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【手続補正書】
【提出日】平成22年12月21日(2010.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体層と、
該第１導電型の半導体層と、第１導電型と反対導電型の第２導電型の第１半導体領域とにより構成されるｐｎ接合を有する光電変換素子を含んでなる画素が、マトリックス状に形成された画素領域と、
該画素領域において、前記半導体層の第１面側に形成され、第２導電型の不純物領域からなるソースおよびドレインを有するＭＯＳトランジスタを、少なくとも１つ含む画素信号読み出し回路と、
を備え、
前記画素のそれぞれは、
前記半導体層の前記第１面側に形成された第１導電型の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域と電気的に接続される電位制御配線と、
を有し、
前記光電変換素子のｐｎ接合を構成する第２導電型の前記第１半導体領域が、前記画素信号読出し回路を構成するＭＯＳトランジスタの第２導電型の不純物領域と第１導電型の前記半導体層を介して隣接するよう配置されてなり、
前記光電変換素子への光の入射は、前記第１面側とは反対の第２面側からなされることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記光電変換素子のｐｎ接合を構成する第２導電型の前記第１半導体領域が、前記ＭＯＳトランジスタの第２導電型の不純物領域の直下まで延在することを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記光電変換素子のｐｎ接合を構成する第２導電型の前記第１半導体領域は、前記半導体層に覆われるように前記半導体層の内部に形成されてなることを特徴とする請求項１または２記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記電位制御配線は、前記画素領域の全ての画素に対して共通の配線として形成されていることを特徴とする請求項１乃至３記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記電位制御配線は、前記画素領域において同一の行に配置される画素に対して共通の配線として形成されていることを特徴とする請求項１乃至３記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記電位制御配線を介して前記第２半導体領域に一定のＤＣ電位が印加されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項７】
前記電位制御配線を介して前記第２半導体領域にパルス状の電位が印加されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項８】
前記電位制御配線を介して前記第２半導体領域に、行単位の画素読出し動作と同期した、パルス状の電位が印加されることを特徴とする請求項５記載の固体撮像素子。
【請求項９】
前記読み出し回路は、画素毎に設けられていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項１０】
前記読み出し回路は、前記画素領域の複数の画素に対して設けられていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の固体撮像素子と、
入射光を前記固体撮像素子に導く光学システムと、
前記固体撮像素子から出力される電気信号を処理する信号処理部と、
を備えていることを特徴とする固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の第１の態様による固体撮像素子は、第１導電型の半導体層と、該第１導電型半導体層と、第１導電型と反対導電型の第２導電型の第１半導体領域とにより構成されるｐｎ接合を有する光電変換素子を含んでなる画素が、マトリックス状に形成された画素領域と、該画素領域において、前記半導体層の第１面側に形成され、第２導電型の不純物領域からなるソースおよびドレインを有するＭＯＳトランジスタを、少なくとも１つ含む画素信号読み出し回路と、を備え、前記画素のそれぞれは、前記半導体層の前記第１面側に形成された第１導電型の第２半導体領域と、前記第２半導体領域と電気的に接続される電位制御配線と、を有し、前記光電変換素子のｐｎ接合を構成する第２導電型の前記第１半導体領域が、前記画素信号読出し回路を構成するＭＯＳトランジスタの第２導電型の不純物領域と前記第１導電型の半導体層を介して隣接するよう配置されてなり、前記光電変換素子への光の入射は、前記第１面側とは反対の第２面側からなされることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月11日(2010.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高純度のヒオデオキシコール酸およびケノデオキシコール酸の製造方法であって：
a）ブタ胆汁のアルカリ水酸化物による加水分解；
b）制御されたpHにおける連続抽出によるコラン酸塩の粗製混合物の回収；
c）これらのクロマトグラフィーによる分離；および
d）該酸の精製形態での回収
を含む方法。
【請求項２】
第一抽出物における混合物が3〜6の範囲のpHまで酸性化される、請求項１工程b）記載の方法。
【請求項３】
抽出溶媒がエステル溶媒である、請求項２記載の方法。
【請求項４】
コラン酸混合物が対応するナトリウム塩形態にて水相に連続抽出される、請求項１工程b）記載の方法。
【請求項５】
クロマトグラフィーにおける固定相がイオン交換樹脂または吸着樹脂である、請求項１工程c）記載の方法。
【請求項６】
吸着樹脂がAmberlite（登録商標）、Polyclar（登録商標）、Sephadex（登録商標）およびDIAION（登録商標）樹脂から選択される、請求項５記載の方法。
【請求項７】
DIAION（登録商標）樹脂がDIAION（登録商標）HP 20 SSである、請求項６記載の方法。
【請求項８】
クロマトグラフィーにおける移動相が水、C1-C6アルカノールまたはその混合物である、請求項１工程c）記載の方法。
【請求項９】
溶出が100％水〜100％メタノールの範囲の水-メタノール勾配である、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
ケノデオキシコール酸がカルボン酸による処理、ケノデオキシコール酸を溶解しうる溶媒混合物による30〜60℃の範囲の温度における処理、および該酸の結晶化を含む工程により回収される、請求項１工程d）記載の方法。
【請求項１１】
溶媒混合物が酢酸エチルおよびトルエンからなる、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
