Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月24日(2009.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気ランプであって、
長手方向軸線と、軸線平面Ｐと、それぞれにピンチシールが設けられた両端部分とを有し、各ピンチシールが平面Ｐに沿った２つの反対向きの主側面と２つの反対向きの幅狭な側面とを有している管状ガラス放電容器と、
前記放電容器内に配置された対向する電極と、
それぞれの電極に接続された電流導体であって、それぞれのピンチシールを貫通して前記放電容器から出る電流導体と、
前記放電容器に充填されたイオン化可能なガスと、
前記放電容器を管状ガラススリーブに取り付けるためにピンチシールに設けられた金属製取付部材とを備えている電気ランプにおいて、
前記ピンチシールは、前記軸線に交差する断面がＨ字形であり、一対の取付部材が各シールに設けられ、各取付部材は幅狭の側面を把持し、クランプ嵌合して前記主側面に係合し、
各取付部材は、平面Ｐの片側に、軸線方向に延びた支持部分を有し、該支持部分はそれぞれの主側面から離れて位置している、
ことを特徴とする電気ランプ。
【請求項２】
前記ピンチシールは横断方向に延びるプロファイルを有し、前記取付部材は、軸線変位を打ち消すように、前記それぞれのピンチシールのプロファイルと協働する、
請求項１に記載の電気ランプ。
【請求項３】
前記各取付部材は、比較的剛性的な支持部分と、比較的弾性的な支持部分とを有している、
請求項１又は２に記載の電気ランプ。
【請求項４】
対となった前記取付部材が、ブリッジによって互いに一体化されている、
請求項３に記載の電気ランプ。
【請求項５】
前記取付部材は屈曲した金属ワイヤから構成されている、
請求項３に記載の電気ランプ。
【請求項６】
前記各取付部材は、軸線方向に向けられた金属製舌部を保持し、放電容器の隣接する端部部分を越えて延び、半径方向のフック端部を有している、
請求項１又は２に記載の電気ランプ。
【請求項７】
前記放電容器は、少なくとも一つのピンチシールに隣接した第２のピンチシールを有し、前記電流導体は、少なくとも一つのピンチシールと第２のピンチシールとの間のスペースに延び、ひだを有している、
請求項１又は２に記載の電気ランプ。
【請求項８】
放電容器は、前記端部部分に、開いた円筒形の端部を有している、
請求項７に記載の電気ランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月9日(2009.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン注入システムであって、
（ａ）稼働中に汚染されてその性能を維持するための洗浄を必要とする、１５００ポンド／平方インチ以上の偶発的過剰圧力に耐えることができる試薬供給容器を保持するように構成されたガスボックスを含むイオン注入装置と、
（ｂ）前記ガスボックス内に固体原料試薬供給容器を備えるＸｅＦ２化学物質の供給源であって、前記試薬供給容器は固体ＸｅＦ２が入っている内部容積を含み、前記試薬供給容器内の前記固体ＸｅＦ２からのＸｅＦ２蒸気をイオン注入装置にその洗浄のために送出するように構成されており、前記試薬供給容器は前記固体ＸｅＦ２を支えるために前記内部容積内に追加表面領域構造物を含む供給源とを備え、１５００ポンド／平方インチ以上の偶発的過剰圧力に耐えることができるように構成されたイオン注入システム。
【請求項２】
前記試薬供給容器の前記内部容積内の前記追加表面領域構造物は、金属ウールおよび金属円柱のうちから選択された少なくとも１つの構造物を含む請求項１に記載のイオン注入システム。
【請求項３】
前記試薬供給容器の前記内部容積内の前記追加表面領域構造物は、非平面構造を含む請求項１に記載のイオン注入システム。
【請求項４】
前記試薬供給容器の前記内部容積内の前記追加表面領域構造物は、積層トレイ配列を含む請求項１に記載のイオン注入システム。
【請求項５】
前記試薬供給容器の前記内部容積内の前記追加表面領域構造物は、金属発泡体を含む請求項１に記載のイオン注入システム。
【請求項６】
前記試薬供給容器は、異なる物質の構造用コンポーネントを備え、前記構造用コンポーネントは、互いに爆発圧着される請求項１に記載のイオン注入システム。
【請求項７】
前記異なる物質は、アルミニウムおよびスチールを含む請求項６に記載のイオン注入装置システム。
【請求項８】
イオン注入装置の洗浄用のフッ素化学物質供給源であって、
内部容積を含む固体原料試薬供給容器と、
固体フッ素原料物質を保持するための金属発泡体とを備え、
前記金属発泡体は前記内部容積の内部壁面と接触する形状をなし、これにより周囲条件において前記金属発泡体は、熱を前記固体フッ素原料物質に伝達して昇華させるフッ素化学物質供給源。
【請求項９】
前記金属発泡体は、アルミニウム発泡体を含む請求項８に記載のフッ素化学物質供給源。
【請求項１０】
前記金属発泡体は、金属発泡体材料の円板の積層配列を中に含む請求項８に記載のフッ素化学物質供給源。
【請求項１１】
前記試薬供給容器は、流量係数が２．７〜２．９の範囲である前記弁が開位置にあるときに、前記容器の前記内部容積から前記固体フッ素原料物質の蒸気を分配するように構成された蒸気分配弁に結合される請求項８に記載のフッ素化学物質供給源。
【請求項１２】
さらに、前記固体フッ素原料物質からの蒸気を前記イオン注入装置に洗浄のために供給する、前記試薬供給容器に結合され且つ前記試薬供給容器を蒸気供給関係にて前記イオン注入装置と接続する流体回路を備える請求項８に記載のフッ素化学物質供給源。
【請求項１３】
前記試薬供給容器および流体回路は、前記蒸気が前記流体回路内で凝結しないように構成される請求項１２に記載のフッ素化学物質供給源。
【請求項１４】
前記流体回路は、流量計装、センサ、移動流体駆動装置、質量流量調節器、圧力変換器、サージタンク、ポンプ、圧縮機、流量調節弁の中から選択される流量調節ユニットを含む請求項１３に記載のフッ素化学物質供給源。
【請求項１５】
前記金属発泡体の孔の中に分散されている固体フッ素原料物質を含む請求項８に記載のフッ素化学物質供給源。
【請求項１６】
室温（２５℃）付近またはそれよりも低い温度で前記固体フッ素原料物質から蒸気を送出するように構成されている固体フッ素原料物質を含む請求項８に記載のフッ素化学物質供給源。
【請求項１７】
前記試薬供給容器が２０℃から３０℃までの範囲内の温度に維持するように構成されている請求項８に記載のフッ素化学物質供給源。
【請求項１８】
前記試薬供給容器はアルミニウムで形成されており、前記金属発泡体はアルミニウムで形成されている請求項８に記載のフッ素化学物質供給源。
【請求項１９】
イオン注入装置の洗浄用のフッ素化学物質供給源であって、
