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【手続補正書】
【提出日】平成22年11月22日(2010.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒径が１μｍ以下の第一活性炭と、平均粒径が１μｍを超える第二活性炭とが混合されている電気二重層キャパシタ用電極材料。
【請求項２】
前記第一活性炭の平均粒径が、０．８μｍ以下である請求項１に記載の電気二重層キャパシタ用電極材料。
【請求項３】
前記第一活性炭の平均粒径が、０．５μｍ以下である請求項１または２に記載の電気二重層キャパシタ用電極材料。
【請求項４】
前記第二活性炭の平均粒径が６μｍ以下である請求項１から３のいずれか一項に記載の電気二重層キャパシタ用電極材料。
【請求項５】
前記第二活性炭の平均粒径が２〜４μｍである請求項１から４のいずれか一項に記載の電気二重層キャパシタ用電極材料。
【請求項６】
前記第一活性炭および前記第二活性炭の合計量１００質量％に対する前記第一活性炭の下限量が２質量％であり、上限量が３０質量％である請求項１から５のいずれか一項に記載の電気二重層キャパシタ用電極材料。
【請求項７】
前記第一活性炭および前記第二活性炭の合計量１００質量％に対する前記第一活性炭の上限量が１０質量％である請求項１から６のいずれか一項に記載の電気二重層キャパシタ用電極材料。
【請求項８】
前記第一活性炭は、比表面積が５００〜２０００ｍ２／ｇであり、細孔容積が０．５〜１．３ｍｌ／ｇである請求項１から７のいずれか一項に記載の電気二重層キャパシタ用電極材料。
【請求項９】
前記第二活性炭は、比表面積が１５００〜２５００ｍ２／ｇであり、細孔容積が１．０〜２．０ｍｌ／ｇである請求項１から８のいずれか一項に記載の電気二重層キャパシタ用電極材料。
【請求項１０】
前記第一活性炭の比表面積と前記第二活性炭の比表面積とが異なる請求項１から９のいずれか一項に記載の電気二重層キャパシタ用電極材料。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気二重層キャパシタ用電極材料を使用して製造された電気二重層キャパシタ用電極。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電気二重層キャパシタ用電極を使用して製造された電気二重層キャパシタ。
【請求項１３】
平均粒径１μｍ以下の第一活性炭を有し、平均粒径が１μｍを超える第二活性炭が混合されている電気二重層キャパシタ用電極材料に使用される電極材料用添加材。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月27日(2010.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
さらに、別の背景技術が特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００１−８１６４号[H04N 5/91 G06F 3/00 12/00 17/30]  しかし、従来の画像処理装置では、静止画像信号は記録順にしか再生できず、記録媒体の大容量化に伴って当該静止画像信号の検索に時間が掛かるという問題があった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮像し、画像信号を生成して、該画像信号を半導体メモリの第１領域に画像ファイルとして記録する撮像記録手段と、
前記第１領域に記録された画像ファイルを再生し、再生される画像を表示器に表示する第１再生動作を実行する第１再生動作制御手段と、
前記第１再生動作実行中に、操作キーが第１操作されることに応答して、機器本体のモードを前記表示器に画像が表示されている状態でファイル登録指示を受け付け可能な登録モードに切り替える切替手段と、
前記登録モードにおいて、前記操作キーが第２操作されることに応答して、ファイル登録が受け付けられた画像に対応する画像ファイルに基づく情報であって、該画像ファイルを構成する情報量よりも少ない量の情報を生成し、該情報のみを前記第１領域とは異なる第２領域に記録する記録手段と、
前記第１再生動作実行中に、前記操作キーが第３操作されることに応答して、前記第２領域に記録された情報に基づいて画像を再生し、前記表示器に表示する第２再生動作を実行する第２再生動作制御手段を備えることを特徴とする、画像処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
第１の発明は、被写体を撮像し、画像信号を生成して、該画像信号を半導体メモリの第１領域に画像ファイルとして記録する撮像記録手段と、第１領域に記録された画像ファイルを再生し、再生される画像を表示器に表示する第１再生動作を実行する第１再生動作制御手段と、第１再生動作実行中に、操作キーが第１操作されることに応答して、機器本体のモードを表示器に画像が表示されている状態でファイル登録指示を受け付け可能な登録モードに切り替える切替手段と、登録モードにおいて、操作キーが第２操作されることに応答して、ファイル登録が受け付けられた画像に対応する画像ファイルに基づく情報であって、該画像ファイルを構成する情報量よりも少ない量の情報を生成し、該情報のみを第１領域とは異なる第２領域に記録する記録手段と、第１再生動作実行中に、操作キーが第３操作されることに応答して、第２領域に記録された情報に基づいて画像を再生し、表示器に表示する第２再生動作を実行する第２再生動作制御手段を備えることを特徴とする、画像処理装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月17日(2011.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像を複数のブロックに分割して符号化する符号化装置であって、
前記複数のブロックのそれぞれについて画像の特徴を判定し、視覚的劣化が目立ちやすいブロックであるか否かを検出する検出手段と、
前記検出手段による検出結果に基づいて、前記ブロックごとの量子化パラメータを決定する決定手段と、
前記ブロックの直交変換と、決定された前記量子化パラメータを用いた量子化とを行う変換手段と、
前記変換手段による変換結果を、可変長符号化する符号化手段と、
前記変換手段による変換結果を逆変換して局所復号画像を生成する逆変換手段と、
前記画像の特徴を判定するための判定基準を変化させるための参照値を、前記局所復号画像を用いて算出する算出手段と、
を備え、
前記検出手段は前記判定基準を前記参照値に応じて変化させて、前記視覚的劣化が目立ちやすいブロックを検出することを特徴とする符号化装置。
【請求項２】
前記算出手段は、前記入力画像と前記逆変換手段により生成された前記局所復号画像とのＰＳＮＲに基づく画像の劣化度合いを、前記参照値として算出することを特徴とする請求項１に記載の符号化装置。
【請求項３】
前記算出手段は、前記符号化手段により可変長符号化された入力画像に生ずるフリッカの発生度合いを前記参照値として算出することを特徴とする請求項１に記載の符号化装置。
