【手続補正書】
【提出日】平成23年4月13日(2011.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される構造単位および下記式（２）で表される構造単位を有し、分子の末端が  −Ｏ−Ｓｉ（ＯＲ）3  （ここでＲは式（１）のＲと同義である。）または−Ｏ−Ｓｉ（ＯＸ）3  （ここでＸは式（２）のＸと同義である。）であって、すべてのＲに対するＸの存在割合が０．１以上である硬化性ケイ素化合物を含有することを特徴とする、微細パターンを形成するための転写材料用硬化性組成物。
【化１】
2009283760.tif 000001
（式中、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基を示す。）
【化２】
2009283760.tif 000002
（式中、Ｘは以下の式（３）で表される構造を示す。）
【化３】
2009283760.tif 000003
（式中、Ｒ1は炭素数１〜１２の２価の脂肪族、炭素数３〜１２の２価の脂環族または炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素残基を示し、Ｒ2は水素原子またはメチル基を示し、Ｚは酸素原子またはＮＲ3を示す。前記ＮＲ3中のＲ3は水素またはメチル基を示す。）
【請求項２】
前記硬化性ケイ素化合物が、下記（Ａ）および（Ｂ）を、生成するアルコールを留去させながら反応させることにより製造される請求項１記載の転写材料用硬化性組成物。
（Ａ）テトラアルコキシシランまたはその縮合体
（Ｂ）下記式（４）で表される構造を有する化合物
【化４】
2009283760.tif 000004
（式中、Ｒ1は炭素数１〜１２の２価の脂肪族、炭素数３〜１２の２価の脂環族または炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素残基を示し、Ｒ2は水素またはメチル基を示し、Ｚは酸素原子またはＮＲ3を示す。前記ＮＲ3中のＲ3は水素またはメチル基を示す。）
【請求項３】
前記（Ａ）成分がテトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランであり、さらに反応中に水を添加することを特徴とする、請求項２記載の転写材料用硬化性組成物。
【請求項４】
さらに、請求項１に記載の硬化性ケイ素化合物以外のラジカル硬化性化合物を含有する請求項１〜３のいずれか１項に記載のラジカル硬化性組成物。
【請求項５】
前記微細パターンが、１０μｍ以下の微細パターンであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の転写材料用硬化性組成物。
【請求項６】
さらに、熱ラジカル開始剤を含有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の転写材料用硬化性組成物。
【請求項７】
さらに、活性エネルギー線ラジカル開始剤を含有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の転写材料用硬化性組成物。
【請求項８】
請求項６項に記載の転写材料用硬化性組成物を基板に塗布し、塗布膜を形成する工程と、
基板に塗布した転写材料用硬化性組成物に型を押し当てる工程と、
型を押し当てた状態で転写材料用硬化性組成物を加熱することにより前記転写材料用硬化性組成物を硬化させる工程と、
硬化した転写材料用硬化性組成物から型を外す工程と
を含むことを特徴とする微細パターン形成方法。
【請求項９】
請求項７に記載の転写材料用硬化性組成物を基板に塗布し、塗布膜を形成する工程と、
基板に塗布した転写材料用硬化性組成物に型を押し当てる工程と、
型を押し当てた状態で転写材料用硬化性組成物に活性エネルギー線を照射することにより前記転写材料用硬化性組成物を硬化させる工程と、
硬化した転写材料用硬化性組成物から型を外す工程と
を含むことを特徴とする微細パターン形成方法。
【請求項１０】
前記型が活性エネルギー線を透過させる材料で形成され、活性エネルギー線が、前記型を通過して、前記塗布膜に照射されることを特徴とする請求項９に記載の微細パターン形成方法。
【請求項１１】
前記基板が活性エネルギー線を透過させる材料で形成され、活性エネルギー線が、前記基板を通過して、前記塗布膜に照射されることを特徴とする請求項９に記載の微細パターン形成方法。
【請求項１２】
基体上に磁性膜を備えてなる基板を用いて請求項８〜１１のいずれか１項に記載の方法で微細パターンを形成し、この微細パターンをレジストとして前記磁性膜の一部を除去するか、または前記磁性膜の一部を非磁性化することを特徴とする微細パターン化された磁性膜を有する磁気記録媒体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【化７】
2009283760.tif 000005
（式中、Ｒ1は炭素数１〜１２の２価の脂肪族、炭素数３〜１２の２価の脂環族または炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素残基を示し、Ｒ2は水素原子またはメチル基を示し、Zは酸素原子またはＮＲ3を示す。前記ＮＲ3中のＲ3は水素原子またはメチル基を示す。）
［２］前記硬化性ケイ素化合物が、下記（Ａ）および（Ｂ）を、生成するアルコールを留去させながら反応させることにより製造される上記［１］に記載の転写材料用硬化性組成物。
