Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月18日(2008.11.18)
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図２を参照すると、ハウジング１００の接続面１１０は、縦の側壁１０２と平行に延びる、スロットが形成された位置決め部材１３２を有する。位置決め部材１３２には、外側列の開口１１２及び内側列の開口１１４の各コンタクト開口に対して１個のスロットが設けられている。コンタクトの半田脚部（後述）が位置決め部材１３２の各スロット内に受容されると、半田脚部がハウジング１００の縦軸１３３とほぼ平行に延びる矢印Ａの方向に移動することが防止される。接続面１１０は、各縦の側壁１０２に隣接する整列リブ１３６上に延びる整列面１３４をさらに有する。整列面１３４は互いに共平面であり、位置決め部材１３２から横方向に離間しているので、位置決め部材１３２は、整列面１３４及びコンタクト開口１１２の各外側列の間に位置する。後述するように、整列面１３４は、接続面１１０上の半田脚部の端部が互いに共平面であることを保証する位置決め面を提供する。半田脚部に整列面１３４に対する予荷重を与えると、後述するように、半田脚部が縦軸１３３に直交して延びる矢印Ｂの方向に移動することを防止する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
横方向キャリアストリップ１５８は開口部１５４を結合し、ヘッダの組立中にキャリアストリップ１５８が剪断されると、コンタクト組１５０は個々のコンタクトに分離される。図３には２個のコンタクトのみが図示されるが、コンタクト組１５０は、コンタクト列１１２のコンタクト開口（図１及び図２参照）の数に対応する多数のコンタクトを有してもよいことを理解されたい。コンタクト組１５０は、銅又は銅合金等の単一の金属片から製造でき、コンタクト組１５０の所望の電気的及び機械的特性を得るために必要な、錫、鉛、金等でさらに被覆又はめっきされてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月6日(2009.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．第１の外導体及び第１の内導体を有する第１の嵌合部分と、
ｂ．第２の外導体及び第２の内導体を有する第２の嵌合部分と、
ｃ．第１の側及び第２の側を有すると共に内空部を画定する中央本体と、
ｄ．前記第１の外導体を前記中央本体と電気通信状態に保持するための第１の保持手段により前記中央本体の第１の側に嵌合された前記第１の嵌合部分と、
ｅ．前記第２の外導体を前記中央本体と電気通信状態に保持するための第２の保持手段により前記中央本体の第２の側に嵌合された前記第２の嵌合部分と、
ｆ．前記内空部内に配置されて前記第１の内導体及び前記第２の内導体を電気的に結合させるための中心導体と、を具備し、
ｇ．前記第１及び第２の嵌合部分が前記電気通信状態を維持しつつ、互いに他に対し及び前記中央本体に対し、互いに独立して半径方向に変位可能である、
コネクタ。
【請求項２】
前記第１及び第２の嵌合部分が約±０．５１ｍｍ（０．０２０インチ）だけ変位可能である請求項１に記載のコネクタ。
【請求項３】
前記第１の嵌合部分が雌コネクタである請求項１に記載のコネクタ。
【請求項４】
前記第１の嵌合部分が雄コネクタである請求項１に記載のコネクタ。
【請求項５】
前記第２の嵌合部分が雌コネクタである請求項１に記載のコネクタ。
【請求項６】
前記第２の嵌合部分が雄コネクタである請求項１に記載のコネクタ。
【請求項７】
前記第１及び第２の保持手段の少なくとも一方が斜角付き座金を具備した請求項１に記載のコネクタ。
【請求項８】
前記第１及び第２の外導体の少なくとも一方が溝付き導体を具備した請求項１に記載のコネクタ。
【請求項９】
前記第１及び第２の嵌合部分の少なくとも一方が絶縁体を更に具備した請求項１に記載のコネクタ。
【請求項１０】
前記コネクタが約４０ギガヘルツにおいて動作可能である請求項１に記載のコネクタ。
【請求項１１】
前記コネクタがＳＭＰＭコネクタである請求項１に記載のコネクタ。
【請求項１２】
前記第１及び第２の嵌合部分の前記内導体及び外導体が互いに同軸である請求項１に記載のコネクタ。
【請求項１３】
前記第１及び第２の保持手段の少なくとも一方がスナップリングを具備した請求項１に記載のコネクタ。
【請求項１４】
前記第１及び第２の保持手段の少なくとも一方がバネを具備した請求項１に記載のコネクタ。
【請求項１５】
前記中心導体がピンを具備した請求項１に記載のコネクタ。
【請求項１６】
前記中心導体がバネを具備した請求項１に記載のコネクタ。
【請求項１７】
前記保持手段の少なくとも一方が導電性である請求項１に記載のコネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
具体的には、図４及び５を参照しながら、本願発明者はここで、本発明のコネクタがどのように製作され使用されるかについて、より詳細に説明する。第１の嵌合部分１１は、第１の外導体１２及び第１の内導体１３を有する。第１の嵌合部分１１は、中央本体１７の第１の側１８で中央本体１７と接触する。第１の外導体１２と中央本体１７の第１の面１８との接触を常時維持してコネクタ１０内における正しい電気通信が確保されるようにすることが重要である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月16日(2009.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
充電式電池の製造方法であって、
亜鉛負極材料を第一の導電性担持体に塗布することにより、第一の電極シートを形成し、
実質的に乾燥状態でニッケル正極材料を第二の導電性担持体に塗布することにより、第二の電極シートを形成し、
前記第一の電極シートと前記第二の電極シートとの間に少なくとも一枚のセパレータシートを配置し、前記第一の電極シートと第二の電極シートと少なくとも一枚のセパレータシートの層状構造を形成して電池アセンブリを作成し、
前記電池アセンブリを巻きつけ、又は、折りたたむことにより、前記充電式電池の形状因子に対応する形状因子を有する三次元構造を形成する、充電式電池の製造方法。
【請求項２】
前記充電式電池が円筒形電池である、請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記負極材料を実質的に乾燥状態で前記第一の導電性担持体に塗布する、請求項１記載の製造方法。
【請求項４】
前記負極材料をペースト又はスラリーにして前記第一の導電性担持体に塗布する、請求項１記載の製造方法。
【請求項５】
前記ニッケル正極材料には、実質的に分散剤及びペースト化有機助剤が含まれていない、請求項１記載の製造方法。
【請求項６】
前記ニッケル正極材料に結合剤が含まれる、請求項１記載の製造方法。
【請求項７】
前記ニッケル正極材料中に含まれる前記結合剤の濃度が、約0.1重量パーセントないし5重量パーセントの範囲である、請求項６記載の製造方法。
