(57)【要約】  本発明は、サブミリメートルグリッドの製造方法であって、所与のガラス転移温度Tgを有するコロイドナノ粒子の溶液からネットワークマスクと呼ばれるサブミリメートル開口部（１０）を有するマスク（１）を主要面上に製造し、マスキング層を前記温度Tgより低い温度で乾燥させる工程、下記のことを下記順序で含む、ネットワークマスク（１）から導電性グリッドを形成する工程であって、１０-5Ω・ｃｍ未満の電気抵抗率を有する、グリッド材料と呼ばれる少なくとも１つの導電性材料を堆積させること、マスキング層を除去して、マザーグリッドを露呈させること、場合により、オーバーグリッド（６）材料と呼ばれる導電性材料を電着により堆積させることを含み、前記マザーグリッドの下にある表面は誘電性である工程、少なくとも５００ｎｍの厚さの前記マザーグリッド又はオーバーグリッドを脱離させる工程を含む製造方法に関する。本発明は、また、脱離されたグリッドにも関する。
2012503715.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材（２）の主要面上におけるサブミリメートルグリッド（５）の製造方法であって、
ネットワークマスクと呼ばれるサブミリメートル開口部（１０）を有するマスク（１）を前記主要面上に製造する工程であって、
-溶剤中で安定化されそして分散されたコロイドナノ粒子の溶液からマスキング層を堆積させること、ここで、前記ナノ粒子は所与のガラス転移温度Tgを有する、
-実質的にまっすぐのマスクゾーンの縁を有する、開口部のネットワークを有するマスクが得られるまで、前記マスキング層を前記温度Tgより低い温度で乾燥させること、
を含む工程、
下記のことを下記順序で含む、前記ネットワークマスク（１）から導電性グリッド（５）を形成する工程であって、
-前記開口部（１０）の深さの一部分が充填されるまで、１０-5Ω・ｃｍ未満の電気抵抗率を有する、グリッド材料と呼ばれる少なくとも１つの導電性材料を堆積させること、
-マザーグリッドと呼ばれる導電性グリッドが露呈するまでマスキング層を除去すること、
-場合により、オーバーグリッド（６）材料と呼ばれる導電性材料を、場合により表面処理されたグリッド（５）材料上に直接的に電着により堆積させ、このようにしてオーバーグリッドを形成させること、
を含み、前記マザーグリッドの下層表面は誘電性である工程、
を含み、前記製造方法は、さらに、少なくとも５００ｎｍの厚さを超える少なくともマザーグリッド又は少なくともオーバーグリッドを脱離させることを含む、製造方法。
【請求項２】
少なくともマザーグリッドを脱離させるために、グリッド材料として金属材料、特に、銀及び／又は金及び／又は銅を、少なくとも５００ｎｍの厚さを得るために、ガラス（２）、プラスチック、特に、ポリウレタンから作られた選択された基材上に、又は、好ましくはフルオロポリマーの層、炭素の層、窒化ホウ素の層又はステアリン酸の層から選ばれる、モールドリリース層と呼ばれる永久サブレイヤ上に、物理蒸着により堆積させることを特徴とする、請求項１に記載のグリッド（５）の製造方法。
【請求項３】
金属層（６）はオーバーグリッド材料として電気分解により堆積され、特に、銅であることを特徴とする、請求項１又は２に記載のグリッド（５）の製造方法。
【請求項４】
少なくともマザーグリッド（５）を脱離させる場合に、特にマザーグリッドの導電性物質堆積の前にマスクを部分除去することにより得られる、ネットワークマスク（１，３）と接触している隣接表面（４）上に、前記導電性グリッド材料を堆積させることにより、グリッドの機械補強ゾーンを形成することを含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載のグリッド（５）の製造方法。
【請求項５】
オーバーグリッドのみを脱離させるために、金、銀及び／又は銅から選択される金属材料から作られるマザーグリッドを、グリッド材料の付着性を向上させるためのサブレイヤ、特に、NiCr、Ti、ITO、Al、Nbを基礎とする層の上、又は、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート又はポリカーボネートなどのプラスチック上に堆積させることを特徴とする、請求項１に記載のグリッドの製造方法。
【請求項６】
オーバーグリッドのみを脱離させるために、マザーグリッドは、ガラス上又はポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレートもしくはポリカーボネートなどのプラスチック上に堆積された、Ti、Mo、W、Co、Nb又はTaから選択される金属材料から作られていることを特徴とする、請求項１に記載のグリッド（５）の製造方法。
【請求項７】
オーバーグリッドのみを脱離させるために、金属マザーグリッドは、モールドリリース層と呼ばれる層、特に、オルガノシラン層、炭素の層、フルオロポリマーの層、ステアリン酸の層又は窒化ホウ素の層によって表面処理されていることを特徴とする、請求項１又は６に記載のグリッド（５）の製造方法。
【請求項８】
オーバーグリッドの形成及びオーバーグリッドの脱離は連続的に行うことを特徴とする、請求項１及び３〜７のいずれか１項に記載のグリッド（５）の製造方法。
【請求項９】
-マザーグリッドは固定軸を中心に回転する部品（７０）上にあり、
-マザーグリッドは電着のための電気分解浴（７２）中に部分的に浸漬しており、
-前記浴を出るときに、マザーグリッド上のオーバーグリッド（６）が前記オーバーグリッドのみの転写のために回転対向部品（８０）上で可とう性フィルム（８１）と接触されることを特徴とする、請求項８に記載のグリッド（５）の製造方法。
【請求項１０】
前記可とう性フィルム（８１）はオーバーグリッド（６）の洗浄のために孔つき又は多孔性である一時転写基材であり、そして、前記オーバーグリッドは一時フィルムに結合されることなく接触により転写され、かつ、連続洗浄及び乾燥の後に、オーバーグリッドが別の可とう性フィルム（８５）に転写され、該フィルム（８５）は好ましくはラミネーションインターレイヤであることを特徴とする、請求項９に記載のグリッドの製造方法。
【請求項１１】
脱離可能な部品と呼ばれる少なくともマザーグリッド又は少なくともオーバーグリッドの脱離は、
-前記脱離可能な部品に対する下層の表面よりも小さいタックを有しかつ前記脱離可能な部品の表面よりも大きいタックをする接着性ポリマー層を適用すること、及び、
-前記脱離可能な部品を有するポリマーフィルムを除去することにより行うことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のグリッドの製造方法。
【請求項１２】
前記マスキング層の乾燥は５０℃以下の温度、好ましくは周囲温度で行うことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記溶剤は水性であり、コロイドの溶液は、好ましくはアクリルコポリマー、スチレン、ポリスチレン、ポリ（メタ）アクリレート、ポリエステル又はそれらの混合物のポリマーナノ粒子を含み、及び／又は、前記溶液は、好ましくはシリカ、アルミナ又は酸化鉄の無機ナノ粒子を含むことを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１項に記載のグリッドの製造方法。
【請求項１４】
前記溶液は水性であることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のグリッドの製造方法。
【請求項１５】
前記マスキング層を液体経路により除去し、特に溶剤により除去することを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか１項に記載のグリッドの製造方法。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１項に記載の製造方法により得られる、脱離されたサブミリメートル導電性グリッド（５，６）。
【請求項１７】
マザーグリッド（５）及びオーバーグリッド（６）を含むことを特徴とする、請求項１６に記載の脱離されたサブミリメートル導電性グリッド（５，６）。
【請求項１８】
マザーグリッド（５）又はオーバーグリッド（６）に対応することを特徴とする、請求項１６に記載の脱離されたサブミリメートル導電性グリッド（５，６）。
【請求項１９】
マザーグリッド（５）のみ、又は、オーバーグリッド（６）のみ、又は、他には、マザーグリッド及びオーバーグリッドは、ストランド（５０，６０）の間の距離／ストランドのサブミリメートル幅の比が７〜４０であり、及び／又は、ストランド幅が２００ｎｍ〜５０μｍであり、そしてストランド間の距離が５〜５００μｍであることを特徴とする、請求項１６〜１８のいずれか１項に記載の脱離されたサブミリメートル導電性グリッド（５，６）。
【請求項２０】
マザーグリッドのみ、オーバーグリッドのみ、又は、マザーグリッド及びオーバーグリッドは、シート抵抗率が０．１〜３０Ω／スクエアであることを特徴とする、請求項１６〜１９のいずれか１項に記載の脱離されたサブミリメートル導電性グリッド（５，６）。
【請求項２１】
転写基材と呼ばれる基材の主要面に付加されており、前記面に場合により固着されていることを特徴とする、請求項１６〜２０のいずれか１項に記載の脱離されたサブミリメートル導電性グリッド（５，６）。
【請求項２２】
前記転写基材はポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート又はラミネーションインターレイヤであることを特徴とする、請求項２１に記載の脱離されたサブミリメートル導電性グリッド（５，６）。
【請求項２３】
積層多層グレージングユニット（２）の主要面と組み合わされ、特に、ラミネーションインターレイヤ（２’）と接触して組み合わされることを特徴とする、請求項１６〜２２のいずれか１項に記載の脱離されたサブミリメートル導電性グリッド（５，６）。
【請求項２４】
転写基材及び付加されたグリッドの光透過率及び／又は紫外線及び／又は赤外線透過率は７０％〜８６％であることを特徴とする、請求項１６〜２２のいずれか１項に記載の脱離されたサブミリメートル導電性グリッド（５，６）。
【請求項２５】
