(57)【要約】  有機発光ダイオード装置の支持体を形成するテクスチャ表面を有する構造体および製造方法であって、上記構造体は、ミネラルガラス（２）で作られた界面膜が随意的に付着された、ミネラルガラスで作られた透明基板（１０）上に設けられており、表面のテクスチャプロファイルは、凸部が鋭くなり過ぎず、取り出し効率の向上を確実にするように、ＦＴまたは粗さパラメータＲｄｑによって定義された凸部（１４）および凹部（１５）からなる。方法は特に、ガラス基板上に被覆層（１１）を付着させ、加熱および冷却によってアセンブリの収縮を確実にすること、からなる。
2012523072.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光ダイオード装置のための支持体を形成するテクスチャ表面を有する構造体（１）を製造する方法であって、構造体が、ミネラルガラスで作られた随意的界面膜（２）で被覆された、ミネラルガラスで作られた透明基板（１０）上に設けられており、テクスチャのプロファイルが突起（１４）および谷（１５）からなる方法において、テクスチャ表面を形成するために、
基板の主面の１つに、または前記随意的界面膜（２）の上に、それぞれ被膜（１１）を付着させるステップであって、被膜が、３００ｎｍ以下の厚みを有し、基板または前記界面膜のそれぞれよりも少なくとも１０倍薄い、ステップと、
基板または随意的界面膜のそれぞれのガラスのガラス遷移温度Ｔｇよりも高い加熱温度Ｔ１まで十分に温度を上昇させることによって、および基板または随意的界面膜をそれぞれ冷却することによって、基板または界面膜のそれぞれを収縮させるステップであって、冷却が被膜の付着後に行われ、加熱温度Ｔ１からガラス遷移温度Ｔｇまでの、基板または随意的界面膜のそれぞれのガラスの自由熱収縮ε１と、被膜の自由熱収縮ε２との間の差が、式ε１−ε２＝（α１−α２）（Ｔ１−Ｔｇ）によって与えられ、ここでα１がＴｇを超えるガラスの平均線形熱膨張係数であり、α２がＴｇを超える被膜の平均線形熱膨張係数であるが、これが少なくとも０．１％である、ステップと、を含む製造方法。
【請求項２】
温度上昇が、被膜の付着のための基板の加熱に起因することを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記加熱温度Ｔ１までの加熱によって生じる温度上昇が、被膜（１１）が付着された後に行われること、および方法がその後被膜（１１）を除去するステップを含むことを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
加熱温度Ｔ１までの温度上昇が、ガラス遷移温度Ｔｇよりも高い、少なくとも１００℃、好ましくは少なくとも３００℃であることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
基板のガラス遷移温度Ｔｇよりも低いガラス遷移温度Ｔｇ’を有するガラスフリット、特に５００℃以下のガラス遷移温度Ｔｇ’を有するガラスフリットで作られた界面膜が、スクリーン印刷によって付着されることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
被膜が、積層処理後にガラス積層ラインで、またはフロートガラスラインで、またはガラスの再加工で、ＣＶＤによって加熱温度で基板上に付着されることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
被膜がマグネトロンを用いて基板上に付着されることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
冷却が、徐冷炉内で、または熱的焼き戻し条件下で、室温で行われることを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
被膜、特に金属被膜が、膜と基板または随意的界面膜との間の選択的な化学エッチングによって除去されることを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
収縮が、テクスチャ表面上のいずれの点においても、基板の法線に対してプロファイル上のいずれかの点における接線によって形成される角度が３０°超、好ましくは４５°超となり、および／または構造体のテクスチャ表面が、５μｍ×５μｍの分析面積にわたって１．５°未満の粗さパラメータＲｄｑによって定義されるようになっていることを特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
収縮が等方性テクスチャを形成することを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
収縮が、冷却と同時に一方向性の引張応力を印加することによって、異方性テクスチャを形成することを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
有機発光ダイオード装置のための支持体を形成するテクスチャ表面を有する構造体であって、構造体が、ミネラルガラスで作られた界面膜（２）が随意的に付着されている、ミネラルガラスで作られた透明基板（１０）上に設けられており、表面のテクスチャのプロファイルが、突起（１４）および谷（１５）からなり、上記方法請求項のいずれか一項に記載の方法によって得られることが可能である、構造体において、ほとんどの突起が、
長く伸び、２μｍ以上および５００μｍ未満の長さを有し、
少なくとも２つの交差する方向において多方向性であり、
２００ｎｍから４μｍの範囲のピッチまたは疑似周期を有し、所定の方向において、最大疑似周期の１００倍未満の最大数を有し、および
３００ｎｍ以下のサブミクロンサイズの最大しわ高さを有する、しわの形態を取ることを特徴とする、構造体。
【請求項１４】
有機発光ダイオード装置のための支持体を形成するテクスチャ表面を有する構造体であって、構造体が、ミネラルガラスで作られた界面膜（２）が随意的に付着されている、ミネラルガラスで作られた透明基板（１０）上に設けられており、表面のテクスチャのプロファイルが、突起（１４）および谷（１５）からなり、上記方法請求項のいずれか一項に記載の方法によって得られることが可能である、構造体において、テクスチャ表面のフーリエ変換ＦＴが、少なくとも１つの方向において、周波数ｋ’＝２π／λ’を、
ＦＴ（ｋ’）の係数＞０．７５×ＦＴ（ｋ’／２）の係数、
ＦＴ（ｋ’）の係数＞ＦＴ（１．５ｋ’）の係数、および
λ’が２００ｎｍから２μｍの範囲の波長にあるように、有することを特徴とする、構造体。
【請求項１５】
テクスチャ表面のフーリエ変換ＦＴが、λ’が２００ｎｍから２μｍの間の波長範囲にあることきに、ｋ’＝２π／λ’となるように、値ｋ’を中心とし、差｜λ’’−λ’’’｜が１００ｎｍと２μｍとの間にあるときに、ｋ’’＝２π／λ’’とｋ’’’＝２π／λ’’’との間の差に対応するピークの半値全幅として定義される範囲Δｋにわたって、この値周辺で変化する、疑似周期を有することを特徴とする、請求項１４に記載の、基板（１０）の上に設けられた、ＯＬＥＤのための、テクスチャ表面を有する構造体。
