【手続補正書】
【提出日】平成23年6月29日(2011.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非絶縁入力を有する半導体デバイス（６２）をスイッチングするためのゲート駆動回路（６０）であって、
半導体デバイス（６２）の本来性寄生ダイオードを順バイアスするように半導体デバイス（６２）のゲート上に電流を印加することによって半導体デバイス（６２）をターンオンするように構成された第１の回路（６４）と、
半導体デバイス（６２）の寄生ダイオードを逆バイアスするように半導体デバイス（６２）のゲート上に電流を印加することによって半導体デバイス（６２）をターンオフするように構成された第２の回路（６６）と、を備えており、
前記第１の回路（６４）及び第２の回路（６６）はそれぞれ第１のスイッチ及び第２のスイッチを通して半導体デバイス（６２）に結合されており、前記第１の回路（６４）及び前記第２の回路（６６）の各々はダイオードを通してコンデンサに結合された電流源を含む、ゲート駆動回路（６０）。
【請求項２】
前記第１の回路（６４）及び第２の回路（６６）の各々は、対応する第１のスイッチ及び対応する第２のスイッチが閉じている限りその間半導体デバイス（６２）のゲート上に電流を印加する、請求項１に記載のゲート駆動回路（６０）。
【請求項３】
前記第２のスイッチは通常閉じており、前記第１のスイッチは通常開いている、請求項１に記載のゲート駆動回路（６０）。
【請求項４】
前記第１の回路（６４）は、コンデンサを寄生ダイオードのしきい電圧ＶTHより大きい電圧ＶONまで充電し、該電圧ＶONが半導体デバイス（６２）のゲート電圧限界を超えないようにする、請求項１に記載のゲート駆動回路（６０）。
【請求項５】
前記第２の回路（６６）は、コンデンサを半導体デバイス（６２）のしきい電圧ＶTH(OFF)より低くかつ寄生ダイオードの破壊電圧ＶBVより高い電圧ＶOFFまで充電させる、請求項１に記載のゲート駆動回路（６０）。
【請求項６】
前記電流源は周囲温度で動作し、前記ダイオード及び前記コンデンサは半導体デバイス（６２）にごく接近して配置されると共に半導体デバイス（６２）の動作温度で動作される、請求項１に記載のゲート駆動回路（６０）。
【請求項７】
半導体デバイス（６２）をその寄生ゲート対エミッタダイオード特性と独立に動作させるように適合されている請求項１に記載のゲート駆動回路（６０）。
【請求項８】
半導体デバイス（６２）の最適な動作状態を該半導体デバイス（６２）の仕様と独立に自動的に決定する、請求項１に記載のゲート駆動回路（６０）。
【請求項９】
半導体デバイス（６２）のオン電圧が寄生ダイオードのしきい電圧ＶD(TH)を若干上回る範囲にあり、かつ半導体デバイス（６２）のオフ電圧が寄生ダイオードの破壊電圧ＶBVを若干上回る範囲にあるか、絶対値では寄生ダイオードの破壊電圧ＶBVと比べて低くなる、請求項８に記載のゲート駆動回路（６０）。
【請求項１０】
半導体デバイス（６２）の前記オン電圧が寄生ダイオードのしきい電圧ＶD(TH)を５％〜１０％上回る範囲にあり、かつ半導体デバイス（６２）の前記オフ電圧が寄生ダイオードの破壊電圧ＶBVを５％〜１０％上回る範囲にある、請求項９に記載のゲート駆動回路（６０）。
【請求項１１】
前記半導体デバイス（６２）がノーマリーオン型半導体デバイスであると共に、該ゲート駆動回路（６０）は定格パワーを超えるパワーでノーマリーオン型半導体デバイスを動作させるように適合されている、請求項１に記載のゲート駆動回路（６０）。
【請求項１２】
前記半導体デバイス（６２）がノーマリーオフ型半導体デバイスであると共に、該ゲート駆動回路（６０）はノーマリーオフ型半導体デバイスを動作させるように適合されている、請求項１に記載のゲート駆動回路（６０）。
【請求項１３】
非絶縁入力を有する前記半導体デバイス（６２）は広バンドギャップの半導体接合ゲート型トランジスタを含む、請求項１に記載のゲート駆動回路（６０）。
【請求項１４】
前記広バンドギャップの半導体接合ゲート型トランジスタはショットキーゲート型やＰＮ接合ゲート型のトランジスタを含む、請求項１３に記載のゲート駆動回路（６０）。
【請求項１５】
