(57)【要約】オプトエレクトロニクス半導体部品（１）の少なくとも一実施形態においては、オプトエレクトロニクス半導体部品（１）は、ハウジングベース（２）と、ハウジングベース（２）に取り付けられている少なくとも１個の半導体チップ（３）とを有する。動作時、オプトエレクトロニクス半導体チップ（３）は、ある割合の紫外線放射を有する一次放射を放出する。さらに、半導体部品（１）はフィルタ手段（４）を備えており、このフィルタ手段（４）は、一次放射の紫外線を吸収するようにされており、少なくとも一部分が、半導体チップ（３）とハウジングベース（２）との間、もしくは半導体チップ（３）と光学要素（７）との間、またはその両方に位置している。一次放射の全光出力に対する紫外線放射の割合は、０．１％〜４．０％の範囲内（両端値を含む）である。【選択図】図２
2012530365.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体部品（１）であって、
−  ハウジングメインボディ（２）と、
−  前記ハウジングメインボディ（２）の上に実装されており、一次放射を放出するように設計されている少なくとも１個のオプトエレクトロニクス半導体チップ（３）であって、前記一次放射が紫外線放射成分を含んでいる、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（３）と、
−  前記一次放射の前記紫外線放射成分を吸収するように設計されているフィルタ媒体（４）であって、少なくとも一部分が、前記半導体チップ（３）と前記ハウジングメインボディ（２）との間、または前記半導体チップ（３）と光学要素（７）との間に位置しており、前記紫外線放射成分が前記一次放射の全光出力の０．１％〜４．０％の範囲内（両端値を含む）の割合を占める、前記フィルタ媒体（４）と、
を有する、オプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項２】
前記紫外線放射成分が、２００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内（両端値を含む）のスペクトル領域にある、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項３】
前記フィルタ媒体（４）が、前記半導体チップ（３）の上に、少なくとも１層（１３）としてエピタキシャルに堆積しており、前記フィルタ媒体（４）が、特に、ＩｎＧａＮを含んでいる、
請求項１または請求項２のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項４】
前記フィルタ媒体（４）が、酸化チタンもしくは酸化亜鉛またはその両方を含んでいる、または、酸化チタンもしくは酸化亜鉛またはその両方からなる、
請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項５】
前記フィルタ媒体（４）が、酸化チタンもしくは酸化亜鉛またはその両方からなり、前記半導体チップ（３）の上に層として配置されており、前記フィルタ媒体（４）が、前記半導体チップ（３）とは反対側の面においてシリコン含有層（８）によって密封されている、
請求項１、請求項２、または請求項３に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項６】
前記フィルタ媒体（４）が前記半導体チップ（３）に直接接触している、
請求項１から請求項５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項７】
前記フィルタ媒体（４）が、ルミネセンス材料を含んでいるシリコーン薄層（５）またはシリコーン−エポキシド薄層（５）によって形成されており、前記薄層にフィルタ粒子が加えられており、前記薄層（５）が前記半導体チップ（３）の上に配置されている、
請求項１から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項８】
前記薄層（５）が、５μｍ〜１００μｍの範囲内（両端値を含む）の厚さ（Ｔ）を有する、
請求項１から請求項７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項９】
前記フィルタ媒体（４）がポッティング部（６）に加えられており、前記ポッティング部（６）が前記半導体チップ（３）を部分的または完全に囲んでいる、
請求項１から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項１０】
前記フィルタ媒体（４）がナノ粒子を含んでいる、またはナノ粒子からなり、前記ナノ粒子が、０．５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内（両端値を含む）の平均直径を有する、
請求項１から請求項９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項１１】
前記フィルタ媒体（４）が、前記ハウジングメインボディ（２）もしくは前記光学要素（７）またはその両方の少なくとも１つの境界面に形成されており、前記光学要素（７）が、何ヵ所かにおいて、前記ハウジングメインボディ（２）もしくは前記フィルタ媒体（４）またはその両方に直接接触している、
