【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年12月11日(2008.12.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１９】
メディエータはさらに有利にはヒドロキシ基またはアミノ基に対してオルト位またはパラ位のニトロソ置換基またはメルカプト置換基を有するヒドロキシピリジン誘導体、アミノピリジン誘導体、ヒドロキシキノリン誘導体、アミノキノリン誘導体、ヒドロキシイソキノリン誘導体、アミノイソキノリン誘導体、前記化合物の互変異性体ならびにこれらの塩、エーテルおよびエステルの群から選択されていてもよい。前記の群からの有利なメディエータは一般式（ＸＬ）、（ＸＬＩ）または（ＸＬＩＩ）
【化１】
2007512400.tif 000001
の化合物ならびに前記化合物の互変異性体、塩、エーテルまたはエステルであり、その際、式（ＸＬ）、（ＸＬＩ）または（ＸＬＩＩ）中で２の相互にオルト位またはパラ位の基Ｒ９２はヒドロキシ基およびニトロソ基またはヒドロキシ基およびメルカプト基またはニトロソ基およびアミノ基を表し、
残りの基Ｒ９２は同じであるか、または異なっており、かつ水素基、ハロゲン基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ホルミル基、シアノ基、カルバモイル基、カルボキシ基、カルボキシ基のエステルおよび塩、スルホノ基、スルホノ基のエステルおよび塩、スルファモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、アミノ基、フェニル基、アリール−Ｃ１〜Ｃ５−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ５−アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１０−カルボニル基、カルボニル−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル基、ホスホ基、ホスホノ基、ホスホノオキシ基、ホスホノオキシ基のエステルおよび塩の群から選択されており、その際、カルバモイル基、スルファモイル基、アミノ基、メルカプト基およびフェニル基は非置換であるか、または基Ｒ９３によりモノ置換もしくはポリ置換されていてもよく、Ｒ９３は同じであるか、または異なっており、かつヒドロキシ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシ基、カルボキシ基のエステルもしくは塩、カルバモイル基、スルホノ基、スルファモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、アミノ基、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ５−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ５−アルコキシ基またはＣ１〜Ｃ５−アルキルカルボニル基の群から選択されており、かつアリール−Ｃ１〜Ｃ５−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ５−アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１０−カルボニル基、カルボニル−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル基は飽和もしくは不飽和、分枝鎖状もしくは非分枝鎖状であってもよく、かつ基Ｒ７３によりモノ置換もしくはポリ置換されていてもよく、
かつそのつど２の基Ｒ９２、または２の基Ｒ９３、またはＲ９２およびＲ９３は対になって架橋［−ＣＲ９４Ｒ９５−］ｉを介して結合していてもよく、ｉは上記の意味を有し、１もしくは複数の隣接していない基−ＣＲ９４Ｒ９５−は酸素、硫黄または場合によりＣ１〜Ｃ５−アルキル−置換されたイミノ基により置換されていてもよく、かつ２の隣接する基−ＣＲ９４Ｒ９５−は基［−ＣＲ９４＝ＣＲ９５−］により置換されていてもよく、その際、Ｒ９４およびＲ９５は同じであるか、または異なっており、かつ水素、カルボキシ基、カルボキシ基のエステルもしくは塩、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ５−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ５−アルコキシ基またはＣ１〜Ｃ５−アルキルカルボニル基を表す。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
脂肪族、脂環式、複素環式および芳香族のＮＯ−、ＮＯＨ−および
【化１】
2007512400.tif 000002
を含有する化合物の群から選択されるメディエータおよび酸化剤を用いてカルビノール基を有するポリオルガノシロキサンを酸化し、その際、連続相中に２００μｍ以下の平均粒径が存在するように、ポリオルガノシロキサンとメディエータとを含有する有機相と、酸化剤を含有する水相とを相互に分散させる２相反応を実施することによりカルボニル基を有するポリオルガノシロキサンを製造する方法。
