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【手続補正書】
【提出日】平成23年8月5日(2011.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に下層から順にシード層、第１の磁性層、Ｒｕ層、第２の磁性層、金属酸化膜、第３の磁性層、第４の磁性層及びＴａ層が順次積層される磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
第１のチャンバで基板に対して成膜処理を行うことで、シード層及び第１の磁性層を成膜し、
前記第１のチャンバと異なる第２のチャンバで前記基板に対して成膜処理を行うことでＲｕ層、第２の磁性層及び金属酸化膜を成膜し、
前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバと異なる第３のチャンバで前記基板に対して成膜処理を行うことで第３の磁性層、第４の磁性層及びＴａ層を成膜することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項２】
基板上に下層から順にシード層、第１の磁性層、Ｒｕ層、第２の磁性層、金属酸化膜、第３の磁性層、第４の磁性層及びＴａ層が順次積層される磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
第１のチャンバで基板に対して成膜処理を行うことで、シード層及び第１の磁性層を成膜し、
前記第１のチャンバと異なる第２のチャンバで前記基板に対して成膜処理を行うことでＲｕ層、第２の磁性層及び金属膜を成膜し、
前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバと異なる酸化チャンバにおいて前記金属膜に酸化処理を施すことで金属酸化膜を形成し、
前記第１のチャンバ、前記第２のチャンバ及び前記酸化チャンバと異なる第３のチャンバで前記基板に対して成膜処理を行うことで第３の磁性層、第４の磁性層及びＴａ層を成膜することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項３】
基板上に下層から順にシード層、反強磁性層、第１の磁性層、Ｒｕ層、第２の磁性層、金属酸化膜、第３の磁性層、第４の磁性層及びＴａ層が順次積層される磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
第１のチャンバで基板に対して成膜処理を行うことで、シード層、反強磁性層及び第１の磁性層を成膜し、
前記第１のチャンバと異なる第２のチャンバで前記基板に対して成膜処理を行うことでＲｕ層、第２の磁性層及び金属酸化膜を成膜し、
前記第１３のチャンバ及び前記第２のチャンバと異なる第３のチャンバで前記基板に対して成膜処理を行うことで第３の磁性層、第４の磁性層及びＴａ層を成膜することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項４】
基板上に下層から順にシード層、反強磁性層、第１の磁性層、Ｒｕ層、第２の磁性層、金属酸化膜、第３の磁性層、第４の磁性層及びＴａ層が順次積層される磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
第１のチャンバで基板に対して成膜処理を行うことで、シード層、反強磁性層及び第１の磁性層を成膜し、
前記第１のチャンバと異なる第２のチャンバで前記基板に対して成膜処理を行うことでＲｕ層、第２の磁性層及び金属膜を成膜し、
前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバと異なる酸化チャンバにおいて前記金属膜に酸化処理を施すことで金属酸化膜を形成し、
前記第１のチャンバ、前記第２のチャンバ及び前記酸化チャンバと異なる第３のチャンバで前記基板に対して成膜処理を行うことで第３の磁性層、第４の磁性層及びＴａ層を成膜することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
すなわち、本発明の第１は、基板上に下層から順にシード層、第１の磁性層、Ｒｕ層、第２の磁性層、金属酸化膜、第３の磁性層、第４の磁性層及びＴａ層が順次積層される磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
第１のチャンバで基板に対して成膜処理を行うことで、シード層及び第１の磁性層を成膜し、
前記第１のチャンバと異なる第２のチャンバで前記基板に対して成膜処理を行うことでＲｕ層、第２の磁性層及び金属酸化膜を成膜し、
前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバと異なる第３のチャンバで前記基板に対して成膜処理を行うことで第３の磁性層、第４の磁性層及びＴａ層を成膜することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第２は、基板上に下層から順にシード層、第１の磁性層、Ｒｕ層、第２の磁性層、金属酸化膜、第３の磁性層、第４の磁性層及びＴａ層が順次積層される磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
第１のチャンバで基板に対して成膜処理を行うことで、シード層及び第１の磁性層を成膜し、
前記第１のチャンバと異なる第２のチャンバで前記基板に対して成膜処理を行うことでＲｕ層、第２の磁性層及び金属膜を成膜し、
前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバと異なる酸化チャンバにおいて前記金属膜に酸化処理を施すことで金属酸化膜を成膜し、
前記第１のチャンバ、前記第２のチャンバ及び前記酸化チャンバと異なる第３のチャンバで前記基板に対して成膜処理を行うことで第３の磁性層、第４の磁性層及びＴａ層を成膜することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の第３は、基板上に下層から順にシード層、反強磁性層、第１の磁性層、Ｒｕ層、第２の磁性層、金属酸化膜、第３の磁性層、第４の磁性層及びＴａ層が順次積層される磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
第１のチャンバで基板に対して成膜処理を行うことで、シード層、反強磁性層及び第１の磁性層を成膜し、
前記第１のチャンバと異なる第２のチャンバで前記基板に対して成膜処理を行うことでＲｕ層、第２の磁性層及び金属酸化膜を成膜し、
前記第１３のチャンバ及び前記第２のチャンバと異なる第３のチャンバで前記基板に対して成膜処理を行うことで第３の磁性層、第４の磁性層及びＴａ層を成膜することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の第４は、基板上に下層から順にシード層、反強磁性層、第１の磁性層、Ｒｕ層、第２の磁性層、金属酸化膜、第３の磁性層、第４の磁性層及びＴａ層が順次積層される磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
