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【手続補正書】
【提出日】平成23年5月9日(2011.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第２の電子部品が実装された回路基板に前記第２の電子部品の周辺に第１の電子部品を実装するにあたり、前記第１の電子部品を固定するための接着シートを実装予定領域に貼付する貼付装置であって、
前記接着シートを有する接着テープと、
前記接着テープを送り出して、前記接着シートを前記実装予定領域に案内する案内部材と、
前記接着シートを前記実装予定領域に加熱および加圧で貼付する貼付ツールとを備え、
前記接着テープを送り出す方向に向かって前記貼付ツールの前後両側に断熱材が取り付けられている
ことを特徴とする貼付装置。
【請求項２】
前記断熱材の下部において前記接着テープに接触する部分がＲ面取りされている
ことを特徴とする請求項１に記載の貼付装置。
【請求項３】
前記接着テープが、表面剥離ライナと、接着フィルムと、裏面剥離ライナとから構成される３層構造のテープである
ことを特徴とする請求項１または２に記載の貼付装置。
【請求項４】
前記案内部材が、前記接着テープを送り出す方向に向かって、前記貼付ツールの後方に配置された第１のローラと、前記貼付ツールの前方に配置された第２のローラとを有する
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の貼付装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の貼付装置と、
前記実装予定領域に貼付された前記接着シートの上に前記第１の電子部品を設置する設置装置と、
前記接着シートの上に設置された前記第１の電子部品を前記回路基板に圧着で固定する圧着装置とを備える
ことを特徴とする実装装置。
【請求項６】
第２の電子部品が実装された回路基板に前記第２の電子部品の周辺に第１の電子部品を実装するにあたり、前記第１の電子部品を固定するための接着シートを実装予定領域に貼付する貼付方法であって、
案内部材で、前記接着シートを有する接着テープを送り出して、前記接着シートを前記実装予定領域に案内する第１の工程と、
貼付ツールで、前記接着シートを前記実装予定領域に加熱および加圧で貼付する第２の工程とを含み、
前記貼付ツールとして、前記接着テープを送り出す方向に向かって前後両側に断熱材が取り付けられており、下部において前記接着テープに接触する部分がＲ面取りされているものを使用する
ことを特徴とする貼付方法。
【請求項７】
前記第２の工程において、前記案内部材が、前記実装予定領域の周囲上方に配置される
ことを特徴とする請求項６に記載の貼付方法。
【請求項８】
前記接着テープとして、表面剥離ライナと、接着フィルムと、裏面剥離ライナとから構成される３層構造のテープを使用し、
前記案内部材として、前記接着テープを送り出す方向に向かって、前記貼付ツールの後方に配置された第１のローラと、前記貼付ツールの前方に配置された第２のローラとを有するものを使用し、
前記第１の工程において、前記第１のローラで、前記裏面剥離ライナが捲られた前記接着テープの部分を送り出し、
前記第２の工程において、前記貼付ツールで、前記裏面剥離ライナが捲られた前記接着テープの部分に対して、前記接着シートを有する前記接着フィルムの部分を、前記表面剥離ライナの部分を介して、加熱および加圧し、
前記第２の工程の後において、前記第２のローラで、前記接着シートを有する前記接着フィルムの部分から、前記表面剥離ライナの部分を引き剥がす
ことを特徴とする請求項６または７に記載の貼付方法。
【請求項９】
請求項６から８のいずれか１項に記載の貼付方法で、前記実装予定領域に前記接着シートを貼付する貼付工程と、
前記実装予定領域に貼付された前記接着シートの上に前記第１の電子部品を設置する設置工程と、
前記接着シートの上に設置された前記第１の電子部品を前記回路基板に圧着で固定する圧着工程とを含む
ことを特徴とする実装方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】接着シートの貼付装置および貼付方法、ならびに電子部品の実装装置および実装方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電子部品を回路基板に実装する装置および方法に関し、特に、抵抗やコンデンサーなどの電子部品が表面実装技術で実装された回路基板に半導体素子などの電子部品をフリップチップ実装技術で実装する装置および方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、高密度で実装する場合のように、フリップチップ実装技術で実装される第１の電子部品と表面実装技術で実装される第２の電子部品との間に十分なクリアランスが確保され難い場合においても、接着テープに損傷を与えることなく、また接着テープを劣化させることなく、第２の電子部品が実装された回路基板に第１の電子部品を実装する装置および方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記目的を達成するために、本発明に係わる以下の装置を用いる。第２の電子部品が実装された回路基板に前記第２の電子部品の周辺に第１の電子部品を実装するにあたり、前記第１の電子部品を固定するための接着シートを実装予定領域に貼付する貼付装置であって、前記接着シートを有する接着テープと、前記接着テープを送り出して、前記接着シートを前記実装予定領域に案内する案内部材と、前記接着シートを前記実装予定領域に加熱および加圧で貼付する貼付ツールとを備え、前記接着テープを送り出す方向に向かって前記貼付ツールの前後両側に断熱材が取り付けられている貼付装置を用いる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記目的を達成するために、本発明に係わる以下の方法を用いる。第２の電子部品が実装された回路基板に前記第２の電子部品の周辺に第１の電子部品を実装するにあたり、前記第１の電子部品を固定するための接着シートを実装予定領域に貼付する貼付方法であって、案内部材で、前記接着シートを有する接着テープを送り出して、前記接着シートを前記実装予定領域に案内する第１の工程と、貼付ツールで、前記接着シートを前記実装予定領域に加熱および加圧で貼付する第２の工程とを含み、前記貼付ツールとして、前記接着テープを送り出す方向に向かって前後両側に断熱材が取り付けられており、下部において前記接着テープに接触する部分がＲ面取りされているものを使用する貼付方法を用いる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月6日(2011.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
