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【手続補正書】
【提出日】平成23年2月7日(2011.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
他のジョブ処理装置と連携してジョブデータを処理する連携ジョブを実行することが可能なジョブ処理装置であって、
前記連携ジョブの処理状況を決定する決定手段と、
実行中の連携ジョブに対する指示を行う指示手段と、
前記決定手段によって決定された処理状況に従って前記連携ジョブに対する操作権限を自ジョブ処理装置が有しているか否かを判断する判断手段と、
自ジョブ処理装置が前記操作権限を有していないと判断されると、前記指示手段による前記連携ジョブに対する指示を禁止する禁止手段と
を備えることを特徴とするジョブ処理装置。
【請求項２】
前記禁止手段は、前記処理状況に従って前記ジョブ処理装置と前記他のジョブ処理装置とのいずれかで前記ジョブデータの操作を排他的に実行可能とすべく、前記指示手段による前記連携ジョブに対する指示を禁止するか否かを決定することを特徴とする請求項１に記載のジョブ処理装置。
【請求項３】
前記決定手段は、
自ジョブ処理装置が前記ジョブデータを他のジョブ処理装置に送信する側であるか、又は、自ジョブ処理装置が前記ジョブデータを他のジョブ処理装置から受信する側であるかを決定するとともに、該ジョブデータを送信中であるか又は受信中であるか否かを決定し、
前記判断手段は、
自ジョブ処理装置が前記ジョブデータを送信する側である場合に、前記ジョブデータに関するジョブが発生してから該ジョブデータの送信を完了するまで、操作権限を有すると判断し、
自ジョブ処理装置が前記ジョブデータを受信する側である場合に、前記ジョブデータの受信を完了してから該ジョブデータの処理が完了するまで、操作権限を有すると判断することを特徴とする請求項１または２に記載のジョブ処理装置。
【請求項４】
操作者の認証を行う認証手段をさらに備え、
前記判断手段は、
前記認証手段によって前記操作者の認証が正常に行われている場合に、前記ジョブデータの処理状況に関係なく操作権限を自ジョブ処理装置が有していると判断することを特徴とする請求項１に記載のジョブ処理装置。
【請求項５】
操作者の認証を行う認証手段と、
操作権限を変更するための変更画面を前記ジョブ処理装置に備えられる表示装置に表示し、前記変更画面を介して操作者から入力された情報に従って操作権限を設定する設定手段とをさらに備え、
前記設定手段は、
前記認証手段によって前記操作者の認証が正常に行われている場合に、前記操作者からの入力に従って前記連携ジョブの操作権限を設定することを特徴とする請求項１に記載のジョブ処理装置。
【請求項６】
前記判断手段によって判断された前記連携ジョブに関する操作権限の有無を前記ジョブ処理装置に備えられる表示装置に表示することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載のジョブ処理装置。
【請求項７】
他のジョブ処理装置と連携してジョブデータを処理する連携ジョブを実行することが可能なジョブ処理装置の制御方法であって、
決定手段が、前記連携ジョブの処理状況を決定するステップと、
判断手段が、決定された処理状況に従って前記連携ジョブに対する操作権限を自ジョブ処理装置が有しているか否かを判断するステップと、
禁止手段が、自ジョブ処理装置が前記操作権限を有していないと判断されると、実行中の連携ジョブに対する指示を行う指示手段による前記連携ジョブに対する指示を禁止するステップと
を実行することを特徴とするジョブ処理装置の制御方法。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載のジョブ処理装置としてコンピュータを機能させるためのプログラムであって、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体に記憶されたプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、例えば、他のジョブ処理装置と連携してジョブデータを処理する連携ジョブを実行することが可能なジョブ処理装置として実現できる。ジョブ処理装置は、連携ジョブの処理状況を決定する決定手段と、実行中の連携ジョブに対する指示を行う指示手段と、決定手段によって決定された処理状況に従って連携ジョブに対する操作権限を自ジョブ処理装置が有しているか否かを判断する判断手段と、自ジョブ処理装置が操作権限を有していないと判断されると、指示手段による連携ジョブに対する指示を禁止する禁止手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明は、例えば、他のジョブ処理装置と連携してジョブデータを処理する連携ジョブを実行することが可能なジョブ処理装置の制御方法として実現できる。制御方法は、決定手段が、連携ジョブの処理状況を決定するステップと、判断手段が、決定された処理状況に従って連携ジョブに対する操作権限を自ジョブ処理装置が有しているか否かを判断するステップと、禁止手段が、自ジョブ処理装置が操作権限を有していないと判断されると、実行中の連携ジョブに対する指示を行う指示手段による連携ジョブに対する指示を禁止するステップとを実行することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月10日(2010.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動局によって送信された位置登録信号に基づいて位置登録処理を行う位置登録方法であって、
前記移動局が、位置登録処理が行われている位置登録エリア内に在圏しなくなったことを検知した場合に、前記位置登録信号を送信する工程と、
無線基地局が、受信した前記位置登録信号に含まれている交換機ＩＤによって識別される交換機に対して、当該位置登録信号を転送する工程とを有し、
同一の交換機を識別する交換機ＩＤであっても、第１の移動局に対して割り当てられている交換機ＩＤと、第２の移動局に対して割り当てられている交換機ＩＤとが異なり、
前記第１の移動局に対して設定されている位置登録エリアと、前記第２の移動局に対して設定されている位置登録エリアとが異なっており、
１つの交換機によって制御されるプールエリアは、１つ又は複数の位置登録エリア全体を含むように形成されており、
前記第１の移動局に対して設定されているプールエリアと、前記第２の移動局に対して設定されているプールエリアとが異なり、
隣接するプールエリア同士が重なり合うことを特徴とする位置登録方法。
【請求項２】
前記無線基地局が、受信した前記位置登録信号に含まれている交換機ＩＤによって交換機を識別できない場合、所定の交換機に当該位置登録信号を転送することを特徴とする請求項１に記載の位置登録方法。
【請求項３】
前記交換機ＩＤは、各プールエリア内でのみユニークに交換機を識別するものであり、
隣接するプールエリア間では、同一の交換機ＩＤを用いないことを特徴とする請求項１に記載の位置登録方法。
【請求項４】
移動局によって送信された位置登録信号に基づいて位置登録処理を行うように構成されている移動通信システムであって、
前記移動局は、位置登録処理が行われている位置登録エリア内に在圏しなくなったことを検知した場合に、前記位置登録信号を送信するように構成されており、
