(57)【要約】  本発明は、光素子用基板、これを有する光素子パッケージおよびその製造方法に関する。本発明による光素子用基板、これを有する光素子パッケージおよびその製造方法は、金属基板、金属基板の表面に形成されて金属基板を絶縁させる第１陽極酸化膜および、第１陽極酸化膜の上に互いに絶縁するように形成された第１および第２電極を含むことができる。
2012517697.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板と、
前記金属基板の表面に形成され、前記金属基板を絶縁させる第１陽極酸化膜と、
前記第１陽極酸化膜の上に互いに絶縁するように形成された第１および第２電極を含む光素子用基板。
【請求項２】
前記第１陽極酸化膜の上に形成された第２陽極酸化膜をさらに含む請求項１記載の光素子用基板。
【請求項３】
クロムまたはクロムを含む合金からなる第１金属層と、前記第１金属層の上部に形成され、銅または銅を含む金属物質で形成された第２金属層をさらに含む請求項１記載の光素子用基板。
【請求項４】
前記第１と第２電極の間に前記金属基板が陷沒して形成された溝をさらに含む請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の光素子用基板。
【請求項５】
前記溝が形成された領域に、銀または銀を含む金属物質で形成された第３金属層をさらに含む請求項４記載の光素子用基板。
【請求項６】
金属基板と、前記金属基板の表面に形成され、前記金属基板を絶縁させる第１陽極酸化膜および前記第１陽極酸化膜の上に互いに絶縁するように形成された第１および第２電極を含む光素子用基板と、
前記第１と第２電極の間に配置される光素子と、
前記光素子と前記第１電極を連結する第１ワイヤと、
前記光素子と前記第２電極を連結する第２ワイヤを含む光素子パッケージ。
【請求項７】
前記第１陽極酸化膜の上に形成された第２陽極酸化膜をさらに含む請求項６記載の光素子パッケージ。
【請求項８】
クロムまたはクロムを含む合金からなる第１金属層と、銅または銅を含む導電性物質で形成された第２金属層と、銀または銀を含む導電性物質で形成された第３金属層のうち、少なくともいずれか１を含む請求項６記載の光素子パッケージ。
【請求項９】
前記光素子が配置される下部に、前記第１および第２電極と絶縁され、銀または銀を含む金属物質で形成された第３金属層を含む請求項６記載の光素子パッケージ。
【請求項１０】
前記金属基板は、
前記光素子が配置された領域が陷沒して形成された反射溝をさらに含む請求項６乃至請求項９のうちいずれか１項記載の光素子パッケージ。
【請求項１１】
前記光素子を覆う保護層および保護キャップをさらに含み、
前記保護層は前記光素子から放出された光を白色光に変換する燐光物質を含む請求項１０記載の光素子パッケージ。
【請求項１２】
前記保護層が外部に流出されることを防止する隔壁をさらに含む請求項１１記載の光素子パッケージ。
【請求項１３】
（ａ）金属基板の表面に前記金属基板を絶縁させる第１陽極酸化膜を形成する段階と、
（ｂ）前記第１陽極酸化膜の上に第２陽極酸化膜を形成する段階と、
（ｃ）前記第１陽極酸化膜の上に第１金属層を形成する段階と、
（ｄ）前記第１金属層の上に第２金属層を形成する段階と、
（ｅ）前記第１および第２金属層を食刻して、対向して絶縁されるように第１および第２電極を形成する段階を含む光素子用基板製造方法。
【請求項１４】
前記段階（ａ）は、
前記金属基板をホウ酸塩または酒石酸塩バス方法を通じて陽極処理して前記金属基板の表面に第１陽極酸化膜を形成することを特徴とする請求項１３記載の光素子用基板製造方法。
【請求項１５】
前記段階（ｂ）は、
前記第１陽極酸化膜の上に金属層を形成する段階と、
前記金属層をホウ酸塩または酒石酸塩バス方法を通じて陽極処理する段階を含む請求項１３記載の光素子用基板製造方法。
【請求項１６】
前記段階（ｃ）および段階（ｄ）は、
前記第１および第２金属層を連続して蒸着する段階と、
前記第２金属層の上に前記第１および第２電極が形成される領域のフォトレジストが取り除かれたフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第２金属層と同一物質で前記第２金属層が露出された領域にメッキし、前記フォトレジストパターンを取り除いて第２金属層を段差があるように形成する段階と
前記段差のある金属層を第１食刻工程を通じて前記段差があるように形成された第２金属層のうち厚さが厚い領域の第２金属層を残し、その以外の領域の第２金属層を取り除いて第１金属層を露出させる段階と、
第２食刻工程を通じて前記露出された第１金属層を食刻する段階を含む請求項１３記載の光素子用基板製造方法。
【請求項１７】
前記段階（ａ）の前に、前記第１と第２電極の間に前記金属基板を陷沒させて溝を形成する段階をさらに含む請求項１３記載の光素子用基板製造方法。
【請求項１８】
前記溝が形成された領域に、前記第２陽極酸化膜または前記第２金属層のうちいずれか１つの上部に銀または銀を含む第３金属層を形成する段階をさらに含む請求項１７記載の光素子用基板製造方法。
【請求項１９】
（ａ）金属基板の表面に前記金属基板を絶縁させる第１陽極酸化膜を形成する段階と、
（ｂ）前記第１陽極酸化膜の上に第１乃至第３金属層のうちいずれか１つの金属層を含み、対向して絶縁されるように形成された第１および第２電極を形成する段階と、
（ｃ）前記第１と第２電極の間に光素子を配置する段階と、
（ｄ）前記光素子から引き出された第１ワイヤと前記第１電極を電気的に連結し、前記光素子から引き出された第２ワイヤと前記第２電極を電気的に連結する段階を含む光素子パッケージ製造方法。
【請求項２０】
前記段階（ａ）の後に、
前記第１陽極酸化膜の上に第２陽極酸化膜を形成する段階を含み、
前記第２陽極酸化膜形成段階は、前記第２陽極酸化膜の上に金属物質を形成する段階と、前記金属物質をホウ酸塩または酒石酸塩バス方法を通じて陽極処理する段階を含む請求項１９記載の光素子パッケージ製造方法。
【請求項２１】
前記段階（ｂ）は、
前記光素子が配置される領域に、前記第１乃至第３金属層と同一金属層のうち少なくともいずれか１つの金属層を形成する段階をさらに含む請求項１９記載の光素子パッケージ製造方法。
【請求項２２】
前記段階（ａ）前に、
