Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月15日(2010.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体領域上及び第２の半導体領域上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の半導体領域上に前記第１の絶縁膜を介して設けられた第１の電極を形成するとともに、前記第２の半導体領域上に前記第１の絶縁膜を介して設けられた第２の電極を形成し、
前記第１の電極上及び前記第２の電極上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第１の電極上に前記第２の絶縁膜を介して設けられた第３の電極を形成し、
前記第１の半導体領域に前記第３の電極をマスクとして不純物元素を導入するとともに、前記第２の半導体領域に前記第２の電極を通して前記不純物元素を導入することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の半導体領域上及び第２の半導体領域上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の半導体領域上に前記第１の絶縁膜を介して設けられた第１の電極を形成するとともに、前記第２の半導体領域上に前記第１の絶縁膜を介して設けられた第２の電極を形成し、
前記第１の半導体領域に前記第１の電極をマスクとして第１の不純物元素を導入するとともに、前記第２の半導体領域に前記第２の電極をマスクとして前記第１の不純物元素を導入し、
前記第１の電極上及び前記第２の電極上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第１の電極上に前記第２の絶縁膜を介して設けられ且つ前記第１の半導体領域上に前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を介して設けられた第３の電極を形成し、
前記第１の半導体領域に前記第３の電極をマスクとして第２の不純物元素を導入するとともに、前記第２の半導体領域に前記第２の電極を通して前記第２の不純物元素を導入することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域は、膜状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域は、半導体基板又はＳＯＩ基板に設けられていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
第１の半導体領域上、第２の半導体領域上、及び第３の半導体領域上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第３の半導体領域上の前記第１の絶縁膜を選択的に除去し、
前記第１の半導体領域上に前記第１の絶縁膜を介して設けられた第１の電極を形成するとともに、前記第２の半導体領域上に前記第１の絶縁膜を介して設けられた第２の電極を形成し、
前記第１の電極上、前記第２の電極上、及び前記第３の半導体領域上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第１の電極上に前記第２の絶縁膜を介して設けられた第３の電極と、前記第３の半導体領域上に前記第２の絶縁膜を介して設けられた第４の電極と、を形成し、
前記第１の半導体領域を覆うレジストを形成し、
前記レジストが形成された状態で、前記第３の半導体領域に前記第４の電極をマスクとして不純物元素を導入するとともに、前記第２の半導体領域に前記第２の電極を通して前記不純物元素を導入し、
前記レジストを除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
第１の半導体領域上、第２の半導体領域上、及び第３の半導体領域上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第３の半導体領域上の前記第１の絶縁膜を選択的に除去し、
前記第１の絶縁膜上及び前記第３の半導体領域上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に第１のレジストを形成し、
前記第１のレジストを用いて前記導電膜をエッチング加工することにより、前記第１の半導体領域上に前記第１の絶縁膜を介して設けられた第１の電極を形成するとともに、前記第２の半導体領域上に前記第１の絶縁膜を介して設けられた第２の電極を形成し、
前記第１の半導体領域に前記第１のレジストをマスクとして第１の不純物元素を導入するとともに、前記第２の半導体領域に前記第１のレジストをマスクとして前記第１の不純物元素を導入し、
前記第１のレジストを除去し、
前記第１の電極上、前記第２の電極上、及び前記第３の半導体領域上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第１の電極上に前記第２の絶縁膜を介して設けられ且つ前記第１の半導体領域上に前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を介して設けられた第３の電極と、前記第３の半導体領域上に前記第２の絶縁膜を介して設けられた第４の電極を形成し、
前記第１の半導体領域を覆う第２のレジストを形成し、
前記第２のレジストが形成された状態で、前記第３の半導体領域に前記第４の電極をマスクとして第２の不純物元素を導入するとともに、前記第２の半導体領域に前記第２の電極を通して前記第２の不純物元素を導入し、
前記第２のレジストを除去し、
前記第２の半導体領域及び前記第３の半導体領域を覆う第３のレジストを形成し、
前記第３のレジストが形成された状態で、前記第１の半導体領域に前記第３の電極をマスクとして第３の不純物元素を導入し、
前記第３のレジストを除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１の不純物元素は、リン又はヒ素であり、
前記第２の不純物元素は、ボロンであり、
前記第３の不純物元素は、リン又はヒ素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１の半導体領域、前記第２の半導体領域、及び前記第３の半導体領域は、膜状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項５乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１の半導体領域、前記第２の半導体領域、及び前記第３の半導体領域は、半導体基板又はＳＯＩ基板に設けられていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月24日(2010.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶素子及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、第２の導電層と、有機膜で表面が覆われた導電粒子と、を有し、
