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【手続補正書】
【提出日】平成23年5月16日(2011.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバー内の複数のランプの下に位置された回転する基板を、基板が不透過になるまで、第１の温度でアニーリングするステップと、
上記回転する基板にわたり複数の場所の温度変化を検出するステップと、
上記第１の温度よりも高い第２の温度で、上記回転する基板をアニーリングするステップであって、
アニーリングで上記基板にわたり均一の温度が達成されるように、上記検出された温度変化の関数として、上記複数のランプの各ランプから放出される熱の量を制御することと、
上記複数のランプの中心から等しい半径方向距離にある、上記複数のランプのうちの少なくとも２つのランプに、異なる量の電力を付与して、上記少なくとも２つのランプからの異なる量の熱を同時に発生させることと、
を含むステップと、を備えたアニーリング方法。
【請求項２】
第２の温度でのアニーリングステップは、各ランプから放出される熱の量の制御を、上記検出された温度に応えて上記基板の回転と同期させることを含み、
上記放出される熱の量の制御は、上記複数のランプのうちの１つ以上のランプへの電力の量を減少することと、次のうちの少なくとも１つ、即ち１つ以上の他のランプへの電力の量を増加すること、及び１つ以上の他のランプに印加される電力の量を維持すること、の１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記複数のランプのうちの２つ以上のランプが一緒に結合されて同時に制御される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
上記放出される熱の量の制御は、上記複数のランプのうちの１つ以上のランプへの電力の量を減少することと、次のうちの少なくとも１つ、即ち１つ以上の他のランプへの電力の量を増加すること、及び１つ以上の他のランプに印加される電力の量を維持すること、の１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
チャンバー内の複数のランプの下に位置された回転する基板を、基板が不透過になるまで、第１の温度でアニーリングするステップと、
基板の少なくとも一部分がエッジリングに位置されるようにして、少なくとも１つの非半径方向に基板の非均一な温度を検出するステップと、
上記第１の温度よりも高い第２の温度で、基板を回転中に、基板をアニーリングするステップであって、
不均衡な量の熱を基板の領域に印加して上記基板にわたり均一の温度を達成するように上記複数のランプから放出される熱の量を制御することと、
上記複数のランプの中心から等しい半径方向距離にある、上記複数のランプのうちの少なくとも２つのランプに、異なる量の電力を付与して、上記少なくとも２つのランプからの異なる量の熱を同時に発生させることと、
を含むステップと、を備えたアニーリング方法。
【請求項６】
上記検出ステップは、上記基板が回転するときに上記基板にわたる複数の位置で温度を検出することを含み、
第２の温度でアニーリングするステップは、上記複数のランプから放出される熱の量の制御を、上記検出された温度に応えて上記基板の回転と同期させることを含み、上記放出される熱の量の制御は、上記複数のランプのうちの１つ以上のランプへの電力の量を減少することと、次のうちの少なくとも１つ、即ち
１つ以上の他のランプへの電力の量を増加すること、及び
１つ以上の他のランプに印加される電力の量を維持すること、
の１つを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
更に、上記複数のランプの各ランプから放出される熱の量の制御を、上記検出された温度の関数として上記基板の回転と同期させることを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
上記複数のランプの２つ以上が一緒に結合されて同時に制御される、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
上記放出される熱の量の制御は、上記複数のランプのうちの１つ以上のランプへの電力の量を減少することと、次のうちの少なくとも１つ、即ち
１つ以上の他のランプへの電力の量を増加すること、及び
１つ以上の他のランプに印加される電力の量を維持すること、
の１つを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
基板がチャンバーへ挿入されたときに基板にわたる温度勾配を生成するステップと、
基板を回転させるステップと、
チャンバー内の複数のランプの下に位置された上記回転する基板を、基板が不透過になるまで、第１の温度でアニーリングするステップと、
上記第１の温度よりも高い第２の温度で、上記回転する基板をアニーリングするステップであって、
アニーリングで上記基板にわたり均一の温度が達成されるように、上記複数のランプの各ランプから放出される熱の量を上記温度勾配の関数として制御することと、
上記複数のランプの中心から等しい半径方向距離にある、上記複数のランプのうちの少なくとも２つのランプに、異なる量の電力を付与して、上記少なくとも２つのランプからの異なる量の熱を同時に発生させることと、
を含むステップと、を備えたアニーリング方法。
【請求項１１】
上記基板が回転するときに上記基板にわたる複数の位置で温度を検出するステップと、
上記複数のランプの各ランプから放出される熱の量の制御を、上記検出された温度の関数として上記基板の回転と同期させるステップと、
を更に備え、上記放出される熱の量の制御は、上記複数のランプのうちの１つ以上のランプへの電力の量を減少することと、次のうちの少なくとも１つ、即ち
１つ以上の他のランプへの電力の量を増加すること、及び
１つ以上の他のランプに印加される電力の量を維持すること、
の１つを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
上記複数のランプの２つ以上が一緒に結合されて同時に制御される、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月11日(2011.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
液体回収領域を含む液体接触面を有する液浸部材と、
前記液体接触面の第１側に配置される多孔部材と、を備え、
前記液体接触面と対向するように前記液体接触面の前記第１側に配置された、前記液体接触面と面する物体上の液体が前記液体回収領域から回収される露光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月15日(2011.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に、光電変換層と、前記光電変換層の出力電流を増幅する、少なくとも２つの薄膜トランジスタからなる増幅回路と、
