(57)【要約】陽極と陰極とそれらの間の有機層とを有する有機発光ダイオードが提供される。有機活性層は重水素化合物を含み、そのデバイスは１０００ニットでの計算半減期が少なくとも５０００時間である。
2012513688.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極とそれらの間の有機活性層とを含む有機発光ダイオードであって、前記有機活性層が重水素化合物を含み、前記デバイスの１０００ニットでの計算半減期が少なくとも５０００時間である、有機発光ダイオード。
【請求項２】
前記有機活性層が重水素化導電性ポリマーおよびフッ素化酸ポリマーを含む、請求項１に記載の有機発光ダイオード。
【請求項３】
前記有機活性層が、分子式単位当たり少なくとも２個のジアリールアミノ部分を有する正孔輸送重水素化合物を含む、請求項１に記載の有機発光ダイオード。
【請求項４】
前記有機活性層が、重水素化高分子トリアリールアミン類、重水素化ポリカルバゾール類、重水素化ポリフルオレン類、非平面構成で結合している共役部分を有する重水素化高分子トリアリールアミン類、フルオレンとトリアリールアミンとの重水素化コポリマー、およびそれらの組合せよりなる群から選択される物質を含む、請求項１に記載の有機発光ダイオード。
【請求項５】
前記有機活性層が、重水素化クリセン類、重水素化ピレン類、重水素化ペリレン類、重水素化ルブレン類、重水素化ペリフランテン類、重水素化フルオランテン類、重水素化スチルベン類、重水素化クマリン類、重水素化アントラセン類、重水素化チアジアゾール類、重水素化スピロビフルオレン類、それらの誘導体、およびそれらの混合物よりなる群から選択されるエレクトロルミネセンス化合物を含む、請求項１に記載の有機発光ダイオード。
【請求項６】
前記有機活性層が、次式：
【化１】
2012513688.tif 000097
［式中、
Ａは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、３〜６０個の炭素原子を有する芳香族基であり；
Ｑ’は、ナフタレン、アントラセン、ベンズ［ａ］アントラセン、ジベンズ［ａ，ｈ］アントラセン、フルオランテン、フルオレン、スピロフルオレン、テトラセン、クリセン、ピレン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、クマリン、ローダミン、キナクリドン、ルブレン、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択され、
ｐおよびｑは、同一または異なっていて、それぞれが１〜６の整数である］
の１つを有するエレクトロルミネセンス化合物を含み、
前記化合物の少なくとも１０％が重水素化されている、請求項１に記載の有機発光ダイオード。
【請求項７】
前記有機活性層が、重水素化アミノアントラセン類、重水素化アミノクリセン類、重水素化アミノスチルベン類、重水素化金属キノレート錯体、および重水素化イリジウム錯体よりなる群から選択されるエレクトロルミネセンス化合物を含む、請求項１に記載の有機発光ダイオード。
【請求項８】
前記有機活性層が、（ａ）重水素化アントラセン類、重水素化クリセン類、重水素化ピレン類、重水素化フェナントレン類、重水素化トリフェニレン類、重水素化フェナントロリン類、重水素化ナフタレン類、重水素化キノリン類、重水素化イソキノリン類、重水素化キノキサリン類、重水素化重水素化フェニルピリジン類、重水素化ジベンゾフラン類、重水素化ジフラノベンゼン類、重水素化金属キノリネート錯体、重水素化インドロカルバゾール類、重水素化ベンズイミダゾール類、重水素化トリアゾロピリジン類、重水素化ジヘテロアリールフェニル類、それらの置換誘導体、およびそれらの組合せよりなる群から選択される少なくとも１種のホスト物質と、（ｂ）３８０から７５０ｎｍの間に発光極大を有するエレクトロルミネセンスが可能な少なくとも１種のドーパントとを含む、請求項１に記載の有機発光ダイオード。
【請求項９】
前記ホスト物質が、重水素化ジアリールアントラセン類、重水素化アミノクリセン類、重水素化ジアリールクリセン類、重水素化ジアリールピレン類、重水素化インドロカルバゾール類、重水素化フェナントロリン類、およびそれらの組合せよりなる群から選択される、請求項８に記載の有機発光ダイオード。
【請求項１０】
前記有機活性層が、重水素化フェナントロリン類、重水素化インドロカルバゾール類、重水素化ベンズイミダゾール類、重水素化トリアゾロピリジン類、重水素化ジヘテロアリールフェニル類、重水素化金属キノレート類、およびそれらの組合せよりなる群から選択される電子輸送物質を含む、請求項１に記載の有機発光ダイオード。
【請求項１１】
前記活性層が、下塗層を用いて形成された化学的閉じ込め層であって、前記下塗層が、重水素化高分子トリアリールアミン類、重水素化ポリカルバゾール類、重水素化ポリフルオレン類、非平面構成で結合している共役部分を有する重水素化高分子トリアリールアミン類、フルオレンとトリアリールアミンとの重水素化コポリマー、重水素化金属キノレート誘導体、およびそれらの組合せよりなる群から選択される物質を含む、請求項１に記載の有機発光ダイオード。
【請求項１２】
第２活性層をさらに含み、前記第２活性層が重水素化合物を含む、請求項１に記載の有機発光ダイオード。
【請求項１３】
前記１０００ニットでの計算半減期が少なくとも１０，０００時間である、請求項１に記載の有機発光ダイオード。
【請求項１４】
前記１０００ニットでの計算半減期が少なくとも２０，０００時間である、請求項１に記載の有機発光ダイオード。
【請求項１５】
前記１０００ニットでの計算半減期が少なくとも５０，０００時間である、請求項１に記載の有機発光ダイオード。
【請求項１６】
陽極と陰極とそれらの間の有機層とを含む有機発光ダイオードであって、前記有機層が、正孔注入層、正孔輸送層、エレクトロルミネセンス層、電子輸送層、および陰極であり、また前記有機層の少なくとも２種類が重水素化物質から本質的になる、有機発光ダイオード。
【請求項１７】
前記有機層のすべてが重水素化物質から本質的になる、請求項１６に記載の有機発光ダイオード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願情報
本出願は、３５  Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１９（ｅ）に基づき、２００９年１２月２１日に出願された米国特許出願第１２／６４３，４５９号明細書、２００８年１２月２２日に出願された米国仮特許出願第６１／１３９，８３４号明細書、２００９年２月２７日に出願された米国仮特許出願第６１／１５６，１８１号明細書、２００９年４月３日に出願された米国仮特許出願第６１／１６６，４００号明細書、２００９年５月７日に出願された米国仮特許出願第６１／１７６，１４１号明細書、２００９年５月１９日に出願された米国仮特許出願第６１／１７９，４０７号明細書、２００９年７月２７日に出願された米国仮特許出願第６１／２２８，６８９号明細書、２００９年８月１３日に出願された米国仮特許出願第６１／２３３，５９２号明細書、２００９年９月３日に出願された米国仮特許出願第６１／２３９，５７４号明細書、２００９年９月２９日に出願された米国仮特許出願第６１／２４６，５６３号明細書、２００９年１０月２９日に出願された米国仮特許出願第６１／２５６，０１２号明細書、および２００９年１２月３日に出願された米国仮特許出願第６１／２６７，９２８号明細書の優先権を主張するものであり、上記のそれぞれの全体を本明細書に援用する。
【０００２】
本発明は、重水素化合物を含む少なくとも１つの層を有し、かつ活性寿命の長い電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００３】
光を発する有機電子デバイス（ディスプレイを構成する発光ダイオードなど）は、多くの種類の電子機器の中に存在する。そのようなデバイスすべてにおいて、有機活性層が２つの電気接触層の間に挟まれている。電気接触層の少なくとも１つは、光が電気接触層を通過できるように光透過性である。電気接触層から電気接触層にかけて電気を流すと、有機活性層は光透過性の電気接触層を通して光を発する。
【０００４】
発光ダイオードの活性成分として有機エレクトロルミネセンス化合物を使用することはよく知られている。アントラセン、チアジアゾール誘導体、およびクマリン誘導体などの単純な有機分子は、エレクトロルミネセンスを示すことで知られている。半導体共役ポリマー（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ  ｐｏｌｙｍｅｒｓ）もエレクトロルミネセンス成分として使用されてきたが、そのことは、例えば、米国特許第５，２４７，１９０号明細書、米国特許第５，４０８，１０９号明細書、および欧州特許出願公開第４４３８６１号明細書に開示されている。多くの場合、エレクトロルミネセンス化合物はホスト物質中にドーパントとして存在する。多くのデバイスでは、有機電荷注入層及び／または電荷輸送層が、発光層と陽極及び／または陰極との間に存在する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
寿命のいっそう長い電子デバイスが引き続き必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
陽極と陰極とそれらの間の有機活性層とを含む有機発光ダイオードであって、有機活性層が重水素化合物を含み、そのデバイスの１０００ニットでの計算半減期が少なくとも５０００時間である、有機発光ダイオードが提供される。
【０００７】
有機活性層が重水素化導電性ポリマーおよびフッ素化酸ポリマーを含む、上記の有機発光ダイオードも提供される。
【０００８】
また、少なくとも２つのジアリールアミノ部分を有する正孔輸送重水素化合物を有機活性層が含む、上記の有機発光ダイオードも提供される。
【０００９】
また、有機活性層が、重水素化アミノアントラセン類、重水素化アミノクリセン類、重水素化金属キノレート（ｄｅｕｔｅｒａｔｅｄ  ｍｅｔａｌ  ｑｕｉｎｏｌａｔｅ）錯体、および重水素化イリジウム錯体よりなる群から選択されるエレクトロルミネセンス化合物を含む、上記の有機発光ダイオードも提供される。
【００１０】
有機活性層が、（ａ）重水素化アリールアントラセン類、重水素化アリールピレン類、重水素化アリールクリセン類、重水素化フェナントロリン類、重水素化インドロカルバゾール類、およびそれらの組合せよりなる群から選択されるホスト物質および（ｂ）３８０から７５０ｎｍの間に発光極大を有するエレクトロルミネセンスが可能な電気的活性ドーパントを含む、上記の有機発光ダイオードも提供される。
【００１１】
有機活性層が、重水素化フェナントロリン類、重水素化インドロカルバゾール類、および重水素化金属キノレート類よりなる群から選択される電子輸送物質を含む、上記の有機発光ダイオードも提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
本明細書で提示する概念がいっそう理解されるように添付図で実施形態を説明する。
【００１３】
【図１】有機電子デバイスの一例の説明図を含む。
【図２】有機電子デバイスの別の説明図を含む。
【００１４】
図中の物体は、簡単にするためまた明快にするために例示されているのであり、必ずしも縮尺通り描かれてはいないことは、当業者なら理解することである。例えば、図中の一部の物体の大きさは、実施形態をいっそう理解するのを助けるために、他の物体との関係で誇張されていることがある。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
多くの態様および実施形態が本明細書に開示されているが、それらは例示的なものであり、限定するものではない。本明細書を読むならば、本発明の範囲の中で他の態様および実施形態が可能であることは、当業者なら理解することである。
【００１６】
実施形態のいずれか１つまたはそれ以上における他の特徴および利点は、以下の詳細な説明および請求項から明らかであろう。詳細な説明では、最初に用語の定義と説明を扱い、その後、有機発光デバイス、正孔注入層、正孔輸送層、電気的活性層、電子輸送層、閉じ込め層、他のデバイス層、重水素化物質の合成、そして最後に実施例を扱う。
【００１７】
１．用語の定義と説明
以下に説明する実施形態の詳細を扱う前に、一部の用語について定義し説明する。
【００１８】
「脂肪族環（ａｌｉｐｈａｔｉｃ  ｒｉｎｇ）」という用語は、非局在パイ電子を持たない環状基（ｃｙｃｌｉｃ  ｇｒｏｕｐ）を意味することを意図する。実施形態によっては、脂肪族環に不飽和はない。実施形態によっては、その環は１個の二重結合または三重結合を有する。
【００１９】
「アルコキシ」という用語は、ＲＯ−基［ここで、Ｒはアルキルである］を表す。
【００２０】
「アルキル」という用語は、結合点が１つある脂肪族炭化水素に由来する基を意味することを意図しており、直鎖状基、分枝状基、または環状基（ｃｙｃｌｉｃ  ｇｒｏｕｐ）を含む。この用語はヘテロアルキルを含むことを意図する。「炭化水素アルキル」という用語は、ヘテロ原子を持たないアルキル基を表す。「重水素化アルキル」という用語は、少なくとも１個の利用可能なＨがＤと置換されている炭化水素アルキルである。実施形態によっては、アルキル基は１〜２０個の炭素原子を有する。「分枝状アルキル」という用語は、少なくとも１個の第二級または第三級炭素を有するアルキル基を表す。「第二級アルキル」という用語は、第二級炭素原子を有する分枝状アルキル基を表す。「第三級アルキル」という用語は、第三級炭素原子を有する分枝状アルキル基を表す。実施形態によっては、分枝状アルキル基は第二級または第三級炭素を介して結合する。
【００２１】
「アリール」という用語は、結合点が１つある芳香族炭化水素に由来する基を意味することを意図する。「芳香族化合物」という用語は、非局在パイ電子を有する少なくとも１個の不飽和環状基を含む有機化合物を意味することを意図する。この用語は、ヘテロアリールを含むことを意図する。「炭化水素アリール」という用語は、環の中にヘテロ原子を持たない芳香族化合物を意味することを意図する。アリールという用語は、１つの環を有する基、および縮合できるかまたは単結合で結合できる複数の環を有する基を含む。「重水素化アリール」という用語は、アリールに直接結合している少なくとも１個の利用可能なＨがＤと置換しているアリール基を表す。「アリーレン」という用語は、結合点が２つある芳香族炭化水素に由来する基を意味することを意図する。実施形態によっては、アリール基は３〜６０個の炭素原子を有する。
【００２２】
「アリールオキシ」という用語は、ＲＯ−基［ここで、Ｒはアリールである］を表す。
【００２３】
「化合物」という用語は、分子で構成される帯電していない物質（分子は、原子からさらに構成され、物理的手段では原子を分離できない）を意味することを意図する。「隣接した」という語句は、デバイス中の層を表すのに用いられる場合、１つの層が別の層のすぐ隣にあることを必ずしも意味しない。その一方で、「隣接したＲ基」という語句は、化学式において隣同士のＲ基（すなわち、１つの結合でつながれた原子にあるＲ基）を表すのに用いられる。
【００２４】
物質に関連している場合の「導電」または「導電性の」という用語は、カーボンブラックまたは導電金属粒子を添加しなくても本質的に（またはもともと）導電性のある物質を意味することを意図する。
【００２５】
「重水素化」という用語は、少なくとも１個のＨがＤと置換されていることを意味することを意図する。重水素は、自然存在レベルの少なくとも１００倍存在する。化合物Ｘの「重水素化誘導体」は、化合物Ｘと同じ構造を有するが、Ｈと置き換わっている少なくとも１個のＤを含む。「重水素化された％」および「重水素化％」という用語は、重陽子と陽子および重陽子の合計との（百分率で表した）比率を表す。したがって、化合物Ｃ6Ｈ4Ｄ2の場合、重水素化％は以下のようになる：
２／（４＋２）×１００＝３３％の重水素化。
【００２６】
「ドーパント」という用語は、ホスト物質を含む層の中の物質であって、そうした物質の非存在下での層の放射線の放出、受容、またはフィルタリングの電子的特性または波長と比べて、層の放射線の放出、受容、またはフィルタリングの電子的特性または目標波長が異なるようにする層の中の物質を意味することを意図する。
【００２７】
接頭語の「フルオロ」および「フッ素化」という用語は、少なくとも１個の利用可能なＨがＦと置換されている物質を表す。
【００２８】
「電気的活性」という用語は、層または物質に言及している場合、電子的または電気的放射性（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｏｒ  ｅｌｅｃｔｒｏ−ｒａｄｉａｔｉｖｅ  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ）を示す層または物質を意味することを意図する。電子デバイスでは、電気的活性物質によりデバイスの動作が電子的に促進される。電気的活性物質の例としては、電荷の伝導、注入、輸送または遮断を行う物質（電荷は電子または正孔のいずれかであってよい）、および放射線を発するかまたは電子−正孔ペアの濃度の変化を示す（放射線を受けたとき）物質があるが、これらに限定されない。不活性物質の例としては、平坦化物質、絶縁物質、および環境障壁物質があるが、これらに限定されない。有機電気的活性層は、電気的活性物質として有機化合物を含む。本明細書で使用される「有機」という用語は、有機金属物質を包含する。
【００２９】
「半減期」という用語は、デバイスの輝度が初期値の半分になるのに必要な時間を意味することを意図する。「観測半減期」という用語は、７ｍＡの定電流で測定したデバイスの半減期である。「計算半減期」は、観測半減期から得られ、かつ１０００ニットの初期輝度について計算された半減期である。半減期の測定単位は時間である。
【００３０】
接頭語の「ヘテロ」は、１つまたは複数個の炭素原子が異なる原子で置換されていることを示す。実施形態によっては、異なる原子は、Ｎ、Ｏ、またはＳである。
【００３１】
「ホスト物質」という用語は、ドーパントを加える物質を意味することを意図する。ホスト物質は、放射線の放出、受容、またはフィルタリングを行う電子的特性またはその能力があってもなくても構わない。実施形態によっては、ホスト物質は高い濃度で存在する。
【００３２】
「層」という用語は、「膜」という用語と同義語的に使用され、目的の領域を覆うコーティングを表す。この用語は大きさによって限定されるものではない。この領域は、デバイス全体と同じくらい大きくても、あるいは実際の表示装置など特定の機能領域と同じくらい小さくても、あるいは単一のサブピクセルと同じくらい小さくても構わない。層および膜は、蒸着、液体付着（連続技法および不連続技法）、および熱転写を含め、従来の任意の付着技法で形成できる。連続付着技法としては、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、浸漬被覆、スロットダイコーティング（ｓｌｏｔ−ｄｉｅ  ｃｏａｔｉｎｇ）、吹付け塗り、および連続ノズルコーティングがあるが、これらに限定されない。不連続付着技法としては、インクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷があるが、これらに限定されない。
【００３３】
「有機電子デバイス」またはときにはただの「電子デバイス」という用語は、１種または複数種の有機半導体層または有機半導体物質を含むデバイスを意味することを意図する。
【００３４】
すべての基は、特に記載のない限り、置換されていても非置換であってよい。実施形態によっては、置換基は、Ｄ、ハロゲン化物、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールオキシ、シアノ、およびＮＲ2［ここで、Ｒはアルキルまたはアリールである］よりなる群から選択される。
【００３５】
特に定義されていない限り、本明細書に用いられている技術用語および科学用語はすべて、本発明が関係する技術分野の当業者が一般的に理解するのと同じ意味を有する。本明細書に記載する方法および物質と同様または同等の方法および物質を本発明の実施または試験に使用できるが、好適な方法および物質を以下に記載しておく。本明細書で挙げる刊行物、特許出願、特許、および他の文献はすべて、その全体を援用する。矛盾がある場合には、定義を含んでいる本明細書で調整されるであろう。さらに、そうした物質、方法、および実施例は例示にすぎず、限定することを意図するものではない。
【００３６】
全体を通してＩＵＰＡＣ番号付け方式（ＩＵＰＡＣ  ｎｕｍｂｅｒｉｎｇ  ｓｙｓｔｅｍ）が使用されており、その方式では、周期律表の族は左から右に１〜１８の番号が付けられる（ＣＲＣ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，８１st  Ｅｄｉｔｉｏｎ，２０００）。
【００３７】
２．有機発光ダイオード
有機発光ダイオード（「ＯＬＥＤ」）デバイス構造の１つの説明図を図１に示す。デバイス１００は、第１電気接触層である陽極層１１０と、第２電気接触層である陰極層１６０と、それらの間にあるエレクトロルミネセンス層１４０とを有する。陽極の隣には、正孔注入物質を含む正孔注入層１２０があってもよい。正孔注入層の隣には、正孔輸送物質を含む正孔輸送層１３０があってもよい。陰極の隣には、電子輸送物質を含む電子輸送層１５０があってもよい。デバイスでは、陽極１１０の隣の１つまたは複数の更なる正孔注入層または正孔輸送層（図示せず）及び／または陰極１６０の隣の１つまたは複数の更なる電子注入または電子輸送層（図示せず）を使用してよい。
【００３８】
実施形態によっては、フルカラーを実現するためにするために、発光層はピクセル化（ｐｉｘｅｌｌａｔｅｄ）されており、異なる各色のサブピクセル単位がある。ピクセル化されたデバイスの説明図を図２に示す。デバイス２００は、陽極２１０、正孔注入層２２０、正孔輸送層２３０、エレクトロルミネセンス層２４０、電子輸送層２５０、および陰極２６０を有する。エレクトロルミネセンス層はサブピクセル２４１、２４２、２４３に分割されており、それらは層の端から端まで繰り返されている。実施形態によっては、サブピクセルは赤色、青色および緑色の発光を表す。３種類の異なるサブピクセル単位を図２に示しているが、２種類のサブピクセル単位または３種類より多くのサブピクセル単位を使用してもよい。
【００３９】
種々の層については、図１を参照しながら本明細書でさらに説明する。ただし、その説明は図２および他の構成にも当てはまる。
【００４０】
