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【手続補正書】
【提出日】平成21年12月11日(2009.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタセシス反応を受けうる少なくとも２つの環状オレフィン基で官能化された、アルコキシシロキサンポリエステルカルボキシレート骨格もしくはアルコキシシロキサンポリエーテルカルボキシレート骨格を含み、下記式：
【化１】
2007246900.tif 000001
（式中、
【化２】
2007246900.tif 000002
であり、
ＰＥは、ポリエーテル又はポリエステルフラグメントであり、
ｚ＝１〜５００であり、
ｑ＝０〜１０であり、
Ｑは、任意選択でシロキサン基（Si-O-Si）を含んでいてもよく、かつ、任意選択でＢ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｐ、及びＳからなる群から選択されるヘテロ原子を含んでいてもよい、直鎖状、分枝状、環状、又は多環状有機基であり、
Ｄは、環状オレフィン残基であり、かつ、Ｑとは異なる。）
を有する樹脂。
【請求項２】
Ｄが、ノルボルネニル、ノルボルネニルエチル、シクロペンテニル、７−オキサノルボルネニル、ノルボルナジエニル、及び７−オキサノルボルナジエニルからなる群から選択される環状オレフィン残基である、請求項１に記載の樹脂。
【請求項３】
ＰＥが、プロピレンオキシド（ＰＯ）及びエチレンオキシド（ＥＯ）フラグメントを含むポリエーテルであり、ｚが約１６であり、ｑ＝０又は１であり、
【化３】
2007246900.tif 000003
である、請求項１に記載の樹脂。
【請求項４】
ＰＥが、プロピレンオキシド（ＰＯ）及びエチレンオキシド（ＥＯ）フラグメントを含むポリエーテルであり、ｚ＝１〜５０であり、ｑ＝０〜１であり、
【化４】
2007246900.tif 000004
である、請求項１に記載の樹脂。
【請求項５】
メタセシス反応を受けうる少なくとも２つの環状オレフィン基で官能化されたシロキサンカルボキシレート骨格をさらに含み、
・  ペンダント構造が下記式：
【化５】
2007246900.tif 000005
を有するか、
・  末端構造が下記式：
【化６】
2007246900.tif 000006
を有するか、又は
・  環状構造が下記式：
【化７】
2007246900.tif 000007
（上記式中、ｍ＝１〜５０であり、ｎ＝０〜２００であり、ｐ＝０〜２００であり、ｘ＝３〜６であり、Ｅは環状オレフィン残基である。）
を有するか、
のうちの少なくとも１つである、請求項１に記載の樹脂。
【請求項６】
Ｅが、ノルボルネニル、ノルボルネニルエチル、シクロペンテニル、７−オキサノルボルネニル、ノルボルナジエニル、及び７−オキサノルボルナジエニルからなる群から選択される環状オレフィン残基である、請求項５に記載の樹脂。
【請求項７】
Ｄが、ノルボルネニル、ノルボルネニルエチル、シクロペンテニル、７−オキサノルボルネニル、ノルボルナジエニル、及び７−オキサノルボルナジエニルからなる群から選択される環状オレフィン残基である、請求項６に記載の樹脂。
【請求項８】
ＰＥが、プロピレンオキシド（ＰＯ）及びエチレンオキシド（ＥＯ）フラグメントを含むポリエーテルであり、ｚ＝１〜５０であり、ｑ＝０〜１であり、
【化８】
2007246900.tif 000008
である、請求項７に記載の樹脂。
【請求項９】
ヒドリド末端シロキサンを、
（ａ）プロピレンオキシド及びエチレンオキシドフラグメントを含むポリエーテル又はポリエステルジオール、及び
（ｂ）環状オレフィン基で官能化されたヒドロキシアルキルカルボン酸エステルと、
３族又は１３族触媒の存在下で反応させることを含む、環状オレフィンで官能化されたアルコキシシランポリエステルカルボキシレート又はアルコキシシランポリエーテルカルボキシレートの製造方法。
【請求項１０】
前記触媒が、トリス（ペンタフルオロ-トリフェニル）ボランである、請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
（ｂ）が、ヒドロキシプロピルノルボルネンカルボキシレートである、請求項９に記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記樹脂は、メタセシス反応を受けうる少なくとも２つの環状オレフィン基で官能化されたアルコキシ−シランポリエステルカルボキシレートもしくはアルコキシ−シランポリエーテルカルボキシレート骨格を含む。この樹脂は以下の式を有する。
【化１】
2007246900.tif 000009
式中、
【化２】
2007246900.tif 000010
であり、
ＰＥは、ポリエーテル又はポリエステルフラグメントであり、
ｚ＝１〜５００であり、
ｑ＝０〜１０であり、
Ｑは、任意選択でシロキサン基（Si-O-Si）を含んでいてもよく、かつ、任意選択でＢ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｐ、及びＳからなる群から選択されるヘテロ原子を含んでいてもよい、直鎖状、分枝状、環状、又は多環状有機基であり、
Ｄは、環状オレフィン残基であり、かつＱとは異なる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明によれば、アルコキシ−ＳＰＥカルボキシレートは下記一般式を有する。
【化３】
2007246900.tif 000011
上記式中、
【化４】
2007246900.tif 000012
であり、
ＰＥは、ポリエーテル又はポリエステルフラグメントであり、
ｚ＝１〜５００であり、
ｑ＝０〜１０であり、
Ｑは、任意選択でシロキサン基（Si-O-Si）を含んでいてもよく、かつ、任意選択でＢ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｐ、及びＳからなる群から選択されるヘテロ原子を含んでいてもよい、直鎖状、分枝状、環状、又は多環状有機基であり、
Ｄは、環状オレフィン残基であり、かつＱとは異なる。
例として、Ｄは、ノルボルネニル、ノルボルネニルエチル、シクロペンテニル、７−オキサノルボルネニル、ノルボルナジエニル、及び／又は７−オキサノルボルナジエニルから選択される環状オレフィン残基であることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
［実施例］
いくつかの末端キャップしたアルコキシ−ＳＰＥノルボルネンカルボキシレートを調製した。化合物Ｅ−Ｈは、下記のヒドロキシプロピルノルボルネンカルボキシレート（ＨＰＮＢＣ）である。
【化１０】
