(57)【要約】熱ウェーハ処理工程の間、半導体ウェーハを保持するウェーハホルダ。ウェーハホルダは、少なくとも３つのウェーハ支持部を含んでいる。各ウェーハ支持部は、直立軸及びウェーハがウェーハ支持部の上に載っている時に繊維の少なくとも幾つかが半導体ウェーハと係合するような適所に軸によって支持される複数の可撓性の繊維を含んでいる。
2012503312.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱ウェーハ処理工程の間半導体ウェーハを保持するウェーハホルダであって、前記ウェーハホルダは、少なくとも３つのウェーハ支持部を備えており、各ウェーハ支持部は、直立軸及び前記ウェーハが前記ウェーハ支持部の上に載っている時に前記繊維の少なくとも幾つかが前記半導体ウェーハと係合するような適所に前記軸によって支持される複数の可撓性の繊維を備えている、ウェーハホルダ。
【請求項２】
前記繊維は、約１．４Ｗ／ｍ／Ｋ未満の熱伝導率を有している、請求項１に記載のウェーハホルダ。
【請求項３】
少なくとも１つのウェーハ支持部の前記繊維の少なくとも幾つかは、第１及び第２の向かい合う端部を有するウール塊を形成するように配置されており、前記第１の端部は前記軸に固定されており、前記第２の端部は約１ｍｍから約５ｍｍまでの範囲の距離だけ前記軸から離れている、請求項１に記載のウェーハホルダ。
【請求項４】
前記ウール塊は、約１５ｍｍ３から約１００ｍｍ３までの範囲の総体積を有している、請求項３に記載のウェーハホルダ。
【請求項５】
前記繊維は、約１５ミクロンから約５０ミクロンまでの範囲の平均直径を有している、請求項３に記載のウェーハホルダ。
【請求項６】
前記可撓性繊維の少なくとも幾つかは、前記軸に固定される第１の端部及び前記軸から離れている前記第１の端部の反対側の第２の端部を有している、請求項１に記載のウェーハホルダ。
【請求項７】
少なくとも１つのウェーハ支持部は、第１の位置で前記軸に固定される第１の繊維及び前記第１の位置から少なくとも約２ｍｍだけ前記軸上で横方向に間隔を空けた第２の位置で前記軸に固定される第２の繊維を備えている、請求項６に記載のウェーハホルダ。
【請求項８】
前記繊維は、約５ｍｍから約１５ｍｍまでの範囲の平均長を有している、請求項６に記載のウェーハホルダ。
【請求項９】
前記繊維は、約５０ミクロンから約１２５ミクロンまでの範囲の平均直径を有している、請求項６に記載のウェーハホルダ。
【請求項１０】
前記複数のウェーハ支持部の前記繊維は、前記ウェーハを支持しているので、前記ウェーハの前記重さは、ウェーハ支持部当たり少なくとも約５つの繊維に亘って分散される、前記ウェーハ支持部の上に座している半導体ウェーハと共に使用される請求項１に記載のウェーハホルダ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概略的には、半導体ウェーハ用熱処理装置に関し、より厳密には、熱処理工程の間半導体ウェーハを保持するためのホルダに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハの熱処理は、半導体製造業では一般的である。急速熱処理（「ＲＴＰ」）は、熱処理のうちの１つの一般的な種類である。ＲＴＰは、室内部で半導体ウェーハを急速に加熱することを含んでいる。半導体ウェーハは、チョクラルスキー法のような方法で成長させた単結晶インゴットから薄く切断され得る。ＲＴＰは、高速温度ランプ速度を含んでいる。例えば、典型的なＲＴＰシステムは、ウェーハを僅か数秒で室温から約セ氏１２００度又はそれ以上まで加熱することができる。温度ランプ速度は、毎秒約セ氏２００度又はそれ以上であり得る。場合によっては、高電力白熱灯によって加熱が提供される。ウェーハを加熱するために熱板又はマイクロ波を使用する熱処理システムを使用することもできる。ＲＴＰシステムは、加熱後ウェーハを急速冷却することでウェーハに「スパイクアニール」処理を施し、ピーク温度のドウェル時間を最小限に抑えることもできる。
【０００３】
