(57)【要約】  本発明は、一般に、真空処理チャンバ内に大面積基板を搬送するためのロードロックチャンバを含む。ロードロックチャンバは、１以上の分離され周囲から隔離される環境を有してもよい。夫々の処理環境は、真空に引くための複数の排気ポートを有してもよい。排気ポートは、処理環境の角部に配置されてもよい。基板がファクトリインタフェースからロードロックチャンバ内へ挿入されるとき、環境を排気する必要があるかもしれない。環境の角部に位置する排気ポートのため、存在するかもしれないどんな粒子又は汚染物質も、最も近い角部へ引かれ、基板を横切って引かれること無くロードロックチャンバから外へ引かれるかもしれない。従って、基板汚染は軽減するかもしれない。
2012501549.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の側面を有し、少なくとも１つの基板を収容する大きさに作られるチャンバ本体と、前記少なくとも１つの基板を挿入及び除去可能な大きさに作られる１以上の第１開口と、前記チャンバ本体の排気及び通気を可能にする大きさに作られる複数の第２開口とを含む装置であって、前記第２開口は、処理ガスの排気用の１以上の真空装置に結合される装置。
【請求項２】
前記１以上の真空装置は、夫々の第２開口に１つの真空ポンプが結合される複数の真空ポンプを含む請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記複数の第２開口の夫々は、少なくとも１つの通気ポート及び少なくとも１つの真空ポートを含む請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記少なくとも１つの真空ポートは、前記チャンバ本体の側壁上に位置し、前記少なくとも１つの真空ポートは、互いに離れて及び前記側壁の反対端に位置する複数の真空ポートを含む請求項３記載の装置。
【請求項５】
前記少なくとも１つの真空ポートは、前記チャンバ本体の側壁上に位置し、前記１以上の真空ポートの第１真空ポートは、１つの側壁に位置し、前記１以上の真空ポートの第２真空ポートは、対向する側壁に位置する請求項３記載の装置。
【請求項６】
前記真空ポートの夫々は、別々の真空ポンプに結合される請求項３記載の装置。
【請求項７】
前記１以上の真空装置は、複数の前記第２開口に結合される真空ポンプを含む請求項１記載の装置。
【請求項８】
単一の本体を形成するＮ個の垂直に積み重ねられた単一基板ロードロックチャンバを含む装置であって、Ｎは２より大きい整数であり、前記ロードロックチャンバは、基板が通過可能な大きさに作られる第１開口が貫通する第１壁を夫々有し、前記ロードロックチャンバは、前記第１開口の寸法に実質的に等しい寸法を有する第２開口が貫通する第２壁を夫々有し、
前記装置は、Ｎ−１個の内部壁を更に含み、夫々の前記内部壁は、基板ロードロックチャンバに隣接して分離され周囲から隔離されており、
前記装置は、前記第１及び第２壁の間に結合される複数の第３壁を更に含み、夫々の前記第３壁は、前記第１開口の寸法よりも小さい寸法を有する貫通する複数の開口を有し、
前記装置は、前記第３開口で前記第３壁に結合される１以上の真空ポンプを更に含む装置。
【請求項９】
夫々の前記第３壁は、２つの第３開口を有する請求項８記載の装置。
【請求項１０】
単一の真空ポンプが、複数の第３壁上において複数の第３開口に結合される請求項９記載の装置。
【請求項１１】
３つの垂直に積み重ねられた単一基板ロードロックチャンバを更に含み、夫々のロードロックチャンバは２つの第３壁を有し、夫々の第３壁は２つの第３開口を有する請求項９記載の装置。
【請求項１２】
単一の真空ポンプが、前記Ｎ個垂直に積み重ねられた単一基板ロードロックチャンバに結合され、複数の第３開口が、夫々のロードロックチャンバ内で基板収容面の下方に位置する請求項８記載の装置。
【請求項１３】
前記複数の第３開口は、夫々のロードロックチャンバ内で基板収容面の下方に位置する請求項８記載の装置。
【請求項１４】
３つの垂直に積み重ねられた単一基板ロードロックチャンバを更に含み、単一の真空ポンプが、複数の第３壁上における複数の第３開口に結合され、前記複数の第３開口は、夫々のロードロックチャンバ内で基板収容面の下方に位置する請求項８記載の装置。
