Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月10日(2009.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＶＨおよび／またはＶＬ領域の少なくとも１つの相補性決定領域（ＣＤＲ）を含む、抗体、抗体断片またはその誘導体であって、前記ＣＤＲを決定するアミノ酸配列が、（ＶＬ）配列番号１６０〜１６２、１６６〜１６８、１７２〜１７４、および１７８〜１８０からなる群から選択され、かつ（ＶＨ）配列番号１６３〜１６５、１６９〜１７１、１７５〜１７７、および１８１〜１８３からなる群から選択される、抗体、抗体断片またはその誘導体。
【請求項２】
前記抗体、抗体断片またはその誘導体が、哺乳類ＥＡＧ１イオンチャネルの細胞外または細胞内ドメインの少なくとも１つのエピトープと特異的に結合／相互作用し、かつ哺乳類ＥＡＧ２イオンチャネルと結合／相互作用しない、請求項１に記載の抗体、抗体断片またはその誘導体。
【請求項３】
前記抗体がモノクローナル抗体である請求項１または２に記載の抗体。
【請求項４】
前記抗体断片またはその誘導体が、Ｆａｂ−断片、Ｆ（ａｂ２）’−断片、一本鎖抗体、キメラ抗体、ＣＤＲ移植抗体、二価抗体−コンストラクト、ヒト化抗体、ヒト抗体、合成抗体、その化学的に修飾された誘導体、多特異的抗体、二重特異性抗体（ｄｉａｂｏｄｙ）、またはＦｖ−断片あるいは別タイプの組換え抗体である請求項１〜３のいずれか一項に記載の抗体断片またはその誘導体。
【請求項５】
前記ＶＨ鎖および前記ＶＬ鎖の各々のうちの少なくとも１つのＣＤＲを含む請求項１〜４のいずれか一項に記載の抗体、抗体断片またはその誘導体。
【請求項６】
前記ＣＤＲがＣＤＲ３である請求項１〜５のいずれか一項に記載の抗体、抗体断片またはその誘導体。
【請求項７】
前記軽鎖（ＶＬ）が配列番号２、６、１０、１４、１８、２２、２６、３０、３４、３８、４３および４７からなる群から選択され、かつ前記重鎖（ＶＨ）が配列番号４、８、１２、１６、２０、２４、２８、３２、３６、４０、４４および４８からなる群から選択される請求項１〜６のいずれか一項に記載の抗体、抗体断片またはその誘導体。
【請求項８】
前記抗体、断片またはその誘導体がラベル基に結合される請求項１〜７のいずれか一項に記載の抗体、抗体断片またはその誘導体。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の抗体、抗体断片またはその誘導体をコードする核酸分子。
【請求項１０】
請求項９の核酸分子を含有するベクター。
【請求項１１】
前記核酸分子が、原核生物および／または真核細胞の宿主細胞における前記転写および場合によって発現を可能にする１つまたは複数の制御配列に作動可能に連結される発現ベクターである請求項１０に記載のベクター。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載のベクターを含む宿主。
【請求項１３】
細菌、真菌、植物、両生類または動物細胞である、請求項１２に記載の宿主。
【請求項１４】
ヒト細胞またはヒト細胞系である請求項１３に記載の宿主。
【請求項１５】
抗体、抗体断片またはその誘導体の合成を可能にする条件下で請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の宿主を培養するステップと、前記培養物から前記抗体、抗体断片またはその誘導体を回収するステップとを含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の抗体、抗体断片またはその誘導体の調製のための方法。
【請求項１６】
請求項１〜８のいずれか一項に定義された抗体、抗体断片またはその誘導体、請求項９に記載の核酸分子、請求項１０または１１に記載のベクター、請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の宿主あるいは請求項１５に定義された方法によって得られる抗体、抗体断片またはその誘導体を含む医薬組成物。
【請求項１７】
少なくとも１種の抗腫瘍剤をさらに含有する請求項１６に記載の医薬組成物。
【請求項１８】
高増殖性疾患、炎症性疾患、乾癬、または神経変性疾患の予防または治療のための医薬組成物の調製を目的とする、請求項１〜８のいずれか一項に定義された抗体、抗体断片またはその誘導体、請求項９に記載の核酸分子、請求項１０または１１に記載のベクター、請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の宿主あるいは請求項１５に定義された方法によって得られる抗体、抗体断片またはその誘導体の使用。
【請求項１９】
前記神経変性疾患がアルツハイマー病、多発性硬化症、筋萎縮性側索硬化症またはパーキンソン病である請求項１８に記載の使用。
【請求項２０】
前記高増殖性疾患が、乳癌、肺癌、結腸癌、腎臓癌、リンパ腫、皮膚癌、卵巣癌、前立腺癌、膵臓癌、食道癌、バレット癌、胃癌、膀胱癌、頚癌、肝臓癌、甲状腺癌、メラノーマ、増殖性疾患または腫瘍性疾患あるいは他のＥＡＧを発現または過剰発現する高増殖性疾患である請求項１８に記載の使用。
【請求項２１】
前記炎症性疾患が膵炎または肝炎である請求項１８に記載の使用。
【請求項２２】
請求項１〜８のいずれか一項に定義された抗体、抗体断片またはその誘導体、請求項９に記載の核酸分子、請求項１０または１１に記載のベクター、請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の宿主あるいは請求項１５で定義された方法によって得られる抗体、抗体断片またはその誘導体、および場合によって医薬的に許容できる担体を含む診断用組成物。
【請求項２３】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の抗体または抗体断片またはその誘導体を自身の表面上にＥＡＧ１を担持すると見られる細胞または組織とインビトロで接触させることを含む、ＥＡＧ１発現細胞の存在について評価する方法。
【請求項２４】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の抗体または抗体断片またはその誘導体を自身の表面上にＥＡＧ１を担持すると見られる細胞または組織とインビトロで接触させることを含む、ＥＡＧ１の機能を遮断する方法。
【請求項２５】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の抗体または抗体断片またはその誘導体の適切な用量を含む、高増殖性疾患、炎症性疾患、乾癬、または神経変性疾患から選択される疾患の治療用医薬組成物。
【請求項２６】
前記神経変性疾患がアルツハイマー病、多発性硬化症、筋萎縮性側索硬化症またはパーキンソン病である請求項２５に記載の医薬組成物。
【請求項２７】
前記高増殖性疾患が、乳癌、肺癌、結腸癌、腎臓癌、リンパ腫、皮膚癌、卵巣癌、前立腺癌、膵臓癌、食道癌、バレット癌、胃癌、膀胱癌、頚癌、肝臓癌、甲状腺癌、メラノーマ、増殖性疾患または腫瘍性疾患あるいは他のＥＡＧを発現または過剰発現する高増殖性疾患である請求項２５に記載の医薬組成物。
【請求項２８】
前記炎症性疾患が膵炎または肝炎である請求項２５に記載の医薬組成物。