前記光電変換層及び前記増幅回路上の第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜に設けられた第１の開口部を介して前記光電変換層に電気的に接続された、前記第１の層間絶縁膜上の第１の電極と、
前記第１の層間絶縁膜及び前記第１の電極上の第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜に設けられた第２の開口部を介して前記第１の電極に電気的に接続された、前記第２の層間絶縁膜上の第２の電極と、
前記第２の電極上の、半田と合金を形成することができる金属を含む固着層と、を有し、
第２の基板上に、第３の電極を有し、
前記第３の電極は、前記半田を介して前記固着層と固着されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の電極は前記光電変換層の全体又は一部と重なるように設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記固着層は、前記第１の層間絶縁膜と前記第２の層間絶縁膜の側面を覆って設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記固着層は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）のうちの１つを少なくとも含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の電極は、ニッケルを含み、
前記固着層は、チタン層、ニッケル層、金層を順に積層した積層膜であり、
前記チタン層は、前記第１の電極と接しており、前記ニッケル層及び前記金層は、前記半田と合金を形成していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の電極は、ニッケルを含み、
前記固着層は、ニッケル層、金層を順に積層した積層膜であり、
前記ニッケル層は、前記第１の電極と接しており、前記ニッケル層及び前記金層は、前記半田と合金を形成していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の電極上に銅を含む電極を有し、
前記銅を含む電極上に前記固着層を有し、
前記固着層は、銅を含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月18日(2011.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＳＯＩ基板の作製方法及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に第１接合層が形成され、かつ前記上面から所定の深さの領域にイオン注入層が形成された半導体基板を用意し、
前記イオン注入層の形成は、ソースガスを励起してイオン種を生成し、前記ソースガスから生成されたイオン種を質量分離せずに半導体基板に注入することで行われ、
第２接合層が上面に形成されたベース基板を用意し、
前記第１接合層と前記第２接合層を接合して、前記半導体基板を前記ベース基板に固定し、
前記半導体基板を加熱して、前記イオン注入層で前記半導体基板の一部を分離させ、前記ベース基板に半導体層を形成し、
前記半導体層にレーザ光を照射し、前記半導体層を少なくとも部分的に溶融させることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
上面に第１接合層が形成され、かつ前記上面から所定の深さの領域にイオン注入層が形成された半導体基板を用意し、
前記イオン注入層の形成は、ソースガスを励起してイオン種を生成し、前記ソースガスから生成されたイオン種を質量分離せずに半導体基板に注入することで行われ、
ベース基板を用意し、
絶縁層を前記ベース基板上に形成し、
第２接合層を前記絶縁層上に形成し、
前記第１接合層と第２接合層を接合して、前記半導体基板を前記ベース基板に固定し、
前記半導体基板を加熱して、前記イオン注入層で前記半導体基板の一部を分離させ、前記ベース基板に半導体層を形成し、
前記半導体層にレーザ光を照射し、前記半導体層を少なくとも部分的に溶融させることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
上面に接合層が形成され、かつ前記上面から所定の深さの領域にイオン注入層が形成された半導体基板を用意し、
ベース基板を用意し、
前記イオン注入層の形成は、ソースガスを励起してイオン種を生成し、前記ソースガスから生成されたイオン種を質量分離せずに半導体基板に注入することで行われ、
前記接合層と前記ベース基板を接合して、前記半導体基板を前記ベース基板に固定し、
前記半導体基板を加熱して、前記イオン注入層で前記半導体基板の一部を分離させ、前記ベース基板に半導体層を形成し、
前記半導体層にレーザ光を照射し、前記半導体層を少なくとも部分的に溶融させることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
上面に絶縁層が形成され、前記絶縁層上に接合層が形成され、かつ前記上面から所定の深さの領域にイオン注入層が形成された半導体基板を用意し、
ベース基板を用意し、
前記イオン注入層の形成は、半導体基板上に前記絶縁層を形成し、ソースガスを励起してイオン種を生成し、前記ソースガスから生成されたイオン種を質量分離せずに半導体基板に注入することで行われ、
前記接合層と前記ベース基板を接合して、前記半導体基板を前記ベース基板に固定し、
前記半導体基板を加熱して、前記イオン注入層で前記半導体基板の一部を分離させ、前記ベース基板に半導体層を形成し、
前記半導体層にレーザ光を照射し、前記半導体層を少なくとも部分的に溶融させることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項において、
前記ソースガスに、水素ガス及びヘリウムガスを用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか１項において、
前記ソースガスに水素ガスを用い、前記水素ガスを励起して、Ｈ＋、Ｈ２＋、Ｈ３＋を含むイオン流を前記半導体基板に注入して、前記イオン注入層を形成し、
前記イオン流において、Ｈ＋、Ｈ２＋、Ｈ３＋の総量に対してＨ３＋の割合が７０％以上とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれか１項において、
ハロゲンガス又はハロゲン化合物ガスを前記ソースガスに用いて、前記ハロゲンガス又はハロゲン化合物ガスから生成されたイオン種を前記半導体基板に注入した後、水素ガスを前記ソースガスに用い、前記水素ガスから生成されたイオン種を前記半導体基板に注入して、前記イオン注入層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項８】
請求項２又は４において、
