(57)【要約】  本発明は、光起電力素子を製造し、直列接続してソーラーモジュールとする方法及びソーラーモジュールに関する。
2012526370.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に光起電力素子を形成して直列接続するための方法であって、
ａ）基板上に第１の電気コンタクト層を配設する工程と、
ｂ）第１の電気コンタクト層上に光活性半導体層を重ねて配設する工程と、
ｃ）光活性半導体層上において、光活性半導体層の第１のコンタクト層と逆側に第２の電気コンタクト層を配設する工程と、
ｄ）複数の光起電力素子（Ａ、Ｂ、Ｃ云々）を形成して分離するための複数の平行な段差溝を形成して、これらの段差溝内において、それぞれ基板の表面と第１のコンタクト層の表面を隣接した形で露出させる工程と、
ｅ）段差溝内に絶縁体材料を配設する工程と、
ｆ）絶縁体材料を局所的に除去し、その結果、段差溝内において、一方の光起電力素子（Ｂ）の第１の電気コンタクト層の表面が露出するようにする工程と、
ｇ）一方の光起電力素子（Ａ）の第２の電気コンタクト層の表面から、それと隣接する光起電力素子（Ｂ）の第１の電気コンタクト層の絶縁体材料が露出した表面に至るまで、コンタクト材料を配設する工程と
を有する方法。
【請求項２】
工程ｄ）において、段差溝内で、基板の表面を光起電力素子の長さに渡って露出させるとともに、露出した基板表面に隣接する第１の電気コンタクト層の表面も、同様に光起電力素子の長さに渡って、さもなければ領域の形で露出させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
請求項１の工程ｅ）において、絶縁体材料を光起電力素子の長さに渡って、さもなければ段差溝内の第１の電気コンタクト層の露出した領域上に局所的に配設することを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
工程ｅ）において、層構造の表面上に全面に渡って絶縁体材料を配設することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
請求項１の工程ｆ）において、段差溝内で、絶縁体材料を光起電力素子の長さに渡って、さもなければ領域の形で局所的に除去することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
段差溝に隣接して、絶縁体材料を光起電力素子の長さに渡って、さもなければ領域の形で除去することを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
請求項１の工程ｇ）において、段差溝内で、コンタクト材料を光起電力素子の長さに渡って、さもなければ第１の電気コンタクト層の露出した領域上に配設することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
請求項１の工程ｇ）において、層構造の表面上に全面に渡ってコンタクト材料を配設することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
絶縁体の表面を露出させるために、段差溝に隣接して平行に、コンタクト材料を光起電力素子の長さに渡って除去することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
第２の電気コンタクト層として、第１の電気コンタクト層よりも低い導電率の層を選択することを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
絶縁体として、白色反射体を選択することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
当該の領域がストリップ形状又は点状であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
光起電力素子内での短絡を回避するように、当該の絶縁領域と接続領域を互いに配設することを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
多数の光起電力素子が平行に配設されたソーラーモジュールであって、絶縁体材料が、これらの光起電力素子の間の段差溝内に配設されており、この絶縁体材料内には、一方の光起電力素子の第２の電気コンタクト層をそれと隣接する光起電力素子の第１の電気コンタクト層と接続するコンタクト材料が配設されているソーラーモジュール。
【請求項１５】
絶縁体材料とコンタクト材料の中の一つ以上が、光起電力素子の長さに渡ってストリップ形状に、さもなければ領域の形で、有利には、点状に配設されていることを特徴とする請求項１４に記載のソーラーモジュール。
【請求項１６】
コンタクト材料が、第２の電気コンタクト層の上に全面に渡って配設された形で存在することを特徴とする請求項１４又は１５に記載のソーラーモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光起電力素子を製造し、直列接続してソーラーモジュールとする方法及びソーラーモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
ソーラーモジュールとするための光起電力素子を直列接続することは、素子の短絡を起こさずに、素子で発生する光誘導エネルギーを加算する役割を果たす。そのために、２つの光起電力素子の第１の電気コンタクトと第２の電気コンタクトは互いに導電接続され、この場合、これらの電極とも呼ばれるコンタクトは、光活性半導体層の対向する側に配設されている。
【０００３】
従来技術から、基板上に第１の電気コンタクトを全面に渡って成膜することが知られている。その後、第１の構造化工程によって、この第１の電気コンタクトは、基板の表面からその下に至るまで、平行に配設された複数のストリップに分割される。第１の構造化プロセス後、構造化された第１のコンタクトの表面上には、ｐ−ｉ−ｎ構造又はｐ−ｉ−ｎ−ｐ−ｉ−ｎ構造から成る光活性半導体層が全面に渡って成膜され、そのようにして、そこに有る溝が充填される。第２の構造化プロセスにより、それらの半導体層は、その表面から第１の電気コンタクトの表面に至るまで、複数のストリップに分割される。この第２の構造化プロセス、従って、半導体層の分割は、第１の構造化プロセス及び第１の電気コンタクトの溝の出来る限り近くで並行して行われる。その後、このようにして構造化した第１の電気コンタクト及びそれに対して平行に延びる半導体ストリップの上において、ストリップ状に分割された光起電力素子の表面上に第２の電気コンタクトが配設されて、再びストリップ状に分割される。第３の構造化プロセスにより、第２の電気コンタクトは、その表面から半導体層の表面に至るまで、複数のストリップに分割される。この第３の構造化プロセスは、第２の構造化プロセスの出来る限り近くで並行して行われるが、第１の構造化プロセスからは離れて行われる。
【０００４】
この方法の欠点は、これらの構造化プロセスによって、個々のコンタクト及び光起電力素子を析出させるための真空プロセスを中断しなければならないことである。更に、各構造化プロセスの前にモジュール全体を調整して、新たに位置合わせしなければならないことも欠点である。そのため、これらの構造化及び分割によって、実質的に接続損失が生じる。構造化プロセス中の温度差は僅かしか許されない。第１の電気コンタクト上に成膜されたドープ層によって、寄生並列抵抗が生じる。高い導電率の中間層が配設される限り、第２の電気コンタクトを介した個々のセルの短絡が起こる可能性が有る。
【０００５】
更に、この従来技術で周知の方法は、ｐ−ｉ−ｎ構造の間の領域内に導電性層を使用する場合に、そのような導電性層を従来技術で周知の方法と組み合わせると、第２のｐ−ｉ−ｎ構造が電気的に短絡される可能性が有るので、欠点を有する。
【０００６】
特許文献１から、光起電力素子を直列接続してソーラーモジュールとする別の方法が知られている。その方法は、基板上に先ずは全面に渡って第１の電気コンタクト又は第１の電極を析出させ、その上に又もや全面に渡って太陽電池用の光活性半導体層を析出させるものと規定している。次に、２つの構造化プロセスを順番に行い、互いに近接するが、直に接しないように溝を形成している。第１の溝は、その下から基板の表面に至るまで形成され、第２の溝は、第１の溝に対して平行に、第１の電気コンタクトの表面に至るまで形成されている。次に、第１の溝は、ほぼ全面に渡って、基板の表面に至るまで絶縁体を充填され、その結果、第２の溝がそれと接触しないようにしている。次に、第１及び第２の溝と平行に、光起電力素子の表面上にリフトオフ材料を析出させている。ここで、第２の溝からよりも絶縁体から大きく離してリフトオフ材料を配設している。次に、そのようにして形成した層構造の上に、第２の電気コンタクト又は第２の電極用の材料を全面に渡って析出させて、第２の溝を充填するとともに、それにより絶縁体及びリフトオフ材料を被覆している。リフトオフ材料の上の第２の電気コンタクトを局所的に除去した後、第２の電気コンタクト内に光活性半導体材料の表面に至るまで溝を形成し、それにより直列接続を形成している。
【０００７】
この方法には、個々のソーラーモジュールの工業的な直列接続に適していないという欠点が有る。絶縁体及びリフトオフの充填、並びにそれらと関連する方法は、相互接続及び直列接続を形成する際の所望の高いスループットを妨げている。
【０００８】
特許文献２から、光起電力素子を構造化し、直列接続して薄い層のソーラーモジュールとする別の方法が知られている。この方法は、１回の析出プロセスで基板上に全面に渡って太陽電池を形成する光活性と導電性の層の積層体とを順番に配設するものと規定している。次に、構造化プロセスを順番に行い、それにより個々のソーラーモジュールを直列接続するための相互接続部を形成している。このようにして、有利には、個々の析出プロセス後の様々な調整を不要としている。この方法は、第２の電気コンタクトの析出後に、２つの構造化プロセスを順番に行うものと規定している。その際、第２の電気コンタクトの表面の第１の構造化は、その下からガラス基板に至るまで行われ、別の第２の構造化は、第１の構造化の直ぐ近くで並行して、第１の電気コンタクトの表面に至るまで行われている。基板及び第１の電気コンタクトの露出後、導電性の段状部又は段差が形成され、この第２の電気コンタクトの表面の段状部が、その下から基板に至るまで絶縁体で充填されている。この露出した段差又は段状部、従って、第１の電気コンタクトの表面及び基板の一部分は、それと接触しない状態となっている。次に、そのような相互接続部を形成する絶縁体の上に、導電性材料によって、第１の電気コンタクトの表面から第２の電気コンタクトの表面に至るまでの接続部を形成している。この方法は、別途図６で説明する。この方法も、個々の光起電力素子の工業的な直列接続に適さないことが欠点である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】国際特許公開第２００８／０７４８７９Ａ２号明細書
【特許文献２】国際特許公開第２００７／０４４５５５Ａ２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の課題は、周知の従来技術よりも容易に実施することができるとともに、より高いスループットを達成する、光起電力素子を形成し、直列接続してソーラーモジュールとする方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この課題は、請求項１に記載の方法によって解決される。有利な実施形態は、従属請求項から明らかとなる。
【００１２】
基板上に、第１の電気コンタクト層を配設する。基板として、例えば、（薄い層の）太陽電池技術で使用されている基板又はスーパーストレートを使用する。そのような基板としては、鋼又はアルミニウムから成る金属箔（基板）、ＰＥＮから成るプラスチック箔、或いはスーパーストレート技術で提供されるガラス基板（表面上に非導電性の中間層が有るもの、又はそのような中間層が無いもの）が挙げられる。
【００１３】
第１の電気コンタクト層としては、特に、基板技術で使用される銀／ＺｎＯ層及びスーパーストレート技術で使用されるＺｎＯ層、ＳｎＯ2 層、ＩＴＯ層などの材料が考えられる。
【００１４】
