(57)【要約】  プリント液がポンピングチャンバからノズルを通して射出されるノズル速度に影響を与える１つ以上のパラメータが測定される方法が説明される。プリント液は圧電層の撓みによって作動されるポンピングチャンバに入れられる。１つ以上のパラメータの測定値に少なくともある程度は基づいて、圧電層作動電極の表面積が減じられる。電極表面積を減じることで圧電層の作動面積が減じる。
2012504072.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法において、
プリント液がポンピングチャンバからノズルを通して射出されるノズル速度に影響を与える１つ以上のパラメータを測定する工程であって、前記プリント液は圧電層の撓みによって作動される前記ポンピングチャンバに入れられている工程、及び
前記１つ以上のパラメータの測定値に少なくともある程度は基づいて前記圧電層を作動させる電極の表面積を減じる工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記圧電層を作動させる電極の表面積を減じる工程が、前記圧電層の作動面積を減じることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記１つ以上のパラメータを測定する工程が、前記圧電層の厚さ及び静電容量を測定する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記電極の表面積を減じる工程が、
前記圧電層の前記厚さ及び静電容量の測定値に少なくともある程度は基づいて前記ノズル速度を決定する工程、及び
前記ノズル速度の前記ノズルに対する目標速度への比較に基づいて前記電極の前記表面積を減じる工程、
を含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記１つ以上のパラメータを測定する工程が、前記プリント液の流路の１つ以上の流路特性を測定する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記電極の表面積を減じる工程が、
前記１つ以上の流路特性の測定値に少なくともある程度は基づいて前記ノズル速度を決定する工程、及び
前記ノズル速度の前記ノズルに対する目標速度への比較に基づいて前記電極の前記表面積を減じる工程、
を含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
方法において、
電極に接して配置された圧電層の１つ以上のパラメータを測定する工程であって、前記圧電層の撓みがプリント液を入れているポンピングチャンバの境界を撓ませ、よって前記プリント液をノズルに通してノズル速度で射出するものである工程、及び
前記１つ以上のパラメータの測定値に少なくともある程度は基づいて前記電極の表面積を減じる工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
前記圧電層を作動させる電極の表面積を減じる工程が、前記圧電層の作動面積を減じることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記電極の表面積を減じる工程が、
前記圧電層の前記１つ以上のパラメータの測定値に基づいて前記ノズル速度を推定する工程、及び
前記ノズル速度の前記ノズルに対する目標速度への比較に少なくともある程度は基づいて前記電極の表面積を減じる工程、
を含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記１つ以上のパラメータを測定する工程が、前記圧電層の静電容量及び厚さを測定する工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
方法において、
アクチュエータのアレイによって駆動されるノズルのアレイのそれぞれのノズルに対して、前記アクチュエータに含まれ、電極に接して配置された、圧電層の１つ以上のパラメータを測定する工程であって、前記圧電層の撓みがプリント液を入れているポンピングチャンバにメンブランを撓み込ませ、よって前記プリント液を前記ノズルを通してノズル速度で射出するものである工程、
前記ノズルのそれぞれに対し、前記圧電層の前記１つ以上のパラメータの測定値に基づいて前記ノズルの前記ノズル速度を推定する工程、
前記ノズルアレイにわたり前記ノズルの平均速度を計算する工程、
前記ノズルの前記ノズル速度を目標速度に規格化する工程、
前記ノズルのそれぞれに対し、前記規格化されたノズル速度が前記目標速度より大きければ、前記規格化されたノズル速度と前記目標速度の差を計算する工程、及び
前記計算された差に基づいて前記電極の表面積を減じる工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記圧電層を作動させる電極の表面積を減じる工程が、前記圧電層の作動面積を減じることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ノズル速度が低められることになる閾値を決定する工程、及び
前記規格化されたノズル速度と前記目標速度の間の前記計算された差が前記閾値より大きければ、前記計算された差ではなく、前記閾値に基づいて前記電極の前記表面積を減じる工程、
をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
方法において、
電極に接して配置されている圧電層の厚さ及び静電容量を測定する工程であって、前記圧電層の撓みがプリント液を入れているポンピングチャンバの境界を撓ませ、よって前記プリント液をノズルに通してノズル速度で射出するものである工程、及び
前記圧電層の前記厚さ及び静電容量の測定値に少なくともある程度は基づいて前記電極の表面積を減じる工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記圧電層を作動させる電極の表面積を減じる工程が、前記圧電層の作動面積を減じることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記電極の表面積を減じる工程が、
前記圧電層の前記厚さ及び静電容量の測定値に少なくともある程度は基づいて前記ノズル速度を決定する工程、及び
前記ノズル速度の前記ノズルに対する目標速度への比較に基づいて前記電極の前記表面積を減じる工程、
