【手続補正書】
【提出日】平成23年6月24日(2011.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の樹脂に、モールドが有するパターンをインプリントするインプリント方法であって、
前記基板上に形成された樹脂に、前記モールドを接触させ、該モールドのパターンに対応する凹凸パターンを形成した第１の加工領域と、該第１の加工領域の周囲に前記樹脂によるはみ出し領域を形成する工程と、
前記第１の加工領域の上に、該第１の加工領域を保護する第１の保護層を形成する工程と、
前記第１の保護層によって、前記第１の加工領域の樹脂層に形成されたパターンが除去されないように保護しながら、前記はみ出し領域の樹脂層を除去する工程と、
を有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記保護層を形成するに際し、前記加工領域と前記はみ出し領域との境界に形成されたはみ出し領域の樹脂層の側壁を境界壁として用いることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記保護層は、シリコン系の材料、シリコンを含有した樹脂、絶縁膜、金属材料のいずれかにより構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のインプリント方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載のインプリント方法を用いた基板の加工方法であって、
前記はみ出し領域の樹脂層を除去する工程の後に、前記保護層を除去する工程と、
前記保護層を除去する工程の後に、前記加工領域の樹脂層に形成された凹凸パターンの凸部をマスクとして、前記基板をエッチングする工程と、
を有することを特徴とする基板の加工方法。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか１項に記載のインプリント方法を用いた基板の加工方法であって、
前記はみ出し領域の樹脂層を除去する工程の後に、前記加工領域の樹脂層に形成された凹凸パターンの凸部が露出するまで、前記保護層を除去する工程と、
前記保護層をマスクとして、前記基板をエッチングする工程と、
を有することを特徴とする基板の加工方法。
【請求項６】
基板上の樹脂に、モールドのパターンをインプリントしてパターンを形成する工程を、複数回繰り返し行うインプリント方法であって、
請求項１に記載のインプリント方法を行い、第１回目のパターンを形成する工程と、
前記はみ出し領域を含む前記第１の加工領域と隣接する領域に形成された樹脂に前記モールドを接触させ、第２の加工領域を形成する工程と、前記第２の加工領域の樹脂層に、該第２の加工領域を保護する第２の保護層を形成する工程と、前記第１及び第２の保護層によって、前記第１及び第２の加工領域の樹脂層に形成されたパターンが除去されないように保護しながら、前記第２の加工領域の周囲にはみ出した樹脂を除去する工程により、第２回目のパターンを形成する工程と、
を有することを特徴とするインプリント方法。
【請求項７】
前記第１回目のパターンを形成する工程において、第１方向または該第１方向と直交する第２方向の少なくともいずれかの方向に、前記第１の加工領域に複数の加工領域を形成するに際し、
前記複数の加工領域における各加工領域の間隔を、前記加工領域の幅の長さの整数倍とすることを特徴とする請求項６に記載のインプリント方法。
【請求項８】
前記加工領域の幅の長さに、前記モールドの加工誤差および前記基板と前記モールドの位置合わせ誤差による調整量を加えた長さが含まれていることを特徴とする請求項７に記載のインプリント方法。
【請求項９】
前記パターンを形成する工程を３回繰り返し行うインプリント方法であって、前記第１の加工領域において前記第１方向に形成される各加工領域の間隔を、前記第１の加工領域の幅の長さの２倍とすると共に、前記第２方向における加工領域は互いに隣接しない間隔として、前記各加工領域を形成する工程と、
前記第２回目のパターンを形成する工程の後に、前記第２の加工領域と隣接する領域に第３の加工領域を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項７に記載のインプリント方法。
【請求項１０】
前記パターンを形成する工程を複数回繰り返し行うに際し、各パターンを形成する工程に異なるモールドを用いることを特徴とする請求項６から９のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項１１】
基板の加工方法であって、請求項６から１のいずれか１項に記載のインプリント方法により、基板上の樹脂にインプリントされたパターンをマスクとして前記基板を加工する工程を有することを特徴とする基板の加工方法。
【請求項１２】
請求項４または請求項１１に記載の基板の加工方法を用いて構造体を形成する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インプリント方法および基板の加工方法、基板の加工方法による半導体デバイスの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、インプリント方法および基板の加工方法、基板の加工方法による半導体デバイスの製造方法に関する。
