(57)【要約】一のレーザおよび少なくとも一のレーザ・ビーム進行経路を，回路基板上に形成された導体の少なくとも一の導体修理領域のレーザ事前処理に用い，ドナー基板の少なくとも一部が分離されかつ少なくとも一の所定の導体位置に転移されるように，上記レーザおよび上記少なくとも一のレーザ・ビーム進行経路の少なくとも一部を，少なくとも一のレーザ・ビームのドナー基板への適用に用いる，電気回路を修理するシステムおよび方法である。
2012519390.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一のレーザと少なくとも一のレーザ・ビーム進行経路を，回路基板上に形成される導体の少なくとも一の導体修理領域のレーザ事前処理に用い，
ドナー基板の少なくとも一部がそこから分離されかつ少なくとも一の所定の導体位置に転移されるように，上記レーザと上記少なくとも一のレーザ・ビーム進行経路の少なくとも一部を，少なくとも一のレーザ・ビームのドナー基板への適用に用いる，
電気回路を修理する方法。
【請求項２】
上記事前処理はレーザ・アブレーションを含む，請求項１に記載の電気回路を修理する方法。
【請求項３】
上記レーザは，上記レーザ事前処理時および上記ドナー基板への適用時とで異なるパワー・レベルのもとで作動される，請求項１に記載の電気回路を修理する方法。
【請求項４】
上記事前処理は，基板修理領域の事前処理と導体修理領域の事前処理を含む，請求項１に記載の電気回路を修理する方法。
【請求項５】
上記レーザ・アブレーションは上記基板修理領域および上記導体修理領域に表粗化処理を行う，請求項４に記載の電気回路を修理する方法。
【請求項６】
上記基板修理領域の上記事前処理および上記導体修理領域の上記事前処理は，範囲の異なる表粗化処理を含む，請求項５に記載の電気回路を修理する方法。
【請求項７】
上記少なくとも一の導体修理領域は自動光学検査によって選択される，請求項１に記載の電気回路を修理する方法。
【請求項８】
上記レーザおよび上記少なくとも一のレーザ・ビーム進行経路を，余剰導体材料のレーザ・アブレーションにも用いる，請求項１に記載の電気回路を修理する方法。
【請求項９】
上記余剰導体材料は，上記ドナー基板から分離された材料によって形成される，請求項８に記載の電気回路を修理する方法。
【請求項１０】
上記余剰導体材料の上記レーザ・アブレーションは，上記レーザ事前処理に続いて順に実行される，ドナー基板への少なくとも一のレーザ・ビームの適用に続いて実行される，請求項８に記載の電気回路を修理する方法。
【請求項１１】
一のレーザと少なくとも一のレーザ・ビーム進行経路を，回路基板上に形成された導体の少なくとも一の導体修理領域中の余剰導体材料のレーザ・アブレーションに用い，
ドナー基板の少なくとも一部がそこから分離されかつ少なくとも一の所定の導体位置に転移されるように，上記レーザと上記少なくとも一のレーザ・ビーム進行経路の少なくとも一部を，少なくとも一のレーザ・ビームのドナー基板への適用に用いる，
電気回路を修理する方法。
【請求項１２】
上記余剰導体材料のレーザ・アブレーションは，短絡回路の修理を実行する，請求項１１に記載の電気回路を修理する方法。
【請求項１３】
上記レーザは，上記レーザ・アブレーション時と上記ドナー基板への適用時とで異なるパワー・レベルのもとで作動される，請求項１１に記載の電気回路を修理する方法。
【請求項１４】
上記少なくとも一の導体修理領域の表粗化処理も含む，請求項１１に記載の電気回路を修理する方法。
【請求項１５】
上記少なくとも一の導体修理領域は自動光学検査によって選択される，請求項１１に記載の電気回路を修理する方法。
【請求項１６】
回路基板の少なくとも一の回路基板修理領域と，上記少なくとも一の回路基板修理領域に隣接して存在する，上記回路基板上に形成された導体の少なくとも一の導体修理領域とを事前処理し，
ドナー基板の少なくとも一部がそこから分離されかつ上記少なくとも一の回路基板修理領域中の少なくとも一の所定の回路基板位置と上記少なくとも一の導体修理領域中の少なくとも一の所定の導体位置とに転移されるようにし，これにより上記少なくとも一の導体修理領域において上記導体の部分が少なくとも部分的にオーバーラップし，かつ上記少なくとも一の回路基板修理領域に上記導体の少なくとも一の延在を形成するように，少なくとも一のレーザ・ビームをドナー基板に適用する，
電気回路を修理する方法。
