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【手続補正書】
【提出日】平成21年10月2日(2009.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜ソーラーセルのための相互接続を形成する方法において、
上記セルの活性層及び導電層のスタックを単一処理シーケンスで堆積するステップと、
上記相互接続を形成するステップと、
を備えた方法。
【請求項２】
上記形成するステップは、上記スタックに２つ以上のカットを形成する段階を含み、上記カットのうちの少なくとも１つは、上記スタックを完全に通して下層絶縁体へと達している、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記形成するステップは、上記少なくとも１つのカットに隣接し、上記活性層を通して切られ、上記下層絶縁体に導電性レッジを露出させる別のカットを形成する段階を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
上記カットのうちの少なくとも１つを形成するためにレーザーが使用される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
上記形成するステップは、上記カットの領域に、絶縁体を堆積し、その後、導体を堆積する段階を更に含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
上記形成するステップは、上記カットの領域に、絶縁体を堆積し、その後、導体を堆積する段階を更に含む、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
上記絶縁体は、感光性物質である、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
上記絶縁体は、感光性物質である、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記絶縁体は、上記スタックが堆積されている基板を通して自己整合形式で露光される、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
上記絶縁体は、上記スタックが堆積されている基板を通して自己整合形式で露光される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
上記処理シーケンスは、真空内である、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
上記相互接続を形成するステップは、上記活性層を堆積するための上記単一処理シーケンスとは独立した処理で導電性層を堆積する段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
上記形成するステップは、上記スタックを通してカットを形成する段階を含み、上記カットの第１部分は、上記スタックを完全に通して下層絶縁体まで達し、上記カットの第２部分は、上記活性層を通していて、上記下層絶縁体に導電性レッジを形成している、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
レーザーにより行われる上記カットは、上記下層絶縁体の切除により、上記活性層の少なくとも一部分に当接する上記セルの側壁部に絶縁被覆が与えられるようにする、請求項４に記載の方法。
【請求項１５】
上記カットは、レーザーによって行われ、上記下層絶縁体の切除により、上記活性層の少なくとも一部分に当接する上記セルの側壁部に絶縁被覆が与えられるようにする、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月29日(2009.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底部及び上部メッキシード領域の間に位置する酸素／窒素遷移領域を含むメッキシード層であって、前記メッキシード層が３ｎｍ以上のフィルム厚さで７５０℃以上の破壊温度を有するメッキシード層。
【請求項２】
前記上部及び底部メッキシード領域は、拡散バリア特性及びメッキシード特性の両方を有する同一又は異なる材料を含む、請求項１に記載のメッキシード層。
【請求項３】
前記上部及び底部メッキシード領域の両方が、ＴａＮ又はＴｉＳｉＮとの組み合わせを含む、Ｒｕ、Ｉｒ又はそれらの組み合わせを含む、請求項２に記載のメッキシード層。
【請求項４】
前記上部及び底部メッキシード領域の両方がＲｕを含む、請求項２に記載のメッキシード層。
【請求項５】
少なくとも１つの開口部を中に含む誘電体材料と、
前記少なくとも１つの開口部内に位置し、上部及び底部シード領域の間に位置する酸素／窒素遷移領域を含むメッキシード層であって、３ｎｍ以上のフィルム厚さで７５０℃以上の破壊温度を有するメッキシード層と、
前記少なくとも１つの開口部内に位置する相互接続導電性材料と、
を含む相互接続構造体。
【請求項６】
前記誘電体材料は、ＳｉＯ２、シルセスキオキサン、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ及びＨ原子を含むＣドープ酸化物、又は熱硬化性ポリアリーレンエーテルのうちの１つである、請求項５に記載の相互接続構造体。
【請求項７】
前記少なくとも１つの開口部は、配線用開口部、複合した配線用開口部及びビア用開口部、又はそれらの組み合わせである、請求項５に記載の相互接続構造体。
【請求項８】
前記上部及び底部メッキシード領域の両方が、ＴａＮ又はＴｉＳｉＮとの組み合わせを含む、Ｒｕ、Ｉｒ又はそれらの組み合わせを含む、請求項５に記載の相互接続構造体。
【請求項９】
前記相互接続導電性材料は、ポリＳｉ、導電性金属、少なくとも１つの導電性金属を含む合金、又は導電性金属シリサイドのうちの１つである、請求項５に記載の相互接続構造体。
【請求項１０】
前記相互接続導電性材料は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｗ又はＡｌＣｕから成る群から選択される導電性金属である、請求項９に記載の相互接続構造体。
【請求項１１】
前記底部及び上部メッキシード領域はＲｕを含み、前記相互接続導電性材料はＣｕを含む、請求項５に記載の相互接続構造体。
【請求項１２】
前記相互接続導電性材料は前記メッキシード層の底部がない開口ビア内又は前記メッキシード層の底部がある閉鎖ビア内に存在する、請求項５に記載の相互接続構造体。
【請求項１３】
少なくとも１つの開口部を中に含む誘電体材料と、
前記少なくとも１つの開口部内に位置し、上部及び底部Ｒｕ含有シード領域の間に位置する酸素／窒素遷移領域を含むＲｕ含有メッキシード層であって、３ｎｍ以上のフィルム厚さで７５０℃以上の破壊温度を有するＲｕ含有メッキシード層と、及び
前記少なくとも１つの開口部内に位置するＣｕ相互接続金属と、
を含む相互接続構造体。
【請求項１４】
誘電体材料の中に少なくとも１つの開口部を形成するステップと、