ヒオデオキシコール酸がそのマグネシウム塩の形成、ヒオデオキシコール酸を溶解しうる溶媒による30〜60℃の範囲の温度における処理、および該酸の結晶化を含む工程により回収される、請求項１工程d）記載の方法。
【請求項１３】
溶媒が酢酸エチルである、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
さらに、ケノデオキシコール酸またはヒオデオキシコール酸をウルソデオキシコール酸に変換する工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１５】
前記の各請求項に従って実行される、99％以上の純度のヒオデオキシコール酸およびケノデオキシコール酸の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月27日(2011.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する表示パネル、
前記表示パネルにマトリクス状に配列され、外部の物体による前記表示パネルへの接触に応じて感知信号を生成する複数の感知部、
所定の周期で前記複数の感知部から感知信号を読み取り、読み取られた感知信号に基づいて感知データを生成する感知信号処理部、及び、
所定の期間に各感知部から読み取られた感知信号に基づいて生成された感知データを、別の期間に同じ感知部から読み取られた感知信号に基づいて生成された感知データと比較することにより、その所定の期間における各感知部についての第１偏差データを生成し、所定の期間における各感知部についての第１偏差データを、同じ期間における異なる感知部についての第１偏差データと比較することにより、その所定の期間における各感知部についての第２偏差データを生成し、異なる感知部の間での第２偏差データの変化に基づき、前記表示パネルに接触している外部の物体の有無を判断し、その接触している場所の位置を特定する接触判断部、
を備えている表示装置。
【請求項２】
前記接触判断部は、所定の期間に各感知部から読み取られた感知信号に基づいて生成された感知データと、その所定の期間から所定時間が経過するまでに同じ感知部から読み取られた感知信号に基づいて生成された所定数の感知データのそれぞれとの間の差を求め、その差の最大値を第１偏差データとして設定する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記感知信号処理部はフレーム周期で前記複数の感知部から感知信号を読み取って感知データを生成し、
前記接触判断部は、各フレームに対する標本フレームグループを、そのフレームとそれに続くフレームとの少なくとも２つから構成し、各フレームとそのフレームに対する標本フレームグループに含まれるフレームとの間で、同じ感知部から読み取られた感知信号に基づいて生成された感知データの差を求め、その差の最大値を第１偏差データとして設定する、
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記接触判断部は、前記複数の感知部を２つずつ対にし、各対の感知部の間で同じ期間における第１偏差データの差を求め、その差を第２偏差データとして設定する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記接触判断部は各感知部について、その感知部から所定距離を隔てている別の感知部を標本感知部とし、各感知部とその標本感知部との間での第１偏差データの差を第２偏差データとして設定する、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記接触判断部は、所定の期間に同じ感知部から読み取られた感知信号に基づいて生成された複数の感知データの間で平均値を求め、感知データをその平均値に置き換える、請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記感知信号処理部はフレーム周期で前記複数の感知部から感知信号を読み取って感知データを生成し、
前記接触判断部は、各フレームに対する標本フレームグループを、そのフレームとそれに続くフレームとの少なくとも２つから構成し、同じ標本フレームグループに含まれるフレームごとに同じ感知部から読み取られた感知信号に基づいて生成された感知データの間で平均値を求め、各フレームでの感知データを、そのフレームに対する標本フレームグループについて求められた感知データの平均値に置き換える、
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記接触判断部は、所定数の感知部の間で同じ期間における第２偏差データの最大値を求め、その最大値を基準値と比較することにより、前記表示パネルに接触している外部の物体の有無を判断し、その接触している場所の位置を特定する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記複数の感知部は、行ごとに連結されている行感知部と、列ごとに連結されている列感知部とを含み、
各行感知部に対する標本感知部は他の行に並ぶ行感知部の中から選択され、各列感知部に対する標本感知部は他の列に並ぶ列感知部の中から選択される、
請求項５に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記接触判断部は、
所定の期間に同じ感知部から読み取られた感知信号に基づいて生成された複数の感知データの間で平均値を求め、感知データをその平均値に置き換えるフィルタリング部、
前記フィルタリング部によって置き換えられた感知データの平均値に基づいて第１偏差データを生成する第１データ生成部、
第１偏差データに基づいて第２偏差データを生成する第２データ生成部、
第２偏差データに基づいて前記物体の有無を判断し、その接触している場所の位置を特定する位置判断部、及び、
前記位置判断部の判断結果と特定された位置とに基づき、前記判断結果を示す接触フラグの値と、前記特定された位置を示す接触情報の内容とを変更するレジスタ、
を有する、請求項１に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月30日(2011.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【図１】本発明に係る成形用金型の上型、荒地及び下型を表した斜視図である。
【図２】上下型の成形面の一部を拡大した外観図である。
【図３ａ】図１中ｘ−ｘ断面の一部（凹部部分）を拡大した図である。
【図３ｂ】図１中ｘ−ｘ断面の一部（凹部部分）を拡大した他の例の図である。
【図３ｃ】図１中ｘ−ｘ断面の一部（凹部部分）を拡大した他の例の図である。
【図３ｄ】図１中ｘ−ｘ断面の一部（凹部部分）を拡大した他の例の図である。
