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【手続補正書】
【提出日】平成23年3月25日(2011.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
なお、前記動力回収チャンバーの直径を小さくして、前記接触界面の接触面積を小さくする方策も考えられるが、該チャンバーで昇圧させる取水海水の流量を所要量に確保するためには、該チャンバーの直径を小さくした分に相当する分、接触界面の動作速度を上げる必要がある。その為には、方向切換弁（図２３の方向切換弁２０を参照）の切換動作速度を上げる必要があり、方向切換弁の駆動で消費するエネルギー量が多くなり、システムの運行に要する電力量が増加することになる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2009243368.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2009243368.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月18日(2011.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
支持部と前記支持部から延長する薄板部と前記薄板部を挟んで前記支持部の反対側に設けられた厚板部とを有する圧電基板と、
ＳＨ型弾性表面波を励振し、かつ、励振した前記ＳＨ型弾性表面波の伝搬方向が、前記薄板部及び前記厚板部を浮かせて前記支持部で前記圧電基板を支持し、前記薄板部を撓ませるように前記厚板部を変位可能な状態にしたとき、前記厚板部の変位による前記薄板部の撓みで前記薄板部の表面に生じる引張応力又は圧縮応力の作用方向と直交する向きに沿うように、前記圧電基板の前記薄板部上に配置されたＩＤＴと
を有する弾性表面波センサ素子と、
前記弾性表面波センサ素子を前記圧電基板の前記支持部において前記厚板部の前記変位可能な状態で支持するベースと
を備えることを特徴とする弾性表面波センサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記弾性表面波センサ素子が、前記各薄板部にそれぞれ４つの前記ＩＤＴを前記ＳＨ型弾性表面波の伝搬方向に沿って少なくとも２つずつ直列にかつ互いに前記引張応力又は圧縮応力の作用方向に並列に配置したことを特徴とする請求項３記載の弾性表面波センサ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記弾性表面波センサ素子が、前記各薄板部にレイリー弾性表面波を励振する少なくとも２つの追加のＩＤＴを更に有し、前記追加のＩＤＴが、ＳＨ型弾性表面波を励振する前記ＩＤＴのＳＨ型弾性表面波伝搬方向の両側に、かつそのレイリー弾性表面波伝搬方向が前記ＳＨ型弾性表面波伝搬方向と直交する向きに沿うように配置されていることを特徴とする請求項４記載の弾性表面波センサ。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記弾性表面波センサが、前記各薄板部にそれぞれ２つの前記ＩＤＴをそのＳＨ型弾性表面波伝搬方向に直列に配置し、かつ更にレイリー弾性表面波を励振する２つの追加のＩＤＴを前記２つのＩＤＴの間に有し、前記２つの追加のＩＤＴが、そのレイリー弾性表面波伝搬方向が前記ＳＨ型弾性表面波伝搬方向と直交する向きに沿うように、かつ互いに直列に配置されていることを特徴とする請求項３記載の弾性表面波センサ。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記弾性表面波センサ素子が、弾性表面波共振子を構成するように前記弾性表面波伝搬方向に沿って前記ＩＤＴの両側に配置した反射器を更に有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか記載の弾性表面波センサ。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、上記目的を達成するために、支持部と該支持部から延長する薄板部と該薄板部を挟んで支持部の反対側に設けられた厚板部とを有する圧電基板と、
ＳＨ型ＳＡＷを励振し、かつ、励振したＳＨ型ＳＡＷの伝搬方向が、薄板部及び厚板部を浮かせて支持部で圧電基板を支持し、薄板部を撓ませるように厚板部を変位可能な状態にしたとき、該厚板部の変位による薄板部の撓みで薄板部の表面に生じる引張応力又は圧縮応力の作用方向と直交する向きに沿うように、圧電基板の薄板部上に配置されたＩＤＴと
を有する弾性表面波センサ素子と、
前記弾性表面波センサ素子を前記圧電基板の前記支持部において前記厚板部の前記変位可能な状態で支持するベースとを備えることを特徴とするＳＡＷセンサが提供される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
別の実施例では、ＳＡＷセンサ素子が、各薄板部にレイリーＳＡＷを励振する少なくとも２つの追加のＩＤＴを更に有し、これら追加のＩＤＴが、ＳＨ型ＳＡＷを励振するＩＤＴのＳＨ型ＳＡＷ伝搬方向の両側に、かつそのレイリーＳＡＷ伝搬方向をＳＨ型ＳＡＷの伝搬方向と直交する向きに沿うように配置することにより、同様に３軸方向の高感度なＳＡＷセンサが得られる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
更に別の実施例によれば、ＳＡＷセンサ素子が、各薄板部にそれぞれ２つのＩＤＴをそのＳＨ型ＳＡＷ伝搬方向に直列に配置し、かつ更にレイリーＳＡＷを励振する２つの追加のＩＤＴを前記２つのＩＤＴの間に有し、これら追加のＩＤＴが、そのレイリーＳＡＷ伝搬方向がＳＨ型ＳＡＷの伝搬方向と直交する向きに沿うように、かつ互いに直列に配置することにより、同様に３軸方向の高感度なＳＡＷセンサが得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月18日(2011.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
支持部と、前記支持部から延長する薄板部と、前記薄板部を挟んで前記支持部の反対側に設けられた厚板部とを有する圧電基板と、
弾性表面波を励振し、励振した前記弾性表面波の振動変位の向きが、前記厚板部の変位による前記薄板部の撓みによって前記薄板部表面に生じる引張応力又は圧縮応力の作用方向に沿うように、前記圧電基板の前記薄板部上に形成されたＩＤＴと、
前記圧電基板の前記厚板部の上面及び下面の少なくとも一方に一体に接合し、前記厚板部から前記支持部側に向けて延出する部分を有する錘と