請求項１から請求項１０のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項１２】
前記ハウジングメインボディ（２）が、透明または白色のプラスチック材料から成形されており、このような場合に紫外線放射に起因して光損傷が生じうる、
請求項１から請求項１１のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項１３】
前記フィルタ媒体（４）が膜である、
請求項１から請求項１２のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項１４】
前記フィルタ媒体（４）が散乱媒体（９）を含んでおり、前記散乱媒体（９）が、可視放射に対して透過性である、または反射作用を有する、
請求項１から請求項１３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
オプトエレクトロニクス半導体部品を提供する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、放射放出光学要素に関する。
【０００３】
ルミネセンス変換要素を有する発光部品は、特許文献２に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願第２００４／０２３８８３７号明細書
【特許文献２】米国特許出願第２００７／００１８１０２号明細書
【特許文献３】米国特許出願第２００４／０００７１６９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、特に、劣化に対する耐性を有するオプトエレクトロニクス半導体部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、オプトエレクトロニクス半導体部品は、ハウジングメインボディ（housing main body）を備えている。ハウジングメインボディは、例えば、プラスチック材料、樹脂、またはシリコーンの射出成形体であり、電気リードフレームの上に成形することができる。さらには、ハウジングメインボディがプリント基板を備えている、またはプリント基板からなることも可能である。プリント基板は、セラミックキャリアまたは金属キャリアを備えていることができ、これらのキャリアの上、もしくはその中、またはその両方に、電気絶縁被覆もしくは導電性被覆またはその両方を設けて導体トラックもしくは接続点またはその両方を形成することができる。
【０００７】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、オプトエレクトロニクス半導体部品は、メインボディの上に実装されている少なくとも１個のオプトエレクトロニクス半導体チップを備えている。このオプトエレクトロニクス半導体チップは、一次放射を放出するように設計されており、一次放射は、紫外線放射成分（略してＵＶ放射成分）を含んでいる。オプトエレクトロニクス半導体チップは、例えば、発光ダイオードまたは半導体レーザチップである。ＵＶ放射成分は、２００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内（両端値を含む）の波長を有する。言い換えれば、紫外線放射とは、放射が２００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内（両端値を含む）の波長を有することを意味する。
【０００８】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、オプトエレクトロニクス半導体部品は、フィルタ媒体（filter medium）を備えており、このフィルタ媒体は、一次放射のＵＶ放射成分を吸収するように設計されており、すなわち、ＵＶ放射成分は、フィルタ媒体の通過後、フィルタ媒体によって少なくとも５０％、好ましくは少なくとも８０％、特に好ましくは少なくとも９５％、減衰する。
【０００９】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、フィルタ媒体は、その全体または一部分が、半導体チップとハウジングメインボディとの間に位置している。したがって、半導体チップによって放出される一次放射のＵＶ放射成分の少なくとも一部分がハウジングメインボディに達することが、フィルタ媒体によって阻止される。
【００１０】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、フィルタ媒体は、その一部分または全体が、半導体チップと光学要素との間に位置している。この光学要素は、レンズもしくは反射体またはその両方とすることができる。光学要素が半導体部品自体の構成部分であることも可能である。
【００１１】
したがって、フィルタ媒体によって、このようなフィルタ媒体を備えていない半導体部品と比較して、光学要素に達するＵＶ放射成分を減少させることが可能になる。
【００１２】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、ＵＶ放射成分は、一次放射の全光出力の０．１％〜４．０％の範囲内（両端値を含む）の割合を占める。ＵＶ放射成分は、全光出力に対して０．２％〜３．０％の範囲内（両端値を含む）、特に、０．２５％〜２．５％の範囲内（両端値を含む）であることが好ましい。
