(57)【要約】  本明細書中で説明する実施形態は、一般に基板の平坦化に関する。一実施形態では、基板を研磨するための装置を提供する。本装置は、テクスチャ付き上側表面および上側表面内に形成された少なくとも１つの溝を有する回転可能なプラテン、ならびにテクスチャ付き上側表面上に配置され、少なくとも１つの溝に架かるパッドを備える。
2012505763.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転可能なプラテンであって、
テクスチャ付き上側表面と、
前記テクスチャ付き上側表面内に形成された少なくとも１つの溝と
を有する、回転可能なプラテンと、
前記上側表面上に配置され、前記少なくとも１つの溝に架かるパッドと
を備えた、基板を研磨するための装置。
【請求項２】
前記テクスチャ付き上側表面が約０．７５ミクロンから約６ミクロンの二乗平均平方根粗さを有する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記テクスチャ付き上側表面が約１．５ミクロンから約５ミクロンの二乗平均平方根粗さを有する、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記パッドがポリウレタンを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記少なくとも１つの溝および前記パッドが、前記パッドの裏面と前記回転可能なプラテンの周囲環境との間での流体連通を可能にするために、前記回転可能なプラテンの縁へと延びる複数の通路を画定する、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記回転可能なプラテンが化学機械研磨システムの一部である、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記回転可能なプラテンが、アルミニウム、鋼鉄、ニッケル、ポリマー、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化珪素、炭化珪素、窒化珪素、酸化チタン、酸化ジルコニウムおよびこれらの組み合わせを含む群から選択される材料を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記少なくとも１つの溝が格子パターンに配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記回転可能なプラテンが少なくとも１つのスルーホールを有する、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記プラテンが約３０インチと約５２インチとの間の直径を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
回転可能なプラテンを各々が含む１つまたは複数の研磨ステーションであって、前記回転可能なプラテンのうちの少なくとも１つがテクスチャ付き上側表面および前記上側表面内に形成された少なくとも１つの溝を有する、１つまたは複数の研磨ステーションと、
前記回転可能なプラテンの上方に回転可能にマウントされた１つまたは複数の研磨ヘッドと、
前記テクスチャ付き上側表面上に配置され、前記少なくとも１つの溝に架かる研磨パッドと
を備えた、化学機械研磨装置。
【請求項１２】
前記１つまたは複数の研磨ヘッドがオーバーヘッド円形トラックに回転可能にマウントされている、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記回転可能なプラテンが、異なる研磨ヘッドによって保持される少なくとも２つの基板の同時研磨に適応することができる研磨パッドを支持する大きさとされている、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
プラテンを準備し、
ビーズブラストプロセス、エッチバックプロセス、またはこれらの組み合わせを使用して前記プラテンの上側表面にテクスチャを付ける
ことを含む、回転可能なプラテンを作るための方法。
【請求項１５】
前記回転可能なプラテンが、アルミニウム、鋼鉄、ニッケル、ポリマー、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化珪素、炭化珪素、窒化珪素、酸化チタン、酸化ジルコニウムおよびこれらの組み合わせを含む群から選択される材料を含む、請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、一般に基板を研磨するための装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
