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【手続補正書】
【提出日】平成22年12月10日(2010.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準信号と第１のフィードバック信号との間の位相差を検出して制御信号を出力する位相比較器と、
前記制御信号に応じて、前記基準信号と前記第１のフィードバック信号との間の位相差に応じたパルス幅を有する誤差信号を出力するチャージポンプと、
前記誤差信号のパルス幅に応じた電圧レベルを有するコントロール信号を出力するループフィルタと、
前記コントロール信号の電圧レベルに応じた発振周波数の出力信号を出力する電圧制御発振器と、
この電圧制御発振器の出力信号に基づいて動作する第２のフィードバック信号を出力するロジック回路と、
デッドロック状態に陥ったことを検出して検出信号を出力するデッドロック検出回路と、
前記検出信号に応じて、前記コントロール信号の電圧レベルが低下するように前記制御信号を制御する制御信号制御回路と、
前記第２のフィードバック信号が所定の閾値周波数未満の周波数にある状態から該閾値周波数を越えたことを検出して前記デッドロック検出回路を作用させる起動検出回路とを備えたことを特徴とするＰＬＬ回路。
【請求項２】
前記起動検出回路は、前記基準信号から生成した、前記閾値周波数に対応する所定の期間内における前記第２のフィードバック信号の有無を検出し、検出結果に応じて前記デッドロック検出回路を制御することを特徴とする請求項１記載のＰＬＬ回路。
【請求項３】
前記起動検出回路は、前記検出結果に応じて、前記デッドロック検出回路に制御用の信号を出力するとともに、前記基準信号および前記ロジック回路から出力された前記第２のフィードバック信号のいずれか一方を選択し前記位相比較器および前記デッドロック検出回路に対する前記第１のフィードバック信号として出力する選択回路を備えたことを特徴とする請求項２記載のＰＬＬ回路。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月19日(2010.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被実装体に設けられた凹部に電子部品が実装された構造を有する電子部品内蔵基板の製造方法であって、
第１絶縁層と、部品実装領域に対応する部分の前記第１絶縁層の下に形成されたストッパ金属層と、前記ストッパ金属層の下に形成された第２絶縁層とを含む前記被実装体を用意する工程と、
前記ストッパ金属層をストッパにして、前記第１絶縁層の前記部品実装領域に対応する部分を貫通加工して開口部を形成することにより、前記凹部を得る工程と、
前記凹部の底部の前記ストッパ金属層を除去して前記第２絶縁層を露出させる工程と、
前記凹部の底部の前記第２絶縁層の上に前記電子部品を実装する工程とを含むことを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項２】
被実装体に設けられた凹部に電子部品が実装された構造を有する電子部品内蔵基板の製造方法であって、
第１絶縁層と、部品実装領域に対応する部分の前記第１絶縁層の下に形成されたストッパ金属層と、前記ストッパ金属層の下に形成された第２絶縁層とを含む前記被実装体を用意する工程と、
前記ストッパ金属層をストッパにして、前記第１絶縁層の前記部品実装領域に対応する部分を貫通加工して開口部を形成することにより、前記凹部を得る工程と、
前記凹部の底部の前記ストッパ金属層をパターン化して接続パッドを形成する工程と、
前記凹部の底部の前記接続パッドに前記電子部品の接続端子を接続して実装する工程とを含むことを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項３】
被実装体に設けられた凹部に電子部品が実装された構造を有する電子部品内蔵基板の製造方法であって、
第１絶縁層と、部品実装領域に対応する部分の前記第１絶縁層の下に形成されたストッパ金属層と、前記ストッパ金属層の下に形成された第２絶縁層とを含む前記被実装体を用意する工程と、
前記ストッパ金属層をストッパにして、前記第１絶縁層の前記部品実装領域に対応する部分を貫通加工して開口部を形成することにより、前記凹部を得る工程と、
前記凹部の底部の前記ストッパ金属層に、上面側及び下面側に接続端子が設けられた平行平板型の受動部品の前記下面側の接続端子を接続して実装する工程とを含むことを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項４】
前記電子部品は、上面側及び下面側の少なくとも一方に接続端子を備えており、
前記電子部品を実装する工程の後に、
前記電子部品及び前記第１絶縁層の上に第３絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層の少なくとも一方に、前記電子部品の接続端子に到達する第１ビアホールを形成する工程と、
前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層の少なくとも一方の上に、前記第１ビアホールを介して前記電子部品の接続端子に接続される第２配線層を形成する工程とをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項５】
前記電子部品を実装する工程の後に、
前記電子部品及び前記第１絶縁層の上に第３絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層に、前記被実装体の前記接続パッドに到達する第１ビアホールを形成するする工程と、
前記第２絶縁層の上に、前記第１ビアホールを介して前記接続パッドに接続される第２配線層を形成する工程とをさらに有することを特徴とする請求項２に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項６】
前記電子部品を実装する工程の後に、
前記電子部品及び前記第１絶縁層の上に第３絶縁層を形成する工程と、
前記第３絶縁層に、前記平行平板型の受動部品の上側の前記接続端子に到達する第１ビアホールを形成すると共に、前記第２絶縁層に、前記ストッパ金属層に到達する第１ビアホールを形成する工程と、
前記第３絶縁層の上に、前記第１ビアホールを介して前記平行平板型の受動部品の上側の前記接続端子に接続される第２配線層を形成すると共に、前記第２絶縁層の上に、前記第１ビアホールを介して前記ストッパ金属層に接続される第２配線層を形成する工程とをさらに有することを特徴とする請求項３に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１絶縁層は、両面側に貫通電極を介して相互接続された第１配線層がそれぞれ設けられたコア基板であり、前記ストッパ金属層は前記コア基板の下面側の前記第１配線層と同一層から形成されることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１ビアホールを形成する工程において、前記第２絶縁層及び第３絶縁層に、前記第１絶縁層の両面側の前記第１配線層に到達する第２ビアホールをそれぞれ形成し、
