Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月23日(2011.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気極に供給された酸化剤ガスと燃料極に供給された燃料との反応により電力を生成する発電セルと、
前記発電セルに前記燃料を供給する燃料流路と、
前記発電セルに前記酸化剤ガスを供給する酸化剤ガス流路と、
前記発電セルで発生したオフガスを排出するオフガス流路と、
前記燃料流路に水蒸気が流入することを許容又は停止する水蒸気供給制御手段と、
前記酸化剤ガス流路に酸化剤ガスが流入することを許容又は停止する酸化剤ガス供給制御手段と、
前記オフガス流路から前記オフガスが流出することを許容又は停止するオフガス排出制御手段と、
前記発電セル、前記燃料流路、前記酸化剤ガス流路、前記オフガス流路の少なくとも１つの内圧を検出する圧力検出手段と、
前記発電セルの運転停止時に、前記酸化剤ガス供給制御手段及び前記オフガス排出制御手段の全てを停止状態としてから、前記水蒸気供給制御手段を許容状態として、前記圧力検出手段の検出結果が所定圧力を超えるように前記発電セル内に水蒸気を流入させる制御装置とを備えることを特徴とする発電システム。
【請求項２】
空気極に供給された酸化剤ガスと燃料極に供給された燃料との反応により電力を生成する発電セルと、
前記発電セルに前記燃料を供給する燃料流路と、
前記発電セルに前記酸化剤ガスを供給する酸化剤ガス流路と、
前記発電セルで発生したオフガスを排出するオフガス流路と、
前記燃料流路に水蒸気が流入することを許容又は停止する水蒸気供給制御手段と、
前記酸化剤ガス流路に酸化剤ガスが流入することを許容又は停止する酸化剤ガス供給制御手段と、
前記オフガス流路から前記オフガスが流出することを許容又は停止するオフガス排出制御手段と、
前記発電セル、前記燃料流路、前記酸化剤ガス流路、前記オフガス流路の少なくとも１つの内圧を検出する圧力検出手段と、を備える発電システムの制御装置であって、
前記発電セルの運転停止時に、前記酸化剤ガス供給制御手段及び前記オフガス排出制御手段の全てを停止状態とする遮断ステップと、
前記遮断ステップの後に、前記水蒸気供給制御手段を許容状態として、前記圧力検出手段の検出結果が所定圧力を超えるように前記発電セル内に水蒸気を流入させる水蒸気供給ステップとを実行することを特徴とする発電システムの制御装置。
【請求項３】
請求項２記載の発電システムの制御装置において、
前記発電セルの温度を検出するため、前記発電システムに更に備えられた温度検出手段の検出結果に基づいて、前記水蒸気供給制御手段によって前記発電セルに供給される水蒸気量を決定する水蒸気量決定ステップを、前記水蒸気供給ステップの前に実行することを特徴とする発電システムの制御装置。
【請求項４】
請求項３記載の発電システムの制御装置において、
前記温度検出手段が、前記発電セル、前記燃料流路、前記酸化剤ガス流路、前記オフガス流路の少なくとも１つの内圧を検出する圧力検出手段を兼ねていることを特徴とする発電システムの制御装置。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の発電システムの制御装置において、
前記圧力検出手段が、前記発電セル、前記燃料流路、前記酸化剤ガス流路、前記オフガス流路の少なくとも１つの内圧と外圧の差圧を検出する差圧検出手段であることを特徴とする発電システムの制御装置。
【請求項６】
請求項２記載の発電システムの制御装置において、
前記発電セルの温度を検出するため、前記発電システムに更に備えられた温度検出手段の検出結果に基づいて、前記水蒸気供給制御手段によって前記発電セルに供給される水蒸気量を決定する水蒸気量決定ステップを、前記水蒸気供給ステップの前に実行することを特徴とする発電システムの制御装置。
【請求項７】
請求項６記載の発電システムの制御装置において、
前記温度検出手段が、前記発電セル、前記燃料流路、前記酸化剤ガス流路、前記オフガス流路の少なくとも１つの内圧を検出する圧力検出手段を兼ねていることを特徴とする発電システムの制御装置。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の発電システムの制御装置において、
前記圧力検出手段が、前記発電セル、前記燃料流路、前記酸化剤ガス流路、前記オフガス流路の少なくとも１つの内圧と外圧の差圧を検出する差圧検出手段であることを特徴とする発電システムの制御装置。
【請求項９】
請求項２〜８のいずれか一項に記載の発電システムの制御装置において、
前記発電システムは、
前記オフガスを燃焼する燃焼器と、
前記水蒸気を生成する気化器と、を更に備え、
前記気化器は、前記燃焼器で生じた熱量により前記水蒸気を生成することを特徴とする発電システムの制御装置。
【請求項１０】
請求項２〜８のいずれか一項に記載の発電システムの制御装置において、
前記発電システムは、
前記発電セルで生成した水を回収する水回収装置と、
前記水蒸気を生成する気化器と、を更に備え、
前記気化器は、前記水回収装置により回収された水により水蒸気を生成することを特徴とする発電システムの制御装置。
【請求項１１】
請求項２〜１０のいずれか一項に記載の発電システムの制御装置において、
前記発電セルは、固体酸化物型燃料電池又は溶融炭酸塩型燃料電池であることを特徴とする発電システムの制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
好ましくは、前記発電セルの温度を検出するため、前記発電システムに更に備えられた温度検出手段の検出結果に基づいて、前記水蒸気供給制御手段によって前記発電セルに供給される水蒸気量を決定する水蒸気量決定ステップを、前記水蒸気供給ステップの前に実行する。
好ましくは、前記温度検出手段が、前記発電セル、前記燃料流路、前記酸化剤ガス流路、前記オフガス流路の少なくとも１つの内圧を検出する圧力検出手段を兼ねている。
好ましくは、前記圧力検出手段が、前記発電セル、前記燃料流路、前記酸化剤ガス流路、前記オフガス流路の少なくとも１つの内圧と外圧の差圧を検出する差圧検出手段である。
好ましくは、前記発電セルの温度を検出するため、前記発電システムに更に備えられた温度検出手段の検出結果に基づいて、前記水蒸気供給制御手段によって前記発電セルに供給される水蒸気量を決定する水蒸気量決定ステップを、前記水蒸気供給ステップの前に実行する。
好ましくは、前記温度検出手段が、前記発電セル、前記燃料流路、前記酸化剤ガス流路、前記オフガス流路の少なくとも１つの内圧を検出する圧力検出手段を兼ねている。