【請求項４】
前記算出手段は、前記フリッカの発生度合いを該可変長符号化された入力画像における高周波成分量、該入力画像の間の動き量、及び、前記入力画像と前記局所復号画像とのPSNRに基づいて算出することを特徴とする請求項３に記載の符号化装置。
【請求項５】
前記視覚的劣化が目立ちやすいブロックが、前記入力画像において平坦部を構成するブロックである場合に、
前記検出手段は、前記ブロック内の画素の分散値を算出し、該分散値の大きさに基づいて、該ブロックが平坦部を構成するブロックであるかを判定して、前記視覚的劣化が目立ちやすいブロックの検出を行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の符号化装置。
【請求項６】
前記検出手段は、前記判定基準として第１の閾値を用いて、該第１の閾値と前記分散値との比較により前記ブロックが平坦部を構成するブロックであるかを判定することを特徴とする請求項５に記載の符号化装置。
【請求項７】
前記視覚的劣化が目立ちやすいブロックが、前記入力画像においてエッジを構成するブロックである場合に、
前記検出手段は、前記ブロックをサブブロックに更に分割して、該サブブロック間での画素の分散値の差分値を算出し、該差分値の大きさに基づいて、該ブロックがエッジを構成するブロックであるかを判定して、前記視覚的劣化が目立ちやすいブロックの検出を行うことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の符号化装置。
【請求項８】
前記検出手段は、前記判定基準として第２の閾値を用いて、該第２の閾値と前記差分値との比較により前記ブロックがエッジを構成するブロックであるかを判定し、
前記参照値が示す度合いが予め定めた度合いよりも高くなる場合には、前記第２の閾値の値を増加させることを特徴とする請求項７に記載の符号化装置。
【請求項９】
前記視覚的劣化が目立ちやすいブロックが、前記入力画像において肌色部分を構成するブロックである場合に、
前記検出手段は、前記ブロック内の肌色画素の個数を算出し、該個数の大きさに基づいて、該ブロックが肌色部分を構成するブロックであるかを判定して、前記視覚的劣化が目立ちやすいブロックの検出を行うことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の符号化装置。
【請求項１０】
前記検出手段は、前記判定基準として第３の閾値を用いて、該第３の閾値と前記個数との比較により前記ブロックが肌色部分を構成するブロックであるかを判定し、
前記参照値が前記画像の劣化度合いを示す場合に、該劣化度合いが予め定めた度合いよりも高くなる場合には前記第３の閾値の値を減少させ、前記参照値が前記可変長符号化された入力画像に生ずるフリッカの発生度合いを示す場合に、該フリッカの発生度合いが予め定めた度合いよりも高くなる場合には、前記第３の閾値の値を増加させることを特徴とする請求項９に記載の符号化装置。
【請求項１１】
入力画像を複数のブロックに分割して符号化する符号化装置の制御方法であって、
検出手段が、前記複数のブロックのそれぞれについて画像の特徴を判定し、視覚的劣化が目立ちやすいブロックであるか否かを検出する検出工程と、
決定手段が、前記検出工程における検出結果に基づいて、前記ブロックごとの量子化パラメータを決定する決定工程と、
変換手段が、前記ブロックの直交変換と、決定された前記量子化パラメータを用いた量子化とを行う変換工程と、
符号化手段が、前記変換工程における変換結果を、可変長符号化する符号化工程と、
逆変換手段が、前記変換工程における変換結果を逆変換して局所復号画像を生成する逆変換工程と、
算出手段が、前記画像の特徴を判定するための判定基準を変化させるための参照値を、前記局所復号画像を用いて算出する算出工程と、
を備え、
前記検出工程では、前記判定基準を前記参照値に応じて変化させて、前記視覚的劣化が目立ちやすいブロックを検出することを特徴とする符号化装置の制御方法。
【請求項１２】
コンピュータを、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の符号化装置の各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上記課題を解決するための本発明は、入力画像を複数のブロックに分割して符号化する符号化装置であって、
前記複数のブロックのそれぞれについて画像の特徴を判定し、視覚的劣化が目立ちやすいブロックであるか否かを検出する検出手段と、
前記検出手段による検出結果に基づいて、前記ブロックごとの量子化パラメータを決定する決定手段と、
前記ブロックの直交変換と、決定された前記量子化パラメータを用いた量子化とを行う変換手段と、
前記変換手段による変換結果を、可変長符号化する符号化手段と、
前記変換手段による変換結果を逆変換して局所復号画像を生成する逆変換手段と、
前記画像の特徴を判定するための判定基準を変化させるための参照値を、前記局所復号画像を用いて算出する算出手段と、
を備え、
前記検出手段は前記判定基準を前記参照値に応じて変化させて、前記視覚的劣化が目立ちやすいブロックを検出することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月24日(2010.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測光を行い、第１の測光領域から得られる第１の測光データと、前記第１の測光領域よりも広く当該第１の測光領域を含む第２の測光領域から得られる第２の測光データとを出力可能な測光手段と、
連続して得られる２つの前記第１の測光データの差分である第１の差分を算出する第１の算出手段と、
連続して得られる２つの前記第２の測光データの差分である第２の差分を算出する第２の算出手段と、
前記第１の差分の絶対値が第１の所定値以上の場合、前記第２の差分に基づいて露出制御に用いる測光データを選択する選択手段と、を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記選択手段は、前記第１の差分の絶対値が前記第１の所定値以上の場合に、前記第２の差分の絶対値が第２の所定値以下のときは、前記第１の測光データ及び前記第２の測光データを選択し、前記第２の差分の絶対値が第２の所定値より大きいときは、前記第１の測光データを選択することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記選択手段は、前記第１の差分の絶対値が前記第１の所定値以上の場合、前記第２の差分の絶対値が第２の所定値以下のときは、連続して得られる２つの前記第１の測光データのうち先に得られた方を選択し、前記第２の差分の絶対値が第２の所定値より大きいときは、連続して得られる２つの前記第１の測光データのうち後に得られた方を選択することを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
測光モードを設定する設定手段を有し、
