Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月9日(2011.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち、以下の発明により上記課題を解決できる。
［１］  第１の本発明に係るタッチパネル用導電膜は、銀を含有する導電層を有するタッチパネル用導電膜であって、前記導電層は銀塩乳剤層を露光現像して形成されたものであり、前記銀塩乳剤層の塗布銀量が１．１〜２．５ｇ／ｍ２であり、前記導電層がピッチ６００μｍ以上のメッシュパターンに形成され、表面抵抗が１０００〜２５００オーム／ｓｑ．であることを特徴とする。
［２］  第１の本発明において、前記銀塩乳剤層の塗布銀量が１．３〜１．９ｇ／ｍ２であることを特徴とする。
［３］  第１の本発明において、前記銀塩乳剤層の銀／バインダーの体積比率が１／４以上であることを特徴とする。
［４］  第１の本発明において、前記メッシュパターンのピッチが１４００μｍ以下であることを特徴とする。
［５］  第１の本発明において、前記導電層の線幅が５〜１０μｍであることを特徴とする。
［６］  第１の本発明において、前記メッシュパターンの開口部が導電性を有することを特徴とする。
［７］  第１の本発明において、前記メッシュパターンの開口部の表面抵抗が１．０×１０７オーム／ｓｑ．以上であることを特徴とする。
［８］  第１の本発明において、前記メッシュパターンの開口部が導電性ポリマー又は導電性微粒子を含有することを特徴とする。
［９］  第１の本発明において、前記メッシュパターンの開口部が前記導電性微粒子を含有し、前記メッシュパターンの開口部への前記導電性微粒子の塗布量が、０．２〜０．４ｇ／ｍ２であることを特徴とする。
［１０］  第１の本発明において、さらに透明導電層を備え、前記透明導電層は、導電性微粒子及びバインダーを含有し、前記導電性微粒子及びバインダーの質量比（導電性微粒子／バインダー）が１／３〜２／１であることを特徴とする。
［１１］  第１の本発明において、前記透明導電層が前記導電層に隣接していることを特徴とする。
［１２］  第１の本発明において、前記透明導電層は前記導電層の上層側に位置し、前記透明導電層への前記導電性微粒子の塗布量が、０．１〜０．５ｇ／ｍ２であることを特徴とする。「前記導電層の上層側」とは、支持体上に導電層が形成されている場合を想定したとき、支持体から導電層を隔てて、該導電層に隣接する位置、あるいは、導電層より離れた表面層に近い側の位置（あるいは表面層の位置）をいう。
［１３］  第１の本発明において、前記透明導電層は前記導電層の下層側に位置し、前記透明導電層への前記導電性微粒子の塗布量が、０．１〜０．５ｇ／ｍ２であることを特徴とする。「前記導電層の下層側」とは、支持体上に導電層が形成されている場合を想定したとき、導電層から支持体により近い位置をいう。
［１４］  第１の本発明において、前記導電性微粒子が球状のときは、平均粒子径が０．０８５〜０．１２μｍであり、前記導電性微粒子が針状のときは、平均軸長が長軸０．２〜２０μｍ、短軸０．０１〜０．０２μｍであることを特徴とする。
［１５］  第２の本発明に係るタッチパネル用導電膜の製造方法は、支持体上に導電層が形成されたタッチパネル用導電膜の製造方法において、前記支持体上に塗布銀量が１．１〜２．５ｇ／ｍ２である銀塩乳剤層を形成する工程と、前記銀塩乳剤層を露光現像して銀を含有する前記導電層を形成する工程とを有し、前記導電層がピッチ６００μｍ以上のメッシュパターンに形成され、且つ、表面抵抗が１０００〜２５００オーム／ｓｑ．であることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
銀塩乳剤層１６に導電性微粒子とバインダーを含有させる場合、導電性微粒子の塗布量が０．１〜０．５ｇ／ｍ２であることが好ましく、０．２〜０．４ｇ／ｍ２であることがより好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
特開２００４−２２１５６４号公報、特開２００４−２２１５６５号公報、特開２００７−２００９２２号公報、特開２００６−３５２０７３号公報、国際公開第２００６／００１４６１号パンフレット、特開２００７−１２９２０５号公報、特開２００７−２３５１１５号公報、特開２００７−２０７９８７号公報、特開２００６−０１２９３５号公報、特開２００６−０１０７９５号公報、特開２００６−２２８４６９号公報、特開２００６−３３２４５９号公報、特開２００７−２２６２１５号公報、国際公開第２００６／０８８０５９号パンフレット、特開２００６−２６１３１５号公報、特開２００７−０７２１７１号公報、特開２００７−１０２２００号公報、特開２００６−２２８４７３号公報、特開２００６−２６９７９５号公報、特開２００６−２６７６３５号公報、特開２００６−２６７６２７号公報、国際公開第２００６／０９８３３３号パンフレット、特開２００６−３２４２０３号公報、特開２００６−２２８４７８号公報、特開２００６−２２８８３６号公報、特開２００６−２２８４８０号公報、国際公開第２００６／０９８３３６号パンフレット、国際公開第２００６／０９８３３８号パンフレット、特開２００７−００９３２６号公報、特開２００６−３３６０５７号公報、特開２００６−３３９２８７号公報、特開２００６−３３６０９０号公報、特開２００６−３３６０９９号公報、特開２００７−０３９７３８号公報、特開２００７−０３９７３９号公報、特開２００７−０３９７４０号公報、特開２００７−００２２９６号公報、特開２００７−０８４８８６号公報、特開２００７−０９２１４６号公報、特開２００７−１６２１１８号公報、特開２００７−２００８７２号公報、特開２００７−１９７８０９号公報、特開２００７−２７０３５３号公報、特開２００７−３０８７６１号公報、特開２００６−２８６４１０号公報、特開２００６−２８３１３３号公報、特開２００６−２８３１３７号公報、特開２００６−３４８３５１号公報、特開２００７−２７０３２１号公報、特開２００７−２７０３２２号公報、国際公開第２００６／０９８３３５号パンフレット、特開２００７−０８８２１８号公報、特開２００７−２０１３７８号公報、特開２００７−３３５７２９号公報、国際公開第２００６／０９８３３４号パンフレット、特開２００７−１３４４３９号公報、特開２００７−１４９７６０号公報、特開２００７−２０８１３３号公報、特開２００７−１７８９１５号公報、特開２００７−３３４３２５号公報、特開２００７−３１００９１号公報、特開２００７−３１１６４６号公報、特開２００７−０１３１３０号公報、特開２００６−３３９５２６号公報、特開２００７−１１６１３７号公報、特開２００７−０８８２１９号公報、特開２００７−２０７８８３号公報、特開２００７−２０７８９３号公報、特開２００７−２０７９１０号公報、特開２００７−０１３１３０号公報、国際公開第２００７／００１００８号パンフレット、特開２００５−３０２５０８号公報、特開２００５−１９７２３４号公報。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月9日(2011.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