好ましくは、前記圧力検出手段が、前記発電セル、前記燃料流路、前記酸化剤ガス流路、前記オフガス流路の少なくとも１つの内圧と外圧の差圧を検出する差圧検出手段である。
好ましくは、前記発電システムは、
前記オフガスを燃焼する燃焼器と、
前記水蒸気を生成する気化器と、を更に備え、
前記気化器は、前記燃焼器で生じた熱量により前記水蒸気を生成する。
好ましくは、前記発電システムは、
前記発電セルで生成した水を回収する水回収装置と、
前記水蒸気を生成する気化器と、を更に備え、
前記気化器は、前記水回収装置により回収された水により水蒸気を生成する。
好ましくは、前記発電セルは、固体酸化物型燃料電池又は溶融炭酸塩型燃料電池である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月12日(2011.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ワイヤーハーネス用電線、及び自動車用ワイヤーハーネス
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動車用ワイヤーハーネスの電線に用いられるワイヤーハーネス用電線であって、
前記電線は、単線又は複数のアルミニウム合金線からなる導体と、前記導体の外周に形成した絶縁被覆層とを具え、
前記アルミニウム合金線は、
質量％で、Feを0.90％以上1.20％以下、Mg:0.05％以上0.5％以下、Si:0.05％以上0.3％以下含有し、残部がAl及び不純物からなり、
導電率が58％IACS以上であり、
伸びが10％以上であることを特徴とするワイヤーハーネス用電線。
【請求項２】
自動車用ワイヤーハーネスの電線に用いられるワイヤーハーネス用電線であって、
前記電線は、単線又は複数のアルミニウム合金線からなる導体と、前記導体の外周に形成した絶縁被覆層とを具え、
前記アルミニウム合金線は、
質量％で、Feを0.90％以上1.20％以下、Mg:0.05％以上0.5％以下含有し、残部がAl及び不純物からなり、
導電率が58％IACS以上であり、
伸びが10％以上であることを特徴とするワイヤーハーネス用電線。
【請求項３】
前記アルミニウム合金線は、
更に、Ti及びBの少なくとも一方を含有し、
質量割合で、Tiの含有量は、100ppm以上500ppm以下、Bの含有量は、10ppm以上50ppm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のワイヤーハーネス用電線。
【請求項４】
前記アルミニウム合金線の断面において2400nm×2600nmの観察視野をとったとき、この観察視野中に存在する析出物であって、円相当径が100nm以下の析出物の数が10個以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のワイヤーハーネス用電線。
【請求項５】
前記アルミニウム合金線の断面において2400nm×2600nmの観察視野をとったとき、この観察視野中に存在する析出物であって、円相当径が100nm以下の析出物の数が10個超であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のワイヤーハーネス用電線。
【請求項６】
前記アルミニウム合金線の0.2％耐力が40MPa以上であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のワイヤーハーネス用電線。
【請求項７】
前記アルミニウム合金線の引張強さが110MPa以上200MPa以下であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のワイヤーハーネス用電線。
【請求項８】
前記アルミニウム合金線の線径が0.2mm以上1.5mm以下であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のワイヤーハーネス用電線。
【請求項９】
前記導体は、複数の前記アルミニウム合金線を撚り合せたアルミニウム合金撚り線、又はこの撚り線を圧縮成形した圧縮線材であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載のワイヤーハーネス用電線。
【請求項１０】
請求項1〜9のいずれか1項に記載のワイヤーハーネス用電線と、この電線の端部に装着された端子部とを具えることを特徴とする自動車用ワイヤーハーネス。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月16日(2011.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザと関係のある名称を導出可能な内容を含有した複数のユーザデータを記憶するユーザデータ記憶手段と、
入力された音声を認識した結果と一致する名称を検索する検索手段と、
前記検索手段が複数の名称を検索した場合、前記ユーザデータ記憶手段に記憶された複数のユーザデータの各内容に基づいて、それら検索された各名称の優先度を変更する重み付け手段と、
前記重み付け手段により重み付けされた名称の優先度の大きさに基づいて、前記検索手段により検索された複数の名称を並べ換えて表示する名称表示手段と、
を具備することを特徴とする検索装置。
【請求項２】
前記ユーザデータ記憶手段に記憶されるユーザデータは、ユーザ操作に応じて登録される住所データであることを特徴とする請求項１記載の検索装置。
【請求項３】
前記ユーザデータ記憶手段に記憶されるユーザデータは、送受信したメールデータであることを特徴とする請求項１記載の検索装置。
【請求項４】
ＧＰＳ衛星信号を受信して現在位置を測位するＧＰＳ測位手段と、
前記ＧＰＳ測位手段が測位した現在位置の名称を来訪歴のある名称として記憶する来訪歴記憶手段とを備え、
前記重み付け手段は、前記来訪歴記憶手段に記憶される来訪歴のある名称の優先度を高めることを特徴とする請求項１記載の検索装置。
【請求項５】
前記来訪歴記憶手段に記憶される来訪歴のある名称の中で所定期間訪れていない名称の有無を判定する判定手段と、
この判定手段により該当する名称が有ると判定された場合、該当名称を前記来訪歴記憶手段から削除する削除手段と
を更に備えることを特徴とする請求項４記載の検索装置。
【請求項６】
ユーザと関係のある名称を導出可能な内容を含有した複数のユーザデータを記憶するステップと、
入力された音声を認識した結果と一致する名称を検索する検索ステップと、
