(57)【要約】  ＬＥＤのためのアンダーフィルの形成の技術は、サブマウントウェハ上に取り付けられるＬＥＤダイをカプセル化する一方で、前記サブマウントウェハ上のアンダーフィル材料の反射層を形成するために、反射性アンダーフィル材料を成形する。次いで、前記アンダーフィル材料は、例えば、硬化処理によって、硬くされる。前記ＬＥＤダイの上部にわたる硬化された前記アンダーフィル材料は、マイクロビーズブラストを使用して除去される一方で、前記サブマウント表面上に前記反射層を残す。次いで、露出された前記成長基板が、全ての前記ＬＥＤダイから除去され、蛍光体層は、露出された前記ＬＥＤ表面にわたって成形される。次いで、レンズが、前記ＬＥＤ上に及び一部の前記反射層上に成形される。次いで、前記サブマウントウェハが単体化される。前記反射層は、如何なる更なる処理ステップも伴わずに、前記ＬＥＤ装置の効率を向上させ、前記サブマウントによる光吸収を低減する。
2012533186.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイと、
前記ＬＥＤダイが取り付けられるサブマウントであって、前記ＬＥＤダイと前記サブマウントとの間に間隙が存在する、サブマウントと、
前記ＬＥＤダイと前記サブマウントとの間の電気絶縁性アンダーフィル材料であって、前記サブマウントの表面上のＬＥＤダイを囲んでいる実質的に平坦な反射層も形成しているアンダーフィル材料と、
を有する発光装置。
【請求項２】
前記アンダーフィル材料がＴｉＯ２を注入されたシリコーンを含んでいる、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記ＴｉＯ２が、約５重量％よりも多い前記アンダーフィル材料を含んでいる、請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記ＬＥＤダイ上の蛍光体層であって、前記反射層より上方に延在している表面を有する前記蛍光体層を更に有する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記反射層が前記サブマウントのエッジまで延在している、請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記ＬＥＤダイと前記サブマウントとの間の前記アンダーフィル材料の厚さが、前記反射層の厚さよりも薄い、請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記反射層の厚さが３０ミクロンよりも大きい、請求項１に記載の発光装置。
【請求項８】
可視光に対する前記反射層の反射率が約８０％よりも大きい、請求項１に記載の発光装置。
【請求項９】
前記アンダーフィル材料が反射粒子を注入されるシリコーンを有する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記ＬＥＤダイと前記反射層の一部とにわたって成形される透明なレンズを更に有する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項１１】
発光装置を製造する方法であって、
サブマウント上に発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを設けるステップであって、間隙が前記ＬＥＤダイと前記サブマウントとの間にあり、前記ＬＥＤダイは、前記サブマウントに面している底面及び前記底面の反対側の上面を有する、ステップと、
反射性粒子を含んでいるシリコーンを含んでいる反射性アンダーフィル材料を供給するステップと、
前記アンダーフィル材料が、前記ＬＥＤダイと前記サブマウントとの間の前記間隙を実質的に完全に充填し、前記ＬＥＤダイを囲んでいる前記サブマウントの上の前記アンダーフィル材料の層を形成するように、前記サブマウント上の前記アンダーフィル材料を成形するステップと、
