Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月8日(2011.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地層の上に第１配線層を形成する工程と、
前記第１配線層の上に、絶縁層と保護層とを形成する工程と、
前記保護層及び前記絶縁層を加工することにより、前記第１配線層に到達するビアホールを形成する工程と、
前記保護層をマスクにして前記ビアホール内をデスミア処理してその側面を粗化する第１の粗化処理工程と、
前記保護層を除去して前記絶縁層の表面を露出させる工程と、
前記絶縁層の表面を粗化する第２の粗化処理工程と、
前記ビアホールを介して前記第１配線層に接続される第２配線層を前記絶縁層の上に形成する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁層の表面粗さ（Ｒａ）は、前記ビアホールの側面の表面粗さ（Ｒａ）より低く設定されることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層の表面を粗化する第２の粗化処理工程は、プラズマで処理する工程、ウェットエッチングで処理する工程、又は前記絶縁層の表面にＵＶ照射する工程であることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２配線層を形成する工程は、
前記ビアホール内及び前記絶縁層の上にシード層を形成する工程と、
前記シード層の上に、前記第２配線層が配置される部分に開口部が設けられたレジストを形成する工程と、
前記シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、前記ビアホール及び前記レジストの開口部に金属めっき層を形成する工程と、
前記レジストを除去する工程と、
前記金属めっき層をマスクにして前記シード層をエッチングすることにより、前記シード層及び前記金属めっき層から構成される前記第２配線層を得る工程とを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記保護層は、ＰＥＴフィルム、レジスト、又は金属層のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記プラズマによる処理は、ドライエッチング装置による異方性エッチング又は等方性エッチングにより行われることを特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記プラズマで使用されるガスは、フッ素原子を含むガス、希ガス、酸素、水、水素、窒素、及びアンモニアの群から選択される１つのガス、又は２つ以上を組み合わせた混合ガスであることを特徴とする請求項３又は６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
第１配線層と、
前記第１配線層の上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層に設けられて、前記第１配線層に到達するビアホールと、
前記絶縁層の上に形成され、前記ビアホールを介して前記第１配線層に接続された第２配線層とを有し、
前記絶縁層の表面粗さ（Ｒａ）は、前記ビアホールの側面の表面粗さ（Ｒａ）より低く設定されていることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
前記絶縁層の表面粗さ（Ｒａ）は１０乃至１００ｎｍであり、前記ビアホールの側面の表面粗さ（Ｒａ）は１００乃至６００ｎｍであることを特徴とする請求項８に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記絶縁層は、３０乃至７０ｗｔ％の含有率でフィラーが分散された樹脂からなることを特徴とする請求項８又は９に記載の配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
このため、第２実施形態では、スパッタ法によってシード層４２を形成することが好ましい。スパッタ法を使用することにより、上述した粗化処理を行っていない層間絶縁層３０の上に十分な密着強度でシード層４２が形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
また、層間絶縁層７０の表面は粗化処理が行われておらず、その表面粗さ（Ｒａ）は１０〜１００ｎｍ（好適には１０〜５０ｎｍ）に設定されている。層間絶縁層７０は、例えば、シリカなどのフィラーが３０〜７０ｗｔ％の含有率で分散されたエポキシ樹脂から形成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
第２実施形態では、層間絶縁層７０の表面は粗化処理されていないが、層間絶縁層７０の表面を配線層との密着性がよい状態とすることができる。つまり、層間絶縁層７０の表面粗さ（Ｒａ）を１０〜５０ｎｍと小さく設定しても第２配線層６２の十分な密着性が得られるようになっている。このため、十分な密着性をもつ微細な第２配線層６２を歩留りよく形成することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
このように、第２実施形態の配線基板１では、平滑な層間絶縁層７０（表面粗さ（Ｒａ）：１００ｎｍ以下）の上に微細な配線層６２（ライン：スペースが１５：１５μｍ以下）が密着性よく形成される。これにより、電気特性が優れた配線基板を構成することができ、高性能な半導体チップを実装するための実装基板として使用することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2010010639.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2010010639.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月13日(2011.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子と、
前記光電変換素子の光電流を増幅する増幅回路と、
第１のスイッチと、
第２のスイッチと、
前記第１のスイッチを介してリセット電位が供給され、前記第２のスイッチを介して前記増幅回路で増幅された電流に応じた充電または放電がなされる第１の容量素子と、
前記第１の容量素子の一方の電極の電位と参照電位を比較するためのコンパレータと、
前記コンパレータの出力に応じてパルスを出力するパルス出力回路と、
第２の容量素子と、
前記第２の容量素子の一方の電極に電気的に接続され、前記第２の容量素子に定電流を供給する定電流回路と、
