【手続補正書】
【提出日】平成23年3月24日(2011.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
基板本体と、前記基板本体の一方の面に設けられ、前記半導体チップとフリップチップ接続されるパッドとを有する配線基板と、
前記半導体チップと前記配線基板との間を封止するアンダーフィル樹脂と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記基板本体の一方の面に、前記基板本体の一方の面及び前記パッドとの間に隙間が形成されないように半硬化状態とされたフィルム状アンダーフィル樹脂を貼り付けるフィルム状アンダーフィル樹脂貼付工程と、
前記フィルム状アンダーフィル樹脂の上面を平坦化する平坦化工程と、
前記平坦化工程後に、前記フィルム状アンダーフィル樹脂の上面側から前記半導体チップを押圧して、前記パッドに前記半導体チップをフリップチップ接続するチップ接続工程と、
前記フィルム状アンダーフィル樹脂を硬化させて、前記半導体チップと前記配線基板との間に前記アンダーフィル樹脂を形成するアンダーフィル樹脂形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記フィルム状アンダーフィル樹脂貼付工程では、真空雰囲気下において、ダイアフラム式ラミネート装置を用いて前記フィルム状アンダーフィル樹脂を貼り付けることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体チップは、前記パッドと電気的に接続される電極パッドを有し、
前記アンダーフィル樹脂形成工程では、前記電極パッドが設けられた面とは反対側に位置する前記半導体チップの面を押圧しながら、前記フィルム状アンダーフィル樹脂を硬化させることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記アンダーフィル樹脂形成工程では、真空雰囲気下において、前記フィルム状アンダーフィル樹脂を硬化させることを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体チップと、
基板本体と、前記基板本体の一方の面に設けられ、前記半導体チップとフリップチップ接続されるパッドとを有する配線基板と、
前記半導体チップと前記配線基板との間を封止するアンダーフィル樹脂と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記基板本体の一方の面に、前記基板本体の一方の面及び前記パッドとの間に隙間が形成されないように半硬化状態とされたフィルム状アンダーフィル樹脂を貼り付けるフィルム状アンダーフィル樹脂貼付工程と、
前記フィルム状アンダーフィル樹脂の上面を平坦化する平坦化工程と、
前記平坦化工程後に、前記フィルム状アンダーフィル樹脂の上面に、半硬化状態とされた他のフィルム状アンダーフィル樹脂又は液状アンダーフィル樹脂を形成して、前記フィルム状アンダーフィル樹脂及び前記他のフィルム状アンダーフィル樹脂、又は前記フィルム状アンダーフィル樹脂及び前記液状アンダーフィル樹脂からなるアンダーフィル樹脂母材を形成するアンダーフィル樹脂母材形成工程と、
前記アンダーフィル樹脂母材の上面側から前記半導体チップを押圧して、前記パッドに前記半導体チップをフリップチップ接続するチップ接続工程と、
前記アンダーフィル樹脂母材を硬化させて、前記半導体チップと前記配線基板との間に前記アンダーフィル樹脂を形成するアンダーフィル樹脂形成工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記アンダーフィル樹脂母材形成工程と前記チップ接続工程との間に、前記アンダーフィル樹脂母材の上面を平坦化する平坦化工程を設けたことを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記フィルム状アンダーフィル樹脂貼付工程では、真空雰囲気下において、ダイアフラム式ラミネート装置を用いて前記フィルム状アンダーフィル樹脂を貼り付けることを特徴とする請求項５又は６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体チップは、前記パッドと電気的に接続される電極パッドを有し、
前記アンダーフィル樹脂形成工程では、前記電極パッドが設けられていない側の前記半導体チップの面を押圧しながら、前記アンダーフィル樹脂母材を硬化させることを特徴とする請求項５ないし７のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記アンダーフィル樹脂形成工程では、真空雰囲気下において、前記アンダーフィル樹脂母材を硬化させることを特徴とする請求項５ないし８のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記チップ接続工程と前記アンダーフィル樹脂形成工程とを同時に行うことを特徴とする請求項１ないし９のうち、いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図１０を参照するに、半導体チップ１２は、半導体基板（図示せず）と、半導体基板に形成された半導体集積回路（図示せず）と、半導体集積回路と電気的に接続された電極パッド２７とを有する。半導体基板としては、例えば、シリコン基板を用いることができる。電極パッド２７には、パッド２２上に固定されるバンプ１４が配設されている。半導体チップ１２は、パッド２２にフリップチップ接続されており、バンプ１４を介して、配線基板１１と電気的に接続されている。半導体チップ１２は、平面視四角形とされており、その一辺の長さは、例えば、１０ｍｍとすることができる。また、配線基板１１にフリップチップ接続された半導体チップ１２と基板本体２１との隙間Ａは、例えば、５μｍ〜５０μｍとすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
この段階（フィルム状アンダーフィル樹脂貼付工程）では、パッド２２及びはんだ２３の形状が転写されるため、図１３に示すように、フィルム状アンダーフィル樹脂３１の上面３１Ａ側は凹凸形状となる。半硬化状態とされたフィルム状アンダーフィル樹脂３１は、アンダーフィル樹脂１３の母材であり、完全に硬化することでアンダーフィル樹脂１３となる。フィルム状アンダーフィル樹脂３１の材料としては、例えば、熱硬化性樹脂（具体的には、例えば、熱硬化性を有したエポキシ樹脂）を用いることができる。フィルム状アンダーフィル樹脂３１の厚さは、例えば、１０μｍ〜５０μｍにすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
このように、真空雰囲気下において、ダイアフラム式ラミネート装置を用いて、配線基板１１に半硬化状態とされたフィルム状アンダーフィル樹脂３１貼り付けることにより、ダイアフラム３２と接触する部分のフィルム状アンダーフィル樹脂３１に対して略均一な圧力が印加される（言い換えれば、隙間の形成されやすいパッド２２の下部側面と基板本体２１の上面２１Ａとにより形成される角部にフィルム状アンダーフィル樹脂３１が移動するように、しっかりとフィルム状アンダーフィル樹脂３１を押圧する）ため、アンダーフィル樹脂１３と基板本体２１の上面２１Ａ、パッド２２、及びはんだ２３との間、及びアンダーフィル樹脂１３の内部にボイドが発生することを防止できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
次いで、図２５に示す工程では、先に説明した図１４に示す工程と同様な手法により、半硬化状態とされたフィルム状アンダーフィル樹脂４３の上面４３Ａを平坦化する（平坦化工程）。これにより、フィルム状アンダーフィル樹脂４３の上面４３Ａは、平坦な面とされる。このとき、ソルダーレジスト層２４の開口部２５が、半硬化状態とされたフィルム状アンダーフィル樹脂４３により隙間なく充填されるように、半硬化状態とされたフィルム状アンダーフィル樹脂４３を押圧する。また、平坦化工程では、フィルム状アンダーフィル樹脂４３の平坦化された上面４３Ａと、ソルダーレジスト層２５の上面とが略面一となるように押圧するとよい。