(57)【要約】  本発明は、関心対象（１０１）の画像再構成結果内のアーチファクトを推定する方法及び装置に関する。本発明に係る装置は、関心対象（１０１）に印加される一次磁場を生成する少なくとも１つの送信コイル（１０９、１０９’）、及び一次磁場に応答して関心対象によって生成される二次磁場によって誘起される電気信号を測定する少なくとも１つの測定コイル（１１０、１１０’）を有するコイル配列（１０５）と、関心対象（１０１）とコイル配列（１０５）との間での相対的な動きを検知し、相対的な動きが発生したときにトリガー信号を発生する動き検知手段（１１２、１１４、１１２’、１１４’；３１２、３１４、３１２’、３１４’）と、トリガー信号に応答して、相対的な動きによって生じるアーチファクトを表す関心対象の導電率分布の変化を、相対的な動きの前及び後に測定された電気信号に基づいて計算するプロセッサ（１２５）とを有する。
2012513811.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
関心対象の画像再構成結果内のアーチファクトを推定する装置であって：
前記関心対象に印加される一次磁場を生成する少なくとも１つの送信コイルと、二次磁場によって誘起される電気信号を測定する少なくとも１つの測定コイルとを有するコイル配列であり、前記二次磁場は前記一次磁場に応答して前記関心対象によって生成される、コイル配列；
前記関心対象と前記コイル配列との間での相対的な動きを検知し、該相対的な動きが発生したときにトリガー信号を発生する動き検知手段；及び
前記トリガー信号に応答して、前記相対的な動きの前及び後に測定された前記電気信号に基づいて前記関心対象の導電率分布の変化を計算するプロセッサであり、前記導電率分布の変化は、前記相対的な動きによって生じるアーチファクトを表す、プロセッサ；
を有する装置。
【請求項２】
前記動き検知手段は、磁場を生成する少なくとも１つの磁石と、該少なくとも１つの磁石の前記相対的な動きによって引き起こされる該磁場の変化を検知する少なくとも１つの巨大磁気抵抗センサとを有し、前記少なくとも１つの磁石は前記関心対象に取り付けられ、前記少なくとも１つの巨大磁気抵抗センサは前記コイル配列又はその支持体に取り付けられる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つの磁石はＮｉＦｅＢ硬磁石である、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記動き検知手段は、光ビームを発生する少なくとも１つの光源と、該少なくとも１つの光源の前記相対的な動きによって引き起こされる該光ビームの変化を検知する少なくとも１つの光センサとを有し、前記少なくとも１つの光源は前記関心対象に取り付けられ、前記少なくとも１つの光センサは前記コイル配列又はその支持体に取り付けられる、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記コイル配列における温度ドリフトを測定する少なくとも１つの温度センサを更に有し、
前記プロセッサは更に、前記温度ドリフトに基づいて測定電気信号の信号ドリフトを見積もり、且つ該信号ドリフトに基づいて、前記関心対象の導電率分布の更なる変化を計算するよう構成され、前記導電率分布の更なる変化は、前記温度ドリフトによって生じるアーチファクトを表す、
請求項１に記載の装置。
【請求項６】
関心対象の画像再構成結果内のアーチファクトを推定する方法であって：
少なくとも１つの送信コイルによって、前記関心対象に印加される一次磁場を生成するステップ；
少なくとも１つの測定コイルによって、二次磁場によって誘起される電気信号を測定するステップであり、前記二次磁場は前記一次磁場に応答して前記関心対象によって生成される、測定するステップ；
前記少なくとも１つの送信コイル及び測定コイルを有するコイル配列と前記関心対象との間での相対的な動きを検知するステップ；
前記相対的な動きが発生したときにトリガー信号を発生するステップ；及び
前記トリガー信号に応答して、前記相対的な動きの前及び後に測定された前記電気信号に基づいて前記関心対象の導電率分布の変化を計算するステップであり、前記導電率分布の変化は、前記相対的な動きによって生じるアーチファクトを表す、計算するステップ；
を有する方法。
【請求項７】
前記検知するステップは：
少なくとも１つの磁石によって磁場を生成すること；及び
少なくとも１つの巨大磁気抵抗センサによって、前記少なくとも１つの磁石の前記相対的な動きによって引き起こされる前記磁場の変化を検知すること；
を有し、
前記少なくとも１つの磁石は前記関心対象に取り付けられ、前記少なくとも１つの巨大磁気抵抗センサは前記コイル配列又はその支持体に取り付けられる、
