【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年7月24日(2009.7.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  凝集した空孔欠陥を溶解させ、かつ後の熱処理工程において単結晶シリコンウエハ中の酸素の析出挙動を変化させるために、単結晶シリコンウエハを熱処理する方法であって、
単結晶シリコンウエハが、一方がウエハの前表面であり、他方がウエハの後表面である２つの平行な主表面、前表面と後表面との間にある中央面、前表面および後表面を結ぶ周囲縁、前表面から前記中央面に向かって測定されたときに前表面から距離Ｄｓまで伸びる領域層、少なくとも一部が前記領域層と共にウエハの深さ方向へ伸び、かつ前表面から前記中央面に向かって測定されたときに前表面と距離Ｄとの間にあるウエハ領域を含む表面層、および前記中央面と前記表面層との間にあるウエハ領域を含むバルク層を有する単結晶シリコンウエハであり、
前記ウエハを雰囲気中で熱アニーリング処理して、前記領域層に以前から存在する凝集した空孔欠陥を溶解させること；
前記アニーリング処理ウエハを熱処理して、結晶格子の空孔を前記表面層および前記バルク層に形成させること；および
前記熱処理ウエハの冷却速度を制御して、ピーク密度が前記中央面にあり、濃度が前記ウエハの前表面の方向で低下する空孔濃度プロファイルであり、前記表面層および前記バルク層における空孔の濃度差が、７５０℃を超える温度での前記ウエハの熱処理により、デニューデッドゾーンを前記表面層に形成させることができ、かつ酸素クラスターまたは酸素析出物を前記バルク層に形成させることができ、そして前記バルク層における酸素クラスターまたは酸素析出物の濃度が主として空孔濃度に依存するという空孔濃度プロファイルを有するウエハを製造すること
を含んでなる方法。
【請求項２】  前記ウエハを、水素、アルゴンまたはその混合物の雰囲気中で熱アニーリング処理する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記ウエハを、１１００℃〜１３００℃の間の温度で１時間〜４時間にわたって熱アニーリング処理する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記アニーリング処理ウエハの熱処理は、
（ａ）前記ウエハを酸化性雰囲気中で第１の熱処理に供して、少なくとも２０オングストロームの厚さの表面二酸化ケイ素層を形成させること；および
（ｂ）（ａ）の生成物を少なくとも１１５０℃の温度で第２の熱処理に供すること
を含んでなる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記第２の熱処理の雰囲気は窒化物非形成性である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】  前記第２の熱処理の雰囲気は、主として、アルゴン、ヘリウムまたはその混合物である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】  前記第２の熱処理の雰囲気は窒化物形成性である、請求項４に記載の方法。
【請求項８】  前記第２の熱処理は、前記ウエハを、酸素分圧が５，０００ｐｐｍａ未満である酸素含有雰囲気中で１１７５℃を超える温度に６０秒未満の時間にわたって加熱することを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項９】  前記第２の熱処理は、前記ウエハを、酸素分圧が５，０００ｐｐｍａ未満である酸素含有雰囲気中で１２００℃を超える温度に６０秒未満の時間にわたって加熱することを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項１０】  前記冷却速度は、結晶格子の空孔がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通過するように少なくとも５０℃／秒である、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】  前記冷却速度は、結晶格子の空孔がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通過するように少なくとも１００℃／秒である、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】  