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【手続補正書】
【提出日】平成23年6月22日(2011.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１または複数の電池セルと、
第１の制御信号により制御され、上記電池セルに対する充電電流をＯＮ／ＯＦＦする充電制御スイッチと、
第２の制御信号により制御され、上記電池セルに対する放電電流をＯＮ／ＯＦＦする放電制御スイッチと、
上記第１および第２の制御信号を出力することにより、上記充電制御スイッチおよび上記放電制御スイッチを制御する第１の制御部と、
上記電池セルの状態を監視し、上記電池セルの状態が充放電を停止すべき状態であると判断した場合には、上記第１の制御信号のレベルに関わらず上記充電制御スイッチをＯＦＦさせる第３の制御信号を出力する第２の制御部と、
上記第２の制御部に所定の電源電圧を供給する電源供給部と、
負荷と接続される第１および第２の出力端子と
を備え、
上記第２の制御部において上記電池セルの電池状態が通常状態であると判断されている場合に、上記第１の制御部において所定値以上の電流値が検出されたときには、上記充電制御スイッチもしくは上記放電制御スイッチがＯＦＦされて電流の遮断を行うとともに、上記電源供給部の上記第２の制御部に対する電源供給が遮断され、
上記第２の制御部において上記電池セルの電池状態が充放電を停止すべき状態であると判断された場合には、上記電源供給部の上記第２の制御部に対する電源供給が継続されて、上記充電制御スイッチをＯＦＦさせる第３の制御信号の出力を継続する
電池パック。
【請求項２】
上記第２の制御部において上記電池セルの電池状態が通常状態であると判断されている場合には、ハイレベルの上記第３の制御信号が出力され、
上記第２の制御部において上記電池セルの電池状態が充放電を停止すべき状態であると判断された場合には、ローレベルの上記第３の制御信号が出力されて上記充電制御スイッチがＯＦＦされる
請求項１に記載の電池パック。
【請求項３】
上記第２の制御部は、上記電池セルが充電状態にある場合にローレベルの上記第３の制御信号を出力する
請求項２に記載の電池パック。
【請求項４】
上記電源供給部は、
上記第２の制御信号と同レベルの第４の制御信号と、
上記第３の制御信号と逆レベルの第５の制御信号と
が供給され、
上記第４および上記第５の制御信号がともにローレベルのときのみ、上記第２の制御部への電源供給を遮断する
請求項３に記載の電池パック。
【請求項５】
上記第３の制御信号によって上記充電制御スイッチがＯＦＦされた場合には、上記第１の制御部が、ローレベルの第２の制御信号を出力する
請求項４に記載の電池パック。
【請求項６】
第２の制御部が、
上記電池セルの劣化度が大きい場合または複数の上記電池セル間の電池容量の差が所定値以上となった場合に上記電池セルの状態が充放電を停止すべき状態であると判断し、上記第３の制御信号によって上記充電制御スイッチをＯＦＦさせる
請求項５に記載の電池パック。
【請求項７】
所定の電池容量を放電した時点での上記電池セルの電圧から、上記劣化度を判断する
請求項６に記載の電池パック。
【請求項８】
外部機器と通信可能な通信端子を備え、
上記外部機器からの通信信号が上記通信端子を介して上記第２の制御部に入力されることに応じて、該第２の制御部から上記第３の制御信号が出力される
請求項１〜請求項７のいずれかに記載の電池パック。
【請求項９】
複数の電池セルの放電時において、上記電池セルの電流、電圧および電池温度を検出する検出のステップと、
上記検出のステップにおいて検出された上記電流、上記電圧および上記電池温度を基に、複数の上記電池セルのそれぞれの電池容量を算出する容量算出のステップと、
複数の上記電池セルのそれぞれの電池容量のうち、最大の電池容量と最小の電池容量との差分値を算出する差分算出のステップと、
上記差分算出のステップにより得られた上記差分値が、所定値よりも大きい場合には、複数の上記電池セルの電池状態が充放電を停止すべき状態であると判断する判断のステップと、
上記判断のステップにより上記電池セルの電池状態が充放電を停止すべき状態であると判断された場合において、上記電池セルが充電状態とされたときには、上記電池セルの充電を強制的に遮断するとともに、上記電池セルの充電の遮断を継続する遮断のステップと
を有する充放電制御方法。
【請求項１０】
上記遮断のステップにおいて、上記電池セルの充電が強制的に遮断された場合には、上記電池セルの充電も遮断される
請求項９に記載の充放電制御方法。
【請求項１１】
上記遮断のステップにおいて、上記電池セルの電池状態が充放電を停止すべき状態であると判断されている場合には、確実に上記電池セルが充電状態であることを検出した後上記電池セルの充電を強制的に遮断する
請求項１０に記載の充放電制御方法。
【請求項１２】
上記遮断のステップにおいて、上記電池セルに対して所定値以上の充電電流が所定時間以上流れた場合に、上記電池セルが充電状態であることを検出する
請求項１１に記載の充放電制御方法。
【請求項１３】
上記判断のステップにおいて、上記電池セルの電池状態が充放電を停止すべき状態であると判断された場合には、上記電池セルの電池状態が充放電を停止すべき状態であることを示す制御信号を外部に出力する
請求項１２に記載の充放電制御方法。
【請求項１４】
１または複数の電池セルの放電時において、上記電池セルの電流、電圧および電池温度を検出する検出のステップと、
上記検出のステップにおいて検出された上記電流および上記電池温度を基に、上記電池セルの状態判定が可能であるか否かを判断する判断のステップと、
複数の上記電池セルの電圧と、予め設定された１または複数の設定電圧とを比較することにより、上記電池セルの状態を判定する電池状態判定のステップと、
上記電池状態判定のステップにより上記電池セルの電池状態が充放電を停止すべき状態であると判断された場合において、上記電池セルが充電状態とされたときには、上記電池セルの充電を強制的に遮断するとともに、上記電池セルの充電の遮断を継続する遮断のステップと
を有する充放電制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月12日(2010.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ装置と、
第１の電源と、
第２の電源とを備え、
前記半導体レーザ装置は、
一方電極および他方電極を有し、第１の波長の光を出射する第１の半導体レーザ素子と、
一方電極および他方電極を有し、前記第１の半導体レーザ素子よりも長い第２の波長の光を出射する第２の半導体レーザ素子と、
前記第１および第２の半導体レーザ素子を収容する導電性のパッケージとを備え、
前記第１の半導体レーザ素子の一方電極および他方電極が前記パッケージから絶縁され、