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つの磁石はＮｉＦｅＢ硬磁石である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも１つの光源によって光ビームを発生すること；及び
前記少なくとも１つの光源の前記相対的な動きによって引き起こされる前記光ビームの変化を検知すること；
を更に有し、
前記少なくとも１つの光源は前記関心対象に取り付けられ、前記少なくとも１つの光センサは前記コイル配列又はその支持体に取り付けられる、
請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記コイル配列における温度ドリフトを測定するステップ；
前記温度ドリフトに基づいて測定電気信号の信号ドリフトを見積もるステップ；及び
前記信号ドリフトに基づいて、前記関心対象の導電率分布の更なる変化を計算するステップであり、前記導電率分布の更なる変化は、前記温度ドリフトによって生じるアーチファクトを表す、計算するステップ；
を更に有する請求項６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気誘導トモグラフィに関し、特に、アーチファクトを推定して除去することによって磁気誘導トモグラフィの撮像品質を向上させる方法及びシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気誘導トモグラフィ（magnetic  induction  tomography；ＭＩＴ）は、工業撮像及び医療撮像に用途を有する非侵襲製且つ非接触の撮像技術である。その他の電気的な撮像技術とは対照的に、ＭＩＴは撮像のために、センサと関心対象物との直接的な接触を必要としない。ＭＩＴは、関心対象物内の例えば導電率σなどの受動的な電気特性の空間分布を再構成するために使用される。
【０００３】
特許文献１は、対象物の電磁特性を調べるための磁気誘導トモグラフィシステムを開示している。そのシステムは、対象物内に渦電流を誘起する一次磁場を生成するように適応された１つ以上の発生器コイルと、渦電流の結果として生成された二次磁場を検知するように適応された１つ以上のセンサコイルと、１つ以上の発生器コイル及び／又は１つ以上のセンサコイルと調査される対象物との間に相対運動を提供する手段とを有している。
【０００４】
ＭＩＴシステムのハードウェア設計に関する技術的な難題は、コイル配列と撮像対象物との間での相対的な動きによって発生されるアーチファクトを除去することに関係する。医療用途において、殆どの組織（tissue）は低い導電率を有するので、小さい電気信号を与えるのみである。例えば、二次磁場に起因する検知磁場の位相変化は非常に小さく、通常はミリ度（°）のオーダーであるため、検出することが困難である。一方で、例えば長期間にわたる患者モニタリングなどの医療用途では、監視対象を動かないように保ち続けることは不可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００７／０７２３４３号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の１つの目的は、撮像品質が向上される画像再構成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に従って、関心対象の画像再構成結果内のアーチファクトを推定する装置が提供される。当該装置は：
関心対象に印加される一次磁場を生成する少なくとも１つの送信コイルと、二次磁場によって誘起される電気信号を測定する少なくとも１つの測定コイルとを有するコイル配列であり、二次磁場は一次磁場に応答して関心対象によって生成される、コイル配列；
関心対象とコイル配列との間での相対的な動きを検知し、該相対的な動きが発生したときにトリガー信号を発生する動き検知手段；及び
トリガー信号に応答して、相対的な動きの前及び後に測定された電気信号に基づいて関心対象の導電率分布の変化を計算するプロセッサであり、導電率分布の変化は、相対的な動きによって生じるアーチファクトを表す、プロセッサ；
を有する。
【０００８】
関心対象とコイル配列との間での相対的な動きを検知し、画像再構成のために、該相対的な動きのよって引き起こされた信号差を計算することにより、該相対的な動きによって生じるアーチファクトが大きく抑制され得る。
【０００９】
一実施形態において、動き検知手段は、磁場を生成する少なくとも１つの磁石と、該少なくとも１つの磁石の動きによって引き起こされる該磁場の変化を検知する少なくとも１つの巨大磁気抵抗センサとを有し、前記少なくとも１つの磁石は関心対象に取り付けられ、前記少なくとも１つの巨大磁気抵抗センサはコイル配列又はその支持体に取り付けられる。
