Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月1日(2011.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
左クランクケース２Ｌのカムチェーン室２Ｃは、左側ケースカバー７によりＡＣジェネレータ13が覆われるＡＣＧ室７Ｓと共通の空間を構成しており、左側軸受壁２Lw近傍のクランンクケース２の左方に延出した周壁２Lsに囲まれる空間がカムチェーン室２Ｃに相当する。
クランク室２Ｓの後方に形成されるミッション室３Ｓは、カムチェーン室２Ｃの後方にまで左方に膨出して形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
前側油溜まり40ｆの前壁部分のボルトボス部39ｆが前方に突出し、前側油溜まり40ｆの底面と後側油溜まり40ｒの底面とが後方に向かって斜め下方に傾斜しながら連続している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
油溜まり40から溢れたオイルは前方に突出した前壁であるボルトボス部39ｆを前方に越えて下方に流下し、下方のオイル戻し通路54を通ってクランク室２Ｓに直接入り（図３の破線矢印参照）、クランクケース２の底部のオイルパン２ｐに速やかに戻される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
クランク軸10を車体幅方向に指向させて車両に搭載される本内燃機関１は、クランク軸10の前側下方に空間的に余裕があり、同クランクケース２の前側下方の空間を有効に利用してセルモータ60と中間ギア63ｂ,63ｓを配設したので、内燃機関１の大型化を回避することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
１…内燃機関、２…クランクケース、２Ｌ…左クランクケース、２Lw…左側軸受壁、２Ls…周壁、２Ｃ…カムチェーン室、２Ｓ…クランク室、２Ｒ…右クランクケース、３…ミッションケース、３Ｓ…ミッション室、４…シリンダブロック、５…シリンダヘッド、６…シリンダヘッドカバー、７…ケースカバー、10…クランク軸、11…主ベアリング、12…駆動スプロケット、13…ＡＣジェネレータ、14…被動ギア、
20…カム軸、21…カム軸ホルダ、22…従動スプロケット、23…カムチェーン、24…ガイドローラ、25…ガイドローラ、
30…カムチェーンテンショナ装置、31…テンショナアーム、32…ピボットボルト、33…テンショナローラ、35…テンショナリフタ、36…プッシュロッド、37…ガイド孔、37ａ…油室、38…ガイド筒部、39…オイル受部、39ｆ…ボルトボス部、39ｃ…前ガイド壁、39ｒ…後ガイド壁、
40…油溜まり、41…側壁プレート、42…ボルト、43…ワッシャ、44…ヘッド部材、45…制御弁、46…テンショナボルト、47…圧縮ばね、
50…オイルガイドリブ、51…空隙、52…連通口、53…傾斜面、54…オイル戻し通路、55…ドレインボルト、
60…セルモータ、61ａ…駆動ギア、62…中間ギア軸、63ｂ…中間大径ギア、63ｓ…中間小径ギア、70…エンジンハンガー取付部。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月14日(2011.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の工程を含む金属基体の被覆方法：
（ａ）金属基体を用意する工程：及び
（ｂ）前記金属基体の表面に、予め少なくとも部分的に加水分解されたアミノシラン及びフッ素含有無機化合物を含み、ｐＨが６以下であり、かつ前記フッ素含有無機化合物がフッ化チタン、フルオロチタン酸、フルオロジルコニウム酸、フルオロハフニウム酸及びこれらの混合物からなる群から選ばれる化合物である処理溶液を適用して、金属基体上に１０〜１４ｍｇ／ｓｑ．ｆｔ．（１０７〜１５０ｍｇ／ｍ２）の量の転化被膜を形成し、続いて前記転化被膜が形成された金属基体を水洗する工程；及び
（ｃ）前記水洗後の金属基体にポリマー被膜を形成する工程。
【請求項２】
前記ポリマー被膜が、電着塗装により形成されるものである、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ポリマー被膜が、粉体塗装により形成されるものである、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記金属基体がアルミニウム、アルミニウム合金及びこれらの混合物からなる群から選ばれる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記アミノシランが、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、アミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、アミノエチルアミノプロピルトリエトキシシラン、アミノエチルアミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン及びこれらの混合物から選ばれる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月21日(2011.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
さらにまた、本発明の他の形態に係る焼結機は、前記液体燃料噴射装置は、圧縮気体が供給される配管と、該配管の途中に形成された前記圧縮気体と液体燃料とを混合する混合部と、前記配管の下端に形成された分岐噴射部とで構成されるスプレー機構を備えていることを特徴としている。
なおさらに、本発明の他の形態に係る焼結機は、前記分岐噴射部は、配管側から先端に行くに従い徐々に下がる先下がり勾配に形成された一対の噴射ノズル部を有することを特徴としている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記液体燃料噴射装置は、圧縮気体が供給される配管と、該配管の途中に形成された前記圧縮気体と液体燃料とを混合する混合部と、前記配管の下端に形成された分岐噴射部とで構成されるスプレー機構を備えていることを特徴とする請求項３に記載の焼結機。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月27日(2011.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る熱交換器は、アルミニウム合金からなり、親水性皮膜処理が施されて所定の間隔で積層され、その間を空気が流れる複数の板状フィンと、アルミニウム合金からなる扁平管の断面の長軸方向に、該扁平管の長手方向に沿った複数の冷媒流路が設けられた扁平な伝熱管とを有し、前記伝熱管を前記板状フィンに設けた溝に嵌入し、該伝熱管の前縁部外面に設けたはんだ層を溶融させて該はんだにより該伝熱管を前記板状フィンに固定したものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム合金からなり、親水性皮膜処理が施されて所定の間隔で積層され、その間を空気が流れる複数の板状フィンと、アルミニウム合金からなる扁平管の断面の長軸方向に、該扁平管の長手方向に沿った複数の冷媒流路が設けられた扁平な伝熱管とを有し、
