【手続補正書】
【提出日】平成21年8月5日(2009.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリイミド成分と、立体障害型疎水性エポキシと、有機溶媒とを含むことを特徴とする組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２１】
（用語集）
以下の用語集には、使用された各成分の名称および略称の一覧が含まれる。
アルミナ（Ｒ０１２７）：非導電性充填材；表面積  ７．４〜１０．５ｍ2／ｇ
チタン酸バリウム（Ｚ９５００）：コンデンサ材料、フェロ（Ｆｅｒｒｏ）製；表面積  ３．６ｍ2／ｇ、平均粒度  １．２ミクロン
ルテニウム酸ビスマス（Ｐ２２８０）：レジスタ材料、デュポン  マイクロサーキット  マテリアルズ（ＤｕＰｏｎｔ  Ｍｉｃｒｏｃｉｒｃｕｉｔ  ｍａｔｅｒｉａｌｓ）製；表面積  ９〜１０ｍ2／ｇ
ボルチ（Ｂｏｒｃｈｉ）ＫＡＴ２２：ブロックドイソシアネート触媒、バイエル  ケミカルズ（Ｂａｙｅｒ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ）製
デスモキュア（Ｄｅｓｍｏｄｕｒ）（登録商標）ＢＬ４２６５Ａ溶液：ブロックドイソシアネート、バイエル  ポリマーズ  ＬＬＣ（Ｂａｙｅｒ  Ｐｏｌｙｍｅｒｓ  ＬＬＣ）製、ＡＲ１００中６５％固体
ジメチルベンジルアミン：エポキシ反応用触媒、アルドリッチ（Ａｌｄｒｉｃｈ）製
エポン（Ｅｐｏｎ）（登録商標）８２８：ビスフェノールＡ／エピクロロヒドリンベースのエポキシ樹脂、ビスフェノール−Ａジグリシジルエーテルとも呼ばれる、シェル（Ｓｈｅｌｌ）製
２−エチル−４−メチルイミダゾール：エポキシ反応用触媒、アルドリッチ（Ａｌｄｒｉｃｈ）製
ヒュームドシリカ（Ｒ９７２）：粘度調節剤、デグッサ（Ｄｅｇｕｓｓａ）製；表面積  ９０〜１３０ｍ2／ｇ
グラファイト（Ｒ０５６５）：レジスタ材料、デュポン  マイクロサーキット  マテリアルズ（ＤｕＰｏｎｔ  Ｍｉｃｒｏｃｉｒｃｕｉｔ  ｍａｔｅｒｉａｌｓ）製
ヘキサフルオロビスフェノール−Ａグリシジルエーテル：エポキシ、アルドリッチ（Ａｌｄｒｉｃｈ）製
２−メルカプトベンゾイミダゾール（２−ＭＢ）：接着促進剤、アルドリッチ（Ａｌｄｒｉｃｈ）製
ＮＣ−３０００Ｓエポキシド化フェノール樹脂：ビフェニル含有エポキシ樹脂、低水分吸収エポキシと考えられる、日本化薬株式会社製
フェノキシ樹脂ＰＫＨＨ溶液：ポリヒドロキシフェニルエーテル、インケム  コーポレイション（ＩｎＣｈｅｍ  Ｃｏｒｐ．）製、２３．８９％固体で７０／３０ダウアノール（Ｄｏｗａｎｏｌ）（登録商標）ＤＰＭ／ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート中に溶解されたもの
ポリ（ビスフェノールＡ−ｃｏ−エピクロロヒドリン）グリシジルエンドキャップド：高分子量エポキシ、アルドリッチ（Ａｌｄｒｉｃｈ）製
プロピレングリコール二酢酸エステル（ＰＧＤＡ）：ポリイミド溶媒、アルドリッチ（Ａｌｄｒｉｃｈ）製
ＲＳＳ−１４０７：テトラメチルビフェニルをベースとするエポキシ樹脂、レゾルーション  パフォーマンス  プロダクツ（Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ）製
二酸化ルテニウム（Ｐ２４５６）：レジスタ材料、デュポン  マイクロサーキット  マテリアルズ（ＤｕＰｏｎｔ  Ｍｉｃｒｏｃｉｒｃｕｉｔ  ｍａｔｅｒｉａｌｓ）製；表面積  １２ｍ2／ｇ
銀（P３０２３）：レジスタ材料、デュポン  マイクロサーキット  マテリアルズ（ＤｕＰｏｎｔ  Ｍｉｃｒｏｃｉｒｃｕｉｔ  ｍａｔｅｒｉａｌｓ）製；表面積  ２．２〜２．８ｍ2／ｇ
ＳＵ−８：エポキシ樹脂、レゾルーション  パフォーマンス  プロダクツ（Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ）製
テトラメチルビスフェノールＡ：フェノール性架橋剤、アルドリッチ（Ａｌｄｒｉｃｈ）製
テトラメチルビスフェノールＡジグリシジルエーテル：エポキシ樹脂、アルドリッチ（Ａｌｄｒｉｃｈ）製
トリヒドロキシフェニルエタン，グリシジルエーテル：１，１，１−トリス（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタングリシジルエーテル、デュポン  エレクトロニック  テクノロジーズ（ＤｕＰｏｎｔ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）
以下に本明細書に記載の発明につき列記する。
１．
ポリイミド成分と、立体障害型疎水性エポキシと、有機溶媒とを含むことを特徴とする組成物。
２．
前記ポリイミド成分が、次式
【化１】
2009511717.tif 000001