【請求項１５】
方法であって、
真空に維持される搬送チャンバに結合されるロードロックチャンバ内に基板を配置するステップと、
前記搬送チャンバ内の圧力に実質的に合うように前記ロードロックチャンバを排気するステップとを含み、前記排気するステップは、前記ロードロックチャンバの別々の角部に位置する複数の開口を通して前記ロードロックチャンバを排気するために１以上の真空ポンプを用いるステップを含み、
前記方法は、ロボットアームによって前記基板を前記搬送チャンバ内へ搬送するステップを更に含む方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
（発明の分野）
概して、本発明の実施形態は、大面積基板を真空処理環境内に搬送するためのロードロックチャンバに関する。
【０００２】
（関連技術の説明）
フラットパネルディスプレイ、有機発光ディスプレイ（ＯＬＥＤ）、ソーラーパネル、及び半導体を製造するために基板を処理するとき、所望の最終製品を達成するために複数のプロセスが実行されるかもしれない。いくつかのプロセスは、真空下で実行されるかもしれない。使用されるかもしれない真空プロセスの例は、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）、物理気相成長法（ＰＶＤ）、エッチング、及びその他を含む。
【０００３】
複数の真空プロセスが実行されるとき、１つの共通の搬送チャンバに結合される異なるチャンバを有することは、有益であるかもしれない。複数の処理チャンバを１つの共通の真空チャンバに結合することによって、第１チャンバ内において基板はその上で第１プロセスを実行するかもしれない。その後、基板は、搬送チャンバ内へ取り除かれ、次に、第２の異なるプロセスが起こるかもしれない第２チャンバ内へ挿入されるかもしれない。排気時間を短縮するために、搬送チャンバは処理チャンバの真空度と同様の真空度に維持されるかもしれない。
【０００４】
真空処理の前及び／又は真空処理の後に、基板は非真空環境を通過するかもしれない。基板は、大気圧に維持されるファクトリインタフェースを通ってシステムを出入りするかもしれない。このように、搬送チャンバとファクトリインタフェースの間には、真空度における突然の変化があるかもしれない。
【０００５】
ロードロックチャンバは、突然の圧力変化を軽減する、及び／又は、防止するために使用されるかもしれない。ロードロックチャンバは、基板が搬送チャンバに入る、及び／又は、搬送チャンバを出ることを可能にするために、搬送チャンバの圧力と実質的に同一の圧力に排気されるかもしれない。更に、ロードロックチャンバは、ロードロックチャンバの圧力がファクトリインタフェースの圧力と実質的に同一の圧力となるように、大気に通気されるかもしれない。このように、ロードロックチャンバは、ファクトリインタフェースと搬送チャンバの間における突然の圧力変化を軽減する、及び／又は、防止するかもしれない。
【０００６】
従って、真空を維持できるロードロックチャンバへの技術的必要性がある。
【発明の概要】
【０００７】
概して、本発明は、真空処理チャンバ内に大面積基板を搬送するためのロードロックチャンバを含む。ロードロックチャンバは、１以上の分離され周囲から隔離された環境を有してもよい。夫々の処理環境は、真空に引くための複数の排気ポートを有してもよい。排気ポートは処理環境の角部に位置してもよい。基板がファクトリインタフェースからロードロックチャンバ内へ挿入されるとき、環境は排気される必要があるかもしれない。環境の角部に位置する排気ポートのため、存在するかもしれないどんな粒子又は汚染物質も、基板を横切って引かれること無く、最も近くの角部へ、及びロードロックチャンバから外へ引かれるかもしれない。従って、基板汚染は軽減するかもしれない。
【０００８】
一実施形態では、本発明は、概して、真空処理チャンバ内に大面積基板を搬送するための装置を含む。装置は、複数の側面を有するチャンバ本体を含んでもよい。チャンバ本体は、少なくとも１つの基板を収容する大きさに作られてもよい。１以上の開口が存在し、少なくとも１つの基板の挿入及び除去を可能にする大きさに作られてもよい。複数の開口が、チャンバ本体の排気及び通気を可能にする大きさに作られてもよい。