（Ａ）テトラアルコキシシランまたはその縮合体
（Ｂ）下記式（４）で表される構造を有する化合物
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【化８】
2009283760.tif 000006
（式中、Ｒ1は炭素数１〜１２の２価の脂肪族、炭素数３〜１２の２価の脂環族または炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素残基を示し、Ｒ2は水素原子またはメチル基を示し、Ｚは酸素原子またはＮＲ3を示す。前記ＮＲ3中のＲ3は水素原子またはメチル基を示す。）
［３］前記（Ａ）成分がテトラメトキシシランまたはテトラエトキシシランであり、さらに反応中に水を添加することを特徴とする上記［２］に記載の転写材料用硬化性組成物。
［４］さらに、［１］に記載の硬化性ケイ素化合物以外のラジカル硬化性化合物を含有する［１］〜［３］のいずれかに記載のラジカル硬化性組成物。
［５］前記微細パターンが、１０μｍ以下の微細パターンであることを特徴とする［１］〜［４］のいずれかに記載の転写材料用硬化性組成物。
［６］さらに、熱ラジカル開始剤を含有する［１］〜［５］のいずれか１項に記載の転写材料用硬化性組成物。
［７］さらに、活性エネルギー線ラジカル開始剤を含有する［１］〜［５］のいずれかに記載の転写材料用硬化性組成物。
［８］［６］項に記載の転写材料用硬化性組成物を基板に塗布し、塗布膜を形成する工程と、
基板に塗布した転写材料用硬化性組成物に型を押し当てる工程と、
型を押し当てた状態で転写材料用硬化性組成物を加熱することにより前記転写材料用硬化性組成物を硬化させる工程と、
硬化した転写材料用硬化性組成物から型を外す工程と
を含むことを特徴とする微細パターン形成方法。
［９］［７］に記載の転写材料用硬化性組成物を基板に塗布し、塗布膜を形成する工程と、
基板に塗布した転写材料用硬化性組成物に型を押し当てる工程と、
型を押し当てた状態で転写材料用硬化性組成物に活性エネルギー線を照射することにより前記転写材料用硬化性組成物を硬化させる工程と、
硬化した転写材料用硬化性組成物から型を外す工程と
を含むことを特徴とする微細パターン形成方法。
［１０］前記型が活性エネルギー線を透過させる材料で形成され、活性エネルギー線が、前記型を通過して、前記塗布膜に照射されることを特徴とする［９］に記載の微細パターン形成方法。
［１１］前記基板が活性エネルギー線を透過させる材料で形成され、活性エネルギー線が、前記基板を通過して、前記塗布膜に照射されることを特徴とする［９］に記載の微細パターン形成方法。
［１２］基体上に磁性膜を備えてなる基板を用いて［８］〜［１１］のいずれかに記載の方法で微細パターンを形成し、この微細パターンをレジストとして前記磁性膜の一部を除去するか、または前記磁性膜の一部を非磁性化することを特徴とする微細パターン化された磁性膜を有する磁気記録媒体の製造方法。
［１３］［１２］に記載の製造方法で得られることを特徴とする磁気記録媒体。
［１４］［１３］に記載の磁気記録媒体を備えたことを特徴とする磁気記録再生装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
式（２）において、Ｘは、上記式（３）で表される構造を有する。式（３）中、Ｒ1は炭素数１〜１２の２価の脂肪族、炭素数３〜１２の２価の脂環族または炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素残基を示し、Ｒ2は水素原子またはメチル基であり、Ｚは酸素原子またはＮＲ3である。前記ＮＲ3中のＲ3は水素原子またはメチル基である。前記硬化性ケイ素化合物は、分子の末端が−Ｏ−Ｓｉ（ＯＲ）3または−Ｏ−Ｓｉ（ＯＸ）3である。前記−Ｏ−Ｓｉ（ＯＲ）3におけるＲは、式（１）のＲと同じであり、メチル基またはエチル基であることが好ましく、メチル基であることが特に好ましい。前記−Ｏ−Ｓｉ（ＯＸ）3におけるＸは、上記式（２）のＸと同じである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
式（３）において、好ましくはＲ1は炭素数１〜４の２価の脂肪族炭化水素残基であり、Ｒ2は水素原子またはメチル基であり、Ｚは酸素原子またはＮＲ3であり、Ｒ3は水素原子またはメチル基である。より好ましくはＲ1はエチレン基であり、Ｒ2は水素原子またはメチル基であり、Ｚは酸素原子またはＮＲ3であり、Ｒ3は水素原子またはメチル基である。更に好ましくはＲ1はエチレン基であり、Ｒ2は水素原子またはメチル基であり、ＺはＮＲ3であり、Ｒ3は水素原子またはメチル基である。特に好ましいのは、Ｒ1はエチレン基であり、Ｒ2は水素原子であり、ＺはＮＲ3であり、Ｒ3は水素原子である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【化１２】
2009283760.tif 000007
（式中、Ｒ1は炭素数１〜１２の２価の脂肪族、炭素数３〜１２の２価の脂環族または炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素残基を示し、Ｒ2は水素原子またはメチル基を示し、Ｚは酸素原子またはＮＲ3を示す。前記ＮＲ3中のＲ3は水素原子またはメチル基を示す。）
前記テトラアルコキシシランとしては、具体的にはテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシラン等が挙げられ、反応性の点から、テトラメトキシシランおよびテトラエトキシシランが好ましく、テトラメトキシシランが特に好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