前記第２の容量素子の一方の電極に電気的に接続され、前記パルスに応じて一方の端子と他方の端子との導通または非導通が制御される第３のスイッチと、
前記第２の容量素子に蓄積された電荷を放電するための第４のスイッチと、を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記パルス出力回路は、単安定マルチバイブレータ回路であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記増幅回路は、ｎチャネル型の第１の薄膜トランジスタと、ｎチャネル型の第２の薄膜トランジスタとを有するカレントミラー回路で構成されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記光電変換装置は、透光性を有する基板上に設けられていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一に記載の光電変換装置から出力される出力信号をデジタル信号に変換するＡＤ変換回路と、前記デジタル信号を外部装置に出力するためのＩ２Ｃインタフェース回路と、を有することを特徴とするフォトＩＣ。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一に記載の光電変換装置を具備することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月25日(2011.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
既に符号化済みの第１の画素領域に対応する第１の動きベクトルを取得することと、
前記第１の動きベクトルを少なくとも１つ含む動きベクトル群を導出することと、
前記動きベクトル群に基づき、符号化前の第２の画素領域を分割した第３の画素領域の各々に対応する第２の動きベクトルを導出することと、
前記第２の動きベクトルを用いて、前記第３の画素領域の各々の第１のインター予測画像を生成することと、
前記第１のインター予測画像を統合して、前記符号化前の第２の画素領域に対応する第２のインター予測画像を生成することと、
前記第２のインター予測画像と原画像との間の予測誤差を符号化することと
を具備することを特徴とする画像符号化方法。
【請求項２】
既に符号化済みの第１の画素領域を分割した第２の画素領域に対応する第１の動きベクトルを取得することと、
空間的に連続する前記第１の動きベクトルを纏め、前記第１の画素領域と同一サイズの動きベクトルブロックを導出することと、
前記動きベクトルブロックを構成する第１の動きベクトルの各々を、符号化前の第１の画素領域を分割した第３の画素領域の各々に対応する第２の動きベクトルとして、空間的に対応させて代入することと、
前記第２の動きベクトルを用いて、前記第３の画素領域の各々の第１のインター予測画像を生成することと、
前記第１のインター予測画像を統合して、前記符号化前の第１の画素領域に対応する第２のインター予測画像を生成することと、
前記第２のインター予測画像と原画像との間の予測誤差を符号化することと
を具備することを特徴とする画像符号化方法。
【請求項３】
前記第１の動きベクトル及び前記第２の動きベクトルは、前記既に符号化済みの第１の画素領域で構成されるフレーム単位の参照画像フレームにおける参照位置を指し示すことを特徴とする請求項２記載の画像符号化方法。
【請求項４】
前記第１の動きベクトルは、動きベクトルフレームとしてフレーム単位で取得され、
前記動きベクトルフレームにおいて前記符号化前の第１の画素領域と同位置の第１の動きベクトルが、前記動きベクトルブロックとして導出されることを特徴とする請求項３記載の画像符号化方法。
【請求項５】
前記動きベクトルブロックの位置情報を符号化することを更に具備することを特徴とする請求項３記載の画像符号化方法。
【請求項６】
前記位置情報は、前記符号化前の第１の画素領域に対する前記動きベクトルブロックの時空間的なシフト量を示すことを特徴とする請求項５記載の画像符号化方法。
【請求項７】
前記符号化前の第１の画素領域に対応する第３の動きベクトルを推定することと、
前記第３の動きベクトルを用いて、前記符号化前の第１の画素領域の第３のインター予測画像を生成することと、
前記第２のインター予測画像及び前記第３のインター予測画像のいずれか一方を最適予測画像として選択することとを更に具備し、
前記最適予測画像と前記原画像との間の予測誤差が符号化されることを特徴とする請求項４記載の画像符号化方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像符号化方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月13日(2011.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像の撮影情報を読み込む読み込み手段と、
前記撮影情報に前記画像の主要被写体の情報が格納されているか否かを判定する判定手段と、
前記画像の主要被写体の検出を行う検出手段と、
前記判定手段により、前記撮影情報に前記画像の主要被写体の情報が格納されていると判定された場合に、前記検出手段により検出された主要被写体の領域と前記撮影情報に格納されている主要被写体の領域との比較を行う比較手段と、
前記比較手段による比較の結果に応じて主要被写体の領域を決定し、前記主要被写体の領域に対して補正を行う補正手段と
を備えたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記比較手段による比較は、前記検出手段により検出された主要被写体の領域と前記撮影情報に格納されている主要被写体の領域とが近傍にあるか否かを比較することにより行われることを特徴とする請求項１の画像処理装置。
【請求項３】
前記比較手段による比較の結果、前記検出手段により検出された主要被写体の領域と前記撮影情報に格納されている主要被写体の領域とが近傍にない場合、前記検出手段により検出された主要被写体の領域を、前記撮影情報の主要被写体の領域に追加することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記比較手段による比較は、前記検出手段により検出された主要被写体の領域と前記撮影情報に格納されている主要被写体の領域とが一致するか否かを比較することにより行われることを特徴とする請求項１の画像処理装置。
【請求項５】
