Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月18日(2011.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジストパターンが現像された後、リンス液が供給された基板上に、前記レジストパターンを疎水化する疎水化剤がハイドロフルオロエーテルで希釈されてなる処理液を供給する処理液供給工程と、
前記処理液が供給された前記基板上から、前記処理液を除去する処理液除去工程と
を有する、現像処理方法。
【請求項２】
前記処理液供給工程の後、前記処理液除去工程の前に、
前記処理液の供給を停止し、前記基板の回転を略停止した状態で、前記レジストパターンの疎水化処理を安定化させる疎水化処理安定化工程を有する、請求項１に記載の現像処理方法。
【請求項３】
前記疎水化剤は、トリメチルシリルジメチルアミンである、請求項１又は請求項２に記載の現像処理方法。
【請求項４】
前記処理液供給工程は、
前記基板を第１の回転数で回転させながら、前記基板上に前記処理液を供給する第１の供給工程と、
前記第１の供給工程の後に、前記基板を前記第１の回転数よりも高い第２の回転数で回転させながら、前記基板上に前記処理液を供給する第２の供給工程と、
前記第２の供給工程の後に、前記基板を前記第２の回転数よりも低い第３の回転数で回転させながら、前記基板上に前記処理液を供給する第３の供給工程と
を有する、請求項１から請求項３のいずれかに記載の現像処理方法。
【請求項５】
前記処理液供給工程の前に、
前記基板を前記第１の回転数よりも低い第４の回転数で回転させながら、前記基板上に前記リンス液を供給するリンス液供給工程を有する、請求項４に記載の現像処理方法。
【請求項６】
前記処理液除去工程は、
前記基板を第５の回転数で回転させながら、前記基板上から前記処理液を除去する第１の除去工程と、
前記第１の除去工程の後に、前記基板を前記第５の回転数よりも高い第６の回転数で回転させながら、前記基板上から前記処理液を除去する第２の除去工程と
を有する、請求項５に記載の現像処理方法。
【請求項７】
前記処理液除去工程を、前記基板上にリンス液を供給しながら行う、請求項１から請求項６のいずれかに記載の現像処理方法。
【請求項８】
基板を処理する際にリンス液の供給を行う工程を有する基板処理方法であって、
前記基板の表面上を疎水化する疎水化剤がハイドロフルオトエーテルで希釈されてなる処理液を供給する処理液供給工程と、
前記処理液が供給された前記基板上から、前記処理液を除去する処理液除去工程と
を有する、基板処理方法。
【請求項９】
前記処理液供給工程の後、前記処理液除去工程の前に、
前記処理液の供給を停止し、前記基板の回転を略停止した状態で、前記レジストパターンの疎水化処理を安定化させる疎水化処理安定化工程を有する、請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記疎水化剤は、トリメチルシリルジメチルアミンである、請求項８又は請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記処理液供給工程は、
前記基板を第１の回転数で回転させながら、前記基板上に前記処理液を供給する第１の供給工程と、
前記第１の供給工程の後に、前記基板を前記第１の回転数よりも高い第２の回転数で回転させながら、前記基板上に前記処理液を供給する第２の供給工程と、
前記第２の供給工程の後に、前記基板を前記第２の回転数よりも低い第３の回転数で回転させながら、前記基板上に前記処理液を供給する第３の供給工程と
を有する、請求項８から請求項１０のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記処理液供給工程の前に、
前記基板を前記第１の回転数よりも低い第４の回転数で回転させながら、前記基板上に前記リンス液を供給するリンス液供給工程を有する、請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記処理液除去工程は、
前記基板を第５の回転数で回転させながら、前記基板上から前記処理液を除去する第１の除去工程と、
前記第１の除去工程の後に、前記基板を前記第５の回転数よりも高い第６の回転数で回転させながら、前記基板上から前記処理液を除去する第２の除去工程と
を有する、請求項１２に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記処理液除去工程を、前記基板上にリンス液を供給しながら行う、請求項８から請求項１３のいずれかに記載の基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】現像処理方法及び基板処理方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一実施例によれば、レジストパターンが現像された後、リンス液が供給された基板上に、前記レジストパターンを疎水化する疎水化剤がハイドロフルオロエーテルで希釈されてなる処理液を供給する処理液供給工程と、前記処理液が供給された前記基板上から、前記処理液を除去する処理液除去工程とを有する、現像処理方法が提供される。
また、本発明の他の実施例によれば、基板を処理する際にリンス液の供給を行う工程を有する基板処理方法であって、前記基板の表面上を疎水化する疎水化剤がハイドロフルオトエーテルで希釈されてなる処理液を供給する処理液供給工程と、前記処理液が供給された前記基板上から、前記処理液を除去する処理液除去工程とを有する、基板処理方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月14日(2011.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外面に複数の窪みを有する筐体本体と、複数の前記窪み上を覆うスイッチボタンシートと、を備え、前記スイッチボタンシートに形成されたスイッチ部が前記窪みに配置されていることを特徴とするスイッチ一体型筐体。
【請求項２】
外面に複数の窪みを有する筐体本体と、複数の前記窪み上を覆うスイッチボタンシートと、を備え、前記スイッチボタンシートの前記窪み上の部分を押圧することによりスイッチ動作が行なわれることを特徴とするスイッチ一体型筐体。
【請求項３】
外面に一段低い凹部を有する筐体本体と、前記凹部内に配置されたスイッチボタンシートと、を備え、前記スイッチボタンシートに形成されたスイッチ部が前記筐体本体に配置されていることを特徴とするスイッチ一体型筐体。
【請求項４】
前記凹部の領域内には複数の窪みが形成されており、前記スイッチ部は前記窪みごとに配置されていることを特徴とする請求項３に記載のスイッチ一体型筐体。
【請求項５】
前記スイッチ部上または前記窪み上の前記スイッチボタンシートの上面にスイッチボタンが配置されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のスイッチ一体型筐体。
【請求項６】