前記導電粒子は、前記第１の導電層と前記第２の導電層の間に配置され、
記憶素子への書き込みを行うことにより、前記第１の導電層と前記第２の導電層は、前記導電粒子を介して電気的に接続されることを特徴とする記憶素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記導電粒子の粒径は前記第１の導電層と前記第２の導電層の間隔より大きいことを特徴とする記憶素子。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
対向する前記第１の導電層の側面と前記第２の導電層の側面は、各々テーパ形状を有し、
対向する前記第１の導電層の側面と前記第２の導電層の側面との間に前記導電粒子が配置されていることを特徴とする記憶素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の導電層と前記第２の導電層の少なくとも一方の上面形状は、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間隔が部分的に狭くなる突出部を有する形状であることを特徴とする記憶素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層に、チタン又は亜鉛を用いることを特徴とする記憶素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は保護膜に覆われていることを特徴とする記憶素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記導電粒子を複数有し、
前記記憶素子への書き込みは、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電圧を印加して、複数の前記導電粒子を凝集させ、前記第１の導電層と前記第２の導電層を短絡させることにより行うことを特徴とする記憶素子。
【請求項８】
絶縁表面上に第１の導電層と第２の導電層を形成し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層の間に、表面が有機膜で覆われた導電粒子を複数含む層を形成し、
記憶素子への書き込みを行うことにより、前記第１の導電層と前記第２の導電層は、前記導電粒子を介して電気的に接続されることを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項９】
絶縁表面上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜を選択的にエッチングして第１の導電層を形成し、
前記絶縁表面上に前記第１の導電層を覆う絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜を選択的にエッチングして前記第１の導電層と一部重なる第２の導電層を形成し、
前記絶縁膜を選択的にエッチングして前記第１の導電層を露出する開口を形成し、
前記開口により露出した前記第１の導電層の表面と前記第２の導電層の端部とに接するように、表面が有機膜で覆われた導電粒子を複数含む層を形成し、
記憶素子への書き込みを行うことにより、前記第１の導電層と前記第２の導電層は、前記導電粒子を介して電気的に接続されることを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１０】
絶縁表面上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜を選択的にエッチングして第１の導電層を形成し、
前記絶縁表面上に前記第１の導電層を覆う絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を選択的にエッチングして前記第１の導電層の端部を露出させる開口を形成し、
前記絶縁膜上に前記第１の導電膜とは異なる材料で第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜を選択的にエッチングして第２の導電層を形成し、
前記開口により露出した前記第１の導電層の端部と前記第２の導電層の端部とに接するように、表面が有機膜で覆われた導電粒子を複数含む層を形成し、
記憶素子への書き込みを行うことにより、前記第１の導電層と前記第２の導電層は、前記導電粒子を介して電気的に接続されることを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１１】
請求項８において、
前記絶縁表面上に導電膜を形成し、
前記導電膜にレーザ光を照射して部分的に除去することによって、前記第１の導電層と前記第２の導電層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一において、
前記導電粒子の粒径は前記第１の導電層と前記第２の導電層の間隔より大きいことを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一において、
対向する前記第１の導電層の側面と前記第２の導電層の側面とが各々テーパ形状を有するように前記第１の導電層及び前記第２の導電層を形成し、
対向する前記第１の導電層の側面と前記第２の導電層の側面との間に前記導電粒子を複数含む層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１４】
請求項８乃至請求項１３のいずれか一において、
前記第１の導電層と前記第２の導電層の少なくとも一方の上面形状は、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間隔が部分的に狭くなる突出部を有する形状であることを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１５】
請求項８乃至請求項１４のいずれか一において、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層に、チタン又は亜鉛を用いることを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１６】
請求項８乃至請求項１５のいずれか一において、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層を覆う保護膜を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１７】
請求項８乃至請求項１６のいずれか一において、
前記記憶素子への書き込みは、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電圧を印加して、複数の前記導電粒子を凝集させ、前記第１の導電層と前記第２の導電層を短絡させることにより行うことを特徴とする記憶素子の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月1日(2010.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に配置された複数の画素を有する撮像装置であって、