前記選択手段は、前記設定手段により前記第１の測光領域を測光対象とする測光モードが設定されていて、前記第１の差分の絶対値が第１の所定値以上の場合、前記第２の差分に基づいて露出制御に用いる測光データを選択することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記選択手段は、連写撮影時において、前記第１の差分の絶対値が第１の所定値以上の場合、前記第２の差分に基づいて露出制御に用いる測光データを選択することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
撮像手段により撮像して得られた画像データに基づく画像を逐次表示する表示手段を有し、
前記選択手段は、前記表示手段に前記画像を逐次表示している状態において、前記第１の差分の絶対値が第１の所定値以上の場合、前記第２の差分に基づいて露出制御に用いる測光データを選択することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記選択手段は、前記第１の差分の絶対値が第１の所定値より小さい場合、連続して得られる２つの前記第１の測光データのうち後に得られた方を選択することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記測光手段は、前記第１の測光領域を測光対象とする測光センサと前記第２の測光領域を測光対象とする測光センサとを有することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
測光を行い、第１の測光領域から得られる第１の測光データと、前記第１の測光領域よりも広く当該第１の測光領域を含む第２の測光領域から得られる第２の測光データとを出力可能な測光手段を有する撮像装置の制御方法であって、
連続して得られる２つの前記第１の測光データの差分である第１の差分を算出する第１の算出ステップと、
連続して得られる２つの前記第２の測光データの差分である第２の差分を算出する第２の算出ステップと、
前記第１の差分の絶対値が第１の所定値以上の場合、前記第２の差分に基づいて露出制御に用いる測光データを選択する選択ステップと、を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明に係る撮像装置は、測光を行い、第１の測光領域から得られる第１の測光データと、前記第１の測光領域よりも広く当該第１の測光領域を含む第２の測光領域から得られる第２の測光データとを出力可能な測光手段と、連続して得られる２つの前記第１の測光データの差分である第１の差分を算出する第１の算出手段と、連続して得られる２つの前記第２の測光データの差分である第２の差分を算出する第２の算出手段と、前記第１の差分の絶対値が第１の所定値以上の場合、前記第２の差分に基づいて露出制御に用いる測光データを選択する選択手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、上記目的を達成するために、本発明に係る撮像装置の制御方法は、測光を行い、第１の測光領域から得られる第１の測光データと、前記第１の測光領域よりも広く当該第１の測光領域を含む第２の測光領域から得られる第２の測光データとを出力可能な測光手段を有する撮像装置の制御方法であって、連続して得られる２つの前記第１の測光データの差分である第１の差分を算出する第１の算出ステップと、連続して得られる２つの前記第２の測光データの差分である第２の差分を算出する第２の算出ステップと、前記第１の差分の絶対値が第１の所定値以上の場合、前記第２の差分に基づいて露出制御に用いる測光データを選択する選択ステップと、を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、被写体が好適な露出となるような露出制御を行うことが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月8日(2010.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
人間の空間的視覚特性及び時間的視覚特性を反映させるように、時分割された複数のフレーム画像からなる動画像を再生する画像処理装置であって、
前記複数のフレーム画像内の注目フレーム画像からオブジェクト画像を抽出するオブジェクト抽出手段と、
前記抽出したオブジェクトに対するオブジェクト特徴量を取得するオブジェクト特徴量の取得手段と、
前記注目フレーム画像に対し、前記オブジェクト画像ごとに前記オブジェクト特徴量に応じた色変換用の準備処理を行って色変換用画像を作成する色変換準備手段と、
前記注目フレームまでの予め定められた処理期間内において、フレーム順応時間を取得するフレーム順応時間の取得手段と、
前記注目フレーム画像に対し、前記フレーム順応時間に基づいてフレーム順応特徴量を算出するフレーム順応特徴量の算出手段と、
前記注目フレーム画像に対し、前記色変換用画像および前記フレーム順応特徴量に基づく色変換を行う色変換手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記色変換準備手段は、前記注目フレーム画像に対し、前記オブジェクト画像ごとに前記オブジェクト特徴量に応じたローパスフィルタを用いてローパス画像を作成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記色変換準備手段は、前記オブジェクト特徴量に応じて前記ローパスフィルタのサイズを変更することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
人間の空間的視覚特性及び時間的視覚特性を反映させるように、時分割された複数のフレーム画像からなる動画像を再生する画像処理装置であって、
前記複数のフレーム画像内の注目フレーム画像からオブジェクト画像を抽出するオブジェクト抽出手段と、
前記注目フレームまでの予め定められた処理期間内において、前記抽出したオブジェクト画像ごとのオブジェクト特徴量を取得するオブジェクト特徴量の取得手段と、
前記オブジェクト画像ごとに、前記オブジェクト特徴量に基づいてオブジェクト順応特徴量を算出するオブジェクト順応特徴量の算出手段と、
前記注目フレーム画像に対し、前記オブジェクト画像ごとに前記オブジェクト順応特徴量に基づく色変換を行う色変換手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項５】
前記オブジェクト順応特徴量は、人間の時間的視覚特性を反映した順応の重みを示すことを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記オブジェクト特徴量は、前記オブジェクト画像の移動速度の情報を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記オブジェクト特徴量は、前記オブジェクト画像の移動加速度の情報を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記オブジェクト特徴量は、前記オブジェクト画像の大きさの情報を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記オブジェクト特徴量は、前記注目フレーム画像における前記オブジェクト画像の位置の情報を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
