【手続補正書】
【提出日】平成21年5月14日(2009.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分子を操作するための方法であって、
近接プローブのセットのうち、２つ又はそれ以上の近接プローブのサブセット上に静電パターンを配置するステップと、
前記静電パターンによって及ぼされる静電力を使用して１つの分子を捕捉するステップと、
前記分子が前記近接プローブの前記セットによって捕捉された状態にある間に前記分子を操作するステップと
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記近接プローブの前記サブセットにおける各近接プローブの端部が静電力を及ぼすように前記近接プローブの前記サブセット内の各近接プローブにおける導電材に電位を印加するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記近接プローブの前記サブセットにおける各近接プローブが前記近接プローブの前記サブセット間に固有の強度の静電力を及ぼすことができるように、前記近接プローブの前記サブセットにおける各近接プローブを独立して制御するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記分子が前記近接プローブの前記セットによって捕捉された状態にある間に前記分子が前記近接プローブの前記セット全体にわたって移動及び／又は回転するように、前記近接プローブの前記セットにおける２つ又はそれ以上の近接プローブの異なるサブセット上に異なる静電パターンを生成するために前記静電パターンを修正するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記分子が前記近接プローブの前記セットによって捕捉された状態にある間に前記分子を曲げるために前記静電パターンを修正するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記分子を第１分子及び第２分子に分割するために前記静電パターンを修正するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記近接プローブの前記セットによって前記第１分子又は前記第２分子を保持し続けるステップと、
前記近接プローブの前記セットを用いて前記第１分子又は前記第２分子を操作するステップと
を更に含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記近接プローブの前記セットにおける２つ又はそれ以上の近接プローブの第１サブセット上に第１静電パターンを生成するために、及び前記近接プローブの前記セットにおける２つ又はそれ以上の近接プローブの第２サブセット上に第２静電パターンを生成するために、前記静電パターンを修正するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１静電パターン及び前記第２静電パターンを独立して操作するステップを更に含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１静電パターンを用いて前記分子の第１部分に、及び前記第２静電パターンを用いて前記分子の第２部分に、独立して作用するステップを更に含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
近接プローブのセットにおける２つ又はそれ以上の近接プローブの前記サブセットが近接プローブの第１サブセットを表し、前記静電パターンが第１静電パターンを表し、及び前記分子が第１分子を表し、
前記方法が、
前記近接プローブの前記セットにおける２つ又はそれ以上の近接プローブの第２サブセット上に静電パターンを配置するステップであって、前記第１のサブセットと前記第２のサブセットは交わることがない、前記配置するステップと、
前記第２静電パターンによって及ぼされる静電力を使用して第２分子を捕捉するステップと、
前記第２分子が前記近接プローブの前記セットによって捕捉された状態にある間に前記第２分子を操作するステップと
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１分子及び前記第２分子が前記近接プローブのセットによって捕捉された状態にある間に前記第１分子及び前記第２分子を独立して操作するステップを更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１分子及び前記第２分子が前記近接プローブのセットによって捕捉された状態にある間に前記第１分子を前記第２分子と近接するように移動させるステップと、
前記第１分子及び前記第２分子の間で化学反応を生じさせるステップと
を更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１分子の少なくとも一部分及び前記第２分子の少なくとも一部分から第３分子を形成するステップを更に含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記近接プローブのセットにおける２つ又はそれ以上の近接プローブがカンチレバー型構造を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記分子が前記近接プローブのセットによって捕捉された状態にある間に前記分子を化学反応において使用するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記分子が前記近接プローブのセットによって捕捉された状態にある間に前記分子を化学反応において触媒として使用するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記分子が前記近接プローブのセットによって捕捉された状態にある間に前記分子を化学反応において酵素として使用するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
近接プローブの第１セットが第１エンティティとして物理的に接続され且つ近接プローブの第２セットが第２エンティティとして物理的に接続され、それによって前記第１エンティティ及び前記第２エンティティを独立して操作し得るようにした、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記分子の少なくとも一部分が前記近接プローブの前記セットによって捕捉された状態にある間に前記分子の少なくとも一部分を反復的に操作するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記分子を折りたたむために前記分子を操作するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記分子が、蛋白質、一片のデオキシリボ核酸（ＤＮＡ）分子又遺伝的分子である、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
分子を操作するための装置であって、
近接プローブのセットのうち、２つ又はそれ以上の近接プローブのサブセット上に静電パターンを配置するための手段と、
前記静電パターンによって及ぼされる静電力を使用して１つの分子を捕捉するための手段と、
前記分子が前記近接プローブの前記セットによって捕捉された状態にある間に前記分子を操作するための手段と
を含む、前記装置。
【請求項２４】
前記近接プローブの前記サブセットにおける各近接プローブの端部が静電力を及ぼすように、前記近接プローブの前記サブセット内の各近接プローブにおける導電材に電位を印加するための手段を更に含む、請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
前記分子が前記近接プローブの前記セットによって捕捉された状態にある間に前記分子が前記近接プローブの前記セット全体にわたって移動及び／又は回転するように、前記近接プローブの前記セットにおける２つ又はそれ以上の近接プローブの異なるサブセット上に異なる静電パターンを生成するために前記静電パターンを修正するための手段を更に含む、請求項２３に記載の装置。
【請求項２６】
前記近接プローブの前記セットにおける２つ又はそれ以上の近接プローブの第１サブセット上に第１静電パターンを生成するために、及び前記近接プローブの前記セットにおける２つ又はそれ以上の近接プローブの第２サブセット上に第２静電パターンを生成するために、前記静電パターンを修正するための手段を更に含む、請求項２３に記載の装置。
【請求項２７】
近接プローブのセットにおける２つ又はそれ以上の近接プローブのサブセットが近接プローブの第１サブセットを表し、前記静電パターンが第１静電パターンを表し、及び前記分子が第１分子を表し、
前記装置が、
前記近接プローブの前記セットにおける２つ又はそれ以上の近接プローブの第２サブセット上に静電パターンを配置するための手段ステップであって、前記第１のサブセットと前記第２のサブセットは交わることがない、前記配置するための手段と、
前記第２静電パターンによって及ぼされる静電力を使用して第２分子を捕捉するための手段と、
前記第２分子が前記近接プローブの前記セットによって捕捉された状態にある間に前記第２分子を操作するための手段と
を更に含む、請求項２３に記載の装置。
【請求項２８】
分子を操作するためのデータ処理システムに、請求項１〜２２のいずれか１項に記載の方法の各ステップを実行させるコンピュータ・プログラム。