【請求項１７】
上記事前処理はレーザ・アブレーションを含む，請求項１６に記載の電気回路を修理する方法。
【請求項１８】
上記事前処理および上記適用は，同じレーザによって実行される，請求項１６に記載の電気回路を修理する方法。
【請求項１９】
上記事前処理および上記適用は，同じレーザによって異なるパワー・レベルで実行される，請求項１８に記載の電気回路を修理する方法。
【請求項２０】
上記基板修理領域の上記事前処理および上記導体修理領域の事前処理は，同じレーザによって異なるパワー・レベルで実行される，請求項１８に記載の電気回路を修理する方法。
【請求項２１】
上記基板修理領域の事前処理および上記導体修理領域の事前処理は，範囲の異なる表粗化処理を含む，請求項２０に記載の電気回路を修理する方法。
【請求項２２】
上記レーザ・アブレーションが表粗化処理を行う，請求項１７に記載の電気回路を修理する方法。
【請求項２３】
上記少なくとも一の基板修理領域中の上記少なくとも一の所定の基板位置および上記少なくとも一の導体修理領域中の上記少なくとも一の所定の導体位置は，自動光学検査によって選択される，請求項１６に記載の電気回路を修理する方法。
【請求項２４】
一のレーザおよび一のレーザ・ビーム進行経路，
上記レーザおよび上記レーザ・ビーム進行経路の少なくとも一部を，回路基板上に形成された導体の少なくとも一の導体修理領域のレーザ事前処理に利用するレーザ事前処理機能部，ならびに
ドナー基板の少なくとも一部がそこから分離されかつ少なくとも一の所定の導体位置に転移されるように，上記レーザおよび上記レーザ・ビーム進行経路の少なくとも一部を，少なくとも一のレーザ・ビームのドナー基板への適用に利用する導体堆積機能部を備える，
電気回路を修理するシステム。
【請求項２５】
一のレーザおよび一のレーザ・ビーム進行経路，
上記レーザおよび上記レーザ・ビーム進行経路の少なくとも一部を，回路基板上に形成された導体の少なくとも一の導体修理領域における余剰導体材料のレーザ・アブレーションに用いる余剰導体アブレーション機能部，ならびに
ドナー基板の少なくとも一部がそこから分離されかつ少なくとも一の所定の導体位置に転移されるように，上記レーザおよび上記レーザ・ビーム進行経路の少なくとも一部を，少なくとも一のレーザ・ビームのドナー基板への適用に用いる導体堆積機能部を備える，
電気回路を修理するシステム。
【請求項２６】
上記余剰導体材料のレーザ・アブレーションは短絡回路の修理を実行する，請求項２５に記載の電気回路を修理するシステム。
【請求項２７】
一のレーザおよび一のレーザ・ビーム進行経路，
回路基板の少なくとも一の回路基板修理領域の処理，および上記少なくとも一の回路基板修理領域に隣接して存在する，上記回路基板上に形成された導体の少なくとも一の導体修理領域の処理に，上記レーザおよび上記レーザ・ビーム進行経路の少なくとも一部を用いる事前処理機能部，ならびに
ドナー基板の少なくとも一部がそこから分離されかつ上記少なくとも一の回路基板修理領域中の少なくとも一の所定の回路基板位置と上記少なくとも一の導体修理領域中の少なくとも一の所定の導体位置とに移転されるようにし，これにより上記少なくとも一の導体修理領域において上記導体の部分が少なくとも部分的にオーバーラップし，かつ上記少なくとも一の回路基板修理領域に上記導体の少なくとも一の延在を形成するように，上記レーザおよびレーザ・ビーム進行経路の少なくとも一部を，少なくとも一のレーザ・ビームのドナー基板への適用に用いる導体堆積機能部を備える，
電気回路を修理するシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は包括的には電気回路の修理に関する。
【０００２】
（関連出願の相互参照）
この出願は，発明の名称を「電気回路を修理する方法およびシステム」とする２００９年３月２日出願のイスラエル国特許出願第１９７３４９号の利益を主張する。上記先行出願は参照によって本願に組込まれる。
【背景技術】
【０００３】
以下の刊行物が従来技術の現在状況を表すと考えられる。
【０００４】
米国特許第4,752,455号，4,970,196号，4,987,006号，5,173,441号および5,292,559号
【０００５】
「サポート金属フィルムからの金属堆積」（Metal deposition from a supported metal film），Bohandy, B.F. Kim およびF.J. Adrian, J. Appl. Phys. 60 (1986) 1538