前記比較手段による比較の結果、前記検出手段により検出された主要被写体の領域と前記撮影情報に格納されている主要被写体の領域とが一致しない場合には、前記検出手段により検出された主要被写体の領域を、前記撮影情報の主要被写体の領域に対して上書きすることを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記主要被写体は、人物の顔であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記撮影情報は、Ｅｘｉｆファイルを含むことを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記補正手段は、前記主要被写体の領域の明るさを補正することを特徴とする請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記補正手段は、前記主要被写体の領域のカラーバランスを補正することを特徴とする請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記補正手段は、前記主要被写体の領域に限定したローパス補正を実行することを特徴とする請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記補正手段は、前記主要被写体の領域に限定したハイパス補正を実行することを特徴とする請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
画像の撮影情報を読み込む読み込みステップと、
前記撮影情報に前記画像の主要被写体の情報が格納されているか否かを判定する判定ステップと、
前記画像の主要被写体の検出を行う検出ステップと、
前記判定ステップにより、前記撮影情報に前記画像の主要被写体の情報が格納されていると判定された場合に、前記検出ステップにより検出された主要被写体の領域と前記撮影情報に格納されている主要被写体の領域との比較を行う比較ステップと、
前記比較ステップによる比較の結果に応じて主要被写体の領域を決定し、前記主要被写体の領域に対して補正を行う補正ステップと
を備えたことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１３】
コンピュータを請求項１乃至１１のいずれか一項に記載された画像処理装置として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
上記課題を解決するために、本発明に係る画像処理装置は、画像の撮影情報を読み込む読み込み手段と、前記撮影情報に前記画像の主要被写体の情報が格納されているか否かを判定する判定手段と、前記画像の主要被写体の検出を行う検出手段と、前記判定手段により、前記撮影情報に前記画像の主要被写体の情報が格納されていると判定された場合に、前記検出手段により検出された主要被写体の領域と前記撮影情報に格納されている主要被写体の領域との比較を行う比較手段と、前記比較手段による比較の結果に応じて主要被写体の領域を決定し、前記主要被写体の領域に対して補正を行う補正手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月23日(2011.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信面を有し、機器間のデータ通信を制御するデータ制御装置であって、
前記通信面と前記機器が所定の距離に近接することで、前記機器と通信を行う通信手段と、
前記通信面に置かれた前記機器の位置を検出する検出手段と、
前記通信面へのタッチ操作を検出することで外部からの指示の入力を受け付ける入力手段と、
前記検出手段により検出された機器の位置および前記通信面のうち前記入力手段による入力が受け付けられた位置に基づき、前記通信手段を用いて前記機器に対し、前記データ通信に関する動作を行う動作手段とを備えたことを特徴とするデータ制御装置。
【請求項２】
前記機器の状態を取得する取得手段を備え、
前記動作手段は、前記取得した機器の状態、前記検出手段による検出の結果および前記入力した指示に基づき、前記データ通信に関する動作を行うことを特徴とする請求項１記載のデータ制御装置。
【請求項３】
前記動作手段は、前記検出された複数の機器の位置を基に、前記機器の転送モードを指示することを特徴とする請求項１または２記載のデータ制御装置。
【請求項４】
前記取得した機器の状態を表示する表示手段を前記通信面に備え、
前記入力手段は、前記表示手段の上に設けられたタッチセンサで構成されることを特徴とする請求項２記載のデータ制御装置。
【請求項５】
前記動作手段は、前記データ通信の中断、一時停止および再開を指示することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のデータ制御装置。
【請求項６】
前記通信手段は、送信側の前記機器からデータを受信し、受信側の前記機器に前記受信したデータを送信することで前記機器間のデータ通信を中継することが可能なことを特徴とする請求項３記載のデータ制御装置。
【請求項７】
前記通信面に複数の前記通信手段を配置したことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のデータ制御装置。
【請求項８】
通信面を有し、機器間のデータ通信を制御するデータ制御装置のデータ制御方法であって、
前記データ制御装置の通信手段が、前記通信面と前記機器が所定の距離に近接することで、前記機器と通信を行う通信ステップと、
前記データ制御装置の検出手段が、前記通信面に置かれた前記機器の位置を検出する検
出ステップと、
前記データ制御装置の入力手段が、前記通信面へのタッチ操作を検出することで外部からの指示の入力を受け付ける入力ステップと、
前記データ制御装置の動作手段が、前記検出ステップで検出された機器の位置および前記通信面のうち前記入力ステップによる入力が受け付けられた位置に基づき、前記通信手段を用いて前記機器に対し、前記データ通信に関する動作を行う動作ステップとを有することを特徴とするデータ制御方法。
【請求項９】
通信面を有し、機器間のデータ通信を制御するデータ制御装置のデータ制御方法を、コンピュータに実行させるプログラムであって、
前記データ制御方法は、
前記データ制御装置の通信手段が、前記通信面と前記機器が所定の距離に近接することで、前記機器と通信を行う通信ステップと、
前記データ制御装置の検出手段が、前記通信面に置かれた前記機器の位置を検出する検出ステップと、
前記データ制御装置の入力手段が、前記通信面へのタッチ操作を検出することで外部からの指示の入力を受け付ける入力ステップと、
