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【手続補正書】
【提出日】平成23年4月25日(2011.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された半導体素子と、
前記半導体基板上、及び、前記半導体素子上に形成された第１層間絶縁膜と、
前記第１層間絶縁膜上に形成された第１配線、複数の第１ダミー配線、及び、複数の第２ダミー配線とを有する半導体装置であって、
前記第１配線、前記複数の第１ダミー配線、及び、前記複数の第２ダミー配線は同一配線層に形成されており、
前記第１配線は前記半導体素子と電気的に接続しており、
前記複数の第１ダミー配線、及び、前記複数の第２ダミー配線は前記半導体素子と電気的に接続しておらず、
前記複数の第１ダミー配線の平面形状はそれぞれ同一形状で形成されており、
前記複数の第２ダミー配線の平面形状はそれぞれ同一形状で形成されており、
前記複数の第１ダミー配線の平面形状はそれぞれ前記複数の第２ダミー配線の平面形状よりも大きく、
前記複数の第１ダミー配線はそれぞれ同一ピッチで配置されており、
前記複数の第２ダミー配線はそれぞれ同一ピッチで配置されており、
前記複数の第２ダミー配線は、前記第１配線と隣接して配置され、且つ、前記第１配線と前記複数の第１ダミー配線との間に位置していることを特徴とした半導体装置。
【請求項２】
半導体基板上に形成された半導体素子と、
前記半導体基板上、及び、前記半導体素子上に形成された第１層間絶縁膜と、
前記第１層間絶縁膜上に形成された第１配線、複数の第１ダミー配線、及び、複数の第２ダミー配線とを有する半導体装置であって、
前記第１配線、前記複数の第１ダミー配線、及び、前記複数の第２ダミー配線は同一配線層に形成されており、
前記第１配線は前記半導体素子と電気的に接続しており、
前記複数の第１ダミー配線、及び、前記複数の第２ダミー配線は前記半導体素子と電気的に接続しておらず、
前記複数の第１ダミー配線の平面形状はそれぞれ同一形状で形成されており、
前記複数の第２ダミー配線の平面形状はそれぞれ同一形状で形成されており、
前記複数の第１ダミー配線の平面形状はそれぞれ前記複数の第２ダミー配線の平面形状よりも大きく、
前記複数の第１ダミー配線はそれぞれ規則的に配置されており、
前記複数の第２ダミー配線はそれぞれ規則的に配置されており、
前記複数の第２ダミー配線は、前記第１配線と隣接して配置され、且つ、前記第１配線と前記複数の第１ダミー配線との間に位置していることを特徴とした半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記複数の第１ダミー配線の形状、及び、前記複数の第２ダミー配線の形状は、それぞれ四角形であることを特徴とした半導体装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第１配線、前記複数の第１ダミー配線、及び、前記複数の第２ダミー配線は、それぞれ銅で形成されていることを特徴とした半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第１層間絶縁膜上に、前記第１配線、前記複数の第１ダミー配線、及び、前記複数の第２ダミー配線を覆うように、第２層間絶縁膜が形成されており、
前記第２層間絶縁膜上に、複数の第２配線が形成されていることを特徴とした半導体装置。
【請求項６】
請求項３に記載の半導体装置において、
前記第２ダミー配線の１辺の寸法に前記複数の第２ダミー配線同士の間隔を加えた値は、前記第１ダミー配線の１辺の寸法に前記複数の第１ダミー配線同士の間隔を加えた値よりも小さいことを特徴とした半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置において、
前記第２ダミー配線の１辺の寸法に前記複数の第２ダミー配線同士の間隔を加えた値は、前記第１ダミー配線の１辺の寸法に前記複数の第１ダミー配線同士の間隔を加えた値の整数分の一となっていることを特徴とした半導体装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記半導体素子は、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記半導体基板に形成されたソース領域およびドレイン領域とを有する電界効果トランジスタであることを特徴とした半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月9日(2011.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿の読み取り位置へ原稿を給送する給送手段と、
前記給送されている原稿における前記読み取り位置の画像を読み取る読取手段と、
前記読取手段から出力される画像データに含まれるスジ像の画素を検出する検出手段と、
前記検出されたスジ像の画素の画像データを補正する補正手段とを有し、
前記原稿の給送方向に直交した主走査方向において同一位置である、前記原稿の給装方向に連続した所定数の画素がスジ像の画素であると検出された場合、該スジ像の画素であると検出された画素と前記主走査方向において同一位置であり、かつ前記原稿の給送方向に連続する位置の、スジ像の画素であると検出されなかった画素の画像データに対して前記補正手段を用いて補正することを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記検出手段は、
前記主走査方向において同一位置である前記原稿の給送方向に連続した、前記スジ像の画素であると検出された数をカウントするカウンタと、
注目画素がスジ像の画素であると検出されなかった場合は該検出されなかった画素の前記主走査方向の位置に対応するカウンタ値を減算する減算手段を有し、
前記補正手段は、前記カウンタ値が所定値を超えている画素の画像データを補正することを特徴とする請求項１記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記検出手段は、
細線検出手段と、
注目画素と、該注目画素と主走査方向において同一位置の周辺画素との輝度差を算出する主走査輝度差算出手段と、
前記注目画素と、該注目画素と前記主走査方向に直交した副走査方向における位置である副走査位置が同一の周辺画素との輝度差を算出する副走査輝度差算出手段とを有することを特徴とする請求項１または２に記載の画像読取装置。
【請求項４】
給送手段により給送されている原稿における読み取り位置の画像を読取手段により読み取ることにより得られた画像データを補正する画像処理方法であって、
前記読取手段から出力される画像データに含まれるスジ像の画素を検出し、
