【手続補正書】
【提出日】平成23年4月6日(2011.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ（１）において、
クラッド層（１８）およびコンタクト層（２１）を包含するｐドープされた領域（Ｉ）を有し、前記クラッド層（１８）と前記コンタクト層（２１）との間には第１の中間層（１９）および第２の中間層（２０）が配置されており、前記第１の中間層（１９）および前記第２の中間層（２０）における第１の材料成分（Ｂ）の濃度ｙは、前記第１の中間層（１９）および前記第２の中間層（２０）におけるバンドギャップが前記クラッド層（１８）のバンドギャップと前記コンタクト層（２１）のバンドギャップとの間に位置する領域において変わるように変化しており、
前記クラッド層（１８）、前記第１の中間層（１９）、前記第２の中間層（２０）および前記コンタクト層（２１）はそれぞれ化合物半導体材料を含有し、
前記それぞれの化合部半導体材料の組成は式ＣxＢy(1-x)Ｅ(1-y)(1-x)Ａ、ただし０≦ｘ≦１且つ０≦ｙ≦１、Ｂは第１の材料成分、Ｅは第２の材料成分、Ｃは第３の材料成分およびＡは第４の材料成分、によって表され、
前記第１の中間層（１９）における前記第１の材料成分（Ｂ）の前記濃度ｙは前記クラッド層（１８）から前記第２の中間層（２０）に向かって低下し、
前記第２の中間層（２０）における前記第１の材料成分（Ｂ）の前記濃度ｙは前記第１の中間層（１９）から前記コンタクト層（２１）に向かって低下し、
前記第２の中間層（２０）における前記第１の材料成分（Ｂ）の前記濃度ｙは、前記第１の中間層（１９）における前記濃度ｙの最終的な値よりも高い値から始まることを特徴とする、半導体チップ（１）。
【請求項２】
前記第１の材料成分（Ｂ）はアルミニウムである、請求項１記載の半導体チップ（１）。
【請求項３】
前記濃度ｙは、前記クラッド層（１８）から前記第２の中間層（２０）に向かって低減し、かつ、前記第１の中間層（１９）と前記第２の中間層（２０）との間の移行部において不連続に変化する、請求項２記載の半導体チップ（１）。
【請求項４】
前記第１の中間層（１９）における前記バンドギャップの大きさは前記クラッド層（１８）から前記第２の中間層（２０）に向かって小さくなる、請求項１から３までのいずれか１項記載の半導体チップ（１）。
【請求項５】
前記第２の中間層（２０）における前記バンドギャップの大きさは前記第１の中間層（１９）から前記コンタクト層（２１）に向かって小さくなる、請求項１から４までのいずれか１項記載の半導体チップ（１）。
【請求項６】
前記第２の材料成分（Ｅ）はガリウムである、請求項１から５までのいずれか１項記載の半導体チップ（１）。
【請求項７】
前記第３の材料成分（Ｃ）はインジウムである、請求項１から６までのいずれか１項記載の半導体チップ（１）。
【請求項８】
前記第４の材料成分（Ａ）はリンまたはヒ素である、請求項１から７までのいずれか１項記載の半導体チップ（１）。
【請求項９】
前記クラッド層（１８）がＩｎＡｌＰを含有し、前記第１の中間層（１９）がＩｎＡｌＧａＰを含有し、前記第２の中間層（２０）がＡｌＧａＡｓを含有し、また前記コンタクト層（２１）がＧａＡｓを含有する、請求項１から８までのいずれか１項記載の半導体チップ（１）。
【請求項１０】
前記第１の中間層（１９）における前記第１の材料成分（Ｂ）の前記濃度ｙは前記クラッド層（１８）と対向する側において２０％〜１００％である、請求項１から９までのいずれか１項記載の半導体チップ（１）。
【請求項１１】
前記第１の中間層（１９）における前記第１の材料成分（Ｂ）の前記濃度ｙは前記クラッド層（１８）と対向する側において７０％〜９０％である、請求項１０記載の半導体チップ（１）。
【請求項１２】
前記第１の中間層（１９）における前記第１の材料成分（Ｂ）の前記濃度ｙは前記第２の中間層（２０）と対向する側において０％〜５０％である、請求項１０または１１記載の半導体チップ（１）。