前記ＬＥＤダイの上面における如何なるアンダーフィル材料も除去する一方で、前記ＬＥＤダイを囲んでいる前記アンダーフィル材料の実質的に平坦な反射層を作るために、前記ＬＥＤダイを囲んでいる前記サブマウント上の前記アンダーフィル材料の層の少なくとも一部を残すステップと、
を有する方法。
【請求項１２】
前記ＬＥＤダイが成長基板上で成長されるエピタキシャル層を有しており、前記成長基板の表面は、前記ＬＥＤダイの上面である、請求項１１に記載の方法であって、
前記ＬＥＤダイの上面における如何なるアンダーフィル材料も除去した後、前記エピタキシャル層から前記成長基板を除去するステップを更に有する、方法。
【請求項１３】
前記ＬＥＤダイ上に蛍光体層を成形するステップであって、前記蛍光体層の上面は、前記反射層の上面よりも上方に延在する、ステップを更に有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記アンダーフィル材料がＴｉＯ２を注入されたシリコーンを有し、前記反射層の可視光に対する反射率は、約８０％よりも大きい、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイと、
前記ＬＥＤダイが取り付けられるサブマウントと、
前記ＬＥＤ上の蛍光体層と、
少なくとも前記蛍光体層からの光を反射するために前記ＬＥＤを囲んでいる前記サブマウントの上面にわたって延在している反射性粒子を注入されたシリコーンの実質的に平坦な反射層と、
前記ＬＥＤダイ、前記蛍光体層及び前記反射層の一部にわたって成形されたレンズと、
を有する発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）に関し、より詳細には、取付表面上への反射層の提供に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤは、典型的には、後に個々のＬＥＤ／サブマウントを分離するためにダイシングされるサブマウントウェハ上に取り付けられる。このウェハの各サブマウント部分は、例えば、超音波ボンディングによって、前記ＬＥＤ上の電極に結合される上部電極を有する。次いで、アンダーフィル材料（例えば、エポキシ又はシリコーン）が、力学的な支持を提供すると共に前記ＬＥＤを汚染物質から保護するために、前記ＬＥＤの下に注入される。前記サブマウント表面が清浄であるように、実質的にこのＬＥＤの設置面積外（例えば、２０ミクロン外）の如何なるアンダーフィル材料も除去される。前記ＬＥＤダイの設置面積を越えて延在する前記アンダーフィル材料を除去する１つの理由は、前記アンダーフィル材料がエポキシ（黄色から始まる）であり、紫外線光に露光された場合、前記エポキシが黒色になり、光を吸収するからである。
【０００３】
前記サブマウントは、更に、金属パターンによって前記ＬＥＤ電極に電気的に接続されている一組のより堅牢な電極を有し、前記電極は、典型的には、（前記サブマウントウェハがダイシングされた後）従来のはんだリフロー又は他の手段を使用してプリント回路基板に結合される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記ＬＥＤの活性層によって下方へ発される光が前記サブマウントによって吸収されるよりはむしろ、上方へ反射されるように、前記ＬＥＤの底面に反射性の金属電極を設けることが、知られている。前記ＬＥＤの発せられた光の一部は、更に、前記ＬＥＤダイの設置面積を囲んでいるサブマウント表面に当たる。前記光を反射するために、前記ＬＥＤの周りに反射性の金属リング（例えば、銀又はアルミニウム）を堆積させることが、知られている。
【０００５】
金属リフレクタの形成は、付加的なステップを要し、前記金属は、前記サブマウント上の上部金属パターンから絶縁されなければならない。
【０００６】
