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【手続補正書】
【提出日】平成23年4月12日(2011.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷に駆動電源が供給されているときに、該負荷の下流側の端子電圧を入力してフィルタ処理を施すフィルタ手段と、
前記負荷への前記駆動電源の供給を制御する制御信号の信号レベルが、電源供給の許可を示す信号レベルから、電源供給の停止を示す信号レベルに遷移するタイミングに同期して、前記フィルタ処理後の前記端子電圧の電圧レベルを取得する制御手段とを有し、
前記制御手段は、取得した前記端子電圧の電圧レベルに基づいて前記制御信号を生成することを特徴とする故障判定装置。
【請求項２】
前記電源供給が定電流駆動される前記負荷に流す電流量の制御である前記制御信号を生成する信号生成手段と、
前記制御信号のオンデューティに従って前記負荷に駆動電流が供給されているときに、前記負荷の下流側の端子電圧をモニタするモニタ手段と、
前記モニタ手段によってモニタされた前記端子電圧の電圧レベルにより前記負荷の故障度合いを判定する判定手段とを有し、
前記信号生成手段は、前記負荷の故障度合いに応じて前記制御信号のデューティ比を制御することを特徴とする請求項１記載の故障判定装置。
【請求項３】
前記判定手段は、前記負荷の故障度合いと前記制御信号のデューティ比とに基づいて、故障による危険度を判定し、
前記信号生成手段は、前記危険度に基づいて前記制御信号のデューティ比を制御することを特徴とする請求項２記載の故障判定装置。
【請求項４】
前記モニタ電圧の電圧レベルが第１しきい値よりも高くなった回数をカウントするカウント手段を有し、
前記判定手段は、前記カウント手段のカウント値が所定回数を超えた場合に前記負荷に故障が発生していると判定し、
前記信号生成手段は、前記制御信号のオンデューティを、前記判定手段で故障が発生していると判定された時の制御信号のオンデューティよりも小さく変更することを特徴とする請求項２又は３記載の故障判定装置。
【請求項５】
前記判定手段は、前記モニタ電圧の電圧レベルが第２しきい値よりも高い場合に前記負荷に重度の故障が発生していると判定し、
前記信号生成手段は、オンデューティが０％の制御信号を生成する、又は前記制御信号の生成を停止することを特徴とする請求項２から４のいずれか一項記載の故障判定装置。
【請求項６】
前記カウント手段は、前記モニタ電圧の電圧レベルが前記第１しきい値よりも高くなったときの前記制御信号のオンデューティに応じて、加算するカウント値を変更することを特徴とする請求項４記載の故障判定装置。
【請求項７】
前記判定手段は、前記負荷の周囲の温度を測定する温度センサの測定温度に基づいて、前記制御信号のデューティ比を制御することを特徴とする請求項２から６のいずれか一項記載の故障判定装置。
【請求項８】
前記負荷が定電流駆動されているときに、該負荷の下流側の端子電圧を入力してフィルタ処理を施すフィルタ手段を有し、
前記モニタ手段は、前記制御信号の信号レベルが、前記負荷への駆動電流の供給を許可する信号レベルから、前記駆動電流を停止させる信号レベルに遷移するタイミングに同期して、前記フィルタ処理後の前記端子電圧の電圧レベルをモニタすることを特徴とする請求項２から７のいずれか一項記載の故障判定装置。
【請求項９】
前記下流側の端子電圧は、前記負荷と前記負荷を定電流駆動する定電流ドライバとの接続ノードにおける端子電圧であることを特徴とする請求項１又は２記載の故障判定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項２記載の故障判定装置の発明は、前記電源供給が定電流駆動される前記負荷に流す電流量の制御である前記制御信号を生成する信号生成手段と、前記制御信号のオンデューティに従って前記負荷に駆動電流が供給されているときに、前記負荷の下流側の端子電圧をモニタするモニタ手段と、前記モニタ手段によってモニタされた前記端子電圧の電圧レベルにより前記負荷の故障度合いを判定する判定手段とを有し、前記信号生成手段は、前記負荷の故障度合いに応じて前記制御信号のデューティ比を制御する構成を備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月15日(2011.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着剤を用いて薄板材料を長手方向に積層形成するモータコアにおいて、
前記薄板材料が略円形で構成され、接着ポケットを備え、前記接着ポケットに接着剤を堆積させ、隣接する前記薄板材料を固定することを特徴とするモータコア。
【請求項２】
前記接着ポケットは、前記薄板材料の軸中心について同心円状に複数個形成されたことを特徴とする請求項１記載のモータコア。
【請求項３】
前記接着ポケットは、前記薄板材料の軸中心について同心円状に複数個、等角度で形成されたことを特徴とする請求項１または２記載のモータコア。
【請求項４】
前記薄板材料に形成された前記接着ポケット下面に形成されるふくれが平面に形成されたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載のモータコア。
【請求項５】
薄板材料が接着剤により長手方向に接着され、積層形成されるモータコアの製造方法において、
前記薄型材料は、接着ポケットが形成され、前記接着ポケットに接着剤が塗布されて、隣接する前記薄板材料が固定されることを特徴とするモータコアの製造方法。
【請求項６】
前記接着ポケットは、順送金型装置または自動機のいずれかで加工され、下面に形成されたふくれがダイとパンチにより平坦な形状に形成されたことを特徴とする請求項５記載のモータコアの製造方法。
【請求項７】
前記接着ポケットは、前記薄板材料の所定の箇所および所定の形状の組み合わせにより形成されたことを特徴とする請求項５または６記載モータコアの製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載のモータコアにより構成されたことを特徴とする電動機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明によると、接着剤を用いた積層モータコアにおいて、接着剤の飛散を防ぎ良好な接着特性を確保できることから、薄板材料の密着性が高まり、モータコア内に均一な磁界が形成されることから、コギングトルクやトルクむらの低減をはかることができる。
また、接着剤を用いた積層モータコアにおいて接着剤の飛散を防ぎ、良好な接着状態を確保できることから、モータコア内に均一な磁界が形成されることから、コギングトルクやトルクむらの低減をはかることができるとともに、コアから接着剤がはみ出すこともないので、成型治具に接着剤が付着することもないのでメンテナンスフリーとなり生産性の向上につながるものである。