【０００６】
「レーザー誘導フォワード転送プロセスによる金属堆積のメカニズムの研究」（A study of the mechanism of metal deposition by the laser-induced forward transfer process），F. J. Adrian，J. Bohandy, B. F. Kim およびA. N. Jette，Journal of Vacuum Science and Technology B 5, 1490 (1989), pp. 1490-1494
【発明の概要】
【０００７】
この発明は，電気回路修理のための改良されたシステムおよび方法を提供するものである。
【０００８】
すなわち，この発明の好ましい実施態様によると電気回路を修理する方法が提供され，この方法は，一のレーザ（a laser）および少なくとも一のレーザ・ビーム進行経路（at least one laser beam delivery pathway）を，回路基板上に形成された導体の少なくとも一の導体修理領域のレーザ事前処理（laser pre-treatment）に用い，ドナー基板の少なくとも一部がそこから分離され（detached）かつ少なくとも一の所定の導体位置（conductor location）に転移される（transferred）ように，上記レーザおよび上記少なくとも一のレーザ・ビーム進行経路の少なくとも一部を，少なくとも一のレーザ・ビームのドナー基板への適用に用いるものである。
【０００９】
この発明の好ましい実施態様によると，上記事前処理はレーザ・アブレーション（レーザ爆蝕）（laser ablation）を含む。好ましくは，上記レーザは，上記レーザ事前処理時と上記ドナー基板への適用時とで異なるパワー・レベルのもとで作動される。
【００１０】
この発明の好ましい実施態様では，上記事前処理は，基板修理領域（a substrate repair area）の事前処理および導体修理領域（a conductor repair area）の事前処理を含む。さらに上記レーザ・アブレーションは上記基板修理領域および上記導体修理領域に表粗化処理を実行する（粗い表面を生成する）（produces surface roughening）。さらに，上記基板修理領域の上記事前処理および上記導体修理領域の上記事前処理は，範囲の異なる（different extents）表粗化処理を含む。
【００１１】
好ましくは，上記少なくとも一の導体修理領域は自動光学検査（automated optical inspection）によって選択される。
【００１２】
この発明の好ましい実施態様では，上記電気回路を修理する方法は，上記レーザおよび上記少なくとも一のレーザ・ビーム進行経路を，余剰導体材料（excess conductor material）のレーザ・アブレーションにも用いる。さらに，上記余剰導体材料は，上記ドナー基板から分離された材料によって形成される。さらにまたは代替的には，余剰導体材料のレーザ・アブレーションは，上記レーザ事前処理に続いて順に実行される，ドナー基板への少なくとも一のレーザ・ビームの適用に続いて実行される。
【００１３】
この発明の他の好ましい実施態様による電気回路を修理する方法も提供され，この方法は，一のレーザと少なくとも一のレーザ・ビーム進行経路を，回路基板上に形成された導体の少なくとも一の導体修理領域中の余剰導体材料のレーザ・アブレーションに用い，ドナー基板の少なくとも一部がそこから分離されかつ少なくとも一の所定の導体位置に転移されるように，上記レーザと上記少なくとも一のレーザ・ビーム進行経路の少なくとも一部を，少なくとも一のレーザ・ビームのドナー基板への適用に用いるものである。
【００１４】
この発明の好ましい実施態様では，上記余剰導体材料のレーザ・アブレーションは短絡回路（short circuits）の修理を実行する。好ましくは，上記レーザは，上記レーザ・アブレーション時と上記ドナー基板への適用時とで異なるパワー・レベルのもとで作動される。
【００１５】
この発明の好ましい実施態様では，上記電気回路を修理する方法は，上記少なくとも一の導体修理領域の表粗化処理も含む。好ましくは，上記少なくとも一の導体修理領域は自動光学検査によって選択される。
【００１６】