前記ウエハを、１０マイクロメートルの深さまでの領域層に以前から存在する凝集した空孔欠陥を溶解させるために熱アニーリング処理する、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】  前記ウエハを、２０マイクロメートルの深さまでの領域層に以前から存在する凝集した空孔欠陥を溶解させるために熱アニーリング処理する、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】  前記アニーリング処理ウエハの熱処理は、
（ａ）前記ウエハを、窒化物形成性雰囲気中で、少なくとも１１５０℃の温度で第１の熱処理に供すること；および
（ｂ）（ａ）の生成物を、酸素分圧が少なくとも１００ｐｐｍａである酸化性雰囲気中で、少なくとも１１５０℃の温度で第２の熱処理に供すること
を含んでなる、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】  前記アニーリング処理ウエハを、酸素分圧が少なくとも１００ｐｐｍａ〜５，０００ｐｐｍａ未満の範囲である窒化物形成性雰囲気中で熱処理する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】  凝集した空孔欠陥を溶解させ、かつ後の熱処理工程において単結晶シリコンウエハ中の酸素の析出挙動を変化させるために、単結晶シリコンウエハを熱処理する方法であって、
単結晶シリコンウエハが、前表面、後表面、前表面と後表面との間にある中央面、前表面から前記中央面に向かって測定されたときに前表面から距離Ｄｓまで伸びる領域層、少なくとも一部が前記領域層と共にウエハの深さ方向へ伸び、かつ前表面から前記中央面に向かって測定されたときに前表面と距離Ｄとの間にあるウエハ領域を含む表面層、および前記中央面と前記表面層との間にあるウエハ領域を含むバルク層を有する単結晶シリコンウエハであり、
前記ウエハを雰囲気中で熱アニーリング処理して、結晶格子の空孔を前記表面層および前記バルク層に形成させること；
前記熱処理ウエハの冷却速度を制御して、ピーク密度が前記中央面にあり、濃度がウエハの前表面の方向で低下し、そして前記表面層および前記バルク層における空孔の濃度差が、７５０℃を超える温度での前記ウエハの熱処理により、デニューデッドゾーンを前記表面層に形成させることができ、かつ酸素クラスターまたは酸素析出物を前記バルク層に形成させることができ、そして前記バルク層における酸素クラスターまたは酸素析出物の濃度が主として空孔濃度に依存するという空孔濃度プロファイルを有するウエハを製造すること；
冷却されたウエハに存在する酸素析出物核形成中心を、冷却されたウエハを６５０℃〜８５０℃の温度に１時間〜４時間にわたって加熱することによって安定化させること；および
前記安定化ウエハを雰囲気中で熱アニーリング処理して、前表面から少なくとも５ミクロンの深さまで伸びる領域内に存在する凝集した空孔欠陥を溶解させること
を含んでなる方法。
【請求項１７】  前記安定化ウエハを、水素、アルゴンまたはその混合物の雰囲気中で熱アニーリング処理する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】  前記安定化ウエハを１１００℃〜１３００℃の間の温度で１時間〜４時間にわたって熱アニーリング処理する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】  前記ウエハの熱処理は、
（ａ）前記ウエハを酸化性雰囲気中で第１の熱処理に供して、厚さが少なくとも２０オングストロームの表面二酸化ケイ素層を形成させること；および
（ｂ）（ａ）の生成物を少なくとも１１５０℃の温度で第２の熱処理に供すること
