Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月29日(2011.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体ウエハーに、前記第１の半導体ウエハーの一つの面から一導電型を付与する不純物元素を添加して不純物領域を形成し、
前記不純物元素を添加した前記第１の半導体ウエハーの一つの面からイオンを照射して、前記第１の半導体ウエハーの一つの面から前記不純物領域より下方に脆化層を形成し、
前記第１の半導体ウエハーの一つの面上、又は第２の半導体ウエハー上の少なくともどちらか一方に絶縁層を形成し、
前記第１の半導体ウエハーと前記第２の半導体ウエハーを、前記絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、前記脆化層に亀裂を生じさせ、前記第１の半導体ウエハーを前記脆化層で分離する熱処理を行って前記不純物領域を含む単結晶半導体層を前記第２の半導体ウエハー上に形成し、
前記単結晶半導体層の前記不純物領域をチャネル形成領域に用いて電界効果トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の半導体ウエハーの一つの面上に保護層を形成し、前記第１の半導体ウエハーに、前記第１の半導体ウエハーの一つの面上に形成された前記保護層から一導電型を付与する不純物元素を添加して不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１の半導体ウエハーに、前記第１の半導体ウエハーの一つの面からイオンを照射して、前記第１の半導体ウエハーの一つの面から一定の深さに脆化層を形成し、
前記第１の半導体ウエハーの一つの面から一導電型を付与する不純物元素を添加して、前記第１の半導体ウエハーの一つの面と前記脆化層との間に不純物領域を形成し、
前記第１の半導体ウエハーの一つの面上、又は第２の半導体ウエハー上の少なくともどちらか一方に絶縁層を形成し、
前記第１の半導体ウエハーと前記第２の半導体ウエハーを、前記絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、前記脆化層に亀裂を生じさせ、前記第１の半導体ウエハーを前記脆化層で分離する熱処理を行って前記不純物領域を含む単結晶半導体層を前記第２の半導体ウエハー上に形成し、
前記単結晶半導体層の前記不純物領域をチャネル形成領域に用いて電界効果トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の半導体ウエハーの一つの面上に保護層を形成し、前記第１の半導体ウエハーに、前記第１の半導体ウエハーの一つの面上に形成された前記保護層からイオンを照射して、前記第１の半導体ウエハーの一つの面から一定の深さに脆化層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２又は請求項４において、
前記保護層は、窒化シリコン層、酸化シリコン層、窒化酸化シリコン層、又は酸化窒化シリコン層から選ばれた一層又は複数の層による積層構造とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記一導電型を付与する不純物元素を、前記第１の半導体ウエハーにマスクを用いて選択的に添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記不純物領域として異なる不純物濃度を有する複数の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月8日(2011.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に接合層が形成され、所定の深さに剥離層が形成された半導体基板と、歪点が７００℃以下のベース基板とを用意し、
前記半導体基板の表面と前記ベース基板の表面とを対向させ、前記接合層の表面と前記ベース基板とを接合し、
熱処理を行うことにより前記剥離層を境として前記半導体基板の一部を分離させ、前記ベース基板上に単結晶半導体層を形成する工程を含み、
前記ベース基板として、前記熱処理により等方的に収縮する基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
表面に絶縁層が形成され、前記絶縁層上に接合層が形成され、所定の深さに剥離層が形成された半導体基板と、歪点が７００℃以下のベース基板とを用意し、
前記半導体基板の表面と前記ベース基板の表面とを対向させ、前記接合層の表面と前記ベース基板とを接合し、
熱処理を行うことにより前記剥離層を境として前記半導体基板の一部を分離させ、前記ベース基板上に単結晶半導体層を形成する工程を含み、
前記ベース基板として、前記熱処理により等方的に収縮する基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記絶縁層として、有機シランガスを用いて化学気相成長法により形成される酸化シリコン膜を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記接合層として、窒素含有層を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
表面に接合層が形成され、所定の深さに剥離層が形成された半導体基板と、表面に絶縁層が形成され歪点が７００℃以下のベース基板とを用意し、
前記半導体基板の表面と前記ベース基板の表面とを対向させ、前記接合層の表面と前記絶縁層の表面とを接合し、
熱処理を行うことにより前記剥離層を境として前記半導体基板の一部を分離させ、前記ベース基板上に単結晶半導体層を形成する工程を含み、
前記ベース基板として、前記熱処理により等方的に収縮する基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記接合層として、有機シランガスを用いて化学気相成長法により形成される酸化シリコン膜を用い、
前記絶縁層として、窒素含有層を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記熱処理を、４００℃以上７００℃以下で行うことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記ベース基板として、前記半導体基板と熱膨張係数が同等又は前記半導体基板より熱膨張係数が大きい基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記ベース基板の熱膨張係数を、前記半導体基板の熱膨張係数の０．８５倍〜２．０倍とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１０】
請求項８において、
前記半導体基板としてシリコン基板を用い、
前記ベース基板として熱膨張係数が、２．３×１０-6〜５．０×１０-6／℃である基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記ベース基板として、ガラス基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記ガラス基板として、表面が研磨されたものを用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１３】
