(57)【要約】  積層チップ装置は、パッケージ基板とインターポーザとを含み、該インターポーザと合致するスタンドオフでチップスタックが配置される。パッケージ・オン・パッケージ積層チップ装置は、上記インターポーザ上に配置されたトップパッケージを含む。
2012531061.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイ面とランド面とを含むパッケージ基板；
前記ダイ面上に配置されたチップスタックであり、当該チップスタックは、前記ダイ面上に配置された底部チップと、前記底部チップ上に配置された頂部チップとを含み、前記頂部チップは前記底部チップによって支持され、当該チップスタックはオフセット高さを有する、チップスタック；及び
前記ダイ面上に配置され且つ前記チップスタックを取り囲むインターポーザであり、前記オフセット高さに合致したインターポーザ；
を有するパッケージ・オン・パッケージ装置。
【請求項２】
前記インターポーザはボールグリッドアレイを有し、当該装置は更に：
少なくとも１つのマイクロエレクトロニクスデバイスを含むトップパッケージであり、前記インターポーザの前記ボールグリッドアレイに結合されたトップパッケージ；
を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記チップスタックは：
前記ダイ面上にマウントされたフリップチップである前記底部チップ；及び
前記フリップチップ上に配置されたワイヤボンドチップである前記頂部チップ；
を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記チップスタックは：
前記ダイ面上にマウントされたフリップチップである前記底部チップ；
前記フリップチップ上に配置されたワイヤボンドの第２のチップ；及び
前記ワイヤボンドの第２のチップ上に配置されたワイヤボンドの後続チップである前記頂部チップ；
を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記チップスタックは：
前記ダイ面上にマウントされたフリップチップである前記底部チップ；
前記フリップチップ上に配置されたシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）の第２のチップ；及び
前記ＴＳＶの第２のチップ上に配置されたワイヤボンドの後続チップである前記頂部チップ；
を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記チップスタックは：
前記ダイ面上にマウントされたフリップチップである前記底部チップ；
前記フリップチップ上に配置されたシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）の第２のチップ；
前記ＴＳＶの第２のチップ上に配置されたＴＳＶの第３のチップ；及び
前記ＴＳＶの第３のチップ上に配置されたワイヤボンドの第４のチップである前記頂部チップ；
を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記チップスタックは：
前記ダイ面上にマウントされたフリップチップである前記底部チップ；
前記フリップチップ上に配置されたシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）の第２のチップ；
前記ＴＳＶの第２のチップ上に配置されたＴＳＶの第３のチップであり、２個から８個の範囲内の複数のＴＳＶチップであるＴＳＶの第３のチップ；及び
前記ＴＳＶの第３のチップ上に配置されたワイヤボンドの後続チップである前記頂部チップ；
を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記チップスタックは：
前記ダイ面上にマウントされたフリップチップである前記底部チップ；
前記フリップチップ上に配置されたシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）の第２のチップ；
前記ＴＳＶの第２のチップ上に配置されたＴＳＶの第３のチップ；
前記ＴＳＶの第３のチップ上に配置されたワイヤボンドの第４のチップ；及び
前記ワイヤボンドの第４のチップ上に配置されたワイヤボンドの後続チップである前記頂部チップ；
を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記チップスタックは：
前記ダイ面上にマウントされたフリップチップである前記底部チップ；
前記フリップチップ上に配置されたシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）の第１のチップ；
前記ＴＳＶの第１のチップ上に配置されたワイヤボンドの第２のチップ；
前記ワイヤボンドの第２のチップ上に配置されたシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）の第３のチップ；及び
前記ＴＳＶの第３のチップ上に配置されたワイヤボンドの後続チップである前記頂部チップ；
を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記チップスタックは：
前記ダイ面上にマウントされたフリップチップである前記底部チップ；及び
前記フリップチップ上に配置されたシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）チップである前記頂部チップ；
を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記チップスタックは：
前記ダイ面上にマウントされたフリップチップである前記底部チップ；
前記フリップチップ上に配置されたシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）の後続チップである前記頂部チップ；及び
前記底部チップと前記頂部チップとの間に配置された、２個から７個の範囲内の、少なくとも１つのＴＳＶチップ；
を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
ダイ面とランド面とを含むパッケージ基板；
前記ダイ面上に配置されたチップスタックであり、当該チップスタックは、前記ダイ面上に配置された底部チップと、前記底部チップ上に配置された頂部チップとを含み、前記頂部チップは前記底部チップによって支持され、当該チップスタックはオフセット高さを有する、チップスタック；
