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【手続補正書】
【提出日】平成21年1月23日(2009.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モジュールが挿入されることができる光学システムによって得られるべき光放出パターンに対応するように選択されている面内の形状及び／又は範囲である少なくとも１つの光射出領域を有する、光学システムのため光源の前記モジュールであって、前記モジュールは、前記モジュールが前記光学システムに対して寄り掛かっている結果として、所定の位置に前記光射出領域を位置決めするのに使用されることができる少なくとも１つの基準点を有する、光源のモジュール。
【請求項２】
前記光射出領域は、前記光学システムの光軸に垂直な面内の前記光学システムの前記光放出パターンにおける明暗境界を生成する少なくとも１つの縁を有している、請求項１に記載の光源のモジュール。
【請求項３】
光軸がある方向への前記モジュールの移動及び／又は前記光学システムの光軸に対する前記モジュールの傾斜による、前記モジュールの位置決めのための複数の第１基準点を有する、請求項１に記載の光源のモジュール。
【請求項４】
光軸に垂直な軸に対して前記モジュールを傾斜させることによる及び／又は前記光学システムの光軸に垂直な方向に前記モジュールを移動させることによる、前記モジュールの位置決めのための複数の第２及び／又は第３基準点を有する、請求項１に記載の光源のモジュール。
【請求項５】
少なくとも１つの発光素子と、前記発光素子との電気的接触を作るための端子とを有しており、前記端子は、前記モジュールがホルダ内に挿入されている場合、前記ホルダ上の接合端子と接触する、請求項１に記載の光源のモジュール。
【請求項６】
前記発光素子は、前記モジュールに属する担体上に取り付けられている高い熱伝導率を有する本体内に挿入される、請求項５に記載の光源のモジュール。
【請求項７】
担体と、前記光射出領域が配されていると共に、前記少なくとも１つの基準点に対して位置決めされる又は位置合わせされることができるような仕方で、前記担体上で移動可能に及び／又は回転可能に取り付けられている本体とを有する、請求項１に記載の光源のモジュール。
【請求項８】
前記モジュールの少なくとも１つ基準点のための少なくとも１つの支持面を有する、特に、請求項１乃至７の少なくとも１つに記載の光源のモジュールの挿入のためのホルダ。
【請求項９】
モジュールの適所における挿入及び機械的なロックのための凹部を有すると共に、前記モジュール上の端子との電気的接触を作るための接合端子を有する、請求項８に記載のホルダ。
【請求項１０】
前記接合端子は、挿入されている前記モジュールの適所における機械的なロックのために弾性であるように設計されている、請求項９に記載のホルダ。
【請求項１１】
これにより、挿入されている前記モジュールが適所に機械的にロックされることができる、クリップを有する請求項９に記載のホルダ。
【請求項１２】
請求項１乃至７の何れか１つに記載の光源のモジュールと、請求項８乃至１１の何れか１つに記載のホルダとを有する、光学システム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月21日(2009.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理装置ないしリアクタであって、
第１の電極を備えた少なくとも一つの誘電バリア放電ランプを有し、該少なくとも一つのランプの少なくとも一つの第２の電極が、ランプを取り巻く空間又はスペース内の導電媒体によって提供されるハウジングと、
前記媒体と電気的に接触し、前記ハウジングとランプとの間の中間位置に配置されている少なくともひとつの導電体と、を備えている、
ことを特徴とする処理装置ないしリアクタ。
【請求項２】
前記ハウジングが導電性であって、少なくともひとつのランプにおける第３の電極を構成している、
請求項１に記載の処理装置ないしリアクタ。
【請求項３】
少なくともひとつの第２の電極及び第３の電極は少なくとも実質的に同一の電位を有している、
請求項２に記載の処理装置ないしリアクタ。
【請求項４】
少なくともひとつの第２の電極は接地電位に接続され、第１の電極に関連して、中間対電極として設けられている、
請求項１に記載の処理装置ないしリアクタ。
【請求項５】
前記空間は、少なくともひとつのランプとハウジングとの間に延び、前記ランプの放射によって処理される導電媒体と、少なくともひとつの導電体とを備えている、
請求項１に記載の処理装置ないしリアクタ。
【請求項６】
前記スペースは、少なくともひとつのランプとランプを取り囲むスリーブとの間に延び、導電媒体と少なくともひとつの導電体とを収容し、
前記ランプの放射によって処理される媒体を備えている前記空間は、スリーブとハウジングとの間に延びている、
請求項１に記載の処理装置ないしリアクタ。
【請求項７】
前記スペース内の媒体は、前記ランプが発生する放射に対して高い透明性を有し、空間内の媒体の導電性より高い導電性を有している、
請求項６に記載の処理装置ないしリアクタ。
【請求項８】
前記少なくともひとつの導電体は、前記少なくともひとつのランプに対して少なくともほぼ延びるロッド又はワイヤの形態で実現され、前記ランプが発生する放射に対して高い反射性をもった表面を備えている、
請求項１に記載の処理装置ないしリアクタ。
【請求項９】
前記少なくともひとつの導電体は金属製のロッドの形態で設けられ、前記ランプの半径方向に向けられた貫通孔を備えている、
請求項１に記載の処理装置ないしリアクタ。
【請求項１０】
前記処理装置ないしリアクタにおいて、
前記少なくともひとつの導電体は、粗面化により表面積が増大させられた金属製のロッドの形態で設けられている、
請求項１に記載の処理装置ないしリアクタ。
【請求項１１】
前記少なくともひとつの誘電バリア放電ランプは、処理されるべき媒体がランプの軸線に対してクロスフロー方向に供給されるように、ハウジング内に配置されている、
請求項１に記載の処理装置ないしリアクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月15日(2009.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
第１と第２の半部品は中央導電体により規定される面を横断する方向に、各々中央領域を通る開口を持つ請求項１８に記載のループプラグ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
絶縁体が２つの絶縁部材を有し、各絶縁部材は第１と第２の導電バレル内において中央導電体の周囲に設けられる請求項１２に記載のループプラグ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