この発明のさらに他の好ましい実施態様によるとさらなる電気回路を修理する方法が提供され，この方法は，回路基板の少なくとも一の回路基板修理領域と，上記少なくとも一の回路基板修理領域に隣接して存在する，上記回路基板上に形成された導体の少なくとも一の導体修理領域とを事前処理し，ドナー基板の少なくとも一部がそこから分離されかつ上記少なくとも一の回路基板修理領域中の少なくとも一の所定の回路基板位置と上記少なくとも一の導体修理領域中の少なくとも一の所定の導体位置とに転移されるようにし，これにより上記少なくとも一の導体修理領域において上記導体の部分が少なくとも部分的にオーバーラップし，かつ上記少なくとも一の回路基板修理領域に上記導体の少なくとも一の延在を形成するように，少なくとも一のレーザ・ビームをドナー基板に適用する。
【００１７】
この発明の好ましい実施態様では上記事前処理はレーザ・アブレーションを含む。さらに上記レーザ・アブレーションが表粗化処理を行う。
【００１８】
好ましくは，上記事前処理および上記適用は同じレーザ（the same laser）によって実行される。さらに，上記事前処理および上記適用は同じレーザによって異なるパワー・レベルで実行される。
【００１９】
この発明の好ましい実施態様において，上記基板修理領域の事前処理および上記導体修理領域の事前処理は，同じレーザによって異なるパワー・レベルで実行される。さらに，上記基板修理領域の事前処理および上記導体修理領域の事前処理は，範囲の異なる表粗化処理を含む。
【００２０】
好ましくは，上記少なくとも一の基板修理領域中の上記少なくとも一の所定の基板位置および上記少なくとも一の導体修理領域中の上記少なくとも一の所定の導体位置は，自動光学検査によって選択される。
【００２１】
この発明のさらに他の好ましい実施態様では電気回路を修理するシステムがさらに提供され，このシステムは，一のレーザ（a laser）および一のレーザ・ビーム進行経路（a laser beam delivery pathway），上記レーザおよび上記レーザ・ビーム進行経路の少なくとも一部を，回路基板上に形成された導体の少なくとも一の導体修理領域のレーザ事前処理に利用するレーザ事前処理機能部（laser pre-treatment functionality），ならびにドナー基板の少なくとも一部がそこから分離されかつ少なくとも一の所定の導体位置に転移されるように，上記レーザおよび上記レーザ・ビーム進行経路の少なくとも一部を，少なくとも一のレーザ・ビームのドナー基板への適用に利用する導体堆積機能部（conductor deposition functionality）を備える。
【００２２】
この発明の他の好ましい実施態様による電気回路を修理するシステムがさらに提供され，このシステムは，一のレーザおよび一のレーザ・ビーム進行経路，上記レーザおよび上記レーザ・ビーム進行経路の少なくとも一部を，回路基板上に形成された導体の少なくとも一の導体修理領域における余剰導体材料のレーザ・アブレーションに用いる余剰導体アブレーション機能部（excess conductor ablation functionality），ならびにドナー基板の少なくとも一部がそこから分離されかつ少なくとも一の所定の導体位置に転移されるように，上記レーザおよび上記レーザ・ビーム進行経路の少なくとも一部を，少なくとも一のレーザ・ビームのドナー基板への適用に用いる導体堆積機能部を備える。
【００２３】
好ましくは，上記余剰導体材料のレーザ・アブレーションは短絡回路の修理を実行する。
【００２４】
この発明のさらに他の実施態様によって提供されるさらなる電気回路を修理するシステムは，一のレーザおよび一のレーザ・ビーム進行経路，回路基板の少なくとも一の回路基板修理領域の処理（treatment），および上記少なくとも一の回路基板修理領域に隣接して存在する，上記回路基板上に形成された導体の少なくとも一の導体修理領域の処理に，上記レーザおよび上記レーザ・ビーム進行経路の少なくとも一部を用いる事前処理機能部，ならびにドナー基板の少なくとも一部がそこから分離されかつ上記少なくとも一の回路基板修理領域中の少なくとも一の所定の回路基板位置と上記少なくとも一の導体修理領域中の少なくとも一の所定の導体位置とに移転されるようにし，これにより上記少なくとも一の導体修理領域において上記導体の部分が少なくとも部分的にオーバーラップし，かつ上記少なくとも一の回路基板修理領域に上記導体の少なくとも一の延在を形成するように，上記レーザおよび上記レーザ・ビーム進行経路の少なくとも一部を，少なくとも一のレーザ・ビームのドナー基板への適用に用いる導体堆積機能部を備える。
