Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月16日(2011.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１又は幾つかの要素キャリアを組合せた帯域幅の帯域を用いて基地局装置と通信を行う移動局装置において、
前記基地局装置へと送信する送信情報を生成する部を備え、
前記送信情報は、前記移動局装置によってサポートされる前記１又は幾つかの要素キャリアの個数を示す情報を含むことを特徴とする移動局装置。
【請求項２】
前記移動局装置は、複数の周波数バンド各々で、１又は幾つかの要素キャリアを組合せた帯域幅の帯域を用いて基地局装置と通信を行い、
前記送信情報は、さらに、前記周波数バンドを示す情報を含むことを特徴とする請求項１に記載の移動局装置。
【請求項３】
前記移動局装置は、複数の周波数バンド各々で、１又は幾つかの要素キャリアを組合せた帯域幅の帯域を用いて基地局装置と通信を行い、
前記送信情報は、前記周波数バンドの組合せを示す情報を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の移動局装置。
【請求項４】
前記送信情報は、前記周波数バンドの組合せの中の周波数バンド毎に、前記移動局装置によってサポートされる前記１又は幾つかの要素キャリアの個数を示す情報を含むことを特徴とする請求項３に記載の移動局装置。
【請求項５】
前記送信情報は、前記周波数バンドの組合せの中の周波数バンド毎に、上りリンクと下りリンクについて、前記１又は幾つかの要素キャリアの個数を示す情報を含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載に記載の移動局装置。
【請求項６】
前記送信情報は、前記周波数バンドの組合せの中の周波数バンド毎に、前記移動局装置によってサポートされる前記１又は幾つかの要素キャリアを組合せた帯域幅に関する情報を含むことを特徴とする請求項４に記載の移動局装置。
【請求項７】
前記送信情報は、前記周波数バンドの組合せの中の周波数バンド毎に、上りリンクと下りリンクについて、前記１又は幾つかの要素キャリアを組合せた帯域幅に関する情報を含むことを特徴とする請求項６に記載に記載の移動局装置。
【請求項８】
前記送信情報は、前記周波数バンドの組合せの中の周波数バンド毎に、前記１又は幾つかの要素キャリアを組合せた帯域幅に関する情報、及び、前記１又は幾つかの要素キャリアの個数を示す情報の組合せを表すキャリア集合クラス情報を含むことを特徴とする請求項６に記載の移動局装置。
【請求項９】
前記送信情報は、前記周波数バンドの組合せの中の周波数バンド毎に、上りリンクと下りリンクについての前記キャリア集合クラス情報を含むことを特徴とする請求項８に記載に記載の移動局装置。
【請求項１０】
前記送信情報は、さらに、前記移動局装置によってサポートされるＭＩＭＯ能力情報を含むことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の移動局装置。
【請求項１１】
前記ＭＩＭＯ能力情報は、レイヤ数を表す情報であることを特徴とする請求項１０に記載の移動局装置。
【請求項１２】
前記ＭＩＭＯ能力情報は、ＭＩＭＯストリーム数であることを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の移動局装置。
【請求項１３】
前記ＭＩＭＯ能力情報は、複数のレイヤ数の中から選択されたレイヤ数を表す情報であることを特徴とする請求項１１に記載の移動局装置。
【請求項１４】
前記複数のレイヤ数は、レイヤ数２及び４であることを特徴とする請求項１３に記載の移動局装置。
【請求項１５】
前記複数のレイヤ数は、レイヤ数２、４、及び８であることを特徴とする請求項１３に記載の移動局装置。
【請求項１６】
前記ＭＩＭＯ能力情報は、データストリーム数であることを特徴とする請求項１０に記載の移動局装置。
【請求項１７】
前記ＭＩＭＯ能力情報は、アンテナ数であることを特徴とする請求項１０に記載の移動局装置。
【請求項１８】
前記基地局装置へと送信する送信情報を生成し、  
前記送信情報は、前記移動局装置によってサポートされる前記１又は幾つかの要素キャリアの個数を示す情報を含むことを特徴とするプロセッサ。
【請求項１９】
予め定められた周波数帯域を有する複数の要素キャリアの内の１又は幾つかを選択的に用いて、移動局装置と基地局装置が通信を行う無線通信システムにおいて、
前記移動局装置は、
前記基地局装置へと送信する送信情報を生成する部を備え、
前記基地局装置は、
前記送信情報に基づいて、前記移動局装置に通信に用いる要素キャリアを割り当てる部を備え、
前記送信情報は、前記移動局装置によってサポートされる前記１又は幾つかの要素キャリアの個数を示す情報を含むことを特徴とする無線通信システム。
【請求項２０】
予め定められた周波数帯域を有する複数の要素キャリアの内の１又は幾つかを選択的に用いて、基地局装置と通信を行う移動局装置における通信制御方法において、
前記移動局装置が、前記基地局装置へと送信する送信情報を生成する過程を有し、
前記送信情報は、前記移動局装置によってサポートされる前記１又は幾つかの要素キャリアの個数を示す情報を含むことを特徴とする通信制御方法。
【請求項２１】
予め定められた周波数帯域を有する複数の要素キャリアの内の１又は幾つかを選択的に用いて、基地局装置と通信を行う移動局装置のコンピュータを、
前記基地局装置へと送信する送信情報を生成する手段として機能させ、
前記送信情報は、前記移動局装置によってサポートされる前記１又は幾つかの要素キャリアの個数を示す情報を含むことを特徴とする通信制御プログラム。
【請求項２２】
予め定められた周波数帯域を有する複数の要素キャリアの内の１又は幾つかを選択的に用いて、移動局装置と通信を行う基地局装置において、
移動局装置が送信する送信情報に基づいて、前記移動局装置に通信に用いる要素キャリアを割り当てる部を備え、
前記送信情報は、前記移動局装置によってサポートされる前記１又は幾つかの要素キャリアの個数を示す情報を含むことを特徴とする基地局装置。
【請求項２３】
移動局装置が送信する送信情報に基づいて、前記移動局装置に通信に用いる要素キャリアを割り当て、
前記送信情報は、前記移動局装置によってサポートされる前記１又は幾つかの要素キャリアの個数を示す情報を含むことを特徴とするプロセッサ。
【請求項２４】
予め定められた周波数帯域を有する複数の要素キャリアの内の１又は幾つかを選択的に用いて、移動局装置と通信を行う基地局装置における通信制御方法において、