第２の工程において、第１の電気コンタクト層の上に、光活性半導体層、特に、ｐ−ｉ−ｎ構造又はｐ−ｉ−ｎ−ｐ−ｉ−ｎ構造、或いはそれに対応するｎ−ｉ−ｐ構造を全面に渡って重ねて配設する。
【００１５】
ｐ−ｉ−ｎ構造として、例えば、アモルファスシリコンから成る構造を使用する。ｐ−ｉ−ｎ−ｐ−ｉ−ｎ構造としては、例えば、アモルファスシリコン及び微結晶シリコンから成る構造が考えられる。
【００１６】
次の工程において、光活性半導体層上に、その半導体層の第１のコンタクト層と対向する側に第２の電気コンタクト層を配設する。それにより、基板／スーパーストレート（非導電性の中間層が有るもの、又はそのような中間層が無いもの）と、その上に配設された第１の電気コンタクト層と、その上に配設された半導体構造と、その上に配設された第２の電気コンタクト層とから成る層構造が出来上がる。
【００１７】
析出には、ＰＥＣＶＤ法、スパッタ法、光ＣＶＤ法、ＨＷＣＶＤ法、或いはそれらと同等の方法を使用することができる。
【００１８】
次に、平行に配設された複数の段差溝が、それに対応する複数のストリップ形状の光起電力素子（Ａ、Ｂ、Ｃ云々）を形成し、分離するために形成される。そのような段差溝の形成は、様々な波長のレーザーの好適な選択によって、除去すべき材料に応じて、選択的に１回の工程、さもなければ２回の工程で行うことができる。これらの段差溝内において、それぞれ基板／スーパーストレートの表面と第１のコンタクト層の表面が隣接して段状に露出している。
【００１９】
これらの段差溝は、次の通り形成される。段差溝内において、光起電力素子の長さに渡って、例えば、ストリップ形状に基板の表面を露出させる。素子の長さに渡って層を除去する場合、ストリップ形状の代わりに、曼陀羅形状又はそれ以外の形状を選択することもできる。
【００２０】
露出した基板表面の近くの第１の電気コンタクト層の表面は、基板表面と同様に、例えば、光起電力素子の全長に渡ってストリップ形状に、或いは光起電力素子の長さに渡って見た場合に局所的な領域の形で露出させることができる。この場合、そのような段差溝が形成されるように、半導体層及び第２の電気コンタクト層を除去する。半導体層及び第２の電気コンタクト層は、例えば、一定の間隔を空けて並ぶ点の形状で除去することができる。その場合には、第１の電気コンタクト層の表面は、領域の形でのみ、即ち、基板上の特定の点でのみ露出する。
【００２１】
これらの段差溝内において、露出した基板表面と露出した第１の電気コンタクト層を直に隣接して露出させないことも考えられる。その場合、それらの間に細いウェブが残ることとなる。
【００２２】
これらの平行に配設された段差溝は、それらに対応する複数の平行に配設された、例えば、ストリップ形状の光起電力素子に層構造を分割する。各光起電力素子は、基板／スーパーストレート、場合によっては、中間層、第１の電気コンタクト層、光活性半導体層、及び第２の電気コンタクト層の順序の積層体で構成される。光起電力素子は、そのような構造化に対応して平行に並ぶこととなる。
【００２３】
本方法は、次に、少なくとも段差溝内に絶縁体材料を配設するものと規定する。ストリップ形状又は点状の絶縁体の成膜は、例えば、それに対応して配設されたマスクを通した噴霧によって、或いは有利には、（マスクの有る形又はマスクの無い形の）インクジェット印刷機によって行うことができる。有利には、そのような印刷機は、コンピュータ制御されたものである。従来のインクジェット印刷用のインクを使用することができる。
【００２４】
このような構造化の利点は、段差溝への絶縁体の配設を特に正確に行う必要がないことである。むしろ、段差溝の側縁部を越えて横方向に、段差溝の横方向に隣接する第２の電気コンタクト層の表面領域上に至るまで絶縁体を配設することができる。また、絶縁体が段差溝を完全に充填する必要はない。段差溝内の層の表面を薄い層として被覆すれば十分である。
【００２５】
絶縁体は、少なくとも段差溝に対して横方向の拡がりを有する。基板及び第１の電気コンタクト層の露出した表面が絶縁体で覆われるように、段差溝内に絶縁体を配設する。絶縁体が、段差溝の両側の側縁部を越えて横方向に、溝に沿った両側に第２の電気コンタクト層の表面を覆うようにすることができる。それにより、有利には、従来技術に比べて大幅に時間が節約される。絶縁体は、フォトリソグラフィに基づき、マスク技術を用いて配設することができる。本発明の一つの実施形態では、層及び段差溝の全面に渡って絶縁体を成膜することもできる。
【００２６】
直列接続のために、段差溝内の絶縁体を局所的に再び除去し、その結果、形成された窪み内において、第１の電気コンタクト層の表面と、任意選択で第２の段差溝内の基板／スーパーストレートの表面とが露出するようにする。半導体層及び第２のコンタクト層は露出させない。絶縁体の除去により第１の電気コンタクト層の表面を露出させれば十分である。基板／スーパーストレートの表面も露出させた場合、第２の段差溝が形成される。この場合、それぞれ２つの隣接する光起電力素子において、２つの隣接する素子の一方の第１のコンタクト層のみを露出させる。絶縁体は、光起電力素子の全長に渡ってストリップ形状に、或いは領域の形で、即ち、局所的に除去することができる。次に、溝内で露出している、特定の光起電力素子の第１の電気コンタクト層の表面及び場合によっては基板／スーパーストレートの表面は、短絡が起こらないように、隣接する光起電力素子の第２の電気コンタクト層と電気的に直列に接続される。
【００２７】
そのために、光起電力素子の第２の電気コンタクト層の表面から、隣接する光起電力素子の第１の電気コンタクト層の絶縁体材料を露出させた表面に至るまで、コンタクト材料を配設し、それにより隣接する２つの光起電力素子を互いに直列に接続させる。全ての光起電力素子に関して、このプロセスを繰り返す。コンタクト材料としては、例えば、銀などの導電性材料が、有利には、インクジェット印刷又はスクリーン印刷によって成膜される。
【００２８】
この方法により、光起電力素子の長さに渡って、絶縁体材料及び／又はコンタクト材料の点状の領域又はストリップ形状に延びる領域を形成することができる。
【００２９】
特に有利には、この方法は、段差溝内に絶縁体を配設する工程と、光起電力素子の第２の電気コンタクト層の表面から隣接する光起電力素子の第１の電気コンタクト層の表面に至るまでの隣接する光起電力素子との直列接続のためのコンタクト材料を配設する工程とによって、従来技術による方法よりも明らかに迅速に行うことができる。
【００３０】
絶縁体材料及びコンタクト材料は、第２の電気コンタクト層の表面上において、従来技術と比べて、即ち、横方向に関して比較的不正確に、段差溝内に配設することができるとともに、溝の両側の側縁部を越えて、その上に至るまで配設することもできる。絶縁体又はコンタクト材料が溝を完全に充填する必要はない。従来技術で周知の通り、溝の一部の領域にのみ絶縁体材料及びコンタクト材料を配設する必要もない。むしろ、第１の電気コンタクト層の露出した表面と、場合によっては、溝の底面の露出した基板表面と、層システムの溝の両側の側縁部の露出した表面とが覆われることを保証すればよい。それによって、素子の電気的な短絡が防止される。
【００３１】
段差溝は、この方法に応じて、例えば、１０〜１００μｍ、有利には、５０〜１００μｍの横方向の寸法を有することができる。絶縁体ストリップ、絶縁体点又は絶縁体領域は、例えば、数ミリメートルまでの、より大きな横方向の寸法又は直径を有することができる。同じことが、コンタクト材料にも当てはまる。
【００３２】
絶縁体は、ストリップとして、５ｍｍまでの横方向の寸法を有することができる。同じことが、第１の電気コンタクト層の露出後に直列接続のために層構造の上に配設されるコンタクト材料にも当てはまる。
【００３３】
絶縁体材料及びコンタクト材料は、段差溝内において、場合によっては、第２の電気コンタクト層の上に、例えば、段差溝自体よりも１〜１００倍広い形で配設することができる。
【００３４】
有利には、全ての層、即ち、基板／スーパーストレート、第１の電気コンタクト層、光活性半導体層及び第２の電気コンタクト層を構造化せずに、全ての層を順番に析出させることによって、本方法の明らかな迅速化が実現される。更なる迅速化は、構造化後に、段差溝の横方向の寸法よりも大きい横方向の寸法で絶縁体及びコンタクト材料を成膜し、それに続いて、第１の電気コンタクト層の表面を露出させるために局所的に除去することによって実現される。このようにして、従来技術よりも大幅に速い直列接続を実現することができる。
【００３５】
この方法は、特に、点状の領域に絶縁体又はコンタクト材料を成膜することにより、電流を発生させる面積が大きい太陽電池を製造することができる。
【００３６】
絶縁体領域が構造化され、コンタクト材料が充填された新しい太陽電池が得られる。
【００３７】
絶縁体及びコンタクト材料で段差溝を充填するために、特に有利には、インクジェット印刷法を使用する。インクジェット印刷機は、導電性の銀インクの印刷にも、絶縁性の印刷インクの印刷にも使用することができる。この印刷機は、コンピュータ制御して、本方法全体を更に加速することができる。
【００３８】
マスク、噴霧法、フォトリソグラフィ法、好適なスクリーン印刷法、スピンコーティングなどによって、絶縁体材料及び／又は直列接続のためのコンタクト材料を成膜することもできる。
【００３９】
使用するレーザー及びその波長に応じて、光活性半導体層の半導体材料と第１及び／又は第２の電気コンタクト層、或いは絶縁体材料又はコンタクト材料を除去することができる材料選択性のレーザーアブレーションを使用する。２つ以上のレーザーを備えたレーザーヘッドを使用することができる。本発明の意味する所のレーザーアブレーションは、有利には、コンピュータ制御により進められる。
【００４０】
絶縁体は、第１の段差溝内及び第２の電気コンタクト層の表面上において、光起電力素子の全長に渡って全面又はストリップ形状に、或いは単に領域の形で、例えば、点状に配設される。
【００４１】
段差溝内における絶縁体のストリップ形状の配設は、有利には、迅速に実行でき、段差溝内における絶縁体の点状の配設は、エネルギーの変換及び発生のためのエネルギー獲得に利用可能な面積を拡大するのに特に有利に作用する。絶縁体の全面的な配設と第２の電気コンタクト層の表面上の配設は、特に不正確に、そのため、非常に迅速に進められる。絶縁体の厚さは、数ナノメートルから数マイクロメートルとすることができる。
【００４２】
コンタクト材料も、例えば、光起電力素子の全長に渡ってストリップ形状に、或いは領域の形で、即ち、点状又は指形状に、光起電力素子の第２の電気コンタクト層の表面から、それに隣接する光起電力素子の第１の電気コンタクト層の露出した表面に至るまで配設することができる。コンタクト材料は、全面に配設して、層構造の表面を覆うこともできる。
【００４３】
コンタクト材料としては、クロムと、有利には、銀及びアルミニウムを使用することができる。
【００４４】
絶縁体の点状の配設及びその構造化、並びに絶縁体内のコンタクト材料の配設は、光起電力素子の長さに渡って、有利には、ミシン目状に行われる。
【００４５】
本発明に基づき、短絡を起こさずに、絶縁体を構造化し、コンタクト材料を配設又は構造化できる多数の組合せを考えることが可能である。その概要を表１に示す。
【００４６】
絶縁体が、段差溝内の層の上に、並びに第２の電気コンタクト層の表面の上にも全面に渡って配設されている場合、段差溝内の第１の電気コンタクト層の表面と、場合によっては、段差溝内及び段差溝に隣接する基板の表面、並びに第２の電気コンタクト層の表面とは、絶縁体を局所的に除去することによって再び露出される。それは、絶縁体において、第２の電気コンタクト層の表面上の段差溝の領域と段差溝に隣接した領域にミシン目形状の領域の窪みを生じさせる。第１の段差溝の領域内の窪みは、その後に残っている絶縁体材料が短絡を防止するように構成される。即ち、段差溝内で半導体材料及び第２の電気コンタクト層の材料が露出しないように構成される。次に、又もや全面に渡って、この層構造上にコンタクト材料を析出させて、段差溝内に被覆層として挿入又は成膜することができる。この工程も不正確に行われ、層構造の表面全体にコンタクト材料を配設するので、この工程も非常に迅速に進められる。次に、最後に、構造化工程において、好適な位置で第２の電気コンタクト層の表面を露出させて、短絡が起こらないように、直列接続を形成する。有利には、このようにして、光起電力素子の直列接続が形成されるように、第２の電気コンタクト層上のコンタクト材料を除去する。
