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【手続補正書】
【提出日】平成22年12月1日(2010.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、島状半導体膜を形成し、
前記島状半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、第１の導電膜及び第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜を第１のエッチングをすることにより、第３の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜を第２のエッチングをすることにより、第１のゲート電極を形成し、
前記第３の導電膜を第３のエッチングをすることにより、第２のゲート電極を形成し、かつ、前記第１のゲート電極と重なる領域以外の前記ゲート絶縁膜を前記第３のエッチングをすることにより、前記ゲート絶縁膜の膜厚を薄くし、
前記第２のゲート電極をマスクとして、前記第１のゲート電極及び前記ゲート絶縁膜を通過させて前記島状半導体膜に第１の不純物元素を添加することにより、前記島状半導体膜において、
前記第２のゲート電極と重なる領域にチャネル形成領域を形成し、
前記第１のゲート電極と重なる領域に第１の低濃度不純物領域を形成し、
前記第１の不純物元素が前記ゲート絶縁膜のみを通過した前記島状半導体膜の両端の領域に不純物領域を形成し、
前記ゲート絶縁膜、前記第１のゲート電極、及び前記第２のゲート電極を覆って、絶縁層を形成し、
前記絶縁層を第４のエッチングをすることにより、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極の側面に、サイドウォールを形成し、かつ、前記島状半導体膜の前記サイドウォールに覆われていない領域を露出し、
前記サイドウォール、前記島状半導体膜の露出した領域を覆って、金属膜を形成し、
加熱処理により、前記金属膜と前記島状半導体膜の露出した領域を反応させ、前記島状半導体膜中にシリサイド層を形成し、
前記サイドウォール、前記第１のゲート電極、及び前記第２のゲート電極をマスクとして、前記島状半導体膜に第２の不純物元素を添加することにより、前記島状半導体膜の露出した領域に高濃度不純物領域を形成し、かつ、前記不純物領域の、前記ゲート絶縁膜及び前記サイドウォールに覆われた領域に第２の低濃度不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記シリサイド層は、ニッケル、チタン、コバルト、白金、もしくはこれら元素のうち少なくとも２種類を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記シリサイド層は、前記島状半導体膜の露出した領域の上部及び側面に形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に、島状半導体膜を形成し、
前記島状半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、第１の導電膜及び第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜を第１のエッチングをすることにより、第３の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜を第２のエッチングをすることにより、第１のゲート電極を形成し、
前記第３の導電膜を第３のエッチングをすることにより、第２のゲート電極を形成し、かつ、前記第１のゲート電極と重なる領域以外の前記ゲート絶縁膜を前記第３のエッチングをすることにより、前記ゲート絶縁膜の膜厚を薄くし、
前記第２のゲート電極をマスクとして、前記第１のゲート電極及び前記ゲート絶縁膜を通過させて前記島状半導体膜に第１の不純物元素を添加することにより、前記島状半導体膜において、
前記第２のゲート電極と重なる領域にチャネル形成領域を形成し、
前記第１のゲート電極と重なる領域に第１の低濃度不純物領域を形成し、
前記第１の不純物元素が前記ゲート絶縁膜のみを通過した前記島状半導体膜の両端の領域に不純物領域を形成し、
前記ゲート絶縁膜、前記第１のゲート電極、及び前記第２のゲート電極を覆って、絶縁層を形成し、
前記絶縁層を第４のエッチングをすることにより、前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極の側面に、サイドウォールを形成し、
前記サイドウォール、前記第１のゲート電極、及び前記第２のゲート電極をマスクとして、前記島状半導体膜に第２の不純物元素を添加することにより、前記不純物領域において、前記サイドウォールに領域に覆われなかった領域に高濃度不純物領域を形成し、かつ、前記ゲート絶縁膜及び前記サイドウォールに覆われた領域に第２の低濃度不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第３の導電膜は、テーパー角を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第３のエッチングにおいて、試料ステージの温度を０℃以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜は、２０以上２００ｎｍ以下で形成され、前記第３のエッチングにおいて、１０以上１５ｎｍ以下減少させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月16日(2010.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバ内で磁場を回転させる方法であり、
第１の複数の磁場発生コイルとその周囲に配置された第２の複数の磁場発生コイルを有する処理チャンバを設け、
第１の複数の磁場発生コイルの少なくともサブセットを第２の複数の磁場発生コイルの少なくともサブセットと組み合わせて使用することでチャンバ内に一連の磁場形状のそれぞれを形成することを含み、
この一連の磁場形状が、
１次形状と、
少なくとも２つの連続移行形状と、
回転された１次形状を含み、
第１の複数の主磁場発生コイルの１つ又はそれ以上に印加される１つの電流の最大値は、いずれの２つの隣り合う形状の移行の間に逆転する極性を有する方法。
【請求項２】
（ａ）第１の複数の磁場発生コイルが４つの主磁場発生コイルを含み、第２の複数の磁場発生コイルが主磁場発生コイルに近接して配置された４つの副磁場発生コイルを含み、
（ｂ）１次形状を有する磁場が、第１電流セットを複数の磁場発生コイルに供給して第１磁場形状を発生させることで形成され、
（ｃ）少なくとも２つの連続移行形状の１つ目が、複数の磁場発生コイルに続いて第２電流セットを供給して第１移行磁場形状を発生させることで形成され、