前記絶縁層は、窒化シリコン膜又は窒化酸化シリコン膜の一方を少なくとも含む単層膜又は２以上の膜を積層した多層膜であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項９】
請求項１又は２において、
前記第１接合層と前記第２接合層を接合させる前に、前記第１接合層と前記第２接合層の表面の少なくとも一方に不活性ガス中性原子ビーム又は不活性ガスイオンビームを照射して前記表面を活性化することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１０】
請求項１又は２において、
前記第１接合層と前記第２接合層を接合させる前に、前記第１接合層と前記第２接合層の表面の少なくとも一方にラジカル処理を行い前記表面を活性化することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１１】
請求項１又は２において、
前記第１接合層は前記半導体基板をケミカルオキサイド処理して形成したケミカルオキサイド層であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項１２】
請求項１、２、９乃至１１に記載のＳＯＩ基板の作製方法を用いて作製された前記半導体層上に第１窒化シリコン層を形成し、
前記第１窒化シリコン層上に酸化シリコン層を形成し、
前記酸化シリコン層をマスクとして前記半導体層及び前記第１接合層をエッチングし、
前記エッチングにより露出した前記半導体層及び前記第１接合層の端面に対しプラズマ処理を行い第２窒化シリコン層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月2日(2011.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量分離したハロゲン原子のイオン種を単結晶半導体基板に照射して、該単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化層を形成し、
前記単結晶半導体基板上に、化学気相成長法により酸化シリコン膜を形成し、
前記単結晶半導体基板と絶縁表面を有する基板とを、前記酸化シリコン膜を挟んで重ね合わせて接合し、
熱処理により前記脆化層を劈開面として前記絶縁表面を有する基板から前記単結晶半導体基板を分離して、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記質量分離したハロゲン原子のイオン種を前記単結晶半導体基板に照射した後、さらに質量分離した水素イオンを前記単結晶半導体基板に照射することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項３】
水素原子を質量分離して得られるＨ３＋イオンを単結晶半導体基板に照射して、該単結晶半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化層を形成し、
前記単結晶半導体基板上に、化学気相成長法により酸化シリコン膜を形成し、
前記単結晶半導体基板と絶縁表面を有する基板とを、前記酸化シリコン膜を挟んで重ね合わせて接合し、
熱処理により前記脆化層を劈開面として前記絶縁表面を有する基板から前記単結晶半導体基板を分離して、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記単結晶半導体基板にイオンを照射する前に、前記単結晶半導体基板の表面に窒素含有絶縁層を形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、前記窒素含有絶縁層を、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜若しくは酸化窒化シリコン膜から選ばれた一の層、又は複数の膜の積層で形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記酸化シリコン膜を、珪酸エチル（ＴＥＯＳ：化学式Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、トリメチルシラン（ＴＭＳ：（ＣＨ３）３ＳｉＨ）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、トリエトキシシラン（ＳｉＨ（ＯＣ２Ｈ５）３）、またはトリスジメチルアミノシラン（ＳｉＨ（Ｎ（ＣＨ３）２）３）から選ばれた有機シランガスを用いて形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記酸化シリコン膜を形成する温度を３５０℃以下とし、前記熱処理の温度を４００℃乃至６００℃とすることを特徴とする半導体基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月18日(2011.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光面側に配設された透光性を有する表面部材と、
反受光面側の裏表面を形成する裏面部材と、
前記表面部材と前記裏面部材との間に封止された複数の太陽電池セルと
を備え、枠体に固定される太陽電池モジュールであって、
前記裏面部材は、前記枠体に固定され、前記表面部材は、前記枠体に接触しない構造であることを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項２】
前記裏面部材は、平面形状が前記表面部材よりも大きく、外部からの荷重に対する変位量が前記表面部材の変位量よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池モジュール。
【請求項３】
前記裏面部材は、平面形状が前記表面部材よりも大きく、且つ前記表面部材より大きい耐衝撃強度を有することを特徴とする請求項１に記載の太陽電池モジュール。
【請求項４】
前記裏面部材は、ガラスであることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池モジュール。
【請求項５】
前記裏面部材の、投影面において前記表面部材と重ならない部分で前記枠体によって把持固定されることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の太陽電池モジュール。
【請求項６】
少なくとも、前記表面部材の前記受光面側の主面と前記主面に連なる端面との間の角部が樹脂材料によって覆われていることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の太陽電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月9日(2011.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス転移温度が０℃未満である合成樹脂を主成分とする合成樹脂、アスペクト比が５０〜８００であり平均繊維長が１５μｍ以下である黒鉛化した気相成長炭素繊維及び平均粒子径が1０〜５５ｎｍであるオイルファーネスブラックを主成分とする導電性カーボンブラックを含有し、かつ該合成樹脂の含有量が４０〜６０重量％、該黒鉛化した気相成長炭素繊維と該導電性カーボンブラックの含有量が合計で４０〜６０重量％である導電性樹脂フィルム。