従来式のＲＴＰシステムは、ウェーハが加工室内部のウェーハホルダに載っている間にウェーハを処理する。一般的には、ウェーハホルダは、ウェーハを室で、持ち上げられた位置に保持する支持ピンを備えている。幾つかのＲＴＰシステムでは、ウェーハは、ＲＴＰ処理の間静止しており、ＲＴＰ処理は、熱源のオン／オフを切り替えることで制御され得る。或いは、熱源は連続的な加熱を提供し得、その場合、加熱するためにウェーハホルダがウェーハを加熱用熱源に接近するように動かし、その後冷却するためにウェーハを熱源から遠ざけるように動かす。ＲＴＰは、幾つか例を挙げるとソース／ドレイン接触接合、浅い伸張接合及び電気的活性多結晶シリコンゲート電極を形成することを含む、多様な目的で使用されている。ＲＴＰは、参考文献としてここに援用される米国特許第６，３６１，６１９号（Falster）で記載されるように、シリコンウェーハの内部ゲッターを改善するために使用され得る。
【０００４】
半導体産業は、より欠陥の少ないウェーハへの高まる需要を呈するようになっている。ＲＴＰのような熱加工処理の間支持ピンに隣接するウェーハの区域は、ウェーハの他の区域に比べてより多くの欠陥を有することが見出されている。支持ピンによってもたらされる機械的応力が、ウェーハの背面に転位欠陥を形成する一因になることが理論化されており、当該欠陥は、その後ウェーハの前面へ広がる可能性があり、ウェーハ前面において当該欠陥はウェーハの前面に作られる半導体装置の品質を低下させる。この様な次第で、半導体製造業者は、支持ピンによってもたらされる機械的応力を低減することに努めてきた。
【０００５】
半導体製造業者は、更に、支持ピンに起因するウェーハの不均一な加熱を低減又は削減しようと試みてきた。不均一な加熱は、ウェーハに熱応力を引き起こし、これはウェーハに欠陥を発生させ得る。白熱灯でウェーハを加熱するような幾つかのＲＴＰシステムでは、ウェーハは、支持ピンよりも熱せられ得る。結果的に、温度の低い支持ピンはウェーハから熱を奪い、支持ピン付近に局部的な冷却をもたし得る。ウェーハが加熱されたサセプタ又は熱板の上方で支持されるような他のウェーハ熱加工システムでは、支持ピンは、ウェーハよりも熱くなり得る。この場合、支持ピンを通じてウェーハへ伝わる熱は、熱的に逆の状況を呈する可能性がある。
【０００６】
支持ピンに起因するウェーハの不均一な加熱を低減する取り組みは、支持ピンとウェーハの接触を最小化することに着眼してきた。例えば、米国特許第６，２１４，１２２号（Thompson）は、接触点とウェーハの機械的接触を減らすために「最小の接触点」を有する支持ピンを開示している。即ち、当該支持ピンは、非常に鋭く尖った先端部を有しているので、支持ピンとウェーハの間には僅かな接触区域しか存在しない。ウェーハと支持ピンの間の接触区域の最小化は、支持ピンとウェーハの間の伝導性の熱移動を減らすことにより、より均一なウェーハ加熱をもたらし、ウェーハの熱応力を低減することを目的としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許第６，３６１，６１９号
【特許文献２】米国特許第６，２１４，１２２号
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の１つの態様は、熱ウェーハ処理工程の間、半導体ウェーハを保持するウェーハホルダを含んでいる。ウェーハホルダは、少なくとも３つのウェーハ支持部を備えている。各ウェーハ支持部は、直立軸及びウェーハがウェーハ支持部の上に載っている時に繊維の少なくとも幾つかが半導体ウェーハと係合するような適所に軸によって支持される複数の可撓性の繊維を備えている。
【０００９】
本発明の１つの態様は、熱ウェーハ処理工程の間、半導体ウェーハを保持するウェーハホルダを含んでいる。ウェーハホルダは、少なくとも３つのウェーハ支持部を備えている。各ウェーハ支持部は、直立軸及びウェーハがウェーハ支持部の上に載っている時に繊維の少なくとも幾つかが半導体ウェーハと係合するような適所に軸によって支持される複数の可撓性の繊維を備えている。