前記第２配線層は、前記第２ビアホールを介して前記第１配線層に接続されることを特徴とする請求項７に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１絶縁層を貫通加工して凹部を得る工程において、前記第１絶縁層は、レーザ又はエッチングにより加工されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
あるいは、コア基板１０のスルーホールＴＨの内面にスルーホールめっき層が設けられ、その内部の孔に樹脂が充填され、コア基板１０の両面側の第１配線層１２がスルーホールめっき層を介して相互接続されていてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
これにより、本実施形態の電子部品内蔵基板１ａでは、キャパシタ部品３０（コア基板１０）を対称軸として層間絶縁層２０，４０が対象に配置された構造となる。従って、キャパシタ部品３０、コア基板１０及び上側、下側層間絶縁層４０，２０の間の熱膨張係数の差に基づいて熱応力が発生するとしても、その熱応力が相殺されて反りが発生することが防止される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
第３実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法では、図８（ａ）に示すように、前述した第２実施形態の図６（ｂ）の工程において、半導体チップ５０をその接続端子５２を上側にして（フェイスアップ）、被実装体５の凹部Ｃに接着剤３４によって接着して実装する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月1日(2011.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板を接合する接合装置であって、
一方の基板の位置を検出して、検出した位置に基づいて、前記一方の基板が他方の基板に近接する方向及び前記一方の基板が前記他方の基板から離間する方向への前記一方の基板の移動を制御する位置制御部と、
前記一対の基板が所定の大きさの間隔以下の大きさの間隔で互いに近接していること、または、前記一対の基板が互いに接触していることを検出する近接検知部と、
前記近接検知部が前記一対の基板の近接または接触を検知した後に、前記一対の基板の間で作用する圧力を検出し、当該圧力が所与の目標圧力に到達するまで、前記一方の基板を前記他方の基板に向けて加圧する圧力制御部と
を備える接合装置。
【請求項２】
前記位置制御部は、前記近接検知部が前記一対の基板の近接または接触を検知したとき、前記他方の基板へ向けての前記一方の基板の移動速度を減速させる請求項１に記載の接合装置。
【請求項３】
前記位置制御部は、前記一対の基板の間隔が小さくなるほど前記近接の移動速度を小さくする請求項１または請求項２に記載の接合装置。
【請求項４】
前記位置制御部は、検出した前記一方の基板の位置に基づいて目標位置を設定する目標位置設定部と、
前記近接検知部が前記一対の基板の近接または接触を検知するまで、前記目標位置を、既に設定された前記目標位置よりも前記他方の基板に近接した位置に更新する目標位置更新部とを有する請求項１から３のいずれか一項に記載の接合装置。
【請求項５】
前記圧力制御部は、前記圧力が小さいほど、増圧量を小さくする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の接合装置。
【請求項６】
前記接合装置は、前記他方の基板を保持する基板保持部をさらに備え、
前記圧力制御部は、前記基板保持部に配されて、前記他方の基板に対向する面内の異なる三以上の位置において前記他方の基板が受ける圧力を測定する複数の圧力検知部を含む請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の接合装置。
【請求項７】
前記近接検知部は、前記一対の基板の各中央部間の距離と前記他方の基板に対する前記一方の基板の傾斜角度とを検出し、検出した距離及び傾斜角度から、前記一方の基板の縁部の前記他方の基板に最も近接した部分と該他方の基板との間隔を算出し、算出した該間隔の大きさが所定の大きさ以下であるかを検出し、前記間隔の大きさが前記所定の大きさ以下である場合、前記一対の基板が互いに近接していると判断する請求項１から６のいずれか一項に記載の接合装置。
【請求項８】
前記一対の基板を撮影する撮像部を更に備え、前記近接検知部は、前記一対の基板間の間隔が前記撮像部の解像度の限界に達したときに前記一対の基板が互いに近接または接触したと判断し、前記圧力制御部は、前記一対の基板の間隔が撮像部の解像度の限界に達した後、前記一方の基板の移動速度が、前記撮像部の解像度が限界に達する前の前記一方の基板の速度よりも遅くなるように該一方の基板の移動を制御する請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載の接合装置。
【請求項９】
前記撮像部は、その撮像範囲内に前記他方の基板が入るように配置されており、前記位置制御部は、前記一方の基板が前記撮像部の撮像範囲内に入ったとき、前記一方の基板の移動速度が、前記一方の基板が前記撮像範囲内に入る前の前記一方の基板の速度よりも遅くなるように該一方の基板の移動を制御する請求項８に記載の接合装置。
【請求項１０】
前記一方の基板を傾動させるべく少なくとも前記位置制御部の制御下で作動するアクチュエータを更に備え、前記位置制御部は、前記近接検知部が前記一対の基板の近接または接触を検知するまで、前記一方の基板の移動を制御すると共に、前記一方の基板が前記他方の基板に平行になるように前記アクチュエータの作動を制御する請求項１から請求項９までのいずれか１項に記載の接合装置。
【請求項１１】
一対の基板を接合して接合基板を製造する接合基板の製造方法であって、
一方の基板の位置を検出して、前記一方の基板の位置が目標位置に到達するまで、前記一方の基板を他方の基板に対して近接移動させ、
前記一対の基板が十分に近接していること、または、接触していることを検出し、
前記一対の基板の近接または接触を検知した後に、前記一対の基板の間で作用する圧力を検出し、当該圧力が所与の目標圧力に到達するまで、前記一方の基板を前記他方の基板に向けて加圧する製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月22日(2010.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成される素子分離層を有し、
