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【手続補正書】
【提出日】平成23年4月7日(2011.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハ上の全面に下地金属層を形成する工程と、
前記下地金属層の上面に複数の配線用上部金属層を形成する工程と、
前記配線用上部金属層および前記下地金属層の上面にドライフィルムレジストをラミネートして柱状電極形成用メッキレジスト膜を形成する工程と、
前記柱状電極形成用メッキレジスト膜をパターニングすることにより、前記配線用上部金属層の接続パッド部に対応する部分における前記柱状電極形成用メッキレジスト膜に開口部を形成する工程と、
前記下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、前記柱状電極形成用メッキレジスト膜の開口部内の前記配線用上部金属層の接続パッド部上面に柱状電極を形成する工程と、
前記柱状電極形成用メッキレジスト膜を剥離する工程と、
前記配線用上部金属層をマスクとして前記下地金属層の不要な部分をエッチングして除去し、前記配線用上部金属層およびその下に残存された前記下地金属層を含む積層構造の配線を形成する工程と、
前記柱状電極の周囲を覆う封止膜を形成する工程と、
ダイシングにより前記半導体ウエハおよび前記封止膜を切断して半導体装置を複数個得る工程とを有し、
さらに、前記ドライフィルムレジストのラミネートにより前記柱状電極形成用メッキレジスト膜を形成した後で前記柱状電極を形成する前に、前記柱状電極形成用メッキレジスト膜をその上側から加圧する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記柱状電極形成用メッキレジスト膜の加圧は、前記ドライフィルムレジストのラミネートにより前記柱状電極形成用メッキレジスト膜を形成した直後に行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の発明において、前記ドライフィルムレジストのラミネートはラミネートローラを用いた熱圧着方法により行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発明において、前記柱状電極形成用メッキレジスト膜の加圧はチャンバ内において圧縮空気で加圧することにより行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の発明において、加圧力は０．５〜０．９Ｍｐａであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発明において、前記柱状電極形成用メッキレジスト膜をその上側から加圧するとともに加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の発明において、前記柱状電極形成用メッキレジスト膜の加熱および加圧はチャンバ内において加熱しながら圧縮空気で加圧することにより行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、前記チャンバ内の空気をファンで撹拌することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７または８に記載の発明において、加熱温度は５０〜８０℃であり、加圧力は０．５〜０．９Ｍｐａであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の発明において、前記ダイシングの前に、前記柱状電極上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、半導体ウエハ上の全面に下地金属層を形成する工程と、前記下地金属層の上面に複数の配線用上部金属層を形成する工程と、前記配線用上部金属層および前記下地金属層の上面にドライフィルムレジストをラミネートして柱状電極形成用メッキレジスト膜を形成する工程と、前記柱状電極形成用メッキレジスト膜をパターニングすることにより、前記配線用上部金属層の接続パッド部に対応する部分における前記柱状電極形成用メッキレジスト膜に開口部を形成する工程と、前記下地金属層をメッキ電流路とした電解メッキを行なうことにより、前記柱状電極形成用メッキレジスト膜の開口部内の前記配線用上部金属層の接続パッド部上面に柱状電極を形成する工程と、前記柱状電極形成用メッキレジスト膜を剥離する工程と、前記配線用上部金属層をマスクとして前記下地金属層の不要な部分をエッチングして除去し、前記配線用上部金属層およびその下に残存された前記下地金属層を含む積層構造の配線を形成する工程と、前記柱状電極の周囲を覆う封止膜を形成する工程と、ダイシングにより前記半導体ウエハおよび前記封止膜を切断して半導体装置を複数個得る工程とを有し、さらに、前記ドライフィルムレジストのラミネートにより前記柱状電極形成用メッキレジスト膜を形成した後で前記柱状電極を形成する前に、前記柱状電極形成用メッキレジスト膜をその上側から加圧する工程を有することを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記柱状電極形成用メッキレジスト膜の加圧は、前記ドライフィルムレジストのラミネートにより前記柱状電極形成用メッキレジスト膜を形成した直後に行なうことを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明において、前記ドライフィルムレジストのラミネートはラミネートローラを用いた熱圧着方法により行なうことを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発明において、前記柱状電極形成用メッキレジスト膜の加圧はチャンバ内において圧縮空気で加圧することにより行なうことを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、加圧力は０．５〜０．９Ｍｐａであることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発明において、前記柱状電極形成用メッキレジスト膜をその上側から加圧するとともに加熱することを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の発明において、前記柱状電極形成用メッキレジスト膜の加熱および加圧はチャンバ内において加熱しながら圧縮空気で加圧することにより行なうことを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記チャンバ内の空気をファンで撹拌することを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項７または８に記載の発明において、加熱温度は５０〜８０℃であり、加圧力は０．５〜０．９Ｍｐａであることを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明は、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の発明において、前記ダイシングの前に、前記柱状電極上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月10日(2010.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
