【手続補正書】
【提出日】平成21年5月22日(2009.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光変換可能な光学標識(「PTOL」)を含む試料に第1の活性化放射線を供給して、前記試料中の前記PTOLの第1サブセットを活性化させること；
前記試料中の前記PTOLの第1サブセットに第1の励起放射線を供給して、前記活性化されたPTOLのうちの少なくともいくつかを励起させること；
前記PTOLの第1サブセットの中の活性化及び励起されたPTOLから放たれる放射線を撮像用光学素子で検出すること；及び
前記第1サブセット内の活性化されたPTOL当たりの平均ボリュームが前記撮像用光学素子の回折限界分解能ボリューム(「DLRV」)にほぼ等しいか又はそれを上回るように前記第1の活性化放射線を制御すること；
を含む方法。
【請求項２】
前記光変換可能な光学標識が蛍光タンパク質を含む、請求項1記載の方法。
【請求項３】
2つ以上の活性化されたPTOLが1つのDLRVの中に位置する確率が約0.1未満である、請求項1又は2記載の方法。
【請求項４】
前記PTOLの第1サブセットから放たれた放射線を、放射線が放たれる前記PTOLの像平面に置かれた位置感知検出器で検出することをさらに含む、請求項1〜3のいずれか1項記載の方法。
【請求項５】
前記PTOLの第1サブセット内の複数の個々のPTOLの場所を、前記検出された放射線に基づいて回折限界よりも精緻な精度で判定することをさらに含む、請求項1〜4のいずれか1項記載の方法。
【請求項６】
前記複数の個々のPTOLの前記判定された場所に基づいて前記試料の回折限界よりも精緻な画像を作り出すことをさらに含む、請求項5記載の方法。
【請求項７】
前記試料に不活化放射線を供給して、前記PTOLの第1サブセット内のPTOLを不活化させることをさらに含む、請求項1〜6のいずれか1項記載の方法。
【請求項８】
前記不活化放射線が、前記PTOLの第1サブセット内のPTOLを光退色させるために十分な励起放射線を含む、請求項7記載の方法。
【請求項９】
前記活性化放射線が活性化波長を有し、かつ前記励起放射線が、前記活性化波長より長い励起波長を有する、請求項1〜8のいずれか1項記載の方法。
【請求項１０】
前記PTOLが、クラゲのAequorea属から由来するタンパク質の遺伝子組換えによる変異種を含む、請求項1〜9のいずれか1項記載の方法。
【請求項１１】
クラゲのAequorea属から由来するタンパク質の遺伝子組換えによる前記変異種がPA-GFPとPS-CFPから成る群から選択される、請求項10記載の方法。
【請求項１２】
前記PTOLが、ディスコソーマ・ストリアータ(Discosoma striata)、トラキフィリア・ジオフロイ(Trachyphyllia geoffroyi)、モンタストレア・カベルノサ(Montastraea cavernosa)、リコルデア・フロリダ(Ricordea florida)、ロボフィリア・ヘムプリチ(Lobophyllia hemprichii)、アネモニア・スルカータ(Anemonia sulcata)、及びファビア・ファブス(Favia favus)から成る群から選択されるいずれかのサンゴに由来するタンパク質の変異種を含む、請求項1〜11のいずれか1項記載の方法。
【請求項１３】
前記サンゴのいずれかに由来するタンパク質の前記変異種が、Kaede、Kikume、EosFP、及びKFPから成る群から選択される、請求項12記載の方法。
【請求項１４】
前記PTOLが、サンゴ礁のウミバラ科に由来するタンパク質の遺伝子組換えによる変異種を含む、請求項1〜13のいずれか1項記載の方法。
【請求項１５】
サンゴ礁のウミバラ科から由来するタンパク質の遺伝子組換えによる前記変異種がドロンパを含む、請求項14記載の方法。
【請求項１６】
試料/基板界面での前記活性化放射線と前記励起放射線のうちの少なくとも1つの全内部反射によって、前記試料に前記活性化放射線と前記励起放射線のうちの少なくとも1つを供給することをさらに含む、請求項1〜15のいずれか1項記載の方法。
【請求項１７】