前記光素子が配置される領域に、前記金属基板が陷沒して形成された反射溝を形成する段階をさらに含む請求項１９乃至請求項２１のうちいずれか１項記載の光素子パッケージ製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光素子用基板、これを有する光素子パッケージおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光素子は、電気エネルギーを光に変換するか、または光エネルギーを電気エネルギーに変換する素子であって、使用目的によって多様なサイズおよび形状を有する。
【０００３】
最近、光素子のうち、発光ダイオード(Light Emitting Diode；以下、ＬＥＤという)は照明分野、ディスプレー分野などで多く使われている。ＬＥＤは、印刷回路基板に実装され、単一素子またはアレイされて使用される。ＬＥＤは輝度およびエネルギー効率が高いというメリットがあるが、発熱が多いという欠点がある。
【０００４】
従来では、発熱問題を解決するために、ＬＥＤパッケージの下部にヒットシンクを使うか、または印刷回路基板に熱伝導のための金属パッドなどを形成して使用していた。しかし、ヒットシンクの場合には、ＬＥＤパッケージのサイズが大きくなり、また、追加工程を行なわなければならないという短所がある。さらに、印刷回路基板の金属パッドなどを形成してもＬＥＤから発生する熱を外部に効率的に放出することができないという短所がある。
【０００５】
ＬＥＤだけでなく、光素子は駆動部を含むことが多く、駆動部から発生する熱を外部に放出するために上述のヒットシンクなどを使っているが、サイズが大きくなり、また追加費用が発生するという問題点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、金属基板に空孔のない陽極酸化膜を形成して、熱伝導率が高い光素子用基板、これを有する光素子パッケージおよびその製造方法を提案することである。
【０００７】
本発明の他の目的は、１回以上の陽極処理工程を通じて陽極酸化膜の厚さを調節して形成することができる光素子用基板、これを有する光素子パッケージおよびその製造方法を提案することである。
【０００８】
さらに、本発明の他の目的は、光素子と連結される電極構造が陽極酸化膜の上に金属層が積層された形態で形成された光素子用基板、これを有する光素子パッケージおよびその製造方法を提案することである。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、光利用効率が向上した光素子用基板、これを有する光素子パッケージおよびその製造方法を提案することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一側面によれば、金属基板と、前記金属基板の表面に形成されて前記金属基板を絶縁させる第１陽極酸化膜と、前記第１陽極酸化膜の上に互いに絶縁するように形成された第１および第２電極を含む光素子用基板が提供される。
【００１１】
本発明の他側面によれば、金属基板と前記金属基板の表面に形成されて前記金属基板を絶縁させる第１陽極酸化膜と、前記第１陽極酸化膜の上に互いに絶縁するように形成された第１および第２電極を含む光素子用基板と、前記第１と第２電極の間に配置される光素子と、前記光素子と前記第１電極を連結する第１ワイヤと、前記光素子と前記第２電極を連結する第２ワイヤを含む光素子パッケージが提供される。
【００１２】
さらに、本発明の他側面によれば、（ａ）金属基板の表面に前記金属基板を絶縁させる第１陽極酸化膜を形成する段階と、（ｂ）前記第１陽極酸化膜の上に第２陽極酸化膜を形成する段階と、（ｃ）前記第１陽極酸化膜の上に第１金属層を形成する段階と、（ｄ）前記第１金属層上に第２金属層を形成する段階と、（ｅ）前記第１および第２金属層を食刻して、対向して絶縁されるように第１および第２電極を形成する段階を含む光素子用基板製造方法が提供される。
【００１３】
また、本発明の他側面によれば、（ａ）金属基板の表面に前記金属基板を絶縁させる第１陽極酸化膜を形成する段階と、（ｂ）前記第１陽極酸化膜の上に第１乃至第３金属層のうちいずれか１つの金属層を含み、対向して絶縁されるように形成された第１および第２電極を形成する段階と、（ｃ）前記第１と第２電極の間に光素子を配置する段階と、（ｄ）前記光素子から引き出された第１ワイヤと前記第１電極を電気的に連結し、前記光素子から引き出された第２ワイヤと前記第２電極を電気的に連結する段階を含む光素子パッケージ製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、金属基板を使用して光素子から発生される熱を効率的に放出することができる効果を奏する。
【００１５】
また、本発明は、金属基板の陽極酸化膜の厚さを容易に調節することができる効果がある。
【００１６】
さらに、本発明は、金属基板に反射溝を形成して光利用効率を向上させ、容易に光素子のアラインができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施例による発光ダイオードパッケージアレイを示した平面図。
【図２】図１に示した発光ダイオードパッケージアレイのＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面を示した断面図である。
【図３】本発明の図２に示した発光ダイオードパッケージの製造方法を順に示すための一断面図である。
【図４】引き続く発光ダイオードパッケージの製造方法を示す断面図である。
【図５】引き続く発光ダイオードパッケージの製造方法を示す断面図である。
【図６】引き続く発光ダイオードパッケージの製造方法を示す断面図である。
【図７】引き続く発光ダイオードパッケージの製造方法を示す断面図である。
【図８】引き続く発光ダイオードパッケージの製造方法を示す断面図である。
【図９】引き続く発光ダイオードパッケージの製造方法を示す断面図である。
【図１０】引き続く発光ダイオードパッケージの製造方法を示す断面図である。
【図１１】引き続く発光ダイオードパッケージの製造方法を示す断面図である。
【図１２】引き続く発光ダイオードパッケージの製造方法を示す断面図である。
【図１３】引き続く発光ダイオードパッケージの製造方法を示す断面図である。
【図１４】本発明の第２実施例による発光ダイオードパッケージを示した断面図である。
【図１５】図１４に示した発光ダイオードパッケージの製造方法を順に示すための一断面図である。
【図１６】引き続く発光ダイオードパッケージの製造方法を示す断面図である。
【図１７】引き続く発光ダイオードパッケージの製造方法を示す断面図である。
【図１８】引き続く発光ダイオードパッケージの製造方法を示す断面図である。
【図１９】引き続く発光ダイオードパッケージの製造方法を示す断面図である。