を含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記電極の前記表面積が、前記ノズル速度を目標速度まで低めるために減じられることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記電極の前記表面積が、レーザを用いて前記電極の一部を除去することによって減じられることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記表面積を減じるために前記電極の周縁がトリミングされることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記表面積を減じるために前記電極の１つ以上の内部領域が除去されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
前記表面積を減じるために前記電極の端部が除去されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】
前記電極の表面積を減じる工程が、
前記圧電層の前記厚さ及び静電容量の測定値に少なくともある程度は基づいて前記ノズルを通して射出される前記プリント液の体積を決定する工程、及び
前記体積の前記ノズルに対する目標体積への比較に基づいて前記電極の前記表面積を減じる工程、
を含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
以下の説明はノズル速度制御に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体射出システム、例えば、インクジェットプリンタは一般に、インク源からインク液滴がそこから射出されるノズルを含む集成インクノズルまでのインク路を有する。インクはジェットプリンタから射出され得る液体の一例に過ぎない。インク液滴射出はアクチュエータ、例えば、圧電撓み素子、熱バブルジェット（登録商標）ジェネレータ、または静電撓み素子を用いてインク路内のインクを加圧することによって制御することができる。一般的なプリントヘッドモジュールは、ノズルラインまたはノズルアレイを、対応するインク路アレイ及び付帯アクチュエータとともに有し、それぞれのノズルからの液滴射出は独立に制御することができる。いわゆる「ドロップオンデマンド」型プリントヘッドモジュールでは、それぞれのアクチュエータが媒体上の特定の場所に液滴を選択的に射出するように起動される。プリントヘッドモジュール及び媒体はプリント動作中に互いに対して移動することができる。
【０００３】
一例において、プリントヘッドモジュールは半導体プリントヘッド本体及び圧電アクチュエータを有することができる。プリントヘッド本体はエッチングでポンピングチャンバが定められたシリコンで作製することができる。ノズルはプリントヘッド本体に取り付けられる別の基板(すなわちノズル層)によって定めることができる。圧電アクチュエータは印加電圧に応答して幾何形状を変える、すなわち撓む、圧電材料の層を有することができる。圧電層の撓みはメンブランを撓ませ、メンブランはポンピングチャンバの壁を形成している。したがって、メンブランの撓みはインク路に沿って配置されたポンピングチャンバ内のインクを加圧し、ノズルからノズル速度でインク液滴を射出する。圧電アクチュエータはメンブランに接合される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の課題はプリントヘッドから射出される液滴のノズル速度を制御する手段を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明はノズル速度の制御に関する。全般に、一態様において、本発明は、ポンピングチャンバからノズルを通してプリント液が射出されるノズル速度に影響する１つ以上のパラメータが測定される方法を特徴とする。プリント液は、圧電層の撓みによって作動する、ポンピングチャンバ内に入れられる。１つ以上のパラメータの測定値に少なくともある程度は基づいて、圧電層を作動させる電極の表面積が減じられる。
【０００６】
本発明の実施形態は以下の特徴の１つ以上を有することができる。１つ以上のパラメータを測定する工程は圧電層の厚さ及び静電容量を測定する工程を含むことができる。電極の表面積を減じる工程は、圧電層の厚さ及び静電容量の測定値に少なくともある程度は基づいて、ノズル速度を決定する工程及び、ノズル速度のノズルに対する目標速度への比較に基づいて、電極の表面積を減じる工程を含むことができる。１つ以上のパラメータを測定する工程は圧電層の無負荷撓みを直接に測定する工程を含むことができる。電極の表面積を減じる工程は、圧電層の無負荷撓みの測定値に少なくともある程度は基づいて、ノズル速度を決定する工程及び、ノズル速度のノズルに対する目標速度への比較に基づいて、電極の表面積を減じる工程を含むことができる。
【０００７】
１つ以上のパラメータを測定する工程はノズル径を測定する工程を含むことができる。電極の表面積を減じる工程は、ノズル径の測定値に少なくともある程度は基づいて、ノズル速度を決定する工程及び、ノズル速度のノズルに対する目標速度への比較に基づいて、電極の表面積を減じる工程を含むことができる。１つ以上のパラメータを測定する工程はプリント液の流路の１つ以上の流路特性を測定する工程を含むことができる。電極の表面積を減じる工程は、１つ以上の流路特性の測定値に少なくともある程度は基づいて、ノズル速度を決定する工程及び、ノズル速度のノズルに対する目標速度への比較に基づいて、電極の表面積を減じる工程を含むことができる。
【０００８】
全般に、別の態様において、本発明は、電極に接して配置された圧電層の１つ以上のパラメータを測定する工程を含む方法を特徴とする。圧電層の撓みがプリント液が入っているポンピングチャンバの境界を撓ませ、よってノズルを通してノズル速度でプリント液が射出される。１つ以上のパラメータの測定値に少なくともある程度は基づいて、電極の表面積が減じられる。
【０００９】
本発明の実施形態は以下の特徴の１つ以上を有することができる。電極の表面積を減じる工程は、圧電層の１つ以上のパラメータの測定値に基づいて、ノズル速度を推定する工程及び、ノズル速度のノズルに対する目標速度への比較に少なくともある程度は基づいて、電極の表面積を減じる工程を含むことができる。１つ以上のパラメータを測定する工程は圧電層の静電容量及び厚さを測定する工程を含むことができる。１つ以上のパラメータを測定する工程は圧電層の無負荷撓みを測定する工程を含むことができる。無負荷撓みを測定する工程は、固定振幅正弦波電圧を電極に印加する工程及びレーザ振動計を用いて無負荷撓みを直接に測定する工程を含むことができる。
【００１０】