【００４７】
第２の電気コンタクト層に関して、第１の電気コンタクト層よりも導電率が低い材料を選択することによって、有利には、コンタクト層の領域内で吸収される光が少なくなるという効果が得られる。
【００４８】
絶縁体として、所謂「白色反射体」、例えば、Ｍａｒａｂｕ社の白色塗料３０７０を選択することができる。これにより、特に有利には、太陽電池に戻る光の反射及び散乱が増加するという効果が得られる。
【００４９】
上記の領域は、有利には、点状であり、有利には、光起電力素子の全長に渡ってミシン目状に延びる。
【００５０】
平行に配設された多数の光起電力素子の間に絶縁体材料が配設されたソーラーモジュールが製造された。絶縁体材料は構造化されている。絶縁体材料内には、光起電力素子Ａの第２の電気コンタクト層を隣接する素子Ｂの第１の電気コンタクト層と接続するコンタクト材料が配設されている。このようにして、全ての光起電力素子は、互いに直列接続される。光起電力素子の第２の電気コンタクト層を隣接する素子の第１の電気コンタクト層と接続するコンタクト材料は、光起電力素子の全長に渡ってストリップ形状に配置されるか、或いは点状の領域に配設される。光起電力素子の第２の電気コンタクト層を隣接する素子の第１の電気コンタクト層と接続するコンタクト材料は、第２の電気コンタクト層の上に全面に渡って配設することもできる。その場合、コンタクト材料は、段差溝の近くに、短絡が起こらないように光起電力素子が直列接続されることを保証する構造を有する。
【００５１】
本発明の意味する所の直列接続のための絶縁体材料及び／又はコンタクト材料の配設は、有利には、コンピュータ制御されて進められる。
【００５２】
以下において、５つの実施例と図１〜５の添付図面に基づいて、本発明を詳しく説明するが、それによって、本発明が限定されることはない。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】有利なストリップ形状の光起電力素子を形成し、直列接続してソーラーモジュールとする図である。絶縁体６，２６，３６は、第１の段差溝内及び第２の電気コンタクト層の表面上において、光起電力素子の全長に渡ってストリップとして配設されいる。同じことがコンタクト材料にも当てはまる。
【図２】有利なストリップ形状の光起電力素子を形成し、直列接続してソーラーモジュールとする図である。絶縁体６，２６，３６は、第１の段差溝内及び第２の電気コンタクト層の表面上において、光起電力素子の全長に渡ってストリップとして配設されいる。同じことがコンタクト材料にも当てはまる。
【図３】有利なストリップ形状の光起電力素子を形成し、直列接続してソーラーモジュールとする図である。絶縁体６，２６，３６は、第１の段差溝内及び第２の電気コンタクト層の表面上において、光起電力素子の全長に渡ってストリップとして配設されいる。同じことがコンタクト材料にも当てはまる。
【図４】有利なストリップ形状の光起電力素子を形成し、直列接続してソーラーモジュールとする図である。ここでは、絶縁体４６は、第１の段差溝内及び第２の電気コンタクト層の表面上において、有利には、点状に配設されている。同じことがコンタクト材料にも当てはまる。
【図５】有利なストリップ形状の光起電力素子を形成し、直列接続してソーラーモジュールとする図である。ここでは、絶縁体５６は、第１の段差溝内に全面に渡って、並びに第２の電気コンタクト層の表面上に全面に渡って配設されている。同じことがコンタクト材料にも当てはまる。
【発明を実施するための形態】
【００５４】
図１ａ）〜図５ａ）は、それぞれ図面の右に、ソーラーモジュール内の複数のストリップ形状の光起電力素子を平面図で図示している。部分拡大図は、互いに平行に配設された３つの光起電力素子Ａ〜Ｃをそれぞれ図示している。２本の線は、素子間の段差溝を表す。図１〜図５の符号Ｐ１〜Ｐ４は、段差溝毎の構造化の大凡の位置と数を示す。ストリップ形状の光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ云々は、第１と第２の電気コンタクト層と、それらの間に配設された半導体層と、場合によっては、更に別の層とから形成される。
【００５５】
図１ｂ）〜図５ｂ）は、それぞれ本方法の出発点を図示している。厚さ約１．１ミリメートルの基板としてのスーパーストレート４，２４，３４，４４，５４上には、ＴＣＯ（透明導電性酸化物）の第１の電気コンタクト層１，２１，３１，４１，５１が全面に渡って配設されている。第１の電気コンタクト層の厚さは約６００ナノメートルである。
【００５６】
第１の電気コンタクト層１，２１，３１，４１，５１の表面上には、光活性半導体層２，２２，３２，４２，５２が、ｐ−ｉ−ｎ又はｐ−ｉ−ｎ−ｐ−ｉ−ｎ構造、或いはそれと同等の構造として配設されている。この半導体層は、少なくとも１つのｐ型ドープ層と、少なくとも１つの非ドープ層と、少なくとも１つのｎ型ドープ層とを有する。
【００５７】
光活性半導体層２，２２，３２，４２，５２の第１の電気コンタクト層１，２１，３１，４１，５１と反対側には、第２の電気コンタクト層３，２３，３３，４３，５３が裏面コンタクトとして配設されており、ここでは、厚さ約２８０ナノメートルの一つの金属層又は多層の半導体と金属の層システムである。
【００５８】
基板４，２４，３４，４４，５４としては、底面積が１００ｃｍ2 のガラスを選択している。第１の析出プロセスで、その基板上に、ＺｎＯから成る第１の電気コンタクト層１，２１，３１，４１，５１を析出させる。有利には、シリコンから成る光活性層２，２２，３２，４２，５２としては、少なくとも１つのｐ−ｉ−ｎ構造、有利には、ｐ−ｉ−ｎ−ｐ−ｉ−ｎ構造又はそれと同等の構造が、第１の電気コンタクト層１，２１，３１，４１，５１上に析出され、ホウ素及びリンの好適なドーピンングによってドープされる。光活性半導体層の上には、ＰＶＤ法によって、ＺｎＯ及び銀から成る第２の電気コンタクト層３，２３，３３，３４，３５を析出させる。図１ｂ）〜図５ｂ）の出発点を形成する温度及びその他のプロセスパラメータは、従来技術から知ることができる。これらの層を析出させるために、ＰＥＣＶＤ法（プラズマ促進化学蒸着法）又はそれ以外の方法を選択することができる。
【００５９】
（第１の実施例）
厚さ１．１ｍｍ、大きさ１０×１０ｃｍ2 のガラス基板上に製造された微結晶太陽電池は、この実施例の基礎としての役割を果たす。図１の光活性半導体層２としての微結晶ｐ−ｉ−ｎ積層体の厚さは、全体として約１３００ナノメートルである。
【００６０】
この微結晶積層体は、厚さ約８００ナノメートルの湿式化学的に組織化された酸化亜鉛から成る第１の電気コンタクト層１の上に配設される。厚さ８０ｎｍの酸化亜鉛と厚さ２００ｎｍの銀層との組合せから成る層システムが、第２の電気コンタクト３としての役割を果たす。ここで、シリコン積層体上の第２の電気コンタクト層の側には、先ずは酸化亜鉛層が位置し、その次に銀層が有る。
【００６１】
第１の構造化プロセスＰ１（図１ｃ））において、レーザーアブレーションによって、第２の電気コンタクト層３と光活性半導体層２、並びに第１の電気コンタクト層１から材料を除去し、その結果、基板４の表面が、光起電力素子の長さに渡って溝内に露出するようにする。この構造化プロセスＰ１は、全ての光起電力素子に対して順番に行われる。そのような目的のために、基板の表面に渡って相対的に動くように、レーザーを動かす。
【００６２】
層１，２及び３から材料を切除するためのレーザーとしては、Ｒｏｆｉｎ社製の型式ＲＳＹ  ２０Ｅ  ＴＨＧのＮｄ：ＹＶＯ4 レーザーを使用する。このレーザーの波長は３５５ｎｍである。この波長は、層１〜３の材料を切除するのに特有のものである。パルス繰返し速度１５ｋＨｚで平均出力３９０ｍＷを選択する。レーザー光線と基板間の相対運動速度は５８０ｍｍ／ｓである。個々のパルスのパルス持続時間は約１３ｎｓである。焦点距離が約１００ｍｍの集束ユニットによって、レーザー光線を基板の積層側に集束させる。ここでは、基板側から、透明な基板を通して、剥離すべき層に光線を通す。この場合、集束した光線は、ほぼガウス形状の強度分布を有し、パルス毎に直径約５３μｍの円形の剥離部分が得られる。
【００６３】
このようにして、光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ云々を分離するための多数の溝が、基板４上に平行に並んで配設される（図１ａ）とその右の図面のモジュールの垂直に延びる線を参照）。構造化プロセスＰ１後には、直に隣接する２つの光起電力素子Ａ、Ｂ又はＢ、Ｃの間にそれぞれ１つの溝が得られる。構造化プロセスＰ１は、コンピュータ支援制御によって進められる。
【００６４】
工程Ｐ１後において、溝は、それぞれ約５３マイクロメートルの横方向の拡がりを有する。ここで、構造化プロセスＰ１は、形成すべき光起電力素子の数と同じ回数、例えば、８回〜１２回繰り返される。
【００６５】
段差溝５を形成するために、図１ｄ）の破線に沿って第２の構造化プロセスＰ２を行う。ここでは、第２の電気コンタクト層３及びその下に配設された光活性半導体層２の部分が、第１の電気コンタクト層１の表面に至るまで切除される。ここで、第１の構造化溝Ｐ１の縁部まで材料を切除することができる。
【００６６】
レーザーとしては、Ｒｏｆｉｎ社製の型式ＲＳＹ  ２０Ｅ  ＳＨＧのＮｄ：ＹＶＯ4 レーザーを使用する。レーザーの波長は５３２ｎｍである。この波長は、２つの層２，３の材料を切除するのに特有のものである。パルス繰返し速度１１ｋＨｚで平均出力４１０ｍＷを選択する。レーザー光線と基板間の相対運動速度は８００ｍｍ／ｓである。個々のパルスのパルス持続時間は約１３ｎｓである。焦点距離が３００ｍｍの集束ユニットによって、レーザー光線を基板の積層側に集束させる。ここでは、基板側から、透明な基板を通して、剥離すべき層に光線を通す。この場合、集束した光線は、ほぼガウス形状の強度分布を有し、パルス毎に直径約７０μｍの円形の切除部分が得られる。幅が約１２０μｍのストリップ形状の溝を形成するためには、２つの光起電力素子を分離できるように、それぞれ２回のアブレーションを互いに僅かに重ね合わせて行う。
【００６７】
第２の構造化プロセスＰ２後には、光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃは、基板４に至るまで互いに分離されている。その結果、平行に配設されたストリップ形状の光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ云々が、基板４上に段差溝５によって互いに電気絶縁され、かつ空間的に離隔されて配設された形で得られる。このようにして、光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ云々を分離するための多数の第１の段差溝５を形成する。段差溝５の全幅は約１８０μｍである。
【００６８】
第１の段差溝５では、第１の電気コンタクト層１ｂの表面と基板４の表面が直に隣接しており、その結果、図１ｄ）の工程では、図示されている段差形状の段状部が形成される。構造化Ｐ１及びＰ２は光起電力素子の長さに渡って進められるので、各段差溝５は、ソーラーモジュールの全長に沿ってストリップ形状の光起電力素子Ａ及びＢ云々（図１ｂ）〜ｇ）参照）を互いに分割する（図１ａ）参照）。そこでは、基板４の上の右側でのみ第１のコンタクト層１の表面１ｂが露出しているので、図示されている段差溝５は片側に有る。構造化Ｐ１に対応して、互いに平行に配設された多数のストリップ形状の光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ云々のための層１，２，３が個々の段差溝５によって互いに分離されるまで、構造化プロセスＰ２を繰り返す。
【００６９】