必要とされているのは、サブマウントの表面又は他のＬＥＤ取付表面からの光を上方に反射させるための良好な仕方である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施例において、サブマウントウェハは、ＬＥＤダイによって占有される。各ＬＥＤダイに関して典型的なエポキシ又はシリコーン成型コンパウンドのアンダーフィルを使用する代わりに、充填剤としてＴｉＯ２粉（又は他の白色粉体）を含んでいるシリコーン成型コンパウンドが、当該アンダーフィルとして使用される、そして、前記アンダーフィル材料は更に、前記ＬＥＤの各々を囲んでいる実質的に平坦な反射層を形成する。一実施例において、前記アンダーフィル材料は、前記ＬＥＤの各々の真下を含むウェハ表面全体にわたって前記アンダーフィル材料の層を形成するために、射出成形される又は前記ウェハ上に圧縮成形される。
【０００８】
ＴｉＯ２の、重さにおけるパーセンテージが、アンダーフィル材料の全充填剤含有量の約５％を超える場合、当該層は８５％以上の反射性を有する。前記アンダーフィル材料が、重さにおけるパーセンテージが、全充填剤含有量の１０％のＴｉＯ２を含む場合、前記層は少なくとも９０％の反射性を有する。
【０００９】
この反射性のＴｉＯ２注入された層が、前記ウェハ（前記ＬＥＤよりも低いものも含む）上に成形された後、前記ＴｉＯ２注入された層の露出表面が、次いで、各ＬＥＤの上面を露出させるようにマイクロビーズブラストされる。前記ＬＥＤを囲んでいる前記ＴｉＯ２注入された層の表面は、およそ、前記サブマウントウェハの表面上の反射層を形成するために、前記ＬＥＤの半導体層以下の高さである。前記ＬＥＤが、上部に成長基板を備えているフリップチップである場合、前記サブマウントへの取付けの後に前記成長基板は取り除かれることができる。前記成長基板の除去が前記ＬＥＤ半導体層に対して下方への圧力を与えるので、前記アンダーフィル材料が、前記基板除去の工程の間、前記ＬＥＤ半導体層を支持している。
【００１０】
前記ＬＥＤ光が蛍光体変換されるべきである場合、次いで、蛍光体層が、露出されている前記ＬＥＤ表面上に成形される又は何らかの他の手段によって堆積される。
【００１１】
次いで、透明なレンズが、前記ＬＥＤ上に成形される、又は何らかの適切な処理を使用して形成される。
【００１２】
何れにしろ、アンダーフィル材料が前記ＬＥＤの下に注入されなければならず、前記サブマウント上のＬＥＤの各々を囲んでいる反射層を生成するための前記アンダーフィル材料の形成における如何なる追加の過程のステップも存在しない。従って、前記ＬＥＤの周りの前記反射層は、如何なる付加的な処理過程も伴うことなく、前記サブマウントによる光の吸収を防止することによって、光出力を増大させる。前記サブマウント上へこれを成形する前に、ＴｉＯ２の粒子を前記シリコーンアンダーフィル材料内に混入することは、簡単なステップである。ＴｉＯ２粒子は、表面積対ボリュームを最大化するために小さい。
【００１３】
次いで、個々のＬＥＤ／サブマウントを分離するために前記サブマウントウェハがダイシングされ、各々が反射層を有する。前記反射層は、電気的に絶縁性である。
【００１４】
本工程によって使用されることができる好ましいアンダーフィル材料は、シリコーン成形コンパウンドであり、前記シリコーン成形コンパウンドは、−１０℃〜２０℃のガラス転移温度と前記基板に近い熱膨張係数とを有し、この結果、ＡｕＳｎ又はＡｇＳｎのはんだフローのような、最悪の場合の条件下でも前記シリコーン成形コンパウンドのごくわずかな熱膨張しか生じない。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】アンダーフィルのステップの前に、５００―４０００個のＬＥＤのような、ＬＥＤのアレイによって占有されている従来技術のサブマウントウェハの部分を示している。