【請求項２】
前記オイルファーネスブラックの平均粒子径が１５〜５５ｎｍ、ＤＢＰ吸収量が１００〜３００ｃｍ３／１００ｇである請求項１に記載の導電性樹脂フィルム。
【請求項３】
前記黒鉛化した気相成長炭素繊維と導電性カーボンブラックの含有量比が５：１〜１：２（重量比）である請求項１または２に記載の導電性樹脂フィルム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の要旨は、（１）ガラス転移温度が０℃未満である合成樹脂を主成分とする合成樹脂、アスペクト比が５０〜８００であり平均繊維長が１５μｍ以下である黒鉛化した気相成長炭素繊維及び平均粒子径が1０〜５５ｎｍであるオイルファーネスブラックを主成分とする導電性カーボンブラックを含有し、かつ該合成樹脂の含有量が４０〜６０重量％、該黒鉛化した気相成長炭素繊維と該導電性カーボンブラックの含有量が合計で４０〜６０重量％である導電性樹脂フィルム、（２）前記オイルファーネスブラックの平均粒子径が１５〜５５ｎｍ、ＤＢＰ吸収量が１００〜３００ｃｍ３／１００ｇである上記（１）に記載の導電性樹脂フィルム、（３）前記黒鉛化した気相成長炭素繊維と導電性カーボンブラックの含有量比が５：１〜１：２（重量比）である上記（１）または（２）に記載の導電性樹脂フィルムに存する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月10日(2011.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属顔料を含む第１インク組成物と、
有彩色染料を含む有彩色インク組成物、黒色染料を含む黒色インク組成物からなる群から選択された少なくとも１種類以上の第２インク組成物と、
色材を含有しない第３インク組成物と、
を備えたインクジェットインクセット。
【請求項２】
前記有彩色インク組成物と黒色インク組成物とを備えた、請求項１記載のインクジェットインクセット。
【請求項３】
白色顔料を含む白色インク組成物を備えた、請求項１又は２記載のインクジェットインクセット。
【請求項４】
前記金属顔料が、アルミニウム又はアルミニウム合金である、請求項１ないし３のいずれか１項に記載のインクジェットインクセット。
【請求項５】
前記金属顔料を含む第１インク組成物を、記録媒体に吐出することで、ＪＩＳ  Ｚ８７４１にて規定された２０度、６０度、８５度鏡面光沢度の測定値が、それぞれ同時に２００以上、２００以上、１００以上の数値を示す画像を形成可能な請求項１ないし４のいずれか１項に記載のインクジェットインクセット。
【請求項６】
前記記録媒体が、セイコーエプソン社製写真用紙＜光沢＞（型番：ＫＡ４５０ＰＳＫ）である請求項５記載のインクジェットインクセット。
【請求項７】
前記金属顔料が、平板状粒子であり、該平板状粒子の平面上の長径をＸ、短径をＹ、厚みをＺとした場合、該平板状粒子のＸ−Ｙ平面の面積より求めた円相当径の５０％平均粒子径Ｒ５０が０．５〜３μｍであり、かつ、Ｒ５０／Ｚ＞５の条件を満たす金属顔料である、請求項１ないし６の何れか１項に記載のインクジェットインクセット。
【請求項８】
インク組成物の液滴を吐出し、該液滴を記録媒体に付着させて記録を行うインクジェット記録方法において、
請求項１ないし７のいずれか１項に記載のインクジェットインクセットを用いて画像を形成する、インクジェット記録方法。
【請求項９】
前記記録媒体を印刷する前及び／又は印刷と同時に及び／又は印刷した後に加熱して印刷する、請求項８記載のインクジェット記録方法。
【請求項１０】
請求項８又は９記載のインクジェット記録方法により記録された、記録物。
【請求項１１】
請求項８又は９に記載のインクジェット記録方法を用いて作成される記録物作成方法であって、
前記金属顔料を含む第１インク組成物を用いて第１の記録媒体に任意の画像を形成する工程と、
前記第２インク組成物を用いて、可視光透過性を有する第２の記録媒体に任意の画像を形成する工程と、
前記第１の記録媒体と前記第２の記録媒体とを重ねる工程と、を含む、記録物作成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月3日(2011.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
これのプレ混合工程では、SBRを含むジエン系ゴム、改質剤および有機過酸化物、アゾ系開始剤またはカーボンブラックが用いられるラジカル発生剤をSBRと改質剤とが反応してSBRを変性させる条件、例えば140℃以上、より好ましくは160〜200℃(実施例では180℃)になる迄攪拌混合することにより、メルカプト基またはジスルフィド結合部分がSBR中のビニル基と反応し、これによりSBRの主鎖にアミノ基が導入され、すなわち主鎖が未変性であるSBRに対し、プレ混合によりポリマー分子の主鎖変性を行うことができるとされている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
シランカップリング剤としては、一般式
(R′)3-n(OR)nSiR″SxR″Si(OR)n(R′)3-n
R  ：炭素数1〜3のアルキル基
R′：炭素数1〜3のアルキル基
R″：炭素数1〜5のアルキレン基
X  ：2〜4
n  ：1〜3
で表わされる、シリカ表面のシラノール基と反応するアルコキシシリル基およびポリマーと反応するイオウ連鎖を有するポリスルフィド系シランカップリング剤が用いられる。具体的には、例えばビス(3-トリエトキシシリルプロピル)テトラスルフィド、ビス(2-トリエトキシシリルエチル)テトラスルフィド、ビス(3-トリメトキシシリルプロピル)テトラスルフィド、ビス(3-トリエトキシシリルプロピル)ジスルフィド等が好んで用いられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
以上の各成分を必須成分とするシリカ配合ジエン系ゴム組成物、すなわち天然ゴムを50重量％以上含有するジエン系ゴムに特定の多官能基含有ジスルフィド化合物を20〜135℃の温度で予備混合した後、シリカを混合した組成物中には、ゴムの配合剤として一般的に用いられている配合剤、例えばカーボンブラックによって代表された補強剤または充填剤、ジエン系ゴムの種類に応じて硫黄等の加硫剤、チアゾール系、スルフェンアミド系、グアニジン系、チウラム系等の加硫促進剤、ステアリン酸、パラフィンワックス、アロマオイル等の加工助剤、老化防止剤、可塑剤などが適宜配合されて用いられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
実施例１
比較例１において、まず天然ゴムとジスルフィド化合物SSとを、バンバリーミキサを用いて、80℃で1分間予備混合した後、硫黄および加硫促進剤を除く各成分の混合が行われ、次いで硫黄および加硫促進剤の混合がオープンロールを用いて行われた。