内部容積を含み、アルミニウムで形成された固体原料試薬供給容器と、
前記容器の内部容積表面に接触するように前記内部容積内に配置された、アルミニウムで形成された金属発泡体と、
前記金属発泡体の孔の中に保持された固体二フッ化キセノンと、を備え、
前記固体原料試薬供給容器には、当該容器から二フッ化キセノンを分配する流量調節弁が接続されており、前記流量調節弁は少なくとも２の弁伝導性を有するフッ素化学物質供給源。
【請求項２０】
前記容器は、当該容器を介して周囲熱を多孔質金属発泡体に伝達することによって二フッ化キセノンだけを発生させるように構成されており、前記固体二フッ化キセノンが昇華して前記二フッ化キセノン蒸気を発生させる請求項１９に記載のフッ素化学物質供給源。
【請求項２１】
前記容器は、スチールで形成された第１の部品およびアルミニウムで形成された第２の部品を含む構造用部品を備え、前記第１および第２の部品は、互いに爆発圧着されている請求項１９に記載のフッ素化学物質供給源。
【請求項２２】
前記第１の部品は、ステンレススチール製のフランジ部材である請求項２１に記載のフッ素化学物質供給源。
【請求項２３】
イオン注入装置を洗浄するための二フッ化キセノン供給方法であって、
アルミニウム発泡体の孔に固体ＸｅＦ２を貯蔵することと、
前記アルミニウム発泡体の孔に貯蔵されている固体ＸｅＦ２からＸｅＦ２蒸気を発生させることと、
前記ＸｅＦ２蒸気を前記イオン注入装置内に流入させて前記イオン注入装置を洗浄することを含む方法。
【請求項２４】
前記アルミニウム発泡体は、前記イオン注入装置のガスボックス内に配置されたアルミニウム容器に格納されている請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
イオン注入装置の操作方法であって、
多孔質材内に固体ＸｅＦ２を貯蔵することと、
前記固体ＸｅＦ２を、当該固体ＸｅＦ２のみを昇華させてＸｅＦ２蒸気を発生させるのに十分な周囲熱によって加熱することと、
前記ＸｅＦ２蒸気で前記イオン注入装置を洗浄することを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月19日(2009.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と；
第１の電極と、第２の電極と、これら電極の間に形成された１つ以上の有機発光材料層とを有するOLEDと；
封止用カバーとを備えていて、
上記電極のうちの少なくとも一方は透明な電極を持ち、その透明な電極と上記有機発光材料層は第１の範囲の屈折率を持ち、
上記基板と上記カバーのうちの少なくとも一方は、第２の屈折率を持つ透明な基板または透明なカバーを持ち、上記OLEDからの光はその透明な基板または透明なカバーを通過して出ていく有機発光ダイオード（OLED）デバイスであって、
上記基板と上記カバーの間に位置する光散乱層と；上記第１の範囲の屈折率および上記第２の屈折率のそれぞれよりも小さな第３の屈折率を持っていて、上記散乱層と上記透明な基板の間、または上記散乱層と上記透明なカバーの間に位置する透明な低屈折率素子とをさらに備えるOLEDデバイス。
【請求項２】
上記カバーが、上記OLEDからの光が中を通過して出ていく透明なカバーであり、上記透明な低屈折率素子がそのカバーの隣にあってそのカバーと接触しており、上記透明な低屈折率素子が、空気または不活性ガスで満たされたギャップを備え、上記OLEDが、上記基板上に形成された反射性の第１の電極と、上記有機発光材料層の上に形成された透明な第２の電極を備え、上記散乱層がその透明な電極の上に位置し、かつ、上記透明な第２の電極と上記散乱層の間に形成された保護層をさらに備える、請求項１に記載のOLEDデバイス。
【請求項３】
上記基板が透明な基板であってその中を通って上記OLEDからの光が出ていき、上記透明な低屈折率素子がその基板の隣にあってその基板と接している、請求項１に記載のOLEDデバイス。
【請求項４】
少なくとも１つの電極が、透明な層と反射性の層を含む複数の層を含み、かつ、上記光散乱層が上記多層電極の透明な層と反射性の層の間に位置する、請求項１に記載のOLEDデバイス。
【請求項５】
上記散乱層が、より小さな屈折率のマトリックス材料と、より大きな屈折率の散乱性材料を含むか、または、より大きな屈折率のマトリックス材料と、より小さな屈折率の散乱性材料を含む、請求項１に記載のOLEDデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月27日(2009.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水性緩衝液中において化合物をニューロトリプシン、その変異体、またはニューロトリプシンのプロテアーゼドメインを含む断片、およびアグリンを含むタンパク質またはペプチド、その変異体またはアグリンのα−またはβ−切断部位を含む断片と一緒にインキュベーションし、そしてアグリンの切断量を測定することを特徴とする、化合物がニューロトリプシン阻害剤であるか否かを判定する方法。
【請求項２】
ヒトのニューロトリプシン、その変異体、またはヒトのニューロトリプシンのプロテアーゼドメインを含む断片を使用する請求項１記載の方法。
【請求項３】
完全長のヒトのニューロトリプシンを使用する請求項２記載の方法。
【請求項４】
ヒトのニューロトリプシンのプロテアーゼドメインを含む断片を使用する請求項２記載の方法。
【請求項５】
アグリンを含む該タンパク質またはペプチド、その変異体あるいは断片が、マーカータンパク質またはマーカーペプチドを有する融合タンパク質である請求項１〜４のいずれか一項記載の方法。
【請求項６】
アグリンを含む該タンパク質またはペプチド、その変異体あるいは断片が、分光検出用の非ペプチド性マーカーを含む請求項１〜５のいずれか一項記載の方法。
【請求項７】
完全長のアグリンを含むタンパク質またはペプチドを使用する請求項１〜６のいずれか一項記載の方法。
【請求項８】
該切断部位αあるいは切断部位βを含むアグリン断片を含むタンパク質またはペプチドを使用する請求項１〜６のいずれか一項記載の方法。
【請求項９】
該アグリン断片が該切断部位αおよび／または切断部位βを保持する少なくとも６個のアミノ酸を含む断片である請求項８記載の方法。
【請求項１０】
該アグリン断片が該切断部位αのコンセンサス配列の少なくとも８個のアミノ酸を含む断片である請求項８記載の方法。
【請求項１１】
該アグリン断片が該切断部位βのコンセンサス配列の少なくとも８個のアミノ酸を含む断片である請求項８記載の方法。
【請求項１２】
Ｃ末端のアグリン断片Ｃ４５を使用する請求項８記載の方法。
【請求項１３】