を備えることを特徴とする弾性表面波センサ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記ＩＤＴが弾性表面波共振子を構成するように、前記弾性表面波伝搬方向に沿って前記ＩＤＴの両側に配置した反射器を更に有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか記載の弾性表面波センサ素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれかに記載の弾性表面波センサ素子と、前記弾性表面波センサ素子を前記圧電基板の前記支持部において固定支持するためのベースとを備えることを特徴とする弾性表面波センサ。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、上記目的を達成するために、支持部と該支持部から延長する薄板部と該薄板部を挟んで支持部の反対側に設けられた厚板部とを有する圧電基板と、ＳＡＷを励振し、励振したＳＡＷの振動変位の向きが、圧電基板の厚板部の変位による薄板部の撓みによって薄板部表面に生じる引張応力又は圧縮応力の作用方向に沿うように、圧電基板の薄板部上に形成されたＩＤＴと、圧電基板の厚板部の上面及び下面の少なくとも一方に一体に接合し、厚板部から支持部側に向けて延出する部分を有する錘とを備えるＳＡＷセンサ素子が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月24日(2010.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記燃料噴出体が、前記酸素含有ガス供給路に対して、前記供給路横幅方向の中央位置よりも、前記火炎形成範囲を大きく拡げる側とは反対側に偏った位置に設けられている請求項１〜４のいずれか１項に記載の加熱炉用の燃焼装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月9日(2011.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体が封入されたシリンダと、該シリンダ内に摺動可能に嵌装されたピストンと、一端が前記ピストンに連結され他端が前記シリンダの外部へ延出されたピストンロッドと、前記シリンダ内の前記ピストンの摺動によって生じる流体の流れを制御して減衰力を発生させ、開弁圧力を調整可能な圧力制御弁とを備えた減衰力調整式緩衝器において、
前記圧力制御弁の弁体は、開弁方向の移動に対する抵抗力よりも閉弁方向の移動に対する抵抗力が大きく、所定の高周波入力に対して閉弁遅れが生じるようになっていることを特徴とする減衰力調整式緩衝器。   
【請求項２】
前記シリンダ内の前記ピストンの摺動によって生じる流体の流れを制御して減衰力を発生させるメインバルブと、該メインバルブに閉弁方向に内圧を作用させる背圧室とを備え、前記流体の流れの一部を前記背圧室に導入して前記背圧室の内圧によって前記メインバルブの開弁を制御し、前記背圧室の内圧を前記圧力制御弁によって調整することを特徴とする請求項１に記載の減衰力調整式緩衝器。
【請求項３】
前記圧力制御弁は、コイルへの通電電流によってプランジャの推力を調整することによって前記弁体の開弁圧を制御するソレノイド制御弁であることを特徴とする請求項１又は２に記載の減衰力調整式緩衝器。
【請求項４】
前記弁体と前記プランジャとの間の隙間を流通する流体の流れによって前記弁体に作用する抵抗力を発生させることを特徴とする請求項３に記載の減衰力調整式緩衝器。
【請求項５】
前記弁体は、該弁体と前記プランジャとの間に介装されたバルブスプリングを介して前記プランジャによって弁座に押圧されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の流体圧緩衝器。
【請求項６】
前記弁体の開弁方向の移動によって前記隙間の流路面積が小さくなることにより、前記弁体に作用する抵抗力が増大することを特徴とする請求項４又は５に記載の流体圧緩衝器。
【請求項７】
前記所定の高周波入力の周波数は、当該減衰力調整式緩衝器が装着されるサスペンション装置のバネ下共振周波数であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の減衰力調整式緩衝器。
【請求項８】
流体が封入されたシリンダと、該シリンダ内に摺動可能に嵌装されたピストンと、一端が前記ピストンに連結され他端が前記シリンダの外部へ延出されたピストンロッドと、前記シリンダ内の前記ピストンの摺動によって生じる流体の流れを制御して減衰力を発生させるメインバルブと、該メインバルブに閉弁方向に内圧を作用させて前記メインバルブの開弁を制御する背圧室と、前記メインバルブの上流側から前記背圧室側に流体を導入する固定オリフィスと、前記背圧室側から前記メインバルブの下流側への流体の流れを制御する圧力制御弁とを備え、該圧力制御弁によって前記背圧室の内圧を制御する減衰力調整式緩衝器において、
前記圧力制御弁の弁体は、開弁方向の移動に対する抵抗力よりも閉弁方向の移動に対する抵抗力が大きく、所定の高周波入力に対して閉弁遅れが生じるようになっていることを特徴とする緩衝器。
【請求項９】
車両のサスペンション装置のバネ上バネ下間に減衰力調整式緩衝器が装着され、前記車両の走行状態に基づいて、コントローラによって前記減衰力調整式緩衝器の減衰力を調整するサスペンション制御装置において、
前記減衰力調整式緩衝器は、流体が封入されたシリンダと、該シリンダ内に摺動可能に嵌装されたピストンと、一端が前記ピストンに連結され他端が前記シリンダの外部へ延出されたピストンロッドと、前記シリンダ内の前記ピストンの摺動によって生じる流体の流れを制御して減衰力を発生させ、開弁圧力を前記コントローラからの制御信号に応じて調整可能な圧力制御弁とを備え、
前記圧力制御弁の弁体は、開弁方向の移動に対する抵抗力よりも閉弁方向の移動に対する抵抗力が大きく、所定の高周波入力に対して閉弁遅れが生じるようになっていることを特徴とするサスペンション制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月10日(2011.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、図１５（Ｂ）に示すように、把持部１３１の基端側には、一対の軸支持部１３２、１３２の内側に２つで一組のばね用凹部１３６、１３７が設けられている。この一組（２つ）のばね用凹部１３６、１３７の一方（ばね用凹部１３６）は、図１２に示すように、支軸１２０に挿通された付勢ばね１３８の両端から延びる延長部の一方（延長部１３８Ａ（図１４参照）が係止する係止用凹部として機能し、他方のばね用凹部１３７は、上記付勢ばね１３８の他方から延びてベースプレート１１０に当接する延長部１３８Ｂを逃げる逃げ用凹部として機能する。すなわち、この付勢ばね１３８によって、開閉レバー９２がベースプレート１１０に対してロック方向（図１３中Ｘ方向）へ付勢される。ここで、他の組のばね用凹部１３６、１３７は、この開閉レバー９２を反対側のドア７０に使用する場合に同一目的で使用されるものである。
図１２及び図１３に示すように、支軸１２０は、その後端１２０Ａが略Ｌ字状に屈曲されている。このため、上記開閉レバー９２の上下の揺動に応じて支軸１２０の後端１２０Ａが、開閉レバー９２の回転中心軸（図１２、図１３中、符号Ｌ１で示す軸線）を中心に揺動すると共に、上記付勢ばね１３８によって下方側（Ｘ方向）に付勢されるようになっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
