Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月16日(2009.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図２および図３は、光学データ記憶ディスクが入っているカートリッジ４２も示す。この発明の種々の実施例において、カートリッジ４２はさまざまな形態を取り得るが、一実施例では、カートリッジ４２は、２００５年８月２２日に出願された、「小型の光学データ記憶ディスクのためのカートリッジ（Cartridge For Miniature Optical Data StorageDisc）」と題される出願番号第１１／２０９，５５３号に記載されるカートリッジと類
似しており、出願番号第１１／２０９，５５３号は引用によって全文が本明細書に援用される。カートリッジ４２は、カートリッジ４２をカートリッジ挿入モジュール３２に挿入するときに閉じた位置から開いた位置に動くシャッタを含む。カートリッジ４２内の光学ディスクは、ディスクドライブ３０の小型の寸法を維持できるほどに小さくなければならない。一実施例では、カートリッジ４２における光学ディスクの直径は３２ｍｍである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
再び図１６を参照して、レーザビーム４６６の残りは、対物読出レンズ４８２を通って上向きに進み、光学ディスク４００のデータトラックに焦点を合わせる。レンズ４８２の開口数は、通常ＤＶＤシステムにおいて用いられる０．６という開口数と比較して、好ましくは約０．７２またはそれ以上である。上述のように、レーザビームの波長を６５０ｎｍから４０５ｎｍに低減することによって、ディスク４００上のデータのトラックピッチおよび面密度は２倍に増える。同様に、レンズ４８２の開口数を０．６から０．７２に増やすことによって、ディスク４００上のデータの線密度はさらに２倍に増え、通常ＤＶＤシステムにおいて用いられるディスクと比較して全容量の増加が４倍になる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
光学式ドライブ電子機器７０の他の主要な構成要素は、ピックアップモジュール６０４
である。ピックアップモジュール６０４は、媒体検出スイッチ６２０と、光電気ＩＣ（opto-electric IC）（ＯＥＩＣ）および順方向フォトダイオードＩＣ（forward photodiodeIC）（ＦＰＩＣ）６２２と、コアーストラッキング制御回路６２４と、ファイントラッキング制御回路６２６と、フォーカス制御回路６２８と、スピンドルモータ制御回路６３０とを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月24日(2009.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
状態の発生に応答して装置の機能性を自動的に変化させる方法であって、
前記装置にトラップをインストールすることと、
前記装置上で、装置の機能性を前記トラップにリンクさせることと、
前記装置上で、かつ前記インストールすることと前記リンクさせることとの後に、前記状態の発生を検出することと、
前記検出することに応答してのみ前記装置上で前記トラップを実行して、前記装置のユーザからの入力なしで前記装置の前記機能性を自動的に変化させることとを含む、方法。
【請求項２】
前記装置の前記機能性を変化させることは、前記装置の少なくとも１つのハードウェアリソースへのアクセスを不能にすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記状態と前記トラップの実行に応答して変化する前記装置の前記機能性とを指定するリンクコマンドを受信することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記リンクコマンドが信頼できるソースに由来することを確認するために、前記リンクコマンドを認証することをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記リンクコマンドを認証することは、リンクコマンドに付随するシグネチャを、信頼できるソースに対応する格納されたシグネチャと比較することを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記装置の前記機能性を変化させることのできる装置ソフトウェアモジュールのアイデンティティを決定することと、
前記装置ソフトウェアモジュールの前記アイデンティティをトラップのアイデンティティにリンクさせることとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記状態の発生は、前記装置におけるウィルスの検出を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記装置の前記機能性を変化させることは、前記装置の検疫を確立することを含む、請
求項７に記載の方法。
【請求項９】
検疫を確立することは、前記装置への入力を不能にすること、前記装置からの出力を不能にすること、前記装置の感染したプログラムを隔離すること、および装置ソフトウェアをスクラブすることのうちの少なくとも１つを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
状態の発生に応答して装置の指定された機能性を自動的に変化させるためのシステムであって、
前記装置にインストールされる装置エージェントと、
前記装置にインストールされるとともに、前記装置の前記指定された機能性を自動的に変化させるよう構成される少なくとも１つの装置ソフトウェアモジュールと、
前記装置にインストールされるとともに、前記状態の発生の前記装置による検出に応答してのみ前記装置上で自動的に実行するように適合されたソフトウェアトラップとを含み、
前記装置エージェントは、前記トラップの実行が前記装置のユーザからの入力なしで前記装置の前記指定された機能性を自動的に変化させるように、前記装置上で前記少なくとも１つの装置ソフトウェアモジュールを前記トラップにリンクさせるように構成かつ配置されている、システム。
【請求項１１】
前記装置の前記指定された機能性は、前記装置の少なくとも１つのハードウェアリソースへのアクセスを含む、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記装置エージェントは、リンクコマンドを受信するように構成かつ配置されており、前記リンクコマンドは、前記状態と前記状態の発生に応答して変化する前記装置の前記指定された機能性とを識別する、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記リンクコマンドを前記装置エージェントに供給するように構成かつ配置された管理サーバをさらに含む、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記装置にインストールされたアンチウィルスソフトウェアをさらに含み、前記状態は、前記アンチウィルスソフトウェアによるウィルスの検出を含む、請求項１２に記載の方システム。
【請求項１５】
前記装置エージェントは、ウィルスの検出に応答して前記トラップの実行時に前記管理サーバにメッセージを送信するように構成かつ配置されており、前記メッセージは、ウィルスに感染した装置ソフトウェアの識別を含む、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
状態の発生に応答して装置の指定された機能性を自動的に変化させるためのシステムであって、
前記装置にインストールされ、前記状態の発生の前記装置による検出に応答してのみ前記装置上で自動的に実行するように適合されたソフトウェアトラップと、