2007246900.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月9日(2011.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、この発明に係るナビゲーション装置は、目的地および経由地を入力する入力部と、入力部から入力された経由地を経由して目的地に至る経路を探索する経路探索部と、経路探索部によって探索された経路が経由地でＵターンする経路である場合に、該経由地でＵターンすべき旨の案内情報を生成し、該経由地でＵターンしないことにより経路を逸脱しても、所定条件が満たされている間は再探索の実行を抑止するとともに、案内情報の生成を継続する経路誘導部と、経路誘導部により生成された案内情報に基づき案内を行う出力部とを備えている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
目的地および経由地を入力する入力部と、
前記入力部から入力された経由地を経由して目的地に至る経路を探索する経路探索部と、
前記経路探索部によって探索された経路が経由地でＵターンする経路である場合に、該経由地でＵターンすべき旨の案内情報を生成し、該経由地でＵターンしないことにより経路を逸脱しても、所定条件が満たされている間は再探索の実行を抑止するとともに、前記案内情報の生成を継続する経路誘導部と、
前記経路誘導部により生成された案内情報に基づき案内を行う出力部と
を備えたナビゲーション装置。
【請求項２】
前記経路誘導部は、前記経路探索部によって探索された経路が経由地でＵターンする経路である場合に、該経由地でＵターンしないことにより経路を逸脱しても、同一道路上を走行している場合には、該経由地から所定距離以上走行するまでは、再探索の実行を抑止することを特徴とする請求項１記載のナビゲーション装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月13日(2011.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム酸化物を含む無機担体に、モリブデンと、鉄、コバルト及びニッケルから選択される少なくとも１種とを担持させて得られる、石油留分を処理するための水素化処理用触媒を再生した再生水素化処理用触媒であって、
カーボン含有量が０．１５質量％以上３．０質量％以下であり、
Ｘ線回折スペクトルにおいて、２θ＝２６．５±２°にあらわれるモリブデン複合金属酸化物のピーク強度が、２θ＝６６．８±２°にあらわれるＡｌ２Ｏ３のピーク強度に対して０．６０以上１．１０以下であり、かつ
Ｘ線吸収微細構造分析の広域Ｘ線吸収微細構造スペクトルをフーリエ変換して得られるＥＸＡＦＳ動径分布曲線において、残留硫黄分に起因するＭｏ−Ｓの結合由来のピークを原子間距離０．２０ｎｍ±０．０１の最大強度点Ｈｓとし、基準ピークをＭｏ−Ｏの結合に由来する原子間距離０．１３ｎｍ±０．０１の最大強度点Ｈｏとしたときに、Ｈｓ／Ｈｏの値が０．１０以上０．６０以下であることを特徴とする再生水素化処理用触媒。
【請求項２】
アルミニウム酸化物を含む無機担体に、モリブデンと、鉄、コバルト及びニッケルから選択される少なくとも１種とを担持させて得られる、石油留分を処理するための水素化処理用触媒を再生した再生水素化処理用触媒であって、
カーボン含有量が０．１５質量％以上３．０質量％以下であり、
Ｘ線回折スペクトルにおいて、２θ＝２６．５±２°にあらわれるモリブデン複合金属酸化物のピーク強度が、２θ＝６６．８±２°にあらわれるＡｌ２Ｏ３のピーク強度に対して０．６０以上１．１０以下であり、かつ
Ｘ線吸収微細構造分析のＸ線吸収端構造スペクトルにおいて、ＭｏＯ３の割合が７７％以上９９％以下であることを特徴とする再生水素化処理用触媒。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の再生水素化処理用触媒を用いて石油留分の水素化処理を行うことを特徴とする石油製品の製造方法。
【請求項４】
前記石油留分の水素化処理条件が、水素分圧３〜１３ＭＰａ、ＬＨＳＶ０．０５〜５ｈ−１、反応温度２００℃〜４１０℃、水素／油比１００〜８０００ＳＣＦ／ＢＢＬ、原料油として用いる前記石油留分の蒸留試験による留出温度が１３０℃以上７００℃以下の範囲であることを特徴とする請求項３に記載の石油製品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、アルミニウム酸化物を含む無機担体に、モリブデンと、鉄、コバルト及びニッケルから選択される少なくとも１種とを担持させて得られる、石油留分を処理するための水素化処理用触媒を再生した再生水素化処理用触媒であって、カーボン含有量が０．１５質量％以上３．０質量％以下であり、Ｘ線回折スペクトルにおいて、２θ＝２６．５±２°にあらわれるモリブデン複合金属酸化物のピーク強度が、２θ＝６６．８±２°にあらわれるＡｌ２Ｏ３のピーク強度に対して０．６０以上１．１０以下であり、かつＸ線吸収微細構造分析（ＸＡＦＳ、Ｘ−ｒａｙ  Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｆｉｎｅ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）の広域Ｘ線吸収微細構造（ＥＸＡＦＳ、Ｅｘｔｅｎｄｅｄ  Ｘ−ｒａｙ  Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｆｉｎｅ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）スペクトルをフーリエ変換して得られるＥＸＡＦＳ動径分布曲線において、残留硫黄分に起因するＭｏ−Ｓの結合由来のピークを原子間距離０．２０ｎｍ±０．０１の最大強度点Ｈｓとし、基準ピークをＭｏ−Ｏの結合に由来する原子間距離０．１３ｎｍ±０．０１の最大強度点Ｈｏとしたときに、Ｈｓ／Ｈｏの値が０．１０以上０．６０以下であることを特徴とする再生水素化処理用触媒、及び、アルミニウム酸化物を含む無機担体に、モリブデンと、鉄、コバルト及びニッケルから選択される少なくとも１種とを担持させて得られる、石油留分を処理するための水素化処理用触媒を再生した再生水素化処理用触媒であって、カーボン含有量が０．１５質量％以上３．０質量％以下であり、Ｘ線回折スペクトルにおいて、２θ＝２６．５±２°にあらわれるモリブデン複合金属酸化物のピーク強度が、２θ＝６６．８±２°にあらわれるＡｌ２Ｏ３のピーク強度に対して０．６０以上１．１０以下であり、かつＸ線吸収微細構造分析のＸ線吸収端構造（ＸＡＮＥＳ、Ｘ−ｒａｙ  Ａｂｓｏｐｔｉｏｎ  Ｎｅａｒ−Ｅｄｇｅ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）スペクトルにおいて、ＭｏＯ３の割合が７７％以上９９％以下であることを特徴とする再生水素化処理用触媒を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この石油製品の製造方法において、石油留分の水素化処理条件は、水素分圧３〜１３ＭＰａ、ＬＨＳＶ０．０５〜５ｈ−１、反応温度２００℃〜４１０℃、水素／油比１００〜８０００ＳＣＦ／ＢＢＬ、原料油として用いる前記石油留分の蒸留試験による留出温度が１３０℃以上７００℃以下の範囲であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月8日(2011.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者の睡眠時無呼吸症を治療する装置であって、