前記ダイ面上に配置され且つ前記チップスタックを取り囲むインターポーザであり、前記オフセット高さに合致したインターポーザ；及び
前記インターポーザ上に配置された、少なくとも１つのマイクロエレクトロニクスデバイスを含むトップパッケージ；
を有するパッケージ・オン・パッケージ積層チップ装置。
【請求項１３】
前記チップスタックは：
前記ダイ面上にマウントされたフリップチップである前記底部チップ；及び
前記フリップチップ上に配置されたシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）チップである前記頂部チップ；
を含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記チップスタックは：
前記ダイ面上にマウントされたフリップチップである前記底部チップ；
前記フリップチップ上に配置されたシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）の後続チップである前記頂部チップ；及び
前記底部チップと前記頂部チップとの間に配置された、２個から７個の範囲内の、少なくとも１つのＴＳＶチップ；
を含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記チップスタックは：
前記ダイ面上にマウントされたフリップチップである前記底部チップ；及び
前記フリップチップ上に配置されたワイヤボンドチップである前記頂部チップ；
を含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１６】
前記チップスタックは：
前記ダイ面上にマウントされたフリップチップである前記底部チップ；
前記フリップチップ上に配置されたワイヤボンドの第２のチップ；及び
前記ワイヤボンドの第２のチップ上に配置されたワイヤボンドの後続チップである前記頂部チップ；
を含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１７】
パッケージ・オン・パッケージ積層チップ装置を組み立てる方法であって：
ボールグリッドアレイを有するトップパッケージを、３次元（３Ｄ）積層チップ装置の合致するボールグリッドアレイに取り付けることを有し、
前記３Ｄ積層チップ装置は：
ランド面とダイ面とを含むパッケージ基板；
前記ダイ面上に配置されたチップスタックであり、スタック高さを有するチップスタック；及び
ダイ面と頂面とを含むインターポーザであり、前記スタック高さに合致するオフセット高さを作り出すインターポーザ；
を含み、
前記取り付けることは、前記トップパッケージを前記インターポーザに結合することを含む、
方法。
【請求項１８】
前記チップスタックは、前記インターポーザを前記パッケージ基板に取り付ける前に、前記パッケージ基板に取り付けられる、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記インターポーザは、前記チップスタックを前記パッケージ基板に取り付ける前に、前記パッケージ基板に取り付けられる、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記チップスタックを覆うスタック封止を形成すること、を更に含む請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記チップスタックは：
前記パッケージ基板の前記ダイ面上に底部チップをフリップチップ実装すること；及び
前記フリップチップ上に頂部チップをワイヤボンド実装すること；
によって形成される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記チップスタックは：
前記パッケージ基板の前記ダイ面上に底部チップをフリップチップ実装すること；
前記底部チップ上に第２のチップをワイヤボンド実装すること；及び
前記第２のチップ上に頂部チップをワイヤボンド実装すること；
によって形成される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
前記チップスタックは：
前記パッケージ基板の前記ダイ面上に底部チップをフリップチップ実装すること；
前記フリップチップ上に第２のチップをシリコン貫通ビア（ＴＳＶ）実装すること；及び
前記第２のチップ上に、頂部チップとしての後続チップをワイヤボンド実装すること；
によって形成される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２４】
ダイ面とランド面とを含むパッケージ基板；
前記ダイ面上に配置されたチップスタックであり、当該チップスタックは、前記ダイ面上に配置された底部チップと、前記底部チップ上に配置された頂部チップとを含み、前記頂部チップは前記底部チップによって支持され、当該チップスタックはオフセット高さを有する、チップスタック；
前記ダイ面上に配置され且つ前記チップスタックを取り囲むインターポーザであり、前記オフセット高さに合致したインターポーザ；
前記インターポーザ上に配置された、少なくとも１つのマイクロエレクトロニクスデバイスを含むトップパッケージ；及び
前記トップパッケージを収容する装置筐体；
を有する計算システム。
【請求項２５】
当該計算システムは、携帯電話、ポケットベル、ポータブルコンピュータ、デスクトップコンピュータ、又は送受信兼用無線機の一部である、請求項２４に記載の計算システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、半導体マイクロエレクトロニクス装置、及びそれをパッケージングするプロセスに関する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００２】
一態様において、パッケージ・オン・パッケージ装置が提供される。
【課題を解決するための手段】
【０００３】
一態様において、パッケージ・オン・パッケージ装置は、ダイ面とランド面とを含むパッケージ基板と、前記ダイ面上に配置されたチップスタックであり、当該チップスタックは、前記ダイ面上に配置された底部チップと、前記底部チップ上に配置された頂部チップとを含み、前記頂部チップは前記底部チップによって支持され、当該チップスタックはオフセット高さを有する、チップスタックと、前記ダイ面上に配置され且つ前記チップスタックを取り囲むインターポーザであり、前記オフセット高さに合致したインターポーザと、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