前記少なくとも１つの開口部内の前記誘電体材料の少なくとも露出壁部分に第１のメッキシード領域を形成するステップと、
前記第１のメッキシード領域上に酸素／窒素遷移領域を形成するステップと、
前記酸素／窒素遷移領域上に第２のメッキシード領域を形成するステップであって、前記第１のメッキシード領域、前記酸素／窒素遷移領域、及び前記第２のメッキシード領域が向上したバリア性を有する単一のメッキシード層を画定する、ステップと、
前記少なくとも１つの開口部内において前記単一メッキシード層上に相互接続導電性材料を形成するステップであって、前記単一のメッキシード層が３ｎｍ以上のフィルム厚さで７５０℃以上の破壊温度を有するステップと
を含む相互接続構造体の形成方法。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの開口部を形成する前記ステップは、配線用開口部、ビア用開口部及び配線用開口部、又は前記開口部の組み合わせのうちの１つをリソグラフィ及びエッチングすることを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記酸素／窒素遷移領域を形成する前記ステップは、酸素、窒素又はそれらの組み合わせを含む環境中で前記第１のメッキシード領域を処理するステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記酸素／窒素遷移領域を形成する前記ステップは、前記第１のメッキシード領域を形成するステップに用いられる前駆体を、前記第１のメッキシード領域よりも高い酸素、窒素又は酸素及び窒素を合わせた含量を有するように変化させるステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記誘電体材料の上面と実質的に同一平面の前記相互接続導電性材料及び前記メッキシード層の上面を有する構造体を提供するように、前記相互接続導電性材料及び前記メッキシード層が平坦化される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記相互接続導電性材料を形成する前記ステップは、前記メッキシード層をビア底部から除去するステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
誘電体材料の中に少なくとも１つの開口部を形成するステップと、
前記少なくとも１つの開口部内の前記誘電体材料の少なくとも露出壁部分に第１のＲｕ含有メッキシード領域を形成するステップと、
前記第１のＲｕ含有メッキシード領域上に酸素／窒素遷移領域を形成するステップと、
前記酸素／窒素遷移領域上に第２のＲｕ含有メッキシード領域を形成するステップであって、前記第１のＲｕ含有メッキシード領域、前記酸素／窒素遷移領域、及び前記第２のＲｕ含有メッキシード領域が向上したバリア性を有する単一のＲｕ含有メッキシード層を画定する、ステップと、
前記少なくとも１つの開口部内において前記単一のメッキシード層上にＣｕ相互接続金属を形成するステップであって、前記Ｒｕ含有メッキシード層が３ｎｍ以上のフィルム厚さで７５０℃以上の破壊温度を有するステップと
を含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
下部相互接続レベル１２の第１の誘電体材料１８は、無機誘電体又は有機誘電体を含むどのような層間又は層内誘電体を含んでいてもよい。第１の誘電体材料１８は多孔性又は非多孔性であってもよい。第１の誘電体材料１８として使用できる好適な誘電体のいくつかの例としては、これらに限定されないが、ＳｉＯ２、シルセスキオキサン、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ及びＨ原子を含むＣドープ酸化物（すなわち、オルガノシリケート）、熱硬化性ポリアリーレンエーテル、又はそれらの多層が挙げられる。「ポリアリーレン」という用語は、本出願において、結合、縮合環、又は、例えば酸素、硫黄、スルホン、スルホキシド、カルボニルなどのような不活性連結基によって共に連結された、アリール部分又は不活性置換されたアリール部分を表すために使用される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月21日(2009.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音響キャビティと該音響キャビティの表面とを含むバーであって、上記音響キャビティは該音響キャビティの単位面積当たりの質量が該音響キャビティの近傍である上記バーの部分の単位面積当たりの質量より大きくなる如く上記バー内に形成され、且つ、上記音響キャビティの上記表面は当該タッチバー・システムを起動するためのタッチ表面を形成するというバーと、
上記バーの上記音波キャビティ内に位置された音波変換器であって、該変換器は上記音響キャビティ内に実質的に捕捉される音波を生成し、上記キャビティの上記タッチ表面上にタッチが為されると上記変換器の出力には検出可能な変化が生成されるという音波変換器と、
を備えて成る音波式タッチバー・システム。
【請求項２】
２個の減少断面積部分を含むバーであって、上記各減少断面積部分はそれらの間における当該バーの部分内に音響キャビティを形成するというバーと、
上記バーの上記音波キャビティ部分上に位置された音波変換器であって、該変換器は上記音響キャビティ内に実質的に捕捉される音波を生成するという音波変換器と、
上記変換器に対して結合されると共に、該変換器の特性の変化に応じて上記バーのタッチ表面上のタッチを検出する回路と、
を備えて成る音波式タッチバー・システム。
【請求項３】
タッチ応答バーにおける２個の減少断面積領域を形成する段階と、
上記２個の減少断面積領域間にて上記バー内に音波キャビティを生成する段階と、
上記バーの上記音波キャビティ部分に陥没部を生成する段階と、
上記陥没部内に変換器を位置決めして上記音波キャビティ内に音波を生成する段階と、
上記変換器の出力における変化に基づきタッチ検出信号を提供して上記バー上におけるタッチを検出する段階と、
を備えて成る、タッチ応答バー上のタッチを検出する方法。
【請求項４】
タッチ応答部分を含むタッチ応答バー上のタッチを検出する方法であって、
上記バーの上記タッチ応答部分内に定常音波を生成する段階と、
タッチが不在のときに上記タッチ応答領域における上記音波が所定レベルまで衰退する時間を表す値を決定する段階と、
上記値を基準値と比較し、結果的な値が上記バーの上記タッチ応答部分上のタッチを表すか否かを決定する段階と、
上記バーの上記タッチ応答部分上のタッチを表す信号を生成する段階と、
を備えて成る方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月17日(2009.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに相対的に変位可能な境界部材によって取り囲まれた圧縮室に導体を挿入し、圧縮室の中で、境界部材の１つをなし、超音波振動させられる超音波溶接装置の振動音極により溶接する、剛性を有する扁平な支持体などの少なくとも１つの第１の電気導体と、素線などの少なくとも１つの第２の電気導体と、の間の溶接継手の作製方法において、該圧縮室内で前記第１の導体に２個以上の第２の導体を逐次溶接することを特徴とする方法。
