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【手続補正書】
【提出日】平成23年1月21日(2011.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
パッケージ１１の形成においては、まず、銀メッキした鉄入り銅板を金型で打ち抜き、所望の形状を有する金属部をパターンニングした金属板を形成する。その後、その金属板の上下を、凸形状の樹脂部１３を持つ形状の、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）からなる下部パッケージと、鉛直上方に向かって開口部径が大きくなる開口部１２を持つポリフタルアミド（ＰＰＡ）からなる上部パッケージとで挟み込む。その後さらに、上部パッケージと下部パッケージとを接着させ、引出し電極１４,１５と硬化した樹脂ポリフタルアミド（ＰＰＡ）とを一体成形することにより、表面実装型パッケージが形成される。ここで、発光素子３ｒ，３ｇ，３ｂのそれぞれが搭載される複数の引出し電極１４間、ワイヤー５がボンディングされる複数の引出し電極１５間、および、引き出し電極１４，１５間のそれぞれに、これらを互いに絶縁して分割するように、凸形状の樹脂部１３が形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
ここで、緑色蛍光を発する、（Ｂａ，Ｍｇ）Ａｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ，Ｍｎ、Ｅｕ（ユーロピウム）を賦活したβ−サイアロンとして（Ｓｉ，Ａｌ）６（Ｏ，Ｎ）８：Ｅｕ、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ、Ｂａ１.５Ｓｒ０.５ＳｉＯ４：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ，Ｍｎ、Ｃａ３（Ｓｃ，Ｍｇ）２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ、Ｌｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｃｅ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ、Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、ＺｎＳ：Ｃｕ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、（Ｚｎ，Ｍｎ）２ＳｉＯ４、ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ、ＬａＰＯ４：Ｃｅ，Ｔｂ、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、ＣｅＭｇＡｌ１１Ｏ１９：ＴｂおよびＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ，Ｍｎ、から選ばれる少なくとも１種以上と、赤色蛍光を発する、Ｅｕ（ユーロピウム）を賦活した純窒化物であるカズン（ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、Ｚｎ３（ＰＯ４）２：Ｍｎ、（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）ＢＯ３、（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）２Ｏ３、ＹＶＯ４：ＥｕおよびＬａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ、から選ばれる少なくとも１種以上とを、最適に混合することにより、電球色、高演色の高輝度および高出力の発光可能な発光ダイオードが得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
ここで、パッケージ３１の凹部３２底面における引出し電極３４,３５が少ないように見えるが、これは引出し電極３４,３５を覆うように樹脂部（ここでは、凸形状の樹脂部３３）が形成されているのみで、各発光素子から発生した熱は引出し電極３４,３５を介して外部に放熱される。従って、引出し電極３４,３５の面積は凸形状の樹脂部３３が形成されている場合と形成されていない場合で同じであることが分かる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
（実施の形態５）
本発明の実施の形態５における半導体発光装置について、図５（ａ）,（ｂ）を用いて説明する。図５（ａ）は本発明の実施の形態５における半導体発光装置の正面図、図５（ｂ）は同実施の形態５における半導体発光装置の断面図である。本発明の実施の形態５における半導体発光装置について、実施の形態１と同一の部品には同一の番号を付し説明を略する。図５において、パッケージ４１には、青色発光素子に蛍光体を被覆した発光素子３、凸形状の樹脂部４３、導電部４４、金属部材領域としての引出し電極４５,４６が設けられている。発光素子３は青色発光素子に蛍光体を被覆した発光素子３とし、レンズ形状の封止樹脂部４７が上部を覆っている。図５（ｂ）に図５（a）の断面図を示している。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月8日(2010.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に金属配線を有する半導体装置の製造方法であって、
半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜および前記半導体基板にダミー金属配線を形成するために、開口部の径が金属膜厚とレジスト膜厚の合算膜厚の２倍以上であって、アスペクト比が１〜３であるトレンチを形成する工程と、
前記層間絶縁膜の表面と前記トレンチの内面に金属膜を堆積する工程と、
前記金属膜の上に、前記トレンチを覆うダミー金属配線のパターンとダミーでない金属配線のパターンを含むレジストパターンを形成する工程と、