実施形態がどのように得られる理解するため、簡潔に上述した様々な実施形態を、添付図面を参照することによって一層具体的に説明する。図面が示す実施形態は、必ずしも縮尺通りに描かれておらず、また、範囲的に限定的なものと見なされるべきでない。以下の図を含む添付図面を使用して、幾つかの実施形態を更に具体的且つ詳細に説明する。
【図１ａ】一実施形態例に従った、積層ダイパッケージのマウント基板及びインターポーザ装置を示す断面図である。
【図１ｂ】一実施形態に従った、更なる処理後の図１ａの装置を示す断面図である。
【図１ｃ】一実施形態に従った、更なる処理後の図１ｂの装置を示す断面図である。
【図１ｄ】一実施形態に従った、更なる処理後の図１ｃの装置を示す断面図である。
【図１ｅ】一実施形態例に従った、更なる処理後の図１ｄの装置を用いて組み立てられたパッケージ・オン・パッケージ積層チップ装置を示す断面図である。
【図２ａ】一実施形態例に従った、積層ダイパッケージのマウント基板及びインターポーザ装置を示す断面図である。
【図２ｂ】一実施形態例に従った、更なる処理後の図２ａの装置から組み立てられたパッケージ・オン・パッケージ積層チップ装置を示す断面図である。
【図３ａ】一実施形態例に従った、処理中の混合ダイ装置を示す断面図である。
【図３ｂ】一実施形態に従った、更なる処理後の図３ａの装置を示す断面図である。
【図４】一実施形態例に従った、積層ダイパッケージのインターポーザ装置を示す断面図である。
【図５】一実施形態に従った、パッケージ・オン・パッケージ装置を支援することになる混合ダイ装置を示す断面図である。
【図６】一実施形態に従った、パッケージ・オン・パッケージ混合ダイ装置を支援することになる混合ダイ装置を示す断面図である。
【図７】一実施形態に従った、パッケージ・オン・パッケージ装置を支援することになる混合ダイ装置を示す断面図である。
【図８】一実施形態例に従ったプロセス及び方法のフロー図である。
【図９】一実施形態に従ったコンピュータシステムを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００５】
以下、図面を参照するが、同様の構造には同様の参照符号を付することがある。様々な実施形態の構造を明瞭に示すため、ここに含まれる図は集積回路構造の図形表現となっている。故に、例えば顕微鏡写真においてのような製造される構造の実際の外観は、図示する実施形態が主張する構造を組み込みつつも異なって見え得る。また、図面は、図示する実施形態を理解するのに必要な構造のみを示すものであり得る。技術的に知られた更なる構造は、図の明瞭性を保つために含められていないことがある。プロセッサチップとメモリチップとが同じ文章で言及されるが、それらが等価な構造であるとは解釈されるべきでない。
【０００６】
この開示全体を通しての“一実施形態”又は“或る実施形態”への言及は、その実施形態に関連して説明される特定の機能、構造又は特徴が、本発明の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。この開示中の様々な箇所で“一実施形態において”又は“或る実施形態において”という言い回しが現れることは、必ずしも、全てが同一の実施形態に言及しているということではない。また、複数の特定の機能、構造又は特徴が、１つ以上の実施形態にて好適に組み合わされてもよい。
【０００７】
例えば“上”及び“下”などの用語は、図中のＸ−Ｚ又はＹ−Ｚの座標を参照することによって理解され得る。例えば“隣接する”などの用語は、図中のＸ−Ｙ座標を参照することによって理解され得る。
【０００８】
図１ａは、一実施形態例に従った、積層チップパッケージのマウント基板及びインターポーザ装置１００の断面図である。装置１００は、パッケージ基板１１０とインターポーザ１３０とを含み、縦方向（Ｚ方向）に分解して描かれている。パッケージ基板１１０は、プロセッサを受け取るダイ面１１２と、例えばボードなどの外部伝達への結合のためのランド面１１４とを含んでいる。“ボード”は、例えば無線通信機器などの手持ち式装置の表面構造又は表面付近の構造であってもよい。パッケージ基板１１０は、ダイ面１１２に、底部チップフットプリント（設置部）１１６を含んでいる。底部チップフットプリント１１６は、ここで開示される後続の図において図中のプロセッサを図中のそれぞれのマウント基板のダイ面上に投影することによって確認され得る。
【０００９】
パッケージ基板１１０は、ランド面のボールグリッドアレイを含んでおり、そのうちの１つのボールパッドが参照符号１１８で指し示されている。一実施形態において、ボールパッド１１８は表面フィニッシュ（仕上げ材）１２０を含む。表面フィニッシュ１２０は、ボールパッド１１８より電気陰性の低い金属であるように構成される。一実施形態によれば、表面フィニッシュ１２０は電気めっきによって形成される。他の例では、表面フィニッシュ１２０は無電解めっきによって形成される。
【００１０】
一実施形態例において、ボールパッド１１８は銅であり、表面フィニッシュ１２０は、上記銅の上にめっきされたニッケル−パラジウム−金合金である。一実施形態において、表面フィニッシュ１２０は、上記銅の上にめっきされたニッケル−金合金である。一実施形態において、表面フィニッシュ１２０は、上記銅の上にめっきされた銅−金である。
【００１１】
一実施形態例において、ボールパッド１１８は銅であり、表面フィニッシュ１２０は、例えばアリール−フェニルイミダゾールなどのプリフラックス（organic  solderability  preservative；ＯＳＰ）組成物である。一実施形態例において、表面フィニッシュ１２０は１０００Åから２０００Åまでの厚さを有し、アリール−フェニルイミダゾールである。
【００１２】
同様に、パッケージ基板１１０は、ダイ面のボールグリッドアレイを含んでおり、そのうちの１つのボールパッドが参照符号１２２で指し示され、ボールパッド１２２は表面フィニッシュ１２４を含んでいる。ボールパッド１２２及び表面フィニッシュ１２４は、ボード側１１４にあるものと同様の形態とし得る。一実施形態において、ダイ面のボールグリッドアレイ１２２はソルダーレジスト１２６によって画成される。同様に、ソルダーレジスト１２６は、底部チップフットプリント１１６内にあるダイバンプパッド（そのうちの１つが参照符号１２８で指し示されている）を画成し得る。パッケージ基板１１０は、ダイ面１１２とランド面１１４との間に、例示であって限定でないインターコネクト（相互接続）及び層間誘電体構造を有している。
