(57)【要約】  実施例による太陽電池は、有効領域及び前記有効領域の外郭に位置するエッジ領域が定義される基板と、前記基板の有効領域上に形成され、第１電極、光吸収層及び第２電極を含む太陽電池セルと、を含む。前記基板には、前記エッジ領域に対応して段差部が形成される。【選択図】図１１
2012532442.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有効領域及び前記有効領域の外枠に位置するエッジ領域が定義される基板と、
前記基板の有効領域上に形成され、第１電極、光吸収層及び第２電極を含む太陽電池セルと、を含み、
前記基板には、前記エッジ領域に対応して段差部が形成される太陽電池。
【請求項２】
前記基板は、前記有効領域が第１厚さを有して前記段差部が形成された前記エッジ領域が前記第１厚さより１０〜５０％薄い第２厚さを有する請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記太陽電池セルと前記段差部を覆って形成されたＥＶＡフィルムをさらに含む請求項１に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記太陽電池セルがお互い直列に接続される複数の太陽電池セルを含む請求項１に記載の太陽電池。
【請求項５】
基板に第１電極、光吸収層及び第２電極を含む太陽電池セルを形成するステップと、
前記基板のエッジ領域を一部除去して段差部を形成するステップと、
を含む太陽電池の製造方法。
【請求項６】
前記段差部を形成するステップで、前記太陽電池セルのエッジ領域を共に除去する請求項５に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項７】
前記段差部を形成するステップで、グラインダ（Ｇｒｉｎｄｅｒ）またはポリシング装置（Ｐｏｌｉｓｈｅｒ）を使用する請求項５に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項８】
前記段差部を形成するステップは、
前記エッジ領域以外の有効領域に対応するように保護膜を形成するステップと、
前記保護膜が形成されない前記エッジ領域に対応する前記基板を一部除去するステップと、
を含む請求項５に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項９】
前記段差部を形成された前記エッジ領域は、前記段差部が形成されない有効領域より１０〜５０％薄い厚さに形成される請求項５に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
前記段差部及び前記太陽電池セルを覆うようにＥＶＡフィルムを形成するステップをさらに含む請求項５に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１１】
前記太陽電池セルを形成するステップは、
前記第１電極、前記光吸収層及び第２電極を形成するステップと、
前記第１電極、前記光吸収層を貫通する分離パターンを形成してお互い直列に接続される複数の太陽電池セルを形成するステップと、
を含む請求項５に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１２】
エッジ領域に段差部を有する基板を用意するステップと、
前記基板の表面に第１電極、光吸収層及び第２電極を含む太陽電池セルを形成するステップと、
前記エッジ領域に対応して前記第１電極、前記光吸収層及び前記第２電極を除去するステップと、
を含む太陽電池の製造方法。
【請求項１３】
前記第１電極、前記光吸収層及び前記第２電極を除去するステップでは、レーザスクライビングまたはサンドブラスチングを用いる請求項１２に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１４】
前記第１電極、前記光吸収層及び前記第２電極を除去するステップは、
前記エッジ領域以外の有効領域に対応するように保護膜を形成するステップと、
前記保護膜が形成されない前記エッジ領域の前記第１電極、前記光吸収層及び前記第２電極を除去するステップと、
を含む請求項１２に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１５】
前記段差部が形成された前記エッジ領域は、前記段差部が形成されない有効領域より１０〜５０％薄い厚さに形成される請求項１２に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１６】
前記段差部及び前記太陽電池セルを覆うようにＥＶＡフィルムを形成するステップをさらに含む請求項１２に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１７】