各絶縁部材は相互に中央導電体の反対側に設けられる同一の半部品を有している請求項２０に記載のループプラグ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月7日(2009.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
従って、従来の技術に関する欠点を克服する一方、低プロファイルのワイヤループを提供する方法およびその装置が提供されることが望まれている。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
【特許文献１】米国特許第４，４４５，６３３号明細書
【特許文献２】米国特許第５，２０５，４６３号明細書
【特許文献３】米国特許第６，０６２，４６２号明細書
【特許文献４】米国特許第６，１５６，９９０号明細書
【特許文献５】米国特許第６，９３３，６０８号明細書
【特許文献６】米国特許第７，２２９，９０６号明細書
【特許文献７】米国特許第６，８１５，８３６号明細書
【特許文献８】米国特許出願公開第２００２／００７９３４８号明細書
【特許文献９】米国特許出願公開第２００４／０１４８７７３号明細書
【特許文献１０】米国特許出願公開第２００５／００７２８３３号明細書
【特許文献１１】米国特許出願公開第２００５／０１０９８１９号明細書
【特許文献１２】特開平０７-１３０７８５号公報
【特許文献１３】特開平１１-２１９９７０号公報
【特許文献１４】特開平０３-１４２９４１号公報
【特許文献１５】特開平０９-０５１０１１号公報
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月16日(2008.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスの製造方法であって、
半導体基板を用意するステップと、
前記半導体基板の表面に第１の絶縁層を形成するステップと、
前記第１の絶縁層の表面にナノ結晶の層を形成するステップと、
前記ナノ結晶の層の上に第２の絶縁層を形成するステップと、
前記第２の絶縁層を窒化雰囲気にさらすステップと、
前記ナノ結晶の層と前記第１および第２の絶縁層の部分とを前記半導体基板の表面を露出するために選択的に除去するステップと、
前記半導体基板の前記露出した表面の上に第３の絶縁層を形成するステップとを備える方法。
【請求項２】
前記第２の絶縁層の上にあるパターン化されたポリシリコン層を形成するステップをさらに備え、このパターン化されたポリシリコン層は複数の不揮発性メモリセルに対するゲート電極を形成する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第２の絶縁層の上に第４の絶縁層を形成するステップと、
前記第４の絶縁層を第２の窒化雰囲気にさらすステップとをさらに備える、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第２の絶縁層を形成するステップは、絶縁層の積層を形成することで前記第２の絶縁層を形成するステップからなる、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記第２の絶縁層を前記窒化雰囲気にさらした後に、前記半導体デバイスをアニーリングするステップをさらに備える、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記第２の絶縁層は、前記ナノ結晶の層の部分が選択的に除去された後に前記窒化雰囲気にさらされる、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記窒化雰囲気はアンモニア、亜酸化窒素、原子窒素、あるいは他の窒素化合物の１つあるいは複数を含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面の上に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の表面の上に形成されたナノ結晶のパターン化された層と、
前記ナノ結晶の層の上に形成された第２の絶縁層であって、この第２の絶縁層はこの第２の絶縁層の２原子パーセントに等しいかあるいはそれより多くの窒素含量を有する絶縁層と、
前記半導体基板の表面の上に、前記第１と第２の絶縁層の上は除いて、形成された第３の絶縁層と、を含む、半導体デバイス。
【請求項９】
前記第２の絶縁層は絶縁層の積層を含む、請求項８記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記半導体デバイスは、約４００〜１０００°C の間でアニーリングされる、請求項８記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月15日(2008.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ上に取り付けられた少なくとも１つのセンサエレメントを備えた該ウェハ上に第１の所定の厚さで、前記少なくとも１つのセンサエレメント上に少なくとも部分的に犠牲材料を堆積させるステップと、
前記ウェハ上で、前記堆積された犠牲材料の周りに前記第１の所定の厚さよりも薄い第２の所定の厚さで封止層を形成するステップと、
前記犠牲材料を除去するステップと
を有することを特徴とするセンサを製造する方法。
【請求項２】
前記除去するステップの前に、
複数のチップを形成するために前記ウェハをダイシングするステップ
を更に有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記堆積させるステップの後に、前記ウェハおよび前記堆積された犠牲材料を硬化させるステップを更に有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記堆積させるステップが、揺変性の特性を備え、少なくとも約１４０℃の温度に耐える能力を備えた材料を堆積させることを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記材料を堆積させるステップが、一時的に、水溶性熱可塑性接着材料を堆積させることを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記堆積させるステップが、前記ウェハ上にニードルから前記犠牲材料を分配することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記堆積させるステップが、前記ウェハ上にマスクを配置することを含み、