請求項１１又は請求項１２において、
前記ガラス基板として、表面粗さが０．３ｎｍ以下のものを用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記ベース基板の表面と平行な面において、Ｘ軸方向とＹ軸方向における収縮率は、Ｘ軸方向の収縮率とＹ軸方向の収縮率とを平均した値から、それぞれ１０％以内であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月14日(2011.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンドーピング法を用いてイオンを半導体基板に添加することで、前記半導体基板中に脆化層を形成し、
前記半導体基板において、前記脆化層よりも浅い位置から表面までの領域を除去し、
前記半導体基板の前記除去により露出した面とベース基板とを貼り合わせた後、前記半導体基板を前記脆化層において分離させることで、前記ベース基板上に半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
イオンドーピング法を用いてイオンを半導体基板に添加することで、前記半導体基板中に脆化層を形成し、
前記半導体基板において、前記脆化層よりも浅い位置から表面までの領域を除去し、
前記半導体基板の、前記除去により露出した面上に、単層または複層の絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を間に挟んで前記半導体基板とベース基板とを貼り合わせた後、前記半導体基板を前記脆化層において分離させることで、前記ベース基板上に半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
半導体基板上に絶縁膜を形成し、
イオンドーピング法を用いて、前記絶縁膜を介してイオンを前記半導体基板に添加することで、前記半導体基板中に脆化層を形成し、
前記絶縁膜の表面近傍の領域を除去し、
前記領域が除去された前記絶縁膜を間に挟んで前記半導体基板とベース基板とを貼り合わせた後、前記半導体基板を前記脆化層において分離させることで、前記ベース基板上に半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
半導体基板上に第１の絶縁膜を形成し、
イオンドーピング法を用いて、前記第１の絶縁膜を介してイオンを前記半導体基板に添加することで、前記半導体基板中に脆化層を形成し、
前記第１の絶縁膜の表面近傍の領域を除去し、
前記第１の絶縁膜の、前記除去により露出した面上に、単層または複層の第２の絶縁膜を形成し、
前記領域が除去された前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を間に挟んで前記半導体基板とベース基板とを貼り合わせた後、前記半導体基板を前記脆化層において分離させることで、前記ベース基板上に半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記除去は、エッチングまたは研磨を用いて行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月11日(2011.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜中に形成された信号配線及びダミー配線と、
前記絶縁膜上に形成された複数の外部端子とを備え、
前記半導体基板平面と平行な平面で、隣接する前記外部端子の中心を結ぶ線上と前記半導体基板の端部との間の領域を信号配線禁止領域と想定し、
前記信号配線及び前記ダミー配線は前記信号配線禁止領域に配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記信号配線及び前記ダミー配線は前記信号配線禁止領域において、
前記半導体基板の端部から前記半導体基板平面と平行な平面で前記外部端子の中心に垂線を引き、前記垂線を中心に前記外部端子の中心から１４０°の扇角を持った範囲と、前記外部端子の中心を中心に前記外部端子端までの最短の長さの５分の４を半径とした円弧と前記外部端子の中心を中心に前記外部端子端までの最長の長さの５分の６を半径とした円弧とで囲まれた範囲とが重なる領域に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ダミー配線が、前記信号配線と２μｍ以上の隙間を開け、前記信号配線の周囲を連続的に囲っている事を特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ダミー配線が、前記信号配線の幅寸法以上の隙間を開け、前記信号配線に平行して１または複数本配置される事を特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ダミー配線が、前記信号配線と２μｍ以上の隙間を開け、前記信号配線に平行して１または複数本配置される事を特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記信号配線の線幅を前記信号配線の厚みの５倍以上の幅にすることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記信号配線の線幅を１０μｍ以上にすることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記外部端子は円形形状のバンプであることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記バンプの下層にポストを備えることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記バンプの下層にアンダーバンプメタル膜を備えることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記信号配線およびダミー配線は、Ａｌを含んだ材料であり、厚さは１．５μｍ以上であることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記の目的を達成するために本発明に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜中に形成された信号配線及びダミー配線と、前記絶縁膜上に形成された複数の外部端子とを備え、前記半導体基板平面と平行な平面で、隣接する前記外部端子の中心を結ぶ線上と前記半導体基板の端部との間の領域を信号配線禁止領域と想定し、前記信号配線及び前記ダミー配線は前記信号配線禁止領域に配置されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記信号配線及び前記ダミー配線は前記信号配線禁止領域において、前記半導体基板の端部から前記半導体基板平面と平行な平面で前記外部端子の中心に垂線を引き、前記垂線を中心に前記外部端子の中心から１４０°の扇角を持った範囲と、前記外部端子の中心を中心に前記外部端子端までの最短の長さの５分の４を半径とした円弧と前記外部端子の中心を中心に前記外部端子端までの最長の長さの５分の６を半径とした円弧とで囲まれた範囲とが重なる領域に形成されることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、前記ダミー配線が、前記信号配線と２μｍ以上の隙間を開け、前記信号配線の周囲を連続的に囲っていても良い。