全般に、別の態様において、本発明は、アクチュエータアレイによって駆動されるノズルアレイのそれぞれのノズルに対して、アクチュエータに備えられ、電極と接して配置された圧電層の１つ以上のパラメータが測定される、方法を特徴とする。圧電層の撓みがメンブランをプリント液が入っているポンピングチャンバに撓み込ませ、よってノズルを通してノズル速度でプリント液が射出される。それぞれのノズルに対し、圧電層の１つ以上のパラメータの測定値に基づいて、ノズルのノズル速度が決定される。ノズルアレイにわたるノズルの平均速度が計算される。ノズルのノズル速度が目標速度に規格化される。それぞれのノズルに対し、規格化ノズル速度が目標速度より大きければ、規格化ノズル速度と目標速度の間の差が計算される。計算された差に基づいて電極の表面積が減じられる。
【００１１】
本発明の実施形態は以下の特徴の１つ以上を有することができる。ノズル速度が減じられることになる閾値を決定することができる。規格化ノズル速度と目標速度の間の差の計算値が閾値より大きければ、差の計算値ではなく閾値に基づいて電極の表面積が減じられる。
【００１２】
全般に、別の態様において、本発明は電極と接して配置された圧電層の厚さ及び静電容量が測定される、方法を特徴とする。圧電層の撓みがプリント液を入れているポンピングチャンバの境界を撓ませ、よってノズルを通してノズル速度でプリント液が射出される。圧電層の厚さ及び静電容量の測定値に少なくともある程度は基づいて電極の表面積が減じられる。
【００１３】
本発明の実施形態は以下の特徴の１つ以上を有することができる。電極の表面積を減じる工程は、圧電層の厚さ及び静電容量の測定値に少なくともある程度は基づいて、ノズル速度を決定する工程を含むことができ、ノズル速度のノズルに対する目標速度への比較に基づいて、電極の表面積を減じることができる。ノズル速度を決定する工程はさらに、ノズル径に少なくともある程度は基づくことができる。ノズル速度を目標速度まで低めるために電極の表面積を減じることができる。電極の表面積はレーザを用いて電極の一部を除去することによって減じることができる。電極の周縁をトリミングして表面積を減じることができる。電極の１つ以上の内部領域を除去して表面積を減じることができる。電極の端部を除去して表面積を減じることができる。
【００１４】
電極の表面積を減じる工程は、圧電層の厚さ及び静電容量の測定値に少なくともある程度は基づいて、ノズルを通して射出されるプリント液の体積を決定する工程及び、体積のノズルに対する目標体積への比較に基づいて、電極の表面積を減じる工程を含むことができる。
【００１５】
全般に、別の態様において、本発明は圧電層と接して配置された電極に電圧が印加される方法を特徴とし、電極は表面積を有する。印加電圧に応答する圧電層の撓みが測定される。撓みの測定値に少なくともある程度は基づいて電極の表面積が減じられる。
【００１６】
本発明の実施形態は以下の特徴の１つ以上を有することができる。電極の表面積を減じる工程は、撓みの測定値に少なくともある程度は基づいて、圧電層の撓みがポンピングチャンバの境界を撓ませたときにノズルを通してポンピングチャンバからプリント液が射出されるノズル速度を決定する工程を含むことができる。ノズル速度のノズルに対する目標速度への比較に基づいて電極の表面積を減じることができる。ノズル速度が目標速度まで低められるように電極の表面積を減じるべき量を決定することができる。ノズル速度を決定する工程はさらに、ノズル径に少なくともある程度は基づくことができる。撓みの測定値は無負荷撓みとすることができ、例えば、レーザ振動計を用いて測定することができる。
【００１７】
本発明の実施形態は以下の利点の１つ以上を実現することができる。ノズルの速度をノズルアレイにかけて制御して、アレイにかけて実質的に一様な速度を達成することができる。アクチュエータアレイ内のそれぞれのアクチュエータの変動を補償してノズルアレイを駆動するアクチュエータアレイにかけて実質的に一様なアクチュエータ性能を得ることができる。圧電材料特性、例えばｄ３１係数、流路特性またはノズル径のような、速度に影響する要因の変動を補償してノズルアレイにかけて実質的に一様なノズル速度を得ることができ、液滴質量一様性も向上させることができる。
【００１８】
本発明の１つ以上の実施形態の詳細は、添付図面に示され、以下の説明に述べられる。本発明のその他の特徴、目的及び利点は、説明及び図面から、また特許請求の範囲から、明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１Ａ】メンブランに接合されたアクチュエータを有するプリントヘッドモジュールの一例の一部の部分分解組立断面図
【図１Ｂ】図１Ａのプリントヘッドモジュールの断面図
【図２】ポンピングチャンバ列に重ねて配置されたアクチュエータ列を示す、プリントヘッドモジュールの一例の一部の平面図
【図３Ａ】図１Ａ及び１Ｂのプリントヘッドモジュールの一部の拡大断面図
【図３Ｂ】メンブランの撓みが示されている、図３Ａに示されるプリントヘッドモジュールの一部の拡大断面図
【図４】電極の表面積を減じるためのプロセスの一例を示すフローチャート
【図５】ノズル速度を決定するためのプロセスの一例を示すフローチャート
【図６】ノズル速度を決定するためのプロセスの別の例を示すフローチャート
【図７】電極アレイの表面積を減じるためのプロセスの一例を示すフローチャート
【発明を実施するための形態】
【００２０】
様々な図面において同様の参照符号は同様の要素を示す。
【００２１】
プリントヘッドモジュール上のノズルから射出されるプリント液の速度を制御するための方法が説明される。説明の目的だけのために、図１を参照して、メンブラン１０４に接合されたアクチュエータ１０２の文脈において本発明の手法が説明され、この手法は図示される特定のプリントヘッドモジュール１００に限定されない。プリントヘッドモジュール１００の一部の断面図が示される。プリントヘッドモジュール１００は、複数本の流路が形成されている基板１０８を有する(図には１本の流路だけが示されている)。プリントヘッドモジュール１００は液体(例えばインク)を流路から選択的に射出させるための複数のアクチュエータも有する。すなわち、アクチュエータが付帯するそれぞれの流路は個別制御が可能なＭＥＭＳ液体エジェクタを提供する。
【００２２】
プリントヘッドモジュールのこの実施形態において、液体が通じる態様で流入口が液体源(図示せず)を基板１０８に連結する。流入口は液体が通じる態様でチャネル(図示せず)を介して流入路１１０に連結される。流入路１１０は液体が通じる態様でポンピングチャンバ１１２に連結される。ポンピングチャンバ１１２は、ノズル１１８で終端する、直降路１１６に液体が通じる態様で連結される。ノズル１１８は基板１０８に取り付けられたノズル層１２０によって定めることができる。
