(57)【要約】  シャロウトレンチアイソレーション方法が開示される。特別の態様では、方法は、シリコン基板の狭トレンチのボトム表面の下に酸素をインプラントし、シリコン基板の高温アニールを行って埋め込み酸化物層を形成することを含む。方法はまた、エッチングを行って埋め込み酸化物層に達するように狭トレンチを深くすることを含む。方法はさらに、充填材料を堆積して狭トレンチ内に充填層を形成することを含む。
2012500475.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の狭トレンチのボトム表面の下に酸素をインプラントすることと、
前記インプラントされた酸素を含んだ前記シリコン基板の高温アニールを行って、埋め込み酸化物層を形成することと、
前記埋め込み酸化物層に達するように前記狭トレンチのボトム表面をエッチングすることと、
充填材料を堆積して前記狭トレンチ内にトップ充填層を形成することと、
を備えた方法。
【請求項２】
前記酸素は、複数のインプラントエネルギーを用いてインプラントされ、前記複数のインプラントエネルギーの最低インプラントエネルギーは、前記狭トレンチの前記ボトム表面の下で少なくとも数百オングストロームの平均インプラント深さに帰着する
請求項１の方法。
【請求項３】
前記酸素は、複数のインプラントエネルギーを用いてインプラントされ、前記複数のインプラントエネルギーの最低インプラントエネルギーは、前記最低インプラントエネルギーに対応する平均インプラント深さの３５％よりも少ない前記酸素の横方向ストラグル距離に帰着する
請求項１の方法。
【請求項４】
前記充填材料は、酸化物材料である
請求項１の方法。
【請求項５】
前記狭トレンチの前記ボトム表面の下に前記酸素をインプラントする前に、シャロウトレンチエッチングを行って前記狭トレンチを形成することを
さらに備えた請求項１の方法。
【請求項６】
前記高温アニールを行う前に、シリコン窒化物層を除去することを、
さらに備えた請求項１の方法。
【請求項７】
狭トレンチアスペクト比がシリコン窒化物層を含んで約３から４の第２の範囲内で、前記埋め込み酸化物層及び前記トップ充填層によって形成される酸化物バリアは約５から６の第１の範囲内の実効的なアスペクト比を有する
請求項１の方法。
【請求項８】
狭トレンチアスペクト比が約１から２の第２の範囲内で、前記埋め込み酸化物層及び前記トップ充填層によって形成される酸化物バリアは約３から４の第１の範囲内の実効的なアスペクト比を有する
請求項１の方法。
【請求項９】
前記狭トレンチは、７０ｎｍよりも少ない幅を有する
請求項１の方法。
【請求項１０】
アイソレーション構造を含んだ半導体製品であって、前記アイソレーション構造が前記請求項１の方法にしたがって作製される半導体製品。
【請求項１１】
シリコン基板内に酸素をインプラントすることと、
前記インプラントされた酸素を有する前記シリコン基板の高温アニールを行って、埋め込み酸化物層を有する基板を形成することと、
前記シリコン基板の表面内の狭トレンチをエッチングして前記埋め込み酸化物層を露出させることと、
前記トレンチ内に充填材料を堆積して前記狭トレンチ内にトップ充填層を形成することと、
を備えた方法。
【請求項１２】
前記シリコン基板内に前記酸素をインプラントする前に、シリコン窒化物材料を堆積して前記シリコン基板上にシリコン窒化物層を形成し、シャロウトレンチをパターニングすることを、
さらに備えた請求項１１の方法。
【請求項１３】
前記充填材料を堆積した後に、化学的機械的平坦化及びエッチングを行って、前記シリコン基板の表面からシリコン窒化物及び酸化物を除去することを、
さらに備えた請求項１１の方法。
【請求項１４】
前記高温アニールを行う前に、シリコン窒化物の層を除去することを、
さらに備えた請求項１１の方法。
【請求項１５】
前記高温アニールを行う前に、酸化物の層を除去することであって、前記高温アニールが内部熱酸化（ＩＴＯＸ）アニーリングプロセスを用いて行われることを、
さらに備えた請求項１４の方法。
【請求項１６】
前記ＩＴＯＸアニーリングプロセスは、前記シリコン基板の表面上に表面酸化物層を生成し、
シリコン窒化物材料を堆積して、前記表面酸化物層上にシリコン窒化物層を形成することと、
前記シリコン窒化物層及び前記表面酸化物層の一部を除去して、狭トレンチエッチマスクを規定することと、
をさらに備えた請求項１５の方法。
【請求項１７】
シリコン窒化物材料を堆積して、前記シリコン基板上にシリコン窒化物層を形成することと、
前記シリコン基板のアクティブエリア上の前記シリコン窒化物層の一部を除去することであって、前記酸素が前記シリコン窒化物層を通して第１の深さまでインプラントされ、第２の酸化物層が前記第１の深さよりも大きい第２の深さで前記アクティブエリアの下に形成され、前記埋め込み酸化物層が前記第２の酸化物層にコンタクトしないことと、
をさらに備えた請求項１１の方法。
【請求項１８】
請求項１１の方法を用いて形成された構造を含んだ半導体製品。
【請求項１９】
シリコン基板と、
前記シリコン基板内の狭トレンチであって、アイソレーティング材料で充填された狭トレンチと、
前記狭トレンチ下にあり、前記アイソレーティング材料の少なくとも一部にコンタクトするインプラントされた酸化物層であって、前記狭トレンチの少なくとも一部が、前記インプラントされた酸化物層を露出させるようにエッチングすることによって生成された構造であるインプラントされた酸化物層と、
を備えた半導体アイソレーション構造。
【請求項２０】
前記インプラントされた酸化物層及び前記アイソレーティング材料で形成された酸化物バリアは、狭トレンチアスペクト比がシリコン窒化物層を含んで約３から４の第２の範囲内で、約５から６の第１の範囲内の実効的なアスペクト比を有する
請求項１９の半導体アイソレーション構造。
【請求項２１】
前記インプラントされた酸化物層及び前記アイソレーティング材料で形成された酸化物バリアは、狭トレンチアスペクト比がシリコン窒化物層無しで約１から２の第２の範囲内で、約３から４の第１の範囲内の実効的なアスペクト比を有する
請求項１９の半導体アイソレーション構造。
【請求項２２】
狭トレンチアイソレーション構造を含んだ半導体デバイスであって、
前記狭トレンチアイソレーション構造が、半導体材料内の埋め込み酸化物構造に達するように前記半導体材料内で狭トレンチをエッチングし、アイソレーティング材料で前記狭トレンチを充填することによって形成されている
半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、シャロウトレンチアイソレーション（shallow trench isolation）に関する。
【背景技術】
【０００２】
シャロウトレンチアイソレーション（ＳＴＩ）は、半導体デバイス間の電気的なアイソレーションを提供するために用いられることができる。シャロウトレンチアイソレーション構造は、半導体表面内に狭トレンチ（narrow trench）をエッチングし、トレンチ内に二酸化シリコン（silicon dioxide）のような絶縁材料を堆積することによって形成されることができる。プロセス技術がより小さいデバイス寸法をサポートするように進化するにつれて、絶縁材料の堆積は、トレンチ幅が狭くなるとともに増加するトレンチアスペクト比に起因して難しくなってきているかもしれない。
【発明の概要】
【０００３】
特別の態様（particular embodiment）では、方法は、シリコン基板の狭トレンチ（narrow trench）のボトム表面（bottom surface）の下に酸素をインプラント（implant）することと、シリコン基板の高温アニール（high-temperature anneal）を行って埋め込み酸化物層（buried oxide layer）を形成することを含む。方法はまた、埋め込み酸化物層に達するように、エッチングを行って狭トレンチを深くすることを含む。方法はさらに、充填材料（filling material）をトレンチ内に堆積して（deposit）、狭トレンチ内にトップ充填層（top filling layer）を形成することを含む。
【０００４】
他の特別の態様では、方法は、シリコン基板内に酸素をインプラントすることを含む。方法は、インプラントされた酸素を有するシリコン基板の高温アニールを行って、埋め込み酸化物層を有する基板を形成することを含む。方法はまた、シリコン基板の表面内の狭トレンチをエッチングして埋め込み酸化物層を露出させることを含む。方法はさらに、トレンチ内に充填材料を堆積して狭トレンチ内にトップ充填層を形成することを含む。
【０００５】
他の特別の態様では、半導体アイソレーション構造が開示され、それは、シリコン基板と、シリコン基板内の狭トレンチを含む。狭トレンチは、アイソレーティング材料で充填されている。半導体アイソレーション構造はまた、狭トレンチ下にインプラントされた酸化物層を含む。インプラントされた酸化物層は、アイソレーティング材料の少なくとも一部にコンタクトする。狭トレンチの少なくとも一部は、インプラントされた酸化物層が形成された後にエッチングされる。
【０００６】
開示された態様の少なくとも１つによって与えられる特別の効果は、アイソレーション構造が、約５から６の実効アスペクト比（effective aspect ratio）を有するような、狭い幅及びアイソレーション深さを有することである。そのようなアイソレーション構造は、小さな幅を有する大きな実効アスペクト比を示すかもしれず、バルク相補的金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）或いはバルクＦｉｎＦＥＴ技術に用いられるような、２２ナノメータ及びより小さな製造技術に対する困難を克服するかもしれない。
【０００７】