無線基地局は、受信した前記位置登録信号に含まれている交換機ＩＤによって識別される交換機に対して、当該位置登録信号を転送するように構成されており、
同一の交換機を識別する交換機ＩＤであっても、第１の移動局に対して割り当てられている交換機ＩＤと、第２の移動局に対して割り当てられている交換機ＩＤとが異なるように構成されており、
前記第１の移動局に対して設定されている位置登録エリアと、前記第２の移動局に対して設定されている位置登録エリアとが異なるように構成されており、
１つの交換機によって制御されるプールエリアは、１つ又は複数の位置登録エリア全体を含むように形成されており、
前記第１の移動局に対して設定されているプールエリアと、前記第２の移動局に対して設定されているプールエリアとが異なるように構成されており、
隣接するプールエリア同士が重なり合うように構成されていることを特徴とする移動通信システム。
【請求項５】
前記無線基地局は、受信した前記位置登録信号に含まれている交換機ＩＤによって交換機を識別できない場合、所定の交換機に当該位置登録信号を転送するように構成されていることを特徴とする請求項４に記載の移動通信システム。
【請求項６】
前記交換機ＩＤは、各プールエリア内でのみユニークに交換機を識別するものであり、
隣接するプールエリア間では、同一の交換機ＩＤを用いないように構成されていることを特徴とする請求項４に記載の移動通信システム。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一項に記載の移動通信システムで用いられることを特徴とする無線基地局。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月8日(2011.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上位ノードと無線基地局との間で制御信号用コネクションを確立する移動通信方法であって、
前記上位ノードが、第１無線基地局との間で制御信号用コネクションが確立されていないことを検知した場合、該第１無線基地局に対して第１制御信号用コネクション確立要求を送信する工程と、
送信された前記第１制御信号用コネクション確立要求によって、前記上位ノードと前記第１無線基地局との間で第１制御信号用コネクションを確立する工程と、
第２無線基地局が、上位ノードとの間で制御信号用コネクションが確立されていないことを検知した場合、該上位ノードに対して第２制御信号用コネクション確立要求を送信する工程と、
送信された前記第２制御信号用コネクション確立要求によって、前記上位ノードと前記第２無線基地局との間で第２制御信号用コネクションを確立する工程とを有し、
前記上位ノードが、前記第２無線基地局に対して前記第２制御信号用コネクション確立要求を送信しないことを特徴とする移動通信方法。
【請求項２】
前記上位ノードが、前記第１制御信号コネクションを介して、前記第１無線基地局に対して、該第１無線基地局を監視するための第１監視信号を送信する工程と、
前記上位ノードが、前記第２制御信号コネクションを介して、前記第２無線基地局に対して、該第２無線基地局を監視するための第２監視信号を送信する工程とを有し、
所定期間において、前記第１監視信号が送信される回数は、前記第２監視信号が送信される回数よりも多いことを特徴とする請求項１に記載の移動通信方法。
【請求項３】
上位ノードと無線基地局との間で制御信号用コネクションを確立するように構成されている移動通信システムであって、
前記上位ノードは、第１無線基地局との間で制御信号用コネクションが確立されていないことを検知した場合、該第１無線基地局に対して第１制御信号用コネクション確立要求を送信するように構成されており、
送信された前記第１制御信号用コネクション確立要求によって、前記上位ノードと前記第１無線基地局との間で第１制御信号用コネクションを確立するように構成されており、
第２無線基地局は、上位ノードとの間で制御信号用コネクションが確立されていないことを検知した場合、該上位ノードに対して第２制御信号用コネクション確立要求を送信するように構成されており、
送信された前記第２制御信号用コネクション確立要求によって、前記上位ノードと前記第２無線基地局との間で第２制御信号用コネクションを確立するように構成されており、
前記上位ノードは、前記第２無線基地局に対して前記第２制御信号用コネクション確立要求を送信しないように構成されていることを特徴とする移動通信システム。
【請求項４】
前記上位ノードは、前記第１制御信号コネクションを介して、前記第１無線基地局に対して、該第１無線基地局を監視するための第１監視信号を送信するように構成されており、
前記上位ノードは、前記第２制御信号コネクションを介して、前記第２無線基地局に対して、該第２無線基地局を監視するための第２監視信号を送信するように構成されており、
所定期間において、前記第１監視信号が送信される回数は、前記第２監視信号が送信される回数よりも多いように構成されていることを特徴とする請求項３に記載の移動通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月4日(2011.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像手段と、
前記撮像手段によって撮影された画像を表示する表示手段と、
前記撮影された画像を、接続された外部機器に表示させるべく出力する出力手段と、
前記表示手段に表示される画像もしくは前記出力手段で出力される画像の縮小率を操作するズームキーを備えた、外部機器と接続可能な撮像装置であって、
外部機器と接続された場合は、前記ズームキーで操作された画像の縮小率が所定の値より小さいか否かを判断し、前記縮小率が前記所定の値より小さい場合は、前記出力手段で出力される画像は前記縮小率で縮小表示されるよう制御すると共に前記表示手段に表示される画像は縮小表示しないよう制御する制御手段を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記ズームキーにより一定の縮小率を超える縮小操作がされた場合に、前記外部機器に表示される画像に重畳する文字情報を、前記画像の縮小により使用しなくなった表示領域へ表示するよう制御することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記文字情報は、タイムコード、撮影日時、記録フォーマット、メディア情報及び電池残量を含むことを特徴とする請求項２記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明の撮像装置は、撮像手段と、前記撮像手段によって撮影された画像を表示する表示手段と、前記撮影された画像を、接続された外部機器に表示させるべく出力する出力手段と、前記表示手段に表示される画像もしくは前記出力手段で出力される画像の縮小率を操作するズームキーを備えた、外部機器と接続可能な撮像装置であって、外部機器と接続された場合は、前記ズームキーで操作された画像の縮小率が所定の値より小さいか否かを判断し、前記縮小率が前記所定の値より小さい場合は、前記出力手段で出力される画像は前記縮小率で縮小表示されるよう制御すると共に前記表示手段に表示される画像は縮小表示しないよう制御する制御手段を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月19日(2011.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共鳴光による量子干渉効果を利用した原子発振器であって、