夫々がコントロール端子およびデータ端子を有する複数のポートを備え、前記複数のポートの各々は、前記データ端子を介するデータ送受信の実行に必要なコントロール情報を、第１の動作モードでは自己のコントロール端子を介して受信し、第２の動作モードでは自己のコントロール端子と共に少なくとも一つの他のポートのコントロール端子を使用して受信することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２の動作モードでは、前記自己のコントロール端子と共に少なくとも一つの他のポートのコントロール端子を使用して受信した前記コントロール情報に関するデータ群の中から有効情報を取り込み、これらの有効情報を結合して前記コントロール情報を生成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数のポートの各々は、複数のメモリセルを有するメモリセルアレイを含み、
前記コントロール情報は、前記複数のメモリセルのうち特定のメモリセルを選択するためのアドレス信号を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記複数のポートの各々は、ロウアドレスバッファとカラムアドレスバッファとを更に含み、
前記アドレス信号は、前記ロウアドレスバッファに供給されるロウアドレスと前記カラムアドレスバッファに供給されるカラムアドレスとを含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記コントロール情報は、前記ロウアドレスバッファ及び前記カラムアドレスバッファを制御するためのコマンドを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記複数のポートを前記第１の動作モードと前記第２の動作モードのいずれかにするモード制御回路を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記複数のポートの各々は、自己のコントロール端子から前記コントロール情報をシリアルに受信するシリアル／パラレル変換器を含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記複数のシリアル／パラレル変換器の各々は、前記第１の動作モードにおいて、自己のコントロール端子を介してシリアルに受けたコントロール情報をパラレル形式に変換することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記シリアル／パラレル変換器は、前記コントロール端子にパラレルに供給されたコントロール情報に基づきパラレルな信号を生成することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１０】
マスターデバイスとこれに接続された半導体装置を含むデータ処理システムであって、前記半導体装置は、それぞれがシリアルポートを有すると共に外部から入力されるｎビットの情報に基づいて所定の動作を実行する複数の回路ユニットを備え、前記複数の回路ユニットの少なくとも一つは、自己のシリアルポートを介して前記ｎビットの情報が入力される第１の動作モードと、自己のシリアルポートと共に他の回路ユニットのシリアルポートを介して前記ｎビットの情報が入力される第２の動作モードとを備え、前記マスターデバイスが発信するモード指定情報に応じて前記第１の動作モードと前記第２の動作モードを切り替えることを特徴とするデータ処理システム。
【請求項１１】
前記半導体装置が半導体メモリであって、
前記マスターデバイスが、前記モード指定情報を発信して、前記半導体メモリのアドレス領域ごとに、前記第１の動作モードあるいは第２の動作モードを指定することを特徴とする請求項１０に記載のデータ処理システム。
【請求項１２】
シリアルポートと、このシリアルポートに供給される情報から動作制御情報を生成する入力回路とを有し、前記入力回路は、前記シリアルポートに第１の周期で現れる情報を有効情報として扱い前記動作制御情報を生成する第１の動作モードと、前記シリアルポートに前記第１の周期と異なる第２の周期で現れる情報を有効情報として扱い前記動作制御情報を生成する第２の動作モードとを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
前記入力回路に、前記シリアルポートに入力されるビット数に対応した一時記憶素子が接続され、前記第１の周期は、前記情報を内部クロックに同期して、前記一時記憶素子に順次格納し、前記一時記憶素子のすべてに前記情報が格納された次の内部クロックで、前記複数の一時記憶素子に格納されたすべての情報を有効情報として取り込む周期であり、前記第２の周期は、前記一時記憶素子のすべてに前記情報が格納された次の内部クロックで、前記複数の一時記憶素子に格納された情報のうち、少なくとも１つの情報を有効情報として取り込む周期であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
マスターデバイスと、このマスターデバイスからｎビットのコントロール情報を受けて前記マスターデバイスとの間でデータ通信を行うスレーブデバイスとを備えるデータ処理システムであって、前記スレーブデバイスは夫々が前記コントロール情報をシリアルに受けるｍ（ｍ＜ｎ）本のシリアルポートを有し、前記マスターデバイスは、前記ｎビットのコントロール情報をｍビットずつに分割すると共に、前記スレーブデバイスの前記ｍ本のシリアルポートをそれぞれ使用して前記ｎビットのコントロール情報をｎ／ｍ回に分けて前記スレーブデバイスに供給することを特徴とするデータ処理システム。
【請求項１５】
前記スレーブデバイスの前記ｍ本のシリアルポートは、前記ｍビット単位のデータ群を入力する毎に、前記ｍビット単位のデータ群の中から、少なくとも１つの有効情報をそれぞれ取り込んで共有し、前記ｎビットのコントロール情報を内部で生成することを特徴とする請求項１４に記載のデータ処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
＜第１の実施形態＞
本発明の第１実施形態に係る半導体装置が、図１に半導体メモリ１００として示されている。本メモリ１００は、夫々が互いに独立してデータのリード/ライトが実行できる４つのポート１５０−１から１５０−４を有する。本メモリ１００は、さらに、クロック端子ＣＫからのクロック信号を受けて、各ポート１５０に所望のタイミング信号を供給するクロック発生器１と、モード信号端子ＭＤからのモード信号を受けて動作モード切替信号２００を発生するモード制御回路１１０とを有する。なお、４つのポート１５０−１から１５０−４は、互いに同一の構成を有している。従って、以下では、ポート１５０−１を中心にして説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月18日(2011.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