前記素子分離層は、ＳＴＩ(shallow trench isolation）が形成される不活性領域と、前記不活性領域以外の活性化領域と、からなり、
前記活性化領域は、第１導電性トランジスタが形成される第１領域と、第２導電性トランジスタが形成される第２領域と、前記第１及び前記第２領域に平行する第１線上に位置し、かつ前記第１及び前記第２領域の間にそれぞれ別に位置する第３及び第４領域と、前記第１線に平行する第２線上に位置し、かつ前記第１及び前記第２領域の間にそれぞれ別に位置する第５及び第６領域と、前記第１領域の外側に位置する第７領域と、前記第２領域の外側に位置する第８領域を含み、
前記不活性領域は、前記第１ないし前記第８領域のそれぞれを完全に囲むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体装置は、
前記基板上に形成される第１導電性ウェルと、
前記基板上に形成される第２導電性ウェルと、を含み、
前記第２、前記第５、前記第６及び前記第８領域は、前記第１導電性ウェル内に形成され、
前記第１、前記第３、前記第４及び前記第７領域は、前記第２導電性ウェル内に形成され、
前記第１導電性ウェル及び前記第２導電性ウェルの境界線は、前記第３及ぶ前記５領域の間、かつ前記第４領域及び前記６領域の間に位置することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１導電性は、Ｐ（positive）型であり、前記第２導電性は、Ｎ（negative）型であり、前記基板は、Ｐ（positive）型基板からなること特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第３及び前記第４領域のそれぞれは、前記第２導電性ウェルに電気的に接続されるウェルコンタクト拡散領域を形成し、
前記第５及び前記６領域のそれぞれは、前記第１導電性ウェルに電気的に接続されるサブコンタクト拡散領域を形成することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第３及び前記第４領域のそれぞれは、前記第２導電性ウェルに電気的に接続されるウェルコンタクト拡散領域を形成し、
前記第５及び前記６領域のそれぞれは、前記Ｐ（positive）型基板に電気的に接続されるサブコンタクト拡散領域を形成することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第７及び前記第８領域は、ＣＭＰのダミー拡散領域を形成する領域であることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第３ないし前記第６領域は、ドット形状、方形状、又は前記第１線方向に延伸した長方形形状に形成され、
前記第７及び前記第８領域は、ドット形状、又は方形状に形成されることを特徴とする請求項４ないし６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光を屈曲部で略直角に屈曲させて外部に投影するＬ字状の投影部と、
前記Ｌ字の窪み部分に配置される、撮像素子と撮像光学系とを含む撮像部とを備えたことを特徴とする撮像／投影モジュール。
【請求項２】
前記投影部と前記撮像部とを収容するケースを更に備え、前記ケースの外形が略直方体であることを特徴とする請求項１に記載の撮像／投影モジュール。
【請求項３】
前記投影部と前記撮像部とを収容するケースと、前記光源から発する熱を外部に伝える放熱部材とを更に備え、該放熱部材を前記ケースの外面に固着して成るモジュール形状が略直方体であることを特徴とする請求項１に記載の撮像／投影モジュール。
【請求項４】
前記Ｌ字の窪みに相当する部分には、前記撮像部に加え、前記投影用および／または撮像用の電気回路基板が収容されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の撮像／投影モジュール。
【請求項５】
前記撮像部による撮像を行う際に、オートフォーカス補助用または被写体照明用に前記光源を点灯可能としたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の撮像／投影モジュール。
【請求項６】
少なくとも前記光源をオートフォーカス補助用または被写体照明用に点灯するときは、前記投影部の光軸と撮像部の光軸とを交差させることを特徴とする請求項５に記載の撮像／投影モジュール。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項記載の撮像／投影モジュールを内蔵することを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明に係る撮像／投影モジュールは、光源からの光を屈曲部で略直角に屈曲させて外部に投影するＬ字状の投影部と、Ｌ字の窪み部分に配置される、撮像素子と撮像光学系とを含む撮像部とを備えたことを特徴とする。
投影部と撮像部とを収容するケースを更に備え、ケースの外形を略直方体としてもよい。
光源から発する熱を外部に伝える放熱部材を更に備え、放熱部材をケースの外面に固着して成るモジュール形状を略直方体としてもよい。
Ｌ字の窪みに相当する部分に、投影用および／または撮像用の電気回路基板を収容してもよい。
撮像部による撮像を行う際に、ＡＦ補助用または被写体照明用に光源を点灯可能としてもよい。少なくとも光源をオートフォーカス補助用または被写体照明用に点灯するときは、投影部の光軸と撮像部の光軸とを交差させるようにしてもよい。
本発明に係る電子機器は、上記の撮像／投影モジュールを内蔵して成る。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月14日(2011.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のブロックに分割された入力画像データをブロック単位で直交変換し、変換係数データを出力する変換手段と、
前記変換手段から出力される前記変換係数データを量子化パラメータに従ってブロック単位で量子化する量子化手段と、
前記複数のブロックから視覚的劣化が目立ちやすい所定の特徴を有するブロックを抽出し、画面内での抽出ブロック数を出力する特徴抽出手段と、
前記特徴抽出手段により抽出されるブロックの特徴毎に制御感度を設定し、当該制御感度に従ってブロック毎に前記量子化パラメータを決定する量子化制御手段とを具備し、
前記量子化制御手段は、前記特徴抽出手段からの前記抽出ブロック数に応じて前記制御感度の値を変化させる
ことを特徴とする符号化装置。
【請求項２】
前記特徴抽出手段は、前記所定の特徴を有するブロックとして、エッジ部を有するブロックを抽出し、