【請求項１６】
少なくとも１０％、好ましくは３０％超の等方率を有することを特徴とする、請求項１３から１５のいずれか一項に記載の構造体。
【請求項１７】
テクスチャ表面（１ａ）上のほとんどの点について、接線およびテクスチャ表面の反対面（１２）に対する法線が４５°以上の角度を形成し、および／または構造体のテクスチャ表面が、５μｍ×５μｍの分析面積にわたって１．５°未満の粗さパラメータＲｄｑによって定義されることを特徴とする、構造体請求項のいずれか一項に記載の構造体。
【請求項１８】
テクスチャ表面を有する被膜（１１）を含み、この膜が誘電体、特にＳｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、またはＴｉＯ２、あるいはＳｎＯ２、ＺｎＯ、またはＳｎＺｎＯなどの耐火セラミックであることを特徴とする、上記構造体請求項のいずれか一項に記載の構造体。
【請求項１９】
テクスチャ表面を有する被膜（１１）を含み、この膜が、特にＺｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｓｉ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔおよびこれらの合金から選ばれる、耐火性および／または貴金属であることを特徴とする、請求項１３から１７のいずれか一項に記載の構造体。
【請求項２０】
誘電体被膜（１１）が、１．８以上、および好ましくは２以下の屈折率を有することを特徴とする、請求項１８に記載の構造体。
【請求項２１】
界面膜が、好ましくは６００℃以下、もしくは５００℃以下のガラス遷移温度Ｔｇ’を有する溶融ガラスフリットから得られた膜であることを特徴とする、上記構造体請求項のいずれか一項に記載の構造体。
【請求項２２】
方法請求項のいずれか一項に記載の方法によって得られる構造体（１）、または構造体請求項のいずれか一項に記載の構造体を含む有機発光ダイオード装置（３）において、第一電極を形成し、構造体（１）のテクスチャ面上に付着される、第一透明導電性被覆（３０）と、第一電極（３０）上に付着される１つ以上の有機膜（３１）に基づくＯＬＥＤシステムと、第二電極を形成し、ＯＬＥＤシステム上に付着される、第二導電性被覆（３２）と、をさらに含むことを特徴とする、有機発光ダイオード装置（３）。
【請求項２３】
第一導電性被覆（３０）が、構造体の表面と実質的に一致する表面を有し、被膜と同じかそれ以上の屈折率を有することを特徴とする、請求項２２に記載の有機発光ダイオード装置（３）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ダイオード装置を支持するミネラルガラスで作られた透明基板上に設けられたテクスチャ表面を有する構造体を製造する方法、およびそのような構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＬＥＤ、すなわち有機発光ダイオードは、有機発光材料、または有機発光材料の多層構造体を含み、２つの電極によって囲まれており、電極のうちの１つはガラス基板に関連づけられたものからなるアノードであり、別の電極はアノードとは反対に有機材料上に配置されているカソードである。
【０００３】
ＯＬＥＤは、アノードから注入される正孔およびカソードから注入される電子の再結合エネルギーを使用して、電界発光によって発光する装置である。アノードが透明である場合には、放出された光子は、装置を超えて光を供給するように、透明アノードおよびＯＬＥＤを支持するガラス基板を通過する。
【０００４】
ＯＬＥＤは、通常は、ディスプレイ画面に、またはより最近では照明装置にも使用されるが、しかし異なる制約を有する。
【０００５】
一般的な照明システムでは、可視スペクトルの特定のまたはすべての波長が放出されるので、ＯＬＥＤから取り出される光は「白色」光である。光はさらに、均一に放出されなければならない。この点に関して、より正確にはランベルト発光と呼ばれ、すなわちランベルトの法則にしたがい、すべての方向において等しい光度発光を特徴とする。
【０００６】
また、ＯＬＥＤは、光取り出し効率が低く、ガラス基板から実際に出射する光と発光材料によって放出される光との間の比率が比較的低く、約０．２５である。
【０００７】
この現象は、特に特定数の光子がカソードとアノードとの間に閉じ込められたままであるということによって説明される。
【０００８】
したがって、ＯＬＥＤの効率を改善するための、すなわち可能な限り均一な白色光を供給しながら取り出し効率を向上させるための解決法が、求められている。本明細書の以下の部分において、「均一」という用語は、強度、色、および空間において均一なことを意味すると理解される。
【０００９】
ガラス−アノード接合面において、回折格子を形成し、そうして取り出し効率を向上させる、周期的突起構造を設けることが知られている。
【００１０】
米国特許出願公開第２００４／０２２７４６２号明細書は、アノードおよび有機膜を支持する、テクスチャのある透明なＯＬＥＤ基板を有する、回折による光学的解決法を示している。このため基板の表面は、突起と谷の繰り返しを有し、そのプロファイルには、上に付着されるアノードおよび有機膜が続く。基板のプロファイルは、基板の表面にフォトレジストで作られたマスクを塗布することによって得られ、そのパターンは突起に求められるものに対応し、そしてマスクを通じて表面をエッチングする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００４／０２２７４６２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
このような方法は、広い基板面積にわたって産業的に実行するのが容易ではなく、特に照明用途では、とりわけ費用がかかりすぎる。
ＯＬＥＤでは電気的故障がさらに観察される。
【００１３】
したがって、本発明は、向上した取り出し効率、十分に均一な白色光、および向上した信頼性を同時に保証する、特に多色（白色）ＯＬＥＤのための基板を製造する方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の１つの目的は、有機発光ダイオード装置のための支持体を形成するテクスチャ表面を有する構造体を製造する方法であって、構造体は、ミネラルガラスで作られた随意的界面膜で被覆された、ミネラルガラスで作られた透明基板上に設けられており、テクスチャのプロファイルは突起および谷からなり、方法はテクスチャ表面を形成するために、
基板の主面の少なくとも１つに、好ましくは実質的にそのすべての領域にわたって、または上記随意的界面膜上に、それぞれ、被膜、好ましくは実質的に無機質の被膜を付着させるステップであって、被膜は３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下、もしくは５０ｎｍ以下の厚みを有し、基板または上記界面膜のそれぞれよりも少なくとも１０倍薄く、好ましくは少なくとも１００倍薄い、ステップと、
