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【手続補正書】
【提出日】平成22年12月8日(2010.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面から定められた深さまで設けられた第１導電型ウェル領域と、
前記第１導電型ウェル領域の内側に前記第１導電型ウェル領域の深さより浅く形成された複数本のトレンチ領域と、
前記複数本のトレンチ領域の側面に設けられたゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、
前記複数本のトレンチ領域の各底部に前記ゲート電極に対して自己整合的に設けられた第２導電型ドレイン領域と、
前記複数本のトレンチ領域を挟む前記半導体基板表面に前記ゲート絶縁膜に沿って設けられた第２導電型ソース領域と、
前記複数本のトレンチ領域を挟む前記半導体基板表面に前記ソース領域に接して設けられた第１導電型高濃度領域と、
前記トレンチ領域の内部で前記ドレイン領域に接続され、前記半導体基板の表面に取り出されたドレイン電極と、
を有する半導体装置。
【請求項２】
前記半導体基板と前記第１導電型ウェル領域の間に第２導電型ドレイン領域を囲むように第２導電型低濃度拡散領域が形成された請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板の表面から定められた深さまで第１導電型ウェル領域を形成する工程と、
前記第１導電型ウェル領域の内側に前記第１導電型ウェル領域より浅く複数本のトレンチ領域を形成する工程と、
前記半導体基板表面および複数本のトレンチ領域の側面にゲート絶縁膜を堆積させる工程と、
前記ゲート絶縁膜の表面にゲート電極膜を堆積させる工程と、
前記複数本のトレンチ領域の底部上に堆積した前記ゲート酸化膜および前記ゲート電極膜及び前記複数本のトレンチ領域間の前記半導体基板表面上に堆積した前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極膜の一部を異方性エッチングにより除去する工程と、
前記ゲート酸化膜および前記ゲート電極膜が除去された、前記複数本のトレンチ領域の底部には第２導電型のドレイン領域、前記複数本のトレンチ領域間の前記半導体基板表面には第２導電型のソース領域を、前記ゲート酸化膜および前記ゲート電極膜に対して自己整合的に形成する工程と、
層間絶縁膜を堆積させる工程と、
前記ゲート電極膜上に堆積した前記層間絶縁膜の一部及び前記複数本のトレンチ領域の底部上に堆積した前記層間絶縁膜一部及び前記複数本のトレンチ領域間の前記半導体基板表面上に堆積した前記層間絶縁膜一部をエッチングにより除去する工程と、
金属膜を堆積させる工程と、
前記金属膜の一部をエッチングする工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１導電型ウェル領域を形成する工程の前に第２導電型低濃度拡散領域をトランジスタが形成される領域全面に形成する工程をさらに有する請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２導電型低濃度拡散領域をトランジスタが形成される領域全面に形成する工程はエピタキシャル成長を含む工程である請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体フィルム上に金属蒸着電極を形成した金属化フィルムを一対とし、上記金属蒸着電極が誘電体フィルムを介して対向するように重ね合わせて巻回した素子と、この素子の両端面に金属溶射によって形成された一対のメタリコン電極からなる金属化フィルムコンデンサにおいて、上記金属化フィルムとして、誘電体フィルムの幅方向の一端側に非金属蒸着部からなる絶縁マージンを長手方向に連続して設け、この絶縁マージンを除く部分に金属蒸着電極を形成すると共に、この絶縁マージンを除いて形成された金属蒸着電極上に表面エネルギーが３５ｍＮ／ｍ未満のオイルを用いてオイル保護膜を形成した金属化フィルムコンデンサ。
【請求項２】
オイル保護膜を形成するオイルとして、フッ素系オイル、シリコン系オイル、炭化水素系オイルのいずれかを用いた請求項１に記載の金属化フィルムコンデンサ。
【請求項３】
金属化フィルムの一端側に設けた絶縁マージンと異なる側の端部に、金属蒸着電極を厚く形成して抵抗値を低くした低抵抗部を設け、この低抵抗部上に形成するオイル保護膜の厚みを、低抵抗部を除く金属蒸着電極上に形成されたオイル保護膜の厚さの９０％以下とした請求項１に記載の金属化フィルムコンデンサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記課題を解決するために本発明は、誘電体フィルム上に金属蒸着電極を形成した金属化フィルムを一対とし、上記金属蒸着電極が誘電体フィルムを介して対向するように重ね合わせて巻回した素子と、この素子の両端面に金属溶射によって形成された一対のメタリコン電極からなる金属化フィルムコンデンサにおいて、上記金属化フィルムとして、誘電体フィルムの幅方向の一端側に非金属蒸着部からなる絶縁マージンを長手方向に連続して設け、この絶縁マージンを除く部分に金属蒸着電極を形成すると共に、この絶縁マージンを除いて形成された金属蒸着電極上に表面エネルギーが３５ｍＮ／ｍ未満のオイルを用いてオイル保護膜を形成した構成のものである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体フィルム上に金属蒸着電極を形成した金属化フィルムを一対とし、金属蒸着電極が誘電体フィルムを介して対向するように重ね合わせて巻回した素子と、この素子の両端面に金属溶射によって形成された一対のメタリコン電極からなる金属化フィルムコンデンサにおいて、金属化フィルムとして、誘電体フィルムの幅方向の一端側に非金属蒸着部からなる絶縁マージンを長手方向に連続して設け、この絶縁マージンを除く部分に金属蒸着電極を形成すると共に、金属化フィルムの一端側に設けた絶縁マージンと異なる側の端部に、金属蒸着電極を厚く形成して抵抗値を低くした低抵抗部を設け、絶縁マージンを除いて形成された金属蒸着電極上にオイル保護膜を形成し、低抵抗部上に形成するオイル保護膜の厚みを、低抵抗部を除く金属蒸着電極上に形成されたオイル保護膜の厚さの９０％以下とした金属化フィルムコンデンサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記課題を解決するために本発明は、誘電体フィルム上に金属蒸着電極を形成した金属化フィルムを一対とし、金属蒸着電極が誘電体フィルムを介して対向するように重ね合わせて巻回した素子と、この素子の両端面に金属溶射によって形成された一対のメタリコン電極からなる金属化フィルムコンデンサにおいて、金属化フィルムとして、誘電体フィルムの幅方向の一端側に非金属蒸着部からなる絶縁マージンを長手方向に連続して設け、この絶縁マージンを除く部分に金属蒸着電極を形成すると共に、金属化フィルムの一端側に設けた絶縁マージンと異なる側の端部に、金属蒸着電極を厚く形成して抵抗値を低くした低抵抗部を設け、絶縁マージンを除いて形成された金属蒸着電極上にオイル保護膜を形成し、低抵抗部上に形成するオイル保護膜の厚みを、低抵抗部を除く金属蒸着電極上に形成されたオイル保護膜の厚さの９０％以下とした構成のものである。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月28日(2011.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
