【手続補正書】
【提出日】平成21年2月17日(2009.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スタック・メモリ・セル配線機構を無電解的に充填する方法であって、該方法が以下からなるもの：
スタック・メモリ・セル配線機構をＣｏイオンの供給源および還元剤を含む無電解析出組成物に接触させ、ここでスタック・メモリ配線機構が、導電性の底部、誘電体表面を有する側壁、および少なくとも２の高さ対幅アスペクト比を有し、それによりＣｏイオンの一部が導電性の底部上でＣｏ金属に還元され、スタック・メモリ配線機構のボトムアップ充填が、Ｃｏイオンの継続する還元により達成されること。
【請求項２】
導電性の底部が、Ｗ、層状Ｗ−ＷＮおよび層状ＷＳｉ２−ポリシリコンからなる群から選択される触媒性金属表面からなり、かつここで、析出の間、還元剤が触媒性金属表面で酸化され、それにより触媒性金属表面上に電子を放出し、それが次に触媒性金属表面上へとＣｏイオンをＣｏ金属に還元する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
導電性の底部が、リンまたはヒ素でドープされた半導体単結晶Ｓｉからなるドープされたシリコン表面からなり、かつここで、析出の間、還元剤がドープされたシリコン表面で酸化され、それによりドープされたシリコン表面上に電子を放出し、それが次に触媒性金属表面上へとＣｏイオンをＣｏ金属に還元する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
還元剤がボランを主材料とする還元剤成分を含む、請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
ボランを主材料とする還元剤成分が、ホウ化水素アルカリ金属、ジメチルアミン・ボラン、ジエチルアミン・ボラン、モルホリン・ボランおよびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
還元剤がさらに次亜リン酸塩還元剤成分を含む、請求項４または５に記載の方法。
【請求項７】
次亜リン酸塩還元剤成分が、次亜リン酸アルカリ金属、次亜リン酸アンモニウム、次亜リン酸およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ボランを主材料とする還元剤成分がボランを主材料とする還元剤成分のある濃度で存在し、次亜リン酸塩還元剤成分が次亜リン酸塩還元剤成分のある濃度で存在し、ボランを主材料とする還元剤成分の濃度および次亜リン酸塩還元剤成分の濃度が、配線機構の無電解析出組成物との初期接触時に、ｇ／Ｌを単位とする次亜リン酸塩還元剤成分の濃度に対するｇ／Ｌを単位とするボランを主材料とする還元剤成分の濃度の濃度比が０．５未満となるよう選択される、請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
ボランを主材料とする還元剤成分がボランを主材料とする還元剤成分のある濃度で存在し、次亜リン酸塩還元剤成分が次亜リン酸塩還元剤成分のある濃度で存在し、ボランを主材料とする還元剤成分の濃度および次亜リン酸塩還元剤成分の濃度が、配線機構の無電解析出組成物との初期接触時に、ｇ／Ｌを単位とする次亜リン酸塩還元剤成分の濃度に対するｇ／Ｌを単位とするボランを主材料とする還元剤成分の濃度の濃度比が０．２未満となるよう選択される、請求項６または７に記載の方法。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の方法であって：
ボランを主材料とする還元剤が、ホウ化水素アルカリ金属、ジメチルアミン・ボラン、ジエチルアミン・ボラン、モルホリン・ボランおよびそれらの混合物からなる群から選択され；かつ
次亜リン酸塩還元剤が、次亜リン酸アルカリ金属、次亜リン酸アンモニウム、次亜リン酸およびそれらの混合物からなる群から選択されるもの。
【請求項１１】
スタック・メモリ配線機構のボトムアップ充填が、少なくとも９０原子％のＣｏを含むＣｏを主材料とする充填された配線機構を生ずる、請求項１乃至１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
ボトムアップ充填が、５０マイクロ・オームｃｍ以下の抵抗率を有するＣｏを主材料とする充填された配線機構を生ずる、請求項１乃至１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
無電解析出組成物が以下を含む、請求項１乃至１２のいずれかに記載の方法：
水；
Ｃｏイオンの供給源；
錯化剤；
緩衝剤；
