Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月1日(2009.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ
【化１】
2008541440.tif 000001
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のそれぞれは、独立して、Ｈ、非置換又は置換されているアルキル、非置換又は置換されているアルケニル、非置換又は置換されているアルキニル、非置換又は置換されているアリール、ハロゲン、置換されているシリル、ＸＲ６から選択されるか；あるいは、Ｒ１及びＲ２、Ｒ２及びＲ３、Ｒ３及びＲ４の一つ以上が、それらが結合する炭素原子と一緒になって、飽和又は不飽和の、非置換又は置換されている炭素環又は複素環を形成し；
Ｒ５は、ＯＲ７、ＳＲ７、ＮＲ７Ｒ８、非置換もしくは置換されているアルキル、非置換もしくは置換されているアルケニル、非置換もしくは置換されているアルキニル又は非置換もしくは置換されているアリールであり；
Ｒ６は、置換されているシリル、非置換又は置換されているアルキル、非置換又は置換されているアルケニル、非置換又は置換されているアルキニル、非置換又は置換されているアリールであり；
Ｒ７は、Ｈ、非置換又は置換されているアルキル、非置換又は置換されているアルケニル、非置換又は置換されているアルキニル、非置換又は置換されているアリールであり；
Ｘは、Ｏ、Ｓ、ＮＲ８であり；
Ｒ８は、Ｈ、非置換又は置換されているアルキル、非置換又は置換されているアルケニル、非置換又は置換されているアルキニル、非置換又は置換されているアリールである）
のアザペリレン有機半導体を含む半導体素子又は半導体要素含有素子。
【請求項２】
式Ｉ中、
各アルキルが、Ｏ、Ｓ、ＣＯＯ、ＯＣＮＲ１０、ＯＣＯＯ、ＯＣＯＮＲ１０、ＮＲ１０ＣＮＲ１０又はＮＲ１０（Ｒ１０は、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ12アルキル、Ｃ4〜Ｃ12シクロアルキルである）によって中断されていてもよいＣ1〜Ｃ22から選択され；
各アリールが、Ｏ、Ｎ及びＳから選択される１又は２個のヘテロ原子を環構造の一部として含有していてもよいＣ4〜Ｃ18芳香族基から選択され、好ましいアリールが、フェニル、ナフチル、ピリジル、テトラヒドロナフチル、フリル、チエニル、ピリル、キノリル、イソキノリル、アントラキニル、アントラシル、フェナントリル、ピレニル、ベンゾチアゾリル、ベンゾイソチアゾリル、ベンゾチエニルから選択され；置換基は、存在する場合、炭素原子に結合し、Ｃ1〜Ｃ22アルコキシ、Ｃ1〜Ｃ22アルキル、Ｃ4〜Ｃ12シクロアルコキシ、Ｃ4〜Ｃ12シクロアルキル、ＯＨ、ハロゲン、フェニル、ナフチルから選択され；飽和炭素がオキソ（＝Ｏ）によって置換されていてもよく、隣接する２個の置換基が、それぞれの水素原子の削減によって連結していてもよい、請求項１記載の半導体素子。
【請求項３】
式Ｉの化合物が、構造III
【化２】
2008541440.tif 000002
（式中、
Ｒは、独立して、Ｈ、ハロゲン、ＯＨ、非置換又は置換されているアルキル、非置換又は置換されているアルコキシ、非置換又は置換されているアルキルチオ、非置換又は置換されているアリールであり、
Ｒ７は、独立して、Ｈ、アルキル、アルケニル又はアルキニル、特にアルキルであり、
好ましくは、Ｒ及びＲ７の少なくとも一つが、Ｃ4〜Ｃ22アルキル、Ｃ10〜Ｃ22フェニルアルキル又は脂肪族部分がＯ、Ｓ、ＮＲ１０、ＣＯＯ、ＯＣＮＲ１０、ＯＣＯＯ、ＯＣＯＮＲ１０、ＮＲ１０ＣＮＲ１０によって中断されている前記残基から選択される）
に当てはまる、請求項２記載の半導体素子。
【請求項４】
ダイオード、有機電界効果トランジスター又はダイオード及び／もしくは有機電界効果トランジスタを含む素子である、請求項１記載の半導体素子。
【請求項５】
Ｒ１〜Ｒ７の少なくとも一つが炭素原子４個以上のアルキル又はアルキレン鎖を含み、特に、Ｒ１〜Ｒ７の一つ又は二つが、Ｃ4〜Ｃ22アルキル、Ｃ10〜Ｃ22フェニルアルキルから選択される残基又は脂肪族部分がＯ、Ｓ、ＮＲ１０、ＣＯＯ、ＯＣＮＲ１０、ＯＣＯＯ、ＯＣＯＮＲ１０、ＮＲ１０ＣＮＲ１０によって中断されている前記残基を含む請求項１の式Ｉのアザペリレン化合物の有機溶媒溶液を適当な基材に塗布し、前記溶媒を除去することを含む、有機半導体素子を調製する方法。
【請求項６】
有機半導体素子を調製する方法であって、式II′
【化３】
2008541440.tif 000003
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、請求項１の式Ｉで定義したとおりであり、
ＸはＯであり、
Ｒ′は、Ｈ、非置換又は置換されているアルキル、非置換又は置換されているアリールである）
のアザペリレン前駆体を６０〜５００℃の範囲の温度で加熱することを含む方法。
【請求項７】
式Ｉ′
【化４】
2008541440.tif 000004
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のそれぞれは、独立して、Ｈ、非置換又は置換されているアルキル、非置換又は置換されているアルケニル、非置換又は置換されているアルキニル、非置換又は置換されているアリール、ハロゲン、Ｓi（Ｒ１１）3、ＸＲ６であるか；あるいはＲ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、Ｒ３とＲ４の一つ以上が、それらが結合する炭素原子と一緒になって、飽和又は不飽和の、非置換又は置換されている炭素環又は複素環を形成し；
Ｒ５は、Ｈ、ＯＲ７、ＳＲ７、ＮＲ７Ｒ８、非置換もしくは置換されているアルキル、非置換もしくは置換されているアルケニル、非置換もしくは置換されているアルキニル又は非置換もしくは置換されているアリールであり；
Ｒ６は、Ｓi（Ｒ１１）3、非置換又は置換されているアルキル、非置換又は置換されているアルケニル、非置換又は置換されているアルキニル、非置換又は置換されているアリールであり；
Ｒ７は、Ｈ、非置換又は置換されているアルキル、非置換又は置換されているアルケニル、非置換又は置換されているアルキニル、非置換又は置換されているアリールであり；
Ｘは、Ｏ、Ｓ、ＮＲ８であり；
Ｒ８は、Ｈ、非置換又は置換されているアルキル、非置換又は置換されているアルケニル、非置換又は置換されているアルキニル、非置換又は置換されているアリールであり、
Ｒ１１は、Ｃ1〜Ｃ20アルキル又はＣ1〜Ｃ20アルコキシであり、
ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６、Ｒ７の少なくとも一つが、Ｃ4〜Ｃ22アルキル、Ｃ10〜Ｃ22フェニルアルキル又はＯ、Ｓ、ＮＲ１０、ＣＯＯ、ＯＣＮＲ１０、ＯＣＯＯ、ＯＣＯＮＲ１０、ＮＲ１０ＣＮＲ１０によって中断されている前記残基である）
の化合物。
【請求項８】
有機電界効果トランジスタの調製又は動作のための有機半導体としてのアザペリレン類又はその前駆体の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月9日(2009.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の成分：
（ａ）少なくとも１種の水溶性または水混和性有機溶媒、
（ｂ）少なくとも１種の中和されていない無機リン含有酸、および、
（ｃ）水
を必ず含み、場合により、