患者に圧力下で呼吸用ガスを選択的に供給するブロア、
患者の呼吸空気流量を感知するとともに、該ガスの流量を示す流量信号を発生する流量センサー、
前記流量センサーに結合され、前記流量信号が、呼吸サイクルの吸気時に、２つの高い凸ローブおよびこれらローブ間に比較的平坦な帯域を示したときに閉塞信号を発生する閉塞検出器、および
前記ブロアの操作を制御し、かつ前記閉塞検出器に結合された制御器であって、前記閉塞信号を受信し、該閉塞信号に応答して該ブロア操作を変更する制御器からなる装置。
【請求項２】
睡眠障害患者をモニターまたは治療する装置であって、
患者の呼吸作用を示す流量信号を発生する流量センサー、および
前記流量信号が、呼吸サイクルの吸気時に、２つの高い凸ローブおよびこれらローブ間に比較的平坦な帯域を示したときに閉塞信号を発生するように前記流量センサーに結合された閉塞検出器からなる装置。
【請求項３】
睡眠障害患者の治療装置であって、
マスク、
前記マスクを通して圧力下で患者に呼吸用空気を選択的に供給するブロア、
患者の呼吸作用を示す流量信号を発生する流量センサー、
前記流量センサーに結合され、前記流量信号が、呼吸サイクルの吸気時に、２つの高い凸ローブおよびこれらローブ間に比較的平坦な帯域を示したときに閉塞信号を発生する閉塞検出器、および
前記閉塞信号を受信し、これに応答して前記ブロアの操作を付勢あるいは変更する指令を発生する制御器からなる装置。
【請求項４】
流量センサーを使用して、呼吸サイクルの吸気時を対象として患者の気道内の空気流れを表わす流量信号を発生する工程、
発生した信号のサンプルを取る工程、
サンプルとして取られた流量信号における少なくとも一つの呼吸サイクルが、時間の関数として、２つの高い凸ローブおよびこれらローブ間に比較的平坦な帯域を示したときに、前記流量センサーに結合された閉塞検出器に閉塞信号を発生する工程からなる患者の気道における閉塞の存在を判定する方法。
【請求項５】
患者の気道における閉塞の存在を判定する方法であって、
流量センサーを使用して、患者の気道内の空気流れを表わす流量信号を発生する工程、
発生した信号のサンプルを取る工程、
サンプルとして取られた流量信号における少なくとも一つの呼吸サイクルが、吸気時に、２つの高い凸ローブおよびこれらローブ間に比較的平坦な帯域を示したときに、前記流量センサーに結合された閉塞検出器に閉塞信号を発生する工程からなる方法。
【請求項６】
患者の睡眠時無呼吸症を治療する装置であって、
患者に圧力下で呼吸用ガスを選択的に供給するブロア、
患者の呼吸空気量を感知するとともに、前記ガスの流量を示す流量信号を発生する流量センサー、
前記流量センサーに結合され、前記流量信号が呼吸サイクルの吸気時に、比較的平坦な部分に先行して異常な程広い初期凸ローブを示したときに閉塞信号を発生する閉塞検出器、および
前記ブロアの操作を制御し、かつ前記流量センサーに結合された制御器であって、前記閉塞信号を受信し、該閉塞信号に応答して該ブロア操作を開始または変更する制御器からなる装置。
【請求項７】
睡眠障害患者をモニターまたは治療する装置であって、
患者の呼吸作用を示す流量信号を発生する流量センサー、および
前記流量信号が、呼吸サイクルの吸気時に、比較的平坦な部分に先行して異常な程広い初期凸ローブを示したときに、閉塞信号を発生するように前記流量センサーに結合された閉塞検出器からなる装置。
【請求項８】
睡眠障害患者の治療装置であって、
マスク、
前記マスクを通して圧力下で患者に呼吸用空気を選択的に供給するブロア、
患者の呼吸作用を示す流量信号を発生する流量センサー、
前記流量センサーに結合され、前記流量信号が、呼吸サイクルの吸気時に、比較的平坦な部分に先行して異常な程広い初期凸ローブを示したときに、閉塞信号を発生する閉塞検出器、および
前記閉塞信号を受信し、これに応答して前記ブロアの操作を付勢する指令を発生する制御器からなる装置。
【請求項９】
流量センサーを使用して、患者の呼吸サイクルの吸気時を対象として患者の気道内の空気流れを表わす流量信号を発生する工程、
発生した信号のサンプルを取る工程、
前記流量信号の前記サンプルが、時間の関数として、比較的平坦な部分に先行して異常な程広い初期凸ローブを示したときに、前記流量センサーに結合された閉塞検出器に閉塞信号を発生する工程からなる患者の気道における閉塞の存在を判定する方法。
【請求項１０】
患者の気道における閉塞の存在を判定する方法であって、
流量センサーを使用して、患者の気道内の空気流れを表わす流量信号を発生する工程、
発生した信号のサンプルを取る工程、
サンプルとして取られた流量信号における少なくとも一つの呼吸サイクルが、吸気時に、比較的平坦な部分に先行して異常な程広い初期凸ローブを示す閉塞信号を示したときに、前記流量センサーに結合された閉塞検出器に閉塞信号を発生する工程からなる方法。
【請求項１１】
発生信号について取られたサンプルの少なくとも一部が連続サンプルである請求項４、９、５および１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
発生信号のサンプルの少なくとも一部が所定間隔で取られた請求項４、９、５および１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
流量センサーを使用して、患者の気道内の空気流れを表わす流量信号を発生する工程、
発生した信号のサンプルを取る工程、
吸気時に、２つの高い凸ローブおよびこれらローブ間に比較的平坦な帯域を示すサンプルとして取られた流量信号における少なくとも一つの呼吸サイクルを検出する工程、
平均吸気流れに関する各サンプルの大きさおよび吸気中間点に関する時間的位置に応じて異なる重み係数を吸気流れサンプルに割り当てることによって閉塞指数を計算する工程、および
算出された閉塞指数に基づいて呼吸装置の操作を付勢または変更する指令信号を発生する工程からなる患者の気道における閉塞を処理する方法。
【請求項１４】
流量センサーを使用して、患者の気道内の空気流れを表わす流量信号を発生する工程、
発生した信号のサンプルを取る工程、
吸気時に、比較的平坦な部分に先行する異常な程広い初期凸ローブを示すサンプルとして取られた流量信号における少なくとも一つの呼吸サイクルを検出する工程、