前記スイッチボタンシートは、前記筐体本体側に第１の配線パターンを有することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のスイッチ一体型筐体。
【請求項７】
前記第１の配線パターンは、同心円状に複数個形成されていることを特徴とする請求項６に記載のスイッチ一体型筐体。
【請求項８】
前記スイッチボタンシートの前記スイッチ部上または前記窪み上には抜き部が形成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載のスイッチ一体型筐体。
【請求項９】
前記スイッチボタンシート上には、前記スイッチボタンの配置された領域を除いてトッププレートが配置されていることを特徴とする請求項５から８のいずれかに記載のスイッチ一体型筐体。
【請求項１０】
前記筐体本体の前記窪みに第２の配線パターンが形成されていることを特徴とする請求項１、２、４、５、８または９のいずれかに記載のスイッチ一体型筐体。
【請求項１１】
前記第２の配線パターンは、前記筐体本体を貫通して形成されていることを特徴とする請求項１０に記載のスイッチ一体型筐体。
【請求項１２】
前記第２の配線パターンは、前記窪みの中央部を含んで複数箇所に形成されていることを特徴とする請求項１０または１１に記載のスイッチ一体型筐体。
【請求項１３】
前記第１の配線パターンあるいは前記第２の配線パターンは、前記筐体本体の内側に配置された配線基板の配線に接続されていることを特徴とする請求項６、７または１０から１２のいずれかに記載のスイッチ一体型筐体。
【請求項１４】
前記窪みの中央部に突起が形成されていることを特徴とする請求項１、２または４から１３のいずれかに記載のスイッチ一体型筐体。
【請求項１５】
前記窪み内には下に向かって凸のドーム状形状の弾性変形可能な構造体が配置されていることを特徴とする請求項１、２または４から１４のいずれかに記載のスイッチ一体型筐体。
【請求項１６】
前記構造体は、導電性機能を有していることを特徴とする請求項１５に記載のスイッチ一体型筐体。
【請求項１７】
前記構造体は、一の前記第１または第２の配線パターンと常時接触しており、押圧された際に他の第１または第２の配線パターンと接触することを特徴とする請求項１６に記載のスイッチ一体型筐体。
【請求項１８】
前記構造体の中央部には、下方に向かって突起が形成されていることを特徴とする請求項１５から１７のいずれかに記載のスイッチ一体型筐体。
【請求項１９】
前記スイッチボタンシートの前記筐体本体側には、前記窪み内に空間を有する態様にてカバーシートが接着されており、該空間内に前記構造体が前記カバーシートにより前記スイッチボタンシート側に押圧されて配置されていることを特徴とする請求項１５から１８のいずれかに記載のスイッチ一体型筐体。
【請求項２０】
前記カバーシートには、前記スイッチボタンシートと同一形状の抜き部が形成されていることを特徴とする請求項１９に記載のスイッチ一体型筐体。
【請求項２１】
前記筐体本体が側壁を有していることを特徴とする請求項１から２０のいずれかに記載のスイッチ一体型筐体。
【請求項２２】
前記筐体本体に電子部品を搭載した基板が収納されていることを特徴とする請求項１から２１のいずれかに記載のスイッチ一体型筐体。
【請求項２３】
請求項１から２２のいずれかに記載されたスイッチ一体型筐体を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明によれば、外面に複数の窪みを有する筐体本体と、複数の前記窪み上を覆うスイッチボタンシートと、を備え、前記スイッチボタンシートに形成されたスイッチ部が前記窪みに配置されていることを特徴とするスイッチ一体型筐体、が提供される。
また、上記目的を達成するため、本発明によれば、外面に複数の窪みを有する筐体本体と、複数の前記窪み上を覆うスイッチボタンシートと、を備え、前記スイッチボタンシートの前記窪み上の部分を押圧することによりスイッチ動作が行なわれることを特徴とするスイッチ一体型筐体、が提供される。
また、上記目的を達成するため、本発明によれば、外面に一段低い凹部を有する筐体本体と、前記凹部内に配置されたスイッチボタンシートと、を備え、前記スイッチボタンシートに形成されたスイッチ部が前記筐体本体に配置されていることを特徴とするスイッチ一体型筐体、が提供される。
また、上記目的を達成するため、本発明によれば、上記のスイッチ一体型筐体を有する電子機器、が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月28日(2011.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハのバッチをプロセスチャンバに挿入するステップと、
前記プロセスチャンバ内の前記ウェハ上に、チタン窒化物（ＴｉＮ）を蒸着するステップと、
複数の前記蒸着するステップの間に、前記プロセスチャンバから前記ウェハを取り出すことなしに、チタン窒化物を蒸着するための温度の約２０℃以内のシリコン蒸着温度で熱化学気相蒸着法を行うことによって、前記プロセスチャンバ内の前記ウェハ上に、シリコンを蒸着するステップであって、シリコン前駆物質はトリシランであるステップとを含む半導体ウェハの処理方法。
【請求項２】
シリコンを蒸着する前記ステップが、ＴｉＮを蒸着する前記ステップの後に生じる請求項１の方法。
【請求項３】
ＴｉＮを蒸着する前記ステップが、シリコンを蒸着する前記ステップの後に生じる請求項１の方法。
【請求項４】
ＴｉＮを蒸着する前記ステップおよびシリコンを蒸着する前記ステップが、両方とも約４００〜５５０℃以内の温度で行われる請求項１の方法。
【請求項５】
ＴｉＮを蒸着する前記ステップおよびシリコンを蒸着する前記ステップが、両方とも約４５０〜５００℃以内の温度で行われる請求項４の方法。
【請求項６】
ウェハの前記バッチを挿入する前記ステップが、互いに間隔を空けて配置されたほぼ平行なウェハの配置を提供することを含み、
ＴｉＮを蒸着する前記ステップおよびシリコンを蒸着する前記ステップが、それぞれが前記プロセスチャンバの内部に位置し、且つ、前記ウェハに対して実質的に垂直に向けられたガスインジェクタチューブを通じて、前駆物質ガスをフローすることを含み、
それぞれのインジェクタチューブが、ウェハの前記配置の長さの大部分に沿って伸び、それぞれのチューブが、その長さ方向に沿って複数のガスインジェクタホールを有する請求項１の方法。
【請求項７】
ウェハの前記バッチを挿入する前記ステップが、互いに垂直に間隔を空けて配置されたほぼ水平なウェハの配置を提供することを含み、
それぞれのインジェクタチューブが、実質的に垂直に配置されて、ウェハの前記配置の高さの大部分に沿って伸びる請求項６の方法。
【請求項８】
ＴｉＮを蒸着する前記ステップが、
１番目の前記インジェクタチューブを通じて、チタン前駆物質ガスの複数の個別のパルスをフローするステップと、
２番目の前記インジェクタチューブを通じて、窒素前駆物質ガスの複数の個別のパルスをフローするステップとを含み、
