【手続補正書】
【提出日】平成21年4月10日(2009.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッシブ・マトリクス・アドレッシングを利用するデータ記憶装置，特に，メモリデバイスまたはセンサデバイス，内の妨害電圧に関連する有害現象を低減する方法であって，データ記憶装置は各セル内に設定された特定の電荷値により与えられる論理値を格納する複数のデータ記憶セルを含み，各データ記憶セルはヒステリシスを示す電気的に分極可能なメモリ材料，特に，強誘電またはエレクトレット材料を含み，セルは１つ以上のマトリクスとして物理的に配置され，前記各マトリクスはセルへのパッシブ・マトリクス・アドレッサビリティを提供し，各マトリクスは第１および第２の電極セットを含み，各セットの電極は並列に提供され，一方の電極セットはワード線を形成し他方の電極セットはビット線を形成し，ワード線電極およびビット線電極は互いに交差しかつメモリ材料と直接または間接的に接触するように提供され，装置のデータ記憶セルはワード線とビット線の間または交点でメモリ材料の体積内に画定されたキャパシタ状エレメントとして実現されてメモリ材料の抗電界に対応する保磁電圧ＶＣよりも大きい電圧ＶＳのアクティブ電圧パルスをワード線およびビット線間およびその間に画定されたデータ記憶セル上に印加することにより少なくとも２つの分極状態のいずれかに設定することができあるいはその間で切替えることができ，電位の印加はアドレス指定動作に従い，アドレス指定動作において全てのワードおよびビット線に印加される電位が予め定められた電圧パルスプロトコルに従って時間調整方法で制御され，
パッシブ・マトリクス・アドレッシングを利用するデータ記憶装置のデータ記憶セルを２つ以上の電気的に分離されたセグメント内に提供し，各セグメントはデータ記憶装置の 個別の物理的アドレス空間を含み，
セグメント内のアクティブ電圧パルスの前の印加および／またはスケジューリングされた印加の情報に基づいて選択されるセグメント内に位置し，第１の分極状態にプリセットされたセルへの物理的アドレスを取得し（１６０６），
アドレス指定されるセルがアドレス指定動作により指定される予め定められた分極状態に設定されるように，電圧パルスプロトコルに依存して，第１のアクティブ電圧パルスの極性とは反対極性の第２のアクティブ電圧パルスとすることができる電圧パルスを印加し（１６０７），物理的アドレスにおけるアドレス指定されたデータ記憶セルを第１の分極状態から第２の分極状態に切替え，それにより，セグメント内のアクティブ電圧パルスの前の印加および／またはスケジューリングされた印加の情報に基づいて選択されたセグメントへアドレス指定動作におけるデータを向けることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって，
第１のアクティブパルスを印加されたセル以外のもう１つのセルに第２の電圧パルスを印加し，他方のセルの物理的アドレスにおける全セルが第１の分極状態または第２の分極状態にプリセットされ，第１のアクティブパルスを印加されたものとは異なるセグメント内に配置されることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって，
あるアドレスにおけるセルの情報を明白に格納し，それは同じ極性のアクティブ電圧パルスがそのアドレスにおける各セルに印加された後でプリセットされることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって，
セルの物理的アドレスに関してプリセット分極状態の情報を格納することを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項３に記載の方法であって，
セルに第２の電圧パルスを印加する前に格納された分極状態の情報を検索することを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって，
プリセット分極が第１の分極状態に対応する場合には，第１のアクティブ電圧パルスとは反対極性のオプショナルな第２のアクティブ電圧パルスを印加し，プリセット分極が第２の分極状態に対応する場合には，第１のアクティブ電圧パルスとは同じ極性のオプショナルな第２のアクティブ電圧パルスを印加することを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項３に記載の方法であって，
そのアドレスの各プリセットセルに第２の電圧パルスを印加した後で，分極状態にプリセットされるセルの格納された情報を除去することを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項３に記載の方法であって，
プリセットセル総数の情報を格納することを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって，
アドレス指定動作においてアクティブ電圧パルスが最後に印加されて以来最長時間を有するセグメントへデータを向けることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって，
キューを使用し，最も最近アクティブ電圧パルスを印加されたセグメントへの参照をキューの最後に置き，アクティブパルスを印加されて以来最長時間を有するセグメントへの参照をキュー内の最初の位置から検索することを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法であって，
各セグメントへの参照をそれに関連する付加情報付「セグメントテーブル」内に格納することを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって，
付加情報は参照されたセグメント内のプリセットセルを有するアドレス数および／または最後のセグメントアクセスのタイムスタンプおよび／または参照されたセグメント内のプリセットセルへの物理的アドレスおよび／またはプリセットセルへの各物理的アドレスに関連するプリセット分極状態マークであることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって，
第２の電圧パルスを印加されたセルの物理的アドレスをセグメントテーブルから除去することを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の方法であって，
第１のアクティブ電圧パルスを印加されたセルの物理的アドレスをセグメントテーブルに加えることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載の方法であって，