（ｄ）少なくとも１種の界面活性剤、
（ｅ）少なくとも１種の腐食阻害剤、および、
（ｆ）少なくとも１種の金属キレート化または錯体化剤、
を含み、無機リン含有酸成分を中和する有機アミン、ヒドロキシルアミンおよび強塩基を含まない、マイクロエレクトロニクスの基板を洗浄するための組成物。
【請求項２】
水混和性有機溶媒が、本質的に組成物の約３５重量％ないし約９５重量％を占め、有機溶媒成分の中和されていない無機リン含有酸成分に対する重量比が、約３：１ないし約４０：１の範囲にある、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
水が、組成物の重量に基づき、約５％ないし約１０％の量で組成物中に存在する、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
中和されていない無機リン含有酸が、亜リン酸（Ｈ３ＰＯ３）、次亜リン酸（Ｈ３ＰＯ２）およびリン酸（Ｈ３ＰＯ４）からなる群から選択される酸を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
水溶性または水混和性有機溶媒成分が、Ｎ−メチルピロリジノン、スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコール、プロピレングリコールおよびジメチルアセトアミドからなる群から選択される、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
中和されていない無機リン含有酸が、亜リン酸（Ｈ３ＰＯ３）、次亜リン酸（Ｈ３ＰＯ２）およびリン酸（Ｈ３ＰＯ４）からなる群から選択される酸を含む、請求項２に記載の組成物。
【請求項７】
水溶性または水混和性有機溶媒成分が、Ｎ−メチルピロリジノン、スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコール、プロピレングリコールおよびジメチルアセトアミドからなる群から選択される、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
中和されていない無機リン含有酸が亜リン酸（Ｈ３ＰＯ３）を含む、請求項６に記載の組成物。
【請求項９】
中和されていない無機リン含有酸が次亜リン酸（Ｈ３ＰＯ２）を含む、請求項６に記載の組成物。
【請求項１０】
１−ヒドロキシエタン−１,１,−ジホスホン酸が腐食阻害剤として存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
マイクロエレクトロニクスの基板の洗浄方法であって、該基板は、フォトレジスト重合性物質、残渣および金属を含有し、該方法は、該基板を、洗浄組成物と、該基板を洗浄するのに十分な時間接触させることを含み、ここで、該洗浄組成物は、以下の成分：
（ａ）少なくとも１種の水溶性または水混和性有機溶媒、
（ｂ）少なくとも１種の中和されていない無機リン含有酸、および、
（ｃ）水
を必ず含み、場合により、
（ｄ）少なくとも１種の界面活性剤、
（ｅ）少なくとも１種の腐食阻害剤、および、
（ｆ）少なくとも１種の金属キレート化または錯体化剤、
を含み、無機リン含有酸成分を中和する有機アミン類、ヒドロキシルアミン類および強塩基を含まないものである、方法。
【請求項１２】
水混和性有機溶媒が、本質的に組成物の約３５重量％ないし約９５重量％を占め、有機溶媒成分の中和されていない無機リン含有酸成分に対する重量比が、約３：１ないし約４０：１の範囲にある、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
水が、組成物の重量に基づき、約５％ないし約１０％の量で組成物中に存在する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
中和されていない無機リン含有酸が、亜リン酸（Ｈ３ＰＯ３）、次亜リン酸（Ｈ３ＰＯ２）およびリン酸（Ｈ３ＰＯ４）からなる群から選択される酸を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
水溶性または水混和性有機溶媒成分が、Ｎ−メチルピロリジノン、スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコール、プロピレングリコールおよびジメチルアセトアミドからなる群から選択される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
中和されていない無機リン含有酸が、亜リン酸（Ｈ３ＰＯ３）、次亜リン酸（Ｈ３ＰＯ２）およびリン酸（Ｈ３ＰＯ４）からなる群から選択される酸を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
水溶性または水混和性有機溶媒成分が、Ｎ−メチルピロリジノン、スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコール、プロピレングリコールおよびジメチルアセトアミドからなる群から選択される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
中和されていない無機リン含有酸が亜リン酸（Ｈ３ＰＯ３）を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
中和されていない無機リン含有酸が次亜リン酸（Ｈ３ＰＯ２）を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
１−ヒドロキシエタン−１,１,−ジホスホン酸が腐食阻害剤として存在する、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月7日(2008.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報ビットを格納する相変化材料（ＰＣＭ）素子と、
前記情報ビットを変えるための、前記ＰＣＭ素子の外にある加熱素子と、
前記情報ビットを変える速度を増すための冷却素子と、を備えるメモリ・セル。
【請求項２】
前記ＰＣＭ素子は、前記ＰＣＭの層を含み、前記メモリ・セルの情報状態は、前記加熱素子から所定の距離にある前記相変化材料の一部分の構造状態によって決定され、前記構造状態が、前記ＰＣＭの非晶質状態および前記ＰＣＭの結晶状態のうちの１つを含む、請求項１に記載のメモリ・セル。
【請求項３】
前記ＰＣＭは、カルコゲナイド・ガラスを含む、請求項１に記載のメモリ・セル。
【請求項４】
前記ＰＣＭは、
三元ゲルマニウム・アンチモン・テルル（ＧｅＳｂＴｅすなわちＧＳＴ）組成物、および
二元ゲルマニウム・アンチモン（ＧｅＳｂ）組成物、のうちの１つを含む、請求項１に記載のメモリ・セル。
【請求項５】
前記相変化材料の一部分は薄い層を含み、前記薄い層は、５〜１０ｎｍの範囲の厚さを有する前記ＰＣＭの層を含む、請求項２に記載のメモリ・セル。
【請求項６】
前記ＰＣＭ層はチップの上の薄膜を含む、請求項１に記載のメモリ・セル。
【請求項７】
前記加熱素子は、
ペルチエ・ストリップと、
正の熱電力特性を有する電極とを含む、請求項１に記載のメモリ・セル。
【請求項８】
前記冷却素子は、
ペルチエ・ストリップと、
負の熱電力特性を有する電極とを含む、請求項１に記載のメモリ・セル。
【請求項９】
前記ＰＣＭ素子は、前記加熱素子および前記冷却素子のうちの少なくとも１つに直接接触している、請求項１に記載のメモリ・セル。
【請求項１０】