【図３ｅ】図１中ｘ−ｘ断面の一部（凹部部分）を拡大した他の例の図である。
【図３ｆ】図１中ｘ−ｘ断面の一部（凹部部分）を拡大した他の例の図である。
【図４】本発明に係る成形用金型を使用した屋根瓦（桟瓦）の平面図である。
【図５】本発明に係る成形用金型を使用した屋根瓦（桟瓦）の右側面図である。
【図６】本発明に係る成形用金型を使用した屋根瓦（桟瓦）の裏面図である。
【図７】図４中の範囲Ａの拡大図である。
【図８】本発明に係る金型を使用した他の屋根瓦（調整瓦）の平面図である。
【図９】本発明に係る金型を使用した他の屋根瓦（調整瓦）の右側面図である。
【図１０】本発明に係る金型を使用した他の屋根瓦（調整瓦）の裏面図である。
【図１１】図１０中の範囲Ｂの拡大図である。
【図１２】本発明に係る金型を使用した他の（半瓦）の平面図である。
【図１３】本発明に係る金型を使用した他の屋根瓦（半瓦）の右側面図である。
【図１４】本発明に係る金型を使用した他の屋根瓦（半瓦）の裏面図である。
【図１５】図１４中の範囲Ｃの拡大図である。
【図１６】図１５中Ｄ−Ｄ断面図である。
【図１７】図１５中の範囲Ｅの一部を表した外観斜視図である。
【図１８】成形面に施した条件と剥離力の関係を表したグラフである。
【図１９】凹部の深さと剥離力の関係を表したグラフである。
【図２０】従来技術を示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
凹部２が設けられる範囲は、本発明の成形用金型を用いて成形され製造された屋根瓦１を屋根に葺いたときに、外観で目視できる見えがかり部分以外すべてを対象とすることができる。つまり、屋根瓦１の瓦裏１２においては全範囲、屋根瓦１の瓦表１１においては、アンダーラップ１３など上下位又は左右の屋根瓦１に相隣接して被さることにより隠れる範囲において、前記凹部２は前記範囲を形成する金型の成形面に設けることができる。なお、凹部２は、上下型成形面３３（３４）のうち屋根瓦１の見えがかり部位に当たる箇所に設けることもできるが、凹部２を設けた上下型３により製造された屋根瓦１の表裏面には凸部２１として現れるため、意匠的には見栄えが悪く、雨天時等に凸部２１間で水や埃等を引っ掛けてしまうことにより、防汚性能の点において望ましくない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
加圧試験は、原料サンプルをオートグラフの下側にセットした鋳物の上に載置して、オートグラフの制御を加圧速度１０ｍｍ／ｍｉｎ、１０００ｍｍ／ｍｉｎの２種類としてそれぞれ約１４０Ｎまでの加圧を行った。原料サンプルを加圧後、オートグラフの上側にセットした鋳物を引き上げる際の加圧した原料サンプルとの剥離力をＮ＝３として測定した。凹部形状の試験因子及び試験条件を表１に、鋳物に設けた形状別ディンプル率｛鋳物の表面の一定面積（４０ｍｍ×４０ｍｍ、表２では測定範囲）に対する凹形状及び／又は凸形状の平面面積の割合｝と剥離力との関係を表２に、表１の条件を基に傾向の分析を行った結果を図１８に示す。なお、表１中因子Ａ（配列）の直列とは、一形状（試験条件の一つとして鋳物の表面に施した凹凸又は平面形状）の中心すべてが格子状に整列されている状態を表し、千鳥とは、隣接する行又は列のどちらか一方が一形状の中心同士の半分の距離だけずれている状態を表す。さらに、因子Ｆのピッチとは、一形状の中心同士の間隔を表す。いずれの状態も、一形状が互いに干渉しないものとする。
【表１】
2010264633.tif 000001
【表２】
2010264633.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2010264633.tif 000003
【図２】
2010264633.tif 000004
【図３ａ】
2010264633.tif 000005
【図３ｂ】
2010264633.tif 000006
【図３ｃ】
2010264633.tif 000007
【図３ｄ】
2010264633.tif 000008
【図３ｅ】
2010264633.tif 000009
【図３ｆ】
2010264633.tif 000010
【図４】
2010264633.tif 000011
【図５】
2010264633.tif 000012
【図６】
2010264633.tif 000013
【図７】
2010264633.tif 000014
【図８】
2010264633.tif 000015
【図９】
2010264633.tif 000016
【図１０】
2010264633.tif 000017
【図１１】
2010264633.tif 000018
【図１２】
2010264633.tif 000019
【図１３】
2010264633.tif 000020
【図１４】
2010264633.tif 000021
【図１５】
2010264633.tif 000022
【図１６】
2010264633.tif 000023
【図１７】
2010264633.tif 000024
【図１８】
2010264633.tif 000025
【図１９】
2010264633.tif 000026
【図２０】
2010264633.tif 000027
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月10日(2010.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸引風を発する電動送風機および集塵室を内蔵する掃除機本体と、塵埃を捕集する集塵袋が装着される集塵袋フォルダーを具備したバスケット体を備え、前記バスケット体は、前記集塵室に着脱自在に装着されるとともに、前記集塵袋フォルダーにハンドルを設けた電気掃除機。
【請求項２】
ハンドルを集塵袋ホルダーの側面で略Ｌ字状に形成した請求項１に記載の電気掃除機。
【請求項３】
ハンドルの外周端部を略Ｒ字状に形成した請求項１または２に記載の電気掃除機。
【請求項４】
ハンドルの外周端部を斜めに傾斜させた請求項１〜３のいづれか１項に記載の電気掃除機。
【請求項５】
ハンドルの外周端部を集塵袋ホルダーより上方に配設した請求項１〜４のいづれか１項に記載の電気掃除機。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月17日(2010.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
