【手続補正書】
【提出日】平成22年12月24日(2010.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子を支持固定する金属製の支持台と、
前記半導体素子を前記支持台に接合固定する接合膜とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、前記金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記半導体素子と前記支持台とを接合していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記金属原子は、インジウム、スズ、亜鉛、チタン、およびアンチモンのうちの少なくとも１種である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記脱離基は、水素原子、炭素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子、またはこれらの各原子で構成される原子団のうちの少なくとも１種である請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記接合膜は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）に、脱離基として水素原子が導入されたものである請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体素子と、
前記半導体素子を支持固定する金属製の支持台と、
前記半導体素子を前記支持台上に接合固定する接合膜とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記半導体素子と前記支持台とを接合していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記接合膜は、有機金属材料を原材料として、有機金属化学気相成長法を用いて成膜されたものである請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記接合膜は、低還元性雰囲気下で成膜されたものである請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記脱離基は、前記有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存したものである請求項６または７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記脱離基は、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団で構成される請求項６ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記脱離基は、アルキル基である請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記有機金属材料は、金属錯体である請求項６ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記金属原子は、銅、アルミニウム、亜鉛および鉄のうちの少なくとも１種である請求項５ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記接合膜は、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が、前記接合膜から脱離した後に、活性手が生じる請求項１ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記活性手は、未結合手または水酸基である請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記エネルギーの付与は、前記接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記接合膜を加熱する方法、および前記接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項１ないし１４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記支持台は、リードフレームのダイパッドである請求項１ないし１５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１７】
請求項１ないし１６のいずれかに記載の半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
このような目的は以下の本発明により達成される。
本発明の半導体装置は、半導体素子と、
前記半導体素子を支持固定する金属製の支持台と、
前記半導体素子を前記支持台に接合固定する接合膜とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、前記金属原子と結合する酸素原子と、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方に結合する脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が、前記金属原子および前記酸素原子の少なくとも一方から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記半導体素子と前記支持台とを接合していることを特徴とする。
これにより、外部へと好適に放熱することができるとともに、クラックの発生が確実に防止された信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の半導体装置では、前記接合膜は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）に、脱離基として水素原子が導入されたものであることが好ましい。
かかる構成の接合膜は、それ自体が優れた機械的特性を有している。また、多くの材料に対して特に優れた接着性を示すものである。したがって、このような接合膜は、支持台に対して特に強固に接着するとともに、半導体素子に対しても特に強い被着力を示し、その結果として、支持台と半導体素子とを強固に接合することができる。また、かかる構成の接合膜は、優れた伝熱性を有するため、半導体素子で生じた熱を、接合膜を介して効率よく支持台に伝えることができる。その結果、より効果的に半導体装置外に放熱することができ、製造される半導体装置の信頼性をさらに高いものとすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の半導体装置は、半導体素子と、
前記半導体素子を支持固定する金属製の支持台と、
前記半導体素子を前記支持台上に接合固定する接合膜とを有し、
前記接合膜は、金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含み、
前記接合膜は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、前記接合膜の表面付近に存在する前記脱離基が前記接合膜から脱離し、前記接合膜の表面の前記領域に発現する接着性によって、前記半導体素子と前記支持台とを接合していることを特徴とする。
これにより、内部において剥離の発生が確実に防止された信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の半導体装置では、前記接合膜は、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が、前記接合膜から脱離した後に、活性手が生じることが好ましい。
これにより、支持台や半導体素子等の被着体に対して、化学的結合に基づいて強固に接合可能な接合膜が得られる。
本発明の半導体装置では、前記活性手は、未結合手または水酸基であることが好ましい。
これにより、支持台や半導体素子等の被着体に対して、特に強固な接合が可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明の半導体装置では、前記支持台は、リードフレームのダイパッドであることが好ましい。
これにより、半導体装置に外部から加わる熱、および半導体素子が発する熱をより好適に半導体装置外部へと放熱することができる。
本発明の電子機器は、本発明の半導体装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。