【手続補正書】
【提出日】平成23年3月7日(2011.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
図１、図２のように、圧電性或いは電歪性基板１、或いは基板上に圧電薄膜を付着させた圧電性薄膜基板１の上に、金属膜２、或いは図３のようにすだれ状電極３を付着させ、その上に誘電体薄膜或いは圧電性薄膜４、その上に誘電体薄膜５或いは圧電性薄膜５或いは金属薄膜５を付着させた基板であって、弾性波のエネルギーが基板１の表面と金属膜２或いはすだれ状電極３の境界面付近に集中し、基板の厚さ方向へのエネルギー放射が零であり、また薄膜５の表面のエネルギー（変位）が零である構造の弾性境界波基板、或いは全体の一部のエネルギーが基板に放射する構造の弾性境界波基板、或いは薄膜５の表面にも全体のエネルギー（変位）の一部が存在する構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項２】
特許請求の範囲１において、基板の厚さ方向へのエネルギー放射が全体のエネルギーの１／８以下であり、また薄膜５の表面のエネルギーが全体のエネルギーの１／８以下である構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項３】
特許請求範囲の請求項１、請求項２において、基板１の圧電性或いは電歪性基板或いは圧電性薄膜基板として、１２０°〜１３６°回転Ｙ−Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ３、回転−１０°〜９０°Ｙ−Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ３、Ｙ−Ｚ  ＬｉＮｂＯ３、回転２５°〜５５°Ｙ−Ｘ伝搬ＬｉＴａＯ３、Ｘ−１１２°Ｙ  ＬｉＴａＯ３、回転０°〜９０°Ｙ−Ｘ伝搬ＫＮｂＯ３、ランガサイト、リチュウムテトラボレート、水晶、ＢＧＯ、ＢＳＯ、ＺｎＯ／基板、ＡｌＮ／基板、ＡｌＮ／Ｓｉ、ＺｎＯ／Ｓｉ、であり、これらの基板の伝搬方向として、伝搬軸が±５０°の範囲にある基板であり、また誘電体薄膜４或いは圧電体薄膜４として、ＴｅＯ２薄膜及びＴｅｘＯｙ薄膜、ＳｉＯ２薄膜及びＳｉｘＯｙ薄膜、ＨｆＯ２薄膜、ＢＧＯ薄膜，ＢＧＳ薄膜、ＬｉＮｂＯ３薄膜、ＬｉＴａＯ３薄膜、Ｔａ２Ｏ５薄膜、ＺｎＯ薄膜、ＡｌＮ薄膜、Ａｌ２Ｏ３薄膜、ガラス薄膜、であり、また誘電体薄膜５或いは圧電体薄膜５或いは金属薄膜５として、ＳｉＯ２薄膜、ＡｌＮ薄膜、Ａｌ２Ｏ３薄膜、ダイヤモンド薄膜、ＳｉＣ薄膜、Ｓｉ３Ｎ４薄膜、ＬｉＮｂＯ３薄膜、ＬｉＴａＯ３薄膜、ベリリューム金属薄膜、Ｓｉ、或いは誘電体薄膜４より大きな横波速度をもつ誘電体薄膜、圧電性薄膜或いは金属・半導体薄膜を用いた構造の弾性境界波基板及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項４】
特許請求範囲の請求項１、請求項２、請求項３において、金属薄膜２或いは、電極膜３として、Ａｌ薄膜、Ｃｕ薄膜、Ａｕ薄膜，Ａｇ薄膜、Ｍｏ薄膜，Ｗ薄膜，Ｒｈ薄膜、Ｐｔ薄膜、Ｐｂ薄膜及びこれらの合金からなる構造の弾性境界波基板、及びこれらの基板を用いた弾性境界波機能素子。
【請求項５】
特許請求範囲の請求項１、請求項２、請求項３、請求項４において、薄膜５の上に、更に上記の薄膜６、薄膜７など多層の薄膜を付着させた構造の弾性境界波基板及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子、或いは、薄膜６〜Ｎの横波速度が薄膜４の横波速度より大きな横波速度をもつ薄膜を用いた構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項６】
特許請求の範囲の請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５において、薄膜４として、基板と逆の周波数温度特性をもつＳｉＯ２薄膜或いはガラスなどの薄膜、薄膜５として、ＡｌＮ薄膜或いはＡｌ２Ｏ３薄膜、ＳｉＣ薄膜、また、金属膜２、電極膜３としてＡｌ薄膜、Ｃｕ薄膜、Ａｕ薄膜，Ａｇ薄膜、また、圧電基板１として、回転−１０°〜７０°Ｙ−Ｘ伝搬ＬｉＮｂＯ３基板、或いは回転３０°〜６０°Ｙ−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ３基板を用いた構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項７】