前記袋２０における横方向シール部２４の下方に近接した位置には、袋２０の前側または後側の一方側に臨む外側のフィルム１２と内側のフィルム１４との重合面が環状に熱溶着された環状弱シール部４４が左右方向の中央に形成されている。そして、外側のフィルム１２における環状弱シール部４４で囲繞される部位には、図２(ａ)および図３に示す如く、上下に離間する直線部を左右両端の曲線部で接続した略トラック形状の切込み４６が外側のフィルム１２を貫通して形成され、該切込み４６によって横長方形状の前記摘み部３８が形成される。切込み４６は、下側の直線部が左右方向中央で非接続状態となっている。また、前記一対の第１の開封誘導線４０,４０は、その始端部が摘み部３８の切込み４６における下側の直線部に交差するよう接続され、袋２０に収容されているおにぎり２２を上下方向に囲むように延在すると共に、終端が切込み４６が形成された袋２０の前側または裏側とは反対側の外側のフィルム１２における横方向シール部２４を縦断して袋上端まで至るよう形成される(図２(ｂ)参照)。更に、内側のフィルム１４における左右方向中央位置には、図２(ｂ)および図４に示す如く、一対の第１の開封誘導線４０,４０の間に臨み前記横方向シール部２４を縦断して袋上端部に至る前記第２の開封誘導線４２が、該内側のフィルム１４の上下方向全長に亘って形成される。また、前記外側のフィルム１２の左右方向中央で第２の開封誘導線４２に整列する位置に、袋上端部から前記横方向シール部２４を縦断して環状弱シール部４４の内方における切込み４６と交差する位置に至る補助開封誘導線４８が、前述したハーフカット処理により形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月26日(2010.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクを送出するためのポンプと、
前記ポンプを駆動するためのモータと、
を備えるインクジェット式記録装置において、
前記ポンプの各周期内における前記ポンプの可動部材の運動速度が一定になるよう、前
記ポンプの可動部材の可動領域内での位置に応じて、値が変動する入力電流を前記モータ
に供給する入力電流供給手段、
を有し、
前記ポンプの可動部材の可動領域内での位置が、前記モータの回転量に基づいて求められ、
前記ポンプの可動部材が、可動領域内での基準位置に在るか否かを識別すると共に、前
記基準位置より動いてからの時間の経過に応じて前記ポンプの可動部材の可動領域内での
位置を求め、
前記入力電流供給手段が、予め定められた複数の入力電流値の中から前記位置に応じた
入力電流値を選択して、前記モータに入力電流を供給するようにし、
前記入力電流を示す初期電流値を読み出した後、前記モータを１回転周期分だけ駆動させた場合の回転周期が、目標の回転周期よりも長い場合は前記入力電流に一定の電流を加算し、また、前記目標の回転周期よりも短い場合は前記入力電流に一定の電流を減算する、ことで、目標の回転周期に調整すること、
を特徴とするインクジェット式記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月14日(2010.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録ヘッドと、
当該記録ヘッドを搭載する搭載部を備えるキャリッジと、
当該キャリッジの結合部により結合され、駆動源から発生する動力を前記キャリッジに
伝達するベルトと、
を備え、
当該ベルトにより前記キャリッジを往復移動することで、前記記録ヘッドから噴射され
る液滴により記録動作を行い、
前記搭載部と前記結合部とは、非線形の弾性としての特性を有する連結手段を介して連
結されており、
前記連結手段は、線形の弾性を有する線形弾性部材と当該線形弾性部材の変位を規制す
る規制部材と、
を備え、
さらに、
前記伝達ベルトによる前記キャリッジの往復移動の際に前記キャリッジの加減速時に発生する線形弾性部材の大きなたわみを規制部材により規制する制御手段と、
を備える、
ことを特徴とする液体噴射装置。
【請求項２】
前記線形弾性部材と前記規制部材の間に隙間を設けたことを特徴とする請求項１に記載
の液体噴射装置。
【請求項３】
前記連結手段は、バネ部材であり、かつ、当該バネ部材の変位方向は前記キャリッジの
往復移動する方向のいずれかであることを特徴とする請求項１または２記載の液体噴射装
置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月8日(2011.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電動起倒可能な背凭れ部に、
駆動手段により施療部材が移動駆動或いは定位置駆動して揉み施療・叩き施療又はローリング施療を行わせるマッサージ機構と、給排気制御手段により空気袋が反復膨縮或いは膨縮保持して空圧施療を行わせるエアー機構とからなり、複数の施療動作を行い得る施療機構を設けた自動施療機に、
各施療動作に応じて前記背凭れ部を自動的に起倒させる起倒プログラムと、
前記複数の施療動作から適宜数の施療動作が予め設定された施療プログラムを備えて成り、
当該起倒プログラムは、前記施療プログラムの施療動作に応じて、背凭れ部角度を自動的に変更動作して、空圧施療を行う事を特徴とする自動施療機。
【請求項２】
前記施療プログラムは、各施療動作から適宜数の施療動作と施療時間を選択設定するものであり、
前記起倒プログラムは、前記施療プログラムの空圧施療に適した角度に背凭れ部の起倒角度を変更する事を特徴とする請求項１に記載の自動施療機。
【請求項３】
更に、座部と、背凭れ部と、足載台とを備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の自動施療機。
【請求項４】
空圧施療の後に、前記背凭れ部の起倒角度を変更して空圧施療を行う事を特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の自動施療機。
【請求項５】
同じ空圧施療を行いながら、その施療時間に応じて背凭れ部の起立角度を変化させる事を特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の自動施療機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のマッサージ機は、上記各目的を達成すべく、以下のように構成するものである。
すなわち、本発明の請求項１の自動施療機は、電動起倒可能な背凭れ部に、駆動手段により施療部材が移動駆動或いは定位置駆動して揉み施療・叩き施療又はローリング施療を行わせるマッサージ機構と、給排気制御手段により空気袋が反復膨縮或いは膨縮保持して空圧施療を行わせるエアー機構とからなり、複数の施療動作を行い得る施療機構を設けた自動施療機に、各施療動作に応じて前記背凭れ部を自動的に起倒させる起倒プログラムと、前記複数の施療動作から適宜数の施療動作が予め設定された施療プログラムを備えて成り、当該起倒プログラムは、前記施療プログラムの施療動作に応じて、背凭れ部角度を自動的に変更動作して、空圧施療を行うよう構成した事を特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また本発明の請求項２の自動施療機は、前記施療プログラムは、各施療動作から適宜数の施療動作と施療時間を選択設定するものであり、前記起倒プログラムは、前記施療プログラムの空圧施療に適した角度に背凭れ部の起倒角度を変更する事を特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
