Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月20日(2011.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システムインパッケージに実装されるベースチップのピン構成変更回路であって、
前記ベースチップに連結される複数のピンを具備したメモリが変更される場合、前記連結されるメモリのタイプに基づいて前記複数のピンの連結順序を示すピン連結割当て値を保存して提供するピン構成変更レジスタと、
前記ピン連結割当て値の提供を受け、前記ベースチップに連結される前記メモリにしたがって前記メモリのピンと連結される前記ベースチップの内部ピンの連結順序を変更するピン構成変更ロジック部と、を含むことを特徴とするピン構成変更回路。
【請求項２】
前記ピン連結割当て値は、前記内部ピンに対する前記メモリのアクセスの要求速度に基づいて決定されることを特徴とする請求項１に記載のピン構成変更回路。
【請求項３】
前記ピン構成ロジック部は、前記アクセス速度別に前記内部ピンをグループ化する少なくとも一つ以上の選択部を含むことを特徴とする請求項２に記載のピン構成変更回路。
【請求項４】
前記少なくとも一つ以上の選択部それぞれは、前記ピン連結割当て値によって前記内部ピンを前記変更されるメモリの該当ピンに連結する少なくとも一つ以上のマルチプレクサで構成されることを特徴とする請求項３に記載のピン構成変更回路。
【請求項５】
前記少なくとも一つ以上の選択部は、複数の選択部を含み、前記該当選択部によって互いに異なる速度を有する前記内部ピンをグループ化することを特徴とする請求項４に記載のピン構成変更回路。
【請求項６】
システムインパッケージに実装されるベースチップであって、
前記ベースチップに連結される複数のピンを具備したメモリが変更される場合、前記メモリのピンと連結される前記ベースチップの内部ピンの連結順序を変更するピン構成変更回路と、
前記ピン構成変更回路と連結されるパッド部と、
前記パッド部と連結され、前記変更されるメモリに直接連結される外部ピンと、を含むことを特徴とするベースチップ。
【請求項７】
前記ピン構成変更回路は、
前記連結されるメモリのタイプに基づいて前記複数のピンの連結順序を示すピン連結割当て値を保存するピン構成変更レジスタと、
前記ピン連結割当て値の提供を受け、前記ベースチップに連結される前記メモリにしたがって前記メモリのピンと連結される前記ベースチップの内部ピンの連結順序を変更するピン構成変更ロジック部と、を含むことを特徴とする請求項６に記載のベースチップ。
【請求項８】
前記ピン連結割当て値は、前記内部ピンに対する前記メモリのアクセスの要求速度に基づいて決定されることを特徴とする請求項７に記載のベースチップ。
【請求項９】
前記ピン構成ロジック部は、前記アクセスの速度別に前記内部ピンをグループ化する少なくとも一つ以上の選択部を含むことを特徴とする請求項８に記載のベースチップ。
【請求項１０】
前記少なくとも一つ以上の選択部それぞれは、前記内部ピンを前記変更されるメモリの該当ピンに連結する少なくとも一つ以上のマルチプレクサで構成されることを特徴とする請求項９に記載のベースチップ。
【請求項１１】
前記少なくとも一つ以上の選択部は、複数の選択部を含み、前記該当する選択部によって互いに異なる速度を有する前記内部ピンをグループ化することを特徴とする請求項１０に記載のベースチップ。
【請求項１２】
パッケージ基板上に実装されるベースチップと、
前記ベースチップと連結される複数のピンを具備したメモリを含み、
前記ベースチップは、
前記ベースチップに連結される前記メモリが変更される場合、前記メモリのピンと連結される前記ベースチップの内部ピンの連結順序を変更するピン構成変更回路と、
前記ピン構成変更回路と連結されるパッド部と、
前記パッド部と連結され、前記変更されるメモリに直接連結される外部ピンと、を含むことを特徴とするシステムインパッケージ。
【請求項１３】
前記ベースチップに連結される前記メモリが変更される場合、前記変更されるメモリの複数のピンは互いに類似な順序に配置されていることを特徴とする請求項１２に記載のシステムインパッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月6日(2011.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するためのチャンバにおいて、
処理空間を画成するチャンバ包囲体と、
上記処理空間に配設された基板支持体と、
上記基板支持体に配設され、上記基板の周辺で上記基板を支持するように構成されたエッジリングと、
上記基板を加熱するように構成された第１の加熱源と、
上記エッジリングを加熱するように構成され、上記第１の加熱源とは独立して制御できる第２の加熱源と、を備えるチャンバ。
【請求項２】
上記第２の加熱源は、固定ヒーター、レーザーヒーター、輻射ヒーター、伝導加熱源、抵抗ヒーター、誘導ヒーター及びマイクロ波ヒーターのうちの１つである、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項３】
上記エッジリングの熱特性を測定するように構成されたリング熱プローブを更に備える、請求項１または２に記載のチャンバ。
【請求項４】
上記第１の加熱源及び第２の加熱源は、上記チャンバ空間を加熱するように構成された輻射加熱源の独立制御可能なゾーンである、請求項１から３のいずれか１項に記載のチャンバ。
【請求項５】
上記エッジリングの方へ冷却ガスを向けるように構成されたガスジェットを更に備える、請求項１から４のいずれか１項に記載のチャンバ。
【請求項６】
チャンバ空間を画成するチャンバ本体と、
上記チャンバ空間に配設され、処理すべき基板と上記基板の周辺近くで熱的に結合されるように構成された温度制御エッジリングと、
上記基板の表面を主として加熱するように構成された第１の加熱源と、
上記温度制御エッジリングを主として加熱するように構成された第２の加熱源と、
を備える急速加熱処理チャンバ。