【００１０】
磁石及び巨大磁気抵抗センサが、それぞれ、関心対象及びコイル配列若しくはその支持体に取り付けられるので、関心対象の自由な動作を制限することなく、関心対象とコイル配列との間での相対的な動きを検知することができる。
【００１１】
他の一実施形態において、装置は更に、コイル配列における温度ドリフトを測定する少なくとも１つの温度センサを有し、プロセッサは更に、温度ドリフトに基づいて測定電気信号の信号ドリフトを見積もり、且つ信号ドリフトに基づいて、関心対象の導電率分布の更なる変化を計算するよう構成され、導電率分布の更なる変化は、温度ドリフトによって生じるアーチファクトを表す。
【００１２】
温度ドリフトを測定し、測定結果内の対応する信号ドリフトを見積もることにより、温度ドリフトによって生じるアーチファクトが抑制され、向上された撮像品質がもたらされる。
【００１３】
本発明の他の一態様によれば、関心対象の画像再構成結果内のアーチファクトを推定する方法が提供される。当該方法は：
少なくとも１つの送信コイルによって、関心対象に印加される一次磁場を生成するステップ；
少なくとも１つの測定コイルによって、二次磁場によって誘起される電気信号を測定するステップであり、二次磁場は一次磁場に応答して関心対象によって生成される、測定するステップ；
前記少なくとも１つの送信コイル及び前記少なくとも１つの測定コイルを有するコイル配列と関心対象との間での相対的な動きを検知するステップ；
相対的な動きが発生したときにトリガー信号を発生するステップ；及び
トリガー信号に応答して、相対的な動きの前及び後に測定された電気信号に基づいて関心対象の導電率分布の変化を計算するステップであり、導電率分布の変化は、相対的な動きによって生じるアーチファクトを表す、計算するステップ；
を有する。
【００１４】
本発明の詳細な説明及び他の態様は以下にて示す。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
本発明の上述及びその他の目的及び特徴は、以下の図を含む添付図面に関連付けて検討される以下の詳細な説明によって一層明らかになる。
【図１】本発明に従った画像再構成結果内のアーチファクトを推定する装置の第１実施形態を示す図である。
【図２ａ】相対的な動きと実験にて得られた測定電気信号との間の関係を示す図である。
【図２ｂ】相対的な動きと実験にて得られた測定電気信号との間の関係を示す図である。
【図３】本発明に従った画像再構成結果内のアーチファクトを推定する装置の第２実施形態を示す図である。
【図４】本発明に従った画像再構成結果内のアーチファクトを推定する装置の第３実施形態を示す図である。
【図５ａ】開かれた実験室環境内での熱ドリフトと測定信号との間の関係を示す図である。
【図５ｂ】開かれた実験室環境内での熱ドリフトと測定信号との間の関係を示す図である。
【図６ａ】外的な熱的干渉の場合の熱ドリフトと測定信号との間の関係を示す図である。
【図６ｂ】外的な熱的干渉の場合の熱ドリフトと測定信号との間の関係を示す図である。
【図７】本発明に従った画像再構成結果内のアーチファクトを推定する方法を示すフローチャートである。  複数の図を通して、同様の部分は同一の参照符号を用いて表記する。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１は、本発明に従った画像再構成結果内のアーチファクトを推定する装置１００の第１実施形態を示している。
【００１７】
装置１００はコイル配列１０５を有しており、コイル配列１０５は、関心対象１０１に印加される一次磁場を生成する少なくとも１つの送信コイル１０９、１０９’を有している。一次磁場は関心対象１０１内に渦電流を誘起する。関心対象１０１はヒトの頭部又は導電材料の塊とし得る。
【００１８】
コイル配列１０５は更に、二次磁場によって誘起された電気信号を測定する少なくとも１つの測定コイル１１０、１１０’を有している。二次磁場は、一次磁場に応答して、関心対象によって生成される。具体的には、二次磁場は、一次磁場によって誘起された関心対象内の渦電流によって生成される。
【００１９】
コイル配列１０５は支持体１０２上に置かれ得る。
【００２０】
装置１００は更に、関心対象１０１とコイル配列１０５との間での相対的な動きを検知する動き検知手段１１２、１１４、１１２’、１１４’を有している。動き検知手段は、相対的な動きが発生したとき、例えば、検知された相対的な動きが所定範囲を超えたとき、トリガー信号を発生する。
【００２１】
装置１００は更にプロセッサ１２５を有しており、プロセッサ１２５は、トリガー信号に応答して、相対的な動きの前及び後に測定された電気信号に基づいて、関心対象の導電率分布の変化を計算する。導電率分布の変化は、相対的な動きによって生じるアーチファクトを表す。
