(57)【要約】  第１面（１０）と、その反対側の第２面（１１）とを有し、第２面には少なくとも一つの導電性フィルムにより形成された電極（２）が設けられているガラス基板（１）であって、当該ガラス基板は、第２面の全体にわたって、かつ第１面（１０）の方向に基板の内部に向かって延在する厚さｅにわたって屈折率が変化しており、ガラスにおけるこの屈折率の変化はイオン交換処理により得られたものであり、表面の屈折率は厚さｅよりも深い位置のガラスの屈折率よりも大きくなっていることを特徴とするガラス基板。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面（１０）と、その反対側の第２面（１１）とを有し、第２面には少なくとも一つの導電性フィルムにより形成された電極（２）が設けられているガラス基板（１）であって、当該ガラス基板は、第２面の全体にわたって、かつ第１面（１０）の方向に基板の内部に向かって延在する厚さｅにわたって屈折率が変化しており、ガラスにおけるこの屈折率の変化はイオン交換処理により得られたものであり、表面の屈折率は厚さｅよりも深い位置のガラスの屈折率よりも大きくなっていることを特徴とするガラス基板。
【請求項２】
請求項１に記載された基板であって、屈折率は、厚さｅにわたって第２面の表面に至るまで、電極（２）の屈折率に近い又は等しい値になるように変化することを特徴とする基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された基板であって、厚さｅにおける屈折率の変化は、厚さｅより下の地点のガラスの屈折率の値から別の屈折率の値に、中間の値をとることなく直接的に変化するような形であるか、又は、多くの屈折率の数値を通過し、好ましくは直線的に変化する形であることを特徴とする基板。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載された基板であって、屈折率の変化は、０．０５以上であり、好ましくは少なくとも０．０８であり、さらには少なくとも０．１であることを特徴とする基板。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載された基板であって、屈折率の変化を示す厚さｅは、有利には１μｍから１００μｍの間であり、好ましくは１μｍから１０μｍの間であり、特には１μｍから５μｍの間であることを特徴とする基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載された基板であって、屈折率の変化は、銀及び／又はタリウム、及び／又はセシウム及び／又はバリウムのイオンを用いて、ガラスをイオン交換処理することによって得られることを特徴とする基板。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載された基板であって、その光透過率が８０％以上であることを特徴とする基板。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載された基板であって、ガラス基板が次の組成をもつことを特徴とする基板：
ＳｉＯ2         ６７．０−７３．０％、好ましくは７０．０−７２．０％；
Ａｌ2Ｏ3        ０−３．０％、好ましくは０．４−２．０％；
ＣａＯ          ７．０−１３．０％、好ましくは８．０−１１．０％；
ＭｇＯ          ０−６．０％、好ましくは３．０−５．０％；
Ｎａ2Ｏ         １２．０−１６．０％、好ましくは１３．０−１５．０％；
Ｋ2Ｏ           ０−４．０％；
ＴｉＯ2         ０−０．１％；
鉄の総含有量（Ｆｅ2Ｏ3で示す）          ０−０．０３％、好ましくは０．００５−０．０１％；
レドックス（ＦｅＯ／鉄の総含有量）      ０．０２−０．４％、好ましくは０．０２−０．２％；
Ｓｂ2Ｏ3        ０−０．３％；
ＣｅＯ2         ０−１．５％；  及び
ＳＯ3           ０−０．８％、好ましくは０．２−０．６％。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載された基板であって、発光素子、特には有機発光ダイオード素子の支持体として用いられ、基板の電極（２）が素子の電極の一つを構成するものであることを特徴とする基板。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載された基板であって、ディスプレー画面又は照明機器において使用されるものであることを特徴とする基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、片面に電極を備えたガラス基板に関する。
