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【手続補正書】
【提出日】平成23年10月28日(2011.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体層の表面を酸化あるいは窒化して、前記第１の半導体層の表面に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜をエッチングして、前記第１の絶縁膜上にソース領域及びドレイン領域の一部となる第２の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層の表面を酸化あるいは窒化して、前記第１の半導体層の表面に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に、一導電型を付与する不純物元素を添加し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を加熱して、前記不純物元素を活性化させて前記ソース領域及び前記ドレイン領域を形成するともに、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間の前記第１の絶縁膜の少なくとも一部を消失させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の半導体層の表面を酸化あるいは窒化して、前記第１の半導体層の表面に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜をエッチングして、前記第１の絶縁膜上にソース領域及びドレイン領域の一部となる第２の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層の表面を酸化あるいは窒化して、前記第１の半導体層の表面に第２の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜上に、第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜上に、ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に、一導電型を付与する不純物元素を添加し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を加熱して、前記不純物元素を活性化させて前記ソース領域及び前記ドレイン領域を形成するとともに、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間の前記第１の絶縁膜の少なくとも一部を消失させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１の半導体層の表面を酸化あるいは窒化して、前記第１の半導体層の表面に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜をエッチングして、前記第１の絶縁膜上にソース領域及びドレイン領域の一部となる第２の半導体層を形成し、
前記第１の絶縁膜のうち、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間の領域以外を除去して、前記第１の半導体層のうち、前記第２の半導体層が形成されていない領域を露出させ、
前記第１の半導体層の露出した表面を酸化あるいは窒化して、第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に、ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に、一導電型を付与する不純物元素を添加し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を加熱して、前記不純物元素を活性化させて前記ソース領域及び前記ドレイン領域を形成するとともに、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間の前記第１の絶縁膜の少なくとも一部を消失させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
第１の半導体層の表面を酸化あるいは窒化して、前記第１の半導体層の表面に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜をエッチングして、前記第１の絶縁膜上にソース領域及びドレイン領域の一部となる第２の半導体層を形成し、
前記第１の絶縁膜のうち、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間の領域以外を除去して、前記第１の半導体層のうち、前記第２の半導体層が形成されていない領域を露出させ、
前記第１の半導体層の露出した領域に、第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に、ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に、一導電型を付与する不純物元素を添加し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を加熱して、前記不純物元素を活性化させて前記ソース領域及び前記ドレイン領域を形成するとともに、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間の前記第１の絶縁膜の少なくとも一部を消失させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
第１の半導体層上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極の側面に、サイドウォールを形成し、
前記ゲート絶縁膜のうち、前記ゲート電極及び前記サイドウォールが形成されていない領域をエッチングして、前記第１の半導体層のうち、前記ゲート電極及び前記サイドウォールが形成されていない領域を露出させ、
前記第１の半導体層の露出した表面を酸化あるいは窒化して、第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜、前記ゲート電極、及び前記サイドウォールを覆って、半導体膜を形成し、
前記半導体膜をエッチングして、前記第１の絶縁膜上にソース領域及びドレイン領域の一部となる第２の半導体層を形成し、
前記ゲート電極及び前記サイドウォールをマスクとして、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に、一導電性を付与する不純物元素を添加し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を加熱して、前記不純物元素を活性化させて前記ソース領域及び前記ドレイン領域を形成するとともに、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間の前記第１の絶縁膜を消失させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜は、酸化膜、窒素を含む酸化膜、酸素を含む窒化膜、窒化膜、サブオキサイドを含む膜、あるいはサブナイトライドを含む膜のいずれかであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４又は請求項５において、