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、前記ダミー配線が、前記信号配線の幅寸法以上の隙間を開け、前記信号配線に平行して１または複数本配置されても良い。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、ダミー配線が、前記信号配線と２μｍ以上の隙間を開け、前記信号配線に平行して１または複数本配置されても良い。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、前記信号配線の線幅を前記信号配線の厚みの５倍以上の幅にしても良い。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、外部端子は円形形状のバンプであっても良い。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、前記バンプの下層にポストを備えても良い。
また、前記バンプの下層にアンダーバンプメタル膜を備えても良い。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、前記信号配線の線幅を１０μｍ以上にすることが好ましい。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、前記信号配線およびダミー配線は、Ａｌを含んだ材料であり、厚さは１．５μｍ以上であっても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月22日(2011.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に形成され、相対的に短波長の光を放出する発光セルの第１の直列アレイと、
第２の基板上に形成され、相対的に長波長の光を放出する発光セルの第２の直列アレイと、を備え、
前記第１及び第２の直列アレイは、互いに連結されて動作することを特徴とする発光ダイオードパッケージ。
【請求項２】
前記第１の直列アレイから放出された光の少なくとも一部を波長変換させる蛍光体をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項３】
前記第１の直列アレイ内の発光セルは、青色光を放出し、
前記第２の直列アレイ内の発光セルは、赤色光を放出し、
前記蛍光体は、青色光を緑色光に波長変換させることを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項４】
前記第１及び第２の直列アレイを覆うモールディング部をさらに備え、
前記モールディング部は、拡散剤を含有することを特徴とする請求項３に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項５】
前記第１の直列アレイ内の発光セルは、青色光を放出し、
前記第２の直列アレイ内の発光セルは、緑色光を放出し、
前記蛍光体は、青色光を赤色光に波長変換させることを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項６】
前記第１及び第２の直列アレイを覆うモールディング部をさらに備え、
前記モールディング部は、拡散剤を含有することを特徴とする請求項５に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項７】
前記第１の直列アレイ内の発光セルは、それぞれ第１の導電型半導体層と第２の導電型半導体層との間に介在された第１の活性層を有し、
前記第２の直列アレイ内の発光セルは、それぞれ第１の導電型半導体層と第２の導電型半導体層との間に介在された第２の活性層を有し、
前記第１の活性層は、ＡｌＩｎＧａＮ系化合物で形成され、前記第２の活性層は、ＡｌＩｎＧａＰ系化合物で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項８】
前記第１及び第２の直列アレイは、互いに逆並列で連結されていることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項９】
前記第１及び第２の直列アレイを覆うモールディング部をさらに備え、
前記モールディング部は、蛍光体を含有することを特徴とする請求項３に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項１０】
前記第１及び第２の直列アレイを覆うモールディング部をさらに備え、
前記モールディング部は、蛍光体を含有することを特徴とする請求項５に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項１１】
前記第１及び第２の直列アレイ内の発光セルは、リード電極に電気的に連結されていることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項１２】
前記第１及び第２の直列アレイ内の発光セルは、ボンディングワイヤによりまたはフリップボンディングにより前記リード電極に電気的に連結されていることを特徴とする請求項１１に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項１３】
前記第１及び第２の直列アレイの両端部に、ボンディングパッドが配置されていることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケ  ージ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月19日(2011.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
樹脂のうちリード１の内端Ｚ1A上に形成されている部分が、第１の実施形態では、貫通孔７の内径が上端から下端に向かって一定の内径を有するように形成されているのに対し、本変形例では、図６に示すように、貫通孔７の内径が上端から下端に向かって大きくなるように、テーパー形状に形成されている点である。ここで、樹脂１９は、図６に示すように、テーパー角αが想定される入射光の入射角βよりも大きくなるように形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
本変形例によると、基台３の貫通孔７内に入射された入射光が貫通孔７の内側面に当たって反射することはない。そのため、入射光が貫通孔７の内側面に当たって反射し、その反射光が光学素子４の光検知領域５に到達してノイズ光が発生することを防止することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
図７に示すように、本変形例の光学デバイスは、第２の実施形態の光学デバイスの構成に加えて、薄板体８の裏面に外部端子１ｔと対応するように配置された電極２０をさらに備えている点である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
