【手続補正書】
【提出日】平成23年5月19日(2011.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定装置において、
放射装置（ＳＥ）と、反射された放射を検出する検出装置（ＤＥ）と、前記放射装置（ＳＥ）および前記検出装置（ＤＥ）を制御し、且つ前記検出装置（ＤＥ）の検出結果を処理する評価回路（ＡＳ）とを有し、
前記放射装置（ＳＥ）は垂直方向の放出方向を有する第１の表面発光型の半導体素子（１）を有し、該半導体素子（１）は垂直方向において相互に間隔を置いて配置されており、且つ放射の生成に適している複数のアクティブ領域（４ａ，４ｂ）が設けられている半導体ボディ（２）を包含し、２つの前記アクティブ領域（４ａ、４ｂ）間においてはトンネル接合部（５）が前記半導体ボディ（２）内にモノリシックに集積されており、且つ２つの前記アクティブ領域（４ａ、４ｂ）は前記トンネル接合部（５）により前記半導体素子（１）の動作時に導電的に接続されており、
前記トンネル接合部（５）を介して導電的に接続されている前記アクティブ領域（４ａ，４ｂ）間に周波数選択素子（６）が配置されており、前記トンネル接合部（５）は前記周波数選択素子（６）によって包囲されているか、前記周波数選択素子（６）内に挿入されていることを特徴とする、測定装置。
【請求項２】
前記周波数選択素子（６）は、前記半導体ボディ（２）において生成される放射の強度が該周波数選択素子（６）内では低減されているように構成されている、請求項１記載の測定装置。
【請求項３】
前記周波数選択素子（６）は第１のブラッグミラー（７）および第２のブラッグミラー（８）を有する、請求項１または２記載の測定装置。
【請求項４】
前記第１のブラッグミラー（７）および前記第２のブラッグミラー（８）のうちの少なくとも１つは９５％以下の反射率を有する、請求項３記載の測定装置。
【請求項５】
前記第１のブラッグミラー（７）および前記第２のブラッグミラー（８）のうちの少なくとも１つは８０％以下の反射率を有する、請求項３記載の測定装置。
【請求項６】
前記第１のブラッグミラー（７）および前記第２のブラッグミラー（８）は異なる導電型を有する、請求項３から５までのいずれか１項記載の測定装置。
【請求項７】
前記トンネル接合部（５）は前記周波数選択素子（６）の前記第１のブラッグミラー（７）と前記第２のブラッグミラー（８）との間に配置されている、請求項３から６までのいずれか１項記載の測定装置。
【請求項８】
前記周波数選択素子（６）は前記半導体ボディ（２）内にモノリシックに集積されている、請求項１から７までのいずれか１項記載の測定装置。
【請求項９】
２つの前記アクティブ領域（４ａ，４ｂ）間に電流しぼり（２３）が構成されている、請求項１から８までのいずれか１項記載の測定装置。
【請求項１０】
前記半導体素子（１）は内部共振器を有するか、動作に関して外部共振器と共に構成されている、請求項１から９までのいずれか１項記載の測定装置。
【請求項１１】
前記半導体ボディ（２）において２つのアクティブ領域（４ａ，４ｂ）は前記共振器内の増幅領域として配置されており、前記共振器は２つの前記アクティブ領域（４ａ，４ｂ）に対する共通の共振器として構成されている、請求項１０記載の測定装置。
【請求項１２】
前記半導体ボディ（２）は、前記半導体素子（１）の動作時に前記共振器内に形成される放射フィールド（１７）が、前記トンネル接合部（５）内で強度最小値（２０）を有するように構成されている、請求項１０または１１記載の測定装置。
【請求項１３】
前記共振器は第１の共振器ミラー（１１，１２）および第２の共振器ミラー（１１，１２）により形成されている、請求項１０から１２までのいずれか１項記載の測定装置。
【請求項１４】
前記第１の共振器ミラー（１１，１２）および前記第２の共振器ミラー（１１，１２）のうちの少なくとも１つはブラッグミラーとして構成されている、請求項１３記載の測定装置。
【請求項１５】
少なくとも１つの前記共振器ミラー（１１，１２）はドーピングされている、請求項１３または１４記載の測定装置。
【請求項１６】
前記共振器ミラー（１１，１２）は同一の導電型または異なる導電型を有する、請求項１３から１５までのいずれか１項記載の測定装置。
【請求項１７】
前記第１の共振器ミラー（１１，１２）および前記第２の共振器ミラー（１１，１２）はｎ導電型を有する、請求項１３から１６までのいずれか１項記載の測定装置。
