【手続補正書】
【提出日】平成21年10月9日(2009.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象の腫瘍細胞を放射線に対して増感するための、１個以上の放射線増感電子親和性基を含むカンプトテシン骨格化合物であって、
ａ)対象に該化合物を投与し、そして
ｂ)該対象内の腫瘍細胞を投与単位線量の放射線に曝す
ことを含む方法に用いられる、化合物。
【請求項２】
該放射線増感電子親和性基の少なくとも１個が、カンプトテシンのＣ５、Ｃ７、Ｃ９、Ｃ１０、Ｃ１１、Ｃ１２またはＣ２０位に結合しているニトロ置換炭素環式またはニトロ置換ヘテロ環式部分である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
カンプトテシンのＣ７、Ｃ９、Ｃ１０、Ｃ１１、Ｃ１２またはＣ２０位の炭素環式またはヘテロ環式部分が芳香族性である、請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
炭素環式またはヘテロ環式部分が(＋)−２−(２,４,５,７−テトラニトロ−９−フルオレニリデンアミノオキシ)−プロピオン酸(ＴＡＰＡ)である、請求項２に記載の化合物。
【請求項５】
炭素環式またはヘテロ環式部分が(−)−２−(２,４,５,７−テトラニトロ−９−フルオレニリデンアミノオキシ)−プロピオン酸(ＴＡＰＡ)である、請求項２に記載の化合物。
【請求項６】
炭素環式またはヘテロ環式部分が２−(２,４,５,７−テトラニトロ−９−フルオレニリデンアミノオキシ)−エタン酸(ＴＮＦ−エタン酸)である、請求項２に記載の化合物。
【請求項７】
該カンプトテシン骨格化合物が：
【化１】
2009512714.tif 000001
【化２】
2009512714.tif 000002
【化３】
2009512714.tif 000003
から成る群から選択される、請求項１に記載の化合物。
【請求項８】
工程ａ)およびｂ)を、相乗的抗新生物効果を生ずるのに有効な処置スケジュールに従い適用する、請求項１に記載の化合物。
【請求項９】
対象の腫瘍細胞を放射線に対して増感するための、
式(Ｉ)
【化４】
2009512714.tif 000004
〔式中、
Ｗはアルキル−Ｃ(Ｏ)−、またはＲ１Ｙ−Ｌ−Ｃ(Ｏ)−である。ただし、Ｗがアルキル−Ｃ(Ｏ)−であるとき、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、またはＲ６の少なくとも１個がニトロであり；
Ｌは結合または、所望により低級アルキルもしくは置換低級アルキルで置換されている直鎖アルキレン(１−８)基であり、ここで、該直鎖アルキレン基の１個または２個のメチレン(−ＣＨ２−)単位は所望によりＯ、ＳまたはＮＨで置き換えられていてよく；
Ｙは＝ＮＯ−、−Ｎ(Ｈ)Ｏ−、＝Ｎ−、−ＮＲ−、Ｏ、Ｓ、または結合であり；
ＲはＨ、アルキル、または置換アルキルであり；
Ｒ１は所望により置換されている炭素環式、ヘテロ環式、または縮合２、３または４環ヘテロ環式環であり；
Ｒ２は水素、ハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、ＲＱＹ、ＲＱＹ−Ｌ−Ｃ(Ｏ)Ｏ−、シアノ、ニトロ、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、ホルミル、低級アルコキシカルボニル、トリ低級アルキルシリル、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アルコキシカルボニルオキシ、糖、リン酸化糖(phosphosugar)、Ｏ−キノン、置換低級アルキルアミノメチル、低級アルキルカルボニルアミノ、低級アルキルカルボニルオキシメチル、所望により置換されている低級アルキルカルボニルオキシメチル、置換ビニル、１−ヒドロキシ−２−ニトロエチル、アルコキシカルボニルエチル、アミノカルボニル、アルキルカルボニル、ベンゾイルメチル、ベンジルカルボニルオキシメチル、低級アルキルイミノメチルまたは低級アルコキシメチルであり；
Ｒ３は水素、ハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、ＲＱＹ−Ｌ−Ｃ(Ｏ)Ｏ−、シアノ、ニトロ、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、ホルミル、低級アルコキシカルボニル、低級アルコキシカルボニルオキシ、糖、リン酸化糖、Ｏ−キノン、置換低級アルキルアミノメチル、ＣＨ２ＮＲ７Ｒ８(ここで、Ｒ７およびＲ８の各々は、独立してＨ、１−６炭素のアルキル、所望により置換されているフェニル、ヒドロキシ低級アルキル、アミノ低級アルキル、またはモノ−またはジアルキルアミノ低級アルキルであるか、またはＲ７およびＲ８は、−Ｎ−と一緒になって環状アミノ−を示す)、ＣＨ２Ｒ９(ここで、Ｒ９は低級アルコキシ、シアノ、アミノ低級アルコキシ、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ低級アルコキシ、低級アルキルチオ、アミノ低級アルキルチオ、またはモノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ低級アルキルチオである)、ＮＲ１０Ｒ１１(ここで、Ｒ１０およびＲ１１の各々は、独立して水素、低級アルキル、フェニル、ヒドロキシ低級アルキル、またはアミノ低級アルキルであるか、またはＲ１０およびＲ１１は、−Ｎ−と一緒になって環状アミノを示す)、トリアルキルシリル、ジアルキルアミノアルキル、低級アルキルカルボニルオキシ、または低級アルキルカルボニルアミノであるか、またはＲ３はＲ４と一緒になってフラン、ジヒドロフランまたは１,４−オキサジン−２−オンであり；そして
Ｒ４は水素、ハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、ＲＱＹ−Ｌ−Ｃ(Ｏ)Ｏ−、シアノ、ニトロ、アミノ、アミノ低級アルキル、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、ホルミル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイルオキシ、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アルコキシカルボニルオキシ、糖、リン酸化糖、Ｏ−キノン、置換低級アルキルアミノメチル、または低級アルキルカルボニルアミノであるか、またはＲ４はＲ３と一緒になってフラン、ジヒドロフランまたは１,４−オキサジン−２−オンであるか、またはＲ４はＲ５と一緒になってメチレンジオキシであり；
