Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月25日(2011.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置内に存在するパーティクルを検出するパーティクルモニタであって、
前記基板処理装置内のパーティクルを所望の位置に集める手段と、該集めたパーティクルを蓄積する手段と、該蓄積したパーティクルを検出する手段とを備えた、ことを特徴とするパーティクルモニタ。
【請求項２】
請求項１において、
前記基板処理装置内の帯電したパーティクルを収集する集塵電極と、
前記収集したパーティクルを蓄積する四重極リニアトラップ部と、
前記蓄積したパーティクルを検出するために、前記四重極リニアトラップ部の後段に配置された電流検出手段及び電流計とを備えた、ことを特徴とするパーティクルモニタ。
【請求項３】
請求項１において、
前記基板処理装置内の帯電したパーティクルを収集する集塵電極と、
前記収集したパーティクルを蓄積する四重極リニアトラップ部と、
前記蓄積したパーティクルを検出するために、前記四重極リニアトラップ部にレーザー光を入射させるためのレーザー光源と、前記パーティクルからのレーザー散乱光を検出するための光検出器とを備えた、ことを特徴とするパーティクルモニタ。
【請求項４】
基板処理装置内に存在するパーティクルを検出するパーティクルモニタであって、
前記基板処理装置内の帯電したパーティクルを収集する集塵電極と、該集塵電極の後段に設けられ前記パーティクルを蓄積するための多重極リニアトラップ部と、該多重極リニアトラップ部の後段に設けられた微小電流検出手段とを備えた、ことを特徴とするパーティクルモニタ。
【請求項５】
プラズマ処理室を備えた基板処理装置であって、
前記プラズマ処理室に接続されたパーティクルモニタを備え、
前記パーティクルモニタは、
前記基板処理装置内のパーティクルを所望の位置に集める手段と、
該集めたパーティクルを蓄積する手段と、
該蓄積したパーティクルを検出する手段とを備えた、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記プラズマ処理室の側壁に設けられた集塵電極と、
前記プラズマ処理室を排気する第一のターボ分子ポンプと、
前記集塵電極により収集したパーティクルを蓄積する四重極リニアトラップ部と、
前記集塵電極を介して前記プラズマ処理室に接続され、前記四重極リニアトラップ部を収納するモニタ筐体と、
前記モニタ筐体を局所排気する第二のターボ分子ポンプとを備えた、ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
基板処理装置のプラズマ処理室で基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板処理装置は、該基板処理装置内のパーティクルを所望の位置に集める手段と、該集めたパーティクルを蓄積する手段と、該蓄積したパーティクルを検出する手段とを有するパーティクルモニタを備えており、
前記パーティクルモニタからのモニタ出力が所定の閾値を超えた際に、警報を発するとともに直ちに前記基板の処理を停止することを特徴とする基板の処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】パーティクルモニタ及びそれを備えた基板処理装置及びそれを用いた基板処理方法
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月14日(2011.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光面側保護材と裏面側保護材との間に封止された複数の太陽電池を備える太陽電池モジュールであって、
前記複数の太陽電池のうち一の太陽電池は、前記受光面側保護材と対向する受光面と、前記受光面上に形成される複数本の細線電極とを有し、
前記受光面側保護材と対向する対向面に複数の凸部が形成された配線材が前記受光面上に配置され、
前記受光面は、前記受光面側保護材を透過された光のうち前記複数の凸部及び前記受光面側保護材によって順次反射された光を受ける第１受光領域と、前記受光面側保護材を透過された光を直接受ける第２受光領域とを含み、
前記第１受光領域の単位面積当りにおいて前記複数本の細線電極が形成される面積は、前記第２受光領域の単位面積当りにおいて前記複数本の細線電極が形成される面積よりも小さい
ことを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項２】
前記第１受光領域における前記複数本の細線電極の線幅は、前記第２受光領域における前記複数本の細線電極の線幅よりも小さい
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池モジュール。
【請求項３】
前記複数本の細線電極は、前記第1受光領域に形成されない
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池モジュール。
【請求項４】
第１受光領域は、前記受光面に対して略垂直な方向に沿って入射した光のうち前記複数の凸部及び前記受光面側保護材によって順次反射された光を受ける領域である
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の太陽電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月23日(2011.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多価アルコール（Ａ）及び熱分解性カルボン酸（Ｂ）を、金属酸化物担体(ｃ１)と担持する金属元素を含む酸化物（ｃ２）とを含む固体酸触媒（Ｃ）を用いて反応させることを特徴とするポリエステルの製造方法。
【請求項２】
前記熱分解性カルボン酸（Ｂ）が、シュウ酸である請求項１記載のポリエステルの製造方法
【請求項３】
前記担体（ｃ１）がジルコニアで、前記酸化物（ｃ２）が三酸化モリブデンである固体酸触媒（Ｃ）を用いた請求項１記載のポリエステルの製造方法。
【請求項４】
前記固体酸触媒（Ｃ）のハメットの酸度関数Ｈ0が、Ｈ0＝−３〜−９である請求項１記載のポリエステルの製造方法。
【請求項５】
さらに、非熱分解性カルボン酸（Ｄ）を含む請求項１記載のポリエステルの製造方法。
【請求項６】
前記固体酸触媒（Ｃ）の組成が、モリブデン酸ジルコニアである請求項１記載のポリエステルの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
即ち、本発明は、多価アルコール（Ａ）及び熱分解性カルボン酸（Ｂ）を、金属酸化物担体(ｃ１)と担持する金属元素を含む酸化物（ｃ２）とを含む固体酸触媒（Ｃ）を用いて反応させることを特徴とするポリエステルの製造方法、好ましくは前記担体（ｃ１）がジルコニア、前記酸化物（ｃ２）が三酸化モリブデンであるポリエステルの製造方法、好ましくは固体酸触媒（Ｃ）のハメットの酸度関数Ｈ0が、Ｈ0＝−３〜−９であることを特徴とするポリエステルの製造方法を提供するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