前記共鳴光を出射する光源と、
前記共鳴光が入射されガス状のアルカリ金属原子が封入されたガスセルと、
該ガスセルを通過した前記共鳴光を検出する光検出手段と、を備え、
前記光源が端面発光型のレーザダイオードであることを特徴とする原子発振器。
【請求項２】
前記光源と前記ガスセルと前記光検出手段とを搭載する基板と、
前記共鳴光の出射方向が前記基板の面方向に沿った構成と、
前記光源の出射面と前記光検出手段の受光面とが前記ガスセルを介して対向する構成と、を備えたことを特徴とする請求項１に記載の原子発振器。
【請求項３】
前記光検出手段が導波路型受光素子であることを特徴とする請求項２に記載の原子発振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】原子発振器
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月4日(2011.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する装置であって、
本体部分と、
前記本体部分に結合された基板支持体と、
前記本体部分に結合された放射線アセンブリ内に配置された電磁放射線源と、
前記放射線アセンブリに結合された１つ以上の電源と、
前記基板支持体の方向に電磁エネルギの少なくとも３０のパルスを誘導するために前記電源に結合された制御装置であって、各パルスが少なくとも０．２Ｊ／ｃｍ２のエネルギ密度を有する、制御装置と、
を備える装置。
【請求項２】
前記電磁放射線源が１つ以上のレーザを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記制御装置が前記電源から前記電磁放射線源への電力パルスを生成するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記制御装置が前記基板支持体の方向に電磁エネルギの少なくとも１００のパルスを誘導する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記制御装置が前記放射線アセンブリと前記本体部分との間に配置される光スイッチを操作するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
基板支持体上に前記基板を配置するステップと、
前記基板に向かって電磁エネルギの少なくとも３０のパルスを誘導するステップと、を備え、
各パルスが少なくとも０．２Ｊ／ｃｍ２のエネルギ密度を有する、
基板をアニーリングする方法。
【請求項７】
各パルスの継続時間が１ｎｓｅｃから１０ｍｓｅｃの間である、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
各パルスが同一エネルギおよび継続時間を有する、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
電磁エネルギの前記パルスが１つ以上のレーザにより生成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１０】
前記パルスが光スイッチを使用して電磁放射線の連続ビームを遮断することにより生成される、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記制御装置がスイッチを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記スイッチが前記放射線アセンブリと前記基板支持体の間に配置された光スイッチである、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
電磁エネルギの少なくとも１００のパルスが前記基板に向かって誘導される、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月20日(2011.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状のパッケージ本体と、前記パッケージ本体を気密封止する蓋部材と、からなる電子部品用パッケージであって、
前記パッケージ本体の内部に形成された電極パッドと、
前記パッケージ本体の底面の周辺に沿ってそれぞれ形成され、かつ実装面に段差部を有する実装端子と、
前記パッドと前記実装端子とを電気的に接続する複数の接続電極と、
を備えたことを特徴とする電子部品用パッケージ。
【請求項２】
前記パッケージ本体の前記四隅にキャスタレーションを形成し、該キャスタレーションにそれぞれ前記接続電極を形成したことを特徴とする請求項１に記載の電子部品用パッケージ。
【請求項３】
前記段差部は、前記実装端子を半田により回路基板に接合したときに、前記実装端子上において前記パッケージ本体の底面の周辺の近くに形成された半田を厚くする形状であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品用パッケージ。
【請求項４】
前記パッケージに一対のダミー電極を形成したことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電子部品用パッケージ。
【請求項５】
前記一対のダミー電極を複数形成したことを特徴とする請求項４に記載の電子部品用パッケージ。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の電子部品用パッケージを備え、前記パッケージ本体の前記電極パッド上に圧電振動片が搭載されたことを特徴とする圧電振動子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
［適用例１］矩形状のパッケージ本体と、前記パッケージ本体を気密封止する蓋部材と、からなる電子部品用パッケージであって、前記パッケージ本体の内部に形成された電極パッドと、前記パッケージ本体の底面の四隅または短手方向両側の中央部にそれぞれ形成され、かつ実装面に段差部を有する実装端子と、前記パッドと前記実装端子とを電気的に接続する複数の接続電極と、を備えた電子部品用パッケージを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
［適用例３］前記段差部は、前記実装端子を半田により回路基板に接合したときに、前記実装端子上において前記パッケージ本体の底面の周辺部に形成された半田を厚くする形状である適用例１又は２に記載の電子部品用パッケージを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月30日(2011.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を搭載可能なパッケージ本体であって、
前記パッケージ本体の実装面には表面実装用の実装端子を備え、
前記実装端子に複数のバンプを備えることを特徴とするパッケージ本体。
【請求項２】
前記実装端子が前記パッケージ本体の実装面の中心点と前記パッケージ本体の外周縁との間に配置されており、