Ｒ５は、水素、ハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、ＲＱＹ−Ｌ−Ｃ(Ｏ)Ｏ−、シアノ、ニトロ、アミノ、トリアルキルシリル、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、ホルミル、低級アルコキシカルボニル、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アルコキシカルボニルオキシ、糖、リン酸化糖、Ｏ−キノン、置換低級アルキルアミノメチル、または低級アルキルカルボニルアミノであるか、またはＲ５はＲ４と一緒になってメチレンジオキシであり；
Ｒ６は水素、ハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、ＲＱＹ−Ｌ−Ｃ(Ｏ)Ｏ−、シアノ、ニトロ、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、ホルミル、低級アルコキシカルボニル、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アルコキシカルボニルオキシ、糖、リン酸化糖、Ｏ−キノン、置換低級アルキルアミノメチル、または低級アルキルカルボニルアミノであり；そして
ＲＱは所望により置換されている炭素環式、ヘテロ環式、または縮合２、３または４環ヘテロ環式環である。〕
を有する化合物またはそれらの薬学的に許容される塩であって、
ａ)対象に該化合物またはそれらの薬学的に許容される塩を投与し、そして
ｂ)該対象を投与単位線量の放射線に曝す
ことを含む方法に用いられる、化合物。
【請求項１０】
ＷがＲ１Ｙ−Ｌ−Ｃ(Ｏ)−である、請求項９に記載の化合物。
【請求項１１】
Ｒ１が
所望によりハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、シアノ、ニトロ、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ホルミル、低級アルキルカルボニル、ヒドロキシカルボニル、低級アルキルカルボニルオキシ、ベンジルオキシ、所望により置換されているピペラジノ、低級アルコキシカルボニル、および低級アルキルカルボニルアミノから成る群から独立して選択される１〜５個の置換基で置換されているフェニル；
所望によりハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、シアノ、ニトロ、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、低級アルコキシカルボニル、低級アルキルカルボニルオキシ、および低級アルキルカルボニルアミノから成る群から独立して選択される１〜５個の置換基で置換されている縮合した、２、３、または４環ヘテロ環系；
所望によりハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、シアノ、ニトロ、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、低級アルコキシカルボニル、低級アルキルカルボニルオキシ、および低級アルキルカルボニルアミノから成る群から独立して選択される１〜４個の置換基で置換されている１−または２−ナフチル；または
環が所望によりハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、シアノ、ニトロ、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、低級アルコキシカルボニル、低級アルキルカルボニルオキシ、および低級アルキルカルボニルアミノから成る群から選択される１個または２個の置換基で置換されている、１個または２個の窒素原子を含む５または６員ヘテロ環式環である、
請求項９または１０に記載の化合物。
【請求項１２】
Ｒ１がＯ−キノン、セミキノン、フルオレン、イミダゾール、トリアゾール、ピリジン、ベンズアミド、ニコチンアミド、ベンゾトリアジンオキシド、フラン、チオフェン、オキサゾール、またはチアゾール(ここで、上記の基の各々は置換されていても置換されていなくてもよい)から成る群から選択される、請求項９または１０に記載の化合物。
【請求項１３】
Ｒ１が芳香族性である、請求項９に記載の化合物。
【請求項１４】
Ｒ１が、少なくとも１個のカルボニル、アミド、トリフルオロメチル、ハロゲン、ニトロ、ニトロソ、スルホニル、スルフィニル、ホスホリル、またはオキソ基で置換されている、請求項９に記載の化合物。
【請求項１５】
Ｒ１が、以下の構造を有するニトロ置換イミダゾール−１−イルまたは３−ニトロ−１,２,４−トリアゾール−１−イル基
【化５】
2009512714.tif 000005
(ここで、Ｒ２０はハロ、アルキル、または置換アルキルである)
である、請求項９または１０に記載の化合物。
【請求項１６】
各Ｌが独立して結合または−(Ｔ)ｎ−Ｘ−(ここで、ＸはＯ、Ｓ、−ＮＨ−、または結合であり；Ｔは独立してＣＲＲ'であり；ｎは１から３の整数であり、そしてＲおよびＲ'の各々は水素、低級アルキル、および置換低級アルキルから独立して選択される)である、請求項９に記載の化合物。
【請求項１７】
ＷＯ−が
【化６】
2009512714.tif 000006
から成る群から選択される、請求項１６に記載の化合物。
【請求項１８】
工程ａ)およびｂ)を、相乗的抗新生物効果を生ずるのに有効な処置スケジュールに従い適用する、請求項９に記載の化合物。
【請求項１９】
式(II)
【化７】
2009512714.tif 000007
〔式中、
ＸはＳ、−ＮＲ−、または共有結合であり；
Ｙは＝ＮＯ−、−Ｎ(Ｈ)Ｏ−、＝Ｎ−、−ＮＲ−、Ｏ、Ｓ、または共有結合であり；
Ｔは独立してＣＲＲ'であり；
ＲおよびＲ'の各々は独立して水素、アルキル１−４、および置換アルキル１−４から選択され；