前記基地局装置が、前記移動局装置が送信する送信情報に基づいて、前記移動局装置に通信に用いる要素キャリアを割り当てる過程、を有し、
前記送信情報は、前記移動局装置によってサポートされる前記１又は幾つかの要素キャリアの個数を示す情報を含むことを特徴とする通信制御方法。
【請求項２５】
予め定められた周波数帯域を有する複数の要素キャリアの内の１又は幾つかを選択的に用いて、移動局装置と通信を行う基地局装置のコンピュータを、
前記移動局装置が送信する送信情報に基づいて、前記移動局装置に通信に用いる要素キャリアを割り当てる手段として機能させ、
前記送信情報は、前記移動局装置によってサポートされる前記１又は幾つかの要素キャリアの個数を示す情報を含むことを特徴とする通信制御プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月28日(2011.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面と他方の面とを貫通する貫通孔と前記貫通孔の内部に固定された細胞とを有する細胞固定化基板と前記細胞に液体を付与するための液体付与手段とを有する細胞への物質導入装置であって、
ひとつの前記貫通孔にはひとつの細胞が固定化されており、
前記細胞固定化基板の一方の面は前記細胞の培養液を含む液体と接し、
前記細胞固定化基板の他方の面は気相と接し、
前記液体付与手段は前記他方の面の前記貫通孔から細胞に液体を付与することを特徴とする細胞への物質導入装置。
【請求項２】
前記液体付与手段により付与される液体は、細胞膜物質透過亢進剤を含むことを特徴とする請求項１に記載の細胞への物質導入装置。
【請求項３】
前記貫通孔は液体に接する開口部が、他方の開口部よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至２のいずれかに記載の細胞への物質導入装置。
【請求項４】
貫通孔を有する基板の前記貫通孔内に細胞を固定する工程と、
前記細胞に導入する液体を調整する工程と、
前記貫通孔の一方から前記細胞に前記液体を付与する工程と、を有する細胞への物質導入方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月20日(2011.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
高度に限定的な逆投影の３Ｄの実施態様が、ビュー角θとφで特徴付けられる単一の３Ｄ投影ビューに対して、図５に示されている。この投影ビューは、軸１６に沿って逆投影され、逆投影軸１６に沿った距離ｒにおいてラドン平面２１に広がる。投影信号値がフィルタ処理され、連続したラドン平面に、軸１６に沿って均等に分配されるフィルタ処理される逆投影の代わりに、投影信号値が、合成画像内の情報を用いて、ラドン平面２１に分配される。図５の例における合成画像は、血管１８及び２０を含む。重み付けされた信号輪郭値が、合成画像内の対応する位置ｘ、ｙ、ｚでの強度に基づいて、ラドン平面２１内の画像位置ｘ、ｙ、ｚで置かれる。これは、対応する合成画像のボクセル値と逆投影された信号プロファイル値Ｐとの簡単な乗算である。次に、この積は、合成画像から形成された対応画像空間投影プロファイルからの投影プロファイル値でこの積を割ることによって正規化される。３Ｄ再構成に対する式は以下になる。
【数３】
2008200478.tif 000001
（ここで、総和（Σ）は、再構成される画像フレーム内の全投影であり、特定のラドン平面内のｘ、ｙ、ｚ値は、その平面に対する適正なｒ、θ、φ値における投影プロファイル値Ｐ（ｒ，θ，φ）を用いて算出される。Ｐc（ｒ，θ，φ）は、合成画像からの対応投影プロファイル値であり、Ｃ（ｘ，ｙ，ｚ）r,θ,φは、（ｒ，θ，φ）での合成画像値である。）
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月16日(2011.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
血管壁上に内皮細胞薄膜（２１）を形成させるために用いられる、多層編組骨格からなる内皮細胞薄膜形成装置であって、
該骨格（１３）が、編織された生体適合性のある金属ワイヤからなる複数の安定化された層（１４、１５、１６）からなり、カバー層を有しておらず、これらの層（８、１０、１２）の各々がワイヤ（１０、１１）からなる２本のプライにより形成されており、この２本のプライはそれぞれ右螺旋と左螺旋であり、かつこの２本のプライは編織されて格子を形成しており、ある層（１４、１５、１６）に含まれる複数のワイヤ（１７）が隣接する層（１４、１５、１６）のうちの少なくとも１つの層の格子に組み込まれており、
また、該骨格は、内部応力を開放するために編組された後に熱処理により相転移を生じさせて焼入れされ、
さらに、該骨格は、血管内配置時に最外層が機械的特性により血管壁に接触し、かつ他の層は最外層とは異なる円筒状表面に実質的に沿って伸びて多層マットを形成するように構成されており、重畳された層（１５、１６）の網目が規則的なグリッドを得るように整列していることを特徴とする、
前記内皮細胞薄膜形成装置。
【請求項２】
前記多層マットは、該多層マットに沿って流れる血液の血行動態に局所的に作用し、血流を最内層の内面に向けて逸らし、かつ血管壁にかかる圧力の低下を引き起こすように設計されている、請求項１に記載の内皮細胞薄膜形成装置。
【請求項３】
前記多層編組骨格は、その側壁に、血管内で該血管壁に開口する側副血管内の血液の層流を確保し、かつ内皮細胞薄膜による側副血管の開口部の閉塞を回避する多孔を有する、請求項１又は２に記載の内皮細胞薄膜形成装置。
【請求項４】
前記金属ワイヤが、ステンレス鋼、Phynox（登録商標）、Elgiloy（登録商標）、チタン及びその合金、並びにニチノールからなる群から選択される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の内皮細胞薄膜形成装置。
【請求項５】
前記金属ワイヤの太さが少なくとも25〜80μmである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の内皮細胞薄膜形成装置。
【請求項６】
前記多層編組骨格が２種以上の金属ワイヤの組合せからなる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の内皮細胞薄膜形成装置。
【請求項７】
血管壁の再狭窄防止のために用いられる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の内皮細胞薄膜形成装置。
【請求項８】
