(57)【要約】  ガス配送システム内で粒子を削減させるための方法及び装置が、本明細書内に提供される。いくつかの実施形態では、半導体プロセスチャンバ用ガス配気装置（ガス配気プレート又はノズル等）の製造方法は、ガスが貫通して流れるように適合された１以上の開口を有するガス配気装置を提供するステップを含む。スラリーが１以上の開口を通して流され、これによって複数の開口の側壁から損傷面を除去する。いくつかの実施形態では、ガス配気装置は、１以上の開口を通してスラリーを流す前又は後に酸化されてもよい。いくつかの実施形態では、ガス配気装置は、所望の時間の間、ガス配気プレートにＲＦ電力を供給することによってコンディショニングされてもよい。
2012516056.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスが貫通して流れるように適合された１以上の開口を有するガス配気装置を提供するステップと、
前記１以上の開口を通してスラリーを流し、これによって前記複数の開口の側壁から損傷面を除去するステップとを含む半導体プロセスチャンバ用ガス配気装置を製造する方法。
【請求項２】
前記ガス配気装置は、前記１以上の開口が貫通して形成されるガス配気プレートである請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ガス配気装置は、前記１以上の開口が貫通して形成され、約２ｍｍ〜約２０ｍｍの厚みを有するガス配気プレートである請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記ガス配気装置は、前記１以上の開口が貫通して形成され、約３５０ｍｍ〜約５００ｍｍの直径を有するガス配気プレートである請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記ガス配気装置は、１以上のノズルを含む請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記ガス配気装置は、珪素及び炭素を含む請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記ガス配気装置は、酸化物セラミックスを含む請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記ガス配気装置は、酸化イットリウムを含む請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記スラリーは、ダイヤモンド、炭化珪素、又は炭化ホウ素の粒子のうちの少なくとも１つを含む請求項１〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
前記スラリーは、水又は油ベースの可塑剤を含む溶液中に粒子を含む請求項１〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
前記粒子は、重量で前記溶液の約１０％〜約８０％を含む請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記スラリーの粘度は、約１５０，０００ｃＰ〜約７５０，０００ｃＰである請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
前記粒子の直径は、約１ｕｍ〜約１００ｕｍである請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
最大約５４分間、前記１以上の開口を通して前記スラリーを流すステップを更に含む請求項１〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも約３０分間、前記１以上の開口を通して前記スラリーを流すステップを更に含む請求項１〜８のいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景】
【０００１】
（分野）
本発明の実施形態は、一般に、半導体プロセス装置に関する。
【０００２】
（関連技術の説明）