次に、段差溝５内におけるワニスから成る絶縁体６の成膜が、段差溝５の両側の側縁部を越えるまで行われる。即ち、絶縁体が、横方向に段差溝の側縁部を越えて第２の電気コンタクト層３の表面３ａ，３ｂ上に至るまで、従って、電気コンタクト層３の上にも配設される。ここでは、絶縁体６として、Ｍｏｔｉｐ  Ｄｕｐｌｉ  ＧｍｂＨ社の色相ＲＡＬ９００５の塗料Ｄｕｐｌｉ−Ｃｏｌｏｒ  Ａｅｒｏｓｏｌ  Ａｒｔを使用する。絶縁体の成膜は、噴霧法によって行うことができる。絶縁体の厚さは約８μｍである。絶縁体の配設に必要な幾何形状を有する金属マスクを通して絶縁体を成膜する。ここでは、金属マスクは、幅が約４ｍｍのストリップ形状の開口を有する。それらの開口は、基板上の段差溝５の相互間隔に対応した規則的な繰り返し間隔で設けられる。マスクの開口の長さは、両側で段差溝５の長さよりも約５ｍｍ大きい。マスクの使用により、図１ｅ）に対応するストリップ形状の絶縁体の幾何形状が得られる。ここでは、マスクの位置合わせにより、片側、この場合、第２の電気コンタクト層３の表面３ａの側は、それと対向する表面３ｂの側よりも横方向の拡がりが小さくなるように、非導電性材料である絶縁体ストリップ６で覆うことができる。図面左の表面３ａは、横方向の拡がりが約１３００μｍの絶縁体で覆われている。それに対して、（図面右の）絶縁体の表面３ｂの横方向の拡がりは約２５００μｍである。
【００７０】
絶縁体６の成膜及びマスクの選択は、全ての段差溝５が充填され、そのようにしてモジュール内で第２の電気コンタクト層３の表面３ａ及び３ｂがストリップ形状に絶縁体６で覆われるように行われる（図１ａの右の図面）。
【００７１】
段差溝毎に構造化プロセスＰ３を行う。ここで、光起電力素子の長さに渡って溝５内に溝７が形成されるように、絶縁体６を除去する。段差溝５の右外縁部と左縁部の間に位置するように溝７を形成する。即ち、段差溝の側縁部が絶縁されたままとなるように溝７を形成する。これにより、その後の電気的短絡が回避される。更に、段差溝５内で第１の電気コンタクト層１ｃが露出するように、構造化プロセスＰ３を位置決めする。この除去は、Ｒｏｆｉｎ社の型式ＲＳＹ  ２０Ｅ  ＳＨＧのＮｄ：ＹＶＯ4 レーザーを選択して、選択的レーザーアブレーションによって行う。レーザーの出力は、パルス周波数１７ｋＨｚで８６０ｍＷであり、波長は５３２ｎｍである。レーザー光線と基板間の相対運動速度は８００ｍｍ／ｓである。個々のパルスのパルス持続時間は約１３ｎｓである。焦点距離が３００ｍｍの集束ユニットによって、レーザー光線を基板の積層側に集束させる。ここでは、基板側から、透明な基板を通して、剥離すべき層に光線を通す。この場合、集束した光線は、ほぼガウス形状の強度分布を有し、パルス毎に直径約１００μｍの円形の切除部分が得られる。レーザーは、事前に充填されている第１の段差溝５内に第２の段差溝７を形成する（図１ｆ））。これにより、第１の電気コンタクト層１ｃの表面と基板４の表面が、再び直に隣接して段状部又は段差として露出する。この構造化プロセスＰ３も光起電力素子の長さに渡って行われるので、第１の段差溝５に対してずらして配設された第２の段差溝７が得られる。即ち、セルＡ、Ｂ云々の電気絶縁用の絶縁体材料の左側ウェブ６ａ及び右側ウェブ６ｂが残るようにする。構造化プロセスＰ３後に残っている垂直に延びた絶縁体の縁部ウェブ６ａ及び６ｂは、その後の２つの光起電力素子ＡとＢの短絡を防止する。
【００７２】
構造化プロセスＰ３は、構造化プロセスＰ１及びＰ２と同じ回数だけ、層１，２，３が、段差溝７によって分離され、かつ絶縁体の縁部ウェブ６ａ及び６ｂによって分離されて、互いに平行に配設された多数のストリップ形状の光起電力素子となるまで繰り返される。
【００７３】
最終工程で、各第２の段差溝７は、光起電力素子の長さに渡ってストリップ形状にコンタクト材料８を充填される。ここで、第２の段差溝７内で露出していた光起電力素子Ｂの第１の電気コンタクト層の表面１ｃは、隣接する光起電力素子Ａの第２の電気コンタクト層３ａの表面とだけ電気的に接触するが（図１ｇ））、それ自体の表面３ｂとは短絡されない。
【００７４】
このようにして、素子Ａの第２の電気コンタクト層３ａの表面と、素子Ｂの第１の電気コンタクト層１ｃの表面との間の電気的接触、従って、２つの光起電力素子ＡとＢの直列接続が完成する。
【００７５】
コンタクト材料として、例えば、厚さ約２００ｎｍの銀を選択する。第２の段差溝７の充填も同様にマスク法によって行う。ここで、絶縁体の成膜用のマスクと同様又は同一の形状のマスクを使用する。マスクを通した熱蒸着プロセスによって、銀を構造化して、基板上に成膜する。ここでは、第２の段差溝７にコンタクト材料８をストリップ状に充填し、それにより、光起電力素子Ａの第２の電気コンタクト層３ａの表面のみが、段差溝７内で露出していた素子Ｂの第１の電気コンタクト層１ｃの表面と接続され、隣接する光起電力素子Ｂの第２の電気コンタクト層３ｂの表面とは接続されない。これは、絶縁体を成膜する際のマスクの位置と比べて約２ｍｍだけ僅かにマスクの位置をずらすことによって実現される。
【００７６】
全てのストリップ（図１ａ）参照）に沿ったコンタクト材料８での第２の段差溝７の充填及びマスクの選択は、このようにしてモジュール内の全ての隣接する光起電力素子が互いに直列接続されるように行われる。
【００７７】
（第２の実施例）
厚さ１．１ｍｍ、大きさ１０×１０ｃｍ2 のガラス基板上に製造された太陽電池が、この第二の実施例の基礎としての役割を果たす。ここでは、図２の光活性半導体層としての微結晶ｐ−ｉ−ｎ積層体２２の厚さは、全体として約１３００ｎｍである。ここで、そのような微結晶積層体が、厚さ約８００ナノメートルの湿式化学的に組織化された酸化亜鉛から成る第１の電気コンタクト層２１上に配設される。
【００７８】
厚さ８０ｎｍの酸化亜鉛と厚さ２００ｎｍの銀層との組合せから成る層システムが、第２の電気コンタクト層２３としての役割を果たす。ここで、シリコン積層体２２上の第２の電気コンタクト層の側には、先ずは酸化亜鉛層が位置し、その次に銀層が有る。
【００７９】
第１の構造化プロセスＰ１（図２ｃ））では、レーザーアブレーション（図２ａ）及び図２ｃ）参照）によって、第２の電気コンタクト層２３及び光活性半導体層２２から材料を除去し、それにより、溝内で光起電力素子の長さに渡って第１の電気コンタクト層２１の表面を露出させる。この構造化プロセスＰ１は、全ての光起電力素子に対して順番に行われる。そのような目的のために、基板の表面に渡って相対的に動くように、レーザーを動かす。
【００８０】
層２２及び２３から材料を切除するためのレーザーとして、Ｒｏｆｉｎ社の型式ＲＳＹ  ２０Ｅ  ＳＨＧのＮｄ：ＹＶＯ4 レーザーを使用する。レーザーの波長は５３２ｎｍである。この波長は、２つの層２２，２３の材料を切除するのに特有のものである。パルス繰返し速度１１ｋＨｚで平均出力４１０ｍＷを選択する。レーザー光線と基板間の相対運動速度は８００ｍｍ／ｓである。個々のパルスのパルス持続時間は約１３ｎｓである。焦点距離が約３００ｍｍの集束ユニットによって、レーザー光線を基板の積層側に集束させる。ここでは、基板側から、透明な基板を通して、剥離すべき層に光線を通す。この場合、集束した光線は、ほぼガウス形状の強度分布を有し、パルス毎に直径約７０μｍの円形の切除部分が得られる。幅が約２００μｍの溝を形成するためには、２つの光起電力素子を分離するように、それぞれ３回のストリップ形状のアブレーションを互いに僅かに重ねて行う。
【００８１】
そのようにして、光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ云々のための多数の溝が、光起電力素子の長さに渡って、第１の電気コンタクト層２１上に平行に並んで配設され形で得られる（図２ｃ）及び図２ａ）の右の図面のモジュール内の垂直に配設された線を参照）。構造化プロセスＰ１後には、直に隣接する２つの光起電力素子Ａ、Ｂ又はＢ、Ｃ云々の間に、それぞれ１つの溝が得られる。構造化プロセスＰ１は、コンピュータ支援制御によって進められる。
【００８２】
工程Ｐ１後の溝は、それぞれ約２００マイクロメートルの横方向の拡がりを有する。ここで、形成すべき光起電力素子の数と同じ回数だけ構造化プロセスＰ１を繰り返す。全部で、例えば、８〜１２本の溝を形成することができる。
【００８３】
破線に沿った第２の構造化プロセスＰ２により、第１の電気コンタクト層２１を基板２４の表面に至るまで切除して、段差溝２５を形成する（図２ｄ））。ここでは、第１の電気コンタクト層の分断部分の中心と段差溝２５の最も外側の左縁部の間の距離は、約６０μｍである。
【００８４】
レーザーとして、Ｒｏｆｉｎ社の型式ＲＳＹ  ２０Ｅ  ＴＨＧの波長３５５ｎｍのＮｄ：ＹＶＯ4 レーザーを選択する。この波長は、層２１の材料を切除するのに特有のものである。パルス繰返し速度１５ｋＨｚで平均出力３００ｍＷを選択する。レーザー光線と基板間の相対運動速度は２５０ｍｍ／ｓである。個々のパルスのパルス持続時間は約１３ｎｓである。焦点距離が約１００ｍｍの集束ユニットによって、レーザー光線を基板の積層側に集束させる。ここでは、基板側から、透明な基板を通して、剥離すべき層に光線を通す。この場合、集束した光線は、ほぼガウス形状の強度分布を有し、パルス毎に直径約３５μｍの円形の切除部分が得られる。第２の構造化プロセスＰ２の後には、光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ云々は、基板２４に至るまで互いに分離されている。その結果、平行に配設されたストリップ形状の光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ云々が、基板２４上において、溝２５によって互いに電気絶縁された形で得られる。このようにして、光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ云々を分離するための多数の第１の段差溝２５を形成する。
【００８５】
第１の段差溝２５では、第１の電気コンタクト層２１ａ，２１ｂの表面と基板２４の表面が、光起電力素子の長さに渡って直に隣接しており、その結果、段差形状の段状部が形成される。構造化プロセスＰ２は、層構造の表面全体に沿った構造化なので、両側の段差溝２５が、図面に図示されている２つの光起電力素子ＡとＢをソーラーモジュールの縦軸の全長に沿って互いに分割する（図２ａ）の右の図面参照）。
【００８６】
段差溝２５内において、基板２４の上の第１のコンタクト層の表面２１ａ，２１ｂの両側が露出しているので、そのように形成された段差溝２５は両側に段差を有する。
【００８７】
構造化プロセスＰ１に対応して、互いに平行に配設された多数のストリップ形状の光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ云々のための層２１，２２，２３が個々の段差溝２５によって互いに分離されるまで、構造化プロセスＰ２を繰り返す。
【００８８】
次に、段差溝２５内におけるワニスから成る絶縁体２６の成膜が、段差溝２５の両側の縁部を越えるまで行われる。即ち、絶縁体が、横方向に段差溝の両方の側縁部を越えて、その上の第２の電気コンタクト層２３の表面２３ａ，２３ｂ上にまで配設されるように行われる。ここでは、絶縁体２６として、Ｍｏｔｉｐ  Ｄｕｐｌｉ  ＧｍｂＨ社の色相ＲＡＬ９００５の塗料Ｄｕｐｌｉ−Ｃｏｌｏｒ  Ａｅｒｏｓｏｌ  Ａｒｔを使用する。絶縁体の成膜は噴霧法によって行うことができる。絶縁体の厚さは約８μｍである。絶縁体の構造化に必要な幾何形状を有する金属マスクを通して絶縁体を成膜する。ここでは、金属マスクは、幅が約４ｍｍのストリップ形状の開口を有する。これらの開口は、基板上の段差溝２５に対応した規則的な繰り返し間隔で設けられている。マスクの開口の長さは、両側で段差溝２５の長さよりも約５ｍｍ大きい。マスクの使用により、図２ｅ）に対応する絶縁体の幾何形状を得ることができる。ここでは、マスクの位置合わせにより、片側、この場合、第２の電気コンタクト層２３の表面２３ａの側は、それと対向する表面２３ｂの側よりも横方向の拡がりが小さくなるように、非導電性材料である絶縁体ストリップ２６で覆うことができる。図面左の表面２３ａは、１３００μｍの横方向の拡がりで、絶縁体で覆われる。それに対して、表面２３ｂ上で絶縁体が重なり合った部分の横方向の拡がり（図面右）は約２５００μｍである。
【００８９】
絶縁体の成膜及びマスクの選択は、そのようにして全ての段差溝２５と第２の電気コンタクト層の表面２３ａ及び２３ｂがモジュール内でストリップ形状に絶縁体２６で覆われるように行われる（図２ａ）の右の図面）。
【００９０】
