【手続補正書】
【提出日】平成23年1月5日(2011.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、前記第１の基板に対して対向配置された第２の基板と、前記第１及び第２の基板と接触すると共に、前記第１の基板と前記第２の基板とを接続する接続部材と、前記第１及び第２の基板と前記接続部材とにより形成される空間と、前記空間に収容された電子部品と、を備えた電子装置の製造方法であって、
前記接続部材の形成領域に対応する部分の前記第１の基板に、ワイヤボンディング法により、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇのいずれかである第１の金属からなる金属部材を形成する金属部材形成工程と、
前記接続部材の形成領域に対応する部分の前記第２の基板に、前記第１の金属よりも融点が低く、かつ前記第１の金属と合金を形成する、Ｉｎ又はＳｎである第２の金属からなる金属層を形成する金属層形成工程と、
前記金属部材と前記金属層とが接触するように、前記第１の基板と前記第２の基板とを対向配置させ、前記金属層のみが溶融する温度で前記金属部材及び前記金属層を加熱して前記合金からなる前記接続部材を形成し、前記第１の基板と前記第２の基板とを接続する基板接続工程と、を含み、
前記合金は、Ａｕ−Ｉｎ合金、Ｃｕ−Ｓｎ合金、Ａｇ−Ｓｎ合金、Ａｇ−Ｉｎ合金のうちのいずれかであり、
前記電子部品は、前記第１及び第２の基板と前記接続部材とにより気密封止されることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項２】
第１の基板と、前記第１の基板に対して対向配置された第２の基板と、前記第１又は第２の基板に形成された蓋体と、前記第１及び第２の基板と接触すると共に、前記第１の基板と前記第２の基板とを接続する接続部材と、前記第１及び第２の基板と前記蓋体と前記接続部材とにより形成される空間と、前記空間に収容された電子部品と、を備えた電子装置の製造方法であって、
前記接続部材の形成領域に対応する部分の前記第１の基板に、ワイヤボンディング法により、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇのいずれかである第１の金属からなる金属部材を形成する金属部材形成工程と、
前記接続部材の形成領域に対応する部分の前記第２の基板に、前記第１の金属よりも融点が低く、かつ前記第１の金属と合金を形成する、Ｉｎ又はＳｎである第２の金属からなる金属層を形成する金属層形成工程と、
前記金属部材と前記金属層とが接触するように、前記第１の基板と前記第２の基板とを対向配置させ、前記金属層のみが溶融する温度で前記金属部材及び前記金属層を加熱して前記合金からなる前記接続部材を形成し、前記第１の基板と前記第２の基板とを接続する基板接続工程と、を含み、
前記合金は、Ａｕ−Ｉｎ合金、Ｃｕ−Ｓｎ合金、Ａｇ−Ｓｎ合金、Ａｇ−Ｉｎ合金のうちのいずれかであり、
前記第１の基板又は前記第２の基板の形状は、枠状であり、
枠状の前記第１の基板又は前記第２の基板の上に、前記蓋体が形成され、
前記電子部品は、前記第１及び第２の基板と前記蓋体と前記接続部材とにより気密封止されることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項３】
前記電子装置は、前記電子部品が実装されるパッドと、前記パッドと電気的に接続された外部接続用パッドとを有し、
前記外部接続用パッドに外部接続端子を加熱により形成する外部接続端子形成工程を有し、
前記合金の再溶融温度は、前記外部接続端子を形成するときの加熱温度よりも高いことを特徴とする請求項１又は２の電子装置の製造方法。
【請求項４】
前記金属層のみが溶融する温度は、１５６．６度Ｃ以上であることを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の電子装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の基板は、前記電子部品が実装されるパッドと、前記パッドと電気的に接続された外部接続用パッドとを有することを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか１項記載の電子装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の基板は、前記電子部品が実装されるパッドと、前記パッドと電気的に接続された外部接続用パッドとを有することを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか１項記載の電子装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の基板及び／又は前記第２の基板に、凹部を形成することを特徴とする請求項１ないし６のうち、いずれか１項記載の電子装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