【００１０】
更に別の態様では、本発明は、半導体ウェーハを処理する方法を含んでいる。当該方法は、半導体ウェーハの重さが複数の可撓性の繊維に亘って分散されるように半導体ウェーハを支持すること及びウェーハが繊維によって支持される間、ウェーハを少なくとも約セ氏９００度の温度まで加熱することを備えている。
【００１１】
別の態様では、本発明は、半導体ウェーハを処理する方法を含んでいる。当該方法は、半導体ウェーハをウェーハホルダの上に配置することを備えている。ウェーハホルダは、最終的に３つのウェーハ支持部を備えている。支持部のそれぞれは、複数の可撓性の繊維を備えている。配置段階は、（ａ）ウェーハを複数のウェーハのうちの第１の繊維の上に載せること、（ｂ）第１の繊維をウェーハの重さを受けて撓ませること、（ｃ）ウェーハを別の繊維の上に載せること、（ｄ）他の繊維をウェーハの重さを受けて撓ませること、及び（ｅ）ウェーハの重さが繊維の撓みをこれ以上引き起こさなくなるまで段階（ｃ）及び（ｄ）を繰り返すこと、を備えている。当該方法は、ウェーハが繊維によって支持される間ウェーハを加熱することを更に備えている。
【００１２】
他の目的及び特徴は、下文において、その一部が明白となり且つその一部が指摘されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明のウェーハホルダの１つの実施形態の斜視図である。
【図２】ホルダのウェーハ支持部の部分断面を示す拡大立面図である。
【図３】熱加工室で半導体ウェーハを支持しているウェーハホルダの側立面図である。
【図４Ａ】ウェーハホルダの一部の拡大概略立面図であり、半導体ウェーハがウェーハ支持部の上に配置される順序を図示している。
【図４Ｂ】ウェーハホルダの一部の拡大概略立面図であり、半導体ウェーハがウェーハ支持部の上に配置される順序を図示している。
【図４Ｃ】ウェーハホルダの一部の拡大概略立面図であり、半導体ウェーハがウェーハ支持部の上に配置される順序を図示している。
【図５】図２で図示されるウェーハ支持部の代わりに使用することができる本発明のウェーハ支持部の第２の実施形態の部分断面を示す立面図である。
【図６】図２及び図５で図示されるウェーハ支持部の代わりに使用することができる本発明のウェーハ支持部の第３の実施形態の部分断面を示す立面図である。
【図７】図２、図５及び図６で図示されるウェーハ支持部の代わりに使用することができる本発明のウェーハ支持部の第４の実施形態の部分断面を示す立面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図面を通じて類似の参照文字は、類似の部品を示している。
【００１５】
これより図面を参照してゆくが、最初に図１を参照すると、ウェーハホルダの１つの実施形態がその全体を参照番号１０１と表記されている。ホルダ１０１の第１の実施形態は、基部１０３及び、概括的に１０５と表記され、半導体ウェーハＷ（例えばシリコンウェーハ）（図３参照）を基部の上方に支持するために基部から上方へ伸張している、少なくとも３つの支持部を備えている。ウェーハホルダ１０１は、ウェーハが比較的に高温に曝される時に半導体ウェーハＷを支持するのに適している。例えば、図３は、概括的にＲと表記されている急速熱処理（「ＲＴＰ」）装置の室Ｃの中で半導体ウェーハＷを支持しているウェーハホルダ１０１を図示している。本発明の範囲から逸脱すること無く、ウェーハが高温に曝される他の熱処理工程（例えばエピタキシャル成膜など）で半導体ウェーハＷを支持するためにウェーハホルダ１０１を使用することも可能であると解釈される。
【００１６】
基部１０３は、好適には、石英又は高温熱ウェーハ加工環境でウェーハ支持部１０５及び半導体ウェーハＷを支持することができる別の材料でできている。図示している実施形態では、基部１０３は、実質的に平坦な単一スラブである。しかしながら、基部１０３の構造は、本発明の範囲から逸脱すること無く大きく変化し得る。本発明の１つの実施形態に適合するためには、基部１０３は、過度の望ましくないウェーハ汚染物質を環境に放出すること無く高温でウェーハ支持部１０５及びウェーハＷを支持することが可能でなければならない。支持ピンを有する実際の任意の従来式の半導体ウェーハホルダで使用される基部は、本発明のウェーハホルダ１０１用の基部１０３として使用できるように改作することが可能であると思慮される。