段差溝毎に更なる構造化プロセスＰ３を行う。ここで、溝２５内において、光起電力素子の長さに渡って絶縁体２６をストリップとして選択的に除去する。構造化Ｐ３により、段差溝２５の右外縁部と左外縁部の間に位置するように、溝２７をそれぞれ形成し、配置する。段差溝２７の側縁部は、絶縁体２６ａと２６ｂによって覆われている。それにより、その後の電気的短絡が回避される。この除去は、Ｒｏｆｉｎ社の型式ＲＳＹ  ２０Ｅ  ＳＨＧのＮｄ：ＹＶＯ4 レーザーを選択して、選択的レーザーアブレーションによって行われる。ここでは、レーザーの出力は、パルス周波数１７ｋＨｚで８６０ｍＷであり、波長は５３２ｎｍである。レーザー光線と基板間の相対運動速度は８００ｍｍ／ｓである。個々のパルスのパルス持続時間は約１３ｎｓである。焦点距離が約３００ｍｍの集束ユニットによって、レーザー光線を基板の積層側に集束させる。ここでは、基板側から、透明な基板を通して、剥離すべき層に光線を通す。この場合、集束した光線は、ほぼガウス形状の強度分布を有し、パルス毎に直径約１００μｍの円形の切除部分が得られる。レーザーは、事前に充填されている第１の段差溝２５内に第２の段差溝２７を形成する（図２ｆ））。これにより、第１の電気コンタクト層２１ｃの表面と基板２４の表面が、再び直に隣接して段状部又は段差として露出する。この構造化プロセスＰ３も光起電力素子の長さに渡って行われるので、第１の段差溝２５に対してずらして配設された第２の段差溝２７が得られる。即ち、セルＡ，Ｂの電気絶縁用の絶縁体材料の左側ウェブ２６ａが残るようにする。構造化プロセスＰ３後に残っている垂直に延びた絶縁体の縁部ウェブ２６ａ及び２６ｂは、その後の２つの光起電力素子ＡとＢの短絡を防止する。
【００９１】
構造化Ｐ３は、層２１，２２，２３が段差溝２７によって分離され、かつ絶縁体の縁部ウェブ２６ａ及び２６ｂによって分離されて、互いに平行に配設された多数のストリップ形状の光起電力素子となるまで、構造化Ｐ１及びＰ２と同じ回数だけ繰り返される。
【００９２】
最終工程で、各段差溝２７は、光起電力素子の長さに渡ってストリップ形状にコンタクト材料２８を充填される。この充填は、第２の段差溝２７内で露出していた光起電力素子Ｂの第１の電気コンタクト層の表面２１ｃが、隣接する光起電力素子Ａの第２の電気コンタクト層２３ａの表面とだけ電気的に接触するように行われる（図２ｇ））。このようにして、第２の電気コンタクト層２３ａの表面と第１の電気コンタクト層２１ｃの表面の電気的接触が、従って、２つの光起電力素子ＡとＢの直列接続が完成する。
【００９３】
コンタクト材料の材料として、例えば、厚さ約２００ｎｍの銀を使用する。第２の段差溝２７の充填も同様にマスク法によって行われる。ここで、絶縁体の成膜用のマスクと同様のマスクを使用する。マスクを通した熱蒸着プロセスによって、銀を構造化して、基板上に成膜する。ここでは、光起電力素子Ａの第２の電気コンタクト層２３ａの表面のみが、段差溝２７内で露出していた第１の電気コンタクト層２１ｂの表面と接続され、光起電力素子Ｂの第２の電気コンタクト層２３ｂの表面とは接続されないように、第２の段差溝２７をコンタクト材料２８で充填するか、或いは被覆する。これは、絶縁体を成膜する際のマスクの位置と比べて約２ｍｍだけ僅かにマスクの位置をずらすことによって実現される。
【００９４】
光起電力素子の長さに渡る全てのストリップに沿ったコンタクト材料２８による段差溝２７の充填及びマスクの選択は、このようにしてモジュール内の全ての光起電力素子が互いに直列接続されるように行われる（図２ａ）参照）。
【００９５】
（第３の実施例）
厚さ１．１ｍｍ、大きさ１０×１０ｃｍ2 のガラス基板上に製造された微結晶太陽電池が、この実施例の基礎としての役割を果たす。ここでは、微結晶ｐ−ｉ−ｎ積層体３２（図３の光活性半導体層）の厚さは、全体として約１３００ナノメートルである。この場合、微結晶積層体が、厚さ約８００ｎｍの湿式化学的に組織化された酸化亜鉛から成る第１の電気コンタクト層３１上に有る。厚さ８０ｎｍの酸化亜鉛と厚さ２００ｎｍの銀層との組合せから成る層システムが、第２の電気コンタクト層３３としての役割を果たす。ここで、シリコン積層体上の第２の電気コンタクト層の側には、先ずは酸化亜鉛層が位置し、次に銀層が有る。
【００９６】
第１の構造化プロセスＰ１（図３ｃ）、３ｄ））において、１回のレーザーアブレーションによって、第２の電気コンタクト層３３と同時に光活性半導体層３２及び第１の電気コンタクト層３１から材料を除去し、その結果、第１の電気コンタクト層３１の表面が、光起電力素子の長さに渡ってストリップ形状に露出する。全ての光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ云々について、この構造化プロセスＰ１を順番に行う。この目的のために、波長及び集束幾何形状が異なる２つのレーザー光線が、基板の表面に渡って相対的に動くように、同時に動かされる。層３２と３３、並びに層３１、３２及び３３の材料が同時に除去されるように、間隔及び出力を調整する。
【００９７】
層３２及び３３から材料を切除するためのレーザーとして、Ｒｏｆｉｎ社の型式ＲＳＹ  ２０Ｅ  ＳＨＧのＮｄ：ＹＶＯ4 レーザーを使用する。レーザーの波長は５３２ｎｍである。この波長は、２つの層３２，３３の材料を切除するのに特有のものである。パルス繰返し速度４ｋＨｚで平均出力１２００ｍＷを選択する。レーザー光線と基板間の相対運動速度は８００ｍｍ／ｓである。個々のパルスのパルス持続時間は約１３ｎｓである。焦点距離が約３００ｍｍの集束ユニットによって、レーザー光線を基板の積層側に集束させる。ここでは、基板側から、透明な基板を通して、剥離すべき層に光線を通す。この場合、集束した光線は、ほぼガウス形状の強度分布を有し、パルス毎に直径約２００μｍの円形の切除部分が得られる。円形の切除部分の直径は、拡大光学系によって設定し、レーザー光線の集束前に調整した。材料３１を切除するためのレーザーとして、波長３５５ｎｍのＲｏｆｉｎ社の型式ＲＳＹ  ２０Ｅ  ＴＨＧのＮｄ：ＹＶＯ4 レーザーを選択する。この波長は、層３１の材料を切除するのに特有のものである。パルス繰返し速度２０ｋＨｚで平均出力５５０ｍＷを選択する。レーザー光線と基板間の相対運動速度は、原理上同じく８００ｍｍ／ｓである。個々のパルスのパルス持続時間は約１３ｎｓである。波長５３２ｎｍのレーザー光線を集束させるためにも使用される集束ユニットによって、レーザー光線を基板の積層側に集束させる。ここでは、基板側から、透明な基板を通して、剥離すべき層に光線を通す。この場合、集束した光線は、ほぼガウス形状の強度分布を有し、パルス毎に直径約５５μｍの円形の切除部分が得られる。
【００９８】
このようにして、光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ云々に関する多数のストリップ形状の段差溝３５が、第１の電気コンタクト層３１上に平行に並んで配設された形で得られる（図３ａ）とその右の図面のモジュール内の垂直な線を参照）。構造化プロセスＰ１の後には、直に隣接する２つの光起電力素子Ａ，Ｂ又はＢ，Ｃ云々の間に、それぞれ１つの溝が有る。構造化プロセスＰ１は、コンピュータ支援制御によって進められる。ここで、形成すべき光起電力素子の数と同じ回数だけ構造化プロセスＰ１を繰り返す。
【００９９】
有利には、図１及び図２に図示されている通りの時間的に直後に行われる第２の構造化Ｐ２が省かれている。構造化プロセスＰ１において、段差溝３５を形成する第１の電気コンタクト層３１は、１回の工程で、破線に沿って基板３４の表面及び第１の電気コンタクト層の表面に至るまで切除されている（図３ｃ）及び図３ｄ））。
【０１００】
第１の段差溝３５では、第１の電気コンタクト層３１ａ，３１ｂの表面と基板３４の表面が、光起電力素子の長さに渡って直に隣接しており、その結果、それぞれ段差形状の段状部が形成される。この構造化も光起電力素子の長さに渡る構造化なので、両側の段差溝３５が、それぞれソーラーモジュールの縦軸の全長に沿って、隣接するストリップ形状の光起電力素子ＡとＢ（図３ｂ）〜３ｇ）参照）を互いに分割する。同じことが、残りの光起電力素子Ｃ云々にも当てはまる。
【０１０１】
段差溝３５内では、両側に、即ち、基板３４上の両側部に第１のコンタクト層の表面３１ａ，３１ｂが露出しているので、段差溝３５は両側に段差を有する。
【０１０２】
互いに平行に配設された多数のストリップ形状の光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ云々のための層３１，３２，３３が個々の段差溝３５によって互いに分離されるまで、構造化Ｐ１を複数回繰り返す。
【０１０３】
次に、段差溝３５内において、ワニスから成る絶縁体３６が、段差溝３５の両側の縁部を越えて配設される。即ち、絶縁体が、段差溝３５の側縁部を越えて横方向に第２の電気コンタクト層３３の表面３３ａ，３３ｂ上に至るまで、第２の電気コンタクト層３３の上に配設される。ここでは、絶縁体３６として、Ｍｏｔｉｐ  Ｄｕｐｌｉ  ＧｍｂＨ社の色相ＲＡＬ９００５の塗料Ｄｕｐｌｉ−Ｃｏｌｏｒ  Ａｅｒｏｓｏｌ  Ａｒｔを使用する。絶縁体は、噴霧法によって配設することができる。得られる絶縁体の厚さは約８μｍである。所要の幾何形状を有する金属マスクを通して、絶縁体を成膜する。この金属マスクは、幅が約４ミリメートルのストリップ形状の開口を有する。これらの開口は、基板上の段差溝３５の相互間隔に対応した規則的な繰り返し間隔で設けられている。マスクの開口の長さは、両側で段差溝３５の長さよりも約５ｍｍ大きい。マスクの使用により、光起電力素子の長さに渡って、図３ｅ）に対応する絶縁体の幾何形状を得ることができる。ここでは、マスクの位置合わせにより、片側、この場合、第２の電気コンタクト層３３の表面３３ａの側は、それと対向する表面３３ｂの側よりも横方向の拡がりが小さくなるように、非導電性材料である絶縁体ストリップ３６で覆うことができる。図面左の表面３３ａは、１３００μｍの横方向の拡がりで絶縁体で覆われている。それに対して、絶縁体で覆われた表面３３ｂ（図面右）の横方向の拡がりは約２５００μｍである。
【０１０４】
モジュール内において、全ての平行な段差溝３５と第２の電気コンタクト層の表面３３ａ及び３３ｂは、光起電力素子の長さに渡ってストリップ形状に絶縁体３６で覆われている（図１ａ）の右の図面）。
【０１０５】
段差溝毎に構造化Ｐ２を行う。ここで、それ以前の溝３５内において、光起電力素子の長さに渡ってストリップ形状に絶縁体３６を選択的に除去する。構造化プロセスＰ２によって、新たな溝３７が、第１の段差溝３５の右外縁部と左外縁部の間に位置するように配置される。これらの段差溝の側縁部は、絶縁体３６ａ，３６ｂによって絶縁される。これにより、その後の電気的短絡が回避される。構造化プロセスＰ２により、段差溝内で第１の電気コンタクト層３１ｃを露出させる。この除去は、Ｒｏｆｉｎ社の型式ＲＳＹ  ２０Ｅ  ＳＨＧのＮｄ：ＹＶＯ4 レーザーを選択して、選択的レーザーアブレーションによって行われる。ここでは、レーザーの出力は、パルス周波数１７ｋＨｚで８６０ｍＷであり、波長は５３２ｎｍである。レーザー光線と基板間の相対運動速度は８００ｍｍ／ｓである。個々のパルスのパルス持続時間は約１３ｎｓである。焦点距離が約３００ｍｍの集束ユニットによって、レーザー光線を基板の積層側に集束させる。ここでは、基板側から、透明な基板を通して、剥離すべき層に光線を通す。この場合、集束した光線は、ほぼガウス形状の強度分布を有し、パルス毎に直径約１００μｍの円形の切除部分が得られる。ここでは、レーザーは、事前に充填されている第１の段差溝３５内に第２の段差溝３７を形成する（図３ｆ））。これにより、第１の電気コンタクト層３１ｃの表面と基板３４の表面が、再び光起電力素子の長さに渡って直に隣接して段状部又は段差として露出する。この構造化プロセスＰ２も光起電力素子の全長に渡って行われるので、それぞれ第１の段差溝３５に対してずらして配設された第２の段差溝３７が得られる。構造化プロセスＰ２後に残っている垂直に延びた絶縁体の縁部ウェブ３６ａ及び３６ｂは、その後の２つの光起電力素子Ａ及びＢの短絡を防止する。
【０１０６】
構造化プロセスＰ１と同じ回数だけ構造化プロセスＰ２を繰り返す。ここで、層３１，３２，３３は、互いに平行に配設された多数のストリップ形状の光起電力素子に分割される。これらは、段差溝３７によって分離され、かつ絶縁体ウェブ３６ａ及び３６ｂによって分離されている。
【０１０７】
最終工程で、第２の段差溝３７は、同様に光起電力素子の長さに渡ってストリップ形状にコンタクト材料３８を充填される。ここで、光起電力素子Ｂの露出していた第１の電気コンタクト層の表面３１ｃは、隣接する光起電力素子Ａの第２の電気コンタクト層３３ａの表面とだけ電気的に接触する（図３ｇ））。表面３１ｃと表面３３ｂの接触は起こらない。