前記第１の絶縁膜は、酸化膜、窒素を含む酸化膜、酸素を含む窒化膜、窒化膜、サブオキサイドを含む膜、あるいはサブナイトライドを含む膜のいずれかであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月7日(2011.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられた、チャネル形成領域を有する微結晶半導体層と、
前記微結晶半導体層上に設けられた、凹部を有する非晶質半導体層と、
前記非晶質半導体層上の前記凹部と重畳しない領域に設けられたソース領域及びドレイン領域と、を有し、
前記非晶質半導体層の前記ソース領域又は前記ドレイン領域と重畳する領域の厚さは４０ｎｍ以上６０ｎｍ未満であり、
前記非晶質半導体層の前記チャネル形成領域と重畳する領域の厚さは１０ｎｍ以上３０ｎｍ未満であり、
前記凹部の側面と前記非晶質半導体層の最表面によって形成されるテーパ形状のテーパ角は、１０°以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられた、チャネル形成領域を有する微結晶半導体層と、
前記微結晶半導体層上に設けられた、凹部を有する非晶質半導体層と、
前記非晶質半導体層上の前記凹部と重畳しない領域に設けられたソース領域及びドレイン領域と、を有し、
前記非晶質半導体層の前記ソース領域又は前記ドレイン領域と重畳する領域の厚さは６０ｎｍ以上８０ｎｍ未満であり、
前記非晶質半導体層の前記チャネル形成領域と重畳する領域の厚さは１０ｎｍ以上３０ｎｍ未満であり、
前記凹部の側面と前記非晶質半導体層の最表面によって形成されるテーパ形状のテーパ角は、５０°以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられた、チャネル形成領域を有する微結晶半導体層と、
前記微結晶半導体層上に設けられた、凹部を有する非晶質半導体層と、
前記非晶質半導体層上の前記凹部と重畳しない領域に設けられたソース領域及びドレイン領域と、を有し、
前記非晶質半導体層の前記ソース領域又は前記ドレイン領域と重畳する領域の厚さは６０ｎｍ以上８０ｎｍ未満であり、
前記非晶質半導体層の前記チャネル形成領域と重畳する領域の厚さは３０ｎｍ以上５０ｎｍ未満であり、
前記凹部の側面と前記非晶質半導体層の最表面によって形成されるテーパ形状のテーパ角は、７０°以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられた、チャネル形成領域を有する微結晶半導体層と、
前記微結晶半導体層上に設けられた、凹部を有する非晶質半導体層と、
前記非晶質半導体層上の前記凹部と重畳しない領域に設けられたソース領域及びドレイン領域と、を有し、
前記非晶質半導体層の前記ソース領域又は前記ドレイン領域と重畳する領域の厚さは８０ｎｍ以上１００ｎｍ未満であり、
前記非晶質半導体層の前記チャネル形成領域と重畳する領域の厚さは１０ｎｍ以上３０ｎｍ未満であり、
前記凹部の側面と前記非晶質半導体層の最表面によって形成されるテーパ形状のテーパ角は、５０°以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられた、チャネル形成領域を有する微結晶半導体層と、
前記微結晶半導体層上に設けられた、凹部を有する非晶質半導体層と、
前記非晶質半導体層上の前記凹部と重畳しない領域に設けられたソース領域及びドレイン領域と、を有し、
前記非晶質半導体層の前記ソース領域又は前記ドレイン領域と重畳する領域の厚さは１００ｎｍ以上１４０ｎｍ未満であり、
前記非晶質半導体層の前記チャネル形成領域と重畳する領域の厚さは１０ｎｍ以上３０ｎｍ未満であり、
前記凹部の側面と前記非晶質半導体層の最表面によって形成されるテーパ形状のテーパ角は、７０°以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
オフの時の前記ソース領域と前記ドレイン領域との間を流れる電流が１．０×１０−１２（Ａ）以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記微結晶半導体層はシリコンからなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記非晶質半導体はシリコンからなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記微結晶半導体層は、ドナーとなる不純物元素を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記微結晶半導体層にはレーザ処理が施されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられた、チャネル形成領域を有する第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に設けられた、凹部を有する第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上の前記凹部と重畳しない領域に設けられたソース領域及びドレイン領域と、を有し、
前記凹部の側面と前記第２の半導体層の最表面によって形成されるテーパ形状のテーパ角は、４０°以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一に記載の薄膜トランジスタが設けられた表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板およびガラス基板を用意し、
イオンドーピング装置により、加速されたイオンを前記単結晶半導体基板に照射することで、前記単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に損傷領域を形成し、
前記ガラス基板または前記単結晶半導体基板の少なくとも一方にバッファ層を形成し、
前記ガラス基板と前記単結晶半導体基板とを前記バッファ層を介して密着させることで、前記ガラス基板と前記単結晶半導体基板を貼り合わせ、
前記単結晶半導体基板の加熱によって前記損傷領域に亀裂を生じさせ、前記単結晶半導体基板を前記ガラス基板から分離することにより、前記単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層が固定されたガラス基板を形成し、
前記ガラス基板に固定された前記単結晶半導体層を５００℃以上６７０℃以下に加熱しながら、前記単結晶半導体層にレーザビームを照射して、前記ガラス基板をシュリンクさせるとともに前記単結晶半導体層を溶融することで、前記単結晶半導体層を再単結晶化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記バッファ層はハロゲンを含み、
前記加熱しながら、前記単結晶半導体層にレーザビームを照射することで、前記単結晶半導体層と前記バッファ層との界面に前記ハロゲンを偏析させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記バッファ層はハロゲンを含む第１絶縁層と不純物をブロッキングするバリア層である第２絶縁層を有する多層構造であり、