これら第１バンド部５１Ａ〜第４バンド部５１Ｄには、ロールバー４０に間隔を空けて設けられたループ状のバンド締結部４０Ａ（図４参照）に各々対応する位置に取付バンド部５１Ｇが設けられると共に、取付バンド部５１Ｇの基端側に略Ｄ型ループ形状の取付具５１Ｈが設けられる。さらに、第１バンド部５１Ａと第４バンド部５１Ｄとの連結部には、ロールバー４０の前部下端に設けられた連結具４０Ｂ（図３参照）に着脱自在な被連結具５１Ｊが設けられる。なお、ロールバー４０に設けられたバンド締結部４０Ａは、車体内方向きに突出するように設けられ、ロールバー４０の外側には張り出さないようにレイアウトされる。これによって、走行時に周囲に障害物が存在した場合でも、障害物が上記バンド締結部４０Ａにこすれないように構成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月6日(2010.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリンダヘッドおよびシリンダで燃焼室を構成するシリンダと、クランク軸を回転可能に支持するクランクケースとがボルトにより一体に締結されて組立てられる内燃機関のボルト締結構造であって、
シリンダにボルト挿通孔が形成され、該ボルト挿通孔の延長線上において、前記クランクケースのクランク軸枢支部よりシリンダ側に円筒状のボス部が形成され、前記ボス部には前記ボルト挿通孔に連通しつつボス部を貫通する雌ネジが形成され、前記ボルトが前記ボルト挿通孔を貫通し、該ボルトの先端雄ネジが前記ボス部の雌ネジに螺着され、
前記ボス部と前記クランク軸枢支部との間に、前記雌ネジが開口する凹部が形成されたことを特徴とする内燃機関のボルト締結構造。
【請求項２】
前記雄ネジ先端は前記雌ネジの凹部側開口に近接して配置され、前記クランクケースには前記凹部および前記ボス部に隣接しつつ前記雌ネジの軸線方向に延びた補強リブが設けられたことを特徴とする請求項１記載の内燃機関のボルト締結構造。
【請求項３】
前記補強リブは、ボス部の雌ネジと略平行に配置されたことを特徴とする請求項２記載の内燃機関のボルト締結構造。
【請求項４】
前記クランクケースの内壁に形成された凹部の底面シリンダ中心線側または反対側のいずれか一方または両方には、該凹部の内壁面から前記凹部開口面に向って昇り勾配に傾斜して切欠かれた傾斜面が形成されたことを特徴とする請求項１ないし請求項３いずれか記載の内燃機関のボルト締結構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項３記載の発明は、前記補強リブは、ボス部の雌ネジと略平行に配置されたことを特徴とする請求項２記載の内燃機関のボルト締結構造である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
締結ボルト16、17の雄ネジの先端（終端）18ａ、19ａは、凹部側開口14ａ、15ａに近接（締結ボルト16、17のネジ山が、雌ネジ14、15の凹部側開口14ａ、15ａよりも３ピッチ上方から３ピッチ下方に配置される範囲）して配置される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、ボス部21、22よりシリンダ孔7の中心延長線Ｃの近くに位置する内壁面20ｂには、シリンダ側フランジ部32と軸受側フランジ部31とを連結する補強リブ27、28が形成されている。
すなわち、補強リブ27は、凹部23の上下方向に伸びる一辺の全長と、ボス部21の雌ネジの軸線方向に延びる一辺の全長とに亘って連続して設けられる。
また、補強リブ28は、凹部24の上下方向に延びる一辺の全長と、ボス部22の雌ネジの軸線方向に延びる一辺の全長とに亘って連続して設けられる。
そして、図６、図８、図９に図示されるように、凹部23、24の内壁面23ａ、24ａから補強リブ27、28に向って傾斜面25、26が形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
さらに、図４、図７に図示されるように、ボス部21、22の外周面21ａ、22ａとクランクケース頂部の下面２ｂとは断面で１／４円弧状に滑らかに接続されている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月18日(2011.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
静電潜像担持体に対向して配設され、回転することで現像剤を前記静電潜像担持体に供給する現像剤担持体と、前記現像剤担持体と当接して配設され、回転することで現像剤を前記現像剤担持体に供給する現像剤供給部材と、を備える現像装置を有する画像形成装置であって、
前記現像装置は、前記現像剤担持体の回転により前記静電潜像担持体側から前記現像剤供給部材側に移動する前記現像剤担持体上の面と当接して配設され、回転することで現像剤を前記現像剤担持体から回収する現像剤回収部材を更に備え、
前記現像剤回収部材はブラシローラであることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月10日(2011.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
像担持体と、前記像担持体に形成された静電潜像に現像剤を現像する現像手段と、前記像担持体を清掃する清掃手段とを有する現像ユニットを複数備える現像装置であって、
複数の前記各現像ユニットを、所定の可動範囲での移動を許容しつつ一体的に保持する枠体と、
前記枠体に配設されて、前記清掃手段により清掃される排出物を搬送する搬送手段と、
前記清掃手段と前記搬送手段との間をシールするシール部材と
を有し、
前記シール部材は、弾性部材からなり、前記現像ユニットの可動距離よりも大きい圧縮量で実装されることを特徴とする現像装置。
【請求項２】
像担持体と、前記像担持体に形成された静電潜像に現像剤を現像する現像手段とを有する現像ユニットを複数備える現像装置であって、
複数の前記各現像ユニットを、所定の可動範囲での移動を許容しつつ一体的に保持する枠体と、
前記枠体と前記現像ユニットに着脱可能な現像剤収容器に設けられた記憶素子とを電気的に導通するための導通手段と
を有し、
前記導通手段は、前記枠体に設けられた第１の導通部材と、前記現像ユニットに設けられた第２の導通部材とからなり、前記第１の導通部材と前記第２の導通部材との少なくとも一方が弾性的に形成された導電性弾性部材であり、お互いに弾性的に接続されることを特徴とする現像装置。
【請求項３】
像担持体と、前記像担持体に形成された静電潜像に現像剤を現像する現像手段と、前記像担持体を清掃する清掃手段とを有する現像ユニットを複数備える現像装置であって、
複数の前記各現像ユニットを、所定の可動範囲での移動を許容しつつ一体的に保持する枠体と、