前記装置にインストールされ、前記装置上で前記装置の前記機能性を前記トラップにリンクさせるための手段と、
前記装置にインストールされ、前記トラップの実行に応答して、前記装置のユーザからの入力なしで前記装置の前記機能性を自動的に変化させるための手段とを含む、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月27日(2009.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の連続したデジタル化されたデータを問い合わせまたは検索する方法であって、 
（ａ）ピラミッド分解を利用してデータを分解するステップと、 
（ｂ）選別処理を実施してデータ属性の情報を分離するステップと、 
（ｃ）前記属性の各々にマスクを生成して、前記データ中のどこに前記属性が位置しているかを表現するステップと、
（ｄ）一又はそれ以上のマスク形式の要約データを生成するステップと、
（ｅ）前記データおよび前記要約データをインデックスとともに格納するステップと、
（ｆ）問い合わせあるいは検索基準を設定するステップと、
（ｇ）要約データを取り出すステップと、
（ｈ）前記問い合わせあるいは検索基準を前記取り出された要約データに適用するステップとを利用することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記インデックスが、対応するメインデータを取り出すのに利用されることを特徴とする方法。 
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記分解が、ウェーブレットを利用して実施されることを特徴とする方法。 
【請求項４】
請求項２に記載の方法において、前記分解が、適応ウェーブレット階層を利用して実施されることを特徴とする方法。 
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、前記選別処理が、ノイズ属性を抽出するのに利用されることを特徴とする方法。 
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、前記選別処理が、静止した背景の情報を抽出するのに利用されることを特徴とする方法。 
【請求項７】
請求項１に記載の方法において、前記選別処理が、静的な背景の情報を抽出するのに利用されることを特徴とする方法。 
【請求項８】
請求項１に記載の方法において、前記選別処理が、動的な動作の情報を抽出するのに利用されることを特徴とする方法。 
【請求項９】
請求項１に記載の方法において、前記選別処理が、オブジェクトの情報を抽出するのに利用されることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月14日(2009.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個々の癌患者のための癌治療用化学療法薬の選択を支援する方法であって、
該患者が患うタイプの癌を治療するために政府が承認した化学療法薬のパネルを選択すること、および
該患者から得られた腫瘍細胞検体中の少なくとも１つの細胞中の抗体を使用して、化学療法薬のパネルに対応する薬物反応性指標のパネルの発現を測定すること、
を含み、化学療法薬は、該薬物反応性指標の発現に基づいて選択される、方法。
【請求項２】
前記抗体が蛍光標識されている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記薬物反応性指標が、化学療法薬の作用機構に関連した細胞成分である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記抗体が、異なる励起および重ならない発光スペクトルを有する種々の蛍光染料で蛍光標識される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
測定することが、前記薬物反応性指標を定量化することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
定量化することが、蛍光強度を参照標準と対比することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
測定することが、１回の試験で少なくとも５種の薬物反応指標を定量化することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
測定することが、検体中の複数の薬物反応性指標の発現量を、該薬物反応性指標を介して作用する化学療法薬に対して既知の反応性を有する細胞中の同一薬物反応性指標の量に相関させることを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
１回の試験中に少なくとも５種の薬物反応性指標の発現量が比較される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記腫瘍細胞検体が、循環癌細胞、原発性腫瘍に近接したリンパ節からの検体、原発性腫瘍からの検体、および固定されパラフィンブロック中に包埋された原発性腫瘍からの検体からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記化学療法薬が、カルボプラチン、シスプラチン、オキサリプラチン、ドセタキセル、パクリタキセル、タキソール、ビノレルビン、ビンカアルカロイド、５−フルオウラシル関連薬物、ゼローダ、ゲムシタビン、アントラサイクリン、イリノテカンからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記化学療法薬が、ヒト化モノクローナル抗体、トラスツズマブ（ハーセプチン）、セツキシマブ（エルビタックス）、およびベラシズマブ（アバスチン）からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも１種の薬物反応性指標がＥＲＣＣ１であり、かつ前記化学療法薬が、カルボプラチン、シスプラチンおよびオキサロプラチンからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
少なくとも１種の薬物反応性指標がβ−チューブリンＩＩＩアイソフォームであり、かつ前記化学療法薬が、ドセタキセル、パクリタキセル、タキサン、およびビノレルビンからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも１種の薬物反応性指標がチミジル酸シンターゼであり、かつ前記化学療法薬が、５−ＦＵ関連薬物、ロイコボリン、ペメトレキセルおよびゼローダからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも１種の薬物反応性指標がトポイソメラーゼＩＩであり、かつ前記化学療法薬が、アントラサイクリン、ドキソルビシン、およびエピルビシンからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
少なくとも１種の薬物反応性指標がトポイソメラーゼＩであり、かつ前記化学療法薬がイリノテカンである、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
少なくとも１種の薬物反応性指標がリボヌクレアーゼレダクターゼであり、かつ前記化学療法薬がゲムシタビンである、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
測定することが、乳癌、肺癌、結腸癌、胃癌、膵臓癌、および食道癌からなる群から選択される１種または複数の癌について薬物反応性指標試験を実施することを含み、該薬物反応性指標試験が、診断される癌のタイプについて米国総合癌ネットワークの患者治療ガイドライン中に列挙されたすべての化学療法薬に対する腫瘍抵抗性／感受性データを提供する、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