【請求項７】
上記温度制御エッジリングの熱特性を測定するように構成されたリング熱プローブを更に備える、請求項６に記載の急速加熱処理チャンバ。
【請求項８】
上記温度制御エッジリングを冷却するように構成された冷却装置を更に備える、請求項６または７に記載の急速加熱処理チャンバ。
【請求項９】
上記第２の加熱源は、固定ヒーター、レーザーヒーター、輻射ヒーター、伝導加熱源、抵抗ヒーター、誘導ヒーター及びマイクロ波ヒーターのうちの１つである、請求項６から８のいずれか１項に記載の急速加熱処理チャンバ。
【請求項１０】
上記第１の加熱源及び第２の加熱源は、上記チャンバ空間を輻射加熱するように構成されたランプアセンブリの独立制御可能なゾーンである、請求項６から９のいずれか１項に記載の急速加熱処理チャンバ。
【請求項１１】
ターゲット温度へと基板を均一に加熱するための方法において、
第１の加熱源に接続された処理チャンバに上記基板を配置するステップと、
上記基板の周辺をエッジリングに熱的に結合するステップと、
上記第１の加熱源で上記基板の表面を加熱するステップと、
上記ターゲット温度とは異なるリング温度に上記エッジリングを維持するステップと、を含む方法。
【請求項１２】
上記リング温度に上記エッジリングを維持するステップは、第２の加熱源で上記エッジリングを加熱する段階を含み、上記第１の加熱源及び第２の加熱源は、独立制御可能なものである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
パージガスを使用して上記エッジリングを冷却するステップを更に含む、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
熱プローブを使用して上記エッジリングの温度を測定するステップと、
上記熱プローブによって測定された上記エッジリングの温度に従って上記第２の加熱源を調整するステップと、を更に含む、請求項１１から１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
上記リング温度は、上記ターゲット温度とは約１０℃から約１５℃異なる、請求項１１から１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月6日(2011.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２以上の表面（１１５，１２０）を有する基板（１１０）、
基板（１１０）の２以上の表面（１１５，１２０）の少なくとも１表面の少なくとも一部上に配置された多層膜（１０５）、
多層膜（１０５）上に配置された複数の細長いナノ構造体（１２５）及び
複数の細長いナノ構造体（１２５）上に配置された１以上の層（１３０）を備え、
複数の細長いナノ構造体（１２５）に接触する多層膜（１０５）の最上層が第１トンネル接合（１４０）層であり、
１以上の層（１３０）が光活性接合の一部である、
光起電力デバイス（１００）。
【請求項２】
前記多層膜（１０５）がさらに、多結晶層、単結晶層、非晶質層及び第２トンネル接合（１４０）層からなる群から選択される少なくとも１層を含む、請求項１記載の光起電力デバイス（１００）。
【請求項３】
前記多層膜（１０５）がさらに、ｐ−ドープト層、ｎ−ドープト層及び真性層からなる群から選択される少なくとも１層の要素を含む、請求項１又は請求項２記載の光起電力デバイス（１００）。
【請求項４】
前記多層膜（１０５）がドーパント濃度が厚さ方向に傾斜した単一層である、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の光起電力デバイス（１００）。
【請求項５】
前記１以上の層（１３０）が複数の細長いナノ構造体（１２５）上にコンフォーマルに配置された、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の光起電力デバイス（１００）。
【請求項６】
前記１以上の層（１３０）が、ｐ−ドープト層、ｎ−ドープト層、真性層及び第２トンネル接合（１４０）層からなる群から選択される少なくとも１層の要素を含む、請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の光起電力デバイス（１００）。
【請求項７】
前記１以上の層（１３０）がドーパント濃度が厚さ方向に傾斜した単一層である、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の光起電力デバイス（１００）。
【請求項８】
ナノ多孔質テンプレート（１４５）が多層膜（１０５）上に配置された、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の光起電力デバイス（１００）。
【請求項９】
多層膜（１０５）、複数の細長いナノ構造体（１２５）及び１以上の層（１３０）が前記基板（１１０）の２以上の表面（１１５，１２０）に対して両面配列になっている、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の光起電力デバイス（１００）。
【請求項１０】
さらに、前記１以上の層（１３０）上に配置された透明導電性材料（ＴＣＭ）（１０７）を備える、請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載の光起電力デバイス（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月8日(2010.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸留水以外の飲料水（１）に、食品添加物として指定されているグルコン酸亜鉛（２）と、
ｐＨを６・５〜２・０に調製し、且つ亜鉛イオンと飲料水（１）に含まれている無機化合物との反応によると思われる沈殿物の生成を阻止し得る食用酸性物質（３）とを含有し、食用酸性物質（３）がクエン酸（３ａ）であることを特徴とする亜鉛含有飲料。