【０００２】
本発明は、より詳細にはＯＬＥＤ（有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ））素子の支持体として用いる構造体に関して説明されるであろう。
【背景技術】
【０００３】
ＯＬＥＤは、有機エレクトロルミネッセント材料又は多層体を含み、２つの電極に接している。電極のひとつであるアノードはガラス基板と組み合わさった電極により形成され、もうひとつの電極であるカソードはアノードとは反対側の有機材料上に配置される。
【０００４】
ＯＬＥＤは、アノードから注入された正孔とカソードから注入された電子との再結合エネルギーを用いたエレクトロルミネッセンスにより発光する素子である。片面のみから発光する発光素子として用いる場合にはカソードは透明ではなく、放出された光子は、透明なアノードとＯＬＥＤを支持するガラス基板とを通過し、これにより光は素子外へ放射されることになる。
【０００５】
ＯＬＥＤは、一般にディスプレー画面や最近では照明機器に用いられる。
【０００６】
ＯＬＥＤは光取出し効率（ｌｉｇｈｔ−ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ  ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）が低い。すなわち、エレクトロルミネッセント材料から発した光に対する、実際にガラス基板を通過して外部に出てくる光の割合は比較的低く、約０．２５である。
【０００７】
このようになるのは、一方では、多数の光子がカソードとアノードとの間の導波モードにトラップされる結果であり、他方では、ガラス基板の屈折率（ｎ＝１．５）と素子外の空気の屈折率（ｎ＝１）との違いにより光がガラス基板内で反射する結果である。
【０００８】
このため、ＯＬＥＤの効率の改善策、すなわち、白色光の放射、いいかえれば可視スペクトル中のある範囲の又はすべての波長の発光を行いつつ、取出し効率を向上させる手段が求められてきた。
【０００９】
通常提案される解決手段は、ガラス基板に関するもので、ガラス−空気の界面についてのものか、ガラス−アノード界面についてのものである。ガラス−空気の界面についてのものは、大抵の場合幾何光学を応用することから幾何光学的解法と呼ばれ、ガラス−アノード界面についてのものは、通常回折光学を利用することから回折光学的解法と呼ばれる。
【００１０】
回折光学的解法の一つとして、ガラス−アノード界面に周期的な凹凸構造をもたせて回折格子を構成する手法が知られている。米国特許出願公開第２００４／０２２７４６２号明細書には回折光学的解法が記載されている。当該文献には、この目的でアノードと有機フィルムの支持体である透明基板にテクスチャー加工を施したＯＬＥＤが開示されている。これにより基板の表面には突起部とくぼみ部とが交互に存在し、その上面にアノードと有機フィルムが形成される。
【００１１】
しかしながら、そのような解法は単色光、すなわち特定方向での取出しには有効であるが、照明に用いられる白色光などの多色光についてはそれほど有効ではない。
【００１２】
さらに、この文献米国特許出願公開第２００４／０２２７４６２号明細書では、突起部に対応したパターンを有するフォトレジストマスクを基板表面に適用し、ついでマスクを通して表面をエッチングすることによって、基板の表面形状を加工している。このような方法は、大面積の基板について工業的に実施することは容易ではなく、特に照明に応用する場合にはとりわけ高コストとなる。
【００１３】
文献国際公開第０５／０８１３３４号パンフレットには別の回折光学的解法が記載されている。これは、エンボス加工したポリマーフィルムで平面ガラスを被覆し、ついでポリマーフィルムの表面形状に沿うように電極と有機フィルムを重ねるものである。フィルムの波形構造は、周期的か否かを問わず、波のピークと波の谷の距離が０．５μｍと２００μｍの間になるような寸法とされる。
【００１４】
しかしながら、そのような解法ではＯＬＥＤ内で多くの電気的な不良が見られた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
