(57)【要約】  本発明は、階層構造における層の表面上にレリーフパターンを形成し、次に、上記階層構造の後続処理の際に下層のレリーフパターンの保護する保護固定層を上記レリーフパターンの少なくとも一部に形成する、階層構造の一部としてレリーフパターンを形成する方法を提供する。その結果、上記レリーフの少なくとも一部には、例えばレリーフパターンが設けられる積層構造を形成する場合などの上記階層構造の後続処理の際にレリーフパターンの特性を保持する保護固定層が設けられている、基材の表面上に形成されたレリーフパターンを有する基材を含む階層構造を提供する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
階層構造における層の表面上にレリーフパターンを形成し、次に、前記階層構造の後続処理の際に下層のレリーフパターンの保護する保護固定層を前記レリーフパターンの少なくとも一部に形成することを特徴とする階層構造の一部としてレリーフパターンを形成する方法。
【請求項２】
マイクロレリーフパターンの形成工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の形成方法。
【請求項３】
回折及び/又はホログラフィック表面レリーフパターンの形成工程を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の形成方法。
【請求項４】
基材上又は前記階層構造の他の適切な層上に前記レリーフパターンを形成することを含む請求項１、２、又は３に記載の形成方法。
【請求項５】
熱可塑性材料層の表面に前記レリーフパターンを形成することを含む請求項１乃至４の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項６】
前記保護固定層は有機又は無機材料を含み、有機又は無機材料層の表面にレリーフパターンを形成することを含むことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項７】
前記後続処理の工程は、少なくとも前記保護固定層を覆うさらなる層の追加を伴うことを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項８】
前記さらなる層は、前記基材又は前記他の適切な層として、同一又は異なる材料から形成されることを特徴とする請求項７に記載の形成方法。
【請求項９】
前記階層構造の透明な前記層及び/又は透明な固定層の提供を含むことを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項１０】
不透明な固定層又は不透明な前記層を提供することを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項１１】
金属処理された固定層及び/又は金属処理された前記層の提供を含むことを特徴とする請求項１乃至１０の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項１２】
前記固定層を選択的に配置することを含む請求項１乃至１１の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項１３】
前記選択された配置において前記固定層を堆積する工程を含むことを特徴とする請求項１２に記載の形成方法。
【請求項１４】
前記固定層を電気化学的に配置する工程を含むことを特徴とする請求項１３に記載の形成方法。
【請求項１５】
前記固定層の選択的配置を実現するための除去工程を含むことを特徴とする請求項１２、１３、又は１４に記載の形成方法。
【請求項１６】
前記固定層を提供するための重ね刷り工程を含むことを特徴とする請求項１乃至１５の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項１７】
前記固定層は前記レリーフパターンの複製を提供するように配列されることを特徴とする請求項１乃至１６の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項１８】
前記固定層は前記階層構造内で電子回路要素を形成するように配列されることを特徴とする請求項１乃至１７の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項１９】