本開示の他の態様、効果及び特徴は、以下のセクション：図面の簡単な説明、発明を実施するための形態、及び特許請求の範囲、を含んだ出願全体のレビューの後に、明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、酸素インプランテーションを有するシリコン基板を有するシステムの第１の例証的な実施形態の図である。
【図２】図２は、アニールを行った後の図１のシステム１００から形成されるシステムの図である。
【図３】図３は、狭トレンチをエッチングして埋め込み酸化物層を露出させた後の図２のシステム２００から形成されるシステムの図である。
【図４】図４は、充填材料を堆積し、狭トレンチ内の化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）プロセスの後の図３のシステム３００から形成されるシステムの図である。
【図５】図５は、大きな実効アスペクト比を有するアイソレーション構造を示した図１のシステム１００から形成される半導体製品の図である。
【図６】図６は、シリコン窒化物層を除去した後、及びアニールを行った後の図１のシステム１００から形成されるシステムの図である。
【図７】図７は、狭トレンチをエッチングして埋め込み酸化物層を露出させた後の図６のシステム６００から形成されるシステムの図である。
【図８】図８は、充填材料を堆積し、狭トレンチ内のＣＭＰプロセスの後の図７のシステム７００から形成されるシステムの図である。
【図９】図９は、酸素インプランテーションを有するシリコン基板を有するシステムの第２の例証的な実施形態の図である。
【図１０】図１０は、アニールを行った後の図９のシステム９００から形成されるシステムの図である。
【図１１】図１１は、埋め込み酸化物層に達するように狭トレンチをエッチングした後の図１０のシステム１０００から形成されるシステムの図である。
【図１２】図１２は、充填材料を堆積し、狭トレンチ内のＣＭＰプロセスの後の図１１のシステム１１００から形成されるシステムの図である。
【図１３】図１３は、大きな実効アスペクト比を有するアイソレーション構造を示した図９システム９００から形成される半導体製品の図である。
【図１４】図１４は、シリコン窒化物層を除去した後、及びアニールを行った後の図９のシステム９００から形成されるシステムの図である。
【図１５】図１５は、埋め込み酸化物層に達するように狭トレンチをエッチングした後の図１４のシステム１４００から形成されるシステムの図である。
【図１６】図１６は、充填材料を堆積し、狭トレンチ内のＣＭＰプロセスの後の図１５のシステム１５００から形成されるシステムの図である。
【図１７】図１７は、酸素インプランテーションを有するシリコン基板を有するシステムの第３の例証的な実施形態の図である。
【図１８】図１８は、シリコン窒化物層を除去した後、及びアニールを行った後の図１７のシステム１７００から形成されるシステムの図である。
【図１９】図１９は、シリコン窒化物層を除去し、内部熱酸化（ＩＴＯＸ）を行った後の図１７のシステム１７００から形成されるシステムの図である。
【図２０】図２０は、狭トレンチをエッチングして埋め込み酸化物層を露出させた後の図１８のシステム１８００或いは図１９のシステム１９００から形成されるシステムの図である。
【図２１】図２０は、充填材料を堆積し、狭トレンチ内のＣＭＰプロセスの後の図２０のシステム２０００から形成されるシステムの図である。
【図２２】図２２は、大きな実効アスペクト比を有するアイソレーション構造を示した図１７システム１７００から形成される半導体製品の図である。
【図２３】図２３は、酸素インプランテーションを有するシリコン基板を有するシステムの第４の例証的な実施形態の図である。
【図２４】図２４は、シリコン窒化物層を除去した後、及びアニールを行った後の図２３のシステム２３００から形成されるシステムの図である。
【図２５】図２５は、シリコン窒化物層を除去し、内部熱酸化（ＩＴＯＸ）を行った後の図２３のシステム２３００から形成されるシステムの図である。
【図２６】図２６は、埋め込み酸化物層に達するように狭トレンチをエッチングした後の図２４のシステム２４００或いは図２５のシステム２５００から形成されるシステムの図である。
【図２７】図２７は、充填材料を堆積し、狭トレンチ内のＣＭＰプロセスの後の図２６のシステム２６００から形成されるシステムの図である。
【図２８】図２８は、大きな実効アスペクト比を有するアイソレーション構造を示した図２３システム２３００から形成される半導体製品の図である。
【図２９】図２９は、アイソレーション構造を形成する方法の第１の特別の実施形態のフローチャートである。
【図３０】図３０は、アイソレーション構造を形成する方法の第２の特別の実施形態のフローチャートである。
【図３１】図３１は、アイソレーション構造を形成する方法の第３の特別の実施形態のフローチャートである。
【図３２】図３２は、アイソレーション構造を形成する方法の第４の特別の実施形態のフローチャートである。
【図３３】図３３は、アイソレーション構造を形成する方法の第５の特別の実施形態のフローチャートである。
【図３４】図３４は、アイソレーション構造を形成する方法の第６の特別の実施形態のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１−５は、アイソレーション（isolation）構造の第１の自己整合された（self-aligned）製造プロセスを示している。図１は、酸素インプランテーション（oxygen implantation）を有するシリコン基板（silicon substrate）を有するシステムの第１の例証的な実施形態の図である。システム１００は、（シリコン）酸化物層（oxide layer）１０６及びシリコン窒化物層（nitride layer）１０８の下のアクティブエリア（active area）を有するシリコン基板１０２を含んでいる。酸化物層１０６及びシリコン窒化物層１０８は、狭トレンチ（narrow trench）１１０及び１１４上の開口領域（open region）を規定する半導体基板１０２上のハードマスクを形成するかもしれない。例えば、酸化物層１０６はシリコン基板１０２の表面１０３上に成長される（grown）かもしれず、シリコン窒化物層１０８は酸化物層１０６上に堆積される（deposited）かもしれない。シャロウトレンチアイソレーション（shallow trench isolation）（ＳＴＩ）フォトリソグラフィ及びエッチングプロセスが、酸化物層１０６及びシリコン窒化物層１０８内のＳＴＩパターンを規定するために用いられるかもしれない。
【００１０】
狭トレンチ１１０及び１１４は、シリコン基板１０２内に深さｄ０を有している。酸素１１８が狭トレンチ１１０及び１１４のそれぞれボトム（bottom）表面１１２及び１１６の下にインプラント（implant）され、インプラントされた酸素イオンの酸素リッチ領域（oxygen-rich region）１２０及び１３０を形成している。狭トレンチ１１０及び１１４は、酸化物層１０６及びシリコン窒化物層１０８をエッチマスクとして用いるシャロウトレンチエッチを介してシリコン基板１０２がエッチングされるＳＴＩの特徴であるかもしれない。特別の態様では、狭トレンチ１１０及び１１４は、約７０ナノメートル（ｎｍ）よりも少ない幅を有している。
【００１１】
酸化物層１０６及びシリコン窒化物層１０８は、結合された高さｔを有している。結合された高さｔは、インプラントされる酸素１１８が、シリコン窒化物層１０８及び酸化物層１０６を通してシリコン基板１０２に到達する十分なインプラントエネルギーを有さないように決定されている。それ故、結合された層１０６及び１０８は、狭トレンチ１１０及び１１４のボトム表面１１２及び１１６の下を除いて、酸素インプランテーションを阻止するインプランテーションマスクとして機能するかもしれない。
【００１２】
酸素１１８は、ストラグルエリア（straggle area）１３２内を示され、また一般的にインプランテーションの深さの関数としてのドーズ（dose）（例えば、インプラントされたイオンの密度）のグラフとして示されたインプラント分布１４０によって示された複数のインプラントエネルギーを用いてインプラントされているかもしれない。インプラント分布１４０は、第１の平均深さ（mean depth）ｄi1１５０での第１のプロファイル１５１を生成するための、複数のインプラントエネルギーの第１のエネルギーでの第１のインプランテーションを含んでいる。インプラント分布１４０はまた、第２の平均深さｄi2１５２での第２のプロファイル１５３を生成するための第２のエネルギーでの第２のインプランテーション、第３の平均深さｄi3１５４での第３のプロファイル１５５を生成するための第３のエネルギーでの第３のインプランテーション、第４の平均深さｄi4１５６での第４のプロファイル１５７を生成するための第４のエネルギーでの第４のインプランテーション、第５の平均深さｄi5１５８での第５のプロファイル１５９を生成するための第５のエネルギーでの第５のインプランテーションを含んでいる。プロファイル１５１、１５３、１５５、１５７及び１５９は、第１の平均深さｄi1１５０と第５の平均深さｄi5１５８との間の相対的に均一なドーズ（Ｌdose）を与えるように結合している。一方、ピークドーズＨdoseを有する非均一ドーズを与える第３の平均深さｄi3での単一プロファイル１４６を有する単一インプランテーションが、比較目的だけのために示されている。
【００１３】
