Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月24日(2011.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介してネットワーク装置内で通信される入出力（Ｉ／Ｏ）コマンドに関連する記憶トランザクションを実施する記憶システムであって、
特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）内の複数の専用目的機能コントローラをＡＳＩＣ内のリスト・マネージャと選択的に接続するインターコネクト・デバイスを有するＡＳＩＣと、
オペレーティングシステムを実行するポリシー・プロセッサと、
前記ネットワークではなく前記リスト・マネージャを介して前記複数の専用目的機能コントローラに前記ポリシー・プロセッサを操作可能に接続する周辺装置バスと、
前記Ｉ／Ｏコマンドに応答して前記周辺装置バスを介して前記リスト・マネージャと通信して、データ構造が格納されるメモリにアクセスして、前記Ｉ／Ｏコマンドに対応するデータのキャッシュ・ルックアップを実施するために前記ポリシー・プロセッサにより実行されるキャッシュ・ルックアップ論理とを含む記憶システム。
【請求項２】
請求項１に記載の記憶システムであって、あるデータ構造は前記記憶システム内のキャッシュメモリの対応するデータバッファを記述する前記記憶システム内のデータ記憶容量の仮想ストライプ境界に揃えられる記憶システム。
【請求項３】
請求項２に記載の記憶システムであって、前記キャッシュ・ルックアップ論理は、メモリ内に格納され前記記憶トランザクションに関連するデータ構造を計算するために前記ポリシー・プロセッサにより実行されるプログラミング命令を含む記憶システム。
【請求項４】
請求項３に記載の記憶システムであって、前記計算されたデータ構造は前記記憶トランザクションに関連する前記キャッシュメモリ内のバッファアドレスを示す記憶システム。
【請求項５】
請求項３に記載の記憶システムであって、前記計算されたデータ構造は前記記憶トランザクションを前記記憶システム内の記憶容量内のストライプと関連付ける記憶システム。
【請求項６】
請求項３に記載の記憶システムであって、前記計算されたデータ構造はキャッシュメモリのバッファ内の有用データを識別する記憶システム。
【請求項７】
請求項３に記載の記憶システムであって、前記計算されたデータ構造は前記キャッシュメモリのバッファ内のダーティ・データを識別する記憶システム。
【請求項８】
請求項１に記載の記憶システムであって、前記キャッシュ・ルックアップ論理は、前記インターコネクトおよび前記リスト・マネージャを介してメモリ内の前記記憶トランザクションに対するコンテキスト・データ構造をフォーマット化するために前記ポリシー・プロセッサにより実行されるプログラミング命令を含む記憶システム。
【請求項９】
請求項８に記載の記憶システムであって、前記コンテキスト・データ構造は１つ以上の前記機能コントローラと前記ネットワーク装置間のフロントエンド記憶トランザクションである前記記憶トランザクションに対してフォーマット化される記憶システム。
【請求項１０】
請求項８に記載の記憶システムであって、前記コンテキスト・データ構造は１つ以上の前記機能コントローラと前記記憶システム内の記憶容量間のバックエンド記憶トランザクションである前記記憶トランザクションに対してフォーマット化される記憶システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月16日(2011.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ・ストレージ・システムであって、
ポリシーエンジンを備え、
前記ポリシー・エンジンは、前記データ・ストレージ・システムへのネットワーク負荷に関する定性情報を連続的に収集して前記負荷を動的に特徴付け、情報負荷の特徴に応じて、ライトバック・データに対する転送要求に関するコマンド・キューの内容を記憶媒体の複数の予め定義した物理ゾーンにある物理ゾーンにもとづいて選択されるこれらの転送要求だけに選択的に限定する、データ・ストレージ・システム。
【請求項２】
前記負荷の特徴が、前記負荷が、予想された定常状態と実質的に同じか、またはそれ以下であることを示している場合に、実質的に均一な分布にもとづいて前記コマンド・キューを入手し、前記負荷の特徴が、均一でない分布のアクセス・コマンド活動のバーストを示している場合に、ゾーンにもとづいて前記コマンド・キューを入手するポリシー・エンジンに応じるキャッシュ・マネージャを備える、請求項１に記載のデータ・ストレージ・システム。
【請求項３】
前記負荷の特徴が、レイテンシに敏感なアクセス・コマンドに対する速度に敏感なアクセス・コマンドの比率で表される、請求項１または２に記載のデータ・ストレージ・システム。
【請求項４】
前記速度に敏感なコマンドが、ライトバック・キャッシュ・コマンドであり、前記レイテンシに敏感なコマンドが、読取りコマンドおよびライトスルー・キャッシュ・コマンドのうちの少なくとも一方である、請求項３に記載のデータ・ストレージ・システム。
【請求項５】
前記負荷の特徴が、各アクセス・コマンドに関連する帯域幅で表される、請求項１に記載のデータ・ストレージ・システム。
【請求項６】
各ゾーンが、前記全媒体の環状部分である、請求項１に記載のデータ・ストレージ・システム。
【請求項７】
独立のドライブ（ＲＡＩＤ）の冗長アレイを定義するために割り当てられた媒体を有するデータ・ストレージのアレイを備え、各ゾーンが、２つ以上のデータ・ストレージにわたってストライプ化される割り当てられたストレージ空間のブックである、請求項１から６のいずれかに記載のデータ・ストレージ・システム。
【請求項８】
前記コマンド・キューが、コマンド・プロファイルを定義しているコマンド・キュー内で転送要求を選択的に発行するシーク・マネージャに提示される、請求項１から７のいずれかに記載のデータ・ストレージ・システム。
【請求項９】
前記ポリシー・エンジンが、前記負荷の特徴に関連して、またコマンド・プロファイルを定義する際にシーク・マネージャを管理する予め定義した目標に関連して規則を定義する、請求項１から８のいずれかに記載のデータ・ストレージ・システム。
【請求項１０】
前記ポリシー・エンジンが、レイテンシに敏感なコマンドに対する速度に敏感なコマンドの比率で、前記コマンド・プロファイルを前記負荷の特徴に選択的に相関付ける、請求項１から９のいずれかに記載のデータ・ストレージ・システム。
【請求項１１】
前記ポリシー・エンジンが、レイテンシに敏感なコマンドに対する速度に敏感なコマンドの比率で、前記コマンド・プロファイルを前記負荷の特徴とマッチさせる、請求項９に記載のデータ・ストレージ・システム。
【請求項１２】
前記ポリシー・エンジンが、前記コマンド・プロファイルを前記アクセス・コマンドの所望の最大レイテンシと選択的に相関付ける、請求項９に記載のデータ・ストレージ・システム。
【請求項１３】
前記ポリシー・エンジンが、前記コマンド・プロファイルを異なるＬＵＮクラスに割り当てられた優先度に選択的に相関付ける、請求項９に記載のデータ・ストレージ・システム。
【請求項１４】
