【手続補正書】
【提出日】平成23年1月7日(2011.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高信頼性発光ダイオードであって、この高信頼性発光ダイオードは：
緩衝構造上にｐ型第III族窒化物接触層（１４）を有する第III族窒化物ヘテロ接合ダイオード（１３）；
全記基板に対するオーミック接触（１５）；を含み、さらに、
前記ｐ型接触層に対する半透明の白金オーミック接触（１６）；及び
前記白金オーミック接触上の窒化ケイ素パシベーション層（１７）
を含むことを特徴とする、高信頼性発光ダイオード。
【請求項２】
前記ダイオードはシングルヘテロ接合ダイオードを含む請求項１記載の高信頼性発光ダイオード。
【請求項３】
前記ダイオードはダブルヘテロ接合ダイオードを含む請求項１記載の高信頼性発光ダイオード。
【請求項４】
前記接触層は窒化ガリウムを含む請求項１記載の高信頼性発光ダイオード。
【請求項５】
可視スペクトルの青色部分で発光する請求項１の発光ダイオード；
赤色発光ダイオード；及び
緑色発光ダイオード
を含むピクセル。
【請求項６】
２０ミリアンペアの順電流入力で８００マイクロワットの光出力を生じる請求項１記載の高信頼性発光ダイオード。
【請求項７】
２０ミリアンペアの順電流入力で１６００マイクロワットの光出力を生じる請求項１記載の高信頼性発光ダイオード。
【請求項８】
８５℃の温度で８５％の相対湿度の環境において１０ミリアンペアで少なくとも１０００時間動作させた後、少なくとも４００マイクロワットの光出力を発光し、かつ、動作電圧が変化しないままである請求項１記載の高信頼性発光ダイオード。
【請求項９】
前記炭化ケイ素基板は炭化ケイ素の３Ｃ，４Ｈ，６Ｈ，及び１５Ｒのポリタイプからなる群から選ばれる単結晶である請求項１記載の高信頼性発光ダイオード。
【請求項１０】
プラスチックレンズ内に請求項１記載のダイオードを包含するＬＥＤランプ。
【請求項１１】
請求項１記載の複数の発光ダイオード、又は請求項５記載の複数のピクセル又は請求項１０記載の複数のＬＥＤランプを含む表示装置。
【請求項１２】
前記発光ダイオード又は前記ＬＥＤランプは可視スペクトルの青色部分で発光し、そして複数の赤色発光ダイオード又はＬＥＤランプ及び複数の緑色発光ダイオード又はＬＥＤランプを更に含む請求項１１記載の表示装置。
【請求項１３】
前記ヘテロ接合ダイオード及び接触層は：
前記緩衝構造上のｎ型窒化ガリウムエピタキシャル層；
前記窒化ガリウム層上のｎ型窒化アルミニウムガリウムエピタキシャル層；
前記ｎ型窒化アルミニウムガリウムエピタキシャル層上の補償型ｎ型窒化ガリウム活性層；
前記窒化ガリウム活性層上のｐ型窒化アルミニウムガリウム層；及び
前記ｐ型窒化アルミニウムガリウム層上のｐ型窒化ガリウム接触層
を含む請求項１記載の高信頼性発光ダイオード。
【請求項１４】
８５℃の温度で８５％の相対湿度の環境において１０ミリアンペアで少なくとも１０００時間動作させた後、少なくとも８００マイクロワットの光出力を発光し、かつ、動作電圧が変化しないままである請求項１記載の高信頼性発光ダイオード。
【請求項１５】
層状の本体の全体に連続的な垂直方向の導電性を有する発光ダイオードであって、この発光ダイオードは、
光発生活性領域上の光伝送接触層と、
前記接触層の上にあり、前記接触層を透過する光に対して半透明となる程度に薄い接触と、
前記接触層の上にある光透過パシベーション層と、
を含むことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１６】
請求項１５記載の発光ダイオードにおいて、前記活性領域はヘテロ接合を含むことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１７】
請求項１６記載の発光ダイオードにおいて、前記ヘテロ接合は第III族窒化物層を含むことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１８】
請求項１７記載の発光ダイオードにおいて、前記ヘテロ接合は炭化ケイ素基板上にあることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１９】
請求項１８記載の発光ダイオードにおいて、この発光ダイオードは前記基板から前記接触層上の前記接触まで垂直方向に導電性であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２０】
請求項１５記載の発光ダイオードにおいて、前記接触は、白金と、パラジウムと、金と、チタンと金との合金と、白金と金との合金と、チタンと白金と金との合金と、白金と酸化インジウムスズとの混合物とで構成されるグループから選択されることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２１】