ｎは０から８の整数であり；
Ｒ１は所望によりハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、シアノ、ニトロ、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、低級アルコキシカルボニル、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アルキルカルボニルアミノ、糖およびリン酸化糖から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基で置換されている炭素環式環、所望によりハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、シアノ、ニトロ、フェニル、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、低級アルコキシカルボニル、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アルキルカルボニルアミノ、糖およびリン酸化糖から成る群から独立して選択される１または２個の置換基で置換されているヘテロ環式環、または所望によりハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、シアノ、ニトロ、フェニル、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、低級アルコキシカルボニル、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アルキルカルボニルアミノ、糖およびリン酸化糖から成る群から独立して選択される１〜５個の置換基で置換されている縮合２、３または４環ヘテロ環式環である；
ただし、Ｘが結合であるとき、Ｙは＝ＮＯ−、−Ｎ(Ｈ)Ｏ−、＝Ｎ−またはＳであり；
Ｒ２は水素、ハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、ＲＱＹ−Ｌ−Ｃ(Ｏ)Ｏ−、シアノ、ニトロ、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、ホルミル、低級アルコキシカルボニル、トリ低級アルキルシリル、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アルコキシカルボニルオキシ、糖、リン酸化糖、Ｏ−キノン、置換低級アルキルアミノメチル、低級アルキルカルボニルアミノ、低級アルキルカルボニルオキシメチル、所望により置換されている低級アルキルカルボニルオキシメチル、置換ビニル、１−ヒドロキシ−２−ニトロエチル、アルコキシカルボニルエチル、アミノカルボニル、アルキルカルボニル、アルキルカルボニルオキシメチル、ベンゾイルメチル、ベンジルカルボニルオキシメチル、低級アルキルイミノメチルまたは低級アルコキシメチルであり；
Ｒ３は水素、ハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、ＲＱＹ−Ｌ−Ｃ(Ｏ)Ｏ−、シアノ、ニトロ、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、ホルミル、低級アルコキシカルボニル、ＣＨ２ＮＲ７Ｒ８(ここで、Ｒ７およびＲ８の各々は、独立してＨ、１−６炭素のアルキル、所望により置換されているフェニル、ヒドロキシ低級アルキル、アミノ低級アルキル、またはモノ−またはジアルキルアミノ低級アルキルであるか、またはＲ７およびＲ８は、−Ｎ−と一緒になって環状アミノ−を示す)、ＣＨ２Ｒ９(ここで、Ｒ９は低級アルコキシ、ＣＮ、アミノ低級アルコキシ、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ低級アルコキシ、低級アルキルチオ、アミノ低級アルキルチオ、またはモノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ低級アルキルチオである)、ＮＲ１０Ｒ１１(ここで、Ｒ１０およびＲ１１の各々は、独立して水素、低級アルキル、フェニル、ヒドロキシ低級アルキル、またはアミノ低級アルキルであるか、またはＲ１０およびＲ１１は、−Ｎ−と一緒になって環状アミノを示す)、トリアルキルシリル、ジアルキルアミノアルキル、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アルコキシカルボニルオキシ、糖、リン酸化糖、Ｏ−キノン、置換低級アルキルアミノメチル、または低級アルキルカルボニルアミノであるか、またはＲ３はＲ４と一緒になってフラン、ジヒドロフランまたは１,４−オキサジン−２−オンであり；
Ｒ４は水素、ハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、ＲＱＹ−Ｌ−Ｃ(Ｏ)Ｏ−、シアノ、ニトロ、アミノ、アミノ低級アルキル、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、ホルミル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイルオキシ、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アルコキシカルボニルオキシ、糖、リン酸化糖、Ｏ−キノン、置換低級アルキルアミノメチル、または低級アルキルカルボニルアミノであるか、またはＲ４はＲ３と一緒になってフラン、ジヒドロフランまたは１,４−オキサジン−２−オンであるか、またはＲ４はＲ５と一緒になってメチレンジオキシであり；
Ｒ５は水素、ハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、ＲＱＹ−Ｌ−Ｃ(Ｏ)Ｏ−、シアノ、ニトロ、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、ホルミル、低級アルコキシカルボニル、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アルコキシカルボニルオキシ、糖、リン酸化糖、Ｏ−キノン、置換低級アルキルアミノメチル、または低級アルキルカルボニルアミノであり；