＜導電性微粒子とバインダー＞
導電性微粒子は、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢａＯ及びＭｏＯ３等の金属酸化物並びにこれらの複合酸化物（２種類以上の金属イオンを含む酸化物）、そして、これらの金属酸化物にさらに異種原子を含む金属酸化物の粒子を挙げることができる。金属酸化物としては、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯが好ましく、ＳｎＯ２が特に好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
銀塩乳剤層１６に導電性微粒子とバインダーを含有させる場合、導電性微粒子の塗布量が０．１５〜０．５ｇ／ｍ２であることが好ましい。導電性微粒子層を、銀塩乳剤層１６よりも上層側に位置させる場合は、導電性微粒子の塗布量が０．２〜０．４ｇ／ｍ２であることが好ましい。導電性微粒子層を、銀塩乳剤層１６よりも下層側に位置させる場合は、導電性微粒子の塗布量が０．１５〜０．５ｇ／ｍ２であることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
特開２００４−２２１５６４号公報、特開２００４−２２１５６５号公報、特開２００７−２００９２２号公報、特開２００６−３５２０７３号公報、国際公開第２００６／００１４６１号パンフレット、特開２００７−１２９２０５号公報、特開２００７−２３５１１５号公報、特開２００７−２０７９８７号公報、特開２００６−０１２９３５号公報、特開２００６−０１０７９５号公報、特開２００６−２２８４６９号公報、特開２００６−３３２４５９号公報、特開２００７−２２６２１５号公報、国際公開第２００６／０８８０５９号パンフレット、特開２００６−２６１３１５号公報、特開２００７−０７２１７１号公報、特開２００７−１０２２００号公報、特開２００６−２２８４７３号公報、特開２００６−２６９７９５号公報、特開２００６−２６７６３５号公報、特開２００６−２６７６２７号公報、国際公開第２００６／０９８３３３号パンフレット、特開２００６−３２４２０３号公報、特開２００６−２２８４７８号公報、特開２００６−２２８８３６号公報、特開２００６−２２８４８０号公報、国際公開第２００６／０９８３３６号パンフレット、国際公開第２００６／０９８３３８号パンフレット、特開２００７−００９３２６号公報、特開２００６−３３６０５７号公報、特開２００６−３３９２８７号公報、特開２００６−３３６０９０号公報、特開２００６−３３６０９９号公報、特開２００７−０３９７３８号公報、特開２００７−０３９７３９号公報、特開２００７−０３９７４０号公報、特開２００７−００２２９６号公報、特開２００７−０８４８８６号公報、特開２００７−０９２１４６号公報、特開２００７−１６２１１８号公報、特開２００７−２００８７２号公報、特開２００７−１９７８０９号公報、特開２００７−２７０３５３号公報、特開２００７−３０８７６１号公報、特開２００６−２８６４１０号公報、特開２００６−２８３１３３号公報、特開２００６−２８３１３７号公報、特開２００６−３４８３５１号公報、特開２００７−２７０３２１号公報、特開２００７−２７０３２２号公報、国際公開第２００６／０９８３３５号パンフレット、特開２００７−０８８２１８号公報、特開２００７−２０１３７８号公報、特開２００７−３３５７２９号公報、国際公開第２００６／０９８３３４号パンフレット、特開２００７−１３４４３９号公報、特開２００７−１４９７６０号公報、特開２００７−２０８１３３号公報、特開２００７−１７８９１５号公報、特開２００７−３３４３２５号公報、特開２００７−３１００９１号公報、特開２００７−３１１６４６号公報、特開２００７−０１３１３０号公報、特開２００６−３３９５２６号公報、特開２００７−１１６１３７号公報、特開２００７−０８８２１９号公報、特開２００７−２０７８８３号公報、特開２００７−２０７８９３号公報、特開２００７−２０７９１０号公報、特開２００７−０１３１３０号公報、国際公開第２００７／００１００８号パンフレット、特開２００５−３０２５０８号公報、特開２００５−１９７２３４号公報。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
（摺動性の評価）
長尺のタッチパネル用導電膜の一端を固定し、タッチパネル用導電膜のうち、固定箇所から０．５ｍｍの部分を、０．８Ｒのポリアセタール製のペン先で摺動させた。ペン先には５００ｇの荷重をかけ、摺動速度５回／秒で、摺動長さ２０ｍとした。ペン先による摺動後、タッチパネル用導電膜の表面抵抗を上述のロレスターＧＰ（型番ＭＣＰ−Ｔ６１０）直列４探針プローブ（ＡＳＰ）にて測定し、初期の表面抵抗に対する上昇率をみた。上昇率が１．５未満であれば○、１．５以上２．０未満であれば△、２．０以上であれば×と評価した。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月18日(2011.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷ジョブのスケジュール登録を行い、登録された順序に従って前記印刷ジョブを実行する印刷システムであって、
プリントサーバにおいて、印刷ジョブの印刷リクエストを受け付け、当該印刷ジョブの登録をプリントデバイスに要求する手段と、
前記印刷ジョブの登録を要求した後、当該印刷ジョブを破棄する手段と、
前記印刷ジョブの登録を受け付けたプリントデバイスが前記印刷ジョブをスケジュール登録する手段と、
前記プリントデバイスが、前記スケジュールに従って前記プリントサーバに印刷ジョブの実行を指示する手段と、
前記プリントサーバが、前記指示された印刷ジョブを取得し、当該印刷ジョブに基づき印刷データを生成して前記プリントデバイスに転送する手段と、
を有することを特徴とする印刷システム。
【請求項２】
前記指示する手段は、前記プリントデバイスで連続して印刷ジョブが処理されるように予め決められたプリントサーバに前記印刷ジョブの実行を指示することを特徴とする請求項１に記載の印刷システム。
【請求項３】
前記プリントサーバの負荷状況に基づいて、負荷のかかっていない他のプリントサーバへ前記印刷ジョブの実行の指示を分散させる手段を更に有することを特徴とする請求項１に記載の印刷システム。
【請求項４】
前記指示する手段は、指示する印刷ジョブの数が前記プリントデバイスに設定されている連続印刷制限数よりも少ない場合、前記プリントサーバに前記印刷ジョブの実行を指示することを特徴とする請求項１に記載の印刷システム。
【請求項５】
前記プリントデバイスと前記プリントサーバとが接続されている状態か否かを判定する手段と、
前記プリントデバイスと前記プリントサーバとが接続されていない状態と判定した場合、前記スケジュール登録の際に通知されるアドレスに印刷結果を通知する手段と、