【００２２】
関心対象の導電率分布の変化の計算は画像再構成理論に従う。例えば、この計算は、文献「Image  reconstruction  approaches  for  Philips  magnetic  induction  tomography」（M．Vauhkonen、M．Hamsch及びC．H．Igney、ICEBI  2007、IFMBE  Proceedings  17、pp.468-471、2007年）に記載された理論に従い得る。以下の等式（例えば、この従来技術における等式（８））によれば、導電率分布の変化は：
Δσ＝（ＪＴＷＴＷＪ＋αＬＴＬ）−１（ＪＴＷＴＷΔＶｉ）
として計算することができる。ただし、Ｗは重み行列であり、αは正則化パラメータであり、Ｌは正則化行列であり、Ｊは複素ヤコビ行列の虚部であり、ΔＶｉは相対的な動きの前と後とでの測定コイルに誘起される電圧の差分である。測定される差分電圧は、相対的な動きにより生じるアーチファクトを指し示す導電率分布の変化に対応する。相対的な動きにより生じる導電率分布の変化は、それに続く導電率分布の計算にて抑制されることができ、それにより画像再構成結果内のアーチファクトが除去される。
【００２３】
実用的な一実現例において、上記差分電圧は、測定電圧の大きさと、２つの測定電圧間での位相のオフセットとから得ることができる。導電率分布の計算はコンピュータプログラムによって有利に実現され得る。
【００２４】
一実施形態において、動き検知手段は、磁場を発生する少なくとも１つの磁石１１２、１１２’と、該少なくとも１つの磁石の動きにより引き起こされる磁場変化を検知する少なくとも１つの巨大磁気抵抗センサ１１４、１１４’とを有している。少なくとも１つの磁石１１２、１１２’は関心対象１０１に取り付けられ、少なくとも１つの巨大磁気抵抗センサ１１４、１１４’はコイル配列１０５又はその支持体１０２に取り付けられる。
【００２５】
有利には、磁石１１２、１１２’はＮｉＦｅＢ硬磁石である。
【００２６】
図２ａ及び２ｂは、相対的な動きと実験から得られた測定電気信号との間の関係を示している。
【００２７】
図２ａ及び２ｂを参照するに、測定コイルに誘起される電圧の測定位相は関心対象とコイル配列との間での相対的な動きとともに変化することが観察される。図２ａにおいて、Ａは回転運動を指し示し、Ｂは運動なしを指し示し、Ｃは横断（トランスバース）運動を指し示しており、それに従って図２ｂにおいて、点Ａ及びＢに対応する位相が変化することが観察され得る。しかしながら、位相変化は相対的な動きに対して非線形である。動きによって生じる見かけ上の導電率変化は非線形であるためである。
【００２８】
図３は、本発明に従った画像再構成結果内のアーチファクトを推定する装置の第２実施形態を示している。
【００２９】
この実施形態において、図１に示した実施形態に対する唯一の相違は動き検知手段であり、この動き検知手段は、光ビームを発生する少なくとも１つの光源３１２、３１２’と、該少なくとも１つの光源の動きによって発生される光ビームの変化を検知する少なくとも１つの光センサ３１４、３１４’とを有している。少なくとも一つの光源３１２、３１２’は関心対象１０１に取り付けられ、少なくとも１つの光センサ３１４、３１４’はコイル配列１０５又はその支持体１０２に取り付けられる。
【００３０】
図４は、本発明に従った画像再構成結果内のアーチファクトを推定する装置の第３実施形態を示している。
【００３１】
図４を参照するに、装置は更に、システム内の温度変動（ドリフト）を監視する少なくとも１つの温度センサ４２０、４２０’を有している。有利には、該少なくとも１つの温度センサは、コイル配列の近くに置かれ、好ましくはコイル配列を保持する印刷回路基板上に置かれる。
【００３２】
プロセッサは更に、測定電気信号の信号ドリフトを温度ドリフトに基づいて見積もり、関心対象の導電率分布の更なる変化を信号ドリフトに基づいて計算するように構成される。信号ドリフトは、温度ドリフトによって引き起こされるアーチファクトを指し示す導電率分布の更なる変化に対応する。
【００３３】
測定電気信号の信号ドリフトを見積もる手法は、例えば、測定コイルに誘起される電圧の位相ドリフトを、熱ドリフトと測定位相変化との間の既知の関係に基づいて見積もることによるものなど、数多く存在する。その詳細を、図５及び図６の考察と組み合わせて以下にて説明する。
【００３４】
図５ａ及び５ｂは、開かれた実験室環境内での熱ドリフトと測定信号との間の関係を示している。
【００３５】
図６ａ及び６ｂは、外的な熱的干渉がある場合の熱ドリフトと測定信号との間の関係を示している。
【００３６】
