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【手続補正書】
【提出日】平成23年4月28日(2011.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面光源と、
面光源の出光側に設けられ、出光側表面に平行に配置された多数の単位レンズを有する光制御シートと、を備え、
光制御シートの各単位レンズは、出光側に突出する断面形状を有し、各単位レンズは、出光側表面近傍に形成された略透明層と、当該略透明層より面光源側に形成された散乱層とを有し、
略透明層の厚さは、単位レンズの厚さの１／２０以上かつ１／５以下であり、
散乱層の厚さは、単位レンズの厚さの１／５以上かつ２／３以下であることを特徴とする面光源装置。
【請求項２】
各単位レンズは、球状のフィラーを有し、
フィラーは、透明部からなる外層部と、中空部からなる内層部とを有し、
フィラーは、単位レンズ内において、当該透明部からなる外層部が略透明層に含まれるよう配置され、当該中空部からなる内層部が散乱層に含まれるよう配置されていることを特徴とする請求項１に記載の面光源装置。
【請求項３】
各単位レンズは、球状のフィラーを有し、
フィラーは、透明部からなる外層部と、拡散剤からなる内層部とを有し、
フィラーは、単位レンズ内において、当該透明部からなる外層部が略透明層に含まれるよう配置され、当該拡散剤からなる内層部が散乱層に含まれるよう配置されていることを特徴とする請求項１に記載の面光源装置。
【請求項４】
光制御シートは、多層押出しにより形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の面光源装置。
【請求項５】
光制御シートの出光側に設けられ、出光側表面に平行に配置された多数の第２単位レンズを有する第２光制御シートを備えていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の面光源装置。
【請求項６】
第２光制御シートの第２単位レンズは、光制御シートの単位レンズと直交する方向に延び、各第２単位レンズは、出光側に突出する断面形状を有し、光制御シートの単位レンズから屈折して外方へ出光する光のうち、第２光制御シートの第２単位レンズが延びる方向に平行な方向に関し、第２光制御シートの法線に対して６０度以上の角度を有する光は、その５０％以上が第２単位レンズで全反射して光制御シート側へ戻ることを特徴とする請求項５に記載の面光源装置。
【請求項７】
第２光制御シートの各第２単位レンズの断面形状は、幅：高さ＝１．５〜２．５：１となっていることを特徴とする請求項６に記載の面光源装置。
【請求項８】
第２光制御シートの各第２単位レンズの断面形状は、底角が４５度以上となる三角形形状、または谷部を通る接線が第２光制御シートのシート面となす角が４５度以上となる円弧形状を有することを特徴とする請求項６または請求項７のいずれかに記載の面光源装置。
【請求項９】
第２光制御シートの第２単位レンズは、光制御シートの単位レンズと平行する方向に延び、各第２単位レンズは、入光側に突出する断面形状を有し、光制御シートの単位レンズから屈折して外方へ出光する光のうち、第２光制御シートの第２単位レンズに平行な方向に対して６０度以上の角度を有する光は、その５０％以上が第２単位レンズで全反射して第１光制御シート側へ戻ることを特徴とする請求項５に記載の面光源装置。
【請求項１０】
第２光制御シートの各第２単位レンズの断面形状は、底角が４０度以下となる三角形形状、または谷部を通る接線が第２光制御シートのシート面となす角が４０度以下となる円弧形状を有することを特徴とする請求項９に記載の面光源装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載の面光源装置と、
前記面光源装置によりその背面が照射される透過型表示部と、を備えることを特徴とする透過型表示装置。
【請求項１２】
面光源の出光側に設けられる光制御シートにおいて、
出光側表面に平行に配置された多数の単位レンズを有し、
各単位レンズは、出光側に突出する断面形状を有し、
各単位レンズは、出光側表面近傍に形成された略透明層と、当該略透明層より面光源側に形成された散乱層とを有し、
略透明層の厚さは、単位レンズの厚さの１／２０以上かつ１／５以下であり、
散乱層の厚さは、単位レンズの厚さの１／５以上かつ２／３以下であることを特徴とする光制御シート。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月14日(2010.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
有機ＥＬデバイスを製造する有力な方法として真空蒸着法がある。真空蒸着工程などの真空を利用する機構において、その真空チャンバ中に繰り返し移動する機構を有し、且つその移動体に配線、配管を施す必要がある。その場合、大気中で使用するような一般的な動的結束具(ex．ケーブルベア(登録商標))などを用いて真空中に暴露することは、(1)配線の被覆材質からのアウトガスの問題や、(2)配管疲労による損傷がもたらす流体漏洩の恐れなど、の理由から、通常難しいとされている。特に有機ＥＬデバイス製造装置は、水漏洩に対してデリケートであり、再度所定の真空度を得るのに時間がかかる。この課題に対する従来技術としては下記のものがある。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月29日(2011.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
なお、図１は正極の充放電試験に使用した単極式セルの断面図である。図２は実施例の正極活物質材料の表面のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）画像である。図３は比較例１の正極活物質材料の表面のＳＥＭ画像である。図４は比較例２の正極活物質材料の表面のＳＥＭ画像である。
［実施例１］
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
なお、実施例、比較例１及び２の作用・効果を確認するために単極セルを形成した例を示したが、これは正極活物質材料の特性そのものを比較するために採用されたものであり、非水電解質二次電池を得るには従来例のものと同様にして作製すればよい。例えば、上述のようにして作製された実施例の正極活物質材料を９４質量部、導電剤としての炭素粉末が３質量部、結着剤としてのＰＶｄＦ粉末が３質量部となるようにＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）溶液と混合してスラリーを調製する。このスラリーを厚さ１５μｍのアルミニウム製集電体の両面にドクターブレード法により塗布し、正極集電体の両面に活物質層を形成し、その後、乾燥機中を通過させて乾燥した後、圧縮ローラーを用いて厚さ１３０μｍに圧縮し、切断することによって短辺の長さが３０ｍｍ、長辺の長さが４５０ｍｍの正極極板を作製する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
【図１】正極の充放電試験に使用した単極式セルの断面図である。