前記第１絶縁層は前記単結晶半導体層に接し、前記第２絶縁層は前記第１絶縁層に接し、
前記加熱しながら、前記単結晶半導体層にレーザビームを照射することで、前記単結晶半導体層と前記第１絶縁層との界面に前記ハロゲンを偏析させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
第２絶縁層は、窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項において、
前記レーザビームを前記単結晶半導体層に照射する前に、前記単結晶半導体層の表面に形成されている自然酸化膜を、前記単結晶半導体層の表面が撥水性を示すまでフッ酸により除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項において、
前記レーザビームを前記単結晶半導体層に照射する前に、前記単結晶半導体層をエッチングして前記単結晶半導体層の分離面に残っている前記損傷領域を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項において、
前記単結晶半導体層の再単結晶化は、前記単結晶半導体層の前記レーザビームが照射されている領域の表面および表面近傍を溶融することで行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか１項において、
前記単結晶半導体層の再単結晶化は、前記単結晶半導体層の前記レーザビームが照射されている領域を表面から当該領域の厚さよりも浅い部分までを溶融することで行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至６のいずれか１項において、
前記単結晶半導体層の再単結晶化は、前記単結晶半導体層の前記レーザビームが照射されている領域を表面から深さ方向に全て溶融することで行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項において、
前記レーザビームの照射によって前記単結晶半導体層が溶融している時間は、２００ナノ秒以上１０００ナノ秒以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項において、
被照射面に窒素ガスを吹き付けながら、前記単結晶半導体層に前記レーザビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか１項において、
希ガス雰囲気中で、前記単結晶半導体層に前記レーザビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１項において、
水素ガスを励起して、Ｈ３＋を含むプラズマを生成し、前記プラズマに含まれるイオンを加速して、前記単結晶半導体基板に照射することで、前記損傷領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか１項において、
前記単結晶半導体層が固定された前記ガラス基板を、複数の排気穴が中央部よりも端部に多く設けられているステージ上で浮上させて移動しながら、前記レーザビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月1日(2011.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下式で表される化学的構造を含む化合物を含む半導体層を有する、薄膜トランジスタデバイス。
【化１】
2009135422.tif 000001
式中、各Ｒは水素原子、置換されてもよい炭化水素およびヘテロ原子含有基から独立に選択され、各Ａｒは置換されてもよいヘテロアリール基から独立に選択され、各Ｍは下式構造およびその置換誘導体、ならびにそれらの組み合わせから選択される共役部分であり、
【化２】
2009135422.tif 000002
【化３】
2009135422.tif 000003
ａは１以上の数を表し、ｂは１〜２０の数を表し、ｎは１以上の数を表す。
【請求項２】
前記式中、ａは１である、請求項１に記載の薄膜トランジスタデバイス。
【請求項３】
前記式中、各Ａｒはそれぞれチオフェン環を含む、請求項１に記載の薄膜トランジスタデバイス。
【請求項４】
前記化合物は下式構造からなる群から選択されるかその混合物である、請求項１に記載の薄膜トランジスタデバイス。
【化４】
2009135422.tif 000004
式中、ｎは２〜５０００である繰り返し単位の数であり、Ｒ’’’、およびＲ’’’’は同じであっても異なってもよい置換基であり、当該置換基は置換されてもよい炭化水素基およびヘテロ原子含有基からなる群から独立に選択される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月1日(2011.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板の表面上に第１電極を形成し、
前記第１電極を介して前記単結晶半導体基板にイオンを添加することにより、前記単結晶半導体基板の表面から所定の深さに損傷層を形成し、
前記第１電極を介して前記単結晶半導体基板に第１導電型を付与する不純物を添加することにより、前記単結晶半導体基板の表面側に第１不純物半導体層を形成し、
絶縁膜を介して支持基板と前記単結晶半導体基板を密接させ、
前記損傷層を境界として前記単結晶半導体基板の一部を分離することにより、前記支持基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層に第２導電型を付与する不純物を添加することにより、前記分離により露出した前記単結晶半導体層の表面側に第２不純物半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層の表面側から前記単結晶半導体層にレーザビームを照射することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板にイオンを添加することにより、前記単結晶半導体基板の表面から所定の深さに損傷層を形成し、
前記損傷層を形成した後、前記単結晶半導体基板に第１導電型を付与する不純物を添加することにより、前記単結晶半導体基板の表面側に第１不純物半導体層を形成し、
前記単結晶半導体基板の表面上に第１電極を形成し、
絶縁膜を介して支持基板と前記単結晶半導体基板を密接させ、
前記損傷層を境界として前記単結晶半導体基板の一部を分離することにより、前記支持基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層に第２導電型を付与する不純物を添加することにより、前記分離により露出した前記単結晶半導体層の表面側に第２不純物半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層の表面側から前記単結晶半導体層にレーザビームを照射することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
単結晶半導体基板に第１導電型を付与する不純物を添加することにより、前記単結晶半導体基板の表面側に第１不純物半導体層を形成し、
