【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年5月19日(2009.5.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】【請求項１】  石英壁を有し、また付着ガスを受け入れる入口を有するプロセスチャンバと、  ウエハを受け入れるように前記チャンバ内に位置する固体炭化ケイ素サセプタと、  前記サセプタを近傍で取り囲む炭化ケイ素リングと、  未使用反応材ガスを受け取るように前記サセプタおよび前記リングから下流に位置する炭化ケイ素ゲッタ板とを含む、半導体などの基板を加工するための化学気相付着装置。【請求項２】  前記サセプタの近傍に延び、サセプタ温度を監視する炭化ケイ素被覆熱電対を含む、請求項１の装置。【請求項３】  前記熱電対が前記チャンバの側壁と平行に真直ぐに延びる請求項２の装置。【請求項４】  炭化ケイ素被覆熱電対が前記サセプタの両側に位置し、各々チャンバの下流端の方向に延びる、請求項３の装置。【請求項５】  前記サセプタを支持する管状シャフトおよび前記シャフトを通って上方に延び前記サセプタに十分に近くで終端し、その位置における前記サセプタの温度に関してインプットを提供する熱電対を含む、請求項１の装置。【請求項６】  前記リングおよび前記サセプタの近似平面内で前記リングから上流に延びる分割板と、  前記サセプタおよびリングから下流にあり、前記チャンバを横切って延び、前記サセプタおよび前記リングのほぼ前記平面内にある分割板と、を含み、  前記チャンバが前記分割板、前記リング、および前記サセプタによって上部と下部とに分割される請求項１の装置。【請求項７】  前記チャンバ開口部内の前記上部への反応材ガス入口と、前記下部へのパージ・ガス入口開口部とを含む、請求項６の装置。【請求項８】  前記上部からのガス出口および前記下部の下流端を塞いでパージ・ガスが部品間隙を通って強制的に上向きに上部に出されるようにする方法を含む、請求項７の装置。【請求項９】  前記サセプタの下に配置された中央熱電対が炭化ケイ素のキャップで覆われた石英被覆を含む、請求項１の装置。【請求項１０】  前記チャンバ内の前記チャンバ壁の近傍に位置し、前記石英壁を通して前記チャンバ内に透過する加熱ランプからの放射エネルギーを吸収し、エネルギーを放射して前記の近傍のチャンバ壁を加熱し、前記の近傍のチャンバ壁上への前記付着ガスの被覆を最小化する１つ以上の部品を含む、請求項１の装置。【請求項１１】  前記部品が前記ゲッタ板の両側の前記チャンバ壁の近傍に配置される、請求項１０の装置。【請求項１２】  前記部品が炭化ケイ素で作られる、請求項１０の装置。【請求項１３】  反応材ガス入口を有する反応チャンバと、  半導体ウエハを支持するための前記チャンバ内のほぼ平坦なサセプタと、  前記サセプタから下流に位置する炭化ケイ素ゲッタ板と、を含み、  前記ゲッタ板が前記サセプタとほぼ平行で、前記サセプタと近傍の石英チャンバ壁の平面の間の平面に有り、したがって未使用反応材ガスが前記板の両側の近傍を流れて、近傍のチャンバ壁でなく前記板上に未使用の反応物を付着させる化学気相付着装置。【請求項１４】  前記チャンバがほぼ水平に配向され、  前記サセプタから上流に前方板を、前記サセプタの下流にありチャンバを上部および下部に分割する分割板を含み、  前記ゲッタ板が前記分割板の上に間隔を有して配置されている、請求項１３の装置。【請求項１５】  前記チャンバ側壁の近傍に位置する１つ以上の部品を含み、前記部品が前記チャンバ側壁よりよい熱吸収体である、請求項１３の装置。【請求項１６】  前記部品がチャンバ壁近傍で前記ゲッタ板の両側に位置する、請求項１５の装置。【請求項１７】  前記部品が炭化ケイ素で作られる、請求項１３の装置。【請求項１８】  石英壁を有するプロセスチャンバと、  前記チャンバ内のウエハを受け入れるためのサセプタと、  前記サセプタを近くで取り囲むリングと、  前記リングから上流に延び、前記サセプタ及び前記リングの近似平面内にある上流側石英チャンバ分割板と、  前記サセプタおよびリングから下流側に延び、前記チャンバを横切って延び、前記サセプタおよびリングとほぼ同じ平面内にあり、前記チャンバが前記分割板、前記サセプタおよび前記リングによって上部および下部に分割される下流側石英チャンバ分割板と、  前記サセプタおよびリングから下流に位置し、下流の分割板と平行に延び、当該分割板の上方に配置されるゲッタ板と、  前記サセプタの近傍に延びてサセプタ温度を監視する熱電対と、を含み、  前記サセプタ、前記リング、前記ゲッタ板、および前記熱電対の被覆がシリコンカーバイドで形成される、半導体ウエハなどの基板の加工のための化学気相付着装置。