インプラントされた酸素イオンは、“ストラグル（straggle）”或いは領域１２０及び１３０を越えた酸素イオンの広がり（spreading）を示しているかもしれない。ストラグルは、縦に（すなわち、ストラグルエリアの高さｄ２によって示された方向）或いは横に（すなわち、高さｄ２の方向に垂直な水平方向）生じ、ストラグルエリア１２２及び１３２として示されている。一般に、横方向ストラグル及び縦方向ストラグルは、インプラント深さのパーセンテージとして、インプランテーションの深さが減少すると増加する。特別の態様では、酸素１１８は、複数のインプラントエネルギーの最も低いインプラントエネルギーを用いてインプラントされて、最も低いインプラントエネルギーに対応する平均インプラント深さｄi1１５０の３５％よりも少ない酸素の横方向ストラグル距離となる。例えば、最も低いインプラントエネルギーは、狭トレンチ１１４のボトム表面１１６の下の少なくとも数百オングストロームの平均インプラント深さｄi1１５０となるかもしれない。特別の態様では、平均インプラント深さｄi1１５０は、１００から１０００オングストロームの範囲内であるかもしれず、より好ましくは２００−７００オングストローム、さらにより好ましくは３００−４００オングストロームである。
【００１４】
図２は、アニールを行った後の図１のシステム１００から形成されるシステムの図である。システム２００は、表面１０３を有するシリコン基板１０２、酸化物層１０６及びシリコン窒化物層１０８を含んでいる。ボトム表面１１２及び１１６をそれぞれ有する狭トレンチ１１０及び１１４は、シリコン基板１０２内に形成されたアクティブエリア１０４に隣接している。
【００１５】
高温アニール（high-temperature anneal）は、図１に示された領域１２０及び１３０のそれぞれインプラントされた酸素イオンの埋め込み酸化物（buried oxide）（ＢＯＸ）層２２４及び２３４を形成する。例えば、高温アニールは、おおよそ１３００度Ｃｅｌｓｉｕｓで行われるかもしれない。酸化物層２２４及び２３４は、図１の領域１２０及び１３０の縦方向ストラグルエリア１２２及び１３２に対応して、縦方向寸法ｄ２を有している。
【００１６】
図３は、狭トレンチ１１０及び１１４をエッチングして埋め込み酸化物層２２４及び２３４を露出させた後の図２のシステム２００から形成されるシステムの図である。システム３００は、表面１０３を有するシリコン基板１０２、酸化物層１０６及びシリコン窒化物層１０８を含んでいる。狭トレンチ１１０及び１１４は、シリコン基板１０２内に形成されたアクティブエリア１０４に隣接している。
【００１７】
狭トレンチ１１０及び１１４は、それぞれの埋め込み酸化物層２２４及び２３４に達するように狭トレンチ１１０及び１１４を深くするようにエッチングされる。例えば、ＳＴＩエッチングが酸化物層１０６及びシリコン窒化物層１０８をエッチマスクとして用いて行われ、（図１に示されているように）狭トレンチ１１０及び１１４のボトム表面１１２及び１１６から材料を除去するかもしれない。材料は、ボトム表面１１２及び１１６から除去されて、トレンチ１１０及び１１４の下のそれぞれ埋め込み酸化物層２２４及び２３４の表面３２６及び３３６の少なくとも一部が露出する。トレンチ１１０及び１１４は深さｄ１を有する。
【００１８】
図４は、充填材料（filling material）を狭トレンチ１１０及び１１４内に堆積した後の、図３のシステム３００から形成されるシステムの図である。システム４００は、表面１０３を有するシリコン基板１０２、酸化物層１０６及びシリコン窒化物層１０８を含んでいる。狭トレンチ１１０及び１１４は、シリコン基板１０２内に形成されたアクティブエリア１０４に隣接している。充填材料が堆積されて、狭トレンチ１１０内にトップ充填層（top filling layer）４２８が、狭トレンチ１１４内にトップ充填層４３８が形成される。
【００１９】
特別の態様では、トップ充填層４２８及び４３８を形成する充填材料は、電気的アイソレーション特性を有する酸化物材料である。トップ充填層４２８は、埋め込み酸化物層２２４の表面３２６から基板１０２の表面１０３の上方まで延びている。同様に、トップ充填層４３８は、埋め込み酸化物層２３４の表面３３６から基板１０２の表面１０３の上方まで延びている。
【００２０】
充填材料を堆積した後、逆トレンチ（reverse trench）フォト／エッチプロセスが余分な充填材料を除去するかもしれず、酸化物或いはアイソレーション膜の化学的機械的平坦化（chemical-mechanical planarization）（ＣＭＰ）が行われるかもしれず、シリコン窒化物層１０８でストップする。
【００２１】
図５は、大きな実効アスペクト比（effective aspect ratio）を有するアイソレーション構造を示した図１のシステム１００から形成される半導体製品の図である。半導体製品５００は、図１−４にしたがって製造されるかもしれないアイソレーション構造５２９及び５３９を含んでいる。特別の例証的な態様では、半導体製品５００は、図４に示されたシステム４００のマスキング層を剥離して、シリコン窒化物層１０８及び酸化物層１０６を基板１０２の表面１０３から除去することによって形成される。
【００２２】
アイソレーション構造５２９は、縦方向高さｄ２を有する埋め込み酸化物（ＢＯＸ）層２２４及び縦方向高さｄ１を有するトップ充填層４２８を含み、基板１０２の表面１０３の下の実効的アイソレーション深さｄとなっている。アイソレーション構造５３９は、埋め込み酸化物（ＢＯＸ）層２３４及びトップ充填層４３８を含んでいる。
【００２３】
特別の態様では、ＢＯＸ層２２４或いは２３４及びトップ充填層４２８或いは４３８によって形成された酸化物バリアは、狭トレンチアスペクト比が約３から４の第２の範囲内で、約５から６の第１の範囲内の実効的なアスペクト比を有する。例えば、アイソレーション構造５２９或いは５３９の幅ｗに対する深さｄ＋ｔ（すなわち、図１に示された結合高さｔに図５に示された深さｄをプラスしたもの）の比は、５から６の範囲内の値を有するかもしれない。５から６の実効的なアスペクト比は、３から４の範囲内の狭トレンチアスペクト比（例えば、幅ｗに対する深さｄ１＋ｔの比）によって得られるかもしれない。他の例証的な態様では、埋め込み酸化物層２２４或いは２３４及びトップ充填層４２８或いは４３８によって形成された酸化物バリアは、狭トレンチアスペクト比が約１から２の第２の範囲内で、約３から４の第１の範囲内の実効的なアスペクト比を有する。
【００２４】
特別の態様では、７０ｎｍよりも少ない幅を有し、５から６のアスペクト比を有する（シリコン窒化物を含んで）単一のトレンチを形成し、トレンチを酸化物材料で充填して、アイソレーション構造を形成したときに、困難に遭遇する。例えば、酸化物材料を堆積することは、トレンチ壁上に酸化物材料を堆積し、トレンチを封鎖し、トレンチの下部内へのさらなる堆積を阻害するといったように、ボイド（void）や穴（hole）に帰結するかもしれない。埋め込み酸化物層２２４或いは２３４まで延びた充填材料４２８及び４３８を用いてアイソレーション構造５２９及び５３９を形成することにより、５から６或いはそれよりも大きい実効的なアスペクト比を達成しつつ、そのような問題が回避されるかもしれない。
【００２５】
さらに、狭トレンチ下から距離を置いて酸素をインプラントすることにより、シャロウアイソレーションから生じる過剰な横方向ストラグリング（lateral straggling）のような困難を回避できるかもしれない。さらに、狭トレンチのボトム表面の下から距離を置いて酸素がインプラントされるため、アクティブエリアから遠く離れて横方向ストラグリングが起き、デバイス動作に相対的にほとんど影響を与えないかもしれない。
【００２６】
図６−８は、図１−５の自己整合製造プロセスの他の実施形態を示しており、アニールを行う前にシリコン窒化物層が除去される。図６−８は、それぞれ図２−４の代わりに用いられるかもしれない。
【００２７】
図６は、シリコン窒化物層を除去した後、及びアニールを行った後の図１のシステム１００から形成されるシステムの図である。システム６００は、表面１０３を有するシリコン基板１０２、及び酸化物層１０６を含んでいる。ボトム表面１１２及び１１６をそれぞれ有する狭トレンチ１１０及び１１４は、シリコン基板１０２内に形成されたアクティブエリア１０４に隣接している。図２と対比すると、高温アニールプロセスを行う前に、シリコン窒化物層１０８が除去されている。
【００２８】
高温アニールは、図１に示された領域１２０及び１３０のそれぞれインプラントされた酸素イオンの埋め込み酸化物層６２４及び６３４を形成する。例えば、高温アニールは、おおよそ１３００度Ｃｅｌｓｉｕｓで行われるかもしれない。酸化物層６２４及び６３４は、図１の領域１２０及び１３０の縦方向ストラグルエリアに対応して、縦方向寸法ｄ２を有している。
【００２９】
図７は、狭トレンチ１１０及び１１４をエッチングして埋め込み酸化物層６２４及び６３４を露出させた後の図６のシステム６００から形成されるシステムの図である。システム７００は、表面１０３を有するシリコン基板１０２、及び酸化物層１０６を含んでいる。狭トレンチ１１０及び１１４は、シリコン基板１０２内に形成されたアクティブエリア１０４に隣接している。
【００３０】
狭トレンチ１１０及び１１４は、それぞれの埋め込み酸化物層６２４及び６３４に達するように狭トレンチ１１０及び１１４を深くするようにエッチングされている。例えば、ＳＴＩエッチングが酸化物層１０６をエッチマスクとして用いて行われ、（図１に示されているように）狭トレンチ１１０及び１１４のボトム表面１１２及び１１６から材料を除去するかもしれない。材料は、ボトム表面１１２及び１１６から除去されて、トレンチ１１０及び１１４の下のそれぞれ埋め込み酸化物層６２４及び６３４の表面７２６及び７３６の少なくとも一部が露出する。トレンチ１１０及び１１４は深さｄ１を有する。
【００３１】
図８は、充填材料を狭トレンチ１１０及び１１４内に堆積した後の、図７のシステム７００から形成されるシステムの図である。システム８００は、表面１０３を有するシリコン基板１０２、及び酸化物層１０６を含んでいる。狭トレンチ１１０及び１１４は、シリコン基板１０２内に形成されたアクティブエリア１０４に隣接している。充填材料が堆積されて、狭トレンチ１１０内にトップ充填層８２８が、狭トレンチ１１４内にトップ充填層８３８が形成される。