基板または随意的界面膜のガラスのガラス遷移温度Ｔｇよりも高い加熱温度Ｔ１まで十分に温度をそれぞれ上昇させることによって、および基板または随意的界面膜をそれぞれ冷却することによって、基板または界面膜をそれぞれ収縮させるステップであって、冷却は被膜の付着後に行われ、加熱温度Ｔ１からガラス遷移温度Ｔｇまでの、基板または随意的界面膜のそれぞれのガラスの自由熱収縮ε１と、被膜の自由熱収縮ε２との間の差は、式ε１−ε２＝（α１−α２）（Ｔ１−Ｔｇ）によって与えられ、ここでα１はＴｇを超えるガラスの平均線形熱膨張係数であり、α２はＴｇを超える被膜の平均線形熱膨張係数であるが、これが少なくとも０．１％、好ましくは０．３％超、もしくは０．５５％以上である、ステップと、を含む。
【００１５】
これは周期的なので、先行技術の格子は特定の波長の辺りで取り出し効率の向上を最適化するが、白色発光を促進せず、反対に、これは特定の波長を選択する傾向があり、たとえば青色または赤色でより発光することになる。
【００１６】
対照的に、本発明の方法によって得られるテクスチャプロファイルは、周期および深さの観点からその固有のサイズがＯＬＥＤから光を取り出すのに特に適している突起を提供する。
【００１７】
さらに、鋭すぎる角度で尖りすぎている突起は、アノードとカソードとの間に電気的接触を生じ、このためＯＬＥＤを劣化させる危険性がある。
【００１８】
表面を定義するために、
平均勾配を示し、最大値を設定するための、よく知られている粗さパラメータＲｄｑ、および
随意的に、最大高さを示し、最大値を、加えて随意的に取り出しを促進するように最小値も設定するための、よく知られている粗さパラメータＲｍａｘを導入することが好ましい。
【００１９】
このため、好適な一実施形態において、収縮は、構造体のテクスチャ表面が、５μｍ×５μｍの分析面積にわたって、たとえば５１２個の測定点で、１．５°未満、好ましくは１°未満、もしくは０．７°以下の粗さパラメータＲｄｑ、および好ましくは２０ｎｍ以上、および随意的に１００ｎｍ未満の粗さパラメータＲｍａｘによって、定義されるようになっている。
【００２０】
分析面積は、測定される粗さに応じて適切に選択される。表面の粗さパラメータは、好ましくは原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を使用して測定される。
【００２１】
方法はまた、構造体が、そのテクスチャ表面上のいずれの点においても、プロファイル上のいずれかの点における接線によって基板に対する法線とともに形成される角度が３０°超、好ましくは４５°超となるようになっている。
【００２２】
この方法のおかげで、単純かつ広い面積にわたって付着される可能性のある方法で、ガラスベース基板にテクスチャ（通常はしわ）が付与される。
【００２３】
さらに、しわ付け後に被膜を除去したくない場合には、その表面は実質的に共形であるので、上記被膜は得られたテクスチャパターンを妨害せず、そのしわは、しわの谷およびピーク上およびしわの側面の両方で、ガラス基板のしわ付けに関して、均一および均質である。
【００２４】
本発明の方法の１つの特徴によれば、被膜の付着のために基板を加熱した結果として温度上昇が生じる。
【００２５】
変形例として、上記加熱温度Ｔ１まで加熱することによって生じる温度上昇は、被膜が付着された後に発生し、そうすると方法は被膜を除去するステップを含む。
【００２６】
別の特徴によれば、加熱温度Ｔ１までの温度上昇は、少なくとも１００℃、好ましくは少なくとも３００℃、ガラス遷移温度Ｔｇよりも高い。
【００２７】
基板のＴｇよりも低いガラス遷移温度Ｔｇ’を有するガラスフリットで作られた界面膜は、好ましくはスクリーン印刷によって付着され、この界面膜は、特に５００℃以下のガラス遷移温度Ｔｇ’を有するガラスフリットである。
【００２８】
有利なことに、被膜は、積層処理の後に、ガラス積層ラインで、またはフロートガラスラインで、またはガラスの再加工で、ＣＶＤによって高温で基板上に付着される。
【００２９】
変形例として、被膜はマグネトロンを使用して基板上に付着される。
【００３０】
方法の別の特徴によれば、冷却は、徐冷炉内で、または熱的焼き戻し条件下で、室温で行われる。
【００３１】
被膜、特に金属被膜は、膜と基板または随意的界面膜との間の選択的な化学エッチングによって除去される。
【００３２】
このため方法は、等方性テクスチャを形成する収縮を生じさせる。対照的に、これは、冷却と同時に一方向の引張応力を印加することによって、異方性テクスチャを形成する。
【００３３】
本発明の別の対象は、有機発光ダイオード装置のための支持体を形成するテクスチャ表面を有する構造体であって、構造体は、ミネラルガラスで作られた界面膜が随意的に付着されている、ミネラルガラスで作られた透明基板上に設けられており、表面のテクスチャのプロファイルは、突起および谷からなり、上記で定義された方法によって得られる。
【００３４】
このようなプロファイルの突起の大部分（少なくとも７０％および８０％以上）は、
長く伸び（特に適度に波状であって、各々が実質的に一定の幅を有している）、しわがすべて同じ方向に向くいずれの領域のサイズも限定するように、２μｍ以上、および好ましくは５μｍ以上の長さ、ならびに５００μｍ、もしくは３００μｍ未満、より好ましくは１００μｍ未満の長さを有し、
少なくとも２つの交差する方向、特に少なくとも３つの方向において多方向性であり、方向は好ましくは相互に１０°以上、もしくは４５°以上の角度を形成し、
２００ｎｍから４μｍの範囲、好ましくは３００ｎｍから２μｍの範囲、より好ましくは４００ｎｍから７００ｎｍの範囲の、ピッチまたは疑似周期を有し（すなわち、所定の方向で少なくとも３回繰り返す、実質的に同じ高さおよび同じ幅のしわを有し）、
好ましくは最大疑似周期の１００倍より低い、好ましくは５０倍より低い、より好ましくは２０倍より低い、１つの同じ所定方向における最大数を有し、
３００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ未満、さらにより好ましくは１００ｎｍ以下の、サブミクロンサイズの最大高さを有し、
好ましくは、２０ｎｍまたは３０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上の最小高さを有する、（好ましくは実質的に丸みを帯びたピークを有する）しわの形態を取る。
【００３５】
本発明の（ここではしわと見なされてもよい）テクスチャはさらに、そのフーリエ変換によって定義されてもよい。
【００３６】