前記データ制御装置の動作手段が、前記検出ステップで検出された機器の位置および前記通信面のうち前記入力ステップによる入力が受け付けられた位置に基づき、前記通信手段を用いて前記機器に対し、前記データ通信に関する動作を行う動作ステップとを有することを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明のデータ制御装置は、通信面を有し、機器間のデータ通信を制御するデータ制御装置であって、前記通信面と前記機器が所定の距離に近接することで、前記機器と通信を行う通信手段と、前記通信面に置かれた前記機器の位置を検出する検出手段と、前記通信面へのタッチ操作を検出することで外部からの指示の入力を受け付ける入力手段と、前記検出手段により検出された機器の位置および前記通信面のうち前記入力手段による入力が受け付けられた位置に基づき、前記通信手段を用いて前記機器に対し、前記データ通信に関する動作を行う動作手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月24日(2011.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
監視環境の音声を集音する集音手段と、
前記監視環境の映像を撮影する撮影手段と、
前記集音手段、前記撮影手段、及び前記監視環境の状態を測定するセンサが収集したデータの変化に基づいて前記監視環境の状態の変化を検知する検知手段と、
前記集音手段が収集した音声データと前記撮影手段が収集した映像データとについて、前記状態の変化を認識する認識処理を行う認識処理手段と
を備え、
前記認識処理手段は、前記検知手段による検知結果に基づいて起動し、前記認識処理に使用する認識データベースを該検知結果に基づいて選択する
ことを特徴とする撮影装置。
【請求項２】
前記検知手段は、該検知手段による検知結果又は前記認識処理手段による認識処理結果に基づいて、前記監視環境の状態の変化の検知に使用するパラメータを調整することを特徴とする請求項１に記載の撮影装置。
【請求項３】
前記検知手段が前記監視環境の状態の変化を検知した期間の前記映像データと前記音声データとを保持する保持手段をさらに備え、
前記認識処理手段は、前記保持手段に保持されたデータを用いて、前記検知手段による状態の変化の検知とは非同期に前記認識処理を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の撮影装置。
【請求項４】
前記検知手段は、前記撮影手段が収集した映像データに基づく前記監視環境の状態の変化の検知を、該映像データに含まれるＤＣＴ係数又は動きベクトルの変化に基づいて行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮影装置。
【請求項５】
前記検知手段による検知結果と前記認識処理手段による認識処理結果とを外部の装置へ送信する通信手段をさらに備える請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮影装置。
【請求項６】
監視環境の音声を集音する集音手段と、
前記監視環境の映像を撮影する撮影手段と、
前記集音手段、前記撮影手段、及び前記監視環境の状態を測定するセンサが収集したデータの変化に基づいて前記監視環境の状態の変化を検知する検知手段と、
前記検知手段が前記監視環境の状態の変化を検知した期間の前記データと検知内容とを、前記状態の変化を認識する認識処理を行う認識処理装置に送信し、該送信に対する応答を受信する通信手段と
を備え、
前記通信手段は、前記検知手段による検知結果に基づいて前記送信を行い、
前記検知手段は、前記応答の内容に基づいて、前記監視環境の状態の変化の検知に使用するパラメータを調整する
ことを特徴とする撮影装置。
【請求項７】
監視環境の音声を集音する集音手段と、
前記監視環境の映像を撮影する撮影手段と
を備える撮影装置の制御方法であって、
検知手段が、前記集音手段、前記撮影手段、及び前記監視環境の状態を測定するセンサが収集したデータの変化に基づいて前記監視環境の状態の変化を検知する検知工程と、
認識処理手段が、前記集音手段が収集した音声データと前記撮影手段が収集した映像データとについて、前記状態の変化を認識する認識処理を行う認識処理工程と
を備え、
前記認識処理工程において、前記認識処理手段は、前記検知工程における検知結果に基づいて起動され、前記認識処理に使用する認識データベースを該検知結果に基づいて選択する
ことを特徴とする撮影装置の制御方法。
【請求項８】
監視環境の音声を集音する集音手段と、
前記監視環境の映像を撮影する撮影手段と
を備える撮影装置の制御方法であって、
検知手段が、前記集音手段、前記撮影手段、及び前記監視環境の状態を測定するセンサが収集したデータの変化に基づいて前記監視環境の状態の変化を検知する検知工程と、
通信手段が、前記検知工程において前記監視環境の状態の変化を検知した期間の前記データと検知内容とを、前記検知工程における検知結果に基づいて前記状態の変化を認識する認識処理を行う認識処理装置に送信し、該送信に対する応答を受信する通信工程と、
前記検知手段が、前記応答の内容に基づいて、前記監視環境の状態の変化の検知に使用するパラメータを調整する調整工程と
を備えることを特徴とする撮影装置の制御方法。
【請求項９】
コンピュータを請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮影装置の各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を鑑み、本発明に係る撮影装置は、監視環境の音声を集音する集音手段と、前記監視環境の映像を撮影する撮影手段と、前記集音手段、前記撮影手段、及び前記監視環境の状態を測定するセンサが収集したデータの変化に基づいて前記監視環境の状態の変化を検知する検知手段と、前記集音手段が収集した音声データと前記撮影手段が収集した映像データとについて、前記状態の変化を認識する認識処理を行う認識処理手段とを備え、前記認識処理手段は、前記検知手段による検知結果に基づいて起動し、前記認識処理に使用する認識データベースを該検知結果に基づいて選択することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月25日(2011.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の周波数を用いて通信を行う無線通信装置であって、
複数のアンテナ素子と、
送信ビーム行列を用いて、送信サブストリームに対する送信ビームフォーミング処理を行う処理部と、を備え、
前記送信ビーム行列は、周波数の関数行列として構成されていることを特徴とする無線通信装置。
【請求項２】
前記処理部は、時間領域における送信サブストリームに対して、前記送信ビーム行列を用いた送信ビームフォーミング処理を行う請求項１記載の無線通信装置。
【請求項３】
前記処理部は、周波数領域における送信サブストリームを時間領域の送信サブストリームに変換し、時間領域に変換された送信サブストリームに対して、前記送信ビーム行列を用いた送信ビームフォーミング処理を行う請求項１又は２記載の無線通信装置。
【請求項４】
前記処理部は、時間領域における遅延処理、並びに時間領域における加算処理によって、前記送信ビーム行列を用いた送信ビームフォーミング処理を行う請求項２又は３記載の無線通信装置。