を含んでなる、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】  前記第２の熱処理の雰囲気は窒化物非形成性である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】  前記第２の熱処理の雰囲気は、主として、アルゴン、ヘリウムまたはその混合物である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】  前記第２の熱処理の雰囲気は窒化物形成性である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】  前記ウエハを、酸素分圧が５，０００ｐｐｍａ未満である酸素含有雰囲気中において、１１７５℃を超える温度で６０秒未満の時間にわたって第２の熱処理に供する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】  前記ウエハを、酸素分圧が５，０００ｐｐｍａ未満である酸素含有雰囲気中において、１２００℃を超える温度で６０秒未満の時間にわたって第２の熱処理に供する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２５】  前記安定化ウエハを、前表面から少なくとも１０ミクロンの深さまで伸びる領域内において凝集した空孔欠陥を溶解させるために熱アニーリング処理する、請求項１６〜２４のいずれかに記載の方法。
【請求項２６】  前記安定化ウエハを、前表面から少なくとも２０ミクロンの深さまで伸びる領域内において凝集した空孔欠陥を溶解させるために熱アニーリング処理する、請求項１６〜２４のいずれかに記載の方法。
【請求項２７】  前記冷却速度は、結晶格子の空孔がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通過するように少なくとも５０℃／秒である、請求項１６〜２６のいずれかに記載の方法。
【請求項２８】  前記冷却速度は、結晶格子の空孔がシリコン中で比較的移動しやすい温度範囲を通過するように少なくとも１００℃／秒である、請求項１６〜２６のいずれかに記載の方法。
【請求項２９】  前記ウエハの熱処理は、
（ａ）前記ウエハを、窒化物形成性雰囲気中で、少なくとも１１５０℃の温度で第１の熱処理に供すること；および
（ｂ）（ａ）の生成物を、酸素分圧が少なくとも１００ｐｐｍａである酸化性雰囲気中で、少なくとも１１５０℃の温度で第２の熱処理に供すること
を含んでなる、請求項１６に記載の方法。
【請求項３０】  前記ウエハを、酸素分圧が少なくとも１００ｐｐｍａ〜５，０００ｐｐｍａ未満の範囲である窒化物形成性雰囲気中で熱処理する、請求項１６に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
（技術分野）
本発明は一般に、電子部品の製造に使用される、半導体材料基板、特にシリコンウエハの製造に関する。より詳細には、本発明は、シリコンウエハを熱処理して、凝集した空孔欠陥を溶解させ、かつ内部ゲッタリング能を改良させるための方法に関する。この方法により、そのようなウエハは、本質的には任意のいずれかの電子デバイス製造プロセスの熱処理サイクル時において酸素析出物の一様でない理想的な深さ分布を形成させることができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
半導体電子部品のほとんどの製造方法の出発物質である単結晶シリコンは一般に、単一種結晶を溶融シリコンに浸漬し、次に遅い引き上げによって成長させる、いわゆるチョクラルスキー法によって製造される。溶融シリコンは石英ルツボに装填されるので、種々の不純物、主に酸素、によって汚染される。溶融塊の温度におけるシリコン中の酸素の溶解度および凝固シリコンにおける酸素の事実上の偏析係数によって決定されるある濃度に酸素が到達するまで、シリコン溶融塊の温度において、酸素が結晶格子に入る。そのような濃度は、電子デバイス製造プロセスに一般的な温度における固体シリコン中の酸素の溶解度より大きい。結晶が溶融塊から成長し冷却し、従ってその中の酸素の溶解度が急速に減少し、それによって、得られるスライスまたはウエハにおいて酸素が過飽和濃度において存在する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
電子デバイスの製造に一般に使用される熱処理サイクルは、酸素で過飽和されたシリコンウエハにおいて、酸素の析出を生じうる。空孔欠陥の凝集と同様に、ウエハにおける析出の位置に応じて、酸素析出はデバイス性能を阻害しうる。例えば、ウエハの活性デバイス領域に位置する酸素析出は、デバイスの操作を害することがある。しかし、ウエハのバルクに存在する酸素析出は、ウエハに接触する望ましくない金属性不純物を捕捉することができる故に有益である。ウエハのバルクに位置する酸素析出を、金属を捕捉するために使用することは一般に、内部ゲッタリングまたはイントリンシック・ゲッタリング（ＩＧ）と称される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
