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【手続補正書】
【提出日】平成22年7月20日(2010.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
腹膜透析液供給源と、
患者の腹腔への及び患者の腹腔からの前記腹膜透析液を通すための患者ラインと、
前記患者ラインを通して前記患者の腹部に所定量の腹膜透析液を送出するためのコントローラと、
前記腹膜透析液を前記患者に送出する前に該腹膜透析液を加熱する加熱器であって、センタータップを介して電気的に直列に接続された少なくとも２つの加熱要素を有する加熱器と、
入力される電源線に接続され、電源電圧が２２０ＶＡＣであるか又は１１０ＶＡＣであるかを検出し、該電源電圧を示す出力を生成する電圧検出回路と、
２２０ＶＡＣ又は１１０ＶＡＣのいずれの電圧においても、前記加熱器によってほぼ同じワット量が自動的に生成され、前記腹膜透析液がほぼ同じ率で加熱されるように、前記電圧検出回路の前記出力に応答して、直列接続された前記加熱要素に２２０ＶＡＣを印加する又は並列接続された前記加熱要素に前記センタータップを介して１１０ＶＡＣを印加するスイッチ回路と
を備えることを特徴とする可搬型腹膜透析器。
【請求項２】
前記電圧検出回路が、前記スイッチ回路に、一方が２２０ＶＡＣの電源電流の存在を示し他方が１１０ＶＡＣの電源電流の存在を示す２つの相補的な相互排他的論理出力を供給することを特徴とする請求項１記載の可搬型腹膜透析器。
【請求項３】
前記加熱要素が、電気的に相互接続された抵抗加熱コイルであることを特徴とする請求項１記載の可搬型腹膜透析器。
【請求項４】
前記腹膜透析液供給源が腹膜透析液袋であり、前記可搬型腹膜透析器が加熱袋と該加熱袋を受容するための前記コントローラ上のトレーとを更に含み、前記加熱袋を温めるために前記加熱器が前記トレーと動作的に並置されることを特徴とする請求項１記載の可搬型腹膜透析器。
【請求項５】
前記加熱要素が、前記トレーに埋め込まれた抵抗加熱コイルであることを特徴とする請求項１記載の可搬型腹膜透析器。
【請求項６】
前記加熱器が、センタータップを介して直列に接続された１対の補助加熱要素を更に含み、前記スイッチ回路が、２２０ＶＡＣ又は１１０ＶＡＣのいずれの電圧においても前記補助加熱要素によってほぼ同じワット量が自動的に生成されるように、直列接続された前記補助加熱要素に２２０ＶＡＣを印加する又は並列接続された前記補助加熱要素に前記センタータップを介して１１０ＶＡＣを印加することを特徴とする請求項１記載の可搬型腹膜透析器。
【請求項７】
前記スイッチ回路が、スイッチ制御回路と、前記電源電圧及びニュートラルを前記加熱要素と相互接続させる複数のスイッチとを含むことを特徴とする請求項１記載の可搬型腹膜透析器。
【請求項８】
前記腹膜透析液の加温を開始又は停止させるために、前記スイッチ制御回路が、個別に生成される加熱器オン／オフ信号に応答して、前記スイッチが前記電源電圧及びニュートラルを前記加熱要素に接続するよう制御することを特徴とする請求項１記載の可搬型腹膜透析器。
【請求項９】
前記複数のスイッチが第１、第２、第３及び第４のスイッチを含み、前記第１のスイッチが閉じると前記加熱要素のうち一方の加熱要素の端部が２２０ＶＡＣの電源電圧に接続され、前記第２のスイッチが閉じると前記加熱要素のうちの一方の加熱要素の端部がニュートラルに接続され、前記第３のスイッチが閉じると前記電源電圧が前記センタータップに接続され、前記第４のスイッチが閉じると前記加熱要素のうち他方の加熱要素の端部がニュートラルに接続され、前記電圧検出回路の前記出力が電圧電源が１１０ＶＡＣであることを示す場合には前記スイッチ制御回路が前記第２、第３及び第４のスイッチを閉じ、前記電圧検出回路の前記出力が、電圧電源が２２０ＶＡＣであることを示す場合には前記スイッチ制御回路が前記第１及び第４のスイッチを閉じることを特徴とする請求項７記載の可搬型腹膜透析器。
【請求項１０】
前記腹膜透析液の加温を開始又は停止させるために、前記スイッチ制御回路が、個別に生成される加熱器オン／オフ信号に応答して、前記スイッチに、前記電源電圧及びニュートラルを前記加熱要素に接続させることを特徴とする請求項９記載の可搬型腹膜透析器。
【請求項１１】
腹膜透析液供給源、前記腹膜透析液を加熱するように構成された相互接続された複数の加熱要素を有する加熱手段、および電源電圧検出手段、を備えた腹膜透析器の作動方法であって、
電源電圧を自動的に検出する工程、
少なくとも２つの実質的に異なる電源電圧において前記腹膜透析液を加熱するのに同じワット量を供給するために、検出された電源電圧に応答して、電源電圧及びニュートラルと前記相互接続された複数の加熱要素との接続を自動的に再構成する工程、
前記再構成された加熱要素を用いて前記腹膜透析液を加熱する工程、および
腹膜透析液を送出する工程
を有することを特徴とする腹膜透析器の作動方法。
【請求項１２】
前記加熱要素が少なくとも１つの接合部を介して直列接続され、前記再構成する工程が、一方の電源電圧では直列接続された前記加熱要素に電源電圧を自動的に印加し、他方の電源電圧では並列接続された前記加熱要素に電源電圧を自動的に印加することを特徴とする請求項１１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月31日(2011.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成された複数のＧａＮ系半導体層からなる半導体積層体とを有し、
該半導体積層体には、前記基板から最も離れた位置に配置されたｐ型層と、該ｐ型層と前記基板との間に配置された発光層と、前記ｐ型層とで前記発光層を挟むように配置されたｎ型層とが含まれており、
前記ｐ型層の上には、透光性の絶縁膜が部分的に形成されるとともに、該ｐ型層との間の一部に該絶縁膜を挟むように透光性の導電性酸化物膜が形成されており、
該導電性酸化物膜の前記絶縁膜上を覆う部分の上に正パッド電極が形成されており、
該導電性酸化物膜は前記絶縁膜上を覆う部分の一部に開口部を有し、
該開口部の位置では前記正パッド電極と前記絶縁膜とが接している、ＧａＮ系ＬＥＤ素子。
【請求項２】
前記正パッド電極が、Ａｌ、Ａｇまたは白金族元素を主成分とする反射層を有する、請求項１に記載のＧａＮ系ＬＥＤ素子。
【請求項３】
前記正パッド電極の面積が前記ｐ型層の上面の面積の３０％未満である、請求項１または２に記載のＧａＮ系ＬＥＤ素子。
【請求項４】
前記基板が透光性を有する基板である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のＧａＮ系ＬＥＤ素子。
【請求項５】
前記基板が金属材料からなる基板である、請求項１〜３のいずれかに記載のＧａＮ系ＬＥＤ素子。
【請求項６】
請求項４に記載のＧａＮ系ＬＥＤ素子をフリップチップ実装してなる発光装置。
【請求項７】
基板と、該基板上に形成された複数のＧａＮ系半導体層からなる半導体積層体とを有し、該半導体積層体には、前記基板から最も離れた位置に配置されたｐ型層と、該ｐ型層と前記基板との間に配置された発光層と、前記ｐ型層とで前記発光層を挟むように配置されたｎ型層とが含まれており、前記ｐ型層の上に、透光性の導電性酸化物膜と、該導電性酸化物膜と電気的に接続した正パッド電極とが形成されているＧａＮ系ＬＥＤ素子において、