前記複数の画素はそれぞれ、複数の薄膜トランジスタと、該複数の薄膜トランジスタ上に配置された変換素子と、前記複数の薄膜トランジスタと前記変換素子との間に配置された複数の絶縁膜と、を含み、
前記複数の薄膜トランジスタは、前記変換素子にゲート電極が電気的に接続された読み出し用薄膜トランジスタと、前記読み出し用薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極に電気的に接続された第１の選択用薄膜トランジスタと、を含み、
入射した光又は放射線を変換素子が変換して得られる電荷に対応した信号が転送される信号配線及び第１の選択用薄膜トランジスタのゲート電極に駆動信号を供給するゲート配線の少なくとも一方が前記複数の絶縁膜の間に配置されていることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像装置であって、前記複数の絶縁膜の各々は、前記複数の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜より厚いことを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の撮像装置であって、前記複数の絶縁膜の各々の膜厚は、１μｍ以上６μｍ以下であることを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の撮像装置であって、前記画素が前記変換素子に接続された、リセット電位を供給するためのリセット用薄膜トランジスタを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の撮像装置であって、前記画素が前記変換素子と前記信号配線との間に電気的に接続された、前記変換素子が変換して得られる電荷を転送する転送用薄膜トランジスタを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の撮像装置であって、前記画素が前記ゲート配線に電気的に接続された第２の選択用薄膜トランジスタを有し、
前記読み出し用薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極のそれぞれに前記第１の選択用薄膜トランジスタ及び前記第２の選択用薄膜トランジスタのいずれかが電気的に接続されたことを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の撮像装置であって、前記読み出し用薄膜トランジスタは、多結晶シリコンを用いたトップゲート型の薄膜トランジスタであることを特徴とする撮像装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の撮像装置であって、前記変換素子は、光電変換素子とシンチレータが組み合わされたものであることを特徴とする撮像装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、を有することを特徴とする放射線撮像システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月14日(2011.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】絶縁膜の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の有機溶媒中にシロキサン樹脂またはシロキサン系材料を有する懸濁液を用いて薄膜を形成し、
前記薄膜に第１の加熱処理を施し、
前記第１の加熱処理が施された薄膜上にマスクを形成し、
第２の有機溶媒を用いてウェットエッチングすることで、前記第１の加熱処理が施された薄膜の形状を加工し、
前記加工された薄膜に第２の加熱処理を施すことを特徴とする絶縁膜の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記第２の加熱処理は前記第１の加熱処理よりも高い温度で施すことを特徴とする絶縁膜の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、前記第１の加熱処理は、前記薄膜を固める程度に高い温度で、なおかつ前記第１の有機溶媒の沸点よりも低い温度で施し、
前記第２の加熱処理は前記第１の有機溶媒の沸点よりも高い温度で施すことを特徴とする絶縁膜の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記第１の加熱処理は、前記ウェットエッチングが終了するまでの時間が３０秒以上となるように、前記第１の加熱処理が施された薄膜が固まる程度に高い温度で、なおかつ前記第１の有機溶媒の沸点よりも低い温度で施すことを特徴とする絶縁膜の作製方法。
【請求項５】
第１の有機溶媒中にシロキサン樹脂またはシロキサン系材料を有する懸濁液を用いて薄膜を形成し、
前記薄膜に第１の加熱処理を施し、
前記第１の加熱処理が施された後の薄膜上にマスクを形成し、
前記マスクを形成した後、前記第１の加熱処理が施された後の薄膜に第２の加熱処理を施し、
第２の有機溶媒を用いてウェットエッチングすることで、前記第２の加熱処理が施された薄膜の形状を加工し、
前記加工された薄膜に第３の加熱処理を施すことを特徴とする絶縁膜の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、前記第３の加熱処理は前記第２の加熱処理よりも高い温度で施すことを特徴とする絶縁膜の作製方法。
【請求項７】
請求項５において、前記第２の加熱処理は、前記第１の加熱処理よりも高い温度で、なおかつ前記第１の有機溶媒の沸点よりも低い温度で施し、
前記第３の加熱処理は前記有機溶媒の沸点よりも高い温度で施すことを特徴とする絶縁膜の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、前記第２の加熱処理は、前記ウェットエッチングが終了するまでの時間が３０秒以上となるように、前記第１の加熱処理後の薄膜が固まる程度に高い温度で、なおかつ前記第１の有機溶媒の沸点よりも低い温度で施すことを特徴とする絶縁膜の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記第２の有機溶媒は炭素数が３乃至５のいずれか１つから選択されるアルコールであることを特徴とする絶縁膜の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月27日(2010.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に、ブロックコポリマーからなる第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜を不活性ガス雰囲気でアニーリングする工程とを備え、