前記太陽電池セルを形成するステップは、
前記第１電極、前記光吸収層及び第２電極を形成するステップと、
前記第１電極、前記光吸収層を貫通する分離パターンを形成してお互い直列に接続される複数の太陽電池セルを形成するステップと、
を含む請求項１２に記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施例は、太陽電池及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、エネルギーの需要が増加することによって、太陽光エネルギーを電気エネルギーに変換させる太陽電池に対する開発が進められている。
【０００３】
特に、ガラス基板、金属裏面電極層、ｐ型ＣＩＧＳ系光吸収層、高抵抗バッファ層、ｎ型ウィンドウ層などを含む基板構造のＣＩＧＳ系太陽電池が広く使用されている。
【０００４】
この太陽電池は、基板の裏面から順に蒸着されるものであって、各層が部分的に蒸着水準が異なる領域が存在することができる。
【０００５】
これによって、太陽電池モジュールが外部と接続され短絡される問題が生じることがあり、これは太陽電池の電気的特性を低下させることになる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の一実施例は、単純な工程で電気的特性を向上させることができる太陽電池及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施例による太陽電池は、有効領域及び前記有効領域の外郭に位置するエッジ領域が定義される基板と、前記基板の有効領域上に形成され、第１電極、光吸収層及び第２電極を含む太陽電池セルと、を含む。前記基板には、前記エッジ領域に対応して段差部が形成される。
【０００８】
実施例による太陽電池の製造方法は、基板に第１電極、光吸収層及び第２電極を含む太陽電池セルを形成するステップと、前記基板のエッジ領域を一部除去して段差部を形成するステップと、を含む。
【０００９】
エッジ領域に段差部を有する基板を用意するステップと、前記基板の表面に第１電極、光吸収層及び第２電極を含む太陽電池セルを形成するステップと、前記エッジ領域に対応して前記第１電極、前記光吸収層及び前記第２電極を除去するステップと、を含む。
【発明の効果】
【００１０】
実施例によると、太陽電池セルを支持する基板のエッジ領域に段差部を形成し、エッジ領域で絶縁性を確保して電気的特性を向上させることができる。
【００１１】
この際、段差部は、機械的工程によって形成されることができ単純な工程で段差部を形成することができる。また、前記段差部の形成の際に追加的に生じられる不純物は、高電圧印加によって除去されることができる。特に、一般的なレーザ工程のような熱工程で生じられえる不純物発生及びこれによる絶縁破壊を最小化することができる。また、前記段差部による不規則な表面によってＥＶＡフィルムの接着力を向上することができる。
【００１２】
一方、段差部を有する基板を使用する場合には、既存のレーザ装置をそのまま使用すると同時に熱工程によって生じる不純物による短絡は防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施例による太陽電池の製造方法を示す図である。
【図２】第１実施例による太陽電池の製造方法を示す図である。
【図３】第１実施例による太陽電池の製造方法を示す図である。
【図４】第１実施例による太陽電池の製造方法を示す図である。
【図５】第１実施例による太陽電池の製造方法を示す図である。
【図６】第１実施例による太陽電池の製造方法を示す図である。
【図７】第１実施例による太陽電池の製造方法を示す図である。
【図８】第１実施例による太陽電池の製造方法を示す図である。
【図９】第１実施例による太陽電池の製造方法を示す図である。
【図１０】第１実施例による太陽電池の製造方法を示す図である。
【図１１】第１実施例による太陽電池の製造方法を示す図である。
【図１２】第２実施例による太陽電池の製造方法を示す図である。
【図１３】第２実施例による太陽電池の製造方法を示す図である。
【図１４】第２実施例による太陽電池の製造方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
実施例の説明に当たって、各基板、層、膜、又は電極などが各基板、層、膜、又は電極などの「上（ｏｎ）」に、又は「下（ｕｎｄｅｒ）」に形成されるものとして記載される場合において、「上（ｏｎ）」と「下（ｕｎｄｅｒ）」は、「直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）」又は「他の構成要素を介在して（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）」形成されるものを全て含む。また、各構成要素の上又は下に対する基準は、図面を基準に説明する。図面における各構成要素の大きさは説明のために誇張されてもよく、実際に適用される大きさを意味するものではない。