前記正パッド電極の一部が前記導電性酸化物膜の上に形成されており、前記正パッド電
極の残りの部分と前記ｐ型層とが透光性の絶縁膜によって隔てられていることを特徴とする、ＧａＮ系ＬＥＤ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月31日(2011.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気接続とともに液圧／空圧接続を同時に実現するための複合ソケットにおいて、
電気接点（５）および液圧／空圧ポート（６）が一体化され、好ましくはスロット形状からなる収容要素（８）と、液圧により作動されることが可能な、プラグとの積極的な当接を保持してロックするための保持およびロック機構（１３、１４、１５、１６）とを備え、
前記保持およびロック機構（１３、１４、１５、１６）は、ソケットケーシング内に回動可能または直線移動可能に支持される少なくとも１つのレバー（１３）を有し、前記レバーの一端に、前記レバー（１３）を回動または移動させるための作動手段（１６）がヒンジ連結され、前記レバーの他端に、挿入されたソケットと当接するようにクランピングローラ形状の押圧部材（１４）が設けられ、前記レバー（１３）は、付勢ばね（１５）によって、前記挿入されたソケットに対して保持力を加えるように付勢され、
前記作動手段（１６）は、前記プラグを前記ソケット（１）内に挿入する操作によって、ロックするために作動するとともに、前記作動手段（１６）による作動は、前記ソケット（１）の少なくとも１つの液圧／空圧ポート（６）に対して前記プラグを介して加えられた圧力によって引き起こされることを特徴とする複合ソケット。
【請求項２】
電気接続とともに液圧／空圧接続を同時に実現するための、請求項１記載の複合ソケット用の複合プラグ（２）において、
いくつかの電気および液圧端子が一体化された差し込み要素（２２）を備え、
アンダーカットが形成されて挿入方向に作用するいくつかのビーズ状突起が設けられ、前記ビーズ状突起は、前記プラグ（２）の挿入方向に作用するソケット側ロック機構（１３、１４、１５、１６）の保持およびロックする力を受けるために、前記挿入方向において差し込み要素（２２）の両側領域の前部に設けられていることを特徴とする複合プラグ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月17日(2011.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）セラミド脂質類、（Ｂ）Ｎ−アシル−Ｎ−アルキルタウリン又はその塩及び（Ｃ）グリセリンを含有し、成分（Ａ）と（Ｂ）の質量比が（Ａ）：（Ｂ）＝２：１〜１４：１であり、成分（Ｃ）の含有量が７０〜９９質量％である混合物を水相に分散させることを特徴とするセラミド脂質類分散液の製造法。
【請求項２】
（Ａ）セラミド脂質類が、一般式（１）で表されるものである請求項１記載のセラミド脂質類分散液の製造法。
【化１】
2008081407.tif 000001
（式中、Ｒ1はヒドロキシル基、カルボニル基若しくはアミノ基が置換していてもよい、炭素数４〜３０の直鎖、分岐鎖若しくは環状の飽和若しくは不飽和の炭化水素基又は水素原子を示し；Ｚはメチレン基、メチン基又は酸素原子を示し；Ｘ1、Ｘ2及びＸ3は各々独立して水素原子、ヒドロキシル基又はアセトキシ基を示し、Ｘ4は水素原子、アセチル基又はグリセリル基を示すか、隣接する酸素原子と一緒になってオキソ基を形成し（但し、Ｚがメチン基のとき、Ｘ1とＸ2のいずれか一方が水素原子であり、他方は存在しない。Ｘ4がオキソ基を形成するとき、Ｘ3は存在しない。）；Ｒ2及びＲ3は各々独立して水素原子、ヒドロキシル基、ヒドロキシメチル基又はアセトキシメチル基を示し；Ｒ4はヒドロキシル基、カルボニル基又はアミノ基が置換していてもよい、主鎖にエーテル結合、エステル結合又はアミド結合を有していてもよい炭素数５〜６０の直鎖、分岐鎖又は環状の飽和又は不飽和の炭化水素基を示し；Ｒ5は水素原子を示すか、ヒドロキシル基、ヒドロキシアルコキシ基、アルコキシ基及びアセトキシ基から選ばれる置換基を有していてもよい、総炭素数１〜３０の直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の炭化水素基を示し（但し、Ｒ1が水素原子、Ｚが酸素原子のときＲ5は総炭素数１０〜３０の炭化水素基であり、Ｒ1が炭化水素基のときＲ5は総炭素数１〜８の炭化水素基である）；破線部は不飽和結合であってもよいことを示す）
【請求項３】
成分（Ａ）〜（Ｃ）の混合物と水相との質量比が、９０：１０〜１：９９である請求項１又は２記載のセラミド脂質類分散液の製造法。
【請求項４】
成分（Ａ）〜（Ｃ）の３成分を混合する際、水を配合しない請求項１〜３のいずれか１項記載のセラミド脂質類分散液の製造法。
【請求項５】
セラミド脂質類分散液中の成分（Ａ）の含有量が０．０００１〜１０質量％である請求項１〜４のいずれか１項記載のセラミド脂質類分散液の製造法。
【請求項６】
成分（Ｃ）が、含水率２０％以下のグリセリンである請求項１〜５のいずれか１項記載のセラミド脂質類分散液の製造法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項記載の方法により得られるセラミド脂質類分散液。
【請求項８】
請求項７記載のセラミド脂質類分散液を含有する化粧料。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月12日(2011.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）ポリ塩化ビニル；
Ｂ）ポリ塩化ビニル１００重量部当り５重量部〜７５重量部の範囲にある、エチレン及び不飽和エステル軟化モノマーの一酸化炭素改質コポリマー；
Ｃ）エチレン及び不飽和エステル軟化モノマーの一酸化炭素改質コポリマー１００重量部当り０．０３重量部〜１０重量部の範囲にある、過塩素酸ナトリウム；並びに、任意に、
Ｄ）少なくとも１種の可塑剤であって、前記可塑剤が、独立に各アルキル基において炭素原子７〜１１個を有するフタル酸ジアルキル及びトリメリト酸トリアルキルからなる群から選択されるもの；
Ｅ）１）炭素原子６〜２４個を有する脂肪族及び芳香族非窒素含有モノカルボン酸のバリウム、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウム及び亜鉛塩、
２）少なくとも２００ダルトンの分子量を有する置換フェノール、
３）エポキシド基を有し、かつ少なくとも２００ダルトンの分子量を有するエーテル及びエステル、並びに、
４）少なくとも２００ダルトンの分子量を有する１，３−ジカルボニル化合物
からなる群から選択される少なくとも１種の熱安定剤；
Ｆ）滑剤；
Ｇ）着色剤；並びに 
Ｈ）充填剤、
を含むプラスチック組成物。
【請求項２】