したがって本発明の目的は、発光素子、特にＯＬＥＤの支持体として用いられる、片面に透明電極を有する無機ガラス基板であって、単純で信頼性があり、当該素子の光取出し効率を従来手法よりも改善し、白色光の発光を可能とするような無機ガラス基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明によれば、ガラス基板は第１面と、その反対側の第２面とを有し、第２面には電極が設けられ、当該電極は少なくとも一つの導電性フィルムにより形成されている。このガラス基板では、第２面の全体にわたって、かつ第１面の方向に基板の内部に向かって延在する厚さｅにわたって、イオン交換処理によりガラスの屈折率が変化させられており、基板表面のガラス屈折率は、厚さｅを超えた位置（すなわち、イオン交換処理された側の基板の自由表面から測定して厚さｅを超える深さにある位置）のガラス屈折率よりも大きくなっている。
【００１７】
この屈折率の変化はイオン交換により得られる。ガラス中でのイオン交換は、ガラス中のあるイオン、特にはアルカリ金属イオンが、分極率などの性質の異なる他のイオンと交換する能力である。このような他のイオンがガラスの表面で交換されると、表面近くのガラス内で、ガラスの他の部分とは異なる屈折率をもたらすイオンパターンを形成する。
【００１８】
ガラスの表面は平面のままであるので、ＯＬＥＤに悪影響を及ぼすようなアノードとカソード間の電気的接触を防止することができる。
【００１９】
屈折率は、第２面の表面まで厚さｅにわたって、電極の屈折率に近づきあるいは等しくなるように変化するのが有利である。ガラス表面とガラスに直接接触する電極との間の屈折率変化は、０．４さらには０．３が好ましい。
【００２０】
厚さｅ内での屈折率の変化は、厚さｅよりも下の地点（厚さｅを超える深さ）のガラスの屈折率から別の屈折率に、中間の値をとることなく直接的に変化するような形（プロファイル）でもよい。
【００２１】
好ましい態様では、基板内での屈折率変化は、屈折率が勾配をもって、すなわちいろいろな屈折率値を経て変化する形態をとる。プロファイルは、（おおむね）直線的に変化することが好ましい。そのようなプロファイルは、既知の方法によりガラスを選択することにより、特にその拡散特性（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ）、例えば銀とナトリウムの相互拡散係数を選択することにより得られる。
【００２２】
屈折率変化は、０．０５以上であり、好ましくは少なくとも０．０８であり、さらには少なくとも０．１である。
【００２３】
基板の屈折率変化は、ガラスの厚さからその表面に向かって、電極の屈折率に近づきまたは等しくなるように変化することが有利である。
【００２４】
このようなガラス基板に電極を設けてＯＬＥＤの支持体として用いた場合には、電極とガラスとの屈折率差がかなり小さいために、ＯＬＥＤから発した光子が電極を通過してガラス基板に達した際にその進路をそらされることがかなり少なくなる。屈折率の勾配は、媒体中の漸進的変化と定義される。この媒体は、そこを通過する光が過剰に反射されることを防ぐことができる。
【００２５】
本発明の特徴のひとつによれば、有利には１μｍから１００μｍの間であり、好ましくは１μｍから１０μｍの間であり、特には１μｍから５μｍの間であるガラスの厚さにおける屈折率変化は、基板内部の光の入射角を、基板から光子が最適に伝達されるのを可能ならしめる入射角で光を基板に導くのに十分である。
【００２６】
イオン交換は、ガラスのあるイオンを、バリウム、セシウム、そして好適には銀又はタリウムのイオンの中から、組み合わせて、あるいは組み合わせないで、選択されたイオンと交換することである。これらのイオンは、交換するイオンに比べて分極率が高いために選択されるもので、これによりガラスのイオン交換された領域で屈折率の大幅な変化をひきおこす。
【００２７】
銀又はタリウムイオンをドーパントイオンとして用いて生成した領域は、その屈折率がガラスの屈折率に比して十分に高いので、本発明に従いエレクトロルミネセント素子の特定の応用に用いることができる。
【００２８】
イオン交換は既知の技術を用いて行うことができる。処理すべきガラス基板の表面は、交換イオンの溶融塩、例えば硝酸銀（ＡｇＮｏ3）の浴中に、２００℃から５５０℃の間の高温で、求めるイオン交換の深さに応じて十分な時間にわたって収容される。
【００２９】