（ｄ）少なくとも２つの連続移行形状の２つ目が、複数の磁場発生コイルに続いて第３電流セットを供給して第２移行磁場形状を発生させることで形成され、
（ｅ）回転された１次形状が複数の磁場発生コイルに続いて第４電流セットを供給して第１磁場形状を約９０度回転させたものに対応する第２磁場形状を発生させることで形成される請求項１記載の方法。
【請求項３】
一連の磁場形状の各々の磁場の全体の強度を、ほぼ一定の強度に維持することを更に含む請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
第１の複数の磁場発生コイルの１つ以上に印加される電流の最大値は、磁場形状の移行の間、ゼロに等しい請求項１又は２記載の方法。
【請求項５】
第１の複数の磁場発生コイルが４つの側部コイルを含み、第２の複数の磁場発生コイルが４つのコーナー部コイルを含む請求項１記載の方法。
【請求項６】
第１及び第２の複数の磁場発生コイルのそれぞれが独立した電流供給源に連結されている請求項２又は５記載の方法。
【請求項７】
各電流セットは、複数の磁場発生コイルの各自に連結された個々の電流供給源によってまとめて供給される請求項２記載の方法。
【請求項８】
回転された１次形状が１次形状に対して約９０度回転されたものである請求項１記載の方法。
【請求項９】
一連の磁場形状の形成を繰り返すことで、第１プラズマ処理中に、磁場を約９０度の増分ずつ連続的に回転させることを更に含む請求項２又は８記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも２つの連続した移行形状で磁場形状を変化させて第２プラズマ処理用の１次磁場形状を形成することで、第１プラズマ処理から第２プラズマ処理へと移行させることを更に含む請求項９記載の方法。
【請求項１１】
第１の複数の磁場発生コイルが４つの第１の磁場発生コイルであり、第２の複数の磁場発生コイルが４つの第２の磁場発生コイルである請求項１記載の方法。
【請求項１２】
少なくとも２つの移行磁場形状が、
１次形状を少なくとも５つの連続移行形状へと変化させることを更に含む請求項１記載の方法。
【請求項１３】
工程（ｃ）と（ｄ）との間に、
（ｆ）複数の磁場発生コイルに第５電流セットを続いて供給して第３の移行磁場を形成し、
（ｇ）複数の磁場発生コイルに第６電流セットを続いて供給して第４の移行磁場を形成し、
（ｈ）複数の磁場発生コイルに第７電流セットを続いて供給して第５の移行磁場を形成することを更に含む請求項２記載の方法。
【請求項１４】
第１の複数の磁場発生コイルが４つの側部磁場発生コイルを含み、第２の複数の磁場発生コイルが主磁場発生コイルに近接して配置された４つのコーナー部磁場発生コイルを含み、回転の間中、磁場強度がほぼ一定に維持される請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月30日(2011.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成し、
前記基板及び前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にフッ化シラン及びシランを用いて結晶核を形成し、
シランを用いて前記結晶核を結晶成長させることにより微結晶半導体膜を形成し、
前記結晶成長は、フッ化シランを導入せずに行うことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
基板上にゲート電極を形成し、
前記基板及び前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜表面にフッ化シラン及び水素を用いてプラズマ処理を行い、
前記ゲート絶縁膜上にフッ化シラン及びシランを用いて結晶核を形成し、
シランを用いて前記結晶核を結晶成長させることにより微結晶半導体膜を形成し、
前記結晶成長は、フッ化シランを導入せずに行うことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記結晶核の形成及び前記結晶成長は、グロー放電プラズマによることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記微結晶半導体膜を形成した後、大気に触れることなく連続的に前記微結晶半導体膜上にバッファ層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月30日(2011.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体光源（３）と少なくとも１つの光導波体（１）とを有しており、
該少なくとも１つの光導波体の一方の端部に変換素子（２）が配置されており、該少なくとも１つの光導波体の他方の端部に前記半導体光源（３）が配置されており、
前記光導波体（１）は前記変換素子の熱を放出する熱伝導層（４）を有しており、
該熱伝導層（４）は、金属を含み、かつ、少なくとも１０ｍｍ、多くとも５０ｍｍの長さ（Ｌ）を有しており、かつ、前記光導波体（１）のうち前記変換素子側の端部を完全に覆っている
ことを特徴とする光源。
【請求項２】
前記半導体光源はレーザーダイオードである、請求項１記載の光源。
【請求項３】
前記半導体光源は青色の１次放射を前記光導波体（１）へ入力する、請求項１または２記載の光源。
【請求項４】
前記光導波体（１）の端面は前記変換素子によって完全にコーティングされている、請求項１から３までのいずれか１項記載の光源。
【請求項５】
前記熱伝導層（４）は前記光導波体（１）および前記変換素子（２）に直接に接触している、請求項１記載の光源。
【請求項６】
前記熱伝導層（４）は金またはアルミニウムを含む、請求項１または５記載の光源。
【請求項７】
前記熱伝導層（４）は金から成り、少なくとも２０ｍｍ、多くとも３０ｍｍの長さ（Ｌ）を有する、請求項１または５または６記載の光源。
【請求項８】
前記熱伝導層はアルミニウムから成り、少なくとも３０ｍｍ、多くとも４０ｍｍの長さ（Ｌ）を有する、請求項１または５または６または７記載の光源。
【請求項９】
前記熱伝導層（４）は金から成り、少なくとも３０μｍの厚さを有する、請求項７記載の光源。
【請求項１０】
前記熱伝導層（４）はアルミニウムから成り、少なくとも５０μｍの厚さを有する、請求項８記載の光源。
【請求項１１】
複数の光導波体（１）および１つの半導体光源（３）を有しており、全ての光導波体が光学的に前記半導体光源に接続されている、請求項１から１０までのいずれか１項記載の光源。
【請求項１２】
１つの半導体光源（３）と複数の光導波体とを有しており、
各光導波体の一方の端部に１つずつ変換素子が配置されており、各光導波体の他方の端部に前記半導体光源（３）が配置されており、
各光導波体（１）は各変換素子の熱を放出する熱伝導層（４）を１つずつ有しており、
該熱伝導層（４）は、各光導波体（１）の各変換素子側の端部を完全に覆っている