前記不活性ガスは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン又はキセノンであることを特徴とするブロックコポリマーの自己組織化促進方法。
【請求項２】
前記ブロックコポリマーは、親水性ユニットと疎水性ユニットから構成されていることを特徴とする請求項１に記載のブロックコポリマーの自己組織化促進方法。
【請求項３】
前記親水性ユニットは、メタクリレート、ブタジエン、ビニールアセテート、アクリレート、アクリルアミド、アクリロニトリル、アクリル酸、ビニールアルコール、エチレングリコール又はプロピレングリコールであることを特徴とする請求項２に記載のブロックコポリマーの自己組織化促進方法。
【請求項４】
前記疎水性ユニットは、スチレン、キシリエン又はエチレンであることを特徴とする請求項２又は３に記載のブロックコポリマーの自己組織化促進方法。
【請求項５】
基板の上に、親水性又は疎水性を有し且つ開口部を有するガイドパターンを形成する工程と、
前記基板の上における前記ガイドパターンの前記開口部に、ブロックコポリマーからなる第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜を不活性ガス雰囲気でアニーリングすることにより、前記第１の膜を自己組織化する工程と、
自己組織化された前記第１の膜から自己組織化パターンを形成する工程とを備え、
前記不活性ガスは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン又はキセノンであることを特徴とするブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法。
【請求項６】
前記ブロックコポリマーは、親水性ユニットと疎水性ユニットから構成されていることを特徴とする請求項５に記載のブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法。
【請求項７】
前記親水性ユニットは、メタクリレート、ブタジエン、ビニールアセテート、アクリレート、アクリルアミド、アクリロニトリル、アクリル酸、ビニールアルコール、エチレングリコール又はプロピレングリコールであることを特徴とする請求項６に記載のブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法。
【請求項８】
前記疎水性ユニットは、スチレン、キシリエン又はエチレンであることを特徴とする請求項６又は７に記載のブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法。
【請求項９】
前記自己組織化パターンを形成する工程において、前記自己組織化パターンは、前記親水性ユニットを含む第１のパターン又は前記疎水性ユニットを含む第２のパターンをエッチングすることにより形成することを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載のブロックコポリマーの自己組織化パターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月24日(2011.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
また、図４（Ｂ）に示すように、両側にシフト検出器２０４ａ，２０４ｂが設けられている場合は、領域Ａの出力データＶａ、領域Ｂの出力データＶｂ、領域Ｃの出力データＶｃ、及び領域Ｄの出力データＶｄが、制御装置２０２のシフト検出処理部１２に入力される。シフト検出器出力処理部１２は、入力された出力データから、領域Ａの出力データＶａと領域Ｃの出力データＶｃとの和（Ｖａ＋Ｖｃ）、及び、領域Ｂの出力データＶｂと領域Ｄの出力データＶｄとの和（Ｖｂ＋Ｖｄ）を算出し、出力選択制御部１３へ送出する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
シフト位置算出部１４は、出力選択制御部１３によって選択された、いずれかの出力データ（Ｘ線検出器２０５のシフト検出チャネル器の出力データ（Ｖｓ，Ｖｔ）、またはシフト検出器２０４ａ，２０４ｂの出力データ（Ｖａ＋Ｖｃ，Ｖｂ＋Ｖｄ）を用いて、Ｘ線照射位置のシフト位置を算出し、シフト位置に応じた補正方向を示す補正信号をシフト位置補正部１５へ送出する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月27日(2011.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【特許文献１】特許第３６９３５２２号
【特許文献２】特開２００６−１０２０７６号
【特許文献３】特開２００８−６７９５９号
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、実施例２である図４の（Ｉ）に示した突出した棒体１１ａに、実施例３に記載されている吐出孔１１１ｇを形成すれば、棒体天面からも化粧料が吐出されるため、化粧時に突出部Ｚを利用することで更にラインが描きやすくなる、という効果が得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2010115357.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月7日(2011.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の始動条件の成立に基づいて複数種類の図柄情報を変動表示して表示結果を導出表示する表示装置と、
前記始動条件の成立に基づいて遊技者に所定の利益を付与する利益付与状態に制御するか否かを判定する利益付与判定手段と、を備え、
該利益付与判定手段が前記利益付与状態に制御すると判定したときに前記表示装置に特定表示結果を導出表示する遊技機において、
前記利益付与判定手段を含み、該利益付与判定手段の判定結果に応じて、前記表示装置の表示制御を含む遊技の進行を制御するとともに進行状態に応じた制御コマンドを送信する遊技制御手段と、
該遊技制御手段からの制御コマンドに応じて、遊技機に設置される複数種類の発光部材を前記表示装置の表示内容に関連させて発光させる制御を含む遊技の演出を制御する演出制御手段と、を備え、
前記演出制御手段は、
前記遊技の演出を制御するための制御処理を定期的に実行し、
前記遊技の演出を制御するための制御処理に応じて前記複数種類の発光部材のうち特定の発光部材を発光制御する場合には、前記特定の発光部材に対して駆動信号を出力することにより前記特定の発光部材を直接的に制御するとともに、前記特定の発光部材に出力している前記駆動信号を前記遊技の演出を制御するための制御処理の実行間隔以下の間隔で更新し、
