(57)【要約】  太陽電池薄膜モジュール（１）は基板（２）を有し、基板上には、機能層として、透明な表面電極層（３）、半導体層（４）及び裏面電極層（５）が設けられており、機能層には、直列に接続されたセル（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）を形成するためのセル分割線（６、７、８）が設けられている。レーザー（２３）により端部領域（１０）において、機能層（３、４、５）の除去がなされる。機能層（３、４、５）の端部領域において、表面電極層（３）と裏面電極層（５）との間を絶縁するための絶縁分割線（１３）が、表面電極層（３）において分割線（１７）を形成するためのレーザー（２４）と、半導体層（４）及び裏面電極層（５）において分割線（１８、１９）を形成するためのレーザー（２５）とにより、形成される。モジュール（１）の端部領域（１０）における機能層（３、４、５）の除去と、絶縁分割線（１３）の形成とが、同時に１つの工程でなされる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池薄膜モジュール（１）の基板（２）には、透明な表面電極層（３）、半導体層（４）及び裏面電極層（５）が機能層として設けられており、それらの層には、直列に接続されたセル（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）を形成するためのセル分割線（６、７、８）が設けられており、モジュール（１）の端部領域（１０）において、レーザー（２３）により機能層（３、４、５）の除去がされており、並びに機能層（３、４、５）の端部領域において、絶縁分割線（１３）が形成され、表面電極層（３）と裏面電極層（５）との間を絶縁するために、レーザー（２４）により表面電極層（３）に分割線（１７）が形成され、かつ、レーザー（２５）により半導体層（４）及び裏面電極層（５）に分割線（１８、１９）が形成されている、太陽電池薄膜モジュール（１）を製造する方法において、
モジュール（１）の端部領域（１０）の機能層（３、４、５）の除去と、絶縁分割線（１３）の形成とが、同時に１つの工程においてされることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１の方法において、
ネオジム又はイッテルビウムによりドープされた固体レーザー（２３、２４）を、赤外領域の波長において、モジュール（１）の端部領域（１０）において機能層（３、４、５）を除去するために、及び／又は、表面電極層（３）の端部領域において分割線（１７）を形成するために、用いることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１の方法において、
分割線（１７）を表面電極層（３）の端部領域において形成するために、ネオジム又はイッテルビウムをドープした固体レーザー（２４）を、３倍の周波数において、用いることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれかの方法において、
分割線（１８、１９）を半導体層（４）及び裏面電極層（５）の端部領域に形成するために、ネオジム又はイッテルビウムをドープした固体レーザー（２５）を、２倍の周波数において、用いることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれかの方法において、
前記モジュールの端部領域（１０）の機能層（３、４、５）の除去のために、並びに／又は、表面電極層（３）の端部領域並びに／若しくは半導体層（４）及び裏面電極層（５）の端部領域に分割線（１７、１８、１９）を形成するため、パルスレーザー（２３、２４、２５）を用いることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれかの方法において、
モジュール（１）の端部領域（１０）の機能層（３、４、５）の除去は、２軸ガルバノレーザースキャナー（３６）によることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれかの方法において、
透明基板（２）を用いるとともに、レーザー光線（１４、１５、１６）の焦点を、機能層（３、４、５）をモジュール（１）の端部領域（１０）において除去するために、かつ、絶縁分割線（１３）の機能層（３、４、５）において形成するために、基板（２）を通して、機能層（３、４、５）内に当てることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１から７までのいずれかの方法において、
