【手続補正書】
【提出日】平成23年7月5日(2011.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板の一方の面側の接続パッドにはんだによって固着されたリードピンと、
前記配線基板の前記リードピンが設けられた面の全面に形成された補強樹脂層とを有し、前記補強樹脂層は、前記リードピンの周りで局所的に突出して前記リードピンの基部側の側面を被覆する突起状樹脂部を備えていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記突起状樹脂部は、前記リードピンの外周部から外側に延在する頂上面と、前記頂上面と非同一面となる側面とを備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記補強樹脂層の外面側に形成されて、前記リードピンの径より大きな径の開口部を備え、前記開口部に前記リードピンが挿通した状態で配置された絶縁フィルムをさらに有し、
前記突起状樹脂部は、前記リードピンと前記絶縁フィルムの開口部の側面との隙間に充填されて前記リードピンの先端側に突出していることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記突起状樹脂部を備えた補強樹脂層は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂とアクリル樹脂との混合樹脂、又は、下から順に、エポキシ樹脂／ポリイミド樹脂の２層構造からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記はんだは鉛フリーはんだであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記補強樹脂層と前記絶縁フィルムとの間に中間樹脂層をさらに有し、前記補強樹脂層、前記中間樹脂層、及び前記絶縁フィルムの順にそれらの弾性率が高くなるように設定されていることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記絶縁フィルムは、ポリイミド、エンジニアリングプラスチック、ポリフェニレンサルファイド、及びテフロン（登録商標）のいずれかからなることを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
配線基板と、
前記配線基板の一方の面側の接続パッドにはんだによって固着されたリードピンと、
前記配線基板の前記リードピンが設けられた面に形成され、前記リードピンの基部側の側面を被覆する補強樹脂層と、
前記補強樹脂層の外面側に形成されて、前記リードピンの径より大きな径の開口部を備え、前記開口部に前記リードピンが挿通した状態で配置された絶縁フィルムと、
前記補強樹脂層に繋がった状態で前記リードピンと前記絶縁フィルムの開口部の側面との隙間に充填され、前記リードピンの側面を被覆する充填樹脂部とを有し、
前記充填樹脂部の外面は前記絶縁フィルムの外面と同一面又はそれより下がっていることを特徴とする特徴とする半導体パッケージ。
【請求項９】
配線基板と、
前記配線基板の一方の面側の接続パッドにはんだによって固着されたリードピンと、
前記配線基板の前記リードピンが設けられた面に形成され、前記リードピンの径より大きな径の開口部を備え、前記開口部に前記リードピンが挿通した状態で配置された補強樹脂層と、
前記補強樹脂層の外面側に形成され、前記補強樹脂層の前記開口部に対応する開口部を備え、前記開口部に前記リードピンが挿通した状態で配置された絶縁フィルムとを有し、
前記リードピンと、前記補強樹脂層及び前記絶縁フィルムの各開口部の側面との間が空洞になっていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかの半導体パッケージと、
前記配線基板の他方の面側の接続パッドにはんだによって実装された半導体チップとを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
前記リードピンを固着するはんだと前記半導体チップを実装するはんだは共に鉛フリーはんだであり、
前記半導体チップは前記はんだをリフロー加熱することによって実装され、
前記リードピンを固着するはんだの融点は、前記半導体チップを実装する際の前記リフロー加熱の温度と同等又はそれより低いことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
配線基板の一方の面側の接続パッドにはんだによってリードピンを固着する工程と、
前記配線基板の前記リードピンが配置された面に未硬化の樹脂層を形成し、前記リードピンの径より大きな径の開口部を備えた押圧治具を、前記開口部に前記リードピンを挿通させた状態で前記樹脂層の上に配置し、前記樹脂層を前記押圧治具で押圧しながら熱処理して硬化させることにより、前記リードピンの周りで局所的に突出して前記リードピンの基部側の側面を被覆する突起状樹脂部を備えた補強樹脂層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項１３】
前記突起状樹脂部は、前記リードピンの外周部から外側に延在する頂上面と、前記頂上面と非同一面となる側面とを備えていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１４】
補強樹脂層を形成する工程において前記未硬化の樹脂層を形成する工程は、
絶縁フィルムの下に前記未硬化の樹脂層が形成されて構成されて、前記リードピンの径より大きな径の開口部が前記リードピンに対応して設けられた樹脂付きフィルムを用意し、前記樹脂付きフィルムの開口部に前記リードピンを挿通させて前記樹脂付きフィルムの前記樹脂層側の面を前記配線基板に配置する工程であり、
前記押圧治具で前記樹脂付きフィルムを押圧しながら前記樹脂層を流動させることにより、前記リードピンと前記絶縁フィルムの開口部の側面との隙間から前記流動した樹脂を押し上げて前記突起状樹脂部を形成することを特徴とする請求項１２に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１５】