前記単結晶半導体基板の表面上に第１電極を形成し、
前記第１不純物半導体層及び前記第１電極を介して前記単結晶半導体基板にイオンを添加することにより、前記単結晶半導体基板の表面から所定の深さに損傷層を形成し、
絶縁膜を介して支持基板と前記単結晶半導体基板を密接させ、
前記損傷層を境界として前記単結晶半導体基板の一部を分離することにより、前記支持基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層に第２導電型を付与する不純物を添加することにより、前記分離により露出した前記単結晶半導体層の表面側に第２不純物半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層の表面側から前記単結晶半導体層にレーザビームを照射することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項４】
単結晶半導体基板に第１導電型を付与する不純物を添加することにより、前記単結晶半導体基板の表面側に第１不純物半導体層を形成し、
前記第１不純物半導体層を介して前記単結晶半導体基板にイオンを添加することにより、前記単結晶半導体基板の表面から所定の深さに損傷層を形成し、
前記単結晶半導体基板の表面上に第１電極を形成し、
絶縁膜を介して支持基板と前記単結晶半導体基板を密接させ、
前記損傷層を境界として前記単結晶半導体基板の一部を分離することにより、前記支持基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層に第２導電型を付与する不純物を添加することにより、前記分離により露出した前記単結晶半導体層の表面側に第２不純物半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層の表面側から前記単結晶半導体層にレーザビームを照射することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記単結晶半導体層に前記レーザビームを照射することにより、前記単結晶半導体層の表面を平坦化することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記単結晶半導体層に前記第２不純物半導体層を形成した後、前記単結晶半導体層に前記レーザビームを照射することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記単結晶半導体層に前記レーザビームを照射した後、前記単結晶半導体層の一部を除去して前記第１電極を露出させ、
前記第１電極に接する補助電極と、前記第２不純物半導体層上に第２電極と、を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第２不純物半導体層に前記レーザビームを照射した後、前記単結晶半導体層に前記第２不純物半導体層を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記第２不純物半導体層を形成した後、前記単結晶半導体層の一部を除去して前記第１電極を露出させ、
前記第１電極に接する補助電極と、前記第２不純物半導体層上に第２電極と、を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記イオンは、水素イオンであることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
水素のクラスターイオンを７０％以上含むイオンビームを照射することによって、前記単結晶半導体基板に前記水素イオンを添加することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記水素のクラスターイオンは、質量が水素分子よりも重いクラスターイオンであることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
加熱処理を行うことにより、前記損傷層を境界として前記単結晶半導体基板の一部を分離することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記単結晶半導体層の前記レーザビームの照射領域は、２５０℃から６００℃の温度に加熱されることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記レーザビームの照射は、窒素雰囲気中で行われることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記損傷層を、前記単結晶半導体基板の表面から１０μｍ未満の深さに形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記支持基板は、一辺が５００ｍｍ以上の四辺形のガラス基板であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一項において、
前記単結晶半導体基板の直径が３００ｍｍ以上であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月24日(2011.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、ベース基板とを用意し、
前記半導体基板に酸化膜を形成し、
前記半導体基板に前記酸化膜を介して、加速されたイオンを照射することにより、前記半導体基板の表面から所定の深さに剥離層を形成し、
前記イオンを照射した後に、前記酸化膜上に窒素含有層を形成し、
前記半導体基板と前記ベース基板とを対向させ、前記窒素含有層の表面と前記ベース基板の表面とを接合させ、
前記半導体基板を加熱すると共に加圧処理を行って前記剥離層を境として分離することにより、前記ベース基板上に前記酸化膜及び前記窒素含有層を介して単結晶半導体層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
半導体基板と、ベース基板とを用意し、
前記半導体基板に酸化膜を形成し、
前記半導体基板に前記酸化膜を介して加速されたイオンを照射することにより、前記半導体基板の表面から所定の深さに剥離層を形成し、
前記ベース基板上に窒素含有層を形成し、
前記半導体基板と前記ベース基板とを対向させ、前記酸化膜の表面と前記窒素含有層の表面とを接合させ、
前記半導体基板を加熱すると共に加圧処理を行って前記剥離層を境として分離することにより、前記ベース基板上に前記酸化膜及び前記窒素含有層を介して単結晶半導体層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記窒素含有層は、プラズマＣＶＤ法を用い、且つ水素ガスを導入して基板温度を室温以上３５０℃以下で成膜することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記プラズマＣＶＤ法は、前記水素ガスに加えてシランガス及びアンモニアガスを導入して行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記酸化膜を、塩化水素を含有させた酸化性雰囲気で前記半導体基板に熱酸化処理を行うことにより形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記半導体基板として、単結晶シリコン基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記ベース基板として、表面の平均面粗さが０．３ｎｍ以下であるガラス基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月19日(2011.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンドーピング法により、加速されたイオンを第１の単結晶半導体基板に照射して、前記第１の単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に損傷領域を形成し、
