【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年6月15日(2009.6.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相エピタキシにより窒化ガリウム（ＧａＮ）を蒸着することによって、基板から開始してＧａＮの膜を作成するプロセスであって、
前記ＧａＮ蒸着は少なくとも１つの気相エピタキシャル横方向過度成長（ＥＬＯ）ステップを含み、これらのＥＬＯステップの少なくとも１つに先行して：
事前に蒸着された誘電体マスクに
または直接基板に
孔のエッチングを行い、
湾曲した転位はこのようにして得たＧａＮ層の表面に出現しないので、前記ＥＬＯステップの１つの間に転位環境内に非対称を導入することにより可能な限り大きな数の転位湾曲を発生させ、
前記非対称は、
成長軸に直角な電場を印加することによって、またはおよそ１７０から４００ｎｍの紫外線を発生させるランプを用いて照明することによって、成長パラメータを変化させて単一の族の切子面｛１１−２２｝の優先成長を引き起こすことにより誘導される、
ことを特徴とする、プロセス。
【請求項２】
少なくとも２つの孔を備える周期ネットワークの基本パターンを形成して、隣接し、不均等で、且つ非対称の孔を前記誘電体マスクにまたは直接前記基板に作成することによって非対称を導入することを特徴とする、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記孔は線、六角形、三角形またはこれらの孔の組み合わせであることを特徴とする、請求項２に記載のプロセス。
【請求項４】
前記周期ネットワークは［１０―１０］方向に沿って延びることを特徴とする、請求項２または３に記載のプロセス。
【請求項５】
エピタキシャル横方向過度成長（ＥＬＯ）ステップは、塩化物および水素化物からの気相エピタキシ（ＨＶＰＥ）により、気相エピタキシにおける有機金属熱分解（ＯＭＶＰＥ）により、またはＣＳＶＴ（近接昇華）によって行われることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載のプロセス。
【請求項６】
前記エピタキシャル横方向過度成長（ＥＬＯ）ステップは、基板のＣ（０００１）、Ｍ（１−１００）、Ａ（１１−２０）、Ｒ（１−１０２）、Ｓ（１０−１１）およびＮ（１１−２３）平面の１つに沿って行われることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれかに記載のプロセス。
【請求項７】
前記基板は、サファイア、ＺｎＯ、６Ｈ−ＳｉＣ、４Ｈ−ＳｉＣ、３Ｃ−ＳｉＣ、ＧａＮ、ＡＩＮ、ＬｉＡｉＯ２、ＬｉＧａＯ２、ＭｇＡｌＯ４、Ｓｉ、ＨｆＢ２またはＧａＡｓから選択されることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれかに記載のプロセス。
【請求項８】
前記基板はサファイア基板であることを特徴とする、請求項７に記載のプロセス。
【請求項９】
マグネシウム、亜鉛、ベリリウム、カルシウム、炭素、シリコン、酸素、錫およびゲルマニウムから選択することができるドーピング物質を用いて少なくとも１つの気相エピタキシャル横方向過度成長中に窒化ガリウムをドーピングすることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１０】
Ｉｎ、Ｓｃ、Ｓｂ、Ｂｉ等の等電子不純物を窒化ガリウムに導入することを特徴とする、請求項１乃至９のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１１】
前記孔は誘電体マスクにエッチングされることを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１２】
前記誘電体マスクの蒸着の前に、塩化物および水素化物からの気相エピタキシ（ＨＶＰＥ）により、気相エピタキシにおける有機金属熱分解（ＯＭＶＰＥ）により、またはＣＳＶＴ（近接昇華）によってＧａＮ基層が作成されることを特徴とする、請求項１１に記載のプロセス。
【請求項１３】
前記ＧａＮ基層の形成は、
１つの原子平面にほぼ等しい厚さを有する窒化シリコンを蒸着するステップと、
ＧａＮバッファ層を蒸着するステップと、
