【手続補正書】
【提出日】平成23年9月5日(2011.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内に被処理基板を配置し、ＴｉＣｌ４ガスおよびＨ２ガスを含む処理ガスを導入しつつ前記チャンバ内にプラズマを生成し、そのプラズマにより前記処理ガスの反応を促進して被処理基板上にＴｉ膜を成膜するＴｉ膜の成膜方法であって、
前記チャンバ内に被処理基板が配置された状態でＴｉＣｌ４ガスを導入した後、前記チャンバ内にプラズマを生成し、そのプラズマを生成する際のパワーを徐々に上昇させることを特徴とするＴｉ膜の成膜方法。
【請求項２】
ＴｉＣｌ４ガスを導入してからプラズマを生成するまでの時間が２ｓｅｃ以上であることを特徴とする請求項１に記載のＴｉ膜の成膜方法。
【請求項３】
ＴｉＣｌ４ガスを最初第１の流量で導入し、その後第１の流量よりも小流量の成膜のための第２の流量まで徐々に低下させることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＴｉ膜の成膜方法。
【請求項４】
前記ＴｉＣｌ４ガスの流量低下は、前記プラズマを生成する際のパワーの上昇が終了する前に開始することを特徴とする請求項３に記載のＴｉ膜の成膜方法。
【請求項５】
前記プラズマを生成する際のパワーの上昇を開始してから定常状態になるまでの時間が２ｓｅｃ以上であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のＴｉ膜の成膜方法。
【請求項６】
前記ＴｉＣｌ４ガスを第１の流量から第２の流量まで低下させる時間が１ｓｅｃ以上であることを特徴とする請求項３または請求項４に記載のＴｉ膜の成膜方法。
【請求項７】
前記第１の流量は１６〜１００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）の範囲であり、前記第２の流量は１〜３０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）の範囲であることを特徴とする請求項３、請求項４、および請求項６のいずれか１項に記載のＴｉ膜の成膜方法。
【請求項８】
前記処理ガスは、さらにＡｒガスを含むことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のＴｉ膜の成膜方法。
【請求項９】
成膜のための前記ＴｉＣｌ４ガスの流量は、１〜３０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）の範囲であることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のＴｉ膜の成膜方法。
【請求項１０】
被処理基板の温度は、３５０〜７００℃の範囲であることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のＴｉ膜の成膜方法。
【請求項１１】
成膜処理の際の前記チャンバ内の圧力は、１３３〜１３３０Ｐａの範囲であることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載のＴｉ膜の成膜方法。
【請求項１２】
被処理基板を収容するチャンバと、
前記チャンバ内で被処理基板を載置する載置台と、
前記載置台上の被処理基板を加熱するヒーターと、
前記チャンバ内にＴｉＣｌ４ガスおよびＨ２ガスを含む処理ガスを導入するガス導入機構と、
前記チャンバ内に処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構と、
前記チャンバ内を排気する排気手段と、
前記チャンバ内での処理を制御する制御機構を有し、
前記プラズマ生成機構により生成されたプラズマにより前記処理ガスの反応を促進して被処理基板上にＴｉ膜を成膜するＴｉ膜の成膜装置であって、
前記制御機構は、前記チャンバ内に被処理基板が配置された状態でＴｉＣｌ４ガスを導入させた後、前記チャンバ内にプラズマを生成させ、そのプラズマを生成する際のパワーを徐々に上昇させるように制御することを特徴とするＴｉ膜の成膜装置。
【請求項１３】
前記制御機構は、ＴｉＣｌ４ガスを導入してからプラズマを生成するまでの時間が２ｓｅｃ以上となるように制御することを特徴とする請求項１２に記載のＴｉ膜の成膜装置。
【請求項１４】
前記制御機構は、ＴｉＣｌ４ガスを最初第１の流量で導入させ、その後第１の流量よりも小流量の成膜のための第２の流量まで徐々に低下させるように制御することを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載のＴｉ膜の成膜装置。
【請求項１５】