【請求項１８】
前記半導体素子（１）は動作に関して電気的にポンピングされる半導体素子として構成されている、請求項１から１７までのいずれか１項記載の測定装置。
【請求項１９】
前記半導体素子（１）はＶＣＳＥＬとして構成されている、請求項１から１８までのいずれか１項記載の測定装置。
【請求項２０】
２つの前記アクティブ領域（４ａ，４ｂ）は量子井戸構造を包含する、請求項１から１９までのいずれか１項記載の測定装置。
【請求項２１】
前記トンネル接合部（５）は異なる導電型の２つのトンネル半導体層（５１，５２）を有する、請求項１から２０までのいずれか１項記載の測定装置。
【請求項２２】
前記半導体ボディ（２）は、ＩＩＩ-Ｖ族半導体材料系ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＰ、ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮまたはＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＡｓからなるＩＩＩ-Ｖ族半導体材料を含有する、但しそれぞれ０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１且つｘ＋ｙ≦１である、請求項１から２１までのいずれか１項記載の測定装置。
【請求項２３】
前記半導体ボディ（２）は、ＩＩＩ-Ｖ族半導体材料系ＩｎＧａＡｓＮ、ＩｎＧａＡｓＳｂ、ＩｎＧａＡｓＳｂＮまたはＩｎxＧａ1-xＡｓyＰ1-yからなるＩＩＩ-Ｖ族半導体材料を含有する、但しそれぞれ０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１である、請求項１から２２までのいずれか１項記載の測定装置。
【請求項２４】
少なくとも２つの前記アクティブ領域（４ａ，４ｂ）は異なる波長の放射を生成する、請求項１から２３までのいずれか１項記載の測定装置。
【請求項２５】
前記検出装置（ＤＥ）は少なくとも１つの第１の光電半導体素子を有する、請求項１から２４までのいずれか１項記載の測定装置。
【請求項２６】
少なくとも１つの前記光電半導体素子はフォトダイオードまたはフォトトランジスタまたはフォト抵抗として構成されている、請求項２５記載の測定装置。
【請求項２７】
反射された放射を検出する第２の検出装置（ＤＥ２）が設けられており、該第２の検出装置（ＤＥ２）は制御および評価のために前記評価回路（ＡＳ）と接続されている、請求項１から２６までのいずれか１項記載の測定装置。
【請求項２８】
前記放射装置（ＳＥ）は、前記第１の表面発光型の半導体素子（１）に応じた複数の表面発光型の半導体素子を有する、請求項１から２７までのいずれか１項記載の測定装置。
【請求項２９】
前記複数の表面発光型の半導体素子は一次元の放射フィールドまたは二次元の放射フィールドとして配置されている、請求項２８記載の測定装置。
【請求項３０】
前記複数の表面発光型の半導体素子の放射放出は個別に制御される、請求項２８または２９記載の測定装置。
【請求項３１】
前記複数の表面発光型の半導体素子からの放射を収束して放出する、請求項２８から３０までのいずれか１項記載の測定装置。
【請求項３２】
前記放射装置（ＳＥ）から放出された放射を成形または案内する、もしくは成形および案内する少なくとも１つの光学素子を有する、請求項１から３１までのいずれか１項記載の測定装置。
【請求項３３】
少なくとも１つの前記光学素子は、ミラー、光学的な空隙、光学格子、レンズ、光ファイバのうちの少なくとも１つを有する、請求項３２記載の測定装置。
【請求項３４】
前記評価回路（ＡＳ）は前記第１の表面発光型の半導体素子（１）の放射放出をパルス状に制御する、請求項１から３３までのいずれか１項記載の測定装置。
【請求項３５】
請求項１から３４までのいずれか１項記載の測定装置を有する測定システムにおいて、
距離測定のために構成されていることを特徴とする、測定システム。
【請求項３６】
請求項１から３４までのいずれか１項記載の測定装置を有する測定システムにおいて、
速度測定のために構成されていることを特徴とする、測定システム。
【請求項３７】
請求項１から３４までのいずれか１項記載の測定装置を有する測定システムにおいて、
アダプティブクルーズコントロールとして構成されていることを特徴とする、測定システム。