【００１３】
装置１００は、ダイ面のボールグリッドアレイ１２２に結合するインターポーザ１３０を用いて組み立てられる。インターポーザ１３０は、ダイ面１３２と頂面１３４とを含み、且つオフセット高さ１３６を有する。オフセット高さ１３６は、底部チップフットプリント１１６を占有することになる複数ダイのスタック（multiple  die  stack；ＭＤＳ）に関するパッケージ基板１１０上のオフセット高さ１３８に合致するように設定される。インターポーザ１３０は、コア１４０とインターコネクト１４２とを含み得る。一実施形態において、インターコネクト１４２に、ダイ面の電気バンプ１４４及び頂面の電気バンプ１４６が結合される。
【００１４】
図１ｂは、一実施形態に従った、更なる処理後の図１ａの装置の断面図である。装置１０１は、インターポーザのオフセット高さ１３６がパッケージ基板のオフセット高さ１３８（図１ａ）と合致することを示している。インターポーザ１３０は、底部チップフットプリント１１６を取り囲んでおり、装置１０１の一部として取り付けられる複数ダイスタックを取り囲むことになる。
【００１５】
図１ｃは、一実施形態に従った、更なる処理後の図１ｂの装置の断面図である。装置１０２は、パッケージ基板１１０とインターポーザ１３０との間の接合を安定させるインターポーザ充填材１４８を用いて補強されている。
【００１６】
底部（ボトム）チップ１５０が底部チップフットプリント１１６（図１ｂ）内に配置されている。一実施形態において、底部チップ１５０は、チップのボールアレイ（そのうちの１つの電気バンプに参照符号１５２が付されている）を介してフリップチップ接合されているフリップチップ１５０である。一実施形態において、底部チップ１５０とパッケージ基板１１０との間の接合を補強するため、アンダーフィル１５４が流し込まれている。処理の一実施形態において、電気バンプ１５２のリフローはアンダーフィル１５４のキュアと同時に実行される。処理の一実施形態において、電気バンプ１５２のリフローは充填材１４８のキュアと同時に実行される。
【００１７】
一実施形態において、底部チップ１５０が電気バンプ１５２のリフローのために処理され、それに続いて、バンプリフローの後に、アンダーフィル１５４の配設が行われる。
【００１８】
図１ｄは、一実施形態に従った、更なる処理後の図１ｃの装置の断面図である。図１ｃに示した装置１０２が更に処理され、パッケージ・オン・パッケージ（ＰｏＰ）積層チップ装置の一翼を担うことになる混合（ミックスト）ダイ装置１０３が得られている。混合ダイ装置１０３は、底部チップ１５０上に形成されたダイ間接着剤１５６と、接着剤１５６上に搭載された頂部（トップ）チップ１５８とを含んでいる。頂部チップ１５８は底部チップ１５０によって支持されている。以下では、パッケージ基板１１０上に配置された底部チップ（例えば、チップ１５０）に始まり且つ後続のチップ（例えば、チップ１５８）で終了するチップスタックのことを、３次元（３Ｄ）チップスタックとも称する。
【００１９】
一実施形態において、頂部チップ１５８はパッケージ基板１１０にワイヤボンド（そのうちの１つが参照符号１６０によって指し示されている）によって結合される。従って、混合スタック装置１０３は、パッケージ基板１１０上にマウントされたフリップチップ１５０と、フリップチップ１５０上に配置されたワイヤボンドチップ１５８とを含んでいる。故に、インターポーザ１３０のオフセット高さ１３６は、頂部チップ１５８、接着剤１５６、底部チップ１５０、及び電気バンプ１５２（図１ｃ）によって生じるオフセットとともに、ワイヤボンド１６０を含む混合スタックの高さを収容する。
【００２０】
処理の一実施形態において、混合ダイスタックを絶縁し且つ更にはボンドワイヤ１６０が動くことを防止するため、スタック封止１６２が充填される。スタック封止１６２は、環境及びハンドリング上の危険から混合ダイスタックを保護するためにも使用され得る。スタック封止１６２はまた、混合ダイスタックからの熱伝達を促進させるために使用されてもよい。一実施形態において、スタック封止は用いられなくてもよい。
【００２１】
一実施形態において、底部チップ１５０はプロセッサであり、頂部チップ１５８は無線周波数（ＲＦ）デバイスである。混合ダイスタックは、例えばスマートフォンなどの無線通信機器（例えば、携帯電話）に使用され得る。
【００２２】
図１ｅは、一実施形態例に従った、更なる処理後の図１ｄの装置を用いて組み立てられたパッケージ・オン・パッケージ（ＰｏＰ）積層チップ装置１０４の断面図である。底部チップ１５０及び頂部チップ１５８がインターポーザオフセット１３６内に配置され、トップ（頂部）パッケージ１６４がインターポーザ１３０の頂面１３４に結合されている。トップパッケージ１６４は、底部チップ１５０及び／又は頂部チップ１５８への通信用のマウント基板１７０を有し得る。トップパッケージ１６４は、元の機器の製造者のためなどのワイヤボンド実現ソリューションとして描かれている。２つのワイヤボンドされたダイがトップパッケージ１６４内に描かれている。トップパッケージ１６４内に位置するダイのことを、マイクロエレクトロニクスデバイスと称することができる。一実施形態において、図１ｄに示した混合スタック装置１０３は、例えばスマートフォン用などのトップパッケージ１６４を載せるために提供され、スパートフォン固有のマイクロエレクトロニクスデバイスがトップパッケージ１６４内にあり、サポートのマイクトエレクトロニクスデバイスがチップスタック内にあるようにされる。
【００２３】
一実施形態において、トップパッケージ充填材１７２が、インターポーザ１３０とトップパッケージ１６４との間の接合を安定にする。
【００２４】
見て取れるように、底部チップ１５０と頂部チップ１５８との混合スタックは、インターポーザオフセット１３６によって収容されており、その結果、トップパッケージ１６４は混合スタックと干渉しない。従って、ＰｏＰ積層チップ装置は、具体的な用途に応じて変わり得るチップスタックのオフセット高さを収容するのに十分なインターポーザオフセット１３６を用いて組み立てられる。
【００２５】
図２ａは、一実施形態例に従った、積層ダイパッケージのマウント基板及びインターポーザ装置２００の断面図である。装置２００は、図１ｄに示した装置１０３と同様であり、インターポーザ２３０をパッケージ基板２１０上に配置することによって同様に処理されている。
【００２６】
