(57)【要約】ＡＬＤ及びＭＯＣＶＤ法などの薄膜堆積プロセスに使用される前駆体材料を保持するための前駆体ソース容器を記載する。特に、該容器は、液体前駆体又は溶解前駆体溶液及び濯ぎ溶媒の両方を別個のチャンバに保持し、総体的なスペース要件を削減している。一態様において、シリンダー内シリンダーの配置が、二つの別個のチャンバ、すなわち一つは前駆体溶液用、もう一つは濯ぎ溶媒用のチャンバを提供している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
堆積プロセスで使用するための容器であって、前記容器は二つの別個のチャンバを含み、第一のチャンバは液体前駆体溶液を保持するように構成され、第二の容器は濯ぎ溶液を保持するように構成されている容器。
【請求項２】
堆積プロセスが原子層堆積法又は有機金属気相成長法である、請求項１に記載の容器。
【請求項３】
液体前駆体溶液が、溶媒又は溶媒混合物中に溶解されたハロゲン化物、アルコキシド、β−ジケトナート、ナイトレート、アルキルアミド、アミジナート、シクロペンタジエニル、又はその他の有機もしくは無機金属又は非金属化合物である、請求項１に記載の容器。
【請求項４】
溶媒が、ジオキサン、トルエン、ｎ−ブチルアセテート、オクタン、エチルシクロヘキサン、２−メトキシエチルアセテート、シクロヘキサノン、プロピルシクロヘキサン、２−メトキシエチルエーテル（ジグリム）、ブチルシクロヘキサン又は２，５−ジメチルオキシテトラヒドロフランである、請求項３に記載の容器。
【請求項５】
液体前駆体溶液が、溶媒又は溶媒混合物中に溶解されたＨｆ［Ｎ（ＥｔＭｅ）］４、Ｈｆ（ＮＯ３）４、ＨｆＣｌ４、ＨｆＩ４、［（ｔ−Ｂｕ）Ｃｐ］２ＨｆＭｅ２、［（ｉ−Ｐｒｏｐ）Ｃｐ］３Ｌａ、Ｈｆ（Ｏ２Ｃ５Ｈ１１）４、Ｃｐ２ＨｆＣｌ２、Ｈｆ（ＯＣ４Ｈ９）４、Ｈｆ（ＯＣ２Ｈ５）４、Ａｌ（ＯＣ３Ｈ７）３、Ｐｂ（ＯＣ（ＣＨ３）３）２、Ｚｒ（ＯＣ（ＣＨ３）３）４、［（ｔ−Ｂｕ）Ｃｐ］２ＺｒＭｅ２、Ｔｉ（ＯＣＨ（ＣＨ３）２）４、［（ｔ−Ｂｕ）Ｃｐ］２ＴｉＭｅ２、Ｂａ（ＯＣ３Ｈ７）２、Ｓｒ（ＯＣ３Ｈ７）２、Ｂａ（Ｃ５Ｍｅ５）２、Ｓｒ（Ｃ５ｉ−Ｐｒ３Ｈ２）２、Ｔｉ（Ｃ５Ｍｅ５）（Ｍｅ３）、Ｂａ（ｔｈｄ）２＊トリグリム、Ｓｒ（ｔｈｄ）２＊トリグリム、Ｔｉ（ｔｈｄ）３、ＲｕＣｐ２、Ｔａ（ＮＭｅ２）５又はＴａ（ＮＭｅ２）３（ＮＣ９Ｈ１１）である、請求項１に記載の容器。
【請求項６】
溶媒が、ジオキサン、トルエン、ｎ−ブチルアセテート、オクタン、エチルシクロヘキサン、２−メトキシエチルアセテート、シクロヘキサノン、プロピルシクロヘキサン、２−メトキシエチルエーテル（ジグリム）、ブチルシクロヘキサン又は２，５−ジメチルオキシテトラヒドロフランである、請求項５に記載の容器。
【請求項７】
前駆体溶液が、エチルシクロヘキサン又はオクタン中に溶解されたアルミニウムｉ−プロポキシド；エチルシクロヘキサン又はオクタン中に溶解された［（ｔ−Ｂｕ）Ｃｐ］２ＨｆＭｅ２；エチルシクロヘキサン又はオクタン中に溶解された［（ｔ−Ｂｕ）Ｃｐ］２ＺｒＭｅ２；エチルシクロヘキサン又はオクタン中に溶解された［（ｉ−Ｐｒｏｐ）Ｃｐ］３Ｌａ；エチルシクロヘキサン又はオクタン中に溶解されたテトラキス（１−メトキシ−２−メチル−２−プロポキシド）ハフニウム（IV）；エチルシクロヘキサン又はオクタン中に溶解されたハフニウムｔｅｒｔ−ブトキシド又はハフニウムエトキシド；エチルシクロヘキサン又はオクタン中に溶解されたＢａ（Ｏ−ｉＰｒ）２、Ｓｒ（Ｏ−ｉＰｒ）２、及びＴｉ（Ｏ−ｉＰｒ）４の混合物；又はジオキサン、ジオキサン／オクタン又は２，５−ジメチルオキシテトラヒドロフラン／オクタン中に溶解されたＲｕＣｐ２である、請求項１に記載の容器。
【請求項８】
前駆体溶液が、溶媒中に溶解されたランタンアルキルシクロペンタジエニル化合物である、請求項１に記載の容器。
【請求項９】