【００１５】
図１を参照して基板１００上に裏面電極層２０１が形成される。
【００１６】
前記基板１００はガラス（ｇｌａｓｓ）が使用され得るし、セラミック基板、金属基板、またはポリマー基板なども使用され得る。例えば、ガラス基板としてはソーダ石灰ガラス（ｓｏｄａ−ｌｉｍｅ  ｇｌａｓｓ）または高変形点ソーダガラス（ｈｉｇｈ  ｓｔｒａｉｎｅｄ  ｐｏｉｎｔ  ｓｏｄａ  ｇｌａｓｓ）を使用し得る。金属基板としてはステンレススチルまたはチタニウムを含む基板を使用し得る。ポリマー基板としてはポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）を使用し得る。
【００１７】
前記基板１００は透明であってもよい。前記基板１００はリジッド（ｒｉｇｉｄ）であるかフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）であってもよい。
【００１８】
前記裏面電極層２０１は金属などの導電体で形成されてもよい。例えば、前記裏面電極層２０１はモリブデン（Ｍｏ）ターゲットを使用し、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）工程によって形成されることがある。これはモリブデン（Ｍｏ）が有する高い電気伝導度、光吸収層との抵抗接点、Ｓｅ雰囲気下での高温安定性の影響である。
【００１９】
前記裏面電極層２０１であるモリブデン（Ｍｏ）薄膜は電極として比抵抗が低くなければならず、熱膨張係数の差によって剥離現象が起こらないように、基板１００への粘着性が優れるべきである。
【００２０】
例えば、前記裏面電極層２０１は、９００ｎｍ〜１１００ｎｍの厚さに形成されることができ、略０．３Ω／□の面抵抗を有することができる。
【００２１】
一方、前記裏面電極層２０１を形成する物質はこれに限定されるものではなく、ナトリウム（Ｎａ）イオンがドーピングされたモリブデン（Ｍｏ）で形成されることもある。
【００２２】
図示されていないが、前記裏面電極層２０１は少なくとも一つ以上の層に形成されてもよい。前記裏面電極層２０１が複数個の層に形成される際、前記裏面電極層２０１を構成する層はお互い異なる物質で形成されてもよい。
【００２３】
図２を参照して、前記裏面電極層２０１に第１貫通孔Ｐ１が形成されて、複数個の第１電極（以下、「裏面電極」）２００にパターニングされる。
【００２４】
前記第１貫通孔Ｐ１は前記基板１００の上面を選択的に露出させることができる。
【００２５】
例えば、前記第１貫通孔Ｐ１は機械的装置またはレーザ装置によってパターニングされることができる。前記第１貫通孔Ｐ１の幅は、５０μｍ〜７０μｍであることができる。
【００２６】
前記第１貫通孔Ｐ１によって前記裏面電極２００はストライプ（ｓｔｒｉｐｅ）状またはマトリックス（ｍａｔｒｉｘ）状に配置されることができ、各々の太陽電池セルに対応することができる。一方、前記裏面電極２００は前記の形状に限定されず、多様な形状に形成されることができる。
【００２７】
図３を参照して、前記裏面電極２００及び第１貫通孔Ｐ１上に光吸収層３０１が形成される。
【００２８】
前記光吸収層３０１は、Ｉｂ−ＩＩＩｂ−ＶＩｂ系化合物を含む。より詳しく、前記光吸収層３０１は銅−インジウム−ガリウム−セレナイド系（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２，ＣＩＧＳ系）化合物を含む。
【００２９】
これとは違うように、前記光吸収層３０１は銅−インジウム−セレナイド系（ＣｕＩｎＳｅ２，ＣＩＳ系）化合物または銅−ガリウム−セレナイド系（ＣｕＧａＳｅ２，ＣＧＳ系）を含めてもよい。
【００３０】
例えば、前記光吸収層３０１を形成するために、銅ターゲット、インジウムターゲット及びガリウムターゲットを用い、前記裏面電極２００上にＣＩＧ系金属前駆物質（ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）膜が形成される。以後、前記金属前駆物質膜はセレン化（ｓｅｌｅｎｉｚａｔｉｏｎ）工程によってセレニウム（Ｓｅ）と反応しＣＩＧＳ系の光吸収層３０１が形成される。
【００３１】
また、前記光吸収層３０１は銅、インジウム、ガリウム、セレナイド（Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅ）を同時蒸着法（ｃｏ−ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）によって形成してもよい。
