(57)【要約】高透過性接地電極を用いて引き出されるイオンビームの品質を改善するための技術を開示する。特定の例示的実施態様では、その技術はイオン注入装置として実現することができる。その装置は、イオンビームを生成するイオン源を備えることができ、イオン源は、イオンビームが通るアパーチャーを有するフェースプレートを備える。その装置は、少なくとも抑制電極及び高透過性接地電極を備える、一組の引き出し電極も備えることができ、該一組の引き出し電極は、イオンビームをイオン源からフェースプレートを通って引き出すことができ、高透過性接地電極は、引き出されるイオンビームの品質を改善するために、抑制電極と高透過性接地電極との間のガス伝導率を最適にするように構成することができる。
2012517688.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンビームの品質を改善する装置であって、
イオンビームを生成し、該イオンビームが通るアパーチャーを有するフェースプレートを備えているイオン源と、
少なくとも抑制電極及び高透過性接地電極を備える、一組の引き出し電極と、
を備え、該一組の引き出し電極は、前記イオンビームを前記イオン源から前記フェースプレートを通って引き出し、前記高透過性接地電極は、引き出されるイオンビームの品質を改善するために、前記抑制電極と前記高透過性接地電極との間のガス伝導率を最適にするように構成される、イオンビームの品質改善装置。
【請求項２】
前記高透過性接地電極は、全体の高さＨと、１つ以上のスロット部分と、基部の角度θと、スロットの角度δとを有するように構成され、
前記全体の高さは、基部の高さｙがスロットの高さｘより低く、基部の高さ対スロットの高さの比ｙ／ｘが１以下となるような、前記基部の高さｙと前記スロットの高さｘとから成る、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記基部の角度θは２０°である、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記基部の角度θは２０°より大きい、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記基部の角度θは４０°である、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記高透過性接地電極は、単一スロットを有する高透過性接地電極又は二重スロットを有する高透過性接地電極である、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記イオン源は、先細り構成を有するハウジングに入れられる、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記フェースプレートは、突き出したフェースプレートである、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記抑制電極は、突き出した抑制電極である、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記高透過性接地電極は、該高透過性接地電極の内部に安定なプラズマ境界を画定するために、前記高透過性接地電極の１つ以上の引き出しスロットの近くに位置付けられた１つ以上のアンカー部分をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
イオンビームの品質を改善する方法であって、
イオンビームを生成するプラズマ発生器と、前記イオンビームが通るアパーチャーを有するフェースプレートとを備えた、イオン源を用意するステップと、
少なくとも抑制電極及び高透過性接地電極を備える、一組の引き出し電極を用意するステップと、
を含み、該一組の引き出し電極は、前記イオンビームを前記イオン源から前記フェースプレートを通って引き出し、前記高透過性接地電極は、イオンビームの品質を改善するために、前記抑制電極と前記高透過性接地電極との間のガス伝導率を最適にするように構成される、イオンビームの品質を改善する方法。
【請求項１２】
前記高透過性接地電極は、全体の高さＨと、１つ以上のスロット部分と、基部の角度θと、スロットの角度δとを有するように構成され、