ランタンアルキルシクロペンタジエニル化合物が、ランタン（III）イソプロポキシド；トリス（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アミド）ランタン；トリス（シクロペンタジエニル）ランタン；又はトリス（イソプロピル−シクロペンタジエニル）ランタンである、請求項８に記載の容器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[001]本発明は、原子層堆積法（ＡＬＤ）又は有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）においてソース材料として使用される前駆体材料のための新規かつ有用な容器、及びそれに関連する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[002] 原子層堆積法（ＡＬＤ）は、シリコンウェハプロセスにおいて、次世代の導体バリア層、高ｋゲート誘電体層、高ｋ静電容量層、キャッピング層、及び金属ゲート電極を可能にする技術である。ＡＬＤは、フラットパネルディスプレイ、化合物半導体、磁気及び光学記憶装置、太陽電池、ナノテクノロジー及びナノ材料など、その他のエレクトロニクス産業にも利用されている。ＡＬＤは、金属、酸化物、窒化物、及びその他の超薄高共形(conformal)層を、サイクル堆積プロセスで一時に一つのモノレイヤ(monolayer)ずつ構築するのに使用される。アルミニウム、バリウム、セリウム、ジスプロシウム、ハフニウム、ランタン、ニオブ、ケイ素、ストロンチウム、タンタル、チタン、タングステン、イットリウム、亜鉛及びジルコニウムなどの多数の主族金属元素及び遷移金属元素の酸化物及び窒化物が、酸化又は窒化反応を用いてＡＬＤプロセスにより製造されている。Ｒｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、及びその他の純金属層も、還元又は燃焼反応を通じてＡＬＤプロセスを用いて堆積させることができる。
【０００３】
[003]典型的なＡＬＤプロセスは、少なくとも二つの前駆体を基板表面に逐次適用し、前駆体のパルスとパルスの間にパージが入ることを基にしている。前駆体の各適用は、表面上に堆積される材料の単一モノレイヤまでを得ることを意図している。これらのモノレイヤが形成されるのは、前駆体と表面の間に自己停止性の表面反応があるからである。言い換えれば、前駆体と表面間の反応は、反応に利用できる表面部位がそれ以上なくなるまで進行するということである。過剰の前駆体は、表面部位で既に反応した同じタイプの前駆体とは反応せず、その後堆積チャンバからパージされる。パージの後、第二の前駆体が導入され、表面上の第一の前駆体と反応する。過剰の第二の前駆体は表面飽和後すべてパージされる。一続きの各前駆体パルスとパージは、理論的に材料の単一追加モノレイヤまでをもたらす一つのＡＬＤハーフサイクルを構成する。プロセスの自己停止性のため、たとえより多くの前駆体分子が表面に到達しても、それ以上の反応は起こらない。ＡＬＤプロセスを使用すると、高い均一性、共形性（形状一致性）及び正確な厚さ制御が提供されるのはこの自己停止特性のためである。
【０００４】
[004]化学気相成長法（ＣＶＤ）は、高純度高性能の固体材料を製造するのに使用される化学プロセスで、特に半導体及びマイクロエレクトロニクス産業においてＡＬＤプロセスより速い成長速度で薄膜を製造するために使用されている。典型的なＣＶＤプロセスは、ウェハを一つ又は複数の揮発性前駆体材料に暴露し、該材料がウェハ表面上で反応又は分解して所望の層堆積物を連続的に製造することを含む。揮発性の副産物が通常生成するので、ガス流を反応チャンバに通して除去しなければならない。ＣＶＤは、ケイ素、カーボンファイバー、カーボンナノファイバー、フィラメント、カーボンナノチューブ、二酸化ケイ素、シリコンゲルマニウム、タングステン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、窒化チタン、高ｋ誘電体などの単結晶、多結晶、アモルファス及びエピタキシャル層などの材料を堆積するために、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を含む様々な形態で使用されている。ＭＯＣＶＤ技術は、所望層の形成のために有機金属前駆体材料を使用することを基にしている。
