(57)【要約】  本発明は、集光ビーム（４０）を介して層（３２、３４）内及び／又は層上にパターン（２０、２２、２４）を生成するパターニング装置（１０、１２）に関する。パターニング装置は、集光ビーム（４０）を生成する光源（５０）、集光ビーム（４０）を複数の集光サブビーム（４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ）に分光する回折光学要素（６０）、及びパターンを生成するために複数の集光サブビームに対して層を位置決めする位置決め手段（７０）を有する。集光サブビームは、層内及び／又は層上にパターンを生成するよう構成される。複数の集光サブビームのうちの少なくとも２つのサブビームは、実質的に等しい強度を有する。本発明によるパターニング装置の効果は、単一の集光ビームが複数の集光サブビームに分光され、複数の集光サブビームを用いて比較的大面積をパターニングするマルチスポットのパターニングを生成することである。従って、このような領域をパターンで満たすため及び層内及び／又は層上にパターンを生成するためのパターニング時間は、大幅に短縮される。
2012533149.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集光ビームを介して層内及び／又は層上にパターンを生成するパターニング装置であって：
前記集光ビームを生成する光源、
前記集光ビームを前記層内及び／又は層上に前記パターンを生成するよう構成された複数の集光サブビームに分光する回折光学要素、
前記パターンを生成するために前記層を前記複数の集光サブビームに対して位置決めする位置決め手段、
を有し、
前記複数の集光サブビームのうちの少なくとも２つのサブビームは実質的に等しい強度を有する、
ことを特徴とするパターニング装置。
【請求項２】
前記回折光学要素は、前記集光ビームを集光サブビームの１次元アレイに又は集光サブビームの２次元アレイに分光するよう構成され、
前記集光サブビームの１次元アレイ又は前記集光サブビームの２次元アレイの更なる複数の集光サブビームは、実質的に等しい強度を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載のパターニング装置。
【請求項３】
前記回折光学要素は、二相格子及び／又は二値振幅格子及び／又は可変位相格子及び／又は可変振幅格子及び／又はホログラフィック位相光学要素及び／又はホログラフィック振幅光学要素及び／又はホログラフィック位相格子及び／又はホログラフィック振幅格子及び／又は空間光変調器である、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のパターニング装置。
【請求項４】
実質的に等しい強度を有する前記集光サブビームのそれぞれは、前記層内及び／又は層上に前記パターンを生成するのに十分な強度を有する、
ことを特徴とする請求項１、２又は３に記載のパターニング装置。
【請求項５】
並んだ集光サブビームのうちの隣接する集光サブビームの各対の間の角度は、実質的に同一である、
ことを特徴とする請求項１、２、３又は４に記載のパターニング装置。
【請求項６】
前記回折光学要素は、前記集光サブビームの数及び／又は前記集光サブビームの強度を適応するよう構成され、
前記回折光学要素は、調整可能な屈折率の半透明材を有する半透明材を有するピクセルを有し、及び／又は、
前記回折光学要素は、複数の異なる格子を有し、
前記各格子は、所定数の集光サブビーム及び／又は所定強度の集光サブビームを生成し、
前記回折光学要素は、前記複数の異なる格子のうちの１つに対して前記集光ビームを整列させるために、前記集光ビームに対して移動可能である、
ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載のパターニング装置。
【請求項７】
前記回折光学要素は、前記複数の集光サブビームを生成するために前記集光ビームの光路内に移動可能なように、及び前記集光ビームの光路外へ移動可能なように構成される、
ことを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載のパターニング装置。
【請求項８】
前記層は有機発光ダイオード素子の一部である、
ことを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載のパターニング装置。
【請求項９】
前記層は前記有機発光ダイオード素子の光反射層であり、前記パターニング装置は前記パターンを生成するために前記光反射層の局部変形を生成するよう構成される、又は
前記層は前記有機発光ダイオード素子の発光層であり、前記パターニング装置は前記パターンを生成するために前記発光層を局所的に損傷するよう構成される、又は
前記層は前記有機発光ダイオード素子の電流支持層であり、前記パターニング装置は有機発光材料、アノード層又はカソード層を実質的に変更せずに前記電流支持層の電流支持特性を局所的に変更するよう構成され、前記電流支持特性は動作中に前記有機発光材料を通じて流れる電流を局所的に決定する、
ことを特徴とする請求項８に記載のパターニング装置。
【請求項１０】
前記パターニング装置は、前記有機発光ダイオード素子のカプセルを通じて前記層内及び／又は層上に前記パターンを生成するよう構成される、
ことを特徴とする請求項８又は９に記載のパターニング装置。
【請求項１１】
前記光反射層の前記局部変形の密度及び／又は前記光反射層の前記局部変形の寸法及び／又は前記発光層への局部損傷の密度及び／又は前記電流支持層の前記電流支持特性の局所的な変更の密度及び／又は前記電流支持層の前記電流支持特性の変更のレベルは、知覚されるグレイ・レベルを与える、
ことを特徴とする請求項９又は１０に記載のパターニング装置。
【請求項１２】
前記光源はレーザ光源及び／又はレーザ・ダイオードである、
ことを特徴とする請求項１乃至１１の何れか一項に記載のパターニング装置。
【請求項１３】
前記光源は、３２０ナノメータ乃至２０００ナノメータの範囲の集光ビーム及び／又は集光サブビームを生成するよう構成される、
ことを特徴とする請求項１乃至１２の何れか一項に記載のパターニング装置。
【請求項１４】
前記パターニング装置は、前記集光ビーム及び／又は集光サブビームの焦点位置を制御する合焦手段を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至１３の何れか一項に記載のパターニング装置。
【請求項１５】
前記パターニング装置は、前記集光ビーム及び／又は集光サブビームのエネルギ・レベル、及び／又は前記集光ビーム及び／又は集光サブビームの色、及び／又は前記集光ビーム及び／又は集光サブビームに対する前記層の位置を変更する速度を制御する手段を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至１４の何れか一項に記載のパターニング装置。
【請求項１６】
前記パターニング装置は、
前記層内及び／又は層上に前記パターンとして生成される入力パターンを受ける入力手段、
前記パターンを生成するために、前記入力パターンを前記層に対する前記集光ビーム及び／又は前記集光サブビームの位置に、及び／又は前記集光ビーム及び／又は前記集光サブビームのスポット・サイズに、及び／又は前記集光ビーム及び／又は前記集光サブビームの強度変動に、及び／又は前記集光ビーム及び／又は集光サブビームの色変動に変換する変換手段、
を更に有する請求項１乃至１５の何れか一項に記載のパターニング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、層内及び／又は層上にパターンを生成するパターニング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
集光ビームを用いて基板の層内及び／又は層上にパターンを生成するパターニング装置は従来知られている。これらの知られているパターニング装置は、例えばレーザ光源を用いて集光ビームを生成する。集光ビームは、層を局所的に例えば損傷させて目に見えるパターンを作成するのに十分なエネルギ密度を有する。このようなパターニング装置は、パターンを生成又は描画するために集光ビームを基板の表面に渡って移動させる手段を有する。
【０００３】
有機発光ダイオード素子（以後、ＯＬＥＤ素子としても表される）は、いろいろな意味で種々の照明器具で次世代のものと考えられている。例えば、有機発光ダイオード素子は間接照明を生成するために用いられてもよい。ＯＬＥＤ素子は、標準的に、カソード、アノード、発光有機層を有する。これらの部分は、標準的に基板上に積み重ねられる。発光有機層は、電流を電導しうる有機材料で製造される。カソード及びアノードを介して有機材料に電圧が印加されたとき、電流は有機材料を通じて流れる。有機材料は、ＯＬＥＤ素子から放射される光子を生成する。近年、ＯＬＥＤ素子のパターニングが記載されている。ＯＬＥＤ素子の全ての本来備わっている利点、例えば目立つ、拡散面照明光源である、等を維持したまま、完全な２次元グレイ・レベル画像は単一のＯＬＥＤ素子内でパターニングされてもよい。
【０００４】
パターニングされたＯＬＥＤ素子の第１の例は、本出願人の未公開の特許出願、代理人整理番号ＰＨ０１１８２１に記載されている。該特許出願には、ＯＬＥＤ素子内のパターンが光反射層内で変形として生成されることが記載されている。パターニングされたＯＬＥＤ素子の第２の例は、本出願人の未公開の特許出願、代理人整理番号ＰＨ０１２０３３に記載されている。該特許出願には、有機発光材料、アノード層及びカソード層を実質的に変更せずに衝突する集光を介して電流支持層の電流支持特性を変更することにより、ＯＬＥＤ素子内のパターンが電流支持層内で生成されることが記載されている。電流支持特性は、動作中に有機発光材料を通じて流れる電流を局所的に決定する。これらのパターニングされたＯＬＥＤ素子は、正確な細部及び高いコントラストを保証するために、比較的狭いスポット径及び比較的高いエネルギ密度を有する集光ビームを用いて生成される。