前記検出されたスジ像の画素の画像データを補正する補正する画像処理方法であり、
前記原稿の給送方向に直交した主走査方向において同一位置である、前記原稿の給装方向に連続した所定数の画素がスジ像の画素であると検出された場合、該スジ像の画素であると検出された画素と前記主走査方向において同一位置であり、かつ前記原稿の給送方向に連続する位置の、スジ像の画素と検出されなかった画素の画像データに対して前記補正を行うことを特徴とする画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像読取装置および画像処理方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、原稿に記録された画像情報を読み取る画像読取装置および画像処理方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、原稿の読み取り位置へ原稿を給送する給送手段と、前記給送されている原稿における前記読み取り位置の画像を読み取る読取手段と、前記読取手段から出力される画像データに含まれるスジ像の画素を検出する検出手段と、前記検出されたスジ像の画素の画像データを補正する補正手段とを有し、前記原稿の給送方向に直交した主走査方向において同一位置である、前記原稿の給装方向に連続した所定数の画素がスジ像の画素であると検出された場合、該スジ像の画素であると検出された画素と前記主走査方向において同一位置であり、かつ前記原稿の給送方向に連続する位置の、スジ像の画素であると検出されなかった画素の画像データに対して前記補正手段を用いて補正することを特徴とする画像読取装置が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、読取装置のゴミに起因するスジ像を良好に補正することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月17日(2011.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にプラズマ処理を施す基板処理装置が備える処理室内に配置され、該処理室内において載置台に載置された前記基板と対向する電極構造であって、
前記基板の中心部に対向する内側電極と、前記基板の周縁部に対向する外側電極とを備え、
前記内側電極には第１の直流電源が接続され、且つ前記外側電極には第２の直流電源が接続され、
前記外側電極は、前記基板に平行な第１の面と、該第１の面に対して傾斜する第２の面を有することを特徴とする電極構造。
【請求項２】
前記第１の面及び前記第２の面は前記基板の周縁部を指向することを特徴とする請求項１記載の電極構造。
【請求項３】
前記第２の面はパラボラ面であることを特徴とする請求項１又は２記載の電極構造。
【請求項４】
基板にプラズマ処理を施す基板処理装置において、
前記基板を収容する処理室と、
該処理室内に配置されて前記基板を載置する載置台と、
前記処理室内に配置され、且つ前記載置台に載置された前記基板と対向する電極構造とを備え、
前記電極構造は、前記基板の中心部に対向する内側電極と、前記基板の周縁部に対向する外側電極とを備え、
前記内側電極には第１の直流電源が接続され、且つ前記外側電極には第２の直流電源が接続され、
前記外側電極は、前記基板に平行な第１の面と、該第１の面に対して傾斜する第２の面を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
前記第１の面及び前記第２の面は前記基板の周縁部を指向することを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第２の面はパラボラ面であることを特徴とする請求項４又は５記載の基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２記載の電極構造は、請求項１記載の電極構造において、前記第１の面及び前記第２の面は前記基板の周縁部を指向することを特徴とする。請求項３記載の電極構造は、請求項１又は２記載の電極構造において、前記第２の面はパラボラ面であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項４記載の基板処理装置は、基板にプラズマ処理を施す基板処理装置において、前記基板を収容する処理室と、該処理室内に配置されて前記基板を載置する載置台と、前記処理室内に配置され、且つ前記載置台に載置された前記基板と対向する電極構造とを備え、前記電極構造は、前記基板の中心部に対向する内側電極と、前記基板の周縁部に対向する外側電極とを備え、前記内側電極には第１の直流電源が接続され、且つ前記外側電極には第２の直流電源が接続され、前記外側電極は、前記基板に平行な第１の面と、該第１の面に対して傾斜する第２の面を有することを特徴とする。
請求項５記載の基板処理装置は、請求項４記載の基板処理装置において、前記第１の面及び前記第２の面は前記基板の周縁部を指向することを特徴とする。また、請求項６記載の基板処理装置は、請求項４又は５記載の基板処理装置において、前記第２の面はパラボラ面であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項１記載の電極構造及び請求項４記載の基板処理装置によれば、基板の周縁部に対向する外側電極には第２の直流電源が接続されて直流電圧が印加される。外側電極に直流電圧が印加されると該外側電極はプラズマ中の陽イオンを引き込んで二次電子を放出する。その結果、処理空間における基板の周縁部に対向する部分において電子密度を上昇させることができる。また、第２の直流電源が接続される外側電極は、基板に平行な第１の面と、該第１の面に対して傾斜する第２の面とを有し、二次電子は第１の面及び第２の面から放出される。第２の面は第１の面に対して傾斜しているので、処理空間における基板の周縁部に対向する部分において、第２の面から放出された二次電子が第１の面から放出された二次電子と重なる。その結果、処理空間における基板の周縁部に対向する部分において電子密度を充分に上昇させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項２記載の電極構造及び請求項５記載の基板処理装置によれば、第１の面及び第２の面は基板の周縁部を指向するので、第１の面から放出された二次電子及び第２の面から放出された二次電子は基板の周縁部の直上において重なる。その結果、基板の周縁部の直上において電子密度を確実且つ充分に上昇させることができる。