【図２】実施例の正極活物質材料の表面のＳＥＭ画像である。
【図３】比較例１の正極活物質材料の表面のＳＥＭ画像である。
【図４】比較例２の正極活物質材料の表面のＳＥＭ画像である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月16日(2011.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記表示パネルの前記第１の方向には、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、および前記第３のサブ画素が、この順番で繰り返し並んでおり、
隣接する前記第１のサブ画素と前記第２のサブ画素とにおける前記開口部の間隙の寸法をＤＲＧとし、
隣接する前記第２のサブ画素と前記第３のサブ画素とにおける前記開口部の間隙の寸法をＤＧＢとし、
隣接する前記第３のサブ画素と前記第１のサブ画素とにおける前記開口部の間隙の寸法をＤＢＲとしたときに、それぞれの前記間隙の寸法ＤＲＧ，ＤＧＢ，ＤＢＲの関係が下記数式１乃至数式４のいずれかの関係であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
ＤＲＧ≠ＤＧＢ≠ＤＢＲ  ・・・（数式１）
ＤＲＧ＝ＤＧＢ≠ＤＢＲ  ・・・（数式２）
ＤＲＧ≠ＤＧＢ＝ＤＢＲ  ・・・（数式３）
ＤＲＧ＝ＤＢＲ≠ＤＧＢ  ・・・（数式４）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（２）前記（１）の表示装置において、前記表示パネルの前記第１の方向には、前記第１のサブ画素、前記第２のサブ画素、および前記第３のサブ画素が、この順番で繰り返し並んでおり、隣接する前記第１のサブ画素と前記第２のサブ画素とにおける前記開口部の間隙の寸法をＤＲＧとし、隣接する前記第２のサブ画素と前記第３のサブ画素とにおける前記開口部の間隙の寸法をＤＧＢとし、隣接する前記第３のサブ画素と前記第１のサブ画素とにおける前記開口部の間隙の寸法をＤＢＲとしたときに、それぞれの前記間隙の寸法ＤＲＧ，ＤＧＢ，ＤＢＲの関係が下記数式１乃至数式４のいずれかの関係である表示装置。
ＤＲＧ≠ＤＧＢ≠ＤＢＲ  ・・・（数式１）
ＤＲＧ＝ＤＧＢ≠ＤＢＲ  ・・・（数式２）
ＤＲＧ≠ＤＧＢ＝ＤＢＲ  ・・・（数式３）
ＤＲＧ＝ＤＢＲ≠ＤＧＢ  ・・・（数式４）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
すなわち、実施例１で説明したサブ画素の配置方法を適用した有機ＥＬ表示装置では、すべての開口部ＣＨ２の面積（開口端の寸法）が等しく、かつ、ｘ方向で隣接する２つの開口部ＣＨ２の間隙が２通り以上であればよく、具体的には、ＤＲＧ，ＤＧＢ，ＤＢＲの関係が、下記数式１乃至数式４のいずれかの関係であればよい。
ＤＲＧ≠ＤＧＢ≠ＤＢＲ  ・・・（数式１）
ＤＲＧ＝ＤＧＢ≠ＤＢＲ  ・・・（数式２）
ＤＲＧ≠ＤＧＢ＝ＤＢＲ  ・・・（数式３）
ＤＲＧ＝ＤＢＲ≠ＤＧＢ  ・・・（数式４）
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月14日(2011.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣタグを貼付したリール部品をマウンタのスロットに装填する際に、携帯型リーダライタ装置を用いて前記ＩＣタグの情報を読み取り、該読み取ったＩＣタグの情報を前記携帯型リーダライタ装置の表示部に表示するリール部品管理システムであって、
前記ＩＣタグを貼付したリール部品の保管位置情報を該リール部品に貼付されたＩＣタグに書き込んでおき、前記マウンタによる前記リール部品の実装工程が終了した後、前記リール部品を前記マウンタから取り出す際に、該リール部品に貼付されたＩＣタグから保管位置情報を前記携帯型リーダライタ装置で読み出して表示部に表示することを特徴とするリール部品管理システム。
【請求項２】
ＩＣタグを貼付したリール部品と、リール部品情報を記憶したサーバと、前記ＩＣタグの情報を読み出す携帯型リーダライタ装置を有し、前記サーバと前記携帯型リーダライタ装置が無線通信で情報の送受を行うリール部品管理システムにおいて、
前記携帯型リーダライタ装置は、前記サーバと情報の送受を行うアンテナと、前記ＩＣタグと情報の送受を行うアンテナと、送信部と、受信部と、サーキュレータ部と、制御部と、表示部と、操作部を備えたことを特徴とするリール部品管理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月19日(2011.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物系半導体基板を保持する基板ホルダであって、
窒化物系半導体基板が載置される載置領域に形成された凹部と、
前記載置領域に設けられ、前記凹部の外周部側に配された外周面とを備え、
前記外周面は、前記凹部の中心を通るとともに面内方向における第１方向の線上に位置する部分が、前記凹部の中心を通り前記第１方向と直交する第２方向の線上に位置する部分よりも上方に位置していることを特徴とする、基板ホルダ。
【請求項２】
前記外周面は、曲面からなり、
前記第１方向の線上に位置する部分から前記第２方向の線上に位置する部分にかけて徐々に変化するように構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の基板ホルダ。
【請求項３】
前記凹部は、底面部と側壁部とを含み、
窒化物系半導体基板と前記底面部とが接触することなく、前記側壁部と前記外周面との角部で窒化物系半導体基板と線接触するように構成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の基板ホルダ。
【請求項４】
前記凹部は、すり鉢状に湾曲した形状に形成された底面部を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の基板ホルダ。
【請求項５】
窒化物系半導体基板を保持する基板ホルダであって、
窒化物系半導体基板が載置される載置領域に形成され、窒化物系半導体基板を支持する複数の突起部を備えることを特徴とする、基板ホルダ。
【請求項６】
前記載置領域には、４つの前記突起部が形成されており、
平面的に見た場合に、前記突起部を結ぶ線によって正方形が形成されるように前記突起部が配置されていることを特徴とする、請求項５に記載の基板ホルダ。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の基板ホルダと、
前記基板ホルダを露出させるための開口部を含み、原料ガスを前記基板ホルダに載置されている窒化物系半導体基板と平行に流すフローチャネルと、
前記基板ホルダの下部側に設けられ、窒化物系半導体基板を加熱する加熱部とを備えることを特徴とする、気相成長装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１記載の光源装置であって、
前記発光素子短絡部は、前記パルス電流の立ち上がり時の過渡期間において前記発光素子を短絡させる
光源装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
発光素子の駆動方法であって、