第１のチャンバで基板に対して成膜処理を行うことで、シード層、反強磁性層及び第１の磁性層を成膜し、
前記第１のチャンバと異なる第２のチャンバで前記基板に対して成膜処理を行うことでＲｕ層、第２の磁性層及び金属膜を成膜し、
前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバと異なる酸化チャンバにおいて前記金属膜に酸化処理を施すことで金属酸化膜を成膜し、
前記第１のチャンバ、前記第２のチャンバ及び前記酸化チャンバと異なる第３のチャンバで前記基板に対して成膜処理を行うことで第３の磁性層、第４の磁性層及びＴａ層を成膜することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月12日(2011.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、
第１の結晶面方位を有する第１の活性層が複数個配置された第１の領域と、前記第１の結晶面方位とは異なる第２の結晶面方位を有する第２の活性層が複数個配置された第２の領域と、を交互に有し、
前記第１の領域には、前記第１の活性層をチャネル形成領域とする第１の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第２の領域には、前記第２の活性層をチャネル形成領域とする第２の薄膜トランジスタが設けられ、
前記第１の領域と、前記第２の領域は、前記絶縁表面を有する基板の同一平面上に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の結晶面方位は、｛１００｝であって、
前記第２の結晶面方位は、｛１１０｝であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の薄膜トランジスタは、チャネル長方向の結晶軸が＜１００＞のＮ導電型薄膜トランジスタであって、
前記第２の薄膜トランジスタは、チャネル長方向の結晶軸が＜１１０＞のＰ導電型薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板面上に、第１の結晶面方位を有する複数の第１の半導体層と、前記第１の結晶面方位とは異なる第２の結晶面方位を有する複数の第２の半導体層と、複数の絶縁層と、を有し、
前記複数の第１の半導体層と、前記複数の第２の半導体層は、交互に配置され、
前記複数の絶縁層は、前記第１の半導体層と、前記第２の半導体層の間に配置されていることを特徴とする半導体基板。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の結晶面方位は、｛１００｝であって、
前記第２の結晶面方位は、｛１１０｝であることを特徴とする半導体基板。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記第１の半導体層は、Ｎ導電型であって、
前記第２の半導体層は、Ｐ導電型であることを特徴とする半導体基板。
【請求項７】
基板側面の結晶面方位が、第１の結晶面方位である第１の半導体基板の表面に絶縁膜を形成し、
基板側面の結晶面方位が、前記第１の結晶面方位と異なる第２の結晶面方位である第２の半導体基板の表面に絶縁膜を形成し、
前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板とを前記絶縁膜を介して交互に複数枚接合することにより半導体インゴットを形成し、
前記半導体インゴットを、前記第１の結晶面方位を有する第１の半導体層と、前記第２の結晶面方位を有する第２の半導体層とが、交互に配置される面と平行にスライスし、
前記第１の半導体層と、前記第２の半導体層とが、交互に配置された半導体基板を形成し、
前記半導体基板にイオンビームを照射し、前記半導体基板中に脆化層を形成し、
前記半導体基板と、絶縁基板とを重ね合わせ、
前記半導体基板と、前記絶縁基板とを重ね合わせた状態で熱処理を行って、前記脆化層に亀裂を生じさせ、前記半導体基板から単結晶半導体層を分離させ、
前記絶縁基板上に前記第１の半導体層と、前記第２の半導体層とが交互に配置された該単結晶半導体層を形成し、
前記第１の半導体層に、それぞれチャネル形成領域を有する複数個の第１の薄膜トランジスタを形成し、
前記第２の半導体層に、それぞれチャネル形成領域を有する複数個の第２の薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記第１の結晶面方位は、｛１００｝であって、
前記第２の結晶面方位は、｛１１０｝であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７又は請求項８において
前記第１の薄膜トランジスタは、チャネル長方向の結晶軸が＜１００＞となるように形成されたＮ導電型薄膜トランジスタであって、
前記第２の薄膜トランジスタは、チャネル長方向の結晶軸が＜１１０＞となるように形成されたＰ導電型薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
基板側面の結晶面方位が、第１の結晶面方位である第１の半導体基板の表面に絶縁膜を形成し、
基板側面の結晶面方位が、前記第１の結晶面方位と異なる第２の結晶面方位である第２の半導体基板の表面に絶縁膜を形成し、
前記第１の半導体基板と、前記第２の半導体基板とを前記絶縁膜を介して交互に複数枚接合することにより半導体インゴットを形成し、
前記半導体インゴットにおいて、前記第１の結晶面方位を有する第１の半導体層と、前記第２の結晶面方位を有する第２の半導体層とが、交互に配置される面と平行にスライスすることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第１の半導体基板の側面の結晶面方位は、｛１００｝であって、
前記第２の半導体基板の側面の結晶面方位は、｛１１０｝であることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１において、
前記第１の半導体基板は、Ｐ導電型であって、
前記第２の半導体基板は、Ｎ導電型であることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月1日(2011.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部サブセルと中間サブセルと下部又は底部サブセルとを含む多接合ソーラーセルを製造する方法であって、
半導体材料のエピタキシャル成長のために第１の基板を準備するステップと、
第１のバンドギャップを有し、第１のベース及び第１のエミッタを有する第１のソーラーサブセルを、前記基板の上に形成するステップと、
前記第１のバンドギャップより小さい第２のバンドギャップを有し、第２のベース及び第２のエミッタを有する第２のソーラーサブセルを、前記第１のソーラーサブセルの上に形成するステップと、
前記第２のバンドギャップより大きい第３のバンドギャップを有するグレーディングインターレイヤを前記第２のサブセルの上に形成するステップと、