前記量子化制御手段は、エッジ部に係る前記抽出ブロック数が閾値よりも少ない場合、エッジ部に対して設定される前記制御感度の値を大きく変化させて前記量子化パラメータを下げるようにし、エッジ部に係る前記抽出ブロック数が前記閾値以上である場合、エッジ部に対して設定される前記制御感度の値を小さく変化させて前記量子化パラメータの下げ過ぎを抑制する
ことを特徴とする請求項１に記載の符号化装置。
【請求項３】
前記特徴抽出手段は、前記所定の特徴を有するブロックとして、肌色部を有するブロックを抽出し、
前記量子化制御手段は、肌色部に係る前記抽出ブロック数が閾値よりも少ない場合、肌色部に対して設定される前記制御感度の値を大きく変化させて前記量子化パラメータを下げるようにし、肌色部に係る前記抽出ブロック数が前記閾値以上である場合、肌色部に対して設定される前記制御感度の値を小さく変化させて前記量子化パラメータの下げ過ぎを抑制する
ことを特徴とする請求項１に記載の符号化装置。
【請求項４】
前記特徴抽出手段は、前記所定の特徴を有するブロックとして、平坦部、エッジ部及び肌色部を有するブロックをそれぞれ抽出し、
前記量子化制御手段は、エッジ部と肌色部に対してそれぞれ設定される前記制御感度については、前記特徴抽出手段からの前記抽出ブロック数に応じてその値を変化させ、平坦部に対して設定される前記制御感度については、前記特徴抽出手段からの前記抽出ブロック数にかかわらず一定の値にする
ことを特徴とする請求項１に記載の符号化装置。
【請求項５】
前記制御感度は、前記量子化パラメータを決定する際に参照する正規化アクティビティを算出するためのリアクションパラメータであることを特徴とする請求項１に記載の符号化装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明に係る符号化装置は、複数のブロックに分割された入力画像データをブロック単位で直交変換し、変換係数データを出力する変換手段と、前記変換手段から出力される前記変換係数データを量子化パラメータに従ってブロック単位で量子化する量子化手段と、前記複数のブロックから視覚的劣化が目立ちやすい所定の特徴を有するブロックを抽出し、画面内での抽出ブロック数を出力する特徴抽出手段と、前記特徴抽出手段により抽出されるブロックの特徴毎に制御感度を設定し、当該制御感度に従ってブロック毎に前記量子化パラメータを決定する量子化制御手段とを具備し、前記量子化制御手段は、前記特徴抽出手段からの前記抽出ブロック数に応じて前記制御感度の値を変化させることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図２は、特徴抽出部１１３の概略構成ブロック図を示す。平坦検出部２０１は、並べ替え部１０１からのマクロブロック単位の画像データから平坦部の程度（レベル）を検出する。同様に、エッジ検出部２０２は、並べ替え部１０１からの画像データからエッジの程度（レベル）を検出する。肌色検出部２０３は、並べ替え部１０１からの画像データから肌色の程度（レベル）を検出する。図３は、検出部２０１，２０２，２０３の検出特性、又はレベル化の関数を示す。図３（ａ）は、平坦検出部２０１に対するレベル化特性を示す。図３（ｂ）はエッジ検出部２０２に対するレベル化特性を示す。図３（ｃ）は肌色検出部２０３に対するレベル化特性を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで、本出願人は先に「定形のシート類の搬送方法」（特願２００７−３３００７７号、特開２００９−２９６１３号）に於て、新たな定形のシート類の搬送手段を提案することにより、前記従来技術の問題点の解消を図って、相応の成果を挙げるに至ったが、実用化の実験の繰り返しを重ねる過程で、尚一段の改良の余地を有するものであることが判明した。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月14日(2011.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動源としてのモータとエンジンと、
前記モータと駆動輪との間の動力伝達経路に設けられたクラッチと、
を備え、
前記モータを駆動源として走行するモータ走行モードと、前記モータおよび前記エンジンを駆動源として走行するハイブリッド走行モードと、を選択的に切換可能なハイブリッド車両の制御装置において、
前記モータ走行モードから前記ハイブリッド走行モードへの移行時のエンジン始動時に、
前記クラッチの駆動輪側の回転軸であるクラッチ出力軸の駆動トルク目標値を演算する駆動トルク目標値演算手段と、
前記駆動トルク目標値に応じて前記クラッチのトルク容量目標値を演算するトルク容量演算手段と、
前記クラッチの前記モータ側の回転軸であるクラッチ入力軸の入力軸回転数を検出する入力軸回転数検出手段と、
前記クラッチ出力軸の出力軸回転数を検出する出力軸回転数検出手段と、
前記出力軸回転数検出手段によって検出された前記出力軸回転数に応じて、当該出力軸回転数より大きな前記クラッチ入力軸の入力軸回転数目標値を演算する入力軸回転数目標値演算手段と、
前記入力軸回転数が前記入力軸回転数目標値と一致するように前記モータのモータトルク目標値を演算するモータトルク目標値演算手段と、
前記モータトルク目標値に応じて前記モータを制御するモータ制御手段と、
前記入力軸回転数が前記入力軸回転数目標値より小さいときには、前記トルク容量目標値を減少補正するトルク容量目標値補正手段と、
補正した前記トルク容量目標値に応じて前記クラッチを制御するクラッチ制御手段と、
を備えたことを特徴とするハイブリッド車両の制御装置。
【請求項２】
請求項１に記載のハイブリッド車両の制御装置において、
前記モータトルク目標値演算手段は、前記入力軸回転数と前記入力軸回転数目標値との偏差に基づいて比例積分演算によって前記モータトルク目標値を演算し、
前記トルク容量目標値補正手段は、前記入力軸回転数と前記入力軸回転数目標値との偏差に基づいて比例演算によって算出した値を、前記トルク容量演算手段によって算出された前記トルク容量目標値から減算することにより前記トルク容量目標値を補正することを特徴とするハイブリッド車両の制御装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のハイブリッド車両の制御装置において、
前記モータトルク目標値演算手段の制御ゲインを、前記トルク容量目標値補正手段の制御ゲインよりも大きく設定したことを特徴とするハイブリッド車両の制御装置。
【請求項４】
請求項３に記載のハイブリッド車両の制御装置において、
エンジン始動時には、前記モータトルク目標値演算手段の制御ゲインと前記トルク容量目標値補正手段の制御ゲインとの差をエンジン始動時前と比べて小さくすることを特徴とするハイブリッド車両の制御装置。
【請求項５】
請求項４に記載にハイブリッド車両の制御装置において、
