【手続補正書】
【提出日】平成23年7月14日(2011.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）水性アルカリ性現像液に可溶性のベースポリマー、
（Ｂ）酸発生剤
を含有し、上記（Ａ）成分の高分子化合物が、架橋剤の存在下又は不存在下で、上記酸発生剤から発生する酸触媒によりアルカリ不溶性となる化学増幅ネガ型レジスト組成物において、上記ベースポリマーの少なくとも一部として、下記一般式（１）
【化１】
2011180185.tif 000001
［式中、Ｒ1は、下記式
【化２】
2011180185.tif 000002
で表される重合性単量体における重合活性を与える基本骨格由来のいずれかの構造を表し、但し、上記構造中の酸素原子から伸びる結合はＷ1との結合を表す。Ｒ2は、フッ素原子又は含フッ素アルキル基を表し、Ｗ1は、単結合又は２価の有機基を表し、Ｑ+は、下記一般式（ａ）もしくは下記一般式（ｂ）で示されるスルホニウムカチオン、又はビス（４−メチルフェニル）ヨードニウム、ビス（４−エチルフェニル）ヨードニウム、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム、ビス（４−（１，１−ジメチルプロピル）フェニル）ヨードニウム、（４−メトキシフェニル）フェニルヨードニウム、（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、４−（アクリロイルオキシ）フェニルフェニルヨードニウム、４−（メタクリロイルオキシ）フェニルフェニルヨードニウムから選ばれるヨードニウムカチオン（ｃ）を示す。
【化３】
2011180185.tif 000003
（前記一般式（ａ）において、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5はそれぞれ独立に置換もしくは非置換の炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数６〜１８のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはＲ3、Ｒ4及びＲ5のうちのいずれか２つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。）
【化４】
2011180185.tif 000004
（前記一般式（ｂ）において、Ｒ6は置換もしくは非置換の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐上又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数６〜１４のアリール基を示す。ｍは１〜５の整数、ｎは０又は１を示す。Ｒ6の置換基としてカルボニル基、ヒドロキシル基、エステル基、ラクトン環、アミノ基、アミド基、エーテル結合性酸素原子のいずれかを含んでいてもよい。）］
で示される含フッ素カルボン酸オニウム塩の繰り返し単位を有し、重量平均分子量が１，０００〜５０，０００である高分子化合物を含むことを特徴とする化学増幅ネガ型レジスト組成物。
【請求項２】
上記一般式（１）で示される含フッ素カルボン酸オニウム塩の繰り返し単位が、下記一般式（２）
【化５】
2011180185.tif 000005
（式中、Ｒ7は水素原子又はメチル基を示す。Ｒ8は水素原子、又は炭素数１〜６のアルキル基を示す。Ｒ3、Ｒ4及びＲ5はそれぞれ独立に置換もしくは非置換の炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数６〜１８のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を表すか、あるいはＲ3、Ｒ4及びＲ5のうちのいずれか２つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。）
で示される含フッ素カルボン酸オニウム塩の繰り返し単位である請求項１記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
【請求項３】
含フッ素カルボン酸オニウム塩の繰り返し単位を含有する高分子化合物が、更に下記一般式（３）
【化６】
2011180185.tif 000006
（式中、Ｒ7は水素原子又はメチル基を示す。Ａは単結合又は鎖の中間にエーテル結合を含んでもよい炭素数１〜１０のアルキレン基を示す。Ｒ8はそれぞれ独立に、水素原子、又は炭素数１〜６のアルキル基を示す。ａは０〜４の整数、ｂは１〜５の正の整数である。ｓは０又は１を表し、ｔは０〜２の整数を表す。）
で示される単位を含有する請求項１又は２に記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
【請求項４】
含フッ素カルボン酸オニウム塩の繰り返し単位を含有する高分子化合物が、更に下記一般式（４）
【化７】
2011180185.tif 000007
（式中、Ｒ7は水素原子又はメチル基を示す。Ｒ10は、水素原子、ハロゲン原子、ハロゲン置換されていてもよい炭素数１〜８のアルキル基又はアルコキシ基、脂環式基、芳香族基、又は炭素数２〜８のハロゲン置換されていてもよいアルキルカルボニルオキシ基より選ばれる。ｃは１〜５の整数である。）
で示される単位を含有する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
【請求項５】
上記ベースポリマーの一部として、上記一般式（１）で示される繰り返し単位を含有しないポリマーを含有する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
【請求項６】