前記ポリシー・エンジンが、有限状態機械である、請求項１に記載のデータ・ストレージ・システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月28日(2011.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１スキャン開始信号、クロック信号、及びクロックバー信号を生成する信号提供部であり、前記クロック信号と前記クロックバー信号とを互いに逆位相で第１レベルと第２レベルとに交互に維持し、前記クロック信号を第１レベルから第２レベルに遷移させた時点から、早くとも、次に第１レベルから第２レベルに遷移させる時点までの間、前記第１スキャン開始信号を所定のレベルに維持する信号提供部、
前記第１スキャン開始信号が前記所定のレベルに遷移したことに応じて起動し、前記クロック信号及び前記クロックバー信号を用いて複数のゲート信号を順番に生成するゲート駆動部、並びに、
前記複数のゲート信号が順番に印加される複数のゲートラインを含む表示パネル、
を有する表示装置。
【請求項２】
前記信号提供部は、前記第１スキャン開始信号を前記所定のレベルに遷移させた後、前記クロック信号を二度目に第２レベルから第１レベルに遷移させる前に、前記第１スキャン開始信号を前記所定のレベルから別のレベルに遷移させる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記ゲート駆動部は、前記第１スキャン開始信号が前記所定のレベルに維持されている間、前記クロック信号を先頭のゲートラインにゲート信号として出力する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記ゲート駆動部は、各ゲートラインにゲート信号を個別に出力する複数のステージを含み、
前記複数のステージはそれぞれ、前記表示パネル上に形成された非晶質シリコン薄膜トランジスタを少なくとも一つ含む、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記ゲート駆動部は、各ゲートラインにゲート信号を個別に出力する複数のステージを含み、
前記複数のステージのうち、先頭のゲートラインに対してゲート信号を印加する第１ステージは、
前記第１スキャン開始信号に応じて電荷を蓄積し、又は放出する充電部、
前記充電部が所定量の電荷を蓄積している間、前記クロック信号をゲート信号として先頭のゲートラインに出力するプルアップ部、及び、
前記クロックバー信号に応じて前記第１スキャン開始信号を前記充電部に伝達する保持部、
を含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記信号提供部は、
前記第１スキャン開始信号及びクロック生成制御信号を生成するタイミングコントローラ、並びに、
前記クロック生成制御信号を用いて前記クロック信号及び前記クロックバー信号を生成するクロック生成部、
を含む、請求項１に記載の表示装置
【請求項７】
前記信号提供部は、
第２スキャン開始信号及びクロック生成制御信号を生成するタイミングコントローラ、並びに、
前記第２スキャン開始信号を用いて前記第１スキャン開始信号を生成し、前記クロック生成制御信号を用いて前記クロック信号及び前記クロックバー信号を生成するクロック生成部、
を含む、請求項１に記載の表示装置
【請求項８】
クロック信号とクロックバー信号とを互いに逆位相で第１レベルと第２レベルとに交互に維持するステップ、
前記クロック信号を第１レベルから第２レベルに遷移させた時点から、早くとも、次に第１レベルから第２レベルに遷移させる時点までの間、スキャン開始信号を所定のレベルに維持するステップ、及び、
前記スキャン開始信号が前記所定のレベルに遷移したことに応じ、前記クロック信号と前記クロックバー信号とを用いてゲート信号を生成して表示パネルの複数のゲートラインに対して順番に印加するステップ、
を有する表示装置の駆動方法。
【請求項９】
前記スキャン開始信号を前記所定のレベルに遷移させた後、前記クロック信号を二度目に第２レベルから第１レベルに遷移させる前に、前記スキャン開始信号を前記所定のレベルから別のレベルに遷移させるステップ、
を更に有する、請求項８に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項１０】
前記スキャン開始信号が前記所定のレベルに維持されている間、前記クロック信号を先頭のゲートラインにゲート信号として出力する、請求項８に記載の表示装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月14日(2011.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステージ又は対物レンズを移動させるための回転操作手段と、
前記回転操作手段の一回転当たりの前記ステージ又は前記対物レンズの移動量を切り替えて設定する切替手段と、
前記切替手段の設定状態を検出する検出手段と、
前記検出手段で検出された前記切替手段の前記設定状態に応じて前記回転操作手段の操作時の操作感を決定する制御手段と、
前記制御手段で決定された前記回転操作手段の操作感に基づいて前記回転操作手段の操作感を調整する操作感調整手段と、
を有することを特徴とする操作装置。
【請求項２】
前記回転操作手段の操作感を記憶する記憶手段を有し、
前記制御手段は、前記切替手段の前記設定状態に応じた前記回転操作手段の操作感として、前記記憶手段に記憶されている操作感を読み出して採用することを特徴とする請求項１に記載の操作装置。
【請求項３】
前記切替手段によって前記ステージ又は前記対物レンズの前記移動量が大きい状態に切り替えられたとき、前記回転操作手段の操作感は相対的に重くなり、
前記切替手段によって前記ステージ又は前記対物レンズの前記移動量が小さい状態に切り替えられたとき、前記回転操作手段の操作感は相対的に軽くなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の操作装置。
【請求項４】
前記回転操作手段の操作感は、前記回転操作手段を回転させる回転トルクを調整することで制御することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の操作装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の操作装置を備えたことを特徴とする顕微鏡。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の操作装置を備えており、
前記回転操作手段は、ステージを上下動させるもの、又は、Ｘ又はＹ方向へ移動させるものであることを特徴とするステージ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題を解決するために本発明は、
ステージ又は対物レンズを移動させるための回転操作手段と、
前記回転操作手段の一回転当たりの前記ステージ又は前記対物レンズの移動量を切り替えて設定する切替手段と、
前記切替手段の設定状態を検出する検出手段と、
前記検出手段で検出された前記切替手段の前記設定状態に応じて前記回転操作手段の操作時の操作感を決定する制御手段と、