前記複数のバンプが前記外周縁側から前記中心点側に向かって第１のバンプ、第２のバンプの順番で配置されていることを特徴とする請求項１に記載のパッケージ本体。
【請求項３】
前記第２のバンプが前記第１のバンプよりも平面視で面積が広いことを特徴とする請求項２に記載のパッケージ本体。
【請求項４】
前記１のバンプと前記第２のバンプとの並び方向と直交する方向を幅方向とし、前記第１のバンプの幅方向の大きさは前記第２のバンプの幅方向の大きさよりも小さいことを特徴とする請求項３に記載のパッケージ本体。
【請求項５】
複数の前記第１のバンプと複数の前記第２のバンプとを備えることを特徴とする請求項２に記載のパッケージ本体。
【請求項６】
互いに高さの異なる複数の前記バンプを備えることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載のパッケージ本体。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の前記パッケージ本体と、前記パッケージ本体上に配置された電子部品とを備えることを特徴とする電子部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】パッケージ本体及び電子部品
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月25日(2011.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体の表面に露出したシリコンを希ガスと酸素ガスを含む処理ガスのプラズマによりプラズマ酸化処理して第１の絶縁膜としての酸化珪素膜を形成するプラズマ酸化処理工程と、
前記酸化珪素膜の上にＣＶＤ法によって第２の絶縁膜を形成するＣＶＤ工程と、
前記第２の絶縁膜に対し、希ガスと酸素ガスを含む処理ガスのプラズマを用いて改質処理を行うプラズマ改質処理工程と、
を備え、
前記プラズマ酸化処理工程及び前記プラズマ改質処理工程は、いずれも、複数の孔を有する平面アンテナにより処理室内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置において、処理圧力が６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内であり、前記処理ガスの全流量に対する前記酸素ガスの流量比率が０．１％以上３０％以下の範囲内で行われ、かつ、プラズマ中の活性種として、Ｏ（３Ｐ２）ラジカルに比べ、Ｏ２＋イオン及びＯ（１Ｄ２）ラジカルの濃度が相対的に高いプラズマを用いることを特徴とする絶縁膜の形成方法。
【請求項２】
前記プラズマ酸化処理工程により形成される前記第１の絶縁膜は、前記シリコンとの界面の平坦度ＲＭＳが０．０５〜０．１３ｎｍの範囲内であり、膜厚が３〜１０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項３】
前記ＣＶＤ工程により形成される前記第２の絶縁膜は、その膜厚が３〜１０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１又は２に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項４】
前記プラズマ酸化処理工程における前記処理ガスの全流量に対する前記酸素ガスの流量比率が０．５％以上３％以下の範囲内であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項５】
前記プラズマ改質処理工程における前記処理ガスの全流量に対する前記酸素ガスの流量比率が０．１％以上５％以下の範囲内であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項６】
前記プラズマ酸化処理工程における前記処理圧力が６．７Ｐａ以上６７Ｐａ以下の範囲内であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項７】
前記プラズマ改質処理工程における前記処理圧力が６．７Ｐａ以上６７Ｐａ以下の範囲内であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項８】
前記第２の絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法または熱ＣＶＤ法によって形成することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項９】
前記ＣＶＤ工程と、前記プラズマ改質処理工程とを、前記第２の絶縁膜の合計の厚さがあらかじめ決定した所定の厚さに達するまで、複数回繰り返し行うことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項１０】
前記プラズマ酸化処理工程および前記プラズマ改質処理工程における処理温度が、２００℃以上６００℃以下の範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項１１】
前記プラズマ酸化処理工程と前記プラズマ改質処理工程を同一チャンバ内で行うことを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項１２】
前記第２の絶縁膜が、原料ガスとしてジクロルシランとＮ２Ｏを用いるＣＶＤ法によって堆積させられた酸化珪素膜であることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項１３】
コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、被処理体に対して所定の処理を行うための複数の処理チャンバを有する処理システムにおいて、被処理体の表面に露出したシリコンを希ガスと酸素ガスを含む処理ガスのプラズマによりプラズマ酸化処理して第１の絶縁膜としての酸化珪素膜を形成するプラズマ酸化処理工程と、前記酸化珪素膜の上にＣＶＤ法によって第２の絶縁膜を形成するＣＶＤ工程と、前記第２の絶縁膜に対し、希ガスと酸素ガスを含む処理ガスのプラズマを用いて改質処理を行うプラズマ改質処理工程と、を備えた絶縁膜の形成方法が行なわれるように、コンピュータに前記処理システムを制御させるものであり、前記プラズマ酸化処理工程及び前記プラズマ改質処理工程は、いずれも、複数の孔を有する平面アンテナにより処理室内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置において、処理圧力が６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内であり、前記処理ガスの全流量に対する前記酸素ガスの流量比率が０．１％以上３０％以下の範囲内であり、かつ、プラズマ中の活性種として、Ｏ（３Ｐ２）ラジカルに比べ、Ｏ２＋イオン及びＯ（１Ｄ２）ラジカルの濃度が相対的に高いプラズマを用いて行われるものである、ことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項１４】
被処理体に対して第１の処理を行う第１の処理チャンバと、被処理体に対して前記第１の処理とは異なる第２の処理を行う第２の処理チャンバと、被処理体に対して前記第２の処理とは異なる第３の処理を行う第３の処理チャンバと、を有する処理システムであって、