従って、簡単に記載すると、本発明は、一方がウエハの前表面であり、もう一方がウエハの後表面である２つのほぼ平行な主表面、前表面と後表面との間にある中央面、前表面および後表面を結ぶ周囲縁、前表面から中央面に向かって測定されたときに前表面と距離Ｄｓとの間にあるウエハ領域を含む領域層、少なくとも一部がそのような領域層と共にウエハの深さ方向へ伸び、かつ前表面から中央面に向かって測定されたときに前表面と少なくとも約１０マイクロメートルの距離Ｄ１との間にあるウエハ領域を含む表面層、および中央面と表面層との間にあるウエハ領域を含むバルク層を有する単結晶シリコンウエハに関する。本発明のウエハは、上記の領域層が、凝集した空孔欠陥を実質的に含まないことを特徴とする。さらに、本発明のウエハは、結晶格子の空孔の一様でない分布を有し、バルク層の空孔濃度が表面層の空孔濃度よりも大きく、かつ空孔は、空孔のピーク密度が中央面またはその付近にあり、濃度がウエハの前表面の方向でピーク密度の位置からほぼ低下する濃度プロファイルを有する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明はさらに、単結晶シリコンウエハを熱処理する方法であって、一方がウエハの前表面であり、もう一方がウエハの後表面である２つのほぼ平行な主表面、前表面と後表面との間にある中央面、前表面および後表面を結ぶ周囲縁、前表面から前記中央面に向かって測定されたときに前表面から距離Ｄｓまで伸びる領域層、少なくとも一部がそのような領域層と共にウエハの深さ方向へ伸び、かつ前表面から前記中央面に向かって測定されたときに前表面との距離Ｄとの間にあるウエハ領域を含む表面層、および中央面と表面層との間にあるウエハ領域を含むバルク層を有する単結晶シリコンウエハを熱処理して、凝集した空孔欠陥を溶解させ、かつその後の熱処理工程においてウエハ中の酸素の析出挙動を変化させる方法に関する。この方法は、ウエハを雰囲気中で熱アニーリング処理して、領域層に以前から存在する凝集した空孔欠陥を溶解させること；アニーリング処理されたウエハを熱処理して、結晶格子の空孔を表面層およびバルク層に形成させること；および次いで、熱処理されたウエハの冷却速度を制御して、ピーク密度が中央面またはその付近にあり、濃度がウエハの前表面の方向でほぼ低下し、そして表面層およびバルク層における空孔の濃度差が、７５０℃を超える温度でのウエハの熱処理により、デニューデッドゾーンを表面層に形成させることができ、かつ酸素クラスターまたは酸素析出物をバルク層に形成させることができ、そしてバルク層における酸素クラスターまたは酸素析出物の濃度が主として空孔濃度に依存するという空孔濃度プロファイルを有するウエハを製造することを含む。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明はさらに、前表面、後表面、前表面と後表面との間にある中央面、前表面から前記中央面に向かって測定されたときに前表面から距離Ｄｓまで伸びる領域層、少なくとも一部がそのような領域層と共にウエハの深さ方向へ伸び、かつ前表面から前記中央面に向かって測定されたときに前表面と距離Ｄとの間にあるウエハ領域を含む表面層、および中央面と表面層との間にあるウエハ領域を含むバルク層を有する単結晶シリコンウエハを熱処理する方法であって、後の熱処理工程において、凝集した空孔欠陥を溶解させ、かつウエハ中の酸素の析出挙動を変化させる方法に関する。この方法は、ウエハを雰囲気中で熱アニーリング処理して、結晶格子空孔を表面層およびバルク層に形成させること；および次いで、熱処理されたウエハの冷却速度を制御して、ピーク密度が中央面またはその付近にあり、濃度がウエハの前表面の方向でほぼ低下し、そして表面層およびバルク層における空孔の濃度差が、７５０℃を超える温度での前記ウエハの熱処理により、デニューデッドゾーンを表面層に形成させ、酸素クラスターまたは酸素析出物をバルク層に形成させることができ、そしてバルク層における酸素クラスターまたは酸素析出物の濃度が主として空孔濃度に依存するという空孔濃度プロファイルを有するウエハを製造することを含む。冷却されたウエハに存在する酸素析出物核形成中心は、冷却されたウエハを約６５０℃〜約８５０℃の温度に約１時間〜約４時間にわたって加熱することによって安定化され、次いで、安定化されたウエハは雰囲気中で熱アニーリング処理され、前表面から少なくとも約５ミクロンの深さまで伸びる領域内において存在する凝集した空孔欠陥を溶解させる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
