Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月16日(2009.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
集積回路であって、
複数のアレイラインを備えているメモリアレイと、
前記複数のアレイラインに連結されているノンバイナリな数のアレイラインドライバ回路と、
前記ノンバイナリな数のアレイラインドライバ回路に連結されているデコーダ回路と、を備え、
前記デコーダ回路は、
バイナリデコーダと、
ノンバイナリ演算を実行する回路と、を含み、
前記ノンバイナリ演算の結果は前記バイナリデコーダへ入力として提供される、集積回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】
前記メモリアレイは複数のサブアレイを備えており、前記複数のグループのアレイラインドライバ回路の内の少なくとも１つは、１つ或いは２つのメモリセルのサブアレイをサポートしている、請求項２１に記載の集積回路。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
図示の実施形態では、各ワードラインドライバ回路２３３の中に４つのＮＭＯＳとＰＭＯＳドライバを含んでいるが、この他の数のドライバデバイス（例えば、２対のＮＭＯＳとＰＭＯＳ）も同様に考えられる。その上、２の整数乗以外の数も好都合に用いられる。例えば、６つのＮＭＯＳと６つのＰＭＯＳドライバを、具体的に図１３に示す配置で用いてもよい。その様なノンバイナリの場合、物理的なアドレス指定によってデコードマップに、例えば、６つの物理的にデコードされたアドレスを含む８つのアドレスのグループの中にある孔など、「孔」を残すように作られていてもよく、ここで最後の２つのアドレスは、そうでなければ存在したはずである。制御回路は、外部アドレス空間を、孔を有するより大きなアドレス空間の中にマップするように作ることができる。その結果、物理的デコーディングは構造的に概してバイナリのままでよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
このデコーダ回路を使用するのは、９０ｎｍノードで１２対１の、メモリラインピッチとドライバデバイスのサイズの間の不整合に対処する際には特に求められる。ドライバデバイスの広い領域を最適化することが望まれているが、８対１はメモリラインの密度を制限するし、１２対１だけが必要なので１６対１はデバイスレイアウトの空間が無駄になってしまうので、８対１も１６対１も最適ではない。図１８に関連して先に述べた実施形態では、６ワードラインドライバのグループは各サブアレイの縁部にあり、ノンバイナリ演算回路６２０、６４０は多くのサブアレイに共有されている。これは、１２ワードラインドライバのグループとしてワードラインを選択するための高効率な回路を提供している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
これらの実施形態で用いることのできる幾つかの代替案がある。例えば、複数のアレイラインはワードラインを備えており、複数のアレイラインドライバ回路はワードラインドライバ回路を備えているのが望ましいが、この実施形態は、ワードライン及びワードラインドライバの代わりに、或いはそれらと組み合わせて、ビットライン及びビットラインドライバと共に用いることもできる（例えば、上記デコーダ回路は、ビットラインドライバが１６対１から１２対１に最適化されていれば、使用することができる）。また、デコーダ回路は、アレイラインドライバ回路のノンバイナリな数の１つを選択することに関して上で説明したが、デコーダは、異なる文脈で用いることもできる（即ち、デコーダ回路を使って、必ずしもアレイラインドライバ回路ではなく、複数の項目から１つを選択することもできる）。従って、もっと一般的に言えば、デコーダ回路は、ノンバイナリ演算を実行する回路前置デコーダ部分と、バイナリデコーダである回路部分を有している。言い換えると、デコーダ回路は、ノンバイナリ多重度を有する後置デコーダ部分を有しており、これは、各デコーダ出力と関係付けられるヘッド又はドライバの数を指すこともある。また、モジュロ３剰余と３で除する演算を上記例で用いているが、他のノンバイナリ演算（例えば、５で除する演算と、モジュロ５剰余）を使用してもよいことは当然のことである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月30日(2009.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性メモリ装置であって、
各々がＮビットのデータを記憶できる１つ以上のメモリセル（６１３Ａ〜６１３Ｃ）であって、Ｎが１以上であるメモリセル（６１３Ａ〜６１３Ｃ）と、
前記メモリセル（６１３Ａ〜６１３Ｃ）に接続できる読み出し／書き込み回路（４００−１，４００−ｒ）であって、
単調非減少するプログラミング波形を前記メモリセル（６１３Ａ〜６１３Ｃ）に加えるプログラミング回路と、
前記プログラミング波形が前記メモリセル（６１３Ａ〜６１３Ｃ）に加えられるのと同時に前記メモリセル（６１３Ａ〜６１３Ｃ）にバイアス条件を設定するバイアス回路（６０１Ａ〜６０１Ｃ）であって、第１のバイアス条件セットが第１のプログラミング段階中に用いられ、第２のバイアス条件セットが第２のプログラミング段階中に用いられるバイアス回路（６０１Ａ〜６０１Ｃ）と、を備える読み出し／書き込み回路（４００−１，４００−ｒ）と、を備えることを特徴とする不揮発性メモリ装置において、
前記読み出し／書き込み回路は、
前記読み出し／書き込み回路（４００−１，４００−ｒ）が接続された前記メモリセル（６１３Ａ〜６１３Ｃ）の対応する１つのメモリセルと各々関連する１つ以上の一連のラッチ（４３４−０，４３４−１，４３４−２，６０３Ａ〜６０３Ｃ）であって、それぞれの前記一連のラッチ（４３４−０，４３４−１，４３４−２，６０３Ａ〜６０３Ｃ）の第１のラッチ（６０３Ａ〜６０３Ｃ）が、動作中にある前記プログラミング段階を管理する１つ以上の一連のラッチ（４３４−０，４３４−１，４３４−２，６０３Ａ〜６０３Ｃ）と、
プログラミング動作の過程において、前記メモリセル（６１３Ａ〜６１３Ｃ）のうちの選択されたメモリセルに対する前記Ｎビットのデータの１つ以上に対してベリファイ動作を実行する検知回路（６０１Ａ〜６０１Ｃ）であって、前記ビットのデータの少なくとも１つに対する前記ベリファイが、第１のレベルおよびこれよりも高い第２のレベルのベリファイを含み、前記第１のレベルの前記ベリファイの結果が、前記プログラミング段階を管理する前記第１のラッチ（６０３Ａ〜６０３Ｃ）に記憶される検知回路（６０１Ａ〜６０１Ｃ）と、
をさらに備えるものである不揮発性メモリ装置。
【請求項２】
請求項１記載の不揮発性メモリ装置において、