前記全体の高さは、基部の高さｙがスロットの高さｘより低く、基部の高さ対スロットの高さの比ｙ／ｘが１以下となるような、前記基部の高さｙと前記スロットの高さｘとから成る、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記基部の角度θは２０°である、請求項１２に記載のイオンビームの品質を改善する方法。
【請求項１４】
前記基部の角度θは２０°より大きい、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記基部の角度θは４０°である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記高透過性接地電極は、単一スロットの高透過性接地電極又は二重スロットの高透過性接地電極である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記イオン源は、先細り構成を有するハウジングに入れられる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記フェースプレートは、突き出したフェースプレートである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
前記抑制電極は、突き出した抑制電極である、請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
前記高透過性接地電極は、該高透過性接地電極の内部に安定なプラズマ境界を画定するために、前記高透過性接地電極の１つ以上の引き出しスロットの近くに位置付けられた１つ以上のアンカー部分をさらに備える、請求項１１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置に関し、特に、高透過性電極を用いて引き出されるイオンビームの品質を改善する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
イオン注入は、基板を励起イオンで直接照射することにより、化学種を基板に堆積するプロセスである。半導体製造において、ターゲット材料の導電型及び導電レベルを変えるドーピングプロセスのために、主としてイオン注入機が用いられる。集積回路（IC）基板及びその薄膜構造の正確なドーピングプロファイルは、適切なIC性能に極めて重要であることがよくある。所望のドーピングプロファイルを達成するために、１つ以上のイオン種を異なるドーズ量で、且つ、異なるエネルギーレベルで注入することができる。
【０００３】
図１は、従来のイオン注入システム１００を示す。イオン注入機１００は、電源１０１、イオン源１０２、引き出し電極１０４、９０°マグネットアナライザ１０６、第１の減速（D1）ステージ１０８、７０°マグネットアナライザ１１０、第２の減速（D2）ステージ１１２を含む。D1及びD2の減速ステージ（「減速レンズ」としても知られる）は、各々、イオンビーム１０を通過させる規定のアパーチャーを有する多数の電極を備える。電位の異なる組み合わせを多数の電極に印加することにより、D1及びD2の減速レンズは、イオンエネルギーを操作して、イオンビーム１０を所望のエネルギーでターゲットワークピース１１４に当てることができる。イオンビームの状態をモニターし制御するために、多くの測定装置１１６（例えば、ドーズ量制御ファラデーカップ、トラベリングファラデーカップ又はセットアップファラデーカップ）を用いることができる。
【０００４】
イオン源１０２及び引き出し電極１０４は、イオン注入システム１００の重要な構成部品である。イオン源１０２及び引き出し電極１０４は、様々に異なるイオン種及び引き出し電圧に対し、安定した信頼できるイオンビーム１０を発生させるのに必要とされる。
【０００５】
図２は、従来のイオン源及び引き出し電極の構成２００を示す。従来のイオン源及び引き出し電極の構成２００の概略図である図２を参照するに、イオン源１０２は、ハウジング２０１内に設けられる。イオン源１０２は、引き出し電極１０４がイオン源１０２内のプラズマからイオンを引き出すことができるアパーチャーを有するフェースプレート２０３を備えている。引き出し電極１０４は、抑制電極２０５及び接地電極２０７を有する。図２に示すように、抑制電極２０５及び接地電極２０７は、高エネルギー（例えば、＞２０keV）注入用途用の大スロットと、低エネルギー（例えば、＜２０keV）注入用途用の小スロットとの異なるスロット寸法の二重スロットとすることがよくある。
