Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年3月31日(2009.3.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】  
【請求項１】
イオン堆積スパッタリング法を用いて刻設された材料層を半導体の特徴表面に適用する方法であり、堆積層のイオンが衝突することによって浸食および汚染されないように、前記刻設された材料層が適用される表面が保護される、前記方法であって、
ａ）第１の保護材料層を堆積するステップであって、イオン化されたターゲット材料のパーセンテージが１０％未満であるスパッタリング法または前記第１の保護材料層が適用される表面が浸食または汚染されない程度に基板バイアスの量を十分小さくしたイオン堆積スパッタリング法を用いて前記第１の保護材料層を堆積するステップと、
ｂ）ステップa)の後の順で、前記ステップａ）において印加された基板バイアスの量より大きい量の基板バイアスによるイオン堆積スパッタリングを用いて第２の材料層を堆積し、前記第１の保護材料層の一部分と前記イオン堆積スパッタリングで堆積されている前記第２の材料層から形状を刻設するステップであって、イオン堆積スパッタされた前記材料は、前記特徴表面に到達するイオン含有量が約１０％〜約１００％の範囲のイオンを含む、ステップと、 
半導体の特徴表面に刻設された材料層を適用する方法。 
【請求項２】
前記第２の材料層の厚みは、均一である請求項１に記載の方法。 
【請求項３】
前記第２の材料層は、バリヤ層かまたはウェッティング層である請求項１または２に記載の方法。 
【請求項４】
前記半導体の特徴表面のあらゆる場所での前記バリヤ層かまたはウェッティング層の最小厚みは、５Åである請求項３に記載の方法。 
【請求項５】
前記半導体の特徴のサイズは、アスペクト比が少なくとも１で５μｍよりも小さい、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記半導体の特徴のサイズは、アスペクト比が少なくとも３で０．５μｍよりも小さい、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の材料層は、導電材料のシード層である請求項１または２に記載の方法。
【請求項８】
前記導電材料は、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｗ、Ｐｔからなる群から選択される請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記導電材料は、銅である請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記銅のシード層を適用する間の前記基板の温度は、５００℃よりも低い請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記基板の温度は２００℃よりも低い請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記半導体の特徴表面のあらゆる場所での前記シード層の最小厚みは、５Åである請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記半導体の特徴のサイズは、アスペクト比が少なくとも１で５μｍよりも小さい、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記半導体の特徴のサイズは、アスペクト比が少なくとも３で０．５μｍよりも小さい、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の保護材料層の前記堆積の間にかけられる前記基板バイアスの量は、２０Ｖよりも小さい請求項１または２に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の保護材料層の前記堆積の間、基板バイアスをかけない請求項１または２に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２の材料層の前記堆積の間にかけられる前記基板バイアスの量は、２０Ｖよりも大きい請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１の保護材料層は、少なくとも１ｍＴｏｒｒのプロセスチャンバ圧でイオン堆積スパッタリング技術を用いて堆積される請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の保護材料層は、少なくとも１０ｍＴｏｒｒのプロセスチャンバ圧でイオン堆積スパッタリング技術を用いて堆積される請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２の材料層は、少なくとも１ｍＴｏｒｒのプロセスチャンバ圧でイオン堆積スパッタリング技術を用いて堆積される請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記第２の材料層の前記堆積の間にかけられた前記基板バイアスの量は、２０Ｖよりも大きい請求項１または２に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１の保護材料層は、少なくとも１ｍＴｏｒｒのプロセスチャンバ圧でイオン堆積スパッタリング技術を用いて堆積される請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記第１の保護材料層は、少なくとも１０ｍＴｏｒｒのプロセスチャンバ圧でイオン堆積スパッタリング技術を用いて堆積される請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記第２の材料層は、少なくとも１０ｍＴｏｒｒのプロセスチャンバ圧でイオン堆積スパッタリング技術を用いて堆積される請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記第１の保護材料層は、１０ｍＴｏｒｒ以下のプロセスチャンバ圧でイオン化されたターゲット材料のパーセンテージが１０％未満であるスパッタリング技術を用いて堆積される請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
前記第２の材料層は、少なくとも１ｍＴｏｒｒのプロセスチャンバ圧でイオン堆積スパッタリング技術を用いて堆積される請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
前記バリヤ層は、Ｔａ、ＴａＮ、ＴａＳｉＮ、Ｍｏ、ＭｏＮ、ＭｏＳｉＮ、ＴｉＮ、ＴｉＳｉＮ、Ｗ、ＷＮ、ＷＳｉＮおよびこれらのうちの少なくとも２つの材料の合金からなる群から選択された材料からなる請求項３に記載の方法。
【請求項２８】
前記ウェッティング層は、Ｔａ、Ｍｏ、Ｔｉおよびこれらのうちの少なくとも２つの材料の合金からなる群から選択された材料からなる請求項３に記載の方法。
【請求項２９】
前記バリヤ層は、Ｔｉ、ＴｉＮおよびこれらのうちの少なくとも２つの材料の合金からなる群から選択される請求項３に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