前記加熱素子および前記冷却素子のうちの少なくとも１つは、熱絶縁性層の中に埋め込まれている、請求項１に記載のメモリ・セル。
【請求項１１】
前記メモリ・セルへの電圧の印加を制御するスイッチング素子をさらに備える、請求項１に記載のメモリ・セル。
【請求項１２】
前記メモリ・セルは、メモリ・アレイを形成するように行と列のアレイに配列された複数のメモリ・セルを含み、前記メモリ・アレイが、さらに、
前記行ごとのワード線であって、前記行の各メモリ・セルに接続されたワード線と、
前記列ごとのビット線であって、前記列の各メモリ・セルに接続されたビット線と、
各前記ビット線に接続するセンスアンプと、を含む、請求項１に記載のメモリ・セル。
【請求項１３】
前記ＧＳＴ組成物は、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５（ＧＳＴ２２５）を備える、請求項４に記載のメモリ・セル。
【請求項１４】
前記ペルチエ・ストリップは、ＴｉＮを備える、請求項７または８に記載のメモリ・セル。
【請求項１５】
前記正の熱電力特性を有する前記電極は、
組成物ＡＴ４Ｓｂ１２を有するアルカリ土充満スクッテルド鉱（ここで、Ａ＝Ｃａ、ＳｒまたはＢａ、およびＴ＝ＦｅまたはＲｕであり）、
スクッテルド鉱ＩｒＳｂ３、ＨｆＴｅ５またはＺｒＴｅ５、および、
組成物ＡＴ４Ｘ１２（ここで、Ａ＝Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、ＮｅまたはＥｕ、Ｔ＝Ｆｅ、ＲｕまたはＯｓ、およびＸ＝Ｐ、ＡｓまたはＳｂであり）、
のうちの１つを備える、請求項７に記載のメモリ・セル。
【請求項１６】
前記負熱電力特性を有する前記電極は、
ハーフ・ホイスラー型合金ＭＮｉＳｎ（ここで、Ｍ＝Ｚｎ、ＨｆまたはＴｉであり）、および、
組成物ＡｇＰｂｍＳｂＴｅ２＋ｍを有する立方結晶系カルコゲニド、のうちの１つを備える、請求項８に記載のメモリ・セル。
【請求項１７】
前記スイッチング素子は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を備える、請求項１１に記載のメモリ・セル。
【請求項１８】
行と列のアレイに配列された複数のメモリ・セルと、
少なくとも１つの前記行のワード線であって、前記行の少なくとも１つのメモリ・セルに接続されたワード線と、
少なくとも１つの前記列のビット線であって、前記列の少なくとも１つのメモリ・セルに接続されたビット線と、
各前記ビット線に接続するセンスアンプと、を備えるメモリ・アレイを備える装置であって、前記メモリ・セルの少なくとも１つが、
相変化材料（ＰＣＭ）素子と、
前記ＰＣＭ素子の外にある加熱素子と冷却素子と、を含む装置。
【請求項１９】
ビット情報を格納する相変化材料（ＰＣＭ）素子と、
前記ＰＣＭ素子の表面の直ぐ近くに位置するペルチエ・デバイスであって、前記ＰＣＭ素子の前記表面を加熱するように、また前記ＰＣＭ素子の前記表面を冷却するように、選択的に作用するペルチエ・デバイスと、を備えるメモリ・セルであって、
前記情報ビットが、前記ペルチエ・デバイスの直ぐ近くの前記表面に隣接したＰＣＭ層の中の前記ＰＣＭ素子に格納され、前記情報ビットを格納する前記ＰＣＭ層の厚さがナノスケールの範囲にある、メモリ・セル。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月16日(2009.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反復導電パターンを備えている多層製品を作製する方法であって、
能動素子構成の領域で用いる反復パターン構成を決定することと、
パターン付き導電材の少なくとも一つの層を有し、該層が組み立てた時に連続ウェブからさまざまな前記能動素子構成の領域が形成されるように、前記反復導電パターンを形成するために構成されている多層製品の連続ウェブを形成すること、
とを含む方法。
【請求項２】
カスタマイズされた能動素子を形成するために、前記連続ウェブを変更することを含み、前記連続ウェブを形成することは、前記連続ウェブ上にラミネート層を形成することを含み、前記連続ウェブを変更することは、前記導電材の一部分を露出させるために、ラミネート層を介して少なくとも１つの貫通孔を切断することを含み、さらに、前記反復導電パターン上の所定の場所に位置合わせするために、前記ウェブの前記少なくとも１つの層の前記貫通孔と前記ラミネート層を整列させることを含み、前記反復導電パターンの部分が、連続ウェビングの前記第１及び第２の層の間に封入され、連続ウェビングの前記第１及び第２の層の少なくとも１つがその中に形成されている貫通孔を有し、前記最終製品が接触デバイスである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記連続ウェブを形成することは、
連続ウェビングストックの第１のロールであって、その上に前記反復導電パターンの第１の部分が形成される該第１のロールを提供すること、
連続ウェビングストックの第２のロールであって、その上に前記反復導電パターンの第２の部分が形成される該第２のロールを提供すること、
連続ウェビングストックの前記第１及び第２のロールを合わせてラミネートすること、を含み、
前記反復導電パターンの前記第１及び第２の部分が、前記連続ウェブを形成する工程中に、互いに対して位置合わせされている、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第１のロールの反復パターンの部分が、ウェビングストックの前記第１のロールの長さに沿って延びている複数の平行導電トレースを含み、前記第２のロールの反復パターンの部分が、ウェビングストックの前記第２のロールの幅を横切って横方向に延びている複数の平行導電トレースを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも一つの接触デバイスを含む異なる構成である複数の電子素子を作製する方法であって、
前記複数の電子素子に共通し、導電トレースのグリッドを含む反復導電パターンを定めることと、
一緒に前記反復導電パターンを構成する導電材の少なくとも２つの層を有する多層製品の連続ウェブを形成することであって、連続ウェブを形成することが、連続ウェビングストックの第１のロールであって、前記反復導電パターンの第１の部分がその上に形成される第１のロールを提供することと、連続ウェビングストックの第２のロールであって、前記反復導電パターンの第２の部分がその上に形成され第２のロールを提供することと、連続ウェビングストックの前記第１及び第２のロールを合わせてラミネートすることと、導電材から成る別個の層として前記グリッド部分を形成することと、を含み、
前記異なる電子素子構成用の設計パラメータを用意することと、
多層製品の前記連続ウェブを形成しながら、前記複数の電子素子の特徴を含むために、設計パラメータに従って前記多層製品を修正することと、を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月23日(2009.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐衝撃装置であって、
廃熱の生成を伴うレーザビームを生成するレーザモジュールと、
熱の生成を伴う該レーザモジュールを冷却する熱電冷却器と、
該レーザモジュールおよび該冷却器を支持する支持体と、
該レーザモジュールおよび該冷却器と熱伝達関係にあり、該レーザモジュールおよび該冷却器から熱を伝達する、質量を有するヒートシンクと、