【００２５】
この発明は，図面に関連した以下の詳細な説明からより完全に理解されかつ認識を深めることができよう。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】この発明の好ましい実施態様にしたがって構成されかつ動作する，電気回路を修理するためのシステムの概略図である。
【図２】図１のシステムの光学サブシステムの実施態様の概略図である。
【図３Ａ】図１のシステムの動作を示す概略断面図である。
【図３Ｂ】図１のシステムの動作を示す概略断面図である。
【図３Ｃ】図１のシステムの動作を示す概略断面図である。
【図３Ｄ】図１のシステムの動作を示す概略断面図である。
【図３Ｅ】図１のシステムの動作を示す概略断面図である。
【図３Ｆ】図１のシステムの動作を示す概略断面図である。
【図３Ｇ】図１のシステムの動作を示す概略断面図である。
【図３Ｈ】図１のシステムの動作を示す概略断面図である。
【図４】図１のシステムのさらなる機能の概略図である。
【図５Ａ】図４の機能の動作を示す概略断面図である。
【図５Ｂ】図４の機能の動作を示す概略断面図である。
【図５Ｃ】図４の機能の動作を示す概略断面図である。
【実施例】
【００２７】
図１を参照して，図１は，この発明の好ましい実施態様にしたがって構成されかつ動作する電気回路を修理するためのシステムの概略図である。図２は図１のシステムの光学サブシステム（光学部分系）の実施例の概略図である。
【００２８】
図１に示されるように，上記システムは，従来の光学テーブル102上に好ましくは取付けられる（搭載される）シャーシ100を好ましくは備える。上記シャーシ100は電気回路点検箇所（位置）104を規定するもので，その上に検査されるべきプリント回路基板（a printed circuit board （ＰＣＢ））106のような電気回路を配置することができる。上記ＰＣＢ106は，通常，余剰導体欠陥（excess conductor defects）および欠如導体欠陥（missing conductor defects）たとえば断線（カット）110のような，一または複数の様々なタイプの欠陥を持つ。
【００２９】
シャーシ100に対して規定される第１の点検軸114に沿う点検箇所104の直線動作のためにブリッジ112が配置されている。上記第１の点検軸114に垂直な第２の点検軸118に沿うブリッジ112の直線動作のために光学ヘッド・アセンブリ116が配置されている。
【００３０】
この発明の好ましい実施態様では，図２に詳細に示されるように，上記光学ヘッド・アセンブリ116は好ましくは点検（検査）サブアセンブリ120および修理サブアセンブリ122を含む。上記点検サブアセンブリ120および上記修理サブアセンブリ112が少なくともいくつかの光学要素（at least some optical components）を共有することが，この発明に特有の特徴である。
【００３１】
好ましくは上記システムは制御アセンブリ124も含み，上記制御アセンブリ124は好ましくはユーザ・インターフェースを有し，かつ上記点検サブアセンブリ120および修理サブアセンブリ122を操作するために実行されるソフトウエア・モジュールを含む。制御アセンブリ124は好ましくはイスラエル国ヤフネのオルボテック・リミテッドから市販されているディスカバリー8000システム（Discovery 8000 system）のような自動光学検査システム（図示略）からの欠陥位置入力を受付ける。
【００３２】
図２に示されるように，光学ヘッド・アセンブリ116は点検サブアセンブリ120および修理サブアセンブリ122を含む。点検サブアセンブリ120は同焦点撮像システム（a parafocal imaging system）であってエクストン・ピーエーのバスラー・インク（Basler, Inc. of Exton PA）から提供されているバスラーＣＭＯＳカメラのようなカメラ150を含み，これにより光学軸154に沿ってＰＣＢ106上の位置152が撮像される。カメラ150は100〜150mmの典型的な焦点距離を持つ合焦対物レンズ160，部分反射ミラー162および日本のミツトヨ・リミテッド（Mitutoyo Ltd.）から市販されている５ｘ/0.14対物レンズ・モジュールのような対物レンズ・モジュール164を通して，位置152を撮像する。