【請求項８】
前記負極材料が、亜鉛酸カルシウム又は酸化亜鉛と、金属亜鉛又は亜鉛合金と、酸化ビスマスと、酸化アルミニウムと、結合剤と、分散剤と、を含み、前記分散剤により粒子の凝集が抑制されるようにし、また、前記正極材料が、水酸化ニッケル及び／又はオキシ水酸化ニッケルと、酸化亜鉛と、酸化コバルトと、結合剤と、を含む、請求項１記載の製造方法。
【請求項９】
前記第一の導電性担持体が、銅又は銅合金を含む、請求項１記載の製造方法。
【請求項１０】
前記第一の導電性担持体が、孔を開けた銅又は銅合金、若しくは、展伸させた銅又は銅合金を含む、請求項９記載の製造方法。
【請求項１１】
前記第二の導電性担持体が、ニッケルを含む、請求項１記載の製造方法。
【請求項１２】
請求項１記載の製造方法であって、さらに、
前記電池アセンブリの第一端に第一の内部端子を取り付けて、負極のみが前記第一の内部端子と電気的に接続されるようにし、
前記電池アセンブリの第二端に第二の内部端子を取り付けて、正極のみが前記第二の内部端子と電気的に接続されるようにし、
前記第一の内部端子に電池蓋体端子を取り付け、
前記電池アセンブリを保持容器に挿入して、前記第二の内部端子を前記保持容器に取り付けることにより、前記電池の蓋体をマイナスの極性にする、
製造方法。
【請求項１３】
前記少なくとも一枚のセパレータシートが、少なくとも一枚のナイロン層と少なくとも一枚の細孔性ポリオレフィン層とを含む少なくとも二層を含む、請求項１記載の製造方法。
【請求項１４】
請求項１記載の製造方法であって、さらに、
前記負極を約200℃以上の温度に加熱する、
製造方法。
【請求項１５】
充電式電池の製造方法であって、
亜鉛負極材料を第一の導電性担持体に塗布することにより、第一の電極シートを形成し、
ニッケル正極材料を第二の導電性担持体に塗布することにより、第二の電極シートを形成し、
前記第一の電極シートと前記第二の電極シートとの間に少なくとも一枚のセパレータシートを配置し、前記第一の電極シートと第二の電極シートと少なくとも一枚のセパレータシートの層状構造を形成して電池アセンブリを作成し、
前記電池アセンブリを巻きつけ、又は、折りたたむことにより、前記充電式電池の形状因子に対応する形状因子を有する三次元構造を形成し、
第一の内部端子を前記電池アセンブリの第一端に圧着し、前記負極のみが前記第一の内部端子と電気的に接続されるようにする、
充電式電池の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の製造方法で、さらに、
第二の内部端子を前記電池アセンブリの第二端に取り付け、前記正極のみが前記第二の内部端子と電気的に接続されるようにする、
製造方法。
【請求項１７】
前記内部端子の少なくとも一方が、穴あきディスク構造、長孔を開けたディスク構造、又は、H字型構造を有する、請求項１６記載の製造方法。
【請求項１８】
組み立てた充電式電池の電池蓋体により加えられる下向きの力によって、前記第一の内部端子が、前記電池アセンブリの第一端に圧縮保持される、請求項１５記載の製造方法。
【請求項１９】
電池蓋体と内部端子との間に挿入した弾性部材又はバネ装置により圧縮される、請求項１８記載の製造方法。
【請求項２０】
前記充電式電池が円筒形電池である、請求項１５記載の製造方法。
【請求項２１】
前記負極材料が、亜鉛酸カルシウム又は酸化亜鉛と、金属亜鉛又は亜鉛合金と、酸化ビスマスと、酸化アルミニウムと、結合剤と、分散剤と、を含み、前記分散剤により粒子の凝集が抑制されるようにし、また、前記正極材料が、水酸化ニッケル及び／又はオキシ水酸化ニッケルと、酸化亜鉛と、酸化コバルトと、結合剤と、を含む、請求項１５記載の製造方法。
【請求項２２】
前記第一の導電性担持体が、孔を開けた銅あるいは銅合金、または、展伸させた銅あるいは銅合金からなる、請求項１５記載の製造方法。
【請求項２３】
前記第二の導電性担持体が、ニッケルを含む、請求項１５記載の製造方法。
【請求項２４】
請求項１５記載の製造方法であって、さらに、
前記電池アセンブリの第二端に第二の内部端子を取り付けて、正極のみが前記第二の内部端子と電気的に接続されるようにし、
前記第一の内部端子に電池蓋体端子を取り付け、
前記電池アセンブリを保持容器に挿入して、前記第二の内部端子を前記保持容器に取り付けることにより、前記電池の蓋体をマイナスの極性にする、
製造方法。
【請求項２５】
請求項１５記載の製造方法であって、さらに、
前記負極を約200℃以上の温度に加熱する、
製造方法。
【請求項２６】
充電式電池の製造方法であって、
亜鉛負極材料を第一の導電性担持体に塗布することにより、第一の電極シートを形成し、
ニッケル正極材料を第二の導電性担持体に塗布することにより、第二の電極シートを形成し、
前記第一の電極シートと前記第二の電極シートとの間に少なくとも一枚のセパレータシートを配置し、前記第一の電極シートと第二の電極シートと少なくとも一枚のセパレータシートの層状構造を形成して電池アセンブリを作成し、
前記電池アセンブリを巻きつけ、又は、折りたたむことにより、前記充電式電池の形状因子に対応する形状因子を有する三次元構造を形成し、
第一の内部端子を前記電池アセンブリの第一端にはんだ付けし、前記負極のみが前記第一の内部端子と電気的に接続されるようにし、前記はんだ付けに先立って、前記第一の内部端子をはんだで被覆する、
充電式電池の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月9日(2009.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多色画像を生成させるため、
a）アドレス可能な色の異なる3つの色域画素と、アドレス可能な第4の色域内画素を含んでいて、各画素は、第1の電極と、第2の電極と、これら電極間に設けられた1つ以上の発光層とを含む独立にアドレス可能な有機発光ダイオードを備える複数の画素と；
b）アドレス可能な色の異なる上記3つの色域画素のうちの少なくとも2つのための独立したパワー・トランジスタであって、第1の電圧源と第2の電圧源の間でアドレス可能なその色域画素の有機発光ダイオードを流れる電流を調節するパワー・トランジスタを含むアクティブ・マトリックス回路と；
c）アドレス可能な第4の色域内画素のためのパワー・トランジスタであって、第3の電圧源と第4の電圧源の間でアドレス可能なその第4の色域内画素の有機発光ダイオードを流れる電流を調節するパワー・トランジスタを含むアクティブ・マトリックス回路とを備えていて、上記第1の電圧源、上記第2の電圧源、上記第3の電圧源、上記第4の電圧源のうちの少なくとも3つが異なる電圧レベルを提供するOLEDディスプレイ。
【請求項２】
多色画像を生成させるため、
a）アドレス可能な色の異なる3つの色域画素と、アドレス可能な第4の色域内画素を含んでいて、各画素は、第1の電極と、第2の電極と、これら電極間に設けられた1つ以上の発光層とを含む独立にアドレス可能な有機発光ダイオードを備える複数の画素と；