ことを特徴とする光源。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月4日(2011.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザビーム（１３）を形成するアクティブ層（３）を備えるエッジ発光型半導体レーザであって、
前記アクティブ層は第１の導波体層（１）に埋め込まれており、
前記第１の導波体層（１）は、第１の外套層（４）と第２の外套層（５）との間に配置されており、側方向では半導体レーザの側方ファセット（９）に隣接しており、
・前記第２の外套層（５）には第２の導波体層（２）が隣接しており、該第２の導波体層（２）にはアクティブ層が埋め込まれておらず、
・前記第２の導波体層（２）は、少なくとも部分領域（１０，１１）で前記第１の導波体層（１）に光学的に結合されており、
・前記第２の導波体層（２）の、前記第１の導波体層（１）とは反対の側には第３の外套層（６）が配置されているエッジ発光型半導体レーザにおいて、
ａ１）前記第１の導波体層（１）と第２の導波体層（２）とが光学的に結合されている、第１の導波体層（１）または第２の導波体層（２）の部分領域（１０，１１）は、第１の導波体層（１）または第２の導波体層（２）の、光学的結合の行われない少なくとも１つの部分領域（１２）とは異なるドープ物質および／または異なるドープ物質濃度を有しているか、
または
ａ２）前記第１の導波体層（１）と第２の導波体層（２）とが光学的に結合されている、第１の導波体層（１）または第２の導波体層（２）の部分領域（１０）は、少なくとも部分的に酸化されており、
そして
ｂ）前記第１の導波体層（１）と第２の導波体層（２）とが光学的に結合されている、第１の導波体層（１）または第２の導波体層（２）の部分領域（１０，１１）は、第１の導波体層（１）または第２の導波体層（２）の、光学的結合の行われない少なくとも１つの部分領域（１２）とは異なる有効屈折率を有する、ことを特徴とするエッジ発光型半導体レーザ。
【請求項２】
請求項１記載のエッジ発光型半導体レーザにおいて、
前記第２の導波体層（２）は前記第１の導波体層（１）と、前記半導体レーザの側方ファセット（９）では前記アクティブ層（３）で形成されたレーザビーム（１３）の少なくとも一部が前記第２の導波体層（２）内を伝播するように光学的に相互に結合されている、ことを特徴とするエッジ発光型半導体レーザ。
【請求項３】
請求項２記載のエッジ発光型半導体レーザにおいて、
前記第２の導波体層（２）は前記第１の導波体層（１）に、該第１の導波体層（１）内を伝播するレーザビーム（１３）が半導体レーザの側方ファセット（９）において最小強度を有するように光学的に結合されている、ことを特徴とするエッジ発光型半導体レーザ。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか一項記載のエッジ発光型半導体レーザにおいて、
前記第１の導波体層（１）と前記第２の導波体層（２）は、第１の部分領域（１０）および第２の部分領域（１１）で光学的に結合されており、
前記第１の部分領域（１０）と第２の部分領域（１１）は前記半導体レーザの側方ファセット（９）に隣接している、ことを特徴とするエッジ発光型半導体レーザ。
【請求項５】
請求項１から３までのいずれか一項記載のエッジ発光型半導体レーザにおいて、
前記第１の導波体層（１）と前記第２の導波体層（２）は、第１の部分領域（１０）および第２の部分領域（１１）で光学的に結合されており、
前記第１の部分領域（１０）と第２の部分領域（１１）はそれぞれ前記半導体レーザの側方ファセット（９）に配置されている、ことを特徴とするエッジ発光型半導体レーザ。
【請求項６】
請求項４または５記載のエッジ発光型半導体レーザにおいて、
前記第１の部分領域（１０）と前記第２の部分領域（１１）の幅は転移長（Ｌｃ）と同じであり、
該転移長（Ｌｃ）は、１つの導波体層（１，２）内での最大強度と隣接する最小強度との間隔である、ことを特徴とするエッジ発光型半導体レーザ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月29日(2011.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ボディ（４）を備える面発光型薄膜半導体レーザーとして具体化される半導体レーザーであって、
前記半導体レーザーは、第１および第２の平坦面（１２，１４）と、
前記第１および第２の平坦面の間に、放射線発生領域を含む少なくとも１個の活性層（１０）を備えて、エピタキシャル成長した薄膜層シーケンスと、
前記活性層（１０）から第１の平坦面（１２）に向けて放射線を出射するために、前記活性層（１０）に対して傾斜した少なくとも１個の第１の鏡面（２６）と、
前記第１の平坦面に取り付けられ、前記薄膜層シーケンスに直接接触する第１の電極と、前記第２の平坦面に取り付けられ、前記薄膜層シーケンスに直接接触する第２の電極と、を含んでおり、
前記第１の電極および前記第２の電極は、少なくとも１種の金属または少なくとも１種の金属合金から形成され、
前記半導体レーザーは、前記薄膜層シーケンスの成長基板から独立していて、
前記少なくとも１個の第１の鏡面は、不動態化される、
ことを特徴とする半導体レーザー。
【請求項２】
前記半導体ボディ（４）は、前記活性層（１０）から前記第１の平坦面（１２）に向けて放射線を出射するために、前記活性層（１０）に対して傾斜した第２の鏡面（２８）を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザー。
【請求項３】
内部で放射線が発生されるとともに、
モノシリックに結合されるトンネル接合（３２）によって、互いに電気的に接続される２以上の活性層（１０）を含んでなる薄膜層シーケンス（８）を備える、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザー。
【請求項４】
前記半導体ボディ（４）は、前記薄膜層シーケンス（８）から離れた面が、半導体ボディ（４）の第１の平坦面（１２）を形成する機能層（６）を含むとともに、
前記面発光型薄膜半導体レーザーの作動中に、活性層（１０）から出射される放射線の主要な放射線流が発生する領域で、その機能層（６）が前記領域の外側より狭くなっている、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザー。
【請求項５】
前記機能層（６）は、電流拡散層（３１）または成長基板（３３）を含んでなる、
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザー。
【請求項６】
前記半導体ボディ（４）は、第２の平坦面（１８）によって、キャリア基板に結合される、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザー。
