Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月2日(2011.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層構造であって、
該半導体層構造は活性層（６）と超格子（９）を有しており、該超格子は、第１のタイプ（ａ）と少なくとも１つの第２のタイプ（ｂ）の積み重ねられた層（９ａ，９ｂ）から成り、
・前記第１のタイプ（ａ）と少なくとも１つの第２のタイプ（ｂ）の層（９ａ，９ｂ）はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であり、
・超格子（９）内の異なるタイプの隣接する層は、少なくとも１つの元素の組成において異なっており、
・少なくとも同じタイプの層（９ａ、９ｂ）における材料成分の含有量は、前記活性層（６）からの距離が増すとともに層を追って上昇し、
・前記層は所定の層厚を有しており、
・前記第１のタイプ（ａ）の層（９ａ）の層厚及び第２のタイプ（ｂ）の層（９ｂ）の層厚は、前記活性層（６）からの距離が増すとともに、層を追って増大する、
ことを特徴とする半導体層構造。
【請求項２】
前記超格子は、交互に積み重ねられたＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ層及びＩｎwＡｌｚＧａ1-w-zＮ層を有しており、式中０≦ｘ、ｙ、ｗ、ｚ≦１及びｘ＋ｙ≦１およびｗ＋ｚ≦１である、請求項１記載の半導体層構造。
【請求項３】
前記超格子は、交互に積み重ねられたＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＰ層及びＩｎwＡｌzＧａ1-w-zＰ層を有しており、式中０≦ｘ、ｙ、ｗ、ｚ≦１であるか、または交互に積層されたＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＡｓ層及びＩｎwＡｌzＧａ1-w-zＡｓ層を有しており、式中０≦ｘ、ｙ、ｗ、ｚ≦１及びｘ＋ｙ≦１及びｗ＋ｚ≦１である、請求項１記載の半導体層構造。
【請求項４】
前記超格子（９）の個々の層には半導体層構造内での垂直位置（ｚ）が割り当てられており、層の層厚は半導体層構造内での自身の垂直位置（ｚ）に依存しており、
前記垂直位置（ｚ）に対する層の層厚の依存性は、超格子（９）の全ての層に対して共通の関数によって設定されている、請求項１記載の半導体層構造。
【請求項５】
前記超格子（９）の個々の層には半導体層構造内での垂直位置（ｚ）が割り当てられており、層の層厚は半導体層構造内での自身の垂直位置（ｚ）に依存しており、
前記垂直位置（ｚ）に対する層の層厚の依存性は、第１のタイプ（ａ）の層に対しては第１の関数によって設定されており、少なくとも１つの第２のタイプ（ｂ）の層に対しては少なくとも１つの第２の関数によって定められている、請求項１記載の半導体層構造。
【請求項６】
前記第１の関数および／または少なくとも１つの第２の関数および／または共通の関数は、階段関数または単調増加関数／減少関数または一次関数または放物線関数または指数関数または対数関数または周期関数またはこれらの関数を重ね合わせたものであるか、またはこれらの関数の一部を有している、請求項４または５記載の半導体層構造。
【請求項７】
前記超格子（９）内で、少なくとも同じタイプの層（９ａ、９ｂ）はその組成において異なっている、請求項１または２記載の半導体層構造。
【請求項８】
請求項１または２に記載された半導体層構造を有している、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項９】
発光ダイオードである、請求項８記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【請求項１０】
レーザーダイオードである、請求項８記載のオプトエレクトロニクスデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
本発明は、活性層と、第１のタイプの積層された層および少なくとも１つの第２のタイプの積層された層から成る超格子とを有する半導体層構造に関する。ここで第１のタイプの層および少なくとも１つの第２のタイプの層はIII−Ｖ族化合物半導体であり、超格子内の、タイプが異なる隣接している層は少なくとも１つの元素の組成において異なっており、少なくとも同じタイプの層における材料成分の含有量は、活性層からの距離が増すとともに層を追って上昇し、これらの層は所定の層厚を有している。本発明はさらに、このような半導体層構造を有するオプトエレクトロニクスデバイスに関する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月5日(2011.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
能動素子内蔵モジュールと、該能動素子内蔵モジュール上に接合された多軸モーションセンサーを備え、
前記多軸モーションセンサーは、シリコン層／酸化シリコン層／シリコン層の３層構造を有するＳＯＩ基板からなるセンサー本体と、該センサー本体を挟持するように配設されたガラス基板とを備え、前記能動素子内蔵モジュールと対向する前記ガラス基板に外部配線を有し、
前記能動素内蔵モジュールは、基板と、該基板に内蔵された能動素子と、前記基板を貫通する複数の貫通電極を前記能動素子から外側の領域に有するとともに、前記貫通電極と前記能動素子を接続する配線を有し、
前記多軸モーションセンサーの前記外部配線を有する前記ガラス基板と前記能動素子内蔵モジュールの前記基板とが陽極接合されており、前記貫通電極は前記多軸モーションセンサーの外部配線に接続されていることを特徴とするセンサーユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、本発明のセンサーユニットは、能動素子内蔵モジュールと、該能動素子内蔵モジュール上に接合された多軸モーションセンサーを備え、前記多軸モーションセンサーは、シリコン層／酸化シリコン層／シリコン層の３層構造を有するＳＯＩ基板からなるセンサー本体と、該センサー本体を挟持するように配設されたガラス基板とを備え、前記能動素子内蔵モジュールと対向する前記ガラス基板に外部配線を有し、前記能動素内蔵モジュールは、基板と、該基板に内蔵された能動素子と、前記基板を貫通する複数の貫通電極を前記能動素子から外側の領域に有するとともに、前記貫通電極と前記能動素子を接続する配線を有し、前記多軸モーションセンサーの前記外部配線を有する前記ガラス基板と前記能動素子内蔵モジュールの前記基板とが陽極接合されており、前記貫通電極は前記多軸モーションセンサーの外部配線に接続されているような構成とした。