血管壁の修復のために用いられる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の内皮細胞薄膜形成装置。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の内皮細胞薄膜形成装置と該装置上に形成された内皮細胞薄膜からなる管腔人工器官。
【請求項１０】
内皮細胞薄膜（２１）が前記多層編組骨格の外層（１６）を被覆している請求項９に記載の管腔人工器官。
【請求項１１】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の内皮細胞薄膜形成装置の外層（１６）が血管壁に接触するように設置することで製造される該装置と内皮細胞薄膜（２１）からなる管腔人工器官。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月7日(2011.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステリルグルコシドを溶解した状態で含有する油脂と低級アルコールとをエステル交換反応させて反応混合物を得る工程と、その後、該反応混合物中にステリルグルコシドを析出させる工程と、
該反応混合物からステリルグルコシドを分離する工程とを有する、脂肪酸低級アルキルエステル、グリセリン及びステリルグルコシドの製造法であって、
該エステル交換反応が、油脂由来の脂肪酸の脂肪酸低級アルキルエステルへの変換率が９０％以上となるまで行う工程である、脂肪酸低級アルキルエステル、グリセリン及びステリルグルコシドの製造法。
【請求項２】
工程（ａ）：ステリルグルコシドを溶解した状態で含有する油脂と低級アルコールとをエステル交換反応させる工程、
工程（ｂ）：工程（ａ）より得られた反応混合物を油水分離する工程、
工程（ｃ）：工程（ｂ）で得られた油相と低級アルコールとをエステル交換反応させる工程、
工程（ｄ）：工程（ｃ）より得られた反応混合物中にステリルグルコシドを析出させる工程、
工程（ｅ）：工程（ｄ）より得られた反応混合物からステリルグルコシドを分離する工程、
工程（ｆ）：工程（ｅ）により分離された反応混合物を油水分離し、脂肪酸アルキルエステル及びグリセリンを得る工程を含む、請求項１記載の脂肪酸低級アルキルエステル、グリセリン及びステリルグルコシドの製造法。
【請求項３】
前記エステル交換反応工程で得られる反応混合物が、脂肪酸低級アルキルエステル、未反応油脂、グリセリン、低級アルコール、及びステリルグルコシドを含む混合物で、２相に分離した状態のものを得る工程であり、
前記応混合物中にステリルグルコシドを析出させる工程が、前記２相の中間にステリルグルコシドの白色析出物を析出させる工程である、請求項１又は２記載の脂肪酸低級アルキルエステル、グリセリン及びステリルグルコシドの製造法。
【請求項４】
前記２相が脂肪酸メチルエステルを含む相及びグリセリンを含む相である、請求項３記載の脂肪酸低級アルキルエステル、グリセリン及びステリルグルコシドの製造法。
【請求項５】
前記反応混合物中にステリルグルコシドを析出させる工程が、反応混合物の温度を低下させる工程である、請求項１〜４の何れか１項記載の脂肪酸低級アルキルエステル、グリセリン及びステリルグルコシドの製造法。
【請求項６】
前記反応混合物中にステリルグルコシドを析出させる工程が、反応混合物の温度を３０〜３５℃に調整する工程である、請求項１〜４の何れか１項記載の脂肪酸低級アルキルエステル、グリセリン及びステリルグルコシドの製造法。
【請求項７】
前記反応混合物からステリルグルコシドを分離する工程が、反応混合物をろ過して分離する工程である、請求項１〜６の何れか１項記載の脂肪酸低級アルキルエステル、グリセリン及びステリルグルコシドの製造法。
【請求項８】
前記エステル交換反応工程で得た反応混合物から、反応混合物中の低級アルコール濃度を８質量％以下になるまで低級アルコールを除去する工程を含む、請求項１〜７の何れか１項記載の脂肪酸低級アルキルエステル、グリセリン及びステリルグルコシドの製造法。
【請求項９】
エステル交換反応工程が、固体酸触媒を用いて行う工程である、請求項１〜８の何れか１項記載の脂肪酸低級アルキルエステル、グリセリン及びステリルグルコシドの製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月4日(2010.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：
【化１】
2011026326.tif 000001
［式中、
−−−は不在又は単結合であり；
Ｘ１はＮ及びＣＲ１から構成される群から選択され；
Ｘ２はＮ及びＣＲ２から構成される群から選択され；
Ｘ３はＮ、ＮＲ３、及びＣＲ３から構成される群から選択され；
Ｘ４は結合であるか又はＮ及びＣＲ４から構成される群から選択され；
Ｘ５はＮ及びＣから構成される群から選択され；
但し、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、及びＸ４の少なくとも１個はＮであり；
Ｚ１はＯ、ＮＨ、及びＳから構成される群から選択され；
Ｚ２は結合であるか又はＮＨ及びＯから構成される群から選択され；
Ｌはアルケニレン、アルキレン、アルキニレン、シクロアルキレン、
【化２】
2011026326.tif 000002
、−（ＣＨ２）ｍＯ（ＣＨ２）ｎ−、及びＮ（ＲＹ）から構成される群から選択され、前記式中、−（ＣＨ２）ｍＯ（ＣＨ２）ｎ−の左端はＺ２に結合しており、右端はＲ９に結合しており；
ｍとｎは各々独立して０〜６であり；
ＲＹは水素及びアルキルから構成される群から選択され；
Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は各々独立して水素、アルケニル、アルコキシ、アルコキシアルコキシ、アルコキシアルキル、アルコキシカルボニル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキル、アルキルカルボニル、アルキルカルボニルアルキル、アルキルカルボニルオキシ、アルキルチオ、アルキニル、カルボキシ、カルボキシアルキル、シアノ、シアノアルキル、シクロアルキル、シクロアルキルアルキル、ホルミル、ホルミルアルキル、ハロアルコキシ、ハロアルキル、ハロアルキルチオ、ハロゲン、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、メルカプト、メルカプトアルキル、ニトロ、（ＣＦ３）２（ＨＯ）Ｃ−、−ＮＲＡＳ（Ｏ）２ＲＢ、−Ｓ（Ｏ）２ＯＲＡ、−Ｓ（Ｏ）２ＲＢ、−ＮＺＡＺＢ、（ＮＺＡＺＢ）アルキル、（ＮＺＡＺＢ）カルボニル、（ＮＺＡＺＢ）カルボニルアルキル及び（ＮＺＡＺＢ）スルホニルから構成される群から選択され、前記式中、ＺＡ及びＺＢは各々独立して水素、アルキル、アルキルカルボニル、ホルミル、アリール、及びアリールアルキルから構成される群から選択され；