【請求項５】
前記送信ビーム行列は、各アンテナ素子における各送信サブストリームの電力及び位相の重みが、周波数によって異なるように構成されている請求項１〜４のいずれか１項に記載の無線通信装置。
【請求項６】
前記処理部は、伝送路特性の推定値の信頼性が低いと判定されたときに、前記送信ビーム行列を用いた送信ビームフォーミング処理を行う請求項１〜５のいずれか１項に記載の無線通信装置。
【請求項７】
空間多重度をＬとし、前記アンテナ素子数をＭとし、角周波数をωとしたときに
【数１】
2010010966.tif 000001
と表される前記送信ビーム行列Ｕ（ｊω）を、
多重度Ｌの各送信サブストリームｓ１（ｊω）〜ｓＬ（ｊω）に対応する送信ビームベクトルｕ１（ｊω）〜ｕＬ（ｊω）を用いて、
【数２】
2010010966.tif 000002
と表した場合において、
任意の周波数ωについて
【数３】
2010010966.tif 000003
となるように前記送信ビーム行列が構成されている請求項１〜６のいずれか１項に記載の無線通信装置。
【請求項８】
空間多重度をＬとし、前記アンテナ素子数をＭとし、角周波数をωとしたときに
【数４】
2010010966.tif 000004
と表される前記送信ビーム行列Ｕ（ｊω）を、
多重度Ｌの各送信サブストリームｓ１（ｊω）〜ｓＬ（ｊω）に対応する送信ビームベクトルｕ１（ｊω）〜ｕＬ（ｊω）を用いて、
【数５】
2010010966.tif 000005
と表した場合において、
任意の周波数ωについて
【数６】
2010010966.tif 000006
となるように前記送信ビーム行列が構成されている請求項１〜７のいずれか１項に記載の無線通信装置。
【請求項９】
空間多重度をＬとし、前記アンテナ素子数をＭとし、角周波数をωとしたときに
【数７】
2010010966.tif 000007
と表される前記送信ビーム行列Ｕ（ｊω）を、
Ｍ個のアンテナ素子における各送信サブストリームのウェイトベクトルｕ’１（ｊω）〜ｕ’Ｍ（ｊω）を用いて、
【数８】
2010010966.tif 000008
と表した場合において、
任意の周波数ωについて
【数９】
2010010966.tif 000009
となるように前記送信ビーム行列が構成されている請求項１〜８のいずれか１項に記載の無線通信装置。
【請求項１０】
前記送信ビーム行列は、時間に応じて変更可能である請求項１〜９のいずれか１項に記載の無線通信装置。
【請求項１１】
前記送信ビーム行列を用いてパイロット信号を送信する請求項１〜１０のいずれか１項に記載の無線通信装置。
【請求項１２】
周波数の関数行列として構成されている前記送信ビーム行列を、受信側に通知する請求項１〜１１のいずれか１項に記載の無線通信装置。
【請求項１３】
前記処理部は、
各送信サブストリームに対して時間領域における遅延処理を行う複数の遅延処理部、
前記遅延処理が行われた前記送信サブストリームと、前記遅延処理が行われていない送信サブストリームと、を時間領域における加算処理で加算する複数の第１加算処理部、並びに
前記第１加算処理部の出力同士を加算する複数の第２加算処理部、
を備えている
請求項４記載の無線通信装置。
【請求項１４】
前記複数の第１加算処理部には、
前記遅延処理が行われ、かつ、位相回転が加えられた前記送信サブストリームと、
前記遅延処理が行われていない送信サブストリームと、
を時間領域における加算処理で加算する前記第１加算処理部が含まれている
請求項１３記載の無線通信装置。
【請求項１５】
前記処理部は、各送信サブストリームから前記複数のアンテナ素子それぞれに至る複数の経路を有し、
前記複数のアンテナ素子それぞれに至る各経路は、同じ数の第１加算処理部及び第２加算処理部を備え、
前記位相回転の量が、前記複数のアンテナ素子それぞれに至る各経路において異なっている
請求項１４記載の無線通信装置。
【請求項１６】
前記複数の遅延処理部は、各送信サブストリームに対して遅延処理を行い、各遅延処理部の出力が、前記複数のアンテナ素子それぞれに至る各経路に分配される
請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の無線通信装置。
【請求項１７】
複数の周波数を用いたＭＩＭＯ無線通信における信号送信方法であって、
送信ビームを周波数に応じて異ならせて、信号の受信側からみた空間チャネル特性が周波数に応じて異なるように送信ビームフォーミングを行う
ことを特徴とするＭＩＭＯ無線通信における信号送信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月30日(2011.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の端部近傍に電極を有し、前記電極が設けられた端部がコネクタに挿入されることで、前記電極が前記コネクタに設けられたコンタクト電極と接触して電気的な接続が行われる回路基板において、
前記基板の前記コネクタへの挿入に伴う前記コンタクト電極の停止位置と前記基板の端部との間に、前記電極の電極面よりも低く形成された凹部を備えることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記凹部の深さは、前記基板の絶縁層上に配置された前記電極の厚みに等しいことを特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
前記凹部は、前記電極と同時にエッチングにより形成されていることを特徴とする請求項２記載の回路基板。
【請求項４】
前記電極をシート状の絶縁層上に形成したシート基板層を有し、前記凹部の深さは、前記電極を含めた前記シート基板層の厚みに等しいことを特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項５】
前記基板の端部にテーパ面を有し、
基板の挿入方向に直角な前記凹部の幅は、前記コンタクト電極の摺擦幅よりも長く、
前記起立面は、前記テーパ面よりも基板の挿入方向に対する傾き角度が大きいことを特徴とする請求項１乃至４いずれか１項記載の回路基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の回路基板は、基板の端部近傍に電極を有し、前記電極が設けられた端部がコネクタに挿入されることで、前記電極が前記コネクタに設けられたコンタクト電極と接触して電気的な接続が行われるものである。そして、前記基板の前記コネクタへの挿入に伴う前記コンタクト電極の停止位置と前記基板の端部との間に、前記電極の電極面よりも低く形成された凹部を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月30日(2011.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられたn型半導体層と、前記n型半導体層上に設けられ、自然放出光を発光する活性層と、前記活性層上に設けられたp型半導体層と、前記半導体基板の裏面または前記n型半導体層上に設けられ、前記活性層及び前記p型半導体層と離隔して設けられたn電極と、前記p型半導体層上に設けられたp電極とを具備し、前記活性層からの発光を前記基板側から外部に取り出す半導体発光素子において、