更に本発明の請求項３の自動施療機は、更に、座部と、背凭れ部と、足載台とを備えた事を特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
更にまた本発明の請求項４の自動施療機は、空圧施療の後に、前記背凭れ部の起倒角度を変更して空圧施療を行う事を特徴とし、本発明の請求項５の自動施療機は、同じ空圧施療を行いながら、その施療時間に応じて背凭れ部の起立角度を変化させる事を特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
すなわち、本発明では、電動起倒可能な背凭れ部内に移動自在で複数の施療動作を行い得る施療機構を内装した施療機に、各施療動作に適した背凭れ部の起倒角度を夫々設定した起倒プログラムを備えている為、施療者が施療動作を任意に選択指定する事で該施療動作に応じて前記起倒プログラムに従った背凭れ部角度に自動的に変更動作させて、施療者に有効な背凭れ角度による施療を行わせる事ができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また本発明では、電動起倒可能な背凭れ部内に移動自在で複数の施療動作を行い得る施療機構を内装した施療機に、各施療動作に適した背凭れ部の起倒角度を夫々設定した起倒プログラムと、前記各施療動作から適宜数の施療動作と施療時間を適宜に選択設定した施療プログラムとを備えている為、施療者が施療プログラムを選択指定する事で該施療プログラムを実行すると共に、該施療プログラムの施療動作に応じた背凭れ部角度に前記起倒プログラムに従って自動的に変更動作させて、施療者に有効な背凭れ角度による施療を自動的に行わせる事ができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
更に本発明は、選択指定された施療動作の最終施療動作終了時に、背凭れ部を自動的に起立させて終了するよう構成している為、施療者が中途で施療を終了したい場合や、施療プログラムに従って自動的に施療を終了した場合にも、背凭れ部の起立によって施療者に施療が終了した事を認知させる事ができ、しかも不使用時における自動施療機自体の維持状態を、常時安全且つコンパクトな状態にしておく事ができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
更にまた本発明は、選択指定された施療動作に応じた背凭れ部の起倒角度の変更動作時において、背凭れ部の角度変更動作開始前或いは角度変更動作開始前から角度変更中に、変更動作を知らせる予告音或いは告知音を発する警告装置を設けてある為、施療者に対して背凭れ部が起倒を行う事を承知させる事ができ、背凭れ部の起倒による不安感や驚きを与える事が無く、しかも、周囲に対する背凭れ部起倒の警告を行わせる事もできる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月6日(2011.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一部又は全体が多孔性構造体からなる血液循環補助装置用インフローカニューレであって、この多孔性構造体が線条から形成されるものである、上記インフローカニューレ。
【請求項２】
上記多孔性構造体が、１本又は２本以上の線条が交差および／又は接触して形成されたものであり、この又はこれらの線条が、上記多孔性構造体の表面において、互いに隣り合うその交差点および／又は接触点を結ぶ線によって囲まれる領域内に孔を形成している、請求項１記載のインフローカニューレ。
【請求項３】
上記多孔性構造体が、１本又は２本以上の線条を中空管状体が形成されるように螺旋状に巻いてなる、請求項１又は２のいずれか１つに記載のインフローカニューレ。
【請求項４】
上記多孔性構造体が、１本又は２本以上の線条から形成された不織体からなる、請求項１又は２のいずれか１つに記載のインフローカニューレ。
【請求項５】
上記線条が金属材料線条、ポリマー系材料線条又は炭素繊維から選択される、請求項１〜４のいずれか１つに記載のインフローカニューレ。
【請求項６】
上記線条が金属材料線条であって、この金属材料がステンレス鋼、純チタン又はチタン合金から選択される、請求項１〜５のいずれか１つに記載のインフローカニューレ。
【請求項７】
上記多孔性構造体が、１．９×１０−５ｍｍ２〜２０ｍｍ２の開口面積を有する孔を含む、請求項１〜６のいずれか１つに記載のインフローカニューレ。
【請求項８】
多孔性構造体に抗血栓性コーティングが施されている、請求項１〜７のいずれか１つに記載のインフローカニューレ。
【請求項９】
半径方向内側に管状の非孔性支持体をさらに具備する、請求項１〜８のいずれか１つに記載のインフローカニューレ。
【請求項１０】
上記非孔性支持体が、それの一方の端部に突き当て（リム）部を有する、請求項９記載のインフローカニューレ。
【請求項１１】
上記血液循環補助装置が補助人工心臓装置である、請求項１〜１０のいずれか１つに記載のインフローカニューレ。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１つに記載のインフローカニューレを含む導管アセンブリ。
【請求項１３】
請求項１２に記載の導管アセンブリを備えた補助人工心臓装置。
【請求項１４】
次の工程、すなわち
（ａ）線条を管状の芯材に、一方の端から他方の端まで螺旋状に巻き付ける工程、
（ｂ）工程（ａ）で巻き付けた螺旋と交差させるように、同じか又は別の線条を螺旋状に巻き付ける工程、
（ｃ）工程（ａ）および（ｂ）により得られた管状構造体の焼結を行う工程、
（ｄ）工程（ｃ）で得られた焼結された管状構造体から、上記の芯材を抜き取る工程、必要に応じて上記（ａ）〜（ｄ）に加えて下記の（ｅ）および／又は（ｆ）：
（ｅ）工程（ｄ）で得られた管状構造体の半径方向内側に、該構造体の内部に嵌め込み得るようにかつそうして該構造体を支持し得るように外径が適合された管状の非孔性支持体を嵌め込む工程、および／又は
（ｆ）工程（ｄ）で得られた管状構造体又は工程（ｅ）で得られた非孔性支持体付きの管状構造体全体に抗血栓性コーティングを施す工程、
を含む、請求項１〜３、および５〜１１のいずれか１つに記載のインフローカニューレを製造する方法。
【請求項１５】
次の工程、すなわち
（ａ）台座と、その上に同心円状に配置された内型枠および外型枠とを具備する型枠内に、線条を不規則に入れてその後固定し、不織体の形の管状構造体を得る工程、必要に応じて上記（ａ）に加えて下記の（ｂ）および／又は（ｃ）：