前記マスクは、少なくとも１つの前記センサエレメントを露出させ、前記マスクの上から前記犠牲材料をシルクスクリーンさせることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記封止層を形成するステップが、前記封止層を形成するための液体モールディング技術を使用することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記除去するステップが、前記犠牲材料に溶液を適用することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記除去するステップが、前記犠牲材料の上に高圧脱イオン水をスプレーすることを含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記除去するステップが、前記犠牲材料にフォトレジストを適用することを含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記除去するステップが、前記犠牲材料にプラズマを適用することを含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記犠牲材料を除去するステップの後に、
前記ウェハを回路ボードに結合させるステップを更に有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
ウェハ上に取り付けられた少なくとも１つのセンサエレメントを備えた前記ウェハ上に第１の所定の厚さで犠牲材料を堆積させるステップと、を有し、
前記犠牲材料は、揺変性の特性を備え、少なくとも約１４０℃の温度に耐える能力を備え、少なくとも１つのセンサエレメント上の少なくとも一部に堆積され、
前記ウェハ上で、前記堆積された犠牲材料の周りに前記第１の所定の厚さよりも薄い代２の所定の厚さで封止層を形成するステップと、
前記犠牲材料を除去するステップと、
を有することを特徴とするセンサを製造する方法。
【請求項１５】
前記堆積させるステップが、前記ウェハ上にニードルから前記犠牲材料を分配させることを含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記堆積させるステップが、
前記ウェハ上にマスクを配置させることを有し、
前記マスクは少なくとも前記センサエレメントの１つを露出させ、前記マスクの上に前記犠牲材料をシルクスクリーンすることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記封止層を形成するステップが、前記封止層を形成するための液体モールディング技術を使用することを含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記除去するステップが、前記犠牲材料に対して溶液を適用することを含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
第１および第２の側を備えたウェハであって、前記ウェハの第１および第２の側の各々が表面を備え、相互接続が前記ウェハの第１および第２の側の間に延び、第１の端および第２の端を包含し、前記相互接続の第１の端が前記ウェハの第１の側の表面で露出し、前記相互接続の第２の端が前記ウェハの第２の側の表面の一部で露出され、該ウェハの第２の側の表面の一部に沿って延びることを特徴とするウェハと、
前記ウェハの第２の側に結合され、該ウェハの第２の側の上に配置されたセンサエレメントであって、前記センサエレメントが第１の部分及び第２の部分を含み、前記第１の部分が相互接続の第２の端と接触することを特徴とする、センサエレメントと、
前記相互接続および前記センサエレメントと接触するウェハの第２の側に形成された回路と、
前記ウェハの第２の側に結合した封止層と、を有し
前記封止層が、貫通して形成された開口部を備え、前記センサエレメントの第２の部分を露出させることを特徴とするセンサ。
【請求項２０】
前記封止層が、プラスチック、ポリイミド、または、絶縁体からなることを特徴とする請求項１９に記載のセンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月20日(2008.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を形成する方法であって、
第一領域を有する半導体基板を提供するステップと、
前記第一領域上にゲート誘電体を形成するステップと、
前記ゲート誘電体上に導電性金属酸化物を形成するステップと、
前記導電性金属酸化物上に耐酸化バリア層を形成するステップと、
前記耐酸化バリア層上にキャッピング層を形成するステップと、
前記半導体基板から離れるように延びる側壁を有するゲートを形成するため、前記導電性金属酸化物、耐酸化バリア層、及びキャッピング層をパターン化するステップと、
前記パターン化された導電性金属酸化物、耐酸化バリア層、及びキャッピング層の各端部に沿って延びるスペーサを、前記ゲートの側壁上に形成するステップと
を備える方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
前記第一領域はｎ型にドープされる方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、
前記半導体基板は第二領域を有し、
前記第二領域はｐ型にドープされ、
前記半導体装置を形成する方法は、更に、前記耐酸化バリア層の上方と前記キャッピング層の下方とにＮＭＯＳゲート電極材料を形成するステップを備える方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法において、
ＮＭＯＳゲート電極を形成するステップは、更に、ＴａＣ及びＴａＳｉＮからなる群より選択された材料を形成するステップを備える方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、
前記耐酸化バリア層を形成するステップは、前記半導体基板をアニーリングする前に行われる方法。
【請求項６】
半導体装置を形成する方法であって、
第一領域及び第二領域を有する半導体基板を提供するステップであって、前記第一領域は前記第二領域と異なるドーパントを備えるステップと、
前記第一領域及び前記第二領域の上方にゲート誘電体を形成するステップと、
前記第一領域における前記ゲート誘電体上に導電性金属酸化物を形成するステップと、
前記第一領域における前記導電性金属酸化物上に耐酸化バリア層を形成するステップと、
前記第二領域における前記ゲート誘電体上に導電性材料を形成すると共に、前記第一領域における前記耐酸化バリア層上に導電性材料を形成するステップと、
前記導電性材料上にキャッピング層を形成するステップと、
前記半導体基板から離れるように延びる側壁を有するゲートを形成するため、前記導電性金属酸化物、耐酸化バリア層、導電性材料、及びキャッピング層をパターン化するステップと、
前記パターン化された導電性金属酸化物、耐酸化バリア層、導電性材料、及びキャッピング層の各端部に沿って延びるスペーサを、前記ゲートの側壁上に形成するステップと
を備える方法。
【請求項７】
請求項６記載の方法において、