請求項１６〜２４のいずれか１項に記載の脱離されたサブミリメートル導電性グリッド（５，６）の活性層、特に、加熱層又は電極としての使用であって、可変光学及び／又はエネルギー特性を有する電気化学及び／又は電気制御デバイス、特に、液晶デバイス又は光電池デバイス、又は、他に、発光デバイス、特に、有機もしくは無機発光デバイス、又は、他に、加熱デバイス、又は、場合により、フラットランプ、フラットもしくはチューブ状ＵＶランプ、電磁波遮蔽デバイス、又は、導電性で、特に、透明である層を必要とする他の任意のデバイスにおける使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はサブミリメートル導電性グリッドの製造方法、及びこのようなグリッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
ミクロンサイズの金属グリッドを得ることを可能にする製造技術は知られている。これらは光透過率(TL)をおよそ75〜85%に維持しながら１Ω／スクエア未満の表面抵抗率を達成する点で有利である。これらのグリッドの製造方法は、液体経路による化学的攻撃の方法と組み合わせたフォトリソグラフィー法、又は、レーザーアブレーション技術のいずれかによって金属層をエッチングする技術を基礎とする。たとえば、エポキシタイプの接着剤によって、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）から作られたプラスチックフィルムに結合された１０μｍ銅ホイルが使用される。ホイルをレジストでコーティングし、マスクをとおして露光し、このようにしてグリッドを形成する。この製造では、許容されないほどの製造コストとなり、多数の工程が要求される。さらに、価格はグリッドのサイズとともに、指数関数的に増加する。
【０００３】
さらに、金属もしくは金属被覆ポリマーワイヤの製織を基礎とする自立性導電性グリッドは知られており、それは電磁波遮蔽のために使用される。これらのグリッドは寸法が少なくとも２０μｍであるストランドを有する。これらのグリッドは機械的にあまり強くなく、平坦性欠陥があり、製織及び実装の間に張力を制御する必要があり、又は、他に、多くの欠陥、メッシュの変形、引き裂き、解きほぐしなどの危険性が存在する。
【発明の概要】
【０００４】
本発明は、それゆえ、経済的であり、再現性可能であり、そしていかなるタイプの支持体上でも使用することができる導電性サブミリメートルグリッドの製造方法を提案することにより、従来技術の方法の欠点を克服することを目的とする。
【０００５】
このグリッドの光学特性及び／又は導電特性は、従来技術のものと少なくとも同等である。
【０００６】
この目的のために、本発明の第一の主題は、基材、特に、平坦基材の主要面上におけるサブミリメートルグリッド、特に、サブミクロンサイズ（少なくともグリッド幅について）のグリッドの製造方法であって、
ネットワークマスクと呼ばれるサブミリメートル開口部を有するマスク（１）を（直接的に又は間接的に）主要面上に製造する工程であって、
-溶剤中で安定化されそして分散されたコロイドナノ粒子の溶液からマスキング層を堆積させること、ここで、前記ナノ粒子は所与のガラス転移温度Tgを有する、
-実質的にまっすぐのマスクゾーンの縁（厚さ全体にわたって）を有する、開口部のネットワークを有するマスクが得られるまで、前記マスキング層を前記温度Tgより低い温度で乾燥させること、
を含む工程、
下記のことを下記順序で含む、前記ネットワークマスクから導電性グリッドを形成する工程であって、
-前記開口部の深さの一部分が充填されるまで、１０-5Ω・ｃｍ未満の電気抵抗率を有し、より好ましくは１０-6Ω・ｃｍ未満の電気抵抗率を有する、グリッド材料と呼ばれる少なくとも１つの導電性材料、好ましくは金属材料を堆積させること、
-マザーグリッドと呼ばれる導電性グリッドが露呈するまでマスキング層を除去すること、
-場合により、オーバーグリッド材料と呼ばれる導電性材料を、場合により表面処理されたグリッド材料上に直接的に電着（選択的堆積）により堆積させ、このようにしてオーバーグリッドを形成させること、
を含み、前記マザーグリッドの下層表面は誘電性（電気絶縁性）である工程、
を含み、前記製造方法は、さらに、少なくとも５００ｎｍの厚さを超える少なくともマザーグリッド又は少なくともオーバーグリッドを（有意なストランドの破壊を起こさずに）脱離させることを含む、製造方法である。
【０００７】
第一に、本発明に係る開口部のネットワークを有するマスク及び本発明に係るその製造方法はある数の利点を有する。
【０００８】
このようなマスクはネットワークの少なくとも１つの特徴的方向（それゆえ、基材の表面に対して平行）で、又は、２つ（すべて）の方向でさえ、ランダムな非周期的構造を有する。マザーグリッド（及び随意のオーバーグリッド）のストランドの構成は開口部のネットワークの実質的なレプリカであることができる。
【０００９】
マスクの厚さはサブミクロンサイズから数１０ミクロンであってよい。マスク層がより厚ければ、Ａ（また、Ｂ）がより大きい。
【００１０】
ネットワークマスクゾーンの縁は実質的にまっすぐであり、すなわち、中立面にそって、表面に対して（もし表面が曲面であるならば、接平面に対して）80°〜100°であり、又はさらには85°〜95°である。
【００１１】
まっすぐな縁のために、堆積された層は不連続であり（縁にそって堆積が全くないか又はほとんどない）、そしてマザーグリッドを損傷させることなく、コート化マスクを除去することができる。単純さのために、グリッド材料の堆積のために指向性技術を用いることが好ましいことがある。堆積は開口部を通しかつマスク上の両方で行われることができる。
【００１２】
大気圧プラズマ源を用いて開口部のネットワークをクリーニングすることが可能である。
【００１３】
実質的にまっすぐな縁を得るために、下記の両方が必要である。
-粒子の分散を促進するために、限定されたサイズの粒子、それゆえ、ナノ粒子を選択し、好ましくは少なくとも１つの特徴的（平均）寸法、たとえば、10〜300nm、又は、さらには50〜150nmの平均直径の粒子を選択すること、及び、
-凝集、沈殿及び／又は重力による沈降を防止するために、溶剤中でナノ粒子を安定化させること（特に、界面活性剤などによる表面電荷による処理、又は、ｐＨの制御による）。
【００１４】
さらに、ナノ粒子の濃度は調節され、好ましくは5質量%又はさらには10質量%〜60質量%、より好ましくはさらには20%〜40%に調節される。バインダーの添加は回避される (又は、それはマスクに影響を及ぼさないほど少量で添加される)。
【００１５】
この特定の方法のために、適切な特徴的寸法のランダム（形状及び／又はサイズ）で、非周期的なパターンからなるマスクを低コストで得ることができる:
-ネットワークの開口部の（平均）幅Ａはミクロンサイズであり、又はさらにはナノスケールであり、特に、数百ナノメートル〜数十ミクロンであり、特に、200 nm〜50 μmであり; 
-パターンの（平均）サイズＢ(それゆえ、隣接開口部間のサイズ)はミリメートル又はさらにはサブミリメートルであり、特に5〜500 μm、又は、さらには100〜250 μmであり;
-B/A比は調節可能であり、特に、粒子の性質の関数として調節可能であり、特に、7〜20又はさらには40までで調節可能であり;
-開口部の最大幅と開口部の最小幅との差異は、表面の所与の領域において、又は、表面の大部分にわたり又は全体にわたり、4未満であるか、又は、さらには２以下であり;
-最大パターン寸法と最小パターン寸法との差異は、マスクの所与の領域において、又は、表面の大部分にわたり又は全体にわたり、4未満であるか、又は、さらには２以下であり;
-開口部パターン（非貫通又は「ブラインド」開口部）の量、別の言い方をすれば、相互接続破壊の量は、マスクの所与の領域において、又は、表面の大部分にわたり又は全体にわたり、5%未満であり、又は、さらには2%以下であり、それゆえ、ネットワーク破壊が限定され又はさらにはほとんど０であり、それは場合によりネットワークのエッチングによって低減されそして無くされることができ;
-所与のパターン、又は大部分又はさらにはすべてのパターンでは、マスクの所与の領域において、又は、表面の全体にわたり、パターンの最大特徴寸法とパターンの最小特徴寸法の差異は等方性を強化するために2未満であり; そして
-ネットワークの大部分又はさらにはすべてのセグメントでは、縁は、特に10μm のスケールで、一定の間隔であり、平行である（たとえば、200倍拡大倍率で光学顕微鏡で観測して)。
【００１６】
幅Ａは、たとえば、1〜20 μmであることができ、又は、さらには1〜10 μmであることができ、そしてＢは50〜200 μmであることができる。
【００１７】
本発明の方法により、全表面にわたって広がっていることができる開口部のメッシュを形成することが可能であり、それにより、等方性特性を得ることができる。
【００１８】
開口部（及び、それゆえ、得られるマザーグリッド及び／又はオーバーグリッドのメッシュ）によって区切られるパターンは多様な形状であり、通常、３、４又は５面を有し、たとえば、主として４面を有するものであり、及び／又は、多様のサイズであり、ランダムかつ非周期的に分布されている。
【００１９】
大部分又はすべてのパターンで（各々にメッシュ）、メッシュの隣接面の間の角度は60°〜110°であることができ、特に、80°〜100°であることができる。
【００２０】
１つの形態において、開口部（場合によりほぼ平行）を有する主要ネットワークが得られ、そして、開口部（場合により、平行なネットワークに対してほぼ垂直）を有する第二のネットワークが得られ、その位置及び距離はランダムである。第二の開口部は、たとえば、主要な開口部よりも小さい幅を有する。
【００２１】
これにより、開口部の幅Ａと実質的に同一である平均ストランド幅Ａ’及び（メッシュの）開口部の間の空間と実質的に同一であるストランド間の（平均）空間Ｂ’により画定されるマザーグリッド（及び／又はオーバーグリッド）を次いで製造することが可能になる。
【００２２】
特に、ストランドのサイズＡ’は好ましくは数十ミクロン〜数百ナノメートルであることができる。Ｂ’／Ａ’比は7〜20、又はさらには30〜40で選択することができる。
【００２３】
