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【手続補正書】
【提出日】平成21年11月16日(2009.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的なコードスケール(505)と、
光学ユニット(503)であって、
発光手段電流を受容して、それに応答して前記光学的なコードスケール(505)へ光を提供する、発光手段(501)と、
光センサ電流と前記光学的なコードスケール(505)からの光とを受容して、それに応答して光センサ(502)と前記光学的なコードスケール(505)との間の相対運動を示す少なくとも１つの信号を出力する、光センサ(502)と、
前記光センサ電流をある基準値と比較して、該基準値とは異なっている該光センサ電流に応答して、前記発光手段(501)に提供される前記発光手段電流を調整するための光センサ電流検出器信号を出力する、光センサ電流検出器(520)
とを含むことからなる、光学ユニット(503)
とを備える、光学エンコーダ(500)。
【請求項２】
前記発光手段に前記発光手段電流を提供する発光手段電流源(530)を更に備える、請求項１に記載の光学エンコーダ(500)。
【請求項３】
前記光センサ電流検出器(520)からの前記光センサ電流検出器信号を受容して、それに応答して前記発光手段(501)に提供される前記発光手段電流を調整する発光手段電流制御手段(540)を、更に備えることからなる、請求項２に記載の光学エンコーダ(500)。
【請求項４】
前記発光手段電流が発光手段電流警告値にまで増大した時には、前記発光手段電流制御手段(540)と前記光センサ電流検出器(520)とのうちの一方が、警告信号を出力する、請求項３に記載の光学エンコーダ(500)。
【請求項５】
前記光センサ(502)、前記光センサ電流検出器(520)、及び前記発光手段電流制御手段(540)が、全て単一集積回路チップ内に設けられている、請求項３に記載の光学エンコーダ(500)。
【請求項６】
前記光センサ(502)と前記光センサ電流検出器(520)とが両方とも、第１の集積回路チップ内に設けられており、及び、前記発光手段(501)と前記発光手段電流制御手段(540)とが両方とも、第２の集積回路チップ内に設けられていることからなる、請求項３に記載の光学エンコーダ(500)。
【請求項７】
前記光センサ(502)と前記光センサ電流検出器(520)とが両方とも、単一集積回路チップ内に設けられている、請求項１に記載の光学エンコーダ(500)。
【請求項８】
発光手段(501)と光センサ(502)とを含む光学ユニット(503)を動作させる方法であって、
前記発光手段に発光手段電流を提供し(605)、
前記光センサに光センサ電流を提供し(605)、
前記光センサ電流をある基準値と比較し(615)、及び、
前記基準値とは異なっている前記光センサ電流に応答して、前記発光手段に提供される前記発光手段電流を調整する(618,630,632)
ことを含む、方法。
【請求項９】
前記発光手段電流が発光手段電流警告値にまで増大した時(635)には警告信号を出力することを、更に含むことからなる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記比較が、リアルタイムに実施されると共に、前記光学ユニット(503)とコードスケール(505)との間の相対運動を示す少なくとも１つの信号を前記光センサ(502)が出力することからなる、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
光学ユニット(503)であって、
発光手段電流を受容する発光手段(501)と、
光センサ電流と前記発光手段(501)からの光とを受容して、それに応答して前記光学ユニット(503)と光学的なコードスケール(505)との間の相対運動を示す少なくとも１つの信号を出力する、光センサ(502)と、
前記光センサ電流をある基準値と比較して、該基準値とは異なっている該光センサ電流に応答して、前記発光手段(501)から前記光センサ(502)への光路中の汚染物質の存在を示す光センサ電流検出器信号を出力する、光センサ電流検出器(520)
とを備える、光学ユニット(503)。
【請求項１２】
前記光センサ電流検出器(520)からの前記光センサ電流検出器信号を受容して、それに応答して前記発光手段(501)に提供される前記発光手段電流を調整する発光手段電流制御手段(540)を、更に備えることからなる、請求項１１に記載の光学ユニット(503)。
【請求項１３】
前記発光手段電流が発光手段電流警告値にまで増大した時には、前記発光手段電流制御手段(540)と前記光センサ電流検出器(520)とのうちの一方が、発光手段電流警告信号を出力する、請求項１２に記載の光学ユニット(503)。
【請求項１４】
前記光センサ(502)、前記光センサ電流検出器(520)、及び前記発光手段電流制御手段(540)が、全て単一集積回路チップ内に設けられている、請求項１２に記載の光学ユニット(503)。
【請求項１５】
前記光センサ(502)と前記光センサ電流検出器(520)とが両方とも、第１の集積回路チップ内に設けられており、及び、前記発光手段(501)と前記発光手段電流制御手段(540)とが両方とも、第２の集積回路チップ内に設けられていることからなる、請求項１２に記載の光学ユニット(503)。
【請求項１６】
前記光センサ(502)、前記光センサ電流検出器(520)、前記発光手段(501)、及び前記発光手段電流制御手段(540)が、同一光学ユニットハウジング上に全て実装されている、請求項１２に記載の光学ユニット(503)。
【請求項１７】
前記発光手段(501)に前記発光手段電流を提供する発光手段電流源(530)を更に備える、請求項１１に記載の光学ユニット(503)。
【請求項１８】
前記光センサ(502)に前記光センサ電流を提供する光センサ電流源(550)を更に備える、請求項１１に記載の光学ユニット(503)。
【請求項１９】
前記光センサ(502)と前記光センサ電流検出器(520)とが両方とも、単一集積回路チップ内に設けられている、請求項１１に記載の光学ユニット(503)。
【請求項２０】
前記発光手段(501)、前記光センサ(502)、及び前記光センサ電流検出器(520)が、同一光学ユニットハウジング上に全て実装されている、請求項１１に記載の光学ユニット(503)。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月23日(2011.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体に当接し、該媒体を送り出す給紙手段と、
前記送り出された媒体の一面を前記給紙手段へ押圧し、該媒体を捌いて分離する分離手段と、
前記分離手段で分離された媒体を搬送する搬送手段と、
前記給紙手段と前記搬送手段との間に配設され、前記媒体の前記給紙手段側の面を案内する第１のガイド部材と、