前記枠体と前記現像ユニットとの間を、弾性的に接続する弾性接続手段と
を有し、
前記弾性接続手段は、圧縮状態で備えられて前記現像ユニットを前記枠体の一部に付勢することを特徴とする現像装置。
【請求項４】
前記清掃手段は、前記像担持体から除いた現像剤を前記枠体に導く第１搬送路を有し、
前記枠体は、前記第１搬送路から受けた前記現像剤を所定方向に搬送する第２搬送路を有し、
前記弾性接続手段が、前記第１搬送路と前記第２搬送路との接続部を覆うシール部材であることを特徴とする請求項３記載の現像装置。
【請求項５】
前記可動範囲の可動距離をＬ１、前記シール部材が配置された前記枠体と前記現像ユニットとの隙間をＬ２、前記シール部材の厚さをＴとしたとき、
Ｔ≧Ｌ１十Ｌ２  
であることを特徴とする請求項４記載の現像装置。
【請求項６】
前記現像ユニットは、第１の端子を備えた現像剤収容器を着脱可能に備え、
前記枠体は、外部に接続する第２の端子を備え、
前記弾性接続手段が、前記第１の端子と前記第２の端子とを電気的に接続するスプリングであることを特徴とする請求項３乃至５の何れか１項に記載の現像装置。
【請求項７】
前記スプリングは、一端部が第１導電部を介して前記第１の端子に電気的に接続され、他端部が第２導電部を介して前記第２の端子に電気的に接続されたコイルスプリングであることを特徴とする請求項６記載の現像装置。
【請求項８】
前記可動範囲の可動距離をＬａ、前記コイルスプリングの自然長をＬｂ、前記コイルプリングが密着するまで圧縮した状態での密着長さをＬｃとしたとき、
Ｌｂ≧Ｌｃ＋Ｌａ
であることを特徴とする請求項７記載の現像装置。
【請求項９】
前記一端部と前記第１導電部の端部がスプリングポストを同軸として直列に且つ圧接した状態で配置されることを特徴とする請求項７又は８記載の現像装置。
【請求項１０】
像担持体と、前記像担持体に形成された静電潜像に現像剤を現像する現像手段と、前記像担持体を清掃する清掃手段とを有する現像ユニットを複数備える現像装置であって、
複数の前記各現像ユニットを、所定の可動範囲での移動を許容しつつ一体的に保持する枠体と、
前記枠体に配設されて、前記清掃手段により清掃される排出物を搬送する搬送手段と、
前記清掃手段と前記搬送手段との間をシールするシール部材と
を有し、
前記シール部材は、弾性部材からなり、前記現像ユニットの可動距離よりも大きい圧縮量で実装される現像装置
を着脱自在に備えたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月20日(2011.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ある量の液状乾燥剤と、
その中に調整される空気が導入されて前記液状乾燥剤の第１の部分と接触する除湿装置セクションと、
その中に外部の空気が導入されて前記液状乾燥剤の第２の部分と接触する再生装置セクションと、
前記液状乾燥剤の第１の部分と関連付けられた第１の熱交換器、前記液状乾燥剤の第２の部分と関連付けられた第２の熱交換器、および液状乾燥剤とは接触しない第３の熱交換器を備えた冷却システムと、を有し、
前記第１の熱交換器は、前記第２の熱交換器よりも低温であることを特徴とする、空調装置。
【請求項２】
前記第３の熱交換器が、調整済み空気の除湿装置セクションからの出口に配置されており、それによって調整済み空気が加熱されることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
外部の空気が再生装置セクションに入る前に加熱されるように、前記第３の熱交換器が前記再生装置セクションの入口に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記冷却システムが、前記第１の熱交換器から前記第２の熱交換器に熱を移動させるよう動作することを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記冷却システムが、圧縮機と、熱が前記第１の熱交換器から前記第２の熱交換器へ移動するよう設定された前記熱交換器間の導管と、を有する、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記装置は、水分子用の導管を有し、前記調整される空気が前記除湿装置セクション内で除湿され、除湿により除去された水分が再生装置セクションにおける外部空気に移動するよう構成され、前記水分は前記導管を経由して前記再生装置セクションに移動することを特徴とする、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記除湿装置セクションと前記再生装置セクションとの間で液状乾燥剤の汲み出しを行わないことを特徴とする、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記除湿装置セクションと前記再生装置セクションとの間で液状乾燥剤の汲み出しを行うポンプを有する、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
ある量の液状乾燥剤と、
その中に調整される空気が導入されて前記液状乾燥剤の第１の部分と接触する第１の空気-乾燥剤接触ボリュームと、
その中に外部の空気が導入されて前記液状乾燥剤の第２の部分と接触する第２の空気-乾燥剤接触ボリュームと、
前記第１のボリュームと前記第２のボリュームとの間で少なくとも水分の移動を行う少なくとも１つの液状乾燥剤導管と、
冷却システムと、を有し、
前記冷却システムは、
前記液状乾燥剤の第１の部分と関連付けられた第１の熱交換器と、
前記液状乾燥剤の第２の部分と関連付けられた第２の熱交換器と、
前記第１のボリュームから離れた後の前記調整された空気に対して  熱交換を行う為に設置された第３の熱交換器と、
前記冷却システムの要素間をつなぐ冷媒導管と、を有するものであり、
前記第１の熱交換器は、前記第２の熱交換器よりも低温であることを特徴とする、空調装置。
【請求項１０】
さらに第４の熱交換器を有することを特徴とする、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記第４の熱交換器は、前記第２のボリュームに入る前の外部の空気に対して熱交換を行うために設置されており、それによって外部の空気は加熱されることを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記冷媒導管は、複数種類の流れの設定を可能とする制御可能な設定を有し、前記設定の各々により、前記冷却システムの要素間での冷媒の異なる流路が実現されることを特徴とする、請求項１０または請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記設定は、弁によって選択可能であることを特徴とする、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記複数の設定には、熱が前記第１の熱交換器から前記第２の熱交換器及び前記第３の熱交換器へ移動する第１の設定が含まれ、それによって調整済みの空気が加熱されることを特徴とする、請求項１２または請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記第３の熱交換器内の冷媒は、前記第１の熱交換器内の冷媒よりも高温であることを特徴とする、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記第１の設定においては、冷媒は前記第４の熱交換器に流れないことを特徴とする、請求項１４または請求項１５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１７】