図８に示すように、本変形例の光学デバイスでは、基台３の外端領域に、薄板体８の角部形状と対応する形状の段差２１が設けられ、段差２１内に薄板体８が配置されて基台３と薄板体８とが嵌合している。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月18日(2011.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にシリコンおよび窒素含有膜を堆積する方法であって、
前記基板を収容する堆積チャンバに、少なくとも２つのシリコン原子を含むシリコン含有前駆体を導入するステップと、
前記堆積チャンバの外側に位置する遠隔プラズマシステムを用いて少なくとも１つのラジカル窒素前駆体を生成するステップと、
前記堆積チャンバに前記ラジカル窒素前駆体を導入するステップと、
を備え、
前記ラジカル窒素前駆体と前記シリコン含有前駆体が反応し、前記基板上に前記シリコンおよび窒素含有膜を堆積し、
堆積に際して前記シリコンおよび窒素含有膜は流動性をもつ、
方法。
【請求項２】
前記ラジカル窒素前駆体の生成が前記遠隔プラズマシステム内でアンモニアをプラズマに曝露させるステップを備え、前記アンモニアの少なくとも一部が前記ラジカル窒素前駆体に分解する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ラジカル窒素前駆体が化学式ＮＨＸを有し、式中ｘが０、１または２である、請求項１または2に記載の方法。
【請求項４】
前記シリコン含有前駆体がジシラン前駆体またはポリシラン前駆体を含む、請求項１乃至のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記シリコン含有前駆体がアルコキシジシラン、アルコキシ−アルキルジシランおよびポリシランから成る群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記シリコンおよび窒素含有膜がシリコン炭窒化膜を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記シリコンおよび窒素含有膜がＳｉ−Ｎ（Ｈ）−Ｓｉ結合を含む膜を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記シリコンおよび窒素含有膜をアニーリングしてシリコン酸化膜を形成するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記アニーリングが蒸気を含む雰囲気内で実施される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記アニーリングが酸蒸気を含む雰囲気内で実施される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記アニーリングが約２０℃から約９００℃の範囲の温度で実施される、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記アニーリングがオゾン（Ｏ３）を含む雰囲気内で実施される、請求項８に記載の方法
【請求項１３】
前記アニーリングが、約２０℃から約６００℃の範囲の温度で前記基板を紫外線光に曝露するステップをさらに備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記アニーリングが分子状酸素（Ｏ２）を含む雰囲気内で実施される、請求項８に記載の方法
【請求項１５】
前記アニーリングが、約２０℃から約６００℃の範囲の温度で原子状酸素（Ｏ）を含む雰囲気内で実施される、請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
前記アニーリングが約２００℃から約１０５０℃の範囲の温度で実施される、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月9日(2011.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハをハロゲンが添加された酸化性雰囲気下で熱酸化処理して前記半導体ウェーハ表面に酸化層を形成し、
イオンドーピング装置を用いてクラスターイオンを前記半導体ウェーハの一表面に垂直な方向から６°±４°の角度で照射することにより、前記半導体ウェーハに分離層を形成し、
絶縁表面を有する基板と、前記半導体ウェーハの一表面側と、を前記酸化層を間に挟んで重ね合わせて接合し、
熱処理を行うことにより、前記分離層又は前記分離層の近傍を分離面として前記半導体ウェーハを分離させ、前記絶縁表面を有する基板上に前記酸化層を間に介して半導体層が接合されたＳＯＩ基板と、前記半導体ウェーハから前記半導体層が分離された剥離ウェーハと、を得る工程Ａと、
前記工程Ａで得られた前記剥離ウェーハを再生処理する工程Ｂと、
前記工程Ｂにより再生処理した前記剥離ウェーハを、工程Ａの半導体ウェーハとして用いることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項２】
イオンドーピング装置を用いてクラスターイオンを半導体ウェーハの一表面側から照射することにより、前記半導体ウェーハに分離層を形成し、
絶縁表面を有する基板と、前記半導体ウェーハの一表面側と、を重ね合わせて接合し、
熱処理を行うことにより、前記分離層又は前記分離層の近傍を分離面として前記半導体ウェーハを分離させ、前記絶縁表面を有する基板上に半導体層が接合されたＳＯＩ基板と、前記半導体ウェーハから前記半導体層が分離された剥離ウェーハと、を得る工程Ａと、
前記工程Ａで得られた前記剥離ウェーハを再生処理する工程Ｂと、
前記工程Ｂにより再生処理した前記剥離ウェーハを、工程Ａの半導体ウェーハとして用いることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項３】
イオンドーピング装置を用いてクラスターイオンを半導体ウェーハの一表面側から照射することにより、前記半導体ウェーハに分離層を形成し、
絶縁表面を有する基板と、前記半導体ウェーハの一表面側と、をＣＶＤ法を用いて形成した絶縁層を間に挟んで重ね合わせて接合し、
熱処理を行うことにより、前記分離層又は前記分離層の近傍を分離面として前記半導体ウェーハを分離させ、前記絶縁表面を有する基板上に前記絶縁層を間に介して半導体層が接合されたＳＯＩ基板と、前記半導体ウェーハから前記半導体層が分離された剥離ウェーハと、を得る工程Ａと、
前記工程Ａで得られた前記剥離ウェーハを再生処理する工程Ｂと、
前記工程Ｂにより再生処理した前記剥離ウェーハを、工程Ａの半導体ウェーハとして用いることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記絶縁層は、窒素を含有する層と接合層として機能する層との積層構造で形成することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、
前記絶縁層を、前記半導体ウェーハの一表面側に形成することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項６】
請求項３又は請求項４において、
前記絶縁層を、前記絶縁表面を有する基板に形成することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項７】
