【手続補正書】
【提出日】平成23年8月8日(2011.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄円板状の素材ウェーハに研削および／または研磨を含む所定の処理を行うことにより、下記（２）式の関係を満たす断面形状を有するエピタキシャル成長用シリコンウェーハを形成し、該エピタキシャル成長用シリコンウェーハ上に、エピタキシャル層を成長させることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【数１】
2010034461.tif 000001
但し、ΔＢｏｗｍｖは、エピタキシャル成長用シリコンウェーハ上にエピタキシャル層成長後のエピタキシャルシリコンウェーハの反りの実測値：Ｂｏｗｅｐと、エピタキシャル層成長前のエピタキシャル成長用シリコンウェーハの反りの実測値：Ｂｏｗｐｗとの差（Ｂｏｗｐｗ−Ｂｏｗｅｐ）であり、ΔＢｏｗｃｖは、所定の計算式に基づいて計算されたエピタキシャルシリコンウェーハの反りの計算値を示し、そして、ｋはｋ＝０．５±０．０５の関係を満たすものとする。
【請求項２】
前記ΔＢｏｗｃｖは、以下の式（５）の右辺として計算されたエピタキシャルシリコンウェーハの反りの計算値δである請求項１に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【数２】
2010034461.tif 000002
但し、（５）式において、ｔsiはエピタキシャル成長用シリコンウェーハの厚さ、ｔepiはエピタキシャル層の厚さ、ｒはウェーハの半径、［Ｂ］はボロン濃度をそれぞれ示す。
【請求項３】
前記所定の処理による前記エピタキシャル成長用シリコンウェーハの反りＢｏｗｐｗの調整は、前記（２）式の関係を満たすことに加え、前記エピタキシャルシリコンウェーハの反りの実測値Ｂｏｗｅｐが、前記エピタキシャルシリコンウェーハの厚みの１％以下となるように行う請求項１または２に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項４】
エピタキシャル成長用シリコンウェーハおよびエピタキシャル層を有するエピタキシャルシリコンウェーハであって、前記エピタキシャル層は、下記（１）式の関係を満たす断面形状を有するエピタキシャル成長用シリコンウェーハ上に形成されることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハ。
記
【数３】
2010034461.tif 000003
但し、ΔＢｏｗｍｖは、エピタキシャル成長用シリコンウェーハ上にエピタキシャル層成長後のエピタキシャルシリコンウェーハの反りの実測値：Ｂｏｗｅｐと、エピタキシャル層成長前のエピタキシャル成長用シリコンウェーハの反りの実測値：Ｂｏｗｐｗとの差（Ｂｏｗｐｗ−Ｂｏｗｅｐ）であり、ΔＢｏｗｃｖは、所定の計算式に基づいて計算されたエピタキシャルシリコンウェーハの反りの計算値を示し、そして、ｋはｋ＝０．５±０．０５の関係を満たすものとする。
【請求項５】
前記ΔＢｏｗｃｖは、以下の式（５）の右辺として計算されたエピタキシャルシリコンウェーハの反りの計算値δである請求項４に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
【数４】
2010034461.tif 000004
但し、（５）式において、ｔsiはエピタキシャル成長用シリコンウェーハの厚さ、ｔepiはエピタキシャル層の厚さ、ｒはウェーハの半径、［Ｂ］はボロン濃度をそれぞれ示す。
【請求項６】
前記エピタキシャルシリコンウェーハの反りの実測値Ｂｏｗｅｐが、前記エピタキシャルシリコンウェーハの厚みの１％以下である請求項４または５に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明の要旨構成は以下の通りである。