水性緩衝液中においてニューロトリプシン、その変異体、または該プロテアーゼドメインを含む断片と、アグリンを含むタンパク質またはペプチド、その変異体またはアグリンの該α−またはβ−切断部位を含む断片とをインキュベーションし、そしてアグリンの切断量を測定することを特徴とする、ニューロトリプシンの触媒活性を測定する方法。
【請求項１４】
アグリンを含む該タンパク質またはペプチド、その変異体または断片が、マーカータンパク質またはマーカーペプチドを有する融合タンパク質である請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
アグリンを含む該タンパク質またはペプチド、その変異体または断片が、分光検出用の非ペプチド性マーカーを含む請求項１３または１４記載の方法。
【請求項１６】
式（１）
【化１】
2008538178.tif 000001
（式中、Ｈａｌ１およびＨａｌ２は、互いに独立して、フッ素、塩素または臭素である）の化合物、およびその医薬的に許容されうる付加塩。
【請求項１７】
Ｈａｌ１およびＨａｌ２が臭素である、請求項１６記載の式（１）の化合物およびその医薬的に許容される付加塩。
【請求項１８】
請求項１６または１７記載の式（１）の化合物および医薬担体を含む医薬組成物。
【請求項１９】
シナプスの欠損を原因とする疾患の治療および／または予防のための請求項１６または１７記載の式（１）の化合物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月2日(2009.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実在するまたは潜在的な悪臭の影響を受ける消費者製品中に、フレグランスまたは悪臭中和剤を送るのに適した固体のフリーフロー組成物であって、
−  フレグランス封入材料中に分散フレグランスの微液滴を含むフレグランス材料に囲まれ、任意に保護被覆材に囲まれた、コア材料からなる送達システム
および、
−  フレグランス送達ビヒクルが分散した、外部吸収材料
を含む、前記組成物。
【請求項２】
本質的に
−  フレグランス封入材料中に分散フレグランスの微液滴を含むフレグランス材料に囲まれ、任意に保護被覆材に囲まれた、コア材料からなる送達システム
および、
−  フレグランス送達ビヒクルが分散した、外部吸収材料
からなる、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
外部吸収材料がフレグランスを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
微結晶性セルロースおよびヒドロキシエチルセルロース、およびカラギーナン、モルトデキストリンおよびポリエチレングリコールとのそれらの混合物から選択された保護被覆材が存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
吸収材料が、好ましくは塩化カルシウム、塩化マグネシウム、硫酸マグネシウム、シリカゲル、ケイ酸塩類、セリット、活性アルミナ、ゼオライト、活性炭およびモレキュラーシーブからなる群から選択される乾燥剤であり、これらは悪臭吸収材料、好ましくは金属塩、シクロデキストリン類および活性炭から選択された悪臭吸収材料と任意に混和される、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
−  ０．１〜１０％、好ましくは０．２５〜１０％、より好ましくは０．５〜５％のフレグランス送達システムであり、以下のものを含むもの
−  ５０〜９０％、好ましくは６０〜７５％のコア材料および
−  以下のものを含有する１０〜５０％、好ましくは２５〜４０％のフレグランス材料
−  １〜３０％、好ましくは１０〜２０％のフレグランスまたは悪臭中和物質および
−  ７０〜９９％、好ましくは８０〜９０％のフレグランス封入材料
および、任意に、
−  ０．０１〜５％、好ましくは０．２〜２％、より好ましくは０．２〜２．５％の染料
および、任意に、
−  ０．５〜１０％、好ましくは１〜５％の保護被覆材料であり、任意に０．０１〜５％、好ましくは０．２〜２．５％の染料を含有するもの；
および、
−  ９０〜９９．９％、好ましくは９０〜９９．７５％、より好ましくは９５〜９９．５％の外部吸収材料（すべてのパーセンテージは重量である）
を含む、臭気制御組成物。
【請求項７】
実在するまたは潜在的な悪臭源の、請求項１に記載のフリーフロー固体悪臭中和剤組成物への接触を含む、悪臭を低減させるまたは排除する方法。
【請求項８】
実在するまたは潜在的な悪臭源に曝露し、少なくともその悪臭またはその潜在性を低減させるのに適した製品であり、請求項１に記載の固体のフリーフロー組成物を含む、前記製品。
【請求項９】
製品が動物用リターである、請求項８に記載の製品。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月17日(2009.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｉ）少なくとも１種の非フッ素化架橋剤と、
ｉｉ）少なくとも１種のパーフルオロポリエーテルウレタンであって、
パーフルオロポリエーテル部位およびマルチ−（メタ）アクリル末端基を有すると共に、式Ｒi−（ＮＨＣ（Ｏ）ＸＱＲf）m、−（ＮＨＣ（Ｏ）ＯＱ（Ａ）p）n
（式中、
Ｒiがマルチ−イソシアネートの残基であり、
ＸがＯ、ＳまたはＮＲ（ここで、ＲがＨまたは１〜４個の炭素を有するアルキル基である）であり、
Ｒfが、式Ｆ（ＲfcＯ）xＣdＦ2d−の基（式中、各Ｒfcが独立に、１〜６個の炭素原子を有するフッ素化アルキレン基であり、各ｘが２以上の整数であり、およびｄが１〜６の整数である）を含む一価のパーフルオロポリエーテル部位であり、
各Ｑが、独立に、少なくとも２の価数を有する結合基であり、
Ａが、（メタ）アクリル官能基−ＸＣ（Ｏ）Ｃ（Ｒ2）＝ＣＨ2（式中、Ｒ2が１〜４個の炭素原子のアルキル基またはＨまたはＦ）であり、
ｍが少なくとも１であり、ｎが少なくとも１であり、ｐが２〜６であり、ｍ＋ｎが２〜１０であり、ここで、添字ｍおよびｎを有する基の各々はＲi単位に結合されている）
を有するパーフルオロポリエーテルウレタンと、
を含む混合物の反応生成物を含む表面層を有する光学基材と、
前記基材と前記表面層との間に配置された無機酸化物粒子を含むハードコート層と、
を含む光学ディスプレイ。
【請求項２】
ｉ）炭化水素ベースのハードコート組成物と、
ｉｉ）少なくとも１種のパーフルオロポリエーテルウレタンであって、
パーフルオロポリエーテル部位およびマルチ−（メタ）アクリル末端基を有すると共に、式Ｒi−（ＮＨＣ（Ｏ）ＸＱＲf）m、−（ＮＨＣ（Ｏ）ＯＱ（Ａ）p）n
（式中、
Ｒiがマルチ−イソシアネートの残基であり、
ＸがＯ、ＳまたはＮＲ（ここで、ＲがＨまたは１〜４個の炭素を有するアルキル基である）であり、
