Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月25日(2011.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置であって、
他の通信装置から前記通信装置への給電機能を有する第１の通信手段と、
前記第１の通信手段とは異なる通信方式で通信する第２の通信手段と、
前記第２の通信手段による前記他の通信装置との通信に際して、前記通信装置の電池残量に基づいて、前記他の通信装置から前記第１の通信手段を用いた電力供給を受けるか否かを判定する判定手段と
を有し、
前記第２の通信手段は、
前記判定手段により前記第１の通信手段を用いた電力供給を受けると判定された場合、前記第１の通信手段により前記他の通信装置から供給される電力を用いて前記他の通信装置との通信を行なう
ことを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記第１の通信手段は、電磁誘導による通信を行なう
ことを特徴とする請求項１記載の通信装置。
【請求項３】
前記第２の通信手段による通信に必要となる電力量を予測する予測手段
を更に有し、
前記判定手段は、
前記通信装置の電池残量と前記予測手段により予測された前記電力量とに基づいて、前記他の通信装置から前記第１の通信手段を用いた電力供給を受けるか否かを判定する
ことを特徴とする請求項１又は２記載の通信装置。
【請求項４】
前記第１の通信手段により前記他の通信装置から供給される電力を蓄電する蓄電手段
を更に有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項５】
前記第１の通信手段により前記他の通信装置から供給された電力量に応じた料金を決済する決済手段
を更に有し、
前記第１の通信手段は、
前記決済手段による決済の後、前記他の通信装置から電力供給を受ける
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項６】
前記他の通信装置から前記第１の通信手段を用いた電力供給を受けている際に、前記判定手段により前記第１の通信手段を用いた電力供給を受ける必要が無いと判定された場合、前記他の通信装置に電力供給の停止を要求する要求手段
を更に有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項７】
他の通信装置から自装置への給電機能を有する第１の通信手段と、前記第１の通信手段とは異なる通信方式で通信する第２の通信手段とを有する通信装置の制御方法であって、
判定手段が、前記第２の通信手段による前記他の通信装置との通信に際して、前記通信装置の電池残量に基づいて、前記他の通信装置から前記第１の通信手段を用いた電力供給を受けるか否かを判定する工程と
前記第２の通信手段が、前記判定手段により前記第１の通信手段を用いた電力供給を受けると判定された場合、前記第１の通信手段により前記他の通信装置から供給される電力を用いて前記他の通信装置との通信を行なう工程と
を含むことを特徴とする制御方法。
【請求項８】
コンピュータを、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の通信装置として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信装置、その制御方法及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そこで、本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、電磁誘導により供給される電力を用いた通信装置間におけるデータ通信の確実性を高めるようにした技術を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明の一態様による通信装置は、他の通信装置から前記通信装置への給電機能を有する第１の通信手段と、前記第１の通信手段とは異なる通信方式で通信する第２の通信手段と、前記第２の通信手段による前記他の通信装置との通信に際して、前記通信装置の電池残量に基づいて、前記他の通信装置から前記第１の通信手段を用いた電力供給を受けるか否かを判定する判定手段とを有し、前記第２の通信手段は、前記判定手段により前記第１の通信手段を用いた電力供給を受けると判定された場合、前記第１の通信手段により前記他の通信装置から供給される電力を用いて前記他の通信装置との通信を行なうことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月28日(2011.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示する表示装置と、
被写体周辺の明るさを検出する第１の検出手段と、
前記表示装置の周辺の明るさを検出する第２の検出手段と、
ファインダーへの接眼を検出する接眼検出手段と、
前記ファインダーから目が離れた後の経過時間を計時する計時手段と、
前記計時手段により計時される前記経過時間に基づいて前記第１の検出手段による検出値及び前記第２の検出手段による検出値を参照し、前記表示装置の表示輝度を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記経過時間に基づいて前記第１の検出手段による検出値及び前記第２の検出手段による検出値に対する参照比率を変更する、ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記接眼検出手段は、発光体と、該発光体から発光された光の反射光を受光する受光回路と、を有して、前記ファインダーの周辺に配置される、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
目の光順応曲線のデータを記憶する記憶手段を備え、前記制御手段は、前記経過時間に基づいて前記表示装置の表示輝度を制御する際に、前記光順応曲線に沿って前記第１の検出手段による検出値及び前記第２の検出手段による検出値に対する参照比率を変更する、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項５】
画像を表示する表示装置を備える撮像装置の制御方法であって、
被写体周辺の明るさを検出する第１の検出ステップと、
前記表示装置の周辺の明るさを検出する第２の検出ステップと、
ファインダーへの接眼を検出する接眼検出ステップと、
前記ファインダーから目が離れた後の経過時間を計時する計時ステップと、