ステップＳ１７において、エッジ重み制御部３８は、入力画像データD[x][y]、処理重み制御画像データP_OUT、およびエッジ重みedwgtに基づいて、エッジ重み制御処理を実行し、エッジ重みedwgtに基づいて、入力画像データD[x][y]、および処理重み制御画像データP_OUTを合成して、エッジ重み制御画像データE_OUTを生成し、位置重み制御部３９に供給する。尚、エッジ重み制御処理は、図２４を参照して、詳細を後述する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２５】
また、ステップＳ１２０において、例えば、注目画素のブロックノイズ特徴情報bclassが、単純段差を示すSTEPではない場合、すなわち、ブロックノイズ特徴情報bclassが、ノイズが存在しないことを示すNON_NOISEである場合、処理は、ステップＳ１２２に進む。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月27日(2010.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
次に、上述した（式１）を導出する過程について述べる。
パケット長が（Ｌ（０），Ｌ（１），・・・，Ｌ（Ｎ））のパケットが時刻（ｔ（０），ｔ（１），・・・，ｔ（Ｎ））に転送されたとする。開始時刻ｔ（０）と終了時刻ｔ（Ｎ）およびパケット長Ｌ（ｉ）は与えられているとして、変数ｔ（１），ｔ（２），・・・，ｔ（Ｎ−１）をパラメータとするデータ転送レートの変動を示す指標の関数Ｓ（ｔ（１），ｔ（２），・・・，ｔ（Ｎ−１））を考える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
つぎに、図４に示す出力レートがＲoutである待ち行列モデルに、平均転送レートがＲavである周期的なトラヒックを入力すると、その所要バッファ量の近似値は次の（式４）で得られる。ただしΣＬは測定開始から終了までの全期間で測定したパケット全体のｋをインデックスとするＬ（ｋ）の和でありΣＬ（ｋ）に等しく、またＲoutはＲavより大きくかつ以下の式の値が負にならない範囲の値とする。
所要バッファ量≒（ΣＬ）＊［１−（Ｒout／Ｒav）×（Ｔon／Ｔｃ）］    …（式４）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
（式１）をＮ≫１の条件のもとで近似しながら変形してゆくと、
ＶＤＴＲ＝Σ(Ｌ(ｉ)／(ΣＬ(ｋ)))×ｌｎ((Ｌ(ｉ)／(ΣＬ(ｋ)))
／(Δｔ(ｉ)／(ΣΔｔ(ｋ)))
＝Σ(Ｌ(ｉ)／ΣＬ)×ｌｎ((Ｌ(ｉ)／Δｔ(ｉ))／(ΣＬ／(ΣΔｔ(ｋ))))
Ｒav＝ΣＬ／ΣΔｔ(ｋ)だから、
ＶＤＴＲ＝Σ(Ｌ(ｉ)／ΣＬ)×［ｌｎ(Ｌ(ｉ)／Δｔ(ｉ))−ｌｎ(Ｒav)］
＝Σ(Ｌ(ｉ)／ΣＬ)×ｌｎ(Ｌ(ｉ)／Δｔ(ｉ))−ｌｎ(Ｒav)
ｉ＝２、…、ＮではＬ(ｉ)／Δｔ(ｉ)＝Ｒonだから
ＶＤＴＲ＝(Ｌ(１)／ΣＬ)×ｌｎ(Ｌ(１)／Δｔ(１))＋｛(ΣＬ−Ｌ(１))／ΣＬ｝
×ｌｎ(Ｒon)−ｌｎ(Ｒav)
＝(Ｌ(１)／ΣＬ)×ｌｎ(Ｌ(１)／Δｔ(１))＋(１−Ｌ(１)／ΣＬ)
×ｌｎ(Ｒon)−ｌｎ(Ｒav)
Ｎ≫１だから
(Ｌ(１)／ΣＬ)×［ｌｎ(Ｌ(１)／Δｔ(１))≒０
および
(１−Ｌ(１)／ΣＬ)×ｌｎ(Ｒon)≒ｌｎ(Ｒon)
であるので、
ＶＤＴＲ≒ｌｎ(Ｒon)−ｌｎ(Ｒav)
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
以上から、パケット到着時間間隔の分散すなわち標準偏差の２乗は次の近似式で得られる。
分散＝｛(Ｎ−１)×ΔＴon＊＊２＋ΔＴoff＊＊２｝／Ｎ−ΔＴav＊＊２
≒(Ｎ−１)／Ｎ×(ΔＴon＊＊２)＋Ｎ×(ΔＴav−ΔＴon)＊＊２
−ΔＴav＊＊２
≒ΔＴon＊＊２＋Ｎ×(ΔＴav−ΔＴon)＊＊２−ΔＴav＊＊２
＝(ΔＴav―ΔＴon)｛Ｎ×(ΔＴav−ΔＴon)−(ΔＴav＋ΔＴon)｝
Ｎ≫１であると、
(ΔＴav＋ΔＴon)／(ΔＴav−ΔＴon)＝(Ｔｃ／Ｎ＋Ｔon／Ｎ)／(Ｔｃ／Ｎ
−Ｔon／Ｎ)
＝(Ｔｃ＋Ｔon)／Ｔoff
となり、オン・オフトラヒックでは１に近いオーダの数であることから、
分散≒Ｎ×(ΔＴav−ΔＴon)＊＊２
≒Ｎ×(ΔＴav＊＊２)×｛(１−ΔＴon／ΔＴav)＊＊２｝
≒Ｎ×(ΔＴav＊＊２)×｛(１−Ｔon／Ｔｃ)＊＊２｝
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月9日(2011.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インターポーザ上に実装された複数の半導体集積回路を有し、
前記複数の半導体集積回路はそれぞれ、光電変換素子と、側面に段差を有し幅寸法は前記段差よりも一方の面に向かう先の部分が小さい透光性基板と、前記透光性基板の他方の面に設けられた半導体素子層と、前記透光性基板の一方の面及び側面の一部を覆う有彩色の透光性樹脂層とを含み、
前記複数の半導体集積回路において、前記有彩色の透光性樹脂層の色が異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記有彩色の透光性樹脂層上に、透光性樹脂層が積層されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記透光性樹脂層の膜厚が、前記有彩色の透光性樹脂層の膜厚より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２または３において、
前記透光性樹脂層と前記有彩色の透光性樹脂層との間に遮光層が選択的に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一項において、