エチレン及び不飽和エステル軟化モノマーの一酸化炭素改質コポリマーが、一酸化炭素改質エチレン−酢酸ビニルコポリマーを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
不飽和エステル軟化モノマーが、ビニルエステル軟化モノマーを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
ビニルエステル軟化モノマーが、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、２−エチルヘキサン酸ビニル、及びネオデカン酸ビニルからなる群から選択される、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
不飽和エステル軟化モノマーが、アクリル酸アルキル軟化モノマー及び／又はメタクリル酸アルキル軟化モノマーを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
アクリル酸アルキル軟化モノマー及び／又はメタクリル酸アルキル軟化モノマーが、アクリル酸メチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸イソブチル、及びメタクリル酸イソノニルからなる群から選択される、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記少なくとも１種の熱安定剤が含まれ、かつ、炭素原子７〜２４個を有するモノカルボン酸のバリウム塩、カルシウム塩、マグネシウム塩、ストロンチウム塩、及び亜鉛塩からなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記少なくとも１種の熱安定剤が含まれ、かつ、エポキシド化合物である、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
さらに難燃剤を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
難燃剤が、オクタモリブデン酸アンモニウム及び他のモリブデン酸塩、五酸化アンチモン、三酸化アンチモン、ＩＩ族金属スズ酸塩及びヒドロキシスズ酸塩、並びにホウ酸亜鉛からなる群から選択される、請求項９に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月23日(2011.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
現像ローラと、前記現像ローラの下方において現像剤を収容する現像剤収容室とを有する現像器を備え、前記現像器が上下方向に移動可能に構成された、電子写真方式の画像形成装置であって、
傾斜面と、前記傾斜面を上方へ向けて押圧するバネと、を有する、傾斜部材を備え、
前記傾斜部材は、所定の移動方向に沿って、前記現像器が前記傾斜部材の上に載る第１位置と、前記現像器との係合が解除される第２位置とに移動するように構成された、画像形成装置。
【請求項２】
前記傾斜部材の傾斜面は、前記移動方向における第１位置側から第２位置側へ向かうにしたがって下がるように構成された、請求項１の画像形成装置。
【請求項３】
前記現像器を収容する本体ケースをさらに備え、
前記現像器は、前記本体ケースに対して、前記現像ローラの軸線方向における一方側から引き出されるように構成された、請求項１又は請求項２の画像形成装置。
【請求項４】
前記現像器は、複数配列して設けられた、請求項１〜３の何れかの画像形成装置。
【請求項５】
前記所定の移動方向は、水平方向である、請求項１〜４の何れかの画像形成装置。
【請求項６】
現像ローラと、前記現像ローラの下方において現像剤を収容する現像剤収容室とを有する現像器を備え、前記現像器が上下方向に移動可能に構成された、電子写真方式の画像形成装置であって、
押圧面と、前記押圧面を上方へ向けて付勢するバネと、を有する、押圧部材を備え、
前記押圧部材は、所定の移動方向に沿って、前記現像器が前記押圧部材の上に載る第１位置と、前記現像器との係合が解除される第２位置とに移動するように構成された、画像形成装置。
【請求項７】
前記現像器を収容する本体ケースをさらに備え、
前記現像器は、前記本体ケースに対して、前記現像ローラの軸線方向における一方側から引き出されるように構成された、請求項６の画像形成装置。
【請求項８】
前記現像器は、複数配列して設けられた、請求項６又は請求項７の画像形成装置。
【請求項９】
前記所定の移動方向は、水平方向である、請求項６〜８の何れかの画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記目的を達成するため、本発明の画像形成装置は、現像ローラと、前記現像ローラの下方において現像剤を収容する現像剤収容室とを有する現像器を備え、前記現像器が上下方向に移動可能に構成された、電子写真方式の画像形成装置であって、傾斜面と、前記傾斜面を上方へ向けて押圧するバネと、を有する、傾斜部材を備え、前記傾斜部材は、所定の移動方向に沿って、前記現像器が前記傾斜部材の上に載る第１位置と、前記現像器との係合が解除される第２位置とに移動するように構成されている。また、現像ローラと、前記現像ローラの下方において現像剤を収容する現像剤収容室とを有する現像器を備え、前記現像器が上下方向に移動可能に構成された、電子写真方式の画像形成装置であって、押圧面と、前記押圧面を上方へ向けて付勢するバネと、を有する、押圧部材を備え、前記押圧部材は、所定の移動方向に沿って、前記現像器が前記押圧部材の上に載る第１位置と、前記現像器との係合が解除される第２位置とに移動するように構成されていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月24日(2011.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子ペンと、この電子ペンによるタッチ操作が行われるタッチ面を備えたタッチパネル体と、前記タッチ面上での前記電子ペンのタッチ位置を検出する位置検出装置と、前記タッチ面を表示画面として所要の画像を表示する表示装置と、前記位置検出装置から取得した位置検出情報に応じた画像を前記表示装置に表示させる制御装置と、を備えた電子ペンシステムであって、
前記電子ペンは、属性をユーザにより選択させる属性選択手段を備え、この属性選択手段により選択された属性情報及び自身の識別情報を付加したペン情報を前記制御装置に送信し、
前記制御装置は、前記電子ペンから受信したペン情報により取得した属性情報に応じた画像を前記表示装置に表示させることを特徴とする電子ペンシステム。
【請求項２】
前記電子ペンは、タッチ操作時に前記ペン情報を前記制御装置に送信し、
前記制御装置は、前記位置検出装置からの位置検出情報を受信するのと略同時に受信したペン情報に基づいて、前記位置検出装置から受信した位置検出情報がいずれの電子ペンによるものかを判別することを特徴とする請求項１に記載の電子ペンシステム。
【請求項３】
前記制御装置は、以前に描画された画像に重なり合うように新たな画像が描画される場合に、以前に描画された画像と新たに描画される画像との重複部分を、予め指定された描画規則に基づいて描画する描画制御手段を備え、