固体酸触媒（Ｃ）は、反応原料物に対して触媒作用を発揮して反応が進行する。すなわち、反応原料物である多価アルコール（Ａ）と熱分解性カルボン酸（Ｂ）とは、触媒表面上の活性サイトに吸着、反応、脱離などのプロセスを経て反応が進行することになる。担体（ｃ１）に金属酸化物（ｃ２）を担持し固体酸触媒（Ｃ）の活性サイトを形成することが好ましく、特に担体表面で触媒作用を発揮させることが好ましいことから、主に担体（ｃ１）表面に酸化物（ｃ２）を担持させることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
固体酸触媒（Ｃ）は、固体状の触媒であり、エステル反応の原料である多価アルコール（Ａ）、熱分解性カルボン酸（Ｂ）の液相に溶解しないものである。また、固体酸触媒（Ｃ）は、必要に応じて任意の元素をさらに１種類あるいはそれ以上の種類を添加しても良い。その任意の元素としてはケイ素、アルミニウム、リン、タングステン、セシウム、ニオブ、チタン、スズ、銀、銅、亜鉛、クロム、テルル、アンチモン、ビスマス、セレン、鉄、マグネシウム、カルシウム、バナジウム、セリウム、マンガン、コバルト、ヨウ素、ニッケル、ランタン、プラセオジウム、ネオジウム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウムなどが挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月10日(2011.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、図２（ｃ）に示すように、ＳＴ（スタータ）位置は、可動接点５の可動バッテリ接点１０，１０が固定接点６のバッテリ接点７，７−１に接続され、且つ可動接点５の反時計回り側の可動メイン接点１１が固定接点６のメイン接点８，アクセサリ接点８−１に接続された状態、つまりＯＮ位置の通電状態（メイン電源ライン４０とアクセサリ負荷２３がバッテリ２０と導通）を維持したままで、更に固定接点６のスタータ接点９に可動接点５の時計回り側の可動メイン接点１１が接続されるため、バッテリ２０とスタータモータ２８間が導通される位置である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図３に示すのはこの発明の実施形態の回路図である。バッテリ２０にはイグニッションスイッチ１が接続され、このイグニッションスイッチ１は制御装置であるＥＣＵ２１の電源入力端子ＶＢに接続され、具体的にはＥＣＵ２１内に設けた処理装置としてのＣＰＵ２２の電源入力端子（図３に電源と記載）にメイン電源ライン４０を介して接続されている。ここで、ＥＣＵ２１はＣＰＵ２２の電源入力端子に電力が供給されることでバッテリ２０と導通し、起動状態となる。尚、バッテリ２０には図示しない発電機及びレギュレータが接続され、バッテリ２０に充電を行う。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
バッテリ２０にはスタータモータ２８との間にスタータマグネットスイッチ２６の固定接点２９が接続され、スタータマグネットスイッチ２６のコイル３０は一端がスタータ接点９に接続され、他端が接地ライン２５に接続され、ダイオード２７はコイル３０に並列に接続されている。尚、ダイオード２７はアース側への電流の流れを阻止する方向に接続されている。こうして、スタータ接点９をバッテリ２０に接続することで、スタータマグネットスイッチ２６がオンとなり、固定接点２９がスタータモータ２８に接続される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
上記実施形態によれば、図１及び図３に示すように、イグニッションスイッチ１の挿入孔３にイグニッションキーを差し込んで回動部４を右に回しＯＮ位置にすると、アクセサリ接点８−１とメイン接点８がオンとなり、更にＯＮ位置からＳＴ位置に回動させると、イグニッションスイッチ１の全ての接点がオンとなる。ここで、イグニッションスイッチ１がＯＮ位置となりＣＰＵ２２に８Ｖ以上の電圧が印加されると、リレー駆動回路３４を介してリレー３１のリレーコイル３３が励磁されリレー接点３２がオンとなる。ここで、図６に示すように、固着判断タイマ４６の所定時間の計時により、イグニッションスイッチ１のオン操作にも係わらずリレー接点３２がオフのまま固着していると判断された場合には、インジケータ４８により警告を行いユーザにリレー３１の異常を知らせることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月2日(2010.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気の流れを生じさせる羽根なし送風機組立体であって、前記送風機組立体は、ノズルであって、前記ノズルを通して空気流を生じさせる手段を収容する基部に設けられるとともに、前記基部から前記空気流を受け入れる内部通路及び前記空気流が放出される口を備えたノズルを有し、前記ノズルは、前記送風機組立体の外部からの空気を前記口から放出された前記空気流によって引き込むようにする開口部を構成するよう軸線回りに延びており、前記ノズルは、表面を有し、前記口は、前記空気流を前記表面上でこれに沿って差し向けるよう配置され、前記表面は、前記軸線から遠ざかってテーパしたディフューザ部分と、前記ディフューザ部分から見て下流側に位置すると共にこのディフューザ部分に対して角度をなしたガイド部分とを有する、送風機組立体。
【請求項２】
前記ディフューザ部分と前記軸線とのなす角度は、７°〜２０°、好ましくは約１５°である、請求項１記載の送風機組立体。
【請求項３】
前記ガイド部分は、前記軸線回りに実質的に円筒形をなして延びている、請求項１又は２記載の送風機組立体。
【請求項４】
前記ノズルは、前記軸線の方向に少なくとも５０ｍｍの距離だけ延びている、請求項１〜３のうちいずれか一に記載の送風機組立体。
【請求項５】
前記ノズルは、前記軸線回りに３００〜１８００ｍｍの距離だけ延びている、請求項１〜４のうちいずれか一に記載の送風機組立体。
【請求項６】
前記ガイド部分は、前記軸線に関して対称に延びている、請求項１〜５のうちいずれか一に記載の送風機組立体。
【請求項７】
前記ガイド部分は、前記軸線の方向に５〜６０ｍｍ、好ましくは約２０ｍｍの距離だけ延びている、請求項１〜６のうちいずれか一に記載の送風機組立体。
【請求項８】
前記ノズルは、ループを構成している、請求項１〜７のうちいずれか一に記載の送風機組立体。
【請求項９】
前記ノズルは、実質的に環状である、請求項１〜８のうちいずれか一に記載の送風機組立体。
【請求項１０】
前記ノズルは、少なくとも部分的に円形である、請求項１〜９のうちいずれか一に記載の送風機組立体。
【請求項１１】
