【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年6月13日(2011.6.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
斜め角度堆積を使用して形成された少なくとも１つの構造複屈折層を備えた光学リターダであって、前記斜め角度および少なくとも１つの構造複屈折層の全体の厚さが、予め決められたＡプレート・リターダンスを提供するように選択され、前記構造複屈折層が実質的に非多孔性である、光学リターダ。
【請求項２】
前記少なくとも１つの構造複屈折層が、前記層材料のかさ密度の９０％より大きい密度を有する、請求項１に記載の光学リターダ。
【請求項３】
前記少なくとも１つの構造複屈折層が、実質的にアモルファスである、請求項１に記載の光学リターダ。
【請求項４】
前記少なくとも１つの構造複屈折層が、誘電体薄膜を備える、請求項１に記載の光学リターダ。
【請求項５】
前記少なくとも１つの構造複屈折層が、金属酸化物を備える、請求項１に記載の光学リターダ。
【請求項６】
前記少なくとも１つの構造複屈折層が、Ｔａ２Ｏ５からなる、請求項１に記載の光学リターダ。
【請求項７】
前記少なくとも１つの構造複屈折層が、反射防止薄膜スタックに組み込まれる、請求項１に記載の光学リターダ。
【請求項８】
前記Ａプレート・リターダンスが、１と３０ｎｍの間の範囲にある、請求項１に記載の光学リターダ。
【請求項９】
光学リターダがトリム・リターダであり、前記斜め角度および前記少なくとも１つの構造複屈折層の前記全体の厚さが、液晶ディスプレイ・パネルの残留面内複屈折を補償するためのＡプレート・リターダンスを提供するように選択される、請求項１から８のいずれかに記載の光学リターダ。
【請求項１０】
構造複屈折反射防止スタックを備え、前記構造複屈折反射防止スタックが第１屈折率を有する第１の複数の誘電体層と第２屈折率を有する第２の複数の誘電体層とを含み、前記第１の複数の誘電体層が前記第２の複数の誘電体層に交互に挿入され、前記構造複屈折反射防止スタックが予め決められた−Ｃプレート・リターダンスを提供するものである、請求項９に記載の光学リターダ。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの構造複屈折層および前記構造複屈折反射防止スタックが、基板の対向面に結合される、請求項１０に記載の光学リターダ。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの構造複屈折層および前記構造複屈折反射防止スタックが、基板の同じ面において縦続結合される、請求項１０に記載の光学リターダ。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの構造複屈折層および前記構造複屈折反射防止スタックが、前記液晶ディスプレイ・パネルのカバー・プレートに結合される、請求項１０に記載の光学リターダ。
【請求項１４】
斜め角度堆積を使用して、少なくとも１つの構造複屈折層を表面上に堆積させる工程を備え、前記斜め角度および前記少なくとも１つの構造複屈折層の全体の厚さが、予め決められたＡプレート・リターダンスを提供するように選択され、前記構造複屈折層が実質的に非多孔性である、光学リターダを製作する方法。
【請求項１５】
前記斜め角度堆積を使用して、前記少なくとも１つの構造複屈折層を堆積させる工程が、材料を前記表面に向ける工程を含む、請求項１４に記載の光学リターダを製作する方法。
【請求項１６】
前記斜め角度堆積を使用して、前記少なくとも１つの構造複屈折層を堆積させる工程が、イオン補助堆積を含む、請求項１４に記載の光学リターダを製作する方法。
【請求項１７】
前記斜め角度堆積を使用して、前記少なくとも１つの構造複屈折層を堆積させる工程が、複数の堆積角度を使用して、材料を前記表面に向ける工程を含む、請求項１４に記載の光学リターダを製作する方法。
【請求項１８】
平均堆積角度が、約４０°より小さい、請求項１７に記載の光学リターダを製作する方法。
【請求項１９】
最大堆積角度が、約４０°より小さい、請求項１７に記載の光学リターダを製作する方法。
【請求項２０】