（式中、Ｘは、ＳＯ2またはＣ（ＣＦ3）2、Ｃ（ＣＦ3）フェニル、Ｃ（ＣＦ3）ＣＦ2ＣＦ3またはＣ（ＣＦ2ＣＦ3）フェニルおよびそれらの組み合わせに等しくでき、そして
Ｙは、２，２’−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（６Ｆ−ＡＰ）、３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェニル（ＨＡＢ）、２，４−ジアミノフェノール、２，３−ジアミノフェノール、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシ−ビフェニルおよび２，２’−ビス（３−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンよりなる群から選択されるジアミンを、以下の数字、２、５、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５および５０のうちの任意の２つ数値の間であって、それらを含むモルパーセントで含むジアミン成分から誘導される）
によって表される繰り返し単位を有するポリイミドによって表されることを特徴とする前記１．に記載の組成物。
３．
前記立体障害型エポキシが、次式
【化２】
2009511717.tif 000002
（式中、Ｚは、アルキル、アルコキシ、フェニル、フェノキシ、ハロゲン、またはそれらの組み合わせであり、
Ｙは、共有結合、酸素、硫黄、メチレン、フルオレニリデン、エチリデン、スルホニル、シクロヘキシリデン、１−フェニルエチリデン、またはＣ（ＣＨ3）2、Ｃ（ＣＦ3）2のいずれかであり、そして
ｍは、以下の数字、０、１、２、３、４および５のうちの任意の２つの数値の間であって、それらを含む整数である）
によって表されることを特徴とする前記１．に記載の組成物。
４．
導電性材料をさらに含むことを特徴とする前記１．に記載の組成物。
５．
前記立体障害型エポキシが、テトラメチルビフェノールエポキシ（ＴＭＢＰ）、テトラメチルビスフェノールＡエポキシ（ＴＭＢＰＡ）およびテトラブロモビスフェノール−Ａエポキシを含む群から選択されることを特徴とする前記１．に記載の組成物。
６．
前記ジアミン成分が、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（３，４’−ＯＤＡ）、４，４’−ジアミノ−２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル（ＴＦＭＢ）、３，３’，５，５’−テトラメチルベンジジン、２，３，５，６−テトラメチル−１，４−フェニレンジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’ジメチルベンジジン、３，３’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、２，２’−ビス（ｐ−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（トリフルオロメトキシ）ベンジジン（ＴＦＭＯＢ）、２，２’−ビス（ペンタフルオロエトキシ）ベンジジン（ＴＦＥＯＢ）、２，２’−トリフルオロメチル−４，４’−オキシジアニリン（ＯＢＡＢＴＦ）、２−フェニル−２−トリフルオロメチル−ビス（ｐ−アミノフェニル）メタン、２−フェニル−２−トリフルオロメチル−ビス（ｍ−アミノフェニル）メタン、２，２’−ビス（２−ヘプタフルオロイソプロポキシ−テトラフルオロエトキシ）ベンジジン（ＤＦＰＯＢ）、２，２−ビス（ｍ−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン（６−ＦｍＤＡ）、２，２−ビス（３−アミノ−４−メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン、３，６−ビス（トリフルオロメチル）−１，４−ジアミノベンゼン（２ＴＦＭＰＤＡ）、１−（３，５−ジアミノフェニル）−２，２−ビス（トリフルオロメチル）−３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロペンタン、３，５−ジアミノベンゾトリフルオリド（３，５−ＤＡＢＴＦ）、３，５−ジアミノ−５−（ペンタフルオロエチル）ベンゼン、３，５−ジアミノ−５−（ヘプタフルオロプロピル）ベンゼン、２，２’−ジメチルベンジジン（ＤＭＢＺ）、２，２’，６，６’−テトラメチルベンジジン（ＴＭＢＺ）、３，６−ジアミノ−９，９−ビス（トリフルオロメチル）キサンテン（６ＦＣＤＡＭ）、３，６−ジアミノ−９−トリフルオロメチル−９−フェニルキサンテン（３ＦＣＤＡＭ）、３，６−ジアミノ−９，９−ジフェニルキサンテンおよびそれらの組み合わせよりなる群から選択される５０〜９８モルパーセントのジアミンをさらに含むことを特徴とする前記２．に記載の組成物。
７．