【００３２】
特別の態様では、トップ充填層８２８及び８３８を形成する充填材料は、電気的アイソレーション特性を有する酸化物材料である。トップ充填層８２８は、埋め込み酸化物層６２４の表面７２６から基板１０２の表面１０３の上方まで延びている。同様に、トップ充填層８３８は、埋め込み酸化物層６３４の表面７３６から基板１０２の表面１０３の上方まで延びている。
【００３３】
充填材料を堆積した後、逆トレンチ（reverse trench）フォト／エッチプロセスが余分な充填材料を除去するかもしれず、酸化物或いはアイソレーション膜の化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）が行われるかもしれず、酸化物層１０６でストップする。プロセッシングは、図５にしたがって続くかもしれず、半導体製品５００を形成する。
【００３４】
図９−１３は、アイソレーション（isolation）構造の第２の自己整合された（self-aligned）製造プロセスを示している。図９は、酸素インプランテーション（oxygen implantation）を有するシリコン基板（silicon substrate）を有するシステムの第２の例証的な実施形態の図である。システム９００は、酸化物層（oxide layer）９０６及びシリコン窒化物層（nitride layer）９０８の下のアクティブエリア（active area）９０４、及び表面９０３を有するシリコン基板９０２を含んでいる。酸化物層９０６及びシリコン窒化物層９０８は、酸素リッチ領域（oxygen-rich region）９２０及び９３０上の開口領域（open region）を規定する半導体基板９０２上のハードマスクを形成するかもしれない。例えば、酸化物層９０６はシリコン基板９０２上に成長される（grown）かもしれず、シリコン窒化物層９０８は酸化物層９０６上に堆積される（deposited）かもしれない。シャロウトレンチアイソレーション（shallow trench isolation）（ＳＴＩ）フォトリソグラフィ及びエッチングプロセスが、酸化物層９０６及びシリコン窒化物層９０８内のＳＴＩパターンを規定するために用いられるかもしれない。
【００３５】
酸素９１８がシリコン基板９０２の表面の下にインプラント（implant）され、インプラントされた酸素イオンの酸素リッチ領域９２０及び９３０を形成している。酸化物層９０６及びシリコン窒化物層９０８は、結合された高さｔを有している。結合された高さｔは、酸素が、シリコン窒化物層９０８及び酸化物層９０６を通してシリコン基板９０２に到達する十分なインプラントエネルギーを有さないように決定されている。それ故、結合された層９０６及び９０８は、酸素リッチ領域９２０及び９３０内へを除いて、酸素インプランテーションを阻止するインプランテーションマスクとして機能するかもしれない。
【００３６】
酸素９１８は、ストラグルエリア（straggle area）９３２内を示されたインプラント分布９４０によって示された複数のインプラントエネルギーを用いてインプラントされているかもしれない。インプラント分布９４０は、第１の平均深さ（mean depth）ｄi1９５０でインプラントする複数のインプラントエネルギーの第１のエネルギーでの第１のインプランテーションを含んでいる。図１を参照して議論したように、複数のインプラントエネルギーは、ストラグルエリア９３２内の酸素イオンの実質的に均一なドーズを可能にしている。
【００３７】
インプラントされた酸素イオンは、“ストラグル（straggle）”或いは領域９２０及び９３０を越えた酸素イオンの広がり（spreading）を示しているかもしれない。ストラグルは、縦に（すなわち、ストラグルエリアの高さｄ２によって示された方向）或いは横に（すなわち、高さｄ２の方向に垂直な水平方向）生じ、ストラグルエリア９２２及び９３２として示されている。一般に、横方向ストラグル及び縦方向ストラグルは、インプラント深さのパーセンテージとして、インプランテーションの深さが減少すると増加する。特別の態様では、酸素９１８は、複数のインプラントエネルギーの最も低いインプラントエネルギーを用いてインプラントされて、最も低いインプラントエネルギーに対応する平均インプラント深さｄi1の３５％よりも少ない酸素の横方向ストラグル距離となる。例えば、最も低いインプラントエネルギーは、シリコン基板９０２の表面の下の少なくとも数百オングストロームの平均インプラント深さｄi1となるかもしれない。特別の態様では、平均インプラント深さｄi1は、１００から１０００オングストロームの範囲内であるかもしれず、より好ましくは２００−７００オングストローム、さらにより好ましくは３００−４００オングストロームである。
【００３８】
図１０は、アニールを行った後の図９のシステム９００から形成されるシステムの図である。システム１０００は、表面９０３を有するシリコン基板９０２、酸化物層９０６及びシリコン窒化物層９０８を含んでいる。アクティブエリア９０４は、シリコン基板９０２内に形成されている。
【００３９】
高温アニール（high-temperature anneal）は、図９に示された領域９２０及び９３０のそれぞれインプラントされた酸素イオンの埋め込み酸化物（buried oxide）層１０２４及び１０３４を形成する。例えば、高温アニールは、おおよそ１３００度Ｃｅｌｓｉｕｓで行われるかもしれない。酸化物層１０２４及び１０３４は、図９の領域９２０及び９３０の縦方向ストラグルエリア９２２及び９３２に対応して、縦方向寸法ｄ２を有している。
【００４０】
図１１は、狭トレンチ（narrow trench）をエッチングして埋め込み酸化物層１０２４及び１０３４を露出させた後の図１０のシステム１０００から形成されるシステムの図である。システム１１００は、表面９０３を有するシリコン基板９０２、酸化物層９０６及びシリコン窒化物層９０８を含んでいる。アクティブエリア９０４は、シリコン基板９０２内に形成されている。
【００４１】
狭トレンチ１１１０及び１１１４は、それぞれの埋め込み酸化物層１０２４及び１０３４に達するようにエッチングされている。例えば、ＳＴＩエッチングが、酸化物層９０６及びシリコン窒化物層９０８をエッチマスクとして用いて行われているかもしれない。材料は、シリコン基板９０２から除去されて、埋め込み酸化物層１０２４及び１０３６のそれぞれ表面１１２６及び１１３６の少なくとも一部が露出する。トレンチ１１１０及び１１１４は深さｄ１を有する。
【００４２】
図１２は、狭トレンチ１１１０及び１１１４内に充填材料を堆積した後の、図１１のシステム１１００から形成されるシステムの図である。システム１２００は、表面９０３を有するシリコン基板９０２、酸化物層９０６及びシリコン窒化物層９０８を含んでいる。狭トレンチ１１１０及び１１１４は、シリコン基板９０２内に形成されたアクティブエリア９０４に隣接している。充填材料が堆積されて、狭トレンチ１１１０内にトップ充填層（top filling layer）１２２８が、狭トレンチ１１１４内にトップ充填層１２３８が形成される。
【００４３】
特別の態様では、トップ充填層１２２８及び１２３８を形成する充填材料は、電気的アイソレーション特性を有する酸化物材料である。トップ充填層１２２８は、埋め込み酸化物層１０２４の表面１１２６から基板９０２の表面９０３の上方まで延びている。同様に、トップ充填層１２３８は、埋め込み酸化物層１０３４の表面１１３６から基板９０２の表面９０３の上方まで延びている。
【００４４】
充填材料を堆積した後、逆トレンチ（reverse trench）フォト／エッチプロセスが余分な充填材料を除去するかもしれず、酸化物或いはアイソレーション膜の化学的機械的平坦化（chemical-mechanical planarization）（ＣＭＰ）が行われるかもしれず、シリコン窒化物層９０８でストップする。
【００４５】
図１３は、大きな実効アスペクト比（effective aspect ratio）を有するアイソレーション構造を示した図９のシステム９００から形成される半導体製品の図である。半導体製品１３００は、図９−１２にしたがって製造されるアイソレーション構造１３２９及び１３３９を含んでいる。特別の態様では、半導体製品１３００は、図１２に示されたシステム１２００のマスキング層を剥離して、シリコン窒化物層９０８及び酸化物層９０６を基板９０２の表面９０３から除去することによって形成されるかもしれない。
【００４６】
アイソレーション構造１３２９は、縦方向高さｄ２を有する埋め込み酸化物（ＢＯＸ）層１０２４及び縦方向高さｄ１を有するトップ充填層１２２８を含み、基板９０２の表面９０３の下の実効的アイソレーション深さｄとなっている。アイソレーション構造１３３９は、埋め込み酸化物（ＢＯＸ）層１０３４及びトップ充填層１２３８を含んでいる。
【００４７】
特別の態様では、埋め込み酸化物層１０２４或いは１０３４及びトップ充填層１２２８或いは１２３８によって形成された酸化物バリアは、狭トレンチアスペクト比が約３から４の第２の範囲内で、約５から６の第１の範囲内の実効的なアスペクト比を有する。例えば、アイソレーション構造１３２９或いは１３３９の幅ｗに対する深さｄ＋ｔ（すなわち、図１１に示された結合高さｔに図１３に示された深さｄをプラスしたもの）の比は、５から６の範囲内の値を有するかもしれない。５から６の実効的なアスペクト比は、３から４の範囲内の狭トレンチアスペクト比（例えば、幅ｗに対する深さｄ１＋ｔの比）によって得られるかもしれない。他の例証的な態様では、埋め込み酸化物層１０２４或いは１０３４及びトップ充填層１２２８或いは１２３８によって形成された酸化物バリアは、狭トレンチアスペクト比が約１から２の第２の範囲内で、約３から４の第１の範囲内の実効的なアスペクト比を有する。
【００４８】