【００１３】
残りの（例えば４００ｎｍより長い波長のみを有する）放射成分は、可視スペクトル領域にあることが好ましく、すなわち、半導体チップによって放出される一次放射のＵＶ放射成分は、全放射のうちのわずかな割合を占めるにすぎない。
【００１４】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態においては、オプトエレクトロニクス半導体部品は、ハウジングメインボディと、ハウジングメインボディの上に実装されている少なくとも１個のオプトエレクトロニクス半導体チップと、を備えている。動作時、オプトエレクトロニクス半導体チップは一次放射を放出し、この一次放射はＵＶ放射成分を含んでいる。さらには、本半導体部品は、一次放射のＵＶ放射成分を吸収するように設計されているフィルタ媒体を備えており、このフィルタ媒体は、少なくとも一部分が、半導体チップとハウジングメインボディとの間、もしくは、半導体チップと光学要素との間、またはその両方に位置している。ＵＶ放射成分は、一次放射の全光出力に対して０．１％〜４．０％の範囲内（両端値を含む）である。
【００１５】
短い波長の放射（すなわち、特に、４００ｎｍまたはそれ以下の波長を有する紫外線放射）にさらされると、プラスチックから成形されているハウジングメインボディ、ポッティング部（半導体チップを囲んでいる）、または光学要素が、変色することがある。
【００１６】
このような変色によって、例えば、ハウジングメインボディの反射率が低下し、さらに、変色することで、半導体部品から光を取り出すときの効率も下がる。このような変色は、紫外線放射が例えばハウジングメインボディや光学要素に達することを阻止することによって、防止する、または発生を大幅に遅らせることができる。このことは、フィルタ媒体によって達成することができ、フィルタ媒体は、半導体チップの近傍に位置していることが好ましい。言い換えれば、一次放射のＵＶ放射成分は、特に、チップの近くで吸収される、または少なくとも大幅に減少し、したがって、ＵＶ放射成分は例えばハウジングメインボディに達しない。ＵＶ放射成分は比較的小さいため、半導体部品の効率がフィルタ媒体自体によって大幅に低下することはない。
【００１７】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、フィルタ媒体は、半導体チップの上に少なくとも１層としてエピタキシャルに堆積している。したがって、フィルタ媒体は、エピタキシャル成長層からなることができる。フィルタ媒体は、半導体チップとは異なる材料組成を有することが好ましい。例えば、フィルタ媒体は、半導体チップにエピタキシャルに堆積されている１層または複数のＩｎＧａＮ層を備えており、これらのＩｎＧａＮ層は、約４００ｎｍにおいて吸収端を有することが好ましい。フィルタ媒体は、半導体チップの半導体材料の上に直接成長させることができ、または、中間層（例えば導電層）によって半導体チップの半導体材料から隔てることもできる。
【００１８】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、フィルタ媒体は、酸化チタン（例えば二酸化チタン）もしくは酸化亜鉛を含んでいる、またはこれらの材料からなる。酸化チタンまたは酸化亜鉛は、例えば、フィルタ媒体のマトリックス材料に埋め込まれている。
【００１９】
本オプトエレクトロニクス半導体チップの少なくとも一実施形態によると、フィルタ媒体は、層の形で半導体チップに堆積されている。フィルタ媒体の層は、その全体または何ヵ所かにおいて半導体チップに直接接触していることが好ましく、例えば、半導体チップの露出している外面全体がフィルタ媒体によって覆われている。半導体チップをフィルタ媒体およびハウジングメインボディによって完全に囲むことができる。
【００２０】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、フィルタ媒体は、半導体チップとは反対側の面においてシリコン含有層によって密封されている。例えば、フィルタ媒体は、半導体チップとは反対側に、例えば酸化されやすい粗面または多孔面を有することができる。シリコン含有層（例えばガラス、シリコーン、またはエポキシド・シリコーン・ハイブリッド材料（epoxide-silicone hybrid material）によって形成されている、またはこれらの材料からなる）は、周囲条件の影響からフィルタ媒体を保護する。シリコン含有層の材料は、特に、ポッティング部の材料とは異なる。
【００２１】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、フィルタ媒体は、半導体チップに直接接触している、すなわち、フィルタ媒体は、少なくとも何ヵ所かにおいて半導体チップの半導体材料に物理的に直接接触している。フィルタ媒体が直接接触している半導体材料は、エピタキシャル成長していることが好ましい。
【００２２】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、フィルタ媒体は、薄層（lamina）（シートまたはプレートとも称する）の形をとる。薄層は、機械的に自己支持性であることが好ましく、すなわち、半導体チップの縁部の長さに対応する規模の範囲では薄層は曲がらない、またはわずかに曲がるのみである。薄層は、少なくとも１種類のルミネセンス材料を含んでいることが好ましい。薄層は、フィルタ媒体のフィルタ粒子もしくはルミネセンス材料の粒子またはその両方のためのマトリックス材料としてのシリコーンまたはシリコーン−エポキシドを含んでいることができる。