本発明の他の態様として、前記多軸モーションセンサーの前記センサー本体は、中央に梁を介して支持された錘と、該錘の両面に配設された所望形状の電極とを有し、前記ガラス基板は、前記錘と間隙を介して対向する面に複数の電極を有するような構成とした。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月27日(2011.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各移動局に対して、下りリンクにおける受信品質を通知するために用いるべき受信品質通知用リソースとして割り当てる時間方向リソースと周波数方向リソースとコード方向リソースとを決定するように構成されているリソース割当部を具備し、
前記リソース割当部は、前記受信品質通知用リソースとして割り当てる時間方向リソース及び周波数方向リソースを決定した後、該受信品質通知用リソースとして割り当てるコード方向リソースを決定するように構成されており、
前記リソース割当部は、各時間方向リソース内において、コード方向リソースの使用率が小さい周波数方向リソースから順に、前記受信品質通知用リソースとして割り当てるように構成されていることを特徴とする無線基地局。
【請求項２】
前記リソース割当部は、システム帯域幅内における内側の周波数帯域に属する周波数方向リソースから順に、前記受信品質通知用リソースとして割り当てるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の無線基地局。
【請求項３】
前記リソース割当部は、周波数方向リソースを、システム帯域幅内における内側の周波数帯域に属する内側帯域周波数方向リソースと、該システム帯域幅内における外側の周波数帯域に属する外側帯域周波数方向リソースとに分類し、前記上りリンクにおける伝搬損失に基づいて、前記受信品質通知用リソースとして、該内側帯域周波数方向リソース又は該外側帯域周波数方向リソースのいずれかを割り当てるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の無線基地局。
【請求項４】
前記リソース割当部は、各周波数方向リソースにおけるコード方向リソースを、間欠的に割り当てるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の無線基地局。
【請求項５】
前記リソース割当部は、特定インデックスが付与されているコード方向リソースの割り当て位置を、他セルにおける該特定インデックスが付与されているコード方向リソースの割り当て位置からずらすように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の無線基地局。
【請求項６】
各移動局に対して、下りリンクにおける受信品質を通知するために用いるべき受信品質通知用リソースとして割り当てる時間方向リソースと周波数方向リソースとコード方向リソースとを決定する工程Ａと、
前記受信品質通知用リソースとして割り当てられた前記時間方向リソースと前記周波数方向リソースと前記コード方向リソースとを、各移動局に対して通知する工程Ｂとを有し、
前記工程Ａにおいて、前記受信品質通知用リソースとして割り当てる時間方向リソース及び周波数方向リソースを決定した後、該受信品質通知用リソースとして割り当てるコード方向リソースを決定し、
前記工程Ａにおいて、各時間方向リソース内において、コード方向リソースの使用率が小さい周波数方向リソースから順に、前記受信品質通知用リソースとして割り当てることを特徴とする移動通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月25日(2011.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各移動局に対して、所定の物理信号を送信するための物理信号送信用リソースとして、時間方向リソース、周波数方向リソース及びコード方向リソースを割り当てるように構成されているリソース割当部を具備し、
前記周波数方向リソースは、周波数領域及び該周波数領域内の周波数位置によって特定されるように構成されており、
各移動局によって送信される複数の物理信号で使用される周波数帯域幅が同一である場合、前記リソース割当部は、各移動局に対して、前記物理信号送信用リソースとして、前記時間方向リソース及び前記周波数方向リソースを割り当てた後に、コード方向リソースを割り当てるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の無線基地局。
【請求項２】
前記リソース割当部は、各周波数方向リソースにおけるコード方向リソースの使用状況に基づいて、前記物理信号送信用リソースとして割り当てる周波数方向リソースを決定するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の無線基地局。
【請求項３】
前記リソース割当部は、各時間方向リソース内において、使用中のコード方向リソースの数が少ない周波数方向リソースから順に、前記物理信号送信用リソースとして割り当てるように構成されていることを特徴とする請求項２に記載の無線基地局。
【請求項４】
前記リソース割当部は、各時間方向リソース内において、使用可能なコード方向リソースの数が多い周波数方向リソースから順に、前記物理信号送信用リソースとして割り当てるように構成されていることを特徴とする請求項２に記載の無線基地局。
【請求項５】
前記リソース割当部は、各時間方向リソース内において、コード方向リソースの使用率が小さい周波数方向リソースから順に、前記物理信号送信用リソースとして割り当てるように構成されていることを特徴とする請求項２に記載の無線基地局。
【請求項６】
前記リソース割当部は、各周波数方向リソースにおいて、解放された後に一定期間経過したコード方向リソースを、前記使用可能なコード方向リソースとするように構成されていることを特徴とする請求項３に記載の無線基地局。
【請求項７】
前記リソース割当部は、各周波数方向リソースにおいて、コード方向リソースを、所定の順序でラウンドロビンに割り当てるように構成されていることを特徴とする請求項３に記載の無線基地局。
【請求項８】
前記リソース割当部は、各周波数方向リソースにおけるコード方向リソースを、間欠的に割り当てるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の無線基地局。
【請求項９】