Ｒ２及びＲ４は各々独立して水素、アルケニル、アルコキシ、アルコキシアルコキシ、アルコキシアルキル、アルコキシカルボニル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキル、アルキルカルボニル、アルキルカルボニルアルキル、アルキルカルボニルオキシ、アルキルチオ、アルキニル、カルボキシ、カルボキシアルキル、シアノ、シアノアルキル、シクロアルキル、シクロアルキルアルキル、ホルミル、ホルミルアルキル、ハロアルコキシ、ハロアルキル、ハロアルキルチオ、ハロゲン、ヒドロキシ、ヒドロキシアルキル、メルカプト、メルカプトアルキル、ニトロ、（ＣＦ３）２（ＨＯ）Ｃ−、−ＮＲＡＳ（Ｏ）２ＲＢ、−Ｓ（Ｏ）２ＯＲＡ、−Ｓ（Ｏ）２ＲＢ、−ＮＺＡＺＢ、（ＮＺＡＺＢ）アルキル、（ＮＺＡＺＢ）アルキルカルボニル、（ＮＺＡＺＢ）カルボニル、（ＮＺＡＺＢ）カルボニルアルキル、（ＮＺＡＺＢ）スルホニル、（ＮＺＡＺＢ）Ｃ（＝ＮＨ）−、（ＮＺＡＺＢ）Ｃ（＝ＮＣＮ）ＮＨ−、及び（ＮＺＡＺＢ）Ｃ（＝ＮＨ）ＮＨ−から構成される群から選択され；
ＲＡは水素及びアルキルから構成される群から選択され；
ＲＢはアルキル、アリール、及びアリールアルキルから構成される群から選択され；
Ｒ８ａは水素及びアルキルから構成される群から選択され；
Ｒ８ｂはＸ５がＮである場合には不在であり又はＲ８ｂはＸ５がＣである場合には水素、アルコキシ、アルコキシカルボニルアルキル、アルキル、アルキルカルボニルオキシ、アルキルスルホニルオキシ、ハロゲン、及びヒドロキシから構成される群から選択され；
Ｒ９は水素、アリール、シクロアルキル、及び複素環から構成される群から選択される］の化合物又は医薬的に許容可能なその塩もしくはプロドラッグ。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記構造式（１）で表される化合物からなることを特徴とする糖代謝改善剤。
【化１】
2011026314.tif 000001
【請求項２】
食後血糖値の上昇抑制作用を有する請求項１に記載の糖代謝改善剤。
【請求項３】
空腹時血糖値の低下作用、及び血清中の糖代謝関連指標の調節作用の少なくともいずれかを有する請求項１から２のいずれかに記載の糖代謝改善剤。
【請求項４】
食事由来の糖の代謝促進作用を有する請求項１から３のいずれかに記載の糖代謝改善剤。
【請求項５】
食事と同時摂取することなく糖代謝改善作用が発揮される請求項１から４のいずれかに記載の糖代謝改善剤。
【請求項６】
１日あたりの摂取量が少なくとも１ｍｇである請求項１から５のいずれかに記載の糖代謝改善剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】糖代謝改善剤
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、パナキサジオール（ＰＤ）からなる糖代謝改善剤に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、前記従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、優れた血糖値調節作用、及び糖代謝改善作用を有し、安全性が高く、飲食品として摂取でき、安定性の高い糖代謝改善剤を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  下記構造式（１）で表される化合物からなることを特徴とする糖代謝改善剤である。
【化１】
2011026314.tif 000002
＜２＞  食後血糖値の上昇抑制作用を有する前記＜１＞に記載の糖代謝改善剤である。
＜３＞  空腹時血糖値の低下作用、及び血清中の糖代謝関連指標の調節作用の少なくともいずれかを有する前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の糖代謝改善剤である。
＜４＞  食事由来の糖の代謝促進作用を有する前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の糖代謝改善剤である。
＜５＞  筋肉細胞への糖の取込促進作用を有する前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の糖代謝改善剤である。
＜６＞  食事と同時摂取することなく糖代謝改善作用が発揮される前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の糖代謝改善剤である。
＜７＞  １日あたりの摂取量が少なくとも１ｍｇである前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の糖代謝改善剤である。
＜８＞  前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の糖代謝改善剤を含有することを特徴とする食後血糖値上昇抑制剤である。
＜９＞  前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の糖代謝改善剤を含有することを特徴とする空腹時血糖値低下剤である。
＜１０＞  前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の糖代謝改善剤を含有することを特徴とする筋肉細胞への糖取込促進剤である。
＜１１＞  前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の糖代謝改善剤を含有することを特徴とする飲食品である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、優れた血糖値調節作用、及び糖代謝改善作用を有し、安全性が高く、飲食品として摂取でき、安定性の高い糖代謝改善剤を提供することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
市販高脂肪食（商品名：Ｑｕｉｃｋ  Ｆａｔ、日本クレア株式会社製）に１質量％の前記アグリコン含有処理物を配合した飼料（アグリコン含有量０．１質量％）を１日当たりマウス１匹につき８ｇ（ＰＤ：約２．８ｍｇ／日）与え、給水は自由摂取とし、１週間本飼育を行なった。以下、「田七人参処理物投与群」と称することがある。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