Ｒ６は水素、ハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、ＲＱＹ−Ｌ−Ｃ(Ｏ)Ｏ−、シアノ、ニトロ、アミノ、トリアルキルシリル、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、ホルミル、低級アルコキシカルボニル、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アルコキシカルボニルオキシ、糖、リン酸化糖、Ｏ−キノン、置換低級アルキルアミノメチル、または低級アルキルカルボニルアミノであり；
Ｌは結合または、所望により低級アルキルもしくは置換低級アルキルで置換されている直鎖アルキレン(１−８)基であり、ここで、該直鎖アルキレン基の１個または２個のメチレン(−ＣＨ２−)単位は所望によりＯ、ＳまたはＮＨで置き換えられていてよく；そして
ＲＱは所望により置換されている炭素環式、ヘテロ環式、または縮合２、３または４環ヘテロ環式である。〕
の化合物またはそれらの薬学的に許容される塩。
【請求項２０】
Ｒ２、Ｒ４、またはＲ５の１個が(トリス(ヒドロキシメチル)メチルアミノ)メチル、(ビス(ヒドロキシメチル)メチルアミノ)メチル、および(２−ヒドロキシエチルアミノ)メチルから成る群から選択される、請求項１９に記載の化合物。
【請求項２１】
Ｒ２が(トリス(ヒドロキシメチル)メチルアミノ)メチル、(ビス(ヒドロキシメチル)メチルアミノ)メチル、および(２−ヒドロキシエチルアミノ)メチルから成る群から選択される、請求項２０に記載の化合物。
【請求項２２】
Ｒ３が水素、ジメチルアミノ、アミノ、またはニトロであり；
Ｒ４が水素、ヒドロキシ、または４−(１−ピペリジノ)−１−ピペリジノカルボニルオキシであるか；または
Ｒ４がＲ５と一緒になってメチレンジオキシであり；
Ｒ５が水素であるか；または
Ｒ５がＲ４と一緒になってメチレンジオキシであり；そして
Ｒ６が水素である、
請求項２１に記載の化合物。
【請求項２３】
Ｒ３が水素であり；そして
Ｒ４がＲ５と一緒になってメチレンジオキシである、
請求項２２に記載の化合物。
【請求項２４】
Ｒ３、Ｒ４、およびＲ５の各々が水素である、請求項２２に記載の化合物。
【請求項２５】
Ｒ１が芳香族性である、請求項１９に記載の化合物。
【請求項２６】
Ｘが共有結合である、請求項２５に記載の化合物。
【請求項２７】
Ｙが＝ＮＯ−または−Ｎ(Ｈ)Ｏ−である、請求項２６に記載の化合物。
【請求項２８】
ｎが１であり、そしてＲおよびＲ'の各々が独立してメチルまたは水素である、請求項２７に記載の化合物。
【請求項２９】
Ｒ１が置換または非置換炭素環式である、請求項２８に記載の化合物。
【請求項３０】
置換または非置換炭素環式が９−フルオレニルである、請求項２９に記載の化合物。
【請求項３１】
該化合物が：
【化８】
2009512714.tif 000008
から成る群から選択される、請求項３０に記載の化合物。
【請求項３２】
９−フルオレニルが少なくとも１個のニトロ基で置換されている、請求項３０に記載の化合物。
【請求項３３】
Ｒ１が
【化９】
2009512714.tif 000009
である、請求項３２に記載の化合物。
【請求項３４】
化合物が：
【化１０】
2009512714.tif 000010
【化１１】
2009512714.tif 000011
【化１２】
2009512714.tif 000012
から成る群から選択される、請求項３３に記載の化合物。
【請求項３５】
Ｒ１またはＲＱが
【化１３】
2009512714.tif 000013
(ここで、Ｒ２０はハロ、アルキル、または置換アルキルである)
である、請求項１９に記載の化合物。
【請求項３６】
Ｒ１Ｙ−(Ｔ)ｎ−Ｘ−Ｃ(Ｏ)Ｏ−が
【化１４】
2009512714.tif 000014
である、請求項１９に記載の化合物。
【請求項３７】
Ｒ２が水素であり；
Ｒ３がＣＨ２ＮＲ７Ｒ８(ここで、Ｒ７およびＲ８の各々は、独立してＨ、１−６炭素のアルキル、所望により置換されているフェニル、ヒドロキシ低級アルキル、アミノ低級アルキル、またはモノ−もしくはジアルキルアミノ低級アルキルであるか、またはＲ７およびＲ８は、−Ｎ−と一緒になって環状アミノ−を示す)、ＮＲ１０Ｒ１１(ここで、Ｒ１０およびＲ１１の各々は、独立して水素、低級アルキル、フェニル、ヒドロキシ低級アルキル、またはアミノ低級アルキルであるか、またはＲ１０およびＲ１１は、−Ｎ−と一緒になって環状アミノを示す)、またはジアルキルアミノアルキルであり；
Ｒ４が低級アルコキシ、ヒドロキシ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、ホルミル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイルオキシ、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アルコキシカルボニルオキシ、糖、リン酸化糖であるか、またはＲ４がＲ５と一緒になってメチレンジオキシであり；
Ｒ５が水素であるかまたはＲ４と一緒になってメチレンジオキシであり；そして
Ｒ６が水素である、
請求項１９に記載の化合物。
【請求項３８】
Ｒ３がＣＨ２ＮＲ７Ｒ８(ここで、Ｒ７およびＲ８の各々が低級アルキルである)であり、Ｒ４がヒドロキシ、アルコキシ、低級アルコキシカルボニルオキシまたはアルキルカルボニルオキシであり、そしてＲ５が水素である、請求項３７に記載の化合物。
【請求項３９】
Ｒ３がＣＨ２Ｎ(ＣＨ３)２である、請求項３８に記載の化合物。
【請求項４０】
Ｒ４がヒドロキシである、請求項３９に記載の化合物。
【請求項４１】
Ｒ２が水素、低級アルキルまたはハロゲン化低級アルキルであり；
Ｒ３が水素または低級アルキルであり；
Ｒ４が低級アルコキシ、ヒドロキシ、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、カルバモイルオキシ、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アルコキシカルボニルオキシ、糖、リン酸化糖であるか、またはＲ４がＲ５と一緒になってメチレンジオキシであり；
Ｒ５が水素であるか、またはＲ４と一緒になってメチレンジオキシであり；そして
Ｒ６が水素である、