半導体デバイスのクリティカルディメンジョンが縮小し続けるにつれて、半導体プロセスチャンバ内の処理環境の清浄度を向上させるための揺るぎ無い必要性がある。そのような汚染が、部分的にチャンバ部品によって発生する可能性がある。例えば、汚染は、ガス配送部品（シャワーヘッド等）によって発生する可能性がある。具体的には、製造方法（シャワーヘッド内に開口を形成するための超音波ドリル等）によって、開口の壁部で微粒子の形成を引き起こす可能性がある。いくつかの例では、例えば、熱酸化プロセスによって、及び熱酸化後のシャワーヘッドの高周波（ＲＦ）コンディショニングによって、微粒子を少なくとも部分的に除去できる。しかしながら、シャワーヘッドはしばしば、十分に粒子を削減させるために、半導体プロセスチャンバ内で使用する前に１００時間を超えるＲＦコンディショニングを必要とする。
【０００３】
従って、半導体のプロセスチャンバ用製造部品の改善された方法に対する技術的必要性がある。
【概要】
【０００４】
ガス配送システム内で粒子を削減させるための方法及び装置が、本明細書内に提供される。いくつかの実施形態では、半導体プロセスチャンバ用ガス配気装置（ガス配気プレート又はノズル等）の製造方法は、ガスが貫通して流れるように適合された１以上の開口を有するガス配気装置を提供するステップを含む。スラリーが複数の開口を通して流され、これによって１以上の開口の側壁から損傷面を除去する。いくつかの実施形態では、ガス配気装置は、１以上の開口を通してスラリーを流す前又は後に酸化されてもよい。いくつかの実施形態では、ガス配気装置は、所望の時間の間、ガス配気プレートにＲＦ電力を供給することによってコンディショニングされてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
本発明の上述した構成が、より詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約した本発明のより具体的な説明が、実施形態を参照してなされる。いくつかの実施形態は添付図面に示されている。しかしながら、添付図面は、本発明の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、従ってその範囲を制限していると解釈されるべきではなく、本発明に対して、他の均等に有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
【０００６】
【図１】本発明のいくつかの実施形態に係るガス配気システムを有するプロセスチャンバを示す。
【図２】本発明のいくつかの実施形態に係るガス配気プレートの製造方法のフローチャートを示す。
【図３】本発明のいくつかの実施形態に係るガス配気プレートの概略部分上面図を示す。
【図４Ａ】〜
【図４Ｃ】本発明のいくつかの実施形態に係る製造中のガス配気プレートの概略側面図を断面で夫々示す。
【０００７】
理解を促進するために、図面に共通する同一要素を示す際には可能な限り同一参照番号を使用している。図面は縮尺通りに描かれているわけではなく、明確にするために単純化している場合がある。一実施形態の要素及び構成を更なる説明なしに他の実施形態に有益に組み込んでもよいと理解される。
【詳細な説明】
【０００８】
ガス配送システム内で粒子を削減させるための方法及び装置が、本明細書内に提供される。いくつかの実施形態では、ガス配送システムで使用されるガス配気装置（ガス配気プレート又はノズル等）及びその製造方法が、本明細書内に提供される。本発明のガス配気装置は、処理中の低い粒子生成を有利に提供する。本発明の製造方法は、有利なことに、製造時間を向上させ、半導体プロセスチャンバ内のプロセス環境を改善することができる。本発明の方法は、有利なことに、追加の製造工程（ガス配気プレートの酸化又は高周波（ＲＦ）慣らし運転等）に対する必要性を削減または排除できる。いくつかの実施形態では、ＲＦ慣らし運転は約５時間以内まで削減又は短縮できる。
【０００９】