絶縁分割線（１３）を機能層（３、４、５）の端部領域に形成するに当たり、半導体層（４）及び裏面電極層（５）に分割線（１８、１９）を形成するためのレーザー（２５）のレーザー光線（１５）が、表面電極層（３）に分割線（１７）を形成するためのレーザー（２４）のレーザー光線（１６）に先行することを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項５の方法において、
分割線（１８、１９）は、半導体層（４）及び裏面電極層（５）の端部領域において、順番に並べられ、互いに重なりのあるレーザーの焦点スポット（２１）により形成されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項９の方法において、
レーザーの焦点スポット（２１）の裏面電極層（５）における重なりは、分割線（１９）における裏面電極層（５）に孔が形成され、それにより、レーザー光線（１５）の効果により蒸発した半導体層（４）の半導体材料が飛散することのないようにすることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項９の方法において、
分割線（１７、１８）は、半導体層（４）及び裏面電極層（５）において、順番に並べられ、互いに重なりのあるレーザーの焦点スポット（２２）の単一の軌跡により形成されることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１から１１までのいずれかの方法において、
半導体層（４）及び裏面電極層（５）の端部領域における分割線（１８、１９）は、表面電極層（３）の端部領域における分割線（１７）よりも幅が広いことを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１２の方法において、
半導体層（４）及び裏面電極層（５）の端部領域の分割線（１８、１９）の幅は８０ミクロンメートルから１５０ミクロンメートルであり、表面電極層（３）の端部領域の分割線（１７）の幅は２０ミクロンメートルから６０ミクロンメートルであることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１から１３までのいずれかの方法を実施するための装置において、
レーザー（２３、２４、２５）は、光学系を含んでおり、モジュール（１）の端部領域（１０）の機能層（３、４、５）を除去するためと、機能層（３、４、５）の端部領域に絶縁分割線（１３）を形成するために、１つのレーザー装置（２６）において、固定的に互いに連結されていることを特徴とするデバイス。
【請求項１５】
請求項１４の装置において、
レーザー装置（２６）は、モジュール（１）の端部領域（１０）の機能層（３、４、５）の除去をするために、２軸ガルバノレーザースキャナー（３６）を有することを特徴とするデバイス。
【請求項１６】
請求項１４又は１５の装置において、
レーザー（２５）は、半導体層（４）及び裏面電極層（５）の端部領域に分割線（１８、１９）を形成するためのレーザー光学系で、半導体層（４）及び裏面電極層（５）に焦点を当てるレーザー光線（１５）の幅を広げるものを有することを特徴とする装置。
【請求項１７】
請求項１４又は１６に記載のデバイスにおいて、
レーザー（２５）のレーザー光学系により、半導体層（４）及び裏面電極層（５）の端部領域に分割線（１８、１９）を形成するために生成されるレーザー光線（１５）は、レーザー装置（２６）をモジュール（１）に対し移動方向（２８）に相対的に移動する際に、表面電極層（３）の端部領域における分割線（１７）のためのレーザー（２４）のレーザー光学系により形成されるレーザー光線（１６）の前方に配置されることを特徴とするデバイス。
【請求項１８】
請求項１４から１７までのいずれかの装置において、
レーザー装置（２６）は固定的に配置され、モジュール（１）を移動するための装置が設けられていることを特徴とする装置。
【請求項１９】
請求項１７又は１８の装置において、
モジュール（１）を移動するための装置は、モジュール（１）の全周をレーザー装置（２６）に沿いながら１方向に移動することができるようにされており、その際、半導体層（４）及び裏面電極層（５）の端部領域において分割線（１８、１９）を形成するためのレーザー光線（１５）が、モジュール（１）の移動方向（３２から３５まで）において、常に分割線（３）を形成するためのレーザー光線（１６）の前方に配置されていることを特徴とする装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、請求項１の前書き記載の太陽電池薄膜モジュールを製造するための方法と、この方法を実施するための装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池薄膜モジュールの入射側とは反対側の裏面側に裏面カバーが設けられており、その裏面カバーは、接着フィルムにより、機能層の裏面側に貼り付けられている。電圧を加えた状態の機能層が周囲（フレーム、取付用支持枠など）に対し、特に湿度が高い状態において、十分に電気的に絶縁された状態にすることを確保するために、モジュールの端部で、接着フィルムは直接に基板に取り付けられ、それにより、機能層が気密に被覆される。