前記金属膜をエッチングして前記層間絶縁膜上の前記金属配線および前記トレンチ内面および周囲の前記ダミー金属配線を近接して形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記金属膜の上にレジストパターンを形成する工程において、トレンチ上のレジストの一部が露光されて、レジスト膜厚が薄くなっていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記トレンチ上のレジストの一部が露光された領域は、平面視にて円形あるいは方形であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記トレンチ上のレジストの一部が露光された領域は、一つのトレンチ上に複数個あることを特徴とする請求項２または３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記トレンチを覆うダミー金属配線のパターンは表面が凹んだプロファイルを有している請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記金属膜は、アルミニウム、または、シリコンあるいは銅を含有するアルミニウム合金であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月20日(2011.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ照射位置安定性評価方法及びレーザ照射装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルスレーザに対し相対的に被照射体を一定の速度で移動させながら、前記被照射体に前記パルスレーザを照射することにより、前記パルスレーザの照射領域同士が互いに離間している評価サンプルを形成し、
前記評価サンプルを撮像して、前記評価サンプルの画像データを取得し、
前記画像データから前記パルスレーザの前記照射領域同士の相対的な位置情報を抽出し、
前記位置情報により、前記パルスレーザの照射位置の安定性を評価することを特徴とするレーザ照射位置安定性評価方法。
【請求項２】
パルスレーザに対し相対的に被照射体を一定の速度で移動させながら、前記被照射体に前記パルスレーザを照射することにより、前記パルスレーザの照射領域同士が互いに離間している評価サンプルを形成し、
前記評価サンプルを撮像して、前記評価サンプルの画像データを取得し、
前記画像データから、隣接する前記パルスレーザの前記照射領域同士の相対的な位置情報を抽出し、
前記位置情報に基づいて、隣接する前記パルスレーザの前記照射領域同士の位置関係が許容範囲外であるか否か、及び前記許容範囲外である箇所が許容数以上連続する部分が存在するか否かを判断して、前記パルスレーザの照射位置の安定性を評価することを特徴とするレーザ照射位置安定性評価方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
抽出する前記位置情報は、隣接する前記パルスレーザの前記照射領域同士の間隔であることを特徴とするレーザ照射位置安定性評価方法。
【請求項４】
パルスレーザを射出するレーザ光源と、
前記パルスレーザを照射する被照射体をのせるステージと、
前記ステージを移動させる移動装置と、
前記パルスレーザを照射することで形成された評価サンプルを撮像する撮像手段と、
前記撮像手段により得られた前記評価サンプルの画像データから、前記パルスレーザの照射領域同士の相対的な位置情報を抽出し、前記位置情報により前記パルスレーザの照射位置の安定性を評価する診断装置と、を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記移動装置は、第１の速度で前記ステージを移動させることで半導体基板に前記パルスレーザを照射して前記半導体基板を改質する第１動作モードと、第２の速度で前記ステージを移動させることで前記評価サンプルを形成する第２動作モードとを切り替えることができ、
前記第２の速度は前記第１の速度よりも速いことを特徴とするレーザ照射装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月4日(2011.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１シリコン膜の上に第１炭化シリコン膜を形成する第１工程と、
前記第１炭化シリコン膜の上に第２シリコン膜を形成する第２工程と、
前記第２シリコン膜の上にレーザを照射することにより、第２炭化シリコン膜を形成する第３工程と、
前記第２炭化シリコン膜の上に第３炭化シリコン膜を形成する第４工程と、
を含むことを特徴とする半導体膜の製造方法。
【請求項２】
前記第１工程において、前記第１シリコン膜の上に炭素源ガスが供給され、
前記第４工程は前記第３工程の後に行われ、
前記第４工程において、前記第２炭化シリコン膜の上に炭素源ガスおよびシリコン源ガスが供給されることを特徴とする請求項１記載の半導体膜の製造方法。
【請求項３】
前記第１シリコン膜は、シリコン基板であり、前記第２シリコン膜はアモルファスシリコン膜であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体膜の製造方法。
【請求項４】
前記第３工程は、前記第１炭化シリコン膜の結晶性を向上させ、前記第２炭化シリコン膜を形成する工程であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体膜の製造方法。
【請求項５】
前記第３工程は、前記第１炭化シリコン膜又は前記第１炭化シリコン膜と第２シリコン膜の界面において、前記レーザ照射によりシリコンおよび炭化シリコンを溶融し、炭化シリコンを再結晶化させる工程であることを特徴とする請求項４記載の半導体膜の製造方法。
【請求項６】
前記第２シリコン膜の膜厚は、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項記載の半導体膜の製造方法。
【請求項７】
前記レーザは、ＸｅＣｌレーザ、ＫｒＦレーザ、ＡｒＦレーザ又はＦ2レーザであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項記載の半導体膜の製造方法。
【請求項８】
前記レーザの強度は、前記第２シリコン膜にアブレーションを生じさせる強度より小さいことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項記載の半導体膜の製造方法。
【請求項９】
前記第３工程と第４工程の間に、
前記第１炭化シリコン膜の上に残存する第２シリコン膜を除去する工程を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項記載の半導体膜の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項記載の半導体膜の製造方法を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法を有することを特徴とする電子機器の製造方法。
【請求項１２】
第１炭化シリコン膜と第２シリコン膜との積層膜にレーザを照射することにより形成された第２炭化シリコン膜をシード膜として成長した第３炭化シリコン膜を有することを特徴とする半導体膜。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体膜を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月17日(2011.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をプラズマ処理する処理チャンバー内に設けられ、給電線周囲が絶縁材料で構成された給電部と、内部に冷却媒体流路とを備えた基板載置台であって、