前記第１のガイド部材に対向配置され、前記媒体を案内する第２のガイド部材とを備え、
前記第１のガイド部材は、前記第２のガイド部材側に突出したガイド突出部が形成されていることを特徴とする給紙装置。
【請求項２】
請求項１の給紙装置において、
前記給紙手段は、媒体の搬送方向に直交する方向における一部で該媒体に当接し、
前記ガイド突出部は、前記給紙手段の近傍の前記第１のガイド部材に形成されていることを特徴とする給紙装置。
【請求項３】
請求項２の給紙装置において、
前記給紙手段は、回転可能な給紙ローラであり、
前記ガイド突出部は、前記第１のガイド部材の前記給紙ローラの両側方に配置されていることを特徴とする給紙装置。
【請求項４】
請求項２の給紙装置において、
前記給紙手段は、回転可能な給紙ローラであり、前記媒体の搬送方向に直交する方向における中央部で該媒体に当接し、
前記ガイド突出部は、前記媒体の搬送方向に直交する方向における前記第１のガイド部材の中央部に配置されていることを特徴とする給紙装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか1項の給紙装置において、
前記ガイド突出部は、前記第１のガイド部材に回動可能に設けられ、前記第２のガイド部材側へ付勢されていることを特徴とする給紙装置。
【請求項６】
媒体に当接し、該媒体を送り出す給紙手段と、
前記送り出された媒体の一面を前記給紙手段へ押圧し、該媒体を捌いて分離する分離手段と、
前記分離手段で分離された媒体を搬送する搬送手段と、
前記給紙手段と前記搬送手段との間に配設され、前記媒体の前記給紙手段側の面を案内する第１のガイド部材と、
前記第１のガイド部材に対向配置され、前記媒体を案内する第２のガイド部材とを有し、
前記第１のガイド部材に、前記第２のガイド部材側に突出したガイド突出部が形成されている給紙装置を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月25日(2011.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交換用のパレットを水平に収納するパレット収納部と、前記パレット収納部の隣に配置されたパレット保持部とを備え、前記パレット保持部によって水平に保持されるパレットから電子部品をピックアップして基板に実装する電子部品実装装置であって、
前記パレット保持部は、パレットの端部と連結するパレット連結部材と、前記パレット連結部材を前記パレット収納部側に配置したテーブルと、前記テーブルを前記パレット収納部に対して近接または離反する方向に移動させる直動機構と、前記パレット連結部材を水平面内で回動させる機構とを備え、
前記パレット収納部は、少なくとも前記パレット保持部と正対する正面側が開口されており、前記交換用のパレットは、前記パレット連結部材と端部で連結された状態で正面側から収納されるか、手動で正面側から収納するかの何れか一方もしくは両方を併用して前記パレット収納部に収納されるものであることを特徴とする電子部品実装装置。
【請求項２】
前記パレット収納部は、前記パレット保持部と正対する正面側および背面側が開口されており、前記交換用のパレットは、前記パレット連結部材と端部で連結された状態で正面側から収納されるか、手動で正面側または背面側から収納するかの何れか一方もしくは両方を併用して前記パレット収納部に収納されるものであることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装装置。
【請求項３】
前記パレット収納部は、正面側または背面側の何れの方向から収納されたパレットであっても所定の位置に位置決めする位置決め手段を備えていることを特徴とする請求項２に記載の電子部品実装装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
請求項１に記載の電子部品実装装置は、交換用のパレットを水平に収納するパレット収納部と、前記パレット収納部の隣に配置されたパレット保持部とを備え、前記パレット保持部によって水平に保持されるパレットから電子部品をピックアップして基板に実装する電子部品実装装置であって、前記パレット保持部は、パレットの端部と連結するパレット連結部材と、前記パレット連結部材を前記パレット収納部側に配置したテーブルと、前記テーブルを前記パレット収納部に対して近接または離反する方向に移動させる直動機構と、前記パレット連結部材を水平面内で回動させる機構とを備え、前記パレット収納部は、少なくとも前記パレット保持部と正対する正面側が開口されており、前記交換用のパレットは、前記パレット連結部材と端部で連結された状態で正面側から収納されるか、手動で正面側から収納するかの何れか一方もしくは両方を併用して前記パレット収納部に収納されるものである。
請求項２に記載の電子部品実装装置は請求項１に記載の電子部品実装装置であって、前記パレット収納部は、前記パレット保持部と正対する正面側および背面側が開口されており、前記交換用のパレットは、前記パレット連結部材と端部で連結された状態で正面側から収納されるか、手動で正面側または背面側から収納するかの何れか一方もしくは両方を併用して前記パレット収納部に収納されるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項３に記載の電子部品実装装置は請求項２に記載の電子部品実装装置であって、前記パレット収納部は、正面側または背面側の何れの方向から収納されたパレットであっても所定の位置に位置決めする位置決め手段を備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月1日(2011.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１アイランドと、前記第１アイランドと分離して形成された第２アイランドと、前記第１アイランドまたは前記第２アイランドに一端が接近する複数のリードを用意し、前記第１アイランドの上面に第１半導体素子を固着し、前記第２アイランドの上面に第２半導体素子を固着する工程と、
前記第１アイランドおよび前記第２アイランドの一側辺の一端側に配置された前記リードと前記第１半導体素子とを第１金属細線で接続し、前記第１金属細線と交差する第２金属細線により前記リードと前記第２半導体素子とを接続する工程と、
モールド金型のキャビティに前記両アイランドおよび前記リードの端部を収納して、前記第１アイランドおよび第２アイランドの前記一側辺に対向する他側辺側の樹脂注入口から、前記キャビティに封止樹脂を注入する工程と、を備え、
前記第１金属細線と第２金属細線とが交差する箇所において、前記第1金属細線は前記第２金属細線よりも、前記樹脂注入口に近接することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記封止樹脂を注入する工程では、