前記発光素子からの平均出射光量を調整するために、前記発光素子にパルス電流を供給し、
前記パルス電流の立ち上がり時の過渡期間において前記発光素子を短絡させる
発光素子の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月22日(2011.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版のパターンの像を基板上に投影する投影光学系と、
露光に使用されるパターンを持つ露光用原版と、前記投影光学系の光学性能の評価に使用されるパターンを持つ評価用原版と、を搭載する原版ステージと、
前記原版ステージを走査方向である第１方向に駆動させる第１駆動機構と、
前記評価用原版を前記原版ステージ上で駆動させる第２駆動機構と、
を有し、
前記評価用原版の前記第１方向と直交する方向である第２方向の幅は、前記露光用原版の第２方向の幅よりも短く、
前記第２駆動機構は、前記評価用原版を第２方向に駆動させることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記露光用原版の照明領域を照明する照明光学系を更に有し、
前記評価用原版の第２方向の幅は、前記露光用原版の照明領域の第２方向の幅よりも短いことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記評価用原版の第１方向の幅は、前記露光用原版の第１方向の幅よりも短いことを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記露光用原版は少なくとも２５０ｍｍよりも大きい辺を有し、前記評価用原版は一辺が５０ｍｍ以上２５０ｍｍ以下に設定されていることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項５】
露光用原版の露光用パターンの像を投影光学系で基板上に投影し、前記露光用原版及び前記基板を走査方向である第１方向に移動して前記基板を走査露光する露光装置の前記投影光学系の光学性能を評価する評価方法であって、
前記投影光学系の光学性能の評価に使用される評価用パターンを持つ評価用原版を前記第１方向と直交する第２方向に移動するステップと、
前記評価用パターンの像を前記投影光学系で投影するステップと、
を有し、
前記評価用原版の第２方向の幅は、前記露光用原版の第２方向の幅よりも短いことを特徴とする評価方法。
【請求項６】
前記投影光学系の露光で使用される範囲に前記評価用原版が移動した後、
前記評価用原版の前記評価用パターンの像を前記投影光学系で投影し、
前記投影光学系で投影された前記評価用パターンの像に基づいて、前記投影光学系の光学性能を評価することを特徴とする請求項５に記載の評価方法。
【請求項７】
前記評価用原版を照明する照明領域は前記露光用原版を照明する照明領域よりも小さいことを特徴とする請求項５又は６に記載の評価方法。
【請求項８】
前記評価用原版を駆動する駆動機構を含む前記投影光学系以外の部材が露光結果に与える影響を相殺するように前記投影光学系を予め調節するステップを更に有することを特徴とする請求項５〜７のうちいずれか一項に記載の評価方法。
【請求項９】
請求項１〜４のうちいずれか一項に記載された露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光された基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一側面としての露光装置は、原版のパターンの像を基板上に投影する投影光学系と、露光に使用されるパターンを持つ露光用原版と、前記投影光学系の光学性能の評価に使用されるパターンを持つ評価用原版と、を搭載する原版ステージと、前記原版ステージを走査方向である第１方向に駆動させる第１駆動機構と、前記評価用原版を前記原版ステージ上で駆動させる第２駆動機構と、を有し、前記評価用原版の前記第１方向と直交する方向である第２方向の幅は、前記露光用原版の第２方向の幅よりも短く、前記第２駆動機構は、前記評価用原版を第２方向に駆動させることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一側面としての評価方法は、露光用原版の露光用パターンの像を投影光学系で基板上に投影し、前記露光用原版及び前記基板を走査方向である第１方向に移動して前記基板を走査露光する露光装置の前記投影光学系の光学性能を評価する評価方法であって、前記投影光学系の光学性能の評価に使用される評価用パターンを持つ評価用原版を前記第１方向と直交する第２方向に移動するステップと、前記評価用パターンの像を前記投影光学系で投影するステップと、を有し、前記評価用原版の第２方向の幅は、前記露光用原版の第２方向の幅よりも短いことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
原版ステージ２０は、原版Ｍ１及び原版Ｍ２を支持する。また、原版ステージ２０には、走査方向であるＹ軸方向（第１方向）に原版ステージ２０を駆動する駆動機構（第１駆動機構）２１が設けられている。原版ステージ２０には、原版Ｍ２を保持する保持機構２２と、保持機構２２及び原版Ｍ２を走査方向に直交する方向であるＸ軸方向（第２方向）に駆動する駆動機構（第２駆動機構）２３が更に設けられている。駆動機構２３は、原版Ｍ１をＸ軸方向には移動せず（静止させた状態で）原版Ｍ２のみをＸ軸方向に移動する。この結果、原版Ｍ２は、駆動機構２１及び２３により、ＸＹ平面内の任意の場所に二次元的に移動することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
原版の自重変形の露光に与える影響はその寸法が小さくなるにつれて減少し、寸法が十分小さい原版では自重変形の影響が無視できる。従って、原版Ｍ２の寸法は原版Ｍ１の寸法よりも小さく、自重変形の影響が原版Ｍ１よりも抑えられている。少なくとも原版Ｍ２のＸ軸方向の辺の長さ（幅）は、原版Ｍ１のＸ軸方向の長さよりも短いことが必要であり、好ましくは、原版Ｍ１の照明領域のＸ軸方向の長さよりも短い。つまり、評価用原版Ｍ２のＹ軸方向（第１方向）と直交する方向であるＸ軸方向（第２方向）の幅は、露光用原版Ｍ１の第２方向よりも短い。また、原版Ｍ２のＹ軸方向の幅は、原版Ｍ１のＹ軸方向の幅よりも短い。本実施例では、矩形形状を有する原版Ｍ２の長い方の辺（長辺）は自重変形の影響が無視できる程度に小さい寸法、具体的には、２５０ｍｍ以下に設定されている。また、矩形形状を有する原版Ｍ２の短い方の辺（短辺）は、評価用パターンが描画可能な程度に大きい寸法、具体的には、保持部を考慮すると５０ｍｍ以上に設定されている。この結果、原版Ｍ２の一辺は５０ｍｍ以上２５０ｍｍ以下に設定されている。なお、このとき、原版Ｍ２上の露光領域の短辺は５ｍｍ以上、長辺は２０５ｍｍ以下に設定されることになる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月21日(2011.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器内部にノイズを漏洩するノイズ源と、
前記ノイズ源と重なるように配置され、前記ノイズを発生させる信号の基準電位となる第１の導電体と、
