【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年6月17日(2009.6.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの露出した表面におけるガス圧と比較してより低いガス圧を有するガスを、ウエハサポートシステムの表面から裏面まで延伸する１以上の空洞の内部に閉じ込めることによって、前記ウエハサポートシステムの穴の開いた表面に前記半導体ウエハの支持表面を固定する段階
を備え、
前記１以上の空洞の内部の前記より低いガス圧は、真空源を用いることなく維持される、
方法。
【請求項２】
前記より低いガス圧を有するガスを閉じ込める段階が、
前記半導体ウエハの前記支持表面を、真空チャンバ内で前記ウエハサポートシステムの前記穴の開いた表面と接触させて設置する段階と、
前記真空チャンバ内のガス圧を、前記より低いガス圧に減少させる段階と、
前記ウエハサポートシステムの反対側の表面を密閉する段階と、
前記ウエハサポートシステムおよび前記固定された半導体ウエハを、前記真空チャンバから移動する段階と
を少なくとも有する
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記より低いガス圧を有するガスを閉じ込める段階が、
前記半導体ウエハの前記支持表面を、第１の温度の第１の環境中で前記ウエハサポートシステムの前記穴の開いた表面と接触させて設置する段階と、
前記ウエハサポートシステムの反対側の表面を密閉する段階と、
前記ウエハサポートシステムおよび前記固定された半導体ウエハを、前記第１の環境から前記第１の温度よりも低い第２の温度の第２の環境に移動する段階と
を少なくとも有する
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記より低いガス圧を有するガスを閉じ込める段階が、
前記ウエハサポートシステムの柔軟性のある表面を、前記ウエハサポートシステムの前記穴の開いた表面の方向に向かって内側に押す段階と、
前記半導体ウエハの前記支持表面を、前記ウエハサポートシステムの前記穴の開いた表面に接触させて設置する段階と、
前記柔軟性のある表面を解放する段階と
を少なくとも有する
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記より低いガス圧を有するガスを閉じ込める段階が、
前記半導体ウエハの前記支持表面を、前記ウエハサポートシステムの前記穴の開いた表面と接触させて設置する段階と、
前記穴の開いた表面から離れる外側の方向に前記サポートシステムの反対側の表面を引っ張る段階と
を少なくとも有する
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記より低いガス圧を増加させることによって前記ウエハサポートシステムから前記半導体ウエハを外す段階
を更に備える
請求項１から請求項５までの何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記支持表面が前記ウエハサポートシステムの穴の開いた表面によって支持され、前記より低いガス圧を増加させる段階が、
前記ウエハサポートシステムの反対側の表面を外す段階
を少なくとも有する
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記より低いガス圧を増加させる段階が、
前記ウエハサポートシステムの柔軟性のある表面を、前記半導体ウエハの方向に向かって内側に押す段階
を少なくとも有する
請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記露出した表面を、前記より低いガス圧よりも低い圧力であるか、または等しい圧力にすることによって前記ウエハサポートシステムから前記半導体ウエハを外す段階
を更に備える
請求項１から請求項８までの何れか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記半導体ウエハの他の複数の部分の支持表面上の前記より低いガス圧を維持する間、１つ以上のダイの支持表面上の、前記より低いガス圧を増加させることによって、前記ウエハサポートシステムから前記半導体ウエハの前記１つ以上のダイを外す段階
を更に備える
請求項１から請求項９までの何れか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記１つ以上のダイの支持表面上の前記より低いガス圧を増加させる段階が、
前記半導体ウエハの前記１つ以上のダイに向かって内側に、前記ウエハサポートシステムの柔軟性のある表面の１つ以上の部分を押す段階
を少なくとも有する
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記１つ以上のダイの支持表面上の前記より低いガス圧を増加させる段階が、
前記半導体ウエハの前記１つ以上のダイに対応する前記ウエハサポートシステムの柔軟性のある表面の１つ以上の部分に穴を開ける段階
を少なくとも有する
請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記１つ以上のダイの露出した表面にダイピッカーをつなぐことにより前記半導体ウエハから前記１つ以上のダイの内の１つを分離する段階
を更に備える
請求項１０から請求項１２までの何れか一項に記載の方法。
【請求項１４】
上面から下面に延伸する複数の開口を有し、穴の開いた前記下面で半導体ウエハを支持する第１のボディと、
前記上面に隣接する面から、その反対側の面に延伸するオリフィスを有する複数の空洞を有し、前記第１のボディの前記下面と前記反対側の面とが密封された場合に、前記複数の空洞でガスを閉じ込める第２のボディと、
前記反対側の面に取り付けられた柔軟性のある膜と、
を備え、
前記柔軟性のある膜が前記複数の空洞の内側へ押されると、前記オリフィスが密封される、
ウエハサポートシステム。
【請求項１５】
前記複数の空洞の数が、前記複数の開口の数と等しい
請求項１４に記載のウエハサポートシステム。
【請求項１６】
前記膜が取り外し可能である
請求項１４または請求項１５に記載のウエハサポートシステム。
【請求項１７】
前記穴の開いた表面が剛性である
請求項１４から請求項１６までの何れか一項に記載のウエハサポートシステム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
半導体ウエハは、例えば、３００ミリメータの直径を有しており、例えば、７６２マイクロメータの厚さを有している。裏面研磨の後に、ウエハの厚さは、例えば、およそ５０からおよそ１００マイクロメータの範囲の厚さに減少する。そのような厚さを有するウエハは割れやすく、注意深い取り扱いが必要である。
【特許文献１】米国特許第６８５２０１９号明細書
【特許文献２】米国特許第６０１２５０９号明細書
【特許文献３】米国特許第４５３５８３４号明細書
【特許文献４】米国特許第６４６４７９０号明細書
【特許文献５】米国特許第５４２３７１６号明細書
【特許文献６】米国特許第６１７３９４８号明細書
【特許文献７】米国特許第６６３８３９１号明細書
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
穴が開けられたプレート３０および部分３２は、穴が開けられたプレート３０の表面４０と部分３２の表面４２とが接触すべく貼り付けられる。他の例としては、穴が開けられたプレート３０および部分３２は、複数の開口部１２を含む表面１０および複数のオリフィス３６を含む反対側の表面３８を有し、複数の開口部および複数のオリフィスが複数の空洞によって接続されている一体のボディとして製造される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
図５は、本発明のいくつかの実施形態に係るウエハサポートシステム４への半導体ウエハ２の固定の他の方法を示すフローチャートである。膜５０は柔軟性があり、複数のオリフィス３６が実質的に密閉されるべく、部分３２に取り付けられる（５０２）。膜５０は、複数の空洞３４の内側に向かって押される（５０４）。続いて、複数の開口部１２が実質的に遮られるべく、支持表面１６が穴の開いた表面１０に接触して配置され（５０６）、複数の空洞３４の中にそれ以上押されないように、膜５０が解放される（５０８）。その結果、複数の空洞３４の内側のガス圧は、露出した表面１８上のガス圧よりも低下する。