前記複数の設定には、熱が前記第１の熱交換器から前記第２の熱交換器及び前記第４の熱交換器へ移動する第２の設定が含まれることを特徴とする、請求項１２から請求項１４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１８】
前記第４の熱交換器内の冷媒は、前記第１の熱交換器内の冷媒よりも高温であることを特徴とする、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記第２の設定においては、冷媒は前記第３の熱交換器に流れないことを特徴とする、請求項１７または請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記複数の設定には、熱が前記第２の熱交換器から前記第３の熱交換器へ移動する第３の設定が含まれることを特徴とする、請求項１２から請求項１４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２１】
前記第３の設定においては、前記第３の熱交換器内の冷媒は、前記第２の熱交換器内の冷媒よりも高温であることを特徴とする、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記第３の設定においては、熱は、前記第２の熱交換器から前記第４の熱交換器に移動することを特徴とする、請求項２０または請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
前記第３の設定においては、前記第４の熱交換器内の冷媒の温度は前記第２の熱交換器内の冷媒の温度よりも高いことを特徴とする、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記第３の設定においては、冷媒は前記第１の熱交換器に流れないことを特徴とする、請求項２０から請求項２３のいずれか一項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1の信号と前記第1の信号とは仕様の異なる第２の信号を処理する、複数のインターフェース盤を備えるインターフェース部であって、
前記インターフェース盤の各々は、
前記第1の信号に対応する第1の論理回路データと、前記第2の信号に対応する第２の論理回路データとを記憶する記憶部と、
前記第1の論理回路データと前記第２の論理回路データとのいずれかを選択するように制御するコンフィギュレーション部と、
前記第1の論理回路データと前記第２の論理回路データのいずれかを、前記コンフィギュレーション部の選択に基づいてリコンフィギュレートするプログラマブル論理回路とを備えることを特徴とするインターフェース部。
【請求項２】
前記複数のインターフェース盤の一のインターフェース盤は前記第1の信号を処理し、前記複数のインターフェース盤の他の一のインターフェース盤は前記第２の信号を処理することを特徴とする請求項1に記載のインターフェース部。
【請求項３】
前記コンフィギュレーション部は、コンフィギュレーション開始信号の受信に基づいて前記第1の論理回路データと前記第２の論理回路データのいずれかを選択するように制御することを特徴とする請求項1に記載のインターフェース部。
【請求項４】
前記コンフィギュレーション開始信号は外部制御部に由来することを特徴とする請求項３に記載のインターフェース部。
【請求項５】
前記複数のインターフェース盤に接続されるスイッチ部と、前記複数のインターフェース盤と前記スイッチ部とに接続される制御部とをさらに有することを特徴とする請求項１に記載のインターフェース部。
【請求項６】
前記プログラマブル論理回路は、コンフィギュレーションの後にコンフィギュレーション完了信号を生成することを特徴とする請求項1に記載のインターフェース部。
【請求項７】
前記プログラマブル論理回路は、コンフィギュレーション完了信号を外部制御部に送信することを特徴とする請求項６に記載のインターフェース部。
【請求項８】
前記複数のインターフェース盤に接続されるスイッチ部をさらに有し、前記スイッチ部は、前記プログラマブル論理回路によるコンフィギュレーションの後に、方路制御信号を受信することを特徴とする請求項1に記載のインターフェース部。
【請求項９】
第1の信号と前記第1の信号とは仕様の異なる第２の信号を処理するシステムであって、
複数の第1のインターフェース盤と第１スイッチ部とを備える第1のインターフェース部と、
複数の第２のインターフェース盤と第２スイッチ部とを備える第２のインターフェース部と、
前記第1のインターフェース部と前記第２のインターフェース部に対応する制御部とを有し、
前記複数の第1のインターフェース盤の各々は、
前記第1の信号に対応する第1の論理回路データと、前記第2の信号に対応する第２の論理回路データとを記憶する第1の記憶部と、
前記第1の論理回路データと前記第２の論理回路データとのいずれかを選択するように制御する第1のコンフィギュレーション部と、
前記第1の論理回路データと前記第２の論理回路データのいずれかを、前記第1のコンフィギュレーション部の選択に基づいてリコンフィギュレートする第1のプログラマブル論理回路とを備え、
前記複数の第２のインターフェース盤の各々は、
前記第1の信号に対応する第1の論理回路データと、前記第2の信号に対応する第２の論理回路データとを記憶する第２の記憶部と、
前記第1の論理回路データと前記第２の論理回路データとのいずれかを選択するように制御する第２のコンフィギュレーション部と、
前記第1の論理回路データと前記第２の論理回路データのいずれかを、前記第２のコンフィギュレーション部の選択に基づいてリコンフィギュレートする第２のプログラマブル論理回路とを備え、
前記制御部は、前記第１スイッチ部、前記第２スイッチ部、前記第1のコンフィギュレーション部、及び前記第２のコンフィギュレーション部の少なくともいずれかを制御するよう構成されることを特徴とするシステム。
【請求項１０】