仮基板上に酸化亜鉛からなる分離層を形成する第１の工程と、
前記分離層上に絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記絶縁膜上に薄膜素子構成体を形成する第３の工程と、
前記薄膜素子構成体を覆うオーバーコート膜を形成する第４の工程と、
前記オーバーコート膜上に補強用粘着テープを貼り付ける第５の工程と、
前記分離層をウェットエッチングして除去することにより、前記絶縁膜から前記仮基板を分離する第６の工程と、
前記絶縁膜の下面に接着層を介して基板を接着する第７の工程と、
前記補強用粘着テープを剥離する第８の工程と、
を有することを特徴とする薄膜素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記仮基板は多孔質基板であることを特徴とする薄膜素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の発明において、前記薄膜素子構成体が薄膜トランジスタと画素電極とを含み、
前記第４の工程は、前記画素電極の少なくとも一部が前記オーバーコート膜から露出するように前記オーバーコート膜を形成することを特徴とする薄膜素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜素子の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は薄膜素子の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そこで、この発明は、仮基板を分離するための工程数を少なくすることができる薄膜素子の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項１に記載の発明に係る薄膜素子の製造方法は、仮基板上に酸化亜鉛からなる分離層を形成する第１の工程と、前記分離層上に絶縁膜を形成する第２の工程と、前記絶縁膜上に薄膜素子構成体を形成する第３の工程と、前記薄膜素子構成体を覆うオーバーコート膜を形成する第４の工程と、前記オーバーコート膜上に補強用粘着テープを貼り付ける第５の工程と、前記分離層をウェットエッチングして除去することにより、前記絶縁膜から前記仮基板を分離する第６の工程と、前記絶縁膜の下面に接着層を介して基板を接着する第７の工程と、前記補強用粘着テープを剥離する第８の工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明に係る薄膜素子の製造方法は、請求項１に記載の発明において、前記仮基板は多孔質基板であることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明に係る薄膜素子の製造方法は、請求項１または２に記載の発明において、前記薄膜素子構成体が薄膜トランジスタと画素電極とを含み、前記第４の工程は、前記画素電極の少なくとも一部が前記オーバーコート膜から露出するように前記オーバーコート膜を形成することを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明によれば、仮基板を分離するための工程数を少なくすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月12日(2011.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
入射光を入射しその反射光を送出するための光入射／反射面を有する金属層（２）と、
該金属層の光入射／反射面の反対面に被覆された誘電体層（３，３ａ）と、
該誘電体層の前記金属層と反対側面に被覆された共振器層（４）と
を具備し、
前記金属層において前記入射光により表面プラズモン共鳴光を励起すると共に、前記誘電体層を励起状態にすることにより前記誘電体層の消衰係数（k3）を負にするようにした光増幅器の設計方法であって、
前記共振器層の透過率に応じて該共振器層の厚さを選択する工程と、
前記誘電体層の厚さを選択する工程と、
前記誘電体層が非励起状態のときに、全反射領域において入射光の前記金属層の光入射／反射面での反射率が最小となるように、前記入射光の前記金属層の光入射／反射面での入射角及び前記金属層の厚さ（t2）を選択する工程と
前記入射光の前記金属層の光入射／反射面での入射角及び前記誘電体層の厚さを維持しつつ前記入射光の前記入射角での反射率（R）が所定値より大きくなるように前記誘電体層の励起状態に対応する前記誘電体層の負の消衰係数を決定する工程と
を具備する光増幅器の設計方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月3日(2011.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線と、前記配線の少なくとも一部を覆うように前記絶縁層上に形成されたソルダーレジスト層と、を有し、
前記ソルダーレジスト層が複数の層から構成されている配線基板であって、
前記複数の層は粒径の異なるフィラーを含有し、前記複数の層を構成する最内層の層厚は前記配線の層厚よりも厚く、前記最内層に含有される前記フィラーの粒径は、隣接する前記配線同士の最短間隔よりも小さいことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記最内層に含有される前記フィラーの粒径は、それ以外の層に含有される前記フィラーの粒径よりも小さいことを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記最内層に含有される前記フィラーの量は、それ以外の層に含有される前記フィラーの量と略同一であることを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
前記フィラーの二次凝集物は、前記最内層に含有されていないことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項記載の配線基板。
【請求項５】
絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線と、前記配線の少なくとも一部を覆うように前記絶縁層上に形成されたソルダーレジスト層と、を有し、
前記ソルダーレジスト層が複数の層から構成されている配線基板であって、
前記複数の層を構成する最内層の層厚は前記配線の層厚よりも厚く、前記最内層はフィラーを含有していないことを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項記載の配線基板と、半導体チップとを有する半導体パッケージであって、