【００２３】
メンブラン１０４は、ポンピングチャンバ１１２に密接して基板１０８の上面に重ねて形成されて、例えば、メンブラン１０４の下面がポンピングチャンバ１１２の上部境界を定めることができる。アクチュエータ１０２はメンブラン１０４の上面に重ねて配置され、アクチュエータ１０２とメンブラン１０４の間に接着剤層１０３がある。別の実施形態において、メンブラン１０４を排することができ、圧電層１３１自体がポンピングチャンバ１１２の境界を形成できることは当然である。プリント液が圧電材料を腐蝕させ得る実施形態においては、ポンピングチャンバの境界を形成する表面を保護層、例えばユーピレックス(登録商標)またはカプトン(登録商標)のポリイミド層で保護することができる。
【００２４】
図２を参照すれば、プリントヘッドモジュール１００の一部の平面図が示されている。いくつかの実施形態において、ポンピングチャンバ１１２のそれぞれは、独立に作動させることができる、相互に電気的に絶縁された、対応するアクチュエータ１０２を有する。この実施形態においては、アクチュエータ１０２の２本の列で形成された、アクチュエータアレイが示される。２列のアクチュエータ１０２は２列のポンピングチャンバ１１２のアレイに対応し、２列のポンピングチャンバ１１２のアレイはポンピングチャンバ１１２のアレイの下側の２列のノズル１１８のアレイに対応する。
【００２５】
図３Ａを参照すれば、この実施形態においては、回路(図示せず)によるアクチュエータ１０２の作動を可能にするため、アクチュエータ１０２は電極１３０と１３２の間に圧電層１３１を有する。例えば、電極１３０を駆動電極とし、電極１３２を接地電極とすることができる。駆動電極１３０に印加される電圧が圧電層１３１にかかる電圧差を生じて、図３Ｂに示されるように、圧電材料を変形させる。この変形がメンブラン１０４をある深さ１１５までポンピングチャンバに撓み込ませ、よってポンピングチャンバ１１２内の液体の体積を変化させる。ポンピングチャンバ内の体積変化に応答して、プリントヘッドモジュールのノズル１１８から液滴１１９が速度Ｖで射出される。
【００２６】
圧電層１３１は一般に、層に損傷を与えずにハンドリングすることが困難になり得る、非常に薄い、例えば５０μｍより薄い、層として形成されるから、アクチュエータ１０２は少なくとも以下の２つの技法で形成される。ただし、他の形成技法も可能である。一技法では、比較的厚い圧電層の底面上に接地電極１３２が形成される。この実施形態において、電極１３２がその上に形成された厚い圧電層は、実際のアクチュエータではないが、アクチュエータ形成プロセスの一段階においてアクチュエータのいくつかのコンポーネントを有しているから、本明細書では「アクチュエータ層」と称される。次いで、本明細書で説明される接合形成方法を用いてアクチュエータ層を、基板１０８に既に接合されている、メンブラン１０４に接合することができる。次いで厚い圧電層を平面研磨して、所望の厚さまで厚さを減じる、すなわち圧電層１３１を形成することができる。次いで、駆動電極を圧電層１３１の上面に形成することができる。
【００２７】
別の実施形態では、支持ウエハ上に比較的厚い圧電層を形成する。次いで圧電層を平面研磨して、所望の厚さまで厚さを減じる、すなわち圧電層１３１を形成することができる。支持ウエハはそのような薄い圧電材料層を形成するに必要な剛性を提供する。次いで、圧電材料層１３１の露出面に接地電極１３２となる金属膜を被着する。この実施形態においては、支持ウエハに取り付けられ、電極１３２がその上に形成された、圧電層１３１が「アクチュエータ層」である。本明細書で説明される接合形成方法を用いてアクチュエータ層をメンブラン１０４に接合する。次いで、圧電層１３１から支持ウエハを取り外すことができる。次いで、圧電層１３１の新しく露出した表面に駆動電極１３０となる金属膜を被着することができる。
【００２８】
メンブラン１０４は、シリコン(例えば単結晶シリコン)、何か他の半導体材料、酸化物、ガラス、窒化アルミニウム、シリコンカーバイド、他のセラミックまたは金属、絶縁物上シリコン、あるいはいずれかの深さ方向プロファイルを形成できる基板で形成することができる。例えば、メンブラン１０４は不活性材料で作製することができ、アクチュエータ１０２の作動によってポンピングチャンバ１１２内の液体を加圧するに十分なメンブラン１０４の撓みが生ずるようなコンプライアンスを有することができる。いくつかの実施形態において、メンブラン１０４の厚さは約１μｍと約１５０μｍの間とすることができる。さらに詳しくは、いくつかの実施形態において、厚さはほぼ８〜２０μｍの範囲にある。ビブル(Bibl)等により２００４年１０月８日に出願され、２００５年５月１２日に公開された、名称を「薄いメンブランを有するプリントヘッド(Print Head with Thin Membrane)」とする、米国特許出願公開第２００５/００９９４６７号の明細書はプリントヘッドモジュール及び作製手法の例を説明している。この明細書の全内容は本明細書に参照として含まれる。
【００２９】
図１に示されるプリントヘッドモジュールの例を再び参照すれば、動作において、液体は流入口を流過して基板１０８に流入し、流入路１１０を流過する。液体は流路１１０を流れ上がってポンピングチャンバ１１２に入る。ポンピングチャンバ１１２の上のアクチュエータ１０２を作動させると、アクチュエータ１０２はメンブラン１０４をポンピングチャンバ１１２内に撓み込ませる。この結果のポンピングチャンバ１１２の体積変化により、ポンピングチャンバ１１２から直降路１１６に液体が押し込まれる。液体は次いで、液滴１１９にノズル１１８を流過させるに十分な圧力をアクチュエータ１０２がかけていれば、ノズル１１８を流過する、液滴１１９は速度Ｖで射出され、次いで、基板上に被着することができる。
【００３０】
液滴１１９が射出される速度は多くの様々な要因の影響を受け得る。速度に影響を与える１つ以上の要因と速度の間の関係式を(例えば実験データを用いる回帰モデル化により)決定することができ、次いで速度を推定することができる。例えば、アクチュエータの性能は速度に影響し得る。アクチュエータの性能に相関する１つ以上の測定値をとることにより、特定のアクチュエータによって駆動される特定のノズルに対する速度を測定値に基づいて推定することができる。この例及びその他の例が以下でさらに詳細に説明される。推定速度がそのノズルに対する目標速度より高ければ、駆動電極１３０の表面積を減じて、圧電層１３１に印加される電圧を低めることができ、電圧の低下は続いて撓みを小さくし、したがってノズル速度を低下させる。