製造されたＨＳＡの他、ＳＰＭ１０３、磁気ディスク１０１などの構成部品をベース１０２内に実装した後、内側カバー２０１をネジによってベース１０２に固定する。図３は、本形態のＨＤＤ１の筐体構造を模式的に示す断面図である。図３において、ベース１０２内の構成部品は省略されている。図３に示すように、内側カバー２０１とベース１０２との間には、フッ素ゴムなどの弾性体で形成されたリング状のガスケット２１６が配置されている。内側カバー２０１は、ステンレス、アルミニウム、真鍮などの板材で形成される。ガスケット２１６は、ベース１０２の内部空間を囲むように内側カバー２０１に設けられており、ヘリウム・ガスをベース１０２と内側カバー２０１との間の空間に仮密封できる構造となっている。図３において、スピンドル・モータ用ネジ用孔２１１ｇは、封止ラベル２３１で封止されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
外側カバー４０１の孔４１２と対向する位置において、内側カバー２０１の孔２１２が形成されている。さらに、内側カバーの孔２１２は、ベース１０２の凹部１２５に露出している部分に形成されている。外側カバーの孔４１２は、スピンドル軸方向において見たときに内側カバーの孔２１２と重なっており、内側カバーの孔２１２の外形は、外側カバーの孔４１２よりも大きい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
図６（ａ）、（ｂ）は、内側カバー１０２に形成されている孔２１３近傍の構造を示すための斜視図である。図６（ａ）において、孔２１３の近くにおいてＨＤＡ１０を切断した切断面が示されている。図６（ｂ）は、図６（ａ）において円で囲まれた部分の拡大図である。内側カバー１０２の内側には、孔２１３と重なる位置に、フィルタ２１７が固定されている。フィルタ２１７は、外部から内側カバー１０２の内部に塵埃が侵入することを防止する。典型的には、フィルタ２１７は、樹脂筐体と、筐体内部の吸湿材、そしてフィルタ部材とを有している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
上記例は、外側カバー４０１にヘリウム・ガス再注入のための孔４１２を形成する。以下において、ベース１０２にヘリウム・ガス再注入のための孔を形成する例を説明する。図８（ａ）は、ベース１０２の底面に形成されているヘリウム・ガス再注入のための孔１２７を示す平面図である。孔１２７の周囲を囲む点線は、孔１２７を塞ぐ封止ラベル１２８が貼り付けられる領域を示している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
図８（ｂ）は、孔１２７におけるベース１０２の断面図である。ベース１０２の内側には孔１２７を覆うようにフィルタ１２９が配置されている。フィルタ１２９は吸湿材２９１とフィルタ部材２９２とを有しており、フィルタ部材２９２と孔１２７との間に吸湿材２９１が存在する。より詳しくは、ベース１０２内部底面に溝２１８が形成されており、孔１２７はその溝２１８に通じている。吸湿材２９１は孔１２７及び溝２１８の露出している。孔１２７からベース内部に入ったヘリウム・ガスは、ベース１０２内部底面の溝２１８を通り、フィルタ部材２９２を介してベース１０２の内部空間へ拡散していく。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2010003356.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2010003356.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月15日(2011.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷装置に対して印刷データを送信して印刷させる情報処理装置であって、
印刷装置を指定するための複数のプリンタオブジェクトを含む画面の表示を制御する表示手段と、
複数の設定値を含む複合印刷設定に対応し、かつ、設定画面を介して名称を設定された第１プリンタオブジェクトを、追加登録する追加手段と、
前記画面の複数のプリンタオブジェクトの中から前記第１プリンタオブジェクトが選択されたことにより、当該第１プリンタオブジェクトに対応する複合印刷設定の複数の設定値での競合を解消する処理が必要ないと判定する判定手段と、
前記判定手段が前記解消する処理が必要ないと判定した場合、前記解消する処理を行なわずに、前記設定値を用いた印刷処理を実行する実行手段とを有し、
前記実行手段は、前記判定手段が、前記画面の複数のプリンタオブジェクトの中から前記追加手段により追加されたものではない第２プリンタオブジェクトが選択され、前記解消する処理が必要であると判定した場合、前記解消する処理を行なった上で印刷処理を実行することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記判定手段は、前記画面の複数のプリンタオブジェクトの中から前記第１プリンタオブジェクトが選択され、かつ、アプリケーション又はユーザにより、前記第１プリンタオブジェクトに対応する前記複合設定の設定値の変更がなされていない場合に、前記解消する処理が必要ないと判定することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記判定手段は、前記画面の複数のプリンタオブジェクトの中から前記第１プリンタオブジェクトが選択され、かつ、印刷装置の構成の変更が検出されていない場合に、前記解消する処理が必要ないと判定し、
前記実行手段は、前記判定手段が、前記画面の複数のプリンタオブジェクトの中から前記第１プリンタオブジェクトが選択され、かつ、印刷装置の構成の変更が検出され、前記解消する処理が必要であると判定した場合、前記解消する処理を行なった上で印刷処理を実行することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記画面の複数のプリンタオブジェクトの中から前記第１プリンタオブジェクトが選択された場合に、情報処理装置の設定画面からの印刷設定の変更を禁止する禁止手段をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記複合設定に含まれる設定値はＸＭＬにより定義され、