「特徴」という用語は、基板表面の外形を構成するコンタクト、バイア、トレンチや他の構造を指す。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年9月30日(2009.9.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ａ）サブハーフミクロンのアパーチャを充填するために、１〜８０Ｔｏｒｒの第１の圧力で基板上に金属膜を堆積すること、及び
ｂ）前記金属膜の融点よりも低い温度で且つ１Ｔｏｒｒより低い第２の圧力で、チャンバ内においてその基板をアニーリングすること、
を含む、基板上のサブハーフミクロンのアパーチャを充填する方法。
【請求項２】  前記金属膜が化学気相堆積により堆積される請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記金属膜が２００〜２０００オングストロームの厚さまで堆積される請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記金属膜が８００オングストロームの厚さまで堆積される請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記温度が３００〜５００℃の間である請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記第２の圧力が５ｍＴｏｒｒより低い請求項１に記載の方法。
【請求項７】  前記堆積される金属がアルミニウム、銅及びこれらの組み合わせからなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項８】  ａ）アパーチャが架橋するために充分な厚さまで１〜８０Ｔｏｒｒの第１の圧力で基板上に金属膜を堆積すること、及び
ｂ）堆積した金属膜の融点よりも低い温度で且つ１Ｔｏｒｒより低い第２の圧力で、その基板をアニーリングすること、
を含む基板上のアパーチャを充填する方法。
【請求項９】  前記金属膜がアルミニウム、銅及びこれらの組み合わせからなる群から選択された金属を備え、前記金属膜が化学気相堆積により堆積される請求項８に記載の方法。
【請求項１０】  前記金属膜が２００〜２０００オングストロームの厚さまで堆積される請求項８に記載の方法。
【請求項１１】  前記金属膜が８００オングストロームの厚さまで堆積される請求項８に記載の方法。
【請求項１２】  前記温度が３００〜５００℃の間である請求項８に記載の方法。
【請求項１３】  前記第２の圧力が５ｍＴｏｒｒより低い請求項８に記載の方法。
【請求項１４】  前記金属膜が銅若しくはアルミニウムを備え、前記金属膜が電気化学堆積により堆積される請求項８に記載の方法。
【請求項１５】  ｃ）前記基板をアニーリングすることの後に、前記金属膜上に平坦化膜を物理気相堆積により堆積することを更に備える請求項９に記載の方法。
【請求項１６】  ａ）基板上に金属膜を１〜８０Ｔｏｒｒの第１の圧力で化学気相堆積により堆積すること、
ｂ）前記金属膜の融点よりも低い温度で且つ１Ｔｏｒｒより低い第２の圧力で、前記基板をアニーリングすること、及び
ｃ）前記基板をアニーリングすることの後に、前記金属膜の上に平坦化膜を物理気相堆積により堆積すること、
を含む金属膜を形成する方法。
【請求項１７】  ｄ）前記金属膜を化学気相堆積により堆積することの前にコンフォーマルなぬれ膜を堆積することを更に含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】  前記平坦化膜が堆積され、その同じチャンバ内において前記基板がアニーリングされる請求項１５又は１６に記載の方法。
【請求項１９】  前記金属膜は前記サブハーフミクロンのアパーチャを充填するのに不十分な厚さで堆積される請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
ＣＶＤ Ａｌ堆積の後、好ましくは基板が真空状態を破ることなく、ＣＶＤチャンバからアニーリングチャンバへと移される。或いは、アニーリングチャンバ（分離チャンバで代用できる）は、ボイドを除去するように要求された温度、圧力を有することができればＣＶＤチャンバ又はＰＶＤチャンバにもなる。基板はＣＶＤ処理中にアパーチャ内にできたボイドを除去するためにアニーリングチャンバ内においてアニーリングされる。アニーリングステップは好ましくは、高真空（減圧）チャンバ内で基板温度が約３００〜５００℃で、一般的には１Ｔｏｒｒちょうど又は１Ｔｏｒｒより低い圧力、好ましくは５ｍＴｏｒｒと同じくらい低い圧力で行われる。アニーリングステップは約１０秒から約２分、又はそれ以上の時間をかけて行うのが普通である。アニーリングステップは捕捉したガスを有するボイドと低圧アニーリングチャンバ内の圧力が異なるため、ＣＶＤ Ａｌ膜架橋部を通ってガスが逃げるので、Ａｌ原子が上昇温度下で高い可動状態になるためボイドが除去され、アパーチャが充填される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年7月22日(2009.7.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  血管に対する核酸リガンドであって、配列番号２４２〜２５８に示されるヌクレオチド配列から成る群から選択されるＲＮＡリガンドであることを特徴するリガンド。
【請求項２】  前記リガンドが更に標識を含む、請求項１記載の核酸リガンド。
【請求項３】  前記リガンドが更に錯化剤を含む、請求項１記載の核酸リガンド。
【請求項４】  前記錯化剤が標識を含む、請求項３記載の核酸リガンド。
【請求項５】  前記標識が99m-Tcである、請求項４記載の核酸リガンド。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２９】
両方の配列ファミリーからの代表的なクローンは、組織学的オートラジオグラフィーによって、結合に関してクローン12.2と特異的に競合することができた。放射能標識したクローン12.2は、30倍のモル過剰の非標識クローンによる完全な競合を伴う用量依存的な方法において、非標識のクローン12.2（配列番号：242 ）、12.13 （配列番号：246 ）、12.15 （配列番号：248 ）及び12.37 （配列番号：250 ）によって、新鮮な凍結切片から競合脱離（compete off)された。しかしながら、300 倍のモル過剰のクローン12.2のスクランブル配列型の添加によるシグナルの減少は存在しなかった。識別できる配列類似性を有さない2 種の配列ファミリーが、標的結合に関して互いに競合できることがわかった点は興味深い。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１７７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１７７】
【表１６】
2001524320.tif 000001