前記導電性材料を形成するステップは、更に、ＴａＣ及びＴａＳｉＮからなる群より選択された材料を形成するステップを備える方法。
【請求項８】
請求項６記載の方法において、
前記耐酸化バリア層を形成するステップは、前記半導体基板をアニーリングする前に行われる方法。
【請求項９】
半導体装置であって、
第一領域を有する半導体基板と、
前記第一領域上にゲート誘電体と、
前記ゲート誘電体上に設けられ、パターン化された導電性金属酸化物と、
前記パターン化された導電性金属酸化物上に設けられ、パターン化された耐酸化バリア層と、
前記パターン化された耐酸化バリア層上に設けられ、パターン化されたキャッピング層と、
前記半導体基板から延びる側壁を有するゲートのためにパターン化された導電性金属酸化物、耐酸化バリア層、及びキャッピング層と、
前記側壁上に形成されたスペーサと
を備える半導体装置。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置において、
前記導電性金属酸化物は、Ｉｒ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｗ，Ｏｓ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｉ及びＲｅからなる群より選択された元素を含み、前記耐酸化バリア層は、チタン及び窒素を含む半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月30日(2009.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）複数の非絶縁ワイヤを含んでなるマルチストランドケーブルと、
ｂ）ケーブルを外装する電気絶縁体とを含んでなる絶縁電力ケーブルであって、
電気絶縁体が、厚さが０．０６２５から０．５インチ（０．１６から１．３センチメートル）であり、螺旋状に巻かれたクレーピングされたテープの複数の層を含んでなり、テープが、少なくとも５０重量パーセントのアラミド材料を含んでなり、テープが、クレーピングされる前、１立方センチメートルあたり０．１から０．５グラムの密度を有する絶縁電力ケーブル。
【請求項２】
請求項１に記載のケーブルを含んでなる変圧器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
一実施形態において、本発明のケーブルは、変圧器内のケーブルとして有用である。本発明の別の実施形態は、本明細書で説明されるような絶縁マルチストランドケーブルを含んでなる変圧器である。
次に、本発明の好ましい態様を示す。
１．  ａ）複数の非絶縁ワイヤを含んでなるマルチストランドケーブルと、
ｂ）ケーブルを外装する電気絶縁体とを含んでなる絶縁電力ケーブルであって、
電気絶縁体が、厚さが０．０６２５から０．５インチ（０．１６から１．３センチメートル）であり、螺旋状に巻かれたクレーピングされたテープの複数の層を含んでなり、テープが、少なくとも５０重量パーセントのアラミド材料を含んでなり、テープが、クレーピングされる前、１立方センチメートルあたり０．１から０．５グラムの密度を有する絶縁電力ケーブル。
２．  ケーブル上に外装された電気絶縁体の密度が、１立方センチメートルあたり０．２から０．６グラムである上記１に記載のケーブル。
３．  ケーブル上に外装された電気絶縁体の密度が、１立方センチメートルあたり０．３から０．５グラムである上記２に記載のケーブル。
４．  アラミド材料が、アラミド繊維を含んでなる不織シートである上記１に記載のケーブル。
５．  不織シートがアラミド紙である上記４に記載のケーブル。
６．  アラミド材料がメタ−アラミドポリマーである上記１に記載のケーブル。
７．  メタ−アラミドポリマーがポリ（メタフェニレンイソフタルアミド）である上記６に記載のケーブル。
８．  アラミド材料がパラ−アラミドポリマーである上記１に記載のケーブル。
９．  メタ−アラミドポリマーがポリ（パラフェニレンテレフタルアミド）である上記６に記載のケーブル。
１０．  複数の非絶縁ワイヤが、複数の束の形態で存在する上記１に記載のケーブル。
１１．  マルチストランドケーブルが、８ＡＷＧから１０００ＭＣＭのサイズを有する上記１に記載のケーブル。
１２．  上記１に記載のケーブルを含んでなる変圧器に有用なケーブル。
１３．  上記１に記載のケーブルを含んでなる変圧器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月21日(2009.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
石英ガラス製の球と、この球の石英ガラス材料内に少なくとも一部が埋め込まれた金属製電極ロッドとが設けられた電気ランプにおいて、
前記石英ガラス材料に接触する前記電極ロッドの表面の少なくとも主要部に、実質的に長手方向の溝が設けられていることを特徴とする電気ランプ。
【請求項２】
前記電極ロッドの前記金属材料は、少なくとも７０重量％のタングステンを含むことを特徴とする請求項１記載のランプ。
【請求項３】
前記溝の深さは、１μｍより大、好ましくは２μｍと３０μｍの間、より好ましくは３μｍと２０μｍの間、更に好ましくは５μｍと１０μｍの間であることを特徴とする請求項１又は２記載のランプ。
【請求項４】
前記溝の深さに対する幅の比（幅／深さ）が４未満、好ましくは２未満、より好ましくは１未満であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項記載のランプ。
【請求項５】
前記電極ロッドの横断面における溝の数は、ｍｍを単位として測定された電極ロッドの直径の１０〜４０００倍、好ましくは１００〜２０００倍、より好ましくは２５０〜１０００倍であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項記載のランプ。
【請求項６】
前記電極ロッドの横断面内にて、前記溝は（３６０／ｎ）°±（３６０／２ｎ）°（ここでｎは前記横断面における溝の数である）の角度に円周方向に分布していることを特徴とする請求項１乃至５の何れか項記載のランプ。
【請求項７】
前記電極ロッドの長手方向軸線と前記溝との間の角度は、２０°未満、好ましくは１０°未満、より好ましくは４°未満であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項記載のランプ。
【請求項８】
前記ランプは高圧ガス放電ランプであることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項記載のランプ。
【請求項９】
前記電極ロッドは、前記ランプの前記石英ガラス製の球の前記ピンチシール部分内に存在することを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項記載のランプ。
【請求項１０】