さらに、一般に規則的でかつ周期的な形状（正方形、長方形）であるフォトリソグラフィーにより製造される従来技術のグリッドの特徴的な寸法は20〜30 μm 幅の金属ストランドのネットワークを形成し、そのストランドは、たとえば、300 μm離れて間隔を開けており、点光源によって照射されるときに回折パターンの源である。ランダムパターンを有するグリッドを製造することがさらにより困難でありかつ高価になるであろう。製造しようとするパターンの各々は特定のマスクを要求するであろう。
【００２４】
従来技術のこの製造技術は、さらに、美的視認可能なパターンを残すのに数十μｍ付近に解像度限界がある。
【００２５】
非常に微細なワイヤの製織物はそれ自体が欠陥を有し、特に、比較的に大きな直径のワイヤ（＞４０μｍ）が要求される。また、製織は周期的なパターンしか製造できない。
【００２６】
本発明に係るネットワークマスクでは、それゆえ、低コストで、他の形状の任意のサイズの不規則なグリッド（マザーグリッド及び／又はオーバーグリッド）を想定することが可能になる。このように、グリッドは少なくとも１つの（グリッド）方向でランダムである。
【００２７】
本発明によると、ストランドの寸法は非常に小さく（数μｍ）、ストランドの厚さは比較的に小さい（脱離されたグリッドの良好な凝集力のためには最小厚が５００ｎｍ）。それゆえ、グリッドは低い電気抵抗（＜２Ω）及び高い光透過率（＞８０％）を有することができる。
【００２８】
本方法は、コロイド溶液の乾燥から製造されるマスクを使用し、このため、マスクの堆積表面は水又は他の溶剤とともに、そして親水性水性溶剤中で必然的に化学的に安定である。
【００２９】
脱離されるグリッド（マザーグリッドのみ、オーバーグリッドのみ、及び、マザーグリッド及びオーバーグリッドともに）の付着性はその下層表面とともに制御され、それによって、一方で、このグリッドがその製造に必要なすべての工程に耐えることができ、かつ、他方で、グリッドが表面から容易に脱離されうるようにプロセスの最後に十分に低いようにされる。
【００３０】
このグリッドが脱離可能であるという事実により、いかなる基材へも転写できることになり、たとえば、ネットワークマスク及び／又は（マザー）グリッドを製造するための１つ以上の（化学、熱などの）工程に耐えない支持体に転写できることになる。
【００３１】
脱離可能なグリッドは、たとえば、自立性であることができる。
【００３２】
脱離可能なグリッドは下層表面から脱離されるように十分に弱い付着性である。
【００３３】
σtを、下層表面からグリッドを脱離させるために、グリッドのストランドに対してかけられた引っ張り応力とする。
【００３４】
σresを、堆積技術から得られるグリッドのこのストランドにおける一般的な圧縮応力の残留応力とする。
【００３５】
ｔを、ストランドの幅と比較して小さいと考えられるグリッドの厚さとする。
νを弾性率とする。
σplastを、脱離されるグリッドの導電性材料の降伏強さとする。
Ｇadhを下層表面上で脱離されるグリッドの接着エネルギーとする。
【００３６】
グリッドの剥離のための条件を下記に示す。
【００３７】
【数１】
2012503715.tif 000003
【００３８】
別の言い方をすると、接着力は、通常、グリッドにおける引っ張り応力が降伏強さよりも十分に低く、そして脱離の間に貯蔵される機械エネルギーが接着力のものよりも大きいように調整される。
【００３９】
すなわち、所与の導電性材料についての接着エネルギーに関する非常に簡単な条件は下記のとおりである。
【００４０】
【数２】
2012503715.tif 000004
【００４１】
本発明の意味では、脱離後のストランド間の相互接続の破壊の量が低く、10％以下であり、さらにより好ましくは1％以下であるならば、ストランドの有意な破壊は存在しないとする。
【００４２】
破壊されたストランドの量は下記のとおりに規定される。
【００４３】
サイズnL×mL(Lはメッシュの平均サイズである)のグリッドのSEM写真を撮る。この写真中の破壊されたストランドの数をKとする（n及びmは１と比較して大きいことが必要である。通常、>10である）。
【００４４】
破壊されたストランドの量Tは下記の定義によって示される。
【数３】
2012503715.tif 000005
【００４５】
脱離されたグリッドを（電気的に）確認するための別の満足できる方法は脱離の前及び後でシート抵抗を測定することである。そして、脱離の前及び後の間のシート抵抗の差は10%以下であることが好ましい。脱離されるグリッドの凝集力を保証するために、材料の十分な厚さを選択することにより、非破壊脱離が可能となる。
【００４６】
1μm又はさらには2μmの脱離される部品の厚さから始めると、脱離がさらに容易となる。
【００４７】
第一の実施形態において、マザーグリッド及び随意のオーバーグリッドは脱離される。
【００４８】
たとえば、導電体材料として、金属材料が選択され、たとえば、銀及び金であり、それは物理蒸着、特に、マグネトロンスパッタリング又は蒸発により堆積される。
【００４９】
たとえば、少なくとも５００ｎｍの銀を堆積させることができる。
【００５０】
たとえば、低接着力のために、下記のものを下層表面として選択することができる。
-基材、特にガラス、
-脱離を優先する永久（非脱離性）サブレイヤ（「モールドリリース」層）、フルオロポリマー、特に、ポリテトラフルオロエチレンPTFEの層、炭素、特に、グラファイトの層、又は、窒化ホウ素の層。
【００５１】
この永久サブレイヤは連続であっても（マスクの形成の前に堆積）、又は、不連続であってもよく、たとえば、マスクの形成後に開口部をとおして堆積されてもよい。モールドリリースサブレイヤは、その表面が疎水性でありかつマスクの溶剤が水性である場合には、マスクの形成後に堆積されることが好ましい。
【００５２】
マザーグリッド及びオーバーグリッド（又はオーバーグリッドのみ）の脱離に関し、金属層はオーバーグリッド材料として電気分解により堆積される。
【００５３】
堆積は、このように、Ag、Cu、Au又は高い導電性を有する別の使用可能な金属から作られた電極を用いた電気分解再充電によって完了される。
【００５４】
基材は必ずしも平坦でなく、たとえば、それは曲がっていてよい（曲がっている、ロール上にある、又は、ロールを形成している）。電気分解による堆積では、２つの電極が一定の距離で離れているように調整される。
【００５５】
オーバーグリッドの厚さは好ましくは１μｍ以上であり、又は、さらには、２μｍ以上である。
【００５６】
金属グリッド層の厚さを増加させ、それにより、グリッドの電気抵抗を低減するために、マザーグリッド上での電気分解（可溶性陽極法）によってオーバーレイヤを堆積させる。この方法により、実際に、良好な透過率を維持しながら、極端に低いシート抵抗（＜０．５Ω）を達成することが可能である。この補助工程の使用により、優れた材料収率が可能になり、たとえば、マザーグリッドのために貴金属を用いる場合に経済的に有利である。この技術は、さらに、続いて行うマスキング又はエッチング工程に頼る必要なく、金属層を局所的にそして高い堆積速度で堆積させることを可能にする唯一の技術である。
【００５７】
少なくともマザーグリッドを脱離させる場合に、脱離された部品を容易に輸送し及び／又は取り扱うように、ネットワークマスクに隣接しそして接触している表面上で導電性グリッド材料を堆積させることにより、グリッドのための周囲（及び／又は中央）機械強化ゾーンを形成することが好ましいことがある。好ましくは、このゾーンはグリッド（及び随意のオーバーグリッド）を包囲する。
【００５８】
機械強化ゾーンを形成するために、マザーグリッドの導電性物質堆積の前に、最初に、マスクの部分除去を行うことができる。周囲機械強化ゾーンはマザーグリッド堆積材料から作られることができ、その材料はネットワークマスクを通し、そしてマスクのない隣接ゾーン上に同時に堆積される。
【００５９】
さらに、マスキング層の性質のために、さらに、ネットワークマスクの一部を、それを損傷させることなく又は下層表面を損傷させることなく選択的に除去することができる。このことは、光学及び／又は機械手段である穏やかでかつ単純な手段により行われる。
【００６０】
ネットワークマスクの材料は、下層表面を損傷することなく除去するのに十分に低い機械強度を有するが、導電性グリッド材料の堆積のためのプロセスの工程に耐えるために十分に強いままである。
【００６１】
ネットワークマスクのこのような除去は、好ましくは自動化されており、それは以下のとおりに行うことができる。
-機械作用、特にブローイング（焦点された空気流など）、非研磨性要素（フエルト、布帛、イレーザータイプ）による摩擦、又は、切断要素（ブレードなど）による切断;
-及び／又は昇華、又は、レーザータイプの手段。
【００６２】
所望の解像度及び除去手段と接触状態でのマスク縁への効果の関数として除去のタイプを選択することが可能である。
【００６３】
１つの実施形態において、基材の全面にわたってマスキング溶液を液体堆積させ（より容易である）、そして、特に、
-（強化、又は、接続装置及び／又は他の電気機能のために）少なくとも１つのソリッドストリップを形成するようにネットワークマスクの１つの縁に少なくとも沿って（好ましくは基材の縁に近接して）;
-互いに向かい合って又は２つの隣接縁上で２つのソリッドストリップを形成するようにネットワークマスクの２つの縁に沿って;及び、
-マザーグリッドの全体の周囲（長方形フレーム、リングなど）にわたってソリッドストリップを特に形成するように、ネットワークマスクの（完全な）アウトラインを提供するようにして、
ネットワークマスクを部分的に除去することが可能である。
【００６４】
逆に、マザーグリッドは非常に化学的に強健でありかつ下層表面に高い付着性を有するように選択でき、それはアノードとして作用し、また、電着によりオーバーグリッドを製造するための「マザーマトリックス」として作用する。
【００６５】
オーバーグリッドのみの脱離では、グリッド材料の付着性を促進するサブレイヤ（単一層又は多層）、特に、NiCr、Ti、Al、Nb、又は、単一もしくは混合のドーピングされ又はドーピングされていない金属酸化物(ITOなど)のサブレイヤの上に、場合により、物理蒸着（蒸発又はマグネトロンスパッタリング）によって、金、銀及び／又は銅から選択された金属材料から作られるマザーグリッドを堆積させる。