特許請求の範囲の請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、境界波の中心周波数での波長をλとして、金属電極膜２、３の膜厚をＨ２／λ、Ｈ３／λとして、その値が０．００５〜０．２５の範囲、誘電体膜４の膜厚Ｈ４／λとして、その値が０．００５〜３．５の範囲、薄膜５の膜厚Ｈ５／λとして、その値が０．００５〜３．５の範囲、また薄膜５の上の薄膜の膜厚Ｈ６〜Ｎ／λとして、その値が０．０〜３．５の範囲にある境界波基板、及びこれらの基板を用いた弾性境界波機能素子。
【請求項８】
特許請求の範囲の請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７において、金属膜２、或いはすだれ状電極３と薄膜４の間に、薄膜４より遅い横波速度の薄膜１１でその膜厚Ｈｓｄ／λが、０．００５〜０．２００の範囲の薄膜を付着させ、その上に薄膜４、薄膜５、薄膜Ｈ６〜Ｎを付着させた構造の弾性境界波基板、或いは薄膜１１がグレーティング構造からなる弾性境界波基板及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項９】
特許請求の範囲の請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８において、金属膜２、或いはすだれ状電極３と薄膜４の間に、薄膜４より早い横波速度の薄膜２２でその膜厚Ｈｈｄ／λが、０．００５〜０．２００の範囲の薄膜を付着させ、その上に薄膜４、薄膜５、薄膜Ｈ６〜Ｎを付着させた構造の弾性境界波基板、或いは薄膜１１がグレーティング構造からなる弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項１０】
特許請求の範囲の請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８、請求項９において、金属膜２、或いはすだれ状電極３と薄膜４の間に、薄膜４より早い横波速度の薄膜３３でその膜厚Ｈｈｄ／λが、０．００５〜０．２００の範囲の薄膜を付着させ、その上に薄膜４を付着させた構造の弾性表面波基板、或いは薄膜１１がグレーティング構造からなる弾性境界波基板、及びこれらの弾性表面波基板を用いた機能素子。
【請求項１１】
特許請求の範囲の請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１０において、薄膜４、薄膜５、薄膜Ｈ６〜Ｎ、薄膜１１、２２、３３の作製法として、抵抗加熱蒸着法、スパッター法、溶液を基板表面にスピンコーティングし加熱分解により目的の薄膜を作製する方法、ＭＯＣＶＤ法により作製された薄膜を用いた構造の弾性境界波基板、及びこれらの弾性境界波基板を用いた機能素子。
【請求項１２】
特許請求の範囲の請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８、請求項９、請求項１０、請求項１１において、電極３の構造として、反射電極をもつ共振器、すだれ状電極共振器、一方向性すだれ状電極、分散型すだれ状電極を用いた構造の弾性境界波機能素子。
【請求項１３】
ＬｉＮｂＯ３基板と、
前記ＬｉＮｂＯ３基板に付着されたＡｌ電極膜と、
前記Ａｌ電極膜に付着されたＳｉＯ２膜と、
前記ＳｉＯ２膜に付着されたＡｌＮ膜とを備え、
境界波の中心周波数での波長をλとして、
前記Ａｌ電極膜の膜厚Ｈ２／λの値は、０．０５以上であり、
前記ＳｉＯ２膜の膜厚Ｈ４／λの値は、０．５以上であり、
前記ＡｌＮ膜の膜厚Ｈ５／λの値は、０．５以上の弾性境界波機能素子。
【請求項１４】
ＬｉＮｂＯ３基板と、
前記ＬｉＮｂＯ３基板に付着されたＣｕ電極膜と、
前記Ｃｕ電極膜に付着されたＳｉＯ２膜と、
前記ＳｉＯ２膜に付着されたＡｌＮ膜とを備え、
境界波の中心周波数での波長をλとして、
前記Ｃｕ電極膜の膜厚Ｈ２／λの値は、０．０４以上であり、
前記ＳｉＯ２膜の膜厚Ｈ４／λの値は、０．２以上であり、
前記ＡｌＮ膜の膜厚Ｈ５／λの値は、０．４以上の弾性境界波機能素子。
【請求項１５】
ＬｉＮｂＯ３基板と、
前記ＬｉＮｂＯ３基板に付着されたＣｕ電極膜と、
前記Ｃｕ電極膜に付着されたＳｉＯ２膜と、
前記ＳｉＯ２膜に付着されたＡｌＮ膜とを備え、
境界波の中心周波数での波長をλとして、
前記Ｃｕ電極膜の膜厚Ｈ２／λの値は、０．０３以上であり、
前記ＳｉＯ２膜の膜厚Ｈ４／λの値は、０．３５以上であり、
前記ＡｌＮ膜の膜厚Ｈ５／λの値は、０．５以上の弾性境界波機能素子。
【請求項１６】
前記ＡｌＮ膜の膜厚Ｈ５／λの値は、３．５以下である請求項１３、請求項１４、請求項１５のいずれか１つに記載の弾性境界波機能素子。