（ｂ）工程（ａ）で得られた管状構造体の半径方向内側に、該構造体の内部に嵌め込み得るようにかつそうして該構造体を支持し得るように外径が適合された管状の非孔性支持体を嵌め込む工程、および／又は
（ｃ）工程（ａ）で得られた管状構造体又は工程（ｂ）で得られた非孔性支持体付きの管状構造体全体に抗血栓性コーティングを施す工程、
を含む、請求項１、２、および４〜１１のいずれか１つに記載のインフローカニューレを製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月30日(2011.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技領域が形成された遊技盤と、
前記遊技領域における所定の位置に設けられ、大当り時に遊技球が入球可能な開閉部をもつ可変入球口と、
前記開閉部を開閉させる開閉制御手段と、
前記可変入球口の内側に設けられ、遊技球が前記開閉部を通じて前記可変入球口へ入球したときにその入球を検出する入球検出手段と、
前記可変入球口の内側に設けられ、前記可変入球口へ入球した遊技球が前記可変入球口の外部へ排出されるときにその排出を検出する排出検出手段と、
前記可変入球口への入球が前記入球検出手段によって検出されてから前記排出を検出するための所定期間が経過するまでの経過時間を計測するとともに、前記経過時間の計測中にさらに前記可変入球口への入球が検出された場合は前記経過時間の計測を開始し直す経過時間計測手段と、
前記可変入球口への入球が検出された遊技球についてその入球から前記所定期間が経過するまでに前記排出検出手段により前記排出が検出されたか否かを判定する排出判定手段と、
を備え、
前記開閉制御手段は、前記排出が検出されるまで、前記開閉部の開閉を停止することを特徴とする弾球遊技機。
【請求項２】
前記排出判定手段は、前記所定期間が経過したとき、前記可変入球口へ入球した遊技球の数と前記可変入球口の外部へ排出された遊技球の数とに差があった場合に前記排出が検出されなかったものと判定することを特徴とする請求項１に記載の弾球遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月6日(2011.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機凝集剤および高分子凝集剤が供給された汚泥を、
外胴ボウルおよび内胴スクリュウを備えた遠心分離機で
分離物と分離液に固液分離する遠心分離装置において、
無機凝集剤吐出孔を有し、
前記内胴スクリュウに配設された汚泥供給室内へ
無機凝集剤を注入する無機凝集剤注入管
を備えたことを特徴とする遠心分離装置。
【請求項２】
前記無機凝集剤注入管には、給水管が接続している
ことを特徴とする請求項１に記載の遠心分離装置。
【請求項３】
前記汚泥供給室には、
汚泥供給口、仕切板および凝集剤流出口が設けられている
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の遠心分離装置。
【請求項４】
前記分離液のリン濃度を測定するリン濃度測定器
を備えたことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の遠心分離装置。
【請求項５】
前記給水管へ前記分離液を供給する分離液循環配管を備えた
ことを特徴とする請求項２から請求項４のいずれかに記載の遠心分離装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月8日(2011.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
現在地を検出する検出手段と、
地図を表示する表示手段と、
前記表示手段に表示されている地図をスクロールする地図スクロール手段と、
前記検出手段で検出された現在地から、前記地図スクロール手段でスクロールされた後の地図に含まれる所定位置までの推奨経路を探索する探索手段と、
前記探索手段で探索された推奨経路の所要時間を算出する算出手段と、
前記表示手段に、前記推奨経路を表示することなく前記所要時間を表示する所要時間表示手段と、
を備えることを特徴とする地図表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の地図表示装置において、
前記所要時間表示手段は、前記地図スクロール手段でスクロールされた後の地図を前記地図スクロール手段が所定時間以内にさらにスクロールした場合は、前記所要時間を表示しないことを特徴とする地図表示装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の地図表示装置において、
前記探索手段は、前記地図スクロール手段でスクロールされた後の地図を前記地図スクロール手段がさらにスクロールした場合は、前記現在地から前回のスクロール後の地図に含まれる第１の所定位置までの第１の推奨経路と、前記第１の所定位置から今回のスクロール後の地図に含まれる第２の所定位置までの第２の推奨経路とを探索し、
前記所要時間表示手段は、前記第１の推奨経路の所要時間と前記第２の推奨経路の所要時間とを合計して表示することを特徴とする地図表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の地図表示装置において、
前記探索手段は、前記地図スクロール手段でスクロールされた後の地図を前記地図スクロール手段がさらにスクロールした場合であっても、前記現在地と前記第１の所定位置との間の直線距離に対する前記第１の所定位置と前記第２の所定位置との間の直線距離の割合が所定値以上である場合は、前記第１の推奨経路と前記第２の推奨経路とを探索せずに、前記現在地から前記第２の所定位置までの第３の推奨経路を探索し、
前記所要時間表示手段は、前記第３の推奨経路の所要時間を表示することを特徴とする地図表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
（１）請求項１の発明の地図表示装置は、現在地を検出する検出手段と、地図を表示する表示手段と、表示手段に表示されている地図をスクロールする地図スクロール手段と、検出手段で検出された現在地から地図スクロール手段でスクロールされた後の地図に含まれる所定位置までの推奨経路を探索する探索手段と、探索手段で探索された推奨経路の所要時間を算出する算出手段と、表示手段に推奨経路を表示することなく所要時間を表示する所要時間表示手段とを備えることを特徴とする。
（２）請求項２の発明は、請求項１に記載の地図表示装置において、所要時間表示手段は、地図スクロール手段でスクロールされた後の地図を地図スクロール手段が所定時間以内にさらにスクロールした場合は、所要時間を表示しないことを特徴とする。