請求項２乃至請求項６のいずれか一において、
前記クラスターイオンの照射を、前記半導体ウェーハの一表面に垂直な方向から６°±４°の角度で行うことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記クラスターイオンとしてはＨ３＋イオンを用いることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記Ｈ３＋イオンは、前記半導体ウェーハに照射した際に３つのＨ＋イオンまたは３つのＨに分離することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記工程Ａで得られた前記絶縁表面を有する基板上に接合された前記半導体層は、膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記工程Ｂにおける再生処理を、研磨処理、エッチング処理、熱処理、又はレーザビームの照射から選ばれた一或いは複数の方法により行うことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記剥離ウェーハを再生処理する前記工程Ｂを行った後、再度工程Ａを行い、前記再度行う工程Ａの半導体ウェーハとして、前記剥離ウェーハを用いることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記工程Ａと、前記工程Ｂと、を順に行う工程を１セットとしてｎ回（ｎは２以上の整数）行うことでｎ枚のＳＯＩ基板を製造し、
前記ＳＯＩ基板の製造に伴い生じる前記剥離ウェーハを、前記工程Ａにおける半導体ウェーハとして（ｎ−１）回用いることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、
前記絶縁表面を有する基板に、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、またはバリウムホウケイ酸ガラスを用いることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一において、
前記絶縁表面を有する基板と、前記半導体ウェーハの一表面側との接合面の一方又は双方に対し、原子ビーム若しくはイオンビームを照射し、又は、プラズマ照射若しくはラジカル処理を行い、前記接合面を活性化した後、前記接合を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、
前記絶縁表面を有する基板と、前記半導体ウェーハの一表面側との接合面の一方又は双方に対し、オゾン添加水、酸素添加水、又は純水で洗浄処理して前記接合面の親水性を増大させた後、前記接合を行うことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月24日(2011.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板と、前記シリコン基板に形成された貫通孔と、前記貫通孔に設けられ、前記シリコン基板と絶縁された貫通電極と、を備えた基板の製造方法であって、
ボッシュプロセスにより、前記シリコン基板の第１の面側から前記シリコン基板をエッチングして前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔が形成された前記シリコン基板を熱酸化して、前記シリコン基板の第１の面、前記第１の面とは反対側に位置する前記シリコン基板の第２の面、及び前記貫通孔の側面に対応する部分の前記シリコン基板の面を覆う熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と、
前記熱酸化膜を除去する熱酸化膜除去工程と、
前記熱酸化膜除去工程後に、前記シリコン基板の第１及び第２の面と、前記貫通孔の側面に対応する部分の前記シリコン基板の面とを覆う絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜が形成された前記貫通孔に前記貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項２】
前記貫通孔形成工程において、前記シリコン基板の第２の面側に位置する前記貫通孔の端部にノッチが発生した場合、前記熱酸化膜形成工程を行う前に前記第２の面側から前記ノッチが形成された部分の前記シリコン基板を研削及び研磨、或いは研磨して前記ノッチを除去するノッチ除去工程を設けたことを特徴とする請求項１記載の基板の製造方法。
【請求項３】
前記熱酸化膜除去工程では、ウエットエッチングにより前記熱酸化膜を除去することを特徴とする請求項１又は２記載の基板の製造方法。
【請求項４】
前記シリコン基板の第２の面に設けられた前記絶縁膜に、前記貫通電極と接続される配線を形成する配線形成工程を設けたことを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか一項記載の基板の製造方法。
【請求項５】
シリコン基板と、前記シリコン基板に形成された貫通孔と、前記貫通孔に設けられ、前記シリコン基板と絶縁された貫通電極と、を備えた基板の製造方法であって、
ボッシュプロセスにより、前記シリコン基板の第１の面側から前記シリコン基板をエッチングして前記開口部を形成する開口部形成工程と、
前記第１の面とは反対側に位置する前記シリコン基板の第２の面側から前記シリコン基板を、前記開口部が露出するまで研削及び研磨、或いは研磨して、前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔形成工程後に、前記貫通孔が形成された前記シリコン基板を熱酸化して、前記シリコン基板の第１の面、前記シリコン基板の第２の面、及び前記貫通孔の側面に対応する部分の前記シリコン基板の面を覆う熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と、
前記熱酸化膜を除去する熱酸化膜除去工程と、
前記熱酸化膜除去工程後に、前記シリコン基板の第１及び第２の面と、前記貫通孔の側面に対応する部分の前記シリコン基板の面とを覆う絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜が形成された前記貫通孔に前記貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項６】
シリコン基板と、前記シリコン基板に形成された貫通孔と、前記貫通孔に設けられ、前記シリコン基板と絶縁された貫通電極と、を備えた基板の製造方法であって、
ボッシュプロセスにより、前記シリコン基板の第１の面側から前記シリコン基板をエッチングして前記開口部を形成する開口部形成工程と、
前記開口部が形成された前記シリコン基板を熱酸化して、前記シリコン基板の第１の面、前記第１の面とは反対側に位置する前記シリコン基板の第２の面、及び前記開口部に対応する部分の前記シリコン基板の面を覆う熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と、