また、請求項３記載の電極構造及び請求項６記載の基板処理装置によれば、第２の面はパラボラ面であるので、当該第２の面から二次電子を載置ウエハＷの周縁部に向けて集中的に放出することができ、もって、載置ウエハＷの周縁部の直上における電子密度をさらに充分に上昇させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2009239014.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2009239014.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月16日(2011.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板の一方の基板を固定する固定段階と、
前記一方の基板に対向して配置される他方の基板を揺動自在に保持する保持段階と、
前記一方の基板の面方向に沿った前記他方の基板の位置を合わせる位置合わせ段階と、
前記他方の基板を前記一方の基板に向かって変位させる変位段階と、
前記他方の基板の変位により相互に密着した前記一対の基板を加圧して、前記一対の基板を相互に接合する圧接段階と
を含む接合方法であって、
前記位置合わせ段階は、前記他方の基板の揺動により生じる前記一方の基板の面方向に沿った前記他方の基板の位置ずれを打ち消すように、前記他方の基板の位置を補正する位置補正段階を含む接合方法。
【請求項２】
前記変位段階において、前記一方の基板に対する前記他方の基板の傾斜を検出する傾斜検出段階を含む請求項１に記載の接合方法。
【請求項３】
前記傾斜検出段階は、前記他方の基板の前記一方の基板への当接箇所の前記一方の基板の面方向に沿った位置を検出する当接位置検出段階を含み、
前記位置補正段階は、前記当接位置検出段階において検出された当接位置に基づいて補正量を算出する補正量算出段階を含む請求項２に記載の接合方法。
【請求項４】
前記変位段階において前記一対の基板が複数箇所で当接した場合に、前記補正量算出段階では、当該複数箇所において発生した応力の合力に基づいて前記補正量を算出する請求項３に記載の接合方法。
【請求項５】
前記位置合わせ段階は、基板変位機構を用いて前記他方の基板を前記一方の基板の面方向に沿って変位させる操作を含み、
前記位置補正段階は、前記基板変位機構を用いて前記他方の基板を前記一方の基板の面方向に沿って変位させる操作を含む
請求項４に記載の接合方法。
【請求項６】
前記位置補正段階は、前記一方の基板の面方向に沿った位置合わせの補正に先立って、前記一対の基板を相互に離間させる操作を含む請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の接合方法。
【請求項７】
前記変位段階は、前記他方の基板に作用した荷重により当該基板を揺動させる操作を含む請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載の接合方法。
【請求項８】
前記保持段階において、前記揺動の中心を、前記他方の基板の接合面に近接させる操作を含む請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載の接合方法。
【請求項９】
前記一対の基板のそれぞれが、前記一対の基板が接合された場合に相互に接続される幅ｄのバンプを有し、
前記保持段階において、前記他方の基板の接合面が、前記揺動の中心に対してΔｈ離れて保持され、且つ、前記変位段階において、前記他方の基板が傾斜角度θで傾斜した場合に、
前記位置補正段階は、下記の式１を満足する範囲まで補正を実行する請求項１から請求項８までのいずれか１項に記載の接合方法。
ｄ＞Ｄ（１−ｃｏｓθ）＋Δｈ・ｓｉｎθ・・・［式１］
ただし、Ｄは、前記揺動の中心から当接箇所までの距離を表す。
【請求項１０】
一対の基板の一方の基板を固定する固定部と、
前記一方の基板に対向して配置される他方の基板を揺動自在に保持する保持部と、
前記一方の基板の面方向に沿った前記他方の基板の位置を合わせる位置合わせ部と、
前記他方の基板を前記一方の基板に向かって変位させ、相互に密着した前記一対の基板を加圧して、前記一対の基板を相互に接合する駆動部と、
前記他方の基板の揺動により生じる前記一方の基板の面方向に沿った前記他方の基板の位置ずれを打ち消すように前記他方の基板の位置を補正すべく、前記位置合わせ部の作動を制御する補正制御部と
を備える接合装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月15日(2011.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内の基板に対向して配置され、前記基板にガスを供給してガス処理を行うためのガス供給装置において、
ガスを通流させるためのガス通流空間を形成する本体部と、
前記ガス通流空間の上流端側に設けられ、当該ガス通流空間にガスを導入するためのガス導入ポートと、
前記ガス通流空間の下流端側に設けられ、当該ガス通流空間に供給されたガスを基板に供給するための同心円状に開口した複数のスリットを備えた板状部材と、
を備えたことを特徴とするガス供給装置。
【請求項２】
前記ガス通流空間の上流側にて当該ガス通流空間の軸方向に伸びるガス導入路を備え、前記ガス導入ポートはこのガス導入路の上流側に設けられていることを特徴とする請求項１記載のガス供給装置。
【請求項３】
前記板状部材に設けられたスリットは、当該板状部材の中心部から周縁部に向かうにつれてその開口幅が大きくなるように形成されていることを特徴とする請求項１または２記載のガス供給装置。
【請求項４】
処理容器内の基板に対向して配置され、前記基板にガスを供給してガス処理を行うためのガス供給装置において、
縮径端側から拡径端側にガスを通流させるための概ね円錐形状のガス通流空間を形成する本体部と、
前記ガス通流空間の縮径端側に設けられ、当該ガス通流空間にガスを導入するためのガス導入ポートと、
前記ガス通流空間を、外側に向かうにつれて末広がりの程度が大きくなるように同心円状に区画するための区画部材と、を備えたことを特徴とするガス供給装置。
【請求項５】
前記ガス通流空間の上流側にて当該ガス通流空間の軸方向に伸びるガス導入路を備え、前記ガス導入ポートはこのガス導入路の上流側に設けられていることを特徴とする請求項４記載のガス供給装置。
【請求項６】
前記区画部材は、本体部の内周面から伸びだす支持部材に支持されていることを特徴とする請求項４または５記載のガス供給装置。
【請求項７】
前記区画部材により区画された流路は、径方向の中央側の流路のコンダクタンスが外側の流路のコンダクタンスよりも小さく設定されていることを特徴とする請求項４ないし６のいずれか一に記載のガス供給装置。
【請求項８】
前記通流空間の径方向の中心領域にはガスが流れないように構成されていることを特徴とする請求項７記載のガス供給装置。