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年6月1日(2009.6.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大腿骨の先端部において切除された関節面に新しい面を形成するための人工膝関節システムであって、
（ｉ）該切除された関節面に係合するように構成された内面と、（ｉｉ）対向する連接面とを有する大腿要素を有し、該要素は更に、
該連接面の第１区分からなる第１部分と、
該連接面の第２区分からなる第２部分と、該第２部分は該第１部分と選択的に係合可能であることと、
該第１部分に形成された複数の孔と、
該第２部分から延びる複数の突起と、該第１部分を該第２部分と係合させるために、該複数の突起は該複数の孔内に選択的に収容されることと、
該複数の突起が該複数の孔内に収容されると該第１部分を該第２部分に固定して連結するための手段とを有する人工膝関節システム。
【請求項２】
前記第１部分は膝蓋顆を有し、前記第２部分は脛骨顆を有する請求項１に記載の人工膝関節システム。
【請求項３】
前記第１部分を前記第２部分に固定して連結するための手段は、前記第１部分と前記第２部分との間に延びるボルトを有する請求項１に記載の人工膝関節システム。
【請求項４】
前記大腿骨の先端部において切除された関節面に前記大腿要素を固定するための手段を更に有する請求項１に記載の人工膝関節システム。
【請求項５】
前記大腿骨の先端部において切除された関節面に大腿要素を固定するための手段は、ボルトを有する請求項４に記載の人工膝関節システム。
【請求項６】
前記第１部分は前記第２部分の上方に取り付けられる請求項４に記載の人工膝関節システム。
【請求項７】
大腿骨の先端部において切除された関節面に新しい面を形成するための人工膝関節システムであって、
（ｉ）該切除された関節面に係合するように構成された内面と、（ｉｉ）対向する連接面とを有する大腿要素を有し、該要素は更に、
該連接面の第１区分からなる第１部分と、
該連接面の第２区分からなる第２部分と、
該第１部分に形成された複数の孔と、
該第２部分から延びる複数の突起と、該第１部分を該第２部分と係合させるために、該複数の突起は該複数の孔内に収容されることと、
該第１部分を該第２部分に固定するために、該第１部分と該第２部分との間に延びるボルトとを備える人工膝関節システム。
【請求項８】
前記第１部分は膝蓋顆を有し、前記第２部分は脛骨顆を有する請求項７に記載の人工膝関節システム。
【請求項９】
前記ボルトは前記複数の突起から離間している請求項３に記載の人工膝関節システム。
【請求項１０】
前記第２部分に形成された孔と、
前記第１部分に形成され穿孔された孔と、前記ボルトは前記第２部分に形成された孔を貫通して、前記第１部分に形成された孔内へ延びる請求項３に記載の人工膝関節システム。
【請求項１１】
前記ボルトは、ネジを有し、かつ、前記第１部分に対して螺合する請求項３に記載の人工膝関節システム。
【請求項１２】
前記第１部分を第２部分に固定して連結するための手段は、前記第２部分を貫通して前記第１部分内へ延びる複数のボルトを備える請求項１に記載の人工膝関節システム。
【請求項１３】
前記大腿骨の先端部において切除された関節面に大腿要素を固定するための手段は、前記大腿要素の内面から突出するペグを備える請求項４に記載の人工膝関節システム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
図１０に示されるように、ボルト１０６，１０８は、部分１０３，１０４を連結するために、配向ライン１１８ａ，１１８ｂに沿って、孔１１０ａ，１１０ｂ，１１２ａ，１１２ｂ，１１４ａ，１１４ｂ，１１６ａ，１１６ｂをそれぞれ貫通して延び、連結された膝蓋顆１０３及び脛骨顆１０４は、全体として大腿要素１０２を形成する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
Ｕ字形大腿要素１０２は、ジョイント１１９に沿って分割されて、前部分１１５及び後部分１１７を有する。少なくとも１つの、好適には、孔１１０ａ，１１０ｂ，１１２ａ，１１２ｂ，１１４ａ，１１４ｂ，１１６ａ，１１６ｂにより構成される第１及び第２通路が、前部分１１５及び後部分１１７から側面に沿って延びて、これらの部分１１５，１１７が配置されると、ネジ山が形成されたボルト１０６，１０８は、側方から通路へ螺合されて係合部分を固定する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
図１１は、係合歯１３６，１３８を有し、外側から内側へ分割されたほぼ類似する大腿要素１３１からなるシステム１３０の斜視図を示す。大腿要素１３１は、（ｉ）第１部分、即ち、連接面の第１区分からなる膝蓋顆１３２と、（ｉｉ）第２部分、即ち、連接面の第２区分からなる脛骨顆１３４と、第２部分１３４は第１部分１３２と選択的に係合可能であることと、（ｉｉｉ）孔１４６，１４８及び他の図示されない孔をそれぞれ貫通することにより、第１部分１３２を第２部分１３４に選択的に連結するために構成されたボルト１４２，１４４とを有する。ボルト１４２，１４４は、第１部分を第２部分に選択的に連結するための手段の一例である。ボルト１５０は、大腿要素１３１を大腿骨に固定するための手段の一例である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
大腿要素１６１は、中央において線形ジョイント１８０に沿って前方から後方へ分割されて、同要素は前部と後部とからなる。少なくとも１つの、好適には、孔１７４ａ，１７４ｂ，１７６ａ，１７６ｂにより構成される第１及び第２通路が、前部及び後部を横方向に貫通して延び、これら前部及び後部が整合されると、ボルト１７０，１７２は側方からそれぞれの通路に螺合されて前部及び後部を共に固定する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
突起２２４，２２６，２２８，２３０がそれぞれ、孔２３２，２３８，２３９（４番目の孔は図示せず）を貫通して延び、ボルト２４０が孔２４２を通って穿孔された孔２４４に達して、結合された顆部２１４，２１２が、図１５Ａ及び図１６Ａに示される大腿要素２１１を形成する。突起２２４，２２６，２２８，２３０と少なくとも１つのボルト２４０を使用することにより、第１部分２１４と第２部分２１２とを強固に連結する。ボルト２４０ａは、孔２４２ａを貫通して第２部分２１４の穿孔された孔に達する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年9月30日(2009.9.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動脈瘤内で使い捨てで、第１の弾性を備えた第１の部分と第２の弾性を備えた第２の部分とを有する内張り嚢からなり、前記内張り嚢の第１の部分が第１の耐力強度を有し、第２の部分が第２の耐力強度を有し、前記第１の部分は、該第１の部分が動脈瘤の内側の周囲に一致するように可塑的に膨張して、動脈瘤の形を永久に取るように変形するような、低い体力強度と低い弾力とを有するポリマーから作られる動脈瘤内張り。
【請求項２】
前記第１の部分は本質的に完全な嚢構成を形成し、前記第２の部分は前記第１の部分を強化するために第１の部分に結合される請求項１の動脈瘤内張り。
