【手続補正書】
【提出日】平成23年1月11日(2011.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
第１の絶縁膜８３の上面には、半導体膜８４を覆う状態で第２の絶縁膜８８が積層形成されている。第２の絶縁膜８８は、光透過性の絶縁材料によって構成されている。第２の絶縁膜８８には、ソース領域８６の高濃度領域８６Ｈの一部を露出するように複数のコンタクトホール８９が形成されるとともに、ドレイン領域８７の高濃度領域８７Ｈの一部を露出するように複数のコンタクトホール９０が形成されている。ソース側のコンタクトホール８９は、第１の配線９１の配線材料によって埋め込まれ、ドレイン側のコンタクトホール９０は、第２の配線９２の配線材料によって埋め込まれている。また、第２の絶縁膜８８の上面には、各々の配線９１，９２を覆う状態で平坦化膜９３が積層形成されている。平坦化膜９３は、光透過性の絶縁材料によって構成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
受光ドライブ回路５は、表示パネル２において受光データが得られるように（物体の接触や近接を感知するように）、表示パネル２の駆動を行なう（線順次動作の駆動を行なう）回路である。受光ドライブ回路５はフレームメモリ９を有している。各画素での受光データは、例えばフレーム単位でフレームメモリ９に蓄積された後、画像処理部６に出力される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
＜表示領域の回路構成＞
図２は表示パネルの表示領域における回路構成を示す図である。図示のように、表示領域８には、画素部１１と、センサ部１２とが設けられている。画素部１１とセンサ部１２は、それぞれ表示領域８に複数設けられるものである。また、複数の画素部１１は、表示領域８全体に渡ってマトリクス状に配置され、複数のセンサ部１２も、表示領域８全体に渡ってマトリクス状に配置される。具体的には、表示パネル２の垂直走査方向（タテ方向）において、例えば図２に示すように、画素部１１とセンサ部１２が交互に並ぶように配置される。センサ部１２の配置に関しては、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色成分に対応するサブ画素と１：１の関係でセンサ部１２を配置してもよいし、ＲＧＢの３つのサブ画素を組としたメイン画素と１：１の関係でセンサ部１２を配置してもよし、複数のメイン画素につき１個のセンサ部１２を配置してもよい。また、表示領域８の全体ではなく、表示領域８の一部（所定部位）に限定してセンサ部１２を設けてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
光センサ１５には、電源電圧Ｖｄｄが供給されるようになっている。また、光センサ１５には、リセット用のスイッチング素子１２ａとコンデンサ（蓄積容量）１２ｂが接続されている。光センサ１５は、光の入射（照射）によって電子正孔対を発生することにより、受光量に応じた光電流を生成するものである。この光電流は、光センサ１５の受光信号としてセンサ外部に読み出される。また、光センサ１５の受光信号（信号電荷）はコンデンサ１２ｂに蓄積される。スイッチング素子１２ａは、コンデンサ１２ｂに蓄積された受光信号を所定のタイミングでリセットする。コンデンサ１２ｂに蓄積された受光信号は、読み出し用のスイッチング素子１２ｃがオンとなるタイミングで、バッファアンプ１２ｄを介して受光信号配線１２ｅに供給（読み出し）され、外部へ出力される。リセット用のスイッチング素子１２ａのオン・オフ動作は、リセット制御線１２ｆにより供給されるリセット信号により制御される。また、読み出し用のスイッチング素子１２ｃのオン・オフ動作は、読み出し制御線１２ｇにより供給される読み出し信号により制御される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