前記伝熱管を前記板状フィンに設けた溝に嵌入し、該伝熱管の前縁部外面に設けたはんだ層を溶融させて該はんだにより該伝熱管を前記板状フィンに固定したことを特徴とする熱交換器。
【請求項２】
アルミニウム合金からなり、冷媒流路が設けられた扁平で長尺の伝熱管の前縁部外面にはんだ層を形成し、所定の長さに切断する工程と、
アルミニウム合金からなり、前記伝熱管が嵌入し固定される溝を有し、親水性皮膜処理が施された複数の板状フィンを所定の間隔で整列させる工程と、
前記板状フィンの溝に前記伝熱管を嵌入して加熱し、前記はんだを溶融させて前記伝熱管と板状フィンとの間に流入させる工程と、
冷却された前記はんだにより前記伝熱管を前記板状フィンに固定する工程とを有することを特徴とする熱交換器の製造方法。
【請求項３】
請求項１の熱交換器又は請求項２によって製造された熱交換器を備えたことを特徴とする空気調和機。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成23年8月16日(2011.8.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
溝８０、９０、１００、１１０および阻止オリフィス８２、９２、１０２、１１２は、微細孔８８と向きを平行に揃えることが可能であり、この微細孔８８から、溝および阻止オリフィスの付近に配置されるチャンバ１０の壁部の弱化を防ぐのに十分である一定の距離を開けて配置されている。したがって、溝および阻止オリフィスは、これらのオリフィスを通り流れる空気によってチャンバを冷却するためにも使用される。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月22日(2011.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
断面がＵ字状に形成された案内レールと、
前記案内レールのＵ字状の凹部内に配置されたスライダと、
複数個の転動体と、
を有し、
前記案内レールは、前記スライダの各側面と対向配置される各袖部の内側面に、前記転動体の転動通路を構成する転動面を有し、
前記スライダは、案内レールの前記転動面に対向配置されて前記転動通路を構成する転動面と、転動体の戻し通路と、前記戻し通路と前記転動通路とを連通させる方向転換路を有し、
前記転動体はころであり、二対四列の転動通路を有し、各袖部の二列の転動通路を転動するころ列の荷重作用線の交点が、幅方向で前記転動通路より内側に存在し、
前記ころの転動により、前記案内レールに対してスライダが相対的に直線運動する直動装置。
【請求項２】
前記袖部が開く方向に変形することで取付誤差が吸収可能となっている請求項１記載の直動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月24日(2011.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
壁パネルを載置する壁載部を有する硬質な材料で形成された基材と、
外縁部に形成された厚肉部と、前記厚肉部より内方側であって、前記厚肉部の底面より高い位置に底面が形成された薄肉部とを有し、前記厚肉部の外側端部が前記壁パネル近傍に配置された状態で前記基材上に積層され、硬質な材料から形成された表面材と、
前記基材と前記薄肉部との間に積層され、弾性変形可能なクッション層と、
前記厚肉部の外側端部と前記壁パネルとの間を水密的に塞ぐシール部と、を備え、
前記薄肉部は、可撓性を有する厚みに形成されており、
前記厚肉部は、前記薄肉部より厚く形成されており、底面が前記基材の上面に積層されていることを特徴とする浴室用洗い場床。
【請求項２】
上方に立ち上がり形成された土手部を有する硬質な材料で形成された基材と、
外縁部に形成された厚肉部と、前記厚肉部より内方側であって、前記厚肉部の底面より高い位置に底面が形成された薄肉部とを有し、前記厚肉部の外側端部が前記土手部の近傍に配置された状態で前記基材上に積層され、硬質な材料から形成された表面材と、
前記基材と前記薄肉部との間に積層され、弾性変形可能なクッション層と、
前記厚肉部の端部と前記土手部との間を水密的に塞ぐシール部と、を備え、
前記薄肉部は、可撓性を有する厚みに形成されており、
前記厚肉部は、前記薄肉部より厚く形成されており、底面が前記基材の上面に積層されていることを特徴とする浴室用洗い場床。
【請求項３】
前記クッション層の底面および前記表面材の厚肉部の底面は、前記基材の同一平面上に積層されていることを特徴とする請求項１または２に記載の浴室用洗い場床。
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月14日(2011.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス分析装置に試料ガスを導入するための気体試料導入装置であって、
a)所定の容積を有する計量管と、
b)前記計量管に試料ガスを導入するための試料ガス供給流路と、
c)前記計量管にキャリアガスを導入するためのキャリアガス供給流路と、
d)前記計量管を通過したガスを外部に排出するための排気流路と、
e)試料ガス中の所定成分を吸着するための捕集管を備え、加熱脱着法により試料ガスを濃縮する濃縮手段と、
f)前記計量管が前記試料ガス供給流路と前記排気流路との間に介挿された第１状態と、前記計量管が前記キャリアガス供給流路と前記ガス分析装置との間に介挿された第２状態とを切り替える第１の流路切替手段と、
g)前記第１状態又は第２状態において、前記計量管と排気流路との間又は前記キャリアガス供給流路と計量管との間に前記捕集管を介挿した捕集管介挿状態と、該捕集管を介挿しない捕集管短絡状態とを切り替える第２の流路切替手段と、
を有することを特徴とする気体試料導入装置。
【請求項２】
h)前記捕集管にドライパージ用ガスを導入するためのドライパージガス供給流路と、
i)前記捕集管を通過したドライパージ用ガスを外部に排出するためのドライパージガス排出流路と、
を更に有し、前記第２の流路切替手段が、前記捕集管短絡状態において前記ドライパージガス供給流路とドライパージガス排出流路との間に前記捕集管を介挿することを特徴とする請求項１に記載の気体試料導入装置。