前記封止樹脂の注入圧により変形した前記第１金属細線が、前記第２金属細線に接触することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２金属細線が複数本あることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１金属細線および前記第２金属細線が接続される前記リードの端部は、前記１半導体素子および前記第２半導体素子の上方に配置されることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１金属細線と前記リードとの接続箇所は、前記リードの中央部よりも前記第２アイランド側に配置されることを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１アイランドおよび前記第２アイランドの前記一側辺に沿って複数のリードが配置され、前記第１金属細線および前記第２金属細線が接続される前記リードは端部に配置されることを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１金属細線および前記第２金属細線が接続される前記リードの端部は、前記封止樹脂が注入される前記モールド金型のゲートよりも上方に配置されることを特徴とする請求項１から請求項６の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の半導体装置の製造方法は、第１アイランドと、前記第１アイランドと分離して形成された第２アイランドと、前記第１アイランドまたは前記第２アイランドに一端が接近する複数のリードを用意し、前記第１アイランドの上面に第１半導体素子を固着し、前記第２アイランドの上面に第２半導体素子を固着する工程と、前記第１アイランドおよび前記第２アイランドの一側辺の一端側に配置された前記リードと前記第１半導体素子とを第１金属細線で接続し、前記第１金属細線と交差する第２金属細線により前記リードと前記第２半導体素子とを接続する工程と、モールド金型のキャビティに前記両アイランドおよび前記リードの端部を収納して、前記第１アイランドおよび第２アイランドの前記一側辺に対向する他側辺側の樹脂注入口から、前記キャビティに封止樹脂を注入する工程と、を備え、前記第１金属細線と第２金属細線とが交差する箇所において、前記第1金属細線は前記第２金属細線よりも、前記樹脂注入口に近接することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月20日(2011.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成式がＬｉxＮｉaＭｎbＣｏcＭdＯ2（０.２≦ｘ≦１.２，０.２≦ａ≦０.９，０.０５≦ｂ≦０.５，０.０５≦ｃ≦０.５，０≦ｄ≦０.１，ａ１＋ｂ１＋ｃ１＋ｄ１＝１.０、ＭはＡｌあるいはＴｉ）で表される正極活物質を有するリチウムイオン二次電池用正極材料であって、
前記正極活物質が、Ｎｉの含有量が異なる少なくとも三種類の遷移金属酸化物から構成されていることを特徴とするリチウムイオン二次電池用正極材料。
【請求項２】
前記遷移金属酸化物が、
組成式Ｌｉx1Ｎｉa1Ｍｎb1Ｃｏc1Ｍd1Ｏ2（０.２≦ｘ１≦１.２，０.７≦ａ１≦０.９，０.０５≦ｂ１≦０.２５，０.０５≦ｃ１≦０.２５，０≦ｄ１≦０.１，ａ１＋ｂ１＋ｃ１＋ｄ１＝１.０、ＭはＡｌあるいはＴｉ）で表される第１の遷移金属酸化物と、
組成式Ｌｉx2Ｎｉa2Ｍｎb2Ｃｏc2Ｍd2Ｏ2（０.２≦ｘ２≦１.２，０.５５≦ａ２≦０.８，０.０５≦ｂ２≦０.４，０.０５≦ｃ２≦０.４，０≦ｄ２≦０.１，ａ２＋ｂ２＋ｃ２＋ｄ２＝１.０、ＭはＡｌあるいはＴｉ）で表される第２の遷移金属酸化物と、
組成式Ｌｉx3Ｎｉa3Ｍｎb3Ｃｏc3Ｍd3Ｏ2（０.２≦ｘ３≦１.２，０.２≦ａ３≦０.６５，０.０５≦ｂ３≦０.５，０.０５≦ｃ３≦０.５，０≦ｄ３≦０.１，ａ３＋ｂ３＋ｃ３＋ｄ３＝１.０、ＭはＡｌあるいはＴｉ）で表される第３の遷移金属酸化物と、を有し、
ａ３＜ａ２＜ａ１であることを特徴とする請求項１に記載のリチウムイオン二次電池用
正極材料。
【請求項３】
前記正極活物質に、前記遷移金属酸化物が質量百分率で各々５０％以下含有されていることを特徴とする請求項１に記載のリチウムイオン二次電池用正極材料。
【請求項４】
前記遷移金属酸化物における各々のＮｉ含有量の差分が０.０５以上であることを特徴とする請求項１に記載のリチウムイオン二次電池用正極材料。
【請求項５】
前記正極活物質に、前記Ｎｉ含有量が０.７≦ａを満たす遷移金属酸化物が、質量百分率で６０％以上含有されていることを特徴とする請求項１に記載のリチウムイオン二次電池用正極材料。
【請求項６】
リチウムを吸蔵放出可能な正極と、リチウムを吸蔵放出可能な負極と、が非水電解質およびセパレータを介して形成されるリチウムイオン二次電池において、
前記正極が、正極活物質を有し、
前記正極活物質が、
組成式ＬｉxＮｉaＭｎbＣｏcＭdＯ2（０.２≦ｘ≦１.２，０.２≦ａ≦０.９，０.０５≦ｂ≦０.５，０.０５≦ｃ≦０.５，０≦ｄ≦０.１，ａ１＋ｂ１＋ｃ１＋ｄ１＝１.０、ＭはＡｌあるいはＴｉ）で表される遷移金属酸化物を有し、
前記遷移金属酸化物が、Ｎｉの含有量が異なる少なくとも三種類から構成されていることを特徴とするリチウムイオン二次電池。
【請求項７】
前記正極活物質に、前記遷移金属酸化物が、質量百分率で各々５０％以下含有されていることを特徴とする請求項６に記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項８】
前記遷移金属酸化物における各々のＮｉ含有量の差分が０.０５以上であることを特徴とする請求項６に記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項９】
前記正極活物質に、前記Ｎｉ含有量が０.７≦ａを満たす遷移金属酸化物が、質量百分率で６０％以上含有されていることを特徴とする請求項６に記載のリチウムイオン二次電池用正極材料。
【請求項１０】
リチウムを吸蔵放出可能な正極と、リチウムを吸蔵放出可能な負極と、が非水電解質およびセパレータを介して形成されるリチウムイオン二次電池において、
前記正極が、正極活物質を有し、
前記正極活物質が、
組成式Ｌｉx1Ｎｉa1Ｍｎb1Ｃｏc1Ｍd1Ｏ2（０.２≦ｘ１≦１.２，０.７≦ａ１≦０.９，０.０５≦ｂ１≦０.２５，０.０５≦ｃ１≦０.２５，０≦ｄ１≦０.１，ａ１＋ｂ１＋ｃ１＋ｄ１＝１.０、ＭはＡｌあるいはＴｉ）で表される第１の遷移金属酸化物と、
組成式Ｌｉx2Ｎｉa2Ｍｎb2Ｃｏc2Ｍd2Ｏ2（０.２≦ｘ２≦１.２，０.５５≦ａ２≦０.８，０.０５≦ｂ２≦０.４，０.０５≦ｃ２≦０.４，０≦ｄ２≦０.１，ａ２＋ｂ２＋ｃ２＋ｄ２＝１.０、ＭはＡｌあるいはＴｉ）で表される第２の遷移金属酸化物と、
組成式Ｌｉx3Ｎｉa3Ｍｎb3Ｃｏc3Ｍd3Ｏ2（０.２≦ｘ３≦１.２，０.２≦ａ３≦０.６５，０.０５≦ｂ３≦０.５，０.０５≦ｃ３≦０.５，０≦ｄ３≦０.１，ａ３＋ｂ３＋ｃ３＋ｄ３＝１.０、ＭはＡｌあるいはＴｉ）で表される第３の遷移金属酸化物と、を有し、
ａ３＜ａ２＜ａ１であることを特徴とするリチウムイオン二次電池。