【請求項２】
飲料水（１）が陸系のミネラルウォーター（１ａ）であることを特徴とする請求項１記載の亜鉛含有飲料。
【請求項３】
海洋深層水由来成分（４）を含有していることを特徴とする請求項１または２記載の亜鉛含有飲料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の目的を達成するために鋭意研究の結果、亜鉛を含有する飲料であっても、不快な後味がなく極めて飲みやすい亜鉛含有飲料を見いだしたものである。
請求項１の亜鉛含有飲料は、蒸留水以外の飲料水に、食品添加物として指定されているグルコン酸亜鉛と、ｐＨを６・５〜２・０に調製し、且つ亜鉛イオンと飲料水に含まれている無機化合物との反応によると思われる沈殿物の生成を阻止し得る食用酸性物質とを含有し、食用酸性物質がクエン酸であることを特徴とする。
請求項２は、請求項１の亜鉛含有飲料において、飲料水が陸系のミネラルウォーターであることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項３は、請求項１，２の亜鉛含有飲料において、海洋深層水由来成分を含有していることを特徴とする。
ここで海洋深層水由来成分とは、富山湾で採取した日本海固有冷水を多段式電気透析法により分離した淡水、ミネラル濃縮水、濃縮塩水の少なくとも一方を言い、日本海固有冷水は高知県の外洋深層水と若干異なる特徴と、いくつかの長所を有するものである。
Ａ，富山湾は日本海最大の外洋性内湾で、広さは２１２０ｋｍ２であり、湾の中央付近では１０００ｋｍ以上もの水深を持っており、岸が深い上、急勾配であり、大陸棚の発達が乏しく、海底には「おぼれ谷」と呼ばれる海谷がいくつも存在するという特徴がある。
Ｂ，富山湾は河川水等の陸水の影響を受けた塩分の低い沿岸表層水、その下層に２００〜３００ｍの厚みを持つ対馬暖流系水、そして３００ｍ以深は低温の日本海固有冷水で構成され、富山湾の容積の約６５％は日本海固有冷水で占められている。
Ｃ，こうした特徴を持つ日本海固有冷水の性状として、年間を通じて２℃以下の低温で水温変化がほとんどなく、塩分（３４・０〜３４・１ｐｓｕ）も安定しており、表層の海水と比較して栄養塩類が著しく豊富に含まれ、有機物や細菌類が非常に少ないという特徴が挙げられる。
Ｅ，富山湾の日本海固有冷水は高知県室戸岬の北太平洋深層水と比べて、溶存酸素量が多く、富山湾の日本海固有冷水は深層水としての年齢が若い。また、それぞれの深層水を表層水と比較すると、富山湾の方が、リン酸態リン、硝酸態窒素などの無機栄養塩類が多く、且つ一般生菌数が少なく、日本海固有冷水の水温が、高知県の深層水に比べて低いことを記載している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の亜鉛含有飲料は上記構造のとおりであるから、次に記載する効果を奏する。
請求項１の亜鉛含有飲料は、グルコン酸亜鉛を含有するも、食用酸性物質によってｐＨを６・５〜２・０に調製したことにより、亜鉛イオンと飲料水に含まれている無機化合物との反応によると思われる沈殿物の生成を阻止し得る。その結果、不愉快な後味もなく亜鉛補給することができきる。即ち、沈殿物の発生を抑制した商品価値の高い安定な飲料を提供することができる。
本発明の亜鉛含有飲料は、他の食物供給源（適度にバランスの取れた食物とする）から摂取可能な亜鉛を補うものである。また、食用酸性物質がクエン酸であるから、クエン酸によるｐＨ調製により、呈味成分や有効成分を低下させることなく、長期にわたり沈殿物の発生を抑制することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項２の亜鉛含有飲料は、請求項１の特徴に加えて、飲料水が陸系のミネラルウォーターであるから、微量元素が多い海系の飲料水より沈殿物の発生に気をつける必要がない。
請求項３の亜鉛含有飲料は、請求項１，２の特徴に加えて、海洋深層水より分離した成分には微量元素がバランス良く豊富に含まれているので、ミネラルの補給に好都合である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月30日(2010.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示制約を課す方法、プロジェクタ−カメラ・システム
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロジェクタ−カメラ・システムの光輸送行列Ｔにシミュレートされた表示制約を課す方法であって、
前記表示制約はプロジェクタから放射された任意な２つの別個な光線はカメラの画像センサの別個な部分に当たることを規定し、
前記光輸送行列Ｔの各行に対し、前記光輸送行列Ｔの共通行に沿って行列入力を比較し、共通行における最高値の行列入力を留保し、
前記光輸送行列Ｔの各行から最高値の行列入力で光輸送アレイを埋め、
前記光輸送行列Ｔのどの列から前記光輸送アレイの各入力が由来したかを示す記録を維持し、
前記記録および前記光輸送アレイを用いて前記プロジェクタの各プロジェクタ・ピクセルの光フットプリント情報を必要に応じて抽出することを特徴とする表示制約を課す方法。
【請求項２】
前記任意の場面は前記プロジェクタから前記カメラへの光パスの間に光散乱物体を含み、前記方法は光散乱効果を補正することを特徴とする請求項１に記載の表示制約を課す方法。
【請求項３】
前記光輸送行列Ｔの各列は前記プロジェクタの１つのプロジェクタ・ピクセルを活性化することにより実現され、カメラの画像センサ全体により取り込まれた画像に対応し、各光フットプリント情報はその対応プロジェクタ・ピクセルに対する光輸送値をなすことを特徴とする請求項１に記載の表示制約を課す方法。
【請求項４】
前記光輸送アレイおよび記録は前記光輸送行列Ｔの代わりに用いられる修正光輸送行列をなすことを特徴とする請求項１に記載の表示制約を課す方法。
【請求項５】
前記修正光輸送行列はデュアル・フォトグラフィに適用することを特徴とする請求項４に記載の表示制約を課す方法。
【請求項６】
