【手続補正書】
【提出日】平成23年11月4日(2011.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分離層を有する第１の基板の前記分離層の上に接合されて配されている２以上の機能性領域の中の一部の領域を他の基板に移設する機能性領域の移設方法であって、
前記分離層は、光の照射により分解又は結合強度が低下する材料の層を含み、
前記機能性領域は少なくとも第１の機能性領域と第２の機能性領域とを含み、
前記第１の機能性領域と、前記他の基板である第２の基板上の前記第１の機能性領域が移設される領域との、少なくとも一方に所定の厚さの第１の接合層を設ける第１の工程と、
前記第１の機能性領域と前記第２の基板とを前記第１の接合層により接合する第２の工程と、
前記第１の基板と前記第１の機能性領域とを、前記第１の基板の前記第１の機能性領域がない領域を遮光する遮光部材を配した状態で前記分離層に光を照射することにより前記分離層で分離する第３の工程と、
前記第１の基板に残存する前記第２の機能性領域と、前記第２の基板上の前記第１の機能性領域を移設した領域以外の前記第２の機能性領域が移設される領域又は前記他の基板である第３の基板上の前記第２の機能性領域が移設される領域との、少なくとも一方に所定の厚さの第２の接合層を設ける第４の工程と、
前記第２の機能性領域と前記第２の基板又は第３の基板とを前記第２の接合層により接合する第５の工程と、
前記第１の基板と前記第２の機能性領域とを、前記分離層に光を照射すること又は前記分離層の温度を変化させることにより前記分離層で分離する第６の工程と、
を含むことを特徴とする機能性領域の移設方法。
【請求項２】
前記第６の工程において、前記遮光部材を除去した状態或いは遮光部材の配置を変更した状態で前記分離層に光を照射することを特徴とする請求項１に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項３】
前記遮光部材はステンシルマスクであることを特徴とする請求項１又は２に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項４】
前記分離層は、所定の温度で分解又は結合強度が低下する材料の層も含み、
前記第６の工程において、前記分離層を前記所定の温度以上に所定の時間維持することを特徴とする請求項１に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項５】
前記２の工程又は前記第５の工程の前に、前記第２の基板上の、前記第１の機能性領域以外の領域に対応する領域、又は前記第３の基板上の、前記第２の機能性領域以外の領域に対応する領域の表面に所定の凹凸を形成する第７の工程を更に含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に機能性領域の移設方法。
【請求項６】
前記第１及び第２の機能性領域は前記第１の基板上に所定の間隔で配列され、
前記第２の基板の前記第１の機能性領域と接合する領域は前記第２の基板上に所定の間隔で配列され、
前記第１の基板上に形成された前記機能性領域の単位領域当たりの幅をｗ、長さをｌとし、その間隔をｓとし、前記第２の基板の複数の前記第１の機能性領域と接合する単位領域当たりの幅をＷ、長さをＬ、その間隔をＳとした場合、前記ｗ、ｌ、ｓ、Ｗ、Ｌ、Ｓは以下の式１から３を満たすことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の機能性領域の移設方法。
（式１）ｌ≦Ｌ
（式２）Ｗ＞ｗ
（式３）Ｗ＋Ｓ＞ｗ＋ｓ
【請求項７】
前記第２の基板は第３の機能性領域を有し、前記第１の機能性領域は、前記第３の機能性領域と前記第１の接合層を介して接合することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項８】
前記第２の基板又は前記第３の基板は第４の機能性領域を有し、前記第２の機能性領域は、前記第４の機能性領域と前記第２の接合層を介して接合することを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項９】
前記第２の工程において、前記第１の機能性領域と前記第２の基板とは、分離可能な分離層である前記第１の接合層により接合され、
前記第２の基板上の前記第１の機能性領域と第４の基板との、少なくとも一方に所定の厚さの第３の接合層を設ける第８の工程と、
前記第２の基板上の全ての前記第１の機能性領域と前記第４の基板とを前記第３の接合層により接合する第９の工程と、
前記第２の基板と前記第１の機能性領域とを前記分離層である第１の接合層で分離する第１０の工程と、を更に含むことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項１０】
前記第５の工程において、前記第２の機能性領域と前記第３の基板とは、分離可能な分離層である前記第２の接合層により接合され、
前記第３の基板上の前記第２の機能性領域と第５の基板との、少なくとも一方に所定の厚さの第４の接合層を設ける第１１の工程と、
前記第３の基板上の全ての前記第２の機能性領域と前記第５の基板とを前記第４の接合層により接合する第１２の工程と、
前記第３の基板と前記第２の機能性領域とを前記分離層である第２の接合層で分離する第１３の工程と、を更に含むことを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項１１】
前記第１の基板に設けられた第１又は第２の機能性領域は化合物半導体膜を含み、
前記第１の基板は、
前記第１又は第２の機能性領域が、化合物半導体基板上に、エッチング犠牲層と、化合物半導体膜と、前記分離層と、前記第１の基板とを、該化合物半導体基板側からこの順に備えて形成され、且つ前記化合物半導体膜に設けられている第１の溝と、前記第１の溝に連結する様に前記第１の基板と前記化合物半導体基板の少なくとも一方の基板を貫通する様に設けられている第２の溝とを有する部材を用意する工程と、
前記第１の溝と前記第２の溝を通して、エッチング液と前記エッチング犠牲層とを接触させて、該エッチング犠牲層をエッチングし、前記部材から前記化合物半導体基板を分離する工程と、
により用意されることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項１２】
前記第１の基板に設けられた第１又は第２の機能性領域は化合物半導体膜を含み、
前記第１の基板は、
シード基板上に界面分離層をヘテロエピタキシャル成長させる界面分離層形成工程と、
前記界面分離層上に化合物半導体膜を形成する半導体層形成工程と、
前記界面分離層及び前記化合物半導体膜が形成された前記シード基板を、前記分離層を有する前記第１の基板に前記分離層を介して接合する接合工程と、
前記接合工程を経て形成される複合部材から、前記界面分離層を利用して、前記分離層を有する前記第１の基板とともに前記化合物半導体膜を分離して、前記化合物半導体膜を有する前記第１の基板を得る分離工程と、
により用意されることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の機能性領域の移設方法。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか１項に記載の機能性領域の移設方法を用いて製造されたことを特徴とするＬＥＤアレイ。
【請求項１４】
請求項１３に記載のＬＥＤアレイに、ロッドレンズアレイが実装されていることを特徴とするＬＥＤプリンタヘッド。
【請求項１５】
請求項１３に記載のＬＥＤアレイを含むＬＥＤプリンタヘッド又は請求項１５に記載のＬＥＤプリンタヘッドと、感光ドラムと、帯電器とを含み、
前記ＬＥＤプリンタヘッドを光源として、前記感光ドラムに静電潜像を書き込む作像ユニットを備えることを特徴とするＬＥＤプリンタ。
【請求項１６】
請求項１３に記載のＬＥＤアレイを含むＬＥＤプリンタヘッド又は請求項１５に記載のＬＥＤプリンタヘッドと、感光ドラムと、帯電器とを含み、
前記ＬＥＤプリンタヘッドを光源として、前記感光ドラムに静電潜像を書き込む作像ユニットを複数備えることを特徴とするカラーＬＥＤプリンタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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