【請求項３】
カラムと、該カラムに試料ガスを導入する気体試料導入装置と、該カラムで分離された試料成分を検出する検出器とを備えたガスクロマトグラフ装置であって、前記気体試料導入装置として請求項１又は２に記載のものを用いることを特徴とするガスクロマトグラフ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するためになされた本発明に係る気体試料導入装置は、ガス分析装置に試料ガスを導入するための気体試料導入装置であって、
a)所定の容積を有する計量管と、
b)前記計量管に試料ガスを導入するための試料ガス供給流路と、
c)前記計量管にキャリアガスを導入するためのキャリアガス供給流路と、
d)前記計量管を通過したガスを外部に排出するための排気流路と、
e)試料ガス中の所定成分を吸着するための捕集管を備え、加熱脱着法により試料ガスを濃縮する濃縮手段と、
f)前記計量管が前記試料ガス供給流路と前記排気流路との間に介挿された第１状態と、前記計量管が前記キャリアガス供給流路と前記ガス分析装置との間に介挿された第２状態とを切り替える第１の流路切替手段と、
g)前記第１状態又は第２状態において、前記計量管と排気流路との間又は前記キャリアガス供給流路と計量管との間に前記捕集管を介挿した捕集管介挿状態と、該捕集管を介挿しない捕集管短絡状態とを切り替える第２の流路切替手段と、
を有することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月2日(2011.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
実施例１から３では、流路口配置面１１１と接触面１２６、２２６、３２６、４２６は、それぞれの面のどの位置の法線も回転部１２０、２２０、４２０の回転の中心軸１２７、２２７、４２７と一致した（つまり、流路口配置面と接触面は、平面であって、回転部の回転の中心軸と直交した）。しかし、本発明の効果を得るためには、流路口配置面と接触面が平面であることが条件ではない。本実施例では、平面で無い場合の例を説明する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
１００、２００、４００、５００、５５０  バルブ
１１０、４１０、５１０、５６０  ボディー部
１１１、４１１、５１１、５６１  流路口配置面
１１２、１１４、１１６、４１４、４１６、５１２、５１４、５１６  流路
５６２、５６４、５６６、８１２、８１４、８１６、９１２、９１４、９２５  流路
１２０、２２０、４２０、５２０、５７０  回転部
１２２、４２２  接続手段                  １２３  穴
１２４、２２４、３２４、４２４、５２４、５７４  切替手段
１２６、２２６、２２９、４２６、５２６、５７６  接触面
１２７、２２７、４２７、５２７、５７７、７２７、８２７  中心軸
１２８、２２８、３２９、４２５、４２８、４２９、５２８、５７８  溝
７２２、８２２、９２０  シャフト            ７２３  押え部
７２４  ばね                                ８２３  突起
９００  ロータリーバルブ                    ９１０  ハウジング
９３０  隙間
１１２１、１１４１、１１６１、４１４１、４１４６  流路口
５１２１、５１４１、５１６１、５６２１、５６４１、５６６１  流路口
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月27日(2011.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量を有した物質の付着または吸着により振動特性が変化し、一端部が固定された梁状の複数の振動子と、
前記振動子を振動させる駆動部と、
前記振動子における振動の変化を検出することで、前記物質を検出する検出部と、を備え、
複数の前記振動子は互いに長さが異なり、かつそれぞれ互いに異なる共振周波数を有し、任意の前記振動子を長さＬとしたとき、長さＬの前記振動子と他の前記振動子との長さの差ΔＬが、
２（ΔＬ／Ｌ）＞１／Ｑ      （ただし、Ｑは前記振動子のＱ値）
となるよう設定され、
前記駆動部は、複数の前記振動子のそれぞれの互いに異なる共振周波数に応じた周波数で、複数の前記振動子のそれぞれを独立に振動させることを特徴とする検出センサ。
【請求項２】
前記駆動部は、
複数の前記振動子が設けられた基板の一面側に設けられた圧電層と、
前記圧電層に駆動電圧を印加する電極層と、
前記電極層に、前記駆動電圧として複数の前記振動子のいずれか一つの共振周波数に応じた周波数を有した電気的な信号を順次印加する発振制御部と、を備え、
前記検出部は、前記発振制御部で前記電極層に印加した電気的な信号の周波数に対応したそれぞれ互いに異なる共振周波数を有する前記振動子の振動の変化を検出することを特徴とする請求項１に記載の検出センサ。
【請求項３】
前記駆動部は、
前記振動子のそれぞれの固定端近傍に設けられた圧電層と、
前記圧電層のそれぞれに駆動電圧を印加する電極層と、
前記電極層のそれぞれに設けられ、前気圧電層に電気的な信号を前記駆動電圧として印加する発振制御部と、を備え、
前記発振制御部は、前記電極層のそれぞれに、当該電極層に対応した前記振動子のそれぞれ互いに異なる共振周波数に応じた周波数を有した電気的な信号を印加することで、複数の前記振動子を同時に独立して振動させることを特徴とする請求項１に記載の検出センサ。
【請求項４】
前記検出部は、前記振動子に付着した前記物質の量を検出することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の検出センサ。
【請求項５】
前記物質が特定の分子、あるいは特定の特性または特徴を有する複数種の分子であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の検出センサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
かかる目的のもと、本発明の検出センサは、質量を有した物質の付着または吸着により振動特性が変化し、一端部が固定された梁状の複数の振動子と、振動子を振動させる駆動部と、振動子における振動の変化を検出することで、物質を検出する検出部と、を備え、複数の振動子は互いに長さが異なり、かつそれぞれ互いに異なる共振周波数を有し、任意の振動子を長さＬとしたとき、長さＬの振動子と他の振動子との長さの差ΔＬが、
２（ΔＬ／Ｌ）＞１／Ｑ      （ただし、Ｑは振動子のＱ値）
となるよう設定され、駆動部は、複数の振動子のそれぞれの互いに異なる共振周波数に応じた周波数で、複数の振動子のそれぞれを独立に振動させることを特徴とする。