前記検索手段が複数の名称を検索した場合、前記ユーザデータ記憶手段に記憶された複数のユーザデータの各内容に基づいて、それら検索された各名称の優先度を変更する重み付けステップと、
前記重み付け手段により重み付けされた名称の優先度の大きさに基づいて、前記検索手段により検索された複数の名称を並べ換えて表示する名称表示ステップと、
をコンピュータで実行させることを特徴とする検索プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、音声入力された名称を高精度に検索する検索装置及び検索プログラムに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、音声入力された名称を高精度に検索することができる検索装置及び検索プログラムを提供することを目的としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項１記載の発明は、ユーザと関係のある名称を導出可能な内容を含有した複数のユーザデータを記憶するユーザデータ記憶手段と、入力された音声を認識した結果と一致する名称を検索する検索手段と、前記検索手段が複数の名称を検索した場合、前記ユーザデータ記憶手段に記憶された複数のユーザデータの各内容に基づいて、それら検索された各名称の優先度を変更する重み付け手段と、前記重み付け手段により重み付けされた名称の優先度の大きさに基づいて、前記検索手段により検索された複数の名称を並べ換えて表示する名称表示手段とを具備することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明では、音声入力された名称を高精度に検索することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月9日(2011.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画像からなる画像群を、ユーザー満足度が設定基準よりも高い第１の画像群と、ユーザー満足度が当該設定基準よりも低い第２の画像群とに分類する手段と、
前記第１の画像群に含まれる画像の枚数が指定枚数に達しない場合、当該指定枚数に達するまで、前記第２の画像群の中から前記ユーザー満足度が高い画像を抽出する手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記ユーザー満足度は、露出不足、色バランス、ぶれ・ぼけ、構図不良の少なくとも１つを含む不満足要因の有無に基づいて決定されることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記抽出する手段は、ユーザーにとって許容可能な不満足要因の指定に基づいて、前記ユーザー満足度が高い画像を抽出することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記不満足要因は、追加又は削除できることを特徴とする請求項２又は３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記設定基準は、前記指定枚数に応じて変更可能であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
複数の画像からなる画像群を、ユーザー満足度が設定基準よりも高い第１の画像群と、ユーザー満足度が当該設定基準よりも低い第２の画像群とに分類するステップと、
前記第１の画像群に含まれる画像の枚数が指定枚数に達しない場合、当該指定枚数に達するまで、前記第２の画像群の中から前記ユーザー満足度が高い画像を抽出するステップと
を含むことを特徴とする画像処理方法。
【請求項７】
コンピューターに、請求項６記載の方法を実行させるためのプログラム。
【請求項８】
複数の画像それぞれに対するユーザーの評価結果に従い、前記複数の画像から画像を抽出する抽出手段と、
抽出画像の数を指定させる指定手段と、
前記抽出手段による抽出結果、前記指定手段により指定された抽出画像の数に達しない場合、許容可能な要因を選択させる選択手段と、
前記選択手段により選択された結果に従い、前記複数の画像から画像を追加抽出する追加抽出手段と
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項９】
前記画像の抽出は、パーソナルコンピュータもしくは前記パーソナルコンピュータとネットワークを介して接続される画像データベースにおいて実行されることを特徴とする請求項８に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記ユーザーの評価は、手動で設定されることを特徴とする請求項８に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
複数の画像それぞれに対するユーザーの評価結果に従い、前記複数の画像から画像を抽出する抽出ステップと、
抽出画像の数を指定させる指定ステップと、
前記抽出ステップによる抽出結果、前記指定ステップにおいて指定された抽出画像の数に達しない場合、許容可能な要因を選択させる選択ステップと、
前記選択ステップにおいて選択された結果に従い、前記複数の画像から画像を追加抽出する追加抽出ステップと
を有することを特徴とする画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置、画像処理方法、及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月31日(2011.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シート状の柔軟媒体を搬送する搬送装置設計検証であって、搬送経路内を移動する前記柔軟媒体の挙動シミュレーションを行うために必要なシミュレーション情報を生成する情報処理装置において、
前記柔軟媒体の種類、サイズ、およびカール形状の組み合わせによる多数のシミュレーションを実行する前に、前記柔軟媒体の種類、サイズ、およびカール形状のうち二つを配したマトリックスと、前記マトリックスに配されていない残りの一つを選択する選択部と、
シミュレーションを実行する情報処理実行部とを有し、
該情報処理実行部にて実行される情報処理内容が、前記柔軟媒体の種類、サイズ、カール形状の条件に基づき、予めカール生成データファイル部に保存されているカール生成データを読み込み、フラット紙に残留応力を付与し、シミュレーションプログラムに渡すことを特徴とした情報処理装置。
【請求項２】
