Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月17日(2009.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィールド装置用の充電システムであって、
ポテンシャル・エネルギ源から電気を発生するように配置された発電装置と、
前記発電装置に連結され、前記発電装置の電圧出力を測定するように配置された充電回路と、
前記充電回路に連結された電気貯蔵装置と
を含み、
前記充電回路が、フィールド装置へ電力を供給するための出力を含み、前記発電装置の電圧出力に基づく複数のモードを作動させるように構成されたことを特徴とするフィールド装置用の充電システム。
【請求項２】
前記充電回路は、前記貯蔵装置への制御出力を供給する線形モードを有する請求項１に記載の充電システム。
【請求項３】
前記発電装置の電圧出力がバイパス閾値よりも上である場合には、前記充電回路が線形モードである請求項２に記載の充電システム。
【請求項４】
前記充電回路は、前記発電装置が前記貯蔵装置に直接連結されるバイパス・モードを有する請求項１に記載の充電システム。
【請求項５】
前記充電回路が、バイパス・モードにおいて、２００ミリワット以下を消費する請求項４に記載の充電システム。
【請求項６】
前記発電装置の電圧出力がバイパス閾値より下で、かつカットアウト閾値より上である場合には、前記充電回路がバイパス・モードである請求項４に記載の充電システム。
【請求項７】
前記充電回路が、前記貯蔵装置を前記発電装置から切り離すカットアウト・モードを有する請求項１に記載の充電システム。
【請求項８】
前記発電装置の電圧出力がカットアウト閾値より下である場合には、充電回路がカットアウト・モードである請求項１に記載の充電システム。
【請求項９】
前記発電装置が光電池を含む請求項１に記載の充電システム。
【請求項１０】
前記発電装置が風力発電モジュール、熱発電モジュール、圧縮ガス発電装置および振動発電装置のうちの少なくとも一つを含む請求項１に記載の充電システム。
【請求項１１】
前記電気貯蔵装置が再充電可能な電池である請求項１に記載の充電システム。
【請求項１２】
前記再充電可能な電池がゲルセル型鉛酸蓄電池である請求項１１に記載の充電システム。
【請求項１３】
更に、前記ゲルセル型鉛酸蓄電池および前記充電回路に操作可能に連結された温度センサを含み、前記充電回路が、前記ゲルセル型鉛酸蓄電池の温度に基づいて充電電流を制限する請求項１２に記載の充電システム。
【請求項１４】
更に、電池保護回路を含む請求項１に記載の充電システム。
【請求項１５】
プロセスに制御可能に接続可能なトランスデューサと、
前記トランスデューサに連結されたコントローラと、
前記コントローラと連結され、プロセス通信機能を提供するように構成された通信モジュールと、
フィールド装置に電気エネルギを供給するように構成されたエネルギ変換モジュールと
を含むフィールド装置であって、
前記エネルギ変換モジュールは、
ポテンシャル・エネルギ源から電気を発生させるように配置された発電装置と、
前記発電装置に連結され、前記発電装置の電圧出力を測定するように配置された充電回路と、
前記充電回路に連結された電気貯蔵装置と
を含み、
前記充電回路が、フィールド装置に電力を供給するための出力を含み、前記発電装置の電圧出力に基づく複数のモードを作動させるように構成されることを特徴とするフィールド装置。
【請求項１６】
前記通信モジュールがワイヤレス通信モジュールである請求項１５に記載のフィールド装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月7日(2009.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
担体基板（１６）に部分的に成形された導電構造を製造するためのプロセスであって、
前記導電構造の図形の磁気潜像は、磁化印刷フォーム（１１、１１１、２１１）に前記導電構造の前記図形を規定するデジタルデータセットから形成され、
前記磁気潜像は、磁気像点（１１ｍ）と非磁気像点とから形成され、
導電面を有し、前記磁気像点（１１ｍ）により引き付けられる磁性粒子は、前記印刷フォーム（１１、１１１、２１１）を用いて、前記磁気潜像により配置され、
前記磁性粒子は、前記担体基板（１６）に前記導電構造の前記図形を提供し、前記担体基板に固定されることを特徴とするプロセス。
【請求項２】
直径２μｍから１０μｍの磁性粒子（１４ｋ）が使用され、好ましくは直径２μｍから４μｍの磁性粒子が使用されることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記磁性粒子（１４ｋ）は、球形パッキングで密集関係に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のプロセス。
【請求項４】
前記磁性粒子（１４ｋ）には、導電層（１４ｍ，１４ｍ’）が電気的に塗布されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項５】
前記磁性粒子は、還元剤を用いて外部電流を介さずに金属層という形式で電気的に塗布される第一の導電層（１４ｍ）により結合されていることを特徴とする請求項４に記載のプロセス。
【請求項６】
第二の導電層（１４ｍ’）は、前記磁性粒子又は前記第一の導電層に電気的に沈澱することを特徴とする請求項４又は５に記載のプロセス。
【請求項７】
前記担体基板（１６）は、前記磁性粒子（１４ｋ）の塗布前に、プライマー（１６ｐ）によりコーティングされ、好ましくは、前記プライマーの層の厚さが３μｍから４μｍであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項８】
前記磁性粒子（１４ｋ）は、パウダー状に塗布されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項９】
前記磁性粒子（１４ｋ）は、分散（１４ｄ）の分散相の形式で塗布され、好ましくは、前記分散（１４ｄ）に対する前記分散相（１４ｂ）の比率が重量の２％から１０％であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１０】
前記プライマー（１６ｐ）を初期溶解させる分散剤（１４ｂ）が使用されていることを特徴とする請求項９に記載のプロセス。
【請求項１１】
前記磁性粒子(１４ｋ)は、前記プライマー（１６ｐ）及び／又は前記分散剤(１４ｂ)から溶媒を取り除くことにより前記担体基板（１６）に固定されることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１２】
前記磁性粒子(１４ｋ)は、前記プライマー（１６ｐ）及び／又は前記分散剤(２４ｄ)を溶融することにより前記担体基板（１６）に固定されることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項１３】
前記磁性粒子(１４ｋ)は、前記プライマー（１６ｐ）及び／又は前記分散剤(１４ｂ)を、特に、熱又は紫外線により硬化させることにより前記担体基板（１６）に固定されることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１４】
前記プライマー（１６ｐ）及び／又は分散剤(１４ｂ)は接着層を形成し、該接着層の厚さは、前記磁性粒子（１４ｋ）の平均直径の０．５倍から１．５倍で、好ましくは０．５倍から０．８倍であることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１５】
