【手続補正書】
【提出日】平成23年6月22日(2011.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨処理を施した単結晶半導体基板に対し、塩化水素を含む酸化雰囲気中で熱酸化を行い、前記単結晶半導体基板の表面に塩素を含む絶縁層を形成し、
前記単結晶半導体基板に前記絶縁層を介してフッ素イオンを照射し、その後、水素イオンを照射して、前記単結晶半導体基板の一つの面から一定の深さに脆化層を形成し、
前記単結晶半導体基板と支持基板とを前記絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、熱処理を行い、前記単結晶半導体基板を前記脆化層で分離した半導体層を前記支持基板上に形成し、
前記半導体層表面にエッチング処理を行い、
前記エッチング処理を行った半導体層に、前記エッチング処理を行った半導体層側から波長３６５ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を照射し、
前記光の波長をλ（ｎｍ）、前記半導体層の屈折率をｎ、ｍを１以上の自然数、０≦α≦１０とすると、前記光を照射する半導体層の膜厚ｄは、ｄ＝λ／２ｎ×ｍ±α（ｎｍ）を満たすことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項２】
研磨処理を施した単結晶半導体基板に対し、塩化水素を含む酸化雰囲気中で熱酸化を行い、前記単結晶半導体基板の表面に塩素を含む絶縁層を形成し、
前記単結晶半導体基板に前記絶縁層を介してイオンを照射して、前記単結晶半導体基板の一つの面から一定の深さに脆化層を形成し、
前記単結晶半導体基板と支持基板とを前記絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、熱処理を行い、前記単結晶半導体基板を前記脆化層で分離した半導体層を前記支持基板上に形成し、
前記半導体層表面にエッチング処理を行い、
前記エッチング処理を行った半導体層に、前記エッチング処理を行った半導体層側から波長３６５ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を照射し、
前記光の波長をλ（ｎｍ）、前記半導体層の屈折率をｎ、ｍを１以上の自然数、０≦α≦１０とすると、前記光を照射する半導体層の膜厚ｄは、ｄ＝λ／２ｎ×ｍ±α（ｎｍ）を満たすことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項３】
単結晶半導体基板の一つの面からイオンを照射して、前記単結晶半導体基板の一つの面から一定の深さに脆化層を形成し、
前記単結晶半導体基板の一つの面上、又は支持基板上のどちらか一方に絶縁層を形成し、
前記単結晶半導体基板と前記支持基板とを前記絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、熱処理を行い、前記単結晶半導体基板を前記脆化層で分離した半導体層を前記支持基板上に形成し、
前記半導体層表面にエッチング処理を行い、
前記エッチング処理を行った半導体層に、前記エッチング処理を行った半導体層側から波長３６５ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を照射し、
前記光の波長をλ（ｎｍ）、前記半導体層の屈折率をｎ、ｍを１以上の自然数、０≦α≦１０とすると、前記光を照射する半導体層の膜厚ｄは、ｄ＝λ／２ｎ×ｍ±α（ｎｍ）を満たすことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項４】
単結晶半導体基板の一つの面上に絶縁層を形成し、
前記単結晶半導体基板に前記絶縁層を介してイオンを照射して、前記単結晶半導体基板の一つの面から一定の深さに脆化層を形成し、
前記単結晶半導体基板と支持基板とを前記絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、熱処理を行い、前記単結晶半導体基板を前記脆化層で分離した半導体層を前記支持基板上に形成し、
前記半導体層表面にエッチング処理を行い、
前記エッチング処理を行った半導体層に、前記エッチング処理を行った半導体層側から波長３６５ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を照射し、
前記光の波長をλ（ｎｍ）、前記半導体層の屈折率をｎ、ｍを１以上の自然数、０≦α≦１０とすると、前記光を照射する半導体層の膜厚ｄは、ｄ＝λ／２ｎ×ｍ±α（ｎｍ）を満たすことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項５】
単結晶半導体基板の一つの面からイオンを照射して、前記単結晶半導体基板の一つの面から一定の深さに脆化層を形成し、
前記単結晶半導体基板の一つの面上、又は支持基板上のどちらか一方に絶縁層を形成し、
前記単結晶半導体基板と前記支持基板とを前記絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、熱処理を行い、前記単結晶半導体基板を前記脆化層で分離した半導体層を前記支持基板上に形成し、
前記半導体層に、前記半導体層側から波長３６５ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を照射し、
前記光の波長をλ（ｎｍ）、前記半導体層の屈折率をｎ、ｍを１以上の自然数、０≦α≦１０とすると、前記光を照射する半導体層の膜厚ｄは、ｄ＝λ／２ｎ×ｍ±α（ｎｍ）を満たすことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項６】
単結晶半導体基板の一つの面上に絶縁層を形成し、
前記単結晶半導体基板に前記絶縁層を介してイオンを照射して、前記単結晶半導体基板の一つの面から一定の深さに脆化層を形成し、