前記透光性樹脂層は、さらに前記複数の半導体集積回路の側面及び前記インターポーザとの接続部を覆うように設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記複数の半導体集積回路と前記インターポーザとの間は樹脂により固着されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記複数の半導体集積回路は前記インターポーザとはんだにより実装されることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記有彩色の透光性樹脂層が接している前記透光性基板の側面は、裾広がりの曲面を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記透光性基板は、前記側面に前記段差を境とした第１の領域と第２の領域を有し、前記第１の領域は前記半導体素子層が設けられた前記透光性基板の他方の面側であり、前記第２の領域は前記透光性基板の一方の面側であり、前記第２の領域の膜厚は前記第１の領域の膜厚より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記複数の半導体集積回路はそれぞれ、前記光電変換素子の出力を増幅する増幅回路を有し、前記光電変換素子はｐ型半導体層と、ｉ型半導体層と、ｎ型半導体層が積層された構造を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、
前記透光性基板は０．２５〜０．３ｍｍに薄膜化したガラス基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
第１の半導体集積回路、第２の半導体集積回路及び第３の半導体集積回路をインターポーザ上に実装する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の半導体集積回路、前記第２の半導体集積回路及び前記第３の半導体集積回路はそれぞれ、光電変換素子を含む半導体素子層と、有彩色の透光性樹脂層を有し、
前記第１の半導体集積回路、前記第２の半導体集積回路及び前記第３の半導体集積回路のそれぞれが有する前記有彩色の透光性樹脂層は互いに色が異なり、
前記第１の半導体集積回路、前記第２の半導体集積回路及び前記第３の半導体集積回路はそれぞれ、
透光性基板上に複数の前記半導体素子層を形成し、
前記透光性基板を薄く加工し、
前記薄く加工した透光性基板上の複数の前記半導体素子層同士の間に溝を形成し、
前記溝が形成された透光性基板上に前記有彩色の透光性樹脂層を形成し、
前記溝が形成された領域において前記透光性基板及び前記有彩色の透光性樹脂層を切断して形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
第１の半導体集積回路、第２の半導体集積回路及び第３の半導体集積回路をインターポーザ上に実装する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の半導体集積回路、前記第２の半導体集積回路及び前記第３の半導体集積回路はそれぞれ、光電変換素子を含む半導体素子層と、有彩色の透光性樹脂層と、透光性樹脂層を有し、
前記第１の半導体集積回路、前記第２の半導体集積回路及び前記第３の半導体集積回路のそれぞれが有する前記有彩色の透光性樹脂層は互いに色が異なり、
前記第１の半導体集積回路、前記第２の半導体集積回路及び前記第３の半導体集積回路はそれぞれ、
透光性基板上に複数の前記半導体素子層を形成し、
前記透光性基板を薄く加工し、
前記薄く加工した透光性基板上の複数の前記半導体素子層同士の間に溝を形成し、
前記溝が形成された透光性基板上に前記有彩色の透光性樹脂層を形成し、
前記有彩色の透光性樹脂層上に前記透光性樹脂層を形成し、
前記溝が形成された領域において前記透光性基板、前記有彩色の透光性樹脂層及び前記透光性樹脂層を切断して形成する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記透光性樹脂層の膜厚が、前記有彩色の透光性樹脂層の膜厚より大きいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１３または１４において、
前記有彩色の透光性樹脂層上に選択的に遮光層を形成し、
前記有彩色の透光性樹脂層及び前記遮光層上に前記透光性樹脂層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１２乃至１５のいずれか一項において、
前記第１の半導体集積回路、前記第２の半導体集積回路及び前記第３の半導体集積回路と、前記インターポーザとの間に樹脂を設けて固着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１２乃至１６のいずれか一項において、
前記透光性基板は、側面に段差を有し幅寸法は前記段差よりも一方の面に向かう先の部分が小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１２乃至１７のいずれか一項において、
前記インターポーザ上に実装する前に前記第１の半導体集積回路、前記第２の半導体集積回路、及び第３の半導体集積回路に検査を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１２乃至１８のいずれか一項において、
前記透光性基板及び前記有彩色の透光性樹脂層が切断されて消失する幅は、前記溝の幅より狭いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１２乃至１９のいずれか一項において、
前記溝はダイサーを用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成22年11月25日(2010.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図１は、本発明の実施例としてＩＰ電話端末１の構成を示す機能ブロック図である。ＩＰ電話端末１は、ユーザが希望する動作パラメータを入力するダイヤルキー１３と、本発明による自端末のＩＰアドレス値の入力を受け付ける第１のダイヤル入力部５１と入力した自端末のＩＰアドレス値を記憶する自端末のＩＰアドレス記憶部６１と、本発明による自端末の電話番号の入力を受け付ける第２のダイヤル入力部５２と入力した自端末の電話番号を記憶する自端末の電話番号記憶部６２と、本発明によるＳＩＰ（Session Initiation Protocol）サーバのＩＰアドレス値の入力を受け付ける第３のダイヤル入力部５３と入力したＳＩＰサーバのＩＰアドレス値を記憶するＳＩＰサーバのアドレス記憶部６３と、入力すべき項目を表示し、あるいは、入力したダイヤル内容を表示する表示器(ＬＣＤ)１２と、ＩＰ通信部４１を介してＩＰ網４にネットワーク接続されたＤＨＣＰサーバ２からＩＰアドレス等の情報を取得するＤＨＣＰクライアント部２１と、ＩＰ通信部４１を介してＩＰ網４にネットワーク接続されたＳＩＰサーバ３と接続するＳＩＰサーバ制御部３１と、ＩＰ電話端末１全体を制御する制御部１１とから構成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図３は、本発明によるＩＰ電話端末１の制御部１１の判断処理を示すフローチャートである。電源投入または起動の開始時(Ｓ１１００)に、自端末のＩＰアドレス記憶部６１と自端末の電話番号記憶部６２とＳＩＰサーバのアドレス記憶部６３に情報が登録されていて動作パラメータ登録済である場合(Ｓ１１０１，Ｙ)、「ア」の状態に移行し、その登録情報に基づき、帰属するＳＩＰサーバ３にＲＥＧＩＳＴＥＲ(登録要求)メッセージを送信し(Ｓ１１３１)、２００ＯＫ(登録完了)レスポンスの受信(Ｓ１１３２)で待機状態に遷移する(Ｓ１１３３)。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１端末装置と、リレー局装置を中継して接続される第２端末装置と通信を行う基地局装置において、