テトラアルコキシシランの縮合体としては、具体的にはテトラメトキシシラン縮合体、テトラエトキシシラン縮合体等が挙げられる。
式（４）において、好ましくはＲ1は炭素数１〜４の２価の脂肪族炭化水素残基であり、Ｒ2は水素原子またはメチル基であり、Ｚは酸素原子またはＮＲ3であり、Ｒ3は水素原子またはメチル基である。より好ましくはＲ1はエチレン基であり、Ｒ2は水素原子またはメチル基であり、Ｚは酸素原子またはＮＲ3であり、Ｒ3は水素原子またはメチル基である。更に好ましくはＲ1はエチレン基であり、Ｒ2は水素原子またはメチル基であり、ＺはＮＲ3であり、Ｒ3は水素原子またはメチル基である。特に好ましいのは、Ｒ1はエチレン基であり、Ｒ2は水素原子であり、ＺはＮＲ3であり、Ｒ3は水素原子である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
また、前記反応において、反応に水を添加する場合には、水を初期に一括して仕込むのではなく、反応初期に（Ａ）成分と（Ｂ）成分の反応を行い、脱アルコール反応率が少なくとも１０％以上になった段階で水を反応液に添加するのが、白濁の防止やゲル化防止の点で好ましい。なお、ここでいう脱アルコール反応率は、（Ａ）成分に由来するアルコキシ基が脱離して生ずるアルコールの理論生成量に対する、留出したアルコールの量で計算した値である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、反応中にゲル化を防ぐ目的で、重合禁止剤を添加することが望ましい。このような禁止剤としては、ハイドロキノン、ｐ−メトキシフェノール、２−ｔ−ブチルハイドロキノン、２−ｔ−ブチル−４−メトキシフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール、４−ｔ−ブチルカテコール、２，５−ジ−ｔ−ブチルハイドロキノン、２，５−ジ−ｔ−アミルハイドロキノン、４，４'−チオ−ビス（６−ｔ−ブチル−ｍ−クレゾール）、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノールステアリル−β−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、２，２'−メチレンビス（４−メチル−６−t−ブチルフェノール）、４，４'−ブチリデンビス（３−メチル−６−t−ブチルフェノール）、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−t−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス−［メチレン−３−（３'，５'−ジ−t−ブチル−４'−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、トリス（３'，５'−ジ−t−ブチル−４'−ヒドロキシベンジル）−ｓ−トリアジン−２，４，６−（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）トリオン、トコフェロール等のフェノール系化合物、フェノチアジン、スチリルフェノチアジン、ジラウリル  ３，３'−チオジプロピオネート、ジミリスチル  ３，３'−チオジプロピオネート、ジステアリル  ３，３'−チオジプロピオネート、ジブチルジチオカルバミン酸銅等の硫黄系化合物、トリフェニルホスファイト、ジフェニルイソデシルホスファイト、フェニルジイソデシルホスファイト等のリン系化合物が挙げられる。これらは単独で、または２種類以上組み合わせて用いることができ、添加量としては反応液に対して１００から１００００ｐｐｍ、より好ましくは５００から２０００ｐｐｍが好ましい。１００ｐｐｍより少ないと効果が無く、１００００ｐｐｍよりも多いと硬化性や着色に悪影響を与える。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
熱重合の場合には、熱ラジカル開始剤を添加することが望ましい。熱ラジカル開始剤としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド、メチルシクロヘキサノンパーオキサイド、メチルアセテートパーオキサイド、アセチルアセテートパーオキサイド、１，１−ビス（t−ブチルパーオキシ）ブタン、１，１−ビス（t−ブチルパーオキシ）−シクロヘキサン、１，１−ビス（t−ブチルパーオキシ）−２−メチルシクロヘキサン、１，１−ビス（t−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（t−ブチルパーオキシ）シクロドデカン、１，１−ビス（t−ヘキシルパーオキシ）−シクロヘキサン、１，１−ビス（t−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、２，２−ビス（４，４−ジ−t−ブチルパーオキシシクロヘキシル）プロパン、t−ブチルハイドロパーオキサイド、t−ヘキシルハイドロパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ｐ−メチルハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、t−ブチルクミルパーオキサイド、α，α'−ビス（t−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、２，５−ジメチル−２，５−ビス（t−ブチルパーオキシ）ヘキサン、２，５−ジメチル−２，５−ビス（t−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、イソブチリルパーオキサイド、３，３，５−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキサイド、スクシン酸パーオキサイド、ｍ−トルオイルベンゾイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ジ−ｎ−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ−２−エトキシエチルパーオキシジカーボネート、ジ−２−エトキシヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ−３−メトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ−Ｓ−ブチルパーオキシジカーボネート、ジ（３−メチル−３−メトキシブチル）パーオキシジカーボネート、α，α'−ビス（ネオデカノイルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、t−ブチルパーオキシネオデカノエート、t−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシネオデカノエート、クミルパーオキシネオデカノエート、  t−ブチルパーオキシピバレート、t−ヘキシルパーオキシピバレート、t−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、t−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート���t−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシアリルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシイソブチレート、t−ブチルパーオキシマレート、t−ブチルパーオキシベンゾエート、t−ヘキシルパーオキシベンゾエート、t−ブチルパーオキシ−ｍ−トルイルベンゾエート、t−ブチルパーオキシラウレート、t−ブチルパーオキシアセテート、ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）イソフタレート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｍ−トルイルパーオキシ）ヘキサン、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、t−ブチルトリメチルシリルパーオキサイド、３，３'，４，４'−テトラ（t−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノンなどの、有機過酸化物、または、１−［（１−シアノ−１−メチルエチル）アゾ］ホルムアミド、１，１'−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、２，２'−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）、２，２'−アゾビスイソブチロニトリル、２，２'−アゾビス（２，４−ジメチル−４−メトキシバレロニトリル）、２，２'−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２−フェニルアゾ−４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル、２，２'−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）ジヒドロクロリド、２，２−アゾビス（２−メチル−Ｎ−フェニルプロピオンアミジン）ジヒドロクロリド、２，２'−アゾビス［Ｎ−（４−クロロフェニル）−２−メチルプロピオンアミジン］ジヒドロクロリド、２，２'−アゾビス［Ｎ−（４−ヒドロフェニル）−２−メチルプロピオンアミジン］ジヒドロクロリド、２，２'−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−プロペニル）プロピオンアミジン］ジヒドロクロリド、２，２'−アゾビス［Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−２−メチルプロピオンアミジン］ジヒドロクロリド、２，２'−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（フェニルメチル）プロピオンアミジン］ジヒドロクロリド、２，２'−アゾビス［２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン］ジヒドロクロリド、２，２'−アゾビス［２−（５−メチル−２−イミダゾリン−２−イル）プロパン］ジヒドロクロリド、２，２'−アゾビス｛２−［１−（２−ヒドロキシエチル）−２−イミダゾリン−２−イル］プロパン｝ジヒドロクロリド、２，２'−アゾビス［２−（４，５，