本発明のパナキサジオール（ＰＤ）からなる糖代謝改善剤は、優れた筋肉細胞への糖の取込促進作用、食後血糖値の上昇抑制作用、空腹時血糖値の低下作用、糖代謝関連指標の調節作用、及び食事由来の糖代謝促進作用を有することから、食後血糖値上昇抑制剤、空腹時血糖値低下剤、及び糖取込促進剤として好適に利用でき、糖尿病の予防乃至治療に有効である。
更に、前記糖代謝改善剤は、安全性が高いため、飲食品に好適に利用可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月27日(2011.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カルシトニンを１種またはそれ以上の経口デリバリー剤と組み合わせて含む、食物の消費前にヒト宿主に経口投与するための医薬組成物。
【請求項２】
経口投与が、食事の５〜３０分前の範囲で行われる、請求項１記載の医薬組成物。
【請求項３】
上記医薬組成物が、
ａ）Ｎ−（５−クロロサリチロイル）−８−アミノカプリル酸、Ｎ−（１０−［２−ヒドロキシベンゾイル］アミノ）デカン酸またはＮ−（８−［２−ヒドロキシベンゾイル］アミノ）カプリル酸の二ナトリウム塩、または上記二ナトリウム塩の水和物または溶媒和物である経口デリバリー剤、および
ｂ）０.１〜２.５ｍｇのカルシトニン
を含み、遊離酸の相当量として表された経口デリバリー剤の量対カルシトニンの量の比が、重量にして１０〜２５０：１の範囲である、請求項１または２記載の医薬組成物。
【請求項４】
カルシトニンの作用に応答する疾患を処置するための医薬の製造における医薬組成物の使用であって、上記組成物が１種またはそれ以上の経口デリバリー剤と組み合わせてカルシトニンを含むものである、食物消費の前にヒト宿主に経口投与される上記組成物の使用。
【請求項５】
経口投与が食事の５〜３０分前の範囲で行なわれる、請求項４記載の医薬組成物の使用。
【請求項６】
医薬組成物が、
ａ）Ｎ−（５−クロロサリチロイル）−８−アミノカプリル酸、Ｎ−（１０−［２−ヒドロキシベンゾイル］アミノ）デカン酸またはＮ−（８−［２−ヒドロキシベンゾイル］アミノ）カプリル酸の二ナトリウム塩、または上記二ナトリウム塩の水和物または溶媒和物である経口デリバリー剤、および
ｂ）０.１〜２.５ｍｇのカルシトニン
を含み、遊離酸の相当量として表された経口デリバリー剤の量対カルシトニンの量の比が、重量にして１０〜２５０：１の範囲である、請求項４または５記載の医薬組成物の使用。
【請求項７】
ａ）Ｎ−（５−クロロサリチロイル）−８−アミノカプリル酸、Ｎ−（１０−［２−ヒドロキシベンゾイル］アミノ）デカン酸またはＮ−（８−［２−ヒドロキシベンゾイル］アミノ）カプリル酸の二ナトリウム塩、または上記二ナトリウム塩の水和物または溶媒和物である経口デリバリー剤、および
ｂ）０.１〜２.５ｍｇのカルシトニン
を含み、遊離酸の相当量として表された経口デリバリー剤の量対カルシトニンの量の比が、重量にして１０〜２５０：１の範囲である、
経口医薬組成物。
【請求項８】
Ｎ−（５−クロロサリチロイル）−８−アミノカプリル酸二ナトリウム塩またはその水和物および０.１〜２.５ｍｇのサケカルシトニンを含み、請求項７に記載されている、経口デリバリー剤の量対カルシトニンの量の比が重量にして１０〜２００：１の範囲である、請求項７記載の経口固体医薬組成物。
【請求項９】
重量比が２５〜１００：１である、請求項７記載の経口固体医薬組成物。
【請求項１０】
またクロスポビドンおよびポビドンのいずれか一方または両方を含む、請求項７、８または９記載の経口固体医薬組成物。
【請求項１１】
ａ）カルシトニンおよびＮ−（５−クロロサリチロイル）−８−アミノカプリル酸、Ｎ−（１０−［２−ヒドロキシベンゾイル］アミノ）デカン酸またはＮ−（８−［２−ヒドロキシベンゾイル］アミノ）カプリル酸の二ナトリウム塩、または上記二ナトリウム塩の水和物または溶媒和物である経口デリバリー剤を含む経口医薬組成物、および
ｂ）経口医薬組成物が食物消費に先行して摂取され得るものと規定した内容の書面である使用説明書
を含むキット。
【請求項１２】
カルシトニンがサケカルシトニンであって、０.１〜２.５ｍｇのサケカルシトニンであり、遊離酸の相当量として表された経口デリバリー剤の量対サケカルシトニンの量の比が、重量にして１０〜２５０：１の範囲である、請求項１１記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月10日(2010.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
ランチャ２ａ，２ｂは、２．４５ＧＨｚ用標準導波管：ＷＲＪ−２（幅寸法１０９．２ｍｍ、高さ寸法５４．６ｍｍ）に接合するためのテーパ部３ａ，３ｂを有したテーパ一体型となっている。したがって、ランチャ２ａ，２ｂは、このテーパ部３ａ，３ｂを介し、ＷＲＪ−２の導波管で構成されるパワーモニタ導波管４ａ，４ｂの一端に接続されている。また、パワーモニタ導波管４ａ，４ｂは、パワーモニタ導波管４ａ，４ｂ自身の内部に構成されているＷＲＪ−２導波管内を通過する進行波電力及び反射波電力を測定する装置である。なお、進行波電力とは、マグネトロン１ａ、１ｂからアプリケータ７へ向かって伝送されるマイクロ波電力であり、反射波電力とは、アプリケータ７などで反射してマグネトロン１ａ、１ｂへ向かって伝送されるマイクロ波電力である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図４は、図３のＴ型マイクロ波合成導波管６におけるＣ面の電界方向を示す図である。すなわち、図４は、主導波管６ａのＣ面側（つまり、図１のアプリケータ７に照射する面側）から見たときの、マグネトロン１ａから主導波管６ａを伝送したマイクロ波の電界方向（以下、主マイクロ波の電界方向１０ａという）と、マグネトロン１ｂから副導波管６ｂを伝送したマイクロ波の電界方向（以下、副マイクロ波の電界方向１０ｂという）とを示している。図４に示すように、主マイクロ波の電界方向１０ａと、副マイクロ波の電界方向１０ｂは９０度の方向差をもって直交している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
このようにして９０度の方向差を持つ両者のマイクロ波電界は、主導波管６ａのＣ面側から図１のアプリケータ（マイクロ波照射室）７に供給され、その供給電力は、マグネトロン１ａのマイクロ波電力と、マグネトロン１ｂのマイクロ波電力の和となる。したがって、マグネトロン１ａ，１ｂのマイクロ波電力が合成された高出力のマイクロ波電力をアプリケータ７の被加熱物へ照射することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