前記第１の電源により前記第２の半導体レーザ素子が駆動され、
前記第１の電源により前記第１の半導体レーザ素子の他方電極に一極性の電位が与えられるとともに、
前記第２の電源により前記第１の半導体レーザ素子の一方電極に前記一極性と逆極性の電位が与えられることを特徴とする光装置。
【請求項２】
前記第１の半導体レーザ素子は、第１の発振開始電圧を有し、
前記第２の半導体レーザ素子は、前記第１の発振開始電圧よりも低い第２の発振開始電圧を有することを特徴とする請求項１に記載の光装置。
【請求項３】
前記第１の半導体レーザ素子は、窒化物半導体を含む材料からなり、
前記第２の半導体レーザ素子は、窒化物半導体を含まない材料からなることを特徴とする請求項１または２に記載の光装置。
【請求項４】
半導体レーザ装置と、
第１の電源と、
第２の電源とを備え、
前記半導体レーザ装置は、
一方電極および他方電極を有し、第１の発振開始電圧を有する第１の半導体レーザ素子と、
一方電極および他方電極を有し、前記第１の発振開始電圧よりも低い第２の発振開始電圧を有する第２の半導体レーザ素子と、
前記第１および第２の半導体レーザ素子を収容する導電性のパッケージとを備え、
前記第１の半導体レーザ素子の一方電極および他方電極が前記パッケージから絶縁され、
前記第１の電源により前記第２の半導体レーザ素子が駆動され、
前記第１の電源により前記第１の半導体レーザ素子の他方電極に一極性の電位が与えられるとともに、
前記第２の電源により前記第１の半導体レーザ素子の一方電極に前記一極性と逆極性の電位が与えられることを特徴とする光装置。
【請求項５】
半導体レーザ装置と、
第１の電源と、
第２の電源とを備え、
前記半導体レーザ装置は、
一方電極および他方電極を有し、窒化物半導体を含む材料からなる第１の半導体レーザ素子と、
一方電極および他方電極を有し、窒化物半導体を含まない材料からなる第２の半導体レーザ素子と、
前記第１および第２の半導体レーザ素子を収容する導電性のパッケージとを備え、
前記第１の半導体レーザ素子の一方電極および他方電極が前記パッケージから絶縁され、
前記第１の電源により前記第２の半導体レーザ素子が駆動され、
前記第１の電源により前記第１の半導体レーザ素子の他方電極に一極性の電位が与えられるとともに、
前記第２の電源により前記第１の半導体レーザ素子の一方電極に前記一極性と逆極性の電位が与えられることを特徴とする光装置。
【請求項６】
一方電極および他方電極を有する第１の半導体レーザ素子と、
一方電極および他方電極を有する第２の半導体レーザ素子と、
一方電極および他方電極を有する第３の半導体レーザ素子と、
前記第１、第２および第３の半導体レーザ素子を収容する導電性のパッケージと、
前記パッケージに設けられた第１の給電ピンと、
前記パッケージに設けられた第２の給電ピンと、
前記パッケージに設けられた第３の給電ピンと、
副基板とを備え、
前記副基板上には第１の金属層と第２の金属層と第３の金属層とが、互いに間隙を設けて形成され、
前記第１の半導体レーザ素子は、前記第１の半導体レーザ素子の前記一方電極側が前記第１の金属層に電気的に接続されて、前記第１の金属層上に配置され、
前記第２の半導体レーザ素子は、前記第２の半導体レーザ素子の前記一方電極側が前記第２の金属層に電気的に接続されて、前記第２の金属層上に配置され、
前記第３の半導体レーザ素子は、前記第３の半導体レーザ素子の前記一方電極側が前記第３の金属層に電気的に接続されて、前記第３の金属層上に配置され、
前記第１の半導体レーザ素子は、前記第２の半導体レーザ素子と前記第３の半導体レーザ素子の間に配置され、
前記第１、第２および第３の給電ピンは、前記パッケージから電気的に絶縁され、
前記第１の半導体レーザ素子の前記一方電極、前記第２の半導体レーザ素子の前記一方電極および前記第３の半導体レーザ素子の前記一方電極は、それぞれ前記第１、第２および第３の給電ピンに電気的に接続されると共に、前記副基板によって前記パッケージから電気的に絶縁され、
前記第２の半装置レーザ素子の前記他方電極および前記第３の半装置レーザ素子の前記他方電極は、前記パッケージに電気的に接続されることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記第１の給電ピンは、前記副基板の上面上に位置し、前記第２の給電ピンは、前記副基板の上面側から見て、前記第２の半導体レーザ素子側に位置し、前記第３の給電ピンは、前記副基板の上面側から見て、前記第３の半導体レーザ素子側に位置することを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
前記第１の半導体レーザ素子の前記一方電極は、第１のワイヤーにより、前記第１の給電ピンに電気的に接続され、
前記第２の半導体レーザ素子の前記一方電極は、第２のワイヤーにより、前記第２の給電ピンに電気的に接続され、
前記第３の半導体レーザ素子の前記一方電極は、第３のワイヤーにより、前記第３の給電ピンに電気的に接続され、
前記第２の半装置レーザ素子および前記第３の半装置レーザ素子の前記他方電極は、それぞれ第４のワイヤーおよび第５のワイヤーにより、前記パッケージに電気的に接続され、
前記第４のワイヤーおよび前記第５のワイヤーは、前記第１のワイヤー、前記第２のワイヤーおよび前記第３のワイヤーよりレーザ光が出射される側に位置することを特徴とする請求項６または７に記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記第１の金属層の前記第１の半導体レーザ素子の後端面から延びる部分において、前記第１のワイヤーにより、前記第１の半導体レーザ素子の前記一方電極と前記第１の給電ピンが接続されていることを特徴とする請求項６〜８にいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月12日(2011.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にＧａＮ系半導体層を形成する工程と、
前記ＧａＮ系半導体層上に酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜を４５０℃以下の成膜温度で形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上面に保護膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上面が前記保護膜に覆われた状態で、前記ゲート絶縁膜を形成する工程の後の最初のアルカリ溶液を用いた処理を実行する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記保護膜は、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化ハフニウムまたは酸化ジルコニウムのいずれかからなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