前記磁性粒子（１４ｋ）は、前記磁化印刷フォーム（１１，１１１，２１１）に塗布され、該磁化印刷フォームから前記担体基板（１６）へ転写されることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか一項に記載のプロセス。  
【請求項１６】
前記磁性粒子（１４ｋ）は、前記磁気潜像が前記担体基板（１６）に塗布された前記磁性粒子（１４ｋ）と反対側の前記担体基板（１６）の面に配置された状態で、前記担体基板（１６）及び前記印刷フォーム（１１，１１１，２１１）に塗布されていることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１７】
部分的に成形された導電構造を有する多層体であって、
該多層体は、導電面を有し、前記導電構造の図形に配置された磁性粒子（１４ｋ）の層を有し、前記磁性粒子は、第一の導電層（１４ｍ）により結合されることを特徴とする多層体。
【請求項１８】
前記多層体は、電気機能層の形式の第二の導電層（１４ｍ’）を有し、該第二の導電層は、前記磁性粒子（１４ｋ）及び／又は前記第一の導電層（１４ｍ）に電気的に塗布され、好ましくは、前記第二の導電層の厚さは、２μｍから５０μｍであることを特徴とする請求項１７に記載の多層体。
【請求項１９】
前記磁性粒子(１４ｋ)は、軟性磁気コアと導電ケーシングとから形成され、好ましくは鉄、銅、ニッケル、金、錫、亜鉛又はこれら物質の合金のケーシングから形成されることを特徴とする請求項１７及び１８のいずれか一項に記載の多層体。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月15日(2009.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
請求項１記載の二次電池において、前記第二塩が、約０．０１Ｍから約２．５Ｍの濃度で存在し、ＬｉＰＦ６、ＬｉＢＦ４、ＬｉＣｌＯ４、ＬｉＡｓＦ６、ＬｉＴａＦ６、ＬｉＡｌＣｌ４、Ｌｉ２Ｂ１０Ｃｌ１０、ＬｉＣＦ３ＳＯ３、ＬｉＥ（ＣｎＦ２ｎ＋１ＳＯ２）ｍ（ｍは２又は３であり、ｍ＝２の時はＥ＝Ｎであり、ｍ＝３の時はＥ＝Ｃであり、ｎ＝１〜１０である）、ＬｉＰＦｘ（ＲＦ）６−ｘ及びＬｉＢＦｙ（ＲＦ）４−ｙ（ＲＦはペルフルオロ化Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基もしくはペルフルオロ化芳香族基であり、ｘ＝０〜５、及びｙ＝０〜３である）、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれることを特徴とする二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
ａ．負極と、
ｂ．正極と、
ｃ．電解液を含み、該電解液は、
ｉ．非水溶媒と、
ｉｉ．０．１５Ｍより多く約２．０Ｍまでの濃度のビス（オキサラート）ホウ酸リチウムを含む第一塩と、
ｉｉｉ．約０．０１Ｍから約２．５Ｍの濃度であって、ＬｉＰＦ６、ＬｉＢＦ４、ＬｉＣｌＯ４、ＬｉＡｓＦ６、ＬｉＴａＦ６、ＬｉＡｌＣｌ４、Ｌｉ２Ｂ１０Ｃｌ１０、ＬｉＣＦ３ＳＯ３、ＬｉＥ（ＣｎＦ２ｎ＋１ＳＯ２）ｍ（ｍは２又は３であり、ｍ＝２の時はＥ＝Ｎであり、ｍ＝３の時はＥ＝Ｃであり、ｎ＝１〜１０である）、ＬｉＰＦｘ（ＲＦ）６−ｘ及びＬｉＢＦｙ（ＲＦ）４−ｙ（ＲＦはペルフルオロ化Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基もしくはペルフルオロ化芳香族基であり、ｘ＝０〜５、及びｙ＝０〜３である）、及びこれらの組み合わせからなる群から選ばれる第二塩とを含む
ことを特徴とする二次電池。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、さらに、負極、正極、及び電解液を含む二次電池を提供するものである。前記電解液は、非水溶媒と、０．１５Ｍから約２．０Ｍの濃度のＬｉＢＯＢを含む第一塩と、約０．０１Ｍから約２．５Ｍの濃度の第二塩とを含む。前記第二塩は、ＬｉＰＦ６、ＬｉＢＦ４、ＬｉＣｌＯ４、ＬｉＡｓＦ６、ＬｉＴａＦ６、ＬｉＡｌＣｌ４、Ｌｉ２Ｂ１０Ｃｌ１０、ＬｉＣＦ３ＳＯ３、ＬｉＥ（ＣｎＦ２ｎ＋１ＳＯ２）ｍ（ｍは２又は３であり、ｍ＝２の時はＥ＝Ｎ、ｍ＝３の時はＥ＝Ｃであり、ｎ＝１〜１０である）、ＬｉＰＦｘ（ＲＦ）６−ｘ及びＬｉＢＦｙ（ＲＦ）４−ｙ（ＲＦはペルフルオロ化Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基もしくはペルフルオロ化芳香族基であり、ｘ＝０〜５及びｙ＝０〜３である）、及びこれらの組み合わせからなる群から選択することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
溶質。ここに記載される溶質は、少なくとも１種の金属イオンを含むイオン塩である。典型的には、この金属イオンはリチウムである（Ｌｉ＋）。この塩は、電池の負極と正極との間で電荷を移動する働きをする。塩の１種としては、錯化オルトホウ酸及び錯化オルトリン酸（以降、まとめて”オルト塩”とする）の塩が含まれる。好適な実施例において、第一塩は、ＬｉＢＯＢである。また、例えば、ビス（マロナート）ホウ酸リチウム（ＬｉＢＭＢ）、ビス（ジフルオロマロナート）ホウ酸リチウム（ＬｉＢＤＦＭＢ）、（マロナートオキサラート）ホウ酸リチウム（ＬｉＭＯＢ）、（ジフルオロマロナートオキサラート）ホウ酸リチウム（ＬｉＤＦＭＯＢ）、トリス（オキサラート）リン酸リチウム(ＬｉＴＯＰ)、及びトリス（ジフルオロマロナート）リン酸リチウム(ＬｉＴＤＦＭＰ)等の他のオルト塩を、ＬｉＢＯＢに代えて、あるいは追加して使用することもできる。ここで用いられるもう一方の塩としては、例えば、ＬｉＰＦ６、ＬｉＢＦ４、ＬｉＣｌＯ４、ＬｉＡｓＦ６、ＬｉＴａＦ６、ＬｉＡｌＣｌ４、Ｌｉ２Ｂ１０Ｃｌ１０、ＬｉＣＦ３ＳＯ３、ＬｉＥ（ＣｎＦ２ｎ＋１ＳＯ２）ｍ（ｍは２又は３であり、ｍ＝２の時はＥ＝Ｎ、ｍ＝３の時はＥ＝Ｃであり、ｎ＝１〜１０である）、ＬｉＰＦｘ（ＲＦ）６−ｘ及びＬｉＢＦｙ（ＲＦ）４−ｙ（ＲＦはペルフルオロ化Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基もしくはペルフルオロ化芳香族基であり、ｘ＝０〜５である）のような、過ハロゲン化物もしくは過酸化物のリチウム塩が挙げられる。また、前記塩の２種以上のいかなる組み合わせも使用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月26日(2009.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン源における空間電荷関連現象を抑制するための方法であって、
電子ビームをチャンバ内に導入して、前記チャンバ内のサンプル物質からイオンを生成する工程と、
前記チャンバに抽出電圧を印加して、前記チャンバからイオンを放出させる工程と、
電圧パルスを前記チャンバに印加して、前記チャンバ内に存在する電子空間電荷を撹乱させる工程とを含み、
イオン化とイオン抽出とが同時に実行される、方法。
【請求項２】
