【手続補正書】
【提出日】平成23年6月3日(2011.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属層上に第１の絶縁部材を形成する第１の絶縁部材形成工程と、
前記第１の絶縁部材に前記金属層を露出する第１の開口部を形成する第１の開口部形成工程と、
前記第１の絶縁部材上に前記金属層及び前記第１の絶縁部材の一部を露出する第２の開口部を有する第２の絶縁部材を形成する第２の絶縁部材形成工程と、
前記第２の開口部内に露出する前記金属層及び前記第１の絶縁部材上に配線層を形成する配線層形成工程と、を有し、
前記配線層形成工程では、前記金属層上に前記配線層となる金属粒子を、エアロゾルデポジション法にて、前記金属層に対する臨界速度以上、かつ、前記第１の絶縁部材に対する臨界速度未満の第１の速度で噴射し、その後、前記第１の絶縁部材上に前記配線層となる金属粒子を前記金属層及び前記第１の絶縁部材に対する臨界速度以上、かつ、前記第２の絶縁部材に対する臨界速度未満の第２の速度で噴射することにより、前記配線層を形成する配線基板の製造方法。
【請求項２】
第１の絶縁部材上に第２の絶縁部材を形成する第２の絶縁部材形成工程と、
前記第２の絶縁部材に前記第１の絶縁部材の一部を露出する開口部を形成する開口部形成工程と、
前記開口部内に露出する前記第１の絶縁部材上に配線層を形成する配線層形成工程と、を有し、
前記配線層形成工程では、前記開口部内に露出する前記第１の絶縁部材上に前記配線層となる金属粒子を、エアロゾルデポジション法にて、前記第１の絶縁部材に対する臨界速度以上、かつ、前記第２の絶縁部材に対する臨界速度未満の速度で噴射することにより、前記配線層を形成する配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１の絶縁部材はフィラーを含有しており、前記第２の絶縁部材はフィラーを含有していないことを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
更に、前記配線層形成工程の後に、前記配線層の上面を平坦化する工程を有することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明の一形態は、金属層上に第１の絶縁部材を形成する第１の絶縁部材形成工程と、前記第１の絶縁部材に前記金属層を露出する第１の開口部を形成する第１の開口部形成工程と、前記第１の絶縁部材上に前記金属層及び前記第１の絶縁部材の一部を露出する第２の開口部を有する第２の絶縁部材を形成する第２の絶縁部材形成工程と、前記第２の開口部内に露出する前記金属層及び前記第１の絶縁部材上に配線層を形成する配線層形成工程と、を有し、前記配線層形成工程では、前記金属層上に前記配線層となる金属粒子を、エアロゾルデポジション法にて、前記金属層に対する臨界速度以上、かつ、前記第１の絶縁部材に対する臨界速度未満の第１の速度で噴射し、その後、前記第１の絶縁部材上に前記配線層となる金属粒子を前記金属層及び前記第１の絶縁部材に対する臨界速度以上、かつ、前記第２の絶縁部材に対する臨界速度未満の第２の速度で噴射することにより、前記配線層を形成する配線基板の製造方法である。
本発明の他の形態は、第１の絶縁部材上に第２の絶縁部材を形成する第２の絶縁部材形成工程と、前記第２の絶縁部材に前記第１の絶縁部材の一部を露出する開口部を形成する開口部形成工程と、前記開口部内に露出する前記第１の絶縁部材上に配線層を形成する配線層形成工程と、を有し、前記配線層形成工程では、前記開口部内に露出する前記第１の絶縁部材上に前記配線層となる金属粒子を、エアロゾルデポジション法にて、前記第１の絶縁部材に対する臨界速度以上、かつ、前記第２の絶縁部材に対する臨界速度未満の速度で噴射することにより、前記配線層を形成する配線基板の製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
〈第１の実施の形態〉
図８は、第１の実施の形態に係る配線基板を部分的に例示する断面図である。図８を参照するに、第１の実施の形態に係る配線基板１０は、絶縁層１１と、配線層１２と、ソルダーレジスト層１３とを有する。図８に示す配線基板１０において、絶縁層１１上には、配線層１２が形成され、更に、配線層１２を覆うようにソルダーレジスト層１３が形成されている。配線層１２は、エアロゾルデポジション法により形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図１０〜図１３は、第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。図１０〜図１３において、図８に示す配線基板１０と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。図１０〜図１３を参照しながら、第１の実施の形態に係る配線基板１０の製造方法（エアロゾルデポジション法による配線層の形成）について説明する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
第１の実施の形態に係る配線基板によれば、フィラーを含有する絶縁層上に、開口部を有するフィラーを含有しないレジスト膜を形成する。そして、エアロゾルデポジション法を用いて絶縁層上に配線層を形成する。その結果、簡易な工程により開口部に対応する絶縁層上のみに配線層を形成することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、本発明を多層配線層（ビルドアップ配線層）を有する配線基板に適用する例を示す。図１４は、第２の実施の形態に係るビルドアップ配線層を有する配線基板を例示する断面図である。図１４を参照するに、第２の実施の形態に係る配線基板２０は、第１絶縁層２３ａと、第２絶縁層２３ｂと、第３絶縁層２３ｃと、第１配線層２４ａと、第２配線層２４ｂと、第３配線層２４ｃと、第４配線層２４ｄと、ソルダーレジスト層２５とを有するビルドアップ配線層を備えた配線基板である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図１５〜図２８は、第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。図１５〜図２８において、図１４に示す配線基板２０と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する場合がある。図１５〜図２８を参照しながら、第２の実施の形態に係る配線基板２０の製造方法（エアロゾルデポジション法による配線層の形成）について説明する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