SS：大内新興化学工業製品ノクタイザーSS
o,o′-ジベンズアミドジフェニルジスルフィド
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
比較例２、実施例１０〜１１
比較例１、実施例１において、シリカ配合量が38重量部に、シランカップリング剤配合量が6重量部に変更された。さらに、予備混合温度が70℃に変更された実施例１０〜１１においては、種々のジスルフィド化合物が所定の配合量で用いられた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
比較例４、実施例１４
比較例１、実施例１において、天然ゴム100重量部中20重量部がSBR(日本ゼオン製品Nipol 1502)で置き換えられて用いられた。さらに、予備混合温度が100℃に変更された実施例１４においては、ジスルフィド化合物としてDTS 0.80重量部が用いられた。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
比較例５、実施例１５
比較例１、実施例１において、天然ゴム100重量部中40重量部がSBR(Nipol 1502)で置き換えられて用いられた。さらに、予備混合温度が100℃に変更された実施例１５においては、ジスルフィド化合物としてDTS 0.80重量部が用いられた。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月22日(2011.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、主として、（ａ）次世代トランジスタデバイスのチャネル面、（ｂ）自己組織化ナノ構造（量子細線、量子ドット）作製のテンプレート、（ｃ）不斉分子の不斉合成反応の不均一触媒等に利用可能な、Ｓｉ（１１０）表面の一次元ナノ構造及びその製造方法に関するものである。
本明細書、特許請求の範囲及び要約書において、「＜１−１２＞」及び「＜−１１２＞」とはそれぞれ原子配列方向
【化１】
2010018504.tif 000001
をそれぞれ意味する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月21日(2011.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(A)平均粒径が０.１μｍより大きく５０μｍ以下であり、表面を被覆している有機物量が
５.０重量％以下である銅粒子と(B)揮発性分散媒とからなるペースト状物を複数の金属製部材間に介在させ、酸素ガスを含有する酸化性ガス雰囲気中にて７０℃以上４００℃以下で加熱することにより、揮発性分散媒(B)を揮散させ銅粒子(A)同士を焼結して複数の金属製部材同士を接合させ、しかる後に、水素ガスを含有する還元性ガス雰囲気中にて７０℃以上４００℃以下で加熱することを特徴とする、金属製部材が該焼結物により接合された接合体のせん断接着強さが５ＭＰａ以上であり、銅粒子(A)同士の焼結物である接合部分の体積抵抗率が１×１０-１Ω・ｃｍ以下である金属製部材接合体の製造方法。
【請求項２】
銅粒子が還元法により製造され、揮発性分散媒(B)が親水性溶剤または脂肪族炭化水素系溶剤であり、金属製部材の金属が、金、銀、銅、パラジウムまたは前記各金属の合金であることを特徴とする、請求項１に記載の金属製部材接合体の製造方法。
【請求項３】
酸化性ガスが０.１体積％以上４０体積％以下の濃度の酸素ガスと窒素ガスの混合物であり、還元性ガスが１体積％以上４０体積％以下の濃度の水素ガスと窒素ガスの混合物であることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の金属製部材接合体の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項記載の金属製部材接合体の製造方法により製造された金属製部材接合体であって、複数の金属製部材が銅粒子同士の焼結物により接合された接合体のせん断接着強さが５ＭＰａ以上であり、かつ、該焼結物の体積抵抗率が１×１０-１Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする、金属製部材接合体。
【請求項５】
金属製部材の金属が、金、銀、銅、パラジウムまたは前記各金属の合金であることを特徴とする、請求項４に記載の金属製部材接合体。
【請求項６】
金属製部材が金属系基板または金属部分を有する電子部品であることを特徴とする、請求項４または請求項５に記載の金属製部材接合体。
【請求項７】
(A)平均粒径が０.１μｍより大きく５０μｍ以下であり表面を被覆している有機物量が
５.０重量％以下である銅粒子と(B)揮発性分散媒とからなるペースト状物を半導体素子上の電気回路接続用パッド部または基板上の電気回路接続用電極部にドット状に塗布し、酸素ガスを含有する酸化性ガス雰囲気中にて７０℃以上４００℃以下で加熱することにより、揮発性分散媒(B)を揮散させ銅粒子(A)同士を焼結して、半導体素子上または基板上にバンプを形成し、しかる後に、水素ガスを含有する還元性ガス雰囲気中にて７０℃以上４００℃以下で加熱することにより、体積抵抗率が１×１０-１Ω・ｃｍ以下である銅製バンプを形成することを特徴とする、電気回路接続用バンプの製造方法。
【請求項８】
(A)平均粒径が０.１μｍより大きく５０μｍ以下であり、表面が高・中級脂肪酸で被覆されており、その被覆量が５.０重量％以下である銅粒子と、(B)揮発性分散媒とからなるペースト状物であり、酸素ガスを含有する酸化性ガス雰囲気中にて７０℃以上４００℃以下で加熱することにより、該揮発性分散媒が揮散し銅粒子(A)同士が焼結し、しかる後に、水素ガスを含有する還元性ガス雰囲気中にて７０℃以上４００℃以下で加熱することにより、焼結途上で接触していた金属製部材へ接着性を有することを特徴とする、金属製部材用接合剤。
【請求項９】
銅粒子(A)が還元法により製造され、揮発性分散媒(B)が親水性溶剤または脂肪族炭化水素系溶剤であり、金属製部材の金属が、金、銀、銅、パラジウムまたは前記各金属の合金であることを特徴とする、請求項８に記載の金属製部材用接合剤。
【請求項１０】
０.１体積％以上４０体積％以下の濃度の酸素ガスと窒素ガスの混合物である酸化性ガス雰囲気中にて加熱により銅粒子(A)同士を焼結させた場合の焼結物のビッカース硬さが５以上であり、かつ、金属製部材が該焼結物により接合された接合体のせん断接着強さが５ＭＰａ以上であることを特徴とする、請求項８または請求項９に記載の金属製部材用接合剤。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月23日(2011.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二種類の紡糸原液からなる同心円状の複合液流を紡糸する接合型複合紡糸繊維の製造方法であって、
複数の吐出孔が一つの円周上に等間隔に配置されてなり、前記吐出孔が、前記複合液流を導入する略逆円錐台状の原液導入部と、円柱状の吐出部と、前記原液導入部と前記吐出部とを連結する吐出方向に湾曲する湾曲面を有する連結部とを備え、前記原液導入部の導入角が６０°未満である、接合型複合繊維の複合紡糸用口金装置に、