b）アドレス可能な色の異なる上記3つの色域画素のうちの少なくとも2つのための独立したパワー・トランジスタであって、第1の電圧源と第2の電圧源の間でアドレス可能なその色域画素の有機発光ダイオードを流れる電流を調節するパワー・トランジスタを含むアクティブ・マトリックス回路と；
c）アドレス可能な第4の色域内画素のためのパワー・トランジスタであって、第3の電圧源と第4の電圧源の間でアドレス可能なその第4の色域内画素の有機発光ダイオードを流れる電流を調節するパワー・トランジスタを含むアクティブ・マトリックス回路とを備えていて；
d）上記第3の電圧源と上記第4の電圧源の電圧レベルの差が、上記第1の電圧源と上記第2の電圧源の電圧レベルの差よりも小さいOLEDディスプレイ。
【請求項３】
多色画像を生成させるため、
a）アドレス可能な色の異なる3つの色域画素と、アドレス可能な第4の色域内画素を含んでいて、各画素は、第1の電極と、第2の電極と、これら電極間に設けられた1つ以上の発光層とを含む独立にアドレス可能な有機発光ダイオードを備える複数の画素と；
b）アドレス可能な色の異なる上記3つの色域画素のうちの少なくとも2つのための独立したパワー・トランジスタであって、それぞれが、チャネル長に対するチャネル幅の比が第1の値であるチャネル領域を持っていて、アドレス可能なその色域画素の有機発光ダイオードを流れる電流を調節するパワー・トランジスタを含むアクティブ・マトリックス回路と；
c）アドレス可能な第4の色域内画素のためのパワー・トランジスタであって、チャネル長に対するチャネル幅の比が第2の値であるチャネル領域を持っていて、アドレス可能なその第4の色域内画素の有機発光ダイオードを流れる電流を調節するパワー・トランジスタを含むアクティブ・マトリックス回路とを備えていて；チャネル長に対するチャネル幅の比の上記第1の値と、チャネル長に対するチャネル幅の比の上記第2の値が異なっているOLEDディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月6日(2009.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ光源プラズマ源材料処理システムであって、
液滴形成毛細管と流体連通し且つ前記プラズマ源材料を液体形態に維持するのに十分な温度の選択範囲内に維持される液滴発生器プラズマ源材料リザーバを有する液滴発生器と、
前記液滴発生器プラズマ源材料リザーバと流体連通し、前記液滴発生器がある温度にある間に前記液滴発生器プラズマ源材料リザーバに移送するために液体形態でプラズマ源材料の少なくとも補充量を保持する供給リザーバを有するプラズマ源材料供給システムと、  前記液滴発生器がある温度にある間に液体プラズマ源材料を前記供給リザーバから前記液滴発生器プラズマ源材料リザーバに移送する移送機構と、
を備えるシステム。
【請求項２】
前記移送機構が、前記供給リザーバを前記液滴発生器プラズマ源材料リザーバから隔離する弁を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記供給リザーバが、固体形態の前記材料の一部から液体形態の前記材料を定期的に形成するのに使用される固体形態の前記プラズマ源材料を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記移送機構が、前記供給リザーバと前記液滴発生器プラズマ源材料リザーバとの間の熱起動式弁を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
近傍で固体形態の前記プラズマ源材料に熱を印加するように動作可能であって、前記供給リザーバの溶融材料収集領域の上方に配置された変位ヒータ機構を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
ＥＵＶ光源プラズマ源材料処理システムであって、
液滴形成毛細管と流体連通し且つ前記プラズマ源材料を液体形態に維持するのに十分な温度の選択範囲内に維持される液滴発生器プラズマ源材料リザーバを有する液滴発生器と、
前記液滴発生器プラズマ源材料リザーバと流体連通し、前記液滴発生器がある温度にある間に前記液滴発生器プラズマ源材料リザーバに移送するために液体形態でプラズマ源材料の少なくとも補充量を保持する供給リザーバを有するプラズマ源材料供給システムと、  前記液滴発生器がある温度にある間に液体プラズマ源材料を前記供給リザーバから前記液滴発生器プラズマ源材料リザーバに移送する移送機構と、
を備え、
前記移送機構の排出端部が、当該移送中に前記液滴発生器プラズマ源材料リザーバ内の液滴発生器プラズマ源材料の上面より下に位置決めされる、
ことを特徴とするシステム。
【請求項７】
液滴発生器プラズマ源材料リザーバを有する液滴発生器と、前記プラズマ源材料を液体の形態に維持するのに十分な温度の選択範囲内に維持された液滴形成毛細管と、供給リザーバを有するプラズマ源材料供給システムと、液体プラズマ源材料を前記供給リザーバから前記液滴発生器プラズマ源材料リザーバに移送する移送機構とを備えたプラズマ源材料処理システムにおいてＥＵＶ光源プラズマ源材料を供給する方法において、該方法が、
液体金属とプラズマ源材料処理システム構成要素との化学的相互作用による初期汚染に起因して前記システムの初期洗浄を行うことによって、初期クリーニング及び条件づけプロセスを利用して安定した長期的性能を達成する段階を含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
液滴発生器プラズマ源材料リザーバを有する液滴発生器と、前記プラズマ源材料を液体の形態に維持するのに十分な温度の選択範囲内に維持された液滴形成毛細管と、供給リザーバを有するプラズマ源材料供給システムと、液体プラズマ源材料を前記供給リザーバから前記液滴発生器プラズマ源材料リザーバに移送する移送機構とを備えたプラズマ源材料処理システムにおいてＥＵＶ光源プラズマ源材料を供給する方法において、該方法が、
前記プラズマ源材料供給システムと前記液滴発生器プラズマ源材料リザーバとの中間にあるインラインフィルタを利用して前記プラズマ源材料リザーバ内の汚染物質が前記液滴発生器プラズマ源材料リザーバに到達するのを防止する段階を含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
液滴発生器プラズマ源材料リザーバを有する液滴発生器と、前記プラズマ源材料を液体の形態に維持するのに十分な温度の選択範囲内に維持された液滴形成毛細管と、供給リザーバを有するプラズマ源材料供給システムと、液体プラズマ源材料を前記供給リザーバから前記液滴発生器プラズマ源材料リザーバに移送する移送機構とを備えたプラズマ源材料処理システムにおいてＥＵＶ光源プラズマ源材料を供給する方法において、該方法が、
前記材料処理システムの少なくとも１つの選択部分の温度を維持して、前記少なくとも１つの選択部分において微粒子として不溶性化合物を沈降させる程の溶解度差を生じさせるのに十分な熱勾配を回避するようにする段階を含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
ＥＵＶ光源プラズマ源材料処理システムであって、