【請求項２】
カルビノール基を有するポリオルガノシロキサンとして、式
Ａ′ａＲｂＸｃＨｄＳｉＯ（４−ａ−ｂ−ｃ−ｄ）／２      （Ｉ）
［式中、Ａ′は同じであるか、または異なっていてよく、かつ式
【化２】
2007512400.tif 000003
の基を表し、
Ｙ１は、二価もしくは多価の、線状もしくは環式、分枝鎖状もしくは非分枝鎖状の有機基を表し、該基は場合により置換されているか、かつ／または原子Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｂ、Ｓｉ、Ｓにより中断されていてもよく、
Ｙ２は、水素原子を表すか、または一価の線状もしくは環式、分枝鎖状もしくは非分枝鎖状の有機基を表し、該基は場合により置換されているか、かつ／または原子Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｂ、Ｓｉ、Ｓにより中断されていてもよく、
ｙは基Ｙ１の価数に相応して≧２であり、
Ｒは同じであるか、または異なっていてよく、かつ一価の、線状もしくは環式、分枝鎖状もしくは非分枝鎖状の場合により置換された炭化水素基を表し、
Ｘは同じであるか、または異なっていてよく、かつ塩素原子、式−ＯＲ１の基（Ｒ１は水素原子であるか、または１〜１８の炭素原子を有するアルキル基であり、該基はエーテル酸素原子により置換されていてもよい）、一価の、線状もしくは環式、分枝鎖状もしくは非分枝鎖状の炭化水素基を表し、該基は場合により単位−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（Ｏ）ＮＲ１−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）ＮＲ１−、−ＮＲ１−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ１−、−ＮＲ１−、−（ＮＲ１２）＋−、−Ｏ−、−Ｓ−、＝Ｎ−により中断され、かつヒドロキシ基、メルカプト基、アミン基、アンモニウム基、カルボニル基、カルボキシル基またはオキシラニル基により置換されていてもよく、または基Ａ′を表し、
ａは、０、１または２であり、
ｂは、０、１、２または３であり、
ｃは、０、１、２または３であり、かつ
ｄは、０、１、２または３であり、
ただしその際、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄの和は≦４であり、かつ式（Ｉ）のポリオルガノシロキサンは分子あたり少なくとも１の基Ａ′を有する］の単位を有する化合物を使用することを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
カルボニル基を有するポリオルガノシロキサンとして、式
ＡａＲｂＸｃＨｄＳｉＯ（４−ａ−ｂ−ｃ−ｄ）／２      （ＩＩＩ）
［式中、Ａは同じであるか、または異なっていてよく、かつ式
【化３】
2007512400.tif 000004
の基を表し、
Ｙ３は、水素原子を表すか、または一価の線状もしくは環式、分枝鎖状もしくは非分枝鎖状の有機基を表し、該基は場合により置換され、かつ／または原子Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｂ、Ｓｉ、Ｓにより中断されていてもよく、かつ
Ｙ１、Ｒ、Ｘ、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｙは請求項２においてこれらに関して記載したものを表し、
ただしその際、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄの和は≦４であり、かつ式（ＩＩＩ）のポリオルガノシロキサンは分子あたり少なくとも１の基Ａを有する］の単位を有する化合物が得られることを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項４】
カルビノール基を有するポリオルガノシロキサンとして、式
Ａ′ｖＲｗＸ（３−ｖ−ｗ）Ｓｉ      （Ｉ′）
［式中、Ａ′、ＸおよびＲは請求項２においてこれらに関して記載したものを表し、
ｖは、０、１、２または３、有利には０または１であり、
ｗは、０、１、２または３であり、
ただしその際、該化合物は分子あたり少なくとも１の基Ａ′を有する］の化合物を使用することを特徴とする、請求項１または２記載の方法。
【請求項５】
カルビノール基を有するポリオルガノシロキサンとして、式
Ａ′ｖＲ３−ｖＳｉＯ（ＳｉＲ２Ｏ）ｎ（ＳｉＲＡ′Ｏ）ｏＳｉＲ３−ｖＡ′ｖ      （Ｉ″）
［式中、Ａ′およびＲは請求項２においてこのために記載したものを表し、
ｖは、０、１、２または３、有利には０または１であり、
ｎは、０または１〜２０００の整数であり、
ｏは、０または１〜２０００の整数、有利には０〜５００であり、
ただしその際、該化合物は分子あたり少なくとも１の基Ａ′を有する］の化合物を使用することを特徴とする、請求項１または２記載の方法。
【請求項６】
カルビノール基を有するポリオルガノシロキサンとして、式
［Ａ′ｖＲ３−ｖＳｉＯ１／２］ｓ［ＳｉＯ４／２］      （Ｉ″′）