前記計時ステップにて計時される前記経過時間に基づいて前記第１の検出ステップでの検出値及び前記第２の検出ステップでの検出値を参照し、前記表示装置の表示輝度を制御する制御ステップと、を備えることを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項６】
画像を表示する表示装置を備える撮像装置の制御プログラムであって、
被写体周辺の明るさを検出する第１の検出ステップと、
前記表示装置の周辺の明るさを検出する第２の検出ステップと、
ファインダーへの接眼を検出する接眼検出ステップと、
前記ファインダーから目が離れた後の経過時間を計時する計時ステップと、
前記計時ステップにて計時される前記経過時間に基づいて前記第１の検出ステップでの検出値及び前記第２の検出ステップでの検出値を参照し、前記表示装置の表示輝度を制御する制御ステップと、をコンピュータに実行させる、ことを特徴とする撮像装置の制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の撮像装置は、画像を表示する表示装置と、被写体周辺の明るさを検出する第１の検出手段と、前記表示装置の周辺の明るさを検出する第２の検出手段と、ファインダーへの接眼を検出する接眼検出手段と、前記ファインダーから目が離れた後の経過時間を計時する計時手段と、前記計時手段により計時される前記経過時間に基づいて前記第１の検出手段による検出値及び前記第２の検出手段による検出値を参照し、前記表示装置の表示輝度を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の撮像装置の制御方法は、画像を表示する表示装置を備える撮像装置の制御方法であって、被写体周辺の明るさを検出する第１の検出ステップと、前記表示装置の周辺の明るさを検出する第２の検出ステップと、ファインダーへの接眼を検出する接眼検出ステップと、前記ファインダーから目が離れた後の経過時間を計時する計時ステップと、前記計時ステップにて計時される前記経過時間に基づいて前記第１の検出ステップでの検出値及び前記第２の検出ステップでの検出値を参照し、前記表示装置の表示輝度を制御する制御ステップと、を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の撮像装置の制御プログラムは、画像を表示する表示装置を備える撮像装置の制御プログラムであって、被写体周辺の明るさを検出する第１の検出ステップと、前記表示装置の周辺の明るさを検出する第２の検出ステップと、ファインダーへの接眼を検出する接眼検出ステップと、前記ファインダーから目が離れた後の経過時間を計時する計時ステップと、前記計時ステップにて計時される前記経過時間に基づいて前記第１の検出ステップでの検出値及び前記第２の検出ステップでの検出値を参照し、前記表示装置の表示輝度を制御する制御ステップと、をコンピュータに実行させる、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月19日(2011.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から出射され、該光源の下方に配置された遮光マスクを透過した光を、該遮光マスクの下方に配置された被照射体に照射させる光照射装置であって、
前記遮光マスクの上方に設けられた支持部材に支持され、光透過性を有し、真空吸引により前記遮光マスクを吸着保持する吸着管を備えたことを特徴とする光照射装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光照射装置において、
前記支持部材は、前記光源から出射される光の光路から外れた位置に設けられたことを特徴とする光照射装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光照射装置において、
前記吸着管は、前記支持部材に支持される第１の管材と、該第１の管材の下端部が挿入された第２の管材とから構成されたことを特徴とする光照射装置。
【請求項４】
請求項３に記載の光照射装置において、
前記第２の管材の軸方向端面は、研磨処理された研磨面であることを特徴とする光照射装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の光照射装置において、
前記吸着管は、石英ガラスよりなることを特徴とする光照射装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の光照射装置において、
前記支持部材は、水平方向に移動可能に設けられたことを特徴とする光照射装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の光照射装置において、
光透過性を有し、真空吸引により前記遮光マスクの周縁部を吸着保持する周縁部吸着管と、
前記周縁部吸着管を支持する支持体と
を備えたことを特徴とする光照射装置。
【請求項８】
請求項７に記載の光照射装置において、
前記支持体は、前記遮光マスクの側方に設けられたことを特徴とする光照射装置。
【請求項９】
請求項８に記載の光照射装置において、
前記周縁部吸着管の上端面は、前記光源の下方に位置していることを特徴とする光照射装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、光源から出射され、該光源の下方に配置された遮光マスクを透過した光を、該遮光マスクの下方に配置された被照射体に照射させる光照射装置であって、前記遮光マスクの上方に設けられた支持部材に支持され、光透過性を有し、真空吸引により前記遮光マスクを吸着保持する吸着管を備えたことをその要旨とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の光照射装置において、前記吸着管は、前記支持部材に支持される第１の管材と、該第１の管材の下端部が挿入された第２の管材とから構成されたことをその要旨とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項７に記載の発明は、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光照射装置において、光透過性を有し、真空吸引により前記遮光マスクの周縁部を吸着保持する周縁部吸着管と、前記周縁部吸着管を支持する支持体とを備えたことをその要旨とする。
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の光照射装置において、前記支持体は、前記遮光マスクの側方に設けられたことをその要旨とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項７及び８に記載の発明では、遮光マスクの周縁部が、該遮光マスクの側方の支持体に支持された周縁部吸着管に吸着保持されるため、遮光マスクを安定して保持することができ、該遮光マスク及び支持部材に支持された吸着管のぐらつきを抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月14日(2011.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