前記第２のバンドギャップより小さい第４のバンドギャップを有し、第３のベース及び第３のエミッタを有する第３のソーラーサブセルを、前記グレーディングインターレイヤの上に形成して、この第３のサブセルが前記第２のサブセルに対して格子不整合となるようにするステップと、
を含み、
前記ベースのうちの少なくとも１つのベースが指数関数的にドープされたプロファイルを有するものである、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１のソーラーサブセルの前記第１のベースが、前記第１のベース−前記第１のエミッタ接合の付近の１×１０16／ｃｍ3から、隣接層の付近の１×１０18／ｃｍ3までの指数関数的ドーピンググラデーションを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のソーラーサブセルの前記第２のベースが、前記第２のベース−前記第２のエミッタ接合の付近の１×１０16／ｃｍ3から、隣接層の付近の１×１０18／ｃｍ3までの指数関数的ドーピンググラデーションを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第３のソーラーサブセルの前記第３のベースが、前記第３のベース−前記第３のエミッタ接合の付近の１×１０16／ｃｍ3から、隣接層の付近の１×１０18／ｃｍ3までの指数関数的ドーピンググラデーションを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第３のソーラーサブセルが、底部サブセルであり、前記指数関数的ドーピンググラデーションが、前記ソーラーサブセルの寿命終了における放射線硬度を生じさせる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のエミッタ、前記第２のエミッタ及び前記第３のエミッタのうちのいずれか１つのエミッタが、前記ベース−前記エミッタ接合の付近の５×１０17／ｃｍ3から隣接層の付近の５×１０18／ｃｍ3までの増加するドーピンググラデーションを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の基板がＧａＡｓで構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のソーラーサブセルが、ＩｎＧａ（Ａｌ）Ｐエミッタ領域と、ＩｎＧａ（Ａｌ）Ｐベース領域と、により構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第２のソーラーサブセルが、ＩｎＧａＰエミッタ領域と、ＧａＡｓベース領域と、により構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記グレーディングインターレイヤがＩｎＧａＡｌＡｓにより構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記グレーディングインターレイヤが、単調に変化する格子定数を有する９つの段階の層により構成される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第３のソーラーサブセルがＩｎＧａＡｓにより構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
貫通転位が伝播するのを防止するために、前記グレーディングレイヤに隣接した約１ミクロンの厚みを有するバリア層を堆積させるステップ、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
上部サブセルと中間サブセルと下部又は底部サブセルとを含む単位構造体接合ソーラーセルを製造する方法であって、
半導体材料のエピタキシャル成長のために第１の基板を準備するステップと、
第１のバンドギャップを有し、第１のベース及び第１のエミッタを有する第１のソーラーサブセルであって、前記第１のベースが、当該第１のベース−前記第１のエミッタ接合に隣接した領域における１×１０16／ｃｍ3から、当該第１のベースに隣接して形成された隣接層に隣接した領域における１×１０18／ｃｍ3までの指数関数的ドーピンググラデーションを有する第１のソーラーサブセルを、前記基板の上に形成するステップと、
前記第１のバンドギャップより小さい第２のバンドギャップを有し、第２のベース及び第２のエミッタを有する第２のソーラーサブセルを、前記第１のソーラーサブセルの上に形成するステップと、
前記第２のバンドギャップより小さい第３のバンドギャップを有し、第３のベース及び第３のエミッタを有する第３のソーラーサブセルを、前記第２のソーラーサブセルの上に形成するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記第１のエミッタ、前記第２のエミッタ及び前記第３のエミッタのうちのいずれか１つのエミッタが、前記ベース−前記エミッタ接合の付近の５×１０17／ｃｍ3から前記隣接層の付近の５×１０18／ｃｍ3までの増加するドーピンググラデーションを有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第２のソーラーサブセルが、ＩｎＧａＰエミッタ領域と、ＧａＡｓベース領域と、により構成される、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月3日(2010.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
しかしながら、ＮＦＣ  ＩＰ−１規格で定められた通信速度は最大値でも高々４２４ｋｂｐｓと、他の汎用の無線通信と比べると非常に低速であり、飛躍的な高速化は望めない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
カード側のバックスキャッタ用ＲＦ機能部３００は、アンテナ３０９と、アンテナ・スイッチ３１０と、アンテナ負荷３１１と、バンドパス・フィルタ３１２と、ＡＳＫ検波部３１３とで構成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
無変調キャリアを送信するとき、ミキサ４０８にある直流電圧を与える。送信する無変調キャリアの周波数は、処理部から制御される周波数シンセサイザ４０９の周波数で決まる。本実施形態では、２．４ＧＨｚ帯を用いている。ミキサ４０８から出力される無変調キャリアは、パワー・アンプ４０７にて所定のレベルまで増幅され、サーキュレータ４０２経由でアンテナ４０１より送出される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
ＮＦＣ通信システムでは数ＭＨｚ〜数百ＭＨｚ（例えば１３．５６ＭＨｚ）の周波数を用いるのに対し、図６に示した反射波伝送システムでは例えばＩＳＭ（Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ，Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｍｅｄｉｃａｌ  Ｂａｎｄ）と呼ばれる２．４ＧＨｚ帯（マイクロ波）の高帯域を用いたＭｂｐｓ程度の高速なデータ伝送を実現することができる。したがって、大アンテナの対でＮＦＣ通信を行なうのに並行して小アンテナでマルチ通信を行なうことにより、ＮＦＣ通信の飛躍的な通信速度向上が期待できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