自動的にジョブ管理を行うプログラムと連動させ、前記柔軟媒体の種類、サイズ、およびカール形状の組み合わせによる各ケースを順次シミュレーションさせることを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
メモリ／プロセス間通信部を介して、各プログラムを起動したままシミュレーションを行うことを特徴とする請求項１または２記載の情報処理装置。
【請求項４】
シート状の柔軟媒体を搬送する搬送装置設計検証であって、搬送経路内を移動する前記柔軟媒体の挙動シミュレーションを行うために必要なシミュレーション情報を生成する設計検証シミュレーション方法において、
前記柔軟媒体の種類、サイズ、およびカール形状の組み合わせによる多数のシミュレーションを実行する前に、前記柔軟媒体の種類、サイズ、およびカール形状のうち二つを配したマトリックスと、前記マトリックスに配されていない残りの一つを選択する選択ステップと、
シミュレーションを実行する情報処理実行ステップと、を含み、
前記情報処理実行ステップの情報処理内容が、
前記柔軟媒体種類、サイズ、およびカール形状の条件に基づき、予め保存されているカール生成データを読み込み、フラット紙に残留応力を付与し、シミュレーションプログラムに渡すことを特徴とした設計検証シミュレーション方法。
【請求項５】
自動的にジョブ管理を行うプログラムと連動させ、前記柔軟媒体の種類、サイズ、およびカール形状の組み合わせによる各ケースを順次シミュレーションさせることを特徴とする請求項４記載の設計検証シミュレーション方法。
【請求項６】
メモリ／プロセス間通信部を介して、各プログラムを起動したままシミュレーションを行うことを特徴とする請求項４または５記載の設計検証シミュレーション方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、シート状の柔軟媒体を搬送する搬送装置設計検証であって、搬送経路内を移動する前記柔軟媒体の挙動シミュレーションを行うために必要なシミュレーション情報を生成する情報処理装置において、前記柔軟媒体の種類、サイズ、およびカール形状の組み合わせによる多数のシミュレーションを実行する前に、前記柔軟媒体の種類、サイズ、およびカール形状のうち二つを配したマトリックスと、前記マトリックスに配されていない残りの一つを選択する選択部と、シミュレーションを実行する情報処理実行部とを有し、該情報処理実行部にて実行される情報処理内容が、前記柔軟媒体の種類、サイズ、カール形状の条件に基づき、予めカール生成データファイル部に保存されているカール生成データを読み込み、フラット紙に残留応力を付与し、シミュレーションプログラムに渡すことを特徴とした情報処理装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は、シート状の柔軟媒体を搬送する搬送装置設計検証であって、搬送経路内を移動する前記柔軟媒体の挙動シミュレーションを行うために必要なシミュレーション情報を生成する設計検証シミュレーション方法において、前記柔軟媒体の種類、サイズ、およびカール形状の組み合わせによる多数のシミュレーションを実行する前に、前記柔軟媒体の種類、サイズ、およびカール形状のうち二つを配したマトリックスと、前記マトリックスに配されていない残りの一つを選択する選択ステップと、シミュレーションを実行する情報処理実行ステップと、を含み、前記情報処理実行ステップの情報処理内容が、前記柔軟媒体種類、サイズ、およびカール形状の条件に基づき、予め保存されているカール生成データを読み込み、フラット紙に残留応力を付与し、シミュレーションプログラムに渡すことを特徴とした設計検証シミュレーション方法を提供する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月6日(2011.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
上記第４、第５の流量制御弁６４ａ，６４ｂによる上記半導体ウエハＷの上面に供給するエッチング液と純水の流量及び第４の温度制御部６５によるエッチング液の温度制御は上記制御装置７からの制御信号によって行われるようになっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2010067819.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月26日(2011.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランプを点灯させる点灯回路が実装され、端部に端子台を備えるプリント基板と、
前記プリント基板を収納するケースであって、前記端子台の少なくとも一部が露出するように開放されたケース開放部を有するケースと、
前記ケース開放部を塞ぐように前記ケースに着脱自在に取り付けられるとともに、前記端子台の少なくとも一部を覆って前記ケースに取り付けられる閉塞部材とを備えることを特徴とする点灯装置。
【請求項２】
前記閉塞部材は、前記端子台の一部を露出させる開口部を備えることを特徴とする請求項１に記載の点灯装置。
【請求項３】
前記端子台は、電線を結線する結線部を備え、
前記閉塞部材は、前記結線部を前記開口部から露出させることを特徴とする請求項２に記載の点灯装置。
【請求項４】
前記端子台は、電線と接続され、
前記閉塞部材は、前記電線を通過させるための電線開口部を備えることを特徴とする請求項１に記載の点灯装置。
【請求項５】
前記閉塞部材は、少なくとも一面を開口面とする略箱形に形成され、前記ケース開放部と前記開口面とが連通するように前記ケースに取り付けられるとともに、前記端子台を内部に収納して前記ケースに取り付けられることを特徴とする請求項４に記載の点灯装置。
【請求項６】
前記端子台は、前記電線を結線する結線部を備え、
前記閉塞部材は、内部に収納した前記端子台の前記結線部と向かい合う面に前記電線開口部を備えることを特徴とする請求項５に記載の点灯装置。
【請求項７】
前記閉塞部材は、前記ケースに固定するための固定爪を備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の点灯装置。
【請求項８】
前記ケースは、前記プリント基板を保持する断面略コ字状のケース本体と、前記ケース本体に被せて取り付けられるケース蓋とを備え、
前記ケース本体は、前記プリント基板を保持するための保持爪が形成された保持爪孔を有するケース本体側部を備え、
前記ケース蓋は、前記ケース本体側部と当接することにより前記保持爪孔を塞ぐケース蓋側部を備える