半導体基板の上に選択的に形成された第１の導電性密着層と、
前記第１の導電性密着層の上に形成された第２の導電性密着層と、
前記半導体基板の上に前記第１の導電性密着層及び第２の導電性密着層を覆うように形成され、且つ前記第２の導電性密着層の中央部分を貫通すると共に前記第１の導電性密着層を露出する開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部の底面及び壁面に沿って形成された下部電極、該下部電極の上に形成された容量絶縁膜及び該容量絶縁膜の上に形成された上部電極からなる容量素子とを備え、
前記第１の導電性密着層は、前記開口部の底面と壁面とが接する隅部を含む前記開口部の底面でのみ前記下部電極と接し、前記第２の導電性密着層は、前記開口部の底面と壁面とが接する隅部を含む前記開口部の壁面でのみ前記下部電極と接しており、
前記第１の導電性密着層と前記第２の導電性密着層とは、互いの結晶粒径が異なることを特徴とする半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明に係る第３の半導体記憶装置は、半導体基板の上に選択的に形成された第１の導電性密着層と、第１の導電性密着層の上に形成された第２の導電性密着層と、半導体基板の上に第１の導電性密着層及び第２の導電性密着層を覆うように形成され、且つ第２の導電性密着層の中央部分を貫通すると共に第１の導電性密着層を露出する開口部を有する絶縁膜と、開口部の底面及び壁面に沿って形成された下部電極、該下部電極の上に形成された容量絶縁膜及び該容量絶縁膜の上に形成された上部電極からなる容量素子とを備え、第１の導電性密着層は、開口部の底面と壁面とが接する隅部を含む開口部の底面でのみ下部電極と接し、第２の導電性密着層は、開口部の底面と壁面とが接する隅部を含む開口部の壁面でのみ下部電極と接しており、第１の導電性密着層と第２の導電性密着層とは互いの結晶粒径が異なることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
第２の実施形態に係る半導体記憶装置と第１の実施形態に係る半導体記憶装置との違いは、図５（ａ）に示すように、第１の層間絶縁膜２０に設けるホール開口部２０ａが、導電性密着層１１ａを貫通してその下側の酸素バリア膜１０を露出するように形成されている点である。このように、ホール開口部２０ａが導電性密着層１１ａを貫通しているため、該導電性密着層１１ａはホール開口部２０ａの底面の隅部を含む壁面でのみ下部電極２５と接している。これにより、下部電極２５をホール開口部２０ａの内側に成膜する際に、ホール開口部２０ａの底面と壁面とで下部電極２５の下地層の組成が異なることになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
ここで、従来例に係る半導体記憶装置と本発明に係る半導体記憶装置における容量素子の残留分極（２Ｐｒ）を評価した結果について図１２を用いて説明する。図１２に示すように、従来例の場合は、残留分極（２Ｐｒ）が１１μＣ／ｃｍ２〜１２μＣ／ｃｍ２であり、これは上記したようにホール開口部の底面の隅部においてボイドが発生し、高誘電体又は強誘電体の結晶化に必要な高温酸素アニール時に下部電極が断線したためである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月4日(2011.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像を画素ごとに量子化する画像処理装置であって、
注目画素の近傍にある量子化済みの画素からなる第一の画素群を参照して得られる第一の参照データと、前記注目画素の近傍にある量子化済みの画素からなる、前記第一の画素群とは異なる画素配置の第二の画素群を参照して得られる第二の参照データから、前記注目画素の参照データを選択する選択手段と、
前記選択された参照データに基づいて加算値を演算する演算手段と、
前記加算値を前記注目画素の値に加算する加算手段と、
前記加算値が加算された注目画素を量子化する量子化手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記選択手段は、前記注目画素の近傍にある量子化済みの画素群のパターンに応じて前記参照データの選択を行うことを特徴とする請求項1に記載された画像処理装置。
【請求項３】
前記選択手段は、前記注目画素の入力値に応じて前記参照データの選択を行うことを特徴とする請求項1に記載された画像処理装置。
【請求項４】
前記第一の画素群は、前記注目画素の左上に位置する量子化済みの画素を含み、前記第二の画素群は前記注目画素の左上に位置する量子化済みの画素を含まないことを特徴とする請求項1に記載された画像処理装置。
【請求項５】
前記選択手段は、前記注目画素の近傍にある量子化済みの画素群のパターンに左下から右上に向かう傾きをもつ平行線状パターンが存在する場合は前記第一の参照データを選択し、前記注目画素の近傍にある量子化済みの画素群のパターンに左上から右下に向かう傾きをもつ平行線状パターンが存在する場合は前記第二の参照データを選択することを特徴とする請求項4に記載された画像処理装置。
【請求項６】
前記選択手段は、前記注目画素の上に位置する画素と左に位置する画素の量子化結果が同じである場合、前記第一の参照データを選択することを請求項4に記載された画像処理装置。
【請求項７】
前記選択手段は、前記注目画素の入力値が中間濃度域にある場合、前記注目画素の入力値がシャドウ域およびハイライト域にある場合と比べて、前記注目画素の近傍にあるより多くの量子化済み画素を画素群として得られる参照データを選択することを請求項3に記載された画像処理装置。
【請求項８】
入力画像を画素ごとに量子化する画像処理方法であって、
注目画素の近傍にある量子化済みの画素からなる第一の画素群を参照して得られる第一の参照データと、前記注目画素の近傍にある量子化済みの画素からなる、前記第一の画素群とは異なる画素配置の第二の画素群を参照して得られる第二の参照データから、前記注目画素の参照データを選択し、
前記選択された参照データに基づいて加算値を演算し、
前記加算値を前記注目画素の値に加算し、
前記加算値が加算された注目画素を量子化することを特徴とする画像処理方法。
【請求項９】