【請求項２】
順次続く溶接操作の際に、第１の導体を圧縮室に対して相対的に変位させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１の導体を圧縮室に対して変位させることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
等しい、ないしは不等の横断面の複数の第２の導体を第１の導体に溶接することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか1つに記載の方法。
【請求項５】
複数の第２の導体を第１の導体の上に重ねて溶接することを特徴とする請求項１又は４に記載の方法。
【請求項６】
複数の第２の導体を第１の導体の互いに隔たる区域に溶接することを特徴とする請求項１，４，５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
複数の第２の導体を第１の導体の相異なる平面にある区域に溶接することを特徴とする請求項１，４，５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項８】
複数の第２の導体を第１の導体の相隔たる互いに平行な平面にある区域に溶接することを特徴とする請求項１，４，５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項９】
第１の第２導体として接地ケーブル又はバッテリーケーブル、第２の第２導体として制御線を第１の導体に溶接することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも２個の第２の導体を、第１の導体の縦軸を横切る区域に並列して第１の導体に溶接することを特徴とする請求項１，２，６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１１】
第１の導体に一群の第２の導体と１個の第２の導体又は一群の第２の導体を逐次溶接することを特徴とする請求項１，６，１０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１２】
第１の導体から保持片、例えば折れ曲りラグが延出する構成の請求項１に記載の方法において、最後の第２の導体と第１の導体を溶接するとき又は溶接した後に、第２の導体の固定のために、振動音極に超音波を励振させて保持片を第２の導体の方向に折り曲げることを特徴とする方法。
【請求項１３】
超音波溶接装置の出力が、第１の導体に溶接される複数の第２の導体を１回の溶接操作で全部は溶接できないか又は確実に溶接できないように設計されていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月25日(2009.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にシリコンと窒素を含む層を堆積させる方法であって：
シリコン含有化合物を蒸発させるステップと；
該シリコン含有化合物を処理チャンバの混合領域へ流すステップであって、該混合領域が加熱されたアダプタリングと少なくとも一つのブロッカープレートによって画成されている、前記ステップと；
該シリコン含有化合物をガス分配プレートを通って加熱された壁、基板支持体、該ガス分配プレートによって画成された処理領域へ流すステップと；
シリコンと窒素を備える層を該基板支持体上に堆積するステップと；
残留ガスを加熱された排気システムを通って排気するステップと；
を含む、前記方法。
【請求項２】
基板支持体の温度が約４７５℃〜約８００℃まで加熱され、
該排気システムの一部が、約５０℃〜約１６０℃に加熱される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該チャンバの該処理領域が、堆積の間、約１０〜約３５０トールの圧力であり、約１００〜約７００ミリトールの圧力である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該シリコン含有化合物が、該混合領域に入る前にアンモニアと混合される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
窒素含有化合物を該混合領域へ流すステップであって、該窒素含有化合物がアンモニア及びヒドラジンからなる群より選ばれる、前記ステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
希釈ガスを該混合領域へ流すステップであって、該希釈ガスが窒素、水素、ヘリウム、及びアルゴンからなる群より選ばれる、前記ステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ゲルマニウム含有化合物を該混合領域へ流すステップであって、該ゲルマニウム含有化合物がゲルマン及びジゲルマンからなる群より選ばれる、前記ステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも一つのドーパントを該混合領域へ流すステップであって、該少なくとも一つのドーパントが炭素含有化合物及びホウ素含有化合物からなる群より選ばれる、前記ステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
基板上にシリコンと窒素を含む少なくとも一つの層を堆積させる方法であって：
混合領域がアダプタリングと少なくとも一つのブロッカープレートによって画成された処理チャンバにシリコン含有化合物を流すステップと；
該処理チャンバの該アダプタリングと排気システムの一部を加熱するステップと；
ボロン含有化合物を該処理チャンバに流すステップと；
窒素含有化合物を該処理チャンバに流すステップと；
シリコンと窒素を備える層を該基板支持体上に堆積するステップと；
を含む、前記方法。
【請求項１０】
該シリコン含有化合物が、炭素含有化合物と共に該処理チャンバへ流される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
ホウ素窒素水素膜を堆積させるステップを更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
追加の窒化シリコン膜を堆積させるステップを更に含む、請求項１または９に記載の方法。
【請求項１３】
該炭素含有化合物が、ビスターシャリーブチルアミノシランである、請求項１または９に記載の方法。
【請求項１４】
該ホウ素含有化合物が、ボラン、ジボラン、及び三塩化ホウ素からなる群より選ばれる、請求項１または９に記載の方法。
【請求項１５】
