【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年12月18日(2008.12.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光活性半導体チップ（１３）用のケーシング（１）の製造方法において、
以下の各方法ステップ：
トラフ状のセラミック基板（４）を形成するステップを有しており、
前記セラミック基板（４）は、セラミック材からなるボード（２）を有しており、該ボード（２）上に各側壁（３）が載置されて積層されており、該各側壁（３）は、Ｕ字状形乃至コの字状形であり、該構成により、前記セラミック基板（４）は、前記ボード（２）に対向するトラフ状の開口部（５）を有していて、前記各側壁のうちの１つの側壁（３）内に、前記トラフ状の開口部（５）のうち側面開口部（６）が形成されるようにされており、
前記セラミック基板（４）上に金属部（７）を取付けるステップを有しており、前記金属部（７）としてメタルフレームが使用され、前記メタルフレームは、前記各側壁（３）上及び前記側面開口部（６）上に、前記トラフ状の開口部（５）の周囲に取り付けられており、該構成により、前記側面開口部を囲む窓用の固定面が、前記ボード（２）の前側、前記各側壁（３）の前側、及び、前記メタルフレームの前側に形成され、
前記窓（１１）を前記固定面上に取付けるステップ
を有することを特徴とする製造方法。
【請求項２】
側壁を、相互に積層したＵ字形ストリップ（３）から形成する請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
セラミック基板（４）を、金属部（７）を取り付ける前に焼結する請求項１又は２記載の製造方法。
【請求項４】
窓（１１）を、セラミック基板（４）及び金属部（７）にソルダリングする請求項１〜３迄の何れか１記載の製造方法。
【請求項５】
ソルダリング過程用にソルダガラスを用いる請求項４記載の製造方法。
【請求項６】
窓（１１）を金属層でコーティングし、メタルソルダリングを用いてソルダリングする請求項４記載の製造方法。
【請求項７】
メタルフレーム（７）の開口（５）を通して光活性半導体チップ（１３）をケーシング内に取付け、それから、メタルカバー（１２）をソルダリングすることによって前記メタルフレーム（７）を閉じる請求項１から６迄の何れか１記載の製造方法。
【請求項８】
カバーを、コバール製にする請求項７記載の製造方法。
【請求項９】
光活性半導体チップを金線を用いてボンディングする請求項１から８迄の何れか１記載の製造方法。
【請求項１０】
セラミック基板のボード上に導体路を構成し、該導体路を、前記ボードの下側面上のコンタクトに案内する請求項１から９迄の何れか１記載の製造方法。
【請求項１１】
セラミックボードに２つのコンタクトピンを取り付け、それにより、ケーシングをプリント配線板にソルダリングする請求項１０記載の製造方法。
【請求項１２】
光活性半導体チップ（１３）を、ＩＩＩ−Ｖ結合型半導体に基づいて製造し、セラミックを、Ａｌ２Ｏ３に基づいて製造し、窓を、６〜８×１０−６／℃の熱膨張係数のガラスを使う請求項１〜１１迄の何れか１記載の製造方法。
【請求項１３】
光活性半導体チップ（１３）を、電磁ビーム放射型半導体チップにする請求項１〜１２迄の何れか１記載の製造方法。
【請求項１４】
光活性半導体チップ（１３）を、電磁ビーム受信型半導体チップにする請求項１〜１２迄の何れか１記載の製造方法。
【請求項１５】
光活性半導体チップ用のケーシングにおいて、
トラフ状セラミック基板（４）を有しており、
前記セラミック基板（４）は、セラミック材からなるボード（２）を有しており、該ボード（２）上に各側壁（３）が載置されており、
該各側壁（３）は、Ｕ字状形乃至コの字状形であり、該構成により、前記セラミック基板は、前記ボード（２）に対向するトラフ状の開口部（５）を有していて、一方の側壁（３）に、側面開口部（６）が形成されており、
前記セラミック基板（４）上に金属部（７）が設けられており、