【０００６】
なお、真空ポンピングの方向を表わすために、図２に矢印を示す。矢印で示すような真空ポンピングは、イオンビーム引き出しのための抑制電極２０５と接地電極２０７との間の安定なイオンビーム引き出し操作のために、圧力レベルを十分低くするのに必要とされる。
【０００７】
図３Ａ及び図３Ｂは、従来の接地電極２０７を示す。図３Ａは、従来の接地電極２０７の３次元図３００Ａを示す。この例では、接地電極２０７を、第１のスロット３０９ａと第２のスロット３０９ｂとを有する二重スロットとしている。図３Ｂは、従来の接地電極２０７の断面図３００Ｂを示す。接地電極２０７は、基部の高さｂ及びスロットの高さａを含む全体の高さがＨである。接地電極２０７は、基部の角度α及びスロットの角度βも有する。従来の接地電極２０７では、基部の高さｂはスロットの高さａより高く、基部の高さ対スロットの高さの比率は、ｂ／ａ＞１として表わすことができる。
【０００８】
従来のイオン注入に目下存在している課題は、イオン源１０２からの引き出し電流が増加するにつれて、ターゲットワークピース１１４にて望ましくないビーム形状が観察されることにある。この望ましくないビーム形状は、イオンビーム１０の均一性を究極的に減少する「ビームウイッグル」（”beam wiggles”）をもたらす。この課題は、イオン源１０２内部のプラズマの不安定性及び／又はプラズマの振動に関連するけれども、引き出し電極１０４は、重要な役割を果たし、その課題を増大させることになる。例えば、引き出し電極１０４での機械的不完全性及び高いバックグラウンド圧力が「ビームウイッグル」を増幅させてイオンビームの品質を劣化させ得る。
【０００９】
図４は、引き出しイオンビームプロファイルの例示的グラフ４００を示す。この例では、ウイッグル状の引き出しイオンビームプロファイル４１０を示す。理想的な引き出しイオンビームプロファイル４２０は、破線で示すように与えられる。ウイッグル状の引き出しイオンビームプロファイル４１０及び理想的な引き出しイオンビームプロファイル４２０は、共に、類似のプロファイルを有するけれども、理想的な引き出しイオンビームプロファイル４２０は、ターゲットに高品質イオンビームとして輸送し且つ調整することができるスムースなプロファイルを有する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記のように、引き出し電極１０４により生成され及び／又は増幅される「ビームウイッグル」は、ターゲットワークピース１１４に、イオンビーム１０の劣化したビーム均一性及び低品質をもたらし得る。イオンビームの品質を向上するためには、引き出しイオンビームプロファイル４１０の「ビームウイッグル」を、理想的な引き出しイオンビームプロファイル４２０にもっと酷似するように減少させるべきである。しかしながら、従来のシステム及び方法は、引き出しイオンビームプロファイルにおける「ビームウイッグル」を減少させる適切な解を提供していない。
【００１１】
上述を考慮するに、現状のイオンビームの引き出し技術に関連する重大な問題及び欠点があることが分る。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
高透過性接地電極を用いて引き出されるイオンビームの品質を改善するための技術を開示する。特定の例示的実施態様では、その技術はイオン注入装置として実現することができる。その装置は、イオンビームを生成するイオン源を備えることができ、イオン源は、イオンビームが通るアパーチャーを有するフェースプレートを備える。その装置は、少なくとも抑制電極及び高透過性接地電極を備える、一組の引き出し電極も備えることができ、該一組の引き出し電極は、前記イオンビームを前記イオン源から前記フェースプレートを経て引き出すことができ、高透過性接地電極は、引き出されるイオンビームの品質を改善するために、前記抑制電極と高透過性接地電極との間のガス伝導率を最適にするように構成することができる。
【００１３】