【０００５】
知られているパターニング装置の欠点は、パターンの生成に長時間を要することである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、特定のパターンを生成するための時間であるパターニング時間が短縮されるパターニング装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様によると、上述の目的は請求項１に記載されたパターニング装置により達成される。
【０００８】
本発明の第１の態様に従い層内及び／又は層上にパターンを生成するパターニング装置は、パターンを生成するために集光ビームを生成する光源、集光ビームを層内及び／又は層上にパターンを生成するよう構成された複数の集光サブビームに分光する回折光学要素、及びパターンを生成するために複数の集光サブビームに対して層を位置決めする位置決め手段、を有し、複数の集光サブビームのうちの少なくとも２つのサブビームは、実質的に等しい強度を有する、ことを特徴とする。
【０００９】
本発明によるパターニング装置の効果は、回折光学要素を介して単一の集光ビームが複数の集光サブビームに分光され、複数の集光サブビームがパターンを生成するために用いられることである。従って、画像内の大面積を満たすような特に実質的に同様の構造を有するパターンで比較的大面積を画像化するときに、該面積をパターンで満たすため及びパターンを層内及び／又は層上に生成するためのパターニング時間は、大幅に短縮される。知られているパターニング装置では、例えば、集光ビームの寸法又は幅は、集光ビームのパターニング・スポットを増大させるよう適応され、従ってパターニング時間を短縮しうる。しかしながら、このような集光ビームの寸法又は幅の増大は、光源により生成されるパワーの有意な増大を必要とする。何故なら、集光ビームの所要のパワーはスポット直径と共に二次関数的に拡大縮小されるからである。これは、パターニング時間の実質的な短縮のために、非常に高いパワーを有する集光ビームが必要であり、明らかにパターニング装置のコストを増大させることを意味する。更に、システム内に存在する如何なる走査及び／又は画像化光学機器も、広いダイナミック・レンジの光強度で動作する必要があり、このような知られているシステム内の深刻な熱負荷に耐えなければならない。最後に、パターンが生成されるべき層上の熱負荷は、このような知られているシステム内の集光ビームの寸法の増大により増大する。これは、特定の種類の層をパターニングするとき、例えばＯＬＥＤ素子内の層をパターニングするときに望ましくない。本発明によるパターニング装置を用いることは、層内及び／又は層上にパターンを生成するために必要な時間を短縮する。更に、集光ビームの所要のパワーが回折光学要素により生成される集光サブビームの数にのみ線形的に対応するので、集光ビームを集光サブビームに分光することは、集光ビームの所要のパワーの増大が限度内に維持されることを保証する。従って、回折光学要素を用いてパターニング時間を短縮するとき、パターニング装置のコストの増大は限られたままである。
【００１０】
パターニング時間を短縮する代替の方法は、層に渡る集光ビームの走査速度を同時に増大させながら、集光ビームの強度を増大させることである。しかしながら、この増大した走査速度は、パターンの描画の精度を低下させ、好ましくない。更に、この集光ビームの増大した強度は、パターンが生成される層の損傷を局所的にもたらしうる。特に、任意の前述のパターン化されたＯＬＥＤ素子をパターン化するパターニング装置を用いるとき、パターンが生成されるべきＯＬＥＤ素子層は、集光ビームの非常に高い局所的な強度により比較的容易に損傷されうる。これは、使用に適さないパターン化されたＯＬＥＤをもたらしうる。本発明による回折光学要素を用いて集光ビームを複数の集光サブビームに分光することにより、集光サブビーム毎の強度は、パターンを生成するために必要な時間を実質的に短縮したまま、集光サブビームが例えばＯＬＥＤ素子を損傷するのを防ぐ限度内にする。
【００１１】
論文「Two-Dimensional  Optical  Storage:  High-speed  read-out  of  a  ５０  GByte  single-layer  optical  disc  with  a  ２D  format  using  λ=４０５nm  and  NA=０.８５」、Bruls他、Jpn  J  Appl  Phys  Part１,  Vol.４４,  No５B、pp３５４７-３５５３(２００５)には、光ディスクの並列読み出しのために、光ディスクの読み出しのためのレーザ・ビームがそれぞれ実質的に同一の強度を有するレーザ・ビームのアレイに分光される回折格子が開示されている。この文献は本発明による層内及び／又は層上にパターンを生成するパターニング装置の分野とは完全に異なる技術分野である光ディスクの読み出しの技術分野に関するが、上述の文献で定められた格子は、集光ビームをパターンを生成するために用いられうる複数の集光サブビームに分光するために用いられてもよい。上記文献は、エネルギが異なる格子の位階に渡り均等に分散され、従って少なくとも２つの集光サブビームが実質的に等しい強度を有する格子の使用を開示している。発明者は、素子の層をパターニングするときに、特に層内及び／又は層上にパターンを生成するためにパターニング要件が比較的高いエネルギを有する細い集光ビームを有することを含むときに、このような回折格子が有利に用いられうることを理解している。
【００１２】
パターニング装置の一実施形態では、前記回折光学要素は、前記集光ビームを集光サブビームの１次元アレイに又は集光サブビームの２次元アレイに分光するよう構成され、前記集光サブビームの１次元アレイ又は前記集光サブビームの２次元アレイの更なる複数の集光サブビームは、実質的に等しい強度を有する、ことを特徴とする。用語「実質的に等しい強度」は、集光サブビームの強度が個々のサブビームの光強度の数パーセントの範囲内で等しいことを意味する。「更なる複数の」は、１次元アレイの２以上の集光サブビームを表してもよく、又は２次元アレイの２以上の集光サブビームを表してもよく、又は２次元アレイの行又は列の２以上の集光サブビームを表してもよい。好適な実施形態では、集光サブビームの１次元アレイの又は集光サブビームの２次元アレイの全ての集光サブビームは、実質的に等しい強度を有する。このパターニング装置の利点は、回折光学要素に衝突する実質的に全ての光が集光サブビームに再分配されるとき、単一の集光ビームから複数の集光サブビームへの変換効率が高いことである。集光ビームからの一部の光のみが、迷光として失われうる。迷光は、集光サブビームの強度の１０％より低い強度を有する光として定められてもよい。
【００１３】
このような分光回折光学要素を用い、１つだけでなく１次元又は２次元アレイのスポットがパターンを生成するために用いられてもよい。このようなパターニング装置では、パターン化されるべき構造の端は、例えば単一のスポットを用いてパターン化され、該構造の正確且つ良好に定められた線又は端を保証してもよい。大面積、例えば単一のスポットにより定められた端により囲まれた領域は、実質的に等しい強度を有する更なる複数のスポットを生成し該領域の比較的大きい部分を同時にパターニングする上述の回折光学要素を用いてパターン化されてもよい。
【００１４】
パターニング装置の一実施形態では、回折光学要素は、二相格子及び／又は二値振幅格子及び／又は可変位相格子及び／又は可変振幅格子及び／又はホログラフィック位相光学要素及び／又はホログラフィック振幅光学要素及び／又はホログラフィック位相格子及び／又はホログラフィック振幅格子及び／又は空間光変調器を有する。このような回折光学要素は、「Ｇｓｏｌｖｅｒ」のような光学設計ソフトウェアを用いて比較的容易に設計されうる。このような光学設計ソフトウェアを用い、上述の回折光学要素は、高い分光効率を有するように、従って集光ビームの９０％より多い光が複数の集光サブビームに渡って再分配されるように製造されてもよい。上述の回折光学要素を用いるときの更なる利点は、それらは例えば金属マスタを用いる又は例えばインプリントを用いる例えば耐久、透明プラスチック材料で良く知られた注入モルディング技術を介して製造されうるので、それらが比較的低い製造コストを有することである。空間光変調器は、空間光変調器を変更することにより変更されうる可塑性回折光学要素を可能にする。このような空間光変調器は、例えば複数の集光サブビームを得るために液晶セルの屈折率を局所的に変化するよう制御され得る液晶セルのアレイであってもよい。
【００１５】
パターニング装置の一実施形態では、実質的に等しい強度を有する前記集光サブビームのそれぞれは、前記層内及び／又は層上に前記パターンを生成するのに十分な強度を有する、ことを特徴とする。従って、集光サブビームのアレイ内の集光サブビームの各々は、パターンを生成するために同時に用いられてもよい。従って、所定の規則的間隔の複数の集光サブビームを用いて比較的大面積のパターニングをする真のマルチスポット・パターニングが行われうる。
【００１６】