【請求項１１】
前記正極活物質に、前記第１の遷移金属酸化物と、前記第２の遷移金属酸化物と、前記第３の遷移金属酸化物とが、質量百分率で各々５０％以下含有されていることを特徴とする請求項１０に記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項１２】
前記第１の遷移金属酸化物と、前記第２の遷移金属酸化物と、前記第３の遷移金属酸化物とにおける、Ｎｉ含有量の差分が０.０５以上であることを特徴とする請求項１０に記載のリチウムイオン二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月27日(2011.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
実施例では、荷電粒子ビームを偏向走査する偏向器と、試料を載置し傾斜可能な試料ステージと、荷電粒子ビームの照射により試料で発生する二次粒子の検出信号から画像化された像を表示する表示装置と、荷電粒子ビームの偏向パターンを制御する演算手段とを備え、演算手段は荷電粒子ビームの偏向パターンを矩形から平行四辺形に変形できる荷電粒子ビーム装置を開示する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、実施例では、第１の観察方向から荷電粒子ビームを試料上で走査して取得した試料上の位置補正マークの第１の画像を演算手段に登録し、第２の観察方向から荷電粒子ビームを試料上で走査して取得した試料上の位置補正マークの第２の画像を前記演算手段に登録し、第２の画像に対して、第１の観察方向と第２の観察方向の成す面の垂線と、荷電粒子ビームの偏向走査方向とがなす角度の回転変換よりなる第１の画像処理と、第１の観察方向と第２の観察方向の成す角度の余弦の逆数倍の縦方向の伸張変換よりなる第２の画像処理と、第１の画像処理と逆方向の回転変換よりなる第３の画像処理と、逐次実施して得られた画像と、第１の画像と、を演算手段が照合する荷電粒子ビーム装置における位置補正処理方法を開示する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、実施例では、荷電粒子ビームの第１の観察方向と、荷電粒子ビームの第２の観察方向と、の成す角度と、第１の観察方向と、第２の観察方向と、の成す面の垂線と、荷電粒子ビームの偏向走査方向がなす角度と、に応じて、第１の観察方向から観察する場合の荷電粒子ビームの偏向パターンを、第２の観察方向から観察する場合の荷電粒子ビームの偏向パターンに変換することを開示する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また、実施例では、第１の観察方向から荷電粒子ビームを矩形走査して取得した試料上の位置補正マークの画像を演算手段に登録し、第２の観察方向から荷電粒子ビームを平行四辺形走査して取得した画像から演算手段が位置補正マークを検出することを開示する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、実施例では、表示装置は、第１の観察方向から荷電粒子ビームを矩形走査して取得した試料上の位置補正マークの画像と、第２の観察方向から荷電粒子ビームを平行四辺形走査して取得した画像と、を重畳表示することを開示する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
また、実施例では、演算手段は、試料ステージに載置された試料から微小試料を摘出するための加工パターンを登録できることを開示する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを偏向走査する偏向器と、試料を載置し傾斜可能な試料ステージと、前記荷電粒子ビームの照射により前記試料で発生する二次粒子の検出信号から画像化された像を表示する表示装置と、前記荷電粒子ビームの偏向パターンを制御する演算手段とを備える荷電粒子ビーム装置において、
前記演算手段は、前記荷電粒子ビームの偏向パターンを矩形から平行四辺形に変形できることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項２】
請求項１記載の荷電粒子ビーム装置において、
前記荷電粒子ビームの走査方向は、前記平行四辺形の辺に平行であることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項３】
請求項１記載の荷電粒子ビーム装置において、
前記荷電粒子ビームの観察方向に対する前記試料ステージの偏向回転角度と、前記試料ステージの傾斜角度と、に応じて前記平行四辺形の形状を変更することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項４】
請求項１記載の荷電粒子ビーム装置において、
前記荷電粒子ビームの第１の観察方向と、前記荷電粒子ビームの第２の観察方向と、の成す角度と、
前記第１の観察方向と、前記第２の観察方向と、の成す面の垂線と、前記荷電粒子ビームの偏向走査方向がなす角度と、に応じて、
前記第１の観察方向から観察する場合の前記荷電粒子ビームの偏向パターンを、前記第２の観察方向から観察する場合の前記荷電粒子ビームの偏向パターンに変換することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項５】
請求項１記載の荷電粒子ビーム装置において、
第１の観察方向から前記荷電粒子ビームを矩形走査して取得した前記試料上の位置補正マークの画像を前記演算手段に登録し、第２の観察方向から前記荷電粒子ビームを平行四辺形走査して取得した画像から前記演算手段が前記位置補正マークを検出することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項６】
請求項１記載の荷電粒子ビーム装置において、
前記表示装置は、第１の観察方向から前記荷電粒子ビームを矩形走査して取得した前記試料上の位置補正マークの画像と、第２の観察方向から前記荷電粒子ビームを平行四辺形走査して取得した画像と、を重畳表示することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項７】
請求項１記載の荷電粒子ビーム装置において、
前記荷電粒子ビームがイオンビームであることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項８】
請求項１記載の荷電粒子ビーム装置において、
前記荷電粒子ビームが電子ビームであることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項９】
請求項１記載の荷電粒子ビーム装置において、
イオンビームを照射するイオンビームカラムと、電子ビームを照射する電子ビームカラムとを備えることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項１０】
請求項１記載の荷電粒子ビーム装置において、
