【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラッシュメモリを含むメモリシステムの読み出し方法であって、
前記フラッシュメモリの第１ブロック内のページからデータを読み出し、
前記フラッシュメモリの読み出しサイクルに該当する回数の格納のため、前記ページから読み出される各々の時間のデータの回数を増加させ、
前記回数が読み出し回数の基準値より大きい場合、前記フラッシュメモリの第１ブロックから前記フラッシュメモリの第２ブロックにデータをコピーバックし、
前記第１ブロックからのデータは前記ページからのデータを含むことを特徴とする読み出し方法。
【請求項２】
前記ページは前記第１ブロックのメインページであることを特徴とする請求項１に記載の読み出し方法。
【請求項３】
前記読み出し回数の基準値はユーザによって設定されることを特徴とする請求項１に記載の読み出し方法。
【請求項４】
前記フラッシュメモリは前記読み出し回数を格納する格納ユニットを含むことを特徴とする請求項１に記載の読み出し方法。
【請求項５】
前記フラッシュメモリは、該フラッシュメモリを制御するメモリコントローラを含み、前記メモリコントローラは前記読み出し回数を格納する格納ユニットを含むことを特徴とする請求項１に記載の読み出し方法。
【請求項６】
前記格納ユニットは、バッファメモリであることを特徴とする請求項５に記載の読み出し方法。
【請求項７】
前記フラッシュメモリの電源がパワーオン（ｐｏｗｅｒ  ｏｎ）時に前記データのコピーバックが行なわれることを特徴とする請求項１に記載の読み出し方法。
【請求項８】
前記コピーバック動作を完了した後、前記回数をリセットすることを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の読み出し方法。
【請求項９】
メモリシステムであって、
複数のページを有するフラッシュメモリと、
前記フラッシュメモリの動作を制御するためのメモリコントローラと、を備え、
前記メモリコントローラは、
前記フラッシュメモリの第１ブロック内のページからデータを読み出し、前記フラッシュメモリの読み出しサイクルによって回数を格納するため、前記ページからデータが読み出される場合、前記回数を増加させ、読み出し回数が基準値より大きい場合、前記フラッシュメモリの第１ブロックから前記フラッシュメモリの第２ブロック内にデータをコピーバックし、前記第１ブロックからのデータは前記ページのデータを含むことを特徴とするメモリシステム。
【請求項１０】
前記ページは前記第１ブロックのメインページであることを特徴とする請求項９に記載のメモリシステム。
【請求項１１】
前記読み出し回数の基準値はユーザによって設定されることを特徴とする請求項９に記載のメモリシステム。
【請求項１２】
前記フラッシュメモリは前記読み出し回数を格納する格納ユニットを含むことを特徴とする請求項９に記載のメモリシステム。
【請求項１３】
前記フラッシュメモリは、該フラッシュメモリを制御するメモリコントローラを含み、前記メモリコントローラは前記読み出し回数を格納する格納ユニットを含むことを特徴とする請求項９に記載のメモリシステム。
【請求項１４】
前記格納ユニットは、バッファメモリであることを特徴とする請求項１３に記載のメモリシステム。
【請求項１５】
前記メモリコントローラは、前記フラッシュメモリの電源がパワーオン（ｐｏｗｅｒ  ｏｎ）時にコピーバック動作を実行することを特徴とする請求項９に記載のメモリシステム。
【請求項１６】
前記メモリコントローラは、前記コピーバック動作を完了した後、前記ページの読み出し回数をリセットすることを特徴とする請求項９に記載のメモリシステム。
【請求項１７】
前記フラッシュメモリ及び前記メモリコントローラはメモリカードに具現されることを特徴とする請求項９に記載のメモリシステム。
【請求項１８】
前記読み出し回数はラム内に格納されることを特徴とする請求項９に記載のメモリシステム。
【請求項１９】
前記メモリコントローラは、前記フラッシュメモリの電源がオフになる前に、前記ラムから前記フラッシュメモリ内に読み出し回数を格納することを特徴とする請求項１８に記載のメモリシステム。
【請求項２０】
前記メモリコントローラは、前記フラッシュメモリの電源がオンになる場合、前記フラッシュメモリから前記ラム内に読み出し回数を格納することを特徴とする請求項１８に記載のメモリシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記目的を達成するためになされた本発明によるメモリシステムの読み出し方法は、フラッシュメモリを含むメモリシステムの読み出し方法であって、前記フラッシュメモリの第１ブロック内のページからデータを読み出し、前記フラッシュメモリの読み出しサイクルに該当する回数の格納のため、前記ページから読み出される各々の時間のデータの回数を増加させ、前記回数が読み出し回数の基準値より大きい場合、前記フラッシュメモリの第１ブロックから前記フラッシュメモリの第２ブロックにデータをコピーバックし、前記第１ブロックからのデータは前記ページからのデータを含むことを特徴とする。
本発明の一実施形態において、前記ページは前記第１ブロックのメインページであることを特徴とする。
一実施形態において、前記読み出し回数の基準値はユーザによって設定されることを特徴とする。
一実施形態において、前記フラッシュメモリは前記読み出し回数を格納する格納ユニットを含むことを特徴とする。
一実施形態において、前記フラッシュメモリは、該フラッシュメモリを制御するメモリコントローラを含み、前記メモリコントローラは前記読み出し回数を格納する格納ユニットを含むことを特徴とする。
一実施形態において、前記格納ユニットは、バッファメモリであることを特徴とする。
一実施形態において、前記フラッシュメモリの電源がパワーオン（ｐｏｗｅｒ  ｏｎ）時に前記データのコピーバックが行なわれる。
一実施形態において、前記コピーバック動作を完了した後、前記回数をリセットすることを更に含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記目的を達成するためになされた本発明によるメモリシステムは、複数のページを有するフラッシュメモリと、前記フラッシュメモリの動作を制御するためのメモリコントローラと、を備え、前記メモリコントローラは、前記フラッシュメモリの第１ブロック内のページからデータを読み出し、前記フラッシュメモリの読み出しサイクルによって回数を格納するため、前記ページからデータが読み出される場合、前記回数を増加させ、読み出し回数が基準値より大きい場合、前記フラッシュメモリの第１ブロックから前記フラッシュメモリの第２ブロック内にデータをコピーバックし、前記第１ブロックからのデータは前記ページのデータを含むことを特徴とする。
本発明の一実施形態において、前記フラッシュメモリ及び前記メモリコントローラはメモリカードに具現される。
一実施形態において、前記読み出し回数はラム内に格納される。
一実施形態において、前記メモリコントローラは、前記フラッシュメモリの電源がオフになる前に、前記ラムから前記フラッシュメモリ内に読み出し回数を格納する。
一実施形態において、前記メモリコントローラは、前記フラッシュメモリの電源がオンになる場合、前記フラッシュメモリから前記ラム内に読み出し回数を格納する。