(57)【要約】【課題】  本発明は集積回路パッケージにおける電気的相互接続を形成するために薄箔を使用する方法及び装置に関するものである。【解決手段】  １つの実施例は、キャビティを有する箔体に接着された箔を含む箔担体構成体に関与する。本発明の幾つかの方法は、該箔にダイを取り付け、モールディング物質内に該箔担体構成体を封止することに関与する。１つの実施例においては、該モールディング物質が該箔を圧迫し、そのことにより、該箔の各部分が該担体の該キャビティの中に伸長させられる。その結果、該箔の内に隆起領域及び陥没領域が形成される。その後、該担体は分離され、該箔内の該隆起領域の部分は、グラインディングなどの様々な技術の中の１つによって除去される。この処理は、該箔内にコンタクトパッドを画定して、電気的に孤立させることに貢献する。その結果として形成されるモールドされた箔構成体を複数の集積回路パッケージに切断（分離単体化）してもよい。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体パッケージに薄箔を組み込む装置であって、
複数のキャビティを有する担体であって、該キャビティは、少なくとも一つのデバイスエリアパターンを画定する複数のペデスタルを画定している、担体と、
該担体によって支持された金属箔であって、該金属箔が、該少なくとも一つのデバイスエリアパターン上に重ねて設けられ、そのことにより該ペデスタルが該金属箔の支持を助けている、金属箔と、
を備えた、装置。
【請求項２】
該箔に取り付けられた複数個の集積回路ダイであって、各ダイは、該箔の関連するデバイスエリアパターンの１部分に重ね置かれた部分に取り付けられている、複数の集積回路ダイと、
集積回路ダイを該箔に電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、
を更に備えた、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
該ダイとボンディングワイヤとを封止するモールディング物質を更に備えており、該モールディング物質が該箔を該キャビティの中に押し広げ入れ、それにより該箔が隆起領域及び陥没領域を有している、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
該モールディング物質の一部分は、該モールディング物質が該担体の上表面より下に伸長するように、該キャビティの中に伸長している、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
該担体は、該複数のペデスタルを支持するウェブを有し、該金属箔と該ウェブとの間にギャップが存在する、上記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
少なくとも幾つかの該キャビティは、該担体を貫通するように伸長している、上記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
該箔の厚さは約０．６及び２ミルの間であり、且つ該担体の厚さは約５及び１２ミルの間である、上記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
少なくとも幾つかの該キャビティの深さは、少なくとも約３ミルである、上記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
該担体は、該担体の周辺に沿って配置された指標を含み、該指標は、ダイの取り付け及びワイヤボンディングのための参照点として作用する、上記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
該金属箔は、ニッケル及びパラジウムで被覆された少なくとも一つの表面を有した銅層である、上記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項１１】
該担体は、再利用可能であり、銅、アルミニウム、鋼鉄、及びエポキシからなる群のうちのいずれか１つによって形成されている、上記請求項のいずれかに記載の装置。
【請求項１２】
集積回路装置をパッケージングする方法であって、
担体に接着された金属箔を包含する箔担体構成体を提供するステップと、
複数個のダイを該金属箔に取り付けるステップと、