【請求項９】
前記ガス導入路内に設けられ、当該ガス導入路を径方向に内側領域と、外側領域とに仕切ると共に、内側領域に供給されたガスを外側領域に拡散させるための複数の開口部が形成された仕切り部材とを備え、
前記ガス導入ポートは前記内側領域にガスを供給するように構成されていることを特徴とする請求項５記載のガス供給装置。
【請求項１０】
前記仕切り部材は、前記区画部材の上流端に連接されていることを特徴とする請求項９記載のガス供給装置。
【請求項１１】
処理容器内の基板に対向して配置され、前記基板にガスを供給してガス処理を行うためのガス供給装置において、
縮径端側から拡径端側にガスを通流させるための概ね円錐形状のガス通流空間を形成する本体部と、
前記ガス通流空間の縮径端側に設けられ、当該ガス通流空間にガスを導入するためのガス導入ポートと、
前記ガス通流空間を、周方向に区画するための複数の区画部材と、を備えたことを特徴とするガス供給装置。
【請求項１２】
前記ガス通流空間の上流側にて当該ガス通流空間の軸方向に伸びるガス導入路を備え、前記ガス導入ポートはこのガス導入路の上流側に設けられていることを特徴とする請求項１１記載のガス供給装置。
【請求項１３】
前記複数の区画部材は、ガス通流空間の拡径端からガスが本体部の周方向に回転する渦流を形成しながら吐出するように構成されていることを特徴とする請求項１１または１２記載のガス供給装置。
【請求項１４】
前記区画部材は前記本体部から伸びだしていることを特徴とする請求項１１ないし１３のいずれか一に記載のガス供給装置。
【請求項１５】
前記区画部材は、前記ガス通流空間における縮径端から拡径端に亘って設けられていることを特徴とする請求項４ないし１４のいずれか一に記載のガス供給装置。
【請求項１６】
前記本体部には温調手段が設けられていることを特徴とする請求項１ないし１５のいずれか一に記載のガス供給装置。
【請求項１７】
基板を載置するための載置台が内部に設けられた処理容器と、
前記載置台に対向して設けられ、前記処理容器内に基板を処理するための処理ガスを供給する請求項１ないし１６のいずれか一つに記載されたガス供給装置と、
処理容器内を排気する手段と、を備えたことを特徴とする処理装置。
【請求項１８】
前記ガス供給装置のガス導入ポートに接続された、複数種類の処理ガスを夫々供給するための複数のガス流路及びパージ用の不活性ガスを供給するガス流路と、
これらガス流路におけるガスの供給を制御するガス供給機器と、
前記複数種類の処理ガスを順番にかつサイクリックに供給すると共に一の処理ガスの供給ステップと他の処理ガスの供給ステップとの間には不活性ガスの供給ステップを行うように前記ガス供給機器を制御する制御部と、を備え、
前記基板の表面に前記複数種類の処理ガスの反応生成物からなる層が順次積層されて薄膜が成膜されることを特徴とする請求項１７記載の処理装置。
【請求項１９】
処理容器の内部の載置台に基板を載置する工程と、
前記載置台に対向して設けられた請求項１ないし１６のいずれか一つに記載されたガス供給装置から、前記処理容器内に基板を処理するための処理ガスを供給する工程と、
前記処理容器内を排気する工程と、を備えたことを特徴とする処理方法。
【請求項２０】
前記処理ガスを供給する工程は、複数種類の処理ガスを順番にかつサイクリックに供給すると共に一の処理ガスの供給ステップと他の処理ガスの供給ステップとの間には不活性ガスの供給ステップを行う工程であり、
前記基板の表面に前記複数種類の処理ガスの反応生成物からなる層が順次積層されて薄膜が成膜されることを特徴とする請求項１９記載の処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月24日(2011.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板を熱処理する熱処理装置であって、
シリコン基板を載置させて加熱する載置台を備え、
前記載置台の上面に、シリコン、炭化シリコン、窒化アルミニウムのいずれかからなるカバーを配置し、
前記カバーの下面に、前記載置台の上面に設けられた複数の支持ピンを受容するための凹部が設けられていることを特徴とする、熱処理装置。
【請求項２】
前記カバーは円板形状であり、前記載置台上に載置される円板形状のシリコン基板よりも大きい直径を有することを特徴とする、請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項３】
前記カバーの上面に、シリコン基板の下面を支持する複数の支持ピンが設けられていることを特徴とする、請求項１または２に記載の熱処理装置。
【請求項４】
シリコン基板の上面には、フッ化水素ガスおよびアンモニアガスを含む混合ガスとの化学反応によりシリコン酸化膜を変質させた反応生成物膜が形成されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の熱処理装置。
【請求項５】
シリコン基板の上面に形成されたシリコン酸化膜を除去する処理システムであって、
シリコン基板の上面にフッ化水素ガスおよびアンモニアガスを含む混合ガスを供給することにより、シリコン基板の上面に形成されたシリコン酸化膜を反応生成物膜に変質させるＣＯＲ処理装置と、請求項１〜４のいずれかに記載の熱処理装置を備えることを特徴とする、処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明によれば、シリコン基板を熱処理する熱処理装置であって、シリコン基板を載置させて加熱する載置台を備え、前記載置台の上面に、シリコン、炭化シリコン、窒化アルミニウムのいずれかからなるカバーを配置し、前記カバーの下面に、前記載置台の上面に設けられた複数の支持ピンを受容するための凹部が設けられていることを特徴とする、熱処理装置が提供される。かかる熱処理装置によれば、載置台の上面をシリコン等のカバーで覆うことにより、シリコン基板下面の金属汚染を抑制することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この熱処理装置において、前記カバーは例えば円板形状であり、前記載置台上に載置される円板形状のシリコン基板よりも大きい直径を有していても良い。また、前記カバーの上面に、シリコン基板の下面を支持する複数の支持ピンが設けられていても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月24日(2011.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上面に形成された画素電極に接続された画素トランジスタと、
前記画素トランジスタを被覆するように形成された保護絶縁膜と、
前記画素電極の上部に形成された有機化合物層と、