の一観点によれば、第１の基板と、前記第１の基板に対して対向配置された第２の基板と、前記第１及び第２の基板と接触すると共に、前記第１の基板と前記第２の基板とを接続する接続部材と、前記第１及び第２の基板と前記接続部材とにより形成される空間と、前記空間に収容された電子部品と、を備えた電子装置の製造方法であって、前記接続部材の形成領域に対応する部分の前記第１の基板に、ワイヤボンディング法により、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇのいずれかである第１の金属からなる金属部材を形成する金属部材形成工程と、前記接続部材の形成領域に対応する部分の前記第２の基板に、前記第１の金属よりも融点が低く、かつ前記第１の金属と合金を形成する、Ｉｎ又はＳｎである第２の金属からなる金属層を形成する金属層形成工程と、前記金属部材と前記金属層とが接触するように、前記第１の基板と前記第２の基板とを対向配置させ、前記金属層のみが溶融する温度で前記金属部材及び前記金属層を加熱して前記合金からなる前記接続部材を形成し、前記第１の基板と前記第２の基板とを接続する基板接続工程と、を含み、前記合金は、Ａｕ−Ｉｎ合金、Ｃｕ−Ｓｎ合金、Ａｇ−Ｓｎ合金、Ａｇ−Ｉｎ合金のうちのいずれかであり、前記電子部品は、前記第１及び第２の基板と前記接続部材とにより気密封止されることを特徴とする電子装置の製造方法が提供される。
また、本発明の他の観点によれば、第１の基板と、前記第１の基板に対して対向配置された第２の基板と、前記第１又は第２の基板に形成された蓋体と、前記第１及び第２の基板と接触すると共に、前記第１の基板と前記第２の基板とを接続する接続部材と、前記第１及び第２の基板と前記蓋体と前記接続部材とにより形成される空間と、前記空間に収容された電子部品と、を備えた電子装置の製造方法であって、前記接続部材の形成領域に対応する部分の前記第１の基板に、ワイヤボンディング法により、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇのいずれかである第１の金属からなる金属部材を形成する金属部材形成工程と、前記接続部材の形成領域に対応する部分の前記第２の基板に、前記第１の金属よりも融点が低く、かつ前記第１の金属と合金を形成する、Ｉｎ又はＳｎである第２の金属からなる金属層を形成する金属層形成工程と、前記金属部材と前記金属層とが接触するように、前記第１の基板と前記第２の基板とを対向配置させ、前記金属層のみが溶融する温度で前記金属部材及び前記金属層を加熱して前記合金からなる前記接続部材を形成し、前記第１の基板と前記第２の基板とを接続する基板接続工程と、を含み、前記合金は、Ａｕ−Ｉｎ合金、Ｃｕ−Ｓｎ合金、Ａｇ−Ｓｎ合金、Ａｇ−Ｉｎ合金のうちのいずれかであり、前記第１の基板又は前記第２の基板の形状は、枠状であり、枠状の前記第１の基板又は前記第２の基板の上に、前記蓋体が形成され、前記電子部品は、前記第１及び第２の基板と前記蓋体と前記接続部材とにより気密封止されることを特徴とする電子装置の製造方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図１１では、基板本体２５の材料としてシリコンを用いた場合を例に挙げて図示している。本実施の形態では、基板本体２５の材料としてシリコンを用いた場合を例に挙げて以下の説明を行う。なお、基板本体２５の材料としてガラス、絶縁樹脂（例えば、ガラスエポキシ樹脂）、セラミックを用いる場合、絶縁膜２６は不要となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図１１では、基板本体３９の材料としてシリコンを用いた場合を例に挙げて図示している。本実施の形態では、基板本体３９の材料としてシリコンを用いた場合を例に挙げて以下の説明を行う。なお、基板本体３９の材料としてガラス、絶縁樹脂（例えば、ガラスエポキシ樹脂）、セラミックを用いる場合、絶縁膜４１は不要となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
基板８２は、枠状とされた基板本体８８と、基板本体８８の表面を覆う絶縁膜４１と、絶縁膜４１の面４１Ａ（接続部材１６と対向する側の絶縁膜４１の面）に設けられた密着層４２とを有する。基板本体８８の材料としては、例えば、シリコン、ガラス、絶縁樹脂（例えば、ガラスエポキシ樹脂）、セラミック等を用いることができる。基板本体８８の材料としてシリコンを用いた場合、基板本体８８の厚さは、例えば、２００μｍとすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２２】
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【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３７】
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