人間の空間的視覚特性及び時間的視覚特性を反映させるように、時分割された複数のフレーム画像からなる動画像を再生する画像処理方法であって、
オブジェクト抽出手段が、前記複数のフレーム画像内の注目フレーム画像からオブジェクト画像を抽出するオブジェクト抽出ステップと、
オブジェクト特徴量の取得手段が、前記抽出したオブジェクトに対するオブジェクト特徴量を取得するオブジェクト特徴量の取得ステップと、
色変換準備手段が、前記注目フレーム画像に対し、前記オブジェクト画像ごとに前記オブジェクト特徴量に応じた色変換用の準備処理を行って色変換用画像を作成する色変換準備ステップと、
フレーム順応時間の取得手段が、前記注目フレームまでの予め定められた処理期間内において、フレーム順応時間を取得するフレーム順応時間の取得ステップと、
フレーム順応特徴量の算出手段が、前記注目フレーム画像に対し、前記フレーム順応時間に基づいてフレーム順応特徴量を算出するフレーム順応特徴量の算出ステップと、
色変換手段が、前記注目フレーム画像に対し、前記色変換用画像および前記フレーム順応特徴量に基づく色変換を行う色変換ステップと、
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１１】
コンピュータで実行されることにより、該コンピュータを請求項１乃至９のいずれか１項に記載の画像処理装置として機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のコンピュータプログラムを記録したことを特徴とするコンピュータ読取可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月18日(2010.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像装置であって、
撮像手段と、
この撮像手段に対し画像の撮り込みを指示する指示手段と、
この指示手段によって指示されたタイミングで第１の画像を撮り込むとともに、このタイミングの前後に撮像された画像を第２の画像として撮り込むよう前記撮像手段を制御する撮り込み制御手段と、
この撮り込み制御手段によって撮り込まれた前記第１の画像を符号化して記憶する、当該装置に対し着脱可能に接続された第１の記憶手段と、
前記撮り込み制御手段によって撮り込まれた前記第１の画像と前記第２の画像との差分データを生成し、生成した差分データと前記第１の画像とを対応付けて記憶する、当該装置に内蔵された第２の記憶手段と、
前記第１の記憶手段に記憶された前記第１の画像と、この第１の画像と対応付けて前記第２の記憶手段に記憶された前記差分データとを読み出して前記第２の画像を復元する復元手段と、
この復元手段によって復元された前記第２の画像を符号化し、前記第１の画像と差し替えて前記第１の記憶手段に記憶するよう制御する記憶制御手段と、
を備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
シャッタボタンと、
このシャッタボタンが全押しされたことを検出する第１の検出手段と、を更に備え、
前記撮り込み制御手段は、前記第１の検出手段により前記シャッタボタンの全押しが検出されたタイミングで撮像された画像を前記第１の画像として撮り込むとともに、このタイミングから所定時間撮像される複数の画像を第２の画像として撮り込むよう前記撮像手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
シャッタボタンと、
このシャッタボタンが半押しされたことを検出する第２の検出手段と、
この第２の検出手段による検出の後、前記シャッタボタンが全押しされたことを検出する第３の検出手段と、を更に備え、
前記撮り込み制御手段は、前記第３の検出手段により前記シャッタボタンの全押しが検出されたタイミングで撮像された画像を前記第１の画像として撮り込むとともに、前記第２の検出手段により前記シャッタボタンの半押しが検出されたタイミングで撮像された画像を第２の画像として撮り込むよう前記撮像手段を制御することを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記記憶制御手段は、前記第２の画像を符号化して記憶させるとともに、前記第２の記憶手段に記憶された前記第１の画像と前記差分データとを消去することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記第２の記憶手段は、前記撮り込み制御手段によって撮り込まれた前記第１の画像をベイヤ配列の形式で、また、前記差分データを前記第１の画像と前記第２の画像とのベイヤ配列の差分として記憶することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
撮像装置が具備するコンピュータを、
画像の撮り込み指示を検出する指示検出手段、
この指示検出手段によって指示されたタイミングで第１の画像を撮り込むとともに、このタイミングの前後に撮像された画像を第２の画像として撮り込むよう制御する撮り込み制御手段、
この撮り込み制御手段によって撮り込まれた前記第１の画像を符号化して、当該装置に対し着脱可能に接続された第１の記録媒体に記憶させるよう制御する第１の記憶制御手段、
前記撮り込み制御手段によって撮り込まれた前記第１の画像と前記第２の画像との差分データを生成し、生成した差分データと前記第１の画像とを対応付けて、当該装置に内蔵された第２の記録媒体に記憶させるよう制御する第２の記憶制御手段、
前記第１の記憶制御手段によって記憶された前記第１の画像と、この第１の画像と対応付けて前記第２の記憶制御手段によって記憶された前記差分データとを読み出して前記第２の画像を復元する復元手段、
この復元手段によって復元された前記第２の画像を符号化し、前記第１の画像と差し替えて前記第１の記録媒体に記憶するよう制御する第３の記憶制御手段、