前記制御手段で決定された前記回転操作手段の操作感に基づいて前記回転操作手段の操作感を調整する操作感調整手段と、
を有することを特徴とする操作装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月20日(2011.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともアルミニウムを含有する金属アルコキシドを含む塗布液を用いて光学部品上に膜を形成する工程と、前記膜を水含有液に浸漬する工程と、前記水含有液に浸漬後の膜を焼成する工程と、前記焼成後の膜を温水処理して凹凸構造を有するアルミニウム含有膜を形成する工程と、を有することを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項２】
前記水含有液の温度は、５℃以上５０℃以下であることを特徴とする請求項１記載の光学素子の製造方法。
【請求項３】
前記温水処理は、温水に浸漬することを特徴とする請求項１または２記載の光学素子の製造方法。
【請求項４】
前記温水の温度は、６０℃以上１００℃以下であることを特徴とする請求項３記載の光学素子の製造方法。
【請求項５】
前記温水処理は、水蒸気にさらすことを特徴とする請求項１または２記載の光学素子の製造方法。
【請求項６】
前記水含有液に浸漬後の膜を焼成する温度は６０℃以上３００℃以下であることを特徴とする請求項１乃至５いずれか１項記載の光学素子の製造方法。
【請求項７】
前記凹凸構造は、酸化アルミニウムを主成分とする板状結晶であることを特徴とする請求項１乃至６いずれか１項記載の光学素子の製造方法。
【請求項８】
前記光学部品が有機高分子からなることを特徴とする請求項１乃至７いずれか１項記載の光学素子の製造方法。
【請求項９】
前記アルミニウム含有膜は、酸化アルミニウム膜であることを特徴とする請求項１乃至８いずれか１項記載の光学素子の製造方法。
【請求項１０】
光学部品と、該光学部品上に形成された酸化アルミニウム膜を有する光学素子であって、前記酸化アルミニウム膜は表面に凹凸構造を有し、前記光学素子の平均反射率Ｒ（％）が、０．１６≦Ｒ≦０．３であることを特徴とする光学素子。
【請求項１１】
前記酸化アルミニウム膜の屈折率ｎ１は、表面から光学部品との境界部に向かって増加し、前記酸化アルミニウム膜の前記光学部品との境界部の屈折率ｎ２が１．３０≦ｎ２≦１．４５であることを特徴とする請求項１０記載の光学素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の光学素子は、光学部品と、該光学部品上に形成された酸化アルミニウム膜を有する光学素子であって、前記酸化アルミニウム膜は表面に凹凸構造を有し、前記光学素子の平均反射率Ｒ（％）が、０．１６≦Ｒ≦０．３であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月30日(2011.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ光学長に比べて相対的に薄い、屈折率の大きい高屈折率層と屈折率の小さい低屈折率層が、光軸に対して横方向に交互に配列されており、
前記高屈折率層および前記低屈折率層の各幅は、入射光の波長オーダーまたはそれより小さい光学部材。
【請求項２】
各前記高屈折率層は、部材の機械的な中心では密に配置され、前記中心から離れるに従って疎になるように、左右対称に配置されている請求項１に記載の光学部材。
【請求項３】
各前記高屈折率層の幅が、部材の機械的な中心に向かって徐々に大きくなるように配置されており、
各前記低屈折率層の幅が、部材の機械的な中心に向かって徐々に小さくなるように配置されている請求項２に記載の光学部材。
【請求項４】
各前記高屈折率層の幅が、部材の機械的な中心に向かって徐々に大きくなるように配置されており、
各前記低屈折率層が、等しい幅で配置されている請求項２に記載の光学部材。
【請求項５】
各前記低屈折率層の幅が、部材の機械的な中心に向かって徐々に小さくなるように配置されており、
各前記高屈折率層が、等しい幅で配置されている請求項２に記載の光学部材。
【請求項６】
各前記高屈折率層は、部材の機械的な中心では粗に配置され、前記中心から離れるに従って密になるように、左右対称に配置されている請求項１に記載の光学部材。
【請求項７】
各前記高屈折率層の幅が、部材の機械的な中心に向かって徐々に小さくなるように配置されており、
各前記低屈折率層の幅が、部材の機械的な中心に向かって徐々に大きくなるように配置されている請求項６に記載の光学部材。
【請求項８】
各前記高屈折率層の幅が、部材の機械的な中心に向かって徐々に小さくなるように配置されており、
各前記低屈折率層が、等しい幅で配置されている請求項６に記載の光学部材。
【請求項９】
各前記低屈折率層の幅が、部材の機械的な中心に向かって徐々に大きくなるように配置されており、
各前記高屈折率層が、等しい幅で配置されている請求項６に記載の光学部材。
【請求項１０】
前記高屈折率層および前記低屈折率層の少なくとも一方は、各幅が、前記横方向に非対称に配置されている請求項１に記載の光学部材。
【請求項１１】
各前記高屈折率層が、前記部材の一方の端から光学的な重心位置に向かって、幅が徐々に大きくなるように配置されており、
各前記低屈折率層が、前記部材の一方の端から光学的な重心位置に向かって、幅が徐々に小さくなるように配置されている請求項１０に記載の光学部材。
【請求項１２】
それぞれ光学長に比べて相対的に薄い、屈折率の大きい高屈折率層と屈折率の小さい低屈折率層が、光軸に対して横方向に交互に配列されており、かつ、前記高屈折率層および前記低屈折率層の各幅は、入射光の波長オーダーまたはそれより小さい光学部材と、
前記光学部材を通した光を受光する受光部とを備えたことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１３】
複数の前記受光部が１次元状あるいは２次元状に配列されている画素アレイ部を備え、
前記受光部に対応する前記光学部材として、前記高屈折率層の各幅が前記横方向に対称に配置されているものと、前記高屈折率層および前記低屈折率層の少なくとも一方の各幅が前記横方向に非対称に配置されているものとが使用されており、
前記画素アレイ部の中心では前記対称に配置されている光学部材が使用され、前記画素アレイ部の端部になるほど前記非対称性が強くなる光学部材が使用されている請求項１２に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
複数の前記受光部が１次元状あるいは２次元状に配列されている画素アレイ部を備え、
前記受光部に対応する前記光学部材として、前記高屈折率層の各幅が前記横方向に対称に配置されているものと、前記高屈折率層および前記低屈折率層の少なくとも一方の各幅が前記横方向に非対称に配置されているものとが使用されており、
前記画素アレイ部の中心では前記対称に配置されている光学部材が使用され、前記画素アレイ部の端部になるほど光学的な重心の位置が前記受光部の中心から前記画素アレイ部の中心方向にズレて配置されている請求項１２に記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
前記受光部に対応する前記光学部材ごとに、各前記高屈折率層は、
