【手続補正書】
【提出日】平成23年1月27日(2011.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、第１導電型の分布ブラッグ反射層、光吸収層、及び第２導電型の半導体層が順番に形成され、
前記第１導電型の分布ブラッグ反射層は、バンドギャップ波長が入射光の波長より小さく第１の屈折率を有する第１半導体層と、バンドギャップ波長が入射光の波長より大きく前記第１の屈折率より高い第２の屈折率を有する第２半導体層とを有し、
前記第１半導体層の光学層厚と前記第２半導体層の光学層厚の和は入射光の波長の半分であり、
前記第１半導体層の光学層厚は、前記第２半導体層の光学層厚より大きいことを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記第１半導体層の光学層厚を前記第２半導体層の光学層厚で割った値が１．２〜３であることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項３】
前記光吸収層で発生した光キャリアをアバランシェ増倍するキャリア増倍層が、前記光吸収層と前記第２導電型の半導体層の間に形成されていることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記光吸収層で発生した光キャリアをアバランシェ増倍するキャリア増倍層が、前記第１導電型の分布ブラッグ反射層と前記光吸収層の間に形成されていることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項５】
前記半導体基板の裏面側から光を入射することを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項６】
半導体基板上に、第１導電型の分布ブラッグ反射層、光吸収層、及び第２導電型の分布ブラッグ反射層が順番に形成され、
前記第１導電型の分布ブラッグ反射層及び前記第２導電型の分布ブラッグ反射層は、バンドギャップ波長が入射光の波長より小さく第１の屈折率を有する第１半導体層と、バンドギャップ波長が入射光の波長より大きく前記第１の屈折率より高い第２の屈折率を有する第２半導体層とを有し、
前記第１半導体層の光学層厚と前記第２半導体層の光学層厚の和は入射光の波長の半分であり、
前記第１半導体層の光学層厚は、前記第２半導体層の光学層厚より大きいことを特徴とする光半導体装置。
【請求項７】
半導体基板上に、第１導電型の分布ブラッグ反射層、活性層、及び第２導電型の分布ブラッグ反射層が順番に形成され、
前記第１導電型の分布ブラッグ反射層及び前記第２導電型の分布ブラッグ反射層は、バンドギャップ波長が出射光の波長より小さく第１の屈折率を有する第１半導体層と、バンドギャップ波長が出射光の波長より大きく前記第１の屈折率より高い第２の屈折率を有する第２半導体層とを有し、
前記第１半導体層の光学層厚と前記第２半導体層の光学層厚の和は入射光の波長の半分であり、
前記第１半導体層の光学層厚は、前記第２半導体層の光学層厚より大きいことを特徴とする光半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第１の発明は、半導体基板上に、第１導電型の分布ブラッグ反射層、光吸収層、及び第２導電型の半導体層が順番に形成され、前記第１導電型の分布ブラッグ反射層は、バンドギャップ波長が入射光の波長より小さく第１の屈折率を有する第１半導体層と、バンドギャップ波長が入射光の波長より大きく前記第１の屈折率より高い第２の屈折率を有する第２半導体層とを有し、前記第１半導体層の光学層厚と前記第２半導体層の光学層厚の和は入射光の波長の半分であり、前記第１半導体層の光学層厚は、前記第２半導体層の光学層厚より大きいことを特徴とする光半導体装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第２の発明は、半導体基板上に、第１導電型の分布ブラッグ反射層、光吸収層、及び第２導電型の分布ブラッグ反射層が順番に形成され、前記第１導電型の分布ブラッグ反射層及び前記第２導電型の分布ブラッグ反射層は、バンドギャップ波長が入射光の波長より小さく第１の屈折率を有する第１半導体層と、バンドギャップ波長が入射光の波長より大きく前記第１の屈折率より高い第２の屈折率を有する第２半導体層とを有し、前記第１半導体層の光学層厚と前記第２半導体層の光学層厚の和は入射光の波長の半分であり、前記第１半導体層の光学層厚は、前記第２半導体層の光学層厚より大きいことを特徴とする光半導体装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第３の発明は、半導体基板上に、第１導電型の分布ブラッグ反射層、活性層、及び第２導電型の分布ブラッグ反射層が順番に形成され、前記第１導電型の分布ブラッグ反射層及び前記第２導電型の分布ブラッグ反射層は、バンドギャップ波長が出射光の波長より小さく第１の屈折率を有する第１半導体層と、バンドギャップ波長が出射光の波長より大きく前記第１の屈折率より高い第２の屈折率を有する第２半導体層とを有し、前記第１半導体層の光学層厚と前記第２半導体層の光学層厚の和は入射光の波長の半分であり、前記第１半導体層の光学層厚は、前記第２半導体層の光学層厚より大きいことを特徴とする光半導体装置である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
ｎ型ＤＢＲ層１２は、屈折率が低いｎ型ＩｎＰ層１２ａ（第１半導体層）と屈折率が高いｎ型ＩｎＧａＡｓ層１２ｂ（第２半導体層）を交互に積層したものである。ｎ型ＩｎＰ層１２ａは、バンドギャップ波長が入射光の波長λより小さく、入射光を吸収しない。一方、ｎ型ＩｎＧａＡｓ層１２ｂは、バンドギャップ波長が入射光の波長λより大きく、入射光を吸収する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本実施の形態に係る光半導体装置の効果について参考例と比較しながら説明する。図２は、光半導体装置の参考例を示す断面図である。ｎ型ＤＢＲ層１００は、屈折率が異なるｎ型ＩｎＰ層１００ａとｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層１００ｂを交互に積層したものである。ｎ型ＩｎＰ層１００ａとｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層１００ｂの両方とも、バンドギャップ波長が入射光の波長λより小さく、入射光を吸収しない。ＤＢＲ層以外は本実施の形態に係る光半導体装置と同様である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
なお、ｎ型ＩｎＰ層１２ａの代わりに、ＧａＡｓ層、Ｓ層、ＡｌＩｎＡｓ層、バンドギャップ波長が入射光の波長より小さいＩｎＧａＡｓＰ層やＡｌＧａＩｎＡｓ層などを用いてもよい。ｎ型ＩｎＧａＡｓ層１２ｂの代わりに、バンドギャップ波長が入射光の波長より大きいＩｎＧａＡｓＰ層やＡｌＧａＩｎＡｓ層などを用いてもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
ｐ型ＤＢＲ層３８は、屈折率が低いｐ型ＩｎＰ層３８ａ（第１半導体層）と屈折率が高いｐ型ＩｎＧａＡｓ層３８ｂ（第２半導体層）を交互に積層したものである。ｐ型ＩｎＰ層３８ａは、バンドギャップ波長が入射光の波長λより小さく、入射光を吸収しない。一方、ｐ型ＩｎＧａＡｓ層３８ｂは、バンドギャップ波長が入射光の波長λより大きく、入射光を吸収する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
ｎ型ＤＢＲ層１２は、屈折率が低いｎ型ＩｎＰ層１２ａ（第１半導体層）と屈折率が高いｎ型ＩｎＧａＡｓ層１２ｂ（第２半導体層）を交互に積層したものである。ｐ型ＤＢＲ層３８は、屈折率が低いｐ型ＩｎＰ層３８ａ（第１半導体層）と屈折率が高いｐ型ＩｎＧａＡｓ層３８ｂ（第２半導体層）を交互に積層したものである。ｎ型ＩｎＰ層１２ａ及びｐ型ＩｎＰ層３８ａは、バンドギャップ波長が出射光の波長λより小さく、出射光を吸収しない。一方、ｎ型ＩｎＧａＡｓ層１２ｂ及びｐ型ＩｎＧａＡｓ層３８ｂは、バンドギャップ波長が出射光の波長λより大きく、出射光を吸収する。