液滴形成毛細管と流体連通し且つ前記プラズマ源材料を液体形態に維持するのに十分な温度の選択範囲内に維持される液滴発生器プラズマ源材料リザーバを有する液滴発生器と、
前記液滴発生器プラズマ源材料リザーバと流体連通し且つ前記液滴発生器がある温度にある間に、前記液滴発生器プラズマ源材料リザーバに移送するために液体形態でプラズマ源材料の少なくとも補充量を保持する供給リザーバを有するプラズマ源材料供給システムと、
前記供給システムリザーバの溶融部分内に前記プラズマ源材料を補充するための固体形態のプラズマ源材料を前記液滴発生器プラズマ源材料供給システム内に貯蔵する貯蔵機構と、
を備えることを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月10日(2009.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
a）アノードと；
b）カソードと；
c）上記アノードと上記カソードの間に配置されていて、少なくとも1つの正孔輸送層と1つの有機発光層とをそれぞれが含む少なくとも２つのエレクトロルミネッセンス・ユニットと；
d）隣り合ったエレクトロルミネッセンス・ユニットの間に配置されていて、n型をドープされた有機層と、このn型をドープされた有機層よりも上記カソードの近くに配置された電子受容層とを含む中間接続層とを備えていて、上記電子受容層が、1種類以上の有機材料を含んでおり、各有機材料の還元電位は、飽和カロメル電極を基準として-0.5Vよりも大きく、その1種類以上の有機材料が、上記電子受容層の50容積％を超える割合を占めているタンデム式OLED。
【請求項２】
上記1種類以上の有機材料が、飽和カロメル電極を基準として-0.1Vよりも大きい還元電位を持つ、請求項1に記載のタンデム式OLED。
【請求項３】
上記電子受容層に含まれる上記1種類以上の有機材料が、以下の一般式で表わされる化合物：
【化１】
2008532229.tif 000001
を含む（ただし、R1〜R6は水素または置換基を表わし、その置換基は、ハロ、ニトリル（-CN）、ニトロ（-NO2）、スルホニル（-SO2R）、スルホキシド（-SOR）、トリフルオロメチル（-CF3）、エステル（-CO-OR）、アミド（-CO-NHRまたは-CO-NRR'）、置換されたアリール、置換されていないアリール、置換されたヘテロアリール、置換されていないヘテロアリール、置換されたアルキル、置換されていないアルキルを含むグループの中から独立に選択される（RとR'は、置換されたアルキル、置換されていないアルキル、置換されたアリール、置換されていないアリールなどである）か、あるいはR1とR2、またはR3とR4、またはR5とR6が合わさって環構造を形成しており、環構造には、芳香族環、複素芳香族環、非芳香族環が含まれ、それぞれの環は置換されている場合と置換されていない場合がある）、請求項1に記載のタンデム式OLED。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月20日(2009.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超伝導性物品であって、以下のものよりなる：
少なくとも10の寸法比、少なくとも約100マイクロオームセンチの抵抗率、および主要な構成要素としてのチタンを持つチタン合金基板、ここで、該基板は、約50ミクロン以下の厚さを持つ；
バッファ層、該バッファ層は、少なくとも１つの、当該膜の平面内、および平面外の両方において２軸整列された結晶よりなる膜よりなる；
前記バッファ層上に横たわる超伝導性層、ここで、前記超伝導性物品は、約7.00g/cc以下の密度を持つ。
【請求項２】
請求項１の超伝導性物品において、前記チタン合金は、さらに、アルミニウム、バナジウム、鉄、錫、 ルテニウム、パラジウム、ジルコニウム、モリブデン、ニッケル、ニオブ、クロム、およびシリコンから選択された要素、およびそれらの組み合わせよりなる。
【請求項３】
請求項１の超伝導性物品において、前記超伝導性物品は、約6.50g/cc以下の密度を持つ。
【請求項４】
請求項１の超伝導性物品は、さらに前記超伝導性層上に横たわる安定化層よりなり、ここで、前記安定化層はアルミニウムよりなり、アルミニウムは前記主要な構成要素である。
【請求項５】
請求項４の超伝導性物品において、前記安定化層は、少なくとも約50ミクロンの厚さを持つ。
【請求項６】
請求項１の超伝導性物品において、前記超伝導性層は、少なくとも約77°Ｋの臨界温度Tcをもつ高温超伝導体材料よりなる。
【請求項７】
請求項１の超伝導性物品において、前記超伝導性物品は、超伝導性のテープのコイルであり、該超伝導性テープのコイルは、前記基板と、前記超伝導性層とよりなる。
【請求項８】
請求項１の超伝導性物品において、該物品は電力変圧器であり、該電力変圧器は、少なくとも１次巻線と、２次巻線とよりなり、ここで、前記１次巻線と、２次巻線とのいずれかは、前記超伝導性テープの巻きコイルよりなり、該超伝導性テープは、前記基板と、前記超伝導性層とよりなる。
【請求項９】
請求項１の超伝導性物品において、前記物品は、回転機械であり、該回転機械は、少なくとも１つの巻線よりなり、該少なくとも１つの巻線は、前記基板と、前記超伝導性層よりなる超伝導性テープよりなる。
【請求項１０】
請求項１の超伝導性物品において、前記少なくとも１つの膜は、岩塩のような結晶構造を持つIBAD膜よりなる。
【請求項１１】
請求項１０の超伝導性物品において、前記IBAD膜は、IBAD MgOよりなる。
【請求項１２】
請求項１の超伝導性物品において、前記超伝導体材料はREBa2Cu3O7-xよりなり、ここで、REは希土類要素である。
【請求項１３】
請求項１の超伝導性物品において、前記物品は、少なくとも約100の寸法比を持つ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月22日(2008.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置のゲートスタックを処理する方法であって：
基板を用意する工程であって、この基板に形成される誘電体層と、この誘電体層に形成され金属含有ゲート電極層と、を有するゲートスタックを含む当該基板を用意する工程；
スロットプレーンアンテナプラズマ源により、プラズマ中でプロセスガスから低エネルギー励起ドーパント種を生成する工程；および
前記ゲートスタックにドーパントを取り込むため、前記ゲートスタックを前記励起ドーパント種に晒す工程；
を含む方法。
【請求項２】
