【手続補正書】
【提出日】平成21年10月2日(2009.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄液が洗浄されるべき構造物に接触し洗浄液から洗浄排出物が生成される洗浄プロセスのエンドポイントを決定するように構成され、モニタリングシグナルを受信するために配置された中央集積処理装置に伝送するためモニタリングシグナルを発生させ、かつエンドポイントに到達したことを示す、モニタリングシグナルの変化に応答して、洗浄プロセスを終了させるためアウトプットを生成するよう構成されたエンドポイントモニタであって、
（ａ）上記洗浄排出物に浸漬するように構成された定温プローブと、
上記定温プローブに応答可能に接続され、かつ予め決定された温度レベルに上記定温プローブを維持するために必要な量で上記定温プローブに電力を可変可能に供給するように構成された電源であって上記洗浄排出物内の上記定温プローブに供給された可変可能な電力を示すモニタリングシグナルを提供する電源、若しくは
（ｂ）上記洗浄排出物に浸漬され、放射エネルギを放出するように上記洗浄排出物により熱的に活性化されるように構成された放射エネルギ放出ターゲットと、
上記ターゲットから放出された放射エネルギを透過するように構成されたウィンドウと、
上記ウィンドウを介して透過した放出された放射エネルギを受信するように構成された放射エネルギモニタであって、上記ターゲットによって放出された放射エネルギを示すモニタリングシグナルを提供する放射エネルギモニタ
の少なくとも一方を備えるエンドポイントモニタ。
【請求項２】
上記洗浄排出物に浸漬するように構成された定温プローブと、
上記定温プローブに応答可能に接続され、かつ予め決定された温度レベルに上記定温プローブを維持するために必要な量で上記定温プローブに電力を可変可能に供給するように構成された電源であって上記洗浄排出物内の上記定温プローブに供給された可変可能な電力を示すモニタリングシグナルを提供する電源と、を備える請求項１記載のエンドポイントモニタ。
【請求項３】
上記洗浄排出物に浸漬され、放射エネルギを放出するように上記洗浄排出物により熱的に活性化されるように構成された放射エネルギ放出ターゲットと、
上記ターゲットから放出された放射エネルギを透過するように構成されたウィンドウと、
上記ウィンドウを介して透過された放出された放射エネルギを受信するように構成された放射エネルギモニタであって、上記ターゲットによって放出された放射エネルギを示すモニタリングシグナルを提供する放射エネルギモニタと、を備える請求項１記載のエンドポイントモニタ。
【請求項４】
上記放射エネルギモニタが、２５℃〜２００℃の動作温度範囲を有する赤外線パイロメータを備える請求項３記載のエンドポイントモニタ。
【請求項５】
上記ウィンドウが、サファイア、ＩＩ族金属フルオライド、バリウムフルオライド、カルシウムフルオライド、及びマグネシウムフルオライドからなる群から選択される材料からなる請求項３記載のエンドポイントモニタ。
【請求項６】
上記ターゲットが、金属、ポリマ材料、及び合金並びにその複合物、混合物からなる群から選択される材料からなる請求項３記載のエンドポイントモニタ。
【請求項７】
上記モニタリングシグナルを受信するように構成され、かつ上記エンドポイントに到達したことを示すモニタリングシグナルの変化に応答して、上記洗浄プロセスを終了させるアウトプットを発生させるように構成された中央集積処理装置に応答可能に接続された請求項１記載のエンドポイントモニタ。
【請求項８】
フロー制御バルブを閉じるため、上記中央集積処理装置が、上記洗浄液を洗浄プロセスに送り出すフロー制御バルブのアクチュエータに上記アウトプットを伝送するように応答可能に構成された請求項７記載のエンドポイントモニタ。
【請求項９】
半導体製造装置に配置される請求項１記載のエンドポイントモニタ。
【請求項１０】
上記洗浄液が、プラズマ発生洗浄化学種を含む請求項９記載のエンドポイントモニタ。
【請求項１１】
上記洗浄液が、フルオロ化学種を含む請求項９記載のエンドポイントモニタ。
【請求項１２】
洗浄されるべき構造物が、半導体製造プロセス装置を含む請求項９記載のエンドポイントモニタ。
【請求項１３】
洗浄されるべき構造物が、エンクロージャを含む請求項１記載のエンドポイントモニタ。