【図２Ａ】前記ＬＥＤの下方及び前記サブマウントウェハの表面の上方に反射性アンダーフィル材料を供給するために使用されるウェハ‐レベルの射出成形過程を示している。
【図２Ｂ】注入を使用せずに、前記ＬＥＤの下方及び前記サブマウントウェハの表面の上方に反射性アンダーフィル材料を供給するための代替的な種類のウェハ‐レベルの成形過程を示している。
【図３】図２Ａ又は図２Ｂの型から取り除かれた後の前記ウェハ上のＬＥＤを示している。
【図４】図３の前記アンダーフィル材料の表面を示しており、当該アンダーフィル材料の表面は、前記ＬＥＤの上面を露出させるが前記サブマウントウェハの表面上に反射層を残すように、マイクロビーズブラストによってエッチング除去される。
【図５】前記ＬＥＤから成長基板を除去するためのレーザーリフトオフ技術を示している。
【図６】図２Ｂのものと類似の成形過程によって露出されたＬＥＤ表面にわたって形成される蛍光体層（結合剤内の蛍光体粒子）を示している。
【図７】図２Ｂのものと類似の成形過程によって前記ＬＥＤ上に形成されるレンズを示している。
【図８】図７のＬＥＤ／サブマウントが切り離された後にサブマウント上に取り付けられる単一のＬＥＤの断面図であって、前記サブマウントは、プリント回路基板にはんだ付けされるように示されている、断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
同じ又は等価な要素は、同じ符号を付されている。
【００１７】
予備的事項として、従来のＬＥＤは、成長基板の上に形成される。使用される例において、前記ＬＥＤは、青色光を生成するためのＧａＮベースのＬＥＤ（例えば、ＡｌＩｎＧａＮ又はＩｎＧａＮ  ＬＥＤ）である。典型的には、比較的厚いｎ型ＧａＮ層は、従来の技術を使用してサファイア成長基板上で成長される。比較的厚いＧａＮ層は、典型的には、前記ｎ型クラッディング層及び活性層のための低欠陥格子の構造を提供するために、低温核生成層と１つ以上の更なる層とを含んでいる。次いで、１つ以上のｎ型クラッディング層が、厚いｎ型層上に形成され、活性層、１つ以上のｐ型クラッディング層及びｐ型コンタクト層（メタライゼーションのため）が続く。
【００１８】
フリップチップの場合、このｐ型層及び活性層の部分は、メタライゼーションのためのｎ型層を露出させるように、エッチング除去される。このようにして、これらｐ型コンタクト及びｎ型コンタクトは、前記チップと同じ側にあり、前記サブマウントのコンタクトパッドに直接的に電気的に取り付けられることができる。前記ｎ型金属コンタクトからの電流は、最初に、前記ｎ型層内を横に流れる。前記ＬＥＤの底部電極は、典型的には、反射性金属により形成される。
【００１９】
本発明において使用されることができる他の種類のＬＥＤは、赤色から黄色の範囲における光を生成することができるＡｌＩｎＧａＰ ＬＥＤを含んでいる。非フリップチップのＬＥＤも、使用されることができる。
【００２０】
前記ＬＥＤは、次いで、単体化されて、サブマウントウェハ上に取り付けられる。
【００２１】
従来技術である図１は、サブマウントウェハ２２の一部にフリップチップ実装されている従来のＬＥＤ１０を示している。ＬＥＤ１０は、成長基板１２（例えば、サファイア基板）上に成長される半導体エピタキシャル層から形成される。一実施例において、前記エピタキシャル層は、ＧａＮベースであり、前記活性層は、青色光を発する。如何なる他の種類のＬＥＤも、本発明に適用可能である。
【００２２】
金属電極１４は、前記ｐ型層に電気的に接触しているＬＥＤ１０上に形成され、金属電極１６は、前記ｎ型層に電気的に接触しているＬＥＤ１０上に形成される。一実施例において、前記電極は、サブマウントウェハ２２上の陽極及び陰極の金属パッドに超音波で溶接される金のバンプである。サブマウントウェハ２２は、一実施例において、プリント回路基板に結合するための底部金属パッドに通じている導電性ビアを有する。多くのＬＥＤが、サブマウントウェハ２２上に取り付けられ、ウェハ２２は、個々のＬＥＤ／サブマウントを形成するように、後に単体化される。