前記単結晶半導体基板と支持基板とを前記絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、熱処理を行い、前記単結晶半導体基板を前記脆化層で分離した半導体層を前記支持基板上に形成し、
前記半導体層に、前記半導体層側から波長３６５ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を照射し、
前記光の波長をλ（ｎｍ）、前記半導体層の屈折率をｎ、ｍを１以上の自然数、０≦α≦１０とすると、前記光を照射する半導体層の膜厚ｄは、ｄ＝λ／２ｎ×ｍ±α（ｎｍ）を満たすことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項７】
単結晶半導体基板の一つの面からイオンを照射して、前記単結晶半導体基板の一つの面から一定の深さに脆化層を形成し、
前記単結晶半導体基板の一つの面上、又は支持基板上のどちらか一方に絶縁層を形成し、
前記単結晶半導体基板と支持基板とを前記絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、熱処理を行い、前記単結晶半導体基板を前記脆化層で分離した半導体層を前記支持基板上に形成し、
前記半導体層表面に研磨処理を行い、
前記研磨処理を行った半導体層に、前記研磨処理を行った半導体層側から波長３６５ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を照射し、
前記光の波長をλ（ｎｍ）、前記半導体層の屈折率をｎ、ｍを１以上の自然数、０≦α≦１０とすると、前記光を照射する半導体層の膜厚ｄは、ｄ＝λ／２ｎ×ｍ±α（ｎｍ）を満たすことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項８】
単結晶半導体基板の一つの面上に絶縁層を形成し、
前記単結晶半導体基板に、前記単結晶半導体基板の一つの面上に形成された前記絶縁層からイオンを照射して、前記単結晶半導体基板の一つの面から一定の深さに脆化層を形成し、
前記単結晶半導体基板と支持基板とを前記絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、熱処理を行い、前記単結晶半導体基板を前記脆化層で分離した半導体層を前記支持基板上に形成し、
前記半導体層表面に研磨処理を行い、
前記研磨処理を行った半導体層に、前記研磨処理を行った半導体層側から波長３６５ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を照射し、
前記光の波長をλ（ｎｍ）、前記半導体層の屈折率をｎ、ｍを１以上の自然数、０≦α≦１０とすると、前記光を照射する半導体層の膜厚ｄは、ｄ＝λ／２ｎ×ｍ±α（ｎｍ）を満たすことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項９】
請求項５または請求項６において、
前記光を照射する半導体層の膜厚ｄは、前記脆化層を形成する前記単結晶半導体基板の一つの面からの一定の深さを制御することによってｄ＝λ／２ｎ×ｍ±α（ｎｍ）を満たすように制御することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記支持基板上に酸化窒化シリコン層を形成し、前記酸化窒化シリコン層上に窒化酸化シリコン層を形成し、前記単結晶半導体基板と前記支持基板とを前記絶縁層、前記酸化窒化シリコン層及び前記酸化窒化シリコン層を挟んで重ね合わせることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項３、請求項５、及び請求項７のいずれか一項において、
前記単結晶半導体基板の一つの面上に保護層を形成し、
前記単結晶半導体基板に前記保護層を介して前記イオンを照射して、前記単結晶半導体基板の一つの面から一定の深さに前記脆化層を形成し、
前記保護層の膜厚を制御することにより前記半導体層の膜厚を制御することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項４、請求項６、及び請求項８のいずれか一項において、
前記単結晶半導体基板の一つの面上に保護層を形成し、
前記保護層上に前記絶縁層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２において、
前記保護層は、窒化シリコン層、酸化シリコン層、窒化酸化シリコン層、又は酸化窒化シリコン層から選ばれた一層又は複数の層による積層構造とすることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項において、
前記光はパルス発振のレーザ光であり、前記レーザ光を照射することにより前記半導体層の少なくとも一部を溶融することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一項において、
前記光を照射する雰囲気は酸素を１０％以上含むことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１４のいずれか一項において、
前記光を照射する雰囲気に含まれる酸素を１０ｐｐｍ以下とすることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一項に記載のＳＯＩ基板の製造方法において形成する前記半導体層を用いて半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１乃至１６のいずれか一項に記載のＳＯＩ基板の製造方法において形成する前記半導体層を用いて半導体素子を形成し、前記半導体素子と電気的に接続する表示素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。