図１４−１６は、図９−１３の自己整合製造プロセスの例証的な他の実施形態を示しており、アニールを行う前にシリコン窒化物層が除去される。図１４−１６は、それぞれ図１０−１２の代わりに用いられるかもしれない。
【００４９】
図１４は、シリコン窒化物層を除去した後、及びアニールを行った後の図９のシステム９００から形成されるシステムの図である。システム１４００は、表面９０３を有するシリコン基板９０２、及び酸化物層９０６を含んでいる。アクティブエリア９０４は、シリコン基板９０２内に形成されている。図１０と対比すると、高温アニールプロセスを行う前に、シリコン窒化物層９０８が除去されている。
【００５０】
高温アニールは、図９に示された領域９２０及び９３０のそれぞれインプラントされた酸素イオンの埋め込み酸化物層１４２４及び１４３４を形成する。例えば、高温アニールは、おおよそ１３００度Ｃｅｌｓｉｕｓで行われるかもしれない。酸化物層１４２４及び１４３４は、図９の領域９２０及び９３０の縦方向ストラグルエリア９２２及び９３２に対応して、縦方向寸法ｄ２を有している。
【００５１】
図１５は、狭トレンチをエッチングして埋め込み酸化物層１４２４及び１４３４を露出させた後の図１４のシステム１４００から形成されるシステムの図である。システム１５００は、表面９０３を有するシリコン基板９０２、及び酸化物層９０６を含んでいる。狭トレンチ１５１０及び１５１４は、シリコン基板９０２内に形成されたアクティブエリア９０４に隣接している。
【００５２】
狭トレンチ１５１０及び１５１４は、それぞれの埋め込み酸化物層１４２４及び１４３４に達するようにエッチングされている。例えば、ＳＴＩエッチングが酸化物層９０６をエッチマスクとして用いて行われるかもしれない。材料は、シリコン基板９０２から除去されて、トレンチ１５１０及び１５１４の下のそれぞれ埋め込み酸化物層１４２４及び１４３６の表面１５２６及び１５３６の少なくとも一部が露出する。トレンチ１５１０及び１５１４は深さｄ１を有する。
【００５３】
図１６は、充填材料を狭トレンチ１５１０及び１５１４内に堆積した後の、図１５のシステム１５００から形成されるシステムの図である。システム１６００は、表面９０３を有するシリコン基板９０２、及び酸化物層９０６を含んでいる。狭トレンチ１５１０及び１５１４は、シリコン基板９０２内に形成されたアクティブエリア９０４に隣接している。充填材料が堆積されて、狭トレンチ１５１０内にトップ充填層１６２８が、狭トレンチ１５１４内にトップ充填層１６３８が形成される。
【００５４】
特別の態様では、トップ充填層１６２８及び１６３８を形成する充填材料は、電気的アイソレーション特性を有する酸化物材料である。トップ充填層１６２８は、埋め込み酸化物層１４２４の表面１５２６から基板９０２の表面９０３の上方まで延びている。同様に、トップ充填層１６３８は、埋め込み酸化物層１４３４の表面１５３６から基板９０２の表面９０３の上方まで延びている。
【００５５】
充填材料を堆積した後、逆トレンチ（reverse trench）フォト／エッチプロセスが余分な充填材料を除去するかもしれず、酸化物或いはアイソレーション膜の化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）が行われ、酸化物９０６でストップする。プロセッシングは、図１３にしたがって続くかもしれず、半導体製品１３００を形成する。
【００５６】
図１７−２２は、アイソレーション構造の第１の非自己整合製造プロセスを示している。図１７は、酸素インプランテーションを有するシリコン基板を有するシステムの第３の例証的な実施形態の図である。システム１７００は、表面１７０３を有するシリコン基板１７０２、酸化物層１７０６下のアクティブエリア１７０４、及びシリコン窒化物層１７０８を含んでいる。酸化物層１７０６及びシリコン窒化物層１７０８は、酸素リッチ領域１７２０及び１７３０上の開口領域を規定する半導体基板１７０２上のハードマスクを形成するかもしれない。例えば、酸化物層１７０６はシリコン基板１７０２上に成長されるかもしれず、シリコン窒化物層１７０８は酸化物層１７０６上に堆積されるかもしれない。シャロウトレンチアイソレーション（ＳＴＩ）フォトリソグラフィ及びエッチングプロセスが、酸化物層１７０６及びシリコン窒化物層１７０８内のＳＴＩパターンを規定するために用いられるかもしれない。
【００５７】
酸素１７１８がシリコン基板１７０２の表面の下にインプラントされ、インプラントされた酸素イオンの酸素リッチ領域１７２０及び１７３０を形成している。酸化物層１７０６及びシリコン窒化物層１７０８は、結合された高さｔを有している。結合された高さｔは、酸素が、シリコン窒化物層１７０８及び酸化物層１７０６を通してシリコン基板１７０２に到達する十分なインプラントエネルギーを有さないように決定されている。それ故、結合された層１７０６及び１７０８は、酸素リッチ領域１７２０及び１７３０内へを除いて、酸素インプランテーションを阻止するインプランテーションマスクとして機能するかもしれない。
【００５８】
酸素１７１８は、ストラグルエリア（straggle area）１７３２内を示されたインプラント分布１７４０によって示された複数のインプラントエネルギーを用いてインプラントされているかもしれない。インプラント分布１７４０は、第１の平均深さｄi1１７５０でインプラントする複数のインプラントエネルギーの第１のエネルギーでの第１のインプランテーションを含んでいる。図１を参照して議論したように、複数のインプラントエネルギーは、ストラグルエリア１７３２内の酸素イオンの実質的に均一なドーズを可能にしている。
【００５９】
インプラントされた酸素イオンは、“ストラグル（straggle）”或いは領域１７２０及び１７３０を越えた酸素イオンの広がり（spreading）を示しているかもしれない。ストラグルは、縦に（すなわち、ストラグルエリアの高さｄ２によって示された方向）或いは横に（すなわち、高さｄ２の方向に垂直な水平方向）生じ、ストラグルエリア１７２２及び１７３２として示されている。一般に、横方向ストラグル及び縦方向ストラグルは、インプラント深さのパーセンテージとして、インプランテーションの深さが減少すると増加する。特別の態様では、酸素１７１８は、複数のインプラントエネルギーの最も低いインプラントエネルギーを用いてインプラントされて、最も低いインプラントエネルギーに対応する平均インプラント深さｄi1の３５％よりも少ない酸素の横方向ストラグル距離となる。例えば、最も低いインプラントエネルギーは、シリコン基板１７０２の表面の下の少なくとも数百オングストロームの平均インプラント深さｄi1となるかもしれない。特別の態様では、平均インプラント深さｄi1は、１００から１０００オングストロームの範囲内であるかもしれず、より好ましくは２００−７００オングストローム、さらにより好ましくは３００−４００オングストロームである。
【００６０】
図１８は、アニールを行った後の図１７のシステム１７００から形成されるシステムの図である。システム１８００は、表面１７０３を有するシリコン基板１７０２を含み、図１７の酸化物層１７０６及びシリコン窒化物層１７０８はアニール前に除去されている。アクティブエリア１７０４は、シリコン基板１７０２内に形成されている。
【００６１】
高温アニールは、図１７に示された領域１７２０及び１７３０のそれぞれインプラントされた酸素イオンの埋め込み酸化物層１８２４及び１８３４を形成する。例えば、高温アニールは、おおよそ１３００度Ｃｅｌｓｉｕｓで行われるかもしれない。酸化物層１８２４及び１８３４は、図１７の領域１７２０及び１７３０の縦方向ストラグルエリア１７２２及び１７３２に対応している。
【００６２】
図１９は、オプショナルプロセスとして、内部熱酸化（internal thermal oxidation）（ＩＴＯＸ）アニールを行った後の図１８のシステム１８００から形成されるシステムの図である。図１９は、表面１７０３を有し、アクティブエリア１７０４を含んだシリコン基板１７０２を含んだシステム１９００を示している。他の酸化物層１９０７は、ＩＴＯＸアニールの結果として、シリコン基板１７０２の表面上に成長する。
【００６３】
高温ＩＴＯＸアニールは、図１８の埋め込み酸化物層１８２４及び１８３４を増大させ、それぞれ埋め込み酸化物層１９２４及び１９３４を形成する。例えば、高温ＩＴＯＸアニールは、酸素リッチ雰囲気の炉（furnace）で行われて、追加の酸素１９５２及び１９６２を含んだ埋め込み酸化物層１８２４及び１８３４の成長を増長させる。ＩＴＯＸ法は、より厚い埋め込み酸化物層１９２４及び１９３４に帰結し（２のファクター（factor of two）によるように）、それとともに平滑な表面及び埋め込み酸化物層１８２４及び１８３４内のピンホールの修復に帰結する。酸化物層１９２４及び１９３４は、ＩＴＯＸプロセス及び追加の酸素１９５２及び１９６２により、埋め込み酸化物層１８２４及び１８３４よりも大きい縦方向寸法ｄ２を有する。
【００６４】
図２０は、狭トレンチをエッチングして埋め込み酸化物層２０２４及び２０３４を露出させた後の、図１８のシステム１８００或いは図１９のシステム１９００から形成されるシステムの図である。システム２０００は、表面１７０３を有するシリコン基板１７０２、酸化物層２００７及びシリコン窒化物層２００９を含んでいる。アクティブエリア１７０４は、シリコン基板１７０２内に形成されている。酸化物層２００７は、図１８のアニールの後、或いはＩＴＯＸプロセスから得られる図１９の酸化物層１９０７を除去した後、シリコン基板１７０２上に成長されるかもしれない。シリコン窒化物層２００９は、酸化物層２００７上に堆積されるかもしれない。シリコン窒化物層２００９及び酸化物層２００７は、ＳＴＩフォト／エッチ（photo/etch）によって加工され、ハードマスクを形成するようにパターニングされるかもしれない。埋め込み酸化物層２０２４及び２０３４は、図１８の埋め込み酸化物層１８２４及び１８３４、或いは図１９の埋め込み酸化物層１９２４及び１９３４に対応するかもしれない。