カードからのレスポンスを待機中にタイムアウトすると、ステップＳ４２に戻り、ホストからリーダライタ開始コマンドを受信するまで再び待機する。また、ＮＦＣ対応カードから応答要求信号に対するレスポンスを受信できたときには、このレスポンス内の現在非使用ビット（ＲＦＵ）の中にカードがマルチ通信に対応していることを示す情報が格納されているか否かをチェックする（ステップＳ４５）。マルチ通信対応判定信号の送信動作が省略されている点を十分理解されたい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
一方、カード側では、電源が投入されると（ステップＳ６１）、通信可能範囲のＮＦＣ対応リーダライタからの応答要求信号の受信を待機する（ステップＳ６２）。そして、カードは、リーダライタからの応答要求信号を受信すると、当該受信信号内の現在非使用ビット（ＲＦＵ）の中にカードがマルチ通信に対応していることを示す情報が格納されていることを確認してから、これに対するレスポンスを大アンテナから送信して（ステップＳ６３）、同リーダライタからのマルチ通信応答要求信号の受信を待機する（ステップＳ６４）。応答要求信号に対するレスポンス内の現在非使用ビット（ＲＦＵ）の中にリーダライタがマルチ通信に対応していることを示す情報が格納されている。ＮＦＣ通信／マルチ通信の選択待機状態とマルチ通信対応判定信号のレスポンスを送信する処理が省略されている点を十分理解されたい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月28日(2011.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そして、図４に示すように、従来のＶＣＯにおける電源雑音による位相雑音の劣化は、下側の曲線が電源雑音の影響を受けていない場合の特性であり、上側の曲線が電源雑音の影響を受けている場合の特性を示している。電源雑音による影響を受けた場合の方が、特性は悪くなっている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月15日(2011.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の変調波を静電界若しくは誘導電界に属する電磁波によって結合する略平板状の導体により構成され、前記略平板状の導体の縁辺を分割する位置にスリット状の切り欠きが形成される第１のアンテナと、
第２の変調波を誘導磁界に属する電磁波によって結合する略ループ状の導体により構成される第２のアンテナと、
を有することを特徴とする複合アンテナ。
【請求項２】
前記スリット状の切り欠きの幅は、前記第１の変調波の波長の１００分の１以下となるよう形成されることを特徴とする請求項１に記載の複合アンテナ。
【請求項３】
前記第１のアンテナは、前記第２の周波数における表皮深さ以下の厚みを持って構成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の複合アンテナ。
【請求項４】
前記第２のアンテナは、前記第２の変調波を受ける方向と反対側の面に磁性を有する部材を備えたことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の複合アンテナ。
【請求項５】
前記第２のアンテナは、前記ループ状の導体の長さが第１の変調波の波長の２分の１以下となるように構成されたことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の複合アンテナ。
【請求項６】
前記第２のアンテナは、前記第１のアンテナを取り囲むように配置したことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の複合アンテナ。
【請求項７】
第１の変調波を静電界若しくは誘導電界に属する電磁波によって結合する略平板状の導体により構成され、前記略平面状の導体の縁辺を分割する位置にスリット状の切り欠き部が形成される第１のアンテナと、
前記第１のアンテナからの前記第１の変調波を受けて第１の受信信号を生成する第１の受信回路部と、
第２の変調波を誘導磁界に属する電磁波によって結合する略ループ状の導体により構成される第２のアンテナと、
前記第２のアンテナからの前記第２の変調波を受けて第２の受信信号を生成する第２の受信回路部と、
を備えたことを特徴とする通信機器。
【請求項８】
前記第１のアンテナは、高周波に変調された電気信号の印加によって静電界若しくは誘導電界に属する電磁波を放射する第１の送信器と通信し、
前記第２のアンテナは、低周波に変調された電気信号の印加によって誘導磁界に属する電磁波を放射する第２の送信器と通信することを特徴とする請求項７に記載の通信機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月14日(2011.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
次に、第３のレジストパターン２２を除去した後、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、図１（ｃ）に示す２層目配線パターン６と対応する開口部２１を有するハードマスク膜１８をマスクとして、層間絶縁膜１９Ａを所定の膜厚だけエッチング処理する。これにより、層間絶縁膜１９Ａ中に、正方形ビアホール２６及び長方形ビア開口部２７のそれぞれと接続する２層目配線溝２８が形成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
本変形例においては、図７（ｃ）に示す２層目配線形成用マスク５７の２層目配線パターン５８Ａ及び５８Ｃにそれぞれ対応する２層目配線６４同士が電気的に同じ電位を有しており、２層目配線形成用マスク５７の２層目配線パターン５８Ｂに対応する２層目配線６４のみが、他の２層目配線６４と異なる電位を有しているものとする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2010283288.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月14日(2011.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上面上に界面酸化層を設ける工程（ａ）と、
前記界面酸化層の上面上にゲート絶縁膜を設ける工程（ｂ）と、
前記ゲート絶縁膜の上面上にゲート電極を設ける工程（ｃ）とを備え、
前記工程（ｂ）は、
前記界面酸化層の上に第１の高誘電体材料膜を設ける工程（ｂ１）と、
前記第１の高誘電体材料膜の上に第２の高誘電体材料膜を設ける工程（ｂ２）と、
前記第１の高誘電体材料膜に窒素を混入して第１の高誘電体膜を形成し、前記第２の高誘電体材料膜に窒素を混入して前記第１の高誘電体膜よりも窒素濃度が高い第２の高誘電体膜を形成する工程（ｂ３）とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、