前記有機化合物層の上部であって前記画素トランジスタの上部でない部分に形成された対向電極と、
前記保護絶縁膜及び前記対向電極の上部に形成された封止層と、を備えることを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネル。
【請求項２】
前記画素トランジスタの上部であって前記保護絶縁膜の上部と重なる位置に形成された隔壁をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセンスパネル。
【請求項３】
前記封止層の上面に形成された反射防止層をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載のエレクトロルミネッセンスパネル。
【請求項４】
画素電極と、前記画素電極に接続された画素トランジスタと、前記画素トランジスタを被覆する保護絶縁膜と、前記保護絶縁膜の前記画素電極と対応しない部分に設けられた隔壁と、を有する基板を備えたエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法であって、
前記保護絶縁膜に設けられ、前記画素電極を露出させる露出孔内に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層の上部であって前記隔壁の上部でない部分に対向電極を形成し、
前記隔壁及び前記対向電極を封止する封止層を形成することを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項５】
前記封止層の上面に反射防止層を形成することを特徴とする請求項４に記載のエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載のエレクトロルミネッセンスパネルであって、前記封止層の上面に形成された反射防止層をさらに備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項４に記載の発明は、画素電極と、前記画素電極に接続された画素トランジスタと、前記画素トランジスタを被覆する保護絶縁膜と、前記保護絶縁膜の前記画素電極と対応しない部分に設けられた隔壁と、を有する基板を備えたエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法であって、前記保護絶縁膜に設けられ、前記画素電極を露出させる露出孔内に有機化合物層を形成し、前記有機化合物層の上部であって前記隔壁の上部でない部分に対向電極を形成し、前記隔壁及び前記対向電極を封止する封止層を形成することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載のエレクトロルミネッセンスパネルの製造方法であって、前記封止層の上面に反射防止層を形成することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月16日(2011.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入室する人物を識別するための識別情報と退室する人物を識別するための識別情報を取得する取得手段と、
前記取得された人物の識別情報と、当該識別情報の取得時の当該人物の撮像映像とを関連付けて記憶する記憶手段から検索された撮像映像であって、前記退室する人物の識別情報に基づいて前記記憶手段から検索された当該人物の入室時の撮像映像を、当該人物の退室時の撮像映像と共に表示させる表示制御手段とを有することを特徴とする監視端末装置。
【請求項２】
前記表示制御手段は、前記人物の識別情報を取得する複数のゲート端末装置のうちの所定のゲート端末装置で前記退室する人物の識別情報の取得が行われた場合、当該人物の入室時の撮像映像を表示させることを特徴とする請求項１に記載の監視端末装置。
【請求項３】
前記表示制御手段は、前記人物の識別情報を取得する複数のゲート端末装置の位置関係を示すマップであって、前記退室する人物の退室時に識別情報を取得した第１のゲート端末装置と、当該人物の入室時に識別情報を取得した第２のゲート端末装置とを識別可能に示すマップを表示させることを特徴とする請求項１又は２に記載の監視端末装置。
【請求項４】
前記退室する人物の入室時と退室時の状態に所定の差異があるか否かを判定する判定手段を有し、
前記表示制御手段は、前記所定の差異があると判定された場合、前記マップを表示させることを特徴とする請求項３に記載の監視端末装置。
【請求項５】
前記判定手段は、前記退室する人物の入室時の重量と前記退室時の重量との差の有無を判定し、
前記表示制御手段は、前記差があると判定された場合、前記マップを表示させることを特徴とする請求項４に記載の監視端末装置。
【請求項６】
前記判定手段は、前記退室する人物の入室時の所持オブジェクトと前記退室時の所持オブジェクトが異なるか否かを判定し、
前記表示制御手段は、前記所持オブジェクトが異なると判定された場合、前記マップを表示させることを特徴とする請求項４に記載の監視端末装置。
【請求項７】
前記表示制御手段は、前記退室する人物を撮像する第１の撮像装置による第１の撮像映像と共に、前記入室時に当該人物を撮像する第２の撮像装置による第２の撮像映像を表示させることを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の監視端末装置。
【請求項８】
監視端末装置が行う表示処理方法であって、
入室する人物を識別するための識別情報と退室する人物を識別するための識別情報を取得する取得工程と、
前記取得された人物の識別情報と、当該識別情報の取得時の当該人物の撮像映像とを関連付けて記憶する記憶手段から検索された撮像映像であって、前記退室する人物の識別情報に基づいて前記記憶手段から検索された当該人物の入室時の撮像映像を、当該人物の退室時の撮像映像と共に表示させる表示制御工程とを有することを特徴とする表示処理方法。
【請求項９】
コンピュータに、
入室する人物を識別するための識別情報と退室する人物を識別するための識別情報を取得する取得手順と、
前記取得された人物の識別情報と、当該識別情報の取得時の当該人物の撮像映像とを関連付けて記憶する記憶手段から検索された撮像映像であって、前記退室する人物の識別情報に基づいて前記記憶手段から検索された当該人物の入室時の撮像映像を、当該人物の退室時の撮像映像と共に表示させる表示制御手順とを実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項１０】
撮像装置と、前記撮像装置により撮像された映像を表示させる監視端末装置を有する監視システムであって、
前記入室する人物を識別するための識別情報と退室する人物を識別するための識別情報を取得する取得手段と、