前記メモリ装置は、前記第１のプログラミング段階中、選択されたメモリセル（６１３Ａ〜６１３Ｃ）のチャネルが接地点に設定され、前記第２のプログラミング段階中、前記選択されたメモリセル（６１３Ａ〜６１３Ｃ）のチャネルが前記第１の段階中よりも高い電圧になることができるようにさらに配置される不揮発性メモリ装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の不揮発性メモリ装置において、
それぞれの前記一連のラッチ（４３４−０，４３４−１，４３４−２，６０３Ａ〜６０３Ｃ）におけるラッチの数は、Ｎ＋１である不揮発性メモリ装置。
【請求項４】
請求項３記載の不揮発性メモリ装置において、
それぞれの前記一連のラッチ（４３４−０，４３４−１，４３４−２，６０３Ａ〜６０３Ｃ）における前記第１のラッチ（６０３Ａ〜６０３Ｃ）以外の前記Ｎ個のラッチ（４３４−０，４３４−１，４３４−２）は、前記対応するメモリセル（６１３Ａ〜６１３Ｃ）内にプログラムすべきデータを保持するのに用いられる不揮発性メモリ装置。
【請求項５】
請求項４記載の不揮発性メモリ装置において、
前記第１のラッチ（６０３Ａ〜６０３Ｃ）は、前記対応するメモリセル（６１３Ａ〜６１３Ｃ）内にプログラムすべき前記データに基づいて初期化される不揮発性メモリ装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか記載の不揮発性メモリ装置において、
それぞれの前記一連のラッチ（４３４−０，４３４−１，４３４−２，６０３Ａ〜６０３Ｃ）におけるラッチの数は、Ｎ＋１である不揮発性メモリ装置。
【請求項７】
請求項６記載の不揮発性メモリ装置において、
それぞれの前記一連のラッチ（４３４−０，４３４−１，４３４−２，６０３Ａ〜６０３Ｃ）における前記第１のラッチ（６０３Ａ〜６０３Ｃ）以外の前記Ｎ個のラッチ（４３４−０，４３４−１，４３４−２）は、前記対応するメモリセル（６１３Ａ〜６１３Ｃ）内にプログラムすべきデータを保持するのに用いられる不揮発性メモリ装置。
【請求項８】
請求項７記載の不揮発性メモリ装置において、
前記メモリ装置は、前記対応するメモリセル（６１３Ａ〜６１３Ｃ）内にプログラムすべきデータを保持するのに用いられる前記ラッチ（４３４−０，４３４−１，４３４−２）の値が、前記対応するメモリセルに対する前記第２のレベルの前記ベリファイの結果に基づいて更新されるように配置される不揮発性メモリ装置。
【請求項９】
請求項１〜５のいずれか記載の不揮発性メモリ装置において、
Ｎは１よりも大きく、前記ビットのデータの少なくとも１つに対する前記ベリファイは単一レベルのみのベリファイを含む不揮発性メモリ装置。
【請求項１０】
請求項１記載の不揮発性メモリ装置において、
前記１つ以上のメモリセル（６１３Ａ〜６１３Ｃ）は、複数のビット線および複数のワード線（６２５）に沿ってアレイに形成された複数のメモリセルであり、前記メモリ装置は、書き込み動作中、複数の選択されたメモリセル（６１３Ａ〜６１３Ｃ）が、選択されたワード線（６２５）に加えられる前記波形によって一斉にプログラムされるように配置される不揮発性メモリ装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の不揮発性メモリ装置において、
前記選択されたメモリセル（６１３Ａ〜６１３Ｃ）の各々は、前記対応する一連のラッチ（４３４−０，４３４−１，４３４−２，６０３Ａ〜６０３Ｃ）へ前記ビット線の１つに沿って接続可能であり、それぞれの前記一連のラッチ（４３４−０，４３４−１，４３４−２，６０３Ａ〜６０３Ｃ）は、動作中にある前記プログラミング段階を管理する第１のラッチ（６０３Ａ〜６０３Ｃ）を含む不揮発性メモリ装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の不揮発性メモリ装置において、
前記メモリ装置は、前記ビット線の前記バイアスレベルを変更することによって前記第１のプログラミング段階から前記第２のプログラミング段階へ変化するように配置される不揮発性メモリ装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の不揮発性メモリ装置において、
前記メモリセル（６１３Ａ〜６１３Ｃ）は、対応するクランプ素子（６２１Ａ〜６２１Ｃ）を介して、前記対応する一連のラッチ（６０３Ａ〜６０３Ｃ）へ前記ビット線の１つに沿って接続可能であり、前記クランプ素子（６２１Ａ〜６２１Ｃ）は共通に制御され、前記第１のプログラミング段階から前記第２のプログラミング段階への前記ビット線の前記バイアスの変更は、前記クランプ素子（６２１Ａ〜６２１Ｃ）を制御することによって達成される不揮発性メモリ装置。
【請求項１４】
請求項１０記載の不揮発性メモリ装置において、
前記メモリ装置は、ＮＡＮＤ形構造を有する不揮発性メモリ装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の不揮発性メモリ装置において、
前記メモリ装置は、全ビット線配置を用いるＮＡＮＤ形構造を有する不揮発性メモリ装置。
【請求項１６】
請求項１４記載の不揮発性メモリ装置において、
Ｎは２に等しく、データは下ページ／上ページ形式に従って記憶される不揮発性メモリ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月25日(2008.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部がねじ付きである内面とシール把持面部とを有するハウジングと、
前記ハウジングに接続される弾力的に変形可能な管状本体を有するシールであって、前記本体が、前記ハウジングの前記シール把持面部と協働して係合する後封止面と、ねじ付きポートと協働して係合する前封止面と、軸方向に圧縮すると前記シールが半径方向に膨張するのを促進するように適合された一体接合部と、を有し、前記シール把持面が、前記シールを前記ハウジングの予め設置された位置に保持するように長手方向に延在する、シールと、
を具備する、ケーブルシステム部品。
【請求項２】
前記ハウジングが第１端および第２端を有し、前記第２端が少なくとも２つの平坦面領域を有する、請求項１に記載のケーブルシステム部品。
【請求項３】
前記ハウジングの前記第２端が、断面が六角形の外面を有する、請求項２に記載のケーブルシステム部品。
【請求項４】
前記シール把持部の少なくとも一部が、平滑面および前記シールの前記後封止面と摩擦係合するために適した粗化面のうちの一方である、請求項１に記載のケーブルシステム部品。
【請求項５】
前記シール把持部が、前記ハウジングの外面にリッジをさらに備える、請求項４に記載のケーブル終端装置。
【請求項６】
前記シールの後封止面が、前記ハウジングの前記面の前記シール把持部の少なくとも一部に接着される、請求項４に記載のケーブルシステム部品。
【請求項７】
前記シールと前記後封止面の半径方向外側で係合するリングをさらに具備する、請求項１に記載のケーブルシステム部品。
【請求項８】
前記リングが、刻み付きの外面を有する、請求項７に記載のケーブルシステム部品。
【請求項９】
前記リングが外部フランジを有する、請求項７に記載のケーブルシステム部品。
【請求項１０】
第１端と第２端と中心軸とを有する円柱状シェルであって、前記第２端が内部キャビティを画定するスリーブを含む、円柱状シェルと、