前記半導体チップは、前記配線基板の前記配線の前記ソルダーレジストから露出する部分と電気的に接続されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項７】
絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線と、前記配線の少なくとも一部を覆うように前記絶縁層上に形成されたソルダーレジスト層と、を有し、
前記ソルダーレジスト層が複数の層から構成されている半導体パッケージであって、
前記複数の層は粒径の異なるフィラーを含有し、前記複数の層を構成する最内層の層厚は前記配線の層厚よりも厚く、前記最内層に含有される前記フィラーの粒径は、隣接する前記配線同士の最短間隔よりも小さいことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項８】
前記最内層に含有される前記フィラーの粒径は、それ以外の層に含有される前記フィラーの粒径よりも小さいことを特徴とする請求項７記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
前記最内層に含有される前記フィラーの量は、それ以外の層に含有される前記フィラーの量と略同一であることを特徴とする請求項７又は８記載の半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記フィラーの二次凝集物は、前記最内層に含有されていないことを特徴とする請求項７乃至９の何れか一項記載の半導体パッケージ。
【請求項１１】
絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線と、前記配線の少なくとも一部を覆うように前記絶縁層上に形成されたソルダーレジスト層と、を有し、
前記ソルダーレジスト層が複数の層から構成されている半導体パッケージであって、
前記複数の層を構成する最内層の層厚は前記配線の層厚よりも厚く、前記最内層はフィラーを含有していないことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１２】
前記絶縁層は、回路形成面側に電極パッドを備えた半導体チップを覆うように形成されており、前記配線と前記電極パッドとが電気的に接続されていることを特徴とする請求項７乃至１１の何れか一項記載の半導体パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第４の発明は、絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線と、前記配線の少なくとも一部を覆うように前記絶縁層上に形成されたソルダーレジスト層と、を有し、前記ソルダーレジスト層が複数の層から構成されている半導体パッケージであって、前記複数の層は粒径の異なるフィラーを含有し、前記複数の層を構成する最内層の層厚は前記配線の層厚よりも厚く、前記最内層に含有される前記フィラーの粒径は、隣接する前記配線同士の最短間隔よりも小さいことを特徴とする。
又、第５の発明は、絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線と、前記配線の少なくとも一部を覆うように前記絶縁層上に形成されたソルダーレジスト層と、を有し、前記ソルダーレジスト層が複数の層から構成されている半導体パッケージであって、前記複数の層を構成する最内層の層厚は前記配線の層厚よりも厚く、前記最内層はフィラーを含有していないことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
配線基板１０において、最下層である配線層（以下、「第１配線層」とする）には、配線１４ａが形成されている。配線１４ａを覆うように第１絶縁層１３ａが形成され、第１絶縁層１３ａ上には配線１４ｂが形成されている。更に、配線１４ｂを覆うように第２絶縁層１３ｂが形成され、第２絶縁層１３ｂ上には配線１４ｃが形成されている。更に、配線１４ｃを覆うように第３絶縁層１３ｃが形成され、第３絶縁層１３ｃ上には配線１４ｄが形成されている。配線１４ａは第１絶縁層１３ａから露出しており、マザーボード等と接続される電極パッドとして機能する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月31日(2011.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前方ファスナ部材１２と後方ファスナ部材１４とは、前後胴周り域６，７を分離可能かつ再連結可能に連結するためのファスナ２０を形成するものであって、前方ファスナ部材１２には、例えば商品名マジックテープ（登録商標）で知られているメカニカルファスナのうちのフック部材が使用される。後方ファスナ部材１４には、例えばメカニカルファスナのループ部材が使用される。図１のおむつ１では、胴周りの両側部において前方側縁部１１と後方側縁部１３とがファスナ２０を介して連結された状態にあり、図２のおむつ１では、ファスナ２０を介して連結された状態にある前方側縁部１１と後方側縁部１３とが図の奥側に示される一方、連結が外された状態すなわち分離した状態にある前方側縁部１１と後方側縁部１３とが図の手前側に示されている。この発明に係るパンツ形状のおむつ１は、周知の使い捨てのパンツ型おむつと同様に着脱することができるばかりでなく、着用者が立っているときでもおむつ１の側部を開放しておむつ１の汚れを簡単に点検することができるという利点を有するものであって、おむつのユーザーに図１の如きパンツ形状のものとして供給されたときにその利点が生かされる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月17日(2011.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前後に進退自在に設けられた移動体と、
常温時に非張力状態となるように、前記移動体に直接的または間接的に連結され、外部の制御回路部によって所定の温度に可変されることで伸縮制御される形状記憶合金ワイヤと、
を備えたことを特徴とするアクチュエータ装置。
【請求項２】
光学レンズを有し、該光学レンズの光軸方向に沿って前後に進退自在に設けられた移動レンズユニットと、
前記移動レンズユニットを前方へ付勢する第１の弾性部材と、
前記移動レンズユニットを後方へ付勢する、前記第１の弾性部材よりも付勢力が小さな第２の弾性部材と、
前記移動レンズユニットに直接的または間接的に連結され、外部の制御回路部によって所定の温度に可変されることで伸縮制御され、収縮時に前記移動レンズユニットを後方へ牽引する形状記憶合金ワイヤと、
を備えたことを特徴とする撮像ユニット。
【請求項３】
前記第１の弾性部材と前記第２の弾性部材が平行でかつ異なる軸上に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の撮像ユニット。
【請求項４】
前記形状記憶合金ワイヤは、常温時に非張力状態となるように設けられていることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の撮像ユニット。
