(57)【要約】基板のエッジにおけるテンプレートと基板とのアライメントのためのシステムおよび方法が記載される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１フィールドにある第１組のアライメント・マークとの光通信状態に、アライメント測定ユニットを配置することであって、前記第１フィールドが複数のサブフィールドを有し、各サブフィールドが第２組のアライメント・マークを有することと、
製品化可能なサブフィールドを識別することと、
前記製品化可能なサブフィールドの前記第２組のアライメント・マークとの光通信状態となるように、１台以上のアライメント測定ユニットを再配置することと、
を含む方法。
【請求項２】
前記第１組のアライメント・マークが前記フィールドの外側境界線に配置される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２組のアライメント・マークが前記サブフィールドの外側境界線に配置される、１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記基板に集束されるエネルギー源からのビーム経路の外側にアライメント測定ユニットが再配置される、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
さらに、前記第２組のアライメント・マークを用いた位相情報からアライメントデータを収集することと、インプリント・リソグラフィーテンプレートに配置されたテンプレートアライメント・マークを上置することとを含む、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
さらに、前記第２組のアライメント・マークと前記上置テンプレートアライメント・マークの一方からの光線を回折させることにより画像を捕捉することを含む、請求項５の方法。
【請求項７】
前記第２組のアライメント・マークと前記テンプレート上置テンプレートアライメント・マークとの間の垂直距離が、１００ミクロンから１０ｎｍ未満まで変化する、請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
さらに、前記画像を用いて前記基板と前記インプリント・リソグラフィーテンプレートとの間の相対的空間パラメータを決定することを含む、請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
前記空間パラメータがアライメントパラメータを含むとともに拡大パラメータを除く、請求項８の方法。
【請求項１０】
前記第２組のアライメント・マークがアライメントのためのＸおよびＹ値を提供する、請求項１〜９のいずれかの方法。
【請求項１１】
さらに、シータ測定ユニットを用いてシータ値を決定する、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
さらに、第２フィールドの第３組のアライメント・マークとの光通信状態となるように１台以上のアライメント測定ユニットを再配置することであって、前記第２フィールドが前記第１フィールドに隣接して配置されることを含む、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記アライメント測定ユニットが走査ステージの上に配置される、請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記走査ステージが第１方向ステージと第２方向ステージとを含み、前記第１方向ステージおよび前記第２方向ステージの各々が開口エリアを有し、前記開口エリアが、前記基板に集束するエネルギー源のためのビーム経路となる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１方向ステージがアライメント測定ユニットをｘ方向に再配置するのに適している、請求項１３または１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第２方向ステージがアライメント測定ユニットをｙ方向に再配置するのに適している、請求項１３〜１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
さらに、第２組のアライメント・マークとの光通信状態にある１台以上の追加アライメント測定ユニットを用意することを含む、請求項１〜１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
複数のアライメント測定ユニットを第１位置に用意することであって、前記第１位置が、基板のフィールドの少なくとも１個のアライメント・マークとの光通信状態にある各ユニットを有することと、