【００３１】
上の議論はノズル速度、すなわち液滴がノズルから射出される速度への様々な要因の影響に関してなされているが、その他の液滴特性をそれらの要因に相関させることができる。例えば、射出される液滴の体積を様々な要因の１つ以上に相関させることができる。いくつかの実施形態においては、一様な液滴体積の達成が望ましく、速度よりむしろ、液滴体積の測定及び目標としての設定がなされ得る。その他の液滴特性も可能である。説明の目的のため、以下の議論はノズル速度の測定または推定及び目標速度との比較の文脈でなされるが、異なる液滴特性を用い得ることは当然である。
【００３２】
一実施形態において、なにはともあれ、駆動電極１３０の表面積をどれだけ減じるべきかの決定に際してアクチュエータの変動の影響が考慮される。図３Ａを再び参照すれば、図示される実施形態において、圧電アクチュエータ１０２は、接地電極１３２，圧電層１３１及び駆動電極１３０を有する。圧電層１３１は圧電材料薄膜であり、約５０μｍ以下、例えば約２５μｍ〜１μｍの厚さを有することができる。特定の例において、圧電層の厚さはほぼ８〜１８μｍの範囲にある。
【００３３】
ノズルアレイのそれぞれのノズルは一様な速度で液滴を射出することが好ましい。射出される液体の速度は、プリント液を駆動してノズルを流過させるアクチュエータ１０２の性能に、少なくともある程度は相関する。圧電アクチュエータ１０２の性能は、(１)無負荷撓み及び(２)出力インピーダンスの２つの特性で表すことができる。無負荷撓みは、アクチュエータに負荷がかかっていない(例えば、ポンピングチャンバにプリント液がない)状態で圧電層１３１が印加電圧に応答して撓む、撓み量である。出力インピーダンスは、アクチュエータが何かを駆動する、例えばポンピングチャンバからプリント液を駆動することができる能力の尺度である。
【００３４】
１つのアクチュエータからの無負荷撓み及び出力インピーダンスの変動は圧電層１３１における変動によって影響を受け得る。アクチュエータの他のコンポーネント、例えばメンブラン１０４における変動もそのような変動に影響し得るが、重要なのは圧電層１３１における変動であることが多い。例えば、圧電層１３１の静電容量、厚さ及び／またはｄ係数のいずれをも、無負荷撓み及び出力インピーダンスに関係付けることができる。
【００３５】
これらのパラメータの値はアクチュエータアレイ内のアクチュエータ毎に変わることができ、対応するノズルアレイ内のそれぞれのノズルの速度も変わり得る。ノズルアレイにわたるこれらのパラメータの分散を補償するため、アクチュエータ１０２の駆動電極１３０の表面積を減じることができる。駆動電極１３０の表面積を減じれば圧電層１３１の作動面積が減じ、したがって圧電層１３１の撓み及びメンブラン１０４の対応する撓み１１５が減じる。メンブラン１０４の撓み１１５が減じれば、ノズル１１８から液滴１１９が射出される速度(Ｖノズル)が低められる。したがって、上で論じた圧電層パラメータにおける分散を補償するためにそれぞれのノズルのノズル速度をノズル毎ベースで低めるためにこの手法を用いることができる。
【００３６】
駆動電極１３０はポンピングチャンバに重ねて配置されたプレーナ構造であり、様々な形状をとることができる。図示される例において、駆動電極は長方形である。しかし、別の実施形態において、駆動電極１３０は、円形、長円形、楕円形、または何か別の形状とすることができる。電極の表面積を減じるために電極がどのようにトリミングされるかは、電極の形状に依存して変わり得る。例えば、図示される長方形の駆動電極１３０では、端部を除去するかまたは電極の残部から電気的に隔離することができる。この特定の実施形態においては、一般に、圧電層の作動面積とノズル速度の間に正比例関係がある。しかし、他の実施形態において、これは当てはまらない。駆動電極１３０の表面積をノズル速度に関係付ける実験データを収集することができ、表面積とノズル速度の間の関係式を得るために、プリントヘッドモジュールがどのように動作するかの物理的解釈に導かれ得る、回帰モデル化手法を用いることができる。次いで、関係式を用いて、目標ノズル速度を達成するために駆動電極をどれだけトリミングするべきかを決定することができる。上述したように、駆動電極はプレーナ構造であり、電極から延びる細い駆動配線を有することができる。電極の表面積のトリミングは広いプレーナ領域で行われる。電極の特定の形状に依存して、トリミングパターンは変わり得る。
【００３７】
図４を参照すれば、ノズルの速度を制御するための一例のプロセス４００が示される。圧電層１３１に関係する１つ以上のパラメータを測定し(ステップ４０２)、測定値を用いてアクチュエータの無負荷撓み及び出力インピーダンスを決定することができる(ステップ４０４)。アクチュエータの無負荷撓み及び出力インピーダンスに直接または間接に基づいてアクチュエータによって駆動されるノズル速度を決定する(または少なくとも推定する)ことができる(ステップ４０６)。ノズル速度を低める必要があるか否か及び必要があればどれだけ低めるべきかを決定するために、ノズル速度のそのノズルに対する目標速度への比較を用いることができる(ステップ４０８)。次いで、圧電層に印加される電圧を減じ、したがって圧電層の撓み量を減じ、よってノズル速度及び／または液滴体積を低めるために、駆動電極の表面積を減じることができる(ステップ４１０)。他方で、ノズル速度が目標速度以下であれば、プロセスは終了する(ステップ４１２)。
【００３８】
いくつかの実施形態において、圧電層１３１の静電容量及び厚さのパラメータを測定し、測定値を用いてアクチュエータの無負荷撓み及び出力インピーダンスの決定及び／またはノズル速度の推定を行うことができる。図５は圧電層１３１の静電容量及び厚さに基づいて駆動電極の表面を減じるための一例のプロセス５００を示す。特定のノズルに対し、圧電層の静電容量及び厚さを測定する(ステップ５０２)。静電容量は通常の手法のいずれかを用いて、例えばキャパシタンスメータをウエハプローブシステムとともに用いて、測定することができる。厚さは通常の手法のいずれかをもちいて、例えば光学式薄膜測定装置を用いて測定することができる。
【００３９】