腫瘍抵抗性／感受性データが、相関的臨床研究の統計解析に基づいて、個々の被試験患者に対する薬物反応性不全のパーセント確率によって解釈され得る、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月11日(2009.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
腫瘍細胞によって発現された上皮バイオマーカーのレベルを評価すること、および
ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤による阻害に対する腫瘍細胞増殖の感受性を予測することを含み、
腫瘍細胞による上皮バイオマーカー発現の高いレベルは、ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤による阻害に対する高い感受性と相関する、
ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤による阻害に対する腫瘍細胞増殖の感受性を予測する方法。
【請求項２】
上皮バイオマーカーが、Ｅ−カドヘリン、Ｂｒｋ、γ−カテニン、α−カテニン、ケラチン８およびケラチン１８から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
腫瘍細胞によって発現された間葉バイオマーカーのレベルを評価すること、および
ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤による阻害に対する腫瘍細胞増殖の感受性を予測することを含み、
腫瘍細胞による間葉バイオマーカー発現の高いレベルは、ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤による阻害に対する低い感受性と相関する、
ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤による阻害に対する腫瘍細胞増殖の感受性を予測する方法。
【請求項４】
間葉バイオマーカーが、ビメンチン、フィブロネクチン、フィブリリン−１、フィブリリン−２、コラーゲンアルファ−２（ＩＶ）、コラーゲンアルファ−２（Ｖ）、ＬＯＸＬ１、ニドジェン、Ｃ１１ｏｒｆ９、テネイシン、Ｎ−カドヘリンおよび胚性ＥＤＢ＋フィブロネクチンから選択される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
腫瘍細胞によって発現された１つ以上の上皮バイオマーカーのレベルを評価すること、および
ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤による阻害に対する腫瘍細胞増殖の感受性を予測することを含み、
評価された腫瘍細胞上皮バイオマーカーの全ての同時の高い発現レベルは、ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤による阻害に対する高い感受性と相関する、
ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤による阻害に対する腫瘍細胞増殖の感受性を予測する方法。
【請求項６】
１つ以上の上皮バイオマーカーが、Ｅ−カドヘリンおよびＢｒｋを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
１つ以上の上皮バイオマーカーが、Ｅ−カドヘリンおよびγ−カテニンを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
腫瘍細胞によって発現された１つ以上の間葉バイオマーカーのレベルを評価すること、および
ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤による阻害に対する腫瘍細胞増殖の感受性を予測することを含み、
評価された腫瘍細胞間葉バイオマーカーの全ての同時の低い発現レベル又は検出不能な発現レベルが、ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤による阻害に対する高い感受性と相関する、
ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤による阻害に対する腫瘍細胞増殖の感受性を予測する方法。
【請求項９】
１つ以上の間葉バイオマーカーが、ビメンチンおよびフィブロネクチンを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
腫瘍細胞によって発現される上皮バイオマーカーのレベルを評価すること、
腫瘍細胞によって発現される間葉バイオマーカーのレベルを評価すること、および
ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤による阻害に対する腫瘍細胞増殖の感受性を予測することを含み、
上皮バイオマーカー発現レベルと間葉バイオマーカー発現レベルとの高い比が、ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤による阻害に対する高い感受性と相関する、
ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤による阻害に対する腫瘍細胞増殖の感受性を予測する方法。
【請求項１１】
上皮バイオマーカーがＥ−カドヘリンを含み、および間葉バイオマーカーがフィブロネクチンを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
上皮バイオマーカーがＢｒｋを含み、および間葉バイオマーカーがフィブロネクチンを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
上皮バイオマーカーがＥ−カドヘリンを含み、および間葉バイオマーカーがビメンチンを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
上皮バイオマーカーがγ−カテニンを含み、および間葉バイオマーカーがフィブロネクチンを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
患者における腫瘍または腫瘍転移を治療するために使用するＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤であって、ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤に対する患者の応答の可能性が、腫瘍細胞が上皮−間葉遷移を起こしたかどうかを評価することによって診断されている、前記ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤。
【請求項１６】
１つ以上の追加の抗癌剤が、ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤と同時又は順次に共投与される、請求項１５に記載する使用のためのＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤。
【請求項１７】
（ａ）新生物症状を有する患者から得た新生物細胞含有試料中の候補上皮バイオマーカーのレベルを測定すること、および
（ｂ）前記患者から得た前記試料中の前記候補上皮バイオマーカーのレベルと、ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤による前記新生物症状の治療の有効性との間の相関を特定することを含み、
