【手続補正書】
【提出日】平成23年4月18日(2011.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に光触媒性導電膜を形成し、
前記光触媒性導電膜の端部を覆うように前記基板上に絶縁膜を形成し、
前記光触媒性導電膜および前記絶縁膜を酸化処理し、
前記光触媒性導電膜および前記絶縁膜上にシランカップリング剤膜を形成し、
前記光触媒性導電膜および前記絶縁膜上に光を照射して、前記光触媒性導電膜上の前記シランカップリング剤膜を分解し、
前記光触媒性導電膜上に溶液を塗布し、
前記光触媒性導電膜表面における前記溶液に対する接触角を３０°以下とすることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
基板上に光触媒性導電膜を形成し、
前記光触媒性導電膜の端部を覆うように前記基板上に絶縁膜を形成し、
前記光触媒性導電膜および前記絶縁膜を酸化処理し、
前記光触媒性導電膜および前記絶縁膜上にシランカップリング剤膜を形成し、
前記光触媒性導電膜および前記絶縁膜上に光を照射して、前記光触媒性導電膜上の前記シランカップリング剤膜を分解し、
前記光触媒性導電膜上に溶液を塗布し、
前記光触媒性導電膜表面における前記溶液に対する接触角を３０°以下とし、かつ前記光触媒性導電膜表面における前記溶液に対する接触角と、前記絶縁膜表面における前記溶液に対する接触角との差を２０°以上とすることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化処理は、酸素に紫外線を照射して得られる活性酸素およびオゾンに晒す処理、または酸化性気体雰囲気下でのプラズマアッシング処理であることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記シランカップリング剤膜は、化学式Ｒｎ−Ｓｉ−Ｘ（４−ｎ）（但し、ｎ＝１〜３、Ｘは加水分解基、Ｒはフルオロアルキル基）のフルオロアルキルシランからなることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記光は、前記光触媒性導電膜を形成する材料のバンドギャップ以上のエネルギーに相当する波長の光であることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記光は、３９０ｎｍ以下の波長の光であることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記光触媒性導電膜は、インジウム錫酸化物、酸化インジウムに２％以上２０％以下の酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を組成物として有するインジウム錫酸化物、錫をドーピングした酸化インジウム、酸化亜鉛、アルミニウムをドーピングした酸化亜鉛、ガリウムをドーピングした酸化亜鉛、酸化チタン、または酸化錫であることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項８】
基板上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタと電気的に接続された光触媒性導電膜を形成し、
前記光触媒性導電膜の端部を覆うように絶縁膜を形成し、
前記光触媒性導電膜および前記絶縁膜を酸化処理し、
前記光触媒性導電膜および前記絶縁膜上にシランカップリング剤膜を形成し、
前記光触媒性導電膜および前記絶縁膜上に光を照射して、前記光触媒性導電膜上の前記シランカップリング剤膜を分解し、
前記光触媒性導電膜上に有機化合物を含む溶液を塗布して、前記有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に導電膜を形成し、
前記光触媒性導電膜表面における前記溶液に対する接触角を３０°以下とすることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
基板上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタと電気的に接続された光触媒性導電膜を形成し、
前記光触媒性導電膜の端部を覆うように絶縁膜を形成し、
前記光触媒性導電膜および前記絶縁膜を酸化処理し、
前記光触媒性導電膜および前記絶縁膜上にシランカップリング剤膜を形成し、
前記光触媒性導電膜および前記絶縁膜上に光を照射して、前記光触媒性導電膜上の前記シランカップリング剤膜を分解し、
前記光触媒性導電膜上に有機化合物を含む溶液を塗布して、前記有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に導電膜を形成し、
前記光触媒性導電膜表面における前記溶液に対する接触角を３０°以下とし、かつ前記光触媒性導電膜表面における前記溶液に対する接触角と、前記絶縁膜表面における前記溶液に対する接触角との差を２０°以上とすることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、
前記酸化処理は、酸素に紫外線を照射して得られる活性酸素およびオゾンに晒す処理、または酸化性気体雰囲気下でのプラズマアッシング処理であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一において、
前記シランカップリング剤膜は、化学式Ｒｎ−Ｓｉ−Ｘ（４−ｎ）（但し、ｎ＝１〜３、Ｘは加水分解基、Ｒはフルオロアルキル基）のフルオロアルキルシランからなることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一において、
前記光は、前記光触媒性導電膜を形成する材料のバンドギャップ以上のエネルギーに相当する波長の光であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一において、
前記光は、３９０ｎｍ以下の波長の光であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項８乃至請求項１３のいずれか一において、
前記光触媒性導電膜は、インジウム錫酸化物、酸化インジウムに２％以上２０％以下の酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を組成物として有するインジウム錫酸化物、錫をドーピングした酸化インジウム、酸化亜鉛、アルミニウムをドーピングした酸化亜鉛、ガリウムをドーピングした酸化亜鉛、酸化チタン、または酸化錫であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項８乃至請求項１４のいずれか一において、
前記有機化合物は、発光性材料、正孔注入性材料、正孔輸送性材料、電子輸送性材料または電子注入性材料であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１６】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと電気的に接続された光触媒性導電膜と、
前記光触媒性導電膜の端部を覆うように形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されたシランカップリング剤膜と、
前記光触媒性導電膜上に溶液を塗布して形成された有機化合物を含む層と、
前記シランカップリング剤膜および前記有機化合物を含む層上に形成された導電膜と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記光触媒性導電膜表面における前記溶液に対する接触角が３０°以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項１８】
請求項１６において、
前記光触媒性導電膜表面における前記溶液に対する接触角が３０°以下であり、かつ前記光触媒性導電膜表面における前記溶液に対する接触角と、前記シランカップリング剤膜表面における前記溶液に対する接触角との差が２０°以上であることを特徴とする発光装置。
【請求項１９】
請求項１６乃至請求項１８のいずれか一において、
前記光触媒性導電膜は、インジウム錫酸化物、酸化インジウムに２％以上２０％以下の酸化亜鉛を混合したインジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を組成物として有するインジウム錫酸化物、錫をドーピングした酸化インジウム、酸化亜鉛、アルミニウムをドーピングした酸化亜鉛、ガリウムをドーピングした酸化亜鉛、酸化チタン、または酸化錫からなることを特徴とする発光装置。
【請求項２０】
請求項１６乃至請求項１９のいずれか一において、
前記シランカップリング剤膜は、化学式Ｒｎ−Ｓｉ−Ｘ（４−ｎ）（但し、ｎ＝１〜３、Ｘは加水分解基、Ｒはフルオロアルキル基）のフルオロアルキルシランからなることを特徴とする発光装置。