前記リソース割当部は、特定インデックスが付与されているコード方向リソースの割り当て位置を、他セルにおける該特定インデックスが付与されているコード方向リソースの割り当て位置からずらすように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の無線基地局。
【請求項１０】
各移動局によって送信される複数の物理信号で使用される周波数帯域幅が異なる場合、前記リソース割当部は、第１周波数帯域幅に渡る該物理信号を送信するための物理信号送信用リソースとして割り当て可能な時間方向リソースと、第２周波数帯域幅に渡る該物理信号を送信するための物理信号送信用リソースとして割り当て可能な時間方向リソースとを変えるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の無線基地局。
【請求項１１】
各移動局によって送信される複数の物理信号で使用される周波数帯域幅が異なる場合、前記リソース割当部は、第１周波数帯域幅に渡る該物理信号を送信するための物理信号送信用リソースとして割り当て可能な時間方向リソース及び周波数帯域内の周波数位置の組み合わせと、第２周波数帯域幅に渡る該物理信号を送信するための物理信号送信用リソースとして割り当て可能な時間方向リソース及び周波数帯域内の周波数位置の組み合わせとを変えるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の無線基地局。
【請求項１２】
各移動局に対して、所定の物理信号を送信するための物理信号送信用リソースとして、時間方向リソース、周波数方向リソース及びコード方向リソースを割り当てる工程を有し、
前記周波数方向リソースは、周波数領域及び該周波数領域内の周波数位置によって特定され、
前記工程において、各移動局によって送信される複数の物理信号で使用される周波数帯域幅が同一である場合、各移動局に対して、前記物理信号送信用リソースとして、前記時間方向リソース及び前記周波数方向リソースを割り当てた後に、コード方向リソースを割り当てることを特徴とする移動通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月25日(2011.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各移動局に対して、上りデータ通信についてのスケジューリングを要求するスケジューリング要求を送信するためのスケジューリング要求送信用リソースとして割り当てる時間方向リソースと周波数方向リソースとコード方向リソースとを決定するように構成されているリソース割当部を具備し、
前記リソース割当部は、前記スケジューリング要求送信用リソースとして割り当てる時間方向リソース及び周波数方向リソースを決定した後、該スケジューリング要求送信用リソースとして割り当てる前記コード方向リソースを決定するように構成されており、
前記リソース割当部は、各時間方向リソース内において、コード方向リソースの使用率が小さい周波数方向リソースから順に、前記スケジューリング要求送信用リソースとして割り当てるように構成されていることを特徴とする無線基地局。
【請求項２】
セミパーシステントスケジューリング送達確認信号送信用リソースは、セミパーシステントスケジューリングによってスケジューリングされ下りデータチャネルを介して送信された下りデータに対する送達確認信号を送信するためのリソースであり、
ダイナミックスケジューリング送達確認信号送信用リソースは、ダイナミックスケジューリングによってスケジューリングされ下りデータチャネルを介して送信された下りデータに対する送達確認信号を送信するためのリソースであり、
前記リソース割当部は、前記スケジューリング要求送信用リソースとして割り当てられた前記周波数方向リソース内で使用可能なコード方向リソースのうち、前記ダイナミックスケジューリング送達確認信号送信用リソースとして使用可能なコード方向リソース以外の残りのコード方向リソースを、前記セミパーシステントスケジューリング送達確認信号送信用リソース或いは該スケジューリング要求送信用リソースとして使用可能なコード方向リソースとするように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の無線基地局。
【請求項３】
前記リソース割当部は、各周波数方向リソースにおける前記セミパーシステントスケジューリング送達確認信号送信用リソースとして使用されているコード方向リソースの使用状況及び前記スケジューリング要求送信用リソースとして使用されているコード方向リソースの使用状況に基づいて、該スケジューリング要求送信用リソースとして割り当てる周波数方向リソースを決定するように構成されていることを特徴とする請求項２に記載の無線基地局。
【請求項４】
前記リソース割当部は、前記残りのコード方向リソースのうち、最も小さい番号が付与されているコード方向リソースから順に、偶数番号が付与されているコード方向リソースを、前記スケジューリング要求送信用リソースとして割り当てていくように構成されていることを特徴とする請求項２に記載の無線基地局。
【請求項５】
前記リソース割当部は、前記残りのコード方向リソースのうち、最も小さい番号が付与されているコード方向リソースから順に、奇数番号が付与されているコード方向リソースを、前記スケジューリング要求送信用リソースとして割り当てていくように構成されていることを特徴とする請求項２に記載の無線基地局。
【請求項６】
前記リソース割当部は、前記残りのコード方向リソースのうち、最も大きい番号が付与されているコード方向リソースから順に、偶数番号が付与されているコード方向リソースを、前記スケジューリング要求送信用リソースとして割り当てていくように構成されていることを特徴とする請求項２に記載の無線基地局。
【請求項７】
前記リソース割当部は、前記残りのコード方向リソースのうち、最も大きい番号が付与されているコード方向リソースから順に、奇数番号が付与されているコード方向リソースを、前記スケジューリング要求送信用リソースとして割り当てていくように構成されていることを特徴とする請求項２に記載の無線基地局。
【請求項８】
各移動局に対して、上りデータ通信についてのスケジューリングを要求するスケジューリング要求を送信するためのスケジューリング要求送信用リソースとして割り当てる時間方向リソースと周波数方向リソースとコード方向リソースとを決定する工程Ａと、
前記スケジューリング要求送信用リソースとして割り当てられた前記時間方向リソースと前記周波数方向リソースと前記コード方向リソースとを、各移動局に対して通知する工程Ｂとを有し、
前記工程Ａにおいて、前記スケジューリング要求送信用リソースとして割り当てる時間方向リソース及び周波数方向リソースを決定した後、該スケジューリング要求送信用リソースとして割り当てる前記コード方向リソースを決定し、