基板上にＧａＮ系半導体層を形成する工程と、
前記ＧａＮ系半導体層上に酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜を４５０℃以下の成膜温度で形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜を前記ゲート絶縁膜の成膜温度以上の温度で熱処理する工程と、
前記熱処理する工程の後、前記ゲート絶縁膜を形成する工程の後の最初のアルカリ溶液を用いた処理を実行する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記熱処理する工程は、７００℃以上で熱処理する工程であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
基板上にＧａＮ系半導体層を形成する工程と、
前記ＧａＮ系半導体層上に酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜を４５０℃以下の成膜温度で形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜をＯ２またはＮ２を用いプラズマ処理する工程と、
前記プラズマ処理する工程の後、前記ゲート絶縁膜を形成する工程の後の最初のアルカリ溶液を用いた処理を実行する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ゲート絶縁膜は、ＡＬＤ法、スパッタリング法またはＣＶＤ法のいずれかにより形成されることを特徴とする請求項１、３及び５のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記ＧａＮ系半導体層上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１から６いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記ＧａＮ系半導体層上にソース電極と、前記基板の前記ＧａＮ系半導体層が形成された面と前記基板を介して反対の面にドレイン電極とを形成する工程を含むことを特徴とする請求項１から６いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記プラズマ処理する工程のプラズマ処理時間は、５分以上であることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月23日(2011.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１無線基地局配下の第１セルにおいて通信中の移動局が、該第１セルからの下り信号と第２無線基地局配下の第２セルからの下り信号との受信タイミング差を測定する工程Ａと、
前記移動局が、前記第１無線基地局に対して、測定した前記受信タイミング差を報告する工程Ｂと、
前記第１無線基地局が、前記受信タイミング差を受信し、前記第２無線基地局に対して前記第２セルにおける下り信号の送信タイミングを調整するように指示する調整指示を送信する工程Ｃとを有することを特徴とする移動通信方法。
【請求項２】
前記第２無線基地局が、前記調整指示に基づいて、前記第２セルにおける下り信号の送信タイミングを調整する工程Ｄを更に有することを特徴とする請求項１に記載の移動通信方法。
【請求項３】
前記工程Ｄにおいて、前記第２無線基地局は、前記第２セルにおいて通信中の移動局が存在していない状態において、前記第２セルにおける下り信号の送信タイミングを調整することを特徴とする請求項２に記載の移動通信方法。
【請求項４】
前記工程Ｄにおいて、前記第２無線基地局は、所定時間ずつ、前記第２セルにおける下り信号の送信タイミングを調整していくことを特徴とする請求項２に記載の移動通信方法。
【請求項５】
前記工程Ｂにおいて、前記移動局は、前記受信タイミング差を含む測定報告を送信することを特徴とする請求項１に記載の移動通信方法。
【請求項６】
前記工程Ｂにおいて、前記移動局は、前記第１セル及び前記第２セルにおける下り信号の受信品質を含む測定報告を送信することを特徴とする請求項１に記載の移動通信方法。
【請求項７】
前記第１無線基地局が、前記第２セルにおける下り信号の受信品質が所定閾値以上である場合に、前記測定報告を報告するように前記移動局に対して指示する工程Ｅを更に有することを特徴とする請求項５又は６に記載の移動通信方法。
【請求項８】
第１無線基地局及び第２無線基地局が混在する移動通信システムにおいて該第１無線基地局として機能する無線基地局であって、
前記第１無線基地局配下の第１セルにおいて通信中の移動局から、前記第１無線基地局配下の第１セルからの下り信号と該第２セルからの下り信号との受信タイミング差を取得するように構成されている受信タイミング差取得部と、
前記受信タイミング差を受信し、前記第２無線基地局に対して前記第２セルにおける下り信号の送信タイミングを調整するように指示する調整指示を送信するように構成されている調整指示送信部とを具備することを特徴とする無線基地局。
【請求項９】
前記受信タイミング差取得部は、前記第１セルにおいて通信中の移動局から受信した測定報告に含まれている受信タイミング差を取得するように構成されていることを特徴とする請求項８に記載の無線基地局。
【請求項１０】
第１無線基地局及び第２無線基地局が混在する移動通信システムにおいて該第２無線基地局として機能する無線基地局であって、
前記第１無線基地局から、前記第２無線基地局配下の第２セルにおける下り信号の送信タイミングを調整するように指示する調整指示を受信するように構成されている調整指示受信部と、
受信した前記調整指示に基づいて、前記第２セルにおいて通信中の移動局が存在していない状態において、該第２セルにおける下り信号の送信タイミングを調整するように構成されているタイミング調整部とを具備することを特徴とする無線基地局。
【請求項１１】
第１無線基地局及び第２無線基地局が混在する移動通信システムにおいて該第２無線基地局として機能する無線基地局であって、
前記第１無線基地局から、前記第２無線基地局配下の第２セルにおける下り信号の送信タイミングを調整するように指示する調整指示を受信するように構成されている調整指示受信部と、
受信した前記調整指示に基づいて、所定時間ずつ、前記第２セルにおける下り信号の送信タイミングを調整していくように構成されているタイミング調整部とを具備することを特徴とする無線基地局。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月2日(2011.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号を遅延させて出力する遅延回路であって、