【請求項２９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の抗体、抗体断片またはその誘導体、請求項９に記載の核酸分子および／あるいは請求項１０または１１に記載のベクターを含むキット。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月15日(2008.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体がその上に形成されているとともに当該絶縁体上に半導体層が形成されている半導体基板を提供するステップと、
前記半導体層に歪みを引き起こす深いトレンチ分離を形成するステップと、
前記半導体層上にゲート絶縁体およびゲートを形成するステップと、
前記ゲートの周りにスペーサを形成するステップと、
前記スペーサの外側の前記半導体層および前記絶縁体を除去するステップと、
前記スペーサの外側にくぼんだソース／ドレインを形成するステップと、
前記スペーサを除去するステップと、
前記深いトレンチ分離を除去し、トレンチを形成するステップと、
前記トレンチ中および前記くぼんだソース／ドレインと前記ゲート上に、前記半導体層に歪みを引き起こす層をたい積するステップと、
を有する、
半導体デバイスを製造する方法。
【請求項２】
前記スペーサの外側にくぼんだソース／ドレインを形成するステップは、前記スペーサの外側に選択エピタキシャル成長によってくぼんだソース／ドレインを形成するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記スペーサの外側にくぼんだソース／ドレインを形成するステップは、前記半導体層に歪みを引き起こす、前記スペーサ の外側にくぼんだ炭素ドープされたシリコンソース／ドレインを形成するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記スペーサの外側にくぼんだソース／ドレインを形成するステップは、前記半導体層に歪みを引き起こす、前記スペーサの外側にくぼんだシリコンゲルマニウム・ソース／ドレインを形成するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
埋め込み酸化被膜絶縁体がその上に形成されているとともに前記絶縁体上にシリコン層が形成されているシリコン基板を提供するステップと、
前記シリコン層に歪みを引き起こす深いトレンチ分離を形成するステップと、
前記シリコン層上にゲート絶縁体およびゲートを形成するステップと、
前記ゲートの周りと前記シリコン層上にライナを形成するステップと、
前記ゲートの周りにスペーサを形成するステップと、
前記スペーサの外側の前記シリコン基板の表面を露出するように前記シリコン層および前記絶縁体を除去するステップと、
前記スペーサの外側にくぼんだソース／ドレインを選択的エピタキシャル成長によって形成するステップと、
前記スペーサを除去するステップと、
前記深いトレンチ分離を除去し、トレンチを形成するステップと、
前記トレンチ中および前記くぼんだソース／ドレイン、前記ライナ、および前記ゲート上に、前記シリコン層に歪みを引き起こすコンタクト・エッチング停止層をたい積するステップと、を含む、半導体デバイスを製造する方法。
【請求項６】
前記スペーサの外側にくぼんだソース／ドレインを選択的エピタキシャル成長によって形成するステップは、前記スペーサの外側のシリコン基板の表面にくぼんだソース／ドレインを選択的エピタキシャル成長によって形成するステップをさらに含む、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記スペーサの外側にくぼんだソース／ドレインを選択的エピタキシャル成長によって形成するステップは、前記シリコン層に歪みを引き起こす、前記スペーサ の外側にくぼんだ炭素ドープされたシリコンソース／ドレインを形成するステップをさらに含む、請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記スペーサの外側にくぼんだソース／ドレインを選択的エピタキシャル成長によって形成するステップは、前記シリコン層に歪みを引き起こす、前記スペーサ の外側にくぼんだシリコンゲルマニウム・ソース／ドレインを形成するステップをさらに含む、請求項５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月14日(2008.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材および複数のマイクロニードルを有するマイクロニードルアレイを提供する工程と；
フレキシブルフィルムを提供する工程と；
キャリア流体およびコーティング材料を含むコーティング溶液を提供する工程と；
前記フレキシブルフィルムの第１の主面上に前記コーティング溶液を適用する工程と；
前記フレキシブルフィルムの前記第１の主面を前記マイクロニードルと接触させ、そして前記フレキシブルフィルムを前記マイクロニードルとの接触から解除する転写工程を実行する工程と；
前記キャリア流体を蒸発させる工程と
を含む、マイクロニードルアレイのコーティング方法。
【請求項２】
基材および複数のマイクロニードルを有するマイクロニードルアレイを提供する工程と；
キャリア流体およびコーティング材料を含むコーティング溶液を提供する工程と；
コーティング基材と、前記マイクロニードルアレイのための支持部材とを含むコーティング装置を提供する工程であって、前記コーティング装置内にて前記コーティング基材および前記マイクロニードルアレイの少なくとも一方がフレキシブルに取り付けられている、工程と；
前記コーティング基材の第１の主面上に前記コーティング溶液を適用して、前記マイクロニードルのうち少なくとも１つの高さ以下の厚さを有する適用されたコーティング溶液の層を形成する工程と；
前記コーティング基材の前記第１の主面を前記マイクロニードルと接触させ、そして前記コーティング基材を前記マイクロニードルとの接触から解除することにより、前記コーティング溶液の少なくとも一部を前記マイクロニードルアレイに転写する、転写工程を実行する工程と；
その転写したキャリア流体を蒸発させる工程と
を含む、マイクロニードルアレイのコーティング方法。
【請求項３】
前記コーティング基材がフレキシブルに取り付けられており、前記コーティング基材がフレキシブルフィルムである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記フレキシブルフィルムが前記マイクロニードルと接触する時に、前記マイクロニードルが上方を向きかつ前記フレキシブルフィルム上の前記コーティング溶液が下方を向くように、前記マイクロニードルアレイを配向させる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記フレキシブルフィルム上の前記コーティング溶液が前記マイクロニードルと接触している間に、前記マイクロニードルを横切って直線方向に前記フレキシブルフィルムが移動する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
転写工程中に前記マイクロニードルに転写されるコーティング溶液の量が、０．１μＬ〜１０μＬである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