【００２３】
ＬＥＤの更なる詳細は、参照によって本願明細書に組み込まれる本譲受人の米国特許第６，６４９，４４０号及び第６，２７４，３９９号と米国特許出願公開第２００６／０２８１２０３号及び第２００５／０２６９５８２号において見ることができる。
【００２４】
反射性アンダーフィル材料が、準備される。一実施例において、ＴｉＯ２（白色光の下で白色に見える）又は他の反射性粒子（例えば、ＺｒＯ２）が、アンダーフィルするのに適切なシリコーン成形コンパウンドに付加される。典型的なシリコーン成形コンパウンドは、重さにして約８２％―８４％のＳｉＯ２を含んでおり、パワーＬＥＤの、高光子エネルギの高熱温度環境において非常に安定な材料を作る。前記アンダーフィルの反射特性を作るために、ＴｉＯ２は、前記ＴｉＯ２が、重さにしてシリコーン成形コンパウンド内の充填剤の全体量の約５―１０％以上であるようにするように、前記ＳｉＯ２の一部と交換するためにシリコーン成形コンパウンドに含まれている。前記ＴｉＯ２を加えた前記ＳｉＯ２は、重さにして前記シリコーンコンパウンドの約８０％―８４％に等しくなければならない。ＴｉＯ２の５％の付加は、結果として前記シリコーンコンパウンドの約８５％の反射率をもたらし、ＴｉＯ２の１０％の付加は、結果として前記シリコーンコンパウンドの９０％以上の反射率をもたらす。著しく更なる量のＴｉＯ２は、アンダーフィルとして使用されるための前記シリコーンコンパウンドの望ましい特性を低下させ始める。電気絶縁性の、反射性アンダーフィル材料の他の調製も、使用されることができる。
【００２５】
図２Ａは、各ＬＥＤに対する前記アンダーフィル及び反射層を作る適切な射出成形過程の１つの種類を示している。型３６は、この成形過程の後の硬化されたアンダーフィル材料の形状を規定するキャビティ３８を有している。型３６は、アルミニウムから形成されることができる。型３６は、型３６が、ウェハ２２に対して位置合わせされてウェハ２２に対して押圧される場合に、サブマウントウェハ２２に対して封止する周辺の封止部３７を有している。
【００２６】
型３６は、反射性の液体アンダーフィル材料４１を注入するための、少なくとも１つの注入口４０と、真空源に接続されている少なくとも１つの放出口４２とを有する。ひとたび型３６がウェハ２２に対して封止されると、真空が型３６内に生成され、アンダーフィル材料４１が、注入口４０を通って注入される。アンダーフィル材料４１は、前記真空と材料４１の注入圧とによって助けられて、キャビティ３８間のチャネル４４を介して全てのキャビティ３８内に流れ込む。真空は、型３６内の殆ど全ての空気を取り除く。最後に、前記ＬＥＤの下の全てのボイドを含む型３６全体が、アンダーフィル材料４１を充填される。
【００２７】
型３６は、次いで、前記液体アンダーフィル材料を硬化させるために加熱される。硬化の間の型３６の温度は、約１５０℃である。代替的には、透明な型が使用されることができ、前記アンダーフィル材料は、紫外線光によって硬化されることができる。
【００２８】
図２Ｂは、前記アンダーフィル材料の圧力注入を使用しない代替的なウェハ‐レベル成形過程を示している。図２Ｂにおいて、型４８は、最初に、大気圧において固体アンダーフィル材料４１の粒子（例えば、粉又は小さい錠剤）によって充填される。前記固体材料は、次いで、これを軟化させるために前記型内で加熱される。前記サブマウントウェハ２２は、前記ＬＥＤが各キャビティ５０内の前記アンダーフィル材料に浸漬されるように、型４８に対して持ってこられる。ウェハ２２及び型４８は、前記アンダーフィル材料が全てのボイドを充填するようにするために、一緒に押圧される。周辺の封止部５３は、前記圧力が高いものであることを可能にする一方で、前記アンダーフィル材料が前記ボイドを埋めるにつれて全ての空気が漏出するのを可能にする。真空は、封止部５３の周りの真空源を使用してウェハ２２と型４８の間に引かれることもできる。