また、本発明の第５実施形態に係る光センサ４５においては、半導体膜４９のアノード領域５１とカソード領域５２を共にＴ字形に形成することにより、アノード領域５１に関しては、制御電極４７の端辺に重なるアノード領域５１の長さＬ５を、制御電極４７の端辺に沿う方向の光活性層５０の長さ（本形態ではアノード領域５１と光活性層５０の境界部の長さ）Ｌ６よりも短くし、カソード領域５２に関しては、制御電極４７の端辺に重なるカソード領域５２の長さＬ７を、制御電極４７の端辺に沿う方向の光活性層５０の長さ（本形態ではカソード領域５２と光活性層５０の境界部の長さ）Ｌ８よりも短くしている。これに対して、例えば図１１に示すように、半導体膜４９のアノード領域５１とカソード領域５２を共に長方形に形成した場合は、アノード領域５１に関しては、制御電極４７の端辺に重なるアノード領域５１の長さＬ９が、制御電極４７の端辺に沿う方向の光活性層５０の長さ（アノード領域５１と光活性層５０の境界部の長さ）Ｌ９と等しくなり、カソード領域５２に関しては、制御電極４７の端辺に重なるカソード領域５２の長さＬ１０（Ｌ９＝Ｌ１０）が、制御電極４７の端辺に沿う方向の光活性層５０の長さ（カソード領域５２と光活性層５０の境界部の長さ）Ｌ１０と等しくなる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
このため、制御電極４７とアノード領域５１の対向面積は、アノード領域５１を長方形に形成する場合に比較して狭くなり、その分だけセンサ内部の寄生容量が減少する。同様に、制御電極４７とカソード領域５２の対向面積は、カソード領域５２を長方形に形成する場合に比較して狭くなり、その分だけセンサ内部の寄生容量が減少する。また、アノード領域５１とカソード領域５２の双方において、光活性層５０の長手寸法は上記図１１に示すセンサ構造と同一寸法（Ｌ６＝Ｌ８＝Ｌ９＝Ｌ１０）に維持されているため、電子正孔対の発生源となる光活性層５０の領域（面積）はそのまま維持される。このため、センサ内部で発生する光電流が低下することはない。この結果、センサ内部で発生する光電流を低下させることなく、センサ内部の寄生容量を減らすことができる。したがって、光センサ４５の受光信号となる光電流を効率良く読み出すことが可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
＜第７実施形態＞
図１３は本発明の第７実施形態に係る光センサの構成を示す平面図であり、図１４は当該光センサの構成を示す断面図である。この第７実施形態においては、上記第５，第６実施形態で挙げた構成要素と同様の機能を有する構成要素に同じ符号を付して説明することとする。図示した光センサ４５においては、制御電極４７と、半導体膜４９のアノード領域５１、光活性層５０及びカソード領域５２が、それぞれ同心円状に配置されている。制御電極４７はドーナツ形に形成されている。制御電極４７には制御配線５９が接続されている。半導体膜４９は円形（真円）に形成されている。半導体膜４９は、光センサ４５の中心から半径方向（放射方向）に向けて、カソード領域５２、光活性層５０及びアノード領域５１を順に配置した構成となっている。このため、光活性層５０は、円形のカソード領域５２を取り囲むようにその外側にドーナツ形に形成され、アノード領域５１は、光活性層５０を取り囲むようにその外側にドーナツ形に形成されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
カソード領域５２の外周部は光活性層５０の内周部に隣接している。カソード領域５２の中心位置にはコンタクトホール５５が設けられている。コンタクトホール５５は、第２の絶縁膜５３を貫通する状態で形成されたもので、第２の配線（カソード配線）５７の配線材料によって埋め込まれている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
ここで、半導体膜４９のアノード領域５１とカソード領域５２を比較すると、アノード領域５１は光活性層５０の外側にドーナツ形に形成されているのに対して、カソード領域５２は光活性層５０の内側に円形に形成されている。このため、アノード領域５１に関しては、制御電極４７の端辺（外周縁）に重なるアノード領域５１の長さ（円周長）が、制御電極４７の端辺に沿う方向の光活性層５０の長さ（本形態ではアノード領域５１と光活性層５０の境界部の長さ（円周長））よりも長くなっている。これに対して、カソード領域５２に関しては、制御電極４７の端辺（内周縁）に重なるカソード領域５２の長さ（円周長）が、制御電極４７の端辺に沿う方向の光活性層５０の長さ（本形態ではカソード領域５２と光活性層５０の境界部の長さ（円周長））よりも短くなっている。