第２の単結晶半導体基板と前記第１の単結晶半導体基板とをバッファ層を介して密着させ、前記第２の単結晶半導体基板と前記第１の単結晶半導体基板とを貼り合わせ、
前記第１の単結晶半導体基板を加熱して前記損傷領域に亀裂を生じさせ、前記第１の単結晶半導体基板の一部を前記第１の単結晶半導体基板から分離して、前記第１の単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層が固定された第２の単結晶半導体基板を形成し、
前記第２の単結晶半導体基板に固定された前記単結晶半導体層を加熱しながら、前記単結晶半導体層にレーザビームを照射して、前記単結晶半導体層を溶融し、再単結晶化させることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記バッファ層は、積層構造であり、前記第１の単結晶半導体基板または前記第２の単結晶半導体基板と接合する絶縁膜を含むことを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記バッファ層は、積層構造であり、前記第１の単結晶半導体基板または前記第２の単結晶半導体基板を酸化した酸化物膜を含むことを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２の単結晶半導体基板の直径は、５インチ以上であることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項５】
イオンドーピング法により、加速されたイオンを単結晶半導体基板に照射して、前記単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に損傷領域を形成し、
多結晶半導体基板と前記単結晶半導体基板とをバッファ層を介して密着させ、前記多結晶半導体基板と前記単結晶半導体基板とを貼り合わせ、
前記単結晶半導体基板を加熱して前記損傷領域に亀裂を生じさせ、前記単結晶半導体基板の一部を前記単結晶半導体基板から分離して、前記単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層が固定された多結晶半導体基板を形成し、
前記多結晶半導体基板に固定された前記単結晶半導体層を加熱しながら、前記単結晶半導体層にレーザビームを照射して、前記単結晶半導体層を溶融し、再単結晶化させることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記バッファ層は、積層構造であり、前記単結晶半導体基板または前記多結晶半導体基板と接合する絶縁膜を含むことを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項７】
請求項５において、
前記バッファ層は、積層構造であり、前記単結晶半導体基板または前記多結晶半導体基板を酸化した酸化物膜を含むことを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一において、
前記多結晶半導体基板の直径は、５インチ以上であることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項９】
請求項１または請求項５において、
前記バッファ層は、積層構造であり、窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜を含むことを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項１０】
請求項１または請求項５において、
前記バッファ層は、積層構造であり、前記単結晶半導体層に密着する絶縁膜を有し、前記絶縁膜はハロゲンを含むことを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
さらに前記単結晶半導体層の表面に対して研磨を行う半導体基板の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、
前記レーザビーム照射の際に加熱する前記単結晶半導体層の加熱温度は、５００℃以上１１００℃以下である半導体基板の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、
前記レーザビームの照射領域の上面形状は線状、正方形、または長方形であることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月23日(2011.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたゲート電極及び第１の電極と、
前記ゲート電極上及び前記第１の電極上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極上に形成され、ドナーとなる不純物元素の濃度がＳＩＭＳの検出限界より多く、且つ、アクセプターとなる元素を含む第１の微結晶半導体膜と、
前記第１の微結晶半導体膜上に形成され、ドナーとなる不純物元素の濃度がＳＩＭＳの検出限界以下の第２の微結晶半導体膜と、
前記第２の微結晶半導体膜上に形成され、ドナーとなる不純物元素の濃度がＳＩＭＳの検出限界以下の一対のアモルファス半導体膜と、
前記一対のアモルファス半導体膜上の一対の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜と、
前記一対の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜上に形成された一対の導電膜と、を形成する第１の工程と、
前記一対の導電膜上及び前記ゲート絶縁膜上に保護絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記保護絶縁膜上に感光性の有機樹脂膜を形成する第３の工程と、
前記感光性の有機樹脂膜を感光した後に露光を行うことによって、前記感光性の有機樹脂膜に、前記一対の導電膜の一方の上に形成され且つ前記保護絶縁膜に達する第１の凹部と、前記第１の電極上に形成され且つ前記保護絶縁膜に達しない第２の凹部と、を形成する第４の工程と、
前記感光性の有機樹脂膜をエッチングしつつ、前記保護絶縁膜の一部を除去して、前記一対の導電膜の一方に達するコンタクトホールを形成する第５の工程と、
前記感光性の有機樹脂膜をアッシングして、前記コンタクトホールの面積を広げるとともに、前記第２の凹部を加工して前記保護絶縁膜に達する第３の凹部を形成する第６の工程と、
前記感光性の有機樹脂膜上、前記コンタクトホール内、及び前記第３の凹部内に第２の電極を形成する第７の工程と、を有し、