前記第１の導電体と電気的に絶縁され、前記第１の導電体と重なるとともに、前記ノイズ源と重ならないように配置された第２の導電体とを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
電子機器内部にノイズを漏洩するノイズ源と、
前記ノイズ源と重なるように配置され、前記ノイズを発生させる信号の基準電位となる第１の導電体と、
前記第１の導電体と電気的に絶縁され、前記第１の導電体と重なるように配置された第２の導電体とを備え、
前記ノイズ源は、前記第２の導電体の幾何学的な中心線上に配置されていることを特徴とする電子機器。
【請求項３】
電子機器内部にノイズを漏洩するノイズ源と、
前記ノイズ源と重なるように配置され、前記ノイズを発生させる信号の基準電位となる第１の導電体と、
前記第１の導電体と電気的に絶縁され、前記第１の導電体と重なるように配置された第２の導電体とを備え、
前記第２の導電体の沿面長は、前記第１の導電体と前記第２の導電体との間の共振による共振周波数が、前記ノイズの周波数と異なるように設定されていることを特徴とする電子機器。
【請求項４】
電子機器内部にノイズを漏洩するノイズ源と、
前記ノイズ源と重なるように配置され、前記ノイズを発生させる信号の基準電位となる第１の導電体と、
前記第１の導電体と電気的に絶縁され、前記第１の導電体と重なるように配置された第２の導電体とを備え、
前記第１の導電体と前記第２の導電体との間隔は、前記第１の導電体と前記第２の導電体との間の共振による共振周波数が、前記ノイズの周波数と異なるように設定されていることを特徴とする電子機器。
【請求項５】
電子機器内部にノイズを漏洩するノイズ源と、
前記ノイズ源と重なるように配置され、前記ノイズを発生させる信号の基準電位となる第１の導電体と、
前記第１の導電体と電気的に絶縁され、前記第１の導電体と重なるように配置された第２の導電体と、
前記ノイズ源と前記第２の導電体との間に配置された電磁遮蔽体とを備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の電子機器は、機器内にノイズを漏洩するノイズ源と、前記ノイズ源と重なるように配置され、前記ノイズを発生させる信号の基準電位となる第１の導電体と、前記第１の導電体と電気的に絶縁され、前記第１の導電体と重なるとともに、前記ノイズ源と重ならないように配置された第２の導電体とを備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
実施の形態２．
図２−１は、本発明に係る電子機器の実施の形態２の概略構成を示す斜視図、図２−２は、図２−１の電子機器の概略構成を示す断面図である。図２−１および図２−２において、電子機器には、第１の導電体としてＳＧ板金２１、第２の導電体としてＦＧ板金２２が設けられるとともに、放射ノイズを発生するノイズ源としてワイヤーハーネス２５が設けられている。ここで、ＳＧ板金２１には、ワイヤーハーネス２５を通す開口部２１ａが形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
ここで、ＳＧ板金４１とＦＧ板金４２との間の共振による共振周波数がノイズ源の周波数と異なるように、ＳＧ板金４１とＦＧ板金４２との間の間隔Ｈを設定することにより、ワイヤーハーネス４５からノイズが漏洩した場合においても、そのノイズの共振による増大を抑制することができる。このため、互いに絶縁されたＳＧ板金４１とＦＧ板金４２との間にノイズ源が配置された場合においても、電磁波ノイズが増大するのを防止することができ、電磁波障害を抑制することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
実施の形態６．
図６−１は、本発明に係る電子機器の実施の形態６の概略構成を示す斜視図、図６−２は、図６−１の電子機器の概略構成を示す断面図である。なお、実施の形態６では、電子機器として、ＦＡ用操作表示器を例にとって説明する。図６−１および図６−２において、ＦＡ用操作表示器には、タッチパネル７３が表面に配置された液晶パネル７２が設けられている。また、ＦＡ用操作表示器には、第１の導電体としてＳＧ板金６１、第２の導電体としてＦＧ板金６２が設けられるともに、ノイズを漏洩するノイズ源としてワイヤーハーネス６５が設けられている。そして、ＳＧ板金６１上には、ＳＧ板金６１と重なるようにしてＦＧ板金６２および回路基板６３が配置されるとともに、ＳＧ板金６１の裏面側には、液晶パネル７２が配置され、液晶パネル７２には回路基板６４が搭載されている。なお、回路基板６３は、ＦＡ用操作表示器全体の制御を行うことができ、回路基板６４は、回路基板６３からの制御情報に基づいて液晶パネル７２を駆動することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２−１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２−１】
2010080547.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月17日(2011.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの内部回路と、前記半導体チップに設けられたウエハーバーンイン用電極パッド及びスイッチ回路と、前記半導体チップに設けられた前記内部回路と前記スイッチ回路とを電気的に接続する組立外部接続用電極パッドを有する半導体装置であって、
前記ウエハーバーンイン用電極パッドは、前記スイッチ回路を介して前記内部回路と電気的に接続されており、
前記スイッチ回路は、前記スイッチ回路をオンまたはオフにするという情報を記憶するとともに前記情報に従って前記スイッチ回路をオンまたはオフに設定する不揮発性メモリデバイスにより、オンまたはオフに設定されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ウエハーバーンイン用電極パッドは、前記組立外部接続用電極パッドを介して前記内部回路に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ウエハーバーンイン用電極パッドは、前記スイッチ回路を介して、前記内部回路の電源端子と、前記内部回路の入力端子、出力端子および入出力端子のうちの何れかの端子とに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記電源端子に接続される前記スイッチ回路はＰ型ＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記入力端子、前記出力端子または前記入出力端子に接続される前記スイッチ回路は、ソース同士およびドレイン同士が互いに並列で接続されたＰ型ＭＯＳトランジスタとＮ型ＭＯＳトランジスタとを有していることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記不揮発性メモリデバイスはフラッシュメモリであることを特徴とする請求項１から５の何れか一つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記不揮発性メモリデバイスは電気ヒューズ回路であることを特徴とする請求項１から５の何れか一つに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ウエハーバーンイン用電極パッドは、前記組立外部接続用電極パッドよりも周縁に配置されていることを特徴とする請求項１から７の何れか一つに記載の半導体装置。