有利には、浴に接触させると同時に、基板を電界にさらしてもよく、その際の電圧は、主にガラス基板の電気伝導度と厚さに依存して、好ましくは１０から１００Ｖの間で変化する。この場合、基板はさらに別の熱処理に付してもよく、その際の温度は、有利には交換温度とガラスのガラス転移温度との間とし、これにより交換イオンが電極を備えた基板の側面に対して垂直の方向に拡散して、屈折率の勾配を直線的にすることができる。
【００３０】
本発明の基板の光透過率は、８０％以上であってもよい。
【００３１】
基板は高透過ガラスで作られていてもよい。高透過ガラスの組成についての参考文献として国際公開第０４／０２５３３４号パンフレットをあげることができる。特に、０．０５％未満のＦｅＩＩＩ（又はＦｅ2Ｏ3）を含むソーダ石灰シリカガラスを選ぶことができる。例えば、サンゴバン社のディアマンテ（Ｄｉａｍａｎｔ）ガラス、サンゴバン社のアルバリーノ（Ａｌｂａｒｉｎｏ）ガラス（テクスチャ付又は平滑面）、ピルキントン社のオプティホワイト（Ｏｐｔｉｗｈｉｔｅ）ガラス、ショット社のＢ２７０ガラスなどから選ぶことができる。
【００３２】
ガラス基板の組成として次のものが好適である：
ＳｉＯ2         ６７．０−７３．０％、好ましくは７０．０−７２．０％；
Ａｌ2Ｏ3        ０−３．０％、好ましくは０．４−２．０％；
ＣａＯ          ７．０−１３．０％、好ましくは８．０−１１．０％；
ＭｇＯ          ０−６．０％、好ましくは３．０−５．０％；
Ｎａ2Ｏ         １２．０−１６．０％、好ましくは１３．０−１５．０％；
Ｋ2Ｏ           ０−４．０％；
ＴｉＯ2         ０−０．１％；
鉄の総含有量（Ｆｅ2Ｏ3で示す）          ０−０．０３％、好ましくは０．００５−０．０１％；
レドックス（ＦｅＯ／鉄の総含有量）      ０．０２−０．４％、好ましくは０．０２−０．２％；
Ｓｂ2Ｏ3        ０−０．３％；
ＣｅＯ2         ０−１．５％；  及び
ＳＯ3           ０−０．８％、好ましくは０．２−０．６％。
【００３３】
本発明によるガラス基板は発光素子の支持体として好適に用いられるもので、特に、２つの電極間に有機フィルムを含み当該電極の一方は本発明のガラス基板電極で構成されるエレクトロルミネッセント・ダイオード素子（ＯＥＬＤ）の支持体として用いられる。
【００３４】
そのようなエレクトロルミネッセント・ダイオード素子は、例えばディスプレー画面や照明機器に使用されるように予定されている。
【００３５】
これから本発明を例を用いて説明するが、これらの例は説明のためのものであって、これらにより発明の範囲を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明によるガラス基板の断面図である。
【図２】第１の態様に従って、屈折率が厚さ方向に変化する基板を得るためにイオン交換プロセスを行うための装置の概略図である。
【図３】第２の態様に従って、屈折率が厚さ方向に変化する基板を得るためにイオン交換プロセスを行うための装置の概略図である。
【図４】図１の基板を備えたＯＬＥＤの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
図面は、理解の容易化のため原寸に比例していない。
図１はガラス基板１を示し、その厚みは特には０．７から１０ｍｍの間であり、最も広い面として第１面１０とその反対側の第２面１１を有する。
【００３８】
基板の第２面１１上には電極２が設けられている。当該電極は少なくとも一つの導電性材料の薄膜により形成されており、この薄膜は、基板を光透過手段としては用いる場合には透明であることが好ましい。
【００３９】
本発明においては、基板１は、その第２面１１から深さｅにわたって、かつその表面の全体にわたって、ガラスの厚さの屈折率が基板本体の他の部分の屈折率とは異なっている。
【００４０】
厚さｅは、有利には１μmから１００μmの間であり、好ましくは１μmから１０μm、特に好ましくは１μmから５μmの間である。ガラスの屈折率は通例１．５であるが、これが０．０５以上、好ましくは少なくとも０．０８、さらには少なくとも０．１変化させられる。
【００４１】
基板は少なくとも８０％の実質的光透過率を保持する。光透過率は、ＩＳＯ２３５３９：２００５標準に従い既知の方法で測定される。
【００４２】
屈折率の変化は徐々に変化することが望ましい。この変化は、直線的なプロファイルをもった屈折率勾配となっていることが好ましい。
【００４３】