コンピュータを請求項1から請求項7の何れか一項に記載された画像処理装置の各手段として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本発明は、クラスタ化されたドットによるテクスチャの発生を低減することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
本発明にかかる画像処理は、入力画像を画素ごとに量子化する際に、注目画素の近傍にある量子化済みの画素からなる第一の画素群を参照して得られる第一の参照データと、前記注目画素の近傍にある量子化済みの画素からなる、前記第一の画素群とは異なる画素配置の第二の画素群を参照して得られる第二の参照データから、前記注目画素の参照データを選択し、前記選択された参照データに基づいて加算値を演算し、前記加算値を前記注目画素の値に加算し、前記加算値が加算された注目画素を量子化することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本発明によれば、クラスタ化されたドットによるテクスチャの発生を低減することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
［二値化処理部］
図13は二値化処理部33の基本構成例を示すブロック図である。なお、図1、図3に示した構成と同様の構成は、同一符号を付して、説明を省略する場合がある。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
図19はグリーンノイズ法により図5に示す階調画像を二値化した結果を示す図で、注目画素の左と上の二つの既二値化画素を参照画素とした、つまり演算部23a（C1）を選択した場合の出力画像である。この場合、図19に示す出力画像の中央部（中間濃度値128の近傍）には斜めに平行線状のパターンが生じる。つまり、二つの参照画素が左下から右上に並ぶので、出力画像の中間濃度域で左下から右上に向かう傾きをもつ（以下、右45度）平行線状パターンが出現する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
また、図20はグリーンノイズ法により図5に示す階調画像を二値化した結果を示す図で、注目画素の左、上、斜め左上の三つの既二値化画素を参照画素とした、つまり演算部23b（C2）を選択した場合の出力画像である。この場合、三つの参照画素の重心が左上方向にあるので、出力画像の中間濃度域で左上から右下に向かう傾きをもつ（以下、左45度）平行線状パターンが出現する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月25日(2011.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも画像を表示する画像表示部と、
画像を取得するための画像取得部と、
上記画像取得部による取得画像内の少なくとも顔画像を、認識する画像認識部と、
顔画像に少なくとも表情をつけるための表情設定情報を、取得する表情設定情報取得部と、
表情設定情報取得部による表情設定情報に応じて顔画像に所定の画像加工を施す画像加工処理部と、
上記取得画像内の顔画像を、上記画像加工処理部にて上記所定の画像加工が施された顔画像に置き換える画像置換部とを有する携帯情報端末。
【請求項２】
使用者からの指示入力を取得するための操作入力部を有し、
上記画像取得部は、画像を撮像する撮像部を有し、上記操作入力部を通じて使用者から撮影指示が入力される前に上記撮像部が撮像した画像と、上記操作入力部を通じて使用者から撮影指示が入力された時に上記撮像部が撮像した撮影画像とを取得し、
上記画像認識部は、上記撮影指示の入力前に上記撮像部が撮像した画像内の顔画像と、上記撮影指示の入力時に上記撮像部が撮像した撮影画像内の顔画像とを認識し、
上記表情設定情報取得部は、複数の表情設定情報の中から、上記操作入力部を通じて使用者により入力された選択指示に応じた表情設定情報を取得し、
上記画像加工処理部は、上記撮影指示の入力前に上記撮像部が撮像した画像内で上記画像認識部が認識した顔画像に上記所定の画像加工を施し、
上記画像置換部は、上記撮影指示の入力時に上記撮像部が撮像した上記撮影画像内で上記画像認識部が認識した顔画像を、上記所定の画像加工後の顔画像にて置き換える請求項１記載の携帯情報端末。
【請求項３】
使用者からの指示入力を取得するための操作入力部を有し、
上記画像取得部は、予め画像格納部に格納されている複数の画像の中から、上記選択入力部を通じて使用者により入力された選択指示に応じた画像を取得し、
上記画像置換部は、上記選択指示に応じて画像取得部が取得した画像内の顔画像を、上記所定の画像加工後の顔画像にて置き換え、当該顔画像が置き換えられた画像により上記画像格納部に格納されている当該画像を上書きする請求項１記載の携帯情報端末。
【請求項４】
使用者からの指示入力を取得するための操作入力部を有し、
上記画像取得部は、画像を撮像する撮像部を有し、上記操作入力部を通じて使用者から撮影指示が入力される前に上記撮像部が撮像した画像と、上記操作入力部を通じて使用者から撮影指示が入力された時に上記撮像部が撮像した撮影画像とを取得し、
上記画像認識部は、上記撮影指示の入力前に上記撮像部が撮像した画像内の顔画像と、上記撮影指示の入力前に上記撮像部が撮像した画像内のポーズパターン画像と、上記撮影指示の入力時に上記撮像部が撮像した撮影画像内の顔画像とを認識し、
上記表情設定情報取得部は、複数の表情設定情報の中から、上記画像認識部が認識したポーズパターン画像に応じた表情設定情報を取得し、
上記画像加工処理部は、上記撮影指示の入力前に上記撮像部が撮像した画像内で上記画像認識部が認識した顔画像に上記所定の画像加工を施し、
上記画像置換部は、上記撮影指示の入力時に上記撮像部が撮像した上記撮影画像内で上記画像認識部が認識した顔画像を、上記所定の画像加工後の顔画像にて置き換える請求項１記載の携帯情報端末。
【請求項５】
上記画像取得部は、動画像を構成する各フレーム画像と、予め用意されて画像格納部に格納されている画像とを取得し、
上記画像認識部は、上記各フレーム画像内の顔画像及びその顔画像の当該フレーム内の位置と、上記画像格納部に格納されている画像の顔画像とを認識し、
上記表情設定情報取得部は、上記画像認識部が上記各フレーム画像内で認識した顔画像の表情を検出し、その検出した表情をフレーム毎に表情設定情報として取得し、
上記画像加工処理部は、上記画像格納部の画像から上記画像認識部が認識した顔画像に対して上記フレーム毎の表情設定情報に応じた上記所定の画像加工を施し、
上記画像置換部は、動画像を構成する各フレーム画像から上記画像認識部が認識した上記各フレーム内の位置の顔画像を、上記フレーム毎の所定の画像加工後の顔画像にて置き換える請求項１記載の携帯情報端末。
