(57)【要約】誘導結合型プラズマ生成電極及びこれを備える基板処理装置が開示される。本発明によれば、基板処理に用いられる誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）を発生させるプラズマ生成電極３６０であって、被処理基板１０の主面の上側に配置される第１の電極部３６１と、基板１０の主面の下側に配置される第２の電極部３６３と、前記第１及び第２の電極部の各一端を互いに連結する折曲部３６２とを含むプラズマ生成電極３６０が提供される。本発明によれば、被処理基板の表面の全領域にわたって均一なプラズマ密度が得られると共に、ＲＦ信号の減衰を防止することができる。【選択図】図９
2012517074.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理に用いられる誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）を生成するためのプラズマ生成電極であって、
被処理基板の主面の上側に配置される第１の電極部と、
被処理基板の主面の下側に配置される第２の電極部と、
１以上の折曲点を有し、前記第１及び第２の電極部の各一端を互いに連結する折曲部とを含むことを特徴とするプラズマ生成電極。
【請求項２】
前記第１の電極部の他端が、プラズマ生成のための電磁場を形成するＲＦ（Radio Frequency）信号を印加するＲＦアンテナに接続されており、
前記第２の電極部の他端がグラウンドに接続されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ生成電極。
【請求項３】
前記折曲部が２つの折曲点を有し、
前記プラズマ生成電極が、前記第１及び第２の電極部の間に前記被処理基板を配置することができるような「コ」字状または逆「コ」字状の形状を有していることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ生成電極。
【請求項４】
誘導結合型プラズマ基板処理装置であって、
１以上の折曲点を有する折曲部を有し、前記被処理基板の主面の上側及び下側に配置することができるように構成されたプラズマ生成電極を備えることを特徴とする誘導結合型プラズマ基板処理装置。
【請求項５】
前記プラズマ生成電極が、
被処理基板の主面の上側に配置される第１の電極部と、
被処理基板の主面の下側に配置される第２の電極部と、
前記第１及び第２の電極部の各一端を互いに連結する折曲部とを含むことを特徴とする請求項４に記載の誘導結合型プラズマ基板処理装置。
【請求項６】
前記第１の電極部の他端が、プラズマ生成のための電磁場を形成するＲＦ（Radio Frequency）信号を印加するＲＦアンテナに接続されており、
前記第２の電極部の他端がグラウンドに接続されていることを特徴とする請求項５に記載の誘導結合型プラズマ基板処理装置。
【請求項７】
前記折曲部が２つの折曲点を有し、
前記プラズマ生成電極が、前記第１及び第２の電極部の間に前記被処理基板を配置することができるような「コ」字状または逆「コ」字状の形状を有していることを特徴とする請求項４に記載の誘導結合型プラズマ基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘導結合型プラズマ生成電極及びこれを備える基板処理装置に関する。より詳細には、被処理基板の前面及び後面に異なる方向へ進むＲＦ信号を印加することにより、全領域にわたって均一なプラズマ密度が得られるようにし、信号の減衰も防止できるようにする、誘導結合型プラズマ生成電極及びこれを備える基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波エネルギーにより発生したプラズマを用いる工程は、「高周波プラズマ方法（RF Plasma Processes）」または「高周波プラズマ処理（RF Plasma Processing）」と呼ばれる。この工程は、大規模な集積回路のような半導体製造技術において、プラズマを用いたエッチング及び蒸着などの技術に利用されており、特に、液晶表示装置（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）のようなディスプレイ装置の製造において非常に実用的に利用されている。また、近年、半導体素子の微細化及びウエハの大口径化が要求されるにつれ、このプラズマを用いる工程はさらに重要な役割を占めるようになった。
【０００３】
この工程における高周波数の使用は、集積レベルの向上及び半導体素子の微細化に密接に関わる工程圧力を低下させるためである。一方、工程速度の向上及び生産性を高めるためには、一般的に、プラズマの密度、すなわち、プラズマ内の荷電粒子の密度を増加させることが要求される。しかし、工程速度を向上させることと、工程圧力を低下させることとは、互いに相反する関係にある。気体粒子の数は圧力の低下に伴って減少するが、これはプラズマ密度を減少させるからである。