前記金属部（７）としてメタルフレームが使用され、前記メタルフレームは、前記各側壁（３）上及び前記側面開口部（６）上に前記トラフ状の開口部（５）の周囲に設けられており、該構成により、前記側面開口部を囲む、前記ボード（２）の前側面上、前記各側壁（３）の前側面上、及び、前記メタルフレームの前側面上の窓用の固定面が形成され、
前記固定面上に窓（１１）が取り付けられている
ことを特徴とするケーシング。
【請求項１６】
光活性半導体チップ（１３）は、電磁ビーム放射型半導体チップである請求項１５記載のケーシング。
【請求項１７】
光活性半導体チップ（１３）は、電磁ビーム受信型半導体チップである請求項１５記載のケーシング。
【請求項１８】
窓（１１）は、セラミック基板（４）及び金属部（７）にソルダリングしてある請求項１５記載のケーシング。
【請求項１９】
メタルフレーム（７）の開口（５）を通して光活性半導体チップ（１３）がケーシング内に取付けられており、それから、メタルカバー（１２）をソルダリングすることによって前記メタルフレーム（７）が閉じられている請求項１５から１８迄の何れか１記載のケーシング。
【請求項２０】
光活性半導体チップは金線を用いてボンディングしてある請求項１５から１９迄の何れか１記載のケーシング。
【請求項２１】
セラミック基板のボード上に導体路が構成されており、該導体路は、前記ボードの下側面上のコンタクトに案内されている請求項１５から２０迄の何れか１記載のケーシング。
【請求項２２】
光活性半導体チップ（１３）が、ＩＩＩ−Ｖ結合型半導体から成り、セラミックが、Ａｌ２Ｏ３から成り、窓は、６〜８×１０−６／℃の熱膨張係数のガラスである請求項１５〜２１迄の何れか１記載のケーシング。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の詳細な説明】
【発明の名称】光活性半導体チップ用ケーシング及び該ケーシングの製造方法
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光活性半導体チップ用ケーシングの製造方法に関する。
【０００２】
本発明は、更に、トラフ状のセラミック基板を有する光活性半導体チップ用ケーシングの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
その種のセラミックケーシングは一般に公知である。プラスチックケーシングに較べて、セラミックケーシングは、低温にも高温にも耐性があるという利点がある。プラスチックケーシングは、低温で脆くなり、高温で軟化するが、セラミックケーシングでは、材料特性が殆ど変化しない程良好である。
【０００４】
半導体チップ用のセラミックケーシングは、多数の形状にすることができる。所謂ＬＣＣセラミックケーシング（「リードレス・チップ・キャリア」）は、例えば、ケーシングに、外側にリードされたコンタクトピンは取り付けられていない。この種のケーシングは、ＳＭＤ技術用に構成されている。
【０００５】
しかし、従来技術では、側壁が平坦で大きくて光に対して透過性である光活性半導体チップ用のセラミックケーシングは公知ではない。しかし、そのようなセラミックケーシングは、複数の光活性の半導体チップ、例えば、半導体レーザをセラミックケーシング内に設ける必要がある場合には必要である。というのは、この場合、光は、各光活性構成素子から、セラミックケーシングの側壁を透過することができなければならないからである。
【０００６】
この従来技術に基づいて、本発明の課題は、側壁内に窓のあるセラミックケーシングの製造方法を提供することにある。
【０００７】
本発明の課題は、更に、光活性半導体チップに適したセラミックケーシングを作ることにある。
【０００８】
この課題は、本発明によると、以下の各方法ステップ：
トラフ状のセラミック基板を形成するステップを有しており、