前記レフレクタには、前の請求項のうちのいずれか１つに記載のランプが設けられていることを特徴とするランプとレフレクタとのユニット。
【請求項１１】
石英ガラス製の球と、この球の石英ガラス材料内に少なくとも一部が埋め込まれた金属製電極ロッドが設けられた電気ランプを製造する方法において、
前記石英ガラス材料内に前記電極ロッドを埋め込む前に、前記石英ガラス材料に接触する前記電極ロッドの表面の少なくとも主要部に、実質的に長手方向の溝を設けることを特徴とする電気ランプを製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月12日(2008.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
電流を通したときに発光する物質は、よく知られており、ディスプレイ用途に広く用いられている。無機半導体系（inorganic semiconductor systems）に基づいたデバイスが広く用いられている。しかしながら、これらはエネルギー消費が高いこと、生産コストが高いこと、量子効率が低いこと、および、フラットパネルディスプレイを生産することができないこと、という欠点を持っている。有機ポリマーは、エレクトロルミネセンスデバイスに用いるのに有用であるとして提案されているが、純色を得ることができず、生産コストが高い上に効率が比較的低い。提案されている他のエレクトロルミネセンス化合物には、アルミニウムキノラート（トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(III)、aluminium quinolate）があるが、色の範囲を得るために使用するにはドーパント（dopant）が必要である上、比較的効率が低い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
好ましい有機金属錯体の一例としては、ルテニウム錯体、ロジウム錯体、パラジウム錯体、オスミウム錯体、イリジウム錯体、もしくは、白金錯体があり、特にイリジウム錯体が好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（ここで、R1、R2、R3、R4、R5およびR6は、同じ基であっても異なる基であっても良く、水素、ならびに、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香族、複素環および多環の環状構造を有する基のような置換および非置換のヒドロカルビル基、トリフルオロメチル基のようなフルオロカーボン基、フッ素のようなハロゲン、もしくは、チオフェ
ニル基から選択され、また、R1、R2およびR3は、置換または非置換の縮合した芳香族、複素環および多環の環状構造を形成してもよく、モノマー（例えば、スチレン）と共重合をすることができ、さらに、ここでR4およびR5は、同じ基であっても異なる基であっても良く、水素、ならびに、置換および非置換の脂肪族基、置換および非置換の芳香族、複素環および多環の環状構造を有する基のような置換および非置換のヒドロカルビル基、トリフルオロメチル基のようなフルオロカーボン基、フッ素のようなハロゲン、もしくは、チオフェニル基、から選択されてもよく、また、R1、R2およびR3は、置換または非置換の縮合した芳香族、複素環および多環の環状構造を形成してもよく、モノマーと共重合をすることもでき、Mは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、もしくは、白金であり、n+2はＭの価数である）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
好ましい共役高分子は、ポリ(p-フェニレンビニレン)（PPV）および、PPVを含む共重合体である。その他の好ましい高分子は、ポリ[2-メトキシ-5-(2-メトキシペンチルオキシ)-1,4-フェニレンビニレン]、ポリ[(2-メトキシペンチルオキシ)-1,4-フェニレンビニレン]、ポリ[2-メトキシ-5-(2-ドデシルオキシ)-1,4-フェニレンビニレン]などのポリ(2,5-ジアルコシキフェニレンビニレン)、ならびに、長鎖可溶化性アルコキシ基（long chain solubilising alkoxy group）であるアルコキシ基、ポリフルオレン類およびオリゴフルオレン類、ポリフェニレン類およびオリゴフェニレン類、ポリアントラセン類およびオリゴアントラセン類、ポリチオフェン類およびオリゴチオフェン類のうちの少なくとも一つを含む、他のポリ(2,5-ジアルコキシフェニレンビニレン)類 である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
Rおよび／もしくはR1および／もしくはR2および／もしくはR3および／もしくはR4の例には、脂肪族基、芳香族基および複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基およびカルボキシ基、置換ならびに非置換のフェニル基、フルオロフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、アントリル基およびフェナントリル基、t-ブチル基のようなアルキル基、ならびにカルバゾール基のような複素環基が含まれる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
＜BCP層、アルミニウムキノラート（Alq3）層、およびLiF層の真空塗装＞
バソクプロイン（BCP）の層（6nm）、40nmのAlq3の層、その後0.5nmのLiFの層を、ITO/PEDOT-PSS/α-NPB/CBP:化合物P基板の表面に真空塗装した。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月6日(2009.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部空間（１６）を画定する、セラミック材料で形成された放電管（１２）と、
前記内部空間に配置され、不活性ガスおよびハロゲン化物成分を含み、前記ハロゲン化物成分は、ハロゲン化ナトリウム、ハロゲン化セリウム、ハロゲン化タリウム、ならびに場合によってハロゲン化インジウムおよびハロゲン化セシウムの少なくとも一方を含み、前記ハロゲン化セシウムは、前記ハロゲン化物成分の少なくとも９モル％を含み、前記ハロゲン化ナトリウムは、前記ハロゲン化物成分の少なくとも４７モル％を含むイオン性充填材と、
前記充填材に電流が印加されると、それを通電させるように前記放電管内に配置された少なくとも１つの電極（１８，２０）と
を含むセラミックハロゲン化金属ランプ（１０）。
【請求項２】
前記ハロゲン化ナトリウムは、前記充填材におけるハロゲン化物の少なくとも５９モル％である請求項１記載のランプ。
【請求項３】
前記ハロゲン化セリウムは、前記充填材におけるハロゲン化物の少なくとも１２モル％である請求項１記載のランプ。