【０００４】
そこで、工程圧力を低下させながらも十分に高いプラズマ密度を維持するために、プラズマ発生効率を向上させることは非常に重要であると認識されており、このため、高周波数の信号がＲＦプラズマ工程に採用されている。
【０００５】
このようなプラズマ発生方法には、容量結合方式と、誘導結合方式とがあるが、このうち、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）の発生方法は、低圧力にて動作可能でかつ高密度のプラズマの生成が可能であるため、既存の容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Capacitively Coupled Plasma）の発生方法を代替している。
【０００６】
誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）の発生方法は、高周波電圧を供給するＲＦ電源により放電ガス内に電磁場を形成し、これによりガスを励起させてプラズマを生成及び維持する方式であり、チャンバ内に装着されたウエハの上部にプラズマを発生させて反応に直接使用できるという利点がある。
【０００７】
図１〜図６は、従来の半導体製造用の一般的な基板処理装置の構造を示す図である。
【０００８】
図１は、基板処理装置１００の全体構成を示す図であり、図２は、図１の基板処理装置１００におけるプラズマ生成電極１２０の構成のみを示す概略図である。
【０００９】
また、図３は、複数の電極２２０からなる基板処理装置２００の全体構成を示す図であり、図４は、図３の基板処理装置２００におけるプラズマ生成電極２２０の構成のみを示す概略図である。
【００１０】
また、図５は、複数の電極２２０ａからなる別の基板処理装置２００ａの全体構成を示す図であり、図６は、図５の基板処理装置２００ａにおけるプラズマ生成電極２２０ａの構成のみを示す概略図である。
【００１１】
まず、図１及び図２に示すように、プラズマを用いた基板処理装置１００は、基板処理空間を提供するチャンバ１１０と、チャンバ１１０内に誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）を発生させるプラズマ生成電極１２０と、プラズマ生成電極１２０の一端に接続され、プラズマ生成電極１２０に高周波電力による電磁場を形成するＲＦアンテナ１３０と、プラズマ生成電極１２０の他端に接続されるグラウンド１４０と、チャンバ内に基板１６０を載置するサセプタ１５０とを備える。
【００１２】
また、図３及び図４に示すように、基板処理装置２００には複数のプラズマ生成電極２２０を備えることができるが、この場合、電極２２０の長さが長くなると、電力減衰が発生する。すなわち、ＲＦアンテナ２３０は、ＲＦ電源から印加された高周波電流を用いて電磁場を形成するが、電極２２０の長さが長くなると、ＲＦアンテナ２３０により形成された電磁場の強度はＲＦアンテナ２３０から遠ざかるにつれて減少するのである。
【００１３】
前述したように、基板処理装置では、電磁場によりプラズマが生成されるが、電磁場の強度が減少すると、生成されるプラズマの密度も自然に減少するようになる。したがって、図４において、参照番号Ａと付された領域、すなわち、ＲＦアンテナ２３０から遠く、かつグラウンド２４０から近い領域では、プラズマ密度が相対的に減少するという問題がある。
【００１４】
この問題を解決するために、図５に示すような形態で配置されるプラズマ生成電極を備える基板処理装置２００ａが開発された。
【００１５】
図５及び図６に示すように、基板処理装置２００ａは、複数のプラズマ生成電極２２０ａの両端に備えられるＲＦアンテナ２３０ａとグラウンド２４０ａとの位置が交互に逆になっている。すなわち、特定のプラズマ生成電極２２０ａの左側端にはＲＦアンテナ２３０ａ、右側端にはグラウンド２４０ａが形成されているとすれば、隣接するプラズマ生成電極２２０ａの左側端にはグラウンド２４０ａ、右側端にはＲＦアンテナ２３０ａが形成される仕組みである。
【００１６】
これによれば、プラズマ生成電極２２０ａにおいて、ＲＦアンテナ２３０ａから遠距離にある領域であっても、隣接するプラズマ生成電極２２０ａの一端に形成されているＲＦアンテナ２３０ａからは近い距離にあるため、横方向では相対的に弱い電磁場を有する特定の領域が存在しなくなる。
【００１７】
しかし、隣接するプラズマ生成電極２２０ａによって伝達されるＲＦアンテナ２３０ａからの信号の方向は互いに逆であるため、プラズマ生成電極２２０ａの間では信号の相殺が発生してしまう。すなわち、特定のプラズマ生成電極２２０ａにより形成された電磁場が、隣接するプラズマ生成電極２２０ａにより形成された電磁場により相殺されるのである。これにより、信号の相殺が起きるプラズマ生成電極２２０ａ間の領域（図６において、参照番号Ｂと付された領域）ではプラズマ密度が減少するという現象が発生する。
