【手続補正書】
【提出日】平成22年12月20日(2010.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通部を有する板体からなるスティフナーと、
前記スティフナーの面上に設けられ、絶縁層と配線パターンとが積層されて形成された多層配線構造体と、を有し、
前記多層配線構造体は、前記貫通部の位置における前記絶縁層の部分に、半導体チップに接続されるチップ接続用パッドを有し、
前記スティフナーの熱膨張係数は、前記半導体チップの熱膨張係数と略等しいことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記スティフナーの材料は、シリコン、ＣＦＲＰ（Carbon Fiber Reinforced Plastic）、インバーのうち、少なくとも１つの材料からなることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記チップ接続用パッドは、前記多層配線構造体の絶縁層に設けられた貫通孔内に形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の配線基板。
【請求項４】
半導体チップと、
貫通部を有する、板体のスティフナーと、
前記スティフナーの面上に設けられ、絶縁層と配線パターンとが積層されて形成された多層配線構造体と、を有し、
前記多層配線構造体は、前記貫通部の位置における前記絶縁層の部分に、前記半導体チップに接続されるチップ接続用パッドを有し、
前記半導体チップは、前記貫通部に収容され、前記チップ接続用パッドにフリップチップ実装され、
前記スティフナーの熱膨張係数は、前記半導体チップの熱膨張係数と略等しいことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記スティフナーの材料は、シリコン、ＣＦＲＰ（Carbon Fiber Reinforced Plastic）、インバーのうち、少なくとも１つの材料からなることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記チップ接続用パッドは、前記多層配線構造体の絶縁層に設けられた貫通孔内に形成されていることを特徴とする請求項４または５記載の半導体装置。
【請求項７】
板体のスティフナーと、前記スティフナーの面上に設けられ、絶縁層と配線パターンとが積層されて形成され、半導体チップが実装されるチップ接続用パッドを備えた多層配線構造体と、を備えた配線基板の製造方法であって、
前記半導体チップと熱膨張係数が略等しいスティフナー母材に貫通部を形成するスティフナー母材形成工程と、
前記貫通部の形状に対応する凸部を有し、前記半導体チップと熱膨張係数が略等しい支持体を形成する支持体形成工程と、
前記スティフナー母材に形成された前記貫通部に前記凸部を挿入して、前記スティフナー母材と前記支持体とを仮接着する仮接着工程と、
前記凸部の上面、及び前記凸部の上面側に位置する前記スティフナー母材の面に、前記多層配線構造体を形成する多層配線構造体形成工程と、
前記多層配線構造体形成工程後に前記スティフナー母材から前記支持体を取り外す支持体取外工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記スティフナー母材の材料は、シリコン、ＣＦＲＰ（Carbon Fiber Reinforced Plastic）、インバーのうち、少なくとも１つの材料からなることを特徴とする請求項７記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記支持体の材料は、シリコン、ＣＦＲＰ（Carbon Fiber Reinforced Plastic）、インバーのうち、少なくとも１つの材料からなることを特徴とする請求項７又は８記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記チップ接続用パッドは、前記多層配線構造体の絶縁層に設けられた貫通孔内に形成されていることを特徴とする請求項７ないし９のうち、いずれか１項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記スティフナー母材は、前記スティフナーが形成されるスティフナー形成領域を複数有し、
前記スティフナー母材形成工程では、前記貫通部を複数形成し、前記支持体形成工程では、前記凸部を複数形成し、前記多層配線構造体形成工程では、前記半導体チップが実装されるチップ実装領域を複数有する前記多層配線構造体を形成し、
前記支持体除去工程後に、前記スティフナー母材及び前記多層配線構造体を切断する切断工程をさらに設けたことを特徴とする請求項７ないし１０のうち、いずれか１項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記貫通部に前記凸部が挿入された状態において、前記貫通部は、前記凸部の上面から前記凸部の下方に向かうにつれて幅広形状とされていることを特徴とする請求項７ないし１１のうち、いずれか１項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項７ないし１２のうち、いずれか１項記載の配線基板の製造方法により前記配線基板を形成後に、前記半導体チップを前記チップ実装用パッドにフリップチップ実装することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】配線基板及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、配線基板及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法に関し、特に、半導体チップが実装される多層配線構造体と、多層配線構造体に設けられたスティフナーとを備えた配線基板及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
多層配線構造体は、複数の樹脂層（熱膨張係数は５５ｐｐｍ／℃）が積層された樹脂層積層体と、樹脂層積層体に設けられ、半導体チップと電気的に接続される配線パターンと、配線パターンと電気的に接続されると共に、半導体チップが実装されるチップ実装用パッドとを有する。多層配線構造体としては、例えば、コアレス基板を用いることができる。多層配線構造体としてコアレス基板を用いた場合、多層配線構造体は、ビルドアップ法により、支持体となるＣｕ板（熱膨張係数は１８ｐｐｍ／℃）上に多層配線構造体を形成し、その後、Ｃｕ板をエッチングにより除去することで形成する。ビルドアップ法では、加熱処理や冷却処理を繰り返し行う。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、電気的接続信頼性を向上させることのできる配線基板及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一観点によれば、貫通部を有する板体からなるスティフナーと、前記スティフナーの面上に設けられ、絶縁層と配線パターンとが積層されて形成された多層配線構造体と、を有し、前記多層配線構造体は、前記貫通部の位置における前記絶縁層の部分に、半導体チップに接続されるチップ接続用パッドを有し、前記スティフナーの熱膨張係数は、前記半導体チップの熱膨張係数と略等しいことを特徴とする配線基板が提供される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の他の観点によれば、半導体チップと、貫通部を有する、板体のスティフナーと、前記スティフナーの面上に設けられ、絶縁層と配線パターンとが積層されて形成された多層配線構造体と、を有し、前記多層配線構造体は、前記貫通部の位置における前記絶縁層の部分に、前記半導体チップに接続されるチップ接続用パッドを有し、前記半導体チップは、前記貫通部に収容され、前記チップ接続用パッドにフリップチップ実装され、前記スティフナーの熱膨張係数は、前記半導体チップの熱膨張係数と略等しいことを特徴とする半導体装置が提供される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明のその他の観点によれば、板体のスティフナーと、前記スティフナーの面上に設けられ、絶縁層と配線パターンとが積層されて形成され、半導体チップが実装されるチップ接続用パッドを備えた多層配線構造体と、を備えた配線基板の製造方法であって、前記半導体チップと熱膨張係数が略等しいスティフナー母材に貫通部を形成するスティフナー母材形成工程と、前記貫通部の形状に対応する凸部を有し、前記半導体チップと熱膨張係数が略等しい支持体を形成する支持体形成工程と、前記スティフナー母材に形成された前記貫通部に前記凸部を挿入して、前記スティフナー母材と前記支持体とを仮接着する仮接着工程と、前記凸部の上面、及び前記凸部の上面側に位置する前記スティフナー母材の面に、前記多層配線構造体を形成する多層配線構造体形成工程と、前記多層配線構造体形成工程後に前記スティフナー母材から前記支持体を取り外す支持体取外工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
本発明は、半導体チップが実装される多層配線構造体と、多層配線構造体に設けられたスティフナーとを備えた配線基板及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法に適用できる。