当該窒素前駆物質ガスパルスのそれぞれが、複数の前記チタン前駆物質ガスパルスの２つの連続するパルスの間に、一時的に生じる請求項６の方法。
【請求項９】
ＴｉＮを蒸着する前記ステップが、複数の個別の時間間隔のそれぞれの間に、（１）前記プロセスチャンバ内へパージガスをフローすること、および（２）前記プロセスチャンバを排気させること、のうちの１つをさらに含み、
前記時間間隔のそれぞれが、前記前駆物質ガスの一方のパルスの後、且つ、直ちに後続する前記前駆物質ガスの他方のパルスの前に在る請求項８の方法。
【請求項１０】
ＴｉＮを蒸着する前記ステップが、最後の前記チタン前駆物質ガスパルスの後に、前記第２のインジェクタチューブを通じて、前記窒素前駆物質ガスの付加的なパルスをフローすることをさらに含み、
当該付加的な窒素前駆物質ガスパルスの後に、別のチタン前駆物質ガスパルスが続かない請求項８の方法。
【請求項１１】
ＴｉＮを蒸着する前記ステップが、
１番目の前記インジェクタチューブを通じて、窒素前駆物質ガスをフローするステップと、
前記窒素前駆物質ガスをフローしながら、２番目の前記インジェクタチューブを通じて、チタン前駆物質ガスの複数の個別のパルスをフローするステップとを含む請求項６の方法。
【請求項１２】
ＴｉＮを蒸着する前記ステップが、
第１の時間間隔中に、１番目の前記インジェクタチューブを通じて、窒素前駆物質ガスのパルスをフローするサブステップと、
前記第１の時間間隔中に、２番目の前記インジェクタチューブを通じて、チタン前駆物質ガスのパルスをフローするサブステップと、
前記第１の時間間隔の後の、第２の時間間隔中に、前記第１のインジェクタチューブを通じて、前記窒素前駆物質ガスのパルスをフローするサブステップとを含む１つのサイクルに従って、前記窒素前駆物質ガスおよび前記チタン前駆物質ガスをフローし、
前記第２の時間間隔中に、前記チタン前駆物質ガスが前記プロセスチャンバへ供給されない請求項６の方法。
【請求項１３】
前記サイクルが、
前記第１の時間間隔及び前記第２の時間間隔の間に、（１）パージガスで前記プロセスチャンバをパージすること、および（２）前記プロセスチャンバを排気させること、のうちの１つを一時的に行うサブステップと、
前記第２の時間間隔の後に、（１）パージガスで前記プロセスチャンバをパージすること、および（２）前記プロセスチャンバを排気させること、のうちの１つを一時的に行うサブステップとをさらに含む請求項１２の方法。
【請求項１４】
前記チタン前駆物質ガスが四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）を含み、前記窒素前駆物質ガスがアンモニア（ＮＨ３）を含む請求項１２の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月16日(2011.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマＣＶＤ装置及び表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
蓋体３１７は処理容器３１６の上部を密閉する。蓋体３１７が有する導波管３２１は、複数が並置され、櫛歯状に突出している。導波管３２１はマイクロ波電源３２２と連結されている。導波管３２１にはスリット３２３が設けられ、そこからマイクロ波が漏洩するようになっている。漏洩するとは、スリット３２３はマイクロ波を透過する誘電体板３２４で塞がれており、誘電体板３２４を介してマイクロ波が供給される状態を示す。誘電体板３２４は、導波管３２１の中に処理用ガスが流れ込まないようにスリット３２３を塞いでおり、石英などから形成される。誘電体板３２４は、プラズマを均一に発生させるため、導波管３２１の中央に配置されている。スリット３２３の位置は、導波管３２１の側面、つまり並置された導波管が互いに対向する側に設けられており、スリットも互いに対向している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を載置するサセプタと、
前記サセプタの上部に、互いに間隔をおいて並んで設けられた複数の導波管と、
隣り合う前記導波管同士で挟まれた空間に設けられたプラズマ発生器と、
を有する処理室を有し、
前記プラズマ発生器を動作させ、前記空間においてプラズマを生成することで、前記被処理体に成膜することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】
被処理体を載置するサセプタと、
前記サセプタの上部に、互いに間隔をおいて並んで設けられた複数の導波管と、
隣り合う前記導波管同士で挟まれた空間に設けられたプラズマ発生器と、
を有する処理室を有し、
複数の前記導波管は前記被処理体の被処理面に対して平行な方向に延びた形状であり、
前記空間は細溝状であり、
前記プラズマ発生器を動作させ、前記空間においてプラズマを生成することで、前記被処理体に成膜することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
複数の前記導波管のそれぞれの側面にはスリットが設けられ、
隣り合う前記導波管同士において、前記スリット同士が対向するように設けられ、
前記スリットからマイクロ波が漏洩して前記プラズマを生成することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記スリットは誘電体板により塞がれていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記処理室は、前記サセプタと前記導波管と間に２つのガス供給ノズルを有し、
前記ガス供給ノズルの一方からは希ガスを供給し、他方からは成膜用のガスを供給することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記処理室内の圧力は、１×１０２Ｐａ以上１×１０５Ｐａ以下に保持しつつ、前記プラズマを生成することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
複数の前記導波管同士は、２ｍｍ以上１０ｍｍ以下の間隔をおいて並んで設けられていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項８】
被処理体を載置するサセプタと、互いに間隔をおいて並んで設けられた複数の導波管と、隣り合う前記導波管同士で挟まれた空間に設けられたプラズマ発生器と、を有する処理室において、被処理基板を前記サセプタ上に用意し、
前記プラズマ発生器を動作させ、前記空間においてプラズマを生成することで、前記被処理基板上に微結晶半導体層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項９】
被処理基板上にゲート電極層を形成し、
被処理体を載置するサセプタと、互いに間隔をおいて並んで設けられた複数の導波管と、隣り合う前記導波管同士で挟まれた空間に設けられたプラズマ発生器と、を有する処理室において、前記被処理基板を前記サセプタ上に用意し、