前記遊技の演出を制御するための制御処理に応じて前記複数種類の発光部材のうち前記特定の発光部材以外の非特定の発光部材を発光制御する場合には、前記非特定の発光部材を発光制御する発光制御手段に発光態様を指示する発光コマンドを送信して前記発光制御手段に前記非特定の発光部材に対して駆動信号を出力させることにより前記非特定の発光部材を間接的に制御するとともに、前記遊技の演出を制御するための制御処理を実行していないときに、前記発光制御手段による前記非特定の発光部材の発光制御状態を判別して、該発光制御状態が前記発光コマンドによって指示した発光態様と異なる場合に前記発光コマンドによって指示した発光態様に修正させることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記演出制御手段は、前記始動条件の成立に基づいて前記利益付与判定手段が前記利益付与状態に制御すると判定したときに前記表示装置に前記特定表示結果が導出表示される以前に前記利益付与状態に制御することを遊技者に通知する確定通知するか否かを判定する確定通知判定手段を備え、
該確定通知判定手段が前記確定通知すると判定した場合には、前記特定の発光部材を予め決められた特定態様で発光制御することを特徴とする請求項１記載の遊技機。
【請求項３】
前記発光制御手段は、オープンコレクタ構成のトランジスタを介して前記特定の発光部材に前記駆動信号を出力することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月26日(2011.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
遊技球が入球可能な始動口と、
演出を表示可能な演出表示部と、
開状態と閉状態を採り得る可変入賞口と、
始動口に遊技球が入球した場合に乱数を取得する乱数取得手段と、
乱数取得の際に演出開始条件を充足していない場合、前記演出開始条件を充足するまで前記乱数を一時記憶する保留手段と、
前記演出開始条件を充足した場合、前記乱数から導かれる演出を演出表示部上で実行する演出表示制御手段と、
乱数が特別遊技の移行契機となる当り乱数の場合、可変入賞口を前記閉状態から前記開状態にする特別遊技の実行制御を行う特別遊技制御手段と、
保留手段内に一時記憶されている演出開始が許可されていない前記乱数の内容を事前に把握する保留先読み手段と、
保留先読み手段により事前に把握された、保留手段内に一時記憶されている演出開始が許可されていない前記乱数の内容に基づき、保留手段内に一時記憶されている演出開始が許可されていない前記乱数中に当り乱数が存在する又はその可能性があることを報知又は示唆する予告を実行し得る予告制御手段と
を有するパチンコ遊技機であって、
複数種の予告内容が存在し、予告内容によって当り乱数が存在する確率が異なるよう構成されたパチンコ遊技機において、
保留先読み手段は、特別遊技中の複数タイミングで、各タイミング時点で保留手段内に一時記憶されている前記乱数の内容を事前に把握し、
予告制御手段は、保留先読み手段による、保留手段内に一時記憶されている前記乱数の内容の事前把握に基づき、保留手段内に一時記憶されている前記乱数中に当り乱数が存在する又はその可能性があることを報知又は示唆する予告実行の可否及び／又は予告内容を決定し、ここで、前記複数のタイミングの内のあるタイミングでの予告実行の可否及び／又は予告内容の決定をするに際し、前記複数のタイミングの内の、当該あるタイミングより前のタイミングから当該あるタイミングに至るまでの間に保留手段に前記乱数が新たに一時記憶されていた場合には、新たに一時記憶された前記乱数の内容を踏まえ、予告実行の可否及び／又は予告内容を決定することにより、特別遊技中における保留手段に一時記憶されている前記乱数の内容の推移を予告に反映させることが可能に構成されている
ことを特徴とするパチンコ遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明（１）は、遊技球が入球可能な始動口と、
演出を表示可能な演出表示部と、
開状態と閉状態を採り得る可変入賞口と、
始動口に遊技球が入球した場合に乱数を取得する乱数取得手段と、
乱数取得の際に演出開始条件を充足していない場合、前記演出開始条件を充足するまで前記乱数を一時記憶する保留手段と、
前記演出開始条件を充足した場合、前記乱数から導かれる演出を演出表示部上で実行する演出表示制御手段と、
乱数が特別遊技の移行契機となる当り乱数の場合、可変入賞口を前記閉状態から前記開状態にする特別遊技の実行制御を行う特別遊技制御手段と、
保留手段内に一時記憶されている演出開始が許可されていない前記乱数の内容を事前に把握する保留先読み手段と、
保留先読み手段により事前に把握された、保留手段内に一時記憶されている演出開始が許可されていない前記乱数の内容に基づき、保留手段内に一時記憶されている演出開始が許可されていない前記乱数中に当り乱数が存在する又はその可能性があることを報知又は示唆する予告を実行し得る予告制御手段と
を有するパチンコ遊技機であって、
複数種の予告内容が存在し、予告内容によって当り乱数が存在する確率が異なるよう構成されたパチンコ遊技機において、
保留先読み手段は、特別遊技中の複数タイミングで、各タイミング時点で保留手段内に一時記憶されている前記乱数の内容を事前に把握し、
予告制御手段は、保留先読み手段による、保留手段内に一時記憶されている前記乱数の内容の事前把握に基づき、保留手段内に一時記憶されている前記乱数中に当り乱数が存在する又はその可能性があることを報知又は示唆する予告実行の可否及び／又は予告内容を決定し、ここで、前記複数のタイミングの内のあるタイミングでの予告実行の可否及び／又は予告内容の決定をするに際し、前記複数のタイミングの内の、当該あるタイミングより前のタイミングから当該あるタイミングに至るまでの間に保留手段に前記乱数が新たに一時記憶されていた場合には、新たに一時記憶された前記乱数の内容を踏まえ、予告実行の可否及び／又は予告内容を決定することにより、特別遊技中における保留手段に一時記憶されている前記乱数の内容の推移を予告に反映させることが可能に構成されている
ことを特徴とするパチンコ遊技機である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明（１）によれば、特別遊技中における保留情報の推移を予告に反映させることが可能になるという効果を奏する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月1日(2011.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
術者が超音波探触子を持つためのグリップと、前記グリップに連続され、照射される超音波のスキャン面を形成する複数の振動素子を保持するハウジングケースとからなる本体部と、一端が前記本体部に接続され、他端が超音波診断装置に接続されるケーブルとを具備した超音波探触子であって、
前記ハウジングケースには、前記スキャン面に沿って穿刺針を装着する穿刺針誘導溝が形成され、
前記ハウジングケースの上面から前記グリップのハウジングケースが形成される側の前面へ穿刺針誘導機構部が形成されることを特徴とする超音波探触子。
【請求項２】
前記穿刺針誘導機構部は、ライン状であって、前記穿刺針誘導溝に連続する断面凹形状又は断面凸形状の一方の形状の溝である請求項１に記載の超音波探触子。