本発明の実施形態に係るガス配気プレート又は１以上のノズルを含むガス配送システムは、任意の適切な半導体処理システムに組み込むことができる。例えば、図１は、例示的に、本発明の実施形態に係るガス配送システム１０４を組み込んだ例示的な二周波容量プラズマ源リアクタ１０２の概略図を示す。このようなリアクタは、例えば、デュアルダマシン構造を形成するために使用可能なエッチングプロセスを実行するために利用することができる。二周波容量プラズマ源リアクタは、処理システム（カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，  Ｉｎｃ．）から購入可能なＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）半導体ウェハ処理システム等）に含まれてもよい。リアクタは、３００ｍｍウェハを処理するために適合されてもよく、広範囲のプロセスパラメータ及びエッチング用化学薬品で動作し、終点検出システムを使用可能であり、インサイチュー（ｉｎ−ｓｉｔｕ）セルフクリーニング機能を備えている。一実施形態では、リアクタは、高密度プラズマ生成用の１６０ＭＨｚのプラズマ源と、１３．５６ＭＨｚのウェハバイアス源と、プラズマ磁化ソレノイドを使用し、これによってリアクタは、イオンエネルギー、プラズマ密度と均一性、及びウェハの温度の独立制御を提供する。適切な二周波容量プラズマリアクタの詳細な説明は、アプライドマテリアルズに共通して譲渡された２００２年７月９日出願の米国特許出願第１０／１９２，２７１号に提供されており、その全体が参照によって本明細書内に組み込まれる。
【００１０】
二周波容量性プラズマ源リアクタ１０２は例示的であり、本明細書内に記載されるようなガス配送システム１０４は、任意の適切なプロセスチャンバ（エッチング、化学蒸着（ＣＶＤ）、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、熱処理、又はガス配気プレートを必要とする他の任意の適切なプロセス用に構成されたチャンバ等）内に配置されてもよい。典型的なプロセスチャンバは、アプライドマテリアルズから入手可能なＤＰＳ（登録商標）、ＥＮＡＢＬＥＲ（登録商標）、ＡＤＶＡＮＴＥＤＧＥ（登録商標）、又は他のプロセスチャンバを含むことができる。他の適当なチャンバは、ガス配気プレートからの微粒子を削減する必要性を有する可能性のある任意のチャンバを含む。
【００１１】
リアクタ１０２は、電気的接地１３４と、チャンバ壁１３０の外部に位置する少なくとも１つのソレノイドセグメント１１２とに接続される導電性チャンバ壁１３０を有するプロセスチャンバ１１０を含む。チャンバ壁１３０は、チャンバ１１０の洗浄を促進するセラミックスライナー１３１を含む。各ウェハが処理された後、エッチングプロセスの副生成物及び残留物は、ライナー１３１から容易に除去される。ソレノイドセグメント１１２は、少なくとも５Ｖを生成可能なＤＣ電源１５４によって制御される。
【００１２】
ガス配送システム１０４は、例えば、ガスパネル１３８から、プロセスガスを送るためにプロセスチャンバ１１０に結合される。図１に示されるように、ガス配送システム１０４は、例示的に、処理プレナム１３３と、チャンバプロセス１１０内にプロセスガスを配気させるためのガス配気装置１１６とを有するシャワーヘッド１３２を含む。いくつかの実施形態では、図１に示されるように、ガス配気装置１１６は、ガス配気プレート１３５であってもよい。その代わりに又はそれと組み合わせて、ガス配気装置１１６は、ガス配気プレート１３５（及び／又はシャワーヘッド１３２）の代わりに又はそれに加えて１以上のガス配気ノズル（図示せず）を含むことができる。本明細書内で開示される構成及び製造技術は、ガス配気装置（ガス配気プレート１３５又はノズル等）のすべての実施形態に適用される。
【００１３】
シャワーヘッド１３２（例えば、処理プレナム１３３及びガス配気プレート１３５）は、誘電性又は導電性材料を含んでもよい。いくつかの実施形態では、シャワーヘッド１３２は、導電性材料であり、チャンバにプロセスガスを送り、プラズマを形成又は維持するための電極（例えば、後述の上部電極１２８）としての両方の二重の目的を実行することができる。ガス配気装置１１６（例えば、図１の実施形態におけるガス配気プレート１３５）は、シャワーヘッド１３２がプロセスチャンバ内で実行する特定の機能に応じた誘電性又は導電性材料を含んでもよい。いくつかの実施形態では、ガス配気装置１１６（例えば、ガス配気プレート１３５）は、珪素及び炭素（炭化珪素等）、又は酸化物セラミックス（酸化イットリウム等）を含む。
【００１４】
プロセスチャンバ１１０はまた、シャワーヘッド１３２から離間する基板サポート１１６を含む。基板サポート１１６は、シャワーヘッド１３２の下で基板１００を保持する静電チャック１２６を含む。シャワーヘッド１３２は、複数のガス配気ゾーンを含んでもよく、これによって様々なガスが特定のガス分布勾配を用いてチャンバ１１０に供給可能となる。シャワーヘッド１３２は、基板サポート１１６に対向する上部電極１２８に取り付けられる（又は少なくともその一部を形成する）。電極１２８は、ＲＦ電源１１８に結合される。
