【手続補正書】
【提出日】平成21年5月12日(2009.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体材料としての使用に適した金属酸化物の粒子であって、該粒子は：
少なくとも１種の元素金属を含むコア；および、
該金属または該金属のそれぞれの酸化物を含むシェル
を有し、該金属酸化物の粒子は、少なくとも１０重量％の酸化度（粒子の総重量中の酸素の重量％として示される）を有することを特徴とする、上記粒子。
【請求項２】
前記酸化度が、２０〜２４重量％である、請求項１に記載の金属酸化物の粒子。
【請求項３】
前記粒子が、金属成分と酸素成分とを有し、そのうち
金属成分は、金属成分の総重量に基づき、少なくとも９４重量％の少なくとも１種の金属元素を、元素の形態で、または、合金の一部として含み、
ここで、前記少なくとも９４重量％の金属元素または金属元素のそれぞれが、前記粒子の金属成分の少なくとも５重量％の量で存在し、遷移元素の原子番号２１〜２９、３９〜４７、５７〜７９および８９〜１０５、ならびに、インジウム、スズ、ガリウム、アンチモン、ビスマス、テルル、バナジウム、ホウ素、および、リチウムから選択され、さらに前記粒子は、任意に、少なくとも１種の追加の元素および何らかの不純物を、金属成分の総重量の６重量％まで含んでいてもよい、請求項１または２に記載の金属酸化物の粒子。
【請求項４】
前記少なくとも９４重量％の金属元素または金属元素のそれぞれが、マンガン、ニッケル、クロム、コバルト、および、鉄から選択される、請求項３に記載の金属酸化物の粒子。
【請求項５】
前記金属成分が、金属成分の重量に基づき、少なくとも９９．５重量％のクロム、コバルト、鉄、および、ニッケルから選択される一種の遷移金属を含むか、または、少なくとも９９．５重量％のそれぞれクロム、コバルト、鉄、ニッケル、マンガンから選択される少なくとも２種の金属の合金を含み、さらに、前記任意の追加の元素として、５重量％以下のアルミニウムを含んでいてもよく、残部は何らかの不純物である、請求項４に記載の金属酸化物の粒子。
【請求項６】
前記金属成分が、金属成分の重量に基づき、少なくとも９９．５重量％のマンガン（３４重量％）−ニッケル（６６重量％）、鉄（７５重量％）−クロム（２０重量％）−アルミニウム（５重量％）、鉄（５０重量％）−ニッケル（５０重量％）、鉄（５０重量％）−コバルト（５０重量％）、鉄（５０重量％）−クロム（５０重量％）、ニッケル（５０重量％）−クロム（５０重量％）、ニッケル（９５重量％）−アルミニウム（５重量％）、および、鉄（５４重量％）−ニッケル（２９重量％）−コバルト（１７重量％）から選択される合金を含む、請求項４に記載の金属酸化物の粒子。
【請求項７】
前記元素、または、前記元素の少なくとも１種が、バナジウム、ガドリニウム、および、ホウ素から選択される、請求項６に記載の金属酸化物の粒子。
【請求項８】
前記金属成分が、金属成分の重量に基づき、少なくとも９５．５重量％のバナジウムを含むか、または、少なくとも９５．５重量％のバナジウム、ガドリニウム、および、ホウ素から選択される少なくとも１種の元素と、鉄、コバルト、ニッケル、および、クロムから選択される少なくとも１種の元素との合金を含み、残部は何らかの不純物である、請求項７に記載の金属酸化物の粒子。
【請求項９】
前記金属成分が、金属成分の重量に基づき、少なくとも９５．５重量％の一種の金属バナジウムを含み、残部は不純物であるか、または、少なくとも９５．５重量％の、鉄（８２重量％）−バナジウム（１８重量％）、ガドリニウム（３４重量％）−コバルト（６６重量％）、鉄（８２重量％）−ホウ素（１８重量％）、ニッケル（８２重量％）−ホウ素（１８重量％）、および、鉄（５重量％）−クロム（８０重量％）−ホウ素（１５重量％）から選択される合金を含む、請求項８に記載の金属酸化物の粒子。
【請求項１０】
前記金属を含む化合物の元素、または、前記金属を含む化合物の元素のそれぞれの少なくとも１種が、少なくとも２の原子価を有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の金属酸化物の粒子。
【請求項１１】
前記金属を含むコアが、第一の金属と第二の金属とを含む金属合金を含み、ここで、前記粒子中において、第一の金属が、第二の金属の原子価よりも高い原子価を有し、且つ、第二の金属のモル濃度よりも低いモル濃度で存在させることによって、ｎ型半導体に適した粒子が提供される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の金属酸化物の粒子。