乾燥した前記コーティング材料が優先的に前記マイクロニードル上に付着する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記コーティング溶液が治療剤を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記コーティング溶液がワクチン、ワクチン補助剤またはそれらの混合物を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記マイクロニードルアレイがフレキシブルに取り付けられている、請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月14日(2008.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コントローラと、
前記コントローラにより制御されるように用いられる反応チャンバと、
前記反応チャンバへの管と、
前記反応チャンバ内の前記管の第１の端部に配置されたパイロットと、
前記反応チャンバ外の前記管の第２の端部に配置され、前記コントローラに結合され、
前記コントローラに前記パイロットが点灯したかどうかの指示を与えるように用いられるセンサと、
前記管の開閉のために操作可能なアクチュエータとを含むシステム。
【請求項２】
前記コントローラが、前記センサからの前記指示に基づいて前記反応チャンバを操作するように用いられる請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記アクチュエータが、
前記管を閉じたときに、前記センサに火炎からの放射線が達するのを防ぐこと、及び
開放状態と閉鎖状態の間で前記管を循環することの少なくとも１つに用いられる請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記アクチュエータが開放状態と閉鎖状態の間で前記管を循環するように用いられ、前記コントローラが、前記管の実際の状態を、前記センサからの前記指示と比較することによって前記センサを試験するように用いられる請求項３記載のシステム。
【請求項５】
前記反応チャンバが、燃料を前記反応チャンバに提供し、前記パイロットにより発火されるように用いられるバーナージェットを含み、
前記センサが、前記バーナージェットが発火されるかどうか前記コントローラに指示を与えるように更に用いられ、前記コントローラが、前記バーナージェットが発火されるかどうかに基づいて、前記反応チャンバをシャットダウンするように用いられる請求項１記載のシステム。
【請求項６】
反応チャンバを含む第１の筐体と、
前記第１の筐体と関連した第２の筐体と、
前記第１の筐体内にあって、前記第１の筐体内の可燃性ガスを検出するように用いられるセンサと、
前記第１の筐体内にあって、規定温度で前記センサを維持するように用いられるヒーターと、
前記第２の筐体内にあって、前記センサに結合され、可燃性ガス発火エネルギーレベルより低いレベルまで前記センサに与えられるエネルギーの量を制限するように用いられる第１のバリアと、
前記第２の筐体内にあって、前記ヒーターに結合され、可燃性ガス発火エネルギーレベルより低いレベルまで前記ヒーターに与えられるエネルギーの量を制限するように用いられる第２のバリアとを含むシステム。
【請求項７】
前記第１のバリアからの信号を受け、可燃性ガスの濃度レベルが規定の閾値を超えることを前記信号が示す場合に前記反応チャンバをシャットダウンするように用いられるコントローラを更に含む請求項６記載のシステム。
【請求項８】
前記第１の筐体が排気口を含み、前記センサが前記排気口の近傍に配置されている請求項６記載のシステム。
【請求項９】
反応チャンバを含む第１の筐体と、
前記第１の筐体と関連した第２の筐体と、
前記第１の筐体内にあって、前記第１の筐体内の可燃性ガスを検出するように用いられるセンサと、
前記第２の筐体内にあって、前記センサに結合され、可燃性ガス発火エネルギーレベルより低いレベルまで前記センサに与えられるエネルギーの量を制限するように用いられるバリアと、
前記バリアからの信号を受け、可燃性ガスの濃度レベルが規定の閾値を超えることを前記信号が示す場合に前記反応チャンバをシャットダウンするように用いられるコントローラとを含むシステム。
【請求項１０】
共有燃料源と、
前記共有燃料源に結合され、燃料の安定したフローを与えるように用いられる燃料回路であって、前記燃料回路内の圧力の量を判断するメータと、前記燃料回路内の圧力を生成するポンプと、前記燃料圧力を規定圧力に調整する調整器と、前記メータ、ポンプ及び調整器の少なくとも１つに結合され、前記メータからの信号に基づいて前記ポンプ及び調整器の少なくとも１つを制御するように用いられるコントローラを含む燃料回路と、
前記燃料回路に結合され、燃料を受け、前記燃料を反応チャンバへ供給するように用いられる入口アダプタとを含むシステム。
【請求項１１】
前記メータが、前記燃料回路を流れる燃料の量及びレートを示す信号を与えるように用いられる質量流量計であること、
前記ポンプが、燃料を前記共有燃料源から引くように用いられる燃料ブースターポンプ、及び前記燃料回路内の燃料を加圧するように用いられるコンプレッサの少なくとも１つを含むこと、
前記調整器が、前記共有燃料源から供給された燃料の前記圧力を、前記規定圧力まで減少するように用いられる圧力調整器を含むこと、及び
前記調整器が、前記入口アダプタへ前記規定圧力で燃料を提供するように用いられる圧力調整器を含むことの少なくとも１つを含む請求項１０記載のシステム。
【請求項１２】
反応ユニットを含む除害システムと、
前記反応ユニットのコンポーネントをモニターするように用いられる第１のコントローラと、
前記第１のコントローラから独立して前記反応ユニットのコンポーネントをモニターするように用いられる第２のコントローラとを含み、
１つ以上の規定操作条件が、前記第２のコントローラにより確認可能である場合に、前記第２のコントローラが、前記第１のコントローラによる操作のために前記モニターされたコンポーネントを有効にするように更に用いられ、
規定操作条件が、前記第１のコントローラにより確認可能であり、前記モニターされたコンポーネントの操作が前記第２のコントローラにより有効にされている場合に、前記第１のコントローラが、前記モニターされたコンポーネントを操作するように更に用いられるシステム。
【請求項１３】
前記モニターされたコンポーネントが、
緊急マシンオフコンポーネント、
循環タンク及び関連の水流コンポーネント、
パイロット発火装置及び関連の通気コンポーネント、及び
パイロット火炎センサ及び関連の燃料及び廃液ストリームフローコンポーネントの少なくとも１つを含む請求項１２記載のシステム。
【請求項１４】
処理ツールと、
前記処理ツールに結合され、前記処理ツールでプロセスが実行されたかどうかの表示を生成するように用いられる検出器と、
前記検出器に結合され、前記検出器からの前記表示に基づいて前記処理ツールにより生成されるであろう廃液の量を判断するように用いられるコントローラとを含むシステム。
【請求項１５】
前記コントローラが、前記処理ツールにより生成されるであろう廃液の前記判断された量に基づいて、除害システムの操作を制御するように更に用いられる請求項１４記載のシステム。
【請求項１６】
前記除害システムの制御操作が、
熱反応器内で燃料流量を調整すること、
反応器内で酸化物流量を調整すること、