前記第1のコンフィギュレーション部は、前記制御部から送信されるコンフィギュレーション開始信号に基づいて、前記第1の論理回路データと前記第２の論理回路データとのいずれかを選択するように制御することを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記第1のプログラマブル論理回路は、コンフィギュレーションを完了するときに、コンフィギュレーション完了信号を前記制御部に送信することを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記制御部は、前記コンフィギュレーション完了信号を受信するときに、前記第１スイッチ部と前記第２スイッチ部とに方路制御信号を送信することを特徴とする請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記制御部は、前記コンフィギュレーション完了信号を受信するときに、前記第1信号または前記第2信号の回線を構成するように、前記第１スイッチ部と前記第２スイッチ部とに方路制御信号を送信することを特徴とする請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記制御部は、前記コンフィギュレーション完了信号を受信するときに、前記第1の論理回路データを選択する一の前記第1のインターフェース盤と前記第１の論理回路データを選択する一の前記第２のインターフェース盤との間に回線を構成するように、前記第１スイッチ部と前記第２スイッチ部とに方路制御信号を送信することを特徴とする請求項１１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月24日(2011.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスを製造するプロセスであって、該プロセスは、
半導体を含む層を堆積することと、
低誘電率ポリマー、高誘電率ポリマーおよび液体を含む誘電体組成物を液相堆積することとを含み、かつ、前記低誘電率ポリマーおよび前記高誘電率ポリマーは液相堆積の前に相分離されず、
さらに前記プロセスは、
相分離誘電体構造を形成するために、前記低誘電率ポリマーおよび前記高誘電率ポリマーの相分離を生成することを含み、かつ、前記低誘電率ポリマーは、前記半導体を含む層に最も近い前記誘電体構造の領域内の高誘電率ポリマーの濃度に比べて高濃度であり、
半導体を含む前記層の堆積は、前記誘電体組成物を液相堆積する前、または相分離を生成した後になされる、前記プロセス。
【請求項２】
電子デバイスを製造するプロセスであって、該プロセスは、
半導体を含む層を堆積することと、
低誘電率ポリマー、高誘電率ポリマーおよび液体を含む誘電体組成物を単一ステップで液相堆積することとを含み、かつ、前記低誘電率ポリマーおよび前記高誘電率ポリマーは液相堆積の前に相分離されず、
さらに前記プロセスは、
相分離誘電体構造を形成するために、前記低誘電率ポリマーおよび前記高誘電率ポリマーの相分離を生成することを含み、かつ、前記低誘電率ポリマーは、前記半導体を含む層に最も近い前記誘電体構造の領域内の前記低誘電率ポリマーおよび前記高誘電率ポリマーの総重量の約６０％から１００％の濃度であり、前記高誘電率ポリマーは約４０％から０％の濃度であり、
半導体を含む前記層の堆積は、前記誘電体組成物を液相堆積する前、または相分離を生成した後になされる、前記プロセス。
【請求項３】
薄膜トランジスタを製造するプロセスであって、該プロセスは、
半導体を含む層を堆積することと、
低誘電率ポリマーおよび高誘電率ポリマーおよび液体を含む誘電体組成物を液相堆積することとを含み、かつ、前記低誘電率ポリマーおよび前記高誘電率ポリマーは液体に溶解され、
さらに前記プロセスは、
多量の低誘電率ポリマー／少量の高誘電率ポリマーの第１相および多量の高誘電率ポリマー／少量の低誘電率ポリマーの第２相を備える相分離ゲート誘電体を形成するために、前記低誘電率ポリマーおよび前記高誘電率ポリマーの相分離を生成することを含み、かつ、前記低誘電率ポリマーは、前記半導体を含む層に最も近い前記誘電体構造の領域内の前記高誘電率ポリマーの濃度に比べて高濃度であり、
半導体を含む前記層の堆積は、前記誘電体組成物を液相堆積する前、または相分離を生成した後になされ、
前記低誘電率ポリマーは、４．０未満の誘電率を有し、
前記高誘電率ポリマーは、４．０以上の誘電率を有する、
前記プロセス。
【請求項４】
前記液相堆積は、単一ステップで達成される、請求項１のプロセス。
【請求項５】
前記相分離を生成することは、熱アニーリングにより行われる、請求項１のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月24日(2011.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスであって、
（ａ）半導体層と、
（ｂ）低誘電率ポリマーおよび高誘電率ポリマーを含む単層の相分離誘電体層と、
を任意の順に含み、
前記低誘電率ポリマーは、前記半導体層に最も近い前記誘電体層の領域内の前記高誘電率ポリマーの濃度に比べて高濃度であり、
前記相分離誘電体層は、
（ｉ）第１の相が第２の相の連続的なマトリクス内の複数の点を形成するか、
（ｉｉ）第１の相が第２の相の連続的なマトリクス内の複数のロッド形状要素を形成するか、又は、
（ｉｉｉ）第１の相が第２の相内に貫入して、同相ドメインを形成するか、
のいずれかの形態を有する、
電子デバイス。
【請求項２】
電子デバイスであって、
（ａ）有機半導体層と、
（ｂ）低誘電率ポリマー及び高誘電率ポリマーを含む単層の相分離誘電体層と、
を任意の順に含み、
前記低誘電率ポリマーは、前記半導体層に最も近い前記誘電体層の領域内の前記低誘電率および前記高誘電率ポリマーの総重量の、約６０％から１００％の濃度であり、前記高誘電率ポリマーは約４０％から０％の濃度であり、
前記相分離誘電体層は、
（ｉ）第１の相が第２の相の連続的なマトリクス内の複数の点を形成するか、
（ｉｉ）第１の相が第２の相の連続的なマトリクス内の複数のロッド形状要素を形成するか、又は、
（ｉｉｉ）第１の相が第２の相内に貫入して、同相ドメインを形成するか、
のいずれかの形態を有する、
電子デバイス。
【請求項３】
薄膜トランジスタであって、
（ａ）半導体層と、
（ｂ）多量の低誘電率ポリマー／少量の高誘電率ポリマーの第１相および多量の高誘電率ポリマー／少量の低誘電率ポリマーの第２相を備える、単層の相分離誘電体層と、
を任意の順に含み、
前記低誘電率ポリマーは、前記半導体層に最も近い前記誘電体構造の領域内の前記高誘電率ポリマーの濃度に比べて高濃度であり、
前記相分離誘電体層は、
（ｉ）第１の相が第２の相の連続的なマトリクス内の複数の点を形成するか、
（ｉｉ）第１の相が第２の相の連続的なマトリクス内の複数のロッド形状要素を形成するか、又は、
（ｉｉｉ）第１の相が第２の相内に貫入して、同相ドメインを形成するか、
のいずれかの形態を有する、
薄膜トランジスタ。
【請求項４】
薄膜トランジスタであって、
（ａ）半導体層と、
（ｂ）低誘電率ポリマーと高誘電率ポリマーのポリマーブレンドを備える単層の相分離ゲート誘電体層
を任意の順に含み、
前記低誘電率ポリマーは、ポリシルセスキオキサンであり、
前記高誘電率ポリマーは、ポリ（メタクリル酸２−ヒドロキシエチル）であり、
前記相分離誘電体層は、
（ｉ）第１の相が第２の相の連続的なマトリクス内の複数の点を形成するか、
（ｉｉ）第１の相が第２の相の連続的なマトリクス内の複数のロッド形状要素を形成するか、又は、