【請求項７】
前記半導体レーザーは、活性層（１０）から出射される放射線が、第１および／または第２の鏡面によって、第１および／または第２の光学活性表層に向けて反射されるように配置される所定の第１の反射率を有する第１および／または第２の光学活性表層を、少なくとも一方の半導体ボディ（４）の第１および／または第２の接続面で少なくとも１つ含んでなる、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザー。
【請求項８】
前記接続面の少なくとも１つは、前記光学活性表層の１つおよび第１の平坦面（１２）の側で形成されるか、
あるいは、半導体ボディ（４）が、前記光学活性表層を少なくとも１つ含んでなる、
ことを特徴とする請求項７に記載の半導体レーザー。
【請求項９】
前記半導体ボディ（４）は、活性層（１０）から出射する放射線の主要な放射線流が、透過するように構成されるレンズ（４０）を少なくとも１つ含んでなる、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザー。
【請求項１０】
前記半導体レーザーは、半導体ボディ（４）の放射線発生領域と、
活性層からの放射線を検出するための半導体ボディ（４）のモニター領域と、を含んでなり、
前記放射線発生領域を介して、前記第１および前記第２の電極（１６，１８）が、互いに接続され、
前記モニター領域が、少なくとも薄膜層シーケンス（８）で遮られて、前記放射線発生領域から離れるとともに、傾斜した第１と第２の鏡面（２６，２８）の間の接続線、つまり活性層に対して横方向に特にずれており、
第１および第２のモニター電極（４４，４６）が、前記モニター領域を介して互いに電気的に接続されており、
あるいは、その代わりに、半導体ボディ（４）は、放射線発生領域と、
第３のモニター電極（４８）および第３のモニター電極（４８）にある放射線反応層を含むモニター領域と、を含んでなり、
前記放射線領域を介して、前記第１および前記第２の電極（１６，１８）が、互いに電気的に接続されており、
第２の鏡面（２８）によって、活性層（１０）から出射される放射線が、放射線反応層（５０）に向けて反射されるように構成される、
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザー。
【請求項１１】
面発光型薄膜半導体レーザーとして具体化される請求項１または２に記載された半導体レーザーの製造方法において、
半導体ボディ（４）が、薄膜層シーケンス（８）のエピタキシャル成長によって、成長基板（３３）の上に形成されるとともに、半導体ボディ（４）の第２の平坦面（１４）が、成長基板（３３）から離れる工程と、
少なくとも第１の鏡面（２）が、薄膜層シーケンス（８）から半導体材料を取り除くことによって、第２の平坦面（１４）から形成される工程と、からなる、
ことを特徴とする半導体レーザーの製造方法。
【請求項１２】
キャリア基板が、第２の平坦面（１４）に備えられるとともに、成長基板（３３）が、活性層（８）から離れている、
ことを特徴とする請求項１１に記載の半導体レーザーの製造方法。
【請求項１３】
面発光型薄膜半導体レーザー（２）は、ウエーハ群で製造され、
キャリア基板が備えられた後に、前記ウエーハ群から離れる、
ことを特徴とする請求項１１に記載の半導体レーザーの製造方法。
【請求項１４】
キャリア基板が備えられる前に、半導体ボディ（４）の第２の平坦面（１４）に、少なくとも第２の電極（１８）が備えられる、
ことを特徴とする請求項１２に記載の半導体レーザーの製造方法。
【請求項１５】
薄膜層シーケンス（８）が成長する前に、放射線反応層（５０）がエピタキシャル成長によって、成長基板（３３）に備えられる工程と、
電流拡散層（３１）が、放射線反応層（５０）に備えられる工程と、
薄膜層シーケンス（８）が、電流拡散層（３１）でのエピタキシャル成長によって形成される工程と、
成長基板（３３）を取り除いた後に、放射線反応層（５０）が、第３のモニター電極（４８）を設けた領域の外側で取り除かれる工程と、
放射線反応層（５０）の外側において、第１の電極（１６）が、機能層（６）の上で形成される工程と、
第３のモニター電極（４８）が、放射線反応層（５０）の上で形成される工程と、からなる、
ことを特徴とする請求項１２に記載の半導体レーザーの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月4日(2011.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と第２の電極との間に、発光層と第１の層と第２の層とを有し、
前記第１の層は、前記発光層と前記第１の電極との間に設けられており、
前記第２の層は、前記発光層と前記第２の電極との間に設けられており、
前記第１の層は、正孔輸送性の第１の有機化合物と、前記第１の有機化合物の正孔輸送性を低下させる第２の有機化合物とを含み、
前記第２の有機化合物は、前記第１の有機化合物中に分散されており、
前記第２の層は、電子輸送性の第３の有機化合物と、前記第３の有機化合物の電子輸送性を低下させる第４の有機化合物とを含み、
前記第４の有機化合物は、前記第３の有機化合物中に分散されており、
前記第１の電極の方が前記第２の電極よりも電位が高くなるように、前記第１の電極と前記第２の電極とに電圧を印加することにより、前記発光層からの発光が得られることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の層における前記第２の有機化合物の濃度は、１重量％以上２０重量％以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の有機化合物のイオン化ポテンシャルと、前記第１の有機化合物のイオン化ポテンシャルとの差は０．５ｅＶ以上であることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２の有機化合物のイオン化ポテンシャルは５．８ｅＶ以上であることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第２の有機化合物は正孔が注入されない物質であることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第２の有機化合物の双極子モーメントは２．０デバイ以上であることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第２の有機化合物は正孔ブロック材料であることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第２の有機化合物は複素環を有する分子構造であることを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第２の有機化合物は、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体のいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第２の有機化合物は、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール、バソキュプロインのいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第１の層の膜厚は、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記第４の有機化合物は、正孔輸送性であることを特徴とする発光素子。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記第３の有機化合物の最低空軌道準位と前記第４の有機化合物の最低空軌道準位との差は０．３ｅＶより小さいことを特徴とする発光素子。