前記電圧パルスの印加は、複数個の個別電圧パルスを含む周期的電圧パルスの印加を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記個別電圧パルスは、それぞれが個別電圧間の期間の一部分であるパルス幅を有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記周期的電圧パルスは、前記チャンバ内で生成された前記イオンからデータを取得するデータサンプリング周波数よりも高いパルス化周波数で印加される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記パルシング周波数は前記データサンプリング周波数の約２倍である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記電圧パルスのタイミングを、前記チャンバ内で生成された前記イオンからデータを取得するタイミングと同期させる工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記電圧パルスの高さを前記電子ビームの電子発生電流の関数として選択する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記電圧パルスの高さを前記チャンバ内の圧力の関数として選択する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記電圧パルスの高さを前記チャンバ内のイオンの質量の関数として選択する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記電圧パルスは前記チャンバの開口の近くに配置された導電性表面に印加され、それによって脈動電位がチャンバの導電性表面とある表面との間に印加される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記導電性表面は前記チャンバの外部に存在する、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記導電性表面はイオン収束レンズを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記抽出電圧は一定値で印加される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記抽出電圧は、質量分析器による使用のために前記イオン出口から放出されるイオン信号を最適化する選択値に設定される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記導電性表面は電子集電極を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記導電性表面は前記チャンバの内部に存在する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記導電性表面は反射電極を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
前記電圧パルスの印加は、前記電子ビームのパルス化を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記電圧パルスは前記チャンバの壁部に印加され、それによって脈動電位が前記壁部と前記チャンバ内に配置された導電性表面との間に印加される、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記電圧パルスの印加および前記抽出電圧の印加は協働して、イオンの自己振動が減少していることを特徴とする実質的に連続的なイオンビームを生成する、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記電子ビームのパルス化を、前記チャンバ内で生成された前記イオンからデータを取得するタイミングと同期させる工程をさらに含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
チャンバと、
電子ビームを前記チャンバ内に導入するための電子源と、
抽出電圧を前記チャンバに印加して、前記チャンバからイオンを放出させるための手段と、
前記チャンバに電圧パルスを印加して、前記チャンバ内に存在する電子空間電荷を撹乱させる手段とを含み、
前記抽出電圧を印加する手段と、前記電圧パルスを印加する手段とは、イオン化とイオン抽出とを同時にかつ連続的に提供する、イオン化装置。
【請求項２３】
前記電圧パルス印加手段は、電圧源と、前記電圧源に連結された前記チャンバの近くに配置された導電性表面とを含み、前記導電性表面は前記チャンバの外部もしくは内部に配置されているか、または前記チャンバの一部分である、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記電圧パルス印加手段は、前記電圧源を制御するための手段を含む、請求項２２に記載の装置。
【請求項２５】
前記チャンバ内で生成された前記イオンからデータを取得するデータサンプリング周波数と、前記電子ビームの電子発生電流と、前記チャンバ内の圧力と、前記チャンバ内のイオンの質量と、前記のうちの２つまたはそれ以上とからなる群から選択された変数に基づいて、前記電圧パルス印加手段を制御するための手段をさらに含む、請求項２２に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子衝撃イオン源におけるイオン不安定性の制御方法及びイオン化装置
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月27日(2009.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性メモリ（ＮＶＭ）アレイの余寿命を示す方法であって、
１以上のセルを特徴付けることにより前記ＮＶＭアレイの余寿命を推定して推定値を生成することであって、前記ＮＶＭアレイの１以上のセルの読み出しマージンを評価することにより前記推定値を生成することを含む、前記ＮＶＭアレイの余寿命を推定して推定値を生成すること、
前記推定値をしきい値と比較して比較値を生成すること、
前記推定値が前記しきい値を満足する場合、前記比較値に対応する指示を行うこと、
を備える方法。
【請求項２】
システムであって、
不揮発性メモリ（ＮＶＭ）アレイと、
前記ＮＶＭアレイを制御し、前記ＮＶＭアレイの１以上のセルを特徴付けることにより前記ＮＶＭアレイの余寿命を推定して前記ＮＶＭアレイの推定寿命に対応する出力信号を出力するように構成されたコントローラであって、前記ＮＶＭアレイの１以上のセルについて前記ＮＶＭアレイの推定寿命に対応する読み出しマージンを評価するように構成されたステートマシン及び比較器機能を具備するコントローラと、
前記出力信号に対応するフラグを記憶するレジスタと、
を備えるシステム。
【請求項３】
集積回路であって、
不揮発性メモリ（ＮＶＭ）アレイと、
前記ＮＶＭアレイを制御し、前記ＮＶＭアレイの１以上のセルを特徴付けるように構成されたステートマシンと、
前記ステートマシンに接続され、前記ＮＶＭアレイの１以上のセルの読み出しマージンに基づいて前記ＮＶＭアレイの余寿命を評価して、予測寿命終了条件が起こると出力信号を出力するように構成された予測機能と、
前記出力信号に対応するフラグを記憶するように構成されたレジスタと、
を備える集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月23日(2009.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性である押し出された混合物を有するポリテトラフルオロポリマー（ＰＴＦＥ）テープであって、
組成物がポリテトラフルオロポリマー、およびカーボンナノチューブ、気相成長炭素繊維（ＶＧＣＦ）、およびそれらの混合物からなる群より選択される分散性炭素を含む、テープ。
【請求項２】
カーボンナノチューブが、単層ナノチューブ（ＳＷＮＴ）または多層カーボンナノチューブである、請求項１に記載のＰＴＦＥテープ。
【請求項３】
１重量％〜２重量％のカーボンナノチューブおよび６０重量％〜７５重量％のＰＴＦＥを含む、請求項１に記載のＰＴＦＥテープ。