セラミック基板は、セラミック材からなるボードを有しており、該ボード上に各側壁が載置されて積層されており、該各側壁は、Ｕ字状形乃至コの字状形であり、該構成により、セラミック基板は、ボードに対向するトラフ状の開口部を有していて、各側壁のうちの１つの側壁内に、トラフ状の開口部のうち側面開口部が形成されるようにされており、
セラミック基板上に金属部を取付けるステップを有しており、金属部としてメタルフレームが使用され、メタルフレームは、各側壁上及び側面開口部上に、トラフ状の開口部の周囲に取り付けられており、該構成により、側面開口部を囲む窓用の固定面が、ボードの前側、各側壁の前側、及び、メタルフレームの前側に形成され、
窓を固定面上に取付けるステップを有する方法によって解決される。
【０００９】
本発明のケーシングは、トラフ状セラミック基板を有しており、セラミック基板は、セラミック材からなるボードを有しており、該ボード上に各側壁が載置されており、該各側壁は、Ｕ字状形乃至コの字状形であり、該構成により、セラミック基板は、ボードに対向するトラフ状の開口部を有していて、一方の側壁に、側面開口部が形成されており、セラミック基板上に金属部が設けられており、金属部としてメタルフレームが使用され、メタルフレームは、各側壁上及び側面開口部上にトラフ状の開口部の周囲に設けられており、該構成により、側面開口部を囲む、ボードの前側面上、各側壁の前側面上、及び、メタルフレームの前側面上の窓用の固定面が形成され、固定面上に窓が取り付けられている。
【００１０】
本発明の方法では、先ず、セラミック基板が形成される。このセラミック基板は、片持ち式の材料強度の小さなセラミック部分を有している。従って、セラミック基板は、大きな強度とローバスト性を有している。
【００１１】
窓用のフレームは、セラミック基板の縁部によって、セラミック基板の製造後、当該セラミック基板上にコーティングされた金属部によって形成されている。このようにして、一方の側壁内にフレーム状の固定面が形成され、その際、セラミック基板に、片持ち式の材料強度の小さなセラミック部分を設けたり、ケーシング用に大きな構造高さを選択する必要はない。更に、従来技術のソルダリングプロセスを用いて金属部をセラミック基板に固定することができる。従って、付加的なコストを掛けずに、半導体産業の通常のプロセスで製造することができる。
【００１２】
本発明の方法によると、トラフ状開口部の周囲のメタルフレームを、金属部用に使う。
【００１３】
メタルフレームによって、光活性半導体チップをセラミックケーシング内に収容して、セラミックケーシングにボンディングすることができる。続いて、メタルフレーム上にメタルカバーが取り付けられ、このメタルフレームとソルダリングされ、その結果、光活性半導体チップ用のハーメチックシールケーシングが得られる。
【００１４】
本発明の別の有利な実施例は、従属請求項の対象である。
【００１５】
以下、本発明について、図示の実施例を用いて詳細に説明する。その際：
図１は、セラミックケーシングの展開図
図２ａ〜ｃは、セラミックケーシングの製造時の順次連続する方法ステップを示す図
図３は、本発明のセラミックケーシングの横断面図
を示す。
【００１６】
図１のセラミックケーシング１は、セラミックボード２を有している。セラミックケーシング１の側壁は、順次積層されたＵ字型の側面部３によって形成されている。セラミックボード２及び側面部３は共に、セラミック基板４を形成する（殊に、図２ａ〜２ｃから明らかに分かるように）。セラミック基板４は、側面部３がセラミックボード２上に積層され、続いて、セラミックボード２が側面部３と一緒に焼成されてセラミック基板４となるようにされている。この方法は、当業者には公知であり、本発明の対象ではない。
【００１７】
セラミック基板４は、トラフ状の開口部５を有するトラフ状の形状を有している。側面部３のＵ字型の形状により、セラミック基板は、トラフ状の開口部５を囲む、セラミック基板４の上にコーティングされたメタルフレーム７によって、トラフ状の開口部５から分離された側面開口６を有する。セラミックボード２の前側８と、側面部３の前側とメタルフレーム７の前側１０とによって形成された固定面上に、窓１１が形成される。最後に、セラミックケーシング１は、メタルフレーム７に取り付けられたメタルカバー１２によって閉じられる。