エンジン始動時には、前記トルク容量目標値補正手段の制御ゲインをエンジン始動時前と比べて大きくすることを特徴とするハイブリッド車両の制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月9日(2011.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
このようにして得られるフルオロアルキルアイオダイド〔II〕に塩基性化合物を反応させることにより、パーフルオロアルキル基側のCH2基とそれに隣接するいずれかのCF2基との間の脱HF化反応が生じ、フルオロオレフィンアイオダイド〔Ia〕および〔Ib〕の混合物を生成させる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月9日(2011.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクリル重合体（Ａ）とフッ素系樹脂（Ｂ）を含む樹脂組成物（Ｃ）からなるアクリルフィルムであって、
アクリル重合体（Ａ）とフッ素系樹脂（Ｂ）の質量比（Ａ／Ｂ）が８５／１５〜９９.９／０．１の範囲にあり、
前記アクリルフィルムの端面から光を入射させ、該端面に対向する反対側の端面から出射した光の輝度が同条件で測定した前記アクリル重合体（Ａ）のみからなるフィルムの輝度より大きい、光学用アクリルフィルム。
【請求項２】
請求項１に記載のアクリルフィルムの両面又は片面に凹凸形状を付与してなる導光板。
【請求項３】
請求項２に記載の導光板が組み込まれたバックライトユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
〔参考例１〕
アクリル重合体（Ａ）を８０質量部、フッ素系樹脂（Ｂ−１）に代えてフッ素系樹脂（Ｂ−２）を用い、その量）２０質量部とした以外は実施例１と同様にして、厚さ３５０μｍのアクリルフィルムを作製した。このアクリルフィルムの輝度、全光線透過率、ヘーズ、破断伸度を表１に示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
〔参考例２〕
アクリル重合体（Ａ）を７０質量部、フッ素系樹脂（Ｂ−１）に代えてフッ素系樹脂（Ｂ−２）を用い、その量３０質量部とした以外は実施例１と同様にして、厚さ３５０μｍのアクリルフィルムを作製した。このアクリルフィルムの輝度、全光線透過率、ヘーズ、破断伸度を表１に示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
実施例１〜実施例３の結果と、比較例２のアクリル重合体（Ａ）のみからなるアクリルフィルムの結果を比較すると、フッ素系樹脂（Ｂ）を添加することで、透光損失が抑えられ、端面（Ｏ）の輝度が向上し、破断伸度も向上したフィルムが得られることがわかる。比較例１ではフッ素系樹脂（Ｂ）の結晶化により、端面（Ｏ）まで光を通すことができなくなった。フッ素系樹脂に代えてポリ乳酸を添加した比較例３のアクリルフィルムは、端面（Ｏ）の輝度が大きく低下した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
2010070608.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月14日(2011.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するために成された本発明に係るカルボキシル基含有化合物は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する樹脂（ａ）のエポキシ基に、エポキシ基１当量に対して、モノカルボン酸（ｂ）を０．３〜０．９モルの割合で反応させ、得られた反応生成物（ｃ）のエポキシ基に、エポキシ基１当量に対して、多塩基酸（ｄ）を０．２〜５モルの割合で反応させ、得られた反応生成物（ｅ）のエポキシ基に、エポキシ基１当量に対して、モノカルボン酸（ｆ）を０．０〜５．０モルの割合で反応させて得られる酸価１８〜１８０ｍｇＫＯＨ／ｇの反応生成物（ｇ）の２級のアルコール性水酸基に、さらに多塩基酸無水物（ｈ）を反応させて得られる酸価４０〜２００ｍｇＫＯＨ／ｇのカルボキシル基含有化合物であることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
実施例４
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂のＹＤＣＮ−７００−５（東都化成（株）製、エポキシ当量：２０３ｇ／ｅｑ．）１５９．５部及びビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のエピコート８２８（ジャパンエポキシレジン（株）製、エポキシ当量：１８６ｇ／ｅｑ．）３９．９部を温度計、撹拌機、還流冷却器及び空気吹き込み管を備えた反応容器に入れ、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート１０７部を加え、加熱溶解した。次に、アクリル酸５０．４部、メチルハイドロキノン０．３部及びトリフェニルホスフィン１部を加え、空気を吹き込みながら９５〜１０５℃で６時間反応させた。その後、マレイン酸４０．６部、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート７９部及びメチルハイドロキノン０．２部を加え９５〜１０５℃で４時間反応させ、エポキシ当量４８２３２ｇ／ｅｑ．の反応生成物を得た。次いでテトラヒドロ無水フタル酸１５．２部、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート９部を加え９５〜１０５℃で４時間反応させて、不揮発分６１％の溶液を得た。このようにして得られたカルボキシル基含有化合物は、酸価１０７ｍｇＫＯＨ／ｇであった。以下、この溶液をＡ−４と称す。得られたカルボキシル基含有化合物のＩＲスペクトルを図７、ゲルクロマトグラムを図８にそれぞれ示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
（７）可撓性
パターン形成されている銅スルーホールプリント配線基板の代わりに、ポリエステルフィルムを用い、前記の方法にて硬化性組成物の塗布、硬化を行ない、その後ポリエステルフィルムから硬化塗膜をはがし、長さ５ｃｍ、幅２ｃｍの評価フィルムを得た。得られたフィルムを折り曲げ、以下の基準にて評価した。
○：フィルムを１７０°折り曲げて割れなかったもの。
△：フィルムを１７０°折り曲げると割れるが、１６０°折り曲げて割れなかったもの。
×：フィルムを１６０°折り曲げて割れたもの。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月15日(2011.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