前記広バンドギャップの半導体接合ゲート型トランジスタは炭化ケイ素、窒化ガリウム及びダイアモンドを含む、請求項１３に記載のゲート駆動回路（６０）。
【請求項１６】
非絶縁入力を有する前記半導体デバイス（６２）はバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）、接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、垂直型ＪＦＥＴ（ＶＪＦＥＴ）、静電誘導型トランジスタ（ＳＩＴ）、及び金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）を含む、請求項１に記載のゲート駆動回路（６０）。
【請求項１７】
前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチの各々が電子制御式半導体デバイスを含む、請求項１に記載のゲート駆動回路（６０）。
【請求項１８】
非絶縁入力を有する半導体デバイス（６２）と、
第１のスイッチまたは第２のスイッチのそれぞれを通して半導体デバイス（６２）のゲート上に正電流と負電流のいずれかを印加することによって半導体デバイス（６２）をその寄生ゲート対エミッタダイオード特性と独立に動作させるためのゲート駆動回路（６０）であって、第１の回路（６４）及び第２の回路（６６）を含み、該第１の回路（６４）及び該第２の回路（６６）が第１のスイッチまたは第２のスイッチのそれぞれを通して前記半導体デバイス（６２）に結合され、該第１の回路（６４）及び該第２の回路（６６）の各々がダイオードを通してコンデンサに結合された電流源を含む、ゲート駆動回路（６０）と、
を備える電子回路。
【請求項１９】
非絶縁入力を有するノーマリーオン型半導体デバイス（６２）と、
第１のスイッチまたは第２のスイッチのそれぞれを通して半導体デバイス（６２）のゲート上に正電流と負電流のいずれかを印加することによってノーマリーオン型半導体デバイス（６２）を定格パワーを超えるパワーで動作させるためのゲート駆動回路（６０）であって、第１の回路（６４）及び第２の回路（６６）を含み、該第１の回路（６４）及び該第２の回路（６６）が第１のスイッチまたは第２のスイッチのそれぞれを通して前記ノーマリーオン型半導体デバイス（６２）に結合され、該第１の回路（６４）及び該第２の回路（６６）の各々がダイオードを通してコンデンサに結合された電流源を含む、ゲート駆動回路（６０）と、
を備える電子回路。
【請求項２０】
非絶縁入力を有するノーマリーオフ型半導体デバイス（６２）と、
第１のスイッチまたは第２のスイッチのそれぞれを通して半導体デバイス（６２）のゲート上に正電流と負電流のいずれかを印加することによってノーマリーオフ型半導体デバイス（６２）を動作させるためのゲート駆動回路（６０）であって、第１の回路（６４）及び第２の回路（６６）を含み、該第１の回路（６４）及び該第２の回路（６６）が第１のスイッチまたは第２のスイッチのそれぞれを通して前記ノーマリーオフ型半導体デバイス（６２）に結合され、該第１の回路（６４）及び該第２の回路（６６）の各々がダイオードを通してコンデンサに結合された電流源を含む、ゲート駆動回路（６０）と、
を備える電子回路。
【請求項２１】
非絶縁入力を有する半導体スイッチデバイスを動作させる方法であって、
１つまたは複数のスイッチを介して半導体デバイスをターンオンとターンオフの間でスイッチングする工程と、
ゲート駆動回路（６０）の第１の回路（６４）を用いて半導体デバイスの寄生ダイオードを順バイアスすることによって半導体デバイスをターンオンさせるように半導体デバイスのゲート上に正の電流を印加する工程と、
ゲート駆動回路（６０）の第２の回路（６６）を用いて半導体デバイスの寄生ダイオードを逆バイアスすることによって半導体デバイスをターンオフさせるようにデバイスのゲート上に負の電流を印加する工程と、
を含む方法であって、前記第１の回路（６４）及び第２の回路（６６）は前記１つまたは複数のスイッチを通して前記半導体スイッチデバイスに結合され、前記第１の回路（６４）及び第２の回路（６６）の各々がダイオードを通してコンデンサに結合された電流源を含む、方法。