【手続補正書】
【提出日】平成23年2月14日(2011.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、前記ベース基板上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された電極とを有し、
前記半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記電極と重なるチャネル形成領域を有し、
前記半導体膜と前記ベース基板との間に空洞が形成されており、
前記チャネル形成領域は、前記空洞と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ベース基板と、前記ベース基板上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された電極とを有し、
前記半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記電極と重なるチャネル形成領域を有し、
前記半導体膜と前記ベース基板との間に複数の空洞が形成されており、
前記チャネル形成領域は、前記複数の空洞と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ベース基板と、前記ベース基板上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された電極とを有し、
前記半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記電極と重なるチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域を間に挟んでいる一対の不純物領域とを有し、
前記半導体膜と前記ベース基板との間に第１の空洞及び第２の空洞が形成されており、
前記一対の不純物領域の一方は、前記第１の空洞と重なっており、
前記一対の不純物領域の他方は、前記第２の空洞と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ベース基板と、前記ベース基板上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された電極とを有し、
前記半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記電極と重なるチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域を間に挟んでいる一対の不純物領域とを有し、
前記半導体膜と前記ベース基板との間に複数の第１の空洞及び複数の第２の空洞が形成されており、
前記一対の不純物領域の一方は、前記複数の第１の空洞と重なっており、
前記一対の不純物領域の他方は、前記複数の第２の空洞と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
ベース基板と、前記ベース基板上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された電極とを有し、
前記半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記電極と重なるチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域を間に挟んでいる一対の不純物領域とを有し、
前記半導体膜と前記ベース基板との間に空洞が形成されており、
前記チャネル形成領域及び前記一対の不純物領域は、前記空洞と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
ベース基板と、前記ベース基板上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された電極とを有し、
前記半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記電極と重なるチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域を間に挟んでいる一対の不純物領域とを有し、
前記半導体膜と前記ベース基板との間に複数の空洞が形成されており、
前記チャネル形成領域及び前記一対の不純物領域は、前記複数の空洞のそれぞれと重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記ベース基板と前記半導体膜の間に少なくとも１つの絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
ボンド基板に接する絶縁膜に、前記ボンド基板が露出するように開口部を形成し、
前記開口部において前記ボンド基板に凹部を形成し、
前記絶縁膜を間に挟んで前記ボンド基板をベース基板に貼り合わせ、
前記ボンド基板を劈開させることで、前記ボンド基板の一部であり、なおかつ前記凹部を空洞とする半導体膜を、前記絶縁膜と共に前記ベース基板に転置し、
前記転置した前記半導体膜を所望の形状に加工することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
ボンド基板に凹部を形成し、
絶縁膜が形成されたベース基板に、前記凹部が前記ベース基板側を向くように、なおかつ前記絶縁膜に前記ボンド基板が接するように、前記ボンド基板を貼り合わせ、
前記ボンド基板を劈開させることで、前記ボンド基板の一部であり、なおかつ前記凹部を空洞とする半導体膜を、前記ベース基板に転置し、
前記転置した前記半導体膜を所望の形状に加工することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
ボンド基板に接する第１の絶縁膜に、前記ボンド基板が露出するように開口部を形成し、
前記開口部において前記ボンド基板に凹部を形成し、
第２の絶縁膜が形成されたベース基板に、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜が接するように、前記ボンド基板を貼り合わせ、
前記ボンド基板を劈開させることで、前記ボンド基板の一部であり、なおかつ前記凹部を空洞とする半導体膜を、前記第１の絶縁膜と共に前記ベース基板に転置し、
前記転置した前記半導体膜を所望の形状に加工することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
ボンド基板に接する絶縁膜に、前記ボンド基板が露出するように開口部を形成し、
前記開口部において前記ボンド基板に凹部を形成し、
前記開口部が残存するように前記絶縁膜を部分的に除去することで、前記凹部が形成された前記ボンド基板を部分的に露出させ、
前記部分的に露出した領域において前記凹部が形成された前記ボンド基板を加工することで、前記ボンド基板に前記凹部を有する凸部を形成し、
前記部分的に除去された前記絶縁膜を間に挟んで前記ボンド基板をベース基板に貼り合わせ、
前記ボンド基板を劈開させることで、前記ボンド基板の前記凸部の領域であり、なおかつ前記凹部を空洞とする半導体膜を、前記絶縁膜と共に前記ベース基板に転置し、
前記転置した前記半導体膜を所望の形状に加工することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
ボンド基板に凹部を形成し、
前記凹部が形成された前記ボンド基板を加工することで、前記ボンド基板に前記凹部が形成された領域を内部に含む凸部を形成し、
絶縁膜が形成されたベース基板に、前記凹部及び前記凸部が前記ベース基板側を向くように、なおかつ前記絶縁膜に前記凸部が接するように、前記ボンド基板を貼り合わせ、
前記ボンド基板を劈開させることで、前記ボンド基板の前記凸部の領域であり、なおかつ前記凹部を空洞とする半導体膜を、前記ベース基板に転置し、
前記転置した前記半導体膜を所望の形状に加工することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
ボンド基板に接する第１の絶縁膜に、前記ボンド基板が露出するように開口部を形成し、
前記開口部において前記ボンド基板に凹部を形成し、
前記開口部が残存するように前記第１の絶縁膜を部分的に除去することで、前記凹部が形成された前記ボンド基板を部分的に露出させ、
前記部分的に露出した領域において前記凹部が形成された前記ボンド基板を加工することで、前記ボンド基板に前記凹部を有する凸部を形成し、
第２の絶縁膜が形成されたベース基板に、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜が接するように、前記ボンド基板を貼り合わせ、
前記ボンド基板を劈開させることで、前記ボンド基板の前記凸部の領域であり、なおかつ前記凹部を空洞とする半導体膜を、前記第１の絶縁膜と共に前記ベース基板に転置し、
前記転置した前記半導体膜を所望の形状に加工することを特徴とする半導体装置の作製方法。