【００１７】
図面で示す実施形態では、ウェーハ支持部１０５（その１つを図２で図示）のそれぞれは、実質的に同一である。各ウェーハ支持部１０５は、好適には、基部が直立方向及び概略的に垂直方向の軸を保持するような様式で基部１０３に固定されている細長い軸１０７を含んでいる。軸１０７は、必要に応じてウェーハ支持部１０５の取り換えを折々容易に行えるように基部１０３に取り外し可能な状態で固定することができる。例えば、図２の軸１０７を基部１０３の開口部（図示せず）に滑り込ませて嵌め合わせることが可能である。ウェーハ支持部１０５は、事実上任意の従来式交換可能ウェーハ支持部（例えば交換可能な支持ピン）と同じ又は同等の様式で基部１０３に取り外し可能なように固定されるように作られ得る。このようにして、従来式のウェーハ支持部を本発明によって構成されたウェーハ支持部１０５と交換することで、従来式ウェーハホルダを本発明のウェーハホルダ１０１に切り替えることが可能である。
【００１８】
軸１０７は、図３で図示しているように、ウェーハがウェーハ支持部１０５の上に座している時に繊維の少なくとも幾つが半導体ウェーハＷと係合するような適所に複数の可撓性の繊維１１１を支持している。例えば、軸１０７は、好適には、繊維が、表面が概略的に水平になるように方向付けられた半導体ウェーハＷの表面と係合可能であるような適所に繊維１１１を支持する。軸１０７は、ウェーハＷが熱処理工程に伴う高温に曝されている間、繊維１１１及びウェーハの重さの少なくとも幾らかを支持するために高温で十分な構造的完全性を保つことが可能な材料（例えば石英）で構成されている。軸１０７は、望ましくは、加熱時に相当量の望ましくないウェーハ汚染物質を環境に放出しない材料で構成される。軸１０７の大きさ及び形状は、本発明の範囲の中で大いに多様であり得る。図２で図示している実施形態では、例えば、軸１０７は、実質的な円筒形状及び約４ミリメートル（ｍｍ）から約１２ｍｍまでの範囲の直径を有している。軸１０７は、好適には、基部１０３に固定される時、約５ｍｍから約１２ｍｍの範囲の距離だけ基部１０３から伸張しているように構成される。
【００１９】
図２に図示しているように、空洞１１３は、基部１０３に固定される軸の反対の端部で軸１０７の中に軸方向に伸張している。１つの実施形態では、この空洞１１３は、中空管を固体柱の上へ溶接することで形成される。空洞１１３は、好適には、約３ｍｍから約１１ｍｍまでの範囲の直径を有する。繊維１１１は、空洞の中へ少なくとも繊維の一部が伸張するように、軸１０７に固定される。繊維１１１は、好適には、可撓性の繊維の少なくとも幾つかが、軸に固定される第１の端部（即ち底端部）及び第１の端部の反対側の第２の端部（即ち最上端部）を有するように軸１０７に固定される。例えば、繊維１１１は、束の端部が空洞の中へ挿入される時、摩擦が空洞１１３の中で繊維の端部を保持するように、十分な数の繊維を束状にまとめることで軸１０７に固定することができる。この様式で束ねるのに適する繊維１１１は、石英繊維を含む。束状の繊維１１１の数は、空洞１１３の直径及び繊維の厚みによって変わるであろう。１つの実施形態では、約５から約１００の範囲の数の束状の繊維１１１が存在している。
【００２０】
図２で示す実施形態の繊維１１１は、好適には、約５ｍｍから約１５ｍｍの範囲の、軸１０７より上方で測定される平均自由長（例えば約８ｍｍ）を有する。繊維１１１は、好適には、約５０ミクロンから約１２５ミクロンの範囲の平均直径（例えば約１００ミクロン）を有する。繊維束の直径は、好適には、少なくとも約２ｍｍである。幾つかの実施形態では、隣接する繊維が軸に固定される位置から少なくとも約２ｍｍの距離だけ軸上で横方向に間隔を空けた位置で軸１０７に固定される少なくとも１つの繊維が存在する。