第１端および第２端を有するハウジングであって、少なくとも部分的に前記シェル内に同軸上に配置されかつ少なくとも一部が雌ねじ付きである内面を有し、前記円柱状シェルとは独立して前記軸を中心に回転する、ハウジングと、
前記ハウジングの前記第１端または前記シェルの前記第１端のうちの一方に接続され且つ前記一方から長手方向に延長された弾力的に変形可能な管状本体を有するシールであって、前記本体が、後封止面と、ねじ付きポートと協働して係合する前封止面と、一体接合部と、を有し、前記シール把持面が、前記シールを前記ハウジングの予め設置された位置に保持するように長手方向に延在する、シールと、
を具備する、耐タンパー性ケーブル終端装置。
【請求項１１】
前記後封止面が、前記シェルの前記第１端のシール把持面と協働して係合する、請求項１０に記載の耐タンパー性ケーブル終端装置。
【請求項１２】
前記シール把持部が、前記シェルの前記第１端の外面にリッジをさらに備える、請求項１１に記載の耐タンパー性ケーブル終端装置。
【請求項１３】
前記シェルの前記第１端が、前記シールと前記後封止面の半径方向外側で係合するように寸法が決められかつ構成される、請求項１１に記載の耐タンパー性ケーブル終端装置。
【請求項１４】
前記シェルの前記第２端が、同軸ケーブルコネクタの係合のための雄ねじを含む、請求項１１に記載の耐タンパー性ケーブル終端装置。
【請求項１５】
前記ハウジングの前記第２端が、工具による係合のための凹部を含む、請求項１１に記載の耐タンパー性ケーブル終端装置。
【請求項１６】
前記シールと前記後封止面の半径方向外側で係合するリングをさらに具備する、請求項１１に記載の耐タンパー性ケーブル終端装置。
【請求項１７】
前記リングが、刻み付きの外面を有する、請求項１６に記載の耐タンパー性ケーブル終端装置。
【請求項１８】
前記リングが外部フランジを有する、請求項１６に記載の耐タンパー性ケーブル終端装置。
【請求項１９】
第１端および第２端を有するハウジング本体であって、前記第１端が雌ねじ付きコネクタを含み、前記コネクタがシール把持面部を有する、ハウジング本体と、
前記コネクタに接続され且つ前記コネクタから長手方向に延長された弾力的に変形可能な管状本体を有するシールであって、前記本体が、前記コネクタの前記シール把持面部と協働して係合する後封止面と、ねじ付きポートと協働して係合する前封止面と、一体接合部と、を有し、前記シール把持面が、前記シールを前記ハウジングの予め設置された位置に保持するように長手方向に延在する、シールと、
を具備する、電子フィルタハウジング。
【請求項２０】
前記シールと前記後封止面の半径方向外側で係合するリングをさらに具備する、請求項１９に記載の電子フィルタハウジング。
【請求項２１】
前記シール把持部の少なくとも一部が、平滑面および前記シールの前記後封止面と摩擦係合するために適した粗化面のうちの一方である、請求項１９に記載のフィルタハウジング。
【請求項２２】
前記シール把持部が、前記コネクタの外面にリッジをさらに備える、請求項２１に記載の電子フィルタハウジング。
【請求項２３】
前記シールの後封止面が、前記コネクタの前記面の前記シール把持部の少なくとも一部に接着される、請求項１９に記載の電子フィルタハウジング。
【請求項２４】
前記リングが、刻み付きの外面を有する、請求項２３に記載の電子フィルタハウジング。
【請求項２５】
前記リングが外部フランジを有する、請求項２３に記載の電子フィルタハウジング。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月23日(2009.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素粒子と、
約０．５グラム／１０分未満のメルトフローインデックスを有する第１の高度にフッ素化されたポリマー、および、少なくとも約１グラム／１０分のメルトフローインデックスを有する第２の高度にフッ素化されたポリマーを含むポリマー混合物と、
を含む、ガス拡散層の導電性多孔性基材での使用のためのミクロ層。
【請求項２】
キャリア、界面活性剤、炭素粒子、溶融加工可能ではない第１の高度にフッ素化されたポリマー、および溶融加工可能である第２の高度にフッ素化されたポリマーを含む懸濁液を形成することと、
導電性多孔性基材上に前記懸濁液をコーティングすることと、
前記第１の高度にフッ素化されたポリマーおよび前記第２の高度にフッ素化されたポリマーを焼結することと、
を含む膜電極アセンブリのガス拡散層の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月20日(2009.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機デバイスパッケージ（１０）の製作方法であって、
上面及び下面を有する可撓性基板（４６）を供給する段階と、
第１の面及び第２の面を有する有機電子デバイス（５０）を前記可撓性基板の前記上面に配置する段階と、
内側表面及び外側表面を有する第１のバリア層（５４）を前記可撓性基板の前記下面に配置する段階と、
内側表面及び外側表面を有する第２のバリア層（５６）を前記有機電子デバイスの前記第１の面上に配置する段階と、
第１のバリア層（５４）と第２のバリア層（５６）との間に縁部封入材料（６０）を注入することによって縁部封入材料を配置する段階と、
第１のバリア層（５４）と第２のバリア層（５６）を結合する段階と
を含む方法。
【請求項２】
第１のバリア層（５４）と第２のバリア層（５６）を結合する段階が、第２のバリア層（５６）の周囲が前記有機デバイスパッケージの縁部のまわりを包むように第２のバリア層（５６）をパターン化する段階と、第２のバリア層（５６）を前記可撓性基板（４６）の反対側の第１のバリア層（５４）の面に結合する段階とを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
第１のバリア層（５４）と第２のバリア層（５６）との間の前記有機電子デバイスの周囲の近くに、前記有機デバイスパッケージの周辺縁部を気密封止するように縁部封入材料（６０）を配置する段階をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記縁部封入材料（６０）を配置する段階が、前記縁部封入材料（６０）を第１のバリア層（５４）に配置する段階、前記縁部封入材料（６０）を第２のバリア層（５６）に配置する段階又はこれらの組合せのうちのいずれかを含む、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記縁部封入材料（６０）が、第１のバリア層（５４）の材料、第２のバリア層（５６）の材料又はこれらの組合せと同一の材料を含む、請求項３記載の方法。
【請求項６】
前記縁部封入材料（６０）が低融点の金属又は金属合金を含む、請求項３記載の方法。
【請求項７】