前記固定層は前記階層構造内で光素子を形成するように配列されることを特徴とする請求項１乃至１８の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項２０】
前記固定層は前記階層構造の表面要素又は埋設要素の少なくとも何れか一つを形成することを特徴とする請求項１乃至１９の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項２１】
階層構造における層の表面上のレリーフパターンと、前記積層構成の後続処理の際に下層のレリーフパターンを保護するように配列され、前記レリーフパターンの少なくとも一部に設けられる保護固定層と、を含むことを特徴とする階層構造。
【請求項２２】
前記レリーフパターンはマイクロレリーフパターンを含むことを特徴とする請求項２１に記載の階層構造。
【請求項２３】
前記レリーフパターンは回折及び/又はホログラフィック表面レリーフパターンを含むことを特徴とする請求項２１又は２２に記載の階層構造。
【請求項２４】
前記層は、基材又は他の適切な層を含むことを特徴とする請求項２１、２２、又は２３に記載の階層構造。
【請求項２５】
前記層は熱可塑性材料層を含むことを特徴とする請求項２１乃至２４の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項２６】
前記層及び/又は固定層は有機又は無機材料層を含むことを特徴とする請求項２１乃至２４の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項２７】
少なくとも前記保護固定層を覆うさらなる層を含むことを特徴とする請求項２１乃至２６の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項２８】
前記さらなる層は前記基材として同一又は異なる材料から形成されることを特徴とする請求項２７に記載の階層構造。
【請求項２９】
透明な固定層及び/又は透明な前記層を含むことを特徴とする請求項２１乃至２８の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項３０】
不透明な固定層及び/又は不透明な前記層を含むことを特徴とする請求項２１乃至２８の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項３１】
前記固定層は金属処理された固定層を含むことを特徴とする請求項２１乃至３０の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項３２】
前記固定層は前記レリーフパターンの領域にわたって選択的に配置されることを特徴とする請求項２１乃至３１の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項３３】
堆積された固定層を含むことを特徴とする請求項３２に記載の階層構造。
【請求項３４】
電気化学的に堆積された固定層を含むことを特徴とする請求項３３に記載の階層構造。
【請求項３５】
前記固定層の選択的配置を実現するように前記固定層の領域が除去されたことを特徴とする請求項３２、３３、又は３４に記載の階層構造。
【請求項３６】
重ね刷りされた固定層を含むことを特徴とする請求項２１乃至３５の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項３７】
前記固定層は前記レリーフパターンの複製を提供するように配列されることを特徴とする請求項２１乃至３６の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項３８】
前記固定層は前記階層構造内で電子回路要素を形成するように配列されることを特徴とする請求項２１乃至３７の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項３９】
前記固定層は前記階層構造内で光素子を形成するように配列されることを特徴とする請求項２１乃至３８の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項４０】
前記固定層は前記階層構造の表面要素又は埋設要素の少なくとも何れか一つを形成することを特徴とする請求項２１乃至３９の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項４１】