【請求項９】
内部回路と、ウエハーバーンイン用電極パッドと、前記内部回路と前記ウエハーバーンイン用電極パッドとを電気的に接続するスイッチ回路と、前記内部回路と前記スイッチ回路とを電気的に接続する組立外部接続用電極パッドと、前記スイッチ回路をオンまたはオフにするという情報を記憶するとともに前記情報に基づいて前記スイッチ回路をオンまたはオフに設定する不揮発性メモリデバイスとを有する半導体チップが複数形成されたウエハーを準備する工程（ａ）と、
前記半導体チップに対してリーク不良が発生しているか否かを判定する工程（ｂ）と、
リーク不良が発生している前記半導体チップの前記不揮発性メモリデバイスには前記スイッチ回路をオフにするという情報を記憶させ、リーク不良が発生していない前記半導体チップの前記不揮発性メモリデバイスには前記スイッチ回路をオンにするという情報を記憶させる工程（ｃ）と、
前記工程（ｃ）の後で、前記ウエハーに対してウエハーバーンインを実施する工程（ｄ）とを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ウエハーバーンインを実施した後で、前記組立外部接続用電極パッドの上に金属層を形成するめっき工程を行うことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記めっき工程は、前記組立外部接続用電極パッド上にアンダーバンプメタルを形成する工程であり、
前記アンダーバンプメタル上にバンプを形成し、前記バンプを介して前記半導体チップをフリップチップパッケージに電気的に接続することを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月18日(2011.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置製造用基板及びその作製方法並びに半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板上に、シリコンと酸素とを有する第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、シリコンと窒素とを有する第２の絶縁膜を形成し、
前記単結晶半導体基板の所定の深さの領域に分離層を形成し、
前記第２の絶縁膜にハロゲンのイオンを照射して、前記第１の絶縁膜に前記ハロゲンを含ませ、
前記第２の絶縁膜上に、第３の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜、及び前記第３の絶縁膜を挟んで、前記単結晶半導体基板と支持基板とを重ね合わせ、
加熱処理を行い、前記分離層を境として前記単結晶半導体基板の一部を分離させることで、前記支持基板上に前記単結晶半導体基板の一部を単結晶半導体膜として設けることを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板上に、シリコンと酸素とを有する第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、シリコンと窒素とを有する第２の絶縁膜を形成し、
前記単結晶半導体基板の所定の深さの領域に分離層を形成し、
前記第２の絶縁膜にハロゲンのイオンを照射して、前記第１の絶縁膜に前記ハロゲンを含ませ、
前記第２の絶縁膜上に、第３の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜、及び前記第３の絶縁膜を挟んで、前記単結晶半導体基板と支持基板とを重ね合わせ、
加熱処理を行い、前記分離層を境として前記単結晶半導体基板の一部を分離させることで、前記支持基板上に前記単結晶半導体基板の一部を単結晶半導体膜として設けるとともに、前記単結晶半導体膜に前記ハロゲンを含ませることを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記ハロゲンとして、フッ素又は塩素を用いることを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜として、酸化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜を形成することを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２の絶縁膜として、窒化シリコン膜又は窒化酸化シリコン膜を形成することを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第３の絶縁膜として、酸化シリコン膜又はシロキサン結合を有する膜を形成することを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記酸化シリコン膜は、有機シラン又は無機シランを原料ガスに用いて、化学気相成長法により形成することを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記支持基板として、ガラス基板、石英基板、セラミック基板、サファイヤ基板、又は表面が絶縁膜で被覆された金属基板を用いることを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記加熱処理は、５５０℃以上前記支持基板の歪み点温度以下の温度で行うことを特徴とする半導体装置製造用基板の作製方法。
【請求項１０】
支持基板と、
ハロゲンを有する単結晶半導体膜と、を有し、
前記支持基板と前記単結晶半導体膜との間には、
前記単結晶半導体膜と接し、且つシリコンと酸素とを有する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜と接し、且つシリコンと窒素とを有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜と接する第３の絶縁膜と、
を有することを特徴とする半導体装置製造用基板。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記ハロゲンは、フッ素又は塩素を有することを特徴とする半導体装置製造用基板。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１において、
前記第１の絶縁膜は、酸化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜を有する特徴とする半導体装置製造用基板。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一において、
前記第２の絶縁膜は、窒化シリコン膜又は窒化酸化シリコン膜を有することを特徴とする半導体装置製造用基板。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一において、
前記第３の絶縁膜は、酸化シリコン膜又はシロキサン結合を有する膜を有することを特徴とする半導体装置製造用基板。
【請求項１５】
請求項１０乃至請求項１４のいずれか一において、