前記基板が導波路を含み、かつ前記導波路を通じて前記試料/基板の界面に前記活性化放射線と前記励起放射線のうちの少なくとも1つを供給することをさらに含む、請求項16記載の方法。
【請求項１８】
前記撮像用光学素子が対物レンズを含み、かつ前記対物レンズを通して前記活性化放射線と前記励起放射線のうちの少なくとも1つを透過させることによって、前記試料に前記活性化放射線と前記励起放射線のうちの少なくとも1つを供給することをさらに含む、請求項16記載の方法。
【請求項１９】
前記対物レンズの近位後部開口の空間的範囲に比べて小さく、かつ前記対物レンズの遠位端部から出現する前記活性化放射線と前記励起放射線のうちの少なくとも1つが前記試料/基板の界面から全内部反射されるように前記対物レンズの光軸に相対して半径方向の位置に置かれる空間的範囲を有する領域から前記活性化放射線と前記励起放射線のうちの少なくとも1つを反射させることによって、前記試料に前記活性化放射線と前記励起放射線のうちの少なくとも1つを供給することをさらに含む、請求項18記載の方法。
【請求項２０】
前記対物レンズの後部開口の空間的範囲に比べて小さい空間的範囲を有する反射又は吸収領域で、前記試料/基板界面からの反射後に前記対物レンズの近位後部開口から出現する前記活性化放射線と前記励起放射線のうちの少なくとも1つを実質的に遮ることをさらに含む、請求項18記載の方法。
【請求項２１】
光学格子の形態で、前記試料に前記活性化放射線と前記励起放射線のうちの少なくとも1つを供給することをさらに含む、請求項1〜20のいずれか1項記載の方法。
【請求項２２】
前記活性化放射線と前記励起放射線のうちの少なくとも1つが基板/試料界面から全内部反射されるような角度で、前記界面の前記基板側から前記活性化放射線と前記励起放射線のうちの少なくとも1つを当てることによって前記光学格子を作り出すことをさらに含む、請求項21記載の方法。
【請求項２３】
前記試料が複数の格子平面に広がり、かつ異なる格子平面に位置するPTOLから放たれる放射線を選択的に検出することをさらに含む、請求項21記載の方法。
【請求項２４】
広視野全体にわたって前記活性化放射線と前記励起放射線のうちの少なくとも1つを供給することをさらに含む、請求項1〜18のいずれか1項記載の方法。
【請求項２５】
前記試料の中の焦点位置に、前記活性化放射線と前記励起放射線のうちの少なくとも1つを焦点集束させることをさらに含む、請求項1〜24のいずれか1項記載の方法。
【請求項２６】
前記試料に前記第1の活性化放射線を供給することが、マルチフォトン吸収過程を通じて前記試料中の前記PTOLの第1サブセット内のPTOLを活性化させる、請求項1〜25のいずれか1項記載の方法。
【請求項２７】
前記試料に前記第1の励起放射線を供給することが、マルチフォトン吸収過程を通じて前記試料中の前記PTOLの第1サブセット内のPTOLを励起させる、請求項1〜26のいずれか1項記載の方法。
【請求項２８】
前記試料に供給される前記活性化放射線と前記励起放射線のうちの少なくとも1つの偏光を制御することをさらに含む、請求項1〜27のいずれか1項記載の方法。
【請求項２９】
前記PTOLの第1サブセットの中の活性化及び励起されたPTOLから放たれる放射線を検出することが、前記放たれる放射線の前記偏光に基づいて前記放たれる放射線を判別することを含む、請求項1〜28のいずれか1項記載の方法。
【請求項３０】
放射線を放つ前記活性化及び励起されたPTOLのうちの少なくとも1つについて双極子の配向を判定することをさらに含む、請求項29記載の方法。
【請求項３１】
前記PTOLの第1サブセットの中の活性化及び励起されたPTOLから放たれる放射線を検出することが、前記放たれる放射線の前記偏光に基づいて前記放たれる放射線を判別することを含み、かつ：
前記PTOLの第1サブセット内の複数の個々のPTOLの場所を、前記検出された放射線に基づいて回折限界よりも精緻な精度で判定すること；
放射線を放つ前記複数の活性化及び励起されたPTOLの双極子の配向を判定すること；及び
前記複数の活性化及び励起されたPTOLについて位置及び配向データを記録すること；
