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【手続補正書】
【提出日】平成23年4月20日(2011.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学系の光軸に対してシフト可能な防振レンズと、
前記光軸に沿って移動可能な可動レンズを有する可動レンズユニットと、
前記光学系を通過する光量を制御する光量制御部材と、
それぞれマグネットとコイルにより構成され、前記防振レンズを互いに異なる方向にシフトさせる第１のアクチュエータ及び第２のアクチュエータと、
マグネットとコイルにより構成され、前記可動レンズを前記光軸に沿って移動させる第３のアクチュエータと、
前記光量制御部材を動作させる第４のアクチュエータと、
前記防振レンズ、前記可動レンズユニット、前記光量制御部材及び前記第１から第４のアクチュエータを収容する鏡筒部材と有し、
光軸方向視において、前記第１から第４のアクチュエータが互いに重なり合わないように前記鏡筒部材の内部に配置されていることを特徴とする光学機器。
【請求項２】
前記第３のアクチュエータは、前記マグネット又は前記コイルが前記可動レンズユニットに配置されていることを特徴とする請求項１に記載の光学機器。
【請求項３】
前記光軸方向視において、前記第１のアクチュエータと前記第２のアクチュエータとの間に、前記第４のアクチュエータが配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光学機器。
【請求項４】
前記光軸方向視において、前記第１及び第２のアクチュエータは、前記光軸を挟んで前記第３のアクチュエータが配置された領域とは反対側の領域に配置され、かつ前記光軸を挟んで互いに反対側の領域に配置されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の光学機器。
【請求項５】
前記防振レンズが中立位置にある状態で、前記光軸方向視において、前記第３のアクチュエータと前記第１のアクチュエータとの間の距離と、前記第３のアクチュエータと前記第２のアクチュエータとの間の距離とが互いに等しいことを特徴とする請求項１から４のいずれか１つに記載の光学機器。
【請求項６】
前記光軸方向視において、前記第３のアクチュエータは前記光軸から第１の距離の位置に配置され、前記第１及び第２のアクチュエータはともに前記第３のアクチュエータから前記第１の距離よりも長い第２の距離の位置に配置されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１つに記載の光学機器。
【請求項７】
前記光軸方向視において、前記第１のアクチュエータと前記第２のアクチュエータとが、前記光軸の位置及び前記第３のアクチュエータを通る直線に対して対称となる位置に配置されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１つに記載の光学機器。
【請求項８】
前記第１及び第２のアクチュエータをそれぞれ構成するマグネットとコイルは、前記光軸方向視において互いに重なり合うように配置されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１つに記載の光学機器。
【請求項９】
前記光量制御部材は、シャッタユニット、絞りユニット、ＮＤフィルタユニットのうちいずれか１つであることを特徴とする請求項１から８のいずれか１つに記載の光学機器。
【請求項１０】
前記鏡筒部材は、光軸方向に伸縮動作するレンズ鏡筒を構成する部材であることを特徴とする請求項１から９のいずれか１つに記載の光学機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一側面としての光学機器は、光学系の光軸に対してシフト可能な防振レンズと、光軸に沿って移動可能な可動レンズを有する可動レンズユニットと、光学系を通過する光量を制御する光量制御部材と、それぞれマグネットとコイルにより構成され、防振レンズを互いに異なる方向にシフトさせる第１のアクチュエータ及び第２のアクチュエータと、マグネットとコイルにより構成され、可動レンズを光軸に沿って移動させる第３のアクチュエータと、光量制御部材を動作させる第４のアクチュエータと、防振レンズ、可動レンズユニット、光量制御部材及び第１から第４のアクチュエータを収容する鏡筒部材と有する。そして、光軸方向視において、第１から第４のアクチュエータが互いに重なり合わないように鏡筒部材の内部に配置されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
レンズ鏡筒部には、物体側から順に、第１レンズユニットＬ１、第２レンズユニットＬ２、第３レンズユニット（防振レンズである補正レンズ）Ｌ３及び第４レンズユニット（可動レンズであるフォーカスレンズを有する可動レンズユニット）Ｌ４により構成された光学系が収容されている。ＡＸＬは、該光学系の光軸である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
５１は絞りユニット５に設けられた不図示の絞り羽根を開閉駆動する絞りアクチュエータであり、例えばステッピングモータが用いられる。５２は不図示のシャッタユニットに設けられたシャッタ羽根を開閉駆動するシャッタアクチュエータである。５３は不図示のＮＤフィルタユニットに設けられたＮＤフィルタを駆動するＮＤアクチュエータである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
なお、絞りユニット５（絞り羽根）、シャッタユニット（シャッタ羽根）及びＮＤフィルタユニットは、光学系を通過して像面（後述する撮像素子１１）に到達する光量を制御する光量制御部材である。また、絞りアクチュエータ、シャッタアクチュエータ及びＮＤアクチュエータは、第４のアクチュエータ（光量制御部材アクチュエータ）に相当する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月23日(2011.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の可動レンズを保持し、光軸方向に移動可能な第１のレンズ保持部材と、
前記第１のレンズ保持部材を前記光軸方向に駆動するアクチュエータと、
前記第１のレンズ保持部材に係合し、該第１のレンズ保持部材を前記光軸方向に案内する又は該第１のレンズ保持部材の回転を阻止するバー部材と、
前記アクチュエータを保持し、かつ前記バー部材を支持するバー支持部を有する支持部材と、
第２の可動レンズを保持し、前記光軸方向に移動可能な第２のレンズ保持部材と、
前記第２のレンズ保持部材を前記光軸方向に移動可能に支持する筒部材とを有し、
前記バー支持部と前記筒部材との間に、制振部材が配置されていることを特徴とする光学機器。
【請求項２】
前記支持部材と前記筒部材のそれぞれにおける前記光軸方向の像側端部を保持するベース部材を有し、
前記制振部材は、前記バー支持部のうち前記光軸方向における前記ベース部材とは反対側の端部と前記筒部材との間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の光学機器。
【請求項３】
前記筒部材に、前記バー支持部との間で前記制振部材を前記光軸方向にて挟む受け面を形成したことを特徴とする請求項１又は２に記載の光学機器。
【請求項４】