前記低エネルギー励起ドーパント種がラジカル若しくはイオン、または双方を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記誘電体層がＳｉＯ２、ＳｉＯＮ，若しくはｈｉｇｈ−κ層、またはこれらの２又は３以上の組み合わせを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ｈｉｇｈ−κ層が、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＨｆＳｉＯｘ、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＺｒＳｉＯｘ、ＴａＳｉＯｘ、ＳｒＯｘ、ＳｒＳｉＯｘ、ＬａＯｘ、ＬａＳｉＯｘ、ＹＯｘ、若しくはＹＳｉＯｘ、または、これらの２又は３以上の組み合わせを有する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記金属含有ゲート電極層が、Ｗ、ＷＮ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔａ、ＴａＮ、ＴａＳｉＮ、ＨｆＮ、ＨｆＳｉＮ、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＳｉＮ、Ｍｏ、ＭｏＮ、Ｒｅ、またはＲｕを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ゲート電極層、前記誘電体層、または双方に前記ドーパントを取り込む工程を更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記生成する工程が、窒素含有ガス、リン含有ガス、砒素含有ガス、炭素含有ガス、シリコン含有ガス、ゲルマニウム含有ガス、ボロン含有ガス、アンチモン含有ガス、チタン含有ガス、タンタル含有ガス、若しくはアルミニウム含有ガス、または、これらの２又は３以上の組み合わせを有するプロセスガスを提供するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記生成する工程が、ＮＨ３、Ｎ２、ＰＨ３、ＡｓＨ３、ＳｂＨ３、ＣＨ４、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｂ２Ｈ６、ＧｅＨ４、ＴｉＣｌ４、ＴａＣｌ５、若しくはＡｌ２Ｃｌ６、または、これらの２又は３以上の組み合わせを含むプロセスガスを提供するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ドーパントは、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｂ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｔａ、若しくはＡｌ、または、これらの２又は３以上の組み合わせを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ドーパントは、ｐ型ドーパントまたはｎ型ドーパントを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記生成する工程は、希ガスを含むプロセスガスの提供を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記励起ドーパント種は、約１０００ｅＶより低い運動エネルギーを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記励起ドーパント種は、約１００ｅＶより低い運動エネルギーを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記励起ドーパント種は、約２ｅＶより低い運動エネルギーを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記晒す工程が、プロセスチャンバの圧力を約１ｍＴｏｒｒ（約０．１３３Ｐａ）と約３，０００ｍＴｏｒｒ（約４００Ｐａ）との間に維持することにより行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記晒す工程が、前記基板を約０℃と約１０００℃との間の温度に維持することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記励起ドーパント種へ晒した後に引き続く前記ゲートスタックをアニールする工程であって、当該アニール中に前記ゲートスタックを約７００℃と約１０００℃との間の温度に維持するアニール工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記晒す工程が、ゲートスタックの各層へ取り込まれるドーパントの量を制御し、前記ゲートスタックの仕事関数を制御することを更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記ゲートスタックが、前記誘電体層と前記基板との間に位置する表面界面層を更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記晒す工程が、前記基板上に前記誘電体層を堆積するよう構成される第１のプロセスシステムと、前記誘電体層上に前記金属含有ゲート電極層を堆積するよう構成される第２のプロセスシステムとに作動可能に結合されるプラズマプロセスシステムで実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
半導体装置のゲートスタックを処理するシステムであって：
イオンビーム源を有しないプラズマプロセスチャンバ；
基板を提供するよう構成される基板ホルダであって、該基板に形成される誘電体層と該誘電体層に形成される金属含有ゲート電極層とを有するゲートスタックを含む当該基板を提供するよう構成される基板ホルダ；および
プラズマ中でプロセスガスから低エネルギー励起ドーパント種を生成するよう構成されるスロットプレーンアンテナプラズマ源、
を備えるシステム。
【請求項２２】
前記ドーパントを前記ゲート電極層のサブレーヤのみに取り込む工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記ドーパントを前記誘電体層および前記ゲート電極層の双方に取り込む工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
前記生成する工程が、１×１０１２／ｃｍ３より大きいプラズマ密度と、約１．５ｅＶより低い電子温度とを有するプラズマを生成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
バイアスが付与されない基板ホルダに前記基板を用意する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２６】
前記晒す工程が、前記ゲートスタックを非イオン性のドーパント励起種に晒すステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２７】
前記スロットプレーンアンテナプラズマ源が、１×１０１２／ｃｍ３より大きいプラズマ密度と、約１．５ｅＶより低い電子温度とを有するプラズマを生成するように構成される、請求項２１に記載のシステム。
【請求項２８】
前記基板を支持する、バイアス源に結合されない基板ホルダを更に備える、請求項２１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月9日(2009.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をウェハ・チャックに保持する方法であって、