をさらに含む、請求項30記載の方法。
【請求項３２】
前記複数の活性化及び励起されたPTOLについて位置及び配向データを記録することに基づいて回折限界よりも精緻な画像を作り出すことをさらに含む、請求項31記載の方法。
【請求項３３】
前記試料が、より大きい材料のブロックからミクロトームで切り出された薄い切片を含む、請求項1〜32のいずれか1項記載の方法。
【請求項３４】
前記切片が透過型電子顕微鏡で撮像されるのに十分に薄い、請求項33記載の方法。
【請求項３５】
特定の試料特徴を際立たせるために、前記薄い切片の選択された部分にPTOLが連結される、請求項33記載の方法。
【請求項３６】
前記試料が透過型電子顕微鏡で撮像されるのに十分に薄い切片を含み、かつ：
前記PTOLの第1サブセット内の複数の個々のPTOLの位置を前記検出された放射線に基づいて回折限界よりも精緻な精度で判定すること；
前記複数の個々のPTOLの前記判定された場所に基づいて前記試料の回折限界よりも精緻な画像を作り出すこと；及び
前記試料の前記回折限界よりも精緻な画像を、透過型電子顕微鏡法によって得られる同じ切片の画像と比較すること；
をさらに含む、請求項1〜35のいずれか1項記載の方法。
【請求項３７】
前記試料の少なくとも一部分を、前記部分が実質的に凍結されるまで冷却することをさらに含む、請求項1〜36のいずれか1項記載の方法。
【請求項３８】
前記部分がガラス状態に凍結されるように前記部分を冷却することをさらに含む、請求項37記載の方法。
【請求項３９】
前記第1サブセット内の少なくともいくつかの前記PTOLの量子効率が約2倍以上増加するような十分に低い温度に前記試料の少なくとも一部分を冷却することをさらに含む、請求項1〜38のいずれか1項記載の方法。
【請求項４０】
前記試料の少なくとも一部分を、前記PTOLの第1サブセット内の少なくともいくつかの前記PTOLを光退色させる確率を約2倍減少させるのに十分な低い温度に冷却することをさらに含む、請求項1〜39のいずれか1項記載の方法。
【請求項４１】
回折限界分解能ボリュームによって特徴付けられる光学系で撮像する方法であって：
試料中に、前記光学系の前記回折限界分解能ボリュームの逆数よりも大きい密度で前記試料の少なくとも一部分に配分された複数の光変換可能な光学標識(「PTOL」)を含み、前記第1サブセット内のPTOLの前記密度が前記回折限界分解能ボリュームの逆数よりも小さい、前記試料の前記部分内の前記PTOLの第1サブセットを活性化させること；
前記PTOLの第1サブセット内の前記PTOLの一部分を励起させること；
前記PTOLの第1サブセット内の前記活性化及び励起されたPTOLから放たれる放射線を撮像用光学素子で検出すること；及び
前記PTOLの第1サブセット内の活性化及び励起されたPTOLの場所を、前記活性化及び励起されたPTOLから放たれた前記検出された放射線に基づいて回折限界よりも精緻な精度で判定すること；
を含む、前記方法。
【請求項４２】
光変換可能な光学標識が蛍光タンパク質を含む、請求項41記載の方法。
【請求項４３】
前記PTOLの第1サブセットを活性化することが、前記第1サブセット内の前記PTOLに十分なエネルギーを供給して、前記PTOLを不活性状態から活性状態に変換させることを含む、請求項41又は42記載の方法。
【請求項４４】
前記第1サブセット内の前記PTOLにエネルギーを供給することが、前記試料に活性化放射線を供給することを含み、ここで前記活性化放射線は、前記PTOLを前記不活性状態から前記活性状態に変換するように選択された波長を有する、請求項43記載の方法。
【請求項４５】
前記PTOLの第1サブセットの一部分を励起することが、前記PTOLを基底状態から励起状態へと励起するために十分なエネルギーを前記第1サブセット内の前記PTOLに供給することを含む、請求項41〜44のいずれか1項記載の方法。
【請求項４６】
前記PTOLにエネルギーを供給することが前記試料に励起放射線を供給することを含み、ここで前記励起放射線が、前記PTOLを前記基底状態から前記励起状態に変換するように選択された波長を有する、請求項45記載の方法。