該ヒートシンクから該レーザモジュールおよび該冷却器に伝達される衝撃力に抵抗するために、該ヒートシンクを該レーザモジュールおよび該冷却器から離れた位置で、該支持体に固定することにより、該レーザモジュールおよび該冷却器から該質量を機械的に分離する手段と
を備える耐衝撃装置。
【請求項２】
前記レーザモジュールおよび前記冷却器と前記支持体との間の熱伝達に抵抗するための、該レーザモジュールおよび該冷却器と該支持体との間の熱絶縁体を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記分離する手段は、前記ヒートシンクを支持するブラケットと、前記レーザモジュールおよび前記冷却器と熱伝達関係にある接触面とを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記ブラケットは、前記支持体に調整可能に取り付けられて、前記レーザモジュールおよび前記冷却器とスライドして接触するよう前記接触面を調整可能に位置付ける、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記分離する手段は、前記接触面と前記レーザモジュールおよび前記冷却器との間に熱伝導パッドを含む、請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記パッドは前記レーザモジュールおよび前記冷却器に接着するための接着面を有し、かつ前記接触面と前記レーザモジュールおよび前記冷却器との間の熱伝達を強化するために圧縮可能である、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記分離する手段は、前記ヒートシンクが取り付けられる取付脚を有するブラケットと、前記支持体に接続される支持脚とを含み、また該取付脚は前記冷却器と熱伝達関係にある接触面を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記分離する手段は、前記接触面と前記冷却器との間に熱伝導性パッドを含み、該接触面は該パッドとスライドして接触し、また該パッドは該冷却器に接着される、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記支持脚は、前記支持体の前記側表面に対し前記ブラケットの取付脚を調整可能に位置付けるために、その中に対応する複数のファスナーが調整可能に配置される複数の細長いスロットを有する、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記支持体は主表面と側表面とを有し、前記ヒートシンクは、該支持体の該側表面から離れて延びる複数の冷却フィンを有する、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記レーザビームは緑色である、請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月8日(2008.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気導体のパターンを受理基板の上に形成する方法が、
電導材料である金属ナノ粒子を形成するステップと、
ドナー基板を形成するステップと、
前記ドナー基板の第一面側に光吸収材料の層を堆積するステップと、
前記光吸収材料上に前記金属ナノ粒子を堆積するステップと、
前記金属ナノ粒子層を前記受理基板と緊密に接触して配置するステップと、
前記ドナー基板と前記受理基板の間に形成されたサンドイッチに、レーザで、パターンを書き込み、前記ナノ粒子層から得られる金属ナノ粒子を前記受理基板にアニールし、転写して前記受理基板の上に電気導体の前記パターンを形成するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法が、前記金属ナノ粒子を光吸収性部分基と混合する付加的ステップを備えることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法が、光吸収材料の前記層を堆積するのに先だって前記ドナー基板上に反射防止層を形成する付加的ステップを備えることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月20日(2009.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この問題を解決するために、明示的な信号方式を使用して物理（ＰＨＹ）レイヤ又は局の媒体アクセス（ＭＡＣ）レイヤのいずれかにおける選択に関する情報を交換することができる。しかしながら、物理（ＰＨＹ）レイヤにおける追加の信号方式情報又はＭＡＣレイヤにおける信号方式遅延は、実際的な制限により望ましくない。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月1日(2009.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特にＥＵＶ放射及び／又は軟Ｘ線放射のための、ガス放電源であって、該ガス放電源内の真空チャンバ内に、少なくともおおよそ円形の周縁を有する少なくとも２つの電極が、回転のために回転可能に取り付けられており、１つの空間位置において前記電極が、ガス放電の点火のための小さい間隔を有しており、前記電極は、各場合において、回転の間、導電性材料の液体薄膜が前記電極の前記円形周縁に渡って形を成すことができ、前記電極への電流の流れが前記リザーバを介して可能にされるような仕方で、液体の前記導電性材料のためのリザーバに接続されている、ガス放電源において、前記電極が、各場合において、接続要素を介して前記リザーバに接続されており、これにより、間隙が、各電極の円形周縁の部分的なセクションに渡って、前記電極と前記接続要素との間に形成され、前記間隙内に前記液体の、導電性材料が、前記電極の回転の間に、前記接続要素内に形成された少なくとも１つの供給チャネルを介して前記リザーバから浸透することができることを特徴とする、ガス放電源。
【請求項２】
前記接続要素は、前記間隙が前記電極の回転方向に先細りにされている仕方において設計されていることを特徴とする、請求項１に記載のガス放電源。
【請求項３】
前記液体の導電性材料のための少なくとも１つの戻りチャネルと、前記間隙内への前記戻りチャネルの開口とを更に有することを特徴とする、請求項１又は２に記載のガス放電源。
【請求項４】
前記戻りチャネルは、浄化フィルタ又は浄化予備チャンバを介して前記リザーバに通じていることを特徴とする、請求項３に記載のガス放電源。
【請求項５】
前記間隙は、前記液体の導電性材料が、前記間隙内に引き込まれる及び／又は毛管力によって前記間隙内に保持されるような仕方において寸法を決められていることを特徴とする、請求項１乃至４の何れか一項に記載のガス放電源。
【請求項６】
前記間隙が前記間隙の端部において先細りにされていることを特徴とする、請求項１乃至５の何れか一項に記載のガス放電源。
【請求項７】
前記間隙は、前記導電性材料の前記液体薄膜が、前記電極の前記小さい間隔の領域において、前記ガス放電に必要な前記導電性材料の蒸発される量が、各放電パルスに対して最小化されるような仕方において寸法を決められている又は成形されていることを特徴とする、請求項１乃至６の何れか一項に記載のガス放電源。
【請求項８】
前記リザーバが前記接続要素内に形成されていることを特徴とする、請求項１乃至７の何れか一項に記載のガス放電源。
【請求項９】