【請求項１２】
前記第一の金属が、マンガン、クロム、ニッケル、コバルト、バナジウム、および、ガドリニウムから選択され、前記第二の金属が、鉄、ニッケル、コバルト、および、ホウ素から選択される、請求項１１に記載の金属酸化物の粒子。
【請求項１３】
前記金属を含むコアが、第一の金属と第二の金属とを含む金属合金を含み、ここで、前記粒子中において、第一の金属が、第二の金属の原子価よりも高い原子価を有し、且つ、第二の金属のモル濃度よりも高いモル濃度で存在させることによって、ｐ型半導体に適した粒子が提供される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の金属酸化物の粒子。
【請求項１４】
前記第一の金属が、鉄、および、ホウ素から選択され、前記第二の金属が、ニッケル、コバルト、および、ホウ素から選択される、請求項１３に記載の金属酸化物の粒子。
【請求項１５】
前記コア中に存在する金属が、少なくとも９９モル％の一種の金属、および、０．１モル％以下のその他のあらゆる個々の金属からなり、それによって、ｎまたはｐ型半導体に適した粒子が提供される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の金属酸化物の粒子。
【請求項１６】
前記前記一種の金属が、鉄、クロム、コバルト、および、ニッケルから選択される、請求項１５に記載の金属酸化物の粒子。
【請求項１７】
基板上に堆積させた粒子の層を少なくとも１つ含む半導体デバイスであって、該層または層のそれぞれが、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の粒子からなる、上記デバイス。
【請求項１８】
前記基板は絶縁層であり、導電材料は、放射線を検出することができるデバイスが提供されるように、半導体層の選択されたそれぞれの領域上に塗布される、請求項１７に記載の半導体デバイス。
【請求項１９】
選択されたそれぞれの領域において、前記導電材料が、それぞれの領域ごとに独立して、プラスチック材料、金属、および、複合材料から選択される、請求項１８に記載の半導体デバイス。
【請求項２０】
前記半導体層に塗布された導電材料が、フレーム溶射、電着もしくは無電解メッキ、または、真空または部分的な真空蒸着した材料であり、任意に、有機または無機物質の接着層が、半導体層と導電材料との間に堆積されていてもよい、請求項１８または１９に記載の半導体デバイス。
【請求項２１】
前記半導体層に塗布された導電材料が、それぞれ数学的な方程式によって定義可能な形状および／または立体配置を有する、請求項１８〜２０のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
【請求項２２】
基板上に堆積させた請求項１〜１６のいずれか一項に記載の粒子の層、および、互いに離れて設置され該層それぞれと接触している各電極を含む、広帯域検出器。
【請求項２３】
基板上に積層された複数の粒子の層を含み、そのうち少なくとも一つの層は、ｐ型半導体層が提供されるように請求項１〜１０および１３〜１６のいずれか一項に記載の粒子からなり、少なくとも一つの層は、ｎ型半導体層が提供されるように請求項１〜１２、１５および１６のいずれか一項に記載の粒子からなる、ダイオード。
【請求項２４】
請求項１〜１６のいずれかに記載の金属酸化物の粒子であって、該粒子は、
酸素と、水素および炭化水素から選択される可燃性ガスを少なくとも１種を含む燃料成分との混合物によって生じた火炎中で、金属を含む粒子を加熱する工程（ここで、該酸素は、少なくとも粒子の外部シェル中で金属が酸化するように、燃料成分に対する化学量論量の１０モル％以上および６０モル％以下の比率で該混合物中に存在する）；
酸化された粒子を流体または昇華可能な固形媒体に供給することによって、それらを冷却させる工程；
冷却された酸化された粒子を回収する工程；および、
火炎への粒子の入口と、粒子の回収との間に、少なくとも３００ｍｍの距離を提供する工程、
を含む方法により製造される、上記粒子。
【請求項２５】
請求項１〜１６のいずれかに記載の金属酸化物の粒子であって、該粒子は、
高温のゾーンに、金属を含む粒子を供給すること；
高温のゾーン中で、該金属を含む粒子を加熱して、該粒子を少なくとも部分的に溶融した状態にすること；および、
基板上に、該粒子を少なくとも部分的に溶融した状態で堆積させること；
を含む方法により製造され、高温のゾーンに供給された該金属を含む粒子が、金属のコアが酸化されないままで金属酸化物材料のシェルが提供されるように予備酸化されることを特徴とする、上記粒子。