前記工程Ａにおいて、各時間方向リソース内において、コード方向リソースの使用率が小さい周波数方向リソースから順に、前記スケジューリング要求送信用リソースとして割り当てることを特徴とする移動通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【図１】本発明に係る一実施形態の光電変換素子の直列接続構造をあらわす模式断面図
【図２】陽極酸化基板の構成を示す模式断面図
【図３】陽極酸化基板の製造方法を示す斜視図
【図４】陽極酸化基板の裏面を示す平面図
【図５】I−III−VI化合物半導体における格子定数とバンドギャップとの関係を示す図
【図６】本発明に係る一実施形態の製造装置（スクライブ加工装置）の概略斜視図
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
「光電変換素子」
図面を参照して、本発明に係る一実施形態の光電変換素子の構造について説明する。図１は光電変換素子の直列接続構造をあらわす模式断面図、図２は陽極酸化基板の構成を示す模式断面図、図３は陽極酸化基板の製造方法を示す斜視図、図４は基板の裏面を示す平面図である。視認しやすくするため、図中、各構成要素の縮尺等は実際のものとは適宜異ならせてある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
光電変換素子１には、下部電極２０のみを貫通する開溝部６１、光電変換層３０とバッファ層４０とを貫通する開溝部６２、及び光電変換層３０とバッファ層４０と上部電極５０とを貫通する開溝部６４が形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
上記構成では、開溝部６４によって素子が多数のセルＣに分離された構造が得られる。また、開溝部６２内に上部電極５０が充填されることで、あるセルＣの上部電極５０が隣接するセルＣの下部電極２０に直列接続した構造が得られる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2010232454.tif 000001
【図２】
2010232454.tif 000002
【図３】
2010232454.tif 000003
【図４】
2010232454.tif 000004
【図６】
2010232454.tif 000005
【図５】
2010232454.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月9日(2011.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載のネットワークシステムであって、
前記エッジスイッチの前記マルチキャストグループ付加部は、前記マルチキャストフレームをカプセル化したＭＡＣ−ｉｎ−ＭＡＣフレームのヘッダにおける
（ｂ１）該ＭＡＣ−ｉｎ−ＭＡＣフレームの宛先を示す情報を格納する格納部、
（ｂ２）該ＭＡＣ−ｉｎ−ＭＡＣフレームを転送するユーザネットワークを特定する情報を格納する格納部
の少なくとも一つに前記マルチキャストグループ情報を付加する、ネットワークシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
［適用例４］  適用例２または適用例３のネットワークシステムにおいて、前記エッジスイッチの前記マルチキャストグループ付加部は、前記マルチキャストフレームをカプセル化したＭＡＣ−ｉｎ−ＭＡＣフレームのヘッダにおける
（ｂ１）該ＭＡＣ−ｉｎ−ＭＡＣフレームの宛先を示す情報を格納する格納部、
（ｂ２）該ＭＡＣ−ｉｎ−ＭＡＣフレームを転送するユーザネットワークを特定する情報を格納する格納部
の少なくとも一つに前記マルチキャストグループ情報を付加するとしても良い。適用例４のネットワークシステムによれば、ＭＡＣ−ｉｎ−ＭＡＣフレームのデータ転送に不都合を生じさせることなく、コアスイッチによってスヌーピング可能に、ＭＡＣ−ｉｎ−ＭＡＣフレームのヘッダにマルチキャストグループ情報を付加することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
フレーム構造７００の格納部７３０は、ユーザネットワーク６１，６２に設定されたＶＬＡＮを識別するＶＬＡＮタグを格納するＶＬＡＮタグフィールドである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
フレーム構造８００の格納部８３０は、ユーザネットワーク６１，６２に設定されたＶＬＡＮを識別するＶＬＡＮタグを格納するＶＬＡＮタグフィールドであり、格納部８３２，８３５を備える。格納部８３０における格納部８３２は、ＶＬＡＮタグの有効化または無効化を設定する識別子を格納するＴＰＩＤ(Tag Protocol Identifier)フィールドである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
転送先データベース２４２の格納部２４２１は、転送先データベース２４２に登録された情報を識別する登録番号を格納するフィールドである。転送先データベース２４２の格納部２４２２は、ユーザネットワーク６１，６２に設定されたＶＬＡＮを特定するＶＬＡＮ識別子を格納するフィールドである。転送先データベース２４２の格納部２４２４は、ＭＡＣフレームの宛先を示す宛先ＭＡＣアドレスを格納するフィールドである。転送先データベース２４２の格納部２４２６は、複数の入出力ポート２２２の各々に割り当てられたポート番号のうち転送先ポートを示す出力ポート番号を格納するフィールドである。転送先データベース２４２の格納部２４２８は、ＭＡＣ−ｉｎ−ＭＡＣフレームの宛先を示すコアネットワーク宛先ＭＡＣアドレスを格納するフィールドである。転送先データベース２４２の格納部２４２９は、転送先データベース２４２に登録された情報を学習した情報源を示す情報を格納するフィールドである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
転送先データベース１４２の格納部１４２１は、転送先データベース１４２に登録された情報を識別する登録番号を格納するフィールドである。転送先データベース１４２の格納部１４２２は、ユーザネットワーク６１，６２に設定されたＶＬＡＮを特定するＶＬＡＮ識別子を格納するフィールドである。転送先データベース１４２の格納部１４２４は、ＭＡＣ−ｉｎ−ＭＡＣフレームの宛先を示すコアネットワーク宛先ＭＡＣアドレスを格納するフィールドである。転送先データベース１４２の格納部１４２６は、複数の入出力ポート１２２の各々に割り当てられたポート番号のうち転送先ポートを示す出力ポート番号を格納するフィールドである。転送先データベース１４２の格納部１４２９は、転送先データベース１４２に登録された情報を学習した情報源を示す情報を格納するフィールドである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