前記ｐ電極がドット状ＮｉO層と、このドット状ＮｉO層上に形成された反射オーミックＡｇ層を含むことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記ドット状ＮｉＯ層は、１ｎｍ以上、３ｎｍ以下の膜厚を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記ドット状ＮｉＯ層は、ｐ電極の全面積に対し、５０％以上、８５％以下の面積率を有することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
基板上に設けられたn型半導体層と、前記n型半導体層上に設けられ、自然放出光を発光する活性層と、前記活性層上に設けられたp型半導体層と、前記半導体基板の裏面または前記n型半導体層上に設けられ、前記活性層及び前記p型半導体層と離隔して設けられたn電極と、前記p型半導体層上に設けられたp電極とを具備し、前記活性層からの発光を前記基板側から外部に取り出す半導体発光素子の製造方法において、
前記ｐ電極は、ドット状Ｎｉ層を形成する工程、このドット状Ｎｉ層上に反射オーミックＡｇ層を形成する工程、及び３５０℃以上、６００℃未満の温度で、酸素を含む雰囲気中で熱処理する工程により形成されることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月8日(2011.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器の内部に設けられ、被処理体を載置するための載置台と、
被処理体に対して処理を行う処理ガスを前記載置台の上方側から供給するための処理ガス供給手段と、
前記処理容器内の雰囲気を排気するためのガス排気部と、
前記載置台上の被処理体を囲むように設けられた整流部材と、を備え、
前記整流部材の少なくとも処理雰囲気側の表面部は、多孔質体により構成されていることを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記整流部材は、前記被処理体と前記ガス排気部との間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記整流部材は、前記多孔質体よりも強度の大きい支持部材により支持されていることを特徴とする請求項１または２に記載の処理装置。
【請求項４】
前記整流部材は、多孔質体からなる整流壁を含むことを特徴とする請求項３記載の処理装置。
【請求項５】
前記支持部材は、前記整流壁の自重を受け止めるように当該整流壁に係合していることを特徴とする請求項４記載の処理装置。
【請求項６】
前記整流壁は長さ方向に分割されており、互いに隣接する分割部分同士は多孔質体よりも強度の大きい連結部材により連結され、
この連結部材は、前記整流壁の自重を受け止めるように当該整流壁に係合していることを特徴とする請求項４または５記載の処理装置。
【請求項７】
前記連結部材は、互いに隣接する分割部分同士に跨ってその分割部分の内部に嵌め込まれていることを特徴とする請求項６記載の処理装置。
【請求項８】
前記整流部材は、多孔質体よりも強度の大きい本体部分と、この本体部分の処理雰囲気側に配置された多孔質体と、により構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の処理装置。
【請求項９】
前記多孔質体は、前記本体部分から着脱自在に構成されていることを特徴とする請求項８に記載の処理装置。
【請求項１０】
前記多孔質体は、多孔質セラミックスにより構成されていることを特徴とする請求項１ないし９いずれか一つに記載の処理装置。
【請求項１１】
前記支持部材は、セラミックスにより構成されていることを特徴とする請求項３ないし７のいずれか一つに記載の処理装置。
【請求項１２】
前記連結部材は、セラミックスにより構成されていることを特徴とする請求項６または７に記載の処理装置。
【請求項１３】
前記本体部分は、セラミックスにより構成されていることを特徴とする請求項８または９に記載の処理装置。
【請求項１４】
前記支持部材を昇降軸を介して昇降させる昇降機構を備えていることを特徴とする請求項３ないし７、１１及び１２のいずれか一つに記載の処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の処理装置は、
処理容器の内部に設けられ、被処理体を載置するための載置台と、
被処理体に対して処理を行う処理ガスを前記載置台の上方側から供給するための処理ガス供給手段と、
前記処理容器内の雰囲気を排気するためのガス排気部と、
前記載置台上の被処理体を囲むように設けられた整流部材と、を備え、
前記整流部材の少なくとも処理雰囲気側の表面部は、多孔質体により構成されていることを特徴とする。  
前記整流部材は、前記被処理体と前記ガス排気部との間に設けられていても良い。前記整流部材は、前記多孔質体よりも強度の大きい支持部材により支持されていても良い。また、この整流部材は、多孔質体からなる整流壁を含んでいても良い。  
前記支持部材は、前記整流壁の自重を受け止めるように当該整流壁に係合していることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月24日(2011.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部が減圧される処理室を有する複数の真空処理容器と、前記真空容器の下方に配置され前記処理室内部を排気する排気装置と、前記複数の真空処理容器が周囲に着脱可能に連結されて配置され減圧されたその内部に処理対象の試料を搬送するための真空搬送ロボットが配置された真空搬送容器と、この真空搬送容器の前方側に連結されその前面側に前記試料が収納されたカセットが載せられる複数のカセット台が配置されて大気圧下の内部で前記試料が搬送される大気搬送容器とを有し、その前方側部分を構成して前記大気搬送容器を含む大気側ブロックと後方側部分を構成して前記複数の真空処理容器と前記真空搬送容器とを含む真空側ブロックとを備えた真空処理装置であって、