予防保守サイクルを実施することの少なくとも１つを含む請求項１５記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月18日(2008.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に剥離表面を形成させる方法であって、
（ａ）プライマ粉末を前記基材に被着させてプライマ層を前記基材上に形成させる工程であって、前記プライマがテトラフルオロエチレン／パーフルオロオレフィンコポリマーおよびポリマー結合剤を含む工程と、
（ｂ）オーバーコート粉末を前記プライマ層上に被着させて前記プライマ層上にオーバーコート層を形成させる工程であって、前記オーバーコートがテトラフルオロエチレン／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）コポリマーを含む工程と、
（ｃ）前記プライマ層および前記オーバーコート層を焼付けて、前記剥離表面を形成させる工程と
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法に製造された剥離被膜をその上に有する基材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
付着強さを沸騰水試験の前後に採点する。沸騰水試験のためにパネルを所定の時間にわたり沸騰水に浸漬させる。１〜４の採点システムにより付着破壊を定性的に採点する。４の評点は最善の粘着力評点である。非常に容易に剥離する膜をもたらした接着剤破壊を示すサンプルに１の評点を与える。膜を剥離するために著しい努力を必要とした接着剤破壊を示したサンプルに２の評点を与える。剥離によって破壊したが、膜の著しい伸びまたは膜の伸びの後に膜の緩やかな引裂をもたらしたサンプルに３の評点を与える。きれいな被膜破壊または伸びの後に破壊を示したサンプルに４の評点を与える。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  基材上に剥離表面を形成させる方法であって、
（ａ）プライマ粉末を前記基材に被着させてプライマ層を前記基材上に形成させる工程であって、前記プライマがテトラフルオロエチレン／パーフルオロオレフィンコポリマーおよびポリマー結合剤を含む工程と、
（ｂ）オーバーコート粉末を前記プライマ層上に被着させて前記プライマ層上にオーバーコート層を形成させる工程であって、前記オーバーコートがテトラフルオロエチレン／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）コポリマーを含む工程と、
（ｃ）前記プライマ層および前記オーバーコート層を焼付けて、前記剥離表面を形成させる工程と
を含むことを特徴とする方法。
［２］  前記パーフルオロオレフィンが３〜８個の炭素原子を含むことを特徴とする［１］に記載の方法。
［３］  前記パーフルオロオレフィンがヘキサフルオロプロピレンであることを特徴とする［２］に記載の方法。
［４］  前記パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）のアルキル基が１〜５個の炭素原子を含むことを特徴とする［１］に記載の方法。
［５］  前記パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）がパーフルオロ（プロピルビニルエーテル）であることを特徴とする［１］に記載の方法。
［６］  前記プライマ粉末を静電吹付けによって被着させることを特徴とする［１］に記載の方法。
［７］  前記オーバーコート粉末を静電吹付けによって被着させることを特徴とする［１］に記載の方法。
［８］  前記ポリマー結合剤がポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィドおよびポリアリーレンエーテルケトンからなる群から選択されることを特徴とする［１］に記載の方法。
［９］  前記ポリマー結合剤がポリフェニレンスルフィドを含むことを特徴とする［２］に記載の方法。
［１０］  前記プライマ粉末が６０重量％以下のテトラフルオロエチレン／パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）を更に含むことを特徴とする［２］に記載の方法。
［１１］  前記プライマ粉末が前記フルオロポリマーおよび前記ポリマー結合剤の総合重量を基準にして５〜９０重量％のポリマー結合剤を含むことを特徴とする［１］に記載の方法。
［１２］  前記プライマが、前記フルオロポリマー、前記ポリマー結合剤および充填剤の総合重量を基準にして１０〜２０重量％の無機充填剤を含むことを特徴とする［１］に記載の方法。
［１３］  前記プライマ粉末の粉末が、前記フルオロポリマーおよび前記ポリマー結合剤の両方を含む粒子を含むことを特徴とする［１］に記載の方法。
［１４］  前記プライマ粉末が噴霧乾燥によって形成されたことを特徴とする［１］に記載の方法。
［１５］  前記基材が、炭素鋼、アルミニウムまたはアルミニウム被覆鋼からなる群から選択されることを特徴とする［１］に記載の方法。
［１６］  工程（ａ）および（ｂ）が行われるときに、前記基材が１５〜２５℃の温度であることを特徴とする［１］に記載の方法。
［１７］  前記プライマ層上への前記オーバーコート粉末の前記被着を前記プライマ層を焼付ける前に行い、それによって前記オーバーコート層の前記焼付けが前記プライマ層も焼付けることを特徴とする［１］に記載の方法。
［１８］  前記プライマ層上への前記オーバーコート粉末の前記被着を前記プライマ層を焼付けた後に行い、前記オーバーコート層を前記オーバーコート粉末の被着後に焼付けることを特徴とする［１］に記載の方法。
［１９］  前記プライマ層が厚さ２ミル（５０マイクロメートル）未満であり、前記オーバーコート層が２５ミル（６５０マイクロメートル）以下であることを特徴とする［１］に記載の方法。
［２０］  前記プライマ層が厚さ１．５ミル未満であることを特徴とする［１７］に記載の方法。
［２１］  前記オーバーコート層が厚さ１．５〜３ミル（３８マイクロメートル〜７６マイクロメートル）であることを特徴とする［１７］に記載の方法。
［２２］  ［１］に記載の方法に製造された剥離被膜をその上に有する基材。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月14日(2008.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性バンドと、
前記弾性バンドに取り付けられたマイクロニードルデバイスと
を含む、マイクロニードル適用デバイス。
【請求項２】
前記弾性バンドに直接的または間接的に連結されたハンドルと、所定の水準の蓄積エネルギーにおいて前記バンドを解放する解放システムとをさらに含む、請求項１に記載のマイクロニードル適用デバイス。
【請求項３】
前記弾性バンドが前記マイクロニードルデバイスに解放可能に取り付けられている、請求項１に記載のマイクロニードル適用デバイス。
【請求項４】
前記バンドに固定されており、前記バンドが伸長可能であるように適合されたハンドルをさらに含む、請求項１に記載のマイクロニードル適用デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月18日(2008.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
骨内に構成された空間内に配置可能なインプラントを有し、
