【手続補正書】
【提出日】平成23年2月4日(2011.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被エッチング膜を形成する工程と、
マスクとなる膜を形成する工程と、
フォトリソグラフィ技術を用いて、前記マスクとなる膜を、所定のピッチで配列するライン部を含むパターンに加工するパターン加工工程と、
前記ライン部の形状を加工する形状加工工程と、
ソースガスと酸素ラジカル又は酸素含有ガスとを供給し、前記形状加工工程により形状を加工された前記ライン部及び前記被エッチング膜上に、酸化膜を成膜する成膜工程と
を具備するマスクパターンの形成方法であって、
前記形状加工工程と、前記成膜工程とを、前記酸化膜を成膜する成膜装置内で連続して行うことを特徴とするマスクパターンの形成方法。
【請求項２】
被エッチング膜を形成する工程と、
マスクとなる膜を形成する工程と、
フォトリソグラフィ技術を用いて、前記マスクとなる膜を、所定のピッチで配列するライン部を含むパターンに加工するパターン加工工程と、
酸化膜を成膜する成膜装置内で前記ライン部の形状を加工する形状加工工程と、
前記形状加工工程と連続して、前記成膜装置内にソースガスと酸素ラジカル又は酸素含有ガスとを供給し、前記形状加工工程により形状を加工された前記ライン部及び前記被エッチング膜上に、酸化膜を成膜する成膜工程と、
前記酸化膜が、形状を加工された前記ライン部の側面に側壁として残存するように、前記酸化膜をエッチングするエッチング工程と、
形状を加工された前記ライン部を除去し、側壁として残存し、前記酸化膜よりなる側壁部を含むマスクパターンを形成する工程と
を具備するマスクパターンの形成方法。
【請求項３】
被エッチング膜を形成する工程と、
第１のマスクとなる膜を形成する工程と、
フォトリソグラフィ技術を用いて、前記第１のマスクとなる膜を、第１のピッチで配列するライン部を含む第１のパターンに加工する第１のパターン加工工程と、
酸化膜を成膜する成膜装置内で前記第１のパターンの形状を加工する第１の形状加工工程と、
前記第１の形状加工工程と連続して、前記成膜装置内にソースガスと酸素ラジカル又は酸素含有ガスとを供給し、前記第１の形状加工工程により形状を加工された前記第１のパターン及び前記被エッチング膜上に、酸化膜を成膜する成膜工程と、
前記酸化膜上に、第２のマスクとなる膜を形成する工程と、
フォトリソグラフィ技術を用いて、前記第２のマスクとなる膜を、前記第１のピッチと略等しい第２のピッチで配列するライン部を含み、かつ、前記第１のピッチの略半分ずらして前記第１のパターンと交互に配列する第２のパターンに加工する第２のパターン加工工程と、
前記第２のパターンの形状を加工する第２の形状加工工程と、
形状が加工された前記第１のパターン及び形状が加工された前記第２のパターンをマスクとして前記酸化膜をエッチングしてマスクパターンを形成する工程と
を具備するマスクパターンの形成方法。
【請求項４】
前記形状加工工程は、酸素含有ガスプラズマ又はオゾンガスを用いて前記ライン部の形状を加工することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載のマスクパターンの形成方法。
【請求項５】
前記酸素ラジカルとして、酸素含有ガスプラズマを用いることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載のマスクパターンの形成方法。
【請求項６】
前記成膜工程は、前記ソースガスを真空保持可能な処理容器内へ供給するソースガス供給工程と、前記酸素ラジカル又は前記酸素含有ガスを前記処理容器内へ供給する酸素ラジカル供給工程とを交互に実施することによって、前記酸化膜を前記処理容器内で成膜することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載のマスクパターンの形成方法。
【請求項７】
前記ソースガス供給工程と、前記酸素ラジカル供給工程との間に、前記処理容器内に残留しているガスを除去する残留ガス除去工程を挿入することを特徴とする請求項６に記載のマスクパターンの形成方法。
【請求項８】
前記残留ガス除去工程は、前記処理容器内を真空引きしながら前記処理容器内にパージガスを導入することを特徴とする請求項７に記載のマスクパターンの形成方法。
【請求項９】
前記ソースガスは、有機シリコンを含み、
前記酸化膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載のマスクパターンの形成方法。
【請求項１０】
前記ソースガスは、有機アルミニウム化合物を含み、