本特定例示的実施態様の他の側面によれば、前記高透過性接地電極は、全体の高さＨと、１つ以上のスロット部分と、基部の角度θと、スロットの角度δとを有するように構成され、前記全体の高さは、基部の高さｙがスロットの高さｘより低く、基部の高さ対スロットの高さの比ｙ／ｘが１以下となるような、前記基部の高さｙと前記スロットの高さｘとから成ることができる。
【００１４】
本特定例示的実施態様のさらなる側面によれば、前記基部の角度θは２０°にすることができる。
【００１５】
本特定例示的実施態様の追加の側面によれば、前記基部の角度θは４０°のような２０°より大きくすることができる。
【００１６】
本特定例示的実施態様の他の側面によれば、前記高透過性接地電極は、単一スロットの高透過性接地電極又は二重スロットの高透過性接地電極にしてもよい。
【００１７】
本特定例示的実施態様のさらなる側面によれば、前記イオン源は、先細り構成を有するハウジングに入れられてもよい。
【００１８】
本特定例示的実施態様の追加の側面によれば、前記フェースプレートは、突き出したフェースプレートであってもよい。
【００１９】
本特定例示的実施態様の他の側面によれば、前記抑制電極は、突き出した抑制電極であってもよい。
【００２０】
本特定例示的実施態様のさらなる側面によれば、前記高透過性接地電極は、該高透過性接地電極の内部に安定なプラズマ境界を画定するために、前記高透過性接地電極の１つ以上の引き出しスロットの近くに位置付けられた１つ以上のアンカー部分をさらに備えてもよい。
【００２１】
別の特定例示的実施態様では、イオンビームの品質を改善する方法として、技術を実現することができる。該イオンビームの品質を改善する方法は、イオンビームを生成するプラズマ発生器と、前記イオンビームが通るアパーチャーを有するフェースプレートとを備えた、イオン源を用意するステップを有することができる。該イオンビームの品質を改善する方法は、少なくとも抑制電極及び高透過性接地電極を備える、一組の引き出し電極を用意するステップも有することができ、該一組の引き出し電極は、前記イオンビームを前記イオン源から前記フェースプレートを通って引き出すことができ、前記高透過性接地電極は、イオンビームの品質を改善するために、前記抑制電極と前記高透過性接地電極との間のガス伝導率を最適にするように構成されることができる。
【００２２】
本発明を、添付図面に示すその例示的実施態様を参照しながら、より詳細に説明する。以下では、例示的実施態様を参照しながら本発明を説明するが、本発明はそれらに限定されないことを理解すべきである。本明細書の教示にアクセスする当業者は、追加的な実施、変更及び実施態様を認識するほかに、本明細書で説明される本発明の範囲内であり、本発明が顕著な有用性を有することに関する他の利用分野についても認識するであろう。
【００２３】
本開示のより完全な理解を促進するために、同様の要素に同様の番号を付けてある添付図面を参照する。これらの図は、本発明を限定するものと解釈すべきでなく、例示に過ぎないことを意図している。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】従来のイオン注入システムを示す図である。
【図２】従来のイオン源及び引き出し電極の構成を示す図である。
【図３Ａ】従来の接地電極を示す図である。
【図３Ｂ】従来の接地電極を示す図である。
【図４】ウイッグル状の引き出しイオンビームプロファイル及び理想的な引き出したイオンビームプロファイルの例示的グラフを示す図である。
【図５】本発明の例示的実施形態による、イオン源及び引き出し電極の構成を示す図である。
【図６Ａ】本発明の例示的実施形態による、二重スロットの高透過性接地電極の図である。
【図６Ｂ】本発明の例示的実施形態による、二重スロットの高透過性接地電極の図である。
【図７】本発明の別の例示的実施形態による、イオン源及び引き出し電極の構成を示す図である。
【図８】本発明の別の例示的実施形態による、イオン源及び引き出し電極の構成を示す図である。
【図９】本発明の別の例示的実施形態による、アンカーを用いる高透過性接地電極を有するイオン源及び引き出し電極の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明の実施形態は、高透過性電極を用いることにより引き出されるイオンビームの品質を改善する。もっと具体的に言うと、イオン源及び引き出し電極用の様々な幾何学的スキーム及び／又は構成により、引き出しイオンビームのプロファイルにおける「ビームウイッグル」を減少するために改善した真空の特性を提供して、イオンビーム全体の品質を改善することができる。