該シリコン含有化合物が、ジクロロシラン、ヘキサクロロシラン、ビス(ターシャリ-ブチルアミノ)シラン、シラン、及びジシランからなる群より選ばれる、請求項１または９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月3日(2009.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の屈折率で放射線ビームを透過するように構成された基板であって、前記放射線ビームが指定の波長を有する基板と、
デジタル・データを保管するように構成された第１のデータ表面であって、前記放射線ビームを透過し、指定の深さのピットがランド部分上に配置されたランド部分を有し、前記ピット深さが前記ランド部分の平面と前記ピットのベースとの間の垂直距離である第１のデータ表面と、
デジタル・データを保管するように構成された第２のデータ表面であって、前記ピット深さのピットがランド部分上に配置されたランド部分を有する第２のデータ表面と、
前記第１および第２のデータ表面の間の間隔距離を維持し、前記放射線ビームが前記基板を通過し、前記第１または第２のデータ表面のいずれかで集束するように第２の屈折率で放射線ビームを透過するように構成されたスペーサ層であって、前記ピット深さが前記放射線ビームの波長を前記第１および第２の屈折率の平均の４倍で割った値に実質的に等しいスペーサ層と、
を含む、光学データ記憶媒体。
【請求項２】
前記第１および第２の屈折率の平均が算術平均である、請求項１に記載の光学データ記憶媒体。
【請求項３】
前記第１および第２の屈折率の平均が調和平均である、請求項１に記載の光学データ記憶媒体。
【請求項４】
前記第１および第２の屈折率の平均が幾何平均である、請求項１に記載の光学データ記憶媒体。
【請求項５】
前記放射線ビームがレーザ・ダイオードによって発生される、請求項１に記載の光学データ記憶媒体。
【請求項６】
前記放射線ビームの波長が３８５ｎｍ〜４２５ｎｍの範囲内である、請求項１に記載の光学データ記憶媒体。
【請求項７】
前記放射線ビームの波長が６３０ｎｍ〜６７０ｎｍの範囲内である、請求項１に記載の光学データ記憶媒体。
【請求項８】
ベース層をさらに含む、請求項１に記載の光学データ記憶媒体。
【請求項９】
前記第１および第２のデータ表面のそれぞれが複数の溝を含み、前記ランド部分が前記複数の溝のうちの２つの間に配置される、請求項１に記載の光学データ記憶媒体。
【請求項１０】
前記第１および第２のデータ表面が反転した溝をさらに含み、前記ランド部分が前記溝の上に配置される、請求項１に記載の光学データ記憶媒体。
【請求項１１】
前記ランド部分を受け入れるための手段をさらに含む、請求項１に記載の光学データ記憶媒体。
【請求項１２】
第１の屈折率で放射線ビームを透過するように構成された基板であって、前記放射線ビームが指定の波長を有する基板と、
デジタル・データを保管するように構成された第１のデータ表面であって、前記放射線ビームを透過し、指定の深さのピットがランド部分上に配置されたランド部分を有し、前記ピット深さが前記ランド部分の平面と前記ピットのベースとの間の垂直距離である第１のデータ表面と、
デジタル・データを保管するように構成された第２のデータ表面であって、前記ピット深さのピットがランド部分上に配置されたランド部分を有する第２のデータ表面と、
前記第１および第２のデータ表面の間の間隔距離を維持し、前記放射線ビームが前記基板を通過し、前記第１または第２のデータ表面のいずれかで集束するように第２の屈折率で放射線ビームを透過するように構成されたスペーサ層であって、前記ピット深さが前記放射線ビームの波長を前記第１および第２の屈折率の平均の４倍で割った値に実質的に等しいスペーサ層と、
を含む、光学データ記憶媒体と、
前記光学データ記憶媒体を回転させるように構成されたスピンドル・モータと、
前記放射線ビームを前記第１または第２のデータ表面に向け、前記データ表面から反射ビームを向けるように構成された光学ヘッドと、
前記光学ヘッドを位置決めするように構成されたアームと、
前記放射線ビームを発生し、前記反射ビームから前記ピットを検出するように構成された光学モジュールと、
前記光学モジュールおよび前記スピンドル・モータを制御し、前記検出されたピットをデジタル・データに変換するように構成された制御モジュールと、
を含み、データを光学的に保管するためのシステム。
【請求項１３】
光学データ記憶媒体用の共通へこみ深さを計算するための方法において、
放射線ビームの波長を識別する機能と、
前記放射線ビームを透過するように構成された複数のスペーサ層について第１の屈折率を識別する機能と、
平均屈折率を計算する機能と、
前記放射線ビームの波長を前記平均屈折率の４倍で割った値に実質的に等しいものとして、データ表面上に配置された複数のへこみのへこみ深さを計算する機能と、
を実行するように動作可能である、方法。
【請求項１４】
光学データ記憶媒体を製造するための方法において、
第１のデータ表面のランド部分上のピットを指定のピット深さまで刻印するステップであって、前記ピット深さが前記ランド部分の平面と前記ピットのベースとの間の垂直距離であり、前記第１の表面が指定の波長を有する放射線ビームを透過する、前記刻印するステップと、
第２のデータ表面のランド部分上のピットを前記ピット深さまで刻印するステップと、
前記第２のデータ表面にスペーサ層を貼付するステップであって、前記スペーサ層が前記第１および第２のデータ表面の間の間隔距離を維持するように構成され、前記スペーサ層が第２の屈折率で前記放射線ビームを透過する、前記貼付するステップと、
前記スペーサ層に前記第１のデータ表面を貼付するステップと、
前記第１のデータ表面に基板を貼付するステップであって、前記放射線ビームが前記基板を通過し、前記第１または第２のデータ表面のいずれかで集束するように前記基板が第１の屈折率で前記放射線ビームを透過し、前記ピット深さが前記放射線ビームの波長を前記第１および第２の屈折率の平均の４倍で割った値に実質的に等しい、前記貼付するステップと、
を含む、方法。
【請求項１５】
前記第２のデータ表面をベース層に貼付するステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１および第２のデータ表面上に複数の溝を形成するステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記ランド部分が前記複数の溝のうちの２つの間に配置される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
共通ピット深さを計算するための動作を実行するためにデジタル処理装置によって実行可能な機械可読命令からなるプログラムを具体的に実施する信号伝送媒体において、前記動作が、
放射線ビームの波長を識別する動作と、
前記放射線ビームを透過するように構成された複数のスペーサ層について第１の屈折率を識別する動作と、
平均屈折率を計算する動作と、
前記放射線ビームの波長を前記平均屈折率の４倍で割った値に実質的に等しいものとして、データ表面上に配置された複数のピットのピット深さを計算する動作と、