主光線の斜め入射方向においては、前記光学的な重心の位置では幅が大きく、前記光学的な重心の位置から離れるに従って幅が狭く、かつ、
主光線の斜め入射に垂直な、前記低屈折率層と前記高屈折率層が交互に並べられる方向と直交する方向のサイズは、前記受光部のサイズと同程度かそれよりも少し短い請求項１３または請求項１４に記載の固体撮像装置。
【請求項１６】
屈折率の大きい高屈折率層および屈折率の小さい低屈折率層の何れか一方の膜を形成し、
前記膜の横方向に複数の開口部を配列して形成し、
それぞれの前記開口部を、前記高屈折率層および前記低屈折率層の他方で埋め込み、
これにより、前記高屈折率層と前記低屈折率層が、光軸に対して横方向に交互に配列された光学部材を製造することを特徴とする前記光学部材の製造方法。
【請求項１７】
各前記光学部材を配列する際の平面視で前記高屈折率層を角形にし、
４つの前記高屈折率層が前記低屈折率層を挟み、かつ、前記４つの高屈折率層同士が接触するように配列し、さらに、斜め光の入射角が大きいほど、当該光学部材の重心が前記斜め光側により強く片寄るように、横線、縦線、または斜め４５度線を用いて、前記斜め光の入射角に応じたそれぞれのマスクパターンを生成し、
この生成したマスクパターンをフォトリソグラフィに使って、前記斜め光の入射角に応じた各光学部材を製造する請求項１６に記載の製造方法。
【請求項１８】
受光部が形成されている半導体基板上に屈折率の小さい低屈折率層を形成し、
前記低屈折率層上に屈折率の大きい高屈折率層を形成し、
前記屈折率層の前記受光部と対応する位置に複数の開口部を配列して形成し、
それぞれの前記開口部を、前記低屈折率層で埋め込み、
これにより、前記高屈折率層と前記低屈折率層が、光軸に対して横方向に交互に配列された光学部材を前記半導体基板と一体的に製造する固体撮像装置の製造方法。
【請求項１９】
各前記光学部材を、受光部の配列位置と斜め光の入射角に整合させて配列する際の平面視で前記高屈折率層を角形にし、
４つの前記高屈折率層が前記低屈折率層を挟み、かつ、前記４つの高屈折率層同士が接触するように配列し、さらに、斜め光の入射角が大きいほど、当該光学部材の重心が前記斜め光側により強く片寄るように、横線、縦線、または斜め４５度線を用いて、前記斜め光の入射角に応じたそれぞれのマスクパターンを生成し、
この生成したマスクパターンをフォトリソグラフィに使って、前記斜め光の入射角に応じた各光学部材を、前記受光部の配列位置と整合するように配置する請求項１８に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項２０】
前記４つの高屈折率層の前記角形の形状と配置位置を、それぞれの頂点座標を使用する関数式で表わし、当該関数式を規定する各頂点座標を示す一次式の係数を前記半導体基板上における前記光学部材が配置される位置に応じて設定することで、前記斜め光の入射角に応じた各光学部材用のマスクパターンのデータを生成する請求項１９に記載の固体撮像装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月16日(2011.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極層を含む表示素子を有し、
前記一対の電極層のうち少なくとも一方は導電性高分子を含み、
前記導電性高分子を含む電極層に含まれるイオン性不純物の濃度は１００ｐｐｍ以下であり、
前記導電性高分子を含む電極層は、前記導電性高分子と相溶又は混合分散が可能である有機樹脂を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
一対の電極層を含む表示素子を有し、
前記一対の電極層はそれぞれ導電性高分子を含み、
前記導電性高分子を含む電極層に含まれるイオン性不純物の濃度は１００ｐｐｍ以下であり、
前記導電性高分子を含む電極層は、前記導電性高分子と相溶又は混合分散が可能である有機樹脂を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
一対の電極層を含む表示素子を有し、
前記一対の電極層のうち少なくとも一方は導電性高分子を含み、
前記導電性高分子を含む電極層に含まれるイオン性不純物の濃度は１００ｐｐｍ以下であり、
前記導電性高分子を含む電極層は、ドーパントとして有機酸、有機シアノ化合物又は４級アミン化合物を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
一対の電極層を含む表示素子を有し、
前記一対の電極層はそれぞれ導電性高分子を含み、
前記導電性高分子を含む電極層に含まれるイオン性不純物の濃度は１００ｐｐｍ以下であり、
前記導電性高分子を含む電極層は、ドーパントとして有機酸、有機シアノ化合物又は４級アミン化合物を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
一対の電極層を含む表示素子を有し、
前記一対の電極層のうち少なくとも一方は導電性高分子を含み、
前記導電性高分子を含む電極層に含まれるイオン性不純物の濃度は１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
一対の電極層を含む表示素子を有し、
前記一対の電極層はそれぞれ導電性高分子を含み、
前記導電性高分子を含む電極層に含まれるイオン性不純物の濃度は１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記表示素子は、液晶層と、前記液晶層と前記導電性高分子を含む電極層との間に設けられ、配向膜として機能する絶縁層を有し、
前記導電性高分子を含む電極層及び前記液晶層は、前記絶縁層と接することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記表示素子は電界発光層を有し、
前記導電性高分子を含む電極層と前記電界発光層とが接することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記イオン性不純物は陽イオンであり、
前記イオン性不純物はイオン化エネルギーが６ｅＶ以下の元素であることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記イオン性不純物は陽イオンであり、
前記イオン性不純物はアルカリ金属、又はアルカリ土類金属であることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記イオン性不純物は、無機酸に含まれる陰イオンであることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、
前記導電性高分子はポリチオフェン、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン、ポリアニリン誘導体、ポリピロール、ポリピロール誘導体のうちの一種、又は二種以上の共重合体であることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月4日(2011.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のホログラムを含むホログラフィ記憶層上に位相マスク層を有し、該位相マスク層は、位相パターン領域と、伝搬ビームの位相前に中立である中立領域とを有するホログラフィ記憶媒体において、