サブクォータミクロンの多層メタライゼーションは、次世代の超大規模集積回路（ＵＬＳＩ）のための主要技術のうちの１つである。この技術の中心にある多層配線は、コンタクトや、ビアや、トレンチや、その他のフィーチャを含む、高アスペクト比アパーチャ内に形成される配線フィーチャの平坦化を必要とする。これらの配線フィーチャの信頼性の高い形成は、ＵＬＳＩの成功ならびに個々の基板およびダイ上の回路密度および品質を高めるための継続的な努力にとって非常に重要である。
【０００３】
そこにフィーチャを形成する基板表面上に逐次的な物質堆積技術および物質除去技術を使用して、多層配線を形成する。物質の層を逐次的に堆積し除去するにつれて、基板の最上部表面が、その表面全体にわたり平坦でなくなることがあり、さらに処理する前に平坦化を必要とすることがある。平坦化または「研磨」は、一般に平らな平坦表面を形成するために基板の表面から物質を除去するプロセスである。後続のフォトリソグラフィおよび他の半導体製造プロセスのための平らな表面を与えるために、平坦化は、余分な堆積物質を除去することや、望ましくない表面トポグラフィを除去することや、表面欠陥、例えば、表面粗さや、凝集した物質や、結晶格子損傷や、スクラッチや、汚染された層または汚染された物質を除去する際に有用である。
【０００４】
化学機械平坦化、または化学機械研磨（ＣＭＰ）は、基板を平坦化するために使用する普通の技術である。ＣＭＰは、基板から物質を選択的に除去するために、スラリまたは他の流体溶媒などの化学的成分を利用する。従来のＣＭＰ技術では、基板キャリアまたは研磨ヘッドを、キャリアアセンブリ上にマウントし、ＣＭＰ装置内のプラテン上に配置された研磨パッドと接触する位置に置く。キャリアアセンブリは、基板に制御可能な圧力を与え、それによって研磨パッドに対して基板を押し付ける。パッドを、外部駆動力によって基板と相対的に動かす。ＣＭＰ装置は、化学的活性度および／または機械的活性度に影響を及ぼし、その結果として起きる基板の表面からの物質の除去に影響を及ぼすように研磨成分を分散させつつ、基板の表面と研磨パッドとの間の研磨運動または摩擦運動に影響を及ぼす。
【０００５】
物質のこの除去を実行する研磨パッドは、研磨中に基板内の欠陥の発生を最小にしつつ、基板平坦化のための適切な機械的特性を持たなければならない。かかる欠陥は、プラテン上へのパッドの取り付け中に形成されるパッドの盛り上がり領域または気泡を含む領域により引き起こされる基板表面内のスクラッチを含む。
【０００６】
それゆえ、化学機械研磨プロセス中に基板欠陥を減少させるための改善した方法および装置に対する必要性がある。
【発明の概要】
【０００７】
本明細書中で説明する実施形態は、一般に基板の平坦化に関する。一実施形態では、基板を研磨するための装置を提供する。本装置は、テクスチャ付き上側表面および上側表面内に形成された少なくとも１つの溝を有する回転可能なプラテンと、テクスチャ付き上側表面上に配置され、少なくとも１つの溝に架かるパッドとを備える。
【０００８】
別の一実施形態では、化学機械研磨装置を提供する。本装置は、回転可能なプラテンを各々が含む１つまたは複数の研磨ステーションであって、回転可能なプラテンのうちの少なくとも１つがテクスチャ付き上側表面および上側表面内に形成された少なくとも１つの溝を有する、１つまたは複数の研磨ステーションと、回転可能なプラテンの上方に回転可能にマウントされた１つまたは複数の研磨ヘッドと、テクスチャ付き上側表面上に配置され、少なくとも１つの溝に架かる研磨パッドとを備える。
【０００９】
さらに別の一実施形態では、プラテンを作成するための方法を提供する。本方法は、プラテンを準備し、プラテンの上側表面にテクスチャを付けることを含む。プラテンの上側表面には、ビーズブラストプロセスか、エッチバックプロセスか、またはこれらの組み合わせを使用してテクスチャを付けることができる。
【００１０】
従って、本発明の上に記述したフィーチャを詳細に理解することが可能な方式で、上に簡潔に要約されている本発明のより明細な説明を、その一部が添付した図面に例示されている実施形態を参照することによって知ることができる。しかしながら、添付した図面が本発明の典型的な実施形態だけを例示し、それゆえ、本発明に関して他の同様に有効な実施形態を許容することができる本発明の範囲を限定するようには見なされないことに、留意すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】化学機械研磨システムの一実施形態の上平面図である。