各々のプロジェクタ・ピクセルに対応するグループとして正規化光フットプリント情報を計算し、
中間アレイを作成し、前記中間アレイをその対応光フットプリント情報の計算された正規化値で埋め、
前記中間アレイについて、前記中間アレイの各入力をその対応する正規化光フットプリントに結び付ける中間記録を維持し、
前記中間アレイおよび中間記録を中間行列の表記として解釈し、前記中間アレイに転置行列演算を適用することと、により、前記光輸送行列の推定逆行列を生成することを特徴とする請求項３に記載の表示制約を課す方法。
【請求項７】
各々のプロジェクタ・ピクセルに対応するグループとして正規化光フットプリント情報を計算するプロセスは、１つの光フットプリントをなす光輸送アレイ入力グループを平方した合計を出し、光輸送アレイ入力グループの各入力を前記合計で割ることを特徴とする請求項６に記載の表示制約を課す方法。
【請求項８】
プロジェクタと、カメラと、を備えたロジェクタ−カメラ・システムであって、
プロジェクタ−カメラ・システムの光輸送行列Ｔにシミュレートされた表示制約を課し、
前記表示制約はプロジェクタから放射された任意な２つの別個な光線はカメラの画像センサの別個な部分に当たることを規定し、
前記光輸送行列Ｔの各行に対し、前記光輸送行列Ｔの共通行に沿って行列入力を比較し、共通行における最高値の行列入力を留保し、
前記光輸送行列Ｔの各行から最高値の行列入力で光輸送アレイを埋め、
前記光輸送行列Ｔのどの列から前記光輸送アレイの各入力が由来したかを示す記録を維持し、
前記記録および前記光輸送アレイを用いて前記プロジェクタの各プロジェクタ・ピクセルの光フットプリント情報を必要に応じて抽出することを特徴とするプロジェクタ−カメラ・システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月9日(2010.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】積分型Ａ／Ｄ変換器、積分型Ａ／Ｄ変換器を有する半導体装置及びセンサ装置、並びに積分型Ａ／Ｄ変換器の駆動方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オペアンプと、容量素子と、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、乗算回路と、減算回路と、を有し、
前記容量素子の一方の電極は、前記オペアンプの反転入力端子と電気的に接続され、
前記容量素子の他方の電極は、前記オペアンプの出力端子と電気的と接続され、
前記第１のスイッチの一方の端子は、前記オペアンプの反転入力端子と電気的に接続され、
前記第１のスイッチの他方の端子は、前記オペアンプの出力端子と電気的に接続され、
前記第２のスイッチの一方の端子及び前記第３のスイッチの一方の端子は、前記オペアンプの反転入力端子と電気的に接続され、
前記乗算回路の出力端子及び前記減算回路の入力端子は、前記オペアンプの非反転入力端子と電気的に接続され、
前記乗算回路の入力端子は、前記第２のスイッチの他方の端子と電気的に接続され、
前記減算回路の出力端子は、前記第３のスイッチの他方の端子と電気的に接続されていることを特徴とする積分型Ａ／Ｄ変換器。
【請求項２】
オペアンプと、容量素子と、抵抗素子と、第１乃至第３のスイッチと、乗算回路と、減算回路と、を有し、
前記容量素子の一方の電極は、前記オペアンプの反転入力端子と電気的に接続され、
前記容量素子の他方の電極は、前記オペアンプの出力端子と電気的に接続され、
前記第１のスイッチの一方の端子は、前記オペアンプの反転入力端子と電気的に接続され、
前記第１のスイッチの他方の端子は、前記オペアンプの出力端子と電気的に接続され、
前記第２のスイッチの一方の端子及び前記第３のスイッチの一方の端子は、前記抵抗素子を介して前記オペアンプの反転入力端子と電気的に接続され、
前記乗算回路の出力端子及び前記減算回路の入力端子は、前記オペアンプの非反転入力端子と電気的に接続され、
前記乗算回路の入力端子は、前記第２のスイッチの他方の端子と電気的に接続され、
前記減算回路の出力端子は、前記第３のスイッチの他方の端子と電気的に接続されていることを特徴とする積分型Ａ／Ｄ変換器。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記乗算回路は、第１の抵抗素子と、第２の抵抗素子と、を有し、
前記第１の抵抗素子の一方の端子は、前記第２の抵抗素子の一方の端子と電気的に接続され、
前記第１の抵抗素子の他方の端子は、前記減算回路の入力端子と電気的に接続され、
前記第２の抵抗素子の一方の端子は、前記乗算回路の入力端子と電気的に接続され、
前記第２の抵抗素子の他方の端子は、第１の配線と電気的に接続されていることを特徴とする積分型Ａ／Ｄ変換器。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記減算回路は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記減算回路の入力端子は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第２の配線と電気的に接続され、