を更に有することを特徴とする請求項１に記載の印刷システム。
【請求項６】
前記プリントサーバは、印刷結果通知で通知される情報に基づいて印刷結果を登録する手段を有することを特徴とする請求項５に記載の印刷システム。
【請求項７】
前記プリントサーバとの接続が切断された場合、前記プリントデバイスがスケジュール登録を参照して指示がなされたか否かを判定し、既に指示がなされている場合に、再度、指示を行うことを特徴とする請求項１に記載の印刷システム。
【請求項８】
印刷ジョブのスケジュール登録を行い、登録された順序に従って前記印刷ジョブを実行する印刷システムの制御方法であって、
プリントサーバが、印刷ジョブの印刷リクエストを受け付け、当該印刷ジョブの登録をプリントデバイスに要求する工程と、
前記プリントサーバが、前記印刷ジョブの登録を要求した後、当該印刷ジョブを破棄する工程と、
前記印刷ジョブの登録を受け付けたプリントデバイスが前記印刷ジョブをスケジュールに登録する工程と、
前記プリントデバイスが、前記スケジュールに従って前記プリントサーバに印刷ジョブの実行を指示する工程と、
前記プリントサーバが、前記指示された印刷ジョブを取得し、当該印刷ジョブに基づき印刷データを生成して前記プリントデバイスに転送する工程と、
を有することを特徴とする印刷システムの制御方法。
【請求項９】
請求項８に記載の印刷システムの制御方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１０】
請求項９に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、印刷ジョブのスケジュール登録を行い、登録された順序に従って前記印刷ジョブを実行する印刷システムであって、
プリントサーバにおいて、印刷ジョブの印刷リクエストを受け付け、当該印刷ジョブの登録をプリントデバイスに要求する手段と、
前記印刷ジョブの登録を要求した後、当該印刷ジョブを破棄する手段と、
前記印刷ジョブの登録を受け付けたプリントデバイスが前記印刷ジョブをスケジュール登録する手段と、
前記プリントデバイスが、前記スケジュールに従って前記プリントサーバに印刷ジョブの実行を指示する手段と、
前記プリントサーバが、前記指示された印刷ジョブを取得し、当該印刷ジョブに基づき印刷データを生成して前記プリントデバイスに転送する手段と、
を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月3日(2011.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の仮想サーバを提供する計算機と、管理計算機と、複数のＬＵを提供する複数のストレージコントローラを備えたストレージシステムと、から構成する計算機システムであって、
前記計算機は前記複数の仮想サーバの複数のＩ／Ｏ優先度を管理するＩ／Ｏ優先度管理情報を有し、
複数のＬＵは前記複数の仮想サーバの複数の仮想ディスクデータを格納し、
前記ストレージシステムは、前記複数のＬＵに対するＩ／Ｏ要求を処理するストレージコントローラを前記複数のストレージコントローラから特定するＬＵ関連設定情報を有し、
前記管理計算機は、前記計算機が有する前記Ｉ／Ｏ優先度管理情報に対応した仮想サーバ設定情報と、前記ストレージシステムが有するＬＵ関連設定情報に対応するストレージシステム構成情報と、を有し、前記仮想サーバ設定情報と前記ストレージシステム構成情報とを参照することで、前記Ｉ／Ｏ優先度管理情報が示す複数の仮想サーバの複数のＩ／Ｏ優先度を元にしたストレージシステムの構成を計算し、前記構成を元にしたストレージ設定要求を送信し、
前記ストレージシステムは、前記ストレージ設定要求を受信したら、ＬＵ関連設定情報を変更することで、前記ストレージ設定要求で指定された前記複数のＬＵの一つのＩ／Ｏ要求を処理するストレージコントローラを変更する、
ことを特徴とした計算機システム。
【請求項２】
請求項１記載の計算機システムであって、前記管理計算機は、前記複数の仮想ディスクデータと前記複数のＬＵとの格納関係を示す仮想ディスクデータ管理情報を有することを特徴とした計算機システム。
【請求項３】
請求項２記載の計算機システムであって、
前記管理計算機は、前記仮想ディスクデータ管理情報と前記ストレージシステム構成情報とを参照することで前記複数の仮想サーバの一部に対応するストレージコントローラを前記複数のストレージコントローラから特定し、前記複数の仮想サーバの一部に対応するストレージコントローラに関する情報を表示することを特徴とした計算機システム。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の計算機システムであって、
前記管理サーバは、前記仮想ディスクデータ管理情報と前記ストレージシステム構成情報と仮想サーバ設定情報とを参照することで、前記複数のコントローラの各々について対応する一つ以上の仮想サーバのＩ／Ｏ優先度の合計値を計算し、当該計算結果を表示する、
ことを特徴とした計算機システム。
【請求項５】
複数の仮想サーバを提供する計算機と、前記複数の仮想サーバの複数の仮想ディスクデータを格納する複数のＬＵを提供し、複数のストレージコントローラを備えたストレージシステムと、に接続された管理計算機の性能管理方法であって、
前記複数の仮想サーバの複数のＩ／Ｏ優先度を管理する前記計算機が有するＩ／Ｏ優先度管理情報に対応する仮想サーバ設定情報を格納するステップと、
前記複数のＬＵに対するＩ／Ｏ要求を処理するストレージコントローラを前記複数のストレージコントローラから特定する、前記ストレージシステムが有するＬＵ関連設定情報に対応するストレージシステム構成情報を格納するステップと、
前記仮想サーバ設定情報と前記ストレージシステム構成情報とを参照することで、前記Ｉ／Ｏ優先度管理情報が示す複数の仮想サーバの複数のＩ／Ｏ優先度を元にしたストレージシステムの構成を計算し、前記構成を元にしたストレージ設定要求を送信するステップと、
を有することを特徴とした管理計算機の性能管理方法
【請求項６】
請求項５記載の性能管理方法であって、
前記複数の仮想ディスクデータと前記複数のＬＵとの格納関係を示す仮想ディスクデータ管理情報を格納するステップを有することを特徴とした管理計算機の性能管理方法。
【請求項７】
請求項６記載の性能管理方法であって、
前記仮想ディスクデータ管理情報と前記ストレージシステム構成情報とを参照することで前記複数の仮想サーバの一部に対応するストレージコントローラを前記複数のストレージコントローラから特定するステップと、
前記複数の仮想サーバの一部に対応するストレージコントローラに関する情報を表示するステップと、
を有することを特徴とした管理計算機の性能管理方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７に記載の計算機システムであって、