平均吸気流れに関する各サンプルの大きさおよび吸気中間点に関する時間的位置に応じて異なる重み係数を吸気流れサンプルに割り当てることによって閉塞指数を計算する工程、および
算出された閉塞指数に基づいて呼吸装置の操作を付勢または変更する指令信号を発生する工程からなる患者の気道における閉塞を処理する方法。
【請求項１５】
それぞれの吸気サイクルの平均吸気流れおよび吸気中間点に対してそれぞれの凸ローブの大きさおよび位置を評価する請求項１、２、３、６、７および８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１６】
それぞれの吸気サイクルの平均吸気流れおよび吸気中間点に対してそれぞれの凸ローブの大きさおよび位置を評価する請求項４、９および１０のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月31日(2011.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
立設して互いに対向可能な一対の長尺な部材と、一対の長尺な部材の対向面にそれぞれ配設され、かつ互いに磁気的に吸着可能な磁気的吸着部材とを備えた一対の開閉部材であって、少なくとも一方の長尺な部材が、レールに沿って互いに前記対向面が離反又は近接する方向へスライド可能であり、前記一対の長尺な部材のうち一方の長尺な部材の幅方向に、Ｓ極及びＮ極の２極のみを隣接させて第１のマグネット部材が長手方向に配設され、他方の長尺な部材の対向面に、前記第１のマグネット部材の磁極に対して反対の磁極であるＮ極及びＳ極のみを向けて第２のマグネット部材が長手方向に配設されており、前記第１及び第２のマグネット部材が、磁性粉体と軟質樹脂とを含む軟質マグネット部材で構成されており、一対の長尺な部材のうち少なくとも一方の長尺な部材の非対向部に形成された断面中空形状の取り付け部と、この取り付け部に形成され、かつ間仕切シートを取り付けるための取付壁と、断面コ字状又は断面中空状に形成され、かつ前記間仕切シートを前記取付壁で狭圧可能な狭圧部を有する押さえ部材と、前記取付壁と押さえ部材との間に前記間仕切シートを介在させた状態で前記取付壁及び押さえ部材を螺着可能なネジ部材とを備えている開閉部材。
【請求項２】
取り付け部が、一対の長尺な部材の対向面に対して隣接する側壁又は対向面に対して反対側の側壁に形成されている請求項１記載の開閉部材。
【請求項３】
押さえ部材が、少なくとも一方の長尺な部材の取り付け部に対して位置決め可能な位置決め部を有し、かつこの位置決め部以外の部位で間仕切りシートを挟持可能である請求項１又は２記載の開閉部材。
【請求項４】
取り付け部及び押さえ部材が、互いに嵌合可能して位置決め可能な突起部と凹部とを備えているとともに、一対の長尺な部材の対向面に対して隣接する側壁又は開方向の側壁で間仕切りシートを挟持するための一対の狭圧部を備えている請求項１〜３のいずれかに記載の開閉部材。
【請求項５】
少なくとも一方の長尺な部材が、この長尺な部材の上部に取り付けられたスライド機構を介して、吊り下げられた状態で、レールに沿って互いに前記対向面が離反又は近接する方向へスライド可能な部材であり、軟質マグネット部材が、前記一対の長尺な部材の対向面に長手方向に延びるあり溝状の装着凹部に摺動可能に装着され、かつ装着凹部から突出しており、前記スライド機構が、前記レール上を転動可能なローラ部と、このローラ部に対して揺動可能に取り付けられた揺動部材と、この揺動部材を前記長尺な部材の上部に取り付けるための取付部材とを備えている請求項１〜４のいずれかに記載の開閉部材。
【請求項６】
固定部に固定された他方の長尺な部材に対して、一方の長尺な部材がスライド可能である請求項１〜５のいずれかに記載の開閉部材。
【請求項７】
スライド可能に配設され、磁力により吸着する一対の長尺な開閉部材であって、一方の長尺な部材が、他方の長尺な部材との対向面に長手方向に形成された装着凹部と、この装着凹部の長手方向に装着されているとともに、前記装着凹部の幅方向に隣接し、かつ長手方向に延びたＮ極及びＳ極の２極のみで形成された第１の軟質マグネット部材とを備え、他方の長尺な部材が、前記一方の長尺な部材との対向面に長手方向に形成された装着凹部と、この装着凹部の長手方向に装着されているとともに、前記第１の軟質マグネット部材の磁極に対して反対の磁極であるＳ極及びＮ極の２極のみを対向させた第２の軟質マグネット部材とを備えている請求項１〜６のいずれかに記載の開閉部材。
【請求項８】
一対の長尺な部材のうち少なくとも一方の長尺な部材の側部に、開閉操作のための操作部を備えている請求項１〜７のいずれかに記載の開閉部材。
【請求項９】
操作部が、一方の長尺な部材の側部から延出する延出部と、この延出部の端部に形成された把持部とを備えており、この把持部が、前記延出部に対して、開閉方向の開方向の下流側に位置する請求項８記載の開閉部材。
【請求項１０】
レールに沿って空間を仕切るための間仕切り用部材である請求項１〜９のいずれかに記載の開閉部材。
【請求項１１】
立設して互いに対向可能な一対の長尺な部材と、一対の長尺な部材の対向面にそれぞれ配設され、かつ互いに磁気的に吸着可能な磁気的吸着部材と、前記一対の長尺な部材のうち少なくとも一方の長尺な部材の非対向面に取り付けられた間仕切シートとを備え、前記磁気的吸着部材の磁力を利用して開閉可能な間仕切りユニットであって、少なくとも一方の長尺な部材が、レールに沿って互いに前記対向面が離反又は近接する方向へスライド可能であり、前記一対の長尺な部材のうち一方の長尺な部材の幅方向に、Ｓ極及びＮ極の２極のみを隣接させて第１のマグネット部材が長手方向に配設され、他方の長尺な部材の対向面に、前記第１のマグネット部材の磁極に対して反対の磁極であるＮ極及びＳ極のみを向けて第２のマグネット部材が長手方向に配設されており、前記第１及び第２のマグネット部材が、磁性粉体と軟質樹脂とを含む軟質マグネット部材で構成されており、一対の長尺な部材のうち少なくとも一方の長尺な部材の非対向部に形成された断面中空形状の取り付け部と、この取り付け部に形成され、かつ間仕切シートを取り付けるための取付壁と、断面コ字状又は断面中空状に形成され、かつ前記間仕切シートを前記取付壁で狭圧可能な狭圧部を有する押さえ部材とを備え、前記取付壁と押さえ部材との間に前記間仕切シートを介在させた状態で前記取付壁及び押さえ部材がネジ部材で螺着されている間仕切りユニット。
【請求項１２】
レールに沿ってスライド可能に配設され、互いに対向可能な長尺な一対の長尺な部材と、これらの一対の長尺な部材の対向面にそれぞれ長手方向に形成された装着凹部と、一方の長尺な部材の装着凹部の長手方向に装着されているとともに、前記装着凹部の幅方向に隣接し、かつ長手方向に延びたＮ極及びＳ極の２極のみで形成された第１の軟質マグネット部材と、他方の長尺な部材の装着凹部の長手方向に装着されているとともに、前記第１の軟質マグネット部材の磁極に対して反対の磁極であるＮ極及びＳ極のみを対向させた第２の軟質マグネット部材と、一対の長尺な部材の対向面に対して隣接する側壁又は対向面に対して反対側の側壁に取り付けられた間仕切りシートとを備えている請求項１１記載の間仕切りユニット。
