【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年12月5日(2008.12.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１９】
少なくとも第１の金属層を有する誘電基材を提供する工程と、
前記誘電基材をエッチングすることが可能な誘電エッチング液に透過性となるように前記第１の金属層の十分な薄化を引き起こすために十分な時間、前記第１の金属層をエッチングすることが可能なエッチング液に前記第１の金属層の少なくとも一部を暴露する工程と、
前記第１の金属層の暴露部分下の前記誘電基材がエッチングされるように前記誘電エッチング液に前記第１の金属層の少なくとも一部を暴露する工程と、
を含む方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
フレキシブル回路は、典型的に、ポリエステル（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）または液晶ポリマー（ＬＣＰ）のようなフレキシブルポリマーフィルム上の銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）または金（Ａｕ）のような少なくとも１つの金属層からなる。追加的な接着剤層を使わずに金属がポリマーフィルムに取り付けられる場合、その構造は、しばしば「二層」または「無接着」フレキシブル回路として分類される。一般的に、二層基材は約１２〜７５ミクロンの厚さのポリマーフィルムからなる。金属とポリマーフィルムとの間で接着を促進するため、金属／フィルム境界面で腐食を防止または最小化するため、そして金属とポリマーフィルムとの間で拡散バリアを提供するため、通常、薄い結合層が利用される。高性能な適用のために、第１の金属層は一般に銅であり、一方、フィルム層はポリイミドである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
結合層は約２ｎｍ〜約５００ｎｍの厚さ範囲であり、そして典型的にクロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）またはそれらの関連合金の真空スパッタリング、真空蒸発および化学メッキのような方法によって形成される。金属として銅を使用する高性能フレキシブル回路の適用において有用となるように、銅の存在下で結合層をエッチングして銅トレース同士を電気的に絶縁することが可能であるべきである。しばしば、これは難解な必要条件である。高度に耐腐食性である結合層は、エッチングが困難である。耐腐食性結合層を攻撃し得る攻撃的なエッチング液は、銅も著しく攻撃し得る。加えて、多くの非腐食性結合層は容易に不動態化する傾向があり、そして銅より不活性である。その結果、銅は結合層のエッチングを抑制し得、そして、特に回路の微細ピッチ領域において、除去を困難にさせる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
次いで、残留するレジストを導電性層から取り除く。次いで、メッキ処理されていない導電性層の暴露領域を、過酸化水素および硫酸エッチング液のような適切なエッチング液でエッチングする。いくつかの結合層は、このエッチング工程の間に完全に除去されてよいが、多くはメッキ処理された金属と比較してエッチングが遅く、そして除去が困難である。これは、結合層の組成物および厚さ、ならびに導電性金属層のものと比較したガルバニック電位に依存する。しかしながら、適切なエッチング時間は、除去される必要のある導電性層材料の量によって主に決定される。上記の通り、完全に結合層を除去するために必要な時間のエッチング液への導電性層の追加的な暴露によって、エッチング液が金属トレースをエッチングし続けることが可能となる。従って、導電性材料をエッチングしないエッチング液を使用して結合層をエッチングするために、別々の工程が必要とされ得る。最後に、レジストは適切な溶液を使用して回路から取り除かれる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
具体的には、本発明の少なくとも１つの実施形態は、ポリマー基材に耐腐食性結合層を所望の厚さまでスパッタリングし、その後、結合層より下のポリマー基材をエッチングすることによって結合層の暴露部分を除去することを含む。結合層の厚さの適切な選択によって、接着および耐腐食性の性能要件を満たしながらも必要とされる結合層の除去が可能となる。少なくとも１つの実施形態において、結合層は約２０％より高い光伝送率を有する。少なくとも１つの実施形態において、結合層は約８０％未満の光伝送率を有する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