前記支持基板は、ガラス基板、石英基板、セラミック基板、サファイヤ基板、又は表面が絶縁膜で被覆された金属基板を有することを特徴とする半導体装置製造用基板。
【請求項１６】
請求項１０乃至請求項１５のいずれか一項に記載の半導体装置製造用基板が有する前記単結晶半導体膜を用いたトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月13日(2011.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的接続の製造方法であって、
−  絶縁材料層（５）で覆われた第１金属材料層（４）を設け、前記第１金属材料層（４）からなる底部と前記絶縁材料層（５）からなる側壁とを備え、且つ、前記第１金属材料層（４）に通じるような孔（６）を前記絶縁材料層中に形成し、
−  前記孔（６）の前記底部と前記側壁との上に触媒材料（９）を堆積し、
−  前記孔（６）の前記側壁を完全に覆い、且つ、前記孔（６）の前記底部に位置する前記触媒材料（９）の部分のみが開放されるように、前記孔（６）の前記側壁と前記絶縁材料層（５）との上に抑止層（１１）を直接堆積し、
−  前記底部の面からナノチューブ（１０）を成長させ、
−  第２金属材料層（１２）を堆積して、前記ナノチューブ（１０）が前記絶縁材料層（５）により隔てられた前記第１金属材料層と前記第２金属材料層との間を電気的に接続する、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、保護膜（７）は、前記触媒材料（９）の堆積の前に、堆積されることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法であって、接着層（８）は、前記触媒材料（９）の堆積の前に、堆積されることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１つに記載の方法であって、前記抑止層（１１）は、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｃ、Ｗ、ＴｉＮ、Ｍｏ、Ｓｉ、又は、それらの合金の１つから、選択される導電性材料から作られることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか１つに記載の方法であって、前記抑止層（１１）は、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＸＮＸ、ＳｉＯＣ、又は、ＴｉＯ２から選択される絶縁材料から作られることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１つに記載の方法であって、前記抑止層（１１）は、３から５００ｎｍの間である厚さ持つことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１つに記載の方法であって、前記抑止層（１１）は、蒸着又はスパッタリング、ＰＶＤ、ＳＩＰ、又は、ＦＩＢによって堆積することを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１つに記載の方法であって、前記ナノチューブ（１０）の成長の後に、前記孔（６）は、少なくとも部分的に金属材料によって満たされ、前記金属材料は、前記第２金属材料層（１２）を構成するものであることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、前記孔（６）を満たす前記第２金属材料（１２）は、無電解の手段により堆積することを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１つに記載の方法であって、化学機械研磨工程を、前記ナノチューブ（１０）の上端部を整えるように、前記第２金属材料（１２）上で行うことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１つに記載の方法であって、第３金属材料を前記ナノチューブ（１０）の内部壁へ堆積することを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１つに記載の方法であって、前記ナノチューブ（１０）は、カーボンナノチューブであることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか１つに記載の方法であって、前記孔（６）は、前記金属材料からなる底部と、広がった第２の断面から第１の断面を隔てる段部とを備え、前記第１の断面は前記絶縁材料層（５）から形成された第１の側壁を有し、前記第２の断面は前記絶縁材料層（５）から形成された第２の側壁を有し、前記触媒材料（９）の堆積は、前記底部と、前記孔（６）の前記第１の側壁と前記第２の側壁と、前記段部との上で行われることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月26日(2011.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置、及び照明装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた複数の発光素子と、
前記複数の発光素子のうち、隣接する発光素子を隔てる隔壁とを有し、
前記発光素子は、第１の電極と、前記第１の電極上に設けられた第１の層と、前記第１の層上に設けられた発光層と、前記発光層上に設けられた第２の電極と、を有し、
前記第１の層は、無機化合物と有機化合物とハロゲン原子とを含む層であり、
前記隔壁は、前記無機化合物と前記有機化合物とを含む層であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の層と前記第１の電極とを合わせた膜厚と、前記隔壁の膜厚とは同じであることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１の層の表面と前記隔壁の表面とは平らであることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記第１の層の表面と前記隔壁の表面とは連続していることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記無機化合物は酸化モリブデンあり、
前記有機化合物は正孔輸送性材料であり、
前記ハロゲン原子はフッ素又は塩素であることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記酸化モリブデンは三酸化モリブデンであることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項５において、
前記正孔輸送性材料は芳香族アミン化合物であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項５において、
前記正孔輸送性材料は芳香族炭化水素であることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記基板上に設けられた第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有し、