前記固定層は、前記階層構造に対してレーザ書き込み処理ができるように、適切な寸法及び間隔の個別の固定層要素を含むことを特徴とする請求項１２乃至１５の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項４２】
僅かにグラディエントなレリーフパターンを提供する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至２０の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項４３】
前記固定層は、前記階層構造に対してレーザ書き込み処理ができるように、適切な寸法及び間隔を有する個別の固定層要素を含むことを特徴とする請求項３２乃至３５の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項４４】
前記レリーフパターンは僅かにグラディエントなことを特徴とする請求項２１乃至４０の何れか一項に記載の階層構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロレリーフ構造、埋め込み型薄膜構造を採用する構造、及びそれら製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
種々の材料内にマイクロサイズやナノサイズのレリーフをエンボス加工する多くの技法が存在する。しかしながら、特に熱可塑性材料を用いた際に、例えば比較的高温度下で積層されたときなどの機械的にさらなる処理（エンボス加工、圧搾）がされた場合、レリーフが本質的に乱されたり完全に取り除かれたりした場合、又はレリーフパターンが同様に損傷を受ける危険がある場合、上記レリーフの保全問題が頻発している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００５／０７８５３０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
既知の積層技法においては、屈折率の整合やレリーフの熱可塑性樹脂破壊の結果、回折などに関してマイクロレリーフを完全に消去することがあるため、ポリカーボネートなどの材料内に回折レリーフを埋め込むことは従来からの課題であった。
【０００５】
セキュリティーホログラフィック情報が熱可塑性樹脂体に埋設又は埋め込まれている状態において、材料が乱されると、樹脂から金属要素を容易に除去可能となり、後に偽造セキュリティ装置や関連装置において再利用可能となる。
【０００６】
上記に鑑み、本発明はこのような問題の解決手段を提供することを目的とする。本発明においては、偽造又は分解を試みると元のフォレンジック特徴の非可逆分解を招く。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、マイクロレリーフパターンなどを受ける材料、例えば表面にエンボス加工され、次に固定されたマイクロレリーフを備える熱可塑性材料などの材料に、比較的薄い金属又は非金属膜を堆積することに関する。これに続いて、熱可塑性材料又はシリコンベース材料などを同様に含む保護層が提供される。同様に、このさらなる層は、種々の材料間で適当な接着性を示す重ね塗り層（over-painted layer）又は重ね堆積層（over-deposited layer）からなることが理解されよう。他の膜（フィルム）との積層（ラミネーション）もまた可能である。そのような薄層が上記レリーフ上に存在することは、その機械特性を本質的に変化させる。
【０００８】
同様に、必要な要素/特徴は構造体内にすべて埋設されるか、又はその最も外側の表面を構成するように簡単に配列されることがあり、いずれにせよさらなる保護層を含む。
【０００９】
これは、上記レリーフがさらなる応用及び技術的工程のために薄膜を介して有利に固定可能であることを意味する。ここで、マイクロレリーフ自体が消失、著しく改変、又は乱された場合、熱可塑性材料は融点に達する又は融点を超える高温度に曝される。これは、例えばセキュリティ機器などのマイクロレリーフの更なる開発に有利に用いられる。従って、さらなる製造工程において、エンボス加工された材料は、レリーフの固定がされていないレリーフの特定部分が元のマイクロレリーフに関する任意の情報を開放し、一方で本発明に記載される上記方法を用いて固定される部分が積層後に保護されるように、他の熱可塑性膜で積層される。回折モチーフを有する特定材料（例えば金属小片）が別の特定材料中に配置され、ほとんどが熱可塑性体内に埋設される場合、これは一般的にそのような任務に用いられる。同様に本発明は、例え埋め込まれた薄膜片のような個別要素がホログラフィック及び空間的情報を持つ場合などの、新たなセキュリティ機器を含む物品の組成及び製造に関する。さらに、上記要素は、電磁放射線手段により検出又は読み出し可能な方法で空間的に組織及び分配される。または、上記薄膜片の一部は、例えば光トモグラフィーやレーダ支援技法を用いて検出可能な方法で配列される。