【００１８】
したがって、全領域にわたって均一なプラズマ密度が得られると共に、信号の相殺現象が防止できる誘導結合型プラズマ発生技術の開発が急がれているのが現状である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明は、上述した従来技術の問題をすべて解決することをその目的とする。
【００２０】
また、本発明は、誘導結合型プラズマを用いた基板処理装置において、電磁場を形成するためのＲＦ信号を基板の前面と後面に逆方向に印加させることにより、基板の全領域にわたって均一なプラズマ密度が得られるようにすることを別の目的とする。
【００２１】
一方、本発明は、誘導結合型プラズマを用いた基板処理装置において、逆方向のＲＦ信号を基板の前面と後面にそれぞれ印加させることにより、どの領域においても信号の減衰が発生しないようにすることをさらに別の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記の目的を達成するための本発明の代表的な構成は、次のとおりである。
【００２３】
本発明の一態様によれば、基板処理のための誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）を発生させるプラズマ発生源電極であって、１以上の折曲点を有する折曲部と、前記折曲部を基準として被処理基板の上部に位置する第１電極部と、前記折曲部を基準として前記基板の下部に位置する第２電極部とを備えるプラズマ発生源電極が提供される。
【００２４】
前記第１の電極部の末端は、プラズマ生成のための電磁場を発生させるＲＦ（Radio Frequency）信号を印加するＲＦアンテナに接続され、前記第２電極部の末端は、グラウンドに接続され得る。
【００２５】
前記折曲部は、２つの折曲点を有し、前記プラズマ生成電極は、それらの間に前記基板が介在した状態で「コ」または逆「コ」形状を帯びることができる。
【００２６】
一方、本発明の別の態様によれば、誘導結合型プラズマ基板処理装置であって、誘導結合型プラズマを発生させるプラズマ発生源電極であって、１以上の折曲点を有する折曲部を備え、前記折曲部により被処理基板を介在することができるプラズマ発生源電極を備える誘導結合型プラズマ基板処理装置が提供される。
【００２７】
前記プラズマ発生源電極は、前記折曲部を基準として前記基板の上部に位置する第１電極部と、前記折曲部を基準として前記基板の下部に位置する第２電極部とを備えることができる。
【００２８】
前記第１電極部の末端は、プラズマ生成のための電磁場を発生させるＲＦ（Radio Frequency）信号を印加するＲＦアンテナに接続され、前記第２電極部の末端は、グラウンドに接続され得る。
【００２９】
前記折曲部は、２つの折曲点を有し、前記プラズマ発生源電極は、それらの間に前記基板が介在した状態で「コ」または逆「コ」形状を帯びることができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、誘導結合型プラズマを用いた基板処理装置において、電磁場を形成するためのＲＦ信号が基板の前面と後面に逆方向に印加されるため、基板の全領域にわたって均一なプラズマ密度が得られるという効果がある。
【００３１】
また、本発明によれば、誘導結合型プラズマを用いた基板処理装置において、逆方向のＲＦ信号が基板の前面と後面にそれぞれ印加されるため、どの領域においても信号の減衰が発生しないという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】従来の基板処理装置の構成を示す図である。
【図２】従来の基板処理装置の構成を示す図である。
【図３】従来の複数の電極からなる基板処理装置の構成を示す図である。
【図４】従来の複数の電極からなる基板処理装置の構成を示す図である。
【図５】従来の別の複数の電極からなる基板処理装置の構成を示す図である。
【図６】従来の別の複数の電極からなる基板処理装置の構成を示す図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る、ＲＦ信号が基板処理装置内で流れる様子を概略的に示す図である。
【図１２】プラズマ生成電極に接続されたＲＦアンテナ周辺の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