請求項１９に記載の化合物。
【請求項４２】
Ｒ３が水素であり、Ｒ４がカルバモイルオキシであり、そしてＲ５が水素である、請求項４１に記載の化合物。
【請求項４３】
Ｒ２が低級アルキルであり、そしてＲ４が４−(１−ピペリジノ)−１−ピペリジノカルボニルオキシである、請求項４１に記載の化合物。
【請求項４４】
Ｒ２がエチルである、請求項４３に記載の化合物。
【請求項４５】
Ｒ２が水素であり、そしてＲ４が４−(１−ピペリジノ)−１−ピペリジノカルボニルオキシである、請求項４４に記載の化合物。
【請求項４６】
Ｒ２が水素であり、Ｒ３が水素であり、そしてＲ４がｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニルオキシである、請求項４１に記載の化合物。
【請求項４７】
Ｒ２が低級アルキルであり；
Ｒ３が水素であり；
Ｒ４がヒドロキシ、低級アルコキシ、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、ホルミル、低級アルコキシカルボニル、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アルコキシカルボニルオキシ、糖、またはリン酸化糖であり；
Ｒ５が水素であり；そして
Ｒ６が水素である、
請求項１９に記載の化合物。
【請求項４８】
Ｒ２がエチルであり、そしてＲ４がヒドロキシである、請求項４７に記載の化合物。
【請求項４９】
Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６の各々が水素であり、そしてＲ３がアミノまたはニトロである、請求項１９に記載の化合物。
【請求項５０】
Ｒ３がアミノである、請求項４９に記載の化合物。
【請求項５１】
Ｒ３がニトロである、請求項４９に記載の化合物。
【請求項５２】
Ｒ２がトリ−低級アルキルシリルであり；
Ｒ３が水素であり；
Ｒ４がヒドロキシ、低級アルコキシ、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、ホルミル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイルオキシ、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アルコキシカルボニルオキシ、糖、またはリン酸化糖であり；
Ｒ５が水素であり；そして
Ｒ６が水素である、
請求項１９に記載の化合物。
【請求項５３】
Ｒ２がｔ−ブチルジメチルシリルであり、そしてＲ４がヒドロキシである、請求項５２に記載の化合物。
【請求項５４】
請求項１９に記載の化合物を、薬学的に許容される賦形剤と共に含む、医薬組成物。
【請求項５５】
腫瘍を有する対象における癌障害を処置するための、請求項５４に記載の組成物。
【請求項５６】
対象に該組成物を投与し、さらに該対象の腫瘍を投与単位線量の放射線に曝すことを含む方法に用いられる、請求項５５に記載の組成物。
【請求項５７】
新生物の処置のための、
式(Ｉ)
【化１５】
2009512714.tif 000015
〔式中、
ＷはアルキルＣ(Ｏ)−、またはＲ１Ｙ−Ｌ−Ｃ(Ｏ)−である。ただしＷがアルキルＣ(Ｏ)−であるとき、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、またはＲ６の少なくとも１個がニトロであり；
Ｌは結合または、所望により低級アルキルもしくは置換低級アルキルで置換されている直鎖アルキレン(１−８)基であり、ここで、該直鎖アルキレン基の１個または２個のメチレン(−ＣＨ２−)単位は所望によりＯ、ＳまたはＮＨで置き換えられていてよく；
Ｙは＝ＮＯ−、−Ｎ(Ｈ)Ｏ−、＝Ｎ−、−ＮＲ−、Ｏ、Ｓ、または結合であり；
ＲはＨ、アルキル、または置換アルキルであり；
Ｒ１は所望により置換されている炭素環式、ヘテロ環式、または縮合２、３または４環ヘテロ環式であり；
Ｒ２は水素、ハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、ＲＱＹ、ＲＱＹ−Ｌ−Ｃ(Ｏ)Ｏ−、シアノ、ニトロ、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、ホルミル、低級アルコキシカルボニル、低級アルコキシカルボニルオキシ、糖、リン酸化糖、トリ低級アルキルシリル、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アルキルカルボニルアミノ、低級アルキルカルボニルオキシメチル、置換ビニル、１−ヒドロキシ−２−ニトロエチル、アルコキシカルボニルエチル、アミノカルボニル、アルキルカルボニル、アルキルカルボニルオキシメチル、ベンゾイルメチル、ベンジルカルボニルオキシメチル、または低級アルコキシメチルであり；
Ｒ３は水素、ハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、ＲＱＹ−Ｌ−Ｃ(Ｏ)Ｏ−、シアノ、ニトロ、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、ホルミル、低級アルコキシカルボニル、低級アルコキシカルボニルオキシ、糖、リン酸化糖、ＣＨ２ＮＲ７Ｒ８(ここで、Ｒ７およびＲ８の各々は、独立してＨ、１−６炭素のアルキル、所望により置換されているフェニル、ヒドロキシ低級アルキル、アミノ低級アルキル、またはモノ−もしくはジアルキルアミノ低級アルキルであるか、またはＲ７およびＲ８は、−Ｎ−と一緒になって環状アミノ−を示す)、ＣＨ２Ｒ９(ここで、Ｒ９は低級アルコキシ、ＣＮ、アミノ低級アルコキシ、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ低級アルコキシ、低級アルキルチオ、アミノ低級アルキルチオ、またはモノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ低級アルキルチオである)、ＮＲ１０Ｒ１１(ここで、Ｒ１０およびＲ１１の各々は、独立して水素、低級アルキル、フェニル、ヒドロキシ低級アルキル、またはアミノ低級アルキルであるか、またはＲ１０およびＲ１１は、−Ｎ−と一緒になって環状アミノを示す)、ジアルキルアミノアルキル、低級アルキルカルボニルオキシ、または低級アルキルカルボニルアミノであり；そして