ＸＭＬにて記述された複数の設定値間での競合を解消する処理の時間を削減するために、前記追加手段による複合印刷設定に対応した第１プリンタオブジェクトの追加登録が行われることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項６】
印刷装置に対して印刷データを送信して印刷させる情報処理装置における情報処理方法であって、
印刷装置を指定するための複数のプリンタオブジェクトを含む画面の表示を制御する表示工程と、
複数の設定値を含む複合印刷設定に対応し、かつ、設定画面を介して名称を設定された第１プリンタオブジェクトを、追加登録する追加工程と、
前記画面の複数のプリンタオブジェクトの中から前記第１プリンタオブジェクトが選択されたことにより、当該第１プリンタオブジェクトに対応する複合印刷設定の複数の設定値での競合を解消する処理が必要ないと判定する判定工程と、
前記判定工程で前記解消する処理が必要ないと判定された場合、前記解消する処理を行なわずに、前記設定値を用いた印刷処理を実行する実行工程とを有し、
前記実行工程では、前記画面の複数のプリンタオブジェクトの中から前記追加工程で追加されたものではない第２プリンタオブジェクトが選択され、前記判定工程で前記解消する処理が必要であると判定された場合、前記解消する処理を行なった上で印刷処理を実行されることを特徴とする情報処理方法。
【請求項７】
前記判定工程では、前記画面の複数のプリンタオブジェクトの中から前記第１プリンタオブジェクトが選択され、かつ、アプリケーション又はユーザにより、前記第１プリンタオブジェクトに対応する前記複合設定の設定値の変更がなされていない場合に、前記解消する処理が必要ないと判定されることを特徴とする請求項６に記載の情報処理方法。
【請求項８】
前記判定工程では、前記画面の複数のプリンタオブジェクトの中から前記第１プリンタオブジェクトが選択され、かつ、印刷装置の構成の変更が検出されていない場合に、前記解消する処理が必要ないと判定されることを特徴とする請求項６に記載の情報処理方法。
【請求項９】
前記画面の複数のプリンタオブジェクトの中から前記第１プリンタオブジェクトが選択された場合に、情報処理装置の設定画面からの印刷設定の変更を禁止する禁止工程をさらに有することを特徴とする請求項６に記載の情報処理方法。
【請求項１０】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の手段としてコンピュータを機能させるための制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上述の課題を解決するために、本発明は、印刷装置に対して印刷データを送信して印刷させる情報処理装置であって、印刷装置を指定するための複数のプリンタオブジェクトを含む画面の表示を制御する表示手段と、複数の設定値を含む複合印刷設定に対応し、かつ、設定画面を介して名称を設定された第１プリンタオブジェクトを、追加登録する追加手段と、前記画面の複数のプリンタオブジェクトの中から前記第１プリンタオブジェクトが選択されたことにより、当該第１プリンタオブジェクトに対応する複合印刷設定の複数の設定値での競合を解消する処理が必要ないと判定する判定手段と、前記判定手段が前記解消する処理が必要ないと判定した場合、前記解消する処理を行なわずに、前記設定値を用いた印刷処理を実行する実行手段とを有し、前記実行手段は、前記判定手段が、前記画面の複数のプリンタオブジェクトの中から前記追加手段により追加されたものではない第２プリンタオブジェクトが選択され、前記解消する処理が必要であると判定した場合、前記解消する処理を行なった上で印刷処理を実行することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月6日(2011.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部装置から画像データと前記画像データを解析して得られた撮影情報を入力する入力手段と、
前記入力手段で入力された撮影情報に基づき、前記画像データから特定領域の検出に用いるテンプレートの角度またはサイズを定める設定手段と、
前記画像データと、前記設定手段で設定された角度またはサイズを有するテンプレートとの比較処理を行うことで、特定領域の検出を行う検出手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記撮影情報は前記画像データを解析して得られた顔検出情報であり、前記特定領域は顔領域であることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記顔検出情報は、顔の向きまたは顔のサイズであることを特徴とする請求項２記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記設定手段において、前記撮影情報に基づき、前記特定領域の検出に用いるテンプレートの角度それぞれに対して重要度を設定し、
前記検出手段において、前記重要度に基づき特定領域を検出するための閾値を前記テンプレートの角度毎に設定し、前記画像データに含まれる特定領域と前記特定領域の角度に対応したテンプレートとの比較処理を行い、前記比較処理の一致度と前記設定された閾値とを比較した結果に応じて、前記特定領域を検出すること特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記重要度が第１の所定値よりも大きい場合、前記閾値は第２の所定値よりも小さく設定され、前記重要度が第１の所定値よりも小さい場合、前記閾値は第２の所定値よりも大きく設定されることを特徴とする請求項４記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記比較処理の一致度が前記閾値よりも大きい場合、前記特定領域が検出されることを特徴とする請求項４または請求項５記載の画像処理装置。
【請求項７】
外部装置から画像データと前記画像データを解析して得られた撮影情報を入力する入力ステップと、
前記入力ステップで入力された撮影情報に基づき、前記画像データから特定領域の検出に用いるテンプレートの角度またはサイズを定める設定ステップと、
前記画像データと、前記設定手段で設定された角度またはサイズを有するテンプレートとの比較処理を行うことで、特定領域の検出を行う検出ステップとを有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項８】
前記撮影情報は前記画像データを解析して得られた顔検出情報であり、前記特定領域は顔領域であることを特徴とする請求項７に記載の画像処理方法。
【請求項９】