【００３３】
この発明の一実施態様において，点検サブアセンブリ120および修理サブアセンブリ122は，光学軸154に沿う同一の光学経路を少なくとも部分的に共有するようにして配置されている。上記修理サブアセンブリ122は，フランスのグレノーブルのチーム・フォトノイクス（Teem Photonoics）から提供されている，パルス・レーザ・ビーム174を生成するように動作するパッシブＱスイッチ・マイクロ・レーザのようなパルス・レーザ源170を含む。適切なマイクロ・レーザは，たとえば，用途に応じて532nmまたは1064nmの波長のビームを出力するように動作するレーザ・ヘッドから選択することができる。パルス・ビーム174は，それぞれ80mmおよび−150mmの焦点距離を持つ２つのレンズ180および182を含むことができるコリメート光学系178を通過し，これにより上記レーザ・ビーム174は0.5〜3.0mmの適切なスポット・サイズにコリメートされる。レーザ・ビーム174は次にミラー184によって反射され，続いてコリメートされた出力ビームに要求されるサイズのために配置されかつ調整された多重レンズ186を含むビーム・エクスパンダ185によって，特定径に調整される。レンズ186は，28mm平凸レンズ，−10mm両凹レンズおよび129mm平凸レンズをそれぞれ含んでもよい。レーザ・ビーム174は次に，ニューポート・コーポレーション（Newport Corporation）から市販されている二軸高速ステアリング・ミラー（two-axis fast steering mirror (FSM)）190上に入射するようにレンズ188によって方向付けられ，その後108mmメニスカス・レンズのようなレンズ192，ミラー194および平凸338mmレンズのようなレンズ196を通過する。レンズ188，192および196は，上記ビームの位置を，レンズ188の後ろに位置する上記ＦＳＭ190上に保持し，かつ対物レンズ・モジュール164の入射口に保持する。次にビーム174はビーム・スプリッタ198に入射し，これによりビーム174が軸154に沿う対物レンズ・モジュール164を通るように方向付けられる。この発明の好ましい実施態様では，上記レンズおよび光学構成要素は図示するように配置され，かつレーザ・ビーム174の選択波長に関する動作のために適切にコートされる。
【００３４】
次に図３Ａ〜図３Ｈを参照して，これらは図１のシステムの動作を示す概略的な断面図である。図３Ａはカット110（図１）のような典型的な欠如導体欠陥を示している。はじめに，上述のように，上記制御アセンブリ124は典型的には自動光学点検システムから上記欠陥の種類および位置を特定する入力を受付ける。
【００３５】
図３Ａに示す段階（ステージ）において，上記制御アセンブリ124は上記光学ヘッド・アセンブリ116を移動させ，これにより対物レンズ・モジュール164が上記欠陥上に位置し，かつ上記欠陥に焦点が合わせられる。上記欠陥の画像が，好ましくは約600nmおよび500nmを中心とする２つの波長帯において取得され，さらに好ましくは約400nmを中心とする蛍光画像（a fluorescence image）も取得される。
【００３６】
上記画像は制御アセンブリ124によって分析され，かつ好ましくはＣＡＭデータといった基準と比較され，これによって欠陥の存在および種類が確認され，かつ好ましくは少なくとも一の導体修理領域250および少なくとも一の基板修理領域252の明確な輪郭（definition）を含むようにして欠陥の詳細な輪郭が取得される。
【００３７】
次に図３Ｂ，図３Ｃおよび図３Ｄを参照して，導体修理領域250および基板修理領域252のレーザ事前処理（laser pretreatment）が実行される。上記レーザおよび上記点検サブアセンブリが同一焦点（照準）（the same focus）を共有するので，上記対物レンズ・モジュール164をこの段階で上記欠陥に対する向きから動かす必要がない（not be displaced from its orientation relative to the defect）ことが，この発明に特有の特徴である。
【００３８】
