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【手続補正書】
【提出日】平成23年8月9日(2011.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を収容する真空引き可能な処理容器と、
前記処理容器の上部の開口に気密に装着され、プラズマ発生用のマイクロ波を透過させる透過板と、
前記透過板の上面に接するか若しくは近接して配置され、マイクロ波を前記処理容器内に導入する平面アンテナであって、導電性材料からなる平板状基材を有し、当該平板状基材を貫通する複数のスロットが形成されている、平面アンテナと、
前記平面アンテナを上方から覆う導電性部材と、
前記導電性部材を貫通して設けられ、マイクロ波発生源からのマイクロ波を前記平面アンテナへ供給する第１の導波管と、
前記平面アンテナにおける電界分布を調節する少なくとも１つの第２の導波管と、
を備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記導電性部材に挿入された内部に空洞を有する中空状部材により、前記第２の導波管の一部分または全体が構成されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記導電性部材を貫通する開口部によって前記第２の導波管の一部分または全体が構成されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記導電性部材に形成された凹部によって前記第２の導波管の一部分または全体が構成されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記第２の導波管の上端部が閉塞されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記第２の導波管が、前記複数のスロットのうちの少なくとも1つの上方に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記複数のスロットは、それぞれが２つのスロットからなる複数のスロット対をなし、
前記複数のスロット対は、同心円状に配列されており、
前記第２の導波管が、ある１つのスロット対を構成する２つのスロットのうちの少なくとも１つの上方に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
平面視で、ある１つのスロット対を構成する２つのスロットのうちの少なくとも１つのスロットの開口の全領域が、前記第２の導波管の内部空間の領域に完全に包含されていることを特徴とする請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記複数のスロットは、それぞれが２つのスロットからなる複数のスロット対をなし、
前記複数のスロット対は、同心円状に配列されており、
前記第２の導波管が、最外周に位置するある１つのスロット対を構成する２つのスロットのうちの径方向内側にあるスロットの中心の上方に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
平面視で、前記第２の導波管の中心が、最外周に位置する各スロット対のうちの径方向内側にあるスロットの中心を結ぶ円弧上に位置していることを特徴とする請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
平面視で、前記第２の導波管の中心が、最外周に位置するある１つのスロット対を構成する２つのスロットのうちの径方向内側にあるスロットの中心と一致していることを特徴とする請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記複数のスロットは、それぞれが２つのスロットからなる複数のスロット対をなし、
前記複数のスロット対は、同心円状に配列されており、
前記第２の導波管が、最外周に位置するある１つのスロット対を構成する２つのスロットのうちの径方向外側にあるスロットの中心の上方に配置されていることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】
平面視で、前記第２の導波管の中心が、最外周に位置する各スロット対のうちの径方向外側にあるスロットの中心を結ぶ円弧上に位置していることを特徴とする請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】
平面視で、前記第２の導波管の中心が、最外周に位置するある１つのスロット対を構成する２つのスロットのうちの径方向外側にあるスロットの中心と一致していることを特徴とする請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの第２の導波管として、複数の第２の導波管が設けられ、前記第２の導波管の数が２つ〜４つの範囲内であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１６】
前記複数の第２の導波管のうちの少なくとも２つが、前記平面アンテナの中心を挟んでその径方向に対称に配置されていることを特徴とする請求項１５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１７】
前記複数の第２の導波管がそれぞれ、前記平面アンテナの中心から径方向外側に延び、かつ前記複数のスロットのうちの複数のスロットを結ぶ線の上方に配置されていることを特徴とする請求項１６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１８】
前記平面アンテナの上に、前記平面アンテナへ供給されるマイクロ波の波長を調整する遅波板をさらに備えたことを特徴とする請求項１から１７のうちのいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月23日(2011.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不活性ガスと、前記不活性ガスに対する混合割合が０よりも大きく且つ０．００７以下である酸化ガスと、を含む混合ガスからプラズマを生成する工程と、
前記プラズマを用いてシリコン基板の表面を酸化させることにより該表面に酸化膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする酸化膜の形成方法。
【請求項２】
前記不活性ガスに対する前記酸化ガスの混合割合が、０．００４以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の酸化膜の形成方法。
【請求項３】
前記プラズマは、前記混合ガスに７．０［Ｗ／ｃｍ２］以上、且つ７．６［Ｗ／ｃｍ２］以下の高周波電力を印加することによって生成される
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の酸化膜の形成方法。
【請求項４】
前記酸化ガスは、水素ガスを含まない
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の酸化膜の形成方法。
【請求項５】