アライメント測定ユニットを第２位置に用意することであって、前記第２位置が、前記フィールドのサブフィールドの少なくとも１個のアライメント・マークとの光通信状態にある各ユニットを有し、前記第１位置が前記第２位置と異なることと、
を含む方法。
【請求項１９】
さらに、前記サブフィールドの前記アライメント・マークと、インプリント・リソグラフィーテンプレートに配置された上置テンプレートアライメント・マークとを用いた位相情報からアライメントデータを収集することを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
基板の第１フィールドに配置されたアライメント・マークと、インプリント・リソグラフィーテンプレートに配置された上置アライメント・マークとを用いた位相情報からのアライメントデータを収集することと、
前記基板の第２フィールドのサブフィールドに配置されたアライメント・マークと、前記インプリント・リソグラフィーテンプレートに配置された上置アライメント・マークとを用いた位相情報からアライメントデータを収集することであって、前記第１フィールドの寸法が前記第２フィールドの寸法と類似していることと、
を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本出願は、ともに参考として全体が取り入れられる２００８年１１月４日出願の米国仮特許出願第６１／１１１，１０２号および２００９年１０月２７日出願の米国特許出願第１２／６０６，２７４号の、特許法第１１９条（ｅ）（１）項に基づく特典を主張する。
【背景技術】
【０００２】
ナノ製造は、１００ナノメートル以下程度の特徴を有する超小型構造の製造を含む。ナノ製造が大きな影響を持っている用途の一つは、集積回路の加工である。半導体加工産業では、高い生産量を獲得する一方で、基板に形成される単位面積あたりの回路を増加させようとしており、そのため、ナノ製造はますます重要になっている。ナノ製造では、より良好なプロセス制御を行う一方で、形成される構造の最小特徴寸法をより一層縮小させている。ナノ製造が採用されている他の開発領域は、バイオ技術、光技術、機械システム、その他を含む。
【０００３】
現在使用されている典型的なナノ製造技術は、一般にインプリント・リソグラフィーと呼ばれる。典型的なインプリント・リソグラフィー・プロセスは、米国特許出願公開第２００４／００６５９７６号、米国特許出願公開第２００４／００６５２５２号、米国特許第６，９３６，１９４号など、多数の刊行物に詳細に記載されており、これらすべてが参照により取り入れられる。
【０００４】
上述した米国公開特許および特許の各々に開示されているインプリント・リソグラフィー技術は、成形層（重合可能）にレリーフ・パターンを形成することと、レリーフ・パターンに対応するパターンを下の基板に転写することとを含む。パターン形成プロセスを促進するため所望の配置が得られるように、基板は運動ステージに結合されている。パターン形成プロセスは、基板から離間したテンプレートと、テンプレートと基板との間に塗布される成形液体とを使用する。成形液体は凝固して、成形液体と接触するテンプレートの表面の形状と一致するパターンを持つ剛体層を形成する。凝固の後で、テンプレートと基板とが離間するようにテンプレートが剛体層から分離される。次に、基板と凝固層とが、凝固層のパターンに対応するレリーフ画像を基板に転写する付加的プロセスを受ける。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】本発明の実施形態によるリソグラフィー・システムの簡単な側面図を示す。
【図２】パターン形成層が上に配置された、図１に示された基板の簡単な側面図を示す。
【図３】フィールドの周囲に多数のアライメント測定ユニットを有するアライメント・システムの簡単な上面図を示す。
【図４】基板の簡単な上面図を示す。
【図５Ａ】典型的な再構成可能アライメント・システムを示す。
【図５Ｂ】典型的な再構成可能アライメント・システムを示す。
【図５Ｃ】典型的な再構成可能アライメント・システムを示す。
【図５Ｄ】典型的な再構成可能アライメント・システムを示す。
【図５Ｅ】典型的な再構成可能アライメント・システムを示す。
【図６】テンプレートと基板とをアライメントさせるための典型的な方法の流れ図を示す。
【図７】基板の一部分の簡単な上面図を示す。
【図８】テンプレートと基板とをアライメントさせるための典型的な方法の流れ図を示す。
【図９】基板の一部分の簡単な上面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