ハフニウムを含む第１のガスと酸素を含む第１の酸化剤とを用いて、前記第１の高誘電体材料膜を形成し、
ハフニウムを含む第２のガスと酸素を含む第２の酸化剤とを用いて、前記第２の高誘電体材料膜を形成し、
前記第１の高誘電体材料膜における前記ハフニウムに対する前記酸素の原子比をａとし前記第２の高誘電体材料膜における前記ハフニウムに対する前記酸素の原子比をｂとしたときにｂ／ａ≦１となるように、前記第１の高誘電体材料膜及び前記第２の高誘電体材料膜を形成する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記工程（ｂ１）では、前記界面酸化層の上面上に前記第１のガスを第１の時間供給する工程と、前記界面酸化層の上面上に前記第１の酸化剤を第２の時間供給する工程とを繰り返し行い、
前記工程（ｂ２）では、前記第１の高誘電体材料膜の上面上に前記第２のガスを第３の時間供給する工程と、前記第１の高誘電体材料膜の上面上に前記第２の酸化剤を第４の時間供給する工程とを繰り返し行い、
前記第１のガスと前記第２のガスとが同じであり、
前記第１の酸化剤と前記第２の酸化剤とが同じであり、
前記第２の時間は前記第４の時間よりも長い半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記工程（ｂ１）では、前記第１のガスとしてテトラキスジメチルアミノハフニウムを用い、前記第１の酸化剤としてオゾンを用い、
前記工程（ｂ２）では、前記第２のガスとしてテトラクロロハフニウムを用い、前記第２の酸化剤として水を用いる半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体基板と、
前記半導体基板の上面上に設けられた界面酸化層と、
前記界面酸化層の上面上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上面上に設けられたゲート電極とを備え、
前記ゲート絶縁膜は、前記界面酸化層の上に設けられ、窒素を含有する第１の高誘電体膜と、前記第１の高誘電体膜の上に設けられ、窒素を含有する第２の高誘電体膜とを有し、
前記第１の高誘電体膜における窒素濃度は、前記第２の高誘電体膜における窒素濃度よりも低い半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置であって、
前記第１の高誘電体膜は、ハフニウムと酸素とを含有しており、
前記第２の高誘電体膜は、ハフニウムと酸素とを含有しており、
前記第１の高誘電体膜における前記ハフニウムに対する前記酸素の原子比をａとし、前記第２の高誘電体膜における前記ハフニウムに対する前記酸素の原子比をｂとしたとき、ｂ／ａ≦１である半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置であって、
前記第１の高誘電体膜は、前記ハフニウムとは異なる第１の金属を含有しており、
前記第２の高誘電体膜は、前記ハフニウムとは異なる第２の金属を含有しており、
前記第１及び前記第２の金属は、Ａｌ、Ｌａ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｇｅ及びＹの少なくとも１つである半導体装置。
【請求項８】
請求項５に記載の半導体装置であって、
前記第１の高誘電体膜の膜厚が前記第２の高誘電体膜の膜厚よりも大きい場合は、前記窒素濃度は、前記ゲート絶縁膜の膜厚方向における中央よりも前記ゲート電極に近い位置において急激に変化する半導体装置。
【請求項９】
請求項５に記載の半導体装置であって、
前記第１の高誘電体膜の膜厚が前記第２の高誘電体膜の膜厚よりも小さい場合は、前記窒素濃度は、前記ゲート絶縁膜の膜厚方向における中央よりも前記界面酸化層に近い位置において急激に変化する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月16日(2011.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
減圧ラミネーターの第２室に対し第１室の内圧を相対的に高くする操作が、第１室および第２室の内圧を共に減圧状態とした後、第２室の減圧状態を維持したまま第１室を大気に解放することである請求項９記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
減圧ラミネーターの第２室に対し第１室の内圧を相対的に高くする操作が、第１室および第２室の内圧を共に減圧状態とした後、第２室の減圧状態を維持したまま第１室を大気に解放することである請求項１５記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月7日(2011.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】映像情報送受信システム及び映像情報送受信方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮映像情報を送信し、受信する映像情報送受信システムにおいて、
前記圧縮映像情報を前記圧縮映像情報の複製に関する複製情報とともに送信する送信手段と、
前記複製情報とともに送信された前記圧縮映像情報を受信する受信手段と、
受信した前記圧縮映像情報を復号する復号手段と、
前記圧縮映像情報から復号した映像情報をアナログ信号として出力する第１の出力手段と、
前記圧縮映像情報から復号した映像情報をデジタル信号として出力する第２の出力手段と、
受信した前記圧縮映像情報をデジタル信号として出力する第３の出力手段と、
受信した前記複製情報によって前記第１の出力手段と前記第２の出力手段と前記第３の出力手段とを制御する制御手段とを備え、
前記複製情報は、少なくとも、コピー禁止、コピー１回可、コピー可の状態を含み、
前記制御手段は、
前記第１の出力手段からのアナログ信号の出力においては、前記複製情報がコピー禁止であることを示しているときに、解像度を制限して出力し、
前記第２の出力手段からのデジタル信号の出力においては、前記複製情報がコピー禁止であることを示しているときに、前記第２の出力手段に接続された機器が保護機能に対応している場合に暗号化によって保護を行って出力し、
前記第３の出力手段からのデジタル信号の出力においては、前記複製情報がコピー禁止であることを示しているときに、前記第３の出力手段に接続された機器が保護機能に対応している場合に保護を行って出力するように制御することを特徴とする映像情報送受信システム。
【請求項２】
圧縮映像情報を送信し、受信する映像情報送受信方法において、
前記圧縮映像情報を前記圧縮映像情報の複製に関する複製情報とともに送信する送信ステップと、
前記複製情報とともに送信された前記圧縮映像情報を受信する受信ステップと、
受信した前記圧縮映像情報をデジタル信号として出力する第１の出力ステップと、
受信した前記圧縮映像情報を復号する復号ステップと、
復号した映像情報をアナログ信号として出力する第２の出力ステップと、
復号した映像情報をデジタル信号として出力する第３の出力ステップとを有し、