Ｒ４は水素、ハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、ＲＱＹ−Ｌ−Ｃ(Ｏ)Ｏ−、シアノ、ニトロ、アミノ、アミノ低級アルキル、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、ホルミル、低級アルコキシカルボニル、低級アルコキシカルボニルオキシ、糖、リン酸化糖、カルバモイルオキシ、低級アルキルカルボニルオキシ、または低級アルキルカルボニルアミノであるか、またはＲ４はＲ５と一緒になってメチレンジオキシであり；
Ｒ５は水素、ハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、ＲＱＹ−Ｌ−Ｃ(Ｏ)Ｏ−、シアノ、ニトロ、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、ホルミル、低級アルコキシカルボニル、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アルコキシカルボニルオキシ、糖、リン酸化糖、または低級アルキルカルボニルアミノであり；
Ｒ６は水素、ハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、ＲＱＹ−Ｌ−Ｃ(Ｏ)Ｏ−、シアノ、ニトロ、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、ホルミル、低級アルコキシカルボニル、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アルコキシカルボニルオキシ、糖、リン酸化糖、または低級アルキルカルボニルアミノであり；そして
ＲＱは所望により置換されている炭素環式、ヘテロ環式、または縮合２、３または４環ヘテロ環式である。〕
を有する化合物またはそれらの薬学的に許容される塩であって、
ａ)対象に該化合物またはそれらの薬学的に許容される塩を投与し、そして
ｂ)該対象を投与単位線量の放射線に曝す
ことを含む方法に用いられる、化合物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
用語“電子親和性”は、親和性部分が１個以上の電子との化学的組合せ中に入り、そこに滞留する原因となる、当該部分が電子に対して有する誘引性を意味する。典型的に電子親和性部分は化学的に還元可能である(すなわち酸化基)。代表的電子親和性部分は、ここに示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
“６員ヘテロ環式環”は、少なくとも１個のヘテロ原子を有し、完全に飽和、部分的に飽和、または不飽和(すなわち本質的に芳香族性)であり得る６員環の一価または二価ラジカルである。一般に本ヘテロ環は３個以上のヘテロ原子は含まない。本ヘテロ環は、炭素原子またはヘテロ原子を介して、単結合または二重結合により結合している。ヘテロ原子１個のみの不飽和６員ヘテロ環の例は、２−、３−、または４−ピリジニル、２Ｈ−ピラニル、および４Ｈ−ピラニル(pyanyl)を含む。対応する部分的に飽和または完全に飽和のラジカルは、２−、３−、または４−ピペリジニル、２−、３−、または４−テトラヒドロピラニルなどを含む。２個のヘテロ原子を有する代表的不飽和６員ヘテロ環式ラジカルは、３−または４−ピリダジニル、２−、４−、または５−ピリミジニル、２−ピラジニルなどを含む。対応する完全に飽和および部分的に飽和のラジカル、例えば２−ピペラジンも含まれる。本ラジカルは、本発明の範囲内に入る化合物の製造を顕著に妨害しない、そして、本化合物の効果を顕著に低下させない位置で所望により置換基で置換されている。本環は所望によりハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、シアノ、ニトロ、フェニル、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、低級アルコキシカルボニル、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アルキルカルボニルアミノ、糖およびリン酸化糖から成る群から選択される１個または２個の置換基で置換されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
３. 本発明の処置法
ａ. 処置される癌のタイプ
本発明は癌の処置に関する。より具体的に、本発明は、新生物を有する対象、特にヒトのような哺乳動物の処置方法であって、該対象に抗新生物結果を生ずるのに十分な期間治療的有効量の新規式(II)の化合物を投与することを含む方法に関する。本処置は、所望により、新生物に電離放射線を向ける工程を含んでよい。本新生物はまたここに記載のＣＰＴ骨格の化合物を投与し、そして新生物を有効量の電離放射線、すなわち最低１投与単位線量に暴露することにより処置され得る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
ｄ. 細胞増感
本発明の一つの局面は、腫瘍細胞を放射線に対して増感する方法であって：ａ)それを必要とするヒトまたは動物対象に、１個以上の放射線増感電子親和性基を含むカンプトテシン誘導体を含む化合物を投与し；そしてｂ)該対象を投与単位線量の放射線に曝すことを含む、方法である。いくつかの態様において、工程ａ)およびｂ)を、相乗的抗新生物効果を生ずるのに有効な処置スケジュールに従い適用する。好ましくは該放射線増感電子親和性基の少なくとも１個が、ＣＰＴのＣ５、Ｃ７、Ｃ９、Ｃ１０、Ｃ１１、Ｃ１２もしくはＣ２０位に結合した、ニトロ置換炭素環式またはニトロ置換ヘテロ環式芳香族性部分である、本発明の放射線増感化合物は、“電子親和性基”をカンプトテシン誘導体のコアのＣ５、Ｃ７、Ｃ９、Ｃ１０、Ｃ１１、Ｃ１２またはＣ２０炭素に結合することにより製造する。カンプトテシンと“電子親和性基”の間のリンカーの長さおよび性質は変え得る。いくつかの態様において、本炭素環式またはヘテロ環式部分は芳香族性であり、好ましくはＣ７、Ｃ９、Ｃ１０、Ｃ１１、Ｃ１２またはＣ２０位である。ある好ましい態様において、本炭素環式またはヘテロ環式部分は(＋)または(−)−２−(２,４,５,７−テトラニトロ−９−フルオレニリデンアミノオキシ)−プロピオン酸(ＴＡＰＡ)または２−(２,４,５,７−テトラニトロ−９−フルオレニリデンアミノオキシ)−エタン酸である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