【００２３】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、フィルタ媒体は、ルミネセンス材料が埋め込まれている材料と半導体チップとの間に位置している。ルミネセンス材料を有する材料は、フィルタ媒体に直接接触していることができ、フィルタ媒体は、半導体チップに直接接触していることができる。
【００２４】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、フィルタ粒子を有する薄層は、半導体チップの上に載っており、半導体チップに直接接触していることが好ましい。例えば、薄層は、ハウジングメインボディとは反対側の半導体チップの上面を完全に覆っている。薄層と半導体チップとの間に接着剤を配置することができる。薄層は、５μｍ〜１００μｍの範囲内（両端値を含む）の厚さ、特に、１０μｍ〜６０μｍの範囲内（両端値を含む）の厚さを有することが好ましい。
【００２５】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、フィルタ媒体がポッティング部に加えられており、ポッティング部は、半導体チップを部分的または完全に囲んでいる。特に、半導体チップは、ハウジングメインボディとポッティング部とによって完全に囲まれている。例えば、ポッティング部は、半導体チップが実装されている、ハウジングメインボディの凹部、を満たしている。フィルタ媒体は、ポッティング部の中に均一に分散していることが好ましい。さらには、フィルタ媒体がポッティング部の中に不均一に分散していることも可能である。ポッティング部は、光学要素の形をとることができる。ポッティング部の材料は、例えば、シリコーン、エポキシド、プラスチック、のうちの少なくとも１種類である。
【００２６】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、フィルタ媒体は、ナノ粒子を含んでいる、またはナノ粒子からなる。ナノ粒子は、０．５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内（両端値を含む）の平均直径を有することが好ましい。ナノ粒子は、例えば、特許文献３に記載されているように構成されており、ナノ粒子に関連するこの文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。
【００２７】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、フィルタ媒体は、ハウジングメインボディもしくは光学要素またはその両方の少なくとも１つの境界面に形成することができ、光学要素は半導体部品の構成部分とすることができる。したがって、フィルタ媒体は、ハウジングメインボディの少なくとも片面、もしくは光学要素の少なくとも片面、またはその両方の上に、好ましくは最大で５０μｍの厚さを有する層として存在していることができる。
【００２８】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、光学要素は、何ヵ所かにおいてハウジングメインボディもしくはフィルタ媒体またはその両方に直接接触しており、すなわち、ハウジングメインボディの材料が光学要素の材料に直接接触していることができる。
【００２９】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、ハウジングメインボディは、透明または白色のプラスチックからなる。ハウジングメインボディがこのような材料である場合、紫外線放射（すなわち、特に、２００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内（両端値を含む）の波長を有する放射）によって、光損傷（photodamage）が生じることがある。このように、紫外線放射にさらされると、ハウジングメインボディの変色（例えば黄変）につながることがある。フィルタ媒体を使用することによって、このような材料をハウジングメインボディに使用することが可能になり、したがって、製造コストが下がる。
【００３０】
特に、フィルタ媒体を使用することによって、耐熱性の材料をハウジングメインボディに使用することが可能になる。耐熱性とは、本文書においては、ハウジングメインボディが、少なくとも１０秒間のはんだ付け時に発生する例えば少なくとも２４５℃の温度に、破壊することなく耐えることを意味する。このような材料は、例えば、ポリアミド、特に、ポリフタルアミド（略してＰＰＡ）、または充填剤もしくは安定剤またはその両方を含んだポリアミドである（ポリアミドは紫外線放射または青色放射に対して比較的低い安定性を示すのみである）。さらに、フィルタ媒体の使用によって、光損傷の発生を遅らせる高コストの充填剤を少なくとも一部分を省くことができる。