前記取得された人物の識別情報と、当該識別情報の取得時の当該人物の撮像画像とを関連付けて記憶する記憶手段と、
前記退室する人物の識別情報に基づいて前記記憶手段から検索された当該人物の入室時の撮像映像を、当該人物の退室時の撮像映像と共に表示させる表示制御手段とを有することを特徴とする監視システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述した目的を達成するために、本願発明の監視端末装置は、入室する人物を識別するための識別情報と退室する人物を識別するための識別情報を取得する取得手段と、前記取得された人物の識別情報と、当該識別情報の取得時の当該人物の撮像映像とを関連付けて記憶する記憶手段から検索された撮像映像であって、前記退室する人物の識別情報に基づいて前記記憶手段から検索された当該人物の入室時の撮像映像を、当該人物の退室時の撮像映像と共に表示させる表示制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月30日(2010.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レンズから入射した光を光電変換する撮像素子と、
前記撮像素子から出力された電気信号から測光値を算出する測光値算出手段と、
前記撮像素子への入射光量を調整する絞り手段と、
前記撮像素子からの出力信号を電気的に増幅させる増幅手段と、
前記測光値算出手段から出力される測光値に基づいて前記絞り手段のみを駆動させることで所定の露出状態となるように露出制御を行う露出制御モードに切り替える切り替え手段と、
前記絞り手段が開放端以外の位置に固定され、かつ、前記測光値算出手段から出力される測光値に基づいて前記増幅手段のみを動作させることで所定の露出状態となるように露出制御が行われているときに前記切り替え手段により前記露出制御モードに切り替えられた場合、前記絞り手段を開放側に駆動させる露出制御手段と、を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記露出制御手段は、前記絞り手段が開放端以外の位置に固定され、かつ、前記測光値算出手段から出力される測光値に基づいて前記増幅手段のみを動作させることで所定の露出状態となるように露出制御が行われているときに前記切り替え手段により前記露出制御モードに切り替えられた場合、前記絞り手段を開放側に駆動させると共に、該絞り手段の駆動量に応じた明るさ分だけ前記増幅手段による増幅率を下げることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
レンズから入射した光を光電変換する撮像素子と、前記撮像素子から出力された電気信号から測光値を算出する測光値算出手段と、前記撮像素子への入射光量を調整する絞り手段と、前記撮像素子からの出力信号を電気的に増幅させる増幅手段と、を有する撮像装置の制御方法であって、
前記測光値算出手段から出力される測光値に基づいて前記絞り手段のみを駆動させることで所定の露出状態となるように露出制御を行う露出制御モードに切り替える切り替えステップと、
前記絞り手段が開放端以外の位置に固定され、かつ、前記測光値算出手段から出力される測光値に基づいて前記増幅手段のみを動作させることで所定の露出状態となるように露出制御が行われているときに前記切り替えステップで前記露出制御モードに切り替えられた場合、前記絞り手段を開放側に駆動させる露出制御ステップと、を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項４】
前記露出制御ステップは、前記絞り手段が開放端以外の位置に固定され、かつ、前記測光値算出手段から出力される測光値に基づいて前記増幅手段のみを動作させることで所定の露出状態となるように露出制御が行われているときに前記切り替えステップで前記露出制御モードに切り替えられた場合、前記絞り手段を開放側に駆動させると共に、該絞り手段の駆動量に応じた明るさ分だけ前記増幅手段による増幅率を下げることを特徴とする請求項３に記載の撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置及びその制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
上記目的を達成するために、本発明の撮像装置は、レンズから入射した光を光電変換する撮像素子と、前記撮像素子から出力された電気信号から測光値を算出する測光値算出手段と、前記撮像素子への入射光量を調整する絞り手段と、前記撮像素子からの出力信号を電気的に増幅させる増幅手段と、前記測光値算出手段から出力される測光値に基づいて前記絞り手段のみを駆動させることで所定の露出状態となるように露出制御を行う露出制御モードに切り替える切り替え手段と、前記絞り手段が開放端以外の位置に固定され、かつ、前記測光値算出手段から出力される測光値に基づいて前記増幅手段のみを動作させることで所定の露出状態となるように露出制御が行われているときに前記切り替え手段により前記露出制御モードに切り替えられた場合、前記絞り手段を開放側に駆動させる露出制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３６】
ステップＳ１０１にて、ＡＥモードがマニュアルモードではなく、絞り１２０、或いは、シャッタの何れかの制御が自動制御になっていればプッシュＡＥスイッチ３４０は無効となるため、本処理は終了する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５１】
ステップＳ１０５にて、マイコン３００が、ゲインが０ｄＢより大きいと判定すれば、処理をステップＳ１０６に進め、ゲインが０ｄＢであると判定すれば、処理をステップＳ１０９に進める。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2009239468.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2009239468.tif 000002
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2009239468.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月12日(2011.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