【図２】本明細書において説明する一実施形態による図１の研磨ステーションの部分側面図である。
【図３Ａ】本明細書において説明する一実施形態によるプラテンの上面図である。
【図３Ｂ】プラテン上に配置されたパッドを有する図３Ａのプラテンの一実施形態の概略的側面図である。
【図４Ａ】本明細書において説明する別の一実施形態によるプラテンの上面図である。
【図４Ｂ】プラテン上に配置されたパッドを有する図４Ａのプラテンの一実施形態の概略的側面図である。
【図５】本明細書において説明する別の一実施形態によるプラテン上に配置されたパッドを有するプラテンの概略的側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
理解を容易にするために、可能である場合には、複数の図に共通な同一の要素を示すために、同一の参照番号を使用している。一実施形態において開示した要素を、具体的な記述がなくとも別の実施形態において利益をもたらすように利用することができることが予想される。
【００１３】
本明細書において説明する実施形態は、一般に基板を研磨するための装置に関係する。研磨パッドの直径および研磨表面積が増大し続けるので、プラテンと研磨パッドとの間に閉じ込められる空気泡が形成されることを防止するために、研磨パッドの取り付け中により多くの注意を払うことが要求されている。取り付けた研磨パッド中に存在する場合には、大きな空気泡は、基板をキャリアヘッドから滑り出させることがあり、小さなサイズの空気泡は、研磨一様性の問題を生じさせる。閉じ込められた空気泡を検出するために、自動検査センサを使用することができるが、空気泡の初期形成を防止するためには何もならない。
【００１４】
本明細書において説明する実施形態は、空気泡のためのリーク経路を与えるために、プラテンの表面にテクスチャを付けることによって、空気泡の形成を低減する。一実施形態では、プラテン表面は、閉じ込められる空気泡を約０．５インチ（１．３ｃｍ）の最大直径に制限する約０．５インチ（１．５ｃｍ）の溝ピッチの状態の溝パターンを有することができる。０．５インチ（１．３ｃｍ）よりも大きなすべての気泡は、空気抜きの溝にぶつかる。空気泡のサイズを制限するために、様々な溝ピッチおよびパターンを選択することができる。一実施形態では、パッド交換間の溝のクリーニングを容易にするために、溝断面は、浅いＶ溝を含むことができる。
【００１５】
別の一実施形態では、プラテンのテクスチャ付き表面は、複数のランダムに分布した小さなディンプルを含むことができる。一実施形態では、ビーズブラストプロセスか、エッチバックプロセスか、またはこれらの組み合わせを使用して、ランダムに分布したディンプルを形成することができる。一実施形態では、プラテンは、一様に分布したスルーホールを含むことができる。別の一実施形態では、シンタさせたセラミックマトリックスなどの多孔質系の材料を使用してプラテンを作成することによって、プラテンの表面テクスチャを実現することができる。
【００１６】
本明細書において説明する実施形態を実施することが可能な個々の装置を限定していないが、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．、Ｓａｎｔａ  Ｃｌａｒａ、Ｃａｌｉｆ．によって販売されているＲＥＦＬＥＸＩＯＮ（登録商標）ＬＫ  ＣＭＰシステムおよびＭＩＲＲＡ  ＭＥＳＡ（登録商標）システム中の実施形態を実施するために特に有益である。それに加えて、他の製造者から入手可能なＣＭＰシステムは、やはり、本明細書において説明する実施形態から利益を得ることができる。本明細書において説明する実施形態を、やはりオーバーヘッド円形トラック研磨システム上で実施することができる。
【００１７】
図１は、化学機械研磨（「ＣＭＰ」）システム１００の一実施形態を例示する上平面図である。ＣＭＰシステム１００は、工場インターフェース１０２や、クリーナ１０４や、研磨モジュール１０６を含む。ウェットロボット１０８は、工場インターフェース１０２と研磨モジュール１０６との間で基板１７０を移送するために設けられている。ウェットロボット１０８を、やはり、研磨モジュール１０６とクリーナ１０４との間で基板を移送するように構成することができる。工場インターフェース１０２は、１つまたは複数のカセット１１４と１つまたは複数の移送プラットフォーム１１６との間で基板１７０を移送するように構成されたドライロボット１１０を含む。図１に図示した一実施形態では、４つの基板保管カセット１１４が示されている。ドライロボット１１０は、４つのカセット１１４と１つまたは複数の移送プラットフォーム１１６との間での移送を容易にするために十分な動きの範囲を有する。任意選択で、工場インターフェース１０２内で横方向のロボット１１０の位置を定めるために、ドライロボット１１０をレールまたはトラック１１２上にマウントすることができ、それによって、大きなロボットリンク装置または複雑なロボットリンク装置を必要としないでドライロボット１１０の動きの範囲を大きくすることができる。ドライロボット１１０は、それに加えて、クリーナ１０４から基板を受け取り、クリーンな研磨基板を基板保管カセット１１４に戻すように構成される。図１に図示した実施形態では１つの基板移送プラットフォーム１１６を示しているが、少なくとも２つの基板が一緒にウェットロボット１０８による研磨モジュール１０６への移送のために並んで順番待ちすることができるように、２つ以上の基板移送プラットフォームを設けることができる。
【００１８】
図１を参照し続けて、研磨モジュール１０６は、１つまたは複数の研磨ヘッド１２６内に基板を保持しながら、基板をその上で研磨する複数の研磨ステーション１２４を含む。２つ以上の基板の研磨を一緒に１つの研磨ステーション１２４を使用して行うことができるように、研磨ステーション１２４を、同時に２つ以上の研磨ヘッド１２６と相互に向い合わせるような大きさにする。研磨ヘッド１２６は、図１に破線で示されているオーバーヘッドトラック１２８にマウントされる（図２に示した）キャリッジ２２０に連結される。オーバーヘッドトラック１２８は、研磨モジュール１０６の中を巡ってキャリッジ２２０を選択的に位置決めすることを可能にし、研磨ステーション１２４およびロードカップ１２２の上方の位置での選択的な研磨ヘッド１２６の位置決めを容易にする。図１に図示した実施形態では、オーバーヘッドトラック１２８は、円形の形態を有し、研磨ヘッド１２６を保持しているキャリッジ２２０がロードカップ１２２および研磨ステーション１２４の上方の位置で選択的にかつ独立して回転するおよび／またはそれらから離れることを可能にする。オーバーヘッドトラック１２８は、楕円形か、長円形か、直線か、または他の適した方向を含む他の形態を持つことができ、研磨ヘッド１２６の動きを別の適したデバイスを使用して容易にすることができる。
【００１９】
図１に図示した一実施形態では、研磨モジュール１０６の反対の角に位置する２つの研磨ステーション１２４が示されている。少なくとも１つのロードカップ１２２が、ウェットロボット１０８に最も近い研磨ステーション１２４間の研磨モジュール１０６の角にある。ロードカップ１２２は、ウェットロボット１０８と研磨ヘッド１２６との間の移送を容易にする。任意選択で、（破線で示した）第３の研磨ステーション１２４を、ロードカップ１２２と反対の研磨モジュール１２６の角に置くことができる。あるいは、（やはり破線で示した）ロードカップ１２２の第２の対を、ウェットロボットに近接して置かれたロードカップ１２２とは反対の研磨モジュール１０６の角に位置させることができる。より大きなフットプリントを有するシステムにおいては、追加の研磨ステーション１２４を研磨モジュール１０６内に集積することができる。
【００２０】
各研磨ステーション１２４は、一緒に少なくとも２つの基板を研磨することが可能な研磨面１３０、および基板の各々に対して釣り合った数の研磨ユニットを含む。研磨ユニットの各々は、研磨ヘッド１２６や、コンディショニングモジュール１３２や、研磨流体配送モジュール１３４を含む。一実施形態では、コンディショニングモジュール１３２を、研磨屑を除去することおよびパッドの孔を開くかせることによってパッドをドレッシングするコンディショナとすることができる。別の一実施形態では、研磨流体配送モジュール１３４をスラリ配送アームとすることができる。研磨面１３０は、処理中に研磨面１３０を回転させるプラテンアセンブリ２００（図２参照）上に支持される。一実施形態では、研磨面１３０は、化学機械研磨プロセスおよび／または電気化学機械研磨プロセスのうちの少なくとも１つに適している。別の一実施形態では、プラテンを、研磨中に約１０ｒｐｍから約１５０ｒｐｍの速度、例えば、約８０ｒｐｍから約１００ｒｐｍなどの、約５０ｒｐｍから約１１０ｒｐｍの速度で回転させることができる。
【００２１】