フレーム受信処理（ステップＳ２１０）の後、エッジ制御部２１０は、参加メッセージ特定部２１１によって実現される機能に基づいて参加メッセージ特定処理（ステップＳ２２０）を実行する。参加メッセージ特定処理（ステップＳ２２０）において、エッジ制御部２１０は、フレーム受信処理（ステップＳ２１０）において受信されたＭＡＣフレームの中から、マルチキャストグループに参加するパーソナルコンピュータ６１０からルータ６１２に対する参加メッセージを特定する。本実施例では、参加メッセージ特定処理（ステップＳ２１０）において、エッジ制御部２１０は、ＩＧＭＰスヌーピングを実施することによって、パーソナルコンピュータ６１０からルータ６１２に対するＩＧＭＰｊｏｉｎメッセージを参加メッセージとして特定する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2010232818.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月14日(2011.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の半導体装置の製造方法は、以下の工程を有する。
半導体基板の一の面上において酸化処理が行なわれる。酸化処理が行なわれる際、Ｏ（3Ｐ）ラジカルが発生させられ、Ｏ（3Ｐ）ラジカルを励起することによってＯ（1Ｄ）ラジカルが発生させられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の酸化処理装置は、半導体基板の一の面上において酸化処理を行なうためのものであって、容器と、ステージと、導入部と、加熱部と、光源とを有する。ステージは、容器内に半導体基板を支持するためのものである。導入部は、容器内にＯ3ガスを導入するためのものである。加熱部は、半導体基板を加熱するためのものである。光源は、半導体基板に向けて５９０ｎｍ以上６３０ｎｍ以下の波長を有する赤橙色光を出射するためのものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一の面上において酸化処理を行なう工程を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記酸化処理を行なう工程は、Ｏ（3Ｐ）ラジカルを発生させる工程と、前記Ｏ（3Ｐ）ラジカルを励起することによってＯ（1Ｄ）ラジカルを発生させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記酸化処理を行なう工程は、前記半導体基板の一の面上に酸化膜を形成する工程であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記酸化処理を行なう工程の前に、前記半導体基板の一の面上に酸化膜を形成する工程をさらに備え、
前記酸化処理を行なう工程は、前記半導体基板の一の面上に既に形成されている前記酸化膜を改質する工程であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記Ｏ（1Ｄ）ラジカルを発生させる工程は、前記Ｏ（3Ｐ）ラジカルに光を照射することによって励起する工程を含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記光は５９０ｎｍ以上６３０ｎｍ以下の波長を有する赤橙色光であることを特徴とする、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記Ｏ（3Ｐ）ラジカルを発生させる工程は、前記半導体基板の一の面上にＯ3ガスを供給する工程と、前記Ｏ3ガスを熱分解する工程とを含むことを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記Ｏ（1Ｄ）ラジカルとＨ2Ｏとを反応させることによってＯＨラジカルを発生させる工程をさらに備えたことを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
半導体基板の一の面の上において酸化処理を行なうための酸化処理装置であって、
容器と、
前記容器内に前記半導体基板を支持するためのステージと、
前記容器内にＯ3ガスを導入するための導入部と、
前記半導体基板を加熱するための加熱部と、
前記半導体基板に向けて５９０ｎｍ以上６３０ｎｍ以下の波長を有する赤橙色光を出射する光源とを備えたことを特徴とする、酸化処理装置。
【請求項９】
前記Ｏ3ガスの流れを制御するための整流板をさらに備えたことを特徴とする、請求項８に記載の酸化処理装置。
【請求項１０】
前記光源は複数の発光部を有することを特徴とする、請求項８または９に記載の酸化処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【化４】
2010232118.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【化８】
2010232118.tif 000002
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、（式１）で表される化合物がエチレンカーボネートであり、（式２）で表される化合物がエチルメチルカーボネート又はジメチルカーボネートの少なくとも一つであり、（式３）で表される化合物がビニレンカーボネートであり、（式４）で表される化合物がジメタリルカーボネートであることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
【化９】
2010232118.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムイオンを吸蔵放出可能な正極と、
リチウムイオンを吸蔵放出可能な負極と、
正極と負極との間に配置されたセパレータと、
電解液とを有するリチウム二次電池において、
前記電解液が、（式１）で表される環状カーボネート
【化１】
2010232118.tif 000004
（式中、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は、水素，フッ素，塩素，炭素数１〜３のアルキル基，フッ素化されたアルキル基のいずれかを表わす。）と、
（式２）で表される鎖状カーボネート
【化２】
2010232118.tif 000005