前記ポリイミド成分が二無水物成分およびジアミン成分から誘導され、前記ジアミンが、２〜５０モルパーセントのフェノール含有ジアミンを含み、前記二無水物成分が、３，３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ）、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物（６−ＦＤＡ）、１−フェニル−１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−２，２，２−トリフルオロエタン二無水物、１，１，１，３，３，４，４，４−オクチルフルオロ−２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ブタン二無水物、１−フェニル−２，２，３，３，３−ペンタフルオロ−１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、４，４’−オキシジフタル酸無水物（ＯＤＰＡ）、２，２’−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２’−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−２−フェニルエタン二無水物、２，３，６，７−テトラカルボキシ−９−トリフルオロメチル−９−フェニルキサンテン二無水物（３ＦＣＤＡ）、２，３，６，７−テトラカルボキシ−９，９−ビス（トリフルオロメチル）キサンテン二無水物（６ＦＣＤＡ）、２，３，６，７−テトラカルボキシ−９−メチル−９−トリフルオロメチルキサンテン二無水物（ＭＴＸＤＡ）、２，３，６，７−テトラカルボキシ−９−フェニル−９−メチルキサンテン二無水物（ＭＰＸＤＡ）、２，３，６，７−テトラカルボキシ−９，９−ジメチルキサンテン二無水物（ＮＭＸＤＡ）およびそれらの組み合わせよりなる群から選択される二無水物であることを特徴とする前記１．に記載の組成物。
８．
前記導電性材料が金属酸化物であることを特徴とする前記４．に記載の組成物。
９．
前記導電性材料が、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｇｄ、Ｍｏ、Ｎｂ、ＣｒおよびＴｉよりなる群から選択される金属の酸化物であることを特徴とする前記４．に記載の組成物。
１０．
前記導電性材料が、金属炭化物、金属窒化物および金属ホウ化物よりなる群から選択される材料であることを特徴とする前記４．に記載の組成物。
１１．
前記導電性材料が、窒化チタンおよび炭化チタン、ホウ化ジルコニウムおよび炭化ジルコニウム、ならびにホウ化タングステンよりなる群から選択される材料であることを特徴とする前記４．に記載の組成物。
１２．
前記導電性材料が、チタン酸バリウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ニオブ酸鉛マグネシウム、窒化バリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化ベリリウム、銀、銅およびダイヤモンドよりなる群から選択される材料であることを特徴とする前記４．に記載の組成物。
１３．
タルク、ヒュームドシリカ、シリカ、ヒュームド酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、ベントナイト、炭酸カルシウム、酸化鉄、二酸化チタン、マイカおよびガラスよりなる群から選択される非導電性充填材をさらに含むことを特徴とする前記４．に記載の組成物。
１４．
前記導電性材料が、炭素、グラファイト、カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、カーボンファイバおよびカーボンナノファイバよりなる群から選択される材料であることを特徴とする前記４．に記載の組成物。
１５．
前記導電性材料が、前記組成物の総重量の１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５および８０重量％からの範囲の量で存在することを特徴とする前記４．に記載の組成物。
１６．
前記有機溶媒が、ポリイミド成分を懸濁または溶解可能な液体であって、以下の数値、２．１、２．２、２．３、２．４、２．５、２．６、２．７、２．８、２．９および３．０の任意の２つの数値の間であって、それらを含むハンソン極性溶解度パラメーターを有し、かつ以下の数値、２１０、２２０、２３０、２４０、２５０および２６０℃の任意の２つの数値の間であって、それらを含む標準沸点を有することを特徴とする前記１．に記載の組成物。
１７．
前記有機溶媒が、１種または複数種の二塩基性酸エステルから選択されることを特徴とする前記１．に記載の組成物。
１８．
前記有機溶媒が、コハク酸ジメチル、グルタル酸ジメチル、アジピン酸ジメチルおよびそれらの混合物よりなる群から選択される溶媒であることを特徴とする前記１．に記載の組成物。
１９．