【００２９】
次いで、型４８は、前記アンダーフィル材料を凝固させるように冷却される。或る材料は、前記加熱及び圧縮過程の後に自動的に硬化する。固体としての前記アンダーフィル材料を扱うことは、様々な利点を有する。更に、アンダーフィルに使用されることができる幾つかの適切な材料は、硬化より前の室温において液体ではなく、従って、圧縮が続く前記型内の固体材料の加熱は、アンダーフィルとして使用されることができる可能性がある材料の数を大いに増大させる。
【００３０】
次いで、図２Ａ又は２Ｂの型がウェハ２２から取り外され、結果として、各ＬＥＤをカプセル化している硬化された前記アンダーフィル材料５４を有する図３の構造をもたらす。各ＬＥＤ間のウェハ２２表面上にも硬化されたアンダーフィル材料５４の層がある。
【００３１】
成長基板１２を除去するレーザーリフトオフ処理を実施するために、成長基板１２の上のアンダーフィル材料５４が、最初に除去されなければならない。成長基板１２は、研削又は他の力学的なエッチング処理によって除去される場合、このような研削は、同時に過剰なアンダーフィル材料５４を除去するために使用されることもできる。
【００３２】
図４は、高速マイクロビーズ５８をウェハ２２の表面全体にブラストすることによる過剰なアンダーフィル材料５４の除去を示している。一実施例において、マイクロビーズ５８は、１―２０ミクロンの間の直径を有しており、ＮａＨＣＯ３から形成されている。マイクロビーズ５８は、約１００ｐｓｉ未満の圧力において空気によりノズルを通って加速される。前記ノズルは、前記ノズルの移動を伴うことなく、ＬＥＤ１０上からアンダーフィル材料５４をエッチング除去するように大きいものであっても良く、又は小さいノズルが、一度に幾つかのＬＥＤからアンダーフィル材料５４をエッチング除去するのに使用されても良く、ウェハ２２上の隣の位置への前記ノズルの移動が後続する。マイクロビーズ使用する何らかの種類の余剰材料の除去は、既知の過程である。アンダーフィル材料５４は、ＬＥＤ１０間のサブマウント表面上に反射層を残すためにエッチングされる。残存する層の厚さは、当たる光の少なくとも８０％を反射するのに十分なものでなければならない。一実施例において、前記サブマウント表面上の反射層の厚さは、約３０―５０ミクロン（おおよそ、前記ＬＥＤダイの下方の前記アンダーフィルの厚さであり得る）であり、前記反射層の全体的な上面は、型の形状と前記マイクロビーズブラストの効果とによって決定されるように、ほぼ平坦である。
【００３３】
図５は、レーザーリフトオフ過程を示している。レーザパルスが、矢印６０によって示されている。前記レーザーリフトオフの間、ＧａＮの表面は熱を吸収し、前記表面層がＧａ及びＮ２に分解するようにする。Ｎ２圧は、前記ＬＥＤからサファイア成長基板１２を押し出す。成長基板１２が、このリフトオフ処理において、半導体ＬＥＤ層から分離された状態になった後、成長基板１２は、例えば、接着シート又は幾つかのより他の適切な処理によって取り除かれる。前記アンダーフィルは、前記リフトオフ処理において、薄いＬＥＤ半導体層を機械的に支持する。
【００３４】
次いで、露出されたＬＥＤ層は、例えば、ＲＩＥ又は機械的なエッチングによって薄くされる。前記露出された上部の層が比較的厚いｎ型層であり、この表面はレーザーリフトオフ過程によって損傷を受けるからである。得られる上面は、次いで、光抽出効率を向上させるために粗くされても良い。
【００３５】
蛍光体変換された光を発生させることが望まれている場合、次いで、図２Ｂにおける型４８に類似している型が、ＬＥＤ１０上に蛍光体層を成形するために設けられる。例えば、ＬＥＤ１０は青色光を発することができ、（黄色光を生成する）ＹＡＧ蛍光体の層又は赤及び緑色の蛍光体の層を堆積させることによって白色光を作成することが望まれ得る。前記青色光は、蛍光体により生成された前記光と組み合わさるように前記蛍光体を通って漏出する。
