【手続補正書】
【提出日】平成21年7月30日(2009.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
イオンポンプに用いられる一対のセパレータプレート（２６，２８）であって、
投入ガス流れ多岐管の一部を形成する平面部材を通って延びるアノード入口開口部（２１０）を有する平面部材、及び、前記平面部材の第１の表面に配置され、前記アノード入口開口部に対する一端に連結可能である少なくとも一つの流体流路（１３４）を含むアノードセパレータプレート（２８）と、
カソード排出ガス流れ多岐管の一部を形成する平面部材を通って延びるカソード出口開口部（３３０）を有する平面部材、及び、前記平面部材の第１の表面に配置され、前記カソード出口開口部に対する一端に連結可能である少なくとも一つの流体流路（１３６）を含むカソードセパレータプレート（２６）とを備え、
前記アノードセパレータプレート（２８）の前記少なくとも一つの流体流路（１３４）は隣接するランド間に第１の距離を有し、前記カソードセパレータプレート（２６）の前記少なくとも一つの流体流路（１３６）は隣接するランド間に第２の距離を有し、該第１の距離は該第２の距離よりも短い、一対のセパレータプレート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３４】
さらに、前記平面部材を通って延び、投入ガス流れを放出するための出口の一部を形成するための第３の大きさを有し、前記少なくとも一つの流体流路の反対側の一端に連結可能であるアノード出口開口部（２２０）を形成する工程を備え、
該第３の大きさは前記第２の大きさよりも大きい、請求項３３記載のアノードセパレータプレート形成方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３７】
さらに、前記平面部材を通って延びる複数の締付ボルト開口部を形成する工程を備える請求項３３記載のアノードセパレータプレート形成方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３８】
アノードセパレータプレート（２８）を形成する方法において、
平面部材を準備する工程と、
前記平面部材を通って延び、投入流れガス多岐管の一部を形成するための第１の大きさを有するアノード入口開口部（２１０）を形成する工程と、
前記平面部材を通って延び、前記投入ガス流れを放出するための出口の一部を形成するための第２の大きさを有するアノード出口開口部（２２０）を形成する工程と、
前記平面部材の第１の平面に、前記アノード入口開口部に対する一端及び前記アノード出口開口部に対する反対側の一端に連結可能である少なくとも一つの流体流路（１３４）を形成する工程と、
前記平面部材を通って延び、カソード排出多岐管の一部を形成するための第３の大きさを有し、該第３の大きさは該第１の大きさ及び該第２の大きさのうち少なくとも一方よりも小さいカソード出口を形成する工程とを備え、
前記アノード入口開口部を形成する工程は、前記入口開口部を前記平面部材の一端から第１の距離に形成する工程を含み、前記カソード出口開口部を形成する工程は、前記カソード出口開口部を前記平面部材の一端から第２の距離に形成する工程を含み、該第１の距離は該第２の距離よりも短いものであって、
前記カソード出口を前記平面部材の第１の側に近接させて配置する工程及び前記アノード入口を前記第１の側と異なる側に近接させて配置する工程と、
前記平面部材を通って延びる複数の締付ボルト開口部を形成する工程とを備える、アノードセパレータプレート形成方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４５】
圧縮された水素を生成する方法であって、
水素を含む低圧供給物を請求項１９記載のイオンポンプ（１６）に提供する工程と、
前記アノード電極（１２６）及び前記カソード電極（１２７）に電位を印加する工程と、
プロトンを前記プロトン伝導媒体（１２２）を通って前記アノード電極から前記カソード電極へ移動させる工程と、
前記イオンポンプからの精製された水素の高圧供給物を受け取る工程とを備える、圧縮水素生成方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４７】
圧縮された水素を生成する方法であって、
水素を含む低圧供給物を請求項２０記載のイオンポンプ（１６）に提供する工程と、
前記アノード電極（１２６）及び前記カソード電極（１２７）に電位を印加する工程と、
プロトンを前記プロトン伝導媒体（１２２）を通って前記アノード電極から前記カソード電極へ移動させる工程と、
前記イオンポンプからの精製された水素の高圧供給物を受け取る工程とを備える、圧縮水素生成方法。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４９】
圧縮された水素を生成する方法であって、
水素を含む低圧供給物を請求項２１記載のイオンポンプ（１６）に提供する工程と、
前記アノード電極（１２６）及び前記カソード電極（１２７）に電位を印加する工程と、
プロトンを前記プロトン伝導媒体（１２２）を通って前記アノード電極から前記カソード電極へ移動させる工程と、
前記イオンポンプからの精製された水素の高圧供給物を受け取る工程とを備える、圧縮水素生成方法。
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５１】
圧縮された水素を生成する方法であって、
水素を含む低圧供給物を請求項２２記載のイオンポンプ（１６）に提供する工程と、
前記アノード電極（１２６）及び前記カソード電極（１２７）に電位を印加する工程と、
プロトンを前記プロトン伝導媒体（１２２）を通って前記アノード電極から前記カソード電極へ移動させる工程と、
前記イオンポンプからの精製された水素の高圧供給物を受け取る工程とを備える、圧縮水素生成方法。
【手続補正９】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５３】
圧縮された水素を生成する方法であって、
水素を含む低圧供給物を請求項２３記載のイオンポンプ（１６）に提供する工程と、
前記アノード電極（１２６）及び前記カソード電極（１２７）に電位を印加する工程と、
プロトンを前記プロトン伝導媒体（１２２）を通って前記アノード電極から前記カソード電極へ移動させる工程と、
前記イオンポンプからの精製された水素の高圧供給物を受け取る工程とを備える、圧縮水素生成方法。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５５】
圧縮された水素を生成する方法であって、
水素を含む低圧供給物を請求項２４記載のイオンポンプ（１６）に提供する工程と、
前記アノード電極（１２６）及び前記カソード電極（１２７）に電位を印加する工程と、
プロトンを前記プロトン伝導媒体（１２２）を通って前記アノード電極から前記カソード電極へ移動させる工程と、
前記イオンポンプからの精製された水素の高圧供給物を受け取る工程とを備える、圧縮水素生成方法。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５７】
圧縮された水素を生成する方法であって、
水素を含む低圧供給物を請求項２５記載のイオンポンプ（１６）に提供する工程と、
前記アノード電極（１２６）及び前記カソード電極（１２７）に電位を印加する工程と、
プロトンを前記プロトン伝導媒体（１２２）を通って前記アノード電極から前記カソード電極へ移動させる工程と、
前記イオンポンプからの精製された水素の高圧供給物を受け取る工程とを備える、圧縮水素生成方法。