【請求項５】
前記第１の弾性部材、及び前記第２の弾性部材が前記光軸に平行な軸に沿って前記移動レンズユニットを付勢するように設けられていることを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の撮像ユニット。
【請求項６】
前記形状記憶合金ワイヤが前記移動レンズユニットと間接的に作用するように間接作用部材に連結されていることを特徴とする請求項２から請求項５のいずれか１項に記載の撮像ユニット。
【請求項７】
前記形状記憶合金ワイヤの伸縮状態に関わらず、前記第１の弾性部材、または前記第２の弾性部材の付勢力に抗して、所定の移動端位置で停止するように、前記移動レンズユニットに吸着する磁石を有することを特徴とする請求項６に記載の撮像ユニット。
【請求項８】
前記制御回路部によって、前記形状記憶合金ワイヤの伸縮状態が制御されて進退移動する前記間接作用部材を摩擦力により任意の位置で停止する摩擦部材を設け、前記移動レンズユニットを任意の進退位置で停止する請求項６に記載の撮像ユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するため第１の発明によるアクチュエータ装置は、  前後に進退自在に設けられた移動体と、常温時に非張力状態となるように、前記移動体に直接的または間接的に連結され、外部の制御回路部によって所定の温度に可変されることで伸縮制御される形状記憶合金ワイヤと、を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、第２の発明による撮像ユニットは、  光学レンズを有し、該光学レンズの光軸方向に沿って前後に進退自在に設けられた移動レンズユニットと、前記移動レンズユニットを前方へ付勢する第１の弾性部材と、前記移動レンズユニットを後方へ付勢する、前記第１の弾性部材よりも付勢力が小さな第２の弾性部材と、前記移動レンズユニットに直接的または間接的に連結され、外部の制御回路部によって所定の温度に可変されることで伸縮制御され、収縮時に前記移動レンズユニットを後方へ牽引する形状記憶合金ワイヤと、を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月2日(2011.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象物を時系列で撮像した時系列画像を処理し、前記検査対象物上の異常部位を検出する画像処理装置であって、
前記検査対象物が映る被検査領域および前記異常部位が映る異常領域の可能性がある異常候補領域を含むカテゴリ領域に、前記時系列画像を構成する各画像内を分割するカテゴリ領域分割部と、
前記時系列画像を構成する画像をもとに、前記被検査領域および前記異常候補領域におけるオプティカルフローを算出するオプティカルフロー算出部と、
前記被検査領域におけるオプティカルフローと前記異常候補領域におけるオプティカルフローとを比較し、比較した結果をもとに前記異常候補領域を前記異常領域として検出する異常領域検出部と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記カテゴリ領域分割部は、
前記画像内を複数の分割領域に分割する画像分割部と、
前記分割領域毎に特徴量を算出する特徴量算出部と、
前記特徴量をもとに、前記分割領域を所定のカテゴリに分類する領域分類部と、
を有し、前記領域分類部によって前記分割領域を分類した結果をもとに、前記画像を前記カテゴリ領域に分割することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記画像分割部は、前記画像内のエッジを抽出するエッジ抽出部を有し、前記エッジによって前記画像内を複数の分割領域に分割することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記オプティカルフロー算出部は、前記被検査領域におけるオプティカルフローとして、前記異常候補領域の近傍に位置する被検査領域におけるオプティカルフローを算出することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記オプティカルフロー算出部は、
前記時系列画像を構成する画像から構造領域を抽出する構造領域抽出部と、
前記構造領域を抽出した画像とは異なる時刻に撮像された画像から、前記構造領域に対応する対応領域を抽出する対応領域抽出部と、
を有し、前記構造領域および前記対応領域の位置情報をもとにオプティカルフローを算出することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記異常領域検出部は、前記異常候補領域におけるオプティカルフローが、前記被検査領域におけるオプティカルフローと類似する場合に、前記異常候補領域を前記異常領域として検出することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記異常領域検出部は、
前記異常候補領域におけるオプティカルフローの特徴量を算出する異常候補オプティカルフロー特徴量算出部と、
前記異常候補領域の近傍に位置する被検査領域におけるオプティカルフローの特徴量を算出する被検査オプティカルフロー特徴量算出部と、
を有し、前記異常候補領域におけるオプティカルフローの特徴量と前記異常候補領域の近傍に位置する被検査領域におけるオプティカルフローの特徴量との差が所定値内の場合に、前記異常候補領域を前記異常領域として検出することを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記オプティカルフローの特徴量は、少なくともオプティカルフローの方向または大きさをもとに算出されることを特徴とする請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記時系列画像は、体内管腔内の画像であることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記被検査領域は、粘膜領域であることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記オプティカルフロー算出部は、血液の吸収帯域に相当する色成分を用いてオプティカルフローを算出することを特徴とする請求項９に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
前記エッジ抽出部は、血液の吸収帯域に相当する色成分のエッジを抽出することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項１３】
検査対象物を時系列で撮像した時系列画像を処理し、前記検査対象物上の異常部位を検出する画像処理装置に、
前記検査対象物が映る被検査領域および前記異常部位が映る異常領域の可能性がある異常候補領域を含むカテゴリ領域に、前記時系列画像を構成する各画像内を分割するカテゴリ領域分割手順と、
前記時系列画像を構成する画像をもとに、前記被検査領域および前記異常候補領域におけるオプティカルフローを算出するオプティカルフロー算出手順と、