【０１０８】
このようにして、光起電力素子Ａの第２の電気コンタクト層３３ａの表面と、隣接する光起電力素子Ｂの第１の電気コンタクト層３１ｃの表面との電気的接触、従って、２つの光起電力素子ＡとＢの直列接続が完成する。
【０１０９】
コンタクト材料としては、例えば、厚さ約２００ｎｍの銀を配設する。第２の段差溝３７の充填も同様にマスク法によって行う。ここでは、絶縁体の成膜用のマスクと同様のマスクを使用する。マスクを通した熱蒸着プロセスによって銀を成膜する。この場合、光起電力素子Ａの第２の電気コンタクト層３３ａの表面のみが、段差溝３７内で露出していた第１の電気コンタクト層３１ｃの表面と接続され、光起電力素子Ｂの第２の電気コンタクト層３３ｂの表面とは接続されないように、第２の段差溝３７にコンタクト材料３８を充填する。これは、絶縁体を成膜する場合のマスクの位置と比べて約２ｍｍだけ僅かにマスクの位置をずらすことによって実現される。
【０１１０】
全てのストリップに沿ってのコンタクト材料３８による第２の段差溝３７の充填及びマスクの選択は、このようにしてモジュール内の全ての光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ云々が互いに直列接続されるように行われる（図３ａ）参照）。
【０１１１】
特に有利には、第１及び第２の実施例と比べて１回の構造化が省かれる。
【０１１２】
（第４の実施例）
厚さ１．１ｍｍ、大きさ１０×１０ｃｍ2 のガラス基板上に製造された微結晶太陽電池が、この実施例の基礎としての役割を果たす。ここでは、光活性半導体層４２としての微結晶ｐ−ｉ−ｎ積層体の厚さは、全体として約１３００ナノメートルである（図４）。微結晶積層体は、厚さ約８００ナノメートルの湿式化学的に組織化された酸化亜鉛から成る第１の電気コンタクト層４１上に配設される。厚さ８０ｎｍの酸化亜鉛と厚さ２００ｎｍの銀層との組合せから成る層システムが、第２の電気コンタクト層４３として配備される。ここで、シリコン積層体上の第２の電気コンタクト層の側には、先ずは酸化亜鉛層が位置し、次に銀層が有る。
【０１１３】
構造化Ｐ１（図４ｃ））では、レーザーアブレーションによって、第２の電気コンタクト層４３と光活性半導体層４２、並びに第１の電気コンタクト層４１から、光起電力素子の長さに渡ってストリップ形状に材料を除去し、その結果、基板４４の表面が溝４５ａ内でストリップ形状に露出する。全ての光起電力素子について、この構造化プロセスＰ１を順番に行う。そのような目的のために、基板の表面に渡って相対的に動くように、レーザーを動かす。
【０１１４】
層４１，４２及び４３から材料を切除するためのレーザーとして、Ｒｏｆｉｎ社の型式ＲＳＹ  ２０Ｅ  ＴＨＧのＮｄ：ＹＶＯ4 レーザーを使用する。このレーザーの波長は３５５ｎｍである。この波長は、層４１〜４３の材料を切除するのに特有のものである。パルス繰返し速度１５ｋＨｚで平均出力３９０ｍＷを選択する。レーザー光線と基板間の相対運動速度は５８０ｍｍ／ｓである。個々のパルスのパルス持続時間は約１３ｎｓである。焦点距離が１００ｍｍの集束ユニットによって、レーザー光線を基板の積層側に集束させる。ここでは、基板側から、透明な基板を通して、剥離すべき層に光線を通す。この場合、集束した光線は、ほぼガウス形状の強度分布を有し、パルス毎に直径約５３μｍの円形の切除部分が得られる。溝４５ａは、光起電力素子の長さに渡って延びる。
【０１１５】
このようにして、光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ云々を分割するための多数の、例えば、８〜１２本の溝が、基板４４上に平行に並んで配設された形で得られる（図４ａの右の平面図のモジュール内の垂直な破線を参照）。構造化プロセスＰ１の後には、直に隣接する２つの光起電力素子Ａ，Ｂ又はＣ，Ｂの間に、光起電力素子の長さに渡って、それぞれ１つの溝４５ａが有る。構造化プロセスＰ１は、コンピュータ支援制御によって進められる。溝４５ａは、それぞれ約５３マイクロメートルの横方向の拡がりを有する。形成すべき光起電力素子の数と同じ回数だけ構造化プロセスＰ１を繰り返す。
【０１１６】
先の３つの実施例と異なり、第４の実施例では、第１の電気コンタクト層４１を露出させるための光起電力素子の長さに渡る光活性半導体層４２及び第２の電気コンタクト層４３のストリップ形状の切除は最早行われない。むしろ、第２の構造化Ｐ２によって、層４２及び４３は、領域の形でのみ、即ち、例えば、点状に、溝４５ａに沿って右側でのみ、第１の電気コンタクト層４１の表面に至るまで切除される（図４ｄ）参照）。点状の窪み４５ｂは、各ストリップ形状の溝４５ａの長手方向に対して約１〜５ミリメートルの相互間隔を有する。しかし、それ以外の間隔及び大きさを選択することもできる。従って、断面図だけでは、図４ｄ）の太線で囲った範囲内の領域４５ｂにおいて、紙面後方の層４２，４３として識別可能である。図４ｄ）の平面図が、１つの点状の窪み４５ｂに関する図４ｈ）で再度図示されている。そこでは、そのような領域内において、第１の電気コンタクト層の表面４１ｂが露出している。
【０１１７】
層４２及び４３から材料を切除するためのレーザーとして、Ｒｏｆｉｎ社の型式ＲＳＹ  ２０Ｅ  ＳＨＧのＮｄ：ＹＶＯ4 レーザーを使用する。レーザーの波長は５３２ｎｍである。この波長は、２つの層４２，４３の材料を切除するのに特有のものである。パルス繰返し速度０．１６ｋＨｚで平均出力４８ｍＷを選択する。レーザー光線と基板間の相対運動速度は８００ｍｍ／ｓである。個々のパルスのパルス持続時間は約１３ｎｓである。焦点距離が３００ｍｍの集束ユニットによって、レーザー光線を基板の積層側に集束させる。ここでは、基板側から、透明な基板を通して、剥離すべき層に光線を通す。この場合、集束した光線は、ほぼガウス形状の強度分布を有し、パルス毎に直径約２００μｍの円形の切除部分４５ｂが得られる。円形の切除部分の直径は、拡大光学系によって設定し、レーザー光線の集束前に調整した。
【０１１８】
構造化プロセスＰ１及びＰ２の後には、光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ云々は、基板４４に至るまで互いに分離されている。その結果、平行に配設されたストリップ形状の光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ云々が、基板４４上に段差溝４５ａ，４５ｂによって互いに電気絶縁された形で配設される。光起電力素子の長さに渡る多数（例えば、８〜１２本）の平行な第１の溝４５ａは、各溝４５ａに沿った１列の点状の窪み４５ｂと共に形成される（図４ｄ），図４ｈ））。
【０１１９】
窪み４５ｂ内では、第１の電気コンタクト層４１ｂの表面と基板４４の表面が直に隣接しており（図４ｄ）及び４ｈ））、その結果、局所的な段差溝４５ａ，４５ｂの形の段状部が形成される。この構造化Ｐ２は溝４５ａの片側に沿った点状の構造化なので、エネルギーを発生するモジュールの大きな領域に渡って、素子Ｂの半導体層４２及び第２の電気コンタクト層４３が残る。
【０１２０】
露出した基板表面上の片側でのみ第１のコンタクト層の表面４１ｂが露出されるので、溝の点状の窪み４５ｂは片側に有る。窪み４５ｂの直径は約２００μｍである。間隔に応じて、溝毎に約１００個までの窪みを形成することができる。従って、構造化プロセスＰ２を溝４５ａに沿って複数回繰り返し、その結果、点状の窪み４５ｂによって、光起電力素子Ｂの片側で第１の電気コンタクト層４１ｂが露出する。このようにして、溝の第１の窪み４５ｂの領域内に局所的な段差溝４５ａ，４５ｂを配設する。
【０１２１】
次に、上記の点状の窪み４５ｂの領域内において、ワニスから成る絶縁体４６が、各溝４５ａの縁部を越えて、かつ窪み４５ｂを越えて両側で配設される。絶縁体は、溝４５ａの側縁部を越えて第２の電気コンタクト層４３の表面４３ａ，４３ｂ上に至るまで横方向に、表面４３ａ，４３ｂの上に配設される（図４ｅ）の断面図と図４ｉ）の平面図）。絶縁体４６としては、Ｍｏｔｉｐ  Ｄｕｐｌｉ  ＧｍｂＨ社の色相ＲＡＬ９００５の塗料Ｄｕｐｌｉ−Ｃｏｌｏｒ  Ａｅｒｏｓｏｌ  Ａｒｔを使用し、８μｍの厚さに噴霧することができる。絶縁体は、それに対応する幾何形状の金属マスクを通して噴霧することができる。金属マスクは、直径約１．５ミリメートルの点状の開口を有する。これらの開口は、基板上での点状の窪み４５ｂの相互間隔に対応した規則的な繰り返し間隔で設けられる。マスクの使用により、図４ｅ）及び図４ｉ）に対応する絶縁体の幾何形状を実現することができる。ここでは、マスクの位置合わせにより、片側、この場合、第２の電気コンタクト層４３の表面４３ａの側は、横方向に関して、それと対向する表面４３ｂの側よりも横方向の拡がりが小さくなるように、非導電性材料から成る絶縁体点４６で覆うことができる。表面４３ａ（図面左）は、約５００μｍの横方向の拡がりにより絶縁体で覆われる。それに対して、絶縁体で覆われた表面４３ｂ（図面右）の横方向の拡がりは約８００μｍである。図４ｉ）は、１つの窪みに関して、図４ｅ）に対する平面図を図示している。
【０１２２】
絶縁体４６の成膜及びマスクの選択は、このようにして、全ての溝４５ａに沿って、全ての窪み４５ｂと第２の電気コンタクト層の表面領域４３ａ及び４３ｂが点状に絶縁体４６で覆われるように行われる。先の３つの実施例と異なり、第４の実施例では、絶縁体のストリップ形状の成膜も行われない。むしろ、絶縁体４６は、窪みに対応した点状に窪み４５ｂを充填するように第２の電気コンタクト層４３ａ，４３ｂの表面上に配設される。モジュールのエネルギー効率の改善は、その面積の拡大によって得られる。
【０１２３】
構造化Ｐ３により、絶縁体４６を局所的に点状に除去する。ここで、それ以前の窪み４５ａ，４５ｂ内に、より小さな点状の窪み４７を形成する。構造化Ｐ３は、構造化Ｐ２の領域に設けられる。構造化Ｐ３により、第１の電気コンタクト層の表面を露出させ、基板も露出させる（図４ｆ）参照）。構造化Ｐ３は、第２の電気コンタクト層又は半導体を露出させてはならない。各窪み４７は、絶縁体４６ａ，４６ｂによって取り囲まれており、その結果、その後の電気的短絡が回避される。素子Ｂの第１の電気コンタクト層の表面４１ｃを露出させる。
【０１２４】
構造化プロセスＰ３は、Ｒｏｆｉｎ社の型式ＲＳＹ  ２０Ｅ  ＳＨＧのＮｄ：ＹＶＯ4 レーザーを選択して、選択的レーザーアブレーションによって行われる。ここで、レーザーの出力は、パルス周波数０．１６ｋＨｚで８．１ｍＷであり、波長は５３２ｎｍである。レーザー光線と基板間の相対運動速度は８００ｍｍ／ｓである。個々のパルスのパルス持続時間は約１３ｎｓである。焦点距離が３００ｍｍの集束ユニットによって、レーザー光線を基板の積層側に集束させる。ここでは、基板側から、透明な基板を通して、剥離すべき層に光線を通す。この場合、集束した光線は、ほぼガウス形状の強度分布を有し、パルス毎に直径約１００μｍの、従って、構造化プロセスＰ２よりも小さい円形の切除部分が得られる。レーザーは、ここでは事前に充填されている第１の溝４５ａ及び窪み４５ｂの内部に、点状の局所的な段差溝４７を形成する（図４ｆ））。これにより、第１の電気コンタクト層４１ｃの表面と基板４４の表面が再び直に隣接して段状部又は段差として露出する（図４ｆ）参照）。断面図だけでは、図４ｆ）の太線で囲った範囲において、紙面後方の絶縁体として識別可能である。図４ｆ）において構造化Ｐ３の後に残っている垂直に延びた絶縁体の縁部領域４６ａ及び４６ｂは、実際には当然のことながら円形に閉じており、その後の光起電力素子Ａ及びＢの短絡を防止する。この関係は、図４ｆ）の平面図としての図４ｊ）に図示されている。
【０１２５】
形成する点状の窪み４５ｂの数と同じ回数だけ構造化プロセスＰ３を繰り返す。ここで、層４１，４２及び４３は、ストリップ形状の溝４５ａによって分離され、かつ点状の窪み４５ｂによって分離されて、互いに平行に配設された多数のストリップ形状の光起電力素子に分割される。本発明の意味において、第４の実施例でも、窪み内に局所的な段差溝が有る。
【０１２６】