次いで、圧電層の静電容量及び厚さの測定値に基づいて速度,Ｖノズルを推定する(ステップ５０４)。一実施形態において、様々な静電容量値及び厚さ値とノズル速度を示す実験データを集めることができる。圧電層１３１の静電容量及び厚さとノズル速度の間の関係式を得るために、プリントヘッドモジュールがどのように動作するかの物理的解釈に導かれ得る、回帰モデル化手法を用いることができる。ステップ５０２からの静電容量及び厚さの測定値をモデルに入力し、よってノズル速度を推定することができる。速度,Ｖノズルがアレイのそれぞれのノズルの既定の目標速度より大きければ、速度,Ｖノズルを下げて目標速度を達成するため、電極の表面積を減じる(ステップ５０６)。速度,Ｖノズルが目標速度以下であれば、表面積は変えない。目標速度は、例えば、設計要件及び／またはプリントヘッドモジュールが用いられている用途を含む、様々な要因に基づいてあらかじめ決定することができる。
【００４０】
別の実施形態において、上述したように、圧電層１３１の静電容量及び厚さとノズルから射出される液滴の体積の間の関係式を得るために回帰モデル化手法を用いることができる。静電容量及び厚さの測定値をモデルに入力し、よって液滴体積を推定することができる。液滴体積がそのノズルに対する既定の目標体積をこえていれば、液滴体積を減らして目標体積を達成するために、電極の表面積を減じることができる。
【００４１】
駆動電極１３０の表面積は簡便な手法のいずれかを用いて減じることができる。一実施形態において、駆動電極１３０はレーザでトリミングされる。例えば、圧電層１３１の表面に金属膜を被着することで駆動電極１３０が形成されていれば、駆動電極を形成している表面金属膜のいくつかの領域をレーザを用いて除去することができる。例えば、駆動電極の端部をトリミングして電極の総表面積を減じることができる。別の例において、駆動電極１３０の周縁に沿って駆動電極１３０をトリミングすることができる。別の例において、駆動電極１３０の内部領域を除去する、例えば電極に「穴」をつくる、ことによって駆動電極の表面積が減じられる。いくつかの実施形態において、駆動電極１３０の一部を駆動電圧を受け取る電極１３０の領域から電気的に隔離することができ、したがって隔離部分に電圧は印加されない。よって、電極の隔離部分は物理的に除去されていなくとも、駆動電圧がかけられる駆動電極１３０の表面積は減じられる。例えば、駆動電極１３０が圧電層上に形成された被着金属層であれば、被着金属層のストリップを取り去って、駆動電極１３０の一端を駆動電圧を受け取る他端から電気的に隔離することができる。
【００４２】
一実施形態において、電極のトリミングには米国オレゴン州ポートランド(Portland)のElectro Scientific Industries(ESI)社から入手できるレーザ装置が用いられる。圧電層上に形成される電極を含むコンポーネントが、レーザに対してコンポーネントを移動させることができるステージ上で位置決めされる。例えば、ステージはElectroglas社の製品とすることができる。トリミングプロセス中にレーザ装置及びステージの両方を制御してウエハに対するコンポーネントの位置を定めるために、ソフトウエアアプリケーションを実行するプロセッサを用いることができる。
【００４３】
図６を参照すると、ノズルの速度を制御するために駆動電極の表面積を減じるための別の例のプロセス６００が示される。この実施形態において、測定される圧電層１３１のパラメータは駆動電極１３０に電圧が印加されたときの無負荷撓みである(ステップ６０２)。例えば、駆動電極１３０に印加される電圧に応答する圧電層１３１の撓みを測定するためにレーザ振動計を用いることができ、電圧は固定振幅正弦波電圧とすることができる。他の測定値(例えば静電容量及び厚さ)に基づいて推定されるのではなく、直接に無負荷撓みが測定されるから、例えば圧電層の圧電係数を含む、撓みへの様々な影響が考慮される。いくつかの例において、ｄ係数の４％の変動は液滴速度の８％の変動に換算できることがわかった。
【００４４】
例えば、出力インピーダンスが一定であれば、圧電層１３１の無負荷撓みだけに基づいて速度,Ｖノズルを推定することができる。いくつかの実施形態において、アクチュエータアレイにわたって出力インピーダンスは実質的に一定とすることができる。出力インピーダンスが変動するか否かは、例えばアクチュエータの作製方法に依存し得る。圧電層をスパッタリングで形成する方法に比較して、圧電層の研磨を含む方法では、アクチュエータアレイにわたる出力インピーダンスの変動が大きくなり得る。アクチュエータのいくつかの作製実施形態に対して、出力インピーダンスは一定であると想定することができる。そのような実施形態において、無負荷撓みのレーザ振動計測定はノズル速度も推定に十分であり得る。
【００４５】
一実施形態において、様々な無負荷撓み値及びノズル速度を示す実験データを集めることができる。圧電層１３１の無負荷撓みとノズル速度の間の関係式を得るために、プリントヘッドモジュールがどのように動作するかの物理的解釈に導かれ得る、回帰モデル化手法を用いることができる。ステップ６０２からの無負荷撓み測定値をモデルに入力し、よってノズル速度を推定することができる。出力インピーダンスの変動があると考えられる実施形態においては、１つ以上の他のパラメータ、例えば圧電層の静電容量及び／または厚さを測定して、出力インピーダンスの決定に用いることができる。
【００４６】
いずれの場合にも、速度,Ｖノズルを決定し(ステップ６０４)、目標速度と比較することができる。速度,Ｖノズルがアレイのそれぞれのノズルの既定の目標速度より大きければ、速度,Ｖノズルを低めて目標速度を達成するために駆動電極１３０の表面積を減じることができる(ステップ６０６)。速度,Ｖノズルが目標速度以下であれば、駆動電極１３０の表面積は変えない。
【００４７】
別の実施形態においては、上述したように、圧電層１３１の無負荷撓み測定値とノズルから射出される液滴の体積の間の関係式を得るために回帰モデル化手法を用いることができる。無負荷撓み測定値をモデルに入力し、よって液滴体積を推定することができる。液滴体積がそのノズルに対する既定の目標体積をこえれば、液滴体積を小さくして目標体積を達成するために電極の表面積を減じることができる。
【００４８】
圧電層１３１の無負荷撓みを測定または推定するための２つの手法、すなわち、圧電層の厚さ及び静電容量を代わりに用いる間接的手法、あるいはレーザ振動計を用いる直接的手法を上で説明した。限定ではなく例として、二次元干渉計、レーザードップラー、反射(Keyence)、または共焦点顕微鏡のような、他の手法を直接測定に用い得ることは当然である。間接的測定に関しては、圧電係数の代わりに誘電率を用いて無負荷撓みを推定することができる。出力インピーダンスに関しては、(限定ではなく)例として、圧力印加及び撓み測定を含む他の手法、または代わりの変数としての、電気的または機械的に測定することができる圧電層の厚さまたは圧電層の共振周波数の測定によって、この特性の値を推定することができる。