前記基板の一部分を前記ウェハ・チャックに向けて加速させるステップと、
前記ウェハ・チャックへ向かう前記基板の移動の速度を生成するステップと、
前記基板が前記ウェハ・チャックに到達する前に前記速度を低下させるステップと
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記加速させるステップは、前記基板の一部分を前記チャックから分離させることによって前記基板内にポテンシャル・エネルギーを保存するステップと、前記部分を前記ウェハ・チャックに向けて移動させることによって前記ポテンシャル・エネルギーを運動エネルギーへと変換するステップをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記加速させるステップは、分離強制力を加え、前記分離強制力を終結させることによって前記基板の一部分と前記ウェハ・チャックの間の距離を増大させるステップをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記速度を低下させるステップは、前記部分と前記ウェハ・チャックの間に規定される容積に正の圧力を加えるステップをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記加速させるステップは、前記基板に分離強制力を加え、前記基板の一部分と前記ウェハ・チャックの間に形成される容積に正の圧力を加え、前記分離強制力を終結させることによって前記部分と前記ウェハ・チャックの間の距離を増大させるステップをさらに有し、前記速度を低下させるステップは前記容積内の前記圧力を下げるステップをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記加速させるステップは、前記基板に分離強制力を加えること、前記基板の一部分と前記ウェハ・チャックの間に形成される容積に正の圧力を加えること、前記分離強制力を終結させることによって前記部分と前記ウェハ・チャックの間の距離を増大させるステップをさらに有し、前記速度を低下させるステップは前記容積内の前記圧力を上げるステップをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記速度を低下させるステップは、前記部分とこれに重なり合う前記ウェハ・チャックの間に形成される容積の正の圧力を増大させるステップをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
基板をウェハ・チャックに保持する方法であって、
前記基板内のポテンシャル・エネルギーを保存するステップと、
前記基板の一部分を前記チャックに向けて移動させることによって前記ポテンシャル・エネルギーを運動エネルギーへと変換するステップと、
前記基板の前記部分が前記ウェハ・チャックに接触する前に前記運動エネルギーを低下させるステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項９】
前記運動エネルギーを低下させるステップは、前記基板が前記ウェハ・チャックに近づいている間に前記基板を減速させるステップをさらに有することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ポテンシャル・エネルギーを保存するステップは、前記部分とこれに重なり合う前記ウェハ・チャックの領域の間の距離を増大させる一方で、前記基板の残りの領域と前記ウェハ・チャックの間の実質的に一定の距離を維持するステップをさらに有することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記ポテンシャル・エネルギーを保存するステップは、前記部分と前記ウェハ・チャックの間に形成される容積に正の圧力を生成するステップと、前記基板を分離強制力に晒すことによって前記基板の一部分を分離させるステップとをさらに有することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記移動させることは、前記分離強制力を終結させることをさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記運動エネルギーを低下させるステップは前記容積内の前記圧力を上げるステップをさらに有することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ポテンシャル・エネルギーを保存するステップは、前記基板を分離強制力に晒すこと、および前記基板と前記ウェハ・チャックの間に真空圧力を加えることによって、前記領域に加えられる真空圧力で前記基板の一部分を分離させるステップと、前記基板の残りの領域に加えられる真空圧力より小さい変形真空圧力を決定するステップをさらに有することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
移動させることは前記分離強制力を終結させることをさらに含み、前記運動エネルギーを低下させるステップは前記変形真空圧力を終結させてその代わりに正の圧力を加えるステップをさらに有することを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
基板をウェハ・チャックに保持する方法であって、
前記基板の一部分を前記ウェハ・チャックから分離させる一方で、前記基板の残りの領域と前記ウェハ・チャックの間の実質的に一定の距離を維持させることによって前記基板内のポテンシャル・エネルギーを保存するステップと、
前記基板の部分を前記ウェハ・チャックに向けて移動させることによって前記ポテンシャル・エネルギーを運動エネルギーへと変換するステップと、
前記基板の前記部分が前記チャックに接触する前に前記部分の速度を低速にすることによって前記運動エネルギーを低下させるステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項１７】
前記ポテンシャル・エネルギーを保存するステップは、前記部分とこれに重なり合う前記ウェハ・チャックの領域の間の距離を増大させるステップをさらに有することを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ポテンシャル・エネルギーを保存するステップは、前記部分を分離強制力に晒すステップをさらに有し、前記運動エネルギーを低下させるステップは前記分離強制力を終結させるステップをさらに有することを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記運動エネルギーを低下させるステップは、前記部分と前記ウェハ・チャックの間に形成される容積内の圧力を上げるステップをさらに有することを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記ポテンシャル・エネルギーを保存するステップは、前記領域に関連する範囲に加えられた前記真空圧力によって前記基板と前記ウェハ・チャックの間に真空圧力を加えるステップと、前記基板の残りの領域に加えられた前記真空圧力より低い変形真空圧力を決定するステップとをさらに有し、前記運動エネルギーを低下させるステップは前記変形真空圧力を終結させて前記変形真空圧力の代わりに正の圧力を加えるステップをさらに有することを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月6日(2009.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力オリフィスで終端するプラズマ源材料通路と、