として機能させることを特徴とする画像記録プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る撮像装置は、撮像装置であって、撮像手段と、この撮像手段に対し画像の撮り込みを指示する指示手段と、この指示手段によって指示されたタイミングで第１の画像を撮り込むとともに、このタイミングの前後に撮像された画像を第２の画像として撮り込むよう前記撮像手段を制御する撮り込み制御手段と、この撮り込み制御手段によって撮り込まれた前記第１の画像を符号化して記憶する、当該装置に対し着脱可能に接続された第１の記憶手段と、前記撮り込み制御手段によって撮り込まれた前記第１の画像と前記第２の画像との差分データを生成し、生成した差分データと前記第１の画像とを対応付けて記憶する、当該装置に内蔵された第２の記憶手段と、前記第１の記憶手段に記憶された前記第１の画像と、この第１の画像と対応付けて前記第２の記憶手段に記憶された前記差分データとを読み出して前記第２の画像を復元する復元手段と、この復元手段によって復元された前記第２の画像を符号化し、前記第１の画像と差し替えて前記第１の記憶手段に記憶するよう制御する記憶制御手段と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記第２の記憶手段は、前記撮り込み制御手段によって撮り込まれた前記第１の画像をベイヤ配列の形式で、また、前記差分データを前記第１の画像と前記第２の画像とのベイヤ配列の差分として記憶するようにしてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第２の観点に係る画像記録プログラムは、
撮像装置が具備するコンピュータを、
画像の撮り込み指示を検出する指示検出手段、
この指示検出手段によって指示されたタイミングで第１の画像を撮り込むとともに、このタイミングの前後に撮像された画像を第２の画像として撮り込むよう制御する撮り込み制御手段、
この撮り込み制御手段によって撮り込まれた前記第１の画像を符号化して、当該装置に対し着脱可能に接続された第１の記録媒体に記憶させるよう制御する第１の記憶制御手段、
前記撮り込み制御手段によって撮り込まれた前記第１の画像と前記第２の画像との差分データを生成し、生成した差分データと前記第１の画像とを対応付けて、当該装置に内蔵された第２の記録媒体に記憶させるよう制御する第２の記憶制御手段、
前記第１の記憶制御手段によって記憶された前記第１の画像と、この第１の画像と対応付けて前記第２の記憶制御手段によって記憶された前記差分データとを読み出して前記第２の画像を復元する復元手段、
この復元手段によって復元された前記第２の画像を符号化し、前記第１の画像と差し替えて前記第１の記録媒体に記憶するよう制御する第３の記憶制御手段、
として機能させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月25日(2011.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子文書の暗号化を行う暗号化装置であって、
開示先と、当該開示先に対応する暗号情報と、を特定する管理情報を少なくとも一つ以上記憶する記憶部と、制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記電子文書に含まれる電子データの選択を受け付ける第一の選択処理と、
選択された電子データ毎に、前記開示先の選択を少なくとも一つ以上受け付ける第二の選択処理と、
前記第二の選択処理で選択された開示先に対応する暗号情報を用いて前記第一の選択処理で選択された電子データを暗号化した暗号化データ、前記第一の選択処理で選択された電子データの前記電子文書における位置を特定する位置情報、および、前記暗号化データを復号する際に使用する情報を特定することのできる復号情報、を備える暗号化領域情報を生成する処理と、
を行うことを特徴とする暗号化装置。
【請求項２】
請求項１に記載の暗号化装置であって、
前記制御部は、
前記第一の選択処理で選択された電子データを前記電子文書から削除すること、
を特徴とする暗号化装置。
【請求項３】
請求項２に記載の暗号化装置であって、
前記制御部は、
前記電子文書から削除された前記電子データの位置に、削除された前記電子データとは別の電子データを、前記電子文書に入れること、
を特徴とする暗号化装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の暗号化装置であって、
前記制御部は、
前記暗号化領域情報を前記電子文書の一部に付加すること、
を特徴とする暗号化装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の暗号化装置であって、
前記暗号情報は、公開鍵暗号技術における公開鍵であり、
前記暗号化データは、前記第一の選択処理で選択された電子データを前記公開鍵で暗号化したものであること、
を特徴とする暗号化装置。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の暗号化装置であって、
前記暗号情報は、共有秘密情報であり、
前記暗号化データは、前記第一の選択処理で選択された電子データを、前記共有秘密情報から生成された暗号化鍵で暗号化したものであること、
を特徴とする暗号化装置。
【請求項７】
電子データを暗号化した暗号化データ、当該電子データの前記電子文書における位置を特定する位置情報、および、当該暗号化データを復号する際に使用する情報を特定する復号情報、を備える暗号化領域情報が関連付けられている電子文書の前記暗号化データを復号する復号装置であって、
前記暗号化領域情報より前記復号情報を取得する処理と、
前記暗号化データを、前記復号情報を用いて復号する処理と、
前記暗号化領域情報の位置情報で特定される位置に、復号した電子データを入れる処理と、を行う制御部を備えること、
を特徴とする復号装置。
【請求項８】
請求項７に記載の復号装置であって、
記憶部を備え、
前記復号情報は、前記記憶部に記憶されている公開鍵暗号技術における秘密鍵を示す情報であり、
前記暗号化データを復号する処理は、前記暗号化データを、前記復号情報で示される秘密鍵を用いて復号する処理であること、
を特徴とする復号装置。
【請求項９】
請求項７に記載の復号装置であって、
前記復号情報は、共有秘密情報を示す情報であり、
前記暗号化データを復号する処理は、前記復号情報で示される共有秘密情報を用いて生成された復号鍵を用いて復号する処理であること、
を特徴とする復号装置。
【請求項１０】
電子文書の暗号化を行う暗号化装置と、当該暗号化装置が暗号化した電子文書の復号を行う復号装置と、を備える暗号システムであって、
前記暗号化装置は、
開示先と、当該開示先に対応する暗号情報と、を特定する管理情報を少なくとも一つ以上記憶する記憶部と、制御部と、を備え、
前記暗号化装置の前記制御部は、
前記電子文書に含まれる電子データの選択を受け付ける第一の選択処理と、
選択された電子データ毎に、前記開示先の選択を少なくとも一つ以上受け付ける第二の選択処理と、
前記第二の選択処理で選択された開示先に対応する暗号情報を用いて前記第一の選択処理で選択された電子データを暗号化した暗号化データ、前記第一の選択処理で選択された電子データの前記電子文書における位置を特定する位置情報、および、前記暗号化データを復号する際に使用する情報を特定することのできる復号情報、を備える暗号化領域情報を生成する処理と、
を行うことを特徴とする暗号システム。
【請求項１１】
請求項１０に記載の暗号システムであって、
前記暗号化装置の前記制御部は、
前記第一の選択処理で選択された電子データを前記電子文書から削除すること、
を特徴とする暗号システム。
【請求項１２】
請求項１１に記載の暗号システムであって、
前記暗号化装置の前記制御部は、