具体的には、基板上の樹脂に、モールドが有するパターンをインプリントするインプリント方法および基板の加工方法、基板の加工方法による半導体デバイスの製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑み、加工領域からはみ出した、はみ出し領域の樹脂層を容易に除去することが可能となるインプリント方法および基板の加工方法、基板の加工方法による半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、つぎのように構成したインプリント方法および基板の加工方法、基板の加工方法による半導体デバイスの製造方法を提供するものである。
本発明のインプリント方法は、基板上の樹脂に、モールドが有するパターンをインプリントするインプリント方法であって、
前記基板上に形成された樹脂に、前記モールドを接触させ、該モールドのパターンに対応する凹凸パターンを形成した第１の加工領域と、該第１の加工領域の周囲に前記樹脂によるはみ出し領域を形成する工程と、
前記第１の加工領域の上に、該第１の加工領域を保護する第１の保護層を形成する工程と、
前記第１の保護層によって、前記第１の加工領域の樹脂層に形成されたパターンが除去されないように保護しながら、前記はみ出し領域の樹脂層を除去する工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明のインプリント方法は、前記保護層を形成するに際し、前記加工領域と前記はみ出し領域との境界に形成されたはみ出し領域の樹脂層の側壁を境界壁として用いることを特徴とする。
また、本発明のインプリント方法は、前記保護層が、シリコン系の材料、シリコンを含有した樹脂、絶縁膜、金属材料のいずれかにより構成されていることを特徴とする。
また、本発明の基板の加工方法は、上記したいずれかに記載のインプリント方法を用いた基板の加工方法であって、
前記はみ出し領域の樹脂層を除去する工程の後に、前記保護層を除去する工程と、
前記保護層を除去する工程の後に、前記加工領域の樹脂層に形成された凹凸パターンの凸部をマスクとして、前記基板をエッチングする工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の基板の加工方法は、上記したいずれかに記載のインプリント方法を用いた基板の加工方法であって、
前記はみ出し領域の樹脂層を除去する工程の後に、前記加工領域の樹脂層に形成された凹凸パターンの凸部が露出するまで、前記保護層を除去する工程と、
前記保護層をマスクとして、前記基板をエッチングする工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明のインプリント方法は、基板上の樹脂に、モールドのパターンをインプリントしてパターンを形成する工程を、複数回繰り返し行うインプリント方法であって、
最初に記載した本発明のインプリント方法を行い、第１回目のパターンを形成する工程と、
前記はみ出し領域を含む前記第１の加工領域と隣接する領域に形成された樹脂に前記モールドを接触させ、第２の加工領域を形成する工程と、前記第２の加工領域の樹脂層に、該第２の加工領域を保護する第２の保護層を形成する工程と、前記第１及び第２の保護層によって、前記第１及び第２の加工領域の樹脂層に形成されたパターンが除去されないように保護しながら、前記第２の加工領域の周囲にはみ出した樹脂を除去する工程により、第２回目のパターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする。
また、本発明のインプリント方法は、前記第１回目のパターンを形成する工程において、第１方向または該第１方向と直交する第２方向の少なくともいずれかの方向に、前記第１の加工領域に複数の加工領域を形成するに際し、
前記複数の加工領域における各加工領域の間隔を、前記加工領域の幅の長さの整数倍とすることを特徴とする。
また、本発明のインプリント方法は、前記加工領域の幅の長さに、前記モールドの加工誤差および前記基板と前記モールドの位置合わせ誤差による調整量を加えた長さが含まれていることを特徴とする。
また、本発明のインプリント方法は、前記パターンを形成する工程を３回繰り返し行うインプリント方法であって、
前記第１の加工領域において前記第１方向に形成される各加工領域の間隔を、前記第１の加工領域の幅の長さの２倍とすると共に、前記第２方向における加工領域は互いに隣接しない間隔として、前記各加工領域を形成する工程と、
前記第２回目のパターンを形成する工程の後に、前記第２の加工領域と隣接する領域に第３の加工領域を形成する工程と、
を有することを特徴とする。
また、本発明のインプリント方法は、前記パターンを形成する工程を複数回繰り返し行うに際し、各パターンを形成する工程に異なるモールドを用いることを特徴とする。
また、本発明の基板の加工方法は、上記したいずれかに記載のインプリント方法により、基板上の樹脂にインプリントされたパターンをマスクとして前記基板を加工する工程を有することを特徴とする。
また、本発明の半導体デバイスの製造方法は、上記した基板の加工方法を用いて構造体を形成する工程を有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、加工領域からはみ出した、はみ出し領域の樹脂層を容易に除去することが可能となるインプリント方法および基板の加工方法、基板の加工方法による半導体デバイスの製造方法を実現することができる。