【請求項１４】
請求項１２または請求項１３において、
前記第３の有機化合物は、金属錯体であり、
前記第４の有機化合物は、芳香族アミンであることを特徴とする発光素子。
【請求項１５】
請求項１２乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記第３の有機化合物の双極子モーメントをＰ１、前記第４の有機化合物の双極子モーメントをＰ２とすると、Ｐ１／Ｐ２≧３またはＰ１／Ｐ２≦０．３３の関係を満たすことを特徴とする発光素子。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記第４の有機化合物は、電子トラップ性であることを特徴とする発光素子。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記第４の有機化合物は前記第３の有機化合物の最低空軌道準位より０．３ｅＶ以上低い最低空軌道準位を有することを特徴とする発光素子。
【請求項１８】
請求項１６または請求項１７において、
前記第３の有機化合物は、金属錯体であり、
前記第４の有機化合物は、クマリン誘導体またはキナクリドン誘導体であることを特徴とする発光素子。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１８のいずれか一項において、
前記第２の層の膜厚は、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項２０】
請求項１乃至請求項１９のいずれか一項において、
前記第１の層と前記発光層との間に第３の層が設けられ、
前記第１の層と前記第１の電極との間に第４の層が設けられ、
前記第２の層と前記発光層とは接して設けられていることを特徴とする発光素子。
【請求項２１】
請求項１乃至請求項２０のいずれか一項に記載の発光素子を有する発光装置。
【請求項２２】
表示部を有し、前記表示部は、請求項１乃至請求項２０のいずれか一項に記載の発光素子を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月26日(2011.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に剥離層を形成し、前記剥離層を逆スパッタリング法を用いて平坦化し、該平坦化された剥離層上に絶縁膜を形成し、
前記第１の基板に形成された前記絶縁膜と、損傷領域を有する半導体基板と、を貼り合わせ、
前記半導体基板を前記損傷領域で引き剥がすことで、前記第１の基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層を有する半導体素子を形成し、
前記半導体素子の設けられた前記第１の基板と、第２の基板と、を接合させ、
前記剥離層において、前記第１の基板に設けられた前記半導体素子を剥離して前記第２の基板上に移し替えることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板上に剥離層を形成し、該剥離層を逆スパッタリング法を用いて平坦化し、該平坦化された剥離層上に絶縁膜を形成し、
半導体基板の表面から一定の深さに損傷領域を形成し、該損傷領域が形成された半導体基板上に絶縁膜を形成し、
前記第１の基板上に形成された前記絶縁膜と、前記半導体基板上に形成された前記絶縁膜と、を貼り合わせ、
前記半導体基板を前記損傷領域で引き剥がすことで、前記第１の基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層を有する半導体素子を形成し、
前記半導体素子の設けられた前記第１の基板と、第２の基板と、を接合させ、
前記剥離層において、前記第１の基板に設けられた前記半導体素子を剥離して前記第２の基板上に移し替えることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
半導体基板の表面から一定の深さに損傷領域を形成し、該損傷領域が形成された半導体基板上に剥離層を形成し、該剥離層を逆スパッタリング法を用いて平坦化し、該平坦化された剥離層上に絶縁膜を形成する工程を有し、
第１の基板と、前記半導体基板上に形成された前記絶縁膜と、を貼り合わせ、
前記半導体基板を前記損傷領域で引き剥がすことで、前記第１の基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層を有する半導体素子を形成し、
前記半導体素子の設けられた前記第１の基板と、第２の基板と、を接合させ、
前記剥離層において、前記第１の基板に設けられた前記半導体素子を剥離して前記第２の基板上に移し替えることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
半導体基板の表面から一定の深さに損傷領域を形成し、該損傷領域が形成された半導体基板上に剥離層を形成し、該剥離層を逆スパッタリング法を用いて平坦化し、該平坦化された剥離層上に絶縁膜を形成し、
第１の基板上に絶縁膜を形成し、
前記第１の基板上に形成された前記絶縁膜と、前記半導体基板上に形成された前記絶縁膜と、を貼り合わせ、
前記半導体基板を前記損傷領域で引き剥がすことで、前記第１の基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層を有する半導体素子を形成し、
前記半導体素子の設けられた前記第１の基板と、第２の基板と、を接合させ、