該複数個のダイ及び該金属箔の少なくとも一部をモールディング物質で封止してモールドされた箔担体構成体を形成するステップであって、該封止するステップは、該金属箔内に隆起領域と陥没領域とを形成し、該陥没領域は少なくとも一つのデバイスエリアを画定し、各デバイスエリアは１つの集積回路ダイに電気的に接続するように適している、封止するステップと、
該モールディング物質の一部を露出させ、各デバイスエリアの複数の電気的コンタクトパッドを孤立させるように、該金属箔の該隆起領域の少なくとも一部分を除去するステップと、
を備えた、方法。
【請求項１３】
該モールドされた箔担体構成体を切断して複数個のパッケージ化した集積回路装置を形成するステップを備えた、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
該封止するステップの後、かつ該除去する操作の前に、該モールドした箔担体構成体から該担体を分離するステップを更に備えた、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
該担体は、少なくとも一つのデバイスエリアパターンを画定する複数のペデスタルを画定する複数のキャビティを有し、該ペデスタルは該封止された箔内の該陥没領域を画定し、該キャビティは該金属箔内の該隆起領域を確定する、請求項１２〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
該封止するステップにおいて、該モールディング物質が該箔を該担体に対して押し付けることにより、該箔の各部分が該キャビティの中に押し広げ入れられ、それにより該金属箔が再成形されて該金属箔の隆起領域及び陥没領域が形成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
該封止するステップの前に、該箔構成体をモールドの上に設置するステップを更に備え、該担体は貫通孔を有しており、該封止するステップは、該貫通孔を通してモールディング物質を該モールドのキャビティ内に入れ、該モールディング物質が該金属箔を該モールドに対して圧迫することを含み、そのことにより、該箔の各部分が該キャビティ内に伸長して該箔を再成形させることにより該箔内に隆起領域及び陥没領域を形成する、請求項１２〜１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
該金属箔の該隆起領域の少なくとも一部分を除去するステップはグラインディングを含む、請求項１２〜１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
該担体は、該担体の周辺に沿って配置された指標を有しており、
該指標を参照点として用いて、該箔の上にワイヤボンディング部位を決定するステップと、
該決定するステップに基づいて、該複数のダイを該ワイヤボンディング部位に接続するワイヤを取り付けるステップと、
を更に備えた、請求項１２〜１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
集積回路パッケージングに用いられるモールドされた箔構成体であって、
金属箔と、
該箔に取り付けられた複数の集積回路ダイと、
該集積回路ダイを該箔に電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、
該ダイ及び該ボンディングワイヤを封止するモールディング物質であって、該モールディング物質は該箔が隆起領域及び陥没領域を有するように該箔を伸長させている、モールディング物質と、
を備えた、モールドされた箔構成体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大略、集積回路（ＩＣ）のパッケージングに関するものである。更に詳細には、本発明は、薄箔（thin foil）が関与するパッケージング方法及び装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
集積回路（ＩＣ）ダイをパッケージングするための多数の従来のプロセスが存在している。例えば、多くのＩＣパッケージは、外部装置への電気的相互接続を与えるために、金属シートから打ち抜き又はエッチングした金属のリードフレームを利用している。ダイは、ボンディングワイヤ、半田バンプ、又はその他の適宜の電気的接続によってリードフレームへ電気的に接続させることが可能である。一般的に、ダイ及びリードフレームの一部はモールディング物質で封止してダイのアクティブ側上のデリケートな電気的コンポーネントを保護すると共にリードフレームの選択した部分を露出させたままとして外部装置への電気的接続を容易なものとさせる。