【０００９】
別の一実施形態では、装置は、搬送チャンバ、及び搬送チャンバに結合されるロードロックチャンバを含む。ロードロックチャンバは、貫通して形成される複数の開口を有するチャンバ本体を含む。第１壁を貫通して形成される第１開口は、基板が通過可能な大きさに作られる。第２開口は、搬送チャンバと結合する第２壁を貫通して形成される第１開口から離れており、基板が通過可能な大きさに作られる。第１及び第２開口から夫々離れている第３及び第４開口は、チャンバ本体を貫通して形成される。第３及び第４開口は、１以上の真空ポンプに結合される。
【００１０】
別の一実施形態では、基板搬送チャンバは、真空チャンバに結合するために適合される第１側と、ファクトリインタフェースに結合するために適合される第２側と、第１及び第２側を結合する第３側とを有するチャンバ本体と、搬送チャンバに結合される単一の本体を形成するＮ個の垂直に積み重ねられた単一基板ロードロックチャンバとを含み、Ｎは２より大きい整数であり、基板搬送チャンバは、Ｎ−１個の内部壁を更に含み、夫々の内部壁は、基板ロードロックチャンバに隣接して分離され周囲から隔離されており、基板搬送チャンバは、チャンバ本体の排気及び通気を可能にする大きさに作られるＮ−１個の内部壁に形成される複数の開口を更に含み、１以上の真空ポンプが複数の垂直に積み重ねられた単一基板ロードロックチャンバに複数の開口で結合される。
【００１１】
更に別の一実施形態では、方法において、ロードロックチャンバ内に基板を配置するステップと、搬送チャンバ内の圧力にロードロックチャンバ内の圧力を合わせるステップと、ロードロックチャンバの別々の角部に配置される１以上の開口を通してロードロックチャンバを排気するために１以上の真空ポンプを用いるステップとを含み、気体は、最も近い開口及び開口に結合される真空ポンプによって角部を通して排気され、方法は、ロボットアームによってロードロックチャンバから処理された基板を搬送するステップを更に含む。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
本発明の上述した構成を詳細に理解することができるように、上記に簡単に要約した本発明のより具体的な説明を実施形態を参照して行う。実施形態のいくつかは添付図面に示されている。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、従ってこの範囲を制限されていると解釈されるべきではなく、本発明は他の等しく有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
【００１３】
【図１】大面積基板を処理するための処理システム１５０の一実施形態の上面図である。
【図２】多重チャンバロードロックチャンバ２００の一実施形態の断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るロードロックチャンバのモジュールセクション３００の概略図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態に係るロードロックチャンバ４００の上面図である。
【図４Ｂ】本発明の別の一実施形態に係る別のロードロックチャンバ４２０の上面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係るロードロックチャンバ５００の概略図である。
【図６】本発明の別の一実施形態に係るロードロックチャンバ６００の概略断面図である。
【詳細な説明】
【００１４】
概して、本発明は、真空処理チャンバ内に大面積基板を搬送するためのロードロックチャンバを含む。ロードロックチャンバは、１以上の分離され周囲から隔離される環境を有してもよい。夫々の処理環境は、真空に引くための複数の排気ポートを有してもよい。排気ポートは、処理環境の角部に配置されてもよい。基板がファクトリインタフェースからロードロックチャンバ内へ挿入されるとき、環境を排気する必要があるかもしれない。環境の角部に位置する排気ポートのため、存在するかもしれないどんな粒子又は汚染物質も、最も近い角部へ引かれ、基板を横切って引かれること無くロードロックチャンバから外へ引かれるかもしれない。従って、基板汚染は軽減するかもしれない。
