【手続補正書】
【提出日】平成21年9月9日(2009.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）表面に物質を有する支持体を処理室中に置き；
ｂ）硫酸及び/又はその脱水種及び前駆体を含む液状硫酸組成物を、支持体表面を実質的均一に被覆するのに有効な量で支持体表面に投与し；そして
ｃ）該液状硫酸組成物を、その温度が水蒸気に暴露する前の液状硫酸組成物の温度より高くなるのに有効な量の水蒸気に暴露し；その場合、水蒸気への暴露時における液状硫酸組成物の水/硫酸モル比は約５：１未満である、
ことを含む、支持体から物質を除去する方法。
【請求項２】
該液状硫酸組成物は、その温度が、(ｉ）水蒸気に暴露する前の支持体上の液状硫酸組成物の温度と(ii）水蒸気の温度、の両方よりも高くなるのに有効な量の水蒸気に暴露される、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
水蒸気への暴露時における液状硫酸組成物の水/硫酸モル比は約２：１未満である、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
液状硫酸組成物の投与中又は投与後、処理室中に酸化剤が導入される、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
液状硫酸組成物投与の前、投与中又は投与後の何れかであり、且つ液状硫酸組成物の水蒸気への暴露前に、支持体が少なくとも90℃の温度に加熱される、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
水蒸気が約80℃から約110℃の温度で供給される、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
水蒸気への暴露の前に、液状硫酸組成物が約130℃から約200℃の温度で投与される、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
物質がホトレジストである、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
液状硫酸組成物の投与が、液状硫酸組成物の水蒸気への暴露の前に停止される、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
液状硫酸組成物が、複数回の不連続パルスによって支持体上に投与される、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
支持体が、液状硫酸組成物の投与中及び/又は投与後、及び液状硫酸組成物の水蒸気への暴露中、動かないか又は約20rpm未満の速度で回転する、請求項1に記載の方法。
【請求項１２】
支持体が液状硫酸組成物の支持体表面への投与中に回転し、そして液状硫酸組成物は支持体の回転中心から外れた角度で該液状体をスプレーすることにより投与される、請求項1に記載の方法。
【請求項１３】
支持体が液状硫酸組成物の支持体表面への投与中に回転し、そして液状硫酸組成物は、スイーピングによる支持体の回転中心に対して変化する角度でのスプレーによって投与される、請求項1に記載の方法。
【請求項１４】
水蒸気が処理室の外で発生され、そして望みの形状の水蒸気として処理室中に導入される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
液状硫酸組成物が霧化スプレーとして支持体表面に投与される、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
液状硫酸組成物が加熱され、そして過酸化物が、液状硫酸組成物を水蒸気に暴露する前に、該液状硫酸組成物に添加される、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
ａ）表面を有する支持体を受け入れるための処理室；          
ｂ）硫酸及び/又はその脱水種及び前駆体を含む液状硫酸組成物の供給源；
ｃ）該液状硫酸供給源に流動的に結合し且つ液状硫酸組成物を支持体表面に投与するように位置した、液状硫酸組成物投与用オリフィス；
ｄ）該液状硫酸組成物を、その温度が水蒸気に暴露する前の液状硫酸組成物の温度より高くなるのに有効な量の水蒸気に暴露するため該処理室中に水蒸気を投与するように位置した水蒸気投与装置；該水蒸気投与装置は、水蒸気への暴露時における液状硫酸組成物の水/硫酸モル比が約５：１未満であるように、該液状硫酸組成物に水蒸気を供給する、