前記電子文書から削除された前記電子データの位置に、削除された前記電子データとは別の電子データを、前記電子文書に入れること、
を特徴とする暗号システム。
【請求項１３】
請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の暗号システムであって、
前記暗号化装置の前記制御部は、
前記暗号化領域情報を前記電子文書の一部に付加すること、
を特徴とする暗号システム。
【請求項１４】
請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の暗号システムであって、
前記復号装置は、
前記暗号化領域情報より前記復号情報を取得する処理と、
前記暗号化データを、前記復号情報を用いて復号する処理と、
前記暗号化領域情報の位置情報で特定される位置に、復号した電子データを入れる処理と、を行う制御部を備えること、
を特徴とする暗号システム。
【請求項１５】
請求項１４に記載の暗号システムであって、
前記復号装置は、記憶部を備え、
前記復号情報は、前記復号装置の前記記憶部に記憶されている公開鍵暗号技術における秘密鍵を示す情報であり、
前記暗号化データを復号する処理は、前記暗号化データを、前記復号情報で示される秘密鍵を用いて復号する処理であること、
を特徴とする暗号システム。
【請求項１６】
請求項１４に記載の暗号システムであって、
前記復号情報は、共有秘密情報を示す情報であり、
前記暗号化データを復号する処理は、前記復号情報で示される共有秘密情報を用いて生成された復号鍵を用いて復号する処理であること、
を特徴とする暗号システム。
【請求項１７】
請求項１０〜１６のいずれか一項に記載の暗号システムであって、
前記暗号情報は、公開鍵暗号技術における公開鍵であり、
前記暗号化データは、前記第一の選択処理で選択された電子データを前記公開鍵で暗号化したものであること、
を特徴とする暗号システム。
【請求項１８】
請求項１０〜１６のいずれか一項に記載の暗号システムであって、
前記暗号情報は、共有秘密情報であり、
前記暗号化データは、前記第一の選択処理で選択された電子データを前記共有秘密情報から生成された暗号化鍵で暗号化したものであること、
を特徴とする暗号システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月22日(2011.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板の一つの面からイオンを添加して、前記単結晶半導体基板の前記一つの面から一定の深さに脆弱化層を形成し、
前記単結晶半導体基板の前記一つの面上又は支持基板上に絶縁層を形成し、
前記単結晶半導体基板と前記支持基板を、前記絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、前記脆弱化層に亀裂を生じさせ、前記単結晶半導体基板を前記脆弱化層で分離する熱処理を行い、前記単結晶半導体基板から分離した単結晶半導体層を前記支持基板上に形成し、
前記単結晶半導体層にパルス発振のレーザ光を照射して、前記単結晶半導体層の深さ方向も含む照射領域全域を溶融して再単結晶化することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項２】
単結晶半導体基板の一つの面からイオンを添加して、前記単結晶半導体基板の前記一つの面から一定の深さに脆弱化層を形成し、
前記単結晶半導体基板の前記一つの面上又は支持基板上に絶縁層を形成し、前記単結晶半導体基板と前記支持基板を、前記絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、前記脆弱化層に亀裂を生じさせ、前記単結晶半導体基板を前記脆弱化層で分離する熱処理を行い、前記単結晶半導体基板から分離した単結晶半導体層を前記支持基板上に形成し、
前記単結晶半導体層にパルス発振のレーザ光を照射して、前記単結晶半導体層の深さ方向も含む照射領域全域を溶融し、
溶融した前記単結晶半導体層は、溶融領域端部より前記溶融領域中央に向かって支持基板の表面と平行な方向で結晶成長して再単結晶化することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項３】
単結晶半導体基板の一つの面からイオンを添加して、前記単結晶半導体基板の前記一つの面から一定の深さに脆弱化層を形成し、
前記単結晶半導体基板の前記一つの面上又は支持基板上に絶縁層を形成し、
前記単結晶半導体基板と前記支持基板を、前記絶縁層を挟んで重ね合わせた状態で、前記脆弱化層に亀裂を生じさせ、前記単結晶半導体基板を前記脆弱化層で分離する熱処理を行い、前記単結晶半導体基板から分離した単結晶半導体層を前記支持基板上に形成し、
前記単結晶半導体層にパルス発振のレーザ光を照射して、前記単結晶半導体層の深さ方向も含む第１の照射領域全域を溶融して再単結晶化し、
前記単結晶半導体層に前記レーザ光を照射して、前記単結晶半導体層の深さ方向をも含む第２の照射領域全域を溶融して再結晶化し、
前記第１の照射領域と前記第２の照射領域は一部重なることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１又は２において、前記レーザ光の前記単結晶半導体層における照射領域の形状は矩形であることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１又は２において、マスクを介して前記レーザ光を照射することにより、前記レーザ光の前記単結晶半導体層における照射領域の形状を複数の矩形とすることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、溶融した前記単結晶半導体層は隣接する非溶融領域の前記単結晶半導体層を結晶核として結晶成長することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記単結晶半導体層を加熱した状態で、前記単結晶半導体層に前記レーザ光を照射して再単結晶化することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、前記単結晶半導体基板に前記イオンを添加する方法はイオンドーピング法を用いることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、前記支持基板としてガラス基板を用いることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の半導体基板の作製方法において形成する前記単結晶半導体層を用いて半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月18日(2011.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造を形成する方法であって、
基板上にシリコン酸化被膜を形成するために、シリコン前駆体と原子酸素前駆体を約１５０℃以下の処理温度において反応させるステップと、