【００３２】
例えば、前記光吸収層３０１は、略１５００ｎｍ〜２５００ｎｍの厚さを有してもよい。
【００３３】
前記光吸収層３０１は外部の光が入射されて、電気エネルギーに変換される。前記光吸収層３０１は光電効果によって光起電力を生成する。
【００３４】
図４を参照して、前記光吸収層３０１上にバッファ層４０１及び高抵抗バッファ層５０１が形成される。
【００３５】
前記バッファ層４０１は前記光吸収層３０１上に少なくとも一つ以上の層に形成されることができ、化学溶液析出法（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｂａｔｈ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＢＤ）工程によって硫化カドミウム（ＣｄＳ）が積層され形成されることができる。
【００３６】
例えば、前記バッファ層４０１は、４０ｎｍ〜６０ｎｍの厚さを有してもよい。
【００３７】
この際、前記バッファ層４０１はｎ型半導体層であり、前記光吸収層３０１はｐ型半導体層である。よって、前記光吸収層３０１及びバッファ層４０１はｐｎ接合を形成する。
【００３８】
前記高抵抗バッファ層５０１は前記バッファ層４０１上に透明電極層で形成されることがある。例えば、前記高抵抗バッファ層５０１はＩＴＯ、ＺｎＯ及びｉ−ＺｎＯのうち何れか一つで形成されてもよい。前記高抵抗バッファ層５０１は酸化亜鉛（ＺｎＯ）をターゲットにするスパッタリング工程を進行し、酸化亜鉛層で形成されてもよい。
【００３９】
例えば、前記高抵抗バッファ層５０１は、４０ｎｍ〜６０ｎｍの厚さに形成されてもよい。
【００４０】
前記バッファ層４０１及び高抵抗バッファ層５０１は前記光吸収層３０１と以後に形成される第２電極（以下、「表面電極」）（図７中６００、以下同一）の間に配置される。
すなわち、前記光吸収層３０１と表面電極６００は格子常数とエネルギーバンドギャップの差が大きいせいで、バンドギャップが二物質の中間に位置する前記バッファ層４０１及び高抵抗バッファ層５０１を挿入して良好な接合を形成することができる。
【００４１】
この実施例においては、二つのバッファ層を前記光吸収層３０１上に形成したが、これに限定されず、前記バッファ層４０１の一個の層だけで形成されてもよい。
【００４２】
図５を参照して、前記高抵抗バッファ層（図４中、５０１）、バッファ層（図４中、４０１）及び光吸収層（図４中、３０１）を貫通する第２貫通孔Ｐ２が形成される。これによって、高抵抗バッファ層５０２、バッファ層４０２及び光吸収層３０２に形成された第２貫通孔Ｐ２によって前記裏面電極２００を選択的に露出させることができる。
【００４３】
前記第２貫通孔Ｐ２はチップのような機械的装置またはレーザ装置によって形成されることができる。
【００４４】
前記第２貫通孔Ｐ２は、前記第１貫通孔Ｐ１に隣接して形成されることができる。
【００４５】
例えば、前記第２貫通孔Ｐ２の幅は、６０μｍ〜１００μｍであってもよく、前記第２貫通孔Ｐ２と前記第１貫通孔Ｐ１のギャップＧ１は６０μｍ〜１００μｍであってもよい。
【００４６】
図６を参照して、前記高抵抗バッファ層５０２上に透明な導電物質を積層して表面電極層６０１が形成される。
【００４７】
前記表面電極層６０１が形成されるとき、前記透明な導電物質が前記第２貫通孔Ｐ２にも挿入され接続配線７００を形成することができる。
【００４８】
例えば、前記表面電極層６０１は、７００ｎｍ〜９００ｎｍの厚さに形成されてもよく、略０．３Ω／□の面抵抗及び８０〜９５％の投光度を有してもよい。
【００４９】
前記表面電極層６０１は前記光吸収層３０１とｐｎ接合を形成するウィンドウ層として、太陽電池表面の透明電極の機能を行うので光透過率が高く電気伝導性がよい酸化亜鉛（ＺｎＯ）で形成される。これに表面電極層６０１はアルミニウムまたはアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）がドーピングされた酸化亜鉛で形成され、低い抵抗値を有することができる。
【００５０】
この表面電極層６０１はＲＦスパッタリング方法でＺｎＯターゲットを使用し蒸着する方法とＺｎターゲットを用いる反応性スパッタリング、そして有機金属化学蒸着法などで形成されることができる。
【００５１】
また、表面電極層６０１が電気光学的特性が優れたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）薄膜を酸化亜鉛薄膜上に蒸着した２重構造で形成されることもある。
【００５２】
図７を参照して、表面電極層（図６中、６０１）、高抵抗バッファ層（図６中、５０２）、バッファ層（図６中、４０２）及び光吸収層（図６中、３０２）を貫通する第３貫通孔Ｐ３が形成される。
【００５３】