上皮バイオマーカーの高いレベルとＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤による新生物症状のさらに有効な治療との相関が、前記上皮バイオマーカーがＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤による新生物症状のさらに有効な治療に対する診断指標であることを示す、ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤での新生物症状のさらに有効な治療に対する診断指標である上皮バイオマーカーを同定する方法。
【請求項１８】
（ａ）新生物症状を有する患者から得た新生物細胞含有試料中の候補間葉バイオマーカーのレベルを測定すること、および
（ｂ）前記患者から得た前記試料中の前記候補間葉バイオマーカーのレベルと、ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤による前記新生物症状の治療の有効性との間の相関を特定することを含み、
間葉バイオマーカーの高いレベルとＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤による新生物症状のより低い有効性の治療との相関が、前記間葉バイオマーカーがＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤による新生物症状のより低い有効性の治療に対する診断指標である、ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤での新生物症状のより低い有効性の治療に対する診断指標である間葉バイオマーカーを同定する方法。
【請求項１９】
腫瘍細胞が、以前に上皮−間葉遷移した腫瘍細胞として特徴づけられ、前記腫瘍細胞の試料をＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤と接触させること、前記腫瘍細胞の同一試料を試験薬剤の存在下でＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤と接触させること、ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤によって媒介される増殖阻害を試験薬剤の存在下と非存在下で比較すること、並びに試験薬剤がＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤に対する腫瘍細胞増殖の感受性を高める薬剤であるかどうかを判定することを含む、ＩＧＦ−１Ｒキナーゼ阻害剤に対する腫瘍細胞増殖の感受性を高める薬剤を同定する方法。
【請求項２０】
腫瘍細胞または腫瘍が、ＮＳＣＬ腫瘍細胞または腫瘍、結腸腫瘍細胞または腫瘍、乳房腫瘍細胞または腫瘍、頭頸部腫瘍細胞または腫瘍、或いは膵臓腫瘍細胞または腫瘍である、請求項１、３、５、８または１０に記載の方法、或いは請求項１５に記載の使用。
【請求項２１】
腫瘍細胞または腫瘍が、ＮＳＣＬ腫瘍細胞または腫瘍である、請求項２０に記載の方法または使用。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月7日(2009.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のサンプルを熱サイクルさせるためのシステムであって、
内容積を規定する流体に密である空洞を有するケースと；
前記内容積の中に配置されるマイクロ流体アレイであって、１対の対向表面、厚さ、および、前記表面の間の前記厚さを通る複数の通し孔を有するシート材料を含むアレイと；
前記ケースに熱接触するように適合された少なくとも１つの熱で制御される表面を有するサーマルサイクラと
を有するシステム。
【請求項２】
前記熱で制御される表面に熱接触するときに特定の位置および配向で前記ケースを保持するための位置決め機構をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記位置決め機構が、前記熱で制御される表面上に突起およびくぼみのうちの１つを含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記マイクロ流体サンプルアレイが前記くぼみに滑り込むことができるようするために、前記くぼみが傾斜表面を有する、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記サーマルサイクラが、前記熱で制御される表面への装填および／またはそこからの除去の前に前記ケースを配置するためのデッキを有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記ケースが、前記デッキから前記熱で制御される表面上へ滑り込むことができる、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記デッキが、前記熱で制御される表面の平面に沿って回転することができる、請求項５に記載のシステム。
【請求項８】
前記サーマルサイクラが、前記ケースを前記熱で制御される表面に押圧する指要素を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記ケースと前記熱で制御される表面との間に位置決めされる熱伝達パッドをさらに有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
１つ以上の規定された波長で前記通し孔のうちの少なくとも１つを照射することができる照射源をさらに有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記照射源が、少なくとも１つのＬＥＤを含む、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
１つ以上の通し孔を撮像して画像データを供給するための撮像装置をさらに有し、前記照射源が、カメラから軸外に、前記アレイに対して対称に位置決めされる少なくとも２つの照射源を含む、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
１つ以上の通し孔を撮像して画像データを供給するための撮像装置をさらに有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記撮像装置が、カメラおよびスキャナのうちの１つであり、前記カメラが、前記通し孔のそれぞれを同時に撮像して画像データを供給するためのものであり、前記スキャナが、前記通し孔のうちの１つ以上を順番に撮像して画像データを供給するためのものである、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記内容積の中に配置される浸漬液をさらに有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記アレイが、１００を超える通し孔を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１７】
前記アレイが、２０ｍｍ２につき１つの通し孔を超える通し孔密度を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１８】
筺体であって、前記サーマルサイクラが内部に位置決めされる筺体と；
前記筺体内に位置決めされて前記サンプルを撮像するための撮像装置と；
前記筺体内に位置決めされて１つ以上の予め規定された波長で少なくとも１つのサンプルを照射するための照射システムと
をさらに有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１９】
複数のサンプルを熱サイクルさせる方法であって、
ケース内の流体に密な空洞内にマイクロ流体アレイを保持するステップであって、前記アレイが、１対の対向表面、厚さ、および、前記表面の間の前記厚さを通る複数の通し孔を有するシート材料を含むステップと；
熱で制御される表面と熱接触して前記ケースを配置するステップと