【図２０】引き続く発光ダイオードパッケージの製造方法を示す断面図である。
【図２１】本発明の第３実施例による発光ダイオードパッケージを示した断面図である。
【図２２】本発明の第４実施例による発光ダイオードパッケージを示した断面図である。
【図２３】本発明の実施例による発光ダイオードパッケージを有するバックライトユニットを示した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明は、多様な変換を加えることができ、さまざまな実施例を有することができるところ、特定の実施例を図面に示し、詳細な説明に詳しく説明する。しかし、これは、本発明を特定の実施形態に限定することではなく、本発明の思想および技術範囲に含まれるすべての変換、均等物乃至代替物を含むと理解しなければならない。本発明を説明することにおいて、かかる公知技術に対する具体的な説明が本発明の主旨を不明確にする可能性があると判断される場合は、その詳細な説明を略する。
【００１９】
第１、第２などの用語は多様な構成要素を説明するために使われるが、上記の構成要素は上記用語により限定されてはならない。上記用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的だけで使われる。
【００２０】
本出願で使用した用語は、ただ特定の実施例を説明するために使用されるものであって、本発明を限定しようとする意図ではない。単数の表現は、文脈上、明白に異なる意味を示さない限り、複数の表現を含む。本出願で、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載した特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであって、１つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加可能性を予め排除しているものではないと理解されなければならない。
【００２１】
図面に対する詳細な説明をする前に、本明細書における構成部に対する区分は、各構成部が担当する主機能別に分けたことに過ぎないことを明確にする。すなわち、以下で説明する２つ以上の構成部を１つの構成部として合わせるか、または１つの構成部をより細分化して、機能別に２以上に分けて備えることもできる。そして以下で説明する構成部それぞれは、自分が担当する主機能以外にも、他の構成部が担当する機能のうち、一部または全部の機能をさらに実施することもでき、構成部それぞれが担当する主機能のうち、一部または全部の機能が他の構成部により実施されることもできることは勿論である。
【００２２】
以下、本発明の実施例を添付した図面を参照し、詳しく説明する。本発明を説明することにおいて、全体的な理解を容易にするために、図面符号に構わず、同一手段は同一参照符号を付ける。
【００２３】
図１は、本発明の第１実施例による発光ダイオードパッケージアレイを示した平面図であり、図２は、図１に示した発光ダイオードパッケージアレイのＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面を示した断面図である。本発明では、便宜上、発光ダイオード用基板と発光ダイオードパッケージを区分して説明しているが、発光ダイオードパッケージは発光ダイオード基板を含むこともできる。
【００２４】
図１および図２を参照すれば、本発明による発光ダイオードパッケージは発光ダイオード用基板４００、発光ダイオード１００を含むことができる。ここで、発光ダイオード用基板４００は、金属基板１０、反射溝９０、第１陽極酸化膜２０、第２陽極酸化膜３０、フォトソルダレジストパターン５５、第１乃至第４電極７０、８０、７１、８１および隔壁５６を含むことができる。また、発光ダイオード１００に電圧が印加されるようにする第１および第２ワイヤ１１０、１２０を含むことができ、発光ダイオード１００を保護する保護層１３０および保護キャップ１４０を含むことができる。
【００２５】
具体的に、金属基板１０は、アルミニウムまたはアルミニウムを含む合金基板であることができる。アルミニウム素材の金属基板１０は、熱伝導率に優れ、加工が容易であるというメリットがある。しかし、金属基板１０は、アルミニウムだけでなく、チタン、マグネシウム、亜鉛、ニオビウムまたはこれを含む合金などを含むことができる。
【００２６】
反射溝９０は、金属基板１０の内側に陷沒されるように形成される。反射溝９０は、発光ダイオード１００で放出される光を反射させる。また、反射溝９０は、発光ダイオード１００の安着が容易になるように案内する役目ができる。反射溝９０は、陷沒された底の下部面９１および断面が傾斜して形成された反射面９２を含むことができる。
【００２７】
反射溝９０は、下部面の延長線と反射面９２が成す傾斜角(θ)が２０〜７０゜で形成されることができる。
【００２８】
傾斜角(θ)が２０゜未満の場合には、反射面９２が広がって光の反射量が増加することができるが、同一サイズの金属基板１０に配置され得る発光ダイオード１００の個数が減ることがある。また、傾斜角(θ)が７０゜以上の場合には、反射面９２の面積が減って発光ダイオード１００の光反射効率が低くなることがある。
【００２９】
反射溝９０は、２００乃至３００μｍの深みｄ１で形成されることができる。しかし、ここに限定されず、反射溝９０は、発光ダイオード１００の形態によって他の深みで形成されることができる。また、反射溝９０を形成する領域に形成される第１および第２陽極酸化膜２０、３０の厚さによって他の深みで形成されることができる。
【００３０】
反射溝９０は、発光ダイオード１００の個数、サイズおよび形状によってサイズが変わることができる。反射溝９０は、図１に示したように、光反射効率を大きくするために円形に形成した例を挙げて説明している。しかし、これに限定されず、四角形、三角形などの多角形の形状に形成することもできる。
【００３１】
反射溝９０は、発光ダイオード１００以外の表面放出レーザーまたはフォトダイオードなどが安着される場合に、アラインを容易にするための手段として使用されることができる。反射溝９０の形状は安着される発光ダイオード１００などの光素子の形態と類似に形成されることもできる。
【００３２】
第１陽極酸化膜２０は、金属基板１０を陽極処理(Anodizing)する方法を通じて形成される。第１陽極酸化膜２０は、金属基板１０の表面全体に形成されることができる。第１陽極酸化膜２０は、発光ダイオード１００から発生した熱が金属基板１０に容易に伝導されるように、内部に空孔がないように形成される。第１陽極酸化膜２０は金属基板１０と第１乃至第４電極７０、８０、７１、８１の間を絶縁させる。また、第１陽極酸化膜２０は、金属基板１０と第１乃至第３金属層４０、５０、６０の間を絶縁させる。