前記電子ペンは、前記描画規則をユーザに指定させる描画規則指定手段を備え、この描画規則指定手段で指定された描画規則に関する情報を前記制御装置に送信することを特徴とする請求項１若しくは請求項２に記載の電子ペンシステム。
【請求項４】
前記描画規則は、以前に描画された画像と新たに描画される画像との重複部分を、新たな画像の描画条件にしたがって描画する上書き処理に関するものであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子ペンシステム。
【請求項５】
前記描画規則は、以前に描画された画像と新たに描画される画像との重複部分を、両者の描画条件を指定の比率により変更した描画条件で描画する重ね合わせ処理に関するものであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の電子ペンシステム。
【請求項６】
複数の電子ペンによるタッチ操作が行われるタッチ面を表示画面とし、前記タッチ面上での前記電子ペンのタッチ位置及び前記電子ペンの属性に応じた画像を前記表示画面に表示させる制御装置と通信を行う電子ペンであって、
前記電子ペンの属性をユーザにより選択させる属性選択手段と、この属性選択手段により選択された属性及び自身の識別情報を付加したペン情報を前記制御装置に送信する送信手段とを備えることを特徴とする電子ペン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
このような要望に関連して、従来、ユーザが必要に応じて電子ペンの属性を変更することができるようにした技術が知られている（特許文献１参照）。また、異なる属性が割り振られた複数の電子ペンを同時に使用することができるようにした技術が知られている（特許文献２参照）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
前記課題を解決するためになされた第５の発明は、前記第１〜第４の発明において、前記描画規則は、以前に描画された画像と新たに描画される画像との重複部分を、両者の描画条件を指定の比率により変更した描画条件で描画する重ね合わせ処理に関するものである構成とする。
前記課題を解決するためになされた第６の発明は、複数の電子ペンによるタッチ操作が行われるタッチ面を表示画面とし、前記タッチ面上での前記電子ペンのタッチ位置及び前記電子ペンの属性に応じた画像を前記表示画面に表示させる制御装置と通信を行う電子ペンであって、前記電子ペンの属性をユーザにより選択させる属性選択手段と、この属性選択手段により選択された属性及び自身の識別情報を付加したペン情報を前記制御装置に送信する送信手段とを備える構成とする。
これによると、複数の電子ペンの各々をユーザが必要に応じて属性を適宜に切り替えて使用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月6日(2011.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
複数のセンサーセル（１）が、配列又はアレーの形状で、同じセンサーチップ上に密に隣接して配置されていることと、
信号処理部の少なくとも一部が、同じ半導体基板上に統合されていることと、
を特徴とする請求項１から１２までのいずれか一つに記載の赤外線温度センサー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
当該の光学系が、筐体に固定して取り付けられた第一のレンズ（１３）と、筐体外に置かれた第二のレンズ（２３）とから構成されており、第二のレンズ（２３）が、気密に取り付けられておらず、交換可能であることを特徴とする請求項１から１６までのいずれか一つに記載の赤外線温度センサー。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
当該の光学系が、筐体に固定して取り付けられた第一のレンズ（１３）と、筐体外に置かれた第二のレンズ（２３）とから構成されており、第二のレンズ（２３）が、調整機器によって、センサー素子との間隔を調節することが可能であることを特徴とする請求項１から１７までのいずれか一つに記載の赤外線温度センサー。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
測定点の小さい単一素子のセンサーセルとするために、ブリッジ以外の中央の領域４に吸収層５を限定することができる。複数の素子の構造（図７も参照）に対しては、面利用率を向上するために、吸収体５を接続ブリッジ６全体又は少なくともその一部の上に拡大することもできる（図２ｂ）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
図８は、有利には、カバー１２内の光学系１３が赤外線レンズによって構成されている、アレーとして配置されたセンサー素子の実施構成を図示している。センサーチップとレンズの両方が、互いにセンサー筐体内の中心に置かれている。赤外線がセンサー素子上に鋭く結像するように、カバーの高さを調整しなければならない。基本的には、そのような光学系の代わりに、フィルターディスク１３Ａ（図９ｂ）を使用することもできる。その場合、レンズは、筐体の外に置かなければならない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
センサー筐体内の雰囲気１５に応じて、平坦な側を外側にしてカバー１２内に、或いは平坦な側をセンサー内部に向けてカバー１２の外側の上にレンズ１３又はフィルター１３Ａを取り付けることが有利な場合が有る。そのような取付けは、有利には、レンズ１３の密閉面がカバー１２に加えて筐体内部と外部環境の間の圧力差にも適合するような手法で行われる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９ｂ】
2011145296.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月9日(2011.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７】  では具体的に述べる。  図１はあるコースの俯瞰図である。東西南北の碁盤目をあてはめて、各交点をＰ（Ｘｎ，Ｙｍ）と命名する。各交点について実測されたデータが、かくポイントごとの属性として、収集保管されデータベースとなる。拡大図１２によって示されるａ，ｂ，ｃが対象地点であり、この標高差が測定装置により実測される。図５、図６が測定装置を示している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３】  デジタル計測装置であるレーザー距離計を図５、図６のように３基組み合わせ、接地を回避したことによりほぼ満足のいく解決法となっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