複数の振動子を備えた場合においても、任意の振動子と、他の振動子との長さの差ΔＬが上記条件を満たすようにすれば、振動子間で振動が伝達することによる悪影響を回避することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ところで、駆動部は、複数の振動子が設けられた基板の一面側に設けられた圧電層と、圧電層に駆動電圧を印加する電極層と、電極層に、駆動電圧として複数の振動子のいずれか一つの共振周波数に応じた周波数を有した電気的な信号を順次印加する発振制御部と、を備える。発振制御部では、駆動電圧として複数の振動子のいずれか一つの共振周波数に応じた周波数を有した電気的な信号を順次印加するが、これはつまり、複数の振動子のうち、まず、いずれか一つの第一の振動子の共振周波数に応じた周波数の電気的な信号を印加する。すると、印加された電気的な信号の周波数に応じた共振周波数を有した振動子が振動する。この後は、発振制御部は、前記とは異なる第二の振動子の共振周波数に応じた周波数の電気的な信号を印加する。すると、第二の振動子が振動する。このようにして、発振制御部で印加する電気的な信号の周波数を順次変えていくことで、複数の振動子を順次振動させることができるのである。
そして、検出部は、発振制御部で電極層に印加した電気的な信号の周波数に対応したそれぞれ互いに異なる共振周波数を有する振動子の振動の変化を検出する。これには、マルチプレクサ等を用いることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、駆動部は、振動子のそれぞれの固定端近傍に設けられた圧電層と、圧電層のそれぞれに駆動電圧を印加する電極層と、電極層のそれぞれに、予め定められた周波数を有した電気的な信号を駆動電圧として印加する発振制御部と、を備え、発振制御部は、電極層のそれぞれに、当該電極層に対応した振動子のそれぞれ互いに異なる共振周波数に応じた周波数の電気的な信号を印加することで、複数の振動子を同時に独立して振動させることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月4日(2011.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
中間鍵２２２がアプリケーション鍵の場合には、中間鍵処理部１３は、読み出した中間鍵２２２を認証鍵１０３で復号し、さらに認証記憶領域２２に保存されている図示しない暗号化されたコンテンツ鍵を読み出して当該復号したアプリケーション鍵で復号してコンテンツ鍵１０４を生成する。また、中間鍵処理部１３は、認証鍵１０３でアプリケーション鍵を再暗号化して、有効であると判定されなかった中間鍵２２２を当該再暗号化したアプリケーション鍵に書き換える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
中間鍵２２２がアプリケーション鍵の場合には、中間鍵処理部１３は、読み出した中間鍵２２２を認証鍵１０３で復号し、さらに認証記憶領域２２に保存されている図示しない暗号化されたコンテンツ鍵を読み出して当該復号したアプリケーション鍵で復号してコンテンツ鍵１０４を生成する。また、中間鍵処理部１３は、認証鍵１０３でアプリケーション鍵を再暗号化するとともに、記録媒体２０に保存されている中間鍵２２２の複製である中間鍵２２４を記録媒体２０に作成し、複製元の中間鍵２２２を当該再暗号化したアプリケーション鍵に書き換える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
記録媒体におけるＭＫＢと認証鍵で暗号化された中間鍵とを管理する鍵管理方法であって、
前記記録媒体に、ＭＫＢおよび中間鍵がそれぞれ二つずつ保存されており、かつ、そのいずれが有効であるかを示す有効情報が保存されているとき、前記有効情報を参照して前記保存されているＭＫＢおよび中間鍵のそれぞれについて有効なものを判定するステップと、
有効であると判定されなかったＭＫＢおよび中間鍵を新たなＭＫＢおよび中間鍵に書き換えるステップと、
ＭＫＢおよび中間鍵の書き換え後に、前記有効情報を、当該書き換えられたＭＫＢおよび中間鍵が有効であることを示す内容に書き換えるステップとを備えている
ことを特徴とする鍵管理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月9日(2011.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のノードがネットワークを介して接続される分散システムにおいて、
前記複数のノードの各々は、
前記ネットワークの通信状態又は通信データから各ノードの状態を判定するノード状態判定部と、
システム状態を判定するシステム状態判定部と、
前記システム状態判定部によるシステム状態判定結果を、前記ノード間で前記ネットワークを介した送受信により交換するシステム状態交換部と、
前記状態交換部が集約したシステム状態判定結果からシステム状態を特定するシステム状態特定部とを備え、
前記システム状態判定部は、システム状態を判定するための入力として、前記ノード状態判定部によるノード状態判定結果を利用することを特徴とする分散システム。
【請求項２】
請求項１の分散システムにおいて、
前記複数のノードの各々は、
前記ノード状態判定部によるノード判定結果を、前記ノード間で前記ネットワークを介した送受信により交換するノード状態交換部と、
前ノード状態交換部が集約したノード状態判定結果から前記ノード状態を特定するノード状態特定部を備え、
前記ノード状態判定部は、システム状態を判定するための入力として、前記ノード状態特定部によるノード状態特定結果を利用することを特徴とする分散システム。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月8日(2010.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮像して得られた三次元画像に対して所定の検出処理を施すことにより、線状構造からなる対象組織を表す複数の候補点の位置情報と主軸方向を算出する候補点算出部と、
前記算出された位置情報および主軸方向に基づいた変数とするコスト関数を用いて、前記複数の候補点が接続されるように再構築する再構築処理部とを備えたものであって、
前記再構築処理部が、前記複数の候補点のうち少なくとも二つの候補点の関係が、該二つの候補点それぞれの位置情報から一定の距離内にあって、かつ前記二つの候補点を結ぶ基本線と、前記二つの候補点それぞれの主軸方向から求まる二つの鋭角の和が一定角度内であることを条件とするコスト関数を用いて、再構築するものであることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