放射線増感組成物を腫瘍細胞に投与し、そして該腫瘍細胞の放射線増感を増強するのに十分な時間が経過した後、該腫瘍細胞を、該腫瘍細胞を破壊するのに有効な線量の放射線で照射する。一般に、患者は、７〜８週間にわたり約６０から７６Gyの総放射線線量を受け、各放射線線量は、該放射線増感剤の投与から約１〜４時間後に与えられるべきである。放射線増感処置および照射のこのような順番を悪性物の拡散を寛解し、そして所望により現時、または除くために必要に応じて繰り返す。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
式(Ｉ)により記載される活性カンプトテシン誘導体内に包含され得るＲ１基は、所望によりハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、シアノ、ニトロ、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ホルミル、低級アルキルカルボニル、ヒドロキシカルボニル、低級アルキルカルボニルオキシ、ベンジルオキシ、所望により置換されているピペラジノ、低級アルコキシカルボニル、および低級アルキルカルボニルアミノから成る群から独立して選択される１〜５個の置換基で置換されているフェニル；所望によりハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、シアノ、ニトロ、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、低級アルコキシカルボニル、低級アルキルカルボニルオキシ、および低級アルキルカルボニルアミノから成る群から独立して選択される１〜５個の置換基で置換されている縮合した、２、３、または４環ヘテロ環系；所望によりハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、シアノ、ニトロ、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、低級アルコキシカルボニル、低級アルキルカルボニルオキシ、および低級アルキルカルボニルアミノから成る群から独立して選択される１〜４個の置換基で置換されている１−または２−ナフチル；または環が所望によりハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、シアノ、ニトロ、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、低級アルコキシカルボニル、低級アルキルカルボニルオキシ、および低級アルキルカルボニルアミノから成る群から選択される１個または２個の置換基で置換されていてもよい、１個または２個の窒素原子を含む５または６員ヘテロ環式環を含む。好ましい態様において、Ｒ１は少なくとも１個のカルボニル、アミド、トリフルオロメチル、ハロゲン、ニトロ、ニトロソ、スルホニル、スルフィニル、ホスホリル、またはオキソ基で置換されている。他の態様において、Ｒ１はＯ−キノン、セミキノン、フルオレン、イミダゾール、トリアゾール、ピリジン、ベンズアミド、ニコチンアミド、ベンゾトリアジンオキシド、フラン、チオフェン、オキサゾール、またはチアゾール(ここで、上記の基の各々は置換されていても置換されていなくてもよい)から成る群から選択される。他の態様において、Ｒ１は芳香族性である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
ここで使用する、本発明のＣＰＴ誘導体の“治療的に有効な量”は、悪性細胞の増殖を阻害または遅延させる、または、悪性腫瘍を有する対象の場合、腫瘍増殖の速度を減少させる、そのような腫瘍の容積を減少させる、または腫瘍を完全に除く化合物の量を意味することを意図する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
米国特許６,４０３,６０４の化合物は、以下の通りである：
【化１１】
2009512714.tif 000016
〔式中、
ＲはＲａＲｂＮ−(ＣＨ２)ｍであり、ｍは２であり、
ＲａＲｂはＮと一緒になって(ａ)環内に２個以上の付加的窒素、酸素、または硫黄原子を有さない５、６、または７員環状アミン（この環は、低級アルキル、低級シクロアルキル、ヒドロキシ低級アルキル、フェニル、置換フェニル(ハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、シアノ、ニトロ、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、カルボニル、ヒドロキシカルボニル、低級アルキルカルボニルオキシ、ベンジルオキシ、所望により置換されているピペリジノ、低級アルコキシカルボニル、および低級アルキルカルボニルアミノから独立して選択される１〜５個の置換基で置換されている)、ベンジル、置換ベンジル(ハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、シアノ、ニトロ、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、カルボニル、ヒドロキシカルボニル、低級アルキルカルボニルオキシ、ベンジルオキシ、所望により置換されているピペリジノ、低級アルコキシカルボニル、および低級アルキルカルボニルアミノから独立して選択される１〜５個の置換基で置換されている)、アミノカルボニルメチル、低級アルキルアミノカルボニルメチル、アミノ、モノ−またはジ−低級アルキルアミノ、環状アミノ、または５−または６員ヘテロ環式環所望によりから成る群から選択される１個または２個の置換基で置換されているハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、シアノ、ニトロ、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、低級アルコキシカルボニル、低級アルキルカルボニルオキシ、および低級アルキルカルボニルアミノから選択される２個までの置換基で所望により置換されている縮合環系をもたらす、他の１個または複数個の炭素環式環に縮合している）、または(ｂ)５または６員環状イミド環を形成し；