前記遅延回路は、入力端子と、前記入力端子とインバータ回路を介して接続された第一内部遅延回路と、前記入力端子と接続された第二内部遅延回路と、前記第一内部遅延回路と前記第二内部遅延回路の出力信号を受けて遅延信号を出力する選択回路と、を備え、
前記第一内部遅延回路及び前記第二内部遅延回路は、入力段インバータ回路と、前記入力段インバータ回路と電源端子の間の設けられた第一電流源と、前記入力段インバータ回路の出力端子と接地端子の間の設けられた容量と、前記容量の電圧を受けて前記出力信号を出力する定電流インバータと、を備え、
前記選択回路は、セット端子が前記第一内部遅延回路の出力端子に接続され、リセット端子が前記第二内部遅延回路の出力端子に接続され、出力端子が前記遅延回路の出力端子に接続されたラッチ回路である、
ことを特徴とする遅延回路。
【請求項２】
前記入力段インバータ回路と接地端子の間に第三電流源を備えた、
ことを特徴とする請求項１記載の遅延回路。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月11日(2010.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１発光領域を含むとともに、凸部を有する第１半導体レーザ素子と、
第２発光領域を含むとともに、凹部を有する第２半導体レーザ素子とを備え、
前記第１半導体レーザ素子は、前記凸部の下方に第１活性層を有し、
前記第１発光領域は、前記凸部の下方に位置する前記第１活性層内にあり、
前記凸部は、前記凹部内に設けられた接合層を介して、前記凹部に嵌め込まれており、
前記第１発光領域と前記第２発光領域とは、半導体層の積層方向の同一線上に配置されている、集積型半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記第１半導体レーザ素子は、第１半導体層を備え、
前記凸部は、前記第１半導体層に形成される第１リッジ部を含む、請求項１に記載の集積型半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記第２半導体レーザ素子は、第２リッジ部を有すると共に、前記第２リッジ部の上方に第２活性層を有し、
前記第２発光領域は、前記第２リッジ部の上方に位置する前記第２活性層内にある、請求項１又は２に記載の集積型半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記第２リッジ部は、前記凸部側に突出する、請求項３に記載の集積型半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記第１半導体レーザ素子および前記第２半導体レーザ素子の少なくとも一方は、前記凸部または前記凹部が形成された基板をさらに含む、請求項１に記載の集積型半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記凸部は、根元部側の幅よりも先端部側の幅が小さくなるようなテーパ形状を有しており、
前記凹部は、開放端側の幅よりも底部側の幅が小さくなるようなテーパ形状を有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の集積型半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記第２半導体レーザ素子は、半導体層の積層方向に貫通する貫通穴を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の集積型半導体レーザ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月4日(2011.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蓄積された映像を出力する映像出力装置において、前記蓄積された映像を出力する方法であって、
前記映像出力装置は、前記蓄積された映像を登録する映像登録部と、閲覧を要求された映像を指定された条件に基づいて出力する閲覧制御部と、を備え、
前記映像登録部は、
前記蓄積された映像を、移動体を含む前景画像と、前記前景画像以外の背景画像とに分離し、
前記移動体ごとに、前記分離された前景画像を時系列順に配置された前景画像群を含む時空間オブジェクトを抽出し、
前記抽出された時空間オブジェクトに含まれる前景画像に基づいて、前記抽出された時空間オブジェクトの信頼度を算出し、
前記閲覧制御部は、
前記蓄積された映像の閲覧要求を受け付けた場合には、前記受け付けられた閲覧要求及び前記算出された信頼度に基づいて、前記時空間オブジェクトを選択し、
前記選択された時空間オブジェクトの出力順序及び出力開始時間を設定し、
前記選択された時空間オブジェクトに含まれる前景画像群を出力することを特徴とする映像出力方法。
【請求項２】
前記閲覧制御部は、前記選択された時空間オブジェクトに含まれる前景画像群を、前記分離された背景画像と合成して出力することを特徴とする請求項１に記載の映像出力方法。
【請求項３】
前記信頼度は、前記時空間オブジェクトに含まれる前景画像を、あらかじめ登録された移動体を識別するための情報と比較することによって算出されることを特徴とする請求項１に記載の映像出力方法。
【請求項４】
前記信頼度は、前記時空間オブジェクトの前景画像に含まれる移動体の動作を解析することによって算出されることを特徴とする請求項１に記載の映像出力方法。
【請求項５】
前記移動体が一定の速度で移動している場合には、前記信頼度が高いと判定されることを特徴とする請求項４に記載の映像出力方法。
【請求項６】
前記信頼度は、前記時空間オブジェクトが移動した範囲に基づいて算出されることを特徴とする請求項１に記載の映像出力方法。
【請求項７】
前記閲覧制御部は、前記信頼度が所定の閾値よりも高い時空間オブジェクトを出力しないことを特徴とする請求項１に記載の映像出力方法。
【請求項８】
前記閲覧制御部は、前記信頼度が所定の閾値よりも高い時空間オブジェクトを半透明に出力することを特徴とする請求項１に記載の映像出力方法。
【請求項９】
前記閲覧制御部は、前記信頼度に基づいて、前記時空間オブジェクトの出力順序を設定することを特徴とする請求項１に記載の映像出力方法。
【請求項１０】
蓄積された映像を出力する映像出力装置であって、
前記映像出力装置は、前記蓄積された映像を登録する映像登録部と、閲覧を要求された映像を指定された条件に基づいて出力する閲覧制御部と、を備え、
前記映像登録部は、
前記蓄積された映像を、移動体を含む前景画像と、前記前景画像以外の背景画像とに分離し、
前記移動体ごとに、前記分離された前景画像を時系列順に配置された前景画像群を含む時空間オブジェクトを抽出し、