以下の構成をもって成る実測装置。ドーナツ型の水槽４に浮かべた３脚フロート６の中央より倒立懸架された支柱２の、中ほどおよび下端付近の２箇所に正三角形の２枚の板をその重心を貫通せる支柱２に対し直角に配し、これにより支柱に平行に設置された口径および長さの等しい３本の直管５を、板表面に仮定する正三角形の各頂点にて支持している。各直管の上端に測距器もしくはレーザー距離計１を下方に向けて装着し、光線は直管内を通過する仕組みと成すとともに無線ないし有線にてスイッチ入力・測定値出力などの関係情報を外部パソコンなどと交信するＬＡＮ機構を装備する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
ゴルフコースの地形図におけるＸＹ軸の水平座標に基づく単位正方形区画の内部に正三角形を位置づける規格を設け、その各頂点に関する標高Ｚ値を計測もしくは計算する事によって得るところのセットデータを個別区画毎に帰属させる仕組みであるとともに、現実区画に対応する地図上の区画を座標に基づき識別しつつ併せて属性を提示する構成のデータベース。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月23日(2011.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示する画像表示層と、該画像表示層が表示する該画像を分離する視差光学素子とを備え、該視差光学素子が第一方向に視差バリアを形成する第一方向表示モードと、該視差光学素子が該第一方向に直交する第二方向に視差バリアを形成する第二方向表示モードとを動作モードとして有する立体画像表示装置であって、
該視差光学素子は、
該第一方向に伸びている第一電極と、
該第二方向に伸びている第二電極とを有するものであり、
該第一電極及び該第二電極は、該視差バリアが該第一方向あるいは該第二方向に沿って形成されるようお互いに独立してアドレスされるものであることを特徴とする立体画像表示装置。
【請求項２】
前記第一電極及び前記第二電極はそれぞれ、複数のストライプ電極を含むものであり、
該第一電極及び該第二電極のそれぞれを構成する該複数のストライプ電極は、等間隔で並べられていることを特徴とする、請求項１に記載の立体画像表示装置。
【請求項３】
前記第一電極及び前記第二電極は、これらの間に絶縁層を介在させて積層したものであることを特徴とする、請求項１または２に記載の立体画像表示装置。
【請求項４】
前記第一方向表示モードにおいて、前記第一電極が前記第二電極に対して独立してアドレスされるよう、前記第一電極を活性化することを特徴とする、請求項１に記載の立体画像表示装置。
【請求項５】
前記第二方向表示モードにおいて、前記第二電極が前記第一電極に対して独立してアドレスされるよう、前記第二電極を活性化することを特徴とする、請求項１に記載の立体画像表示装置。
【請求項６】
二次元画像を表示する二次元画像表示モードを設けるとともに、前記第一方向表示モード及び前記第二方向表示モードをそれぞれ、立体画像を表示する立体画像表示モードとし、
前記二次元画像表示モードを、前記第一電極及び前記第二電極を活性化しない動作モードとすることを特徴とする請求項１に記載の立体画像表示装置。
【請求項７】
前記第一方向表示モード及び前記第二方向表示モード以外の動作モードで動作するとき、前記第一電極及び前記第二電極を非活性化とすることを特徴とする、請求項１に記載の立体画像表示装置。
【請求項８】
前記画像表示層を構成するピクセルは、複数のカラーピクセルを複合してなる複合ピクセルであり、
該複合ピクセルは、その平面形状を正方形としたものであることを特徴とする、請求項１に記載の立体画像表示装置。
【請求項９】
立体画像を表示する動作モードとして第一方向表示モード及び第二方向表示モードを有する立体画像表示装置で使用され、該第一方向表示モードでは第一方向に視差バリアを形成し、該第二方向表示モードでは、該第一方向に直交する第二方向に視差バリアを形成する視差光学素子であって、
該第一方向に伸びている第一電極と、
該第二方向に伸びている第二電極とを有し、
該第一電極及び該第二電極は、該視差バリアが該第一方向あるいは該第二方向に沿って形成されるようお互いに独立してアドレスされるものであることを特徴とする視差光学素子。
【請求項１０】
前記第一電極及び前記第二電極はそれぞれ、複数のストライプ電極を含むものであり、
該第一電極及び該第二電極のそれぞれを構成する該複数のストライプ電極は、等間隔で並べられていることを特徴とする、請求項９に記載の視差光学素子。
【請求項１１】
前記第一電極及び前記第二電極は、これらの間に絶縁層を介在させて積層したものであることを特徴とする、請求項９または１０に記載の視差光学素子。
【請求項１２】
立体画像を表示する動作モードとして第一方向表示モード及び第二方向表示モードを有する立体画像表示装置で使用され、該第一方向表示モードでは第一方向に視差バリアを形成し、該第二方向表示モードでは、該第一方向に直交する第二方向に視差バリアを形成する視差光学素子を製造する方法であって、
基板の上に、該第一方向に伸びている第一電極を形成するステップと、
基板の上に、該第二方向に伸びている第二電極を形成するステップと、
該第一電極及び該第二電極をお互いに独立してアドレスすることにより、該視差バリアが該第一方向あるいは該第二方向に沿って形成されるよう、該第一電極と該第二電極とを電気的に分離する絶縁層を形成するステップとを含むことを特徴とする、視差光学素子の製造方法。
【請求項１３】
画像を表示する画像表示層と、該画像表示層が表示する該画像を分離する視差光学素子とを備えた立体画像表示装置を、該視差光学素子が第一方向に視差バリアを形成する第一方向表示モードと、該視差光学素子が該第一方向に直交する第二方向に視差バリアを形成する第二方向表示モードとで駆動する方法であって、
該第一方向表示モードにおいて、該第一方向に伸びている第一電極が該第二方向に伸びている第二電極に対して独立してアドレスされるよう該第一電極を活性化し、
該第二方向表示モードにおいて、該第二電極が該第一電極に対して独立してアドレスされるよう該第二電極を活性化することを特徴とする、立体画像表示装置の駆動方法。
【請求項１４】
前記第一方向表示モード及び前記第二方向表示モード以外の動作モードで動作するとき、前記第一電極及び前記第二電極を非活性化とすることを特徴とする請求項１３に記載の立体画像表示装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月1日(2010.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
複数の入出力セルを有する半導体チップと、
前記半導体チップの表面上に形成された複数のパッドと、
前記半導体チップの表面上に形成され、且つ前記複数の入出力セルの少なくとも一部と前記複数のパッドの少なくとも一部とを電気的に接続する配線とを備え、
前記複数のパッドは、前記半導体チップの中央部において四角格子状に配置され、且つ、前記半導体チップの４つの隅部のうちの少なくとも一隅部において千鳥状に配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