前記仮想ディスクデータ管理情報と前記ストレージシステム構成情報と仮想サーバ設定情報とを参照することで、前記複数のコントローラの各々について対応する一つ以上の仮想サーバのＩ／Ｏ優先度の合計値を計算し、当該計算結果を表示するステップを有することを特徴とした管理計算機の性能管理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月26日(2011.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
支持部材３は、取付孔３Ｃが設けられたベース部３Ａと、このベース部３Ａの一側部より立ち上げた軸支部３Ｂとから成り、軸支部３Ｂには大径の軸受孔３Ｄと、中小の後述する切換手段Ｘの軸受孔３Ｆと取付孔３Ｇが設けられている。軸支部３Ｂの軸受孔３Ｄ側にはその縁部の対向位置に一対の係止凹部３Ｅが設けられ、さらにこの一対の係止凹部３Ｅの間に位置してストッパ片３Ｈが設けられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2010108189.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月19日(2011.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板のメモリセル形成領域に形成されるメモリセルとを有し、
前記メモリセルは、
（ａ１）前記半導体基板上に形成された第１ゲート絶縁膜と、
（ａ２）前記第１ゲート絶縁膜上に形成されたコントロールゲート電極と、
（ａ３）前記コントロールゲート電極の側壁に形成されたメモリゲート電極と、
（ａ４）前記コントロールゲート電極と前記メモリゲート電極の間、および、前記メモリゲート電極と前記半導体基板の間に形成された積層絶縁膜と、
（ａ５）前記コントロールゲート電極と前記メモリゲート電極とに整合して前記半導体基板内に形成された第１ソース領域および第１ドレイン領域とを備え、
前記積層絶縁膜は、第１電位障壁膜と、前記第１電位障壁膜上に形成された電荷蓄積膜と、前記電荷蓄積膜上に形成された第２電位障壁膜とを含む半導体装置であって、
前記コントロールゲート電極と前記メモリゲート電極の間に形成された前記第１電位障壁膜の膜厚は、前記メモリゲート電極と前記半導体基板の間に形成された前記第１電位障壁膜の膜厚よりも厚く、
前記コントロールゲート電極の側壁上部に形成されている前記第１電位障壁膜の膜厚をａとし、前記コントロールゲート電極の側壁下部に形成されている前記第１電位障壁膜の膜厚をｂとする場合、ａ＜ｂの関係が成立することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記第１電位障壁膜および前記第２電位障壁膜は酸化シリコン膜から形成され、かつ、前記電荷蓄積膜は窒化シリコン膜から形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置であって、
さらに、前記半導体基板の周辺回路形成領域に形成されるＭＩＳＦＥＴとを有し、
前記ＭＩＳＦＥＴは、
（ｂ１）前記半導体基板上に形成された第２ゲート絶縁膜と、
（ｂ２）前記第２ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
（ｂ３）前記ゲート電極に整合して前記半導体基板内に形成された第２ソース領域および第２ドレイン領域とを備え、
前記メモリセルの前記コントロールゲート電極と、前記ＭＩＳＦＥＴの前記ゲート電極はともにポリシリコン膜を有し、前記ポリシリコン膜内に同一導電型の導電型不純物が導入されており、
前記コントロールゲート電極に導入されている導電型不純物の不純物濃度は、前記ゲート電極に導入されている導電型不純物の不純物濃度よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置であって、
前記コントロールゲート電極に導入されている導電型不純物と、前記ゲート電極に導入されている導電型不純物は、ともに、リンであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記コントロールゲート電極の側壁に形成された前記メモリゲート電極は、サイドウォール形状をしていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
半導体基板のメモリセル形成領域にメモリセルを形成する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）前記メモリセル形成領域の前記半導体基板上に第１ゲート絶縁膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第１ゲート絶縁膜上に第１導電膜を形成する工程と、
（ｃ）前記メモリセル形成領域の前記第１導電膜を加工することにより、前記メモリセル形成領域に矩形形状のコントロールゲート電極を形成する工程と、
（ｄ）前記コントロールゲート電極を覆う前記半導体基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、
（ｅ）前記第１絶縁膜に対して異方性エッチング処理を施すことにより、前記コントロールゲート電極の側壁にサイドウォールを形成する工程と、
（ｆ）前記コントロールゲート電極を覆う前記半導体基板の主面上に第２絶縁膜を形成することにより、前記コントロールゲート電極の側壁では前記サイドウォールと前記第２絶縁膜とを合わせた膜からなり、かつ、前記半導体基板上では前記第２絶縁膜からなる第１電位障壁膜を形成する工程と、
（ｇ）前記第１電位障壁膜上に電荷蓄積膜を形成する工程と、
（ｈ）前記電荷蓄積膜上に第２電位障壁膜を形成する工程と、
（ｉ）前記第２電位障壁膜上に第２導電膜を形成する工程と、
（ｊ）前記第２導電膜に対して異方性エッチングを施すことにより、前記コントロールゲート電極の側壁にメモリゲート電極を形成する工程と、
（ｋ）前記メモリセル形成領域では、前記コントロールゲート電極と前記メモリゲート電極に整合して前記半導体基板内に第１ソース領域および第１ドレイン領域を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜は酸化シリコン膜から形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｆ）工程後、前記コントロールゲート電極の側壁に形成されている前記第１電位障壁膜の膜厚は、前記半導体基板に形成されている前記第１電位障壁膜の膜厚よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｅ）工程で形成される前記サイドウォールは、前記コントロールゲート電極の側壁上部に形成される前記サイドウォールの膜厚をａとし、前記コントロールゲート電極の側壁下部に形成される前記サイドウォールの膜厚をｂとする場合、ａ＜ｂの関係が成立することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月14日(2011.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１半導体からなる井戸層と、第２半導体からなる障壁層と、が、複数交互に積層した超格子構造を有する光陰極半導体素子であって、