【００６５】
狭トレンチ２０１０及び２０１４は、それぞれの埋め込み酸化物層２０２４及び２０３４に達するようにエッチングされている。例えば、ＳＴＩエッチングが、酸化物層２００７及びシリコン窒化物層２００８をエッチマスクとして用いて行われているかもしれない。材料は、シリコン基板１７０２から除去されて、埋め込み酸化物層２０２４及び２０３６のそれぞれの表面２０２６及び２０３６の少なくとも一部が露出する。トレンチ２０１０及び２０１４は深さｄ１を有する。
【００６６】
図２１は、狭トレンチ２０１０及び２０１４内に充填材料を堆積した後の、図２０のシステム２０００から形成されるシステムの図である。システム２１００は、表面１７０３を有するシリコン基板１７０２、酸化物層２００７及びシリコン窒化物層２００９を含んでいる。狭トレンチ２０１０及び２０１４は、シリコン基板１７０２内に形成されたアクティブエリア１７０４に隣接している。充填材料が堆積されて、狭トレンチ２０１０内にトップ充填層２１２８が、狭トレンチ２０１４内にトップ充填層２１３８が形成される。
【００６７】
特別の態様では、トップ充填層２１２８及び２１３８を形成する充填材料は、電気的アイソレーション特性を有する酸化物材料である。トップ充填層２１２８は、埋め込み酸化物層２０２４の表面２０２６から基板１７０２の表面１７０３の上方まで延びている。同様に、トップ充填層２１３８は、埋め込み酸化物層２０３４の表面２０３６から基板１７０２の表面１７０３の上方まで延びている。
【００６８】
充填材料を堆積した後、逆トレンチ（reverse trench）フォト／エッチプロセスが余分な充填材料を除去するかもしれず、酸化物或いはアイソレーション膜の化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）が行われるかもしれず、シリコン窒化物層１７０８でストップする。
【００６９】
図２２は、大きな実効アスペクト比を有するアイソレーション構造を示した図１７のシステム１７００から形成される半導体製品の図である。半導体製品２２００は、図１７−２１にしたがって製造されるアイソレーション構造２２２９及び２２３９を含んでいる。特別の態様では、半導体製品２２００は、図２１に示された基板１７０２の表面１７０３から、シリコン窒化物層２００９及び酸化物層２００７を除去することによって形成されるかもしれない。
【００７０】
アイソレーション構造２２２９は、縦方向高さｄ２を有する埋め込み酸化物（ＢＯＸ）層２０２４及び縦方向高さｄ１を有するトップ充填層２１２８を含み、基板１７０２の表面１７０３の下の実効的アイソレーション深さｄとなっている。アイソレーション構造２２３９は、埋め込み酸化物（ＢＯＸ）層２０３４及びトップ充填層２１３８を含んでいる。
【００７１】
特別の態様では、埋め込み酸化物層２０２４或いは２０３４及びトップ充填層２１２８或いは２１３８によって形成された酸化物バリアは、狭トレンチアスペクト比が約３から４の第２の範囲内で、約５から６の第１の範囲内の実効的なアスペクト比を有する。例えば、アイソレーション構造２２２９或いは２２３９の幅ｗに対する深さｄ＋ｔ（すなわち、図２０に示された結合高さｔに図２２に示された深さｄをプラスしたもの）の比は、５から６の範囲内の値を有するかもしれない。５から６の実効的なアスペクト比は、３から４の範囲内の狭トレンチアスペクト比（例えば、幅ｗに対する深さｄ１＋ｔの比）によって得られるかもしれない。他の例証的な態様では、埋め込み酸化物層１８２４或いは１８３４及びトップ充填層２１２８或いは２１３８によって形成された酸化物バリアは、狭トレンチアスペクト比が約１から２の第２の範囲内で、約３から４の第１の範囲内の実効的なアスペクト比を有する。
【００７２】
図２３−２８は、アイソレーション構造の第２の非自己整合製造プロセスを示している。図２３は、酸素インプランテーションを有するシリコン基板を有するシステムの第４の例証的な実施形態の図である。システム２３００は、シリコン基板２３０２の表面２３０３の下にアクティブエリア２３０４を有するシリコン基板２３０２を含んでいる。酸化物層２３０６及びシリコン窒化物層２３０８は、シリコン基板２３０２の表面上にパターニングされている。酸化物層２３０６及びシリコン窒化物層２３０８は、シリコン基板２３０２内へのインプランテーション深さに影響するシリコン基板２３０２上のハードマスクを形成するかもしれない。酸化物層２３０６及びシリコン窒化物層２３０８によって形成されるハードマスクは、酸素リッチ領域２３２０及び２３３０上に存在し、開口領域をアクティブエリア２３０４及び代表的な（representative）深い埋め込み酸素リッチ領域２３７０上に有している。例えば、酸化物層２３０６はシリコン基板２３０２上に成長されるかもしれず、シリコン窒化物層２３０８は酸化物層２３０６上に堆積されるかもしれない。フォトリソグラフィ及びエッチングプロセスが、酸化物層２３０６及びシリコン窒化物層２３０８内のパターンを規定するために用いられるかもしれない。
【００７３】
酸素２３１８がシリコン基板２３０２の表面の下にインプラントされ、インプラントされた酸素イオンの酸素リッチ領域２３７０、２３２０及び２３３０を形成している。酸化物層２３０６及びシリコン窒化物層２３０８は、結合された高さｔ１を有している。結合された高さｔ１は、酸素２３１８を、シリコン窒化物層２３０８及び酸化物層２３０６を通してシリコン基板２３０２に深さｐ１  ２３２３でインプラントして、アクティブエリア２３０４の近傍に酸素リッチ領域２３２０及び２３３０を形成するように決定されているかもしれない。アクティブエリア上のように、ハードマスクが開口を形成するところでは、酸素２３１８がシリコン基板２３０２内に深さｐ２までインプラントされるかもしれない。
【００７４】
酸素２３１８は、ストラグルエリア（straggle area）２３３２内を示されたインプラント分布２３４０によって示された複数のインプラントエネルギーを用いてインプラントされているかもしれない。インプラント分布２３４０は、シリコン基板２３０２の表面から第１の平均深さ２３５０で、シリコン窒化物層２３０８及び酸化物層２３０６を通してシリコン基板２３０２内にインプラントする、複数のインプラントエネルギーの第１のエネルギーでの第１のインプランテーションを含んでいる。図１を参照して議論したように、複数のインプラントエネルギーは、ストラグルエリア２３３２内の酸素イオンの実質的に均一なドーズを可能にしている。
【００７５】
インプラントされた酸素イオンは、“ストラグル（straggle）”或いは領域２３７０、２３２０及び２３３０を越えた酸素イオンの広がり（spreading）を示しているかもしれない。ストラグルは、縦に（すなわち、ストラグルエリアの高さｄ２によって示された方向）或いは横に（すなわち、高さｄ２の方向に垂直な水平方向）生じ、ストラグルエリア２３７２、２３２２及び２３３２として示されている。一般に、横方向ストラグル及び縦方向ストラグルは、インプラント深さの比率（proportion）として、インプランテーションの深さが減少すると増加する。特別の態様では、酸素２３１８は、複数のインプラントエネルギーの最も低いインプラントエネルギーを用いてインプラントされて、最も低いインプラントエネルギーに対応する平均インプラント深さの３５％よりも少ない酸素の横方向ストラグル距離となる。例えば、最も低いインプラントエネルギーは、領域２３２０及び２３３０については、シリコン基板２３０２の表面の下の少なくとも数百オングストロームの平均インプラント深さ２３５０となるかもしれず、領域２３７０については、平均インプラント深さｐ２  ２３７３なるかもしれない。複数のインプラントエネルギーは、深い埋め込み酸素リッチ領域２３７０が、デバイス動作に対して最小のインパクトとなるように、アクティブエリア２３０４から十分に距離を置き、酸素リッチ領域２３７０、２３２０及び２３３０から形成されるであろう埋め込み酸化物層間にオーバーラップが生じないことを保証するように、決定されるかもしれず、図２４及び２５について議論されるであろう。単一の深い埋め込み酸素リッチ領域２３７０が示されているが、層２３０６及び２３０８によってマスクされていない領域内の酸素インプランテーションに基づき、他の深い埋め込み酸素リッチ領域が形成されていてもよい。
【００７６】
図２４は、アニールを行った後の図２３のシステム２３００から形成されるシステムの図である。システム２４００は、シリコン基板２３０２を含み、図２３の酸化物層２３０６及びシリコン窒化物層２３０８はアニール前に除去されている。アクティブエリア２３０４は、シリコン基板２３０２の表面２３０３の下に形成されている。高温アニールは、図２３に示された領域２３２０及び２３３０のそれぞれインプラントされた酸素イオンの埋め込み酸化物層２４２４及び２４３４と、領域２３７０のインプラントされた酸素イオンの深い埋め込み酸化物層２４７４を形成する。例えば、高温アニールは、おおよそ１３００度Ｃｅｌｓｉｕｓで行われるかもしれない。
【００７７】
図２５は、オプショナルプロセスとして、内部熱酸化（internal thermal oxidation）（ＩＴＯＸ）アニールを行った後の、図２４のシステム２４００から形成されるシステムの図である。図２５は、アクティブエリア２３０４を含んだシリコン基板２３０２を含んだシステム２５００を示している。他の酸化物層２５０７は、ＩＴＯＸアニールの結果として、シリコン基板２３０２の表面２３０３上に成長する。
【００７８】
高温ＩＴＯＸアニールは、埋め込み酸化物層２４２４及び２４３４を増大させる。ＩＴＯＸ法は、より厚い埋め込み酸化物層２４２４及び２４３４に帰結し（２のファクター（factor of two）によるように）、それとともに平滑な表面及び埋め込み酸化物層２４２４及び２４３４内のピンホールの修復に帰結する。酸化物層２４２４及び２４３４は、シリコン基板２３０２の表面から深さｄ１で、縦方向寸法ｄ２を有する。