前記複製情報は、少なくとも、コピー禁止、コピー１回可、コピー可の状態を含み、
前記第２の出力ステップにおいては、前記複製情報がコピー禁止であることを示しているときに、解像度を制限して出力し、
前記第３の出力ステップにおいては、前記複製情報がコピー禁止であることを示しているときに、出力先の機器が保護機能に対応している場合に前記デジタル信号を暗号化によって保護を行って出力し、
前記第１の出力ステップにおいては、前記複製情報がコピー禁止であることを示しているときに、出力先の機器が保護機能に対応している場合に保護を行って出力することを特徴とする映像情報送受信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月8日(2011.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底板と、
前記底板の上面に接して設けられ、貫通口が形成された回路基板と、
前記回路基板の上面に形成され、電流を伝達するパターンと、
前記回路基板の上面に接して前記貫通口上に設けられ、前記パターンに連結されたリードフレームを側面に有するエルイーディーパッケージと、
前記貫通口で、前記底板及び前記エルイーディーパッケージを接着し、前記エルイーディーパッケージから前記底板に放熱する放熱接着剤と、を備える
バックライトユニット。
【請求項２】
前記エルイーディーパッケージは、前記放熱接着剤に接する部分の少なくとも一部にヒートシンクを有する請求項１に記載のバックライトユニット。
【請求項３】
前記エルイーディーパッケージは、前記貫通口を覆う請求項２に記載のバックライトユニット。
【請求項４】
前記回路基板の上面に、前記回路基板より強度が大きい補強板を有する請求項３に記載のバックライトユニット。
【請求項５】
前記エルイーディーパッケージの上側に設けられた光学シートをさらに備える請求項１から４のいずれか一項に記載のバックライトユニット。
【請求項６】
前記放熱接着剤の厚さと、前記回路基板の厚さとが同じである請求項１から５のいずれか一項に記載のバックライトユニット。
【請求項７】
前記回路基板が軟性印刷回路基板である請求項１から６のいずれか一項に記載のバックライトユニット。
【請求項８】
前記回路基板は、ポリイミドで形成された請求項１から７のいずれか一項に記載のバックライトユニット。
【請求項９】
前記回路基板の厚さと前記補強板の厚さとの合計が０．４５ｍｍ以下である請求項４に記載のバックライトユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記のような目的を達成するため底板と、底板の上面に接して設けられ、貫通口が形成された回路基板と、回路基板の上面に接して貫通口上に設けられ、パターンに連結されたリードフレームを側面に有するエルイーディーパッケージと、貫通口で、底板及びエルイーディーパッケージを接着し、エルイーディーパッケージから底板に放熱する放熱接着剤と、エルイーディーパッケージの側面に設けられ、パターンと連結されたリードフレームと、を備えるバックライトユニットを提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月27日(2011.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、上記第３の構成を以下の構成としてもよい。すなわち、「チップ抵抗器であって、平面視で略長方形状の基板と、基板の上面における互いに対向する短辺側にそれぞれ形成された一対の上面電極で、各上面電極の該短辺に沿った方向の幅が基板の該短辺の長さよりも小さく形成されるとともに、一方の上面電極を基板の上面において互いに対向する長辺の一方の側に偏って形成するとともに、他方の上面電極を基板の上面において互いに対向する長辺の他方の側に偏って形成することにより一対の上面電極が対角状に形成された上面電極と、該一対の上面電極間に形成され蛇行した形状の抵抗体で、蛇行した形状における折返し部分の少なくとも１つが基板の短辺側に形成された抵抗体と、を有し、抵抗体における基板の短辺側に形成された折返し部分と該折返し部分が対向する基板の短辺との間には上面電極が形成されていないことを特徴とするチップ抵抗器。」としてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月8日(2011.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハの製造方法において、
ａ）半導体ロッドを多数の半導体ウェーハに切断し、
ｂ）半導体ウェーハの縁部を面取りし、
ｃ）ＪＩＳ／ＵＳメッシュ＃２０００またはこれより細かい研削剤粒度を有する２個のセラミック結合研削盤を使用して半導体ウェーハの両面を同時研削し、
この場合、前記研削盤は、同一直線上に配置されたスピンドル上に取り付けられており、およびこの場合、半導体ウェーハは、材料取り入れ手段を用いて強制的に案内せずに保持され、したがって研削の際に交差する研削溝が形成され、
ｄ）半導体ウェーハの両面を予備研磨し、さらに半導体ウェーハの片面を仕上げ研磨して半導体ウェーハを製造することを特徴とする、半導体ウェーハの製造方法。
【請求項２】
半導体ウェーハの予備研磨の前にウェーハの表面の片面または両面をエッチング剤で処理する請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月30日(2011.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上に形成され、溝部を有する層間絶縁膜と、
前記溝部の底面上及び側壁上に形成されたバリア膜と、
前記バリア膜の上に前記溝部を埋め込むように形成され、銅を主成分とする配線本体層とを備え、
前記バリア膜は、少なくとも第１の金属元素と第２の金属元素とを含み、
前記層間絶縁膜は、少なくとも第１の構成元素と第２の構成元素とを含み、
前記バリア膜は、前記層間絶縁膜との界面に、前記第１の金属元素と前記第１の構成元素との化合物部、及び前記第２の金属元素と前記第２の構成元素との化合物部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記配線本体層の下側に形成され、前記配線本体層の一部と接続される接続部を有する導電層をさらに備え、
前記バリア膜は、前記導電層と前記配線本体層との接続部には介在しないことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記バリア膜は、前記配線本体層の上面にも形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の構成元素は酸素であり、
前記第２の構成元素は炭素であることを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の金属元素は、シリコン、酸素及び炭素と化合物を作りやすい金属元素であり、
