【手続補正書】
【提出日】平成23年10月17日(2011.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理室を形成する真空処理容器と、該真空処理容器内に処理ガスを供給するガス供給装置と、該ガス供給装置で供給した処理ガスを解離してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、該プラズマ生成手段で生成したプラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する手段とを備えたプラズマ処理装置を用い、前記真空処理容器内に搬入した試料にエッチング処理を行うプラズマ処理方法において、
前記試料のエッチング処理後に前記真空処理容器内をプラズマクリーニングする第一のクリーニング工程と、
前記試料のエッチング処理を一時中断している期間であるアイドリング後に前記真空処理容器内をプラズマクリーニングする第二のクリーニング工程と、
前記アイドリング後の前記試料のエッチング処理前に前記真空処理容器をプラズマ加熱する加熱工程とを有し、
前記加熱工程は、前記第一のクリーニング工程の発光強度と前記第二のクリーニング工程の発光強度との差が略０または、前記第一のクリーニング工程の発光強度と前記第二のクリーニング工程の発光強度との比が略１に達するまで前記真空処理容器をプラズマ加熱することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
真空処理室を形成する真空処理容器と、該真空処理容器内に処理ガスを供給するガス供給装置と、該ガス供給装置で供給した処理ガスを解離してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、該プラズマ生成手段で生成したプラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する手段とを備えたプラズマ処理装置を用い、前記真空処理容器内に搬入した試料にエッチング処理を行うプラズマ処理方法において、
前記試料のエッチング処理後に前記真空処理容器内をプラズマクリーニングする第一のクリーニング工程と、
前記試料のエッチング処理を一時中断している期間であるアイドリング後に前記真空処理容器内をプラズマクリーニングする第二のクリーニング工程と、
前記アイドリング後の前記試料のエッチング処理前に前記真空処理容器をプラズマ加熱する加熱工程とを有し、
前記第一のクリーニング工程の発光強度と前記第二のクリーニング工程の発光強度との差が略０または、前記第一のクリーニング工程の発光強度と前記第二のクリーニング工程の発光強度との比が略１に達するまで前記第二のクリーニング工程と前記加熱工程とを繰り返すことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
真空処理室を形成する真空処理容器と、該真空処理容器内に処理ガスを供給するガス供給装置と、該ガス供給装置で供給した処理ガスを解離してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、該プラズマ生成手段で生成したプラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する手段とを備えたプラズマ処理装置を用い、前記真空処理容器内に搬入した試料にエッチング処理を行うプラズマ処理方法において、
前記試料のエッチング処理後に前記真空処理容器内をプラズマクリーニングするクリーニング工程と、
前記クリーニング工程後に前記真空処理容器をプラズマクリーニングするとともにプラズマ加熱する第一の加熱兼クリーニング工程と、
前記試料のエッチング処理を一時中断している期間であるアイドリング後に前記真空処理容器をプラズマクリーニングするとともにプラズマ加熱する第二の加熱兼クリーニング工程とを有し、
前記第二の加熱兼クリーニング工程は、前記第一の加熱兼クリーニング工程の発光強度と前記第二の加熱兼クリーニング工程の発光強度との差が略０または、前記第一の加熱兼クリーニング工程の発光強度と前記第二の加熱兼クリーニング工程の発光強度との比が略１に達するまで繰り返されることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２のいずれか１項記載のプラズマ処理方法において、
前記第一のクリーニング工程と前記第二のクリーニング工程の導入ガスに、少なくともＣＦ４、ＳｉＦ４、ＳＦ６、Ｃ４Ｆ８、ＣＨＦ３ガスの何れかを含む、もしくは少なくともＨＣｌ、Ｃｌ２、ＣＨ２Ｃｌ２、ＳｉＣｌ４、ＢＣｌ３ガスの何れかを含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
請求項１または請求項２のいずれか１項記載のプラズマ処理方法において、
前記第一のクリーニング工程と前記第二のクリーニング工程でモニタする発光強度の発光種としてＳｉＦ、ＳｉＣｌ、Ｓｉ、Ｏ、Ｆ、Ｃ２、ＳｉＣｌ、Ｃｌ、Ｃｌ２、Ｈの何れかを用いることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項６】
真空処理室を形成する真空処理容器と、該真空処理容器内に処理ガスを供給するガス供給装置と、該ガス供給装置で供給した処理ガスを解離してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、該プラズマ生成手段で生成したプラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する手段とを備えたプラズマ処理装置を用い、前記真空処理容器内に搬入した試料にエッチング処理を行うプラズマ処理方法において、
前記試料のエッチング処理後に前記真空処理容器内をプラズマクリーニングする第一のクリーニング工程と、
前記試料のエッチング処理を一時中断している期間であるアイドリング後に前記真空処理容器内をプラズマクリーニングする第二のクリーニング工程と、
前記アイドリング後の前記試料のエッチング処理前に前記真空処理容器をプラズマ加熱する加熱工程とを有し、
前記加熱工程は、前記第一のクリーニング工程の発光強度（Ｓ１）と前記第二のクリーニング工程の発光強度（Ｓ２）との差に係数（α）をかけて定数（Ｃ）を足した値（α（Ｓ２−Ｓ１）＋Ｃ）が略０または、前記第一のクリーニング工程の発光強度と前記第二のクリーニング工程の発光強度との比に係数（α）をかけて定数（Ｃ）を足した値（α×Ｓ２／Ｓ１＋Ｃ）が略１に達するまで前記真空処理容器をプラズマ加熱することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項７】
真空処理室を形成する真空処理容器と、該真空処理容器内に処理ガスを供給するガス供給装置と、該ガス供給装置で供給した処理ガスを解離してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、該プラズマ生成手段で生成したプラズマの発光をモニタする発光分光器と、その発光スペクトルを蓄積する手段とを備えたプラズマ処理装置を用い、前記真空処理容器内に搬入した試料にエッチング処理を行うプラズマ処理方法において、
前記試料のエッチング処理後に前記真空処理容器内をプラズマクリーニングする第一のクリーニング工程と、
前記試料のエッチング処理を一時中断している期間であるアイドリング後に前記真空処理容器内をプラズマクリーニングする第二のクリーニング工程と、
前記アイドリング後の前記試料のエッチング処理前に前記真空処理容器をプラズマ加熱する加熱工程とを有し、
前記第一のクリーニング工程の発光強度と前記第二のクリーニング工程の発光強度との差に係数（α）をかけて定数（Ｃ）を足した値（α（Ｓ２−Ｓ１）＋Ｃ）が略０または、前記第一のクリーニング工程の発光強度と前記第二のクリーニング工程の発光強度との比に係数（α）をかけて定数（Ｃ）を足した値（α×Ｓ２／Ｓ１＋Ｃ）が略１に達するまで前記第二クリーニング工程と前記加熱工程とを繰り返すことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項８】
請求項１または請求項２のいずれか１項記載のプラズマ処理方法において、
前記第一のクリーニング工程の発光強度および前記第二のクリーニング工程の発光強度は、それぞれが時間変化を示さなくなる値とするか、または、前記値よりも時間的に後の値とすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電子また正孔をキャリアとするＭＯＳ（ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ）トランジスタを含む半導体装置の製造方法に関わり、特に量産時エッチング処理を一時中断してアイドリングが発生した場合でも、アイドリング後に加工形状を安定させてエッチングを行うことのできるプラズマ処理方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、これらの問題点に着目して、量産半導体装置の加工形状を安定して保持することのできるプラズマ処理方法を提供することを目的とする。