最終工程で、又もや第２の点状の窪み４７をコンタクト材料４８で局所的に充填し、その結果、光起電力素子Ａの第２の電気コンタクト層の表面と隣接する素子Ｂの第１の電気コンタクト層との接続が形成される。ここで、第２の窪み４７内に露出していた素子Ｂの第１の電気コンタクト層の表面４１ｃは、光起電力素子Ａの第２の電気コンタクト層４３ａの表面とだけ電気的に接触する（図４ｇ））。それにより、有利には、先の第１から第３の実施例と比べて、段差溝を充填するのに必要なコンタクト材料が少なくなるとともに、エネルギー変換のための面積が大きくなる。
【０１２７】
このようにして、全ての窪み４７における第２の電気コンタクト層４３ａの表面と第１の電気コンタクト層４１ｃの表面の間の電気的接触、従って、隣接する光起電力素子ＡとＢ云々の直列接続が完成する。溝毎の窪み４７の間隔及び大きさは、発生するエネルギーの伝導が可能となるように採寸される。
【０１２８】
コンタクト材料としては、厚さ約２００ｎｍの銀を使用することができる。窪み４７の充填も同様にマスク法によって行われる。ここで、絶縁体の成膜用のマスクと同様のマスクを使用する。このマスクは、絶縁体を成膜するために使用したマスクと同じ位置に開口を有するが、これらの開口は別の幾何形状を有する。これらの開口は、幅約０．５ｍｍ、長さ約２ミリメートルのストリップ形状の開口である（図４ａ）の図面左及び図４ｋ）参照）。短辺が溝４５ａに平行に配設される。マスクを通した熱蒸着プロセスによって、銀を基板上に成膜する。ここでは、素子Ａの第２の電気コンタクト層４３ａの表面のみが、穴４７内で露出していた第１の電気コンタクト層４１ｃの表面と接触し、光起電力素子Ｂの第２の電気コンタクト層４３ｂの表面とは接触しないように、窪み４７にコンタクト材料４８を充填する。これは、絶縁体を成膜する際のマスクの位置と比べて約０．５ｍｍだけ僅かにマスクの位置をずらすことによって、並びにマスクの開口の幾何形状を変えることによって実現される。図４ｇ）に対する平面図としての図４ｋ）が、溝４５ａのただ１つの窪み４７に関する関係を図示している。
【０１２９】
コンタクト材料４８による第２の点状の窪み４７の充填は、このようにして、モジュール内の全ての光起電力素子が互いに直列接続されるまで、全ての点に沿って複数回繰り返される（図４ａ）参照）。
【０１３０】
（第５の実施例）
厚さ１．１ｍｍ、大きさ１０×１０ｃｍ2 のガラス基板上に製造された太陽電池が、この実施例の基礎としての役割を果たす。ここでは、微結晶ｐ−ｉ−ｎ積層体５２（図５の光活性半導体層）の厚さは、全体として約１３００ナノメートルである。微結晶積層体は、厚さ約８００ナノメートルの湿式化学的に組織化された酸化亜鉛から成る第１の電気コンタクト層５１上に配設される。厚さ約８０ナノメートルの酸化亜鉛と厚さ２００ｎｍの銀層との組合せから成る層システムが、第２の電気コンタクト層５３としての役割を果たす。シリコン積層体上の第２の電気コンタクト層の側には、先ずは酸化亜鉛層が配設され、その次に銀層が配設される。
【０１３１】
第１の構造化Ｐ１（図５ｃ））において、レーザーアブレーションによって、第２の電気コンタクト層５３と光活性半導体層５２、並びに第１の電気コンタクト層５１から材料を除去し、その結果、基板５４の表面が、溝５５ａ内で光起電力素子の長さに渡って露出する。全ての形成すべき光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ云々に対して、この構造化プロセスＰ１を順番に行う。そのような目的のために、基板の表面に渡って相対的に動くように、レーザーを動かす。層５１，５２及び５３の材料が除去されるように、間隔及び出力を調整する。レーザーとしては、Ｒｏｆｉｎ社の型式ＲＳＹ  ２０Ｅ  ＴＨＧのＮｄ：ＹＶＯ4 レーザーを使用する。このレーザーの波長は３５５ｎｍである。この波長は、層５１〜５３の材料を切除するのに特有のものである。パルス繰返し速度１５ｋＨｚで平均出力３９０ｍＷを選択する。レーザー光線と基板間の相対運動速度は約５８０ｍｍ／ｓである。個々のパルスのパルス持続時間は約１３ｎｓである。焦点距離が１００ｍｍの集束ユニットによって、レーザー光線を基板の積層側に集束させる。基板側から、透明な基板を通して、剥離すべき層に光線を通す。集束した光線は、ほぼガウス形状の強度分布を有し、パルス毎に直径約５３μｍの円形の切除部分が得られる。
【０１３２】
そのようにして、光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ云々のための多数の、例えば、８〜１２本の溝５５ａが、基板５４上に平行に並んで配設された形で得られる（図５ａ）の右の平面図のモジュール内の垂直な破線を参照）。構造化プロセスＰ１の後には、直に隣接する２つの光起電力素子Ａ，Ｂ又はＢ，Ｃ云々の間には、それぞれ１つの溝５５ａが有る。構造化プロセスＰ１は、コンピュータ支援制御によって進められる。形成すべき光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ云々の数と同じ回数だけ構造化プロセスＰ１を繰り返す。
【０１３３】
第２の構造化Ｐ２によって、光起電力素子の長さに渡って特定の領域内の層５２及び５３を切除する。ここでは、これらの領域は、破線Ｐ２に沿って点状に、かつ各溝５５ａの片側に、第１の電気コンタクト層の表面に至るまで配設される（図５ｄ））。断面図だけで見ると、図５ｄ）では、点状の窪み５５ｂの領域内において、紙面後方の層５２及び層５３の材料として識別可能である。点状の窪み５５ｂは、ストリップ形状の溝５５ａの方向に対して、即ち、光起電力素子の長さに渡って、約１〜５ミリメートルの相互間隔を有する。しかし、それ以外の間隔及び大きさを選択することもできる。領域５５ｂ内の層５２及び５３から材料を切除するためのレーザーとして、Ｒｏｆｉｎ社の型式ＲＳＹ  ２０Ｅ  ＳＨＧのＮｄ：ＹＶＯ4 レーザーを使用する。波長は５３２ナノメートルであり、層５２，５３を切除するのに特有のものである。パルス繰返し速度０．１６ｋＨｚで平均出力４８ｍＷを選択する。レーザー光線と基板間の相対運動速度は約８００ｍｍ／ｓである。個々のパルスのパルス持続時間は約１３ｎｓである。焦点距離が３００ｍｍの集束ユニットによって、レーザー光線を基板の積層側に集束させる。基板側から、透明な基板を通して、剥離すべき層に光線を通す。集束した光線は、ほぼガウス形状の強度分布を有する。パルス毎に直径約２００μｍの円形の切除部分が得られる。円形の切除部分の直径は、拡大光学系によって設定し、レーザー光線の集束前に調整した。
【０１３４】
２つの構造化プロセスＰ１，Ｐ２の後、光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ云々は基板５４に至るまで互いに分離されている。その結果、平行に配設されたストリップ形状の光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ云々が、溝５５ａによって互いに電気絶縁され、かつ空間的に離隔された形で、基板５４上に光起電力素子の長さに渡って得られる。光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃ云々を分離するために、それぞれ片側に点状の窪み５５ｂを有する多数の第１の溝５５ａを形成する。溝の第１の点状の窪み５５ｂ内では、第１の電気コンタクト層５１ｂの表面と基板５４の表面が直に隣接しており、その結果、本発明による局所的な段差溝５５ａ，５５ｂの形の段状部が形成される。この構造化Ｐ２は、層構造の溝５５ａの長さに沿った多数の単なる点状の構造化なので、ストリップ形状の溝５５ａに沿った大きな領域に渡って、半導体層５２及び第２の電気コンタクト層５３が残る。それにより、有利には、エネルギーの発生に利用可能な面積が大きくなる。
【０１３５】
点状の窪み５５ｂでは、溝５５ａの右手側、即ち、素子Ｂの第１のコンタクト層の表面５１ｂのみが露出されるので、溝の点状の窪み５５ｂは、片側に配設される。互いに平行に配設された多数のストリップ形状の光起電力素子Ａ、Ｂ、Ｃのための層５１，５２，５３が溝５５ａ内で分断され、点状の窪み５５ｂによって絶縁可能となるまで、構造化プロセスＰ２を複数回繰り返す。窪みの直径は約２００μｍである。第１の窪み５５ｂの領域内に、本発明による局所的に配設された段差溝５５ａ及び５５ｂを形成する。ここまで、この実施例は図４の第４の実施例に準拠している。
【０１３６】
しかし、絶縁体５６は、非導電性の拡散反射層として形成され、全ての局所的な段差溝５５ａ，５５ｂと第２の電気コンタクト層の表面５３が絶縁体５６で覆われるまで、全面に渡って配設される。これはスクリーン印刷によって行われる。有利には、この工程は、その他の実施例と比べて迅速である。絶縁体として、有利には「白色反射体」、例えば、Ｍａｒａｂｕ社の白色塗料３０７０を選択する。層の厚さは、例えば、約２０μｍである。
【０１３７】
次に、絶縁体５６は、構造化Ｐ３ａによって、それ以前の段差溝５５ａ，５５ｂ内で点状に、かつ選択的に除去又は構造化される。ここで、それぞれ構造化プロセスＰ３ａによって形成される点状の段差溝５７ａは、それ以前の段差溝５５ｂ，５５ａの右外縁部と左外縁部の間に位置するように配置される。これにより、その後の電気的短絡が回避される。構造化プロセスＰ３ａは、素子Ｂの第１の電気コンタクト層５１ｃの表面を露出させるように行われる。この除去は、Ｒｏｆｉｎ社の型式ＲＳＹ  ２０Ｅ  ＳＨＧのＮｄ：ＹＶＯ4 レーザーを選択して、選択的レーザーアブレーションによって行われる。レーザーの出力は、パルス周波数０．１６ｋＨｚで８．１ｍＷであり、波長は５３２ｎｍである。レーザー光線と基板間の相対運動速度は８００ｍｍ／ｓである。個々のパルスのパルス持続時間は約１３ｎｓである。焦点距離が３００ｍｍの集束ユニットによって、レーザー光線を基板の積層側に集束させる。ここでは、基板側から、透明な基板を通して、剥離すべき層に光線を通す。集束した光線は、ほぼガウス形状の強度分布を有し、パルス毎に直径約１００μｍの円形の切除部分が得られる。レーザーは、ここでは事前に充填されている第１の段差溝５５ａ，５５ｂ内に第２の段差溝５７ａを形成する（図５ｆ）参照）。これにより、第１の電気コンタクト層５１ｃの表面と基板５４ａの表面が再び直に隣接して局所的な段差溝５７ａとして露出する。断面図だけでは、領域５７ａ内の絶縁体として識別可能である。構造化プロセスＰ３ａも、全ての事前の点状の開口５５ｂに沿って、全ての光起電力素子の長さに渡って繰り返される。それにより、段差溝５５ａ，５５ｂに対して横方向に幾分ずらして配設された局所的な段差溝５７ａが形成され、それらは、セルの電気絶縁のために絶縁体によって取り囲まれている（図５ｆ）参照、図４ｊ）と図５ｉ）も参照）。構造化プロセスＰ３ａ後に残っている絶縁体の環状の領域５６ａ，５６ｂは、２つの光起電力素子Ａ及びＢの短絡を防止する。全ての事前の点状の段差溝５５ａ，５５ｂについて、構造化プロセスＰ３ａを繰り返す。
【０１３８】
ここで、その他の実施例と異なり、更なる点状の構造化Ｐ３ｂを破線に沿って行う。それは、第２の電気コンタクト層５３が、より低い導電率で、従って、より小さい光損失で形成できるように作用する。これにより、エネルギー効率を高める拡散反射体として、絶縁体を形成することが可能となる。構造化プロセスＰ３ｂは、セルストリップＡ、Ｂ、Ｃ云々の領域内において、絶縁体５６の更なる点状の窪み５７ｂによって第２の電気コンタクト層５３の表面を露出させる。点状の窪みは、層５３の電気抵抗に合った相互間隔、例えば、１ミリメートル〜３ミリメートルの間隔で配設される。断面図だけで見ると、構造化Ｐ３ｂにおいて、紙面後方に配設された絶縁体として識別可能である。
【０１３９】
この除去は、Ｒｏｆｉｎ社の型式ＲＳＹ  ２０Ｅ  ＳＨＧのＮｄ：ＹＶＯ4 レーザーを選択して、選択的レーザーアブレーションによって行われる。ここでは、レーザーの出力は、パルス周波数０．１６ｋＨｚで８．１ｍＷであり、波長は５３２ｎｍである。レーザー光線と基板間の相対運動速度は８００ｍｍ／ｓである。個々のパルスのパルス持続時間は約１３ｎｓである。焦点距離が３００ｍｍの集束ユニットによって、レーザー光線を基板の積層側に集束させる。ここでは、積層側から、剥離すべき層に光線を通す。この場合、集束した光線は、ほぼガウス形状の強度分布を有し、パルス毎に直径約１００μｍの円形の切除部分が得られる。図５ｉ）は、図５ｆ）に対する平面図を図示している。
【０１４０】