光電変換により発生した電荷を蓄積する蓄積領域を含むシリコン基板を有する撮像装置の製造方法であって、
前記シリコン基板の表面に酸化膜を形成する工程を含み、前記工程では、
不活性ガスと、前記不活性ガスに対する混合割合が０よりも大きく且つ０．００７以下である酸化ガスと、を含む混合ガスからプラズマを生成し、前記プラズマを用いてシリコン基板の表面を酸化させることにより該表面に前記酸化膜を形成する、
ことを特徴とする撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記不活性ガスに対する前記酸化ガスの混合割合が、０．００４以下である
ことを特徴とする請求項５に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記プラズマは、前記混合ガスに７．０［Ｗ／ｃｍ２］以上、且つ７．６［Ｗ／ｃｍ２］以下の高周波電力を印加することによって生成される
ことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記酸化ガスは、水素ガスを含まない
ことを特徴とする請求項５乃至請求項７の何れか１項に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記撮像装置は、前記蓄積領域から電荷を転送するＭＯＳトランジスタを有し、
前記酸化膜は前記ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜であることを特徴とする請求項５乃至請求項８の何れか１項に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
ＭＯＳトランジスタの製造方法であって、
前記ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜としての酸化膜を形成する工程を含み、前記工程では、
不活性ガスと、前記不活性ガスに対する混合割合が０よりも大きく且つ０．００７以下である酸化ガスと、を含む混合ガスからプラズマを生成し、前記プラズマを用いてシリコン基板の表面を酸化させることにより該表面に前記酸化膜を形成する、
ことを特徴とするＭＯＳトランジスタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】酸化膜の形成方法、撮像装置の製造方法およびＭＯＳトランジスタの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、酸化膜の形成方法、撮像装置の製造方法およびＭＯＳトランジスタの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第１の側面は、酸化膜の形成方法に係り、不活性ガスと、前記不活性ガスに対する混合割合が０よりも大きく且つ０．００７以下である酸化ガスと、を含む混合ガスからプラズマを生成する工程と、前記プラズマを用いてシリコン基板の表面を酸化させることにより該表面に酸化膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の第２の側面は、撮像装置に係り、光電変換により発生した電荷を蓄積する蓄積領域を含むシリコン基板と、上記の酸化膜の形成方法により前記シリコン基板の表面上に形成された酸化膜とを有することを特徴とする。
本発明の第３の側面は、ＭＯＳトランジスタの製造方法に係り、前記ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜としての酸化膜を形成する工程を含み、前記工程では、不活性ガスと、前記不活性ガスに対する混合割合が０よりも大きく且つ０．００７以下である酸化ガスと、を含む混合ガスからプラズマを生成し、前記プラズマを用いてシリコン基板の表面を酸化させることにより該表面に前記酸化膜を形成する、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月5日(2011.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間にＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層は、前記陽極と発光性を有する第４の層との間に正孔注入性を有する第１の層、正孔輸送性を有する第２の層、および正孔輸送性を有する第３の層を少なくとも有し、
前記第２の層の最高被占有軌道準位の絶対値は、前記第１の層および前記第３の層の最高被占有軌道準位の絶対値よりも大きいことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の層の最高被占有軌道準位の絶対値は、前記第１の層および前記第３の層の最高被占有軌道準位の絶対値よりも０．１ｅＶ以上大きいことを特徴とする発光素子。
【請求項３】
陽極と陰極との間にＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層は、前記陽極と発光性を有する第４の層との間に正孔注入性を有する第１の層、正孔輸送性を有する第２の層、および正孔輸送性を有する第３の層を少なくとも有し、
前記第２の層の最高被占有軌道準位の絶対値は、前記第１の層および前記第３の層の最高被占有軌道準位の絶対値よりも小さいことを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２の層の最高被占有軌道準位の絶対値は、前記第１の層および前記第３の層の最高被占有軌道準位の絶対値よりも０．１ｅＶ以上小さいことを特徴とする発光素子。
【請求項５】
陽極と陰極との間にＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層は、前記陽極と発光性を有する第４の層との間に正孔注入性を有する第１の層、正孔輸送性を有する第２の層、および正孔輸送性を有する第３の層とを少なくとも有し、前記陰極と前記第４の層との間に電子の移動を制御する第５の層を少なくとも有し、
前記第２の層の最高被占有軌道準位の絶対値は、前記第１の層および前記第３の層の最高被占有軌道準位の絶対値よりも大きく、
前記第５の層は、電子輸送性の第１の有機化合物と正孔輸送性の第２の有機化合物とを含み、前記第２の有機化合物の含有量が質量比で全体の５０％未満であることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
陽極と陰極との間にＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層は、前記陽極と発光性を有する第４の層との間に正孔注入性を有する第１の層、正孔輸送性を有する第２の層、および正孔輸送性を有する第３の層とを少なくとも有し、前記陰極と前記第４の層との間に電子の移動を制御する第５の層を少なくとも有し、
前記第２の層の最高被占有軌道準位の絶対値は、前記第１の層および前記第３の層の最高被占有軌道準位の絶対値よりも小さく、
前記第５の層は、電子輸送性の第１の有機化合物と正孔輸送性の第２の有機化合物とを含み、前記第２の有機化合物の含有量が質量比で全体の５０％未満であることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記第２の有機化合物の最低空軌道準位の絶対値は、前記第１の有機化合物の最低空軌道準位の絶対値との差が０．３ｅＶ以下であり、