前記リザーバが、供給ラインを介して前記接続要素内の前記供給チャネルに接続されていることを特徴とする、請求項１乃至８の何れか一項に記載のガス放電源。
【請求項１０】
前記接続要素は、温度制御されている流体が流れることができる更なるチャネルを有していることを特徴とする、請求項１乃至９の何れか一項に記載のガス放電源。
【請求項１１】
前記電極は、前記回転方向に対して垂直な断面において前記円形周縁上に階段状にされた輪郭を有しており、前記２つの電極の前記輪郭は、前記電極が前記小さい間隔における
前記領域内で互いに嵌合するような相補的な態様で設計されていることを特徴とする、請求項１乃至１０の何れか一項に記載のガス放電源。
【請求項１２】
前記導電性材料が前記電極の回転方向と反対の方向に流出するのを防止する磁気装置が、設けられていることを特徴とする、請求項１乃至１１の何れか一項に記載のガス放電源。
【請求項１３】
強磁性材料が、前記磁気装置の磁力を増幅するために、前記電極及び／又は前記接続要素の領域内に組み込まれていることを特徴とする請求項１２に記載のガス放電源。
【請求項１４】
少なくとも１つの前記電極の前記円形周縁における導電性材料の前記液体薄膜の厚さを制御する磁気装置が設けられていることを特徴とする請求項１乃至１３の何れか一項に記載のガス放電源。
【請求項１５】
前記真空チャンバが、前記電極の前記小さい間隔の前記領域以内に、前記液体薄膜の材料を蒸発させるためのエネルギ放射の導入を可能にする開口を有していることを特徴とする、請求項１乃至１３の何れか一項に記載のガス放電源。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月20日(2009.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板と、
少なくとも１つの半導体チップと、
少なくとも１つの露出端部とその中に充填された多孔質材料とを有する、前記シリコン基板内の少なくとも１つの電気伝導性ビアと、
リフローされて前記少なくとも１つの電気伝導性ビアの前記多孔質材料内へ浸入し、前記多孔質材料を封止する、高分子材料を含むシーラントと、
を含む、半導体チップ・パッケージ組立体。
【請求項２】
前記高分子材料が、ポリイミド材料又は高い熱安定性の熱硬化性材料を含む、請求項１に記載の半導体チップ・パッケージ組立体。
【請求項３】
前記高分子材料が、ポリイミド前駆体溶液を含む、請求項１に記載の半導体チップ・パッケージ組立体。
【請求項４】
前記ポリイミド前駆体溶液が、高濃度の固形分を含み、１ｃＰから１５０ｃＰまでの粘度を有する、請求項３に記載の半導体チップ・パッケージ組立体。
【請求項５】
前記ポリイミド材料が、その前駆体状態において低粘度及び低融点のニートな熱硬化性材料である、請求項２に記載の半導体チップ・パッケージ組立体。
【請求項６】
前記熱安定性の熱硬化性材料が、Ｍａｔｒｉｍｉｄ（登録商標）、ＰＭＤＡ−ＯＤＡ、ＢＰＤＡ−ＰＤＡ、又はＰＩ２５６２を含む、請求項２に記載の半導体チップ・パッケージ組立体。
【請求項７】
前記シーラントが堆積された銅被覆を含む、請求項１に記載の半導体チップ・パッケージ組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月23日(2009.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に固体層を生成する化学反応を活性化するために前記基板上に活性剤含有層を形成するための液体混合物であって：
活性剤と；
界面活性剤と；
溶媒および／または結合剤とを含む；
混合物。
【請求項２】
前記界面活性剤は、ポリエーテル変性ポリシロキサンおよびアクリレート変性ポリシロキサンから選定される；
請求項１に記載の混合物。
【請求項３】
前記界面活性剤は、前記混合物の全重量の１重量％未満の量で存在する；
請求項１または請求項２に記載の混合物。
【請求項４】
前記溶媒は、１つ以上の低極性溶媒を含む；
請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の混合物。
【請求項５】
前記溶媒は、ジアセトンアルコールおよびメトキシプロパノールから選定される；
請求項４に記載の混合物。
【請求項６】
前記活性剤は、触媒または触媒前駆体を含む；
請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の混合物。
【請求項７】
前記活性剤は、導電金属の塩または錯体である；
請求項６に記載の混合物。
【請求項８】
前記活性剤は、酢酸パラジウムである；
請求項７に記載の混合物。
【請求項９】
前記結合剤は、固体材料を形成するのに適した条件下で、重合および／または架橋することができる１つ以上の材料を含む；
請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の混合物。
【請求項１０】
１つ以上の紫外線硬化アクリレートおよび／またはメタクリレートを含む；
請求項９に記載の混合物。
【請求項１１】
基板上に固体層を形成する方法であって：
前記基板上に活性剤含有層を生成するために、前記基板の表面に請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の液体混合物を付着する工程と；
前記基板上に固体層を形成するために、１つ以上の別の液体を、前記活性剤で活性化される化学反応のために、前記層に付着する工程とを備える；
方法。
【請求項１２】
前記基板の表面が極性を有する；
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記液体混合物を、前記基板の表面にパターン状に付着する；
請求項１１または請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記液体混合物は、塗布処理により付着される；
請求項１１ないし請求項１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記塗布処理は、デジタル処理が好適な非接触処理である；
請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記活性剤含有層はパターンにしたがって基板上に形成される；
請求項１１ないし請求項１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記固体層は、導電金属層である；
請求項１１ないし請求項１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１１ないし請求項１７のいずれか１項に記載の方法によって調整された固体層を含む；
物品。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月23日(2009.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信チャンネルのデータ・ストリームで送信された番組を受信する方法であって、
ユーザにより前記番組が選択されると、その選択に応答して、前記送信チャンネルにチューニングするステップと、
前記送信チャンネルに対応するコンディショナル・アクセス・マッピング情報を、複数の送信チャンネルに対応するコンディショナル・アクセス・マッピング情報を記憶しているメモリ装置から取り出すステップと、
前記送信チャンネルに対応するコンディショナル・アクセス・マッピング情報を、着脱可能セキュリティ・モジュールに送るステップと、