前記載置台の基板載置面側を複数の領域に仕切る凸部と、
前記凸部で仕切られた領域に冷却ガスを導入する導入口と、
前記冷却ガスの圧力又は流量を調節する調節手段とを設け、
前記凸部で仕切られた複数の領域のそれぞれに、前記冷却ガスの排出口が形成されていることを特徴とする基板載置台。
【請求項２】
前記領域の面積は、前記給電線の中心に近い領域ほど小さくなっていることを特徴とする請求項１に記載の基板載置台。
【請求項３】
前記給電部が、基板載置台の中心部にあることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板載置台。
【請求項４】
前記凸部が、前記給電部の周囲を所定の半径で同心円状に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の基板載置台。
【請求項５】
前記凸部が、前記給電部の中心を中心軸として同心円状に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の基板載置台。
【請求項６】
前記給電部が、少なくとも１個以上、基板載置台の周縁部にあることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板載置台。
【請求項７】
前記給電部の周囲を所定の半径で同心円状に少なくとも１個以上の領域に仕切る凸部が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の基板載置台。
【請求項８】
前記凸部が、前記給電部の中心を中心軸として同心円状に形成されていることを特徴とする請求項７に記載の基板載置台。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の基板載置台を備えた基板処理装置。
【請求項１０】
基板をプラズマ処理する処理チャンバー内に設けられ、給電線周囲が絶縁材料で構成された給電部と、内部に冷却媒体流路とを備えた基板載置台に載置される被処理基板の温度制御方法であって、
前記載置台の基板載置面側に、前記給電線の周囲を複数の領域に仕切る凸部を形成し、
前記凸部で仕切られた複数の領域のそれぞれに冷却ガスを導入し、
前記領域に供給する前記冷却ガスの圧力又は流量を調節することにより、被処理基板の温度を調整することを特徴とする被処理基板の温度制御方法。
【請求項１１】
前記領域の面積をその外側領域の面積より小さくして被処理基板の温度を調整することを特徴とする請求項１０に記載の被処理基板の温度制御方法。
【請求項１２】
前記給電部を中心としてその周囲を所定の半径で同心円状に複数の領域に仕切る凸部を形成し、被処理基板の温度を調整することを特徴とする請求項１０又は１１に記載の被処理基板の温度制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月7日(2011.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１導体配線が配置された端子部分を有するフレキシブルプリント回路基板を用意する工程と、
前記第１導体配線に対応する複数の第２導体配線が配置された端子部分を有する第２の回路基板を用意する工程と、
前記フレキシブルプリント回路基板の端子部分と前記第２の回路基板の端子部分との間に接着フィルムが配置されるように、前記第２の回路基板の端子部分に向かい合わせて前記フレキシブルプリント回路基板の端子部分を位置合せして、積層体を形成する工程と、
複数の凸部が形成されている押圧面を有する硬質ヘッドを用いて、前記フレキシブルプリント回路基板の側から前記積層体を加熱押圧して、前記接着フィルムを軟化させかつ軟化した前記接着フィルムを前記硬質ヘッドの凸部で押圧した個所で局所的に前記フレキシブルプリント回路基板の第１導体配線と前記第２の回路基板の対応する第２導体配線との間から排除して、前記フレキシブルプリント回路基板の端子部分と前記第２の回路基板の端子部分とを前記個所で局所的に接触させるとともに、前記フレキシブルプリント回路基板の端子部分と前記第２の回路基板の端子部分とを前記個所以外の部分で接着することにより、前記フレキシブルプリント回路基板の第１導体配線と前記第２の回路基板の対応する第２導体配線とを電気接続する工程と
を含む、フレキシブルプリント回路基板を他の回路基板に電気接続する方法。
【請求項２】
複数の第１導体配線が配置された端子部分を有するフレキシブルプリント回路基板と、前記第１導体配線に対応する複数の第２導体配線が配置された端子部分を有する第２の回路基板と、その端子部分の間に配置されて両者を接着する接着フィルムとを含み、前記フレキシブルプリント回路基板の各第１導体配線と前記第２の回路基板の対応する各第２導体配線とが、複数の凸部が形成されている押圧面を有する硬質ヘッドを用いた熱圧着によって、熱圧着時に前記硬質ヘッドの凸部に対応していた２以上の部分で局所的に接触して電気接続されている、電子機器。
【請求項３】
前記フレキシブルプリント回路基板の第１導体配線と前記第２の回路基板の対応する第２導体配線とが、前記フレキシブルプリント回路基板の第１導体配線上、かつ該第１導体配線の長手方向と交わる複数の線上の位置で、直交格子散点状に電気接続している、請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記フレキシブルプリント回路基板の第１導体配線と前記第２の回路基板の対応する第２導体配線とが、前記フレキシブルプリント回路基板の第１導体配線上、かつ該第１導体配線の長手方向と交わる複数の線上の位置で、千鳥格子散点状に電気接続している、請求項２に記載の電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月4日(2011.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この発明によれば、基板の被処理面にナノバブルを含む処理液を供給し、そのナノバブルの表面に静電気の均衡状態を消失させて破裂させ、破裂時のエネルギで基板を洗浄するようにした。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
ナノバブルを表面の静電気の均衡状態を消失させて破裂させることで、破裂に要するエネルギを小さくすることができる。そのため、基板はナノバブルが破裂するときに生じるエネルギだけによって洗浄され、ナノバブルを破裂させるためのエネルギが基板に作用するということがほとんどないから、洗浄時に基板に過剰なエネルギを与えて回路パターンを損傷させるのを防止することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記貯液槽７から上記給液管６を通じて上記処理槽１内の内槽２に供給された処理液Ｌは、この内槽２から図１に矢印で示すように処理槽１にオーバフローする。処理槽１には上記排液管４の一端が接続されている。この排液管４の他端は上記液体供給ポンプ１２の吸引側に接続されている。それによって、内槽２に供給される処理液Ｌは循環させて使用することができるようになっている。処理槽１から排液管４に流れる処理液Ｌは廃棄してもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