前記第２の金属元素は、シリコン、酸素及び炭素と化合物を作りやすく且つ銅の中における拡散が前記第１の金属元素よりも遅い金属元素であることを特徴とする請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の金属元素の酸化物及び前記第２の金属元素の炭化物は、銅に対する拡散バリア性を有することを特徴とする請求項１〜５のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２の金属元素は、前記第１の金属元素との間に金属間化合物を作らない元素であることを特徴とする請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１の金属元素は、マンガン、ニオブ、ジルコニウム、クロム、バナジウム、イットリウム、テクネチウム及びレニウムからなる群から選択された少なくとも１つの元素であり、
前記第２の金属元素は、タンタル又はチタンの少なくとも１つの元素であることを特徴とする請求項１〜７のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記バリア膜と前記層間絶縁膜との界面において、前記第１の金属元素と前記第１の構成元素との化合物部が前記層間絶縁膜を被覆する面積よりも、前記第２の金属元素と前記第２の構成元素との化合物部が前記層間絶縁膜を被覆する面積のほうが小さいことを特徴とする請求項１〜８のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記層間絶縁膜は、シリコン及び酸素を主成分とし、炭素を原子％にして２０％以上含む低誘電率膜であり、局所的に炭素の濃度が高い部分を有する膜であることを特徴とする請求項１〜９のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記層間絶縁膜は、シリコン及び酸素を主成分とする空孔を有する低誘電率膜であり、且つ前記空孔を形成するために炭素を主成分とする揮発性の化合物を含むことを特徴とする請求項１〜１０のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
半導体基板の上に酸素及び炭素を含む層間絶縁膜を形成し、該層間絶縁膜に溝部を形成する工程（ａ）と、
前記溝部の底面上及び側壁上に所定の第１の金属元素及び第２の金属元素を含む補助膜を形成する工程（ｂ）と、
前記工程（ｂ）よりも後に、銅を主成分とする配線本体層を、前記溝部を埋め込むように形成する工程（ｃ）と、
前記工程（ｂ）よりも後に、前記補助膜に対して熱処理を行う工程（ｄ）とを備え、
前記工程（ｄ）において、前記補助膜中の前記第１の金属元素を前記補助膜と対向する前記層間絶縁膜に拡散させ、前記溝部の底面及び側壁における前記層間絶縁膜の上において、前記第１の金属元素と前記層間絶縁膜の酸素元素との化合物を主成分とする第１のバリア膜を形成した後、前記補助膜中の前記第２の金属元素が前記補助膜と対向する前記層間絶縁膜に拡散させ、前記第２の金属元素と前記層間絶縁膜の炭素元素との化合物を主成分とする第２のバリア膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記工程（ｃ）の後に、前記配線本体層の上に上側絶縁膜を形成する工程（ｅ）をさらに備え、
前記工程（ｅ）の後に前記工程（ｄ）を行って、前記補助膜中の前記第１の金属元素及び第２の金属元素を前記配線本体層の上部にも拡散させて、前記第１の金属元素及び第２の金属元素と前記上側絶縁膜の構成元素との化合物を主成分とする反応生成物からなる膜を前記配線本体層の上部に形成することを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記工程（ｃ）の後に、酸素を含む雰囲気内において前記工程（ｄ）を行って、前記補助膜中の前記第１の金属元素及び第２の金属元素を前記配線本体層の上部にも拡散させ、前記第１の金属元素の酸化物及び第２の金属元素の酸化物を主成分とする反応生成物からなる膜を前記配線本体層の上部に形成することを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１の金属元素及び第２の金属元素は、前記補助膜にのみ含まれていることを特徴とする請求項１２〜１４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記補助膜は、前記第１の金属元素及び第２の金属元素を含む単層膜、又は前記第１の金属元素を含み且つ前記第２の金属元素を含まない膜と前記第１の金属元素を含まないで且つ前記第２の金属元素を含む膜との積層膜により構成されていることを特徴とする請求項１２〜１５のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月17日(2010.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
また、特開昭６２−２４３８０６号公報（特許文献２）に開示された使い捨て吸収性パンツは、脚周り開口の近傍においてパンツの前後方向へ延びる幅が１０〜４５ｍｍの帯状弾性部材とパンツの横方向へ延びる幅が１０〜４５ｍｍの帯状弾性部材とを有する。
【特許文献１】特開平３−８２４６７号公報
【特許文献２】特開昭６２−２４３８０６号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
特開平３−８２４６７号公報に開示された着用物品の如く脚周り開口の縁に沿って糸状の弾性部材を伸長状態で取り付ける場合に使用する接着剤は、伸長したり収縮したりする弾性部材がトップシートとバックシートとの間から抜け落ちることを防ぐために、これらシートにおける単位面積当たりの使用量を比較的多くしなければならない。しかし、粘度の低い状態で塗布した接着剤が硬化すると、トップシートおよび／またはバックシートは、弾性部材と接合している部位が硬くなり、弾性部材が伸長したり収縮したりするときにその部位に触れている肌を強く刺激するということがある。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月9日(2010.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
まず、前記メインフレーム２について説明します。該メインフレーム２は平面視において略矩形状の枠体となるように前後に配したコ字状パイプ１２，１２に側部パイプ１３，１３を固着して構成しています。そして、前記前後のコ字状パイプ１２，１２にはそれぞれ上記操作手段８，９の取付部となるブラケット１４，１４が固着されています。また、この枠体の上面には担架などを固定する逆Ｌ字状の取付具１５，１５，・・・が固着されています。
また、この枠体の下面側には上記前側脚フレーム３と後側脚フレーム４の取付部となるブラケット１６，１６，・・・を前記側部パイプ１３，１３に固着しています。
さらに、前記コ字状パイプ１２，１２には下方向きに支持部材１７，１７，・・・を固着して、これら支持部材１７，１７，・・・に車輪１８，１８，・・・を転動自在な状態となるように着設しています。
なお、前側のコ字状パイプ１２と側部パイプ１３との間には補強プレート１９，１９が固着されるとともに、上記支持部材１７，１７の後部側に軸受２０，２０を固着しています。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