１ａ        マグネトロン（第１のマグネトロン）
１ｂ        マグネトロン（第２のマグネトロン）
２ａ，２ｂ  ランチャ
３ａ，３ｂ  テーパ部
４ａ，４ｂ  パワーモニタ導波管（ＷＲＪ−２導波管）
５ａ，５ｂ  テーパ導波管
６  Ｔ型マイクロ波合成導波管
６ａ  主導波管
６ｂ  副導波管
７  アプリケータ
１０  マイクロ波加熱装置
１０ａ  主マイクロ波の電界方向
１０ｂ  副マイクロ波の電界方向
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月28日(2011.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図２（ａ）は、幅が約０.２μｍの孤立スペースパターンを例示しており、スペースパターンはクロムパターン１０２に包囲されたガラス部分１０３によって形成されている。このような測定対象の場合、ＦＯＶ１０４の中で、導電性があるクロムパターン１０２の割合が大きいため、低加速電圧の電子ビームによる高精度測長が可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
一方、図２（ｂ）に例示するようなガラス部分１０３上に形成された約０.２μｍのクロムパターン１０２で構成される孤立ラインパターンの場合には、ＦＯＶ１０４内の絶縁性のガラスの割合が大きく、低加速電圧の電子ビームを走査すると、チャージの影響で、ビームドリフトが発生し、１０回測定の結果は、図４（ｂ）のグラフに示すよう、ばらつきが１０ｎｍ以上となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
レシピ生成、或いは装置条件導出の際に、設計データから算出されたパターン密度等をシミュレーションや実験の結果とリンクさせるため、ＸＹ座標系の設計データを一旦極座標系に変換する必要がある。また、反射電子や２次電子の広がりは、中心軸から約数mm範囲であり、設計データを取り込む範囲も観察点から数mm範囲となる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月26日(2011.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に設けた配線溝に形成された銅からなる配線とを備え、
前記絶縁膜は、空孔率が低い低空孔率領域と、前記低空孔率領域よりも空孔率が高い高空孔率領域とを有しており、
前記低空孔率領域は、前記配線溝の下部に形成されており、
前記高空孔率領域は、前記配線溝の側壁の周辺部に形成されており、
前記低空孔率領域に存在する空孔の空孔径は０．８ｎｍ未満であり、
前記高空孔率領域に存在する空孔の空孔径は０．８ｎｍ以上であって且つ３．０ｎｍ未満である、半導体装置。
【請求項２】
前記低空孔率領域の上面は、前記配線溝の底部に接している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記低空孔率領域の上面は、前記配線溝の底部全体と実質的に接している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記低空孔率領域の下面の幅は、前記低空孔率領域の上面の幅及び前記配線溝の底部の幅と実質的に等しい、請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記低空孔率領域の下面の位置は、前記絶縁膜の下面の位置と一致している、請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記低空孔率領域は、前記配線溝の側壁と前記高空孔率領域との間にさらに形成されている、請求項１〜５のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記配線溝の側壁と前記高空孔率領域との間に形成されている低空孔率領域の幅は、前記配線溝の下部に形成されている前記低空孔率領域の幅よりも狭い、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記絶縁膜における前記配線溝の底部に設けられたビア孔に形成され、前記配線と電気的に接続するビアをさらに備えており、
前記低空孔率領域は、前記ビアの周縁部を覆っている、請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記高空孔率領域の上面の位置は、前記絶縁膜の上面の位置と一致しており、
前記高空孔率領域の下面の位置は、前記絶縁膜の下面の位置と一致している、請求項１〜６，８のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記低空孔率領域の空孔率が１０％未満であり、
前記高空孔率領域の空孔率が１０％以上である、請求項１〜６，８，９のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記低空孔率領域の炭素濃度が２０％以上であり、
前記高空孔率領域の炭素濃度が２０％未満である、請求項１〜６，８〜１０のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記低空孔率領域の比誘電率が２．８以上であり、
前記高空孔率領域の比誘電率が２．８未満である、請求項１〜１１のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記低空孔率領域の弾性率が１０ＧＰａ以上であり、
前記高空孔率領域の弾性率が１０ＧＰａ未満である、請求項１〜１２のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記絶縁膜は、空孔形成材料を含んでいる、請求項１〜１３のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記空孔形成材料は、ポロジェンである、請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記配線は、複数形成されており、
隣り合う前記配線間には、前記高空孔率領域のみが形成されている、請求項１〜５に記載の半導体装置。
【請求項１７】
基板上に、空孔形成材料を含み、第１の領域及び第２の領域を有する絶縁膜を形成する工程（ａ）と、
前記第１の領域に含まれる前記空孔形成材料を除去することにより、前記第１の領域を空孔率が高い高空孔率領域とすると共に、前記第２の領域を前記高空孔率領域よりも空孔率が低い低空孔率領域とする工程（ｂ）と、
前記低空孔率領域中に、銅からなる配線を形成する工程（ｃ）とを備える、半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記工程（ｃ）の後に、
前記低空孔率領域における前記配線の側壁の周辺に存在している部分に含まれる前記空孔形成材料を除去する工程（ｄ）をさらに備える、請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記工程（ｄ）は、電子線又は紫外線を照射することにより、前記空孔形成材料を除去する工程である、請求項１８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記工程（ｂ）は、前記第１の領域上を開口する開口部を有する一方で前記第２の領域上を覆うマスクを形成した後に、前記第１の領域に含まれる前記空孔形成材料を除去する工程である、請求項１７〜１９のうちのいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記工程（ｂ）は、前記開口部に、電子線又は紫外線を照射することにより、前記第１の領域に含まれる前記空孔形成材料を除去する工程である、請求項２０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記マスクは、メタルハードマスクである、請求項２０又は２１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
前記空孔形成材料は、ポロジェンである、請求項１７〜２２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月8日(2010.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記ＭＭＩがバイブレータをさらに含み、前記バイブレータがイベント通知を提供する、請求項１０に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月24日(2011.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶された文書を分析する分析システムであって、
プロセッサと、前記プロセッサによって実行されるプログラムを格納するメモリと、文書が記憶される記憶装置と、を備え、
前記プロセッサは、
記憶された前記文書から文書集合を作成し、
前記作成された文書集合から数値表現を抽出し、
前記抽出された数値表現から、数値と前記数値の単位とを取得し、
前記数値を前記単位毎に分類し、
前記分類された数値を前記数値の大きさに従って分類し、
前記単位毎に大きさに従って分類された数値を表示するためのデータを生成することを特徴とする分析システム。
【請求項２】
前記プロセッサは、
前記数値表現の前後から少なくとも一以上の単語を抽出し、
前記抽出された単語のうち、前記数値表現と関連性の高い少なくとも一以上の単語を、前記数値に関係付け、
前記関係付けられた数値と単語とを表示するためのデータを生成することを特徴とする請求項１に記載の分析システム。
【請求項３】
前記プロセッサは、
前記単位を所定の基準単位に変換し、
前記数値を前記基準単位に適合する数値に換算した後に、前記数値の大きさに従って分類することを特徴とする請求項１に記載の分析システム。
【請求項４】
前記プロセッサは、
前記換算された数値を前記数値の分布の大きさに基づき、等比数列又は等差数列のいずれによって表示するかを決定し、
前記決定された区分に従って、前記換算された数値表示するためのデータを生成することを特徴とする請求項３に記載の分析システム。
【請求項５】
前記プロセッサは、
前記表示された数値から、少なくとも一以上の数値の選択を受け付け、
前記選択された数値を含む文書のみによって、新しい文書集合を作成することを特徴とする請求項１に記載の分析システム。
【請求項６】
前記プロセッサは、
入力された語に基づいて、前記記憶された文書に対して、全文検索を実行し、
前記入力された語を含む文書によって、前記文書集合を作成することを特徴とする請求項１に記載の分析システム。
【請求項７】
前記プロセッサは、
前記抽出された数値表現から取得した数値を含む文書の数を計数し、
前記取得した数値と、前記計数された文書の数とを関連付け、
前記関連付けられた前記数値と前記文書の数とを表示するためのデータを生成することを特徴とする請求項１に記載の分析システム。
【請求項８】
記憶された文書を分析する分析システムにおいて実行される情報分析方法であって、
前記分析システムは、プロセッサと、前記プロセッサによって実行されるプログラムを格納するメモリと、文書が記憶される記憶装置と、を備え、
前記情報分析方法は、
前記プロセッサが、記憶された前記文書から文書集合を作成し、
前記プロセッサが、前記作成された文書集合から数値表現を抽出し、
前記プロセッサが、前記抽出された数値表現から、数値と前記数値の単位とを取得し、
前記プロセッサが、前記数値を前記単位毎に分類し、
前記プロセッサが、前記分類された数値を前記数値の大きさに従って分類し、
前記プロセッサが、前記単位毎に大きさに従って分類された数値を表示するためのデータを生成することを特徴とする情報分析方法。
【請求項９】
前記プロセッサが、前記数値表現の前後から少なくとも一以上の単語を抽出し、
前記プロセッサが、前記抽出された単語のうち、前記数値表現と関連性の高い少なくとも一以上の単語を、前記数値に関係付け、
前記プロセッサが、前記関係付けられた数値と単語とを表示するためのデータを生成することを特徴とする請求項８に記載の情報分析方法。
【請求項１０】
前記プロセッサが、前記単位を所定の基準単位に変換し、