前記アクチュエータは、ボイスコイルモータであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の光学機器。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１つに記載の光学機器を備える撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一側面としての光学機器は、第１の可動レンズを保持し、光軸方向に移動可能な第１のレンズ保持部材と、前記第１のレンズ保持部材を前記光軸方向に駆動するアクチュエータと、前記第１のレンズ保持部材に係合し、該第１のレンズ保持部材を前記光軸方向に案内する又は該第１のレンズ保持部材の回転を阻止するバー部材と、前記アクチュエータを保持し、かつ前記バー部材を支持するバー支持部を有する支持部材と、第２の可動レンズを保持し、前記光軸方向に移動可能な第２のレンズ保持部材と、前記第２のレンズ保持部材を前記光軸方向に移動可能に支持する筒部材とを有し、前記バー支持部と前記筒部材との間に、制振部材が配置されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
固定筒（筒部材）７は、第１鏡筒１と第２鏡筒２を回転しないように、かつ光軸方向に移動可能なように保持する。固定筒７の外周面における周方向３箇所には、カムピン（図示せず）が取り付けられており、該カムピンは、カム筒８の内周面に形成された３本のカム溝８ｅにそれぞれ係合している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
４はフォーカスレンズＬ４を保持する第１のレンズ保持部材としての第４保持枠である。第４保持枠４は、図４に示すように、スリーブ部４ａと回転止め部４ｂを有する。スリーブ部４ａと回転止め部４ｂはそれぞれ、支持部材としてのフォーカスベース部材６とベース部材としての撮像素子地板９とによって支持されているガイドバー（バー部材）６５，６６に光軸方向に移動可能に係合している。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月2日(2010.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコン基板上に、上部表面から延長して突出した部位を含む単結晶シリコン膜を形成する段階と、
前記単結晶シリコン膜の上部表面に犠牲膜を形成する段階と、
前記単結晶シリコン膜の前記突出した部位の一部及び前記犠牲膜の一部が除去されるように前記単結晶シリコン膜及び前記犠牲膜を１次研磨して前記突出した部位の一部が残留する前記単結晶シリコン膜及び犠牲膜パターンを形成する段階と、
前記犠牲膜パターンを除去する段階と、
前記単結晶シリコン膜を研磨して前記突出した部位に残留する一部分を除去し、平坦なチャンネルシリコン膜を形成する段階と、を含むことを特徴とするチャンネル膜を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記単結晶シリコン膜を形成する前に、
前記単結晶シリコン基板の表面を部分的に露出させる開口部を有する絶縁膜パターンを形成する段階と、
前記開口部の内部に単結晶シリコンパターンを形成する段階と、を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のチャンネル膜を有する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記単結晶シリコンパターンは、前記開口部の底面に露出された基板をシードに用いる選択的エピタキシャル成長工程を通じて形成されることを特徴とする請求項２に記載のチャンネル膜を有する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記単結晶シリコン膜を形成する段階は、
前記絶縁膜パターン及び前記単結晶シリコンパターン上に非晶質シリコン膜を形成する段階と、
前記単結晶シリコンパターンをシードに用いて前記非晶質シリコン膜を結晶化して単結晶シリコンに相変化させる段階と、を含むことを特徴とする請求項２に記載のチャンネル膜を有する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記非晶質シリコン膜は、５００〜５０００Åの厚さに蒸着することを特徴とする請求項４に記載のチャンネル膜を有する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記相変化させる段階は、レーザビームを前記非晶質シリコン膜に照射することによって行われることを特徴とする請求項４に記載のチャンネル膜を有する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記犠牲膜は、１０〜１０００Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項１に記載のチャンネル膜を有する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記犠牲膜は、シリコン酸化物またはシリコン窒化物を蒸着して形成することを特徴とする請求項１に記載のチャンネル膜を有する半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記１次研磨は、前記犠牲膜に比べて前記単結晶シリコン膜については研磨率の高いスラリーを用いて行われることを特徴とする請求項１に記載のチャンネル膜を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記犠牲膜としてシリコン酸化物を形成する場合、前記１次研磨はシリカ研磨剤０．５〜２０重量％、アミン化合物０．００１〜１．０重量％、界面活性剤０．００１〜１．０重量％、及び余分の水を含み、ｐＨが８〜１２のスラリー組成物を用いることを特徴とする請求項９に記載のチャンネル膜を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記単結晶シリコン膜の前記突出した部位は、当該突出した部位の最初の突出高さの５〜５０％が残るように前記１次研磨が行われることを特徴とする請求項１に記載のチャンネル膜を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記チャンネルシリコン膜の上部表面粗さの二乗平均平方根が０．５〜５Åになるまで２次研磨工程を行うことを特徴とする請求項１に記載のチャンネル膜を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記犠牲膜パターンを除去する段階は、湿式エッチング工程を通じて行われることを特徴とする請求項１に記載のチャンネル膜を有する半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
前記チャンネルシリコン膜の上部表面の粗さ二乗平均平方根（Ｒｏｏｔ  Ｍｅａｎ  Ｓｑｕａｒｅ）が０．５〜５Åになるまで第２研磨工程（または２次研磨工程という）を行うことができる。
前記犠牲膜パターンを除去する工程は、湿式エッチング工程を通じて行うことができる
。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月16日(2011.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装着可能な集積回路パッケージインパッケージシステムの製造方法であって、
集積回路ダイおよびパッケージ基板の上に接着スペーサを装着することと、