【請求項６】
画像を取得するための画像取得部と、
上記画像取得部による取得画像内の少なくとも顔画像を、認識する画像認識部と、
顔画像に少なくとも表情をつけるための表情設定情報を、取得する表情設定情報取得部と、
表情設定情報取得部による表情設定情報に応じて顔画像に所定の画像加工を施す画像加工処理部と、
上記取得画像内の顔画像を、上記画像加工処理部にて上記所定の画像加工が施された顔画像に置き換える画像置換部として、
情報情報端末に搭載されたコンピュータを機能させる画像処理プログラム。
【請求項７】
画像取得部が画像を取得するステップと、
上記画像取得部による取得画像内の少なくとも顔画像を、画像認識部が認識するステップと、
顔画像に少なくとも表情をつけるための表情設定情報を、表情設定情報取得部が取得するステップと、
表情設定情報取得部による表情設定情報に応じて、画像加工処理部が、顔画像に所定の画像加工を施すステップと、
画像置換部が、上記取得画像内の顔画像を上記画像加工処理部にて上記所定の画像加工が施された顔画像に置き換えるステップとを有する画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の携帯情報端末は、少なくとも画像を表示する画像表示部と、画像を取得するための画像取得部と、画像取得部による取得画像内の少なくとも顔画像を認識する画像認識部と、顔画像に少なくとも表情をつけるための表情設定情報を取得する表情設定情報取得部と、表情設定情報取得部による表情設定情報に応じて顔画像に所定の画像加工を施す画像加工処理部と、取得画像内の顔画像を、画像加工処理部にて所定の画像加工が施された顔画像に置き換える画像置換部とを有することにより、上述した課題を解決する
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
すなわち、本発明によれば、画像表示部を備えた携帯情報端末において、画像を取得し、その取得画像内に顔画像が存在している場合には、その顔画像の所望の表情をつける画像加工を施し、その加工後の顔画像を元の画像の顔画像と置き換えるようにしている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月30日(2011.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの外部装置とネットワークを介して接続される情報処理装置であって、
他のネットワークに接続される他の情報処理装置を接続する接続手段と、
前記外部装置に備えられる機能のアクセス先を示すアクセス先情報を前記外部装置から取得する取得手段と、
前記アクセス先情報が示すアクセス先に対する前記接続手段を介したアクセスを制限する制限手段とを有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記取得手段は、アクセスの制限対象となる機能を列挙したリストに含まれている機能のアクセス先を示すアクセス先情報を前記外部装置から取得することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記取得手段は、前記ネットワーク上に前記機能を備える前記外部装置が存在することを通知するための生存情報を前記外部装置から受信し、前記生存情報に含まれる前記アクセス先情報のアドレスを示すアドレス情報に基づいて、前記アクセス先情報を取得することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記取得手段は、アクセスの制限対象となる機能を列挙したリストに、前記生存情報により存在が通知された前記外部装置に備えられる前記機能が含まれている場合、前記アドレス情報に基づいて前記アクセス先情報を前記機能から取得することを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記取得手段は、前記他の情報処理装置からの接続要求を受け付けた場合、前記アクセス先情報を取得することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記制限手段は、前記他のネットワークに接続される他の外部装置から前記アクセス先に対するアクセスを制限することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記取得手段は、前記機能を探索し、その探索に対する前記機能を備える前記外部装置からの応答情報に含まれる前記アクセス先情報を取得することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項８】
少なくとも一つの外部装置とネットワークを介して接続される情報処理装置による情報処理方法であって、
接続手段が、他のネットワークに接続される他の情報処理装置を接続する接続ステップと、
取得手段が、前記外部装置に備えられる機能のアクセス先を示すアクセス先情報を前記外部装置から取得する取得ステップと、
制御手段が、前記アクセス先情報が示すアクセス先に対する前記接続手段を介したアクセスを制限する制限ステップとを含むことを特徴とする情報処理方法。
【請求項９】
前記取得ステップでは、前記ネットワーク上に前記機能を備える前記外部装置が存在することを通知するための生存情報を前記外部装置から受信し、前記生存情報に含まれる前記アクセス先情報のアドレスを示すアドレス情報に基づいて、前記アクセス先情報を取得することを特徴とする請求項８に記載の情報処理方法。
【請求項１０】
前記制限ステップでは、前記他のネットワークに接続される他の外部装置から前記アクセス先に対するアクセスを制限することを特徴とする請求項８に記載の情報処理方法。
【請求項１１】
少なくとも一つの外部装置とネットワークを介して接続される情報処理装置による情報処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
他のネットワークに接続される他の情報処理装置を接続手段により接続する接続手順と、
前記外部装置に備えられる機能のアクセス先を示すアクセス先情報を取得手段により取得する取得手順と、
前記アクセス先情報が示すアクセス先に対する前記接続手段を介したアクセスを制限手段により制限する制限手順とをコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１２】
前記取得手順では、前記ネットワーク上に前記機能を備える前記外部装置が存在することを通知するための生存情報を前記外部装置から受信し、前記生存情報に含まれる前記アクセス先情報のアドレスを示すアドレス情報に基づいて、前記アクセス先情報を取得することを特徴とする請求項１１に記載のプログラム。
【請求項１３】