前記プラズマ発生器を動作させ、前記空間においてプラズマを生成することで、前記被処理基板上に前記ゲート電極層側から順に、ゲート絶縁層、微結晶半導体層及び不純物半導体層の各層表面を大気に触れさせることなく連続して形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９において、
前記プラズマは電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下であり、電子温度が０．２ｅＶ以上２．０ｅＶ以下であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月11日(2011.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体基板に形成された、ゲート幅方向に断続的に深さが変化するトレンチ構造と、
ゲート絶縁膜を介して前記トレンチ構造が定めるトレンチ部の内部およびプレーナー部の上面に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の一方の側の前記第１導電型半導体基板に形成された第２導電型のソース領域と、
前記ゲート電極の他方の側の前記第１導電型半導体基板に形成された第２導電型のドレイン領域と、
前記ソース領域および前記ドレイン領域にはさまれたチャネル領域と、
を備えた半導体装置において、
前記ソース領域と前記ドレイン領域のうち、前記トレンチ部を挟んで向き合う部分は、当該トレンチ構造の上面から底部と同じあるいはそれ以上に達する深さを有し、
前記ソース領域および前記ドレイン領域の表面に配置された前記ゲート絶縁膜の厚さは、前記チャネル領域の表面に配置された前記ゲート絶縁膜の厚さよりも厚いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１導電型半導体基板と、
前記第１導電型半導体基板の表面近傍に離間して配置された第２導電型のソース領域およびドレイン領域と、
前記ソース領域およびドレイン領域の間に配置された第１のチャネル領域となる平坦なプレーナー部と、
前記プレーナー部に沿って配置された、その側面および底面が第２のチャネル領域となる、一定の深さを有するトレンチ部と、
前記プレーナー部および前記トレンチ部の表面に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極とからなる半導体装置であって、
前記ソース領域およびドレイン領域のうち前記トレンチ部を介して向き合う部分の拡散領域の深さは当該トレンチ構造の上面から底部と同じあるいはそれ以上に達する深さを有し、
前記ソース領域および前記ドレイン領域の表面に配置された前記ゲート絶縁膜の厚さは、前記第２のチャネル領域の表面に配置された前記ゲート絶縁膜の厚さよりも厚いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記プレーナー部のソース領域およびドレイン領域表面のコンタクトとゲート電極との距離は、前記トレンチ部のソース領域およびドレイン領域表面のコンタクトとゲート電極との距離よりも短いことを特徴とする請求項１あるいは請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板のチャネル領域となる領域の一部を表面から内部にかけて除去し、側面と底面を有するトレンチを形成してプレーナー部とトレンチ部を配置する工程と、
前記トレンチ部および前記プレーナー部の表面に酸化膜を形成する工程と、
レジスト材を塗布し、前記トレンチのソース領域およびドレイン領域方向の上面から底面にかけて不純物が導入できるようにパターニングする工程と、
前記半導体基板を回転させながら第１のソース領域およびドレイン領域を形成する不純物をイオン注入する工程と、
前記レジスト材および前記酸化膜を除去し、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜を形成した後に、多結晶シリコンを堆積し、ゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を挟んで第２のソース領域およびドレイン領域を形成する工程とからなる半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記トレンチ部上面から底部にかけて形成される前記第１のソース領域およびドレイン領域は、１×１０13atoms/cm2から１×１０16atoms/cm2のドーズ量でイオン注入されることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記トレンチ部上面から底部にかけて形成される前記第１のソース領域およびドレイン領域の不純物拡散と活性化は、前記ゲート絶縁膜の形成工程と同時に行われることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記トレンチ部上面から底部にかけて形成される前記第１のソース領域およびドレイン領域の不純物導入工程は、前記ゲート絶縁膜の形成工程の前後のどちらにおいても実施可能であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月19日(2011.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に設けられた半導体層に接して、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記マイクロ波プラズマＣＶＤ装置は、複数のマイクロ波発生装置、及び前記マイクロ波発生装置で発生したマイクロ波を伝播させる複数の誘電体板を有し、
前記マイクロ波プラズマＣＶＤ装置の反応室内に、前記絶縁膜と異なる種類である保護膜を形成した後、前記反応室内に前記絶縁表面を有する基板を挿入し、前記誘電体板を透過して前記マイクロ波発生装置からマイクロ波が放出され、前記誘電体板の表面で密度の高いプラズマが発生し、前記絶縁表面を有する基板上に、前記絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に設けられた半導体層に接して、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて窒化酸化珪素膜を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記マイクロ波プラズマＣＶＤ装置は、複数のマイクロ波発生装置、及び前記マイクロ波発生装置で発生したマイクロ波を伝播させる複数の誘電体板を有し、