このため本発明の別の対象は、有機発光ダイオード装置のための支持体を形成するテクスチャ表面を有する構造体であって、構造体は、ミネラルガラスで作られた界面膜が随意的に付着される、ミネラルガラスで作られた透明基板上に設けられており、表面のテクスチャのプロファイルは、突起および谷からなり、上記で定義された方法によって取得可能である。テクスチャ表面の、「ＦＴ」で示されるフーリエ変換は、少なくとも１つの方向において、以下のように周波数ｋ’＝２π／λ’をさらに有する：
ＦＴ（ｋ’）の係数＞０．７５×ＦＴ（ｋ’／２）の係数、および好ましくはＦＴ（ｋ’）の係数＞ＦＴ（ｋ’／２）の係数、
ＦＴ（ｋ’）の係数＞ＦＴ（１．５ｋ’）の係数、および好ましくはＦＴ（ｋ’）の係数＞２×ＦＴ（１．５ｋ’）の係数、および
λ’は、２００ｎｍから２μｍ、好ましくは３００ｎｍから１μｍ、好ましくは４００ｎｍから７００ｎｍの範囲の波長にある。
【００３７】
一般的に、ランダムテクスチャのＦＴはピークを有していないが、ＦＴはｋとともに減少する形状を有する。
【００３８】
したがって、ＯＬＥＤに役立つ、本発明によるテクスチャの特徴は、以下の通りである：
（疑似）周期の存在、
ｋが増加し、その後さらに高いｋ値で急に減少しても、ＦＴはほぼ平坦なままである、および
好ましくはＦＴは最大値を通過し、その後さらに高いｋ値で急に減少する。
【００３９】
このテクスチャは、最小数の無効周波数を有するので、ＯＬＥＤに適している。通常、ランダムテクスチャでは、ＦＴは緩やかに減少する。周波数ｋ’において特定のエネルギーを有するためには、ｋ’を下回るすべての周波数においてエネルギーを有する必要があり、より高い周波数でもなおエネルギーが存在する（ＦＴにおける緩やかな減少）。これはしばしば非常に大きい突起またはピークツーバレー高を有してＯＬＥＤには不適合なテクスチャを含む。
【００４０】
本発明によるテクスチャでは、すべての周波数においてエネルギーが存在するのではなく、具体的には低周波数では可能な限り小さいエネルギーが存在する。これは、大きなピークツーバレー高を有することなく、光取り出しに適した周波数において、より多くのエネルギーを有することを可能にする。
【００４１】
このために、本発明の別の対象は、有機発光ダイオード装置のための支持体を形成するテクスチャ表面を有する構造体であって、構造体は、ミネラルガラスで作られた界面膜が随意的に付着される、ミネラルガラスで作られた透明基板上に設けられており、表面のテクスチャのプロファイルは、突起および谷からなり、上記で定義された方法によって取得可能である。フーリエ変換ＦＴは、λ’が２００ｎｍから２μｍの間、好ましくは３００ｎｍから１μｍの間、特に４００ｎｍから７００ｎｍの間の範囲の波長にあるときにｋ’＝２π／λ’となるように値ｋ’を中心とする疑似周期であって、差｜λ’’−λ’’’｜が１００ｎｍと２μｍとの間、好ましくは２００ｎｍと１０００ｎｍとの間、および具体的には２５０ｎｍと５００ｎｍとの間にあるときに、ｋ’’＝２π／λ’’とｋ’’’＝２π／λ’’’との間の差に対応するピークの半値全幅として定義される範囲Δｋにわたって、この値周辺で変化する疑似周期をさらに有する。
【００４２】
これに加えて、本発明の方法によって得られる構造体は、基板の表面に対して平行な多くの方向に沿って存在するしわを提供する。この多方向配置は、構造体の等方特性を定義する。このため構造体は、等方率を有する。
【００４３】
等方率は、以下のように計算されてもよい：
たとえば３．６°ごとに１００個のプロファイルなど、非常に多数の角度についてフーリエ変換の中心を通るプロファイルが求められ、
抽出されたプロファイルの各々が、λ’が２００ｎｍから２μｍの間、好ましくは３００ｎｍから１μｍの間、特に４００ｎｍから７００ｎｍの間の範囲の波長にあるときにｋ’＝２π／λ’となるように値ｋ’を中心とするピークを有し、ｋ’’＝２π／λ’’とｋ’’’＝２π／λ’’’との間の差に対応するピークの半値全幅として定義される範囲Δｋにわたって、この値周辺で変化することを検証するために、確認が実行され、ここで差｜λ’’−λ’’’｜は１００ｎｍと２μｍとの間、好ましくは２００ｎｍと１０００ｎｍとの間、および具体的には２５０ｎｍと５００ｎｍとの間にあり、
上記の基準に適合する１００個のうちｎ個のプロファイルが、そこから等方率ｎ／１００を引き出すように、計数される。
【００４４】
等方率は、少なくとも１０％、好ましくは３０％超、および特には６０％超である。したがって、取り出された光は空間的に均一である。
【００４５】
本発明のテクスチャのプロファイルは、好ましくは「準周期的」曲線によって近似される。このプロファイルは、被膜の厚みに、その性質に、および本発明によって提供されるテクスチャを製造する方法に、依存する。
【００４６】
本発明によれば、２つの突起を分離するピッチは、光の波長とほぼ同じ、すなわち２００ｎｍから２μｍの間、好ましくは３００ｎｍから１μｍの間、および可視光については特には４００ｎｍから７００ｎｍの間の周期で、準周期的である。しかしながら、有利なことに、本発明によれば、このためにより広い通過帯域を提供するように、特定の波長範囲がこの周期性の辺りで得られる。これが、「準周期的」プロファイルの意味するものである。このプロファイルに関するさらなる詳細は、フーリエ変換を使用してその特性化について以下に記載される。
【００４７】
構造体のテクスチャ、このプロファイルが得られる方法、および被膜の性質は、組み込まれたときに光取り出しおよびこの光の均一性をさらに最適化する特徴である。
【００４８】
好適な実施形態において、構造体のテクスチャ表面は、テクスチャ表面の反対側の面の法線に対して４５°以上の角度を形成する接線を有するほとんどの点によって定義され、および／または５μｍ×５μｍの分析面積にわたって、たとえば５１２個の測定点で、１．５°未満、好ましくは１°未満、もしくは０．７°以下の粗さパラメータＲｄｑ、および２０ｎｍ以上、および随意的に１００ｎｍ未満の粗さパラメータＲｍａｘによって、定義される。
【００４９】
被膜は好ましくは、
特に良好な耐熱性を有するように、本質的に無機質であり、および／または
誘電体（非金属であるという意味において）、好ましくは（一般的に、文献において知られるように、１０９Ωｃｍより高いバルク電気抵抗を有する）電気絶縁体、または（一般的に、文献において知られるように、１０−３Ωｃｍより高く１０９Ωｃｍより低いバルク電気抵抗を有する）半導体であり、および／または
基板の透明度を目に見えて変化させない、たとえばこの膜で被覆された基板は、７０％、もしくは８０％以上の光透過率ＴＬを有してもよい。
【００５０】
１つの有利な特徴によれば、被膜は誘電体、特に耐火セラミック、具体的にはＳｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＺｎＯ、またはＳｎＯ２である。誘電体膜は、１．８以上、および好ましくは２以下の、屈折率を有する。
【００５１】
Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｓｉ、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔおよびこれらの合金など、耐火性および／または貴金属で作られた被膜もまた、このような膜は一般的にセラミック膜よりもガラスの表面から除去しやすいので、被覆を除去したい場合には特に、有利である。
【００５２】
さらに別の特徴によれば、界面膜は、好ましくは６００°以下、もしくは５００度以下のガラス遷移温度Ｔｇ’を有する溶融ガラスフリットから得られる膜である。
【００５３】
最後に、本発明の別の対象は、上記で定義され、本発明の方法によって得られた構造体を組み込んでいる、有機発光ダイオード装置である。装置はまた、第一（下部）電極を形成し、構造体のテクスチャ表面上に付着されている、第一透明導電性被覆と、第一電極上に付着された１つ以上の有機膜に基づくＯＬＥＤシステムと、第二（上部）電極を形成してＯＬＥＤシステム上に付着されている第二導電性被覆と、を含む。
【００５４】
有利なことに、第一導電性被覆は、構造体の表面と実質的に一致し、被膜と同じかそれより高い屈折率を有する表面を有している。
【００５５】
ＯＬＥＤは、特には、１×１ｃｍ２以上、もしくは５×５ｃｍ２、もしくは１０×１０ｃｍ２以上の（固体）上部電極領域を有する、照明板、またはバックライト（実質的に白色および／または均一）を形成してもよい。
【００５６】
このため、ＯＬＥＤは、（実質的に白色の）多色光を放出する（単一の電極領域を備える）単一の照明板を、または各々の照明板が１×１ｃｍ２以上、もしくは５×５ｃｍ２以上、もしくは１０×１０ｃｍ２以上の（固体）電極領域を有する、（実質的に白色の）多色光を放出する（複数の電極領域を備える）多数の照明板を形成するよう設計されてもよい。
【００５７】
このため本発明による、特に照明向けのＯＬＥＤは、非画素化電極を選択することが可能である。これは、各々が与えられたほぼ単色光（通常は赤色、緑色、または青色）を放出する、３つの並置された、通常は非常に小さい画素で形成されるディスプレイ画面（ＬＣＤなど）電極とは異なる。
【００５８】
ＯＬＥＤシステムは、０°において、ＸＹＺ  １９３１  ＣＩＥ色空間における（ｘ１、ｙ１）座標によって定義された多色光を放出することが可能であってもよく、したがって座標は直角に入射する光に与えられる。
【００５９】
ＯＬＥＤは、上部電極が反射型か、それぞれ半反射型か、または透過型かに応じて、背面発光または随意的に前面発光であってもよい（特にアノードに匹敵する、通常は６０％超、好ましくは８０％以上のＴＬを有する）。
【００６０】
ＯＬＥＤシステムは、特に０°において、（０．３３；０．３３）または（０．４５；０．４１）に可能な限り近い座標を有する、（実質的な）白色光を放出することが可能であってもよい。
【００６１】
実質的な白色光を生成するためには、いくつかの方法が可能であり、単一層における成分の混合（赤色、緑色、および青色発光）、電極の面上の、３つの有機構造体（赤色、緑色、および青色発光）の多層、または２つの有機構造体（黄色および青色）である。
【００６２】
ＯＬＥＤは、特に０°において、（０．３３；０．３３）または（０．４５；０．４１）に可能な限り近い座標を有する、（実質的な）白色光の出力として生成することが可能であってもよい。
【００６３】
装置は、複層グレージングユニットの一部、特に真空空洞あるいは空気またはその他の気体が充填された空洞を含むグレージングであってもよい。装置はまた、より小型および／または軽量となるように、一枚グレージング板を含む一体型であってもよい。
【００６４】
ＯＬＥＤは、キャップと呼ばれる別の平面基板に結合されるか、または好ましくは積層中間層を使用して積層されてもよく、この平面基板は好ましくはガラスなどのように透明であって、特に清澄ガラスが使用されている。
【００６５】
本発明はまた、外部および内部に配置される１つ以上の透過型および／または反射型（鏡面機能）発光表面を形成するために使用される、これらのＯＬＥＤのために見出されてもよい様々な用途にも関する。
【００６６】
装置は、（代替的にまたは追加的に）照明システム、装飾システム、または建築システムなど、またはたとえばデザイン、ロゴ、または英数字看板など、特に非常口標識などのディスプレイまたは標識板を形成してもよい。
【００６７】
ＯＬＥＤは、特に均一な照明のための均一な多色光を生成するように、あるいは同じかまたは異なる強度を有する様々な発光領域を生成するように、配置されてもよい。
【００６８】
ＯＬＥＤの電極および有機構造体が透過型となるように選択されるとき、特に発光窓を形成することが可能である。すると、室内の照明の改良は、光の透過を損なうためになされない。さらに、特に発光窓の外側からの、光の反射を制限することによって、たとえば建物のカーテンウォールについて施行されている防眩基準に合うように、反射レベルを制御することも可能である。
【００６９】
より広範には、特に部分的またはどこでも透明な、装置は、
発光室外グレージングユニット、発光室内間仕切りまたは発光グレージングドア、特にスライドドア（またはその一部）向けなど、建物で使用されるように意図され、
発光屋根、発光側面窓（またはその一部）、陸上、海上、または航空用の乗り物（自動車、トラック、列車、飛行機、ボートなど）向けの発光室内間仕切り向けなど、輸送手段で使用されるように意図され、
バス待合所のパネル、展示キャビネットの壁、宝飾品店の展示ケースまたはショップウィンドウ、温室の壁、発光タイル向けなど、ドメスティックまたは業務環境において使用されるように意図され、
棚または家具要素、家具製品の前面、発光タイル、天井光またはランプ、発光冷蔵庫棚、水槽の壁向けなど、室内取付具として使用されるように意図され、
テレビジョンまたはコンピュータ画面またはタッチパネルなど、電子機器、特にディスプレイ画面、随意的に二重スクリーンの背面照明のために意図されてもよい。
【００７０】
ＯＬＥＤは通常、使用される有機材料に応じた２つの幅広いファミリーに分割される。
【００７１】
発光膜が小さい分子で形成されている場合、ＳＭ−ＯＬＥＤ（小分子有機発光ダイオード）と呼ばれる。通常、ＳＭ−ＯＬＥＤの構造体は、正孔注入膜多層（ＨＩＦ）、正孔輸送膜（ＨＴＦ）、発光膜、および電子輸送膜（ＥＴＦ）からなる。
【００７２】
有機発光多層の例は、たとえばＯｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  ８  （２００７）  ６８３〜６８９ページに公開されているＣ．Ｈ．Ｊｅｏｎｇらによる「ｆｏｕｒ  ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  ｗｈｉｔｅ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅｓ  ｕｓｉｎｇ  ４，４’−ｂｉｓ−［ｃａｒｂａｚｏｙｌ−（９）］−ｓｔｉｌｂｅｎｅ  ａｓ  ａ  ｄｅｅｐ  ｂｌｕｅ  ｅｍｉｓｓｉｖｅ  ｌａｙｅｒ（深青色発光層として４，４’−ビス−［カルバゾイル−（９）］−スチルベンを使用する４波長白色有機発光ダイオード）」と題される文献に記載されている。