前記第３貫通孔Ｐ３は前記裏面電極２００を選択的に露出させることができる。前記第３貫通孔Ｐ３は前記第２貫通孔Ｐ２と隣接するように形成されることができる。
【００５４】
例えば、前記第３貫通孔Ｐ３の幅は、６０μｍ〜１００μｍであってもよく、前記第３貫通孔Ｐ３と前記第２貫通孔Ｐ２のギャップＧ２は６０μｍ〜１００μｍであってもよい。
【００５５】
前記第３貫通孔Ｐ３はレーザを照射するか、チップのような機械的方法で形成することができる。
【００５６】
よって、前記第３貫通孔Ｐ３によって相互分離された光吸収パターン３００、バッファパターン４００、高抵抗バッファパターン５００及び表面電極６００が形成される。すなわち、前記第３貫通孔Ｐ３によって各々の太陽電池セルＣはお互い分離されることができる。
【００５７】
そして、前記第３貫通孔Ｐ３によって前記光吸収パターン３００、バッファパターン４００及び表面電極６００はストライプ状またはマトリックス状に配置されてもよい。
【００５８】
前記第３貫通孔Ｐ３は前記の形状に限定されず、多様な形状に形成されることができる。
【００５９】
この際、前記接続配線７００によって各々の太陽電池セルＣはお互い接続されることができる。すなわち、前記接続配線７００は一の太陽電池セルＣの裏面電極２００とこの太陽電池セルＣに隣接する太陽電池セルＣの表面電極６００を物理的、電気的に接続されることができる。これによって複数の太陽電池セルＣは、直列に接続される。
【００６０】
図８を参照して、前記太陽電池セルＣのうちエッジ領域ＥＡに対応する部分を除去すると同時に、エッジ領域ＥＡに対応して基板１００の一部を除去して段差部１５０を形成する。これによって、太陽電池セルＣが形成される基板１００の有効領域ＡＡが第１厚さＴ１を有し、段差部１５０が形成されるエッジ領域ＥＡが第１厚さＴ１より１０〜５０％薄い第２厚さＴ２を有することができる。例えば、第２厚さＴ２は、０．９ｍｍ〜１．１ｍｍであってもよい。
【００６１】
一例として、エッジ領域ＥＡは有効領域ＡＡの外枠に形成されてもよく、図９に示すように基板１００のの四つの縁に沿って形成されてもよい。
【００６２】
この実施例においては、各層が不均一に蒸着されることができるエッジ領域ＥＡに該当する領域を除去するので、太陽電池の電気的特性を向上させることができる。
【００６３】
そして、太陽電池セルＣのうちエッジ領域ＥＡに対応する部分を除去するステップで、基板１００の一部も除去して段差部１５０を形成する。これによって太陽電池セルＣのうち一部領域を除去するステップで不要な短絡現象を防止できる。
【００６４】
これに対してより詳しく説明すると、段差部１５０を形成せずに太陽電池セルＣのうちエッジ領域ＥＡに該当する領域だけを除去する場合には、裏面電極２００が一部残存するか、光吸収パターン３００、バッファパターン４００の粒子などが基板１００に落ちて残存できる。これにより不要な短絡が生じうるという問題があった。
【００６５】
一方、この実施例においては太陽電池セルＣの一部領域を除去するステップで基板１００を共に除去して基板１００に段差部１５０を形成するので、エッジ領域ＥＡに裏面電極２００が残存できない。また、光吸収パターン３００、バッファパターン４００の粒子などが落ちても段差部１５０による段差により不要な短絡が生じることを防止できる。
【００６６】
このようなエッジ領域ＥＡを除去する工程は、ポリシング装置（Ｐｏｌｉｓｈｅｒ）及びグラインダ（Ｇｒｉｎｄｅｒ）のような機械的装置によって形成されることができる。エッジ領域ＥＡのセルＣ１を除去して基板１００に段差部１５０を形成する具体的な方法を図８〜図１０を参照して説明する。
【００６７】
まず、図８及び図９に示すように、前記有効領域ＡＡに対応して保護膜１０を形成する。これによって、保護膜１０はエッジ領域ＥＡに該当する領域を選択的に露出させることができる。例えば、前記保護膜１０はテフロン（登録商標）（Ｔｅｆｌｏｎ）、ＰＶＣ、ＰＶＰのような物質で形成されてもよい。
【００６８】
前記保護膜１０をマスクとして前記基板１００のエッジ領域に該当する領域を機械的装置２０によって除去することができる。すなわち、ポリシング装置またはグラインダによって太陽電池セルＣ及び基板１００に対する機械的摩擦工程を進行して前記エッジ領域ＥＡを加工することができる。
【００６９】
これによって、エッジ領域ＥＡに該当する裏面電極２００を含む太陽電池セルＣの各層は除去されることができ、前記基板１００も所定厚さに除去されて段差部１５０が形成されることができる。前記段差部１５０は、前記基板１００より低い他が差を有するように形成され、太陽電池のエッジ領域ＥＡにおいての電気的短絡特性を改善することができる。
【００７０】
一方、図１０に示したように、前記段差部１５０を形成する際に生じた金属のパーティクル１１０が前記段差部１５０表面に残ることもある。前記パーティクル１１０は高電圧装置を用いて前記段差部１５０に高電圧を印加することで除去されることができる。