【０００５】
[005]ＡＬＤ及びＭＯＣＶＤプロセスで使用できる様々な前駆体材料がある。例えば、新規の溶液ベースの前駆体が公開米国特許出願第２００６−０２６９６６７号（引用によってその全体を本明細書に援用する）に提案されている。これらの溶液ベースの前駆体は前駆体材料により多くの選択肢を可能にするほか、それらは溶媒混合物中に溶解された金属前駆体からなるので、化学的利用の増大及びコストの削減も可能にする。
【０００６】
[006]特に、上記公開特許出願に開示されているのは、溶媒中に溶解された一つ又は複数の低揮発性前駆体（固体前駆体を含む）からなる前駆体溶液である。例えば、前駆体は、ハロゲン化物、アルコキシド、β−ジケトナート、ナイトレート、アルキルアミド、アミジナート、シクロペンタジエニル、又はその他の有機もしくは無機金属又は非金属化合物でありうる。より具体的には、前駆体は、Ｈｆ［Ｎ（ＥｔＭｅ）］４、Ｈｆ（ＮＯ３）４、ＨｆＣｌ４、ＨｆＩ４、［（ｔ−Ｂｕ）Ｃｐ］２ＨｆＭｅ２、Ｈｆ（Ｏ２Ｃ５Ｈ１１）４、Ｃｐ２ＨｆＣｌ２、Ｈｆ（ＯＣ４Ｈ９）４、Ｈｆ（ＯＣ２Ｈ５）４、Ａｌ（ＯＣ３Ｈ７）３、Ｐｂ（ＯＣ（ＣＨ３）３）２、Ｚｒ（ＯＣ（ＣＨ３）３）４、［（ｔ−Ｂｕ）Ｃｐ］２ＺｒＭｅ２、Ｔｉ（ＯＣＨ（ＣＨ３）２）４、［（ｔ−Ｂｕ）Ｃｐ］２ＴｉＭｅ２、［（ｉ−Ｐｒｏｐ）Ｃｐ］３Ｌａ、Ｂａ（ＯＣ３Ｈ７）２、Ｓｒ（ＯＣ３Ｈ７）２、Ｂａ（Ｃ５Ｍｅ５）２、Ｓｒ（Ｃ５ｉ−Ｐｒ３Ｈ２）２、Ｔｉ（Ｃ５Ｍｅ５）（Ｍｅ３）、Ｂａ（ｔｈｄ）２＊トリグリム(triglyme)、Ｓｒ（ｔｈｄ）２＊トリグリム、Ｔｉ（ｔｈｄ）３、ＲｕＣｐ２、Ｔａ（ＮＭｅ２）５又はＴａ（ＮＭｅ２）３（ＮＣ９Ｈ１１）でありうる。前駆体溶液中の前駆体の濃度は一般的に０．０１Ｍ〜１Ｍで、前駆体溶液は０．０００１Ｍ〜１Ｍの濃度の安定化添加剤、例えば酸素含有有機化合物、例えばＴＨＦ、１，４−ジオキサン、又はＤＭＦを含んでいてもよい。使用される溶媒は、気化中に溶媒損失が確実にないように選ばれた沸点を有する。特に、溶媒は、ジオキサン、トルエン、ｎ−ブチルアセテート、オクタン、エチルシクロヘキサン、２−メトキシエチルアセテート、シクロヘキサノン、プロピルシクロヘキサン、２−メトキシエチルエーテル（ジグリム(diglyme)）、ブチルシクロヘキサン又は２，５−ジメチルオキシテトラヒドロフランであろう。具体的に開示された前駆体溶液は、エチルシクロヘキサン又はオクタン中に溶解されたアルミニウムｉ−プロポキシド；エチルシクロヘキサン又はオクタン中に溶解された［（ｔ−Ｂｕ）Ｃｐ］２ＨｆＭｅ２；エチルシクロヘキサン又はオクタン中に溶解されたテトラキス（１−メトキシ−２−メチル−２−プロポキシド）ハフニウム（IV）；エチルシクロヘキサン又はオクタン中に溶解されたハフニウムｔｅｒｔ−ブトキシド又はハフニウムエトキシド；エチルシクロヘキサン又はオクタン中に溶解されたＢａ（Ｏ−ｉＰｒ）２、Ｓｒ（Ｏ−ｉＰｒ）２、及びＴｉ（Ｏ−ｉＰｒ）４の混合物；及びジオキサン、ジオキサン／オクタン又は２，５−ジメチルオキシテトラヒドロフラン／オクタン中に溶解されたＲｕＣｐ２などである。
【０００７】
[007]更なる溶液ベースの前駆体は、係属中の米国特許出願第１２／２６１１６９号（引用によってその全体を本明細書に援用する）に開示されている。この出願は、ランタンアルキルシクロペンタジエニル化合物を含む前駆体を開示している。そのような化合物の具体例は、ランタン（III）イソプロポキシド；トリス（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アミド）ランタン；トリス（シクロペンタジエニル）ランタン；又はトリス（イソプロピル−シクロペンタジエニル）ランタンなどである。
【０００８】