前記被検査領域におけるオプティカルフローと前記異常候補領域におけるオプティカルフローとを比較し、比較した結果をもとに前記異常候補領域を前記異常領域として検出する異常領域検出手順と、
を実行させることを特徴とする画像処理プログラム。
【請求項１４】
検査対象物を時系列で撮像した時系列画像を処理し、前記検査対象物上の異常部位を検出する画像処理方法であって、
前記検査対象物が映る被検査領域および前記異常部位が映る異常領域の可能性がある異常候補領域を含むカテゴリ領域に、前記時系列画像を構成する各画像内を分割するカテゴリ領域分割ステップと、
前記時系列画像を構成する画像をもとに、前記被検査領域および前記異常候補領域におけるオプティカルフローを算出するオプティカルフロー算出ステップと、
前記被検査領域におけるオプティカルフローと前記異常候補領域におけるオプティカルフローとを比較し、比較した結果をもとに前記異常候補領域を前記異常領域として検出する異常領域検出ステップと、
を含むことを特徴とする画像処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月22日(2011.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルロース系繊維を含むシート状の繊維集合基材に対して、抗菌剤を含有する薬液を含浸させてなる拭取り用シートにおいて、
前記薬液の含有重量が、前記繊維集合基材の乾燥重量の１．５〜４．５倍であり、
前記薬液は、４５重量％以上の水と、前記抗菌剤として、０．０１〜２．３０重量％のフェノキシエタノールまたは/及びフェノキシイソプロパノールと、０．０１〜１．７５重量％の四級アンモニウム塩と、０．１０〜８．００重量％のポリオールとをそれぞれ含有し、且つパラベン類、エタノール、イソプロパノールを含有しない、
ことを特徴とする拭取り用シート。
【請求項２】
前記薬液は、前記抗菌剤として、０．０１〜１．５０重量％の安息香酸塩を含有している、請求項１記載の拭取り用シート。
【請求項３】
前記繊維集合基材は、２０〜７５重量％のセルロース系繊維と、８０〜２５重量％の疎水性繊維とからなり、
前記繊維集合基材の目付け量は１０〜１００ｇ／ｍ2であり、
前記繊維集合基材の厚みは０．１〜５．０ｍｍである、
請求項１又は２記載の拭取り用シート。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか1項に記載の拭取り用シートを、開閉蓋により密閉可能とされたシート取出口を有する密閉包装手段内に収容してなる、ことを特徴とする拭取り用シート製品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
＜請求項２記載の発明＞
前記薬液は、前記抗菌剤として、０．０１〜１．５０重量％の安息香酸塩を含有している、請求項１記載の拭取り用シート。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月17日(2011.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に記載された発明は、外形等が異なる複数のフープ材を金型内に並列状態で供給する構成であるため、金型が大型化し、装置コストが嵩むという問題があった。また、各フープ材から打抜かれた複数種類のコア片を積層する際に、ダイ装置を回転駆動させる手段を必要とするため、金型の構造が複雑化し、装置コストが嵩むという問題もあった。さらに、外形の異なる複数種類の鉄心薄板は、打抜き後の積層の際に精度良く位置合わせすることが難しいという問題もあった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図３に示すように、順送り金型装置１１は、上金型１２および下金型１３を備えており、これら金型間に装置の一方側（図３では左側）からフープ材３が供給される。フープ材３は、所定ピッチ（工程間距離）で間欠移送されながら鉄心薄板の打抜き加工や積層等が実施される。順送り金型装置１１は、上下方向に移動する上金型１２に取り付けられた複数のパンチ２１〜２６と、下金型１３に取り付けられた複数のダイ３１〜３６とにより前半打抜き工程（１）〜（６）を実施する。また、順送り金型装置１１は、上金型１２に取り付けられた押込パンチ２７と、下金型１３に取り付けられたダイ３７とにより分離積層工程（７）を実施する。上金型１２にはストリッパープレート１４が取り付けられている。ストリッパープレート１４は、その下降動作によりフープ材３を下金型１３の上面１３ａに当接させ、打抜き加工後にフープ材３から各パンチ２１〜２７を容易に離間させる。順送り金型装置１１の各種動作はコントローラ１５により総括的に制御される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、押込パンチ２７の軸心には、各鉄心薄板２ａ〜２ｃの軸孔Ｄに嵌入可能な外径を有する略円柱形のガイドピン８１が挿通配置されている。ガイドピン８１の上部にはカム機構８２が設けられている。カム機構８２は、ガイドピン８１の中間には、鍔部材８３が設けられている。この鍔部材８３は、テーパ状をなすその上部がカム板８４のカム面８４ａに対して摺動可能に設けられており、これにより、ガイドピン８１の進退（上下）移動が実現される。また、下金型１３にはカム板８４を水平方向に駆動するカム駆動片８５が設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月21日(2011.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体室の容積をダイアフラムにより縮小して流体噴射開口部から流体をパルス状に噴射する流体噴射部と、
前記ダイアフラムを挟んで前記流体室に対して反対方向に離間して配設され、前記流体室に流体を供給する入口流路と、
前記ダイアフラムに形成され、且つ前記入口流路と前記流体室とを連通する連通路に配設されるチェック弁と、を有し、
前記流体室の容積が縮小される場合に前記チェック弁が前記入口流路を閉塞し、
前記流体室の容積が縮小された状態から拡大する場合に前記チェック弁が屈曲して前記入口流路を開放することを特徴とする流体噴射装置。
【請求項２】
請求項１に記載の流体噴射装置において、
前記チェック弁は、スリットを設けることにより形成されていることを特徴とする流体噴射装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の流体噴射装置において、
前記チェック弁は、前記チェック弁の屈曲部に厚さ方向の薄肉部を有していることを特徴とする流体噴射装置。
【請求項４】
請求項３に記載の流体噴射装置において、
前記チェック弁は、前記薄肉部の形成範囲から離れた位置で固定されていることを特徴とする流体噴射装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の流体噴射装置において、