酸触媒により（Ａ）成分と反応して（Ａ）成分をアルカリ不溶性とする架橋剤を含有する請求項１乃至５のいずれか１項に記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
【請求項７】
塩基性成分として窒素を含有する化合物を含有する請求項１乃至６のいずれか１項に記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
【請求項８】
被加工基板上に上記請求項１乃至７のいずれか１項に記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、高エネルギー線を用いてパターン照射する工程、アルカリ性現像液を用いて現像してレジストパターンを得る工程を含むパターン形成方法。
【請求項９】
上記高エネルギー線が、ＥＵＶあるいは電子線である請求項８に記載のパターン形成方法。
【請求項１０】
上記被加工基板の最表面が、クロムを含む材料からなる請求項８又は９に記載のパターン形成方法。
【請求項１１】
上記被加工基板が、フォトマスクブランクである請求項８乃至１０のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
即ち、本発明は下記の化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法を提供する。
請求項１：
（Ａ）水性アルカリ性現像液に可溶性のベースポリマー、
（Ｂ）酸発生剤
を含有し、上記（Ａ）成分の高分子化合物が、架橋剤の存在下又は不存在下で、上記酸発生剤から発生する酸触媒によりアルカリ不溶性となる化学増幅ネガ型レジスト組成物において、上記ベースポリマーの少なくとも一部として、下記一般式（１）
【化１】
2011180185.tif 000008
［式中、Ｒ1は、下記式
【化２】
2011180185.tif 000009
で表される重合性単量体における重合活性を与える基本骨格由来のいずれかの構造を表し、但し、上記構造中の酸素原子から伸びる結合はＷ1との結合を表す。Ｒ2は、フッ素原子又は含フッ素アルキル基を表し、Ｗ1は、単結合又は２価の有機基を表し、Ｑ+は、下記一般式（ａ）もしくは下記一般式（ｂ）で示されるスルホニウムカチオン、又はビス（４−メチルフェニル）ヨードニウム、ビス（４−エチルフェニル）ヨードニウム、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム、ビス（４−（１，１−ジメチルプロピル）フェニル）ヨードニウム、（４−メトキシフェニル）フェニルヨードニウム、（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、４−（アクリロイルオキシ）フェニルフェニルヨードニウム、４−（メタクリロイルオキシ）フェニルフェニルヨードニウムから選ばれるヨードニウムカチオン（ｃ）を示す。
【化３】
2011180185.tif 000010
（前記一般式（ａ）において、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5はそれぞれ独立に置換もしくは非置換の炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数６〜１８のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはＲ3、Ｒ4及びＲ5のうちのいずれか２つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。）
【化４】
2011180185.tif 000011
（前記一般式（ｂ）において、Ｒ6は置換もしくは非置換の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐上又は環状のアルキル基又はアルケニル基、又は置換もしくは非置換の炭素数６〜１４のアリール基を示す。ｍは１〜５の整数、ｎは０又は１を示す。Ｒ6の置換基としてカルボニル基、ヒドロキシル基、エステル基、ラクトン環、アミノ基、アミド基、エーテル結合性酸素原子のいずれかを含んでいてもよい。）］
で示される含フッ素カルボン酸オニウム塩の繰り返し単位を有し、重量平均分子量が１，０００〜５０，０００である高分子化合物を含むことを特徴とする化学増幅ネガ型レジスト組成物。
請求項２：
上記一般式（１）で示される含フッ素カルボン酸オニウム塩の繰り返し単位が、下記一般式（２）
【化５】
2011180185.tif 000012
（式中、Ｒ7は水素原子又はメチル基を示す。Ｒ8は水素原子、又は炭素数１〜６のアルキル基を示す。Ｒ3、Ｒ4及びＲ5はそれぞれ独立に置換もしくは非置換の炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又は置換もしくは非置換の炭素数６〜１８のアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を表すか、あるいはＲ3、Ｒ4及びＲ5のうちのいずれか２つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。）
で示される含フッ素カルボン酸オニウム塩の繰り返し単位である請求項１記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
請求項３：
含フッ素カルボン酸オニウム塩の繰り返し単位を含有する高分子化合物が、更に下記一般式（３）
【化６】
2011180185.tif 000013
（式中、Ｒ7は水素原子又はメチル基を示す。Ａは単結合又は鎖の中間にエーテル結合を含んでもよい炭素数１〜１０のアルキレン基を示す。Ｒ8はそれぞれ独立に、水素原子、又は炭素数１〜６のアルキル基を示す。ａは０〜４の整数、ｂは１〜５の正の整数である。ｓは０又は１を表し、ｔは０〜２の整数を表す。）