層１２０〜１５０は、個別にも集合的にも電気的活性層と呼ばれる。電気的活性層の少なくとも１つは、重水素化物質を含む有機電気的活性層である。重水素化物質は、単独で、あるいは他の重水素化物質または非重水素化物質と組み合わせて使用してよい。実施形態によっては、重水素化物質は少なくとも１０％が重水素化されている。これは、少なくとも１０％のＨがＤで置換されていることを意味する。実施形態によっては、重水素化物質は少なくとも２０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも３０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも４０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも５０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも６０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも７０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも８０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも９０％重水素化されている。実施形態によっては、重水素化物質は１００％が重水素化されている。
【００４１】
実施形態によっては、重水素化物質は層１２０の正孔注入物質である。実施形態によっては、少なくとも１つの更なる層が重水素化物質を含む。実施形態によっては、更なる層は正孔輸送層１３０である。実施形態によっては、更なる層は電気的活性層１４０である。実施形態によっては、更なる層は電子輸送層１５０である。
【００４２】
実施形態によっては、重水素化物質は層１３０の正孔輸送物質である。実施形態によっては、少なくとも１つの更なる層は重水素化物質を含む。実施形態によっては、更なる層は正孔注入層１２０である。実施形態によっては、更なる層は電気的活性層１４０である。実施形態によっては、更なる層は電子輸送層１５０である。
【００４３】
実施形態によっては、重水素化重水素化物質は、電気的活性層１４０中のドーパント物質のホスト物質である。実施形態によっては、ドーパント物質も重水素化されている。実施形態によっては、少なくとも１つの更なる層が重水素化物質を含む。実施形態によっては、更なる層は正孔注入層１２０である。実施形態によっては、更なる層は正孔輸送層１３０である。実施形態によっては、更なる層は電子輸送層１５０である。
【００４４】
実施形態によっては、重水素化物質は層１５０中の電子輸送物質である。実施形態によっては、少なくとも１つの更なる層は重水素化物質を含む。実施形態によっては、更なる層は正孔注入層１２０である。実施形態によっては、更なる層は正孔輸送層１３０である。実施形態によっては、更なる層は電気的活性層１４０である。
【００４５】
実施形態によっては、電子デバイスは、正孔注入層、正孔輸送層、電気的活性層、および電子輸送層よりなる群から選択される層の任意の組合せに重水素化物質を有する。実施形態によっては、デバイスのすべての有機活性層が重水素化物質を含む。
【００４６】
実施形態によっては、デバイスは、処理に役立つようにまたは機能を向上させるために、更なる層を有する。そうした層の一部または全部が重水素化物質を含むことができる。実施形態によっては、有機デバイスの層すべてが重水素化物質を含む。実施形態によっては、有機デバイスの層すべてが重水素化物質から本質的になる。
【００４７】
実施形態によっては、有機発光ダイオードは、陽極および陰極を含み、さらにそれらの間に有機層を有するものであって、有機層は正孔注入層、正孔輸送層、エレクトロルミネセンス層、電子輸送層、および陰極であり、有機層の少なくとも２つが重水素化物質から本質的になる。実施形態によっては、有機層すべてが本質的に重水素化物質からなる。
【００４８】
１つの実施形態では、種々の層の厚さの範囲は以下の通りである：陽極１１０は５００〜５０００Åで、１つの実施形態では１０００〜２０００Åであり；正孔注入層１２０は５０〜２０００Åで、１つの実施形態では２００〜１０００Åであり；正孔輸送層１３０は５０〜２０００Åで、１つの実施形態では２００〜１０００Åであり；電気的活性層１４０は１０〜２０００Åで、１つの実施形態では１００〜１０００Åであり；層１５０は５０〜２０００Åで、１つの実施形態では１００〜１０００Åであり；陰極１６０は２００〜１００００Åで、１つの実施形態では３００〜５０００Åである。デバイス中の電子−正孔再結合域の場所（したがってデバイスの発光スペクトル）は、各層の相対的厚さによって影響されうる。層の厚さの所望の比率は、使用する物質のまさにその性質によって異なるであろう。
【００４９】
本明細書で説明するデバイスの観測半減期は、少なくとも２００時間である。実施形態によっては、観測半減期は少なくとも４００時間であり、実施形態によっては、少なくとも１０００時間である。
【００５０】
本明細書で説明するデバイスの計算半減期は、少なくとも５０００時間である。所与の初期輝度での半減期の計算方法はよく知られている。その方法は、例えば、Ｃｈｕ  ｅｔ．ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８９，０５３５０３（２００６）およびＷｅｌｌｍａｎｎ  ｅｔ．ａｌ．，ＳＩＤ  Ｉｎｔ．Ｓｙｍｐ．Ｄｉｇｅｓｔ  Ｔｅｃｈ．Ｐａｐｅｒｓ  ２００５，３９３に記載されている。実施形態によっては、計算半減期は少なくとも１０，０００時間、実施形態によっては、少なくとも２０，０００時間、実施形態によっては、少なくとも５０，０００時間である。
【００５１】
２．正孔注入層
正孔注入層１２０は正孔注入物質を含み、有機電子デバイスにおいて１つまたは複数の役割を有しうる。その役割としては、下にある層の平坦化、電荷輸送特性及び／または電荷注入特性、不純物（酸素または金属イオンなど）の除去、および有機電子デバイスの性能を円滑化または向上させる他の側面があるが、それらに限定されない。正孔注入物質は、ポリマー、オリゴマー、または小分子でありうる。それらは、溶液、分散液、懸濁液、エマルジョン、コロイド状混合物、または他の組成物の形であり得る液体から付着させるか、あるいは蒸着させることができる。
【００５２】
実施形態によっては、正孔注入層は重水素化物質を含む。実施形態によっては、重水素化物質は重水素化導電性ポリマーを含む。「重水素化導電性ポリマー」とは、導電性ポリマー自体（関連したポリマー酸を含まない）が重水素化されていることを意味する。実施形態によっては、重水素化物質は、重水素化ポリマー酸がドープされた導電性ポリマーを含む。実施形態によっては、重水素化物質は、重水素化ポリマー酸がドープされた重水素化導電性ポリマーを含む。
【００５３】
実施形態によっては、重水素化導電性ポリマーは、重水素化ポリチオフェン類、重水素化ポリセレノフェン類、重水素化ポリテルロフェン類、重水素化ポリピロール類、重水素化ポリアニリン類、重水素化ポリ（４−アミノ−インドール類）、重水素化ポリ（７−アミノ−インドール類）、および重水素化多環式芳香族ポリマーよりなる群からそれぞれ選択される。「多環式芳香族」という用語は、複数の芳香環を有する化合物を表す。それらの環は、１つまたは複数の結合によって結合されていてよいか、または縮合していてよい。「芳香環」という用語は、ヘテロ芳香環を含むことを意図する。「多環式ヘテロ芳香族」化合物は少なくとも１つのヘテロ芳香環を有する。実施形態によっては、重水素化多環式芳香族ポリマーは、重水素化ポリチエノチオフェン類である。
【００５４】
実施形態によっては、重水素化導電性ポリマーは、重水素化ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、重水素化ポリアニリン、重水素化ポリピロール、重水素化ポリ（４−アミノインドール）、重水素化ポリ（７−アミノインドール）、重水素化ポリ（チエノ（２，３−ｂ）チオフェン）、重水素化ポリ（チエノ（３，２−ｂ）チオフェン）、および重水素化ポリ（チエノ（３，４−ｂ）チオフェン）よりなる群から選択される。
【００５５】
実施形態によっては、重水素化導電性ポリマーは少なくとも１０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも２０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも３０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも４０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも５０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも６０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも７０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも８０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも９０％が重水素化されており、実施形態によっては、１００％が重水素化されている。
【００５６】
実施形態によっては、導電性ポリマーは、ポリ（Ｄ6−３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（Ｄ5−ピロール）、ポリ（Ｄ7−アニリン）、ポリ（ペルジュウテロ（ｐｅｒｄｅｕｔｅｒｏ）−４−アミノインドール）、ポリ（ペルジュウテロ−７−アミノインドール）、ポリ（ペルジュウテロ−チエノ（２，３−ｂ）チオフェン）、ポリ（ペルジュウテロ−チエノ（３，２−ｂ）チオフェン）、およびポリ（ペルジュウテロ−チエノ（３，４−ｂ）チオフェン）よりなる群から選択される。
【００５７】
実施形態によっては、重水素化導電性ポリマーは、非フッ素化ポリマー酸がドープされている。イオン化性陽子または重陽子を持つ酸性基を有する任意のポリマーを使用できる。酸性基の例としては、カルボン酸基、スルホン酸基、スルホンイミド基、リン酸基、ホスホン酸基、およびそれらの組合せがあるが、これらに限定されない。酸性基はすべて同じであってもよく、あるいはポリマーは複数の種類の酸性基を有していてもよい。実施形態によっては、酸性基は、スルホン酸基、スルホンイミド基、およびそれらの組合せよりなる群から選択される。スルホンイミド基は次式を有する：
−ＳＯ2−ＮＨ−ＳＯ2−Ｒ
［式中、Ｒはアルキル基である］。好適な酸の例としては、ポリスチレンスルホン酸（「ＰＳＳＡ」）、ポリ（ペルジュウテロ−スチレンスルホン酸）（「Ｄ8−ＰＳＳＡ」）、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチル−１−プロパンスルホン酸）（「ＰＡＡＭＰＳＡ」）、ポリ（ペルジュウテロ−２−アクリルアミド−２−メチル−１−プロパンスルホン酸）（「Ｄ13−ＰＡＡＭＰＳＡ」）、およびそれらの混合物があるが、これらに限定されない。
【００５８】
実施形態によっては、非フッ素化ポリマー酸がドープされている重水素化導電性ポリマーを、高度にフッ素化された酸ポリマー（「ＨＦＡＰ」）とさらに組み合わせる。
【００５９】
実施形態によっては、フッ素化酸ポリマーは、炭素に結合した利用可能な水素の少なくとも８０％がフッ素で置換されている、高度にフッ素化された酸ポリマー（「ＨＦＡＰ」）である。高度にフッ素化された酸ポリマー（「ＨＦＡＰ」）は、高度にフッ素化されかつ酸性基を有する、任意のポリマーであってよい。酸性基により、イオン化性の陽子（Ｈ+）または重陽子（Ｄ+）が供給される。実施形態によっては、酸性基はｐＫａが３未満である。実施形態によっては、酸性基はｐＫａが０未満である。実施形態によっては、酸性基はｐＫａが−５未満である。酸性基はポリマー骨格に直接結合していてよいか、またはポリマー骨格上の側鎖に結合していてよい。酸性基の例としては、カルボン酸基、スルホン酸基、スルホンイミド基、リン酸基、ホスホン酸基、およびそれらの組合せがあるが、これらに限定されない。酸性基はすべて同じであってもよく、あるいはポリマーは複数の種類の酸性基を有していてもよい。実施形態によっては、酸性基は、スルホン酸基、スルホンイミド基、およびそれらの組合せよりなる群から選択される。
【００６０】
実施形態によっては、ＨＦＡＰは酸性重陽子を持つジュウテロ酸（ｄｅｕｔｅｒｏ−ａｃｉｄ）である。
【００６１】
実施形態によっては、ＨＦＡＰは少なくとも９０％がフッ素化されており、実施形態によっては、少なくとも９５％がフッ素化されており、実施形態によっては、完全フッ素化されている。実施形態によっては、ＨＦＡＰが完全フッ素化されていない場合、ＨＦＡＰも重水素化される。
【００６２】
実施形態によっては、酸性基は、スルホン酸基、スルホンイミド基、およびそれらの組合せよりなる群から選択される。実施形態によっては、酸性基はフッ素化側鎖上にある。実施形態によっては、フッ素化側鎖は、アルキル基、アルコキシ基、アミド基、エーテル基、およびそれらの組合せ（そのすべてが完全フッ素化されている）から選択される。
【００６３】
実施形態によっては、ＨＦＡＰは、高度にフッ素化されたオレフィン骨格を有し、それには、ペンダントの高度にフッ素化されたアルキルスルホネート基、高度にフッ素化されたエーテルスルホネート基、高度にフッ素化されたエステルスルホネート基、または高度にフッ素化されたエーテルスルホンイミド基が付いている。実施形態によっては、ＨＦＡＰは、パーフルオロ−エーテル−スルホン酸側鎖を有するパーフルオロオレフィンである。実施形態によっては、ポリマーは、テトラフルオロエチレンとパーフルオロ−３，６−ジオキサ−４−メチル−７−オクテンスルホン酸とのコポリマー（「ポリ（ＴＦＥ−ＰＳＥＰＶＥ）」）である。このジュウテロ酸類似体は、Ｄ−ポリ（ＴＦＥ−ＰＳＥＰＶＥ）と略す。実施形態によっては、ポリマーは、１，１−ジフルオロエチレンと２−（１，１−ジフルオロ−２−（トリフルオロメチル）アリルオキシ）−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホン酸とのコポリマーである。実施形態によっては、ポリマーは、エチレンと２−（２−（１，２，２−トリフルオロビニルオキシ）−１，１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロポキシ）−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホン酸とのコポリマーである。こうしたコポリマーは、対応するスルホニルフルオリドポリマーとして作ることができ、次いでスルホン酸形態に変換できる。
【００６４】
実施形態によっては、重水素化導電性ポリマーはＨＦＡＰがドープされる。そのような物質の非重水素化類似体は、例えば、米国特許出願公開第２００４／０１０２５７７号明細書、米国特許出願公開第２００４／０１２７６３７号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２０５８６０号明細書、および公開されたＰＣＴ出願の国際公開第２００９／０１８００９号パンフレットに記載されている。
【００６５】
実施形態によっては、正孔注入層は、ポリスチレンスルホン酸（「ＰＳＳＡ」）がドープされた重水素化ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（「ｄ−ＰＥＤＯＴ」）を含む。実施形態によっては、正孔注入層は、重水素化ポリスチレンスルホン酸（「ｄ−ＰＳＳＡ」）がドープされたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（「ＰＥＤＯＴ」）を含む。実施形態によっては、正孔注入層は、重水素化ポリスチレンスルホン酸がドープされた重水素化ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を含む。実施形態によっては、ｄ−ＰＥＤＯＴ／ｄ−ＰＳＳＡは、少なくとも５０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも６０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも７０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも８０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも９０％が重水素化されており、実施形態によっては、１００％が重水素化されている。実施形態によっては、正孔注入層は、ｄ−ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳＡ、ＰＥＤＯＴ／ｄ−ＰＳＳＡ、およびｄ−ＰＥＤＯＴ／ｄ−ＰＳＳＡよりなる群から選択される物質から本質的になる。実施形態によっては、正孔注入層は、Ｄ8−ＰＳＳＡがドープされたポリ（Ｄ6−３，４−エチレンジオキシチオフェン）から本質的になる。
【００６６】
実施形態によっては、正孔注入層は、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチル−１−プロパンスルホン酸）（「ＰＡＡＭＰＳＡ」）がドープされた重水素化ポリアニリン（「ｄ−ＰＡＮＩ」）を含む。実施形態によっては、正孔注入層は、重水素化ポリ（２−アクリルアミド−２−メチル−１−プロパンスルホン酸）（「ｄ−ＰＡＡＭＰＳＡ」）がドープされたポリアニリン（「ＰＡＮＩ」）を含む。実施形態によっては、正孔注入層は、重水素化ポリ（２−アクリルアミド−２−メチル−１−プロパンスルホン酸）がドープされた重水素化ポリアニリンを含む。実施形態によっては、ｄ−ＰＡＮＩ／ｄ−ＰＡＡＭＰＳＡは少なくとも５０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも６０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも７０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも８０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも９０％が重水素化されており、実施形態によっては、１００％が重水素化されている。実施形態によっては、正孔注入層は、ｄ−ＰＡＮＩ／ＰＡＡＭＰＳＡ、ＰＡＮＩ／ｄ−ＰＡＡＭＰＳＡ、およびｄ−ＰＡＮＩ／ｄ−ＰＡＡＭＰＳＡよりなる群から選択される物質から本質的になる。実施形態によっては、正孔注入層は、Ｄ13−ＰＡＡＭＰＳＡがドープされたポリ（Ｄ7−アニリン）から本質的になる。
【００６７】
実施形態によっては、正孔注入層は、ポリスチレンスルホン酸（「ＰＳＳＡ」）がドープされた重水素化ポリピロール（「ｄ−ＰＰｙ」）を含む。実施形態によっては、正孔注入層は、重水素化ポリスチレンスルホン酸（「ｄ−ＰＳＳＡ」）がドープされたポリピロール（「ＰＰｙ」）を含む。実施形態によっては、正孔注入層は、重水素化ポリスチレンスルホン酸がドープされた重水素化ポリピロールを含む。実施形態によっては、ｄ−ＰＰｙ／ｄ−ＰＳＳＡは、少なくとも５０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも６０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも７０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも８０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも９０％が重水素化されており、実施形態によっては、１００％が重水素化されている。実施形態によっては、正孔注入層は、ｄ−ＰＰｙ／ＰＳＳＡ、ＰＰｙ／ｄ−ＰＳＳＡ、およびｄ−ＰＰｙ／ｄ−ＰＳＳＡよりなる群から選択される物質から本質的になる。実施形態によっては、正孔注入層は、Ｄ8−ＰＳＳＡでドープされたポリ（Ｄ5−ピロール）から本質的になる。
【００６８】
実施形態によっては、正孔注入層は、重水素化導電性ポリマーおよびＨＦＡＰを含む。実施形態によっては、正孔注入層は、ＨＦＡＰがドープされた重水素化導電性ポリマーを含む。実施形態によっては、正孔注入層は、ＨＦＡＰがドープされた重水素化導電性ポリマーから本質的になる。実施形態によっては、正孔注入層は、過フッ素化されたスルホン酸ポリマーがドープされた重水素化導電性ポリマーから本質的になる。実施形態によっては、正孔注入層は、Ｄ−ポリ（ＴＦＥ−ＰＳＥＰＶＥ）がドープされた重水素化導電性ポリマーから本質的になり、その導電性ポリマーは、ポリ（Ｄ6−３，４−エチレンジオキシチオフェン）、ポリ（Ｄ7−アニリン）およびポリ（Ｄ5−ピロール）よりなる群から選択される。
【００６９】
実施形態によっては、正孔注入層は、銅フタロシアニン、テトラチアフルバレン−テトラシアノキノジメタン系（ＴＴＦ−ＴＣＮＱ）およびそれらの重水素化類似体などの電荷移動化合物などを含む。
【００７０】
３．正孔輸送層
正孔輸送層１３０は、正孔輸送物質を含む。層、物質、部材、または構造に言及している場合の「正孔輸送」という用語は、そのような層、物質、部材、または構造によって、比較的効率的かつ低電荷損失で、正電荷がそのような層、物質、部材、または構造の厚い部分を通って移動するのが促進されることを意味することを意図する。発光物質も幾らかの正孔輸送特性を有することがあるが、「正孔輸送の層、物質、部材、または構造」という用語は、主要機能が発光である層、物質、部材、または構造を含むことを意図していない。
【００７１】
正孔輸送物質は、ポリマー、オリゴマー、または小分子でありうる。それらは、溶液、分散液、懸濁液、エマルジョン、コロイド状混合物、または他の組成物の形であり得る液体から付着させるか、あるいは蒸着させることができる。
【００７２】
実施形態によっては、正孔輸送層が重水素化物質を含む。実施形態によっては、正孔輸送物質は、少なくとも１０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも２０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも３０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも４０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも５０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも６０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも７０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも８０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも９０％が重水素化されており、実施形態によっては、１００％が重水素化されている。