（１）薄円板状の素材ウェーハに研削および／または研磨を含む所定の処理を行うことにより、下記（２）式の関係を満たす断面形状を有するエピタキシャル成長用シリコンウェーハを形成し、該エピタキシャル成長用シリコンウェーハ上に、エピタキシャル層を成長させることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【数６】
2010034461.tif 000005
但し、ΔＢｏｗｍｖは、エピタキシャル成長用シリコンウェーハ上にエピタキシャル層成長後のエピタキシャルシリコンウェーハの反りの実測値：Ｂｏｗｅｐと、エピタキシャル層成長前のエピタキシャル成長用シリコンウェーハの反りの実測値：Ｂｏｗｐｗとの差（Ｂｏｗｐｗ−Ｂｏｗｅｐ）であり、ΔＢｏｗｃｖは、所定の計算式に基づいて計算されたエピタキシャルシリコンウェーハの反りの計算値を示し、そして、ｋはｋ＝０．５±０．０５の関係を満たすものとする。
（２）前記ΔＢｏｗｃｖは、以下の式（５）の右辺として計算されたエピタキシャルシリコンウェーハの反りの計算値δである上記（１）に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【数７】
2010034461.tif 000006
但し、（５）式において、ｔsiはエピタキシャル成長用シリコンウェーハの厚さ、ｔepiはエピタキシャル層の厚さ、ｒはウェーハの半径、［Ｂ］はボロン濃度をそれぞれ示す。
（３）前記所定の処理による前記エピタキシャル成長用シリコンウェーハの反りＢｏｗｐｗの調整は、前記（２）式の関係を満たすことに加え、前記エピタキシャルシリコンウェーハの反りの実測値Ｂｏｗｅｐが、前記エピタキシャルシリコンウェーハの厚みの１％以下となるように行う上記（１）または（２）に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（４）エピタキシャル成長用シリコンウェーハおよびエピタキシャル層を有するエピタキシャルシリコンウェーハであって、前記エピタキシャル層は、下記（１）式の関係を満たす断面形状を有するエピタキシャル成長用シリコンウェーハ上に形成されることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハ。
記
【数８】
2010034461.tif 000007
但し、ΔＢｏｗｍｖは、エピタキシャル成長用シリコンウェーハ上にエピタキシャル層成長後のエピタキシャルシリコンウェーハの反りの実測値：Ｂｏｗｅｐと、エピタキシャル層成長前のエピタキシャル成長用シリコンウェーハの反りの実測値：Ｂｏｗｐｗとの差（Ｂｏｗｐｗ−Ｂｏｗｅｐ）であり、ΔＢｏｗｃｖは、所定の計算式に基づいて計算されたエピタキシャルシリコンウェーハの反りの計算値を示し、そして、ｋはｋ＝０．５±０．０５の関係を満たすものとする。
（５）前記ΔＢｏｗｃｖは、以下の式（５）の右辺として計算されたエピタキシャルシリコンウェーハの反りの計算値δである上記（４）に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
【数９】
2010034461.tif 000008
但し、（５）式において、ｔsiはエピタキシャル成長用シリコンウェーハの厚さ、ｔepiはエピタキシャル層の厚さ、ｒはウェーハの半径、［Ｂ］はボロン濃度をそれぞれ示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（６）前記エピタキシャルシリコンウェーハの反りの実測値Ｂｏｗｅｐが、前記エピタキシャルシリコンウェーハの厚みの１％以下である上記（４）または（５）に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、エピタキシャル成長用シリコンウェーハ２は、下記（１）式の関係を満たす断面形状を有するよう形成される。
記
【数１０】
2010034461.tif 000009