ボランを主材料とする還元剤成分；および
次亜リン酸塩還元剤成分。
【請求項１４】
スタック・メモリ・セル配線機構を無電解的に充填する方法であって、該方法が以下からなるもの：
スタック・メモリ・セル配線機構をＣｏイオンの供給源および還元剤を含む無電解析出組成物に接触させ、ここでスタック・メモリ配線機構が、導電性の底部、誘電体表面を有する側壁、および少なくとも１０の高さ対幅アスペクト比を有し、それによりＣｏイオンの一部が導電性の底部上でＣｏ金属に還元され、スタック・メモリ配線機構のボトムアップ充填が、Ｃｏイオンの継続する還元により達成され、ここで無電解析出組成物が：
水；
Ｃｏイオンの供給源；
錯化剤；
緩衝剤；
ホウ化水素アルカリ金属、ジメチルアミン・ボラン、ジエチルアミン・ボラン、モルホリン・ボランおよびそれらの混合物からなる群から選択される、ボランを主材料とする還元剤成分；ならびに
次亜リン酸アルカリ金属、次亜リン酸アンモニウム、次亜リン酸およびそれらの混合物からなる群から選択される次亜リン酸塩還元剤成分を含み；かつ
ここで、ボランを主材料とする還元剤成分がボランを主材料とする還元剤成分のある濃度で存在し、次亜リン酸塩還元剤成分が次亜リン酸塩還元剤成分のある濃度で存在し、ボランを主材料とする還元剤成分の濃度および次亜リン酸塩還元剤成分の濃度が、ｇ／Ｌを単位とする次亜リン酸塩還元剤成分の濃度に対するｇ／Ｌを単位とするボランを主材料とする還元剤成分の濃度の濃度比が０．５未満となるよう選択されるもの。
【請求項１５】
導電性の底部が、Ｗ、層状Ｗ−ＷＮおよび層状ＷＳｉ２−ポリシリコンからなる群から選択される触媒性金属表面からなり、かつここで、析出の間、還元剤が触媒性金属表面で酸化され、それにより触媒性金属表面上に電子を放出し、それが次に触媒性金属表面上へとＣｏイオンをＣｏ金属に還元する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
導電性の底部が、リンまたはヒ素でドープされた半導体単結晶Ｓｉからなるドープされたシリコン表面からなり、かつここで、析出の間、還元剤がドープされたシリコン表面で酸化され、それによりドープされたシリコン表面上に電子を放出し、それが次に触媒性金属表面上へとＣｏイオンをＣｏ金属に還元する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１４乃至１６のいずれかに記載の方法であって：
Ｃｏイオンが１ｇ／Ｌと２０ｇ／Ｌの間の濃度で存在し；
錯化剤が２０ｇ／Ｌと８０ｇ／Ｌの間の濃度で存在し；
緩衝剤が０ｇ／Ｌと２０ｇ／Ｌの間の濃度で存在し；
ボランを主材料とする還元剤成分が０．５ｇ／Ｌと１６ｇ／Ｌの間の濃度で存在し；かつ
次亜リン酸塩還元剤成分が２０ｇ／Ｌと３２ｇ／Ｌの間の濃度で存在するもの。
【請求項１８】
ｇ／Ｌを単位とする次亜リン酸塩還元剤成分の濃度に対するｇ／Ｌを単位とするボランを主材料とする還元剤成分の濃度の濃度比が０．２未満である、請求項１４乃至１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
高アスペクト比のスタック・メモリ・セル配線機構中で無電解的にＣｏを析出するための無電解析出組成物であって、該組成物が：
水；
１ｇ／Ｌと２０ｇ／Ｌの間のＣｏイオン濃度を生じるのに十分な濃度で存在するＣｏイオンの供給源；
２０ｇ／Ｌと８０ｇ／Ｌの間の濃度で存在する錯化剤；
０ｇ／Ｌと２０ｇ／Ｌの間の濃度で存在する緩衝剤；
０．５ｇ／Ｌと１６ｇ／Ｌの間の濃度で存在するボランを主材料とする還元剤成分；および
２０ｇ／Ｌと３２ｇ／Ｌの間の濃度で存在する次亜リン酸塩還元剤成分を含み；
ここで、ボランを主材料とする還元剤成分が、ホウ化水素アルカリ金属、ジメチルアミン・ボラン、ジエチルアミン・ボラン、モルホリン・ボランおよびそれらの混合物からなる群から選択され；
ここで、次亜リン酸塩還元剤成分が、次亜リン酸アルカリ金属、次亜リン酸アンモニウム、次亜リン酸およびそれらの混合物からなる群から選択され；かつ
ここで、ボランを主材料とする還元剤成分がボランを主材料とする還元剤成分のある濃度で存在し、次亜リン酸塩還元剤成分が次亜リン酸塩還元剤成分のある濃度で存在し、ボランを主材料とする還元剤成分の濃度および次亜リン酸塩還元剤成分の濃度が、ｇ／Ｌを単位とする次亜リン酸塩還元剤成分の濃度に対するｇ／Ｌを単位とするボランを主材料とする還元剤成分の濃度の濃度比が０．５未満となるよう選択されるもの。
【請求項２０】
請求項１９に記載の無電解析出組成物であって：
ｇ／Ｌを単位とする次亜リン酸塩還元剤成分の濃度に対するｇ／Ｌを単位とするボランを主材料とする還元剤成分の濃度の濃度比が０．２未満であるもの。