[008]これらの溶液ベースの前駆体は直接液体注入（direct liquid injection,ＤＬＩ）法によって送達される。つまり、前駆体液が周囲温度でその状態を維持できるので、長期安定性及び用量制御が提供されることを意味する。溶液前駆体は気化装置で気化されてからプロセスチャンバに送達される。標準的な液体前駆体用容器をソース材料前駆体のための容器として使用する場合、液体材料はヘッドスペースガス圧によりディップチューブ(dip-tube)を通ってＤＬＩシステムに押し出される。純粋な化学形態の液体前駆体又は溶液形態の溶解金属前駆体は、不都合なことに、下流のＤＬＩ金属表面、例えば粒子フィルター、液体流量(liquid mass flow)コントローラー、バルブ、及びパイプと相互作用し、それらの表面上に薄膜層を形成しうる。そのような相互作用が起こると、ＤＬＩシステムの圧力及び温度が変化した場合、吸着された金属複合体から粒子が形成されることにもなる。さらに、ソース材料の変更時又はシステムサービス中の空気及び水分汚染も、望まざる表面反応を促進して薄膜又は粒子を形成しうる。この薄膜及び粒子形成はＤＬＩシステムに問題を招く。特に液体流の制御を困難にし、最終的にシステムの目詰まりを起こす。
【０００９】
[009]ソース材料の凝縮膜又は吸収された有機金属前駆体は、生じた表面結合のために不活性ガス及び真空サイクルでシステムからパージすることができない。従って、表面分子の除去は、一般的に、空気又は水分によるパージの前に洗浄及びクリーニング溶媒中での溶解を必要とする。そのようなシステムは、クリーニングを可能にするために、追加の配管を標準的ＤＬＩシステムに含めるか、又は前駆体ソース容器の取外しを必要とする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】米国特許出願第２００６−０２６９６６７号
【特許文献２】米国特許出願第１２／２６１１６９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
[010]従って、当該技術分野では、ＡＬＤ及びＭＯＣＶＤプロセスにおける液体ベースの前駆体の使用に対する改良が依然として求められている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
[011]本発明は、ＡＬＤ又はＭＯＣＶＤプロセスでソース材料として使用される前駆体材料のための新規かつ有用な容器を提供する。特に、ＤＬＩシステムにおける薄膜又は粒子の蓄積に関する問題を軽減するための一つの解決策は、溶液ベースの前駆体材料の主成分である溶媒又は溶媒混合物による濯ぎを用いてＤＬＩシステムの前クリーニング及び後クリーニングを実施することである。そのような溶媒又は溶媒混合物は、ＤＬＩシステムにおける表面吸着金属複合体を再溶解できる。該溶媒又は溶媒混合物は、純ＡＬＤ又はＭＯＣＶＤ前駆体ソース材料を用いる場合、吸収された有機金属前駆体を下流表面からクリーニングするのにも使用できる。
【００１３】
[012]しかしながら、作業スペースが限られているため、ソース容器、追加の配管及び濯ぎ溶媒を保持するための別の容器の使用は実際的でない。そこで、本発明は、前駆体液と濯ぎ溶媒の両方を保持するための、利用可能なスペース内に適合する新規容器を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】[013]図１は、本発明の一態様による前駆体ソース材料と濯ぎ溶媒のための容器の切取り平面図である。
【図２】[014]図２は、本発明の一態様による前駆体ソース材料と濯ぎ溶媒のための容器の三次元図である。
【図３】[015]図３は、本発明の一態様による前駆体ソース材料と濯ぎ溶媒のための容器の内部を示す三次元切取り図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