前記プロセッサが、前記数値を前記基準単位に適合する数値に換算した後に、前記数値の大きさに従って分類することを特徴とする請求項８に記載の情報分析方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月30日(2011.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の請求項１に記載された平面表示モジュールの製造方法の発明は、平坦な表示面を備える表示パネルの前記表示面の表示が行われる有効表示領域の周囲の額縁状の非表示領域に対応させて外枠部材を配置し、前記外枠部材が囲む前記表示領域に対応する領域内に未硬化の接着剤を所定量だけ滴下し、前記表示パネルをセットしたチャンバ内を排気して真空状態とし、真空状態下で透明な材料からなる保護板を前記外枠部材と前記接着剤に密着させて被装し、前記チャンバ内を大気圧に戻し、接着剤を硬化させて収縮させることにより、前記保護板と前記外枠部材と前記表示パネルの表示面とにより形成される空間内に隙間無く充填された透明な接着剤充填層を形成し、前記領域内に滴下する前記接着剤の前記所定量を、前記空間内を満たす量より硬化により収縮する量だけ多い量に設定することを特徴とするものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の請求項２に記載された平面表示モジュールの製造方法の発明は、平坦な表示面を備える表示パネルの前記表示面の表示が行われる有効表示領域の周囲の額縁状の非表示領域に対応させて外枠部材を配置し、前記表示パネルをセットしたチャンバ内を排気して真空状態とし、前記外枠部材が囲む前記表示領域に対応する領域内に未硬化の接着剤を所定量だけ滴下し、真空状態下で透明な材料からなる保護板を前記外枠部材と前記接着剤に密着させて被装し、前記チャンバ内を大気圧に戻し、接着剤を硬化させて収縮させることにより、前記保護板と前記外枠部材と前記表示パネルの表示面とにより形成される空間内に隙間無く充填された透明な接着剤充填層を形成し、前記領域内に滴下する前記接着剤の前記所定量を、前記空間内を満たす量より硬化により収縮する量だけ多い量に設定することを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の請求項４に記載された平面表示モジュールの発明は、平坦な表示面を備える表示パネルと、前記表示面を保護するために前記表示面に対向して設置される保護板と、前記保護板と前記表示面との間に介設され、前記表示面の表示が行われる表示領域の周囲の額縁状の非表示領域に対応させて配置されたスペーサとなる外枠部材と、前記外枠部材が囲む前記表示領域に対応する空間内に隙間無く充填され硬化収縮された透明な接着剤により形成された接着剤充填層とを、有することを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦な表示面を備える表示パネルの前記表示面の表示が行われる有効表示領域の周囲の額縁状の非表示領域に対応させて外枠部材を配置し、
前記外枠部材が囲む前記表示領域に対応する領域内に未硬化の接着剤を所定量だけ滴下し、
前記表示パネルをセットしたチャンバ内を排気して真空状態とし、
真空状態下で透明な材料からなる保護板を前記外枠部材と前記接着剤に密着させて被装し、
前記チャンバ内を大気圧に戻し、接着剤を硬化させて収縮させることにより、前記保護板と前記外枠部材と前記表示パネルの表示面とにより形成される空間内に隙間無く充填された透明な接着剤充填層を形成し、
前記領域内に滴下する前記接着剤の前記所定量を、前記空間内を満たす量より硬化により収縮する量だけ多い量に設定することを特徴とする平面表示モジュールの製造方法。
【請求項２】
平坦な表示面を備える表示パネルの前記表示面の表示が行われる有効表示領域の周囲の額縁状の非表示領域に対応させて外枠部材を配置し、
前記表示パネルをセットしたチャンバ内を排気して真空状態とし、
前記外枠部材が囲む前記表示領域に対応する領域内に未硬化の接着剤を所定量だけ滴下し、
真空状態下で透明な材料からなる保護板を前記外枠部材と前記接着剤に密着させて被装し、
前記チャンバ内を大気圧に戻し、接着剤を硬化させて収縮させることにより、前記保護板と前記外枠部材と前記表示パネルの表示面とにより形成される空間内に隙間無く充填された透明な接着剤充填層を形成し、
前記領域内に滴下する前記接着剤の前記所定量を、前記空間内を満たす量より硬化により収縮する量だけ多い量に設定することを特徴とする平面表示モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記接着剤は紫外線硬化型接着剤であることを特徴とする請求項１または２に記載の平面表示モジュールの製造方法。
【請求項４】
平坦な表示面を備える表示パネルと、
前記表示面を保護するために前記表示面に対向して設置される保護板と、
前記保護板と前記表示面との間に介設され、前記表示面の表示が行われる表示領域の周囲の額縁状の非表示領域に対応させて配置されたスペーサとなる外枠部材と、前記外枠部材が囲む前記表示領域に対応する空間内に隙間無く充填され硬化収縮された透明な接着剤により形成された接着剤充填層とを、有することを特徴とする平面表示モジュール。
【請求項５】
前記平坦な表示面を備える表示パネルは、一対のガラス基板間に液晶を挟持してなる液晶表示パネルであることを特徴とする請求項４に記載の平面表示モジュール。
【請求項６】
前記表示パネルの表示面となるガラス基板の外面に偏光板が貼着されており、前記偏光板が貼り付けられたガラス基板面と保護板面を対向配置させ、前記偏光板が貼り付けられたガラス基板面と前記保護板面との間に、前記接着剤充填層が介設されていることを特徴とする請求項５に記載の平面表示モジュール。
【請求項７】
前記保護板の一方の面に偏光板が貼着され、前記保護板の前記偏光板が貼着された面と前記表示パネルの表示面となる前記ガラス基板面とを対向配置させ、前記保護板の前記偏光板が貼着された面と表示面となる前記ガラス基板面との間に、前記接着剤充填層が介設されていることを特徴とする請求項５に記載の平面表示モジュール。
【請求項８】
前記外枠部材が光の透過を遮断する遮光材料で形成されていることを特徴とする請求項４乃至請求項７のうちの何れかの請求項に記載の平面表示モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月1日(2011.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
液晶装置８５では、液晶７５をオフ状態にするためのオフ電圧として、基準電圧Ｖｃが設定される。
ところで、対向電極１２５への印加電圧ＬＣcomは、基準電圧Ｖｃよりも低位側に設定される。これは、ｎチャネル型のトランジスターでは、ゲート・ドレイン電極間の寄生容量に起因して、オンからオフに状態変化するときにドレイン（画素電極１０５）の電位が低下する、というフィードスルーが発生するためである。仮に電圧ＬＣcomを基準電圧Ｖｃと一致させた場合、負極性書込による液晶素子の電圧実効値が、フィードスルーのために、正極性書込による電圧実効値よりも若干大きくなってしまう（トランジスターがｎチャネルの場合）。このため、フィードスルーの影響が相殺されるような適正値に、電圧ＬＣcomを基準電圧Ｖｃよりも低位側にオフセットして設定される。ただし、フィードスルーの影響が無視できるならば、電圧ＬＣcomと基準電圧Ｖｃとは一致するように設定しても良い。