前記シリコン基板の第２の面側から前記シリコン基板及び前記熱酸化膜を、前記開口部が露出するまで研削及び研磨、或いは研磨して、前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔形成工程後に、前記熱酸化膜を除去する熱酸化膜除去工程と、
前記熱酸化膜除去工程後に、前記シリコン基板の第１及び第２の面と、前記貫通孔の側面に対応する部分の前記シリコン基板の面とを覆う絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜が形成された前記貫通孔に前記貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項７】
前記熱酸化膜除去工程では、ウエットエッチングにより前記熱酸化膜を除去することを特徴とする請求項５又は６記載の基板の製造方法。
【請求項８】
前記シリコン基板の第２の面に設けられた前記絶縁膜に、前記貫通電極と接続される配線を形成する配線形成工程を設けたことを特徴とする請求項５ないし７のうち、いずれか一項記載の基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月30日(2011.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面上にシリコン炭素膜をエピタキシャル形成するための方法であって、
単結晶表面および二次表面を含む基板をプロセスチャンバに配置するステップと、
約６００℃未満の堆積温度かつある堆積圧力で、シリコン源、炭素源およびｎタイプドーパントを備える堆積ガスに前記基板を曝すステップと、
約６００℃を超え且つ約６５０℃未満のエッチング温度、および前記堆積圧力の少なくとも約１０倍、且つ約１００トールを超えるエッチング圧力で、塩化水素を備えるエッチングガスに前記基板を曝すステップと、
を備える方法であって、
前記単結晶表面に重ドープｎタイプエピタキシの選択堆積をもたらす方法。
【請求項２】
前記ドーパントがリン源およびヒ素源のうちの１つ以上を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記リン源がホスフィンを備え、前記ヒ素源がアルシンを備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記エッチングガスが塩化水素のみを備える、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記塩化水素が塩化水素源ガスから前記チャンバに送出される、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記塩化水素が、前記チャンバにおいて水素源ガスおよび塩素源ガスを混合する際に、前記チャンバに形成される、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記シリコン源がモノシラン混合物およびジシランおよびネオペンタシランから選択される高次シランから選択される、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記ドーパントレベルが少なくとも約５×１０２０原子／ｃｍ３である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ジクロロシランが堆積中に流される、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記炭素源がメチルシランを備える、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
更に、塩化水素が堆積中に流される、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記エピタキシャル膜がトランジスタ製造プロセスの製作ステップ中に形成される方法であって、
前記基板上にゲート誘電体を形成するステップと、
前記ゲート誘電体上にゲート電極を形成するステップと、
前記ゲート電極の反対側で前記基板上にソース／ドレイン領域を形成し、かつ前記ソース／ドレイン領域間にチャネル領域を画成するステップと、
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記エッチングガスへの暴露中の前記エッチング圧力が、前記堆積ガスへの暴露中の前記堆積圧力の少なくとも約３０倍である、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月3日(2011.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体基板の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの一方の面上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を介して前記半導体ウエハの一方の面からイオンを照射し、前記半導体ウエハに損傷層を形成し、
支持基板の一方の面と、前記半導体ウエハの一方の面上に形成された前記絶縁層とを貼り合わせて熱処理を行い、前記支持基板と前記半導体ウエハを接着し、
前記半導体ウエハを加熱することにより、前記損傷層において、単結晶半導体層が貼り合わされた前記支持基板と、半導体ウエハの一部とに分離し、
前記支持基板に貼り合わされた前記単結晶半導体層の表面に対してウェットエッチングを行った後、前記単結晶半導体層の表面に対してレーザビームを照射することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項２】
半導体ウエハの一方の面上に第１の絶縁層を形成し、
前記絶縁層を介して前記半導体ウエハの一方の面からイオンを照射して、前記半導体ウエハに損傷層を形成し、
支持基板の一方の面上に第２の絶縁層を形成し、
前記半導体ウエハの一方の面に形成された前記第１の絶縁層と、前記支持基板の一方の面上に形成された前記第２の絶縁層とを貼り合わせて熱処理を行い、前記支持基板と前記半導体ウエハを接着し、
前記半導体ウエハを加熱することにより、前記損傷層において、単結晶半導体層が貼り合わされた前記支持基板と、半導体ウエハの一部とに分離し、
前記支持基板に貼り合わされた前記単結晶半導体層の表面に対してウェットエッチングを行った後、前記単結晶半導体層の表面に対してレーザビームを照射することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記単結晶半導体層の表面に対してレーザビームを照射した後に、前記単結晶半導体層の表面に対してドライエッチングを行うことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記支持基板は、ガラス基板であることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記イオンは、Ｈ３＋を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記イオンは、総量に対して、Ｈ３＋を８０％以上含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月5日(2011.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板上に膜を堆積する方法であって、前記方法が、