オゾン含有環境内で前記シリコン酸化被膜をＵＶ−Ｏ３硬化させるステップと、
を備える方法。
【請求項２】
前記基板内に少なくとも１つのトレンチ構造を形成するステップをさらに備え、前記少なくとも１つのトレンチ構造の高さと幅のアスペクト比が約５：１以上である、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記基板を堆積チャンバに提供するステップと、
前記原子酸素前駆体を前記堆積チャンバの外に生成するステップと、
前記原子酸素前駆体を前記チャンバ内に導入するステップと、
前記シリコン前駆体を前記堆積チャンバに導入するステップと、
をさらに備え、前記シリコン前駆体と前記原子酸素前駆体が前記堆積チャンバ内で混合される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記原子酸素前駆体を生成するステップが、
アルゴンを含むガス混合物からプラズマを形成する工程と、
酸素前駆体を前記プラズマに導入する工程と、
を備えており、前記原子酸素を形成するために前記酸素前駆体が解離される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記酸素前駆体が、分子酸素、オゾン、二酸化窒素からなる群より選択される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記シリコン前駆体が、シラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、ジエチルシラン、テトラメチルオルソシラン（ＴＭＯＳ）、テトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）、オクタメチルトリシロキサン（ＯＭＴＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＯＭＣＡＴＳ）、ＤＭＤＭＯＳ、ＤＥＭＳ、メチルトリエソキシラン（ＭＴＥＳ）、フェニルジメチルシラン、フェニルシランからなる群より選択される、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記シリコン酸化被膜のＵＶ−Ｏ３硬化が、約２０℃から約６５０℃の処理温度を有する、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
オゾン含有環境がオゾンと酸素の混合物を含んでいる、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記オゾンの割合が約１８％以下である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記シリコン酸化被膜をＵＶ−Ｏ３硬化するステップが、約１分から約１０分間のプロセス時間を有する、請求項１ないし９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記シリコン酸化被膜をＵＶ−Ｏ３硬化するステップが、約２００から約４５０ナノメートル（ｎｍ）のＵＶ波長を有する、請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
半導体構造を形成する方法であって、
基板上にシリコン−窒素含有層を形成するために、シリコン含有前駆体と少なくとも１つのラジカル窒素前駆体を、約１５０℃以下の処理温度で相互作用させるステップを備え、前記シリコン含有前駆体が２個のシリコン原子を含んでおり、
前記シリコン−窒素含有層を酸素含有環境において紫外線（ＵＶ）硬化させて、シリコン酸化被膜を形成するステップと、
をさらに備える方法。
【請求項１３】
遠隔プラズマシステム内でアンモニアをプラズマに曝露させることにより、前記少なくとも１つのラジカル窒素前駆体を生成するステップをさらに備え、前記アンモニアの少なくとも一部が前記ラジカル窒素前駆体内に分解する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ラジカル窒素前駆体が式ＮＨｘを有し、式中ｘが０、１または２である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記シリコン含有前駆体がジシラン前駆体またはポリシラン前駆体を含んでいる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記シリコン含有前駆体が、アルコキシジシラン、アルコキシ−アルキルジシラン、ポリシランからなる群より選択される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記シリコン−窒素含有層がシリコン炭窒化物膜を含んでいる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記シリコンおよび窒素を含有した膜がＳｉ−Ｎ（Ｈ）−Ｓｉ結合含有膜を含んでいる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
前記シリコン酸化被膜をＵＶ硬化するステップが、約２０℃から約６５０℃の処理温度を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項２０】
前記酸素含有環境がオゾンと酸素の混合物を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２１】
前記オゾンの割合が約１８％以下である、請求項１２に記載の方法。
【請求項２２】
前記シリコン酸化被膜が、約１分から約１０分間のプロセス時間を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項２３】
前記シリコン酸化被膜をＵＶ硬化が約２００から約４５０のＵＶ波長を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項２４】
前記基板内に少なくとも１つのトレンチ構造を形成するステップをさらに備え、前記少なくとも１つのトレンチ構造が、約５：１以上の高さと幅のアスペクト比を備えている、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月24日(2011.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板の主表面にイオンを照射して、前記単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、
前記単結晶半導体基板の主表面に、第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層の表面に、接合層として機能する第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層と、絶縁表面を有する基板とを接合させ、
前記単結晶半導体基板を、前記損傷領域において分離させることにより、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、