を含む方法。
【請求項２０】
ある量の浸漬液を用いて前記空洞内の前記マイクロ流体アレイを覆うステップをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記熱で制御される表面に熱接触するときに前記ケースを特定の位置および配向に保持するための位置決め機構を使用するステップをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
１つ以上の確定された波長で前記通し孔のうちの前記少なくとも１つを照射するステップをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
少なくとも１つの通し孔を撮像するステップをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
照射するステップが、前記撮像装置から軸外に、前記アレイに対して対称に位置決めされた２つの照射源から照射するステップを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
撮像するステップが、２つ以上の通し孔を順番に撮像するステップを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
撮像するステップが、各通し孔を同時に撮像するステップを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】
前記アレイが、１００を超える通し孔を有する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２８】
前記アレイが、２０ｍｍ２につき１つの通し孔を超える通し孔密度を有する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２９】
前記ケースが、複数の縁部領域を規定し、そして前記指要素が、該ケースの該縁部領域のうちの１つ以上と接触して、前記ケースを前記熱で制御される表面に押圧する、請求項８に記載のシステム。
【請求項３０】
前記指要素が可撓性である、請求項２９に記載のシステム。
【請求項３１】
前記指要素が絶縁材料でコーティングされている、請求項２９に記載のシステム。
【請求項３２】
前記サーマルサイクラが、リッド組立体を備え、前記指要素が前記リッド組立体に結合されている、請求項２９に記載のシステム。
【請求項３３】
前記リッド組立体が閉じられる前に前記指要素が前記ケースと接触する、請求項３２に記載のシステム。
【請求項３４】
前記リッド組立体が蝶番式である、請求項３２に記載のシステム。
【請求項３５】
前記サーマルサイクラが、前記ケースを前記熱で制御される表面に押圧するばね要素を備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項３６】
前記ばね要素が、前記ケースを前記熱で制御される表面に直接押圧する、請求項３５に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
種々の実施形態では、指２５１０と組み合わせてまたは指２５１０に加えて、本発明の実施形態に従って図２８に示すように、ばね装置２８７２が、アレイケース２５０６を押下げるのに使用されてよい。ばね装置２８７２は、例えば、指２５１０を橋渡ししてアレイケース２５０６の中央に接触することができ、アレイ−ケースの中央領域をサーマルブロックに押圧する力を加える。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月2日(2009.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明器であって、
それぞれが選択的に、光の方向を変更せずに入射光を伝達、または入射光の方向を変更するように構成されている要素のアレイを備えている空間光変調器と、  前記変調器を照明するように配置されたランプと、
前記変調器からの変更されていない光を、照明面へと向けるレンズと、
前記変調器によって方向を変更された実質的にすべての光を、照明面に向けて送る手段と、を備えている、
ことを特徴とする照明器。
【請求項２】
前記送り手段は、前記変調器によって方向を変更された光を、照明面に向けて反射するように構成されている反射鏡を備えている、
請求項１に記載の照明器。
【請求項３】
反射鏡は、テーパ管として形成され、変調器は管の狭い端に配置され、管の広い端は照明面へと向けられ、管の横断面は、好ましくは本質的に、変調器の形状に合致している、  請求項２に記載の照明器。
【請求項４】
前記送り手段は、セグメント化されたレンズを備え、前記光を導くレンズは、セグメント化されたレンズの一部分によって形成されている、
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の照明器。
【請求項５】
前記セグメント化されたレンズは、中央の第１の部分と、周辺の第２の部分とを有し、前記第１の部分は、前記第２の部分と異なる焦点距離及び／又は光軸を有している、
請求項４に記載の照明器。
【請求項６】
前記光を導くレンズは、前記中央の第１の部分によって形成されている、
請求項５に記載の照明器。
【請求項７】
前記ランプと変調器との間に配置されている第２のレンズをさらに備えている、
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の照明器。
【請求項８】
前記第２のレンズは、前記光を導くレンズと異なる直径及び／又は異なる焦点距離を有している、
請求項７に記載の照明器。
【請求項９】
変調器と前記光を導くレンズとの間に配置されている、非吸収絞りをさらに備えている、
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の照明器。
【請求項１０】
前記非吸収絞りは、好ましくは照明面に向けた前方へ、入射光の方向を変更するように構成されている、
請求項９に記載の照明器。
【請求項１１】
非吸収絞りは開口部を有し、前記ランプからの光は、前記開口部に焦点が合わせられている、
請求項９又は１０に記載の照明器。
【請求項１２】
前記非吸収絞りは、局所的に調整可能な光伝達特性を有している、
請求項９又は１０に記載の照明器。
【請求項１３】
入射光の方向は、散乱、屈折、及び回折のうちのひとつによって、変調器で変更される、
請求項１に記載の照明器。
【請求項１４】
前記変調器は、液晶セルである、
請求項１に記載の照明器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月15日(2009.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体弾丸を発射するための装置であって、本体部と、この本体部によって支持された流体リザーバと、前記本体部によって支持されしかも前記流体リザーバと流体連通状態とされた液体弾丸発射機構とを具備し、前記装置が自由立脚である装置。
せられる装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月27日(2009.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記スタッドの前記ボール部を包囲し、それを中心として連接可能であるハウジングキャップをさらに含む、請求項７に記載のアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月15日(2009.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体部から成る少なくとも１つの第１の装置と、前記本体部によって支持された流体リザーバと、前記本体部によって支持されしかも前記流体リザーバと流体連通状態とされた液体弾丸発射機構と、液体反応性材料から成る少なくとも１つの第２の装置とを具備する組合わせ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月21日(2009.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造体であって、
