【手続補正書】
【提出日】平成23年6月6日(2011.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクのマスクブランク用基板であって、
前記基板は、転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面を、仮想基準基板の仮想基準主表面に対し、中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域でフィッティングを行ったときの差が４０ｎｍ以下であり、
前記仮想基準主表面は、中央部で相対的に高く、周縁部で相対的に低くなる凸形状であり、かつ中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域において球面形状であることを特徴とするマスクブランク用基板。
【請求項２】
前記仮想基準主表面の１３２ｍｍ角内の領域における平坦度が０．３μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のマスクブランク用基板。
【請求項３】
前記仮想基準主表面の曲率半径は、１４，５００，０００ｍｍ以上であることを特徴とする請求項２記載のマスクブランク用基板。
【請求項４】
前記仮想基準主表面は、真球の球面で定義される形状であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のマスクブランク用基板。
【請求項５】
前記基板は、転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面における中央部を含む１４２ｍｍ角の領域における平坦度が０．３μｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載のマスクブランク用基板。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載のマスクブランク用基板と、前記マスクブランク用基板の前記主表面上に形成された薄膜と、を具備することを特徴とするマスクブランク。
【請求項７】
前記薄膜は、クロムを含む材料又はモリブデンシリサイドを含む材料で構成される遮光膜であることを特徴とする請求項６記載のマスクブランク。
【請求項８】
請求項６又は請求項７記載のマスクブランクの前記薄膜で構成された転写パターンを有することを特徴とするフォトマスク。
【請求項９】
請求項８に記載のフォトマスクを使用して、リソグラフィー法により該フォトマスクの転写パターンを半導体基板上にパターン転写して製造されたことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１０】
基板の薄膜を設ける側の主表面を研磨する工程と、
前記基板の主表面の１３２ｍｍ角内における領域で表面形状を測定し、測定した前記基板の表面形状と、仮想基準基板の仮想基準主表面とのフィッティングを行い、その差が４０ｎｍ以下のものをマスクブランク用基板として選定する工程と、を有し、
前記仮想基準主表面は、中央部で相対的に高く、周縁部で相対的に低くなる凸形状であり、かつ中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域において球面形状であることを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記仮想基準主表面の１３２ｍｍ角内の領域における平坦度が０．３μｍ以下であることを特徴とする請求項１０記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１２】
前記仮想基準主表面の曲率半径は、１４，５００，０００ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１１記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１３】
前記仮想基準主表面は、真球の球面で定義される形状であることを特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１４】
前記基板は、転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面における中央部を含む１４２ｍｍ角の領域における平坦度が０．３μｍ以下であることを特徴とする請求項１０から請求項１３のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１０から請求項１４のいずれかに記載の方法で得られたマスクブランク用基板の薄膜を設ける側の主表面に、薄膜を形成する工程を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の方法で得られたマスクブランクの薄膜に転写パターンを形成する工程を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の方法で得られたフォトマスクを使用して、リソグラフィー法により該フォトマスクの転写パターンを半導体基板上にパターン転写することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】マスクブランク用基板、マスクブランク、フォトマスク及び半導体デバイス並びにそれらの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明のマスクブランク用基板は、露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクのマスクブランク用基板であって、前記基板は、転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面を、仮想基準基板の仮想基準主表面に対し、中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域でフィッティングを行ったときの差が４０ｎｍ以下であり、前記仮想基準主表面は、中央部で相対的に高く、周縁部で相対的に低くなる凸形状であり、かつ中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域において球面形状であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明のマスクブランク用基板においては、前記仮想基準主表面の１３２ｍｍ角内の領域における平坦度が０．３μｍ以下であることが好ましい。この場合において、前記仮想基準主表面の曲率半径は、１４，５００，０００ｍｍ以上であることが好ましい。また、前記仮想基準主表面は、真球の球面で定義される形状であることが好ましい。また、本発明のマスクブランク用基板においては、前記基板は、転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面における中央部を含む１４２ｍｍ角の領域における平坦度が０．３μｍ以下であることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のマスクブランクは、上記マスクブランク用基板と、前記マスクブランク用基板の前記主表面上に形成された薄膜と、を具備することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のマスクブランクにおいては、前記薄膜は、クロムを含む材料又はモリブデンシリサイドを含む材料で構成される遮光膜であることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のフォトマスクは、上記マスクブランクの前記薄膜で構成された転写パターンを有することを特徴とする。また、本発明の半導体デバイスは、上記フォトマスクを使用して、リソグラフィー法により該フォトマスクの転写パターンを半導体基板上にパターン転写して製造されたことを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明のマスクブランク用基板の製造方法は、基板の薄膜を設ける側の主表面を研磨する工程と、前記基板の主表面の１３２ｍｍ角内における領域で表面形状を測定し、測定した前記基板の表面形状と、仮想基準基板の仮想基準主表面とのフィッティングを行い、その差が４０ｎｍ以下のものをマスクブランク用基板として選定する工程と、を有し、前記仮想基準主表面は、中央部で相対的に高く、周縁部で相対的に低くなる凸形状であり、かつ中央部を含む１３２ｍｍ角内の領域において球面形状であることを特徴とする。この場合において、前記仮想基準主表面の１３２ｍｍ角内の領域における平坦度が０．３μｍ以下であることが好ましい。また、前記仮想基準主表面の曲率半径は、１４，５００，０００ｍｍ以上であることが好ましい。また、本発明のマスクブランク用基板の製造方法においては、前記仮想基準主表面は、真球の球面で定義される形状であることが好ましい。また、本発明のマスクブランク用基板の製造方法においては、前記基板は、転写パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面における中央部を含む１４２ｍｍ角の領域における平坦度が０．３μｍ以下であることが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のマスクブランク製造方法は、上記方法で得られたマスクブランク用基板の薄膜を設ける側の主表面に、薄膜を形成する工程を有することを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明のフォトマスクの製造方法においては、上記方法で得られたマスクブランクの薄膜に転写パターンを形成する工程を有することを特徴とする。また、本発明の半導体デバイスの製造方法においては、上記方法で得られたフォトマスクを使用して、リソグラフィー法により該フォトマスクの転写パターンを半導体基板上にパターン転写することを特徴とする。