前記単結晶半導体層をエッチングして、複数の単結晶半導体領域に分離し、
前記複数の単結晶半導体領域に対して、レーザー光の照射処理又は加熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
複数の単結晶半導体基板の主表面にイオンを照射して、前記複数の単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、
前記複数の単結晶半導体基板の主表面に、第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層の表面に、接合層として機能する第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層と、絶縁表面を有する基板とを接合させ、
前記複数の単結晶半導体基板を、前記損傷領域において分離させることにより、前記絶縁表面を有する基板上に複数の単結晶半導体層を形成し、
前記複数の単結晶半導体層をエッチングして、前記単結晶半導体層の各々を複数の単結晶半導体領域に分離し、
前記複数の単結晶半導体領域に対して、レーザー光の照射処理又は加熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の絶縁層は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素のいずれかを含むこと特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の絶縁層は、積層構造により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の絶縁層は、前記単結晶半導体基板の主表面側から、酸化珪素又は酸化窒化珪素と、窒化珪素又は窒化酸化珪素の積層構造により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１の絶縁層を残存させるように、前記単結晶半導体層のエッチングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第２の絶縁層は、有機シランガスを用いて化学気相成長法により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記単結晶半導体層は、矩形であり、その対角線の長さは２５０ｍｍ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記単結晶半導体領域の中央部を用いて半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に、融点が７０〜１３８℃で、５０〜７０重量％のＢｉ、１０〜２５重量％のＩｎ、６〜４８重量％のＳｎを含んでなる半田によって、第１と第２半導体素子が実装され、
前記第１と第２半導体素子の間の前記基板に、前記半田によって、半導体素子を除く電子部品が実装され、
前記第１半導体素子と前記基板との間と、前記第２半導体素子と前記基板との間と、前記電子部品と前記基板との間と、前記第１半導体素子と前記電子部品との間の前記基板面と、前記第２半導体素子と前記電子部品との間の前記基板面とを、封止樹脂によって一体に封止した実装構造体。
【請求項２】
前記第１と第２半導体素子間が４０ｍｍ以下である請求項１記載の実装構造体。
【請求項３】
前記半田の組成は、Ｃｕ、Ｇｅ及びＮｉの群から選ばれる少なくとも１種の金属を更に含んでなる請求項１または請求項２に記載の実装構造体。
【請求項４】
前記半田の組成は、０．１〜１．０重量％のＣｕ、０．００１〜０．１重量％Ｇｅ及び０．００１〜０．１重量％Ｎｉの群から選ばれる少なくとも１種の金属を更に含んでなる請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の実装構造体。
【請求項５】
前記基板の厚さが，０．５ｍｍ以下である請求項１〜請求項４の何れか１項に記載の実装構造体。
【請求項６】
前記第１と第２半導体素子の間の中間位置に前記電子部品が実装されている請求項１〜請求項５の何れか１項に記載の実装構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の実装構造体は、基板に、融点が７０〜１３８℃で、５０〜７０重量％のＢｉ、１０〜２５重量％のＩｎ、６〜４８重量％のＳｎを含んでなる半田によって、第１と第２半導体素子が実装され、前記第１と第２半導体素子の間の前記基板に、前記半田によって、半導体素子を除く電子部品が実装され、前記第１半導体素子と前記基板との間と、前記第２半導体素子と前記基板との間と、前記電子部品と前記基板との間と、前記第１半導体素子と前記電子部品との間の前記基板面と、前記第２半導体素子と前記電子部品との間の前記基板面とを、封止樹脂によって一体に封止したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記第１と第２半導体素子間が４０ｍｍ以下であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記半田の組成は、Ｃｕ、Ｇｅ及びＮｉの群から選ばれる少なくとも１種の金属を更に含んでなることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、前記基板の厚さが，０．５ｍｍ以下であることを特徴とする。
また、前記第１と第２半導体素子の間の中間位置に前記電子部品が実装されていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月24日(2011.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
水素イオンであって質量が水素分子よりも重いクラスターイオンを前記水素イオン種の質量の総量の７０％以上含むイオンビームを単結晶半導体基板の一面から照射し、
該単結晶半導体基板の表面から所定の深さに損傷層を形成し、
前記単結晶半導体基板の前記クラスターイオンの照射面側に、少なくとも一導電型の第１不純物半導体層、該一導電型の第１不純物半導体層に接する第１電極、及び該第１電極上の接合層を形成し、
絶縁表面を有する支持基板の一面に、前記単結晶半導体基板の前記接合層を密接させて設け、
熱処理を行うことにより、前記損傷層に亀裂を生じさせ、前記支持基板上に単結晶半導体層を残存させたまま前記単結晶半導体基板を分離して除去し、
前記単結晶半導体層の分離により露出した面側に、一導電型とは逆の導電型の第２不純物半導体層を形成し、
半導体材料ガスを含む反応性ガスを電磁エネルギーにより分解して、前記第２不純物半導体層に接して、一導電型の第３不純物半導体層を形成し、前記第３不純物半導体層上に非単結晶半導体層を形成し、前記非単結晶半導体層上に一導電型とは逆の導電型の第４不純物半導体層を形成し、
前記第４不純物半導体層上に第２電極を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。