【請求項１３】
少なくとも一方の長尺な部材の側部に、開閉操作のための操作部を備えている請求項１１又は１２に記載の間仕切りユニット。
【請求項１４】
間仕切りシートの途中部で間仕切りシートを挟持して支持するための一対の支持部材を備えた間仕切りユニットであって、前記一対の支持部材のうち、間仕切りシートを挟持可能な挟持面が、断面形状において対称な凹凸面を有している請求項１１〜１３のいずれかに記載の間仕切りユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月24日(2011.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ペンと、この電子ペン及び指によるタッチ操作が行われるタッチ面を備えたタッチパネル体と、前記タッチ面上で電子ペン及び指のタッチ位置を検出する位置検出装置と、前記タッチ面を表示画面として所要の画像を表示する表示装置と、前記位置検出装置から取得した位置検出情報に応じた画像を前記表示装置に表示させる制御装置と、を備えた電子ペンシステムであって、
前記制御装置は、前記位置検出装置から位置検出情報を受信した際に、その位置検出情報が前記電子ペン及び指のいずれによるものかを判別する指示物判別手段と、前記電子ペンによるタッチ操作に応じて所定のペン入力処理を行なう第１の制御手段と、指のタッチ操作に応じて所定の指入力処理を行なう第２の制御手段と、を備え、前記第１の制御手段のペン入力処理と前記第２の制御手段の指入力処理とを並行して実行させることを特徴とする電子ペンシステム。
【請求項２】
前記第２の制御手段で実行される指入力処理は、表示オブジェクトの移動、回転、拡大及び縮小の少なくともいずれかの処理を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子ペンシステム。
【請求項３】
前記電子ペンは、タッチ操作時にペン情報を前記制御装置に送信し、
前記制御装置は、前記位置検出装置からの位置検出情報を受信するのと略同時に、前記電子ペンからペン情報を受信することができたか否かに応じて、前記位置検出装置から受信した位置検出情報が電子ペン及び指のいずれによるものかを判別することを特徴とする請求項１若しくは請求項２に記載の電子ペンシステム。
【請求項４】
前記位置検出装置は、前記タッチ面に対する導電体の接近または接触に応じた静電容量の変化からタッチ位置を検出するものであり、
前記電子ペンは、所定のペン情報を前記制御手段に送信するペン情報送信手段と、互いに電気的に遮断された状態で設けられたペン先部と把持部との電気的接続を断続する接続スイッチと、前記タッチ面に対するタッチ状態を検出するタッチ状態検出手段と、を備え、前記タッチ状態検出手段がタッチ状態を検出するのに応じて前記ペン情報送信手段から前記制御装置にペン情報を送信し、その後、前記接続スイッチをオンとしてペン入力可能状態となるようにし、
前記制御装置は、前記電子ペンからのペン情報を受信した後に前記位置検出装置からの位置検出情報を受信した場合に、その位置検出情報を前記電子ペンによるものと判断し、一方、前記電子ペンからのペン情報を受信することなく前記位置検出装置からの位置検出情報を受信した場合に、その位置検出情報を指によるものと判断することを特徴とする請求項３に記載の電子ペンシステム。
【請求項５】
前記第１の制御手段は、前記電子ペンによるタッチ操作及び当該電子ペンに設定された属性に応じた描画処理を行なうものであり、前記第２の制御手段は、表示オブジェクトに対して指のタッチ操作に応じた編集処理を行なうものであり、
前記制御装置は、ユーザの指示に応じて、指によるタッチ操作を前記電子ペンによるものとみなす指描画モードを有し、この指描画モードでは、標準的な属性で指によるタッチ操作に応じた描画処理を前記第１の制御手段に行わせることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の電子ペンシステム。
【請求項６】
電子ペン及び指によるタッチ操作が行われるタッチ面を表示画面とし、前記タッチ面に対する導電体の接近または接触に応じた静電容量の変化から検出されるタッチ位置に応じた画像を前記表示画面に表示させるよう制御する制御装置であって、
前記タッチ位置を検出するのと略同時に、前記電子ペンからペン情報を受信することができたか否かに応じて、タッチ操作が電子ペン及び指のいずれによるものかを判別し、電子ペンによるペン入力処理と指による指入力処理とを並行して実行することを特徴とする制御装置。
【請求項７】
電子ペンと指が同一の表示オブジェクトに触れている場合は、電子ペンと指による同一の表示オブジェクトに対する共同操作であると判断することを特徴とする請求項６記載の制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
このような要望に関連して、従来、電子ペンと指とに異なる機能を与えて使い分けるようにした技術が知られている（特許文献２参照）。ここでは、タッチ操作を行った指示物が電子ペンと指とのいずれであるかを判別して、各々に予め与えられた機能に応じた制御を行うことが開示されている（特許文献２）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
これによると、電子ペンの代用として指によるタッチ操作で描画を行うことができる。
前記課題を解決するためになされた第６の発明は、電子ペン及び指によるタッチ操作が行われるタッチ面を表示画面とし、前記タッチ面に対する導電体の接近または接触に応じた静電容量の変化から検出されるタッチ位置に応じた画像を前記表示画面に表示させるよう制御する制御装置であって、前記タッチ位置を検出するのと略同時に、前記電子ペンからペン情報を受信することができたか否かに応じて、タッチ操作が電子ペン及び指のいずれによるものかを判別し、電子ペンによるペン入力処理と指による指入力処理とを並行して実行する構成とする。
これによると、電子ペンと指とを対等に使い分けて並行して使用することができる。
前記課題を解決するためになされた第７の発明は、前記第６の発明において、電子ペンと指が同一の表示オブジェクトに触れている場合は、電子ペンと指による同一の表示オブジェクトに対する共同操作であると判断する構成とする。