このため、制御電極４７とカソード領域５２の対向面積は、制御電極４７とアノード領域５１の対向面積よりも狭くなっている。したがって、制御電極４７とアノード領域５１の対向面積が、例えば上記図１１に示すように、アノード領域５１とカソード領域５２を共に長方形に形成した場合と同じ面積であると仮定すると、上記図１１に示すセンサ構造と比較して、制御電極４７とカソード領域５２の対向面積が狭くなり、その分だけセンサ内部の寄生容量が減少する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
＜第８実施形態＞
図１５は本発明の第８実施形態に係る光センサの構成を示す平面図である。この第８実施形態においては、上記第５実施形態と比較して、光活性層５０とアノード領域５１の形状が異なっている。すなわち、上記第５実施形態においては、光活性層５０を帯状とし、アノード領域５１をＴ字形としているが、本第８実施形態においては、光活性層５０の一部をアノード領域５１と同じ幅で当該アノード領域５１側に突出させ、その突出部分から連続するかたちでアノード領域５１をI字形に形成し、カソード領域５２はＴ字形に形成している。このため、アノード領域５１に関しては、制御電極４７の端辺に重なるアノード領域５１の長さＬ５が、制御電極４７の端辺に沿う方向の光活性層５０の長さＬ６よりも短くなっており、カソード領域５２に関しては、制御電極４７の端辺に重なるカソード領域５２の長さＬ７が、制御電極４７の端辺に沿う方向の光活性層５０の長さＬ８よりも短くなっている。したがって、上記第５実施形態と同様の作用効果が得られる。さらに、上記第５実施形態と比較すると、制御電極４７とアノード領域５１の対向面積が狭くなり、その分だけセンサ内部の寄生容量が減少する。この第８実施形態で採用した構成は、前述したｎチャネル型のＭＯＳトランジスタ構造の光センサにも同様に適用可能である。その場合は、アノード領域５１の部分がソース領域の部分となり、カソード領域５２の部分がドレイン領域の部分となる。また、第８実施形態の変形例として、アノード領域５１をＴ字型、カソード領域５２をＩ字形としてもよい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
＜第９実施形態＞
図１６は本発明の第９実施形態に係る光センサの構成を示す平面図である。この第９実施形態においては、上記第８実施形態と比較して、光活性層５０とカソード領域５２の形状が異なっている。すなわち、本第９実施形態においては、光活性層５０の一部をカソード領域５２と同じ幅で当該カソード領域５２側に突出させ、その突出部分から連続するかたちでカソード領域５２をI字形に形成している。このため、カソード領域５２に関しては、制御電極４７の端辺に重なるアノード領域５１の長さＬ５が、制御電極４７の端辺に沿う方向の光活性層５０の長さＬ６よりも短くなっており、カソード領域５２に関しては、制御電極４７の端辺に重なるカソード領域５２の長さＬ７が、制御電極４７の端辺に沿う方向の光活性層５０の長さＬ８よりも短くなっている。したがって、上記第８実施形態と同様の作用効果が得られる。さらに、上記第５、第８実施形態と比較すると、制御電極４７とカソード領域５２の対向面積が狭くなり、その分だけセンサ内部の寄生容量が減少する。この第９実施形態で採用した構成は、前述したｎチャネル型のＭＯＳトランジスタ構造の光センサにも同様に適用可能である。その場合は、アノード領域５１の部分がソース領域の部分となり、カソード領域５２の部分がドレイン領域の部分となる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
＜第１０実施形態＞
図１７は本発明の第１０実施形態に係る光センサの構成を示す平面図である。この第１０実施形態においては、上記図１１に示すＰＩＮ型のダイオード構造と比較して、アノード領域５１とカソード領域５２の形状が異なっている。すなわち、上記図１１に示すＰＩＮ型ダイオード構造の光センサ４５においては、半導体膜４９のアノード領域５１とカソード領域５２を共に長方形に形成しているが、本第１０実施形態においては、アノード領域５１の制御電極４７と重なる部分に切り欠き６０を形成するとともに、カソード領域５２の制御電極４７と重なる部分に切り欠き６０を形成している。切り欠き６０は、制御電極４７の端辺に沿う方向（図の上下方向）のアノード領域５１幅を部分的に狭くする状態で形成され、同様に、切り欠き６０は、制御電極４７の端辺に沿う方向（図の上下方向）のカソード領域５２幅を部分的に狭くする状態で形成されている。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