[016]本発明を図面を参照しながら詳細に説明する。特に、図１は、本発明の第一の態様による容器システムの概略図であり、前駆体ソース溶液と濯ぎ溶媒の両方を別個に保持する容器システム１００を示す。システム１００は、外壁１２と内壁１４によって規定された二つの別個のチャンバを有する容器１０を含む。容器１０は、任意の所望の形状又はサイズでよいが、好ましくは円筒形の形状で、既存の組立エリアのスペース内に適合するサイズのものである。例えば、外壁１２は、第一の直径の第一のシリンダーによって規定でき、内壁１４は、第一のシリンダーの直径より小さい第二の直径を有する第二のシリンダーによって規定でき、第二のシリンダーが第一のシリンダー内に同心円状に又はオフセット式に適合するようにしてある。二つのシリンダーは、第一のシリンダーの直径と等しい直径を有する、容器１０の頂部１６及び底部１８を提供するように配置された二つの平面円板に溶接されている。
【００１６】
[017]容器１０を上記のように製作することにより、二つのチャンバが形成される。図１において、最内チャンバは液体前駆体又は前駆体溶液２０（以後前駆体溶液２０と呼ぶ）を入れるため、及び最外チャンバは濯ぎ溶媒２５を入れるために使用される。前駆体濯ぎ溶媒の前駆体溶液に対する体積比は、所望の製造用途に応じて１０％から１００％までの範囲でありうる。溶液の配置を逆転することも可能である。すなわち前駆体溶液を最外チャンバに入れ、濯ぎ溶媒を最内チャンバに入れてもよい。
【００１７】
[018]前駆体溶液２０又は濯ぎ溶媒２５のいずれかは、ディップチューブの使用及び容器１０の二つのチャンバ内のヘッド圧の維持によってＤＬＩシステム３０に送達できる。特に、前駆体溶液用ディップチューブ４０は、任意の粒子フィルター４２を備えているが、容器１０の内側チャンバに配置され、前駆体溶液２０内に沈められている。さらに、濯ぎ溶媒用ディップチューブ５０は、任意の粒子フィルター５２を備えているが、容器１０の外側チャンバに配置され、濯ぎ溶媒２５内に沈められている。前駆体溶液用ディップチューブ４０、及び濯ぎ溶媒用ディップチューブ５０は、それぞれそれらの各溶液をＤＬＩシステム３０に適当な配管及びバルブを通じて供給する。特に、適切な溶液の供給が加工の必要に応じて切り替えられるように、すなわち堆積段階中は前駆体溶液２０がＤＬＩ３０に供給され、クリーニング段階中は濯ぎ溶媒２５がＤＬＩ３０に供給されるように、スリーウェイのバルブシステムを採用することができる。追加制御のため及び容器１０への逆流防止のために、所望によりチェックバルブを含めてもよい。ディップチューブ、接続配管及びバルブは任意の不活性材料、好ましくは電解研磨されたステンレススチールで製造することができる。
【００１８】
[019]ヘッド圧は、容器１０の各チャンバのヘッドスペースに不活性ガスを供給することによって二つのチャンバ内で維持される。特に、不活性ガス源３５は、窒素、アルゴン又はヘリウムのような不活性ガスを、適当な配管及びバルブを通じて、容器１０の内側チャンバ及び外側チャンバの両方のヘッドスペースに供給する。溶液の逆流防止のために所望によりチェックバルブを使用してもよい。あるいは、スリーウェイバルブを採用して、ヘッドスペース領域への不活性ガス導入用の分離ポートを隔離することもできる。さらに、ＤＬＩ３０への溶液送達用配管及びバルブシステムと、不活性ガス送達用配管及びバルブシステムとの間に接続を提供してもよい。この接続は、不活性ガスをパージガスとしてＤＬＩ３０に供給することを可能にする。さらに、この接続を通じて、システムのクリーニングのためにクリーニング溶液を提供することもできる。接続配管及びバルブは任意の不活性材料、好ましくは電解研磨されたステンレススチールで製造することができる。
【００１９】
[020]容器１０は、容器１０の別々のチャンバに追加の溶液を供給することを可能にするフィラーポート７０、７２も備えている。特に、フィラーポート７０を通じて追加の前駆体溶液を内側チャンバに加えることができ、フィラーポート７２を通じて追加の濯ぎ溶媒を外側チャンバに加えることができる。所望により、容器１０の各チャンバはチャンバ中の溶液の液体レベルを測定するためのレベルセンサーを有していてもよい。特に、レベルセンサー８０は内側チャンバ中の前駆体溶液の液体レベルを測定するのに使用でき、レベルセンサー８２は外側チャンバ中の濯ぎ溶媒の液体レベルを測定するのに使用できる。