少なくとも１つの重層ゲート導電体を備える半導体基板であって、前記少なくとも１つの重層ゲート導電体のそれぞれが垂直縁部を有する半導体基板と、
前記少なくとも１つの重層ゲート導電体の下に位置する第１のゲート酸化物であって、前記第１のゲート酸化物が、前記少なくとも１つの重層ゲート導電体の前記垂直縁部を超えて延長しないゲート酸化物と、
前記少なくとも１つの重層ゲート誘電体の少なくとも一部の下に位置する第２のゲート酸化物と
を備え、前記第１のゲート酸化物及び第２のゲート酸化物は、前記第１のゲート酸化物が高ｋであるとき前記第２のゲート酸化物は低ｋであり、あるいは前記第１のゲート酸化物が低ｋであるとき前記第２のゲート酸化物は低ｋであるという条件で、高ｋ酸化物含有材料及び低ｋ酸化物含有材料から選択される、半導体構造体。
【請求項２】
前記高ｋ酸化物含有材料は、遷移金属原子でドープされたシリコン酸化物、遷移金蔵でドープされたシリコン酸窒化物、絶縁金属酸化物、ペロブスカイト型酸化物又はこれらの多層を含む、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項３】
前記低ｋ酸化物含有材料は、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、又は、少なくともＳｉ、Ｃ及びＯの原子を含む炭素ドープ酸化物を含む、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項４】
前記第１のゲート酸化物は、高ｋ酸化物含有材料であり、前記第２のゲート酸化物は、低ｋ酸化物含有材料である、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項５】
前記第１のゲート酸化物は、低ｋ酸化物含有材料であり、前記第２のゲート酸化物は、高ｋ酸化物含有材料である、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項６】
前記第２のゲート酸化物は、前記ゲート導電体の前記垂直縁部及び前記ゲート導電体の上にも位置する、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項７】
前記半導体基板内にソース／ドレイン拡散領域をさらに備え、前記ソース／ドレイン拡散領域がチャネルによって分離され、前記ソース／ドレイン拡散領域・チャネル間接合の位置が、前記ゲート導電体の前記垂直縁部から１から４ｎｍまでの位置にある、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項８】
ソース・アンダーカットより大きいドレイン・アンダーカットをさらに備える、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項９】
前記ゲート導電体に隣接し、かつシリサイド化されたソース／ドレイン領域に隣接するスペーサをさらに備える、請求項１に記載の半導体構造体。
【請求項１０】
半導体構造体を形成する方法であって、
少なくとも１つの重層ゲート導電体及び前記少なくとも１つの重層ゲート導電体の下に位置する第１のゲート酸化物を有する半導体基板を準備するステップであって、前記少なくとも１つの重層ゲート導電体のそれぞれが垂直縁部を有するステップと、
各ゲート導電体の下にアンダーカット領域を設けるために、前記第１のゲート酸化物を陥凹させるステップと、
少なくとも前記アンダーカット領域内に第２のゲート酸化物を形成するステップと
を含み、前記第１のゲート酸化物及び第２のゲート酸化物は、前記第１のゲート酸化物が高ｋであるとき前記第２のゲート酸化物は低ｋであり、あるいは前記第１のゲート酸化物が低ｋであるとき前記第２のゲート酸化物は低ｋであるという条件で、高ｋ酸化物含有材料及び低ｋ酸化物含有材料から選択される、方法。
【請求項１１】
前記第１のゲート酸化物は、高ｋ酸化物含有材料であり、前記第２のゲート酸化物は、低ｋ酸化物含有材料である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のゲート酸化物は、低ｋ酸化物含有材料であり、前記第２のゲート酸化物は、高ｋ酸化物含有材料である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
半導体構造体を形成する方法であって、
半導体基板と、前記半導体基板上の犠牲酸化物と、前記犠牲酸化物の一部の上のパターン形成された犠牲ポリシリコン領域と、前記犠牲酸化物の他の部分の上の誘電体材料とを備える、平坦化された構造体を準備するステップと、
前記平坦化された構造体内に開口部を設け、前記犠牲酸化物の表面部分を露出するために、前記パターン形成された犠牲ポリシリコン領域を除去するステップと、
前記開口部内の前記誘電体材料の側壁上に犠牲スペーサを形成するステップと、
前記犠牲スペーサの下にアンダーカットを形成するように、前記開口部から前記犠牲酸化物の前記露出された表面部分を除去するステップと、
前記アンダーカットを充填する第２のゲート酸化物を形成するステップと、
前記開口部内の前記半導体基板の露出された表面部分の上に第１のゲート酸化物を形成するステップと、
前記犠牲スペーサを除去するステップと、
前記開口部内にゲート導電体を形成するステップと、
少なくとも前記誘電体材料をエッチ・バックするステップと
を含む方法。
【請求項１４】
前記第１のゲート酸化物は、高ｋ酸化物含有材料であり、前記第２のゲート酸化物は、低ｋ酸化物含有材料である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１のゲート酸化物は、低ｋ酸化物含有材料であり、前記第２のゲート酸化物は、高ｋ酸化物含有材料である、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月14日(2009.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素上に酸化膜層を形成する方法であって、
炭化珪素層上に酸化膜層を熱的に成長させる工程と、
前記炭化珪素層上の前記酸化膜層を炭化珪素管内に配置する工程と、
前記炭化珪素管内へＮＯを供給する工程と、
前記炭化珪素管内の前記ＮＯ雰囲気中で１，３００℃より高い温度で前記酸化膜層をアニールする工程と、
を含む方法。
【請求項２】
前記酸化膜層のアニール工程は、前記酸化膜層をＮＯを含む雰囲気中で約１３００℃から約１６００℃の範囲の温度でアニールする工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記酸化膜層のアニール工程は、前記酸化膜層をＮＯを含む雰囲気中で約１３００℃から約１５００℃の範囲の温度でアニールする工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記酸化膜層のアニール工程は、前記酸化膜層を約２時間アニールする工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記炭化珪素管は、上に炭化珪素被覆膜を有する炭化珪素の管を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記炭化珪素管上の前記炭化珪素被覆膜は、前記炭化珪素管上に化学気相成膜法によって成膜された炭化珪素被覆膜を含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記酸化物を熱的に成長させる工程は、前記炭化珪素管内で金属性不純物が存在する中で前記酸化物を熱的に成長させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記酸化物を熱的に成長させる工程は、金属性不純物を含むアルミナが存在する中で前記酸化物を熱的に成長させる工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記酸化膜層を熱的に成長させる工程は、前記酸化膜層を約５００℃から９００℃の範囲の厚さで熱的に成長させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 