で示される単位を含有する請求項１又は２に記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
請求項４：
含フッ素カルボン酸オニウム塩の繰り返し単位を含有する高分子化合物が、更に下記一般式（４）
【化７】
2011180185.tif 000014
（式中、Ｒ7は水素原子又はメチル基を示す。Ｒ10は、水素原子、ハロゲン原子、ハロゲン置換されていてもよい炭素数１〜８のアルキル基又はアルコキシ基、脂環式基、芳香族基、又は炭素数２〜８のハロゲン置換されていてもよいアルキルカルボニルオキシ基より選ばれる。ｃは１〜５の整数である。）
で示される単位を含有する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
請求項５：
上記ベースポリマーの一部として、上記一般式（１）で示される繰り返し単位を含有しないポリマーを含有する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
請求項６：
酸触媒により（Ａ）成分と反応して（Ａ）成分をアルカリ不溶性とする架橋剤を含有する請求項１乃至５のいずれか１項に記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
請求項７：
塩基性成分として窒素を含有する化合物を含有する請求項１乃至６のいずれか１項に記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
請求項８：
被加工基板上に上記請求項１乃至７のいずれか１項に記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、高エネルギー線を用いてパターン照射する工程、アルカリ性現像液を用いて現像してレジストパターンを得る工程を含むパターン形成方法。
請求項９：
上記高エネルギー線が、ＥＵＶあるいは電子線である請求項８に記載のパターン形成方法。
請求項１０：
上記被加工基板の最表面が、クロムを含む材料からなる請求項８又は９に記載のパターン形成方法。
請求項１１：
上記被加工基板が、フォトマスクブランクである請求項８乃至１０のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物は、上述のような化学増幅ネガ型レジスト膜を形成するための組成物であり、
（Ａ）水性アルカリ性現像液に可溶性であり、酸触媒による反応で水性アルカリ性現像液に不溶性となるベースポリマー、及び／又は、水性アルカリ性現像液に可溶性であり、酸触媒により架橋剤と反応して水性アルカリ性現像液に不溶性になるベースポリマーと架橋剤の組み合わせ、
（Ｂ）酸発生剤
を含有するレジスト組成物において、上記ベースポリマーの少なくとも一部として、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【化９】
2011180185.tif 000015
式中、Ｒ1は、下記式
【化１０】
2011180185.tif 000016
で表される重合性単量体における重合活性を与える基本骨格由来のいずれかの構造を表し、但し、上記構造中の酸素原子から伸びる結合はＷ1との結合を表す。
Ｒ2はフッ素原子又は含フッ素アルキル基である。このような含フッ素アルキル基としては、特に限定されないが、炭素数１〜１２のものであり、炭素数１〜３のものが好ましく、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ｎ−ヘプタフルオロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、ヘキサフルオロイソプロピル基などを挙げることができる。Ｒ2は、フッ素原子又はトリフルオロメチル基が更に好ましい。
Ｗ1は、単結合、又は、重合性単量体における重合活性を与える基本骨格由来の構造とα−位炭素が１つ以上のフッ素原子で置換されているカルボキシレート構造をつなぐ、エーテル性酸素原子に結合するリンカーである２価の有機基を表す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記Ｗ1の２価の有機基は、非置換又は置換メチレン基（−ＣＲxＲy−：但し、ＲxとＲyは同一でも異なっていてもよい有機基又は水素原子である。）、非置換又は置換の２価の脂環式炭化水素基、非置換又は置換の２価の芳香族炭化水素基、非置換又は置換の２価のヘテロ環基などの連結基、又は、これらの連結基とエーテル結合性酸素原子、エーテル結合性硫黄原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、アミド基、スルホンアミド基、ウレタン基、ウレア基などの連結基からなる群から選ばれた１種又は２種以上が相互に結合してなる２価の連結基であって、この２価の連結基内の炭素原子に結合する任意の数の水素原子はフッ素原子で置換していてもよく、連結基内で置換基を含めた構成する２価以上の原子の１組以上が結合を形成することで環を形成してもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
上記一般式（１）中、Ｑ+は、下記一般式（ａ）もしくは下記一般式（ｂ）で示されるスルホニウムカチオン、又は下記ヨードニウムカチオン（ｃ）を示し、カルボキシレートアニオン構造に対するカウンターカチオンである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
上記構造式（ａ）、（ｂ）中のＲ3〜Ｒ6は上述の通り置換基を有していてもよいが、置換基が置換されている場合の好ましい置換基としては、ヒドロキシル基、アミノ基や、エステル構造、ラクトン構造、アミド基、エーテル結合性酸素原子を介したアルキル基やアリール基からなる置換基を用いることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