【図１】この発明の一実施の形態を示す処理装置の概略的構成図。
【図２】載置テーブルに載置された基板のデバイス面を拡大した断面図。
【図３】ナノバブルがマイナスイオンとプラスイオンとの静電気力で均衡状態を保っている説明図。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月5日(2011.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のユニットから構成されるブロックをリードフレームに設ける工程と、
前記ユニットに回路素子を配置する工程と、
封止用金型のキャビティに前記ブロックを収納させ、前記キャビティに封止樹脂を注入することにより、前記ブロックに含まれる前記ユニットおよび前記回路素子を前記封止樹脂により一体的に封止する工程と、
前記ユニット同士の境界で前記封止樹脂を分離することにより、前記ユニットを個別に分離する工程と、を具備し、
前記回路素子を封止する工程では、前記封止用金型に均等に配置した押圧手段により、硬化した前記封止樹脂を押圧することで、前記封止樹脂を前記封止用金型から離形させることを特徴とする回路装置の製造方法。
【請求項２】
前記押圧手段は、前記ユニットが設けられていない前記ブロックの周辺部に対応する部分の前記封止樹脂を上面から押圧することを特徴とする請求項１に記載の回路装置の製造方法。
【請求項３】
前記封止する工程では、
複数の前記ブロックを１つの前記キャビティに収納させて前記封止樹脂による封止を行い、
前記押圧手段は、前記ブロック同士の境界に設けられることを特徴とする請求項２記載の回路装置の製造方法。
【請求項４】
前記封止用金型は、前記リードフレームが載置される下金型と、前記キャビティを構成する凹部が設けられた上金型とから構成され、
前記回路素子を封止する工程では、前記上金型に設けた前記押圧手段により前記封止樹脂を前記上金型から分離させることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の回路装置の製造方法。
【請求項５】
前記回路素子を封止する工程では、前記リードフレームは裏面が接着シートにより被覆された状態で前記下金型に載置されることを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の回路装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月5日(2011.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アイランドと前記アイランドに近接された複数のリードから成るユニットが配置され、周辺部に設けた枠状の支持部により前記ユニットが機械的に支持されるリードフレームであり、
前記ユニット同士の境界に規定された分割線の延長線上に対応する前記支持部に、前記支持部を部分的に貫通する貫通溝または前記支持部を部分的に肉薄にしたハーフ溝を設けることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記支持部は、長手方向で対向する第１支持部と、短手方向で対向する第２支持部とからなり、
前記第１支持部には前記貫通溝が設けられ、前記第２支持部には前記ハーフ溝が設けられることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
【請求項３】
マトリックス状に配置された前記ユニットから構成されるブロックが、前記支持部に囲まれる領域に複数個配置され、
前記ブロック同士の間にも前記第２支持部が設けられることを特徴とする請求項２記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記ユニット同士の間には、端部が前記支持部に連結されると共に、隣接する前記ユニットの前記リードおよび前記アイランドが一体的に連結されるタイバーが設けられ、
前記貫通溝または前記ハーフ溝の幅は、前記タイバーの幅よりも広く形成されることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記ユニットは前記支持部に囲まれる領域にマトリックス状に配置され、
前記貫通溝または前記ハーフ溝は、前記支持部に等間隔に設けられることを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載のリードフレーム。
【請求項６】
アイランドと前記アイランドに近接された複数のリードから成るユニットが配置され、周辺部に設けた枠状の支持部により前記ユニットが機械的に支持され、前記ユニット同士の境界に規定された分割線の延長線上に対応する前記支持部に、前記支持部を部分的に貫通する貫通溝または前記支持部を部分的に肉薄にしたハーフ溝が設けられたリードフレームを用意する工程と、
前記各ユニットの前記アイランドに回路素子を固着すると共に、前記回路素子と前記リードとを電気的に接続する工程と、
前記ユニットを構成する前記アイランド、前記リードおよび前記回路素子が被覆されるように封止樹脂を形成する工程と、
前記ユニット同士の境界にて前記封止樹脂を分離すると共に、前記リードフレームの前記支持部を、前記貫通溝または前記ハーフ溝が設けられた箇所にて分離する工程と、
を具備することを特徴とする回路装置の製造方法。
【請求項７】
前記分離する工程では、前記リードフレームをダイシングシートに貼着した状態で、前記ユニットと共に前記リードフレームの前記支持部をダイシングにより分離することを特徴とする請求項６記載の回路装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月2日(2010.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内に積層して収容される複数の基板の表面に酸化膜を形成する基板処理装置であって、 
前記処理室内にオゾンガスを供給するガス供給手段と、   
前記処理室内にプラズマを生成させるプラズマ生成手段と、   
少なくとも前記ガス供給手段及びプラズマ生成手段を制御する制御手段と、 
前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、を備え、   
前記ガス供給手段は、開閉バルブと、この開閉バルブを介して前記処理室に接続されオゾンガスを充填するバッファタンクと、を有し、   