Ｒ２は水素、ハロ、低級アルキル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、ＲＣ(Ｏ)Ｏ(ここで、Ｒは上記で定義の通り)、シアノ、ニトロ、アミノ、ハロゲン化低級アルキル、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、ホルミル、低級アルコキシカルボニル、トリ低級アルキルシリル、低級アルキルカルボニルオキシ、低級アルキルカルボニルアミノ、低級アルキルカルボニルオキシメチル、置換ビニル、１−ヒドロキシ−２−ニトロエチル、アルコキシカルボニルエチル、アミノカルボニル、アルキルカルボニル、アルキルカルボニルオキシメチル、ベンゾイルメチル、ベンジルカルボニルオキシメチル、または低級アルコキシメチルであり、
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
さらに別の好ましい本発明の化合物は、
Ｒ２が低級アルキルであり；
Ｒ３が水素であり；
Ｒ４がヒドロキシ、低級アルコキシ、ハロゲン化低級アルコキシ、ヒドロキシカルボニル、ホルミル、低級アルコキシカルボニル、低級アルコキシカルボニルオキシ、糖、リン酸化糖、または低級アルキルカルボニルオキシであり；
Ｒ５が水素であり；そして
Ｒ６が水素である
式(II)をである。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
Ｃ９およびＣ１０類似体
電子親和性基もまた９または１０位に結合し得る。９−または１０−アミノＣＰＴ(J. Med. Chem. 1993, 36, 2689-2700)とニトロ置換ケトンの縮合は対応するイミンとなる。例えば、２,４,５,７−テトラニトロフルオレン−９−オン(Aldrichから市販されている)は、９または１０位に放射線増感テトラニトロフルオレニル基を有する対応するイミン４.１をもたらす(スキーム４)。イミン４.１中の二重結合のＮａＢＨ４のような還元剤での還元、続く２０−ヒドロキシ基のアシルハライドでのアシル化により、アミン４.２を得る。いくつかの他のニトロアルデヒドまたはニトロケトンも同様に反応する。
【化２４】
2009512714.tif 000017
スキーム４
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４８】
注射のために適当な医薬形態は、滅菌溶液、分散剤、エマルジョン、および滅菌粉末を含む。最終形態は、製造および貯蔵条件下で安定でなければならない。さらに、最終医薬形態は汚染物に対して保護されなければならず、故に、細菌および真菌のような微生物の増殖を阻害できなければならない。単一静脈内または腹腔内用量を投与できる。あるいは、ゆっくりした長時間輸液または複数の短時間の毎日の輸液を、典型的に１〜８日間にわたり利用し得る。一日おきまたは数日おきの投与も利用し得る。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５１】
微生物の増殖の防止または阻止は、クロロブタノール、アスコルビン酸、パラベン、サーメロサール(thermerosal)などのような１種以上の抗微生物剤の添加を介して達成できる。糖または塩のような張性を変える薬剤を包含するのもまた好ましいことがある。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５２】
ある場合、例えば、本発明の化合物が非常に水不溶性、リポソーム送達を提供することが有用であり得る。この系は、本発明の化合物を脂質小胞またはリポソーム、またはミセル中に、上にまたはそれらにより取りこませる、封入する、囲む、またはエントラップすることにより拘束する。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５７】
故に、本発明の化合物のいくつかまたは全ては、リポソームまたはミセルの区画の１個以上に位置するか、または本発明の化合物はリポソームの膜に結合する。化合物が脂質膜に結合するとき、本発明の化合物のいくつかまたは全ての少なくともラクトン環がリポソームの脂質膜に結合し、リポソームが２個以上の二層膜を含むとき、本発明の化合物は少なくとも１個の膜に結合している。このような膜に高親和性を有するこれらの本発明の化合物は膜に結合したままの傾向を有する。リポソーム膜に低親和性の本発明の化合物は、リポソーム膜から少なくとも部分的に解離し、リポソーム区画内に存在する。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１８】
実施例１８
ＣＰＴ類似体の化学療法活性
細胞コロニー形成アッセイ
４００個の細胞(ＨＣＴ１１６：ヒト結腸癌細胞系)または５００個の細胞(ＶＭ４６：タキソール耐性、過剰発現多剤耐性遺伝子、ＨＣＴ−１１６の亜系)(ＰＣ−３：ヒト前立腺癌細胞系)を２.７mLの培地(１０％ウシ胎児血清および１００単位／ml  ペニシリンおよび１００μg／ml  ストレプトマイシン含有改変マッコイ５ａ培地)を含む６０mm  ペトリ皿に播種した。細胞を、ペトリ皿の底に付着させるためにＣＯ２インキュベーター中、３７℃で５時間インキュベートした。薬剤を培地中、最終濃度の１０倍で調製し、次いで０.３mlのこの貯蔵溶液を、皿内の５％ウシ胎児血清(ＢＣＳ)を含む２.７mLの培地に添加した。細胞を次いで薬剤と共に、７２時間、３７℃でインキュベートした。インキュベート終了時に、薬剤含有培地を傾捨し、皿を４mlのハンクス平衡塩溶液(ＨＢＳＳ)で濯ぎ、５mlの１５％ＢＣＳ含有新鮮培地を添加し、皿をコロニー形成のためにインキュベーターに戻した。メチレンブルー(エタノール中０.５％)で染色された細胞コロニーを、ＨＣＴ１１６細胞およびＰＣ−３細胞については８日間、およびＶＭ４６細胞については９日間各々インキュベーションした後にコロニーカウンターで計測した。細胞生存率を計算し、ＩＣ５０値(コロニー形成の５０％阻害をもたらす薬剤濃度)を各試験化合物について決定した。結果を表６に示す。本発明の他の化合物は、この方法に従い同様に評価できる。
【表９】
2009512714.tif 000018