【００３３】
第１陽極酸化膜２０は、アルミニウムが酸化され形成されたアルミナ(Ａｌ２Ｏ３)を含むことができる。第１陽極酸化膜２０がアルミナ(Ａｌ２Ｏ３)で形成されるため、熱伝導率が高くて発光ダイオード１００から発生した熱を金属基板１０に容易に伝達することができる。
【００３４】
第１陽極酸化膜２０は、０．２乃至１．５μｍの厚さで形成されることができる。
【００３５】
第２陽極酸化膜３０は、第１陽極酸化膜２０と同一物質であることができ、第１陽極酸化膜２０を形成した陽極処理方法で形成されたアルミナ(Ａｌ２Ｏ３)を含むことができる。
【００３６】
第２陽極酸化膜３０は、第１陽極酸化膜２０の厚さが薄い場合、さらに形成することができる。
【００３７】
本発明の実施例では、陽極酸化膜が２重で形成されたが、必要によって３重層以上で形成されることもできる。これにより、陽極酸化膜の厚さを調節することができる。
【００３８】
第１電極７０は第２陽極酸化膜３０の上部に形成される。第１電極７０は、クロム、銅、銀、アルミニウム、金、タングステンなどの金属物質のうち、いずれか１つの金属物質で形成されることができる。第１電極７０は、クロム、銅、銀、アルミニウム、金、タングステンなどの金属物質のうち、いずれか１つを含む合金で形成されることができる。また、第１電極７０は、単一層または２重層の以上に形成されることができる。第１電極７０は、図２に示したように、第１乃至第３金属層４１、５１、６１を積層することによって形成してもよい。
【００３９】
第１電極７０は、第２陽極酸化膜３０の上にクロムを含む金属物質で形成された第１金属層４１、第１金属層４１の上に銅を含む金属物質で形成された第２金属層５１、および第２金属層５１の上に銀を含む金属物質で形成された第３金属層６１を含むことができる。
【００４０】
第２金属層５１に含まれた銅は、第２陽極酸化膜３０との親和性が弱い。したがって、第１電極７０と第２陽極酸化膜３０の親和力を高めるクロムを含む金属で、第１金属層４１を第２陽極酸化膜３０と第２金属層５１との間に形成する。
【００４１】
第２金属層５１は、銅、銅−ニッケル、銅−ニッケル−金などの金属物質で形成されることができる。
【００４２】
第３金属層６１は、ソルダリングなどの方法を通じて第１ワイヤ１１０と電気的に連結される。
【００４３】
第２電極８０は、第１電極７０と同一金属物質で形成される。第２電極８０は、第２陽極酸化膜３０と接触する部分にクロムなどで形成された第１金属層４２、第１金属層４２の上部に銅で形成された第２金属層５２、および第２金属層５２の上部に銀で形成された第３金属層６２を含むことができる。
【００４４】
第２金属層５２は、銅だけでなく、銅−ニッケル、銅−ニッケル−金などの導電性物質で形成されることができる。
【００４５】
第３金属層６２は、銀などの導電性物質で形成される。第３金属層６２は、第２ワイヤ１２０と電気的に連結される。
【００４６】
第３電極７１は、第１乃至第３金属層４１、５１、７１が積層され形成される。ここで、第１および第２金属層は、第１電極７０の第１および第２金属層４１、５１が延長され形成されたものである。第３金属層７１は、銀または銀を含む金属物質で形成されることができる。ここで、第３電極７１は、印刷回路基板と電気的に連結される。
【００４７】
第４電極８１は、第１乃至第３金属層４２、５２、８１が積層され形成される。第４電極８１の第１および第２金属層は、第２電極８０の第１および第２金属層４２、５２が延長され形成されたものである。第３金属層８１は、銀または銀を含む金属物質で形成されることができる。ここで、第４電極８１は、印刷回路基板と電気的に連結される。
【００４８】
本発明の第１乃至第４電極７０、８０、７１、８１は、それぞれに形成された第１および第２金属層４１、４２、５１、５２だけで構成されることもできる。
【００４９】
フォトソルダレジストパターン５５は、第１乃至第４電極７０、８０、７１、８１の側面を包むように形成されて電気的に絶縁させる。フォトソルダレジストパターン５５は、第１および第２電極８０の上部だけでなく、発光ダイオード１００が形成される領域を除いた他の領域に全て形成されることができる。フォトソルダレジストパターン５５は、発光ダイオード１００から放出される光を反射させるために白色物質で形成されることができる。
【００５０】
本発明は、反射溝９０が形成された領域に積層された形態の第１乃至第３金属層４０、５０、６０を含むことができる。反射溝９０が形成された領域の第１乃至第３金属層４０、５０、６０は、発光ダイオード１００から発生された熱を金属基板１０に効果的に伝導できるようにする。また、第３金属層６０は、銀または銀を含む金属物質で形成しているため、光反射効率を高めることができる。
【００５１】
発光ダイオード１００は、反射溝９０に安着され、下面は接着剤などで接着される。
【００５２】
第１ワイヤ１１０は、発光ダイオード１００から引き出され、第１電極７０と電気的に連結される。第２ワイヤ１２０は、発光ダイオード１００から引き出され、第２電極８０と電気的に連結される。第１および第２ワイヤ１１０、１２０は、第１および第２電極８０のそれぞれに供給される電圧を発光ダイオード１００に供給する。
【００５３】
本発明による発光ダイオードパッケージは、発光ダイオード１００を保護する保護層１３０および保護キャップ１４０をさらに含むことができる。
【００５４】
保護層１３０は、燐光物質およびエポキシが混合された物質で形成されることができる。保護層１３０は、発光ダイオード１００を固定させることができる。ここで、保護層１３０の燐光物質は、発光ダイオード１００から特定の色または波長で放出された光を白色光に変換して放出することができる。また、逆に、燐光物質は発光ダイオード１００から放出された白色光を特定波長に変換することもできる。
【００５５】
保護キャップ１４０は、保護層１３０の外郭にプラスチックなどの透明物質で形成することができる。
【００５６】
本発明による発光ダイオードパッケージ５００は、内部の保護層１３０が外部に流出されることを防止する隔壁５６をさらに含むことができる。
【００５７】
本発明による発光ダイオードパッケージは、第１および第２電極７０、８０のそれぞれの第２金属層６１、６２で使用される銅の成長または酸化を防止するために、それぞれの第２金属層６１、６２の上部に、ニッケルまたはニッケルを含む導電性金属層をさらに含むこともできる。
【００５８】