本発明では、この屈折率の変化はイオン交換処理により得られる。ガラスの特定イオン、特にはアルカリ金属イオンが、例えば、銀、タリウム、バリウム及び／又はセシウムイオンなどのイオンと交換される。
【００４４】
イオン交換を行う技術として二つの手法が提案される。
【００４５】
第１の手法は、図２で示されるが、交換しようとするイオン源材料を含む浴３に基板の面１１を浸すことによって実施される。例えば、銀イオンとイオン交換する場合にはその浴に硝酸銀（ＡｇＮＯ3）が含まれる。
【００４６】
基板の浸漬は、処理される面とは反対側の面をＡｌ、Ｔｉ又はＡｌ2Ｏ3の保護フィルムで被覆して行ってもよく、当該フィルムは浴から出した後に例えば研磨によって除去する。
【００４７】
また、基板の浸漬は、部分的に行ってもよく、好ましくは基板の全厚みに等しい深さまで、すなわち処理面とは反対側の面が浴の表面に一致するように行ってもよい。
【００４８】
銀イオンＡｇ+がガラス内部に拡散してナトリウムイオンＮａ+とイオン交換する深さは、基板を浴中に放置しておく時間の関数である。
【００４９】
基板は、浴から取り出した後に室温まで冷却され水中で十分にすすいで硝酸銀の残渣を除く。
【００５０】
この技術により有利にはほぼ直線的な屈折率勾配が得られる。
【００５１】
第２の手法は、イオン交換を電場を印加しつつ、任意の追加的熱処理工程を伴って実施することである。
【００５２】
図３は、イオン交換プロセスを電場により支援して実施するための装置を示す。
【００５３】
この装置は、互いに向き合った２つの区画５と６を有し、それぞれは容器を形成している。これらの区画は、容器の内容物に関してシール材としても作用する接着剤７を介して、基板１と結合している。区画の一方はＡｇＮＯ3の浴５０となり、他方の区画はＫＮＯ3（又はＬｉＮＯ3）とＮａＮＯ3との混合物で満たされている。
【００５４】
白金電極８と白金電極９が浴５０と６０のそれぞれに浸漬されており、これらの電極は電圧源８０に接続されている。
【００５５】
電場が電極８と９の間に印加されると、ガラス中のアルカリ金属イオンは浴６０の方向に移動し、浴５０に含まれるＡｇ+イオンと次第に置き換わる（移動方向を矢印で示す）。
【００５６】
別の形態として、ＡｇＮＯ3浴を用いることに代えて、金属銀フィルムを堆積させてもよい。この場合、マグネトロン蒸着法、ＣＶＤ蒸着法、インクジェット印刷法又はスクリーン印刷法により堆積を行う。さらに電極を形成するフィルムが反対面に堆積される。次いで電場が銀フィルムと金属フィルムの間に印加される。電極を形成するフィルムは、イオン交換の終了後に研磨又は化学エッチングにより除去する。
【００５７】
金属フィルム又は浴と電極との間に印加される電場は、こうしてイオン交換を引き起こする。イオン交換は２５０から３００℃で行われる。イオン交換の深さは電場の強度、基板への電場の印加時間及びイオン交換時の温度の関数である。電場は１０から１００Ｖの間である。
【００５８】
この技術によれば屈折率は段状に変化し、ガラスの屈折率はある値から中間の値をとることなく第２の値へと急激に変化する。そのようなイオン交換を実施するためには、例えば、２ｍｍの厚みの高透過ガラスについて、温度３００℃において、１０Ｖ／ｍｍの電場の下で１０ｈ実施することが好適である。これにより変化幅０．１の段状の屈折率変化が得られる。
【００５９】
基板を熱処理により仕上げると、屈折率変化が漸進的となる利点がある。この処理は、基板をイオン交換温度と当該ガラスのガラス転移温度との間の温度で炉内で加熱することにより行う。温度と処理時間は得ようとする屈折率勾配に依存する。
【００６０】
イオン交換によりガラスの黄変が生じて光透過率が低下することを防ぐためには、特定のガラス組成物が好ましいであろう。
【００６１】
一例として次のガラス組成を示す。
ＳｉＯ2         ６７．０−７３．０％、好ましくは７０．０−７２．０％；
Ａｌ2Ｏ3        ０−３．０％、好ましくは０．４−２．０％；
ＣａＯ          ７．０−１３．０％、好ましくは８．０−１１．０％；
ＭｇＯ          ０−６．０％、好ましくは３．０−５．０％；
Ｎａ2Ｏ         １２．０−１６．０％、好ましくは１３．０−１５．０％；
Ｋ2Ｏ           ０−４．０％；
ＴｉＯ2         ０−０．１％；
鉄の総含有量（Ｆｅ2Ｏ3で示す）          ０−０．０３％、好ましくは０．００５−０．０１％；
レドックス（ＦｅＯ／鉄の総含有量）      ０．０２−０．４％、好ましくは０．０２−０．２％；