栄養ドリンク剤であって、該ドリンク剤の全質量に基づいて、
ａ）ＲＮＡ、リボヌクレオチド及びリボヌクレオシドからなる群より選択される１種以上の化合物を０．０３ないし３質量％、
ｂ）Ｌ−アルギニンを０．５ないし９質量％、
ｃ）Ｌ−アスコルビン酸を０．１ないし１０質量％、及び
ｄ）ｐＨ調整剤を０．４８ないし６質量％
含み、ｐＨが３ないし４である栄養ドリンク剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
即ち、本発明は、
（１）栄養ドリンク剤であって、該ドリンク剤の全質量に基づいて、
ａ）ＲＮＡ、リボヌクレオチド及びリボヌクレオシドからなる群より選択される１種以上の化合物を０．０３ないし３質量％、
ｂ）Ｌ−アルギニンを０．５ないし９質量％、
ｃ）Ｌ−アスコルビン酸を０．１ないし１０質量％、及び
ｄ）ｐＨ調整剤を０．４８ないし６質量％
含み、ｐＨが３ないし４である栄養ドリンク剤、
（２）前記成分ｂ）：前記成分ｃ）の質量比が１：０．２〜６である前記（１）記載の栄養ドリンク剤、
（３）前記質量比が１：０．２〜０．２５である前記（２）記載のドリンク剤、
（４）ＲＮＡ、リボヌクレオチド及びリボヌクレオシドからなる群より選択される１種以上の化合物が、酵母から抽出したＲＮＡ、リボヌクレオチド及びリボヌクレオシドからなる群より選択される１種以上の化合物である前記（１）ないし（３）の何れか１つに記載の栄養ドリンク剤、
（５）前記酵母がビール酵母である前記（４）記載の栄養ドリンク剤、
（６）更に、鮭由来の白子抽出物を含む前記（１）ないし（５）の何れか１つに記載の栄養ドリンク剤、
に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月9日(2011.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コハク酸塩含有溶液よりコハク酸を分離することによるコハク酸の製造方法であって、該コハク酸塩含有液に酸性物質を添加して陽イオン成分と難溶性塩を形成させた溶液をナノ濾過膜に通じて濾過してコハク酸含有液を得る工程を含む、コハク酸の製造方法。
【請求項２】
前記コハク酸含有溶液が微生物の発酵培養によって製造されたものである、請求項１に記載のコハク酸の製造方法。
【請求項３】
前記コハク酸含有溶液を逆浸透膜により濃縮し、該濃縮液からコハク酸を再結晶させる工程を含む、請求項１または２に記載のコハク酸の製造方法。
【請求項４】
前記コハク酸塩がコハク酸のナトリウム塩、カリウム塩、マグネシウム塩、カルシウム塩またはアンモニウム塩である、請求項１〜３のいずれかに記載のコハク酸の製造方法。
【請求項５】
前記ナノ濾過膜の機能層がポリアミドである、請求項１〜４のいずれかに記載のコハク酸の製造方法。
【請求項６】
前記ポリアミドが架橋ピペラジンポリアミドを主成分とし、かつ、化学式１で示される構成成分を含有することを特徴とする請求項５に記載のコハク酸の製造方法。
【化１】
2010070474.tif 000001
（式中、Ｒは−Ｈまたは−ＣＨ３、ｎは０から３までの整数を表す。）
【請求項７】
前記工程における酸性物質を添加した後の溶液のｐＨが１．０以上６．０以下である、請求項１から５のいずれかに記載のコハク酸の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
すなわち、本発明は、次の（１）〜（７）から構成される。
（１）コハク酸塩含有溶液よりコハク酸を分離することによるコハク酸の製造方法であって、該コハク酸塩含有液に酸性物質を添加して陽イオン成分と難溶性塩を形成させた溶液をナノ濾過膜に通じて濾過してコハク酸含有液を得る工程を含む、コハク酸の製造方法。
（２）前記コハク酸含有溶液が微生物の発酵培養によって製造されたものである、（１）に記載のコハク酸の製造方法。
（３）前記コハク酸含有溶液を逆浸透膜により濃縮し、該濃縮液からコハク酸を再結晶させる工程を含む、（１）または（２）に記載のコハク酸の製造方法。
（４）前記コハク酸塩がコハク酸のナトリウム塩、カリウム塩、マグネシウム塩、カルシウム塩またはアンモニウム塩である、（１）〜（３）のいずれかに記載のコハク酸の製造方法。
（５）前記ナノ濾過膜の機能層がポリアミドである、（１）〜（４）のいずれかに記載のコハク酸の製造方法。
（６）前記ポリアミドが架橋ピペラジンポリアミドを主成分とし、かつ、化学式１で示される構成成分を含有することを特徴とする（５）に記載のコハク酸の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（式中、Ｒは−Ｈまたは−ＣＨ３、ｎは０から３までの整数を表す。）
（７）前記工程における酸性物質を添加した後の溶液のｐＨが１．０以上６．０以下である、（１）から（６）のいずれかに記載のコハク酸の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月20日(2010.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞に薬剤を送達するための組合せ物であって、別々のバイアル中で提供される送達増強化合物と該薬剤とを含み、そして、該送達増強化合物は以下の構造：
【化１】
2010070565.tif 000001
を有する式ＩＩＩの化合物またはその薬学的に受容可能な塩である、組合せ物。
【請求項２】
前記送達増強化合物の濃度が０．００２〜２ｍｇ／ｍｌであり、前記組合せ物がさらに緩衝液を含む、請求項１に記載の組合せ物。
【請求項３】
前記組合せ物が膀胱への膀胱内投与のために処方される、請求項１または２に記載の組合せ物。
【請求項４】
前記薬剤が治療用薬剤である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組合せ物。
【請求項５】
前記送達増強化合物と前記薬剤が、患者への投与の前に混合される、請求項４に記載の組合せ物。
【請求項６】
前記薬剤が細胞中に存在するとき、該薬剤が該細胞中の生物学的プロセスの調整因子となり、該生物学的プロセスが、細胞の成長、分化、増殖、代謝経路、生合成経路、遺伝子発現、疾患関連プロセスおよび免疫応答からなる群より選択される、請求項４または５に記載の組合せ物。
【請求項７】
前記増殖が新形成性障害である、請求項６に記載の組合せ物。
【請求項８】
前記新形成性障害が癌である、請求項６に記載の組合せ物。
【請求項９】
前記薬剤が、ポリペプチドをコードする遺伝子を含む核酸を含む、請求項４〜８のいずれか１項に記載の組合せ物。
【請求項１０】
前記遺伝子がサイトカインをコードする、請求項９に記載の組合せ物。
【請求項１１】
前記サイトカインがα−インターフェロンである、請求項１０に記載の組合せ物。
【請求項１２】
前記遺伝子がベクター内に組み込まれる、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の組合せ物。