【００７３】
実施形態によっては、正孔輸送物質は、分子式単位当たり少なくとも２個のジアリールアミノ部分を有する重水素化合物である。実施形態によっては、正孔輸送物質は、重水素化トリアリールアミンポリマーである。そのような物質の非重水素化類似体は、例えば、公開されたＰＣＴ出願の国際公開第２００９／０６７４１９号パンフレットに記載されている。実施形態によっては、正孔輸送物質は、重水素化フルオレン−トリアリールアミンのコポリマーである。そのような物質の非重水素化類似体は、例えば、米国特許出願公開第２００８／００７１０４９号明細書および米国特許出願公開第２００８／００９７０７６号明細書に記載されている。架橋性正孔輸送ポリマーの非重水素化類似体の例は、例えば、米国特許出願公開第２００５／０１８４２８７号明細書および公開されたＰＣＴ出願の国際公開第２００５／０５２０２７号パンフレット中に見出すことができる。
【００７４】
実施形態によっては、正孔輸送物質は、重水素化トリアリールアミン、重水素化カルバゾール類、重水素化フルオレン類、それらのポリマー、それらのコポリマー、およびそれらの組合せよりなる群から選択される。実施形態によっては、正孔輸送物質は、重水素化高分子トリアリールアミン類、重水素化ポリカルバゾール類、重水素化ポリフルオレン類、非平面構成で結合している共役部分を有する重水素化高分子トリアリールアミン類、フルオレンとトリアリールアミンとの重水素化コポリマー、およびそれらの組合せよりなる群から選択される。実施形態によっては、高分子物質は架橋性である。
【００７５】
実施形態によっては、正孔輸送物質は、式Ｉ、式ＩＩ、または式ＩＩＩを有する：
【００７６】
【化１】
2012513688.tif 000003
【００７７】
上式において、
Ａｒ1は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、フェニレン、置換フェニレン、ナフチレン、および置換ナフチレンよりなる群から選択され；
Ａｒ2は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、アリール基であり；
Ｍは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、共役部分であり；
Ｔ1およびＴ2は、それぞれの出現箇所で独立に同一または異なっていて、共役部分であり；
ａは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、１〜６の整数であり；
ｂ、ｃ、およびｄは、ｂ＋ｃ＋ｄ＝１．０となるようなモル分率であるが、但し、ｃはゼロではなく、ｂおよびｄの少なくとも１つがゼロではないこと、またｂがゼロの場合、Ｍが少なくとも２個のトリアリールアミン単位を含むことを条件とし；
ｅは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、１〜６の整数であり；さらに
ｎは、１より大きい整数であり；
ここで、化合物は少なくとも１０％が重水素化されている。
そのような物質の非重水素化類似体は、公開されたＰＣＴ出願の国際公開第２００９／０６７４１９号パンフレットに記載されている。
【００７８】
式Ｉ〜ＩＩＩの実施形態によっては、アリール環上の置換基が重水素化されている。実施形態によっては、置換基は、アルキル、アリール、アルコキシ、およびアリールオキシから選択される。式Ｉ〜ＩＩＩの実施形態によっては、アリール基Ａｒ1およびＡｒ2の任意の１つまたはそれ以上で重水素化されている。その場合、Ａｒ1およびＡｒ2の少なくとも１つが重水素化アリール基である。式Ｉ〜ＩＩＩの実施形態によっては、［Ｔ1−Ｔ2］基上で重水素化されている。実施形態によっては、Ｔ1とＴ2の両方が重水素化されている。式Ｉ〜ＩＩＩの実施形態によっては、置換基とＡｒ1およびＡｒ2基との両方で重水素化されている。式Ｉ〜ＩＩＩの実施形態によっては、［Ｔ1−Ｔ2］基とＡｒ1およびＡｒ2基との両方で重水素化されている。式Ｉ〜ＩＩＩの実施形態によっては、置換基、［Ｔ1−Ｔ2］基、およびＡｒ1およびＡｒ2基上で重水素化されている。
【００７９】
実施形態によっては、少なくとも１つのＡｒ1が、アルキル、アルコキシ、シリル、および架橋基付き置換基よりなる群から選択される置換基を有する置換フェニルである。実施形態によっては、ａは１〜３である。実施形態によっては、ａは１〜２である。実施形態によっては、ａは１である。実施形態によっては、ｅは１〜４である。実施形態によっては、ｅは１〜３である。実施形態によっては、ｅ＝１である。実施形態によっては、少なくとも１つのＡｒ1が、架橋基を持つ置換基を有する。
【００８０】
実施形態によっては、少なくとも１つのＡｒ2が式ａを有する。
【００８１】
【化２】
2012513688.tif 000004
【００８２】
上式において、
Ｒ1は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、Ｄ、アルキル、アルコキシ、シロキサンおよびシリルよりなる群から選択されるか；または隣接したＲ1基が結合して芳香環を形成してよく；
ｆは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、０〜４の整数であり；
ｇは、０〜５の整数であり；さらに
ｍは、１〜５の整数である。
【００８３】
実施形態によっては、少なくとも１つのＡｒ2が式ｂを有する。
【００８４】
【化３】
2012513688.tif 000005
【００８５】
上式において、
Ｒ1は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、Ｄ、アルキル、アルコキシ、シロキサンおよびシリルよりなる群から選択されるか；または隣接したＲ1基が結合して芳香環を形成してよく；
ｆは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、０〜４の整数であり；
ｇは、０〜５の整数であり；さらに
ｍは、１〜５の整数である。
【００８６】
式ａまたはｂの実施形態によっては、ｆおよびｇの少なくとも１つがゼロではない。実施形態によっては、ｍ＝１〜３である。
【００８７】
実施形態によっては、Ａｒ2は、式ａを有する基、ナフチル、フェニルナフチル、ナフチルフェニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。実施形態によっては、Ａｒ2は、フェニル、ｐ−ビフェニル、ｐ−テルフェニル、ナフチル、フェニルナフチル、ナフチルフェニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。実施形態によっては、Ａｒ2は、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。
【００８８】
式Ｉ〜ＩＩＩ中のどの芳香環でも任意の位置で置換されていてよい。置換基は、化合物の１つまたは複数の物理的性質（溶解度など）を向上させるために存在させてよい。実施形態によっては、置換基は、Ｃ1~12のアルキル基、Ｃ1~12のアルコキシ基、シリル基、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。実施形態によっては、架橋置換基が少なくとも１つのＡｒ2上に存在する。実施形態によっては、架橋置換基が少なくとも１つのＭ部分に存在する。
【００８９】
Ｔ1およびＴ2は共役部分である。実施形態によっては、Ｔ1およびＴ2は芳香族部分である。実施形態によっては、Ｔ1およびＴ2は重水素化芳香族部分である。実施形態によっては、Ｔ1およびＴ2は、フェニレン基、ナフチレン（ｎａｐｔｈｙｌｅｎｅ）基、アントラセニル基、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。
【００９０】
実施形態によっては、Ｔ1−Ｔ2基により、化合物の骨格に非平面性がもたらされる。Ｔ2内の部分に直接結合しているＴ1内の部分は、Ｔ1部分が結合しているＴ2内の部分とは違う平面内にＴ1部分が置かれるように結合されている。Ｔ1単位の他の部位（例えば、置換基）は１つまたは複数の異なる平面内にありうるが、非平面性をもたらすのは、化合物骨格中のＴ1内の結合部分とＴ2内の結合部分の平面である。非平面のＴ1−Ｔ2結合のせいで、化合物はキラルである。一般に、それらはラセミ混合物として生じる。そうした化合物は鏡像異性的に純粋な形態でもありうる。非平面性は、約Ｔ1−Ｔ2結合を中心にした自由な回転を制限するものと見ることができる。その結合を中心にした回転により、ラセミ化がもたらされる。Ｔ1−Ｔ2のラセミ化の半減期は、非置換ビフェニルのそれよりも長い。実施形態によっては、半減期またはラセミ化は２０℃で１２時間かそれ以上である。
【００９１】
実施形態によっては、［Ｔ1−Ｔ2］は置換ビフェニレン基またはその重水素化類似体である。「ビフェニレン」という用語は、化合物骨格との結合点が２つあるビフェニル基を意味することを意図する。「ビフェニル」という用語は、単結合によって結合したフェニル単位を２つ有する基を意味することを意図する。ビフェニレン基は、２位、３位、４位、または５位の１つで連結できるし、また２’位、３’位、４’位、または５’位の１つで結合できる。置換ビフェニレン基は、２位に少なくとも１つの置換基を有する。実施形態によっては、ビフェニレン基は少なくとも２位および２’位に置換基を有する。
【００９２】
実施形態によっては、［Ｔ1−Ｔ2］はビナフチレン基、またはその重水素化類似体である。「ビナフチレン」という用語は、化合物骨格との結合点が２つあるビナフチル（ｂｉｎａｐｔｈｙｌ）基を意味することを意図する。「ビナフチル」という用語は、単結合によって結合したナフタレン単位を２つ有する基を意味することを意図する。
【００９３】
実施形態によっては、［Ｔ1−Ｔ2］は、フェニレン−ナフチレン基、またはその重水素化類似体である。実施形態によっては、［Ｔ1−Ｔ2］は、フェニレン中の３位、４位、または５位の１つで、またナフチレン中の３位、４位、または５位の１つで化合物骨格と結合している、フェニレン−１−ナフチレン基である。実施形態によっては、［Ｔ1−Ｔ2］は、フェニレン中の３位、４位、または５位の１つで、またナフチレン中の４位、５位、６位、７位、または８位で化合物骨格と結合している、フェニレン−２−ナフチレン基である。
【００９４】
実施形態によっては、ビフェニレン基、ビナフチレン基、およびフェニレン−ナフチレン基は、１つまたは複数の位置で置換されている。
【００９５】
実施形態によっては、［Ｔ1−Ｔ2］は、４位および４’位で化合物骨格と結合している１，１−ビナフチレン基またはその重水素化類似体である（４，４’−（１，１−ビナフチレン）と呼ぶ）。実施形態によっては、４，４’−（１，１−ビナフチレン）は存在する唯一の異性体である。実施形態によっては、２種類以上の異性体が存在する。実施形態によっては、４，４’−（１，１−ビナフチレン）は、第２異性体が最大で５０重量％まで存在する。実施形態によっては、第２異性体は、４，５’−（１，１−ビナフチレン）、４，６’−（１，１−ビナフチレン）、および４，７’−（１，１−ビナフチレン）よりなる群から選択される。
【００９６】
式ＩＩＩは、少なくとも１種の［Ｔ1−Ｔ2］部分および少なくとも１種の他の共役部分があるコポリマーであって、ポリマー全体の少なくとも１０％が重水素化されているコポリマーを表す。実施形態によっては、下付き文字「ｂ」を有する第１モノマー単位において重水素化されている。実施形態によっては、下付き文字「ｃ」を有する第２モノマー単位において重水素化されている。実施形態によっては、下付き文字「ｄ」を有する第３モノマー単位において重水素化されている。実施形態によっては、２種類のモノマー単位において重水素化されている。実施形態によっては、２種類のモノマー単位のうちの１つが第１モノマー単位である。実施形態によっては、３種類のモノマー単位すべてにおいて重水素化されている。
【００９７】
正孔輸送重水素化合物の非限定例の中には、以下の化合物ＨＴ１〜ＨＴ１０がある。
化合物ＨＴ１：
【００９８】
【化４】
2012513688.tif 000006
【００９９】
［式中、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｐ＋ｑ＋ｒ＝２０〜２８］
化合物ＨＴ２：
【０１００】
【化５】
2012513688.tif 000007
【０１０１】
［式中、ｘは０〜５であり、化合物によっては、Σ（ｘ）＝１０〜４４］
化合物ＨＴ３：
【０１０２】
【化６】
2012513688.tif 000008
【０１０３】
［式中、ｘは０〜６であり、化合物によっては、Σ（ｘ）＝８〜３６］
化合物ＨＴ４：
【０１０４】
【化７】
2012513688.tif 000009
【０１０５】
［式中、ｘは０〜６であり、化合物によっては、Σ（ｘ）＝８〜３６である］
化合物ＨＴ５：
【０１０６】
【化８】
2012513688.tif 000010
【０１０７】
Ｒ1＝Ｄy−プロピル、Ｒ2＝Ｄy−オクチル
［ここで、ｘは０〜５であり、Σ（ｘ）＝１０〜５０であり、
ｙは０〜１７であり、Σ（ｙ）＝０〜３２である］
化合物ＨＴ６：
【０１０８】
【化９】
2012513688.tif 000011
【０１０９】
［式中、ａ＝０．４〜０．８
ｂ＝０．２〜０．６
ｘは０〜５であり、化合物によっては、Σ（ｘ）＝１０〜３６である］
化合物ＨＴ７：
【０１１０】
【化１０】
2012513688.tif 000012
【０１１１】
［式中、ａ＝０．３〜０．７
ｂ＝０．３〜０．５
ｃ＝０．１〜０．２
ｘは０〜５であり、化合物によっては、Σ（ｘ）＝１０〜３６である］
化合物ＨＴ８：
【０１１２】
【化１１】
2012513688.tif 000013
【０１１３】
［式中、ａ＝０．９〜０．９５
ｂ＝０．０５〜０．１０
ｘは０〜５であり、化合物によっては、Σ（ｘ）＝２０〜６２である］
化合物ＨＴ９：
【０１１４】
【化１２】
2012513688.tif 000014
【０１１５】
［式中、ａ＝０．７〜０．９９
ｂ＝０．０１〜０．３０
ｘは０〜５であり、化合物によっては、Σ（ｘ）＝２０〜６２である］
化合物ＨＴ１０：
【０１１６】
【化１３】
2012513688.tif 000015
【０１１７】
［式中、ｘは０〜５であり、Σ（ｘ）＝１５〜４２である］
化合物ＨＴ１１：
【０１１８】
【化１４】
2012513688.tif 000016
【０１１９】
［式中、ｎは１より大きい整数であり、
ｘは０〜５であり、Σ（ｘ）＝１０〜３２である］
【０１２０】
トリアリールアミンポリマーの別の例は、化合物ＨＴ１２である。
化合物ＨＴ１２
【０１２１】
【化１５】
2012513688.tif 000017
【０１２２】
層１３０の他の正孔輸送物質の非重水素化類似体の例は、例えば、Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ  Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｆｏｕｒｔｈ  Ｅｄｉｔｉｏｎ，Ｖｏｌ．１８，ｐ．８３７−８６０，１９９６，ｂｙ  Ｙ．Ｗａｎｇに要約されている。他の正孔輸送物質としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）−［１，１’−（３，３’−ジメチル）ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＥＴＰＤ）、テトラキス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−２，５−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、ａ−フェニル４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）、ｐ−（ジエチルアミノ）ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）、トリフェニルアミン（ＴＰＡ）、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）、１−フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−５−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲまたはＤＥＡＳＰ）、１，２−ｔｒａｎｓ−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）シクロブタン（ＤＣＺＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＴＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）ベンジジン（ＮＰＢ）、ポルフィリン化合物（ｐｏｒｐｈｙｒｉｎｉｃ  ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）（銅フタロシアニンなど）、および前述の物質のいずれかの重水素化類似体があるが、これらに限定されない。正孔輸送分子（上述のものなど）をポリスチレン、ポリカーボネート、およびそれらの重水素化類似体などのポリマーにドープすることによって、正孔輸送ポリマーを得ることも可能である。
【０１２３】
実施形態によっては、正孔輸送層は、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボン酸−３，４，９，１０−二無水物、およびそれらの重水素化類似体などのｐ−ドーパントがドープされる。
【０１２４】
４．エレクトロルミネセンス層
エレクトロルミネセンス層１４０は、エレクトロルミネセンス物質を含む。「エレクトロルミネセンス物質」という用語は、印加電圧によって活性化されると光を発する物質を表す。実施形態によっては、エレクトロルミネセンス層１４０はエレクトロルミネセンス物質から本質的になる。実施形態によっては、エレクトロルミネセンス層１４０は、１種または複数種のドーパントおよび１種または複数種のホスト化合物を含む。実施形態によっては、エレクトロルミネセンス層１４０は、１種または複数種のドーパントおよび１種または複数種のホスト化合物から本質的になる。エレクトロルミネセンスドーパントは、３８０から７５０ｎｍの間に発光極大を有するエレクトロルミネセンスが可能な物質である。実施形態によっては、ドーパントは、赤色、緑色、または青色の光を発する。ホスト化合物は、普通は層の形の化合物であり、その中に１種または複数種のドーパントが分散されており、またその中で１種または複数種のドーパントが発光する。「ホスト物質」という用語は、存在するすべてのホスト化合物の全体を表す。ホスト物質は、放射線の放出、受容、または濾過を行う電子的特性またはその能力があってもなくても構わない。少なくとも１種のドーパントおよびホスト物質を含むエレクトロルミネセンス層では、発光はドーパントから生じる。実施形態によっては、ホスト物質は、すべてのドーパントの合計よりも高い濃度で存在する。実施形態によっては、エレクトロルミネセンス層１４０は、１種または複数種のドーパントおよび１種または複数種のホスト化合物から本質的になる。実施形態によっては、エレクトロルミネセンス層１４０は、１種類のドーパントおよび１種類のホスト化合物から本質的になる。実施形態によっては、エレクトロルミネセンス層１４０は、１種類のドーパントおよび２種類のホスト化合物から本質的になる。
【０１２５】
実施形態によっては、エレクトロルミネセンス層は、重水素化エレクトロルミネセンス物質、重水素化ホスト物質、およびそれらの組合せよりなる群から選択される重水素化物質を含む。
【０１２６】
エレクトロルミネセンス層の物質は、ポリマー、オリゴマー、小分子、またはそれらの組合せであってもよい。それらは、溶液、分散液、懸濁液、エマルジョン、コロイド状混合物、または他の組成物の形であり得る液体から付着させるか、あるいは蒸着させることができる。
【０１２７】
ホストが存在する場合、エレクトロルミネセンス組成物中に存在する全ドーパントの量は一般に、組成物の全重量を基準にして３〜２０重量％の範囲であり、実施形態によっては、５〜１５重量％である。２種類のホスト化合物が存在する場合、第１ホストと第２ホストとの比率は一般に、１：２０〜２０：１の範囲であり、実施形態によっては、５：１５〜１５：５の範囲である。
【０１２８】
ａ．エレクトロルミネセンス物質
エレクトロルミネセンス物質は、小分子の有機エレクトロルミネセンス化合物、エレクトロルミネセンス金属錯体、エレクトロルミネセンス共役ポリマー、およびそれらの混合物から選択できる。
【０１２９】
実施形態によっては、エレクトロルミネセンス物質は重水素化されている。実施形態によっては、エレクトロルミネセンス物質は少なくとも１０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも２０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも３０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも４０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも５０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも６０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも７０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも８０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも９０％が重水素化されており、実施形態によっては、１００％が重水素化されている。
【０１３０】
赤色発光物質の例としては、フェニルキノリンまたはフェニルイソキノリン配位子を有するＩｒの環状メタル化（ｃｙｃｌｏｍｅｔａｌａｔｅｄ）錯体、ペリフラテン類（ｐｅｒｉｆｌａｎｔｈｅｎｅｓ）、フルオランテン類、ペリレン類、およびそれらの重水素化類似体があるが、これらに限定されない。非重水素化赤色発光物質は、例えば、米国特許第６，８７５，５２４号明細書、および米国特許出願公開第２００５−０１５８５７７号明細書に開示されている。