【００７９】
図２６は、狭トレンチをエッチングして埋め込み酸化物層２４２４及び２４３４を露出させた後の、図２４のシステム２４００或いは図２５のシステム２５００から形成されるシステムの図である。システム２６００は、シリコン基板２３０２、酸化物層２６０７及びシリコン窒化物層２６０９を含んでいる。アクティブエリア２３０４は、シリコン基板２３０２内に形成されている。酸化物層２６０７は、図２４のアニールの後、或いはＩＴＯＸプロセスから得られる図２５の酸化物層２５０７を除去した後、シリコン基板２３０２の表面２３０３上に成長されるかもしれない。シリコン窒化物層２６０９は、酸化物層２６０７上に堆積されるかもしれない。シリコン窒化物層２６０９及び酸化物層２６０７は、ＳＴＩフォト／エッチ（photo/etch）によって加工され、厚さｔ２を有するＳＴＩハードマスクを形成するようにパターニングされるかもしれない。
【００８０】
狭トレンチ２６１０及び２６１４は、それぞれの埋め込み酸化物層２４２４及び２４３４に達するようにエッチングされている。例えば、ＳＴＩエッチングが、酸化物層２６０７及びシリコン窒化物層２６０９をエッチマスクとして用いるかもしれない。材料は、シリコン基板２３０２から除去されて、埋め込み酸化物層２６２４及び２６３６のそれぞれの表面２６２６及び２６３６の少なくとも一部が露出する。
【００８１】
図２７は、狭トレンチ２６１０及び２６１４内に充填材料を堆積した後の、図２６のシステム２６００から形成されるシステムの図である。システム２７００は、表面２３０３を有するシリコン基板２３０２、酸化物層２６０７及びシリコン窒化物層２６０９を含んでいる。狭トレンチ２６１０及び２６１４は、シリコン基板２３０２内に形成されたアクティブエリア２３０４に隣接している。充填材料が堆積されて、狭トレンチ２６１０内にトップ充填層２７２８が、狭トレンチ２６１４内にトップ充填層２７３８が形成される。
【００８２】
特別の態様では、トップ充填層２７２８及び２７３８を形成する充填材料は、電気的アイソレーション特性を有する酸化物材料である。トップ充填層２７２８は、埋め込み酸化物層２４２４の表面２６２６から基板２３０２の表面２３０３の上方まで延びている。同様に、トップ充填層２７３８は、埋め込み酸化物層２４３４の表面２６３６から基板２３０２の表面２３０３の上方まで延びている。
【００８３】
充填材料を堆積した後、逆トレンチ（reverse trench）フォト／エッチプロセスが余分な充填材料を除去するかもしれず、酸化物或いはアイソレーション膜の化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）が行われるかもしれず、シリコン窒化物層２６０９でストップする。
【００８４】
図２８は、大きな実効アスペクト比を有するアイソレーション構造を示した図２３のシステム２３００から形成される半導体製品の図である。半導体製品２８００は、図２３−２７にしたがって製造されるアイソレーション構造２８２９及び２８３９を含んでいる。特別の態様では、半導体製品２８００は、基板２３０２の表面２３０３から、シリコン窒化物層２６０９及び酸化物層２６０７を除去することによって、図２７に示されたシステム２７００から形成されるかもしれない。アイソレーション構造２８２９及び２８３９は、アクティブエリア２３０４に隣接している。深い埋め込み酸化物層２４７４は、アクティブエリアの下である。
【００８５】
アイソレーション構造２８２９は、縦方向高さｄ２を有する埋め込み酸化物（ＢＯＸ）層２４２４と、ＢＯＸ層２４２４の表面２６２６からシリコン基板２３０３の表面に延び、縦方向高さｄ１を有するトップ充填層２７２８を含み、基板２３０２の表面２３０３の下の実効的アイソレーション深さｄとなっている。アイソレーション構造２８３９は、埋め込み酸化物（ＢＯＸ）層２４３４と、ＢＯＸ層２４３４の表面２６３６からシリコン基板２３０３の表面に延びたトップ充填層２７３８を含んでいる。
【００８６】
特別の態様では、埋め込み酸化物層２４２４或いは２４３４及びトップ充填層２７２８或いは２７３８によって形成された酸化物バリアは、狭トレンチアスペクト比が約３から４の第２の範囲内で、約５から６の第１の範囲内の実効的なアスペクト比を有する。例えば、アイソレーション構造２８２９或いは２８３９の幅ｗに対する深さｄ＋ｔ２（すなわち、図２６に示された結合高さｔ２に図２８に示された深さｄをプラスしたもの）の比は、５から６の範囲内の値を有するかもしれない。５から６の実効的なアスペクト比は、３から４の範囲内の狭トレンチアスペクト比（例えば、幅ｗに対する深さｄ１＋ｔ２の比）によって得られるかもしれない。他の例証的な態様では、埋め込み酸化物層２４２４或いは２４３４及びトップ充填層２７２８或いは２７３８によって形成された酸化物バリアは、狭トレンチアスペクト比が約１から２の第２の範囲内で、約３から４の第１の範囲内の実効的なアスペクト比を有する。
【００８７】
図２９は、アイソレーション構造を形成する方法の第１の特別の実施形態のフローチャートである。特別の態様では、方法は図１−５に対応する。２９０２では、シャロウトレンチアイソレーションパターンが、酸化物層及びシリコン窒化物層に規定されるかもしれない。２９０４に移行すると、酸素をインプラントする前に、シャロウトレンチエッチングが行われて狭トレンチを形成するかもしれない。狭トレンチは、７０ｎｍよりも少ない幅を有しているかもしれない。
【００８８】
２９０６に進むと、酸素がシリコン基板の狭トレンチのボトム表面の下にインプラントされる。特別の態様では、酸素は複数のインプラントエネルギーを用いてインプラントされる。複数のインプラントエネルギーの最も低いインプラントエネルギーは、狭トレンチのボトム表面の下で少なくとも数百オングストロームの平均インプラント深さとなるかもしれない。複数のインプラントエネルギーの最も低いインプラントエネルギーは、最も低いインプラントエネルギーに対応する平均インプラント深さの３５％よりも少ない酸素の横方向ストラグル距離となるかもしれない。
【００８９】
２９０８に進むと、シリコン基板及び酸素の高温アニールが行われ、埋め込み酸化物層を形成する。続いて２９１０では、埋め込み酸化物層に達するように狭トレンチのボトム表面がエッチングされる。２９１２に移ると、充填材料が堆積されて狭トレンチ内にトップ充填層を形成する。充填材料は酸化物材料であるかもしれない。２９１４に進むと、充填材料を堆積した後に、化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）プロセス及びエッチングが行われて、シリコン基板の表面からシリコン窒化物及び酸化物を除去する。
【００９０】
特別の態様では、埋め込み酸化物層及びトップ充填層によって形成された酸化物バリアは、狭トレンチアスペクト比がシリコン窒化物層の厚さを含んで約３から４の第２の範囲内で、約５から６の第１の範囲内の実効的なアスペクト比を有する。他の特別な態様では、埋め込み酸化物層及びトップ充填層によって形成された酸化物バリアは、狭トレンチアスペクト比が約１から２の第２の範囲内で、約３から４の第１の範囲内の実効的なアスペクト比を有する。
【００９１】
図３０は、アイソレーション構造を形成する方法の第２の特別の実施形態のフローチャートである。特別の態様では、方法は図１、６、７、８及び５に対応する。３００２では、シャロウトレンチアイソレーションパターンが、酸化物層及びシリコン窒化物層に規定されるかもしれない。３００４に移行すると、酸素をインプラントする前に、シャロウトレンチエッチングが行われて狭トレンチを形成するかもしれない。狭トレンチは、７０ｎｍよりも少ない幅を有しているかもしれない。
【００９２】
３００６に進むと、酸素がシリコン基板の狭トレンチのボトム表面の下にインプラントされる。特別の態様では、酸素は複数のインプラントエネルギーを用いてインプラントされる。複数のインプラントエネルギーの最も低いインプラントエネルギーは、狭トレンチのボトム表面の下で少なくとも数百オングストロームの平均インプラント深さとなるかもしれない。特別の態様では、平均インプラント深さは、１００から１０００オングストロームの範囲内であるかもしれず、より好ましくは２００−７００オングストローム、さらにより好ましくは３００−４００オングストロームである。複数のインプラントエネルギーの最も低いインプラントエネルギーは、最も低いインプラントエネルギーに対応する平均インプラント深さの３５％よりも少ない酸素の横方向ストラグル距離となるかもしれない。
【００９３】
３００８に進むと、高温アニールを行う前にシリコン窒化物層が除去される。続いて３０１０では、シリコン基板及び酸素の高温アニールが行われ、埋め込み酸化物層を形成する。３０１２に移ると、埋め込み酸化物層に達するように狭トレンチのボトム表面がエッチングされる。３０１４に進むと、充填材料が堆積されて狭トレンチ内にトップ充填層を形成する。充填材料は酸化物材料であるかもしれない。３０１６に進むと、充填材料を堆積した後に、化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）プロセス及びエッチングが行われて、シリコン基板の表面からシリコン窒化物及び酸化物を除去する。
【００９４】
特別の態様では、埋め込み酸化物層及びトップ充填層によって形成された酸化物バリアは、狭トレンチアスペクト比がシリコン窒化物層の厚さを含んで約３から４の第２の範囲内で、約５から６の第１の範囲内の実効的なアスペクト比を有する。他の特別な態様では、埋め込み酸化物層及びトップ充填層によって形成された酸化物バリアは、狭トレンチアスペクト比が約１から２の第２の範囲内で、約３から４の第１の範囲内の実効的なアスペクト比を有する。