前記制限手順では、前記他のネットワークに接続される他の外部装置から前記アクセス先に対するアクセスを制限することを特徴とする請求項１１に記載のプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そこで、本発明は、機能ごとにアクセス制限をかけることを可能とすることにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の情報処理装置は、少なくとも一つの外部装置とネットワークを介して接続される情報処理装置であって、他のネットワークに接続される他の情報処理装置を接続する接続手段と、前記外部装置に備えられる機能のアクセス先を示すアクセス先情報を前記外部装置から取得する取得手段と、前記アクセス先情報が示すアクセス先に対する前記接続手段を介したアクセスを制限する制限手段とを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明においては、外部装置に備えられる機能へのアクセスを制限するように構成している。従って、機能ごとにアクセス制限をかけることが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月30日(2010.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第ｎ（ｎ：自然数）の整流素子と、第１乃至第ｎの容量素子と、を有し、
前記第１の整流素子の入力端子は、入力部と電気的に接続され、
前記第ｉ（ｉ：自然数、２≦ｉ≦ｎ）の整流素子の入力端子は、前記ｉ−１の整流素子の出力端子と電気的に接続され、
前記第ｎの整流素子の出力端子は、出力部と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第１の電極は、前記第１の整流素子の出力端子と電気的に接続され、
前記第ｍ（ｍ：自然数、２≦ｍ≦ｎ）の容量素子の第１の電極は、前記第ｍの整流素子の出力端子と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第２の電極は、第１の配線及び第２の配線の一方と電気的に接続され、
前記第２ｋ＋１（ｋ：自然数、３≦２ｋ＋１≦ｎ−１）の容量素子の第２の電極は、前記第１の配線及び前記第２の配線の一方と電気的に接続され、
前記第２ｋの容量素子の第２の電極は、前記第１の配線及び前記第２の配線の他方と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第１の電極及び第２の電極は、導電層であり、
前記第２乃至第ｎ−１の容量素子のうちの少なくとも一つの容量素子の第２の電極は、半導体層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２乃至第ｎ−１の容量素子のうちの第２の電極が半導体層である容量素子における第１の電極と第２の電極とが重なる面積は、前記第１の容量素子における第１の電極と第２の電極とが重なる面積よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第２乃至第ｎ−１の容量素子のうちの第２の電極が半導体層である容量素子における絶縁膜の膜厚は、前記第１の容量素子における絶縁膜の膜厚よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１乃至第ｎ（ｎ：自然数）の整流素子と、第１乃至第ｎの容量素子と、を有し、
前記第２乃至第ｎの容量素子のそれぞれは、トランジスタであり、
前記第１の整流素子の入力端子は、入力部と電気的に接続され、
前記第ｉ（ｉ：自然数、２≦ｉ≦ｎ）の整流素子の入力端子は、前記ｉ−１の整流素子の出力端子と電気的に接続され、
前記第ｎの整流素子の出力端子は、出力部と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第１の電極は、前記第１の整流素子の出力端子と電気的に接続され、
前記第ｍ（ｍ：自然数、２≦ｍ≦ｎ）の容量素子であるトランジスタのゲートは、前記第ｍの整流素子の出力端子と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第２の電極は、第１の配線及び第２の配線の一方と電気的に接続され、
前記第２ｋ＋１（ｋ：自然数、３≦２ｋ＋１≦ｎ−１）の容量素子であるトランジスタのソース又はドレインは、前記第１の配線及び前記第２の配線の一方と電気的に接続され、
前記第２ｋの容量素子であるトランジスタのソース又はドレインは、前記第１の配線及び前記第２の配線の他方と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第１の電極及び第２の電極は、導電層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第ｍの容量素子であるトランジスタのゲートとして機能する導電層は、前記第１の容量素子の第１の電極である導電層と同じ材料であり、
前記第ｍの容量素子であるトランジスタのソース又はドレインとして機能する導電層は、前記第１の容量素子の第２の電極である導電層と同じ材料であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記第ｍの容量素子であるトランジスタのソース又はドレインとして機能する導電層は、前記第ｍの容量素子であるトランジスタのゲートとして機能する導電層と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の配線には、クロック信号が入力され、
前記第２の配線には、前記クロック信号の反転信号又は前記クロック信号と位相がずれた信号が入力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
入力端子が前記第１の配線と電気的に接続され、出力端子が前記第２の配線と電気的に接続されたインバータ回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１乃至第ｎの整流素子のそれぞれは、入力端子がソース及びドレインの一方であり、出力端子がソース及びドレインの他方であり、且つゲートがソース又はドレインと電気的に接続されたトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記入力部には、所定の電圧が供給されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月2日(2011.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機レーザー活性材料（２）からなる層とレーザー共振器（４）と光学的ポンプ源とを有する有機半導体レーザーであって、