Ｓｂ2Ｏ3        ０−０．３％；
ＣｅＯ2         ０−１．５％；  及び
ＳＯ3           ０−０．８％、好ましくは０．２−０．６％。
【００６２】
イオン交換法によれば、このようにして、大きな面積について容易に工業的に再現可能な方法で処理することができる。この方法によれば、ガラスを直接的かつ簡素な方法で処理することができ、フィルムによる堆積やエッチングといった中間的及び／又は付加的な段階を経る必要がない。
【００６３】
さらに、ガラス基板を変更するような表面仕上げ処理をしないので、被覆電極２を堆積させることも単純かつ通常の条件によって、かつ慣用の厚さで可能となる。
【００６４】
電極２は多層の導電材料で構成される。例えば、屈折率が約１．９のＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）や誘電体／Ａｇ／誘電体の多層構造体（通常、屈折率が２の第１の誘電体がガラスと直接接触する）から作られる。
【００６５】
本発明によれば、屈折率勾配の変化は、ガラス内部ではガラスの数値（ｎ＝１．５）に対応し、一方、ガラスの表面では電極多層構造体の第１のフィルムの屈折率である２に近い数値まで上昇するようなものである。
【００６６】
図４は、屈折率変化を有する本発明の基板を含み、電極２を設けたＯＬＥＤ７を示す。
【００６７】
ＯＬＥＤは、順に、屈折率変化を有しＯＬＥＤの支持体として機能する基板１；電極２を構成する第１の透明導電性被膜；それ自体知られている有機材料のフィルム７０；そして、第２の電極を構成するものであって、公知のように有機フィルム７０に面しており、有機フィルムから発した光を反対側の面の方向、すなわち透明基板の方向に反射させるような反射面を持っていることが好ましい第２の導電性被膜７１を備えている。
【実施例】
【００６８】
本発明の有利な効果を示すために、比較のためのＯＬＥＤを例として作製した。
【００６９】
いずれの例も、基本的なＯＬＥＤ要素（透明電極、有機材料フィルム、第２の電極、ガラス支持体基板）は同じである。ガラス支持体又はベース基板は、標準的なガラス基板であって、フランスのサンゴバン・ガラス社から販売されるアルバリーノ（Ａｌｂａｒｉｎｏ（登録商標））タイプで、５ｃｍ×５ｃｍの辺と２．１ｍｍの厚みを有する。
【００７０】
この基板の未処理のものは、比較試験のための参考基板（参考例）であり、屈折率は１．５２である。
【００７１】
実施例１は、第１の手法により銀イオン交換処理された基板についてのものであり、硝酸銀（ＡｇＮＯ3）浴に３４５℃の温度で２１時間浸漬されたものである。
【００７２】
実施例２は、第１の手法によりタリウムイオン交換処理された基板についてのものであり、硝酸タリウム（ＴｌＮＯ3）浴に４００℃の温度で３時間浸漬されたものである。
【００７３】
下表にそれぞれの例について得られた数値をまとめた：基板の屈折率；未処理の参考基板に対する屈折率の勾配；基板中のイオン交換された層の厚さ；各例の基板を、基板以外の構成要素は同じにしてＯＬＥＤに組み込んだ場合の取出し効率。
【００７４】
【表１】
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【００７５】
取出し効率を計算するために、初めに、ＯＬＥＤからの放射光の光パワーとＯＬＥＤ素子に注入される電力との比に基づき、外部量子効率を算出した。次に、ＯＬＥＤの内部量子効率が２５％だと仮定して、外部量子効率をこの内部量子効率で、ここでは０．２５であるが、除算して取出し効率を得た。
【００７６】
本発明の実施例１及び２の基板は、未処理の基板に比較して１９％を超える光取出し効率の増加を示している。この取出し効率の相対的増加率は、本発明の実施例の取出し効率と比較例の取出し効率との差分を、比較例の取出し効率で除算したものである。加えて、この増加は、ＯＬＥＤの他の特性を落とすことなく、特に視角に応じた光の色変化特性を落とすことなく得られたものであるということがわかる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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2012506607.tif 000009
2012506607.tif 000010
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