積層チップ装置２００が描かれている。積層チップ装置２００は底部チップ２５０及び頂部チップ２５８を含んでいる。一実施形態において、底部チップ２５０はプロセッサであり、頂部チップ２５８は、シリコン貫通ビア（through-silicon  via；ＴＳＶ）技術によって結合されるメモリダイである。破線の円内に１つのＴＳＶ２７４が示されている。一実施形態において、頂部チップ２５８は、プロセッサ２５０用の例えばスタティック・ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）などの２次（level-2；Ｌ２）メモリキャッシュである（Ｌ０及びＬ１はプロセッサ２５０内にある）。底部チップ２５０及び頂部チップ２５８は３Ｄチップスタックである。
【００２７】
従って、積層チップ装置２００は、パッケージ基板２１０上にマウントされたフリップチップ２５０と、フリップチップ２５０上に配置された、ＴＳＶ結合されたチップ２５８とを含んでいる。故に、インターポーザ２３０のオフセット高さ２３６は、積層チップ構造の高さを収容する。底部チップ２５０の処理は、図１ｃなどに示した底部チップ１５０に関して開示した何れかの形態によって行われ得る。
【００２８】
一実施形態において、頂部チップ２５８は、例えばランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）ダイ２５８などのメモリダイである。一実施形態において、頂部チップ２５８は、例えばスタティック・ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）ダイ２５８などのメモリダイである。一実施形態において、頂部チップ２５８は、例えば消去・プログラム可能読み出し専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）ダイ２５８などのメモリダイである。具体的な用途に従って、その他のメモリダイ構成が用いられてもよい。
【００２９】
一実施形態において、頂部チップ２５８は、無線周波数（ＲＦ）タグを含む。一実施形態において、頂部チップ２５８は無線通信用の無線周波数デバイスを含む。
【００３０】
処理の一実施形態において、チップスタックを絶縁するためにスタック封止２６２が充填される。スタック封止２６２は、環境及びハンドリング上の危険からチップスタックを保護するためにも使用され得る。スタック封止２６２はまた、チップスタックからの熱伝達を促進させるために使用されてもよい。一実施形態において、スタック封止は用いられなくてもよい。
【００３１】
図２ｂは、一実施形態例に従った、更なる処理後の図２ａの装置から組み立てられたＰｏＰ積層チップ装置２０１の断面図である。底部チップ２５０及び頂部チップ２５８がインターポーザオフセット２３６内に配置され、トップパッケージ２６４がインターポーザ２３０の頂面２３４に結合されている。トップパッケージ２６４は、底部チップ２５０及び／又は頂部チップ２５８への通信用のマウント基板２７０を有し得る。トップパッケージは、元の機器の製造者のためなどのＴＳＶ実現ソリューションとして描かれている。一実施形態において、図２ａに示したチップスタック装置２００は、例えばスマートフォン用などのトップパッケージ２６４を載せるために提供される。
【００３２】
見て取れるように、底部チップ２５０と頂部チップ２５８とのチップスタックは、インターポーザオフセット２３６によって収容されており、その結果、トップパッケージ２６４はチップスタックと干渉しない。
【００３３】
図１ｅに関して図示・説明した詳細事項も、図２ｂに示した同様の構造及び空間を見ることによって適宜に類推される。
【００３４】
もはや理解されるように、ＰｏＰ積層チップ装置２０１を得るための処理は、図１ｅに示したＰｏＰ積層チップ装置１０４を得るための処理と同様とし得る。
【００３５】
一実施形態例において、底部チップ１５０と頂部チップ１５８との間のＩ／Ｏ密度は、ダイ当たり１２８ビット（１２８ビット／ダイ）（例えば頂部チップ２５８がＤＲＡＭダイである場合など）と２５２ビット／ダイとの間の範囲内である。一実施形態例において、プロセッサ２５０と後続チップ２５８との間のＩ／Ｏ速度は、１０Ｇｂ／ｓと１Ｔｂ／ｓ（毎秒テラビット）との間である。ＤＲＡＭデバイスとしての後続チップ２５８の１０ｍｍのエッジ部に沿って、総帯域幅は１６０ＧＢ／ｓから３２０ＧＢ／ｓまでである。パッケージとして、一実施形態によれば、ＰｏＰ装置２０１は６４０ＧＢ／ｓから６４００ＧＢ／ｓの間の総パッケージ帯域幅を有し、プロセッサ２５０及び後続チップ２５８の各々が２５６ビット以上で動作し得る。Ｉ／Ｏ速度は、所与の用途がそのような範囲で有用である場合には、１０ＧＢ／ｓ未満（例えば７Ｇ／ｓ未満など）の低速であってもよい。
【００３６】
図３ａは、一実施形態例に従った、処理中の混合ダイ装置３００の断面図である。図１ｃに示したパッケージ基板１１０と同様とし得るパッケージ基板３１０上に、底部チップ３５０が配置されている。一実施形態において、底部チップ３５０は、チップのボールアレイ（そのうちの１つの電気バンプに参照符号３５２が付されている）を介してフリップチップ接合されているフリップチップ３５０である。一実施形態において、底部チップ３５０とパッケージ基板３１０との間の接合を補強するため、アンダーフィル３５４が流し込まれている。処理の一実施形態において、電気バンプ３５２のリフローはアンダーフィル３５４のキュアと同時に実行される。
【００３７】
底部チップ３５０の処理は、底部チップ１５０、２５０などに関して本開示の何処かで開示された何れかの形態によって行われ得る。
【００３８】
図３ｂは、一実施形態に従った、更なる処理後の図３ａの装置の断面図である。図３ｂに示す装置３０１は、更に処理されており、ＰｏＰ積層チップ装置の一翼を担うことになる混合スタック装置３０１が得られている。混合スタック装置３０１は、底部チップ３５０上に形成されたダイ間接着剤３５６を含んでおり、頂部チップ３５８が接着剤３５６上に搭載されている。頂部チップ３５８は底部チップ３５０によって支持されている。
【００３９】
一実施形態において、頂部チップ３５８はパッケージ基板３１０にワイヤボンド（そのうちの１つが参照符号３６０によって指し示されている）によって結合される。従って、混合スタック装置３０１は、パッケージ基板３１０上にマウントされたフリップチップ３５０と、フリップチップ３５０上に配置されたワイヤボンドチップ３５８とを含んでいる。オフセット高さ３３６は、更なる処理において、インターポーザのオフセット高さに合致させられる。もはや明らであろうように、混合スタックの組立が、パッケージ基板３１０へのインターポーザの組立に先立って行われている。