【請求項４】
ハロゲン化インジウムは、少なくとも１モル％である請求項１記載のランプ。
【請求項５】
ハロゲン化タリウムは、少なくとも１．２モル％である請求項１記載のランプ。
【請求項６】
ハロゲン化セシウムは、少なくとも１．５モル％である請求項１記載のランプ。
【請求項７】
ナトリウム、セリウム、タリウム、インジウムおよびセシウムのハロゲン化物は、存在する場合は、前記充填材におけるハロゲン化物の重量の少なくとも９０％を含む請求項１記載のランプ。
【請求項８】
前記ハロゲン化物成分は、５８〜８３モル％のハロゲン化ナトリウム、９〜２２モル％のハロゲン化セリウム、２〜８モル％のハロゲン化タリウム、１〜４モル％のハロゲン化インジウム、および１．５〜１０．０モル％のハロゲン化セシウムを含む請求項１記載のランプ。
【請求項９】
前記放電管（１２）は、前記放電管の中心軸に平行な内長（Ｌ）、および前記内長に垂直な内径（Ｄ）を有する本体（４０）部を含み、前記内長の前記内径に対する比は、１．５〜３．５の範囲である請求項１記載のランプ。
【請求項１０】
ａ）前記ランプは、少なくとも７５の演色性指数を有すること、
ｂ）前記ランプは、１００時間において少なくとも１００ルーメン／ワットの効率を有すること、
ｃ）前記ランプは、少なくとも８０％の光束維持率を有すること
の条件の少なくとも１つが満たされる請求項１記載のランプ。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のランプと、安定器と
を有する照明組立品。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月9日(2009.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気化学的燃料電池であって、
カソード流体フローフィールドプレートとアノード流体フローフィールドプレートとの間に配された、カソード面及びアノード面を有する膜電極接合体（ＭＥＡ）を備え、前記流体フローフィールドプレートの各々は、それぞれ前記ＭＥＡの前記カソード面又は前記アノード面に対向する第１の表面に流体輸送通路を有し、
前記ＭＥＡと前記各流体フローフィールドプレートとの間にディフュージョン構造（２０）を備え、前記ディフュージョン構造は、第１の面（２２）と第２の面（２１）を有し、前記第１の面は前記ＭＥＡ（１２）と接触あるいは隣り合い、前記第２の面は前記各流体フローフィールドプレート（１０）と接触あるいは隣り合い、前記ディフュージョン構造（２０）は第１の層（２４、２５）と第２の層（２３）を有し、前記第１の層は第１の疎水性程度（level of hydrophobicity）を有し、前記第２の層（２３）は前記第１の疎水性程度よりも相対的に親水性の第２の層であり、前記第２の層は前記各流体フローフィールドプレート（１０）に隣り合い、
前記第２の層（２３）は親水性バインダ材料を有する、
電気化学的燃料電池。
【請求項２】
請求項１に記載の電気化学的燃料電池であって、前記第２の層（２３）は親水性表面エマルジョンで処理されたディフュージョン構造（２０）の一部を含む、電気化学的燃料電池。
【請求項３】
請求項２に記載の電気化学的燃料電池であって、前記ディフュージョン構造（２０）はカーボンペーパーから形成され、前記第２の層（２３）はポリ酢酸ビニルにより含浸された前記カーボンペーパーを含む、電気化学的燃料電池。
【請求項４】
請求項１に記載の電気化学的燃料電池であって、前記ディフュージョン構造（２０）は、前記第１の層（２５）と前記第２の層（２３）とに挟まれる第３の層（２４）を有し、前記第３の層（２４）は前記第２の層よりも高い剛性を有する、電気化学的燃料電池。
【請求項５】
請求項４に記載の電気化学的燃料電池であって、前記第３の層（２４）は前記第１の層よりも高い剛性を有する、電気化学的燃料電池。
【請求項６】
請求項４または５に記載の電気化学的燃料電池であって、前記ディフュージョン構造は、前記第１の層（２５）と前記ＭＥＡ（１２）とに挟まれる第４の層（２６）を有し、前記第４の層（２６）は導電性粒子と構造バインダとの混合物で処理されたディフュージョン構造の一部を有する、電気化学的燃料電池。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の電気化学的燃料電池であって、前記ＭＥＡ（１２）の前記カソード面と前記カソード流体フローフィールドプレート（１０）とに挟まれた、第１の前記ディフュージョン構造（２０）を有する、電気化学的燃料電池。
【請求項８】
請求項７に記載の電気化学的燃料電池であって、前記ＭＥＡ（１２）の前記アノード面と前記アノード流体フローフィールドプレートとに挟まれた、第２の前記ディフュージョン構造を有する、電気化学的燃料電池。
【請求項９】
電気化学的燃料電池であって、
カソード流体フローフィールドプレートとアノード流体フローフィールドプレートとの間に配された、カソード面及びアノード面とを有する膜電極接合体（ＭＥＡ）を備え、前記流体フローフィールドプレートの各々は、それぞれ前記ＭＥＡの前記カソード面又は前記アノード面に対向する第１の面に流体輸送通路（１１）を有し、
前記ＭＥＡ（１２）と前記各流体フローフィールドプレート（１０）との間にディフュージョン構造（２０）を備え、前記ディフュージョン構造（２０）は、第１の面（２２）と第２の面（２１）を有し、前記第１の面は前記ＭＥＡ（１２）と接触し、前記第２の面は前記各流体フローフィールドプレート（１０）と接触し、前記ディフュージョン構造（２０）は、前記各流体フローフィールドプレートと隣り合う第１の層（２３）と第２の層（２４）を有し、前記第１の層（２３）は前記第２の層（２４）と比較して相対的に高い浸透性を有し、前記第２の層（２４）は前記第１の層（２３）よりも高い剛性を有する支持層である、電気化学的燃料電池。
【請求項１０】
請求項９に記載の電気化学的燃料電池であって、前記第１の層（２３）は前記第２の層（２４）と比べて相対的に親水性である、電気化学的燃料電池。
【請求項１１】
請求項９に記載の電気化学的燃料電池であって、前記支持層（２４）は、最大剛性が、前記各流体フロープレート内（１０）の流体輸送通路（１１）を横断する方向となる二軸面内剛性を有する、電気化学的燃料電池。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれかに記載の電気化学的燃料電池であって、前記ＭＥＡ（１２）の前記カソード面と前記カソード流体フローフィールドプレート（１０）とに挟まれた、第１の前記ディフュージョン構造（２０）を有する、電気化学的燃料電池。
【請求項１３】