［式中、Ａ′およびＲは請求項２においてこのために記載したものを表し、
ｖは、０、１、２または３、有利には０または１であり、
ｓは、０．２〜６、有利には０．４〜４を含む値であってよく、かつＱ単位［ＳｉＯ４／２］あたりのＭ単位［Ａ′ｖＲ３−ｖＳｉＯ１／２］の数を表し、
ただしその際、該化合物は分子あたり少なくとも１の基Ａ′を有する］の化合物を使用することを特徴とする、請求項１または２記載の方法。
【請求項７】
カルボニル基を有するポリオルガノシロキサンとして、式
ＡｖＲｗＸ（３−ｖ−ｗ）Ｓｉ      （ＩＩＩ′）
［式中、Ａ、ＸおよびＲは請求項３においてこのために記載したものを表し、
ｖは、０、１、２または３、有利には０または１であり、
ｗは、０、１、２または３であり、
ただしその際、該化合物は分子あたり少なくとも１の基Ａを有する］の化合物が得られることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
カルボニル基を有するポリオルガノシロキサンとして、式
ＡｖＲ３−ｖＳｉＯ（ＳｉＲ２Ｏ）ｎ（ＳｉＲＡＯ）ｏＳｉＲ３−ｖＡｖ      （ＩＩＩ″）
［式中、ＡおよびＲは請求項３においてこのために記載したものを表し、
ｖは、０、１、２または３、有利には０または１であり、
ｎは、０または１〜２０００の整数であり、
ｏは、０または１〜２０００、有利には０〜５００の整数であり、
ただしその際、該化合物は分子あたり少なくとも１の基Ａを有する］の化合物が得られることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
カルボニル基を有するポリオルガノシロキサンとして、式
［ＡｖＲ３−ｖＳｉＯ１／２］ｓ［ＳｉＯ４／２］      （ＩＩＩ″′）
［式中、ＡおよびＲは請求項３においてこのために記載したものを表し、
ｖは、０、１、２または３、有利には０または１であり、
ｓは、０．２〜６、有利には０．４〜４を含む値であってよく、かつＱ単位［ＳｉＯ４／２］あたりのＭ単位［ＡｖＲ３−ｖＳｉＯ１／２］の数を表すが、ただしその際、該化合物は分子あたり少なくとも１の基Ａを有する］の化合物が得られることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
メディエータとして、式
【化４】
2007512400.tif 000005
［式中、
Ｒ１６は、同じであるか、または異なっており、かつフェニル基、アリール−Ｃ１〜Ｃ５−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ５−アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１０−カルボニル基およびカルボニル−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル基を表し、その際、フェニル基は非置換であるか、または基Ｒ１８によりモノ置換もしくはポリ置換されていてもよく、かつアリール−Ｃ１〜Ｃ５−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ５−アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１０−カルボニル基およびカルボニル−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル基は飽和もしくは不飽和、分枝鎖状もしくは非分枝鎖状であってよく、かつ基Ｒ１８によりモノ置換もしくはポリ置換されていてもよく、その際、Ｒ１８は1もしくは複数存在していてもよく、かつ同じであるか、または異なっており、かつヒドロキシ基、ホルミル基、カルボキシ基、カルボキシ基のエステルもしくは塩、カルバモイル基、スルホノ基、スルファモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、アミノ基、フェニル基、ベンゾイル基、Ｃ１〜Ｃ５−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ５−アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ５−アルキルカルボニル基を表し、
Ｒ１７は、同じであるか、または異なっており、かつ水素原子を表すか、またはヒドロキシ基、メルカプト基、ホルミル基、シアノ基、カルバモイル基、カルボキシ基、カルボキシ基のエステルもしくは塩、スルホノ基、スルホノ基のエステルもしくは塩、スルファモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、アミノ基、フェニル基、アリール−Ｃ１〜Ｃ５−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ５−アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１０−カルボニル基およびカルボニル−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル基、ホスホ基、ホスホノ基、ホスホノオキシ基、ホスホノオキシ基のエステルもしくは塩を表し、その際、