【０１３１】
緑色発光物質の例としては、フェニルピリジン配位子を有するＩｒの環状メタル化錯体、ジアミノアントラセン類、ポリフェニレンビニレンポリマー、およびそれらの重水素化類似体があるが、これらに限定されない。非重水素化緑色発光物質は、例えば、公開されたＰＣＴ出願の国際公開第２００７／０２１１１７号パンフレットに開示されている。
【０１３２】
青色発光物質の例としては、ジアリールアントラセン類、ジアミノクリセン類、ジアミノピレン類、ジアミノスチルベン類、フェニルピリジン配位子を有するＩｒの環状メタル化錯体、ポリフルオレンポリマー、およびそれらの重水素化類似体があるが、これらに限定されない。非重水素化青色発光物質は、例えば、米国特許第６，８７５，５２４号明細書、および米国特許出願公開第２００７−０２９２７１３号明細書および第２００７−００６３６３８号明細書に開示されている。
【０１３３】
実施形態によっては、ドーパントは有機金属錯体である。実施形態によっては、ドーパントはイリジウムまたは白金の環状メタル化錯体である。重水素化されていない場合のそのような物質は、例えば、米国特許第６，６７０，６４５号明細書および公開されたＰＣＴ出願の国際公開第０３／０６３５５５号パンフレット、国際公開第２００４／０１６７１０号パンフレット、および国際公開第０３／０４０２５７号パンフレットに開示されている。
【０１３４】
実施形態によっては、ドーパントは式Ｉｒ（Ｌ１）x（Ｌ２）y（Ｌ３）zを有する錯体であり、式中、
Ｌ１は、炭素および窒素を介して配位しているモノアニオン性の環状メタル化二座配位子であり、
Ｌ２は、炭素を介して配位していないモノアニオン性の二座配位子であり、
Ｌ３は単座配位子であり、
ｘは、１〜３であり、
ｙおよびｚは独立に０〜２であり、
さらに、ｘ、ｙ、およびｚは、イリジウムが六配位であり、錯体が電気的に中性となるように選択される。
この式の幾つかの例として、Ｉｒ（Ｌ１）3；Ｉｒ（Ｌ１）2（Ｌ２）；およびＩｒ（Ｌ１）2（Ｌ３）（Ｌ３’）［式中、Ｌ３は陰イオンであり、Ｌ３’は非イオン性である］があるが、これらに限定されない。
【０１３５】
Ｌ１配位子の例としては、フェニルピリジン類、フェニルキノリン類、フェニルピリミジン類、フェニルピラゾール類、チエニルピリジン類、チエニルキノリン類、チエニルピリミジン類、およびそれらの重水素化類似体があるが、これらに限定されない。本明細書で使用される「キノリン類」という用語は、特に明記されていない限り、「イソキノリン類」を含む。フッ素化誘導体は、１つまたは複数のフッ素置換基を有していてよい。実施形態によっては、１〜３個のフッ素置換基が配位子の非窒素環（ｎｏｎ−ｎｉｔｒｏｇｅｎ  ｒｉｎｇ）上にある。
【０１３６】
モノアニオン性の二座配位子であるＬ２は、金属配位化学の技術分野において周知である。一般に、こうした配位子は配位原子としてＮ、Ｏ、Ｐ、またはＳを有し、イリジウムに配位結合するとき５員環または６員環を形成する。好適な配位基としては、アミノ、イミノ、アミド、アルコキシド、カルボキシレート、ホスフィノ、チオレート、およびそれらの重水素化類似体があるが、これらに限定されない。こうした配位子の好適な親化合物の例として、β−ジカルボニル類（β−エノレート配位子）、およびそれらのＮおよびＳ類似体；アミノカルボン酸類（アミノカルボキシレート配位子）；ピリジンカルボン酸（イミノカルボキシレート配位子）；サリチル酸誘導体（サリチレート配位子）；ヒドロキシキノリン類（ヒドロキシキノリナート配位子）およびそれらのＳ類似体；ホスフィノアルカノール類（ホスフィノアルコキシド配位子）；およびそれらの重水素化類似体がある。
【０１３７】
単座配位子であるＬ３は、陰イオンまたは非イオン性であってよい。陰イオン配位子としては、Ｈ-（「水素化物」）ならびに配位原子としてＣ、ＯまたはＳを有する配位子があるが、これらに限定されない。配位基としては、アルコキシド、カルボキシレート、チオカルボキシレート、ジチオカルボキシレート、スルホネート、チオレート、カルバメート、ジチオカルバメート、チオカルバゾン陰イオン、スルホンアミド陰イオン、およびそれらの重水素化類似体があるが、これらに限定されない。場合によっては、Ｌ２として上に挙げた配位子（β−エノレート類およびホスフィノアルコキシド類（ｐｈｏｓｐｈｉｎｏａｋｏｘｉｄｅｓ）など）は、単座配位子として働くことができる。単座配位子は、ハロゲン化物、シアン化物、イソシアン化物、硝酸塩、サルフェート、ヘキサハロアンチモネート（ｈｅｘａｈａｌｏａｎｔｉｍｏｎａｔｅ）などの配位陰イオンであってよい。これらの配位子は一般に市販されている。
【０１３８】
Ｌ３単座配位子は、非イオン性配位子（ＣＯなど）、単座ホスフィン配位子、または重水素化単座ホスフィン配位子であってよい。
【０１３９】
実施形態によっては、１種または複数種の配位子は、Ｆおよびフッ素化アルキルよりなる群から選択される少なくとも１種の置換基を有する。
【０１４０】
イリジウム錯体ドーパントは、例えば、非重水素化類似体に関して米国特許第６，６７０，６４５号明細書に記載されているのと同様の標準的合成法を用いて作ることができる。
【０１４１】
実施形態によっては、エレクトロルミネセンス物質は小さい有機化合物である。小分子のルミネセンス化合物の例としては、クリセン類、ピレン類、ペリレン類、ルブレン類、ペリフラテン類、フルオランテン類、スチルベン類、クマリン類、アントラセン類、チアジアゾール類、それらの誘導体、それらの重水素化類似体、およびそれらの混合物があるが、それらに限定されない。
【０１４２】
実施形態によっては、エレクトロルミネセンス物質は以下の構造の１つを有する：
【０１４３】
【化１６】
2012513688.tif 000018
【０１４４】
ここで、構造は非置換であってもよく、あるいはアルキル基またはアリール基でさらに置換されていてもよい。化合物は、１０％〜１００％が重水素化されている。
【０１４５】
実施形態によっては、ドーパントは、高分子ではないスピロビフルオレン化合物およびフルオランテン化合物よりなる群から選択される。
【０１４６】
実施形態によっては、エレクトロルミネセンス物質はアリールアミン基を有する化合物である。実施形態によっては、エレクトロルミネセンス物質は、以下の式から選択される：
【０１４７】
【化１７】
2012513688.tif 000019
【０１４８】
上式において、
Ａは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、３〜６０個の炭素原子を有する芳香族基であり；
Ｑ’は、単結合であるか、または３〜６０個の炭素原子を有する芳香族基であり；
ｐおよびｑは、同一または異なっており、それぞれは１〜６の整数である。
上記の式において、ｐおよびｑの値は、核のＱ’基上の利用可能な結合部位によって制限されうる。
【０１４９】
上記の式の実施形態によっては、化合物は少なくとも１０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも２０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも３０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも４０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも５０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも６０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも７０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも８０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも９０％が重水素化されており、実施形態によっては、１００％が重水素化されている。
【０１５０】
上記の式の実施形態によっては、各式中のＡおよびＱ’の少なくとも一方が、少なくとも３個の縮合環を有する。実施形態によっては、ｐおよびｑは１に等しい。
【０１５１】
実施形態によっては、Ｑ’はスチリル基またはスチリルフェニル基である。
【０１５２】
実施形態によっては、Ｑ’は、少なくとも２個の縮合環を有する芳香族基である。実施形態によっては、Ｑ’は、ナフタレン、アントラセン、ベンズ［ａ］アントラセン、ジベンズ［ａ，ｈ］アントラセン、フルオランテン、フルオレン、スピロフルオレン、テトラセン、クリセン、ピレン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、クマリン、ローダミン、キナクリドン、ルブレン、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。
【０１５３】
実施形態によっては、Ａは、フェニル、ビフェニル、トリル、ナフチル、ナフチルフェニル、アントラセニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。
【０１５４】
実施形態によっては、エレクトロルミネセンス物質は次の構造を有する：
【０１５５】
【化１８】
2012513688.tif 000020
【０１５６】
上式において、Ａは芳香族基であり、ｐは１または２であり、Ｑ’は以下よりなる群から選択される：
【０１５７】
【化１９】
2012513688.tif 000021
【０１５８】
【化２０】
2012513688.tif 000022
【０１５９】
【化２１】
2012513688.tif 000023
【０１６０】
上式において、
Ｒは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、Ｄ、アルキル、アルコキシおよびアリールよりなる群から選択され、ここで、隣接したＲ基は結合して５員または６員の脂肪族環を形成してよく；
Ａｒは、同一または異なっていて、アリール基よりなる群から選択され；
ここで、化合物は少なくとも１個のＤを有する。
式中の破線は、Ｒ基（存在する場合）が核のＱ’基上の任意の部位にあってよいことを示すことを意図する。
【０１６１】
実施形態によっては、エレクトロルミネセンス物質は以下の式を有する：
【０１６２】
【化２２】
2012513688.tif 000024
【０１６３】
上式において、
Ｙは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、３〜６０個の炭素原子を有する芳香族基であり；
Ｑ’’は、芳香族基、二価のトリフェニルアミン残基、または単結合である。
【０１６４】
実施形態によっては、エレクトロルミネセンスはアリールアセンまたはその重水素化類似体である。実施形態によっては、エレクトロルミネセンス物質は、非対称のアリールアセンまたはその重水素化類似体である。
【０１６５】
実施形態によっては、エレクトロルミネセンス物質は、式ＩＶを有するアントラセン誘導体である：
【０１６６】
【化２３】
2012513688.tif 000025
上式において、
Ｒ2は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、Ｄ、アルキル、アルコキシおよびアリールよりなる群から選択され、ここで、隣接したＲ2基は結合して５員または６員の脂肪族環を形成してよく；
Ａｒ3〜Ａｒ6は、同一または異なっていて、アリール基および重水素化アリール基よりなる群から選択され；
ｈは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、０〜４の整数であり；
ここで、少なくとも１個のＤがある。
【０１６７】
実施形態によっては、エレクトロルミネセンス物質は式Ｖを有するクリセン誘導体である：
【０１６８】
【化２４】
2012513688.tif 000026
【０１６９】
上式において、
Ｒ3は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、Ｄ、アルキル、アルコキシアリール、フルオロ、シアノ、ニトロ、−ＳＯ2Ｒ4［ここで、Ｒ4はアルキルまたはパーフルオロアルキルである］よりなる群から選択され、ここで、隣接したＲ3基は結合して５員または６員の脂肪族環を形成してよく；
Ａｒ3〜Ａｒ6は、同一または異なっていて、アリール基よりなる群から選択され；さらに
ｉは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、０〜５の整数であり；
ここで、少なくとも１個のＤがある。
【０１７０】
式ＩＶおよびＶの実施形態によっては、アリール環上の置換基が重水素化されている。重水素化置換基を有するアリール基は、式ＩＶのアントラセン核基または式Ｖのクリセン核基；あるいは窒素上のアリール；あるいは置換基のアリール基であってよい。実施形態によっては、アリール環上の重水素化置換基は、アルキル、アリール、アルコキシ、およびアリールオキシから選択される。実施形態によっては、置換基は少なくとも１０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも２０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも３０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも４０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも５０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも６０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも７０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも８０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも９０％重水素化されている。
【０１７１】
式ＩＶおよびＶの実施形態によっては、任意の１つまたは複数のアリール基Ａｒ3〜Ａｒ6が重水素化されている。この場合、Ａｒ3〜Ａｒ6の少なくとも１つが重水素化アリール基である。実施形態によっては、Ａｒ3〜Ａｒ6は少なくとも１０％が重水素化されている。このことは、Ａｒ3〜Ａｒ6中のアリールのＣに結合した利用可能なすべてのＨの少なくとも１０％がＤで置換されていることを意味する。実施形態によっては、各アリール環が幾らかのＤを有することになる。実施形態によっては、アリール環の全部ではないが、その一部がＤを有する。実施形態によっては、Ａｒ3〜Ａｒ6は、少なくとも２０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも３０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも４０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも５０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも６０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも７０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも８０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも９０％が重水素化されている。
【０１７２】
式ＩＶおよびＶの実施形態によっては、置換基（Ｒ2またはＲ3）およびアリール基の両方で重水素化されている。実施形態によっては、式ＩＶおよびＶの化合物は、少なくとも１０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも２０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも３０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも４０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも５０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも６０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも７０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも８０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも９０％が重水素化されており、実施形態によっては、１００％が重水素化されている。
【０１７３】
式ＩＶおよびＶの実施形態によっては、化合物は、アミノ基を中心にして対称的である。この場合、Ａｒ3＝Ａｒ5、およびＡｒ4＝Ａｒ6であり、ここでＡｒ3はＡｒ4と同じであっても異なっていてもよい。
【０１７４】
式ＩＶおよびＶの実施形態によっては、化合物はアミノ基を中心にして対称的ではない。この場合、Ａｒ3は、Ａｒ5およびＡｒ6の両方と異なっている。Ａｒ3は、Ａｒ4と同じであっても異なっていてもよく、Ａｒ4は、Ａｒ5およびＡｒ6のそれぞれと同じであっても異なっていてもよい。
【０１７５】
式ＩＶの実施形態によっては、両方のｈが０である。
【０１７６】
式ＩＶの実施形態によっては、少なくとも１つのｈが０より大きい。実施形態によっては、少なくとも１つのＲ2が炭化水素アルキルである。実施形態によっては、Ｒ2は重水素化アルキルである。実施形態によっては、Ｒ2は、分枝状炭化水素アルキルおよび環状炭化水素アルキルから選択される。
【０１７７】
式ＩＶの実施形態によっては、両方のｈが４に等しく、Ｒ2はＤである。
【０１７８】
式Ｖでは、（Ｒ3）iとの結合は、Ｒ3基が２つの縮合環上の１つまたは複数の任意の部位にあってよいことを示すことを意図する。
【０１７９】
式Ｖの実施形態によっては、両方のｉが０に等しい。
【０１８０】
式Ｖの実施形態によっては、少なくとも１つのｉが０より大きい。実施形態によっては、少なくとも１つのＲ3が炭化水素アルキルである。実施形態によっては、Ｒ3は、分枝状炭化水素アルキルおよび環状炭化水素アルキルから選択される。
【０１８１】
式Ｖの実施形態によっては、両方のｉが５と等しく、Ｒ3はＤである。
【０１８２】
実施形態によっては、Ａｒ3〜Ａｒ6の少なくとも１つのが、上に示した式ａまたは式ｂを有する。
【０１８３】
実施形態によっては、Ａｒ3〜Ａｒ6は、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル、フェニルナフチル（ｐｈｅｎｙｌｎａｐｔｈｙｌ）、ナフチルフェニル、およびビナフチルよりなる群から選択される。
【０１８４】
実施形態によっては、Ａｒ3〜Ａｒ6は過重水素化（ｐｅｒｄｅｕｔｅｒａｔｅｄ）されている。
【０１８５】
実施形態によっては、末端アリール上の１つまたは複数のアルキル基を除いて、Ａｒ3〜Ａｒ6は過重水素化されている。
【０１８６】
重水素化エレクトロルミネセンス物質の一部の非限定例を、以下にＥ１〜Ｅ１３として示す：
化合物Ｅ１：
【０１８７】
【化２５】
2012513688.tif 000027
【０１８８】
化合物Ｅ２：
【０１８９】
【化２６】
2012513688.tif 000028
【０１９０】
化合物Ｅ３：
【０１９１】
【化２７】
2012513688.tif 000029
【０１９２】
化合物Ｅ４：
【０１９３】
【化２８】
2012513688.tif 000030
【０１９４】
化合物Ｅ５：
【０１９５】
【化２９】
2012513688.tif 000031
【０１９６】
化合物Ｅ６：
【０１９７】
【化３０】
2012513688.tif 000032
【０１９８】
化合物Ｅ７：
【０１９９】
【化３１】
2012513688.tif 000033
【０２００】
化合物Ｅ８：
【０２０１】
【化３２】
2012513688.tif 000034
【０２０２】
化合物Ｅ９：
【０２０３】
【化３３】
2012513688.tif 000035
【０２０４】
化合物Ｅ１０：
【０２０５】
【化３４】
2012513688.tif 000036
【０２０６】
化合物Ｅ１１：
【０２０７】
【化３５】
2012513688.tif 000037
【０２０８】
Ｅ１２：
【０２０９】
【化３６】
2012513688.tif 000038
【０２１０】
Ｅ１３：
【０２１１】
【化３７】
2012513688.tif 000039
【０２１２】
ｂ．ホスト
単一のホスト化合物または２種以上のホスト化合物が、ホスト物質として存在してよい。ホスト化合物の非重水素化の例は、例えば、米国特許第７，３６２，７９６号明細書、および米国特許出願公開第２００６−０１１５６７６号明細書に開示されている。
【０２１３】
実施形態によっては、ホスト物質は少なくとも１０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも２０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも３０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも４０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも５０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも６０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも７０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも８０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも９０％重水素化されている。実施形態によっては、ホスト物質は１００％が重水素化されている。
【０２１４】