パターニング装置の一実施形態では、並んだ集光サブビームのうちの隣接する集光サブビームの各対の間の角度は、実質的に同一である。これは、実質的にある方向に等しい間隔の集光サブビームを生じる。別の方向では、例えばある方向に垂直な方向では、間隔は等しいか又は異なっていてもよい。このパターニング装置の利点は、層に衝突する集光サブビームの間隔が複数の実質的に等しい間隔のスポットを生じることである。スポット間の距離は、回折光学要素と層との間の距離を変化させることにより、又は回折光学要素を回転して、回折光学要素により生成される集光サブビームのパターンを変更する格子構造間の距離を光学的に減少する角度で集光ビームが回折光学要素に衝突するようにすることにより、変更されてもよい。後者の場合、回転は、望ましくは集光ビームの被写界深度の範囲内である。或いは、描画中の層上のスポット間の距離は、格子に実質的に一致する層内で回折光学要素を回転することにより変更されてもよい。上述の一実施形態では集光サブビーム間の物理的距離は変更されないが（何故なら格子が層から等距離に配置され、同一の格子を有するので）、走査方向で知覚される集光サブビーム間の距離は短縮される。集光サブビームが集光サブビームの線内に配置される場合、実質的に格子に一致するこの層内の回転は、集光サブビームの線をもはや実質的にパターニング装置の走査方向と垂直に配置しないが、集光サブビームの線にパターニング装置の走査方向との角度を形成させる。従って、描画中に層上のスポット間の距離を効率的に短縮する。最後に、異なる回折光学要素が用いられ、例えばスポット間の距離を変更するために前の回折光学要素を置き換えてもよい。
【００１７】
パターニング装置の一実施形態では、回折光学要素は、集光サブビームの数及び／又は集光サブビームの強度を適応するよう構成され、回折光学要素は調整可能な屈折率の半透明材料を有する半透明材料を有するピクセルを有する。このような半透明材料は、例えば、半透明材料の屈折率を局所的に切り替えてピクセル、従って回折光学要素の特性を変更するために用いられうる局部電界に反応しやすくてもよい。屈折率材料を切り替える電気的構成は、液晶を切り替えて液晶ディスプレイのセルの透過率に差を生成する液晶ディスプレイ装置で用いられる電気的構成に類似していてもよい。ピクセルの特性を変更することにより、集光サブビームの数及び／又は集光サブビームの強度は、回折光学要素により動的に変更されうる。回折光学要素は、半透明材料を局所的に変更するよう構成されたピクセルを有する空間光変調器を有してもよい。
【００１８】
パターニング装置の一実施形態では、前記回折光学要素は、前記集光サブビームの数及び／又は前記集光サブビームの強度を適応するよう構成され、前記回折光学要素は、複数の異なる格子を有し、前記各格子は、所定数の集光サブビーム及び／又は所定強度の集光サブビームを生成し、前記回折光学要素は、前記複数の異なる格子のうちの１つに対して前記集光ビームを整列させるために、前記集光ビームに対して移動可能である、ことを特徴とする。回折光学要素を移動することにより、複数の異なる格子からの所要の回折が選択され、パターニング装置のパターニングのために必要な集光サブビームの数及び／又は集光サブビームの強度を生成する。
【００１９】
パターニング装置の一実施形態では、前記回折光学要素は、前記複数の集光サブビームを生成するために前記集光ビームの光路内に移動可能なように、及び前記集光ビームの光路外へ移動可能なように構成される、ことを特徴とする。このパターニング装置の利点は、パターニング装置がパターンを生成するために、例えば構造の端を生成するときに、共に単一の集光ビームを用いてもよいことである。或いは、パターニング装置は、回折光学要素を集光ビームの光路内へスライドし、大面積をパターニングするために、例えば単一の集光ビームを用いて端が生成される構造を満たすために複数の集光サブビームを生成してもよい。標準的に、このような回折光学要素が集光ビームの光路内に移動可能なパターニング装置は、複数の集光サブビームに分光しないときに標準的に高すぎる集光ビームのパワーを調整する手段を必要とする。従って、光源のパワーが適応されるか、集光ビームが弱められてもよい。或いは、走査速度は、集光ビームのパワー密度が層の特定の損傷限界を超えないように増大されてもよい。代替の実施形態では、パターニング装置は、２つの光源を有してもよい。第１の光源は、層内及び／又は層上にパターンを生成するための強度を有する第１の集光ビームを生成する。第２の光源は、回折光学要素を介して複数の集光サブビームに分光されるよう構成される。複数の集光サブビームのうちの殆どの集光サブビームは、層内及び／又は層上にパターンを生成するための強度を有する。従って、集光ビームの強度の変更は必要ない。これは、パターニング装置の安定性をもたらす。
【００２０】
パターニング装置の一実施形態では、層は有機発光ダイオード素子の一部である。上述のように、近年、パターンを生成及び表示するための有機発光ダイオード素子の使用が一般的になってきている。現在、ＯＬＥＤ素子の全ての本来備わっている利点、例えば目立つ、拡散面照明光源である、等を維持したまま、完全な２次元グレイ・レベル画像を単一のＯＬＥＤ素子内で生成することが可能である。
【００２１】
パターニング装置の一実施形態では、層は有機発光ダイオード素子の光反射層であり、パターニング装置はパターンを生成するために光反射層の局部変形を生成するよう構成される。  パターニング装置の好適な実施形態では、層はパターンのピクセルを生成するために局部的に変形されるだけである。これは、標準的に導電層である層が層全体に渡り依然として導電性である。しかしながら、僅かなホール又はクラックは、層の残りの部分に渡って導電性を妨害せず層に平行な全体の導電性が良好（tact）なままである限り、局所的に存在しうる。例えば、例えばパターン化された最小の特徴又は構造の１／１００の高さより小さい寸法を有する僅かなホール又はクラックは、可視でなく、層の残りの部分に渡る導電性を明らかに妨害しないかも知れない。光反射層は、標準的にＯＬＥＤ素子のカソード層である。アノード層の少なくとも一部は、ＯＬＥＤ素子により生成される電磁放射に対して実質的に透明であるよう構成される。光反射層は、望ましくは透明層ではない。しかしながら、透明層は一部の衝突する光を反射してもよい。
【００２２】
パターニング装置の一実施形態では、層は有機発光ダイオード素子の発光層であり、パターニング装置はパターンを生成するために発光層の局所的に損傷するよう構成される。標準的に、発光層のこの損傷された部分は、如何なる電流も導電せず、従ってＯＬＥＤ素子からの如何なるパワーも消費しない。このように、発光層の損傷を介して生成されたパターンは、依然としてエネルギ効率の良いＯＬＥＤ素子をもたらす。
【００２３】
パターニング装置の一実施形態では、層は有機発光ダイオード素子の電流支持層であり、パターニング装置は有機発光材料、アノード層又はカソード層を実質的に変更しないまま電流支持層の電流支持特性を局所的に変更するよう構成され、電流支持特性は、動作中に有機発光材料を通じて流れる電流を局所的に決定する。電流支持層は、電流阻止層、電流支持層の界面層、ホール阻止層、及び電子阻止層、電子注入及び／又はトランスポート層、電子注入層の界面、注入抑制層、注入抑制層の界面層、ホール注入及び／又はトランスポート層、ホール注入層の界面、カソード層の界面層、アノード層の界面層及び母材層を有するリストから選択された如何なる層であってもよい。これらの層のうちの如何なる複数のものも、有機発光素子内に存在し、有機発光材料を通じて流れる電流を局所的に決定してもよい。電流支持層内に生成されるパターンは、電流支持特性を局所的に変更する。これは、ＯＬＥＤ素子がオンに切り替えられたとき、つまりＯＬＥＤ素子が光を放射するために電源に接続されたとき、発光層を通じて局所的に異なる電流強度により引き起こされる光強度変動を介して明らかに可視であるパターンをもたらす。発光層自体を変更しないことにより、及びアノード層又はカソード層を変更しないことにより、ＯＬＥＤ素子がオンに切り替えられないとき、つまり光を放射するために電源に接続されていないとき、パターンは実質的に不可視である。
【００２４】
パターニング装置の一実施形態では、パターニング装置は、有機発光ダイオード素子のカプセルを通じて層内及び／又は層上にパターンを生成するよう構成される。有機発光ダイオード素子は、標準的に、空気、水及び湿気のような環境の影響から素子を保護するためにカプセル化される。これらの影響は、ＯＬＥＤ素子内に所謂ブラック・スポットの成長を引き起こしうる。ブラック・スポットの場所では、有機発光層は、局所的に存在する湿気に反応し、局所的に欠陥があるものとなり、欠陥の場所からは光を放射できない。更に目立つのは、カソード層は湿気に反応し実質的に有機発光層に電流を局所的に注入できないので、湿気の存在によるカソード層の損傷である。望ましくは、有機発光ダイオード素子は、生産過程の最終段階として、例えばカプセル内に完全に密封される。パターンを生成するために、カプセル化された有機発光ダイオード素子は、依然としてカプセル化された有機発光ダイオード素子内の層をパターニング可能でありながら、環境に対する密封を壊すことなく集光ビームがカプセルに入る窓を有してもよい。パターニング装置がカプセルを通じてパターンを生成可能であるために、カプセルが存在するときにパターンニング装置の画像化光学機器間の距離が大きいというような、パターニング装置の合焦特性の幾らかの柔軟性が要求されてもよい。発光層を損傷することなく、パターンがカプセルを通じて生成されなければならないとき、集光ビームは、ＯＬＥＤ素子の光を放射しない側面であるＯＬＥＤ素子の背面で入力してもよい。このような実施形態では、パターニングは、ＯＬＥＤ素子の光を放射する側面であるＯＬＥＤ素子の前面から明らかに可視であるカソード層内に局部変形を生成することにより行われてもよい。カプセルは、集光ビーム及び集光サブビームの光に対して局所的に透過であってもよい。例えば、カプセルは、パターンを生成するための特定の窓を有してもよい。この特定の窓は、例えば紫外線又は赤外線光に、ＯＬＥＤ素子の層内及び／又は層上にパターンを生成するために用いられてもよい特定の窓を通過させる。特定の窓は、如何なる可視光又はＯＬＥＤ素子により生成された如何なる光も遮断するよう構成されてもよいが、これは必須ではない。カプセルの残りの部分は、ＯＬＥＤ素子により生成される光に対してのみ実質的に透過であってもよい。従って、ＯＬＥＤ素子の光はＯＬＥＤ素子から放射されうる。パターンを生成するためのこの特定の窓は、例えば、カプセル内に、標準的にはＯＬＥＤ素子の背面として示される、発光層が置かれる光反射層の反対側に、位置付けられてもよい。