を含む、信号伝送媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月10日(2009.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のプロトコルに従うバーストの形の信号を受信する信号受信機と、第２のプロトコルに従うバーストの形の信号を送信する送信機とを具え、前記第１および第２のプロトコルの信号が相互に干渉する無線トランシーバであって、前記受信機により受信された前記第１のプロトコルの信号バーストのタイミングに基づいて、前記第１のプロトコルの未来のバーストのタイミングを予測し、前記送信機が前記第２のプロトコルに従うバーストを予測された第１のプロトコルの信号バーストを避けるように選択されたスロットを用いて送信するように前記送信機を制御するよう構成された送信スケジューラを更に具えることを特徴とする無線トランシーバ。
【請求項２】
前記送信スケジューラは、前記第１のプロトコルの未来のバーストのタイミングを推定し、前記第１のプロトコルに従う未来のバーストの予測されたタイミングを表すタイミング信号を形成するバーストタイミング推定器と、前記タイミング信号に応答して、前記第２のプロトコルに従うバーストを前記第１のプロトコルの予測された信号バーストを避けて送信するように前記送信機を制御する送信コントローラとを具えることを特徴とする請求項１記載の無線トランシーバ。
【請求項３】
前記バーストタイミング推定器は、当該バーストタイミング推定器で先に推定された前記第１のプロトコルのバーストのタイミングと前記第１のプロトコルの実際のタイミングとの差を推定するように構成された位相ロックループを具えることを特徴とする請求項２記載の無線トランシーバ。
【請求項４】
前記バーストタイミング推定器は、前記第１のプロトコルの未来のバーストのタイミングの推定を前期推定された差に依存して変更するように構成されていることを特徴とする請求項３記載の無線トランシーバ。
【請求項５】
前記第１および第２のプロトコルの一つは無線ローカルエリアネットワークプロトコルであることを特徴とする請求項２−４の何れかに記載の無線トランシーバ。
【請求項６】
前記第１および第２のプロトコルの一つはＢｌｕｅｔｏｏｔｈであることを特徴とする請求項１−５の何れかに記載の無線トランシーバ。
【請求項７】
前記第１および第２のプロトコルの一つはＢｌｕｅｔｏｏｔｈ ＳＣＯまたはｅＳＣＯであることを特徴とする請求項１−６の何れかに記載の無線トランシーバ。
【請求項８】
前記第１および第２のプロトコルはディレイクリティカルデータを搬送するものであることを特徴とする請求項１−７の何れかに記載の無線トランシーバ。
【請求項９】
前記第１および第２のプロトコルは音声データを搬送するものであることを特徴とする請求項１−８の何れかに記載の無線トランシーバ。
【請求項１０】
前記送信機は、前記第１のプロトコルで受信されたトラヒックデータを第２のプロトコルに従って送信することにより中継するように構成されていることを特徴とする請求項１−９の何れかに記載の無線トランシーバ。
【請求項１１】
前記バーストはパケットであることを特徴とする請求項１−１０の何れかに記載の無線トランシーバ。
【請求項１２】
前記送信機および受信機がアンテナを有し、前記アンテナは、前記アンテナで送信される前記第２のプロトコルの信号が前記第１のプロトコルの信号と干渉して前記第１のプロトコルの信号が前記受信機にうまく受信されるのを阻止するように配置されている請求項１−１１の何れかに記載の無線トランシーバ。
【請求項１３】
前記第１および第２のプロトコルは異なることを特徴とする請求項１−１２の何れかに記載の無線トランシーバ。
【請求項１４】
前記第１のプロトコルの未来のバーストの予測タイミングは前記第１のプロトコルの未来のバーストのタイミングの予測分布から推定されることを特徴とする請求項１−１３の何れかに記載の無線トランシーバ。
【請求項１５】
前記第１のプロトコルの未来のバーストの各予測タイミングは前記第１のプロトコルの未来のバーストのタイミングのありそうな範囲であることを特徴とする請求項１−１４の何れかに記載の無線トランシーバ。
【請求項１６】
第１のプロトコルに従うバーストの形の信号を受信する信号受信機と、第２のプロトコルに従うバーストの形の信号を送信する送信機とを具え、第１および第２のプロトコルの信号が相互に干渉する無線トランシーバを動作させる方法であって、前記受信機により受信された第１のプロトコルの信号バーストのタイミングに基づいて、第１のプロトコルの未来のバーストのタイミングを予測するステップと、前記送信機が第２のプロトコルに従うバーストを予測された第１のプロトコルの信号バーストを避けるように選択されたスロットを用いて送信するように前記送信機を制御するステップとを具える無線トランシーバの動作方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月1日(2009.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドライバ回路装置であって、
電気エネルギーの源への接続と、
複数の個別にスイッチ可能な電気サブシステムと、を備え、
それぞれのサブシステムが、
電気エネルギーの源から前記サブシステムへのエネルギーの流れを制御するためのスイッチと、
電気装置と、
エネルギーを貯蔵するためのエネルギー貯蔵装置と、を備え、
それぞれのサブシステムは、サブスイッチを備え、エネルギー貯蔵装置から電気装置への貯蔵されたエネルギーの流れを制御するように構成されている、ことを特徴とするドライバ回路装置。
【請求項２】
電力変換装置をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載のドライバ回路装置。
【請求項３】
スイッチを制御するためのスイッチ制御装置をさらに備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載のドライバ回路装置。
【請求項４】
サブスイッチを制御するためのサブスイッチ制御装置をさらに備えていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のドライバ回路装置。
【請求項５】
エネルギー貯蔵装置は、コンデンサーから構成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のドライバ回路装置。
【請求項６】
少なくともひとつのサブシステムは、並列に及び／又は直列に接続された複数の電気装置を備えていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のドライバ回路装置。
【請求項７】
少なくともひとつのサブシステムにおいて、それぞれの電気装置は、個別的にスイッチ可能で、個別的に通電可能になっていることを特徴とする請求項６に記載のドライバ回路装置。
【請求項８】
