【手続補正書】
【提出日】平成21年5月1日(2009.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通常動作で動作するものと、陰になった場合に同時に動作するものとを含む、複数の太陽電池を直列に接続した太陽電池モジュール用の保護回路装置であって、
バイパス素子として作用し、その電流路が前記複数の太陽電池に並列に接続し得る、少なくとも１つの制御可能な電気スイッチ素子（１）と、
前記バイパス素子（１）の制御電極を起動させる制御電圧を生成する供給回路（５０）と、
通常動作時には前記バイパス素子の前記電流路にかかる電圧を前記供給回路（５０）に対してブロックし、陰になった場合には少なくとも１つの太陽電池の前記電流路にかかる電圧を供給電圧（５０）に切り替える分離回路（４０）と、
を含むことを特徴とする保護回路装置。
【請求項２】
陰になった場合に利用できる電圧をより高い電圧に変換して、前記制御可能なバイパス素子を起動させるエネルギー貯蔵手段（３、８、６０）に対する充電回路（５０）として、前記供給回路を設計すること、
を特徴とする請求項１に記載の保護回路装置。
【請求項３】
前記制御可能なバイパス素子（１）をＭＯＳ電界効果トランジスタとして設計すること、
を特徴とする請求項１又は２に記載の保護回路装置。
【請求項４】
前記エネルギー貯蔵手段を、前記制御可能なバイパス素子固有のキャパシタンス（３）及び／又はキャパシタ（８）として設計すること、
を特徴とする請求項２又は３に記載の保護回路装置。
【請求項５】
前記分離回路（４０）を電解効果トランジスタとして、好ましくはＪ−ＦＥＴ若しくはＭＯＳＦＥＴとして設計すること、
を特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の保護回路装置。
【請求項６】
前記分離回路を、逆動作を行うバイポーラトランジスタとして設計すること、
を特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の保護回路装置。
【請求項７】
時間サイクルを設定するタイマ回路（８０）を備え、前記制御可能なバイパス素子（１）が、第１の時間領域には完全に接続されると共に第２の時間領域には完全にブロックされ、前記エネルギー貯蔵手段（３、８、６０）が第２の時間領域において充電されること、
を特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の保護回路装置。
【請求項８】
前記時間サイクルが、前記第１の時間領域と前記第２の時間領域との間に存在する第３の時間領域を含み、前記第３の時間領域では前記制御可能なバイパス素子（１）が線形状態で動作されること、
を特徴とする請求項７に記載の保護回路装置。
【請求項９】
前記供給回路又は充電回路（５０）が調整回路（２４）を含み、前記調整回路（２４）によって前記制御可能なバイパス素子が前記線形状態で連続的に動作され得ること、
を特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の保護回路装置。
【請求項１０】
前記供給回路又は充電回路（５０）が、前記制御可能なバイパス素子を起動するのに必要な電圧を生成するため、変圧器、又は少なくとも１本のコイル、又は陰となった場合に利用できる電圧を昇圧するためのエネルギーを中間的に蓄積する少なくとも１つのキャパシタを含むこと、
を特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の保護回路装置。
【請求項１１】
前記供給回路又は充電回路（５０）が、前記制御可能なバイパス素子を起動するのに必要な電圧を生成するため、陰になった場合に利用できる電圧を昇圧するための充電ポンプを含むこと、
を特徴とする請求項１又は２に記載の保護回路装置。
【請求項１２】
前記供給回路（５０）が、正帰還巻線（２２）を含む変圧器（２０）と第１電子スイッチ素子（２４）とを含み、前記スイッチ素子と前記変圧器（２０）が自己ブロック発振手段に類似した迅速な移行を実行することにより、前記変圧器（２０）に蓄積されたエネルギーが前記エネルギー貯蔵手段（３、８、６０）に送られること、
を特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の保護回路装置。
【請求項１３】
前記第１電子スイッチ素子（２４）が逆の動作を行って同時に前記分離回路（４０）を形成すること、
を特徴とする請求項１２に記載の保護回路装置。
【請求項１４】
自動変圧器に類似した付加的な出力巻線（２１'）を一次巻線（２）に直列に接続すること、
を特徴とする請求項１２又は１３に記載の保護回路装置。
【請求項１５】
前記スイッチ素子（２４）の前記電流路が前記一次巻線（２１）と直列に存在し、前記正帰還巻線（２２）が前記第１スイッチ素子（２４）の前記制御電極に接続すること、
を特徴とする請求項１２から１４のいずれか一項に記載の保護回路装置。
【請求項１６】
前記制御可能なバイパス素子（１）の前記制御電極が第１放電回路（８０'、８０''、８０'''）に接続し、前記バイパス素子（１）の導電時間の非導電時間に対する比率が大きくなるように、好ましくは５より大きくなるように、前記第１放電回路の時定数選択すること、
を特徴とする請求項１から１５のいずれか一項に記載の保護回路装置。
【請求項１７】
前記第１放電回路が、前記バイパス素子（１）固有のキャパシタンス（３）に並列に接続した、更に場合によってはこの固有のキャパシタンスに並列に接続するキャパシタ（８）に並列に接続した抵抗（８１）を有すること、
を特徴とする請求項１６に記載の保護回路装置。
【請求項１８】
前記供給回路（５０）が迅速な放電回路（２６）を含み、前記放電回路（２６）が迅速な移行の開始により前記固有のキャパシタンス（３）を迅速に放電し、更に場合によっては並列に接続した付加的なキャパシタ（８）を迅速に放電すること、
を特徴とする請求項１２から１７のいずれか一項に記載の保護回路装置。
【請求項１９】
前記迅速な放電回路が第２の電子スイッチ素子（２６）を含み、前記電子スイッチ素子（２６）が、前記正帰還巻線に接続する制御電極を有すると共に、前記第１電子スイッチ素子（２４）のスイッチに並列に又は直列に存在する、前記バイパス素子（１）の前記制御電極の接続部からの電流路を有すること、
を特徴とする請求項１８に記載の保護回路装置。
【請求項２０】
閾値電圧より高い高インピーダンスであると共に前記閾値電圧より低い低インピーダンスである非線形的に動作する能動放電回路として、前記第１放電回路（８０''）を設計し、前記バイパススイッチ素子をその制御電極において完全に起動するのに必要な電圧によって前記閾値電圧を決定すること、
を特徴とする請求項１６に記載の保護回路装置。
【請求項２１】
前記第１放電回路（８０''）をシュミットトリガ回路として設計すること、
を特徴とする請求項２０に記載の保護回路装置。
【請求項２２】
前記第１放電回路（８０'''）が自己導電性のＪ−ＦＥＴと、ダイオード（８３'）、キャパシタ（８２'）、及び放電抵抗（８３'）のネットワークを含むことで、所定の時間が経過した後で前記バイパススイッチ素子を周期的にオフにさせる時間的要因が形成されること、
を特徴とする請求項１６に記載の保護回路装置。
【請求項２３】
過電圧及び意図せずオンとなることに対する保護回路（３０）に前記制御可能なバイパス素子を割り当てること、
を特徴とする請求項１から２２のいずれか一項に記載の保護回路装置。
【請求項２４】
検査の目的で又は火災の場合に太陽電池モジュールを短絡するために、前記バイパス素子を導電的に切り替える電圧を前記バイパス素子の前記制御電極にかけること、
を特徴とする請求項１から２３のいずれか一項に記載の保護回路装置。