本発明がより詳細に理解されるように、添付図面に図示された実施形態を参照して本発明の実施形態の説明が行われる。しかし、添付図面は発明の一般的な実施形態を図示しているに過ぎず、限定を意図するものではないことに注意すべきである。
【０００７】
図、特に図１を参照すると、図示されているのは、基板１２にレリーフ・パターンを形成するのに使用されるリソグラフィー・システム１０である。基板１２は、基板チャック１４に結合されている。図示されているように、基板チャック１４は真空チャックである。しかし基板チャック１４は、真空式、ピンタイプ、溝タイプ、静電式、電磁式、および／またはその他を含むいかなるチャックでもよいが、これらに限定されるわけではない。典型的なチャックは、参考として取り入れられている米国特許第６，８７３，０８７号に記載されている。
【０００８】
基板１２と基板チャック１４とはさらに、ステージ１６に支持されている。ステージ１６は、ｘ，ｙ，ｚ軸上での運動を提供する。ステージ１６と基板１２と基板チャック１４とが台部（不図示）に配置されてもよい。
【０００９】
基板１２から離間しているのは、テンプレート１８である。テンプレート１８は概して、テンプレートから基板１２に向かって延出する段丘部（メサ）２０を含み、段丘部２０は、パターン形成面２２を上に有する。また段丘部２０は、モールド２０とも呼ばれる。パターン形成面２２は、説明するステップアンドリピートプロセスを用いてテンプレート１８に単一フィールドをパターン形成するのに使用される。テンプレート１８および／またはモールド２０は、溶融シリカ、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサン重合体、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボン重合体、金属、硬化サファイア、および／またはその他を含む材料から形成されるとよいが、これらに限定されるわけではない。図のように、パターン形成面２２は、離間した複数の凹部２４および／または凸部２６により画定される特徴を含むが、本発明の実施形態がこのような形態に限定されるわけではない。パターン形成面２２は、基板１２に形成されるパターンの基準となるオリジナルパターンを画定する。
【００１０】
テンプレート１８は、チャック２８に結合されている。チャック２８は真空式、ピンタイプ、溝タイプ、静電式、電磁式、および／または他の類似のチャックタイプとして構成されるが、これらに限定されるわけではない。典型的なチャックはまた、参考として取り入れられている米国特許第６，８７３，０８７号に記載されている。また、テンプレート１８の移動を促進するような構成をチャック２８および／またはインプリント・ヘッド３０が持つように、チャック２８がインプリント・ヘッド３０に結合されてもよい。
【００１１】
システム１０はさらに、流体分注システム３２を含む。流体分注システム３２は、重合可能材料３４を基板１２に付着させるのに使用される。重合可能材料３４は、液滴分注、回転コーティング、浸漬コーティング、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、薄膜蒸着、厚膜蒸着、および／またはその他などの技術を用いて、基板１２に配置される。設計上の検討事項に応じて、モールド２０と基板１２との間に所望の容積が画定される前および／または後に、重合可能材料３４が基板１２に載置される。重合可能材料３４は、すべて参考として取り入れられている米国特許第７，１５７，０３６号および米国特許出願公開第２００５／０１８７３３９号に記載されているような単量体混合物を含む。
【００１２】
図１および２を参照すると、システム１０はさらに、経路４２に沿ってエネルギー４０を送出するように結合されたエネルギー源３８を含む。インプリント・ヘッド３０およびステージ１６は、テンプレート１８および基板１２を経路４２に重ねた状態に配置するように構成されている。システム１０は、ステージ１６、インプリント・ヘッド３０、流体分注システム３２、および／またはエネルギー源３８との通信状態にあるプロセッサ５４によって調整され、メモリ５６に記憶されたコンピュータ読取可能なプログラムに基づいて機能する。
【００１３】