前記第１の有機化合物の双極子モーメントをＰ１、前記第２の有機化合物の双極子モーメントをＰ２とすると、Ｐ１／Ｐ２≧３の関係を満たすことを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項５または請求項６において、
前記第２の有機化合物の最低空軌道準位の絶対値は、前記第１の有機化合物の最低空軌道準位の絶対値との差が０．３ｅＶ以下であり、
前記第１の有機化合物は、金属錯体であり、
前記第２の有機化合物は、芳香族アミン化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項９】
陽極と陰極との間にＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層は、前記陽極と発光性を有する第４の層との間に正孔注入性を有する第１の層、正孔輸送性を有する第２の層、および正孔輸送性を有する第３の層とを少なくとも有し、前記陰極と前記第４の層との間に電子の移動を制御する第５の層を少なくとも有し、
前記第２の層の最高被占有軌道準位の絶対値は、前記第１の層および前記第３の層の最高被占有軌道準位の絶対値よりも大きく、
前記第５の層は、電子輸送性の第１の有機化合物と電子トラップ性の第２の有機化合物とを含み、前記第２の有機化合物の含有量が質量比で全体の５０％未満であることを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
陽極と陰極との間にＥＬ層を有し、
前記ＥＬ層は、前記陽極と発光性を有する第４の層との間に正孔注入性を有する第１の層、正孔輸送性を有する第２の層、および正孔輸送性を有する第３の層とを少なくとも有し、前記陰極と前記第４の層との間に電子の移動を制御する第５の層を少なくとも有し、
前記第２の層の最高被占有軌道準位の絶対値は、前記第１の層および前記第３の層の最高被占有軌道準位の絶対値よりも小さく、
前記第５の層は、電子輸送性の第１の有機化合物と電子トラップ性の第２の有機化合物とを含み、前記第２の有機化合物の含有量が質量比で全体の５０％未満であることを特徴とする発光素子。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、
前記第２の有機化合物の最低空軌道準位の絶対値は、前記第１の有機化合物の最低空軌道準位の絶対値よりも０．３ｅＶ以上大きいことを特徴とする発光素子。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一において、
前記第１の有機化合物は、金属錯体であり、
前記第２の有機化合物は、クマリン誘導体またはキナクリドン誘導体であることを特徴とする発光素子。
【請求項１３】
請求項５乃至請求項１２のいずれか一において、
前記第５の層の膜厚は、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、
前記第４の層は、電子輸送性の物質を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一に記載の発光素子を有する発光装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の発光装置を備えた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコン基板上に、イットリウム酸化物を含む絶縁層、もしくはイットリウム酸化物とジルコニウム酸化物とを含む絶縁層を成膜し、
前記絶縁層に、熱処理を行って結晶化し、
水素を含むイオンを、前記絶縁層上より照射して、前記単結晶シリコン基板中に多孔質構造を有する脆化層を形成し、
前記絶縁層を島状に加工して保持容量部絶縁層を形成し、
前記単結晶シリコン基板上及び前記保持容量部絶縁層上に、保持容量部下部電極を形成し、
前記単結晶シリコン基板上、前記保持容量部絶縁層上及び前記保持容量部下部電極上に、第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に、第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層と支持基板とを貼りあわせた後、前記脆化層から前記単結晶シリコン基板の一部を分離することにより、
前記支持基板上に、
前記第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の前記第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の前記保持容量部下部電極と、
前記保持容量部下部電極上の前記保持容量部絶縁層と、
前記保持容量部絶縁層上及び前記第２の絶縁層上の、前記単結晶シリコン基板の一部である単結晶シリコン層と、を形成し、
前記単結晶シリコン層を島状に加工することにより、前記第２の絶縁層上に第１の島状単結晶シリコン層を形成するとともに、前記保持容量部絶縁層上に第２の島状単結晶シリコン層からなる保護層を形成し、
前記第１の島状単結晶シリコン層上に、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記第１の島状単結晶シリコン層に一導電型を付与する不純物元素を添加して、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記保護層をエッチングして、前記保持容量部絶縁層の一部を露出させ、
前記第１の島状単結晶シリコン層、前記ゲート絶縁膜、前記ゲート電極を覆って、層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一方と電気的に接続し、
前記保持容量部絶縁層に接する配線を形成し、
前記配線の、前記保持容量部絶縁層に接する部分は、保持容量部上部電極となることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
単結晶シリコン基板上に、イットリウム酸化物を含む絶縁層、もしくはイットリウム酸化物とジルコニウム酸化物とを含む絶縁層を成膜し、
前記絶縁層に、熱処理を行って結晶化し、
水素を含むイオンを、前記絶縁層上より照射して、前記単結晶シリコン基板中に多孔質構造を有する脆化層を形成し、
前記絶縁層を島状に加工して保持容量部絶縁層を形成し、
前記シリコン基板上及び前記保持容量部絶縁層上に、保持容量部下部電極を形成し、前記シリコン基板上、前記保持容量部絶縁層上及び前記保持容量部下部電極上に、第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に、第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層と支持基板とを貼りあわせた後、前記脆化層から前記単結晶シリコン基板の一部を分離することにより、
前記支持基板上に、
前記第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の前記第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の前記保持容量部下部電極と、