前記同心円状の複合液流の体積占有率より算出した同心円状の複合液流の２成分の境界線が前記複合紡糸用口金装置の複数の吐出孔が等間隔に配置された一つの円周上になるように、複合液流を送液して紡糸する接合型複合紡糸繊維の製造方法。
【請求項２】
相溶性の低い二種類の紡糸原液からなる同心円状の複合液流を紡糸する請求項１に記載の接合型複合紡糸繊維の製造方法。
【請求項３】
前記複合液流の外側に配置される紡糸原液の粘度を内側に配置される紡糸原液の粘度よりも低くする請求項２記載の接合型複合紡糸繊維の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第１の基本構成は、二種類の紡糸原液からなる同心円状の複合液流を紡糸する接合型複合紡糸繊維の製造方法であって、複数の吐出孔が一つの円周上に等間隔に配置されてなり、前記吐出孔が、前記複合液流を導入する略逆円錐台状の原液導入部と、円柱状の吐出部と、前記原液導入部と前記吐出部とを連結する吐出方向に湾曲する湾曲面を有する連結部とを備え、前記原液導入部の導入角が６０°未満である、接合型複合繊維の複合紡糸用口金装置に、前記同心円状の複合液流の体積占有率より算出した同心円状の複合液流の２成分の境界線が前記複合紡糸用口金装置の複数の吐出孔が等間隔に配置された一つの円周上になるように、複合液流を送液して紡糸する接合型複合紡糸繊維の製造方法にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の第２の基本構成は、相溶性の低い二種類の紡糸原液からなる同心円状の複合液流を紡糸する接合型複合紡糸繊維の製造方法にある。
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月21日(2011.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリビニルアルコール系重合体（ＰＶＡ−１）を分散剤とし、ビニルエステル系単量体単位を少なくとも７０重量％以上有する重合体を分散質とする水性エマルジョン（ＥＭ−１）、および、（メタ）アクリル酸エステル、スチレン系単量体、ジエン系単量体から選ばれる単量体単位を少なくとも７０重量％以上有する重合体を分散質とする水性エマルジョン（ＥＭ−２）からなり、ＥＭ−１とＥＭ−２の固形分重量比が（ＥＭ−１）／（ＥＭ−２）＝９５／５〜３０／７０である水性エマルジョン（ＥＭ）に、固形分重量比（ＥＭ）／（ＰＶＡ−２）＝１００／０〜１００／２５でポリビニルアルコール系重合体（ＰＶＡ−２）を配合し、乾燥して得た合成樹脂粉末（Ａ）と無機粉末（Ｂ）からなり、（Ａ）／（Ｂ）＝１００／１０〜１００／３００である混合粉末（Ｃ）と多価イソシアネート化合物（Ｄ）とからなる接着性組成物。
【請求項２】
該ポリビニルアルコール系重合体（ＰＶＡ−１）が、重合度２００〜２０００、かつけん化度８０〜９６モル％の無変性ポリビニルアルコール、カルボキシル基を有するポリビニルアルコール系重合体、炭素数２〜４のα−オレフィン由来の単量体単位を１０モル％以下有するポリビニルアルコール系重合体、分子内に１，２−グリコール結合を１．７モル％以上有するポリビニルアルコール系重合体又は末端にメルカプト基を有するポリビニルアルコール系重合体である請求項１記載の接着性組成物。
【請求項３】
該ポリビニルアルコール系重合体（ＰＶＡ−２）が、重合度２００〜２０００、かつけん化度８０〜９６モル％の無変性ポリビニルアルコール、カルボキシル基を有するポリビニルアルコール系重合体、炭素数２〜４のα−オレフィン由来の単量体単位を１０モル％以下有するポリビニルアルコール系重合体又は分子内に１，２−グリコール結合を１．７モル％以上有するポリビニルアルコール系重合体である請求項１又は２記載の接着性組成物。
【請求項４】
該水性エマルジョン（ＥＭ−１）が、一級水酸基を有する単量体を含む単量体を乳化重合して得られるエマルジョンである請求項１〜３いずれかに記載の接着性組成物。
【請求項５】
該水性エマルジョン（ＥＭ−２）が、一級水酸基を有する単量体を含む単量体を乳化重合して得られるエマルジョンである請求項１〜４いずれかに記載の接着性組成物。
【請求項６】
該水性エマルジョン（ＥＭ−２）が、ポリビニルアルコール系重合体を分散剤として乳化重合して得られるエマルジョンである請求項１〜５いずれかに記載の接着性組成物。
【請求項７】
該ポリビニルアルコール系重合体が、分子内に１，２−グリコール結合を１．７モル％以上有するポリビニルアルコール系重合体又は末端にメルカプト基を有するポリビニルアルコール系重合体である請求項６記載の接着性組成物。
【請求項８】
合成樹脂粉末（Ａ）が噴霧乾燥により得られる請求項１〜７いずれかに記載の接着性組成物。
【請求項９】
該無機粉末（Ｂ）が炭酸カルシウムである請求項１〜８いずれかに記載の接着性組成物。
【請求項１０】
混合粉末（Ｃ）を水に再分散したものに多価イソシアネート化合物（Ｄ）を配合してなる請求項１〜９いずれかに記載の接着性組成物。
【請求項１１】
該接着性組成物が接着剤又はコーティング剤である請求項１〜１０いずれかに記載の接着性組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
したがって、輸送及び貯蔵が容易で、かつ、紙袋やフレキシブルコンテナバック等の処理が容易な容器を使用できるという点から、粉末組成物を主成分とする高性能な接着剤やコーティング剤が要望されている。これまで、このような要望に適う粉型組成物として、ＰＶＡ粉末に無機質系粉末又は有機質系粉末を所定の割合で混合してなる一粉型組成物や、再乳化型粉末エマルジョンなどの粉末添加物を混合した一粉型組成物が提案されている（特許文献１）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
比較例６
実施例１において、ポリメリックＭＤＩを用いないこと以外は実施例１と同様に試験し
た。結果を表２に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月8日(2011.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
従来の鉄道車両用構体構造によるオフセット衝突時の解析結果（図８−１−１，図８−２−１，図８−３−１，図８−４−１）については、車端部のデッキ（出入口部）の有無で車両構体の構造が異なるので、表３−１，表３−２，表３−３，表３−４に示す４通りの組み合わせでオフセット衝突時のＦＥＭ解析を実施したところ、解析モデル１１・２１・３１・４１のうち、解析モデル３１以外では、評価は×、つまり脱線車両に走行車両側の構体が噛み合い、相互に相手方車両の内面側に食い込んだ状態になった。すなわち、解析モデル３１の評価は△で、この解析モデル３１以外の解析モデルでは、オフセット衝突時に相手方車両の一側方隅角部が相互にめり込んだ状態（評価が×）になった（図８−１−１，図８−２−１，図８−３−１，図８−４−１参照）。