コンピュータを請求項１乃至６のいずれか一項に記載された画像処理装置として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月20日(2011.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿データを保存する保存手段と、
前記保存手段にて保存された前記原稿データを他の装置へ送信する際、該送信を指示するユーザが前記原稿データのオーナーか判断する判断手段と、
前記判断手段による判断の結果、前記ユーザが前記原稿データのオーナーの場合は、前記他の装置で編集可能なデータとして前記原稿データを送信し、
前記ユーザが前記原稿のオーナーでない場合は、前記他の装置で編集不可能なデータとして前記原稿データを送信する送信手段
を有することを特徴とする装置。
【請求項２】
前記送信手段は、前記ユーザが前記原稿データのオーナーではない場合は、前記原稿データを前記他の装置で編集可能なデータから編集不可能なデータへ変換してから前記原稿データを前記他の装置へ送信することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
認証データを有する原稿データと地紋データとから構成される文書データを記憶領域に保存する保存手段と、
前記保存手段により保存された前記文書データを他の装置へ送信する際、該送信を指示するユーザの権限と前記認証データを確認する権限確認手段と、
を備え、
前記権限確認手段による確認の結果、
前記ユーザの権限が文書オーナーの際は
前記文書データを、ビットマップ化する前であり、前記文書データが、前記他の装置にて編集可能なデータ形式のファイルで前記他の装置へ送信し、
前記ユーザの権限が文書管理閲覧者の際は
前記地紋データと前記原稿データを、前記他の装置にて前記地紋データに対して編集不可能なイメージデータ形式のファイルで前記他の装置へ送信する送信手段を有することを特徴とする装置。
【請求項４】
前記地紋データと前記原稿データを、前記他の装置にて地紋データに対して編集不可能なイメージデータ形式のファイルで前記他の装置へ送信するとは、前記地紋データと前記原稿データをビットマップ形式のデータで前記他の装置へ送信することを示す請求項３に記載の装置。
【請求項５】
原稿データを保存する保存ステップと、
前記保存ステップで保存した前記原稿データを他の装置へ送信する際、該送信を指示するユーザが前記原稿データのオーナーか判断する判断ステップと、
前記判断ステップによる判断の結果、前記ユーザが前記原稿データのオーナーの場合は、前記他の装置で編集可能なデータとして前記原稿データを送信し、
前記ユーザが前記原稿のオーナーでない場合は、前記他の装置で編集不可能なデータとして前記原稿データを送信する送信ステップとを有することを特徴とする装置の制御方法。
【請求項６】
前記送信ステップは、前記ユーザが前記原稿データのオーナーではない場合は、前記原稿データを前記他の装置で編集可能なデータから編集不可能なデータへ変換してから前記原稿データを前記他の装置へ送信することを特徴とする請求項５に記載の装置の制御方法。
【請求項７】
認証データを有する原稿データと地紋データとから構成される文書データを記憶領域に保存する保存ステップと、
前記保存ステップにより保存された前記文書データを他の装置へ送信する際、該送信を指示するユーザの権限と前記認証データを確認する権限確認ステップとを備え、
前記権限確認ステップによる確認の結果、
前記ユーザの権限が文書オーナーの際は
前記文書データを、ビットマップ化する前であり、前記文書データが、前記他の装置にて編集可能なデータ形式のファイルで前記他の装置へ送信し、
前記ユーザの権限が文書管理閲覧者の際は
前記地紋データと前記原稿データを、前記他の装置にて前記地紋データに対して編集不可能なイメージデータ形式のファイルで前記他の装置へ送信する送信手段を有することを特徴とする装置の制御方法。
【請求項８】
前記地紋データと前記原稿データを、前記他の装置にて地紋データに対して編集不可能なイメージデータ形式のファイルで前記他の装置へ送信するとは、前記地紋データと前記原稿データをビットマップ形式のデータで前記他の装置へ送信することを示す請求項７に記載の装置の制御方法。
【請求項９】
請求項５又は７に記載の装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを格納したコンピュータ読取可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
前記課題を解決するため、本発明における装置は、原稿データを保存する保存手段と、
前記保存手段にて保存された前記原稿データを他の装置へ送信する際、該送信を指示するユーザが前記原稿データのオーナーか判断する判断手段と、前記判断手段による判断の結果、前記ユーザが前記原稿データのオーナーの場合は、前記他の装置で編集可能なデータとして前記原稿データを送信し、前記ユーザが前記原稿のオーナーでない場合は、前記他の装置で編集不可能なデータとして前記原稿データを送信する送信手段を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、前記課題を解決するため、本発明における装置は、認証データを有する原稿データと地紋データとから構成される文書データを記憶領域に保存する保存手段と、前記保存手段により保存された前記文書データを他の装置へ送信する際、該送信を指示するユーザの権限と前記認証データを確認する権限確認手段とを備え、前記権限確認手段による確認の結果、前記ユーザの権限が文書オーナーの際は前記文書データを、ビットマップ化する前であり、前記文書データが、前記情報処理装置にて編集可能なデータ形式のファイルで前記他の処理装置へ送信し、前記ユーザの権限が文書管理閲覧者の際は前記地紋データと前記原稿データを、前記他の装置にて前記地紋データに対して編集不可能なイメージデータ形式のファイルで前記他の装置へ送信する送信手段を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月10日(2011.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
而して、半導体ウエハは、例えば図６の（ａ）〜（ｃ）に示すようにプローブカードの複数のプローブと電気的に接触して電気的特性検査が行われる。即ち、まず図６の（ａ）に示すように、載置台１上に載置された半導体ウエハＷがプローブカード２の真下に到達し、この位置で載置台１が上昇して半導体ウエハＷの複数の電極パッド（図示せず）がこれらに対応する複数のプローブ２Ａと同図の（ｂ）に示すように接触する。載置台１が同図の（ｂ）に示す位置から同図の（ｃ）に示すようにオーバードライブして半導体ウエハＷが複数のプローブ２Ａと所定の荷重で接触すると、半導体ウエハＷの複数の電極パッドと複数のプローブ２Ａが電気的に接触する。この時、テスタは、複数のプローブ２Ａを介して半導体ウエハＷの複数の電極パッドとの間で信号の送受信を行って複数のデバイスの電気的特性検査を順次行う。プローブカード２は、図６の（ａ）〜（ｃ）に示すように、半導体ウエハＷの全ての電極パッドと一括して接触し、この状態で例えば全てのデバイスを所定の数ずつ複数回に分けて検査を行う。尚、図６の（ａ）〜（ｃ）において、３はプローブカード２を水平に支持するヘッドプレートである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