これによると、ペン入力及び指入力に応じてメニュー選択された動作モードに従って表示オブジェクトを操作する独立操作の他に、電子ペンによる表示オブジェクト上のタッチ位置を中心点として指の動きに応じてこの表示オブジェクトを回転させるなどの共同操作を実行することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月5日(2011.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体の遊技者側に設けられ、遊技者の操作を受け付ける操作受付部と、
前記操作受付部が操作されたことを検出する操作検出部と、
前記本体の前記遊技者側に設けられた前記操作受付部の位置より奥側位置に設けられ、前記操作検出部の検出結果に基づいて表示を変化させる表示部と、
を有する遊技台であって、
前記表示部の周辺を装飾する第１の装飾部と、
前記第１の装飾部とは別体で構成され、前記操作受付部の周辺を装飾する第２の装飾部と、を備え、
前記第１の装飾部が、第１の樹脂シート、および遊技者が触れることが可能であって該第１の樹脂シートを遊技者から視認可能に覆う第１の透明カバーを含んで構成され、前記表示部の表示機能を示す第１の文字列、および前記操作受付部の操作受け付けに対応する機能の作動について示す第２の文字列を表示したものであって、
前記第２の装飾部は、第２の樹脂シート、および遊技者が触れることが可能であって該第２の樹脂シートを遊技者から視認可能に覆う第２の透明カバーを含んで構成されたものであり、
前記第１の透明カバーが、垂直姿勢から奥側に所定角度倒れ込んだ斜めの姿勢で固定されたものであって、
前記第１の樹脂シートが、垂直姿勢から前記所定角度よりもさらに奥側に倒れ込んだ斜めの姿勢で固定され、該第１の透明カバーから上方に向かうにつれて離れたものであることを特徴とする遊技台。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を解決する本発明の遊技台は、本体の遊技者側に設けられ、遊技者の操作を受け付ける操作受付部と、
前記操作受付部が操作されたことを検出する操作検出部と、
前記本体の前記遊技者側に設けられた前記操作受付部の位置より奥側位置に設けられ、前記操作検出部の検出結果に基づいて表示を変化させる表示部と、
を有する遊技台であって、
前記表示部の周辺を装飾する第１の装飾部と、
前記第１の装飾部とは別体で構成され、前記操作受付部の周辺を装飾する第２の装飾部と、を備え、
前記第１の装飾部が、第１の樹脂シート、および遊技者が触れることが可能であって該第１の樹脂シートを遊技者から視認可能に覆う第１の透明カバーを含んで構成され、前記表示部の表示機能を示す第１の文字列、および前記操作受付部の操作受け付けに対応する機能の作動について示す第２の文字列を表示したものであって、
前記第２の装飾部は、第２の樹脂シート、および遊技者が触れることが可能であって該第２の樹脂シートを遊技者から視認可能に覆う第２の透明カバーを含んで構成されたものであり、
前記第１の透明カバーが、垂直姿勢から奥側に所定角度倒れ込んだ斜めの姿勢で固定されたものであって、
前記第１の樹脂シートが、垂直姿勢から前記所定角度よりもさらに奥側に倒れ込んだ斜めの姿勢で固定され、該第１の透明カバーから上方に向かうにつれて離れたものであることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月30日(2011.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来より、例えば複数のビデオ信号を１つの表示装置に画面表示するためのインターフェースとして、メモリ負荷調整装置が知られている（例えば、特許文献１、２参照）。このメモリ負荷調整装置の具体例を図４に示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
以上のようにして、メモリ調停回路部４１で決定される優先順位に従って、各入力側メモリ２１〜２３からのデータの読み出し、および各出力側メモリ６１〜６３へのデータの書き込みが行われていた。
【特許文献１】特開平１１−５３２４７号公報
【特許文献２】特開平１１−１９１９７５号公報
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月24日(2010.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が内蔵され、表面に配線パターンが形成された第１配線基板及び第２配線基板を製造する段階と、
前記配線パターンの位置に対応させて絶縁基板に導電性バンプを貫通させて中間積層用層を製造する段階と、
前記中間積層用層を介在させて前記第１配線基板に前記第２配線基板を積層する段階と、を含み、
前記第１配線基板に前記第２配線基板を積層する段階の前に、前記第１配線基板及び前記第２配線基板に対する性能をそれぞれ検査する第１検査段階と、
前記第１配線基板に前記第２配線基板を積層する段階の後に、前記第１配線基板及び前記第２配線基板に対する性能を検査する第２検査段階と、
を含むことを特徴とする電子部品内蔵型多層印刷配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１配線基板及び前記第２配線基板を製造する段階は、
コア基板の表面に内層回路を形成し、前記コア基板の前記電子部品を内蔵する位置にキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）を加工する段階と、
前記コア基板の一方の面にテープを積層し、前記コア基板の他方の面から前記キャビティに前記電子部品を挿入して前記テープに実装する段階と、
前記コア基板の他方の面に絶縁層を積層し、前記テープを除去した後の前記コア基板の一方の面に絶縁層を積層する段階と、
前記絶縁層の表面に前記配線パターンを形成する段階と
を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵型多層印刷回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記中間積層用層を製造する段階は、
支持板にペーストバンプを印刷して前記導電性バンプを形成する段階と、
前記導電性バンプが前記絶縁基板を貫通するように前記支持板に前記絶縁基板を積層する段階と、
前記支持板を除去する段階と
を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子部品内蔵型多層印刷回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１配線基板に前記第２配線基板を積層する段階は、
前記配線パターンと前記導電性バンプとが電気的に接続されるように前記第１配線基板、前記中間積層用層及び前記第２配線基板を整列する段階と、
前記中間積層用層を介在させて前記第１配線基板と前記第２配線基板とを互いに圧着する段階と、
前記第１配線基板と前記第２配線基板との表面にソルダレジストを塗布する段階と