前記減算回路の出力端子は、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続されていることを特徴とする積分型Ａ／Ｄ変換器。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、Ｎ型トランジスタであることを特徴とする積分型Ａ／Ｄ変換器。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記減算回路は、第１のオペアンプと、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記減算回路の入力端子は、第１のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１のトランジスタのゲート、前記第１のオペアンプの非反転入力端子、並びに前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記減算回路の前記第１のオペアンプの出力端子は、前記第１のオペアンプの反転入力端子と電気的に接続されていることを特徴とする積分型Ａ／Ｄ変換器。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１のトランジスタはＰ型トランジスタであり、前記第２のトランジスタはＮ型トランジスタであることを特徴とする積分型Ａ／Ｄ変換器。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の積分型Ａ／Ｄ変換器を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の積分型Ａ／Ｄ変換器を有することを特徴とするセンサ装置。
【請求項１０】
オペアンプと、抵抗素子と、一方の電極が前記オペアンプの反転入力端子と電気的に接続され且つ他方の電極が前記オペアンプの出力端子と電気的に接続された容量素子と、入力電位から基準電位を生成する機能を有する乗算回路と、前記基準電位から参照電位を生成する機能を有する減算回路と、を有する積分型Ａ／Ｄ変換器の駆動方法であって、
前記オペアンプの非反転入力端子に前記基準電位を供給し、
前記オペアンプの出力端子の電位を前記基準電位になるように初期化し、
前記オペアンプの反転入力端子に前記抵抗素子を介して前記入力電位を供給し、
前記オペアンプの出力端子の電位は、前記入力電位に応じて前記基準電位から変動し、
前記オペアンプの反転入力端子に前記抵抗素子を介して前記参照電位を供給し、
前記オペアンプの反転入力端子に前記抵抗素子を介して前記参照電位を供給したときから、前記オペアンプの出力端子の電位が前記基準電位に戻るまでの時間をカウントすることを特徴とする積分型Ａ／Ｄ変換器の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月6日(2010.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源に電気的に接続される回路を有する機器に組み込まれるスイッチ装置であって、
特定の帯域の電波を受信する電波受信回路と、
前記電波受信回路で受信した電波から電力を生成する電源回路と、
前記電源回路で電力が生成されているか否かを判断する条件判定回路と、
前記機器の回路と前記電源との電気的な接続が、前記条件判定回路によって制御される制御スイッチと、
を有することを特徴とするスイッチ装置。
【請求項２】
電源に電気的に接続される回路を有する機器に電気的に接続されるスイッチ装置であって、
特定の帯域の電波を受信する電波受信回路と、
前記電波受信回路で受信した電波から電力を生成する電源回路と、
前記電源回路で電力が生成されているか否かを判断する条件判定回路と、
前記機器の回路と前記電源との電気的な接続が、前記条件判定回路によって制御される制御スイッチと、
を有することを特徴とするスイッチ装置。
【請求項３】
電源からの電力供給を制御する制御回路を有する機器に組み込まれるスイッチ装置であって、
特定の帯域の電波を受信する電波受信回路と、
前記電波受信回路で受信した電波から電力を生成する電源回路と、
前記電源回路で電力が生成されているか否かを判断する条件判定回路と、
を有し、
前記条件判定回路は、前記機器への電力の供給を制御する信号を前記制御回路に出力することを特徴とするスイッチ装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
センサ回路を有し、
前記センサ回路の出力が前記条件判定回路に入力されていることを特徴とするスイッチ装置。
【請求項５】
電源に電気的に接続される回路を有する機器に組み込まれるスイッチ装置と、
特定の帯域の電波を送信する電波送信装置と、
を有する電源制御システムであって、
前記スイッチ装置は、
前記特定の帯域の電波を受信する電波受信回路と、
前記電波受信回路で受信した電波から電力を生成する電源回路と、
前記電源回路で電力が生成されているか否かを判断する条件判定回路と、
前記機器の回路と前記電源との電気的な接続が、前記条件判定回路によって制御される制御スイッチと、
を有することを特徴とする電源制御システム。
【請求項６】
電源に電気的に接続される回路を有する機器に電気的に接続されるスイッチ装置と、
特定の帯域の電波を送信する電波送信装置と、
を有する電源制御システムであって、
前記スイッチ装置は、
前記特定の帯域の電波を受信する電波受信回路と、
前記電波受信回路で受信した電波から電力を生成する電源回路と、
前記電源回路で電力が生成されているか否かを判断する条件判定回路と、
前記機器の回路と前記電源との電気的な接続が、前記条件判定回路によって制御される制御スイッチと、
を有することを特徴とする電源制御システム。
【請求項７】
電源からの電力供給を制御する制御回路を有する機器に組み込まれるスイッチ装置と、
特定の帯域の電波を送信する電波送信装置と、
を有する電源制御システムであって、
前記スイッチ装置は、
前記特定の帯域の電波を受信する電波受信回路と、
前記電波受信回路で受信した電波から電力を生成する電源回路と、
前記電源回路で電力が生成されているか否かを判断する条件判定回路と、
を有し、
前記条件判定回路は、前記機器への電力の供給を制御する信号を前記制御回路に出力することを特徴とする電源制御システム。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一項において、
センサ回路を有し、
前記センサ回路の出力が前記条件判定回路に入力されていることを特徴とする電源制御システム。
【請求項９】
請求項５乃至請求項８のいずれか一項において、