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月7日(2011.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶融状態の光学材料を、球面形状の成形面を有する第１の凸型と球面形状の成形面を有する第１の凹型により形成されるキャビティーに充填してプレス成形することで、成形用素材を成形する第１工程と、
前記成形用素材を第２の凸型と第２の凹型によりプレス成形することで、凹メニスカス形状の光学素子を成形する第２工程と、を有し、
前記第２の凸型の曲率半径は前記第１の凸型の曲率半径よりも小さく、前記第２の凹型の曲率半径は前記第１の凹型の曲率半径よりも大きく、
前記キャビティーの中心部における前記球面形状の成形面に対する法線方向の厚みに対する、キャビティーの中心部における前記球面形状の成形面に対する法線方向の厚みと、前記キャビティーの外周部における前記球面形状の成形面に対する法線方向との厚みの差は、１４％以下であることを特徴とする光学素子の成形方法。
【請求項２】
前記第２工程において前記成形用素材は、第２の凸型と第２の凹型に加えて、円筒状の側面型とによりプレス成形することを特徴とする請求項１に記載の光学素子の成形方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の光学素子の成形方法は、溶融状態の光学材料を、球面形状の成形面を有する第１の凸型と球面形状の成形面を有する第１の凹型により形成されるキャビティーに充填してプレス成形することで、成形用素材を成形する第１工程と、前記成形用素材を第２の凸型と第２の凹型によりプレス成形することで、凹メニスカス形状の光学素子を成形する第２工程と、を有し、前記第２の凸型の曲率半径は前記第１の凸型の曲率半径よりも小さく、前記第２の凹型の曲率半径は前記第１の凹型の曲率半径よりも大きく、前記キャビティーの中心部における前記球面形状の成形面に対する法線方向の厚みに対する、キャビティーの中心部における前記球面形状の成形面に対する法線方向の厚みと、前記キャビティーの外周部における前記球面形状の成形面に対する法線方向との厚みの差は、１４％以下であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
一対の上下型の一方は、凹球面形状の成形面を有する凹球面型（第１の凹型）であり、他方は、凸球面形状の成形面を有する凸球面型（第１の凸型）である。凹球面型と凸球面型で形成されるキャビティーの厚みを、下型の球面形状の成形面に対して法線方向に測定したときに、キャビティーの中心部と外周部とで前記厚みの差が１４％以下になるよう形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月11日(2010.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転可能な折り重ねシリンダと、前記折り重ねシリンダと係合して第１折り重ねピンチを形成することが可能な第１の回転可能なプレス部材と、前記折り重ねシリンダと係合して第２折り重ねピンチを形成することが可能な第２の回転可能なプレス部材と、媒体送り手段とを備える折り重ね装置で、媒体を折り重ねる方法であって、
ａ）媒体を媒体送り手段で第１ピンチと第２ピンチの中間の折り重ねシリンダに向けて送るステップと、
ｂ）前記第１の回転可能なプレス部材を前記折り重ねシリンダに係合させることによって形成される第１折り重ねピンチ内に、折り重ねシリンダを第１方向に回転させることによって媒体を向けるステップと、
ｃ）前記送り手段と折り重ねシリンダの中間で媒体に弛みを形成するステップと、
ｄ）折り重ねシリンダを第１方向とは反対の第２方向に回転させることによって前記弛みを前記第２ピンチ内に移動させるステップとを備える、方法。
【請求項２】
媒体に第２の折り重ねを形成するための、
ｅ）前記送り手段と折り重ねシリンダとの間で媒体に弛みを形成するステップと、
ｆ）折り重ねシリンダを第１方向に回転させることによって、前記弛みを前記第１ピンチ内に移動させるステップとをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップａ）を実行する前に媒体の歪みを補正するステップをさらに備える、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
歪み補正が媒体送り手段で実行される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
歪み補正が、媒体の先行縁部が位置合わせされるまで、送り手段を送り方向に対して逆の方向に駆動することによって実行される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
媒体送り手段がセグメント化され、歪み補正が、媒体が位置合わせされるまで送り手段の異なるセグメントの駆動を適合させることによって実行される、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
媒体が、媒体送りの平面の折り重ねシリンダの垂線に対して角度をなして、折り重ねシリンダに向かって送られる、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
媒体送り手段が、角度が固定され、媒体の先行縁部を第１折り重ねピンチに向けて送るように配置される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
回転可能な折り重ねシリンダと、前記折り重ねシリンダと係合してそれぞれ第１および第２折り重ねピンチを形成することが可能な第１および第２の回転可能なプレス部材と、媒体を前記第１折り重ねピンチと第２折り重ねピンチの中間の折り重ねシリンダに向けて送る媒体送り手段とを備える折り重ね装置であって、駆動手段を制御可能に駆動することと、折り重ねプログラム中に動作状態にある回転可能な折り重ねシリンダの回転方向を変更することとが可能であり、折り重ねプログラム中に媒体を折り重ねシリンダに向けて送る媒体送り手段を制御可能に駆動する制御手段をさらに備えることを特徴とする、折り重ね装置。
【請求項１０】
媒体送り手段の上流に弛ませ手段を備える、請求項９に記載の折り重ね装置。
【請求項１１】
歪み検出手段を備える、請求項９または１０に記載の折り重ね装置。
【請求項１２】
媒体送り手段が動作状態にあって、媒体の歪みを補正することが可能である、請求項１１に記載の折り重ね装置。
【請求項１３】
媒体送り手段が折り重ねシリンダに接近して位置決めされる、請求項９から１２のいずれか一項に記載の折り重ね装置。
【請求項１４】
印刷エンジンと請求項９から１３のいずれか一項に記載の折り重ね装置との直列の組み合わせを備える、印刷システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月31日(2011.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