前記ノズルは、前記内部通路及び前記口を画定する少なくとも１つの壁を有し、前記少なくとも１つの壁は、前記口を画定する対向した表面を有する、請求項１〜１０のうちいずれか一に記載の送風機組立体。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの壁は、内壁及び外壁を含み、前記口は、前記内壁及び前記外壁の対向した表面間に画定されている、請求項１１記載の送風機組立体。
【請求項１３】
前記口は、出口を有し、前記口の前記出口における前記対向した表面間の間隔は、０．５〜５ｍｍである、請求項１１又は１２記載の送風機組立体。
【請求項１４】
前記ノズルを通る空気流を生じさせる前記手段は、モータにより駆動されるインペラを含む、請求項１〜１３のうちいずれか一に記載の送風機組立体。
【請求項１５】
前記モータは、ＤＣブラシレスモータであり、前記インペラは、混流インペラである、請求項１４記載の送風機組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月2日(2011.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
なお、この実施例では反応時間を２時間にしたが、30分間〜８時間の間であれば銀ナノ粒子が生成されることを本発明者は確認している。
また、エチレングリコールに溶存酸素が存在する場合には、微量の鉄イオンを予めエチレングリコールに添加しておくと良い。鉄イオンの添加量はエチレングリコール中の溶存酸素量に依存するが、通常は100μM程度である。鉄イオンを添加することにより当該鉄イオンがエチレングリコール中の溶存酸素と結合するため、溶存酸素によって酸化的エッチング作用が進行することを防止することができる。従って、エチレングリコール溶液に供給する酸素ガス流量に応じた形状の銀ナノ粒子を安定的に得ることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
次に、得られた銀ナノ粒子の光学特性について調べた結果を次に示す。
図１１、図１２は、図７に示す銀ナノ粒子、図８に示す銀ナノ粒子を純水中に分散させて消光スペクトルを測定した結果を示す。これらの図に示すように、大きさが均一な銀ナノ粒子では特徴的なピーク(図１１において矢印で示す)が観察されたが、不均一な銀ナノ粒子では消光波長が平均化されるため、ピークは観察されなかった。
また、図７に示す銀ナノ粒子、図８に示す銀ナノ粒子をカバーガラス上に分散させて暗視野観察を行ったところ、図１３(a)及び(b)に示す結果が得られた。図１３(a)に示すように、大きさが均一なキューブ状の銀ナノ粒子では均一な散乱色（散乱光スペクトル）を示したが、図１３(b)に示すように、大きさ、形状共に不均一な銀ナノ粒子では散乱光の色も不均一であった。
更に、図７に示す銀ナノ粒子の表面に４-アミノチオフェノールの単分子膜を形成した単一粒子による表面増強ラマン分光（SERS）を測定したところ図１４に示す結果が得られた。この結果から、本発明の製造方法で得られた大きさが均一なキューブ状の銀ナノ粒子は、ラマン散乱光の増強効果を有することが確認された。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【図１】多価アルコールによる銀イオンの還元反応における種となる銀結晶と最終的な結晶との関係を示す図。
【図２】ポリビニルピロリドンの作用を説明するための図。
【図３】本発明の実施例で用いた実験装置の図。
【図４】酸素流量を2ml/minに調整したときに生成される銀ナノ粒子のSEM写真。
【図５】酸素流量を4ml/minに調整したときに生成される銀ナノ粒子のSEM写真。
【図６】酸素流量を6ml/minに調整したときに生成される銀ナノ粒子のSEM写真。
【図７】酸素流量を8ml/minに調整したときに生成される銀ナノ粒子のSEM写真。
【図８】酸素流量を10ml/min〜に調整したときに生成される銀ナノ粒子のSEM写真。
【図９】酸素流量及び酸素流量のエチレングリコール溶液量に対する体積比と得られた銀ナノ粒子の収率の関係を示す図。
【図１０】酸素流量及び酸素流量のエチレングリコール溶液量に対する体積比と主に得られる結晶構造の関係を示す図。
【図１１】図７に示す銀ナノ粒子を純水中に分散させて測定した消光スペクトル。
【図１２】図８に示す銀ナノ粒子を純水中に分散させて測定した消光スペクトル。
【図１３】図７及び図８に示す銀ナノ粒子をカバーガラス上に分散させて行った暗視野観察写真。
【図１４】図７に示す銀ナノ粒子の表面に４-アミノチオフェノールの単分子膜を形成した単一粒子による表面増強ラマン分光（SERS）スペクトル。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月2日(2011.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
油剤が付着した短繊維（Ａ）と油剤が付着していないエレクトレット短繊維（Ｂ）とで構成された不織布を含むエレクトレット繊維構造体。
【請求項２】
前記短繊維（Ａ）が熱接着性である、請求項１に記載のエレクトレット繊維構造体。
【請求項３】
前記不織布が少なくとも２層積層されてなり、該少なくとも２層の不織布は、互いに、前記短繊維（Ａ）と前記エレクトレット短繊維（Ｂ）の配合比率が異なる、請求項１または２に記載のエレクトレット繊維構造体。
【請求項４】
前記短繊維（Ａ）の繊度が６ｄｔｅｘ以上３０ｄｔｅｘ以下、短繊維（Ｂ）の繊度が０．１〜７ｄｔｅｘである請求項１〜３いずれかに記載のエレクトレット繊維構造体。
【請求項５】
前記短繊維（Ａ）および短繊維（Ｂ）が捲縮していることを特徴とする請求項１〜４いずれかに記載の繊維構造体。
【請求項６】
エレクトレット繊維構造体における短繊維（Ｂ）の配合比率が６０％以下であることを特徴とする請求項１〜５いずれかに記載の繊維構造体。
【請求項７】
少なくとも短繊維（B）となる繊維の原綿Ｂを短繊維（Ａ）となる繊維の原綿Ａで挟む形で積層し、開綿機に供給しウェブを製造する工程、得られたウェブの繊維間接着を行う工程、および繊維間接着されたウェブをエレクトレット加工する工程を有することを特徴とする請求項１〜６いずれかの繊維構造体の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載のエレクトレット繊維構造体、または請求項７記載の方法で得られた繊維構造体を備えてなるエアフィルター。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（１）油剤が付着した短繊維（Ａ）と油剤が付着していないエレクトレット短繊維（Ｂ）とで構成された不織布を含むエレクトレット繊維構造体。
（２）前記短繊維（Ａ）が熱接着性である、前記（１）に記載のエレクトレット繊維構造体。
（３）前記不織布が少なくとも２層積層されてなり、該少なくとも２層の不織布は、互いに、前記短繊維（Ａ）と前記エレクトレット短繊維（Ｂ）の配合比率が異なる、前記（１）または（２）に記載のエレクトレット繊維構造体。
（４）前記短繊維（Ａ）の繊度が６ｄｔｅｘ以上３０ｄｔｅｘ以下、短繊維（Ｂ）の繊度が０．１〜７ｄｔｅｘである前記（１）〜（３）いずれかに記載のエレクトレット繊維構造体。