被写体を撮像して得られた三次元画像に対して所定の検出処理を施すことにより、線状構造からなる対象組織を表す複数の候補点の位置情報と主軸方向を算出する候補点算出部と、
前記算出された位置情報および主軸方向に基づいた変数とするコスト関数を用いて、前記複数の候補点が接続されるように再構築する再構築処理部とを備えたものであって、
前記候補点算出部が、
更に、前記主軸方向に基づいて、前記対象組織を含む対象領域に対して正規化処理を施す正規化処理部と、
前記正規化処理を施された対象候補領域の特徴量を算出し、該算出された特徴量を用いて前記対象領域に真の対象組織が含まれるか否かを判別する判別部を備えたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項３】
前記候補点算出部は、前記三次元画像に対してヘッセ行列を算出し、該算出されたヘッセ行列の固有値を解析することにより、前記複数の候補点それぞれの位置情報及び主軸情報を算出するものであることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記候補点算出部は、前記固有値が所定の閾値条件を満たすものであるか否かにより、前記候補点を検出することを特徴とする請求項３記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記判別部は、前記対象組織と同種の対象組織を含む予め用意された三次元画像に対して、前記同種の対象組織の主軸方向に基づいて正規化処理を施されたデータを教師データとして備えるものであって、
前記教師データを用いて、マシンラーニング手法を利用して前記算出された特徴量の解析を行うことにより、前記対象領域に真の対象組織が含まれるか否かを判別するものであることを特徴とする請求項２記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記再構築処理部は、最小全域木手法を用いることにより再構築するものであることを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記再構築処理部が、前記二つの候補点の輝度値を変数としたコスト関数を用いることを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記対象組織は、冠動脈であることを特徴とする請求項１から７いずれか１項記載の画像処理装置。
【請求項９】
被写体を撮像して得られた三次元画像に対して所定の検出処理を施すことにより、線状構造からなる対象組織を表す複数の候補点の位置情報と主軸方向を算出するための候補点算出を行い、
前記算出された位置情報および主軸方向に基づいた変数とするコスト関数を用いて、前記複数の候補点が接続されるように再構築処理を行い、
前記再構築処理を行うに際して、前記複数の候補点のうち少なくとも二つの候補点の関係が、該二つの候補点それぞれの位置情報から一定の距離内にあって、かつ前記二つの候補点を結ぶ基本線と、前記二つの候補点それぞれの主軸方向から求まる二つの鋭角の和が一定角度内であることを条件とするコスト関数を用いて、再構築する画像処理方法。
【請求項１０】
被写体を撮像して得られた三次元画像に対して所定の検出処理を施すことにより、線状構造からなる対象組織を表す複数の候補点の位置情報と主軸方向を算出するための候補点算出を行い、
前記算出された位置情報および主軸方向に基づいた変数とするコスト関数を用いて、前記複数の候補点が接続されるように再構築処理を行い、
前記候補点算出を行うに際して、
前記主軸方向に基づいて、前記対象組織を含む対象領域に対して正規化処理を施し、
前記正規化処理を施された対象候補領域の特徴量を算出し、該算出された特徴量を用いて前記対象領域に真の対象組織が含まれるか否かを判別する画像処理方法。
【請求項１１】
被写体を撮像して得られた三次元画像に対して所定の検出処理を施すことにより、線状構造からなる対象組織を構成する複数の候補点の位置情報と主軸方向を算出する機能と、
前記算出された位置情報および主軸方向に基づいた変数とするコスト関数を用いて、前記複数の候補点が接続されるように再構築する機能とをコンピュータに実現させるプログラムであって、
前記再構築する機能が、前記複数の候補点のうち少なくとも二つの候補点の関係が、該二つの候補点それぞれの位置情報から一定の距離内にあって、かつ前記二つの候補点を結ぶ基本線と、前記二つの候補点それぞれの主軸方向から求まる二つの鋭角の和が一定角度内であることを条件とするコスト関数を用いて、再構築するものであることを特徴とするプログラム。
【請求項１２】
被写体を撮像して得られた三次元画像に対して所定の検出処理を施すことにより、線状構造からなる対象組織を構成する複数の候補点の位置情報と主軸方向を算出するための候補点算出機能と、
前記算出された位置情報および主軸方向に基づいた変数とするコスト関数を用いて、前記複数の候補点が接続されるように再構築する機能とをコンピュータに実現させるプログラムであって、
前記候補点算出機能が、前記主軸方向に基づいて、前記対象組織を含む対象領域に対して正規化処理を施し、前記正規化処理を施された対象候補領域の特徴量を算出し、該算出された特徴量を用いて前記対象領域に真の対象組織が含まれるか否かを判別するものであることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月4日(2011.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第一の金属膜を形成し、
第一のフォトレジストを用いて前記金属膜をエッチングしゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にＩ型半導体層を形成し、
前記Ｉ型半導体層上に一導電性を付与する不純物元素を含む半導体層を形成し、
裏面露光を行って第二のフォトレジストを形成し、
前記第二のフォトレジストを用いて、前記Ｉ型半導体層および前記一導電性を付与する不純物元素を含む半導体層をエッチングして島状に形成し、
前記基板上に第二の金属膜を形成し、
多階調マスクを用いて第三のフォトレジストを形成し、
前記第三のフォトレジストを用いて前記第二の金属膜、前記一導電性を付与する不純物元素を含む半導体層および前記Ｉ型半導体層をエッチングして配線を形成し、
前記第三のフォトレジストをアッシングし、
アッシングされた前記第三のフォトレジストを用いて前記第二の金属膜をエッチングして、ソース電極およびドレイン電極を形成し、
アッシングされた前記第三のフォトレジストを用いて前記一導電性を付与する不純物元素を含む半導体層および前記Ｉ型半導体層をエッチングし、チャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を形成し、
前記基板上に保護膜を形成し、
第四のフォトレジストを用いて前記保護膜にコンタクトホールを形成し、