【００６６】
又は、他には、適切なプラスチック（必要ならば親水性でありそしてグリッドが良好に接着する）、たとえば、ＰＥＴ（たとえば、必要ならば、親水性となるようにプラズマ処理されたもの）、ＰＭＭＡ（たとえば、必要ならば、親水性となるようにプラズマ処理されたもの）又はポリカーボネート（ＰＣ）上に、場合により、物理蒸着（蒸発又はマグネトロンスパッタリング）によって、金、銀及び／又は銅から選択される金属材料から作られるマザーグリッドを堆積させる。
【００６７】
オーバーグリッドのみの脱離では、マザーグリッドは、Ti、Mo、W、Co、Nb又はTaから選択される金属材料（電着に適合する材料）から作られてよく、その材料はガラス又はグリッドが良好に接着し（そして必要ならば、親水性である）適切なプラスチック、たとえば、ＰＥＴ（たとえば、必要ならば、親水性となるようにプラズマ処理されたもの）ＰＭＭＡ（たとえば、必要ならば、親水性となるようにプラズマ処理されたもの）又はポリカーボネート（ＰＣ）などの選択された基材に十分に付着する。
【００６８】
オーバーグリッドのみの脱離では、金属製マザーグリッドは「モールドリリース層」と呼ばれる層によって表面処理されてよく、その層は好ましくは10nm以下の厚さを有し、場合により、非凝集性であり、特に、
-オルガノシラン層（数層分子厚、2nm未満）、特に、オルガノフルオロシリコン層、
-フルオロポリマーの層、テフロン（登録商標）（ＰＴＦＥ）の層、
-炭素、特にグラファイトの数nmの層、
-六方晶窒化ホウ素の層、
-ステアリン酸の層。
【００６９】
さらに、オーバーグリッドの形成及びオーバーグリッドのみの脱離は連続的に行うことができ、特に、
-マザーグリッドは固定軸（長手軸）を中心に回転する部品、通常、ロール上にあり、該グリッドは部品の表面上に直接的に存在するか又は部品に付加された第一のフィルム、特に可とう性フィルム上にあり、
-マザーグリッドは電着のための電気分解浴中に部分的に浸漬しており、
-前記浴を出るときに、マザーグリッド上のオーバーグリッドがオーバーグリッドのみの転写のために回転対向部品上で第二のフィルム、特に可とう性フィルムと接触される。
【００７０】
そして好ましくは、第二のフィルム、特に可とう性フィルムは一時転写基材であり、それはオーバーグリッドの洗浄のために孔つき又は多孔性であり、そのオーバーグリッドはその一時フィルムに結合されることなく、接触によって転写される。洗浄及び連続乾燥の後に、オーバーグリッドは別のフィルム、好ましくは可とう性フィルムに転写され、それは好ましくはラミネーションインターレイヤ（PVB、EVA、シリコーンなど）である。
【００７１】
マザーグリッド及び／又はオーバーグリッドの脱離は手で（単に掴んで）又はロボットにより行われることができる。マザーグリッド及び／又はオーバーグリッドは転写の前に操作される自立性であることができる。
【００７２】
脱離可能な部品と呼ばれる、少なくともマザーグリッド又は少なくともオーバーグリッドの脱離は、脱離される部品に対する下層の表面よりも小さいタックを有しかつ脱離される部品の表面よりも大きいタックを有する接着性ポリマーフィルムを適用することにより行うことができ、適用は、たとえば、カレンダリングなどの従来法により行われ、その後、脱離された部品を有するポリマーフィルムの除去により行われる。
【００７３】
特に、インターレイヤポリマーフィルム（ラミネーションに対して見て）は好ましく、たとえば、
-ポリビニルブチラールＰＶＢ、
-ポリエチレン／酢酸ビニルＥＶＡ、
-ポリウレタンＰＵ、
-又はシリコーン、
である。
【００７４】
マスクを支える基材又は転写基材は、平坦であっても、曲面であってもよく（曲がりなど）であっても、又は、ロールであってもよい。
【００７５】
その主要面は、長方形でも、正方形でも、又は、他の任意の形状（円形、楕円形、多角形など）でもよい。この基材は大きなサイズであってよく、たとえば、表面積が0.02 m2を超え、又はさらには0.5 m2又は1 m2を超えることができる。
【００７６】
マスクを支える基材は、また、不透明であっても、半透明であってもよく、たとえば、ガラス-セラミック、金属プレート、プラスチックなどである。
転写基材は実質的に透明であってよく、無機であってよく、又は、プラスチック、たとえば、ポリカーボネート(PC)又はポリメチルメタクリレート(PMMA)又はその他にPET、ポリビニルブチラール(PVB)、ポリウレタン(PU)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)などから作られることができる。
【００７７】
マスクを支える基材はサブレイヤ（特に、基材に最も近いベース層）を含んでよく、それは連続であり（マスキング層の下で）、そしてアルカリ金属に対するバリアとなることができる。
【００７８】
転写基材はサブレイヤ（特に、基材に最も近いベース層）を含んでよく、それは連続である（アルカリ金属に対するバリアとなることができる）。
【００７９】
このようなベース層は、導電性物質堆積の場合に、任意の汚染（デラミネーションなどの機械欠陥をもたらしうる汚染）からマザーグリッド材料を保護し、そして追加的に、その導電性を保持する。
【００８０】
ベース層は強健で、種々の技術により堆積させるのが速くかつ容易である。ベース層は熱分解技術、特に、化学気相（「化学蒸着」に関する略語CVDによってしばしば示される技術）として堆積されうる。この技術は本発明に有利である。というのは、堆積パラメータの適切な調節により、強化バリアのための非常に密な層を得ることが可能であるからである。
【００８１】
ベース層は、場合により、アルミニウム及び／又はホウ素によりドーピングされてよく、それにより、真空下でのその堆積物がより安定になる。ベース層は（単一層又は複数層で、場合によりドーピングされていてよい）は10〜150nm、より好ましくは15〜50nmの厚さを有することができる。
【００８２】
ベース層は好ましくは: 
-酸化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、一般式SiOCの層を基礎とする;
-窒化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、オキシカーボン窒化ケイ素、一般式SiNOC、特に、SiN、特に、Si3N4の層を基礎とすることができる。
【００８３】
非常に特定的に、ドーピングされ又はドーピングされていない窒化ケイ素Si3N4から形成されたベース層（支配的に）は好ましいことがある。窒化ケイ素は非常に急速に堆積され、そしてアルカリ金属に対する優れたバリアを形成する。
【００８４】
マスキング層の堆積のための表面はフィルム形成性表面であり、特に、溶剤が水性であるならば好ましくは親水性である。これは
-基材の表面：ガラス、プラスチック（PU, PC）であり、場合により処理されており（たとえば、プラズマにより）、たとえば、PET、PMMAであり、
-又は、場合により、追加の機能性サブレイヤ：
-親水性層（たとえば、PET及びPMMAなどの疎水性プラスチック上のシリカ層）及び／又はアルカリ金属バリア層；
-及び／又は、もしマザーグリッドを維持したいならば、上述のとおり、グリッド材料の付着促進層（最終層として）；
-及び／又は（透明）導電層及び／又は着色もしくは不透明性装飾層
の表面である。
【００８５】
マスク層と基材との間に幾つかのサブレイヤが存在しうる。
【００８６】
本発明の好ましい実施形態において、場合により、下記の調整の一方及び／又はもう一方にさらに頼ることができる：
-グリッド材料堆積はマスク開口部の一部分を充填しかつマスクの表面をカバーする；及び
-グリッド材料の堆積は大気圧堆積で、特にプラズマによる大気圧堆積、スパッタリングによる、蒸発による真空下での堆積である。
【００８７】
このため、その後、周囲温度で行うことができ及び／又は単純であり（特に、必然的に触媒を要求する触媒堆積よりも単純である）及び／又は密な堆積物を提供することができる１つ以上の堆積技術を選択することが可能である。
【００８８】
金属層を堆積するための方法は真空熱蒸着タイプであることができ、それは場合によりプラズマ補助されてよく（Fraunhofer of Dresdenにより開発された技術）、マグネトロンスパッタリングにより得られるよりも堆積速度が大きい。
【００８９】
Ｂ’／Ａ’比 (ストランドのサイズである、ストランドの幅Ａ’に対するストランド間の間隔Ｂ’)を変更することにより、1〜20%のヘイズ値がグリッドについて得られる。
【００９０】
乾燥はマスキング層の収縮及び表面でのナノ粒子の摩擦を表面でもたらし、層内で引張応力となり、緩和により、開口部が形成される。
【００９１】
乾燥は、１つの工程で、溶剤の除去及び開口部の形成をもたらすことができる。
【００９２】
乾燥の後に、ナノ粒子のスタックは様々なサイズの開口部によって分離された様々なサイズのクラスターの形態としてこのように得られる。ナノ粒子は、凝集し得たとしても識別可能である。ナノ粒子は溶融して連続層を形成することはない。
【００９３】
乾燥は開口部のネットワークを形成するためにガラス転移温度よりも低い温度で行われる。実際、このガラス転移温度より高い温度では、全厚にわたって連続層又は何はともあれ開口部を有しない層を形成することが観測された。
【００９４】
このように、（硬い）、好ましくは球形のナノ粒子のスタックのみからなる弱く付着した層は基材上に堆積される。これらの硬いナノ粒子はそれ自身の間又は基材の表面との間のいずれにも強い化学結合を確立しない。層の凝集力はファンデルワールス力又は静電力のタイプの弱い力によってすべて同一に提供されている。
【００９５】
得られたマスクは純粋な冷水又は温水を、特に水性溶剤とともに用いて容易に除去でき、高塩基性溶液又は潜在的に汚染性の有機化合物は必要とされない。
【００９６】
溶液のナノ粒子について十分に高いTgを選択することにより、乾燥工程（好ましくは堆積工程も）は、（実質的に）、50°C未満、好ましくは周囲温度、典型的には20〜25°Cの温度で行われることができる。このため、ゾルゲルマスクと異なり、アニーリング処理は必要ない。
【００９７】
溶液の粒子の所与のガラス転移温度Tg と、乾燥温度との間の差異は好ましくは10°Cより大きく、又は、さらには20°Cよりも大きい。