【００７３】
有機発光膜がポリマーである場合、ＰＬＥＤ（ポリマー発光ダイオード）と呼ばれる。
【００７４】
本発明はここで、本発明の範囲を如何様にも限定しない単純に説明例を使用して、および以下の添付図面を使用して、記載される。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明によるテクスチャ構造体の模式的断面図である。
【図２】図１の変形例である。
【図３ａ】本発明の第一の実施形態における構造体のテクスチャ表面の光学顕微鏡写真である。
【図３ｂ】図３ａの写真のフーリエ変換である。
【図３ｃ】図３ｂに示されるフーリエ変換のプロファイルの図である。
【図４ａ】本発明の第二の実施形態における構造体のテクスチャ表面の光学顕微鏡写真である。
【図４ｂ】図４ａの写真のフーリエ変換である。
【図４ｃ】図４ｂに示されるフーリエ変換のプロファイルの図である。
【図５ａ】本発明の第三の実施形態における構造体の異方性および準周期的テクスチャリングの走査型顕微鏡写真である。
【図５ｂ】図５ａの写真のフーリエ変換である。
【図６】本発明の範囲に含まれず、先行技術の一部でもない界面膜を有する例示的なテクスチャの光学顕微鏡写真である。
【図７】本発明によるＯＬＥＤの模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００７６】
図１は、本発明による、好ましくは等方性で準周期的なテクスチャ構造体１を示す。これは、その主面１ａの１つにおいて、光子がこのテクスチャ表面に当たって前記構造体を通過するときに、最終的な光取り出し効率を最適化するように、および狭すぎる波長範囲内の取り出しを最小化することによって白色光を、および特に空間的に可能な限り均一な光を得るように、より少ない光を反射するように意図されているテクスチャを有する。
【００７７】
構造体１は、本発明の方法を用いて一旦製造されると、透明なミネラルガラスで作られた基板１０、随意的に（例示に基づいて以下に記載される）特定の特性を有する膜である透明被膜１１、および随意的に、一変形例において、ミネラルガラスで作られて被膜と基板との間に付着された透明界面膜２を含む（図２）。
【００７８】
基板１０は、ミネラルガラスで作られており、０．７ｍｍから３ｍｍの間の厚さである。これは第一主面１２、および、しわが得られた後に被膜１１が除去されていないときには被膜１１で、または変形実施例では界面膜２で、その面積のすべてにわたって被覆されている、反対側の第二主面１３を有する。
【００７９】
構造体１は、谷１５の繰り返しを形成する多数の突起１４を含むように、その主面１ａをテクスチャ化する。
【００８０】
図１に見られるように、構造体１は被膜１１のみを含み、テクスチャは、被膜の厚みで、ガラス基板内の特定の深さまで、再生されている。
【００８１】
このため、ガラス基板の第二面１３は、平坦ではなく、一方がほぼ他方に追従している、被膜１１と同一のプロファイルを有する。
【００８２】
被膜１１の厚みは、その面積全体にわたって均一であり、少なくとも５ｎｍである。所望の構造体を有するために、厚みは膜の性質に、およびガラスと被膜１１との間で高温ガラスまたは粘性界面膜２が収縮させられる量に、依存する。
【００８３】
本発明者らは、電極を受けることになる構造体の外部表面にとっていかなる鋭い先端も有していないことが最優先であることを実証した。
【００８４】
したがって、この要件が満たされることを保証するために、テクスチャ表面は、５μｍ×５μｍの分析面積にわたって、好ましくはＡＦＭによって測定される、１．５°未満の粗さパラメータＲｄｑ、および好ましくは１００ｎｍ以下の粗さパラメータＲｍａｘによって定義される。
【００８５】
テクスチャ表面のほとんどの点における接線は、反対側の平坦な面の法線に対して、３０°以上、好ましくは少なくとも４５°の角度も形成する。
【００８６】
本発明の方法による収縮のための加熱温度は、基板またはミネラルガラスで作られた界面膜にとって十分に低い粘度に対応温度である、ガラスのガラス遷移温度よりも少なくとも１００℃から３００℃高い。被膜１１として好適な材料の例は、Ｓｉ３Ｎ４またはＳｉＯ２である。
【００８７】
ガラス基板の面１３および被膜１１は、互いに密着されているが、これらは同一のプロファイルを有する一体のアセンブリである。
【００８８】
図２の変形実施形態において、ガラス基板の面１３は平坦なままであり、以下の製造方法の記述に見られるように、被膜１１のおかげで得られたテクスチャは、界面膜２上に形成される。
【００８９】
このため界面膜２の収縮によって得られるプロファイルは、被膜１１の厚み全体にわたって、および前記界面膜の厚み全体にわたって、製造される。このため基板の面１３はテクスチャ表面を有する。
【００９０】
テクスチャのプロファイルは、被膜１１の厚みと、その性質と、および本発明によって提供されるテクスチャを製造する方法と、一致する。
【００９１】
本発明によるテクスチャ構造体の実施例１
図３ａは、本発明の第一の実施形態におけるテクスチャ表面の光学顕微鏡写真を示す。
【００９２】
約１ｍｍの厚み、５５０℃に等しいガラス遷移温度Ｔｇ、および５５０℃（Ｔｇ）を超える温度で３０×１０−６Ｋ−１に近い平均線形熱膨張係数を有する、ソーダ石灰シリカガラスで作られた基板が選択された。
【００９３】
冷却による基板の収縮のための加熱温度Ｔ１は、７５０℃となるように選択された。
【００９４】
被膜は、マグネトロン真空プロセスを用いて、未加熱のガラス基板上に付着された。この膜はＺｎＯで作られ、５０ｎｍに等しい厚み、および５５０℃（Ｔｇ）を超える温度で６０×１０−７Ｋ−１に近い平均線形熱膨張係数を有していた。
【００９５】
したがって、加熱温度Ｔ１からガラス遷移温度Ｔｇまでの、ガラスの自由熱収縮ε１と被膜の自由熱収縮ε２との間の差は、０．４８％であった。計算は、明細書の導入部分で先に与えられた式を使用して、実行された。
【００９６】
形状的な観点から、サブミクロンサイズの突起は主に、
長く伸び、ある程度波状であり、各々実質的に一定の幅を有しており、
４から１０μｍの間の長さであり、
少なくとも１０°、もしくは２０°以上の角度を形成する方向で、多方向性（複数の方向に沿う）であり、
０．７μｍから２μｍの間にあって２つのしわを分離するピッチ（準周期）を有する、しわの形態を取る。
【００９７】
図３ｂは、図３ａに示される画像のフーリエ変換（ＦＴ）に対応する。フーリエ変換は、しわが実際に等方性であることを示している。
【００９８】
具体的には、ここで見られるのは、中心に対して対称的であり、波数ベクトルｋが増加するにつれて減少するＦＴである。ＦＴは完璧な回転対称を有しておらず、すなわちテクスチャがわずかに配向されていることを意味する。
【００９９】
ＦＴにおける減少は、５μｍ−１の値に到達するまではかなり緩やかである。８μｍ−１でほぼゼロ値に到達すると、これは急峻になる。
