことを特徴とする製袋充填機のシール装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１の発明は、筒状フィルム６の搬送路４４を挟んで対向する一対のシール体４０，４３で筒状フィルム６を挟持し筒状フィルム６の搬送と共に移動して横シールを施す製袋充填機のシール装置８であって、第１歯車２０と、該第１歯車２０に噛合する第２歯車２２と、前記第１歯車２０の軸心に同心で回動すると共に前記第２歯車２２を回動可能に支持する回動部材１９と、前記第２歯車２２を挟んで前記第１歯車２０とは反対に延設された前記回動部材１９に接続され、該回動部材１９を前記第１歯車２０の軸心に同心で回動させる連携機構と、前記第２歯車２２の偏心位置に回動可能に支持された前記一対のシール体４０，４３における一方のシール体４３と対向する他方のシール体４０とを開閉動作可能に支持したシール手段と、前記第１歯車２０を駆動する第１制御モータ１７と、前記連携機構を駆動する第２制御モータ２４とを備え、該第２制御モータ２４によって前記回動部材１９を回動し、前記第１制御モータ１７によって両シール体４０，４３が筒状フィルム６の搬送と共に移動する際のシール体４０，４３間の距離を調節し得るよう構成した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項１の発明では、第２制御モータを駆動して回動部材を回動させると、シール手段を支持する第２歯車が互いに近接或いは離間し得る構成であることから、回動部材の回動に伴い一対のシール体が筒状フィルムの搬送と共に移動する際のシール体間の距離を自由に設定することができる。
例えば、一対のシール体が筒状フィルムを挟持した状態で、両シール体を筒状フィルムの搬送方向に沿って直線的に移動させることができる。
また、例えば、一対のシール体が筒状フィルムを挟持した瞬間における両シール体間の距離を調節すれば、振動や衝撃音を抑制することや、フィルムの種類に応じて両シール体の距離を調節することにより、シール時間に関連する直線的な移動軌跡の長さやシール圧を任意に変更することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【図１】第１実施形態のシール装置を示す略体図。
【図２】第１実施形態のシール装置からシール体を外して上方から見た略体図。
【図３】図１のＡ−Ａ線における略体図。
【図４】図１のＢ−Ｂ線における略体図。
【図５】製袋充填機の全体構成を示す略体図。
【図６】第２実施形態のシール装置を示す略体図。
【図７】図６のＣ−Ｃ線における略体図。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月19日(2009.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超伝導マグネット・システム（１０）向けのコールドマス（２０２）であって、
コイル通路（５０４）、カプラ通路（５０６）、冷却回路通路（５０８）及び熱伝導材料で作成された伝導性カプラ（７０２）を備える本体を有する支持体（２０８）と、
超伝導コイルを備え、該超伝導コイルの一部が前記支持体（２０８）の前記コイル通路（５０４）に配置される、超伝導マグネット（２０３）と、
冷媒冷却回路（２０６）と、
を備え、
前記冷媒冷却回路（２０６）の一部が前記支持体（２０８）の前記冷却回路通路（５０８）に配置され、
前記伝導性カプラ（７０２）が前記超伝導マグネット（２０３）と前記冷媒冷却回路（２０６）の両方に熱的に結合され、前記超伝導マグネット（２０３）を冷媒冷却する、
コールドマス（２０２）。
【請求項２】
前記超伝導マグネット（２０３）は更に第２の超伝導コイル（２０４）とを備え、
前記冷媒冷却回路（２０６）が第２の冷媒冷却回路部を備え、
前記支持体（２０８）の本体が第２の伝導性カプラを備え、
該第２の伝導性カプラが前記第２の超伝導コイル（２０４）と前記第２の冷媒冷却回路部の両方に熱的に結合され、前記第２の超伝導コイル（２０４）を冷媒冷却すること、
を特徴とする請求項１に記載のコールドマス（２０２）。
【請求項３】
前記支持体（２０８）の本体が第２のカプラ通路と第２の伝導性カプラを備え、
前記第２の伝導性カプラの一部が前記第２のカプラ通路に配置され、
前記超伝導マグネット（２０３）は更に前記第２の伝導性カプラと熱的に結合された第２の超伝導コイル（２０４）とを備え、
前記第２の伝導性カプラが前記第２の超伝導コイル（２０４）と前記冷媒冷却回路の両方に熱的に結合され、前記第２の超伝導コイル（２０４）を冷媒冷却すること、
を特徴とする請求項１に記載のコールドマス（２０２）。
【請求項４】
前記実質的に伝導性のカプラ（７０２）は前記マグネット／冷却回路支持体（２０８）の軸方向に実質的に沿うように整列している、請求項１に記載のコールドマス（２０２）。
【請求項５】
前記実質的に伝導性のカプラ（７０２）は前記マグネット／冷却回路支持体（２０８）の円筒状壁の中間位置に配置されている、請求項１に記載のコールドマス（２０２）。
【請求項６】
前記実質的に伝導性のカプラ（７０２）は前記マグネット／冷却回路支持体（２０８）の表面に配置されている、請求項１に記載のコールドマス（２０２）。
【請求項７】
前記実質的に伝導性のカプラ（７０２）は、該実質的に伝導性のカプラ（７０２）内部の交流電流（ＡＣ）損失を制限する役割をする電気絶縁された完全転置式のワイヤ組を備えている、請求項１に記載のコールドマス（２０２）。
【請求項８】
前記マグネット／冷却回路支持体（２０８）は多層式支持体（２０８）を備えており、前記実質的に伝導性のカプラ（７０２）は該多層式支持体（２０８）の実質的に伝導性のカプラ層内に配置されている、請求項１に記載のコールドマス（２０２）。