請求項２０記載の発光ダイオードにおいて、前記接触は光の透過を許容するのに十分な程度に薄いことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２２】
請求項１５記載の発光ダイオードにおいて、前記接触層はそれ自体を光が透過することを許容するのに十分なバンドギャップを有するｐ型第III族窒化物を含むことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２３】
請求項１５記載の発光ダイオードにおいて、前記パシベーション層は窒化ケイ素を含むことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２４】
請求項２３記載の発光ダイオードにおいて、前記パシベーション層はケイ素が不十分（silicon-poor）な窒化ケイ素を含むことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２５】
層状部材の全体における連続的な垂直方向の導電性を有する発光ダイオードであって、この発光ダイオードは、
第III族窒化物である発光活性領域と、
前記活性領域上にあるｐ型第III族窒化物の接触層であって、前記活性領域において発生した光を透過するのに十分な幅のバンドギャップを有する接触層と、
前記ｐ型接触層の上にあり、前記接触層を透過する光に対して半透明となる程度に薄い接触と、
前記接触の上にある光透過パシベーション層と、
を含むことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２６】
請求項２５記載の発光ダイオードにおいて、前記活性領域はヘテロ接合を含むことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２７】
請求項２６記載の発光ダイオードにおいて、前記ヘテロ接合は第III族窒化物層を含むことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２８】
請求項２７記載の発光ダイオードにおいて、前記ヘテロ接合は炭化ケイ素基板上にあることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２９】
請求項２８記載の発光ダイオードにおいて、この発光ダイオードは前記基板から前記接触層上の前記接触まで垂直方向に導電性であることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項３０】
請求項２５記載の発光ダイオードにおいて、前記接触は、白金と、パラジウムと、金と、チタンと金との合金と、白金と金との合金と、チタンと白金と金との合金と、白金と酸化インジウムスズとの混合物とで構成されるグループから選択されることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項３１】
請求項３０記載の発光ダイオードにおいて、前記接触は光の透過を許容するのに十分な程度に薄いことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項３２】
請求項２５記載の発光ダイオードにおいて、前記接触層はそれ自体を光が透過することを許容するのに十分なバンドギャップを有するｐ型第III族窒化物を含むことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項３３】
請求項２５記載の発光ダイオードにおいて、前記パシベーション層はケイ素が不十分な窒化ケイ素を含むことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項３４】
プラスチックレンズと層状部材の全体において連続的な垂直方向の導電性を有する発光ダイオードとを含む発光ダイオードランプであって、前記発光ダイオードは、
ｐ型窒化ガリウム接触層を有し第III族窒化物であるヘテロ接合であって、前記ヘテロ接合によって発生した光を透過するのに十分なバンドギャップを有するヘテロ接合と、
前記ｐ型接触層への接触であって、前記接触層を透過する光に対して半透明となる程度に薄く、白金と、パラジウムと、金と、チタンと金との合金と、白金と金との合金と、チタンと白金と金との合金と、白金と酸化インジウムスズとの混合物とで構成されるグループから選択される接触と、
前記接触の上にあり窒化ケイ素組成物を含む光透過パシベーション層と、
を含むことを特徴とする発光ダイオード。