本発明では、発光ダイオードが接着された発光ダイオードパッケージに関して説明したが、発光ダイオード以外に、表面放出レーザーまたはフォトダイオードなどの光素子が使用されることもできる。
【００５９】
図３乃至図１３は、本発明の第１実施例による発光ダイオードパッケージの製造方法を順に示した断面図である。
【００６０】
図３に示したように、金属基板１０に一定間隔で反射溝９０を形成する。ここで、金属基板１０は、アルミニウム、チタン、マグネシウム、亜鉛、ニオビウムなどの単一金属またはこれらのうち、少なくともいずれか１つを含む合金であることができる。以下の説明では、金属基板１０は熱伝逹係数が２１０〜２３０W/m゜Kであるアルミニウムまたはアルミニウム合金を例を挙げて説明する。
【００６１】
反射溝９０は、発光ダイオード１００から放出される光の反射効率を向上させるために形成することができる。
【００６２】
また、反射溝９０は、マシニングセンターラッピング(MCT Rapping)方法を通じて形成することができる。すなわち、反射溝９０は、精密マイクロ旋盤加工技術であるマシニングセンターラッピング方法を利用して数十乃至数百μｍの深みで金属基板１０を成形する。反射溝９０は、マシニングセンターラッピング(MCT Rapping)方法の以外に、他の金属成形加工技術を通じて形成することができる。
【００６３】
さらに、反射溝９０は、図３に示したように、下部面９１から傾斜角(θ)を有する反射面９２を含むことができる。反射溝９０は、下部面９１から延びた線と反射面９２の間の傾斜角(θ)が２０〜７０゜になるように形成することができる。反射溝９０は、下部面９１の面積に比べて上部の開放された領域の面積をより広く形成することができる。反射溝９０の深みｄ１は、１００〜３００μｍ程度で形成することができる。しかし、反射溝９０の深みはこれに限定されない。
【００６４】
反射溝９０は、金属基板１０に、ＭｘＮ(Ｍ、Ｎは、自然数)の個数で形成することができる。
【００６５】
反射溝９０は、図１に示したように、円形に形成することができる。しかし、これに限定されず、四角形、三角形などの多角形の形状に形成することもできる。
【００６６】
次に、反射溝９０が形成された金属基板１０の表面をラッピング(Rapping)、ポリシング(Polishing)、バフ研磨法(Buffing)などの方法できれいに加工する表面処理工程を実施する。表面処理工程は均一な陽極酸化膜を形成する前処理工程である。
【００６７】
次に、図４に示したように、金属基板１０に第１陽極酸化膜２０を形成する。第１陽極酸化膜を形成する段階は、金属基板１０を電解槽に浸した状態で金属基板１０と電解液の間に電圧を印加して金属基板１０の表面にアルミナ(Ａｌ２Ｏ３)を形成するバリアタイプ(Barrier Type)陽極処理方法を使用する。
【００６８】
ここで、第１陽極酸化膜２０を形成する段階で、ホウ酸塩(Borate)または酒石酸塩バス(Tartrate Bath)方法を用いて、アルミナ(Ａｌ２Ｏ３)の空孔を取り除いて１００％のアルミナ(Ａｌ２Ｏ３)層を形成する。
【００６９】
具体的に説明すれば、金属基板１０を中性の硼酸（neutral boric acid）、硼酸アンモニウム（ammonium borate）、酒石酸塩（tartrate）、四硼酸アンモニウム（ammonium tetraborate）、酒石酸アンモニウム（ammonium tartrate）などの電解液に浸し、金属基板１０と電解液の間に２５０乃至４５０Ｖの電圧を印加する。ここで、高電圧が印加されると第１陽極酸化膜２０の厚さが厚くなり、低電圧が印加されると第１陽極酸化膜２０の厚さが薄くなる。したがって、電圧レベルを調節して第１陽極酸化膜２０の厚さを調節することができる。
【００７０】
ここで、第１陽極酸化膜２０は０．２乃至１．５μｍの厚さになるように形成することができる。
【００７１】
次に、第１陽極酸化膜２０の上に金属層２５を形成する。図５に示したように、スパッタリングまたは化学気相蒸着法などの蒸着方法を用いて第１陽極酸化膜２０の上に金属層２５を形成する。金属層２５は、約０．４乃至１．５μｍの厚さで形成されることができる。
【００７２】
金属層２５は、アルミニウム、チタン、マグネシウム、亜鉛、ニオビウムなどの単一金属またはこれを含む合金などで形成されることができる。本発明では、陽極酸化膜形成が容易であり、熱伝導率が高いアルミニウムまたはアルミニウム合金を使用した例を挙げて説明するが、これに限定されない。
【００７３】
続いて、金属層２５を上記バリアタイプ(Barrier Type)の陽極処理方法を使用してアルミナを形成することにより、図６のような第２陽極酸化膜３０を形成する。
【００７４】
ここで、第２陽極酸化膜３０を形成するために、図５に示した金属層２５の形成段階と、図６に示した金属層２５を第２陽極酸化膜３０に変換する段階を繰り返して陽極酸化膜の厚さを厚く調節することができる。すなわち、第２陽極酸化膜３０の上に金属層を形成し、これを陽極処理方法を通じて陽極酸化膜をさらに形成させることができる。
【００７５】
次に、図７に示したように、第２陽極酸化膜３０の上に、第１金属層４０および第２金属層２００をスパッタリングまたは化学気相蒸着法を通じて連続的に形成する。第１金属層４０は、クロムまたはクロムを含む合金であることができる。第１金属層４０は、第２陽極酸化膜３０と親和性の高いクロム以外の金属を使用することもできる。
【００７６】
第２金属層２００は、銅または銅を含む合金であることができる。第２金属層２００は、銅以外に導電性の高い物質で形成することができ、後に電解銅メッキが可能な物質で形成することができる。
【００７７】
次に、第２金属層２００の上に、図８に示したフォトレジストパターン２１０を形成する。フォトレジストパターン２１０を形成する段階では、第２金属層２００の上にフォトレジストを形成した後、露光および現像工程を通じて図８に示したフォトレジストパターン２１０を形成する。
【００７８】
フォトレジストパターン２１０は、反射溝９０が形成された領域および第１乃至第４電極７０、８０、７１、８１が形成される領域を除いた他の領域をすべて覆うように形成される。
【００７９】
次に、フォトレジストパターン２１０によって露出された領域に金属パターン２２０を形成する。図９に示したように、金属パターン２２０は電解メッキが可能な金属、例として銅または銅を含む合金などを用いてフォトレジストパターンによって露出した領域に形成される。金属パターン２２０は、銅、銅−ニッケル、銅−ニッケル−金などの金属を電解メッキして形成することができる。
【００８０】