処理チャンバをシーズニングするステップであって、
前記処理チャンバにシーズン前駆体流を提供する工程と、
前記処理チャンバの上部にソース電力の７０％を超えて分布されている少なくとも７５００Ｗのソース電力を印加することによって前記シーズン前駆体から高密度プラズマを形成する工程と、
前記高密度プラズマによってあるポイントに少なくとも５０００Åの厚さを有するシーズン層を堆積する工程と、
を備える前記ステップと、
前記複数の基板の各々を前記処理チャンバに順次移送して、エッチングを含むプロセスを前記複数の基板の前記各々に実行するステップと、
前記複数の基板の前記各々の順次移送の間に前記処理チャンバを洗浄するステップと、を備え、
前記処理チャンバを洗浄するステップが、
前記処理チャンバの部分的洗浄を実行する工程と、
この後、前記処理チャンバを加熱する工程と、
この後、前記処理チャンバの前記洗浄を完了させる工程と、
を備える、方法。
【請求項２】
前記処理チャンバに前記シーズン前駆体流を提供する工程が、
前記処理チャンバにシリコン含有ガス流を提供することと、
前記処理チャンバに酸素含有ガス流を提供することと、
を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記酸素含有ガスの流量が前記シリコン含有ガスの流量未満である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記酸素含有ガスの流量が前記シリコン含有ガスの流量の０．８未満である、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記シリコン含有ガスがＳｉＨ４を備えており、前記酸素含有ガスがＯ２を備える、請求項２から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記処理チャンバに前記シーズン前駆体流を提供する工程が、前記シリコン含有ガスおよび前記酸素含有ガスに対して非反応性のガス流を提供することを備える、請求項２から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
複数の基板上に膜を堆積する方法であって、
処理チャンバをシーズニングするステップと、
前記複数の基板の各々を前記処理チャンバに順次移送して、エッチングを含むプロセスを前記複数の基板の前記各々に実行するステップと、
前記複数の基板の前記各々の順次移送の間に前記処理チャンバを洗浄するステップであって、
前記処理チャンバの部分的洗浄を実行する工程と、
この後、前記処理チャンバを加熱する工程と、
この後、前記処理チャンバの前記洗浄を完了させる工程と、
を備える前記ステップと、
を備える方法。
【請求項８】
前記処理チャンバの前記部分的洗浄を実行する工程が、
前記処理チャンバにハロゲン前駆体を流すことと、
前記ハロゲン前駆体から高密度プラズマを形成することと、
を備える、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ハロゲン前駆体がＦ２を備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記処理チャンバの前記洗浄を完了させる工程が、
前記処理チャンバにハロゲン前駆体を流すことと、
前記ハロゲン前駆体から高密度プラズマを形成することと、
を備える、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記ハロゲン前駆体がＦ２を備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記処理チャンバの前記部分的洗浄を実行する工程が、前記洗浄のエンドポイントの７５％を超えて前記部分的洗浄を実行することを備える、請求項８−１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記処理チャンバを加熱する工程が、
前記処理チャンバに熱ガスを流すことと、
前記熱ガスから高密度プラズマを形成することと、
を備える、請求項８−１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記熱ガスが、Ｏ２、ＡｒおよびＨｅからなる群より選択されるガスを備え、
前記熱ガスから前記高密度プラズマを形成することが、上部ソースと側部ソース間におよそ等しく分布してソース電力を印加することを備える、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記処理チャンバをシーズニングするステップが、
前記処理チャンバにシーズン前駆体流を提供する工程と、
前記処理チャンバの上部の前記ソース電力の７０％を超えて分布された少なくとも７５００Ｗのソース電力を印加することによって前記シーズン前駆体から高密度プラズマを形成する工程と、
前記高密度プラズマによってあるポイントに少なくとも５０００Åの厚さを有するシーズン層を堆積する工程と、
を備える、請求項８−１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月29日(2011.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、及び透明電極層が基板上に形成された発光ダイオードであって、
前記ｐ型半導体層と前記透明電極層との間に介在されるトンネル層と、
前記トンネル層又はそのトンネル層の下方のｐ型半導体層を上側に露出させるように、前記透明電極層に形成された開口部と、
前記開口部内に形成されるＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）と、
前記開口部内のＤＢＲを覆うように、前記透明電極層上に形成される電極パッドと、
を備えることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】
前記電極パッドの側面部は、前記透明電極層の前記開口部の内側面と当接し、前記電極パッドの底部は、前記ＤＢＲと当接することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記トンネル層は、ｎ型不純物が高濃度でドープされたｎ型トンネル層（ｎ＋＋）であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記透明電極層は、ＩＴＯ層であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記活性層の下端面に形成される下部ＤＢＲをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記発光ダイオードは、窒化ガリウム系であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項７】
前記ＤＢＲは、低屈折率層と高屈折率層とが繰り返して積層されていることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項８】
前記低屈折率層は、ＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３を含むことを特徴とする請求項７に記載の発光ダイオード。
【請求項９】