（３）請求項３の発明は、請求項１または２に記載の地図表示装置において、探索手段は、地図スクロール手段でスクロールされた後の地図を地図スクロール手段がさらにスクロールした場合は、現在地から前回のスクロール後の地図に含まれる第１の所定位置までの第１の推奨経路と、第１の所定位置から今回のスクロール後の地図に含まれる第２の所定位置までの第２の推奨経路とを探索し、所要時間表示手段は、第１の推奨経路の所要時間と第２の推奨経路の所要時間とを合計して表示することを特徴とする。
（４）請求項４の発明は、請求項３に記載の地図表示装置において、探索手段は、地図スクロール手段でスクロールされた後の地図を地図スクロール手段がさらにスクロールした場合であっても、現在地と第１の所定位置との間の直線距離に対する第１の所定位置と第２の所定位置との間の直線距離の割合が所定値以上である場合は、第１の推奨経路と第２の推奨経路とを探索せずに、現在地から第２の所定位置までの第３の推奨経路を探索し、所要時間表示手段は、第３の推奨経路の所要時間を表示することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月31日(2011.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも二つのペンタゴンプリズム構造体がカスケードに接続される光の光学遅延器械であって、
前記二つのペンタゴンプリズム構造体は、前記光が入射する少なくとも一つの入射面と、前記光が出射する少なくとも一つの出射面と、前記入射面に入射した前記光を反射し前記出射面に導く少なくとも二つの反射面とをもち、
一方のペンタゴンプリズム構造体の前記出射面と他方のペンタゴンプリズム構造体の前記入射面とが接続されていることを特徴とする光学遅延器械。
【請求項２】
少なくとも一つのペンタゴンプリズム構造体を備える光の光学遅延器械であって、
前記ペンタゴンプリズム構造体は、前記光が入射する少なくとも一つの入射面と、前記光が出射する少なくとも一つの出射面と、前記入射面に入射した前記光を反射し前記出射面に導く少なくとも二つの反射面とをもち、
前記出射面から出射される前記光を再帰反射させて該光を前記出射面に入射させる再帰反射手段を備えることを特徴とする光学遅延器械。
【請求項３】
少なくとも一つのペンタゴンプリズム構造体を備える光の光学遅延器械であって、
前記ペンタゴンプリズム構造体は、前記光が入射する少なくとも一つの入射面と、前記光が出射する少なくとも一つの出射面と、前記入射面に入射した前記光を反射し前記出射面に導く少なくとも二つの反射面とをもち、
前記入射面に入射する前記光の偏光を制御する偏光子と、前記出射面から出射される前記光の偏光面を回転させるファラデー回転子ミラーとを、備えることを特徴とする光学遅延器械。
【請求項４】
光源と、前記光源からの光を信号光とサンプリング光とに分割する分割手段と、前記信号光或いはサンプリング光の時間遅延を制御する光学遅延手段と、を有する光学測定装置であって、
前記光学遅延手段が請求項１〜３のいずれか１項に記載の光学遅延器械を備えることを特徴とする光学測定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
フェムト秒レーザ光源１０から出射された超短光パルスは、偏光ビームスプリッタ１１で２つの光パルスに分割される。一方の光パルスはテラヘルツ波発生部１３にポンプ光として入射する。テラヘルツ波発生部１３から発生したテラヘルツ波（信号光）は、全反射プリズム２に載置された被測定物５に入射し、その後検出部４に入射する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
課題を解決するためになされた発明は、少なくとも二つのペンタゴンプリズム構造体がカスケードに接続される光の光学遅延機械であって、前記二つのペンタゴンプリズム構造体は、前記光が入射する少なくとも一つの入射面と、前記光が出射する少なくとも一つの出射面と、前記入射面に入射した前記光を反射し前記出射面に導く少なくとも二つの反射面とをもち、一方のペンタゴンプリズム構造体の前記出射面と他方のペンタゴンプリズム構造体の前記入射面とが接続されていることを特徴とする光学遅延器械である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
ペンタゴンプリズム構造体の直交する２面（入射面と出射面）の、光が伝搬する面内での辺の長さをＬとすると、内部光路長は（２＋√２）Ｌ≒３．５Ｌとなる。二つのペンタゴンプリズム構造体がカスケードに接続されるので内部光路長は、２×３．５Ｌ＝７Ｌとなり、従来の約７倍内部光路長を大きくすることができる。その結果、光学遅延のための自由空間距離を短くできる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、課題を解決するためになされた発明は、少なくとも一つのペンタゴンプリズム構造体を備える光の光学遅延器械であって、前記ペンタゴンプリズム構造体は、前記光が入射する少なくとも一つの入射面と、前記光が出射する少なくとも一つの出射面と、前記入射面に入射した前記光を反射し前記出射面に導く少なくとも二つの反射面とをもち、前記出射面から出射される前記光を再帰反射させて該光を前記出射面に入射させる再帰反射手段を備えることを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、課題を解決するためになされた発明は、少なくとも一つのペンタゴンプリズム構造体を備える光の光学遅延器械であって、前記ペンタゴンプリズム構造体は、前記光が入射する少なくとも一つの入射面と、前記光が出射する少なくとも一つの出射面と、前記入射面に入射した前記光を反射し前記出射面に導く少なくとも二つの反射面とをもち、前記入射面に入射する前記光の偏光を制御する偏光子と、前記出射面から出射される前記光の偏光面を回転させるファラデー回転子ミラーとを、備えることを特徴としている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
課題を解決するためになされた発明は、光源と、前記光源からの光を信号光とサンプリング光とに分割する分割手段と、前記信号光或いはサンプリング光の時間遅延を制御する光学遅延手段と、を有する光学測定装置であって、前記光学遅延手段が請求項１〜３のいずれか１項に記載の光学遅延器械を備えることを特徴とする光学測定装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月8日(2011.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
On-Die Termination（ODT）機構を有する複数のメモリデバイスを接続可能なメモリ制御回路であって、
前記複数のメモリデバイスの内、アクセス対象のメモリデバイスに対応して前記機構を有効にするか無効にするかを示す情報を前記複数のメモリデバイスのそれぞれに対応して記憶する記憶手段と、