（５）前記短繊維（Ａ）および短繊維（Ｂ）が捲縮していることを特徴とする前記（１）〜（４）いずれかに記載の繊維構造体。
（６）エレクトレット繊維構造体における短繊維（Ｂ）の配合比率が６０％以下であることを特徴とする前記（１）〜（５）いずれかに記載の繊維構造体。
（７）少なくとも短繊維（B）となる繊維の原綿Ｂを短繊維（Ａ）となる繊維の原綿Ａで挟む形で積層し、開綿機に供給しウェブを製造する工程、得られたウェブの繊維間接着を行う工程、および繊維間接着されたウェブをエレクトレット加工する工程を有することを特徴とする前記（１）〜（６）いずれかの繊維構造体の製造方法。
（８）前記（１）〜（６）のいずれかに記載のエレクトレット繊維構造体、または前記（７）記載の方法で得られた繊維構造体を備えてなるエアフィルター。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月26日(2011.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の：
（Ａ）下記式（１）：
【化１】
2010077316.tif 000001
｛式中、Ｒ１は、脂肪族環を有する４価の有機基であり、そしてＲ２は、４価の芳香族環含有有機基である。｝で表される繰り返し単位、及び下記式（２）：
【化２】
2010077316.tif 000002
｛式中、Ｒ３は２価の芳香族環含有有機基であり、そしてＲ４は４価の芳香族環含有有機基である。｝で表される繰り返し単位を含有するポリマーであって、該式（１）で表される繰り返し単位／該式（２）で表される繰り返し単位のモル比が、０．１〜２０であるポリマーを含む耐熱性ポリマー：１００質量部；
（Ｂ）活性光線照射により酸を発生する化合物０.５〜２０質量部；並びに
（Ｃ）酸の作用により上記（Ａ）耐熱性ポリマーを架橋し得る化合物：３〜５０質量部；を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
【請求項２】
前記式（１）中のＲ１が、下記式（３）：
【化３】
2010077316.tif 000003
｛式中、Ｒ５は、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−又は−ＣＨ＝ＣＨ−である。｝、下記式（４）：
【化４】
2010077316.tif 000004
｛式中、Ｒ６は、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−又は−ＣＨ２−ＣＨ２−である。｝、下記式（５）：
【化５】
2010077316.tif 000005
｛式中、Ｒ７は、−ＣＨ２−又は−ＣＨ２−ＣＨ２−である。｝、及び下記式（６）：
【化６】
2010077316.tif 000006
で表される構造から成る群から選ばれる少なくとも一種の構造である、請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
【請求項３】
前記ポリマーの末端に、下記式（７）：
【化７】
2010077316.tif 000007
｛式中、Ｒ８は、アルキレン基、脂肪族環又は芳香族環を有する有機基である。｝で表される有機基を有する、請求項１又は２に記載の感光性樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂層を基板上に形成する形成工程、該感光性樹脂層を活性光線で露光する露光工程、加熱する熱処理工程、現像する現像工程、及び得られたレリーフパターンを加熱する加熱工程を含む、硬化レリーフパターンの形成方法。
【請求項５】
シリコンウエハ基板上に、請求項４に記載の硬化レリーフパターンの形成方法により形成された硬化レリーフパターンを有する半導体装置。
【請求項６】
請求項４に記載の硬化レリーフパターンの形成方法を工程の一部として含む、半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】感光性樹脂組成物
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月29日(2011.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
線幅１０ｎｍ以下の極微細パターンの形成を非断熱近接場光露光で、それ以外のパターンをナノインプリントで、被加工基板に形成したフォトレジストに転写する微細パターン形成方法であって、
ナノインプリントによりパターンを形成する部位に対応するモールドパターンと、非断熱近接場露光によりパターンを形成する部位に対応する導電膜によるパターンを有する透光性のモールド構造であって、前記モールドパターンは前記フォトレジストの膜厚と前記導電膜によるパターンの膜厚の合計膜厚と等しい高さを有する凸パターンを含むモールド構造を準備する工程、
前記モールドパターンが前記被加工基板の表面に接触するように前記フォトレジストに前記モールドパターンをインプリントすると同時にモールド構造背面より前記フォトレジストが感光帯域を有しない波長帯域の非共鳴光を照射し、前記導電膜パターンのエッジ部で発生する非断熱近接場光で露光を行う工程、
を有することを特徴とする微細レジストパターン形成方法。
【請求項２】
前記モールド構造は、透光性の基板に凹パターンと前記凸パターンを形成したものであって、ナノインプリントによりパターンを形成する部位に対応する前記凸パターンと、連続した凹部に形成された非断熱近接場光露光によりパターンを形成する部位に対応する導電膜によるパターンを有することを特徴とする請求項１に記載の微細レジストパターン形成方法。
【請求項３】
前記導電膜は遮光性を有する膜である請求項１又は２に記載の微細レジストパターンの形成方法。
【請求項４】
前記フォトレジストは、前記非共鳴光照射部においてレジストの粘性が高くなる性質を有する有機溶剤を含む請求項１乃至３のいずれか１項に記載の微細レジストパターン形成方法。
【請求項５】
前記被加工基板は、半導体ウエハ基板であり、該半導体ウエハ基板上に、硬化樹脂膜を形成し、さらにその表層にフォトレジストを成膜したものである請求項１乃至４のいずれか１項に記載の微細レジストパターン形成方法。
【請求項６】
前記モールドパターンのフォトレジスト層へのインプリントにおいて、前記モールドパターンは、前記フォトレジスト層の直下にある被加工基板上の層に接触する請求項１に記載の微細レジストパターン形成方法。
【請求項７】
前記モールドパターンが前記被加工基板に接触する点において、前記導電膜パターンがフォトレジスト層に接触する請求項１に記載の微細レジストパターン形成方法。
【請求項８】
前記モールドパターンの凸パターンが該モールドパターンの表面から突出しており、前記導電膜パターンが前記モールドパターンの前記表面に形成されており、
前記被加工基板が、ストッパ層を含み、前記モールドパターンのインプリントは前記凸パターンの端部が前記フォトレジスト層とストッパ層との境界で止まるまで前記モールドパターンを押し込むことを含む請求項１に記載の微細レジストパターン形成方法。
【請求項９】
前記凸パターンの高さと前記フォトレジスト層の厚みが、前記導電膜パターンの端表面が前記フォトレジスト層表面に接触するように設定される請求項８に記載の微細レジストパターン形成方法。