【００２５】
パターニング装置の一実施形態では、前記光反射層の前記局部変形の密度及び／又は前記光反射層の前記局部変形の寸法及び／又は前記発光層への局部損傷の密度及び／又は前記電流支持層の前記電流支持特性の局所的な変更の密度及び／又は前記電流支持層の前記電流支持特性の変更のレベルは、知覚されるグレイ・レベルを与える、ことを特徴とする。光反射層の局部変形の密度又は寸法を変更することは、局部変形の知覚されるグレイ・レベルを変更するために用いられてもよい。異なる寸法は、集光ビームのパワーを局所的に適応することにより生成されてもよい。これは、光反射層に実質的に垂直な次元である異なる高さを有するか、又は光反射層に実質的に垂直な次元である異なる幅を有する変形を生成しうる。また、発光層の損傷の密度を変更することによっても、知覚されるグレイ・レベルは変更されてもよい。更に、電流支持層の電流支持特性の局所的な変更の密度又はレベルを変更することにより、知覚されるグレイ・レベルが適応されてもよい。
【００２６】
パターニング装置の一実施形態では、光源はレーザ光源及び／又はレーザ・ダイオードである。このパターニング装置の利点は、レーザ光源が比較的良好に定められた集光ビームを生成することである。集光ビームのコヒーレンスにより、回折格子を用いて、集光ビームは複数の集光サブビームに比較的容易に分光されうる。更に、レーザ光源及び特にレーザ・ダイオードは、比較的容易に入手可能であり、小型であり、比較的安価であり、従ってパターニング装置のコストは限られたままである。
【００２７】
パターニング装置の一実施形態では、前記光源は、３２０ナノメータ乃至２０００ナノメータの範囲の集光ビーム及び／又は集光サブビームを生成するよう構成される、ことを特徴とする。通常、レーザ光源が一般的に利用可能な波長を用いることは、発光ダイオード素子の光反射にパターンを生成する比較的簡易且つ安価なシステムを可能にする。このような波長は、例えばレーザ・ダイオードを発光する４０５ナノメータ又はＹＡＧレーザを発光する５３２ナノメータであってもよい。パターニングは光反射層の局所的な過熱によるので、スペクトルの赤外部分で動作するレーザ・システムも同様に用いられうる。
【００２８】
パターニング装置の一実施形態では、パターニング装置は集光ビーム及び／又は集光サブビームの焦点位置を制御する合焦手段を有する。パターニング装置の利点は、このような構成では、集光ビーム及び／又は集光サブビームが異なる場所に合焦され、従って例えば集光ビーム及び／又は集光サブビームがＯＬＥＤ素子のカプセルを通じて適用されることである。このようなパターニング装置は、ＯＬＥＤ素子の生産中、ＯＬＥＤ素子が生産された後、及びＯＬＥＤ素子がカプセル化された後でも用いられてもよい。集光ビーム及び／又は集光サブビームの焦点の場所が可視的であるので、パターニング装置は、状況に適応し、アノード及び／又はカソード層を通じて合焦可能であり、例えばＯＬＥＤ素子のカプセルを通じて合焦されてもよい。後者は、ＯＬＥＤ素子の生産を完全に完成させ、パターンを適応する前にＯＬＥＤ素子をカプセル化する。
【００２９】
パターニング装置の一実施形態では、前記パターニング装置は、前記集光ビーム及び／又は集光サブビームのエネルギ・レベル、及び／又は前記集光ビーム及び／又は集光サブビームの色、及び／又は前記集光ビーム及び／又は集光サブビームに対する前記層の位置を変更する速度を制御する手段を有する、ことを特徴とする。発明者等は、知覚されるグレイ・レベルが、局所パターンの密度及び／又は強度を変更することにより変更されうることを見出した。これは、集光ビームのエネルギ・レベルを用いて、及び／又は集光ビームの色を介して、及び／又は集光ビーム及び／又は集光サブビームに対して層の位置が変更される速度−走査速度としても示される−を介して、制御されてもよい。
【００３０】
パターニング装置の一実施形態では、前記パターニング装置は、前記層内及び／又は層上に前記パターンとして生成される入力パターンを受ける入力手段、前記パターンを生成するために、前記入力パターンを前記層に対する前記集光ビーム及び／又は前記集光サブビームの位置に、及び／又は前記集光ビーム及び／又は前記集光サブビームのスポット・サイズに、及び／又は前記集光ビーム及び／又は前記集光サブビームの強度変動に、及び／又は前記集光ビーム及び／又は集光サブビームの色変動に変換する変換手段、を更に有する。入力パターンを受ける入力手段は、入力パターンがユーザによりパターニング装置に提供される特定の又は汎用のフォーマットを用いるコンピュータであってもよく、コンピュータは、提供される入力パターンをパターニング装置が例えばＯＬＥＤ素子の層内及び／又は層上にパターンを生成するためのコマンド及び／又は駆動信号に変換する変換手段を有する。このようなパターニング装置は、如何なるマスクも必要としないパターニングを可能にする。これはパターニング装置のコストを低減する。更に、入力パターンを受ける入力手段は、このパターニング装置を、比較的小容量のパターン化された層、例えば顧客固有のパターンを有する少量のＯＬＥＤ素子を生成するためにも使用可能にする。固有のパターンは、入力手段を介して顧客により電子的に供給されてもよい。入力手段は、ネットワーク環境、例えばインターネットに接続されてもよい。このような実施形態では、顧客は、彼のカスタマイズされたパターン化層をインターネットを介して単に注文してもよく、所要の入力パターンを製造者のサーバにアップロードしてもよい。パターニング装置により層がパターニングされた後、パターン化された素子、例えばパターン化ＯＬＥＤ素子は顧客に直接出荷されてもよい。
【００３１】
パターニング装置の一実施形態では、入力パターンはデジタル表現のパターンを有する。このような実施形態の利点は、容易なユーザ・インタフェースを可能にすることである。上述のように、デジタル表現の入力パターンをパターニング装置に、例えばデジタル表現の入力パターンをサーバにアップロードすることを介して提供することにより、ユーザはインターネット接続を介して個別のパターン化ＯＬＥＤ素子を比較的簡単に要求しうる。デジタル表現は異なるフォーマットであってもよい。この場合、パターニング装置又はサーバ又はローカル・コンピュータは、例えば提供されたデジタル表現のパターンを層内及び／又は層上にパターンを生成するためにパターニング装置により直接用いられうる表現に変換するフォーマット変換ソフトウェアを更に有してもよい。
【００３２】
本発明のこれら及び他の態様は、以下に記載される実施例から、及びそれらを参照し説明されることにより明らかに説明される。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明によるパターニング装置の概略断面図である。
【図２Ａ】本発明によるパターニング装置の更なる実施形態の概略断面図である。
【図２Ｂ】本発明によるパターニング装置の更なる実施形態の概略断面図である。
【図３Ａ】集光ビームを集光サブビームに分光する回折光学要素の概略図を示す。
【図３Ｂ】回折光学要素を用いてパターンを描画している間に、層上に分布するスポットを示す。
【図３Ｃ】回折光学要素を用いてパターンを描画している間に、層上に分布するスポットを示す。
【図３Ｄ】回折光学要素を用いてパターンを描画している間に、層上に分布するスポットを示す。
【図４Ａ】パターンを表す光反射層内及び／又は層上の局部変形を有し、パターンを表す発光層の局部損傷を有するＯＬＥＤ素子の概略断面図を示す。
【図４Ｂ】パターンを表す光反射層内及び／又は層上の局部変形を有し、パターンを表す発光層の局部損傷を有するＯＬＥＤ素子の概略断面図を示す。
【図４Ｃ】パターンを表す光反射層内及び／又は層上の局部変形を有し、パターンを表す発光層の局部損傷を有するＯＬＥＤ素子の概略断面図を示す。
【図５Ａ】局部変形の詳細な表現を示す。
【図５Ｂ】局部変形の詳細な表現を示す。
【図６】電流支持特性がパターンを生成するために変更されたＯＬＥＤ素子の概略断面図である。  図面は単に説明のためであり必ずしも縮尺通りではない。特に明確性のため、幾つかの寸法は大きく強調されている。図中の同様の要素は、可能な限り同一の参照符号により示される。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
図１は、層３２、３４（図４及び６を参照）内及び／又はその上にパターン２０、２２、２４（図４及び５を参照）を生成する、本発明によるパターニング装置１０の概略断面図を示す。パターニング装置１０は、集光ビーム４０を生成する光源５０を有し、走査手段７０、例えば可動鏡７０又は可動露出チャック７２を有する。走査手段７０の上には、層３２、３４を有する基板が置かれてもよい。パターニング装置１０は、集光ビーム４０を複数の集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃに分光する回折光学要素６０を更に有する。回折光学要素６０を介して、単一の集光ビーム４０は、複数の集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃに分光される。このような複数の集光サブビームはパターン２０、２２、２４を生成するために用いられてもよい。このように、特に比較的大面積の実質的に等しいグレイ領域を有するパターン２０、２２、２４を生成する必要があるとき、該領域は、複数の集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃを用いるとき一層迅速にパターニングされうる。このように、比較的広い面積を満たすため及び層３２、３４内及び／又は層上にパターン２０、２２、２４を生成するためのパターニング時間は、大幅に低減される。望ましくは、複数の集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃの強度は実質的に等しい。従って、複数の集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃは、互いに所定の規則的な間隔の複数の集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃを用いて層３２、３４上の比較的広い面積をパターニングする真のマルチスポット・パターニングを可能にする。