前記マイクロ波プラズマＣＶＤ装置の反応室内に、酸化窒化珪素膜、窒化珪素膜、または珪素膜で保護膜を形成した後、前記反応室内に前記絶縁表面を有する基板を挿入し、前記誘電体板を透過して前記マイクロ波発生装置からマイクロ波が放出され、前記誘電体板の表面で密度の高いプラズマが発生し、前記絶縁表面を有する基板上に、前記窒化酸化珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に設けられた半導体層に接して、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて酸化窒化珪素膜及び窒化酸化珪素膜の積層を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記マイクロ波プラズマＣＶＤ装置は、複数のマイクロ波発生装置、及び前記マイクロ波発生装置で発生したマイクロ波を伝播させる複数の誘電体板を有し、
前記マイクロ波プラズマＣＶＤ装置の反応室内に、前記酸化窒化珪素膜、または珪素膜で保護膜を形成した後、前記反応室内に前記絶縁表面を有する基板を挿入し、前記誘電体板を透過して前記マイクロ波発生装置からマイクロ波が放出され、前記誘電体板の表面で密度の高いプラズマが発生し、前記絶縁表面を有する基板上に、前記酸化窒化珪素膜及び窒化酸化珪素膜の積層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２または３において、
前記酸化窒化珪素膜は、酸素が５５〜６５原子％、窒素が１〜２０原子％、珪素が２５〜３５原子％、水素及び／又はＯＨ基が０．１〜１０原子％の範囲で含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一項において、
前記窒化酸化珪素膜は、濃度範囲として酸素が１５〜３０原子％、窒素が２０〜３５原子％、珪素が２５〜３５原子％、水素が１５〜２５原子％の範囲で含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記窒化酸化珪素膜に接してゲート電極を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月20日(2011.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を載置するサセプタと、前記サセプタの上部に、互いに間隔を置いて並置された複数の導波管と、隣り合う前記導波管で挟まれた空間に設けられたプラズマ発生器と、を有する処理室において、前記サセプタ上に基板を載置し、
前記処理室に反応性気体を供給し、
前記処理室内の圧力を１×１０２Ｐａ以上１×１０５Ｐａ以下に保持しつつ、前記空間にマイクロ波を供給してプラズマを生成し、前記基板上に微結晶半導体でなる光電変換層を堆積することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項２】
被処理体を載置する第１のサセプタと、前記第１のサセプタの上部に、互いに間隔を置いて並置された複数の第１の導波管と、隣り合う前記第１の導波管で挟まれた第１の空間に設けられた第１のプラズマ発生器と、を有する第１の処理室において、前記第１のサセプタ上に基板を載置し、
前記第１の処理室に反応性気体を供給し、
前記第１の処理室内の圧力を１×１０２Ｐａ以上１×１０５Ｐａ以下に保持しつつ、前記第１の空間にマイクロ波を供給してプラズマを生成し、前記基板上に微結晶半導体でなる第１の半導体層を堆積し、
前記基板を大気に晒すことなく前記第１の処理室から搬出して第２の処理室に移動させ、
被処理体を載置する第２のサセプタと、前記第２のサセプタの上部に、互いに間隔を置いて並置された複数の第２の導波管と、隣り合う前記第２の導波管で挟まれた第２の空間に設けられた第２のプラズマ発生器と、を有する前記第２の処理室において、前記第２のサセプタ上に前記基板を載置し、
前記第２の処理室に反応性気体を供給し、
前記第２の処理室内の圧力を１×１０２Ｐａ以上１×１０５Ｐａ以下に保持しつつ、前記第２の空間にマイクロ波を供給してプラズマを生成し、前記第１の半導体層上に微結晶半導体でなる第２の半導体層を堆積し、
前記基板を大気に晒すことなく前記第２の処理室から搬出して第３の処理室に移動させ、
被処理体を載置する第３のサセプタと、前記第３のサセプタの上部に、互いに間隔を置いて並置された複数の第３の導波管と、隣り合う前記第３の導波管で挟まれた第３の空間に設けられた第３のプラズマ発生器と、を有する前記第３の処理室において、前記第３のサセプタ上に前記基板を載置し、
前記第３の処理室に反応性気体を供給し、
前記第３の処理室内の圧力を１×１０２Ｐａ以上１×１０５Ｐａ以下に保持しつつ、前記第３の空間にマイクロ波を供給してプラズマを生成し、前記第２の半導体層上に微結晶半導体でなる第３の半導体層を堆積することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、複数の前記導波管は、導波管同士が対向する側にそれぞれスリットを有し、前記スリットから供給される前記マイクロ波によりプラズマを生成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２において、前記第１乃至前記第３の導波管は、各導波管同士が対向する側にそれぞれスリットを有し、前記スリットから供給される前記マイクロ波によりプラズマを生成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３又は４において、前記スリットは誘電体板で塞がれており、前記誘電体板を介して前記マイクロ波が供給されることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１において、複数の前記導波管は、２ｍｍ以上１０ｍｍ以下の間隔で並置されていることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項７】
請求項２において、前記第１乃至前記第３の導波管はそれぞれ、２ｍｍ以上１０ｍｍ以下の間隔で並置されていることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１において、前記反応性気体は、ヘリウムと半導体材料ガスとを含み、前記処理室には複数のノズルが設けられ、前記複数のノズルの一から前記ヘリウムを流し、前記複数のノズルの他の一から前記半導体材料ガスを流すことを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項９】
請求項２において、前記反応性気体は、ヘリウムと半導体材料ガスとを含み、前記第１乃至第３の処理室には、それぞれ複数のノズルが設けられ、前記複数のノズルの一から前記ヘリウムを流し、前記複数のノズルの他の一から前記半導体材料ガスを流すことを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記反応性気体は、ヘリウムを含むことを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記プラズマは電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下であり、電子温度が０．２ｅＶ以上２．０ｅＶ以下であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高輝度アーク放電ランプにおいて、管球容器と、少なくとも１つの伝導性電極と、化学的充填物と、不活性充填ガスとを備えており、