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の点灯装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかの点灯装置と、ランプを接続するランプ接続部とを備えたことを特徴とする照明器具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】点灯装置及び照明器具
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
最外層の絶縁層からその表面が露出し、かつ、その側面が前記最外層の絶縁層に接したパッドを備えた配線基板であって、
前記パッドが、前記配線基板からその表面が露出した第１の金属層と、該第１の金属層上に設けられ、基板内部のビアに含まれる金属が該第１の金属層に拡散するのを防止するのに有効な材料からなる第２の金属層と、該第２の金属層と前記ビアとの間に設けられ、該第２の金属層よりも酸化され難い材料からなる第３の金属層とを有し、
前記第３の金属層の厚さが他の金属層と比較して相対的に厚く選定されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第３の金属層の側面、及び前記ビアと接続される側の面が、粗面化されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第３の金属層の厚さは、好適には前記第２の金属層の厚さの３倍以上に選定されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記絶縁層から露出する前記パッドの第１の金属層の表面が、前記絶縁層の表面から基板内に後退した位置にあることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
最外層の絶縁層からその表面が露出し、かつ、その側面が前記最外層の絶縁層に接したパッドを備えた配線基板であって、
前記パッドが、ＯＳＰ処理に基づいて形成された被膜であって前記配線基板からその表面が露出した当該被膜と、該被膜と基板内部のビアとの間に設けられた金属層とを有することを特徴とする配線基板。
【請求項６】
前記金属層の側面、及び前記ビアと接続される側の面が、粗面化されていることを特徴とする請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
支持基材上に、めっき法により、第１の金属層と、ビアに含まれる金属が前記第１の金属層に拡散するのを防止するのに有効な材料からなる第２の金属層と、該第２の金属層よりも酸化され難い材料からなり、他の金属層と比較して相対的に厚い第３の金属層とを積層してパッドを形成する工程と、
前記パッド及び前記支持基材上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記第３の金属層に接続される前記ビアを含む配線層を形成する工程と、
前記支持基材を除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
支持基材上に、めっき法により、犠牲導体層を形成し、さらに第１の金属層と、ビアに含まれる金属が前記第１の金属層に拡散するのを防止するのに有効な材料からなる第２の金属層と、該第２の金属層よりも酸化され難い材料からなり、他の金属層と比較して相対的に厚い第３の金属層とを積層してパッドを形成する工程と、
前記パッド及び前記支持基材上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記第３の金属層に接続される前記ビアを含む配線層を形成する工程と、
前記支持基材及び前記犠牲導体層を除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記パッド及び前記支持基材上に絶縁層を形成する前に、前記パッドの表面に粗化処理を施す工程をさらに含むことを特徴とする請求項７又は８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
支持基材上に、めっき法により、犠牲導体層と、金属層とを積層する工程と、
前記金属層及び前記支持基材上に、絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記金属層に接続されるビアを含む配線層を形成する工程と、
前記支持基材及び前記犠牲導体層を除去する工程と、
前記絶縁層から露出された前記金属層上に、ＯＳＰ処理を施して被膜を形成する工程とを含み、該被膜と前記金属層とによりパッドを構成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記金属層及び前記支持基材上に絶縁層を形成する前に、前記金属層の表面に粗化処理を施す工程をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上述した従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、最外層の絶縁層からその表面が露出し、かつ、その側面が前記最外層の絶縁層に接したパッドを備えた配線基板であって、前記パッドが、前記配線基板からその表面が露出した第１の金属層と、該第１の金属層上に設けられ、基板内部のビアに含まれる金属が該第１の金属層に拡散するのを防止するのに有効な材料からなる第２の金属層と、該第２の金属層と前記ビアとの間に設けられ、該第２の金属層よりも酸化され難い材料からなる第３の金属層とを有し、前記第３の金属層の厚さが他の金属層と比較して相対的に厚く選定されていることを特徴とする配線基板が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の他の形態によれば、上記の形態に係る配線基板を製造する方法が提供される。この製造方法は、支持基材上に、めっき法により、第１の金属層と、ビアに含まれる金属が前記第１の金属層に拡散するのを防止するのに有効な材料からなる第２の金属層と、該第２の金属層よりも酸化され難い材料からなり、他の金属層と比較して相対的に厚い第３の金属層とを積層してパッドを形成する工程と、前記パッド及び前記支持基材上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に、前記第３の金属層に接続される前記ビアを含む配線層を形成する工程と、前記支持基材を除去する工程とを含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