後述する本発明については、本発明が実施できる特定の実施形態を例示する添付図面を参照して詳細に説明する。前記実施形態は、当業者が本発明を十分に実施できるように詳細に説明する。本発明の多様な実施形態は、互いに異なるが、相互排他的である必要はなく、例えば、ここに記載されている特定の形状、構造及び特性は、一実施形態に関連して本発明の精神及び範囲を逸脱しない範囲内で他の実施形態でも実現可能である。また、各々の開示された実施形態における個別の構成要素の位置または配置は、本発明の精神及び範囲を逸脱しない範囲内で変更できることが理解されるべきである。したがって、後述する詳細な説明は、限定的な意味として受け止められるものではなく、本発明の範囲は、適切に説明される場合、請求項が主張するものと均等なすべての範囲と共に添付された請求項によってのみ限定される。図面において類似の参照符号は、様々な側面において同一または類似の機能を指し示す。
【００３４】
以下、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を容易に実施できるようにするため、本発明の好ましい実施形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
【００３５】
実施形態
【００３６】
図７〜図１０は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置３００の構成を示す図である。
【００３７】
まず、図７及び図８は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置３００の外部構成を示す斜視図である。より具体的には、図７は、基板処理装置３００の正面と右側面を示す斜視図であり、図８は、基板処理装置３００の後面と左側面を示す斜視図である。
【００３８】
次に、図９は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置３００の内部構成を示す断面図である。
【００３９】
次に、図１０は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置３００の基板１０、並びにプラズマ生成電極３６０の第１の電極部３６１及び第２の電極部３６３の配置状態を示す斜視図である。
【００４０】
まず、基板処理装置３００における被処理基板１０の材質は、ガラス基板１０であることが好ましいが、これに限定されない。したがって、プラスチック、ポリマー、シリコンウエハ、ステンレス鋼など、多様な材質の基板１０が本発明の基板処理装置３００で処理できることはいうまでもない。
【００４１】
また、基板処理装置３００における基板処理過程とは、前述した基板１０上に金属膜、絶縁膜、金属合金膜、酸化物膜、窒化物膜、ポリマー膜などといった、特に制限されない多様な素材の膜を蒸着する過程と、前述した基板１０上に蒸着された膜を、特に制限されない多様なパターンの膜としてエッチングする過程とをすべて含むものとして理解されるべきである。
【００４２】
図７〜図１０を参照すると、本発明の一実施形態に係る基板処理装置３００は、チャンバ３１０を備えて構成され得る。チャンバ３１０は、工程が行われている間に実質的に内部空間が密閉するように構成され、基板１０を処理するための空間を提供する機能を果たすことができる。図７及び図８に示すように、チャンバ３１０は、直方体の形状を有することが好ましいが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００４３】
また、図７〜図１０を参照すると、チャンバ３１０は、基板１０がローディング及びアンローディングされるドア３１１と、チャンバ３１０内の基板１０の存在の有無を検出する基板検出センサ３１２と、チャンバ３１０のリッド（lid）が開放できるように機能するリッド開放ヒンジ３１３と、チャンバ３１０内の真空の程度を検出する真空測定ゲージ３１４と、チャンバ３１０の内部を目視確認できるようにするビューポートウィンドウ３１５と、チャンバ３１０内の物理的な状態を測定する複数の予備ポート３１６と、チャンバ３１０の外部に熱が伝達されるのを遮断する断熱材３１７とを備えて構成され得る。
【００４４】
また、チャンバ３１０は、基板１０の処理に必要な工程ガスをチャンバ３１０の内部に供給及び排出する手段を備えて構成され得る。より具体的には、図７〜図１０を参照すると、チャンバ３１０内に工程ガスを注入するためのガス注入部３２１と、注入された工程ガスを分配するためのガス分配部３２２と、チャンバ３１０の中央において工程ガスの分配を制御または調節する中央ガス分配制御部３２３と、チャンバ３１０の側部において工程ガスの分配を制御または調節する側面ガス分配制御部３２４と、チャンバ３１０の下部に形成され、チャンバ３１０内の工程ガスをポンピングするためのポンピング部３２５と、工程中にチャンバ３１０内の温度をセンシングするための温度測定部３２６と、ポンピング部３２５に流出する工程ガスの流れを均一にしてチャンバ３１０内のガスの流れを均一にすると共に、プラズマの反応空間と非反応空間とを区分するためのポンピングバッフル３２７と、チャンバ３１０の内部に流入する工程ガスの流れを制御する工程ガス弁（図示せず）とを備えて構成され得る。
【００４５】
チャンバ３１０の内部に供給可能な工程ガスの種類は特に制限されず、プラズマ工程を行う目的に応じて多様な工程ガスが使用可能である。