実施形態によっては、ホスト物質は、アントラセン類、クリセン類、ピレン類、フェナントレン類、トリフェニレン類、フェナントロリン類、ナフタレン類、アントラセン類、キノリン類、イソキノリン類、キノキサリン類、フェニルピリジン類、ジベンゾフラン類、ジフラノベンゼン類（ｄｉｆｕｒａｎｏｂｅｎｚｅｎｅｓ）、金属キノリネート錯体、インドロカルバゾール類、ベンズイミダゾール類、トリアゾロピリジン類、ジヘテロアリールフェニル類、それらの置換誘導体、それらの重水素化類似体、およびそれらの組合せよりなる群から選択される。実施形態によっては、前述のホスト化合物は、アリール、アルキル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される置換基を有する。実施形態によっては、ヘテロアリール基は、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン類、テトラジン類、キナゾリン、キノキサリン、ナフチルピリジン類、それらのヘテロビアリール類似体、それらのヘテロトリアリール類似体、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。
【０２１５】
実施形態によっては、ホストは、以下の構造１〜９またはそれらの重水素化類似体から選択される。
【０２１６】
【化３８】
2012513688.tif 000040
【０２１７】
上式において、Ｒは、アリール、ヘテロアリール、およびアルキルから選択される。実施形態によっては、ヘテロアリール基は、以下の構造１０〜２０、またはそれらの重水素化類似体から選択される。
【０２１８】
【化３９】
2012513688.tif 000041
【０２１９】
実施形態によっては、この基はヘテロビアリール誘導体またはヘテロトリアリール誘導体である。
【０２２０】
実施形態によっては、ホスト物質は以下に示す構造の１つを有する。
【０２２１】
【化４０】
2012513688.tif 000042
【０２２２】
上式において、Ｒは、アリール、ヘテロアリール、およびアルキルから選択され、化合物は重水素化されていてよい。実施形態によっては、上記の構造は、アリールまたはヘテロアリール基でさらに置換されている。実施形態によっては、ヘテロアリール基は、上記の構造１０〜２０、またはそれらの重水素化類似体から選択される。
【０２２３】
実施形態によっては、ホスト物質は式ＶＩを有する：
【０２２４】
【化４１】
2012513688.tif 000043
【０２２５】
上式において、
Ａｒ7は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、アリール基であり；
Ｑは、多価アリール基および
【０２２６】
【化４２】
2012513688.tif 000044
【０２２７】
よりなる群から選択され；
Ｔは、（ＣＲ’）a、ＳｉＲ2、Ｓ、ＳＯ2、ＰＲ、ＰＯ、ＰＯ2、ＢＲ、およびＲよりなる群から選択され；
Ｒは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、アルキル、およびアリールよりなる群から選択され；
Ｒ’は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、Ｈ、Ｄ、およびアルキルよりなる群から選択され；
ａは、１〜６の整数であり；さらに
ｎは、０〜６の整数である。
ｎは０〜６の値を取りうるが、一部のＱ基では、ｎの値は基の化学的性質による制約を受けることが理解されるであろう。実施形態によっては、ｎは０または１である。
【０２２８】
式ＶＩの実施形態によっては、隣接したＡｒ基が結合してカルバゾールなどの環を形成する。式ＶＩでは、「隣接した」とは、それらのＡｒ基が同じＮに結合していることを意味する。
【０２２９】
実施形態によっては、Ａｒ7は独立に、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、クアテルフェニル、ナフチル、フェナントリル、ナフチルフェニル、フェナントリルフェニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。クアテルフェニルより多い、５〜１０個のフェニル環を有する類似体も使用できる。
【０２３０】
実施形態によっては、Ａｒ7の少なくとも１つが少なくとも１種の置換基を有する。ホスト物質の物理特性または電子特性を変えるために、置換基を存在させることができる。実施形態によっては、置換基によりホスト物質の加工性が改善される。実施形態によっては、置換基により、ホスト物質の溶解度が増大し、かつ／またはそのＴｇが増大する。実施形態によっては、置換基は、Ｄ、アルキル基、アルコキシ基、シリル基、シロキサン、およびそれらの組合せよりなる群から選択される。
【０２３１】
実施形態によっては、Ｑは少なくとも２個の縮合環を有するアリール基である。実施形態によっては、Ｑは３〜５個の縮合芳香族環を有する。実施形態によっては、Ｑは、アントラセン類、クリセン類、ピレン類、フェナントレン類、トリフェニレン類、フェナントロリン類、ナフタレン類、アントラセン類、キノリン類、イソキノリン類、キノキサリン類、フェニルピリジン類、ジベンゾフラン類、ジフラノベンゼン類、インドロカルバゾール類、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。
【０２３２】
実施形態によっては、ホスト化合物は式ＶＩＩを有する：
【０２３３】
【化４３】
2012513688.tif 000045
【０２３４】
上式において、
Ｒ4〜Ｒ11は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、Ｈ、Ｄ、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールオキシ、シロキサン、およびシリルよりなる群から選択され；
Ａｒ8およびＡｒ9は同一または異なっていて、アリール基よりなる群から選択され；さらに
Ａｒ10およびＡｒ11は同一または異なっていて、Ｈ、Ｄ、およびアリール基よりなる群から選択され、
ここで、少なくとも１個のＤがある。
【０２３５】
式ＶＩＩの実施形態によっては、少なくとも１個のＤがアリール環の置換基上にある。実施形態によっては、置換基はアルキルおよびアリールから選択される。
【０２３６】
式ＶＩＩの実施形態によっては、Ｒ4〜Ｒ11の少なくとも１つがＤである。実施形態によっては、Ｒ4〜Ｒ11の少なくとも２つがＤである。実施形態によっては、少なくとも３つがＤであり；実施形態によっては、少なくとも４つがＤであり；実施形態によっては、少なくとも５つがＤであり；実施形態によっては、少なくとも６つがＤであり；実施形態によっては、少なくとも７つがＤである。実施形態によっては、Ｒ4〜Ｒ11のすべてがＤである。
【０２３７】
実施形態によっては、Ｒ4〜Ｒ11はＨおよびＤから選択される。実施形態によっては、Ｒ4〜Ｒ11の１つがＤであり、７つがＨである。実施形態によっては、Ｒ4〜Ｒ11の２つがＤであり、６つがＨである。実施形態によっては、Ｒ4〜Ｒ11の３つがＤであり、５つがＨである。実施形態によっては、Ｒ4〜Ｒ11の４つがＤであり、４つがＨである。実施形態によっては、Ｒ4〜Ｒ11の５つがＤであり、３つがＨである。実施形態によっては、Ｒ4〜Ｒ11の６つがＤであり、２つがＨである。実施形態によっては、Ｒ4〜Ｒ11の７つがＤであり、１つがＨである。実施形態によっては、Ｒ4〜Ｒ11の８つがＤである。
【０２３８】
実施形態によっては、Ｒ4〜Ｒ11の少なくとも１つが、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールオキシ、シロキサン、およびシリルから選択され、Ｒ4〜Ｒ11の残りがＨおよびＤから選択される。実施形態によっては、Ｒ5は、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールオキシ、シロキサン、およびシリルから選択される。実施形態によっては、Ｒ5はアルキルおよびアリールから選択される。実施形態によっては、Ｒ5は重水素化アルキルおよび重水素化アリールから選択される。実施形態によっては、Ｒ5は、少なくとも１０％が重水素化されている重水素化アリールから選択される。実施形態によっては、Ｒ5は、少なくとも２０％が重水素化されている重水素化アリールから、実施形態によっては、少なくとも３０％が重水素化されているものから、実施形態によっては、少なくとも４０％が重水素化されているものから、実施形態によっては、少なくとも５０％が重水素化されているものから、実施形態によっては、少なくとも６０％が重水素化されているものから、実施形態によっては、少なくとも７０％が重水素化されているものから、実施形態によっては、少なくとも８０％が重水素化されているものから、実施形態によっては、少なくとも９０％重水素化されているものから選択される。実施形態によっては、Ｒ2は、１００％が重水素化されている重水素化アリール類から選択される。
【０２３９】
式ＶＩＩの実施形態によっては、Ａｒ8〜Ａｒ11の少なくとも１つが重水素化アリールである。実施形態によっては、Ａｒ10およびＡｒ11は、Ｄおよび重水素化アリール類から選択される。
【０２４０】
式ＶＩＩの実施形態によっては、Ａｒ8〜Ａｒ11は少なくとも１０％が重水素化されている。式ＶＩＩの実施形態によっては、Ａｒ8〜Ａｒ11は、少なくとも２０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも３０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも４０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも５０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも６０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも７０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも８０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも９０％が重水素化されており、実施形態によっては、１００％が重水素化されている。
【０２４１】
実施形態によっては、式ＶＩＩの化合物は、少なくとも１０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも２０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも３０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも４０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも５０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも６０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも７０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも８０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも９０％が重水素化されている。実施形態によっては、化合物は１００％が重水素化されている。
【０２４２】
実施形態によっては、Ａｒ8およびＡｒ9は、フェニル、ナフチル、フェナントリル、アントラセニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。実施形態によっては、Ａｒ8およびＡｒ9は、フェニル、ナフチル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。
【０２４３】
実施形態によっては、Ａｒ10およびＡｒ11は、フェニル、ナフチル、フェナントリル、アントラセニル、フェニルナフチレン、ナフチルフェニレン、それらの重水素化誘導体、上に示した式ａまたは式ｂを有する基よりなる群から選択される。
【０２４４】
実施形態によっては、Ａｒ8〜Ａｒ11の少なくとも１つがヘテロアリール基である。実施形態によっては、ヘテロアリール基は重水素化されている。実施形態によっては、ヘテロアリール基は、少なくとも１０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも２０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも３０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも４０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも５０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも６０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも７０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも８０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも９０％が重水素化されている。実施形態によっては、ヘテロアリール基は１００％が重水素化されている。実施形態によっては、ヘテロアリール基は、カルバゾール、ペンゾフラン、ジベンゾフラン、およびそれらの重水素化誘導体から選択される。
【０２４５】
式ＶＩＩの実施形態によっては、Ｒ4〜Ｒ11の少なくとも１つがＤであり、Ａｒ8〜Ａｒ11の少なくとも１つが重水素化アリールである。実施形態によっては、化合物は少なくとも１０％が重水素化されている。実施形態によっては、化合物は少なくとも２０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも３０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも４０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも５０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも６０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも７０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも８０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも９０％が重水素化されている。実施形態によっては、化合物は１００％が重水素化されている。
【０２４６】
実施形態によっては、ホスト化合物は式ＶＩＩＩを有する。
【０２４７】
【化４４】
2012513688.tif 000046
【０２４８】
上式において、
Ｒ12は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、Ｄ、アルキル、アルコキシ、シリル、およびシロキサンよりなる群から選択されるか、あるいは隣接したＲ12基が結合して５員または６員の脂肪族環を形成してよいか、
Ａｒ12およびＡｒ13は、同一または異なっていて、アリール基であり、
ｊは、０〜６の整数であり；
ｋは、０〜２の整数であり；さらに
ｌは、０〜３の整数であり；
ここで、少なくとも１個のＤがある。
【０２４９】
実施形態によっては、Ｒ12はＤであり、ｊ、ｋ、およびｌの少なくとも１つは０より大きい。実施形態によっては、Ｒ12はＤであり、ｊ、ｋ、およびｌはすべて０より大きい。実施形態によっては、Ｒ12はＤであり、ｊ＝５〜６、ｋ＝１〜２およびｌ＝２〜３である。
【０２５０】
実施形態によっては、少なくとも１つのＲ12は分枝状アルキル基である。実施形態によっては、分枝状アルキル基は、２−プロピル基、ｔ−ブチル基、またはそれらの重水素化類似体である。
【０２５１】
実施形態によっては、Ａｒ12およびＡｒ13は、Ｄ、アルキル、シリル、フェニル、ナフチル、Ｎ−カルバゾリル、およびフルオレニルよりなる群から選択される置換基を有するフェニル基である。
【０２５２】
実施形態によっては、Ａｒ12およびＡｒ13は、フェニル、ビフェニル、ナフチル、フェナントリル、アントラセニル、４−ナフチルフェニル、４−フェナントリルフェニル、それらの重水素化類似体、および上に示した式ａまたは式ｂを有する基よりなる群から選択される。
【０２５３】
実施形態によっては、ホスト化合物は式ＩＸを有する。
【０２５４】
【化４５】
2012513688.tif 000047
【０２５５】
上式において、
Ｒ13は、同一または異なっていて、フェニル、ビフェニル、ナフチル、ナフチルフェニル、トリフェニルアミノ、カルバゾリルフェニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択され；
さらに、以下の条件の１つを満たし：
（ｉ）Ｒ14＝Ｒ15であり、かつＨ、Ｄ、フェニル、ビフェニル、ナフチル、ナフチルフェニル、アリールアントラセニル（ａｒｙｌａｎｔｈｒａｃｅｎｙｌ）、フェナントリル、トリフェニルアミノ、カルバゾリルフェニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択されるか；
あるいは
（ｉｉ）Ｒ14が、Ｈ、Ｄ、フェニル、およびペルジュウテロフェニル（ｄｅｕｔｅｒｏ−ｐｈｅｎｙｌ）よりなる群から選択される；
Ｒ15が、フェニル、ビフェニル、ナフチル、ナフチルフェニル、アリールアントラセニル、フェナントリル、トリフェニルアミノ、カルバゾリルフェニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択され；
ここで、少なくとも１個のＤがある。
【０２５６】
実施形態によっては、フェナントロリン化合物は対称的であって、両方のＲ13が同じでありかつＲ14＝Ｒ15である。実施形態によっては、Ｒ13＝Ｒ14＝Ｒ15である。実施形態によっては、フェナントロリン化合物は非対称であって、２つのＲ13基が異なっているか、Ｒ14≠Ｒ15、またはその両方である。
【０２５７】
実施形態によっては、Ｒ13基は同じであって、ビフェニル、ナフチル、ナフチルフェニル、トリフェニルアミノ、カルバゾリルフェニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。実施形態によっては、Ｒ13基は、フェニル、トリフェニルアミノ、カルバゾリルフェニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。実施形態によっては、Ｒ13基は、４−トリフェニルアミノ、ｍ−カルバゾリルフェニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。
【０２５８】
実施形態によっては、Ｒ13＝Ｒ14であって、トリフェニルアミノ、ナフチルフェニル、アリールアントラセニル、ｍ−カルバゾリルフェニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。
【０２５９】
実施形態によっては、ホストは式Ｘまたは式ＸＩを有する。
【０２６０】
【化４６】
2012513688.tif 000048
【０２６１】
上式において、
Ｒ16は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、水素、重水素、フェニル、ビフェニル、ナフチル、ナフチルフェニル、フェナントリル、トリフェニルアミノ、カルバゾリル、カルバゾリルフェニル、およびそれらの重水素化誘導体よりなる群から選択され；
Ｒ17は、ＨまたはＤであり；さらに
Ｑ’’’はアリール基であり；
ここで、少なくとも１個のＤがある。
【０２６２】
実施形態によっては、Ｑ’’’は、フェニレン、ナフチレン、ビフェニレン、ビナフチレン、およびそれらの重水素化誘導体よりなる群から選択される。実施形態によっては、Ｑ’’’は、１，４−フェニレン、２，６−ナフチレン、４，４’−ビフェニレン、４，４’−（１，１’−ビナフチレン）、およびそれらの重水素化誘導体よりなる群から選択される。
【０２６３】
１つの実施形態では、ホストは、式ＸＩＩまたは式ＸＩＩＩを有する重水素化インドロカルバゾールである：
【０２６４】
【化４７】
2012513688.tif 000049
【０２６５】
上式において、
Ａｒ14は、芳香族電子輸送基であり；
Ａｒ15は、アリール基および芳香族電子輸送基よりなる群から選択され；さらに
Ｒ18およびＲ19はそれぞれの出現箇所で同一または異なっていて、Ｈ、Ｄおよびアリールよりなる群から選択され；
ここで、化合物は少なくとも１個のＤを有する。
【０２６６】
式ＸＩＩおよび式ＸＩＩＩの実施形態によっては、重水素が、インドロカルバゾール核、アリール環、アリール環上の置換基、およびそれらの組合せよりなる群から選択される部分に存在する。
【０２６７】
Ａｒ14は、芳香族電子輸送基である。実施形態によっては、芳香族電子輸送基は含窒素ヘテロ芳香族基である。電子輸送を行う含窒素ヘテロ芳香族基の例の中には、以下に示すものがあるが、これらに限定されない。
【０２６８】
【化４８】
2012513688.tif 000050
【０２６９】
【化４９】
2012513688.tif 000051
【０２７０】
上式において、
Ａｒ16はアリール基であり；
Ｒ20は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、Ｄ、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールオキシ、シロキサン、およびシリルよりなる群から選択され；
ｍは、０〜４の整数であり；
ｎは、０〜３の整数であり；
ｏは、０〜２の整数であり；
ｐは、０〜５の整数であり；
ｑは、０または１であり；さらに
ｒは、０〜６の整数である。
基は、波線で示した位置のいずれでも核上の窒素と結合できる。
【０２７１】
実施形態によっては、同一または異なっている電子求引性置換基の２つ以上が結合してオリゴマー置換基を形成する。実施形態によっては、Ｒ20は、Ｄおよびアリールよりなる群から選択される。実施形態によっては、Ｒ20は含窒素ヘテロ芳香族の電子輸送基である。
【０２７２】
実施形態によっては、Ａｒ15は、上述の芳香族電子輸送基である。実施形態によっては、Ａｒ15は、フェニル、ナフチル、フェナントリル、アントラセニル、フェニルナフチレン、ナフチルフェニレン、それらの重水素化誘導体、および上述の式ａまたは式ｂを有する基よりなる群から選択される。
【０２７３】
実施形態によっては、ホスト物質は、重水素化ジアリールアントラセン類、重水素化アミノクリセン類、重水素化ジアリールクリセン類、重水素化ジアリールピレン類、重水素化インドロカルバゾール類、重水素化フェナントロリン類、およびそれらの組合せよりなる群から選択される。
【０２７４】