前記抽出された時空間オブジェクトに含まれる前景画像に基づいて、前記抽出された時空間オブジェクトの信頼度を算出し、
前記閲覧制御部は、
前記蓄積された映像の閲覧要求を受け付けた場合には、前記受け付けられた閲覧要求及び前記算出された信頼度に基づいて、前記時空間オブジェクトを選択し、
前記選択された時空間オブジェクトの出力順序及び出力開始時間を設定し、
前記選択された時空間オブジェクトに含まれる前景画像群を出力することを特徴とする映像出力装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月17日(2010.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号２７９０からのアミノ酸配列のフラグメントを含むタンパク質であって、ここで該フラグメントが、該配列からの少なくとも７アミノ酸を含む、タンパク質。
【請求項２】
配列番号２〜配列番号３０２０の偶数の配列番号からなる群より選択されるアミノ酸配列を含む、タンパク質。
【請求項３】
請求項１に記載のタンパク質に対して５０％以上の相同性を有する、タンパク質。
【請求項４】
配列番号２〜配列番号３０２０の偶数の配列番号からなる群より選択されるアミノ酸配列のフラグメントを含むタンパク質であって、ここで該フラグメントが、該配列からの１４以上の連続するアミノ酸を含む、タンパク質。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のタンパク質に特異的に結合する、抗体。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のタンパク質をコードする、核酸分子。
【請求項７】
配列番号１〜配列番号３０１９の奇数の配列番号からなる群より選択されるヌクレオチド配列を含む、請求項５に記載の核酸分子。
【請求項８】
配列番号１〜配列番号３０１９の奇数の配列番号からなる群より選択されるヌクレオチド配列のフラグメントを含む核酸分子であって、ここで該フラグメントが、該配列からの４０以上の連続するヌクレオチドを含む、核酸分子。
【請求項９】
請求項６に記載の核酸分子に相補的なヌクレオチド配列を含む、核酸分子。
【請求項１０】
請求項７に記載の核酸分子に相補的なヌクレオチド配列を含む、核酸分子。
【請求項１１】
請求項８に記載の核酸分子に相補的なヌクレオチド配列を含む、核酸分子。
【請求項１２】
請求項１〜１２のいずれかに記載のタンパク質、核酸、または抗体を含む、組成物。
【請求項１３】
ワクチン組成物または診断用組成物である、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
医薬品として使用するための、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１５】
髄膜炎菌に起因する感染の処置または予防のための医薬の製造における、請求項１２に記載の組成物の、使用。
【請求項１６】
請求項１に記載のタンパク質を含む組成物であって、該組成物が免疫原性である、組成物。
【請求項１７】
請求項２に記載のタンパク質を含む組成物であって、該組成物が免疫原性である、組成物。
【請求項１８】
請求項３に記載のタンパク質を含む組成物であって、該組成物が免疫原性である、組成物。
【請求項１９】
明細書に記載の発明。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月9日(2010.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
走査時間の短縮または分解能の増大のためには、より多くのチャンネルをＭＲスキャナに装備させる。より大きな高速化率を達成すること以外に、受信チャンネル数を増加することによっても、ＦＯＶ及び／またはスキャン面選択の柔軟性を高めることが可能である。しかしながら、この冗長性のために、データフローが過剰となり、これが再構成エンジンの負担となり画像信号対ノイズ（ＳＮＲ）比によって定量化されるような大きな恩恵を伴うことなく収集が遅くなる可能性がある。
【特許文献１】米国特許第４８２５１６２ 号（対応日本公表特許０２５００１７５Ｔ２）
【特許文献２】米国特許第４９４７１２１ 号（対応日本公表特許０２５００１７５Ｔ２）
【特許文献３】米国特許第５９１０７２８ 号（対応日本公表特許２００１５０３６６２Ｔ２）
【特許文献４】米国特許第６５３４９８３ 号
【特許文献５】米国特許第６８６５４９４ 号
【特許文献６】米国特許第６９８０００１ 号
【特許文献７】米国特許第７０５７３８７ 号
【特許文献８】米国特許第７１０９７１０ 号（対応日本公表特許２００５１１８５６７Ａ２）
【特許文献９】米国特許第７１４１９７１ 号
【特許文献１０】米国早期公開特許２００６０２０８７３１Ａ１
【特許文献１１】米国早期公開特許２００６０２７３７９２Ａ１
【特許文献１２】米国早期公開特許２００７００３６２０２Ａ１
【非特許文献１】M. Buehrer et al., Automatic Coil Element Selection for Parallel Imaging of Localized Regions, Proc. Intl. Soc. Mag. Reson. Med. 14 (2006), pp. 294.
【非特許文献２】S.B. King et al., The MRI Eigencoil: 2N-Channel SNR with N-Receivers, Proc. Intl. Soc. Mag. Reson. Med. 11 (2003), pp. 712.
【非特許文献３】Scott B. King et al., Eigenmode Analysis for Understanding Phased Array Coils and Their Limits, Concepts in Magnetic Resonance Part B (Magnetic Resonance Engineering), pp. 42-49.
【非特許文献４】D. K. Sodickson et al., A generalized approach to parallel magnetic resonance imaging. Med. Phys. 28 (8), 1629-1643 (2001).
【非特許文献５】K.P. Pruessmann et al., SENSE: Sensitivity Encoding for Fast MRI. Magn. Res. Med. 42:952-962 (1999).
【非特許文献６】P.B. Roemer et al., The NMR Phased Array, Magnetic Resonance in Medicine 16, 192-225 (1990).