内部接着構造を有する集積回路パッケージシステムを内部接着構造で接着スペーサ上に装着することと、
接着スペーサの上の集積回路パッケージシステムを覆うためのパッケージ封止を形成することとを含む、システムの製造方法。
【請求項２】
パッケージ封止を形成することは、開口部を有するパッケージ封止を形成することを含み、開口部は集積回路パッケージシステムの部分を露出する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
パッケージ封止の開口部において、かつ開口部によって露出された集積回路パッケージシステムの上に、装置を装着することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
内部封止および予めパッケージされた集積回路ダイを有する、内部封止が予めパッケージされた集積回路ダイを露出する、集積回路パッケージシステムを形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
第１の突起および第１の凹部を有する接着スペーサを形成することと、
第１の突起および第１の凹部に補完的な第２の突起および第２の凹部を有する内部接着構造を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
パッケージ基板と、
パッケージ基板の上の集積回路ダイと、
集積回路ダイの上の接着スペーサと、
内部接着構造と、
内部接着構造を有する集積回路パッケージシステムとを含み、内部接着構造は接着スペーサ上にあり、さらに
接着スペーサの上の集積回路パッケージシステムを覆うためのパッケージ封止を含む、装着可能な集積回路パッケージインパッケージシステム。
【請求項７】
パッケージ封止は、集積回路パッケージシステムの部分を露出する開口部をさらに含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
パッケージ封止の開口部に、かつ開口部によって露出された集積回路パッケージシステムの上に、装置をさらに含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
集積回路パッケージシステムは、内部封止と、内部封止によって露出された予めパッケージされた集積回路ダイとを含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項１０】
接着スペーサは第１の突起および第１の凹部を含み、
内部接着構造は、第１の突起および第１の凹部に補完的な第２の突起および第２の凹部を含む、請求項６に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】装着可能な集積回路パッケージインパッケージシステムおよびその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この発明が層間剥離に対する抵抗の向上および伝熱性能の向上などの信頼性の向上をもたらすことが発見された。集積回路パッケージシステム１０６の内部接着構造２１８と接着スペーサ２０８との間の接着は、このインターフェースにおける層間剥離を減じるかなくす。これは、ＭＳＬ試験などの信頼性試験での性能を向上させる。さらに、接着スペーサ２０８および内部接着構造２１８は、熱的に伝導性のある材料、たとえば金属または合金などから形成されてもよく、熱流経路を与える。熱流経路は、装着可能な集積回路パッケージインパッケージシステム１００の伝熱性能を向上させる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月24日(2010.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の集積回路チップおよびそれに接続されたリードを部分的に覆う第１の封止材を有する埋込型集積回路パッケージシステムを形成するステップと、
半導体装置を第１の封止材上に、リードに接続して実装するステップと、
半導体装置および埋込型集積回路パッケージシステム上に第２の封止材を形成するステップとを備える、デュアルモールドマルチチップパッケージシステムを製造する方法。
【請求項２】
リードの延長部を形成するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
接合箇所および第１の集積回路チップを接続するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
埋込型集積回路パッケージシステム上にはんだマスクを形成するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
外部接続配線および第１の集積回路チップを接続するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
第１の集積回路チップおよびリードを部分的に覆う第１の封止材を有する埋込型集積回路パッケージシステムと、
第１の封止材上の半導体装置と、
リードおよび半導体装置の間の内部接続配線と、
リードおよび第１の集積回路チップの間のトレースと、
半導体装置および埋込型集積回路パッケージシステム上の第２の封止材とを備える、デュアルモールドマルチチップパッケージシステム。
【請求項７】
リードの延長部をさらに備える、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
トレースは、接合箇所および第１の集積回路チップの間にある、請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
トレースは第１の封止材上にある、請求項６に記載のシステム。
【請求項１０】
第１の集積回路チップに接続された外部接続配線をさらに備える、請求項６に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】デュアルモールドマルチチップパッケージシステムおよびその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
次に図５を参照し、図３の線分５−５に沿ったリードフレーム３００の第２の断面図を示す。第２の断面図は、ストリップライン３０４をリードフレーム３００内の窪みとして示す。ストリップライン３０４はリードフレーム３００の構造的剛性に影響せず、さらなる処理のためのリードフレーム３００の取扱に耐える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
次に図１１を参照し、図１０の線分１１−１１に沿った図１０の構造の断面図を示す。断面図は、底面４０４に取付けられたテープ６０２を示す。テープ６０２は、第１の封止材１１２を、図１の第１の活性面１１４および第２の活性面１１６と同一平面になるように成形するのに役立つ。第１の封止材１１２は、リードフレーム３００の開口部３０８を充填し、図８の第１の非活性面８０２と第２の非活性面８０４とを覆う。第１の封止材１１２は、延長部２０８と上面４０２とを露出させる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図示の目的で、接合箇所１６０２を第１の封止材１１２の周縁部に示すが、接合箇所１６０２は、第１の封止材１１２の内部領域などの他の位置にあってもよいと理解される。また図示の目的で、トレース１０６は第１の集積回路チップ１０２、第２の集積回路チップ１０４、リード１１０および接合箇所１６０２のための配線として示すが、トレース１０６は、再分配構造または回路要素を形成するなどの追加的な機能を果たしてもよいと理解される。代替的に、図１２の上面４０２は、トレース１０６および接合箇所１６０２も有してもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
