【手続補正書】
【提出日】平成23年6月16日(2011.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
｛１００｝面を頂面とする下地に、下地の＜１１０＞方向と平行に延びる凸部を形成する方法であって、
（ａ）下地に、＜１１０＞方向と平行に延びるマスク層を形成した後、
（ｂ）マスク層をエッチング用マスクとして用いて、エッチング液を用いたウェットエッチング法にて下地をエッチングし、｛１１０｝面で切断したときの断面形状が、底辺の長さが上辺の長さよりも長い等脚台形であり、側面の傾斜角がθUである凸部上層を形成し、次いで、
（ｃ）エッチング液の温度を変えて、マスク層及び凸部上層の側面をエッチング用マスクとして用いて、下地をウェットエッチング法にて更にエッチングし、｛１１０｝面で切断したときの断面形状が、底辺の長さが上辺の長さよりも長い等脚台形であり、且つ、側面の傾斜角がθD（但し、θD≠θU）である凸部下層を形成する、
各工程から成る、下地における凸部形成方法。
【請求項２】
凸部上層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状における底辺は、凸部下層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状における上辺であり、
凸部の側面が（１１１）Ｂ面であるときの側面の傾斜角をθ111Bとしたとき、
θD≦θ111B≦θU（但し、θD≠θU）
を満足する請求項１に記載の下地における凸部形成方法。
【請求項３】
前記工程（ｂ）におけるエッチング液の温度は、前記工程（ｃ）におけるエッチング液の温度よりも高い請求項２に記載の下地における凸部形成方法。
【請求項４】
凸部上層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状における底辺は、凸部下層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状における上辺であり、
凸部の側面が（１１１）Ｂ面であるときの側面の傾斜角をθ111Bとしたとき、
θU≦θ111B≦θD（但し、θD≠θU）
を満足する請求項１に記載の下地における凸部形成方法。
【請求項５】
前記工程（ｂ）におけるエッチング液の温度は、前記工程（ｃ）におけるエッチング液の温度よりも低い請求項４に記載の下地における凸部形成方法。
【請求項６】
（Ａ）｛１００｝面を主面として有する素子製造用基板の該主面に、素子製造用基板の＜１１０＞方向と平行に延びる凸部を形成し、次いで、
（Ｂ）凸部の頂面上に、第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層されて成る発光部を形成し、併せて、凸部が形成されていない素子製造用基板の主面の部分に、第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層されて成る積層構造体を形成し、その後、
（Ｃ）該積層構造体上に、発光部を構成する活性層の側面を少なくとも覆う電流ブロック層を形成する、
工程を具備し、
前記工程（Ａ）は、
（ａ）素子製造用基板の主面に、＜１１０＞方向と平行に延びるマスク層を形成した後、
（ｂ）マスク層をエッチング用マスクとして用いて、エッチング液を用いたウェットエッチング法にて素子製造用基板の主面をエッチングし、｛１１０｝面で切断したときの断面形状が、底辺の長さが上辺の長さよりも長い等脚台形であり、側面の傾斜角がθUである凸部上層を形成し、次いで、
（ｃ）エッチング液の温度を変えて、マスク層及び凸部上層の側面をエッチング用マスクとして用いて、素子製造用基板の主面をウェットエッチング法にて更にエッチングし、｛１１０｝面で切断したときの断面形状が、底辺の長さが上辺の長さよりも長い等脚台形であり、且つ、側面の傾斜角がθD（但し、θD≠θU）である凸部下層を形成する、
各工程から成る、半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
凸部上層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状における底辺は、凸部下層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状における上辺であり、
凸部の側面が（１１１）Ｂ面であるときの側面の傾斜角をθ111Bとしたとき、
θD≦θ111B≦θU（但し、θD≠θU）
を満足する請求項６に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記工程（ｂ）におけるエッチング液の温度は、前記工程（ｃ）におけるエッチング液の温度よりも高い請求項７に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
第１化合物半導体層、活性層及び第２化合物半導体層から成り、第２化合物半導体層の頂面が｛１００｝面である発光部を備えた半導体発光素子において、第２化合物半導体層の厚さ方向の一部分に、＜１１０＞方向と平行に延びる凸部を形成する工程を含む、半導体発光素子の製造方法であって、
凸部の形成工程は、
（ａ）第２化合物半導体層の頂面に、＜１１０＞方向と平行に延びるマスク層を形成した後、
（ｂ）マスク層をエッチング用マスクとして用いて、エッチング液を用いたウェットエッチング法にて第２化合物半導体層を厚さ方向に一部分エッチングし、｛１１０｝面で切断したときの断面形状が、底辺の長さが上辺の長さよりも長い等脚台形であり、側面の傾斜角がθUである凸部上層を形成し、次いで、
（ｃ）エッチング液の温度を変えて、マスク層及び凸部上層の側面をエッチング用マスクとして用いて、第２化合物半導体層を、厚さ方向に一部分、更にウェットエッチング法にてエッチングし、｛１１０｝面で切断したときの断面形状が、底辺の長さが上辺の長さよりも長い等脚台形であり、且つ、側面の傾斜角がθD（但し、θD≠θU）である凸部下層を形成する、
各工程から成る、半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
凸部上層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状における底辺は、凸部下層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状における上辺であり、
凸部の側面が（１１１）Ｂ面であるときの側面の傾斜角をθ111Bとしたとき、
θD≦θ111B≦θU（但し、θD≠θU）
を満足する請求項９に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記工程（ｂ）におけるエッチング液の温度は、前記工程（ｃ）におけるエッチング液の温度よりも高い請求項１０に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】
凸部上層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状における底辺は、凸部下層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状における上辺であり、