前記剥離層において、前記第１の基板に設けられた前記半導体素子を剥離して前記第２の基板上に移し替えることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記平坦化は、前記第１の基板及び前記第２の基板の貼り合わせを行う面において、平均面粗さが０．７ｎｍ以下であり、自乗平均面粗さが０．９ｎｍ以下であり、且つ最大高低差が９．２ｎｍ以下となるように行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記剥離層は、タングステンを含み、スパッタリング法を用いて形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記剥離層は、１層目として金属層を形成し、２層目として金属酸化物層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月20日(2011.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法並びに半導体装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板表面に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を介してイオンを照射して前記半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化層を形成し、
前記絶縁層を間に挟んで前記半導体基板に絶縁基板を貼り合わせ、
加熱処理を行うことにより、前記半導体基板から前記脆化層に沿って分離した半導体層を前記絶縁基板上に設け、
前記半導体層に第１のエッチング処理を行い、膜厚が２００ｎｍ以下の半導体層を形成し、
前記膜厚が２００ｎｍ以下の半導体層にレーザー光を照射し、
前記レーザー光を照射した半導体層に第２のエッチング処理を行い、
前記第２のエッチング処理を行った半導体層は、その上部表面における凹凸形状の算術平均粗さが１ｎｍ以上７ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
半導体基板表面に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を介してイオンを照射して前記半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化層を形成し、
前記絶縁層を間に挟んで前記半導体基板に絶縁基板を貼り合わせ、
加熱処理を行うことにより、前記半導体基板から前記脆化層に沿って分離した半導体層を前記絶縁基板上に設け、
前記半導体層に第１のエッチング処理を行い、膜厚が２００ｎｍ以下の半導体層を形成し、
前記膜厚が２００ｎｍ以下の半導体層にレーザー光を照射し、
前記レーザー光を照射した半導体層に第２のエッチング処理を行い、
前記第２のエッチング処理を行った半導体層は、その上部表面における凹凸形状の算術平均粗さが１ｎｍ以上７ｎｍ以下であり、且つ、前記凹凸形状における各凹部の幅の平均値又は各凸部の幅の平均値は、６０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第２のエッチング処理を行った半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成し、
前記ゲート絶縁層及び前記ゲート電極上に層間絶縁層を形成し、
前記層間絶縁層上に第１のコンタクトホールを介して前記第２のエッチング処理を行った半導体層に接続する電極と、第２のコンタクトホールを介して前記第２のエッチング処理を行った半導体層に接続する信号線とを形成し、
前記第２のエッチング処理を行った半導体層と前記電極の接続部、及び前記第２のエッチング処理を行った半導体層と前記信号線の接続部を埋めるように前記第１のコンタクトホール上及び前記第２のコンタクトホール上にスペーサをそれぞれ形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１または２において、
前記第２のエッチング処理を行った半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極及びサイドウォール絶縁層を形成し、
前記第２のエッチング処理を行った半導体層、前記ゲート絶縁層、前記ゲート電極及び前記サイドウォール絶縁層上に水素を含む窒化シリコン又は水素を含む窒化酸化シリコン膜を形成し、
前記水素を含む窒化シリコン又は水素を含む窒化酸化シリコン膜上に層間絶縁層を形成し、
前記層間絶縁層にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールにコンタクトプラグを埋め込み、
前記コンタクトプラグ及び前記層間絶縁層上に、アルミニウム又はアルミニウム合金でなる導電膜をモリブデン、クロム又はチタンでなる金属膜で挟み込んだ３層構造でなる配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
被照射面に窒素ガスを吹きつけながら前記レーザー光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記絶縁層は酸化窒化シリコン膜の下層と窒化酸化シリコン膜の上層を有し、ＳｉＨ４及びＮ２Ｏガスを用いて前記酸化窒化シリコン膜を形成し、ＳｉＨ４及びＮＨ３ガスを用いて前記窒化酸化シリコン膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁基板上の絶縁層と、
前記絶縁層上の接合層と、
前記接合層上の単結晶半導体層とを有し、
前記単結晶半導体層は、その上部表面における凹凸形状の算術平均粗さが１ｎｍ以上７ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
絶縁基板上の絶縁層と、
前記絶縁層上の接合層と、
前記接合層上の単結晶半導体層とを有し、
前記単結晶半導体層は、その上部表面における凹凸形状の二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
絶縁基板上の絶縁層と、
前記絶縁層上の接合層と、
前記接合層上の単結晶半導体層とを有し、
前記単結晶半導体層は、その上部表面における凹凸形状の最大高低差が５ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか一において、
前記凹凸形状における各凹部の幅の平均値又は各凸部の幅の平均値は、６０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記各凹部の幅又は各凸部の幅は、平均高さにおいて測定されるものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項７乃至１１のいずれか一において、
前記絶縁層は、酸化窒化シリコン膜又は窒化酸化シリコン膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項７乃至１２のいずれか一において、
前記単結晶半導体層の上部表面は、レーザー光の照射の前後にエッチング処理又はエッチバック処理が施された表面であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項７乃至１２のいずれか一において、