【請求項４７】
前記PTOLの第1サブセット内の前記PTOLの前記判定された場所に基づいて画像を作り出すことをさらに含む、請求項41〜46のいずれか1項記載の方法。
【請求項４８】
前記PTOLの第1サブセット内のPTOLを不活化すること；
前記試料の前記部分内の前記PTOLの第2サブセットを活性化すること（ここで前記第2サブセット内のPTOLの密度が前記回折限界分解能ボリュームの前記逆数よりも小さい）；  前記PTOLの第2サブセット内の前記PTOLの一部分を励起させること；
前記PTOLの第2サブセット内の前記活性化及び励起されたPTOLから放たれる放射線を前記撮像用光学素子で検出すること；及び
前記PTOLの第2サブセット内の活性化及び励起されたPTOLの場所を、前記PTOLの第2サブセット内の前記活性化及び励起されたPTOLから放たれた前記検出された放射線に基づいて回折限界よりも精緻な精度で判定すること；
をさらに含む、請求項41〜47のいずれか1項記載の方法。
【請求項４９】
前記第1及び第2サブセットが、前記試料の前記部分で統計学的にサンプリングされる前記PTOLサブセットである、請求項48記載の方法。
【請求項５０】
前記第1サブセット内のPTOLを不活化することが、前記試料に十分な励起放射線を供給して、前記第1サブセット内の活性化されたPTOLを光退色させることを含む、請求項48又は49記載の方法。
【請求項５１】
前記第1サブセット内のPTOLを不活化することが、前記第1サブセット内の前記PTOLにリセット用放射線を供給することを含む、請求項48又は49のいずれか1項記載の方法。
【請求項５２】
前記第1サブセット内のPTOLを不活化することが、前記第1サブセット内の前記PTOLが不活性状態へと減衰する時間経過を可能にすることを含む、請求項48又は49記載の方法。
【請求項５３】
前記PTOLの第1サブセット内のPTOLを不活化することが、前記PTOLの前記第2サブセットを活性化することよりも前に起こる、請求項48又は49記載の方法。
【請求項５４】
前記第1サブセット内のPTOLから放たれる放射線の第1の強度信号を検出場所の関数として記録すること；
前記第1サブセット内の前記PTOLの場所を回折限界よりも精緻な精度で判定するために前記第1の強度信号を分析すること；
前記第2サブセット内のPTOLから放たれる放射線の第2の強度信号を検出場所の関数として記録すること；及び
前記第2サブセット内の前記PTOLの場所を回折限界よりも精緻な精度に判定するために前記第2の強度信号を分析すること；
をさらに含む、請求項48〜53のいずれか1項記載の方法。
【請求項５５】
前記第1及び第2サブセット内のPTOLの前記判定された場所に基づいて回折限界よりも精緻な画像を作り出すことをさらに含む、請求項48〜54のいずれか1項記載の方法。
【請求項５６】
前記PTOLの第2サブセットを活性化することが、前記第2サブセット内の前記PTOLに十分なエネルギーを供給して、前記PTOLを不活性状態から活性状態に変換することを含む、請求項48〜55のいずれか1項記載の方法。
【請求項５７】
前記PTOLにエネルギーを供給することが、前記試料に活性化放射線を供給することを含み、ここで前記活性化放射線が、前記PTOLを前記不活性状態から前記活性状態に変換させるために選択された波長を有する、請求項48〜56のいずれか1項記載の方法。
【請求項５８】
前記PTOLの前記第2サブセットの一部分を励起することが、前記第2サブセット内の前記PTOLに十分なエネルギーを供給して、前記PTOLを基底状態から励起状態へと励起させることを含む、請求項48〜57のいずれか1項記載の方法。
【請求項５９】
前記第2サブセット内の前記PTOLにエネルギーを供給することが、前記試料に励起放射線を供給することを含み、ここで前記励起放射線が、前記PTOLを前記基底状態から前記励起状態に変換させるために選択された波長を有する、請求項58記載の方法。
【請求項６０】
前記試料の前記部分内の前記PTOLのN番目サブセットを活性化する工程であって、前記N番目サブセット内のPTOLの密度が前記回折限界分解能ボリュームの前記逆数よりも小さい、前記工程；