前記管球容器は、実質的にセラミック物質から形成されており、内部表面を以て密閉容積を規定する壁を有しており、
該壁には少なくとも１つの通路が形成されており、
該通路は、密閉容積の内側表面から前記壁の外側に向かって延在しており、
前記伝導性電極は、前記密閉容積の中に向かって延在しており、該密閉容積の外側と、シールプラグを介して電気的に接続されており、
該シールプラグは金属のシール部を有しており、
該シール部は、フリットを使用することなく前記通路を塞ぐために、前記通路内で気密シールされており、
前記シールプラグは通常動作において、少なくとも８００℃を超える動作温度を有しており、
前記化学的充填物は、前記密閉容積の中に配置されており、８００℃から１０００℃でのアーク放電作用に耐えるのに適した蒸気圧を有する１つ以上の純金属を含んでおり、
前記化学的充填物は、通常のランプ動作における温度で金属のシール部と化学的に反応するいかなる非金属成分も含まず、
前記不活性充填ガスは、２０℃で５ｋPaより大きい充填圧力を有する、
ことを特徴とする高輝度アーク放電ランプ。
【請求項２】
請求項１記載の高輝度アーク放電ランプにおいて、
前記金属のシール部の軸方向の長さは、平均壁厚の４倍である、
ことを特徴とする高輝度アーク放電ランプ。
【請求項３】
請求項１記載の高輝度アーク放電ランプにおいて、
前記シール部は、ランプの通常動作中、ランプの前記管球容器の平均動作温度を超える動作温度を有する、
ことを特徴とする高輝度アーク放電ランプ。
【請求項４】
請求項１記載の高輝度アーク放電ランプにおいて、
前記金属のシール部の熱膨張率は、前記管球容器の熱膨張率の±４％以内である、
ことを特徴とする高輝度アーク放電ランプ。
【請求項５】
請求項１記載の高輝度アーク放電ランプにおいて、
前記管球容器は、角のない内部表面を有する、
ことを特徴とする高輝度アーク放電ランプ。
【請求項６】
請求項１記載の高輝度アーク放電ランプにおいて、
前記化学的充填物は、IA、IIA、VA、VIA、VIIA、VIIIA、IB、IIB、IIIB、IVB、VB、VIBを含む周期表の元素属から選択される純金属を含む、
ことを特徴とする高輝度アーク放電ランプ。
【請求項７】
高輝度アーク放電ランプにおいて、管球容器と、少なくとも１つの伝導性電極と、化学的充填物と、不活性充填ガスとを備えており、
前記管球容器は、実質的にセラミック物質から形成されており、密閉容積を規定する内部表面を有する壁を有しており、
前記内部表面は角がなく、
前記壁は、平均壁厚を規定し、
前記壁には少なくとも１つの通路が形成されており、
該通路は、前記密閉容積の内側表面から前記壁の外側に向かって延在しており、
前記通路の軸方向の長さは、前記平均壁厚の２倍より短く、
前記伝導性電極は、前記密閉容積の中に向かって延びており、該密閉容積の外側と、シールプラグを介して電気的に接続されており、
該シールプラグは金属のシール部を有しており、
該シール部は、フリットを使用することなく前記通路を塞ぐために、前記通路内で気密シールされており、
前記シールプラグは通常動作において、少なくとも８００℃を超える動作温度を有しており、
前記化学的充填物は、前記密閉容積の中に配置されており、
前記化学的充填物は、通常のランプ動作における温度で金属のシール部と化学的に反応するいかなる非金属成分も含まず、
前記化学的充填物は、アルミニウム、アンチモン、砒素、バリウム、セシウム、インジウム、リチウム、マグネシウム、水銀、カリウム、ナトリウム、ストロンチウム、テルル、タリウム、亜鉛を含むグループから選択される純金属を含み、
前記不活性充填ガスは、２０℃で５ｋPaより大きい充填圧力を有する、
ことを特徴とする高輝度アーク放電ランプ。
【請求項８】
請求項７記載の高輝度アーク放電ランプにおいて、
前記化学的充填物は、バリウム、セシウム、インジウム、リチウム、水銀、カリウム、ナトリウム、タリウム、亜鉛を含むグループから選択される純金属を少なくとも１つ含む、
ことを特徴とする高輝度アーク放電ランプ。
【請求項９】
請求項１記載の高輝度アーク放電ランプにおいて、
前記化学的充填物は亜鉛と、バリウム、セシウム、インジウム、リチウム、水銀、カリウム、ナトリウム、タリウム、を含むグループから選択される純金属の少なくとも１つとを含む、
ことを特徴とする高輝度アーク放電ランプ。
【請求項１０】
請求項７記載の高輝度アーク放電ランプにおいて、
前記金属のシール部の熱膨張率は、前記管球容器の熱膨張率の±４％以内であるように適合されている、
ことを特徴とする高輝度アーク放電ランプ。
【請求項１１】
請求項１記載の高輝度アーク放電ランプにおいて、
前記シール部は、第1金属と第2金属の混合物であり、ランプ動作時において、
第1金属の熱膨張率は、前記管球容器セラミックの熱膨張率より低く、
第2金属の熱膨張率は、前記管球容器セラミックの熱膨張率より高い、
ことを特徴とする高輝度アーク放電ランプ。
【請求項１２】
請求項１記載の高輝度アーク放電ランプにおいて、
前記化学的充填物は、いかなるハロゲンまたはハロゲン化合物も含まない、
ことを特徴とする高輝度アーク放電ランプ。
【請求項１３】
請求項１記載の高輝度アーク放電ランプにおいて、
前記化学的充填物は、約６．６４モルパーセントのインジウムと、約４９．６４モルパーセントのナトリウムと、約３８．０６モルパーセントの水銀と、約５．６５モルパーセントのタリウムとの混合気を含む、
ことを特徴とする高輝度アーク放電ランプ。
【請求項１４】
高輝度高圧放電ランプの動作方法において
ａ）フリットのない電極シールを備える高圧セラミック放電ランプの管球容器を準備し、
ただし前記電極シールは、セラミック管球容器と結合した金属のシール部を有しており、
ｂ）前記ランプを、前記金属のシール部が管球容器の平均温度を超える温度を有するように動作させる、
ことを特徴とする高輝度高圧放電ランプの動作方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月8日(2011.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
縦続接続された複数個のステージを含むゲート駆動回路であり、
各ステージは、
クロック信号を受信し、ゲート信号を前記クロック信号に合わせて変動させるプルアップ部、
前記プルアップ部に接続され、前段のステージのいずれかからキャリ信号を受信し、前記キャリ信号に応じて前記プルアップ部を動作させるプルアップ駆動部、
後段のステージのいずれかからゲート信号を受信して、そのゲート信号に応じて前記プルアップ部にゲート信号のレベルをゲートオフ電圧まで降下させるプルダウン部、
ゲート信号のレベルをゲートオフ電圧に維持する保持部、
前記クロック信号に応じて前記保持部を動作させるインバータ部、及び、
前記インバータ部の入力端子に入力されるリップル信号を弱め、又はバイパスさせるリップル防止部、
を含む、ゲート駆動回路。
【請求項２】
前記リップル防止部は、