【００３５】
回折光学要素６０は、例えば二位相格子６０及び／又は可変位相格子６０及び／又はホログラフィック格子（６０）であってもよい。このような格子の製造は、「Ｇｓｏｌｖｅｒ」のような光学設計ソフトウェアを用いて効率的に行われうる。このような格子６０は、集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃの１次元アレイ又は集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃの２次元アレイを生成してもよい。望ましくは、生成された集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃのそれぞれは、光学設計ソフトウェアを用いて格子を設計するときに個々のサブビームの光強度の数パーセントの範囲内にある実質的に等しい強度を有する。１次元アレイ又は２次元アレイの何れかの集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ間の間隔は、回折光学要素６０により決定されてもよい。望ましくは、並んでいる集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃのうちの２つの隣接する集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃの間の角度φ（図３Ａを参照）は、実質的に一定である。従って、並んでいる集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃにより生成されたパターン２０、２２、２４は実質的に規則的なパターン２０、２２、２４である。層３２、３４における２つの隣接する集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃの間の実際の距離は、複数の集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃにより生成されたパターン２０、２２、２４の密度を決定する。パターン２０、２２、２４の密度は、生成されたパターン２０、２２、２４の知覚されるグレイ・レベルを決定し、パターン２０、２２、２４により生み出される画像内のグレイ・レベルの範囲を生成するために用いられてもよい。層３２、３４における２つの隣接する集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃの間の距離は、回折光学要素６０と層３２、３４との間の距離を変更することにより、又は回折光学要素６０を回転することにより、変更されてもよい。従って、集光ビーム４０は、更なる角度α（図３Ａ及び３Ｃを参照）で回折光学要素６０に衝突し、回折光学要素６０により生成された集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃのパターンを変更する回折光学要素６０内の格子構造間の距離を光学的に減少させる。
【００３６】
或いは、回折光学要素６０の格子と適合する面内での回折光学要素６０の回転は、結果として、隣接する集光サブビームの移動方向に対する、層３２、３４における２つの隣接する集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ間の距離の変化を生じてもよい（図３Ｃを参照、図３Ｃ中、ｖは複数の集光サブビームの移動方向を示す）。最後に、異なる回折光学要素６０が用いられ、例えばスポット間の距離を変更するために前の回折光学要素６０を置き換えてもよい。
【００３７】
パターニング装置１０は、合焦手段８０、例えば集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃと平行な方向に移動可能であり集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃの焦点の場所を変更するｆ−θ−レンズ８０を有してもよい。パターニング装置１０は、例えば光源５０により放射された集光ビーム４０の強度及び／又は色を制御する、光源５０のドライバ９０を更に有する。システムは、層３２、３４に渡って集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃの移動を位置及び速度の両方で制御するために、走査手段７０、７２を制御する制御手段９４を有する。制御手段９４は、ドライバ９０、例えば強度、パルス周波数及びビーム寸法を制御する。制御手段９４は、例えば層３２、３４上に生み出されるべきパターン２０、２２、２４のデジタル表現である入力パターンを、集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃの動きに、並びに／又は集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃの強度の変化及び／又は速度の変化、並びに／又は集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃの色の変化に変換する変換手段９６を有してもよい。パターニング装置１０は、入力パターンを制御手段９４に提供する入力手段９８を更に有してもよい。入力パターンは、例えば入力パターンがユーザによりパターニング装置１０に提供される特定のフォーマット又は一般的なフォーマットであってもよい。入力手段９８は、ネットワーク環境（示されない）、例えばインターネットに接続されてもよい。顧客は、次にサーバ（示されない）を介して入力パターンを制御手段９４に単にアップロードしてもよい。
【００３８】
図２Ａ及び２Ｂは、本発明によるパターニング装置１２の更なる実施形態の概略断面図を示す。パターニング装置１２のこの更なる実施形態では、パターニング装置１２は更なるドライバ９２により制御される更なる光源５２を有する。更なる光源５２は、プリズム５４を介して、層３２、３４に渡って更なる集光ビーム４２を走査する走査手段７０へ向けて方向を変えられる更なる集光ビーム４２（図２Ｂを参照）を生成する。更なる集光ビーム４２は、望ましくは、光源５０の集光ビーム４０と比べて異なるスポット・サイズ及び／又は強度を有する。図２Ａ及び２Ｂによるパターニング装置１２は、回折光学要素６０を集光ビーム４０の光路の中及び外に移動する手段１４を更に有する。可動手段１４は、プリズム５４を有する。従って、第１の位置では、回折光学要素６０は集光ビーム４０の光路の中に置かれるので、回折光学要素６０は集光ビーム４０を複数の集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃに分光する。手段１４の第２の位置では、プリズム５４は、更なる集光ビーム４２が走査手段７０を介してパターン２０、２２、２４を生成するために用いられるように構成される。制御手段９０は、例えば、パターン２０、２２、２４を生成している間に、光源５０又は更なる光源５２を動的に選択する。光源５０及び更なる光源５２の両者は、集光ビーム４０及び更なる集光ビーム４２のスポット・サイズ及びパワーのような特性が良く知られるように較正されてもよい。制御手段９０は、従って、必要な場合には、光源５０から更なる光源５２に、比較的迅速に切り替えることができる。この切り替えは、通常、パターニングされなければならない細部のレベルに依存して及び回折光学要素６０が光路中に存在するか否かに依存してスポット・サイズ及びパワーが適応されなければならない単一の光源５０を有するパターニング装置よりも遙かに速い。例えば、パターン２０、２２、２４の端は、詳細なパターンを生成する単一の集光ビーム５２を有する更なる光源５２を用いて生成されてもよい。一方で、パターン２０、２２、２４は、互いに所定の規則的間隔の複数の集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃを用いて層３２、３４上の比較的広い面積をパターニングするマルチスポット・パターニングを生成する回折光学要素６０と一緒に光源５０を用いて生成されてもよい。
【００３９】
図２Ａは、パターニング装置１２の概略図を示す。図２Ａでは、回折光学要素６０は光源５０の光路内に位置付けられ、集光ビーム４０を複数の集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃに分光する。図２Ｂは、パターニング装置１２の概略図を示す。図２Ｂでは、プリズム５４は更なる光源５２の光路内に位置付けられ、更なる集光ビーム５２を走査手段７０に向けて方向を変える。
【００４０】
図１、２Ａ及び２Ｂに示されたようなパターニング装置１０、１２は、集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃのスポット・サイズを決定する及び／又は更なる集光ビーム４２のスポット・サイズを決定する較正手段を更に有してもよい。このような較正手段は、例えば層３２、２４内及び／又はその上に生成されたパターン２０、２２、２４を検査しスポット・サイズを適応する制御手段９４に帰還信号としてこのカメラ画像を提供するカメラを介して較正されるべきスポット・サイズを検知するセンサ（示されない）を有してもよい。制御手段９４は、パターニング装置１０、１２のパターニング速度を制御するよう構成されてもよい。較正手段は、較正方法を実行してもよい。該較正方法は、集光ビーム４０及び／又は更なる集光ビーム４２の初期パターンを設定する段階、テスト・パターン（示されない）を生成するために集光ビーム４０及び／又は更なる集光ビーム４２で層３２、３４を局所的に照射する段階、パターン２０、２２、２４を生成するために前記テスト・パターンから集光ビーム４０及び／又は更なる集光ビーム４２の強度及び／又は走査速度を決定する段階、を有する。