【請求項１０】
前記炭化珪素層は、（０００１）面から約８度傾いた軸ずれ方位を持つ４Ｈｐ型炭化珪素のエピタキシャル層を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記酸化膜層を熱的に成長させる工程は、
前記炭化珪素層上に初期酸化膜層をドライ酸素雰囲気中で約１２００℃の温度にて熱的に成長させる工程と、
前記初期酸化膜層をウェット酸素雰囲気中で約９５０℃の温度で再酸化する工程と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月2日(2009.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための電子ビーム装置において、
アノード及びカソードを含む電子源、基板支持体、電子ビーム処理中に基板への電荷ダメージを減少するように構成されたグリッドであって、上記アノードと上記基板支持体との間に置かれたグリッド、を含む真空チャンバと、
上記アノードに接続された低電圧源と、
上記カソードに接続された高電圧源と、
上記グリッドに接続されたバイアス源と、
上記基板を真空のもとに維持するための真空源と、
を備えた電子ビーム装置。
【請求項２】
上記真空チャンバは、更に、上記真空チャンバと連通する交差ランプ加熱装置を備えた、請求項１に記載の電子ビーム装置。
【請求項３】
上記交差ランプ加熱装置は、上記基板支持体の下に置かれる、請求項２に記載の電子ビーム装置。
【請求項４】
上記基板支持体は、上記真空チャンバと連通する少なくとも１つの熱電対アッセンブリを備えた、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子ビーム装置。
【請求項５】
上記真空チャンバは、更に、上記基板支持体に接続された基板バイアス源を備えた、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子ビーム装置。
【請求項６】
上記真空チャンバは、更に、上記真空チャンバと連通する少なくとも１つの熱電対アセンブリを備え、該少なくとも１つの熱電対アセンブリは、基板の表面に接触するように構成された弾力性部材を備え、該弾力性部材は、セラミック材料で構成される、請求項２又は３に記載の電子ビーム装置。
【請求項７】
上記交差ランプ加熱装置は、第１平行アレイが第２平行アレイに交差するように位置された２つ以上の平行アレイを備えた、請求項２又は３に記載の電子ビーム装置。
【請求項８】
上記真空チャンバは、更に、前記真空チャンバに接続されたプラズマフラッドガンを備え、該プラズマフラッドガンは、上記真空チャンバへ低エネルギー正イオンを導入するよう適応される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子ビーム装置。
【請求項９】
上記少なくとも１つの熱電対アセンブリ及び上記交差ランプ加熱装置は、上記交差ランプ加熱装置により放出される熱の量を制御するように構成されたコントローラと電子的に通信する、請求項６に記載の電子ビーム装置。
【請求項１０】
電子ビーム処理中に基板への荷電ダメージを減少する方法において、
アノードと基板支持体との間に置かれたグリッドを含むチャンバを準備するステップと、
上記グリッドにバイアス電圧を印加するステップであって、上記基板の電子ビーム電荷を完全に又は部分的に中性化するに充分な条件で上記バイアス電圧を与えるようにしたステップと、
を備えた方法。
【請求項１１】
上記条件は、上記基板の荷電電流を約０．００５ｍＡ未満に減少するに充分なものである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
上記バイアス電圧は、ＤＣバイアス又はＲＦバイアスである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
上記基板は、低誘電率膜を含み、該低誘電率膜の電子ビーム処理は、低誘電率膜にボイドを形成することを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記バイアス電圧は、約３Ｖから約４０Ｖである、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記バイアス電圧は、約−３Ｖから約−３０Ｖである、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月11日(2009.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変色の発光装置であって、
光を放射する発光ダイオードを備え、前記ダイオードは、
Ｎ型層とＰ型層との間に介在されてなる単一の連続した活性層を有する複数の導電層と、
少なくとも２つのセグメントであって、少なくともそのうちのひとつには、関連するセグメントから放射された光の少なくとも一部分を変換して、所定の原色の光を発生するように構成された波長変換器が設けられた、上記少なくとも２つのセグメントと、を備え、
複数の導電層のうちの少なくともひとつは、ダイオードでの側方への電流拡散が制限されるように構成され、これにより、ダイオードの前記少なくとも２つのセグメントが、各セグメントの独立した照明を可能にするために、独立して電気的にアドレス指定可能に構成されていることを特徴とする可変色の発光装置。
【請求項２】
前記少なくとも２つの独立して電気的にアドレス指定可能なセグメントは、同一の連続した単一の活性層を共有していることを特徴とする請求項１に記載の可変色の発光装置。
【請求項３】
前記ダイオードは、少なくともひとつの高抵抗領域を備え、前記少なくともひとつの高抵抗領域による延長部が、前記セグメントを画定していることを特徴とする請求項１又は２に記載の可変色の発光装置。
【請求項４】
前記少なくともひとつの高抵抗領域は、前記Ｐ型層に組み込まれていることを特徴とする請求項３に記載の可変色の発光装置。
【請求項５】
前記少なくともひとつの高抵抗領域は、前記Ｎ型層に組み込まれていることを特徴とする請求項３に記載の可変色の発光装置。
【請求項６】
前記少なくともひとつの高抵抗領域は、前記活性層、及び、前記Ｐ型層及びＮ型層の少なくともひとつに組み込まれていることを特徴とする請求項３に記載の可変色の発光装置。
【請求項７】
電気接点はＰ型層に接続され、前記Ｐ型層の厚みは、ダイオードでの側方への拡散電流を制限するような厚みに設定され、これにより、前記セグメントは、接点とＰ型層との間の接触領域により規定されていることを特徴とする請求項１に記載の可変色の発光装置。
【請求項８】
前記ダイオードは、モノリシック成長であることを特徴とする請求項１に記載の可変色の発光装置。
【請求項９】
少なくともひとつの波長変換器は、機械的及び光学的に、ダイオードと接触していることを特徴とする請求項１に記載の可変色の発光装置。
【請求項１０】
可変色の照明システムであって、
請求項１乃至９のいずれか一項に記載された、少なくともひとつの可変色の発光装置と、
少なくともひとつの制御装置であって、各制御装置が、少なくともひとつの可変色の発光装置に接続され、入力制御信号に応じて、所望の混合色を発生させるように、関連する発光装置におけるそれぞれのセグメントの照明の強度を変更可能に構成された、上記制御装置と、
を備えていることを特徴とする可変色の照明システム。