【００９８】
マスキング層の乾燥工程は、たとえば、真空下での乾燥よりもむしろ大気圧で実質的に行うことができる。
【００９９】
開口部間の距離Ｂ、開口部のサイズＡ及び／又はＢ／Ａ比を調節するために、乾燥パラメータ（制御パラメータ）、特に湿度及び乾燥速度を変更することが可能である。
【０１００】
湿度が高いほど（それ以外のすべてが同一である）、Ａが小さくなる。
温度が高いほど（それ以外のすべてが同一である）、Ｂが大きくなる。
【０１０１】
標準液体技術によりコロイドの溶液（水性又は非水性）を堆積させることができる。
【０１０２】
Ｂ、Ａ及び／又はＢ／Ａ比を調節するために、特に、基材及び基材表面のナノ組織化による密充填コロイド間の摩擦係数、ナノ粒子のサイズ及び初期粒子濃度、溶剤の性質及び堆積技術に依存する厚さから選択される他の制御パラメータを変更することができる。
【０１０３】
濃度が高いほど（それ以外のすべてが同一である）、Ｂ／Ａが小さくなる。
【０１０４】
湿式技術として、以下のものが挙げられる
-スピンコーティング;
-カーテンコーティング;
-ディップコーティング;
-スプレイコーティング;及び
-フローコーティング。
【０１０５】
溶液は既に形成されたナノ粒子とともに自然に安定であることができ、好ましくはポリマー前駆体タイプの反応性要素を全く含まない（又は無視できる量で含む）。
溶剤は好ましくは水性であり、又は、さらには完全に水性である。
【０１０６】
第一の実施形態において、コロイド溶液はポリマーナノ粒子を含む（好ましくは、水性である溶剤又はさらには完全な水とともに）。
たとえば、アクリルコポリマー、スチレン、ポリスチレン、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリエステル又はそれらのブレンドが選ばれる。
【０１０７】
マスキング層（乾燥前）は、このように、識別可能で、特に、ポリマーであるコロイド粒子（それゆえ、溶剤中に不溶性である材料のナノ粒子）のスタックから本質的になることができる。
【０１０８】
このポリマーナノ粒子は好ましくは中実の水不溶性ポリマーからなる。
【０１０９】
表現「本質的になる」とはマスク層がマスクの特性（ネットワークの形成、容易な除去など）に対して影響を及ぼさない他の化合物を微量として場合により含んでよいことを意味するものと理解される。
【０１１０】
コロイド水溶液は好ましくは水及びポリマーコロイド粒子からなり、それゆえ、他のいかなる化学薬剤（たとえば、顔料、バインダー、可塑剤など）を含まない。同様に、コロイド水性分散体は好ましくはマスクを形成するために使用される化合物のみである。
【０１１１】
ネットワークマスクは、乾燥後に、このため、ナノ粒子、好ましくは、ポリマーの識別可能なナノ粒子のスタックから本質的になることができる。ポリマーナノ粒子は中実の水不溶性ポリマーからなる。
【０１１２】
溶液は、代わりに、又は、累加的に、無機ナノ粒子、好ましくはシリカ、アルミナ又は酸化鉄の無機ナノ粒子を含むことができる。
【０１１３】
好ましくは、マスクの除去は液体経路により行われ、グリッドに対して不活性である溶剤、たとえば、水、アセトン又はアルコールにより行われる (場合により、高温及び／又は超音波の補助を受けて)。
【０１１４】
グリッド材料の堆積が行われる前に開口部のネットワークをクリーニングすることが可能である。
本発明は、既に上記で規定した製造方法から形成される、特に自立性である、脱離されたグリッドにも関する。
【０１１５】
グリッド（マザーグリッドのみ、マザーグリッド及びオーバーグリッド、オーバーグリッドのみ）は不規則であることができ、すなわち、ランダムの非周期的なメッシュを有する二次元のメッシュになったストランドのネットワーク（ストランドにより区切られたクローズドパターン）であることができる。
【０１１６】
グリッド（マザーグリッドのみ、マザーグリッド及びオーバーグリッド、オーバーグリッドのみ）は下記の１つ以上の特徴を有することができる。
-ストランド間の（平均）空間（Ｂ’）／ストランドのサブミリメートル（平均）幅（Ａ’）の比が7〜40である;
-グリッドのパターンがランダム（非周期的）であり、様々な形状及び／又はサイズである;
-メッシュが３及び／又は４及び／又は５面を有し、たとえば、たいていは４面を有する;
-グリッドが少なくとも１つの方向に、好ましくは２つの方向に非周期（又はランダム）構造を有する;
-所与の領域における又は全表面にわたる、ほとんどの又はさらにはすべてのメッシュでは、メッシュの最も大きな特徴的寸法とメッシュの最も小さな特徴的寸法との差異が２未満である;
-ほとんどの又はさらにはすべてのメッシュでは、１つのメッシュの２つの隣接面の間の角度が60°〜110°であり、特に、80°〜100°であることができる;
-所与のグリッド領域において又はさらには大部分もしくはすべての表面において、ストランドの最大幅とストランドの最小幅との差異が4未満であり、又は、さらには２以下である;
-所与のグリッド領域において又はさらには大部分もしくはすべての表面において、最大メッシュ寸法（メッシュを形成しているストランド間の空間）と最小メッシュ寸法との差異が4未満であり、又は、さらには２以下である;
-ほとんどの部分で、ストランド縁が、１０μｍのスケールで一定の間隔であり、特に実質的に直線で平行である（たとえば、200倍拡大倍率で光学顕微鏡で観測して)。
【０１１７】
本発明に係るグリッド（マザーグリッドのみ、マザーグリッド及びオーバーグリッド、オーバーグリッドのみ）は等方性電気特性を有することができる。
【０１１８】
本発明に係る不規則グリッドは点光源を回折しないであろう。
【０１１９】
ストランドの厚さ（特に、マザーグリッドのみ）は厚さ方向に実質的に一定であり又は基部でより広くなっていることができる。
【０１２０】
グリッド（マザーグリッドのみ、マザーグリッド及びオーバーグリッド、オーバーグリッドのみ）はストランドの主要ネットワーク（場合により、ほぼ平行である）及びストランドの第二のネットワーク（場合により、平行ネットワークに対してほぼ垂直である）を含むことができる。
【０１２１】
電極グリッド（マザーグリッドのみ、マザーグリッド及びオーバーグリッド、オーバーグリッドのみ）は0.1〜30Ω/スクエアのシート抵抗率を有する。有利には、本発明に係る導電性グリッドは、特に、グリッド厚さが1μm以上で、好ましくは、10μm未満又はさらには5μm以下であるグリッドでは、シート抵抗率が5Ω/スクエア以下であり、又は、さらには1Ω／スクエア以下であり、又は、さらには、0.5Ω／スクエア以下である。
【０１２２】
光透過率はストランド間の平均距離Ｂ’／ストランドの平均幅Ａ’の比Ｂ’／Ａ’に依存する。
【０１２３】
好ましくは、Ｂ’／Ａ’比は5〜15であり、より好ましくは、およそ10であり、それにより、透明性を容易に維持し、そして製造が容易になる。たとえば、Ｂ’及びＡ’はそれぞれ、およそ50μm及び5μmである。
【０１２４】
特に、平均ストランド幅Ａ’は100nm〜30μmから選ばれ、好ましくは、10μm以下であり、又はさらには5μm以下であり、それにより、視認性を制限し、そして1μm以上であり、それにより、製造を容易にしそして高導電性及び透明性を容易に維持する。
【０１２５】
特に、Ａ’より大きいストランド間の平均距離Ｂ’を5μm〜300μm、又はさらには20〜100μmで選択することがさらに可能であり、それにより、透明性を容易に維持することができる。
【０１２６】
ストランドの厚さは100nm〜5μmであることができ、特に、ミクロンサイズであり、より好ましくはなおも0.5〜3μmであり、それにより、容易に透明性及び高導電率を維持することができる。
【０１２７】
本発明に係るグリッド（マザーグリッドのみ、マザーグリッド及びオーバーグリッド、オーバーグリッドのみ）は、大面積にわたって存在することができ、たとえば、表面積は0.02m2以上であり、又はさらには0.5m2以上であり、又は、1m2以上であることができる。
【０１２８】
転写基材は、既に理解されるとおり、実質的に透明であってよい。転写基材は実質的に透明である場合に、そして無機材料（たとえば、ソーダ-ライム-シリカガラス）を基礎とする場合に又はプラスチック（たとえば、ポリカーボネートPC又はポリメチルメタクリレートPMMA）を基礎とする場合にガラス機能を有することができる。
【０１２９】
ＵＶ線を透過させるために、転写基材は好ましくは石英、シリカ、フッ化マグネシウム(MgF2)、フッ化カルシウム (CaF2)、ボロシリケートガラス又は0.05% 未満のFe2O3を含むガラスから選択されうる。
【０１３０】
厚さ3 mmで、例を与える。
-フッ化マグネシウム又はフッ化カルシウムは、ＵＶバンドの全範囲、すなわち、UVA (315〜380nm)、UVB (約280〜315nm)、UVC (200〜280nm)及びVUV (約10〜200nm)にわたって、80%を超える、又は、さらには90%を超える光を透過させる;
-石英及び特定の高純度シリカは、UVA、UVB及びUVC バンドの全範囲にわたり、80%を超え、又は、さらには90%を超える光を透過させる;
-ボロシリケートガラス、たとえば、SchottのBorofloat（登録商標） は、全UVA バンドにわたって70%を超える光を透過させる; 及び、
-0.05%未満の Fe(III)又はFe2O3を含む、ソーダ-ライム-シリカガラス、特に、Saint-GobainのガラスDiamant（登録商標）、PilkingtonのガラスOptiwhite（登録商標）及び、SchottのガラスB270は、全UVA バンドにわたって70%を超え、又はさらには80%を超える光を透過させる。
【０１３１】
しかしながら、ソーダ-ライム-シリカガラス、たとえば、Saint-Gobainにより販売されているガラスPlanilux（登録商標）は360nm超の光の透過率が80%を超え、それは特定の構造及び用途に十分であることができる。
【０１３２】
転写基材は、また、所与の赤外線バンド、たとえば、1 μm〜5 μmで透明となるように選択されうる。たとえば、それはサファイヤであることができる。
【０１３３】