前記演算手段は、前記試料ステージに載置された前記試料から微小試料を摘出するための加工パターンを登録できることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項１１】
荷電粒子ビーム装置における位置補正処理方法であって、
第１の観察方向から荷電粒子ビームを試料上で走査して取得した該試料上の位置補正マークの第１の画像を演算手段に登録し、
第２の観察方向から前記荷電粒子ビームを前記試料上で走査して取得した前記位置補正マークの第２の画像を前記演算手段に登録し、
前記第２の画像に対して、前記第１の観察方向と前記第２の観察方向の成す面の垂線と、前記荷電粒子ビームの偏向走査方向とがなす角度の回転変換よりなる第１の画像処理と、前記第１の観察方向と前記第２の観察方向の成す角度の余弦の逆数倍の縦方向の伸張変換よりなる第２の画像処理と、前記第１の画像処理と逆方向の回転変換よりなる第３の画像処理と、逐次実施して得られた画像と、前記第１の画像と、を前記演算手段が照合することを特徴とする荷電粒子ビーム装置における位置補正処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月27日(2011.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転可能な試料ステージと、試料からの信号を検出する検出器と、を備えた荷電粒子ビーム装置において、
前記検出器が、前記試料ステージを中心に回転可能であることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項２】
請求項１記載の荷電粒子ビーム装置において、
電子ビームを照射する電子ビーム光学系と、イオンビームを照射するイオンビーム光学系とを備え、
前記電子ビーム光学系と前記イオンビーム光学系のクロスポイントを中心に、前記検出器が回転可能であることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項３】
請求項２記載の荷電粒子ビーム装置において、
前記検出器が、前記電子ビーム光学系の光軸上であって、前記試料を透過した前記電子ビームが通過する位置に移動できることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項４】
請求項３記載の荷電粒子ビーム装置において、
前記試料ステージが、当該試料ステージに保持されている前記試料の試料面が前記電子ビーム光学系を向くように回転できることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項５】
請求項２記載の荷電粒子ビーム装置において、
前記検出器が、前記イオンビーム光学系の光軸に対して、前記電子ビームの光軸と該検出器の主軸が線対称となる位置に移動できることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項６】
請求項５記載の荷電粒子ビーム装置において、
前記試料ステージが、当該試料ステージに保持されている前記試料の試料面が前記イオンビーム光学系を向くように回転できることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項７】
請求項２記載の荷電粒子ビーム装置において、
前記検出器が、前記試料面の法線に対して、前記電子ビーム光学系の主軸と該検出器の主軸が線対称となる位置に移動できることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項８】
請求項７記載の荷電粒子ビーム装置において、
前記試料ステージが、当該試料ステージに保持されている前記試料の試料面が前記イオン光学系の光軸と平行となるように回転できることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項９】
請求項２記載の荷電粒子ビーム装置において、
前記検出器が、前記試料面の法線に対して、前記イオンビーム光学系の主軸と該検出器の主軸が線対称となる位置に移動できることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項１０】
請求項９記載の荷電粒子ビーム装置において、
前記試料ステージが、当該試料ステージに保持されている前記試料の試料面が前記電子ビーム光学系を向くように回転できることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項１１】
請求項２記載の荷電粒子ビーム装置において、
前記検出器が、透過電子像及び２次粒子像を取得できることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項１２】
請求項１記載の荷電粒子ビーム装置において、
前記検出器が、回転半径方向に伸縮できることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項１３】
請求項１記載の荷電粒子ビーム装置において、
前記検出器が、前記試料ステージから離れる方向に退避できることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項１４】
イオンビーム光学系と、電子ビーム光学系と、保持する試料の傾斜方向を変更可能な試料ステージと、当該試料からの信号を検出する検出器と、を備えた荷電粒子ビーム装置において、
前記検出器が、
前記電子ビーム光学系の光軸上であって、前記試料を透過した電子ビームが通過する位置と、
前記イオンビーム光学系の光軸に対して、前記電子ビームの光軸と該検出器の主軸が線対称となる位置と、
前記試料面の法線に対して、前記電子ビーム光学系の主軸と該検出器の主軸が線対称となる位置と、
前記試料面の法線に対して、前記電子ビーム光学系の主軸と該検出器の主軸が線対称となる位置と、
に移動できることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月29日(2011.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】荷電粒子線装置用の試料支持装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記リングばねの脚部の一端は、前記試料支持装置に設けたばね支えの溝に嵌っており、このばね支えの溝には、前記リングばねのリング部が前記あり溝で前記試料の外縁部を押さえるために、遊びが設けられている請求項１に記載の荷電粒子線装置用の試料支持装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月11日(2011.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
監視範囲を撮影するカメラ群中の第１カメラセットで撮影された第１画像群と、前記第１カメラセットと撮影位置の異なる前記カメラ群中の第２カメラセットで時間差を設けて撮影された第２画像群とから監視対象の物体の位置情報を検出する検出部と、