【請求項４】
ＰＴＦＥが、微粉形態である、請求項１に記載のＰＴＦＥテープ。
【請求項５】
ＰＴＦＥが、粒状粉状である、請求項１に記載のＰＴＦＥテープ。
【請求項６】
５重量％〜７重量％のＶＧＣＦおよび６５重量％〜７５重量％のＰＴＦＥを含む、請求項１に記載のＰＴＦＥテープ。
【請求項７】
組成物中の導電性フィラーの重量パーセントが、１０３Ω／□〜１０５Ω／□の範囲の表面抵抗率を含む組成物を得る方法で選択される、請求項１に記載のＰＴＦＥテープ。
【請求項８】
請求項１によってＰＴＦＥテープを製造する方法であって、
押し出された混合物をカレンダー加工するステップと、
押し出された混合物から滑剤を蒸発オーブン内で取り除くステップと、
押し出された混合物を伸長するステップと、
を含む、方法。
【請求項９】
少なくとも一方が導電性である２つの面を有するポリテトラフルオロポリマー（ＰＴＦＥ）テープを製造する方法であって、
少なくとも１つの混合物が分散性炭素およびＰＴＦＥの組成物を有する２つの予混合された混合物を調製するステップと、
テープの２つの面を形成するために、１つのバッフルを有する少なくとも１つの金型を介して、２つの予混合された混合物を押し出すステップと、
を含む、方法。
【請求項１０】
２つの予混合された混合物が、分散性炭素およびＰＴＦＥの異なる組成物を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
他方の予混合された混合物が、炭素を有さないＰＴＦＥの組成物を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
分散性炭素が、カーボンナノチューブ、気相成長炭素繊維（ＶＧＣＦ）およびそれらの混合物からなる群より選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも１つの混合物が、１重量％〜２重量％のカーボンナノチューブおよび６０重量％〜７５重量％のＰＴＦＥを含む組成物を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
ＰＴＦＥが、微粉形態である、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
ＰＴＦＥが、粒状粉状である、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも１つの混合物が、５重量％〜７重量％のＶＧＣＦおよび６５重量％〜７５重量％のＰＴＦＥを含む組成物を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
集束された炭素および滑剤をソニケーター内に入れ、集束された炭素混合物および滑剤を、しばらくの間、超音波周波数にさらすことにより、分散性炭素が、集束された炭素から形成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１８】
滑剤が、Ｎ，Ｎジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ドデシルベンゼンスルホン酸（ＤＤＢＳ）、ドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ）、１２−アミノドデカン酸、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、およびＯ−ジクロロベンゼン（ＯＤＣＢ）からなる群より選択されるイソパラフィン系溶剤である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
テープの一方の面が、テープの他方の面よりも導電性が高い、請求項９に記載の方法によって製造されたテープ。
【請求項２０】
テープの他方の面が、導電性を有さない、請求項１９に記載のテープ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月24日(2009.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通の宅配サービスで使用する輸送用の容器であって：
前記共通の宅配サービスを通じて配達された品物を受け取るための、導電性の封止手段と；
少なくとも前記共通の宅配サービスを認証するものを付されている、前記輸送用の容器の外面と、
を具備していることを特徴とする輸送用の容器。
【請求項２】
前記導電性の封止手段は導電性の紙で造られていることを特徴とする、請求項１に記載の輸送用の容器。
【請求項３】
前記導電性の封止手段は導電性プラスチックで造られていることを特徴とする、請求項１８に記載の輸送用の容器。
【請求項４】
前記導電性の封止手段は導電性板紙を含み、前記の輸送用の容器を形成し、前記外面は前記導電性の封止手段の面であることを特徴とする、請求項１に記載の輸送用の容器。
【請求項５】
前記外面は、前記共通の宅配サービスのための、１つ以上の輸送の指導、発送オプション、発送ラベルのための発送ラベル貼り付け面、および粘着剤を有していることを特徴とする、請求項１に記載の輸送用の容器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月24日(2008.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レベル・センシティブ・スキャン設計（ＬＳＳＤ）システムにおけるテスト・クロックの周波数を向上させるための方法であって、非重複のシフトＡ及びシフトＢテスト・クロックが全てのＬＳＳＤレジスタの入力において同時に立ち上がり、立ち下がるように同期化され、
前記システムの最も遠いコーナーに到達するのに必要なパイプライン・ステージの数を決定して前記パイプラインの深さを確立するステップと、
前記ＬＳＳＤレジスタを、高速動作を保証するのに必要な前記パイプライン・ステージの数によって規定される領域にグループ分けするステップと、
前記パイプラインの深さを、前記ＬＳＳＤレジスタの入力において信号の同時の立ち上がり又は立ち下がりを達成するために釣り合わせるステップと、
前記シフトＡ及びシフトＢテスト・クロック信号の高速同期伝搬を可能にするために、全てのテスト・クロックが高速で分配されることを保証し、全ての前記パイプライン・ラッチが前記ＬＳＳＤレジスタの近くに配置されることを検証するステップと
を含む方法。
【請求項２】
テスト・クロック動作の高速性能を保証するために、前記パイプライン・ラッチの配置を繰り返して調整するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記パイプライン・ラッチをオーバーライドしてシステム・クロックの同期化の影響を除去するために、そして前記シフトＡ及びシフトＢテスト・クロック信号を前記ＬＳＳＤレジスタを通過させるために、フラッシュ制御が前記パイプライン・ラッチに加えられる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記フラッシュ制御は、前記システム全体にわたって前記シフトＡ及びシフトＢテスト・クロックを分配する全ての前記パイプライン・ラッチに結合される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記フラッシュ制御は主入力によって与えられる、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記フラッシュ制御は、アクティブでないときは、前記システム・クロックによる前記テスト・クロックの伝搬の制御を可能にする、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記フラッシュ制御は、通常のシステム・モードの間、前記パイプライン・ラッチ内の切替え機能を抑制して電力を節約する、請求項３に記載の方法。