前記制御手段は、前記ガス供給手段によりオゾンガスを供給しつつ前記開閉バルブを閉とすることで前記オゾンガスを前記バッファタンクに充填し、所定時間経過後、前記開閉バルブを開として前記バッファタンクに充填された前記オゾンガスを前記処理室内に供給することで前記基板の表面に酸化膜を形成するように前記ガス供給手段を制御し、さらに、前記オゾンガスを前記処理室内に供給する時、前記プラズマ生成手段により前記処理室内にプラズマを生成させ前記オゾンガスを励起するように制御するよう構成されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室に接続されたバッファタンクにオゾンガスを充填する工程と、
前記バッファタンクに充填されたオゾンガスを前記処理室内に供給しつつ、前記オゾンガスをプラズマ励起する工程と、
前記処理室内の雰囲気を排気する工程と、
前記基板を処理室内から搬出する工程と、
を有し、前記基板の表面に所望の厚さの酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置および半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、基板に対して成膜処理などの処理を行う基板処理装置および半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の目的は、この供給経路におけるオゾンの熱分解を抑制するために、オゾンの供給方法を改良すると共にオゾンガスに基板近傍にて高周波エネルギーを与えることで、上記従来の問題点であるバッチ式半導体製造装置において形成される酸化膜の面内均一性を確保しつつ、一定厚さ以上の酸化膜を形成することのできる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一態様によれば、処理室内に積層して収容される複数の基板の表面に酸化膜を形成する基板処理装置であって、前記処理室内にオゾンガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内にプラズマを生成させるプラズマ生成手段と、少なくとも前記ガス供給手段及びプラズマ生成手段を制御する制御手段と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、を備え、前記ガス供給手段は、開閉バルブと、この開閉バルブを介して前記処理室に接続されオゾンガスを充填するバッファタンクと、を有し、前記制御手段は、前記ガス供給手段によりオゾンガスを供給しつつ前記開閉バルブを閉とすることで前記オゾンガスを前記バッファタンクに充填し、所定時間経過後、前記開閉バルブを開として前記バッファタンクに充填された前記オゾンガスを前記処理室内に供給することで前記基板の表面に酸化膜を形成するように前記ガス供給手段を制御し、さらに、前記オゾンガスを前記処理室内に供給する時、前記プラズマ生成手段により前記処理室内にプラズマを生成させ前記オゾンガスを励起するように制御するよう構成されることを特徴とする基板処理装置が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の他の態様によれば、基板を処理室内に搬入する工程と、前記処理室に接続されたバッファタンクにオゾンガスを充填する工程と、前記バッファタンクに充填されたオゾンガスを前記処理室内に供給しつつ、前記オゾンガスをプラズマ励起する工程と、前記処理室内の雰囲気を排気する工程と、前記基板を処理室内から搬出する工程と、
を有し、前記基板の表面に所望の厚さの酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、オゾンを用いることにより、複数の基板の表面に形成される酸化膜の面内均一性を確保しつつ、一定厚さ以上の酸化膜を形成することのできる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月5日(2011.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路素子と、前記回路素子と電気的に接続されて一部が外部に露出するリードと、前記リードの下面および側面が外部に露出した状態で前記回路素子および前記リードを一体的に被覆する封止樹脂とを備え、
前記リードは、前記封止樹脂の内部から周辺部に向かって裾広がりの形状を有することを特徴とする回路装置。
【請求項２】
前記封止樹脂から露出する前記リードの下面および側面にロウ材が付着されることを特徴とする請求項１に記載の回路装置。
【請求項３】
前記回路素子は半導体素子であり、
前記リードは、前記半導体素子を取り囲むように複数が配置されると共に、金属細線を経由して前記半導体素子の電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の回路装置。
【請求項４】
回路素子と電気的に接続される複数のリードから成るユニットが配置され、前記ユニットを囲むタイバーにより前記リードが連結されると共に、前記リードと前記タイバーとの連結部が他の領域の前記リードよりも太く形成されたリードフレームを用意する工程と、
前記各ユニットに回路素子を配置すると共に、前記回路素子と前記リードとを電気的に接続する工程と、
前記リードの裏面が露出された状態で、前記リードおよび前記回路素子が被覆されるように封止樹脂を形成する工程と、
前記ユニット同士の境界にて前記封止樹脂を分離すると共に、前記タイバーを除去することにより、分離された前記封止樹脂の側面から前記リードの側面を露出させる工程と、
を具備することを特徴とする回路装置の製造方法。
【請求項５】
前記リードが前記タイバーに連結される箇所では、前記リードの幅は、前記ユニットの内側から外側に向かって裾広がりの形状を有することを特徴とする請求項４に記載の回路装置の製造方法。
【請求項６】
前記タイバーの幅は、前記封止樹脂のダイシングに用いられるダイシングソーの幅よりも狭いことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の回路装置の製造方法。
【請求項７】
前記ユニットは、中央部に設けられるアイランドと前記アイランドを取り囲むように配置された複数の前記リードから構成され、
前記回路素子は前記アイランドに固着される半導体素子であり、前記半導体素子と前記リードとは金属細線を経由して接続されることを特徴とする請求項４から請求項６の何れかに記載の回路装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月2日(2010.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
請求項１３に記載の垂直共振器型面発光レーザアレイを光源として備えていることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月27日(2011.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面型表示装置の前面側に配置され、第１の音声信号を可聴域の音声に変換して出力する第１のスピーカと、前記平面型表示装置の背面側に配置され、第２の音声信号を可聴域の音声に変換して出力する第２のスピーカとを有する音声再生装置であって、