【０１００】
図３ｃは、図３ｂの図のフーリエ変換のプロファイルを示す。
【０１０１】
テクスチャ表面のフーリエ変換は、少なくとも１つの方向において、ここでは３．５μｍ−１に等しい、すなわちλ’＝１．８μｍである、周波数ｋ’＝２π／λ’を有する。
【０１０２】
比率：ＦＴ（ｋ’）の係数／ＦＴ（ｋ’／２）の係数＝１。
【０１０３】
比率：ＦＴ（ｋ’）の係数／ＦＴ（ｋ’／１．５ｋ’）の係数＝４。
【０１０４】
等方率は約８０％。
【０１０５】
等方率は、上記で明細書に記載された通りに計算された。
【０１０６】
本発明によるテクスチャ構造体の実施例２
図４ａは、本発明の第二の実施形態におけるテクスチャ表面の光学顕微鏡写真を示す。
【０１０７】
約１ｍｍの厚み、６９０℃に等しいガラス遷移温度Ｔｇ、および６９０℃（Ｔｇ）を超える温度で３０×１０−６Ｋ−１に近い平均線形熱膨張係数を有する、アルミノケイ酸ガラスで作られた基板が選択された。
【０１０８】
冷却による基板の収縮のための加熱温度Ｔ１は、９００℃となるように選択された。
【０１０９】
被膜は、マグネトロン真空プロセスを用いて、未加熱のガラス基板上に付着された。前記膜は、５０ｎｍに等しい厚み、および６９０℃（Ｔｇ）を超える温度で５×１０−７Ｋ−１に近い平均線形熱膨張係数を有する、ＳｉＯ２で作られていた。
【０１１０】
したがって、加熱温度Ｔ１からガラス遷移温度Ｔｇまでの、ガラスの自由熱収縮ε１と被膜の自由熱収縮ε２との間の差は、０．６２％であった。
【０１１１】
形状的な観点から、サブミクロンサイズの突起は主に、
長く伸び、ある程度波状であり、各々実質的に一定の幅を有しており、
４から１５μｍの間の長さであり、
少なくとも１０°、もしくは２０°以上の角度を形成する方向で、多方向性（複数の方向に沿う）であり、
１．５μｍから２．５μｍの間にあって２つのしわを分離するピッチ（準周期）を有する、しわの形態を取る。
【０１１２】
図４ｂは、図４ａに示される画像のフーリエ変換に対応する。先の実施例と同様に、フーリエ変換は、しわが実際に等方性であることを示している。
【０１１３】
具体的には、ここで見られるのは、中心に対して対称的なＦＴである。ＦＴは、中心の周りにリングを有しており、これは実際に正確なピッチを有するテクスチャの特徴である。ＦＴの最大値は、約４．２μｍ−１の辺りの値に位置している。ＦＴは完璧な回転対称を有しておらず、すなわち図４ａのテクスチャがわずかに配向されていることを意味する。
【０１１４】
ＦＴにおける減少は、より高い波数ベクトルｋの値ではかなり急峻であり、９μｍ−１でほぼゼロ値に到達した。
【０１１５】
また、本発明者らは、プロファイルが十分に等方性なだけではなく、好ましくは準周期的でもあることを実証した。
【０１１６】
さらに、図４ｂにおける画像の中心を通過する、任意の方向のフーリエ変換の断面図を考慮すると、図４ｃの曲線形状を有するフーリエ変換のプロファイルが得られる。
【０１１７】
テクスチャ表面のフーリエ変換は、少なくとも１つの方向において、ここでは４．２μｍ−１に等しい、すなわちλ’＝１．５μｍである、周波数ｋ’＝２π／λ’を有する。
【０１１８】
比率：ＦＴ（ｋ’）の係数／ＦＴ（ｋ’／２）の係数＝３．５。
【０１１９】
比率：ＦＴ（ｋ’）の係数／ＦＴ（１．５ｋ’）の係数＝３．５。
【０１２０】
図４ｃの曲線は、実質的にガウス形状のピークをさらに有する。グラフの原点０からのこのピークの分離は、平均周期、すなわち２つの隣接する突起１４の間の平均ピッチに対応する。
【０１２１】
プロファイルは、ピークが周期値ｋ’を中心に、ピークの半値と見なされる幅Δｋにわたって分布しているという意味において、「準周期的」である。結果的に、突起のほとんどがλ’＝２π／ｋ’となるように周期λ’によって相互に分離される場合、他のものは、ｋ’’＝２π／λ’’となるように周期λ’’によって分離され、ここでｋ’’はこの値ｋ’周辺で変化しており、そして他のものはさらにｋ’’’＝２π／λ’’’となるようにλ’’’によって分離され、ここでｋ’’’はこの値ｋ’周辺で変化する。
【０１２２】
このピークは、ｋ’＝２π／λ’となるような値ｋ’を中心とするが、ここでλ’は上記で定義された波長範囲に属し、すなわちλ’は［２００ｎｍ；２μｍ］の範囲内にある。
【０１２３】
さらに、このピークの幅Δｋが最適化される。Δｋを、ｋ’’＝２π／λ’’とｋ’’’＝２π／λ’’’との差に対応するピークの半値全幅と考えると、本発明による差｜λ’’−λ’’’｜は、１００ｎｍから２μｍの間にある。
【０１２４】
結果的に、突起を分離するピッチは、波長値λ’を中心に、
【数１】
2012523072.tif 000003
の範囲内で変化する。
【０１２５】
このように、単一のテクスチャを用いて、光の全波長範囲をカバーすることが可能である。
【０１２６】
実施例２の場合、以下が得られる。
λ＝５５０ｎｍおよび｜λ’’−λ’’’｜＝３００ｎｍ、これにより５５０ｎｍ±１５０ｎｍ、すなわち４００ｎｍから７００ｎｍの間に対応する範囲が与えられる。
【０１２７】
したがって、このようなプロファイルを備えるテクスチャは可視スペクトルをカバーし、白色光は取り出されるが、たとえばスペクトル内の所定の色に対応する制限された波長範囲まで低下された光は取り出されないことを確実にする。
【０１２８】
等方率は約７５％であった。
【０１２９】
本発明によるテクスチャ構造体の実施例３
図５ａは、本発明の第三の実施形態で実質的に同じ方向に沿って配向された異方性しわの走査型電子顕微鏡写真である。これは、構造体が熱いうちに垂直の引張応力を印加することによって、製造方法中にガラス基板に異方性変形を加えることによって、得られた。
【０１３０】
約１ｍｍの厚み、５５０℃に等しいガラス遷移温度Ｔｇ、および５５０℃（Ｔｇ）を超える温度で３０×１０−６Ｋ−１に近い平均線形熱膨張係数を有する、ソーダ石灰シリカガラスで作られた基板が選択された。
【０１３１】
被膜はＳｎＯ２で作られ、８００℃（冷却による基板の収縮のための加熱温度Ｔ１）の温度まで加熱されたすでに高温の基板上に、ＣＶＤによって付着された。その厚みは１５ｎｍであって、その平均線形熱膨張係数は５５０℃（Ｔｇ）を超える温度で４．５×１０−６Ｋ−１に近かった。
【０１３２】
したがって、加熱温度Ｔ１からガラス遷移温度Ｔｇまでの、ガラスの自由熱収縮ε１と被膜の自由熱収縮ε２との間の差は、０．６３５％であった。
【０１３３】
形状的な観点から、サブミクロンサイズの突起は主に、
長く伸び、ある程度波状であり、各々実質的に一定の幅を有しており、
２から５μｍの間の長さであり、
約１０°の角度を形成する方向で、多方向性（複数の方向に沿う）であり、そして
０．９μｍから２．５μｍの間にあって２つのしわを分離するピッチ（準周期）を有する、しわの形態を取る。
【０１３４】
図５ｂは、図５ａに示される画像のフーリエ変換（ＦＴ）に対応する。異方性がはっきりと見えるだろう。
【０１３５】