【０００３】
そのために、端部のアブレーション、すなわち、モジュールの端部領域における機能層の完全な除去がされる。端部の薄膜の除去は、機械的に、例えば、砂の吹き付けや研磨などによることも、又はレーザーによることもできる（ＤＥ  ２０  ２００８  ００５  ９７０  Ｕ１、ＤＥ  ２０  ２００８  ００６  １１０  Ｕ１を参照）。
【０００４】
しかしながら、端部のアブレーションをする際、表面電極層の外端及び裏面電極層の外端が幾つかの場所で互いに接触し、これにより短絡が生じる。したがって、表面電極層と裏面電極層との間を電気的に絶縁することを確保するために、いわゆる「アイソカット(isocut)」、すなわち、端部のアブレーションがされたモジュールの端部領域から距離をおいて、レーザーにより、機能層を通して、絶縁分割線を描くことがされている。
【０００５】
端部のアブレーション及びアイソカットをするためには、幾つかの工程と幾つかの設備が必要とされる。第１工程において、表面電極層を形成する設備を用いて、表面電極層に、レーザーにより、モジュールの個々のセルを直列に接続するためのセル分割線と、アイソカットのための分割線を設ける。表面電極層に半導体層を設け、セル分割線により構造化し、かつ、半導体層に裏面電極層を設けた後に、裏面電極層に、さらに別の設備により、セル分割線と隣接して、レーザーにより、アイソカットのための分割線を設ける。最後に、さらに別の設備により端部のアブレーションをする。
【０００６】
表面電極層及び裏面電極層のアイソカットのための分割線の形成と、端部のアブレーションとが様々な設備でされるために、様々な許容差を、様々なプロセスにおいて、例えば、ガラス板などからなるモジュールの基板の熱膨張率、個別のプロセスにおける様々な温度について、考慮しなければならない。
【０００７】
したがって、アイソカットは、機能層におけるモジュールの端部のアブレーションがされた領域から１ミリメートル又はそれ以上の距離でされる。さらに、半導体層及び裏面電極層のアイソカットのための分割線は、相当の幅を有していなければならず、それにより、表面電極層のアイソカットのための分割線と確実に重ね合わせられる。したがって、裏面電極層にアイソカット分割線を形成するためには、すぐに隣りの軌跡に続けるように、レーザー光線を少しずつずらしながらモジュール上を移動しなければならない。
【０００８】
そのようなことから、アイソカットを形成するには非常に多くの工程時間を必要とする。さらに、アブレーションがされたモジュールの端部領域から１ミリメートル又はそれ以上にアイソカットのための距離をとることから、モジュールの有用な活性面は減少し、そのためにその性能も低下する。それぞれの個別の多数の設備において不良が生じ得ることから、さらに、モジュールにおいて、しばしば性能の減少や喪失が生じることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】ＤＥ２０  ２００８  ００５  ９７０  Ｕ１
【特許文献２】ＤＥ２０  ２００８  ００６  １１０  Ｕ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明が解決しようとする課題は、端部のアブレーションがされ、アイソカットが設けられたより高い性能の太陽電池薄膜モジュールを、確実かつより少ない工程時間により、製造することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明において、これは、請求項１の方法により達成される。請求項２から請求項１３までには、本発明による方法の有利な態様が示されている。請求項１４には、本発明による方法を実施するためにより好ましい装置が記載されており、その装置について、請求項１５から請求項１９までの構成を用いて、より有用な形態をとることができる。
【００１２】
本発明の太陽電池薄膜モジュールは基板を有しており、その上に、機能層として、透明な表面電極層、半導体層及び裏面電極層が付着されており、それぞれの層の厚さは、数ナノメートルから数ミクロンメートルである。
【００１３】
基板には、電気的に絶縁性の材料が用いられ、表板１枚構成の場合には、透明な材料、例えば、ガラスなどが用いられる。表面電極層は、導電性の金属酸化物、例えば、酸化亜鉛又は酸化スズなどを用いることができる。重要なことは、単に、透明であること、導電性であること、及びレーザー光線の少なくとも数パーセントを吸収するということである。