また、接着剤の飛散を防ぎ良好な接着特性を確保できることから、薄板材料の密着性が高まり、モータコア内に均一な磁界が形成されることから、コギングトルクやトルクむらの低減をはかることができることから、電動機の位置決め精度や一定速度制御の制御性を向上することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月2日(2011.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図４は、アナログ信号をデジタル信号に変換することができる別の集積回路を示す図である。ある具体例中、図１Bと合わせて紹介する上述のインバータと電子素子の数量は二倍で、アナログ信号を更に量子化する。この具体例中、集積回路４００は、アナログ信号を受信できる入力端４０１を有する。集積回路４００は、第一組2n-1 個のインバータ４１０ａ、第二組2n-1個のインバータ４１０ｂ、第一組2n 個の分圧器 ４１５ａ、第二組2n 個の分圧器４１５ｂを含む。ある具体例中、第一組2n-1 個のインバータ４１０ａと第二組2n-1個のインバータ４１０ｂは、それぞれ、図１Aと図１B中で示される一組の2n-1個のインバータ１１０、或いは、１６０に類似する。第一組2n 個の分圧器４１５ａ、第二組2n 個の分圧器４１５ｂは、図１Bで示される分圧器１６５と同様である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
別の具体例中、加算器４２０から出力される(n+m+1)ビットの二値デジタル信号を示す整数値は変換されて、(n+m)ビットの二値デジタル信号となる。図４を参照すると、集積回路４００は、ルックアップテーブル４３０を含む。ルックアップテーブル４３０は、整数値とそれらが対応する(n+m)ビットの二値デジタル信号を含む複数のデータからなる。ルックアップテーブル４３０は、加算器４２０からの整数値を受信し、整数値に対応する(n+m)ビットの二値デジタル信号を提供することができる。例えば、ルックアップテーブル４３０は、９ビットの二値デジタル信号を示す整数値を受信し、８ビットの二値デジタル信号を出力することができる。アナログ信号を量子化時に、更に高いレベルが提供されるので、必要とされるアナログ信号量子化の正確さ、及び/又は、分解能が達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
ある具体例中、集積回路６００は、校正器６３０と結合される制御ロジック６３５を有する。計数器６４０は、校正器６３０および制御ロジック６３５と結合する。デジタルアナログコンバータ（DAC）６４５は計数器６４０に結合される。マルチプレクサ（mux）６５０は、DAC６４５とサンプルホールド回路６０３ａに結合される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
図６を参照すると、制御ロジック６３５は、校正器６３０、及び/又は、計数器６４０を有効化、及び/又は、トリガーすることができる。傾斜校正（ramp calibration）を使用する具体例中、計数器６４０は、(m+n+1)ビットの二値デジタル信号を、校正器６３０とDAC６４５に出力する。校正器６３０は、計数器６４０から出力される(m+n+1)ビットの二値デジタル信号を記録する。DAC６４５は、計数器６４０からの(m+n+1)ビットの二値デジタル信号をアナログ信号に変換し、マルチプレクサ６５０に提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
校正のために、マルチプレクサ６５０は、DAC６４５からのアナログ信号を量子化器６１０ａに出力する。注意すべきことは、加算器６１５ａは、(m+n+1)ビットの二値デジタル信号を示す整数値を、校正器６３０に出力することができる。校正器６３０は、(m+n+1)ビットの二値デジタル信号を示す出力整数値を記録する、及び/又は、出力整数値と計数器６４０からの対応する(m+n+1)ビットの二値デジタル信号と一致させる。ある具体例中、これらの整数値と(m+n+1)ビットの二値デジタル信号は、校正テーブル（calibration table）もしくはメモリ（共に図示しない）中に記録される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
変換されるアナログ信号が入力端６０１から提供された場合、マルチプレクサ６５０は、入力端６０１からのアナログ信号を、サンプルホールド回路６０３ａ、アナログバッファ６０５ａ、量子化器６１０ａに向かって出力する。加算器６１５ａは、量子化器６１０ａからのデジタル信号を加算し、(m+n+1)ビットの二値デジタル信号を示す整数値を、校正器６３０に出力することができる。校正器６３０は、整数値を受信して、校正テーブルに基づいて、整数値に対応する校正デジタル信号を出力することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
注意すべきことは、校正プロセス中、校正器６３０、制御ロジック６３５、計数器６４０、及び/又は、DAC６４５は、図１A、図１B、及び、図４、図５で示される集積回路１００、１５０、４００、及び、５００に応用できる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１Ｂ】
2010288279.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月2日(2011.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に形成された第１の窒化物半導体層と、
前記第１の窒化物半導体層の上に形成され、前記第１の窒化物半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きい第２の窒化物半導体層と、
前記第２の窒化物半導体層の上に形成され、ｐ型の窒化物半導体よりなる第３の窒化物半導体層と、
前記第３の窒化物半導体層の上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の両側方の領域にそれぞれ形成されたソース電極及びドレイン電極とを備え、
前記第３の窒化物半導体層は、前記ゲート電極の下側部分の厚さが前記ゲート電極の側方部分の厚さよりも大きく、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記ゲート電極の下側部分から離れて設けられていることを特徴とする窒化物半導体装置。
【請求項２】
前記第３の窒化物半導体層は、前記基板側から順次形成された第１のｐ型層及び第２のｐ型層からなり、
前記第１のｐ型層は、前記ゲート電極の下側部分の厚さが、前記ソース電極と前記ゲート電極との間及び前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間に位置する部分の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体装置。
【請求項３】
前記第３の窒化物半導体層は、前記基板側から順次形成された第１のｐ型層及び第２のｐ型層からなり、
前記第２のｐ型層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と接触していることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体装置。
【請求項４】
前記第１の窒化物半導体層はＧａＮからなり、
前記第２の窒化物半導体層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）からなり、
前記第３の窒化物半導体層における前記第１のｐ型層は、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ≦１）からなり、