付加グリッド（マザーグリッドのみ、マザーグリッド及びオーバーグリッド、オーバーグリッドのみ）でコーティングされた転写基材の（全体としての）光透過率は、50%以上であることができ、より好ましくは70%以上であり、特に70%〜86%であることができる。
【０１３４】
所与のIRバンド、たとえば、1 μm〜5 μmでの、付加グリッド（マザーグリッドのみ、マザーグリッド及びオーバーグリッド、オーバーグリッドのみ）でコーティングされた転写基材の（全体としての）透過率は50%以上であることができ、より好ましくは70%以上であり、特に、70%〜86%であることができる。目標とされる用途は、たとえば、赤外線視認装置、特に夜間視認装置で用いる加熱グレージングユニットである。
【０１３５】
所与のUVバンドでの、付加グリッド（マザーグリッドのみ、マザーグリッド及びオーバーグリッド、オーバーグリッドのみ）でコーティングされた転写基材の（全体としての）透過率は50%以上であることができ、より好ましくは70%以上であり、特に、70%〜86%であることができる。
【０１３６】
多層ラミネートグレージング（EVA、PU、PVB、シリコーンなどのラミネーションインターレイヤ）は、本発明に係る付加グリッドを有する転写基材を取り込むことができる。
【０１３７】
本発明に係るグリッドはPC、疎水性基材、PETもしくはPMMA(疎水性であり、必ずしも表面処理されていないもの)又はラミネーションインターレイヤ上に付加されうる。
【０１３８】
このラミネーションインターレイヤは、曲げ可能なグリッドを開発し又はこれらのマイクログリッドのエナメル（面２上）との適合性の困難さを回避することで、加熱ラミネート曲面ガラスを単純に得ることを可能にする。この技術により、小さいグレージングゾーン上にグリッドを容易に組み込むことも可能になる。
【０１３９】
これらのグリッドは、その電気特性又は光学特性を大きく変えることなく、標準的なプロセス条件下でラミネーションにより組み立てられる。
【０１４０】
ラミネートグリッドの電気特性はラミネーション前の自立グリッドに対して測定したものと同等である。欠陥はなく、有意な小電力かく乱などがない。
【０１４１】
バスバー（接続装置）には、製織グリッドに知られている任意の技術：ボンディング、ハンダ付け、クリップファスニングなどが使用される。
【０１４２】
本発明に係るグリッドは、特に、有機発光装置(OLED)、特に、ボトムエミッション型OLED 、又は、ボトム／トップエミッション型OLED のための下部電極（基材に最も近い）として使用されうる。
【０１４３】
本発明のさらに別の態様によると、上記のとおり、グリッドの下記のものとしての使用を目標とする。
-可変光学及び／又はエネルギー特性を有する電気化学及び／又は電気制御デバイス、たとえば、液晶デバイスもしくは光電池デバイス、又は、さらには、有機もしくは無機発光デバイス(TFELなど)、ランプ、特に、フラットランプ、又は、場合によりフラットのＵＶランプにおける活性層（単一層又は多層電極）;
-乗物（風防、リアウィンドー、ポートホールなど）、又は、ラジエータ、タオル加熱器又は冷蔵キャビネット（家庭用又は職務用）タイプの電気製品の用途のための加熱デバイスの加熱グリッド、又は、解凍、凝結防止又は防曇作用のためのグリッド;
-デバイス（コンピュータ、ディスプレイスクリーンなど）に免疫を与えるための電磁遮蔽グリッド;
-又は、（場合により（半）透明である）導電性グリッドを要求する他の任意のデバイス。
【０１４４】
このように、導電活性装置（エレクトロクロミック、OLED、光電池、フラットもしくは管状放電ランプ、フラットもしくは管状ＵＶランプ）上での高導電性の透明電極の組み合わせにより、基材上のマイクログリッドの製造方法に適合しない製造工程が可能になる。
【０１４５】
注意として、エレクトロクロミック装置において、「オールソリッド」エレクトロクロミック装置(用語「オールソリッド」とは、本発明の関係において、多層スタックに関してすべての層が無機性であるものと定義される)又は「オールポリマー」エレクトロクロミック装置(用語「オールポリマー」とは、本発明の関係において、多層スタックに関してすべての層が有機性であるものと定義される)、又は、他には、混合又は複合エレクトロクロミック装置 (スタックの層が有機性及び無機性である)、又は、他には、液晶もしくはビオロゲン装置が存在する。
【０１４６】
注意として、放電ランプは活性要素としてリン光体を含む。フラットランプは、特に、若干離れた、一般に数ミリメートル未満で分離された２枚のガラス基材を含み、そして気密にされて、減圧下にガスを含み、その中で、電気放電が一般に紫外線範囲の光線を生成し、それがリン光体を励起し、その後、可視光を発する。
【０１４７】
フラットＵＶランプは同じ構造を有することができ、当然に、壁の少なくとも１つでは、材料はＵＶを透過するように選択される（既に記載したとおり）。UV線はプラズマガスにより直接的に生成され及び／又は適切な追加のリン光体により生成される。
【０１４８】
フラットＵＶランプの例として、特許文献WO2006/090086、WO2007/042689、WO2007/023237及びWO2008/023124を挙げることができ、それらを参照により取り込む。
【０１４９】
電極（アノード及びカソード）間の放電は非共平面（平面-平面）であってよく、面又は厚さで基材にそれぞれ関係したアノード及びカソードであり(両方とも内部又は外部、１つが内部でもう１つが外部、少なくとも１つが基材中など)、たとえば、特許文献WO2004/015739、WO2006/090086又はWO2008/023124に記載されているとおりであり、それらを参照により取り込む。
【０１５０】
ＵＶランプ及びフラットランプにおいて、電極（アノード及びカソード）間の放電は共平面（平面-平面）であってよく (アノード及びカソードが１つの同一の基材上の１つの同一の平面にある)、特許文献WO 2007/023237に記載されるとおりであり、それを参照により取り込む。
【０１５１】
それは別のタイプの照明装置であることができ、つまり、無機発光装置であり、その活性要素がドーピングされたリン光体を基礎とする無機発光層であり、たとえば、ZnS:Cu,Cl; ZnS:Cu,Al; ZnS:Cu,Cl,Mn又は他にCaSもしくはSrSから選ばれる。この層は好ましくは、絶縁層によって電極から分離されている。このようなグレージングの例はEP1553153A明細書 (たとえば、表６中の材料)に記載されている。
【０１５２】
液晶グレージングは可変光散乱グレージングとして使用されうる。それは、ポリマー材料を基礎とし、２つの導電性層の間に配置されるフィルムの使用を基礎とし、液晶のドロップレット、特に正の誘電異方性を有するネマチック液晶のドロップレットは前記材料中に分散されている。フィルムに電圧を課すと、液晶は好ましい方向に配向し、それにより、視認可能になる。電圧が課されないと、液晶は配列せず、フィルムは拡散性となり、視認性を妨害する。このようなフィルムの例は、特に欧州特許EP0238164及び米国特許US4435047、US 4806922及びUS4732456に記載されている。このタイプのフィルムは、一旦、ラミネートされ、２枚のガラス基材の間に導入されると、SAINT-GOBAIN GLASSからPrivaliteのブランド名で販売される。
【０１５３】
実際、用語 “NCAP” (ネマチック曲線配向相)又は “PDLC” (ポリマー分散液晶)又は “CLC” (コレステリック液晶)で知られている液晶を基礎とする任意の要素を使用することができる。
【０１５４】
それは、また、二色性染料を含むこともでき、特に、液晶のドロップレット中、溶液中に含むことができる。それは、その後、装置の光散乱性及び光吸収性を共同で調節することが可能である。
【０１５５】
また、たとえば、少量の架橋したポリマーを含むコレステリック液晶を基礎とするゲルを使用することも可能であり、たとえば、特許文献WO92/19695に記載されている。
【０１５６】
本発明は、また、上記のマスクの製造から得られるようなグリッドを、透過で操作するグレージングに取り込むことに関する。
【０１５７】
用語「グレージング」は広い意味で理解されるべきであり、ガラス及び／又はポリマー材料（たとえば、ポリカーボネートPC 又はポリメチルメタクリレートPMMA）から作られる、ガラス機能を有する、任意の本質的に透明な材料を包含する。キャリア基材及び／又は対基材、すなわち、活性装置に隣接する基材は、剛性であっても、可とう性であっても又は半可とう性であってもよい。
【０１５８】
本発明は、また、これらのデバイスについて見いだすことができる種々の用途、主としてグレージング又はミラーに関する。それらは建築用グレージング、特に屋外用グレージング、屋内パーティション又はグレージング付きドアを製造するのに使用できる。それらはまた、電車、飛行機、車、ボート及び作業場乗物などの乗物用の窓、家根又はインテリアパーティションに使用できる。それらはまた、プロジェクションスクリーン、テレビジョン又はコンピュータスクリーンなどのディスプレイスクリーン、タッチ感応型スクリーン、照明表面及び加熱グレージングに使用できる。
【０１５９】
本発明は以下の限定しない実施例及び図面の補助を得てさらに詳細に説明される。
【図面の簡単な説明】
【０１６０】
【図１】本発明に係る方法において使用されるネットワークマスクの例を表す。
【図２】本発明に係る方法において使用されるネットワークマスクの例を表す。
【図２ａ】本発明に係る方法において使用されるネットワークマスクの例を表す。
【図２ｂ】本発明に係る方法において使用されるネットワークマスクの例を表す。
【図２ｃ】本発明に係る方法において使用されるネットワークマスクの例を表す。
【図２ｄ】本発明に係る方法において使用されるネットワークマスクの例を表す。
【図３ａ】ネットワークマスクのプロファイルを示すSEM写真である。
【図３ｂ】マスキングのない１つのゾーンを有する本発明に係るネットワークマスクの上面図を模式的に示す。
【図４】異なる乾燥フロントを有するマスクを表す。
【図５】異なる乾燥フロントを有するマスクを表す。
【図６】銅オーバーグリッドを有する銀マザーグリッドのSEM写真である。
【図７】脱離後の自立性銅オーバーグリッドを有する銀マザーグリッドの写真である。