【請求項３】
前記内張り嚢は、前記動脈瘤嚢内に配置されるための嚢部分、および前記動脈瘤の首部に配置されるための首部を含み、前記第２の部分は前記内張り嚢の首部に配置される請求項１の動脈瘤内張り。
【請求項４】
前記第１の部分は、第１の内圧下では第１の形状に拡張可能であり、前記第２の部分を柔軟に変形するのには不十分な第２の内圧下では第２の形状に柔軟に変形する請求項１の動脈瘤内張り。
【請求項５】
前記動脈瘤内張り嚢が、０〜５気圧の範囲内の前記第２の内圧下では、前記第２の形状を取る請求項４の動脈瘤内張り。
【請求項６】
第２の内圧が０〜２気圧の範囲内である請求項４の動脈瘤内張り。
【請求項７】
前記第１および第２の部分が、それぞれ第１および第２の材料から作られる請求項１の動脈瘤内張り。
【請求項８】
前記第１および第２の部分が、編まれた、メッシュの、または高分子の材料からなる請求項７の動脈瘤内張り。
【請求項９】
前記第１および第２の部分が、単一の材料から作られる請求項１の動脈瘤内張り。
【請求項１０】
前記第１および第２の部分が、異なる厚みを有する請求項９の動脈瘤内張り。
【請求項１１】
前記材料が、バルーン材料からなる請求項１０の動脈瘤内張り。
【請求項１２】
第１の内圧下では前記内張り嚢が第１の形状に拡張し、第２の高められた内圧下では前記第１の部分が優先的に拡張する請求項１１の動脈瘤内張り。
【請求項１３】
前記動脈瘤の首部に隣接した、前記内張り嚢のある領域が前記第２の部分から作られる請求項１２の動脈瘤内張り。
【請求項１４】
前記内張り嚢が運搬カテーテルに分離可能に結合されるように構成される請求項１の動脈瘤内張り。
【請求項１５】
前記内張り嚢がガイドワイヤに分離可能に結合されるように構成される請求項１の動脈瘤内張り。
【請求項１６】
前記第１の部分が、前記内張り嚢上に複数位置に間隔をおいて提供される請求項１の動脈瘤内張り。
【請求項１７】
前記第１の部分は第１の材料から作られ、前記第２の部分は、そこに間隔をおいて設けられた孔を有する第２の材料の嚢からなり、前記第１の材料が該第１の材料の孔に隣接して配置される請求項１６の動脈瘤内張り。
【請求項１８】
前記第１の材料の間隔をおかれた配置が、内圧によって前記第２の材料内の孔を通ってはみ出る請求項１７の動脈瘤内張り。
【請求項１９】
前記第２の部分が、前記第１の部分が配置される複数の間隔をおかれた配置を形成する、間隔をおかれた開口部を有する、メッシュまたは織られた層からなる請求項１６の動脈瘤内張り。
【請求項２０】
第１の部分を有する取り外し可能なバルーンからなり、前記第１の部分は、該第１の部分が動脈瘤の内側の周囲に一致するように可塑的に膨張して、内張り嚢が動脈瘤の形を永久に取るように変形し前記第１の部分が動脈瘤の形を永久に取るように変形するような、低い体力強度と低い弾力とを有するポリマーから作られることを特徴とする動脈瘤内張り。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
本発明の１つの実施形態によれば、内張り２４は、実例的に、非常に低い耐力強度と低い弾力とを有するポリマーから作られる。その結果、内張り２４を形成する高分子材料は、塞栓材料による最小限の付加的な力（例えば、０〜５ＡＴＭ、実例的に０〜２ＡＴＭ、または１〜２ＡＴＭ）で、動脈瘤嚢１６の内側の周囲に一致するように容易に可塑的に膨張する。これは図２Ｃに示される。言いかえれば、内張り２４は、内張り２４内への塞栓材料の継続的な導入によって、内張り２４が動脈瘤嚢１６の形を簡単にかつ永久に取るように変形するような特性を有するポリマーから作られる。内張り２４を形成する材料はまた、その運搬または拡張の間に裂けないように、十分に大きな破壊強度を有する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年12月15日(2008.12.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
状態変数ｑiの誤差力学は、固有値の割り当てによって個々に制御することができる。λ1及びλ2は、式（１３）の固有値を示すものとする。式（１４）によって、実数であり同等の固有値を有する、臨界制動の解、つまり、ゼロの正弦波振動が得られる。この解法により、最速の非振動反応が得られる。
【数３４】
2005527004.tif 000001
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
臨界制動応答を得るためのＫpとＫvとの関係を式（１５）に示す。
Ｋv ＝  ２√Ｋp      (15)
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
方程式（１６）に対する解は強制項を含むが、加速度項
【数３６】
2005527004.tif 000002
を制限したとすると、式（１６）の固有値が負数の部分及び実数の部分を有するように割り当てることにより、誤差がゼロに収束する。加速度を考慮した上記の場合のように、式（１５）に示す関係を用いて臨界制動応答に適するようにフィードバック利得を設定することができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７３】
［Ｅ．閉型システム力学］
別の実施例では、追跡システムを閉型力学に適用することができる。非拘束剛体システムの閉型システムの方程式は、式（２２）の行列形式におけるｎ個の微分方程式によって表される。式（２２）において、Ｍは、質量マトリクスに相当し、Ｐはそれぞれコリオリ、遠心、及び重力の項による寄与分に相当する。入力Ｕは、純関節トルクに相当する。ここで説明した回帰的方法の実施例と同様に、式（２３）の制御法則を用いてシステム力学を線形化し、分断する。式（２３）の
【数４４】
2005527004.tif 000003
項は、式（２４）で定義され、式（２４）においてＫp及びＫvは、臨界制動応答を持つように構成されたｎ・ｎ個の対角行列である。
【数４５】
2005527004.tif 000004
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７５】
シミュレーションは、追跡システムの作用と、従来の逆動力学方法とを比較するためのものである。地面からの反力に加えて、しゃがむ動作の運動データも入力される。上述のシミュレーションでは、加速度推定値が考慮される（図５におけるａ＝１）場合と、加速度推定値が無視される（図５におけるａ＝０）場合とについて、追跡システムの作用が検討される。整合性を保つため、地面からの反力の測定値は理想的なものであり、分析的に得るものであると仮定する。分析的に計算された地面からの反力ベクトル
Ｕ1 ＝［Ｆ1  Ｇ1  τ1 ］T
は、上述のように胴体部７１５から地面に向かって繰り返される方程式を用いて得られる。Ｕ1を制約として用い、Ｕ2及びＵ3を反復的に推定する。シミュレーションは、異なる２種類のフィードバック利得行列ついて行われ、臨界制動応答を得る。図８〜図２３にシミュレーション結果を示す。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年6月2日(2009.6.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集中及び分離した特徴を含む、フォトマスク加工、半導体装置の製造又は基板へのＭＥＭＳ特徴の加工における光近接効果を減少する方法であって、