【請求項９】
ＭＲシステムを備えるＭＲ装置であって、該ＭＲシステムは、
請求項１乃至８のいずれかに記載のコールドマス（２０２）と、
偏向磁場を印加するために前記コールドマスのマグネットボアの周りに位置決めされた複数の傾斜コイルと、ＲＦコイル・アセンブリにＭＲ画像を収集させるＲＦ信号を送るようにパルスモジュールにより制御を受けるＲＦ送受信器システム及びＲＦスイッチと、
を備えるＭＲ装置。
【請求項１０】
超伝導マグネット・システム（１０）向けのコールドマス（２０２）の支持体（２０８）に関連する金属を超伝導マグネット（２０３）と冷媒冷却回路（２０６）を熱的に結合する熱伝導材料で作成された伝導性カプラ（７０２）に制限する工程を含み、
前記伝導性カプラ（７０２）の一部が前記支持体（２０８）の前記冷却回路通路（５０８）に配置され、
前記冷却回路通路（５０８）が前記超伝導マグネット（２０３）と前記冷媒冷却回路（２０６）の間の実質的に直接的な経路を提供する、
処理法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月28日(2010.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも硫黄（Ｓ）を含有する原料組成物を調製する原料組成物調製工程と、
前記原料組成物に、メカニカルミリングの際にポットの内側表面に未反応の前記原料組成物を含む固着物が発生することを抑制する固着抑制材を添加する固着抑制材添加工程と、
前記固着抑制材が添加された原料組成物に対して、メカニカルミリングを行い、硫化物系ガラスを合成するガラス化工程と、を有し、
前記固着抑制材が、常温で液体のアルカンであることを特徴とする硫化物系固体電解質の製造方法。
【請求項２】
前記アルカンが、２５℃で液体であることを特徴とする請求項１に記載の硫化物系固体電解質の製造方法。
【請求項３】
前記アルカンは、炭素数が５以上であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の硫化物系固体電解質の製造方法。
【請求項４】
前記アルカンは、炭素数が６以上であることを特徴とする請求項３に記載の硫化物系固体電解質の製造方法。
【請求項５】
前記アルカンが、ｎ−ヘプタンであることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載の硫化物系固体電解質の製造方法。
【請求項６】
前記アルカンの沸点が、６０℃〜３００℃の範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載の硫化物系固体電解質の製造方法。
【請求項７】
前記アルカンの沸点が、８０℃〜２００℃の範囲内であることを特徴とする請求項６に記載の硫化物系固体電解質の製造方法。
【請求項８】
前記固着抑制材に含まれる水分量が、１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれかの請求項に記載の硫化物系固体電解質の製造方法。
【請求項９】
前記原料組成物１００重量部に対して、前記固着抑制材の量が、５０重量部〜１０００重量部の範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項８までのいずれかの請求項に記載の硫化物系固体電解質の製造方法。
【請求項１０】
前記原料組成物が、さらにＬｉを含有することを特徴とする請求項１から請求項９までのいずれかの請求項に記載の硫化物系固体電解質の製造方法。
【請求項１１】
前記原料組成物が、少なくともＬｉ２ＳおよびＰ２Ｓ５を含有することを特徴とする請求項１から請求項１０までのいずれかの請求項に記載の硫化物系固体電解質の製造方法。
【請求項１２】
前記Ｌｉ２Ｓおよび前記Ｐ２Ｓ５が、Ｌｉ２Ｓ：Ｐ２Ｓ５＝６８：３２〜７４：２６（モル比）の関係を満たすことを特徴とする請求項１１に記載の硫化物系固体電解質の製造方法。
【請求項１３】
前記Ｌｉ２Ｓおよび前記Ｐ２Ｓ５が、Ｌｉ２Ｓ：Ｐ２Ｓ５＝７０：３０（モル比）の関係を満たすことを特徴とする請求項１２に記載の硫化物系固体電解質の製造方法。
【請求項１４】
前記メカニカルミリングが、遊星型ボールミルを用いたミリングであることを特徴とする請求項１から請求項１３までのいずれかの請求項に記載の硫化物系固体電解質の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面研磨装置を用いて、素材ウェーハの両面を同時に研磨する両面研磨工程と、
該両面研磨工程により研磨された素材ウェーハの両面のうちの一方の面に、保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記両面研磨装置を用いて、素材ウェーハの他方の面を仕上げ研磨する片面仕上げ研磨工程と、
素材ウェーハの前記一方の面に形成された保護膜を除去する保護膜除去工程と
を具えることを特徴とする両面鏡面半導体ウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記保護膜除去工程後に素材ウェーハの前記一方の面を、軽く研磨する片面粗さ調整研磨工程をさらに具えることを特徴とする請求項１に記載の両面鏡面半導体ウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記両面鏡面半導体ウェーハは、直径が４５０ｍｍ以上の大口径シリコンウェーハである請求項１または２に記載の両面鏡面半導体ウェーハの製造方法。
【請求項４】