【図８】自立性銅オーバーグリッドを有する銀マザーグリッドのSEM写真である。
【図９】ラミネートグレージング中の自立性マザーグリッド及び自立性オーバーグリッドの写真である。
【図１０】オーバーグリッドを形成し、そして可とう性フィルムに連続的にオーバーグリッドのみを転写するための方法を模式的に示す。
【０１６１】
ネットワークマスクの製造
pHが5.1で、粘度が15mPa.sで、40wt%の濃度で水中で安定化された、アクリルコポリマーを基礎とするコロイド粒子の単純なエマルジョンを、湿潤経路技術、スピンコーティングで、たとえば、平坦で無機性であるガラス機能を有する基材の一部分の上に堆積させる。コロイド粒子は特徴的寸法が80〜100nmであり、それはDSMにより、商品名NEOCRYL XK52(商標) で販売されており、Tg が115°Cである。
【０１６２】
その後、コロイド粒子を含む層の乾燥を行い、溶剤を蒸発させそして開口部を形成させる。この乾燥は任意の適切な方法により、Tg よりも低い温度（熱風乾燥など）で行うことができ、たとえば、周囲温度で行うことができる。
【０１６３】
この乾燥工程の間に、その系は再配列し、開口部10及びマスクゾーンのネットワークを含むネットワークマスク１を形成する。それはパターンを描き、その例示の実施形態は図１及び図２に表されている (400μm× 500μmの写真)。
【０１６４】
安定なネットワークマスク１はアニーリング処理に頼ることなく得られ、以下にＡとして参照される開口部の（平均）幅（実際、ストランドのサイズ）及び以下にＢとして参照される開口部間の（平均）空間を特徴とする構造を有する。この安定化されたネットワークマスクは続いて、B/A比により定義される。
【０１６５】
開口部の二次元メッシュネットワークは得られ、「メッシュ」の破壊は（ブロックされた開口部）ほとんどない。
【０１６６】
乾燥温度の影響を評価した。10°Cで20% RHでの乾燥により、80μmメッシュ(図2a)、一方、30°Cで20% RHでの乾燥により、130μmメッシュ (図2b)となった。
【０１６７】
乾燥条件の影響、特に、湿度の影響を評価した。今度はXK52を基礎とする層をフローコーティングにより堆積させ、その層はサンプルの底部及び頂部の間で厚さの変動を与え(10μm〜20μm)、メッシュサイズの変動となる。湿度が高いほど、Ｂが小さくなる。
【０１６８】
【表１】
2012503715.tif 000006
【０１６９】
このB/A比は、また、たとえば、密になったコロイド及び基材の表面の摩擦係数、又は、他には、ナノ粒子のサイズ、又は、さらには、蒸発速度、又は、初期粒子濃度、又は、溶剤の種類、又は、堆積技術に依存する厚さを調節することにより変更される。
【０１７０】
これらの種々の可能性を例示するために、２つの濃度のコロイド溶液(C0 及び0.5×C0)及びディップコータの上昇速度を調節することにより堆積された種々の厚さを用いて下記に実験的設計を与える。濃度及び／又は乾燥速度を変更することによりＢ／Ａ比を変更することができることが観測される。結果を下記表に示す。
【０１７１】
【表２】
2012503715.tif 000007
【０１７２】
コロイド溶液を濃度C0=40%で、種々の厚さのフィルムドロアーを用いることにより堆積させた。これらの実験はストランドのサイズ及びストランドの間の距離がコロイド層の初期厚さを調節することにより変更できることを示す。
【０１７３】
【表３】
2012503715.tif 000008
【０１７４】
最後に、Agノジュールのマスクを介してガラスの表面を大気圧プラズマを用いてエッチングすることにより基材の表面粗さを変化させた。この粗さはコロイドとの接触ゾーンのサイズの程度であり、それが基材とこれらのコロイドの摩擦係数を増加させる。下記の表は摩擦係数を変化させることのＢ／Ａ比及びマスクのモルホロジーに対する効果を示す。同一の初期厚さでより小さいメッシュサイズ及び増加するＢ／Ａ比が得られるようである。
【０１７５】
【表４】
2012503715.tif 000009
【０１７６】
別の例示の実施形態において、１つの上記のコロイド粒子を含む同一のエマルジョンのスピンコーティングによって得られる開口部のネットワークの寸法パラメータを下記に与える。スピンコーティング装置の種々の回転速度はマスクの構造を変化させる。
【０１７７】
【表５】
2012503715.tif 000010
【０１７８】
マスクのモルホロジーに対する乾燥フロントの成長の伝播の効果（図５及び６を参照）を研究した。乾燥フロントの存在により、ほぼ平行な開口部のネットワークを形成することが可能になり、その方向はこの乾燥フロントに対して垂直である。他方、平行なネットワークに対してほぼ垂直な開口部の第二のネットワークが存在し、その位置及びストランド間の距離はランダムである。
【０１７９】
プロセスの実施のこの段階で、ネットワークマスク１が得られる。
【０１８０】
マスクのモルホロジー研究は、開口部がまっすぐなプロファイルを有すること示した。図3aを参照することができ、それはSEMを用いて得た基材２上のマスク１の部分断面図である。
【０１８１】
図3aに表される開口部10のプロファイルは下記の特定の利点を有する。
-厚い厚さの材料を堆積させること、及び、
-マスクの除去後にマスクと適合したパターン、特に厚い厚さを維持すること。
【０１８２】
このようにして得られたマスクはそのまま使用されるか又は種々の後処理により変性されてよい。
【０１８３】
本発明の発明者は、開口部の底部にある有機粒子をクリーニングするための源としてプラズマ源を使用することにより、次に、グリッドとして使用される材料の付着性が改良されることをさらに発見した。
【０１８４】
この形態によると、開口部の底部でコロイド粒子が存在せず、そのため、開口部を満たすために導入される材料（たとえば、非脱離性マザーグリッド）（これは本明細書で詳細に後述する）の、ガラス機能を有する基材との付着性が最大になるであろう。
【０１８５】
例示の実施形態として、酸素／ヘリウム混合物を基礎とするトランスファーアークプラズマを用いた大気圧プラズマ源の補助によるクリーニングにより、開口部の底部で堆積される材料の付着性を改良しかつ開口部を広げることが可能になる。Surfxにより販売される品名 “ATOMFLOW”のプラズマ源を使用することができる。
【０１８６】
別の実施形態において、pHが3で、粘度が200mPa.sで、50wt%の濃度で水中で安定化された、アクリルコポリマーを基礎とするコロイド粒子の単純エマルジョンは堆積される。コロイド粒子は特徴的寸法がおよそ118nmであり、それはDSMにより、商品名NEOCRYL XK 38(商標) で販売されており、Tg が71°Cである。得られるネットワークを図2cに示す。開口部の間の空間は50〜100μmであり、開口部の幅の範囲は3〜10μmである。
【０１８７】
別の実施形態において、特徴的寸法がおよそ10〜20 nmであるシリカコロイドの40%溶液、たとえば、Sigma Aldrichにより販売される製品LUDOX（商標）AS 40を堆積させる。Ｂ／Ａ比はおよそ30であり、図2dに示すとおりである。
【０１８８】
通常、たとえば、有機（特に水性）溶剤中の15%〜50%シリカコロイドの溶液を堆積させることが可能である。
【０１８９】
部分除去
ネットワークマスクは基材の全面を占めることができる。一旦、ネットワークマスクが得られたら、ネットワークマスクの１つ以上の周縁ゾーンを、たとえば、ブローイングなどによって除去し、ゾーン３においてマスクを残し、図３ｂに示すようなマスキングのないゾーン４を形成することができる。
【０１９０】
この除去は下記からなることができる。
-マスクの1つ以上の周縁ストリップ、たとえば、２つの側方（又は縦方向）の平行な長方形ストリップを除去すること;
-マスキングのないゾーン３の外郭を描き、それゆえ、図3bに示すようにマスク1をフレーム化すること。
【０１９１】
機械強化のゾーンはこのようにして得られる。
【０１９２】
マザーグリッドの製造
マスクの部分除去の後に、マザーグリッドと呼ばれるグリッド及び機械強化のゾーン（たとえば、場合により、バスバータイプの接続ゾーンを含む）を導電性物質堆積により製造する。
【０１９３】
これを行うために、マスクを通して、導電性材料を電気的に堆積させる。材料は開口部のネットワークの内部に堆積され、それにより、開口部を充填する。充填はマスクの高さのせいぜい半分程度の厚さまで行われる。
【０１９４】
たとえば、300nmの厚さのAgの層をマグネトロンスパッタリングにより堆積させる。
【０１９５】
又は、アルミニウム、銅、ニッケル、クロム、これらの金属の合金、ITO、IZO、ZnO:Al; ZnO:Ga; ZnO:B; SnO2:F及びSnO2:Sbから特に選ばれる導電性酸化物などが選ばれてもよい。
【０１９６】
この堆積段階は、たとえば、マグネトロンスパッタリングによって行うことができる。
【０１９７】
この特定のグリッド構造のために、低コストで電極を得ることができる。その電極は、高い導電性を有しながら、電気的に制御可能な装置に適合性がある。
【０１９８】
マスクからグリッド構造を現すために、「リフトオフ」操作を行う。この操作はコロイドの凝集力が弱いファンデルワースタイプの力（バインダーを含まず、又はアニーリングにより生じる結合がない）によるものであることにより容易である。コロイドマスクは、その後、水及びアセトンを含む溶液（コロイド粒子の性質の関係でクリーニング溶液を選択する）に浸漬し、その後、濯いで、コロイドでコーティングされたすべての部分を除去する。その現象はコロイド粒子のマスクを分解しそしてグリッドを形成することになる相補部分（材料により充填された開口部のネットワーク）を現すのに超音波を使用することで加速できる。
【０１９９】
ストランドは比較的に滑らかでかつ平行な縁を有する。
【０２００】
本発明に係るグリッドを含む電極は電気抵抗率が0.1〜30Ω／スクエアであり、TLが70〜86%であり、それにより、透明電極としての使用が完全に満足される。
【０２０１】
好ましくは、特にこのレベルの抵抗率を達成するために、マザーグリッドは合計厚が100nm〜5μmである。
【０２０２】
これらの厚さの範囲内で、電極は透明のままであり、すなわち、可視範囲で、グリッドの存在下においても光吸収性が低い（そのネットワークはその寸法のためにほとんど見えない）。