前記インプラントは、遠位端部及び近位端部を有する本体と、前記本体の上に配置された第１の部材及び第２の部材を有し、
前記第１の部材は、骨の部分に係合するように外方に拡張可能であり、複数の噛合い部品を有し、
前記第２の部材は、前記第１の部材よりも遠位側に位置し、前記第１の部材に対して近位方向に移動可能であり、前記第２の部材の近位方向の移動により、前記第１の部材を外方に拡張させて骨に係合させるように前記第２の部材を作動させ、それにより、前記インプラントを前記空間内の適所に固着させる、材料固定装置。
【請求項２】
前記第２の部材は、それに作用させる張力の付与によって作動される、請求項１に記載の材料固定装置。
【請求項３】
前記第２の部材は、その上に、前記空間内に固定すべき軟質の組織を受入れるための面を有し、前記軟質の組織に張力が付与されることにより、前記第２の部材に張力が付与される、請求項２に記載の材料固定装置。
【請求項４】
前記噛合い部品は、互いに対して枢動する、請求項１に記載の材料固定装置。
【請求項５】
前記噛合い部品は、互いに対して自由に移動し且つ外方に摺動する、請求項１に記載の材料固定装置。
【請求項６】
前記第２の部材は、遠位先端を有し、軟質の組織が前記遠位先端の周りにループを形成する、請求項３に記載の材料固定装置。
【請求項７】
骨内に構成された空間内に配置可能なインプラントを有し、
前記インプラントは、遠位端部及び近位端部を有する本体と、前記本体の上に配置された第１の部材及び第２の部材を有し、
前記第１の部材は、外方に拡張可能であり、
前記第２の部材は、前記第１の部材から軸線方向に配置され、外方に拡張可能である、材料固定装置。
【請求項８】
更に、前記本体の遠位端部を有し、前記本体の遠位部端は、軟質の組織を受入れる面を前記遠位端部の周りに有する、請求項７に記載の材料固定装置。
【請求項９】
前記第２の部材は、前記第１の部材よりも遠位側に配置される、請求項７に記載の材料固定装置。
【請求項１０】
前記第２の部材は、前記遠位端部よりも近位側に配置される、請求項８に記載の材料固定装置。
【請求項１１】
前記第１の部材は、外方に枢動可能なアームを有し、前記アームは、前記本体を骨に固定するために骨に係合するように構成された部分を有する、請求項７に記載の材料固定装置。
【請求項１２】
前記アームの遠位端は、本体に取付けられ、枢動端部を有し、
前記アームの近位端は、外方に枢動し、且つ、骨に係合するように構成される部分を有する、請求項１１に記載の材料固定装置。
【請求項１３】
前記第１の部材は、複数の前記アームを有する、請求項１１に記載の材料固定装置。
【請求項１４】
前記第２の部材は、折り曲げ位置に作動される中央部分を有し、前記中央部分は、外方に拡張される、請求項７に記載の材料固定装置。
【請求項１５】
更に、展開装置を有し、この展開装置は、前記第１の部材及び前記第２の部材の両方を展開するために、ほぼ軸線方向に前進させられる、請求項７に記載の材料固定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月20日(2008.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
解剖学的ツリー構造を視覚化するためのシステムにおいて、
−身体の少なくとも一部の三次元画像セットから前記解剖学的ツリー構造をセグメント化するためのセグメント化手段、及び
−前記解剖学的ツリー構造の平面角視覚化を決めるための決定手段
を有するシステム。
【請求項２】
−前記解剖学的ツリー構造の前記平面角視覚化を表示するための表示手段
をさらに有する請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記解剖学的ツリー構造の各セグメントの表示される長さは、各セグメントの実際の長さに比例している請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
世代ｉの各分岐において、前記解剖学的ツリー構造の前記平面角視覚化は、現在の方向から分岐角±θｉだけ少なくとも２つの新しい方向に分岐し、前記分岐角は各世代でθｉ＋１＝（１／２）θｉで減少する請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記解剖学的ツリー構造の前記表示される平面視覚化は対話形式である請求項２に記載のシステム。
【請求項６】
前記解剖学的ツリー構造の前記表示される平面角視覚化の各ポイントにおいて表示される幅は、前記解剖学的ツリー構造の対応するポイントでの計測される気道内腔の直径に比例している請求項２に記載のシステム。
【請求項７】
前記解剖学的ツリーは気管支樹である請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
−気管支の直径及び壁の厚さに関する異常を決めるための決定手段
をさらに有する請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記解剖学的ツリー構造は肺動脈血管樹である請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか一項に記載のシステムを有する画像取得装置。
【請求項１１】
請求項１乃至９の何れか一項に記載のシステムを有する画像ワークステーション。
【請求項１２】
−身体の少なくとも一部の三次元画像セットから解剖学的ツリー構造をセグメント化するためのステップ、及び
−前記解剖学的ツリー構造の平面角視覚化を決めるためのステップ
を有する解剖学的ツリー構造を視覚化する方法。
【請求項１３】
−前記解剖学的ツリー構造の前記平面角視覚化を表示するためのステップ
をさらに有する請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記解剖的ツリー構造の直径及び壁の厚さに関する異常を決めるためのステップをさらに有し、前記異常は前記解剖学的ツリー構造の前記表示される平面角視覚化において色分けされている請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記解剖学的ツリー構造は気管支樹である方法において、
−前記気管支樹上の何れかのポイントに対する付随する動脈の直径を決定するステップ、及び
−前記気管支の直径と前記動脈の直径との間の比を決定するステップ
を有する請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
コンピュータにより処理するための、解剖学的ツリー構造を自動抽出するコンピュータプログラムを取り込んでいるコンピュータ読み取り可能媒体において、
−身体の少なくとも一部の三次元画像セットから前記解剖学的ツリー構造をセグメント化するためのコードセグメント、及び
−前記解剖学的ツリー構造の平面角視覚化を決めるためのコードセグメント
を有するコンピュータプログラムを取り込んでいるコンピュータ読み取り可能媒体。
【請求項１７】
−前記解剖学的ツリー構造の前記平面角視覚化を表示するためのコードセグメント
をさらに有する請求項１６に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月17日(2008.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超音波プローブにおけるマイクロビームフォーマのためのハイブリッド集積回路パッケージであって、前記超音波プローブは、パルスを送信すると共に受信するための変換器素子のアレイを有し、前記回路パッケージは、
