【手続補正書】
【提出日】平成23年1月21日(2011.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定分布密度のバンプが形成された回路領域を有する半導体基板同士が、前記バンプを接合することにより積層されて形成された積層型半導体装置であって、前記半導体基板の周辺部には、前記回路領域のバンプの分布密度より高い分布密度でダミーバンプが形成され、前記半導体基板同士において、前記ダミーバンプ同士の接合がなされていることを特徴とする積層型半導体装置。
【請求項２】
前記ダミーバンプは、前記半導体基板に埋め込まれ前記半導体基板を貫通した、電気的接続を目的としないダミーＴＳＶ（Through Si Via）の先端部に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体装置。
【請求項３】
前記ダミーバンプは、前記半導体基板上に形成されたバリアメタルの上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体装置。
【請求項４】
前記半導体基板の周辺部に形成された前記ダミーバンプは、前記半導体基板同士の接合用の接点としてのみ用いられるものであることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の積層型半導体装置。
【請求項５】
前記ダミーバンプの分布密度は、前記回路領域に形成されたバンプの分布密度の1.5倍から３倍とされていることを特徴とする特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載の積層型半導体装置。
【請求項６】
前記ダミーバンプの分布密度は、２％〜３０％であることを特徴とする請求項１から請求項５のうちいずれか１項に記載の積層型半導体装置。
【請求項７】
所定分布密度のバンプが形成された回路領域を有する半導体基板であって、前記半導体基板の周辺部には、前記回路領域のバンプの分布密度より高い分布密度でダミーバンプが形成されていることを特徴とする半導体基板。
【請求項８】
前記ダミーバンプは、前記半導体基板に埋め込まれ前記半導体基板を貫通した、電気的接続を目的としないダミーＴＳＶ（Through Si Via）の先端部に形成されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体基板。
【請求項９】
前記ダミーバンプは、前記半導体基板上に形成されたバリアメタルの上に形成されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体基板。
【請求項１０】
前記半導体基板の周辺部に形成された前記ダミーバンプは、前記半導体基板同士の接合用の接点としてのみ用いられるものであることを特徴とする請求項７から請求項９のうちいずれか１項に記載の半導体基板。
【請求項１１】
前記ダミーバンプの分布密度は、前記回路領域に形成されたバンプの分布密度の1.5倍から３倍とされていることを特徴とする特徴とする請求項７から請求項１０のうちいずれか１項に記載の半導体基板。
【請求項１２】
前記ダミーバンプの分布密度は、２％〜３０％であることを特徴とする請求項７から請求項１１のうちいずれか１項に記載の半導体基板。
【請求項１３】
所定分布密度のバンプが形成された回路領域を有する半導体基板同士が、前記バンプを接合することにより積層されて形成された積層型半導体装置であって、前記半導体基板の周辺部にはダミーバンプが形成されており、前記ダミーバンプの分布密度は２％〜３０％であり、前記半導体基板同士において、前記ダミーバンプ同士の接合がなされていることを特徴とする積層型半導体装置。
【請求項１４】
所定分布密度のバンプが形成された回路領域を有する２つの半導体基板を、前記バンプ同士を接合して積層する工程を有する積層型半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板の周辺部に前記所定分布密度のバンプより高い分布密度でダミーバンプが形成された半導体基板を用い、前記所定密度のバンプを有する回路領域のバンプ同士を接合すると共に、前記ダミーバンプ同士を接合する工程を有することを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
半導体基板上に所定分布密度のバンプを有する回路領域を形成するステップと、前記半導体基板上の回路領域の周辺部に前記所定分布密度より高い分布密度のダミーバンプを形成するステップと、前記所定分布密度のバンプを有する回路領域のバンプ同士を接合するステップと、前記ダミーバンプ同士を接合するステップとを有することを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
さらに、前記回路領域のバンプバンプ同士と、ダミーバンプ同士が接合された半導体基板の一方の非接合側の面を研磨して、研磨面の前記回路領域には前記所定分布密度のバンプ、その周辺部には前記所定分布密度より高い分布密度のダミーバンプを形成するステップと、前記所定分布密度のバンプが形成された回路領域を有し、その周辺領域には前記所定分布密度のバンプより高い分布密度のダミーバンプが形成された別の半導体基板を用意するステップと、当該別の半導体基板の前記バンプと前記研磨された面に形成された前記バンプ、当該別の半導体基板の前記ダミーバンプと前記研磨された面に形成された前記ダミーバンプとを接合するステップとを有することを特徴とする請求項１４又は請求項１５に記載の積層型半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
前記課題を解決するための第１２の手段は、前記第７の手段から第１１の手段のいずれかであって、前記ダミーバンプの分布密度は、２％〜３０％であることを特徴とするものである。
前記課題を解決するための第１３の手段は、所定分布密度のバンプが形成された回路領域を有する半導体基板同士が、前記バンプを接合することにより積層されて形成された積層型半導体装置であって、前記半導体基板の周辺部にはダミーバンプが形成されており、前記ダミーバンプの分布密度は２％〜３０％であり、前記半導体基板同士において、前記ダミーバンプ同士の接合がなされていることを特徴とする積層型半導体装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
前記課題を解決するための第１４の手段は、所定分布密度のバンプが形成された回路領域を有する２つの半導体基板を、前記バンプ同士を接合して積層する工程を有する積層型半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板の周辺部に前記所定分布密度のバンプより高い分布密度でダミーバンプが形成された半導体基板を用い、前記所定密度のバンプを有する回路領域のバンプ同士を接合すると共に、前記ダミーバンプ同士を接合する工程を有することを特徴とする積層型半導体装置の製造方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
前記課題を解決するための第１５の手段は、半導体基板上に所定分布密度のバンプを有する回路領域を形成するステップと、前記半導体基板上の回路領域の周辺部に前記所定分布密度より高い分布密度のダミーバンプを形成するステップと、前記所定分布密度のバンプを有する回路領域のバンプ同士を接合するステップと、前記ダミーバンプ同士を接合するステップとを有することを特徴とする積層型半導体装置の製造方法である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
前記課題を解決するための第１６の手段は、前記第１４の手段又は第１５の手段であって、さらに、前記回路領域のバンプバンプ同士と、ダミーバンプ同士が接合された半導体基板の一方の非接合側の面を研磨して、研磨面の前記回路領域には前記所定分布密度のバンプ、その周辺部には前記所定分布密度より高い分布密度のダミーバンプを形成するステップと、前記所定分布密度のバンプが形成された回路領域を有し、その周辺領域には前記所定分布密度のバンプより高い分布密度のダミーバンプが形成された別の半導体基板を用意するステップと、当該別の半導体基板の前記バンプと前記研磨された面に形成された前記バンプ、当該別の半導体基板の前記ダミーバンプと前記研磨された面に形成された前記ダミーバンプとを接合するステップとを有することを特徴とするものである。