但し、ΔＢｏｗｍｖは、エピタキシャル成長用シリコンウェーハ上にエピタキシャル層成長後のエピタキシャルシリコンウェーハの反りの実測値：Ｂｏｗｅｐと、エピタキシャル層成長前のエピタキシャル成長用シリコンウェーハの反りの実測値：Ｂｏｗｐｗとの差（Ｂｏｗｐｗ−Ｂｏｗｅｐ）であり、ΔＢｏｗｃｖは、所定の計算式に基づいて計算されたエピタキシャルシリコンウェーハの反りの計算値を示し、そして、ｋはｋ＝０．５±０．０５の関係を満たすものとする。なお、上記（１）式のΔＢｏｗｃｖは、上述した式（５）のδの変位に等しい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
前記「Ｂｏｗ」は、一般に、図２に示すように、ウェーハの３点基準面またはベストフィット基準面（、すなわち、ウェーハの厚さ中心線の外周縁位置間を結ぶ線）Ａからウェーハの厚さ中心線の中点位置を通る線Ｂまでの最短距離を表す。エピタキシャル成長用シリコンウェーハ２が上記（１）式の関係を満たす断面形状を有するとは、エピタキシャル成長用シリコンウェーハのＢｏｗ値であるＢｏｗｐｗが上記（１）式における値（ΔＢｏｗｃｖ×ｋ、ただしｋ＝０．５±０．０５）と概ね一致することをいうものとする。ここで、ΔＢｏｗｃｖとエピタキシャル成長用シリコンウェーハの比抵抗との関係を示すグラフに、ΔＢｏｗｍｖの値をプロットしたものを図３（ａ）に示す。このときのエピタキシャル成長用シリコンウェーハの厚さは７７５μｍ、エピタキシャル層の厚さは２．７５μｍ、半径は１５０ｍｍとし、また、比抵抗はボロン添加濃度に依るものとした。図３（ａ）に示されるように、ΔＢｏｗｍｖはΔＢｏｗｃｖの値と一致していないことがわかる。そのため、本発明者らは、ΔＢｏｗｍｖと等しい値を導くことができる新しい式について鋭意検討した結果、ΔＢｏｗｃｖにｋ（ｋ＝０．５±０．０５）を乗じることにより、図３（ｂ）に示すように、実測値と整合の取れた計算式となる（１）式を導き出したものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、図１（ｂ）に示す本発明に従うエピタキシャルシリコンウェーハ１は、直径が４５０ｍｍ以上の大口径エピタキシャルシリコンウェーハであり、その反りＢｏｗｅｐが、このウェーハの厚みの１％以下であるのが好ましい。反りがウェーハ厚みの１％を超えると、本発明の目的であるチャッキングおよび搬送トラブルの発生を十分に防止できないためである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
次に、本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。本発明のエピタキシャルシリコンウェーハ１の製造方法は、薄円板状の素材ウェーハに研削および／または研磨を含む所定の処理を行うことにより、図１（ａ）に示すような、下記（２）式の関係を満たす断面形状を有するエピタキシャル成長用シリコンウェーハ２を形成し、このエピタキシャル成長用シリコンウェーハ上２に、エピタキシャル層３を成長させるものであり、かかる方法を採用することにより、従来よりも反りを低減させたエピタキシャルシリコンウェーハを提供することができるものである。
記
【数１１】
2010034461.tif 000010
但し、ΔＢｏｗｍｖは、エピタキシャル成長用シリコンウェーハ上にエピタキシャル層成長後のエピタキシャルシリコンウェーハの反りの実測値：Ｂｏｗｅｐと、エピタキシャル層成長前のエピタキシャル成長用シリコンウェーハの反りの実測値：Ｂｏｗｐｗとの差（Ｂｏｗｐｗ−Ｂｏｗｅｐ）であり、ΔＢｏｗｃｖは、所定の計算式に基づいて計算されたエピタキシャルシリコンウェーハの反りの計算値を示し、そして、ｋはｋ＝０．５±０．０５の関係を満たすものとする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
（実施例２）
ウェーハの半径が２２５ｍｍであり、エピタキシャル成長用シリコンウェーハの厚さが１０００μｍであること以外は実施例１と同様の方法によりエピタキシャルシリコンウェーハを製造し、製造後、エピタキシャルシリコンウェーハの反りを測定した。また、予め、断面形状を形成する前の素材ウェーハの反りについても測定しておいた。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
【表１】
2010034461.tif 000011