前記位置情報に基づいて前記第１画像群から検出された前記物体と前記第２画像群から検出された前記物体とのうち同一と認められる前記物体を統合し、前記第２画像群の撮影時刻に前記監視範囲に存在する前記物体の数を算出する算出部と、
を含む画像処理装置。
【請求項２】
前記算出部は、
前記第１画像群から検出される１つの物体と前記第２画像群から検出される１つの物体との間の距離が、同一の物体であることを示す所定距離未満である場合、当該第１画像群から検出される１つの物体と当該第２画像群から検出される１つの物体とは同一の物体であると判断し、かつ、当該物体は前記第２画像群の撮影時刻に前記監視範囲に存在する物体であると判断し、
前記第１画像群から検出されるすべての物体と前記第２画像群から検出される１つの物体との間の距離がすべて前記所定距離以上である場合、当該第２画像群から検出される１つの物体は、前記第２画像群の撮影時刻に前記監視範囲に存在する物体であると判断し、
前記第１画像群から検出される１つの物体と前記第２画像群から検出されるすべての物体との間の距離がすべて前記所定距離以上である場合、当該第１画像群から検出される１つの物体は、前記第２画像群の撮影時刻に前記監視範囲に存在する物体であると判断する、
請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
コンピュータが、
監視範囲を撮影するカメラ群中の第１カメラセットで撮影された第１画像群と、前記第１カメラセットと撮影位置の異なる前記カメラ群中の第２カメラセットで時間差を設けて撮影された第２画像群とから監視対象の物体の位置情報を検出し、
前記位置情報に基づいて前記第１画像群から検出された前記物体と前記第２画像群から検出された前記物体とのうち同一と認められる前記物体を統合し、前記第２画像群の撮影時刻に前記監視範囲に存在する前記物体の数を算出する、
ことを実行する画像処理方法。
【請求項４】
コンピュータが、さらに、
前記第１画像群から検出される１つの物体と前記第２画像群から検出される１つの物体との間の距離が、同一の物体であることを示す所定距離未満である場合、当該第１画像群から検出される１つの物体と当該第２画像群から検出される１つの物体とは同一の物体であると判断し、かつ、当該物体は前記第２画像群の撮影時刻に前記監視範囲に存在する物体であると判断し、
前記第１画像群から検出されるすべての物体と前記第２画像群から検出される１つの物体との間の距離がすべて前記所定距離以上である場合、当該第２画像群から検出される１つの物体は、前記第２画像群の撮影時刻に前記監視範囲に存在する物体であると判断し、
前記第１画像群から検出される１つの物体と前記第２画像群から検出されるすべての物体との間の距離がすべて前記所定距離以上である場合、当該第１画像群から検出される１つの物体は、前記第２画像群の撮影時刻に前記監視範囲に存在する物体であると判断する、
ことを実行する請求項３に記載の画像処理方法。
【請求項５】
コンピュータが、
監視範囲を撮影するカメラ群中の第１カメラセットで撮影された第１画像群と、前記第１カメラセットと撮影位置の異なる前記カメラ群中の第２カメラセットで時間差を設けて撮影された第２画像群とから監視対象の物体の位置情報を検出し、
前記位置情報に基づいて前記第１画像群から検出された前記物体と前記第２画像群から検出された前記物体とのうち同一と認められる前記物体を統合し、前記第２画像群の撮影時刻に前記監視範囲に存在する前記物体の数を算出する、
ことを実行するための画像処理プログラム。
【請求項６】
コンピュータが、さらに、
前記第１画像群から検出される１つの物体と前記第２画像群から検出される１つの物体との間の距離が、同一の物体であることを示す所定距離未満である場合、当該第１画像群から検出される１つの物体と当該第２画像群から検出される１つの物体とは同一の物体であると判断し、かつ、当該物体は前記第２画像群の撮影時刻に前記監視範囲に存在する物体であると判断し、
前記第１画像群から検出されるすべての物体と前記第２画像群から検出される１つの物体との間の距離がすべて前記所定距離以上である場合、当該第２画像群から検出される１つの物体は、前記第２画像群の撮影時刻に前記監視範囲に存在する物体であると判断し、
前記第１画像群から検出される１つの物体と前記第２画像群から検出されるすべての物体との間の距離がすべて前記所定距離以上である場合、当該第１画像群から検出される１つの物体は、前記第２画像群の撮影時刻に前記監視範囲に存在する物体であると判断する、
ことを実行するための請求項５に記載の画像処理プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月28日(2011.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
被写体光を受光して該被写体を表わす画像信号を生成する撮像素子と、
前記撮像素子によって生成された画像信号からスミア成分を検出するとともに該画像信号により表される画像内において該スミア成分が含まれたスミア領域を検出するスミア検出部と、
前記撮像素子によって生成された画像信号のうちの、前記スミア領域に対応する部分からスミア成分を減算することによりスミア補正を行うスミア補正部と、
前記スミア補正部によりスミア補正された画像信号に対し、該画像信号により表される画像のホワイトバランス調整を行うホワイトバランス調整部と、
前記ホワイトバランス調整部により調整された画像信号に対し、該画像信号により表される画像の中の前記スミア領域を構成する各画素のうち、スミア成分を含まないグレー成分がスミア補正およびホワイトバランス調整により変換された場合に得られる色を含む特定色範囲内にある画素の色をグレーに近づける色低減処理を行う色低減部とを備えたことを特徴とする画像撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
撮像素子に被写体光を受光させて該被写体を表わす画像信号を生成させる撮像ステップと、
前記撮像ステップで生成された画像信号からスミア成分を検出するとともに該画像信号により表される画像内において該スミア成分が含まれたスミア領域を検出するスミア検出ステップと、
前記撮像素子によって生成された画像信号のうちの、前記スミア領域に対応する部分からスミア成分を減算することによりスミア補正を行うスミア補正ステップと、
前記スミア補正ステップによりスミア補正された画像信号に対し、該画像信号により表される画像のホワイトバランス調整を行うホワイトバランス調整ステップと、
前記ホワイトバランス調整ステップにより調整された画像信号に対し、該画像信号により表される画像の中の前記スミア領域を構成する各画素のうち、スミア成分を含まないグレー成分がスミア補正およびホワイトバランス調整により変換された場合に得られる色を含む特定色範囲内にある画素の色をグレーに近づける色低減処理を行う色低減ステップとを備えたことを特徴とする画像撮影方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