を含む、支持体から物質を除去するための装置。
【請求項１８】
水蒸気投与装置が、処理室中に熱水を導入するためのシステムを含む、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
水蒸気投与装置が、処理室の外に位置した水蒸気発生装置を含む、請求項１７に記載の装置。
【請求項２０】
液状硫酸組成物投与用オリフィスが、液状硫酸組成物を連続流で投与する、請求項１７に記載の装置。
【請求項２１】
液状硫酸組成物投与用オリフィスが、液状硫酸組成物を複数回の不連続パルスで投与する、請求項１７に記載の装置。
【請求項２２】
その上に支持体を位置させるための回転中心を有する回転台を含み、液状硫酸組成物は、該回転台の回転中心から垂直でない角度で硫酸組成物をスプレーするように方向付けられたスプレー用支柱からスプレーされる、請求項１７に記載の装置。
【請求項２３】
その上に支持体を位置させるための回転中心を有する回転台を含み、液状硫酸組成物は、スイーピングにより回転台との関係において角度を変えて硫酸組成物をスプレーするように位置付けられた可動スプレー支柱からスプレーされる、請求項１７に記載の装置。
【請求項２４】
液状硫酸組成物投与用オリフィスが、霧化スプレーとして液状硫酸組成物を投与するように構成されている、請求項１７に記載の装置。
【請求項２５】
次の工程を含む、３つのオリフィスノズルからの液体のスプレーの方向を変えるための方法：
ａ）ｉ）十分な圧力下で液体源から液体を供給され、そこから液体の流れを噴出する第１オリフィス；
ii）ガス源からガスを供給される第１ガスオリフィスであって、該ガスは制御された圧力で供給されて該第１ガスオリフィスからガスの流れを噴出し、少なくとも部分的に液体の流れを偏向させる、第１ガスオリフィス；
iii ）第２ガス源から第２ガスを供給される第２ガスオリフィスであって、該ガスは制御された圧力で供給されて該第２ガスオリフィスからガスの流れを噴出し、少なくとも部分的に液体の流れを偏向させる、第２ガスオリフィス、
を有するノズルを装備し；そして
ｂ）該中央オリフィスからの液体の流れに方向を付与するように第１ガスオリフィス及び第２ガスオリフィスの少なくとも１つのガス流の流れを修正することにより、該ノズルからの液体のスプレー方向を調節する。
【請求項２６】
該ノズルからの液体のスプレー方向が、第１ガスオリフィス及び第２ガスオリフィスからのガスの流れを調節することにより処理プロセスに間に変えられる、請求項２５に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
該SBSPの４０スプレーの方向を変えるのに好ましい方法及び装置は図8に示され、それは３つのオリフィスノズル１２２を用いるスプレーを方向付けるための系120を示す。このノズルにおいて、中央オリフィス１２４には、十分な圧力下で液体源(示されない）からの液体が供給され、そこから液体の流れ１２６を噴出する。ガスオリフィス１３０には、調節弁１３６を通ったガス源１３４からのガスが供給される。該ガスは、調節された圧力で供給され、オリフィス１３０からガスの流れ１３８を噴出させ、オリフィス１３０は同時に該スプレーの偏向及び噴霧化を行なう。同様に、ガスオリフィス１４０には、調節弁１４６を通ったガス源１４４からのガスが供給される。該ガスは、調節された圧力で供給され、オリフィス１４０からガスの流れ１４８を噴出させ、オリフィス１４０は同時に該スプレーの偏向及び噴霧化を行なう。該スプレーの方向は、該液体スプレーの流れに方向を付与するようにガス流１３８及び１４８の流れを修正することにより調節できる。ガス流れの細かい段階的変化は該スプレー方向のより細かい調節を可能にする。該２つのガス源からの等しい流れは該スプレー機構表面に直角に集中したスプレーパターンをもたらす。該スプレーは、不連続的に偏向（例えば＋２０度で１０秒、次いで＋３０度で１０秒、等）、又は連続的に左右方向に振り分け、することができる。該ガス流は、マスフローコントローラーによる等で連続的な範囲で、又は多重オリフィスによる等で不連続的に調節できる。この系１２０は、半導体ウエハーの処理において、極めて優れた方向性がよく且つ力強い液体スプレーの調節を提供するので、特に有利である。処理室中の可動部品の量を最小限にすることが望ましい、何故なら可動部品は可動成分の摩擦による磨耗により該室中への小粒子の導入の可能性を増すからである。更に、もし該装置が該処理室中に位置していなければ、装置の働きは極めて単純化される。