カルバモイル基、スルファモイル基、アミノ基、メルカプト基およびフェニル基は非置換であるか、または基Ｒ１２によりモノ置換もしくはポリ置換されていてもよく、かつアリール−Ｃ１〜Ｃ５−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ５−アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１０−カルボニル基およびカルボニル−Ｃ１〜Ｃ６−アルキル基は飽和もしくは不飽和、分枝鎖状もしくは非分枝鎖状であってよく、かつ基Ｒ１２によりモノ置換もしくはポリ置換されていてもよく、かつ［−ＣＲ１７Ｒ１７−］基は酸素、場合によりＣ１〜Ｃ５−アルキル置換されたイミノ基、（ヒドロキシ）イミノ基、カルボニル官能基または場合によりＲ１２によりモノ置換もしくはジ置換されたビニリデン官能基により置換されていてもよく、かつ隣接する２の基［−ＣＲ１７Ｒ１７−］は基［−ＣＲ１７＝ＣＲ１７−］、［−ＣＲ１７＝Ｎ−］または［−ＣＲ１７＝Ｎ（Ｏ）−］により置換されていてもよく、その際、Ｒ１２は１もしくは複数存在していてもよく、かつ同じであるか、または異なっており、かつヒドロキシ基、ホルミル基、シアノ基、カルボキシ基、カルボキシ基のエステルもしくは塩、カルバモイル基、スルホノ基、スルファモイル基、ニトロ基、ニトロソ基、アミノ基、フェニル基、Ｃ１〜Ｃ５−アルキル基、Ｃ１〜Ｃ５−アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ５−アルキルカルボニル基を表す］のニトロキシル−ラジカルを使用することを特徴とする、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
式（ＸＩ）および（ＸＩＩ）のニトロシル基が１もしくは複数の基Ｒ１７を介してポリマーの構造に結合していることを特徴とする、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
メディエータとして、２，２，６，６−テトラメチル−ピペリジン−１−オキシル（ＴＥＭＰＯ）、４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチル−ピペリジン−１−オキシル、４−アミノ−２，２，６，６−テトラメチル−ピペリジン−１−オキシル、４−アセトキシ−２，２，６，６−テトラメチル−ピペリジン−１−オキシル、４−ベンゾイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチル−ピペリジン−１−オキシルおよびＰＩＰＯ（ポリマー固定ピペリジニルオキシル）の群から選択されるものを使用することを特徴とする、請求項１０または１１記載の方法。
【請求項１３】
使用されるポリオルガノシロキサンに含有されているカルビノール基の量に対して、メディエータを０．０１〜１００モル％の量で使用することを特徴とする、請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
酸化剤として、空気、酸素、過酸化水素、有機過酸化物、過ホウ酸塩および過硫酸塩、有機および無機の過酸、過酸の塩および誘導体、塩素、臭素、ヨウ素、次亜ハロゲン酸ならびにこれらの塩、たとえば漂白液の形のもの、亜ハロゲン酸ならびにこれらの塩、ハロゲン酸ならびにこれらの塩、Ｆｅ（ＣＮ）６３−およびＮ−塩素化合物の群から選択されるものを使用し、その際、これらを場合によりそのつど酵素を組み合わせて使用することができることを特徴とする、請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
酸化剤が２電子の酸化剤であり、かつ使用されるポリオルガノシロキサン中に含有されているカルビノール基の量に対して０．１〜１２５モル％の量で使用されることを特徴とする、請求項１から１４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１６】
酸化剤として金属酸化物または電解セルのアノードを使用することを特徴とする、請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１７】
連続的に実施することを特徴とする、請求項１から１６までのいずれか1項記載の方法。
【請求項１８】
表面処理のための請求項１から１７までのいずれか１項記載の方法により製造されるカルボニル基を有するポリオルガノシロキサンの使用。
【請求項１９】
化粧用調製物中での請求項１から１７までのいずれか１項記載の方法により製造されるカルボニル基を有するポリオルガノシロキサンの使用。
【請求項２０】
表面活性剤としての請求項１から１７までのいずれか１項記載の方法により製造されるカルボニル基を有するポリオルガノシロキサンの使用。
【請求項２１】
化学合成のための反応性中間体としての請求項１から１７までのいずれか１項記載の方法により製造されるカルボニル基を有するポリオルガノシロキサンの使用。
【請求項２２】
ラジカルにより進行する重合法におけるラジカル移動剤としての請求項１から１７までのいずれか１項記載の方法により製造されるカルボニル基を有するポリオルガノシロキサンの使用。