【００４１】
方法は、前記テスト・パターンを生成している間に、集光ビーム４０及び／又は更なる集光ビーム４２の焦点位置を適応する段階を更に有してもよい。
【００４２】
望ましくは、テスト・パターンは、パターン２０、２２、２４を生成する前に、層３２、３４の未使用の端で生成される。テスト・パターンの寸法は、人間の裸眼には実質的に見えないように選択されてもよい。
【００４３】
図３Ａは、集光ビーム４０を集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃに分光する回折光学要素６０の概略図を示す。図３Ｂ乃至３Ｄは、回折光学要素６０を用いてパターン２０、２２、２４を描画している間に、層３２、３４上に分布するスポットを示す。図３Ａの概略図では、集光ビーム４０は、７個の集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃに分光され、３個の集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃのみが符号を有する。これらの３つの集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃは、例えば、実質的に同一の強度を有する複数の集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃを更に示してもよい。或いは、回折光学要素６０は、全ての７つの集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃが実質的に同一の強度を有するように、つまり集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃのうちの１つの強度の数パーセントの範囲内であるように、設計されてもよい。回折光学要素６０は、例えば、二相格子６０及び／又は二値振幅格子６０及び／又は可変位相格子６０及び／又は可変振幅格子６０及び／又はホログラフィック位相光学要素６０及び／又はホログラフィック振幅光学要素６０及び／又はホログラフィック位相格子６０及び／又はホログラフィック振幅格子６０及び／又は空間光変調器を有してもよい。このような回折光学要素６０を用い、集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃの１次元又は２次元アレイが生成されてもよい。回折光学要素６０は、集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃを回折光学要素６０から異なる角度φで集光ビーム４０を分光する。望ましくは、並んだ集光サブビームのうちの隣接する集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃの各対の間の角度φは、実質的に同一である。これは、集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃが層３２、３４に衝突した結果として生じるスポットの間の規則的な間隔を保証する。図３Ａから、回折光学要素６０と層３２、３４巻の距離は層３２、３４上のスポット間の距離ｄ１、ｄ２、ｄ３（図３Ｂ乃至３Ｄを参照）を決定することが直ちに理解されうる。或いは、回折光学要素６０は、更なる角度αだけ回転され、回折光学要素６０の格子内の線密度を光学的に変更し、隣接する集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃの各対の間の角度φを変更してもよい。更なる代案として、回折光学要素６０は回折光学要素６０の格子と一致する平面内で回転され、結果として複数のスポットで層３２、３４上に描画するときにスポット間の距離ｄ３の変化を生じてもよい。回折光学要素６０を回折光学要素６０と実質的に一致する平面内で回転することにより、スポットのアレイは、もはや描画方向ｖ（図３Ｂ乃至３Ｄを参照）に対して９０度に配置されないが、描画中のスポット間の距離ｄ３が減少するような角度に配置される（図３Ｄを参照）。
【００４４】
図３Ｂ乃至３Ｄは、層３２、３４上に分布し層３２、３４上にパターン２０、２２、２４を描画するために用いられるスポットの配置図を提供する。矢印ｖは描画方向ｖを示し、点は回折光学要素６０により生成された７つの集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃのスポットを示す。図３Ｂは初期状況を示し、ｄ１は層３２、３４上のスポット間の距離を表す。図３Ｃは、回折光学要素６０が更なる角度αだけ回転したとき、又は回折光学要素６０と層３２、３４との間の距離が減少したとき、又は回折光学要素の格子が交換又は適応されて格子内の線間距離が増大したときのスポットを示す。明らかに分かるように、図３Ｃに示されるスポット間の距離ｄ２は、図３Ｂに示された初期状況に示されたスポット間の距離ｄ１と比較して小さい。図３Ｄは、回折光学要素６０が面内角度βだけ回転したときのスポットを示す。この回転は、回折光学要素６０と実質的に一致する面内の回転を表す。図３Ｄから分かるように、スポットのアレイの方位は走査方向ｖと比べて変わっていて、回折光学要素６０のような構成を用いてパターン２０、２２、２４を描画するときのスポット間の距離ｄ３の減少をもたらしている。明らかに分かるように、図３Ｄに示されるスポット間の距離ｄ３は、図３Ｂに示された初期状況に示されたスポット間の距離ｄ１と比較して小さい。
【００４５】
図４Ａ、４Ｂ及び４Ｃは、パターン２０、２２を表す光反射層３２内及び／又は層上の局部変形２０Ａ、２０Ｂ、２２Ａ、２２Ｂを有し、パターンを表す発光層３４の局部損傷２４Ａ、２４Ｂを有するＯＬＥＤ素子１００、１０２、１０４の概略断面図を示す。ＯＬＥＤ素子１００、１０２、１０４は、アノード層３０及びカソード層３２及び発光層３４を有する複数の層３０、３２、３４を有する。標準的なＯＬＥＤ素子１００、１０２、１０４は幾つかの更なる層を有するが、図４Ａ、４Ｂ及び４Ｃは３つの層のみを示す。発光層３４は、電流が有機発光材料３４Ｍを通じて流れるときに発光するよう構成された有機発光材料３４Ｍ（図６を参照）を有する。標準的に、光の放射は、負に帯電された粒子（示されない）である電子と仮想的に正に帯電された粒子（示されない）の表現であるホールとの局所的な再結合に基づく。このような有機発光材料３４Ｍにおける電子−ホール対の再結合は、所定の色の光の放射を伴って減少しうる励起を生じる。ＯＬＥＤ素子１００、１０２、１０４は、電子−ホール対が再結合するときに所定の色の光を放射するよう構成された単一層の発光材料３４Ｍを有してもよい。或いは、ＯＬＥＤ素子１００、１０２、１０４は、例えばそれぞれ異なる色を発光する複数層の発光材料３４Ｍ（示されない）を有してもよい。又は発光材料３４Ｍは、異なる色を発光し例えば一緒に所定の色温度の白色光を発光する発光材料の混合を有してもよい。このように、ＯＬＥＤ素子１００、１０２、１０４により放射される光の色は、複数の層を選択することにより、及び／又は発光層３４Ｍ内の発光材料の特定の混合を選択することにより決定されてもよい。ＯＬＥＤ素子１００、１０２、１０４は、アノード層３０及びカソード層３２を更に有してもよい。アノード層３０は、例えば特定の範囲の光にとって透過な金属であるＩＴＯを有し、ＯＬＥＤ素子１００、１０２、１０４内で生成された光をＯＬＥＤ素子１００、１０２、１０４から光放射窓１２０を通じて放射させてもよい。カソード層３２は、例えば２ナノメータのバリウム層、及び良好な導電特性を有し半導体製造プロセスで良好に適用されうる１００ナノメータのアルミニウム層を有してもよい。
【００４６】
図４Ａ及び４Ｂに示されるＯＬＥＤ素子１００、１０２の実施形態では、アルミニウム層は、発光層３４内で生成された光を光放射窓１２０へ向けて反射する光反射層３２に含まれる。勿論、アノード層３０及びカソード層３２は、光がＯＬＥＤ素子１００、１０２からカソード層３２を介して放射されるように交換されてもよい。ＩＴＯ層は、屡々、ＯＬＥＤ素子１００、１０２を支持するために基板１３０上に適用され、ＯＬＥＤ素子１００、１０２により放射される光に対して実質的に透過である。図４Ａ及び４Ｂに示されるＯＬＥＤ素子１００、１０２は、ＯＬＥＤ素子１００、１０２のオン状態及びＯＬＥＤ素子１００、１０２のオフ状態の両方で恒久的に目に見えるパターン２０、２２を有する。オン状態は、アノード３０とカソード３２との間の電位差が発光層３４の少なくとも一部を通じる電流を生成し、ＯＬＥＤ素子１００、１０２により光を生成する状態として定められる。ＯＬＥＤ素子１００、１０２のオフ状態は、アノード３０とカソード３２との間に如何なる電位差も存在しない状態として定められる。パターン２０、２２は、光反射層３２であるアルミニウム層３２の変形２０Ａ、２２Ａ、２０Ｂ、２２Ｂを有する。
【００４７】
発光ダイオード素子１０、１２のオフ状態中、周囲光（示されない）は光放射窓１２０を通じてＯＬＥＤ素子１００、１０２に入る。アノード層３０及び発光層３４は両方とも部分的に透過なので、一部の周囲光はアノード層３０及び発光層３４により伝達され、該光を光放射窓１２０へ反射する光反射カソード層３２に衝突する。変形２０Ａ、２０Ｂ、２２Ａ、２２Ｂに衝突する一部の周囲光は散乱される。従って、光反射層３２上の変形２０Ａ、２０Ｂ、２２Ａ、２２Ｂを有するパターンは、光放射窓１２０を介して明らかに目に見える。ＯＬＥＤ素子１００、１０２のオン状態中、電流は発光層３４を通じて流れ、発光層３４は光を放射する。この光は実質的に全方向に放射される。光反射カソード層３２に向かって進行する生成された光の一部は、カソード層３２により光放射窓１２０へ向けて反射される。光反射層３２内の局部変形２０Ａ、２０Ｂ、２２Ａ、２２Ｂに衝突する光は、これらの変形により散乱され、光放射窓１２０を通じて明らかに目に見える。