前記位相パターン領域は、前記ホログラフィ記憶層の中に参照ビームを結合するように適合され、前記中立領域は、前記ホログラフィ記憶層の中に物体ビーム又は前記ホログラフィ記憶層の外に復元された物体ビームを結合するように適合され、前記位相パターン領域が、前記各々のホログラムの上方に配置され、又は前記中立領域が、前記各々のホログラムの上方に配置されていることを特徴とするホログラフィ記憶媒体。
【請求項２】
前記位相パターン領域は、凸凹の表面を有する領域又は不均質な材料からなる領域であることを特徴とする請求項１に記載のホログラフィ記憶媒体。
【請求項３】
前記位相マスク層上にカバー層をさらに有することを特徴とする請求項１又は２に記載のホログラフィ記憶媒体。
【請求項４】
前記ホログラフィ記憶媒体は、ディスク形の記憶媒体であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のホログラフィ記憶媒体。
【請求項５】
前記位相パターン領域又は前記中立領域は、同心環又は螺旋であり、あるいは同心環又は螺旋として配置された複数の個々の位相パターン領域又は中立領域であることを特徴とする請求項４に記載のホログラフィ記憶媒体。
【請求項６】
前記ホログラフィ記憶媒体は、カード形の記憶媒体であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のホログラフィ記憶媒体。
【請求項７】
前記位相パターン領域又は前記中立領域は、線であり、あるいは線として配置された複数の個々の位相パターン領域又は中立領域であることを特徴とする請求項６に記載のホログラフィ記憶媒体。
【請求項８】
複数のホログラムを含むホログラフィ記憶層上に位相マスク層を有し、該位相マスク層は、位相パターン領域と伝搬ビームの位相前に中立である中立領域とを有するホログラフィ記憶媒体と、参照ビームを生成、又は物体ビームと前記参照ビームを生成する光源を有する、前記ホログラフィ記憶媒体から読み出し、かつ／又は前記ホログラフィ記憶媒体に書き込むための装置とを含むシステムにおいて、
前記参照ビームが、前記位相マスク層の位相パターン領域上に入射し、前記物体ビーム又は前記復元された物体ビームが、前記位相マスク層の中立領域上に入射するように、前記物体ビーム又は前記復元された物体ビームの光路に対して傾いて配置されていることを特徴とするシステム。
【請求項９】
前記位相パターン領域が、前記各々のホログラムの上方に配置され、又は前記中立領域が、前記各々のホログラムの上方に配置されていることを特徴とする請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記位相パターン領域が、不規則な領域又は不均質な材料からなる領域であることを特徴とする請求項８又は９に記載のシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年6月16日(2011.6.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７９】
基体上のフォトレジストコーティングの現像に続いて、現像された基体は、例えば、レジストが除去された基体領域を、当該技術分野で公知の手順に従って化学的エッチング又はメッキすることによって、レジストが除去されたこれらの領域上において選択的な処理がなされ得る。マイクロ電子基体の製造、例えば、二酸化ケイ素ウェーハの製造のために、好適なエッチング剤には、ガスエッチング剤、例えばハロゲンプラズマエッチング剤、例えば、プラズマストリームとして適用されるＣｌ２又はＣＦ４／ＣＨＦ３エッチング剤をはじめとする塩素又はフッ素系エッチング剤が含まれる。かかる処理の後、公知の剥離手順を使用して、処理した基体からレジストが除去されてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月11日(2011.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＲＩデバイスで使用するために構成された傾斜コイル・アセンブリであって、
１つの軸（１３０）に沿って延びるチューブ（１０４）となるように形成された絶縁体（１０４）シートと、
前記絶縁体（１０４）シートの第１の表面上に配置させた、各々が第１の導電性シート（１０２）上の第１の共通領域で開始し、第１の共通領域から離れた第２の共通領域で終了する第１の複数の導電性経路を含んだ前記第１の導電性シート（１０２）と、
前記絶縁体（１０４）シートの第２の表面上に配置させた、前記第１の複数の導電性経路の各々が対応する経路と電気的に結合した第２の複数の導電性経路を含んだ第２の導電性シート（１０２）と、
を備える傾斜コイル・アセンブリであって、前記第１及び第２の複数の導電性経路は第１の端部（２０４）及び反対側の第２の端部（２０２）によって規定されており、第１の複数の導電性経路の各々の第１の端部（２０４）は第２の導電性経路のそれぞれの第１の端部（２０４）と絶縁体シートを通して係合しており、各々の第２の端部（２０２）は電源及び別の傾斜コイル・アセンブリのうちの一方に動作可能に結合されている、傾斜コイル・アセンブリ。
【請求項２】
前記第２の複数の導電性経路は前記第１の複数の導電性経路に対して概して同心円状に配置されている、請求項１に記載の傾斜コイル・アセンブリ。
【請求項３】
前記第２の複数の導電性経路の各々は前記第２の導電性シート（１０２）上の第１の共通領域で開始し、第２の共通領域で終了する、請求項１に記載の傾斜コイル・アセンブリ。
【請求項４】
前記第１及び第２の導電性シート（１０２）の各々は、各それぞれのプレート内でスパイラルカット（１３２）となった第１及び第２の複数の伝導経路を有する各銅プレート（１０６、１０８）である、請求項１に記載の傾斜コイル・アセンブリ。
【請求項５】
前記絶縁体（１０４）シートの第１の表面と第２の表面は同一の絶縁体（１０４）シート上に配置され、前記第１の表面がチューブ（１０４）の中心軸から第１の半径距離に配置され、前記第２の表面がチューブ（１０４）の中心軸から第２の半径距離に配置され、第１の半径距離と第２の半径距離が異なる、請求項１に記載の傾斜コイル・アセンブリ。
【請求項６】
前記第１の複数の導電性経路は複数の相互巻き合わせ式スパイラルを含み、複数の導電性経路の各々が少なくとも複数の導電性経路のうちの他の１つと隣接する、請求項１に記載の傾斜コイル・アセンブリ。
【請求項７】
１つの軸（１３０）に沿って延びるチューブ（１０４）となるように形成された絶縁体（１０４）シートと、
前記絶縁体（１０４）シートの第１の表面上に結合させた、各々が第１の導電性シート（１０２）上の第１の共通領域で開始し、第１の共通領域から離れた第２の共通領域で終了する第１の複数の導電性経路を含んだ第１の導電性シート（１０２）と、
前記絶縁体（１０４）シートの第２の表面上に結合させた、前記第１の複数の導電性経路の各々が対応する経路と電気的に結合した第２の複数の導電性経路を含んだ第２の導電性シート（１０２）と、