【００３６】
前記蛍光体の混合物は、シリコーンのような、結合剤に注入される蛍光体粒子であっても良い。この場合、前記型のキャビティが、ＬＥＤ１０上の蛍光体の形状を規定し、この蛍光体の混合物は、前記蛍光体層を硬化するように硬化される。図６は、ＬＥＤ上の成形された蛍光体層６２を示している。この成形過程の公差によって、アンダーフィル材料５４上に薄い蛍光体層が設けられる場合、このような薄い蛍光体は、マイクロビーズブラストのステップを使用して取り除かれることができる。
【００３７】
次いで、透明なレンズ６６（図７）あ、前記ＬＥＤからの光抽出を増大させる、蛍光体層６２及びＬＥＤ１０を保護する、並びに所望の光放出パターンを作成するために、各ＬＥＤ１０上に成形されることができる。レンズ６６は、如何なる形状であっても良く、例えば、図７に示されている半球状の形状であっても良い。一実施例において、レンズ６６は、図２Ｂに示されているのと同じ一般的な過程を使用してシリコーンから成形される。
【００３８】
一実施例において、前記レンズ材料は、ＬＥＤ１０によって発される光を波長変換するための蛍光体粒子も含んでいる。
【００３９】
他のウェハレベルの処理が、前記ＬＥＤアレイ上で実施されることもできると共に、サブマウントウェハ２２上に取り付けられることもできる。
【００４０】
次いで、サブマウントウェハ２２は、図８に示されているように、個々のＬＥＤ／サブマウントを形成するために単体化される。図８に示されているように、サブマウントウェハ２２部分の表面全体は、反射性のアンダーフィル材料５４によって覆われている。蛍光体層６２によって下方に発されアンダーフィル材料５４によって上方に反射される光線７０が、示されている。ＬＥＤ１０の側部からの光線も、上方へ反射され、アンダーフィル材料５４の上面を通って出る。
【００４１】
図８は、サブマウントウェハ２２部分の表面上の電極７２及び７３、底部電極７８及び７９に至るバイア７６、並びに電極７８及び７９にはんだ付けされるパッドを有するプリント回路基板８２も示している。基板８２は、ヒートシンクのためのアルミニウムコアを有することができる。
【００４２】
本発明は、前記反射性材料がアンダーフィルとしても使用されるか否かにかかわらず、基板上に取り付けられるＬＥＤの周りにおける反射性材料の形成にも適用される。例えば、前記ＬＥＤ上の底部電極は、実質的に前記ＬＥＤの後方全体を占めることができ、アンダーフィルは、必要とされなくても良い。
【００４３】
ウェハ‐レベルレンズ成形工程の詳細は、参照により本明細書に組み込まれる本譲受人に譲渡されているGrigoriy Basinらによる"Overmolded Lens Over LED Die"という題名の米国特許出願公開第２００６／０１０５４８５号に記載されている。
【００４４】
本発明の特定の実施例が示され記載される一方で、変更及び変形が、本発明の広い見地において本発明から逸脱しない範囲でなされることができることは、当業者にとって明らかであり、従って、添付の請求項は、この範囲内に、本発明の真の精神及び範囲内にあるような全て変更及び変形を包含する。
【図１】
2012533186.tif 000003
【図２Ａ】
2012533186.tif 000004
【図２Ｂ】
2012533186.tif 000005
【図３】
2012533186.tif 000006
【図４】
2012533186.tif 000007
【図５】
2012533186.tif 000008
【図６】
2012533186.tif 000009
【図７】
2012533186.tif 000010
【図８】
2012533186.tif 000011
【国際調査報告】
2012533186.tif 000012
2012533186.tif 000013