手動により、前記機器の回路と前記電源との電気的な接続を制御する手動スイッチを有することを特徴とする電源制御システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月24日(2010.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】復調信号生成回路及び半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナ回路に電気的に接続された入力部を有する第１の復調回路と、
前記第１の復調回路の入力部に電気的に接続された、前記第１の復調回路とは逆の極性の電気信号を復調する第２の復調回路と、
前記第１の復調回路の出力部に電気的に接続された入力部を有する第１のバイアス回路と、
前記第２の復調回路の出力部に電気的に接続された入力部を有する第２のバイアス回路と、
第１の入力部と第２の入力部を有するコンパレータと、を有し、
前記第１のバイアス回路の出力部は前記第１の入力部に電気的に接続され、
前記第２のバイアス回路の出力部は前記第２の入力部に電気的に接続されていることを特徴とする復調信号生成回路。
【請求項２】
アンテナ回路に電気的に接続された入力部を有する第１の復調回路と、
前記第１の復調回路の入力部に電気的に接続された、前記第１の復調回路とは逆の極性の電気信号を復調する第２の復調回路と、
前記第１の復調回路の出力部に電気的に接続された入力部を有する第１のバイアス回路と、
前記第２の復調回路の出力部に電気的に接続された入力部を有する第２のバイアス回路と、
第１の入力部と第２の入力部を有するコンパレータと、
前記コンパレータの出力部に電気的に接続されたアナログバッファ回路と、を有し、
前記第１のバイアス回路の出力部は前記第１の入力部に電気的に接続され、
前記第２のバイアス回路の出力部は前記第２の入力部に電気的に接続されていることを特徴とする復調信号生成回路。
【請求項３】
アンテナ回路と、
前記アンテナ回路に電気的に接続された第１の復調信号生成回路と、
前記アンテナ回路に電気的に接続され、かつ、前記第１の復調信号生成回路よりも変調度の小さい信号を復調する第２の復調信号生成回路と、
前記アンテナ回路を介して受信した信号に応じて、前記第１の復調信号生成回路又は前記第２の復調信号生成回路のどちらを用いるかについて選択を行う選択回路と、を有し、
前記第２の復調信号生成回路は、
前記アンテナ回路に電気的に接続された一の入力部を有する第１の復調回路と、
前記入力部に電気的に接続された、前記第１の復調回路とは逆の極性の電気信号を復調する第２の復調回路と、
前記第１の復調回路の出力部に電気的に接続された入力部を有する第１のバイアス回路と、
前記第２の復調回路の出力部に電気的に接続された入力部を有する第２のバイアス回路と、
第１の入力部と第２の入力部を有するコンパレータと、を有し、
前記第１のバイアス回路の出力部は前記第１の入力部に電気的に接続され、
前記第２のバイアス回路の出力部は前記第２の入力部に電気的に接続されていることを特徴とする無線通信可能な半導体装置。
【請求項４】
アンテナ回路と、
前記アンテナ回路に電気的に接続された第１の復調信号生成回路と、
前記アンテナ回路に電気的に接続され、かつ、前記第１の復調信号生成回路よりも変調度の小さい信号を復調する第２の復調信号生成回路と、
前記アンテナ回路を介して受信した信号に応じて、前記第１の復調信号生成回路又は前記第２の復調信号生成回路のどちらを用いるかについて選択を行う選択回路と、を有し、
前記第２の復調信号生成回路は、
前記アンテナ回路に電気的に接続された一の入力部を有する第１の復調回路と、
前記入力部に電気的に接続された、前記第１の復調回路とは逆の極性の電気信号を復調する第２の復調回路と、
前記第１の復調回路の出力部に電気的に接続された入力部を有する第１のバイアス回路と、
前記第２の復調回路の出力部に電気的に接続された入力部を有する第２のバイアス回路と、
第１の入力部と第２の入力部を有するコンパレータと、
前記コンパレータの出力部に電気的に接続されたアナログバッファ回路と、を有し、
前記第１のバイアス回路の出力部は前記第１の入力部に電気的に接続され、
前記第２のバイアス回路の出力部は前記第２の入力部に電気的に接続されていることを特徴とする無線通信可能な半導体装置。
【請求項５】
アンテナ回路と、
前記アンテナ回路に電気的に接続された第１の復調信号生成回路と、
前記アンテナ回路に電気的に接続され、かつ、前記第１の復調信号生成回路よりも変調度の小さい信号を復調する第２の復調信号生成回路と、
前記アンテナ回路を介して受信した信号に応じて、前記第１の復調信号生成回路又は前記第２の復調信号生成回路のどちらを用いるかについて選択を行う選択回路と、を有し、
前記第２の復調信号生成回路はコンパレータを有し、
前記コンパレータと、電源電位の配線又は基準電位の配線とは、トランジスタを介して接続されていることを特徴とする無線通信可能な半導体装置。
【請求項６】
請求項４において、
前記アナログバッファ回路はソースフォロワ回路と、定電流回路と、インバータ回路と、を有することを特徴とする無線通信可能な半導体装置。
【請求項７】
請求項３、請求項４、又は請求項６において、
前記第１のバイアス回路の出力と前記第２のバイアス回路の出力に存在するノイズは同位相であることを特徴とする無線通信可能な半導体装置。
【請求項８】
請求項３乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の復調信号生成回路は、変調度９０％以上１００％以下の信号を復調し、
前記第２の復調信号生成回路は、変調度１０％以上３０％以下の信号を復調することを特徴とする無線通信可能な半導体装置。
【請求項９】
請求項３乃至請求項８のいずれか一において、
前記選択回路はインバータ回路と、フリップフロップ回路と、セレクタ回路と、を有することを特徴とする無線通信可能な半導体装置。
【請求項１０】
請求項３乃至請求項９のいずれか一において、
前記コンパレータは差動回路、差動増幅器、又はオペアンプのいずれか一を有することを特徴とする無線通信可能な半導体装置。
【請求項１１】
請求項３乃至請求項１０のいずれか一において、