少なくともひとつの電気装置は、ＬＥＤから構成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のドライバ回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月21日(2009.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオ信号のデコーディング方法であって、
クオリティ基本レイヤをデコーディングし、
クオリティが量子化ステップのサイズに基づく、前記クオリティ基本レイヤに基づいてクオリティ拡張レイヤをデコーディングし、
前記クオリティ基本レイヤのピクチャと前記クオリティ拡張レイヤのピクチャとをレファレンスピクチャとしてマーキングし、
前記クオリティ基本レイヤの前記ピクチャ及び前記クオリティ拡張レイヤの前記ピクチャの両者は、同一のピクチャ識別情報を有し、
前記マーキングにおいて、前記クオリティ基本レイヤの前記ピクチャは、他の表示情報としてマーキングされること特徴とするビデオ信号のデコーディング方法。
【請求項２】
同一のピクチャ識別情報を有する前記クオリティ基本レイヤの前記ピクチャ及び前記クオリティ拡張レイヤの前記ピクチャは、最低の時間解像度を有する、請求項１に記載のビデオ信号のデコーディング方法。
【請求項３】
前記クオリティ拡張レイヤの前記ピクチャは、前記クオリティ基本レイヤの前記ピクチャよりも小さいサイズの量子化ステップを有する、請求項１に記載のビデオ信号のデコーディング方法。
【請求項４】
前記ピクチャ識別情報は、デコーディング順序を示すフレーム番号情報と、ピクチャを識別するためのピクチャ番号情報と、レファレンスインデックス情報と、を含む、請求項１に記載のビデオ信号のデコーディング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月24日(2009.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶接型装置と、
前記溶接型装置と関連付けられており、且つ、その内部に保存された前記溶接型装置の識別情報を具備しているデータストレージユニットと、
前記データストレージユニットに対して動作可能に装着された無線通信ユニットであって、前記データストレージユニットからの情報を搬送する信号を放射するべく構成された無線通信ユニットと、
を有する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月5日(2009.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御パケットおよびデータパケットを伝送する無線送信／受信ユニット（ＷＴＲＵ）が実行する方法であって、
前記方法は、
ダウンリンク制御チャネルを介して第１の制御パケットを受信するステップであって、該第１の制御パケットは、スケジューリング情報、パケット解読情報および受信プロセス情報を含む、ステップと、
ダウンリンクデータチャネルを構成するステップと、
アップリンク制御チャネルを構成するステップと、
アップリンクデータチャネルを構成するステップと、
前記ダウンリンクデータチャネルを介して第１のデータパケットを受信するステップと、
前記受信プロセス情報および前記パケット解読情報に基づいて前記第１のデータパケットをデコードして処理するステップと、
前記アップリンク制御チャネルを介して第２の制御パケットを伝送するステップと、
前記アップリンクデータチャネルを介して第２のデータパケットを伝送するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
制御パケットおよびデータパケットを伝送する無線送信／受信ユニット（ＷＴＲＵ）が実行する方法であって、
前記方法は、
プライマリ・ダウンリンク制御チャネルを介してスケジューリング情報を受信するステップと、
セカンダリ・ダウンリンク制御チャネルを構成するステップと、
ダウンリンクデータチャネルを構成するステップと、
アップリンク制御チャネルを構成するステップと、
アップリンクデータチャネルを構成するステップと、
前記セカンダリ・ダウンリンク制御チャネルを介して制御情報を受信するステップと、
前記ダウンリンクデータチャネルを介して第１のデータパケットを受信するステップと、
前記セカンダリ・ダウンリンク制御チャネルを介して受信した前記制御情報に基づいて前記第１のデータパケットをデコードして処理するステップと、
前記アップリンク制御チャネルを介して第２の制御パケットを伝送するステップと、
前記アップリンクデータチャネルを介して第２のデータパケットを伝送するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
制御パケットおよびデータパケットを伝送する無線送信／受信ユニット（ＷＴＲＵ）であって、
前記無線送信／受信ユニットは、
スケジューリング情報、パケット解読情報および受信プロセス情報を含む第１の制御パケットを、ダウンリンク制御チャネルを介して受信し、
ダウンリンクデータチャネルを構成し、
アップリンク制御チャネルを構成し、
アップリンクデータチャネルを構成し、
前記ダウンリンクデータチャネルを介して第１のデータパケットを受信し、
前記受信プロセス情報および前記パケット解読情報に基づいて前記第１のデータパケットをデコードして処理し、
前記アップリンク制御チャネルを介して第２の制御パケットを伝送し、
前記アップリンクデータチャネルを介して第２のデータパケットを伝送する
ように構成されたことを特徴とする無線送信／受信ユニット。
【請求項４】
制御パケットおよびデータパケットを伝送する無線送信／受信ユニット（ＷＴＲＵ）であって、
前記無線送信／受信ユニットは、
プライマリ・ダウンリンク制御チャネルを介してスケジューリング情報を受信し、
セカンダリ・ダウンリンク制御チャネルを構成し、
ダウンリンクデータチャネルを構成し、
アップリンク制御チャネルを構成し、
アップリンクデータチャネルを構成し、
前記セカンダリ・ダウンリンク制御チャネルを介して制御情報を受信し、
前記ダウンリンクデータチャネルを介して第１のデータパケットを受信し、
前記セカンダリ・ダウンリンク制御チャネルを介して受信した前記制御情報に基づいて前記第１のデータパケットをデコードして処理し、
前記アップリンク制御チャネルを介して第２の制御パケットを伝送し、
前記アップリンクデータチャネルを介して第２のデータパケットを伝送する
ように構成されたことを特徴とする無線送信／受信ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月14日(2009.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスの第一部位に横型に設けたソース領域及びドレイン領域と、第一部位から少なくとも第一導電型の基板領域を介して隔てたデバイスの第二部位に設けた少なくとも１つの電流供給セルとを備えてなるパワー半導体デバイス。
【請求項２】
請求項１のデバイスにおいて、前記第一部位のソース領域及びドレイン領域をＬＩＧＢＴ構造の一部分としてなるパワー半導体デバイス。
【請求項３】
請求項１又は２のデバイスにおいて、前記電流供給セルをＭＯＳ制御構造により制御してなるパワー半導体デバイス。