【００２６】
図５は、本発明の例示的実施形態による、イオン源及び引き出し電極の構成５００を示す。イオン源及び引き出し電極の構成５００の概略図を示す図５を参照するに、イオン源５０２はハウジング５０１内に設けることができる。イオン源５０２は、引き出し電極５０４がイオン源５０２内のプラズマからイオンを引き出すことができるアパーチャーを有するフェースプレート５０３を備える。引き出し電極５０４は、少なくとも抑制電極５０５及び接地電極５０７を有する。
【００２７】
図５に示すように、いくつかの実施形態では、抑制電極５０５及び接地電極５０７は、二重スロットとすることができる。なお、この例では、単一スロットを、高エネルギー（例えば、＞２０keV）イオン注入用途用にすることができ、別のスロットは、低エネルギー（例えば、＜２０keV）イオン注入アプリケーション用にすることができる。しかしながら、前記従来の接地電極２０７とは違って、図５の接地電極５０７は、引き出し領域（例えば、抑制電極５０５と接地電極５０７との間の領域）におけるガス伝導率を最適にする形状を有する高透過性の接地電極５０７とするのがよい。なお、真空ポンピングの方向を表わすために、図５に大きい矢印を示す。大きい矢印で示すように、高透過性接地電極５０７を用いることにより、引き出し領域（例えば、大きい開口部面積により）における、ターボポンプ（図示せず）（垂直方向）及びアナライザマグネット（図示せず）（水平方向）の方向のガス伝導率を改善することができる。
【００２８】
図６Ａ及び図６Ｂは、本発明の例示的実施形態による、高透過性接地電極５０７の図を示す。例えば、図６Ａは、本発明の例示的実施形態による、高透過性接地電極５０７の３次元図６００Ａを示す。図６Ａの高透過性接地電極５０７は、第１のスロット６０９ａ及び第２のスロット６０９ｂを有する二重スロットの高透過性接地電極５０７とすることができる。
【００２９】
しかしながら、前記従来の接地電極２０７とは違って、図６Ａ及び図６Ｂの二重スロットを有する高透過性接地電極５０７は、引き出し領域での、特に、抑制電極５０５と二重スロットの高透過性接地電極５０７との間の領域での、ガス伝導率を改善した寸法を有することができる。特に、二重スロットの高透過性接地電極５０７は、基部をかなり縮小することができる。図６Ｂは、二重スロットの高透過性接地電極５０７の断面図６００Ｂを示す。本例では、二重スロットの高透過性接地電極５０７の全体の高さは、基部の高さｙとスロットの高さｘとを含むＬとすることができる。二重スロットの高透過性接地電極５０７は、基部の角度θ及びスロットの角度δも有する。いくつかの実施形態では、基部の角度θを２０°にすることができる。なお、基部の高さｙはスロットの高さｘより低い。従って、基部の高さ対スロットの高さの比率は、ｙ／ｘ＜１として表わすことができる。なお、いくつかの実施形態では、スロットの角度δも同様に小さくすることができる。
【００３０】
上記の二重スロットの高透過性接地電極５０７は、ガス伝導率が向上した形状を有する。もっと具体的に言うと、接地電極５０７の総体積が減少し、従って、効果的な真空ポンピングのためのスペースをより多くし、ガス伝導率を向上させることができる。さらに、既存のシステムに、追加の変更及び／又は修正を加えることなく、二重スロットの高透過性接地電極５０７を利用することができる。従って、二重スロットの高透過性接地電極５０７を用いることにより、ガス伝導率を最適化し、引き出されるイオンビームの品質を改善する、費用効率の高い方法を提供することができる。
【００３１】
図７は、本発明の別の例示的実施形態による、イオン源及び引き出し電極の構成７００を示す。図５と同様に、図７は、イオン源及び引き出し電極の構成７００の概略図を示す。ここで、イオン源７０２はハウジング７０１内に設けることができる。イオン源７０２は、引き出し電極７０４がイオン源７０２内のプラズマからイオンを引き出すことができるアパーチャーを有するフェースプレート７０３を備える。引き出し電極７０４は、抑制電極７０５及び高透過性接地電極７０７を有する。
【００３２】