【請求項８】
前記ＬＳＳＤレジスタをグループ分けするステップは、前記システムの階層区分化によって実行され、前記区分内のＬＳＳＤレジスタの位置によって決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記シフトＡ及びシフトＢテスト・クロックは、高速動作のためにローカルに同期化されてビルト・イン・セルフ・テスト（ＢＩＳＴ）のテスト時間を減少させる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＢＩＳＴは、論理ＢＩＳＴ又はアレイＢＩＳＴである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記パイプラインの深さを釣り合わせる前記ステップは、前記ＬＳＳＤレジスタの各々の領域の近くにパイプライン・ラッチを配置するステップと、前記ＬＳＳＤレジスタの各々の入力において等しいパイプラインの深さを保証するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
全ての前記シフトＡ及びシフトＢテスト・クロックが高速で分配されることを保証する前記ステップは、配線分配、バッファリング、遅延、及び全ての前記パイプライン・ラッチのローディングを分析するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
全ての前記シフトＡ及びシフトＢテスト・クロック信号は、許容できるサイクル時間内に、次のパイプライン・ラッチにおいて又は前記ＬＳＳＤレジスタの入力において受け取られる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記シフトＡ及びシフトＢテスト・クロックの高速動作を可能にするために、前記パイプライン・ラッチの配置又は構成を繰り返し調整するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月29日(2009.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
間にチャネルが配置された、間隔を空けてドープされたソース及びドレイン領域を含む
複合半導体領域と、
前記チャネル上に配置されたゲート誘電体と、
前記ゲート誘電体上に配置された導電性ゲートであって、前記ゲートの下の前記複合半
導体領域は、第１の表面配向を有する上部単結晶半導体と前記第１の表面配向とは異なる第２の表面配向を有する下部単結晶半導体とを含み、前記上部単結晶半導体及び前記下部単結晶半導体は接合界面で直接接しており、前記チャネルは前記第１の表面配向をもつ前記上部単結晶半導体内部にのみ位置付けられ、前記ソース及びドレイン領域の両方が前記下部単結晶半導体の前記第２の表面配向を有する、導電性ゲートと、
を含む電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）。
【請求項２】
前記接合界面の上のソース／ドレイン領域は、前記チャネルの配向とは異なる配向を有
する、請求項１に記載のＦＥＴ。
【請求項３】
ソース／ドレイン延長部をさらに含み、前記ソース／ドレイン延長部は、前記チャネル
と同じ又は異なる配向を有する、請求項１に記載のＦＥＴ。
【請求項４】
間にチャネルが配置された、間隔を空けてドープされたソース及びドレイン領域を含む
複合半導体領域と、
前記チャネル上に配置されたゲート誘電体と、
前記ゲート誘電体上に配置された導電性ゲートであって、前記ゲートの下の前記複合半
導体領域は、第１の表面配向を有する上部単結晶半導体と前記第１の表面配向とは異なる第２の表面配向を有する下部単結晶半導体とを含み、前記上部単結晶半導体及び前記下部単結晶半導体は接合界面で直接接しており、前記チャネルは前記第１の表面配向をもつ前記上部単結晶半導体内部にのみ位置付けられ、前記ソース及びドレイン領域の両方が前記下部単結晶半導体の前記第２の表面配向を有する、導電性ゲートと、を含む電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含む、ＣＭＯＳ回路。
【請求項５】
前記接合界面の上のソース／ドレイン領域は、前記チャネルの配向とは異なる配向を有
する、請求項４に記載のＣＭＯＳ回路。
【請求項６】
前記ソース及びドレイン領域の少なくともある部分は、横方向に隣接する半導体領域と
は異なる半導体材料を含む、請求項４に記載のＣＭＯＳ回路。
【請求項７】
ソース／ドレイン及びチャネル領域が単結晶半導体の単一配向内に完全に含まれる別の
ＦＥＴをさらに含む、請求項４に記載のＣＭＯＳ回路。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月9日(2009.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の縁部を洗浄する装置であって、
基板をサポートおよび回転させるように適合された基板サポートと、
前記基板サポートによってサポートされる基板の縁部に接触して、かつ前記基板サポートが前記基板を１つ以上のローラに対して回転させると前記基板の前記縁部を洗浄するように位置決めされた１つ以上のローラと、
を備える装置。
【請求項２】
前記基板サポートが、前記基板を保持するように適合された真空チャックまたは静電チャックを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記１つ以上のローラが同一直径を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記基板サポートおよび前記１つ以上のローラが同一方向に回転するように適合されている、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記基板サポートおよび前記１つ以上のローラが反対方向に回転するように適合されている、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記ローラのうちの少なくとも１つが、前記基板の上部ベベルおよび底部ベベルを洗浄するために移動するように適合されている、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記ローラのうちの少なくとも１つが前記基板の主要表面に対して角度付けされている、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
請求項１に記載の前記縁部洗浄装置と、
基板リンス装置と、
前記縁部洗浄装置と前記基板リンス装置の間に基板を移送するように適合された基板移送デバイスと、
を有するハウジングを備える集積基板洗浄システム。
【請求項９】
基板の縁部を洗浄する装置であって、
基板の縁部に接触して、かつ前記基板を回転させるように適合された第１の直径の１つ以上のローラと、
前記基板の前記縁部に接触して、かつ前記基板の前記縁部を洗浄するように適合された前記第１の直径よりも大きな第２の直径の１つ以上のローラと、
を備える装置。
【請求項１０】
前記第１の直径の前記１つ以上のローラおよび前記第２の直径の前記１つ以上のローラが、実質的に同一スピードで回転するように適合されている、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１の直径の前記１つ以上のローラおよび前記第２の直径の前記１つ以上のローラが反対方向に回転するように適合されている、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