導体修理領域250の事前処理と上記基板修理領域252の事前処理は一般に異なるものであることを理解されたい。上記導体修理領域250および基板修理領域252の事前処理の一般的な目的は，レーザ・アブレーションを介して基板を表粗化処理する（粗面化する）ことにより，堆積される導体材料と，既存の（the existing）導体および基板との間の強い接着（enhanced adhesion）を提供することにある。たとえば，サブナノ秒のパルスを生成するＱスイッチ・マイクロチップ30ミリワット532nm レーザを用いると，上記基板表面および導体表面の粗面化は，典型的には10マイクロ径のスポット・サイズを用いて達成され，典型的には４〜６ミクロンの深さを持つＸ−Ｙ格子の溝を生成する。上記基板の構成および上記導体の構成に応じて，たとえば，上記表面上へのレーザ・ビームのスキャン・スピードを変える，または入射するレーザ・ビームのパワーを調整することによって，上記表面の単位領域（a unit area）に入射するレーザ・エネルギーは変化することを理解されたい。
【００３９】
次に図３Ｅを参照して，図３Ｅはドナー基板270への初期のレーザ・ビーム入射と，その結果としてのドナー基板270の一部を形成する導体材料272の基板修理領域252上への堆積を示している。図３Ｆおよび図３Ｇを参照して，図３Ｆおよび図３Ｇはドナー基板270へのさらなるレーザ・ビーム入射と，その結果としての導体材料272の基板修理領域252上への堆積を示している。図３Ｅ，図３Ｆ，図３Ｇから分かるように，ドナー基板270は，好ましくは，上記導体修理領域250の表面上において，符号Ｈ１によって示されるように典型的には約50〜300マイクロだけ離されて配置され，上記レーザ・ビームは上記対物レンズ・モジュール164の適切な移動（suitable displacement）によって上記ドナー基板270上に焦点が合わせられる。
【００４０】
ドナー基板270は典型的にはレーザの波長に対して透明な材料からつくられており，ガラスのような硬質のものでも，プラスチックのような柔軟なものでもよく，その一面が導体材料272の薄い層によってコートされている。
【００４１】
図３Ｅ，図３Ｆおよび図３Ｇから分かるように，Ｈ２によって示される上記導体の高さは典型的には約５〜50マイクロであり，Ｈ３によって示される上記ドナー基板270の厚さは典型的には500〜3000マイクロの範囲にあり，Ｈ４によって示される導体材料272の厚さは典型的には0.5〜３マイクロの範囲にある。
【００４２】
好ましくは，堆積の前および堆積中に上記点検サブアセンブリが用いられて上記ドナー基板270のＸ−Ｙ位置が監視され，期待されるすべてのレーザ・ビーム衝突位置をカバーする範囲内に常に導体材料272が存在することが保証される。この機能は，上記レーザおよび上記点検サブアセンブリが同一の焦点（照準）を共有するという事実によって可能になる。
【００４３】
表粗化処理のみならず堆積にも同一のレーザが用いられることが，この発明に特有の特徴である。たとえば，サブナノ秒パルスを生成するＱスイッチ・マイクロチップ30ミリワット532nmレーザが用いられる場合，典型的には10マイクロ径のサイズのスポットを用いて，導体修理領域250および基板修理領域252を埋めるように堆積は達成される。
【００４４】
図３Ｈは，上記導体修理領域250および基板修理領域252上への堆積の完了後の上記導体修理領域250および基板修理領域252を示している。図３Ｅ，３Ｆ，３Ｇおよび３Ｈに示す図示する実施態様では堆積された材料が個々（個別）の堆積として表されているが，形成される結果としての導体は概略的に均一な外観（a generally uniform appearance）を帯びるのが好ましい。
【００４５】
典型的には，上記堆積の完了後，図３Ａを参照して記述した点検と同様にして，導体修理領域250および基板修理領域252の次の点検が実行される。
【００４６】
図４を参照して，図４は図１の電気回路修理システムのさらなる機能の概略図である。図５Ａ〜図５Ｃを参照して，図５Ａ〜図５Ｃは図４の機能の動作を示す概略断面図である。
【００４７】
図４から分かるように，図１の電気回路修理システムは制御アセンブリ124，コンピュータ126およびユーザ・インターフェース128を含み，ＰＣＢ106における余剰導体欠陥300を特定するものである。
【００４８】