鏡面研磨された第１面と第２面を有し、これら第１面および第２面の表面粗さを表す１０μｍ以下の波長域のＲＭＳ値をそれぞれ、ＲＭＳ(第１面)およびＲＭＳ(第２面)としたとき、
ＲＭＳ(第１面)およびＲＭＳ(第２面)のいずれもが５Å以下であり、かつ、
ＲＭＳ(第１面)およびＲＭＳ(第２面)の少なくともいずれか一方が、他方よりも小さいことを特徴とする両面鏡面半導体ウェーハ。
【請求項５】
前記両面鏡面半導体ウェーハの平坦度（ＧＢＩＲ）が、０．１μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の両面鏡面半導体ウェーハ。
【請求項６】
前記半導体ウェーハは、直径が４５０ｍｍ以上の大口径シリコンウェーハである請求項４または５に記載の両面鏡面半導体ウェーハ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記の知見に基づくもので、その要旨構成は次のとおりである。
１．両面研磨装置を用いて、素材ウェーハの両面を同時に研磨する両面研磨工程と、
該両面研磨工程により研磨された素材ウェーハの両面のうちの一方の面に、保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記両面研磨装置を用いて、素材ウェーハの他方の面を仕上げ研磨する片面仕上げ研磨工程と、
素材ウェーハの前記一方の面に形成された保護膜を除去する保護膜除去工程と
を具えることを特徴とする両面鏡面半導体ウェーハの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
２．前記保護膜除去工程後に素材ウェーハの前記一方の面を、軽く研磨する片面粗さ調整研磨工程をさらに具えることを特徴とする上記１に記載の両面鏡面半導体ウェーハの製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
３．前記両面鏡面半導体ウェーハは、直径が４５０ｍｍ以上の大口径シリコンウェーハである上記１または２に記載の両面鏡面半導体ウェーハの製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
４．鏡面研磨された第１面と第２面を有し、これら第１面および第２面の表面粗さを表す１０μｍ以下の波長域のＲＭＳ値をそれぞれ、ＲＭＳ(第１面)およびＲＭＳ(第２面)としたとき、
ＲＭＳ(第１面)およびＲＭＳ(第２面)のいずれもが５Å以下であり、かつ、
ＲＭＳ(第１面)およびＲＭＳ(第２面)の少なくともいずれか一方が、他方よりも小さいことを特徴とする両面鏡面半導体ウェーハ。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
５．前記両面鏡面半導体ウェーハの平坦度（ＧＢＩＲ）が、０．１μｍ以下であることを特徴とする上記４に記載の両面鏡面半導体ウェーハ。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
６．前記半導体ウェーハは、直径が４５０ｍｍ以上の大口径シリコンウェーハである上記４または５に記載の両面鏡面半導体ウェーハ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室と、前記処理室に処理ガスまたはキャリアガスを供給するためのガス供給手段と、被処理体を戴置するための戴置電極と、前記処理室内でプラズマを生成するためのプラズマ生成手段と、前記処理室を減圧するためのターボ分子ポンプと、真空搬送室と、前記真空搬送室にキャリアガスを供給するためのガス供給手段と、前記真空搬送室を減圧するための排気手段と、ロック室と、前記ロック室にベントガスを供給するためのガス供給手段と、前記ロック室を減圧するための排気手段とを有する真空処理装置において、
前記処理室の圧力をP１、前記真空搬送室の圧力をP２、前記ロック室の真空引き完了圧力をP３としたとき、被処理体の搬送中は、次の圧力の関係が成り立つように制御することを特徴とする真空処理装置。
Ｐ１  ＜  Ｐ２  ＜  Ｐ３
Ｐ２−Ｐ１≦Ｐ３−Ｐ２
３０［Ｐａ］  ≦  Ｐ３  ≦  １４０［Ｐａ］
【請求項２】
請求項１に記載の真空処理装置であって、
前記処理室の圧力を調整するために前記ターボ分子ポンプの上流側に配置されたバタフライバルブと、前記バタフライバルブのフラッパーに設置された異物粒子落下防止用のストッパーとを備えた真空処理装置。
【請求項３】
請求項２において、前記バタフライバルブの開度は水平状態で全閉とし、前記被処理体の搬送中は、前記ストッパーの設置された側が下流側になるようにして前記バタフライバルブの開度を５０％以下に制御することを特徴とする真空処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明では、処理室と、前記処理室に処理ガスまたはキャリアガスを供給するためのガス供給手段と、被処理体を戴置するための戴置電極と、前記処理室内でプラズマを生成するためのプラズマ生成手段と、前記処理室を減圧するためのターボ分子ポンプと、真空搬送室と、前記真空搬送室にキャリアガスを供給するためのガス供給手段と、前記真空搬送室を減圧するための排気手段と、ロック室と、前記ロック室にベントガスを供給するためのガス供給手段と、前記ロック室を減圧するための排気手段とを有する真空処理装置において、前記処理室の圧力をP１、前記真空搬送室の圧力をP２、前記ロック室の真空引き完了圧力をP３としたとき、被処理体の搬送中は、次の圧力の関係が成り立つように制御することを特徴とする。
Ｐ１  ＜  Ｐ２  ＜  Ｐ３
Ｐ２−Ｐ１≦Ｐ３−Ｐ２
３０［Ｐａ］  ≦  Ｐ３  ≦  １４０［Ｐａ］