重水素化ホスト化合物の非限定例の中には、以下に示す化合物Ｈ１〜Ｈ１７がある。
化合物Ｈ１：
【０２７５】
【化５０】
2012513688.tif 000052
【０２７６】
［式中、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｎ＝１〜２６］
化合物Ｈ５：
【０２７７】
【化５１】
2012513688.tif 000053
【０２７８】
［式中、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｐ＋ｎ＋ｑ＝１〜３４］
化合物Ｈ８：
【０２７９】
【化５２】
2012513688.tif 000054
【０２８０】
化合物Ｈ９：
【０２８１】
【化５３】
2012513688.tif 000055
【０２８２】
化合物Ｈ１３：
【０２８３】
【化５４】
2012513688.tif 000056
【０２８４】
化合物Ｈ１４：
【０２８５】
【化５５】
2012513688.tif 000057
【０２８６】
化合物Ｈ１５：
【０２８７】
【化５６】
2012513688.tif 000058
【０２８８】
化合物Ｈ１６：
【０２８９】
【化５７】
2012513688.tif 000059
【０２９０】
［ここで、Σ（ａ−ｆ）＝１〜２５］
化合物Ｈ１７：
【０２９１】
【化５８】
2012513688.tif 000060
【０２９２】
［ここで、Σ（ａ−ｆ）＝１〜２８］
【０２９３】
５．電子輸送層
電子輸送層１５０は電子輸送物質を含む。層、物質、部材、または構造に言及している場合の「電子輸送」という用語は、そのような層、物質、部材、または構造によって、比較的効率的かつ低電荷損失で、負電荷が、そのような層、物質、部材、または構造の厚い部分を通って移動するのが促進されることを意味することを意図する。発光物質も幾らかの電子輸送特性を有しうるが、「電子輸送の層、物質、部材、または構造」という用語は、主要機能が発光である層、物質、部材、または構造を含むことを意図しない。
【０２９４】
電子輸送物質は、ポリマー、オリゴマー、または小分子でありうる。それらは、溶液、分散液、懸濁液、エマルジョン、コロイド状混合物、または他の組成物の形であり得る液体から付着させるか、あるいは蒸着させることができる。
【０２９５】
実施形態によっては、電子輸送層は重水素化物質を含む。実施形態によっては、電子輸送物質は、少なくとも１０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも２０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも３０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも４０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも５０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも６０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも７０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも８０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも９０％が重水素化されており、実施形態によっては、１００％が重水素化されている。
【０２９６】
実施形態によっては、電子輸送層１５０は、上述の式ＩＸ、式Ｘ、または式ＸＩを有する重水素化フェナントロリン誘導体を含む。実施形態によっては、電子輸送層１５０は、式ＩＸ、式Ｘ、または式ＸＩを有する重水素化フェナントロリン誘導体から本質的になる。
【０２９７】
実施形態によっては、電子輸送層１５０は、上述の式ＸＩＩまたは式ＸＩＩＩを有する重水素化インドロカルバゾール誘導体を含む。実施形態によっては、電子輸送層１５０は、式ＸＩＩまたは式ＸＩＩＩを有する重水素化インドロカルバゾール誘導体から本質的になる。
【０２９８】
実施形態によっては、電子輸送層は、重水素化ベンズイミダゾール類、重水素化トリアゾロピリジン類および重水素化ジヘテロアリールフェニル類よりなる群から選択される物質を含む。
【０２９９】
実施形態によっては、電子輸送層１５０は、重水素化金属キレート化オキシノイド（ｄｅｕｔｅｒａｔｅｄ  ｍｅｔａｌ  ｃｈｅｌａｔｅｄ  ｏｘｉｎｏｉｄ）化合物を含む。そのような物質の例として、重水素化トリス（８−ヒドロキシキノラト）アルミニウム（ｄ−ＡｌＱ）、重水素化ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（ｐ−フェニルフェノラト）アルミニウム（ｄ−ＢＡｌｑ）、重水素化テトラキス−（８−ヒドロキシキノラト）ハフニウム（ｄ−ＨｆＱ）および重水素化テトラキス−（８−ヒドロキシキノラト）ジルコニウム（ｄ−ＺｒＱ）などの重水素化金属キノレート誘導体がある。
【０３００】
実施形態によっては、電子輸送層は、重水素化フェナントロリン類、重水素化インドロカルバゾール類、重水素化ベンズイミダゾール類、重水素化トリアゾロピリジン類、重水素化ジヘテロアリールフェニル類、重水素化金属キノレート類、およびそれらの組合せよりなる群から選択される電子輸送物質を含む。実施形態によっては、電子輸送層は、重水素化フェナントロリン類、重水素化インドロカルバゾール類、重水素化ベンズイミダゾール類、重水素化トリアゾロピリジン類、重水素化ジヘテロアリールフェニル類、重水素化金属キノレート類、およびそれらの組合せよりなる群から選択される電子輸送物質から本質的になる。
【０３０１】
電子輸送層１５０に使用できる他の電子輸送物質の例として、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、および１，３，５−トリ（フェニル−２−ベンズイミダゾール）ベンゼン（ＴＰＢＩ）などのアゾール化合物；２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリンなどのキノキサリン誘導体；トリアジン類；フラーレン類；前述の物質のいずれかの重水素化類似体；およびそれらの混合物がある。実施形態によっては、電子輸送層はｎ−ドーパントをさらに含む。ｎ−ドーパント物質はよく知られている。ｎ−ドーパントとしては、１族および２族の金属；１族および２族の金属塩（ＬｉＦ、ＣｓＦ、およびＣｓ2ＣＯ3など）；１族および２族の金属有機化合物（Ｌｉキノレートなど）；および分子のｎ−ドーパント（ロイコ染料など）、金属錯体（Ｗ2（ｈｐｐ）4［ここで、ｈｐｐ＝１，３，４，６，７，８−ヘキサヒドロ−２Ｈ−ピリミド−［１，２−ａ］−ピリミジン］およびコバルトセンなど）、テトラチアナフタセン、ビス（エチレンジチオ）テトラチアフルバレン、複素環式基または複素環式二基（ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ  ｄｉｒａｄｉｃａｌｓ）、ならびに複素環式基または複素環式二基のダイマー、オリゴマー、ポリマー、ジスピロ化合物および多環体（ｐｏｌｙｃｙｃｌｅｓ）があるが、これらに限定されない。ｎ−ドーパントも重水素化されていてよい。
【０３０２】
重水素化電子輸送化合物の非限定例の中には、以下に示す化合物ＥＴ１〜ＥＴ４がある。
ＥＴ１：
【０３０３】
【化５９】
2012513688.tif 000061
【０３０４】
ＥＴ２：
【０３０５】
【化６０】
2012513688.tif 000062
【０３０６】
ここで、Σ（ｘ＋ｙ＋ｚ）＝１〜５４
ＥＴ３：
【０３０７】
【化６１】
2012513688.tif 000063
【０３０８】
ＥＴ４：
【０３０９】
【化６２】
2012513688.tif 000064
【０３１０】
６．化学的閉じ込め
フルカラーの画像のディスプレイを作るには、各ディスプレイピクセル（ｄｉｓｐｌａｙ  ｐｉｘｅｌ）を、それぞれが３種類の主要な表示色（赤色、緑色、および青色）の１つを発する３つのサブピクセルに分割する。異なる色を液体付着技法で施すとき、サブピクセルからサブピクセルへの液体着色物質（すなわち、インキ）の拡散および色の混合を防ぐ必要がある。
【０３１１】
色の混合を防ぐための１つの方法は、着色インキを施す前に、化学的閉じ込め層を設けることである。「化学的閉じ込め層」という用語は、物的障壁構造ではなく表面エネルギー効果によって液体物質の拡散を抑えるかまたは制限するパターン化層を意味することを意図する。層に言及している場合の「閉じ込め」という用語は、層を付着させた領域を著しく超えて層が拡散しないことを意味することを意図する。「表面エネルギー」という用語は、物質から単位面積の表面を作り出すのに必要なエネルギーである。表面エネルギーの特徴は、所与の表面エネルギーを持つ液体物質が、より小さい表面エネルギーを有する表面をぬらさないことである。
【０３１２】
実施形態によっては、化学的閉じ込め層は重水素化物質を含む。実施形態によっては、化学的閉じ込め物質は、少なくとも１０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも２０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも３０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも４０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも５０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも６０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも７０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも８０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも９０％が重水素化されており、実施形態によっては、１００％が重水素化されている。
【０３１３】
実施形態によっては、陽極側から最初に作られるデバイスの場合、化学的閉じ込め層は正孔注入層を覆うように施され、正孔輸送層とエレクトロルミネセンス層の両方を閉じ込める。実施形態によっては、化学的閉じ込め層は正孔輸送層を覆うように施され、エレクトロルミネセンス層を閉じ込める。陰極側から最初に作られるデバイスの場合、化学的閉じ込め層は電子注入層または電子輸送層を覆うように施すことができる。
【０３１４】
実施形態によっては、化学的閉じ込め層は第１層の上に下塗層を用いて形成され、下塗層は、第１層の表面エネルギーとは著しく異なる表面エネルギーを有する。下塗層は第１層上の全体に施す。次いで、下塗層をあるパターンで放射線に暴露し、暴露領域と非暴露領域が生じるようにする。次いで、下塗層を現像（ｄｅｖｅｌｏｐｅｄ）して、暴露領域または非暴露領域から下塗層を効果的に除去する。その結果、第１層上にパターン化された下塗層ができる。そのパターン化された下塗層が化学的閉じ込め層である。「効果的に除去する」および「効果的除去」という用語は、暴露領域または非暴露領域のいずれかにおいて下塗層が基本的に完全に除去されることを意味する。下塗層は、他の領域で部分的に除去されることもありうる。その結果、下塗層の残りのパターンが元の下塗層より薄くなることがある。
【０３１５】
実施形態によっては、下塗層のパターンは、第１層の表面エネルギーより大きい表面エネルギーを有する。第２層は、第１層上の下塗層のパターンを覆うように液体を付着させて形成される。
【０３１６】
実施形態によっては、下塗層のパターンは、第１層の表面エネルギーより小さい表面エネルギーを有する。第２層は、下塗層が除去された領域中にある第１層を覆うように液体を付着させて形成される。この方法および非重水素化物質は、米国特許出願公開第２００７／０２０５４０９号明細書に記載されている。
【０３１７】
相対表面エネルギーを求める方法の１つは、第１有機層での所与の液体の接触角と、暴露して現像した後の下塗層（以下、「現像下塗層」と呼ぶ）での同じ液体の接触角とを比較することである。接触角は、表面エネルギーが低下するにつれて増大する。さまざまな製造業者が、接触角を測定できる装置を作っている。
【０３１８】
実施形態によっては、第１層の表面エネルギーは、下塗層の表面エネルギーより低い。実施形態によっては、第１層は、アニソールとの接触角が４０℃より大きく；実施形態によっては、５０°より大きく；実施形態によっては、６０°より大きく；実施形態によっては、７０°より大きい。実施形態によっては、現像された下塗層は、アニソールとの接触角が３０°より小さく；実施形態によっては、２０°より小さく；実施形態によっては、１０°より小さい。実施形態によっては、所与の溶媒において、現像された下塗層との接触角は第１層との接触角よりも少なくとも２０°小さく；実施形態によっては、所与の溶媒において、現像された下塗層との接触角は第１層との接触角より少なくとも３０°小さく、実施形態によっては、所与の溶媒において、現像された下塗層との接触角は第１層との接触角よりも少なくとも４０°小さい。
【０３１９】
下塗層は、放射線に暴露されると反応して、暴露されていない下塗物質と比べて、下にある第１層から除去しやすくなるかまたは除去しにくくなる物質を生じる組成物を含む。この変化は、暴露領域と非暴露領域との物理的な差異ならびに現像を可能にするほど十分でなければならない。
【０３２０】
１つの実施形態では、下塗層は放射線硬化性組成物を含む。この場合、放射線に暴露されると、下塗層は、液状媒体への可溶性または分散性の低下、粘着性の低下、軟化性の低下、流動性の低下、剥離性の低下（ｌｅｓｓ  ｌｉｆｔａｂｌｅ）、または吸収性の低下が起こりうる。他の物理的性質も影響を受けうる。
【０３２１】
１つの実施形態では、下塗層は１種または複数種の放射線感受性（ｒａｄｉａｔｉｏｎ−ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ）物質から本質的になる。１つの実施形態では、下塗層は、放射線に暴露された場合に、硬化するか、あるいは液状媒体における可溶性の低下、膨潤性の低下、または分散性の低下、あるいは粘着性または吸収性の低下が起きる物質から本質的になる。１つの実施形態では、下塗層は、放射線重合可能な基を有する物質から本質的になる。そのような基の例としては、オレフィン、アクリレート、メタクリレートおよびビニルエーテルがあるが、これらに限定されない。１つの実施形態では、下塗物質は、架橋を生じうる２種以上の重合可能な基を有する。
【０３２２】
１つの実施形態では、下塗層は、少なくとも１種の反応性物質および少なくとも１種の放射線感受性物質から本質的になる。放射線感受性物質は、放射線に暴露されると、反応性物質の反応を開始させる活性種を生じる。放射線感受性物質の例としては、フリーラジカル、酸、またはそれらの組合せを生じる物質があるが、これらに限定されない。
【０３２３】
１つの実施形態では、反応性物質は重合可能または架橋性である。物質の重合反応または架橋反応は、活性種によって開始されるか触媒される。１つの実施形態では、反応性物質はエチレン性不飽和化合物であり、放射線感受性物質はフリーラジカルを生じる。エチレン性不飽和化合物としては、アクリレート、メタクリレート、ビニル化合物、およびそれらの組合せがあるが、これらに限定されない。フリーラジカルを生じる放射線感受性物質は、知られているどんな種類のものでも使用できる。フリーラジカルを生じる放射線感受性物質の例としては、キノン類、ベンゾフェノン類、ベンゾインエーテル類、アリールケトン類、過酸化物類、イミダゾール類、ベンジルジメチルケタール、ヒドロキシルアルキルフェニルアセトホン（ｈｙｄｒｏｘｙｌ  ａｌｋｙｌ  ｐｈｅｎｙｌ  ａｃｅｔｏｐｈｏｎｅ）、ジアルコキシアセトフェノン（ｄｉａｌｋｏｘｙ  ａｃｔｏｐｈｅｎｏｎｅ）、トリメチルベンゾイルホスフィンオキシド誘導体、アミノケトン類、ベンゾイルシクロヘキサノール、メチルチオフェニルモルホリノケトン類、モルホリノフェニルアミノケトン類、アルファハロゲノアセトフェノン類、オキシスルホニルケトン類、スルホニルケトン類、オキシスルホニルケトン類、スルホニルケトン類、ベンゾイルオキシムエステル類、チオキサントロン類（ｔｈｉｏｘａｎｔｈｒｏｎｅｓ）、カンファキノン類、ケトクマリン類、およびミヒラー・ケトンがあるが、これらに限定されない。あるいはまた、放射線感受性物質は、化合物の混合物であってよく、その化合物の１種がフリーラジカルを生じる（放射線によって活性化される増感剤によりそのことが引き起こされたとき）。１つの実施形態では、放射線感受性物質は可視光線または紫外線放射に敏感である。
【０３２４】
放射線感受性物質は一般に、下塗層の全重量を基準にして０．００１％〜１０．０％の量だけ存在する。
【０３２５】
１つの実施形態では、反応性物質は、酸によって開始される重合が起こりうるものであり、放射線感受性物質は酸を生じる。そのような反応性物質の例としては、エポキシ化合物があるが、それらに限定されない。酸を生じる放射線感受性物質の例としては、スルホニウム塩およびヨードニウム塩（ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスファートなど）があるが、これらに限定されない。
【０３２６】
１つの実施形態では、下塗層は放射線軟化性組成物を含む。この場合、放射線に暴露されると、下塗層は、液状媒体への可溶性または分散性の増大、粘着性の増大、軟化性の増大、流動性の増大、剥離性の増大、または吸収性の増大が起こりうる。他の物理的性質も影響を受けうる。
【０３２７】
１つの実施形態では、下塗層は、放射線に暴露された場合に、軟化するか、あるいは液状媒体における可溶性の増大、膨潤性の増大、または分散性の増大が起きるか、あるいは粘着性または吸収性の増大が起きる物質から本質的になる。
【０３２８】
放射線軟化性組成物の１つの例では、反応性物質はフェノール樹脂であり、放射線感受性物質はジアゾナフトキノン（ｄｉａｚｏｎａｐｈｔｈｏｑｕｉｎｏｎｅ）である。
【０３２９】
放射線軟化性組成物の１つの例では、下塗層は、波長が２００〜３００ｎｍの範囲である深紫外線に暴露されると骨格劣化が起きる少なくとも１種のポリマーから本質的になる。そのような劣化が起こるポリマーの例として、ポリアクリレート類、ポリメタクリレート類、ポリケトン類、ポリスルホン類、それらのコポリマー、およびそれらの混合物があるが、これらに限定されない。
【０３３０】
当該技術分野において知られている他の放射線感受性の系も使用できる。
【０３３１】
１つの実施形態では、下塗層は、放射線に暴露されると、下にある領域と反応する。この反応の正確なメカニズムは、使用する物質によって異なるであろう。放射線に暴露された後、下塗層は、好適な現像処理によって非暴露領域において効果的に除去される。実施形態によっては、下塗層は非暴露領域のみで除去される。実施形態によっては、下塗層は暴露領域でも部分的に除去され、そうした領域に薄い層が残る。実施形態によっては、暴露領域に残る下塗層は厚さが５０Å未満である。実施形態によっては、暴露領域に残る下塗層は基本的に厚さが単分子層である。
【０３３２】
実施形態によっては、下塗物質が重水素化される。「重水素化」という用語は、少なくとも１個のＨがＤで置換されていることを意味することを意図する。「重水素化類似体」という用語は、１つまたは複数個の利用可能な水素が重水素で置換されている化合物または基の構造的類似体を表す。重水素化合物または重水素化類似体では、重水素が、自然の存在レベルの少なくとも１００倍存在する。実施形態によっては、下塗物質は少なくとも１０％が重水素化されている。これは、水素の少なくとも１０％が重水素で置換されていることを意味する。実施形態によっては、下塗物質は少なくとも２０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも３０％が重水素化されており、；実施形態によっては、少なくとも４０％が重水素化されており、；実施形態によっては、少なくとも５０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも６０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも７０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも８０％が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも９０％が重水素化されており、実施形態によっては、１００％が重水素化されている。
【０３３３】
下塗層は、任意の周知の付着法で施すことができる。１つの実施形態では、下塗層は溶媒に添加されることなく施される。１つの実施形態では、下塗層は蒸着によって施される。
【０３３４】
１つの実施形態では、下塗層は凝結法で施す。下塗層を蒸気相からの凝結で施す場合に、蒸気凝結の間に表面層温度があまりに高いと、下塗層は有機基板表面の細孔または自由体積に入り込むことがある。実施形態によっては、有機基板は、基板物質のガラス転移温度または溶融温度より下の温度に維持する。温度は、周知の任意の手法（流れる液体または気体によって冷却される表面上に第１層を置くなど）によって維持できる。
【０３３５】
１つの実施形態では、下塗層は、凝結ステップに先だって、一時的支持体に施されて下塗層の均一コーティングが形成される。これは、液体付着、蒸着、および熱転写を含め任意の付着法で実施できる。１つの実施形態では、下塗層は、連続液体付着技法で一時的支持体上に付着させる。下塗層を付着させるための液状媒体の選択は、下塗層自体のまさにその性質によって異なるであろう。１つの実施形態では、物質はスピンコーティングで付着させる。次いで、被覆された一時的支持体は、凝結ステップ用の蒸気を生じさせるための加熱源として使用する。
【０３３６】
下塗層を施すことは、連続法またはバッチ法のいずれかを利用して遂行できる。例えば、バッチ法では、１つまたは複数のデバイスを下塗層で同時に被覆し、その後、放射線源に同時に暴露するであろう。連続法では、ベルトまたは他のコンベア装置で輸送されるデバイスは、デバイスが連続的に下塗層で被覆されるステーションを通過し、その後、デバイスが連続的に放射線源に暴露されるステーションをそのまま通過するであろう。方法の一部は連続的であってよく、一方でその方法の他の部分はバッチ式であってもよい。
【０３３７】