前記酸化膜は、アルミニウム酸化膜であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載のマスクパターンの形成方法。
【請求項１１】
前記成膜工程の後、有機シリコンを含むソースガスと酸素ラジカルとを供給し、前記アルミニウム酸化膜上に、シリコン酸化膜を成膜するシリコン酸化膜成膜工程を具備することを特徴とする請求項１０に記載のマスクパターンの形成方法。
【請求項１２】
前記シリコン酸化膜成膜工程を、前記アルミニウム酸化膜を成膜する成膜装置内で連続して行うことを特徴とする請求項１１に記載のマスクパターンの形成方法。
【請求項１３】
真空保持可能に設けられ、基板を処理するための処理容器と、
前記処理容器内にソースガスを供給するソースガス供給手段と、
前記処理容器内に酸素ラジカル又は酸素含有ガスを供給する酸素ラジカル供給手段と
を備え、
前記ソースガス供給手段と前記酸素ラジカル供給手段とが前記処理容器内に前記ソースガスと前記酸素ラジカル又は前記酸素含有ガスとを交互に供給することによって、所定のピッチで配列するライン部が形成された基板上に酸化膜を成膜する成膜装置であって、
前記ライン部が形成された基板上に前記酸化膜を成膜する前に、前記酸素ラジカル供給手段が前記処理容器内に前記酸素ラジカルを供給することによって、前記ライン部の形状を加工することを特徴とする成膜装置。
【請求項１４】
基板上に形成された被エッチング膜と、所定のピッチで配列するライン部の側壁を酸化膜で被覆し、前記酸化膜よりなる側壁部と、を含むマスクパターンを形成するために、ソースガスと酸素ラジカル又は酸素含有ガスとを交互に供給することによって、前記基板上に形成された前記ライン部を等方的に被覆するように前記酸化膜を成膜する成膜装置であって、
真空保持可能に設けられ、基板を処理するための処理容器と、
前記処理容器内に前記ソースガスを供給するソースガス供給手段と、
前記処理容器内に前記酸素ラジカル又は前記酸素含有ガスを供給する酸素ラジカル供給手段と
を備え、
前記ライン部が形成された基板上に前記酸化膜を成膜する前に、前記酸素ラジカル供給手段が前記処理容器内に前記酸素ラジカルを供給することによって、前記ライン部の形状を加工することを特徴とする成膜装置。
【請求項１５】
基板上に形成された被エッチング膜と、第１のピッチで配列するライン部を含む第１のパターンと、前記第１のピッチと略等しい第２のピッチで配列し、かつ、前記第１のピッチの略半分ずらして前記第１のパターンと交互に配列する第２のパターンと、を含むマスクパターンを形成するために、ソースガスと酸素ラジカル又は酸素含有ガスとを交互に供給することによって、前記第１のパターンが形成された基板上に、前記第１のパターンを等方的に被覆するように前記酸化膜を成膜する成膜装置であって、
真空保持可能に設けられ、基板を処理するための処理容器と、
前記処理容器内に前記ソースガスを供給するソースガス供給手段と、
前記処理容器内に前記酸素ラジカル又は前記酸素含有ガスを供給する酸素ラジカル供給手段と
を備え、
前記第１のパターンが形成された基板上に前記酸化膜を成膜する前に、前記酸素ラジカル供給手段が前記処理容器内に前記酸素ラジカルを供給することによって、前記第１のパターンの形状を加工することを特徴とする成膜装置。
【請求項１６】
前記ソースガスは、有機シリコンを含み、
前記酸化膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項１３乃至１５の何れか一項に記載の成膜装置。
【請求項１７】
前記ソースガスは、有機アルミニウム化合物を含み、
前記酸化膜は、アルミニウム酸化膜であることを特徴とする請求項１３乃至１５の何れか一項に記載の成膜装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の一実施例によれば、被エッチング膜を形成する工程と、マスクとなる膜を形成する工程と、フォトリソグラフィ技術を用いて、前記マスクとなる膜を、所定のピッチで配列するライン部を含むパターンに加工するパターン加工工程と、前記ライン部の形状を加工する形状加工工程と、ソースガスと酸素ラジカル又は酸素含有ガスとを供給し、前記形状加工工程により形状を加工された前記ライン部及び前記被エッチング膜上に、酸化膜を成膜する成膜工程とを具備するマスクパターンの形成方法であって、前記形状加工工程と、前記成膜工程とを、前記酸化膜を成膜する成膜装置内で連続して行うことを特徴とするマスクパターンの形成方法が提供される。