前記第３の窒化物半導体層における前記第２のｐ型層は、ＡｌｚＧａ１−ｚＮ（０≦ｚ≦１，ｙ≠ｚ）からなることを特徴とする請求項２又は３に記載の窒化物半導体装置。
【請求項５】
前記第３の窒化物半導体層における前記第１のｐ型層の厚さは１５ｎｍ以上であることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項６】
前記第３の窒化物半導体層は、１層のｐ型半導体層からなることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体装置。
【請求項７】
前記第１の窒化物半導体層はＧａＮからなり、
前記第２の窒化物半導体層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）からなり、
前記第３の窒化物半導体層は、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ≦１）からなることを特徴とする請求項６に記載の窒化物半導体装置。
【請求項８】
前記ゲート電極により構成されるトランジスタ素子の第１の閾値電圧値は、前記ゲート電極の側方の部位に表面空乏層を介して仮想的に形成される仮想トランジスタ素子の第２の閾値電圧値よりも大きいことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項９】
前記第１の閾値電圧値は、前記第２の閾値電圧値と比べて２．５Ｖ以上大きいことを特徴とする請求項８に記載の窒化物半導体装置。
【請求項１０】
前記ソース電極及びドレイン電極は、前記第１の窒化物半導体層と前記第２の窒化物半導体層の界面と接触するように形成されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項１１】
前記基板は、導電性を有していることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項１２】
前記基板は、シリコン又は炭化シリコンであることを特徴とする請求項１１に記載の窒化物半導体装置。
【請求項１３】
前記ソース電極は、前記第１の窒化物半導体層、第２の窒化物半導体層及び第３の窒化物半導体層を貫通するバイアホールを介して前記基板と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の窒化物半導体装置。
【請求項１４】
前記ゲート電極の上側に形成され、比誘電率が４以下である絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に設けられ、前記ドレイン電極と電気的に接続された上部電極とをさらに備えていることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の窒化物半導体装置。
【請求項１５】
基板の上に、第１の窒化物半導体層、該第１の窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーが大きい第２の窒化物半導体層、ｐ型の第３の窒化物半導体層及びｐ型の第４の窒化物半導体層を順次形成する工程（ａ）と、
前記第４の窒化物半導体層におけるゲート電極形成領域を除く部分であって、前記第４の窒化物半導体層の上部又は前記第３の窒化物半導体層の上部を選択的に除去することにより、前記第４の窒化物半導体層から前記ゲート電極形成領域を形成する工程（ｂ）と、
前記ゲート電極形成領域の両側方の領域で且つ前記ゲート電極形成領域から離れた領域であって、少なくとも前記第３の窒化物半導体層及び第２の窒化物半導体層並びに前記第１の窒化物半導体の上部を選択的に除去することにより、断面凹状のソースドレイン電極形成領域を形成する工程（ｃ）と、
前記ソースドレイン形成領域に金属膜を形成することにより、前記第２の窒化物半導体層及び第１の窒化物半導体層の界面とそれぞれ接するソース電極及びドレイン電極を形成する工程（ｄ）と、
前記ゲート電極形成領域の上にゲート電極を形成する工程（ｅ）とを備えていることを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記工程（ｂ）において、前記第３の窒化物半導体層の上部における前記ゲート電極形成領域の側方部分をも選択的に除去することを特徴とする請求項１５に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記工程（ｂ）において、前記第４の窒化物半導体層における前記ゲート電極形成領域を除く部分の上部を選択的に除去し、
前記工程（ｃ）において、前記第４の窒化物半導体層の残部における前記ソースドレイン電極形成領域をも選択的に除去することを特徴とする請求項１５に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
基板の上に、第１の窒化物半導体層、前記第１の窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーが大きい第２の窒化物半導体層及びｐ型の第３の窒化物半導体層を順次形成する工程（ａ）と、
前記第３の窒化物半導体層におけるゲート電極形成領域を除く部分であって、その上部を選択的に除去することにより、前記第３の窒化物半導体層から前記ゲート電極形成領域を形成する工程（ｂ）と、
前記ゲート電極形成領域の両側方の領域で且つ前記ゲート電極形成領域から離れた領域であって、前記第３の窒化物半導体層の残部、前記第２の窒化物半導体層及び前記第１の窒化物半導体の上部を選択的に除去することにより、凹状のソースドレイン電極形成領域を形成する工程（ｃ）と、
前記ソースドレイン形成領域に金属膜を形成することにより、前記第２の窒化物半導体層及び第１の窒化物半導体層の界面とそれぞれに接するソース電極及びドレイン電極を形成する工程（ｄ）と、
前記ゲート電極形成領域の上にゲート電極を形成する工程（ｅ）とを備えていることを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月27日(2011.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ（１）において、
電磁放射を発生させるための活性領域（３）を含む半導体層列（２）と、
高次のモードを減衰させるための吸収領域（４）が設けられており、該吸収領域（４）は半導体層列（２）内に配置されているかまたは半導体層列（２）に接しており、
該吸収領域（４）は、横方向ないしは水平方向へのエピタキシャル成長を利用したマスク層であることを特徴とする、
半導体レーザ。
【請求項２】
請求項１記載の半導体レーザ（１）において、
前記吸収領域（４）は吸収性の材料を有することを特徴とする半導体レーザ。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体レーザ（１）において、
前記吸収領域（４）の吸収度は材料組成によって調整されていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項４】
請求項２または３記載の半導体レーザ（１）において、
前記吸収性材料は酸化物または窒化物であり、たとえばＩＴＯまたはＳｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｉｎの酸化物または窒化物であることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項５】