前記有機溶媒が、プロピレングリコール二酢酸エステル（ＰＧＤＡ）、ダウアノール（登録商標）ＰＰｈ、ブチルカルビトール酢酸エステル、カルビトール酢酸エステルおよびそれらの混合物よりなる群から選択される溶媒であることを特徴とする前記１．に記載の組成物。
２０．
前記ポリイミド成分および前記立体障害型エポキシ成分が、Ａ：Ｂの重量比で存在し、Ａは前記ポリイミド成分であり、そしてＢは前記エポキシ成分であって、Ａは、以下の数値、１、２、３、４、５、１０、１２および１５の任意の２つの数値の間であって、それらを含み、そしてＢは１．０であることを特徴とする前記４．に記載の組成物。
２１．
前記有機溶媒を除去すると、前記組成物が電子回路パッケージの部品として有用であり、ポリイミド成分部分および前記立体障害型エポキシ成分の両方が２５０℃より高いガラス転移温度を有し、そして両方が２％以下の水分吸収率を有することを特徴とする前記４．に記載の組成物。
２２．
前記ポリイミド成分および前記立体障害型エポキシ成分の両方が２８０℃より高いガラス転移温度を有し、そして両方が１％以下の水分吸収率を有することを特徴とする前記２２．に記載の組成物。
２３．
ブロックドイソシアネート；ポリヒドロキシスチレン；フェノールと芳香族炭化水素のエポキシド化コポリマー；エピクロロヒドリンとビスフェノールの反応生成物；フェノールホルムアルデヒド；ならびに１，１，１−トリス（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタントリグリシジルエーテルよりなる群から選択される架橋剤をさらに含むことを特徴とする前記４．に記載の組成物。
２４．
次式
【化３】
2009511717.tif 000003
（式中、Ｚは、アルキル、アルコキシ、フェニル、フェノキシ、ハロゲンまたはそれらの組み合わせであり、
Ｙは、共有結合、酸素、硫黄、メチレン、フルオレニリデン、エチリデン、スルホニル、シクロヘキシリデン、１−フェニルエチリデン、Ｃ（ＣＨ3）2またはＣ（ＣＦ3）2であり、そして
ｍは、以下の数値、０、１、２、３、４および５の任意の２つの数値の間であって、それらを含む整数である）
によって表される立体障害型フェノールをさらに含むことを特徴とする前記４．に記載の組成物。
２５．
３，３’，５，５’−テトラメチルビフェノール−４，４’−ジオール、４，４’−イソプロピリデンビス（２，６−ジメチルフェノール）および４，４’−イソプロピリデンビス（２，６−ジブロモフェノール）よりなる群から選択される立体障害型フェノールをさらに含むことを特徴とする前記４．に記載の組成物。
２６．
ポリヒドロキシフェニルエーテル、ポリベンゾイミダゾール、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ＰＫＨＨ−ポリヒドロキシフェニルエーテル、２−アミノ−５−メルカプトチオフェン、５−アミノ−１，３，４−チオジアゾール−２−チオール、ベンゾトリアゾール、５−クロロ−ベンゾトリアゾール、１−クロロ−ベンゾトリアゾール、１−カルボキシ−ベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシ−ベンゾトリアゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、１Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−チオールおよびメルカプトベンゾイミダゾールよりなる群から選択される接着促進剤をさらに含むことを特徴とする前記４．に記載の組成物。
２７．
第三級芳香族アミン触媒または第三級芳香族アミン触媒の塩をさらに含むことを特徴とする前記４．に記載の組成物。
２８．
ジメチルベンジルアミンおよびジメチルベンジルアンモニウムアセテートよりなる群から選択される触媒をさらに含むことを特徴とする前記４．に記載の組成物。
２９．
前記有機溶媒を除去すると、残った組成物が、集積回路、チップ・スケール実装およびウエハ・レベル実装において、半導体応力緩衝材、相互接続誘電体、保護オーバーコート、ボンドパッド・リディストリビュータまたはハンダバンプ・アンダーフィルとして使用されることを特徴とする前記４．に記載の組成物。
３０．
前記有機溶媒を除去すると、残った組成物が、ポリマー厚膜（ＰＴＦ）レジスタ、ポリマー厚膜（ＰＴＦ）電気伝導体、ディスクリート・コンデンサ、平面型コンデンサにおいてバインダーとして、電子デバイスにおいてコーティングとして、フィルムとして、電子デバイスにおいて基材として、封入剤として、接着剤として、そして導電性または熱伝導性材料として使用されることを特徴とする前記４．に記載の組成物。
３１．
前記有機溶媒を除去すると、残った組成物が、プリント回路基板（ＰＣＢ）で使用されるか、または多層回路基板に組み込まれることを特徴とする前記４．に記載の組成物。
３２．
金属メッキ処理されていない銅上にスクリーン印刷されることを特徴とする前記４．に記載の組成物。