しかしながら、図５とは違って、図７の抑制電極７０５及び高透過性接地電極７０７は、単一のスロットにすることができる。上記と同様の理由により、このような形状の構成により、引き出し領域でのガス伝導率を最適にすることができる。
【００３３】
なお、ポンピングの方向を表わすために、図７に大きい矢印を示す。大きい矢印で示すように、単一スロットの高透過性接地電極７０７を用いることにより、引き出し領域（例えば、抑制電極７０５と接地電極５０７との間の領域）における、ターボポンプ（図示せず）（垂直方向）及びアナライザマグネット（図示せず）（水平方向）の方向のガス伝導率を改善することができる。図５と同様に、単一スロットの構成では高透過性接地電極７０７の総体積を減らすことができ、従って、効果的な真空ポンピングのためのスペースをより多くし、イオンビームのプロファイルを改善することができる。
【００３４】
様々な追加の幾何学的形状の構成を提供することもできる。例えば、図８は、本発明の別の例示的実施形態による、イオン源及び引き出し電極の構成８００を示す。図７と同様に、図８は、イオン源及び引き出し電極の構成８００の概略図を示す。本例では、イオン源８０２をハウジング８０１内に設けることができる。イオン源８０２は、引き出し電極８０４がイオン源８０２内のプラズマからイオンを引き出すことができるアパーチャーを有するフェースプレート８０３も備える。引き出し電極８０４は、抑制電極８０５及び今度は単一スロットの接地電極８０７を備える。
【００３５】
しかしながら、図７と違って、図８のハウジング８０１、フェースプレート８０３、抑制電極８０５及び接地電極８０７は、各々、異なる幾何学的スキーム及び／又は構成を有することができる。例えば、ハウジング８０１は、先細り構成（例えば、先細り山高帽の構成）とすることができ、フェースプレート８０３、抑制電極８０５及び接地電極８０７の各々は、突き出した構成とすることができる。上記と同様の理由により、これらの様々な幾何学的形状の構成が、独立に又は全体で、ガス伝導率を最適にし、引き出しイオンビームのプロファイルを改善することができる。
【００３６】
従来の構成（例えば、先細りでない構成）とは対照的に、先細りのハウジング８０１は、フェースプレート８０３と抑制電極８０５との間のガス伝導率を改善することができる。先細りの形状により、ガス伝導率のためのスペースをより多くすることができ、従って、改善引き出しイオンビームの品質のために、ガス圧を最小にすることができる。突き出したフェースプレート８０３により、フェースプレート８０３と抑制電極８０５との間のガス伝導率を改善することもできる。
【００３７】
本発明の例示的実施形態によれば、突き出したイオン源のフェースプレート８０３を提供することができる。本例では、従来の平面的構造ではなく、突き出したフェースプレート８０３の引き出しアパーチャーが引き出し電極の方へ「突き出るす」ように、突き出したフェースプレート８０３を傾斜させるのがよい。
【００３８】
なお、突き出したフェースプレート８０３のビーム光学は、従来のフェースプレートのビーム光学と同じ又は似ているのに、突き出したフェースプレート８０３の形状により、改善された幾何学的形状を提供することができる。結局、突き出した形状により、ガス伝導率を改善するためにより多くのスペースを提供することができ、従って、引き出しイオンビームの品質を改善するために、ガス圧を低くすることができる。
【００３９】
図８に戻るに、突き出した引き出し電極８０４により、フェースプレート８０３と抑制電極８０５との間のガス伝導率を改善することもできる。例えば、突き出した抑制電極８０５は、フェースプレート８０３の方へ更に延在させて、フェースプレート８０３と抑制電極８０５との間の領域におけるガス伝導率を改善することができる。
【００４０】
さらに、この構成で、同様にガス伝導率を改善するために、高透過性接地電極８０７を突き出し、且つ広げることができる。例えば、図８では、高透過性接地電極８０７の基部の角度θ’を広げることもできる。いくつかの実施形態では、広げた基部の角度θ’は、以前の実施形態の基部の角度θの２倍にすることができる。例えば、一実施形態では、基部の角度θ’を４０°にすることができる。他の様々な実施形態も提供することができる。
【００４１】