重合可能材料３４が充填される所望の容積を間に画定するように、インプリント・ヘッド３０とステージ１６のいずれかまたは両方により、モールド２０と基板１２との間の距離を変化させる。例えば、モールド２０が重合可能材料３４と接触するように、インプリント・ヘッド３０がテンプレート１８に力を印加する。重合可能材料３４が所望の容積に充填された後、エネルギー源３８が紫外線放射などのエネルギー４０を発生させ、基板１２の表面４４とパターン形成面２２との形状と一致するように重合可能材料３４を凝固および／または架橋させ、基板１２にパターン形成層４６を画定する。パターン形成層４６は、残存層４８と、凸部５０および凹部５２として示された複数の特徴とを含み、凸部５０は厚さｔ1を有して残存層は厚さｔ2を有する。テンプレート１８がパターン形成層４６から分離され、別のフィールドをステップアンドリピート・プロセスでパターン形成するのに使用される。
【００１４】
上述したシステムおよびプロセスはさらに、それぞれが参考として取り入れられている米国特許第６，９３２，９３４号、米国特許出願公開第２００４／０１２４５６６号、米国特許出願公開２００４／０１８８３８１号、米国特許出願公開第２００４／０２１１７５４号に言及されたインプリント・リソグラフィー・プロセスおよびシステムで採用される。
【００１５】
テンプレート１８と基板１２のフィールドとの間の所望のアライメントが確実に行われることは、テンプレート１８と基板１２との間のパターン転写を容易にするのに役立つ。アライメントを容易にするため、テンプレート１８および／または基板１２の上のアライメント・マークを利用するアライメント・システムが使用され、対の一方のアライメント・マークがテンプレート１８に設けられ、残りのアライメント・マークが基板１２に配置される。図３は、多数のアライメント測定ユニット６２（顕微鏡など）を有するアライメント・システム６０の簡単な図を示している。インプリント・リソグラフィー・プロセスに使用するためのアライメント・マークおよびアライメント・システム６０の例は、米国特許第７，１３６，１５０号、米国特許第７，０７０，４０５号、米国特許第６，９１６，５８４号、米国特許出願公開第２００７／０２３１４２１号に詳細に記載されており、そのすべてが参考として取り入れられている。
【００１６】
アライメント・システム６０は、フィールド単位のアライメント・プロセスに使用される。図１，３，４に図示されているように、インプリント中には、メモリ５４に記憶された座標に基づいて基板１２の所望のフィールド７０の上にテンプレート１８が配向されるように、ステージ１６が移動する。基板１２の各フィールド７０は、テンプレート１８のアライメント・マークと対応するアライメント・マーク７２を２個以上含む。次に、基板１２にインプリントされる特定フィールド７０のアライメント・マーク７２に、テンプレート１８のアライメント・マークがアライメントされる。フィールド７０がインプリントされると、基板１２の別のフィールド７０の上にテンプレート１８を配向するようにステージ１６が移動する。こうして、基板１２の個々のフィールド７０においてアライメントが実施される。しかし、基板１２のエッジ７４では、フィールド７０の部分７６が基板１２の領域の外側にあって、基板１２のエッジ７４でのアライメント・エラーおよびダイ生産量の低下につながる。
【００１７】
再構成可能アライメント・システム
図５Ａおよび５Ｂは、典型的な再構成可能アライメント・システム９０を図示している。概してシステム９０では、アライメント・マーク７２ａがフィールド７０ａのコーナーに存在するばかりでなく、フィールド７０ａの各サブフィールド９２にも存在する。
【００１８】
フィールド７０ａ内のサブフィールド９２の数に従って、フィールド７０ａが分割される。例えば、図５Ａでは、フィールド７０ａは可能なサブフィールド９２を８個含む。しかし、設計上の考慮事項に応じて、フィールド７０ａの中のサブフィールド９２の数はいくつでもよい。各サブフィールド９２は、製品化可能ダイを１個以上含む。
【００１９】
さらに、各サブフィールド９２は多数のアライメント・マーク７２ａを含む。フィールド７０ａおよび／またはサブフィールド９２におけるアライメント・マーク７２ａの配置は、基板１２上のアライメント・マーク７２ａに割り当てられる表面積を制限するように設計されている。一例では、サブフィールド９２の各コーナーにアライメント・マーク７２ａが位置する。別の例では、サブフィールド９２の間の間隙にアライメント・マーク７２ａが置かれる。別の例では、製品化可能ダイの間の間隙にアライメント・マーク７２ａが置かれる。
【００２０】
基板１２のエッジでは、サブフィールド９２のすべてが上述した製品化ダイとなるわけではない。図５Ａに図示されているように、製品化可能なサブフィールド９２は斜線付きのボックスで示されている。この例では、列Ｒ1には製品化可能なサブフィールド９２が設けられていない。エッジ７４ａ上のフィールド７０ａの拡大図では、８個のサブフィールド９２のうち４個のみが製品化可能なサブフィールドと考えられる。
【００２１】
