【手続補正書】
【提出日】平成23年4月6日(2011.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの一面上に、比誘電率が３．０以下である低誘電率膜と配線とが積層された低誘電率膜配線積層構造部が形成されたものを準備する工程と、
レーザ照射によるレーザ加工により、ダイシングストリートを含むそれよりも幅広の所定幅領域における前記低誘電率膜配線積層構造部を貫通して前記半導体ウエハの厚さ方向の中間面に達する第１の溝を形成することにより、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面および前記半導体ウエハの中間面を露出させる工程と、
前記低誘電率膜配線積層構造部上に形成された絶縁膜上に電極用接続パッド部を前記低誘電率膜配線積層構造部の配線の接続パッド部に接続させて形成する工程と、
前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極を形成する工程と、
前記第１の溝内および前記絶縁膜上における前記外部接続用バンプ電極の周囲に有機樹脂からなる封止膜を形成する工程と、
前記第１の溝内における前記ダイシングストリートに対応する部分の前記封止膜に、前記低誘電率膜配線積層構造部の下面よりも深い第２の溝を形成する工程と、
前記半導体ウエハの下面側を少なくとも前記第２の溝が露呈するまで研削することにより、該半導体ウエハの厚さを薄くし、且つ、該半導体ウエハを分離して半導体装置を複数個得る工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体ウエハの一面上に、比誘電率が３．０以下である低誘電率膜と配線とが積層された低誘電率膜配線積層構造部が形成されたものを準備する工程と、
ダイシングストリートを含むそれよりも幅広の所定幅領域以外の領域における前記低誘電率膜配線積層構造部上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に電極用接続パッド部を前記低誘電率膜配線積層構造部の配線の接続パッド部に接続させて形成する工程と、
前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極を形成する工程と、
レーザ照射によるレーザ加工により、前記所定幅領域における前記低誘電率膜配線積層構造部を貫通して前記半導体ウエハの厚さ方向の中間面に達する第１の溝を形成することにより、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面および前記半導体ウエハの中間面を露出させる工程と、
前記第１の溝内および前記絶縁膜上における前記外部接続用バンプ電極の周囲に有機樹脂からなる封止膜を形成する工程と、
前記第１の溝内における前記ダイシングストリートに対応する部分の前記封止膜に、前記低誘電率膜配線積層構造部の下面よりも深い第２の溝を形成する工程と、
前記半導体ウエハの下面側を少なくとも前記第２の溝が露呈するまで研削することにより、該半導体ウエハの厚さを薄くし、且つ、該半導体ウエハを分離して半導体装置を複数個得る工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の発明において、前記低誘電率膜のガラス転移温度は４００℃以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発明において、前記第２の溝はその底面とその下の前記半導体ウエハの上面との間に前記封止膜が残存するように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発明において、前記第２の溝の形成はダイシングブレードを用いて行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項記載の発明において、前記電極用接続パッド部を形成する工程は、前記絶縁膜上に前記電極用接続パッド部を有する上層配線を形成する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の発明において、前記外部接続用バンプ電極は、前記上層配線の接続パッド部上に形成された柱状電極であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、前記柱状電極上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の発明において、前記半田ボールの形成は、前記封止膜を形成した後であって前記第２の溝を形成する前に行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の発明において、前記柱状電極上に半田ボールを形成する工程の後、前記半導体ウエハの下面側を前記第２の溝が露呈するまで研削する工程の前に、紫外線硬化型の粘着材が形成された保護テープを前記半田ボールおよび前記封止材の上面に貼り付ける工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項１に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの一面上に、比誘電率が３．０以下である低誘電率膜と配線とが積層された低誘電率膜配線積層構造部が形成されたものを準備する工程と、レーザ照射によるレーザ加工により、ダイシングストリートを含むそれよりも幅広の所定幅領域における前記低誘電率膜配線積層構造部を貫通して前記半導体ウエハの厚さ方向の中間面に達する第１の溝を形成することにより、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面および前記半導体ウエハの中間面を露出させる工程と、前記低誘電率膜配線積層構造部上に形成された絶縁膜上に電極用接続パッド部を前記低誘電率膜配線積層構造部の配線の接続パッド部に接続させて形成する工程と、前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極を形成する工程と、前記第１の溝内および前記絶縁膜上における前記外部接続用バンプ電極の周囲に有機樹脂からなる封止膜を形成する工程と、前記第１の溝内における前記ダイシングストリートに対応する部分の前記封止膜に、前記低誘電率膜配線積層構造部の下面よりも深い第２の溝を形成する工程と、前記半導体ウエハの下面側を少なくとも前記第２の溝が露呈するまで研削することにより、該半導体ウエハの厚さを薄くし、且つ、該半導体ウエハを分離して半導体装置を複数個得る工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの一面上に、比誘電率が３．０以下である低誘電率膜と配線とが積層された低誘電率膜配線積層構造部が形成されたものを準備する工程と、ダイシングストリートを含むそれよりも幅広の所定幅領域以外の領域における前記低誘電率膜配線積層構造部上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に電極用接続パッド部を前記低誘電率膜配線積層構造部の配線の接続パッド部に接続させて形成する工程と、前記電極用接続パッド部上に外部接続用バンプ電極を形成する工程と、レーザ照射によるレーザ加工により、前記所定幅領域における前記低誘電率膜配線積層構造部を貫通して前記半導体ウエハの厚さ方向の中間面に達する第１の溝を形成することにより、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面および前記半導体ウエハの中間面を露出させる工程と、前記第１の溝内および前記絶縁膜上における前記外部接続用バンプ電極の周囲に有機樹脂からなる封止膜を形成する工程と、前記第１の溝内における前記ダイシングストリートに対応する部分の前記封止膜に、前記低誘電率膜配線積層構造部の下面よりも深い第２の溝を形成する工程と、前記半導体ウエハの下面側を少なくとも前記第２の溝が露呈するまで研削することにより、該半導体ウエハの厚さを薄くし、且つ、該半導体ウエハを分離して半導体装置を複数個得る工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１または２に記載の発明において、前記低誘電率膜のガラス転移温度は４００℃以上であることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発明において、前記第２の溝はその底面とその下の前記半導体ウエハの上面との間に前記封止膜が残存するように形成することを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発明において、前記第２の溝の形成はダイシングブレードを用いて行なうことを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１乃至５のいずれか一項記載の発明において、前記電極用接続パッド部を形成する工程は、前記絶縁膜上に前記電極用接続パッド部を有する上層配線を形成する工程であることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項６に記載の発明において、前記外部接続用バンプ電極は、前記上層配線の接続パッド部上に形成された柱状電極であることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項７に記載の発明において、前記柱状電極上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項８に記載の発明において、前記半田ボールの形成は、前記封止膜を形成した後であって前記第２の溝を形成する前に行なうことを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項８または９に記載の発明において、前記柱状電極上に半田ボールを形成する工程の後、前記半導体ウエハの下面側を前記第２の溝が露呈するまで研削する工程の前に、紫外線硬化型の粘着材が形成された保護テープを前記半田ボールおよび前記封止材の上面に貼り付ける工程を有することを特徴とするものである。