【００２１】
ウェーハ支持部１０５は、ウェーハ支持部を通じてウェーハＷへ及びウェーハＷから伝導される熱を制限するように作られている。例えば、繊維１１１は、好適には、熱伝導しにくい材料（例えば石英など）から作られる。この結果、好適には、繊維１１１は、１ケルビン毎メートル当たり約１．４ワット（Ｗ／ｍ／Ｋ）未満の熱伝導率を有する。更に、繊維１１１は、繊維の間に少なくとも１つの間隔があるように配置されており、繊維の間に少なくとも２つの間隔があればより好適であり、図２に図示しているように繊維の間に多くの間隔があれば更により好適である。熱は、繊維１１１の束のそれらの間隔を通じて効率的には伝導されない。図２で示すように、軸１０７の端部の中の空洞１１３は、円周側壁１１５によって画定されている。幾つかの実施形態では、側壁１１５は、側壁の熱伝導率を下げるためにそれを貫通して伸張している複数の開口部１１７を有している。開口部１１７は、ドリル加工のような従来式の技法を用いて作られてもよい。幾つかの実施形態では、各開口部１１７は、軸１０７の外径の約４分の１の直径を有している。更に、軸１０７における高密度の開口部１１７が、それらの実施形態の幾つかでは好適である。加えて、軸１０７は、約１ｍｍと約４ｍｍの間の範囲の側壁厚さを有している。幾つかの実施形態では、軸１０７は、中空管であり、他の実施形態では、側壁は、約１０ｍｍの高さを有している。幾つかの実施形態では、開口部１１７は、側壁の全高の下方に続いて伸びていてもよい。
【００２２】
図４Ａから図４Ｃで図示しているように、ウェーハＷが、（例えば自動装填工程のロボットによって）ウェーハホルダ１０１の上に配置される時、ウェーハは、繊維１１１ａのうちの１つ又はそれ以上に接触し（図４Ａ）、それらの繊維は、ウェーハの重さを受けて弾性的に撓む（図４Ｂ）。撓み工程では、第１の単数又は複数の繊維と接触し、ウェーハＷは、１つ又はそれ以上の追加的な繊維１１１ｂと接触する（図４Ｂ）。追加の単数又は複数の繊維も、同様に、ウェーハの重さを受けて弾性的に撓む（図４Ｃ）。その後、ウェーハＷは、１つ又はそれ以上の追加的な繊維１１１ｃと接触し、撓ませる。この工程は、繊維１１１がそれ以上に撓むこと無くウェーハＷの重さを担持するまで続く。この段階では、ウェーハＷは、複数の繊維１１１によって支持されているので、ウェーハは、図３で図示しているように、ウェーハ支持部１０５の軸１０７から間隔を開けて（例えば約２ｍｍから約１５ｍｍの範囲の距離だけ）離れている状態にある。１つの実施形態では、好適には、ウェーハＷの重さは、実質的には、ウェーハ支持部当たり約２つの繊維から約５０個の繊維までの範囲の数の繊維１１１によって支持される。例えば、ウェーハホルダ１０１が３つのウェーハ支持部１０５を有している場合、少なくとも４５個の繊維１１１が、ウェーハＷの重さを支持し得る。各ウェーハ支持部１０５の繊維１１１は、ウェーハの背面の様々な異なる位置で半導体ウェーハＷと接触している。例えば、ウェーハ支持部１０５の１つの繊維１１１は、同じウェーハ支持部の別の繊維がウェーハと接触する位置から少なくとも約２ｍｍ間隔を空けた位置でウェーハＷと接触し得る。
【００２３】
ウェーハＷは、その後、ウェーハがウェーハホルダ１０１によって支持されている間、実施される特有の熱工程用の仕様に従って加熱される。例えば、ウェーハＷは、ウェーハＷ支持部１０５によって支持される間、少なくとも約セ氏９００度まで、より特定には少なくとも約セ氏１１００度まで、更により特定には少なくとも約セ氏１２００度まで加熱され得る。幾つかの実施例では、ウェーハホルダ１０１は、ウェーハＷがＲＴＰ工程、エピタキシャル成膜工程などを施される間、ウェーハＷを支持することができる。ウェーハＷとウェーハ支持部１０５（又はその構成部品）の温度に幾らかの差異がある可能性があるが、ウェーハ支持部も、熱処理工程でウェーハの温度と同様の高温まで加熱される。
【００２４】