【００４９】
いくつかの実施形態において、駆動電極１３０の表面をどれだけ減じるべきかを決定する際に、いずれにせよ、アレイ内のノズルのノズル径における変動の影響が考慮される。例えば、ノズル径が小さくなるほど、ノズル速度は高くなる。いくつかの実施形態において、ノズル径は駆動電極１３０の表面積を減じる量を決定する要因になり得る。すなわち、ノズル径,Ｄ１に対して特定の目標速度の達成に駆動電極１３０の表面積を大きさ,Ａ１だけ減じることが必要であり、特定のノズルの径がＤ１より小さければ、目標速度を達成するために駆動電極１３０からトリミングされる表面積の大きさはＡ１より小さくすべきである。
【００５０】
いくつかの実施形態において、ノズルの速度,Ｖノズルを決定するため、ノズル径を圧電層１３１の静電容量及び厚さの測定値とともに用いることができる。別の実施形態において、ノズルの速度,Ｖノズルを決定するため、ノズル径を圧電層１３１の無負荷撓みの測定値とともに用いることができる。別の実施形態において、ノズルの速度,Ｖノズルを決定するため、ノズル径だけを用いることができる。ノズル径はいずれかの簡便な手法を用いて、例えば光学的または機械的に、測定することができる。いくつかの実施形態においてノズル径は推定で求めることができる。例えば、ノズルがシリコン層にＫＯＨエッチングを用いて形成される場合、シリコン層及びエッチングプロセスに関するいくつかのパラメータを知ることでノズル径を予測することができる。
【００５１】
いくつかの実施形態において、液滴速度とノズル径の間の関係式を決定するために実験データを集めることができる。次いで、ノズル径の測定値を実験データと比較し、よってノズル径だけまたは圧電層の静電容量及び厚さの測定値または圧電層の撓みの測定値との組合せに基づいて速度,Ｖノズルを推定することができる。速度,Ｖノズルに基づいて駆動電極１３０の表面積のトリミング量を決定することができる。いずれの場合も、速度,Ｖノズルがアレイのそれぞれのノズルの既定の目標速度より大きければ、速度,Ｖノズルを低めて目標値を達成するために電極の表面積が減じられ、そうでなければ表面積は変更されない。
【００５２】
別の実施形態において、上述したように、ノズル径とノズルから射出される液滴の体積の間の関係式を得るために回帰モデル化手法を用いることができる。ノズル径をモデルに入力し、よって液滴体積を推定することができる。液滴体積がそのノズルに対する既定の目標体積をこえれば、液滴体積を小さくして目標体積を達成するため、電極の表面積を減じることができる。
【００５３】
いくつかの実施形態において、駆動電極１３０の表面積をどれだけ減じるべきかを決定する際に、いずれにせよ、ノズルアレイ内のそれぞれのノズルに対応する流路の流路特性における変動の影響が考慮される。例えば、長さ、幅及び／または高さのような流路の諸元はいずれも流路が終端するノズルの速度に影響を与えることができる。いくつかの実施形態において、１つ以上の流路特性とノズル速度の間の関係式を決定するために実験データに基づく回帰モデル化手法を用いることができる。次いで、流路特性の測定値を実験データと比較し、よって、流路特性だけまたはその他の測定値、例えば、圧電層の静電容量及び厚さの測定値または圧電層の撓みの測定値との組合せに基づいて速度,Ｖノズルを推定することができる。速度,Ｖノズルに基づいて駆動電極１３０の表面積のトリミング量を決定することができる。いずれの場合も、速度,Ｖノズルがアレイのそれぞれのノズルの既定の目標速度より大きければ、速度,Ｖノズルを低めて目標速度を達成するために電極の表面積が減じられ、そうでなければ、表面積は変更されない。
【００５４】
別の実施形態において、上述したように、流路特性とノズルから射出される液滴の体積の間の関係式を得るために回帰モデル化手法を用いることができる。流路特性の測定値をモデルに入力し、よって液滴体積を推定することができる。液滴体積がそのノズルに対する既定の目標体積をこえれば、液滴体積を小さくして目標体積を達成するため、電極の表面積を減じることができる。
【００５５】
駆動電極１３０の表面積低減には速度,Ｖノズルを低める効果がある。したがって、速度,Ｖノズルだけを低めることができるから、ノズルアレイにわたって一様な速度を達成するため、(最も低速なノズル以外の)それぞれのノズルの速度,Ｖノズルをアレイ内の最も低い速度,Ｖノズルに調節することが必要になるであろう。しかし、実際上、最低速ノズル以外の全てのノズルの速度を下げることは好ましくないであろう。例えば、数１００本のノズルのアレイにおいては、設計許容度により１０本の「低速」ノズルが認められ得る。したがって、「１１番目の最低速」ノズルの速度を目標測度として用いることができる。
【００５６】
図７を参照すれば、ノズル速度をどれだけ低めるべきかを決定するための一例のプロセス７００が示される。この実施形態において、それぞれのノズルに対し、例えば図５及び６を参照して上述した手法の１つを用いて、速度,Ｖノズルを決定する(ステップ７０２)。アレイ内のノズルの平均速度を計算する(ステップ７０４)。いくつかの実施形態において、目標速度(Ｖ目標)に対して平均速度を規格化することができる(ステップ７０５)。一例において、平均速度が９ｍ/秒であり、目標速度が８ｍ/秒に選ばれていれば、平均速度を目標速度に規格化するため、それぞれのノズルに対するＶノズルを１ｍ/秒だけ低めることができる。調節されたノズル速度は以降Ｖ'ノズルと称される。それぞれのノズルに対し、Ｖ'ノズルとＶノズルの差である、残差値(残差ノズル)を計算する(ステップ７０６)。説明例として、Ｖ'ノズルが８.５ｍ/秒に等しく、Ｖ目標が８ｍ/秒であれば、残差ノズルは０.５ｍ/秒である。すなわち、このノズルの駆動電極の表面積は、ノズルの速度を０.５ｍ/秒だけ低めるに十分なように減じられるべきである。
【００５７】
必要に応じて、いくつかの実施形態では、ノズルアレイ全体に対して閾残差値(残差閾)を決定することができる(ステップ７０８)。アレイのそれぞれのノズルに対し、残差ノズルが残差閾より大きければ(ステップ７１０の「イエス」分岐)、対応するノズルについて駆動電極１３０の表面積が残差ノズルに基づいて減じられる。しかし、残差ノズルが残差閾より小さければ(ステップ７１０の「ノー」分岐)、駆動電極１３０の表面積が残差閾に基づいて減じられる。
【００５８】