前記流体室の前記入口流路側の端部に、前記チェック弁が作動することを妨げない範囲の大きさを有する連通部が設けられていることを特徴とする流体噴射装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５に記載の流体噴射装置において、
前記連通路が、前記流体室の周縁部から離間した位置に設けられ、接続孔を介して前記流体室と連通されていることを特徴とする流体噴射装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６に記載の流体噴射装置において、
前記チェック弁が、前記ダイアフラムの端部から前記連通部を覆う位置まで突設されていることを特徴とする流体噴射装置。
【請求項８】
請求項３ないし請求項７のいずれか一項に記載の流体噴射装置において、
前記チェック弁は、前記屈曲部の幅が前記屈曲部以外の部分よりも小さいことを特徴とする流体噴射装置。
【請求項９】
請求項１ないし請求項５に記載の流体噴射装置において、
前記チェック弁が、前記ダイアフラムの端部から前記連通路方向に突設される２本の支持腕と、前記２本の支持腕の間に前記２本の支持腕の先端から前記ダイアフラムの端部方向に突設される閉塞部と、を有し、
前記支持腕の幅の和は前記閉塞部の幅より小さく、前記支持腕が屈曲することにより前記閉塞部が前記連通路を開閉することを特徴とする流体噴射装置。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれか一項に記載の流体噴射装置において、
前記入口流路が、前記流体噴射部の外周に倣って設けられる溝と、前記溝を覆うように嵌着される流体供給チューブの内郭と、によって構成されていることを特徴とする流体噴射装置。
【請求項１１】
請求項１ないし請求項１０のいずれか一項に記載の流体噴射装置において、
前記ダイヤフラムは、圧電素子が設けられ、前記圧電素子の周囲に前記ダイアフラムの厚さ方向に凹凸を有する波型構造が設けられていることを特徴とする流体噴射装置。
【請求項１２】
請求項１ないし請求項１１のいずれかに一項に記載の流体噴射装置を有することを特徴とする手術器具。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月9日(2011.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機粉が分散媒体に分散している分散液に、アルキルグリコシド及び水を含有する無機粉の分離促進剤組成物（Ｐ）を加える工程（１）、
分離促進剤組成物（Ｐ）が加えられた分散液に、遠心分離手段を施して、分散媒体を主として含有する層（ｘ）と無機粉を含有する層（ｙ）に分離する工程（２）、及び
前記分離された無機粉を含有する層（ｙ）を取り出す工程（３）、を有する無機粉の回収方法。
【請求項２】
分離促進剤組成物（Ｐ）が、更に、グリセリルエーテルを含有する請求項１記載の無機粉の回収方法。
【請求項３】
前記の分散媒体を主として含有する層（ｘ）から分離されて取り出された無機粉を含有する層（ｙ）に対して、さらに、前記遠心分離工程（２）及び取り出し工程（３）と同様の、遠心分離工程（２’）及び取り出し工程（３’）を、少なくとも１回施し、かつ、
前記遠心分離工程（２’）及び取り出し工程（３’）に際して、前記遠心分離工程（２’）の前に、分散媒体を主として含有する層（ｘ）から分離されて取り出された無機粉を含有する層（ｙ）に対して、アルキルグリコシド、グリセリルエーテル及び水を含有する分離促進剤組成物（Ｐ’）を加える工程（１’）を施す、請求項１又は２記載の無機粉の回収方法。
【請求項４】
無機粉が、シリコン粉を含有する請求項１〜３のいずれかに記載の無機粉の回収方法。
【請求項５】
分散媒体が、炭化水素系溶媒である、請求項１〜４のいずれかに記載の無機粉の回収方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月7日(2011.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上のチャネルを含むマイクロフルイディック・システムを提供するステップと、
前記１つ以上のチャネル内に、油を含む搬送流体と、前記搬送流体により実質的に囲まれた少なくとも１つのプラグとを提供するステップであって、前記プラグは、前記プラグが第１種の単一分子しか含まないような濃度で第１種の分子を含む自己触媒反応に十分な試薬を含む、ステップと、
前記単一分子が増幅されるように自己触媒反応を行うステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記単一分子は、単一生体分子である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記単一生体分子は、ＤＮＡまたはＲＮＡであり、前記自己触媒反応は、ポリメラーゼ連鎖反応である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記行うステップは、加熱することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記自己触媒反応が起こっている間に、および／または前記自己触媒反応が起こった後に、前記自己触媒反応の１つ以上の特性を検出、分析、特性化または監視するための検出器を提供するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記特性は、発光を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記試薬は、１つ以上の蛍光標識を含み、前記検出器は、前記１つ以上の蛍光標識からの放射を検出する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記検出器が第１のセットの特性のうちの１つ以上の特性を検出、分析、特性化または監視する場合に、前記プラグを前記１つ以上のチャネルのうちの第１のチャネルに方向付けるステップと、
前記検出器が前記第１のセットに含まれない１つ以上の特性を検出、分析、特性化または監視する場合に、前記プラグを前記１つ以上のチャネルのうちの第２のチャネルに方向付けるステップと
をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記油は、フッ素添加された油である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記搬送流体は、界面活性剤をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記界面活性剤は、フッ素添加された界面活性剤である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つのプラグは、融合されたプラグである、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記１つ以上のチャネルは、前記反応の間または前記反応の後のある期間にわたって前記少なくとも１つのプラグがトラッピングされる膨張部を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１つのプラグの形状は、実質的に球状である、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも１つのプラグを前記搬送流体から分離するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