また、本発明の他の一実施例によれば、被エッチング膜を形成する工程と、マスクとなる膜を形成する工程と、フォトリソグラフィ技術を用いて、前記マスクとなる膜を、所定のピッチで配列するライン部を含むパターンに加工するパターン加工工程と、酸化膜を成膜する成膜装置内で前記ライン部の形状を加工する形状加工工程と、前記形状加工工程と連続して、前記成膜装置内にソースガスと酸素ラジカル又は酸素含有ガスとを供給し、前記形状加工工程により形状を加工された前記ライン部及び前記被エッチング膜上に、酸化膜を成膜する成膜工程と、前記酸化膜が、形状を加工された前記ライン部の側面に側壁として残存するように、前記酸化膜をエッチングするエッチング工程と、形状を加工された前記ライン部を除去し、側壁として残存し、前記酸化膜よりなる側壁部を含むマスクパターンを形成する工程とを具備するマスクパターンの形成方法が提供される。
また、本発明の他の一実施例によれば、被エッチング膜を形成する工程と、第１のマスクとなる膜を形成する工程と、フォトリソグラフィ技術を用いて、前記第１のマスクとなる膜を、第１のピッチで配列するライン部を含む第１のパターンに加工する第１のパターン加工工程と、酸化膜を成膜する成膜装置内で前記第１のパターンの形状を加工する第１の形状加工工程と、前記第１の形状加工工程と連続して、前記成膜装置内にソースガスと酸素ラジカル又は酸素含有ガスとを供給し、前記第１の形状加工工程により形状を加工された前記第１のパターン及び前記被エッチング膜上に、酸化膜を成膜する成膜工程と、前記酸化膜上に、第２のマスクとなる膜を形成する工程と、フォトリソグラフィ技術を用いて、前記第２のマスクとなる膜を、前記第１のピッチと略等しい第２のピッチで配列するライン部を含み、かつ、前記第１のピッチの略半分ずらして前記第１のパターンと交互に配列する第２のパターンに加工する第２のパターン加工工程と、前記第２のパターンの形状を加工する第２の形状加工工程と、形状が加工された前記第１のパターン及び形状が加工された前記第２のパターンをマスクとして前記酸化膜をエッチングしてマスクパターンを形成する工程とを具備するマスクパターンの形成方法が提供される。
また、本発明の他の一実施例によれば、真空保持可能に設けられ、基板を処理するための処理容器と、前記処理容器内にソースガスを供給するソースガス供給手段と、前記処理容器内に酸素ラジカル又は酸素含有ガスを供給する酸素ラジカル供給手段とを備え、前記ソースガス供給手段と前記酸素ラジカル供給手段とが前記処理容器内に前記ソースガスと前記酸素ラジカル又は前記酸素含有ガスとを交互に供給することによって、所定のピッチで配列するライン部が形成された基板上に酸化膜を成膜する成膜装置であって、前記ライン部が形成された基板上に前記酸化膜を成膜する前に、前記酸素ラジカル供給手段が前記処理容器内に前記酸素ラジカルを供給することによって、前記ライン部の形状を加工することを特徴とする成膜装置が提供される。
また、本発明の他の一実施例によれば、基板上に形成された被エッチング膜と、所定のピッチで配列するライン部の側壁を酸化膜で被覆し、前記酸化膜よりなる側壁部と、を含むマスクパターンを形成するために、ソースガスと酸素ラジカル又は酸素含有ガスとを交互に供給することによって、前記基板上に形成された前記ライン部を等方的に被覆するように前記酸化膜を成膜する成膜装置であって、真空保持可能に設けられ、基板を処理するための処理容器と、前記処理容器内に前記ソースガスを供給するソースガス供給手段と、前記処理容器内に前記酸素ラジカル又は前記酸素含有ガスを供給する酸素ラジカル供給手段とを備え、前記ライン部が形成された基板上に前記酸化膜を成膜する前に、前記酸素ラジカル供給手段が前記処理容器内に前記酸素ラジカルを供給することによって、前記ライン部の形状を加工することを特徴とする成膜装置が提供される。
また、本発明の他の一実施例によれば、基板上に形成された被エッチング膜と、第１のピッチで配列するライン部を含む第１のパターンと、前記第１のピッチと略等しい第２のピッチで配列し、かつ、前記第１のピッチの略半分ずらして前記第１のパターンと交互に配列する第２のパターンと、を含むマスクパターンを形成するために、ソースガスと酸素ラジカル又は酸素含有ガスとを交互に供給することによって、前記第１のパターンが形成された基板上に、前記第１のパターンを等方的に被覆するように前記酸化膜を成膜する成膜装置であって、真空保持可能に設けられ、基板を処理するための処理容器と、前記処理容器内に前記ソースガスを供給するソースガス供給手段と、前記処理容器内に前記酸素ラジカル又は前記酸素含有ガスを供給する酸素ラジカル供給手段とを備え、前記第１のパターンが形成された基板上に前記酸化膜を成膜する前に、前記酸素ラジカル供給手段が前記処理容器内に前記酸素ラジカルを供給することによって、前記第１のパターンの形状を加工することを特徴とする成膜装置が提供される。