【請求項１９】   化学気相付着プロセスチャンバに用いるための熱電対を含み、前記熱電対が熱電対ワイヤ、前記ワイヤを取り巻く石英被覆、および前記石英被覆の上に露出する炭化ケイ素キャップを含む、化学気相付着装置。【請求項２０】   石英の側壁を有するプロセスチャンバと、  前記側壁の１つに、近接し且つ平行な１つ以上の部品と  を含み、  前記部品が加熱ランプからの放射エネルギーを石英よりよく吸収する材料から作成され、したがって、前記の１つ以上の側壁へのガスの付着を最小化するために、前記の１つ以上の部品が前記エネルギーを吸収するとともに、前記の１つ以上の側壁に吸収されるエネルギーを再放射する、基板の加工のための付着装置。【請求項２１】  前記チャンバ内にサセプタを含み、前記の１つ以上の部品が前記サセプタと前記側壁の１つとの間にある、請求項２０の装置。【請求項２２】   前記チャンバがドーム壁上の加熱ランプからの放射エネルギーを透過する中央部を有する上部ドーム壁を有し、前記部品がドーム壁の周辺に向けてエネルギーを再放射するように配置される、請求項２０の装置。【請求項２３】   基板を受け入れるためのサセプタを含み、前記チャンバが反応材ガスを前記チャンバ内に導入し前記サセプタ上に位置する基板を横切って流すための入口を有し、前記チャンバが前記入口から下流に側壁を有し、前記１つ以上の部品のそれぞれが前記入口から下流の前記側壁の１つの近傍に位置する、請求項２０の装置。【請求項２４】  石英チャンバの内部の側壁上への反応材ガスの付着を最小化する方法であって、チャンバ内のサセプタ上に搭載された基板を加熱するために用いる放射エネルギーを吸収して前記側壁上への前記ガスの付着を最小化するレベルに１つ以上の壁の温度を保つように、前記チャンバ内部の前記側壁の１つの近傍に且つ平行に１つ以上の部品を配置することを含む方法。【請求項２５】  熱電対ワイヤと、  前記ワイヤを取り囲む石英被覆と、  前記石英被覆の上に配した炭化ケイ素キャップと、を含む、化学気相付着プロセスチャンバ用の熱電対。【請求項２６】 前記ゲッタ板は、下流側の前記分割板と平行に配置されている、請求項１８に記載の装置。【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】サセプタの下流側のチャンバ壁上への未使用反応物ガスの付着を最小化するために、表面をガス流の中に配置し、近傍のチャンバ壁上でなくその表面上に未使用反応物のいくらかを付着させる。この表面は炭化ケイ素などの高温に耐えることができる赤外線吸収材料でできている。一構成において、この表面はガス流にほぼ平行に伸びるプレート上にあって後方チャンバ分割板とチャンバの上壁との間に間隔を置いて位置し、このいわゆるゲッタ板の上下両方の表面が未使用反応物ガスに露出されるようになっている。また、このプレートは石英壁により容易に吸収される波長を含む広いスペクトルでエネルギーを再照射する。このプレートを上チャンバ壁の近くに配置すればこの効果が最大化される。温度を適正に制御することにより、この装置はより冷たい近傍の石英壁上への付着または凝縮を最小化し、壁の洗浄も改善し、そのことによりチャンバの寿命を延長する。【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】  チャンバは、チャンバ側壁１０ｃ間に延び、上壁および下壁にほぼ平行な平坦な前方または上流分割板１６および後方下流分割板１８により上部１５と下部１７とに分割される。分割板１６および１８は側壁１０ｃ上に形成されたサポート１９またはチャンバ下壁から上向きに延びる（図示されない）サポートにより支持される。後方チャンバ分割板は前方板とほぼ同一の平面内にある。チャンバはほぼ平坦な円形サセプタ２０、および温度補償リングまたは（結晶のスリップ（ｃｒｙｓｔａｌｌｏｇｒａｐｈｉｃ ｓｌｉｐ）を防止するための）スリップリングとも称される周囲のリング２２によりさらに分割される。