【手続補正書】
【提出日】平成23年11月4日(2011.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハを電気的に試験する方法であって、
前記ウェーハの第１のデフォーカス走査領域の帯電に影響を及ぼすように、デフォーカスされた荷電粒子ビームによって第１デフォーカス走査ラインに沿って、前記第１のデフォーカス走査領域を走査するステップであって、前記デフォーカス走査領域が第１の複数Ｎ個のフォーカス走査ラインを収容するものであるステップと、
前記デフォーカス走査領域内の第１の番号の複数のフォーカス走査ラインを、フォーカスされた荷電粒子ビームによって走査すると共に、前記ウェーハから散乱した電子を検出するステップであって、前記第１の番号のフォーカス走査ラインの走査は、シーケンス１、ｎ＋１、２ｎ＋１、．．．＜Ｎをたどり、ｎは、ラインａｎ＋１の帯電が、ライン（ａ＋１）ｎ＋１の帯電に悪影響を及ぼさないものであり、前記フォーカスされた荷電粒子ビームによる第１の番号のフォーカス走査ラインに沿った走査は、前記第１の番号のフォーカス走査ラインが前記デフォーカスされた荷電粒子ビームによる前記第１のデフォーカス走査領域を走査するステップによって導入された帯電の影響を受ける状態を維持する間に、実行されるステップと、
前記ウェーハの第２のデフォーカス走査領域の帯電に影響を及ぼすように、デフォーカスされた荷電粒子ビームによって第２デフォーカス走査ラインに沿って、前記第２のデフォーカス走査領域を走査するステップであって、前記第２のデフォーカス走査領域が、前記第１の複数Ｎ個のフォーカス走査ラインから一本のフォーカス走査ライン分だけインクリメントされた第２の複数Ｎ個のフォーカス走査ラインを収容するものであるステップと、
前記第２のデフォーカス走査領域内の第２の番号の第２の複数のフォーカス走査ラインを、フォーカスされた荷電粒子ビームによって走査すると共に、前記ウェーハから散乱した電子を検出するステップであって、前記第２の番号のフォーカス走査ラインの走査は、前記第１の番号のフォーカス走査ラインを走査するために用いられるシーケンスとは異なるシーケンスをたどるステップと、
その指定された部分が前記フォーカスされた荷電粒子ビームで走査されるまで、前記デフォーカスされた荷電粒子ビーム及び前記フォーカスされた荷電粒子ビームを用いて、前記ウェーハの走査を繰り返し続けるステップと、
を備える方法。
【請求項２】
前記デフォーカスされた荷電粒子ビームによって形成されるスポットサイズが、前記フォーカスされた荷電粒子ビームによって形成されるスポットサイズよりも実質的に大きい請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記デフォーカス走査ラインが、前記フォーカス走査ラインに平行であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記デフォーカス走査ラインが、前記フォーカス走査ラインを横断することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記デフォーカスされた荷電粒子ビームが、第１の方向にデフォーカス走査ラインに沿って走査し、前記フォーカスされた荷電粒子ビームが、前記第１の方向とは反対である第２の方向にフォーカス走査ラインに沿って走査することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のデフォーカス走査領域の前記第１の走査するステップは、前記ウェーハの近くにデフォーカシング静電界を導入するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のデフォーカス走査領域の前記第１の走査するステップは、前記ウェーハから遠い位置にデフォーカシング静電界を導入するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のデフォーカス走査領域の前記第１の走査するステップは、持続時間が２〜３の走査ラインよりも小さいデフォーカシング期間に、前記フォーカスされた荷電粒子ビームをデフォーカシングするステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記フォーカスされた荷電粒子ビームによって走査するステップが、持続期間が２〜３の走査ラインよりも小さいフォーカシング期間に、前記デフォーカスされた荷電粒子ビームをフォーカシングするステップを備える請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
半導体ウェーハを電気的に試験するシステムであって、
少なくとも１つのフォーカスされた荷電粒子ビーム及び少なくとも１つのデフォーカスされた荷電粒子ビームを生成するように機能する、少なくとも１つの荷電粒子ビームフォーカス実施コンポーネントと、
前記ウェーハから散乱した荷電粒子を集めるように適合された少なくとも１つの検出器と、
を備え、
前記システムが、
（ｉ）第１の複数Ｎ個のフォーカス走査ラインを収容する、前記ウェーハの第１のデフォーカス領域の帯電に影響するように、前記デフォーカスされた荷電粒子ビームを使用して第１のデフォーカス走査ラインに沿って、前記第１のデフォーカス領域を走査し、
（ｉｉ）前記デフォーカス走査領域内の第１の番号の複数のフォーカス走査ラインを前記フォーカスされた荷電粒子ビームを使用して走査し、及び、前記ウェーハから散乱した電子を検出し、前記第１の番号のフォーカス走査ラインの走査は、シーケンス１、ｎ＋１、２ｎ＋１、．．．＜Ｎをたどり、ｎは、ラインａｎ＋１の帯電が、ライン（ａ＋１）ｎ＋１の帯電に悪影響を及ぼさないものであるように適合されており、前記フォーカスされた荷電粒子ビームによる第１の番号のフォーカス走査ラインに沿った走査は、前記第１の数のフォーカス走査ラインが前記デフォーカスされた荷電粒子ビームによって前記第１でフォーカス走査領域走査することによって導入された帯電の影響を受ける状態を維持する間に、実行され、
（ｉｉｉ）前記第１の複数Ｎ個のフォーカス走査ラインから１フォーカス走査ラインだけインクリメントされた第２の複数Ｎ個のフォーカス走査ラインを収容する、前記ウェーハの第２のデフォーカス領域の帯電に影響するように、前記デフォーカスされた荷電粒子ビームを使用して第２のデフォーカス走査ラインに沿って、前記第２のデフォーカス領域を走査し、
（ｉｖ）前記第２のデフォーカス走査領域内の第２の番号の第２の複数のフォーカス走査ラインを、フォーカスされた荷電粒子ビームによって走査すると共に、前記ウェーハから散乱した電子を検出し、前記第２の番号のフォーカス走査ラインの走査は、前記第１の数のフォーカス走査ラインを走査するために用いられるシーケンスとは異なるシーケンスをたどり、
（ｖ）その指定された部分が前記フォーカスされた荷電粒子ビームで走査されるまで、前記ウェーハの走査を繰り返し続ける、
システム。
【請求項１１】
前記デフォーカスされた荷電粒子ビームによって形成されるスポットサイズが、前記フォーカスされた荷電粒子ビームによって形成されるスポットサイズよりも実質的に大きい請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記デフォーカス走査ラインが、前記フォーカス走査ラインに平行であることを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記デフォーカス走査ラインが、前記フォーカス走査ラインを横断することを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１４】
前記デフォーカスされた荷電粒子ビームが、第１の方向でデフォーカス走査ラインに沿って走査し、前記フォーカスされた荷電粒子ビームが、前記第１の方向とは反対である第２の方向でフォーカス走査ラインに沿って走査することを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの荷電粒子ビームフォーカス実施コンポーネントが、前記ウェーハの近くに、デフォーカシング静電界を導入することによって、前記荷電粒子ビームをデフォーカシングするように適合されている請求項１０に記載のシステム。