次に図１８を参照し、ストリップ形成段階における図１７の構造を示す。図１７の構造は、ダイシングプロセスを経て、リードフレームストリップ１８０２を形成する。図１５に示すリードフレーム３００は、図３に示すストリップライン３０４で切断される。ダイシングプロセスは、複数の異なるプロセス、たとえばソーイングまたは打ち抜きによって行なうことができる。リードフレームストリップ１８０２の上面４０２は、開口部３０８を有するウインドウフレーム３０２を示す。第１の封止材１１２は開口部３０８内にあり、延長部２０８を露出させる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
次に図２２を参照し、装置接続段階における図２１の構造を示す。リードフレームストリップ１８０２は、電気接続プロセスを経る。内部接続配線２１８は、半導体装置２０６と延長部２０８とを、またはリード１１０の上面４０２とを取付ける。内部接続配線２１８は、複数の異なるプロセス、たとえばワイヤボンディングによって取付けることができる。内部接続配線２１８は、半導体装置２１６と図１の第１の集積回路チップ１０２との間、および第２の集積回路チップ１０４との間に電気的な接続を形成することができる。電気的な接続は、従来の電気ビア（図示せず）なしに、延長部２０８、リード１１０、図１６の接合箇所１６０２、および図１６のトレース１０６によって形成することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2008166816.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月24日(2010.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
本実施形態に係る方法の第１ステップは、第１実施形態で説明したような方法で実施されるステップと同様であり、即ち、第１領域３１０ａおよび第２領域３１０ｂを基板３００内に規定するステップ（図３Ａ）、第１誘電体材料３０２を前記基板３００の上に設けるステップ（図３Ａ）、犠牲層３０４をパターン化して、前記パターン化した犠牲層３０４が、前記第１領域３１０ａでは前記下地となる第１誘電体材料３０２と接触するが、前記第２領域３１０ｂでは接触しないようにするステップ（図３Ｂ）、第２誘電体材料３０３を、前記第１領域３１０ａでは前記パターン化した犠牲層３０４の上に、これと接触するように、前記第２領域３１０ｂでは前記第１ゲート誘電体３０２の上に、これと接触するように形成するステップ（図３Ｃ）、前記第２誘電体材料３０３をパターン化して、前記第２領域３１０ｂにおいて前記第１誘電体材料３０２の上に、これと接触するようにするステップ（図３Ｄ〜図３Ｅ）、前記パターン化した犠牲層３０４を除去するステップ（図３Ｆ）を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月22日(2010.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に絶縁層、島状のシリコン層が順に積層されたＳＯＩ基板と、
前記島状のシリコン層の一表面上及び側面に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記島状のシリコン層上に設けられ、前記島状のシリコン層を横断するように設けられたゲート電極と、を有し、
前記ゲート絶縁層は、前記島状のシリコン層の一表面上と比較して、前記島状のシリコン層の側面と接する領域の誘電率が小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
支持基板上に絶縁層、島状のシリコン層が順に積層されたＳＯＩ基板と、
前記島状のシリコン層の一表面上及び側面に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記島状のシリコン層上に設けられ、前記島状のシリコン層を横断するように設けられたゲート電極と、を有し、
前記ゲート絶縁層は、前記島状のシリコン層の一表面上と比較して、前記島状のシリコン層の側面と接する領域の厚さが厚く、且つ、誘電率が小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記島状のシリコン層の一表面上及び側面に設けられたゲート絶縁層は、
前記島状のシリコン層の一表面上に接して設けられた第１の絶縁層と、
前記島状のシリコン層の側面と接して設けられた第２の絶縁層と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記島状のシリコン層の端部は、テーパ角が４５°以上９５°未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
ＳＯＩ基板のシリコン層を島状に形成し、
前記島状のシリコン層の一表面上及び側面に接して第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層を前記島状のシリコン層の一表面が露出するまで選択的に除去して、前記島状のシリコン層の側面と接する第２の絶縁層を形成し、
前記島状のシリコン層の一表面上及び前記第２の絶縁層に接して第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層を介して前記島状のシリコン層の一表面上に、前記島状のシリコン層を横断するようにゲート電極層を形成し、
前記第２の絶縁層は、前記第３の絶縁層と比較して誘電率が小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
ＳＯＩ基板のシリコン層を島状に形成して第１のシリコン層を形成し、
前記第１のシリコン層の一表面上及び側面に接して第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層を前記第１のシリコン層の一表面が露出するまで選択的に除去して、前記第１のシリコン層の側面と接する第２の絶縁層を形成するとともに、前記第１のシリコン層の上層に非晶質領域を形成し、
前記非晶質領域を除去して島状の第２のシリコン層を形成し、
前記第２のシリコン層及び前記第２の絶縁層に接して第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層を介して前記第２のシリコン層の一表面上に、前記第２のシリコン層を横断するようにゲート電極層を形成し、
前記第２の絶縁層は、前記第３の絶縁層と比較して誘電率が小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
ＳＯＩ基板のシリコン層を島状に形成して第１のシリコン層を形成し、
前記第１のシリコン層の一表面上及び側面に接して第１の絶縁層を形成し、
垂直方向を主体とした異方性エッチングにより、前記第１のシリコン層及び前記第１の絶縁層を薄膜化して、島状の第２のシリコン層及び前記第２のシリコン層の側面と接する第２の絶縁層を形成し、
前記第２のシリコン層及び前記第２の絶縁層に接して第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層を介して前記第２のシリコン層の一表面上に、前記第２のシリコン層を横断するようにゲート電極層を形成し、