画像を表わす画像信号からスミア成分を検出するとともに該画像信号により表される画像内において該スミア成分が含まれたスミア領域を検出するスミア検出部と、
前記画像信号のうちの、前記スミア領域に対応する部分からスミア成分を減算することによりスミア補正を行うスミア補正部と、
前記スミア補正部によりスミア補正された画像信号に対し、該画像信号により表される画像のホワイトバランス調整を行うホワイトバランス調整部と、
前記ホワイトバランス調整部により調整された画像信号に対し、該画像信号により表される画像の中の前記スミア領域を構成する各画素のうち、スミア成分を含まないグレー成分がスミア補正およびホワイトバランス調整により変換された場合に得られる色を含む特定色範囲内にある画素の色をグレーに近づける色低減処理を行う色低減部とを備えたことを特徴とする画像処理装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
画像を表わす画像信号からスミア成分を検出するとともに該画像信号により表される画像内において該スミア成分が含まれたスミア領域を検出するスミア検出ステップと、
前記画像信号のうちの、前記スミア領域に対応する部分からスミア成分を減算することによりスミア補正を行うスミア補正ステップと、
前記スミア補正ステップによりスミア補正された画像信号に対し、該画像信号により表される画像のホワイトバランス調整を行うホワイトバランス調整ステップと、
前記ホワイトバランス調整ステップにより調整された画像信号に対し、該画像信号により表される画像の中の前記スミア領域を構成する各画素のうち、スミア成分を含まないグレー成分がスミア補正およびホワイトバランス調整により変換された場合に得られる色を含む特定色範囲内にある画素の色をグレーに近づける色低減処理を行う色低減ステップとを備えたことを特徴とする画像撮影方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月25日(2011.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路素子の電極（ａ）と回路配線基板の導体配線（ｃ）をボールボンディング法によって接続するための線径（Ｌ）１２μｍ以上５０.８μｍ以下のボンディングワイヤ（Ｐ）であって、
芯材（１）が純度９９．９９質量％以上の銅からなり、その芯材（１）の外周全面に、金、白金、パラジウム、銀の１種以上による厚み（ｔ）０．０４〜０．０９μｍの被覆層（２）を形成したことを特徴とするボンディングワイヤ。
【請求項２】
上記被覆層（２）をその融点が上記銅の融点より高いパラジウムとし、その厚み（ｔ）が０．０５〜０．０９μｍであることを特徴とする請求項１に記載のボンディングワイヤ。
【請求項３】
上記芯材（１）の銅純度を９９．９９９質量％以上としたことを特徴とする請求項１又は２に記載のボンディングワイヤ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この金属被覆の銅線からなるボンディングワイヤＰにおいて、近年の電子部品の小型化等による集積回路素子間の極小化に伴い、上記ボールｂもより小さくする必要から、ボンディングワイヤＰにも小径のものが望まれ、そのためには、その径Ｌを５０μｍ以下とするのが好ましいとされている（特許文献１段落０００９第１２〜１４行）。
また、集積回路素子の電極ａへの接続において、ボールｂが下向き槍状（逆円錐状）になっていると、上記ボールｂの電極ａへの押付け時、そのボールｂの尖鋭端によって電極ａを損傷させる恐れがあるため、ボールｂはできるだけ、真球であることが好ましい。そのボールｂの真球度を高めるために、上記被覆層２の厚みｔを芯線径の０．００１以下としたり（特許文献１請求項１）、同じく被覆層２の厚みｔを０．００１〜０．０２μｍとしたり（特許文献３請求項１）、芯材１の銅よりも高融点の耐酸化金属で被覆層２を形成したりしている（特許文献２段落００１４）。
さらに、有機基板をベースにしたＢＧＡ(Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ)などでは加熱温度(ステージ温度)を高くすると、反りが発生してボンディング性が著しく悪化する。このため、上記ワイヤＰと電極ａ又は導体配線ｃとの接合時の加熱温度（ステージ温度）を低く、例えば、１５０℃程度にしても、十分な接合強度を担保するための種々の工夫、例えば、熱処理後に伸線する加工等もされている（特許文献３段落００２０、同００５４等）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
つぎに、この各ボンディングワイヤＰにおいて、下記の評価を行った結果を表１に示す。
「被覆層（表面皮膜層）２の厚み」：
オージェ電子分光分析法にて測定した。Ａｒで被覆層の表面からスパッタリングし、単位時間のスパッタリング毎にスペクトル測定を行った。深さ方向の単位はスパッタ時間とし、事前に測定しておいた標準試料ＳｉＯ２のスパッタリングレートから、対象材の深さ方向の距離をＳｉＯ２換算にて算出した。被覆層については、図３の通り、対象被覆層元素のオージェピーク強度を縦軸、深さを横軸にとったグラフにおいて、表面からオージェピーク強度が８４％の位置まで距離（厚さｔ１）と同１６％の位置までの距離（厚さｔ２）を足した半分を被覆層の厚み（ｔ＝（ｔ１＋ｔ２）／２）とした。
「芯材（銅）の純度」：
ＧＤＭＳ(グロー放電質量)分析にて全元素の濃度を測定してＣｕ純度を決定した。
「連続ボンディング性」（１）：
ボンディングマシンで１０，０００回の連続ボンディングを行い、マシンストップが発生しなければ「Ａ」、１回のマシンストップが発生すれば「Ｂ」、２回以上のマシンストップが起これば「Ｄ」とした。このとき、ステージ温度が低くなれば、その連続ボンディングが困難になることから、２００℃(±５℃)、１５０℃(±５℃)の２水準で行った。
「１ｓｔ接合部のＳｉチップ損傷」（２）：
ボンディング後、１ｓｔボール接合部直下のＳｉチップ損傷を評価するために、ボール接合部ａおよび電極膜を王水で溶解し、Ｓｉチップのクラックを光顕とＳＥＭで観察した。このとき、100個の接合部を観察して５μｍ以下の微小なピットが１個もしくはまったく見られない場合は「Ａ」、５μｍ以下の微小なピットが２個以上認められる場合は実用上は有害でないため「Ｂ」、５μｍ以上のクラックが認められた場合は「Ｄ」とした。
「総合評価」：
（１）の評価が２００℃・１５０℃ともにＡであり、かつ（２）の評価がＡのものを「Ａ」、（１）の評価が２００℃・１５０℃ともにＡであり、かつ（２）の評価がＢのものを「Ｂ」、（１）の評価が２００℃ではＡであり、１５０℃ではＢのものを「Ｃ」とした。また、ひとつでもＤのあるものについては実用上問題であるので「Ｄ」とした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2010199528.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月31日(2011.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用中にプラズマに露出した１つ又は複数の面を有するプラズマ反応室の構成部品を製造する方法であって、