基板と、
送信ビームを発生させるために前記変換器素子に送信されるべき集束された送信パルスを生成するためのドライバ回路と、
時間遅延回路及び加算回路を含み、前記時間遅延回路は、前記変換器素子からの複数の反射パルスを受信すると共に前記反射パルスを遅延させるために動作するように構成され、前記加算回路は、ビーム形成信号を発生させるために前記遅延させられた反射パルスのグループを加算するために動作するように構成される、ビームフォーマ回路と、
前記ドライバ回路を含む高電圧集積回路デバイスと、
前記ビームフォーマ回路の少なくとも一つの部分を含む低電圧集積回路デバイスと
を有し、前記高電圧集積回路及び前記低電圧集積回路は前記基板上に実装されるハイブリッド集積回路パッケージ。
【請求項２】
前記高電圧集積回路デバイスが、前記反射パルスから前記送信パルスを絶縁分離するためのスイッチを含む請求項１に記載の回路パッケージ。
【請求項３】
前記低電圧集積回路デバイスが、前記完全なビームフォーマ回路を含む請求項１に記載の回路パッケージ。
【請求項４】
前記高電圧集積回路が、バイポーラトランジスタ又は電界効果トランジスタを有する請求項１に記載の回路パッケージ。
【請求項５】
前記低電圧集積回路が、相補型金属酸化膜半導体を有する請求項１に記載の回路パッケージ。
【請求項６】
前記変換器素子のアレイを更に有し、前記アレイは前記基板に直接接続される請求項１に記載の回路パッケージ。
【請求項７】
前記基板はリジッドであり、前記パッケージは前記基板に接続されるフレックス材料を更に有する請求項１に記載の回路パッケージ。
【請求項８】
前記変換器素子のアレイを更に有し、前記アレイは前記フレックス材料に接続される請求項７に記載の回路パッケージ。
【請求項９】
前記基板がフレックス材料を有する請求項１に記載の回路パッケージ。
【請求項１０】
前記高電圧集積回路デバイス及び前記低電圧集積回路デバイスが、ボールグリッドアレイを使用して前記フレックス材料に接続される請求項９に記載の回路パッケージ。
【請求項１１】
前記高電圧集積回路デバイス及び前記低電圧集積回路デバイスが、ボールグリッドアレイを使用して前記基板に各々接続される請求項１に記載の回路パッケージ。
【請求項１２】
前記高電圧集積回路デバイスと、前記低電圧集積回路デバイスと、前記基板とが、スタックされた構成で接続される請求項１に記載の回路パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月17日(2008.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材および少なくとも１つのニードルを有するマイクロニードルアレイを提供する工程と；
マスキング層によって基材が少なくとも部分的に被覆され、そして少なくとも１つのニードルが少なくとも部分的に暴露されたまま残るように、マイクロニードルアレイ上に取り外し可能なマスキング層を提供する工程と；
マイクロニードルアレイの暴露部分の少なくとも一部にコーティング材料を適用する工程と
を含んでなるマイクロニードルアレイのコーティング方法。
【請求項２】
マスキング層が流体である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
コーティング材料が、キャリア流体を含んでなるコーティング溶液から適用され、そしてキャリア流体を蒸発させて乾燥コーティングを提供する工程をさらに含んでなる請求項２に記載の方法。
【請求項４】
マスキング層の流体がフッ素化液体である請求項２に記載の方法。
【請求項５】
コーティング溶液が治療活性物質を含んでなる請求項３に記載の方法。
【請求項６】
コーティング溶液が、ワクチン、ワクチン補助剤またはそれらの混合物を含んでなる請求項３に記載の方法。
【請求項７】
コーティング材料がマイクロニードル上に優先的に付着される請求項１に記載の方法。
【請求項８】
マイクロニードルアレイ上に取り外し可能なマスキング層を提供する工程の前に、マイクロニードルの表面の少なくとも一部がプラズマ処理に供される請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
マイクロニードルアレイ上に取り外し可能なマスキング層を提供する工程の前に、マイクロニードルの表面の少なくとも一部上に固体コーティングを提供する請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
マイクロニードルアレイの暴露部分の少なくとも一部にコーティング材料を適用する工程の前に、溶媒がマスキング層に適用される請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】マイクロニードルアレイのコーティング方法
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月13日(2008.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロニードルデバイスに取り付けられた隆起した中心領域を有するフレキシブルシートと、該フレキシブルシートの周囲または付近の支持部材とを含んでなり、該フレキシブルシートが該シートの主平面に対して直交方向の段階的な運動を受けるように構成される、皮膚表面にマイクロニードルデバイスを適用するための適用デバイス。
【請求項２】
マイクロニードルデバイスに解放可能に取り付けられるように構成された隆起した中心領域を有するフレキシブルシートと、該フレキシブルシートの周囲または付近の支持手段とを含んでなり、該フレキシブルシートが該シートの主平面に対して直交方向の段階的な運動を受けるように構成される、皮膚表面にマイクロニードルデバイスを適用するための適用デバイス。
【請求項３】
前記段階的な運動が前記中心領域を前記皮膚表面のより近くへと移動させる請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記支持部材が前記フレキシブルシートの周囲に取り付けられたスペーサーを含んでなる請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項５】
前記段階的な運動を引き起こすために予め決められた最小量の力が必要とされる請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項６】
前記支持部材を前記皮膚表面に固定するための接着剤をさらに含んでなる請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項７】
前記スペーサーに取り付けられた保護面をさらに含んでなる請求項４に記載のデバイス。
【請求項８】
隆起した中心領域を有するフレキシブルシートを含んでなり、該フレキシブルシートの平面に対して垂直方向の該隆起した中心領域の運動によってマイクロニードルデバイスが皮膚に対して進行される、皮膚表面にマイクロニードルデバイスを適用するための適用デバイス。
【請求項９】