請求項２から４のいずれか１項記載の半導体レーザ（１）において、
前記吸収性材料の材料組成は非化学量論的であることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項６】
請求項２から５のいずれか１項記載の半導体レーザ（１）において、
前記吸収領域（４）は誘電材料を有することを特徴とする半導体レーザ。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項記載の半導体レーザ（１）において、
前記吸収領域（４）は電気的に絶縁性であることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項８】
請求項７記載の半導体レーザ（１）において、
前記吸収領域（４）は電流を絞るために用いられることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項９】
請求項１記載の半導体レーザ（１）において、
前記吸収領域（４）に吸収特性をもつ導入物が混合されていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体レーザ（１）において、
前記吸収領域（４）の吸収度は前記導入物の割合によって調整されていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項１１】
請求項９または１０記載の半導体レーザ（１）において、
前記導入物は原子、クラスターまたは粒子であり、これらは金属、半導体材料または有機材料から成るかまたはそれらを含むことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体レーザ（１）において、
前記導入物はＴｉ，Ｐｔ，ＳｉまたはＣから成るか、またはそれらを含むことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項１３】
請求項９から１２のいずれか１項記載の半導体レーザ（１）において、
前記吸収領域（４）は酸化物または窒化物であり、たとえばＩＴＯまたはＳｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｉｎの酸化物または窒化物またはポリイミドであることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか１項記載の半導体レーザ（１）において、
前記吸収領域（４）に構造が与えられていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項１５】
請求項１４記載の半導体レーザ（１）において、
前記吸収領域（４）は点状、ストライプ状またはフィールドライン状の構造を有することを特徴とする半導体レーザ。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれか１項記載の半導体レーザ（１）において、
前記吸収領域（４）は前記半導体層列（２）の中に配置されていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項１７】
請求項１６記載の半導体レーザ（１）において、
前記吸収領域（４）はエピタキシャル成長により形成されていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項１８】
請求項１から１７のいずれか１項記載の半導体レーザ（１）において、
リッジレーザであることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項１９】
請求項１８記載の半導体レーザ（１）において、
前記吸収領域（４）は横方向に延在していることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２０】
請求項１８または１９記載の半導体レーザ（１）において、
前記吸収領域（４）は垂直方向で前記活性領域（３）に対し間隔がおかれていることを特徴とする半導体レーザ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月6日(2011.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトクス素子の運転中に電磁線（８）を放出する活性層（２）、および電磁線（８）の放出方向（９）で活性層（２）の後方に続くルミネセンス変換層（５）を有するオプトエレクトロニクス素子であって、前記放出方向（９）で、ルミネセンス変換層（５）の後方に、活性層（２）からそれた表面で光を散乱する表面構造体（１４）を有する、光を散乱する半透明の層（６）が続くオプトエレクトロニクス素子において、光を散乱する半透明の層（６）上に被覆層（７）が設けられていることを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。
【請求項２】
光を散乱する半透明の層（６）の層厚が５００μｍ以下である請求項１記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項３】
光を散乱する半透明の層（６）が活性層（２）およびルミネセンス変換層（５）を包含する連続層（１２）に含まれている請求項１または２記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項４】
光を散乱する半透明の層（６）がルミネセンス変換層（５）上に設けられている請求項１から３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項５】
活性層（２）がオプトエレクトロニクス素子の運転中に青い放射線または紫外線を放出し、この放射線がルミネセンス変換層（５）により白い光に変換される請求項１から４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項６】
活性層（２）が有機発光材料を有する請求項１から５までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項７】
活性層（２）が窒化物化合物半導体材料を有する請求項１から５までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項８】
被覆層（７）が、光を散乱する半透明の層（６）の表面構造体（１４）を平坦化しており、オプトエレクトロニクス素子が平坦な表面を有している請求項１から７までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子を製造する方法において、光を散乱する表面構造体（１４）を、サンドブラストにより製造する、請求項１から８までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子を製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月28日(2011.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー活性の半導体層列（１）が設けられており、該半導体層列（１）の第１の主表面（１００３）に複数のカーボンナノチューブ（３０）を含む熱伝導層（３）が配置されている、