図２は、図１の研磨ステーション１２４のうちの１つの一実施形態を示す部分側面図である。説明を容易にするために、２つ以上の研磨ユニットのうちの１つだけが、図２には示されている。図２に図示した実施形態では、プラテンアセンブリ２００が研磨パッド２０４を支持する。パッド２０４の上側表面は、研磨面１３０を形成する。プラテン２０２は、上側表面２１４および下側表面２１６を備える。一実施形態では、２つ以上の基板の研磨を一緒に１つの研磨パッド２０４を使用して行うことができるように、プラテン２０２および研磨パッド２０４を、同時に２つ以上の研磨ヘッド１２６と相互に向かい合うような大きさにする。プラテン２０２は、１つまたは複数のベアリング２１２によって内フレーム２０３上に可動的に支持される。プラテン２０２は、プラテンアセンブリ２００を回転させるために動作するモータ２０８にシャフト２０６によって連結される。モータ２０８を、内フレーム２０３にブラケット２１０によって連結することができる。一実施形態では、モータ２０８は、直接駆動モータである。シャフト２０６を回転させるために、他のモータをやはり利用することができる。図２に図示した一実施形態では、基板１７０を研磨ヘッド１２６によって研磨面１３０に対して保持しながら、プラテンアセンブリ上に保持されるパッド２０４を処理中に回転させるように、プラテンアセンブリ２００を回転させるためにモータ２０８を利用する。
【００２２】
一実施形態では、プラテン２０２は、セラミックスや、アルミニウムや、鋼鉄や、ニッケルや、ポリマーや、これらの組み合わせを含む群から選択されるプロセスに耐性のある材料を含むことができる。一実施形態では、プラテン２０２は、酸化アルミニウムや、窒化アルミニウムや、酸化シリコンや、炭化シリコンや、窒化シリコンや、酸化チタンや、酸化ジルコニウムや、これらの組み合わせのうちの少なくとも１つを含むことができる。プラテン２０２を、セラミック粉末をホットプレスし、シンタリングし、次にプラテン２０２の最終形状を形成するためにシンタリングした状態を機械加工することによって作る一体の巨大なセラミックとすることができる。一実施形態では、プラテン２０２の最終形状を形成するために、プラテン２０２をエッチングすることができる。一実施形態では、プラテン２０２は、約３０インチ（７６．２ｃｍ）よりも大きな直径、例えば、４２インチ（１０６．７ｃｍ）などの、約３０インチ（７６．２ｃｍ）と約５２インチ（１３２．１ｃｍ）との間の直径を有する。
【００２３】
一実施形態では、研磨ヘッド１２６を、約１０ｒｐｍから約１５０ｒｐｍの範囲の速度、例えば、約８０ｒｐｍから約１００ｒｐｍなどの、約５０ｒｐｍから約１１０ｒｐｍの範囲の速度で回転させる。研磨ヘッド１２６は、約０．５ｐｓｉから約５．０ｐｓｉの範囲の圧力、例えば、約１．５ｐｓｉから約４．０ｐｓｉなどの、約１ｐｓｉから約４．５ｐｓｉの範囲の圧力で基板１７０をパッド２０４に対して押し付けることができる。研磨ヘッド１２６は、好ましくは約１０インチ（２５．４ｃｍ）から１４インチ（３５．６ｃｍ）の移動範囲を有することができる。研磨ヘッド１２６を、毎分約１スイープ（ｓｗｐ／ｍｉｎ）から約４０ｓｗｐ／ｍｉｎの頻度、例えば、約１２ｓｗｐ／ｍｉｎから約２５ｓｗｐ／ｍｉｎなどの、約５ｓｗｐ／ｍｉｎから約３０ｓｗｐ／ｍｉｎの頻度でスイープさせることができる。各スイープを、約１０インチ（２５．４ｃｍ）から約１４インチ（３５．６ｃｍ）とすることができる。
【００２４】
プラテンアセンブリ２００を、異なる研磨ヘッド１２６によって保持され、異なる研磨ユニットによって扱われる少なくとも２つの基板の研磨に適応する研磨パッド２０４を支持する大きさにする。一実施形態では、誘電性研磨パッド２０４は、約３０インチ（７６．２ｃｍ）より大きな直径、例えば、４２インチ（１０６．７ｃｍ）などの、約３０インチ（７６．２ｃｍ）と約５２インチ（１３２．１ｃｍ）との間の直径を有する。誘電性研磨パッド２０４を同時に２つの基板を研磨するために利用することができるとは言え、パッド上で同時に研磨する基板の数当たりのパッド単位面積は、従来の枚葉基板パッドよりもはるかに大きく、それによってパッド使用寿命を著しく延長することを可能にする。
【００２５】