次に、後側脚フレーム４の姿勢変更手段７について説明します。
後側脚フレーム４の取付プレート２８にも、扇状金具４８が止着されています。この扇状金具４８の弧状外縁部には複数の掛止歯４８ａ，４８ａ，・・・が設けられています。
このように後側脚フレーム４の扇状金具４８を止着する一方、補助フレーム５の後側の筒状メタル３６には、後側ロック爪４９が軸着されます。この後側ロック爪４９は側面視において略Ｌ字状に形成されたもので、基部側に取付軸５０と操作軸５１とがそれぞれ固着されています。なお、この操作軸５１と補助フレーム５の掛止部材４０間にはスプリング５２を掛止することで、該後側ロック爪４９が前記掛止歯４８ａに掛止する方向に回動するよう付勢しています。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記のように構成された車載用ストレッチャー１では、図５，６に示すようにそれぞれの（ａ）図に示すように上記メインフレーム２が最上位で支持された状態を基準として該メインフレーム２に対して、後側脚フレーム４は後方側のみの回動であるのに対して、前側脚フレーム３は、車載時には後方回動が必要である一方、高さ調節時には前方回動が必要であり、何れの回動状態であっても前記基準に復帰させやすいことが安全に操作する上で大切なこととなります。
そのため、このストレッチャー１では、第一付勢手段１０と第二付勢手段１１を具備して、前側脚フレーム３が基準の状態に復帰するように構成されています。
まず、前記第一付勢手段１０は、上記前側脚フレーム３に固着されたＬ字部材２９の空孔部２９ｂと上記補助フレーム５の掛止部材３９にスプリング６２を掛止することによって、前記前側脚フレーム３が前方回動する方向、すなわち、図７の矢印（イ）で示す方向に付勢しています。
なお、本実施例では第一付勢手段１０として安価に構成できるようスプリングを使用していますが、これはスプリングに限定するものではありません。例えば、ゴム等の弾性体を用いてもよく、さらに、ガスシリンダー等のように伸縮自在であるとともに一方側に付勢力が作用するものであれば何ら問題ありません。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
次に、第二付勢手段１１は前側脚フレーム３に止着された扇状金具４１に固着された段付軸４１ｃに支承されたガイド筒６３と、補助フレーム５に固着された段付軸３８に支承されたガスダンパー６４とを入れ子状態に構成したものです。
なお、前記ガスダンパー６４は前記前側脚フレーム３が基準状態（図５（ａ）参照）にあるとき、ガイド筒６３に固着されたガイド軸６３ａに伸びきった状態のガスダンパー６４の自由端側が接するように調整されています。そして、前記前側脚フレーム３を基準状態から前方回動した際に該ガスダンパー６４が縮むよう構成され該前側脚フレーム３を後方回動する側に付勢力が作用する一方、前側脚フレーム３を後方回動した時は、前記ガイド軸６３ａとガスダンパー６４の自由端側が互いに離間し、ガスダンパー６４による付勢力は発生しないように構成されています。
なお、本実施例では第一付勢手段１０のスプリング６２の付勢力を第二付勢手段１１のガスダンパー６４よりも小さくしています。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月29日(2010.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走行機体の前方に、複数の引起し装置及びデバイダを有する前処理部を昇降自在に支持し、前記走行機体に配置したエンジンからの動力を、前記前処理部の上方に機体の左右方向に配置した横伝動筒に内蔵された伝動軸を介して前記引起し装置に動力伝達してなる、コンバインにおいて、
前記引起し装置の上方で前記横伝動筒の前方を覆う上部カバーの両端部分に、左右のライトユニットを配置すると共に、
前記引起し装置及び左右のライトユニットの左右外側部を、着脱自在に設けた左右のサイドカバーで覆った、
ことを特徴とするコンバイン。
【請求項２】
前記左右のライトユニットは、左右方向内側部が前記上部カバーの端に係止され、かつ左右方向外端部が前記引起し装置に動力伝達する引起し伝動部に取付け部を介して固定されると共に該取付け部を前記左右のサイドカバーで覆われてなる、
請求項１記載のコンバイン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで本発明は、引起し装置の横伝動筒の前方を覆うカバーの両端部にライトユニットを配置することによって、上記課題を解決したコンバインを提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１に係る発明は、走行機体（２）の前方に、複数の引起し装置（７）及びデバイダ（６）を有する前処理部（５）を昇降自在に支持し、前記走行機体（２）に配置したエンジン（１２）からの動力を、前記前処理部（５）の上方に機体の左右方向に配置した横伝動筒（３０）に内蔵された伝動軸を介して前記引起し装置に動力伝達してなる、コンバイン（１）において、
前記引起し装置（７）の上方で前記横伝動筒（３０）の前方を覆う上部カバー（２２）の両端部分に、左右のライトユニット（２３Ｌ，２３Ｒ）を配置すると共に、
前記引起し装置（７）及び左右のライトユニット（２３Ｌ，２３Ｒ）の左右外側部を、着脱自在に設けた左右のサイドカバー（１９Ｌ，１９Ｒ，２０）で覆った、ことを特徴とするコンバイン（１）にある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項２に係る発明は、前記左右のライトユニット（２３Ｌ，２３Ｒ）は、左右方向内側部が前記上部カバー（２２）の端に係止され、かつ左右方向外端部が前記引起し装置（７）に動力伝達する引起し伝動部（２９，３０）に取付け部（４４）を介して固定されると共に該取付け部（４４）を前記左右のサイドカバー（１９Ｌ，１９Ｒ，２０）で覆われてなる、請求項１記載のコンバインにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項１に係る発明によると、前記引起し装置の上方で前記横伝動筒の前方を覆う上部カバーの両端部分に、左右のライトユニットを配置すると共に、前記引起し装置及び左右のライトユニットの左右外側部を、着脱自在に設けた左右のサイドカバーで覆ったことにより、コンバインの外観品質を向上させることができると共に、サイドカバーを脱着することができるため、容易にバルブ交換等の整備をすることができ、更に、補助引起し装置を取付けたとしても別途補助灯を設けることなく、機体前方及びデバイダ周辺を確実に照射することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項２に係る発明によると、ライトユニットの機体内側を上記上部カバーの両端部に係止すると共に、機体外側を引起し伝動部の取付け部に固定し、該取付け部をサイドカバーで覆うことによって、ボルト及びナットなどの接続具が機体外部に露出することなくライトの取付けが可能となり、それによりコンバインの外観品質を向上させることができる。