を備える傾斜コイル・アセンブリであって、前記第１及び第２の複数の導電性経路は第１の端部（２０４）及び反対側の第２の端部（２０２）によって規定されており、第１の複数の導電性経路の各々の第１の端部（２０４）は第２の複数の導電性経路のそれぞれの第１の端部（２０４）と絶縁体（１０４）シートを通して係合しており、各々の第２の端部（２０２）は電源及び別の傾斜コイル・アセンブリのうちの一方に動作可能に結合されている、傾斜コイル・アセンブリ。
【請求項８】
前記第１及び第２の導電性シート（１０２）の各々は、各それぞれのプレート内でスパイラルカット（１３２）となった第１及び第２の複数の導電性経路を有する各銅プレート（１０６、１０８）であること、
各銅プレート（１０６、１０８）上のスパイラルカット（１３２）の方向によって、絶縁体（１０４）シートを通して第１の傾斜磁場を発生させる一方の銅プレート（１０６、１０８）を規定しているエッジ（１２０、１２２）から内方に電流をスパイラルさせることが可能であり、該一方の銅プレート（１０６、１０８）上で該第１の傾斜磁場に追加する第２の傾斜磁場を発生させるもう一方の銅プレート（１０６、１０８）上で外方に電流をスパイラルさせることが可能であること、
を特徴とする請求項７に記載の傾斜コイル・アセンブリ。
【請求項９】
前記第１及び第２の導電性シート（１０２）の各々は、各それぞれのプレート内でスパイラルカット（１３２）となった第１及び第２の複数の導電性経路を有する各銅プレート（１０６、１０８）であること、
各プレート（１０６、１０８）上のスパイラルカット（１３２）が同一であること、
を特徴とする請求項７に記載の傾斜コイル・アセンブリ。
【請求項１０】
ＭＲＩデバイスで使用するために構成された傾斜コイル・アセンブリを組み上げる方法であって、
その間に絶縁体（１０４）シートを備えるようにして第１の導電性シート（１０２）を第２の導電性シート（１０２）の周りに概して同心円状に配置する工程と、
前記第１の導電性シート（１０２）上に、各々が第１の導電性シート（１０２）上の第１の共通領域で開始し、第１の共通領域から離れた第２の共通領域で終了する第１の複数の導電性経路を形成する工程と、
前記第２の導電性シート（１０２）上に第２の複数の導電性経路を形成する工程と、
前記第２の複数の導電性経路の各々を前記第１の複数の導電性経路の対応する経路と電気的に結合する工程と、
を含む方法であって、前記第２の複数の導電性経路は前記第１の複数の導電性経路に対して同心円状に配置され、
前記第１及び第２の導電性経路は第１の端部（２０４）及び反対側の第２の端部（２０２）によって規定されており、第１の複数の導電性経路の各々の第１の端部（２０４）は前記第１及び第２の導電性シート（１０２）のそれぞれを規定する中央部分において絶縁体（１０４）シートを通して第２の複数の導電性経路のそれぞれの第１の端部（２０４）と係合しており、各々の第２の端部（２０２）は電源及び別の傾斜コイル・アセンブリのうちの一方に動作可能に結合されている方法。
【請求項１１】
前記第１の複数の導電性経路の第１の端部（２０４）を、前記第２の複数の導電性経路のそれぞれの第１の端部（２０４）と係合したときに転位させる工程をさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１及び第２の複数の導電性経路の各々は、実質的に電気的に等しく、これによりこれらの間に等しい電流配分を達成していること、を特徴とすると共に、
スパイラルカット（１３２）の構成を、適当な傾斜強度、傾斜直線性、並びに所与の電源に対する電流と電圧の整合を提供するための周回数を決定するように構成させたソフトウェアを用いて決定する工程、
をさらに含む請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月4日(2011.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボリューム（２０）を撮像するための磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）デバイス（２００）であって、
磁場を発生させるための主マグネットと、
軸に沿って延びるチューブとなるように形成された絶縁体シート（１４０）であって、前記チューブが内側表面と外側表面により画定されており、前記外側表面が、前記内側表面よりも前記チューブの中心軸からより遠い距離に配置される、前記絶縁体シート（１４０）と、
前記ボリューム（２０）を撮像するために前記主マグネットが発生させた磁場を操作するための傾斜コイル（５０）であって、前記チューブを画定している前記外側表面上に配置されている傾斜コイル（５０）と、
ＲＦコイル（７２）と、
前記傾斜コイル（５０）と前記ＲＦコイル（７２）の間に配置された冷却回路（３０２）であって、前記チューブを画定している前記内側表面上に配置されており、前記傾斜コイル（５０）を冷却する間に前記傾斜コイル（５０）を前記ＲＦコイル（７２）からシールドしている冷却回路（３０２）と、
を備える磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）デバイス（２００）。
【請求項２】
前記冷却回路（３０２）は、
前記チューブを画定している前記内側表面上に配置された第１の表面と反対側の第２の表面とを有する熱拡散器（１１０）と、
前記熱拡散器（１１０）の前記第２の表面に熱的に接続された複数の冷却ダクト（１２０）と、
を備えている、請求項１に記載のＭＲＩデバイス（２００）。
【請求項３】
前記複数の冷却ダクト（１２０）の前記隣接する冷却ダクト（１２０）が傾斜コイル（５０）のうず電流損を防止するように互いから電気的に隔絶されている、請求項２に記載のＭＲＩデバイス（２００）。
【請求項４】
前記熱拡散器（１１０）及び前記複数の冷却ダクト（１２０）は非磁性、熱伝導性かつ電気伝導性の材料から製作されている、請求項２に記載のＭＲＩデバイス（２００）。
【請求項５】
前記複数の冷却ダクト（１２０）の各々は、一方の端部において電気的に接地されたマニホールド（１２２）と電気的に接続されており、かつ前記複数の冷却ダクト（１２０）の前記それぞれを画定している反対側の第２の端部においては別のマニホールド（１２４）と非電気的に接続されている、請求項２に記載のＭＲＩデバイス（２００）。
【請求項６】
前記冷却回路（３０２）の露出したホースあご部（３０６）には接地ワイヤが電気的に結合されていること、
各冷却回路（３０２）からの接地ワイヤは互いに接続されて単一の点において接地されていること、
を特徴とする請求項１に記載のＭＲＩデバイス（２００）。
【請求項７】
ボリューム（２０）を撮像するための磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）デバイス（２００）であって、
主磁場を発生させるための手段と、
ボリューム（２０）の撮像のために前記主磁場を操作するための手段と、
ボリューム（２０）の撮像のために主磁場を操作するための前記手段を冷却するための手段と、
軸に沿って延びるチューブとなるように形成されている、ボリューム（２０）の撮像のために主磁場を操作するための前記手段と前記冷却手段との間の介在する絶縁体シート（１４０）であって、前記チューブが内側表面と外側表面により画定されており、前記外側表面が、前記内側表面よりも前記チューブの中心軸からより遠い距離に配置される、前記絶縁体シート（１４０）と、