Ｒfが、式Ｆ（ＲfcＯ）xＣdＦ2d−の基（式中、各Ｒfcが独立に、１〜６個の炭素原子を有するフッ素化アルキレン基であり、各ｘが２以上の整数であり、およびｄが１〜６の整数である）を含む一価のパーフルオロポリエーテル部位であり、
各Ｑが、独立に、少なくとも２の価数を有する結合基であり、
Ａが、（メタ）アクリル官能基−ＸＣ（Ｏ）Ｃ（Ｒ2）＝ＣＨ2（式中、Ｒ2が１〜４個の炭素原子のアルキル基またはＨまたはＦ）であり、
ｍが少なくとも１であり、ｎが少なくとも１であり、ｐが２〜６であり、ｍ＋ｎが２〜１０であり、ここで、添字ｍおよびｎを有する基の各々はＲi単位に結合されている）
を有するパーフルオロポリエーテルウレタンと、
を含む混合物の反応生成物を含む表面層を有する光学基材を含む光学ディスプレイ。
【請求項３】
混合物が、ｉｉｉ）少なくとも１つのラジカル反応性基に非ウレタン連結基で連結された、フルオロポリエーテル、フルオロアルキル、およびフルオロアルキレンから選択される少なくとも１つの部位を有する少なくとも１種のフッ素化化合物をさらに含む、請求項２に記載の光学ディスプレイ。
【請求項４】
パーフルオロポリエーテル部位およびマルチ−（メタ）アクリル末端基を有すると共に、式Ｒi−（ＮＨＣ（Ｏ）ＸＱＲf）m、−（ＮＨＣ（Ｏ）ＯＱ（Ａ）p）n
（式中、
Ｒiがマルチ−イソシアネートの残基であり、
ＸがＯ、ＳまたはＮＲ（ここで、ＲがＨまたは１〜４個の炭素を有するアルキル基である）であり、
Ｒfが、式Ｆ（ＲfcＯ）xＣdＦ2d−の基（式中、各Ｒfcが独立に、１〜６個の炭素原子を有するフッ素化アルキレン基であり、各ｘが２以上の整数であり、およびｄが１〜６の整数である）を含む一価のパーフルオロポリエーテル部位であり、
各Ｑが、独立に、少なくとも２の価数を有する結合基であり、
Ａが、（メタ）アクリル官能基−ＸＣ（Ｏ）Ｃ（Ｒ2）＝ＣＨ2（式中、Ｒ2が１〜４個の炭素原子のアルキル基またはＨまたはＦ）であり、
ｍが少なくとも１であり、ｎが少なくとも１であり、ｐが２〜６であり、ｍ＋ｎが２〜１０であり、ここで、添字ｍおよびｎを有する基の各々はＲi単位に結合されている）
を有するパーフルオロポリエーテルウレタンを含むフルオロカーボン−およびウレタン−（メタ）アクリル−含有組成物。
【請求項５】
ＸがＯであるとき、Ｑはメチレンではない、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記フルオロカーボン−およびウレタン−（メタ）アクリル−含有組成物が、
【化１】
2008538195.tif 000001
を含む、請求項４に記載の組成物。
【請求項７】
導電性金属酸化物ナノ粒子をさらに含む、請求項１又は２に記載の光学ディスプレイ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２９】
【表１５】
2008538195.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月22日(2009.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル画像を得るようデジタルスキャンされた複数のハードコピー・メディアから得られたデジタル画像を自動的に整理する方法であって：
ａ．前記複数のハードコピー・メディアの画像側および非画像側を両方ともスキャンして、前記画像側の画像およびもしあれば前記非画像側に存在している透かしのデジタル記録を得るステップと；
ｂ．前記非画像側の前記透かしを、前記デジタル画像を自動的に整理するために使用するステップ、
とを有する方法。
【請求項２】
前記整理することがさらに、ハードコピー・メディアの他の特性を解析して前記デジタル画像を整理するために使うことのできる追加的情報を得ることを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記他の特性が：
日付スタンプ；
時刻スタンプ；
ハードコピー・メディアの物理的な特性；
色特性（たとえばヒストグラム）；
前記ハードコピー・メディアの大きさ；
前記ハードコピー・メディアの形；
DPE業者のスタンプ；
画像のフォーマット、
のうちのいずれかを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記ハードコピー・メディアに関係する諸アイテムから、前記デジタル画像のグループ分けおよび／またはソートのために使うことのできる追加的情報を得るステップをさらに有する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
複数のハードコピー・メディアから得られたデジタル画像を整理するシステムであって：
ａ．前記複数のハードコピー・メディアの画像側および非画像側を両方ともスキャンして、前記画像側の画像およびもしあれば前記非画像側に存在している透かしのデジタル記録を得るためのスキャナと；
ｂ．前記複数のハードコピー・メディアの前記非画像側の前記透かしを、前記デジタル画像を自動的に整理するために解析するのに使うためのソフトウェア・プログラムを有するコンピュータ、
とを有するシステム
【請求項６】
コンピュータ上で使うためのソフトウェア・プログラムであって、コンピュータ上にロードされたとき、該コンピュータをして：
ａ．複数のハードコピー・メディアの画像側および非画像側のデジタルスキャンされたデータを取得して、前記画像側の画像およびもしあれば前記非画像側に存在している透かしのデジタル記録を得るステップと；
ｂ．前記複数のハードコピー・メディアの前記非画像側の前記透かしを、前記デジタル画像を自動的に諸グループに整理するために解析するステップ、
とを実行させるソフトウェア・プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月12日(2008.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面エリア（１２）と隆起したエリア（１４）とを有する再帰反射性の物品（１０）であって、該物品（１０）は、基板（２０）と該基板（２０）の前表面に接着された後表面を有する再帰反射性フィルム（３０）とを備え、
該基板（２０）は、該平面エリア（１２）に対応する平面エリア（２２）と、該隆起したエリア（１４）に対応する隆起したエリア（２４）とを有し、
該再帰反射性フィルム（３０）は、該平面エリア（１２）に対応する平面エリア（３２）と、該隆起したエリア（１４）に対応する隆起したエリア（３４）とを有し、
該再帰反射性フィルム（３０）は、該再帰反射性フィルム（３０）の後表面上に形成された再帰反射性プリズムエレメント（６０）を有するプリズム層（４２）を備え、
該再帰反射性フィルム（３０）は、少なくとも２０％の伸び率を有し、