【００４８】
変形２０Ａ、２０Ｂ、２２Ａ、２２Ｂは図４Ａ及び４Ｂの両方に示された３つの矢印４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃで示されるような集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃを用いて生成されてもよい。変形２０Ａ、２０Ｂ、２２Ａ、２２Ｂの高さｈは、集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃのパワー及び光反射層３２の厚さに依存する。高さｈは、変形２０Ａ、２０Ｂ、２２Ａ、２２Ｂからの光の散乱の程度を決定する、従って変形２０Ａ、２０Ｂ、２２Ａ、２２Ｂにより得られる視覚的効果を決定する一因となる。また、変形２０Ａ、２０Ｂ、２２Ａ、２２Ｂの密度は、視覚的効果を得るために用いられる。このように、参照符号２０Ａ、２２Ａを有する変形は共に比較的近くに配置され、参照符号２０Ｂ、２２Ｂを有する変形と比べて暗いグレイ値を有するとして知覚される。望ましくは、光反射層３２内の変形２０Ａ、２０Ｂ、２２Ａ、２２Ｂは、光放射のために用いられるＯＬＥＤ素子１００、１０２の如何なる層も損傷することなく生成される。変形２０Ａ、２０Ｂ、２２Ａ、２２Ｂは光反射層３２内で生成され、実質的に光反射層３２の伝導率が維持されるようにされるので、パターン２０、２２が可視的であると同時に、発光ダイオード素子１０、１２の発光表面の全体が光を放射する。
【００４９】
ＯＬＥＤ素子１００、１０２は、環境の影響からＯＬＥＤ素子１００、１０２を保護するために、標準的にカプセル１１０内に密封される。カプセル１１０の一部１１２は、集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃの光に対して実質的に透過であるよう構成されてもよい。図４Ａの実施形態では、集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃの光に対して実質的に透過な部分１１２は、変形２０Ａ、２０Ｂを生成する光反射層３２の後方の壁３３上に配置される。光反射層３２の後方の壁３３は、光反射層３２の光放射窓１２０と反対の側面である。この構成の利点は、集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃが、光反射層３２上に衝突して変形を生成する前に基板１３０、アノード層３０及び発光材料３４により伝達される必要がないことである。これは、集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃが、変形２０Ａ、２０Ｂを生成しないで、ＯＬＥＤ素子１００の如何なる層も損傷しうる可能性を低減するだろう。更に、光反射層３２の後方の壁３３は反射型である必要がない。光反射層３２の後方の壁３３が反射型でない場合、後方の壁３３は集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃからの光を一層容易に吸収し、変形２０Ａ、２０Ｂを生成する。従って、変形２０Ａ、２０Ｂを生成するために集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃのアレイは強力でなくてもよい。
【００５０】
図４Ｂに示されたＯＬＥＤ素子１０２の実施形態では、カプセル１１０は、ＯＬＥＤ素子１０２を完全に密封し、集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃを後方の壁３３に衝突させない。このように、集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃは基板１３０、少なくとも部分的に透過なアノード層３０及び発光材料３４を介して光反射層３２に衝突し、変形２２Ａ、２２Ｂを生成する。
【００５１】
図４Ｃに示されたＯＬＥＤ素子１０４の実施形態では、再びカプセル１１０は、ＯＬＥＤ素子１０４を完全に密封する。再び、集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃは基板１３０及び少なくとも部分的に透過なアノード層３０を介してＯＬＥＤ素子１０４に照射する。しかしながら、実質的に、衝突する集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃは、発光層３４を局所的に損傷し、パターン２４を生成する。局所的に損傷された領域２４Ａ、２４Ｂにより、これらの損傷領域２４Ａ、２４Ｂでは如何なる光も生成されない。従って、ＯＬＥＤ素子１０４がオンに切り替えられたとき、パターン２４は実質的に如何なる光も放射しない部分として目に見える。再び、損傷領域２４Ａ、２４Ｂの密度は、パターン２４内で知覚されるグレイ値を表す。ここで、濃い領域２４Ａは、より薄い領域２４Ｂと比べて暗いグレイ値として知覚される。
【００５２】
図５Ａ及び５Ｂは、局部変形２０Ａ、２０Ｂの詳細な表現を示す。図５Ａには、文字「Ｐ」の詳細な部分が示される。変形２０Ｂ、２２Ｂは対角線上に配置された線上に生成される。図５Ａのパターンを構成する変形の線は、図５Ｂに更に詳細に示される。集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃの正しいパワーを選択すると、所定の規則的間隔の複数の集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃを用いて比較的大面積のパターニングをする真のマルチスポット・パターニングが行われうる。
【００５３】
図６は、電流支持層３４Ａ．．．３４Ｌがパターンを生成するために局所的に変更されるＯＬＥＤ素子１０６の概略断面図を示す。ＯＬＥＤ素子１０６は、ＯＬＥＤ素子１０６に含まれる複数の層３４Ａ．．．３４Ｍを有する。図６に示された例では、ＯＬＥＤ素子１０６は、有機母材内に埋め込まれた有機発光材料３４Ｍを有する。有機発光材料３４Ｍは、電流が有機発光材料３４Ｍを通じて流れるときに発光するよう構成される。標準的に、光の放射は、負に帯電された粒子（示されない）である電子と仮想的に正に帯電された粒子（示されない）の表現であるホールとの局所的な再結合に基づく。このような有機発光材料３４Ｍにおける電子−ホール対の再結合は、所定の色の光の放射を伴って減少しうる励起を生じる。ＯＬＥＤ素子１０６は、電子−ホール対が再結合するときに所定の色の光を放射するよう構成された単一層の発光材料３４Ｍを有してもよい。或いは、ＯＬＥＤ素子１０６は、例えばそれぞれ異なる色を発光する複数層の発光材料３４Ｍ、又は異なる色を発光し例えば一緒に所定の色温度の白色光を発光する発光材料の混合を有してもよい。ＯＬＥＤ素子１０６は、動作中に発光材料３４Ｍに発光させるために発光材料３４Ｍを通じて電流を流す及び／又は電流を支援する及び／又は電流の規模を決定する１又は複数の電流支持層３４Ａ．．．３４Ｌを更に有する。パターン化されたＯＬＥＤ素子１０６では、パターンは、少なくとも１つの電流支持層３４Ａ．．．３４Ｌ内で生成され、その間にアノード３０、カソード３２又は発光材料３４Ｍを実質的に変更しない。
【００５４】
用語電流支持層３４Ａ．．．３４Ｌは、アノード層３０、カソード層３２及び発光材料３４Ｍを除いて、発光材料３４Ｍを通る電流の流れに影響する層を意味する。電流支持層３４Ａ．．．３４Ｌの例は、電流阻止層３４Ａ、電流支持層の界面層３４Ｂ、ホール阻止層３４Ｃ、及び電子阻止層（示されない）、電子注入層３４Ｄ、電子注入層の界面３４Ｅ、注入抑制層３４Ｆ、注入抑制層の界面層３４Ｇ、ホール注入層３４Ｈ、ホール注入層の界面３４Ｉ、カソード層の界面層３４Ｊ、アノード層の界面層３４Ｋ及び母材層３４Ｌである。これらの列挙された電流支持層３４Ａ．．．３４Ｌの何れも、動作中に有機発光層３４Ｍを通じて流れる電流に影響を与える。これらの列挙された電流支持層３４Ａ．．．３４Ｌの１つの特性を局所的に適応することは、動作中に有機発光材料を通じて流れる電流を局所的に変更し、従って放射特性を局所的に変更する。母層３４Ｌは、（ダイの周囲の）放射ゾーンを電極３０、３２から物理的に離し、非放射励起の消光を回避し、最適な光出力のための光学的スタックを調整するために用いられてもよい。ＯＬＥＤ素子１０６がオンに切り替えられたとき、これらの変更された放射特性は、明らかに可視であり、ＯＬＥＤ素子１０６がオンに切り替えられたときに明らかに可視である所要のパターンに適用されてもよい。有機発光層３４Ｍ、アノード層３０又はカソード層３２は影響を受けないので、ＯＬＥＤ素子１０６が例えば紫外線で照射されるときでさえ、パターンは実質的に不可視である。
【００５５】
ＯＬＥＤ素子１０６は、上述の列挙された層３４Ａ．．．３４Ｌの何れを有してもよいが、明らかに列挙された層３４Ａ．．．３４Ｌの全てを有する必要はない。電流阻止層３４Ａは、ＯＬＥＤ素子１０６の殆ど何処に配置されてもよく、ＩＴＯ層であるアノード層３０の上にあるＯＬＥＤ素子１０６内に示されている。電流阻止層３４Ａの界面は、屡々完成したＯＬＥＤ素子１０６内の単なる透過層であるので、電流阻止層３４Ａの何れかの側面に、望ましくは電流阻止層３４Ａと（ＩＴＯ層に面する）アノード層３０との間に配置されてもよい。注入抑制層３４Ｆは、個々のホール注入材料３４Ｈ及び電子注入材料３４Ｄの何れかの側面にあってもよい。ホール阻止層３４Ｃは、（光を発光することなく！）カソード層３２の近くで電子とホールが再結合するのを防ぐが、ホールを素子の活性化した再結合領域の近くに保つ。多くの電流支持層が存在するとき、図１に示されるＯＬＥＤ素子１０６は標準的にｓｍＯＬＥＤである。ポリマーＯＬＥＤ素子は、標準的に少ない電流支持層しか必要とせず、従って標準的に複雑性が低減される。標準的なポリマーＯＬＥＤ素子は、アノード層３０、一般的にＩＴＯ層３０を有し、任意的に（図６のホール注入層と等価な）ホール注入層、（図６の発光層３４Ｍと等価な）発光ポリマー、及び例えば２ナノメータのバリウム層と１００ナノメータのアルミニウム層を有する上部電極であるカソード層３２を有する。