半導体レーザーにおいて、
前記レーザー活性の半導体層列（１）と前記熱伝導層（３）とのあいだに金属層（２）が配置されている
ことを特徴とする半導体レーザー。
【請求項２】
前記金属層は１０μｍ以下の層厚さを有する、請求項１記載の半導体レーザー。
【請求項３】
前記熱伝導層は前記金属層に接している、請求項１または２記載の半導体レーザー。
【請求項４】
少なくとも幾つかのカーボンナノチューブ（３０）の少なくとも一方側は閉鎖されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の半導体レーザー。
【請求項５】
少なくとも幾つかのカーボンナノチューブ（３０）は充填材料によって部分的にまたは完全に充填されている、請求項１から４までのいずれか１項記載の半導体レーザー。
【請求項６】
前記充填材料は銀、鉛および希ガスのグループから選択される、請求項５記載の半導体レーザー。
【請求項７】
少なくとも幾つかのカーボンナノチューブ（３０）は１つの内壁を有する、請求項１から６までのいずれか１項記載の半導体レーザー。
【請求項８】
少なくとも幾つかのカーボンナノチューブ（３０）は複数の内壁を有する、請求項１から７までのいずれか１項記載の半導体レーザー。
【請求項９】
第１のカーボンナノチューブ群は相互に平行に配向されている、請求項１から８までのいずれか１項記載の半導体レーザー。
【請求項１０】
前記第１のカーボンナノチューブ群は前記熱伝導層（３）の延在する主平面に対して平行に延在している、請求項９記載の半導体レーザー。
【請求項１１】
前記第１のカーボンナノチューブ群は前記熱伝導層（３）の延在する主平面に対して所定の角度で、有利には垂直に、延在している、請求項９記載の半導体レーザー。
【請求項１２】
第２のカーボンナノチューブ群は、相互に平行に、また、前記第１のカーボンナノチューブ群の延在方向に対して所定の角度で配向されている、請求項９から１１までのいずれか１項記載の半導体レーザー。
【請求項１３】
前記第２のカーボンナノチューブ群は前記レーザー活性の半導体層列（１）の延在する主平面に対して平行に延在している、請求項１２記載の半導体レーザー。
【請求項１４】
前記第２のカーボンナノチューブ群は前記レーザー活性の半導体層列（１）の延在する主平面に対して所定の角度で、有利には垂直に、延在している、請求項１２記載の半導体レーザー。
【請求項１５】
前記熱伝導層（３）は前記第１のカーボンナノチューブ群を含む第１の層（３１）と前記第２のカーボンナノチューブ群を含む第２の層（３２）とを有しており、前記第１の層と前記第２の層とは有利には相互に接している、請求項１２から１４までのいずれか１項記載の半導体レーザー。
【請求項１６】
前記第１の層（３１）は前記第２のカーボンナノチューブ群を含まず、および／または、前記第２の層（３２）は前記第１のカーボンナノチューブ群を含まない、請求項１５記載の半導体レーザー。
【請求項１７】
前記熱伝導層（３）はカーボンナノチューブの長さまたは該長さの整数倍に相応する層厚さを有する、請求項１から１６までのいずれか１項記載の半導体レーザー。
【請求項１８】
それぞれ複数のカーボンナノチューブ（３０）を含む複数の熱伝導層（３，７）が設けられている、請求項１から１７までのいずれか１項記載の半導体レーザー。
【請求項１９】
複数の金属層（２，４，８）とそれぞれ複数のカーボンナノチューブ（３０）を含む複数の熱伝導層（３，７）とが設けられており、各金属層と各熱伝導層とは交互に配列されている、請求項１８記載の半導体レーザー。
【請求項２０】
前記熱伝導層（３）はパターニングされている、請求項１から１９までのいずれか１項記載の半導体レーザー。
【請求項２１】
前記熱伝導層（３）は導電性である、請求項１から２０までのいずれか１項記載の半導体レーザー。
【請求項２２】
当該の半導体レーザーはヒートシンク（６）を有する、請求項１から２１までのいずれか１項記載の半導体レーザー。
【請求項２３】
１つまたは複数の熱伝導層（３，７）が前記レーザー活性の半導体層列（１）と前記ヒートシンク（６）とのあいだに配置されている、請求項２２記載の半導体レーザー。
【請求項２４】
前記レーザー活性の半導体層列（１）が固定層（５）を介して前記ヒートシンク（６）に機械的に安定に接合されている、請求項２２または２３記載の半導体レーザー。
【請求項２５】
前記固定層（５）ははんだまたは接着剤を含む、請求項２４記載の半導体レーザー。
【請求項２６】
当該の半導体レーザーは少なくとも１つのブラッグリフレクタを有する、請求項１から２５までのいずれか１項記載の半導体レーザー。
【請求項２７】
レーザー活性の半導体層列（１）を準備するステップと、
該レーザー活性の半導体層列（１）上に複数のカーボンナノチューブ（３０）を含む熱伝導層（３）を形成するステップと
を有する、
半導体レーザーの製造方法において、
前記レーザー活性の半導体層列（１）の上に金属層（２）を配置し、該金属層上に前記熱伝導層（３）を配置する
ことを特徴とする半導体レーザーの製造方法。
【請求項２８】
前記熱伝導層の形成を化学的気相蒸着法（CVD:chemical vapor deposition）により行う、請求項２７記載の半導体レーザーの製造方法。
【請求項２９】
前記熱伝導層の形成を３５０℃以下の温度のもとで行う、請求項２７または２８記載の半導体レーザーの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月21日(2010.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
マグネットランプ中にだけ超伝導マグネットに接続されるような格納式の電流リードが使用されることが多い。超伝導マグネットがランプされた後の通常動作中には、電流リードを引き込ませてリードから超伝導マグネットへの熱伝導負荷を低下させている。こうした格納式リードは通常、室温に維持されており、超伝導マグネットに接続されるとリードに電力供給するために用いる装置と一体となって、超伝導マグネットに対する１つの熱負荷として働く。
【特許文献１】米国特許第７０６４５５０号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月4日(2011.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を蓄積する画像蓄積手段と、
前記画像の近似データを前記画像と対応付けて蓄積する近似データ蓄積手段と、
検索対象に類似する近似データを前記近似データ蓄積手段に蓄積された近似データから検索する近似空間検索手段と、
前記近似空間検索手段の検索結果に対応する前記画像蓄積手段に蓄積された画像と検索対象との距離を計算する手段とを備え、
前記近似データ蓄積手段に蓄積する前記近似データは、前記画像蓄積手段に蓄積された前記画像同士の関係を保持する様に生成されることを特徴とする画像検索装置。
【請求項２】
前記近似データ蓄積手段に蓄積されたデータ量は、近似データに対応する画像を蓄積した前記画像蓄積手段のデータ量より少なく、前記近似データ蓄積手段は前記画像蓄積手段に比べ高速アクセス可能であることを特徴とする請求項１に記載の画像検索装置。
【請求項３】
画像検索装置におけるデータ蓄積装置であって、
画像を蓄積する画像蓄積手段と、
