【手続補正書】
【提出日】平成23年6月9日(2011.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板洗浄方法であって、
（ａ）プロセスゾーン内に、炭素含有材料を有するｋ値が３未満の低ｋ誘電体層によって取り囲まれた金属含有表面を備える基板を配置するステップと、
（ｂ）リモートゾーンにおいて、少なくとも８０％容積のＨ2を含む洗浄ガスにエネルギーを結合してイオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を含んでいる励起ガスを形成するステップと、
（ｃ）該励起ガスをろ過してイオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第二比率を有するろ過された励起ガスを形成し、該第二比率が該第一比率と異なっているステップと、
（ｄ）該ろ過された励起ガスを該プロセスゾーンに導入して、該基板上の該低ｋ誘電体層の損傷を減少させつつ該基板を洗浄するステップと、
を含む、前記方法。
【請求項２】
（ｃ）が該励起ガスをろ過してろ過された励起ガスを形成し、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との該第二比率が該第一比率より低いステップを含んでいる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
該第一比率が該第二比率の値の少なくとも約１００倍である、請求項１記載の方法。
【請求項４】
（ｃ）が（ｉ）該リモートゾーンと該プロセスゾーン間に電気的に接地されたグリッドを維持する工程と、（ｉｉ）該イオン水素含有化学種の数を減少させることができる石英表面全体に該励起ガスを通す工程の少なくとも１つを含んでいる、請求項１記載の方法。
【請求項５】
（ｂ）において、該洗浄ガスがＨ2Ｏを含んでいる、請求項１記載の方法。
【請求項６】
（ｂ）において、該洗浄ガスが窒素含有ガスを含んでいる、請求項１記載の方法。
【請求項７】
（ｂ）において、該洗浄ガスがＮＨ3を含んでいる、請求項１記載の方法。
【請求項８】
（ｂ）において、該洗浄ガスが約８０％〜約１００％容積のＨ2と約１％〜約２０％容積のＨ2Ｏを含んでいる、請求項１記載の方法。
【請求項９】
（ｂ）において、該洗浄ガスが約８０％〜約１００％容積のＨ2と、約１％〜約２０％容積のＨ2Ｏと、約１％〜約２０％のＮＨ3とを含んでいる、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
（ｄ）が該基板の下の電極に約１００ワット未満のバイアス電力レベルを印加する工程を更に含んでいる、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
該基板の温度を約１５０℃〜約３５０℃に維持するステップを更に含んでいる、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
下にある金属含有導体を露出する特徴部がその中に形成され、炭素含有材料を有するｋ値が３未満の低ｋ誘電材料を含む基板を洗浄する方法であって、
（ａ）熱処理ステップにおいて、少なくとも約１００℃の該基板の温度を維持しつつ該基板を水素含有ガスに晒すステップと、
（ｂ）洗浄ステップにおいて、該基板をろ過された遠隔励起ガスに晒して該基板を洗浄するステップであって、該ろ過された遠隔励起ガスがラジカル水素含有化学種を含んでいる、前記ステップと、
を含み、該ろ過された遠隔励起ガスは、
（ｉ）リモートゾーンにおいて少なくとも８０％容積のＨ2を含む洗浄ガスにエネルギーを結合して遠隔励起ガスを形成する工程であって、該遠隔励起ガスがイオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を含んでいる、前記工程と、
（ｉｉ）該遠隔励起ガスをろ過してイオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第二比率を有するろ過された励起ガスを形成する工程であって、該第二比率が該第一比率より低い、前記工程と、
（ｉｉｉ）該基板を該ろ過された励起ガスに晒して、該基板上の炭素を含有する該低ｋ誘電材料の損傷を減少させつつ該基板を洗浄する工程と、