前記第１端末装置が前記リレー局装置から受信する干渉信号を生成する干渉信号生成手段と、
前記第１端末装置に希望信号を送信する場合に、希望信号から前記干渉信号を減算して送信する希望信号送信手段と、
を備えることを特徴とする基地局装置。
【請求項２】
前記干渉信号は、前記第２端末装置宛の送信信号であって、以前に前記リレー局装置へ送信した信号を基に生成することを特徴とする請求項１に記載の基地局装置。
【請求項３】
前記第１端末装置から伝搬路情報を受信する伝搬路情報受信手段を更に備え、
前記第２端末装置宛の送信信号であって、以前に前記リレー局装置へ送信した信号と、前記伝搬路情報とに基づいて前記干渉信号を生成することを特徴とする請求項２に記載の基地局装置。
【請求項４】
前記伝搬路情報には、前記リレー局装置と前記第１端末装置との間の伝搬路変動の情報及び／又は基地局装置と前記第１端末装置との間の伝搬路変動の情報が含まれていることを特徴とする請求項３に記載の基地局装置。
【請求項５】
前記第１端末装置における受信品質に関する情報を取得する受信品質取得手段を更に備え、
前記希望信号送信手段は、前記受信品質が閾値より高い場合に、前記希望信号をそのまま前記第１端末装置に送信する手段であることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の基地局装置。
【請求項６】
前記リレー局装置から、通信が成功した確認信号として肯定応答又は通信が失敗した確認信号として否定応答を受信する確認信号受信手段を更に備え、
前記希望信号送信手段は、前記否定応答を受信した場合には、前記希望信号をそのまま前記第１端末装置に送信する手段であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の基地局装置。
【請求項７】
前記希望信号の送信レベルを一定範囲内に収めるように、送信する信号レベルを調整する信号レベル調整手段を更に備えることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の基地局装置。
【請求項８】
前記信号レベル調整手段はＭｏｄｕｌｏ演算であることを特徴とする請求項７に記載の基地局装置。
【請求項９】
基地局装置とリレー局装置とを含む通信システムに接続する端末装置であって、
前記リレー局装置と端末装置との間の伝搬路情報及び／又は前記基地局装置と端末装置との間の伝搬路情報を取得する伝搬路情報取得手段と、
前記基地局装置と直接通信を行う場合に、前記伝搬路情報を前記基地局装置へ送信する伝搬路情報送信手段と、
を備えることを特徴とする端末装置。
【請求項１０】
前記基地局装置と直接通信を行う場合に、前記基地局装置から受信した信号にＭｏｄｕｌｏ演算を行うことを特徴とする請求項９に記載の端末装置。
【請求項１１】
基地局装置と、前記基地局装置から送信される信号を受信し端末装置へ向けて再送信するリレー局装置と、前記基地局装置から送信される信号を直接受信する第１端末装置と、前記基地局装置から送信される信号を前記リレー局装置を介して受信する第２端末装置と、を含む無線通信システムにおいて、
前記基地局装置において、前記第１端末装置宛の信号から、前記リレー局装置が前記第１端末装置へ与える干渉信号を減算した信号を、前記第１端末装置へ送信することを特徴とする無線通信システム。
【請求項１２】
前記基地局装置において前記第１端末装置宛の信号から減算する干渉信号は、少なくとも、以前に前記基地局装置が前記リレー局装置へ送信した信号を基に生成されることを特徴とする請求項１１に記載の無線通信システム。
【請求項１３】
前記基地局装置が前記リレー局装置へ以前に送信した信号は、前記第２端末装置宛の信号であることを特徴とする請求項１２に記載の無線通信システム。
【請求項１４】
前記基地局装置において前記第１端末装置宛の信号から干渉信号を減算して前記第１端末装置へ送信する信号の振幅を、予め決められた一定範囲内に収めるよう前記基地局装置において調整することを特徴とする請求項１１から１３のいずれか一項に記載の無線通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月16日(2011.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図１は本発明の一実施形態にかかる電流出力素子及び直流電流除去回路の構成を示す回路図であり、ここでは、図中の素子は全て、半導体基板上に形成された集積回路（ＩＣ）内に形成される。また、電流出力素子１の出力電流Ｉ１、Ｉ２は、それぞれＤＣ成分とＡＣ成分とを含む電流を一般化して表記したものである。本実施形態の目的は電流出力素子１のＡＣ成分の電流Ｉ２のみを後段回路６に伝達することにある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明はＤＣ電流カットの為のクランプ期間を設けており、クランプ期間の初期において、周波数変更手段である図１のコントロール回路７が抵抗回路３の抵抗値Ｒ３を小さくする。この時、図１の抵抗値Ｒ３とコンデンサＣ１の容量による時定数は小さいため、図１の抵抗回路３、演算増幅器５、トランジスタＭ１からなるフィードバックが広帯域で動作する。従って、フィードバックの効果によるトランジスタＭ１の交流信号に対する出力抵抗値も広帯域に渡って小さくなる。この出力抵抗値は、通常、後段回路６の入力インピーダンスに対して十分小さいため、ＤＣ電流Ｉ１とＡＣ電流Ｉ２の大部分がトランジスタＭ１を流れることになり、ia≒Ｉ１‐Ｉ２、そして、後段回路６への出力電流iout≒０と近似できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
クランプ期間における時間の経過に伴い、コントロール回路７が抵抗値Ｒ３を連続関数的に徐々に大きくしていくことで、抵抗値Ｒ３とコンデンサＣ１の容量の時定数が増大していく。この時、時間の経過と共にフィードバックの動作帯域が減少していくので、トランジスタＭ１の交流信号に対する出力抵抗値が小さくなる帯域も時間の経過と共に減少していく。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
クランプ期間が終わる時点では、コントロール回路７は抵抗値Ｒ３を実質的に無限大にする。この時、フィードバック動作が働かないことからトランジスタＭ１の交流信号に対する出力抵抗値は後段回路６の入力インピーダンスに対して十分大きくなり、ia≒Ｉ１、iout≒Ｉ２となる。また、コンデンサＣ１の容量に蓄積された電荷は保存される為、ia≒Ｉ１の関係は保持される。
【手続補正書】
【提出日】平成22年12月16日(2010.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にｐ型薄膜トランジスタを備える表示装置であって、
前記ｐ型薄膜トランジスタは、