第１の処理チャンバ内で、前記第１の処理として、被処理体の表面に露出したシリコンを希ガスと酸素ガスを含む処理ガスのプラズマによりプラズマ酸化処理して第１の絶縁膜としての酸化珪素膜を形成し、次に、第２の処理チャンバにおいて、前記第２の処理として前記酸化珪素膜の上にＣＶＤ法によって第２の絶縁膜を形成し、次に、第３の処理チャンバにおいて、前記第３の処理として、前記第２の絶縁膜に対し希ガスと酸素ガスを含む処理ガスのプラズマを用いてプラズマ改質処理を行うように各処理チャンバを制御する制御部を備え、前記制御部は、さらに前記プラズマ酸化処理及び前記プラズマ改質処理が、いずれも、複数の孔を有する平面アンテナにより処理室内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置において、処理圧力が６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内であり、前記処理ガスの全流量に対する前記酸素ガスの流量比率が０．１％以上３０％以下の範囲内であり、かつ、使用されるプラズマが、プラズマ中の活性種として、Ｏ（３Ｐ２）ラジカルに比べ、Ｏ２＋イオン及びＯ（１Ｄ２）ラジカルの濃度が相対的に高いプラズマとなるように、制御することを特徴とする処理システム。
【請求項１５】
前記第１の処理チャンバと、前記第３の処理チャンバとが、同一の処理チャンバであることを特徴とする請求項１４に記載の処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月25日(2011.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体の表面に露出したシリコンの上にＣＶＤ法によって、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内の膜厚で絶縁膜を形成するＣＶＤ工程と、
前記絶縁膜に対し、複数の孔を有する平面アンテナにより処理室内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置において、希ガスと酸素ガスを含む処理ガスのプラズマを用いて改質処理を行うプラズマ改質処理工程と、
を備え、前記ＣＶＤ工程と前記プラズマ改質処理工程とを繰り返し行い絶縁膜を形成するとともに、
前記プラズマ改質処理工程は、処理圧力が６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内であり、前記処理ガスの全流量に対する前記酸素ガスの流量比率が０．１％以上３０％以下の範囲内であり、かつ、プラズマ中の活性種として、Ｏ（３Ｐ２）ラジカルに比べ、Ｏ２＋イオン及びＯ（１Ｄ２）ラジカルの濃度が相対的に高いプラズマを用いることを特徴とする絶縁膜の形成方法。
【請求項２】
前記プラズマ改質処理工程における前記処理ガスの全流量に対する前記酸素ガスの流量比率が０．１％以上５％以下の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項３】
前記プラズマ改質処理工程における前記処理圧力が、６．７Ｐａ以上６７Ｐａ以下の範囲内であることを特徴とする請求項２に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項４】
１回のプラズマ改質処理工程における処理時間が、５秒以上６００秒以下の範囲内であることを特徴とする請求項３に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項５】
前記絶縁膜の合計膜厚が４ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲内になるまで前記ＣＶＤ工程と前記プラズマ改質処理工程とを繰り返すことを特徴とする請求項４に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項６】
前記ＣＶＤ工程と前記プラズマ改質処理工程とを真空状態で繰り返すことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の絶縁膜の形成法方法。
【請求項７】
前記プラズマ改質処理工程における処理温度が、２００℃以上６００℃以下の範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項８】
前記絶縁膜を、プラズマＣＶＤ法または熱ＣＶＤ法によって形成することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項９】
前記絶縁膜が、原料ガスとしてジクロルシランとＮ２Ｏを用いるＣＶＤ法によって堆積させられた酸化珪素膜であることを特徴とする請求項８に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項１０】
コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、被処理体に対して所定の処理を行うための複数の処理チャンバを有する処理システムにおいて、被処理体の表面に露出したシリコンの上にＣＶＤ法によって、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内の膜厚で絶縁膜を形成するＣＶＤ工程と、前記絶縁膜に対し、複数の孔を有する平面アンテナにより処理室内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置において、希ガスと酸素ガスを含む処理ガスのプラズマを用いて改質処理を行うプラズマ改質処理工程と、を繰り返し行う絶縁膜の形成方法が行なわれるように、コンピュータに前記処理システムを制御させるものであり、
前記プラズマ改質処理工程は、処理圧力が６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内であり、前記処理ガスの全流量に対する前記酸素ガスの流量比率が０．１％以上３０％以下の範囲内であり、かつ前記プラズマ中の活性種として、Ｏ（３Ｐ２）ラジカルに比べ、Ｏ２＋イオン及びＯ（１Ｄ２）ラジカルの濃度が相対的に高いプラズマを用いて行われる、ことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項１１】
被処理体に対して異なる処理を行う複数の処理チャンバを有する処理システムであって、
第１の処理チャンバ内で被処理体の表面に露出したシリコンの上にＣＶＤ法によって２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲内の膜厚で絶縁膜を形成するＣＶＤ工程と、前記第１の処理チャンバとは異なる第２の処理チャンバにおいて前記絶縁膜に対し、複数の孔を有する平面アンテナにより前記第２の処理チャンバ内にマイクロ波を導入することにより希ガスと酸素ガスを含む処理ガスのプラズマを形成し、該プラズマを用いてプラズマ改質処理を行うプラズマ改質処理工程と、を繰り返し行うように前記第１の処理チャンバおよび前記第２の処理チャンバを制御する制御部を備え、さらに前記制御部は、前記プラズマ改質処理工程の処理圧力が６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内であり、前記処理ガスの全流量に対する前記酸素ガスの流量比率が０．１％以上３０％以下の範囲内であり、かつ、使用されるプラズマが、プラズマ中の活性種として、Ｏ（３Ｐ２）ラジカルに比べ、Ｏ２＋イオン及びＯ（１Ｄ２）ラジカルの濃度が相対的に高いプラズマとなるように、制御するものであることを特徴とする処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月22日(2011.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にｎ型半導体層を形成する段階と；