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
偏向用磁場に空間依存性の変化を加えるためにマグネット（５２）のボアの周りに位置決めした複数の傾斜コイル（５０）を有する磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）システム（１０）と、
ＲＦ受信コイル（５６）のアレイからＲＦ信号を回収してＭＲ画像を収集するようにパルスモジュール（３８）による制御を受けるＲＦ送受信器システム（５８）及びＲＦスイッチ（６２）と、
コンピュータであって、
前記ＲＦ受信コイルのアレイを用いて撮像ボリューム（７２）から多重チャンネルのＭＲデータを受け取り、
前記撮像ボリューム（７２）内のあるボリューム要素について、前記ＭＲデータからノイズ相関行列（７６）を作成し、
前記ノイズ相関行列から、当該ボクセルの画像再構成に関して前記多重チャンネルのＭＲデータ全体と比べてより少ないＭＲデータからなる多重チャンネルＭＲデータの組み合わせを決定する、
ことを実行するようにプログラムされたコンピュータと、
を備えるＭＲＩ装置。
【請求項２】
前記コンピュータはＳＮＲ値と感度レベルの少なくとも一方によって値をランク付けするようにプログラムされていることを特徴とする請求項１に記載のＭＲＩ装置。
【請求項３】
前記コンピュータは、さらに、
ノイズ相関行列を対角化するか、または、ノイズ相関行列（７６）の固有ベクトル（７８）を計算するかの、少なくとも一方によって、ＭＲデータの線形組み合わせを決定し、
該ＭＲデータの線形組み合わせをランク付けする、
ようにプログラムされていることを特徴とする請求項１または２に記載のＭＲＩ装置。
【請求項４】
前記コンピュータはさらに、撮像ボリューム（７２）の内部で並列的に再構成を実現するようにプログラムされていることを特徴とする請求項１または２または３に記載のＭＲＩ装置。
【請求項５】
前記コンピュータは、さらに、
当該ボリューム・ボクセルに対する各ＲＦ受信コイルのＳＮＲ値を決定し、
それぞれのＳＮＲ値をランク付けし、
当該ボクセルの画像再構成に関して、前記ＲＦ受信コイルのうちの所与のしきい値を超えるＳＮＲ値を有する受信コイルだけからのＭＲデータを使用する、
ことを実行するようにプログラムされていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のＭＲＩ装置。
【請求項６】
前記コンピュータはさらに、撮像ボリューム（７２）を再構成するためにＳＥＮＳＥとＳＭＡＳＨ収集の少なくとも一方を実現するようにプログラムされていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のＭＲＩ装置。
【請求項７】
さらにＧＥＭ実現形態とｋ空間ＧＥＭ実現形態の少なくとも一方を含む請求項１乃至６のいずれかに記載のＭＲＩ装置。
【請求項８】
前記コンピュータはさらに、必要な高調波関数に最も近い有効チャンネルを用いてＭＲデータの線形組み合わせを決定するようにプログラムされていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のＭＲＩ装置。
【請求項９】
前記コンピュータはさらに、撮像ボリューム（７２）の混成空間再構成を実現するようにプログラムされていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のＭＲＩ装置。
【請求項１０】
当該ボクセルは、撮像ＦＯＶの完全なサンプリングに要する数と比べて位相エンコードステップ数をより少なくしたサンプリングを受けることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載のＭＲＩ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月9日(2010.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
しかし、従来の超音波システムはある種の限界に遭遇している。この従来の自動式多平面イメージングの処理は、標的物体を特有のものとさせている標的物体の特性、並びにサイズ及び形状と無関係に、かつこれらを考慮に入れずに進められている。このため基準面が特定されたときに、標的物体のサイズ及び形状が標準と異なっていると、自動計算された複数の画像が標的物体の内部においてあるいは標的物体を基準として適正に位置決めされないことがある。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００５／０２５１０３６号  （対応日本国公表公報２００６５２３５１０Ｔ２、同２００８５３４０８２Ｔ２）
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
関心対象ボリュームからの複数の面（３０４〜３０６）を自動的に表示するための診断用超音波システム（１００）であって、
標的物体を含む関心対象ボリュームに関連付けされた超音波データを収集するトランスジューサ（１０６）と、
前記関心対象ボリューム内部の基準面（３０２）を指定するためのユーザインタフェース（１２４）と、
前記標的物体の形状とサイズの少なくとも一方を表す患者特異的情報（５０６）を受け取るプロセッサ・モジュール（１１６）であって、前記基準面（３０２）及び前記超音波データを３Ｄ基準座標系にマッピングしており、該基準面（３０２）及び患者特異的情報（５０６）に基づいて３Ｄ基準座標系内の少なくとも１つの関心対象面（３０４〜３０６）を自動的に計算しているプロセッサ・モジュール（１１６）と、
を備える診断用超音波システム（１００）。
【請求項２】
前記患者特異的情報（５０６）は、器官タイプの特定、直径、周囲長、長さ、及び器官寸法のうちの少なくとも１つを含む幾何学的パラメータを構成していることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記プロセッサ・モジュール（１１６）は３Ｄ基準座標系内における関心対象面（３０４〜３０６）の位置及び方向を決定するために基準面（３０２）からの平行移動距離（３１０）及び回転距離（３１２）を計算しており、該平行移動及び回転距離（３１０、３１２）は患者の年齢に基づいていることを特徴とする請求項１または２に記載のシステム。
【請求項４】
前記患者特異的情報（５０６）は、年齢、体重及び性別のうちの少なくとも１つを含む非幾何学的パラメータを構成していることを特徴とする請求項１または３に記載のシステム。
【請求項５】
さらに、関心対象ボリュームと関連付けされた超音波データからなる３Ｄデータ組を保存するメモリ（１１４）を備えており、前記基準面（３０２）は関心対象ボリューム内のユーザ規定の面を表しており、該３Ｄデータ組は関心対象面の計算前に収集されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のシステム。
【請求項６】
さらに、関心対象ボリュームと関連付けされた超音波データからなる３Ｄデータ組を保存しかつ反復して更新するメモリ（１１４）を備えており、前記基準面（３０２）は関心対象ボリューム内のユーザ規定の面を表しており、該３Ｄデータ組は該基準面の計算の前及び後で連続して更新されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のシステム。
【請求項７】
さらに、対応する関心対象面（２０４）と連係した平行移動及び回転値（２０６、２０８）からなる事前定義の組を含むテーブル（図２）を保存するメモリ（１１４）を備えており、該平行移動及び回転値（２０６、２０８）の各組は前記患者特異的情報（５０６）と関連付けされていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のシステム。