デスクランブル鍵を前記着脱可能セキュリティ・モジュールから受け取るステップと、
前記デスクランブル鍵に応答して前記選択された番組に対応するオーディオ・パケット及びビデオ・パケットをデスクランブルするステップと、
前記デスクランブルされたオーディオ・パケット及びビデオ・パケットを処理して、表示装置への出力信号を供給するステップと、
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記選択された番組に対応するオーディオ・パケット及びビデオ・パケットが前記着脱可能セキュリティ・モジュールから受信される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記送信チャンネルの前記データ・ストリームと共に受信された番組マッピング情報に応答してコンディショナル・アクセス・マッピング情報を生成するステップと、
前記コンディショナル・アクセス・マッピング情報を前記メモリ装置に記憶するステップと、
を更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記メモリ装置がキャッシュ・メモリ装置を含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記着脱可能セキュリティ・モジュールがＰＯＤ（Ｐｏｉｎｔ  ｏｆ  Ｄｅｐｌｏｙｍｅｎｔ）モジュールである、請求項１記載の方法。
【請求項６】
ユーザによる番組選択に応答して送信チャンネルに同調するように構成されたデジタル・チューナと、
前記デジタル・チューナに接続された復調器と、
複数の送信チャンネルに対応するコンディショナル・アクセス・マッピング情報データベースを記憶しているメモリ装置と、
前記メモリ装置に接続されており、前記記憶されているコンディショナル・アクセス・マッピング情報データベースから前記番組選択に対応する第１のコンディショナル・アクセス・マッピング情報テーブルを取り出すように構成されたマイクロプロセッサ・システムと、
前記復調器と前記マイクロプロセッサ・システムとに接続されており、着脱可能セキュリティ・モジュールを受け入れ、前記第１のコンディショナル・アクセス・マッピング情報テーブルを前記着脱可能セキュリティ・モジュールに送り、デスクランブル鍵を前記着脱可能セキュリティ・モジュールから受け取るインタフェースと、
前記着脱可能セキュリティ・モジュールに接続されており、前記デスクランブル鍵に応答してオーディオ・パケット及びビデオ・パケットをデスクランブルするように構成されたデスクランブラと、
を備えるデジタル・テレビジョン受信機。
【請求項７】
前記マイクロプロセッサ・システムが、前記復調器から番組マップ・テーブルを受信するように接続されており、且つ、前記番組選択に応答して得られる前記番組マップ・テーブルに応答して前記コンディショナル・アクセス・マッピング情報データベースを生成するように構成されている、請求項６記載のデジタル・テレビジョン受信機。
【請求項８】
前記メモリ装置に記憶されている前記コンディショナル・アクセス・マッピング情報データベースには、前記デジタル・テレビジョン受信機が受信する実質的に全ての送信チャンネルに対応するコンディショナル・アクセス・マッピング情報が含まれている、請求項６記載のデジタル・テレビジョン受信機。
【請求項９】
アウト・オブ・バンドのデジタル信号に同調して前記着脱可能セキュリティ・モジュールへ出力を送るように構成されたアウト・オブ・バンド受信器を更に備える、請求項６記載のデジタル・テレビジョン受信機。
【請求項１０】
前記着脱可能セキュリティ・モジュールがＰＯＤ（Ｐｏｉｎｔ  ｏｆ  Ｄｅｐｌｏｙｍｅｎｔ）モジュールで構成された、請求項６記載のデジタル・テレビジョン受信機。
【請求項１１】
前記デスクランブラには、少なくとも、前記着脱可能セキュリティ・モジュールからオーディオ・パケット及びビデオ・パケットを受け取るように構成されており、且つ、デスクランブル済みデジタル・オーディオ・データ及びデスクランブル済みデジタル・ビデオ・データのストリームを生成するように構成された送信デマルチプレクサ・ブロックが含まれている、請求項６記載のデジタル・テレビジョン受信機。
【請求項１２】
前記マイクロプロセッサ・システムには、ランダム・アクセス・メモリ・モジュールが含まれている、請求項６記載のデジタル・テレビジョン受信機。
【請求項１３】
前記メモリ装置には、前記コンディショナル・アクセス・マッピング情報データベースを記憶するように構成された１つ或いは複数のキャッシュ・メモリ装置が含まれている、請求項６記載のデジタル・テレビジョン受信機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月3日(2009.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１人または複数のユーザを認証するステップと、
走査文書を生成するために文書を走査するステップと、
前記走査文書を、前記走査を開始したデバイス以外のディジタル宛先に、メッセージへの添付としてではなく、メッセージとして送出するステップと、
を備えている、方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記ディジタル宛先はアプリケーションから成る、方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、前記ディジタル宛先はフォルダまたはインボックスの一方から成る、方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、前記ディジタル宛先は、前記走査文書を他のディジタル宛先に導出するように構成されている、経路制御コンポーネントから成る、方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法であって、更に、前記１人または複数のユーザを認証した後で、１回のユーザ行為のみに応答して、前記走査および送出の動作を実行するステップを備えている、方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法であって、更に、１つまたは複数のディジタル宛先を個々に示すために、前記１人または複数のユーザによる選択のための１つまたは複数のプロファイルを提供するステップと、前記文書に関連する情報を処理するステップと、を備えている方法。
【請求項７】
走査機能性に加えて、コピー、印刷、またはファックスから成る群から選択した少なくとも１つの別の機能性を設けるステップと、
１人または複数のユーザを認証するステップと、
走査文書を生成するために、文書を走査するステップと、
前記走査文書を、前記走査を開始したデバイス以外のディジタル宛先に、メッセージへの添付としてではなく、メッセージとして送出するステップと、
を備えている、方法。
【請求項８】
請求項７記載の方法において、前記ディジタル宛先は、アプリケーション、フォルダ、インボックス、または前記走査文書を他のディジタル宛先に導出するように構成されている経路制御コンポーネントの内の１つまたは複数から成る、方法。
【請求項９】
請求項７記載の方法であって、更に、前記１人または複数のユーザを認証した後で、１回のユーザ行為のみに応答して、前記走査および送出の動作を実行するステップを備えている、方法。
【請求項１０】