【００１５】
静電チャック１２６は、バイアス電源１２２に結合されたマッチングネットワーク１２４を介して、直流電源１２０及び基板サポート１１６によって制御される。任意選択で、電源１２２は、ＤＣ又はパルスＤＣ電源であってもよい。上部電極１２８は、インピーダンス変換器１１９（例えば、１／４波長マッチングスタブ）を介して高周波（ＲＦ）電源１１８に結合される。バイアス電源１２２は、一般的に、周波数を５０ｋＨｚから１３．５６ＭＨｚまで調整可能で、０〜５０００ワットの電力を有するＲＦ信号を生成可能である。電源１１８は、一般的に、周波数を約１６０ＭＨｚに調整可能で、約０〜２０００ワットの電力を有するＲＦ信号を生成可能である。チャンバ１１０の内部は、真空ポンプ１３６にスロットルバルブ１２７を介して結合される高真空容器である。反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）チャンバ、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）チャンバ等を含むプラズマエッチングチャンバの他の形態が、発明を実施するために使用されてもよいことを当業者は理解するであろう。
【００１６】
運転中、基板１００は基板サポート１１６上に配置され、チャンバ内部は、真空に近い環境まで減圧され、点火時にプラズマを生成するガス１５０が、ガスパネル１３８からシャワーヘッド１３２を通ってプロセスチャンバ１１０へ供給される。ガス１５０は、上部電極１２８（陽極）にＲＦ電源１１８から電力を印加することにより、プロセスチャンバ１１０内で点火されプラズマ１５２となる。磁場がソレノイドセグメント１１２を介してプラズマ１５２に印加されてもよく、基板サポート３１６はバイアス電源１２２から電力を印加することによってバイアスを掛けてもよい。基板１００の処理中に、エッチングチャンバ１１０の内部の圧力は、ガスパネル１３８及びスロットルバルブ１２７を用いて制御される。
【００１７】
チャンバ壁１３０の温度は、壁の内部及び周りに配置される液体含有コンジット（図示せず）を用いて制御されてもよい。更に、基板１００の温度は、クーラントを循環させるために内部に形成されたチャネルを有する冷却板（図示せず）を介して基板サポート１１６の温度を調節することによって制御されてもよい。更に、裏面側のガス（例えば、ヘリウム（Ｈｅ）ガス）は、基板１００の裏面側及び静電チャック３２６の表面内の溝（図示せず）によって形成されるチャネル内にガス供給源１４８から供給される。ヘリウムガスは、台１１６と基板１００との間の熱伝達を促進するために使用される。静電チャック１２６は、チャック本体内の抵抗ヒータ（図示せず）によって定常状態の温度まで加熱され、ヘリウムガスは、基板１００の均一加熱を促進する。チャック１２６の熱制御を使用して、基板１００は摂氏１０〜５００度の温度に維持できる。
【００１８】
コントローラ１４０が、上記のようなチャンバ１１０の制御を促進するために使用されてもよい。コントローラ１４０は、様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するために、工業環境で使用される汎用コンピュータプロセッサの何れかの形態の１つであってもよい。コントローラ１４０は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）１４４、メモリ１４２、及びＣＰＵ  １４４用のサポート回路１４６を含み、エッチングプロセスチャンバ１１０の様々な部品に結合され、これによってエッチングプロセスの制御を促進する。メモリ１４２は、ＣＰＵ１４４に結合される。メモリ１４２又はコンピュータ可読媒体は、容易に利用可能なメモリ（ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、フロッピー（商標名）ディスク、ハードディスク、又は、ローカル又はリモートの他の何れかの形態のデジタルストーレッジ等）のうちの１以上であることが可能である。サポート回路１４６はＣＰＵ１４４に結合され、従来の方法でプロセッサをサポートする。これらの回路は、キャッシュ、電源、クロック回路、入力／出力回路、及びサブシステム等を含む。ソフトウェアルーチン１５６は、ＣＰＵ１４４によって実行されると、リアクタに本発明のプロセスを実行させ、一般的にメモリ１４２内に格納される。ソフトウェアルーチン１５６は、ＣＰＵ３４４によって制御されるハードウェアから離れて配置される第２のＣＰＵ（図示せず）によって格納及び／又は実行されてもよい。