請求項９〜１１のいずれかに記載の電気化学的燃料電池であって、前記ＭＥＡの前記アノード面と前記アノード流体フローフィールドプレートとに挟まれた、第１の前記ディフュージョン構造を有する、電気化学的燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図１に、燃料電池のカソード側の部分断面の概略図を示す。この燃料電池は、ディフュージョン構造１５を介し、ＭＥＡ１２へ酸素を供給すると共に、ＭＥＡ１２から水分を引き出す、複数の流体フローチャンネル又は通路１１を有する流体フローフィールドプレート１０を含む。ディフュージョン構造は、流体フローフィールドプレート１０のチャンネル１１からＭＥＡ１２へ適切な酸素を移動させ、ＭＥＡ１２から流体フローフィールドプレート１０のチャネル１１へ適切な水分を移動させることができるように、十分に多孔質で浸透性が高い構造をもつ必要がある。同時に、水分の移動が起こりすぎて、ＭＥＡ１２をドライアウトさせてはいけない。さらに、ＭＥＡ１２への、及びＭＥＡ１２からの流体の移動は、ＭＥＡ１２の表面全体にわたり作用することが理想とされる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月9日(2009.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、第２電極と、これら２つの電極との間に位置し、マトリックスを含む発光層とを備えた発光ダイオードであって、このダイオードは更に、イオンと、前記第１電極と前記発光層との間に位置するカチオンレセプタの層と、前記第２電極と前記発光層との間に位置するアニオンレセプタの層とを備え、前記カチオンレセプタの層は、カチオンを捕捉し、よってある濃度の移動不能なカチオンを前記第１電極に形成し、前記アニオンレセプタの層は、アニオンを捕捉し、よってある濃度の移動不能なアニオンを前記第２の電極に形成し、こうして形成されたイオン勾配は、前記発光ダイオードが順方向のバイアスを受けたとき、前記第１電極からの電子および前記第２電極からのホールの注入を可能にするようになっている発光ダイオード。
【請求項２】
前記第１電極は、高仕事関数の材料から製造されている請求項１記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記発光層の前記マトリックスは、有機材料を含む請求項１又は２に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記発光層の前記マトリックスは、ポリマー材料を含む請求項３記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記発光層の前記マトリックスは、イオン伝導体を含む請求項３又は４に記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記カチオンレセプタの層は、嵩高の有機分子を含み、これら分子の各々はカチオンを引き寄せるサイトを有する請求項１乃至５の何れか１項に記載の発光ダイオード。
【請求項７】
前記アニオンレセプタの層は、嵩高の有機分子を含み、これら分子の各々はアニオンを引き寄せるサイトを有する請求項１乃至６の何れか１項に記載の発光ダイオード。
【請求項８】
前記電極と、前記カチオンレセプタの前記層と、前記アニオンレセプタの前記層と、前記発光層とは、薄いラミネートを形成し、前記第１電極および前記第２電極のうちの少なくとも一方およびこれら電極に隣接する前記カチオンまたはアニオンレセプタの層は、前記発光ダイオードが放出した光が前記少なくとも一方の電極およびその電極に隣接する前記カチオンまたはアニオンレセプタの前記層を通過できるように、透明材料から製造されている請求項１乃至７の何れか１項に記載の発光ダイオード。
【請求項９】
第１電極と、第２電極と、これら２つの電極の間に位置し、マトリックスを備えた発光層を有し、更にイオンを含む発光ダイオードを形成する方法であって、
前記第１電極と前記発光層との間にカチオンレセプタの層および前記第２電極と前記発光層との間にアニオンレセプタの層を設けるステップと、
前記電極に電界を加え、前記第１電極をカソードにし、前記第２電極をアノードにし、よってカチオンレセプタの前記層がカチオンを捕捉し、これらを移動不能にし、よって前記第１電極にある濃度の移動不能なカチオンを形成し、アニオンレセプタの前記層がアニオンを捕捉すると共に、これらを移動不能にし、よって前記第２電極にある濃度の移動不能なアニオンを形成し、前記移動不能にされたカチオンおよび前記移動不能にされたアニオンは、前記発光ダイオードが順方向のバイアスを受けたとき、前記第１電極から電子を注入することおよび前記第２電極からホールを注入することを可能にするイオン勾配を形成するステップとを備える発光ダイオードを形成する方法。
【請求項１０】
前記電極に電界を加える前記ステップ中に前記発光層を加熱する請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月13日(2009.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、第２電極と、前記２つの電極との間に位置する発光層とを備えた発光ダイオードであって、このダイオードは更に第１電荷のイオンに対する親和性を有するイオンレセプタの層を備え、前記層は、前記第１電極と発光層との間に位置し、前記第１電荷と反対の第２電荷の移動不能なイオンは、前記イオンレセプタの前記層から前記第２電極の方向に所定の距離にて、前記第１電極と前記第２電極との間に位置し、更に前記第１電荷を有するカウンターイオンを備え、前記イオンレセプタの前記層はカウンターイオンを捕捉し、よって前記第１電極に第１電荷の、ある濃度の移動不能なイオンを形成し、よってこうして形成されたイオン勾配は、発光ダイオードが順方向のバイアスを受けたときに、発光層への電子およびホールの注入を可能にする発光ダイオード。
【請求項２】
イオンレセプタの前記層は、正の電荷を有するカウンターイオンを捕捉したカチオンレセプタ分子を含み、順方向バイアス条件下で前記第１電極はカソードであり、前記第２電極はアノードである請求項１記載の発光ダイオード。
【請求項３】
イオンレセプタの前記層は、負電荷を有するカウンターイオンを捕捉したアニオンレセプタ分子であり、順方向バイアス条件下で前記第１電極はアノードであり、前記第２電極はカソードである請求項１記載の発光ダイオード。
【請求項４】
順方向バイアス条件下でカソードとなる前記電極は、高仕事関数材料から製造されている、請求項１乃至３の何れか１項記載の発光ダイオード。
【請求項５】
自ら集合したイオン単一層分子の層内には第２電荷の前記移動不能なイオンが含まれ、前記層は、前記第２電極と発光層との間に位置し、前記自ら集合単一層分子は第２電荷を有する固定されたイオンヘッド基を有し、前記自ら集合した単一層分子の層はイオンヘッド基を保持し、よって前記第２電極に第２電荷の、ある濃度の移動不能なイオンを形成する請求項１乃至４の何れか１項記載の発光ダイオード。
【請求項６】