ダイヤフラム５とシリコン基板１との間には、第１絶縁膜２、ポリシリコン犠牲膜３および第２絶縁膜４が積層されている。アンカー部２０は、第１絶縁膜２の開口部に充填されるポリシリコン犠牲膜３の部分と第２絶縁膜４の開口部に充填されるポリシリコン膜５５の部分とを含むようにして、ダイヤフラム５からシリコン基板１へ向かって突出する態様で形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第４絶縁膜８上の所定の領域には、複数のアルミニウムパッド１２が形成されている。各アルミニウムパッド１２は、コンタクト部１１を介して対応するポリシリコン配線７ａ（ゲージ抵抗７）と電気的に接続されている。そのアルミニウムパッド１２を覆うように、第５絶縁膜９が形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
次に、上述した半導体圧力センサの製造方法について説明する。まず、前述した製造工程と同様の工程を経て、図１３に示すように、シリコン基板１の第１主表面上に第１絶縁膜２、ポリシリコン犠牲膜３および第２絶縁膜４が形成される。次に、その第２絶縁膜４上に、シリコン窒化膜からなる第６絶縁膜１５が形成される。この第６絶縁膜１５は、第２絶縁膜４を除去する際のエッチングストッパーとなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
次に、その第６絶縁膜１５の上面の所定の領域にポリシリコン膜からなるゲージ抵抗１３とポリシリコン配線１３ａが形成される。そのゲージ抵抗１３およびポリシリコン配線１３ａを覆うように、第７絶縁膜１６が形成される。第７絶縁膜１６の所定の領域に、ポリシリコン配線１３ａを露出する開口部が形成される。その開口部を充填するように、第７絶縁膜１６上にダイヤフラムとなるドープトポリシリコン膜５５が形成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
次に、図１５に示すように、ＣＶＤ法によりＨＴＯ等の第３絶縁膜６が形成される。その第３絶縁膜６に、ドープトポリシリコン膜５５の表面を露出する開口部が形成される。その開口部を充填するように、ポリシリコン膜からなるゲージ抵抗７が形成される。ゲージ抵抗７とゲージ抵抗１３とは、ドープトポリシリコン膜５５の部分を介して電気的に接続されることになる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
次に、ゲージ抵抗７を覆うように第４絶縁膜８が形成される。その第４絶縁膜８にドープトポリシリコン膜５５の部分を露出する開口部が形成される。その開口部を充填するように、第４絶縁膜８上の所定の領域にアルミニウムパッド１２が形成される。アルミニウムパッド１２における開口部を充填する部分がコンタクト部１１となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
次に、図１６に示すように、エッチングマスク１０を介して、シリコン基板１の裏面に、たとえばＴＭＡＨなどのアルカリエッチング溶液を用いてエッチングを施すことにより、基板１を貫通する基板貫通穴３０ａが形成される。さらに、エッチングを続けることにより、基板貫通穴３０ａが形成されて露出したポリシリコン犠牲膜３が完全に除去される。このとき、前述したように、アルカリエッチング溶液によるポリシリコン犠牲膜のエッチングレートに対して、第３絶縁膜１５のエッチングレートは十分に小さく、第６絶縁膜１５がエッチングストッパーとなる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
次に、ＨＦ（フッ酸）溶液を用いて、露出した第６絶縁膜１５と第１絶縁膜２が除去されて、ダイヤフラム５となるポリシリコン膜５５の部分がダイヤフラム底面１０ａとして露出する。こうして、ダイヤフラム底面１０ａを露出する、基板貫通穴３０ａを含む貫通穴３０が形成されるとともに、ポリシリコン膜５５からなるダイヤフラム５が形成される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
ゲージ抵抗７と接続されるポリシリコン配線７ａは、ドープトポリシリコン膜５５を貫通するスルーホールを介して、ドープトポリシリコン膜３３に電気的に接続されている。一方、アルミニウムパッド１２と接続されるポリシリコン配線７ａは、ドープトポリシリコン膜５５を貫通する他のスルーホールを介してドープトポリシリコン膜３３に電気的に接続されている。なお、これ以外の構成については、図１等に示す半導体圧力センサと同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を省略する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
ゲージ抵抗７と接続されるポリシリコン配線７ａは、第３絶縁膜６に形成される開口部を介してドープトポリシリコン膜５５に電気的に接続されている。一方、アルミニウムパッド１２と接続されるポリシリコン配線７ａは、第３絶縁膜６に形成される他の開口部を介してドープトポリシリコン膜５５に電気的に接続されている。また、配線の一部となるドープトポリシリコン膜５５の部分の領域を、ドープトポリシリコン膜５５の他の部分の領域と電気的に絶縁するために、この領域を取り囲むように、分離酸化膜１４が形成されている。なお、これ以外の構成については、図１等に示す半導体圧力センサと同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を省略する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
ポリシリコン犠牲膜３の上に第２絶縁膜４および第６絶縁膜１５が形成され、その第６絶縁膜１５の表面上にゲージ抵抗７とポリシリコン配線７ａが形成されている。ゲージ抵抗７とポリシリコン配線７ａを覆うように第７絶縁膜１６が形成され、さらに、その第７絶縁膜１６を覆うようにドープトポリシリコン膜５５が形成されている。なお、これ以外の構成については、図１等に示す半導体圧力センサと同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を省略する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