【００１０】
従って、本発明の一態様によると、基材本体に対して又は上記構造への保護層/膜材料の提供を介して形成される、例えば回折及び/又はホログラフィック構造などのマイクロレリーフ構造の固定方法を提供することが理解されよう。有利には、保護層/膜はレリーフ構造の光学特性に影響しないか、又は限定的な影響のみである。具体的には、上記基材は熱可塑性材料を含み得る。また上記保護層/膜は基材材料のレリーフ構造上で有利に成長する金属層/膜を含み得る。
【００１１】
有利には、本発明は、例えば成長層又は脱金属処理された層を含む選択的に配置される固定層の提供を可能にする。上記固定層は、特に考えられるさらなる処理工程の際に、レリーフパターンをその必要とされる形状に固定し、そして保護する。
【００１２】
本発明は同様に、バルク体内において例えば薄い金属膜/層構造、又は有機/無機材料層などの薄い固定層構造を形成する方法であって、上記バルク体の第２の層に関するさらなる処理の前に、上記バルク体の中間露出面において必要に応じてパターン化された方法で、金属層/膜の選択的な堆積を含む形成方法を提供する。有利には、上記さらなる処理は積層を含む。詳細には、さらなる処理では、最終的にそこに埋設及び/又は埋め込まれた金属層/膜を備える単一部材としてバルク体の二つの部分を一体化する。
【００１３】
有利には、金属層/膜は、上述された方法で、バルク基材体のレリーフ構造と合併して又はレリーフ構造上に形成され得る。
【００１４】
例えば、レリーフ構造上の金属化された層/膜（金属処理された層/膜）の提供は、基材のさらなる処理/積層からレリーフ構造を保護するだけでなく、上記基材のさらなる処理/積層が十分に保護されていないレリーフ構造における領域の破壊ができるように特別に設計される限りにおいて、さらに独特の回折構造の選択的な提供を導くことが理解されよう。
【００１５】
同様に、本方法は視覚的に認識可能なモチーフ及び/又は図形文字を提供する。また、空間的に配置され埋め込まれた複数の層/膜セグメントを含み、適切な放射線を適用することにより詮索可能な所定の空間的な配置を示す。上記層/膜要素のそれぞれは、例えば上述されたさらなる工程に従って有利に形成され得る。
【００１６】
本発明は、いずれの処理工程の組み合わせをも提供可能であり、上記層/膜構造が上述されたものである上述の方法に従って形成された構造を提供できることを当然理解すべきである。
【００１７】
初めに、金属膜又は他の適切な非金属材料が適用される。他の例としては、金属要素が成長される場合があるが特許文献１のように表面から除去されない。それらは、表面に残りレリーフの固定をもたらす。従って、ガルバニ（電気化学反応）された層は既知の金属体より基本的に薄く、必ずしも自己支持（自立）しない。レリーフを複写するために必要なだけ薄くするべきである。もちろん、厚い要素は同様に有用である。また一方、特に厚い層の提供はさらなる有益な効果及び特徴を導く。
【００１８】
例えば、比較的厚い層、言い換えれば、構造のレリーフパターンの高さよりいくらか大きな高さを有する層を備える状態で、必要なレリーフパターンは接触面の片側に正確に転写されるが、上記層の反対側はレリーフパターンのそのような詳細を受けず実質的に平坦となる。しかしながら、堆積層の厚さが上記レリーフの高さや深さに対応する場合、すなわち、例えば上記深さの２倍又は３倍未満の場合には、層により提供される接触面の両方がレリーフ構造を複製するから、レリーフは堆積層の両側に複製され得る。
【００１９】
同様に、例えば、色彩や非金属層を備えるエンボス加工されたレリーフ、「重ね刷り」工程を含み得る、上述された電型プラスチック（galvanoplastic）以外の他の技法による堆積を提供する可能性がある。これは、平坦な基材が層で覆われ、次にエンボス加工される方法により達成される。色彩はさらなる金属処理に役立つ。
【００２０】
そのような全ての工程は、さらなる積層のために行われることが好ましい。二つの熱可塑性体が瞬時に付着される場合には、ホログラム（エンボス加工された表面）が接触面に位置する。