（式中、Ｒ5，Ｒ6は、水素，フッ素，塩素，炭素数１〜３のアルキル基，フッ素化されたアルキル基のいずれかを表わす。）と、
（式３）で表される化合物
【化３】
2010232118.tif 000006
（式中、Ｒ7，Ｒ8は、水素，フッ素，塩素，炭素数１〜３のアルキル基，フッ素化されたアルキル基のいずれかを表わす。）と、
（式４）で表される化合物
【化４】
2010232118.tif 000007
（式中、Ｚ1，Ｚ2は、アリル基，メタリル基，ビニル基，アクリル基，メタクリル基のいずれかを表わす。）と、を含むことを特徴とするリチウム二次電池。
【請求項２】
リチウムイオンを吸蔵放出可能な正極と、
リチウムイオンを吸蔵放出可能な負極と、
正極と負極との間に配置されたセパレータと、電解液とを有するリチウム二次電池において、
前記電解液が、（式１）で表される環状カーボネート
【化５】
2010232118.tif 000008
（式中、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は、水素，フッ素，塩素，炭素数１〜３のアルキル基，フッ素化されたアルキル基のいずれかを表わす。）と、
（式２）で表される鎖状カーボネート
【化６】
2010232118.tif 000009
（式中、Ｒ5，Ｒ6は、水素，フッ素，塩素，炭素数１〜３のアルキル基，フッ素化されたアルキル基のいずれかを表わす。）と、
（式３）で表される化合物
【化７】
2010232118.tif 000010
（式中、Ｚ1，Ｚ2は、アリル基，メタリル基，ビニル基，アクリル基，メタクリル基のいずれかを表わす。）と、を含むことを特徴とするリチウム二次電池。
【請求項３】
リチウムイオンを吸蔵放出可能な正極と、
リチウムイオンを吸蔵放出可能な負極と、
前記正極と前記負極との間に配置されたセパレータと、電解液と、を有するリチウム二次電池において、
断熱型カロリーメーター評価で、６５℃における自己発熱速度が０.０１℃／分以下であることを特徴とするリチウム二次電池。
【請求項４】
前記正極が、正極活物質を有し、
前記正極活物質は、組成式ＬｉαＭｎxＭ１yＭ２zＯ2（式中、Ｍ１は、Ｃｏ，Ｎｉから選ばれる少なくとも１種、Ｍ２は、Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｂ，Ｆｅ，Ｍｇ，Ｃｒから選ばれる少なくとも１種であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０＜α＜１.２，０.２≦ｘ≦０.６，０.２≦ｙ≦０.４，０.０５≦ｚ≦０.４）で表されるリチウム複合酸化物を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のリチウム二次電池。
【請求項５】
前記負極が、炭素質材料，IV属元素を含む酸化物，IV属元素を含む窒化物の少なくとも１種を有することを特徴とする請求項又は２に記載のリチウム二次電池。
【請求項６】
前記（式４）で表される化合物が、ジメタリルカーボネートであることを特徴とする請求項１又は２に記載のリチウム二次電池。
【請求項７】
前記（式１）で表される化合物の組成比率が１８.０〜３０.０vol％であり、
前記（式２）で表される化合物の組成比率が７４.０〜８１.８vol％であり、
前記（式３）で表される化合物の組成比率が０.１〜１.０vol％であり、
前記（式４）で表される化合物の組成比率が０.１〜１.０vol％であって、
前記（式１）で表される化合物、前記（式２）で表される化合物、前記（式３）で表される化合物及び前記（式４）で表される化合物の総体積が１００vol％であることを特徴とする請求項１又は２に記載のリチウム二次電池。
【請求項８】
前記（式１）で表される化合物がエチレンカーボネートであり、
前記（式２）で表される化合物がエチルメチルカーボネート又はジメチルカーボネートの少なくとも一つであり、
前記（式３）で表される化合物がビニレンカーボネートであり、
前記（式４）で表される化合物がジメタリルカーボネートであることを特徴とする請求項１又は２に記載のリチウム二次電池。
【請求項９】
前記電解液が、溶媒として、（式４）で表される化合物
【化８】
2010232118.tif 000011
（式中、Ｚ1，Ｚ2は、アリル基，メタリル基，ビニル基，アクリル基，メタクリル基のいずれかを表わす。）を含むことを特徴とする請求項３に記載のリチウム二次電池。
【請求項１０】
リチウムイオンを吸蔵放出可能な正極と、
リチウムイオンを吸蔵放出可能な負極と、
前記正極と前記負極との間に配置されたセパレータと、電解液と、を有するリチウム二次電池において、
前記電解液が、（式４）で表される化合物
【化９】
2010232118.tif 000012
（式中、Ｚ1，Ｚ2は、アリル基，メタリル基，ビニル基，アクリル基，メタクリル基のいずれかを表わす。）を含むことを特徴とするリチウム二次電池。
【請求項１１】
前記（式４）で表される化合物が、ジメタリルカーボネートであることを特徴とする請求項１０に記載のリチウム二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【化４】
2010232117.tif 000001
（式中、Ｚ1，Ｚ2は、ビニル基，アクリル基，メタクリル基のいずれかを表わす。）であることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【化１０】
2010232117.tif 000002
（式中、Ｚ1，Ｚ2は、ビニル基，アクリル基，メタクリル基のいずれかを表わす。）と、
アルコキシシランと、ハロゲンを含有する化合物と、を含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
さらに、（式６）で表される化合物がエチレンカーボネートであり、（式７）で表される化合物がエチルメチルカーボネート又はジメチルカーボネートの少なくとも一つであり、（式８）で表される化合物がビニレンカーボネートであり、（式９）で表される化合物がジメタリルカーボネートであることが好ましい。ここで、フルオロエチレンカーボネートの化合物の組成比率が１.０vol％以上となると、電池の内部抵抗が上昇し、電池の出力低下を招くため好ましくない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムイオンを吸蔵放出可能な正極と、リチウムイオンを吸蔵放出可能な負極と、正極と負極との間に配置されたセパレータと、電解液とを有するリチウム二次電池において、
前記電解液が（式１）で表される化合物
【化１】
2010232117.tif 000003