【０００３】
多くの従来のリードフレームは約４〜８ミル（mil）の厚さを有している。リードフレームの厚さを更に減少させることは幾つかの利点を提供することとなり、例えば全体的なパッケージ寸法を減少させる可能性やリードフレーム金属の節約などがある。然しながら、一般的に、より一層薄いリードフレームはパッケージングプロセス期間中により一層湾曲しやすい傾向を有する。湾曲の危険性を減少させるために、バッキングテープ等の支持用の構成体をリードフレームに適用することが可能である。然しながら、この様な構成体はコストを一層高いものとさせる場合がある。
【０００４】
リードフレームの代わりに電気的相互接続構成体として金属箔（メタルホイル）を利用するパッケージデザインが何度も提案されている。多数の箔（ホイル）を基礎としたデザインが開発されているが、業界において広く受け入れられるものは無かった。その理由の一部は、箔を基礎としたパッケージングプロセスは従来のリードフレームパッケージングよりも一層高価なものとなる傾向があるからであり且つ既存のパッケージング装置の多くはこの様な箔を基礎としたパッケージングデザインに良好に適したものではないからである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
リードフレームを製造し且つリードフレーム技術を使用して集積回路をパッケージングする既存の技術は功を奏しているが、集積回路をパッケージングするためのより一層効率的なデザイン及び方法を開発するための努力が継続してなされている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、集積回路パッケージにおいて電気的相互接続を形成するために薄箔を使用する方法及び装置に関するものである。そのような装置の１つは、箔担体構成体に関与し、キャビティ（空洞）を有する担体へ接着された箔を含む。担体のキャビティは、箔の支持に貢献する多様なペデスタルを画定する。ペデスタルは、半導体パッケージのための相互接続パターンを定義するデバイスエリア（装置領域）パターンを形成する。
【０００７】
本発明の幾つかの方法においては、前記の箔担体構成体を用いて集積回路パッケージを製造する。そのような方法の１つにおいては、集積回路ダイは、箔担体構成体上の箔に取り付け及びワイヤボンディングされる。箔担体構成体は、その後、モールディング物質によって封止される。モールディング物質は、箔の形状がその下にある担体上のキャビティの輪郭の幾つかに従うように、箔に対して押圧される。その結果、箔内に、隆起領域及び陥没領域が形成される。陥没領域の幾つかは、コンタクトパッド及び／又はダイのような相互接続コンポーネントの様なものである。隆起領域は、箔内のバンプを形成する。その後、モールドされた箔担体構成体から担体が分離されて、再成形された箔が露出する。箔内のバンプの少なくとも一部分は、グラインディングを含む、あらゆる範囲の好適な技術を用いて、除去される。この処理は、モールディング物質の部分を露出して陥没領域の幾つかを孤立させることにより、箔内の電気的コンタクトパッドを画定する。その結果得られるモールドされた箔担体構成体は切断（分離単体化：シンギュレート）されて複数の集積回路パッケージとなる。
【０００８】
上記の方法は、従来の技術に比べて幾つかの利点がある。この方法は、薄箔を用いることにより金属を節約する。箔を支持するのにバッキング（裏張り）テープが必要ない。更に、コンタクトパッドが他の技術によって孤立させられるため、フォトリソグラフィー技術が要求されない。
【０００９】
代替的な実施例においては、担体ではなくモールドが箔を再成形するためのデバイスエリアパターンを有する。この実施例においては、担体が箔に取り付けられ、箔担体構成体を形成する。担体は貫通孔を有しており、箔の支持に貢献する。ダイが箔に取り付けられた後、箔担体構成体はモールドの中に入れられる。モールディング物質が担体の貫通孔を通して流れ込み、箔を圧迫する。それにより、箔は担体上のデバイスエリアパターンに対して圧迫される。その結果、箔内に隆起領域及び陥没領域が形成される。その後、担体は随意に分離されてもよい。本方法においては、その後の箔内の隆起領域の部分的な除去、コンタクトパッドの形成、及び切断（分離単体化：シンギュレーション）は、上記の技術と同様の方法で実行される。上記の方法を実行するのに好適なその他の箔担体構成体及びモールドも記載される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（Ａ）は、本発明の１実施例に基づく複数のデバイスエリアパターンを有する箔担体構成体の概略平面図、（Ｂ）は、図１Ａに例示した複数のデバイスエリアパターンの内の一つの拡大概略平面図、（Ｃ）は、図１Ａに例示した本発明の１実施例に基づく箔担体構成体の概略側面図。