各固定用ピン１２の両側の端面には、図３に示すように、平行に配列された直線状の２つの溝（冷却材通路）２０Ａ，２０Ｂが形成されている。これらの溝２０Ａ，２０Ｂは、底面が曲面になっている溝である。溝２０Ａ，２０Ｂの深さは０．３ｍｍ以上であり、これらの溝の最大深さは固定用ピン１２の強度に影響を及ぼさない程度がよい。固定用ピン１２の端面で溝２０Ａと溝２０Ｂの間には、突出部２１が形成される。突出部２１の表面は、図３（Ｂ）に示すように、曲面になっている。舌状部１１Ｕに形成された貫通孔内に挿入された固定用ピン１２が、ハフニウム部材３Ｕを舌状部１１Ｕに取り付ける（図２参照）。舌状部１１Ｌに形成された貫通孔内に挿入された固定用ピン１２が、ハフニウム部材３Ｌを舌状部１１Ｌに取り付ける（図２参照）。それぞれの固定用ピン１２が各舌状部に取り付けられた状態で、溝２０Ａ，２０Ｂが制御棒１の軸方向を向いている。溝２０Ａ，２０Ｂのそれぞれの底面とシース６の内面との間に、図２に示すように、シース６の内面との間の幅が広くなった冷却水通路がそれぞれ形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月7日(2011.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小構造体を有する微小電気機械式装置であって、
前記微小構造体は、絶縁表面上に設けられた下部電極層と、該下部電極層上に設けられた充填材料層と、該充填材料層上に設けられた前記下部電極層と対向する上部電極層と、該上部電極層上に設けられた構造層と、を有し、
前記構造層は、前記下部電極層に向かう方向又は前記下部電極層から遠ざかる方向に可動する構造を有し、
前記充填材料層は、弾性を有する絶縁性材料であり、前記構造層の可動に応じて変形することを特徴とする微小電気機械式装置。
【請求項２】
微小構造体を有する微小電気機械式装置であって、
前記微小構造体は、絶縁表面上に設けられた充填材料層と、該充填材料層上に設けられた上部電極層と、該上部電極層上に設けられた構造層と、を有し、
前記構造層は、前記充填材料層の厚さ方向に可動する構造を有し、
前記充填材料層は、弾性を有する絶縁性材料であり、前記構造層の可動に応じて変形することを特徴とする微小電気機械式装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記絶縁性材料はエラストマー又は熱可塑性エラストマーであることを特徴とする微小電気機械式装置。
【請求項４】
絶縁表面上に下部電極層を形成し、
前記下部電極層上に弾性を有する絶縁性材料からなる充填材料層を形成し、
前記充填材料層上に上部電極層を形成し、
前記上部電極層上に構造層を形成することを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面上に下部電極層を形成し、
前記下部電極層を覆って弾性を有する絶縁性材料からなる膜を全面に形成し、
前記弾性を有する絶縁性材料からなる膜上に金属マスクを選択的に形成し、
前記金属マスクを用いて前記弾性を有する絶縁性材料からなる膜をエッチングして充填材料層を形成し、
前記充填材料層上に上部電極層を形成し、
前記上部電極層上に構造層を形成することを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記弾性を有する絶縁性材料は、エラストマー又は熱可塑性エラストマーであることを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記弾性を有する絶縁性材料は、溶媒に溶かされて形成されることを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記弾性を有する絶縁性材料は、スピンコーティング法により形成されることを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月11日(2011.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それ自体に対して閉じられる、周辺のシール・ストリップ（３）を圧壊することによって互いに接合される２つの対向する基板（１、４）を備える構造体を製造する方法であって、
前記シール・ストリップ（３）は、前記基板（１、４）の間に閉空洞を画定し、
前記シール・ストリップ（３）は、圧壊前に、複数のボイドを前記ストリップ（３）内に画定する連続した穿孔パターン（５）を含み、
前記穿孔パターン（５）が、ボイドによって前記基板（１、４）に垂直に穿孔されたバーにより形成される、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記基板に平行な平面において、前記シール・ストリップ（３）の前記ボイドの表面と、前記ストリップの合計表面との間の比率が、１０％〜５０％の間に含まれることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ボイド（６）は前記基板（１、４）に垂直な円筒形であることを特徴とする、請求項１および２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４】
前記ボイド（７）は、前記ストリップの側面に垂直であり、前記基板（１、４）に平行であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
２つの隣接するボイド間の縁部間間隔（Ｐ）と前記ボイドの最小横寸法との間の比率が１未満であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
２つの隣接するボイド間の縁部間間隔（Ｐ）と前記ボイドの最小横寸法との間の比率が０．５〜０．８の間に含まれることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記シール・ストリップ（３）は、前記基板（１、４）の接合前に不連続であり、次いで、前記２つの基板（１、４）の密閉後に連続になることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
追加ストリップ（１０）および／または補強部（１１）を備えることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
光学的に透明な領域であって柱（８、９）および／または穿孔パターン（５）のボイド（６）の上方に位置する領域を含む前記基板（１、４）の一つにおいて、前記柱（１１）および／または前記穿孔パターン（５）の前記ボイド（６）の寸法を、前記穿孔パターンの形成後および接合後に測定することによって圧壊の均一性が検査されることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記シール・ストリップ（３）、追加ストリップ（１０）、および補強部が、同じ材料から、同じ技術的ステップ内で形成されることを特徴とする、請求項８および９のいずれか一項に記載の方法。