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月7日(2011.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板領域に形成された複数のパッドに導電性ボールを供給し、その後にリフロー処理することによりバンプを形成する基板の製造方法であって、
Ｍ個（Ｍは整数）の前記基板領域を有した多数個取り基板を１個または前記Ｍより少ないＮ個（Ｎは整数）の基板領域を有した複数の基板中間体に切断する切断工程と、
複数の前記基板中間体をテーブル上に搭載する搭載工程と、
前記テーブル上に載置された前記基板中間体の位置検出を行う検出工程と、
前記位置検出の結果に基づき、前記基板中間体に含まれるパッドに対応する複数のボール挿通孔を有する導電性ボール供給部材を、前記パッドと前記ボール挿通孔とが対向するよう前記基板中間体に装着する装着工程と、
前記ボール挿通孔を介して前記基板中間体のパッドに前記導電性ボールを供給する供給工程とを有し、
複数の前記基板中間体毎に、少なくとも前記搭載工程、前記装着工程、及び前記供給工程を繰り返し実施する基板の製造方法であって、
前記導電性ボール供給部材の前記ボール挿通孔の形成領域に隣接する位置に、前記パッドへの搭載物との干渉を防止する逃げ部を形成したことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項２】
前記検出工程では、前記テーブル上に載置された複数の前記基板中間体の位置を一括的に検出し、
前記装着工程では、複数の前記基板中間体の位置が一括検出された検出結果に基づき、個々の前記基板中間体に前記導電性ボール供給部材が装着される請求項１記載の基板の製造方法。
【請求項３】
前記パッドに粘着材を塗布し、前記導電性ボールが前記粘着材を介して前記パッドに接着される請求項１または２記載の基板の製造方法。
【請求項４】
前記粘着材は、フラックス、はんだペースト、銀ペーストの群から選定される一の粘着材である請求項３に記載の基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記の課題は、本発明の第１の観点からは、
基板領域に形成された複数のパッドに導電性ボールを供給し、その後にリフロー処理することによりバンプを形成する基板の製造方法であって、
Ｍ個（Ｍは整数）の前記基板領域を有した多数個取り基板を１個または前記Ｍより少ないＮ個（Ｎは整数）の基板領域を有した複数の基板中間体に切断する切断工程と、
複数の前記基板中間体をテーブル上に搭載する搭載工程と、
前記テーブル上に載置された前記基板中間体の位置検出を行う検出工程と、
前記位置検出の結果に基づき、前記基板中間体に含まれるパッドに対応する複数のボール挿通孔を有する導電性ボール供給部材を、前記パッドと前記ボール挿通孔とが対向するよう前記基板中間体に装着する装着工程と、
前記ボール挿通孔を介して前記基板中間体のパッドに前記導電性ボールを供給する供給工程とを有し、
複数の前記基板中間体毎に、少なくとも前記搭載工程、前記装着工程、及び前記供給工程を繰り返し実施する基板の製造方法であって、
前記導電性ボール供給部材の前記ボール挿通孔の形成領域に隣接する位置に、前記パッドへの搭載物との干渉を防止する逃げ部を形成したことを特徴とする基板の製造方法により解決することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４６】
前記した各参考例に係る基板の製造方法では、導電性ボール２６０を供給する基板として、複数の基板領域１１４が形成された個片化する前の状態の基板１１０を使用した。これに対して本実施例では、導電性ボール２６０を供給する工程を実施する前に、予め基板１０１０を切断処理して個片化することを特徴の一つとしている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月5日(2011.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉおよびＯを含む絶縁性材料からなる絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層に溝を形成する溝形成工程と、
スパッタ法により、前記溝の内面にＭｎＯ
ｘ（ｘ：零よりも大きい数）からなる金属膜を被着させる金属膜被着工程と、
前記金属膜上にＣｕを主成分とする金属材料からなるＣｕ配線を形成する配線形成工程とを含む、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁層の下層には、前記Ｃｕ配線と電気的に接続される下配線が形成されており、
前記溝形成工程後であって前記金属膜被着工程の前に、前記溝から前記下配線に向けて延び、前期絶縁層を厚さ方向に貫通するビアホールを形成するビアホール形成工程と、
前記金属膜被着工程後に、前記ビアホールにＣｕを主成分とするビアを形成するビア形成工程とを含み、
前記金属膜被着工程では、前記溝の内面に加えて、前記ビアホールの側面および前記下配線の表面における前記ビアホールに臨む部分に前記金属膜が被着される、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ビア形成工程に先立ち、水素還元処理により、前記金属膜における前記下配線の表面に接する部分からＯを除去する工程を含む、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ビア形成工程に先立ち、逆スパッタ法により、前記金属膜における前記下配線の表面に接する部分を選択的に除去する工程を含む、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記配線形成工程は、