（ｉｉｉ）第１の相が第２の相内に貫入して、同相ドメインを形成するか、
のいずれかの形態を有する、
薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記低誘電率ポリマーは、前記半導体層に最も近い前記誘電体層の領域内の前記低誘電率および前記高誘電率ポリマーの総重量の、約８０％から１００％の濃度であり、前記高誘電率ポリマーは約２０％から０％の濃度である、
請求項１の電子デバイス。
【請求項６】
前記低誘電率ポリマーは、前記半導体層に最も近い前記誘電体層の領域内の前記低誘電率および前記高誘電率ポリマーの総重量の、約８０％から１００％の濃度であり、前記高誘電率ポリマーは約２０％から０％の濃度である、
請求項２の電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月25日(2011.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に酸窒化膜を成長する方法であって：
前記基板を処理チャンバ内に設ける設置工程；
前記処理チャンバを処理温度に加熱する加熱工程；
前記処理チャンバへ水蒸気を含む湿式処理ガス及び一酸化窒素からなる窒化ガスを実ほぼ同時に流し込む流入工程；並びに
前記基板を、前記湿式処理ガス及び前記窒化ガスと、前記処理温度で反応させることで、前記基板上に酸窒化膜を成長させる、反応工程；
を有する方法。
【請求項２】
水素ガスと酸素ガスを燃焼させることで、前記処理チャンバ外部で前記湿式処理ガスを生成する生成工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記湿式処理ガスを流しながら希釈ガスを前記処理チャンバに流すことで前記酸窒化膜の成長速度を制御する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記反応工程後に、前記酸窒化膜を上に有する前記基板を、窒素、一酸化窒素、亜酸化窒素、酸素、若しくは水、又はこれらの混合ガスを含むアニーリングガス中でアニーリングする工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記処理温度が約600℃から約1100℃である、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記処理温度が約850℃よりも高温である、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記反応工程が、前記酸窒化膜を約40Å未満の厚さに成長させる、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記処理チャンバがバッチ処理システムで、かつ
前記設置工程が、前記処理チャンバ内に複数の基板を設置する工程を有し、
それにより前記酸窒化膜は、前記複数の基板の各々の上に成長する、
請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記基板がシリコンを有し、
それにより前記反応工程は、前記基板上にシリコン酸窒化膜を成長させる、
請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記シリコン酸窒化膜を上に有する前記基板が、約0.5から約5原子%の窒素ピーク濃度を示す、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記のシリコン酸窒化膜を上に有する基板が、前記シリコン酸窒化膜中で窒素ピーク濃度を示す、請求項9に記載の方法。
【請求項１２】
基板上にシリコン酸窒化膜を成長する方法であって：
前記シリコン基板を処理チャンバ内に設ける設置工程；
前記処理チャンバを処理温度に加熱する加熱工程；
前記処理チャンバへ、前記湿式処理ガス、窒素を含む希釈ガス、及び一酸化窒素からなる窒化ガスを流し込む流入工程；
前記窒化ガスに対する前記湿式処理ガスの比を制御する制御工程；並びに、
前記シリコン基板と、前記湿式処理ガス及び前記窒化ガスとを、前記処理温度で反応させることで、前記シリコン酸窒化物膜が、前記シリコン基板上で、前記シリコン酸窒化物膜中に窒素ピーク濃度を有するように成長する、反応工程；
を有する方法。
【請求項１３】
基板上にシリコン酸窒化膜を成長する方法であって：
シリコンを含む前記基板を処理チャンバ内に設ける設置工程；
前記処理チャンバを少なくとも850℃の処理温度に加熱する加熱工程；
水素ガスと酸素ガスを燃焼させることで、前記処理チャンバ外部で水蒸気を含む前記湿式処理ガスを生成する生成工程；
前記処理チャンバへ、前記湿式処理ガス、窒素を含む希釈ガス、及び一酸化窒素からなる窒化ガスをほぼ同時に流し込むことで、前記基板と反応させて、0.5原子%から14原子%の間の窒素ピーク濃度を有するシリコン酸窒化膜を前記基板上に成長させる、流入工程；
を有する方法。
【請求項１４】
前記処理チャンバがバッチ処理システムで、かつ
前記設置工程が、前記処理チャンバ内に複数の基板を設置する工程を有し、
それにより前記酸窒化膜は、前記複数の基板の各々の上に成長する、
請求項13に記載の方法。
【請求項１５】
基板上にシリコン酸窒化膜を成長する方法であって：
前記シリコン基板を処理チャンバ内に設ける設置工程；
前記処理チャンバを処理温度に加熱する加熱工程；
前記処理チャンバへ、前記湿式処理ガス、窒素を含む希釈ガス、及び一酸化窒素からなる窒化ガスを流し込む工程であって、前記一酸化窒素は非燃焼源から供給される、流入工程；並びに、
前記シリコン基板と、前記湿式処理ガス及び前記窒化ガスとを、前記処理温度で反応させることで、前記シリコン酸窒化物膜が、前記シリコン基板上で、前記シリコン酸窒化物膜中に窒素ピーク濃度を有するように成長する、反応工程；
を有する方法。
【請求項１６】
水素と酸素を燃焼することによって、前記処理チャンバの外部で前記湿式処理ガスを生成する工程をさらに有する、請求項15に記載の方法。
【請求項１７】
前記の上にシリコン酸窒化物膜を有する基板が、2原子%乃至14原子%の窒素ピーク濃度を示す、請求項15に記載の方法。
【請求項１８】
前記の上にシリコン酸窒化物膜を有する基板が、4原子%乃至14原子%の窒素ピーク濃度を示す、請求項15に記載の方法。
【請求項１９】
基板上に酸窒化膜を成長する方法であって：
前記基板を処理チャンバ内に設ける設置工程；
前記処理チャンバを処理温度に加熱する加熱工程；
前記処理チャンバへ、前記湿式処理ガス、窒素を含む希釈ガス、及び一酸化窒素からなる窒化ガスを流し込む流入工程；並びに、
前記基板と、前記湿式処理ガス及び前記窒化ガスとを、前記処理温度で反応させることで、前記酸窒化物膜が、前記基板上で、前記酸窒化物膜中に窒素ピーク濃度を有するように成長し、前記湿式処理ガスを流し込むと同時に前記希釈ガスを流し込むことで前記酸窒化物膜の成長速度を制御する、反応工程；