前記単結晶半導体層の上部表面は、レーザー光が照射された表面であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項７乃至１２のいずれか一において、
前記単結晶半導体層の上部表面は、エッチング処理又はエッチバック処理が施された表面であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項７乃至１５のいずれか一に記載の半導体装置を用いた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月19日(2011.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、ベース基板とを用意し、
前記半導体基板の表面に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層を介して前記半導体基板に加速されたイオンを添加することにより、前記半導体基板の表面から所定の深さの領域に剥離層を形成し、
前記ベース基板上に第２の絶縁層を形成し、
前記半導体基板の表面と前記ベース基板の表面とを対向させ、前記第１の絶縁層の表面と前記第２の絶縁層の表面とを接合させ、
前記半導体基板を、前記剥離層を劈開面として劈開させることにより、前記ベース基板上に前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層を介して単結晶半導体層を形成する工程を有し、
前記イオンの添加は、線状又は矩形状のイオンビームを前記半導体基板に照射しながら、前記半導体基板を前記イオンビームの短尺方向に相対的に移動させて行うことを特徴とする基板の作製方法。
【請求項２】
半導体基板と、ベース基板とを用意し、
前記半導体基板にハロゲンを含む酸化雰囲気中で熱処理を行うことにより、前記半導体基板の表面に酸化膜を形成し、
前記酸化膜を介して前記半導体基板に加速されたイオンを添加することにより、前記半導体基板の表面から所定の深さの領域に剥離層を形成し、
前記酸化膜上に第２の絶縁層を形成し、
前記半導体基板の表面と前記ベース基板の表面とを対向させ、前記第２の絶縁層の表面と前記ベース基板の表面とを接合させ、
前記半導体基板を、前記剥離層を劈開面として劈開させることにより、前記ベース基板上に前記第２の絶縁層及び前記酸化膜を介して単結晶半導体層を形成する工程を有し、
前記イオンの添加は、線状又は矩形状のイオンビームを前記半導体基板に照射しながら、前記半導体基板を前記イオンビームの短尺方向に相対的に移動させて行うことを特徴とする基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第２の絶縁層として、酸化シリコンを用いることを特徴とする基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記半導体基板に照射するイオンとして、Ｈ３＋イオンを主成分とすることを特徴とする基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記半導体基板は単結晶シリコン基板であることを特徴とする基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記半導体基板の表面を｛１１０｝面とすることを特徴とする基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記ベース基板として、ガラス基板を用いることを特徴とする基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月10日(2010.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１通信ネットワーク及び第２通信ネットワークを具備する無線通信システムであって、
前記第１通信ネットワークは、第1ゲートウェイを介して、前記第２通信ネットワークに接続されるように構成されており、
前記第１通信ネットワーク及び前記第２通信ネットワークは、第２ゲートウェイを介して、外部ネットワークに接続されるように構成されており、
無線端末は、前記第１通信ネットワークを介して前記第２ゲートウェイとの間で第１ベアラを設定することによって、前記外部ネットワークに接続できるように構成されており、
前記無線端末は、前記第２通信ネットワークを介して前記第２ゲートウェイとの間で第２ベアラを設定することによって、前記外部ネットワークに接続できるように構成されており、
設定可能な前記第１ベアラの数が、設定可能な前記第２ベアラの数よりも多い場合には、前記無線端末の前記第１通信ネットワークから前記第２通信ネットワークへのハンドオーバの制御において、既に設定されている前記第１ベアラに対応する前記第２ベアラを全て設定することができない場合に、前記第１ベアラの優先度に応じて、既に設定されている前記第１ベアラを切断するように構成されていることを特徴とする無線通信システム。
【請求項２】
第１通信ネットワーク及び第２通信ネットワークを具備する無線通信システムにおいて、無線端末の前記第１通信ネットワークから前記第２通信ネットワークへのハンドオーバを制御する無線通信方法であって、
前記無線通信システムにおいて、
前記第１通信ネットワークは、第1ゲートウェイを介して、前記第２通信ネットワークに接続されるように構成されており、
前記第１通信ネットワーク及び前記第２通信ネットワークは、第２ゲートウェイを介して、外部ネットワークに接続されるように構成されており、
無線端末は、前記第１通信ネットワークを介して前記第２ゲートウェイとの間で第１ベアラを設定することによって、前記外部ネットワークに接続できるように構成されており、
前記無線端末は、前記第２通信ネットワークを介して前記第２ゲートウェイとの間で第２ベアラを設定することによって、前記外部ネットワークに接続できるように構成されており、
前記無線通信方法は、
設定可能な前記第１ベアラの数が、設定可能な前記第２ベアラの数よりも多い場合には、前記無線端末の前記第１通信ネットワークから前記第２通信ネットワークへのハンドオーバの制御において、既に設定されている前記第１ベアラに対応する前記第２ベアラを全て設定することができない場合に、前記第１ベアラの優先度に応じて、既に設定されている前記第１ベアラを切断する工程を有することを特徴とする無線通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月31日(2011.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ剤を含有する第１剤、過酸化水素を含有する第２剤及び第１剤と第２剤の混合液を泡状に吐出するためのノンエアゾールタイプのフォーマー容器からなる２剤式染毛剤であって、混合液中に次の成分(A)及び(B)：
(A) 界面活性剤  １〜15重量％