【００９５】
図３１は、アイソレーション構造を形成する方法の第３の特別の実施形態のフローチャートである。特別の態様では、方法は図９−１３に対応する。３１０２では、シャロウトレンチアイソレーションハードマスクが、酸素インプラントのためを規定される。例えば、シリコン窒化物材料が堆積されてシリコン基板上にシリコン窒化物層を形成し、酸素層をインプラントする前にシャロウトレンチがパターニングされるかもしれない。
【００９６】
３１０４に移ると、酸素がシリコン基板内にインプラントされる。３１０６に進むと、インプラントされた酸素を有するシリコン基板の高温アニールが行われて、埋め込み酸化物層を有する基板を形成する。３１０８に進むと、シリコン基板の表面内で狭トレンチがエッチングされて、埋め込み酸化物層を露出させる。続いて３１１０では、充填材料がトレンチ内に堆積されて、狭トレンチ内にトップ充填層を形成する。３１１２に移ると、充填材料を堆積した後に、化学的機械的平坦化及びエッチングが行われて、シリコン基板の表面からシリコン窒化物及び酸化物を除去する。
【００９７】
図３２は、アイソレーション構造を形成する方法の第４の特別の実施形態のフローチャートである。特別の態様では、方法は図９、１４、１５、１６及び１３に対応する。３２０２では、シャロウトレンチアイソレーションハードマスクが、酸素インプラントのためを規定される。例えば、シリコン窒化物材料が堆積されてシリコン基板上にシリコン窒化物層を形成し、酸素層をインプラントする前にシャロウトレンチがパターニングされるかもしれない。
【００９８】
３２０４に移ると、酸素がシリコン基板内にインプラントされる。３２０６に進むと、高温アニールを行う前にシリコン窒化物の層が除去されるかもしれない。３２０８に進むと、インプラントされた酸素を有するシリコン基板の高温アニールが行われて、埋め込み酸化物層を有する基板を形成する。３２１０に進むと、シリコン基板の表面内で狭トレンチがエッチングされて、埋め込み酸化物層を露出させる。続いて３２１２では、充填材料がトレンチ内に堆積されて、狭トレンチ内にトップ充填層を形成する。３２１５に移ると、充填材料を堆積した後に、化学的機械的平坦化及びエッチングが行われて、シリコン基板の表面からシリコン窒化物及び酸化物を除去する。
【００９９】
図３３は、アイソレーション構造を形成する方法の第５の特別の実施形態のフローチャートである。特別の態様では、方法は図１７−２２に対応する。３３０２では、シリコン窒化物材料が堆積されて、シリコン基板上にシリコン窒化物層を形成し、酸素をインプラントする前にシャロウトレンチがパターニングされるかもしれない。シリコン窒化物材料は、シリコン基板上に成長された酸化物層上に堆積される。３３０４に移ると、酸素がシリコン基板内にインプラントされる。３３０６に進むと、高温アニールを行う前にシリコン窒化物の層が除去されるかもしれない。３３０８に進むと、高温アニールを行う前に酸化物の層が除去されるかもしれない。
【０１００】
続いて３３１０では、インプラントされた酸素を有するシリコン基板の高温アニールが行われて、埋め込み酸化物層を有する基板を形成する。３３１２では、高温アニールが、内部熱酸化（ＩＴＯＸ）アニーリングプロセスを用いて行われるかもしれない。ＩＴＯＸアニーリングプロセスは、シリコン基板の表面上に、表面酸化物層を生成するかもしれない。３３１４に移ると、シリコン窒化物材料が堆積されて、表面酸化物層上にシリコン窒化物層を形成する。表面酸化物層は、ＩＴＯＸプロセスによって生成された表面酸化物層であるかもしれず、或いは、ＩＴＯＸプロセスによって生成された層が除去された後で成長された表面酸化物層であるかもしれない。３３１６に進むと、シリコン窒化物層及び表面酸化物層の一部が除去されて、狭トレンチエッチマスクを規定する。
【０１０１】
３３１８に進むと、シリコン基板の表面内で狭トレンチがエッチングされて、埋め込み酸化物層を露出させる。続いて３３２０では、充填材料がトレンチ内に堆積されて、狭トレンチ内にトップ充填層を形成する。３３２２に移ると、充填材料を堆積した後に、化学的機械的平坦化及びエッチングが行われて、シリコン基板の表面からシリコン窒化物及び酸化物を除去する。
【０１０２】
図３４は、アイソレーション構造を形成する方法の第６の特別の実施形態のフローチャートである。特別の態様では、方法は図２３−２８に対応する。３４０２では、シリコン窒化物材料が堆積されて、シリコン基板上にシリコン窒化物層を形成する。続いて３４０４では、シリコン基板のアクティブエリア上で、シリコン窒化物層の一部が除去される。
【０１０３】
３４０６に移ると、シリコン窒化物層を通して酸素がインプラントされて、第１の深さで酸素リッチ領域を形成し、第１の深さよりも大きい第２の深さまでアクティブエリアの下に第２の酸素リッチ領域を形成する。３４０８に進むと、高温アニールを行う前に、シリコン窒化物の層が除去されるかもしれない。３４１０に進むと、高温アニールを行う前に、酸化物の層も除去されるかもしれない。
【０１０４】
続いて３４１２では、インプラントされた酸素を有するシリコン基板の高温アニールが行われて、埋め込み酸化物層を有する基板を形成する。３４１４では、高温アニールが、内部熱酸化（ＩＴＯＸ）アニーリングプロセスを用いて行われるかもしれない。ＩＴＯＸアニーリングプロセスは、シリコン基板の表面上に、表面酸化物層を生成するかもしれない。埋め込み酸化物層が第１の深さで形成され、第２の酸化物層が第１の深さよりも大きい第２の深さでアクティブエリアの下に形成されるかもしれず、埋め込み酸化物層は第２の酸化物層にコンタクトしない。
【０１０５】
３４１６に移ると、シリコン窒化物材料が堆積されて、表面酸化物層上にシリコン窒化物層を形成する。表面酸化物層は、ＩＴＯＸプロセスによって生成された表面酸化物層であるかもしれず、或いは、ＩＴＯＸプロセスによって生成された層が除去された後で成長された表面酸化物層であるかもしれない。３４１８に進むと、シリコン窒化物層及び表面酸化物層の一部が除去されて、狭トレンチエッチマスクを規定する。
【０１０６】
３４２０に進むと、シリコン基板の表面内で狭トレンチがエッチングされて、埋め込み酸化物層を露出させる。続いて３４２２では、充填材料がトレンチ内に堆積されて、狭トレンチ内にトップ充填層を形成する。３４２４に移ると、充填材料を堆積した後に、化学的機械的平坦化及びエッチングが行われて、シリコン基板の表面からシリコン窒化物及び酸化物を除去する。
【０１０７】
当業者は、ここで説明された実施形態に関連して述べられた種々のロジカルブロック、構成及びアルゴリズムステップが、各特別の応用に対して種々の方法でインプリメントされるかもしれないことを認識するであろうが、そのようなインプリメンテーション決定が、本開示の範囲からの逸脱を引き起こすとして解釈すべきではない。
【０１０８】
ここに開示された実施形態に関連して述べられた方法やアルゴリズムのステップは、直接ハードウェア、プロセッサによって実効されるソフトウェアモジュール、マニュアルで実行すること、或いはそれらの任意の組み合わせによって実施できるかもしれない。例えば、方法やアルゴリズムは、製造、デザイン、或いはファブリケーションソフトウェア、ライブラリ、データフィルタ、或いは電気的メディアに記憶され又は電気的メディアよって運ばれる他のソフトウェアモジュールに合体するかもしれない。ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、フラッシュメモリ、リードオンリメモリ（ＲＯＭ）、プログラマブルリードオンリメモリ（ＰＲＯＭ）、消去可能プログラマブルリードオンリメモリ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラマブルリードオンリメモリ（ＥＰＲＯＭ）、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、コンパクトディスクリードオンリメモリ（ＣＤ−ＲＯＭ）、或いは公知の記憶メディアの任意の他の形態に、存在するかもしれない。例示的な記憶メディアは、プロセッサが記憶メディアから情報を読み取り及び記憶メディアに情報を書き込むことができるように、プロセッサに結合される。或いは、記憶メディアは、プロセッサと一体であるかもしれない。プロセッサ及び記憶メディアは、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）に存在するかもしれない。ＡＳＩＣは、コンピューティングデバイス或いはユーザーターミナルに存在するかもしれない。或いは、プロセッサ及び記憶メディアは、コンピューティングデバイス或いはユーザーターミナルにディスクリートコンポーネントとして存在するかもしれない。他の例として、プロセッサ及び記憶メディアは、半導体デバイス或いはその一部をファブリケート或いはマニュファクチャするために、制御装置に合体され或いは結合されているかもしれない。
【０１０９】
開示された実施形態の種々の説明は、当業者が開示された実施形態を作り或いは用いることができるように提供されている。それらの実施形態の種々の変更は、当業者に容易に明白であり、ここに規定された原理は、開示の範囲から逸脱せずに他の態様に適用されるかもしれない。それ故、本開示は、ここに示された実施形態に限定されることを意図されておらず、特許請求の範囲によって規定されるように、原理及び新規な特徴に矛盾することなく最も広い範囲で扱われる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【国際調査報告】
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2012500475.tif 000038
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