前記第１の電極は、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタの間の上方に配置され、かつ前記第２のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記隔壁は、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタを覆い、
前記第１の層は、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタの間の上方に配置され、
前記発光層は、前記第１のトランジスタ、前記第１の電極、及び前記第２のトランジスタの上方で、平らに設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の発光装置を有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月26日(2011.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体プロセスリアクタ部品を組み立てる方法であって、
第１の表面に開口部を有する、部分的に組み立てられたリアクタ部品を提供するステップであって、前記開口部は、前記リアクタ部品を介して反対側の第２の表面へ完全に延び、前記第１の表面上の前記開口部の第１の幅は、前記第２の表面上の前記開口部の第２の幅よりも長い、ステップと、
前記開口部の表面に保護皮膜を被覆するステップと、
続けて前記開口部に中空の挿入部材を配置するステップであって、前記挿入部材は、前記開口部の側壁に接触し、かつ前記第２の表面へ開口する前記開口部の側面から前記第１の表面へ開口する前記開口部の側壁までを密閉する閉口部を有する、ステップとを含む方法。
【請求項２】
前記部分的に組み立てられたリアクタ部品が、グラファイトで形成されている請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記保護皮膜が、シリコンカーバイドで形成されている請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記挿入部材が、シリコンカーバイドで形成されている請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記開口部に前記挿入部材を配置する前記ステップの後に、前記挿入部材及び前記リアクタ部品の露出した表面上を被覆する付加的なシリコンカーバイドを堆積させるステップを、更に含む請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記挿入部材内の中空の空洞内に熱電対を配置するステップを、更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
続けて前記開口部に前記挿入部材を配置する前記ステップが、
前記挿入部材を凍結させるステップと、
続けて前記開口部内に前記挿入部材を挿入するステップとを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
続けて前記開口部内に前記挿入部材を挿入する前記ステップが、続けて前記開口部内に前記挿入部材を挿入する前に、前記部分的に組み立てられたリアクタ部品を加熱するステップを、更に含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
続けて前記開口部内に前記挿入部材を挿入する前記ステップが、前記開口部及び前記挿入部材の間に気密性のある封止を形成する請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記開口部内に前記挿入部材をしっかりと固定するために、前記部分的に組み立てられたリアクタ部品に固定部材を取り付けるステップを、更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記保護皮膜を堆積させる前記ステップが、化学気相堆積法を実行するステップを含む請求項３に記載の方法。
【請求項１２】
半導体プロセスリアクタ用の部品を製造する方法であって、
第１の半導体リアクタ部品を提供するステップであって、前記第１の半導体リアクタ部品の第１の表面は、前記第１の半導体リアクタ部品を介して反対側の第２の表面へ完全に延びる穴を有し、前記第１の表面上の前記穴の第１の幅は、前記第２の表面上の前記穴の第２の幅よりも長い、ステップと、
前記第１の半導体リアクタ部品及び前記穴の表面上へ保護皮膜を堆積させるステップと、
続いて前記穴に中空の挿入部材を配置するステップであって、前記挿入部材は、前記穴の側壁に接触し、かつ前記第２の表面へ開口する前記穴の側面から前記第１の表面へ開口する前記穴の側壁までを密閉する閉口部を有する、ステップと、
前記穴に中空の挿入部材を配置するステップの後に、前記挿入部材内の開口部の壁を被覆する別の保護皮膜を堆積するステップと、
前記挿入部材の前記開口部内に、第２の半導体リアクタ部品を挿入するステップとを含む方法。
【請求項１３】
前記第１の半導体リアクタ部品が、リアクタの反応チャンバの壁を形成するように構成されている請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記挿入部材が、シリコンカーバイドで形成されている請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記挿入部材の壁が、０．０５〜２ｍｍの範囲の厚さを有するように形成されている請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の半導体リアクタ部品が、リアクタチャンバに収容された基板の主要表面と、少なくとも同じ広さの平坦な表面を提供する請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１の半導体リアクタ部品が、第１のリアクタブロックを形成し、
前記第１のリアクタブロックが、前記第１のリアクタブロックに対向して位置する第２のリアクタブロックと接合するように構成されており、
前記第１の半導体リアクタと前記基板の保持部材とのアセンブリ上において、前記第１のリアクタブロックが前記基板の前記主要表面を横切って延び、前記第２のリアクタブロックが前記基板の反対側の主要表面を横切って延びる請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２のリアクタブロックは、前記基板の前記主要表面に対向する平坦な表面上に、複数のガス経路が形成されており、
前記ガス経路が、前記基板の前記主要平面にガスを供給するように構成されている請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２の半導体リアクタ部品が熱電対である請求項１２に記載の方法。
【請求項２０】
半導体基板を処理するためのリアクタチャンバを画定する半導体プロセスリアクタ部品であって、
前記リアクタの少なくとも一部を画定するように構成された表面と、
前記リアクタ部品内に堆積された保護用の挿入部材とを備え、
前記保護用の挿入部材が、前記表面を越えて伸展せず、
前記保護用の挿入部材の壁が、前記保護用の挿入部材の長さの少なくとも一部に沿って伸展する空洞を画定し、