前記ｎ型半導体層上に活性層を形成する段階と；
前記活性層上にｐ型半導体層を形成する段階と；
エッチング面が傾斜面に形成されるように前記ｎ型半導体層をエッチングする段階と；
前記ｐ型半導体層上にｐ-電極を形成する段階と；
エッチングされた前記ｎ型半導体層とｐ-電極が形成されていない前記ｐ型半導体層の一部にかけてｎ-電極を形成する段階と；
を含み、
前記ｎ-電極が形成される前に、ｎ-電極が形成されるｎ型半導体層、活性層を含む傾斜面、ｐ型半導体層の一部に絶縁膜を形成する段階をさらに含み、
前記ｎ-電極を形成する段階以後に、前記ｐ-電極上に反射板を形成し、前記反射板と前記ｎ-電極をサブマウントに付着してフリップチップ形態で構成することをさらに含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項２】
前記エッチング段階は、加熱によって円形に再形成化（ｔｈｅｒｍａｌ  ｒｅｆｌｏｗ）されたフォトレジストをエッチングマスクとして用いて乾式エッチングすることで、エッチング面が傾斜面に形成されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項３】
前記ｎ-電極が形成される前に、プラズマ処理を通して半導体層の電気的特性を変化させるプラズマ処理段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項４】
前記プラズマ処理する段階後に、前記ｎ-電極が形成されるｎ型半導体層、活性層を含む傾斜面、ｐ型半導体層の一部に絶縁膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項５】
前記ｎ型半導体層、前記活性層及び前記ｐ型半導体層は、窒化物系半導体で構成されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項６】
前記プラズマ処理段階のガスは、Ｎ、ＮＯ、ＮＨ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒからなるグループから選択された何れか一つまたは二つ以上の組み合わせで構成されたことを特徴とする請求項３に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項７】
前記プラズマ処理段階中に印加されるプラズマパワーによって、表面処理された半導体層の電気特性が変わることを特徴とする請求項３に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項８】
前記プラズマ処理段階中のプラズマ処理時間によって、表面処理された半導体層の電気特性が変わることを特徴とする請求項３に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項９】
前記プラズマ処理段階中に印加されるプラズマパワーと処理時間によって、表面処理された半導体層の電気特性が変わることを特徴とする請求項３に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項１０】
前記ｎ-電極は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｏを含むグループから選択された何れか一つまたは二つ以上の組み合わせであることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項１１】
前記ｎ-電極の形成によって、前記活性層と並列に接続される電流通路を形成することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項１２】
半導体層と接触される前記ｎ-電極の接触面積の大きさを変化させ、前記ｎ-電極と半導体層との接触抵抗を変化させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項１３】
基板と；
前記基板上に形成されたｎ型半導体層と；
前記ｎ型半導体層上に形成された活性層と；
前記活性層上に形成されたｐ型半導体層と；
前記ｐ型半導体層上に形成されたｐ-電極と；
エッチングで露出された前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層の一部にかけて形成されたｎ-電極と；を含むことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１４】
前記露出されたｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層は、エッチング傾斜面を有し、前記傾斜面に活性層が露出されたことを特徴とする請求項１３に記載の発光ダイオード。
【請求項１５】
前記ｎ-電極は、プラズマ処理され、電気的特性が変化された半導体層上に形成されたことを特徴とする請求項１３に記載の発光ダイオード。
【請求項１６】
前記ｎ-電極は、ｎ型半導体層、活性層を含む傾斜面、ｐ型半導体層の一部の間に絶縁膜を含むことを特徴とする請求項１３に記載の発光ダイオード。
【請求項１７】
前記ｎ型半導体層、前記活性層及び前記ｐ型半導体層は、窒化物系半導体であることを特徴とする請求項１３に記載の発光ダイオード。
【請求項１８】
前記プラズマ処理のガスは、Ｎ、ＮＯ、ＮＨ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒからなるグループから選択された何れか一つまたは二つ以上の組み合わせであることを特徴とする請求項１５に記載の発光ダイオード。
【請求項１９】
前記プラズマ処理は、プラズマパワーによって表面処理された半導体層の電気特性が変わることを特徴とする請求項１５に記載の発光ダイオード。
【請求項２０】
前記プラズマ処理は、プラズマ処理時間によって表面処理された半導体層の電気特性が変わることを特徴とする請求項１５に記載の発光ダイオード。
【請求項２１】
前記プラズマ処理は、プラズマパワーと処理時間によって表面処理された半導体層の電気特性が変わることを特徴とする請求項１５に記載の発光ダイオード。
【請求項２２】
前記ｎ-電極は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｏを含むグループから選択された何れか一つまたは二つ以上の組み合わせで構成されることを特徴とする請求項１３に記載の発光ダイオード。
【請求項２３】
前記ｎ-電極の形成によって、前記活性層と並列に接続される電流通路が形成されることを特徴とする請求項１３に記載の発光ダイオード。
【請求項２４】
前記ｐ-電極上に反射板をさらに含み、前記反射板と前記ｎ-電極をサブマウントに付着することを特徴とする請求項１７に記載の発光ダイオード。
【請求項２５】