前記保持容量部下部電極上の前記保持容量部絶縁層と、
前記保持容量部絶縁層上及び前記第２の絶縁層上の、前記単結晶シリコン基板の一部である単結晶シリコン層と、を形成し、
前記単結晶シリコン層を島状に加工することにより、前記第２の絶縁層上に第１の島状単結晶シリコン層を形成するとともに、前記保持容量部絶縁層上に第２の島状単結晶シリコン層を形成し、
前記第１の島状単結晶シリコン層上に、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記第１の島状単結晶シリコン層に一導電型を付与する不純物元素を添加して、ソース領域及びドレイン領域を形成するとともに、前記第２の島状単結晶シリコン層に一導電型を付与する不純物元素を添加して保持容量部上部電極を形成し、
前記第１の島状単結晶シリコン層、前記ゲート絶縁膜、前記ゲート電極、及び前記保持容量部上部電極を覆って、層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一方と、前記保持容量上部電極とを接続する配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記単結晶シリコン基板は、面方位が｛１００｝、｛１１０｝、｛１１１｝のいずれか一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記熱処理の温度は７５０℃以上１４００℃以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月19日(2010.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、ゲート絶縁層と、Ｉｎ、Ｚｎ及びＧａのうち少なくとも１つを含むアモルファス酸化物からなる半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、金属酸化物からなる保護層と、を含む薄膜トランジスタであって、
前記保護層は前記半導体層の上に該半導体層と接して設けられ、
前記半導体層は、少なくともチャネル層として機能する第１の領域と、前記保護層に接して設けられている第２の領域と、を含み、
前記第２の領域は、柱状構造を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記柱状構造をなす柱の径の平均値が、前記半導体層の厚さの２／３以下であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記半導体層が前記保護層を形成する際に受けるダメージの深さよりも深く酸化されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
ゲート電極と、ゲート絶縁層と、Ｉｎ、Ｚｎ及びＧａのうち少なくとも１つを含むアモルファス酸化物からなる半導体層と、ソース電極とドレイン電極と、金属酸化物からなる保護層と、を含む薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記ゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層を形成する工程と、
前記半導体層を形成する工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程と、
前記保護層を形成する工程と、を含み、
前記保護層は、前記半導体層の上に該半導体層と接して設けられ、
前記半導体層を形成する工程は、少なくともチャネル層として機能する第１の領域を形成する工程と、柱状構造を含む第２の領域を形成する工程と、を含み、前記保護層を酸化雰囲気中で形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 
【請求項５】
前記第１の領域を形成する工程及び前記第２の領域を形成する工程はスパッタ法で行い、
前記第２の領域を形成する工程は前記第１の領域を形成する工程よりもスパッタ法におけるパワー密度が小さいことを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記保護層を酸化雰囲気中で形成する際に、前記半導体層が前記保護層を形成する際に受けるダメージの深さよりも深く該保護層を酸化することを特徴とする請求項４又は５に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
基板上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁層を介して設けられた、Ｉｎ、Ｚｎ及びＧａのうち少なくとも１つを含むアモルファス酸化物からなる半導体層と、前記半導体層に接して設けられたソース及びドレイン電極と、金属酸化物からなる保護層と、を含むボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、
前記保護層は、前記半導体層上に該半導体層と接して設けられ、
前記半導体層の前記保護層に接した少なくとも一部の領域が柱状構造を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項８】
前記柱状構造をなす柱の径の平均値が、前記半導体層の厚さの２／３以下であることを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項９】
前記半導体層は、前記ゲート絶縁層に接する第１の領域を有し、該第１の領域はチャネル層として機能することを特徴とする請求項７又は８に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
前記第１の領域は、前記保護層に接する前記半導体層の少なくとも一部の領域より低抵抗であることを特徴とする請求項９に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
前記第１の領域は、前記保護層に接する前記半導体層の少なくとも一部の領域より質量密度が高いことを特徴とする請求項９又は１０に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１２】
前記ソース及びドレイン電極は、前記半導体層上に形成された前記保護層がパターニングされた後に形成された電極であることを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１３】