前記超格子構造の電子のエネルギー状態において、第１ミニバンドが伝導帯に生じ、第２ミニバンドが価電子帯に生じ、
前記第１ミニバンドの下限は、前記第２ミニバンドの上限より高く、
真空のエネルギー準位は、前記第１ミニバンドの下限より低く、
前記第２ミニバンドから前記第１ミニバンドへ電子を励起する波長の光が前記超格子構造に照射されると、エネルギー状態が単一化された電子ビームが真空中へ放出される
ことを特徴とする光陰極半導体素子。
【請求項２】
第１半導体からなる井戸層と、
当該第１半導体よりバンドギャップが大きい第２半導体からなる障壁層と、
が複数交互に積層した超格子構造を備え、
当該井戸層および当該障壁層のそれぞれの厚さは、
当該超格子構造の電子のエネルギー状態において、伝導帯に生ずるミニバンドの下限と、価電子帯に生ずるミニバンドの上限と、の間のバンドギャップが所望の大きさとなる厚さを上限とし、
当該伝導帯に生ずるミニバンドのバンド幅が所望の大きさとなる厚さを下限とする
ことを特徴とする光陰極半導体素子。
【請求項３】
第１半導体からなる井戸層と、
当該第１半導体よりバンドギャップが大きい第２半導体からなる障壁層と、
が複数交互に積層した超格子構造を備え、
当該井戸層および当該障壁層のそれぞれの厚さは、
当該超格子構造の電子のエネルギー状態において、伝導帯に生ずるミニバンドの下限と、価電子帯に生ずるミニバンドの上限と、の間のバンドギャップが所望の大きさとなる厚さを上限とし、
当該伝導帯に生ずるミニバンドのエネルギー状態密度が所望の大きさとなる厚さを下限とする
ことを特徴とする光陰極半導体素子。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の光陰極半導体素子であって、
当該超格子構造の一方の端面（以下「電子放出面」という。）は、当該複数の井戸層の一つ（以下「表面側井戸層」という。）であり、
当該表面側井戸層に接する第３半導体からなる表面層
をさらに備え、
当該超格子構造のエネルギー状態において当該価電子帯のミニバンドのうち、最上のミニバンドに属する電子が当該伝導帯のミニバンドのうち、最下のミニバンドに励起される波長の光が当該超格子構造に照射されると、当該最下のミニバンドからエネルギー状態が単一化された電子ビームが放出される
ことを特徴とする光陰極半導体素子。
【請求項５】
請求項４に記載の光陰極半導体素子であって、
前記光は、前記表面層を介して、前記電子放出面に照射される
ことを特徴とする光陰極半導体素子。
【請求項６】
請求項５に記載の光陰極半導体素子であって、
当該超格子構造の他方の端面（以下「基板面」という。）は、当該複数の井戸層の他の一つ（以下「基板側井戸層」という。）、もしくは、当該複数の障壁層の一つ（以下「基板側障壁層」という。）であり、
当該基板面に接する第４半導体からなるバッファ層と、
当該バッファ層に接する第５半導体からなる基板層と、
をさらに備えることを特徴とする光陰極半導体素子。
【請求項７】
請求項６に記載の光陰極半導体素子であって、
当該表面層は、ｐ型ドーピング量１×１０18ｃｍ-3以上のＧａＡｓ半導体結晶による厚さ３ｎｍ〜６ｎｍの第３半導体からなり、
当該複数の障壁層のそれぞれは、Ｇａに対するＡｌの組成比０.２５〜０.３、ｐ型ドーピング量５×１０18ｃｍ-3以下のＡｌＧａＡｓ半導体結晶による厚さ３ｎｍ〜６ｎｍの第２半導体からなり
当該複数の井戸層のそれぞれは、ｐ型ドーピング量５×１０18ｃｍ-3以下のＧａＡｓ半導体結晶による厚さ３ｎｍ〜４ｎｍの第１半導体からなり、
当該バッファ層は、ｐ型ドーピング量５×１０19ｃｍ-3以下のＡｌＧａＡｓ半導体結晶による厚さ１μｍ以上の第４半導体からなり、
当該基板層は、ＧａＡｓ半導体からなり、
当該超格子構造の厚さは、２μｍ〜３μｍであり、
当該ｐ型ドーピングには、Ｂｅを用いる
ことを特徴とする光陰極半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光が入射する入射面と、照明光が出射する出射面と、前記出射面の反対側の対向面と、前記入射面に形成された半円状の凹部と、を有する導光板と、
前記対向面に形成された複数のマイクロプリズムと、
前記凹部に配置された光源と、を備え、
前記マイクロプリズムは正四角錘の形状であり、該正四角錘の一つの側面が前記光源からの光を前記出射面に向けて反射する鏡面であり、
前記鏡面の底辺が、前記凹部から入射した前記光源の光の光路に対して垂直であることを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記マイクロプリズムの高さは１〜１０μｍであり、前記マイクロプリズムの鏡面と底面のなす角度が４０〜５０度であることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記光源は複数配置され、
前記マイクロプリズムの鏡面の底辺が前記複数の光源のいずれかの光源からの光の光路に対して垂直になるように配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記凹部が半円の先端を尖らせた形状であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項５】
前記凹部が半円の先端をへこませた形状であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項６】
前記出射面には前記入射面に対して垂直になるように縦プリズムが形成され、前記縦プリズムは頂角が１２０〜１７０度でピッチが１５〜１００μｍであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項７】
光が入射する入射面と、照明光が出射する出射面と、前記出射面の反対側の対向面と、前記入射面に形成された半円状の凹部と、を有する導光板と、
前記対向面に形成された複数のマイクロプリズムと、
前記凹部に配置された光源と、
前記出射面の上方に配置され、前記照明光により照明される表示素子と、を備え、
前記マイクロプリズムは正四角錘の形状であり、該正四角錘の一つの側面が前記光源からの光を前記出射面に向けて反射する鏡面であり、
前記鏡面の底辺が、前記凹部から入射した前記光源の光の光路に対して垂直であることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
前記表示素子は前記照明光を通過させる開口部を有し、
前記複数のマイクロプリズムは、前記開口部のピッチと同等、もしくは１／３以下のピッチとなるように配置されたことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月9日(2011.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極および負極と共に電解液を備え、
前記負極は集電体とそれに設けられた活物質層とを含み、