ゲート電極の上面に絶縁膜を介して半導体層が形成され、
前記半導体層の上面に離間部を有して互いに対向配置されるドレイン電極とソース電極とが形成され、
前記ドレイン電極と前記半導体層の界面、および前記ソース電極と前記半導体層の界面に、ｐ型不純物の拡散層が形成されて構成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
基板上にｐ型薄膜トランジスタおよびｎ型薄膜トランジスタを備える表示装置であって、
これら各薄膜トランジスタは、ゲート電極の上面に絶縁膜を介して半導体層が形成され、前記半導体層の上面に離間部を有して互いに対向配置されるドレイン電極とソース電極とが形成されて構成され、
前記ｐ型薄膜トランジスタは、前記ドレイン電極と前記半導体層の界面、および前記ソース電極と前記半導体層の界面に、ｐ型不純物の拡散層が形成され、
前記ｎ型薄膜トランジスタは、前記ドレイン電極と前記半導体層の界面、および前記ソース電極と前記半導体層の界面に、ｎ型不純物がドープされた半導体層が介在されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
基板上にｐ型薄膜トランジスタおよびｎ型薄膜トランジスタを備える表示装置であって、
これら各薄膜トランジスタは、ゲート電極の上面に絶縁膜を介して半導体層が形成され、前記半導体層の上面に離間部を有して互いに対向配置されるドレイン電極とソース電極とが形成されて構成され、
前記ｐ型薄膜トランジスタは、前記ドレイン電極と前記半導体層の界面、および前記ソース電極と前記半導体層の界面に、ｐ型不純物の拡散層が形成され、
前記ｎ型薄膜トランジスタは、前記ドレイン電極と前記半導体層の界面、および前記ソース電極と前記半導体層の界面に、ｎ型不純物がドープされた半導体層および前記ドレイン電極とソース電極の材料の前記半導体層への拡散を防止する拡散バリア層の順次積層体が介在されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
前記ｐ型不純物の拡散層は、前記ドレイン電極とソース電極を構成する主材料が前記半導体層に拡散して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記ドレイン電極およびソース電極は、アルミニュウム、ガリウム、インジウム、タリウムのうちのいずれかの材料を主材料として構成されていることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記半導体層は、多結晶半導体層で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記半導体層は、多結晶半導体層と非晶質半導体層の順次積層体から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
基板上にｐ型薄膜トランジスタを備え、該ｐ型薄膜トランジスタは、ゲート電極の上面に絶縁膜を介して半導体層が形成され、前記半導体層の上面に離間部を有して互いに対向配置されるドレイン電極とソース電極とが形成されて構成される表示装置の製造方法であって、
アニールを施すことによって、前記ドレイン電極と前記半導体層の界面、および前記ソース電極と前記半導体層の界面に、ｐ型不純物の拡散層を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記ドレイン電極およびソース電極は、アルミニュウム、ガリウム、インジウム、タリウムのうちのいずれかの材料を主材料として形成されていることを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（４）本発明による表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記ｐ型不純物の拡散層は、前記ドレイン電極とソース電極を構成する主材料が前記半導体層に拡散して形成されていることを特徴とする。
（５）本発明による表示装置は、たとえば、（４）の構成を前提とし、前記ドレイン電極およびソース電極は、アルミニュウム、ガリウム、インジウム、タリウムのうちのいずれかの材料を主材料として構成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（６）本発明による表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記半導体層は多結晶半導体層で形成されていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（７）本発明による表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記半導体層は多結晶半導体層と非晶質半導体層の順次積層体から構成されていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（８）本発明による表示装置の製造方法は、たとえば、基板上にｐ型薄膜トランジスタを備え、該ｐ型薄膜トランジスタは、ゲート電極の上面に絶縁膜を介して半導体層が形成され、前記半導体層の上面に離間部を有して互いに対向配置されるドレイン電極とソース電極とが形成されて構成される表示装置の製造方法であって、
アニールを施すことによって、前記ドレイン電極と前記半導体層の界面、および前記ソース電極と前記半導体層の界面に、ｐ型不純物の拡散層を形成することを特徴とする。
（９）本発明による表示装置の製造方法は、たとえば、（８）の構成を前提とし、前記ドレイン電極およびソース電極は、アルミニュウム、ガリウム、インジウム、タリウムのうちのいずれかの材料を主材料として形成されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＺ法により炭素濃度が１.０×１０１６〜１.６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、初期酸素濃度が１．４×１０１８〜１.６×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３としてシリコン単結晶を育成し、
該シリコン単結晶をスライスして、その表面にデバイスを形成した後、厚みを４０μｍ以下５μ以上まで減厚し、
その裏面に２００Ｍｐａ以下、５Ｍｐａ以上の残留応力が生じる外因性ゲッタリングを付与する加工を施すことを特徴とするシリコン基板の製造方法。
【請求項２】
前記残留応力を生じる加工は、前記シリコン基板裏面に研削加工、および、その後ＣＭＰ加工であることを特徴とする請求項１記載のシリコン基板の製造方法。
【請求項３】
前記残留応力を生じる加工は、前記シリコン基板裏面に研削加工、および、その後におこなうＣＭＰ加工においてコロイダルシリカまたはシリコン結晶あるいはダイヤモンドライクカーボンからなる硬度２００ＨＶ〜１０００ＨＶ程度の硬質なスラリーによるＣＭＰ加工であることを特徴とする請求項２記載のシリコン基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか記載の製造方法により製造されたことをと特徴とするメモリ素子のシリコン基板。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月25日(2011.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体スタック層と、