半導体層と接触される前記ｎ-電極の接触面積の大きさによって、前記ｎ-電極と半導体層との接触抵抗が決定されることを特徴とする請求項１３に記載の発光ダイオード。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月17日(2010.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する基板処理装置において、
前記基板を加熱するマイクロ波加熱源と、
前記マイクロ波加熱源の周波数を調整する調整部と、
電界強度を検出する電界強度検出部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記基板加熱前に、前記調整部が調整した複数の周波数のマイクロ波を前記マイクロ波加熱源が出力し、前記電界強度検出部が複数のマイクロ波毎に電界強度を検出し、前記電界強度検出部が検出した電界強度に基づき最適周波数を判断し、前記基板加熱時に、最適周波数のマイクロ波を前記マイクロ波加熱源から出力することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記電界強度検出部が複数設けられることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月20日(2010.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層に内設された柱状電極と、前記柱状電極と接続される配線と、を備えた配線基板の製造方法であって、
支持体上に前記柱状電極を形成する柱状電極形成工程と、
前記柱状電極の上面及び側面を覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層から前記柱状電極の一の端部が露出するように、前記絶縁層を除去する絶縁層除去工程と、
前記絶縁層上に、前記柱状電極の一の端部と接続される配線を形成する配線形成工程と、
前記支持体を除去する支持体除去工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記柱状電極形成工程において、
前記支持体上に、開口部を有するレジスト膜を形成する工程と、
前記開口部に露出する前記支持体上に、電解めっきにより前記柱状電極を形成する工程と、
前記レジスト膜を除去する工程と、を有し、
前記支持体除去工程において、
前記絶縁層の、前記支持体が除去される面に、前記柱状電極の他の端部を露出させることを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記柱状電極形成工程において、
前記支持体上に、電解めっきによりパッドを形成する工程と、
前記パッド上に前記柱状電極を形成する工程と、を有し、
前記支持体除去工程において、
前記絶縁層の、前記支持体が除去される面に、前記柱状電極の他の端部に設けられた前記パッドを露出させることを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記柱状電極形成工程において、
前記柱状電極の一の端部上に、電解めっきにより金属層を形成する工程を有し、
前記絶縁層除去工程において、
前記金属層が露出するように、前記絶縁層を除去する工程と、
前記柱状電極の一の端部が露出するように、前記金属層を除去する工程と、を有することを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記配線上に、更に他の絶縁層と他の配線とを積層することを特徴とする、請求項１ないし４のうち、いずれか１項記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁層の、前記支持体が除去される面が、電子部品搭載面であることを特徴とする、請求項１ないし５のうち、いずれか１項記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
複数の絶縁層と複数の配線とが積層された配線基板であって、
前記配線基板表面となる一方の面とその反対側の他方の面とを有する一の前記絶縁層に、柱状電極が内設され、
前記一方の面に、前記柱状電極の端部に設けられたパッドが露出し、
前記他方の面に、前記柱状電極の他端部と接続する配線が設けられていることを特徴とする配線基板。
【請求項８】
前記他方の面に、前記柱状電極の他端部を露出させる開口部が設けられ、
前記他方の面及び前記開口部に、前記柱状電極の他端部と接続する前記配線が設けられていることを特徴とする請求項７記載の配線基板。
【請求項９】
前記一方の面と前記パッドの表面とが、略面一に形成されていることを特徴とする請求項７または８記載の配線基板。
【請求項１０】
前記一方の面が電子部品搭載面であり、前記パッドが電子部品接続用パッドであることを特徴とする請求項７ないし９のうち、いずれか１項記載の配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】配線基板及びその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、配線と接続される柱状電極を備えた配線基板及びその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、柱状電極と配線との間の電気的接続信頼性を十分に確保できると共に、配線の幅が所定の配線幅よりも狭くなることを抑制することのできる配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の一観点によれば、絶縁層に内設された柱状電極と、前記柱状電極と接続される配線と、を備えた配線基板の製造方法であって、支持体上に前記柱状電極を形成する柱状電極形成工程と、前記柱状電極の上面及び側面を覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層から前記柱状電極の一の端部が露出するように、前記絶縁層を除去する絶縁層除去工程と、前記絶縁層上に、前記柱状電極の一の端部と接続される配線を形成する配線形成工程と、前記支持体を除去する支持体除去工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、配線を形成する前に行う絶縁層の粗化処理を短時間で行うことが可能となるため、例えば、セミアディティブ法を用いて配線を形成する場合、不要なシード層を除去する際のエッチング時間を短くすることが可能となる。これにより、不要なシード層の除去工程において、配線がエッチングされにくくなるため、配線の幅が所定の配線幅よりも狭くなることを抑制することができる。
本発明の他の観点によれば、複数の絶縁層と複数の配線とが積層された配線基板であって、前記配線基板表面となる一方の面とその反対側の他方の面とを有する一の前記絶縁層に、柱状電極が内設され、前記一方の面に、前記柱状電極の端部に設けられたパッドが露出し、前記他方の面に、前記柱状電極の他端部と接続する配線が設けられていることを特徴とする配線基板が提供される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