該基板（２０）が３０％未満の可視光透過率を有するか、および／または該プリズム層（４２）の後部に位置している該フィルム（３０）の層（４４）が３０％未満の可視光透過率を有する、再帰反射性の物品（１０）。
【請求項２】
前記平面エリア（１２）は、バックグランドを形成し、前記隆起したエリア（１４）は、しるしを形成している、請求項１に記載の再帰反射性の物品（１０）。
【請求項３】
請求項１に記載の再帰反射性の物品（１０）を含むライセンスプレート（１０）であって、前記基板（２０）は、実質的に不透明なアルミニウム板である、ライセンスプレート（１０）。
【請求項４】
請求項１に記載の再帰反射性の物品（１０）を製作する方法であって、
前記基板（２０）の前表面が前記再帰反射性フィルム（３０）の後表面に接着されるように、前記隆起したエリア（２４）の形成に先行して、該基板（２０）を作り、前記隆起したエリア（３４）の形成に先行して、該再帰反射性フィルム（３０）を作ることと、
刻印すること、または浮き彫りにすること、または押圧することによって、該基板／フィルム作りを常温加工変形することにより、該隆起したエリア（２４／３４）を形成することと
を包含する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月20日(2009.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ルテニウム金属層を形成する方法であって、
成膜システムの処理チャンバ内に、パターン化された基板を提供するステップであって、前記パターン化された基板は、１もしくは２以上のビアもしくは溝またはこれらの組み合わせを有するステップと、
前記パターン化された基板を、第１の温度に加熱して、前記処理チャンバ内に、第１の圧力を形成するステップと、
前記第１の温度および前記第１の圧力を維持したまま、原子層成膜処理法で、前記パターン化された基板上に、第１のルテニウム金属層を成膜するステップであって、第１の、前記基板をルテニウム有機金属前駆体に暴露するステップと、第２の、前記基板をH2および／またはNH3ガスに暴露するステップとの交互ステップを有するステップと、
前記第１の温度からより高温の第２の温度まで、前記パターン化された基板の温度を高め、前記第１の圧力からより高圧の第２の圧力まで、前記処理チャンバ内の圧力を高めるステップと、
前記第２の温度および前記第２の圧力を維持したまま、熱化学気相成膜処理法で、前記第１のルテニウム金属層の上部に、第２のルテニウム金属層を成膜するステップであって、前記パターン化された基板を、ルテニウム有機金属前駆体と、Ｈ２および／またはＮＨ３ガスとに同時に暴露するステップを有するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記第１のルテニウム金属層を成膜するステップは、プラズマ加速原子層成膜処理法を含み、
前記第2の暴露ステップは、前記Ｈ２および／またはＮＨ３ガスのプラズマに、前記基板を暴露するステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
さらに、
前記交互の暴露ステップの間に、前記処理チャンバを不活性ガスでパージするステップを有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１および第２の交互の暴露ステップは、所望の回数だけ実施され、厚さが約１乃至１０ｎｍの前記第１のルテニウム金属層が成膜されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のルテニウム金属層を成膜するステップは、熱原子層成膜処理法を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のルテニウム金属層の厚さは、前記第１のルテニウム金属層の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１および第２のルテニウム金属層は、（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム、ビス（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウム、（２，４−ジメチルペンタジエニル）（メチルシクロペンタジエニル）ルテニウム、ビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム、およびこれらの組み合わせのうちの少なくとも一つを含む、ルテニウム有機金属前駆体から成膜されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の圧力は、約５ｍＴｏｒｒから約５００ｍＴｏｒｒの間であり、前記第２の圧力は、約５００ｍＴｏｒｒから約３０Ｔｏｒｒの間であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
さらに、前記パターン化された基板は、該基板上に形成されたバリア層を有し、該バリア層の上に、前記第１のルテニウム金属層が成膜され、
前記バリア層は、Ｔａ、ＴａＮ、ＴａＣＮ、Ｗ、ＷＮ、またはこれらの組み合わせであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月18日(2009.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にルテニウム金属層を低温で堆積する方法であって：
堆積システムのプロセスチャンバ内に基板を供する工程；
Ｒｕ３（ＣＯ）１２先駆体蒸気及びＣＯ含有ガスを含むプロセスガスを生成して該プロセスガスを前記プロセスチャンバへ供給する工程；並びに
熱化学気相成長法によって、約１００℃から約３００℃に維持された前記基板を前記プロセスガスに曝露することで、前記基板上に、電気抵抗が約８μΩ−ｃｍから約４０μΩ−ｃｍである低電気抵抗ルテニウム金属層を堆積する工程；
を有する方法。
【請求項２】
前記の曝露工程が前記基板を約１８０℃から約２５０℃に維持する工程を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ルテニウム金属層の電気抵抗が約２０μΩ−ｃｍから約３０μΩ−ｃｍである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
基板上にルテニウム金属層を低温で堆積する方法であって：
堆積システムのプロセスチャンバ内に基板を供する工程；
Ｒｕ３（ＣＯ）１２先駆体蒸気及びＣＯ含有ガスを含むプロセスガスを生成して該プロセスガスを前記プロセスチャンバへ供給する工程；並びに