前記第１の微結晶半導体膜は、前記ドナーとなる不純物元素の濃度が前記ゲート絶縁膜から前記第２の微結晶半導体膜に向かって減少する濃度分布を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の微結晶半導体膜にアクセプターとなる元素が含まれていることを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月15日(2011.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板から分離される単結晶半導体層、及び前記単結晶半導体層が固定される支持基板を有する半導体基板の作製方法であって、
前記単結晶半導体基板の一方の面からイオンを添加して、前記単結晶半導体基板の一方の面から所定の深さの領域に損傷層を形成し、
前記単結晶半導体基板の一方の面または前記支持基板の一方の面上にバッファ層を形成し、
前記単結晶半導体基板と前記支持基板とを前記バッファ層を介して密着させることで、前記単結晶半導体基板と前記支持基板とを貼り合わせ、
前記単結晶半導体基板を加熱することによって、前記損傷層を劈開面として前記単結晶半導体基板を前記支持基板から分離することにより、前記単結晶半導体基板から分離された前記単結晶半導体層が固定された支持基板を形成し、
前記単結晶半導体層を有する側より前記単結晶半導体層にレーザビームを照射し、前記単結晶半導体層の前記レーザビームが照射されている領域の表面から深さ方向の一部の領域を溶融することで、前記単結晶半導体層を再結晶化させることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板から分離される単結晶半導体層、及び前記単結晶半導体層が固定される支持基板を有する半導体基板の作製方法であって、
前記単結晶半導体基板の一方の面からイオンを添加して、前記単結晶半導体基板の一方の面から所定の深さの領域に損傷層を形成し、
前記単結晶半導体基板の一方の面または前記支持基板の一方の面上にバッファ層を形成し、
前記単結晶半導体基板と前記支持基板とを前記バッファ層を介して密着させることで、前記単結晶半導体基板と前記支持基板とを貼り合わせ、
前記単結晶半導体基板を加熱することによって、前記損傷層を劈開面として前記単結晶半導体基板を前記支持基板から分離することにより、前記単結晶半導体基板から分離された前記単結晶半導体層が固定された支持基板を形成し、
不活性雰囲気中で、前記単結晶半導体層を有する側より前記単結晶半導体層にレーザビームを照射し、前記単結晶半導体層の前記レーザビームが照射されている領域の表面から深さ方向の一部の領域を溶融することで、前記単結晶半導体層を再結晶化させることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記損傷層の形成のためのソースガスに水素ガスを用い、
前記水素ガスを励起して、Ｈ３＋を含むプラズマを生成し、前記プラズマに含まれるイオンを加速して、前記単結晶半導体基板に添加することで、前記損傷層を形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項において、
前記支持基板は、歪み点が６５０℃以上６９０℃以下であることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項において、
前記支持基板は、ガラス基板であることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項において、
前記レーザビームの断面形状は線状、正方形、または長方形であることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月3日(2011.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体基板の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板の一方の面上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を介して前記単結晶半導体基板の一方の面からイオン種を添加して、前記単結晶半導体基板に損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板の一方の面上に形成された前記絶縁層と、支持基板の一方の面とを貼り合わせて熱処理を行い、前記支持基板と前記単結晶半導体基板を接着し、
前記単結晶半導体基板を加熱することにより、前記損傷領域において、単結晶半導体層が貼り合わされた前記支持基板と単結晶半導体基板の一部とに分離し、
前記支持基板に貼り合わされた前記単結晶半導体層の表面に対してドライエッチングを行った後、前記単結晶半導体層の表面に対してレーザビームを照射することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板の一方の面上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層を介して前記単結晶半導体基板の一方の面からイオン種を添加して、前記単結晶半導体基板に損傷領域を形成し、
支持基板の一方の面上に第２の絶縁層を形成し、
前記単結晶半導体基板の一方の面上に形成された前記第１の絶縁層と、前記支持基板の一方の面上に形成された前記第２の絶縁層とを貼り合わせて熱処理を行い、前記支持基板と前記単結晶半導体基板を接着し、
前記単結晶半導体基板を加熱することにより、前記損傷領域において、単結晶半導体層が貼り合わされた前記支持基板と単結晶半導体基板の一部とに分離し、
前記支持基板に貼り合わされた前記単結晶半導体層の表面に対してドライエッチングを行った後、前記単結晶半導体層の表面に対してレーザビームを照射することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記単結晶半導体層の表面に対してレーザビームを照射した後に、前記単結晶半導体層の表面に対してドライエッチングを行うことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記支持基板は、ガラス基板であることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記イオン種は、Ｈ３＋を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記イオン種は、総量に対して、Ｈ３＋を８０％以上含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月28日(2011.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板の主表面にイオンを照射して損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板の主表面に絶縁層を形成し、
前記絶縁層と、ベース基板とを接合させ、
前記単結晶半導体基板を、前記損傷領域において分離させることにより、前記ベース基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層の一部の領域にパルスレーザー光を照射することにより、前記単結晶半導体層の欠陥を低減し、且つ、表面の平坦性を向上させ、