スパッタ法により、前記金属膜上にＣｕを主成分とする金属材料からなるシード膜を形成する工程と、
めっき法により、前記シード膜上にＣｕからなるめっき層を形成する工程とを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記配線形成工程後、熱処理により、前記めっき層を結晶化させる結晶化工程を含む、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
Ｃｕを主成分とする金属材料からなる下配線上に形成され、表面に溝が形成されたＳｉおよびＯを含む絶縁材料からなる絶縁層と、
前記溝の内面上に形成されたＭｎ
ｘ Ｓｉ ｙ Ｏ ｚ （ｘ，ｙ，ｚ：零よりも大きい数）からなるバリア膜と、
前記バリア膜上に形成されたＣｕを主成分とする金属材料からなるＣｕ配線とを含む、半導体装置であって、
前記絶縁層は、第１層間絶縁膜と、その下方および上方に積層された第１および第２のエッチングストッパ膜と、その上方に積層された第２層間絶縁膜とを有し、
前記バリア膜は第２のエッチングストッパ膜よりも薄いことを特長とする半導体装置。
【請求項８】
第１のエッチングストッパ膜と第２のエッチングストッパ膜とは同じ組成である、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
第１のエッチングストッパ膜の長さは、第２のエッチングストッパ膜の長さよりも長い、請求項７に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月5日(2011.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉおよびＯを含む絶縁材料からなる絶縁層に溝を形成する溝形成工程と、
スパッタ法により、前記溝の側面および底面に、ＣｕおよびＭｎを含む合金材料からなる合金膜を被着させる合金膜被着工程と、
前記合金膜における前記溝の底面に被着された部分を薄くする薄化工程と、
前記薄化工程後、前記溝内に、Ｃｕを主成分とする金属材料からなるＣｕ配線を形成する配線形成工程と、
熱処理により、前記Ｃｕ配線と前記絶縁層との間に、Ｍｎ
ｘ Ｓｉ ｙ Ｏ ｚ （ｘ，ｙ，ｚ：零よりも大きい数）からなるバリア膜を形成するバリア膜形成工程とを含む、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記薄化工程では、逆スパッタ法が用いられ、
前記配線形成工程は、
スパッタ法により、前記薄化工程後の前記合金膜上にＣｕを主成分とする金属材料からなるシード膜を形成する工程と、
めっき法により、前記シード膜上にＣｕからなるめっき層を形成する工程とを含む、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
第１絶縁層中に形成されＣｕを主成分とする金属材料からなる下配線上に形成され、表面に溝が形成されたＳｉおよびＯを含む絶縁材料からなる第２絶縁層と、
前記溝の内面上に形成されたＭｎ
ｘ Ｓｉ ｙ Ｏ ｚ （ｘ，ｙ，ｚ：零よりも大きい数）からなるバリア膜と、
前記バリア膜上に形成されたＣｕを主成分とする金属材料からなるＣｕ配線とを含む、半導体装置であって、
第２絶縁層は、第１絶縁層上に積層された第１エッチングストッパ膜と、その上方に積層された第１層間絶縁膜と、その上方に積層された第２のエッチングストッパ膜と、その上方に積層された第２層間絶縁膜とを有することを特長とする半導体装置。
【請求項４】
第１のエッチングストッパ膜と第２のエッチングストッパ膜とは同じ組成である、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
第１のエッチングストッパ膜の長さは、第２のエッチングストッパ膜の長さよりも長い、請求項３に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月18日(2011.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低分子有機酸もしくはその塩、または重量平均分子量が２，０００未満のポリ酸もしくはその塩からなるドーパント（Ｄ１）を含む水系溶媒中で、導電性高分子を与えるモノマー（Ｍ１）を酸化剤（Ｏ１）を用いて化学酸化重合して、導電性高分子（Ｐ１）を合成する工程と、
エリスリトールおよびペンタエリスリトールから選択される少なくとも１種を混合する工程と
を有する導電性高分子懸濁液の製造方法。
【請求項２】
前記モノマー（Ｍ１）が、ピロール、チオフェン、アニリンおよびそれらの誘導体から選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載の導電性高分子懸濁液の製造方法。
【請求項３】
前記モノマー（Ｍ１）が、３，４−エチレンジオキシチオフェンである請求項２に記載の導電性高分子懸濁液の製造方法。
【請求項４】
前記ドーパント（Ｄ１）が、スチレンスルホン酸または重量平均分子量が２，０００未満のポリスチレンスルホン酸である請求項１〜３のいずれかに記載の導電性高分子懸濁液の製造方法。
【請求項５】
界面活性剤の存在下で行う請求項１〜４のいずれかに記載の導電性高分子懸濁液の製造方法。
【請求項６】
（ａ）低分子有機酸またはその塩からなるドーパント（Ｄ２）を含む溶媒中で、導電性高分子を与えるモノマー（Ｍ２）を酸化剤（Ｏ２）を用いて化学酸化重合して、導電性高分子（Ｐ２）を合成する工程と、
（ｂ）前記導電性高分子（Ｐ２）を精製する工程と、