液滴形成噴出流又は選択経路に沿って前記通路を出る個々の液滴に電荷を印加する帯電機構と、
前記出力オリフィスとプラズマ開始部位の中間にあって、液滴を前記選択経路から定期的に偏向させる液滴偏向器と、
を含むことを特徴とするＥＵＶターゲット供給システム。
【請求項２】
前記選択経路がプラズマ開始部位に向う経路に対応し、前記偏向液滴は、前記プラズマ開始部位から十分に離れており、測定を妨げず、及び／又は前記プラズマ開始部位で形成される前記プラズマと相互作用するように経路に偏向される、
ことを更に含む請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記選択経路は、前記選択経路に沿って移動する前記液滴がプラズマ開始部位から十分に離れており、測定を妨げず、及び／又は前記プラズマ開始部位で形成される前記プラズマと相互作用するように経路に対応し、前記偏向液滴は、前記プラズマ開始部位に向う経路を移動する、
ことを更に含む請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記帯電機構が、前記出力オリフィスと前記液滴偏向器との中間にある帯電リングを含む、
ことを更に含む請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
液体ターゲット材料液滴の形態でターゲット液滴供給毛細管及び／又は出力オリフィスと協働する磁歪材料又は電歪材料を含むターゲット液滴形成機構を含むことを特徴とするＥＵＶプラズマ形成ターゲット供給システム。
【請求項６】
前記磁歪材料又は電歪材料は、半径方向の膨張及び収縮が前記毛細管と相互作用するように配置される、
ことを更に含む請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
入力開口部と出力オリフィスとを有する液体ターゲット材料供給通路を含む液体ターゲット材料供給機構と、
前記入力開口部と出力オリフィスとの中間にある前記液体ターゲット材料に印加された電界又は磁界もしくはその組み合わせの結果として前記液体ターゲット材料内で外乱力を発生させる外乱起電力発生機構と、
を含むことを特徴とするＥＵＶターゲット供給システム。
【請求項８】
前記外乱起電力発生機構が、
前記液体ターゲット材料を通る電流を発生させる電流発生機構と、
前記液体ターゲット材料を通る電流の流れの方向にほぼ直交した、前記液体ターゲット材料を通る磁界を発生させる磁界発生機構と、
を含む、
ことを更に含む請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
出力オリフィスを有する液体ターゲット供給液滴形成機構と、
前記出力オリフィスの周辺の湿潤障壁と、
を含む、
ことを特徴とするＥＵＶターゲット供給システム。
【請求項１０】
前記湿潤障壁が、前記出力オリフィスから分離された液体回収構造を含む、
ことを更に含む請求項９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月25日(2008.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
バルブ（Ｃ）を含む高圧放電ランプ（２０、５０、７０、９０、１１０、１２０）であって、かつ該バルブの内部に、バーナ（Ｂ）と、該バーナの支持部（Ｍ）と、該バーナの内部における希ガスおよび金属蒸着とからなる大気内の放電を供給するための貫通接続部（Ｒ）と、ゲッタデバイスと、を含み、
前記ゲッタデバイスは、
前記バーナを支持する金属部分の一部分（２１）に固定される糸状（２２、２２’，２２''）の形状であって、該金属部分に並行して存在し、かつ該金属部分によって前記バーナに実質的に隠れる位置にある糸状の形状であること、または
ゲッタ材料で充満した空洞の糸状胴体の形状であって、前記ランプの２つのヘッドの間を自ら伸びる前記バーナを支持する前記金属部分の全体（１１１）または一部（１００；１２２）を構築する、空洞の糸状胴体の形状であること、を特徴とする高圧放電ランプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
請求項４に記載のランプに使用するゲッタデバイス（１００）を製作するプロセスは、
最終ゲッタデバイスと同一直径を有するニオビウム・チューブの部分を供給するステップと、
前記チューブ自身の内径と同一直径を有する低部の支持部において、最終ゲッタデバイスの片側の端部でゲッタ材料が充足されていない部分と等しい高さにある前記低部の支持部に存在する、下側の開口部に挿入することで、垂直に前記チューブを保持するステップと、
ゲッタ材料の粉末を、前記チューブおよび前記低部の支持部で形成される容器に注入するステップと、
前記形成される容器内の前記ゲッタ材料の粉末を、前記チューブの内径と等しい直径のピストンによって圧縮するステップと、からなる製作プロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月10日(2009.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特に同じ型の照明ボックスと連結して使用される照明ボックスであって、例えば天井のような照明壁を構成することを意図するもので、前記照明ボックスは、枠を備え、その底には少なくとも一枚の透明または半透明のシート（９）が固定され、そして前記枠の上部に位置する照明手段（３）を支えるように設計され、補強手段（１０，１０‘）を備え、枠の側面（１ａ）のいくつかとの間と接続し、この補強材（１０）は照明手段（３）に近接して配置されるものである前記照明ボックス。
【請求項２】
補強手段が枠の二つの相対する側面（１ａ）を共に接合する少なくとも一つの縦部材または長さ部材（１０、１０‘）により構成される請求項１に記載の照明ボックス。
【請求項３】
照明手段が互いに多少なりとも同じ面で平行な管（３）から構成される請求項１または２に記載の照明ボックス。
【請求項４】
補強手段（１０‘）が照明管（３）と、そして二つの照明管の間に多少なりとも同じ面で配置される請求項３に記載の照明ボックス。
【請求項５】
枠が、押出溝部材からなる、部分材の組み合わせで形成される請求項１乃至４のいずれか一つに記載の照明ボックス。
【請求項６】
相対する側面の二つに、すべり動作ですべり部材（１５）を受けるように設計されるすべり（１３）が備わり、すべり部材（１５）は支持構造体に固着する部分（１９）に回転するように関節支持され、そうして天井に対して枠がすべりと回転とが可能となる請求項１乃至５のいずれか一つに記載の照明ボックス。