配線基板の一方の面側の接続パッドにはんだによってリードピンを固着する工程と、
前記配線基板の前記リードピンが配置された面に未硬化の樹脂層を形成し、前記リードピンの径より大きな径の開口部を備えた押圧治具を、前記開口部に前記リードピンを挿通させた状態で前記樹脂層の上に配置し、前記樹脂層を前記押圧治具で押圧しながら熱処理して硬化させることにより、前記リードピンの周りで局所的に突出して前記リードピンの基部側の側面を被覆する突起状樹脂部を備えた補強樹脂層を形成する工程と、
前記配線基板の他方の面側の接続パッドにはんだによって半導体チップを実装する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記リードピンを固着するはんだと前記半導体チップを実装するはんだは共に鉛フリーはんだであり、
前記半導体チップを実装する際の前記はんだのリフロー加熱時に、前記リードピンを固着するはんだが同時にリフローされることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明は半導体パッケージに係り、配線基板と、前記配線基板の一方の面側の接続パッドにはんだによって固着されたリードピンと、前記配線基板の前記リードピンが設けられた面の全面に形成された補強樹脂層とを有し、前記補強樹脂層は、前記リードピンの周りで局所的に突出して前記リードピンの基部側の側面を被覆する突起状樹脂部を備えていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
さらに、樹脂フィルム７０ｘの具体的な材料としては、フィラーとして炭酸カルシウムが２０％程度含有され、Ｔｇ（ガラス転移温度）が１２６℃程度のエポキシ樹脂、あるいは、フィラーとしてシリカが７０％程度含有され、Ｔｇ（ガラス転移温度）が１３９℃程度のエポキシ樹脂とシリコーンとの混合樹脂が使用される。また、後述するような液状樹脂を使用する場合は、上記したエポキシ樹脂の粘度は４．５Pa・s、上記したエポキシ樹脂とシリコーンとの混合樹脂の粘度は６０Pa・sである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
樹脂フィルム７０ｘの開口部７０ａは配線基板１０に取り付けられたリードピン６０に対応する位置に設けられている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
その後に、半導体チップ５の下側にアンダーフィル樹脂９を充填する。このようにして、半導体パッケージ１のリードピン６０側と反対側の接続パッドＣ２に半導体チップ５がフリップチップ接続されて、第１実施形態の半導体装置２が得られる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
樹脂付きフィルム７４はその樹脂層７４ｙがコアレス配線基板７側になるように配置される。さらに、第１実施形態と同様に、開口部８０ａが設けられてその下部に傾斜面Ｓ１を備えた押圧治具８０によって樹脂付きフィルム７４を配線基板１０側に押圧しながら、１５０〜２２０℃の温度雰囲気で樹脂付きフィルム７４を熱処理する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
図１６に示すように、突起状樹脂部７２の径が突起方向の全体にわたって同一となってその頂上面がコアレス配線基板７の基板面と平行面ＰＳとなっていてもよい。この場合、図１４（ａ）及び（ｂ）で使用する押圧治具８０において傾斜面Ｓ１の代わりに、図１６の突起状樹脂部７２の形状が得られるように内部に直角部を有する切り込み部を設ければよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
これにより、半導体チップ５ははんだバンプ６によって配線基板１０の接続パッドＣ２にフリップチップ接続される。その後に、半導体チップ５の下面側の隙間にアンダーフィル樹脂９が充填される。このようにして、半導体パッケージ１ａのリードピン６０側と反対側の接続パッドＣ３に半導体チップ５がフリップチップ接続されて、第２実施形態の半導体装置２ａが得られる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
図１７及び図１８の半導体装置２ａ，２ｂにおいて、コアレス配線基板７は、配線層のピッチが半導体チップ５側（上層側）になるにつれて狭くなるように配線層が積層される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
なお、補強樹脂層７０と難燃性フィルム７４ｘとの間に複数（２層以上）の中間樹脂層７７を形成してもよい。この場合も、補強樹脂層７０側から難燃性フィルム７４ｘ側において、外側層になるにつれて弾性率の高い硬質層とすることが好ましい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
図２２に示すように、第２実施形態と同様に、難燃性フィルム７４ｘと中間樹脂層７７の開口部７４ａとリードピン６０との間隔ｄ５から突出する突起状樹脂部７２の頂上面がコアレス基板７の基板面と平行面ＰＳになるようにしてもよい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2010080457.tif 000001
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
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【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
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【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2010080457.tif 000004