また、配線１８，２３を形成する前に行う絶縁層１７，２１の粗化処理を短時間で行うことが可能となるため、例えば、セミアディティブ法を用いて配線１８，２３を形成する場合、シード層３６，４１をエッチングにより除去する時間を短くすることが可能となる。これにより、不要なシード層３６，４１を除去する際のエッチング時間を短くすることが可能となる。これにより、不要なシード層３６，４１の除去工程において、配線１８，２３がエッチングされにくくなるため、配線１８，２３の幅が所定の配線幅よりも狭くなることを抑制できる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月8日(2010.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ上に同一のチャネル方向を有する４つのＭＯＳトランジスタを四角形に配置し、前記４つのＭＯＳトランジスタのうちの２つのＭＯＳトランジスタのドレイン電極およびゲート電極がそれぞれタスキがけ状に接続され、前記４つのＭＯＳトランジスタのソース電極はすべて接続されている２組のＭＯＳトランジスタを有する半導体装置。
【請求項２】
半導体チップと、
前記半導体チップ上に配置された第１のソース領域と第１のドレイン領域との間に設けられた、前記半導体チップの一辺に対して平行方向の第１のチャネル領域、および前記第１のソース領域と同電位である第２のソース領域と前記第１のドレイン領域と同電位である第２のドレイン領域との間に設けられた、前記一辺に対して垂直方向の第２のチャネル領域とを有するＭＯＳトランジスタと、
を備える半導体装置。
【請求項３】
前記ＭＯＳトランジスタは、第１のＭＯＳトランジスタ及び第２のＭＯＳトランジスタを備え、
前記平行方向のチャネルは、前記第１のＭＯＳトランジスタのチャネルであり、
前記垂直方向のチャネルは、前記第２のＭＯＳトランジスタのチャネルである、
ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体チップと、
前記半導体チップ上に配置された第１のソース領域と第１のドレイン領域との間に設けられた、前記半導体チップの一辺に対して平行方向の第１のチャネル領域、前記第１のソース領域と同電位である第２のソース領域と前記第１のドレイン領域と同電位である第２のドレイン領域との間に設けられた、前記一辺に対して平行方向の第２のチャネル領域、前記第１のソース領域と前記第２のドレイン領域との間に設けられた、前記一辺に対して垂直方向の第３のチャネル領域、および前記第２のソース領域と前記第１のドレイン領域との間に設けられた、前記一辺に対して垂直方向の第４のチャネル領域を有するＭＯＳトランジスタと、
を備える半導体装置。
【請求項５】
前記第１乃至第４のチャネル領域はつながっていて、十字型のチャネル領域を形成しており、前記第１のソース領域と前記第２のソース領域とは前記十字型のチャネル領域に対して対角的な位置に配置され、前記第１のドレイン領域と前記第２のドレイン領域とは前記十字型のチャネル領域に対して他の対角的な位置に配されている請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体チップと、
前記半導体チップ上に形成された矩形帯状チャネル領域と、前記矩形帯状チャネル領域に囲まれた領域内に形成されたドレイン領域と、前記チャネル領域の外側の領域に形成されたソース領域と、前記矩形帯状チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有するＭＯＳトランジスタと、
を備える半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図２には、本発明における第２の実施例の模式図を示した。チャネル領域を覆うようにゲート絶縁膜とゲート電極２が十字型に形成されており、チャネル領域によって区切られた４つの領域のうち２つの領域には、ソース領域およびソース電極４、５が対角的な位置となるように配置され、残りの２つの領域には、ドレイン領域およびドレイン電極８、９が対角的な位置となるように配置されている。チャネル領域が十字型であるため、その直交した成分同士がトランジスタ動作時の特性値変動を相殺することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月13日(2011.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を製造するための各プロセスを実行する１つ以上の半導体製造装置とともに
半導体製造システムを構成し、製造過程において前記半導体基板の外観を検査する外観検
査装置であって、
前記半導体製造装置が前記半導体ウエハを保持する際の前記半導体ウエハの保持位置に
関するウエハ保持位置情報を、前記半導体製造装置を特定するための装置識別子と対応付
けて取得するウエハ保持位置情報取得手段と、
前記ウエハ保持位置情報取得手段によって前記装置識別子と対応付けて取得されたウエ
ハ保持位置情報に基づいて、前記半導体ウエハの周縁部分を検査するための検査レシピを
作成する検査レシピ作成手段と、
前記検査レシピ作成手段によって作成された検査レシピを格納する検査レシピ格納手段
と、
前記検査レシピ格納手段によって格納された検査レシピに基づいて、前記半導体ウエハ
の周縁部分を撮像する撮像手段と、
を備えることを特徴とする外観検査装置。
【請求項２】
さらに、
前記撮像手段によって撮像された周縁部分の撮像画像に基づいて、前記周縁部分の欠陥
を検出する欠陥検出手段と、
前記欠陥検出手段によって欠陥が検出された場合、前記検査レシピに基づいて、前記欠
陥を生じさせた半導体製造装置を特定する欠陥発生装置特定手段と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の外観検査装置。
【請求項３】
前記ウエハ保持位置情報取得手段は、前記装置識別子と対応付けて取得するウエハ保持
位置情報を、各半導体製造装置と互いに接続されたネットワークを介して取得することを
特徴とする請求項１または２に記載の外観検査装置。
【請求項４】
前記ウエハ保持位置情報は、前記半導体製造システムを管理するネットワークホストコ
ンピュータまたはネットワークフォルダに前記装置識別子と対応付けられて格納されてい
ることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の外観検査装置。
【請求項５】
さらに、
前記欠陥検出手段によって検出された欠陥に関する欠陥情報および前記欠陥発生装置特
定手段によって特定された半導体製造装置に関する装置情報を、前記ネットワークホスト
コンピュータまたはネットワークフォルダにフィードバックするフィードバック手段、
を備えることを特徴とする請求項４に記載の外観検査装置。
【請求項６】
半導体基板を製造するための各プロセスを実行する１つ以上の半導体製造装置とともに
半導体製造システムを構成し、製造過程において前記半導体基板の外観を検査する外観検
査方法であって、
前記半導体製造装置が前記半導体ウエハを保持する際の前記半導体ウエハの保持位置に
関するウエハ保持位置情報を、前記半導体製造装置を特定するための装置識別子と対応付
けて取得し、
前記装置識別子と対応付けて取得されたウエハ保持位置情報に基づいて、前記半導体ウ
エハの周縁部分を検査するための検査レシピを作成し、
前記作成された検査レシピを記録媒体に格納し、
前記記録媒体に格納された検査レシピに基づいて、前記半導体ウエハの周縁部分を撮像
する、
ことを特徴とする外観検査方法。