前記半導体装置が無線により充電可能なバッテリーを有することを特徴とする無線通信可能な半導体装置。
【請求項１２】
請求項３乃至請求項１１のいずれか一において、
前記選択回路を有するデジタル回路を有し、
前記第１の復調信号生成回路によって復調された第１の復調信号は前記デジタル回路に入力され、
前記第２の復調信号生成回路によって復調された第２の復調信号は前記デジタル回路に入力され、
前記デジタル回路による復調信号のモニターは、前記第１の復調信号の波形の形状のみを用いて行われることを特徴とする無線通信可能な半導体装置。
【請求項１３】
請求項３乃至請求項１２のいずれか一において、
前記選択回路は、前記アンテナ回路を介して受信した信号の変調度に応じて前記第１の復調信号生成回路又は前記第２の復調信号生成回路のいずれか一方を選択し、他方を停止させることを特徴とする無線通信可能な半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月14日(2011.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複素入力信号Ｓｘ＝Ｉｘ＋ｊＱｘに基づき基底ベクトルＸｖを生成する多項式基底生成部と，係数ベクトルＣｖとの内積Ｃｖ・Ｘｖを多項式の値として出力する内積演算部とから構成される多項式プリディストータにおいて，
複素入力信号Ｓｘ＝Ｉｘ＋ｊＱｘの実部と虚部を最大Ｍサンプル遅延させた２（Ｍ＋１）個の信号に基づき，これらの重複組合せより作れる最大次数Ｎの単項式全て，または必要に応じ一部を，基底ベクトルＸｖとして出力すると共に，係数ベクトルＣｖとして前記Ｘｖのサイズに等しい複素数の組を用いることによって，
記憶を持つ非線形時不変システムの記述に適したボルテラ級数を，入力信号が複素数Ｓｘ＝Ｉｘ＋ｊＱｘ，かつ出力信号が複素数Ｓｙ＝Ｉｙ＋ｊＱｙとなるように拡張することを特徴とする多項式プリディストータ。
【請求項２】
請求項１に記載の多項式プリディストータにおいて，上記最大次数Ｎの単項式が，最大次数Ｎの多項式であることを特徴とする多項式プリディストータ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の多項式プリディストータにおいて，出力Ｓｙに入力Ｓｘを加える直達項を設け，Ｓｙ＝Ｓｘ＋Ｃｖ・Ｘｖとすることを特徴とする多項式プリディストータ。
【請求項４】
請求項１から３に記載の多項式プリディストータと，ＤＡ変換器と直交変調器から成る直交変調ＤＡ変換器と，直交変調器出力を増幅する電力増幅器と，出力信号の一部を直交復調して複素復調信号Ｓｚ＝Ｉｚ＋ｊＱｚを出力する直交復調ＡＤ変換器と，複素信号ＳｘとＳｚの残差信号Ｓｅ＝Ｓｚ−Ｓｘ＝Ｉｅ＋ｊＱｅの電力を最小化する方向へ係数ベクトルＣｖの各要素を逐次更新する適応アルゴリズムとから構成されるディジタルプリディストーション送信機。
【請求項５】
送信機であって、
複素信号をアナログ信号に変換するＤＡ変換器と、
前記アナログ信号を増幅して出力信号を出力する電力増幅器と、
前記出力信号と、複素出力信号に変換するＡＤ変換器と、
外部から入力される第一の複素入力信号と前記複素出力信号とに基づいて補正係数ベクトルを生成する補正係数ベクトル生成部と、
前記第一の複素入力信号及び前記第一の複素入力信号よりも過去に入力された第二の複素入力信号を用いて、信号ベクトルを生成する信号ベクトル生成部と、前記信号ベクトルと前記補正係数ベクトルとを用いて前記複素信号を生成する生成部と、を備えるデジタルプリデイストータと、を有することを特徴とする送信機。
【請求項６】
請求項５記載の送信機であって、
異なる複数の第二の複素入力信号を保持するメモリを備え、前記信号ベクトル生成部は、前記第一複素入力信号と、前記メモリに保持される少なくとも一の第二の複素入力信号と、を用いて信号ベクトルを生成する、ことを特徴とする送信機。
【請求項７】
請求項６記載の送信機であって、
前記補正係数ベクトル生成部は、前記第一の複素入力信号と前記複素出力信号との差に基づいて残留歪み信号を生成する、ことを特徴とする送信機。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月30日(2011.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金ターゲットであって、
該合金の結晶粒の平均粒径が、１５０〜４００μｍであり、
前記結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下であることを特徴とする、有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲット。
【請求項２】
ターゲット表面が、０．２５ｍ２以上の面積を有していることを特徴とする、請求項１記載の有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲット。
【請求項３】
Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した溶解鋳造インゴットを、熱間の据込鍛造を６〜２０回繰り返す工程、冷間圧延する工程、熱処理する工程、機械加工する工程を、この順で行い、
前記熱間の据込鍛造の温度が、８５０℃以下であり、
前記冷間圧延での総圧下率が、６０〜７５％であり、
前記熱処理の温度が、５５０〜６５０℃であることを特徴とする、有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットの製造方法。
【請求項４】
前記熱間の据込鍛造の温度が、７５０〜８５０℃である、請求項３記載の有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明者らは、特定の製造方法により、有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットの結晶粒の平均粒径を１５０〜４００μｍとすることにより、大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができることを見出した。具体的には、本発明は以下の構成を有することによって上記問題を解決した有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットおよびその製造方法に関する。