次に、図３を参照しながら本実施形態のプローブ装置１０の動作について説明する。制御装置１５の制御下でプローブ装置１０が作動し、載置台１１のチャックトップ１１Ｂの載置部１１Ｃに半導体ウエハＷを載置すると、チャックトップ１１Ｂの載置部１１Ｃは半導体ウエハＷを吸着固定する。次いで、アライメント機構が駆動して載置台１１上の半導体ウエハＷの電極パッドとプローブカード１３の複数のプローブ１３Ａのアライメントを行う。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
以上説明したように本実施形態によれば、載置台１１は、載置台本体１１Ａと、載置台本体１１Ａ上に載置台本体１１Ａから分離自在に配置されたチャックトップ１１Ｂと、を有し、チャックトップ１１Ｂに半導体ウエハＷの載置部１１Ｃを囲む複数のシリンダ機構１６を設けると共にヘッドプレート１４にヘッドプレート１４と複数のシリンダ機構１６を解除可能に連結する連結機構１７を設けてあり、制御装置１５は、半導体ウエハＷと複数のプローブ１３Ａが接触する時に複数のシリンダ機構１６及び連結機構１７を駆動させてヘッドプレート１４と複数のシリンダ機構１６を連結した後、複数のシリンダ機構１６を駆動させてチャックトップ１１Ｂを載置台本体１１Ａからオーバードライブ量に即した距離だけ浮上させて半導体ウエハＷと複数のプローブ１３Ａを本来必要とされる所定の荷重で電気的に接触させるようにしたため、プローブカード１３の逃げを防止あるいは抑制し、半導体ウエハＷの所定のオーバードライブ量を確実に確保し、半導体ウエハＷの複数の電極パッドとプローブカード１３の複数のプローブ１３Ａとの間に本来必要とされる荷重で電気的に接触させて信頼性の高い検査を行うことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
第２の実施形態
本実施形態のプローブ装置１０Ａは、例えば図５の（ａ）〜（ｃ）に示すように載置台１１が第１の実施形態と異なること以外は、第１の実施形態に準じて構成されている。従って、以下では本実施形態においても第１の実施形態と同一または相当部分には同一符号を付して本実施形態について説明する。尚、図５の（ａ）〜（ｃ）は図３の（ａ）〜（ｃ）に相当する図面である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
次に、本実施形態のプローブ装置１０Ａの動作について図５の（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。図５の（ａ）に示すように半導体ウエハＷと複数のプローブ１３Ａのアライメント後に、載置台１１が移動してプローブカード１３の真下に到達すると、載置台１１が所定の距離だけ上昇し、半導体ウエハＷと複数のプローブ１３Ａが図５の（ｂ）に示すように一括して接触する。この時点で載置台１１のオーバードライブ量は０である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
以上説明したように本実施形態によれば、載置台１１の上面に半導体ウエハＷの載置部１１Ｃを囲む複数のシリンダ機構１６を設けると共にヘッドプレート１４にヘッドプレート１４と複数のシリンダ機構１６を連結する連結機構を設けてあり、制御装置は１５、半導体ウエハＷと複数のプローブ１３Ａが接触する時に複数のシリンダ機構１６及び連結機構が駆動し、ヘッドプレート１４と複数のシリンダ機構１６を連結した後、複数のシリンダ機構１６が駆動してヘッドプレート１４を載置台１１側へ引き寄せて半導体ウエハＷの複数の電極パッドと複数のプローブ１３Ａを所定の荷重で電気的に接触させるようにしたため、ヘッドプレート１４が上方へ変形してプローブカード１３が上方へ逃げるのを防止して、本来必要とされるオーバードライブ量を確保し、半導体ウエハＷの複数の電極パッドと複数のプローブ１３Ａ間に所定の荷重を付与し、これら両者が電気的に確実に接続され、信頼性の高い検査を行うことができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2010003929.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月6日(2011.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
このようにして、パルス光Ｌ１の発生タイミングに対するパルス光Ｌ２の切り出しタイミングを相対的に調整することで、光源光Ｌ３のスペクトル幅を変えることができ、しかも、光源光Ｌ３のスペクトル幅を非常に狭い幅から非常に広い幅まで調整することができることが、実験的に確認された。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月15日(2011.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不純物を含有するシリコン単結晶の基板と、前記基板の直上に形成され、前記基板よりも不純物濃度の低い第１の層と、前記第１の層よりも上方に形成される第２の層とを有し、前記基板と前記第１の層との界面近傍から上方へ向かって抵抗率が急峻に変化する遷移領域を有するエピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記基板の直上に、前記基板よりも不純物濃度が低い第１の層を気相成長させる第１成長工程であって、強制的に排気を行って常圧以下の第１圧力の下で前記第１の層を気相成長させることにより、前記常圧で前記第１の層を気相成長させた場合よりも、前記第２の層の表面近傍の抵抗率に対する前記遷移領域の上方近傍の所定位置における第２抵抗率の割合を、より大きい値にする前記第１成長工程と、
前記第１の層よりも上に前記第２の層を、前記第１圧力より高い第２圧力の下で気相成長させる第２成長工程と
を有するエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記第２の層は、前記第１の層よりも不純物濃度が高い
請求項１記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記第１成長工程の前に、前記基板を所定温度に昇温する昇温工程を更に有し、