【００１５】
本発明は、実例としてロードロックチャンバ（カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｉｎｃ．）の子会社であるＡＫＴ  Ａｍｅｒｉｃａ  Ｉｎｃ．から入手可能なもの等）に関して以下で説明する。しかしながら、本発明は、他のメーカーによって販売されているものを含む他のシステムチャンバにおいて有用性を有することが理解されるべきである。
【００１６】
図１は、大面積基板（例えば、約１．０平方メートルを超える面積を有する基板）を処理するのに適したプロセスシステム１５０の一実施形態の上面図である。プロセスシステム１５０は、ロードロックチャンバ１００によってファクトリインタフェース１１２に結合される搬送チャンバ１０８を含んでもよい。搬送チャンバ１０８は、複数の外接するプロセスチャンバ１３２とロードロックチャンバ１００の間で基板を搬送するために適合される、少なくとも１つのデュアルブレード真空ロボット１３４を内部に配置してもよい。一実施形態では、プロセスチャンバ１３２のうちの１つは、システム１５０のスループットを高めるために、処理前に基板を熱的に調整するプレヒート（前加熱）チャンバである。搬送チャンバ１０８は真空状態に維持されてもよく、これによって夫々の基板の移動後に、搬送チャンバ１０８と個々のプロセスチャンバ１３２の間における圧力を調整する必要性を排除できる。
【００１７】
ファクトリインタフェース１１２は、複数の基板格納カセット１３８及びデュアルブレード大気用ロボット１３６を含んでもよい。カセット１３８は、ファクトリインタフェース１１２の片側に形成される複数のベイ１４０内に取り外し可能に配置されてもよい。大気用ロボット１３６は、カセット１３８とロードロックチャンバ１００の間で基板１１０を搬送してもよい。ファクトリインタフェース１１２は、大気圧に、又は大気圧より若干高く維持されてもよい。
【００１８】
図２は、マルチチャンバロードロックチャンバ２００の一実施形態の断面図である。ロードロックチャンバ２００は、垂直に積み重ねられ、周囲から隔離される複数のチャンバを含むチャンバ本体２１２を有し、これらのチャンバは、耐真空性の水平な内壁２１４によって分離される。図２に示される実施形態には、３つの単一基板チャンバ２２０、２２２、２２４が示されているが、ロードロックチャンバ２００のチャンバ本体２１２は、２以上の垂直に積み重ねられたチャンバを含んでもよいことが理解される。例えば、ロードロックチャンバ２００は、Ｎ−１個の水平な内壁２１４によって分離されるＮ個の基板搬送チャンバを含んでもよく、ここでＮは１より大きい整数である。基板チャンバ２２０、２２２、２２４は、単一の大面積基板２０１を収容するために夫々構成され、これによって夫々のチャンバ容積は、高速ポンピング及び通気サイクルを高めるために最小化できる。
【００１９】
チャンバ本体２１２は、第１側壁２０２、第２側壁２０４、第３側壁２０６、底面２０８、及び上面２１０を含む。本体２１２は、真空条件下の使用に適した堅い材料で作られてもよい。一実施形態では、チャンバ本体２１２は、アルミニウムの単一ブロック（例えば、１つの部材）で作られる。あるいはまた、チャンバ本体２１２は、モジュールセクションで作られてもよく、夫々のモジュールセクションは、基板チャンバ２２０、２２２、２２４のうちの１つの部分を含み、真空保全を維持するのに適した方式（参照番号２１８で示される連続溶接など）で組み立てられてもよい。
【００２０】
図２に示される実施形態では、内壁２１４と、第２側壁２０６以外のチャンバ本体２１２の残りの部分は、１つの接触する材料の塊から作られてもよい。第２側壁２０６は、チャンバ本体２１２の他の部分に密閉可能に結合されてもよく、これによって基板チャンバ２２０、２２２、２２４の機械加工を容易にし、製造及び組立の間に、チャンバ本体２１２の内部にアクセスできる。
【００２１】