前記平面型表示装置の背面側に配置され、前記第２のスピーカから出力される音声の壁面からの反射音を受け、電気信号に変換するマイクと、
前記第２のスピーカに供給される前記第２の音声信号と、前記マイクにより変換された電気信号とに基づいて、前記第２のスピーカから出力される音声の壁面からの反射音の反射時間を分析する分析部と、
前記反射時間に基づいて、前記第１のスピーカに供給される前記第１の音声信号及び前記第２のスピーカに供給される前記第２の音声信号のいずれかの音声信号の位相を補正する位相補正部と、を有することを特徴とする音声再生装置。
【請求項２】
前記位相補正部は、前記第１のスピーカから出力される音声と、前記第２のスピーカから出力される音声の壁面からの反射音とが同位相となるように、前記第１のスピーカに供給される前記第１の音声信号及び前記第２のスピーカに供給される前記第２の音声信号のいずれかの音声信号の位相を補正することを特徴とする請求項１に記載の音声再生装置。
【請求項３】
入力音声にハイパスフィルタ処理を施して前記第１の音声信号を出力するハイパスフィルタ処理部と、
入力音声にローパスフィルタ処理を施して前記第２の音声信号を出力するローパスフィルタ処理部と、をさらに有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の音声再生装置。
【請求項４】
前記第１の音声信号の信号レベルを変調する第１の音量調整部と、
前記第２の音声信号の信号レベルを変調する第２の音量調整部と、をさらに有し、
前記分析部は、さらに前記反射音の周波数特性を分析し、
前記第１の音量調整部及び前記第２の音量調整部のいずれかは、前記反射音の周波数特性に基いて、前記信号レベルの変調を行うことを特徴とする請求項３に記載の音声再生装置。
【請求項５】
前記反射音の周波数特性に基いて、前記ハイパスフィルタ処理部および前記ローパスフィルタ処理部のカットオフ周波数を調整して、前記第１の音声信号及び前記第２の音声信号の周波数特性のクロスオーバーレベルを制御する制御部をさらに有することを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の音声再生装置。
【請求項６】
一定振幅の基準信号を発生する基準信号発生部と、
前記ローパスフィルタ処理部から出力される前記第２の音声信号に替わって、基準信号発生部からの前記基準信号を前記第２の音声信号として選択して出力するための選択部とをさらに有することを特徴とする請求項３に記載の音声再生装置。
【請求項７】
平面型表示装置の前面側に配置され、第１の音声信号を可聴域の音声に変換して出力する第１のスピーカと、前記平面型表示装置の背面側に配置され、第２の音声信号を可聴域の音声に変換して出力する第２のスピーカとを有する音声再生装置の制御方法であって、
前記平面型表示装置の背面側に配置されたマイクにより、前記第２のスピーカから出力される音声の壁面からの反射音を電気信号に変換する変換ステップと、
前記第２のスピーカに供給される前記第２の音声信号と、前記変換ステップで変換された電気信号とに基づいて、前記第２のスピーカから出力される音声の壁面からの反射音の反射時間を分析する分析ステップと、
前記反射時間に基づいて、前記第１のスピーカに供給される前記第１の音声信号及び前記第２のスピーカに供給される前記第２の音声信号のいずれかの音声信号の位相を補正する補正ステップとを有することを特徴とする音声再生装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の音声再生装置は、
平面型表示装置の前面側に配置され、第１の音声信号を可聴域の音声に変換して出力する第１のスピーカと、前記平面型表示装置の背面側に配置され、第２の音声信号を可聴域の音声に変換して出力する第２のスピーカとを有する音声再生装置であって、
前記平面型表示装置の背面側に配置され、前記第２のスピーカから出力される音声の壁面からの反射音を受け、電気信号に変換するマイクと、
前記第２のスピーカに供給される前記第２の音声信号と、前記マイクにより変換された電気信号とに基づいて、前記第２のスピーカから出力される音声の壁面からの反射音の反射時間を分析する分析部と、
前記反射時間に基づいて、前記第１のスピーカに供給される前記第１の音声信号及び前記第２のスピーカに供給される前記第２の音声信号のいずれかの音声信号の位相を補正する位相補正部と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月26日(2010.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一操作対象機器と第二操作対象機器を操作するための遠隔操作信号を生成する遠隔操作信号発生部と、前記遠隔操作信号発生部で生成された遠隔操作信号を前記第一操作対象機器と第二操作対象機器に送信するための遠隔操作信号送信部と、記憶媒体装着部と、前記記憶媒体装着部に装着される記憶媒体が保持するデータを、前記第一操作対象機器と第二操作対象機器に対して送信するためのデータ送信部と、制御部と、  を備えることを特徴とする遠隔操作装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記記憶媒体が保持するデータに基づいて、前記第一操作対象機器と第二操作対象機器のいずれに対して前記データ送信部からデータを送信するかを決定することを特徴とする請求項１記載の遠隔操作装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記第一操作対象機器と第二操作対象機器の電源投入状態により、前記第一操作対象機器と第二操作対象機器のいずれに対して前記データ送信部からデータを送信するかを決定することを特徴とする請求項１または２記載の遠隔操作装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記データ送信部が直近に行ったデータ送信が、前記第一操作対象機器と前記第二操作対象機器のいずれに対して行われたかにより、前記第一操作対象機器と第二操作対象機器のいずれに対してデータ送信部からデータを送信するかを決定することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の遠隔操作装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記記憶媒体が保持するデータのうち、最も更新日時が新しいデータの種類に基づいて、前記第一操作対象機器と第二操作対象機器のいずれに対して前記データ送信部からデータを送信するかを決定することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の遠隔操作装置。