１つの実施形態では、下塗物質は室温において液体であり、第１層を覆うように液体付着によって施す。液体の下塗物質は、膜を形成してよいか、または第１層の表面に吸収されるかまたは吸着されてよい。１つの実施形態では、第１層を覆うように第２層を形成させるために、液体の下塗物質をその融点より下の温度まで冷却する。１つの実施形態では、下塗物質は室温において液体ではなく、その融点より上の温度まで加熱して、第１層上に付着させ、室温まで冷却して第１層を覆うように第２層を形成させる。液体付着では、上述の方法のいずれを使用してもよい。
【０３３８】
１つの実施形態では、下塗層を第２液体組成物から付着させる。液体付着法は、上述したように連続でも不連続でもよい。１つの実施形態では、下塗り液体組成物は、連続液体付着法を用いて付着させる。下塗層を付着させるための液状媒体の選択は、下塗物質自体のまさにその性質によって異なるであろう。
【０３３９】
下塗層を形成した後、それを放射線に暴露する。使用する放射線のタイプは、上述した下塗層の敏感性によって異なるであろう。暴露はパターン状に行われる。本明細書で使用される「パターン状」という用語は、物質または層の選択部分のみが暴露されることを示す。パターン状暴露は、周知の任意の画像化技法（ｉｍａｇｉｎｇ  ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）を用いて実現できる。１つの実施形態では、パターンはマスクを介して暴露することによって得られる。１つの実施形態では、パターンは、ラスターレーザー（ｒａｓｔｅｒｅｄ  ｌａｓｅｒ）で選択部分のみを暴露することで得る。暴露時間は、使用する下塗層の特定の化学的性質に応じて数秒間から数分間の範囲にすることができる。レーザーを使用する場合、レーザーの出力に応じて、それぞれの個別の領域に関して使用する暴露時間はずっと短くなる。暴露ステップは、物質の敏感性に応じて、空気中かまたは不活性雰囲気中で実施できる。
【０３４０】
１つの実施形態では、放射線は、紫外線（１０〜３９０ｎｍ）、可視光線（３９０〜７７０ｎｍ）、赤外線（７７０〜１０6ｎｍ）、およびそれらの組合せ（同時処理および逐次処理を含む）よりなる群から選択される。１つの実施形態では、放射線は可視光線および紫外線放射から選択される。１つの実施形態では、放射線は３００〜４５０ｎｍの範囲の波長を有する。１つの実施形態では、放射線は深紫外線（２００〜３００ｎｍ）である。別の実施形態では、紫外線放射は３００から４００ｎｍの間の波長を有する。別の実施形態では、放射線は４００〜４５０ｎｍの範囲の波長を有する。１つの実施形態では、放射線は熱放射である。１つの実施形態では、放射線への暴露は加熱によって実施される。加熱ステップの温度および継続時間は、発光領域のどんな下にある層にも損傷を与えることなく、下塗層の少なくとも１つの物理的性質を変化させるようなものである。１つの実施形態では、加熱温度は２５０℃未満である。１つの実施形態では、加熱温度は１５０℃未満である。
【０３４１】
放射線に対してパターン状暴露した後、下塗層を現像する。現像は周知の任意の技法で遂行できる。そのような技法は、フォトレジストおよび印刷の技術分野で広く使用されてきた。現像技法の例としては、加熱（蒸発）、液状媒体による処理（洗浄）、吸収物質による処理（ブロッティング）、粘着性物質による処理などがあるが、これらに限定されない。現像ステップにより、露出領域または非暴露領域のいずれかの下塗層が効果的に除去される。次いで、下塗層は、非暴露領域または暴露領域のいずれかにそれぞれ残る。下塗層は、非暴露領域または暴露領域において部分的に除去されてもよいが、暴露領域と非暴露領域との間に湿潤性の差があるようにするため、十分に残っていなければならない。例えば、下塗層は、非暴露領域において効果的に除去されてよく、また暴露領域において厚みの一部が除去されてよい。実施形態によっては、現像ステップにより非暴露領域の下塗層が効果的に除去される。
【０３４２】
１つの実施形態では、放射線への下塗層の暴露により、溶媒中への下塗層の溶解度または分散性が変化する。この場合、現像は湿式現像処理（ｗｅｔ  ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）によって遂行できる。この処理は普通、一方のタイプの領域の溶解、分散、または剥離をもたらす溶媒による洗浄を含む。１つの実施形態では、放射線へのパターン状暴露により下塗層の暴露領域が不溶化し、溶媒による処理により下塗層の非暴露領域が除去される。
【０３４３】
１つの実施形態では、放射線への下塗層の暴露により、暴露領域の下塗層の揮発性を変化させる反応が起こる。この場合、現像は、熱現像処理によって遂行できる。この処理は、より揮発性のある物質の揮発温度または昇華温度より上で、かつその物質が熱反応する温度より下の温度まで加熱することを含む。例えば、重合可能なモノマーの場合、物質は、昇華温度より上でかつ熱重合温度より下の温度で加熱されるであろう。揮発温度に近いかまたはそれより低い熱反応温度を有する下塗物質は、このような仕方で現像することができないであろうことが理解されるであろう。
【０３４４】
１つの実施形態では、放射線に下塗層を暴露すると、物質が溶融、軟化または流動する温度が変化する。この場合、現像は乾式現像処理（ｄｒｙ  ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）で遂行できる。乾式現像処理は、要素の最も外側の表面を吸着剤表面と接触させて、より軟らかい部分を吸収するかまたは吸い取ることを含みうる。この乾式現像は、残りの領域の特性にさらなる影響を及ぼさない限り、高温で実施できる。
【０３４５】
現像ステップにより、下塗層が残っている領域と、下にある第１層がむき出しにされた領域とが生じる。
【０３４６】
実施形態によっては、下塗層は正孔輸送物質を含む。実施形態によっては、下塗層は、トリアリールアミン類、カルバゾール類、フルオレン類、それらのポリマー、それらのコポリマー、それらの重水素化類似体、およびそれらの組合せよりなる群から選択される物質を含む。実施形態によっては、下塗層は、高分子トリアリールアミン類、ポリカルバゾール類、ポリフルオレン類、非平面構成で結合している共役部分を有する高分子トリアリールアミン類、フルオレンとトリアリールアミンとのコポリマー、それらの重水素化類似体、およびそれらの組合せよりなる群から選択される物質を含む。実施形態によっては、高分子物質は架橋性である。実施形態によっては、下塗層は電子輸送物質を含む。実施形態によっては、下塗層は、金属キレート化オキシノイド化合物を含む。実施形態によっては、下塗層は金属キノレート誘導体を含む。実施形態によっては、下塗層は、トリス（８−ヒドロキシキノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（ｐ−フェニルフェノラト）アルミニウム、テトラキス−（８−ヒドロキシキノラト）ハフニウム、およびテトラキス−（８−ヒドロキシキノラト）ジルコニウムよりなる群から選択される物質を含む。実施形態によっては、下塗層は、高分子トリアリールアミン類、ポリカルバゾール類、ポリフルオレン類、それらのコポリマー、および金属キノレート類よりなる群から選択される物質から本質的になる。
【０３４７】
実施形態によっては、正孔注入層は、フッ素化酸ポリマーがドープされた導電性ポリマーを含み、下塗層は正孔輸送物質から本質的になる。実施形態によっては、正孔輸送物質はトリアリールアミンポリマーである。そのようなポリマーは、例えば、公開されたＰＣＴ出願の国際公開第２００８／０２４３７８号パンフレット、国際公開第２００８／０２４３７９号パンフレット、および国際公開第２００９／０６７４１９号パンフレットに記載されている。実施形態によっては、下塗物質は、非平面構成で結合している共役部分を有する高分子トリアリールアミン類、少なくとも１つのフルオレン部分と少なくとも２つのトリアリールアミン部分とを有する化合物、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。実施形態によっては、高分子トリアリールアミン類は、上述の式Ｉ、式ＩＩ、または式ＩＩＩを有する。
【０３４８】
下塗層として用いることのできる例示的化合物の中には、重水素化フルオレン、重水素化ポリフルオレン、重水素化ポリビニルカルバゾール、化合物ＨＴ１〜ＨＴ１２、ＥＴ３およびＥＴ４がある。
【０３４９】
７．デバイスの他の層
デバイス中の他の層は、そのような層に有用であることが知られている任意の物質で作ることができる。
【０３５０】
陽極１１０は、正の電荷担体を注入するのに特に効率的な電極である。それは、例えば、金属を含む物質、混合金属、合金、金属酸化物または混合金属酸化物で作ることができるか、またはそれは導電性ポリマーにすることができるか、あるいはそれらの混合物にすることもできる。好適な金属としては、１１族の金属、４〜６族の金属、および８〜１０族の遷移金属がある。陽極を光透過性にする場合、１２族、１３族および１４族の金属の混合金属酸化物（インジウム−スズ−酸化物など）が一般的に使用される。陽極１１０は、“Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅｓ  ｍａｄｅ  ｆｒｏｍ  ｓｏｌｕｂｌｅ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｐｏｌｙｍｅｒ，”Ｎａｔｕｒｅ  ｖｏｌ．３５７，ｐｐ  ４７７−４７９（１１  Ｊｕｎｅ  １９９２）に記載されているようにポリアニリンなどの有機物質を含むこともできる。生じた光を見ることができるように、陽極および陰極のうちの少なくとも１つが、望ましくは少なくとも部分的に透明である。
【０３５１】
陰極１６０は、電子または負の電荷担体を注入するのに特に効率的な電極である。陰極は、陽極よりも仕事関数の小さい任意の金属または非金属であってよい。陰極用の物質は、１族のアルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｃｓ）、２族の（アルカリ土類）金属、１２族の金属（希土類元素およびランタニドを含む）、およびアクチニドから選択できる。アルミニウム、インジウム、カルシウム、バリウム、サマリウムおよびマグネシウムなどの物質、ならびにそれらの組合せを使用できる。動作電圧を下げるために、有機層と陰極層との間にＬｉ含有またはＣｓ含有の有機金属化合物、ＬｉＦ、ＣｓＦ、およびＬｉ2Ｏを付着させることもできる。
【０３５２】
有機電子デバイス中に別の層を設けることが知られている。例えば、注入される正電荷の量を制御するため、かつ／または層のバンドギャップを一致させるため、あるいは保護層として機能するための、陽極１１０と正孔注入層１２０との間の層（図示せず）があってよい。当該技術分野において知られている層を使用でき、それには、銅フタロシアニン、酸窒化ケイ素、フルオロカーボン類、シラン類、または金属（Ｐｔなど）の極薄層がある。あるいはまた、陽極層１１０、活性層１２０、１３０、１４０、および１５０、または陰極層１６０の一部または全部を表面処理して、電荷担体輸送効率を増大させることができる。各成分層の物質の選択は、好ましくは、デバイスが高いエレクトロルミネセンス効率となるように正電荷と負電荷を釣り合わせることにより決定する。こうした層のいずれかまたはすべてが重水素化物質を含むことができる。
【０３５３】
各機能層は、複数の層で構成できることが理解される。
【０３５４】
好適な基板上に個々の層を順次蒸着させることを含め、さまざまな技法でデバイスを作製できる。ガラス、プラスチック、および金属などの基板を使用できる。熱蒸発、化学蒸着などの従来の蒸着手法を使用できる。あるいはまた、スピンコーティング、浸漬塗装、ロール間技法（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ  ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ）、インクジェット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷などの従来のコーティング技法または印刷技法（但し、それらに限定されない）を用いて、適切な溶媒の分散液または溶液から有機層を施すことができる。
【０３５５】
実施形態によっては、有機発光デバイスを製造するための方法は、
パターン化陽極をその上に有する基板を用意することと；
（ａ）重水素化重水素化電気的活性物質と（ｂ）液状媒体とを含む第１液体組成物を付着させることによって電気的活性層を形成することと；
陰極全体を形成することと
を含む。
【０３５６】
「液体組成物」という用語は、１種または複数種の物質を溶かして溶液にした液状媒体、１種または複数種の物質を分散させて分散液にした液状媒体、または１種または複数種の物質を懸濁させて懸濁液またはエマルジョンにした液状媒体を含むことを意図する。
【０３５７】
上記の方法の実施形態によっては、重水素化電気的活性物質は重水素化正孔注入物質である。上記の方法の実施形態によっては、重水素化電気的活性物質は重水素化正孔輸送物質である。上記の方法の実施形態によっては、重水素化電気的活性物質は重水素化エレクトロルミネセンス物質である。上記の方法の実施形態によっては、重水素化電気的活性物質は重水素化ホスト物質である。上記の方法の実施形態によっては、重水素化電気的活性物質は重水素化電子輸送物質である。上記の方法の実施形態によっては、重水素化電気的活性物質は重水素化化学的閉じ込め物質である。
【０３５８】
実施形態によっては、この方法は、
第２液状媒体中に第２重水素化電気的活性物質を含んでいる第２液体組成物を付着させることによって第２電気的活性層を形成すること
をさらに含む。
【０３５９】
実施形態によっては、第２重水素化電気的活性物質は、重水素化正孔注入物質、重水素化正孔輸送物質、重水素化エレクトロルミネセンス物質、重水素化ホスト物質、重水素化電子輸送物質、および重水素化化学的閉じ込め物質よりなる群から選択される。
【０３６０】
連続および不連続技法を含め任意の周知の液体付着技法または技法の組合せを使用できる。連続液体付着技法の例としては、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、浸漬被覆、スロットダイコーティング、吹付け塗り、および連続ノズル印刷（ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  ｎｏｚｚｌｅ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）があるが、これらに限定されない。不連続付着技法の例としては、インクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷があるが、これらに限定されない。実施形態によっては、電気的活性層は、連続ノズルコーティングおよびインクジェット印刷から選択される方法でパターン状に形成される。ノズル印刷は連続技法と見なすことができるが、パターンは、層を形成させる所望の領域の上だけにノズルを配置することによって形成できる。例えば、連続した列のパターンを形成できる。
【０３６１】
付着させる特定の組成物用の好適な液状媒体は、当業者が容易に決めることができる。用途によっては、化合物を非水溶媒に溶かすのが望ましい。そのような非水溶媒は、比較的極性でありうるか（Ｃ1〜Ｃ20のアルコール、エーテル、および酸エステルなど）、あるいは比較的非極性でありうる（Ｃ1〜Ｃ12のアルカンまたは芳香族化合物（トルエン、キシレン、トリフルオロトルエンなど）など）。新規の化合物を含む液体組成物を（本明細書に記載されている溶液または分散液のいずれかとして）作るのに好適な別の液体として、塩素化炭化水素（塩化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼンなど）、芳香族炭化水素（置換または非置換のトルエンまたはキシレンなどで、トリフルオロトルエンを含む）、極性溶媒（テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）など）、エステル（酢酸エチルなど）、アルコール（イソプロパノールなど）、ケトン（シクロペンタトン（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｔｏｎｅ）など）、またはそれらの任意の混合物があるが、それらに限定されない。エレクトロルミネセンス物質用の溶媒の混合物の例は、例えば、米国特許出願公開第２００８−００６７４７３号明細書に記載されている。
【０３６２】
付着後に、物質を乾燥させて層を形成させる。加熱、真空、およびそれらの組合せを含め、従来の任意の乾燥技法を使用できる。
【０３６３】
実施形態によっては、デバイスは、正孔注入層、正孔輸送層、および電気的活性層の液体付着、ならびに陽極、電子輸送層、電子注入層および陰極の蒸着によって製造される。
【０３６４】
８．重水素化物質の合成
本明細書に記載の化合物の非重水素化類似体は、周知のカップリングおよび置換反応で調製できる。次いで新規の重水素化合物は、重水素化前駆体物質を用いるか、あるいは、より一般的には、ルイス酸Ｈ／Ｄ交換触媒（三塩化アルミニウムまたはエチルアルミニウムクロライド（ｅｔｈｙｌ  ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｃｈｌｏｒｉｄｅ）など）、または酸（ＣＦ3ＣＯＯＤ、ＤＣｌなど）の存在下で、非重水素化合物を重水素化溶媒（ｄ６−ベンゼンなど）で処理することにより、同じような仕方で調製できる。例示的な調製物を実施例に示す。重水素化のレベルは、ＮＭＲ分析および質量分析法（大気圧固体分析プローブ質量分析法（ＡＳＡＰ−ＭＳ）など）によって求めることができる。
【０３６５】
過重水素化または部分重水素化された芳香族化合物またはアルキル化合物の出発物質は、製品供給元から購入できるか、または周知の方法を用いて得ることができる。そのような方法の幾つかの例は、ａ）“Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  Ｈ／Ｄ  Ｅｘｃｈａｎｇｅ  Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ  ｏｆ  Ａｌｋｙｌ−Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ  Ｂｅｎｚｅｎｅ  Ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅｓ  ｂｙ  Ｍｅａｎｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｐｄ／Ｃ-Ｈ２-Ｄ２Ｏ  Ｓｙｓｔｅｍ”  Ｈｉｒｏｙｏｓｈｉ  Ｅｓａｋｉ，Ｆｕｍｉｙｏ  Ａｏｋｉ，Ｍｉｈｏ  Ｕｍｅｍｕｒａ，Ｍａｓａｔｓｕｇｕ  Ｋａｔｏ，Ｔｏｍｏｈｉｒｏ  Ｍａｅｇａｗａ，Ｙａｓｕｎａｒｉ  Ｍｏｎｇｕｃｈｉ，ａｎｄ  Ｈｉｒｏｎａｏ  Ｓａｊｉｋｉ  Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．２００７，１３，４０５２−４０６３；  ｂ）“Ａｒｏｍａｔｉｃ  Ｈ／Ｄ  Ｅｘｃｈａｎｇｅ  Ｒｅａｃｔｉｏｎ  Ｃａｔａｌｙｚｅｄ  ｂｙ  Ｇｒｏｕｐｓ  ５  ａｎｄ  ６  Ｍｅｔａｌ  Ｃｈｌｏｒｉｄｅｓ”  ＧＵＯ，Ｑｉａｏ−Ｘｉａ，ＳＨＥＮ，Ｂａｏ−Ｊｉａｎ；ＧＵＯ，Ｈａｉ−Ｑｉｎｇ  ＴＡＫＡＨＡＳＨＩ，Ｔａｍｏｔｓｕ  Ｃｈｉｎｅｓｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２００５，２３，３４１−３４４；  ｃ）“Ａ  ｎｏｖｅｌ  ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ  ｅｆｆｅｃｔ  ｏｎ  ｄｕａｌ  ｃｈａｒｇｅ−ｔｒａｎｓｆｅｒ  ａｎｄ  ｌｉｇａｎｄ−ｆｉｅｌｄ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｏｆ  ｔｈｅ  ｃｉｓ−ｄｉｃｈｌｏｒｏｂｉｓ（２，２’−ｂｉｐｙｒｉｄｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ）ｉｏｎ”  Ｒｉｃｈａｒｄ  Ｊ．Ｗａｔｔｓ，Ｓｈｌｏｍｏ  Ｅｆｒｉｍａ，ａｎｄ  Ｈｏｒｉａ  Ｍｅｔｉｕ  Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９７９，１０１（１０），２７４２−２７４３；  ｄ）“Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  Ｈ−Ｄ  Ｅｘｃｈａｎｇｅ  ｏｆ  Ａｒｏｍａｔｉｃ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ  ｉｎ  Ｎｅａｒ−Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄ２０  Ｃａｔａｌｙｓｅｄ  ｂｙ  ａ  Ｐｏｌｙｍｅｒ−Ｓｕｐｐｏｒｔｅｄ  Ｓｕｌｐｈｏｎｉｃ  Ａｃｉｄ”Ｃａｒｍｅｎ  Ｂｏｉｘ  ａｎｄ  Ｍａｒｔｙｎ  Ｐｏｌｉａｋｏｆｆ  Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ４０（１９９９）４４３３−４４３６；  ｅ）ＵＳ３８４９４５８；  ｆ）“Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  Ｃ−Ｈ／Ｃ−Ｄ  Ｅｘｃｈａｎｇｅ  Ｒｅａｃｔｉｏｎ  ｏｎ  ｔｈｅ  Ａｌｋｙｌ  Ｓｉｄｅ  Ｃｈａｉｎ  ｏｆ  Ａｒｏｍａｔｉｃ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ  Ｕｓｉｎｇ  Ｈｅｔｅｒｏｇｅｎｅｏｕｓ  Ｐｄ／Ｃ  ｉｎ  Ｄ２Ｏ”Ｈｉｒｏｎａｏ  Ｓａｊｉｋｉ，Ｆｕｍｉｙｏ  Ａｏｋｉ，Ｈｉｒｏｙｏｓｈｉ  Ｅｓａｋｉ，Ｔｏｍｏｈｉｒｏ  Ｍａｅｇａｗａ，ａｎｄ  Ｋｏｓａｋｕ  Ｈｉｒｏｔａ  Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００４，６（９），１４８５−１４８７の中に見出すことができる。
【０３６６】
本明細書に記載の化合物は、液体付着技法を用いて膜にすることができる。驚くべきことに、こうした化合物は、予想外にも類似の非重水素化合物と比べて非常に特性が向上している。本明細書に記載の化合物を持つ活性層を含んだ電子デバイスは、寿命が大幅に向上した。加えて、量子効率が高くかつ彩度が良好な状態で、その寿命の増大が達成されている。さらに、本明細書に記載の重水素化合物は、非重水素化類似体よりも空気露出耐性（ａｉｒ  ｔｏｌｅｒａｎｃｅ）が大きい。そのため、物質の調製および精製の両方における処理耐久性（ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｔｏｌｅｒａｎｃｅ  ）が増大しうるし、またその物質を用いた電子デバイスが形成されうる。