一例では、フィールド７０のアライメント・マーク７２に加えて、またはこれに代わって製品化可能なサブフィールド９２のアライメント・マーク７２ａを検出するように、アライメント測定システム９０が再構成される。概して、アライメント測定システム９０は、フィールド９０の一つ以上のコーナーのアライメント・マーク７２を検出するばかりでなく、サブフィールド９２内のアライメント・マーク７２ａを検出するようにも構成されている。図５Ｂに図示されているように、領域９４内のアライメント測定ユニット６２は、フィールド９０のアライメント・マーク７０に加えて、またはこれに代わって、製品化可能なサブフィールド９２内のアライメント・マーク７２ａを検出するように再構成される。例えば、アライメント測定ユニット６２は移動可能に配置される（例えば、検出に適した少なくとも１個のアライメント・マーク７２ａとの光通信状態となるように物理的に再配置するためのｘ，ｙ，ｚ方向の移動）、および／または再構成される（例えば、検出に適した少なくとも１個のアライメント・マーク７２ａとの光通信を追加ハードウェアにより行うように構成される）。
【００２２】
図５Ｂ〜５Ｄに図示された別の例では、１個以上のサブフィールド９２の検出のために設けられたパターン２０８において、アライメント測定システム９０の再構成が行われる。例えば図５Ｃでは、フィールド７０ａが４個の四半分領域Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４に分割される。各四半分領域Ｑは、少なくとも２個のサブフィールド９２で形成される。アライメント測定システム９０は、四半分領域Ｑの検出のために設けられたパターン２０８に合わせて再構成される。次に、各サブフィールド９２の中のアライメント・マークを検出するため、アライメント測定システム９０が各四半分領域Ｑ１〜４へ移動する。
【００２３】
粒子発生を増加させずに移動を容易にするため、および／または処理量を増加させるため、図５Ｄに図示されているような走査ステージ２００によってアライメント測定システム９０が駆動される。アライメント測定システム９０またはアライメント測定システム９０の部分は、走査ステージ２００に固定接続されている。
【００２４】
走査ステージ２００は、第２方向ステージ２０４（Ｙステージなど）に隣接する第１方向ステージ２０２（Ｘステージなど）を含む。Ｘステージ２０２は、複数の側面２０６を含む。側面２０６は開口エリア２０８の周囲に配置されている。側面２０６は、方形、矩形、六角形、円形、および／または奇抜な形状を含むがこれらに限定されない何らかの形状構成を成す。Ｙステージ２０４は複数の側面２１０を含む。側面２１０は、開口エリア２０８の周囲に配置される。側面２１０は、方形、矩形、六角形、円形、および／または奇抜な形状を含むがこれらに限定されない何らかの形状構成を成す。側面２１０の形状構成は、側面２０６の形状と類似していても、側面２０６の形状と異なっていてもよい。
【００２５】
別の例では、図５Ｅに図示されているように、図３に示されたアライメント測定システム６０に、１台以上の追加アライメント測定ユニット６２ｘが加えられる。アライメント測定ユニット６２の一般的な数および配置は、ともに全体が参考として取り入れられている米国特許第７，２９２，３２６号および米国特許出願第１１／０００，３２１号にさらに記載されている。追加アライメント測定ユニット６２ｘは、これらの引例に記載されたシステムに導入され、サブフィールド９２の中に配置されたアライメント・マーク７２ａを検出するように構成される。例えば、図５Ｅに図示されているように、領域９５内のアライメント測定ユニット６２，６２ｘは、製品化可能なサブフィールド９２のアライメント・マーク７２ａを検出するように構成される。
【００２６】
図６は、テンプレート１８と基板１２とをアライメントさせるための典型的な方法１００の流れ図を示している。ステップ１０２において、基板１２のエッジ７４ａの上に多数のサブフィールド９２を有するフィールド７０が設けられる。アライメント・システム９０は、フィールド７０のアライメント・マーク７２との光通信状態となるように構成されている。アライメント・マーク７２は、フィールド７０の外側輪郭線に配置される。各サブフィールド９２は、多数のアライメント・マーク７２ａを含む。ステップ１０４では、少なくとも１個の製品化可能なサブフィールド９２が識別される。製品化可能なサブフィールド９２は、製品化可能ダイを１個以上有する。ステップ１０６では、製品化可能なサブフィールド９２または１個以上の製品化可能なサブフィールド９２の組合せの中のアライメント・マーク７２ａをアライメント測定ユニット６２が捕捉するように、アライメント測定システム９０が再構成される。