次に、フォトレジストパターン２１０を取り除くと、図１０に示したように、第２金属層２３０は段差があるように形成される。段差のある金属層２３０のうち、食刻比を異にして厚さが薄い部分を食刻工程を通じて取り除き、段差のある金属層２３０の厚さが厚い部分の一部を残す。続いて、第１金属層４０の一部を食刻して取り除く。すなわち、段差のある金属層２３０が取り除かれた領域により露出された第１金属層４０が取り除かれる。段差のある金属層２３０の物質と第１金属層４０が互いに異なる金属物質であるので、第１金属層４０のみを食刻することができる物質を通じて露出した領域だけを食刻することができる。
【００８１】
上記のような食刻工程を用いて図１１に示したパターンを形成することができる。
【００８２】
次に、図１２のように、フォトソルダレジストパターン５５を形成する。フォトソルダレジストパターン５５は、全領域にフォトソルダレジストを形成した後に、マスクを利用した露光および現像工程を通じて形成する。ここで、フォトソルダレジストパターン５５は、白色に形成して発光ダイオードの反射率を高めるようにする。
【００８３】
第１乃至第４電極７０、８０、７１、８１と光素子が安着される領域の金属層をすべて形成した後、隔壁５６を形成する。図１２に示したように、隔壁５６は、フォトソルダレジストパターン５５の上に、第１と第３電極７１の間および第２と第４電極８１の間にそれぞれ形成される。隔壁５６は、反射率が高い物質で形成されることができる。また、隔壁５６は、フォトソルダレジストが形成される際に同一物質で同時に形成されることもできる。
【００８４】
続いて、フォトソルダレジストパターン５５によって露出された領域に第３金属層６０、６１、６２を形成する。第３金属層６０、６１、６２は、導電性金属を利用して形成することができる。特に、発光ダイオード１００が配置される領域、すなわち、反射溝９０が形成された領域に形成される第３金属層６０、６１、６２は、反射率が高い導電性金属物質を使用することができる。例えば、第３金属層６０、６１、６２は、銀または銀を含む金属が使用されることができ、無電解メッキ方法、スパッタリング方法などを通じて形成することができる。
【００８５】
ここで、第３金属層６０、６１、６２が形成される段階前に、第２金属層２３０に銅を使用した場合、銅の成長を阻むためにニッケルなどの金属を用いて遮断金属層をさらに形成することもできる。
【００８６】
続いて、図１３に示したように、発光ダイオード１００を接着し、第１および第２ワイヤ１１０、１２０のそれぞれと第１および第２電極８０を連結する。その後、保護層１３０を形成し、保護キャップ１４０を覆って仕上げる。
【００８７】
次に、切断線６００に沿って切断して発光ダイオードパッケージを形成する。ここで、発光ダイオード用基板４００が用意された後に切断し、発光ダイオード１００を接着することもできる。
【００８８】
図１４は、本発明の第２実施例による発光ダイオードパッケージを示した断面図である。図１４は、図２に示した発光ダイオードパッケージの第１および第２金属層４０、５０が取り除かれたこと以外は同一構成要素を含む。以下の説明では、図２と重複された構成要素に対する説明は略する。
【００８９】
図１４を参照すれば、本発明の第２実施例による発光ダイオードパッケージは、発光ダイオード用基板４００、発光ダイオード１００、第１ワイヤ１１０および第２ワイヤ１２０を含むことができる。ここで、発光ダイオード用基板４００は、金属基板１０、反射溝９０、第１陽極酸化膜２０、第２陽極酸化膜３０、フォトソルダレジストパターン５５、第１電極７０乃至第４電極８１および隔壁５６を含むことができる。
【００９０】
具体的に、金属基板１０は、アルミニウム、チタン、マグネシウム、亜鉛、ニオビウムまたはこれを含む合金などを含むことができる。
【００９１】
反射溝９０は、金属基板１０の一側面に少なくとも１つが形成されることができる。
【００９２】
反射溝９０は、金属基板１０の内側に凹状に形成される。反射溝９０は、図１に示したように、円形に形成されることができるが、これに限定されず、三角形、四角形などの多角形に形成されることができる。
【００９３】
反射溝９０は、反射面９２と下部面９１の延長線が成す傾斜角(θ)が２０〜７０゜であることができる。傾斜角(θ)が２０゜未満の場合には、反射面９２が広がって光の反射量が増加することができるが、同一サイズの金属基板１０に形成され得る発光ダイオード１００の個数が減ることがある。また、傾斜角(θ)が７０゜以上であれば、反射面９２の面積が減って発光ダイオードの光反射効率が低くなることがある。
【００９４】
反射溝９０は、２００乃至３００μｍの深みｄ１で形成されることができる。しかし、これに限定されず、反射溝９０は発光ダイオード１００の形態によって他の深みで形成されることができる。また、反射溝９０を形成する領域に形成される第１および第２陽極酸化膜２０、３０の厚さによって他の深みで形成されることができる。
【００９５】
第１陽極酸化膜２０は、金属基板１０を陽極処理(Anodizing)する方法を通じて形成される。第１陽極酸化膜２０は、金属基板１０の全体に形成されることができる。第１陽極酸化膜２０は、金属基板１０への熱伝導を高めるために空孔がないように形成される。第１陽極酸化膜２０は、金属基板１０と第１乃至第４電極７０、８０、７１、８１の間を絶縁させる。第１陽極酸化膜２０は、０．２乃至１．５μｍの厚さで形成されることができる。
【００９６】
第２陽極酸化膜３０は第１陽極酸化膜２０の上に形成される。第２陽極酸化膜３０は、第１陽極酸化膜２０と同一物質であるアルミナ(Ａｌ２Ｏ３)を含むことができる。第２陽極酸化膜３０は０．４〜１．５μｍの厚さで形成されることができる。
【００９７】
本発明では、第１および第２陽極酸化膜２０、３０が形成されたことを例として説明しているが、第２陽極酸化膜３０上に形成された陽極酸化膜をさらに含むこともできる。これにより、金属基板１０を絶縁させる陽極酸化膜の厚さを調節することができる。
【００９８】
フォトソルダレジストパターン５５は、第１電極７０と第２電極８０を電気的に絶縁させる。また、フォトソルダレジストパターン５５は、図面に示していなかったが、第１乃至第４電極７０、８０、７１、８１が外部に露出される領域および発光ダイオード１００が安着される領域を除いた全領域に形成されることができる。
【００９９】
第１電極７０は、第１乃至第３金属層４１、５１、６１が積層され形成されることができる。第１金属層４１は、第２陽極酸化膜３０と親和性に優れたクロムまたはクロムを含む金属物質で形成されることができる。第２金属層５１は、導電性に優れた銅または銅を含む金属物質で形成されることができる。第３金属層６１は、無電解メッキが可能な銀または銀を含む金属物質で形成されることができる。第３金属層６１は、外部に露出して第１ワイヤ１１０と電気的に連結される。