基板上に請求項１〜３又は請求項７〜１２のいずれか１項記載の薄膜トランジスタと、層間絶縁膜と、下部電極と、電子輸送層と、発光層と、ホール輸送層と、ホール注入層とを有し、前記下部電極は前記層間絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタのドレイン電極と接続されていることを特徴とする表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するための手段として、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、Ｉｎ、Ｚｎ及びＧａのうち少なくとも１つを含むアモルファス酸化物からなる半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、金属酸化物からなる保護層と、で形成される薄膜トランジスタであって、前記保護層は前記半導体層の上に該半導体層と接して設けられ、前記半導体層は、少なくともチャネル層として機能する第１の領域と、前記保護層に接して設けられている第２の領域と、を含み、前記第２の領域は、柱状構造を含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、Ｉｎ、Ｚｎ及びＧａのうち少なくとも１つを含むアモルファス酸化物からなる半導体層と、ソース電極とドレイン電極と、金属酸化物からなる保護層と、を含む薄膜トランジスタの製造方法であって、前記ゲート電極を形成する工程と、前記ゲート絶縁層を形成する工程と、前記半導体層を形成する工程と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程と、前記保護層を形成する工程と、を含み、前記保護層は、前記半導体層の上に該半導体層と接して設けられ、前記半導体層を形成する工程は、少なくともチャネル層として機能する第１の領域を形成する工程と、柱状構造を含む第２の領域を形成する工程と、を含み、前記保護層を酸化雰囲気中で形成することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、基板上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁層を介して設けられた、Ｉｎ、Ｚｎ及びＧａのうち少なくとも１つを含むアモルファス酸化物からなる半導体層と、前記半導体層に接して設けられたソース及びドレイン電極と、金属酸化物からなる保護層と、を含むボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、前記保護層は、前記半導体層上に該半導体層と接して設けられ、前記半導体層の前記保護層に接した少なくとも一部の領域が柱状構造を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月8日(2011.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乗り物のフロントに取り付けられたヘッドライト用のプロジェクションモジュール（１００）であって、前記モジュール（１００）は、
電磁放射を発するための少なくとも１つの半導体放射源（１０１）と、
発せられた放射を反射するリフレクタ（１０３）と、
反射された放射の少なくとも一部を遮蔽するシェード構造（１０４）と、
反射されて前記シェード構造（１０４）の脇を通過した放射を所望の放射分布の生成のために前記プロジェクションモジュール（１００）から車両の前方へ投影するための投影レンズ（１０５）と、
を含み、
少なくとも１つの前記放射源（１０１）は、前記シェード構造（１０４）の裏面もしくはその近傍に配置されており、
少なくとも１つの前記放射源（１０１）の主放射方向（１１１）は、前記プロジェクションモジュール（１００）からの放射射出方向（１０９）と反対向きに半空間へ向けられており、
少なくとも１つの前記放射源（１０１）は冷却体（１０７）と熱工学的に結合されており、前記冷却体（１０７）は前記シェード構造（１０４）の一体的な構成要素である
ことを特徴とするプロジェクションモジュール。
【請求項２】
前記放射は可視光の波長領域にある波長を有していることを特徴とする、請求項１に記載のプロジェクションモジュール。
【請求項３】
前記放射は不可視の赤外放射の波長領域にある波長を有していることを特徴とする、請求項１に記載のプロジェクションモジュール。
【請求項４】
前記リフレクタは実質的に水平方向の平面（１１２）で上側の部分リフレクタ（１０３ａ）と下側の部分リフレクタ（１０３ｂ）に区分されていることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項に記載のプロジェクションモジュール。
【請求項５】
前記上側の部分リフレクタ（１０３ａ）は前記下側の部分リフレクタ（１０３ｂ）に対して前記プロジェクションモジュール（１００）の前記放射射出方向（１０９）で見て前方に向かってオフセットされた状態で配置されていることを特徴とする、請求項４に記載のプロジェクションモジュール。
【請求項６】
前記リフレクタ（１０３）全体または少なくとも前記部分リフレクタ（１０３ａ，１０３ｂ）のうちの一方は自由曲面リフレクタとして構成されていることを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項に記載のプロジェクションモジュール。
【請求項７】
前記上側の部分リフレクタ（１０３ａ）は放物面として構成されており、前記下側の部分リフレクタ（１０３ｂ）は楕円面として構成されていることを特徴とする、請求項４または５に記載のプロジェクションモジュール。
【請求項８】
前記上側の部分リフレクタ（１０３ａ）と前記下側の部分リフレクタ（１０３ｂ）は、前記上側の部分リフレクタ（１０３ａ）の焦点と前記下側の部分リフレクタ（１０３ｂ）の第１の焦点とが少なくとも１つの前記放射源（１０１）の領域に位置するとともに、前記下側の部分リフレクタ（１０３ｂ）の第２の焦点が前記シェード平面（１０４）に位置するように位置決めされていることを特徴とする、請求項７に記載のプロジェクションモジュール。
【請求項９】
前記上側の部分リフレクタ（１０３ａ）は前記プロジェクションモジュール（１００）によって生成される放射分布を変えるために前記下側の部分リフレクタ（１０３ｂ）に対して相対的に可動に構成されていることを特徴とする、請求項４または５に記載のプロジェクションモジュール。
【請求項１０】
前記下側の部分リフレクタ（１０３ｂ）は少なくとも１つの前記放射源（１０１）に対して固定的な関係で配置されていることを特徴とする、請求項９に記載のプロジェクションモジュール。
【請求項１１】
前記上側の部分リフレクタ（１０３ａ）は前記プロジェクションモジュール（１００）の光学軸に対して横向きに延びる水平方向の旋回軸を中心として前記下側の部分リフレクタ（１０３ｂ）に対して相対的に旋回可能に構成されていることを特徴とする、請求項９または１０に記載のプロジェクションモジュール。
【請求項１２】
前記上側の部分リフレクタ（１０３ａ）は実質的に水平方向の平面（１１２）で前記下側の部分リフレクタ（１０３ｂ）に対して相対的にスライド可能に構成されていることを特徴とする、請求項９から１１までのいずれか１項に記載のプロジェクションモジュール。
【請求項１３】
少なくとも１つの前記放射源（１０１）は冷却体（１０７）と熱工学的に結合されており、前記冷却体（１０７）は前記投影レンズ（１０５）を前記リフレクタ（１０３）に取り付けるレンズ保持部（１０６）の一体的な構成要素であることを特徴とする、請求項１から１２までのいずれか１項に記載のプロジェクションモジュール。
【請求項１４】
複数の放射源（１０１）に１つのリフレクタ（１０３）または複数の部分リフレクタ（１０３ａ，１０３ｂ）が割り振られていることを特徴とする、請求項１から１３までのいずれか１項に記載のプロジェクションモジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月14日(2011.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面側に撮像素子部が形成された撮像素子基板と、