（ｃ）低分子有機酸もしくはその塩、または重量平均分子量が２，０００未満のポリ酸もしくはその塩からなる酸成分を含む水系溶媒中で、前記精製された導電性高分子（Ｐ２）と酸化剤（Ｏ３）とを混合して、導電性高分子懸濁液を得る工程と
を有する導電性高分子懸濁液の製造方法。
【請求項７】
前記モノマー（Ｍ２）が、ピロール、チオフェン、アニリンおよびそれらの誘導体から選ばれる少なくとも１種である請求項６に記載の導電性高分子懸濁液の製造方法。
【請求項８】
前記モノマー（Ｍ２）が、３，４−エチレンジオキシチオフェンである請求項７に記載の導電性高分子懸濁液の製造方法。
【請求項９】
前記ドーパント（Ｄ２）が、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、カンファースルホン酸およびそれらの誘導体、ならびにそれらの塩から選択される少なくとも１種である請求項６〜８のいずれかに記載の導電性高分子懸濁液の製造方法。
【請求項１０】
前記工程（ａ）を、界面活性剤の存在下で行う請求項６〜９のいずれかに記載の導電性高分子懸濁液の製造方法。
【請求項１１】
前記工程（ｂ）において、モノマー（Ｍ２）および／または酸化剤（Ｏ２）を溶解可能な溶媒を用いて、前記導電性高分子（Ｐ２）を洗浄する請求項６〜１０のいずれかに記載の導電性高分子懸濁液の製造方法。
【請求項１２】
前記工程（ｂ）において、さらに前記導電性高分子（Ｐ２）を熱水洗浄および／または熱処理する請求項１１に記載の導電性高分子懸濁液の製造方法。
【請求項１３】
前記酸成分が、スチレンスルホン酸または重量平均分子量が２，０００未満のポリスチレンスルホン酸である請求項６〜１２のいずれかに記載の導電性高分子懸濁液の製造方法。
【請求項１４】
（ｄ）エリスリトールおよびペンタエリスリトールから選択される少なくとも１種を混合する工程
をさらに有する請求項６〜１３のいずれかに記載の導電性高分子懸濁液の製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の方法により得られる導電性高分子懸濁液。
【請求項１６】
請求項１５に記載の導電性高分子懸濁液から溶媒を除去して得られる導電性高分子材料。
【請求項１７】
請求項１５に記載の導電性高分子懸濁液を電解液として含む電解コンデンサ。
【請求項１８】
請求項１６に記載の導電性高分子材料を含む固体電解質層を有する固体電解コンデンサ。
【請求項１９】
弁作用金属からなる陽極導体と、前記陽極導体の表面に形成されている誘電体層とを有し、前記誘電体層上に前記固体電解質層が形成されている請求項１８に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項２０】
前記弁作用金属が、アルミニウム、タンタルおよびニオブから選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１９に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項２１】
弁作用金属からなる陽極導体の表面に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層上に、請求項１５に記載の導電性高分子懸濁液を塗布または含浸し、該導電性高分子懸濁液から溶媒を除去して、前記導電性高分子材料を含む固体電解質層を形成する工程と
を有することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２２】
弁作用金属からなる陽極導体の表面に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層上で、導電性高分子を与えるモノマー（Ｍ３）を化学酸化重合または電解重合して、導電性高分子（Ｐ３）を含む第一の固体電解質層を形成する工程と、
前記第一の固体電解質層上に、請求項１５に記載の導電性高分子懸濁液を塗布または含浸し、該導電性高分子懸濁液から溶媒を除去して、第二の固体電解質層を形成する工程と
を有することを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２３】
前記導電性高分子（Ｐ３）は、前記モノマー（Ｍ３）として、ピロール、チオフェン、アニリンおよびそれらの誘導体から選ばれる少なくとも１種を化学酸化重合または電解重合して得られる重合体であることを特徴とする請求項２２に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２４】
前記弁作用金属が、アルミニウム、タンタルおよびニオブから選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項２１〜２３のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の導電性高分子懸濁液の製造方法（１）は、
低分子有機酸もしくはその塩、または重量平均分子量が２，０００未満のポリ酸もしくはその塩からなるドーパント（Ｄ１）を含む水系溶媒中で、導電性高分子を与えるモノマー（Ｍ１）を酸化剤（Ｏ１）を用いて化学酸化重合して、導電性高分子（Ｐ１）を合成する工程と、
エリスリトールおよびペンタエリスリトールから選択される少なくとも１種を混合する工程と
を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉄心に１次巻線と２次巻線が巻かれ、前記１次巻線に入力される交流電圧を昇圧して前記２次巻線から交流の高電圧を出力する高電圧変圧器において、前記２次巻線は、渦巻き状に形成されて多層に巻かれた第１の多層巻線と、この第１の多層巻線の巻き方向と同じ方向に連続して渦巻き状に形成されて多層に巻かれた第２の多層巻線と、から成る１組の渦巻き状多層巻線を樹脂材料による成形体内に埋め込んでモールドされた１組のモールド渦巻き状多層巻線を複数備え、これらのモールド渦巻き状多層巻線が所定間隔毎に並列に配列されて、これらが直列に接続されたことを特徴とする高電圧変圧器。