【００１４】
半導体層には、シリコン、例えば、非晶質シリコン、微晶質シリコン又は多結晶質シリコンなどを用いることができるが、それ以外の半導体でもよく、例えば、カドミウム・テルル又はＣＩＧＳ、すなわち、銅−インジウム−ガリウム−セレン化物などを用いてもよい。裏面電極層は、好ましくは金属層であり、例えば、アルミニウム、銅、銀又は類似のものからなる。
【００１５】
表面電極層及び半導体層のコーティングは、例えば、物理的に促進される化学的気相成長法（ＰＥＣＶＤ）などにより、裏面電極層のコーティングは、好ましくは、スパッタリングによる。表面電極層、半導体層及び裏面電極層には、セル分割線が設けられ、個別のセルが形成されており、それらは直列に接続されている。
【００１６】
モジュールの端部領域での機能層の除去、すなわち、端部のアブレーションと、表面電極層の端部領域の絶縁分割線の形成と、半導体層及び裏面電極層の端部領域での絶縁分割線の形成、すなわち、機能層の端部領域でのアイソカットとは、本発明においては、１つの設備により、１つの同じ工程ですることができる。
【００１７】
すなわち、モジュールの端部領域の機能層にレーザーを当てる際、同時に、半導体層及び裏面電極層並びに表面電極層の端部領域の分割線に、アイソカットのために、レーザーが当てられる。本発明においては、好ましくは、レーザーは、光学系も含めて、端部のアブレーションと、絶縁分割線の形成、すなわち、アイソカットとをするために、１個のレーザー装置として、機械的かつ固定的に互いに連結されている。
【００１８】
本発明においては、３つの機能層の端部のアブレーション及びアイソカットが同時にされることから、様々な設備の許容差及び基板の温度の影響はもはや関係しない。このようにして、アイソカット及び端部のアブレーションとの間の距離を最小化すること、それにより、モジュールの性能を向上することができる。さらに、裏面電極層のアイソカットのための分割線の幅を最小化すること、さらにはゼロにまで減少することができ、それにより、モジュールの性能を更に向上させることができる。
【００１９】
さらに、従来の技術と比較して、本発明においては、書き入れる時間も低減することができるが、これは、表面及び裏面の接続構造において、アイソカット線を省略することができるためである。
【００２０】
レーザーとしては、端部のアブレーション及び表面電極層の端部領域に分割線を形成するためには、赤外線を発光し、少なくとも８００ナノメートルの波長のレーザーを用いることができるが、好ましくは、ネオジムによりドープされたイットリウムバナジン酸塩（Ｎｄ：ＹＶＯ４）からなるレーザー又はＮｄ：ＹＡＧからなるレーザー、すなわち、イットリウム−アルミニウム−ガーネットを母体結晶とするレーザーにおいて、基本振動が１０６４ナノメートルであるものが用いられる。しかし、表面電極層の端部領域に分割線を形成するときは、例えば、３倍の周波数のもの、すなわち、波長が３５５ナノメートルのネオジムによりドープされた固体レーザーを使用することもできる。半導体層及び裏面電極層の端部領域に分割線を形成するためには、好ましくは、可視光を発光するレーザー、特にネオジムによりドープされた固体レーザー、すなわち、Ｎｄ：ＹＶＯ４又はＮｄ：ＹＡＧレーザーで２倍の周波数の５３２ナノメートルの波長のものが用いられる。
【００２１】
ネオジムによりドープされたレーザーに代えて、基本振動において、赤外領域で発光する別のレーザー、例えば、基本波長が約１０７０ナノメートルのイッテルビウムでドープされたレーザーを用いることもできる。この場合においても、２倍又は３倍の周波数によることも、問題なく可能である。レーザーとして、特にファイバーレーザーも、用いられる。
【００２２】
好ましくは、Ｑスイッチを備えたパルスレーザーが、特に端部のアブレーションと、半導体層及び面電極層の端部領域における分割線の形成とに用いられる。
【００２３】
モジュールの端部領域における機能層の除去を確保するためには、レーザーのレーザー光線は、端部のアブレーションと、半導体層及び裏面電極層の端部領域における分割線の形成とをするためには、特に少なくとも５０ミリジュール毎平方ミリメートルの高いエネルギー密度を有しなければならない。その際、パルス幅が１００ナノ秒よりも小さいレーザーパルスを発光しなければならない。パルスの周波数は、１キロヘルツから５０キロヘルツであればよい。モジュールの端部領域の機能層の端部の除去、すなわち、端部のアブレーションは、２軸ガルバノレーザースキャナーによることができる。この場合、２軸ガルバノレーザースキャナーにより、パルス毎に焦点スポットが焦点スポットに接するように並べられ、その結果、大きな重なり損失が生じることなく、隙間なくカバーされる。高速のスキャナーの移動に当たり重なりがされるように、スキャナーによる加工がされる場所とモジュールとの間において、実質的に、より低速の相対的な移動がされる。この相対的な移動は、１センチメートル毎秒又はそれ以上でもよい。端部のアブレーションがされる領域の幅は、例えば、５ミリメートルから２０ミリメートルあればよい。端部のアブレーション及びアイソカットは、通常は直角形状をしているモジュールの全周にわたりなされる。