請求項９に記載の前記縁部洗浄装置と、
基板リンス装置と、
前記縁部洗浄装置と前記基板リンス装置の間に基板を移送するように適合された基板移送デバイスと、
を有するハウジングを備える集積基板洗浄システム。
【請求項１３】
基板の縁部を洗浄するための方法であって、
回転可能な基板サポート上に基板をサポートするステップと、
前記基板の縁部を１つ以上のローラに接触させるステップと、
前記基板を回転させるために前記基板サポートを回転させるステップと、
前記基板の前記縁部を洗浄するために前記１つ以上のローラを回転させるステップと、
を備える方法。
【請求項１４】
基板の縁部を洗浄するための方法であって、
基板を回転させるために第１の直径の１つ以上のローラを用いるステップと、
前記基板の縁部を、前記第１の直径よりも大きな第２の直径の１つ以上のローラに接触させるステップと、
前記第２の直径の前記１つ以上のローラを使用して前記基板の前記縁部を洗浄するステップと、
を備える方法。
【請求項１５】
前記第１の直径の前記１つ以上のローラおよび前記第２の直径の前記１つ以上のローラを実質的に同一スピードで回転させるステップをさらに備える、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月21日(2009.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タッチ感知装置であって、
触覚面へのタッチに起因する該触覚面の屈曲を検出するように構成される複数のタッチセンサーと、
前記複数のタッチセンサーによって生成された信号を用いるために実行されるものである複数の異なるタッチ位置検出技術を実行するとともに、それら異なるタッチ位置検出技術を用いてタッチ位置情報を作成するように構成される処理回路と、
を具備する装置。
【請求項２】
前記複数のタッチセンサーの少なくとも１つと前記処理回路とが、第１の周波数範囲に感応するように構成され、前記複数のタッチセンサーの少なくとも他の１つと前記処理回路とが、前記第１の周波数範囲とは異なる第２の周波数範囲に感応するように構成され、前記複数の異なるタッチ位置検出技術の少なくとも幾つかが、単独でタッチ位置を検出できる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記タッチ位置情報が、前記触覚面に対する前記タッチのｚ座標と、前記触覚面への前記タッチの力との、少なくとも一方を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記複数の異なるタッチ位置検出技術の少なくとも幾つかが、前記複数のタッチセンサーの幾つかによって感知される屈曲波を用いて前記タッチ位置情報を作成する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記処理回路が、前記複数のタッチ位置検出技術のうち第１のタッチ位置検出技術を用いて前記触覚面へのタッチを確認するとともに、前記複数のタッチ位置検出技術のうち第２のタッチ位置検出技術を用いて前記触覚面への前記タッチの位置を求めるように構成され、前記複数の異なるタッチ位置検出技術は、前記複数の曲げモードセンサーのうち少なくとも１つの曲げモードセンサーによって生成された前記信号に対して分散補正を行う少なくとも１つのタッチ位置検出技術を含む、請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月20日(2009.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
複数のメディアアイテムのクライアント対話操作を監視することと、
前記監視に基づいて前記複数のメディアアイテムの出力のチャンネルスクロール速度を変化させ、メディアアイテムの複数のそれぞれがチャンネル変化に関連したチャンネル上に表示されるメディアコンテンツを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記複数のメディアアイテムの前記出力は、前記複数のアイテムのナビゲートに関する入力を受信した後実行され、
前記スクロール速度の前記変更は、前記入力と独立して実行されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
さらに、前記クライアントから単一の入力を受信した前記複数のメディアアイテムを出力することを含み、前記複数のメディアアイテムの前記出力の前記スクロール速度は、前記クライアントからさらに入力を受信することなく変更されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記クライアント対話操作の前記監視は、前記クライアントにより前記複数のメディアアイテムの第１のメディアアイテムが表示のために出力された時間の長さを決定することを含み、
前記スクロール速度の前記変更は、前記第１のメディアアイテムが、前記複数のメディアアイテムの第２のメディアアイテムを出力するのに要する時間よりも長く出力されるように実行され、前記監視により、前記クライアントが前記第２のメディアアイテムを対話操作する時間は、前記クライアントが前記第１の前記メディアアイテムを対話操作する時間よりも短いと決定されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記メディアアイテムの１つまたは複数は、テレビ番組であり、
前記１つまたは複数のメディアアイテムは、出力されたときに、次々に連続して表示されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記メディアアイテムの１つまたは複数は、前記クライアント上のローカルに蓄積されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記監視は、複数の前記クライアントから受信されたデータに基づき、
前記変化するスクロール速度を有する前記複数のメディアアイテムの前記出力は、前記複数の前記クライアントに放送されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記監視は、前記クライアントが対話操作した少なくとも１つの前記メディアアイテムのジャンルを決定することを含み、
前記変更は、少なくとも一部は前記決定されたジャンルに基づくことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記複数のメディアアイテムは、複数のグループに分けられ、
前記変更は、少なくとも一部は前記クライアントが前記複数のグループの少なくとも１つに含まれる１つまたは複数のメディアアイテムを対話操作することに基づくことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
方法であって、
１つまたは複数の表現の表示がスクロールするとき、特定の１つまたは複数のメディアアイテムの表現の表示の期間が、１つまたは複数の前記メディアアイテムにより共有される１つまたは複数の特性に基づいて変化されるように、前記複数のメディアアイテムの表現の表示をヘッドエンドシステムにより構成することと、
複数のクライアントによるレンダリングのための前記表示を前記ヘッドエンドシステムにより出力することと、
前記複数のクライアントにより前記ヘッドエンドシステムとのデータ通信に基づき、前記複数のメディアアイテムの少なくとも１つの前記複数のクライアントへの表示のために出力された時間の長さを前記ヘッドエンドシステムにより決定することと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記表示は、電子番組ガイドであり、