PTOLの前記N番目サブセット内の前記PTOLの一部分を励起する工程；
PTOLの前記N番目サブセット内の前記活性化及び励起されたPTOLから放たれる放射線を前記撮像用光学素子で検出する工程；
PTOLの前記N番目サブセット内の活性化及び励起されたPTOLの場所を、PTOLの前記N番目サブセット内の前記活性化及び励起されたPTOLから放たれた前記検出された放射線に基づいて回折限界よりも精緻な精度で判定する工程；及び
PTOLの前記N番目サブセット内のPTOLを不活化する工程；
を少なくとも20回繰り返す工程をさらに含み、
前記工程中、Nは1から20に及ぶ整数である、
請求項48〜59のいずれか1項記載の方法。
【請求項６１】
比較的高い強度領域と比較的低い強度領域を有する空間的に構造化された活性化放射線を光変換可能な光学標識(「PTOL」)を含む試料に供給することで、前記空間的に構造化された活性化放射線の比較的高い強度領域に主に位置する前記試料中の前記PTOLサブセットを活性化すること；
前記試料中の活性化されたPTOLの前記サブセットに空間的に構造化された励起放射線を供給することであって、前記励起放射線の1つ以上の比較的高い強度領域が前記活性化放射線の1つ以上の比較的高い強度領域に少なくとも部分的に重複するように前記励起放射線を構造化すること；
前記活性化及び励起されたPTOLから放たれる放射線を撮像用光学素子で検出すること；及び
前記試料中のPTOLから放たれる放射線が、前記撮像用光学素子の回折限界分解能ボリューム(「DLRV」)に匹敵するか又はそれよりも小さい少なくとも1つのボリュームから実質的に放たれるように前記活性化放射線及び前記励起放射線の強度及び空間的構造を制御すること；
を含む方法。
【請求項６２】
前記光変換可能な光学標識が蛍光タンパク質を含む、請求項61記載の方法。
【請求項６３】
前記空間的に構造化された活性化放射線の少なくとも1つの第1最大が前記空間的に構造化された励起放射線の少なくとも1つの第1最大と実質的に一致する第1領域から放たれる放射線を検出することをさらに含む、請求項61又は62記載の方法。
【請求項６４】
前記空間的に構造化された活性化放射線の第2最大が前記空間的に構造化された励起放射線の第2最大と実質的に一致する第2の領域から放たれる放射線を検出することをさらに含み、ここで前記第1領域及び前記第2領域から放たれる放射線が別々に検出される、請求項63記載の方法。
【請求項６５】
PTOLの前記サブセット内の活性化されたPTOLを不活化するために前記試料に不活化放射線を供給することをさらに含む、請求項61〜64のいずれか1項記載の方法。
【請求項６６】
前記不活化放射線が、前記活性化されたPTOLを光退色させる励起放射線を含む、請求項65記載の方法。
【請求項６７】
前記不活化放射線が、PTOLを活性状態から、不活性であり活性化可能な状態に変換するための放射線を含み、かつ前記励起波長の波長と異なる波長を有する放射線を含む、請求項65記載の方法。
【請求項６８】
前記空間的に構造化された活性化放射線を供給して、前記空間的に構造化された活性化放射線の比較的高い強度領域に主に位置する前記試料中の前記PTOLサブセットを活性化すること；
前記空間的に構造化された励起放射線を前記試料中の活性化されたPTOLの前記サブセットに供給することであって、ここで前記励起放射線の1つ以上の比較的高い強度領域が前記活性化放射線の1つ以上の比較的高い強度領域に少なくとも部分的に重複するように、前記励起放射線が構造化されること；
前記活性化及び励起されたPTOLから放たれる放射線を撮像用光学素子で検出すること；及び
重複する前記励起放射線の前記1つ以上の比較的高い強度領域及び前記活性化放射線の前記1つ以上の比較的高い強度領域を前記試料の中の新たな場所に再配置すること；
をさらに繰り返し含む、請求項61〜67のいずれか1項記載の方法。
【請求項６９】
重複の領域が複数の新たな位置にあるときに検出された前記放射線に基づいて画像を作り出すことをさらに含む、請求項68記載の方法。
【請求項７０】