ソースとゲートとが前記プルアップ部の出力端子に共通接続され、ドレインが前記インバータ部の入力端子に接続されているスイッチング素子から成るリップル防止ダイオードを有する、
請求項１に記載のゲート駆動回路。
【請求項３】
前記リップル防止部は、
ドレインが前記リップル防止ダイオードのドレインに接続され、ソースの電位がゲートオフ電圧に維持され、ゲートが前記クロック信号の反転信号を受信するリップル防止スイッチング素子、
を更に有する、請求項２に記載のゲート駆動回路。
【請求項４】
前記プルアップ部の出力端子がゲート線に接続されている、請求項２に記載のゲート駆動回路。
【請求項５】
前記プルアップ部の出力端子が前記リップル防止ダイオードのソース及びゲートに接続されている、請求項４に記載のゲート駆動回路。
【請求項６】
前記クロック信号を用いてキャリ信号を生成して、後続のステージのいずれかのプルアップ駆動部に出力するキャリ出力部、を更に有する、請求項２に記載のゲート駆動回路。
【請求項７】
前記キャリ出力部の出力端子が前記リップル防止ダイオードのソース及びゲートに接続されている、請求項６に記載のゲート駆動回路。
【請求項８】
前記プルアップ部の入力端子に接続された入力端子を通して前記クロック信号を受信し、出力信号を前記クロック信号に合わせて変動させる第２プルアップ部、
を更に有する、請求項４に記載のゲート駆動回路。
【請求項９】
前記第２プルアップ部の出力端子が前記リップル防止ダイオードのソース及びゲートに接続されている、請求項８に記載のゲート駆動回路。
【請求項１０】
前記インバータ部は、
ドレインが前記クロック信号を受信し、ソースの電位がゲートオフ電圧に維持され、ゲートが前記リップル防止ダイオードのドレインに接続されている一対のスイッチング素子、
を含み、
前記リップル防止部は、
前記一対のスイッチング素子のいずれかのゲートとソースとの間に接続されているリップル防止キャパシタ、
を含む、請求項２に記載のゲート駆動回路。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月21日(2011.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アプリケーションをカスタマイズするための情報処理方法において、
前記アプリケーションは、前記アプリケーションが使用する第１の部品をカスタマイズ機構に登録し、
部品設定部は、前記第１の部品に対応する第２の部品を前記カスタマイズ機構に通知し、
前記第１の部品は、前記第１の部品に対応する前記第２の部品の前記部品設定部による切り替えに応じて、切り替え後の前記第２の部品を用いた処理を実行することを特徴とする情報処理方法。
【請求項２】
前記カスタマイズ機構は、切り替え後の前記第２の部品を前記第１の部品に通知し、前記第１の部品は、前記カスタマイズ機構から通知された切り替え後の前記第２の部品を用いた処理を実行することを特徴とする請求項１に記載の情報処理方法。
【請求項３】
前記第１の部品は、前記第１の部品に対応する前記第２の部品の前記部品設定部による切り替えに応じて、切り替え後の前記第２の部品を用いて、表示画面を描画することを特徴とする請求項１に記載の情報処理方法。
【請求項４】
前記第１の部品は、前記第１の部品が使用する前記第２の部品に対応する識別子を前記カスタマイズ機構に登録し、前記部品設定部は、登録された識別子に対応する前記第２の部品を前記カスタマイズ機構に通知し、前記第１の部品は、識別子に対応する前記第２の部品の前記部品設定部による切り替えに応じて、切り替え後の前記第２の部品を用いた処理を実行することを特徴とする請求項１に記載の情報処理方法。
【請求項５】
前記第１の部品は、前記第１の部品が使用する前記第２の部品に対応する識別子を前記カスタマイズ機構に登録し、前記部品設定部は、登録された識別子に対応する複数の前記第２の部品から選択された前記第２の部品を前記カスタマイズ機構に通知し、前記第１の部品は、識別子に対応する前記第２の部品の前記部品設定部による切り替えに応じて、切り替え後の前記第２の部品を用いた処理を実行することを特徴とする請求項１に記載の情報処理方法。
【請求項６】
前記第１の部品は、前記第１の部品が使用する前記第２の部品に対応する識別子を前記カスタマイズ機構に登録し、前記部品設定部は、登録された識別子に対応する複数の前記第２の部品の識別子を外部に送信し、複数の前記第２の部品の識別子から選択された前記第２の部品の識別子を外部から受信し、複数の前記第２の部品の識別子から選択された前記第２の部品の識別子を前記カスタマイズ機構に通知し、前記第１の部品は、選択された前記第２の部品の識別子の切り替えに応じて、切り替え後の前記第２の部品を用いた処理を実行することを特徴とする請求項１に記載の情報処理方法。
【請求項７】
前記第１の部品は、前記第１の部品が使用する前記第２の部品の型を前記カスタマイズ機構に登録し、前記部品設定部は、前記第１の部品が使用する前記第２の部品の型と同じ型を有する前記第２の部品のクラスを前記カスタマイズ機構に通知し、前記カスタマイズ機構は、前記第１の部品に対応する前記第２の部品のクラスの前記部品設定部による切り替えに応じて、切り替え後の前記第２の部品のオブジェクトを作成し、前記第１の部品は、切り替え後の前記第２の部品のオブジェクトを用いた処理を実行することを特徴とする請求項１に記載の情報処理方法。
【請求項８】
アプリケーションをカスタマイズするための情報処理装置において、
前記アプリケーションが使用する第１の部品に対応する第２の部品を設定する設定手段と、
設定された前記第２の部品を前記第１の部品に通知する通知手段とを有し、
前記第１の部品は、前記第１の部品に対応する前記第２の部品の切り替えに応じて、切り替え後の前記第２の部品を用いた処理を実行することを特徴とする情報処理装置。
【請求項９】
前記第１の部品は、前記第１の部品が使用する前記第２の部品に対応する識別子を登録する登録手段を有し、前記設定手段は、登録された識別子に対応する前記第２の部品を設定し、前記第１の部品は、識別子に対応する前記第２の部品の切り替えに応じて、切り替え後の前記第２の部品を用いた処理を実行する手段を有することを特徴とする請求項８に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記第１の部品は、前記第１の部品が使用する前記第２の部品に対応する識別子を登録する登録手段を有し、前記設定手段は、登録された識別子に対応する複数の前記第２の部品の１つを選択する選択手段を有し、前記第１の部品は、識別子に対応する複数の前記第２の部品の１つの前記選択手段による切り替えに応じて、切り替え後の第２の部品を用いた処理を実行する手段を有することを特徴とする請求項８に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
アプリケーションをカスタマイズするための情報処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラムにおいて、