前記光学的ポンプ源が、有機レーザー活性材料（２）からなる層と固定的に接続され、さらに前記有機レーザー活性材料（２）からなる層と１つのユニットを形成している有機半導体レーザーにおいて、
前記光学的ポンプ源が、電気的に作動される無機ＬＥＤ（light emitting device）であり、
前記有機レーザー活性材料（２）はビーム透過性の分離層（３）によって無機ＬＥＤから分離されており、
前記無機ＬＥＤ（１）の無機結晶はｎ＞２の屈折率を有し、
前記有機レーザー活性材料（２）はｎ＜２の屈折率を有し、
前記分離層（３）は、前記有機レーザー活性材料（２）の屈折率よりも小さい屈折率を有していることを特徴とする有機半導体レーザー。
【請求項２】
前記レーザー共振器（４）が有機レーザー活性材料（２）の表面の構造化によって形成されている、請求項１記載の有機半導体レーザー。
【請求項３】
分離層（３）と有機レーザー活性材料（２）とのあいだにレーザー共振器（４）が形成されている、請求項１又は２記載の有機半導体レーザー。
【請求項４】
有機レーザー活性材料（２）からなる層に向けられる無機ＬＥＤ（１）の表面が粗面に形成されている、請求項１から３いずれか１項記載の有機半導体レーザー。
【請求項５】
分離層（３）が平坦化層を用いて形成されている、請求項４記載の有機半導体レーザー。
【請求項６】
無機ＬＥＤ（１）の表面がフォトニック結晶の形態を有している、請求項１から５いずれか１項記載の有機半導体レーザー。
【請求項７】
無機ＬＥＤの表面の表面輪郭が、有機材料からなるレーザー活性層へ移行し、それによってレーザー共振器（４）が形成されている、請求項１から６いずれか１項記載の有機半導体レーザー。
【請求項８】
前記レーザー共振器（４）は、ＤＦＢ（distributed feedback）共振器として形成されている、請求項１から７いずれか１項記載の有機半導体レーザー。
【請求項９】
ポンピング源の発光波長は有機レーザー活性材料（２）の吸収帯域に整合されている、請求項１から８いずれか１項記載の有機半導体レーザー。
【請求項１０】
レーザー共振器（４）は、変調周期において勾配を有している深い格子構造を有している、請求項１から８いずれか１項記載の有機半導体レーザー。
【請求項１１】
周期的な構造を有しているレーザー共振器が複数の空間方向において、例えば四辺形又は六角形の格子状に形成されている、請求項１から１０いずれか１項記載の有機半導体レーザー。
【請求項１２】
僅かな変調深度を有するレーザー共振器（４）が形成されている、請求項１から８いずれか１項記載の有機半導体レーザー。
【請求項１３】
レーザー共振器（４）の構造化が機械的に又は光学的に及び／又は化学的に行われている、請求項１から１２いずれか１項記載の有機半導体レーザー。
【請求項１４】
有機レーザー活性層（２）とレーザー共振器（４）とを有する有機半導体レーザーの製造方法であって、
光学的ポンプ源が有機レーザー活性材料（２）からなる層を備え、
前記光学的ポンプ源が、有機レーザー活性材料（２）からなる層と固定的に接続され、前記有機レーザー活性材料（２）からなる層と１つのユニットを形成している有機半導体レーザーにおいて、
前記光学的ポンプ源が、電気的に作動される無機ＬＥＤ（light emitting device）であることを特徴とする有機半導体レーザーの製造方法。
【請求項１５】
有機ＬＥＤ（１）の上にさらなる層、例えば透過性分離層（３）または有機レーザー活性材料（２）層が析出手法によって被着される、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記分離層（３）の被着がスピンコーティングまたは凹版印刷のようなコーティングプロセスによって行われ、前記分離層（３）は平坦化層として用いられる、請求項１４記載の方法。
【請求項１７】
前記レーザー共振器（４）は有機レーザー活性層（２）の構造化によって製造される、請求項１４、１５または１６記載の方法。
【請求項１８】
構造化部分の製造は機械的に行われる、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
構造化部分の製造は、光学的及び／又は化学的手法によるレーザー共振器（４）の形成のために行われる、請求項１７記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、有機レーザー活性材料からなる層とレーザー共振器と光学的ポンプ源とを有する有機半導体レーザーであって、前記光学的ポンプ源が、有機レーザー活性材料からなる層と固定的に接続され、さらに前記有機レーザー活性材料からなる層と１つのユニットを形成している有機半導体レーザーに関している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
前記課題は本発明により、前記光学的ポンプ源が、電気的に作動される無機ＬＥＤ（light emitting device）であり、前記有機レーザー活性材料はビーム透過性の分離層によって無機ＬＥＤから分離されており、前記無機ＬＥＤの無機結晶はｎ＞２の屈折率を有し、前記有機レーザー活性材料はｎ＜２の屈折率を有し、前記分離層は、前記有機レーザー活性材料の屈折率よりも小さい屈折率を有する構成によって解決される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月21日(2010.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光に応じて電流を出力する光センサ、及び、前記電流を電圧に変換する変換回路を有する検出回路と、
前記検出回路から出力された電圧を増幅する増幅器と、
前記増幅器から出力された電圧と、基準の電圧とを比較して結果を出力する比較回路と、
前記比較回路からの出力によって、前記光の検出範囲を決定し、制御信号を前記検出回路へ出力する制御回路と、を有し、
前記変換回路は、前記制御信号に従って抵抗値が変化することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
光に応じて電流を出力する光センサ、及び、前記電流を電圧に変換する変換回路を有する検出回路と、
前記検出回路から出力された電圧を増幅する増幅器と、
前記増幅器から出力された電圧と、基準の電圧とを比較して結果を出力する比較回路と、
前記比較回路からの出力によって、前記光の検出範囲を決定し、制御信号を前記検出回路へ出力する制御回路と、を有し、
前記変換回路は、前記制御信号に従って抵抗値が変化する可変抵抗を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