前記撮像素子基板の前記第１の主面と反対側の第２の主面側に設けられ、前記撮像素子部と電気的に接続された裏面配線電極と、
前記裏面配線電極と同一面上または前記第２の主面側であって前記裏面配線電極の上に設けられた遮光層と、
を備えたことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記遮光層は、カーボン粒子、無機顔料粒子、有機顔料粒子、及びそれらの混合物の内から選択された少なくともいずれかが分散された樹脂からなることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記遮光層は、前記裏面配線電極に対してセルフアラインに形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記裏面配線電極と前記遮光層との間にソルダーレジストが設けられていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記第２の主面側であって前記遮光層上にソルダーレジストが設けられていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記遮光層は、８２０〜１１７０ｎｍの波長に対して１０％以下の透過率であることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項７】
前記遮光層は、８２０〜１１７０ｎｍの波長に対して３％以下の透過率であることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項８】
前記遮光層は導電性材料で形成され、前記裏面配線電極と前記遮光層との間に絶縁層が設けられていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項９】
第１の主面側に撮像素子部が設けられた撮像素子基板の前記第１の主面と反対側の第２の主面側に裏面配線電極を形成し、
前記裏面配線電極の表面の少なくとも一部を疎水化する表面処理を行い、
前記疎水化された部分を除く前記第２の主面に遮光層を形成する
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項１０】
前記遮光層を形成した後、前記疎水化した面を親水化する
ことを特徴とする請求項９記載の固体撮像素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一態様によれば、第１の主面側に撮像素子部が形成された撮像素子基板と、前記撮像素子基板の前記第１の主面と反対側の第２の主面側に設けられ、前記撮像素子部と電気的に接続された裏面配線電極と、前記裏面配線電極と同一面上または前記第２の主面側であって前記裏面配線電極の上に設けられた遮光層と、を備えたことを特徴とする固体撮像素子が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月8日(2010.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドープされた２ホウ化マグネシウム粉末を製作する方法であって、
２ホウ化マグネシウム粉末（６４）を含む第１相の複数の粒子のうちの少なくとも１つの上に高分子前駆体をコートする工程であって、該高分子前駆体は第２相を産生するように構成させた化学元素を含み、該第２相はホウ化物、窒化物、炭化物、酸化物、オキシホウ化物、オキシ窒化物、オキシ炭化物、あるいはこれらの組み合わせのうちの１つまたは幾つかを含むコート工程と、
前記高分子前駆体を備える前記第１相の前記複数の粒子を熱処理、冷却又はこれたの両方を行い、前記２ホウ化マグネシウム粉末の複数の粒子の少なくとも１つの上に第２相コーティングを形成してドープされた２ホウ化マグネシウムを形成する工程と、
を含む方法。
【請求項２】
前記コート工程は、
前記高分子前駆体の溶液を提供する工程と、
前記高分子前駆体の溶液を前記２ホウ化マグネシウム粉末と混合することによって該２ホウ化マグネシウム粉末の複数の粒子の少なくとも１つの上に高分子前駆体の溶液のコーティングを形成する工程と、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ドープされた２ホウ化マグネシウムの形成工程は、前記溶剤を気化させること、または高分子前駆体を固化させるために事前融解させた高分子前駆体を有する混合物を冷却すること、あるいはこれら両方によって、複数の２ホウ化マグネシウム粒子の少なくとも１つの上に第２相コーティングを形成する工程を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ドープされた２ホウ化マグネシウムの形成工程は、コートさせた２ホウ化マグネシウム粉末を１４００℃〜１９００℃の範囲の温度で熱処理する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記高分子前駆体は、ポリシラザン、変性シロキサン、［Ｒ３ＳｉＣＨ２−］ｘ［−ＳｉＲ２ＣＨ２−］ｙ−［−ＳｉＲ（ＣＨ２−）１．５］ｚ［−Ｓｉ（ＣＨ２−）２］（ここでＲは、Ｈ、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２、あるいは部分的アリル置換の誘導体、すなわち［′Ｓｉ（ａｌｌｙｌ）０．１Ｈ０．９ＣＨ２′］ｎ）のタイプをした多分岐のポリカルボシラン、ポリアクリルニトレート、ポリオキサン、シアノオキサン、炭酸塩、あるいはこれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
２ホウ化マグネシウム粉末を有する第１相に、炭素、ホウ素、窒素、酸素、あるいはこれらの組み合わせを含むドーパントをドープする工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記熱処理工程の前に前記２ホウ化マグネシウム粉末に対して、炭素繊維、炭素ナノ粒子、チタン、リチウム、イットリア、アルミニウム、ケイ素、ジルコニウム、あるいはこれらの組み合わせを追加する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記コート工程は、金属有機化学蒸着法、反応性プラズマ支援式化学蒸着法、反応性プラズマ支援式物理的蒸着法、化学気相含浸法、あるいはこれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
炭素ドープされた２ホウ化マグネシウム粉末を製作する方法であって、
２ホウ化マグネシウム粉末からなる複数の粒子のうちの少なくとも１つの上に高分子前駆体をコートする工程であって、該高分子前駆体は炭化ケイ素を産生するように構成させた化学元素を含むコート工程と、
前記複数の粒子の少なくとも１つの上に炭化ケイ素コーティングを形成させるように前記コートした２ホウ化マグネシウム粉末を熱処理する工程と、
を含む方法。
【請求項１０】
炭素ドープされた２ホウ化マグネシウム粉末を製作する方法であって、
溶剤内に高分子前駆体を溶解させて溶液を形成する工程であって、該高分子前駆体は炭化ケイ素を生成するように構成させた化学元素を含む溶液形成工程と、