前記シートの力の主平面に対して直交方向の段階的な運動が、該シートの主平面に対して直行方向の力の適用によって引き起こされる請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記マイクロニードルデバイスが前記フレキシブルシートに解放可能に取り付けられた請求項１に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月18日(2008.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
皮膚表面にマイクロニードル装置を適用する適用装置であって、
マイクロニードルアレイを着脱可能に保持する手段と、
アプリケータと皮膚表面との間の距離を遠隔検出する手段と、
前記検出された距離に応じて前記アプリケータをトリガさせる手段と、
前記マイクロニードルアレイを皮膚表面に対して進ませる手段と、
を含む適用装置。
【請求項２】
皮膚表面にマイクロニードル装置を適用する適用装置であって、
ａ．マイクロニードルアレイを着脱可能に保持する手段と、
ｂ．距離を遠隔感知できる距離センサと、
ｃ．前記距離センサにより制御されるトリガ機構と、
ｄ．前記マイクロニードルアレイを皮膚表面に対して進ませる手段と、
を含む適用装置。
【請求項３】
マイクロニードルアレイを着脱可能に保持する前記手段が、再配置可能な接着剤、フック・アンド・ループ接続、磁気接続、機械的締まり嵌めおよびスナップ嵌め接続からなる群から選択される、請求項１または２に記載の適用装置。
【請求項４】
マイクロニードルアレイを皮膚表面に対して進ませる前記手段が、圧力、電気、弾性バンドおよび磁石からなる群から選択されるエネルギー源を用いる、請求項１または２に記載の適用装置。
【請求項５】
アプリケータと皮膚表面との間の距離を遠隔検出する前記手段が、光源を含む、請求項１に記載の適用装置。
【請求項６】
前記距離センサが光源を含む、請求項２に記載の適用装置。
【請求項７】
前記光源がレーザーである、請求項５または６に記載の適用装置。
【請求項８】
アプリケータと皮膚表面との間の距離を遠隔検出する前記手段が、超音波センサを含む、請求項１に記載の適用装置。
【請求項９】
皮膚表面にマイクロニードル装置を適用する適用装置であって、
マイクロニードルアレイを着脱可能に保持可能な保持機構と、
距離を遠隔感知できる距離センサと、
前記距離センサにより制御されるトリガ機構と、
前記マイクロニードルアレイを皮膚表面に対して進ませるのに好適なエネルギー源と、
を含む適用装置。
【請求項１０】
前記マイクロニードル装置が、支持体を有するパッチと、マイクロニードルアレイと、前記パッチの皮膚対向面の感圧接着剤とを含む、請求項１に記載の適用装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月14日(2008.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）１つまたは複数の切削端縁を含む切削部を有する中間器具を準備するステップと、
（ｂ）前記１つまたは複数の切削端縁を研ぐために、前記切削部の少なくとも一部分を化学的に切削加工し、それによって所望の程度の鋭さを有する歯内治療器具を形成するステップと
を含むことを特徴とする、歯内治療処置を行なう際に使用する歯内治療器具を製造する方法。
【請求項２】
前記化学的に切削加工するステップの結果として、前記中間器具と比べて微小な亀裂またはひびがより少なく、より連続的な表面を有する歯内治療器具となることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記切削部の少なくとも一部分は、前記切削部に前記１つまたは複数の切削端縁を形成するように、金属ロッドに対して機械加工、研削、切削、レーザー微細機械加工、機械加工または粗粒噴射のうち少なくとも１つを行なうことによって形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記切削部の少なくとも一部分は、前記切削部に螺旋状の切削端縁を形成するように、多角形の横断面を有する金属ロッドをねじることによって形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記化学的に切削加工するステップの少なくとも一部は、酸性の化学的切削加工用組成物を使用して行なわれることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記酸性の化学的切削加工用組成物が、フッ化水素酸、硝酸、水および湿潤剤のうち１つまたは複数を含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記化学的に切削加工するステップは、前記切削部の少なくとも一部分を、化学的切削加工用組成物に所定の速さで徐々に挿入するおよび／またはそこから引き出すことによって行なわれることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記切削部の少なくとも一部分を、約１分と約６０分の間の所定の浸漬時間だけ化学的切削加工用組成物に浸漬するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記切削部の少なくとも一部分は、約０．１ｍｍ／分と約６ｍｍ／分の間の速さで化学的切削加工用組成物に挿入および／またはそこから引き出されて、所望のテーパを有する切削部を形成することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記切削部の少なくとも一部分は、約０．５ｍｍ／分と約３ｍｍ／分の間の速さで化学的切削加工用組成物に挿入および／またはそこから引き出されて、所望のテーパを有する切削部を形成することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記切削部の少なくとも一部分は、約０．８ｍｍ／分と約ｚ１．２ｍｍ／分の間の速さで化学的切削加工用組成物に挿入および／またはそこから引き出されて、所望のテーパを有する切削部を形成することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記化学的に切削加工するステップが、約０．０２ｍｍ／ｍｍと約０．０６ｍｍ／ｍｍの間のテーパを有する切削部を生成することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記化学的に切削加工するステップが、結果として前記歯内治療器具の有意なテーパ付けをもたらさないことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記中間器具が、前記化学的に切削加工するステップに先立ってテーパ付けされることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記化学的に切削加工するステップがさらに、前記中間器具または前記化学的に切削加工するステップ中に使用される化学的組成物のうちの少なくとも１つに電流を通すことを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記化学的に切削加工するステップが、同時に複数の中間器具を化学的に切削加工することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記中間器具がニッケル−チタン合金を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１から１７のいずれかによって製造されることを特徴とする歯内治療器具。