(B) 不揮発性親水性溶剤  0.1〜５重量％
を含有し、成分(A)の成分(B)に対する重量比（成分(A)の含有量／成分(B)の含有量）が１〜20である２剤式染毛剤。
【請求項２】
第１剤と第２剤の混合液中において、成分(A)として、次の(A1)〜(A3)：
(A1) アニオン界面活性剤  0.01〜14.8重量％
(A2) 両性界面活性剤  0.001〜５重量％
(A3) 非イオン界面活性剤  0.1〜14.8重量％
を含有する請求項１記載の２剤式染毛剤。
【請求項３】
更に成分(C)として、高級アルコールを第１剤と第２剤の混合液中に0.01〜0.8重量％含有する請求項１又は２記載の２剤式染毛剤。
【請求項４】
更に成分(D)として、塩化ジメチルジアリルアンモニウム・アクリルアミド共重合体を第１剤と第２剤の混合液中に0.01〜３重量％含有する請求項１〜３のいずれかに記載の２剤式染毛剤。
【請求項５】
更に成分(E)として、塩化ジメチルジアリルアンモニウム・アクリル酸共重合体を第１剤と第２剤の混合液中に0.01〜0.5重量％含有する請求項１〜４のいずれかに記載の２剤式染毛剤。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の２剤式染毛剤を用いた染毛方法であって、ノンエアゾールタイプのフォーマー容器内で第１剤と第２剤を混合した後、混合液を当該容器から泡状に吐出し、手を使って毛髪に塗布した後、３〜60分間放置し、洗い流す染毛方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月20日(2011.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両に搭載された電気負荷を動作させるために必要とされた単位燃料消費量当たりの走行距離を算出する算出手段と、
前記算出手段によって算出された単位燃料消費量当たりの走行距離を前記車両のユーザに報知する報知手段とを備える、車両用燃料消費通知装置。
【請求項２】
前記報知手段は、前記電気負荷の作動状態を低減したときの単位燃料消費量当たりの走行距離の向上分を報知する、請求項１に記載の車両用燃料消費通知装置。
【請求項３】
前記報知手段は、前記電気負荷を動作させるために必要とされた単位時間又は単位距離当たりの燃料消費情報を報知する、請求項１又は２に記載の車両用燃料消費通知装置。
【請求項４】
前記算出手段は、
前記車両に搭載されたエンジンを動作させるために必要とされた単位時間当たりの燃料消費量を算出する第１の燃料消費量算出手段と、
前記車両に搭載された補機を動作させるために必要とされた単位時間当たりの燃料消費量を算出する第２の燃料消費量算出手段と、
前記電気負荷を動作させるために必要とされた単位時間当たりの燃料消費量を算出する第３の燃料消費量算出手段とを有し、
前記報知手段は、
前記各燃料消費量算出手段によって算出された単位時間当たりの燃料消費量を報知する、請求項１から３のいずれか一項に記載の車両用燃料消費通知装置。
【請求項５】
車両に搭載されたエンジンを動作させるために必要とされた単位時間当たりの燃料消費量を算出する第１の燃料消費量算出手段と、
前記車両に搭載された補機を動作させるために必要とされた単位時間当たりの燃料消費量を算出する第２の燃料消費量算出手段と、
前記車両に搭載された電気負荷を動作させるために必要とされた単位時間当たりの燃料消費量を算出する第３の燃料消費量算出手段と、
前記各燃料消費量算出手段によって算出された単位時間当たりの燃料消費量を前記車両のユーザに報知する報知手段とを備える、車両用燃料消費通知装置。
【請求項６】
前記車両全体での単位時間当たりの総燃料消費量を検出する総燃料消費量検出手段を備え、
前記報知手段は、前記総燃料消費量検出手段によって検出された単位時間当たりの総燃料消費量に対する前記各燃料消費量算出手段によって算出された単位時間当たりの燃料消費量の割合を報知する、請求項５記載の車両用燃料消費通知装置。
【請求項７】
前記報知手段は、前記車両の単位時間当たりの走行距離を前記各燃料消費量算出手段によって算出された単位時間当たりの燃料消費量で除算した単位燃料消費量当たりの走行距離を前記車両のユーザに報知する、請求項５または６記載の車両用燃料消費通知装置。
【請求項８】
前記報知手段は、報知内容を視覚的に表示する表示手段である、請求項５から７のいずれか一項に記載の車両用燃料消費通知装置。
【請求項９】
前記表示手段は、単位時間当たりの燃料消費量と単位燃料消費量当たりの走行距離を切り替えて表示する、請求項８記載の車両用燃料消費通知装置。
【請求項１０】
前記補機は、前記エンジンの出力に基づいて動作する、請求項５記載の車両用燃料消費通知装置。
【請求項１１】
前記電気負荷は、前記補機の出力に基づいて動作する、請求項５記載の車両用燃料消費通知装置。
【請求項１２】
前記第１の燃料消費量算出手段によって算出される単位時間当たりの燃料消費量は、前記エンジンの回転数とトルクによって定まる前記エンジンの出力値から推定される、請求項５から７のいずれか一項に記載の車両用燃料消費通知装置。
【請求項１３】
前記第２の燃料消費量算出手段によって算出される単位時間当たりの燃料消費量は、前記補機の回転数とトルクによって定まる前記補機の出力値から推定される、請求項５から７のいずれか一項に記載の車両用燃料消費通知装置。
【請求項１４】
前記第３の燃料消費量算出手段によって算出される単位時間当たりの燃料消費量は、前記電気負荷の消費電力から推定される、請求項５から７のいずれか一項に記載の車両用燃料消費通知装置。
【請求項１５】
車両に搭載された電気負荷を動作させるために必要とされた単位時間又は単位距離当たりの燃料消費情報を導出する導出手段と、
前記導出手段によって導出された単位時間又は単位距離当たりの燃料消費情報を前記車両のユーザに報知する報知手段とを備える、車両用燃料消費通知装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月7日(2011.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
また、シーラント層の材質としては、例えば、低密度ポリエチレン樹脂（ＬＤＰＥ）、中密度ポリエチレン樹脂（ＭＤＰＥ）、高密度ポリエチレン樹脂（ＨＤＰＥ）、直鎖状低密度ポリエチレン樹脂（Ｌ−ＬＤＰＥ）、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）、エチレン−プロピレン共重合体（ＥＰ）、エチレン−αオレフィン共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体（ＥＡＡ）、エチレン−メタクリル酸共重合体（ＥＭＡＡ）、エチレン−メタクリル酸エステル共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）などの樹脂等が好適に用いられる。