前記溶液に２ホウ化マグネシウム粉末を混合して混合物を形成する工程であって、該２ホウ化マグネシウム粉末は複数の粒子を含みかつ前記高分子前駆体は炭化ケイ素を含む混合物形成工程と、
前記高分子前駆体を熱分解させながら前記混合物を熱処理し前記溶剤を気化させて前記２ホウ化マグネシウム粉末上に炭化ケイ素コーティングを形成させる工程と、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月12日(2011.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
複数の視機能を検査可能な視機能検査装置であって、
視標映像を提示する視標映像提示手段と、
前記視標映像提示手段に提示する視標映像を描画する視標映像描画手段と、
視機能検査の項目を選択する視機能検査項目選択手段と、
前記視機能検査項目選択手段で選択された検査項目に対応する視標映像を生成する視標映像生成手段と、
前記視標映像提示手段と観察者の視点の距離を入力する視点距離入力手段と、
視標映像と観察者の視点とがなす角度を入力する視角入力手段とを備え、
前記視標映像描画手段は、前記視点距離入力手段により入力した視点距離及び前記視角入力手段により入力された視角に基づいて、前記視機能検査項目選択手段により選択された視力検査、視野検査、立体視検査、両眼視検査、眼位検査のうちの少なくとも一つに対応した視標映像の表示サイズ及び表示位置を算出し、当該算出された表示サイズ及び表示位置に視標映像を描画すること
を特徴とする視機能検査装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記視標映像生成手段は、被験者の右眼及び左眼ごとの視標映像を生成する両眼視標映像生成機能を有し、
前記視標映像提示手段が、前記両眼視標映像生成機能により生成された右眼及び左眼の両眼視標映像を両眼分離して対応する眼ごとに提示する両眼分離視標映像提示機能を有し、
前記両眼分離視標映像提示機能により提示される右眼又は左眼の視標映像ごとに独立して、表示又は非表示を選択する視標映像選択提示手段を備え、
前記視標映像選択提示手段が、前記視機能検査項目選択手段により選択された立体視検査に対応した視標映像を表示することを特徴とする請求項１に記載の視機能検査装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記視標映像生成手段は、被験者の右眼及び左眼ごとの視標映像を生成する両眼視標映像生成機能を有し、
前記視標映像提示手段が、前記両眼視標映像生成機能により生成された右眼及び左眼の両眼視標映像を両眼分離して対応する眼ごとに提示する両眼分離視標映像提示機能を有し、
ユーザ操作によって、視標映像の表示サイズ又は表示位置の少なくとも一方を変更する視標映像操作手段を備え、
前記視機能検査項目選択手段により両眼視検査又は眼位検査が選択された場合に、前記視標映像描画手段は、前記視標映像操作手段により変更された視標映像の表示サイズ又は表示位置に従って、前記視標映像描画手段により算出された表示サイズ及び表示位置に視標映像を変更して描画すること
を特徴とする請求項１に記載の視機能検査装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記の課題を解決する第１の発明に係る視機能検査装置は、複数の視機能を検査可能な視機能検査装置であって、視標映像を提示する視標映像提示手段と、前記視標映像提示手段に提示する視標映像を描画する視標映像描画手段と、視機能検査の項目を選択する視機能検査項目選択手段と、前記視機能検査項目選択手段で選択された検査項目に対応する視標映像を生成する視標映像生成手段と、前記視標映像提示手段と観察者の視点の距離を入力する視点距離入力手段と、視標映像と観察者の視点とがなす角度を入力する視角入力手段とを備え、前記視標映像描画手段は、前記視点距離入力手段により入力した視点距離及び前記視角入力手段により入力された視角に基づいて、前記視機能検査項目選択手段により選択された視力検査、視野検査、立体視検査、両眼視検査、眼位検査のうちの少なくとも一つに対応した視標映像の表示サイズ及び表示位置を算出し、当該算出された表示サイズ及び表示位置に視標映像を描画することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第１の発明に係る視機能検査装置であって、第２の発明は、前記視標映像生成手段は、被験者の右眼及び左眼ごとの視標映像を生成する両眼視標映像生成機能を有し、前記視標映像提示手段が、前記両眼視標映像生成機能により生成された右眼及び左眼の両眼視標映像を両眼分離して対応する眼ごとに提示する両眼分離視標映像提示機能を有し、前記両眼分離視標映像提示機能により提示される右眼又は左眼の視標映像ごとに独立して、表示又は非表示を選択する視標映像選択提示手段を備え、前記視標映像選択提示手段が、前記視機能検査項目選択手段により選択された立体視検査に対応した視標映像を表示することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第２の発明に係る視機能検査装置であって、第３の発明は、前記視標映像生成手段は、被験者の右眼及び左眼ごとの視標映像を生成する両眼視標映像生成機能を有し、前記視標映像提示手段が、前記両眼視標映像生成機能により生成された右眼及び左眼の両眼視標映像を両眼分離して対応する眼ごとに提示する両眼分離視標映像提示機能を有し、ユーザ操作によって、視標映像の表示サイズ又は表示位置の少なくとも一方を変更する視標映像操作手段を備え、前記視機能検査項目選択手段により両眼視検査又は眼位検査が選択された場合に、前記視標映像描画手段は、前記視標映像操作手段により変更された視標映像の表示サイズ又は表示位置に従って、前記視標映像描画手段により算出された表示サイズ及び表示位置に視標映像を変更して描画することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月21日(2011.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御装置（４）と、
溶接機（１）または溶接設備と、
接続用ライン経由で前記溶接機（１）または溶接設備に接続された溶接トーチ（１０）と、を備える装置であって、
少なくとも一つの入力装置（２２）および表示装置（２３）が、前記溶接トーチ（１０）に設けられ、前記制御装置（４）が、シリアル式データバス（４７）またはフィールドバスに接続されており、シリアル式データバス（４７）またはフィールドバスには、前記溶接機（１）または溶接設備、および前記溶接機（１）の他のコンポーネントが接続されており、
前記溶接トーチ（１０）が、前記シリアル式データバス（４７）に接続され、前記シリアル式データバス（４７）経由でデータを伝送するのに必要な、ディジタル入力部とディジタル出力部（５１）とインタフェースドライバ（４９、５０、５７）とを含む、個々のコンポーネントが、前記溶接トーチ（１０）内に設けられており、