【請求項１０】
表面にフォトレジスト層を形成した基板を準備する工程と、
一方の面に凸パターンと導電膜パターンを含むマスクを準備し、その際、前記凸パターンの高さを前記導電膜パターンと前記フォトレジスト層の合計膜厚と等しくなるように形成する工程と、
前記マスクの凸パターンを前記基板上の前記フォトレジスト層に、前記凸パターンが前記基板に接触するように押し込む工程と、
前記マスクの他方の面から、前記フォトレジスト層に到達する非断熱近接場光を前記導電膜パターンのエッジ部に発生するように前記フォトレジスト層に光を照射する工程と、
前記マスクを前記基板から分離し、前記基板上にフォトレジストパターンを形成する工程と
を有する方法。
【請求項１１】
前記導電膜パターンは前記マスクの平坦面に形成される請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記マスクは、ナノインプリント技術により準備される請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記導電膜パターンは電子線リソグラフィー法により形成される請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記フォトレジスト層に照射する光は、前記フォトレジストの感光帯域以外の波長帯域を有する光である請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
表面にフォトレジスト層を形成した半導体基板を準備する工程と、
一方の面に第１のマスクパターンと第２のマスクパターンを含むマスクを準備し、その際、前記第１のマスクパターンは前記第２のマスクパターンと前記フォトレジスト層の合計膜厚と等しい凸形状を有する工程と、
前記マスクの第１のマスクパターンを前記フォトレジスト層に、前記第１のマスクパターンが前記基板表面に接触するように押し込む工程と、
前記マスクの他方の面から、前記フォトレジスト層に到達する非断熱近接場光を前記第２のマスクパターンのエッジ部に発生するように前記フォトレジスト層に光を照射する工程と、
前記マスクを前記半導体基板から分離する工程と、
前記半導体基板上にフォトレジストパターンを形成するように半導体基板表面をパターニングする工程と
を有する方法。
【請求項１６】
前記第２のマスクパターンは前記マスクの平坦面上に形成された導電膜パターンを含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記マスクはナノインプリント技術により準備される請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記導電膜パターンは電子線リソグラフィー法により形成される請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記フォトレジスト層に照射する光は、前記フォトレジストの感光帯域以外の波長帯域を有する光である請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年5月25日(2010.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
従って本発明の目的は、火ぶくれの発生を防止できるコイル部品の半田付け方法および火ぶくれを抑制した差動トランスを提供することである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ベース部及びフタ部１２は熱伝導率の高い材料（例えば金属材料）で形成されていると、熱シールド部１２１が半田液に近づいたときに、半田液の表面温度が低下して、正常な半田付けが阻害される。そこでベース部１１及びフタ部１２は、熱シールド部１２１を半田液に近づけたときに、半田液の表面温度の低下を抑えるために、熱伝導率の低い材料、例えばフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂で形成される。さらに、絡げ部が半田液に浸漬されると、熱シールド部１２１の端面も半田液に接するので、劣化を防止するために、ガラステープのようなベース部１１及び熱シールド部１２１よりも耐熱性の大なる材料からなる部材（不指示）を固着することが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月14日(2011.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に、ゲート絶縁膜、第１の微結晶半導体膜、及び第１の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜を連続的に積層し、
前記第１の微結晶半導体膜、及び前記第１の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜をエッチングして、チャネル形成領域として機能する第２の微結晶半導体膜、及び第２の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜を形成し、
前記第２の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜上にソース電極、及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極をマスクとして、前記第２の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜をエッチングしてソース領域、及びドレイン領域として機能する第３の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜を形成し、
前記ソース電極またはドレイン電極上に画素電極を形成する表示装置の作製方法であって、
前記第１の微結晶半導体膜、及び前記第１の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜は、周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置で形成され、前記マイクロ波プラズマＣＶＤ装置は、複数のマイクロ波発生装置、及び前記マイクロ波発生装置で発生したマイクロ波を伝播させる複数の誘電体を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に、ゲート絶縁膜、及び第１の微結晶半導体膜を連続的に積層し、
前記第１の微結晶半導体膜上にチャネル保護膜を形成し、
前記第１の微結晶半導体膜、及び前記チャネル保護膜上に第１の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜を形成し、
前記第１の微結晶半導体膜、及び前記第１の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜をエッチングして、チャネル形成領域として機能する第２の微結晶半導体膜、及び第２の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜を形成し、