本方法の第１の実施形態において、急速熱アニーリング工程は、窒化物形成性の雰囲気、すなわち、暴露されたシリコン表面を窒化物にし得る、窒素ガス（Ｎ２）または窒素含有化合物ガス（アンモニアなど）を含有する雰囲気のもとで行われる。従って、そのような雰囲気は、全体が窒素ガスまたは窒素化合物ガスから構成され得る。あるいは、そのような雰囲気は、アルゴンなどの窒化物非形成性のガスをさらに含むことができる。ウエハ全体の空孔濃度（空格子点濃度）の増大が、直ちではないとしても、アニーリング温度に到達したときにほぼ達成される。ウエハは、一般に、この温度で、少なくとも１秒間、典型的には少なくとも数秒間（例えば、少なくとも３秒間）、好ましくは数十秒間（例えば、２０秒間、３０秒間、４０秒間または５０秒間）、およびウエハの所望の特性に依存して、約６０秒（これは市販の急速熱アニーリング装置のほぼ限界である）までの範囲であり得る時間保持される。得られるウエハは、このウエハにおいて比較的均一な空孔濃度（数密度）特性を有する。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
今日までに得られた実験的証拠に基づいて、急速熱アニーリング工程が行われる雰囲気は、好ましくは、酸素、水蒸気および他の酸化性ガスの比較的小さな分圧を有するに過ぎない；すなわち、その雰囲気は、酸化性ガスが全く存在しないか、またはそのようなガスの分圧を全く有せず、空孔濃度の成長を抑制するシリコン自己格子間原子の充分量を注入するのに不充分である。酸化性ガスの下限濃度は正確には決定されていないが、０．０１気圧（ａｔｍ）すなわち１０，０００部／百万原子（ｐｐｍａ）の酸素分圧に関して、空孔濃度の増大および効果が認められないことが明らかにされている。従って、雰囲気は、酸素および他の酸化性ガスの分圧が０．０１ａｔｍ（１０，０００ｐｐｍａ）未満であることが好ましい；より好ましくは、雰囲気中におけるこれらのガスの分圧は約０．００５ａｔｍ（５，０００ｐｐｍａ）以下であり、より好ましくは約０．００２ａｔｍ（２，０００ｐｐｍａ）以下であり、最も好ましくは約０．００１ａｔｍ（１，０００ｐｐｍａ）以下である。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
工程Ｓ２が終了したとき、ウエハは、結晶格子の空孔が単結晶シリコン内で比較的移動し得る温度範囲を通過するように工程Ｓ３において急冷される。ウエハの温度がこの範囲の温度を通過して下がるとき、空孔は、酸化物層９に拡散して消滅し、従って、ウエハがこの範囲内の温度で保持された時間の長さに依存する変化度を伴って空孔の濃度特性の変化をもたらす。ウエハがこの範囲内のこの温度で無限の時間保持されたならば、空孔濃度は、再度、ウエハバルク１１の全体に実質的に均一になり、その濃度は、熱処理工程の終了直後における結晶格子の空孔濃度よりも実質的に少ない平衡値である。しかし、ウエハを急冷することによって、結晶格子の空孔の不均一な分布が最大の空孔濃度で達成され得るが、その最大濃度は、中央面７またはその近くに存在し、空孔濃度は、ウエハの前表面３および後表面５の方向で減少する。一般に、この範囲の温度内での平均冷却速度は、少なくとも約５℃／秒であり、好ましくは少なくとも約２０℃／秒である。デニューデッドゾーンの所望の深さに依存して、平均冷却速度は、好ましくは少なくとも５０℃／分であり、さらにより好ましくは少なくとも１００℃／秒であるが、いくつかの適用に関しては、現在、約１００℃／秒〜約２００℃／秒の範囲の冷却速度が好ましい。ウエハが、結晶格子の空孔が単結晶シリコン内で比較的移動し得る温度範囲の外側の温度に冷却されると、冷却速度は、ウエハの析出特性に大きな影響を与えないようであり、従って、冷却速度は、きわどいほど臨界的ではないようである。好都合には、冷却工程は、加熱工程が行われる同じ雰囲気中で行うことができる。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