更には、置換基としてアクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基等の重合可能な置換基を有するアリール基が挙げられ、具体的には４−（アクリロイルオキシ）フェニル基、４−（メタクリロイルオキシ）フェニル基、４−ビニルオキシフェニル基、４−ビニルフェニル基等が挙げられる。より具体的に一般式（ａ）で示されるスルホニウムカチオンを示すと、トリフェニルスルホニウム、（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ジフェニルスルホニウム、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）フェニルスルホニウム、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルホニウム、（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ジフェニルスルホニウム、ビス（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）フェニルスルホニウム、トリス（３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルホニウム、（３，４−ジｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ジフェニルスルホニウム、ビス（３，４−ジｔｅｒｔ−ブチルフェニル）フェニルスルホニウム、トリス（３，４−ジｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルホニウム、（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、（３−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ビス（３−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、トリス（３−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、（３，４−ジｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ビス（３，４−ジｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、トリス（３，４−ジｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ジフェニル（４−チオフェノキシフェニル）スルホニウム、（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）スルホニウム、（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ビス（４−ジメチルアミノフェニル）スルホニウム、トリス（４−ジメチルアミノフェニル）スルホニウム、２−ナフチルジフェニルスルホニウム、ジメチル（２−ナフチル）スルホニウム、（４−ヒドロキシフェニル）ジメチルスルホニウム、（４−メトキシフェニル）ジメチルスルホニウム、トリメチルスルホニウム、（２−オキソシクロヘキシル）シクロヘキシルメチルスルホニウム、トリナフチルスルホニウム、トリベンジルスルホニウム、ジフェニルメチルスルホニウム、ジメチルフェニルスルホニウム、２−オキソ−２−フェニルエチルチアシクロペンタニウム、ジフェニル  ２−チエニルスルホニウム、４−ｎ−ブトキシナフチル−１−チアシクロペンタニウム、２−ｎ−ブトキシナフチル−１−チアシクロペンタニウム、４−メトキシナフチル−１−チアシクロペンタニウム、２−メトキシナフチル−１−チアシクロペンタニウム等が挙げられる。より好ましくはトリフェニルスルホニウム、（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ジフェニルスルホニウム、（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルホニウム、（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、５−フェニルジベ���ゾチオフェニウム、５−（４−ヒドロキシフェニル）ジベンゾチオフェニウム、５−（４−メチルフェニル）ジベンゾチオフェニウム、５−（４−ｔ−ブチルフェニル）ジベンゾチオフェニウム、１０−フェニルフェノキサチイニウム、１０−（４−ヒドロキシフェニル）フェノキサチイニウム、１０−（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェノキサチイニウム、下記構造のスルホニウムカチオン等が挙げられる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
［ヨードニウムカチオン（ｃ）］
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
上記一般式（１）中、Ｒ1は重合性単量体における重合活性を与える基本骨格由来のいずれかの構造、即ちビニルエーテル構造、アリルエーテル構造、アクリル酸エステル構造、メタクリル酸エステル構造、ノルボルネンエーテル構造、スチレンエーテル構造より選ばれる１つである。上記Ｒ1で表される構造を与える重合活性基本構造を持つ単量体を用いる重合反応は、いずれも化学増幅型レジスト組成物に適用された高分子化合物の合成に関する多数の公知例が知られているが、特にアクリル酸エステル構造や、メタクリル酸エステル構造を有するものは、容易に好ましいポリマーを得ることができることから、好ましい構造である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