１つ以上のインレットポートと、１つ以上のアウトレットポートと、前記インレットポートおよび前記アウトレットポートと流体連絡するトラップのアレイとを含む基板と、
複数の流体部分が前記トラップのアレイ内にトラッピングされるように、前記１つ以上のインレットポートを介して流体を導入するように力を加える１つ以上の手段と
を備えるマイクロフルイディック・システムであって、
各流体部分は、各流体部分が第１種の単一分子しか含まないような濃度で第１種の分子を含む自己触媒反応に十分な試薬を含み、
前記流体部分は、前記単一分子が増幅されるように前記自己触媒反応が起こるのに十分な期間に少なくともわたってトラッピングされる、システム。
【請求項１７】
前記単一分子は、単一生体分子である、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
前記単一生体分子は、ＤＮＡまたはＲＮＡであり、前記自己触媒反応は、ポリメラーゼ連鎖反応である、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記自己触媒反応が起こっている間に、および／または前記自己触媒反応が起こった後に、前記自己触媒反応の１つ以上の特性を検出、監視または分析するための検出器をさらに含む、請求項１６に記載のシステム。
【請求項２０】
前記トラップのアレイは、接続されたマイクロチャネルのアレイを含む、請求項１６に記載のシステム。
【請求項２１】
前記トラップ内および／または前記トラップ外への流体部分の流れを制御するために用いられる１つ以上のバルブをさらに含む、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２２】
各流体部分は、搬送流体に実質的に囲まれており、かつ、前記搬送流体と不混和性である、請求項１６に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
一般的にマイクロフルイディック・システムは、流体を流路経由でポンプによりくみ出す手段を必要とする。最も一般的な方法として、圧力駆動によるものと、電気浸透流(EOF)駆動によるものとの2種類が挙げられる。EOF駆動による流れの魅力は、複雑なネットワーク（網状組織）においてでさえも容易に制御できるというところにある。EOF駆動による流れは平坦なプラグ状の速度プロフィールを持つ。すなわち、流体速度は壁付近および流路中央において同じであることを示す。したがって、少量の複数検体が流路に連続注入される場合、これらのプラグは重複せずに(低度の分散で)輸送される。この場合、分散のほとんどはプラグ間の拡散から帰する。EOFの主な欠点は、流路壁の荷電表面部二重層の動きにより生じるため、荷電不純物による表面異物に大いに影響を受けやすいということである。DNAが一律に負の電荷をもち壁に吸着しないので、DNA分析・操作において、負の電荷をもつ面にある流路を使う場合には問題ないかもしれない。しかしながら、電荷を頻繁に伴い、荷電表面に吸着する傾向をもつタンパク質に関係する場合の用途において、これは大きな妨げとなりえる。さらに、大抵の場合、高電圧を伴うものは望まれず、なお、ポータブルアナライザーのような高電圧源を利用できない場合がある。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月1日(2011.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スキャナ又はガントリーと、寝台とその動作を制御する寝台制御装置と、システム制御装置とを備え、前記寝台制御装置によって被検者が前記寝台に乗り降りする寝台の天板高さを調整可能な医用画像診断装置において、
前記システム制御装置は、被検者が特定されると、病院情報システムから提供される被検者の身長データ、又は身長データ以外の個人情報を用いて推定された推定身長データを基に、被検者が寝台へ乗って横たわるに好適な天板高さを演算により求めるとともに、この求めた天板高さのデータを前記寝台制御装置へ送り寝台の天板高さを自動設定させることを特徴とする医用画像診断装置。
【請求項２】
請求項１に記載の医用画像診断装置において、
前記システム制御装置は、前記好適な天板高さを求めるにあたり、前記天板の最も低い点と、前記天板を支持する天板支持枠の上面部との高さの差異を補正値として用いることを特徴とする医用画像診断装置。
【請求項３】
スキャナ又はガントリーと、寝台とその動作を制御する寝台制御装置と、システム制御装置とを備え、前記寝台制御装置によって被検者が前記寝台に乗り降りする寝台の天板高さを調整可能な医用画像診断装置において、
前記システム制御装置は、被検者が特定されると、病院情報システムから提供される被検者の検査室への移動情報を調べ、搬送手段によって搬送される場合には、予め記憶装置へ記憶した搬送手段のベッドの高さへ前記寝台の天板高さを調整する指令を前記寝台制御装置へ出力することを特徴とする医用画像診断装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月31日(2011.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
さらに、パッケージ表面に着用者の成長段階表示要素を含み、主及び副機能表示要素が、成長段階表示要素のその段階における着用者用の物品のとすべき機能を表示する実施の形態においては、需要者に対して、成長段階表示要素に対応する主及び副機能表示要素を認識させ、それらの機能情報を伝達することができる。このため、需要者は、それらの機能情報を的確に認識して物品を選択し購入することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
着用者の姿態１４は、生後一定月齢内の新生児が横臥し眠っている状態が、パッケージ１０の表面１１のほぼ中央域に、他の表示に関して、比較的大きく表示されている。この姿態１４と、その近傍に表示される「生まれたて仕立て」という表現の文字２８、その近傍に表示される「新生児」、「お誕生〜５ｋｇ」という表現の文字２９，３０、仰向けに寝ているポーズのキャラクター３１との少なくとも一つから、パッケージ１０で包装されるおむつが生後一定月齢内の新生児用のものであることが、需要者には容易に判る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
主及び副機能表示要素１７，１８の文字２３，２５は、比較的親しみのある口語表現例であるところ、それらと同じ又はほぼ同じ表意を有し、それらの趣旨を需要者に伝達することができるものであれば、文語表現を含む他の表現の文字であってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