前記保護膜上に導電膜を形成し、
第五のフォトレジストを用いて前記導電膜をエッチングし画素電極を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に第一の金属膜を形成し、
第一のフォトレジストを用いて前記金属膜をエッチングしゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にＩ型半導体層を形成し、
前記Ｉ型半導体層上に一導電性を付与する不純物元素を含む半導体層を形成し、
第一の裏面露光を行って第二のフォトレジストを形成し、
前記第二のフォトレジストを用いて前記Ｉ型半導体層および前記一導電性を付与する不純物元素を含む半導体層をエッチングして島状に形成し、
前記基板上に第二の金属膜を形成し、
第一の多階調マスクを用いて第三のフォトレジストを形成し、
前記第三のフォトレジストを用いて前記第二の金属膜、前記一導電性を付与する不純物元素を含む半導体層および前記Ｉ型半導体層をエッチングし、
前記第三のフォトレジストをアッシングし、
アッシングされた前記第三のフォトレジストを用いて前記第二の金属膜をエッチングし、ソース電極およびドレイン電極を形成し、
アッシングされた前記第三のフォトレジストを用いて前記一導電性を付与する不純物元素を含む半導体層および前記Ｉ型半導体層をエッチングし、チャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を形成し、
第二の多階調マスクを用いて第四のフォトレジストを形成し、
前記第四のフォトレジストを用いて前記第四のフォトレジストで覆われていない前記ゲート絶縁膜をエッチングしてコンタクトホールを形成し、
前記第四のフォトレジストをアッシングし、
前記基板上に導電膜を形成し、
前記第四のフォトレジストを除去することにより画素電極を形成し、
前記基板上に保護膜を形成し、
第二の裏面露光を行い前記保護膜上に第五のフォトレジストを形成し、
前記第五のフォトレジストをリフロー処理し、
リフロー処理された前記第五のフォトレジストを用いて前記保護膜をエッチングする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記多階調マスクはハーフトーンマスク又はグレイトーンマスクであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２において、前記第一、第二の多階調マスクはハーフトーンマスク又はグレイトーンマスクであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１において、前記裏面露光は光が前記Ｉ型半導体層と前記一導電性を付与する不純物元素を含む半導体層を通過して行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項２において、前記第一の裏面露光は光が前記Ｉ型半導体層と前記一導電性を付与する不純物元素を含む半導体層を通過して行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記Ｉ型半導体層はＩ型アモルファスシリコン層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記画素電極は透明導電膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月19日(2011.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のソース配線層、第２のソース配線層、及び、前記第１のソース配線層と前記第２のソース配線層とに挟まれたゲート配線層を同じ工程で形成し、
前記第１のソース配線層、前記第２のソース配線層、及び前記ゲート配線層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体膜及び一導電型を付与する不純物が添加された半導体膜を積層し、
前記一導電型を付与する不純物が添加された半導体膜上に第１のマスク層を形成し、
前記第１のマスク層を用いて前記ゲート絶縁層、前記半導体膜及び前記一導電型を付与する不純物が添加された半導体膜をエッチングして、前記第１のソース配線層に達する第１の開口、及び前記第２のソース配線層に達する第２の開口を形成し、
前記第１のマスク層をアッシングして第２のマスク層を形成し、
前記第２のマスク層を用いて前記半導体膜及び前記一導電型を付与する不純物が添加された半導体膜をエッチングして、半導体層及び一導電型を付与する不純物が添加された半導体層を形成し、
前記ゲート配線層、前記第１のソース配線層、前記第２のソース配線層、前記ゲート絶縁層、前記半導体層及び前記一導電型を付与する不純物が添加された半導体層上に透光性導電膜及び導電膜の積層を形成し、
前記透光性導電膜及び前記導電膜上に第３のマスク層を形成し、前記第３のマスク層を用いて前記透光性導電膜及び前記導電膜をエッチングして、凹部を有する半導体層、ソース領域、ドレイン領域、透光性導電層と導電層との積層であるソース電極層及びドレイン電極層を形成し、前記第３のマスク層をアッシングして第４のマスク層を形成し、
前記第４のマスク層を用いて前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層の前記導電層を選択的にエッチングして前記透光性導電層を露出させ画素電極層を形成し、
前記第１の開口及び前記第２の開口を介して前記第１のソース配線層及び前記第２のソース配線層を電気的に接続する前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層を形成し、前記第１のマスク層及び前記第３のマスク層は透過した光が複数の強度となる露光マスクを用いて形成し、
前記凹部を有する半導体層において、前記ソース領域及び前記ドレイン領域と重なる領域の膜厚より薄い膜厚の領域を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記凹部を有する半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層を覆う絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に前記第１の基板を透過させた光を用いた露光を用いて第５のマスク層を形成し、
前記第５のマスク層を用いて前記絶縁膜をエッチングして前記透光性導電層を選択的に露出させることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記凹部を有する半導体層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層を覆う絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に前記第１の基板を透過させた光を用いた露光を用いて第５のマスク層を形成し、