【図２】本発明の１実施例に基づいて、箔を集積回路装置のパッケージングに組み込むプロセスを示したフローチャート。
【図３−１】（Ａ）〜（Ｉ）は、図２のフローチャートのプロセスの夫々の段階を示した概略図。
【図３−２】（Ａ）〜（Ｉ）は、図２のフローチャートのプロセスの夫々の段階を示した概略図。
【図４】（Ａ）は、本発明の１つの代替実施例に基づく箔担体構成体の概略平面図、（Ｂ）は、図４Ａに例示した箔担体構成体の担体の概略平面図、（Ｃ）〜（Ｄ）は、図４Ａに示した箔担体構成体が関与するパッケージングプロセスの夫々の段階を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明及びその利点は、以下の記載および付随する図面を参照することによってよりよく理解されるであろう。
【００１２】
図面において、しばしば、同じ構成要素を示すためには同じ参照番号が用いられる。また、図面における記載は概略的なものであって、その縮尺を正しく示すものではないことを理解すべきである。
【００１３】
本発明は、大略、集積回路のパッケージングに関するものである。更に詳細には、本発明は、集積回路パッケージにおいて電気的相互接続を形成するために薄箔を使用するための改良された低コストの方法及び装置に関するものである。
【００１４】
薄箔は半導体製造業者に幾つかのチャレンジを提示している。前述した如く、薄箔はパッケージングプロセスのストレス下において湾曲する著しい傾向がある。更に、リードフレームを取り扱うために構成されている既存のパッケージング装置は、薄箔を処理するのには適していない。何故ならば、薄箔は寸法が異なっており且つ従来のリードフレームよりも一層脆弱であるからである。
【００１５】
「薄箔を基礎とした半導体パッケージ」と題する先の米国特許出願番号１２／１３３３３５において、本発明者たちは、これらのチャンレンジに対処するため、薄箔パッケージング用の、担体に基づいた低コストの新規な機構を提案した。以下に説明する本発明の種々の実施例も、薄箔パッケージングに関するものである。
【００１６】
まず、図１（Ａ）〜（Ｃ）を参照し、本発明の１つの実施例を説明する。この実施例は、特別に構成された箔担体構成体に関わる。箔担体構成体は、担体に接着された薄い金属箔を有する。図面に記載された実施例においては、エンボス加工された担体が箔の望ましいメタリゼーションパターンを形成するために用いられる。そのパターンは、ダイ取り付けパッド、コンタクトパッド、及び／又はその他のあらゆる望ましいメタリゼーション構造を包含する。
【００１７】
図１Ａは、担体１０２に接着された箔（図示されていない）を有する箔担体構成体１００の概略平面図である。図面に記載された実施例において、担体１０２は、デバイスエリアパターン１０４によってエンボス加工されており、その周辺に沿って配置された指標（fiducial）を有する。担体１０２は、広範囲にわたる多様な物質から形成されてよく、アルミニウム、鋼鉄、銅、その他の金属、ポリイミド、プラスチック、セラミック、及び／又はエポキシを含む。箔担体構成体は、特別な適用における必要性に応じて異なる寸法を有しても良い。箔担体構成体は、それが望ましい場合、従来のリードフレームストリップやパネルと似たようなサイズのストリップの形態を有しても良い。
【００１８】
図１Ｂは、リード用のペデスタル１０６とダイ用のペデスタル１０８とを有するデバイスエリアパターン１０４の拡大概略平面図である。これらの構成はウェブ１１４から延長している。図１Ｂは、数多くの可能な配置のうちの１つに過ぎないことに注意されたい。
【００１９】