第１のバリア層（５４）及び第２のバリア層（５６）の一方又は両方に圧力を加える段階、第１のバリア層（５４）及び第２のバリア層（５６）を加熱する段階、第１のバリア層（５４）及び第２のバリア層（５６）を紫外線にさらす段階、又はこれらの組合せをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記第１及び第２のバリア層（５６）の内側表面の各々に、第１のバリア層（５４）及び第２のバリア層（５６）をそれぞれ前記可撓性基板及び前記有機電子デバイスに取り付ける接合材料を配置する段階をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
上面及び下面を有する可撓性基板と、
前記可撓性基板の前記上面に配置された、第１の面及び第２の面を有する有機電子デバイスと、
前記可撓性基板の前記下面に配置され、第１の内側表面及び第１の外側表面を有する第１のバリア層（５４）と、
前記有機電子デバイスの前記第１の面上に配置され、第２の内側表面及び第２の外側表面を有する第２のバリア層（５６）であって、第２のバリア層（５６）の周囲が前記可撓性基板の反対側の第１のバリア層（５４）の面に結合されるように、前記有機デバイスパッケージの縁部のまわりを包むように構成された前記周囲を含む第２のバリア層（５６）と、
前記第１の外側表面の一部に配置された、第１の面及び第２の面を有する機能層であって、前記有機デバイスパッケージの出力を増強するように構成される機能層と
を備える有機デバイスパッケージ。
【請求項１０】
前記第１及び第２のバリア層（５６）の内側表面の各々に配置され、第１のバリア層（５４）及び第２のバリア層（５６）をそれぞれ前記可撓性基板及び前記有機電子デバイスに取り付けるように構成される接合材料をさらに含む、請求項９記載の有機デバイスパッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月22日(2009.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソースリクエスタおよびリソースプロバイダを有するデータ処理環境で複数のリソースにオンデマンドでアクセスする方法であって、
複数のリソース要求を指定するユーザ入力を受信することにより複合企業リソース要求を生成するステップと、
第１のリソース要求についての第１のユーザ入力を受信したことに応答して、前記第１のリソース要求を識別する信号を前記リソースプロバイダに送信するステップと、
前記リソースプロバイダが、前記第１のリソース要求を満たすためにリソースが利用可能であるか否かを判断するステップと、
前記リソースが利用可能な場合、前記リソースが利用可能なことを示す応答を前記リソースプロバイダから前記リソースリクエスタに提供し、前記応答は、前記複合企業リソース要求が生成されている間に前記リソースリクエスタに提供される、ステップ、または
前記リソースが利用可能ではない場合、前記リソースプロバイダが前記リソースをリリースするステップと、前記リソースが使用できないことを示す応答を前記リソースプロバイダから前記リソースリクエスタに提供するステップ
を有する方法。
【請求項２】
前記リソースが利用可能な場合、前記リソースプロバイダが前記リソースリクエスタによる使用に向けて前記リソースを確保するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記確保するステップは、前記リソースをその後の使用のために確保するステップをさらに有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記複合企業リソース要求を生成するステップは、階層リソース要求テンプレートを前記指定された複数のリソース要求で埋めるステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
データ処理環境において複数のリソースにオンデマンドでアクセスするシステムであって、
複数のリソース要求を指定するユーザ入力を受信することにより複合企業リソース要求を生成し、第１のリソース要求についての第１のユーザ入力を受信したことに応答して、前記第１のリソース要求を識別する信号を送信するリソースリクエスタと、
前記信号を受信したことに応答して、前記第１のリソース要求を満たすためにリソースが利用可能であるか否かを判断するリソースプロバイダであって、
前記リソースが利用可能な場合、前記リソースが利用可能なことを示す応答を提供し、前記応答は、前記リソースリクエスタが前記複合企業リソース要求を生成している間に前記リソースリクエスタに提供され、または
前記リソースが利用可能ではない場合、前記リソースは前記リソースプロバイダによりリリースされ、前記リソースが使用できないことを示す応答が該リソースプロバイダにより前記リソースリクエスタに提供される、
リソースプロバイダと、
を有するシステム。
【請求項６】
前記リソースが利用可能な場合、前記リソースは前記リソースプロバイダにより前記リソースリクエスタによる使用に向けて確保される、請求項６に記載のシステム。
【請求項７】
前記複合企業リソース要求は、前記指定された複数のリソース要求を有する階層リソース要求テンプレートを有する、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
コンピュータシステムにロードされて実行されると、前記コンピュータシステムに請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法のステップを実行させるコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月25日(2009.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン性液体と、カチオンの形態の導電性ポリマーと、その導電性ポリマーに付随するポリアニオンとを含む混合物。
【請求項２】
イオン性液体と、カチオンの形態の導電性ポリマーと、その導電性ポリマーに付随するポリアニオンとからなる混合物を含む部品。
【請求項３】
イオン性液体を用意し、カチオンの形態の導電性ポリマーと、その導電性ポリマーに付随するポリアニオンを用意し、そのイオン性液体と導電性ポリマーを溶媒の中で混合してコーティング組成物を形成し、その組成物をコーティングして膜を形成し、その膜を乾燥させる操作を含む、部品の形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月17日(2008.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モノマー溶液をポリマーゲルへと反応させることにより吸水性ポリマー粒子を製造する方法において、重合の過程で形成されるポリマーゲルの温度が少なくとも５０℃となり、かつモノマー反応率が最大で９０モル％となったときに該ポリマーゲルを反応器から取り出すことを特徴とする、吸水性ポリマー粒子の製造方法。
【請求項２】
反応器中で静止重合を実施することを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