【請求項６】
第一操作対象機器と第二操作対象機器を操作するための遠隔操作信号を生成する遠隔操作信号発生部と、第一操作対象機器または前記第二操作対象機器のためのデータを保持するデータ保持部と、前記データ保持部が保持するデータに基づき、前記遠隔操作信号発生部が生成する遠隔操作信号を前記第一操作対象機器または前記第二操作対象機器のいずれに送信すべきか決定する制御部と、前記制御部が決定した操作対象機器に前記遠隔操作信号および前記データを送信するデータ送信部と、  を備えることを特徴とする遠隔操作装置。
【請求項７】
前記データ保持部が保持するデータを選択する選択操作部を有し、前記制御部は、前記選択操作部が選択した前記データ保持部のデータに基づき、前記遠隔操作信号発生部が生成する遠隔操作信号を前記第一操作対象機器または前記第二操作対象機器のいずれに送信すべきか決定することを特徴とする請求項６記載の遠隔操作装置。
【請求項８】
第一操作対象機器と第二操作対象機器を操作するための遠隔操作信号を生成する遠隔操作信号発生部と、第一操作対象機器または前記第二操作対象機器のためのデータを保持するデータ保持部と、前記遠隔操作信号発生部が生成する遠隔操作信号を前記第一操作対象機器または前記第二操作対象機器のいずれに送信すべきか選択する選択操作部と、表示部と、前記データ保持部が保持するデータのうち前記選択操作部によって選択された操作対象機器に関するデータを選択的に前記表示部に表示する制御部と、操作対象機器に前記遠隔操作信号および前記データを送信するデータ送信部と、  を備えることを特徴とする遠隔操作装置。
【請求項９】
記憶媒体装着部を有し、前記データ保持部は、前記記憶媒体装着部に装着される記憶媒体が保持するデータを保持することを特徴とする請求項６ないし８のいずれかに記載の遠隔操作装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月14日(2010.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の動画像データと、複数の前記動画像データの間の接続関係に関する接続関係情報を含む動画情報ファイルとを記録媒体から再生する再生手段と、
前記再生手段により前記記録媒体から再生された前記動画情報ファイルに含まれる前記接続関係情報に基づいて、前記記録媒体に記録された複数の前記動画像データの再生順序を示す再生情報ファイルを生成する生成手段とを備えたことを特徴とする再生装置。
【請求項２】
前記接続関係情報は、複数の前記動画像データそれぞれについて次に再生すべき動画像データを識別するための情報であることを特徴とする請求項１に記載の再生装置。
【請求項３】
前記生成手段は、前記接続関係情報に基づいて、前記記録媒体に記録された複数の前記動画像データの再生順序を決定し、前記決定した再生順序に基づいて前記再生情報ファイルを生成することを特徴とする請求項２に記載の再生装置。
【請求項４】
前記動画情報ファイルは複数の前記動画像データの記録日時情報を含み、前記生成手段は、前記記録媒体から再生された前記動画情報ファイルに含まれる前記接続関係情報と前記記録日時情報とに基づいて、前記記録媒体に記録された複数の前記動画像データの再生順序を決めることを特徴とする請求項１に記載の再生装置。
【請求項５】
前記記録媒体に記録された複数の前記動画像データの再生順序を示す再生情報ファイルが前記記録媒体に記録されていない場合に、前記再生情報ファイルを生成するように前記生成手段を制御する制御手段を備えたことを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の再生装置。
【請求項６】
前記生成手段により生成された前記再生情報ファイルを前記記録媒体に記録する記録手段を備えたことを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の再生装置。
【請求項７】
複数の動画像データと、複数の前記動画像データの間の接続関係に関する接続関係情報を含む動画情報ファイルとを記録媒体から再生する再生工程と、
前記再生工程により前記記録媒体から再生された前記動画情報ファイルに含まれる前記接続関係情報に基づいて、前記記録媒体に記録された複数の前記動画像データの再生順序を示す再生情報ファイルを生成する生成工程とをコンピュータに実行させるためのプログラムを記憶したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】再生装置及び記憶媒体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は再生装置及び記憶媒体に関し、特に、各動画像ファイルの再生順と再生時間とを定義した再生情報ファイルに従って再生を行う場合に用いて好適な技術に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の再生装置は、複数の動画像データと、複数の前記動画像データの間の接続関係に関する接続関係情報を含む動画情報ファイルとを記録媒体から再生する再生手段と、前記再生手段により前記記録媒体から再生された前記動画情報ファイルに含まれる前記接続関係情報に基づいて、前記記録媒体に記録された複数の前記動画像データの再生順序を示す再生情報ファイルを生成する生成手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の記憶媒体は、複数の動画像データと、複数の前記動画像データの間の接続関係に関する接続関係情報を含む動画情報ファイルとを記録媒体から再生する再生工程と、前記再生工程により前記記録媒体から再生された前記動画情報ファイルに含まれる前記接続関係情報に基づいて、前記記録媒体に記録された複数の前記動画像データの再生順序を示す再生情報ファイルを生成する生成工程とをコンピュータに実行させるためのプログラムを記憶したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月16日(2010.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像の特徴に基づき被写体を検出する被写体検出手段と、
前記画像に対して画像処理を行う画像処理手段と、
前記画像処理手段による画像処理後の画像に、画像処理前に前記被写体検出手段により検出された被写体に関する情報を関連付けて記録する記録手段とを備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記被写体検出手段とは、人物の顔を検出する手段であることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記画像処理手段による画像処理には、トリミング、リサイズ、赤目補正、色変換、明るさ補正のうちの少なくともいずれかが含まれることを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記記録手段は、前記被写体検出手段により検出した被写体に関する情報を画像に関連付けて、画像のヘッダ領域に、または画像とは別のファイルとして記録することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記被写体に関する情報には、顔画像、顔の有無、顔の個数、顔のサイズ及び位置座標のうちの少なくともいずれかが含まれることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