前記大気搬送容器の前記大気圧下の内部の空間に配置され前方から見て左右方向に延びるレールに沿って移動して該大気搬送容器の内部で前記試料を搬送する大気搬送ロボットと、前記大気搬送容器の前記レールの左または右の一端側}に配置され回転する台を有し前記試料が載せられた前記台を回転して前記試料の中心及び前記試料に予め形成された切り欠きの位置を所定のものに調節する位置合わせ機と、この位置合わせ機の直下方で当該位置合わせ機と床面との間に配置され前記複数の真空処理容器に供給される流体の供給を調節する調節器とを備えた真空処理容器。
【請求項２】
請求項１に記載の真空処理装置であって、前記流体は前記複数の真空処理容器またはその内部の試料台の冷却用液体である真空処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の真空処理装置であって、前記真空搬送容器は上方から見て多角形の平面形を有しその複数の辺に前記真空処理容器が連結され、前記大気搬送容器は、前記位置合わせ機が配置された前記左または右の一端側の端部の位置が後方に配置された前記真空側ブロックの前記一端側の端部の位置に合わせて配置され且つ前記内部の空間に上下方向に大気の流れを形成するファンと、前記大気搬送容器の上部に配置されて前記ファンまたは前記大気搬送ロボットの動作を調節する制御ユニットとを備え、前記大気搬送容器の内部の前記一端側に配置された前記位置合わせ機の直下方に前記調節器を備えた真空処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的は、内部が減圧される処理室を有する複数の真空処理容器と、前記真空容器の下方に配置され前記処理室内部を排気する排気装置と、前記複数の真空処理容器が周囲に着脱可能に連結されて配置され減圧されたその内部に処理対象の試料を搬送するための真空搬送ロボットが配置された真空搬送容器と、この真空搬送容器の前方側に連結されその前面側に前記試料が収納されたカセットが載せられる複数のカセット台が配置されて大気圧下の内部で前記試料が搬送される大気搬送容器とを有し、その前方側部分を構成して前記大気搬送容器を含む大気側ブロックと後方側部分を構成して前記複数の真空処理容器と前記真空搬送容器とを含む真空側ブロックとを備えた真空処理装置であって、前記大気搬送容器の前記大気圧下の内部の空間に配置され前方から見て左右方向に延びるレールに沿って移動して該大気搬送容器の内部で前記試料を搬送する大気搬送ロボットと、前記大気搬送容器の前記レールの左または右の一端側}に配置され回転する台を有し前記試料が載せられた前記台を回転して前記試料の中心及び前記試料に予め形成された切り欠きの位置を所定のものに調節する位置合わせ機と、この位置合わせ機の直下方で当該位置合わせ機と床面との間に配置され前記複数の真空処理容器に供給される流体の供給を調節する調節器とを備えた真空処理容器により達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
さらには、前記流体は前記複数の真空処理容器またはその内部の試料台の冷却用液体であることにより達成される。さらにまた、前記真空搬送容器は上方から見て多角形の平面形を有しその複数の辺に前記真空処理容器が連結され、前記大気搬送容器は、前記位置合わせ機が配置された前記左または右の一端側の端部の位置が後方に配置された前記真空側ブロックの前記一端側の端部の位置に合わせて配置され且つ前記内部の空間に上下方向に大気の流れを形成するファンと、前記大気搬送容器の上部に配置されて前記ファンまたは前記大気搬送ロボットの動作を調節する制御ユニットとを備え、前記大気搬送容器の内部の前記一端側に配置された前記位置合わせ機の直下方に前記調節器を備えたことにより達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月13日(2011.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが一方向に固定された磁化参照層と、
膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが可変である磁化自由層と、
前記磁化参照層と前記磁化自由層との間に設けられたＮａＣｌ構造のバリア層と、
を備え、
前記磁化参照層および前記磁化自由層の少なくとも一方の層は、
前記バリア層に接するように形成されＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１つ以上の元素を５０ａｔ％以上含みＢＣＣ構造を有する磁性体を備えた第１の膜と、
前記バリア層と反対側に前記第１の膜と接するように形成されＴａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒから選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含む第２の膜と、
前記第２の膜に対して前記第１の膜と反対側に設けられ磁性体を備えた第３の膜と、
を有し、
前記第３の膜は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含み、
前記磁化自由層の磁化の向きは、前記バリア層を介して前記磁化参照層および磁化自由層に通電することにより変化可能であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
【請求項２】
膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが一方向に固定された磁化参照層と、
膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが可変である磁化自由層と、
前記磁化参照層と前記磁化自由層との間に設けられたＮａＣｌ構造のバリア層と、
を備え、
前記磁化参照層および前記磁化自由層の少なくとも一方の層は、
前記バリア層に接するように形成されＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１つ以上の元素を５０ａｔ％以上含みＢＣＣ構造を有する磁性体を備えた第１の膜と、
前記バリア層と反対側に前記第１の膜と接するように形成されＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕから選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含む第２の膜と、
前記第２の膜に対して前記第１の膜と反対側に設けられ磁性体を備えた第３の膜と、
を有し、
前記第３の膜は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含み、
前記磁化自由層の磁化の向きは、前記バリア層を介して前記磁化参照層および磁化自由層に通電することにより変化可能であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
【請求項３】
膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが一方向に固定された磁化参照層と、
膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが可変である磁化自由層と、
前記磁化参照層と前記磁化自由層との間に設けられたＮａＣｌ構造のバリア層と、
を備え、
前記磁化参照層および前記磁化自由層の少なくとも一方の層は、
前記バリア層に接するように形成されＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１つ以上の元素を５０ａｔ％以上含みＢＣＣ構造を有する磁性体を備えた第１の膜と、
前記バリア層と反対側に前記第１の膜と接するように形成されＳｉ、Ｇｅ、Ｇａから選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含む第２の膜と、
前記第２の膜に対して前記第１の膜と反対側に設けられ磁性体を備えた第３の膜と、
を有し、
前記第３の膜は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含み、
前記磁化自由層の磁化の向きは、前記バリア層を介して前記磁化参照層および磁化自由層に通電することにより変化可能であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
【請求項４】
前記第２の膜の膜厚は１ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項５】
前記第２の膜に含まれる前記元素がＧｄである場合には、前記第２の膜の膜厚は０．１ｎｍ以上２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項６】
前記第２の膜に含まれる前記元素がＧｄ以外である場合には、前記第２の膜の膜厚は０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項７】
前記第１の膜の膜厚は、０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素子をメモリセルに備えていることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項９】
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素子と、一端が前記磁気抵抗効果素子の一端と直列接続されたトランジスタと、を含むメモリセルと、
前記磁気抵抗効果素子の他端と接続された第１書き込み電流回路と、
前記トランジスタの他端と接続され、前記第１書き込み電流回路とともに前記磁気抵抗効果素子の一端から他端または他端から一端に向かう電流を供給する第２書き込み電流回路と、
を備えていることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月23日(2011.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データを入力する入力手段と、
前記入力手段により入力された前記画像データに粒状性データを付加する付加手段と、
前記入力手段により入力された前記画像データが表す画像のうち暗部に対して前記付加手段により付加される粒状性データの粒状性を当該暗部以外の領域よりも強くするよう制御する制御手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記入力手段により入力された前記画像データの輝度値の第１の所定値から前記第１の所定値より低い第２の所定値までは、前記画像データの輝度値が低くなるほど前記暗部に対する前記付加手段により付加される粒状性データの粒状性を当該暗部以外よりも強くすることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記入力手段により入力された前記画像データが表す画像のうち最暗部に対しては前記付加手段により粒状性データを付加しないことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記入力手段により入力された前記画像データに前記付加手段により粒状性データが付加された結果を表示装置に表示させる表示制御手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記表示制御手段により前記表示装置に表示された結果に基づくユーザによる指示に従って前記付加手段により付加される粒状性データの粒状性を変更することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記入力手段により入力される画像データの輝度値と前記付加手段により付加される粒状性データの粒状性の強度との関係が互いに異なる複数のプリセットから１つのプリセットを選択する選択手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記選択手段により選択された前記１つのプリセットに従って前記付加手段により粒状性データを付加させることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記入力手段により入力された前記画像データがカラー画像データであった場合に、当該カラー画像データをモノクロ画像データに変換する変換手段をさらに備え、
前記付加手段は、前記変換手段により変換された前記モノクロ画像データに対し、粒状性データを付加することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
画像処理装置において実行される画像処理方法であって、
前記画像処理装置の入力手段が、画像データを入力する入力工程と、
前記画像処理装置の付加手段が、前記入力工程において入力された前記画像データに粒状性データを付加する付加工程と、
前記画像処理装置の制御手段が、前記入力工程において入力された前記画像データが表す画像のうち暗部に対して前記付加工程において付加される粒状性データの粒状性を当該暗部以外の領域よりも強くするよう制御する制御工程と
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか１項の画像処理装置の各手段としてコンピュータを機能させる画像処理プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る画像処理装置は、画像データを入力する入力手段と、
前記入力手段により入力された前記画像データに粒状性データを付加する付加手段と、
前記入力手段により入力された前記画像データが表す画像のうち暗部に対して前記付加手段により付加される粒状性データの粒状性を当該暗部以外の領域よりも強くするよう制御する制御手段とを備えることを特徴とする。