前記構成部品のプラズマ露出面上に被覆材料をプラズマ溶射して、プラズマエッチング中に形成されるポリマー堆積物の付着を促進する溶射表面粗さ特性を有する被膜を形成する工程を含み、
前記被膜材料は、ジルコニア、炭化シリコン、窒化シリコン、炭化ホウ素及び窒化ホウ素から選択されるセラミック材料、又は、ポリマー材料であることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記構成部品の前記プラズマ露出面を粗くする工程と、
前記被覆材料をプラズマ溶射する前に、前記粗くされた面を洗浄する工程と、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記プラズマ溶射された被膜の露出面を洗浄する工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記構成部品をプラズマ反応チャンバから取り除く工程と、
前記構成部品から現存する被膜及び付着したポリマー堆積物の少なくともいずれかを取り除くことによって前記構成部品のプラズマ露出面を洗浄する工程であって、この洗浄された面上に前記被膜をプラズマ溶射するより前に行われる洗浄工程と、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記プラズマ溶射された被膜は、５０．５〜１２７μｍの厚さを有するセラミック材料であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記構成部品及び前記被膜材料は、同じセラミック材料で構成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記被膜材料は、ポリイミドであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記被膜は、２５４〜７６２μｍの厚さを有することを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記構成部品は、プラズマ閉じ込めリング、フォーカスリング、ペデスタル、チャンバ壁、チャンバライナ及びガス供給板で構成されるグループから選択されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記粗くする工程は、前記構成部品の前記面にビードブラストする工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項１１】
前記被膜は、表面粗さ値（Ｒａ）の相加平均が３．８１〜４．８３μｍの間にあることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月1日(2011.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に突起電極を形成する工程と、
前記半導体基板上に接着膜を形成する工程と、
を備え、
前記半導体基板上に前記接着膜を形成する工程では、前記接着膜を加熱した状態で前記接着膜に対して圧力を加えることにより前記接着膜を半導体基板に接着するとともに、前記突起電極の上部を前記接着膜から露出させる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体基板上に形成された前記接着膜を配線基板に接着する工程を更に備え、
前記接着膜を前記配線基板に接着する工程では、前記接着膜を加熱した状態で前記接着膜に対して圧力を加えることにより前記接着膜を前記配線基板に接着する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記接着膜は、加熱することで軟化し外力により変形容易であり、冷却することで硬化し冷却時の形状を維持する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月22日(2011.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の原稿の画像を１枚の記録用紙に割り付けて印刷させる画像処理装置において、
複数の原稿の画像情報並びに前記原稿の大きさおよび予め設定された記録用紙の大きさ並びに該記録用紙に原稿を割り付ける割付条件を記憶する記憶部と、
複数の原稿の画像情報を入力し、該画像情報を前記記憶部に記憶させる入力部と、
前記記憶部に記憶された画像情報からそれぞれの原稿の大きさを検出し、検出したそれぞれの原稿の大きさを前記記憶部に記憶させる原稿サイズ検出部と、
前記記憶部に記憶されたそれぞれの原稿の大きさと、前記記憶部に記憶された記録用紙の大きさを前記記憶部に記憶された該記録用紙に原稿を割り付ける割付条件で分割した領域の大きさとを比較し、分割した該領域の大きさ以下の原稿の画像は、その大きさを変えることなく該記録用紙に割り付けて印刷させる編集部とを設けたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
請求項１の画像処理装置において、
前記記憶部に、記録用紙に割り付ける原稿の回転方向を予め記憶させ、
前記編集部が、前記分割した領域の大きさ以下の原稿を前記回転方向に基づいて回転させ、該記録用紙に割り付けて印刷させることを特徴とする画像処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２の画像処理装置において、
前記入力部で入力した画像情報は、異なる大きさの原稿の画像情報を含むことを特徴とする画像処理装置。
【請求項４】
請求項１、請求項２または請求項３の画像処理装置において、
前記入力部は、読取った原稿の画像情報を生成する原稿読取部としたことを特徴とする画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そのため、本発明による画像処理装置は、複数の原稿の画像を１枚の記録用紙に割り付けて印刷させる画像処理装置において、複数の原稿の画像情報並びに前記原稿の大きさおよび予め設定された記録用紙の大きさ並びに該記録用紙に原稿を割り付ける割付条件を記憶する記憶部と、複数の原稿の画像情報を入力し、該画像情報を前記記憶部に記憶させる入力部と、前記記憶部に記憶された画像情報からそれぞれの原稿の大きさを検出し、検出したそれぞれの原稿の大きさを前記記憶部に記憶させる原稿サイズ検出部と、前記記憶部に記憶されたそれぞれの原稿の大きさと、前記記憶部に記憶された記録用紙の大きさを前記記憶部に記憶された該記録用紙に原稿を割り付ける割付条件で分割した領域の大きさとを比較し、分割した該領域の大きさ以下の原稿の画像は、その大きさを変えることなく該記録用紙に割り付けて印刷させる編集部とを設けたことを特徴とする。