前記壁の厚さが、０．０５ｍｍよりも厚いリアクタ部品。
【請求項２１】
前記保護用の挿入部材が、シリコンカーバイドで形成されている請求項２０に記載のリアクタ部品。
【請求項２２】
前記リアクタ部品が、ステンレス鋼、ＩＮＣＯＮＥＬ（登録商標）の商標が付されて販売されている物質、及びＨＡＳＴＥＬＬＯＹ（登録商標）を付して販売されている物質からなる群の中から選択される物質で形成されている請求項２０に記載のリアクタ部品。
【請求項２３】
前記保護用の挿入部材が、ＴｉＮ及びＢＮからなる群の中から選択される物質で形成されている請求項２２に記載のリアクタ部品。
【請求項２４】
前記リアクタ部品が、基板保持ブロックであり、
前記表面が、平坦であり、前記基板の主要表面と少なくとも同じ広さであり、
平坦な前記表面が、前記基板に対向するように構成されており、
前記表面が、複数の開口部を有し、
前記基板保持ブロックが、複数の前記開口部の１つの中に堆積された複数の挿入部材を備え、
前記基板保持ブロックが、前記基板保持ブロックに対向して位置する第２の基板保持ブロックと接合するように構成されており、
前記リアクタと前記基板の保持部材とのアセンブリ上において、前記基板保持ブロックが前記基板の前記主要表面を横切って伸展し、前記第２の基板保持ブロックが前記基板の反対側の主要表面を横切って伸展する請求項２０に記載のリアクタ部品。
【請求項２５】
前記壁が、２．０ｍｍ未満の厚さである請求項２０に記載のリアクタ部品。
【請求項２６】
前記挿入部材が、シリコンカーバイドで形成されている請求項２０に記載のリアクタ部品。
【請求項２７】
前記挿入部材の前記空洞内に配置された熱電対を、更に備えている請求項２０に記載のリアクタ部品。
【請求項２８】
前記リアクタ部品がグラファイトで形成されている請求項２０に記載のリアクタ部品。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月15日(2011.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１アクティブ領域上に形成されたトランジスタと、
前記基板の第２アクティブ領域上に形成され、前記トランジスタに接続されたダミートランジスタと、
前記トランジスタに接続されたパッドユニットと、
を備える半導体装置のテスト構造物。
【請求項２】
前記ダミートランジスタは、複数個形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置のテスト構造物。
【請求項３】
前記ダミートランジスタは、前記第２アクティブ領域上に形成されるダミーゲートラインを含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置のテスト構造物。
【請求項４】
前記トランジスタは第１ゲートラインを備え、前記ダミーゲートラインは前記第１ゲートラインと接続されることを特徴とする請求項３記載の半導体装置のテスト構造物。
【請求項５】
前記第１ゲートラインは、第１方向に延長され、
前記第１方向に延長される第２ゲートラインをさらに含むことを特徴とする請求項４記載の半導体装置のテスト構造物。
【請求項６】
前記第２ゲートラインは、前記第１ゲートラインと接続されることを特徴とする請求項５記載の半導体装置のテスト構造物。
【請求項７】
前記第１ゲートラインは、第１方向に延長され、
前記第１方向に延長されて前記第１方向に対して実質的に垂直である第２方向に前記第１ゲートラインと一定の間隔で離隔して形成された複数個の第２ゲートラインをさらに含むことを特徴とする請求項４記載の半導体装置のテスト構造物。
【請求項８】
前記トランジスタは、複数個形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置のテスト構造物。
【請求項９】
前記トランジスタは、前記第１アクティブ領域上に形成されたゲートライン、前記ゲートラインに隣接した前記第１アクティブ領域の上部に形成されたソース領域及びドレイン領域を備え、
前記基板は、ウェル領域が形成された第３アクティブ領域をさらに含み、
前記パッドユニットは、前記ゲートライン、前記ソース領域、前記ドレイン領域、及び前記ウェル領域に各々接続されたゲートパッド、ソースパッド、ドレインパッド、及びバルクパッドを含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置のテスト構造物。
【請求項１０】
前記ダミートランジスタは、前記トランジスタが受けるプラズマダメージを減少させる機能を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置のテスト構造物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置のテスト構造物
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置のテスト構造物、その形成方法に関する。より詳しくは、本発明はダミー（ｄｕｍｍｙ）トランジスタを有する半導体装置のテスト構造物、その形成方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月19日(2011.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の機能回路と、
動きを検出する手段と、
電池駆動式電子デバイスに電力供給する電池の残留エネルギーを表す信号を受信し、前記第１の機能回路の動作電力を遮断するように適応したコントローラとを備え、
前記コントローラが、前記電池駆動式電子デバイスの動きの存在しないことを検出し、電力節約モードに入る所与の時間間隔のための前記電池駆動式電子デバイスの動きの存在しないことがある場合にのみ、前記第１の機能回路の動作電力を遮断するように適応され、
さらに、前記コントローラが、前記残留エネルギーが所定の閾値以下になる場合に、前記電力節約モードを進める前記時間間隔の継続時間を減少されるように適応されることを特徴とする電池駆動式電子デバイス。
【請求項２】
前記残留エネルギーを表す前記信号を提供する電池モニタをさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の電池駆動式電子デバイス。
【請求項３】
前記第１の機能回路が、ディスプレイ照明手段を備えていることを特徴とする請求項１に記載の電池駆動式電子デバイス。
【請求項４】
前記コントローラが、前記残留エネルギーが所定の閾値以下に減少すると、前記継続時間をあるステップで減少させるように適応されることを特徴とする請求項１に記載の電池駆動式電子デバイス。
【請求項５】
ユーザが、前記時間間隔の前記継続時間を初期値に設定することを可能にする手段を備え、前記コントローラが、前記残留エネルギーが所定の閾値以下に減少すると、前記継続時間をより短い第２の値に設定するようになっていることを特徴とする請求項１に記載の電池駆動式電子デバイス。
【請求項６】
前記動きを検出する手段が、加速度又は慣性によって作動するスイッチであることを特徴とする請求項１に記載の電池駆動式電子デバイス。
【請求項７】
前記電池駆動式電子デバイスが、ゲーム・コンソール用のリモート・コントローラであることを特徴とする請求項１又は６に記載の電池駆動式電子デバイス。