【００４０】
図１ｄに示した混合ダイスタック装置の実施形態と同様に、取り付けられるインターポーザは、頂部チップ３５８、接着剤３５６、底部チップ３５０、及び電気バンプ３５２によって生じるオフセットとともに、ワイヤボンド３６０を含む混合ダイスタックの高さを収容することになる。一実施形態において、スタック封止は用いられない。
【００４１】
一実施形態において、底部チップ３５０はプロセッサであり、頂部チップ３５８はＲＦデバイスである。混合ダイスタックは、例えばスマートフォンなどの無線通信機器に使用され得る。先述の実施形態に関して図示・説明した詳細事項も、図３ｂに示した同様の構造及び空間を見ることによって適宜に類推される。さらに、先述のＩ／Ｏ容量及び帯域幅容量も、図３ｂにて図示・説明したＰｏＰ積層チップの実施形態に対して類推され得る。
【００４２】
図４は、一実施形態例に従った、積層ダイパッケージのインターポーザ装置４００の断面図である。装置４００は、インターポーザの取付けが積層ダイ４５０及び４５８の取付け後に実行されることを除いて、図２ａに示した装置２００と同様である。
【００４３】
積層チップ装置４００が描かれている。積層チップ装置４００は底部チップ４５０及び頂部チップ４５８を含んでいる。一実施形態において、底部チップ４５０はプロセッサであり、頂部チップ４５８は、シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）技術によって結合されるメモリダイである。破線の円内に１つのＴＳＶ４７４が示されている。一実施形態において、頂部チップ４５８は、プロセッサ４５０用の例えばスタティック・ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）などのＬ２メモリキャッシュである（Ｌ０及びＬ１はプロセッサ４５０内にある）。底部チップ４５０の処理は、底部チップ１５０、２５０、３５０などに関して本開示の何処かで開示された何れかの形態によって行われ得る。
【００４４】
従って、積層チップ装置４００は、パッケージ基板４１０上にマウントされたフリップチップ４５０と、フリップチップ４５０上に配置された、ＴＳＶ結合されたチップ４５８とを含んでいる。積層されたチップ４５０及び４５８のオフセット高さ４３６は、取り付けられるインターポーザに合致させられる。故に、インターポーザは、積層チップ構造の高さを収容することになる。
【００４５】
一実施形態において、頂部チップ４５８は、例えばランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）ダイ４５８などのメモリダイである。一実施形態において、頂部チップ４５８は、例えばスタティック・ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）ダイ４５８などのメモリダイである。一実施形態において、頂部チップ４５８は、例えば消去・プログラム可能読み出し専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）ダイ４５８などのメモリダイである。具体的な用途に従って、その他のメモリダイ構成が用いられてもよい。
【００４６】
一実施形態において、頂部チップ４５８は、無線周波数（ＲＦ）タグを含む。一実施形態において、頂部チップ４５８は無線通信用の無線周波数デバイスを含む。処理の一実施形態において、インターポーザがチップスタックの周囲に形成する凹部内にスタック封止が充填される。
【００４７】
先述の実施形態に関して図示・説明した詳細事項も、図４に示した同様の構造及び空間を見ることによって適宜に類推される。さらに、先述のＩ／Ｏ容量及び帯域幅容量も、図４にて図示・説明したＰｏＰ積層チップの実施形態に対して類推され得る。
【００４８】
図５は、一実施形態に従った、パッケージ・オン・パッケージ装置を支援することになる混合ダイ装置５００の断面図である。混合ダイ装置５００は、底部チップ５５０、頂部チップ５５８及び中間チップ５５１を含んでいる。頂部チップ５５８及び中間チップ５５１は底部チップ５５０によって支持されている。底部チップ５５０は、第１のチップとして参照し得るフリップチップであり、中間チップ５５１は、第２のチップ５５１として参照し得るＴＳＶ結合されたチップであり、頂部チップ５５８は、後続チップ５５８として参照し得るワイヤボンドされたチップである。一実施形態において、底部チップ５５０の直上に配置されるＴＳＶ結合されるチップの数は２から８の範囲内であり、その後に頂部チップ５５８が続く。底部チップ５５０の処理は、この開示に示される底部チップに関して開示された何れかの形態によって行われ得る。
【００４９】
一実施形態において、頂部チップ５５８はパッケージ基板５１０にワイヤボンド（そのうちの１つが参照符号５６０によって指し示されている）によって結合される。故に、インターポーザ５３０のオフセット高さ５３６は、図示のように、頂部チップ５５８、中間チップ５５１、底部チップ５５０、電気バンプによって生じるオフセット、チップ間接着剤及びスペーサとともに、ワイヤボンド５６０を含む混合スタックの高さを収容する。
【００５０】
処理の一実施形態において、混合ダイスタックを絶縁し且つ更にはボンドワイヤ５６０が動くことを防止するため、スタック封止５６２が充填される。スタック封止５６２は、環境及びハンドリング上の危険から混合ダイスタックを保護するためにも使用され得る。スタック封止５６２はまた、混合ダイスタックからの熱伝達を促進させるために使用されてもよい。一実施形態において、スタック封止は用いられなくてもよい。
【００５１】
一実施形態において、第１のチップ５５０はプロセッサであり、中間チップ５５１はＴＳＶ  ＲＡＭチップであり、頂部チップ５５８はＲＦデバイスである。混合ダイスタックは、例えばスマートフォンなどの無線通信機器に使用され得る。
【００５２】
先述の実施形態に関して図示・説明した詳細事項も、図５に示した同様の構造及び空間を見ることによって適宜に類推される。さらに、先述のＩ／Ｏ容量及び帯域幅容量も、図５にて図示・説明したＰｏＰ積層チップの実施形態に対して類推され得る。
【００５３】