熱化学気相成長法によって前記基板を前記プロセスガスに曝露して前記基板上に低電気抵抗ルテニウム金属層を堆積する工程であって、前記曝露は約１００℃から約３００℃の基板温度範囲で実行され、前記曝露が前記基板温度範囲で実行される結果、前記ルテニウム金属層がＲｕ（１０１）結晶配向を支配的に有する、工程；
を有する方法。
【請求項５】
前記の曝露工程が、約１０Åから約３００Åの厚さで前記ルテニウム金属層を堆積するのに十分である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記の曝露工程が、約２０Åから約５０Åの厚さで前記ルテニウム金属層を堆積するのに十分である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記のプロセスガス生成工程が：
Ｒｕ３（ＣＯ）１２先駆体を加熱することで前記Ｒｕ３（ＣＯ）１２先駆体蒸気を生成する工程；及び
前記ＣＯ含有ガスと前記Ｒｕ３（ＣＯ）１２先駆体蒸気とを混合する工程；
を有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記の加熱する工程が、前記Ｒｕ３（ＣＯ）１２先駆体を約４０℃から約１５０℃に維持する工程を有する、請求項８に記載の方法。
【請求項９】
前記の加熱する工程が、前記Ｒｕ３（ＣＯ）１２先駆体を約６０℃から約９０℃に維持する工程を有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記の混合工程が、前記Ｒｕ３（ＣＯ）１２先駆体の下流で、前記ＣＯ含有ガスと前記Ｒｕ３（ＣＯ）１２先駆体蒸気とを混合させる工程を有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記の混合工程が、前記Ｒｕ３（ＣＯ）１２先駆体を通るように前記ＣＯ含有ガスを流す工程を有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＣＯ含有ガスの流れが約０．１ｓｃｃｍから約１０００ｓｃｃｍである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＣＯ含有ガスの流れが約１０ｓｃｃｍから約３００ｓｃｃｍである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＣＯ含有ガスが、ＣＯ及び不活性ガスを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記曝露中、約１ｍＴｏｒｒから約２００ｍＴｏｒｒの圧力に前記プロセスチャンバを維持する工程をさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記曝露中、約５ｍＴｏｒｒから約５０ｍＴｏｒｒの圧力に前記プロセスチャンバを維持する工程をさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記基板が、１以上のビア若しくは溝又はこれらの結合を有するパターニング基板である、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
基板上にルテニウム金属層を低温で堆積する方法であって：
堆積システムのプロセスチャンバ内に基板を供する工程；
Ｒｕ３（ＣＯ）１２先駆体蒸気及びＣＯ含有ガスを含むプロセスガスを生成して該プロセスガスを前記プロセスチャンバへ供給する工程；並びに
熱化学気相成長法によって、約１８０℃から約２５０℃に維持された前記基板を前記プロセスガスに曝露することで、前記基板上に、Ｒｕ（１０１）結晶配向を支配的に有する低電気抵抗ルテニウム金属層を堆積する工程；
を有する方法。
【請求項１９】
前記ルテニウム金属層の電気抵抗が約２０μΩ−ｃｍから約３０μΩ−ｃｍである、請求項２６に記載の方法。
【請求項２０】
前記の曝露工程が、約１０Åから約３００Åの厚さで前記ルテニウム金属層を堆積するのに十分である、請求項２６に記載の方法。
【請求項２１】
前記のプロセスガス生成工程が、固体Ｒｕ３（ＣＯ）１２先駆体を通るように前記CO含有ガスを流しながら、前記固体Ｒｕ３（ＣＯ）１２先駆体を加熱することで前記Ｒｕ３（ＣＯ）１２先駆体蒸気を生成する工程を有する、請求項２６に記載の方法。
【請求項２２】
前記の加熱する工程が、前記Ｒｕ３（ＣＯ）１２先駆体を約４０℃から約１５０℃に維持する工程を有する、請求項２９に記載の方法。
【請求項２３】
前記ＣＯ含有ガスの流れが約０．１ｓｃｃｍから約１０００ｓｃｃｍである、請求項２９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月12日(2009.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エチレン〜ブテンの軽質なオレフィンからなる混合軽質オレフィン原料ストリームと、単環芳香族化合物を含む液体芳香族原料ストリームとから、ガソリン沸点範囲生成物を製造するための方法であって、該方法は、
混合軽質オレフィンストリームを分割して二つの混合軽質オレフィンストリームを形成する工程、
二つの混合軽質オレフィン原料ストリームのうちの一つを、活性触媒成分としてＭＷＷゼオライト物質を含むオレフィン縮合触媒の固定床へ送って、該ストリーム中でのオレフィンの重合によって、重合体ガソリン沸点範囲生成物を形成させる工程、
液体芳香族原料ストリーム中にオレフィンを溶解させる温度で、芳香族原料ストリームと接触するようにオレフィン原料ストリームを送ることにより、二つの混合軽質オレフィン原料ストリームのうちのもう一方からオレフィンを抽出する工程、
抽出されたオレフィンを含む芳香族ストリームをアルキル化工程に送り、そこで芳香族を、液相に抽出されたオレフィン原料で、固体モレキュラーシーブアルキル化触媒の固定床によりアルキル化して、アルキル芳香族を含むガソリン沸点範囲生成物を形成させる工程、および、
重合体ガソリン沸点範囲生成物と、アルキル芳香族を含むガソリン沸点範囲生成物とを組合わせて、ガソリン沸点範囲生成物を形成させる工程
を含むことを特徴とするガソリン沸点範囲生成物の製造方法。
【請求項２】