【化２６】
2011180185.tif 000017
（式中、Ｒ7は水素原子又はメチル基を示す。Ｒ10は、水素原子、ハロゲン原子、ハロゲン置換されていてもよい炭素数１〜８のアルキル基又はアルコキシ基、脂環式基、芳香族基、又は炭素数２〜８のハロゲン置換されていてもよいアルキルカルボニルオキシ基より選ばれる。ｃは１〜５の整数である。）
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
上記Ｒ10において、これらがハロゲン原子を示す場合、フッ素原子、塩素原子、臭素原子が挙げられる。また、アルコキシ基としては、メトキシ基、イソプロポキシ基等が挙げられる。置換可アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基等の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、及びこれらのアルキル基の水素原子の１個又は複数個をハロゲン原子等で置換した置換アルキル基が挙げられる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
上記一般式（５）や（６）で示される繰り返し単位を用いる場合にも、１種のみでも、複数種類を組み合わせて使用することもできる。エッチング耐性を向上させるという効果を得るためには、高分子化合物全体の繰り返し単位に対して５モル％以上の導入が好ましい。また、上記一般式（５）や一般式（６）で示される繰り返し単位中の官能基が、水酸基である場合の導入量は、上述の繰り返し単位（３）の好ましい範囲に合算して設計すればよいが、官能基を持たない場合や、官能基が水酸基でない場合には、３０モル％以下であることが好ましい。官能基を持たない場合や、官能基が水酸基でない場合の導入量が３０モル％を超えると、現像欠陥の原因となることがある。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
上記一般式（１）で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物と含有しない高分子化合物をブレンドしてベースポリマーとする場合、上記一般式（１）で示される繰り返し単位を含有しない高分子化合物は、公知の化学増幅ネガ型レジスト組成物に用いられる、アルカリ可溶性であり、かつ酸発生剤及び架橋剤存在下で高エネルギー線の照射によりアルカリ不溶性となるものであれば如何なる高分子化合物を用いても構わないが、上記一般式（１）で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物と混合した際に相分離を起こさないものである必要があり、繰り返し単位の基本構造が類似であるが上記一般式（１）で示される繰り返し単位を含有しない高分子化合物を選択することが好ましい。例えば上述のように、上記一般式（１）で示される繰り返し単位を含有する高分子化合物として、上記一般式（２）〜（６）から選ばれる繰り返し単位を組み合わせたものを用いた場合、上記一般式（１）で示される繰り返し単位を含有しない高分子化合物の構成単位としては、上記一般式（３）〜（６）から選ばれることが好ましく、殆どの繰り返し単位が芳香族構造を持たない（メタ）アクリル酸系モノマー由来であるものと殆どの繰り返し単位がスチレン系モノマー由来であるもののような組み合わせでは、相分離により現像後に大きなラフネスを示す可能性がある。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
一般式（７）で示されるカルボキシル基を有し、かつ塩基性中心である窒素に共有結合する水素原子を含有しないアミン化合物を以下に具体的に例示するが、これらに限定されない。
即ち、ｏ−ジメチルアミノ安息香酸、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸、ｍ−ジメチルアミノ安息香酸、ｐ−ジエチルアミノ安息香酸、ｐ−ジプロピルアミノ安息香酸、ｐ−ジブチルアミノ安息香酸、ｐ−ジペンチルアミノ安息香酸、ｐ−ジヘキシルアミノ安息香酸、ｐ−ジエタノールアミノ安息香酸、ｐ−ジイソプロパノールアミノ安息香酸、ｐ−ジメタノールアミノ安息香酸、２−メチル−４−ジエチルアミノ安息香酸、２−メトキシ−４−ジエチルアミノ安息香酸、３−ジメチルアミノ−２−ナフタレン酸、３−ジエチルアミノ−２−ナフタレン酸、２−ジメチルアミノ−５−ブロモ安息香酸、２−ジメチルアミノ−５−クロロ安息香酸、２−ジメチルアミノ−５−ヨード安息香酸、２−ジメチルアミノ−５−ヒドロキシ安息香酸、４−ジメチルアミノフェニル酢酸、４−ジメチルアミノフェニルプロピオン酸、４−ジメチルアミノフェニル酪酸、４−ジメチルアミノフェニルリンゴ酸、４−ジメチルアミノフェニルピルビン酸、４−ジメチルアミノフェニル乳酸、２−（４−ジメチルアミノフェニル）安息香酸、２−（４−（ジブチルアミノ）−２−ヒドロキシベンゾイル）安息香酸等が挙げられる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
電子ビーム描画評価
上記調製したネガ型レジスト組成物（実施例１〜２７、比較例１，２）をＡＣＴ−Ｍ（東京エレクトロン（株）製）を用いて１５２ｍｍ角の最表面が酸化窒化クロム膜であるマスクブランク上にスピンコーティングし、ホットプレート上で１１０℃で６００秒間プリベークして８０ｎｍのレジスト膜を作製した。得られたレジスト膜の膜厚測定は、光学式測定器ナノスペック（ナノメトリックス社製）を用いて行った。測定はブランク外周から１０ｍｍ内側までの外縁部分を除くブランク基板の面内８１箇所で行い、膜厚平均値と膜厚範囲を算出した。