【請求項４】
請求項３のデバイスにおいて、前記電流供給セルをＭＯＳＦＥＴとしてなるパワー半導体デバイス。
【請求項５】
請求項１から４の何れかのデバイスにおいて、前記デバイスの第二部位に少なくとも１つの第一導電型の電流供給セルを設けてなるパワー半導体デバイス。
【請求項６】
少なくとも１つの論理回路と少なくとも１つのパワー半導体デバイスとを備え、そのパワー半導体デバイスに、デバイスの第一部位に横型に設けたソース領域及びドレイン領域と、少なくとも第一導電型の基板領域を介して第一部位から隔てたデバイスの第二部位に設けた少なくとも１つの電流供給セルとを設けてなるパワー集積回路。
【請求項７】
請求項６のパワー集積回路において、複数の前記論理回路と複数の前記パワー半導体デバイスとを設けてなるパワー集積回路。
【請求項８】
請求項７のパワー集積回路において、一対の隣接する前記パワー半導体デバイスを設け、少なくとも前記パワー半導体デバイスの基板領域間の境界部に沿って延びるトレンチを設けて両デバイスを相互に隔ててなるパワー集積回路。
【請求項９】
請求項８のパワー集積回路において、少なくとも１つの前記パワー半導体デバイスに、その基板領域と接触する第一導電型の深部領域を含めてなるパワー集積回路。
【請求項１０】
請求項８又は９のパワー集積回路において、前記隣接するパワー半導体デバイスの第一部位を相互に離隔する第二導電型の境界領域を設けてなるパワー集積回路。
【請求項１１】
請求項８から１０の何れかのパワー集積回路において、前記トレンチを第二導電型の境界領域及び／又は第一導電型の深部領域と接触させることによりパワー半導体デバイスの相互間の電流の流れを実質上遮断してなるパワー集積回路。
【請求項１２】
請求項１１のパワー集積回路において、前記一対の隣接するパワー半導体デバイスの基板領域間の境界に、隣接するパワー半導体デバイスのうち少なくとも一方の深部領域又は境界領域を含めてなるパワー集積回路。
【請求項１３】
請求項１２のパワー集積回路において、前記境界領域の少なくとも周辺部位に単独又は複数の深部領域を延在させてなるパワー集積回路。
【請求項１４】
請求項９から１３の何れかのパワー集積回路において、前記深部領域をパワー集積回路の外側層と導通可能な分離ウェルとしてなるパワー集積回路。
【請求項１５】
請求項９から１４の何れかのパワー集積回路において、前記単独又は複数の深部領域を保護環形状としてなるパワー集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月13日(2009.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分散光チャネル上でデジタル情報を通信する方法であって、
入力デジタル情報ビットを処理して、同相信号成分及び直角位相信号成分を含む対応する電気的直交周波数分割多重（ＯＦＤＭ）信号を生成するステップであって、前記情報ビットは、前記ＯＦＤＭ信号の周波数成分に対応する複数のデータシンボルで符号化され、
同相信号成分及び直角位相信号成分を有する光源を変調して、対応する光学的ＯＦＤＭ信号を作成するステップと、
前記分散光チャネル上で前記光学的ＯＦＤＭ信号を送信するステップと、
前記光学的ＯＦＤＭ信号を検出して、対応する受信同相信号成分及び受信直角位相信号成分を作成するステップと、
前記受信同相信号成分及び受信直角位相信号成分を処理して、前記電気的ＯＦＤＭ信号の周波数成分を復元するステップと、
前記送信データシンボル及び符号化情報ビットを復元するために、結果として得られた分散に対応する相調整を適用することによって、各前記周波数成分を等化するステップと、を備える方法。
【請求項２】
前記入力デジタル情報を処理するステップは、
所定の変調フォーマットに従って前記複数のデータシンボルに情報ビットをマッピングするステップと、
周波数／時間変換を前記データシンボルに適用して、同相電気的ＯＦＤＭ信号成分及び直角位相電気的ＯＦＤＭ信号成分を生成するステップと、
を行うことにより前記電気的ＯＦＤＭ信号を生成するステップを備える請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記所定の変調フォーマットは、オン／オフ変調（ＯＯＫ）、振幅偏移変調（ＡＳＫ）、直交振幅変調（ＱＡＭ）、位相偏移変調（ＰＳＫ）、および周波数偏移変調（ＦＳＫ）を含むグループから選択される請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記電気的ＯＦＤＭ信号を生成するステップは、さらに、保護時間および／または循環プレフィックスを前記同相信号成分及び直角位相信号成分に追加するステップを備える請求項２記載の方法。
【請求項５】
前記光源を変調するステップは、前記光学的ＯＦＤＭ信号が光搬送波成分を含むように行われる請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記光源を変調するステップは、前記光学的ＯＦＤＭ信号が実質的に光単側波帯のみを含むように行われる請求項５記載の方法。
【請求項７】
分散特性を有する光チャネルを介してデジタル情報を受信する方法であって、
前記デジタル情報は、周波数成分に対応する複数のデータシンボルに符号化されたデジタル情報ビットを有する電気的直交周波数分割多重（ＯＦＤＭ）信号の同相信号成分及び直角位相信号成分を有する光源を変調することによって作成された光学的直交周波数分割多重（ＯＦＤＭ）信号内で送信され、
前記光学的ＯＦＤＭ信号を検出して、対応する受信同相信号成分及び受信直角位相信号成分を作成するステップと、
前記受信同相信号成分及び受信直角位相信号成分を処理して、前記電気的ＯＦＤＭ信号の周波数成分を復元するステップと、
前記送信データシンボル及び符号化情報ビットを復元するために、結果として得られた分散に対応する相調整を適用することによって、各前記周波数成分を等化するステップと、を備える方法。
【請求項８】
前記受信同相信号成分及び受信直角位相信号成分を処理するステップは、時間／周波数変換を前記受信同相信号成分及び受信直角位相信号成分に適用するステップを備える請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記等化するステップは、さらに、振幅調整を１又は複数の復元周波数成分に適用するステップを備える請求項７記載の方法。
【請求項１０】
前記符号化情報ビットを復元するステップは、所定の変調フォーマットに従って前記等化データシンボルをデマッピングするステップを備える請求項７記載の方法。
【請求項１１】
前記所定の変調フォーマットは、オン／オフ変調（ＯＯＫ）、振幅偏移変調（ＡＳＫ）、直交振幅変調（ＱＡＭ）、位相偏移変調（ＰＳＫ）、および周波数偏移変調（ＦＳＫ）を含むグループから選択される請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
分散特性を有する光チャネルを介してデジタル情報を受信する装置であって、