前記冷却手段から離間させると共に半径方向で内方に延びているＲＦコイル（７２）と、を備えており、
前記冷却手段は前記チューブを画定している前記内側表面上に配置されており、前記冷却手段はボリューム（２０）の撮像のために主磁場を操作するための前記手段を冷却している間にボリューム（２０）の撮像のために主磁場を操作するための前記手段を前記ＲＦコイル（７２）からシールドしていることを特徴とする磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）デバイス（２００）。
【請求項８】
前記冷却手段は、ボリューム（２０）の撮像のために主磁場を操作するための前記手段が発生させた磁場によるうず電流の誘導を実質的に低下させるように接地されている、請求項７に記載のＭＲＩデバイス（２００）。
【請求項９】
ボリューム（２０）を撮像するために磁場を発生させるための超伝導体マグネットと、
前記磁場を操作するための非シールド傾斜コイル（５０）と、
ＲＦコイル（７２）と、
前記超伝導体マグネットと熱的に結合させた冷却回路（３０２）を含んだ極低温冷却システムであって、前記冷却回路（３０２）は前記傾斜コイル（５０）を冷却している間に前記傾斜コイル（５０）を前記ＲＦコイル（７２）からシールドしている極低温冷却システムと、
を備えた磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）システム。
【請求項１０】
前記冷却回路（３０２）は、前記傾斜コイル（５０）がその上に巻きつけられた絶縁体シート（１４０）をその上に配置させた冷却式熱拡散器を含んでいる、請求項９に記載のＭＲＩシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月7日(2011.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号：８又は配列番号：１１のアミノ酸配列を含んでなる、又はそのフラグメントである、抗原性ペプチド。
【請求項２】
異種担体タンパク質に連結された請求項１に記載の抗原性ペプチドを含んでなる、抗原性融合タンパク質。
【請求項３】
医薬担体の一以上、及び免疫原的に有効な量の請求項１に記載の抗原性ペプチドの一以上を含む、医薬組成物。
【請求項４】
医薬担体の一以上、及び請求項２に記載の抗原性融合タンパク質の一以上を含む、医薬組成物。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の医薬組成物であって、フラグメントが、少なくとも5アミノ酸残基長、少なくとも10アミノ酸残基長、少なくとも15アミノ酸残基長、少なくとも20アミノ酸残基長、少なくとも25アミノ酸残基長、又は少なくとも30アミノ酸残基長である、医薬組成物。
【請求項６】
さらにアジュバントを含む、請求項３〜５のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項７】
IgE介在性アレルギー障害の治療又は予防のための、請求項３〜６のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
IgE介在性アレルギー障害の治療又は予防のための医薬の製造のための、請求項３〜６のいずれか１項に記載の医薬組成物の使用。
【請求項９】
ＩｇＥ介在性アレルギー障害が、喘息、アレルギー性鼻炎、胃腸のアレルギー、食物アレルギー、好酸球増加症、結膜炎、糸球体腎炎及び移植片対宿主病からなる群より選択される、請求項７に記載の医薬組成物又は請求項８に記載の使用。
【請求項１０】
請求項１に記載の抗原性ペプチド又は請求項２に記載の抗原性融合タンパク質をコードする、ポリヌクレオチド。
【請求項１１】
請求項１０に記載のポリヌクレオチドを含む発現ベクターを包含する、宿主細胞。
【請求項１２】
配列番号：２２又は配列番号：２５のポリヌクレオチド配列を含んでなる、ポリヌクレオチド。
【請求項１３】
請求項１に記載の抗原性ペプチド又は請求項２に記載の抗原性融合タンパク質を製造する方法であって、請求項１１に記載の宿主細胞の培養物を好適な培地で増殖させ、そして培養物からペプチド又はタンパク質を精製する、製造方法。
【請求項１４】
IgE介在性アレルギー障害の治療又は予防方法であって、そのような治療又は予防が所望される非ヒト動物へ、免疫原的に有効な量の請求項１に記載の抗原性ペプチド又は請求項２に記載の抗原性融合タンパク質を投与することを含む、方法。
【請求項１５】
IgE介在性アレルギー障害の治療又は予防方法であって、そのような治療又は予防が所望される非ヒト動物へ、免疫原的に有効な量の請求項１０に記載のポリヌクレオチドを投与することを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月29日(2011.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係るスクータ型車両は、上述した課題を解決するために、請求項１に記載したように、略水平に前傾し、且つその中心軸が車両の進行方向に沿って配置されたシリンダアッセンブリを有するエンジン本体とこのエンジン本体の一側から後方に延びてその後端に後輪を軸支する伝動ケースとを一体的に備え、車体フレームにスイング自在に枢着され、且つクッションユニットにより前記車体フレームに弾性的に支持されたユニットスイング型エンジンと、前記シリンダアッセンブリの吸気ポートに接続されるスロットルボディとこのスロットルボディに接続されるエアクリーナと燃料噴射手段とこの燃料噴射手段の燃料噴射量を制御するコントローラとを有する燃料噴射式の吸気装置と、前記ユニットスイング型エンジンの上方に配置された収納ボックスとを備えたスクータ型車両において、車両側面視、前記クッションユニットを最も圧縮した状態での前記エンジン本体の最も高い位置と前記エアクリーナ上部とを結ぶ線Ｘ´−Ｘ´と略平行になるように前記収納ボックス底を形成すると共に、前記スロットルボディの頂部と前記線Ｘ´−Ｘ´とが交差したことを特徴とするものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
略水平に前傾し、且つその中心軸が車両の進行方向に沿って配置されたシリンダアッセンブリを有するエンジン本体とこのエンジン本体の一側から後方に延びてその後端に後輪を軸支する伝動ケースとを一体的に備え、車体フレームにスイング自在に枢着され、且つクッションユニットにより前記車体フレームに弾性的に支持されたユニットスイング型エンジンと、
前記シリンダアッセンブリの吸気ポートに接続されるスロットルボディとこのスロットルボディに接続されるエアクリーナと燃料噴射手段とこの燃料噴射手段の燃料噴射量を制御するコントローラとを有する燃料噴射式の吸気装置と、
前記ユニットスイング型エンジンの上方に配置された収納ボックスとを備えたスクータ型車両において、