前記画像が回折限界よりも精緻な分解能を有する、請求項69記載の方法。
【請求項７１】
比較的高い強度の活性化放射線及び比較的高い励起放射線の重複領域のうちの少なくとも1つにある活性化及び励起されたPTOLから放たれる放射線が、前記撮像用光学素子の回折限界分解能ボリューム(「DLRV」)に匹敵するか又はそれよりも小さくなるように、前記活性化放射線及び前記励起放射線の強度と空間的構造を制御することをさらに含む、請求項68記載の方法。
【請求項７２】
2つ以上の活性化及び励起されたPTOLが、1つのDLRVの中に置かれる確率が約0.1未満である、請求項61〜71のいずれか1項記載の方法。
【請求項７３】
複数の活性化及び励起されたPTOLの場所を、前記検出された放たれた放射線に基づいて回折限界よりも精緻な精度に判定することをさらに含む、請求項61〜72のいずれか1項記載の方法。
【請求項７４】
前記複数の活性化及び励起されたPTOLの前記判定された場所に基づいて回折限界よりも精緻な画像を作り出すことをさらに含む、請求項73記載の方法。
【請求項７５】
前記複数の活性化及び励起されたPTOLの前記判定された場所及び前記検出された強度に基づいて回折限界よりも精緻な画像を作り出すことをさらに含む、請求項73記載の方法。
【請求項７６】
前記空間的に構造化された活性化放射線が、前記試料と基板との間の界面で全内部反射される光学格子を含む、請求項61〜75のいずれか1項記載の方法。
【請求項７７】
前記空間的に構造化された励起放射線が、基板/試料界面で全内部反射される光学格子を含む、請求項61〜76のいずれか1項記載の方法。
【請求項７８】
前記光学格子の多数の平面内に位置するPTOLから放たれる放射線を検出すること；及び
前記多数の画像平面内に位置するPTOLから放たれた前記検出されたデータに基づいて3D画像を作り出すこと；
をさらに含む、請求項69〜77のいずれか1項記載の方法。
【請求項７９】
活性化及び励起されたPTOLから放たれた放射線を、前記放たれた放射線の検出の前に、少なくとも1つで空間的にフィルタ処理することをさらに含む、請求項61〜78のいずれか1項記載の方法。
【請求項８０】
放射線の強度を検出器の位置の関数として検出するために適合化された位置感知検出器；
回折限界分解能ボリュームによって特徴付けられ、試料中の複数の活性化及び励起された光変換可能な光学標識(「PTOL」)から放たれる光を前記位置感知検出器上に画像化するために適合化された光学系であって、前記PTOLが前記光学系の前記回折限界分解能ボリュームの逆数よりも大きい密度で前記試料の少なくとも一部分に配分される、前記光学系；
前記試料の前記部分内の前記PTOLの第1サブセットを活性化するために第1の活性化放射線を前記試料に供給するために適合化された第1光源；
前記PTOLの前記第1サブセット内の前記PTOLの一部分を励起するために第1の励起放射線を前記試料に供給するために適合化された第2光源；及び
活性化された前記PTOLの第1サブセット内のPTOLの密度が前記回折限界分解能ボリュームの前記逆数よりも小さくなるように前記試料に、供給される活性化放射線を制御するために適合化された制御器；
を含む装置。
【請求項８１】
前記光変換可能な光学標識が蛍光タンパク質を含む、請求項80記載の装置。
【請求項８２】
前記検出器によって供給される前記PTOLの第1サブセット内の活性化及び励起されたPTOLから放たれる放射線についての位置依存性強度データを処理して、前記PTOLの第1サブセット内の活性化及び励起されたPTOLの場所を回折限界よりも精緻な精度で判定するためのプロセッサをさらに含む、請求項80又は81記載の装置。
【請求項８３】
前記PTOLの第1サブセット内のPTOLについて回折限界よりも精緻な位置情報を保存するように適合化されたメモリをさらに含む、請求項80〜82のいずれか1項記載の装置。
【請求項８４】
前記PTOLの第1サブセット内の前記PTOLについての前記回折限界よりも精緻な位置情報に基づいて回折限界よりも精緻な画像を作り出すように適合化されたプロセッサをさらに含む、請求項80〜83のいずれか1項記載の装置。
【請求項８５】