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ−１，３−ジアゼピン−２−イル）プロパン］ジヒドロクロリド、２，２'−アゾビス［２−（３，４，５，６−テトラヒドロピリミジンー２−イル）プロパン］ジヒドロクロリド、２，２'−アゾビス［２−（５−ヒドロキシ−３，４，５，６−テトラヒドロピリミジン−２−イル）プロパン］ジヒドロクロリド、２，２'−アゾビス（２−メチルプロピオンアミド）、２，２'−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド］、２，２'−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル］プロピオンアミド｝、２，２'−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメチル）エチル］プロピオンアミド｝、２，２'−アゾビス（２−メチルプロパン）、２，２'−アゾビス（２，４，４−トリメチルペンタン）、ジメチル２，２'−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、４，４'−アゾビス（４−シアノペンタン酸）、２，２'−アゾビス［２−（ヒドロキシメチル）プロピオニトリル］などの、アゾ化合物などの熱ラジカル重合開始剤等が挙げられる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
活性エネルギー線硬化の場合には、電子線を用いた場合のように、重合開始剤が無くてもアクリロイル基を硬化することができる場合もあるが、本組成物には用いるエネルギー線と官能基の種類によって、必要に応じて活性エネルギー線ラジカル開始剤を添加することが望ましい。活性エネルギー線の種類としては、例えば、真空紫外線、紫外線、可視光線、近赤外線、赤外線、遠赤外線、マイクロ波、電子線、β線、γ線などを挙げることができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
具体的には、(メタ)アクリル酸エステル類及びその誘導体としては、単官能もしくは使用量に制約は出てくるが多官能の(メタ)アクリレートも使用でき、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸−ｎ−プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸−ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸−ｓｅｃ−ブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸−２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸フェニル、（メタ）アクリル酸ベンジル、（メタ）アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸−２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸−３−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸−２−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸−２−ヒドロキシフェニルエチル、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−アクリロイルモルフォリン等である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
スチレン及びその誘導体としては、スチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、２，４−ジメチルスチレン、２，５−ジメチルスチレン、２，６−ジメチルスチレン、３，４−ジメチルスチレン、３，５−ジメチルスチレン、２，４，６−トリメチルスチレン、２，４，５−トリメチルスチレン、ペンタメチルスチレン、ｏ−エチルスチレン、ｍ−エチルスチレン、ｐ−エチルスチレン、ｏ−クロロスチレン、ｍ−クロロスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｏ−ブロモスチレン、ｍ−ブロモスチレン、ｐ−ブロモスチレン、ｏ−メトキシスチレン、ｍ−メトキシスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、２−ビニルビフェニル、３−ビニルビフェニル、４−ビニルビフェニル、１−ビニルナフタレン、２−ビニルナフタレン、４−ビニル−ｐ−ターフェニル、１−ビニルアントラセン、α−メチルスチレン、ｏ−イソプロペニルトルエン、ｍ−イソプロペニルトルエン、ｐ−イソプロペニルトルエン、２，４−ジメチル−α−メチルスチレン、２，３−ジメチル−α−メチルスチレン、３，５−ジメチル−α−メチルスチレン、ｐ−イソプロピル−α−メチルスチレン、α−エチルスチレン、α−クロロスチレン、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、等である。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