前記集電体は銅（Ｃｕ）を含有し、Ｘ線回折により得られる銅の（２００）結晶面に起因するピークの強度Ｉ（２００）と（１１１）結晶面に起因するピークの強度Ｉ（１１１）との比Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）は０．５以上１．５以下である、二次電池。
【請求項２】
前記集電体は複数の銅の結晶子を有し、各結晶子の断面積は１００μｍ2 以下である、請求項１記載の二次電池。
【請求項３】
前記集電体の表面の十点平均粗さＲｚは１．５μｍ以上５．５μｍ以下である、請求項１記載の二次電池。
【請求項４】
前記集電体は原箔とその表面に形成された複数の微粒子とを有し、前記原箔の厚さは１０μｍ以上２５μｍ以下である、請求項１記載の二次電池。
【請求項５】
前記集電体は原箔とその表面に形成された複数の微粒子とを有し、前記原箔の伸び率は１％以上１０％以下、ヤング率は５×１０7 ＭＰａ以上５×１０9 ＭＰａ以下である、請求項１記載の二次電池。
【請求項６】
前記集電体と前記活物質層とは界面の少なくとも一部において合金化している、請求項１記載の二次電池。
【請求項７】
前記活物質層はケイ素（Ｓｉ）を含有する複数の活物質粒子を含む、請求項１記載の二次電池。
【請求項８】
前記活物質粒子はさらに酸素（Ｏ）を含有し、前記活物質粒子中における酸素の含有量は３原子数％以上４０原子数％以下である、請求項７記載の二次電池。
【請求項９】
前記活物質粒子は厚さ方向においてさらに酸素を含有する酸素含有領域を有し、前記酸素含有領域における酸素の含有量はそれ以外の領域における酸素の含有量よりも高い請求項７記載の二次電池。
【請求項１０】
前記活物質層は前記活物質粒子間の隙間に電極反応物質と合金化しない金属元素を含有する金属材料を有する、請求項７記載の二次電池。
【請求項１１】
前記活物質層は前記活物質粒子の露出面の少なくとも一部に前記金属材料を有する請求項１０記載の二次電池。
【請求項１２】
前記活物質粒子は粒子内に多層構造を有し、前記活物質層は前記活物質粒子内の隙間に前記金属材料を有する請求項１０記載の二次電池。
【請求項１３】
前記金属元素は鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）および銅からなる群のうちの少なくとも１種である請求項１０記載の二次電池。
【請求項１４】
前記活物質粒子の単位面積当たりのモル数Ｍ１と前記金属材料の単位面積当たりのモル数Ｍ２との比Ｍ２／Ｍ１は１／１５以上３／１以下である、請求項１０記載の二次電池。
【請求項１５】
前記活物質層の表面において前記金属材料が占める原子数の割合は２原子数％以上３０原子数％以下である、請求項１０記載の二次電池。
【請求項１６】
前記活物質粒子は気相法により形成されており、前記金属材料は液相法により形成されている、請求項１０記載の二次電池。
【請求項１７】
リチウムイオン二次電池である、請求項１記載の二次電池。
【請求項１８】
集電体とそれに設けられた活物質層とを含み、
前記集電体は銅を含有し、Ｘ線回折により得られる銅の（２００）結晶面に起因するピークの強度Ｉ（２００）と（１１１）結晶面に起因するピークの強度Ｉ（１１１）との比Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）は０．５以上１．５以下である、二次電池用負極。
【請求項１９】
銅を含有し、
Ｘ線回折により得られる銅の（２００）結晶面に起因するピークの強度Ｉ（２００）と（１１１）結晶面に起因するピークの強度Ｉ（１１１）との比Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）は０．５以上１．５以下である、二次電池用集電体。
【請求項２０】
請求項１ないし請求項１７のいずれか１項に記載の二次電池を用いた電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】二次電池用集電体、二次電池用負極、二次電池および電子機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、銅を含有する二次電池用集電体、それを用いた二次電池用負極および二次電池、ならびにそれを用いた電子機器に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、サイクル特性を向上させることが可能な二次電池用集電体、二次電池用負極、二次電池および電子機器を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の二次電池用集電体は、銅を含有し、Ｘ線回折により得られる銅の（２００）結晶面に起因するピークの強度Ｉ（２００）と（１１１）結晶面に起因するピークの強度Ｉ（１１１）との比Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）が０．５以上１．５以下である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の二次電池用負極は、集電体とそれに設けられた活物質層とを含み、集電体が銅を含有し、Ｘ線回折により得られる銅の（２００）結晶面に起因するピークの強度Ｉ（２００）と（１１１）結晶面に起因するピークの強度Ｉ（１１１）との比Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）が０．５以上１．５以下である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の二次電池は、正極および負極と共に電解液を備え、負極が集電体とそれに設けられた活物質層とを含み、集電体が銅を含有し、Ｘ線回折により得られる銅の（２００）結晶面に起因するピークの強度Ｉ（２００）と（１１１）結晶面に起因するピークの強度Ｉ（１１１）との比Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）が０．５以上１．５以下である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明による二次電池用集電体あるいは二次電池用負極によれば、集電体が銅を含有し、Ｘ線回折により得られる銅の結晶面に起因するピークの強度比Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）が０．５以上１．５以下であるので、集電体と活物質層との間の密着性が向上する。したがって、本発明の二次電池用集電体あるいは二次電池用負極を用いた二次電池あるいは電子機器によれば、サイクル特性を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月17日(2010.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランプ管及び前記ランプ管の末端から突出した電極を備える複数のランプと、
前記電極の挿入される第１ガイド溝が形成された第１プレート、及び前記第１プレートの一側に配され、前記第１ガイド溝に挿入された前記電極を押して固定させる板バネを備える電源印加ソケットと、