図３Ａは、本明細書において説明する一実施形態によるプラテン２０２の上面図であり、図３Ｂは、プラテン上に配置されたパッド２０４を有する図３Ａのプラテン２０２の概略的側面図である。プラテン２０２は、研磨パッド２０４をその上に配置することができるパターン付き表面を備える。パターン付き表面は、盛り上がったフィーチャおよび窪んだ領域を画定するパターン付き表面上に形成されたフィーチャを有することができる。一実施形態では、プラテン２０２のパターン付き表面に、本明細書において説明する実施形態を使用してテクスチャを付けることができる。一実施形態では、盛り上がった領域は、複数の突起部３０２からなり、窪んだ領域は、複数の交差する溝３０４からなる。一実施形態では、溝３０４のうちの少なくとも１つは、一方の端３０６から他方の端３０６へとプラテン２０２の表面を横断して延びる。別の一実施形態では、交差する溝３０４を、両端のところで溝３０４を遮断することによって含有させることができる。別の一実施形態では、溝３０４を、一端において遮断することができる。
【００２６】
一実施形態では、溝３０４は、約０．００５インチ（０．１２７ｍｍ）と約１インチ（２５．４ｍｍ）との間の溝ピッチ、例えば、約０．０２０インチ（０．５０８ｍｍ）などの、約０．００５インチ（０．１２７ｍｍ）から約０．０５０インチ（１．２７ｍｍ）の間の溝ピッチを有する。０．５インチの溝ピッチは、閉じ込められる空気泡の最大直径を約０．５インチ（１２．７ｍｍ）に制限する。直径で０．５インチより大きなすべての気泡は、空気抜きのための溝３０４にぶつかるであろう。空気泡のサイズを制限するために、様々な溝ピッチおよびパターンを選択することができる。一実施形態では、溝断面は、パッド交換間の溝のクリーニングを容易にするために浅いＶ溝を備えることができる。一実施形態では、溝３０４は、約０．００３インチ（０．０７６２ｍｍ）から約０．０２５インチ（０．６３５ｍｍ）の間の深さ、例えば、約０．０１０インチ（０．２５４ｍｍ）の深さを有する。
【００２７】
一実施形態では、交差する溝３０４は、Ｘ−Ｙ溝パターンを形成することができる。Ｘ−Ｙ溝パターンが示されているが、本明細書において説明する実施形態は、渦巻きパターンや、六角形パターンや、円形パターンや、プラテン２０２上に研磨パッドを取り付けるときに閉じ込められる空気泡の逃げを可能にする任意の他の溝パターンを含む他の溝パターンを是認する。
【００２８】
図３Ａおよび図３Ｂに示した突起部３０２および溝３０４を、プラテン２０２の上側表面の一部を機械加工で取り去ることによって画定することができる。しかしながら、本明細書において説明する実施形態は、やはり、突起部３０２および溝３０４を形成するための他の方法を是認する。例えば、複数の突起部３０２をプラテン２０２とは別々に作成することができる。突起部３０２を、次にろう付けまたは溶接などの従来法によってプラテン２０２の表面に固定することができる。別の一実施形態では、プラテン２０２は、（図２に示した）モータ２０８に固定された下側プレートおよびパッド２０４をマウントするためのパターン付き表面を含む上側プレートを持っている２つの分離可能なプレートを備えることができる。プレートを、溶接などの方法によって恒久的に連結することができる、またはこれらを一時的な留め具またはクランプによって取り外し可能に連結することができる。後者の実施形態は、交換可能なマウンティング表面を有する多目的プラテンアセンブリを提供する。
【００２９】
図４Ａは、本明細書において説明する別の一実施形態によるプラテン２０２の上面図であり、図４Ｂは、プラテン上に配置されたパッド２０４を有する図４Ａのプラテン２０２の概略的側面図である。一実施形態では、プラテン２０２は、プラテン２０２の下側表面２１６と上側表面２１４との間に形成された複数のスルーホール４０２備えることができる。一実施形態では、スルーホール４０２を一様に分布させることができる。別の一実施形態では、スルーホール４０２をランダムに分布させることができる。一実施形態では、プラテンの上側表面２１４に、本明細書において説明する実施形態を使用してテクスチャを付けることができる。
【００３０】
図４Ａおよび図４Ｂに示したようにスルーホール４０２が一様なＸ−Ｙパターンを形成するが、本明細書において説明する実施形態は、渦巻きパターンや、六角形パターンや、円形パターンや、プラテン２０２上に研磨パッドを取り付けるときに閉じ込められる空気泡の逃げを可能にする任意の他のパターンを含む他のパターンを是認する。一実施形態では、スルーホール４０２を、直径で０．０１０インチ（０．２５４ｍｍ）と約０．５００インチ（１２．７ｍｍ）との間とすることができる。一実施形態では、隣接するスルーホール４０２の端間の間隔は、約０．００５インチ（０．１２７ｍｍ）と約１インチ（２５．４ｍｍ）との間、例えば、約０．０２０インチ（０．５０８ｍｍ）などの、約０．００５インチ（０．１２７ｍｍ）から約０．０５０インチ（１．２７ｍｍ）との間である。スルーホール４０２の様々な直径およびパターンを、存在する空気泡のサイズを制限するために選択することができる。