少なくとも１つの前記メディアアイテムは、テレビ番組であることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記複数のメディアアイテムの１つまたは複数は、テレビ番組であり、
前記複数のメディアアイテムの１つまたは複数は、複数のテレビチャンネルのうちのそれぞれ１つで、次々に、連続して表示可能であることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
さらに、特定の前記複数のクライアントの１つが対話操作した前記複数のメディアアイテムの少なくとも１つの特性を決定することを含み、前記スクロール速度は、前記決定された特性を有する１つまたは複数の前記メディアアイテムの表現について変更されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
コンピュータ上で実行されたときに、１つまたは複数のメディアアイテムにより共有される１つまたは複数の特性に基づき複数の前記メディアアイテムのコンテンツのタイムスロットの範囲内で垂直スクロール速度を変化させるよう前記コンピュータに指令するコンピュータ実行可能命令を格納し、
第１の前記複数のメディアアイテムの表現は、第１の垂直サイズで表示するように構成され、
第２の前記複数のメディアアイテムの表現は、第２の垂直サイズで表示するように構成され、前記第１の複数のメディアアイテムの表現は、前記第２の複数のメディアアイテムの表現より長い期間表示されるように、前記第１の垂直サイズは前記第２の垂直サイズより大きいことを特徴とする１つまたは複数のコンピュータ可読メディア。
【請求項１５】
前記スクロール速度は、１つの前記メディアアイテムの前記コンテンツが表示される時間の長さが、他の前記メディアアイテムの前記コンテンツが表示される時間の長さと異なるように変化されることを特徴とする請求項１４に記載の１つまたは複数のコンピュータ可読メディア。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月30日(2008.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メッシュネットワークにおいてチャネル・スイッチを開始する方法であって、
メッシュポイント（ＭＰ）が第２チャネルにスイッチされるまでの時間間隔を表現するメッシュチャネル・スイッチ・タイミングエレメントを発生すること、
前記メッシュチャネル・スイッチ・タイミングエレメントを含むメッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントを転送すること、
前記メッシュチャネル・スイッチ・タイミングエレメントの経過で示された前記時間間隔後に前記第２チャネルにスイッチすること
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントはモードの変更を指示することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントは帯域幅の変更を指示することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントはいくつかのチャネルの変更を指示することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントはチャネル変更のタイミングを指示することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントを送信するためにブロードキャストフレームが使用されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記メッシュネットワーク内の他のＭＰの利用可能性に基づいて前記第２チャネルに切り替えるかどうかを決定することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
メッシュネットワークにおいてチャネル・スイッチを開始する方法であって、
メッシュポイント（ＭＰ）が第２チャネルにスイッチされるまでの時間間隔を表現するメッシュチャネル・スイッチ・タイミングエレメントを含む第１メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントを受信すること、
複数のメッシュポイント（ＭＰ）へ前記メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメント・フレームを転送すること、
前記第１メッシュチャネル・スイッチ・タイミングエレメントの経過で示された時間間隔後に前記第２チャネルにスイッチすること
を含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
前記メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントはチャネルマスターのＭＰから受信されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントはモードの変更を指示することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントは帯域幅の変更を指示することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントはいくつかのチャネルの変更を指示することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントを送信するためにブロードキャストフレームが使用されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントを送信するためにユニキャストフレームが使用されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
前記メッシュネットワーク内の他のＭＰの利用可能性に基づいて前記第１チャネルから前記第２チャネルに切り替えるかどうかをＭＰが決定することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
メッシュポイント（ＭＰ）であって、前記ＭＰは、
メッシュポイント（ＭＰ）が第２チャネルにスイッチされるまでの時間間隔を表現するメッシュチャネル・スイッチ・タイミングエレメントを発生するように構成されたプロセッサと、
前記メッシュチャネル・スイッチ・タイミングエレメントを含むメッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントを転送するように構成された送信機とを含み、
前記プロセッサは前記メッシュチャネル・スイッチ・タイミングエレメントの経過で示された前記時間間隔後に前記第２チャネルにスイッチするようにさらに構成されていることを特徴とするＭＰ。
【請求項１７】
前記メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントはモードの変更を指示することを特徴とする請求項１６に記載のＭＰ。
【請求項１８】
前記メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントは帯域幅の変更を指示することを特徴とする請求項１６に記載のＭＰ。
【請求項１９】
前記メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントはいくつかのチャネルの変更を指示することを特徴とする請求項１６に記載のＭＰ。