前記画像を近似した近似データを前記画像蓄積手段に蓄積された画像と対応付けて蓄積する近似データ蓄積手段とを備え、
前記近似データ蓄積手段に蓄積されるデータ量は、近似データに対応する画像を蓄積した前記画像蓄積手段に蓄積されるデータ量より少なく、前記近似データ蓄積手段は前記画像蓄積手段に比べ高速アクセス可能な記憶媒体であり、
前記近似データ蓄積手段に蓄積する前記近似データは、前記画像蓄積手段に蓄積された前記画像同士の関係を保持する様に生成されることを特徴とするデータ蓄積装置。
【請求項４】
多次元の画像を蓄積する画像蓄積手段と、
前記画像を近似して作成した近似データを近似する前の画像と対応付けて蓄積する近似データ蓄積手段と、
検索対象に類似する近似データを前記近似データ蓄積手段に蓄積された近似データから検索する近似空間検索手段と、
前記近似空間検索手段の検索結果に対応する前記画像蓄積手段に蓄積された画像と検索対象との距離を計算する手段とを備え、
前記近似データ蓄積手段に蓄積する前記近似データは、前記画像蓄積手段に蓄積された前記多次元の画像から次元を縮退して生成されることを特徴とする画像検索装置。
【請求項５】
前記多次元の画像からの次元の縮退は、画像の特徴を強く表す成分と平均的な成分に分離して行うことを特徴とする請求項４に記載の画像検索装置。
【請求項６】
多次元の画像を蓄積する画像蓄積手段と、
前記画像の近似データを近似する前の画像と対応付けて蓄積する近似データ蓄積手段と、
検索対象に類似する近似データを前記近似データ蓄積手段に蓄積された近似データから検索する近似空間検索手段と、
前記近似空間検索手段の検索結果に対応する前記画像蓄積手段に蓄積された画像と検索対象との距離を計算する手段とを備え、
前記近似データ蓄積手段に蓄積する前記近似データは、前記画像蓄積手段に蓄積された前記多次元の画像の次元の一部を平均して生成されることを特徴とする画像検索装置。
【請求項７】
前記近似データ蓄積手段に蓄積する前記近似データは、前記画像蓄積手段に蓄積された前記多次元の画像の周波数成分の高い個々の次元成分と、周波数成分の低い次元を平均した成分から構成されることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか一項に記載の画像検索装置。
【請求項８】
前記近似データ蓄積手段に蓄積する前記近似データは、前記画像蓄積手段に蓄積された前記多次元の画像の周波数成分の低い個々の次元成分と、周波数成分の高い次元を平均した成分から構成されることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか一項に記載の画像検索装置。
【請求項９】
請求項３記載のデータ蓄積装置を備えた画像検索装置を用いて、プログラムされたコンピュータにより画像を検索する方法であって、
検索対象と類似する近似データを前記近似データ蓄積手段に蓄積された近似データから検索するステップと、
検索結果に対応する画像を前記画像蓄積手段から求めるステップと、
検索対象と前記画像蓄積手段から求めた検索結果の画像との類似度を計算するステップとを有する画像検索方法。
【請求項１０】
プログラムされたコンピュータによって画像を検索する方法であって、
多次元の画像を蓄積する画像蓄積ステップと、
前記画像の近似データを前記画像と対応付けて蓄積する近似データ蓄積ステップと、
検索対象に類似する近似データを前記近似データ蓄積ステップで蓄積された近似データから検索する近似空間検索ステップと、
前記近似空間検索ステップの検索結果に対応する前記画像蓄積ステップで蓄積された画像と検索対象との距離を計算するステップとを備え、
前記近似データ蓄積ステップで蓄積する前記近似データは、前記画像蓄積ステップで蓄積された前記多次元の画像から次元を縮退して生成されることを特徴とする画像検索方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月5日(2011.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明では、「局所的な熱処理」によってバス電極の“エッジカール”を除去ないしは低減することができる。従って、本発明によって誘電体層の絶縁耐圧の低下を防止できる。換言すれば、バス電極のエッジカールを除去・低減できるということは、ゾルゲル法を用いて誘電体層を形成した場合であっても、“エッジカール”に起因したクラックの発生を効果的に防止できることを意味しており、絶縁耐圧低下のリスクを効果的に回避できる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月14日(2011.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
一般的に繊維製造時に付与される油剤は、静電気の防止、繊維摩擦の低下、不織布の親水性の制御を目的としており、繊維に対して０．５から２．０質量％程度付与されている。使用される油剤は、一般的に親油性の高い油脂類と親油性と親水性を有する界面活性剤を主として含有し、さらに、帯電防止剤やその他の添加剤の混合物からなる。親油性の高い油脂類としては、鉱物油、ヤシ油、ナタネ油等の天然油脂、ブチルステアレート、トリデシルステアレート、ラウリルオレエート等の一価アルコールと一価カルボン酸とのエステル、トリメチロールプロパントリラウレート、グリセリントリオレエート等の多価アルコールと一価カルボン酸とのエステル、ジオレイルアジペート、ジオクチルセバケート等の一価アルコールと多価カルボン酸とのエステル、カプリル酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸等の飽和脂肪酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸等の不飽和脂肪酸が挙げられる。親油性と親水性を有する界面活性剤としては、非イオン性界面活性剤に分類されるポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンミリスチルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル等のポリオキシアルキルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンリノールエーテル、ポリオキシエチレンリノレンエーテル等のポリオキシエチレンアルキレンエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールモノラウレート、ポリエチレングリコールモノステアレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のポリエチレングリコールエステルが挙げられ、さらに、陰イオン性界面活性剤に分類されるアルキル硫酸エステル塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エステル塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、ジアルキルスルホコハク酸塩、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸塩、アルカンスルホン酸塩、長鎖脂肪酸塩、β−ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物のナトリウム塩、特殊芳香族スルホン酸ホルマリン縮合物のナトリウム塩、特殊ポリカルボン酸型高分子界面活性剤等が挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月28日(2011.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