前記高屈折率層は、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＯ２またはＳｉ−Ｈを含むことを特徴とする請求項７に記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
前記ＤＢＲは、前記電極パッドよりも高い屈折率の高屈折率層を有することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項１１】
前記低屈折率層のいずれか一層が前記ｐ型半導体層と当接することを特徴とする請求項７に記載の発光ダイオード。
【請求項１２】
前記ＤＢＲは、低屈折率層と高屈折率層とが複数交互に積層しており、前記低屈折率層は、ＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３を含み、前記高屈折率層は、Ｓｉ３Ｎ４またはＴｉＯ２を含み、
ｍを奇数とし、λを波長とし、ｎｌを前記低屈折率層の屈折率とし、ｎｈを前記高屈折率層の屈折率とし、第１の厚さをｍλ／４ｎｌにより表し、第２の厚さをｍλ／４ｎｈにより表したとき、前記低屈折率層は前記第１の厚さを有し、前記高屈折率層は前記第２の厚さを有し、前記ＤＢＲは波長λの光について少なくとも９５％の反射率を有することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項１３】
前記波長λは、前記活性層が発生する光の波長に対応していることを特徴とする請求項１２に記載の発光ダイオード。
【請求項１４】
ｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、及び透明電極層が基板上に形成された発光ダイオードであって、
前記透明電極層に形成された開口部と、
前記開口部内に一部が満たされるように形成される電極パッドと、
前記透明電極層上に形成されたまま、前記開口部内において前記電極パッドと接触するｎ＋＋またはアンドープ層と、
を備えることを特徴とする発光ダイオード。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月3日(2011.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エアバッグ用の膨張可能なセルであって、
第１のファブリックパネルと、第２のファブリックパネルとを含み、前記第１のファブリックパネルは、シームにおいて前記第２のファブリックパネルに固定されて膨張可能なエアバッグを画成し、
前記シームは、第１の複数のステッチ、前記第１のファブリックパネルの周縁部分、及び前記第２のファブリックパネルの周縁部分のみからなり、前記第１の複数のステッチを適用することによって前記シームが形成されるときに前記第１のファブリックパネルおよび前記第２のファブリックパネルに接着剤及びシーラントは使用されず、前記膨張可能なセルの内部圧力は、出力が２．５モルのコールドガス膨張器で初期充填された後５秒で少なくとも１０ｋＰａである、膨張可能なセル。
【請求項２】
請求項１に記載のセルであって、
前記第１のファブリックパネルおよび前記第２のファブリックパネルは４２０デニールのファブリックである、セル。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のセルであって、
前記第１のファブリックパネルおよび前記第２のファブリックパネルは、これらに塗布されたコーティングを有する、セル。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のセルであって、
前記第１の複数のステッチは、ポリエステル糸によって形成される、セル。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のセルであって、
前記第１の複数のステッチは、＃９２のサイズのポリエステル糸によって形成される、セル。
【請求項６】
膨張可能なセルを膨張させる方法において、
送出チューブの外面と前記膨張可能なセル内に形成される内部の通路の内面との間の流れ面積を制限することによって複数の独立した膨張可能なセルの間の膨張ガスの流量を制御するステップを含み、前記内部の通路は前記複数の独立した膨張可能なセルの各々の開口部を介してのみ、前記複数の独立した膨張可能なセルの各々と連結し且つ流体的に結合し、前記膨張可能なセルは第１の材料から形成され、前記送出チューブは前記膨張可能なセルを形成するために使用される前記第１の材料とは無関係であり、前記送出チューブは、前記膨張可能なセルの第１のファブリックパネルおよび第２のファブリックパネルを固定するために前記第１のファブリックパネルと前記第２のファブリックパネルとを通る複数のステッチを使用することによって前記膨張ガスが制限されるような、前記複数の独立した膨張可能なセルの前記開口部へ流体流れの供給源であり、
前記方法はさらに、所定の有効流れ面積が前記複数の独立した膨張可能なセルのうちのいずれかの負荷がかけられたセルと、前記複数の独立した膨張可能なセルのうちの残りのセルとの間に提供されるように、前記送出チューブの外面と前記複数の独立した膨張可能なセルの前記開口部の縁部のすぐ近くの前記内部の通路の内面との間の流体流れを制限することによって、前記複数の独立した膨張可能なセルの各々の間の流体流れを制限するステップを含み、
前記膨張可能なセルは、第２のファブリックパネルに固定された第１のファブリックパネルから形成され、前記第１のファブリックパネルは前記膨張可能なセルの周囲の部分を画定するシームにおいて前記第２のファブリックパネルに固定され、前記シームは、前記第１のファブリックパネルの周縁部分、前記第２のファブリックパネルの周縁部分、及び前記第１のファブリックパネルの前記周縁部分を前記第２のファブリックパネルの前記周縁部分に固定する第１の複数のステッチのみからなる、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記所定の有効流れ面積は０ｃｍ２（０平方インチ）より大きく３．２２６ｃｍ２（０．５平方インチ）より小さい、方法。
【請求項８】
請求項６または７に記載の方法であって、
前記所定の有効流れ面積は０ｃｍ２（０平方インチ）より大きく１．６１３ｃｍ２（０．２５平方インチ）より小さい、方法。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか１項に記載の方法であって、
前記第１のファブリックパネルおよび前記第２のファブリックパネルは４２０デニールのファブリックである、方法。
【請求項１０】
請求項６〜９のいずれか１項に記載の方法であって、
前記第１のファブリックパネルおよび前記第２のファブリックパネルは、これらに塗布されたコーティングを有する、方法。
【請求項１１】
請求項６〜１０のいずれか１項に記載の方法であって、
前記第１の複数のステッチは、ポリエステル糸によって形成される、方法。
【請求項１２】
請求項６〜１１のいずれか１項に記載の方法であって、
前記第１の複数のステッチは、＃９２のサイズのポリエステル糸によって形成される、方法。
【請求項１３】
請求項６〜１２のいずれか１項に記載の方法であって、
前記膨張可能なセルの内部圧力は、出力が２．５モルのコールドガス膨張器で初期充填された後５秒で少なくとも１０ｋＰａである、方法。