前記パルスレーザー光の端部以外における光強度は、前記単結晶半導体層が完全溶融する光強度未満、且つ、完全溶融と部分溶融との境界となる光強度の８５％以上であり、
前記パルスレーザー光の端部における光強度は、前記境界となる光強度の８５％未満であり、
前記パルスレーザー光の端部以外が照射された領域の前記単結晶半導体層を用いて半導体素子のチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板の主表面にイオンを照射して損傷領域を形成し、
ベース基板上に絶縁層を形成し、
前記単結晶半導体基板の前記主表面と、前記絶縁層とを接合させ、
前記単結晶半導体基板を、前記損傷領域において分離させることにより、前記ベース基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層の一部の領域にパルスレーザー光を照射することにより、前記単結晶半導体層の欠陥を低減し、且つ、表面の平坦性を向上させ、
前記パルスレーザー光の端部以外における光強度は、前記単結晶半導体層が完全溶融する光強度未満、且つ、完全溶融と部分溶融との境界となる光強度の８５％以上であり、
前記パルスレーザー光の端部における光強度は、前記境界となる光強度の８５％未満であり、
前記パルスレーザー光の端部以外が照射された領域の前記単結晶半導体層を用いて半導体素子のチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記パルスレーザー光の端部以外が照射された領域の前記単結晶半導体層表面の平均面粗さは１．５ｎｍ未満であり、二乗平方根粗さは２ｎｍ未満であり、
前記パルスレーザー光の端部が照射された領域の前記単結晶半導体層表面の平均面粗さは１．５ｎｍ以上であり、二乗平方根粗さは２ｎｍ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記パルスレーザー光の端部以外が照射された領域の前記単結晶半導体層のラマンピークの波数は５２０．４ｃｍ−１以上であり、
前記パルスレーザー光の端部が照射された領域の前記単結晶半導体層のラマンピークの波数は５２０．４ｃｍ−１未満であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記ベース基板は、絶縁体でなる絶縁性基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記ベース基板は、導電体でなる導電性基板、または半導体でなる半導体基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記パルスレーザー光の端部以外が照射された領域は、前記パルスレーザー光が１回のみ照射された領域であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記パルスレーザー光の端部以外が照射された領域は、前記パルスレーザー光の端部以外が複数回照射された領域であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記絶縁層は、有機シランガスを用いて化学気相成長法により形成される絶縁層を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記絶縁層は、積層構造で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記パルスレーザー光は、エキシマレーザー光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、
前記パルスレーザー光は、線状の形状を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月30日(2011.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】結晶性半導体層の作製方法、半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素イオンを円柱状の結晶性半導体インゴットの側面に照射することによって、前記結晶性半導体インゴットの側面に水素イオン照射領域を形成し、
前記水素イオン照射領域が形成された前記結晶性半導体インゴットの側面を絶縁基板上に貼り合わせ、前記水素イオン照射領域から結晶性半導体層を分離して、前記絶縁基板上に前記結晶性半導体層を形成することを特徴とする結晶性半導体層の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記結晶性半導体インゴットの側面の前記絶縁基板上への貼り合わせは、前記結晶性半導体インゴットを中心軸と垂直方向に回転移動させながら行われることを特徴とする結晶性半導体層の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記水素イオン照射領域の形成は、前記結晶性半導体インゴットを回転させながら前記水素イオンを照射することにより行われ、
前記結晶性半導体インゴットの側面の前記絶縁基板上への貼り合わせは、前記結晶性半導体インゴットの側面を前記絶縁基板で包み込むことによって行われることを特徴とする結晶性半導体層の作製方法。
【請求項４】
円柱状の結晶性半導体インゴットの側面に陽極化成によって第１の多孔層を形成し、
前記陽極化成の条件を変えて、前記第１の多孔層の表面に第２の多孔層を形成し、
前記第２の多孔層の表面にエピタキシャル層を形成し、
前記第１の多孔層、前記第２の多孔層、及び前記エピタキシャル層が形成された前記結晶性半導体インゴットの側面を絶縁基板上に貼り合わせ、前記第１の多孔層及び前記第２の多孔層の界面から結晶性半導体層を分離して、前記絶縁基板上に前記結晶性半導体層を形成することを特徴とする結晶性半導体層の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の多孔層及び前記第２の多孔層の界面にウォータージェットを当てることにより、前記第１の多孔層及び前記第２の多孔層の界面から前記結晶性半導体層を分離することを特徴とする結晶性半導体層の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の結晶性半導体層を用いてトランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月19日(2011.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上にバッファ層を間に挟んで貼り合わされ、分離層が形成された単結晶半導体基板に対し、
加熱により、前記分離層又は前記分離層の近傍を分離面として前記単結晶半導体基板を分離させることにより、前記支持基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層にレーザビームを照射して溶融させることにより、前記単結晶半導体層を再単結晶化させ、
前記単結晶半導体層を選択的にエッチングして島状の単結晶半導体層を形成し、