抵抗体を含むガラス体の状態を導出するためのガラスシステム用処理装置であって、
前記抵抗体の大きさに基づく昇温プログラムデータを記憶した記憶部を有し、
電流測定部により測定された電流値と温度測定部により測定された前記ガラス体の温度とに基づき、前記昇温プログラムデータを参照して、前記ガラス体の状態を導出する処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
コンピュータに、
記憶部からガラスシステムの抵抗体の大きさに基づく昇温プログラムデータを読み出すステップと、
電流測定部により測定された電流値と温度測定部により測定されたガラス体の温度とに基づき、前記昇温プログラムデータを参照して、前記ガラス体の状態を導出するステップとを実行させるためのプログラム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
２．処理装置
本発明の処理装置は、
抵抗体を含むガラス体の状態を導出するためのガラスシステム用処理装置であって、
前記抵抗体の大きさに基づく昇温プログラムデータを記憶した記憶部を有し、
電流測定部により測定された電流値と温度測定部により測定された前記ガラス体の温度とに基づき、前記昇温プログラムデータを参照して、前記ガラス体の状態を導出する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
３．プログラム
本発明のプログラムは、
コンピュータに、
記憶部からガラスシステムの抵抗体の大きさに基づく昇温プログラムデータを読み出すステップと、
電流測定部により測定された電流値と温度測定部により測定されたガラス体の温度とに基づき、前記昇温プログラムデータを参照して、前記ガラス体の状態を導出するステップとを実行させるためのものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月26日(2010.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで、本出願人は先に正・逆両回転の作動においても良好に流体を密封し続けることを可能とする両回転用オイルシールとして、ゴム100重量部当り、アスペクト比8以上の針状または繊維状充填剤を1〜100重量部含有するゴム組成物を加硫成形してなる正・逆両回転用オイルシールを提案している(特開２００８−６４２０１号公報)。しかるに、鉄道の高速化などに伴い、オイルシールについても高速摺動化する傾向があり、かかる環境下の耐久性のさらなる改善が求められている。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年8月31日(2011.8.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スチームバスであって、
ステンレス鋼製シートからなる第１の角柱と、
ステンレス鋼製シートからなる、前記第１の角柱内に設けられる第２の角柱と、
前記第１の角柱と前記第２の角柱の間に設けられる絶縁材料とを有する抵抗システムと、
前記抵抗システムが内部に配置される容器と、
前記第１の角柱及び前記第２の角柱は、電極ベース上に設けられた２つの電極に接続され、
配分機器から重力によって落下する水滴が前記抵抗システムに接触することにより、スチームを生成してスチーム出口から放出する、
スチームバス。
【請求項２】
ステンレス鋼製シートからなる、前記第２の角柱内に設けられる第３の角柱をさらに備え、
前記第１、第２及び第３の角柱は、ベースが開放されている、
請求項１に記載のスチームバス。
【請求項３】
前記配分機器から前記抵抗システムに降下される前記水滴の数に応じて、電力消費が増減される、
請求項１または２に記載のスチームバス。
【請求項４】
前記容器は、手動ドレイン及び自動水量制御システムを有する、
請求項１から３のいずれか一項に記載のスチームバス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
このような矩形角柱は、入れ子式に配置されており、特別なプラスチックあるいは絶縁材料（４）で仕切られねばならず、電極（１０）及び（１１）用のベース（２２）を持つ。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
ステンレス鋼製の２４のゲージのシートからなる、ベースが開放された、三つの矩形ベース角柱からなる抵抗は、外側の矩形ベース角柱（３）をなすシートが長さ１６．５ｃｍ、幅５．５ｃｍ、高さ４．２ｃｍという寸法であり、中間の矩形ベース角柱（２）が長さ１５．５ｃｍ、幅５．０ｃｍ、高さ４．２ｃｍであり、内側の矩形ベース角柱（１）が長さ１５ｃｍ、幅４．５ｃｍ、高さ４．２ｃｍである。これら矩形ベース角柱は特別なプラスチックあるいは絶縁材料（４）でお互いに仕切られねばならない。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
このシステムの別の潜在的な製造上の特徴としては、入れ子式にできるよう異なる寸法あるいは構成を持たせることのできる同じステンレス鋼製の三つの（３）円柱あるいは立方体からなり、それらが絶縁材料で仕切られている、というものもある。これを達成する目的からは、抵抗システムが提示する新たな構成に対して、さらに繊維ガラスのケース（１６）を適用して、水滴下システムに関する同じ技術規則が使用される必要がある。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年12月6日(2010.12.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベッドに変換されることができ且つ列（２）に配置されることができる多数の座席（１）を備えていて、各々の列は航空機の縦軸方向に伸びており、且つ各々の座席は航空機の前側に向かって向けられている、航空機の乗客用の個々の座席の配列構造であって、
それは、
- 二つの隣接する列からなる二つの側面のグループ（３a）であって、各グループは航空機胴体の壁（４）に沿って配置されており、一つの列における座席は他の列の座席に関して縦方向にずれている二つの側面のグループと、そして、
- 二つの隣接する列を各々備えている二つの中央のグループ（３ｂ）であって、前記中央のグループはお互いに横方向に対向して面しており、一つの列における座席が他の列の座席に関して縦方向にずれており、前記中央のグループは通路によって側面のグループの各々から分離させられている二つの中央のグループと；
第一の列における二つの連続する座席の間に、第一の列の対応する座席がベッド位置にあるとき、第二の列の乗客のための通路（７）への横方向の出入り口（６）を許容できる間隙を備えている各々の側面及び中央のグループ、とを備えていることを特徴とする座席の配列構造。
【請求項２】