【００２０】
[021]図２及び３は、本発明による容器の更なる図を示す。特に、図２は、本発明による前駆体ソース材料と濯ぎ溶媒のための容器を示す三次元図である。図３は、本発明による前駆体ソース材料と濯ぎ溶媒のための容器の内部を示すために切り取られた別の三次元図である。
【００２１】
[022]本発明のシステム１００は以下のように運転されることになろう。堆積加工の前に容器に前駆体溶液２０及び濯ぎ溶媒２５を充填する。所望の液体レベルは、任意のレベルセンサー８０、８２を使用することによって設定できる。次に、容器１０の両チャンバのヘッドスペースを、不活性ガス源３５から配管及びバルブを通じて二つのチャンバに不活性ガスを流入させることによって加圧する。次に、濯ぎ溶媒２５が濯ぎ溶媒用ディップチューブ５０からＤＬＩシステム３０に供給されるように、溶液用の配管及びバルブシステムをセットする。これはＤＬＩシステム３０を前クリーニングする役割を果たす。次に、所望の堆積プロセスの実施に使用するために、前駆体溶液２０が前駆体溶液用ディップチューブ４０からＤＬＩシステム３０に供給されるように、配管及びバルブシステムをセットする。初期の堆積段階の後、濯ぎ溶媒２５が濯ぎ溶媒用ディップチューブ５０を通じてＤＬＩシステム３０に供給されるようにバルブをセットし直すことによって、システムを再度濯ぎ溶媒２５で濯ぐことができる。この濯ぎは、配管及びその他の表面に付着した何らかの液体前駆体を再溶解し、そしてそれを、堆積段階中に前駆体溶液２０から蓄積されたかもしれない粒子又は薄膜と共に、システムから除去するための役割を果たす。このプロセスは、その後、ＤＬＩシステム３０への前駆体溶液２０の送達と、濯ぎ溶媒２５の送達を所望に応じて切り替えながら同様の様式で続けることができる。
【００２２】
[023]本発明のシステムはいくつかの利点を提供する。特に、本システムは、堆積プロセスを始める前に、純濯ぎ溶媒（又は溶媒混合物）を用いてＤＬＩシステムの前クリーニングを可能にする。さらに、濯ぎ溶媒を用いて液体流速の較正とチェックも実施できる。さらに、堆積プロセス終了時、又は化学もしくは堆積プロセスのパラメーターが変化した場合にＤＬＩシステムをクリーニングすることもできる。本発明のシステムは、追加のスペースと接続配管の必要性を最小限にするコンパクトな設計を提供する。さらに、本発明のシステムは、濯ぎ溶媒でクリーニングできないデッドスペースを最小限しか含まない。
【００２３】
[024]前述の記載を踏まえると、本発明のその他の態様及び変形は、当業者には容易に明らかになると思われる。そのような態様及び変形も同様に、添付の特許請求の範囲に提示された本発明の範囲内に含まれるものとする。例えば、本発明から逸脱することなく、多数の異なる配管及びバルブ配置が利用できる。さらに、容器及び容器内のチャンバの事実上いかなる配置も可能である。例えば、両チャンバのヘッドスペースの加圧用に単一の不活性ガス供給しか必要としないシリンダー内シリンダーの配置が可能である。
【符号の説明】
【００２４】
１０  容器
１２  外壁
１４  内壁
１６  頂部
１８  底部
２０  前駆体溶液
２５  濯ぎ溶媒
３０  ＤＬＩシステム
３５  不活性ガス源
４０  前駆体溶液用ディップチューブ
４２  粒子フィルター
５０  濯ぎ溶媒用ディップチューブ
５２  粒子フィルター
７０  フィラーポート
７２  フィラーポート
８０  レベルセンサー
８２  レベルセンサー
１００  容器システム
【図１】
2012511103.tif 000003
【図２】
2012511103.tif 000004
【図３】
2012511103.tif 000005
【国際調査報告】
2012511103.tif 000006