（式中、Ｒ1はアルキル基であり、Ｒは水素，アルキル基，脂環式基およびアリール基から選ばれ、各Ｒ1及びＲは互いに同一または異なることができ、該アルキル基は炭素原子が１０個未満の直鎖または分枝鎖であり、かつｎは１から３の整数であることができる）
と、
分子内に重合性官能基を有する化合物と、を含むことを特徴とするリチウム二次電池。
【請求項２】
前記電解液が、分子内にハロゲンを有する化合物を含有することを特徴とする請求項１
に記載のリチウム二次電池。
【請求項３】
前記分子内に重合性官能基を有する化合物が、（式２）で表される化合物
【化２】
2010232117.tif 000004
（式中、Ｒ7，Ｒ8は、水素，フッ素，塩素，炭素数１〜３のアルキル基，フッ素化されたアルキル基のいずれかを表わす。）であることを特徴とする請求項１記載のリチウム二次電池。
【請求項４】
前記分子内に重合性官能基を有する化合物が、（式３）で表される化合物
【化３】
2010232117.tif 000005
（式中、Ｚ1，Ｚ2は、ビニル基，アクリル基，メタクリル基のいずれかを表わす。）であることを特徴とする請求項１記載のリチウム二次電池。
【請求項５】
前記分子内にハロゲン有する化合物が、フルオロエチレンカーボネートであることを特徴とする請求項２記載のリチウム二次電池。
【請求項６】
前記正極が、組成式ＬｉαＭｎxＭ１yＭ２zＯ2（式中、Ｍ１は、Ｃｏ，Ｎｉから選ばれる少なくとも１種、Ｍ２は、Ｃｏ，Ｎｉ，Ａｌ，Ｂ，Ｆｅ，Ｍｇ，Ｃｒから選ばれる少なくとも１種であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０＜α＜１.２，０.２≦ｘ≦０.６，０.２≦ｙ≦０.４，０.０５≦ｚ≦０.４）で表されるリチウム複合酸化物を含むことを特徴とする請求項１に記載のリチウム二次電池。
【請求項７】
前記負極が、炭素質材料，IV属元素を含む酸化物，IV属元素を含む窒化物の少なくとも１種を有することを特徴とする請求項１記載のリチウム二次電池。
【請求項８】
前記電解液が、溶媒として、（式４）で表される環状カーボネート
【化４】
2010232117.tif 000006
（式中、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は、水素，フッ素，塩素，炭素数１〜３のアルキル基，フッ素化されたアルキル基のいずれかを表わす。）と、
（式５）で表される鎖状カーボネート
【化５】
2010232117.tif 000007
（式中、Ｒ5，Ｒ6は、水素，フッ素，塩素，炭素数１〜３のアルキル基，フッ素化されたアルキル基のいずれかを表わす。）とを有することを特徴とする請求項１記載のリチウム二次電池。
【請求項９】
リチウムイオンを吸蔵放出可能な正極と、リチウムイオンを吸蔵放出可能な負極と、正極と負極との間に配置されたセパレータと、電解液とを有するリチウム二次電池において、
前記電解液が、（式６）で表される環状カーボネート
【化６】
2010232117.tif 000008
（式中、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4は、水素，フッ素，塩素，炭素数１〜３のアルキル基，フッ素化されたアルキル基のいずれかを表わす。）と、
（式７）で表される鎖状カーボネート
【化７】
2010232117.tif 000009
（式中、Ｒ5，Ｒ6は、水素，フッ素，塩素，炭素数１〜３のアルキル基，フッ素化されたアルキル基のいずれかを表わす。）と、
（式８）で表される化合物
【化８】
2010232117.tif 000010
（式中、Ｒ7，Ｒ8は、水素，フッ素，塩素，炭素数１〜３のアルキル基，フッ素化されたアルキル基のいずれかを表わす。）と、
（式９）で表される化合物
【化９】
2010232117.tif 000011
（式中、Ｚ1，Ｚ2は、ビニル基，アクリル基，メタクリル基のいずれかを表わす。）と、
アルコキシシランと、分子内にハロゲンを有する化合物と、を含むことを特徴とするリチウム二次電池。
【請求項１０】
前記アルコキシシランが、トリメチルエトキシシラン，ジメチルジエトキシシラン，メチルトリメトキシシラン又はジメチルジメトキシシランの少なくとも一つであることを特徴とする請求項９に記載のリチウム二次電池。
【請求項１１】
前記（式６）で表される化合物の組成比率が１８.０vol％以上３０.０vol％以下であり、前記（式７）で表される化合物の組成比率が７４.０vol％以上８１.８vol％以下であり、前記（式８）で表される化合物の組成比率が０.１vol％以上１.０vol％以下であり、前記（式９）で表される化合物の組成比率が０.１vol％以上１.０vol％以下であり、前記アルコキシシランの組成比率が０.１vol％以上１.０vol％以下であり、前記ハロゲンを含有する化合物の組成比率が０.１vol％以上１.０vol％以下であって、
前記（式６）で表される化合物，前記（式７）で表される化合物，前記（式８）で表される化合物，前記（式９）で表される化合物，前記アルコキシシラン及び前記ハロゲンを有する化合物の総体積が１００vol％であることを特徴とする請求項９に記載のリチウム二次電池。
【請求項１２】
前記（式６）で表される化合物がエチレンカーボネートであり、前記（式７）で表される化合物がエチルメチルカーボネート又はジメチルカーボネートの少なくとも一つであり、前記（式８）で表される化合物がビニレンカーボネートであり、前記（式９）で表される化合物がジメタリルカーボネートであることを特徴とする請求項９に記載のリチウム二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月7日(2011.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集束イオンビーム光学系と、当該集束イオンビーム光学系とビーム軸同士が交差するように配置された電子ビーム光学系と、試料を載置する試料台をその内部に有する真空試料室と、を備えた微小試料加工観察装置に搭載できる移送手段であって、
イオンビームの照射により試料から分離された微小試料を支持するプローブを有し、前記真空試料室の内部において当該プローブを回転させて前記微小試料の姿勢を制御するように構成された移送手段。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月31日(2011.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
平形柔軟ケーブルの終端に接続して相手側コネクタと嵌合することになる平形柔軟ケーブルコネクタにおいて、
導電性材料で形成され、両コネクタが嵌合すると相手側コネクタの接地導電部材に接触することになる接地導電部材が設けられ、