前記芳香族原料ストリームは、改質油を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記混合軽質オレフィン原料ストリームは、Ｃ２〜Ｃ４オレフィンを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記重合は、ＭＷＷ系のゼオライトを含むモレキュラーシーブ触媒により行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記重合を行う前記ＭＷＷ系のゼオライトは、ＭＣＭ−２２を含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記アルキル化は、ＭＷＷ系のゼオライトを含むモレキュラーシーブ触媒により液相で行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記アルキル化を液相で行う前記ＭＷＷ系のゼオライトは、ＭＣＭ−２２を含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記アルキル化は、異なる中間細孔径のゼオライトを含むアルキル化触媒により気相の第二の工程で行われることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記アルキル化は、ＺＳＭ−５ゼオライトを含むアルキル化触媒により気相で行われることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記抽出されたオレフィンを含む液体芳香族ストリームは、アルキル化工程へ送られ、そこでストリーム中の芳香族は、抽出されたオレフィンで、ＭＷＷ系のゼオライトを含む固体モレキュラーシーブアルキル化触媒の固定床の上で、液相反応で、９０℃〜２５０℃の温度および７，０００ｋＰａｇ以下の圧力でアルキル化されて、アルキル芳香族を含むガソリン沸点範囲生成物を形成させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記オレフィン原料ストリームは、前記芳香族原料ストリームと、液相中、触媒の存在下に、１５０℃〜２５０℃の温度で反応されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
エチレン、プロピレン及びブタンからなる前記混合軽質オレフィン原料ストリームと前記オレフィンとは、オレフィンストリーム中のより高級なオレフィンの抽出を促進する条件下で、選択的にオレフィンストリームから抽出されて、プロピレンおよびブテンに富んだ芳香族ストリームと、エチレンを含むオレフィン流出物とを形成させ、その際、該芳香族ストリームは、アルキル化工程へ送られ、該エチレンを含むオレフィン流出物は、アルキル化工程へ送られ、その際、該芳香族ストリームは、流出物ストリーム中のエチレンで、ＺＳＭ−５からなるアルキル化触媒により、気相でアルキル化されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記芳香族ストリームは、流出物ストリーム中のエチレンで、ＺＳＭ−５の触媒により、温度２００℃〜３２５℃でアルキル化されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
エチレン、プロピレン及びブタンからなる前記混合軽質オレフィン原料ストリームと前記オレフィンとは、オレフィンストリーム中のより高級なオレフィンの抽出を促進する条件下で、選択的にオレフィンストリームから抽出されて、プロピレンおよびブテンに富んだ芳香族ストリームと、エチレンを含むオレフィン流出物とを形成させ、その際、該芳香族ストリームは、液相のアルキル化工程へ送られ、該エチレンを含むオレフィン流出物は、重合工程へ送られ、該オレフィン流出物中のエチレンの重合により、重合体ガソリン沸点範囲生成物を形成することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
該液相のアルキル化工程からの流出物は、該オレフィン抽出工程からのエチレンを含む該オレフィン流出物とともに、該気相アルキル化工程へ送られ、該芳香族ストリームを、該ＺＳＭ−５のアルキル化触媒により、気相でアルキル化することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月23日(2009.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アメリカンタイプカルチャーコレクション(ATCC)アクセッション番号PTA-7452であるハイブリドーマによって産生される抗体の重鎖可変領域及び軽鎖可変領域のアミノ酸配列を含み、161P2F10Bタンパク質(配列番号4)に特異的に結合するモノクローナル抗体あるいは161P2F10Bタンパク質(配列番号4)に特異的に結合する前記抗体のFab、F(ab')2、FvまたはSfvフラグメント。
【請求項２】
アメリカンタイプカルチャーコレクション(ATCC)アクセッション番号PTA-7452であるハイブリドーマによって産生される抗体のアミノ酸配列を含み、161P2F10Bタンパク質(配列番号4)に特異的に結合する請求項1のモノクローナル抗体。
【請求項３】
アメリカンタイプカルチャーコレクション(ATCC)アクセッション番号PTA-7452であるハイブリドーマによって産生される抗体あるいはそのFab、F(ab')2またはFvフラグメント。
【請求項４】
前記抗体またはフラグメントが、検出可能なマーカー、毒素、治療剤、または化学療法剤に結合されている、請求項1、2または3のいずれか1項に記載の抗体またはフラグメント。
【請求項５】
アメリカンタイプカルチャーコレクション(ATCC)アクセッション番号PTA-7452である、請求項1に記載の抗体を産生するハイブリドーマ。
【請求項６】
請求項1、2または3のいずれか1項に記載の抗体の軽鎖可変領域を含む配列をコードするポリヌクレオチド。
【請求項７】
請求項1、2または3のいずれか1項に記載の抗体の軽鎖をコードする請求項6に記載のポリヌクレオチド。
【請求項８】
請求項1、2または3のいずれか1項に記載の抗体の重鎖可変領域を含む配列をコードするポリヌクレオチド。
【請求項９】
請求項1、2または3のいずれか1項に記載の抗体の重鎖をコードする請求項8に記載のポリヌクレオチド。
【請求項１０】
請求項6及び／又8に記載のポリヌクレオチドを含むベクター。
【請求項１１】
請求項10に記載のベクターで形質転換された細胞。
【請求項１２】
下記(a)又は(b)の細胞を培養する工程を含むことを特徴とする、請求項1又は2の抗体あるいはそのFab、F(ab')2、又はFvフラグメントの製造方法。
(a) 請求項6に記載の軽鎖可変領域を含む配列をコードするポリヌクレオチドを含むベクター及び請求項8に記載の重鎖可変領域を含む配列をコードするポリヌクレオチドを含むベクターで形質転換された細胞。
(b) 請求項6に記載の軽鎖可変領域を含む配列をコードするポリヌクレオチド及び請求項8に記載の重鎖可変領域を含む配列をコードするポリヌクレオチドを共に含むベクターで形質転換された細胞。
【請求項１３】
請求項1乃至4に記載の抗体あるいはそのFab、F(ab')2、FvまたはSfvフラグメントを含む薬学的組成物。
【請求項１４】
癌治療用である請求項13に記載の薬学的組成物。
【請求項１５】
癌が腎臓癌である、請求項14に記載の薬学的組成物。