最良の結果を得るには、スリップリングの単位照射面積あたりの熱量はサセプタの熱量と同程度でなければならない。具体的な構造によって、最適のスリップリングおよび熱量はサセプタよりやや大きくまたは小さくてもよい。最適値を知るには実験が好適である。サセプタおよびスリップリングも、図２の断面図で最もよく分かるように実質的に分割板１８および１６と同じ平面に位置する。【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】  サセプタおよびリングの下流には、後方チャンバ分割板１８から上向きに延びる複数のピン３１の上に支持されたゲッタ板３０が位置する。このゲッタ板はチャンバ上壁１０ａおよび分割板にほぼ平行でこれらのほぼ中央に延びている。この板は１つ以上用いることができる。この板はこの系のガス流の動力学に合う形状に作ることができる。１枚の平板で満足な結果が得られている。しかし、当業者には板の形状の最適化は簡単である。また、任意にサセプタから下流に位置するのはゲッタ板の各側面および近傍の側面１０ｃの下流部分に位置する遮蔽体または吸熱体３２である。さらに、遮蔽体または吸熱体３３はチャンバ中央域の両側の側壁１０ｃの中央部付近に用いることができる。チャンバ壁の付近の炭化ケイ素リング２２はこれらの近傍のチャンバ壁に対して相当な加熱効果を有するので、部品３３は不必要かもしれない。これらの部品３２および３３は何らかの適当な方法で固定することができる。たとえば、部品３２はピン３１のそばにチャンバの側壁１０ｃからわずかに間隔を置いて位置することができる。所望であれば、突起は側壁からわずかに間隔を置いて部品３２を配置するためにチャンバ側壁および下流の板１８の上に置くことができる。同様に部品３３はチャンバ下壁１０ｂ上、チャンバ側壁１０ｃの間に置くことができ、スタンド２３は側壁上に取り付けられた好適なサポートにより部品３３の上端とわずかに間隔を置いて位置することができる。【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】  図７ａはほぼ円形構造を有するＣＶＤチャンバ側壁６３の近傍の一連の炭化ケイ素部品６２を概略的に示す。一連の短い真直ぐな部品６２が示されているが、図７ｂのように長い曲がった部分６４ももちろん用いることができる。これらの部品６２は側壁の近傍に、石英チャンバのフランジ６５上に支持された好適な石英ピン（図示されていない）の上など好適な方法で支持される。図７ｂはドーム型上壁６８を有するチャンバを概略的に示す。【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】  １対の熱電対３４がリング２２の両側に示されており、この熱電対はほぼ平行してチャンバ側壁１０ｃに向けて延びている。各熱電対がリングの管状部分２２ａを通って延びているのを示す図４でよく解るように、この熱電対はリング２２に支持されてその下に位置する。温度の読みの許容誤差によっては、熱電対をスリップリングの近傍に配置してもよい。図３において、各熱電対３４は、それを通って延び、接点３６ａを形成する１対の熱電対ワイヤ３６を有するセラミック支持体３７を取り囲む外側被覆３５を含む。さらに、被覆が熱電対ワイヤと化学的に適合しない場合には、小さい石英のスリーブまたはキャップ４０が熱電対接点３６ａの上に延びてそれを被覆から遮蔽する。あるいは、ワイヤ上に窒化ホウ素皮膜を用いることもできる。【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】図面の簡単な説明
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図面の簡単な説明】【図１】  本発明の改良されたチャンバを改良された内部部品とともに示す分解透視図である。【図２】  図１のチャンバの断面図である。【図３】  図１に見られる熱電対の拡大断面図である。【図４】  熱電対サポートおよびそのサセプタおよびリングの薄さを示す断面図である。【図５】  別の形状のウエハサポートの部分断面図である。【図６】  炭化ケイ素キャップを有する中央熱電対の断面図である。【図７】  図７ａ〜図７ｂは、サセプタを取り囲むチャンバの近傍に吸熱材を有するほぼ円形のチャンバの内部の概略図である。