【請求項１１】
可変色の照明システムネットワークであって、
ネットワーク内で制御装置に接続された、請求項１０に記載された、複数の可変色の発光システムと、
ユーザインターフェースからの命令に基づいて、前記ネットワークを介して、制御装置に入力制御信号を供給するための中央演算装置と、
を備えていることを特徴とする可変色の照明システムネットワーク。
【請求項１２】
可変色の発光装置組立体であって、
請求項１乃至９のいずれか一項に記載された、複数の可変色の発光装置を備え、
発光装置のひとつで任意の波長変換器との組み合わせで所定の原色の光の放射に対応したセグメントが、少なくともひとつの他の発光装置で同じ原色の光の放射に対応したセグメントと直列に接続されていることを特徴とする可変色の発光装置組立体。
【請求項１３】
可変色の照明システムを制御するように構成された制御装置であって、
システムが、請求項１乃至９のいずれか一項に記載された、可変色の発光装置を少なくともひとつ備え、
制御装置は、少なくともひとつの可変色の発光装置に接続され、入力制御信号に応じて、所望の混合色を発生させるように、関連する発光装置における各セグメントの照明の強度を変更可能に構成されていることを特徴とする制御装置。
【請求項１４】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載された、可変色の発光装置を制御する方法であって、
入力制御信号に応じて、発光装置における各セグメントの照明の強度を変更して、所望の混合色を発生させることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月7日(2009.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図３はデジタルラベル１０の他のエレメントと拡張可能なプログラムの関係を示している。拡張可能なプログラムは、例えば、製造メーカ、小売業者、および最終使用者がデジタルラベル１０のカスタムアプリケーションを開発するのを可能にするためのアプリケーション・インターフェース（ＡＰＩ）とオペレーティングシステムプログラムを含み得る。オペレーティングシステム（ＯＳ）は、例えば、（登録商標）ＣＥ、シンビアン、ＱＮＸ、またはリナックスなどの組込まれたオペレーティングシステムであり得る。また、独占的なオペレーティングシステムを使用することもできる。ラベル製造メーカによってデジタルラベル１０のメモリ１４にラベル情報を管理して表示するラベルアプリケーションが予めロードされて記憶され得る。追加のユーザが定義したアプリケーションプログラムは、製品製造メーカにより、製品の小売業者により、あるいは製品の製造メーカによりデジタルラベル１０に付加機能を加えるために入力され記憶され得る。カスタムアプリケーションプログラムは通信インターフェース１８の１つを経由して入力され得る。オペレーティングシステムあるいは他の拡張可能なプログラムは製品の製造メーカ、小売業者、または最終ユーザによって開発されたカスタムアプリケーションを実行することができる。カスタムアプリケーションで実行できる機能のタイプは実質的に無制限である。例えば、アプリケーションプログラムは、製品の本物であることの証明、位置の追跡、スケジューリング、用法の再生などの機能を実行できる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月10日(2009.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
工作機械、生産機械ないしロボットとして形成された機械であって、機械は制御装置（１）及び移動無線ユニット（４）を備え、制御装置（１）はデータの伝達のため移動無線ユニット（４）と接続され、移動無線ユニット（４）は、移動無線ユニットがそれに割り当てられた電話番号を介してサービスユニット（９）から呼出可能であり、かつデータが移動無線システム（８）を介してサービスユニット（９）に伝送可能であるように構成され、移動無線システム（８）は地上局（７）を用いて支援される移動無線システムとして形成され、移動無線システム（８）を用いて、機械の場所に関する位置が決定可能であることを特徴とする工作機械、生産機械ないしロボットとして形成された機械。
【請求項２】
サービスユニット（９）は、サービスユニット（９）に割り当てられた電話番号を介して移動無線ユニット（４）から呼出可能であることを特徴とする請求項１記載の工作機械、生産機械ないしロボットとして形成された機械。
【請求項３】
データとして、機械のトレースデータ、製造データ、利用データ、ソフトウエアデータ、システムデータ、アイデンテイフィケーションデータ及びハードウエア構成要素（１６）のデータの少なくともいずれかが備えられることを特徴とする請求項１又は２記載の工作機械、生産機械ないしロボットとして形成された機械。
【請求項４】
機械のハードウエア構成要素（１６）がRFIDチップ（１５）を用いて特徴付けられており、機械のハードウエア構成要素（１６）のデータがRFIDチップ（１５）を用いて確定されることを特徴とする請求項３記載の工作機械、生産機械ないしロボットとして形成された機械。
【請求項５】
移動無線ユニット（４）が携帯電話又は携帯電話モジュールとして形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の工作機械、生産機械ないしロボットとして形成された機械。
【請求項６】
制御装置（１）がユニバーサル・シリアル・バス（２）を介してデータを伝達するため移動無線ユニット（４）と接続されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の工作機械、生産機械ないしロボットとして形成された機械。
【請求項７】
データが移動無線システム（８）を介してサービスユニット（９）に暗号化されて伝送可能であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の工作機械、生産機械ないしロボットとして形成された機械。
【請求項８】
サービスユニット（９）であって、このサービスユニット（９）は計算装置（１０）及び通信ユニット（１２）を備え、計算装置（１０）はデータを伝達するため通信ユニット（１２）と接続されており、通信ユニット（１２）は、通信ユニット（１２）から電話番号を介して請求項１〜７のいずれか１つによる工作機械、生産機械ないしロボットとして形成された機械の移動無線ユニット（４）が呼出可能であり、データが機械の移動無線システム（８）を介してサービスユニット（９）へ伝送可能であるように構成され、移動無線システムは地上局（７）を用いて支援される移動無線システム（８）として形成され、移動無線システム（８）を用いて、機械の場所に関する位置が決定可能であり、その位置がサービスユニット（９）に表示されることを特徴とするサービスユニット。
【請求項９】
サービスユニット（９）がサービスユニット（９）に割り当てられた電話番号を介して移動無線ユニット（４）から呼出可能であることを特徴とする請求項８記載のサービスユニット。
【請求項１０】
通信ユニット（１２）が携帯電話又は携帯電話モジュールとして形成されていることを特徴とする請求項８又は９記載のサービスユニット。
【請求項１１】
計算装置（１０）がユニバーサル・シリアル・バスを介してデータを伝達するため通信ユニット（１２）と接続されていることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１つに記載のサービスユニット。
【請求項１２】
計算装置（１０）がラップトップとして形成されていることを特徴とする請求項８〜１１のいずれか１つに記載のサービスユニット。
【請求項１３】
データが移動無線システム（８）を介して機械からサービスユニット（９）へ暗号化されて伝送可能であることを特徴とする請求項８〜１２のいずれか１つに記載のサービスユニット。