【手続補正書】
【提出日】平成21年3月13日(2009.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンクリート構造における鋼鉄を防食するためのアノード及び直流電源の使用であって、
前記直流電源を用いて前記アノードから前記鋼鉄に電流を供給し、鋼鉄の腐食を制止するために前記鋼鉄の環境を改善するように構成された一時的な印加電流処理を送達するステップと、
続いて、鋼鉄の腐食の開始を抑制するのに適合された低電流の防食処理を、同一のアノードから前記鋼鉄に送達するステップとを含み、
前記一時的な印加電流処理は、前記低電流の防食処理に比べて高電流の処理であり、
前記アノードが、主たるアノード反応として犠牲金属の溶解を起こす犠牲金属要素を具えることを特徴とする使用。
【請求項２】
６００ｋＣ／ｍ２程度の電荷が、前記一時的な印加電流処理において前記鋼鉄に送達されることを特徴とする請求項１に記載の使用。
【請求項３】
１００ｋＣ／ｍ２程度の電荷が、前記一時的な印加電流処理において前記鋼鉄に送達されることを特徴とする請求項２に記載の使用。
【請求項４】
前記一時的な印加電流処理が、３ヵ月の持続期間より少ないことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の使用。
【請求項５】
前記一時的な印加電流処理が、３週間の持続期間より少ないことを特徴とする請求項４に記載の使用。
【請求項６】
前記一時的な印加電流処理が、アノードの１平方メートル当たり２００ｍＡより大きいアノード電流密度で送達されることを特徴とする請求項１乃至５いずれか１項に記載の使用。
【請求項７】
前記一時的な印加電流処理が、アノードの１平方メートル当たり１０００ｍＡより大きいアノード電流密度で送達されることを特徴とする請求項６に記載の使用。
【請求項８】
前記一時的な印加電流処理における平均電流が、前記低電流の防食処理における平均電流よりも少なくとも一桁大きいことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の使用。
【請求項９】
前記低電流の防食処理が、鋼鉄の１平方メートル当たり５ｍＡより小さい平均電流を前記鋼鉄に送達するステップを含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１０】
前記アノードが、コンクリート中の鋼鉄を防食するように構成された犠牲アノードであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１１】
前記低電流の防食処理が、前記犠牲アノードから前記鋼鉄への電子伝導の経路を提供することにより実現されることを特徴とする請求項１０に記載の使用。
【請求項１２】
前記一時的な印加電流処理が、印加電流の不溶性アノードを残すように前記犠牲金属要素を消費し、前記低電流の防食処理が印加電流の陰極防食であり、前記低電流の防食処理が、印加電流の陰極予防と比較してローメンテナンスであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１３】
前記低電流の防食処理が、長期間の処理であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１４】
前記アノードが、長期間使用のために、前記コンクリートに取り付けられる多孔性材に埋め込まれることを特徴とする請求項１３に記載の使用。
【請求項１５】
前記アノードが、前記コンクリートに形成された空洞の多孔性材に埋め込まれた小型の点状アノードであることを特徴とする請求項１４に記載の使用。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか１項の使用のために構成されたアノードであって、
犠牲金属要素及び印加電流のアノード接続細部を具え、
前記アノードは、前記コンクリートに形成された空洞に埋め込むように構成された小型の点状アノードであり、
前記犠牲金属要素が鋼鉄ほど不活性ではなく、
前記印加電流のアノード接続細部は、電子を伝導するとともにアノード溶解から保護される前記犠牲金属要素との接続部であり、
前記銅／飽和硫酸銅の照合電位の電位を超える＋５００ｍＶよりさらにプラスの電位にて不動態のままである導体を具え、前記導体は、前記犠牲電極から離れて延在し、前記導体を別の導体に接続するように構成された接続点を提供することを特徴とするアノード。
【請求項１７】
前記小型の点状アノードが、直径５０ｍｍ及び長さ２００ｍｍの穴の開いた又は中空のコンクリート内の空洞にフィットするように構成されていることを特徴とする請求項１６に記載のアノード。
【請求項１８】
前記小型の点状アノードが、幅３０ｍｍ及び深さ５０ｍｍのコンクリート面に刻まれたチェースにフィットするように構成されていることを特徴とする請求項１６に記載のアノード。
【請求項１９】
前記犠牲金属要素は、前記導体の周囲にその長さの一部の上に形成されていることを特徴とする請求項１６乃至１８のいずれか１項に記載のアノード。
【請求項２０】
前記導体が、前記銅／飽和硫酸銅の照合電位の電位を超える＋２０００ｍＶよりさらにプラスの電位で不動態のままであることを特徴とする請求項１６乃至１９のいずれか１項に記載のアノード。
【請求項２１】
前記導体が、電解質にさらされた場合に不動態のままである不溶性導体であることを特徴とする請求項１６乃至２０のいずれか１項に記載のアノード。
【請求項２２】
前記不溶性導体がチタンであることを特徴とする請求項２１に記載のアノード。
【請求項２３】
前記不溶性導体が、不溶性の印加電流のアノードであることを特徴とする請求項２１に記載のアノード。
【請求項２４】
前記不溶性の印加電流のアノードが、
金属酸化物を被覆したチタン、白金チタン、白金ニオビウムを含むリストから選択されることを特徴とする請求項２３に記載のアノード。
【請求項２５】
前記導体が、絶縁材の層によって前記環境における電解質から隔離されるので、不動態のままであることを特徴とする請求項１６乃至２０のいずれか１項に記載のアノード。
【請求項２６】
前記絶縁材が、前記導体が前記犠牲金属要素に接続されている前記犠牲金属の表面の部分を越えて延在することを特徴とする請求項２５に記載のアノード。
【請求項２７】
前記犠牲金属要素が、アルミニウム又は亜鉛又はマグネシウム又はそれらの合金を含むことを特徴とする請求項１６乃至２６のいずれか１項に記載のアノード。
【請求項２８】
請求項１６乃至２７のいずれか１項に記載のアノードと、前記コンクリートに形成された空洞に前記アノードを埋め込むように構成させた多孔性の埋め込み材との組み合わせ。
【請求項２９】
前記多孔性の埋め込み材が、１Ｎ／ｍｍ２未満の圧縮強度を有することを特徴とする請求項２８に記載の組み合わせ。
【請求項３０】
塩化物が混入されたコンクリート構造内の空洞に埋め込まれた活性化犠牲アノードの製造方法であって、
導体と鋼鉄よりも不活性ではない犠牲金属要素との間を電子が移動するための経路を提供するステップと、
前記コンクリート構造に空洞を形成するステップと、
接続点を提供するために、さらされる前記導体の一部を残して前記空洞内の電解質を含む多孔性材に前記犠牲金属要素を埋め込むステップと、
直流電源の正極と導体との間を流れる電子の経路を提供するステップと、
前記コンクリートに存在する塩化物イオンを犠牲金属の表面に引き付け、犠牲金属を活性化するために、前記犠牲金属から電流を供給するステップと、
前記直流電源を前記導体から切断するステップとを含むことを特徴とする製造方法。
【請求項３１】
前記犠牲金属要素から供給される前記電流が、アノードの１平方メートル当たり２００ｍＡより大きいことを特徴とする請求項３０に記載の活性化犠牲アノードの製造方法。
【請求項３２】
前記活性化犠牲アノードが、小型の点状アノードであることを特徴とする請求項３０乃至３１のいずれか１項に記載の活性化犠牲アノードの製造方法。