前記アプリケーションが使用する第１の部品をカスタマイズ機構に登録する手順と、
前記第１の部品に対応する第２の部品を前記カスタマイズ機構に通知する手順と、
前記第１の部品に対応する前記第２の部品の部品設定部による切り替えに応じて、切り替え後の前記第２の部品を用いた処理を実行する手順とをコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１２】
切り替え後の前記第２の部品を第１の部品に通知し、前記カスタマイズ機構から通知された切り替え後の前記第２の部品を用いた処理を実行する手順を更にコンピュータに実行させるための請求項１１に記載のプログラム。
【請求項１３】
前記第１の部品が使用する前記第２の部品に対応する識別子を前記カスタマイズ機構に登録し、登録された識別子に対応する複数の前記第２の部品から選択された前記第２の部品を前記カスタマイズ機構に通知し、識別子に対応する前記第２の部品の前記部品設定部による切り替えに応じて、切り替え後の前記第２の部品を用いた処理を実行する手順をコンピュータに実行させるための請求項１１に記載のプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月8日(2011.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明に係るスクロール圧縮機は、密閉容器内に設けられ、それぞれの板状渦巻歯が相互間に圧縮室を形成するように互いに噛み合わされた固定スクロールおよび揺動スクロールと、固定スクロールに設けられ、固定スクロールの外周から圧縮室に貫通し、密閉容器を貫通して挿入される吸入パイプから直接冷媒を圧縮室に導くための吸入通路と、吸入通路内に吸入パイプの開口を閉塞可能に設けられ、吸入通路をガイドとして移動可能で、冷媒が吸入パイプに逆流するのを防止するための逆止弁と、一端が吸入通路内のスプリング着座面に当接し、他端が逆止弁に当接して逆止弁を吸入パイプの開口を塞ぐ方向に付勢するスプリングとを有し、吸入通路のスプリング着座面に、スプリングの伸縮方向に突出してスプリングの内周面に挿入される円筒状の凸部を形成したものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
密閉容器内に設けられ、それぞれの板状渦巻歯が相互間に圧縮室を形成するように互いに噛み合わされた固定スクロールおよび揺動スクロールと、
前記固定スクロールに設けられ、前記固定スクロールの外周から前記圧縮室に貫通し、前記密閉容器を貫通して挿入される吸入パイプから直接冷媒を前記圧縮室に導くための吸入通路と、
前記吸入通路内に前記吸入パイプの開口を閉塞可能に設けられ、前記吸入通路をガイドとして移動可能で、冷媒が前記吸入パイプに逆流するのを防止するための逆止弁と、
一端が前記吸入通路内のスプリング着座面に当接し、他端が前記逆止弁に当接して前記逆止弁を前記吸入パイプの開口を塞ぐ方向に付勢するスプリングとを有し、
前記吸入通路の前記スプリング着座面に、前記スプリングの伸縮方向に突出して前記スプリングの内周面に挿入される円筒状の凸部を形成したことを特徴とするスクロール圧縮機。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月22日(2011.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測位衛星から発信される衛星信号を受信して位置を算出する位置算出回路の動作方法であって、
前記位置算出回路は外部から読み取り可能な記憶部を有し、
前記衛星信号から得られる情報の中から取得する情報である取得情報を選択する選択信号を受け取ることと、
前記選択信号に基づいて前記取得情報を選択することと、
受信中の前記衛星信号から前記選択された前記取得情報が得られると、当該取得情報を前記記憶部に記憶し且つ、当該取得情報が得られた旨の通知信号を出力することと、
を含む動作方法。
【請求項２】
前記衛星信号から得られる情報には、時刻情報があり、
前記選択信号によって選択された前記取得情報が前記時刻情報の場合で且つ、受信中の前記衛星信号から前記時刻情報が得られた場合に、当該時刻情報に同期した所定時間間隔で周期信号を出力すること、
を更に含む請求項１に記載の動作方法。
【請求項３】
前記衛星信号から得られる情報には、時刻情報と位置情報とがあり、
前記選択信号によって選択された前記取得情報が前記位置情報の場合に、前記衛星信号から前記時刻情報を求めて擬似距離を算出することで位置を算出する位置算出処理を実行することと、
前記位置算出処理により算出された位置を示す位置情報と前記位置算出処理の実行過程で求められた時刻情報とを前記記憶部に記憶することと、
を含む請求項１又は２に記載の動作方法。
【請求項４】
測位衛星から発信される衛星信号を受信して位置を算出する位置算出回路であって、
外部から読み取り可能な記憶部と、
前記衛星信号から得られる情報の中から取得する情報である取得情報を選択する選択信号を受け取って、前記取得情報を選択する選択部と、
受信中の前記衛星信号から前記選択された前記取得情報が得られると、当該取得情報を前記記憶部に記憶させる記憶制御部と、
を備えた位置算出回路。
【請求項５】
請求項４に記載の位置算出回路の動作を制御する制御方法であって、
前記選択信号を前記位置算出回路に出力することと、
前記取得情報が前記記憶部に記憶されているか否かを判定することと、
前記取得情報が前記記憶部に記憶されている場合に、前記取得情報を前記記憶部から読み出すことと、
を含む制御方法。
【請求項６】
測位衛星から発信される衛星信号を受信して位置を算出する位置算出回路の動作方法であって、
前記衛星信号から得られる情報の中から取得する情報である取得情報を選択する選択信号を受け取ることと、
前記選択信号に基づいて前記取得情報を選択することと、
受信中の前記衛星信号から前記選択された前記取得情報が得られると、当該取得情報および当該取得情報が得られた旨の通知信号を出力することと、
を含む動作方法。
【請求項７】
前記衛星信号から得られる情報には、時刻情報と位置情報とがあり、
前記選択信号によって選択された前記取得情報が前記位置情報の場合に、前記衛星信号から前記時刻情報を求めて擬似距離を算出することで位置を算出する位置算出処理を実行することと、
前記位置算出処理により算出された位置を示す位置情報と前記位置算出処理の実行過程で求められた時刻情報とを出力することと、
を含む請求項６に記載の動作方法。
【請求項８】
測位衛星から発信される衛星信号を受信して位置を算出する位置算出回路であって、
前記衛星信号から得られる情報の中から取得する情報である取得情報を選択する選択信号を外部から入力して、前記取得情報を選択する選択部と、
受信中の前記衛星信号から前記選択された前記取得情報が得られると、当該取得情報を出力する取得情報制御部と、
を備えた位置算出回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】位置算出回路の動作方法、位置算出回路及び位置算出回路の制御方法