図４に図示されるように，また特に図５Ａから分かるように，上記余剰導体欠陥300は第１および第２の余剰導体材料領域302および304を含む。第１の余剰導体材料領域302は導体310と導体312の間にあり，第２の余剰導体材料領域304は導体312と導体314の間にある。上記余剰導体欠陥300は，ＰＣＢ106（図１）の製造中に形成されるか，またはスパッタリングのために図３Ｅ〜図３Ｈの処理の最中に堆積される残余導体材料の結果からなり得るものであることを理解されたい。
【００４９】
図５Ａに示す段階において，上記制御アセンブリ24によって上記光学ヘッド・アセンブリ116（図１および図２）が動かされ，対物レンズ・モジュール164（図２）が上記欠陥上に位置され，かつ上記欠陥に焦点が合わされる。上記欠陥の画像が，好ましくは約600nmおよび500nmを中心とする２つの波長帯において取得され，さらに好ましくは約400nmを中心とする蛍光画像も取得される。
【００５０】
上記画像が制御アセンブリ124によって分析され，かつ好ましくはＣＡＭデータといった基準と比較され，これによって欠陥の存在および種類が確認され，さらに第１および第２の余剰導体材料領域302および304として例示するように，好ましくは少なくとも一の導体除去領域（conductor removal area）の明確な輪郭を含むようにして欠陥の詳細な輪郭が取得される。
【００５１】
図５Ｂおよび図５Ｃを参照して，図５Ｂおよび図５Ｃは第１および第２の余剰導体材料領域302および304において余剰導体材料のレーザ・アブレーションが実行される様子を示す。上記レーザおよび上記点検サブアセンブリが同一焦点（照準）を共有するので，上記対物レンズ・モジュール164をこの段階で上記欠陥に対する向きから動かす必要がないことが，この発明に特有の特徴である。
【００５２】
サブナノ秒のパルスを生成するＱスイッチ・マイクロチップ30ミリワット532nmレーザを用いる場合，典型的には５〜20マイクロ径のスポット・サイズを用いることによって，第１および第２の余剰導体材料領域302および304のレーザ・アブレーションが達成されることを理解されたい。上記余剰導体材料の構成（composition）に応じて，たとえば，上記表面上のレーザ・ビームのスキャン・スピードを変える，または入射するレーザ・ビームのパワーを調整することによって，上記表面の単位領域に入射するレーザ・エネルギーは変化することを理解されたい。
【００５３】
好ましくは，レーザ・アブレーションの前および最中に上記点検サブアセンブリが用いられてＰＣＢ106のＸ−Ｙ位置が監視され，上記レーザ・ビームが，上記導体310，312および314に入射することなく，第１および第２の余剰導体材料領域302および304に入射することが保証される。
【００５４】
図１〜図３Ｈを参照して説明したように，表粗化処理および堆積に用いられるレーザと同一のレーザがレーザ・アブレーションにも用いられることが，この発明に特有の特徴である。
【００５５】
典型的には，上記レーザ・アブレーションの完了後，図５Ａを参照して記述した点検と同様に，ＰＣＢ106の次の点検が実行される。
【００５６】
余剰導体材料領域302および304のレーザ・アブレーションを実行するために図４および図５Ａ〜図５Ｃを参照して上述したレーザ・アブレーション機能は，ＰＣＢ106上に複合欠陥が見つかった場合，または堆積処理中に堆積された余剰導体材料を取除くために，図３Ａ〜図３Ｈを参照して説明した表粗化処理および堆積とともに，同じＰＣＢ106上に用いることもできることを理解されたい。
【００５７】
図３Ａ〜図３Ｈを参照して上述した上記表粗化処理および堆積機能，ならびに図４および図５Ａ〜図５Ｃを参照して上述したレーザ・アブレーション機能は，必要に応じて，一または複数回，適切な順序で，ＰＣＢ106の上の複数の位置または同一位置のいずれかについて，それぞれ用いることができるも理解されたい。
【００５８】
この発明は，上記に特に示されかつ記載されたものに限定されないことは，当業者に理解されよう。むしろこの発明は，記載された様々な特徴の組合せおよびサブコンビネーションの両方を含み，また当業者であれば上記明細書を読むことで想起するであろう，および従来技術には開示されていない，それらの変形および部分的変更をも含む。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【国際調査報告】
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