【００３１】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、フィルタ媒体は、膜（箔とも称する）の形をとる。膜の厚さは、１０μｍ〜１００μｍの範囲内（両端値を含む）、特に２５μｍ〜７５μｍの範囲内（両端値を含む）であることが好ましい。フィルタ媒体が膜であることは、フィルタ媒体が機械的に柔軟であることを意味する。言い換えれば、フィルタ媒体は、オプトエレクトロニクス半導体チップの例えば縁部の長さに対応する規模の範囲で曲がりうる。膜の形のフィルタ媒体は、機械的に自己支持性ではないものとすることが可能である。
【００３２】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、フィルタ媒体は、散乱媒体を含んでおり、散乱媒体は、可視放射に対して透過性または反射性であることが好ましい。散乱媒体は、粒子の形状であり、フィルタ媒体のマトリックス材料に埋め込まれていることが好ましい。
【００３３】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、フィルタ媒体は、可視光に対して透過性であり、特に透明である。言い換えれば、フィルタ媒体は、紫外線放射に対してとは異なり可視放射を弱めない、または大幅には弱めない。
【００３４】
以下では、本文書に記載する半導体部品について、図面を参照しながら例示的な実施形態に基づいてさらに詳しく説明する。個々の図面において同じ要素には同じ参照数字を付してある。要素間の関係は正しい縮尺では示しておらず、理解を助ける目的で個々の要素を誇張して大きく描いてある。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本明細書に記載したオプトエレクトロニクス半導体部品の例示的な実施形態の概略断面図を示している。
【図２】本明細書に記載したオプトエレクトロニクス半導体部品の例示的な実施形態の概略断面図を示している。
【図３】本明細書に記載したオプトエレクトロニクス半導体部品の例示的な実施形態の概略断面図を示している。
【図４】本明細書に記載したオプトエレクトロニクス半導体部品の例示的な実施形態の概略断面図を示している。
【図５】本明細書に記載したオプトエレクトロニクス半導体部品の例示的な実施形態の概略断面図を示している。
【図６】本明細書に記載したオプトエレクトロニクス半導体部品の例示的な実施形態の概略断面図を示している。
【図７】二酸化チタンの反射率を波長の関数として概略的に示している。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
図１は、オプトエレクトロニクス半導体部品１の例示的な実施形態を示している。ハウジングメインボディ２（例えば、射出成形された反射性の白色プラスチック材料によって形成されている）は、凹部１０を備えている。この凹部１０の中に、オプトエレクトロニクス半導体チップ３（例えば発光ダイオード）が実装されている。図を簡潔にするため、半導体チップ３が実装されている電気コンタクトやリードフレームは図示していない。
【００３７】
ハウジングメインボディ２の凹部１０は、ポッティング部６によって完全に満たされていることが好ましく、したがって、半導体チップ３がポッティング部６とハウジングメインボディ２とによって完全に囲まれている。フィルタ媒体４（フィルタ粒子の形で存在することができる）は、ポッティング部６に均一に混合されていることが好ましい。フィルタ媒体４は、半導体チップ３によって放出される一次放射の紫外線放射成分（略してＵＶ放射成分）を吸収する。これにより、一次放射のＵＶ放射成分がハウジングメインボディ２に達することが防止される、または、ハウジングメインボディ２に達する一次放射のＵＶ放射成分が少なくとも大幅に減少する。このようにすることで、例えば、ハウジングメインボディ２のプラスチックの変色が防止される、または発生が遅らされる。ＵＶ放射成分は、半導体チップ３によって放出される全放射のうちのわずかな割合を占めるにすぎない。特に、半導体チップ３によって放出される可視放射成分は、影響されずに、または実質的に影響されずに、フィルタ媒体４を有するポッティング部６を通過できることが好ましい。
【００３８】
図２による例示的な実施形態においては、フィルタ媒体４は、エピタキシャル層１３の形をとっている。フィルタ媒体４は、半導体チップ３と一体に形成することができる（図２に破線によって示してある）。「一体に」とは、フィルタ媒体４が、接着剤を使用することなく半導体チップ３に機械的にしっかりと接合されていることを意味する。例えば、フィルタ媒体４は、半導体チップ３の、エピタキシャル成長させた半導体材料に直接接触している。
【００３９】
フィルタ媒体４を備えた半導体チップ３は、図２においても、ハウジングメインボディ２の凹部１０の中に位置している。断面図において凹部１０の側面境界が直線状である図１とは異なり、図２によると、凹部１０の側面境界は湾曲している。凹部１０の側面境界は、反射体としての役割を果たすことができ、半導体チップ３によって放出される放射を所望の様式で反射する。
【００４０】
図３は、フィルタ媒体４が半導体チップ３の上に層の形で配置されている形態を示している。このフィルタ媒体４は、二酸化チタンを含んでいる、または二酸化チタンからなることが好ましい。フィルタ媒体４は、例えば、スパッタリングによって、または気相蒸着によって形成されている。さらに、フィルタ媒体４および半導体チップ３は、シリコン含有層８によって封止されている。シリコン含有層８（例えば二酸化ケイ素、窒化ケイ素、シリコーン、またはガラス）は、フィルタ媒体４の（すなわち特に二酸化チタンの）光反応性を抑制する。凹部１０の上に突き出しているポッティング部６は、例えば収束レンズの形としての光学要素を形成している。図３に示した形態のバリエーションとして、光学要素７は、フレネルレンズの形をとることもできる。