前記半導体スタック層上に形成される導電構造と、
を含み、
前記導電構造は、前記半導体スタック層と接触し所定の幅を有する底部と、当該底部の反対側に位置し所定の幅を有する頂部と、を有し、
前記底部と前記頂部の間は、所定の高さを有し、
前記頂部の所定の幅と前記底部の所定の幅の比は、０．７より小さい、
半導体素子。
【請求項２】
前記底部の所定の幅は、５μｍより小さく、または、前記半導体素子から発した光の波長より小さい、
請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記所定の高さは、前記底部の所定の幅より大きい、
請求項１に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記半導体スタック層は、表面に粗化構造または周期凹凸構造が形成される、
請求項１に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記導電構造の側壁に形成される保護層をさらに含む、
請求項１に記載の半導体素子。
【請求項６】
前記導電構造を覆う透明導電層、または、前記導電構造と前記半導体スタック層との間に形成される他の透明導電層をさらに含む、
請求項１に記載の半導体素子。
【請求項７】
前記導電構造は、点状の導電構造、または、線状の導電構造である、
請求項１に記載の半導体素子。
【請求項８】
第一の半導体層と、能動層と、第二の半導体層と、を含む半導体スタック層と、
前記第一の半導体層または前記第二の半導体層の中に形成される導電構造と、
を含む、
半導体素子。
【請求項９】
前記導電構造は、点状の導電構造または線状の導電構造であり、
前記導電構造の幅は、５μｍより小さい、
請求項８に記載の半導体素子。
【請求項１０】
前記半導体スタック層上に形成される透明導電層をさらに含む、
請求項８に記載の半導体素子。
【請求項１１】
請求項１ないし１０の何れか一項に記載の半導体素子からなる光源装置と、
前記光源装置の光射出経路に位置する光学装置と、
前記光源装置に必要な電源を提供する電源供給システムと、
を含む、
バックライトモジュール装置。
【請求項１２】
請求項１ないし１０の何れか一項に記載の半導体素子からなる光源装置と、
前記光源装置に必要な電源を提供する電源供給システムと、
前記電源を前記光源装置に入力することを制御する制御素子と、
を含む、
照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年10月7日(2011.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記オーバーラップ領域が、前記半導体基板に直交する方向から見て、前記オーバーラップ領域を形成する前記活性領域に接続する第１のコンタクトプラグと、前記オーバーラップ領域を形成する前記ゲート電極に接続する第２のコンタクトプラグとを結ぶ直線上にあって、前記第１のコンタクトプラグと前記第２のコンタクトプラグとの間に位置している、請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月15日(2011.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ部からのパルス光を増幅及びチャープするファイバ増幅部と、前記ファイバ増幅部からの前記パルス光のパルス幅を圧縮するパルス圧縮部と、を備えるパルスレーザ装置において、
前記ファイバ増幅部は、前記レーザ部からの前記パルス光の中心波長に対して正常分散を示す希土類ドープファイバを有し、
前記希土類ドープファイバは、該希土類ドープファイバのゼロ分散波長より長い波長領域に前記パルス光がエネルギー成分を持つように、該パルス光をチャープし、
前記ファイバ増幅部は、前記エネルギー成分に損失を与えるように構成されている
ことを特徴とするパルスレーザ装置。
【請求項２】
前記ファイバ増幅部は、前記エネルギー成分に損失を与える波長フィルタを有することを特徴とする請求項１に記載のパルスレーザ装置。
【請求項３】
前記希土類ドープファイバの少なくとも一部は、屈曲部を持ち、前記エネルギー成分に損失を与えることを特徴とする請求項１に記載のパルスレーザ装置。
【請求項４】
前記希土類ドープファイバの少なくとも一部は、Ｗ型の断面屈折率プロファイルを持ち、前記エネルギー成分に損失を与えることを特徴とする請求項１又は３に記載のパルスレーザ装置。
【請求項５】
前記ファイバ増幅部は、前記エネルギー成分に損失を与えることで、前記希土類ドープファイバを前記パルスが伝播中に発生する高次非線形効果を抑圧することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のパルスレーザ装置。
【請求項６】
前記パルスレーザ装置から発生するパルス光は、パルス幅２０ｆｓｅｃ以下、平均出力２００ｍＷ以上であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のパルスレーザ装置。
【請求項７】
前記高次非線形効果は、四光波混合現象であることを特徴とする請求項５に記載のパルスレーザ装置。
【請求項８】
前記高次非線形効果は、誘導ラマン散乱であることを特徴とする請求項５に記載のパルスレーザ装置。
【請求項９】
前記屈曲部の曲率が可変であり、波形をモニターしながら該曲率を調整する手段を有することを特徴とする請求項３記載のパルスレーザ装置。
【請求項１０】
前記ファイバ増幅部は、前記ゼロ分散波長及び該ゼロ分散波長より長い波長領域のエネルギー成分に損失を与えるように構成されていることを特徴とする請求項１記載のパルスレーザ装置。
【請求項１１】
光伝導素子または非線形結晶と、
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のパルスレーザ装置と、を備え、
前記光伝導素子または前記非線形結晶に前記パルスレーザ装置からのレーザ光を照射してテラヘルツパルスを発生させる
ことを特徴とするテラヘルツ発生装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のパルスレーザ装置と、
分岐部と、を備え、
前記パルスレーザ装置からの光出力を前記分岐部により２つに分岐して、一方の光出力は第１の光伝導素子または第１の非線形結晶に照射してテラヘルツ発生させると共に、他方の光出力は第２の光伝導素子または第２の非線形結晶に照射して検出器として動作させて、ポンプ−プローブ測定によってテラヘルツ時間領域分光を行う
ことを特徴とするテラヘルツ計測装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載のテラヘルツ計測装置を備え、