前記第２の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜上にソース電極、及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極、及び前記ドレイン電極をマスクとして前記第２の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜をエッチングして、ソース領域、及びドレイン領域として機能する第３の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜を形成し、
前記ソース電極またはドレイン電極上に画素電極を形成し、
前記第１の微結晶半導体膜、及び前記第１の一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体膜は、周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波プラズマＣＶＤ装置で形成され、前記マイクロ波プラズマＣＶＤ装置は、複数のマイクロ波発生装置、及び前記マイクロ波発生装置で発生したマイクロ波を伝播させる複数の誘電体を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記マイクロ波発生装置で発生したマイクロ波は、導波管を経て、前記複数の誘電体に伝播され、前記マイクロ波プラズマＣＶＤ装置の処理室に放出されることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記マイクロ波プラズマＣＶＤ装置に配置された前記基板と、前記誘電体との間に第１のガス管、及び第２のガス管が交差して配置され、
前記第１のガス管から非原料ガスが供給され、
前記第２のガス管から原料ガスが供給され、
前記第１のガス管の吹き出し口は前記誘電体側に設けられ、
前記第２のガス管の吹き出し口は前記基板側に設けられることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記表示装置は液晶表示装置であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記表示装置は発光装置であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月17日(2011.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図１４は、図１３の各差動ドライバ１ａ，１ｂ，１ｃの出力信号Ｓ１１ａ，Ｓ１１ｂ，Ｓ１２ａ，Ｓ１２ｂ，Ｓ１３ａ，Ｓ１３ｂの信号波形と、電流方向又は信号電圧の極性の定義と、割り当てられるビット情報の関係を示す波形図であり、図１５は、図１３の信号伝送路（差動伝送線路）２の信号線２ａ，２ｂ，２ｃを介して伝送する伝送信号の信号電圧Ｖｓ１，Ｖｓ２，Ｖｓ３の信号波形と割り当てられるビット情報の関係を示す波形図である。各差動レシーバ３ａ，３ｂ，３ｃは、入力されるビット情報信号に応じて、図１４に示される出力信号を出力し、このとき、入力される３ビットのビット情報信号に応じて、信号伝送路（差動伝送線路）２の信号線２ａ，２ｂ，２ｃを介して伝送する伝送信号の信号電圧Ｖｓ１，Ｖｓ２，Ｖｓ３は図１５に示すようになる。
図１６は図１３の多重差動伝送システムにおいて伝送されるビット情報と、信号伝送路（差動伝送線路）２の各信号線２ａ，２ｂ，２ｃを伝送する伝送信号の信号電圧Ｖｓ１，Ｖｓ２，Ｖｓ３との関係を示す図であり、図１７は図１３の信号線２ａ，２ｂ，２ｃの信号電圧Ｖｓ１，Ｖｓ２，Ｖｓ３を説明するための信号送信機１と各信号線２ａ，２ｂ，２ｃとの等価回路を示す回路図である。ここで、各信号線２ａ，２ｂ，２ｃの信号電圧Ｖｓ１，Ｖｓ２，Ｖｓ３について、図１６及び図１７を参照して説明する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2009010328.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月15日(2011.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に構造物を形成する方法であって、粒子と結合剤とを含む領域を有する少なくとも１つの転写層（２２）を、刻印箔（２）、特に熱刻印箔によって基板（１）の表面に全面または部分的に転写し、基板（１）上に転写された転写層内に開孔を形成し、その際、前記結合剤を排除し、それによって基板上に多孔性構造物が形成されることを特徴とする、基板上に構造物を形成する方法。
【請求項２】
少なくとも１つの転写層（２２）の転写後または２つの順次行われる刻印工程の間に、焼結プロセスを実行することを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
２つまたはそれ以上の焼結プロセスを、異なる温度および／または滞留時間で実行することを特徴とする、請求項２記載の方法。
【請求項４】
焼結プロセスが３００℃から８００℃の範囲の焼結温度で調整されることを特徴とする、請求項２または３記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの転写層（２２）の転写後または２つの順次行われる刻印工程の間で、結合剤が化学的に排除されることを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項６】
基板上に転写される転写層（２２ｏ）の開孔内に、少なくとも１つの充填材を挿入し、該充填材が、導電性材料または半導体材料であり、または該充填材が、触媒作用材料であることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
充填材が、孔の表面上に、該孔を完全には埋めない層を形成することを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
多孔性の導電性構造物、特に伝導経路または電極を形成し、その場合に転写層（２２）のある領域を、刻印箔（２）によって基板（１）の表面に全面または部分的に転写し、この転写層（２２）が、結合剤以外に、粒子として導電性粒子を含み、その後基板（１）上に転写された転写層内に開孔を形成し、その際結合剤を除去し、それによって基板上に多孔性の導電性構造物が形成されることを特徴とする、請求項１ないし７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
多孔性の導電性構造物、特に伝導経路または電極を形成し、その場合に少なくとも１つの転写層（２２）を、非導電性転写層として形成し、刻印箔（２）によって基板（１）の表面に全面または部分的に転写し、その後基板（１）上に転写された転写層内に開孔を形成し、その際結合剤を除去し、それから該開孔内に導電性材料または半導体材料を充填材として挿入することを特徴とする、請求項１ないし７のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