【００７１】
よって、前記段差部１５０に残っている可能性がある前記パーティクルを追加的に除去することで前記太陽電池エッジ部においての短絡を防止し、絶縁性を確保することができる。
【００７２】
実施例は機械的工程によって前記段差部１５０が形成されるので、レーザなどを用いた熱的除去の際に生じうるパーティクル発生及び再吸収とこれによる絶縁破壊を防止することができる。
【００７３】
以後、図１１を参照して、前記太陽電池セルＣを含む基板１００の上にラミネーション（ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）工程でＥＶＡフィルム８００が接着されることができる。
【００７４】
この際、前記基板１００は段差部１５０によってＥＶＡフィルム８００が付着される面積を広げることができる。よって、前記太陽電池セルＣ及び基板１００とＥＶＡフィルム８００の接着力が向上されることができる。
【００７５】
以下、図１２〜図１４は、第２実施例による太陽電池の製造方法を説明する断面図である。第２実施例で第１実施例と同一または非常に類似な工程などに対しては詳しい説明を略して、お互い異なる工程などに対してだけ詳しく説明する。
【００７６】
図１２に示すように、この実施例においてはエッジ領域に段差部１５０が形成された基板１０２を用意する。太陽電池セル（図１３中Ｃ、以下同一）が形成される基板１０２の有効領域ＡＡが第１厚さＴ１を有して段差部１５０が形成されるエッジ領域ＥＡが第１厚さＴ１より１０〜５０％薄い第２厚さＴ２を有することができる。例えば、第２厚さＴ２は、０．９ｍｍ〜１．１ｍｍであってもよい。
【００７７】
この実施例においては太陽電池セルＣを形成する前の基板１０２に段差部１５０が形成されている点で、太陽電池セルＣを形成するステップ以後に基板（図１１中１００、以下同一）に段差部１５０を形成する第２実施例と違いがある。
【００７８】
続いて、図１３に示すように、基板１０２に太陽電池セルＣを形成する。太陽電池セルＣは基板１０２の全体面にかけて形成されるので段差部１５０上にも太陽電池セルＣが形成される。
【００７９】
この太陽電池セルＣを形成する工程は、図１〜図７に対して説明したことと同様に非常に類似であるためその詳しい説明を略する。
【００８０】
続いて、図１４に示すように、前記エッジ領域ＥＡに対応する部分、すなわち段差部１５０が形成された部分の太陽電池セルＣを除去して段差部１５０と太陽電池セルＣを覆うようにＥＶＡフィルム８００を形成する。
【００８１】
段差部１５０が形成された部分の太陽電池セルＣを除去するステップでは、図９と同様に、有効領域ＡＡに保護膜１０を形成して保護膜１０が形成されてない部分の裏面電極２００、光吸収パターン３００、表面電極６００などを除去することができる。しかし、実施例がこれに限定されるものではなく保護膜１０を形成しないことも可能である。
【００８２】
このように太陽電池セルＣの一部領域を除去するステップではレーザスクライビングまたはサンドブラスチングなどが用いてもよい。
【００８３】
基板１０２に段差部１５０が予め形成されているので、レーザを用いてパーティクルが形成されても段差部１５０の段差がパーティクルによる短絡を防止することができる。よって、太陽電池セルＣを除去する際、貫通孔を形成するときに用いたレーザ装置をそのまま使用することができる。これによって、段差部１５０形成のための別途のポリシング装置またはグラインダが不要であるため、設備費用を節減させることができる。
【００８４】
上述の実施形態を中心として説明したがこれは但し例示にすぎなく本発明を限定するものでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば本実施形態の本質的な特性を外さない範囲で以上に例示されない多様な変形と応用が可能であることがわかる。例えば、実施例に具体的に示した各構成要素は変形して実施することができる。そしてこのような変形と応用にかかる差異点は添付の請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれることに解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００８５】
１００，１０２  基板、  １５０  段差部、  ２００  裏面電極、  ３００  光吸収パターン、  ４００  バッファパターン、  ５００  高抵抗バッファパターン、  ６００  表面電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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