主機能表示要素１７ａは、おむつのウエストギャザー部を象徴的に示す着色図要素２０ａが矢標で示されるおむつの外側斜視図２１ａと、図２１ａを囲繞する円輪郭形２２ａと、円輪郭形２２ａの上外側における「ウエストぐるっとギャザーでうんちストップ」という表現の文字２３aとを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月1日(2011.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検眼眼底に向けて光を照射するための光源と、駆動機構によって光軸方向に移動可能に配置されたフォーカス用光学部材と、被検眼眼底からの反射光を受光する受光素子と、を備え、被検眼の眼底画像を撮影するための撮影光学系と、
前記駆動機構の駆動を制御すると共に、前記受光素子から出力される受光信号に基づいて被検眼の眼底画像を取得する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記フォーカス用光学部材を移動させ、複数の位置での画像を取得し、
複数の位置で取得された画像の輝度の度数分布をそれぞれ求め、該度数分布を用いて，前記光学部材の位置に対する所定の閾値以上の度数を持つ輝度値の変化特性を求め、
該変化特性に基づいて前記フォーカス用光学部材のフォーカス位置を求め、該フォーカス位置に対応する位置にフォーカス用光学部材を移動させることを特徴とする眼科撮影装置。
【請求項２】
請求項１の眼科撮影装置において、
前記撮影光学系は、被検眼の眼底正面画像を取得するための撮影光学系であって、
前記制御手段は、前記受光素子から出力される受光信号に基づいて眼底正面画像を取得し、該正面画像を微分処理し、微分処理された前記正面画像内の輝度の度数分布を求めることを特徴とする眼科撮影装置。
【請求項３】
請求項１の眼科撮影装置において、
前記撮影光学系は、前記光源から発せられた光を前記被検眼眼底上で走査させる光スキャナーを有し、前記測定光による被検眼眼底からの反射光と参照光との干渉光を前記受光素子により受光し、被検眼の眼底断層画像を取得するための撮影光学系であって、
前記制御手段は、前記受光素子から出力される受光信号に基づいて眼底断層画像を取得し、前記断層画像内の輝度の度数分布を求めることを特徴とする眼科撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（１）
被検眼眼底に向けて光を照射するための光源と、駆動機構によって光軸方向に移動可能に配置されたフォーカス用光学部材と、被検眼眼底からの反射光を受光する受光素子と、を備え、被検眼の眼底画像を撮影するための撮影光学系と、
前記駆動機構の駆動を制御すると共に、前記受光素子から出力される受光信号に基づいて被検眼の眼底画像を取得する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
前記フォーカス用光学部材を移動させ、複数の位置での画像を取得し、
複数の位置で取得された画像の輝度の度数分布をそれぞれ求め、該度数分布を用いて，前記光学部材の位置に対する所定の閾値以上の度数を持つ輝度値の変化特性を求め、
該変化特性に基づいて前記フォーカス用光学部材のフォーカス位置を求め、該フォーカス位置に対応する位置にフォーカス用光学部材を移動させることを特徴とする。
（２）
（１）の眼科撮影装置において、
前記撮影光学系は、被検眼の眼底正面画像を取得するための撮影光学系であって、
前記制御手段は、前記受光素子から出力される受光信号に基づいて眼底正面画像を取得し、該正面画像を微分処理し、微分処理された前記正面画像内の輝度の度数分布を求めることを特徴とする。
（３）
（１）の眼科撮影装置において、
前記撮影光学系は、前記光源から発せられた光を前記被検眼眼底上で走査させる光スキャナーを有し、前記測定光による被検眼眼底からの反射光と参照光との干渉光を前記受光素子により受光し、被検眼の眼底断層画像を取得するための撮影光学系であって、
前記制御手段は、前記受光素子から出力される受光信号に基づいて眼底断層画像を取得し、前記断層画像内の輝度の度数分布を求めることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月1日(2011.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
医用画像診断装置により撮像された複数の画像データからなる画像データ群を、隣接画像データ間で画素値の変化が滑らかになるように配列し直す手段と、
配列し直した画像データ群を動画とみなし、動画とみなされた画像データ群に対して画像圧縮処理を施す手段と、を備えた医療画像システム。
【請求項２】
前記画像圧縮処理を施す手段において、動画とみなされた画像データ群が画像圧縮処理を施す画像であるか否かを判定する手段を備えた請求項１記載の医療画像システム。
【請求項３】
前記画像圧縮処理を施す手段において、動画とみなされた画像データ群の画像圧縮率を確認表示する手段を備えた請求項１記載の医療画像システム。
【請求項４】
前記画像圧縮処理を施す手段に圧縮された画像データ群を、画像データ毎に解凍する手段を備えた請求項１記載の医療画像システム。
【請求項５】
医用画像診断装置により撮像された複数の画像データからなる画像データ群を、隣接画像データ間で画素値の変化が滑らかになるように配列し直すステップと、
配列し直した画像データ群を動画とみなし、動画とみなされた画像データ群に対して画像圧縮処理を施すステップと、を有する医療画像システムの画像圧縮方法。
【請求項６】
画像圧縮の圧縮対象となる画像データ群の読込みを行うステップと、
画像データ群の情報により、画像データ群が位置座標方向の画素値の変化量に基づく条件判定を行うステップと、
前記条件判定の結果、画素値の変化量が「位置座標方向に滑らか」と判定された場合は、一連の画像郡を位置座標方向に配列し直し、画素値の変化量が「時間軸方向に滑らか」と判定された場合は、一連の画像群を時間軸方向に配列し直す処理を行うステップと、
配列し直す処理により順番を並び替えられた画像データ群を動画とみなして、動画圧縮アルゴリズムを用いて圧縮処理を行うステップと、を有する医療画像システムの画像圧縮方法。
【請求項７】
前記画像データの属性情報は、画像データ群のＤＩＣＯＭタグ情報、および検査依頼情報から、検査種別、モダリティ、検査部位、製造業者名、装置バージョン、検査部位、スライス厚、検査記述、シリーズ記述、スライス間隔、画像枚数である請求項６に記載の医療画像システムの画像圧縮方法。
【請求項８】
前記条件判定を行うステップの結果、一連の画像データ群に「連続性がない」判定された場合、静止画像向けの画像圧縮アルゴリズムを用いて、画像データの圧縮を行うステップを有する請求項６に記載の医療画像システムの画像圧縮方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】医療画像システム及びその画像圧縮方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、医療画像データの効率的な画像圧縮方法を行う医用画像システム及びその画像圧縮方法に関する。