【手続補正書】
【提出日】平成23年9月9日(2011.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケイ素源原料ガス及びチタン源原料ガスを可燃性ガス及び支燃性ガスにより火炎加水分解させて得た合成シリカ微粒子を回転するターゲット上に堆積すると同時に溶融ガラス化してチタニアドープ石英ガラスインゴットを形成し、このインゴットを１，７００℃における炉内の温度分布が１．５℃／ｃｍ以上の温度勾配を有する炉内で回転する成型るつぼに設置し、１，５００〜１，８００℃で１〜１０時間熱間成型を行い、次いでインゴットを７００〜１，３００℃において大気中で１〜２００時間保持してアニールした後、１〜２０℃／ｈｒの速度で５００℃まで徐冷することを特徴とするチタニアドープ石英ガラス部材の製造方法。
【請求項２】
ターゲットの回転速度を５ｒｐｍ以上とし、ケイ素源原料ガス、チタン源原料ガス、可燃性ガス及び支燃性ガスの流量変動を±１％／ｈｒ以内に制御して合成シリカ微粒子をターゲット上に堆積させるようにした請求項１記載のチタニアドープ石英ガラス部材の製造方法。
【請求項３】
成型るつぼの回転数が０．１ｒｐｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２記載のチタニアドープ石英ガラス部材の製造方法。
【請求項４】
波長７０ｎｍ以下のＥＵＶ光を反射させる面内の屈折率分布において、中央部８０％領域内に屈折率の極点を１点のみ有することを特徴とするチタニアドープ石英ガラス部材。
【請求項５】
波長７０ｎｍ以下のＥＵＶ光を反射させる面内の屈折率分布が、上記屈折率の極点に対して中心対称性を有していることを特徴とする請求項４記載のチタニアドープ石英ガラス部材。
【請求項６】
波長７０ｎｍ以下のＥＵＶ光を反射させる面内の屈折率分布と当該面内のＯＨ基濃度分布が逆相関を有していることを特徴とする請求項４又は５記載のチタニアドープ石英ガラス部材。
【請求項７】
波長７０ｎｍ以下のＥＵＶ光を反射させる面内の屈折率変動が１×１０-4／ｍｍ2以下であることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項記載のチタニアドープ石英ガラス部材。
【請求項８】
波長７０ｎｍ以下のＥＵＶ光を反射させる面内の屈折率分布が変曲点を有さないことを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１項記載のチタニアドープ石英ガラス部材。
【請求項９】
波長７０ｎｍ以下のＥＵＶ光を反射させる面内の屈折率分布が２．５×１０-3以下であることを特徴とする請求項４乃至８のいずれか１項記載のチタニアドープ石英ガラス部材。
【請求項１０】
波長７０ｎｍ以下のＥＵＶ光を反射させる面内の屈折率分布において、中央部８０％領域内に２点以上の極点が存在し、かつ極大点と極小点との間の屈折率差が５×１０-5以下であることを特徴とするチタニアドープ石英ガラス部材。
【請求項１１】
平均線熱膨張係数が、１０〜３０℃の範囲において−３０〜＋３０ｐｐｂ／℃であることを特徴とする請求項４乃至１０のいずれか１項記載のチタニアドープ石英ガラス部材。
【請求項１２】
ＯＨ基濃度分布が４００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項４乃至１１のいずれか１項記載のチタニアドープ石英ガラス部材。
【請求項１３】
水素分子濃度が、５×１０18ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ／ｃｍ3以下であることを特徴とする請求項４乃至１２のいずれか１項記載のチタニアドープ石英ガラス部材。
【請求項１４】
Ｓｉ−Ｈ結合含有量が、５×１０17個／ｃｍ3以下であることを特徴とする請求項４乃至１３のいずれか１項記載のチタニアドープ石英ガラス部材。
【請求項１５】
請求項４乃至１４のいずれか１項記載のチタニアドープ石英ガラス部材から形成されたことを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用部材。
【請求項１６】
ＥＵＶリソグラフィ用フォトマスク基板であることを特徴とする請求項１５記載のＥＵＶリソグラフィ用部材。
【請求項１７】
上記ＥＵＶリソグラフィ用フォトマスク基板が１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ角形基板であり、該基板面中央部１４２．４ｍｍ×１４２．４ｍｍ角の領域内の最も高い位置と最も低い位置との差が２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１６記載のＥＵＶリソグラフィ用フォトマスク基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