ゲル温度が少なくとも６５℃となったときにポリマーゲルを反応器から取り出すことを特徴とする、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
ピーク温度に達する前にポリマーゲルを反応器から取り出すことを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
ピーク温度が、８０〜１１０℃の範囲であることを特徴とする、請求項４記載の方法。
【請求項６】
モノマー溶液の固体含有率が、２３〜７０質量％の範囲であることを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
重合の開始温度が、０〜３０℃の範囲であることを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
ポリマーゲルが、粉砕されることを特徴とする、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
ポリマーゲルに少なくとも１の分離剤を添加することを特徴とする、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
乾燥した吸水性ポリマー粒子を分離剤として使用することを特徴とする、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
分離剤が、３００μｍ未満の平均粒径を有することを特徴とする、請求項９または１０記載の方法。
【請求項１２】
ポリマーゲルが、混練機中で粉砕されることを特徴とする、請求項８から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
ポリマーゲルを粉砕した後に、不活性ガスおよび／または減圧下に０．２〜１２時間貯蔵することを特徴とする、請求項８から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
ポリマーゲルが、後中和されることを特徴とする、請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
ポリマーゲルが、乾燥、分級および後架橋されることを特徴とする、請求項１から１４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１６】
請求項１から１５までのいずれか１項記載の方法により製造された吸水性ポリマー粒子の使用を含む、衛生用品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月6日(2009.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４，４’−メチレンビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）及び
アルキル化ジフェニルアミン
を含んでなる、
但し４，４’−メチレンビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）と該アルキル化ジフェニルアミンの重量比が約０．５に等しいか、それより大きく、且つ
ＡＳＴＭ  Ｄ７０９７測定法による全デポジットが３５ｍｇに等しいか、それより少ない、
低リンエンジン油。
【請求項２】
ジアルキルジチオリン酸亜鉛を更に含んでなる、但し該エンジン油が該ジアルキルジチオリン酸亜鉛に由来するリンを約６００ｐｐｍまたはそれ以下で含んでなる、請求項１のエンジン油。
【請求項３】
油溶性有機モリブデン化合物を更に含んでなる、請求項２のエンジン油。
【請求項４】
（ａ）グループＩＩ、グループＩＩＩ、グループＩＶ及び合成エステルベース原料からなる群から選択される潤滑粘度のオイル主成分量、
（ｂ）４，４’−メチレンビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、
（ｃ）アルキル化ジフェニルアミン、
（ｄ）分散剤及び清浄剤からなる群から選択される少なくとも１つの成分、及び
（ｅ）  ジアルキルジチオリン酸亜鉛
を含んでなる、但し
組成物が該ジアルキルジチオリン酸亜鉛に由来するリンを約６００ｐｐｍまたはそれ以下で含んでなり、且つ
（ｂ）と（ｃ）の重量比が約０．５に等しいか、またはそれより大きい、
組成物。
【請求項５】
（ｆ）油溶性有機モリブデン化合物、
を更に含んでなる、請求項４の組成物。
【請求項６】
該油溶性有機モリブデン化合物が硫黄を含んでなり且つ無リンである、請求項５の組成物。
【請求項７】
（ａ）  グループＩＩ、グループＩＩＩ、グループＩＶ及び合成エステルベース原料からなる群から選択される潤滑粘度のオイル主成分量、
（ｂ）４，４’−メチレンビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、
（ｃ）アルキル化ジフェニルアミン、
（ｅ）ジアルキルジチオリン酸亜鉛、及び
（ｆ）油溶性有機モリブデン化合物
を含んでなる、但し
（ｂ）と（ｃ）の重量比が約０．５に等しいか、またはそれより大きく、且つ
組成物がＡＳＴＭ  Ｄ７０９７測定法による全デポジットが３５ｍｇに等しいか、それより少ない、
組成物。
【請求項８】
（ａ）グループＩＩ、グループＩＩＩ、グループＩＶ及び合成エステルベース原料からなる群から選択される潤滑粘度のオイル主成分量、
（ｂ）４，４’−メチレンビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、
（ｃ）アルキル化ジフェニルアミン、
（ｄ）分散剤及び清浄剤からなる群から選択される少なくとも１つの成分、
（ｅ）ジアルキルジチオリン酸亜鉛、
（ｆ）油溶性有機モリブデン化合物、及び
（ｇ）ヒンダードフェノール酸化防止剤、但し該ヒンダードフェノール酸化防止剤が４，４’−メチレンビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）ではない、
を含んでなる、但し組成物が
該ジアルキルジチオリン酸亜鉛に由来するリンを約６００ｐｐｍまたはそれ以下で、且つ
該油溶性有機モリブデン化合物に由来するモリブデンを約５０−４００ｐｐｍで、
含んでなる、
組成物。
【請求項９】
（ａ）グループＩＩ、グループＩＩＩ、グループＩＶ及び合成エステルベース原料からなる群から選択される潤滑粘度のオイル主成分量、
（ｂ）４，４’−メチレンビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、
（ｃ）アルキル化ジフェニルアミン０．２−１．０重量％、
（ｄ）分散剤及び清浄剤からなる群から選択される少なくとも１つの化合物１．０−１２．０重量％、
（ｅ）ジアルキルジチオリン酸亜鉛に由来するリンを２００−６００ｐｐｍ、及び
（ｆ）油溶性有機モリブデン化合物に由来するモリブデンを５０−４００ｐｐｍ、
を含んでなる、但し（ｂ）と（ｃ）の重量比が０．５に等しいか、それより大きい、エンジン油。
【請求項１０】
（ａ）グループＩＩ、グループＩＩＩ、グループＩＶ及び合成エステルベース原料からなる群から選択される潤滑粘度のオイル主成分量、