【００２４】
モジュールの端部領域で機能層の除去、すなわち、端部のアブレーションと、絶縁分割線の形成、すなわち、アイソカットの形成とをするためには、好ましくは、それぞれについて、透明な基板を通して、レーザー光線の焦点が機能層に合わせられる。
【００２５】
その際、アイソカットの形成において、裏面電極層に分割線を形成するためのレーザーのレーザー光線は、表面電極層に分割線を形成するためのレーザーのレーザー光線に先行するが、それは、表面電極層に分割線を形成するためのレーザー光線は、裏面電極層及び半導体層に分割線が形成されたときに初めて表面電極層に当てることができるからである。
【００２６】
半導体層及び裏面電極層の端部領域の分割線と、表面電極層の端部領域の分割線とは、順番に配置され、互いに重なりのあるレーザーの焦点スポットにより、レーザー装置に対するモジュールの移動の方向に形成される。
【００２７】
裏面電極層の除去は、レーザーの焦点スポットにある半導体層を蒸発させ、それにより、重ねられている裏面電極層を焦点スポットの領域において飛散させることによる。そして、接するように互いに並べられたレーザーの焦点スポットの裏面電極層上における重なりは、裏面電極層にエネルギーをかける際、半導体の材料が蒸発温度まで加熱される前に裏面電極層に孔が形成されない程度においてのみなされる。これは、そうでないと、蒸気が孔から逃げてしまい、半導体層に重ねられている裏面電極層を完全に除去することができなくなるからである。
【００２８】
半導体層及び裏面電極層の端部領域の分割線は、表面電極層の端部領域の分割線の幅よりも大きい幅を有していることが好ましい。このようにして、半導体層及び裏面電極層の端部領域の分割線の幅は、例えば、８０ミクロンメートルから１５０ミクロンメートル、好ましくは、１００ミクロンメートルから１５０ミクロンメートルあればよく、表面電極層の端部領域の分割線の幅は２０ミクロンメートルから６０ミクロンメートル、好ましくは３０ミクロンメートルから５０ミクロンメートルあればよい。それに対応する幅のレーザー光線を形成するために、半導体層及び裏面電極層の端部領域に分割線を形成するレーザーは、レーザー光線の幅を広げるレーザー光学系を有する。レーザー装置を固定して配置し、モジュールがレーザー装置に対し移動することが好ましい。モジュールを移動するための装置は、例えば、ロボットにより形成されていてもよい。ロボットは、モジュールの全周をレーザー装置に沿って一方向に移動することができるようにされることが好ましい。しかしながら、レーザー装置もまた移動することができるようにすることもできる。
【００２９】
添付された図面に基づいて、本発明の実施例をさらに詳細に説明する。各図面は概略図である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１は、端部領域を含む太陽電池モジュールの一部の断面図である。
【図２】図２は、同時になされる端部のアブレーション及びアイソカットの形成におけるレーザー光線を示す。
【図３】図３は、半導体層及び裏面電極層並びに表面電極層に順番に配置され、互いに重なりのあるレーザーの焦点スポットの平面図である。
【図４】図４は、レーザー装置の平面図である。
【図５】図５は、図４によるレーザー装置に対しモジュールを移動するための装置の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
図１によれば、太陽電池薄膜モジュール１は、透明基板２、例えば、ガラス板などを有しており、その基板上には、３つの機能層、すなわち、表面電極層３、半導体層４、例えば、非晶質シリコン層など、及び裏面電極層５が互いに重ねて付着されている。
【００３２】
モジュールは、個々の帯状のセルＣ１、Ｃ２、Ｃ３からなり、それらは、構造化に関する線６、７、８により直列に接続されている。発生した電流は、モジュールの２つの外側のセルと接触することにより、すなわち、セルＣ１と、モジュール１の反対側にあるために図示はされていないセルとを接触することにより、集めることができる。
【００３３】
モジュール１の端部領域１０において、機能層３、４、５は完全に取り除かれている。接着フィルム１１、例えば、ＥＶＡ若しくはＰＶＢフィルム又はそれ以外の熱溶融型の接着フィルムにより、基板２の機能層３、４、５が設けられた側に、裏面カバー１２、例えば、ガラス板又はプラスチックフィルムを付着する。このようにして、基板２は、端部領域１０において、接着剤フィルム１１により、直接、裏面カバー１２に固定的に連結され、それにより、機能層３から５までは、モジュール１において被覆され、その結果、これらの機能層は、特に湿度などの異なる気候の条件において、高い電気的な絶縁耐性において周囲から隔離される。