【００１９】
ガス配気装置１１６（例えば、ガス配気プレート１３５又はガス配気ノズル）は、下記の方法を用いて製造できる。本発明の方法の実施形態が図２に示されるフローチャートで提供され、図３及び図４Ａ〜Ｃに示されるガス配気プレート３００の製造に従って説明される。同様の技術が、ガス配気ノズル又はガス配気装置１１６の他の実施形態を製造するために利用されてもよい。
【００２０】
方法２００は、貫通して形成された複数の開口を有するガス配気プレートを提供することによって２０２から始まる。ガス配気プレート３００の部分概略上面図が図３Ａに示される。ガス配気プレート３００は、図１に関して上述したガス配気プレート１３５に似ていてもよい。ガス配気プレート３００は、貫通して形成された複数の開口３０１を含む。開口３０１は、任意の適当な形状（例えば、円形（３０２）、Ｃスロット（３０４）等）を有してもよい。必要に応じて、開口３０１の他の形状もまた提供可能である。必要に応じて、ガス配気プレート３００は、シャワーヘッド又は他のガス配気システム内に組み込むため、任意の適当な寸法を有することができる。例えば、いくつかの実施形態では、ガス配気プレート３００は、約２〜約２０ｍｍの厚さを有することができる。ガス配気プレート３００はまた、約３５０〜約５００ｍｍの直径を有することができる。
【００２１】
いくつかの実施形態では、ガス配気プレート３００は、珪素及び炭素（例えば、炭化珪素等）、又は酸化物セラミックスのような他のセラミックス（例えば、酸化イットリウム）を含むことができる。複数の開口３０１は、任意の適切な方法（例えば、超音波ドリル又は放電加工機（ＥＤＭ）等）で形成することができる。簡単のために図３において２つの開口が示されているが、ガス配気プレート３００は通常、所望の形状に配置された複数の開口３０１を含んでおり、これによって処理中に１以上のプロセスガスをプロセスチャンバへ送るのを促進する。複数の開口３０１は、上述の形状（例えば、円形３０２、Ｃスロット３０４等）のうちのいずれか１以上を含むことができる。
【００２２】
図４Ａの断面図に示されるように、開口３０２及び３０４の形成は通常、各開口の側壁に沿って微粒子及び／又は欠陥（簡単のため、損傷面４０２）をもたらす。損傷面４０２は、壁面の粗面、壁に付着した粒子、各開口を形成する方法由来の汚染物質、又はガス配気プレート（又はノズル）がプロセスチャンバ内でシャワーヘッド又は他のガス配気システムの一部として利用されるとき、遊離して基板を汚染する可能性のあるそのような何らかの微粒子又は欠陥であるかもしれない。
【００２３】
２０４で、損傷面４０２は、ガス配気プレート３００から除去できる。いくつかの実施形態では、損傷面４０２は、２０６で示され及び図４Ｂに図示されるように、複数の開口３０１を通してスラリー４０４を流すことを含む押し出しホーニングプロセスによって除去されてもよい。スラリー４０４を複数の開口３０１を通して流し、これによって損傷面４０２を除去してもよい。例えば、スラリー４０４は、ガス配気プレート３００の第１側４０６上に供給してもよく、ガス配気プレート３００の第２側４０８に複数の開口３０１を通して加圧して強制的に流してもよい。スラリー４０４内の粒子が通って流れると、開口３０１の側壁から損傷面４０２を除去し、より平滑なホーニングされた面を提供する。スラリー４０４は、所望の仕上げ面が得られるまで、（例えば、最終的な目標のためのガイドラインとして、表面形態の顕微鏡写真を用いて）開口３０１を通して前後に繰り返し流してもよい。いくつかの実施形態では、スラリーは、所望の時間の間、流される。いくつかの実施形態では、所望の仕上げ面は、ウェハの粒子性能（パーティクル性能）に対して約０．１５マイクロメートルの粒径で約９粒子未満を有することができる。
【００２４】