前記ランプ及び前記電源印加ソケットを収納するボトムシャーシと、を備え、
前記第１プレート及び前記板バネは、伝導性物質からなるバックライトアセンブリ。
【請求項２】
前記板バネは、前記第１ガイド溝の開放部に対応する位置に形成された凹面と、前記第１ガイド溝の内側部に対応する位置に形成された凸面とを備える請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項３】
前記板バネは、平板状を有する請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項４】
前記第１プレート及び前記板バネは、一体に形成された請求項１〜３のいずれか１項に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項５】
前記板バネの一側に配され、前記第１プレートと離隔されて対向する第２プレートをさらに備え、前記第２プレートには、前記第１ガイド溝と重畳される第２ガイド溝が形成されており、前記第２プレートは、前記板バネと一体に形成された請求項４に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項６】
前記第１及び第２ガイド溝は、前記電極の導入される開放部から内側部に行くほど徐々に狭くなり、前記内側部で折り曲げられた構造を有する請求項５に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項７】
前記第１及び第２ガイド溝は、Ｌ字状または逆Ｔ字状を有する請求項６に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項８】
互いに離隔された前記第１及び第２プレートを連結して前記第１及び第２プレートと一体に形成された第３プレートをさらに備え、前記板バネは、前記第３プレートから延びて形成された請求項５〜７のいずれか１項に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項９】
前記第１プレートの下部から折り曲げられてインバータと電気的に接続されるインバータガイドプレートをさらに備え、前記インバータガイドプレートには、前記インバータと電気的に接続される部分に凸面が形成された請求項１〜８のいずれか１項に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項１０】
前記第１プレートの下部から折り曲げられてインバータと電気的に接続されるインバータガイドプレートをさらに備え、前記インバータガイドプレートの終端が折り曲げられて前記インバータと電気的に接続される請求項１〜９のいずれか１項に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項１１】
前記電源印加ソケットの挿入される整列板をさらに備え、前記ボトムシャーシの底板には、前記整列板が挿入される整列板用開口部が形成されている請求項１〜１０のいずれか１項に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項１２】
前記整列板は、上板と、前記上板上に形成され、前記整列板用の開口部に挿入されるハウジングと、前記上板から前記ハウジングの内部まで形成された電源印加ソケット挿入溝と、前記上板の上面に形成されたランプ管ホルダーと、前記ハウジングに形成されてインバータ電源印加部が挿入されるインバータ電源印加溝とを備える請求項１１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項１３】
前記電源印加ソケットは、前記電源印加ソケット挿入溝にきつく嵌合される請求項１２に記載のバックライトアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月16日(2011.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウム及び遷移金属からなる複合酸化物である非水系リチウム二次電池用正極活物質であって、  噴霧乾燥によって球状化された球状粒子であり、  前記球状粒子の平均粒径が１〜２０μｍで、且つ最大粒径が５０μｍ以下であり、その粒度分布に複数のピ−クを持つことを特徴とする非水系リチウム二次電池用正極活物質。
【請求項２】
リチウム及び遷移金属からなる複合酸化物である非水系リチウム二次電池用正極活物質であって、  噴霧乾燥によって球状化された球状粒子であり、 前記球状粒子の平均粒径が１〜２０μｍであり、その粒度分布に複数のピ−クを持つことを特徴とする非水系リチウム二次電池用正極活物質。
【請求項３】
前記球状粒子の粒度分布は２つのピ−クを持ち、その２つのピ−クの粒径比が２以上であることを特徴とする請求項１または２記載の非水系リチウム二次電池用正極活物質。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の正極活物質を集電体上に塗布成形して構成されていることを特徴とする正極。
【請求項５】
請求項４に記載の正極を用いてなることを特徴とする非水系リチウム二次電池。
【請求項６】
リチウム及び遷移金属からなる複合酸化物である非水系リチウム二次電池用正極活物質の製造方法であって、 遷移金属化合物とリチウム化合物と水とを所定割合で混合してスラリーを作製し、このスラリーを４流体ノズルを備えた噴霧乾燥装置を用いて噴霧乾燥し、焼成する工程により平均粒径が１〜２０μｍで、且つ最大粒径が５０μｍ以下の球状粒子を得て、  前記工程を経て別々に粒度を調整された粒径の異なる粉末を混合することにより、前記球状粒子の粒度分布に複数のピークを持たせることを特徴とする非水系リチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項７】
前記粒径の異なる粉末は、前記４流体ノズルを備えた噴霧乾燥装置を用いて得た球状粒子と、前記４流体ノズルを備えた噴霧乾燥装置を用いて得た不定形の粒子であることを特徴とする請求項６に記載の非水系リチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の非水系リチウム二次電池用正極活物質は、リチウム及び遷移金属からなる複合酸化物である非水系リチウム二次電池用正極活物質であって、噴霧乾燥によって球状化された球状粒子であり、前記球状粒子の平均粒径が１〜２０μｍであり、その粒度分布に複数のピ−クを持つことを特徴とする。
負極と、リチウム及び遷移金属からなる複合酸化物を正極活物質として塗布成形した正極と、その間にセパレータを配し、非水電解質を充填したリチウム二次電池が構成される。正極活物質は、遷移金属化合物とリチウム化合物と水とを所定割合で混合してスラリーを作製し、このスラリーを４流体ノズルを備えた噴霧乾燥装置を用いて噴霧乾燥し、焼成することにより得られる。かかる噴霧乾燥によって球状粒子が得られる。本発明の非水系リチウム二次電池用正極活物質は、前記球状粒子の平均粒径が１〜２０μｍで、且つ最大粒径が５０μｍ以下であり、その粒度分布に複数のピ−クを持つことを特徴とする。