【請求項１３】
前記第１の中間層（１９）における前記第１の材料成分（Ｂ）の前記濃度ｙは前記第２の中間層（２０）と対向する側において１０％〜４０％である、請求項１２記載の半導体チップ（１）。
【請求項１４】
前記第２の中間層（２０）における前記第１の材料成分（Ｂ）の前記濃度ｙは前記第１の中間層（１９）と対向する側において１０％〜１００％である、請求項１から１３までのいずれか１項記載の半導体チップ（１）。
【請求項１５】
前記第２の中間層（２０）における前記第１の材料成分（Ｂ）の前記濃度ｙは前記第１の中間層（１９）と対向する側において６０％〜８０％である、請求項１４記載の半導体チップ（１）。
【請求項１６】
前記第２の中間層（２０）における前記第１の材料成分（Ｂ）の前記濃度ｙは前記コンタクト層（２１）と対向する側において０％〜５０％である、請求項１４または１５記載の半導体チップ（１）。
【請求項１７】
前記第２の中間層（２０）における前記第１の材料成分（Ｂ）の前記濃度ｙは前記コンタクト層（２１）と対向する側において２％〜５％である、請求項１６記載の半導体チップ（１）。
【請求項１８】
価電子帯（ＶＢ）が前記クラッド層（１８）から前記コンタクト層（２１）に向かって連続的な経過を有する、請求項１から１７までのいずれか１項記載の半導体チップ（１）。
【請求項１９】
半導体チップ（１）は、前記ｐドープされた領域（Ｉ）とｎドープされた領域（ＩＩＩ）との間に配置されている活性領域（ＩＩ）を有する、請求項１から１８までのいずれか１項記載の半導体チップ（１）。
【請求項２０】
半導体チップ（１）はレーザダイオードチップである、請求項１から１９までのいずれか１項記載の半導体チップ（１）。
【請求項２１】
請求項１から２０までのいずれか１項記載の半導体チップの製造方法において、
−第１の中間層（１９）をクラッド層（１８）上に成長させるステップと、
−第２の中間層（２０）を前記第１の中間層（１９）上に成長させるステップと、
−コンタクト層（２１）を前記第２の中間層（２０）上に成長させるステップとを有することを特徴とする、製造方法。
【請求項２２】
前記第１の中間層（１９）の上への前記第２の中間層（２０）の成長を成長中断なく行う、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記第１の中間層（１９）の成長と前記第２の中間層（２０）の成長との間にリンベースの成長からヒ素ベースの成長に切り換える、請求項２１または２２記載の方法。
【請求項２４】
前記第１の中間層（１９）および前記第２の中間層（２０）を同一の温度で成長させる、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
前記温度は７００℃である、請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
前記第２の中間層（２０）の成長後に成長を中断し、該中断中に前記温度を低下させる、請求項２４または２５記載の方法。
【請求項２７】
前記温度をアルシン支持圧力下で行う、請求項２６記載の方法。
【請求項２８】
前記コンタクト層（２１）を約５５０℃の温度で成長させる、請求項２６または２７記載の方法。
【請求項２９】
前記第１の中間層（１９）をマグネシウムまたは亜鉛でドープする、請求項２１から２８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項３０】
前記第２の中間層（２０）を炭素、マグネシウムまたは亜鉛でドープする、請求項２１から２９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項３１】
前記第１の中間層（１９）および前記第２の中間層（２０）の成長中に前記第１の材料成分（Ｂ）の前記濃度を連続的に低下させる、請求項２１から３０までのいずれか１項記載の方法。