次に、第２の点状の窪み５７ａ及び５７ｂにコンタクト材料５８を全面に渡って充填し、それによって、絶縁体５６の表面全体をコンタクト材料５８で覆う。ここで、窪み５７ａ内で露出していた光起電力素子Ｂの第１の電気コンタクト層の表面５１ｃは、光起電力素子Ａ及びＢの第２の電気コンタクト層５３の表面と電気的に接触する（図５ｇ））。有利には、このコンタクト材料５８の成膜は、絶縁体としての白色反射体に基づく反射要件を課されないので、アルミニウムや銀などの安価な材料によって迅速に行われる。それどころか、更なる効果として、この絶縁体の反射は、銀又はアルミニウムから成るコンタクトの選択によっても改善される。
【０１４１】
電気絶縁のために、破線に沿って、全ての光起電力素子の長さに渡って構造化プロセスＰ４を行う。レーザーアブレーションによって構造化Ｐ４を実行する。Ｒｏｆｉｎ社の型式ＲＳＹ  ２０Ｅ  ＳＨＧのＮｄ：ＹＶＯ4 レーザーを選択する。レーザーの出力は、パルス周波数０．１６ｋＨｚで８．１ｍＷであり、波長は５３２ｎｍである。レーザー光線と基板間の相対運動速度は８００ｍｍ／ｓである。個々のパルスのパルス持続時間は約１３ｎｓである。焦点距離が３００ｍｍの集束ユニットによって、レーザー光線を積層側に集束させる。積層側（裏面コンタクト）から、剥離すべき層５６に光線を通す。集束した光線は、ほぼガウス形状の強度分布を有し、パルス毎に直径約１００μｍの円形の切除部分が得られる。
【０１４２】
それにより、一方では、第２の電気コンタクト層５３ａの表面と第１の電気コンタクト層５１ｃの表面の間の電気コンタクト、従って、２つの光起電力素子ＡとＢの直列接続が完成する（図５ｈ））。他方では、光起電力素子の長さに渡るストリップ形状の溝５８ａの形成により、絶縁が形成される。図５ｊ）は、これに関する平面図を図示している。それにより、素子Ｂ内の短絡が回避される。
【０１４３】
コンタクト材料５８は、材料として銀又はアルミニウムを使用する。第２の点状の窪み５７ａの充填は、スパッタ法によって行われる。構造化プロセスＰ４後には、光起電力素子Ａの第２の電気コンタクト層５３ａの表面のみが、点状の窪み５７ａ内で露出していた第１の電気コンタクト層５１ｃの表面と接触し、光起電力素子Ｂの第２の電気コンタクト層５３ｂの表面とは接触しない。全ての溝及び光起電力素子について、このプロセスを繰り返す。
【０１４４】
ところで、この方法の実施例における工程は、限定的なものと看做すべきではない。段差溝の横方向の寸法、絶縁体及びコンタクトのストリップ又は点の大きさ及び間隔、光起電力素子の層自体の層材料、絶縁体の組成、並びにコンタクト材料は、本発明を限定するものではなく、むしろより広く解釈すべきである。特に、上記の絶縁体のワニスの代わりに、好適なインク、例えば、従来のインクジェット印刷用のインクを絶縁体として使用することができる。更に、モジュールの一部にストリップ形状の絶縁体（図１〜図３）を設けて、モジュールの別の部分に絶縁体を点状に設けることも容易に可能である。その限りにおいて、これらの実施例による方法を同時に使用することもできる。
【０１４５】
この方法の２つの光起電力素子ＡとＢに関する断面図及び平面図で図示した第１から第５の実施例の工程は、これら２つの素子ＡとＢの直列接続を表している。モジュール内の残りの光起電力素子に対しても、これらの工程を同様に行う。
【０１４６】
それ以外にも、それぞれ図１ｆ）、図２ｆ）、図３ｆ）、図４ｆ）及び図５ｆ）において、第１の電気コンタクト層１ｃ、２１ｃ、３１ｃ、４１ｃ及び５１ｃの表面のみを露出させ、それらの左に、それぞれ隣接する基板表面を露出させないように絶縁体を構造化する更なる第６から第１０の実施例が与えられる。
【０１４７】
第１から第１０の実施例に対応して、インクジェット印刷機を用いて、絶縁体及び／又はコンタクト材料をコンピュータ制御して成膜する更なる第１１から第２０の実施例が提示される。
【０１４８】
それ以外に、表１の通りの組合せを実現する更なる実施例が提示される。光起電力素子の長さに渡ってストリップ形状に行う充填の代わりに、第５の実施例の通り、全面に渡って層を配設し、次に再び構造化することも容易に考えられる。
【０１４９】
【表１】
2012526370.tif 000003
【図１ａ）】
2012526370.tif 000004
【図１ｂ）】
2012526370.tif 000005
【図１ｃ）】
2012526370.tif 000006
【図１ｄ）】
2012526370.tif 000007
【図１ｅ）】
2012526370.tif 000008
【図１ｆ）】
2012526370.tif 000009
【図１ｇ）】
2012526370.tif 000010
【図２ａ）】
2012526370.tif 000011
【図２ｂ）】
2012526370.tif 000012
【図２ｃ）】
2012526370.tif 000013
【図２ｄ）】
2012526370.tif 000014
【図２ｅ）】
2012526370.tif 000015
【図２ｆ）】
2012526370.tif 000016
【図２ｇ）】
2012526370.tif 000017
【図３】
2012526370.tif 000018
【図４ａ）】
2012526370.tif 000019
【図４ｂ）】
2012526370.tif 000020
【図４ｃ）】
2012526370.tif 000021
【図４ｄ）】
2012526370.tif 000022
【図４ｅ）】
2012526370.tif 000023
【図４ｆ）】
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【図４ｇ）】
2012526370.tif 000025
【図４ｈ）】
2012526370.tif 000026
【図４ｉ）】
2012526370.tif 000027
【図４ｊ）】
2012526370.tif 000028
【図４ｋ）】
2012526370.tif 000029
【図５ａ）】
2012526370.tif 000030
【図５ｂ）】
2012526370.tif 000031
【図５ｃ）】
2012526370.tif 000032
【図５ｄ）】
2012526370.tif 000033
【図５ｅ）】
2012526370.tif 000034
【図５ｆ）】
2012526370.tif 000035
【図５ｇ）】
2012526370.tif 000036
【図５ｈ）】
2012526370.tif 000037
【図５ｉ）】
2012526370.tif 000038
【図５ｊ）】
2012526370.tif 000039
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月11日(2011.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に光起電力素子を形成して直列接続するための方法であって、
ａ）基板上に第１の電気コンタクト層を配設する工程と、
ｂ）第１の電気コンタクト層上に光活性半導体層を重ねて配設する工程と、
ｃ）光活性半導体層上において、光活性半導体層の第１のコンタクト層と逆側に第２の電気コンタクト層を配設する工程と、
ｄ）複数の光起電力素子（Ａ、Ｂ、Ｃ云々）を形成して分離するための複数の平行な段差溝を形成して、これらの段差溝内において、それぞれ基板の表面と第１のコンタクト層の表面を隣接した形で露出させる工程と、
ｅ）段差溝内に絶縁体材料を配設する工程と、
ｆ）一方の光起電力素子の第１の電気コンタクト層の表面を露出すべき所だけ、絶縁体材料を局所的に除去する工程と、
ｇ）一方の光起電力素子（Ａ）の第２の電気コンタクト層の表面から、それと隣接する光起電力素子（Ｂ）の第１の電気コンタクト層の絶縁体材料が露出した表面に至るまで、コンタクト材料を配設する工程と
を有する方法。
【請求項２】
工程ｄ）において、段差溝内で、基板の表面を光起電力素子の長さに渡って露出させるとともに、露出した基板表面に隣接する第１の電気コンタクト層の表面も、同様に光起電力素子の長さに渡って、さもなければ領域の形で露出させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
請求項１の工程ｅ）において、絶縁体材料を光起電力素子の長さに渡って、さもなければ段差溝内の第１の電気コンタクト層の露出した領域上に局所的に配設することを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
工程ｅ）において、層構造の表面上に全面に渡って絶縁体材料を配設することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
請求項１の工程ｆ）において、段差溝内で、絶縁体材料を光起電力素子の長さに渡って、さもなければ領域の形で局所的に除去することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
段差溝に隣接して、絶縁体材料を光起電力素子の長さに渡って、さもなければ領域の形で除去することを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
請求項１の工程ｇ）において、段差溝内で、コンタクト材料を光起電力素子の長さに渡って、さもなければ第１の電気コンタクト層の露出した領域上に配設することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
請求項１の工程ｇ）において、層構造の表面上に全面に渡ってコンタクト材料を配設することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
絶縁体の表面を露出させるために、段差溝に隣接して平行に、コンタクト材料を光起電力素子の長さに渡って除去することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
第２の電気コンタクト層として、第１の電気コンタクト層よりも低い導電率の層を選択することを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
絶縁体として、白色反射体を選択することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
当該の領域がストリップ形状又は点状であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
基板又はスーパーストレート上に第１の電気コンタクト層が配設され、その第１のコンタクト層上に光活性半導体層が重ねて配設され、それらの光活性半導体層上には、それらの光活性半導体層の第１のコンタクト層と逆側に第２の電気コンタクト層が配設されているソーラーモジュールであって、そのソーラーモジュールが、平行に配設された複数の光起電力素子を有し、これらの光起電力素子は、平行に配設された段差溝が前記の通り形成された層構造を分割し、それによって基板又はスーパーストレートの表面と第１の電気コンタクト層の表面がそれぞれ隣接してストリップ形状に露出するように構成され、これらの光起電力素子が、平面に構成された基板又はスーパーストレート上に直に形成されているソーラーモジュールにおいて、
絶縁体材料が、これらの光起電力素子の間の段差溝内に配設されるとともに、その段差溝の側縁部を越えて第２の電気コンタクト層の表面上に至るまでも配設されており、この絶縁体材料内には、一方の光起電力素子の第２の電気コンタクト層をそれと隣接する光起電力素子の第１の電気コンタクト層と接続するコンタクト材料が配設されているソーラーモジュール。
【請求項１４】
絶縁体材料とコンタクト材料の中の一つ以上が、光起電力素子の長さに渡ってストリップ形状に、さもなければ領域の形で、有利には、点状に配設されていることを特徴とする請求項１３に記載のソーラーモジュール。
【請求項１５】
コンタクト材料が、第２の電気コンタクト層の上に全面に渡って配設された形で存在することを特徴とする請求項１３又は１４に記載のソーラーモジュール。
【国際調査報告】
2012526370.tif 000040
2012526370.tif 000041
2012526370.tif 000042
2012526370.tif 000043
2012526370.tif 000044
2012526370.tif 000045