自ら集合した単一層分子の各々は、固定されたイオンヘッド基と、分子を前記第２電極に固定する接合基本と、前記接合基に結合され、従って前記第２電極に接合された前記固定されたイオンヘッド基をホールドする有機基を含む請求項５記載の発光ダイオード。
【請求項７】
前記イオンレセプタの層は、各々がイオンを引き寄せるサイトを有する嵩高な有機分子を含む請求項１乃至６の何れか１項記載の発光ダイオード。
【請求項８】
前記電極と、前記イオンレセプタの前記層と、前記発光層とが、薄いラミネートを形成し、前記第１電極および前記第２電極のうちの少なくとも１つが、透明材料から製造されており、よって前記発光ダイオードから放出された光が、前記少なくとも１つの電極を透過できるようになっている請求項１乃至７の何れか１項記載の発光ダイオード。
【請求項９】
前記発光層の前記マトリックスが有機材料を含む請求項１乃至８の何れか１項記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
第１電極と、第２電極と、前記２つの電極との間に位置する発光層とを有する発光ダイオードを形成する方法であって、
前記第１電極と前記発光層との間において、第１電荷のイオンに対する親和性を有するイオンレセプタの層を設け、前記イオンレセプタの前記層から前記第２電極の方向に所定の距離において、前記第１電極と前記第２電極との間に、前記第１電荷と反対の第２電荷の移動不能なイオンを設け、前記第１電荷を有するカウンターイオンを設けるステップと、
前記電極に電界を加え、前記第１電極および前記第２電極のうちの１つを前記カソードにし、前記第１電極および前記第２電極のうちの他方をアノードにし、よって前記イオンレセプタの前記層が、カウンターイオンを捕捉し、かつ移動不能にし、よって前記第１電極に前記第１電荷の、ある濃度の移動不能なイオンを形成し、前記発光ダイオードが順方向のバイアスを受けたときに、このように形成されたイオン勾配により前記発光層への電子およびホールの注入を可能にするステップとを備えた発光ダイオードを形成する方法。
【請求項１１】
前記電極に電界を加える間、前記発光層を加熱する請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記第１電極と前記発光層との間に、第２電荷を有する固定されたイオンヘッド基を有する自ら集合したイオン単一層分子の層を塗布することにより、第２電荷の前記移動不能なイオンを設け、前記自ら集合した単一層分子の前記層がイオンヘッド基を保持し、よって前記第２電極に第２電荷の、ある濃度の移動不能なイオンを形成する請求項１０又は請求項１１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月23日(2009.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホウ素のドープされた第１の合成単結晶ダイヤモンド領域と、
ホウ素のドープされた第２の合成ダイヤモンド領域とを備え、
前記第２の合成ダイヤモンド領域は、前記第１の合成ダイヤモンド領域よりも大きな度合でホウ素がドープされ、かつ、ショットキーダイオードを形成するように前記第１の合成ダイヤモンド領域と物理的に接触していることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】
前記第１の合成ダイヤモンド領域に取り付けられた第１の金属コンタクトと、前記第２の合成ダイヤモンド領域に取り付けられた第２の金属コンタクトとを更に備えることを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記第１及び第２の合成ダイヤモンド領域の少なくとも一方は、２５００Ｗ／ｍＫよりも大きな熱伝導率を有していることを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記第１及び第２の合成ダイヤモンド領域の少なくとも一方は、炭素１２を同位体的に増加することで、結果的に炭素１３の濃度が０．１％未満となるようにしたことと、
前記第１及び第２の合成ダイヤモンド領域の少なくとも一方は、５ｐｐｍ未満の窒素濃度を有することと、
を特徴とする請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記第１及び第２の合成ダイヤモンド領域が、
ホウ素が第１の度合までドープされた、ベースとなるダイヤモンド領域に、水素を注入することと、
前記ベースとなるダイヤモンド領域上に化学気相成長法により成長させたダイヤモンド領域を形成し、該成長されたダイヤモンド領域にはホウ素が第２の度合までドープされることと、
前記ベースとなるダイヤモンド領域を加熱して前記水素注入層のところで分離を生じさせることにより、前記成長されたダイヤモンド領域と前記ベースとなるダイヤモンド領域の一部を分離することと、
によって形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項６】
ホウ素ドープのダイヤモンド半導体デバイスを製造する方法であって、
ホウ素のドープされた第１の合成ダイヤモンド領域を成長させることと、
前記第１の合成ダイヤモンド領域に水素を注入することと、
前記第１の合成ダイヤモンド領域のホウ素ドープ濃度とは異なる濃度でホウ素のドープされた第２の合成ダイヤモンド領域を、前記第１の合成ダイヤモンド領域上に成長させることと、
少なくとも前記第１の合成ダイヤモンド領域を加熱して、前記第１の合成ダイヤモンド領域を前記水素注入の深さのところで分離することと、
を備えることを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
現代の半導体は、典型的にはシリコンをベースとし、これに各種元素をドープして電気特性に変化を持たせている。例えば、シリコンにリンをドープして過剰な電子を作り出すことで、４個の価電子しか持たないシリコンには存在しない第５の価電子を持つ、ｎ型半導体材料が得られる。同様に、シリコンにホウ素をドープして、過剰な「正孔」すなわち電子の抜け孔を有するｐ形シリコンを形成する。これは、ホウ素が、シリコンよりも１個少ない３個の価電子しか持っていないからである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
ホウ素をドープしたダイヤモンド種への水素注入が完了すると、化学気相成長プラズマ反応炉等を経て、上記種の上に更なるダイヤモンドが成長される。その他の例では、マイクロ波プラズマ反応炉、ＤＣプラズマ反応炉、ＲＦプラズマ反応炉、ホットフィラメント反応炉、及びその他の技術を含む各種の技術が、ダイヤモンドの形成に採用可能である。合成ダイヤモンドの形成は、米国特許第６，５８２，５１３号「合成ダイヤモンドを製造するためのシステム及び方法」 "System and Method for Producing Synthetic Diamond"
に記載されているような各種の方法及び装置によって達成可能であり、この米国特許はその参照により本願明細書に盛り込まれる。