チャンバ本体２１２内に画定される夫々の基板チャンバ２２０、２２２、２２４は、２つの基板アクセスポートを含む。ポートは、ロードロックチャンバ２００からの基板２０１の出入りを促進するように構成される。図２に示される実施形態では、チャンバ本体２１２の底部２０８に配置される第１基板チャンバ２２０は、第１基板アクセスポート及び第２基板アクセスポート２３２を含む。第１基板アクセスポート２３０は、チャンバ本体２１２の第１側壁２０２を貫通して形成され、第１基板チャンバ２２０を処理システムの中央の搬送チャンバ２０９に結合する。第２基板アクセスポート２３２は、チャンバ本体２１２の第２壁２０４を貫通して形成され、第１基板チャンバ２２０をファクトリインタフェース２１１に結合する。図２に示される実施形態では、基板アクセスポート２３０、２３２は、チャンバ本体２１２の反対側に配置される。しかしながら、ポート２３０、２３２は、その代わりに本体２１２の隣接する壁上に配置されてもよい。
【００２２】
夫々の基板アクセスポート２３０、２３２は、搬送チャンバ２０９及びファクトリインタフェース２１１の環境から第１基板チャンバ２２０を選択的に隔離するために適合される夫々のスリットバルブ２２６、２２８によって選択的に閉じられる。スリットバルブ２２６、２２８は、アクチュエータによって、開いた位置と閉じた位置の間を移動する。図２に示される実施形態では、夫々のスリットバルブ２２６、２２８は、第１端に沿ってチャンバ本体２１２にピボット結合され、アクチュエータによって開いた位置と閉じた位置の間を回転する。
【００２３】
第１スリットバルブ２２６は、第１基板アクセスポート２３０を第１側壁２０２の内側から密閉し、そのため第１基板チャンバ２２０内に位置し、これによって第１基板チャンバ２２０と中央の搬送チャンバの真空環境との間の真空（例えば、圧力）差が、第１側壁に対するスリットバルブ２２６のロード及び密閉を補助し、その結果真空密閉を高める。図２に示される実施形態では、第１基板チャンバ２２０内の内部圧力は、開閉可能で、通気ポート２２９を通って第１基板チャンバ２２０内へガスを通気可能な通気バルブ２２７を使用することによって維持されてもよく、これによって、ロードロックチャンバ２００の内部容積内の圧力を上げる。そして、基板を処理した後に、内部圧力及び真空環境は、第１基板チャンバ２２０から１以上の真空ポート２３３を通って処理ガスを排気するための真空ポンプ２３１を使用することによって下げられてもよい。それと対応して、第２スリットバルブ２２８は、第２側壁２０４の外部に配置され、こうしてファクトリインタフェースの周囲環境と第１基板チャンバ２２０の真空環境との間の圧力差が、第２基板アクセスポート２３２の密閉を補助するように配置される。
【００２４】
第２チャンバ２２２は同様に、アクセスポート２３４、２３６及びスリットバルブ２２６、２２８によって構成される。同様に、第３チャンバ２２４はアクセスポート２３８、２４０及びスリットバルブ２２６、２２８によって構成される。
【００２５】
更に図２を参照して、搬送チャンバ２０９とロードロックチャンバ２００の第１基板チャンバ２２０との間の圧力が実質的に等しいとき、スリットバルブ２２６は開いてもよく、これによって処理された基板をロードロックチャンバ２００へ搬送し、処理される基板を真空ロボットによって第１基板アクセスポート２３０を通って搬送チャンバ２０９へ搬送することができる。搬送チャンバ２０９から戻された基板を、ロードロックチャンバ２００の第１基板チャンバ２２０内に配置した後、スリットバルブ２２６は閉じられ、通気バルブ２２７が開けられ、これによって、通気ポート２２９を通ってロードロックチャンバ２００の第１基板チャンバ２２０内へガス（例えば、Ｎ２及び／又はＨｅなど）を通気させることができ、ロードロックチャンバ２００の内部容積内の圧力が上がる。基板を処理した後に、第１基板チャンバ２２０から真空ポート２３３を通って処理ガスを排気するために真空ポンプ２３１を使用することによって、内部圧力は再び下げられる。一旦、第１基板チャンバ２２０内の圧力がファクトリインタフェース２１１の圧力と実質的に等しくなると、スリットバルブ２２４は開けられ、こうして大気用ロボットは、第１基板チャンバ２２０と、第２基板アクセスポート２３２を通ってファクトリインタフェース２１１に結合された基板格納カセットとの間に基板を搬送可能となる。
【００２６】