【請求項１４】
上記半導体製造プロセス装置が、物理的気相成長法、スパッタリング、電解析出、化学気相成長法、イオン注入、プラズマ析出からなる群から選択される少なくとも１種の析出プロセスを実行するように構成された析出チャンバを備える請求項９記載のエンドポイントモニタ。
【請求項１５】
上記析出チャンバが、半導体製品の析出プロセスのためのプロセスガス源に接続され、
上記析出チャンバが、上記洗浄プロセスのための洗浄液源と接続された請求項１４記載のエンドポイントモニタ。
【請求項１６】
上記中央集積処理装置が、上記析出プロセス及び洗浄プロセスを交互に実行するサイクルを行うように構成された請求項１５記載のエンドポイントモニタ。
【請求項１７】
洗浄されるべき構造物に洗浄液を接触させる工程と、
上記構造物の洗浄の程度に対応するセンシブルヒートカロリメトリックエネルギ特性を有する洗浄排出物を生成する工程と、
上記洗浄排出物の上記センシブルヒートカロリメトリックエネルギ特性を示すレスポンスを発生させるため上記洗浄排出物に上記洗浄排出物と相互作用する目的物を浸漬させる工程と、
当該洗浄が完了した時点を決定するため上記レスポンスをモニタリングする工程と、
を備える洗浄プロセス。
【請求項１８】
上記レスポンスに、上記目的物の放射率が含まれる請求項１７記載の洗浄プロセス。
【請求項１９】
上記目的物が、ある予め決定された温度レベルを維持するために必要な量で、電源から電力を引き出すように構成される定温プローブを備え、
上記レスポンスに、上記電源から取り出される電力の変化が含まれる請求項１７記載の洗浄プロセス。
【請求項２０】
上記洗浄が完了したことを決定した際、上記接触を終了させる工程をさらに備える請求項１７記載の洗浄プロセス。
【請求項２１】
上記接触を、洗浄液源から上記構造物に上記洗浄液を導くことを終了させることにより終了させる請求項２０記載の洗浄プロセス。
【請求項２２】
上記洗浄液が、プラズマ発生洗浄化学種を含む請求項１７記載の洗浄プロセス。
【請求項２３】
上記プラズマ発生洗浄化学種が、三フッ化窒素から発生する請求項２２記載の洗浄プロセス。
【請求項２４】
上記洗浄液が、フルオロ化学種を含む請求項１７記載の洗浄プロセス。
【請求項２５】
洗浄されるべき構造物が、エンクロージャを含む請求項１７記載の洗浄プロセス。
【請求項２６】
洗浄されるべき構造物が、半導体製造プロセス装置を含む請求項１７記載の洗浄プロセス。
【請求項２７】
上記半導体製造プロセス装置が、物理的気相成長法、スパッタリング、電解析出、化学気相成長法、イオン注入、プラズマ析出からなる群から選択される少なくとも１種の析出プロセスを実行するように構成された析出チャンバを備える請求項２６記載の洗浄プロセス。
【請求項２８】
上記析出チャンバが、半導体製品の析出プロセスのためのプロセスガス源と接続され、
上記析出チャンバが、上記洗浄のため、上記洗浄液源と接続された請求項２７記載の洗浄プロセス。
【請求項２９】
上記析出プロセス及び上記洗浄プロセスが交互に実行されるサイクルを行うため、中央集積処理装置を使用することが含まれる請求項２８記載の洗浄プロセス。
【請求項３０】
洗浄液を利用する洗浄プロセスであって、熱量特性が上記洗浄プロセスの完了の程度に対応する洗浄排出物を生成する洗浄プロセスを実行する方法であって、
上記洗浄排出物の熱量特性の関数である可変の洗浄プロセスの変動をモニタリングする工程と、
完了を示す可変の洗浄プロセスの変化に応答して上記洗浄プロセスを終了させる工程と、を備える洗浄プロセスを実行する方法。
【請求項３１】
上記洗浄プロセスが、析出物がその事前使用の間堆積されたチャンバを洗浄するために実行され、
上記チャンバが、物理的気相成長法、スパッタリング、電解析出、化学気相成長法、イオン注入、プラズマ析出からなる群から選択される少なくとも１種の析出プロセスを実行するように構成された請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
洗浄液が、クレームされた表面若しくは構造体に接触し、洗浄液から洗浄排出物が生成される洗浄プロセスのエンドポイントを決定する方法であって、
上記洗浄プロセスのエンドポイントを決定するため、洗浄の進捗を示す洗浄排出物のエネルギ特性をモニタリングする工程を含む方法。