９５０から１１２０°Ｃの間で高温アニールを行い、それにより前記バッファ層が連続層からアイランドの形態のＧａＮパターンで形成された不連続層に変化するステップと、
ＧａＮをエピタキシにより蒸着するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１２に記載のプロセス。
【請求項１４】
前記プロセスは２つの別個の気相エピタキシャル横方向過度成長（ＥＬＯ）ステップを含み、前記第１のステップ中のＧａＮ蒸着は前記孔内に位置するＧａＮ領域で行われ、前記第２のステップ中のＧａＮ蒸着は前記ＧａＮパターンの合体まで横方向過度成長を導くことを特徴とする、請求項１１乃至１３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１５】
前記第１のステップ中のＧａＮ蒸着は、＜０００１＞方向に沿った成長速度が横方向成長速度よりも速い成長条件の下で行われ、前記第２のステップ中のＧａＮ蒸着は、パターンの完全な合体を獲得するように横方向成長速度が＜０００１＞方向に沿った成長速度よりも速い変更された実験条件の下で行われることを特徴とする、請求項１４に記載のプロセス。
【請求項１６】
＜０００１＞方向に沿った成長速度よりも速い横方向成長速度を獲得するための成長条件の変更は、マグネシウム、アンチモンまたはビスマスを添加することからなることを特徴とする、請求項１５に記載のプロセス。
【請求項１７】
前記孔は基板に直接エッチングされることを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１８】
このプロセスは、請求項１３乃至１６に記載の動作条件に従って実施されることを特徴とする、請求項１７に記載のプロセス。
【請求項１９】
請求項１乃至１８のいずれかに記載のプロセスを用いて得られることを特徴とする、窒化ガリウム膜。
【請求項２０】
前記窒化ガリウム膜は１から２０μｍの厚さを有することを特徴とする、請求項１９に記載の窒化ガリウム膜。
【請求項２１】
請求項１９または２０に記載のＧａＮ膜から作成されることを特徴とする、光電子部品。
【請求項２２】
請求項１９または２０に記載のＧａＮ膜から作成されることを特徴とする、レーザーダイオード、光検出器またはトランジスタ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
異なるエピタキシャル横方向過度成長技術が以下によってＥＬＯの実施のために開発されている：１）ＨＶＰＥ（水素化物気相エピタキシ）、２）ＯＭＶＰＥ（有機金属気相エピタキシ）、３）疑似昇華、より正確には近接昇華を意味するＣＳＶＴ、および４）マスク、例えばエッチングされた基板を使用しない種々の変形。すべてのものを利用して、標準的な技術を用いた場合の１０８から１０１０と比較して、１０７ｃｍ−２よりも低い転位密度でＧａＮ層を獲得することができる。しかし、後述のように、また使用される技術に特有であるように、エピタキシステップを有する技術においては、孔および合体ジョイントの上で転位密度が高い領域が残り、合体ジョイントで、および孔の真ん中で２段階技術においては孔内にエピタキシによりＧａＮを蒸着し、その後（特にフォトリソグラフィによって）誘電体層をマスキングおよびエッチングして前記孔を形成する第１のステップが行われ、次に第２のエピタキシャル横方向過度成長（ＥＬＯ）ステップにおいて、最初に蒸着されたＧａＮパターンの横方向成長が、それらが合体するまで続く。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
エピタキシャル横方向過度成長ステップは、塩化物および水素化物からの気相エピタキシ（ＨＶＰＥ）により、気相エピタキシにおける有機金属熱分解（ＯＭＶＰＥ）により、またはＣＳＶＴ（近接昇華）によって行われることが有利である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
ＧａＮの第１の蒸着は、何らかの気相蒸着方法、即ちＨＶＰＥ（水素化物気相エピタキシ）、有機金属気相エピタキシにおける熱分解（ＯＭＶＰＥ）、または近接昇華（ＣＳＶＴ）によって行われてもよい。ＯＭＶＰＥを使用することが好ましい。ガスベクトルはＮ２とＨ２との混合であることが好ましい。この第１の層に対して、ＭＢＥ、陰極スパッタリングまたはレーザアブレーション等の他の気相エピタキシ技術を用いることもできる。