他のチャンバ２２２、２２４は、同様に構成される。夫々の基板チャンバ２２０、２２２、２２４は、個々のポンプ（図示せず）に結合されてもよいが、１以上の基板チャンバ２２０、２２２、２２４は、チャンバの間の選択的ポンピングを促進するために、適切なフローコントロールを備えた単一の真空ポンプを共有してもよい。
【００２７】
図３は、本発明の一実施形態に係るロードロックチャンバのモジュールセクション３００の概略図である。図３に示される実施形態では、モジュールセクション３００は、基板アクセスポート３０４及び３０６と、側壁３０８及び３１０とを更に含む本体３０２を含む。通気ポート及び少なくとも１つの真空ポートは、側壁３０８及び３１０の端上に配置されてもよく、夫々の真空ポートは、真空ポンプに結合されてもよい。真空ポンプが、チャンバ内の圧力を搬送チャンバと等しいレベルにするために作動されると、真空ポートを通った微粒子の排出が、矢印３１２、３１４、３１６、３１８の向きに示されるように続いて起こるかもしれない。複数の真空ポートによって、排気の間、微粒子は最も近い真空ポートを通して引かれ出て行くかもしれない。従って、チャンバを排気するとき、どんな微粒子も、基板上を通過すること無く、チャンバから外へ効率的に移動するかもしれない。また、真空ポートの配置に関して、微粒子が最も近い真空ポートまで基板表面を通過する距離も減少するかもしれない。従って、基板の汚染が軽減するかもしれない。一実施形態では、微粒子が最も近い真空ポートに到達するためにロードロックチャンバを通過する距離は、最も長い壁の約半分である。
【００２８】
図４Ａは、本発明の一実施形態に係るロードロックセクション４００の上面図である。この実施形態では、側壁４０２上に、真空ポート４０４及び４０６があり、側壁４０３上に、真空ポート４０８及び４１０がある。夫々の真空ポート４０４、４０６、４０８、４１０は、互いに離れて、側壁の反対端に配置される。夫々の真空ポート４０４、４０６、４０８、４１０は、それ自身の真空ポンプ４１２、４１４、４１６、４１８に結合される。真空ポンプ４１２、４１４、４１６、４１８が作動すると、基板チャンバ内の微粒子は、基板４０１の上を横切ること無く、最も近い真空ポート４０４、４０６、４０８、４１０を通って排気されるかもしれない。また、夫々の真空ポンプ４１２、４１４、４１６、４１８は、個々の真空ポンプ４１２、４１４、４１６、４１８に結合される真空ポートを通して流速を制御可能であってもよい。
【００２９】
微粒子の流れる方向は、矢印４０５、４０７、４０９、４１１によって示される。真空ポンプ４１２、４１４、４１６、４１８が作動すると、夫々の真空ポンプ４１２、４１４、４１６、４１８は、矢印４０５、４０７、４０９、４１１によって示されるように、最も近い真空ポート４０４、４０６、４０８、４１０に向かって微粒子を引いて、真空ポート４０４、４０６、４０８、４１０を通して排気するかもしれない。最も近い真空ポートを通して微粒子を排気することによって、基板を横切って引かれるかもしれない微粒子はほとんど無くなり、従って、チャンバ内の微粒子による基板の汚染は最小化されるかもしれない。一実施形態では、複数の真空ポンプ４１２、４１４、４１６、４１８は、夫々のポンピング位置でほぼ同じ真空度に引くために、実質的に同一に構成されてもよい。別の一実施形態では、１以上の真空ポンプ４１２、４１４、４１６、４１８は、夫々のポンピング位置で異なる真空度に引くために、異なって構成されてもよい。
【００３０】
図４Ｂは、本発明の別の一実施形態に係る別のロードロックチャンバ４２０の上面図である。この実施形態では、２つの真空ポート４２４及び４２６が側壁４２２上に配置され、２つの真空ポート４２８及び４３０が側壁４２３上に配置される。夫々の真空ポート４２４、４２６、４２８、４３０は、互いに離れて、側壁４２２及び４２３の反対端に配置される。夫々の真空ポート４２４、４２６、４２８、４３０は、共通の真空ポンプ４３２を共有する。共通の真空ポンプ４３２が作動すると、共通の真空ポンプ４３２は、流れ方向の矢印４２５、４２７、４２９、４３１によって示されるように、最も近い真空ポート４２４、４２６、４２８、４３０に向かって微粒子を均等に引いて、基板４２１を交差すること無く、真空ポート４２４、４２６、４２８、４３０を通って微粒子を排気し、従って、微粒子による基板の汚染の危険性を最小化するかもしれない。