構造物（２２，８２２，９２２）を、２以上の刻印工程で形成し、異なる材料から成る転写層および／または異なる導電性を有する転写層および／または異なる幾何学的構造を有する転写層および／または異なる横断面輪郭を有する転写層を順に転写することを特徴とする、請求項１ないし９のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
光学可変要素（１０２２ｈ）を有する転写層（１０２２）を最終層として装着することを特徴とする、請求項１ないし１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
基板が、無機材料、特にシリコンウェーハであることを特徴とする、請求項１ないし１１のいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
刻印箔（２）を備え、該刻印箔（２）は、粒子と結合剤を含む領域を有する、少なくとも１つの転写層（２２）を有し、該転写層（２２）内の結合剤を排除することによって、多孔性構造物を設けるための開孔が形成可能であることを特徴とする、基板上に構造物を形成するための刻印箔、特に熱刻印箔。
【請求項１４】
少なくとも１つの転写層（２２）が、導電性粒子、半導体粒子、非導電性粒子のグループから選択された粒子と結合剤との混合物により形成されることを特徴とする、請求項１３記載の刻印箔。
【請求項１５】
粒子が異なる寸法を有することを特徴とする、請求項１３または１４記載の刻印箔。
【請求項１６】
少なくとも１つの転写層内の粒子の体積濃度が一定でないことを特徴とする、請求項１３ないし１５のいずれか１項記載の刻印箔。
【請求項１７】
結合剤が温度プロセスまたは化学プロセスによって排除可能であることを特徴とする、請求項１３ないし１６のいずれか１項記載の刻印箔。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月3日(2011.5.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法及び半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の単結晶半導体基板のそれぞれに分離層を形成し、
前記複数の単結晶半導体基板をダミー基板の上に並べ、低温凝固剤を用いて第１の温度で固定し、
支持基板と前記ダミー基板を、前記複数の単結晶半導体基板を挟んで重ね合わせ、
第２の温度に加熱して前記ダミー基板を前記複数の単結晶半導体基板から分離し、
前記分離層を境として前記複数の単結晶半導体基板の一部を分離することによって、前記支持基板上に複数の単結晶半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記複数の単結晶半導体基板の表面に酸化窒化珪素層を形成し、
前記酸化窒化珪素層を介して前記複数の単結晶半導体基板と前記支持基板とを重ね合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
複数の単結晶半導体基板のそれぞれの表面に酸化層を形成し、
前記複数の単結晶半導体基板のそれぞれに分離層を形成し、
前記複数の単結晶半導体基板をダミー基板の上に並べ、低温凝固剤を用いて第１の温度で固定し、
支持基板と前記ダミー基板を、前記酸化層及び前記複数の単結晶半導体基板を挟んで重ね合わせ、
第２の温度に加熱して前記ダミー基板を前記複数の単結晶半導体基板から分離し、
前記分離層を境として前記複数の単結晶半導体基板の一部を分離することによって、前記支持基板上に複数の単結晶半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
ハロゲンを添加した酸化雰囲気中で加熱処理を行って、複数の単結晶半導体基板のそれぞれの表面に酸化層を形成し、
前記複数の単結晶半導体基板のそれぞれに分離層を形成し、
前記複数の単結晶半導体基板をダミー基板の上に並べ、低温凝固剤を用いて第１の温度で固定し、
支持基板と前記ダミー基板を、前記酸化層及び前記複数の単結晶半導体基板を挟んで重ね合わせ、
第２の温度に加熱して前記ダミー基板を前記複数の単結晶半導体基板から分離し、
前記分離層を境として前記複数の単結晶半導体基板の一部を分離することによって、前記支持基板上に複数の単結晶半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、
前記酸化層の表面に酸化窒化珪素層を形成し、
前記酸化窒化珪素層を介して前記複数の単結晶半導体基板と前記支持基板とを重ね合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記複数の単結晶半導体基板及び前記支持基板を重ね合わせた状態で加熱処理を行って、前記複数の半導体基板の一部を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第２の温度は、前記低温凝固剤が接着効果を有しない温度であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１の温度は１０度以下であり、前記第２の温度は１７度以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記ダミー基板を前記複数の単結晶半導体基板から分離した後、前記低温凝固剤を揮発又は洗浄により除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記分離層は、前記複数の単結晶半導体基板に電界で加速されたイオンを照射することによって形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記支持基板に酸化窒化珪素層又は窒化酸化珪素層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記複数の単結晶半導体基板のそれぞれの形状は、矩形であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記支持基板がガラス基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記複数の単結晶半導体基板を、０．０１ｍｍ以上１ｍｍ以下の間隔で前記ダミー基板の上に並べることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法により作製された前記複数の単結晶半導体層を表示部に用いた半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月7日(2010.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜中にＣＯ2を含有するシリコン酸化膜であって、
赤外吸収スペクトルの（ピーク半値幅）×（ピーク高）で表されるピーク面積強度において、波数２３４０ｃｍ-1付近に現れるＣＯ2帰属ピークの面積強度が、波数１０６０ｃｍ-1付近に現れるＳｉＯ2帰属ピークの面積強度に対して、８Ｅ−４倍以上であることを特徴とするシリコン酸化膜。