前記第２の絶縁層は、前記第３の絶縁層と比較して誘電率が小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
ＳＯＩ基板のシリコン層を島状に形成して第１のシリコン層を第１の絶縁層上に形成し、
プラズマ処理により前記第１のシリコン層及び前記第１の絶縁層の表面を窒化して第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層を前記第１のシリコン層の一表面上に形成された前記第２の絶縁層が露出するまで選択的に除去して、前記第２の絶縁層を介して前記第１のシリコン層の側面に位置する第４の絶縁層を形成し、
前記第１のシリコン層、前記第２の絶縁層及び前記第４の絶縁層を垂直方向を主体としたエッチングにより薄膜化して、島状の第２のシリコン層、前記第２のシリコン層の側面と接する第５の絶縁層、及び前記第５絶縁層を介して前記第２のシリコン層の側面に位置する第６の絶縁層を形成し、
前記第２のシリコン層、前記第５の絶縁層及び前記第６の絶縁層に接して第７の絶縁層を形成し、
前記第７の絶縁層を介して前記第２のシリコン層の一表面上に、前記第２のシリコン層を横断するようにゲート電極層を形成し、
前記第６の絶縁層は、前記第７の絶縁層と比較して誘電率が小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６において、
前記第２の絶縁層は、前記非晶質領域に接しないように形成されており、前記非晶質領域を除去することにより、前記第２のシリコン層と前記第２の絶縁層の高さは略一致することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６において、
前記非晶質領域を除去するとともに、前記第２の絶縁層をエッチングすることにより、前記第２のシリコン層とエッチングされた前記第２の絶縁層の高さは略一致することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項５において、
前記島状のシリコン層は、端部のテーパ角が４５°以上９５°未満となるように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項６乃至請求項１０のいずれか一において、
前記第２のシリコン層は、端部のテーパ角が４５°以上９５°未満となるように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項５又は請求項１１において、
前記島状のシリコン層に一導電型を付与する不純物元素を添加した後に、熱処理を行うことにより、添加した前記不純物元素を活性化するとともに前記島状のシリコン層の再結晶化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項６、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１０又は請求項１２において、
前記第２のシリコン層に一導電型を付与する不純物元素を添加した後に、熱処理を行うことにより、添加した前記不純物元素を活性化するとともに前記第２のシリコン層の再結晶化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月29日(2010.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と第２の電極との間に、発光層と第１の層とを有し、
前記第１の層は、前記発光層と前記第１の電極との間に設けられており、
前記第１の層は、第１の有機化合物と第２の有機化合物とを含み、前記第１の有機化合物は、前記第２の有機化合物よりも多く含まれており、
前記第１の有機化合物は、正孔輸送性を有し、
前記第２の有機化合物のイオン化ポテンシャルは、第１の有機化合物のイオン化ポテンシャルよりも、０．５ｅＶ以上大きく、
前記第１の電極の方が前記第２の電極よりも電位が高くなるように、前記第１の電極と前記第２の電極とに電圧を印加することにより、前記発光層からの発光が得られることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
第１の電極と第２の電極との間に、発光層と第１の層とを有し、
前記第１の層は、前記発光層と前記第１の電極との間に設けられており、
前記第１の層は、第１の有機化合物と第２の有機化合物とを含み、前記第１の有機化合物は、前記第２の有機化合物よりも多く含まれており、
前記第１の有機化合物は、正孔輸送性を有し、
前記第２の有機化合物は、双極子モーメントが２．０デバイ以上であり、
前記第１の電極の方が前記第２の電極よりも電位が高くなるように、前記第１の電極と前記第２の電極とに電圧を印加することにより、前記発光層からの発光が得られることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
第１の電極と第２の電極との間に、発光層と第１の層とを有し、
前記第１の層は、前記発光層と前記第１の電極との間に設けられており、
前記第１の層は、第１の有機化合物と第２の有機化合物とを含み、前記第１の有機化合物は、前記第２の有機化合物よりも多く含まれており、
前記第１の有機化合物は、正孔輸送性を有し、
前記第２の有機化合物のイオン化ポテンシャルは、第１の有機化合物のイオン化ポテンシャルよりも、０．５ｅＶ以上大きく、かつ、前記第２の有機化合物の双極子モーメントは２．０デバイ以上であり、
前記第１の電極の方が前記第２の電極よりも電位が高くなるように、前記第１の電極と前記第２の電極とに電圧を印加することにより、前記発光層からの発光が得られることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
第１の電極と第２の電極との間に、発光層と第１の層とを有し、
前記第１の層は、前記発光層と前記第１の電極との間に設けられており、
前記第１の層は、第１の有機化合物と第２の有機化合物とを含み、前記第１の有機化合物は、前記第２の有機化合物よりも多く含まれており、
前記第１の有機化合物は、正孔輸送性を有し、
前記第２の有機化合物のイオン化ポテンシャルは５．８ｅＶ以上であり、かつ、前記第２の有機化合物の双極子モーメントは２．０デバイ以上であり、
前記第１の電極の方が前記第２の電極よりも電位が高くなるように、前記第１の電極と前記第２の電極とに電圧を印加することにより、前記発光層からの発光が得られることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
第１の電極と第２の電極との間に、発光層と第１の層とを有し、
前記第１の層は、前記発光層と前記第１の電極との間に設けられており、
前記第１の層は、第１の有機化合物と第２の有機化合物とを含み、前記第１の有機化合物は、前記第２の有機化合物よりも多く含まれており、
前記第１の有機化合物は、正孔輸送性を有し、
前記第２の有機化合物のイオン化ポテンシャルは、第１の有機化合物のイオン化ポテンシャルよりも、０．５ｅＶ以上大きく、かつ、前記第２の有機化合物は複素環を有する分子構造を有し、
前記第１の電極の方が前記第２の電極よりも電位が高くなるように、前記第１の電極と前記第２の電極とに電圧を印加することにより、前記発光層からの発光が得られることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
第１の電極と第２の電極との間に、発光層と第１の層とを有し、
前記第１の層は、前記発光層と前記第１の電極との間に設けられており、