光に応じて電流を出力する光センサ、及び、前記電流を電圧に変換する変換回路を有する検出回路と、
前記検出回路から出力された電圧を増幅する増幅器と、
前記増幅器から出力された電圧と、基準の電圧とを比較して結果を出力する比較回路と、
前記比較回路からの出力によって、前記光の検出範囲を決定し、制御信号を前記検出回路へ出力する制御回路と、を有し、
前記変換回路は、異なる抵抗値を有する複数の抵抗、及び、スイッチを有し、
前記スイッチは、前記制御信号に従い、前記複数の抵抗のうちの一と前記光センサとの電気的な接続を制御することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
光に応じて電流を出力する光センサ、及び、前記電流を電圧に変換する変換回路を有する検出回路と、
前記検出回路から出力された電圧を増幅する増幅器と、
前記増幅器から出力された電圧と、基準の電圧とを比較して結果を出力する比較回路と、
前記比較回路からの出力によって、前記光の検出範囲を決定し、制御信号を前記検出回路へ出力する制御回路と、を有し、
前記変換回路は、異なる抵抗値を有する複数の抵抗、及び、前記複数の抵抗の各々に対応する複数のスイッチを有し、
前記複数のスイッチは、前記制御信号に従い、各々が対応する前記抵抗と前記光センサとの電気的な接続を制御することで、前記複数の抵抗の０個又は１個以上と前記光センサとを電気的に直列接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記複数の抵抗のうち一の抵抗値は、他の一の抵抗値の２のべき乗倍であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月16日(2010.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子と、
前記光電変換素子に電気的に接続された回路と、
前記光電変換素子に電気的に接続された第１の端子と、
前記回路に電気的に接続された第２の端子と、
前記第１の端子および前記第２の端子に隣接して設けられた導電膜と、を有し、
前記導電膜は、前記光電変換素子、前記回路、前記第１の端子、および前記第２の端子に電気的に接続されず、
前記導電膜の上面は、前記第１の端子の上面よりも面積が大きく、
前記導電膜の上面は、前記第２の端子の上面よりも面積が大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
光電変換素子と、
前記光電変換素子に電気的に接続された回路と、
前記光電変換素子に電気的に接続された第１の端子と、
前記回路に電気的に接続された第２の端子と、
前記第１の端子および前記第２の端子に隣接して設けられた導電膜と、
前記光電変換素子および前記回路を覆う絶縁層と、を有し、
前記導電膜は、前記光電変換素子、前記回路、前記第１の端子、および前記第２の端子、に電気的に接続されず、
前記第１の端子、前記第２の端子、および前記導電膜は、前記絶縁層上に設けられ、
前記導電膜の上面は、前記第１の端子の上面よりも面積が大きく、
前記導電膜の上面は、前記第２の端子の上面よりも面積が大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面上に設けられた、トランジスタ、および前記トランジスタに電気的に接続された光電変換素子と、
前記トランジスタおよび前記光電変換素子上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層に設けられた第１のコンタクトホールを介して、前記光電変換素子に電気的に接続された第１の端子と、
前記絶縁層に設けられた第２のコンタクトホールを介して、前記トランジスタに電気的に接続された第２の端子と、
前記第１の端子および前記第２の端子と同一面上に設けられた導電膜と、を有し、
前記導電膜は、前記光電変換素子、前記トランジスタ、前記第１の端子、および前記第２の端子に電気的に接続されず、
前記導電膜の上面は、前記第１の端子の上面よりも面積が大きく、
前記導電膜の上面は、前記第２の端子の上面よりも面積が大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記光電変換素子は光電変換層を有し、
前記導電膜は、光を反射する膜を有し、
前記導電膜は、前記光電変換層と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記光電変換素子は光電変換層を有し、
前記導電膜は、光を反射する膜を有し、
前記導電膜は、前記光電変換層と重ならないことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記導電膜の面積は、前記第１の端子および前記第２の端子のうち大きい方の端子の面積の２倍以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
絶縁表面上に設けられた、トランジスタ、および前記トランジスタに電気的に接続された光電変換素子と、
前記トランジスタおよび前記光電変換素子上に設けられた第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に設けられた第１の導電膜と、
前記第１の絶縁層および前記第１の導電膜上に設けられた第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層に設けられた第１のコンタクトホールを介して、前記光電変換素子に電気的に接続された第１の端子と、
前記第２の絶縁層に設けられた第２のコンタクトホールを介して、前記トランジスタに電気的に接続された第２の端子と、
前記第１の端子および前記第２の端子と同一面上に設けられた第２の導電膜と、を有し、
前記第１の導電膜は、前記光電変換素子、前記トランジスタ、前記第１の端子、および前記第２の端子に電気的に接続されず、
前記第２の導電膜は、前記光電変換素子、前記トランジスタ、前記第１の端子、および前記第２の端子に電気的に接続されず、
前記第１の導電膜の上面は、前記第１の端子の上面よりも面積が大きく、
前記第１の導電膜の上面は、前記第２の端子の上面よりも面積が大きく、
前記第２の導電膜の上面は、前記第１の端子の上面よりも面積が大きく、
前記第２の導電膜の上面は、前記第２の端子の上面よりも面積が大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載した半導体装置を用いることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項８に記載した電子機器は、コンピュータ、ディスプレイ、携帯電話、またはテレビであることを特徴とする電子機器。