上記構成からなる光センサ４５においては、カソード領域５２に切り欠き６０を設けたことにより、カソード領域５２と制御電極４７の対向面積が狭くなる一方、アノード領域５１に切り欠き６０を設けたことにより、アノード領域５１と制御電極４７の対向面積が狭くなる。このため、上記図１１に示すＰＩＮ型ダイオード構造の光センサ４５と比較して、センサ内部の寄生容量が減少する。また、アノード側とカソード側の双方において、光活性層５０の長手寸法は上記図１１に示すセンサ構造と同一寸法（Ｌ９＝Ｌ１０＝Ｌ１２＝Ｌ１４）に維持されるため、電子正孔対の発生源となる光活性層５０の領域（面積）はそのまま維持される。このため、センサ内部で発生する光電流が低下することはない。この結果、センサ内部で発生する光電流を低下させることなく、センサ内部の寄生容量をより一層減らすことができる。したがって、光センサ４５の受光信号となる光電流を効率的に良く読み出すことが可能となる。なお、ここではアノード領域５１とカソード領域５２の両方に切り欠き６０，６０を設けるものとしたが、いずれか一方だけに切り欠きを設けてもよい。また、図示はしないが、切り欠きに代えて、任意の形状（例えば、円形、楕円形、多角形など）の貫通穴を少なくとも１つ設けるようにしてもよい。さらに、本第１０実施形態で採用した構成は、前述したｎチャネル型のＭＯＳトランジスタ構造の光センサにも同様に適用可能である。その場合は、アノード領域５１の部分がソース領域の部分となり、カソード領域５２の部分がドレイン領域の部分となる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
＜第１１実施形態＞
図１８は本発明の第１１実施形態に係る光センサの構成を示す平面図である。この第１１実施形態においては、上記図９に示すＰＩＮ型のダイオード構造と比較して、制御電極４７と半導体膜４９の配置関係が異なっている。すなわち、上記図９に示すＰＩＮ型ダイオード構造の光センサ４５においては、制御電極４７に対して光活性層５０とその両側のカソード領域５２及びアノード領域５１の一部が重なった状態で配置されているが、本第１１実施形態においては、制御電極４７に対して光活性層５０だけが重なり、カソード領域５２及びアノード領域５１が重なっていない。具体的には、制御電極４７の端辺に沿う方向と直交する方向（図の左右方向）において、制御電極４７と光活性層５０の寸法（幅）は同一寸法となっている。そして、光活性層５０とカソード領域５２の境界は、制御電極４７の一方の端辺と同一線上に位置し、光活性層５０とアノード領域５１の境界は、制御電極４７の他方の端辺と同一線上に位置している。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
上記構成からなる光センサ４５においては、カソード領域５２と制御電極４７の対向面積が実質ゼロになるとともに、アノード領域５１と制御電極４７の対向面積が実質ゼロになる。このため、上記図９に示すＰＩＮ型ダイオード構造の光センサ４５に比較して、センサ内部の寄生容量が減少する。また、光活性層５０の長手寸法は上記図９に示すセンサ構造と同等の寸法に維持されるため、電子正孔対の発生源となる光活性層５０の領域（面積）はそのまま維持される。このため、センサ内部で発生する光電流が低下することはない。この結果、センサ内部で発生する光電流を低下させることなく、センサ内部の寄生容量をより一層減らすことができる。この第１１実施形態で採用した構成は、前述したｎチャネル型のＭＯＳトランジスタ構造の光センサにも同様に適用可能である。その場合は、アノード領域５１の部分がソース領域の部分となり、カソード領域５２の部分がドレイン領域の部分となる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２３】
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