【００３４】
３つの機能層３から５までのアブレーションをするために、例えば、基本波長が１０６４ナノメートルのＮｄ：ＶＯ４からなる固体レーザーを使用する。端部領域１０にレーザーを当てると表面電極層及び裏面電極層の外端が幾つかの箇所で接合することから、アイソカット１３がされる。すなわち、絶縁分割線１３が、機能層３から５までの端部領域において、表面電極層３と裏面電極層５との間の絶縁をするために、レーザーにより設けられる。
【００３５】
図２においては、モジュール１の端部領域１０における機能層３から５までのアブレーションと、絶縁分割線１３の形成とは、１つの工程において、３つのレーザー２３、２４、２５（図４）によりなされる。これらの３つのレーザーは、モジュール１の端部領域の除去、すなわち、端部のアブレーションをするためにレーザー光線１４を、半導体層４及び裏面電極層５に分割線１８、１９を形成するためにレーザー光線１５を、そして、３つの機能層３から５までの端部領域において表面電極層３に分割線１７を形成するためにレーザー光線１６を、放出する。
【００３６】
幅が広いレーザー光線１４が、２軸ガルバノレーザースキャナー３６（図４）により端部のアブレーションをするために、機能層３から５までに当てられる一方において、レーザー光線１５は半導体層４及び裏面電極層５において分割線１８及び１９を形成するために、かつ、レーザー光線１６は表面電極層３に分割線１７を形成するために、順番に配置され、互いに重なりのある円形の焦点スポット２１、２２を、図３にみられるように形成していくが、その際、分割線１８、１９を半導体層４及び裏面電極層５のそれぞれの端部領域において形成するための焦点スポット２２は、分割線１７を表面電極層３において形成するための焦点スポット２１よりも大きな径を有する。その際、分割線１７が表面電極層３において形成されるばかりでなく、分割線１８、１９も、半導体層４及び裏面電極層５において、連続して配置される焦点スポット２１、２２の単一の軌跡により、形成される。
【００３７】
図４においては、レーザー２３、２４及び２５は、それぞれレーザー光線１４、１５、１６を発生させるが、図示されていない焦点調節光学系と２軸ガルバノレーザースキャナー３６が回転可能に装着された軸受けとともに、単一のレーザー装置２６において、機械的かつ固定的に互いに連結されている。その際、レーザー２３の２軸ガルバノレーザースキャナー３６により、順に配列され、互いに接触している直方形状の領域２７が形成されながら、レーザー２４、２５によるレーザー光線１６及び１５は、円形の焦点スポット２１、２２を生成する。
【００３８】
レーザー装置２６は固定して配置されるとともに、モジュール１は矢印２８の方向に移動する。その際、レーザー光線１５のための焦点調節光学系は、レーザー光線１５が、移動方向２８において、レーザー光線１６に先行する（図３）ように設定される。すなわち、装置２６において、レーザー光線１５のための焦点調節光学系は、移動方向２８において、レーザー光線１６のための焦点調節光学系の前方に配置されている。
【００３９】
図５においては、モジュール１は、固定されたレーザー装置２６に対し、図示されていないロボットのアーム２９により、例えば、吸引器３１により基板２を上方から保持するようにして、矢印３２から３５の方向に移動し、その全周にわたり一方向に移動するが、その際、分割線１８、１９を半導体層４及び裏面電極層５に形成するためのレーザー光線１５は、モジュール１の移動方向３２から３５までの移動方向において、常に、分割線１７を表面電極層３に形成するためのレーザー光線１６の前方に配置される。
【符号の説明】
【００４０】
１  モジュール
２  透明基板
３  表面電極層
４  半導体層
５  裏面電極層
６、７、８  セル分割線
１０  端部領域
１１  接着フィルム
１２  裏面カバー
１３  アイソカット
１４、１５、１６  レーザー光線
１７、１８、１９  分割線
２１、２２  焦点スポット
２３、２４、２５  レーザー
２６  レーザー装置
２７  直方形状の領域
３１  吸引器
３２、３３、３４、３５  移動方向
３６  ２軸ガルバノレーザースキャナー
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３  セル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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