【請求項３】
前記穿刺針誘導機構部は、ライン状であって、前記ハウジングケースの上面から前記グリップの前面へ連続するように印刷されるものである請求項１に記載の超音波探触子。
【請求項４】
前記ハウジングケースの端部に、前記スキャン面に沿って、かつ前記スキャン面の中心に向かって形成される穿刺針を装着する穿刺針誘導溝の溝方向上方に突出する突出部を設けたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の超音波探触子。
【請求項５】
前記穿刺針誘導機構部は、
前記ハウジングケースの上面と、前記グリップのハウジングケースが形成される側の前面に、前記穿刺針誘導溝の溝と連続して前記ハウジングケースの上面から前記グリップの前面に連続する断面矩形状のガイドプレート装着溝が形成され，前記ガイドプレート装着溝に前記穿刺針をガイドするガイドプレートを装着してなることを特徴とする請求項１に記載の超音波探触子。
【請求項６】
前記ガイドプレートは、前記ハウジングケース先端の前記穿刺針誘導溝形成側の端部に目盛を設けたものである請求項５に記載の超音波探触子。
【請求項７】
前記穿刺針誘導機構部は、前記グリップのハウジングケースが形成される側の前面に、任意の間隔でレーザー光を照射するレーザー光源が設けられている複数のレーザー光放射口を、前記グリップの長さ全体に渡って設け、前記複数のレーザー光放射口を、該複数のレーザー光放射口から照射されるレーザー光が前記穿刺針誘導溝に装着される前記穿刺針に照射するように配列したことを特徴とする請求項１に記載の超音波探触子。
【請求項８】
被検体に超音波を送受信する超音波探触子と、前記超音波探触子から受信される超音波画像データに基づいて超音波画像を構成する超音波画像構成部と、前記超音波画像を表示する表示部を備えた超音波診断装置において、前記超音波探触子は、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の超音波探触子であることを特徴とする超音波診断装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の目的を達成するために、術者が超音波探触子を持つためのグリップと、前記グリップに連続され、照射される超音波のスキャン面を形成する複数の振動素子を保持するハウジングケースとからなる本体部と、一端が前記本体部に接続され、他端が超音波診断装置に接続されるケーブルとを具備した超音波探触子であって、前記ハウジングケースには、前記スキャン面に沿って穿刺針を装着する穿刺針誘導溝が形成され、前記ハウジングケースの上面から前記グリップのハウジングケースが形成される側の前面へ穿刺針誘導機構部が形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記穿刺針誘導機構部は、ライン状であって、前記穿刺針誘導溝に連続する断面凹形状又は断面凸形状の一方の形状の溝で構成したことを特徴としている。  
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記穿刺針誘導機構部は、ライン状であって、前記ハウジングケースの上面から前記グリップの前面へ連続するように印刷されるもので構成したことを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記ハウジングケースの端部に、前記スキャン面に沿って、かつ前記スキャン面の中心に向かって形成される穿刺針を装着する穿刺針誘導溝の溝方向上方に突出する突出部を設けたことを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記穿刺針誘導機構部は、前記ハウジングケースの上面と、前記グリップのハウジングケースが形成される側の前面に、前記穿刺針誘導溝の溝と連続して前記ハウジングケースの上面から前記グリップの前面に連続する断面矩形状のガイドプレート装着溝が形成され、前記ガイドプレート装着溝に前記穿刺針をガイドするガイドプレートを装着してなることを特徴としている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
前記ガイドプレートは、前記ハウジングケース先端の前記穿刺針誘導溝形成側の端部に目盛を設けて構成したことを特徴としている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
前記穿刺針誘導機構部は、前記グリップのハウジングケースが形成される側の前面に、任意の間隔でレーザー光を照射するレーザー光源が設けられている複数のレーザー光放射口を、前記グリップの長さ全体に渡って設け、前記複数のレーザー光放射口を、該複数のレーザー光放射口から照射されるレーザー光が前記穿刺針誘導溝に装着される前記穿刺針に照射するように配列して構成したことを特徴としている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、被検体に超音波を送受信する超音波探触子と、前記超音波探触子から受信される超音波画像データに基づいて超音波画像を構成する超音波画像構成部と、前記超音波画像を表示する表示部を備えた超音波診断装置において、前記超音波探触子で構成したことを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月7日(2011.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
コンピュータに、操作入力に応じてプレーヤキャラクタを制御してゲームを進行制御させるためのプログラムであって、
上限が定められた前記プレーヤキャラクタのパラメータ値を操作入力及び／又はゲーム進行に応じて変更するパラメータ値変更手段、
前記パラメータ値の前記上限に対する相対的な割合に基づく図化モデルを表示制御する図化モデル表示制御手段、
前記パラメータ値に基づく所定の変更条件を満たしているか否かを判定する変更条件合致判定手段、
所定の変更許可操作が入力されたことを検知する変更許可操作検知手段、
前記変更条件を満たしており、且つ前記変更許可操作検知手段による検知がなされた場合に、前記上限を変更するとともに、前記図化モデルを当該変更後の上限に適合する図化モデルに変更する変更手段、
として前記コンピュータを機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
操作入力に応じてプレーヤキャラクタを制御してゲームを進行制御するためのゲーム装置であって、
上限が定められた前記プレーヤキャラクタのパラメータ値を操作入力及び／又はゲーム進行に応じて変更するパラメータ値変更手段と、
前記パラメータ値の前記上限に対する相対的な割合に基づく図化モデルを表示制御する図化モデル表示制御手段と、
前記パラメータ値に基づく所定の変更条件を満たしているか否かを判定する変更条件合致判定手段と、
所定の変更許可操作が入力されたことを検知する変更許可操作検知手段と、