【請求項７】
すべりが、枠の側面にくりぬかれた溝（１３‘）からなる請求項６に記載の照明ボックス。
【請求項８】
すべり部材が壁（２１）に固着する水平軸（ｘｘ‘）軸中心で回転するように取り付けられる車輪またはローラー（１６）からなる請求項７に記載の照明ボックス。
【請求項９】
前記照明ボックスが開放を保持するように設計され、特に柔軟ワイヤ、紐または小さな鎖からなる手段を有する請求項１乃至８のいずれか一つに記載の照明ボックス。
【請求項１０】
照明手段（３）が透明シート（９）から少なくとも１０ｃｍ離隔していて、該シートは該手段から最も遠く離れているものである請求項１乃至９のいずれか一つに記載の照明ボックス。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月19日(2009.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ・リソグラフィー投影露光装置のための光学システム、特に、対物レンズまたは照明システムであって、
前記光学システムは、固有複屈折材料製であって、光軸に沿って連続して相互に隣接して前記光学システムにおいて配置されたレンズを有する少なくとも２つのレンズグループ（１０〜６０）を有し、
前記各レンズグループ（１０〜６０）は、それぞれ、（１００）方位の複数のレンズを有する第１のサブグループと、（１１１）方位の複数のレンズを有する第２のサブグループとを有し、
前記各サブグループの複数のレンズは、レンズ軸に関し、相互に相対的に回転した位置関係で配置されており、前記レンズグループ（１０〜６０）の（１００）方位レンズと（１１１）方位レンズとが交互に配置されていることを特徴とする光学システム。
【請求項２】
各サブグループが２つの相互に直角な偏光状態に対し、軸対称のレタデーション分布を有するように、前記各サブグループの複数のレンズが、レンズ軸に関し、相互に相対的に回転した位置関係で配置されている、請求項１記載の光学システム。
【請求項３】
各サブグループが、非回転のレンズ配置と比較して、レタデーションの値を十分低減するように、前記各サブグループのレンズ同士が、レンズ軸に関し、相互に相対的に回転した位置関係で配置されている、請求項１または２記載の光学システム。
【請求項４】
前記第１のサブグループが２つの（１００）方位レンズを有し、その各レンズがレンズ軸に関し、４５°＋ｋ＊９０°の角度で相互に相対的に回転して配置され、
前記第２のサブグループが２つの（１１１）方位レンズを有し、その各レンズがレンズ軸に関し、６０°＋ｌ＊１２０°の角度で相互に相対的に回転して配置され、
ただし、ｋとｌは整数である、
請求項１から３のいずれかに記載の光学システム。
【請求項５】
ある１つのサブグループ（１０〜６０）のレンズが、他の１つのレンズグループ（１０〜６０）のレンズに対し、レンズ軸に関し、相互に相対的に回転して配置されている、
請求項１から４のいずれかに記載の光学システム。
【請求項６】
あるレンズグループ（１０〜６０）のあるサブグループの複数のレンズがそれぞれ最大厚さＤi（ｉ＝１，２，・・）であって、固有複屈折Δｎiの材料からできており、
別のレンズグループ（１０〜６０）のあるサブグループの複数のレンズがそれぞれ最大厚さＤj（ｊ＝１，２，・・）であって、固有複屈折Δｎjの材料からできており、
前記各２つのレンズにとって、ペアで、条件Δｎi＊Ｄi＝Δｎj＊Ｄjを満たす、
請求項１から５のいずれかに記載の光学システム。
【請求項７】
最大厚さＤi，Ｄjが、Ｄi，Ｄj≦３０ｍｍ、好ましくはＤi，Ｄj≦２０ｍｍ、更に好ましくはＤi，Ｄj≦１０ｍｍ、を満たす、請求項６記載の光学システム。
【請求項８】
前記レンズグループ（１０〜６０）の数が、少なくとも３である、
請求項１から７のいずれかに記載の光学システム。
【請求項９】
前記レンズグループ（１０〜６０）の数が、少なくとも４である、
請求項１から８のいずれかに記載の光学システム。
【請求項１０】
前記複数のレンズの少なくとも１つのレンズの材料の固有複屈折が、少なくともΔｎ＝５０ｎｍ／ｃｍ、好ましくは少なくともΔｎ＝７５ｎｍ／ｃｍ、更に好ましくは１００ｎｍ／ｃｍである、請求項１から９のいずれかに記載の光学システム。
【請求項１１】
前記複数のレンズが、少なくとも部分的には立方体結晶構造の結晶材料を有する、
請求項１から１０のいずれかに記載の光学システム。
【請求項１２】
光学システムは、ＭｇＡｌ2Ｏ4，ＭｇＯおよびガーネット、特に、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12（ＹＡＧ）およびＬｕ3Ａｌ5Ｏ12を含むグループの結晶材料を有する少なくとも１つのレンズを有している、
請求項１から１１のいずれかに記載の光学システム。
【請求項１３】
光学システムは、ＮａＣｌ，ＫＣｌ、ＫＪ，ＮａＪ，ＲｂＪそしてＣｓＪを含むグループの結晶材料を有する少なくとも１つのレンズを有している、
請求項１から１２のいずれかに記載の光学システム。
【請求項１４】
光学システムは、少なくとも０．８、好ましくは少なくとも１．０、更に好ましくは少なくとも１．２、更により好ましくは１．４であるイメージサイドの開口数（ＮＡ）を有している、請求項１から１３のいずれかに記載の光学システム。
【請求項１５】
動作波長λにおいて現れる最大レタデーションがλ／１０以下である、請求項１から１４のいずれかに記載の光学システム。
【請求項１６】
マイクロ・リソグラフィー投影露光装置のための光学システム、特に、対物レンズまたは照明システムであって、
少なくとも１．８の屈折率を有する結晶材料の光学エレメントを少なくとも１つ有し、
動作波長λにおいて現れる最大レタデーションが１／λ以下である、
請求項１から１５のいずれかに記載の光学システム。
【請求項１７】
マイクロ・リソグラフィー投影露光装置のための光学システム、特に、対物レンズまたは照明システムであって、
少なくともΔｎ＝５０ｎｍ／ｃｍの固有複屈折および少なくとも１ｃｍの最大ビーム路を有する、立方体結晶材料の光学エレメントを少なくとも１つ有し、
動作波長λにおいて現れる最大レタデーションが１／λ以下である、
請求項１から１６のいずれかに記載の光学システム。
【請求項１８】
マイクロ・リソグラフィー投影露光装置のための光学システム、特に、対物レンズまたは照明システムであって、
少なくとも１ｃｍのビーム路が、少なくともΔｎ＝５０ｎｍ／ｃｍの固有複屈折を有する立方体結晶材料の光学エレメントの中を延在し、
少なくとも２つのレンズがレンズ軸に関し、相互に相対的に回転して配置されている、請求項１から１７のいずれかに記載の光学システム。
【請求項１９】
前記光学システムの動作波長が、２５０ｎｍ以下、特に２００ｎｍ以下、更に特に１６０ｎｍ以下である、請求項１から１８のいずれかに記載の光学システム。
【請求項２０】
請求項１から１９のいずれかに記載の対物レンズを備えた、マイクロ・リソグラフィー投影露光装置。
【請求項２１】
請求項１から１９のいずれかに記載の照明システムを備えた、マイクロ・リソグラフィー投影露光装置。