（ｂ）４，４’−メチレンビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）０．１−１．５重量％、
（ｃ）アルキル化ジフェニルアミン、
（ｄ）分散剤及び清浄剤からなる群から選択される少なくとも１つの化合物１．０−１２．０重量％、
（ｅ）ジアルキルジチオリン酸亜鉛に由来するリン２００−６００ｐｐｍ、及び
（ｆ）油溶性有機モリブデン化合物に由来するモリブデン５０−４００ｐｐｍ、
を含んでなる、但し（ｂ）と（ｃ）の重量比が０．５に等しいか、それより大きい、エンジン油。
【請求項１１】
（ａ）グループＩＩ、グループＩＩＩ、グループＩＶ及び合成エステルベース原料からなる群から選択される潤滑粘度のオイル主成分量、
（ｂ）４，４’−メチレンビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、
（ｃ）アルキル化ジフェニルアミン０．２−１．０重量％、
（ｄ）分散剤及び清浄剤からなる群から選択される少なくとも１つの化合物１．０−１２．０重量％、及び
（ｅ）ジアルキルジチオリン酸亜鉛に由来するリン３００−６００ｐｐｍ、
を含んでなる、但し（ｂ）と（ｃ）の重量比が０．５に等しいか、それより大きい、エンジン油。
【請求項１２】
（ａ）グループＩＩ、グループＩＩＩ、グループＩＶ及び合成エステルベース原料からなる群から選択される潤滑粘度のオイル主成分量、
（ｂ）４，４’−メチレンビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）０．１−１．５重量％、
（ｃ）アルキル化ジフェニルアミン、
（ｄ）分散剤及び清浄剤からなる群から選択される少なくとも１つの化合物１．０−１２．０重量％、及び
（ｅ）  ジアルキルジチオリン酸亜鉛に由来するリン３００−６００ｐｐｍ、
を含んでなる、但し（ｂ）と（ｃ）の重量比が０．５に等しいか、それより大きい、エンジン油。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月28日(2009.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本出願人は、発泡ビニル芳香族ポリマーの断熱能力を改善するためのプロセスを、ここで見出した。このプロセスは、以下の工程を包含する：
１）発泡性ビニル芳香族ポリマーのビーズを調製する工程であって、このビニル芳香族ポリマーは、このポリマーに関して計算して１重量％〜１０重量％の、ポリマーマトリックス中に遍在する膨張剤、およびポリマー（ａ）に関して計算して０．０１重量％〜２５重量％の、ポリマーマトリックス中に均一に分布したカーボンブラックを含有する不透熱性添加剤を含有し、このカーボンブラックは、３０ｎｍ〜２０００ｎｍの範囲の平均直径、５ｍ２／ｇ〜４０ｍ２／ｇの範囲の表面積、０．１ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍの範囲の硫黄含有量、０．００１％〜１％の灰分含有量を有する、工程；
２）ビーズの表面を、コーティングの沈着の前に、液体潤滑剤で処理する工程であって、この液体潤滑剤は、
ｉ．ヒドロキシル化有機化合物であって、このヒドロキシル化有機化合物において、炭素原子（Ｃ）の数とヒドロキシル基（ＯＨ）の数との間でのＣ／ＯＨ比が、１〜１．３の範囲である、ヒドロキシル化有機化合物；
ｉｉ．１モル〜３０モルのエチレンオキシドを有するＣ１０〜Ｃ２０のエトキシ化アルコールのリン酸ナトリウムエステル；
ｉｉｉ．硫酸ベンジル／スルホン酸ナトリウムまたは硫酸ベンジルアルキル／スルホン酸ナトリウムであって、アルキル基が、５個〜２０個の炭素原子を有する、硫酸ベンジル／スルホン酸ナトリウムまたは硫酸ベンジルアルキル／スルホン酸ナトリウム；
ｉｖ．アルキルベンジルアンモニウムの塩化物（水溶液）（例えば、塩化ベンザルコニウム）；
ｖ．ヤシ油の脂肪酸と塩化コリンとのエステル
からなる群より選択される、工程；ならびに
３）ビーズを、３０℃〜６０℃の範囲、好ましくは５０℃の温度の熱空気で熱処理する工程。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月13日(2009.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＣＰ−１と結合することができるＣＣＲ２アミノ酸配列にコンジュゲート化された免疫グロブリン配列を含む分子であって、非免疫原性であり、かつ、ＣＣＲ２のＮ末端ドメインを有さない分子。
【請求項２】
非タンパク質性成分に結合したＣＣＲ２アミノ酸配列を含む分子であって、前記ＣＣＲ２アミノ酸配列がＭＣＰ−１と結合することができ、前記分子が対象において非免疫原性である分子。
【請求項３】
それぞれがＭＣＰ−１と結合することができる少なくとも２つのＣＣＲ２アミノ酸配列を含む分子。
【請求項４】
ＣＣＲ２のＮ末端ドメインを有さないＣＣＲ２アミノ酸配列に結合したタグを含む分子であって、前記ＣＣＲ２アミノ酸配列がＭＣＰ−１と結合することができる分子。
【請求項５】
配列番号１４または配列番号１５に示される分子。
【請求項６】
請求項１、２、３、または５に記載の分子と、医薬的に許容され得るキャリアとを含む医薬組成物。
【請求項７】
ＣＣＲ２のＮ末端ドメインを有さず、かつ、ＭＣＰ−１と結合することができるＣＣＲ２アミノ酸配列を含む分子と、医薬的に許容され得るキャリアとを含み、非免疫原性である医薬組成物。
【請求項８】
ＭＣＰ−１／ＣＣＲ２関連疾患を治療するために特定される医薬品を製造するための請求項１、２、３、または５に記載の分子の使用。
【請求項９】
（ａ）ＭＣＰ−１および請求項４に記載の分子が複合体を形成するように、生物学的サンプルを請求項４に記載の分子と接触させること；および
（ｂ）前記複合体を単離し、それにより、ＭＣＰ−１を生物学的サンプルから単離すること
を含む、ＭＣＰ−１を生物学的サンプルから単離する方法。
【請求項１０】
前記ＣＣＲ２のＮ末端ドメインを有さないＣＣＲ２アミノ酸配列は配列番号２に示される、請求項１または４に記載の分子。
【請求項１１】
前記ＣＣＲ２のＮ末端ドメインを有さないＣＣＲ２アミノ酸配列は配列番号２に示される、請求項６または７に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
前記ＭＣＰ−１／ＣＣＲ２関連疾患は、炎症性疾患、壊死、アテローム性動脈硬化、ガン、多発性硬化症、アテローム、単球性白血病、腎臓疾患（例えば、糸球体腎炎）、ハンマン−リッチ症候群、子宮内膜症、リウマチ様関節炎、細気管支炎、喘息、全身性エリテマトーデス、炎症性腸疾患（例えば、大腸炎）、肺胞炎、再狭窄、脳外傷、乾癬、特発性肺線維症および移植片動脈硬化からなる群から選択される、請求項８に記載の使用。
【請求項１３】
前記タグはエピトープタグである、請求項４に記載の分子。
【請求項１４】
請求項４の分子は固体担体に結合される、請求項４または１３に記載の分子。
【請求項１５】
非タンパク質性成分に結合される、請求項１または５に記載の分子。
【請求項１６】