【００３１】
図５は、本発明の一実施形態に係るロードロックチャンバ５００の概略図である。図５に示される実施形態では、ロードロックチャンバ５００は、垂直に積み重ねられるモジュールセクション５０４、５０６、５０８を含むチャンバ本体５０２を含む。夫々のモジュールセクション５０４、５０６、５０８は、基板アクセスポート５１４、５１６、５１８を含む。夫々のモジュールセクション５０４、５０６、５０８の側壁上には、複数の真空ポート５２４、５２６、５２８がある。一実施形態では、真空ポート５２４、５２６、５２８は、基板平面の上方の側壁に配置されるかもしれない。別の実施形態では、真空ポート５２４、５２６、５２８は、基板平面の下方の側壁に配置されるかもしれない。真空ポート５２４、５２６、５２８は、１組として垂直にグループ化されてもよく、真空パイプ５１２を通して真空ポンプ５１０に接続されてもよい。この実施形態では、ただ１つの真空ポンプだけが示され、真空ポートの組に接続されている。しかしながら、他の実施形態は、夫々の組の垂直に積み重ねられた真空ポート用に１つの真空ポンプ、又はプロセスパラメータに依存する夫々の真空ポート用に１つの真空ポンプを使用してもよい。また、モジュールセクションを垂直方式で積み重ねることによって、モジュールセクションの保全は高められるかもしれず、真空吸引によって引き起こされるモジュールセクションへのひずみも軽減するかもしれない。
【００３２】
図６は、本発明の別の一実施形態に係るロードロックチャンバ６００の概略断面図である。ロードロックチャンバ６００はチャンバ本体６０２を含み、これは本体６０２の対向する壁を貫通して配置されるスリットバルブ開口６０８を有する。１以上の基板６０４は、１以上の基板サポート６０６によって本体６０２内で支持されてもよい。複数の開口６１０が、チャンバ本体６０２内に存在してもよく、これによって処理ガスがチャンバ本体６０２から排気可能となる。開口６１０は、基板がチャンバ本体６０２に出入り可能な大きさに作られるスリットバルブ開口６０８より小さくてもよい。開口６１０は、基板６０４が上にある１以上の基板サポート６０６の基板収容面下方に配置されてもよい。開口６１０は、チャンバ本体６０２から処理ガスが本体６０２の角で引かれることを可能にし、これによって処理ガス、それゆえどんな粒子も、最も近い開口６１０を通ってチャンバ本体６０２から外へ引かれるかもしれない。従って、粒子及び処理ガスは、チャンバ本体から引かれてもよく、これによって粒子及び／又は処理ガスが移動する最大距離は、チャンバ本体６０２内で最も長い壁の約半分となる。更に、排気用の複数の開口６１０を有することによって、チャンバ本体のひずみ量は減少するかもしれない。複数のチャンバが１つの共通の壁を共有するとき、共通の壁は、チャンバが異なる真空度にあるとき、反る又はひずむかもしれない。複数の開口６１０は、ひずみ及び／又は反りを軽減するかもしれない。
【００３３】
チャンバの角部で真空に引くことによって、チャンバ内のどんな微粒子も真空ポンプによって引き出され、微粒子に最も近いチャンバの角で真空ポートを通って排気されるかもしれない。従って、基板を横切って引かれるチャンバ内に存在しているかもしれない微粒子の量は減少するかもしれない。基板を横切って引かれる粒子量を減少させることによって、基板を汚染する危険性が大いに最小化される。
【００３４】
上記は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の及び更なる実施形態は本発明の基本的範囲を逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の特許請求の範囲に基づいて定められる。
【図１】
2012501549.tif 000003
【図２】
2012501549.tif 000004
【図３】
2012501549.tif 000005
【図４Ａ】
2012501549.tif 000006
【図４Ｂ】
2012501549.tif 000007
【図５】
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【図６】