前記制御機構は、前記ＴｉＣｌ４ガスの流量低下が、前記プラズマを生成する際のパワーの上昇が終了する前に開始されるように制御することを特徴とする請求項１４に記載のＴｉ膜の成膜装置。
【請求項１６】
前記制御機構は、前記プラズマを生成する際のパワーの上昇を開始してから定常状態になるまでの時間が２ｓｅｃ以上となるように制御することを特徴とする請求項１２から請求項１５のいずれか１項に記載のＴｉ膜の成膜装置。
【請求項１７】
前記制御機構は、前記ＴｉＣｌ４ガスを第１の流量から第２の流量まで低下させる時間が１ｓｅｃ以上となるように制御することを特徴とする請求項１４または請求項１５に記載のＴｉ膜の成膜装置。
【請求項１８】
前記ガス導入機構は、ＴｉＣｌ４ガスおよびＨ２ガスが供給され、これらが混合された状態で、またはこれらを別個に、前記チャンバ内にシャワー状に吐出するシャワーヘッドを有することを特徴とする請求項１２から請求項１７のいずれか１項に記載のＴｉ膜の成膜装置。
【請求項１９】
コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項１から請求項１１のいずれかの方法が行われるように、コンピュータに前記成膜装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
すなわち、本発明の第１の観点では、チャンバ内に被処理基板を配置し、ＴｉＣｌ４ガスおよびＨ２ガスを含む処理ガスを導入しつつ前記チャンバ内にプラズマを生成し、そのプラズマにより前記処理ガスの反応を促進して被処理基板上にＴｉ膜を成膜するＴｉ膜の成膜方法であって、前記チャンバ内に被処理基板が配置された状態でＴｉＣｌ４ガスを導入した後、前記チャンバ内にプラズマを生成し、そのプラズマを生成する際のパワーを徐々に上昇させることを特徴とするＴｉ膜の成膜方法を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、上記第１の観点において、ＴｉＣｌ４ガスを最初第１の流量で導入し、その後第１の流量よりも小流量の成膜のための第２の流量まで徐々に低下させることが好ましい。さらに、前記ＴｉＣｌ４ガスの流量低下は、前記プラズマを生成する際のパワーの上昇が終了する前に開始するようにすることがより好ましい。これらにおいて、前記プラズマを生成する際のパワーの上昇を開始してから定常状態になるまでの時間が２ｓｅｃ以上であることが好ましい。また、前記ＴｉＣｌ４ガスを第１の流量から第２の流量まで低下させる時間が１ｓｅｃ以上であることが好ましい。さらに、前記第１の流量は１６〜１００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）の範囲であり、成膜のための前記第２の流量は１〜３０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）の範囲であることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の第２の観点では、被処理基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内で被処理基板を載置する載置台と、前記載置台上の被処理基板を加熱するヒーターと、前記チャンバ内にＴｉＣｌ４ガスおよびＨ２ガスを含む処理ガスを導入するガス導入機構と、前記チャンバ内に処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構と、前記チャンバ内を排気する排気手段と、前記チャンバ内での処理を制御する制御機構を有し、前記プラズマ生成機構により生成されたプラズマにより前記処理ガスの反応を促進して被処理基板上にＴｉ膜を成膜するＴｉ膜の成膜装置であって、前記制御機構は、前記チャンバ内に被処理基板が配置された状態でＴｉＣｌ４ガスを導入させた後、前記チャンバ内にプラズマを生成させ、そのプラズマを生成する際のパワーを徐々に上昇させるように制御することを特徴とするＴｉ膜の成膜装置を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、上記第２の観点において、前記制御機構は、ＴｉＣｌ４ガスを最初第１の流量で導入させ、その後第１の流量よりも小流量の成膜のための第２の流量まで徐々に低下させるように制御するものであることが好ましい。さらに、前記制御機構は、前記ＴｉＣｌ４ガスの流量低下が、前記プラズマを生成する際のパワーの上昇が終了する前に開始されるように制御するものであることがより好ましい。これらにおいて、前記制御機構は、前記プラズマを生成する際のパワーの上昇を開始してから定常状態になるまでの時間が２ｓｅｃ以上となるように制御するものであることが好ましく、また、前記ＴｉＣｌ４ガスを第１の流量から第２の流量まで低下させる時間が１ｓｅｃ以上となるように制御するものであることが好ましい。