図６は、一実施形態に従った、ＰｏＰ混合ダイ装置を支援することになる混合ダイ装置６００の断面図である。混合ダイ装置６００は、底部チップ６５０、頂部チップ６５９、並びに複数の中間チップ６５１、６５３及び６５８を含んでいる。頂部チップ６５９並びに中間チップ６５１、６５３及び６５８は底部チップ６５０によって支持されている。底部チップ６５０の処理は、この開示に示される底部チップに関して開示された何れかの形態によって行われ得る。
【００５４】
混合ダイ装置６００は、複数のＴＳＶチップと複数のワイヤボンドチップとを有する一実施形態である。底部チップ６５０は、第１のチップとして参照し得るフリップチップである。中間チップ６５１は、第２のチップ６５１として参照し得るＴＳＶ結合されたチップである。中間チップ６５３は、第３のチップ６５３として参照し得るＴＳＶ結合されたチップである。中間チップ６５８は、第４のチップ６５８として参照し得るワイヤボンドされたチップである。頂部チップ６５９は、後続チップ６５９として参照し得るワイヤボンドされたチップである。一実施形態において、底部チップ６５０の直上且つワイヤボンドチップ６５８の下に配置されるＴＳＶ結合されるチップの数は２から８の範囲内である。
【００５５】
一実施形態において、ワイヤボンドチップ６５８及びワイヤボンドチップ６５９の双方は、それぞれ、ワイヤボンド６６０及び６６１によってパッケージ基板６１０に結合される。故に、インターポーザ６３０のオフセット高さ６３６は、図示のように、チップスタック全体、電気バンプ、チップ間接着剤及びスペーサとともに、ワイヤボンド６６０及び６６１を含む混合ダイスタックの高さを収容する。
【００５６】
処理の一実施形態において、混合ダイスタックを絶縁し且つ更にはボンドワイヤ６６０及び６６１が動くことを防止するため、スタック封止６６２が充填される。スタック封止６６２は、環境及びハンドリング上の危険から混合ダイスタックを保護するためにも使用され得る。スタック封止６６２はまた、混合ダイスタックからの熱伝達を促進させるために使用されてもよい。一実施形態において、スタック封止は用いられなくてもよい。
【００５７】
先述の実施形態に関して図示・説明した詳細事項も、図６に示した同様の構造及び空間を見ることによって適宜に類推される。さらに、先述のＩ／Ｏ容量及び帯域幅容量も、図６にて図示・説明したＰｏＰ積層チップの実施形態に対して類推され得る。
【００５８】
図７は、一実施形態に従った、パッケージ・オン・パッケージ装置を支援することになる混合ダイ装置７００の断面図である。混合ダイ装置７００は、底部チップ７５０、頂部チップ７５９、並びに複数の中間チップ７５１、７５３及び７５８を含んでいる。頂部チップ７５９並びに中間チップ７５１、７５３及び７５８は底部チップ７５０によって支持されている。混合ダイ装置７００は、複数のＴＳＶチップと複数のワイヤボンドチップとを有し且つ或るワイヤボンドチップが或るＴＳＶチップの下にある一実施形態である。
【００５９】
底部チップ７５０は、第１のチップとして参照し得るフリップチップである。中間チップ７５１は、第２のチップ７５１として参照し得るＴＳＶ結合されたチップである。中間チップ７５８は、第３のチップ７５８として参照し得るワイヤボンドされたチップである。中間チップ７５３は、第４のチップ７５３として参照し得るＴＳＶ結合されたチップである。頂部チップ７５９は、後続チップ７５９として参照し得るワイヤボンドされたチップである。一実施形態において、第２のチップ７５１は、底部チップ７５０を支援するメモリキャッシュチップである。底部チップ７５０の処理は、この開示に示される底部チップに関して開示された何れかの形態によって行われ得る。
【００６０】
一実施形態において、第４のチップ７５３は、後続チップ７５９を支援するＴＳＶメモリキャッシュチップである。一実施形態例において、混合ダイ装置７００は、例えばスーパースマートフォンなどのＰｏＰ積層チップ装置の一翼を担う。この実施形態において、底部チップ７５０はプロセッサであり、第２のチップ７５１はメモリキャッシュである。中間チップ７５８は、オンライン通信を処理するワイヤボンドデバイスである。頂部チップ７５９は、第４のチップ７５３によって支援されるグローバル・ポジショニング・システム（ＧＰＳ）チップであり、第４のチップ７５３はＧＰＳチップ７５９用のキャッシュとして機能する。
【００６１】
一実施形態において、第４のチップ７５３は、中間チップ７５８と頂部チップ７５９との間の支援及びインタフェースとして使用される。例えば、第４のチップ７５３は、頂部チップ７５９と中間チップ７５８との間での直接的な通信を可能にするＴＳＶを有する。
【００６２】
一実施形態において、ワイヤボンドチップ７５８及びワイヤボンドチップ７５９の双方は、それぞれ、ワイヤボンド７６０及び７６１によってパッケージ基板７１０に結合される。故に、インターポーザ７３０のオフセット高さ７３６は、図示のように、チップスタック全体、電気バンプ、チップ間接着剤及びスペーサとともに、ワイヤボンド７６０及び７６１を含む混合ダイスタックの高さを収容する。
【００６３】
処理の一実施形態において、混合ダイスタックを絶縁し且つ更にはボンドワイヤ７６０及び７６１が動くことを防止するため、スタック封止７６２が充填される。スタック封止７６２は、環境及びハンドリング上の危険から混合ダイスタックを保護するためにも使用され得る。スタック封止７６２はまた、混合ダイスタックからの熱伝達を促進させるために使用されてもよい。一実施形態において、スタック封止は用いられなくてもよい。
【００６４】
先述の実施形態に関して図示・説明した詳細事項も、図７に示した同様の構造及び空間を見ることによって適宜に類推される。さらに、先述のＩ／Ｏ容量及び帯域幅容量も、図７にて図示・説明したＰｏＰ積層チップの実施形態に対して類推され得る。
【００６５】
図８は、一実施形態例に従ったプロセス及び方法のフロー図８００である。
【００６６】
８１０にて、プロセスは、パッケージ基板上にインターポーザを形成することを含む。インターポーザは、パッケージ基板上に配置されるチップスタックに合致するオフセットを有するように構成される。
【００６７】
８２０にて、プロセスは、パッケージ基板上にチップスタックを形成することを含む。処理８２０が処理８１０に先行する場合、インターポーザは、チップスタックを形成した後のパッケージ基板上に配置される。処理８２０が処理８１０に続く場合、チップスタックは、インターポーザによって残される凹部内に形成される。一実施形態において、プロセスは８１０で開始し８２０で終了する。
【００６８】
８３０にて、プロセスは、チップスタックを絶縁するためにスタック封止を充填することを含む。一実施形態において、プロセスは８１０で開始し８３０で終了する。