前記複数のメモリデバイスのアクセス対象のメモリに対応する前記記憶手段に記憶された前記情報に基づいて、前記複数のメモリデバイスのそれぞれの前記機構を制御するＯＤＴ制御手段と、
を有することを特徴とするメモリ制御回路。
【請求項２】
前記記憶手段は、前記複数のメモリデバイスのそれぞれへのリード、ライトに対してそれぞれ独立に前記情報を記憶することを特徴とする請求項１に記載のメモリ制御回路。
【請求項３】
前記ＯＤＴ制御手段は、前記メモリデバイスへのリードとライトの各アクセスで独立に前記機構を制御することを特徴とする請求項２に記載のメモリ制御回路。
【請求項４】
前記記憶手段は、前記情報をプログラマブルに記憶することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のメモリ制御回路。
【請求項５】
On-Die Termination（ODT）機構を有する複数のメモリデバイスを接続可能なメモリ制御回路であって、
バスマスタからのアクセス要求に基づいて、前記メモリデバイスに対するアクセスアドレス及びリード又はライト信号を発生するコマンド発生手段と、
前記アクセスアドレス及びリード又はライト信号に応じて、前記複数のメモリデバイスのそれぞれの前記機構を制御するＯＤＴ制御手段とを有し、
前記ＯＤＴ制御手段は、アクセス対象のメモリデバイスと、アクセスがリードであるかライトであるかとに対応して前記複数のメモリデバイスのそれぞれの前記機構を有効にするか無効にするかを示す情報に基づいて、前記複数のメモリデバイスのそれぞれの前記機構を制御することを特徴とするメモリ制御回路。
【請求項６】
前記情報を記憶する記憶手段を更に有することを特徴とする請求項５に記載のメモリ制御回路。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載のメモリ制御回路を有することを特徴とする集積回路。
【請求項８】
On-Die Termination（ODT）機構を有する複数のメモリデバイスを接続可能なメモリ制御回路におけるＯＤＴ制御方法であって、
バスマスタからのアクセス要求に基づいて、前記メモリデバイスに対するアクセスアドレス及びリード又はライト信号を発生し、
アクセス対象のメモリデバイスと、アクセスがリードであるかライトであるかとに基づいて、前記複数のメモリデバイスのそれぞれの前記機構を制御することを特徴とするＯＤＴ制御方法。
【請求項９】
On-Die Termination（ODT）機構を有する複数のメモリデバイスを接続可能なメモリ制御回路であって、
許可信号を発行するコマンド制御手段と、
前記メモリデバイスの少なくとも１つとデータを送受するデータ制御手段と、
前記コマンド制御手段からの許可信号に応じて、前記複数のメモリデバイスの少なくとも１つに遅延回路を介してODT制御信号を発行するODT制御手段と、を有し、
前記コマンド制御手段は、少なくとも前記遅延回路の遅延分先立って前記許可信号を発行することを特徴とするメモリ制御回路。
【請求項１０】
前記コマンド制御手段は、さらにtAOND又はtAOFDの遅延分先立って、前記許可信号を発行することを特徴とする請求項９に記載のメモリ制御回路。
【請求項１１】
バスと、
On-Die Termination（ODT）機構を有する複数のメモリデバイスと、
前記メモリデバイスの少なくとも１つと前記バスとの間におけるデータの送受を制御するデータ制御手段と、
前記メモリデバイスのODT機構を有効にするための許可信号を発行するコマンド制御手段と、
前記コマンド制御手段からの許可信号に応じて、前記複数のメモリデバイスの少なくとも１つに遅延回路を介してODT制御信号を発行するODT制御手段と、を有し、
前記コマンド制御手段は、少なくとも前記遅延回路の遅延分先立って前記許可信号を発行することを特徴とするメモリシステム。
【請求項１２】
On-Die Termination（ODT）機構を有する複数のメモリデバイスを接続可能なメモリ制御回路におけるメモリ制御方法であって、
許可信号を発行するコマンド制御工程と、
前記メモリデバイスの少なくとも１つとデータを送受するデータ制御工程と、
前記コマンド制御工程における許可信号に応じて、前記複数のメモリデバイスの少なくとも１つに遅延回路を介してODT制御信号を発行するODT制御工程と、を有し、
前記コマンド制御工程では、少なくとも前記遅延回路の遅延分先立って前記許可信号を発行することを特徴とするメモリ制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】メモリ制御回路とメモリ制御方法、及び集積回路と当該メモリ制御回路におけるＯＤＴ制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体メモリ装置を制御するメモリ制御回路とメモリ制御方法、及び集積回路と当該メモリ制御回路におけるＯＤＴ制御方法に関し、特にオンダイターミネーション（On-Die Termination）機構を含む半導体メモリデバイスへのアクセスを制御する技術に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本願発明の特徴は、複数のメモリデバイスのＯＤＴ制御を的確に実現できるメモリ制御回路とメモリ制御方法、及び集積回路と当該メモリ制御回路におけるＯＤＴ制御方法を提供することにある。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月3日(2010.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明において、上述した金属焼結体は、例えば次のようなＭＩＭ法を適用した製造方法で形成することができる。まず、粉末原料として、例えば、ＳＵＳ４１０Ｌに近似する化学成分を有してなる金属粉にＳｉ粉を概ね３〜５％加える、あるいはＳＵＳ４３０Ｌに近似する化学成分を有してなる金属粉にＳｉ粉を概ね１２〜１４％加えるなどして所望の化学成分となるように調整して準備する。そして、該粉末原料に対してバインダとなるパラフィンワックスやポリプロピレンを混合し混練して射出成形用素材とする。次いで、該射出成形用素材を所望形状に対応するキャビティを有する金型内に射出して金属粉末成形体を形成する。そして、該金属粉末形成体を溶媒に浸漬してパラフィンワックスを除去した後に加熱することでポリプロピレンを除去し、この後に例えば１２４０〜１２５０度の温度で３〜５時間保持することによって金属粉を焼結させる、といった製造工程による製造方法である。このような製造方法によれば、金属焼結体は、例えば、相対密度９６％以上、表面硬さ２００〜３００ＨＶを有することができる。なお、上述した金属粉を焼結する条件は、化学成分や所望する表面硬さなどに合わせて適宜調整することができる。