前記第５のマスク層を加熱してより面積の大きい第６のマスク層を形成し、
前記第６のマスク層を用いて前記絶縁膜をエッチングして前記透光性導電層を選択的に露出させることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記透光性基板上に駆動回路を有し、
前記露出された透光性導電層は異方性導電層を介して前記駆動回路と電気的に接続することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記画素電極層上に液晶層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月7日(2011.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記基板及び前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を成膜し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を成膜し、
前記第１の半導体膜上に一導電型の不純物元素を含有する第２の半導体膜を成膜し、
前記第２の半導体膜上に、多階調フォトマスクを用いて第１のフォトレジストパターンを形成し、
前記第１のフォトレジストパターンをマスクとして前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜のエッチングを行い、
前記第１のフォトレジストパターンを加工して第２のフォトレジストパターンを形成し、
前記ゲート絶縁膜、前記エッチングが行われた前記第２の半導体膜、及び前記第２のフォトレジストパターン上に導電膜を成膜し、
前記第２のフォトレジストパターン上に成膜された前記導電膜を前記第２のフォトレジストパターンと同時に除去することによってソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
透光性を有する基板上に画素部のゲート電極及び端子部に延在するゲート配線を同一の材料で形成し、
前記基板、前記ゲート電極、及び前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を成膜し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を成膜し、
前記第１の半導体膜上に一導電型の不純物元素を含有する第２の半導体膜を成膜し、
前記第２の半導体膜上に、多階調フォトマスクを用いて第１のフォトレジストパターンを形成し、
前記第１のフォトレジストパターンをマスクとして前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜のエッチングを行い、
前記第１のフォトレジストパターンを加工して第２のフォトレジストパターンを形成し、
前記ゲート絶縁膜、前記エッチングが行われた前記第２の半導体膜、及び前記第２のフォトレジストパターン上に導電膜を成膜し、
前記第２のフォトレジストパターン上に成膜された前記導電膜を前記第２のフォトレジストパターンと同時に除去することによって前記画素部のソース電極及びドレイン電極と、前記端子部に延在するソース配線と、を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
透光性を有する基板上に第１の導電膜を成膜し、
前記第１の導電膜上に、第１のフォトマスクを用いて第１のフォトレジストパターンを形成し、
前記第１のフォトレジストパターンをマスクとして前記第１の導電膜のエッチングを行い、画素部のゲート電極及び端子部に延在するゲート配線を形成し、
前記基板、前記ゲート電極、及び前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を成膜し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を成膜し、
前記第１の半導体膜上に一導電型の不純物元素を含有する第２の半導体膜を成膜し、
前記第２の半導体膜上に、多階調フォトマスクである第２のフォトマスクを用いて第２のフォトレジストパターンを形成し、
前記第２のフォトレジストパターンをマスクとして前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜に第１のエッチングを行い、
前記第２のフォトレジストパターンを加工して第３のフォトレジストパターンを形成し、
前記ゲート絶縁膜、前記第１のエッチングが行われた前記第２の半導体膜、及び前記第３のフォトレジストパターン上に第２の導電膜を成膜し、
前記第３のフォトレジストパターン上に成膜された前記第２の導電膜を前記第３のフォトレジストパターンと同時に除去することによって前記画素部のソース電極及びドレイン電極と、前記端子部に延在するソース配線と、を形成し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記ソース配線をマスクとして前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜に第２のエッチングを行い、
前記ゲート電極、前記ゲート配線、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記ソース配線をフォトマスクとした裏面露光により、第４のフォトレジストパターンを形成し、
前記第４のフォトレジストパターンをマスクとして前記第１の半導体膜に第３のエッチングを行い、
前記ゲート絶縁膜、前記第３のエッチングが行われた前記第１の半導体膜、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記ソース配線上に絶縁膜を成膜し、
前記絶縁膜上に、第３のフォトマスクを用いて第５のフォトレジストパターンを形成し、
前記第５のフォトレジストパターンをマスクとして前記絶縁膜に第４のエッチングを行い、前記絶縁膜に開口部を形成し、
前記ゲート配線、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記ソース配線、及び前記第４のエッチングが行われた前記絶縁膜上に透明導電膜を成膜し、
前記透明導電膜上に、第４のフォトマスクを用いて第６のフォトレジストパターンを形成し、
前記第６のフォトレジストパターンをマスクとして前記透明導電膜に第５のエッチングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は複数の導電膜を有する積層構造であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２又は３において、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記ソース配線は複数の導電膜を有する積層構造であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１、２又は４において、