検体からの反射パルス測定により前記検体の内部断面像データを取得し、取得されたデータを用いて内部断面画像を出力部に出力する
ことを特徴とするテラヘルツトモグラフィー装置。
【請求項１４】
請求項１２に記載のテラヘルツ計測装置を備え、
検体からの反射パルス測定により前記検体の内部断面像データを取得する際の奥行き分解能は５μｍ以下である
ことを特徴とするテラヘルツトモグラフィー装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】パルスレーザ装置、テラヘルツ発生装置、テラヘルツ計測装置及びテラヘルツトモグラフィー装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第１の本発明に係るパルスレーザ装置は、レーザ部からのパルス光を増幅及びチャープするファイバ増幅部と、前記ファイバ増幅部からの前記パルス光のパルス幅を圧縮するパルス圧縮部と、を備えるパルスレーザ装置において、前記ファイバ増幅部は、前記レーザ部からの前記パルス光の中心波長に対して正常分散を示す希土類ドープファイバを有し、前記希土類ドープファイバは、該希土類ドープファイバのゼロ分散波長より長い波長領域に前記パルス光がエネルギー成分を持つように、該パルス光をチャープし、前記ファイバ増幅部は、前記エネルギー成分に損失を与えるように構成されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月28日(2011.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データを入力する画像入力手段と、
前記画像データに対して画像処理を行う画像処理手段と、
前記画像データから埋め込み情報を検出する検出手段と、
前記検出手段が前記画像データから埋め込み情報を検出した場合に、前記画像処理手段が前記画像データから埋め込み情報を欠落させるような画像処理を実行することを制限するよう制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記検出手段が前記画像データから埋め込み情報を検出しなかった場合には前記画像処理手段による画像処理の実行を制限しないよう制御することを特徴とする、請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
更に、前記画像データの画像フォーマットを、複数種類の画像フォーマットうちのいずれかに変換する変換手段を備え、
前記制御手段は、前記変換手段が変換する画像データのフォーマットが、前記検出手段が検出した埋め込み情報を前記画像データの属性情報として保持可能である種類の画像フォーマットである場合、前記画像処理手段が前記埋め込み情報を欠落させるような画像処理を実行することを制限しないことを特徴とすることを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記画像処理手段は複数種類の画像処理を実行することが可能であり、
更に、前記画像処理手段が実行可能な複数種類の画像処理のうち、前記埋め込み情報を欠落させるような画像処理の種類を示す情報を記憶する記憶手段を備え、
前記制御手段は前記記憶手段を参照して前記埋め込み情報を欠落させるような画像処理の種類を特定し、当該特定した種類の画像処理の実行を制限するよう制御することを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項５】
更に、前記検出手段が検出した埋め込み情報の埋め込み形式を判別する判別手段を備え、
前記記憶手段は複数種類の埋め込み形式のそれぞれに対応して前記埋め込み情報を欠落させるような画像処理の種類を示す情報を記憶し、
前記制御手段は、前記記憶手段を参照して、前記判別手段が判別した埋め込み形式に対応した、前記埋め込み情報を欠落させるような画像処理の種類を特定することを特徴とする、請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
ジョブの実行の指示を受け付ける受付手段と、
更に、前記画像処理手段が画像処理を実行した画像データを用いてジョブを実行するジョブ実行手段を備え、
前記検出手段が検出した埋め込み情報が、前記受付手段が実行の指示を受け付けたジョブの実行を制限することを示す情報である場合、前記制御手段は前記ジョブ実行手段が前記画像データを用いたジョブを実行することを制限することを特徴とする、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記制御手段が前記画像データから埋め込み情報を欠落させるような画像処理を実行することを制限することによって前記受付手段が受け付けたジョブを正常に実行できない場合、前記ジョブ実行手段は前記ジョブの実行をキャンセルすることを特徴とする、請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記ジョブ実行手段が実行するジョブは、前記画像データを外部の装置へ送信するジョブであることを特徴とする、請求項６又は請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記ジョブ実行手段が実行するジョブは、前記画像データに基づき印刷出力するジョブであることを特徴とする、請求項６又は請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記画像データから埋め込み情報を欠落させるような画像処理は、解像度変換処理、変倍処理、フィルタ処理、下地とばし処理、色変換処理のいずれかを含むことを特徴とする、請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
画像処理装置における画像処理方法であって、
画像データを入力する画像入力工程と、
前記画像データに対して画像処理を行う画像処理工程と、
前記画像データから埋め込み情報を検出する検出工程と、
前記検出工程で前記画像データから埋め込み情報を検出した場合に、前記画像処理工程で前記画像データから埋め込み情報を欠落させるような画像処理を実行することを制限するよう制御する制御工程と、
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項１２】
画像処理装置における画像処理方法を実行させるための制御プログラムであって、前記画像処理方法は、
画像データを入力する画像入力工程と、
前記画像データに対して画像処理を行う画像処理工程と、
前記画像データから埋め込み情報を検出する検出工程と、
前記検出工程で前記画像データから埋め込み情報を検出した場合に、前記画像処理工程で前記画像データから埋め込み情報を欠落させるような画像処理を実行することを制限するよう制御する制御工程と、