図１Ｃは、図１Ｂに示したデバイスエリアパターンの概略側面図である。図１Ｃは、１つかそれ以上のウェブ１１４とペデスタル１１２とを画定するキャビティ１１６を提示している。ペデスタル１１２は、リード用のペデスタル１０６とダイ用のペデスタル１０８とを含む。箔１１８は、多様なペデスタルの周りにギャップ１０７が形成されるようにしてペデスタル１１２の上平面によって支持されている。ギャップ１０７は、少なくとも、箔と１つかそれ以上のキャビティの各部分とによって境界付けられている。本発明の幾つかの実施例は、モールディング物質が箔を圧迫するようなモールディング操作を企図している。それにより、箔が担体の少なくとも幾つかのキャビティに対して押し付けられることにより、箔内に隆起領域及び陥没領域が形成される。その後、隆起領域はグラインディングなどの技術によって除去されてもよい。箔の残りの部分は、集積回路ダイへの取り付けに適したデバイスエリアを画定する。このような操作は、図２及び３Ａ〜３Ｉにより以下で説明される。
【００２０】
図２及び３Ａ〜３Ｉは、本発明の１実施例による、集積回路装置をパッケージングするプロセス２００を示している。まず、ステップ２０２において、箔３０２及び担体３０４を含む図３の箔担体構成体３００が提供される。箔担体構成体３００は、キャビティ３０６、ウェブ３１２、リード用ペデスタル３１０、及びダイ用ペデスタル３０３を含む。図３は、より大きな箔担体構成体の小部分を示すに過ぎない。箔担体構成体３００は、図１Ａの箔担体構成体１００の形態をとっても良いが、それが要求されるわけではない。例示された実施例においては、箔３０２は銅箔であり、担体３０４は鋼鉄で形成される。代替的な実施例では、銅箔の代わりに他の金属箔が使われ、鋼鉄製担体構成体の代わりに異なる担体構成体が用いられても良い。例えば、担体は、代替的に、銅、鋼鉄、アルミニウム、プラスチック、セラミック、その他の金属、ポリイミドのような非導電性物質、あるいは広範囲にわたる多様な他の適切な物質から形成されても良い。幾つかの実施例においては、担体３０４は貫通孔を有する。（そのような担体に関わるパッケージング操作の一例は、図４Ａ〜４Ｄを参照して後ほど記載される。）
箔担体構成体３００の寸法は、特別な適用における必要を満たすため、広く変化させることができる。幾つかの実施例において、箔担体構成体３００は、ほぼ、典型的なリードフレームストリップのサイズである。箔３０２及び担体３０４の厚さも広く変化させることが可能である。幾つかの実施例においては、箔は約０．６〜２ミルの範囲内の厚さを有している。担体は、約５〜１２ミルの範囲内の厚さを有してもよい。一般的に、標準のリードフレームの厚さにほぼ一致する箔担体構成体の厚さとすることが有益的であり、そうすれば、リードフレームを取り扱うべく適合されている標準のパッケージング装置を本構成体を処理するために使用することが可能である。
【００２１】
図２のステップ２０４において、図３Ｂのダイ３１８が箔担体構成体３００上に装着される。例示された実施例においては、ダイ３１８は、ダイ用の構成３０２の上に位置される。ダイが取り付けられた後、それらはワイヤボンディグ等の適宜の手段によって箔へ電気的に接続される。ワイヤボンドされた構成体が図３Ｂに示されている。いくつかの実施例においては、このようなワイヤボンディング及びダイ装着操作は「盲目」的に行われる。即ち、そのような操作で用いられる唯一あるいは主要な基準点は、担体上の、箔によって覆われていない部分にある指標（fiducial：基準マーク）である。ここに説明するアプローチの顕著な利点の内の一つは、通常に利用可能なダイ取り付け及びワイヤボンディング装置を、このダイ取り付け及びワイヤボンディグステップに使用することが可能であるということである。その結果得られる構成体は、ボンディングワイヤ３１６によって箔へ電気的に接続されている複数個のダイを有する。例示した実施例において、ニッケル及びパラジウムの付加的な層が箔３０２の上表面に設けられている。上部パラジウム層はワイヤ３１６を一層強固に箔内に固定することを助ける。
【００２２】
ステップ２０６において、ダイ３１８、ワイヤ３１６、及び図３Ｂの箔担体構成体３００の少なくとも一部分が、図３Ｃのモールディング物質３１４によって封止され、モールドされた箔担体構成体３０１が形成される。モールディング物質は箔３０２を押し広げる。その結果、モールディング物質３１４はギャップ３０６の部分を満たし、担体３０４の上表面３１５よりも下に伸長する。転じて箔３０２は、図３Ｂのキャビティ３０５、ウェブ３１２、及びペデスタル３０２及び３１０に対して押し付けられる。この圧力により、箔３０２は、担体のキャビティの輪郭に沿うように成形し直される。このようにして、図３Ｃの隆起領域３２２及び陥没領域３２０が箔内に形成される。例示された実施例において、陥没領域３２０は、コンタクトパッド、ダイ取り付けパッドなどのメタリゼーション構造を画定する。隆起領域３２２は、箔から外側に向かって伸長するバンプを形成し、パッケージングプロセスの後段階において、これらのバンプを箔の残りの部分から分離するのが容易になる。