前記昇温工程において、強制的に排気を行って前記第１圧力の下で前記基板を昇温させる
請求項１又は請求項２に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記第１の層は、ノンドープ層である
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記第１の層及び前記第２の層との間に少なくとも１以上の第３の層を気相成長させる第３成長工程を有し、
少なくとも１以上の第３の層の気相成長を、強制的に排気を行って前記第１圧力の下で実行する
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項６】
前記第１圧力の下での気相成長させる総時間を所定時間以内とする、又は、前記第１圧力の下で気相成長させる層の厚さを所定厚さ以下とする
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項７】
基板と、前記基板の直上に形成され、前記基板よりも不純物濃度の低い第１の層と、前記第１の層よりも上方に形成される第２の層とを有し、
前記基板と前記第１の層との界面近傍から上方へ向かって抵抗率が急峻に変化する遷移領域を有するエピタキシャルウェーハであって、
前記エピタキシャルウェーハの平面上複数個所における、第２の層の表面近傍の第１抵抗率に対する、前記遷移領域から上方へ略５μｍにおける第２抵抗率の割合についての平均が８０パーセント以上であるエピタキシャルウェーハ。
【請求項８】
基板と、前記基板の直上に形成され、前記基板よりも不純物濃度が低い第１の層と、前記第１の層よりも上方に形成される第２の層とを有し、
前記基板と前記第１の層との界面近傍から上方へ向かって抵抗率が急峻に変化する遷移領域を有するエピタキシャルウェーハであって、
前記エピタキシャルウェーハの平面上複数個所における、第２の層の表面近傍の第１抵抗率に対する、前記遷移領域から上方へ略５μｍにおける第２抵抗率の割合の最小値が７０パーセント以上であり、且つ、前記割合の最大値が９０パーセント以上であるエピタキシャルウェーハ。
【請求項９】
基板と、前記基板の直上に形成され、前記基板よりも不純物濃度の低い第１の層と、前記第１の層よりも上方に形成される第２の層とを有し、
前記基板と前記第１の層との界面近傍から上方へ向かって抵抗率が急峻に変化する遷移領域を有するエピタキシャルウェーハであって、
前記第２の層の表面近傍の抵抗率は、前記基板の抵抗率より３桁以上高く、前記基板上の層の合計の層厚は、１０μｍを超えており、
前記基板と第１の層の界面から上方へ１０μｍの位置における抵抗率が、前記第２の層の表面近傍の抵抗率が２０Ωｃｍ以上である場合には、前記第２の層の表面近傍の抵抗率の５０パーセント以上であり、前記第２の層の表面近傍の抵抗率が１５〜２０Ωｃｍの場合には、前記第２の層の表面近傍の抵抗率の６０パーセント以上であるエピタキシャルウェーハ。
【請求項１０】
基板と、前記基板の直上に形成され、前記基板よりも不純物濃度が低い第１の層と、前記第１の層よりも上方に形成される第２の層とを有し、
前記基板と前記第１の層との界面近傍から上方へ向かって抵抗率が急峻に変化する遷移領域を有するエピタキシャルウェーハであって、
前記第２の層の表面近傍の抵抗率は、前記基板の抵抗率より３桁以上高く、
前記基板と前記第１の層の界面から、前記基板上の層の合計の層厚の略１６．７パーセントの厚さだけ上方の位置における抵抗率が、前記第２の層の表面近傍の抵抗率が２０Ωｃｍ以上である場合には、前記第２の層の表面近傍の抵抗率の５０パーセント以上であり、前記第２の層の表面近傍の抵抗率が１５〜２０Ωｃｍの場合には、前記第２の層の表面近傍の抵抗率の６０パーセント以上であるエピタキシャルウェーハ。
【請求項１１】
基板と、前記基板の直上に形成され、前記基板よりも不純物濃度が低い第１の層と、前記第１の層よりも上方に形成される第２の層とを有し、
前記基板と前記第１の層との界面近傍から上方へ向かって抵抗率が急峻に変化する遷移領域を有するエピタキシャルウェーハであって、
前記第２の層の表面近傍の抵抗率は、前記基板の抵抗率より３桁以上高く、前記基板上の層の合計の層厚は、１０μｍを超えており、
前記第２の層の表面近傍の抵抗率が１０Ωｃｍ以上であり、前記基板と前記第１の層との界面から１０μｍにおける前記第２の層の抵抗率が、前記第２の層の表面近傍の抵抗率×０．１６７＋６．１６（Ωｃｍ）より大きいエピタキシャルウェーハ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月14日(2011.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、半導体素子に接続する正負一対の導体配線とから構成され、前記導体配線が前記絶縁性基板に配置された鍍金配線への電解鍍金によって設けられた支持体を備えた半導体装置であって、
前記鍍金配線は、前記絶縁性基板の二つの側面が隣接されてなる第一の角部に配置された第一の鍍金配線と、前記絶縁性基板の側面と背面とが隣接されてなる第二の角部に配置された第二の鍍金配線と、前記絶縁性基板の上面に配置された第三の鍍金配線と、を有しており、
前記第一の鍍金配線および第二の鍍金配線は、前記第三の鍍金配線と電気的に接続されており、前記第一乃至第三の鍍金配線が正負一対の鍍金配線として前記絶縁性基板に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第一の鍍金配線あるいは前記第二の鍍金配線のうち何れか一方が、前記絶縁性基板の上面と向かい合う背面から間隔を空けて設けられており、他方が前記第一の角部あるいは前記第二の角部から前記絶縁性基板の背面まで延長されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第一の鍍金配線が前記絶縁性基板の上面から間隔を空けて設けられている請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第一の鍍金配線および前記第二の鍍金配線は、それぞれ前記第一の角部および前記第二の角部から前記絶縁性基板の背面まで延長されている請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月17日(2011.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数種類のジョブを実行可能な画像処理装置であって、
前記画像処理装置がジョブを実行するためのプログラムを実行するプログラム実行手段と、
前記プログラム実行手段がプログラムを実行するために用いられる記憶領域を第１記憶装置中に確保するメモリ管理手段と、
前記メモリ管理手段が前記第１記憶装置中に確保した記憶領域に記憶された情報を、第２記憶装置へ退避する退避手段と、