請求項７記載の方法であって、更に、１つまたは複数のディジタル宛先を個々に示すために、前記１人または複数のユーザによる選択のための１つまたは複数のプロファイルを提供するステップと、前記文書に関連する情報を処理するステップと、を備えている方法。
【請求項１１】
請求項７記載の方法において、前記ディジタル宛先は、前記機能性の少なくとも別の１つに対するインボックスとして構成されているインボックスから成る、方法。
【請求項１２】
１人または複数のユーザを認証するステップと、
走査文書を作成するために文書を走査するステップと、
前記操作した文書を、１つまたは複数のインボックスに、メッセージへの添付としてではなく、メッセージとして送出するステップと、
を備えている、方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の方法において、前記インボックスは、ファックス文書を受信するように構成されている、方法。
【請求項１４】
請求項１２記載の方法において、前記インボックスは、電子メール・メッセージを受信するように構成されている、方法。
【請求項１５】
請求項１２記載の方法であって、更に、１つまたは複数のディジタル宛先を個々に示すために、前記１人または複数のユーザによる選択のための１つまたは複数のプロファイルを提供するステップと、前記文書に関連する情報を処理するステップと、を備えている方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月5日(2009.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力吸収器であって、基本周波数を有する信号を受信し、
前記信号を受信する入力節点、
前記入力節点に電気的に接続された第１端、第２端、直列に接続された第１及び第２ＰＩＮダイオード、並びに前記第２ＰＩＮダイオードと並列に接続されたチョークを有する第１ＰＩＮダイオード回路、
前記第１ＰＩＮダイオード回路の第２端と電気的に接続された第１端、及び基準電圧と電気的に接続された第２端を有する負荷抵抗器、
前記入力節点と電気的接続された第１端、第２端、及び前記基本周波数の４分の１波長である電気的接続を有する４分の１波長伝送線、
前記４分の１波長伝送線の前記第２端と電気的に接続された入力、前記基準電圧と電気的に接続された出力、及び少なくとも１つのＰＩＮダイオードを有する第２ＰＩＮダイオード回路、並びに
前記負荷抵抗器と並列の第１チョーク、を有する電力吸収器。
【請求項２】
方法であって、信号を制限し、
入力節点で基本周波数を有する信号を受信する段階、
前記入力節点と出力節点との間に、前記基本周波数の４分の１波長である電気的長さを有する４分の１波長伝送線を設ける段階、及び
第１負荷抵抗器と直列の第１ＰＩＮダイオード及び前記第１負荷抵抗器と並列の第１チョークを有する、受信信号のための第１接地経路を設ける段階、
第２負荷抵抗器と直列の第２ＰＩＮダイオード及び前記負荷抵抗器と並列の第２チョークを有する、前記受信信号の第２接地経路を設ける段階、を有し、
前記第１接地経路は、前記第１ＰＩＮダイオードと直列の第３ＰＩＮダイオードを更に有し、
前記第１接地経路は、前記第１ＰＩＮダイオードと並列の共振器を更に有する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月31日(2009.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッジ・ノードの各々が、関連した波長チャネル上の前記エッジ・ノードのうちの別のものから光通信を受信するように構成されており、エッジ・ノードの数が、前記波長チャネルの数よりも多い、複数のエッジ・ノードを接続する時間領域波長インタリーブ化光ネットワークを備えた装置。
【請求項２】
前記エッジ・ノードのうちの少なくとも２つが、同じ波長チャネルに割り当てられる請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記時間領域波長インタリーブ化光ネットワークが、光通信を前記光通信の前記波長チャネルに基づいて前記エッジ・ノードにルーティングする受動光ネットワークを備える請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記エッジ・ノードのうちの少なくとも１つが、前記光通信のうちのいくつかの受信されたものを、異なる第２波長チャネル上の前記エッジ・ノードのうちの別のものに光学的に再送信するように構成されている請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記エッジ・ノードの各々が、ＴＷＩＮを介して通信を前記別のエッジ・ノードの各々に送信することができる請求項１に記載の装置。
【請求項６】
通信のキャリア波長に基づいて、ＴＷＩＮの光ネットワークを介した発信元ノードから第２ノードへの通信の第１のルーティングを実行することと、
前記光通信の中で運ばれる補足的ルーティングデータに基づいて、前記第２ノードが前記通信の発信先であるかどうかを判定することであって、前記補足的ルーティングデータが前記光通信の波長に対して補足的であり、
前記第２ノードが前記通信の前記発信先ではないという判定に応じて、前記ＴＷＩＮの光ネットワークを介した前記第２ノードから第３ノードへの前記通信の第２のルーティングを実行することとを含む方法。
【請求項７】
前記第２ルーティングを実行することが、前記第１ルーティングを実行する間に前記通信を送信するために使用された波長チャネルとは異なる波長チャネル上で前記通信を送信することを含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
各実行工程が、波長に基づいて受動的に光信号をルーティングする光ネットワークに前記通信を送信することを含む請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記光通信の中で運ばれる補足的ルーティングデータに基づいて、前記第３ノードが前記通信の発信先であるかどうかを判定することと、
前記第３ノードが前記通信の前記発信先ではないという判定に応じて、前記光ＴＷＩＮを介した前記第３ノードから第４ノードへの前記通信の第３のルーティングを実行することをさらに含む請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記補足的データが、前記通信のための次の中間ノードのアイデンティティを示す情報を一覧にする請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月30日(2009.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一主要表面および前記第一主要表面の反対側の第二主要表面を含む基板と、
前記基板の前記第一主要表面に取り付けられた無線周波識別アンテナと、
前記アンテナに取り付けられた集積回路と、
第一主要表面および前記第一主要表面の反対側の第二主要表面を含む第一複合層と、を備え、前記第一複合層は、前記基板の前記第二主要表面に取り付けられ、前記第一複合層は、
バインダと、
前記バインダ内に分散した複数の多層薄片と、を備え、前記多層薄片は２から約１００の層対を備え、各層対は、１つの誘電体層に隣接する１つの結晶強磁性体金属層を含み、前記層対は、強磁性体金属層と誘電体層との交互堆積を形成する、無線周波識別（“ＲＦＩＤ”）タグ。
【請求項２】