【００５６】
個々の電流支持層３４Ａ．．．３４Ｌの電流支持特性に選択的に影響を与えることにより、異なる電流支持層３４Ａ．．．３４Ｌ内で異なるパターンが生成されうる。これは、ＯＬＥＤ素子１６内で色パターンを生成することを可能にする。電流支持特性に影響を与えることは、集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃを用いて誘発された光の変化を介して行われるので、誘発された光の変化を引き起こす特定の光の波長を注意深く選択することにより、及び／又は誘発された光の変化を得るために用いられる光のパワーを注意深く調整することにより、選択的な変更が行われうる。
【００５７】
電流支持層３４Ａ．．．３４Ｌの電流支持特性は、幾つかの程度に又は異なる範囲に変更され、パターン内に複数のグレイ・レベルを生成させてもよい。発明者等は、例えば特定の電流支持層に衝突する光束を変更することにより、電流支持層３４Ａ．．．３４Ｌの電流支持特性が異なる範囲に変更されうることを見出した。発明者等は、電流支持特性の変化が特定の場所における光子の全光束に実質的に比例することを見出した。従って、複数のグレイ・レベルが導入されうる。複数のグレイ・レベルは、対応する局所的な光束変動により引き起こされる局所的な強度変動として自身を表す。光束の変動は、例えば集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃの強度を変更することにより生成されてもよい。或いは、光子毎のエネルギ又はそれとは別に集光サブビーム４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃにより放射される光の色は、変更され、電流支持特性を変更するレベルに影響を与え、従ってＯＬＥＤ素子１０６上に生成されるパターンのグレイ・レベルを生成してもよい。
【００５８】
留意すべき点は、以上に説明された実施例が本発明を制限するものではないこと、及び当業者が特許請求の範囲から逸脱することなく、多くの代替の実施例を考案可能なことである。
【００５９】
請求項では、括弧内の如何なる参照符号も、請求項を制限すると見なされるべきではない。「有する」の表現及びその活用の使用は、請求項に記載された以外の構成要素又は段階の存在を排除するものではない。要素に付される単数表記の語は、当該要素の複数の存在を排除するものではない。本発明は、複数の異なる素子を有するハードウェアの手段により実施されて良い。複数の手段を列挙した装置の請求項では、これら複数の手段は、１つ及び同一のハードウェア要素により実施されうる。特定の手段が相互に異なる従属請求項で引用されることは、これら手段の組み合わせが効果的に利用できないことを示すものではない。
【図１】
2012533149.tif 000003
【図２Ａ】
2012533149.tif 000004
【図２Ｂ】
2012533149.tif 000005
【図３Ａ】
2012533149.tif 000006
【図３Ｂ】
2012533149.tif 000007
【図３Ｃ】
2012533149.tif 000008
【図３Ｄ】
2012533149.tif 000009
【図４Ａ】
2012533149.tif 000010
【図４Ｂ】
2012533149.tif 000011
【図４Ｃ】
2012533149.tif 000012
【図５Ａ】
2012533149.tif 000013
【図５Ｂ】
2012533149.tif 000014
【図６】
2012533149.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月11日(2012.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集光ビームを介して有機発光ダイオード素子の層内又は層上にパターンを生成するパターニング装置であって：
前記集光ビームを生成する光源、
前記集光ビームを前記層内及び／又は層上に前記パターンを生成するよう構成された複数の集光サブビームに分光する回折光学要素、
前記パターンを生成するために前記層を前記複数の集光サブビームに対して位置決めする位置決め手段、
を有し、
前記複数の集光サブビームのうちの少なくとも２つのサブビームは実質的に等しい強度を有し、
前記層は、
前記有機発光ダイオード素子の光反射層であって、前記パターニング装置は前記パターンを生成するために前記光反射層の局部変形を生成するよう構成され、前記局部変形の密度又は寸法は知覚されるグレイ・レベルを与える、光反射層、又は
前記有機発光ダイオード素子の発光層であって、前記パターニング装置は前記パターンを生成するために前記発光層を局部的に損傷するよう構成され、前記局部的な損傷の密度は知覚されるグレイ・レベルを与える、発光層、又は
前記有機発光ダイオード素子の電流支持層であって、前記パターニング装置は、有機発光材料、アノード層又はカソード層を実質的に変更せずに、前記電流支持層の電流支持特性を局部的に変更するよう構成され、前記電流支持特性は動作中に前記有機発光材料を通じて流れる電流を局部的に決定し、前記電流支持特性の前記局部的な変更の密度又はレベルは知覚されるグレイ・レベルを与える、電流支持層、
を有し、
前記パターニング装置は：
前記生成されたパターンの前記知覚されるグレイ・レベルを制御するために前記集光サブビーム間の距離を制御する手段、
を更に有するパターニング装置。
【請求項２】
前記回折光学要素は、前記集光ビームを集光サブビームの１次元アレイに又は集光サブビームの２次元アレイに分光するよう構成され、
前記集光サブビームの１次元アレイ又は前記集光サブビームの２次元アレイの更なる複数の集光サブビームは、実質的に等しい強度を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載のパターニング装置。
【請求項３】
前記回折光学要素は、二相格子、二値振幅格子、可変位相格子、可変振幅格子、ホログラフィック位相光学要素、ホログラフィック振幅光学要素、ホログラフィック位相格子、ホログラフィック振幅格子、又は空間光変調器である、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のパターニング装置。
【請求項４】
実質的に等しい強度を有する前記集光サブビームのそれぞれは、前記層内又は層上に前記パターンを生成するのに十分な強度を有する、
ことを特徴とする請求項１、２又は３に記載のパターニング装置。
【請求項５】
並んだ集光サブビームのうちの隣接する集光サブビームの各対の間の角度は、実質的に同一である、
ことを特徴とする請求項１、２、３又は４に記載のパターニング装置。
【請求項６】
前記回折光学要素は、前記集光サブビームの数又は前記集光サブビームの強度を適応するよう構成され、
前記回折光学要素は、調整可能な屈折率の半透明材を有する半透明材を有するピクセルを有し、
前記回折光学要素は、複数の異なる格子を有し、
前記各格子は、所定数の集光サブビーム又は所定強度の集光サブビームを生成し、
前記回折光学要素は、前記複数の異なる格子のうちの１つに対して前記集光ビームを整列させるために、前記集光ビームに対して移動可能である、
ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載のパターニング装置。
【請求項７】
前記回折光学要素は、前記複数の集光サブビームを生成するために前記集光ビームの光路内に移動可能なように、及び前記集光ビームの光路外へ移動可能なように構成される、
ことを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載のパターニング装置。
【請求項８】
前記パターニング装置は、前記有機発光ダイオード素子のカプセルを通じて前記層内及び／又は層上に前記パターンを生成するよう構成される、
ことを特徴とする請求項１に記載のパターニング装置。
【請求項９】
前記光源はレーザ光源又はレーザ・ダイオードである、
ことを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載のパターニング装置。
【請求項１０】
前記光源は、３２０ナノメータ乃至２０００ナノメータの範囲の集光ビーム又は集光サブビームを生成するよう構成される、
ことを特徴とする請求項１乃至９の何れか一項に記載のパターニング装置。
【請求項１１】
前記パターニング装置は、前記集光ビーム又は集光サブビームの焦点位置を制御する合焦手段を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至１０の何れか一項に記載のパターニング装置。
【請求項１２】
前記パターニング装置は、前記集光ビーム又は集光サブビームのエネルギ・レベル、前記集光ビーム又は集光サブビームの色、又は前記集光ビーム又は集光サブビームに対する前記層の位置を変更する速度を制御する手段を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至１１の何れか一項に記載のパターニング装置。
【請求項１３】
前記パターニング装置は、
前記層内又は層上に前記パターンとして生成される入力パターンを受ける入力手段、
前記パターンを生成するために、前記入力パターンを前記層に対する前記集光ビーム又は前記集光サブビームの位置に、前記集光ビーム又は前記集光サブビームのスポット・サイズに、前記集光ビーム又は前記集光サブビームの強度変動に、又は前記集光ビーム又は集光サブビームの色変動に変換する変換手段、
を更に有する請求項１乃至１２の何れか一項に記載のパターニング装置。
【国際調査報告】
2012533149.tif 000016
2012533149.tif 000017