【００２３】
代替的な実施例においては、箔担体構成体内の担体は図３Ｃのキャビティ３０５と同様のキャビティを有するが、このキャビティは担体全体を通り抜けて（貫通して）いることがキャビティ３０５とは異なっている。本実施例において、箔担体構成体はモールドの空洞（モールドキャビティ）内に設置される。モールドキャビティの表面は、担体の底表面に接当するように配置され、担体と共に、様々な陥没領域を画定する。例示された実施例においては、モールディング物質は、箔を圧迫することにより箔を陥没領域に押し入れ、更に担体及びモールドキャビティの表面をも圧迫する。その結果、箔は、拡張して望ましい形態に再成形される。上述のタイプの担体のうちの幾つかはウェブを有していないが、その代わり、担体上のペデスタルを支持するタイ・バー（tie
bar）のような他の構造を用いている。
【００２４】
図３Ｃに例示された実施例におけるモールディング物質３１４は、１つの連続したストリップとして付加されることに留意すべきである。即ち、モールディング物質は、箔３０２のモールドされた部分に亘り、比較的均等に塗布されている。このタイプのモールディングは、リードフレームに基づいたパッケージングにおいては一般的なものではない。リードフレームストリップによって担持されているデバイス（装置）は、個別に、あるいはサブパネル毎にモールドされるのが典型的である。連続的なストリップのモールディング物質の利点について、図３Ｄ，３Ｅ，及びステップ２０８を参照して説明する。  
ステップ２０８において、図３Ｃのモールドされた箔担体構成体３０１の担体部分が分離され、その結果、図３Ｄのモールドされた箔構成体３０３となる。図３Ｃの担体３０４は、再利用されてもよい。モールディング物質は、この時点で担体３０４の代わりに箔に対しての構造的な支持を提供する。連続的なストリップモールディングアプローチの利点は、それが全パネルに対して良好な支持を提供するので、ストリップを依然としてパネルの形態で取り扱うことが可能であるということを理解すべきである。対照的に、モールディング操作中にサブパネル間にモールディングギャップが与えられた場合、担体を分離した後、各サブパネルを独立的に取り扱うことが必要となる。
【００２５】
図３Ｅにおいては、箔の隆起領域の部分が除去されている。図３Ｃにおける箔の再成形により、図３Ｄにおいて、隆起領域あるいはバンプ３２２が箔担体構成体３０３の底から伸長するようになる。箔のこれらの部分はグライディングや他の切断技術によってより容易に除去することが出来る。グライディング以外の適切な技術、例えばレーザー切断やエッチングなどを用いても良い。図３Ｄにおける箔の隆起領域及び陥没領域は、図３Ｅにおける隆起領域の除去により、ダイ取り付けパッド３２４及びコンタクトパッド３２６のようなメタリゼーション構造が少なくとも部分的に孤立され画定されるようにデザインされている。代替的な実施例においては、箔内の異なる部分が担体構成体３０３の底から突出し、それを除去してもよい。
【００２６】
グラインディングあるいは切断技術の１つの利点は、費用効率がより高いことであろう。幾つかの薄箔パッケージング方法は、箔をエッチングするためにフォトリソグラフィーを利用している。フォトリソグラフィーは、典型的にフォトレジスト層の塗布及びその他の幾つかの処理ステップが必要である。上述の技術は、フォトリソグラフィーに関連する費用及び時間的遅れを回避する。
【００２７】
幾つかの実施例においては、後の錫又は半田等の金属の電気鍍金を容易にするため、切断あるいはグラインディング操作によって箔内に電気鍍金相互接続を形成する。図３Ｆは、この様な相互接続を有するデバイスエリア３２８を概略的に示している。図３Ｅのモールドされた箔構成体３０３の底に形成されるデバイスエリア３２８は、ダイ取り付けパッド３２４、コンタクトリード３２６、及び電気鍍金相互接続３３４を有する。電気鍍金相互接続３３４は、パッドとリードとを電気的に接続し、典型的に、分離単体化時に用いられるソーストリートに亘って伸長している。電気鍍金相互接続３３４が複数のデバイスエリア間の導電性リンクを形成してもよい。デバイスエリア３２８は、数多くの可能な配置のうちの１つを示すに過ぎないことを理解すべきである。例えば、デバイスエリア３２８は、接地バスバー及び他の適切な相互接続フィーチャを含んでいても良い。
【００２８】