最外層の絶縁層からその表面が露出し、かつ、その側面が前記最外層の絶縁層に接したパッドを備えた配線基板であって、
前記パッドが、前記配線基板からその表面が露出した第１の金属層と、該第１の金属層上に設けられた第２の金属層と、該第２の金属層と基板内部のビアとの間に設けられた第３の金属層とを有し、
前記第２の金属層の平面形状が前記パッドの平面形状に対して小さく形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第２の金属層の周縁部は、該第２の金属層の厚さと同じ分だけ、前記パッドの周縁部から内側に後退していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１の金属層はＡｕもしくはＡｕ／Ｐｄからなり、前記第２の金属層はＮｉからなり、前記第３の金属層はＣｕからなることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記絶縁層から露出する前記パッドの第１の金属層の表面が、前記絶縁層の表面から基板内に後退した位置にあることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
支持基材上に、めっき法により、第１の金属層、第２の金属層及び第３の金属層を順次積層してパッドを形成する工程と、
前記第２の金属層の周縁部をエッチングする工程と、
前記支持基材上に、前記パッドを被覆するように絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記第３の金属層に電気的に接続されるビアを含む配線層を形成する工程と、
前記支持基材を除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
支持基材上に、めっき法により、犠牲導体層を形成し、さらに第１の金属層、第２の金属層及び第３の金属層を順次積層してパッドを形成する工程と、
前記第２の金属層の周縁部をエッチングする工程と、
前記支持基材上に、前記パッドを被覆するように絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記第３の金属層に電気的に接続されるビアを含む配線層を形成する工程と、
前記支持基材及び前記犠牲導体層を除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第２の金属層の周縁部のみをエッチングする工程において、該第２の金属層の厚さと同じ分だけエッチングすることを特徴とする請求項５又は６に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上述した従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、最外層の絶縁層からその表面が露出し、かつ、その側面が前記最外層の絶縁層に接したパッドを備えた配線基板であって、前記パッドが、前記配線基板からその表面が露出した第１の金属層と、該第１の金属層上に設けられた第２の金属層と、該第２の金属層と基板内部のビアとの間に設けられた第３の金属層とを有し、前記第２の金属層の平面形状が前記パッドの平面形状に対して小さく形成されていることを特徴とする配線基板が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、上述した従来技術の課題を解決するため、本発明の他の形態によれば、支持基材上に、めっき法により、第１の金属層、第２の金属層及び第３の金属層を順次積層してパッドを形成する工程と、前記第２の金属層の周縁部をエッチングする工程と、前記支持基材上に、前記パッドを被覆するように絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に、前記第３の金属層に電気的に接続されるビアを含む配線層を形成する工程と、前記支持基材を除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電圧を供給する第１の電源線と、
第２の電圧を供給する第２の電源線と、
前記第１及び前記第２の電源線の間に接続され、第１のモードにおける第１の状態であるときに、第１のインピーダンスで前記第１の電源線を前記第２の電源線と電気的に結合状態にし、前記第１のモードにおける第２の状態であるときに、前記第１のインピーダンスより高い第２のインピーダンスで前記第１の電源線を前記第２の電源線と電気的に結合状態にし、第２のモードにおいて、前記第１のインピーダンスより低い第３のインピーダンスで前記第１の電源線を前記第２の電源線と電気的に結合状態にする回路と、
を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記回路は、
前記第１及び前記第２の電源線の間に接続され、前記第１のモードにおける前記第１の状態であるとき及び第２のモードにおいて、前記第１のインピーダンスで前記第１の電源線を前記第２の電源線と電気的に結合状態にし、前記第１のモードにおける前記第２の状態であるとき、前記第２のインピーダンスで前記第１の電源線を前記第２の電源線と電気的に非結合状態にする第１のスイッチ回路と、
前記第1及び前記第２の電源線の間に接続され、前記第２のモードにおいて、前記第１の電源線を前記第２の電源線と電気的に結合状態にする第２のスイッチ回路と、
を備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の状態は、アクティブ状態であり、
前記第２の状態は、アイドル状態であり、
前記第１のモードは、電流消費を低減しているモードであり、
前記第２のモードは、電流消費を低減していないモードである
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記回路は、サブスレッショルド電流低減回路を含んでいる
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
第１及び第２の状態を切り替える第１のスイッチ回路を含むサブスレッショルド電流低減回路と、
前記第１及び前記第２の状態を切り替え、前記第１のスイッチ回路の端子間の電源インピーダンスを低減させる第２のスイッチ回路と、
前記第１及び前記第２のスイッチ回路に接続され、第１のスイッチ回路を前記第１の状態に保持し、前記第２のスイッチ回路を前記第２の状態から前記第１の状態に切り替える制御回路と、
を備え、
前記制御回路は、
前記第２のスイッチ回路に接続される不揮発性回路であって、前記第２の状態から前記第１の状態に前記第２のスイッチ回路を切り替えるように書き込まれる不揮発性回路を備えている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