本方法の析出の工程Ｓ４において、ウエハは、酸素析出熱処理に供される。例えば、ウエハは、８００℃の温度で４時間、次いで１０００℃の温度で１６時間アニーリング処理することができる。あるいは、ウエハは、好ましくは、電子デバイス製造プロセスの最初の工程のように、約８００℃の温度の炉に入れられる。この温度の炉に入れられたときに、前記の急速熱アニーリング処理されたウエハは、酸素析出に関して異なった挙動をする異なる帯域を有する。高い空孔領域（ウエハバルク）において、酸素は、ウエハが炉に入れられると急速にクラスター化する。負荷温度に到達するときまでにクラスター化過程は終了し、空孔の初期濃度だけに依存するクラスター分布が得られる。低い空孔領域（ウエハ表面の近く）において、ウエハは、以前から存在する酸素析出物核形成中心を有さない通常のウエハのように挙動する；すなわち、酸素のクラスター化は観測されない。温度が８００℃を超えて高くなるとき、あるいは温度が一定に維持される場合、空孔が多い帯域内のクラスターは、成長して析出し、それによって消費されるが、空孔が少ない帯域では何も起こらない。ウエハを空孔濃度の様々な帯域に分割することによって、テンプレートが効果的に得られ、そのテンプレートによって、ウエハを炉に入れたときに固定される酸素析出物パターンが描かれる。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
本発明のプロセスにおいて用いられる急速熱処理によって、少量の酸素がウエハの前表面および後表面から外方拡散し得る一方で、外方拡散の量は、デニューデッドゾーンの生成に関する従来のプロセスで観測される量よりも著しく少ない。結果として、「理想的な析出ウエハ」は、シリコン表面からの距離を関数とする実質的に均一な格子間酸素濃度を有する。例えば、酸素析出熱処理（Ｓ4）を行う前に、ウエハは、実質的に均一な格子間酸素濃度を、ウエハの中心からウエハ表面の約１５ミクロン以内のウエハ領域まで、より好ましくは、シリコンの中心からウエハ表面の約１０ミクロン以内のウエハ領域まで、さらにより好ましくは、シリコンの中心からウエハ表面の約５ミクロン以内のウエハ領域まで、最も好ましくは、シリコンの中心からウエハ表面の約３ミクロン以内のウエハ領域までに有する。本明細書において、実質的に均一な酸素濃度は、酸素濃度の分散が、約５０％以下であり、好ましくは約２０％以下であり、最も好ましくは約１０％以下であることを意味するものとする。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
酸化的処理が完了すると、ウエハは、上記の工程Ｓ３の場合のように、結晶格子の空孔が単結晶シリコン内で比較的移動しやすい温度範囲を通過するように急冷することができる。ウエハを急冷することによって、空孔の濃度プロファイルが、シリコンマトリックス内に効果的に「凍結」され、従って、これにより結晶格子の空孔の一様でない分布が得られる。従って、得られた空孔濃度プロファイルを喪失または消失させないためには、この温度範囲での平均速度が少なくとも約５℃／秒で冷却されることが望ましい。しかし、好ましくは、冷却速度は少なくとも約２０℃／秒である。冷却速度を変化させると、得られるプロファイルがさらに変わり得ることには留意しなければならない。従って、得ようとする所望のプロファイルに依存して、平均冷却速度は、少なくとも約５０℃／秒、約１００℃／秒、または約２００℃／秒以上までであり得る。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
酸化的処理によりもたらされる柔軟性によって、この方法は、ほぼ「Ｕ字型」の空孔濃度（数密度）プロファイルを有するウエハに対して問題なく実施できることにはさらに留意しなければならない。より詳細には、上記に記されているように、ウエハ表面に自然の酸化物層のみを有するウエハが熱アニーリング工程Ｓ２に供された場合、得られるウエハは、ほぼ「Ｕ字型」の空孔プロファイルを有する。そのようなウエハをこの酸化的熱処理に供することによって、空孔の濃度プロファイルを変化させることができる。この場合、その曝露条件は、本発明に順応する所望する空孔プロファイルを得るように選択的に決定される。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
【表ＩＩ】
表ＩＩ
2002524844.tif 000001