【０２０３】
グリッドは少なくとも１つの方向において非周期的又はランダムな構造を有し、それにより、回折現象を避けることができ、結果として、15〜25%の光掩蔽となる。
【０２０４】
たとえば、幅が700nmであり、10μmの間隔で離れている金属ストランドを有するグリッドは、露出しているときに92%の光透過率であるのと比較して、80%の光透過率の基材を提供する。
【０２０５】
この実施形態の別の利点は、グリッドの反射におけるヘイズ値を調節することができる点である。
【０２０６】
たとえば、ストランド間の空間(寸法B’)が15μm未満の場合には、ヘイズ値はおよそ4〜5%である。
【０２０７】
間隔が100μmでは、ヘイズ値は1%未満であり、Ｂ’／Ａ’が一定である。
【０２０８】
およそ5μmのストランド間隔（B’）で、0.3μmのストランドサイズA’では、およそ20%のヘイズ値が得られる。ヘイズ値が5%を超えると、界面で光を除去するための手段又は光を捕捉するための手段としてこの現象を用いることができる。
【０２０９】
マスク材料を堆積させる前又はその後に、マザーグリッド材料の付着性を向上させるサブレイヤを堆積させ、特に、真空蒸着させることができる（オーバーグリッドのみが脱離される）。
【０２１０】
たとえば、ITO、NiCr又は他にはTiが堆積され、そしてグリッド材料として、銀が堆積される。
【０２１１】
オーバーグリッドの製造
選択された金属、たとえば、銀のマザーグリッド層の厚さを増加させ、そしてそれにより、グリッドの電気抵抗を低減させるために、銅のオーバーレイヤ（オーバーグリッド）を、露出している銀のマザーグリッド上に電気分解（可溶性陽極法）により堆積させた。
【０２１２】
銀グリッドで被覆したガラスは実験装置のカソードを構成し、そしてアノードは銅シートからなる。それは、溶解により、堆積プロセス全体を通してCu2+イオンの濃度、そしてそれにより堆積速度を一定に維持する役割を有する。
【０２１３】
電気分解溶液（浴）は硫酸銅の水溶液(CuSO4・5H2O = 70gl-1)であり、それに、50mlの硫酸 (H2SO4, 10N)を添加する。電気分解の間の溶液の温度は23±2°Cである。
【０２１４】
堆積条件は以下のとおりである:電圧< 1.5V及び電流< 1A。
3〜5cmの間隔で離れており、同一のサイズであるアノード及びカソードが平行に配置され、それにより、垂直な電場線を得る。
【０２１５】
銅の層は銀グリッド上で均一である。堆積の厚さは電気分解時間及び電流密度、さらには堆積のモルホロジーとともに増加する。結果を下記の表に示す。
【０２１６】
【表６】
2012503715.tif 000011
【０２１７】
これらのグリッドに対して行うSEM観察はメッシュのサイズが30μm ± 10μmであることを示し、そしてストランドのサイズが2〜5μmであることを示す。
【０２１８】
図６は銅ストランド６０を有する銅オーバーグリッド６を有する銀マザーグリッドのSEM写真である。
【０２１９】
Agのガラスに対する接着性が低く、銅グリッドの固有機械強度が良好であり、銅の銀に対する接着性が良好であり、そしてCu+Ag層内にある圧縮応力によって、マイクログリッドを基材から容易に脱離させることが可能になる。
【０２２０】
銀グリッド上に電気分解により堆積される銅層の厚さが大きくなるほど、通常、２μｍより大きくなると、銀上に電着される銅の良好な凝集力のために、グリッドは凝集力を失うことなくガラス基材からより容易に脱離する。
【０２２１】
その後、ラミネートされうるPVB又はポリウレタンタイプの２枚のインターレイヤの間にそのグリッドを転写することは容易である。
【０２２２】
銅オーバーグリッド６を有する銀マザーグリッド５はガラス支持体から脱離された。図７は自立構造（グリッド及びオーバーグリッド）を示す写真である。
【０２２３】
この自立性グリッドに対して行われるSEM観察は、グリッドが脱離工程によって分解されず、メッシュのサイズは維持され、そしてストランドは破壊されないことを示す（図８を参照）。堆積された銅の層は銀に対して良好に付着されたままである。
【０２２４】
図８は１６Ｌ×２２Ｌ（Ｌはメッシュの平均サイズである）のサイズを有するグリッドのSEM写真である。
【０２２５】
Ｋをこの写真において破壊されたストランドの数として、破壊されたストランドの量は下記定義により記載される。
【０２２６】
【数４】
2012503715.tif 000012
【０２２７】
Ｋ＝１９（±５）では、Ｔ＝２．５％が得られる。
【０２２８】
自立性構造（グリッド５及びオーバーグリッド６）は、その後、図９に示すとおり、２枚のガラス２の間にポリウレタンインターレイヤ２’とともにラミネートされる。
【０２２９】
高い光透過性（及び低いヘイズ値）を示し、そして銅の反射特性で残存赤色を示す。
【０２３０】
ラミネート化グリッドの電気特性はラミネーション前の自立性構造に対して測定したものと同等である。劣化又は有意な小電力攪乱が起こらない。
【０２３１】
その構造体は付着性銅ホイルの形態で電流フィードを含む。
【０２３２】
例示として、この図９は、左側にグリッドを有しないグレージング２の部分、及び、右側に自立性構造（グリッド５及びオーバーグリッド６）を有するグレージング２の部分を示している。
【０２３３】
１つの形態において、マスク材料を堆積させる前に、マザーグリッド材料の付着性を促進するサブレイヤを堆積させることができる。
たとえば、ITO、NiCr又は他にはTiが堆積され、そしてグリッドとして銀が堆積される。
【０２３４】
このマザーマトリックス上に、グラファイトの薄い層（<10nm）を堆積させ、それは「モールドリリース」剤として作用し、そして、その後、上述のとおりに銅グリッドを電着により成長させる。別のモールドリリース剤はオルガノシラン層であることができる。
【０２３５】
図１０はロール７０を回転させることによりオーバーグリッドを形成し、そしてそのオーバーグリッドのみを可とう性フィルムに連続的に転写させる方法を模式的に示している（縮尺通りでない）。
【０２３６】
マザーグリッド５をPETの可とう性フィルム７１上に正確な寸法で堆積させる。PETは水性溶剤中でのマスクの堆積のためにプラズマ処理により事前に親水性にされている。金属銀（又は変法として、銅）層は好ましくは表面において（プラズマにより）若干酸化されている。これにより、フッ素化シランによるグラフト化（又は変法として、シリコーンの堆積）を容易にし、その表面を「非付着性」とし、このモールドリリース処理（示していない）は恒久的となる。金属層は導電性を維持し、そして電極として使用される。
【０２３７】
フィルム７１を、その後、電気分解ロール７０に取り付け、このロールは好ましくは誘電性であり、たとえば、ポリマーから作られている。電気分解を行う：マザーグリッド５から一定の距離である対電極７３を備えた電気分解浴７２において銅の堆積を行う。
【０２３８】
銅の厚さはロール７０が回転するときに徐々に増加する。
【０２３９】
オーバーグリッド６は、好ましくは順応性ポリマーから作られた第一の転写ロール８０上を通過し、そのロール８０は孔つきもしくは多孔性フィルム８１（移動している又はさらには巻かれた可とう性フィルム）を支持しており、そのフィルム８１は、たとえば、ポリオレフィンタイプのポリマーフィルムである。フィルム８１のタックは電気分解ロール７０からフィルム８１に接触によりオーバーグリッドが転写されるが、オーバーグリッド６がこのフィルムに結合されないように調節される。
【０２４０】
その後、オーバーグリッド６を第二の孔つきもしくは多孔性の、たとえば、フォームのロール８２を用いて洗浄する（微量の酸、残留塩などの除去）。水をフォームに通し、そしてたとえば、洗浄タンク８２’において回収する。孔つきフィルム８１及びオーバーグリッド６を、その後、圧縮空気ノズル８３’を用いて乾燥する。
【０２４１】
その後、ロール８３上を移動する又はこのレシーバロール８３（レシーバリール）上に巻き取られる、上記の孔つきフィルムからオーバーグリッド６を脱離させる。
【０２４２】
このロール８３とロール８４との間で、可とう性支持体、たとえば、ラミネーションインターレイヤ８５（EVA、シリコーン、PVBなど）を導入し、それがオーバーグリッド６を受け取る。
【０２４３】
たとえば、３０〜６０℃で加熱されうる最終ロール８６で圧力（たとえば、３〜２０Ｐａ）をかけることによってオーバーグリッド６をインターレイヤ８５上でプレスし、オーバーグリッド６の付着性を強化する。
【０２４４】
変法として、マザーグリッドを、たとえば、シリカロール上に蒸着により堆積させる。
【０２４５】
上記のとおり、本発明は、グリッドが活性層として（たとえば、電極として）組み込まれることができる、種々のタイプの電気化学又は電気制御装置に応用されうる。本発明は、より詳細には、エレクトロクロミック装置、液晶デバイスもしくはビオロゲン装置、発光装置（ＯＬＥＤ、ＴＦＥＬなど）、ランプ、特にフラットランプ及びＵＶランプに関する。このように製造された金属グリッドは、また、同様に、風防中の加熱要素又は電磁波遮蔽材を形成することができる。
【図１】
2012503715.tif 000013
【図２】
2012503715.tif 000014
【図２ａ】
2012503715.tif 000015
【図２ｂ】
2012503715.tif 000016
【図２ｃ】
2012503715.tif 000017
【図２ｄ】
2012503715.tif 000018
【図３ａ】
2012503715.tif 000019
【図３ｂ】
2012503715.tif 000020
【図４】
2012503715.tif 000021
【図５】
2012503715.tif 000022
【図６】
2012503715.tif 000023
【図７】
2012503715.tif 000024
【図８】
2012503715.tif 000025
【図９】
2012503715.tif 000026
【図１０】
2012503715.tif 000027
【国際調査報告】
2012503715.tif 000028
2012503715.tif 000029
2012503715.tif 000030
2012503715.tif 000031