セグメント参照に対応するセグメント内のセルに第１のアクティブ電圧パルスまたは第２の電圧が印加される時にセグメントテーブル内のセグメント参照のロック状態マークを設定することを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１２に記載の方法であって，
セグメント参照に対応するセグメント内のセルに第１のアクティブ電圧パルスまたは第２の電圧パルスが印加される時にセグメントテーブル内のセグメント参照の最後のセグメントアクセスのタイムスタンプを更新することを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１２に記載の方法であって，
現在時間およびセグメント参照に対する最後のセグメントアクセスのタイムスタンプ間の差が予め定められた値を越える時はセグメントテーブル内のセグメント参照のロック状態マークを非設定することを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の方法であって，
アドレス指定動作の論理的アドレスに関して第２の電圧パルスを印加されたセルの物理的アドレスを格納することを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって，
アドレスマッピングテーブル内の各物理的アドレスエントリに関連するオプショナルなアドレスレベル情報を有する「アドレスマッピングテーブル」内の論理的アドレスに関する物理的アドレスを格納することを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって，
アドレスレベル情報がプリセットマークおよび／またはプリセット分極状態マークおよび／またはセグメント参照であることを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項１９に記載の方法であって，
パッシブ・マトリクス・アドレッシングを利用するデータ記憶装置以外の高速アクセスメモリ内にアドレスマッピングテーブルを格納することを特徴とする方法。
【請求項２２】
請求項１９に記載の方法であって，
予め定められた数のプリセットセルへのアドレスをアドレスマッピングテーブルに載せないことを特徴とする方法。
【請求項２３】
請求項１９に記載の方法であって，
第１のアクティブ電圧パルスおよび／または第２の電圧パルスを印加する前にアドレスレベル情報を有する物理的アドレスをアドレスマッピングテーブルから検索することを特徴とする方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載の方法であって，
設定されたプリセットマークを見つけたら第１のアクティブ電圧パルスを印加せず第２の電圧パルスを時間的に前に持ってくることを特徴とする方法。
【請求項２５】
請求項２３に記載の方法であって，
アドレス指定動作がライトでありプリセットセルのアドレスがアドレスマッピングテーブルに載せられる場合には，第１のアクティブ電圧パルスを印加せず第２の電圧パルスを時間的に前に持ってくることを特徴とする方法。
【請求項２６】
請求項２３に記載の方法であって，
プリセットセルアドレスの総数が予め定められた値を越える場合には，第１のアクティブ電圧パルスを印加せず第２の電圧パルスを時間的に前に持ってくることを特徴とする方法。
【請求項２７】
請求項１８に記載の方法であって，
論理的アドレスに対応する物理的アドレスにおけるデータ記憶セルの一部に論理的アドレスを格納することを特徴とする方法。
【請求項２８】
請求項１に記載の方法であって，
セグメント内に進行中または差し迫った優先順位のより高い動作が他に無い時に，各セルが同じ分極状態にプリセットされるアドレスを遊休時間中にセグメント間に分散することを特徴とする方法。
【請求項２９】
請求項２８に記載の方法であって，
最少数のプリセットセル数を有するセグメント内でリード・ウィズ・ライトバック動作を実行することを特徴とする方法。
【請求項３０】
請求項１に記載の方法であって，
セグメント内に進行中または差し迫った優先順位のより高い動作が他に無い時に，空きアドレスにおいて同じ分極状態にプリセットされるセルを遊休時間中に生成することを特徴とする方法。
【請求項３１】
請求項３０に記載の方法であって，
そのアドレスにおける各セルに単一極性のアクティブ電圧パルスを印加することを特徴とする方法。
【請求項３２】
請求項３０に記載の方法であって，
最少数のプリセットセル数を有するセグメント内でアドレスを選択することを特徴とする方法。
【請求項３３】
請求項１に記載の方法であって，
先行する動作の，または予め定められた数の先行する動作のいずれかの，第２の電圧パルスが現在のアドレス指定動作と同じセグメントに印加された場合，第１のアクティブ電圧パルスを印加する前に遅延が課されることを特徴とする方法。
【請求項３４】
請求項１に記載の方法であって，
現在時間とセグメントに第１のアクティブ電圧パルスまたは第２の電圧パルスが印加された最後の時間との差が予め定められた値を越えなければ，第１のアクティブ電圧パルスを印加する前に遅延が課されることを特徴とする方法。
【請求項３５】
請求項１に記載の方法であって，
現在時間とセグメントに第１のアクティブ電圧パルスまたは第２の電圧パルスが印加された最後の時間との差が予め定められた値を越えなければ，第２のアクティブ電圧パルスを印加する前に遅延が課されることを特徴とする方法。
【請求項３６】
請求項１２に記載の方法であって，
第１のアクティブ電圧パルスが印加されるセグメントのロック状態マークが非設定とされるまで第１のアクティブ電圧パルスの印加を待つ，および／または第２の電圧パルスが印加されるセグメントのロック状態マークが非設定とされるまで第２の電圧パルスの印加を待つことを特徴とする方法。
【請求項３７】
請求項１に記載の方法であって，
現在のアドレス指定動作を実行する前に連続動作または予め定められた数の連続動作を解析することを特徴とする方法。
【請求項３８】
請求項３７に記載の方法であって，
現在のアドレス指定動作の第２の電圧パルスの印加に対して連続動作または予め定められた数の連続動作によりアドレス指定されるセグメント以外のもう１つのセグメントを選択することを特徴とする方法。
【請求項３９】
請求項１に記載の方法であって，アドレス指定動作においてアドレス指定されたデータ記憶セルを第１のアクティブ電圧パルスにより第１の分極状態に設定し，その間に電圧パルスプロトコルに依存する各ビット線は少なくとも第１のアクティブ電圧パルスの持続時間の一部でデータ記憶セルの分極状態を検出する感知手段に接続できることを特徴とする方法。