【００２１】
本発明は、さらなる処理の際にレリーフを維持や固定するために、制御された層の堆積を採用する利点を有する。これは、エンボス加工された表面の上面に直接堆積することで層がレリーフを複写して行われる。他の手段としては、特殊層を堆積し、次にエンボス加工及びさらなる処理がされる。もちろん、露光され作られた凹部を備える任意の適切なマスキング技法、又は必要な遮蔽体（１４）と境界を正確に規定する任意の適切なプリント技法を提供し得る。
【００２２】
本発明は、レリーフを提供する方法を取り扱う。他のケースでは、レリーフは確実に失われ、積層の際に融解されるか、又は屈折率コントラストがなく、レリーフの光学特性はゼロである。本発明は同様に、上述したアプリケーションについて新しい制御された層の分配に関し、そのため層を数十nmほどの薄さにできる。上記層はレリーフを「フリーズ」するのにちょうど十分な厚みである利点を有し、いくらかの光学的特性変化を示す。
【００２３】
本発明は、添付図面を参照しつつ以下に詳細に例示的に説明される。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施形態による構造を形成するためのエンボス加工された基材の概略断面図である。
【図２】ａ）〜ｃ）は、図１などの基材の概略平面図であり、本発明の実施形態による種々の処理工程を示す。
【図３】ａ）〜ｃ）は、図２のａ）〜ｃ）の構造のさらなる処理工程を示す。
【図４】本発明の実施形態による基材内に設けられる様々な形の形状とグラフィカルモチーフを示す基材の平面図である。
【図５】図４に示されるモチーフの一つのより詳細を示す。
【図６】本発明の実施形態による空中線構成のさまざまな形状を示す。
【図７】本発明の実施形態による基材内に形成される別のパターンの例を示す。
【図８ａ】本発明の実施形態による基材内において異なる階層/位置に形成される簡素な要素を示す正面斜視図である。
【図８ｂ】本発明の実施形態による基材内において異なる階層/位置に形成される簡素な要素を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明の特定の一態様は、例えば熱可塑性基材の本体内で離散かつ孤立した方法で容易に提供可能な「固定された（fixed）」マイクロレリーフ構造の提供に関することが理解されよう。
【００２６】
実施形態などに示す本発明の実施例において、例えばＰＥＴなど他の適切な材料や熱可塑性層の基材層の少なくとも一つから好適に構成される基材が提供されることが理解されよう。ここで、マイクロ又はナノレリーフ構造はエンボス加工され、次に極薄の導電性膜/層で覆われる。上記層は、熱可塑性基材の表面を連続的に覆うように形成され得る他、パターン化方法又は別の方法などで基材の選択された部分のみ維持/覆うように配置され得る。上記極薄の伝導性層は、レリーフの高さより実質的に薄いため、レリーフの光学特性、回折特性、及び/又は機械的特性に最小限の影響しか与えない。
【００２７】
図１に関して、上記構造の形成における初期段階の実施例が示される。ここでは、例えば、電気絶縁材料の遮蔽体（electro- insulating material shield）１４の選択的な形成の前に、エンボス加工されたマイクロ又はナノレリーフパターンがその表面に形成された熱可塑性基材１２から構成される、エンボス加工された基材１２を備える階層構造１０が示されている。
【００２８】
上記遮蔽体１４の配置後、エンボス加工された基材１２とそのレリーフパターンは、遮蔽体１４により覆われていない領域においてガルバナイズ（galvanize）され、成長層１６が形成される。成長層１６は、例示の実施例においては極薄の金属膜から構成され、下層の基材１２上においてレリーフパターンにより与えられるホログラフィックレリーフを「固定（fix）」する。一例として、金属層/膜１６は数nmから数mmに影響を及ぼすことがある。他の処理では、エンボス加工前に、いくらかの誘電材料を基材の上面にプリント（印刷）又は堆積することが理解されよう。図１の成長層１６に対して特殊な色彩が選択される場合や、プリント誘電体の一部として選択される場合がある。後者の場合には、所望の表面パターンを得るために、次に上記層/膜が適当な写真方式の技法によってパターン化される。
【００２９】