を備えることを特徴とする制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１記載の画像処理装置は、画像データを入力する画像入力手段と、前記画像データに対して画像処理を行う画像処理手段と、前記画像データから埋め込み情報を検出する検出手段と、前記検出手段が前記画像データから埋め込み情報を検出した場合に、前記画像処理手段が前記画像データから埋め込み情報を欠落させるような画像処理を実行することを制限するよう制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために、請求項１１記載の画像処理方法は、画像処理装置における画像処理方法であって、画像データを入力する画像入力工程と、前記画像データに対して画像処理を行う画像処理工程と、前記画像データから埋め込み情報を検出する検出工程と、前記検出工程で前記画像データから埋め込み情報を検出した場合に、前記画像処理工程で前記画像データから埋め込み情報を欠落させるような画像処理を実行することを制限するよう制御する制御工程と、を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、請求項１２記載の制御プログラムは、画像処理装置における画像処理方法を実行させるための制御プログラムであって、前記画像処理方法は、画像データを入力する画像入力工程と、前記画像データに対して画像処理を行う画像処理工程と、前記画像データから埋め込み情報を検出する検出工程と、前記検出工程で前記画像データから埋め込み情報を検出した場合に、前記画像処理工程で前記画像データから埋め込み情報を欠落させるような画像処理を実行することを制限するよう制御する制御工程と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月16日(2011.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を電荷に変換する光電変換素子を含み、前記光電変換素子により変換された電荷に基づく信号を読み出し信号により出力する二行以上配列された複数の画素と、
前記複数の画素から出力された信号を保持する前記複数の画素の列に対応して設けられた複数の容量と、
入力されるクロックパルスに応じてデータパルスを順次転送することにより、前記複数の容量に保持された信号を順次読み出すための水平走査回路とを有し、
前記水平走査回路は、マスク信号が入力されるマスク信号入力部を有し、
前記水平走査回路が一行分の画素の信号を読み出す水平走査期間中に前記複数の画素から前記複数の容量に信号が出力される場合に、前記読み出し信号の変化時には、前記マスク信号入力部に前記マスク信号が入力され、前記水平走査回路に前記クロックパルスが入力されても前記データパルスの転送が行われないことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記複数の容量は、複数の第１の容量及び複数の第２の容量を有し、
前記水平走査回路が一行分の画素の信号を前記複数の第１の容量から読み出す水平走査期間において、前記複数の第１の容量から読み出す一行と異なる行の画素から出力された信号を前記複数の第２の容量に読み出しているとき、前記異なる行に対応する前記読み出し信号の変化時には、前記マスク信号入力部に前記マスク信号が入力され、前記クロックパルスが入力されても前記データパルスの転送が行われないことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記クロックパルスは、周期性を保った信号であることを特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記水平走査回路は、前記読み出し信号の変化時に前記クロックパルスが入力されると前記データパルスの転送を停止し、前回読み出した容量と同じ容量から信号を読み出すことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記水平走査回路は、前記読み出し信号の変化時に前記クロックパルスが入力されると前記データパルスの転送を停止し、前記容量からの信号読み出しを停止することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
請求項４記載の固体撮像装置と、
前記前回読み出した容量と同じ容量から読み出した信号を除去する信号処理回路と
を有することを特徴とする撮像システム。
【請求項７】
光を電荷に変換する光電変換素子を含み、前記光電変換素子により変換された電荷に基づく信号を読み出し信号により出力する二行以上配列された複数の画素と、
前記複数の画素から出力された信号を保持する前記複数の画素の列に対応して設けられた複数の容量と、
入力されるクロックパルスに応じてデータパルスを順次転送することにより、前記複数の容量に保持された信号を順次読み出すための水平走査回路とを有する固体撮像装置の駆動方法であって、
前記水平走査回路は、マスク信号が入力されるマスク信号入力部を有し、
前記水平走査回路が一行分の画素の信号を読み出す水平走査期間中に前記複数の画素から前記複数の容量に信号が出力される場合に、前記読み出し信号の変化時には、前記マスク信号入力部に前記マスク信号が入力され、前記水平走査回路に前記クロックパルスが入力されても前記データパルスの転送が行われないステップを有することを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の固体撮像装置は、光を電荷に変換する光電変換素子を含み、前記光電変換素子により変換された電荷に基づく信号を読み出し信号により出力する二行以上配列された複数の画素と、前記複数の画素から出力された信号を保持する前記複数の画素の列に対応して設けられた複数の容量と、入力されるクロックパルスに応じてデータパルスを順次転送することにより、前記複数の容量に保持された信号を順次読み出すための水平走査回路とを有し、前記水平走査回路は、マスク信号が入力されるマスク信号入力部を有し、前記水平走査回路が一行分の画素の信号を読み出す水平走査期間中に前記複数の画素から前記複数の容量に信号が出力される場合に、前記読み出し信号の変化時には、前記マスク信号入力部に前記マスク信号が入力され、前記水平走査回路に前記クロックパルスが入力されても前記データパルスの転送が行われないことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の固体撮像装置の駆動方法は、光を電荷に変換する光電変換素子を含み、前記光電変換素子により変換された電荷に基づく信号を読み出し信号により出力する二行以上配列された複数の画素と、前記複数の画素から出力された信号を保持する前記複数の画素の列に対応して設けられた複数の容量と、入力されるクロックパルスに応じてデータパルスを順次転送することにより、前記複数の容量に保持された信号を順次読み出すための水平走査回路とを有する固体撮像装置の駆動方法であって、前記水平走査回路は、マスク信号が入力されるマスク信号入力部を有し、前記水平走査回路が一行分の画素の信号を読み出す水平走査期間中に前記複数の画素から前記複数の容量に信号が出力される場合に、前記読み出し信号の変化時には、前記マスク信号入力部に前記マスク信号が入力され、前記水平走査回路に前記クロックパルスが入力されても前記データパルスの転送が行われないステップを有することを特徴とする。