ジョブを実行する毎にジョブの実行に関する履歴を記録する履歴記録手段と、
前記履歴記録手段に記録されたジョブの履歴に基づいて、特定の種類のジョブの実行のために前記メモリ管理手段が前記第１記憶装置に確保した記憶領域に記憶された情報を、前記第２記憶装置へ退避しないようにする退避制限手段と、を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記プログラム実行手段は複数のプログラムを実行可能であり、
前記メモリ管理手段は前記プログラム実行手段が実行する複数のプログラムの各々に対応して前記第１記憶装置中に複数の記憶領域を確保し、
前記退避制限手段は前記複数の記憶領域のうち、前記特定された機能に関するジョブを実行するために確保した記憶領域に記憶された情報を、前記第２記憶装置へ退避しないようにすることを特徴とする、請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記複数種類の機能の各々に対して機能に関するジョブを実行するために前記プログラム実行手段が実行するプログラムを対応付けた情報である対応付け情報を記憶する対応付け情報記憶手段を更に備え、
前記退避制限手段は、前記対応付け情報記憶手段を参照して、前記履歴記録手段に記録されたジョブ履歴から得られるジョブの実行頻度に基づいて特定された種類の機能に対応付けられたプログラムの実行のために確保された前記第１記憶装置中の記憶領域に記憶された情報を、前記第２記憶装置へ退避しないようにすることを特徴とする、請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記履歴記録手段が記録したジョブの履歴と、前記対応付け情報記憶手段が記憶する対応付け情報とに基づいてプログラムの実行頻度を示すプログラム実行頻度情報を生成するプログラム頻度情報生成手段を更に備え、
前記退避制限手段は、前記プログラム実行頻度情報に基づいて特定されたプログラムのために確保された前記第１記憶装置中の記憶領域に記憶された情報を、前記第２記憶装置へ退避しないようにすることを特徴とする、請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記プログラム頻度情報生成手段は、予め定められたタイミングで前記プログラム実行頻度情報を更新することを特徴とする、請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記画像処理装置にログインするユーザを認証するユーザ認証手段を更に備え、
前記履歴記録手段はジョブの実行に関する履歴として前記ユーザ認証手段が認証しジョブの実行を指示したユーザを特定する情報を記録し、
前記プログラム頻度情報生成手段は、ユーザ認証手段がユーザを認証するごとに認証されたユーザに関するジョブの履歴と前記対応付け情報とに基づいて前記プログラム実行頻度情報を更新することを特徴とする、請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記第１記憶装置は主記憶装置であり、前記第２記憶装置は二次記憶装置であることを特徴とする、請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
複数種類のジョブを実行可能であり、ジョブを実行するためのプログラムを実行可能なプログラム実行手段を備える画像処理装置のメモリ管理方法であって、
前記プログラム実行手段がプログラムを実行するために用いられる記憶領域を第１記憶装置中に確保するメモリ管理工程と、
前記メモリ管理工程において前記第１記憶装置中に確保された記憶領域に記憶された情報を、第２記憶装置へ退避する退避工程と、
ジョブを実行する毎にジョブの実行に関する履歴を記録する履歴記録工程と、
前記履歴記録工程で記録されたジョブの履歴に基づいて、特定の種類のジョブの実行のために前記メモリ管理工程で前記主記憶装置に確保された記憶領域に記憶された情報を、前記第２記憶装置へ退避しないようにする退避制限工程と、を備えることを特徴とする画像処理装置のメモリ管理。
【請求項９】
複数種類のジョブを実行可能であり、ジョブを実行するためのプログラムを実行可能なプログラム実行手段を備える画像処理装置にメモリ管理方法を実行させるための制御プログラムであって、前記メモリ管理方法は、
前記プログラム実行手段がプログラムを実行するために用いられる記憶領域を第１記憶装置中に確保するメモリ管理工程と、
前記メモリ管理工程において前記第１記憶装置中に確保された記憶領域に記憶された情報を、第２記憶装置へ退避する退避工程と、
ジョブを実行する毎にジョブの実行に関する履歴を記録する履歴記録工程と、
前記履歴記録工程で記録されたジョブの履歴に基づいて、特定の種類のジョブの実行のために前記メモリ管理工程で前記第１記憶装置に確保された記憶領域に記憶された情報を、前記第２記憶装置へ退避しないようにする退避制限工程と、を備えることを特徴とする制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上述の課題を解決するために、本発明の画像処理装置は、複数種類のジョブを実行可能な画像処理装置であって、前記画像処理装置がジョブを実行するためのプログラムを実行するプログラム実行手段と、前記プログラム実行手段がプログラムを実行するために用いられる記憶領域を第１記憶装置中に確保するメモリ管理手段と、前記メモリ管理手段が前記第１記憶装置中に確保した記憶領域に記憶された情報を、第２記憶装置へ退避する退避手段と、ジョブを実行する毎にジョブの実行に関する履歴を記録する履歴記録手段と、前記履歴記録手段に記録されたジョブの履歴に基づいて、特定の種類のジョブの実行のために前記メモリ管理手段が前記第１記憶装置に確保した記憶領域に記憶された情報を、前記第２記憶装置へ退避しないようにする退避制限手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明のメモリ管理方法は、複数種類のジョブを実行可能であり、ジョブを実行するためのプログラムを実行可能なプログラム実行手段を備える画像処理装置のメモリ管理方法であって、前記プログラム実行手段がプログラムを実行するために用いられる記憶領域を第１記憶装置中に確保するメモリ管理工程と、前記メモリ管理工程において前記第１記憶装置中に確保された記憶領域に記憶された情報を、第２記憶装置へ退避する退避工程と、ジョブを実行する毎にジョブの実行に関する履歴を記録する履歴記録工程と、前記履歴記録工程で記録されたジョブの履歴に基づいて、特定の種類のジョブの実行のために前記メモリ管理工程で前記主記憶装置に確保された記憶領域に記憶された情報を、前記第２記憶装置へ退避しないようにする退避制限工程と、を備えることを特徴とする。