【００１８】
セラミックケーシング１の製造方法について、以下、図２ａ〜２ｃを用いて詳細に説明する。
【００１９】
先ず、セラミック基板４が製造され、その際、側面部３がセラミックボード２上に取り付けられる。続いて、セラミックボード２と側面部３とが一緒に焼成されてセラミック基板４となる。続いて、メタルフレーム７のセラミック基板４上にソルダリングされる。そのためには、殊に、通常の硬ろう付けが適している。その種の硬ろう付けは、当業者には公知であり、本発明の対象ではない。
【００２０】
更に、側面開口６は、窓１１によってハーメチックシールして閉じられている。これは、ガラスソルダリングを用いて行うか、又は、メタルソルダリングを用いて行うとよい。その際、この場合、窓は固定面上に載置された個所に金属層を設けるようにして、メタルソルダリングが窓１１に付着することができるようにする必要がある。
【００２１】
窓１１は、典型的には、ガラス製であり、このガラスの熱膨張係数は、セラミック基板４の熱膨張係数に適合されている。市販で入手できる種類のガラスは、熱膨張係数０．５〜２０×１０−６／℃である。従って、窓１１の熱膨張係数を、セラミック基板４の膨張係数に適合させることも良好に可能であり、Ａｌ２Ｏ３のベース上のセラミックでは、熱膨張係数は、例えば、６−６．５×１０−６／℃である。
【００２２】
窓１１は、反射防止膜又はフィルタ膜でコーティングしてもよい。更に、窓１１内にレンズ又は光導波路用のガイド又はフランジを構成してもよい。
【００２３】
窓１１のソルダリング後、セラミック基板内に光活性半導体チップ３を取り付けて、セラミック基板で、例えば、金線１４を用いてボンディングすることができる。続いて、メタルカバー１２は、メタルフレーム１７にソルダリングしてもよい。そうすることによって、セラミック基板４を介して、プラスチックケーシングに較べて良好な熱導出度のハーメチックシールされたケーシングを有するハーメチックシールケーシングが得られる。光活性半導体チップ１３として、電磁ビームを放射及び／又は受信する半導体チップを用いてもよい。
【００２４】
セラミックボード２上に、セラミックボード２の下側の、図示していないコンタクトに案内された導体路を構成してもよい。変形実施例では、例えば、セラミックボードに２つのコンタクトピンを取り付け、それにより、セラミックケーシング１をプリント配線板にソルダリングしてもよい。
【００２５】
半導体チップ１３は、例えば、レーザバーにするとよい。その種の広幅レーザバーを、前述の窓１１を通して光１５を放射するようにしてもよい。
【００２６】
従って、例えば、パルス状のレーザバーを収容するための、自動車技術で用いるための、又は、印刷技術で用いるためのセラミックケーシングが適している。と言うのは、前述の両方の環境内では、各々高い温度変動が生じることがあるのに対して、セラミックケーシング１は不感応である。
【００２７】
更に、セラミックケーシング１の寸法が合い続けるという点は特に有利である。半導体チップ１３を、ＩＩＩ−Ｖ結合型半導体のベース上に製造すると、セラミックケーシング、及び、セラミックケーシング内に取り付けられた半導体チップ１３の寸法が特に良好に合い続け、そのために、セラミック材料がＡｌ２Ｏ３のベース上に使用され、セラミックの熱膨張係数に適合されたガラス並びにセラミックに適合された、例えば、コバール製カバーが選択される。
【００２８】
最後に、本発明のセラミックケーシングの特別な密閉性も際立っており、セラミックケーシング１は同様に汚れ易い環境内で用いるのに適している。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】セラミックケーシングの展開図
【図２】セラミックケーシングの製造時の順次連続する方法ステップを示す図
【図３】本発明のセラミックケーシングの横断面図