前記非タンパク質性成分は、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、ポリ（スチレン−ｃｏ−マレイン酸無水物）（ＳＭＡ）、および、ジビニルエーテルとマレイン酸無水物とのコポリマー（ＤＩＶＥＭＡ）からなる群から選択される、請求項２または１５に記載の分子。
【請求項１７】
前記医薬的に許容され得るキャリアは非経口投与のために配合される、請求項６または７に記載の医薬組成物。
【請求項１８】
前記医薬的に許容され得るキャリアは実質的に非免疫原性である、請求項６または７に記載の医薬組成物。
【請求項１９】
前記医薬的に許容され得るキャリアはリポアミン酸を含む、請求項６または７に記載の医薬組成物。
【請求項２０】
前記医薬的に許容され得るキャリアは炭水化物を含む、請求項６または７に記載の医薬組成物。
【請求項２１】
前記医薬的に許容され得るキャリアはミクロスフェアを含む、請求項６または７に記載の医薬組成物。
【請求項２２】
前記医薬的に許容され得るキャリアはリポソームを含む、請求項６または７に記載の医薬組成物。
【請求項２３】
前記医薬的に許容され得るキャリアはポリマーのミクロスフェアを含む請求項６または７に記載の医薬組成物。
【請求項２４】
ＭＣＰ−１／ＣＣＲ２関連疾患を治療するために特定される医薬品を製造するための、ＣＣＲ２のＮ末端ドメインを有さず、かつ、ＭＣＰ−１と結合することができるＣＣＲ２アミノ酸配列を含む分子の使用。
【請求項２５】
前記ＣＣＲ２のＮ末端ドメインを有さないＣＣＲ２アミノ酸配列は配列番号２に示される、請求項２４に記載の使用。
【請求項２６】
前記ＭＣＰ−１／ＣＣＲ２関連疾患は、炎症性疾患、壊死、アテローム性動脈硬化、ガン、多発性硬化症、アテローム、単球性白血病、腎臓疾患（例えば、糸球体腎炎）、ハンマン−リッチ症候群、子宮内膜症、リウマチ様関節炎、細気管支炎、喘息、全身性エリテマトーデス、炎症性腸疾患（例えば、大腸炎）、肺胞炎、再狭窄、脳外傷、乾癬、特発性肺線維症および移植片動脈硬化からなる群から選択される、請求項２４に記載の使用。
【請求項２７】
前記分子は配列番号１４または配列番号１５に示される、請求項２４に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月11日(2009.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式I：
【化１】
2008535902.tif 000001
で示される化合物、またはその異性体、塩、溶媒和物、化学的保護形態、もしくはプロドラッグ。ただし、上記式中、A、B、およびDは、それぞれ、
(i)  CH、NH、C；
(ii)  CH、N、N；および
(iii)  CH、O、C；
よりなる群から選択され、
点線は、適切な位置にある2つの二重結合を表し；
RN1およびRN2は、独立して、水素、置換されていてもよいC1〜7アルキル基、C3〜20ヘテロシクリル基、もしくはC5〜20アリール基から選択されるか、または一緒になって、それらが結合されている窒素原子と共に、4〜8個の環原子を有する置換されていてもよいヘテロ環式環を形成していてもよく；
A、B、Dが上記の群(i)、(ii)から選択される場合、Zは、S、O、C(=O)、CH2およびNHよりなる群から選択され；A、B、Dが群(iii)を表す場合、Zは、O、C(=O)、CH2およびNHよりなる群から選択され；
R4は、H、OH、NO2、NH2、およびQ-Y-X
｛ここで、
Qは、-NH-C(=O)-または-O-であり；
Yは、置換されていてもよいC1〜5アルキレン基であり；
Xは、SRS1またはNRN3RN4(ここで、RS1、もしくはRN3およびRN4は、独立して、水素、置換されていてもよいC1〜7アルキル基、C5〜20アリール基、もしくはC3〜20ヘテロシクリル基から選択されるか、またはRN3およびRN4は、一緒になって、それらが結合されている窒素原子と共に、4〜8個の環原子を有する置換されていてもよいヘテロ環式環を形成していてもよい)から選択され；
Qが-O-である場合、Xは、追加的に、-C(=O)-NRN5RN6(ここで、RN5およびRN6は、独立して、水素、置換されていてもよいC1〜7アルキル基、C5〜20アリール基、もしくはC3〜20ヘテロシクリル基から選択されるか、またはRN5およびRN6は、一緒になって、それらが結合されている窒素原子と共に、4〜8個の環原子を有する置換されていてもよいヘテロ環式環を形成していてもよい)から選択されてもよく、
Qが-NH-C(=O)-である場合、-Y-Xは、追加的に、C1〜7アルキルから選択されてもよい}
よりなる群から選択され；
ただし、A、B、Dが群(iii)を表し、かつRN1およびRN2が、それらが結合されている炭素原子と共にモルホリノ基を形成している場合、R4はHではないことを条件とする。
【請求項２】
R4がQ-Y-Xである、請求項1に記載の化合物。
【請求項３】
Qが-NH-C(=O)-であり、かつXがNRN3RN4である、請求項1または2に記載の化合物。
【請求項４】
Qが-O-であり、XがNRN3RN4であり、かつYが置換されていてもよいC1〜3アルキレン基である、請求項1または2に記載の化合物。
【請求項５】
Zが、必要に応じてSおよびOから選択される、請求項1〜4のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項６】
RN1およびRN2が、それらが結合されている窒素原子と共に、4〜8個の原子を有するヘテロ環式環を形成している、請求項1〜5のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項７】
RN1およびRN2が、それらが結合されている窒素原子と共に、モルホリノおよびチオモルホリノから選択される基を形成している、請求項1〜5のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項８】
請求項1〜7のいずれか1項に記載の化合物と製薬上許容される担体または希釈剤とを含む、組成物。
【請求項９】
治療法に使用するための、請求項1〜7のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項１０】
DNA-PKを阻害することにより改善される疾患を治療するための医薬の調製における、請求項1〜7のいずれか1項に記載の化合物の使用。
【請求項１１】
(a)  癌治療における補助剤としての使用、または腫瘍細胞に対する電離放射線もしくは化学療法剤による治療の効力を増強するための使用；あるいは
(b)  レトロウイルス媒介疾患の治療；
のための医薬の調製における、請求項1〜7のいずれか1項に記載の化合物の使用。
【請求項１２】
DNA-PKを阻害することにより改善される疾患の治療に使用するための、請求項1〜7のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項１３】
(a)  癌治療における補助剤としての使用、または腫瘍細胞に対する電離放射線もしくは化学療法剤による治療の効力を増強するための使用；あるいは