により形成される、前記方法。
【請求項１３】
（ａ）が約１５０℃〜約３５０℃の基板の温度を維持する工程を含んでいる、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
（ａ）が約１００ｓｃｃｍ〜毎分約５リットルの容量流量でプロセスゾーンにＨ2フローを供給する工程と、約３０Ｔｏｒｒ未満のプロセスゾーンの圧力を維持する工程を含んでいる、請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
基板洗浄装置であって、
（ａ）水素含有ガスを遠隔励起してイオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を含む遠隔励起ガスを形成するリモートソースと、
（ｂ）プロセスチャンバであって、
（ｉ）基板支持体と、
（ｉｉ）石英ガス分配プレートと石英チャンバライナとを備えているイオンフィルタと、
（ｃ）廃ガス及び副生成物を排気する排気システムと、
を備えている、前記チャンバと、
を備えている、前記装置。
【請求項１６】
該石英ガス分配プレート及び石英チャンバライナが、該励起ガスにおけるイオン水素含有化学種の数を減少させて、該第一比率より低い第二比率を有するろ過された励起ガスを形成するのに十分な石英表面を提供する、請求項１５記載の装置。
【請求項１７】
該リモートソースとチャンバを接続するコンジットが石英表面を備えている、請求項１５記載の装置。
【請求項１８】
ラジカル濃度とイオン濃度の少なくとも１つを検出するように適合された検出器を備えている、請求項１５記載の装置。
【請求項１９】
該第一比率の値が該第二比率の値の少なくとも約１００倍である、請求項１５記載の装置。
【請求項２０】
該リモートソースと該プロセスチャンバとの間に電気的に接地されたグリッドを備えている、請求項１５記載の装置。
【請求項２１】
Ｈ2、Ｈ2Ｏ、ＮＨ3及びＳｉＨ4の１つ以上を含む水素含有ガスを供給する洗浄ガスソースを備えている、請求項１５記載の装置。
【請求項２２】
（ｉ）少なくとも８０％のＨ2を含む水素含有ガス、
（ｉｉ）Ｈ2Ｏを含む水素含有ガス、及び、
（ｉｉｉ）ＮＨ3を含む水素含有ガス、
の少なくとも１つを供給する洗浄ガスソースを備えている、請求項１５記載の装置。
【請求項２３】
該水素含有ガスが、約８０体積％〜約１００体積％のＨ2と、約１体積％〜約２０体積％のＨ2Ｏとを含む、請求項２２記載の装置。
【請求項２４】
該洗浄ガスソースが窒素含有ガスを供給する、請求項２２記載の装置。
【請求項２５】
該基板の下の電極へバイアス電力を印加する電源を備えている、請求項１５記載の装置。
【請求項２６】
該基板を約１５０℃〜約３５０℃の温度に維持するヒータを備えている、請求項１５記載の装置。
【請求項２７】
該ヒータが抵抗加熱素子又は加熱ランプである、請求項２６記載の装置。
【請求項２８】
プロセスチャンバであって、
（ａ）プロセスゾーン内の基板支持体と、
（ｂ）エネルギーを水素含有ガスに結合してイオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を含む励起ガスを形成するチャンバガスエナジャイザと、
（ｃ）該励起ガスにおけるイオン水素含有化学種の数を減少させて、該第一比率より低い第二比率を有する励起ガスを形成するイオンフィルタであって、石英ガス分配プレートと石英チャンバライナとを備えている、前記イオンフィルタと、
（ｄ）廃ガスを該チャンバから排気する排気システムと、
を備えている、前記チャンバ。
【請求項２９】
該チャンバガスエナジャイザが電極及び誘導アンテナの１つ以上を備えている、請求項２８記載の装置。
【請求項３０】
該ガスを励起するリモートソースをさらに備えている、請求項２８記載の装置。
【請求項３１】
該リモートソースと該チャンバとを接続するコンジットを備え、該コンジットが石英表面を備えている、請求項２８記載の装置。
【請求項３２】
該第一比率の値が該第二比率の値の少なくとも約１００倍である、請求項２８記載の装置。
【請求項３３】
Ｈ2、Ｈ2Ｏ、ＮＨ3及びＳｉＨ4の１つ以上を含む水素含有ガスを供給する洗浄ガスソースを備えている、請求項２８記載の装置。