2012501549.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成22年4月14日(2010.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の側壁を有し、少なくとも１つの基板を収容する大きさに作られるチャンバ本体と、前記少なくとも１つの基板を挿入及び除去可能な大きさに作られる１以上の第１開口と、前記チャンバ本体の排気及び通気を可能にする大きさに作られる複数の第２開口とを含む装置であって、前記第２開口は、処理ガスの排気用の１以上の真空装置に結合され、前記複数の第２開口は、前記チャンバ本体の１以上の前記側壁に位置し、前記複数の第２開口は、互いに離れて及び前記側壁の反対端に位置する複数の真空ポートを含む装置。
【請求項２】
前記１以上の真空装置は、夫々の第２開口に１つの真空ポンプが結合される複数の真空ポンプを含む請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記複数の第２開口の夫々は、少なくとも１つの通気ポート及び少なくとも１つの真空ポートを含む請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記少なくとも１つの真空ポートは、前記チャンバ本体の前記側壁上に位置し、前記１以上の真空ポートの第１真空ポートは、１つの側壁に位置し、前記１以上の真空ポートの第２真空ポートは、対向する側壁に位置する請求項３記載の装置。
【請求項５】
前記真空ポートの夫々は、別々の真空ポンプに結合される請求項３記載の装置。
【請求項６】
前記１以上の真空装置は、複数の前記第２開口に結合される真空ポンプを含む請求項１記載の装置。
【請求項７】
単一の本体を形成するＮ個の垂直に積み重ねられた単一基板ロードロックチャンバを含む装置であって、Ｎは２より大きい整数であり、前記ロードロックチャンバは、基板が通過可能な大きさに作られる第１開口が貫通する第１壁を夫々有し、前記ロードロックチャンバは、前記第１開口の寸法に実質的に等しい寸法を有する第２開口が貫通する第２壁を夫々有し、
前記装置は、Ｎ−１個の内部壁を更に含み、夫々の前記内部壁は、基板ロードロックチャンバに隣接して分離され周囲から隔離されており、
前記装置は、前記第１及び第２壁の間に結合される複数の第３壁を更に含み、夫々の前記第３壁は、前記第１開口の寸法よりも小さい寸法を有する貫通する複数の開口を有し、前記複数の開口は、互いに離れて及び前記第３壁の反対端に位置し、
前記装置は、前記第３開口で前記第３壁に結合される１以上の真空ポンプを更に含む装置。
【請求項８】
夫々の前記第３壁は、２つの第３開口を有する請求項７記載の装置。
【請求項９】
単一の真空ポンプが、前記複数の第３壁上において前記複数の第３開口に結合される請求項８記載の装置。
【請求項１０】
Ｎが３であり、夫々のロードロックチャンバは２つの第３壁を有し、夫々の第３壁は２つの開口を有する請求項８記載の装置。
【請求項１１】
単一の真空ポンプが、前記Ｎ個垂直に積み重ねられた単一基板ロードロックチャンバに結合され、複数の第３開口が、夫々のロードロックチャンバ内で基板収容面の下方に位置する請求項７記載の装置。
【請求項１２】
前記複数の第３壁内の前記複数の開口は、夫々のロードロックチャンバ内で基板収容面の下方に位置する請求項７記載の装置。
【請求項１３】
Ｎが３であり、単一の真空ポンプが、複数の第３壁上における複数の第３開口に結合され、前記複数の第３開口は、夫々のロードロックチャンバ内で基板収容面の下方に位置する請求項７記載の装置。
【請求項１４】
方法であって、
真空に維持される搬送チャンバに結合されるロードロックチャンバ内に基板を配置するステップと、
前記搬送チャンバ内の圧力に実質的に合うように前記ロードロックチャンバを排気するステップとを含み、前記排気するステップは、前記ロードロックチャンバの別々の角部に位置する複数の開口を通して前記ロードロックチャンバを排気するために１以上の真空ポンプを用いるステップを含み、
前記方法は、ロボットアームによって前記基板を前記搬送チャンバ内へ搬送するステップを更に含む方法。
【国際調査報告】
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