前記第２のフォトレジストパターンは逆テーパー形状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項３において、
前記第３のフォトレジストパターンは逆テーパー形状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜は非晶質半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記第１の半導体膜は微結晶半導体膜及び非晶質半導体膜を有する積層構造であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記加工はプラズマアッシングであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記多階調フォトマスクはハーフトーンフォトマスク又はグレートーンフォトマスクであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月14日(2011.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を搬送する搬送手段を有するウエハ搬送モジュールと該ウエハ搬送モジュールに接続された処理モジュールとからなる基板処理システムにおいて、
前記搬送手段は、該ウエハ搬送モジュールと該処理モジュールとの間で真空を破ることなく該基板を搬送するよう構成され、
前記処理モジュールは、
前記基板上に金属膜を形成するための第１のＰＶＤモジュールと、
前記金属膜の形成された基板を加熱して前記金属膜を誘電体に変換し高誘電体ゲート絶縁膜を形成するための熱アニーリングモジュールと、
前記高誘電体ゲート絶縁膜の形成された基板を冷却するための冷却モジュールと、
前記基板の高誘電体ゲート絶縁膜上に金属ゲート電極膜を形成するための第２のＰＶＤモジュールと、
を含むことを特徴とする基板処理システム。
【請求項２】
前記第１のＰＶＤモジュールと前記第２のＰＶＤモジュールとは、それぞれ基板を支持するための基板支持面を有する基板ホルダと、金属ターゲットを支持するためのターゲット支持面を有する陰極と、を備え、
前記第１のＰＶＤモジュールと前記第２のＰＶＤモジュールとは、それぞれ前記基板支持面と前記ターゲット支持面とが平行ではない斜角ＰＶＤモジュールであり、前記ターゲット支持面は、前記基板支持面に対して１０°〜９０°の範囲で変えることができることを特徴とする請求項１記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記第１のＰＶＤモジュールと前記第２のＰＶＤモジュールとは、それぞれ複数のターゲット（陰極）をそれぞれ備えることを特徴とした請求項２記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記第１のＰＶＤモジュールと前記第２のＰＶＤモジュールとは、それぞれ金属ターゲットを一面に支持するバックキングプレートを有する陰極を備え、
前記陰極は、前記バックキングプレート上の前記金属ターゲットに対する反対側の面にマグネットを有し、
前記マグネットは膜蒸着中に回転されるものであることを特徴とする請求項１記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記熱アニーリングモジュールは、前記基板を加熱して前記基板上にＳｉＯ２膜を形成するようにさらに適合され、
前記冷却モジュールは、前記ＳｉＯ２膜の形成された基板を冷却するようにさらに適合されている
ことを特徴とする請求項１記載の基板処理システム。
【請求項６】
前記熱アニーリングモジュールにおいて、前記金属膜が形成された基板は、酸素雰囲気中で第１の温度で加熱され、その後不活性ガス雰囲気中で第１の温度より高い第２の温度で加熱される
ことを特徴とする請求項１記載の基板処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月14日(2011.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介在し、両電極間に与えられる極性の異なる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層と、を備える不揮発性記憶素子の製造方法であって、
前記抵抗変化層を製造する工程は、
（Ａ）ＴａＯx（但し、０＜ｘ＜２.５）で表される組成を有する第１の酸素不足型のタンタル酸化物層を形成する工程と、
（Ｂ）前記第１の酸素不足型のタンタル酸化物層の表面を酸素プラズマに暴露することによって、当該第１の酸素不足型のタンタル酸化物層上に、ＴａＯy（但し、ｘ＜ｙ＜２．５）で表される組成を有する第２の酸素不足型のタンタル酸化物層を形成する工程と、を含む、不揮発性記憶素子の製造方法。
【請求項２】
前記工程（Ａ）では、前記酸素プラズマの暴露時間によって、前記第２の酸素不足型のタンタル酸化物層の膜厚を調整する請求項１に記載の不揮発性記憶素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】不揮発性記憶素子の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記目的を達成するために、本発明の不揮発性記憶素子の製造方法は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介在し、両電極間に与えられる極性の異なる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層と、を備える不揮発性記憶素子の製造方法であって、前記抵抗変化層を製造する工程は、（Ａ）ＴａＯx（但し、０＜ｘ＜２.５）で表される組成を有する第１の酸素不足型のタンタル酸化物層を形成する工程と、（Ｂ）前記第１の酸素不足型のタンタル酸化物層の表面を酸素プラズマに暴露することによって、当該第１の酸素不足型のタンタル酸化物層上に、ＴａＯy（但し、ｘ＜ｙ＜２．５）で表される組成を有する第２の酸素不足型のタンタル酸化物層を形成する工程と、を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
前記工程（Ａ）では、前記酸素プラズマの暴露時間によって、前記第２の酸素不足型のタンタル酸化物層の膜厚を調整してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】