前記第１の層は、第１の有機化合物と第２の有機化合物とを含み、前記第１の有機化合物は、前記第２の有機化合物よりも多く含まれており、
前記第１の有機化合物は、正孔輸送性を有し、
前記第２の有機化合物のイオン化ポテンシャルは５．８ｅＶ以上であり、かつ、前記第２の有機化合物は複素環を有する分子構造を有し、
前記第１の電極の方が前記第２の電極よりも電位が高くなるように、前記第１の電極と前記第２の電極とに電圧を印加することにより、前記発光層からの発光が得られることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
第１の電極と第２の電極との間に、発光層と第１の層とを有し、
前記第１の層は、前記発光層と前記第１の電極との間に設けられており、前記第１の層は、第１の有機化合物と第２の有機化合物とを含み、前記第１の有機化合物は、前記第２の有機化合物よりも多く含まれており、
前記第１の有機化合物は、正孔輸送性を有し、
前記第２の有機化合物は、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体のいずれかであり、
前記第１の電極の方が前記第２の電極よりも電位が高くなるように、前記第１の電極と前記第２の電極とに電圧を印加することにより、前記発光層からの発光が得られることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
第１の電極と第２の電極との間に、発光層と第１の層とを有し、
前記第１の層は、前記発光層と前記第１の電極との間に設けられており、前記第１の層は、第１の有機化合物と第２の有機化合物とを含み、前記第１の有機化合物は、前記第２の有機化合物よりも多く含まれており、
前記第１の有機化合物は、正孔輸送性を有し、
前記第２の有機化合物は、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン、又は３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール、バソキュプロインのいずれかであり、
前記第１の電極の方が前記第２の電極よりも電位が高くなるように、前記第１の電極と前記第２の電極とに電圧を印加することにより、前記発光層からの発光が得られることを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の層における前記第２の有機化合物の濃度は、１重量％以上２０重量％以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第１の層と前記発光層との間に層が設けられており、かつ、前記第１の層と前記第１の電極との間に層が設けられていることを特徴とする発光素子。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第１の層の膜厚は、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の発光素子と、前記発光素子の発光を制御する制御手段とを有する発光装置。
【請求項１３】
表示部を有し、前記表示部は、請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の発光素子と前記発光素子の発光を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月22日(2010.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた島状の半導体層と、
前記島状の半導体層の一表面上及び側面に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記島状の半導体層上に設けられ、前記島状の半導体層を横断するように設けられたゲート電極と、
を有し、
前記ゲート絶縁層は、前記島状の半導体層の一表面上と比較して、前記島状の半導体層の側面と接する領域の誘電率が小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に設けられた島状の半導体層と、
前記島状の半導体層の一表面上及び側面に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記島状の半導体層上に設けられ、前記島状の半導体層を横断するように設けられたゲート電極と、
を有し、
前記ゲート絶縁層は、前記島状の半導体層の一表面上と比較して、前記島状の半導体層の側面と接する領域の厚さが厚く、且つ、誘電率が小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記ゲート絶縁層は、
前記島状の半導体層の一表面上に接して設けられた第１の絶縁層と、
前記島状の半導体層の側面に接して設けられた第２の絶縁層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記島状の半導体層の端部は、テーパ角が４５°以上９５°未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
基板上に島状の半導体層を形成し、
前記島状の半導体層の一表面上及び側面に接して第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層を前記島状の半導体層の一表面が露出するまで選択的に除去して、前記島状の半導体層の側面と接する第２の絶縁層を形成し、
前記島状の半導体層の一表面上及び前記第２の絶縁層に接して第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層を介して前記島状の半導体層の一表面上に、前記島状の半導体層を横断するようにゲート電極層を形成し、
前記第２の絶縁層は、前記第３の絶縁層と比較して誘電率が小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に島状の第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層の一表面上及び側面に接して第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層を前記第１の半導体層の一表面が露出するまで選択的に除去して、前記第１の半導体層の側面と接する第２の絶縁層を形成するとともに、前記第１の半導体層の上層に非晶質領域を形成し、
前記非晶質領域を除去して島状の第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層及び前記第２の絶縁層に接して第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層を介して前記第２の半導体層の一表面上に、前記第２の半導体層を横断するようにゲート電極層を形成し、
前記第２の絶縁層は、前記第３の絶縁層と比較して誘電率が小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に島状の第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層の一表面上及び側面に接して第１の絶縁層を形成し、
前記第１の半導体層及び前記第１の絶縁層を垂直方向を主体としたエッチングにより薄膜化して、島状の第２の半導体層及び前記第２の半導体層の側面と接する第２の絶縁層を形成し、
前記第２の半導体層及び前記第２の絶縁層に接して第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層を介して前記第２の半導体層の一表面上に、前記第２の半導体層を横断するようにゲート電極層を形成し、