【請求項８】
前記患者特異的情報（５０６）は胎児の年齢を含み、かつ前記プロセッサ・モジュール（１１６）は関心対象面（３０４〜３０６）と基準面（３０２）の間の関係を別の患者に関する複数の先行する胎児検査に基づいて計算していることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成22年12月2日(2010.12.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
前記放電部位が、放電室を含む請求項１に記載のイオン源。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５】
動作モードにおいて、（ｉ）＜０．１μＡ；（ｉｉ）０．１−０．２μＡ；（ｉｉｉ）０．２−０．３μＡ；（ｉｖ）０．３−０．４μＡ；（ｖ）０．４−０．５μＡ；（ｖｉ）０．５−０．６μＡ；（ｖｉｉ）０．６−０．７μＡ；（ｖｉｉｉ）０．７−０．８μＡ；（ｉｘ）０．８−０．９μＡ；（ｘ）０．９−１．０μＡ；および（ｘｉ）＞１μＡからなる群から選択される電流が、前記放電装置に印加される、先行する請求項のいずれか一項に記載のイオン源。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項６】
動作モードにおいて、（ｉ）＜１ｋＶ；（ｉｉ）１−２ｋＶ；（ｉｉｉ）２−３ｋＶ；（ｉｖ）３−４ｋＶ；（ｖ）４−５ｋＶ；（ｖｉ）５−６ｋＶ；（ｖｉｉ）６−７ｋＶ；（ｖｉｉｉ）７−８ｋＶ；（ｉｘ）８−９ｋＶ；（ｘ）９−１０ｋＶ；および（ｘｉ）＞１０ｋＶからなる群から選択される電圧が、前記放電装置に印加される、先行する請求項のいずれか一項に記載のイオン源。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２８】
コロナ放電室に配置されるコロナ放電装置を含み、
使用時、比較的低い極性を有する被検分子が、試薬イオンとの気相イオン−分子反応によってイオン化され、
使用時、比較的高い極性を有する被検分子が、電子スプレーイオン化によってイオン化され、被検イオンを形成し、少なくともｘ％の前記被検イオンが、使用時、前記コロナ放電室を回避するように位置している、
電子スプレーイオン化／大気圧化学イオン化（ＥＳＩ／ＡＰＣＩ）イオン源。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３０】
使用時、前記コロナ放電室を回避する前記被検イオンが、少なくとも部分的に、前記コロナ放電室の前記コロナ放電装置によって発生した電場の影響を逃れる、請求項２８または２９に記載の電子スプレーイオン化／大気圧化学イオン源。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３３】
コロナ放電室中に配置されるコロナ放電装置を準備する工程、
比較的低い極性を有する被検分子を、試薬イオンとの気相イオン−分子反応によってイオン化する工程、および、
比較的高い極性を有する被検分子を、電子スプレーイオン化によりイオン化して被検イオンを形成する工程を含む、少なくともｘ％の前記被検イオンが、前記コロナ放電室を回避するように位置している、電子スプレーイオン化／大気圧化学イオン化（ＥＳＩ／ＡＰＣＩ）イオン源を使用するイオンの生成方法。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
本発明の他の側面によると、電子スプレーイオン化／大気圧化学イオン化（ＥＳＩ／ＡＰＣＩ）イオン源を提供する。前記電子スプレーイオン化／大気圧化学イオン化（ＥＳＩ／ＡＰＣＩ）イオン源は、コロナ放電室に配置されるコロナ放電装置を含み、使用時、比較的低い極性を有する被検分子が、試薬イオンとの気相イオン−分子反応によってイオン化され、使用時、比較的高い極性を有する被検分子が、電子スプレーイオン化によってイオン化され、被検イオンを形成し、少なくともｘ％の前記被検イオンが、使用時、前記コロナ放電室を回避するように位置している。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
使用時、前記コロナ放電室を回避する前記被検イオンは、少なくとも部分的に、前記コロナ放電室の前記コロナ放電装置によって発生した電場の影響を逃れるのが好ましい。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
本発明の他の側面によると、コロナ放電室中に配置されるコロナ放電装置を準備する工程、比較的低い極性を有する被検分子を、試薬イオンとの気相イオン−分子反応によってイオン化する工程、および、比較的高い極性を有する被検分子を、電子スプレーイオン化によりイオン化して被検イオンを形成する工程を含み、少なくともｘ％の前記被検イオンが、前記コロナ放電室を回避するように位置している、電子スプレーイオン化／大気圧化学イオン化（ＥＳＩ／ＡＰＣＩ）イオン源を使用するイオンの生成方法を提供する。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
放電部位中に放電装置を備えた放電部位と、
反応部位とを含み、
使用時、前記放電部位で発生した試薬イオンは、前記放電部位から前記反応部位へ進み、被検分子および／または被検イオンは、前記反応部位へ進み、
前記反応部位におけるイオンは、少なくとも部分的に、前記放電部位における前記放電装置により発生する電場から保護される、
質量分析計のイオン源。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項９】
さらに、前記放電部位を前記反応部位と接続もしくは伝達する通路またはオリフィスを含み、使用時、前記放電部位で発生した試薬イオンはが、前記通路またはオリフィスを経由して前記放電部位から前記反応部位へ進む、先行する請求項のいずれか一項に記載のイオン源。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月11日(2010.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線信号を送受信するアンテナ回路と、
前記無線信号に応じた入力電圧を生成する電源回路と、
前記入力電圧の信号強度をアナログ値からデジタル値に変換するアナログ／デジタル変換回路と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
無線信号を送受信するアンテナ回路と、
前記無線信号に応じた入力電圧を生成する電源回路と、
前記入力電圧の信号強度をアナログ値からデジタル値に変換するアナログ／デジタル変換回路と、を有し、
前記アナログ／デジタル変換回路で変換された前記入力電圧の信号強度に応じたデジタル値のデータ信号は、前記アンテナ回路より外部に送信されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記アナログ／デジタル変換回路は、フラッシュ方式のアナログ／デジタル変換回路、または逐次比較方式のアナログ／デジタル変換回路、またはマルチスロープ方式のアナログ／デジタル変換回路、またはΣΔ方式のアナログ／デジタル変換回路、またはリングオシレータ方式のアナログ／デジタル変換回路、であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