前記制御器が、前記第1サブセット内のPTOLが前記励起放射線による光退色を通じて不活化されるように前記試料に供給される前記励起放射線を制御するようにさらに適合化されている、請求項80〜84のいずれか1項記載の装置。
【請求項８６】
前記制御器が、前記試料に供給される前記活性化放射線及び前記励起放射線を制御するようにさらに適合化されており、
活性化されるPTOLの最初サブセット内のPTOLの密度が、前記回折限界分解能ボリュームの前記逆数よりも小さくなるように活性化放射線の最初のパルスが前記試料に供給され、
前記最初サブセット内の活性化されたPTOLを励起するように励起放射線が前記試料に供給され、
PTOLの前記最初サブセット内の活性化及び励起されたPTOLから放たれた放射線が前記検出器によって検出され、かつ
前記最初サブセット内のPTOLが不活化された後に、次の活性化放射線のパルスが、次の活性化PTOLサブセット内のPTOLの密度が前記回折限界分解能ボリュームの前記逆数よりも小さくなるように前記試料に供給され、
前記次のサブセット内の活性化されたPTOLを励起するために励起放射線が前記試料に供給され、
PTOLの前記次のサブセット内の活性化及び励起されたPTOLから放たれる放射線が前記検出器によって検出される、
請求項80〜85のいずれか1項記載の装置。
【請求項８７】
前記試料の前記部分内のPTOLの第2サブセットを活性化するために第2の活性化放射線を前記試料に供給するように適合化された第3光源をさらに含み、ここで前記第2の活性化放射線が前記第1の活性化放射線の波長と異なる波長を有し、かつ前記第1及び第2サブセット内のPTOLが異なる種のPTOLであり、且つ異なる波長を有する放射線を放つ、請求項80〜86のいずれか1項記載の装置。
【請求項８８】
前記検出器が、前記異なる種のPTOLから放たれる放射線を別々に検出するように適合化されている、請求項87記載の装置。
【請求項８９】
前記試料と前記検出器との間に放たれる放射線の特定の波長を選別するためのフィルタをさらに含む、請求項80〜88のいずれか1項記載の装置。
【請求項９０】
撮像用システムが対物レンズを含み、かつここで前記第1の活性化放射線が前記対物レンズを通じて前記試料に供給される、請求項80〜89のいずれか1項記載の装置。
【請求項９１】
前記試料が第1の種及び第2の種のPTOLを含み；
前記第1及び第2の種の発光特性、並びに前記第1及び第2の種の励起特性のうちの少なくとも1つに基づいて前記第2の種から前記第1の種を区別すること；及び
前記第1及び第2の種に関して、前記第1の活性化されたサブセット内の活性化されたPTOLの場所を互いに相対して回折限界よりも精緻な精度で判定すること；
をさらに含む、請求項41記載の方法。
【請求項９２】
前記試料が第1の種及び第2の種のPTOLを含み、さらに、
前記第1及び第2の種の発光特性並びに前記第1及び第2の種の励起特性のうちの少なくとも1つに基づいて前記第2の種から前記第1の種を区別することであって、
前記試料中の各々の種のPTOLの密度が前記撮像用光学素子のDLRVの前記逆数よりも大きく、かつ
この種の活性化された前記PTOLの第1サブセット内の密度が前記回折限界分解能ボリュームよりも小さい、
請求項1記載の方法。
【請求項９３】
前記試料がPTOLを埋め込んだレジストを含み、ここで前記埋め込まれたPTOLが空間的に構造化されたビームへの曝露の対象となっており、それにより、前記PTOL特性が測定できる程度にそのような曝露によって変えられる、請求項1記載の方法。
【請求項９４】
前記検出されたPTOLの前記判定された場所から前記レジスト用の曝露プロファイルを作り出すことをさらに含む、請求項93記載の方法。
【請求項９５】
前記試料がPTOLを埋め込んだレジストを含み、ここで前記埋め込まれたPTOLが空間的に構造化されたビームへの曝露の対象となっており、それにより、前記PTOL特性が測定できる程度にそのような曝露によって変えられ、かつ前記検出されたPTOLの前記判定された場所から前記レジスト用の曝露プロファイルを作り出すことをさらに含む、請求項48記載の方法。