前記噴霧乾燥は、噴霧ガスの圧力は０．１〜１０ＭＰａ、乾燥温度は１００〜３５０℃で行うことが望ましい。噴霧ガスの圧力が０．１ＭＰａ未満の場合、スラリーを十分に微粒化できなくなり、また１０ＭＰａを超える場合、装置が大型となり実用的でない。乾燥温度が１００℃未満の場合、乾燥が不十分であり、また３５０℃を越える場合、添加するバインダーが分解してしまう。
また、前記焼成は、大気あるいは酸素雰囲気中で、温度800〜1100℃で行うことが望ましい。800℃未満の温度で焼成する場合、焼結がほとんど進行せず、また1100℃を超える温度で焼成する場合、粒子同士がくっついて解砕できなくなる。なおスピネル型マンガン酸リチウムの場合、焼成を９００℃以上で行うと、結晶格子に歪を生じてサイクル特性が劣化するため、５００〜７００℃で熱処理を行うことが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月2日(2010.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品供給位置に部品を供給する部品供給手段と、
部品を吸着する吸着ノズルを有するヘッドと、
吸着ノズルを部品供給位置における予め設定された基準の吸着目標位置の上空位置に移動させる上空移動手段と、
ヘッドに設けられ、かつ上空移動手段によって吸着ノズルが、基準の吸着目標位置の上空に移動してから、部品供給位置の部品を認識する認識手段と、
認識手段からの情報に基づいて、吸着ノズルの部品に対する適切な吸着位置を算出し、その適切な吸着位置と基準の吸着目標位置とを照合して、基準の吸着目標位置を必要に応じて補正する吸着位置確認手段と、
部品上空位置の吸着ノズルを降下させて、必要に応じて補正した場合には補正後の吸着目標位置、補正しない場合には基準の吸着目標位置に移動させて、吸着ノズルにより部品を吸着させる降下吸着手段と、を備え、
認識手段が、部品を上方から撮像するカメラによって構成され、
そのカメラの撮像方向が、鉛直方向に対し傾いて配置されることを特徴とする部品吸着装置。  
【請求項２】
適切な吸着位置が部品の中心位置に設定される請求項１に記載の部品吸着装置。
【請求項３】
吸着ノズルが基準の吸着目標位置の上空位置からの降下を開始した後、認識手段により部品供給位置が認識される請求項１または２に記載の部品吸着装置。
【請求項４】
吸着ノズルが複数設けられるとともに、各吸着ノズルに対応して認識手段がそれぞれ設けられる請求項１〜３のいずれか１項に記載の部品吸着装置。
【請求項５】
部品供給位置に部品を供給する部品供給手段と、
部品を吸着する吸着ノズルを有するヘッドと、
吸着ノズルを部品供給位置における予め設定された基準の吸着目標位置の上空位置に移動させる上空移動手段と、
ヘッドに設けられ、かつ上空移動手段によって吸着ノズルが、基準の吸着目標位置の上空に移動してから、部品供給位置の部品を認識する認識手段と、
認識手段からの情報に基づいて、吸着ノズルの部品に対する適切な吸着位置を算出し、その適切な吸着位置と基準の吸着目標位置とを照合して、基準の吸着目標位置を必要に応じて補正する吸着位置確認手段と、
部品上空位置の吸着ノズルを降下させて、必要に応じて補正した場合には補正後の吸着目標位置、補正しない場合には基準の吸着目標位置に移動させて、吸着ノズルにより部品を吸着させる降下吸着手段と、
部品を吸着した吸着ノズルを基板位置まで移動させて、その部品を基板上に搭載する部品移送手段と、を備え、
認識手段が、部品を上方から撮像するカメラによって構成され、
そのカメラの撮像方向が、鉛直方向に対し傾いて配置されることを特徴とする実装機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
［１］  部品供給位置に部品を供給する部品供給手段と、
部品を吸着する吸着ノズルを有するヘッドと、
吸着ノズルを部品供給位置における予め設定された基準の吸着目標位置の上空位置に移動させる上空移動手段と、
ヘッドに設けられ、かつ上空移動手段によって吸着ノズルが、基準の吸着目標位置の上空に移動してから、部品供給位置の部品を認識する認識手段と、
認識手段からの情報に基づいて、吸着ノズルの部品に対する適切な吸着位置を算出し、その適切な吸着位置と基準の吸着目標位置とを照合して、基準の吸着目標位置を必要に応じて補正する吸着位置確認手段と、
部品上空位置の吸着ノズルを降下させて、必要に応じて補正した場合には補正後の吸着目標位置、補正しない場合には基準の吸着目標位置に移動させて、吸着ノズルにより部品を吸着させる降下吸着手段と、を備え、
認識手段が、部品を上方から撮像するカメラによって構成され、
そのカメラの撮像方向が、鉛直方向に対し傾いて配置されることを特徴とする部品吸着装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
［２］  適切な吸着位置が部品の中心位置に設定される前項１に記載の部品吸着装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
［３］  吸着ノズルが基準の吸着目標位置の上空位置からの降下を開始した後、認識手段により部品供給位置が認識される前項１または２に記載の部品吸着装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
［５］  部品供給位置に部品を供給する部品供給手段と、
部品を吸着する吸着ノズルを有するヘッドと、
吸着ノズルを部品供給位置における予め設定された基準の吸着目標位置の上空位置に移動させる上空移動手段と、
ヘッドに設けられ、かつ上空移動手段によって吸着ノズルが、基準の吸着目標位置の上空に移動してから、部品供給位置の部品を認識する認識手段と、
認識手段からの情報に基づいて、吸着ノズルの部品に対する適切な吸着位置を算出し、その適切な吸着位置と基準の吸着目標位置とを照合して、基準の吸着目標位置を必要に応じて補正する吸着位置確認手段と、
部品上空位置の吸着ノズルを降下させて、必要に応じて補正した場合には補正後の吸着目標位置、補正しない場合には基準の吸着目標位置に移動させて、吸着ノズルにより部品を吸着させる降下吸着手段と、
部品を吸着した吸着ノズルを基板位置まで移動させて、その部品を基板上に搭載する部品移送手段と、を備え、
認識手段が、部品を上方から撮像するカメラによって構成され、
そのカメラの撮像方向が、鉛直方向に対し傾いて配置されることを特徴とする実装機。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記発明［１］にかかる部品吸着装置によると、部品認識時に、認識手段の移動動作や、部品の移動動作が不要となり、部品認識に要する時間を短縮できて、生産効率を向上させることができる。さらに部品を確実に認識することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記発明［２］にかかる部品吸着装置によると、部品の中心位置を吸着できる。