前記斜め角度堆積が、最大堆積角度を低減するために基板の上に配置されるマスクを使用する、請求項１７に記載の光学リターダを製作する方法。
【請求項２１】
光学リターダがトリム・リターダであり、前記斜め角度および前記少なくとも１つの構造複屈折層の前記全体の厚さが、液晶ディスプレイ・パネルの残留面内複屈折を補償するためのＡプレート・リターダンスを提供するように選択される、請求項１４に記載の光学リターダを製作する方法。
【請求項２２】
光源と、
前記光源からの光を受光し、第１線形偏光軸を有する第１線形偏光を透過させるための第１偏光子と、
前記第１線形偏光を光学変調させるための、残留複屈折を有する液晶ディスプレイ・パネルと、
前記光学変調光を受光し、第２線形偏光軸を有する第２線形偏光を透過させるための第２偏光子と、
前記第２線形偏光をスクリーン上に投影するための投影レンズと、
前記液晶ディスプレイ・パネルの前記残留複屈折を補償するための請求項１から８のいずれかに記載の光学リターダとを備える、液晶ディスプレイ・ベース投影システム。
【請求項２３】
前記光学リターダが、３８０ｎｍと８００ｎｍの間の波長領域において０ｎｍと−１０００ｎｍの間の面外リターダンス、および３８０ｎｍから８００ｎｍの間の波長領域において１ｎｍと３０ｎｍの間の面内リターダンスを有する、請求項２２に記載の液晶ディスプレイ・ベース投影システム。
【請求項２４】
前記光学リターダが、前記液晶ディスプレイ・パネルのカバー基板上に堆積されたコーティングを含む、請求項２２に記載の液晶ディスプレイ・ベース投影システム。
【請求項２５】
前記液晶ディスプレイ・パネルが、ＶＡＮモードＬＣｏＳマイクロディスプレイ・パネルであり、前記第１偏光子および前記第２偏光子が、同じ偏光ビーム・スプリッタである、請求項２２に記載の液晶ディスプレイ・ベース投影システム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
マスクおよび非マスクのコーティング構成のそれぞれは、層の構造を調査するために、透過型電子顕微鏡法（ＴＥＭ）も受けた。一般に、ＴＥＭマイクログラフは、薄膜が実質的にアモルファスであることを示した。マイクログラフのいくつかは、柱状微細構造の可能な証拠を示したが、明確な柱状体および／または間隙は確実に欠如していた。さらに、ＴＥＭマイクログラフのいくつかは、厚いＴａ２Ｏ５層において斑点またはしみ状の領域を示した。斑点ナノ構造は、非マスク実行よりマスク実行について顕著であり、非マスク実行よりマスク実行の予期されない高い面内複屈折に関係付けることが可能である。各ＴＥＭマイクログラフでは、薄膜は、極度に稠密に見える（すなわち、高度に多孔性ではない）。ＲＢＳおよびＳＥＭの特徴付けを使用するＴａ２Ｏ５膜密度の粗い推定は、マスク構成について９３％、非マスク構成について９８％である。上述された方法を使用して準備された湿気シフト試験は、コーティングが公称的に十分稠密である（すなわち、１００％または「かさ」密度に非常に近い、またはそれに等しい）ことを示唆する。湿気シフト試験では、フィルタは、乾燥条件において測定され、湿度に２４時間暴露され、次いで再度測定された。コーティングは、本質的に波長の変化は示さなかった。コーティングが十分稠密ではない場合、より長い波長へのシフトが、湿気に暴露された後に予測されるが、その理由は、湿気がコーティングに浸透し、間隙を部分的に充填し、したがって、屈折率をわずかに増大させ、フィルタの応答をより高い波長に移動させるからである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
十分稠密な実質的にアモルファスの薄膜（すなわち、柱状微細構造をわずかに有する、または有さない）が有用な複屈折を示すことは、全く予測されないことであることに留意されたい。本発明者の最適な知識では、高光フラックスおよび／または高温の環境において、これらの十分稠密な実質的にアモルファスの薄膜の複屈折形態および／またはその安定性は利用されていない。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