凸部の側面が（１１１）Ｂ面であるときの側面の傾斜角をθ111Bとしたとき、
θU≦θ111B≦θD（但し、θD≠θU）
を満足する請求項９に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記工程（ｂ）におけるエッチング液の温度は、前記工程（ｃ）におけるエッチング液の温度よりも低い請求項１２に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
｛１００｝面を頂面とする下地に設けられ、下地の＜１１０＞方向と平行に延びる凸部であって、
凸部下層及び凸部上層の２層構造を有し、
凸部上層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状は、底辺の長さが上辺の長さよりも長い等脚台形であり、
凸部下層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状は、底辺の長さが上辺の長さよりも長い等脚台形であり、
凸部上層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状における底辺は、凸部下層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状における上辺であり、
凸部上層の側面の傾斜角をθU、凸部下層の側面の傾斜角をθD、凸部の側面が（１１１）Ｂ面であるときの側面の傾斜角をθ111Bとしたとき、
θD≦θ111B≦θU（但し、θD≠θU）
を満足する下地に設けられた凸部。
【請求項１５】
｛１００｝面を頂面とする下地に設けられ、下地の＜１１０＞方向と平行に延びる凸部であって、
凸部下層及び凸部上層の２層構造を有し、
凸部上層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状は、底辺の長さが上辺の長さよりも長い等脚台形であり、
凸部下層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状は、底辺の長さが上辺の長さよりも長い等脚台形であり、
凸部上層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状における底辺は、凸部下層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状における上辺であり、
凸部上層の側面の傾斜角をθU、凸部下層の側面の傾斜角をθD、凸部の側面が（１１１）Ｂ面であるときの側面の傾斜角をθ111Bとしたとき、
θU≦θ111B≦θD（但し、θD≠θU）
を満足する下地に設けられた凸部。
【請求項１６】
（イ）｛１００｝面を主面として有する素子製造用基板の該主面に設けられ、素子製造用基板の＜１１０＞方向と平行に延びる凸部、
（ロ）凸部の頂面上に、第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層されて成る発光部、並びに、
（ハ）凸部が形成されていない素子製造用基板の主面の部分に形成され、第１導電型を有する第１化合物半導体層、活性層、及び、第２導電型を有する第２化合物半導体層が順次積層されて成る積層構造体、並びに、該積層構造体上に形成され、発光部を構成する活性層の側面を少なくとも覆う電流ブロック層、
を具備しており、
凸部は、凸部下層及び凸部上層の２層構造を有し、
凸部上層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状は、底辺の長さが上辺の長さよりも長い等脚台形であり、
凸部下層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状は、底辺の長さが上辺の長さよりも長い等脚台形であり、
凸部上層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状における底辺は、凸部下層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状における上辺であり、
凸部上層の側面の傾斜角をθU、凸部下層の側面の傾斜角をθD、凸部の側面が（１１１）Ｂ面であるときの側面の傾斜角をθ111Bとしたとき、
θD≦θ111B≦θU（但し、θD≠θU）
を満足する半導体発光素子。
【請求項１７】
第１化合物半導体層、活性層及び第２化合物半導体層から成り、第２化合物半導体層の頂面が｛１００｝面である発光部を備えており、第２化合物半導体層に、＜１１０＞方向と平行に延びる凸部が設けられた半導体発光素子であって、
凸部は、凸部下層及び凸部上層の２層構造を有し、
凸部上層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状は、底辺の長さが上辺の長さよりも長い等脚台形であり、
凸部下層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状は、底辺の長さが上辺の長さよりも長い等脚台形であり、
凸部上層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状における底辺は、凸部下層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状における上辺であり、
凸部上層の側面の傾斜角をθU、凸部下層の側面の傾斜角をθD、凸部の側面が（１１１）Ｂ面であるときの側面の傾斜角をθ111Bとしたとき、
θD≦θ111B≦θU（但し、θD≠θU）
を満足する半導体発光素子。
【請求項１８】
第１化合物半導体層、活性層及び第２化合物半導体層から成り、第２化合物半導体層の頂面が｛１００｝面である発光部を備えており、第２化合物半導体層に、＜１１０＞方向と平行に延びる凸部が設けられた半導体発光素子であって、
凸部下層及び凸部上層の２層構造を有し、
凸部上層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状は、底辺の長さが上辺の長さよりも長い等脚台形であり、
凸部下層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状は、底辺の長さが上辺の長さよりも長い等脚台形であり、
凸部上層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状における底辺は、凸部下層を｛１１０｝面で切断したときの断面形状における上辺であり、
凸部上層の側面の傾斜角をθU、凸部下層の側面の傾斜角をθD、凸部の側面が（１１１）Ｂ面であるときの側面の傾斜角をθ111Bとしたとき、
θU≦θ111B≦θD（但し、θD≠θU）
を満足する半導体発光素子。
【請求項１９】
凸部から、第２化合物半導体層の残部、活性層、及び、第１化合物半導体層に亙り、電流を流すことで、活性層において発光を生じさせる請求項１７又は請求項１８に記載の半導体発光素子。
【請求項２０】
凸部は電流を狭窄する領域に相当し、
凸部と凸部の間に形成された第３化合物半導体層から、第２化合物半導体層の残部、活性層、及び、第１化合物半導体層に亙り、電流を流すことで、活性層において発光を生じさせる請求項１７又は請求項１８に記載の半導体発光素子。