画像のフーリエ変換（図５ｂ）が実質的に一方向のプロファイルを有していることを見ることができる。
【０１３６】
ＦＴは中心に対して対称的である。ＦＴは、中心に対して対称的な、２つの明らかに異なるスポットを含んでいる。これは、テクスチャにおける正確なピッチの、および良好に配向されたテクスチャの、特徴である。ＦＴの最大値は、約５μｍ−１の値に位置している。ＦＴは回転対称を有しておらず、すなわち図５ａのテクスチャが配向されていることを意味する。等方率は約５％である。
【０１３７】
ＦＴにおける減少は、より高い波数ベクトルｋの値ではかなり急峻であり、１０μｍ−１でほぼゼロ値に到達する。
【０１３８】
テクスチャ表面のフーリエ変換は、少なくとも１つの方向において、ここでは５μｍ−１に等しい、すなわちλ’＝１．２５μｍである、周波数ｋ’＝２π／λ’を有する。
【０１３９】
比率：ＦＴ（ｋ’）の係数／ＦＴ（ｋ’／２）の係数＝４。
【０１４０】
比率：ＦＴ（ｋ’）の係数／ＦＴ（１．５ｋ’）の係数＝１０。
【０１４１】
本発明によらない実施例４
図６は、界面膜で被覆された基板上で得られた異方性しわの光学顕微鏡写真である。
【０１４２】
しわを形成するために使用された方法は、以下の通りであった。１０μｍの厚みのガラスフリットの膜で被覆されたソーダ石灰ガラス上に、１００ｎｍの厚みの、ＳｎＯ２の膜の高温ＣＶＤ付着、すなわち本発明によるテクスチャを生み出すには厚すぎた。ガラスフリットは４００℃のガラス遷移温度Ｔｇ’を有し、付着は６００℃で実行された。
【０１４３】
用途にとって望ましいものと比較して非常に高い、おおむね約２０μｍのピッチを有するテクスチャが得られた。さらに、テクスチャは配向性を有していた。
【０１４４】
本発明のテクスチャ構造体は、図７に模式的に示されるように、ＯＬＥＤへの組み込みに、特に適している。
【０１４５】
テクスチャ構造体を備えるＯＬＥＤ
ＯＬＥＤ３は、テクスチャ構造体１と、電極を形成し、被膜１１が設けられた構造体のテクスチャ面１ａ上に配置された、第一透明導電性被覆３０と、有機材料の膜３１と、第二電極を形成し、好ましくは有機膜３１に対向して、有機膜によって反対方向に放出された光を反射するように意図された、すなわち透明基板の、（半）反射型表面を有する第二電導性被覆３２と、を含んでいた。
【０１４６】
有機膜３１によって放出された光は、本発明のテクスチャ構造体１を通過して、構造体の面１２を通じて装置の外部へ出た。このため光は高輝度を有しており、均一で等方性であった。これは、テクスチャが実質的にＯＬＥＤの光取り出し効率を向上させ、光子の回折を増加させたことによるもので、異なる波長の色が基板１０の厚みを通じて再結合することを確実にし、均一で等方性の白色光を提供した。
【０１４７】
好ましくは等方性および準周期的なプロファイルを有するテクスチャ構造体は、
平坦なミネラルガラスで作られた基板上に、適切な被膜１１を付着させるステップと、
冷却後に表面構造にしわ付けするように、膜で被覆された基板に熱処理を受けさせるステップと、
随意的に、しわが得られた後に、被膜１１を除去するステップと、を含む本発明の製造方法によって得られた。
【０１４８】
Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、またはＺｎＯの材料の使用は、被膜を形成するために特に推奨される。Ｓｉ３Ｎ４は、有利なことに、ＯＬＥＤの多層電極３０の第一膜を直接形成することになるので、ＯＬＥＤなどの発光装置にとって好ましい。
【０１４９】
第一の実施形態によれば、膜１１は加熱されていないガラス基板１０上に付着され、加熱処理は、被覆された基板を加熱し、その後冷却することにあった。
【０１５０】
膜は好ましくは、マグネトロンを使用して、低温基板上に付着された。
【０１５１】
被覆された基板は、ガラスのガラス遷移温度Ｔｇよりも高い、少なくとも１００℃（好ましくは３００℃）の温度Ｔ１まで加熱された。
【０１５２】
第二の実施形態によれば、膜１１は高温のガラス基板１０上に付着され、加熱処理は被覆された基板を冷却することにあった。
【０１５３】
膜が付着される前に、ガラス基板は、ガラス遷移温度よりも高い、少なくとも１００℃（好ましくは３００℃）の温度まで加熱された。
【０１５４】
この第二の実施形態の変形例において、膜１１は、積層処理後にはガラス積層ラインで、またはフロート層内のフロートガラスラインで、もしくはその製造後の再加工で加熱された未被覆ガラスで、直接被覆されたので、基板はすでに高温であり、ガラスのガラス遷移温度Ｔｇよりも高い、少なくとも１００℃（好ましくは３００℃）の特定の温度Ｔ１を有していた。
【０１５５】
膜は好ましくは、ＣＶＤ（化学蒸着）を使用して、高温基板上に付着された。
【０１５６】
２つの実施形態において、被覆基板の冷却は、室温での自然冷却、または熱的焼き戻しまたは強化によるものであった。冷却中に、制御された冷却ステップを含むことも、可能であった。
【０１５７】
最後に、低温付着膜の第一の実施形態において、そのガラス遷移温度Ｔｇ’が、たとえば少なくとも１００℃だけ、ガラス基板のガラス遷移温度よりも低い温度である、ガラス界面膜２を事前に付着させることが、可能であった。
【０１５８】
たとえば、４００℃のガラス遷移温度Ｔｇ’を有するガラスフリットがスクリーン印刷によって付着され、フリットはたとえば、高いアルカリおよび／またはホウ素もしくはビスマス含有量を有していた。
【０１５９】
被膜１１はその後マグネトロンを使用して付着され、基板および膜は５５０℃を超える温度まで加熱された。全体の冷却は、熱的焼き戻しによって有利に実行された。
【０１６０】
したがって、基板および膜を、ガラス基板が被膜で直接覆われるときに必要な温度よりも低い温度まで加熱することの利点は、エネルギー消費がより低いことであった。
【０１６１】
さらに、この変形実施形態は、ガラス基板の変形がより少ない。
【０１６２】
同様に、第二の実施形態の変形例として、時には工業用の設定では苦労してのみ得られる、非常に高温で膜を付着させる必要性を回避するために、有利なことに、上述のように、たとえばガラスフリットなど、ガラス基板よりも低いガラス遷移温度を有する界面膜２で、ガラスの表面を被覆すること、および被膜の付着の間に膜を加熱することが、可能である。これは、低いガラス遷移温度を有する（フロート）ガラスよりも、低いガラス遷移温度を有するガラスフリットを提供することの方が、一般的に容易だからである。
【０１６３】
収縮を通じて、ＯＬＥＤに適した勾配を有する突起を備えるテクスチャプロファイルを構造体に与えるこの方法は、このように実行しやすく、ガラスの広い面積にわたって適用されてもよい。
【図１】
2012523072.tif 000004
【図２】
2012523072.tif 000005
【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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