即ち、本発明は、以下のチタニアドープ石英ガラス部材、ＥＵＶリソグラフィ用部材、ＥＵＶリソグラフィ用フォトマスク基板及びチタニアドープ石英ガラス部材の製造方法を提供する。
請求項１：
ケイ素源原料ガス及びチタン源原料ガスを可燃性ガス及び支燃性ガスにより火炎加水分解させて得た合成シリカ微粒子を回転するターゲット上に堆積すると同時に溶融ガラス化してチタニアドープ石英ガラスインゴットを形成し、このインゴットを１，７００℃における炉内の温度分布が１．５℃／ｃｍ以上の温度勾配を有する炉内で回転する成型るつぼに設置し、１，５００〜１，８００℃で１〜１０時間熱間成型を行い、次いでインゴットを７００〜１，３００℃において大気中で１〜２００時間保持してアニールした後、１〜２０℃／ｈｒの速度で５００℃まで徐冷することを特徴とするチタニアドープ石英ガラス部材の製造方法。
請求項２：
ターゲットの回転速度を５ｒｐｍ以上とし、ケイ素源原料ガス、チタン源原料ガス、可燃性ガス及び支燃性ガスの流量変動を±１％／ｈｒ以内に制御して合成シリカ微粒子をターゲット上に堆積させるようにした請求項１記載のチタニアドープ石英ガラス部材の製造方法。
請求項３：
成型るつぼの回転数が０．１ｒｐｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２記載のチタニアドープ石英ガラス部材の製造方法。
請求項４：
波長７０ｎｍ以下のＥＵＶ光を反射させる面内の屈折率分布において、中央部８０％領域内に屈折率の極点を１点のみ有することを特徴とするチタニアドープ石英ガラス部材。
請求項５：
波長７０ｎｍ以下のＥＵＶ光を反射させる面内の屈折率分布が、上記屈折率の極点に対して中心対称性を有していることを特徴とする請求項４記載のチタニアドープ石英ガラス部材。
請求項６：
波長７０ｎｍ以下のＥＵＶ光を反射させる面内の屈折率分布と当該面内のＯＨ基濃度分布が逆相関を有していることを特徴とする請求項４又は５記載のチタニアドープ石英ガラス部材。
請求項７：
波長７０ｎｍ以下のＥＵＶ光を反射させる面内の屈折率変動が１×１０-4／ｍｍ2以下であることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項記載のチタニアドープ石英ガラス部材。
請求項８：
波長７０ｎｍ以下のＥＵＶ光を反射させる面内の屈折率分布が変曲点を有さないことを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１項記載のチタニアドープ石英ガラス部材。
請求項９：
波長７０ｎｍ以下のＥＵＶ光を反射させる面内の屈折率分布が２．５×１０-3以下であることを特徴とする請求項４乃至８のいずれか１項記載のチタニアドープ石英ガラス部材。
請求項１０：
波長７０ｎｍ以下のＥＵＶ光を反射させる面内の屈折率分布において、中央部８０％領域内に２点以上の極点が存在し、かつ極大点と極小点との間の屈折率差が５×１０-5以下であることを特徴とするチタニアドープ石英ガラス部材。
請求項１１：
平均線熱膨張係数が、１０〜３０℃の範囲において−３０〜＋３０ｐｐｂ／℃であることを特徴とする請求項４乃至１０のいずれか１項記載のチタニアドープ石英ガラス部材。
請求項１２：
ＯＨ基濃度分布が４００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項４乃至１１のいずれか１項記載のチタニアドープ石英ガラス部材。
請求項１３：
水素分子濃度が、５×１０18ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ／ｃｍ3以下であることを特徴とする請求項４乃至１２のいずれか１項記載のチタニアドープ石英ガラス部材。
請求項１４：
Ｓｉ−Ｈ結合含有量が、５×１０17個／ｃｍ3以下であることを特徴とする請求項４乃至１３のいずれか１項記載のチタニアドープ石英ガラス部材。
請求項１５：
請求項４乃至１４のいずれか１項記載のチタニアドープ石英ガラス部材から形成されたことを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用部材。
請求項１６：
ＥＵＶリソグラフィ用フォトマスク基板であることを特徴とする請求項１５記載のＥＵＶリソグラフィ用部材。
請求項１７：
上記ＥＵＶリソグラフィ用フォトマスク基板が１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ角形基板であり、該基板面中央部１４２．４ｍｍ×１４２．４ｍｍ角の領域内の最も高い位置と最も低い位置との差が２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１６記載のＥＵＶリソグラフィ用フォトマスク基板。