３６４ｎｍ〜４３６ｎｍの範囲の波長を有する撮像放射線の使用を可能にしながら光近接効果を減少するようにＤＵＶフォトレジストとともに機能する増感剤を前記ＤＵＶフォトレジストに添加するステップを備える、方法。
【請求項２】
前記増感剤がアントラセン、ナフタレン及びその派生物からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記増感剤が、アントラセン、１，４−ジメトキシアントラセン、９−アントラセンメタノール、９，１０−ジメチルアントラセン及びナフタレンからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
に記載の方法。
【請求項４】
前記増感剤が、前記ＤＵＶフォトレジスト中のベース樹脂と会合し、アントラセン発色団、ナフタレン発色団、或いはその組み合わせを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記増感剤が、前記ＤＵＶフォトレジスト中の光化学増幅化合物と会合し、アントラセン発色団、ナフタレン発色団、或いはその組み合わせを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ＤＵＶフォトレジストが、置換ポリヒドロキシスチレン又はその共重合体を備える、請求項１、２、４又は５に記載の方法。
【請求項７】
前記光化学増幅化合物が、オニウム塩メタルハライド複合体、トリフリック及びその派生物、トシレート及びその派生物、並びに、メシレート及びその派生物からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ＤＵＶフォトレジストが、オニウム塩メタルハライド複合体である光化学増幅化合物を備える、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記オニウム塩メタルハライド複合体がアリールスルホニウム塩である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
０．１重量％〜２重量％の前記増感剤が前記ＤＵＶフォトレジストに添加される、請求項１、２又は３に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年3月16日(2009.3.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の性質：
（ｉ）ＧＰＣ分析により測定され、Ｍｗ／Ｍｎで表示される分子量分布（ＭＷＤ）が６より低い、
（ｉｉ）溶融強度が３ｇより高い、そして
（ｉｉｉ）アイソタクチックペンタッド（ｍｍｍｍ％）で表されるアイソタクチック指数が９７より高い
により特徴づけられるブテン−１ホモポリマー、またはブテン−１以外の２〜１０の炭素原子を有するα−オレフィンを２０重量％まで含むコポリマー。
【請求項２】
４〜５．８の範囲のＭＷＤを有する、請求項１に記載のブテン１−ホモまたはコポリマー。
【請求項３】
３．５ｇより高い溶融強度を有する、請求項１または２に記載のブテン−１ホモまたはコポリマー。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一つに記載のブテン−１ホモまたはコポリマーおよび０．５〜２０重量％のポリプロピレンを含む組成物であって、前記重量％は得られた組成物を基準とする前記組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のブテン−１ホモまたはコポリマーを含むパイプ。
【請求項６】
（A）ＭｇＣｌ2に支持されたＴｉ化合物およびフタレートから選ばれる内部電子供与化合物を含む固体成分、
（B）アルキルアルミニウム化合物、および
（C）テキシルトリメトキシシラン
を含む立体特異性触媒の存在下で行われる、請求項１〜４のいずれか一つに記載のブテン−１ホモまたはコポリマーの製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
さらに、aが０であり、cが３であり、Ｒ6が任意にヘテロ原子を含んでいてもよい分枝鎖状のアルキルまたはシクロアルキル基であり、Ｒ7がメチルであるシリコン化合物も好ましい。
そのような好ましいシリコン化合物の例は、シクロヘキシルトリメトキシシラン、ｔ−ブチルトリメトキシシランおよびテキシルトリメトキシシランである。テキシルトリメトキシシランの使用は特に好ましい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
ブテン−１のバルク重合
７０℃の窒素気流で1時間パージされた４リットルのオートクレーブ中、ＡｌｉＢｕ3（７ミリモル）、テキシルトリメトキシシラン（０．１２ミリモル）、および上記で製造された固体触媒成分（７mg）を含む無水へキサン（７５ｍｌ）を、３０℃の窒素気流中に導入した。オートクレーブを密閉した。０．１５Ｎｌの水素を加え、次いで撹拌しながら１．３kgの液体ブテン−１を供給した。5分間に温度を７０℃まで上げ、この温度で1．5時間重合を行った。次いで、８ＮＬの水素を供給し、温度を７５℃に上げた。さらに３０分間、この条件下で重合を継続した。その後、反応を停止し、未反応のブテン−１を排出し、ポリマーを回収し、７０℃で真空下に6時間乾燥した。重合活性は、触媒グラム当たりポリマー５０ｋｇであった。最終ブテン−１生成物は、次の特徴を有していた。
アイソタクチック指数（％ｍｍｍｍ）９９
MWD： ５．１
溶融強度：３．８５
MIE(ｇ／１０分)：  ０．４２
得られたポリブテン−１が付された機械的試験の結果を表１に示す。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
実施例  ２
７０℃の窒素気流で1時間パージされた４リットルのオートクレーブ中、ＡｌｉＢｕ3（７ミリモル）、テキシルトリメトキシシラン（０．１７５ミリモル）、および上記で製造された固体触媒成分（７ｍｇ）含む無水へキサン（７５ｍｌ）を、３０℃の窒素気流中に導入した。オートクレーブを密閉した。０．１５Ｎｌの水素を加え、次いで撹拌しながら１．３kgの液体ブテン−１を供給した。温度を5分間に７５℃に上げ、この温度で１．５時間重合を行った。次いで、８Ｎｌの水素を供給し、同じ温度でさらに３０分間、重合を継続した。その後、反応を停止させた。未反応のブテン−１を排出して、ポリマーを回収し、７０℃で真空下に６時間乾燥した。重合活性は、触媒グラム当たりポリマー４０ｋｇであった。最終ブテン−１生成物は、次の特徴を有していた。
アイソタクチック指数（％ｍｍｍｍ）：９９％
ＭＷＤ：４．８
溶融強度：３．６１
MIE:  ０．３６
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年5月12日(2009.5.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