前記島状の単結晶半導体層上にゲート絶縁層を間に介してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記島状の単結晶半導体層に不純物元素を添加して、前記島状の単結晶半導体層に一対の不純物領域と、前記一対の不純物領域の間のチャネル形成領域と、を形成し、
４００℃以上支持基板の歪み点温度以下、且つ前記島状の単結晶半導体層を溶融させない処理温度で前記島状の単結晶半導体層を加熱し、
イオンドーピング装置を用いて、水素を含む原料ガスにより生成されたＨ３＋イオンを照射することにより、前記分離層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ガラス基板上にバッファ層を間に挟んで貼り合わされ、分離層が形成された単結晶半導体基板に対し、
加熱により、前記分離層又は前記分離層の近傍を分離面として前記単結晶半導体基板を分離させることにより、前記ガラス基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層にレーザビームを照射して溶融させることにより、前記単結晶半導体層を再単結晶化させ、
前記単結晶半導体層を選択的にエッチングして島状の単結晶半導体層を形成し、
前記島状の単結晶半導体層上にゲート絶縁層を間に介してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記島状の単結晶半導体層に不純物元素を添加して、前記島状の単結晶半導体層に一対の不純物領域と、前記一対の不純物領域の間のチャネル形成領域と、を形成し、
４５０℃以上６５０℃以下の処理温度で前記島状の単結晶半導体層を加熱し、
イオンドーピング装置を用いて、水素を含む原料ガスにより生成されたＨ３＋イオンを照射することにより、前記分離層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
酸素濃度が３０ｐｐｍ以下であり、かつ、水分濃度が３０ｐｐｍ以下である窒素雰囲気中で、前記単結晶半導体層に前記レーザビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記Ｈ３＋イオンの割合を、前記水素を含む原料ガスにより生成されたイオンの総量に対して８０％以上とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月14日(2011.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両に取り付けられた際に、車両から約７０ｍｍ以下の高さで突出するアンテナケースと、該アンテナケース内に収納されるアンテナ部からなるアンテナ装置であって、
前記アンテナ部は、アンテナと、該アンテナにより受信された少なくともＦＭ放送の信号を増幅するアンプを有するアンプ基板とからなり、前記アンテナの給電点が前記アンプの入力にアンテナコイルを介して接続されていることを特徴とするアンテナ装置。
【請求項２】
前記アンテナが、前記アンテナケース内に配設されている棒状のアンテナから構成されていることを特徴とする請求項１記載のアンテナ装置。
【請求項３】
車両に取り付けられた際に、車両から約７０ｍｍ以下の高さで突出するアンテナケースと、該アンテナケース内に収納されるアンテナ部からなるアンテナ装置であって、
前記アンテナ部は、立設されて配置されアンテナパターンが形成されているアンテナ基板と、前記アンテナパターンからなる前記アンテナにより受信された少なくともＦＭ放送の信号を増幅するアンプが設けられているアンプ基板とからなり、前記アンテナ基板における前記アンテナパターンの給電点が、前記アンプ基板における前記アンプの入力にアンテナコイルを介して接続されていることを特徴とするアンテナ装置。
【請求項４】
前記アンテナの下縁とグラウンドとの間隔が、約３３ｍｍ以上とされていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項５】
前記アンテナの長さがＦＭ放送の波長λに対して約１／３０以下の長さとされ、前記アンテナと前記アンテナコイルとからなるアンテナ部がＦＭ放送にほぼ共振するようにしたことを特徴とする請求項１または２記載のアンテナ装置。
【請求項６】
前記アンテナパターンの長さがＦＭ放送の波長λに対して約１／３０以下の長さとされ、前記アンテナパターンと前記アンテナコイルとからなるアンテナ部がＦＭ放送にほぼ共振するようにしたことを特徴とする請求項３記載のアンテナ装置。
【請求項７】
前記アンテナケースは、先端に行くほど細くなると共に高さが低くなる流線型の外形形状とされており、前記アンプ基板は前記アンテナケースの高さが低い部位に収納されることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のアンテナ装置。
【請求項８】
立設されて配置され面状のアンテナ素子が形成されているアンテナ基板と、
前記アンテナ素子により受信された少なくともＦＭ波帯の信号を増幅するアンプが設けられ、前記アンテナ基板と重ならないように配置されているアンプ基板と、
前記アンテナ素子の直下であって、前記アンテナ素子の面とほぼ直交するよう配置されている平面アンテナユニットと、
前記アンテナ素子の給電点と、前記アンプ基板における前記アンプの入力との間に挿入されているアンテナコイルと、
前記アンテナ基板、前記アンプ基板、前記平面アンテナユニットおよび前記アンテナコイルが収納され、車両に取り付けられるアンテナケースとを備え、
前記平面アンテナユニットの動作周波数帯の中心周波数の波長をλとした際に、前記平面アンテナユニットの上面と前記アンテナ素子の下端との間隔が約０．２５λ以上とされていることを特徴とするアンテナ装置。
【請求項９】
前記アンテナ基板、前記アンプ基板および前記平面アンテナユニットはアンテナベースに取り付けられており、該アンテナベースに前記アンテナケースが嵌着されることにより、前記アンテナケース内に前記アンテナ基板、前記アンプ基板、前記平面アンテナユニットおよび前記アンテナコイルが収納されることを特徴とする請求項８記載のアンテナ装置。
【請求項１０】
厚みより縦方向の幅が大きくされている板状あるいは棒状のアンテナ素子を支持する絶縁支持手段と、
前記アンテナ素子により受信された少なくともＦＭ波帯の信号を増幅するアンプが設けられ、前記アンテナ基板と重ならないように配置されているアンプ基板と、
前記アンテナ素子の直下であって、前記アンテナ素子の縦方向の軸とほぼ直交するよう配置されている平面アンテナユニットと、
前記アンテナ素子の給電点と、前記アンプ基板における前記アンプの入力との間に挿入されているアンテナコイルと、
前記アンテナ素子を支持している前記絶縁支持手段、前記アンプ基板、前記平面アンテナユニットおよび前記アンテナコイルが収納され、車両に取り付けられるアンテナケースとを備え、
前記平面アンテナユニットの動作周波数帯の中心周波数の波長をλとした際に、前記平面アンテナユニットの上面と前記アンテナ素子の下端との間隔が約０．２５λ以上とされていることを特徴とするアンテナ装置。
【請求項１１】
前記アンテナ素子を支持している前記絶縁支持手段、前記アンプ基板および前記平面アンテナユニットはアンテナベースに取り付けられており、該アンテナベースに前記アンテナケースが嵌着されることにより、前記アンテナケース内に前記アンテナ素子を支持している前記絶縁支持手段、前記アンプ基板、前記平面アンテナユニットおよび前記アンテナコイルが収納されることを特徴とする請求項１０記載のアンテナ装置。