この半導体圧力センサでは、絶縁膜１５の表面上に形成されるゲージ抵抗７とポリシリコン配線７ａを覆う態様で、第７絶縁膜１６を介在させて、ダイヤフラムをなすドープトポリシリコン膜５５が形成される。このため、ゲージ抵抗７は、ドープトポリシリコン膜５５の裏面側において、ドープトポリシリコン膜５５の下面よりも上方に位置する部分が存在する態様で配置されることになる。つまり、ゲージ抵抗７がドープトポリシリコン膜５５に一部埋め込まれる態様で配置されることになる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月20日(2011.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ここで、ロッドの端部に設けられたばね座およびシリンダの外周に設けられたフランジのそれぞれをシリンダの両側方に張り出す横長形状とし、そのばね座とフランジの一端部間および他端部間のそれぞれにシリンダと平行するようにして複数のリターンスプリングを設けることにより、ロッドとシリンダに曲げモーメントが負荷されるのを防止することができるため、ロッドとシリンダを相対的にスムーズに伸縮させることができ、ベルトの張力変化をスムーズに吸収することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記ばね座およびフランジのそれぞれをシリンダの両側方に張り出す横長形状とし、そのばね座とフランジの一端部間および他端部間のそれぞれにシリンダに平行して複数のリターンスプリングを設けた請求項１に記載の油圧式オートテンショナ。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月24日(2010.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】原子炉格納容器の建設方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基礎を建設し、
一次原子炉格納容器の円筒壁，機器室の壁および天井，圧力抑制プール床の底部を構成し、機器室下側に開口を有し、ウェットウェル，ドライウェルに面する部分は鋼板のライナーであり、それ以外の鋼板はスタッドを有する鋼板のボックスを前記基礎へ搬入し、前記鋼板の設定後にコンクリートを注入して鋼板コンクリート構造とし、
前記鋼板コンクリート構造へ、圧力抑制プール下部円筒壁と圧力抑制プール床を建設し、圧力抑制プール部分円筒壁，ダイアフラムフロア，ドライウェル部分円筒壁，格納容器天井部分，格納容器上部プール，原子炉建屋運転床を建設する原子炉格納容器の建設方法。
【請求項２】
請求項１における原子炉格納容器の建設方法において、前記圧力抑制プール下部に床にて仕切りされ、内側側壁と天井内側を鋼板コンクリート構造とした機器室を、鋼板コンクリートからなる複数の壁で区画することを特徴とする原子炉格納容器の建設方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２における原子炉格納容器の建設方法において、前記複数の壁で区画した機器室を鋼板コンクリートの床にて区画することを特徴とする原子炉格納容器の建設方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
（第３の実施形態）
次に、無線ネットワーク解析システムの第３の実施形態について、無線データ捕捉端末の構成を図９に基づいて説明する。なお、上述した第１の実施形態の無線ネットワーク部分は、同一の構成であるので、説明を省略する。また、無線データ解析端末の構成も上記第２の実施形態（図８）と同一の構成であるので、説明を省略する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月5日(2011.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電話事業者が提供する複数のＩＰ（Internet Protocol）回線を収容し自通信制御装置に帰属する１以上の内線端末からの発着信を制御する通信制御装置であって、
前記内線端末からの発信要求に対して当該発信の着側電話番号情報から着側の電話事業者を識別する着側電話事業者識別手段と、
契約関係にある電話事業者と前記複数のＩＰ回線とを対応付けて登録する契約電話事業者登録手段と、
前記契約電話事業者登録手段に登録された電話事業者の各々と提携関係のある電話事業者を前記複数のＩＰ回線と対応付けて登録する提携電話事業者登録手段と、
前記内線端末からの発信要求に対して前記複数のＩＰ回線のいずれかを選択して発信する選択発信手段と、を有し、
前記選択発信手段が前記識別した着側の電話事業者は前記契約電話事業者登録手段に登録されていないと判定したならば、前記着側の電話事業者と提携関係にあるＩＰ回線を選択するまたは前記ＩＰ回線の存在を当該内線端末に表示させることを特徴とするＩＰ回線選択機能を有する通信制御装置。
【請求項２】
複数の電話事業者が提供する複数のＩＰ回線を収容し自通信制御装置に帰属する１以上の内線端末からの発着信を制御する通信制御装置であって、
前記内線端末への着信があった場合に、発側電話番号情報から発側の電話事業者を識別する発側電話事業者識別手段と、
契約関係にある電話事業者と前記複数のＩＰ回線とを対応付けて登録する契約電話事業者登録手段または前記契約電話事業者登録手段に登録された電話事業者の各々と提携関係のある電話事業者を前記複数のＩＰ回線と対応付けて登録する提携電話事業者登録手段と、を有し、
前記発側電話事業者識別手段は、着信時に当該着信の発側の電話事業者を識別し、前記識別した発側の電話事業者が前記契約電話事業者登録手段または前記提携電話事業者登録手段に登録されているか否かを判定し、登録されていると判定しかつ当該着信を受付けたＩＰ回線が前記登録されている電話事業者に対応したＩＰ回線でないならば、当該着信の発側に対して契約関係または提携関係にある別のIP回線の存在を通知することを特徴とするＩＰ回線選択機能を有する通信制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本願発明に係る通信制御装置は、複数の電話事業者が提供する複数のＩＰ（Internet Protocol）回線を収容し自通信制御装置に帰属する１以上の内線端末からの発着信を制御する通信制御装置であって、前記内線端末からの発信要求に対して当該発信の着側電話番号情報から着側の電話事業者を識別する着側電話事業者識別手段と、契約関係にある電話事業者と前記複数のＩＰ回線とを対応付けて登録する契約電話事業者登録手段と、前記契約電話事業者登録手段に登録された電話事業者の各々と提携関係のある電話事業者を前記複数のＩＰ回線と対応付けて登録する提携電話事業者登録手段と、前記内線端末からの発信要求に対して前記複数のＩＰ回線のいずれかを選択して発信する選択発信手段とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記選択発信手段が前記識別した着側の電話事業者は前記契約電話事業者登録手段に登録されていないと判定したならば、前記着側の電話事業者と提携関係にあるＩＰ回線を選択するまたは前記ＩＰ回線の存在を当該内線端末に表示させる。