前記変更条件を満たしており、且つ前記変更許可操作検知手段による検知がなされた場合に、前記上限を変更するとともに、前記図化モデルを当該変更後の上限に適合する図化モデルに変更する変更手段と、
を備えるゲーム装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月9日(2011.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グルコマンナン及び／又はガラクトマンナンと、高度分岐環状デキストリンを共存させた状態で溶解後、８０℃以上に加熱し、冷却することを特徴とするゲル状・増粘食品の調製方法。
【請求項２】
高度分岐環状デキストリンを含む溶液にグルコマンナン及び／又はガラクトマンナンを添加後、８０℃以上に加熱し、冷却するか、または高度分岐環状デキストリンと、グルコマンナン及び／又はガラクトマンナンを同時に水溶液に添加後、８０℃以上に加熱し、冷却する、請求項１に記載の調製方法。
【請求項３】
グルコマンナン及び／又はガラクトマンナンと、高度分岐環状デキストリンとの粉体混合物を水溶液に添加後、８０℃以上に加熱し、冷却することを特徴とする、ゲル状・増粘食品の調製方法。
【請求項４】
グルコマンナン及び／又はガラクトマンナンと、高度分岐環状デキストリンの粉体混合物を配合することを特徴とする、溶解性が改善された糊料製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月7日(2010.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原紙に１層以上の顔料塗工層を設けた支持体と、該顔料塗工層上に少なくとも成膜性材料を含有するバリア層と、該バリア層上にインク受容層とを有するインクジェット記録体であって、バリア層が、成膜性材料１００部に対し、顔料２０部以上２５０部未満を含有し、更にポリビニルアルコールに対して架橋性を有する材料を含有し、インク受容層が、ポリビニルアルコールを接着剤とし、平均粒子径７００ｎｍ以下である無機微粒子を主成分とした層であることを特徴とするインクジェット記録体。
【請求項２】
バリア層の顔料が、炭酸カルシウム、カオリンから選ばれる少なくとも１種である請求項１記載のインクジェット記録体。
【請求項３】
バリア層の顔料が、成膜性材料１００部に対し、顔料７０部以上２００部以下含有する請求項１または２記載のインクジェット記録体。
【請求項４】
支持体の顔料塗工層が２層以上である請求項１〜３のいずれか一項に記載のインクジェット記録体。
【請求項５】
下記条件で測定した伸び率が、０．０５％以下である請求項１〜４のいずれか一項に記載のインクジェット記録体。
「測定条件」
温度２３℃、湿度５０％の条件で調湿した、Ａ４判のインクジェット記録体に、横１８ｃｍ×縦５ｃｍのグリーンベタ印字を行い、温度２３℃、湿度５０％の環境下で、印字２分後の横の長さ（Ｌｃｍ）を測定し、下記式で伸び率を算出する。
伸び率（％）＝（Ｌ−１８）×１００／Ｌ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
（１）原紙に１層以上の顔料塗工層を設けた支持体と、該顔料塗工層上に少なくとも成膜性材料を含有するバリア層と、該バリア層上にインク受容層とを有するインクジェット記録体であって、バリア層が、成膜性材料１００部に対し、顔料２０部以上２５０部未満を含有し、更にポリビニルアルコールに対して架橋性を有する材料を含有し、インク受容層が、ポリビニルアルコールを接着剤とし、平均粒子径７００ｎｍ以下である無機微粒子を主成分とした層であることを特徴とするインクジェット記録体。
（２）顔料が、炭酸カルシウム、カオリンから選ばれる少なくとも１種である（１）記載のインクジェット記録体。
（３）バリア層の顔料が、成膜性材料１００部に対し、顔料７０部以上２００部以下含有する（１）または（２）記載のインクジェット記録体。
（４）支持体の顔料塗工層が２層以上である（１）〜（３）のいずれか一に記載のインクジェット記録体。
（５）下記条件で測定した伸び率が、０．０５％以下である（１）〜（４）のいずれか一に記載のインクジェット記録体。
「測定条件」
温度２３℃、湿度５０％の条件で調湿した、Ａ４判のインクジェット記録体に、横１８ｃｍ×縦５ｃｍのグリーンベタ印字を行い、温度２３℃、湿度５０％の環境下で、印字２分後の横の長さ（Ｌｃｍ）を測定し、下記式で伸び率を算出する。
伸び率（％）＝（Ｌ−１８）×１００／Ｌ
（６）前記伸び率が、０．０３％以下である（５）記載のインクジェット記録体。
（７）前記伸び率が、０．０１％以下である（５）記載のインクジェット記録体。
（８）架橋性を有する材料の塗工量が０．１ｇ／ｍ２以上になるようにバリア層を設ける（１）〜（７）記載のインクジェット記録体。
（９）架橋性を有する材料がホウ酸および／またはホウ酸塩である（１）〜（８）記載のインクジェット記録体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月9日(2011.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車体に固定される円筒状を有する第１のコラムと、
前記第１のコラムに対して嵌合し、軸線方向に移動可能に支持された円筒状の第２のコラムと、
前記第１のコラムと前記第２のコラムとの一方に形成された軸方向の複数の突条と、他方に形成された個々の前記突条に対向して軸方向に延在する凸部を有する凹凸部とで構成される嵌合部とを有し、
前記嵌合部は、所定の収縮力を受けたときに、前記第１のコラムと前記第２のコラムの軸線方向における相対移動を許容することを特徴とするステアリングコラム。
【請求項２】
前記突条は外周面が円弧状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のステアリングコラム。
【請求項３】
前記突条の接円の直径と前記凹凸部の凸部の接円の直径とが互いに嵌合する値に設定されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のステアリングコラム。
【請求項４】
前記凹凸部は、１つの前記突条に対して複数の凸部が接するように形成されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のステアリングコラム。
【請求項５】
前記凹凸部をセレーション溝で構成したことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のステアリングコラム。
【請求項６】
前記第１のコラムはアッパコラムであり、前記第２のコラムはロアコラムであって、前記アッパコラムに前記突条が形成され、前記ロアコラムに前記凹凸部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載のステアリングコラム。
【請求項７】
前記突条は前記凹凸部の軸方向形成範囲を超えて嵌合されていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載のステアリングコラム。