図５及び６を参照するに、温度変化と位相変化との間の絶対値での相関係数が０．９７−０．９８という高さであることが観察される。熱ドリフトと測定位相オフセットとの間の関係が分かると、直線フィッティング法又は多項式フィッティング法に基づいて、熱ドリフトに従った位相オフセットを決定することができる。
【００３７】
図７は、本発明に従った画像再構成結果内のアーチファクトを推定する方法を示すフローチャートである。
【００３８】
図７を参照するに、この方法は、少なくとも１つの送信コイルによって、関心対象に印加される一次磁場を生成するステップ７１０を有する。一次磁場は関心対象内に渦電流を誘起する。
【００３９】
この方法は更に、少なくとも１つの測定コイルによって、二次磁場により誘起された電気信号を測定するステップ７２０を有する。二次磁場は、一次磁場に応答して、関心対象によって生成される。具体的には、二次磁場は関心対象内の渦電流によって生成される。
【００４０】
この方法は更に、上記少なくとも１つの送信コイル及び測定コイルを有するコイル配列と関心対象との間での相対的な動きを検知するステップ７３０を有する。
【００４１】
この方法は更に、相対的な動きが発生したときトリガー信号を発生するステップ７４０を有する。
【００４２】
この方法は更に、トリガー信号に応答して、相対的な動きの前及び後に測定された電気信号に基づいて関心対象の導電率分布の変化を計算するステップ７５０を有する。導電率分布の変化は、相対的な動きによって生じるアーチファクトを表し、関心対象の再構成画像内で抑制されることができ、その結果、画像再構成結果の品質が向上される。
【００４３】
一実施形態において、検知ステップ７３０は、少なくとも１つの磁石によって磁場を生成するサブステップと、該少なくとも１つの磁石の相対的な動きによって引き起こされる磁場変化を少なくとも１つの巨大磁気抵抗センサによって検知するサブステップとを有する。
【００４４】
有利には、上記少なくとも１つの磁石はＮｉＦｅＢ硬磁石であり、上記少なくとも１つの磁石は関心対象に取り付けられ、上記少なくとも１つの巨大磁気抵抗センサは、コイル配列、又はコイル配列を保持する支持体に取り付けられる。
【００４５】
他の一実施形態において、検知ステップ７３０は、少なくとも１つの光源によって光ビームを発生するサブステップと、該少なくとも１つの光源の相対的な動きによって引き起こされる光ビームの変化を少なくとも１つの光センサによって検知するサブステップとを有する。
【００４６】
有利には、上記少なくとも１つの光源は関心対象に取り付けられ、上記少なくとも１つの光センサはコイル配列又はその支持体に取り付けられる。
【００４７】
更なる他の一実施形態において、上記方法は更に、コイル配列における温度ドリフトを測定し、該温度ドリフトに基づいて測定電気信号の信号ドリフトを見積もり、且つ該信号ドリフトに基づいて、関心対象の導電率分布の更なる変化を計算するステップ群を有する。
【００４８】
導電率分布の更なる変化は、温度ドリフトによって生じるアーチファクトを表し、関心対象の再構成画像内で抑制されることができ、その結果、画像再構成結果の品質が更に向上される。
【００４９】
なお、上述の実施形態は本発明を例示するものであって、限定するものではなく、当業者は添付の請求項の範囲を逸脱することなく代替的な実施形態を設計することができるであろう。請求項において、括弧書きの参照符号は請求項を限定するものとして解釈されるべきではない。用語“有する”は、請求項又はこの説明にて列挙されていない要素又はステップの存在を排除するものではない。要素を前置する用語“ａ”又は“ａｎ”は、そのような要素が複数存在することを排除するものではない。複数のユニットを列挙する装置クレームにおいて、それらユニットのうちの幾つかが単一且つ同一のハードウェア又はソフトウェアの品目によって具現化されてもよい。第１、第２及び第３などの用語の使用は、如何なる順序をも指し示していない。これらの用語は名称として解釈されるべきものである。
【図１】
2012513811.tif 000003
【図２ａ】
2012513811.tif 000004
【図２ｂ】
2012513811.tif 000005
【図３】
2012513811.tif 000006
【図４】
2012513811.tif 000007
【図５ａ】
2012513811.tif 000008
【図５ｂ】
2012513811.tif 000009
【図６ａ】
2012513811.tif 000010
【図６ｂ】
2012513811.tif 000011
【図７】
2012513811.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成23年7月1日(2011.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