【請求項１３】
前記ベクターが組換えウイルスベクターである、請求項１２に記載の組合せ物。
【請求項１４】
前記組換えウイルスベクターが、ヘルペスウイルスベクター、レトロウイルスベクター、ワクシニアウイルスベクター、アデノ随伴ウイルスベクターおよびアデノウイルスベクターからなる群より選択される、請求項１３に記載の組合せ物。
【請求項１５】
前記アデノウイルスベクターがタンパク質第ＩＸ遺伝子の欠失を有する、請求項１４に記載の組合せ物。
【請求項１６】
前記アデノウイルスベクターがＣＭＶプロモーターを含む、請求項１４または１５に記載の組合せ物。
【請求項１７】
前記ウイルスベクターが、該ウイルスベクターの１×１０８粒子／ｍｌ〜５×１０１１粒子／ｍｌを含む懸濁液として投与される、請求項１３〜１６に記載の組合せ物。
【請求項１８】
前記組合せ物が癌を治療するためのものである、請求項４〜１７に記載の組合せ物。
【請求項１９】
前記癌が膀胱癌である、請求項１８に記載の組合せ物。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月7日(2011.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）
【化１】
2010070515.tif 000001
で表される化合物（４−（２，６，６−トリメチルシクロヘキサ−１，３−ジエニル）−３−ブテン−２−オン）を有効成分とするメラニン生成抑制剤。
【請求項２】
請求項１に記載のメラニン生成抑制剤を有効成分として含有する香粧品。
【請求項３】
請求項１に記載のメラニン生成抑制剤を有効成分として香粧品総量に対して、０．０００１〜２０質量％含有する香粧品。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月12日(2011.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記１）〜４）の特徴を有するオキシメチレン樹脂組成物よりなり、酸を含む流体に近接して、溶着部と常時又は断続的に７０〜１２０℃となる高温部分とを有する樹脂製容器。
１）該オキシメチレン樹脂組成物を構成するオキシメチレン樹脂（Ａ）が、オキシメチレン成分ａに対しオキシメチレン以外のオキシアルキレン成分ｂを一つ以上含み、この挿入割合（ｂ／ａ）が、０．３〜１．１ｍｏｌ％である
２）ケイ酸塩（Ｂ）を４０〜３００重量ｐｐｍ含有する
３）下記式（１）で示されるハイドロタルサイト（Ｃ）を０．０１〜２重量％含有する
〔（Ｍ2+）1-x（Ｍ3+）x（ＯＨ）2〕x+〔（Ａn-）x/n・ｍＨ2Ｏ〕x-     （１）
〔式中、Ｍ2+は２価金属、Ｍ3+は３価金属、Ａn-はｎ価（ｎは１以上の整数）のアニオン表わし、ｘは、０＜ｘ≦０．３３の範囲にあり、ｍは正の数である。〕
４）ＭＦＲが２〜４０ｇ／１０ｍｉｎである
【請求項２】
該容器が、容器外側または内側にリブまたは偏肉部分を有していることを特徴とする請求項１記載の樹脂製容器。
【請求項３】
該容器が、ノズル、接合用のフック、ネジ込み用の切り溝、ネジ部、コネクター部の少なくとも一つを有することを特徴とする請求項１または２記載の樹脂製容器。
【請求項４】
該容器が、異材のインサート部及び／又は異材との接合部を有することを特徴とする請求項１〜３の何れか記載の樹脂製容器。
【請求項５】
該高温部分が、加熱した流体及び／又は加熱した金属からの伝熱によることを特徴とする請求項１〜４の何れか記載の樹脂製容器。
【請求項６】
該酸を含む流体に含まれる酸の濃度が、４００重量ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５の何れか記載の樹脂製容器。
【請求項７】
該容器全体の５０％以上の厚みが、０．８〜５．５ｍｍであることを特徴とする請求項１〜６の何れか記載の樹脂製容器。
【請求項８】
該容器の溶着部の溶着シロが、各０．２〜３．５ｍｍであることを特徴とする請求項１〜７の何れか記載の樹脂製容器。
【請求項９】
該溶着前の溶着面の最大高さＲｚが、溶着シロの８０％以下であることを特徴とする請求項１〜８の何れか記載の樹脂製容器。
【請求項１０】
該ケイ酸塩（Ｂ）の平均粒子径Ｄ50が４〜２４μｍであることを特徴とする請求項１〜９の何れか記載の樹脂製容器。
【請求項１１】
該ケイ酸塩（Ｂ）が、水和ケイ酸マグネシウムであることを特徴とする請求項１〜１０の何れか記載の樹脂製容器。
【請求項１２】
該オキシメチレン樹脂組成物が、ケイ酸塩（Ｂ）およびハイドロタルサイト（Ｃ）以外の金属塩（Ｄ）を５〜３０ｗｔ％含み、かつ金属塩（Ｄ）の平均粒子径が０．１〜１μｍであることを特徴とする請求項１〜１１の何れか記載の樹脂製容器。
【請求項１３】
下記１）〜４）の特徴を有するオキシメチレン樹脂組成物。
１）該オキシメチレン樹脂組成物を構成するオキシメチレン樹脂（Ａ）が、オキシメチレン成分ａに対しオキシメチレン以外のオキシアルキレン成分ｂを一つ以上含み、この挿入割合（ｂ／ａ）が、０．３〜１．１ｍｏｌ％である
２）ケイ酸塩（Ｂ）を４０〜３００重量ｐｐｍ含有する
３）下記式（１）で示されるハイドロタルサイト（Ｃ）を０．０１〜２重量％含有する
〔（Ｍ2+）1-x（Ｍ3+）x（ＯＨ）2〕x+〔（Ａn-）x/n・ｍＨ2Ｏ〕x-     （１）
〔式中、Ｍ2+は２価金属、Ｍ3+は３価金属、Ａn-はｎ価（ｎは１以上の整数）のアニオン表わし、ｘは、０＜ｘ≦０．３３の範囲にあり、ｍは正の数である。〕
４）ＭＦＲが２〜４０ｇ／１０ｍｉｎである
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
［８］該容器の溶着部の溶着シロが、各０．２〜３．５ｍｍであることを特徴とする［１］〜［７］の何れか記載の樹脂製容器、
［９］該溶着前の溶着面の最大高さＲｚが、溶着シロの８０％以下であることを特徴とする［１］〜［８］の何れか記載の樹脂製容器、
［１０］該ケイ酸塩（Ｂ）の平均粒子径Ｄ50が４〜２４μｍであることを特徴とする［１］〜［９］の何れか記載の樹脂製容器、
［１１］該ケイ酸塩（Ｂ）が、水和ケイ酸マグネシウムであることを特徴とする［１］〜［１０］の何れか記載の樹脂製容器、
［１２］該オキシメチレン樹脂組成物が、ケイ酸塩（Ｂ）およびハイドロタルサイト（Ｃ）以外の金属塩（Ｄ）を５〜２５ｗｔ％含み、かつ金属塩（Ｄ）の平均粒子径が０．１〜１μｍであることを特徴とする［１］〜［１１］の何れか記載の樹脂製容器、
［１３］下記１）〜４）の特徴を有するオキシメチレン樹脂組成物、
１）該オキシメチレン樹脂組成物を構成するオキシメチレン樹脂（Ａ）が、オキシメチレン成分ａに対しオキシメチレン以外のオキシアルキレン成分ｂを一つ以上含み、この挿入割合（ｂ／ａ）が、０．３〜１．１ｍｏｌ％である
２）ケイ酸塩（Ｂ）を４０〜３００重量ｐｐｍ含有する
３）下記式（１）で示されるハイドロタルサイト（Ｃ）を０．０１〜２重量％含有する