【００４６】
一方、図７〜図１０において、多様なチャンバ３１０の構成要素の配置について例示しているが、このチャンバ３１０の構成要素の配置は、図７〜図１０に示されたものに限定されない。例えば、チャンバ３１０内のガスの流れを円滑にすると共に、プラズマの反応空間と非反応空間とを区分するためのポンピングバッフル３２７は、図９において、第２の電極部３６３とサセプタ３５０との間に配置されたものとして示されているが、これに限定されず、第２の電極部３６３とヒータ３３０との間に配置されていてもよい。
【００４７】
次に、図７〜図１０を参照すると、本発明の一実施形態に係る基板処理装置３００は、ヒータ３３０を備えて構成され得る。ヒータ３３０は、チャンバ３１０の内部または外部に設置され、プラズマ工程に必要な熱を基板１０に供給する機能を果たすことができる。このヒータ３３０は、図９に示すように、第２の電極部３６３の下側に設置可能であり、石英管の内部に発熱体が挿入されている棒状の単位ヒータ（図示せず）が複数個構成され得る。
【００４８】
次に、図７〜図１０を参照すると、本発明の一実施形態に係る基板処理装置３００は、冷却部３４０を備えて構成され得る。冷却部３４０は、プラズマ工程が完了した基板１０を冷却する機能を果たすことができる。このため、冷却部３４０は、水冷式及び空冷式を含む公知の様々な冷却手段の構成原理を採用することができる。
【００４９】
次に、図７〜図１０を参照すると、本発明の一実施形態に係る基板処理装置３００は、サセプタ３５０を備えて構成され得る。サセプタ３５０は、プラズマ工程中に基板１０がその上に載置されて支持できるようにする機能を果たすことができる。サセプタ３５０は、石英またはセラミックのような耐熱性に優れた材質で構成されることが好ましい。
【００５０】
次に、図８〜図１０を参照すると、本発明の一実施形態に係る基板処理装置３００は、プラズマ生成電極３６０を備えて構成される。プラズマ生成電極３６０は、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）生成法を用いてプラズマを生成する機能、すなわち、ＲＦ電源から供給された高周波電圧によって電磁場を形成することによりプラズマが生成及び維持されるようにする機能を果たすことができる。
【００５１】
本発明のプラズマ生成電極３６０は、基板１０の主面の上側及び下側に配置することができるように折り曲げられていることを特徴的な構成とする。このため、本発明のプラズマ生成電極３６０は、第１の電極部３６１と、折曲部３６２と、第２の電極部３６３とを備えて構成され得る。より具体的には、プラズマ生成電極３６０は、基板１０の主面の上側に配置される第１の電極部３６１と、基板１０の主面の下側に配置される第２の電極部３６３と、前記第１及び第２の電極部３６１、３６３の各一端を互いに連結する折曲部３６２とを含む。この折曲部３６２は、１以上の折曲点を有することができ、好ましくは、図８及び図９に示されているように、２つの折曲点を有することができる。折曲点が２つの場合、図８及び図９に示されているように、プラズマ生成電極３６０は、コの字状または逆コの字状であり得る。このとき、基板１０は、第１の電極部３６１、折曲部３６２及び第２の電極部３６３によって形成されたコの字状または逆コの字状の領域内に配置される。
【００５２】
次に、図７〜図１０を参照すると、本発明の一実施形態に係る基板処理装置３００は、ＲＦアンテナ３７０及びグラウンド３８０を備えて構成され得る。ＲＦアンテナ３７０は、ＲＦ信号をプラズマ生成電極３６０に印加する機能を果たすことができ、グラウンド３８０は、印加されたＲＦ信号をプラズマ生成電極３６０へ流す機能を果たすことができる。また、ＲＦアンテナ３７０は、基板１０の上側に配置された第１の電極部３６１の他端に接続され得、グラウンド３８０は、基板１０の下側に配置された第２の電極部３６３の他端に接続され得る。
【００５３】
図１１は、本発明の一実施形態に係る、ＲＦ信号が基板処理装置３００内で流れる様子を概略的に示す図である。
【００５４】
図１１を参照すると、基板１０の上側に配置されたプラズマ生成電極３６０の第１の電極部３６１にＲＦ信号が印加され、基板１０の下側に配置されたプラズマ生成電極３６０の第２の電極部３６３にＲＦ信号が出力され得る。すなわち、ＲＦアンテナ３７０から印加されるＲＦ信号は、基板１０の上側に配置された第１の電極部３６１に印加された後、折曲部３６２を経由して第１の電極部３６１から第２の電極部３６３へ伝達され、最終的には基板１０の下側に配置された第２の電極部３６３からグラウンド３８０へ出力される。この過程によりプラズマが発生及び維持可能である。
【００５５】