関心対象の画像再構成結果内のアーチファクトを推定する装置であって：
前記関心対象に印加される一次磁場を生成する少なくとも１つの送信コイルと、二次磁場によって誘起される電気信号を測定する少なくとも１つの測定コイルとを有するコイル配列であり、前記二次磁場は前記一次磁場に応答して前記関心対象によって生成される、コイル配列；
前記関心対象と前記コイル配列との間での相対的な動きを検知し、該相対的な動きが発生したときにトリガー信号を発生する動き検知手段；
前記トリガー信号に応答して、前記相対的な動きの前及び後に測定された前記電気信号に基づいて前記関心対象の導電率分布の変化を計算するプロセッサであり、前記導電率分布の変化は、前記相対的な動きによって生じるアーチファクトを表す、プロセッサ；及び
前記コイル配列における温度ドリフトを測定する少なくとも１つの温度センサ；
を有し、
前記プロセッサは更に、前記温度ドリフトに基づいて測定電気信号の信号ドリフトを見積もり、且つ該信号ドリフトに基づいて、前記関心対象の導電率分布の更なる変化を計算するよう構成され、前記導電率分布の更なる変化は、前記温度ドリフトによって生じるアーチファクトを表す、
装置。
【請求項２】
前記動き検知手段は、磁場を生成する少なくとも１つの磁石と、該少なくとも１つの磁石の前記相対的な動きによって引き起こされる該磁場の変化を検知する少なくとも１つの巨大磁気抵抗センサとを有し、前記少なくとも１つの磁石は前記関心対象に取り付けられ、前記少なくとも１つの巨大磁気抵抗センサは前記コイル配列又はその支持体に取り付けられる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つの磁石はＮｉＦｅＢ硬磁石である、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記動き検知手段は、光ビームを発生する少なくとも１つの光源と、該少なくとも１つの光源の前記相対的な動きによって引き起こされる該光ビームの変化を検知する少なくとも１つの光センサとを有し、前記少なくとも１つの光源は前記関心対象に取り付けられ、前記少なくとも１つの光センサは前記コイル配列又はその支持体に取り付けられる、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
関心対象の画像再構成結果内のアーチファクトを推定する方法であって：
少なくとも１つの送信コイルによって、前記関心対象に印加される一次磁場を生成するステップ；
少なくとも１つの測定コイルによって、二次磁場によって誘起される電気信号を測定するステップであり、前記二次磁場は前記一次磁場に応答して前記関心対象によって生成される、測定するステップ；
前記少なくとも１つの送信コイル及び測定コイルを有するコイル配列と前記関心対象との間での相対的な動きを検知するステップ；
前記相対的な動きが発生したときにトリガー信号を発生するステップ；
前記トリガー信号に応答して、前記相対的な動きの前及び後に測定された前記電気信号に基づいて前記関心対象の導電率分布の変化を計算するステップであり、前記導電率分布の変化は、前記相対的な動きによって生じるアーチファクトを表す、計算するステップ；
前記コイル配列における温度ドリフトを測定するステップ；
前記温度ドリフトに基づいて測定電気信号の信号ドリフトを見積もるステップ；及び
前記信号ドリフトに基づいて、前記関心対象の導電率分布の更なる変化を計算するステップであり、前記導電率分布の更なる変化は、前記温度ドリフトによって生じるアーチファクトを表す、計算するステップ；
を有する方法。
【請求項６】
前記検知するステップは：
少なくとも１つの磁石によって磁場を生成すること；及び
少なくとも１つの巨大磁気抵抗センサによって、前記少なくとも１つの磁石の前記相対的な動きによって引き起こされる前記磁場の変化を検知すること；
を有し、
前記少なくとも１つの磁石は前記関心対象に取り付けられ、前記少なくとも１つの巨大磁気抵抗センサは前記コイル配列又はその支持体に取り付けられる、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つの磁石はＮｉＦｅＢ硬磁石である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも１つの光源によって光ビームを発生すること；及び
前記少なくとも１つの光源の前記相対的な動きによって引き起こされる前記光ビームの変化を検知すること；
を更に有し、
前記少なくとも１つの光源は前記関心対象に取り付けられ、前記少なくとも１つの光センサは前記コイル配列又はその支持体に取り付けられる、
請求項５に記載の方法。
【国際調査報告】
2012513811.tif 000013
2012513811.tif 000014