【００３１】
図５は、本明細書において説明する別の一実施形態によるプラテン上に配置されたパッド２０４を有するプラテン２０２の概略的側面図である。一実施形態では、プラテン２０２の上側表面２１４に、テクスチャを付けることができる。一実施形態では、テクスチャ付き表面は、ランダムに分布したディンプル５０２を含む。一実施形態では、プラテン２０２の上側表面２１４上にランダムに分布したディンプル５０２を形成するために、プラテン２０２の上側表面２１４を粗くすることができる。ビーズブラストプロセスか、エッチバックプロセスか、またはこれらの組み合わせを使用して、上側表面２１４を粗くすることができる。
【００３２】
一実施形態では、ディンプル５０２を、ビーズブラストプロセスを使用して形成することができる。この方法は、プラテン２０２の上側表面２１４の表面粗さを大きくする。この方法は、プラテン２０２の上側表面２１４の二乗平均平方根（「ＲＭＳ」）粗さを約０．７５ミクロンから約６ミクロンに、例えば、約１．５ミクロンと約５ミクロンとの間に、例えば、約２ミクロンに大きくする。ビーズブラスティングでは、表面を粗くするために適した高い圧力で空気によって、堅いビーズを表面に向けて進ませる。ビーズがプラテン２０２の上側表面２１４を浸食し粗くすることを可能にするために、ビーズは下地構造の堅さよりも高い堅さを有する材料を含むことができる。適したビーズ材料は、例えば、酸化アルミニウムや、ガラスや、シリカや、硬質プラスチックや、ガーネットや、炭化シリコンや、酸化シリコンや、これらの組み合わせを含む。一実施形態では、ビーズ材料は、約２４グリットから約８０グリット（約５３５ミクロンから約１９２ミクロン）の間の粒径を有することができる。
【００３３】
一実施形態では、ディンプル５０２を、プラテン２０２の上側表面２１４を化学的に粗くすることによって形成することができる。用語化学的に粗くすることを、広く解釈すべきであり、プラテン２０２の表面を化学的にエッチングすることか、プラテン２０２の表面を電気化学的にエッチングすることか、またはこれらの組み合わせを含むが、これらに限定されない。上に説明したビーズブラスティングプロセスのように、取り付けた研磨パッドの表面上の空気泡の形成を減少させる粗面を形成するために、化学的に粗くするプロセスを使用する。プラテン２０２の表面を化学的に粗くする方法は、プラテンが作られている材料に依存し、化学クリーニングや、金属組織学や、化学成形の分野の当業者には普通に知られているまたは理解されているはずである。用語化学的エッチングは、化学的活性度を使用することによってプラテン２０２の表面から物質を取り去るプロセスを一般に記載することを意味するが、これに限定されない。使用できる代表的な化学薬品の例を、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）か、硝酸（ＨＮＯ３）か、塩酸（ＨＣｌ）か、もしくはこれらの組み合わせなどの酸を含有する酸性水溶液、または水酸化カリウム（ＫＯＨ）か、水酸化アンモニウム（ＮＨ４ＯＨ）か、もしくはこれらの組み合わせなどの化学薬品を含有するアルカリ性水溶液とすることができる。別の一実施形態では、プラテン２０２の表面を化学エッチングするプロセスを、やはり、ドライエッチング（プラズマエッチ）プロセスを使用することによって遂行することができる。ドライエッチングは、一般に、プラテン２０２の表面と相互作用し、最終的に表面から物質を除去する反応性ガス種を活性化するまたは分離させるためのプラズマを発生させるプロセスである。用語電気化学的エッチングは、陰極として働きしかも電解質溶液中に浸される別の１つの要素に対してプラテン２０２に陽極バイアスを印加することによって、プラテン２０２の表面から物質を除去するプロセスを一般に記載することを意味するが、これに限定されない。
【００３４】
プラテン２０２が、溝や、テクスチャ付き表面や、スルーホールの任意の組み合わせを含むことができることを、理解すべきである。
【００３５】
上記は本発明の実施形態に向けられているが、本発明の別の実施形態およびさらなる実施形態を、本発明の基本的な範囲から乖離せずに考案することができ、本発明の範囲は、下記の特許請求の範囲によって決められる。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【国際調査報告】
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