前記デジタル情報は、周波数成分に対応する複数のデータシンボルに符号化されたデジタル情報ビットを有する電気的直交周波数分割多重（ＯＦＤＭ）信号の同相信号成分及び直角位相信号成分を有する光源を変調することによって作成された光学的直交周波数分割多重（ＯＦＤＭ）信号内で送信され、
前記光学的ＯＦＤＭ信号を検出して、対応する受信同相信号成分及び受信直角位相信号成分を作成するように構成された光受信機と、
前記受信同相信号成分及び受信直角位相信号成分を処理して、前記電気的ＯＦＤＭ信号の周波数成分を復元し、前記送信データシンボル及び符号化情報ビットを復元するために、結果として得られた分散に対応する相調整を適用することによって、各前記周波数成分を等化するように構成された電子プロセッサと、を備える装置。
【請求項１３】
前記光受信機は、前記受信信号の同相信号成分及び直角位相信号成分を復元するように構成された復調器を備え、
前記電子プロセッサは、前記復元同相信号成分及び復元直角位相信号成分に対応する一連のデジタルサンプルを生成するように構成された複数のアナログデジタルコンバータ（ＡＤＣ）を備える請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記電子プロセッサは、さらに、デジタル信号プロセッサを備え、
前記デジタル信号プロセッサは、
時間／周波数変換を適用して、前記ＯＦＤＭ信号の周波数成分に対応する複数の周波数ドメイン値を計算し、前記送信ＯＦＤＭ信号の対応する周波数成分によって得られた分散に対応する相調整を各周波数ドメイン値に適用することによって各前記周波数成分を等化するように構成される請求項１３記載の装置。
【請求項１５】
デジタル情報を送信するシステムであって、
周波数成分に対応する複数のデータシンボルに符号化されたデジタル情報ビットを有する電気的ＯＦＤＭ信号の同相信号成分及び直角位相信号成分を有する光源を変調することによって、光信号を生成するように構成された送信機と、
請求項１２記載の受信装置と、
前記送信機から前記受信装置まで前記光信号を伝送するように構成された分散光チャネルと、を備えるシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月29日(2009.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のミラーシェル（１２１２．１）と、
第２のミラーシェル（１２１２．２）と、を備え、
前記第１のミラーシェル（１２１２．１）は前記第２のミラーシェル（１２１２．２）の内部に配設され、
前記第１のミラーシェル（１２１２．１）及び／又は前記第２のミラーシェル（１２１２．２）は、回転対称の部分と回転対称でない部分を有する、閉じた鏡面である、波長が１９３ｎｍ以下、好ましくは１２６ｎｍ以下、特に好ましくはＥＵＶ放射の照明システム用集光器。
【請求項２】
前記第１のミラーシェル（１２１２．１）及び／又は前記第２のミラーシェル（１２１２．２）は、第１の光学面を有する第１の部位と第２の光学面を有する第２の部位を有する、請求項１記載の集光器。
【請求項３】
前記第１の部位は、回転双曲面（８００）であり、前記第２の部位は、回転楕円面（８０２）であり、前記回転対称でない部分は、前記回転双曲面及び／又は回転楕円面に加える又は減ずる、請求項２記載の集光器。
【請求項４】
前記第１のミラーシェル（１２１２．１）及び／又は前記第２のミラーシェル（１２１２．２）は、対称軸を有する、請求項１から請求項３迄の何れかに記載の集光器。
【請求項５】
前記対称軸は、前記第１のミラーシェル（１２１２．１）及び前記第２のミラーシェル（１２１２．２）の共通の対称軸である、請求項４記載の集光器。
【請求項６】
前記第１のミラーシェル（１２１２．１）及び／又は前記第２のミラーシェル（１２１２．２）は前記対称軸に対してｎ回対称であり、ｎは整数である、請求項４又は請求項５記載の集光器。
【請求項７】
前記対称軸に対する対称は、以下の
二回対称
三回対称
四回対称
五回対称
六回対称
七回対称
八回対称である、請求項６記載の集光器。
【請求項８】
前記集光器は、光源の光を受光し、前記集光器の後方の光路に配設された面に導き、
前記閉じたミラーシェルの前記回転対称でない部分は、前記面に、ほぼ長方形の照明が形成されるように選択される、請求項１から請求項７迄の何れかに記載の集光器。
【請求項９】
軸に最も近接したミラーシェルの内部の前記集光器は、絞りを有する、請求項１から請求項８迄の何れかに記載の集光器。
【請求項１０】
少なくとも前記第１のミラーシェル（１２１２．１）と前記第２のミラーシェル（１２１２．２）は、光を前記集光器の後方の光路上の面に導き、
第１の照明（Ａ６．１）と第２の照明（Ａ６．２）を前記面に結像し、前記第１の照明（Ａ６．１）と前記第２の照明（Ａ６．２）とは距離を有する、請求項１から請求項９迄の何れかに記載の集光器。
【請求項１１】
前記面には複数のラスタ要素が形状を有して配置されており、前記第１の照明（Ａ６．１）及び／又は前記第２の照明（Ａ６．２）は、前記複数のラスタ要素の配置の形状にほぼ対応する幾何学的な形状を有する、請求項１０に記載の集光器。
【請求項１２】
前記照明がほぼ長方形の形状、特に正方形の形状を有する、請求項１０又は請求項１１に記載の集光器。
【請求項１３】
波長が１９３ｎｍ以下、好ましくは１２６ｎｍ以下、特に好ましくはＥＵＶ波長領域の、請求項１から請求項１２迄の何れかに記載の集光器（３）を備えた照明システムであって、
前記集光器（３）は、光源（１）から、照明する面（１０３、１１０３）への光路上で、前記（１）と前記面（１０３、１１０３）の間に配設され、
前記面（１０３）の中、又は前記面（１０３）の近傍にはファセット光学素子（１０２）が利用可能に設けられている、照明システム。
【請求項１４】
前記ファセット光学素子（１０２）が複数のフィールドラスタ要素（４０２、５０２、１３００）を有する、請求項１３記載の照明システム。
【請求項１５】
前記ファセット光学素子の前記フィールドラスタ要素（１３００）が、前記面（１１０３）の、前記面（１１０３）のほぼ照明（Ａ６．１、Ａ６．２、Ａ６．３）の領域に配設される、請求項１４記載の照明システム。
【請求項１６】
さらに、射出瞳面（１４０）及び／又は瞳面を有し、前記ファセット光学素子が、前記面（１０３）の照明の形状とは無関係に、光源の像を射出瞳面（１４０）及び／又は瞳面（１０５）に広範に物体に忠実に結像するように構成される、請求項１３から請求項１５迄の何れかに記載の照明システム。
【請求項１７】
瞳面（１０５）とさらなるファセット光学素子（１０４）を有し、
前記さらなるファセット光学素子（１０４）は前記瞳面（１０５）の中、または前記瞳面（１０５）の近傍に位置する、請求項１３から請求項１６迄の何れかに記載の照明システム。
【請求項１８】
前記さらなる光学素子は複数の瞳ラスタ要素を有する、請求項１７記載の照明システム。
【請求項１９】
フィールド面（１１４）のフィールドを照明する、請求項１３から請求項１８迄の何れかに記載の照明システムと、
前記フィールド面（１１４）の物体を像面（１２４）に結像する投影対物光学系（１２８）と、を備えた、
波長が１９３ｎｍ以下のマイクロリソグラフィー用投影露光装置。