R2は、-N(CH3)CH3、 -NCH2CH2NH2、-NH2、モルホリニル及びピペラジニルから選択され、
X1、X2及びX3は独立して、-OH, C1-C2アルキル、C1-C6アルコキシ、-Cl, -Br, -F,-CH20CH3, 及び-CH20CH2CH3から選択され、又はX1, X2もしくはX3の１つはHであり、そして他の２つは独立して、ヒドロキシ、C1-C6アルキル、C1-C6アルコキシ、Cl, Br, F, -CF3, -CH20CH3, -CH20CH2CH3, -OCH2CH2R3, -OCH2CF3, 及び-OR4から選択され、又はX1, X2もしくはX3の１つはHであり、そして他の２つは、それらが置換されているベンゼン環からの２つの炭素原子及びそれらの間の結合と共に、S, N及びOから選択された少なくとも１つのヘテロ原子を含む、５−又は６−員の飽和環を形成し、
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
R5は、H, C1-C6アルキル、-NH2, -N(CH3)2、ヒドロキシにより任意に置換されたC1-C6アルキル、及びNH2により任意に置換されたC1-C6アルキルから選択され、
R2は、-N(CH3)CH3、 -NCH2CH2NH2、-NH2、モルホリニル及びピペラジニルから選択され、
X1、X2及びX3は独立して、-OH, C1-C2アルキル、C1-C6アルコキシ、-Cl, -Br, -F,-CH20CH3, 及び-CH20CH2CH3から選択され、又はX1, X2又はX3の１つはHであり、そして他の２つは独立して、ヒドロキシ、C1-C6アルキル、C1-C6アルコキシ、Cl, Br, F, -CF3, -CH20CH3, -CH20CH2CH3, -OCH2CH2R3, -OCH2CF3, 及び-OR4から選択され、又はX1, X2又はX3の１つはHであり、そして他の２つは、それらが置換されているベンゼン環からの２つの炭素原子及びそれらの間の結合と共に、S, N及びOから選択された少なくとも１つのヘテロ原子を含む５−又は６−員の飽和環を形成し、
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年12月1日(2008.12.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
導管（２２）を通して追加的に合成ガスを導管（１０）中に供給する点だけを除いて、実施例１と同様に実施する。導管（２２）を通して供給される合成ガス量はヒドロホルミル化反応器中での合成ガスの供給量を基準として１０〜２０％である。この合成ガス供給は導管（１０）での更なるプロピレンの転化をもたらしそして１４２℃への温度上昇をもたらしおよび残留プロピレン含有量を溶液全量を基準として４重量％に減少させる。実施例１に従う実施態様に比較して抽出塔（１２）中に導管（１０）を通して供給される均一で液状の物質流はより高い温度および少ない残留プロピレン含有量を示す。同様に、実施例１に比較して抽出塔を導管（１４）を通して離れる液状物質流は１１５℃に上昇した温度を有する。その中ではプロピレンはもはや検出できない。
【実施例３】
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年6月29日(2009.6.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素化末端基を主鎖の一方または両方の末端に有する多環式付加重合体であって、下記式
【化１】
2005511833.tif 000001
［式中、Ｒ1〜Ｒ4は、独立して、水素、直鎖または分岐鎖（Ｃ1〜Ｃ30）アルキル、直鎖または分岐鎖（Ｃ1〜Ｃ24）ハロヒドロカルビル、直鎖または分岐鎖（Ｃ2〜Ｃ30）オレフィン、−（ＣＨ2）n−Ｃ（Ｏ）ＯＲ*、−（ＣＨ2）n−Ｃ（Ｏ）ＯＲ、−（ＣＨ2）n−ＯＲ、−（ＣＨ2）n−ＯＣ（Ｏ）Ｒ、−（ＣＨ2）n−Ｃ（Ｏ）Ｒ、−（ＣＨ2）n−ＯＣ（Ｏ）ＯＲ、−（ＣＨ2）n−Ｃ（Ｒ）2−ＣＨ（Ｒ）（Ｃ（Ｏ）ＯＲ**）、−（ＣＨ2）n−（ＣＲ2）n−ＣＨ（Ｒ）（Ｃ（Ｏ）ＯＲ**）、−（ＣＨ2）n−Ｃ（ＯＲ***）−（ＣＦ3）2、−（ＣＲ’2）n−Ｏ−Ｒ、または−（ＣＨ2）n−Ｃ（Ｒ）2−ＣＨ（Ｃ（Ｏ）ＯＲ**）2を表し；ここでＲは水素、直鎖または分岐鎖（Ｃ1〜Ｃ10）アルキル、または−（ＣＨ2）s−ＯＨを表し；Ｒ’は水素またはハロゲンを表し；Ｒ*は酸不安定部分を表し；Ｒ**は独立してＲまたはＲ*を表し；Ｒ***は−ＣＨ2ＯＲ、−Ｃ（Ｏ）ＯＲまたは−Ｃ（Ｏ）Ｒを表し；ｎは０〜１０の整数であり；ｍは０〜５の整数であり；ｓは１〜１０の整数であり；Ｚは酸素、硫黄、−ＮＲ”−または−（ＣＲ”2）p−を表し、ここでＲ”は水素であり、ｐは１または２であり、
Ｒ5〜Ｒ8は、独立して、水素、直鎖または分岐鎖（Ｃ1〜Ｃ30）アルキル、直鎖または分岐鎖（Ｃ2〜Ｃ30）オレフィン、−（ＣＨ2）n−Ｃ（Ｏ）ＯＲ*、−（ＣＨ2）n−Ｃ（Ｏ）ＯＲ、−（ＣＨ2）n−ＯＲ、−（ＣＨ2）n−ＯＣ（Ｏ）Ｒ、−（ＣＨ2）n−Ｃ（Ｏ）Ｒ、−（ＣＨ2）n−ＯＣ（Ｏ）ＯＲ、−（ＣＨ2）n−Ｃ（Ｒ）2−ＣＨ（Ｒ）（Ｃ（Ｏ）ＯＲ**）、−（ＣＨ2）n−（ＣＲ2）n−ＣＨ（Ｒ）（Ｃ（Ｏ）ＯＲ**）、−（ＣＲ’2）n−Ｏ−Ｒ、または−（ＣＨ2）n−Ｃ（Ｒ）2−ＣＨ（Ｃ（Ｏ）ＯＲ**）2を表し；ここでＲは水素または直鎖または分岐鎖（Ｃ1〜Ｃ10）アルキルを表し；Ｒ’は水素またはハロゲンを表し；Ｒ*は酸不安定部分を表し；Ｒ**は独立してＲまたはＲ*を表し；ｎは０〜１０の整数であり；ｍは０〜５の整数であり；Ｚは酸素、硫黄、−ＮＲ”−または−（ＣＲ”2）p−を表し、ここでＲ”は水素であり、ｐは１または２である］
によって表される繰返し単位のうちの１種以上から選択される繰返し単位を含んでなる、前記重合体。
【請求項２】
Ｚがメチレンである、請求項１に記載の重合体。
【請求項３】
前記ハロヒドロカルビル基が、Ｘ”が独立してフッ素、塩素、臭素およびヨウ素から選択され、そしてｒが１〜２０の整数である式ＣrＸ”2r+1によって表される、請求項１または２に記載の重合体。
【請求項４】
前記繰返し単位が、下記式
【化２】
2005511833.tif 000002
［式中、ｎは０〜１０の整数であり、そしてＲ***は請求項１に定義されたとおりである］
によって表される、請求項１に記載の重合体。
【請求項５】
酸不安定ペンダント基を有する多環式繰返し単位を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の重合体。
【請求項６】
Ｒ1〜Ｒ8のうちの少なくとも１つが、式−（ＣＨ2）n−Ｃ（Ｏ）ＯＲ*によって表される基から選択され、そしてＲ*は請求項１に定義されたとおりである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の重合体。
【請求項７】
不飽和末端基を有する重合体と、水素化剤を反応させることを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の重合体の製造方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年11月27日(2008.11.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