上述のように、幾つかの実施例は、図２のステップ２１１を企図しており、そのステップは、ダイ取り付けパッド３２４及びコンタクトリード３２６上に図３Ｇの半田３１８を電気鍍金することに関与する。ステップ２１２において、モールドされた箔構成体３０３は、図３Ｇのプロジェクテッドソーストリート（projected
saw street）３３６に沿って切断分離単体化（シンギュレート）され、個別の半導体パッケージとなる。モールドされた箔構成体３０３は、ソーイングやレーザー切断を含む多様な技術を用いて切断されても良い。分離単体化により、さらに、図３Ｆの電気鍍金相互接続３３４が除去されても良い。電気鍍金相互接続は、選択的切断などの他の適切な技術を用いて除去されても良い。分離単体化されたパッケージ３０６の拡大側面図が図３Ｈに示されている。パッケージの底面概略図は図３Ｉに示されている。この底面図は、モールディング物質３１４に取り囲まれたダイ取り付けパッド３２４及びコンタクトリード３２６を示している。
【００２９】
上述の操作は、特定のパッケージ及び／又はモールドされた箔構成体の底表面に特徴的なフィーチャを付加することもあることを理解すべきである。例えば、図３Ｈに例示された実施例は、モールディング物質の突起３３８を有するパッケージ３０６の底表面３４０を示している。モールディング物質は突起部分で露出している。幾つかの実施例においては、突起の側面が金属箔で覆われ、モールディング物質は突起の底面で露出している。突起は、ダイ取り付けパッド３２４及びコンタクトリード３２６の表面部分の大部分よりも下に伸長している。パッケージ３０６の底表面は、これらとは更に異なる配置であってもよい。
【００３０】
次に、図４Ａ〜４Ｄを参照して代替的実施例を説明する。この実施例においては、担体ではなく、モールドがデバイスエリアパターンを有し、そのネガティブイメージが箔にエンボス加工される。図４Ａは、担体４０６に接着された箔４０２を有する箔担体構成体４０４の概略側面図である。担体４０６の上面図を提示する図４Ｂに示されるように、担体は、図３Ａの箔担体構成体にあるようなキャビティが無く、貫通孔４０８を有している。箔担体構成体４０４は、図２に示される操作と同様な操作によって処理されてもよい。例えば、ダイ取り付け及びワイヤボンディングが箔担体構成体４０４に行われても良い。
【００３１】
しかし、幾つかの処理は図２に例示されている処理とは異なっている。封止処理の前に、図４Ｃの箔担体構成体４０４はモールド４１０内に設置される。モールド４１０は、キャビティ４１６を有し、担体４０６（図示されていない）と共に箔４０２を支持する。封止処理の間、図４Ｄに示されているように、モールディング物質４１２が担体４０６の貫通孔を通り抜け、箔４０２を圧迫する。その結果、箔４０２はキャビティの中に伸長する。従って、図４Ｄの陥没領域４１８及び隆起領域４２０が箔内に形成される。このような操作の後、担体４０６は、随意に、モールドされた箔担体構成体４０５から分離されても良い。図２の対応するステップと同様に、その後、箔の隆起領域の部分が除去され、箔の残りの部分である陥没領域によってデバイスエリアが形成され、その結果の構造が単体分離されて複数の集積回路パッケージとなる。
【００３２】
僅かに数個の実施例によって本発明を詳細に説明したが、本発明は本発明の精神又は範囲を逸脱すること無しに多くのその他の形態で実現することが可能であることを理解すべきである。上記の説明において、記載されたリードフレーム状の構成（例えば箔）の多くは、リード及び／又はコンタクトを包み、それらは、ここででは、しばしば、コンタクトリードとして呼称される。本発明の文脈において、コンタクトリードという用語は、リード、コンタクト、及びリードフレーム状の構成内に存在得るその他の電気的相互接続構成体を包含することを意図している。従って、本実施例は制限的なものではなく例示的なものであると考えるべきであり、且つ本発明はここに記載した詳細に制限されるものではなく、特許請求の範囲及びその均等物内において変更することが可能である。
【図１】
2012500495.tif 000003
【図２】
2012500495.tif 000004
【図３−１】
2012500495.tif 000005
【図３−２】
2012500495.tif 000006
【図４】
2012500495.tif 000007
【国際調査報告】
2012500495.tif 000008
2012500495.tif 000009
2012500495.tif 000010