【請求項８】
前記凹凸部は全周に設けられていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載のステアリングコラム。
【請求項９】
前記凹凸部は前記突条に対向する部分にのみ形成されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載のステアリングコラム。
【請求項１０】
前記突条及び前記凹凸部は円周方向に４個所形成されていることを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載のステアリングコラム。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか１項に記載のステアリングコラムを備えたコラムアシスト式の電動パワーステアリング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、一の形態に係るステアリングコラムは、車体に固定される円筒状を有する第１のコラムと、前記第１のコラムに対して嵌合し、軸線方向に移動可能に支持された円筒状の第２のコラムと、前記第１のコラムと前記第２のコラムとの一方に形成された軸方向の複数の突条と、他方に形成された個々の前記突条に対向して軸方向に延在する凸部を有する凹凸部とで構成される嵌合部とを有し、前記嵌合部は、所定の収縮力を受けたときに、前記第１のコラムと前記第２のコラムの軸線方向における相対移動を許容する構成を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、他の形態に係るステアリングコラムは、前記突条の外周面が円弧状に形成されている。
また、他の形態に係るステアリングコラムは、前記突条の接円の直径と前記凹凸部の凸部の接円の直径とが互いに嵌合する値に設定されている。
また、他の形態に係るステアリングコラムは、前記凹凸部が、１つの前記突条に対して複数の凸部が接するように形成されている
また、他の形態に係るステアリングコラムは、前記凹凸部をセレーション溝で構成した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、他の形態に係るステアリングコラムは、前記第１のコラムはアッパコラムであり、前記第２のコラムはロアコラムであって、且つ前記ロアコラムに前記アッパコラムが内嵌され、前記アッパコラムに前記突条が形成され、前記ロアコラムに前記凹凸部が形成された構成を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の有利条件が成立することにより、遊技状態を遊技者にとって有利な有利遊技状態に制御する遊技状態制御手段と、
遊技状態が前記有利遊技状態に制御されている期間である特定期間において、周期的に繰り返して再生される楽曲の楽曲データを記憶した楽曲データ記憶手段と、
前記特定期間の開始時に、前記楽曲の再生開始を指示する再生開始指示手段と、
前記再生開始指示手段からの再生開始の指示に基づいて、前記楽曲データ記憶手段から順次読み出した楽曲データに従って音声合成することにより前記楽曲を再生する音声合成手段と、該楽曲を再生しているときに再生中信号を出力する再生中信号出力手段とを含む楽曲再生手段と、
前記特定期間において前記再生中信号出力手段から再生中信号が出力されているか否かを監視する監視手段と、
前記特定期間において前記監視手段が再生中信号の出力が途切れたことを検出したときに、前記楽曲再生手段に前記楽曲の再生開始を再度指示する再生再開始指示手段とを備え、
前記監視手段は、前記特定期間において所定の契機が生じたときに、再生中信号が出力されているか否かを監視する
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明にかかる遊技機は、
所定の有利条件が成立することにより、遊技状態を遊技者にとって有利な有利遊技状態に制御する遊技状態制御手段と、
遊技状態が前記有利遊技状態に制御されている期間である特定期間において、周期的に繰り返して再生される楽曲の楽曲データを記憶した楽曲データ記憶手段と、
前記特定期間の開始時に、前記楽曲の再生開始を指示する再生開始指示手段（ステップＳ１０５）と、
前記再生開始指示手段からの再生開始の指示に基づいて、前記楽曲データ記憶手段から順次読み出した楽曲データに従って音声合成することにより前記楽曲を再生する音声合成手段（音声合成部１２６ａ、レベル調整部１２６ｂ）と、該楽曲を再生しているときに再生中信号を出力する再生中信号出力手段（再生中信号出力部１２６ｃ）とを含む楽曲再生手段（ＡＤＰ１２６、ステップＳ２０４）と、
前記特定期間において前記再生中信号出力手段から再生中信号が出力されているか否かを監視する監視手段（ステップＳ１０７）と、
前記特定期間において前記監視手段が再生中信号の出力が途切れたことを検出したときに、前記楽曲再生手段に前記楽曲の再生開始を再度指示する再生再開始指示手段（ステップＳ１１０）とを備え、
前記監視手段は、前記特定期間において所定の契機が生じたときに、再生中信号が出力されているか否かを監視する
ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
特定期間においては本来楽曲が再生されているべきものであるが、外部からのノイズの混入などの何らかの異常の発生により楽曲の再生が途切れてしまう場合もあり得る。このように何らかの異常により特定期間において本来再生されるべき楽曲の再生が途切れたとしても、再生再開始指示手段からの指示により再生が開始されるので、本来あるべき楽曲が再生された状態に復帰できるようになる。また、再生開始の指示があれば、特定期間であるかどうかを判断することなく楽曲の再生を継続でき、楽曲の再生のために制御負荷を大きく増大させることがない。さらに、監視手段は、再生中信号の出力を常に監視している必要がない。これにより、監視手段が再生中信号の出力を監視するために制御負荷を大きく増大させることがない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記遊技機において、
前記特定遊技状態が、複数のラウンドを含む場合には、
前記所定の契機は、前記特定遊技状態の各ラウンドが開始されることにより生じるものとしてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項１の発明によれば、何らかの異常により特定期間において本来再生されるべき楽曲の再生が途切れても再生再開始指示手段からの指示により再生が開始されるので、本来あるべき楽曲が再生された状態に復帰できるようになる。また、再生開始の指示があれば、特定期間であるかどうかを判断することなく楽曲の再生を継続でき、楽曲の再生のために制御負荷を大きく増大させることがない。さらに、再生中信号の出力を常に監視している必要がなく、再生中信号の監視のために制御負荷を大きく増大させることがない。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】