これによれば、第１の電極部３６１及び第２の電極部３６３で流れるＲＦアンテナ３７０からの信号の方向が逆になるため、ある特定の領域においてＲＦ信号が弱くなってプラズマ密度が減少するという現象が生じなくなる。すなわち、基板１０が配置される位置においてグラウンド３８０から近い領域では、電磁場の強度が小さくなり得るが、該当領域はＲＦアンテナ３７０からも近い領域であるため電磁場の強度が補償され、折曲部３６２から近い領域では、第１の電極部３６１による電磁場と第２の電極部３６３による電磁場とが互いに補償する効果が得られる。したがって、基板１０の全面にわたって均一なプラズマ密度を得ることができる。
【００５６】
また、ＲＦアンテナ３７０から印加される信号の方向が互いに逆方向の場合は前記信号が互いに相殺され得るが、本発明によれば、第１の電極部３６１と第２の電極部３６３とを介した信号の伝達が基板１０の主面の上側及び下側で行われるため、信号の減衰現象は生じず、電磁場の強度が維持できるようになる。すなわち、第１の電極部３６１を介して伝達される信号の方向と、第２の電極部３６３を介して伝達される信号の方向は互いに反対方向であるが、２つの電極部の間に基板１０が配置されるため、信号が互いに逆方向に伝達されることによる減衰現象を防止することができる。
【００５７】
つまり、本発明によれば、誘導結合型プラズマを用いた基板処理装置３００において、電磁場を形成するためのＲＦ信号の印加方向を基板１０の主面の上側及び下側で互いに反対方向にすることにより、基板表面の全領域にわたって均一なプラズマ密度が得られると共に、どの領域においても信号の減衰現象を防止することができ、これにより、所望のプラズマ密度を得るために必要なＲＦ電力の大きさも小さくなり得るため、電力消耗も低減することができる。
【００５８】
一方、図１２は、プラズマ生成電極３６０に接続されたＲＦアンテナ３７０の周辺の構成を示す図である。
【００５９】
図１２に示すように、ＲＦアンテナ３７０の外部にはＲＦアンテナ３７０を囲むチューブ３７１が形成されており、チューブ３７１の外周面には絶縁部３７２が形成されていてもよい。また、絶縁部３７２は、基板処理装置３００のチャンバ３１０と接するが、ＲＦアンテナ３７０を固定するためのフランジ３７３及びワッシャ３７４により固定され得る。一方、チューブ３７１は、ＲＦアンテナシールキャップ３７５及びＲＦアンテナシールフェルール３７６によりフランジ３７３と接し、これにより、基板処理装置３００に固定できるようになる。このＲＦアンテナシールキャップ３７５及びＲＦアンテナシールフェルール３７６は絶縁物質からなり得る。そして、ＲＦアンテナ３７０及びこれを囲むチューブ３７１とチャンバ３１０との間をシールするために１以上のＯリング３７７をさらに備えることができる。
【００６０】
最後に、プラズマ生成電極３６０を除く誘導結合型基板処理装置３００の各構成及び誘導結合型基板処理装置３００を用いた基板処理過程は公知の技術であるため、本明細書では、これに関する詳細な内容を省略する。
【００６１】
以上のように、本発明では、具体的な構成要素などのような特定の事項と限定された実施形態及び図面により説明されたが、これは、本発明のより全般的な理解を助けるために提供されたものであって、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、このような記載から多様な修正及び変形が可能である。
【００６２】
したがって、本発明の思想は、上記の説明された実施形態に限定されて定められてはならず、後述する特許請求の範囲のみならず、この特許請求の範囲と均等または等価的に変形したすべては本発明の思想の範疇に属する。
【符号の説明】
【００６３】
１０        基板
３００      基板処理装置
３１０      チャンバ
３１１      ドア
３１２      基板検出センサ
３１３      リッド開放ヒンジ
３１４      真空測定ゲージ
３１５      ビューポートウィンドウ
３１６      予備ポート
３１７      断熱材
３２１      ガス注入部
３２２      ガス分配部
３２３      中央ガス分配制御部
３２４      側面ガス分配制御部
３２５      ポンピング部
３２６      温度測定部
３２７      ポンピングバッフル
３３０      ヒータ
３４０      冷却部
３５０      サセプタ
３６０      プラズマ生成電極
３６１      第１の電極部
３６２      折曲部
３６３      第２の電極部
３７０      ＲＦアンテナ
３７１      チューブ
３７２      絶縁部
３７３      フランジ
３７４      ワッシャ
３７５      ＲＦアンテナシールキャップ
３７６      ＲＦアンテナシールフェルール
３７７      Ｏリング
３８０      グラウンド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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