次に図２のａ）からｃ）を参照すると、本発明の実施形態によるさらなる基材１８の概略図が提供される。図２のａ）に示すように、基材１８にはホログラフィック回折レリーフ平面２０が形成されている。本実施例におけるホログラフィックレリーフパターンは基材１８の表面上にエンボス加工される。レリーフパターン２０を有する上面は、直接印刷処理により、リソグラフィー/マスキングタイプの処理により、又は図１に示される実施例に従ってそれ自身パターン化される。そのため、パターン化され覆っている金属膜２２、２４が基材１８のレリーフ上の予め選択した位置に提供される。
【００３０】
上述したように、レリーフ構造２０に対するパターン化（模様付け）された金属膜２２、２４の導入は、パターン２２、２４の下の部分における下層の基材１８のレリーフ構造を「固定」するのに役立つ。このように、上述のようにレリーフ構造を固定する間に、部分２２、２４の範囲内におけるレリーフパターンが金属膜によって実際に提供される。図２のｃ）にさらに示すように、上記金属膜はレリーフ構造の光学的/物理的特性について通常非常に限られた影響のみを与える。
【００３１】
図２のｃ）の基材１８は、マイクロ構造の選択的に「固定」された領域２２、２４を備え、また基材１８は例えば追加の積層工程によりさらなる処理がされる場合がある。図３のａ）及びｂ）にはそのようなさらなる積層工程が示される。初めに図３のａ）を参照すると、エンボス加工された基材１８の金属処理されたホログラム領域２２、２４は、図３のａ）に示すような熱可塑性材料２６のさらなる層で覆われる。例えば、金属化及び/又は被覆/堆積手段による固定層の提供に加えて、固定要素が要求されるパターンになるように、必要な層を逆の方法で、すなわち選択的な脱金属化又は他の金属除去手段により提供され得ることが当然理解されよう。
【００３２】
例えば通常の積層処理後、二つの熱可塑性要素、言い換えれば追加の層２６と基材１８は、図３のｂ）に示されるような単一バルク体１８、２６となり、また結合体１８、２６内に包み込まれている金属処理されたレリーフパターン２２、２４を備える。かさねて、そのような通常の積層技法に換えて、本発明は必要な構造を提供するために層の溶融を伴う技法やいずれかの適切な接着支援技法を想定することが理解されよう。
【００３３】
熱可塑性基材１８内にある金属２２、２４で覆われていないホログラフィックレリーフパターンは乱され、さらなる積層処理によって通常完全に消失する。これは、現に位置２２、２４のケースのように金属膜の付加によってそれらの領域におけるレリーフパターンが固定されていないからである。
【００３４】
図３のｃ）は結合積層体の上面図を示す。図３のｃ）においては、基材１８の元のマイクロ構造におけるホログラフィック情報を保持するストライプ２２、２４が明確に視認できる。
【００３５】
本発明の実施形態による多種多様な形状及びグラフィカルモチーフを形成するために、様々なパターン形成技法が用いられることが当然理解されよう。本発明は同様に、図２及び図３に示されるような「Ｓ」ストライプに限定されない。むしろ熱可塑性体２８は、図４に示される連続ドット３０、直線３２、ランダムドット３４、組織化されたドット３６、組紐飾りパターン３８、一般的なモチーフ４０、ベタ領域要素４２などの多種多様な形状やモチーフとともに提供できる。
【００３６】
次に図５を参照すると、図４の一般的なモチーフ４０からなる想定されるパターン（模様）の一例が提供される。図５の詳細により確認できるように、上記パターンは模様付けされた小さいドット/要素４６の配列から形成される。ａ１、ａ２、ａｊ、ｂ１、ｂ２、及びｃ１、ｃ２で示される各ドットの座標位置及び寸法は、容易に識別可能なモチーフの視覚的表示を組み合わせて提供するだけでなく、所定の空間定位を経て、例えば、構造の回折パターンの観察を通じたレーダ支援技法などの電磁波検出を介して容易に検出可能な上記ドット/要素４６の配置を提供するために用いられる。もちろん、各特定の要素の特徴的なサイズ及び上記要素間の間隔はさまざまであり、要素のグラフィカルな終端処理を採用する実際の技法にある程度依存する。
【００３７】
例として、標準の光学リソグラフィク及びマスキング技法、及びプリント技法は、数ミクロン程度の精密さで使用でき、１μｍの領域における特徴を提供可能である。実際、高度な光学リソグラフィック技法、一般的に紫外線を用いる技法、又は電子ビーム書き込み技法を使用して、１００nmほどの小さな想定される要素の詳細の描写が可能である。このように、レリーフ構造の詳細は、放射そのものの特徴的なサイズに適合するサイズであり得る。
【００３８】