前記ＲＦＩＤタグは航空機部品または工具に取り付けられ、問合せ器は、少なくとも４０ｍｍの読み取り範囲内で前記ＲＦＩＤタグを読み取ることができる、金属製航空機部品または工具と組み合わされる請求項１に記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項３】
基板の少なくとも１つの表面上にアンテナを含む基板を提供する段階と、
集積回路を前記アンテナに取り付ける段階と、
第一主要表面および前記第一主要表面の反対側の第二主要表面を含む第一複合層を提供する段階であって、ここで、前記第一複合層は前記基板の前記第二主要表面に取り付けられ、前記第一複合層は、
バインダと、
前記バインダ内に分散した複数の多層薄片と、を備え、前記多層薄片は２から約１００の層対を備え、各層対は１つの結晶強磁性金属層を備え、前記強磁性金属層はその表皮厚さよりも薄く、１つの誘電体層に隣接し、前記誘電体層は約５ｎｍから約１００ｎｍの厚みを有し、前記各層対は強磁性金属層と誘電体層との交互堆積を形成する、提供段階と、
前記第一複合層を、前記アンテナおよび前記集積回路とは反対側の前記基板に取り付ける段階と、を備える無線周波識別（“ＲＦＩＤ”）タグの製作方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月11日(2009.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線ネットワークであって、該無線ネットワークに参加する複数のメッシュポイントを有し、これら複数のメッシュポイントの各々は、自身と前記複数のメッシュポイントのうちの少なくとも他の１つとの間における成功する送信であって、該成功する送信からの干渉によって当該無線ネットワークにおける同時的送信を妨害することがないような成功する送信の確率を推定する第１の比を計算する無線ネットワーク。
【請求項２】
前記第１の比が搬送波対干渉比（ＣｏＩ）である請求項１に記載の無線ネットワーク。
【請求項３】
前記無線ネットワークがメッシュネットワークである請求項１に記載の無線ネットワーク。
【請求項４】
請求項１に記載の無線ネットワークにおいて、前記複数のメッシュポイントのうちの少なくとも１つが世界モデルを作成し、該世界モデルが、当該無線ネットワークに参加する前記複数のメッシュポイントのうちの他のものの少なくとも幾つか、及び当該無線ネットワークに参加する前記複数のメッシュポイントのうちの他のものの前記少なくとも幾つかの各々に関する計算された比を含む無線ネットワーク。
【請求項５】
請求項１に記載の無線ネットワークにおいて、前記複数のメッシュポイントのうちの第１のものが前記複数のメッシュポイントのうちの第２のものを使用して前記複数のメッシュポイントのうちの第３のものと通信し、前記第１及び第３のメッシュポイントが互いの無線通信範囲外にある無線ネットワーク。
【請求項６】
請求項１に記載の無線ネットワークにおいて、前記複数のメッシュポイントの各々は、自身と前記複数のメッシュポイントのうちの少なくとも他の１つとの間における成功する送信であって、該成功する送信からの干渉によって当該無線ネットワークにおける同時的送信を妨害することがないような成功する送信の確率を推定する第２の比を計算し、前記第１の比が受信機の搬送波対干渉比であり、前記第２の比が干渉の搬送波対干渉比である無線ネットワーク。
【請求項７】
複数のメッシュポイントを有する無線ネットワークにおいて第１のメッシュポイントが、他のメッシュポイントが同一のリンク上で同時に送信している間に第２のメッシュポイントに対して送信することができるかを判定する方法であって、前記第１のメッシュポイントにより前記無線ネットワークにおける他のメッシュポイントを検出するステップと、前記第１のメッシュポイントにおいて前記無線ネットワークにおける前記検出された他のメッシュポイントの信号強度を決定するステップと、前記第１のメッシュポイントにより、前記第１のメッシュポイントが送信している場合に前記第２のメッシュポイントにおいて測定されるであろう信号強度を推定するステップと、第１の搬送波対干渉（ＣｏＩ）比を計算するステップと、前記第１のメッシュポイントが前記第２のメッシュポイントに対して送信すべきかを、前記第１のＣｏＩ比を閾値と比較することに基づいて判定するステップとを有する方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法において、第２の搬送波対干渉（ＣｏＩ）比を計算するステップであって、前記第１のＣｏＩ比が干渉のＣｏＩ比であり、前記第２のＣｏＩ比が受信機のＣｏＩ比であるステップを更に有し、前記判定するステップが、前記第１のメッシュポイントが前記第２のメッシュポイントに送信すべきかを、前記第１のＣｏＩ比を第１の閾値と比較すると共に前記第２のＣｏＩ比を第２の閾値と比較することに基づいて判定するステップを有する方法。
【請求項９】
請求項７に記載の方法において、前記検出するステップが、ビーコンフレーム、ビーコンヘッダ又はこれらの集合の受信のうちの少なくとも１つを読み取ることにより実行される方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の方法において、前記決定するステップが、前記無線ネットワークにおける前記検出された他のメッシュポイントの信号強度を測定することにより実行される方法。
【請求項１１】
請求項７に記載の方法において、前記推定するステップが、ＭＡＣレイヤのビーコンアクセス期間におけるタイミング情報を用いて前記信号強度を推定することにより実行される方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
本発明の実施例は、無線ネットワークにおける分散された学習方法を可能にし、提供する。該分散型学習方法は、各々の新しい可能性のある同時的送信に対して、当該ネットワークにおける他の装置をビーコンフレーム又はフレームヘッダ又はこれらの集合の受信を読み取ることにより検出するもの、他の装置の信号強度及び／又は送信パワーを近隣の送信を傍受／受信することにより検出し、これにより近隣者のマップを作成して干渉の認識及び空間的なチャンネルの再利用の向上を可能にするもの、全ての検出された装置をグラフのノードとして有する完全なグラフＧ＝(Ｖ，Ｅ)を作成するもの、２つのノード間のエッジの重み付けられた値ｗ(Ｘ，Ｙ)をＭＡＣレイヤからのタイミング情報を用いて（即ち、ビーコンアクセス期間において、信号強度を推定することにより）計算するもの、干渉の搬送波対干渉比（ＣｏＩ）を、同時的送信を表すリンクの加重された値を可能性のある送信機により生成される干渉により除算することにより計算するもの、受信機ＣｏＩを、可能性のある送信機と意図する受信機との間の加重された値（ｗ(Ｔｘ，Ｒｘ)）と、同時的送信の干渉との商として計算するもの、全ての可能性のある同時的送信に対してＣｏＩを計算するもの、閾値（"良い"ＴｘＯＰは高い干渉ＣｏＩ及び高い受信機ＣｏＩ値を持つ）に基づいて送信すべきか否かを決定するもの、送信すべきか否かを、過去の送信のチャンネル及び受信情報を利用する複雑なアルゴリズム及び手順に基づいて決定するものを含む。本発明の実施例は、更に、リンクの加重された値を、移動指数加重平均により又はカルマンフィルタの使用を含む何らかのフィルタ処理技術を用いることにより推定するステップを含むことができる。更に、判断は、Ｓ字状関数等のソフト閾関数、隣接する局の送信の測定情報を記憶、更新及び処理してチャンネル条件に関して適応的に学習すると共にパケットを成功裏に送信するのに十分な期間を識別すること、並びに周囲の隣接者のモデルを形成するための信号強度情報の組み合わせに基づいて行うことができる。