【請求項１９】
遠位端に隣接するテーパ状の切削部を画定するように近位端および前記遠位端を有する金属ロッドと、
前記金属ロッドを研削する、機械加工するまたはねじること、および少なくとも１つの切削端縁を研ぐように、前記切削部の少なくとも一部分を化学的に切削加工することによって形成される、前記切削部の周りに延在する前記少なくとも１つの螺旋状の切削端縁と
を含むことを特徴とする、歯内治療処置を行なう際に使用するために適合された歯内治療器具。
【請求項２０】
前記化学的な切削加工は、前記ロッドを前記研削、機械加工またはねじることによって生じ得る、前記少なくとも１つの螺旋状の切削端縁中の任意の微小な亀裂またはひびを除去することを特徴とする請求項１９に記載の歯内治療器具。
【請求項２１】
前記金属ロッドは、ニッケル−チタン合金で形成されることを特徴とする請求項１９に記載の歯内治療器具。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月12日(2008.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
心臓調律管理（ＣＲＭ）治療を施す手段と、
神経トラフィック・フィードバックを用いて前記ＣＲＭ治療を制御する手段と、
から構成され、前記ＣＲＭ治療は心臓を電気的にを刺激して心臓調律疾患処置を行い、
前記神経トラフィック・フィードバックを用いて前記ＣＲＭ治療を制御する手段は、
前記神経トラフィック・フィードバックを決定する手段と、
前記ＣＲＭ治療のフィードバックとして一過性の神経トラフィック反応を表す神経トラフィック信号の少なくとも１つの特徴部を用いて前記ＣＲＭ治療を制御する手段と、
を備え、前記神経フィードバックを決定する手段は、前記一過性の神経トラフィック反応を引き起こすための生理系を乱す手段と、前記生理系の乱れに対する前記一過性の神経トラフィック反応を決定するための前記神経トラフィック信号を検知する手段と、前記生理系を乱れに対する前記一過性の神経トラフィック反応を表す前記神経トラフィック信号の少なくとも１つの特徴部を識別する手段とを備えることを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記神経トラフィック信号の少なくとも１つの特徴部を識別する手段は、前記神経トラフィック信号の前記少なくとも１つの特徴部を識別するために、雑音低減アルゴリズムを実施する手段を有することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記雑音低減アルゴリズムはウェーブレット変換を有することを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記神経トラフィック信号を検知する手段は、化学受容器から血中ガス濃度を指示する神経トラフィック信号を検知する手段を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のシステム。
【請求項５】
前記神経トラフィック信号を検知する手段は、少なくとも１つの求心性神経から、血中ガス濃度を指示する神経トラフィック信号を検知する手段を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のシステム。
【請求項６】
前記神経トラフィック信号を検知する手段は、圧受容器から血圧を指示する神経トラフィック信号を検知する手段を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のシステム。
【請求項７】
前記神経トラフィック信号を検知する手段は、少なくとも１つの求心性神経から血圧を指示する神経トラフィック信号を検知する手段を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のシステム。
【請求項８】
前記神経トラフィック信号を検知する手段は、血管内リード線を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のシステム。
【請求項９】
前記神経トラフィック信号を検知する手段は神経カフを有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のシステム。
【請求項１０】
前記生理系を乱す手段は、前記生理系を乱す心臓調律管理治療に関するパラメータを変更する手段を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載のシステム。
【請求項１１】
前記生理系を乱す手段は、前記生理系を乱すための神経刺激バーストを与える手段を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載のシステム。
【請求項１２】
前記生理系を乱す手段は、前記生理系を乱すための早期心筋刺激を与える手段を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載のシステム。
【請求項１３】
前記システムは１つの機器を備え、前記機器は、
少なくとも１つのリード線に接続するようになされた少なくとも１つのポートと、
前記ポートに接続され、前記リード線を使用して少なくとも１つのＣＲＭ機能を行うようになされたＣＲＭ機能モジュールであって、前記少なくとも１つのＣＲＭ機能は、心臓組織を捕捉するために、前記リード線に電気信号を提供する機能を含むＣＲＭ機能モジュールと、
前記ポートに接続されており、前記リード線からの神経トラフィック信号を受信し、前記神経トラフィック信号を処理して前記神経トラフィックを指示する信号にするようにされた信号処理モジュールを含む神経機能モジュールと、
前記ＣＲＭ機能モジュールおよび前記神経機能モジュールに接続され、前記神経トラフィックを指示する前記信号に基づいてＣＲＭ治療を実施するようにされたコントローラと、
から構成され、
前記神経トラフィック信号を検知する手段は、前記信号処理モジュールを有し、前記神経トラフィック信号の少なくとも１つの特徴部を識別する手段は、前記コントローラを有し、前記神経トラフィック信号の少なくとも１つの特徴部に基づいてＣＲＭ治療を施す手段は、前記コントローラと前記ＣＲＭ機能モジュールとを有することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載のシステム。
【請求項１４】
前記神経トラフィックを指示する前記信号は、神経トラフィック・パターンを指示する信号を有することを特徴とする請求項１３に記載の機器。
【請求項１５】
前記神経トラフィックを指示する前記信号は、神経トラフィック強度を指示する信号を有することを特徴とする請求項１３および１４に記載の機器。
【請求項１６】
前記信号処理モジュールは、神経トラフィック信号を処理し、監視するようにされた増幅器およびフィルタを有することを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれかに記載の機器。
【請求項１７】
前記増幅器は、約１，０００〜約９９，０００の利得を有する増幅器を有することを特徴とする請求項１６に記載の機器。
【請求項１８】
前記フィルタは、約３０Ｈｚ〜約３，０００Ｈｚの範囲の周波数を通過させるバンドパス・フィルタを有することを特徴とする請求項１６に記載の機器。