【００６９】
８４０にて、プロセスは、インターポーザ上にトップパッケージを形成することを含む。一実施形態において、プロセスは８４０で開始して終了する。
【００７０】
図９は、一実施形態に従ったコンピュータシステム９００の模式図である。図示したコンピュータシステム９００（電子システム９００とも称する）は、この開示にて説明した実施形態及びそれに均等なものに係るＰｏＰ積層チップ装置を採用することができる。一実施形態において、電子システム９００は、電子システム９００の様々な構成要素を電気的に結合するシステムバス９２０を含んだコンピュータシステムである。システムバス９２０は、様々な実施形態によれば、単一のバス、又は複数のバスの組み合わせである。電子システム９００は、集積回路９１０に電力を供給する電圧源９３０を含んでいる。一部の実施形態において、電圧源９３０は、システムバス９２０を介して集積回路９１０に電流を供給する。
【００７１】
集積回路９１０は、システムバス９２０に電気的に結合され、一実施形態によれば回路又は複数回路の組み合わせを含む。一実施形態において、集積回路９１０は、如何なる種類のものともし得るプロセッサ９１２を含む。ここでは、プロセッサ９１２は、例えば、以下に限られないが、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、グラフィックスプロセッサ、デジタル信号プロセッサ、又はその他のプロセッサなど、任意の種類の回路を意味し得る。一実施形態において、ＳＲＡＭの実施形態がプロセッサのメモリキャッシュに見受けられる。集積回路９１０に含めることが可能なその他の種類の回路には、例えば、携帯電話、ポケットベル、ポータブル（可搬式）コンピュータ、送受信兼用（２ウェイ）無線機、及び類似の電子システムなどの無線装置で使用される通信回路９１４などの、カスタム回路又は特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）がある。一実施形態において、プロセッサ９１０は、例えばスタティック・ランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）などのオンダイ（ダイ上の）メモリ９１６を含み、ＳＲＡＭは、独立したアクセス領域及びプルダウン領域のＳ／Ｄ区画を備えた６Ｔ  ＳＲＡＭセルを含み得る。一実施形態において、プロセッサ９１０は、例えば内蔵ダイナミック・ランダムアクセスメモリ（ｅＤＲＡＭ）などの内蔵オンダイメモリ９１６を含む。
【００７２】
一実施形態において、電子システム９００はまた、外部メモリ９４０を含む。外部メモリ９４０は、具体的な用途に適した１つ以上の記憶素子、例えば、ＲＡＭの形態のメインメモリ９４２、１つ以上のハードドライブ９４４、及び／又はリムーバブルメディア（取り外し可能媒体）を取り扱う１つ以上のドライブを含み得る。リムーバブルメディアとは、例えば、ディスケット、コンパクトディスク（ＣＤ）、デジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）、フラッシュメモリドライブ、及び技術的に知られたその他のリムーバブルメディアなどである。外部メモリ９４０はまた、一実施形態に従ったプロセッサ搭載基板に内蔵されたマイクロエレクトロニクスダイなどの、内蔵メモリ９４８であってもよい。
【００７３】
一実施形態において、電子システム９００はまた、表示装置９５０、オーディオ出力９６０を含む。一実施形態において、電子システム９００は、例えば、キーボード、マウス、トラックボール、ゲームコントローラなどとし得るコントローラ、マイク、音声認識装置、又は、情報を電子システム９００に入力するその他の入力装置などの、入力装置９７０を含む。
【００７４】
ここに示したように、集積回路９１０は、多数の様々な実施形態にて実施されることが可能である。該様々な実施形態には、開示した複数の実施形態及びそれに均等なもののうちの何れかに従ったＰｏＰ積層チップ装置、電子システム、コンピュータシステム、集積回路を製造する１つ以上の方法、様々な実施形態にてここで説明した複数の開示の実施形態及び技術的に認識される均等なもののうちの何れかに従ったＰｏＰ積層チップ装置を含む電子アセンブリを製造する１つ以上の方法が含まれる。要素、材料、幾何学形状、寸法、及び処理の順序は、何れも、開示した複数のＰｏＰ積層チップ装置の実施形態及びそれらに均等なものの何れかに従ったプロセッサ搭載基板に内蔵されるマイクロエレクトロニクスダイの、アレイコンタクトカウントやアレイコンタクト構成を含む具体的なＩ／Ｏ結合要求に適するように変更されることが可能である。
【００７５】
以上の詳細な説明においては、開示の効率化のために、様々な特徴が単一の実施形態にまとめられている。この開示方法は、請求項記載の本発明の実施形態が各請求項に明示的に記載されたものより多くの特徴を要するという意図を示していると解釈されるべきでない。むしろ、以下の請求項が示すように、独創的な主題は、開示に係る単一の実施形態の全ての特徴より少ない部分にある。故に、以下の請求項はこの詳細な説明に組み込まれるものであり、各請求項が別個の好適実施形態として自立したものとなる。
【００７６】
当業者に容易に理解されるように、本発明の性質を説明するために説明・図示したパーツの細部、材料及び配置や方法段階には、添付の請求項に表現される本発明の原理及び範囲を逸脱することなく、様々なその他の変更が為され得る。
【図１ａ】
2012531061.tif 000003
【図１ｂ】
2012531061.tif 000004
【図１ｃ】
2012531061.tif 000005
【図１ｄ】
2012531061.tif 000006
【図１ｅ】
2012531061.tif 000007
【図２ａ】
2012531061.tif 000008
【図２ｂ】
2012531061.tif 000009
【図３ａ】
2012531061.tif 000010
【図３ｂ】
2012531061.tif 000011
【図４】
2012531061.tif 000012
【図５】
2012531061.tif 000013
【図６】
2012531061.tif 000014
【図７】
2012531061.tif 000015
【図８】
2012531061.tif 000016
【図９】
2012531061.tif 000017
【国際調査報告】
2012531061.tif 000018
2012531061.tif 000019
2012531061.tif 000020