この接地導電部材は、平形柔軟ケーブルが引き出されることになる引出口又はその周囲から平形柔軟ケーブルの幅と同じかそれよりも狭い幅でもって平形柔軟ケーブルの引き出し方向へ突き出たケーブル導通片を備えており、
平形柔軟ケーブル終端を接続するとケーブル導通片が平形柔軟ケーブル終端の表面又は裏面に接触するように構成したことを特徴とする平形柔軟ケーブルコネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】平形柔軟ケーブルコネクタ及び平形柔軟ケーブルハーネス
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、このような点に着目してなされたものであり、その目的とするところは、平形柔軟ケーブルの終端に接続して相手側コネクタと嵌合することになる平形柔軟ケーブルコネクタを対象とし、平形柔軟ケーブルの少なくとも表面及び裏面を覆う導電性のシールドフィルムをコネクタに設けた接地導電部材を利用して相手側コネクタの接地導電部材へ電気的に接続することにより、平形柔軟ケーブルのシールド部材を接地させるにあたり、部品点数の増加を防止し、作業性の向上を実現することにあり、さらに、上記平形柔軟ケーブルコネクタを用いた平形柔軟ケーブルハーネスを提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の平形柔軟ケーブルコネクタは、平形柔軟ケーブルの終端に接続して相手側コネクタと嵌合することになる平形柔軟ケーブルコネクタである。この平形柔軟ケーブルコネクタには、導電性材料で形成され、両コネクタが嵌合すると相手側コネクタの接地導電部材に接触することになる接地導電部材が設けられ、この接地導電部材は、平形柔軟ケーブルが引き出されることになる引出口又はその周囲から平形柔軟ケーブルの幅と同じかそれよりも狭い幅でもって平形柔軟ケーブルの引き出し方向へ突き出たケーブル導通片を備えており、平形柔軟ケーブル終端を接続するとケーブル導通片が平形柔軟ケーブル終端の表面又は裏面に接触するように構成している。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月31日(2011.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影位置情報が付加された画像を入力するための入力部と、
地図データと入力された前記画像に付加されている撮影位置情報とに基づき、入力された前記画像中の撮影方向と相対する方向に存在する風景の画像を仮想的に作成して表示する仮想風景作成部と、
を具備することを特徴とする仮想風景表示装置。
【請求項２】
前記仮想風景作成部は、
前記地図データ上での方向を検出する方向検出部と、
前記検出された方向に従って前記画像中の撮影方向と相対する方向に対応した風景の画像を作成し、該作成した風景の画像を、入力された前記画像の撮影者を示す画像に合成する画像合成部と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の仮想風景表示装置。
【請求項３】
前記方向検出部は、
前記撮影位置情報と入力された前記画像に写っている風景の画像とに基づき、入力された前記画像の撮影方向を検出する同方向検出部と、
前記同方向検出部によって検出された撮影方向と相対する方向を、前記画像中の撮影方向と相対する方向として検出する反対方向検出部と、
を含むことを特徴とする請求項２に記載の仮想風景表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の形態の仮想風景表示装置は、撮影位置情報が付加された画像を入力するための入力部と、地図データと入力された前記画像に付加されている撮影位置情報とに基づき、入力された前記画像中の撮影方向と相対する方向に存在する風景の画像を仮想的に作成して表示する仮想風景作成部とを具備することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月13日(2010.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基準電圧と出力トランジスタの出力電圧に基づく電圧との差を増幅して出力し、前記出力トランジスタのゲートを制御する第１の誤差増幅回路と、
前記出力トランジスタに過電流が流れたことを検出し、前記出力トランジスタの電流を制限する過電流保護回路と、を備えたボルテージレギュレータであって、
前記過電流保護回路は、
前記第１の誤差増幅回路の出力電圧でゲートが制御され、前記出力トランジスタの出力電流に応じた検出電流を流す出力電流検出トランジスタと、
前記検出電流によって電圧を発生する電圧発生回路と、
第２の基準電圧または前記出力電圧に基づく電圧と前記電圧発生回路の電圧との差を増幅して出力する第２の誤差増幅回路と、
前記第２の誤差増幅回路の出力でゲートが制御され、前記出力トランジスタのゲート電圧を制御する出力電流制限トランジスタと、を備え、
前記第２の基準電圧は、温度によって出力電圧が変化する温度検出回路から供給されることを特徴とするボルテージレギュレータ。
【請求項２】
前記温度検出回路は、直列に接続された定電流回路とダイオードを備え、前記第２の基準電圧は前記ダイオードの順方向電圧により出力されることを特徴とする請求項１に記載のボルテージレギュレータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（１）前記目的を達成するために、請求項１に記載の発明では、第１の基準電圧と出力トランジスタの出力電圧に基づく電圧との差を増幅して出力し、前記出力トランジスタのゲートを制御する第１の誤差増幅回路と、前記出力トランジスタに過電流が流れたことを検出し、前記出力トランジスタの電流を制限する過電流保護回路と、を備えたボルテージレギュレータであって、前記過電流保護回路は、前記第１の誤差増幅回路の出力電圧でゲートが制御され、前記出力トランジスタの出力電流に応じた検出電流を流す出力電流検出トランジスタと、前記検出電流によって電圧を発生する電圧発生回路と、第２の基準電圧または前記出力電圧に基づく電圧と前記電圧発生回路の電圧との差を増幅して出力する第２の誤差増幅回路と、前記第２の誤差増幅回路の出力でゲートが制御され、前記出力トランジスタのゲート電圧を制御する出力電流制限トランジスタと、を備え、前記第２の基準電圧は、温度によって出力電圧が変化する温度検出回路から供給されることを特徴とするボルテージレギュレータを提供する。
（２）請求項２記載の発明では、前記温度検出回路は、直列に接続された定電流回路とダイオードを備え、前記第２の基準電圧は前記ダイオードの順方向電圧により出力されることを特徴とする請求項１に記載のボルテージレギュレータを提供する。