ウェーハホルダ１０１がウェーハＷと接触する面積を最小化するように設計された鋭く尖った先端部を有している先行技術の指示ピンとは対照的に、本発明のウェーハホルダは、ウェーハに加わる集中的な局部的な機械的応力及び熱応力をウェーハ支持部１０５の複数の繊維１１１に亘って分散させることで、それらの機械的応力及び熱応力の影響を低減させる。弾性的に屈曲する繊維１１１の何れか１つによって任意の特定の位置でウェーハに及ぼされる力の量は、比較的に小さいので、ウェーハＷの背面への損傷は限定的である。更に、ウェーハ支持部１０５の低い熱伝導率は、熱応力に起因するウェーハＷへの損傷を制限する。同様に、繊維１１１の比較的低い熱伝導率は、繊維の何れかによってウェーハＷへ、又はウェーハＷから伝導される熱を極小化する。更に、ウェーハ支持部１０５と関連付けられるウェーハＷへの機械的応力及び熱応力は、複数の繊維１１１によってウェーハのより広範な面積に亘って分散されるので、先行技術の鋭く尖った支持ピンの使用に伴う機械的応力及び熱応力の非常に局部的な集中が回避される。
【００２５】
本発明の範囲の中で半導体ウェーハＷを支持するために複数の可撓性繊維１１１を有するウェーハ支持部１０５を構成する方法が存在する。図５は、ウェーハ支持部２０５の第２の実施形態を図示している。ウェーハ支持部２０５は、先に説明したウェーハ支持部１０５と実質的に類似しており、ウェーハホルダ１０１の中で先に説明したウェーハ支持部の代わりに使用することができる。この実施形態では、可撓性繊維２１１は、概括的に２２０と表記されているウールの塊を形成するために配置されている。例えば、ウェーハ支持部を作るために用いるのに適した融合石英ウールは、オハイオ州、ペーンズビルタウンシップのTechnical Glass Productsから市販されている。ウール塊２２０の繊維２１１は、好適には、約１．５ミクロンから約５０ミクロンまでの範囲の平均直径を有する。ウール塊２２０は、好適には、ウール塊の一部分を空洞２１３の中へ挿入すること及び軸の端部でウール塊と側壁２１５の間に摩擦嵌め合いを作り出すことで軸２０７に固定される。ウール塊２２０の反対側端部（即ち上端部）は、好適には、第１の端部が空洞２１３の中に固定される時、軸２０７から約１ｍｍから約５ｍｍまでの範囲の距離だけ離れている。ウール塊２２０は、好適には、約１５ｍｍ３から約１００ｍｍ３までの範囲の総体積を有する。ウール塊２２０は、繊維２１１の間に、ウール塊の熱伝導率を下げる複数の間隔を有している。このウェーハ支持部２０５は、先に説明したウェーハ支持部１０５と実質的に同じ様式で機能する。
【００２６】
図６は、本発明のウェーハ支持部３０５の別の実施形態を図示している。このウェーハ支持部３０５は、図２で図示しているウェーハ支持部１０５と実質的に同じ様式で構成されており且つ機能する。軸３０７の端部における空洞３１３も、同様に、軸の上端部の大きい側の直径から軸の端部から離れている小さい側の直径まで先細になっている。例えば、空洞３１３は、好適には、約０．１°から約２０°までの範囲のテーパー勾配を有する。従って、空洞３１３は、少なくとも幾らか先細になっており、開口部で最も広くなっている。この先細の空洞３１３は、繊維束の端部の空洞の中への挿入を容易にすることによってウェーハ支持部３０５の製造性を改善することが可能である。
【００２７】
図７は、本発明のウェーハ支持部４０５の別の実施形態を図示している。このウェーハ支持部４０５は、実質的に、図６で図示しているウェーハ支持部３０５に対して説明し且つ先に検討したように、ウール塊４２０の空洞への挿入を容易にするために先細の空洞４１３を有している軸４０７を有しているという点を除いて、図５で示しているウール塊ウェーハ支持部２０５と実質的に同じ様式で構成されており且つ機能する。
【００２８】
本発明の要素又はその好適な実施形態を導入する際、英文冠詞の対訳である単数形「或る」、「一つ」、「その」及び「前記」は、１つ又はそれ以上の要素が存在していることを意味することが意図される。用語「備えていること」、「含んでいること」、及び「有していること」は、包含的であることを意図しており、記載された要素以外に追加的な要素があってもよいことを意味している。