【請求項２】
前記隣り合う１組のモールド渦巻き状多層巻線同士の間に前記所定間隔を保つための間隔保持部材を設けたことを特徴とする請求項１に記載の高電圧変圧器。
【請求項３】
前記成形体は、前記第１の多層巻線を巻くための第１の溝部を有する第１の成形体と、前記第２の多層巻線を巻くための第２の溝部を有する第２の成形体とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の高電圧変圧器。
【請求項４】
さらに、前記第１の成形体と第２の成形体との間に絶縁体を設けたたことを特徴とする請求項３に記載の高電圧変圧器。
【請求項５】
前記成形体は、開口部を有する円盤形状の成形体であることを特徴とする請求項３に記載の高電圧変圧器。
【請求項６】
直流電源と、この直流電源からの直流電力を交流電力に変換するインバータと、このインバータの出力電圧が入力される１次巻線及びこの１次巻線の入力電圧が昇圧されて交流の高電圧を出力する２次巻線を備えた高電圧変圧器と、この高電圧変圧器の出力電圧を直流電圧に整流する整流回路とを備えたインバータ式X線高電圧装置において、前記高電圧変圧器の２次巻線は、渦巻き状に形成されて多層に巻かれた第１の多層巻線と、この第１の多層巻線の巻き方向と同じ方向に連続して渦巻き状に形成されて多層に巻かれた第２の多層巻線と、から成る１組の渦巻き状多層巻線を樹脂材料による成形体内に埋め込んでモールドされた１組のモールド渦巻き状多層巻線を複数備え、これらのモールド渦巻き状多層巻線が所定間隔毎に並列に配列されて、これらが直列に接続されたことを特徴とするインバータ式Ｘ線高電圧装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
(1)鉄心に1次巻線と2次巻線が巻かれ、前記1次巻線に入力される交流電圧を昇圧して前記2次巻線から交流の高電圧を出力する高電圧変圧器において、前記2次巻線は、渦巻き状に形成されて多層に巻かれた第1の多層巻線と、この第1の多層巻線の巻き方向と同じ方向に連続して渦巻き状に形成されて多層に巻かれた第2の多層巻線と、から成る1組の渦巻き状多層巻線を樹脂材料による成形体内に埋め込んでモールドされた1組のモールド渦巻き状多層巻線を複数備え、これらのモールド渦巻き状多層巻線が所定間隔毎に並列に配列されて、これらが直列に接続されたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
1  直流電源、2  インバータ回路、3  高電圧変圧器、4  高電圧整流回路、5  陽極接地型X線管、6  高電圧発生装置、7  高電圧変圧器の鉄心、8  高電圧変圧器の1次巻線、9  高電圧変圧器の2次巻線、9a  渦巻き状多層巻線、9a´  モールド渦巻き状多層巻線、9a1  第1の渦巻き状多層巻線、9a2  第2の渦巻き状多層巻線、9d1  第1の成形体、9d2  第2の成形体、9e  巻線絶縁体、9e1  第1の溝部、9e2  第2の溝部、9g1  第1の開口部、9g2  第2の開口部、9g3  第3の開口部、11  成形体、b  ブロック数、m  層数、K  1層分の総巻数
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月10日(2010.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられ、レーザ光を発生させる半導体レーザ素子と、
前記レーザ光を受けて近接場光を発する近接場発生素子、記録を行う磁気ヘッド及び浮上面を有するスライダとを備えた熱アシスト磁気ヘッドにおいて、
前記半導体レーザ素子を出射したレーザ光が伝播する第一の光導波路が前記基板上に設けられ、
前記スライダは、前記第一の光導波路上に設けられるとともに、その端面に第一の光導波路を伝播した前記レーザ光を当該スライダの厚さ方向に伝搬させて前記近接場発生素子に導く第二の光導波路を有することを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月15日(2011.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
燃料を含む発電用液体を用いて発電する燃料電池を備える電子機器と、該電子機器に前記燃料及び水の少なくとも何れか一方を供給する燃料供給装置と、を備える燃料供給システムであって、
前記電子機器は、前記発電用液体を貯留する燃料タンクと、前記燃料タンク内に貯留されている前記発電用液体の残量を検出する残量検出部と、前記燃料タンク内に貯留されている前記発電用液体の濃度を検出する濃度検出部と、を有し、
前記燃料供給装置は、前記燃料が貯留された燃料容器と、水が貯留された水容器と、前記電子機器から前記残量検出部により検出された前記残量及び前記濃度検出部により検出された前記濃度に基づく情報を受信する受信部と、前記燃料と前記水とを所定の混合比で混合した液体を前記燃料タンクに送る送液装置と、前記混合比を、前記受信部により受信した情報と前記燃料タンクに貯留される前記発電用液体に設定される目標濃度とに基づく値に設定する制御部と、を有し、前記目標濃度は、予め設定された互いに異なる複数の値から選択された一つの値に設定されることを特徴とする燃料供給システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