第一に前記複数のパッドを配置し、第二に前記複数の入出力セルを配置し、第三にＬＳＩ内部回路素子を配置することを特徴とする請求項９に記載の半導体集積回路装置の設計方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
前記ＬＳＩ内部回路素子、前記複数の入出力セル、及び前記複数のパッドを配置する際に、配線抵抗値、配線容量値、信号到達時間制約値、配線長制約値又は配線ファンアウト制約を設定し、指定値以下となる配線制約を満たすことを特徴とする請求項１６又は１７に記載の半導体集積回路装置の設計方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月18日(2011.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高圧放電灯に交流電流を供給する電力供給手段（２０、３０）及び該電力供給手段によって供給される交流電流の電流値及び極性反転間の時間幅を周期的に変化させるための制御手段（１５）からなり、該交流電流が期間ＴＬ及び期間ＴＳの繰り返しからなり、
該期間ＴＬにおいては、第１の周波数の矩形波電流（以下、「第１の低周波電流」という）の半サイクルの直後に該所定の周波数よりも高い周波数の電流（以下、「高周波電流」という）が１サイクル印加され、該高周波電流１サイクルのうちの後半の半サイクルのみ又は該高周波電流１サイクル全部のピーク電流値が該第１の低周波電流の電流値よりも高く、該期間ＴＳにおいては、第２の周波数の矩形波電流（以下、「第２の低周波電流」という）のみが繰り返されるように、前記制御手段によって前記電力供給手段が制御される高圧放電灯点灯装置。
【請求項２】
請求項１記載の高圧放電灯点灯装置において、前記期間ＴＬの｛半サイクルの正の前記第１の低周波電流、１サイクルの高周波電流、半サイクルの負の前記第１の低周波電流、１サイクルの高周波電流｝を単位サイクルＵＬとして、該単位サイクルＵＬの繰り返し周波数が７０Ｈｚ以上２００Ｈｚ以下であることを特徴とする高圧放電灯点灯装置。
【請求項３】
請求項１記載の高圧放電灯点灯装置において、前記期間ＴＳを構成する前記第２の低周波電流の周波数が５０Ｈｚ以上１００Ｈｚ以下であることを特徴とする高圧放電灯点灯装置。
【請求項４】
請求項１記載の高圧放電灯点灯装置において、前記期間ＴＬの継続時間と前記期間ＴＳの継続時間の合計に対する該期間ＴＳの継続時間の比が１０％以上５０％以下であることを特徴とする高圧放電灯点灯装置。
【請求項５】
請求項１記載の高圧放電灯点灯装置（６１）、高圧放電灯（５０）、該高圧放電灯が取り付けられるリフレクタ（６２）、並びに該高圧放電灯点灯装置及び該リフレクタを内包する筐体（６３）を備えたプロジェクタ。
【請求項６】
交流電流を供給する電力供給手段（２０、３０）及び該電力供給手段によって供給される交流電流の電流値及び極性反転間の時間幅を周期的に変化させるための制御手段（１５）を用いた高圧放電灯の点灯方法であって、
第１の周波数の矩形波電流（以下、「第１の低周波電流」という）の半サイクルの直後に該所定の周波数よりも高い周波数の電流（以下、「高周波電流」という）を１サイクル印加するステップであって、該高周波電流１サイクルのうちの後半の半サイクルのみ又は該高周波電流１サイクル全部のピーク電流値が該第１の低周波電流の電流値よりも高くなるように印加するステップ（ＴＬ）、及び
第２の周波数の矩形波電流（以下、「第２の低周波電流」という）のみを通電するステップ（ＴＳ）
からなり、
前記ステップ（ＴＬ）と前記ステップ（ＴＳ）が繰り返される点灯方法。
【請求項７】
請求項６記載の点灯方法において、前記ステップ（ＴＬ）における｛半サイクルの正の前記第１の低周波電流、１サイクルの高周波電流、半サイクルの負の前記第１の低周波電流、１サイクルの高周波電流｝を単位サイクルＵＬとして、該単位サイクルＵＬの繰り返し周波数が７０Ｈｚ以上２００Ｈｚ以下である点灯方法。
【請求項８】
請求項６記載の点灯方法において、前記ステップ（ＴＳ）における前記第２の低周波電流の周波数が５０Ｈｚ以上１００Ｈｚ以下である点灯方法。
【請求項９】
請求項６記載の点灯方法において、前記ステップ（ＴＬ）の継続時間と前記ステップ（ＴＳ）の継続時間の合計に対する該ステップ（ＴＳ）の継続時間の比が１０％以上５０％以下である点灯方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月14日(2011.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光素子を有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成され、銅が埋め込まれて形成された配線層を含む複数の配線層間膜と、
最上層の前記配線層間膜上に形成され、Ｓｉ−Ｈ濃度がＮ−Ｈ濃度より小さいシリコン窒化膜と、
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記シリコン窒化膜は少なくとも前記受光素子上方領域に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記受光素子上方領域に形成される前記シリコン窒化膜は、２層のシリコン窒化膜からなることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記シリコン窒化膜は、前記受光素子上方領域及び周辺回路領域上方領域に形成され、前記周辺回路領域上方領域に形成されるシリコン窒化膜に比べ、前記受光素子上方領域に形成されるシリコン窒化膜が薄いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記シリコン窒化膜上の少なくとも前記受光素子上方領域に形成された平坦化膜と、
前記平坦化膜上に形成されたカラーフィルタと、
前記カラーフィルタ上に形成されたマイクロレンズと、
をさらに有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体基板の表面部に受光素子を形成し、
前記半導体基板上に、銅を埋め込んで形成した配線層を含む配線層間膜を複数形成し、
最上層の前記配線層間膜上にＳｉ−Ｈ濃度がＮ−Ｈ濃度より小さい第１のシリコン窒化膜を形成し、
周辺回路部において前記最上層の配線層間膜に含まれる前記配線層と接触するコンタクトプラグと、前記コンタクトプラグに接触する配線とを形成し、
前記配線を覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記受光素子上方の前記層間絶縁膜を除去し、
前記受光素子上方にＳｉ−Ｈ濃度がＮ−Ｈ濃度より小さい第２のシリコン窒化膜を形成する半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月12日(2011.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
入力された電子文書データに情報を埋め込む情報処理方法であって、
画像生成手段が、前記電子文書データから文書画像を生成する画像生成工程と、
検出手段が、前記生成された文書画像中の各構成画像のレイアウト情報を検出する検出工程と、