【請求項２】
前記ＣＯ2帰属ピークの面積強度及び前記ＳｉＯ2帰属ピークの面積強度は、それぞれ、前記シリコン酸化膜中のＣＯ2及びＳｉＯ2に帰属するピークの面積強度である請求項１に記載のシリコン酸化膜。
【請求項３】
膜中にＣＯ2を含有するシリコン酸化膜の製造方法であって、
プラズマＣＶＤ法により、酸素ガスの流量（Ｆ０）と有機シランの流量（Ｆ１）の比（Ｆ０／Ｆ１）を５０以上とすることを特徴とするシリコン酸化膜の製造方法。
【請求項４】
プラズマＣＶＤ装置のＲＦパワー密度を０．６００〜１．５５３Ｗ／ｃｍ2とすることを特徴とする請求項３に記載のシリコン酸化膜の製造方法。
【請求項５】
請求項１又は２に記載のシリコン酸化膜をゲート絶縁膜に用いた半導体装置。
【請求項６】
前記シリコン酸化膜は、ゲート電極とシリコン膜との間にそれぞれと接して配置されている請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体装置は、絶縁性基板上に形成された多結晶シリコン膜をチャネル層とする薄膜トランジスタである請求項５又は６に記載の半導体装置。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれかに記載の半導体装置を備えるアクティブマトリックス基板。
【請求項９】
請求項８に記載のアクティブマトリックス基板を備える電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月7日(2011.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上にハロゲン元素を含む半導体層を形成し、
前記半導体層上にバッファ層を形成し、
前記バッファ層上に半導体素子又は発光素子を形成し、
前記半導体素子又は発光素子を前記基板から、前記基板と前記半導体層との界面、前記半導体層内、又は前記半導体層と前記バッファ層との界面において剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記ハロゲン元素は、フッ素又は塩素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記半導体層は、プラズマＣＶＤ法により形成されるアモルファスシリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記バッファ層は、プラズマＣＶＤ法により形成される絶縁層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記半導体層において、前記基板との界面近傍におけるハロゲン元素の濃度は、前記バッファ層との界面近傍におけるハロゲン元素の濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記半導体層において、前記バッファ層との界面近傍におけるハロゲン元素の濃度は、前記基板との界面近傍におけるハロゲン元素の濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記半導体層に含まれるハロゲン元素の濃度は、１×１０１７ｃｍ−３以上２×１０２０ｃｍ−３以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記絶縁表面を有する基板はガラス基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
可撓性基板と、
前記可撓性基板上のハロゲン元素を含む半導体層と、
前記半導体層上の半導体素子又は発光素子と、を有し、
前記半導体層に含まれるハロゲン元素の濃度は、１×１０１７ｃｍ−３以上２×１０１９ｃｍ−３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記ハロゲン元素は、フッ素又は塩素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項９又は請求項１０において、
前記半導体層は、アモルファスシリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか一項において、
前記可撓性基板と前記ハロゲン元素を含む半導体層との間に接着層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項９乃至１２のいずれか一項において、
前記半導体素子又は前記発光素子と前記ハロゲン元素を含む半導体層との間にバッファ層を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月25日(2011.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する支持基板上に形成された単結晶半導体層に接して酸化窒化シリコン層を形成する工程を含み、
前記酸化窒化シリコン層はシリコンの水素化物気体又はフッ化物気体と窒素酸化物気体を供給し、マイクロ波プラズマ化学的気相成長法で形成されたことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化窒化シリコン層は、シリコン、酸素、窒素及び水素の合計含有量を１００％とした場合に、酸素が５５〜６５原子％、窒素が１〜２０原子％、Ｓｉが２５〜３５原子％、水素及び／又はＯＨ基が０．１〜１０原子％の範囲で含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記単結晶半導体層は、
単結晶半導体基板に接してハロゲンを含有する絶縁層を形成し、
前記ハロゲンを含有する絶縁層上に緩和層を形成し、
前記緩和層を介して、前記単結晶半導体基板に水素又はハロゲンイオンを注入して分離層を形成し、
前記支持基板と、前記単結晶半導体基板とを、接合層を介して密接させ、
前記支持基板と、前記単結晶半導体基板とを剥離することによって形成されたことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記単結晶半導体層は、
単結晶半導体基板に接してハロゲンを含有する絶縁層を形成し、
前記ハロゲンを含有する絶縁層上に緩和層を形成し、
前記緩和層上にバリア層を形成し、
前記緩和層及び前記バリア層を介して、前記単結晶半導体基板に水素又はハロゲンイオンを注入して分離層を形成し、
前記支持基板と、前記単結晶半導体基板とを、接合層を介して密接させ、
前記支持基板と、前記単結晶半導体基板とを剥離することによって形成されたことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記シリコンの水素化物気体がＳｉＨ４であり、前記窒素酸化物気体がＮ２Ｏであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記酸化窒化シリコン層に接してゲート電極を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。