説明として、Ｖ'ノズルが９ｍ/秒であり、Ｖ目標がアレイの最低速ノズルとして設定されて４ｍ/秒である、一例を考察する。したがって残差ノズルを計算すれば５ｍ/秒である。すなわち、この特定のノズルについて目標速度を達成するためには、速度を５ｍ/秒減じなければならない。しかし、全てのノズルの速度を減じることが好ましいとは限らず、いずれの特定のノズルの速度も減じられるであろう最大値である残差閾値を選ぶことができる。例えば、この場合残差閾は３ｍ/秒とすることができる。残差ノズルが残差閾より大きければ、残差閾分だけ速度を減じる。上の特定の説明例においては、残差ノズルが、３ｍ/秒の残差閾より大きい、５ｍ/秒であるから、ノズルの速度を９ｍ/秒から、全面的な４ｍ/秒の目標速度ではなく、６ｍ/秒まで３ｍ/秒だけ減じることになる。残差ノズルが残差閾以下であれば、残差ノズル分だけ速度を減じる。
【００５９】
いくつかの実施形態において、高密度、少細孔数及び高圧電定数のような望ましい特性を有する圧電材料で圧電層を形成することができる。これらの特性は、基板への接合に先立つ材料の焼成を含む手法を用いて、圧電材料に確立することができる。例えば、成形され、(支持体上にあるのではなく)自立して焼成される圧電材料には、高圧を用いて材料を(加熱されているかまたはいない)金型に詰め込むことができるという利点がある。さらに流動剤及び結合剤のような、いくつかの添加剤が一般に必要である。焼成プロセスには、一層十分な結晶成長を可能にする、例えば１２００〜１３００℃の、高温を用いることができる。セラミックからの(高温による)ＰｂＯの減損を少なくする焼成雰囲気(例えば鉛濃度を高めた雰囲気)を用いることができる。ＰｂＯ減損またはその他の変質を有し得る成形品外表面を切り落として廃棄することができる。一般に１０００〜２０００気圧(１〜２×１０８Ｐａ)の高圧がセラミックにかけられる、高温アイソスタティックプレス加工(ＨＩＰ)によって材料を処理することもできる。高温アイソスタティックプレス加工プロセスは一般に、圧電材料ブロックが焼成された後に施され、密度を高め、細孔を減らし、圧電定数を高めるために用いられる。
【００６０】
比較的厚いウエハの厚さを減じることで、焼成済圧電材料の薄層を形成することができる。横型研磨及び化学−機械研磨(ＣＭＰ)のような精密研磨技法によって、平滑で細孔が少ない表面モルフォロジーを有する、極めて一様な薄層を形成することができる。横型研磨では、工作物が回転チャックに取り付けられ、工作物の露出面が横型研磨ホイールに当てられる。
【００６１】
研削及び研磨によって、ウエハ面内で、例えば１μｍ以下、さらには例えば０.５μｍ以下の平坦度及び平行度、及び５ｎｍ以下(例えば１ｎｍ)の表面仕上げ粗さＲａを得ることができる。研磨により、対称な表面仕上げ及び一様な残留応力も得られる。望ましければ、若干凹面または凸面の表面を形成することができる。いくつかの実施形態において、研磨前に圧電ウエハを、モジュール基板のような、基板に接合し、よって薄層を支持し、破断及び反りがおこる尤度を低めることができる。
【００６２】
いくつかの実施形態において、圧電材料の密度は約７.８ｇ/ｃｍ３以上、例えば約８ｇ/ｃｍ３〜１０ｇ/ｃｍ３である。ｄ３１係数は約３００になり得る。一例において、圧電材料はＣＴＳ ５Ａ圧電材料である。
【００６３】
電極１３０，１３２は、銅、金、タングステン、ニクロム(ＮｉＣｒ)、酸化インジウムスズ(ＩＴＯ)、チタニウムまたは白金のような金属、あるいは金属の組合せとすることができる。金属は圧電層１３１上に真空蒸着することができる。電極層の厚さは、例えば約２μｍ以下とすることができ、例えば約０.５μｍとすることができる。
【００６４】
メンブラン１０４は一般に不活性材料であり、圧電層の作用がポンピングチャンバ内の液体を加圧するに十分なメンブラン１０４の撓みを生じさせるようなコンプライアンスを有する。メンブラン１０４の厚さ一様性により、モジュールにわたって正確で一様な作用が得られる。メンブラン材料は(例えば、厚さが１ｍｍ以上の)厚いプレートで提供され、横型研磨を用いて所望の厚さまで研磨され得る。例えば、メンブラン１０４は約２〜５０μｍ厚まで研磨することができる。いくつかの実施形態において、メンブラン１０４は約６０ＧＰａ以上の高い弾性率を有する。材料の例にはガラスまたはシリコンがある。
【００６５】
上で論じた実施形態において、アクチュエータ層は電極がその上に形成された圧電層を含み、電極がついた面がメンブランに接合される。別の実施形態においては、代わりに電極をメンブラン上に形成することができ、接着剤を圧電層上に塗り広げて圧電層をメンブランに接合することができる。この実施形態において、接着剤層は下部電極(例えば電極１３２)と圧電層(例えば層１３１)の間に形成される。
【００６６】
本明細書及び添付される特許請求の範囲を通して、「前」と「後」及び「上」と「下」のような語句の使用は、プリントヘッドモジュールの様々なコンポーネントと本明細書に説明されるその他の要素とを弁別するための、説明の目的のためでしかない。「前」と「後」及び「上」と「下」のような語句の使用はプリントヘッドモジュールの特定の方位を意味していない。同様に、本明細書を通しての要素を説明するための水平(横)及び垂直(縦)の使用は、説明される実施形態に関係する。別の実施形態においては、場合次第で、同じかまたは同様の要素の方位を水平または垂直以外に定めることができる。
【００６７】
本発明の多くの実施形態を説明した。それにもかかわらず、本発明の精神及び範囲を逸脱しない様々な改変がなされ得ることは当然であろう。例えば、プロセス３００の工程は図示とは異なる順序で実施することができ、それでも所望の結果を達成できる。したがって、その他の実施形態は添付される特許請求の範囲内にある。
【符号の説明】
【００６８】
１００    プリントヘッドモジュール
１０２    アクチュエータ
１０３    接着剤層
１０４    メンブラン
１０８    基板
１１０    流入路
１１２    ポンピングチャンバ
１１６    直降路
１１８    ノズル
１１９    液滴
１２０    ノズル層
１３０，１３２    電極
１３１    圧電層
【図１Ａ】
2012504072.tif 000003
【図１Ｂ】
2012504072.tif 000004
【図２】
2012504072.tif 000005
【図３Ａ】
2012504072.tif 000006
【図３Ｂ】
2012504072.tif 000007
【図４】
2012504072.tif 000008
【図５】
2012504072.tif 000009
【図６】
2012504072.tif 000010
【図７】
2012504072.tif 000011
【国際調査報告】
2012504072.tif 000012
2012504072.tif 000013