結合層は、典型的に、パターン化された金属トレース層によって被覆される。トレース層は、典型的に、誘電エッチング液に対して不透過性である組成物であり、そして十分な厚さである。典型的に、トレース層の金属は銅である。基礎ポリマー基材のエッチング前に結合層を薄化する必要がある場合、トレース層が形成された後、好ましくはトレース層もエッチングしないエッチング液を使用して、結合層がエッチングされてよい。あるいは、結合層もエッチングするエッチング液をトレース層導電性材料上で使用することによってトレースパターンが形成されて、そしてトレース層導電性材料がエッチングされた後にエッチングを続けることが可能である。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
従って、結合層の除去後、ポリマー基材の表面処理部分を除去するためにエッチングを続けてもよく、それによって、従来の回路製造プロセスによる場合よりも高い表面抵抗が提供される。ポリマー表面処理としては、例えば、プラスマ、光学、フレーム、湿式化学および機械プロセスが挙げられる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
実施例２
実施例１に記載のものと同様の様式で、７２．５％の全光伝送率を有する厚さまで２枚のポリイミド基材をＮｉＣｒ結合層でスパッタリングした。加えて、ロール−トウ−ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）真空ウェブコーティングシステムを使用して、３〜５ｍＴｏｒｒで２００ｎｍの厚さまで銅層をスパッタ付着させた。付着源はＤＣマグネトロンスパッタリングであった。アルゴンがプロセスガスであった。フォトレジストを使用せず、基材上で実験を実行した。次いで、１５ｇ／ｌの過酸化水素および１８０ｇ／ｌの硫酸の溶液（ミネソタ州、メープル  プレイン（Ｍａｐｌｅ  Ｐｌａｉｎ，ＭＮ）のエレクトロケミカルズ  インコーポレイテッド（Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌｓ  Ｉｎｃ．）から入手可能なパーマ−エッチ（Ｐｅｒｍａ−Ｅｔｃｈ）から製造）を使用して、銅が可視的に除去され、そして結合層の一部または全部が残るまで、１つの例に関しては２３℃の温度で、そして他の例に関しては４５℃の温度で銅をフラッシュエッチングした。その後、５０℃で３２秒間、２０ｇ／ｌの過マンガン酸カリウムおよび６０ｇ／ｌの水酸化カリウムの溶液を使用して基材を処理した。元素ＥＳＣＡ表面分析によって、残留ＮｉＣｒの量を決定した。この分析によって、ポリイミド表面上でＮｉもＣｒも検出されなかった。本実施例において（実施例１と異なって）、銅除去のための過酸化物処理間、いくらかのＮｉ−Ｃｒが除去されたため、７２．５％Ｔｒ  ＮｉＣｒをエッチングすることができた。過酸化物処理はスロープロセスであり、そして基材上に著しい量のＮｉ−Ｃｒを残した。しかしながら、過酸化物処理によって十分なＮｉ−Ｃｒがエッチングされ、その後の過マンガン酸塩処理によってＮｉ−Ｃｒの除去は完了した。従って、所定の結合層除去に関するプロセスウインドウは、銅除去工程が結合層の厚さ、組成および構造に及ぼす影響にも依存する。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
実施例３
実施例１に記載のものと同様の様式で、４．５ｋＶの酸素ＤＣグロー電圧で７７．５％Ｔｒ  Ｎｉ−Ｃｒポリイミド基材を調製した。３〜５ｍＴｏｒｒで２００ｎｍの厚さまで銅層をスパッタ付着させた。実施例２に記載の方法に従って銅が除去されたとき、ポリイミドの表面抵抗は５ｅ＋１１オーム／スクエアであった。銅除去工程によっていずれものＮｉ−Ｃｒが除去されたかどうかは決定しなかった。次いで、フィルムを３０秒間、２０ｇ／ｌの過マンガン酸ナトリウムおよび８０ｇ／ｌの水酸化ナトリウムを含有する溶液に浸漬させた。エッチング溶液の温度は３０℃であった。その後、ＮｉもＣｒもポリイミド表面上で観察されず、そして表面抵抗は４ｅ＋１０オーム／スクエアであった。Ｎｉ−Ｃｒの除去後、ポリイミドのエッチングをさらに９０秒間続けた。約０．０６ミクロンのポリイミドが除去された。表面抵抗は１０００倍まで、１ｅ＋１４オーム／ｓｑよりも大きく増加することが見出された。