画像の特徴に基づき被写体を検出する被写体検出ステップと、
前記画像に対して画像処理を行う画像処理ステップと、
前記画像処理ステップによる画像処理後の画像に、画像処理前に前記被写体検出ステップにより検出された被写体に関する情報を関連付けて記憶媒体に記録する記録ステップとを有することを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項７】
画像処理装置の制御をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
画像の特徴に基づき被写体を検出する被写体検出ステップと、
前記画像に対して画像処理を行う画像処理ステップと、
前記画像処理ステップによる画像処理後の画像に、画像処理前に前記被写体検出ステップにより検出された被写体に関する情報を関連付けて記憶媒体に記録する記録ステップとをコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の画像処理装置は、画像の特徴に基づき被写体を検出する被写体検出手段と、前記画像に対して画像処理を行う画像処理手段と、前記画像処理手段による画像処理後の画像に、画像処理前に前記被写体検出手段により検出された被写体に関する情報を関連付けて記録する記録手段とを備えることを特徴とする。
また、本発明の画像処理装置の制御方法は、画像の特徴に基づき被写体を検出する被写体検出ステップと、前記画像に対して画像処理を行う画像処理ステップと、前記画像処理ステップによる画像処理後の画像に、画像処理前に前記被写体検出ステップにより検出された被写体に関する情報を関連付けて記憶媒体に記録する記録ステップとを有することを特徴とする。
また、本発明のプログラムは、画像処理装置の制御をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、画像の特徴に基づき被写体を検出する被写体検出ステップと、前記画像に対して画像処理を行う画像処理ステップと、前記画像処理ステップによる画像処理後の画像に、画像処理前に前記被写体検出ステップにより検出された被写体に関する情報を関連付けて記憶媒体に記録する記録ステップとをコンピュータに実行させるためのプログラムである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配向ヨークを有した固定型と、イジェクタを有した可動型とを備え、シャフトの周面に接着されてマグネットロールを構成する断面が扇形状のマグネットピースを成形するためのマグネットピース成形用金型であって、
前記イジェクタは、前記マグネットピースの両端部に位置し、
前記イジェクタの先端部が、前記固定型と前記可動型とが組み合わされて形成されたキャビティに突出したことを特徴とするマグネットピース成形用金型。
【請求項２】
前記イジェクタの先端部は、
前記シャフトの周面に対応する円弧面と、
該円弧面の両側から前記キャビティに突出した突出部と、
を備えた請求項１に記載のマグネットピース成形用金型。
【請求項３】
前記突出部にアンダーカット部が形成された請求項２に記載のマグネットピース成形用金型。
【請求項４】
前記可動型は、入れ子を備え、
前記イジェクタの先端部は、前記入れ子から前記キャビティに突出した請求項１から請求項３のいずれか１つに記載のマグネットピース成形用金型。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のマグネットピース成形用金型の前記キャビティに溶融した磁性樹脂材料を射出する工程と、
前記マグネットピース成形用金型を冷却し、前記キャビティ中の前記磁性樹脂材料を固化する工程と、
前記可動型を移動させて型開きした後、前記イジェクタを突出させて前記マグネットピースを離型させる工程と、
を備えるマグネットピースの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】マグネットピース成形用金型およびマグネットピースの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、レーザープリンタやデジタル複写機等の画像形成装置に用いられるマグネットロールを構成するマグネットピースの成形用金型およびマグネットピースの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（第１発明）
第１発明に係るマグネットピース成形用金型は、配向ヨークを有した固定型と、イジェクタを有した可動型とを備え、シャフトの周面に接着されてマグネットロールを構成する断面が扇形状のマグネットピースを成形するためのマグネットピース成形用金型であって、前記イジェクタは、前記マグネットピースの両端部に位置し、前記イジェクタの先端部が、前記固定型と前記可動型とが組み合わされて形成されたキャビティに突出したことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（第２発明）
第２発明に係るマグネットピース成形用金型は、第１発明において、イジェクタの先端部は、シャフトの周面に対応する円弧面と、この円弧面の両側からキャビティに突出した突出部と、を備えたものである。つまり、イジェクタの先端部は、キャビティに突出した突出部と、キャビティに突出していない円弧面とから構成されるものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（第４発明）
第４発明に係るマグネットピース成形用金型は、第１発明、第２発明または第３発明において、可動型は入れ子を備え、前記イジェクタの先端部は、入れ子からキャビティに突出したものである。
かかる構成により、前記した効果を奏するのみならず、イジェクタの突出、引込みにより、イジェクタの外周面が金型を構成する面に対して摺動する摺動部の隙間が摩耗により拡大しても、入れ子のみを交換し、安価かつ容易に金型のメンテナンスができるという効果を奏する。
（第５発明）
第５発明に係るマグネットピースの製造方法は、第１発明、第２発明、第３発明または第４発明のマグネットピース成形用金型の前記キャビティに溶融した磁性樹脂材料を射出する工程と、前記マグネットピース成形用金型を冷却し、前記キャビティ中の前記磁性樹脂材料を固化する工程と、前記可動型を移動させて型開きした後、前記イジェクタを突出させて前記マグネットピースを離型させる工程と、を備えることを特徴とする。