一般に、構造複屈折は、斜め角度堆積を介して薄膜に導入される。堆積プロセスは、通常、当業者には周知の様々な蒸着の１つまたはスパッタリング堆積技法を使用する物理的蒸着であり、薄膜が稠密である（たとえば、約９０％かさ密度より大きい）ことを補償するように選択および／または変更されることが好ましく、適切な複屈折（たとえば、５５０ｎｍにおいて約０．０００２より大きい）を示す。たとえば、コーティング・フラックス入射角度、コーティング・マスク設計、コーティング源と基板の距離、コーティング源と基板の相対位置および配向、堆積率、基板スピニング制御、ならびにコーティング材料の少なくとも１つは、通常、望ましい複屈折および／または密度を提供するように選択される。代替または追加として、高密度が、ＩＡＤなどのエネルギー・プロセス（ｅｎｅｒｇｅｔｉｃ  ｐｒｏｃｅｓｓ）によって達成される。たとえば、これまで記述された例では、コーティング・フラックス入射角度は、広範な範囲の堆積角度（たとえば、２から３５°）を含み、光学コーティング・マスクは１８０°マスクであり、基板はるつぼから約３０’’離れており、堆積率は約２と１２Å／秒の間であり、基板は約５００ｒｐｍにおいてスピンされ、ＩＡＤ源が使用された。一般に、平均堆積角度、またはより一般的に最大堆積角度は、約４０°より小さい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７５】
一般に、構造複屈折は、斜め角度堆積により稠密構造複屈折層９５に導入される。堆積プロセスは、通常、当業者には周知の様々な蒸着またはスパッタリング堆積技法の１つを使用する物理的な蒸着であり、薄膜が稠密であり（たとえば、約９０％のかさ密度を超える）、適切な複屈折（たとえば、５５０ｎｍにおいて約０．０００２より大きい）を示すことを保証するように選択および／または変更されることが好ましい。たとえば、コーティング・フラックス入射角度、コーティング・マスク設計、コーティング源と基板の距離、コーティング源と基板の相対位置および配向、堆積率、基板スピニング制御、ならびにコーティング材料の少なくとも１つは、通常、望ましい複屈折および／または密度を提供するように選択される。代替または追加として、高密度は、ＩＡＤなどのエネルギー・プロセスを使用することによって達成される。たとえば、これまで記述された例では、コーティング・フラックス入射角度は、広範な堆積角度（たとえば、２から３５°）を含み、任意選択のコーティング・マスクは１８０°マスクであり、基板はるつぼから約３０’’離れており、堆積率は約２と１２Å／秒の間であり、基板は約５００ｒｐｍにおいてスピンされ、ＩＡＤ源が使用された。一般に、平均堆積角度、またはより一般的に最大堆積角度は、約４０°より小さい。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８３】
Ａプレート誘電体スタック１０２は、ＡＲ層１０６によって境界を画定された稠密構造複屈折層１０４を含む。一般に、構造複屈折は、斜め角度堆積により稠密構造複屈折層１０４に導入される。堆積プロセスは、通常は当業者には周知の様々な蒸着またはスパッタリング堆積の技法の１つを使用する物理的な蒸着であり、薄膜が稠密であり（たとえば、約９０％のかさ密度より大きい）、適切な複屈折（たとえば、５５０ｎｍにおいて約０．００２より大きい）を示すことを保証するように選択および／または変更されることが好ましい。たとえば、コーティング・フラックス入射角度、コーティング・マスク設計、コーティング源と基板の距離、コーティング源と基板の相対位置および配向、堆積率、基板スピニング制御、ならびにコーティング材料の少なくとも１つは、通常、望ましい複屈折および／または密度を提供するように選択される。代替または追加として、高密度は、ＩＡＤなどのエネルギー・プロセスを使用することによって達成される。たとえば、これまで記述された例では、コーティング・フラックス入射角度は広範な堆積角度（たとえば、２から３５°）を含み、任意選択のコーティング・マスクは１８０°マスクであり、基板はるつぼから約３０’’離れており、堆積率は約２と１２Å／秒の間であり、基板は約５００ｒｐｍにおいてスピンされ、ＩＡＤ源が使用された。一般に、平均堆積角度、またはより一般的に最大堆積角度は、約４０°より小さい。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９２】