【請求項１６】
生物学的サンプル中の161P2F10Bタンパク質の存在を検出するためのアッセイであって、該アッセイは、該サンプルを請求項1、2または3のいずれか1項に記載の抗体と接触させる工程、および該サンプル中の161P2F10Bタンパク質（配列番号4）の結合を検出する工程を包含する、アッセイ。
【請求項１７】
生物学的サンプル中の161P2F10Bタンパク質（配列番号4）を検出するための方法であって、該方法は、
該生物学的サンプルおよびコントロールサンプルを提供する工程；
該生物学的サンプルおよび該コントロールサンプルを、該161P2F10Bタンパク質と特異的に結合する請求項1、2または3のいずれか1項に記載の抗体と接触させる工程、ならびに
該生物学的サンプルおよび該コントロールサンプル中に存在する該161P2F10Bタンパク質を含む物質と該抗体との複合体の量を決定する工程
を包含する、方法。
【請求項１８】
腫瘍の増殖を減少させるための癌治療薬であって、該癌治療薬は、請求項１乃至４項に記載の抗体あるいはそのFab、F(ab')2、FvまたはSfvフラグメントと化学療法剤とを組み合わせてなる、癌治療薬。
【請求項１９】
腫瘍が腎腫瘍である、請求項18に記載の癌治療薬。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５２】
一実施形態において、本発明は、Ｈａ１６−１（３，５）１８、Ｈａ１６−１（１）１１、Ｈ１６−１．９３、Ｈ１６−９．６９として同定され、アメリカンタイプカルチャーコレクション（ＡＴＣＣ、Ｐ．Ｏ．Ｂｏｘ  １５４９，Ｍａｎａｓｓａｓ，ＶＡ  ２０１０８）へ２００６年３月２８日付けで（フェデラルエクスプレスで）送られ、それぞれ、アクセッション番号ＰＴＡ−７４５２およびＰＴＡ−７４５０およびＰＴＡ−７４４９およびＰＴＡ−７４５１と割り当てられたハイブリドーマにより産生されるモノクローナル抗体を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４６８】
Ｈａ１６−１（３，５）１８、Ｈａ１６−１（１）１１、Ｈ１６−１．９３、Ｈ１６−９．６９と称される抗体を産生するハイブリドーマを、２００６年３月２８日にＡｍｅｒｉｃａｎ  Ｔｙｐｅ  Ｃｕｌｔｕｒｅ  Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ（ＡＴＣＣ），Ｐ．Ｏ．Ｂｏｘ  １５４９，  Ｍａｎａｓｓａｓ，ＶＡ  ２０１０８に送り（Ｆｅｄｅｒａｌ  Ｅｘｐｒｅｓｓを介して）、そしてそれらは、それぞれ、アクセッション番号ＰＴＡ−７４５２、ＰＴＡ−７４５０、ＰＴＡ−７４４９、ＰＴＡ−７４５１が割り当てられた。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月27日(2009.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号：
【化１】
2008538183.tif 000001
【化２】
2008538183.tif 000002
【化３】
2008538183.tif 000003
のうちの１つ以上に対して少なくとも７５％の配列同一性を有するアミノ酸配列を含む、
ポリペプチド。
【請求項２】
配列番号：
【化４】
2008538183.tif 000004
【化５】
2008538183.tif 000005
【化６】
2008538183.tif 000006
のアミノ酸配列のうちの１つ以上を含む、請求項１に記載のポリペプチド。
【請求項３】
配列番号：
【化７】
2008538183.tif 000007
【化８】
2008538183.tif 000008
【化９】
2008538183.tif 000009
【化１０】
2008538183.tif 000010
のうちの１つ以上に由来する少なくとも７個の連続するアミノ酸のフラグメントを含む、
ポリペプチド。
【請求項４】
前記フラグメントが前記配列番号のアミノ酸配列由来のＴ細胞またはＢ細胞エピトープを
含む、請求項３に記載のポリペプチド。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のポリペプチドに結合する、抗体。
【請求項６】
モノクローナル抗体である、請求項５に記載の抗体。
【請求項７】
配列番号：
【化１１】
2008538183.tif 000011
【化１２】
2008538183.tif 000012
【化１３】
2008538183.tif 000013
のうちの１つ以上に対して少なくとも７５％の配列同一性を有するヌクレオチド配列を含
む、核酸。
【請求項８】
配列番号：
【化１４】
2008538183.tif 000014
【化１５】
2008538183.tif 000015
【化１６】
2008538183.tif 000016
から選択されるヌクレオチド配列を含む、請求項７に記載の核酸。
【請求項９】
高いストリンジェンシーの条件下で、請求項８に記載の核酸にハイブリダイズし得る、核
酸。
【請求項１０】
配列番号：
【化１７】
2008538183.tif 000017
【化１８】
2008538183.tif 000018
【化１９】
2008538183.tif 000019
【化２０】
2008538183.tif 000020
のうちの１つ以上に由来する、１０個またはそれより多い連続するヌクレオチドのフラグ
メントを含む、核酸。
【請求項１１】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のポリペプチドをコードする、核酸。
【請求項１２】
（ａ）請求項１〜１１のいずれか１項に記載のポリペプチド、抗体および／または核酸と
、
（ｂ）薬学的に受容可能なキャリアと
を含む、組成物。
【請求項１３】
ワクチンアジュバントをさらに含む、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
医薬としての使用のための、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の核酸、ポリペプチド
、または抗体。
【請求項１５】
患者を処置するための、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１６】
インフルエンザ菌（Ｈａｅｍｏｐｈｉｌｕｓ  ｉｎｆｌｕｅｎｚａｅ）によって引き起こ
される疾患および／または感染を処置または予防するための医薬の製造における、請求項
１〜１１のいずれか１項に記載の核酸、ポリペプチド、または抗体の使用。
【請求項１７】
細菌性髄膜炎を予防するための、請求項１５に記載の組成物。
【請求項１８】
細菌性髄膜炎を予防するための、請求項１６に記載の使用。