突き出して広げた高透過性接地電極８０７を用いることにより、抑制電極８０５と接地電極８０７との間の領域におけるガス伝導率を改善することができる。なお、ガス伝導率の改善は、アナライザマグネット（図示せず）に向かう（水平）方向にも与えることができる。
【００４２】
なお、引き出し領域（例えば、抑制電極８０５と高透過性接地電極８０７との間）における圧力分布を変えるために、アンカーを高透過性接地電極８０７に設けることもできる。例えば、図９は、イオン源及び本発明の別の例示的実施形態による、アンカー９０９を用いる高透過性接地電極９０７を有する引き出し電極の構成９００を示す。いくつかの実施形態では、アンカー９０９を用いる高透過性接地電極９０７により、接地電極９０７の引き出しスロットの内部に安定プラズマ境界をより良く画定することができる。他の実施形態では、アンカー９０９を用いる高透過性接地電極９０７により、引き出しイオンビームの経路の下流領域に圧力勾配を与えることができる。これにより、抑制電極９０５と高透過性接地電極９０７との間の圧力を増大させることができ、高透過性接地電極９０７内及び更に下流の領域における圧力を減少させることができる。
【００４３】
本発明の実施形態は、イオン源及び引き出し電極でのガス伝導率を最適化することにより、引き出されるイオンビームの品質を改善することができる。これらの技術により、引き出されるイオンビームのプロファイルにおける「ビームのウイッグル」を、別々に、又は、直結的に減少させることができる。そうすることで、イオンビームの形状を所望に補正をすることができる。もっと具体的に言えば、イオンビームのより高い均一性、信頼性及び予測可能性を達成することができ、イオン注入プロセスの向上をもたらすことができる。
【００４４】
なお、特定の幾何学的構成（例えば、突き出した形状、サイズ、角度／比率の変化等）につき説明してきたが、ガス伝導率を改善し、イオンビーム品質を改善するために他の幾何学的形状も提供することができる。
【００４５】
なお、本発明のこれらの実施形態は、特定の、形状、断面形状、個数、角度及びサイズを有するとして説明したが、他の様々な、形状、断面形状、個数、角度及びサイズも考慮することができる。
【００４６】
なお、本発明の実施形態は、単一スロット又は二重スロットを有する高透過性電極の構成を対象としたが、他の様々な構成を提供することもできる。例えば、より少ない数のスロット又はより多い数のスロットを有する高透過性電極の構成（例えば、単一の、多数の又はセグメント化した電極）を提供することもできる。
【００４７】
なお、上記の実施形態の幾何学的構成の作用は、イオン源及び引き出し電極の構成に限定すべきではない。例えば、上記の様々な技術及び幾何学的構成は、他のイオン注入の構成部品にも同様に適用することができる。
【００４８】
なお、本発明の実施形態は、ガス伝導率及び引き出しイオンビームの品質を改善することを対象としたが、他の実施にも同様に提供することができる。例えば、イオン源及び引き出し電極の様々な幾何学的構成を利用するために本発明が開示した技術は、電気偏向及び／又は磁気偏向を用いる他の様々なイオン注入システム又は任意の他のビーム視準システムにも適用することができる。他の様々な実施形態も提供することができる。
【００４９】
本発明の開示は、本明細書で説明した特定の実施形態による範囲に限定すべきではない。実際に、本明細書で説明した特定の実施形態に加えて、本発明の開示に対する他の様々な実施形態及び変更は、前述の説明及び添付図面から当業者には明らかである。従って、そのような他の実施形態及び変更は、本発明の開示の範囲内にあることを意図している。さらに、本発明の開示は、特定の目的のための特定の状況での特定の実施の文脈で、本明細書において説明しているけれども、当業者は、その有用性がそれらに限定されず、本発明の開示が任意の数の目的のための任意の数の状況で有益に実施することができることを認めるであろう。従って、以下に示す特許請求の範囲は、本明細書で説明した本発明の開示の全容及び精神に鑑みて解釈すべきである。
【図１】
2012517688.tif 000003
【図２】
2012517688.tif 000004
【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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