算出手段が、前記検出されたレイアウト情報に基づいて、各構成画像の配置を正規化するための正規化情報を算出する算出工程と、
埋め込み手段が、前記算出された正規化情報に基づいて、前記電子文書データを変更し、変更された電子文書データに情報を埋め込む埋め込み工程と、
を有することを特徴とする情報処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月12日(2011.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサアレイ部分または像検出部分を有する半導体装置であって、前記装置は、
半導体装置のセンサアレイ部分または像検出部分に近接し、かつ半導体装置の上にパターニングされたポリマーと、
前記パターニングされたポリマーに固定され、ガラスまたはプラスチックを含むカバーとを備え、
前記パターニングされたポリマーが、前記カバーをセンサアレイ部分または像検出部分から離間するように保持し、前記カバーを前記半導体装置に固定し、
前記パターニングされたポリマーが、少なくとも第１型及び第２型の繰り返し単位を含むノルボルネン型ポリマーからなり、
前記第１型の繰り返し単位が、下記式Ｉで表される、フェネチルノルボルネン（ＰＥＮＢ）から誘導され、前記第２型の繰り返し単位が、下記式ＩＩで表される、デシルノルボルネン（Ｄｅｃｙｌ  ＮＢ）から誘導されることを特徴とする半導体装置。
2009111356.tif 000001
【請求項２】
ノルボルネン型ポリマーを含むポリマー組成物であって、ノルボネン型ポリマーは、フェネチルノルボルネン（ＰＥＮＢ）から誘導されるフェネチル基の繰り返し単位及びデシルノルボルネン（Ｄｅｃｙｌ  ＮＢ）から誘導されるデシル基の繰返し単位を含む、ポリマー組成物。
【請求項３】
ポリマー組成物であって、グリシジルメチルエーテルノルボルネン（ＧＭＥＮＢ）から誘導されるグリシジルメチルエーテル基の繰り返し単位、またはエポキシオクチルノルボルネン（ＥＯＮＢ）から誘導されるエポキシオクチル基の繰り返し単位のうち少なくとも一つをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載のポリマー組成物。
【請求項４】
ポリマー組成物であって、グリシジルメチルエーテルノルボルネン（ＧＭＥＮＢ）から誘導されるグリシジルメチルエーテル基の繰り返し単位をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載のポリマー組成物。
【請求項５】
ポリマー組成物であって、エポキシオクチルノルボルネン（ＥＯＮＢ）から誘導されるエポキシオクチル基の繰り返し単位をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載のポリマー組成物。
【請求項６】
Ｏ、Ｎ、及びＳｉから選択される一つ以上のヘテロ原子を含むＣ１〜Ｃ２５直鎖基、分枝鎖基、及び環状アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルカリール基、アルケニル基、及びアルキニル基のペンダント基を有するノルボルネン型モノマーから誘導される繰り返し単位をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載のポリマー組成物。
【請求項７】
ノルボルネン型モノマーが、トリメトキシリルノルボルネン（ＴＭＳＮＢ）、トリエトキシリルノルボルネン（ＴＥＳＮＢ）、またはトリメトキシリルエステルノルボルネン（ＴＭＳＥＳＮＢ）のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項６に記載のポリマー組成物。
【請求項８】
構造がセンサアレイ部分または像検出部分の近傍に配置された半導体装置であって、
前記構造は、第１型、第２型、第３型の異なる種類の繰り返し単位を有するノルボルネン型ポリマーを含むポリマー組成物を含み、
前記第１の繰り返し単位がグリシジルメチルエーテルノルボルネン（ＧＭＥＮＢ）またはエポキシオクチルノルボルネン（ＥＯＮＢ）から誘導され、かつポリマー組成物中に１０〜４０モル％の範囲で含まれ、
前記第２の繰り返し単位がフェネチルノルボルネン（ＰＥＮＢ）から誘導され、かつポリマー組成物中に５〜５０モル％の範囲で含まれ、
前記第３の繰り返し単位がデシルノルボルネン（ｄｅｃｙｌ ＮＢ）またはドデシルノルボルネン（ｄｏｄｅｃｙｌ ＮＢ）から誘導され、かつポリマー組成物中に２０〜６５モル％の範囲で含まれ、
前記モル％の範囲が、ポリマーを調製するために使用されるモノマーの合計モルパーセントで表わされることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記ノルボルネン型ポリマーの第１の繰り返し単位がグリシジルメチルエーテルノルボルネンであることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記ノルボルネン型ポリマーの第３の繰り返し単位がデシルノルボルネンであることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記ノルボルネン型ポリマーが、トリエトキシリルノルボルネンから誘導され、かつポリマー組成物中に２〜１５モル％の範囲で含まれる第４の繰り返し単位をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記パターニングされたポリマーが第３の繰り返し単位をさらに含み、該第３の繰り返し単位が、ＭＧＥＮＢから誘導され、かつ下記式ＩＩＩで表されるか、あるいは、ＥＯＮＢから誘導され、かつ下記式ＩＶで表される、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
2009111356.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月8日(2011.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板と、
前記絶縁表面を有する基板上の接合層と、
前記接合層上の絶縁層と、
前記絶縁層上の単結晶半導体層と、を有し、
前記接合層、前記絶縁層及び、前記単結晶半導体層は、前記絶縁表面を有する基板上に複数設けられており、
前記複数の単結晶半導体層の一と、隣接する他の一との間隙において、前記絶縁表面を有する基板は凹部を有することを特徴とする半導体基板。
【請求項２】
請求項１において、
前記接合層は、プラズマ励起ＣＶＤ法により形成した酸化珪素膜であることを特徴とする半導体基板。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記絶縁層は、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜のいずれかを有する多層構造の絶縁層であることを特徴とする半導体基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記絶縁層は、窒化珪素膜又は窒化酸化珪素膜と、酸化窒化珪素膜の二層構造であり、前記酸化窒化珪素膜は、前記単結晶半導体層に接して設けられていることを特徴とする半導体基板。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記複数の単結晶半導体層の一と、隣接する他の一との間隔が、０．５ｍｍ以下であることを特徴とする半導体基板。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一に記載の半導体基板を用いた半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置を用いた電子機器。