１つの押ボタン（５３）が、表示装置（２３）上に表示された値を増大させるのに利用され、別の押ボタン（５４）が、表示装置（２３）上に表示された値を減少させるのに利用され、更に別の押ボタン（５５、５６）を操作すると、異なる溶接パラメータが選択されて表示装置（２３）によって表示されるので、使用する溶接パラメータが、全て、前記溶接トーチ（１０）から選択され、設定され、
前記入力装置（２２）が、前記押ボタン（５３、５４、５５、５６）を備える、
ことを特徴とする、装置。
【請求項２】
前記シリアル式データバス（４７）が、ＣＡＮ、インターバスＳ（Ｉｎｔｅｒｂｕｓ−Ｓ）、またはプロフィバス（Ｐｒｏｆｉｂｕｓ）であって、シリアル式インターフェース、すなわちＲＳ２３２、またはＲＳ４８５、を有することを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記溶接トーチ（１０）内に設けられた入力装置（２２）および表示装置（２３）が、前記シリアル式データバス（４７）経由で前記制御装置（４）に接続されていることを特徴とする、請求項１から２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項４】
異なる種類の前記溶接トーチ（１０）には、異なる入力装置（２２）および表示装置（２３）が設けられており、これら各々には、前記シリアル式データバス（４７）に接続するために、同じ種類のブランチング装置、すなわちインタフェースドライバ（４９、５０、５７）、が設けられていることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記シリアル式データバス（４７）に接続できるメモリエレメントが、前記溶接トーチ（１０）の形式に割り当てられたコードを形成または保存するために前記溶接トーチ（１０）内に設けられていることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記制御装置（４）が、マイクロコントローラ（２４）であることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記制御装置（４）が、ソフトウェア、すなわちユーザープログラム、のための上書き編集可能なメモリ（３０）を有し、このメモリを、インタフェース、すなわちシリアル式データバス（４７）に接続することを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記溶接機（１）の前記制御装置（４）が、前記シリアル式データバス（４７）経由で少なくとも一つの外部コンポーネント、すなわち溶接ロボットまたは溶接オートマトン、の制御装置に接続されていることを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記バスラインシステム（４８）が一つ以上の光学的導体からなることを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
データが、光信号によって、少なくとも一部分の領域内でワイヤレスで伝送されることを特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
前記入力装置（２２）および表示装置（２３）が、溶接プロセス時に、制御信号を前記シリアル式データバス（４７）経由で伝送するために、前記制御装置（４）に接続されていることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月19日(2010.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料中の核酸の染色法であって、以下の工程：
ａ）核酸を含有する、または含有すると考えられる試料を次式の環式置換−非対称染料化合物と混和する工程；
【化１】
2010196067.tif 000001
［式中：Ｒ１はそれぞれＨであり；ｔ＝４であり；
Ｒ２は１−６個の炭素を有するアルキル基であり；
ＸはＯまたはＳであり；
ｎ＝０、１または２であり；
Ｚ−は生物学的に適合性の対抗イオンであり；
Ｑは式Ｑ１またはＱ２を有し：
【化２】
2010196067.tif 000002
これらの式中のＹは−ＣＲ３＝ＣＲ４−であり；
ｐおよびｍ＝０または１であり、かつｐ＋ｍ＝１であり；
Ｒ５は１−６個の炭素を有するアルキル基であるか；またはＲ５はＯＭＥＧＡであり；
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６およびＲ７は同一でも異なってもよく、独立してＨ；または１−６個の炭素を有するアルキル基；またはハロゲン；または−ＯＳＯ２Ｒ１９（ここでＲ１９は１−６個の炭素を有するアルキル、１−６個の炭素を有するペルフルオロアルキル、またはアリールである）；またはＯＭＥＧＡ；または−ＯＨ、−ＯＲ８、−ＳＲ８、−（ＮＲ８Ｒ９）（ここでＲ８およびＲ９は同一でも異なってもよく、独立してＨ；または１−６個の炭素を有するアルキル基；または１−２個の脂環、脂肪族複素環、芳香環もしくは芳香族複素環であり、これらは１−４個の異種原子を含み、これらの異種原子はＯ、ＮもしくはＳであり；あるいはＲ８とＲ９は合わせて−（ＣＨ２）２−Ｌ−（ＣＨ２）２−であり、ここでＬは単結合、−Ｏ−、−ＣＨ２−または−ＮＲ１０−であり、ここでＲ１０はＨまたは１−６個の炭素を有するアルキル基である）であり；ｔ＝１−４であり；
あるいはＲ６とＲ７は合わせて−（ＣＨ２）ｖ−（ここでｖ＝３または４である）であるか、またはＲ６とＲ７は式Ｑ２による縮合芳香環を形成し；
Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３およびＲ１４は同一でも異なってもよく、独立してＨ；または１−６個の炭素を有するアルキル基；またはハロゲン；またはＯＭＥＧＡ；または−ＯＨ、−ＯＲ８、−ＳＲ８、もしくは−（ＮＲ８Ｒ９）であり；
ＯＭＥＧＡは、飽和または不飽和の、置換された、または置換されていない環式置換基であり、これは１−２個の脂環、脂肪族複素環、芳香環もしくは芳香族複素環（これらは１−４個の異種原子を含み、これらの異種原子はＯ、ＮまたはＳである）中に合計２−１６個の環炭素原子を有し、これは置換されていないか、または所望により独立してハロゲン、アルキル、ペルフルオロアルキル、アミノ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アルコキシもしくはカルボキシアルキル（１−６個の炭素を有する）により１または２回以上置換されており、
かつこれはＲ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３またはＲ１４として単結合により結合しており；かつＲ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３およびＲ１４のうち少なくとも１個はＯＭＥＧＡであり、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３およびＲ１４のうち２個以上がＯＭＥＧＡである場合、それぞれのＯＭＥＧＡは所望により同一か、または異なる］；
ｂ）該染料化合物が該試料中の核酸と結合して、検出可能な蛍光信号を発する核酸−染料コンプレックスを形成するのに十分な期間、該試料をインキュベートする工程；
ｃ）該核酸−染料コンプレックスの検出可能な蛍光信号を観察する工程、
を含む、方法。