【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年10月16日(2009.10.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ本の選択線と、
ｍ本のビット線と、
各々が前記ｎ本の選択線の対応する1本及び前記ｍ本のビット線の対応する1本に接続されたｎ×m個のＲＡＭセルであって、各ＲＡＭセルは、前記ｍ本のビット線の１本と前記ｎ本の選択線の１本との間に位置する選択トランジスタを有するＲＡＭセルと、
選択信号を受信したときにｎ本の選択線のうちの１本を読み出しのために選択するk個の選択バッファであって、ｋはｎ以下である選択バッファと
を備え、
前記各選択バッファは、ドライバとして働くインバータを有し、前記インバータには、前記それぞれの選択線で出力電圧スイングを制限するためのダイオードが後続する、ランダムアクセスメモリデバイスにおいて、
前記選択トランジスタは、該選択トランジスタを弱反転領域または中反転領域で動作するように保証する電圧によって駆動されることを特徴とするランダムアクセスメモリデバイス。
【請求項２】
請求項1に記載のランダムアクセスメモリデバイスにおいて、前記選択バッファは、前記デバイスの供給電圧よりも小さい特定の電圧を前記選択線に提供する、ランダムアクセスメモリデバイス。
【請求項３】
請求項１または２に記載のランダムアクセスメモリデバイスにおいて、前記選択トランジスタは、該選択トランジスタが高抵抗スイッチとして動作するような電圧で駆動される、ランダムアクセスメモリデバイス。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか1項に記載のランダムアクセスメモリデバイスにおいて、前記選択バッファは、データの読み出しのために前記それぞれの選択バッファが接続されている前記選択線を通じて前記ｎ×ｍのRAMセルの幾つかを選ぶために設けられる、ランダムアクセスメモリデバイス。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか1項に記載のランダムアクセスメモリデバイスにおいて、前記選択バッファは、前記それぞれの選択線で特定の電圧が与えられることを保証し、前記特定の電圧は、当該ランダムアクセスメモリデバイスの供給電圧よりも小さく前記選択トランジスタの閾値電圧よりも大きい、ランダムアクセスメモリデバイス。
【請求項６】
請求項５に記載のランダムアクセスメモリデバイスにおいて、前記供給電圧は、1.5Vと3.3Vとの間にあり、前記特定の電圧は、0.5Vと1Vとの間にあって好適には0.7Vと0.9Ｖとの間にある、ランダムアクセスメモリデバイス。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか1項に記載のランダムアクセスメモリデバイスにおいて、ダイオードとして分岐したトランジスタは、出力電圧スイングを制限するためのダイオードとして働く、ランダムアクセスメモリデバイス。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか１項に記載のランダムアクセスメモリデバイスにおいて、前記選択バッファを通じる電流を制限するために前記ランダムアクセスメモリデバイスの電流源が使用されることを特徴とするランダムアクセスメモリデバイス。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか1項に記載のランダムアクセスメモリデバイスを有し、好適には液晶ディスプレイである、ディスプレイ。
【請求項１０】
データをランダムアクセスメモリデバイスから読み取るための方法であって、前記ランダムアクセスメモリデバイスは、
選択線と、
ビット線と、
各々が前記選択線の対応した一つ及び前記ビット線の対応した一つに接続されたRAMセルであって、各ＲＡＭセルは、前記ｍ本のビット線の１本と前記ｎ本の選択線の１本との間に位置する選択トランジスタを有するＲＡＭセルと、
選択信号を受信したときに前記選択線のうちの一つを読み出しのために選択する選択バッファであって、前記各選択バッファは、ドライバとして働くインバータ及びダイオードを有する選択バッファと
を備え、
当該方法は、
選択信号を前記選択バッファの一つに適用するステップと、
第1フェーズの最中に、前記選択信号によって選択された前記一つの選択バッファを通じる電流の流れを提供するステップであって、前記電流は前記一つの選択バッファによって制御される前記選択線の方へ流れる、ステップと、
第2フェーズの最中に、前記電流の一部は、前記一つの選択バッファによって制御される前記選択線の方へ依然として流れる一方で、前記電流の残りの部分は前記それぞれの選択線における出力電圧スイングを制限するために前記ダイオードを通じてグラウンドに流れるように、前記電流の流れを分岐させるステップと、
選択トランジスタを弱反転領域または中反転領域で動作するように保証する電圧によって、前記選択トランジスタが駆動されるように設定するステップと
を有する方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法において、前記選択線に前記デバイスの供給電圧よりも小さい特定の電圧を供給するステップを有する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
RAMデバイス10からのデータが読み出される古典的な方法に注目すると、電圧VDDまで予め充電されたビットライン11.1〜11.3が、図1に示されるように、RAMセル12.1〜12.3を介してグラウンドに短絡されていることに気付くであろう。従って、ビット線11.1〜11.3の放電は、主に、選択トランジスタ13.1〜13.3及びそれぞれのRAMセル12.1〜12.3のNMOSトランジスタを通じて起こる。そのゲート14.1〜14.3にVDDが印加される選択トランジスタ13.1〜13.3は、強反転領域で動作し飽和する、即ち、これは短絡モードで「理想的な」スイッチとして働く。RAMデバイス10は、読み出しを選択するための選択バッファを更に有する。図1においては、一つの選択バッファ16及び一つの選択線17のみが示される。選択バッファ16が選択信号を受信すると、RAMセル12.1〜12.3のうちの一つ以上が読み出されることができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
ここで提案される解決策は、読み出しの最中にビット線放電から生じる低減したピーク電流を提供する。これを達成するために、RAMセルの選択トランジスタのゲート電圧はVDDによっては駆動されず、選択トランジスタを弱反転領域で動作させるように保証する電圧で駆動される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
電圧Vxが閾値電圧Vthresよりも大きくて供給電圧VDDよりも小さいという事実のために、選択トランジスタ23.1〜23.3は、高抵抗スイッチとして動作する。即ち、本発明では、選択トランジスタ23.1〜23.3は、動作モードを弱反転領域で動作する動作モードとなるように保証する電圧Vxで意図的に動作される。図2において、選択トランジスタの一つ(即ちトランジスタ23.1)は、高抵抗スイッチ25として示される。図2において、高抵抗スイッチ25はレジスタRが後続する理想的なスイッチによって表される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
出力端子28の電圧はVDDまで上昇せず、最小のピンチオフ電圧Vx(Vthreshよりも僅かに上)にとどまるので、他の選択トランジスタ23.1〜23.mは、同様に伝導するが、これらは、弱反転領域又は中反転領域に留まり、高オームレジスタとして挙動することが可能である。