【手続補正書】
【提出日】平成23年2月15日(2011.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた第１の樹脂膜と、前記第１の樹脂膜の少なくとも周辺部を除く上面に設けられた第２の樹脂膜と、前記第２の樹脂膜上に設けられた薄膜誘導素子とを備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記半導体基板の周辺部上に複数の接続パッドが設けられ、前記第２の樹脂膜は、前記半導体基板上における前記接続パッドよりも内側の領域に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発明において、前記第２の樹脂膜の厚さは前記第１の樹脂膜の厚さよりも厚くなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、前記第１の樹脂膜の厚さと前記第２の樹脂膜の厚さの合計は１０〜２０μｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の発明において、前記第２の樹脂膜の厚さは前記第１の樹脂膜の厚さの２倍以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の発明において、前記第１の樹脂膜の厚さは２〜６μｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の発明において、前記第１、第２の樹脂膜上に配線および薄膜誘導素子用配線が設けられ、前記配線の一端部および前記薄膜誘導素子用配線の一端部は前記接続パッドに接続され、前記薄膜誘導素子用配線の他端部は前記薄膜誘導素子の外端部に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、前記第２の樹脂膜の側面は傾斜面となっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８に記載の発明において、前記配線の接続パッド部上および前記薄膜誘導素子の内端部上に柱状電極が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項２に記載の発明において、前記第１の樹脂膜下に薄膜誘導素子用下層配線が設けられ、前記薄膜誘導素子用下層配線の一端部は前記接続パッドに接続され、他端部は前記薄膜誘導素子の内端部に前記第１、第２の樹脂膜に設けられた開口部を介して接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
周辺部に複数の接続パッドを有する半導体基板の上面全体に第１の樹脂膜を形成する工程と、
前記第１の樹脂膜上における前記接続パッドの内側領域に第２の樹脂膜を形成する工程と、
前記第２の樹脂膜上に薄膜誘導素子を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の発明において、前記第２の樹脂膜の厚さは前記第１の樹脂膜の厚さよりも厚くなるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の発明において、前記第１の樹脂膜の厚さと前記第２の樹脂膜の厚さの合計は１０〜２０μｍであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の発明において、前記第２の樹脂膜の厚さは前記第１の樹脂膜の厚さの２倍以上となるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の発明において、前記第１の樹脂膜の厚さは２〜６μｍとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の発明において、前記第２の樹脂膜を形成する工程の前に、前記半導体基板の周辺部上に形成された前記複数の接続パッドに対応する部分における前記第１の樹脂膜にフォトリソグラフィ法により開口部を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の発明において、前記薄膜誘導素子を形成する工程は、前記第１、第２の樹脂膜上に配線および薄膜誘導素子用配線を形成する工程を含み、前記配線の一端部および前記薄膜誘導素子用配線の一端部は前記接続パッドに接続され、前記薄膜誘導素子用配線の他端部は前記薄膜誘導素子の外端部に接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１１に記載の発明において、前記第２の樹脂膜はスクリーン印刷法により形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の発明において、前記スクリーン印刷法により塗布された液状樹脂膜の側面がだれることにより、前記第２の樹脂膜の側面が傾斜面となるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項１に記載の発明に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた第１の樹脂膜と、前記第１の樹脂膜の少なくとも周辺部を除く上面に設けられた第２の樹脂膜と、前記第２の樹脂膜上に設けられた薄膜誘導素子とを備えていることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記半導体基板の周辺部上に複数の接続パッドが設けられ、前記第２の樹脂膜は、前記半導体基板上における前記接続パッドよりも内側の領域に設けられていることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明に係る半導体装置は、請求項２に記載の発明において、前記第２の樹脂膜の厚さは前記第１の樹脂膜の厚さよりも厚くなっていることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明に係る半導体装置は、請求項３に記載の発明において、前記第１の樹脂膜の厚さと前記第２の樹脂膜の厚さの合計は１０〜２０μｍであることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明に係る半導体装置は、請求項４に記載の発明において、前記第２の樹脂膜の厚さは前記第１の樹脂膜の厚さの２倍以上であることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明に係る半導体装置は、請求項５に記載の発明において、前記第１の樹脂膜の厚さは２〜６μｍであることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記第１、第２の樹脂膜上に配線および薄膜誘導素子用配線が設けられ、前記配線の一端部および前記薄膜誘導素子用配線の一端部は前記接続パッドに接続され、前記薄膜誘導素子用配線の他端部は前記薄膜誘導素子の外端部に接続されていることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明に係る半導体装置は、請求項７に記載の発明において、前記第２の樹脂膜の側面は傾斜面となっていることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明に係る半導体装置は、請求項８に記載の発明において、前記配線の接続パッド部上および前記薄膜誘導素子の内端部上に柱状電極が設けられていることを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明に係る半導体装置は、請求項２に記載の発明において、前記第１の樹脂膜下に薄膜誘導素子用下層配線が設けられ、前記薄膜誘導素子用下層配線の一端部は前記接続パッドに接続され、他端部は前記薄膜誘導素子の内端部に前記第１、第２の樹脂膜に設けられた開口部を介して接続されていることを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、周辺部に複数の接続パッドを有する半導体基板の上面全体に第１の樹脂膜を形成する工程と、記第１の樹脂膜上における前記接続パッドの内側領域に第２の樹脂膜を形成する工程と、前記第２の樹脂膜上に薄膜誘導素子を形成する工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１１に記載の発明において、前記第２の樹脂膜の厚さは前記第１の樹脂膜の厚さよりも厚くなるようにすることを特徴とするものである。
請求項１３に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１２に記載の発明において、前記第１の樹脂膜の厚さと前記第２の樹脂膜の厚さの合計は１０〜２０μｍであることを特徴とするものである。
請求項１４に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１３に記載の発明において、前記第２の樹脂膜の厚さは前記第１の樹脂膜の厚さの２倍以上となるようにすることを特徴とするものである。
請求項１５に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１４に記載の発明において、前記第１の樹脂膜の厚さは２〜６μｍとすることを特徴とするものである。
請求項１６に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１５に記載の発明において、前記第２の樹脂膜を形成する工程の前に、前記半導体基板の周辺部上に形成された前記複数の接続パッドに対応する部分における前記第１の樹脂膜にフォトリソグラフィ法により開口部を形成する工程を有することを特徴とするものである。
請求項１７に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１６に記載の発明において、前記薄膜誘導素子を形成する工程は、前記第１、第２の樹脂膜上に配線および薄膜誘導素子用配線を形成する工程を含み、前記配線の一端部および前記薄膜誘導素子用配線の一端部は前記接続パッドに接続され、前記薄膜誘導素子用配線の他端部は前記薄膜誘導素子の外端部に接続されることを特徴とするものである。
請求項１８に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１１に記載の発明において、前記第２の樹脂膜はスクリーン印刷法により形成することを特徴とするものである。
請求項１９に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１８に記載の発明において、前記スクリーン印刷法により塗布された液状樹脂膜の側面がだれることにより、前記第２の樹脂膜の側面が傾斜面となるようにすることを特徴とするものである。半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた第１の樹脂膜と、前記第１の樹脂膜の周辺部を除く上面に設けられた第２の樹脂膜と、前記第２の樹脂膜上に設けられた渦巻き形状の薄膜誘導素子とを備えていることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
配線９の一端部はパッシベーション膜３の開口部４ａおよび第１の保護膜５の開口部６ａを介して接続パッド２ａに接続されている。薄膜誘導素子用配線１０の一端部はパッシベーション膜３の開口部４ｂおよび第１の保護膜５の開口部６ｂを介して接続パッド２ｂに接続されている。薄膜誘導素子１１の外端部は薄膜誘導素子用配線１０の他端部に接続されている。配線９の他端部および薄膜誘導素子１１の内端部は接続パッド部９ａ、１１ａとなっている。この場合、配線９の接続パッド部９ａは第２の保護膜７の上面のみに設けられている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
ここで、図５に示すように、第２の保護膜７を第１の保護膜５の上面全体に形成せずに、ダイシングストリート３２で囲まれた各半導体装置形成領域において、第１の保護膜５の周辺部つまり開口部６ａ、６ｂが形成された周辺部を除く上面に形成する理由および第１、第２の保護膜５、７の厚さについて説明する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
（第２実施形態）
図１３（Ａ）はこの発明の第２実施形態としての半導体装置の要部の平面図（図１３（Ｂ）における封止膜を除去した状態）を示し、図１３（Ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図を示す。この半導体装置において、図１（Ａ）、（Ｂ）に示す半導体装置と大きく異なる点は、渦巻き形状の薄膜誘導素子１１の外端部のみならず内端部もシリコン基板１の上面に形成された集積回路(図示せず)に接続された接続パッドに接続するようにした点である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2010232230.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2010232230.tif 000002