【０１００】
第２電極８０は、第１乃至第３金属層４２、５２、６２が積層され形成されることができる。第１金属層４２は、第２陽極酸化膜３０と親和性に優れたクロムまたはクロムを含む金属物質で形成されることができる。第２金属層５２は、導電性に優れた銅または銅を含む金属物質で形成されることができる。第３金属層６２は、無電解メッキが可能な銀または銀を含む金属物質で形成されることができる。第３金属層６２は、外部に露出して第２ワイヤ１２０と電気的に連結される。
【０１０１】
第３電極７１は、第１電極７０の第１および第２金属層４１、５１が延びた領域の上に形成される。第３電極７１は、第１電極７０の第３金属層６１と同一物質で同一工程を通じて形成される。ここで、第３電極７１は、未図示の印刷回路基板と連結されることができる。これによって、第３電極７１は、印刷回路基板を通じて印加された電圧を第１電極７０に印加することができる。
【０１０２】
第４電極８１は、第２電極８０の第１および第２金属層４２、５２が延びた領域の上に形成される。第３電極７１は、第２電極８０の第３金属層６２と同一物質で同一工程を通じて形成される。ここで、第３電極７１は、未図示の印刷回路基板と連結されることができる。これによって、第３電極７１は、印刷回路基板を通じて印加された電圧を第２電極８０に印加することができる。
【０１０３】
発光ダイオード１００は、反射溝９０が形成された領域に接着される。ここで、発光ダイオード１００は、第３金属層６０の上に形成されることができる。第３金属層６０は、上記で説明しなかったが、光反射率が高い銀などの導電性物質で形成される。
【０１０４】
発光ダイオード１００から引き出された第１ワイヤ１１０は第１電極７０と電気的に連結され、第２ワイヤ１２０は第２電極８０と連結される。
【０１０５】
本発明は、発光ダイオード１００の上側は発光ダイオード１００を外部の要因から保護する保護層１３０をさらに含むことができる。保護層１３０は、燐光物質とエポキシを混合した物質を使用する。保護層１３０は、燐光物質を使用することにより発光ダイオード１００で放出された光である特定色相の光を白色光に変換することができる。また、燐光物質は、発光ダイオード１００から放出された白色光を赤、緑、青のうち、いずれか１つの光に変換して放出されるようにすることができる。
【０１０６】
本発明による発光ダイオードパッケージは、保護層１３０の外側に透明素材のプラスチックなどの材質で形成された保護キャップ１４０をさらに含むことができる。
【０１０７】
一方、本発明による発光ダイオードパッケージは、保護層１３０を形成する際に保護層１３０が外部に流出されることを防止する隔壁５６をさらに含むことができる。図１４に示したように、隔壁５６は断面が四角形に形成されることができる。しかし、これに限定されず、光反射率を高めるために三角形または台形状に形成されることができる。
【０１０８】
図１５乃至図２０は、図１４に示した本発明の第２実施例による光素子パッケージの製造方法を順に示した断面図である。
【０１０９】
金属基板１０に反射溝９０、第１陽極酸化膜２０、第２陽極酸化膜３０、第１金属層４０および第２金属層２００を形成する段階は、本発明の第１実施例による光素子パッケージの製造方法を示した図３乃至図７と同一工程で製造されることができる。以下、第２金属層が形成された後の工程を具体的に説明する。
【０１１０】
まず、金属基板１０に反射溝９０を形成する。続いて、金属基板１０をラッピング、ポリシングなどの工程を通じてきれいに加工する。次に、バリアタイプの陽極処理方法を通じて金属基板１０の表面を酸化させて第１陽極酸化膜２０を形成する。
【０１１１】
次に、第１陽極酸化膜２０の上にアルミニウム層を形成し、またバリアタイプの陽極処理方法を通じて第２陽極酸化膜３０を形成する。
【０１１２】
続いて、スパッタリングまたは化学気相蒸着方法などを通じてクロムまたはクロムを含む金属物質を含む第１金属層４０と、銅または銅を含む金属物質を含む第２金属層２００を連続蒸着する。
【０１１３】
続いて、第２金属層２００の上にフォトレジストパターン２１０を形成する。フォトレジストパターン２１０は、第２金属層２００の上にフォトレジストを塗布した後に、露光および現像工程を通じて、図１５に示したフォトレジストパターン２１０を形成する。ここで、フォトレジストパターン２１０は、第１乃至第４電極７０、８０、７１、８１が形成される領域を除いた全領域にフォトレジストが残留して形成される。
【０１１４】
次に、フォトレジストパターン２１０で露出した第２金属層２００の上に金属パターン２２０を形成する。図１６に示したように、金属パターン２２０は、電解メッキ方法を用いて第２金属層２００と同一物質で形成する。
【０１１５】
次に、フォトレジストパターン２１０を取り除くと、図１７に示したように、段差のある金属層２３０が形成される。
【０１１６】
続いて、段差のある金属層２３０を湿式エッチングまたは乾式エッチング方法を利用して厚さが薄い領域の金属層を取り除く。ここで、取り除かれる領域は、図１８に示したように、第１乃至第４電極７０、８０、７１、８１が形成される領域以外の領域が除去される。続いて、湿式エッチングまたは乾式エッチング方法を通じて第２金属層２３０が取り除かれ、露出された領域の第１金属層４０を食刻する。
【０１１７】
次に、図１９に示したように、フォトソルダレジストパターン５５を形成する。フォトソルダレジストパターン５５を形成した後、銀または銀を含む金属で第３金属層６１、６２を形成する。次に、隔壁５６を形成する。ここで、第３金属層６１、６２を形成する前に隔壁５６を形成することもできる。
【０１１８】
次に、図２０のように、発光ダイオード１００を接着し、第１ワイヤ１１０を第１電極７０にソルダリングなどの工程で連結し、第２ワイヤ１２０を第２電極８０に連結する。続いて、保護層１３０および保護キャップ１４０を形成する。
【０１１９】
図２１は、本発明の第３実施例による発光ダイオードパッケージを示した断面図である。図２１に示した発光ダイオードパッケージは、図２に示した発光ダイオードパッケージで反射溝９０が形成されないことを以外は同一構成要素を備える。
【０１２０】
具体的に、本発明の第３実施例による光素子パッケージは、発光ダイオード用基板および発光ダイオード１００を含む。発光ダイオード用基板は、金属基板１０に第１陽極酸化膜２０が形成されることができる。また、第１陽極酸化膜２０上に形成された第２陽極酸化膜３０をさらに含むことができる。