さらに、前記第１のスイッチ回路に接続された論理回路を備え、
前記第１のスイッチ回路は、前記論理回路に供給される電源電圧を切り替えるように前記第１及び前記第２の状態を切り替える
ことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１及び前記第２のスイッチ回路は、前記制御回路に並列に接続されている
ことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１及び前記第２のスイッチ回路の前記第１の状態は、高いインピーダンス状態であり、
前記第１及び前記第２のスイッチ回路の前記第２の状態は、低いインピーダンス状態である
ことを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記不揮発性回路は、フューズ回路を含む
ことを特徴とする請求項５から請求項８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
さらに、第１の電圧を供給するメイン電源線と、
第２の電圧を供給するサブ電源線と、
を備え、
前記第１及び前記第２のスイッチ回路は、前記メイン電源線と前記サブ電源線との間にそれぞれ接続されている
ことを特徴とする請求項５から請求項９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
電源供給線と論理回路との間に接続され、サブスレッショルド電流リークを低減させるサブスレッショルド電流低減回路と、前記電源供給線を低いインピーダンス又は高いインピーダンスで前記論理回路と接続する前記サブスレッショルド電流低減回路を制御する制御回路と、を含んでいる半導体装置をテストする手順と、
前記制御回路によって前記低いインピーダンスにされている前記サブスレッショルド電流低減回路において半導体装置のサブスレッショルド電流を測定する手順と、
前記サブスレッショルド電流が予め定められた値より低い場合に、前記サブスレッショルド電流低減回路が前記低いインピーダンスによって前記電源供給線を前記前記論理回路と接続する制御を行うように制御回路に書き込む手順と、
を含むことを特徴とするテスト方法。
【請求項１２】
前記制御回路に書き込む手順は、
前記制御回路の不揮発性記憶部に書き込む手順を含む
ことを特徴とする請求項１１に記載のテスト方法。
【請求項１３】
サブスレッショルド電流リークを低減させる第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタに並列した第２のトランジスタと、前記第１及び前記第２のトランジスタを制御する制御回路とを含む半導体装置をテストする手順と、
前記制御回路によって前記低いインピーダンスにされている前記第１のトランジスタにおいて半導体装置のサブスレッショルド電流を測定する手順と、
前記サブスレッショルド電流が予め定められた値より低い場合に、前記第２のトランジスタを低いインピーダンス状態にさせるように制御回路に書き込む手順と、
を含むことを特徴とするテスト方法。
【請求項１４】
前記制御回路に書き込む手順は、
前記サブスレッショルド電流が前記予め定められた値より低い場合に、前記第２のトランジスタを低いインピーダンス状態にさせるように前記制御回路の不揮発性記憶部に書き込む手順を含む
ことを特徴とする請求項１３に記載のテスト方法。
【請求項１５】
前記制御回路に書き込む手順は、
前記制御回路の不揮発性記憶部に書き込む手順を含む
ことを特徴とする請求項１３に記載のテスト方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、及びテスト方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月7日(2011.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上方に配列された多数の画素部を有する固体撮像素子であって、
前記画素部が、前記基板上方に設けられた光電変換部と、前記光電変換部上方に設けられたカラーフィルタとを含み、
前記画素部の前記カラーフィルタに入射した光が隣の前記画素部に入射するのを防止するための隔壁を備える固体撮像素子。
【請求項２】
請求項１記載の固体撮像素子であって、
前記隔壁が、隣接する前記画素部の前記カラーフィルタ同士の間に前記カラーフィルタの側面を覆って設けられている固体撮像素子。
【請求項３】
請求項２記載の固体撮像素子であって、
前記隔壁が、光を吸収又は反射する材料で構成されたもの、又は、光を全反射する空気層である固体撮像素子。
【請求項４】
請求項２又は３記載の固体撮像素子であって、
前記光電変換部が、前記基板上方に設けられた下部電極、前記下部電極上方に設けられた上部電極、及び前記下部電極と前記上部電極の間に設けられた光電変換層を含み、
前記画素部が、前記カラーフィルタと前記上部電極との間に設けられた、前記光電変換部を保護するための保護層を含み、
前記隔壁が、隣接する前記画素部の前記保護層同士の間にも設けられている固体撮像素子。
【請求項５】
請求項４記載の固体撮像素子であって、
前記隔壁が、隣接する前記画素部の前記光電変換部同士の間にも設けられている固体撮像素子。
【請求項６】
請求項４又は５記載の固体撮像素子であって、
前記光電変換層が、可視域の光を吸収し、吸収した光に応じた信号電荷を発生する光電変換材料で構成されており、
前記多数の画素部に含まれる前記カラーフィルタが、それぞれ異なる波長域の光を透過する３種類以上のカラーフィルタを含む固体撮像素子。
【請求項７】
請求項４〜６のいずれか１項記載の固体撮像素子であって、
前記光電変換層が有機又は無機の光電変換材料で構成されている固体撮像素子。
【請求項８】
請求項２又は３記載の固体撮像素子であって、
前記光電変換部が、前記光電変換部で発生した信号電荷に応じた信号を出力するための回路が形成される基板上に設けられた半導体基板内に形成されたフォトダイオードである固体撮像素子。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項記載の固体撮像素子であって、