【００４１】
図４Ａによる例示的な実施形態においては、ハウジングメインボディ２と半導体チップ３との間にミラー１１が配置されており、このミラーは、半導体チップ３によって放出される一次放射に対する反射作用を有する。凹部１０の側面境界はフィルタ媒体４によって覆われており、フィルタ媒体４は側面境界に層として設けられている。この層は、例えば、印刷されている、あるいは気相蒸着またはスパッタリングによって形成されている。フィルタ媒体４は、半導体チップ３によって放出される一次放射のうち可視スペクトル領域の波長を有する成分に対して、反射作用を有することが好ましい。
【００４２】
図４Ａにおいては、凹部１０の底面（半導体チップ３およびミラー１１が上に実装されている）は、フィルタ媒体４によって覆われていない、または実質的に覆われていないが、図４Ｂによる例示的な実施形態はこれと異なる。図４Ｂによると、さらに、半導体チップ３が凹部１０の底面から比較的大きな距離にある。半導体チップ３と凹部１０の底面との間には、中間支持体１２が配置されており、中間支持体１２は、例えば結合台（connection platform）の形をとる。この形状構造では、一次放射のＵＶ放射成分がハウジングメインボディ２に達することが特に効果的に阻止される。
【００４３】
図５によると、ハウジングメインボディ２は、導体トラック（図示していない）を有するプリント基板によって形成されており、プリント基板の上に半導体チップ３が貼り付けられている。フィルタ媒体４は、好ましくは機械的に自己支持性の薄層５によって形成されており、薄層５は、例えば１０μｍ〜１００μｍの範囲内の厚さを有する。フィルタ媒体４は、一次放射のＵＶ放射成分が、光学要素７として構成されているポッティング部６に達することを阻止し、光学要素７は、平面的なハウジングメインボディ２と協働して、半導体チップ３を完全に囲んでいる。
【００４４】
フィルタ媒体４を機械的に自己支持性の薄層５として構成する代わりに、例えば図３〜図５に示した構造とは異なり、フィルタ媒体４は、機械的に柔軟性のある膜の形をとることができる。さらには、半導体チップまたは実際には凹部１０の境界面の上、またはハウジングメインボディ２の境界面の上に、特に、酸化チタンまたは酸化亜鉛を混合したシリコーンペーストの形で、フィルタ媒体を設けることも可能である。この場合、ペーストを、特に熱硬化させることができる。
【００４５】
図６による例示的な実施形態においては、フィルタ媒体４は、ハウジングメインボディ２と協働して、半導体チップ３を完全に囲んでいる。オプションとして、半導体チップ３とハウジングメインボディ２との間にミラー１１を配置することができる（図６には示していない）。
【００４６】
図６のバリエーションとして、フィルタ媒体４は、レンズの形で半導体チップ３を囲んでいることもできる。このような形態は、例えば、液滴プロセスによってフィルタ媒体４を設けることによって形成される。フィルタ媒体４のマトリックス材料は、例えば、ポッティング部６に合致する（matched to）材料とし、これらの材料が互いに良好に接合するようにすることができる。
【００４７】
図７は、二酸化チタンの反射率Ｒのプロファイルを波長λの関数として示している。約４００ｎｍ以下では、二酸化チタンの反射率は大きく低下する。特に、多重反射の場合、例えば、複数のフィルタ粒子をフィルタ媒体４が備えており一次放射が繰り返し反射される場合、４００ｎｍ以下の波長を有するＵＶ放射成分を、このようなフィルタ媒体４によって一次放射から効果的に除去することができる。反射されないＵＶ放射成分は、特に二酸化チタンによって吸収される。
【００４８】
フィルタ媒体のフィルタ粒子を散乱粒子と組み合わせて使用することが可能である。ルミネセンス材料（例えばセリウムをドープしたイットリウムアルミニウムガーネットをベースとする）を、ポッティング部もしくはフィルタ媒体またはその両方に混合することができ、このルミネセンス材料は、一次放射の青色放射成分を、部分的または完全に、より長い波長の放射に変換するように設計されている。
【００４９】
例えば、半導体チップ３は、約４４４ｎｍの波長において最大の放射放出を示し、全光出力は約０．４１０５Ｗであり、４００ｎｍ以下の放射出力は最大で０．００６４Ｗである。したがって、全光出力に占める紫外線放射の割合は約１．６％である。約４５０ｎｍの波長においては、全光出力が約０．３９０２Ｗ、ＵＶ成分が約０．００４７Ｗであり、約４５７ｎｍの波長では、約０．３９５６Ｗの全光出力に対して例えばＵＶ領域の光出力が約０．００２５Ｗであり、約４６５ｎｍの波長では、約０．３３５３Ｗの全光出力に対して紫外スペクトル領域の光出力が約０．００１３Ｗである。
【００５０】
ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。
【関連出願】
【００５１】
本特許出願は、独国特許出願第１０２００９０２５２６６．５号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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