を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の電子部品内蔵型の多層印刷配線基板の製造方法。
【請求項５】
電子部品が内蔵され、表面に配線パターンが形成された第１配線基板及び第２配線基板を製造する段階と、
前記配線パターンの位置に対応させて前記第１配線基板に導電性ペーストを印刷して導電性バンプを形成する段階と、
前記導電性バンプが絶縁基板を貫通するように前記第１配線基板に前記絶縁基板を積層する段階と、
前記絶縁基板に前記第２配線基板を積層して前記第１配線基板と前記第２配線基板とを前記導電性バンプによって電気的に接続する段階と、を含み、
前記第１配線基板と前記第２配線基板とを電気的に接続する段階の前に、前記第１配線基板及び前記第２配線基板に対する性能をそれぞれ検査する第１検査段階と、
前記第１配線基板と前記第２配線基板とを電気的に接続する段階の後に、前記第１配線基板及び前記第２配線基板に対する性能を検査する第２検査段階と、
を含むことを特徴とする電子部品内蔵型多層印刷配線基板の製造方法。
【請求項６】
第１配線基板及び前記第２配線基板を製造する段階は、
コア基板の表面に内層回路を形成し、前記コア基板の前記電子部品を内蔵する位置にキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）を加工する段階と、
前記コア基板の一方の面にテープを積層し、前記コア基板の他方の面から前記キャビティに前記電子部品を挿入して前記テープに実装する段階と、
前記コア基板の他方の面に絶縁層を積層し、前記テープを除去した後の前記コア基板の一方の面に絶縁層を積層する段階と、
前記絶縁層の表面に前記配線パターンを形成する段階と
を含むことを特徴とする請求項５に記載の電子部品内蔵型多層印刷配線基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月31日(2011.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第３の領域を有し、
前記第１の領域において、第１の電極と第２の電極との間に、第１の発光層を有し、
前記第２の領域において、第３の電極と第４の電極との間に、第２の発光層を有し、
前記第３の領域において、第５の電極と第６の電極との間に、前記第１の発光層、及び前記第２の発光層を有し、
前記第１の発光層は、第１の色の発光を呈する物質を含む層であり、
前記第２の発光層は、第２の色の発光を呈する物質を含む層であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の領域と、前記第２の領域と、前記第３の領域は、それぞれ四角形を有し、
前記第３の領域の第１の辺側に、前記第１の領域を有し、
前記第３の領域の第２の辺側に、前記第２の領域を有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第２の電極と、前記第４の電極と、前記第６の電極とは、同一層であることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記第２の電極と、前記第４の電極と、前記第６の電極とは、電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２の電極と、前記第４の電極と、前記第６の電極とは、陰極としての機能を有することを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の電極と、前記第３の電極と、前記第５の電極とは、それぞれ異なる層であることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第３の領域は、前記第１の色と前記第２の色が混合された色の発光を呈することを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第３の領域は、白色の発光を呈することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
第１乃至第４の領域を有し、
前記第１の領域において、第１の電極と第２の電極との間に、第１の発光層を有し、
前記第２の領域において、第３の電極と第４の電極との間に、第２の発光層を有し、
前記第３の領域において、第５の電極と第６の電極との間に、第３の発光層を有し、
前記第４の領域において、第７の電極と第８の電極との間に、前記第１の発光層、前記第２の発光層、及び前記第３の発光層を有し、
前記第１の発光層は、第１の色の発光を呈する物質を含む層であり、
前記第２の発光層は、第２の色の発光を呈する物質を含む層であり、
前記第３の発光層は、第３の色の発光を呈する物質を含む層であることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
第１乃至第４の領域を有し、
前記第１の領域において、第１の電極と第２の電極との間に、第１の発光層、及び第１の電子発生層を有し、
前記第２の領域において、第３の電極と第４の電極との間に、第１の正孔発生層、第２の発光層、第２の電子発生層、及び第２の正孔発生層を有し、
前記第３の領域において、第５の電極と第６の電極との間に、第３の発光層、及び第３の電子発生層を有し、
前記第４の領域において、第７の電極と第８の電極との間に、第１の発光層、前記第１の電子発生層、前記第１の正孔発生層、前記第２の発光層、前記第２の電子発生層、前記第２の正孔発生層、前記第３の発光層、及び前記第３の電子発生層を有し、
前記第１の発光層は、第１の色の発光を呈する物質を含む層であり、
前記第２の発光層は、第２の色の発光を呈する物質を含む層であり、
前記第３の発光層は、第３の色の発光を呈する物質を含む層であることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項９又は請求項１０において、
前記第１の領域乃至第４の領域は、それぞれ四角形を有し、
前記第４の領域の第１の辺側に、前記第１の領域を有し、
前記第４の領域の第２の辺側に、前記第２の領域を有し、
前記第４の領域の第３の辺側に、前記第３の領域を有することを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一において、
前記第２の電極と、前記第４の電極と、前記第６の電極と、前記第８の電極とは、同一層であることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一において、
前記第２の電極と、前記第４の電極と、前記第６の電極と、前記第８の電極とは、電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
請求項９乃至請求項１３のいずれか一において、