転写調節要素、ならびに全フラビウイルスＮＳ１タンパク質または免疫応答を誘発するその部分、および任意に他のペプチド／タンパク質をコードしている配列を含む、発現カセットを含むＤＮＡを含有するポックスウイルスベクターであって、前記ポックスウイルスが、番号第Ｖ０００８３００８号下で、欧州菌培養収集所にて寄託された改変（修飾）ワクシニアウイルスアンカラ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｖａｃｃｉｎｉａ  Ｖｉｒｕｓ  Ａｎｋａｒａ：ＭＶＡ）ＢＮ株またはその誘導体（誘発体）であり、前記ペプチド／タンパク質が全Ｅ−タンパク質でない、ポックスウイルスベクター。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
株ＭＶＡ−ＢＮの誘発体が、少なくとも１つの以下の特徴、
（ｉ）ニワトリ胎児繊維芽細胞（ＣＥＦ）、幼児ハムスター腎臓細胞株ＢＨＫにおいて増殖複製（ｒｅｐｒｏｄｕｃｔｉｖｅ  ｒｅｐｌｉｃａｔｉｏｎ）ができること、ただし、ヒトケラチノサイト細胞株ＨａＣａｔにおいては増殖複製ができないこと、
（ｉｉ）生体内において複製ができないこと、
（ｉｉｉ）致死チャレンジモデルにおいて、公知の株ＭＶＡ５７５と比較した場合に、より高い免疫原性を誘発すること、および／または
（ｉｖ）ＤＮＡ−プライム／ワクシニアウイルスブースト法と比較した場合、ワクシニアウイルスプライム／ワクシニアウイルスブースト法において、少なくとも本質的に同一のレベルの免疫性を誘発すること、
を持つことによって特徴づけられる、請求項１に記載のポックスウイルスベクター。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１１】
前記ワクチンを、核酸又はＮＳ１タンパク質またはその部分が由来するフラビウイルスまたはフラビウイルスセロタイプに対する、および／または１つまたはそれ以上のフラビウイルスおよび／またはフラビウイルスセロタイプに対するワクチン接種のために使用する、請求項１０に記載のポックスウイルスベクター。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１２】
ＮＳ１タンパク質またはその部分が誘導されるフラビウイルスまたはフラビウイルスセロタイプに対する、および／または１つまたはそれ以上のさらなるフラビウイルスおよび／またはフラビウイルスセロタイプに対するワクチンの調製のための、転写調節要素、ならびに全フラビウイルスＮＳ１タンパク質または免疫応答を誘発するその部分、および任意にさらなるペプチド／タンパク質をコードしている配列を含む発現カセットを含むＤＮＡを含有するポックスウイルスベクターの使用であって、前記さらなるペプチド／タンパク質が、全Ｅタンパク質ではない、前記使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年6月11日(2009.6.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
式（Ｉ）：
【化１】
2005511536.tif 000001
（式中、
Ｒ1は、波長範囲２００nm〜６５０nmで光を吸収可能な、非置換であるか、またはＣ1〜Ｃ18アルキル、Ｃ2〜Ｃ18アルケニル、Ｃ2〜Ｃ18アルキニル、Ｃ1〜Ｃ18ハロアルキル、ＮＯ2、ＮＲ10Ｒ11、ＣＮ、ＯＲ12、ＳＲ12、Ｃ（Ｏ）Ｒ13、Ｃ（Ｏ）ＯＲ14、ハロゲン、もしくは式（II）：
【化２】
2005511536.tif 000002
の基によって１回以上置換されており、かつ吸収時にアミジン基の発生を導く光脱離を生起する、芳香族または複素環式芳香族基であり、
Ｒ2およびＲ3は、相互に独立して、水素、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、あるいは非置換であるか、またはＣ1〜Ｃ18アルキル、ＣＮ、ＯＲ12、ＳＲ12、ハロゲンもしくはＣ1〜Ｃ18ハロアルキルによって１回以上置換されているフェニルであり；
Ｒ5は、Ｃ1〜Ｃ18アルキルまたはＮＲ8Ｒ9であり；
Ｒ4、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10およびＲ11は、相互に独立して、水素またはＣ1〜Ｃ18アルキルであり；あるいは
Ｒ4およびＲ6は、一緒になって、非置換であるか、または１個以上のＣ1〜Ｃ4アルキル基によって置換されているＣ2〜Ｃ12アルキレンブリッジを形成し；あるいは
Ｒ5およびＲ7は、一緒になって、Ｒ4およびＲ6とは独立して、非置換であるか、または１個以上のＣ1〜Ｃ4アルキル基によって置換されているＣ2〜Ｃ12アルキレンブリッジを形成し；あるいは
Ｒ5が、基：ＮＲ8Ｒ9である場合、Ｒ7およびＲ9は、一緒になって、非置換であるか、または１個以上のＣ1〜Ｃ4アルキル基によって置換されているＣ2〜Ｃ12アルキレンブリッジを形成し；但し、
Ｒ12、Ｒ13およびＲ14は、相互に独立して、水素またはＣ1〜Ｃ18アルキルであり；
（ｉ）１１−ベンジル−１，１１−ジアザビシクロ〔８．４．０〕テトラデカン、
（ii）１０−ベンジル−８−メチル−１，１０−ジアザビシクロ〔７．４．０〕トリデカン、
（iii）９−ベンジル−１，９−ジアザビシクロ〔６．４．０〕ドデカン、
（iv）８−ベンジル−６−メチル−１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕ウンデカンおよび
（ｖ）８−ベンジル−１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕ウンデカン、
（vi）７−ベンジル−２−メチル−１，７−ジアザビシクロ〔４．３．０〕ノナンおよび
（vii）７−ベンジル−２−エチル−１，７−ジアザビシクロ〔４．３．０〕ノナンを除く、という条件である）
の化合物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
の基によって１回以上置換されており、かつ吸収時にアミジン基の発生を導く光脱離を生起する、芳香族または複素環式芳香族基であり、
Ｒ2およびＲ3は、相互に独立して、水素、Ｃ1〜Ｃ18アルキル、あるいは非置換であるか、またはＣ1〜Ｃ18アルキル、ＣＮ、ＯＲ12、ＳＲ12、ハロゲンもしくはＣ1〜Ｃ18ハロアルキルによって１回以上置換されているフェニルであり；
Ｒ5は、Ｃ1〜Ｃ18アルキルまたはＮＲ8Ｒ9であり；
Ｒ4、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10およびＲ11は、相互に独立して、水素またはＣ1〜Ｃ18アルキルであり；あるいは
Ｒ4およびＲ6は、一緒になって、非置換であるか、または１個以上のＣ1〜Ｃ4アルキル基によって置換されているＣ2〜Ｃ12アルキレンブリッジを形成し；あるいは
Ｒ4およびＲ6とは独立して、Ｒ5およびＲ7は、一緒になって、非置換であるか、または１個以上のＣ1〜Ｃ4アルキル基によって置換されているＣ2〜Ｃ12アルキレンブリッジを形成し；あるいは