無線信号を送受信するアンテナ回路と、
前記無線信号に応じた入力電圧を生成する電源回路と、
前記入力電圧の信号強度をアナログ値からデジタル値に変換するアナログ／デジタル変換回路と、を有し、
前記アナログ／デジタル変換回路は、少なくとも２種類の方式によるアナログ／デジタル変換回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
無線信号を送受信するアンテナ回路と、
前記無線信号に応じた入力電圧を生成する電源回路と、
前記入力電圧の信号強度をアナログ値からデジタル値に変換するアナログ／デジタル変換回路と、を有し、
前記アナログ／デジタル変換回路は、少なくとも２種類の方式によるアナログ／デジタル変換回路を有し、
前記アナログ／デジタル変換回路で変換された前記入力電圧の信号強度に応じたデジタル値のデータ信号は、前記アンテナ回路より外部に送信されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４または５において、少なくとも２種類の方式による前記アナログ／デジタル変換回路は、フラッシュ方式のアナログ／デジタル変換回路、逐次比較方式のアナログ／デジタル変換回路、マルチスロープ方式のアナログ／デジタル変換回路、ΣΔ方式のアナログ／デジタル変換回路、及びリングオシレータ方式のアナログ／デジタル変換回路のいずれかを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記電源回路及び前記アナログ／デジタル変換回路は、薄膜トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月2日(2011.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極、第２の電極、および、該２つの電極間に配置され電荷担体の再結合によって発光する有機層を備えた有機ＥＬ半導体素子を準備するステップ、および、
少なくとも有機層の一部を有機層への熱作用により選択的に破壊して半導体素子にパターンを形成するステップ
を含み、
前記熱作用による選択的破壊を、少なくとも部分的に前記電極を通して前記有機層へフォーカシングされる光ビームによって行う
ことを特徴とするパターニングされた有機ＥＬ半導体素子の製造方法。
【請求項２】
電荷担体の再結合によって発光する有機層は少なくとも１つの第１の部分層（１１，１２）および第２の部分層（１０，１３）を含み、パターニングのために少なくとも１つの部分層の一部を選択的に破壊する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
有機層の第１の有機化合物を発光しない少なくとも１つの第２の化合物へ熱作用によって変換することにより有機層を選択的に破壊する、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
光ビームの波長は可視波長のスペクトル内にある、請求項１記載の方法。
【請求項５】
光ビームの波長は赤外波長または紫外波長のスペクトル内にある、請求項１記載の方法。
【請求項６】
有機ＥＬ半導体素子の少なくとも１つの電極は透光性である、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
有機層の一部の領域を選択的に破壊しているあいだ光ビームを連続的に形成する、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
有機層の一部の領域を選択的に破壊しているあいだ光ビームをパルス状に形成する、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
光ビームをレーザーによって形成する、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
有機層の一部の領域を選択的に破壊しているあいだ有機層にパターンを形成するために光ビームを運動させる、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
有機層の一部の領域を選択的に破壊しているあいだ有機層にパターンを形成するために有機ＥＬ半導体素子を運動させる、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
熱作用による選択的破壊の焦点の径は１０μｍ〜３００μｍの範囲にある、請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
有機ＥＬ半導体素子の少なくとも一方の電極はパターニングされないまま製造される、請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
少なくとも一方の電極の一部の領域を熱作用により選択的に破壊する、請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
前記フォーカシングを専ら電極を通して行う、請求項１から１４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１６】
電荷担体を注入するための第１の電極（２）および第２の電極（３）と該２つの電極間に配置され電荷担体の再結合によって発光する少なくとも１つの有機層（１）とを含む
有機ＥＬ半導体素子において、
有機層（１）の少なくとも一部の領域と前記第１の電極（２）および／または前記第２の電極（３）の少なくとも一部の領域とが熱作用により選択的に破壊されている
ことを特徴とする有機ＥＬ半導体素子。
【請求項１７】
有機層（１）は発光する少なくとも１つの第１の部分層（１１，１２）および少なくとも１つの第２の部分層（１０，１３，１４）を含み、少なくとも１つの部分層またはその一部が選択的に破壊されている、請求項１６記載の素子。
【請求項１８】
熱作用によって破壊された部分領域はルミネセンスを生じない有機化合物を有する、請求項１６または１７記載の素子。
【請求項１９】
少なくとも１つの有機ＥＬ半導体素子（１０）に対する収容装置を備えた位置決め装置（１００）、配向可能な光ビームを出力する照明手段（４００）を備えた支持装置（３００）、および、照明手段（４００）と位置決め装置（１００）とのあいだに配置され光ビームを少なくとも１つの有機ＥＬ半導体素子（１０）へ偏向する偏向装置（５００）を有しており、
配向される光ビームの焦点は有機ＥＬ半導体素子のいずれかの層内で層の一部の領域が熱作用により選択的に破壊される位置に合わせられる
ことを特徴とする有機ＥＬ半導体素子のパターニング装置。
【請求項２０】
照明手段（４００）がレーザー装置を有する、請求項１９記載の装置。
【請求項２１】
赤外スペクトルまたは緑色スペクトルの光を有するネオジム：ＹＡＧレーザーが設けられている、請求項２０記載の装置。
【請求項２２】
前記位置決め装置は光ビームに対してほぼ垂直に少なくとも１つの方向に沿って運動可能に配置されている、請求項１９から２１までのいずれか１項記載の装置。
【請求項２３】
偏向装置は配向された光ビームを有機ＥＬ半導体素子の層へフォーカシングするフォーカシング装置を含む、請求項１９から２２までのいずれか１項記載の装置。
【請求項２４】
偏向装置は配向される光ビームの焦点を偏向する少なくとも１つの運動可能なミラー装置を含む、請求項１９から２３までのいずれか１項記載の装置。
【請求項２５】
配向される光ビームの焦点は有機層の発光部に位置する、請求項１９から２４までのいずれか１項記載の装置。
【請求項２６】
有機層は少なくとも一方の電極を含む、請求項１９から２５までのいずれか１項記載の装置。