（１）Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金ターゲットであって、該合金の結晶粒の平均粒径が、１５０〜４００μｍであり、前記結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下であることを特徴とする、有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲット。
（２）ターゲット表面が、０．２５ｍ２以上の面積を有していることを特徴とする、上記（１）記載の有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲット。
（３）Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した溶解鋳造インゴットを、熱間の据込鍛造を６〜２０回繰り返す工程、冷間圧延する工程、熱処理する工程、機械加工する工程を、この順で行い、前記熱間の据込鍛造の温度が、８５０℃以下であり、前記冷間圧延での総圧下率が、６０〜７５％であり、前記熱処理の温度が、５５０〜６５０℃であることを特徴とする、有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットの製造方法。
（４）熱間の据込鍛造の温度が、７５０〜８５０℃である、上記（３）記載の有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月4日(2011.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記パワー半導体モジュールが実装される面以外の面にソルダーレジスト部を形成し、該ソルダーレジスト部の下面に前記シルクを形成したことを特徴とする請求項１記載のパワー半導体モジュールのプリント配線板への実装構造。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月16日(2011.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
顧客である病院が、物である患者のレントゲン写真の保管を委託しているとする。ある時、病院の医師が患者を診断しながら、以前に撮ったレントゲン写真を参照したい場合がある。
しかし、医師が保管会社（例えば倉庫会社）に電話をしてレントゲン写真の引出しを要求しても、倉庫から病院までレントゲンを送付するのに時間がかかるため、医師は患者のいる場でレントゲン写真を見ることが出来なかった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月8日(2011.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交替処理を実施するディスク装置であって、
ディスク上に第１の記録領域と第２の記録領域を確保し、前記第２の記録領域を前記第１の記録領域の交替領域とし、前記第１の記録領域を前記第２の記録領域の交替領域とする手段と、
前記第１の記録領域または前記第２の記録領域に対して所定の記録単位でデータを記録する記録手段と、
前記記録手段が記録したデータを記録単位毎に再生し、該記録したデータの記録品質を評価し、該評価した記録品質に応じて前記記録手段が記録する記録領域を前記第１の記録領域とするか、または、前記第２の記録領域とするかを切り替える制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、
前記評価した記録品質が所定レベルより高い場合、
前記記録手段に対して、現在記録している領域が、前記第１の記録領域ならば前記第１の記録領域へ、前記第２の記録領域ならば前記第２の記録領域へ、前記評価したデータと同一のデータを同じ領域に継続して記録するよう指示し、
前記評価した記録品質が所定レベルより低い場合、
前記記録手段に対して、現在記録している領域が、前記第１の記録領域ならば前記第２の記録領域へ、前記第２の記録領域ならば前記第１の記録領域へ、前記評価したデータと同一のデータを領域を切り替えて記録するよう指示する制御を実行することを特徴とするディスク装置。
【請求項２】
請求項１に記載のディスク装置において、
前記制御手段は、前記記録手段が記録した所定の記録単位データの一部分を再生して、該所定の記録単位のデータの記録品質を確認することを特徴とするディスク装置。
【請求項３】
請求項１に記載のディスク装置において、
前記制御手段は、データを再生時、交替元となるアドレス及び交替先となるアドレスを登録する管理テーブルを参照し、交替元として登録されているアドレスに記録されたデータの再生結果によって、次に再生するアドレスを決定することを特徴とするディスク装置。
【請求項４】
請求項１に記載のディスク装置において、
前記第１と第２の記録領域がディスクの同一層に設けられることを特徴とするディスク装置。
【請求項５】
請求項１に記載のディスク装置において、
前記第１と第２の記録領域がそれぞれ多層型ディスクの異なる層に設けられることを特徴とするディスク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月2日(2011.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電子債権記録機関システムに電子債権を登録する際に使用される金融機関側のシステムに関する。特に、特定多数の金融機関による電子債権の共同管理を実現するシステムに関する。なお、この明細書において「電子債権」とは、電子的に記録管理される債権情報をいうものとする。