Ｒ5が、基：ＮＲ8Ｒ9である場合、Ｒ7およびＲ9は、一緒になって、非置換であるか、または１個以上のＣ1〜Ｃ4アルキル基によって置換されているＣ2〜Ｃ12アルキレンブリッジを形成し；但し、
Ｒ12、Ｒ13およびＲ14は、相互に独立して、水素またはＣ1〜Ｃ18アルキルであり；
（ｉ）１１−ベンジル−１，１１−ジアザビシクロ〔８．４．０〕テトラデカン、
（ii）１０−ベンジル−８−メチル−１，１０−ジアザビシクロ〔７．４．０〕トリデカン、
（iii）９−ベンジル−１，９−ジアザビシクロ〔６．４．０〕ドデカン、
（iv）８−ベンジル−６−メチル−１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕ウンデカンおよび
（ｖ）８−ベンジル−１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕ウンデカンを除く、という条件である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
除かれる化合物は、例えば、上で定義された式Ｉの、式中、Ｒ1がフェニルであり、Ｒ2およびＲ3がいずれも水素であり、Ｒ4およびＲ6が、一緒になって、プロピレンを形成するならば、Ｒ5およびＲ7が、一緒になって、非置換であるか、またはメチル置換されているペンチレン、へキシレン、メチル置換されているヘプチレンもしくはオクチレンである化合物である。
言い換えれば、式Ｉの化合物において、Ｒ1がフェニルであり、Ｒ2およびＲ3がいずれも水素であり、Ｒ4およびＲ6が、一緒になって、プロピレンを形成するならば、Ｒ5およびＲ7は、一緒になって、非置換であるか、またはメチル置換されているペンチレンでもなく、ヘキシレンでもなく、メチル置換されているヘプチレンでもなく、オクチレンでもない。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月28日(2009.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
工作物（５）を保持する平坦な支持面を有するテーブル（２）であって、
前記支持面が少なくとも２つの面部分から成り、前記面部分が長手方向に互いに連なり、長手方向に対して横方向に延びる間隙（１６）によって分離され、
各面部分において、各面部分と工作物（５）の底面との間にガスクッションを形成する圧縮ガスを供給する給気オリフィス（１５）が、前記面部分全体にわたって分配され、
更に、前記テーブル（２）が、
前記間隙（１６）を横断して前記工作物（５）を移動させるのに適した、前記工作物（５）の送り装置と、
前記工作物（５）を処理する処理装置と、を備え、
前記処理装置が、前記間隙（１６）の下方に配置され、
前記送り装置が、前記間隙（１６）を長手方向に横断するリニアガイドと、前記工作物の収容部と、前記リニアガイドに沿って前記収容部を移動させるのに適した駆動装置と、を備える、
テーブル。
【請求項２】
前記リニアガイドが、長手方向に対して横方向に間隔をあけて離れた２本の平行なレール（３０、３１）を有し、前記収容部が第１のホルダー（３２）と、前記第１のホルダーから長手方向に間隔をあけて離れた第２のホルダー（３３）とを備え、第１と第２のホルダーがそれぞれ２本のレール（３０、３１）内で案内されることを特徴とする、請求項１に記載のテーブル（２）。
【請求項３】
前記第１のホルダー（３２）が、長手方向に対して有効な前記工作物（５）の停止部を有し、前記第２のホルダー（３３）が、前記工作物（５）を前記停止部に対して押しつけるのに適した加圧装置を有することを特徴とする、請求項２に記載のテーブル（２）。
【請求項４】
前記駆動装置が、前記第１のホルダー（３２）と結合された少なくとも１つのリニアモータ（３６、３７）と、前記第２のホルダー（３３）と結合された少なくとも１つのリニアモータ（３８、３９）とをそれぞれ備えることを特徴とする、請求項２又は３に記載のテーブル（２）。
【請求項５】
前記工作物（５）上の基準マークとその位置を認識するパターン認識装置を備えることを特徴とする、請求項１から４のいずれか１項に記載のテーブル（２）。
【請求項６】
前記工作物（５）を処理する処理装置を備え、前記処理装置が前記間隙（１６）の上方に配置されていることを特徴とする、請求項１から５のいずれか１項に記載のテーブル（２）。
【請求項７】
前記処理装置が、前記間隙（１６）の方向へ向けられた、少なくとも１つのレーザーユニット（３、９）を備えることを特徴とする、請求項１から６のいずれか１項に記載のテーブル（２）。
【請求項８】
前記レーザーユニット（３、９）の焦点が、高さ方向に調節可能であることを特徴とする、請求項７に記載のテーブル（２）。
【請求項９】
前記給気オリフィス（１５）が、それぞれ前記面部分全体にわたって略均一に分配されていることを特徴とする、請求項１から８のいずれか１項に記載のテーブル（２）。
【請求項１０】
前記給気オリフィス（１５）が、少なくとも一部は丸く、好ましくはそれぞれ０．０５ｍｍと１０ｍｍとの間、特に０．１ｍｍと２ｍｍとの間にある直径を有することを特徴とする、請求項１から９のいずれか１項に記載のテーブル（２）。
【請求項１１】
前記面部分全体にわたって、圧縮ガスを排出する排気オリフィス（１４）が分配されていることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか１項に記載のテーブル（２）。
【請求項１２】
前記排気オリフィス（１４）が、少なくとも一部は、前記間隙（１６）に対して略平行な排出スリットとして形成され、前記面部分にわたって均一に長手方向に分配されていることを特徴とする、請求項１１に記載のテーブル（２）。
【請求項１３】
前記排出スリットが、それぞれジグザグラインを形成することを特徴とする、請求項１２に記載のテーブル（２）。
【請求項１４】
閉じた周囲のスリットの形状の給気オリフィス（１８．１、１９．１）によってそれぞれ取り囲まれた排気オリフィス（１８．２、１９．２）が、前記間隙（１６）の少なくとも両側に配置されていることを特徴とする、請求項１１から１３のいずれか１項に記載のテーブル（２）。
【請求項１５】
前記排気オリフィス（１９．２）が、それぞれ略ダブルＴ字形状のスリットとして形成され、それを取り囲む前記給気オリフィス（１９．１）が、長方形の枠の形状のスリットとして形成されていることを特徴とする、請求項１４に記載のテーブル（２）。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれか１項に記載のテーブル（２）の上で工作物（５）を処理する方法であって、
前記工作物（５）が収容部内に固定され、次に前記収容部によって間隙（１６）の上方へ移動され、同時に前記間隙（１６）を通して、前記間隙（１６）の下に配置された処理装置によって処理されることを特徴とする、方法。
【請求項１７】
レーザービームによる処理工程を備えることを特徴とする、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記工作物（５）がレーザービームを透過させ、前記工作物の表面上に配置された層が処理されることを特徴とする、請求項１６又は１７に記載の方法。