次いで、図２０に示す工程では、支持体２１の上面２１ａに第１配線層２４ａを被覆する第１絶縁層２３ａを形成する。第１絶縁層２３ａの材料としては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂などの樹脂材を用いることができる。第１絶縁層２３ａは、例えばシリカの微粒子から構成されるフィラー（５ｗｔ％〜６０ｗｔ％）を含有している。第１絶縁層２３ａは、例えば支持体２１に樹脂フィルムをラミネートした後に、樹脂フィルムをプレス（押圧）し、その後、１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより形成することができる。なお、第１の実施の形態と同様の理由により、第１絶縁層２３ａの上面を粗化する必要はない。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
次いで、図２３に示す工程では、エアロゾルデポジション法により、図２２に示す開口部２６ｘに、第１配線層２４ａに第１ビアホール２３ｘを介して接続される第２配線層２４ｂを形成する。第２配線層２４ｂとしては、例えば、Ｃｕ等を用いることができる。第２配線層２４ｂは、第１の実施の形態と同様に図９に示す成膜装置２００を用いて形成するので、第１の実施の形態と重複する部分についてはその説明を省略する場合がある。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
第１の実施の形態で説明したように、エアロゾルを構成する微粒子２７０の噴射速度は所定の臨界速度を有し、臨界速度以上になると成膜対象物に微粒子２７０の堆積が始まる。この臨界速度は成膜対象物の材料構成等により異なり、前述のように成膜対象物である絶縁層にシリカの微粒子から構成されるフィラー（５ｗｔ％〜６０ｗｔ％）を含有したエポキシ系樹脂を用いた場合の臨界速度は略３５０ｍ／ｓである。一方、成膜対象物が金属である場合には、臨界速度はより低くなり、略１００ｍ／ｓである。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
この際、第１の実施の形態と同様に、エアロゾルを構成する微粒子２７０は、（噴射速度によらず）レジスト膜２６の上面にはほとんど堆積しない。５００ｍ／ｓという噴射速度は、フィラーを含有しないレジスト膜２６に対する臨界速度よりも低いからである。レジスト膜２６の上面にわずかに微粒子２７０が堆積する場合があるが、堆積した微粒子２７０は、後述する図２５に示す工程において、レジスト膜２６と共に容易に除去することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
次いで、図２８に示す支持体２１を除去することで、図１４に示す第２の実施の形態に係る配線基板２０が製造される。支持体２１の除去は、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液又は過硫酸アンモニウム水溶液などを用いたウエットエッチングにより行うことができる。この際、第１配線層２４ａは、最表面に表面めっき層２８が形成されているため、第１配線層２４ａに対し、支持体２１を選択的にエッチングして除去することができる。これにより、第１配線層２４ａは第１絶縁層２３ａから露出され、半導体チップ等と接続される電極パッドとして機能する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
第２の実施の形態に係る配線基板によれば、金属層を露出する開口部を有するフィラーを含有する絶縁層上に、金属層及び絶縁層の一部を露出する開口部を有するフィラーを含有しないレジスト膜を形成する。そして、エアロゾルデポジション法を用いて、レジスト膜の開口部に露出している金属層及び絶縁層上に配線層を形成する。その結果、簡易な工程により開口部に対応する金属層及び絶縁層上のみに配線層を形成することができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
例えば、第２の実施の形態では、本発明を支持体（コア基板）を有さない配線基板に適用する例を示したが、本発明は、より一般的な支持体（コア基板）を有する配線基板にも適用可能である。支持体（コア基板）を有する配線基板にも第２の実施の形態で示した製造方法がそのまま適用できる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
又、第２の実施の形態では、支持体として導電体（銅箔）を使用する例を示したが、支持体として導電体を使用しない製造方法を採用することも可能である。その場合には、支持体上に絶縁部材を形成し、絶縁部材に開口部を設け、開口部にスパッタ、無電解めっき等の既知の金属膜形成方法によって予め金属膜を形成しておくことにより、臨界速度の差がより顕著となって配線層形成の信頼性を向上させることができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
【図１】従来の配線基板を部分的に例示する断面図である。
【図２】従来の配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図３】従来の配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図４】従来の配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。
【図５】従来の配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。
【図６】従来の配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。
【図７】従来の配線基板の製造工程を例示する図（その６）である。
【図８】第１の実施の形態に係る配線基板を部分的に例示する断面図である。
【図９】エアロゾルデポジション法により成膜を行う成膜装置を例示する模式図である。