本発明の硬化性組成物を用いて、微細パターンを形成する場合、必要に応じて溶媒等を添加することができる。希釈溶媒としては、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶媒、トルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル系溶媒、２−プロパノール、ブタノールおよびヘキサノール、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のアルコール系溶媒、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等のエーテル系溶媒等を挙げることができる。
〔微細パターンの形成方法〕
次に、本発明の転写材料用硬化性組成物を用いて、微細パターンを形成する方法を説明する。特に、この形成方法によれば、１０μｍ以下の微細パターンを形成することができる。ここで、１０μｍ以下の微細パターンとは、型に刻み込んだ凹凸の線幅寸法が１０μｍ以下のパターンであり、つまり１つの凹の線幅と１つの凸の線幅との合計が１０μｍ以下であるパターンを意味する。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
なお「基板」とは、ガラス板などの基体上に、磁性膜および／または保護膜などのパターンが形成されるべき層が設けられたものを指す。
［２、転写工程および硬化工程］
微細パターンは、塗布膜に微細パターンを既に付けられた型を押し付けること（転写）で形成することができる。塗布膜に型を押し付けた後、硬化性組成物を硬化するために活性エネルギー線による硬化、もしくは熱硬化を行う。また、両方法を組み合わせ、加熱下で活性エネルギー線を照射することもできる。図１（b）および（c）は、基板上に塗布された本発明の硬化性組成物に型を押し当て、活性エネルギー線照射および／または熱により該組成物を硬化させる工程を示している。図１（b）は、基板１６上に設けられた塗布膜１４に型１２が押し当てられた状態を示し、図１（c）は、塗布膜１４に型１２が押し当てられた状態で、塗布膜１４に活性エネルギー線が照射され、または熱が加えられた状態を示している。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
また、型を押し付ける際、あるいはその後の加熱もしくはエネルギー線照射をする際の雰囲気に特に制限はないが、硬化した硬化性組成物中に気泡が残ることを防ぐために真空とすることが好ましい。また硬化性官能基が、（メタ）アクリロイル基、アリル基、ビニル基などの炭素−炭素二重結合である場合には、酸素による重合阻害を防ぐことができるため、型の押し付けおよびその後の加熱もしくはエネルギー線照射を真空中で行うことが好ましい。
［３、離型工程］
本発明の硬化性組成物からなる塗布膜を硬化させた後に、型を塗布膜から外す。図１（ｄ）は、硬化され、微細パターンが形成された塗布膜１４から型１２が外された状態を示す。型を外した後、微細パターンの耐熱性や物理強度を向上させるために加熱することもできる。このとき、加熱の方法に特に制限はないが、形成したパターンが崩れないように塗布膜のガラス転移点以下の温度を保って徐々に昇温し、加熱の上限は、塗布膜の熱分解を防ぐため、２５０℃とすることが好ましい。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
この反応液１００質量部に対し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート９００質量部、光ラジカル重合開始剤２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン（Darocure 1173  チバ・スペシャリティ・ケミカルズ（株）社製）を３質量部添加し、溶解させた後、０．２μｍのフィルターでろ過し、得られた硬化性組成物０．５ｍｌをスピンコーター内にセットしたガラス基板上に滴下した。ガラス基板を５００ｒｐｍで５秒間回転、次いで３０００ｒｐｍで２秒間、さらに５０００ｒｐｍで２０秒間回転させることによりガラス基板上に薄膜を形成した（膜厚はおよそ０．２μｍ）。樹脂を塗布したガラス基板を窒素気流下、紫外線（波長３６５ｎｍに於いて照度３５ｍW／ｃｍ２）を６０秒照射した。得られた樹脂薄膜のＣＦ4ガスと酸素による反応性イオンエッチング速度を測定した。
（エッチング速度測定方法）
硬化した薄膜上にガラス小片を貼り付け、以下の条件の反応性イオンエッチング装置でエッチング処理を実施した。ガラス小片を取り外し、ガラス小片に保護された薄膜部分とエッチングされた薄膜部分段差を測定した。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
実施例１の反応液５０質量部に対し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート９５０質量部光ラジカル重合開始剤２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパンー１−オン（Darocure 1173  チバ・スペシャリティ・ケミカルズ（株）社製）３部質量添加し溶解させた後、０．２μｍのフィルターでろ過し、得られた硬化性組成物０．５ｍｌをスピンコーター内にセットしたガラス基板上に滴下した。ガラス基板を５００ｒｐｍで５秒間回転、次いで３０００ｒｐｍで２秒間、さらに５０００ｒｐｍで２０秒間回転させることによりガラス基板上に薄膜を形成した。