前記第２の電極と、前記第４の電極と、前記第６の電極と、前記第８の電極とは、陰極としての機能を有することを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
請求項９乃至請求項１４のいずれか一において、
前記第１の電極と、前記第３の電極と、前記第５の電極と、前記第７の電極とは、それぞれ異なる層であることを特徴とする発光装置。
【請求項１６】
請求項９乃至請求項１５のいずれか一において、
前記第４の領域は、前記第１の色と、前記第２の色と、前記第３の色とが混合された色の発光を呈することを特徴とする発光装置。
【請求項１７】
請求項９乃至請求項１６のいずれか一において、
前記第４の領域は、白色の発光を呈することを特徴とする発光装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一の半導体装置を用いた半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月29日(2011.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
具体的に、本発明に係る半導体装置は、半導体領域の上に第１のゲート絶縁膜を介在させて形成された第１のゲート電極、該第１のゲート電極の側面上に形成された第１のサイドウォール、及び半導体領域の上部における第１のゲート電極の両側方に形成された第１のソースドレイン領域を有する第１のトランジスタと、半導体領域の上に第２のゲート絶縁膜を介在させて形成された第２のゲート電極、該第２のゲート電極の側面上に形成された第２のサイドウォール、該第２のサイドウォールの外側に形成された第３のサイドウォール、及び半導体領域の上部における第２のゲート電極の両側方に形成された第２のソースドレイン領域を有する第２のトランジスタとを備え、第１のトランジスタにおける第１のゲート電極の上部及び第１のソースドレイン領域の上部にはシリサイド層がそれぞれ形成されており、第２のトランジスタにおける第２のゲート電極の上部及び第２のソースドレイン領域の上部にはシリサイド層が形成されておらず、第１のサイドウォールは、第３のサイドウォールをエッチングする際のエッチング材に対して耐性を有していることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明に係る第１の半導体装置の製造方法は、半導体領域の上のシリサイド形成領域に、第１のゲート絶縁膜及び第１のゲート電極を順次形成すると共に、半導体領域の上の非シリサイド形成領域に、第２のゲート絶縁膜及び第２のゲート電極を順次形成する工程（ａ）と、第１のゲート絶縁膜及び第１のゲート電極の側面上並びに第２のゲート絶縁膜及び第２のゲート電極の側面上に、それぞれ第１のサイドウォール及び第２のサイドウォールを順次形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）よりも後に、半導体領域の上部における第１のゲート電極の両側方に第１のソースドレイン領域を形成すると共に、半導体領域の上部における第２のゲート電極の両側方に第２のソースドレイン領域を形成する工程（ｃ）と、工程（ｃ）よりも後に、半導体領域の上におけるシリサイド形成領域及び非シリサイド形成領域に亘って、第１の保護膜及び第２の保護膜を順次形成する工程（ｄ）と、シリサイド形成領域に含まれる第２の保護膜を選択的に除去する工程（ｅ）と、非シリサイド形成領域に残存した第２の保護膜をマスクとして、シリサイド形成領域における第１の保護膜及び第２のサイドウォールを除去する工程（ｆ）と、半導体領域の上に金属膜を形成し、形成した金属膜を加熱することにより、第１のゲート電極の上部及び第１のソースドレイン領域の上部に金属シリサイド層を形成する一方、第２のゲート電極の上部及び第２のソースドレイン領域の上部には金属シリサイド層を形成しない工程（ｇ）とを備えていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
半導体領域の上に第１のゲート絶縁膜を介在させて形成された第１のゲート電極、該第１のゲート電極の側面上に形成された第１のサイドウォール、及び前記半導体領域の上部における前記第１のゲート電極の両側方に形成された第１のソースドレイン領域を有する第１のトランジスタと、
前記半導体領域の上に第２のゲート絶縁膜を介在させて形成された第２のゲート電極、該第２のゲート電極の側面上に形成された第２のサイドウォール、該第２のサイドウォールの外側に形成された第３のサイドウォール、及び前記半導体領域の上部における前記第２のゲート電極の両側方に形成された第２のソースドレイン領域を有する第２のトランジスタとを備え、
前記第１のトランジスタにおける前記第１のゲート電極の上部及び前記第１のソースドレイン領域の上部にはシリサイド層がそれぞれ形成されており、
前記第２のトランジスタにおける前記第２のゲート電極の上部及び前記第２のソースドレイン領域の上部にはシリサイド層が形成されておらず、
前記第１のサイドウォールは、前記第３のサイドウォールをエッチングする際のエッチング材に対して耐性を有していることを特徴とする半導体装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
半導体領域の上のシリサイド形成領域に、第１のゲート絶縁膜及び第１のゲート電極を順次形成すると共に、前記半導体領域の上の非シリサイド形成領域に、第２のゲート絶縁膜及び第２のゲート電極を順次形成する工程（ａ）と、
前記第１のゲート絶縁膜及び第１のゲート電極の側面上並びに前記第２のゲート絶縁膜及び第２のゲート電極の側面上に、それぞれ第１のサイドウォール及び第２のサイドウォールを順次形成する工程（ｂ）と、
前記工程（ｂ）よりも後に、前記半導体領域の上部における前記第１のゲート電極の両側方に第１のソースドレイン領域を形成すると共に、前記半導体領域の上部における前記第２のゲート電極の両側方に第２のソースドレイン領域を形成する工程（ｃ）と、
前記工程（ｃ）よりも後に、前記半導体領域の上における前記シリサイド形成領域及び非シリサイド形成領域に亘って、第１の保護膜及び第２の保護膜を順次形成する工程（ｄ）と、
前記シリサイド形成領域に含まれる前記第２の保護膜を選択的に除去する工程（ｅ）と、
前記非シリサイド形成領域に残存した前記第２の保護膜をマスクとして、前記シリサイド形成領域における前記第１の保護膜及び第２のサイドウォールを除去する工程（ｆ）と、
前記半導体領域の上に金属膜を形成し、形成した金属膜を加熱することにより、前記第１のゲート電極の上部及び前記第１のソースドレイン領域の上部に金属シリサイド層を形成する一方、前記第２のゲート電極の上部及び前記第２のソースドレイン領域の上部には金属シリサイド層を形成しない工程（ｇ）とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。