スラリー４０４は、液体内に配置された粒子を含んでもよい。いくつかの実施形態では、粒子はダイヤモンド、炭化珪素（ＳｉＣ）、又は炭化ホウ素（ＢＣ）の少なくとも１つを含むことができる。粒子は、約１ｕｍ〜約１００ｕｍの範囲の直径を有することができる。粒子は、水、又は粒子を懸濁可能な他の任意の液体（油ベースの可塑剤、ペンシルバニア州アーウィンのエクスツルードホーン社（Ｅｘｔｒｕｄｅ  Ｈｏｎｅ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）から入手可能なＡＦＭ  Ｍｅｄｉａ等）を含む溶液内に提供されてもよい。いくつかの実施形態において、粒子は、重量で溶液の約１０〜約８０％を含んでもよい。スラリー４０４の粘度は、粒子濃度、溶液組成、又はそれらの組み合わせのいずれかを調整することによって調整可能である。粘度の増加は、損傷面４０２の除去を改善することができる。いくつかの実施形態では、スラリー４０４の粘度は、約１５０，０００センチポイズ（ｃＰ）〜約７５０，０００ｃＰの間であることができる。
【００２５】
例えば、ガス配気プレート３００（又はノズル）は、ガス配気プレート３００の両側から複数の開口３０１を通してスラリー４００を強制的に流すための装置（図示せず）内に配置してもよい。例えば、装置は、ガス配気プレート３００の両側に配置されたピストンを含むことができる。各ピストンのストロークを交替させることによって、スラリー４０４を複数の開口３０１を通して強制的に流してもよい。各ピストンによって供給される力、ピストン運動の周波数、及び装置内の滞留時間は、損傷面４０２を満足に除去するために望まれるように調整可能である。いくつかの実施形態では、スラリーは、最大約５４分間又は約３０分間、複数の開口を通して流される。
【００２６】
いくつかの実施形態では、複数の開口３０１を通してスラリー４０４を流した後、方法２００は終了し、ガス配気プレート３００（又はノズル）を洗浄して、ガス配気システム内に設置してもよい。あるいはまた、いくつかの実施形態では、ガス配気プレート３００（又はノズル）は、２０８で熱酸化プロセスによって酸化されてもよい。しかしながら、酸化プロセスは、熱酸化に限定する必要はなく、任意の適切な酸化プロセスを用いることができる。このような酸化プロセスは、熱酸化又は急速熱酸化等が可能なプロセスチャンバ内で実施することができる。
【００２７】
いくつかの実施形態では、ガス配気プレート３００を熱酸化させた後、方法２００は終了し、ガス配気プレート３００を（必要ならば）洗浄して、ガス配気システム内に設置してもよい。あるいはまた、いくつかの実施形態では、ガス配気プレート３００は、２１０でＲＦ電力を用いてコンディショニングされてもよい。
【００２８】
ガス配気装置（例えば、ガス配気プレート３００またはノズル）の押し出しホーニング処理は、有利なことにガス配気プレート３００から損傷面４０２の量を削減又は除去し、図４Ｃに示されるような清浄で平滑な開口壁４１０をもたらす。いくつかの実施形態では、本発明の方法は、オンウェハパフォーマンスに対して０．１５マイクロメーターの粒子サイズで９個未満まで微粒子の数を減らすことができる。いくつかの実施形態では、本明細書内で開示される本発明の方法は、有利なことにガス配気装置（例えば、ガス配気プレート又はノズル）を作るための製造時間を短縮できる。
【００２９】
このように、半導体プロセスチャンバのガス配送システムで使用されるガス配気装置（ガス配気プレート又はノズル等）及びその製造方法が、本明細書内に提供された。本発明の方法は、有利なことにガス配気装置の製造に起因する微粒子を削減することによって、半導体ウェハの改善された処理を促進できる。本発明の方法は、更に有利なことに半導体プロセスチャンバでの使用に適したガス配気装置の製造のためのプロセスステップ及び／又は処理時間を削減できる。
【００３０】
上記は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の及び更なる実施形態は本発明の基本的範囲を逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の特許請求の範囲に基づいて定められる。
【図１】
2012516056.tif 000003
【図２】
2012516056.tif 000004
【図３】
2012516056.tif 000005
【図４Ａ】
2012516056.tif 000006
【図４Ｂ】
2012516056.tif 000007
【図４Ｃ】
2012516056.tif 000008
【国際調査報告】
2012516056.tif 000009
2012516056.tif 000010