〔（Ｍ2+）1-x（Ｍ3+）x（ＯＨ）2〕x+〔（Ａn-）x/n・ｍＨ2Ｏ〕x-     （１）
〔式中、Ｍ2+は２価金属、Ｍ3+は３価金属、Ａn-はｎ価（ｎは１以上の整数）のアニオン表わし、ｘは、０＜ｘ≦０．３３の範囲にあり、ｍは正の数である。〕
４）ＭＦＲが２〜４０ｇ／１０ｍｉｎである
に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月24日(2011.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被梱包物を梱包する梱包部材において、媒体を収納する媒体収納部と、
前記媒体収納部の長手方向に沿って前記媒体収納部へ向かう媒体は通過させて、前記媒体収納部から逆流する媒体は規制する逆止弁と、
前記長手方向と交差する方向において、前記逆止弁を前記媒体収納部に前記媒体収納部の幅よりも狭い幅で溶着することで形成される、前記媒体が通過する流路であって、前記長手方向に延びる基準流路部と、前記基準流路部よりも広い幅を有する拡張流路部と、を備える流路と、
を有することを特徴とする梱包部材。
【請求項２】
更に、前記梱包部材は、
前記媒体収納部に媒体を導入する方向において前記流路の下流側に設けられた、前記逆止弁を前記媒体収納部に溶着することで形成される、前記基準流路部よりも広い幅を有する規制部であって、前記流路を通過した媒体を前記媒体収納部の長手方向と交差する方向へ向きを変える規制部を有することを特徴とする請求項１に記載の梱包部材。
【請求項３】
前記逆止弁は２枚の可撓性シートから構成されて前記媒体収納部に溶着され、前記２枚の可撓性シートの間に前記媒体が通過可能であることを特徴とする請求項１または２に記載の梱包部材。
【請求項４】
前記逆止弁は１枚の可撓性シートから構成されて前記媒体収納部に溶着され、前記可撓性シートと前記媒体収納部の間に前記媒体が通過可能であることを特徴とする請求項１または２に記載の梱包部材。
【請求項５】
前記流路には、前記拡張流路部が前記長手方向と交差する方向に複数個並んで設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の梱包部材。
【請求項６】
前記流路には、前記拡張流路部が前記長手方向に複数個並んで設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の梱包部材。
【請求項７】
前記梱包部材には、前記流路が前記長手方向と交差する方向に複数並んで設けられていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の梱包部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記目的を達成する為の本発明に係る梱包部材は、被梱包物を梱包する梱包部材において、媒体を収納する媒体収納部と、前記媒体収納部の長手方向に沿って前記媒体収納部へ向かう媒体は通過させて、前記媒体収納部から逆流する媒体は規制する逆止弁と、前記長手方向と交差する方向において、前記逆止弁を前記媒体収納部に前記媒体収納部の幅よりも狭い幅で溶着することで形成される、前記媒体が通過する流路であって、前記長手方向に延びる基準流路部と、前記基準流路部よりも広い幅を有する拡張流路部と、を備える流路と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月23日(2011.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）１，５―ジアミノペンタンと炭素数６〜１２のジカルボン酸を主要成分として含有する単量体から構成されるポリアミド樹脂１００重量部に対して（ｂ）変性ポリオレフィン樹脂５〜５０重量部、（ｃ）未変性ポリオレフィン樹脂０〜５０重量部を配合してなるポリアミド樹脂組成物であって、（ｂ）変性ポリオレフィン樹脂と（ｃ）未変性ポリオレフィン樹脂が３０〜６００ｎｍの範囲の分散粒径で分散していることを特徴とするポリアミド樹脂組成物。
【請求項２】
前記（ａ）ポリアミド樹脂がポリペンタメチレンアジパミド樹脂又はポリペンタメチレンセバカミド樹脂であることを特徴とする請求項１記載のポリアミド樹脂組成物。
【請求項３】
前記（ａ）ポリアミド樹脂の末端アミノ基濃度が２．０×１０−５〜１５．０×１０−５ｍｏｌ／ｇであることを特徴とする請求項１または２記載のポリアミド樹脂組成物。
【請求項４】
前記（ｂ）変性ポリオレフィン樹脂が、エチレン・α−オレフィン系重合体１００重量部に対して不飽和カルボン酸又はその誘導体０．１〜３重量部で変性された変性ポリオレフィン樹脂であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載のポリアミド樹脂組成物。
【請求項５】
前記（ｃ）未変性ポリオレフィン樹脂がエチレンと炭素数３〜２０のα−オレフィンとを共重合して得られるエチレン・α−オレフィン系共重合体であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか記載のポリアミド樹脂組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか記載のポリアミド樹脂組成物からなる成形品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち、本発明は、
（１）（ａ）１，５―ジアミノペンタンと炭素数６〜１２のジカルボン酸を主要成分として含有する単量体から構成されるポリアミド樹脂１００重量部に対して（ｂ）変性ポリオレフィン樹脂５〜５０重量部、（ｃ）未変性ポリオレフィン樹脂０〜５０重量部を配合してなるポリアミド樹脂組成物であって、（ｂ）変性ポリオレフィン樹脂と（ｃ）未変性ポリオレフィン樹脂が３０〜６００ｎｍの範囲の分散粒径で分散していることを特徴とするポリアミド樹脂組成物、
（２）前記（ａ）ポリアミド樹脂がポリペンタメチレンアジパミド樹脂又はポリペンタメチレンセバカミド樹脂であることを特徴とする（１）記載のポリアミド樹脂組成物、
（３）前記（ａ）ポリアミド樹脂の末端アミノ基濃度が２．０×１０−５〜１５．０×１０−５ｍｏｌ／ｇであることを特徴とする（１）または（２）記載のポリアミド樹脂組成物、
（４）前記（ｂ）変性ポリオレフィン樹脂が、エチレン・α−オレフィン系重合体１００重量部に対して不飽和カルボン酸又はその誘導体０．１〜３重量部で変性された変性ポリオレフィン樹脂であることを特徴とする（１）〜（３）のいずれか記載のポリアミド樹脂組成物、
（５）前記（ｃ）未変性ポリオレフィン樹脂がエチレンと炭素数３〜２０のα−オレフィンとを共重合して得られるエチレン・α−オレフィン系共重合体であることを特徴とする（１）〜（４）のいずれか記載のポリアミド樹脂組成物、
（６）（１）〜（５）のいずれか記載のポリアミド樹脂組成物からなる成形品、
を提供するものである。