を有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月5日(2011.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置、電子機器、携帯電話、照明機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた混合層と、
前記混合層上に設けられた発光性の物質を含む層と、
前記発光性の物質を含む層上に設けられた第２の電極と、を有し、
前記混合層は、第１の材料と、第２の材料と、を含み、
前記第１の材料は、金属酸化物であり、
前記第２の材料は、正孔輸送性化合物であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた混合層と、
前記混合層上に設けられた発光性の物質を含む層と、
前記発光性の物質を含む層上に設けられた第２の電極と、を有し、
前記混合層は、第１の材料と、第２の材料と、を含み、
前記第１の材料は、金属酸化物であり、
前記第２の材料は、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた混合層と、
前記混合層上に設けられた発光性の物質を含む層と、
前記発光性の物質を含む層上に設けられた第２の電極と、を有し、
前記混合層は、第１の材料と、第２の材料と、を含み、
前記第１の材料は、金属酸化物であり、
前記第２の材料は、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の材料は、アクセプターとして機能することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第２の材料は、ドナーとして機能することを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の材料は、アクセプターとして機能し、
前記第２の材料は、ドナーとして機能し、
前記第１の材料と前記第２の材料とにより電荷移動錯体が形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の材料は、バナジウム酸化物であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の材料は、ルテニウム酸化物であることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の材料は、タングステン酸化物であることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の材料は、インジウム錫酸化物であることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の材料は、亜鉛酸化物であることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の材料は、錫酸化物であることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の材料は、モリブデン酸化物であることを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記第２の材料は、芳香族アミン化合物であることを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記混合層は、第３の材料を含み、
前記第３の材料は立体障害の大きな化合物であることを特徴とする発光装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項に記載の前記発光装置を実装した電子機器。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項に記載の前記発光装置を実装した携帯電話。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項に記載の前記発光装置を実装した照明機器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月22日(2010.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
第２の光透過性熱伝導エレメント６０４は、過飽和吸収体６０２と誘電コーティング６１５された露出面に接着されている。第２の光透過性熱伝導エレメント６０４は、熱拡散器として機能し、過飽和吸収体６０２の面６２２の温度を下げる。第２の拡散器を介した直接的伝導による過飽和吸収体からの熱除去の第１の方法は、第１の熱拡散器の記述と同様であり、ピーク温度、温度勾配、および熱的誘発ストレスを下げるのに同様に効果的である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月18日(2011.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に気相堆積法により設けられたアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を含有する蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、
該アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体の表面元素組成におけるアルカリ／ハライド比率が１．０〜１．５であることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【請求項２】
前記アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体のハライドの主成分がＢｒまたはＩであり、且つ、Ｆの含有率が０ｐｐｍ〜１０ｐｐｍであることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項３】
前記蛍光体層の主成分がＣｓＢｒ：Ｅｕ（臭化セシウム：ユーロピウム賦活体）を含む輝尽性蛍光体であることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項４】
前記支持体が有機高分子フィルムであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
１．支持体上に気相堆積法により設けられたアルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体を含有する蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、
該アルカリ金属ハロゲン化物系蛍光体の表面元素組成におけるアルカリ／ハライド比率が１．０〜１．５であることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
３．前記蛍光体層の主成分がＣｓＢｒ：Ｅｕ（臭化セシウム：ユーロピウム賦活体）を含む輝尽性蛍光体であることを特徴とする前記１または２に記載の放射線画像変換パネル。