各座席は、傾きに対して調整可能な背中用台と、傾きに対して調整可能な座席のクッションと、傾きに対して調整可能な脚用台及びＳ形状の固定分離シェルとを提供されており、前記シェルは、前記座席の背中用台の後ろに伸びている第一の横方向の壁（７）と、隣接する列における近接する座席の前側に伸びている第二の横方向の壁（８）と、そして二つの横方向の壁の間に伸びている縦方向の壁（９）とを備えていることを特徴とする請求項１に記載の配列構造。
【請求項３】
座席（１）は、ベッド位置において、座席の脚用台が縦軸方向で近接している座席の固定シェルの下に配置されるように配列されていることを特徴とする請求項２に記載の配列構造。
【請求項４】
航空機胴体の壁に沿って配置されている列において、そして二つの中央のグループの相互に近接している二つの列の各々において、スペース（１５）が二つの連続する座席の間に提供されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の配列構造。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
特別な実施形態において、各々の座席は、傾きに対して調整可能な背中用台と、傾きに対して調整可能な座席のクッションと、傾きに対して調整可能な脚用台及び実質的にＳ形状の固定分離シェルを提供されており、前記シェルは、前記座席の背中用台の後ろに伸びている第一の横方向の壁と、隣接する列における近接する座席の前側に伸びている第二の横方向の壁と、そして二つの横方向の壁の間に伸びている縦方向の壁とを備えている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
座席１は、傾きに対して全て調整可能である、背中用台、座席クッション及び脚用台を提供されている。それらはまた背中用台の後ろに配置されている固定分離シェル、それは後部固定分離シェルと言う、を備えている。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年12月6日(2010.12.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベッドに変換されることができ且つ列に配置されることができる多数の座席を備えていて、各々の列は航空機の縦軸方向に伸びており、且つ各々の座席は航空機の前側に向かって向けられている、航空機の乗客用の個々の座席の配列構造であって、
それは、
- 二つの隣接する列（２）からなる二つの側面のグループ（３a；１３a）であって、各グループは航空機胴体の壁（４）に沿って配置されており、一つの列における座席は他の列の座席に関して縦方向にずれている二つの側面のグループと、そして、
- 二つの隣接する列からなる少なくとも一つの中央のグループ（３ｂ；１３ｂ）であって、一つの列における座席は他の列の座席に関して縦方向にずれており、前記中央のグループは通路によって側面のグループの各々から分離させられている少なくとも一つの中央のグループと；
第一の列における二つの連続する座席の間に、第二の列の乗客のための横方向の出入り口を許容できるピッチ（Ｐ１）を備えている各々の側面のグループと、且つ同じ列における二つの連続する座席の間に、側面のグループに提供されているピッチよりも小さいピッチを備えている少なくとも一つの中央のグループ、とを備えていることを特徴とする座席の配列構造。
【請求項２】
通路によって互いに分離されている二つの中央のグループを備えていることを特徴とする請求項１に記載の配列構造。
【請求項３】
各座席は、傾きに対して調整可能な背中用台と、傾きに対して調整可能な座席のクッションと、傾きに対して調整可能な脚用台及びＳ形状の固定分離シェルとを提供されており、前記シェルは前記座席の背中用台の後ろに伸びている第一の横方向の壁（７）と、隣接する列における近接する座席の前側に伸びている第二の横方向の壁（８）と、そして二つの横方向の壁の間に伸びている縦方向の壁（９）とを備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配列構造。
【請求項４】
座席は、ベッド位置において、座席の脚用台が縦軸方向で近接している座席の固定シェルの下に配置されるように配列されていることを特徴とする請求項３に記載の配列構造。
【請求項５】
航空機胴体の壁に沿って配置されている列において、スペースが二つの連続する座席の間に提供されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の配列構造。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
また、特別な実施形態において、各々の座席は、傾きに対して調整可能な背中用台と、傾きに対して調整可能な座席のクッションと、傾きに対して調整可能な脚用台及び実質的にＳ形状の固定分離シェルを提供されており、前記シェルは、前記座席の背中用台の後ろに伸びている第一の横方向の壁と、隣接する列における近接する座席の前側に伸びている第二の横方向の壁と、そして二つの横方向の壁の間に伸びている縦方向の壁とを備えている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
座席１は、傾きに対して全て調整可能である、背中用台、座席クッション及び脚用台を提供されている。それらはまた背中用台の後ろに後部固定分離シェルと言う固定分離シェルを備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月26日(2011.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種の表面添加剤を有するトナー粒子を含むトナーであって、
前記トナー粒子が、少なくとも０．９５のＦＰＩＡ平均真円度を有し、これにより、４５００〜４７００Ｌ／トナー１グラムの超音波処理を施した場合に前記表面添加剤の総量の少なくとも８０重量％がトナー粒子の表面に留まる、トナー。
【請求項２】
前記トナー粒子の粒径分布が、５〜１０μｍの体積平均粒子直径を有する、請求項１に記載のトナー。
【請求項３】
キャリア粒子をさらに含み、該キャリア粒子の粒径が３０〜６０ミクロンである、請求項１又は２に記載のトナー。
【請求項４】
前記粒子中又は粒子上に有する前記表面添加剤の総含有量が、前記トナー粒子の２重量パーセント未満となっている、請求項１から３のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項５】
前記粒子の形状又は表面を修飾することによって前記トナー粒子のＦＰＩＡ平均真円度を０．９５にする前又はその際に前記トナーに前記表面添加剤を添加することによって、前記トナー粒子を得ることができる、請求項１から４のいずれか１項に記載のトナー。
【請求項６】
トナーを製造する方法であって、
−バインダ樹脂、着色剤及び任意に他の添加剤を混合し、これにより、混合物を形成し、
−前記混合物を溶融し、混練し、摩砕し、これにより、溶融され混練された製品を得て、
−前記溶融され混練された製品を粉末化し、
−少なくとも１種の表面添加剤を添加し、その後又はその間に、前記粒子の形状又は表面を修飾することによって、前記トナー粒子のＦＰＩＡ平均真円度を０．９５とし、４５００〜４７００／トナー１グラムの超音波処理を施した場合に、前記表面添加剤の総量の少なくとも８０重量％が前記トナー粒子の表面上に留まる
ことを含む、方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載のトナーによって印刷される又はマーキングされる基材。