Ａプレート誘電体スタック１１２は、ＡＲ層１１４／１１５によって境界を画定された稠密構造複屈折層１１２ａを含む。一般に、構造複屈折は、斜め角度堆積により稠密構造複屈折層１１２ａに導入される。堆積プロセスは、通常は当業者には周知の様々な蒸着またはスパッタリング堆積の技法の１つを使用する物理的な蒸着であり、薄膜が密であり（たとえば、約９０％のかさ密度より大きい）、適切な複屈折（たとえば、５５０ｎｍにおいて約０．００２より大きい）を示すことを保証するように選択および／または変更されることが好ましい。たとえば、コーティング・フラックス入射角度、コーティング・マスク設計、コーティング源と基板の距離、コーティング源と基板の相対位置および配向、堆積率、基板スピニング制御、ならびにコーティング材料の少なくとも１つは、通常、望ましい複屈折および／または密度を提供するように選択される。代替または追加として、高密度は、ＩＡＤなどのエネルギー・プロセスを使用することによって達成される。たとえば、これまで記述された例では、コーティング・フラックス入射角度は、広範な堆積角度（たとえば、２から３５°）を含み、任意選択のコーティング・マスクは１８０°マスクであり、基板はるつぼから約３０’’離れており、堆積率は約２と１２Å／秒の間であり、基板は約５００ｒｐｍにおいてスピンされ、ＩＡＤ源が使用された。一般的に、平均堆積角度、またはより一般的に最大堆積角度は、約４０°より小さい。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０１】
第１および第２の複数の層のそれぞれの層の厚さは、誘電体スタックが−Ｃプレート機能を提供するように選択される。第１および第２の複数の層の少なくとも１つは、斜め角度堆積で形成される。堆積プロセスは、通常は当業者には周知の様々な蒸着またはスパッタリング堆積の技法の１つを使用する物理的な蒸着であり、薄膜が稠密であり（たとえば、約９０％のかさ密度より大きい）、適切な複屈折（たとえば、５５０ｎｍにおいて約０．００２より大きい）を示すことを保証するように選択および／または変更されることが好ましい。たとえば、層の厚さは、適切な−Ｃプレート複屈折を提供するように、通常、約１００ｎｍより小さく、しばしば約２０ｎｍより小さいので、より高いＡプレート・リターダンスを提供するために、より高い入射角度が必要とされる可能性があり、したがって、微細構造が多孔性ではないことを保証するために、堆積率、基板スピニング制御、およびエネルギー・プロセスの少なくとも１つを調節することを必要とする。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１０】
Ａプレート誘電体スタック３０２は、ＡＲ層３０１ｂ／ｃによって境界を画定された稠密構造複屈折層３０２ａを含む。一般に、構造複屈折は、斜め角度堆積により稠密構造複屈折層１１２ａに導入される。堆積プロセスは、通常は、当業者には周知の様々な蒸着またはスパッタリング堆積の技法の１つを使用する物理的な蒸着であり、薄膜が稠密であり（たとえば、約９０％のかさ密度より大きい）、適切な複屈折（たとえば、５５０ｎｍにおいて約０．００２より大きい）を示すことを保証するように選択および／または変更されることが好ましい。たとえば、コーティング・フラックス入射角度、コーティング・マスク設計、コーティング源と基板の距離、コーティング源と基板の相対位置および配向、堆積率、基板スピニング制御、ならびにコーティング材料の少なくとも１つは、通常、望ましい複屈折および／または密度を提供するように選択される。代替または追加として、高密度は、ＩＡＤなどのエネルギー・プロセスを使用することによって達成される。たとえば、上述された例では、コーティング・フラックス入射角度は、広範な堆積角度（たとえば、２から３５°）を含み、任意選択のコーティング・マスクは１８０°マスクであり、基板はるつぼから約３０’’離れており、堆積率は約２と１２Å／秒の間であり、基板は約５００ｒｐｍにおいてスピンされ、ＩＡＤ源が使用された。一般的に、平均堆積角度、またはより一般的に最大堆積角度は、約４０°より小さい。