(b)  レトロウイルス媒介疾患の治療における使用；
のための、請求項1〜7のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項１４】
in vitroまたはin vivoでDNA-PKを阻害する方法であって、細胞を有効量の請求項1〜7のいずれか1項に記載の化合物に接触させることを含む、上記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月11日(2009.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式I：
【化１】
2008535903.tif 000001
で示される化合物、またはその異性体、塩、溶媒和物、化学的保護形態、もしくはプロドラッグ。ただし、上記式中、A、B、およびDは、それぞれ、
（i）  CH、NH、C；
（ii）  CH、N、N；および
（iii）  CH、O、C；
よりなる群から選択され、
点線は、適切な位置にある2つの二重結合を表し；
RN1およびRN2は、独立して、水素、置換されていてもよいC1〜7アルキル基、C3〜20ヘテロシクリル基、もしくはC5〜20アリール基から選択されるか、または一緒になって、それらが結合されている窒素原子と共に、4〜8個の環原子を有する置換されていてもよいヘテロ環式環を形成していてもよく；
Z2、Z3、Z4、Z5、およびZ6は、それらが結合されている炭素原子と一緒になって、芳香環を形成し；
Z2は、CR2、N、NH、S、およびOよりなる群から選択され；Z3は、CR3であり；Z4は、CR4、N、NH、S、およびOよりなる群から選択され；Z5は、直接結合であるか、またはO、N、NH、S、およびCHよりなる群から選択され；Z6は、O、N、NH、S、およびCHよりなる群から選択され；
R2は、Hであり；
R3は、ハロまたは置換されていてもよいC5〜20アリールから選択され；
R4は、H、OH、NO2、NH2、およびQ-Y-X
｛ここで、
Qは、-NH-C(=O)-または-O-であり；
Yは、置換されていてもよいC1〜5アルキレン基であり；
Xは、SRS1またはNRN3RN4（ここで、RS1、もしくはRN3およびRN4は、独立して、水素、置換されていてもよいC1〜7アルキル基、C5〜20アリール基、もしくはC3〜20ヘテロシクリル基から選択されるか、またはRN3およびRN4は、一緒になって、それらが結合されている窒素原子と共に、4〜8個の環原子を有する置換されていてもよいヘテロ環式環を形成していてもよい）から選択され；
Qが-O-である場合、Xは、追加的に、-C(=O)-NRN5RN6（ここで、RN5およびRN6は、独立して、水素、置換されていてもよいC1〜7アルキル基、C5〜20アリール基、もしくはC3〜20ヘテロシクリル基から選択されるか、またはRN5およびRN6は、一緒になって、それらが結合されている窒素原子と共に、4〜8個の環原子を有する置換されていてもよいヘテロ環式環を形成していてもよい）から選択されてもよく、そして
Qが-NH-C(=O)-である場合、-Y-Xは、追加的に、C1〜7アルキルから選択されてもよい｝
よりなる群から選択される。
【請求項２】
Z2、Z3、Z4、Z5、およびZ6が、それらが結合されている炭素原子と一緒になって、置換されたフェニル、チオフェニル、フラニル、チアゾリル、イミダゾリル、ピリジル、ピリミジニル、イソオキサゾリル、オキサゾリル、イソチアゾリルから選択される置換されたアリール基を形成している、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Z2、Z3、Z4、Z5、およびZ6が、それらが結合されている炭素原子と一緒になって、置換されたフェニル、チアゾリル、チオフェニル、またはピリジルから選択される基を形成している、請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
R3が、C5ヘテロアリール、ピリジル、およびフェニルから選択される、請求項１〜３のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項５】
Z2がCR2であり、Z3がCR3であり、Z4がCR4であり、かつZ5およびZ6がいずれもCHである、請求項１に記載の化合物。
【請求項６】
R3が無置換のフェニルであり、RN1およびRN2がモルホリノ基を形成し、かつR4がHでない、請求項５に記載の化合物。
【請求項７】
R4がQ-Y-Xである、請求項１〜６のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項８】
Qが-NH-C(=O)-であり、かつXがNRN3RN4である、請求項７に記載の化合物。
【請求項９】
Qが-O-であり、XがNRN3RN4であり、かつYが置換されていてもよいC1〜3アルキレン基である、請求項７に記載の化合物。
【請求項１０】
RN1およびRN2が、それらが結合されている窒素原子と共に、4〜8個の原子を有するヘテロ環式環を形成している、請求項１〜９のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項１１】
RN1およびRN2が、それらが結合されている窒素原子と共に、モルホリノおよびチオモルホリノから選択される基を形成している、請求項１〜９のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか1項に記載の化合物と製薬上許容される担体または希釈剤とを含む、組成物。
【請求項１３】
治療法に使用するための、請求項１〜１１のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項１４】
DNA-PKを阻害することにより改善される疾患を治療するための医薬の調製における、請求項１〜１１のいずれか1項に記載の化合物の使用。
【請求項１５】
（a）  癌治療における補助剤としての使用または腫瘍細胞に対する電離放射線もしくは化学療法剤による治療の効力を増強するための使用；あるいは
（b）  レトロウイルス媒介疾患の治療；
のための医薬の調製における、請求項１〜１１のいずれか1項に記載の化合物の使用。
【請求項１６】
DNA-PKを阻害することにより改善される疾患の治療に使用するための、請求項１〜１１のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項１７】
（a）  癌治療における補助剤としての使用または腫瘍細胞に対する電離放射線もしくは化学療法剤による治療の効力を増強するための使用；あるいは
（b）  レトロウイルス媒介疾患の治療における使用；
のための、請求項１〜１１のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項１８】
in vitroまたはin vivoでDNA-PKを阻害する方法であって、細胞を有効量の請求項１〜１１のいずれか1項に記載の化合物に接触させることを含む、上記方法。