【請求項２０】
前記メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントを送信するためにブロードキャストフレームが使用されることを特徴とする請求項１６に記載のＭＰ。
【請求項２１】
前記メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントを送信するためにユニキャストフレームが使用されることを特徴とする請求項１６に記載のＭＰ。
【請求項２２】
前記プロセッサが前記メッシュネットワーク内の他のＭＰの利用可能性に基づいて前記第２チャネルに切り替えるかどうかをＭＰが決定するように構成されていることを特徴とする請求項１６に記載のＭＰ。
【請求項２３】
メッシュポイント（ＭＰ）において、前記ＭＰは、
メッシュチャネル・スイッチ・タイミングエレメントを含むメッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントを受信するように構成された受信機と、
複数のピアメッシュポイント（ＭＰ）へメッシュチャネル・スイッチ・アナンスメント・フレームを送信するように構成された送信機と、
前記メッシュチャネル・スイッチ・タイミングエレメントの経過で示された時間間隔後に前記第２チャネルにスイッチするように構成されたプロセッサと
を含むことを特徴とするＭＰ。
【請求項２４】
前記メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントはチャネルマスターのＭＰから受信されることを特徴とする請求項２３に記載のＭＰ。
【請求項２５】
前記メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントはモードの変更を指示することを特徴とする請求項２３に記載のＭＰ。
【請求項２６】
前記メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントは帯域幅の変更を指示することを特徴とする請求項２３に記載のＭＰ。
【請求項２７】
前記メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントはいくつかのチャネルの変更を指示することを特徴とする請求項２３に記載のＭＰ。
【請求項２８】
前記メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントを送信するためにブロードキャストフレームが使用されることを特徴とする請求項２３に記載のＭＰ。
【請求項２９】
前記メッシュチャネル・スイッチ・アナンスメントを送信するためにユニキャストフレームが使用されることを特徴とする請求項２３に記載のＭＰ。
【請求項３０】
前記メッシュネットワーク内の他のＭＰの利用可能性に基づいて前記第１チャネルから前記第２チャネルに切り替えるかどうかをＭＰが決定することを特徴とする請求項２３に記載のＭＰ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月13日(2009.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
並列の提示におけるＡ／Ｖストリーム間でコンテキスト的に異なるパケットの同期化されたストリーム・パッキングの方法であって、
ビデオ・パケットの到着タイムスタンプ及び提示タイムスタンプそれぞれの少なくとも一方に一致する到着タイムスタンプ及び提示タイムスタンプの少なくとも一方を有するサブピクチャ／サブタイトル・パケット及びオーディオ・パケットの少なくとも一方を識別する工程と、
前記識別されたサブピクチャ／サブタイトル・パケット及びオーディオ・パケット、並びに前記一致するタイムスタンプを有する前記ビデオ・パケットによってビデオ・オブジェクト単位（ＶＯＢＵ）及び伝送ストリーム（ＴＳ）の少なくとも一方をパッキングする工程とを備える方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、ディジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）プレイヤ、ディジタル・ビデオ・ディスク（ＤＶＤ）プレイヤ、高品位ディジタル多用途ディスク（ＨＤ  ＤＶＤ）プレイヤ及びブルーレイ・ディスク（ＢＤ）プレイヤのうちの１つにおいて行われる方法。
【請求項３】
並列の提示におけるＡ／Ｖストリーム間でコンテキスト的に異なるパケットの同期化されたストリーム・パッキングの、請求項１記載の方法を行うために、マシンによって実行可能な命令のプログラムを有形に実施する、マシンによって読み取り可能なプログラム記憶装置。
【請求項４】
並列の提示におけるＡ／Ｖストリーム間でコンテキスト的に異なるパケットの同期化されたストリーム・パッキングの装置であって、
ビデオ・パケットの到着タイムスタンプ及び提示タイムスタンプそれぞれの少なくとも一方に一致する到着タイムスタンプ及び提示タイムスタンプの少なくとも一方を有するサブピクチャ／サブタイトル・パケット及びオーディオ・パケットの少なくとも一方を識別する手段と、
前記識別されたサブピクチャ／サブタイトル・パケット及びオーディオ・パケット、並びに前記一致するタイムスタンプを有する前記ビデオ・パケットによってビデオ・オブジェクト単位（ＶＯＢＵ）及び伝送ストリーム（ＴＳ）の少なくとも一方をパッキングする手段とを備える装置。
【請求項５】
請求項４記載の装置であって、ディジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）プレイヤ、ディジタル・ビデオ・ディスク（ＤＶＤ）プレイヤ、高品位ディジタル多用途ディスク（ＨＤ  ＤＶＤ）プレイヤ及びブルーレイ・ディスク（ＢＤ）プレイヤのうちの１つにおいて実現される装置。
【請求項６】
並列の提示においてコンテキスト的に異なる複数のＡ／Ｖストリームのうちから別のＡ／Ｖストリームを提示する方法であって、
インタリーブ単位（ＩＬＶＵ）における最初のビデオ・オブジェクト単位（ＶＯＢＵ）の最初、又は伝送ストリーム（ＴＳ）におけるアングル切り換え点マーカにおけるオーディオ・パケットにオーディオ・フレーム・ヘッダをパッキングする工程と、
完全なオーディオ・フレームで結ぶように、前記ＩＬＶＵ、若しくは、前記複数のＡ／Ｖストリームのうちの同じＡ／Ｖストリームにおける別のＩＬＶＵにおける最後のＶＯＢＵにおける、又は、前記ＴＳにおける別のアングル切り換え点マーカ直前の、最後のオーディオ・パケットをパッキングする工程とを備える方法。
【請求項７】
請求項６記載の方法であって、ディジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）プレイヤ、ディジタル・ビデオ・ディスク（ＤＶＤ）プレイヤ、高品位ディジタル多用途ディスク（ＨＤ  ＤＶＤ）プレイヤ及びブルーレイ・ディスク（ＢＤ）プレイヤのうちの１つにおいて行われる方法。
【請求項８】
請求項６記載の方法であって、どのＩＬＶＵ境界又はアングル切り換えマーカをまたがってもオーディオ・フレームの断片化が存在しないように前記最後のオーディオ・パケットがパッキングされる方法。
【請求項９】
請求項６記載の方法であって、サブピクチャ単位（ＳＰＵ）ヘッダ及びエポック開始ヘッダの一方で始めるようサブピクチャ／サブタイトル・パケットをパッキングする工程を更に備える方法。
【請求項１０】
並列の提示においてコンテキスト的に異なる複数のＡ／Ｖストリームのうちから別のＡ／Ｖストリームを提示する、請求項６記載の方法を行うために、マシンによって実行可能な命令のプログラムを有形に実施する、マシンによって読み取り可能なプログラム記憶装置。