燃料を含む発電用液体を用いて発電する燃料電池と、前記発電用液体を貯留する燃料タンクと、該燃料タンク内に貯留されている前記発電用液体の残量を検出する残量と前記燃料タンク内の前記発電用液体の濃度及び前記燃料タンクの容積値に基づく情報を送信する電子機器制御部と、を備える電子機器に前記燃料及び水の少なくとも何れか一方を供給する燃料供給装置であって、
前記電子機器は、前記発電用液体を貯留する燃料タンクと、前記燃料タンク内の貯留されている前記発電用液体の残量を検出する残量検出部と、前記燃料タンク内に貯留されている前記発電用液体の濃度を検出する濃度検出部と、を有し、
前記燃料供給装置は、前記燃料が貯留された燃料容器と、水が貯留された水容器と、前記電子機器制御部から前記情報を受信する受信部と、前記発燃料と前記水を所定の混合比で混合した液体を前記燃料タンクに送る送液装置と、前記混合比を、前記受信部により受信した情報と前記燃料タンクに貯留される前記発電用液体に設定される目標濃度とに基づく値に設定する制御部と、を有し、前記目標濃度は、予め設定された互いに異なる複数の値から選択された一つの値に設定されることを特徴とする燃料供給装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
以上の課題を解決するために、請求項１に係る発明によれば、
燃料を含む発電用液体を用いて発電する燃料電池を備える電子機器と、該電子機器に前記燃料及び水の少なくとも何れか一方を供給する燃料供給装置と、を備える燃料供給システムであって、
前記電子機器は、前記発電用液体を貯留する燃料タンクと、前記燃料タンク内に貯留されている前記発電用液体の残量を検出する残量検出部と、前記燃料タンク内に貯留されている前記発電用液体の濃度を検出する濃度検出部と、を有し、
前記燃料供給装置は、前記燃料が貯留された燃料容器と、水が貯留された水容器と、前記電子機器から前記残量検出部により検出された前記残量及び前記濃度検出部により検出された前記濃度に基づく情報を受信する受信部と、前記燃料と前記水とを所定の混合比で混合した液体を前記燃料タンクに送る送液装置と、前記混合比を、前記受信部により受信した情報と前記燃料タンクに貯留される前記発電用液体に設定される目標濃度とに基づく値に設定する制御部と、を有し、前記目標濃度は、予め設定された互いに異なる複数の値から選択された一つの値に設定されることを特徴とする燃料供給システムが提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項８に係る発明によれば、
燃料を含む発電用液体を用いて発電する燃料電池と、前記発電用液体を貯留する燃料タンクと、該燃料タンク内に貯留されている前記発電用液体の残量を検出する残量と前記燃料タンク内の前記発電用液体の濃度及び前記燃料タンクの容積値に基づく情報を送信する電子機器制御部と、を備える電子機器に前記燃料及び水の少なくとも何れか一方を供給する燃料供給装置であって、
前記電子機器は、前記発電用液体を貯留する燃料タンクと、前記燃料タンク内の貯留されている前記発電用液体の残量を検出する残量検出部と、前記燃料タンク内に貯留されている前記発電用液体の濃度を検出する濃度検出部と、を有し、
前記燃料供給装置は、前記燃料が貯留された燃料容器と、水が貯留された水容器と、前記電子機器制御部から前記情報を受信する受信部と、前記発燃料と前記水を所定の混合比で混合した液体を前記燃料タンクに送る送液装置と、前記混合比を、前記受信部により受信した情報と前記燃料タンクに貯留される前記発電用液体に設定される目標濃度とに基づく値に設定する制御部と、を有し、前記目標濃度は、予め設定された互いに異なる複数の値から選択された一つの値に設定されることを特徴とする燃料供給装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月28日(2011.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニッケル水素二次電池として構成された単位電池と、前記単位電池の内部に連通する酸素供給源とを備えた電池モジュールの負極放電リザーブを低減する方法であって、
前記単位電池の初期活性化充放電の後に、前記酸素供給源から前記単位電池の内部に酸素を供給して、負極に吸蔵された放電リザーブである水素と反応させることを含む電池モジュールの負極放電リザーブ低減方法。
【請求項２】
請求項１において、前記酸素供給源から前記単位電池の内部への酸素の供給量を、予め測定した負極放電リザーブ量に基づいて調節する電池モジュールの負極放電リザーブ低減方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記電池モジュールに、前記単位電池を冷却する冷却構造を設け、この冷却構造によって前記単位電池を冷却しながら単位電池の内部に酸素を供給することを含む電池モジュールの負極放電リザーブ低減方法。
【請求項４】
請求項３において、前記電池モジュールに、複数の前記単位電池を互いに電気的に接続し、かつ、その内部を、連通部材を介して互いに連通させてなる電池積層体を設け、該電池積層体の隣接する単位電池間に、単位電池の積層方向に直交して延びる貫通孔を有する放熱板を介在させる電池モジュールの負極放電リザーブ低減方法。
【請求項５】
ニッケル水素二次電池として構成された単位電池と、前記単位電池の内部に連通する酸素供給源とを備え、請求項１〜４のいずれか一項に記載の負極放電リザーブ低減方法によって負極放電リザーブが低減された電池モジュールであって、正極活物質の充填量に対する負極活物質の充填量の比が、容量換算で１００〜４００％の範囲内にある電池モジュール。