例えば、製品化可能なサブフィールド９２のアライメント・マーク７２ａとの光通信状態となるように、アライメント測定システム９０が再配置される。一実施形態では、アライメント・マーク７２ａとの光通信状態にあるが、重合可能材料３４の凝固のためテンプレート１８に集束されるエネルギー源からのビーム経路の外側となるように、アライメント測定システム９０が再配置される。ステップ１０８では、適当にアライメントされた１個以上の製品化ダイが得られるように、製品化可能なフィールド７０ａがインプリントされる。例えば、基板１２のサブフィールドのアライメント・マーク７２ａと、重複するテンプレートのアライメント・マークとを用いた位相情報からのアライメントデータが収集される。アライメント・マーク７２ａとテンプレートアライメント・マークの一方からの光線を回折させることにより、画像（例えばモアレ一次顕微鏡画像）が捕捉される。アライメント・マーク７２ａとテンプレートアライメント・マークとの間の垂直距離は（例えば、１００ミクロンから１０ｎｍ未満まで）変化する。基板１２とテンプレート１８との間の相対的空間パラメータ（例えば、アライメント、拡大、歪みのパラメータ、その他）が、画像を用いて決定される。相対的空間パラメータを用いて、テンプレート１８は基板１２のサブフィールド９２とアライメントされる。基板のサブフィールド９２と重複したエリアに、重合可能材料３４が載置される。重合可能材料３４との接触状態でテンプレート１８が配置され、重合可能材料３４はテンプレート１８と基板１２との間に一致する。重合可能材料３４が凝固してパターン形成層４６を形成する。サブフィールド９２において製品化可能ダイを形成する重合可能材料３４が、テンプレート１８から分離される。
【００２７】
独立シータ測定
図１，３，７を参照すると、基板１２のエッジ７４におけるテンプレート１８と基板１２との間のアライメントは、アライメント・システム６０，９０とシータ測定ユニット１２０との使用を含む。典型的なシータ測定ユニット１２０は、レーザ干渉計、容量センサ、および／または所定の精度を持つ他の精密センサを含む。概して、各フィールド７０またはサブフィールド９２の中の少なくとも２個のアライメント・マーク７２および／またはアライメント・マーク７２ａが、アライメントのためのＸおよびＹの値を提供する。例えば図に示されているように、アライメント・マーク７２はフィールド７０ｂについてのＸおよびＹの値を提供する。シータ測定ユニット１２０から得られたデータがＸおよびＹの値と組み合わされて、ｘ，ｙおよびシータのアライメントに充分なデータとなる。ｘ，ｙ、シータのみを用いることにより、サブフィールド９２のアライメントでは拡大検出が不要となることに注意すべきである。
【００２８】
図８は、シータ測定ユニット１２０を用いてテンプレート１８と基板１２とをアライメントさせるための典型的な方法１４０を示している。ステップ１４２では、少なくとも２個のアライメント・マーク７２を持つ少なくとも１個のフィールド７０ｂが用意される。ステップ１４４では、アライメント・システム６０，９０がアライメント・マーク７２を用いてＸおよびＹの値を提供する。ステップ１４６では、シータ測定ユニット１２０がシータ値を提供する。ステップ１４８では、Ｘ，Ｙ，シータの値が組み合わされてテンプレート１８と基板１２とのアライメントが行われる。ステップ１５０では、基板がインプリントされる。
【００２９】
隣接フィールドのアライメント
図１，３，９を参照すると、基板１２のエッジ７４におけるテンプレート１８と基板１２とのアライメントは、隣接フィールド７０のアライメント・マーク７２の使用を含む。例えば、図９に図示されているように、基板１２のエッジ７４でのアライメントは、製品化可能なサブフィールド９２を持つフィールド７０ｄを含有する。製品化可能なサブフィールド９２は利用可能なアライメント・マーク７２を１個しか含有していないので、製品化可能なフィールド７０ｄをインプリントするためのテンプレート１８と基板１２との間のアライメントを容易にするように、隣接フィールド７０ｅ，７０ｆ，および／または７０ｇからのアライメント・マーク７２が使用される。
【符号の説明】
【００３０】
１２…基板；  ７０ｄ，７０ｅ，７０ｆ…フィールド；  
７２ｄ，７２ｅ，７２ｆ…アライメント・マーク；  ７４…エッジ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図６】
2012507882.tif 000012
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
2012507882.tif 000016
2012507882.tif 000017
2012507882.tif 000018