【０１２１】
発光ダイオード用基板は、第１乃至第４電極７０、８０、７１、８１を含む。第１乃至第４電極７０、８０、７１、８１は、図２に示した第１乃至第４電極７０、８０、７１、８１と同一であるので、説明は略する。
【０１２２】
第３金属層６０の上に発光ダイオード１００が形成され、第１ワイヤ１１０は第１電極７０とソルダリングなどの方法で連結される。
【０１２３】
保護層１３０は、発光ダイオード１００を覆うように燐光物質とエポキシが混合した物質で形成され、保護層１３０の上に形成された保護キャップ１４０を含む。
【０１２４】
一方、本発明の第３実施例による光素子パッケージは、発光ダイオード１００が安着される領域に第１および第２金属層４０、５０が除去されることができる。また、図２に形成された隔壁５６がさらに形成されることができる。
【０１２５】
本発明の第３実施例による光素子パッケージの製造方法は、本発明の第１実施例による光素子パッケージの製造方法のうち、反射溝を形成する段階を経ないで同一方法で形成されることができる。
【０１２６】
図２２は、本発明の第４実施例による光素子パッケージを示した断面図である。図２２は、図２に示した光素子パッケージが切断線に沿って切断された後、単一発光ダイオードパッケージを示した図面である。図２２に示した発光ダイオードパッケージは、図２に示した発光ダイオードパッケージに印刷回路基板２７０が付着され、印刷回路基板２７０と保護キャップ１４０の間に反射板２８０を備えたこと以外は同一である。同一構成についての説明は略する。
【０１２７】
反射板２８０は、反射率が高い金属または非金属物質で形成されることができる。また、反射板２８０は、非金属物質に反射率が高い物質でコーティングされた反射膜をさらに含むことができる。
【０１２８】
本発明の発光ダイオードパッケージは、液晶表示装置のバックライトユニットで使用されることができる。
【０１２９】
図２３は、本発明の実施例による発光ダイオードパッケージを用いたバックライトユニットを概略的に示した平面図である。
【０１３０】
図２３を参照すれば、バックライトユニットは、導光板８００、発光ダイオードパッケージ５００およびフレーム７００を含むことができる。
【０１３１】
発光ダイオードパッケージ５００は、図２に示した発光ダイオードパッケージがバータイプ(Bar Type)に形成されることができる。
【０１３２】
導光板８００は、発光ダイオード１００から供給された光を案内して発光ダイオード１００から入射された光を垂直方向に均一に放出する。
【０１３３】
フレーム７００は、発光ダイオードパッケージ５００の一側面と接着される。
【０１３４】
バックライトユニットは、発光ダイオード１００から発生された熱が発光ダイオード用基板４００に伝達され、これと連結されたフレーム７００を通じて外部に放出される。これによって、発光ダイオード１００の個数を多く使っても熱が外部に容易に放出される。
【０１３５】
図２３では、エッジタイプのバックライトユニットを示したが、面光源形態のバックライトユニットを構成することもできる。
【０１３６】
また、本発明の実施例による光素子用基板、光素子パッケージおよびその製造方法は、上記バックライトユニットの以外に、室内、室外の照明装置に使用可能である。
【０１３７】
上記では本発明の望ましい実施例を参照して説明したが、該当の技術分野で通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載した本発明の思想および領域から脱しない範囲内で本発明を多様に修正および変更させることができるのは理解できるはずである。
【産業上の利用可能性】
【０１３８】
本発明は、金属基板を使用して光素子から発生される熱を効率的に放出することができる効果を奏する。
【０１３９】
また、本発明は、金属基板の陽極酸化膜の厚さを容易に調節することができる効果がある。
【０１４０】
本発明は、金属基板に反射溝を形成して光利用効率を向上させ、容易に光素子を並べる（align)ことができる。
【符号の説明】
【０１４１】
１０：金属基板                      ２０：第１陽極酸化膜
３０：第２陽極酸化膜                ４０：第１金属層
５０：第２金属層                    ６０：第３金属層
７０：第１電極                      ７１：第３電極
８０：第２電極                      ８１：第４電極
９０：反射溝                        １００：発光ダイオード
１１０：第１ワイヤ                  １２０：第２ワイヤ
１３０：保護層                      １４０：保護キャップ
４００：発光ダイオード用基板        ５００：発光ダイオードパッケージ
【図１】
2012517697.tif 000003
【図２】
2012517697.tif 000004
【図３】
2012517697.tif 000005
【図４】
2012517697.tif 000006
【図５】
2012517697.tif 000007
【図６】
2012517697.tif 000008
【図７】
2012517697.tif 000009
【図８】
2012517697.tif 000010
【図９】
2012517697.tif 000011
【図１０】
2012517697.tif 000012
【図１１】
2012517697.tif 000013
【図１２】
2012517697.tif 000014
【図１３】
2012517697.tif 000015
【図１４】
2012517697.tif 000016
【図１５】
2012517697.tif 000017
【図１６】
2012517697.tif 000018
【図１７】
2012517697.tif 000019
【図１８】
2012517697.tif 000020
【図１９】
2012517697.tif 000021
【図２０】
2012517697.tif 000022
【図２１】
2012517697.tif 000023
【図２２】
2012517697.tif 000024
【図２３】
2012517697.tif 000025
【国際調査報告】
2012517697.tif 000026
2012517697.tif 000027
2012517697.tif 000028
2012517697.tif 000029