理解されるように、さまざまな要素間の間隔を適切に選択することで、例えば身分確認資料などの追加のレーザ支援書き込み及び/又はレーザ支援パーソナル化が容易に実現できる。更にまた、上記要素の密度は、構造の透明性を制御する。各要素は裸眼で観測できるよりも一般的に小さい寸法で容易に提供できるため、金属要素を採用する構造でさえも半透明の外観を示す。
【００３９】
このようなモチーフの提供は、基材の本体から上記モチーフの除去を試みると個々の要素間における空間関係の変形を導き、電磁波や何らかのレーダ支援技法による後の調査の際に容易に識別できるため、偽造などのさらなる利用に対し、その限りにおいて特有の利点が分かる。従って、たとえモチーフ４８の変形が裸眼により容易に識別できない場合でも、個々の要素間における空間関係のさらなる調査により、何らかの変形が生じてモチーフを保持するセキュリティラベル/構造の悪用が試みられたことが示唆される。
【００４０】
本発明による基材内埋め込まれた金属処理された構造は、電子部品を備える場合があることが当然理解されよう。図６には、幅Ｗと長さＬを有するダイポールアンテナ５２、誘導子型アンテナ５４、及び図示のように各寸法ｅ、ｗｂ、及びｅ/２を有する三角形のハーフループを含むバタフライアンテナ５６を形成する金属部品を備えた基材５０が示される。この技法により実現されうる上記特定要素のサイズは、例えばＴＨｚに至るまでの広帯域の周波数内で動作する種々の基本的な電気的要素を提供できる限りにおいて有利な特徴を提供する。本発明において採用する方法では、１um程度又はそれより小さいサイズの要素に対して、いわゆる光素子及びメタマテリアルデバイスのカテゴリから集積回路（ＩＣ）の生産を可能にする。
【００４１】
さらにまた、構造全体内で特徴となるプリントエレクトロニクスを組み込む際に役立つように、上記要素は適当な半導体又は誘電材料から容易に形成され得る。
【００４２】
図７は、基材５８内に埋め込まれた金属部品の他の構成を示す。基材５８は、集積回路又は電子機器６０とそれらのための導電性接触子６２を備える。上記結合構造の提供は、表面実装型デバイスに採用される又はプリントエレクトロニックやナノエンボス加工された電子要素などのアプリケーションに採用される通常の電子配置に特に有用である。
【００４３】
最後に図８ａ及び図８ｂを参照すると、熱可塑性バルク体６４内の異なる階層に設けられた種々の金属要素が示されている。すなわち、図８ａの正面斜視図及び図８ｂの側面図により、要素６６、６８の両方はバルク体６４内の上位層に設けられ、一方要素７０は下位層に設けられることが理解されよう。
【００４４】
本発明は、階層構造における層の表面上にレリーフパターンを形成し、次に、上記階層構造の後続処理の際に下層のレリーフパターンの保護する保護固定層を上記レリーフパターンの少なくとも一部に形成する、階層構造の一部としてレリーフパターンを形成する方法を提供することが理解されよう。その結果、上記レリーフの少なくとも一部には、例えばレリーフパターンが設けられる積層構造を形成する場合などの上記階層構造の後続処理の際にレリーフパターンの特性を保持する保護固定層が設けられている、基材の表面上に形成されたレリーフパターンを有する基材を含む階層構造を提供する。
【００４５】
本発明は、前述の実施形態の詳細に限定されることはなく、任意の適切な材料が基材のレリーフ構造の固定に用いられ得る限りにおいて、金属要素はいずれの特定のレリーフパターンを含まない場合があることが当然理解されよう。そのような実施形態において、本発明は、層が「固定」され、金属処理されているか否かに限らず存在しないレリーフパターンを示すとき、構造のその部分は僅かにグラディエント（negligible gradient）なレリーフパターンを備えると考えられる。
【図１】
2012517610.tif 000003
【図２ａ）】
2012517610.tif 000004
【図２ｂ）】
2012517610.tif 000005
【図２ｃ）】
2012517610.tif 000006
【図３】
2012517610.tif 000007
【図４】
2012517610.tif 000008
【図５】
2012517610.tif 000009
【図６】
2012517610.tif 000010
【図７】
2012517610.tif 000011
【図８ａ】
2012517610.tif 000012
【図８ｂ】
2012517610.tif 000013
【国際調査報告】
2012517610.tif 000014
2012517610.tif 000015