車両側面視、前記クッションユニットを最も圧縮した状態での前記エンジン本体の最も高い位置と前記エアクリーナ上部とを結ぶ線Ｘ´−Ｘ´と略平行になるように前記収納ボックス底を形成すると共に、前記スロットルボディの頂部と前記線Ｘ´−Ｘ´とが交差したことを特徴とするスクータ型車両。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月26日(2011.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
星細胞特異的に物質を送達する標的化剤としてのレチノイド誘導体および／またはビタミンＡアナログと、これ以外の薬物担体構成成分と、星細胞の活性または増殖を制御する薬物とを含む、星細胞の活性化に起因する疾患を処置するための医薬。
【請求項２】
星細胞の活性化に起因する疾患が線維化である、請求項１に記載の医薬。
【請求項３】
星細胞特異的に物質を送達する標的化剤としてのレチノイド誘導体および／またはビタミンＡアナログと、これ以外の薬物担体構成成分と、星細胞の活性または増殖を制御する薬物とを含む、線維化を抑制するための医薬。
【請求項４】
レチノイド誘導体がビタミンＡを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の医薬。
【請求項５】
星細胞の活性または増殖を制御する薬物が、ＴＧＦβ活性阻害剤、ＨＧＦ活性製剤、ＭＭＰ産生促進剤、ＴＩＭＰ産生阻害剤、ＰＰＡＲγリガンド、アンジオテンシン活性阻害剤、ＰＤＧＦ活性阻害剤、ナトリウムチャンネル阻害剤、アポトーシス誘導剤、ならびに、星細胞によって産生される細胞外マトリクス構成分子を標的とする、または該細胞外マトリクス構成分子の産生もしくは分泌に機能する分子のうちの１つまたはそれ以上を標的とするｓｉＲＮＡ、リボザイム、アンチセンス核酸、ＤＮＡ／ＲＮＡキメラポリヌクレオチドおよびこれらを発現するベクターからなる群から選択される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の医薬。
【請求項６】
細胞外マトリクス構成分子の産生もしくは分泌に機能する分子がＨＳＰ４７である請求項５に記載の医薬。
【請求項７】
星細胞特異的に物質を送達する標的化剤としてのレチノイド誘導体および／またはビタミンＡアナログと、これ以外の薬物担体構成成分と、星細胞の活性または増殖を制御する薬物とを配合する工程を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の医薬の製造方法。
【請求項８】
星細胞特異的に物質を送達する標的化剤としてのレチノイド誘導体および／またはビタミンＡアナログ、これ以外の薬物担体構成成分、ならびに星細胞の活性または増殖を制御する薬物のうちの１つまたはそれ以上を含む１つまたはそれ以上の容器を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の医薬の調製キット。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年6月8日(2011.6.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を備えた長尺状のシャフト（２）と、同シャフトを収容するための長尺状のケーシング（３）とからなる回転運動伝達装置であって、
前記ケーシングは、同ケーシング内で前記シャフトが回転できるように内径が設定されたプラスチック材料からなる中空体から形成されることと、
前記ケーシング内に収容されたシャフトの回転によって発生する振動を抑制するために、ケーシングの少なくとも一部において長手方向に延びる波状部を含む内面を有するように、ケーシングは異なる壁厚を有することと、
前記ケーシングは、円筒状の外面（５）を有することとを特徴とする回転運動伝達装置。
【請求項２】
波状部（６）は、ケーシング（３）の内側に向かって延びる複数の突出部（１９）により形成されて、ケーシング（３）の少なくとも一部に沿って配置される請求項１に記載の伝達装置。
【請求項３】
複数の突出部（１９）は、三角形、円形の一部、菱形の一部、又は四角形の一部から選択された断面形状を有する請求項２に記載の伝達装置。
【請求項４】
ケーシング（３）の一端又は両端は、長手方向に延びる波状部（６）を備える内面（４）を有する請求項１乃至３のいずれか一項に記載の伝達装置。
【請求項５】
ケーシング（３）全体は、長手方向に延びる波状部（６）を備える内面（４）を有する請求項１乃至４のいずれか一項に記載の伝達装置。
【請求項６】
ケーシング（３）の外径に等しい内径を有する硬質チューブ（９）をさらに備え、少なくともケーシングの端部が同チューブ内に収容される請求項１乃至５のいずれか一項に記載の伝達装置。
【請求項７】
ケーシング（３）は、制限止め部（１０）を形成する領域を有し、同領域は外面（５）から突出して延びる請求項１乃至６のいずれか一項に記載の伝達装置。
【請求項８】
チューブ（９）の一端は、制限止め部（１０）を形成する領域に接触することを特徴とする請求項７に記載の伝達装置。
【請求項９】
ケーシング（３）は、その外面（５）において異なる厚さを有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の伝達装置。
【請求項１０】
ケーシング（３）の外面（５）は、チューブ（９）の内側を進むために平坦状をなし、さらに、ケーシング（３）は、制限止め部（１０）を形成する少なくとも１つの領域を有することを特徴とする請求項６に記載の伝達装置。
【請求項１１】
シャフト（２）は、頂部が平面に切断された螺旋形のピラミッド状をなす少なくとも１つの端部を有することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の伝達装置。
【請求項１２】
シャフト（２）は、平坦な外面を有するように加工される請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の伝達装置。
【請求項１３】
自動車シートの調整システムであって、自動車の構造体に取り付けられた少なくとも１つの調整ランナー（１２，１３）と、同ランナーにシートを固定するための調節可能な手段（１４，１５）とを備えることと、同システムは少なくとも１つの回転部分を備える駆動モータを更に有することと、同システムは、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の伝達装置を備えることと、伝達装置は駆動モータの出力部（１７，１８）と固定手段との間に配置され、出力部の回転に応じて調整ランナーに沿って固定手段を移動させることを特徴とする調整システム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
図１及び図２に示される実施例において、ケーシングの外面５はほぼ円筒状である。従って、ケーシングは平坦な外面を有する。同実施例は、特に、図１に示すように、ケーシング３が、伝達装置１のケーシングとしてガイダンスチューブ９の内側を進む場合に適している。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
可撓性を備えたシャフトは、その周囲が切削加工されて平坦になっていてもよい。そのため、ケーシング３内のシャフト２の摩擦が減少されるため回転が生じる。可撓性を備えたシャフト２は、例えば、フランス国特許出願公開第０３０３０３４号明細書に記載された実施例に合わせてもよい。