【００２９】
上文を考慮すれば、本発明の幾つかの目的は達成され、他の有利な効果が得られるものと理解されるであろう。
【００３０】
本発明の範囲を逸脱すること無く、上記の構造及び方法に様々な変更を加えることができるので、上記の説明に含まれる及び添付図面で示される全ての内容は、例示的なものとして解釈されるものとし、制限的な意味に解釈されるものではない。
【図１】
2012503312.tif 000003
【図２】
2012503312.tif 000004
【図３】
2012503312.tif 000005
【図４Ａ】
2012503312.tif 000006
【図４Ｂ】
2012503312.tif 000007
【図４Ｃ】
2012503312.tif 000008
【図５】
2012503312.tif 000009
【図６】
2012503312.tif 000010
【図７】
2012503312.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月16日(2010.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱ウェーハ処理工程の間半導体ウェーハを保持するウェーハホルダであって、前記ウェーハホルダは、少なくとも３つのウェーハ支持部を備えており、各ウェーハ支持部は、直立軸及び複数の可撓性の繊維を備え、前記複数の可撓性の繊維は、前記ウェーハが前記ウェーハ支持部の上に載っている時に前記繊維の少なくとも幾つかが前記半導体ウェーハと係合し、前記各支持部の繊維の一部分が実質的に互いに平行して並ぶような適所に束状に配置され、前記軸によって支持される、ウェーハホルダ。
【請求項２】
前記繊維は、約１．４Ｗ／ｍ／Ｋ未満の熱伝導率を有している、請求項１に記載のウェーハホルダ。
【請求項３】
少なくとも１つのウェーハ支持部の前記繊維の少なくとも幾つかは、第１及び第２の向かい合う端部を有するウール塊を形成するように配置されており、前記第１の端部は前記軸に固定されており、前記第２の端部は約１ｍｍから約５ｍｍまでの範囲の距離だけ前記軸から離れている、請求項１に記載のウェーハホルダ。
【請求項４】
前記ウール塊は、約１５ｍｍ３から約１００ｍｍ３までの範囲の総体積を有している、請求項３に記載のウェーハホルダ。
【請求項５】
前記繊維は、約１５ミクロンから約５０ミクロンまでの範囲の平均直径を有している、請求項３に記載のウェーハホルダ。
【請求項６】
前記可撓性繊維の少なくとも幾つかは、前記軸に固定される第１の端部及び前記軸から離れている前記第１の端部の反対側の第２の端部を有している、請求項１に記載のウェーハホルダ。
【請求項７】
少なくとも１つのウェーハ支持部は、第１の位置で前記軸に固定される第１の繊維及び前記第１の位置から少なくとも約２ｍｍだけ前記軸上で横方向に間隔を空けた第２の位置で前記軸に固定される第２の繊維を備えている、請求項６に記載のウェーハホルダ。
【請求項８】
前記繊維は、約５ｍｍから約１５ｍｍまでの範囲の平均長を有している、請求項６に記載のウェーハホルダ。
【請求項９】
前記繊維は、約５０ミクロンから約１２５ミクロンまでの範囲の平均直径を有している、請求項６に記載のウェーハホルダ。
【請求項１０】
前記複数のウェーハ支持部の前記繊維は、前記ウェーハの前記重さが、ウェーハ支持部当たり少なくとも約５つの繊維に亘って分散されるように前記ウェーハを支持している、前記ウェーハ支持部の上に座している半導体ウェーハと共に使用される請求項１に記載のウェーハホルダ。
【請求項１１】
前記可撓性の繊維は、摩擦によりまとめて束ねられる、請求項１に記載のウェーハホルダ。
【請求項１２】
前記前記可撓性の繊維は、石英から作られている、請求項１に記載のウェーハホルダ。
【請求項１３】
前記軸が取り外し可能なように固定された基部をさらに有している、請求項１に記載のウェーハホルダ。
【国際調査報告】
2012503312.tif 000012
2012503312.tif 000013