【請求項８】
複数の単結晶半導体基板を第１のトレイに配置し、
前記複数の単結晶半導体基板の一表面上に絶縁層を形成し、
前記複数の単結晶半導体基板の前記一表面側からイオンを照射して、前記複数の単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、
前記絶縁層上に接合層を形成し、
前記複数の単結晶半導体基板の接合層と、絶縁表面を有する基板とを接触させることにより、前記複数の単結晶半導体基板と前記絶縁表面を有する基板とを貼り合わせ、
加熱処理を施すことにより、前記損傷領域において前記複数の単結晶半導体基板を分離させて、前記絶縁表面を有する基板上に複数の単結晶半導体層を形成し、
前記複数の単結晶半導体層に対して、エッチング処理又はエッチバック処理を施すことにより、前記複数の単結晶半導体層の表面に存在する前記損傷領域を除去すると共に、前記複数の単結晶半導体層の一と、隣接する他の一との間隙における前記絶縁表面を有する基板の表面の一部を除去して、前記絶縁表面を有する基板に凹部を形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記接合層として、プラズマ励起ＣＶＤ法を用いて酸化珪素膜を形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項１０】
請求項８又は９において、
前記絶縁層として、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜のいずれかを有する多層構造の絶縁層を形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれか一において、
前記絶縁層は、窒化珪素膜又は窒化酸化珪素膜と、酸化窒化珪素膜の二層構造であり、前記酸化窒化珪素膜を、前記単結晶半導体層に接するように形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれか一において、
前記複数の単結晶半導体層の一と、隣接する他の一との間隔を、０．５ｍｍ以下とすることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至１２のいずれか一において、
前記複数の単結晶基板と前記絶縁表面を有する基板とを貼り合わせる前に、前記複数の半導体基板を前記第１のトレイからはずして、前記複数の半導体基板を洗浄し、
前記複数の半導体基板の洗浄後、前記複数の半導体基板を第２のトレイに配置することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記第１のトレイ及び前記第２のトレイは、石英ガラス又はステンレスを用いて形成されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１３又は１４において、
前記第１のトレイと前記第２のトレイは、同一のトレイであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１３又は１４において、
前記第１のトレイと前記第２のトレイは、異なるトレイであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月29日(2011.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に、前記半導体基板の一つの面から一導電型を付与する不純物元素を添加して不純物領域を形成し、
前記不純物元素を添加した前記半導体基板の一つの面からイオンを照射して、前記不純物領域より下方に脆化層を形成し、
前記半導体基板の一つの面上、又は支持基板上の少なくともどちらか一方に絶縁層を形成し、
前記半導体基板と前記支持基板とを、前記絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、前記脆化層に亀裂を生じさせ、前記半導体基板を前記脆化層で分離する熱処理を行って前記不純物領域を含む半導体層を前記支持基板上に形成し、
前記半導体層の前記不純物領域をチャネル形成領域に用いて電界効果トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記半導体基板の一つの面上に保護層を形成し、前記半導体基板に、前記半導体基板の一つの面上に形成された前記保護層から一導電型を付与する不純物元素を添加して不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
半導体基板に、前記半導体基板の一つの面からイオンを照射して、前記半導体基板の一つの面から一定の深さに脆化層を形成し、
前記半導体基板の一つの面から一導電型を付与する不純物元素を添加して、前記半導体基板の一つの面と前記脆化層との間に不純物領域を形成し、
前記半導体基板の一つの面上、又は支持基板上の少なくともどちらか一方に絶縁層を形成し、
前記半導体基板と前記支持基板を、前記絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、前記脆化層に亀裂を生じさせ、前記半導体基板を前記脆化層で分離する熱処理を行って前記不純物領域を含んで半導体層を前記支持基板上に形成し、
前記半導体層の前記不純物領域をチャネル形成領域に用いて電界効果トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記半導体基板の一つの面上に保護層を形成し、前記半導体基板に、前記半導体基板の一つの面上に形成された前記保護層からイオンを照射して、前記半導体基板の一つの面から一定の深さに脆化層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２又は請求項４において、
前記保護層は、窒化シリコン層、酸化シリコン層、窒化酸化シリコン層、又は酸化窒化シリコン層から選ばれた一層又は複数の層による積層構造とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記一導電型を付与する不純物元素を、前記半導体基板にマスクを用いて選択的に添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記不純物領域として異なる不純物濃度を有する複数の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記支持基板としてガラス基板を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。