【図１０】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図１１】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図１２】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。
【図１３】第１の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。
【図１４】第２の実施の形態に係るビルドアップ配線層を有する配線基板を例示する断面図である。
【図１５】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。
【図１６】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。
【図１７】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。
【図１８】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。
【図１９】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その５）である。
【図２０】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その６）である。
【図２１】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その７）である。
【図２２】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その８）である。
【図２３】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その９）である。
【図２４】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１０）である。
【図２５】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１１）である。
【図２６】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１２）である。
【図２７】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１３）である。
【図２８】第２の実施の形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１４）である。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2010021473.tif 000001
【手続補正１８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2010021473.tif 000002
【手続補正１９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2010021473.tif 000003
【手続補正２０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2010021473.tif 000004
【手続補正２１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2010021473.tif 000005
【手続補正２２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2010021473.tif 000006
【手続補正２３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2010021473.tif 000007
【手続補正２４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2010021473.tif 000008
【手続補正２５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2010021473.tif 000009
【手続補正２６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2010021473.tif 000010
【手続補正２７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１９】
2010021473.tif 000011
【手続補正２８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２０】
2010021473.tif 000012
【手続補正２９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２１】
2010021473.tif 000013
【手続補正３０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２２】
2010021473.tif 000014
【手続補正３１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２３】
2010021473.tif 000015
【手続補正３２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２４】
2010021473.tif 000016
【手続補正３３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２５】
2010021473.tif 000017
【手続補正３４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２６】
2010021473.tif 000018
【手続補正３５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２７】
2010021473.tif 000019
【手続補正３６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２８】
2010021473.tif 000020