前記画素部が、前記カラーフィルタ上に、前記光電変換部に光を集光するためのマイクロレンズを備える固体撮像素子。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項記載の固体撮像素子を備える撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月6日(2011.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体の結晶を含むナノ結晶粒と、
第２の半導体と、
を含み、
前記第２の半導体は前記ナノ結晶粒の周囲を囲む、光電変換層。
【請求項２】
前記ナノ結晶粒のバンドギャップは、前記第２の半導体のバンドギャップより小さい、請求項１に記載の光電変換層。
【請求項３】
前記第２の半導体は非晶質である、請求項１または２に記載の光電変換層。
【請求項４】
前記第１の半導体と、前記第２の半導体とが同じ物質を含んでいる、請求項１記載の光電変換層。
【請求項５】
前記第１の半導体がシリコンを含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光電変換層。
【請求項６】
前記第１の半導体がゲルマニウムを含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光電変換層。
【請求項７】
前記第１の半導体がシリコンゲルマニウムを含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光電変換層。
【請求項８】
前記第１の半導体は、更に水素原子を含む、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の光電変換層。
【請求項９】
前記光電変換装置に含まれるシリコン原子に対する前記水素原子の割合は、５％以上２０％以下である請求項１乃至８のいずれか一項に記載の光電変換層。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の光電変換層と、
ｐ型半導体層と、
ｎ型半導体層と、
を含み、
前記ｐ型半導体層と前記ｎ型半導体層との間に前記光電変換層が配置される、光電変換装置。
【請求項１１】
更に、半導体層を含み、
前記半導体層は、前記光電変換層の上に積層された、請求項１０に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の光電変換装置が複数個積層され、
前記複数個の光電変換装置のうちの第１の光電変換装置における前記ナノ結晶粒の粒径と、前記複数個の光電変換装置のうちの第２の光電変換装置における前記ナノ結晶粒の粒径とが異なる、光電変換装置。
【請求項１３】
前記第１の光電変換装置における前記ナノ結晶粒の前記第１の半導体と、前記第２の光電変換装置における前記ナノ結晶粒の前記第１の半導体とは物質が異なる、請求項１２に記載の光電変換装置。
【請求項１４】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の光電変換層、または請求項１０乃至１３のいずれか一項に記載の光電変換装置を含む、電子機器。
【請求項１５】
第１の半導体の結晶を含むナノ結晶粒を含む第２の半導体の前駆体液を基体の上に塗布する工程と、
熱処理を施し、前記ナノ結晶粒の周囲を囲む第２の半導体を形成する工程と、
を含む、光電変換層の製造方法。
【請求項１６】
前記熱処理を施し、前記ナノ結晶粒の周囲を囲む第２の半導体を形成する工程において、前記ナノ結晶粒の周囲を囲む第２の半導体は非晶質である、請求項１５に記載の光電変換層の製造方法。
【請求項１７】
前記熱処理を施し、前記ナノ結晶粒の周囲を囲む第２の半導体を形成する工程において、雰囲気は不活性ガス及び水素ガスを含む、請求項１５または１６に記載の光電変換層の製造方法。
【請求項１８】
請求項１５乃至１７のいずれか一項に記載の光電変換層の製造方法を含む、光電変換装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１５乃至１７のいずれか一項に記載の光電変換層の製造方法、または、請求項１８に記載の光電変換装置の製造方法を含む、電子機器の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換層、光電変換装置、電子機器、光電変換層の製造方法、光電変換装置の製造方法および電子機器の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月2日(2011.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に凹部を有する絶縁部材と、
前記絶縁部材の、外表面と前記凹部の内表面とに跨って位置するカソードと、
前記絶縁部材の外表面に、前記カソードと対向して位置するゲートと、
前記ゲートを介して前記カソードと対向して位置するアノードとを有し、
前記カソードの前記凹部の前記内表面に位置する部分の表面と、前記カソードと前記ゲートとが互いに対向する領域における前記カソードと前記ゲートの前記凹部の開口部側の端部同士を結ぶ線を法線とする仮想平面とがなす角度θが、以下の式（１）を満たすことを特徴とする電子線装置。
θ≧１５×（ｈ２／ｄ）0.5＋（２３０×Ｖｆ-0.6−３５）    （１）
（０°＜θ＜９０°）
ｄ：カソードとゲートとが互いに対向する領域の最短距離［ｎｍ］
ｈ２：ｄと平行な方向におけるゲート側部材の高さ
ｈ２：カソードとゲートとが互いに対向する領域の最短距離を規定する線分と平行な方向におけるゲート側部材の高さ［ｎｍ］
Ｖｆ：駆動電圧［Ｖ］
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、表面に凹部を有する絶縁部材と、
前記絶縁部材の、外表面と前記凹部の内表面とに跨って位置するカソードと、
前記絶縁部材の外表面に、前記カソードと対向して位置するゲートと、
前記ゲートを介して前記カソードと対向して位置するアノードとを有し、
前記カソードの前記凹部の前記内表面に位置する部分の表面と、前記カソードと前記ゲートとが互いに対向する領域における前記カソードと前記ゲートの前記凹部の開口部側の端部同士を結ぶ線を法線とする仮想平面とがなす角度θが、以下の式（１）を満たすことを特徴とする電子線装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
θ≧１５×（ｈ２／ｄ）0.5＋（２３０×Ｖｆ-0.6−３５）    （１）
（０°＜θ＜９０°）
ｄ：カソードとゲートとが互いに対向する領域の最短距離［ｎｍ］
ｈ２：ｄと平行な方向におけるゲート側部材の高さ
ｈ２：カソードとゲートとが互いに対向する領域の最短距離を規定する線分と平行な方向におけるゲート側部材の高さ［ｎｍ］
Ｖｆ：駆動電圧［Ｖ］