前記第２の絶縁層は、前記第３の絶縁層と比較して誘電率が小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
下地絶縁層上に島状の第１の半導体層を形成し、
プラズマ処理により前記第１の半導体層及び前記下地絶縁層の表面を窒化して第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層を前記第１の半導体層の一表面上に形成された前記第１の絶縁層が露出するまで選択的に除去して、前記第１の絶縁層を介して前記第１の半導体層の側面に位置する第３の絶縁層を形成し、
前記第１の半導体層、前記第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層を垂直方向を主体としたエッチングにより薄膜化して、島状の第２の半導体層、前記第２の半導体層の側面と接する第４の絶縁層、及び前記第４の絶縁層を介して前記第２の半導体層の側面に位置する第５の絶縁層を形成し、
前記第２の半導体層、前記第４の絶縁層及び前記第５の絶縁層に接して第６の絶縁層を形成し、
前記第６の絶縁層を介して前記第２の半導体層の一表面上に、前記第２の半導体層を横断するようにゲート電極層を形成し、
前記第５の絶縁層は、前記第６の絶縁層と比較して誘電率が小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６において、
前記第２の絶縁層は、前記非晶質領域に接しないように形成されており、前記非晶質領域を除去することにより、前記第２の半導体層と前記第２の絶縁層の高さは略一致することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６において、
前記非晶質領域を除去するとともに、前記第２の絶縁層をエッチングすることにより、前記第２の半導体層とエッチングされた前記第２の絶縁層の高さは略一致することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項５において、
前記島状の半導体層は、端部のテーパ角が４５°以上９５°未満となるように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項６乃至請求項１０のいずれか一において、
前記第２の半導体層は、端部のテーパ角が４５°以上９５°未満となるように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項５又は請求項１１において、
前記島状の半導体層に一導電型を付与する不純物元素を添加した後に、熱処理を行うことにより、添加した前記不純物元素を活性化するとともに前記島状の半導体層の再結晶化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項６、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１０又は請求項１２において、
前記第２の半導体層に一導電型を付与する不純物元素を添加した後に、熱処理を行うことにより、添加した前記不純物元素を活性化するとともに前記第２の半導体層の再結晶化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月29日(2010.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と第２の電極との間に、電子輸送層と正孔輸送層とを有し、
前記電子輸送層と前記正孔輸送層との間に、第１の層と第２の層とを有し、
前記第１の層は、第１の有機化合物と、正孔輸送性の有機化合物とを有し、
前記第２の層は、第２の有機化合物と、電子輸送性の有機化合物とを有し、
前記第１の層は、前記第２の層の前記第１の電極側に接して設けられており、前記正孔輸送性の有機化合物と前記電子輸送性の有機化合物の少なくとも一方は高分子化合物であり、
前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物とは同じ化合物であり、
前記第１の電極の方が前記第２の電極よりも電位が高くなるように、前記第１の電極と前記第２の電極とに電圧を印加することにより、前記第１の有機化合物及び前記第２の有機化合物からの発光が得られることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
第１の電極と第２の電極との間に、電子輸送層と正孔輸送層とを有し、
前記電子輸送層と前記正孔輸送層との間に、第１の層と第２の層とを有し、
前記第１の層は、第１の有機化合物と、正孔輸送性の有機化合物とを有し、前記正孔輸送性の有機化合物の最高被占軌道準位（ＨＯＭＯ準位）は−６．０ｅＶ以上−５．０ｅＶ以下であり、最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）は、−３．０ｅＶ以上−２．０ｅＶ以下であり、
前記第２の層は、第２の有機化合物と、電子輸送性の有機化合物とを有し、前記電子輸送性の有機化合物の最高被占軌道準位（ＨＯＭＯ準位）は−６．０ｅＶ以上−５．０ｅＶ以下であり、最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）は、−３．０ｅＶ以上−２．０ｅＶ以下であり、
前記第１の層は、前記第２の層の前記第１の電極側に接して設けられており、前記正孔輸送性の有機化合物と前記電子輸送性の有機化合物との少なくとも一方は高分子化合物であり、
前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物は同じ化合物であり、
前記第１の電極の方が前記第２の電極よりも電位が高くなるように、前記第１の電極と前記第２の電極とに電圧を印加することにより、前記第１の有機化合物及び前記第２の有機化合物からの発光が得られることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
第１の電極と第２の電極との間に、電子輸送層と正孔輸送層とを有し、
前記電子輸送層と前記正孔輸送層との間に、第１の層と第２の層とを有し、
前記第１の層は、第１の有機化合物と、正孔輸送性の有機化合物とを有し、
前記第２の層は、第２の有機化合物と、電子輸送性の有機化合物とを有し、
前記第１の層は、前記第２の層の前記第１の電極側に接して設けられており、前記正孔輸送性の有機化合物の最高被占軌道準位と前記電子輸送性の有機化合物の最高被占軌道準位との差が０．３ｅＶ以下であり、前記正孔輸送性の有機化合物の最低空軌道準位と前記電子輸送性の有機化合物の最低空軌道準位との差が０．３ｅＶ以下であり、前記正孔輸送性の有機化合物と前記電子輸送性の有機化合物との少なくとも一方は高分子化合物であり、
前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物は同じ化合物であり、
前記第１の電極の方が前記第２の電極よりも電位が高くなるように、前記第１の電極と前記第２の電極とに電圧を印加することにより、前記第１の有機化合物及び前記第２の有機化合物からの発光が得られることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
第１の電極と第２の電極との間に、発光層を有し、
前記発光層は、第１の層と第２の層とを有し、
前記第１の層は、第１の有機化合物と、正孔輸送性の有機化合物とを有し、
前記第２の層は、第２の有機化合物と、電子輸送性の有機化合物とを有し、
前記第１の層は、前記第２の層の前記第１の電極側に接して設けられており、前記正孔輸送性の有機化合物と前記電子輸送性の有機化合物との少なくとも一方は高分子化合物であり、
前記第１の電極の方が前記第２の電極よりも電位が高くなるように、前記第１の電極と前記第２の電極とに電圧を印加することにより、前記第１の有機化合物及び前記第２の有機化合物からの発光が得られることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
第１の電極と第２の電極との間に、発光層を有し、
前記発光層は、第１の層と第２の層とを有し、
前記第１の層は、第１の有機化合物と、正孔輸送性の有機化合物とを有し、前記正孔輸送性の有機化合物の最高被占軌道準位（ＨＯＭＯ準位）は−６．０ｅＶ以上−５．０ｅＶ以下であり、最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）は、−３．０ｅＶ以上−２．０ｅＶ以下であり、
前記第２の層は、第２の有機化合物と、電子輸送性の有機化合物とを有し、前記電子輸送性の有機化合物の最高被占軌道準位（ＨＯＭＯ準位）は−６．０ｅＶ以上−５．０ｅＶ以下であり、最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）は、−３．０ｅＶ以上−２．０ｅＶ以下であり、
前記第１の層は、前記第２の層の前記第１の電極側に接して設けられており、前記正孔輸送性の有機化合物と前記電子輸送性の有機化合物の少なくとも一方は高分子化合物であり、
前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物とは同じ化合物であり、
前記第１の電極の方が前記第２の電極よりも電位が高くなるように、前記第１の電極と前記第２の電極とに電圧を印加することにより、前記第１の有機化合物及び前記第２の有機化合物からの発光が得られることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
第１の電極と第２の電極との間に、発光層を有し、
前記発光層は、第１の層と第２の層とを有し、
前記第１の層は、第１の有機化合物と、正孔輸送性の有機化合物とを有し、
前記第２の層は、第２の有機化合物と、電子輸送性の有機化合物とを有し、
前記第１の層は、前記第２の層の前記第１の電極側に接して設けられており、前記正孔輸送性の有機化合物の最高被占軌道準位と前記電子輸送性の有機化合物の最高被占軌道準位との差が０．３ｅＶ以下であり、前記正孔輸送性の有機化合物の最低空軌道準位と前記電子輸送性の有機化合物の最低空軌道準位との差が０．３ｅＶ以下であり、前記正孔輸送性の有機化合物と前記電子輸送性の有機化合物の少なくとも一方は高分子化合物であり、
前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物とは同じ化合物であり、
前記第１の電極の方が前記第２の電極よりも電位が高くなるように、前記第１の電極と前記第２の電極とに電圧を印加することにより、前記第１の有機化合物及び前記第２の有機化合物からの発光が得られることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の層と前記第２の層との界面付近から発光が行なわれることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の発光素子と、前記発光素子の発光を制御する制御手段とを有する発光装置。
【請求項９】
表示部を有し、
前記表示部は、請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の発光素子と、前記発光素子の発光を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月23日(2010.11.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法および半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体膜上に第１のレジストを形成し、
前記第１のレジストを後退させながら、前記半導体膜をエッチングすることにより、島状の半導体膜と第２のレジストを形成し、
前記第２のレジストを用いて前記島状の半導体膜の側端領域にハロゲンを添加し、
前記第２のレジストを除去し、
前記島状の半導体膜の表面及び側端領域を酸化してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層を覆って絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部及び前記絶縁膜上にソース電極及びドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
半導体膜上に第１のレジストを形成し、
前記第１のレジストを用い、前記半導体膜に第１のエッチングを行い、島状の半導体膜を形成し、
前記第１のレジストに、第２のエッチングを行い、第２のレジストを形成し、
前記第２のレジストを用いて前記島状の半導体膜の側端領域にハロゲンを添加し、
前記第２のレジストを除去し、
前記島状の半導体膜の表面及び側端領域を酸化してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層を覆って絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部及び前記絶縁膜上にソース電極及びドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記第２のエッチングは、酸素ガスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記ハロゲンの添加にはＣＨＦ３プラズマ処理を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜は高密度プラズマにより形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
側端領域がテーパ形状を有する島状の半導体膜と、
前記島状の半導体膜の表面及び側端領域に接して設けられた、第１の開口部を有するゲート絶縁膜と、
前記島状の半導体膜上に前記ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極層と、
前記ゲート電極層上に設けられた第２の開口部を有する絶縁膜と、
前記第２の開口部を有する絶縁膜上に接して設けられ、前記第１の開口部及び前記第２の開口部を介して前記島状の半導体膜に接続されるソース電極及びドレイン電極層と、を有し、
前記ゲート絶縁膜の前記島状の半導体膜の側端領域に接する部分はハロゲンを含み、且つ前記島状の半導体膜の表面に接する部分よりも厚いことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記ハロゲンはフッ素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６において、
前記ハロゲンは塩素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一において、
前記島状の半導体膜は結晶質のシリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜は酸化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。