【実施例】
【０３６７】
以下の実施例は、本発明の特定の特徴および利点を示す。それらは、本発明を例示することを意図したものであり、限定するものではない。百分率はすべて、特に記載がない限り、重量百分率である。
【０３６８】
合成の実施例１
この実施例は、重水素化正孔注入物質であるＤ−ＨＩＪ−１の調製を例示する。
【０３６９】
ａ．重水（Ｄ2Ｏ）中にジュウテロＨＦＡＰを含む分散液の調製
テトラフルオロエチレン（「ＴＦＥ」）とパーフルオロ−３，６−ジオキサ−４−メチル−７−オクテンスルホン酸（「ＰＳＥＰＶＥ」）とのコポリマーを、以下のようにして、重水素化しＤ2Ｏ中にコロイド分散させたものにした。最初に、９８７グラム（１つの酸性部位当たりのコポリマーの重量）ごとにスルホン酸の１個の陽子を有するポリ（ＴＦＥ−ＰＳＥＰＶＥ）を、温度がおよそ２７０℃であること以外は米国特許第６，１５０，４２６号明細書の実施例１の第２部の手順と似た手順を用いて、水分散液にした。非重水素化ポリ（ＴＦＥ−ＰＳＥＰＶＥ）分散液を、液体の深さが５／８″以下であるトレー上でポリ（ＴＦＥ−ＰＳＥＰＶＥ）の易流動性固体フレークに変えた。次いでそのトレーを０℃未満にして、まず水分散液を凍結させた。凍結したなら、水の大部分が除去されるまで１ｍｍＨｇ以下の部分真空圧にした。次いで、部分乾燥させた固体を真空圧下で約３０℃まで引き上げて、ポリマーを合体させることなく水分を完全に除去した。
【０３７０】
２１ｇの固体フレークの非重水素化ポリ（ＴＦＥ−ＰＳＥＰＶＥ）（水を除去するために真空オーブン中で事前乾燥させたもの）を、金属円筒管（窒素で事前洗浄したもの）の中に入れた。Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ  Ｉｓｏｔｏｐｅ  Ｌａｂ，Ｉｎｃ．から購入した１５０ｇのＤ2Ｏを直ちに、ポリ（ＴＦＥ−ＰＳＥＰＶＥ）の入った管に加えた。圧力実験室において、その管に蓋をして約２７０℃まで加熱してから室温まで冷却して、固体フレークが、Ｄ2Ｏ中にポリ（ＴＦＥ−ＰＳＥＰＶＥ）を含むコロイド分散液になるようにした。さらに、重水素よりも圧倒的に多いポリ（ＴＦＥ−ＰＳＥＰＶＥ）中の陽子を、重水素と置き換えて、ポリ（ＴＦＥ−ＰＳＥＰＶＥ）の重水素化を完了させた。Ｄ2Ｏ中に重水素化ポリ（ＴＦＥ−ＰＳＥＰＶＥ）（「Ｄ−ポリ（ＴＦＥ−ＰＳＥＰＶＥ）」）を含む分散液をさらに処理して大きな粒子を除去した。Ｄ2Ｏ分散液中のＤ−ポリ（ＴＦＥ−ＰＳＥＰＶＥ）の重量％は、重量法で測定すると、分散液の全重量を基準にして１１．３４重量％であった。
【０３７１】
ｂ．ジュウテロＨＦＡＰ、および重水（Ｄ2Ｏ）中にジュウテロＨＦＡＰを含む分散液を作る直接的方法。
【０３７２】
テトラフルオロエチレン（「ＴＦＥ」）とパーフルオロ−３，６−ジオキサ−４−メチル−７−オクテンスルホン酸（「ＰＳＥＰＶＥ」）とのコポリマーを、以下のようにして重水素化し、Ｄ2Ｏ中にコロイド分散させた液にすることができる。９８７グラム（１つの酸性部位当たりのコポリマーの重量）ごとにスルホン酸の１個の陽子を有するポリ（ＴＦＥ−ＰＳＥＰＶＥ）樹脂を、温度がおよそ２７０℃であり、かつＤ2Ｏを使用すること以外は、米国特許第６，１５０，４２６号明細書の実施例１の第２部の手順と似た手順を用いてＤ２Ｏ分散液にすることができる。
【０３７３】
ｃ．重水素化ＨＦＡＰがドープされた重水素化導電性ポリマーの調製
重水素化ピロール（「Ｄ5−Ｐｙ」）（式量：７２．１２）をＡｌｄｒｉｃｈ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｍｉｌｗａｕｋｅｅ，ＷＩ）から購入した。この褐色の液体を、使用前に減圧下で分別蒸留した。無色の留出液は、13Ｃ  ＮＭＲ分光法で特性を決定して構造を確認した。
【０３７４】
Ｄ−ポリ（ＴＦＥ−ＰＳＥＰＶＥ）／Ｄ2Ｏ分散液中のＤ5−Ｐｙの重合を、以下のようにして実施した。実施例１で調製した７０．２ｇのＤ−ポリ（ＴＦＥ−ＰＳＥＰＶＥ）／Ｄ2Ｏを秤量して５００ｍＬの樹脂反応がまに最初に入れ、それからさらに１４ｇのＤ2Ｏを入れた。Ｄ−ポリ（ＴＦＥ−ＰＳＥＰＶＥ）／Ｄ2Ｏの量は、８．１４ミリモルの酸に相当する。反応がまに、オーバーヘッド撹拌機を有するガラスの蓋をした。Ｄ−ポリ（ＴＦＥ−ＰＳＥＰＶＥ）／Ｄ2Ｏを攪拌しながら、０．１３５ｇ（０．２６ミリモル）の硫酸第二鉄および０．６２ｇ（２．６ミリモル）のＮａ2Ｓ2Ｏ8（事前に１０ｍＬに溶かしたもの）をＤ−ポリ（ＴＦＥ−ＰＳＥＰＶＥ）／Ｄ2Ｏに加えた。その後すぐに、０．１７５ｇ（２．４３ミリモル）のＤ5−Ｐｙ（７ｍＬのＤ2Ｏに事前に溶かしたもの）を１分以内に混合物に加えた。Ｄ5−Ｐｙが添加されるとすぐに、重合が開始した。重合を１０分間進行させた。成分の追加および重合は窒素下で行った。１０分間の終わりに、Ｄｏｗｅｘ  Ｍ−４３樹脂を樹脂反応がまに加え、およそ５分間混合した。４１７濾紙による真空濾過の後、Ｄｏｗｅｘ  Ｍ−３１  Ｎａ+樹脂を混合物に加え、５分間混合した。４１７濾紙を用いて、得られた物質をもう一度真空濾過した。Ｄ−ポリ（ＴＦＥ−ＰＳＥＰＶＥ）がドープされた重水素化ポリピロール（「ポリ（Ｄ5−Ｐｙ）／Ｄ−ポリ（ＴＦＥ−ＰＳＥＰＶＥ）」）のＤ2Ｏ分散液をイオン交換された樹脂で再び処理して、分散液をさらに精製した。その分散液には、１．７９ｐｐｍのサルフェート、および０．７９ｐｐｍの塩化物が含まれているだけであった。分散液の固体の％は、測定すると４．３％となり、ｐＨを測定すると５．２となった。ドライボックス中で３０分間２７５℃においてベーキングされたキャストフィルムの電気伝導率は、測定すると室温において〜１×１０-6Ｓ／ｃｍとなった。
【０３７５】
合成の実施例２
この実施例は、重水素化正孔輸送物質（ＨＴ５）の製法を例示するものである。これを以下に示すが、ここで、Ｒ1＝ｎ−プロピル、Ｒ2＝ｎ−オクチル、ｙ＝０およびｘ＝４２である：
【０３７６】
【化６３】
2012513688.tif 000065
【０３７７】
この化合物は以下の方式に従って作られる。
【０３７８】
【化６４】
2012513688.tif 000066
【０３７９】
中間化合物Ｙ１の合成：
窒素雰囲気下において、ＡｌＣｌ3（０．１７ｇ、１．２９ミリモル）を、２，２’−ジオクチル−４，４’−ジブロモ−１，１’−ビナフチレン（２．３２８ｇ、３．６６ミリモル）のＣ6Ｄ6（１００ｍＬ）溶液に加えた。得られた混合物を室温で３０分間攪拌し、その後、Ｄ2Ｏ（５０ｍＬ）を加えた。層を分離させてから、水層をＣＨ2Ｃｌ2（２×３０ｍＬ）で洗浄した。一緒にした有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、揮発分を回転蒸発で除去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製した。化合物Ｙ１を白色粉末として得た（１．９６ｇ）。
【０３８０】
中間化合物Ｙ２の合成：
【０３８１】
【化６５】
2012513688.tif 000067
【０３８２】
化合物Ｙ２は、上記の中間化合物Ｃ１の製法と類似の手順を用いて化合物Ｙ１から作ることができる。化合物Ｙ２は、クロマトグラフィーを用いて精製する。
【０３８３】
中間化合物Ｙ３の合成：
【０３８４】
【化６６】
2012513688.tif 000068
【０３８５】
窒素下で、１００ｍＬの丸底フラスコに、化合物Ｙ２（２．１００ｇ、２．４１０ミリモル）およびジクロロメタン（３０ｍＬ）を仕込んだ。それを５分間攪拌されるようにし、その後、トリフルオロ酢酸（１．７９３ｍＬ）を加え、反応を一晩攪拌放置した。反応が完了してから、飽和炭酸ナトリウム溶液を用いてそれを急冷した。水を除去し、ＣＨ２Ｃｌ２で洗浄し、一緒にした有機層を蒸発乾燥させた。残留物はジエチルエーテル中に溶解した。生成物を炭酸ナトリウム、ブラインおよび水で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥させた。化合物Ｙ３はクロマトグラフィーを用いて精製し、１．０３７ｇを得た。
【０３８６】
化合物の構造は、図２に示すように1Ｈ  ＮＭＲで確認した。
【０３８７】
中間化合物Ｙ４の合成：
【０３８８】
【化６７】
2012513688.tif 000069
【０３８９】
Ｃ６Ｄ６（２０ｍＬ）中に４−ブロモ−４’−プロピルビフェニル（５．１０ｇ、１８．５３ミリモル）を含む溶液を、３０分間窒素で洗浄した。ヘキサン中にエチルアルミニウムジクロリド溶液を含む１．０Ｍ溶液（４．０ｍＬ、４．０ミリモル）を注射器で滴加し、反応混合物を環流させながら１．７５時間にわたって窒素雰囲気下で加熱した。窒素雰囲気下で室温まで冷却した後、重水（２０ｍＬ）を加え、その混合物を振盪してから層を分離させる。水層をベンゼン（３×１０ｍＬ）で抽出し、一緒にした有機相を硫酸マグネシウムで乾燥させ、濾過し、回転蒸発で濃縮した。こうして得られた生成物をさらに２回、上記の反応条件に繰り返しさらした。３回目の処理の後に、粗生成物をエタノール（２０ｍＬ）から再結晶させて、化合物Ｙ４（１．０１ｇ）を白色固体として得る。Ｍｐ  １１０．１〜１１１．６℃。純度（ＵＰＬＣ）：１００％。Ｙ４の1Ｈ  ＮＭスペクトルは、芳香族の８個の陽子が重水素で置換された場合の平均７．６４と一致していた。
【０３９０】
中間化合物Ｙ５の合成：
【０３９１】
【化６８】
2012513688.tif 000070
【０３９２】
窒素雰囲気下において、化合物Ｙ３（１．０４ｇ、１．５５ミリモル）、Ｙ４（０．８０ｇ、２．８２ミリモル）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（８１ｍｇ、０．０９ミリモル）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（４２ｍｇ、０．２１モル％）およびトルエン（２５ｍＬ）を混ぜ合わせた。ナトリウムｔ−ブトキシド（０．５２ｇ、５．４１ミリモル）を加えて、反応を室温で４０時間攪拌した。次いで、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（５０ｍｇ、０，０５ミリモル）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（３０ｍｇ、０．１５ミリモル）およびＹ４（１９６ｍｇ、０．６９ミリモル）を加え、さらに反応混合物を５０℃まで温めた。さらに７２時間たった後、反応混合物をセライトのパッドに通して濾過し、ＣＨ２Ｃｌ２（５０ｍＬ）で洗った。濾過液をロータリーエバポレーターで濃縮し、真空下で乾燥させた。生成物は、シリカゲルによる中圧（ｍｅｄｉｕｍ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ）液体クロマトグラフィー（０〜４０％の勾配の塩化メチレン／ヘキサン）で精製して、０．９９ｇ（５９％の収率）の白色固体を得た。ＮＭＲ分析により、４，４’−および４，５’−位置異性体の混合物として中間化合物Ｙ５の構造が確認された。純度（ＵＰＬＣ）：９９．３％。
【０３９３】
中間化合物Ｙ６の合成：
【０３９４】
【化６９】
2012513688.tif 000071
【０３９５】
ステップ１：重水素化４−ブロモビフェニルの調製
Ｃ６Ｄ６（２０ｍＬ）中に４−ブロモビフェニル（４．６６ｇ、２０．０ミリモル）を含む溶液を窒素で３０分間洗浄した。ヘキサン中にエチルアルミニウムジクロリド溶液を含む１．０Ｍ溶液（４．０ｍＬ、４．０ミリモル）を注射器で滴加し、反応混合物を環流させながら５０分間にわたって窒素雰囲気下で加熱した。窒素雰囲気下で室温まで冷却した後、重水（２０ｍＬ）を加え、その混合物を振盪してから層を分離させる。有機相を硫酸マグネシウムで乾燥させ、濾過し、回転蒸発で濃縮する。こうして得られた生成物をさらに４回、上記の反応条件に繰り返しさらした。５回目の処理の後、粗生成物をエタノール（２０ｍＬ）から再結晶させて、ステップ１の表題化合物（２．２６ｇ）を白色固体として得た。Ｍｐ  ９２．８〜９４．１℃。純度（ＵＰＬＣ）：９８．１４％。質量スペクトルは、６〜９個の重水素原子が取り込まれたことを示した。
【０３９６】
ステップ２：Ｙ６の調製：
ステップ１の生成物（２．２６ｇ、９．３６ミリモル）およびヨウ素酸（６８７ｍｇ）を酢酸（４０ｍＬ）中に溶かした。ヨウ素チップ（１．５６ｇ）を加え、その後に濃硫酸（１．０ｍＬ）と水（２．０ｍＬ）を加えて、反応混合物を２１０分間加熱還流した。室温まで冷却した後、沈殿物を濾過で回収し、水で洗浄し、次いでメタノールで洗浄した（それぞれ２０ｍＬ）。粗生成物をＥｔＯＨ／ＥｔＯＡｃ（１／１）で再結晶させて、Ｙ６（１．３１ｇ）を白色固体として得た。Ｍｐ  １７９．０〜１８１．３℃。純度（ＵＰＬＣ）：１００％。質量スペクトルは、平均６〜７個の重水素原子が取り込まれたことを示した。
【０３９７】
中間化合物Ｙ７の合成：
【０３９８】
【化７０】
2012513688.tif 000072
【０３９９】
窒素洗浄したグローブボックス内で、電磁撹拌機、温度計および還流凝縮器（閉鎖位置にされたガス注入アダプター（ｇａｓ  ｉｎｌｅｔ  ａｄａｐｔｏｒ）が上部にあるもの）を備えた三つ口丸底フラスコに、Ｙ５（９８６ｍｇ、０．９２ミリモル）、Ｙ６（１．３０ｇ、３．５５ミリモル）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（１２４ｍｇ、１４．８モル％）、ビス（ジフェニルホスホノフェロセン（ｂｉｓ（ｄｉｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｏｆｅｒｒｏｃｅｎｅ））（１５１ｍｇ、２９．６モル％）およびトルエン（２０ｍＬ）を、開口部（ｏｐｅｎ  ｎｅｃｋ）から仕込んだ。ナトリウムｔ−ブトキシド（０．３０ｇ、３．１２ミリモル）を加え、開口部に蓋をし、反応器をグローブボックスから取り出した。窒素バブラーホースをガス注入アダプターに取り付けて、やや正圧の窒素下でストップコックを回して開放位置にした。環流させながら反応を加熱した。２１時間後に、反応は、アリコートのＵＰＬＣ分析により完了したと判断されたので、反応を室温まで冷やした。反応混合物をセライトのパッドに通して濾過し、ＣＨ２Ｃｌ２で洗浄した。濾過液を回転蒸発で濃縮した。粗生成物を高真空下で乾燥させ、シリカゲルによる中圧液体クロマトグラフィー（０〜４０％の勾配の塩化メチレン／ヘキサン）で精製して、１．２１の白色固体を得た。その固体を沸騰メタノールと共に２時間すり砕いて０．９７５ｇのＹ７を得た。1Ｈ  ＮＭＲ分析により、中間化合物Ｙ７の構造が４，４’−および４，５’−位置異性体混合物の混合物であることが確認され、また平均して１４個の芳香族の陽子が残っていることが示された。このことは、５０個のうち３６個の芳香族の水素が重水素で置換されていることを確証している質量スペクトルの親イオン（ｍ／ｚ  １５５０．３）によって裏付けられた。純度（ＵＰＬＣ）：＞９９％。
【０４００】
正孔輸送化合物ＨＴ５の化合物の合成：
中間化合物Ｙ７の重合を、比較Ａに関して記載したようにして実施した。ポリマーが６８％の収率（０．２８５ｇ）で白色固体として得られた。ポリマーの分子量は、ＧＰＣ（ＴＨＦ移動相、ポリスチレン標準物質）で求めた：Ｍw＝３２５，７４０；Ｍn＝１３９，７４８；Ｍw／Ｍn＝２．３３。
【０４０１】
合成の実施例３
この実施例は、重水素化正孔輸送物質である化合物ＨＴ１１（ここで、Σ（ｘ）＝１８）の製法を例示するものである。
【０４０２】
化合物２の合成
【０４０３】
【化７１】
2012513688.tif 000073
【０４０４】
窒素雰囲気下において、２５０ｍＬの丸底に、９，９−ジオクチル−２，７−ジブロモフルオレン（２５．０ｇ、４５．５８ミリモル）、フェニルボロン酸（１２．２３ｇ、１００．２８ミリモル）、Ｐｄ2（ｄｂａ）3（０．４２ｇ、０．４６ミリモル）、ＰtＢｕ3（０．２２ｇ、１．０９ミリモル）および１００ｍＬのトルエンを仕込んだ。反応混合物を５分間攪拌し、その後ＫＦ（８．７４ｇ、１５０．４３ミリモル）を２回に分けて加え、得られた溶液を室温で一晩攪拌した。その混合物を５００ｍＬのＴＨＦで希釈し、シリカとセライトのプラグを通過させ、揮発分を減圧下で濾過液から除去した。ヘキサンを溶離剤として用いてシリカゲルによるフラッシュカラムクロマトグラフィーで黄色油を精製した。白色固体として８０．０％（１９．８ｇ）の生成物が得られた。ＮＭＲ分析は、その物質が上に示した構造を有する化合物２であることを示した。
【０４０５】
化合物３の合成
【０４０６】
【化７２】
2012513688.tif 000074
【０４０７】
凝縮器および滴下漏斗を備えた２５０ｍＬの三つ口丸底フラスコをＮ2で３０分間洗浄した。９，９−ジオクチル−２，７−ジフェニルフルオレン（１９．８ｇ、３６．４８ミリモル）を加え、１００ｍＬのジクロロメタンに溶かした。透明な溶液を−１０℃まで冷却し、臭素（１２．２４ｇ、７６．６０ミリモル）を２０ｍＬのジクロロメタン中に含む溶液を滴加した。その混合物を０℃で１時間攪拌し、それから室温になるまで温まるままにし、一晩攪拌した。１００ｍＬの１０％Ｎａ2Ｓ2Ｏ3水溶液を加え、反応混合物を１時間攪拌した。有機層を抽出し、水層を１００ｍＬのジクロロメタンで３回洗浄した。一緒にした有機層をＮａ2ＳＯ4で乾燥させ、濾過し、乾燥するまで濃縮した。得られた油にアセトンを加えると、白色沈殿が生じた。濾過して乾燥させると、白色粉末が得られた（１３．３ｇ、５２．２％）。ＮＭＲ分析は、その物質が上記に示した構造を有する化合物３であることを示した。
【０４０８】
化合物４の合成
【０４０９】
【化７３】
2012513688.tif 000075
【０４１０】
窒素雰囲気下において、２５０ｍＬの丸底に、３（１３．１ｇ、１８．７０ミリモル）、アニリン（３．６６ｇ、３９．２７ミリモル）、Ｐｄ2（ｄｂａ）3（０．３４ｇ、０．３７ミリモル）、ＰtＢｕ3（０．１５ｇ、０．７５ミリモル）および１００ｍＬのトルエンを仕込んだ。反応混合物を１０分間攪拌し、その後ＮａＯtＢｕ（３．６８ｇ、３８．３３ミリモル）を加え、反応混合物を室温で１日間攪拌した。得られた反応混合物を３Ｌのトルエンで希釈し、シリカとセライトのプラグを通過させて濾過した。揮発分を蒸発させたなら、得られた暗褐色の油を、酢酸エチル：ヘキサンが１：１０の混合物を溶離剤として用いて、シリカゲルによるフラッシュカラムクロマトグラフィーで精製した。５０．２％（６．８ｇ）の生成物が淡黄色の粉末として得られた。ＮＭＲ分析は、その物質が上に示した構造を有する化合物４であることを示した。
【０４１１】
化合物５の合成
【０４１２】
【化７４】
2012513688.tif 000076
【０４１３】
凝縮器を備えた２５０ｍＬの三つ口丸底フラスコ中で、４（４．００ｇ、５．５２ミリモル）、１−ブロモ−４−ヨードベンゼン（４．６８ｇ、１６．５５ミリモル）、Ｐｄ2（ｄｂａ）3（０．３０ｇ、０．３３ミリモル）およびＤＰＰＦ（０．３７ｇ、０．６６ミリモル）を８０ｍＬのトルエンと一緒にした。得られた混合物を１０分間攪拌した。ＮａＯtＢｕ（１．１７ｇ、１２．１４ミリモル）を加え、その混合物を４日間８０℃に加熱した。得られた反応混合物を１Ｌのトルエンおよび１ＬのＴＨＦで希釈し、シリカとセライトのプラグを通過させて不溶性塩を除去した。揮発分を蒸発させたなら、得られた褐色の油を、ジクロロメタン：ヘキサンが１：１０の混合物を溶離剤として用いて、シリカゲルによるフラッシュカラムクロマトグラフィーで精製した。乾燥後に黄色粉末が得られた（４．８ｇ、８４．８％）。ＮＭＲ分析は、その物質が上に示した構造を有する化合物５であることを示した。
【０４１４】
化合物６の合成
【０４１５】
【化７５】
2012513688.tif 000077
【０４１６】
窒素雰囲気下において、１ｇの化合物５をＣ6Ｄ6（２０ｍＬ）に溶かし、それにＣＦ3ＯＳＯ2Ｄ（１．４ｍＬ）を滴加した。その反応混合物は室温で一晩攪拌されるようにし、その後、飽和Ｎａ２ＣＯ3／Ｄ2Ｏで急冷した。有機層を分離し、ＭｇＳＯ4で乾燥させた。シリカクロマトグラフィー（２０％ＣＨ２Ｃｌ２：ヘキサン）を用いて生成物を精製して、０．６８８ｇの物質を得た。分離された物質のＭＳスペクトルにより、１８個の芳香族Ｄを有するその構造が確認された。
【０４１７】
化合物６の重合：
操作はすべて、特に記載のない限り、窒素洗浄されたグローブボックス中で実施した。化合物６（０．６５２ｇ、０．５０ミリモル）をシンチレーションバイアルに加え、１６ｍＬのトルエンに溶かした。清浄で乾燥した５０ｍＬのシュレンク管に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）（０．３４４ｇ、１．２５２ミリモル）を仕込んだ。２，２’−ジピリジル（０．１９５ｇ、１．２５２ミリモル）および１，５−シクロオクタジエン（０．１３５ｇ、１．２５２ミリモル）を秤量してシンチレーションバイアルに入れ、３．７９ｇのＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミドに溶かした。その溶液をシュレンク管に加えた。シュレンク管をアルミニウムブロックの中に挿入し、そのブロックを、内部温度が６０℃になる設定点において熱板／撹拌機で加熱・攪拌した。触媒系を４５分間６０℃に保持してから、６５℃に上昇させた。モノマーのトルエン溶液をシュレンク管に加え、その管を密閉した。トルエン（８ｍＬ）を加えることによって粘度を調節しながら、重合混合物を６５℃で１だけ攪拌した。反応混合物を室温まで冷まし、２０ｍＬの濃ＨＣＬを加えた。その混合物を４５分間、攪拌されるままにした。ポリマーを真空濾過で回収し、さらなるメタノールで洗浄し、高真空下で乾燥させた。トルエンからアセトンおよびＭｅＯＨへ移す連続沈殿によりポリマーを精製した。白色の繊維状ポリマー（０．４３７ｇ、７９％の収率）が得られた。ポリマーの分子量は、ＧＰＣ（ＴＨＦ移動相、ポリスチレン標準物質）で求めた：Ｍw＝１，６９６，０１９；Ｍn＝８７３，２５９。ＮＭＲ分析により、その構造がポリマーである化合物ＨＴ１１であることが確認された。
【０４１８】
合成の実施例４
この実施例は、以下に示す重水素化エレクトロルミネセンス物質Ｅ４の製法を例示するものである。
【０４１９】
【化７６】
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【０４２０】
０．４５ｇの２，６−ジ−ｔ−ブチル−９，１０−ジブロモアントラセン（１ｍＭ）（Ｍｕｌｌｅｒ，Ｕ．；Ａｄａｍ，Ｍ．；Ｍｕｌｌｅｎ，Ｋ．Ｃｈｅｍ．Ｂｅｒ．１９９４，１２７，４３７−４４４）を、窒素で満たされたグローブボックス内にある丸底フラスコに入れ、０．３８ｇ（２．２ｍＭ）のジ（ペルジュウテロフェニル）アミンおよび０．２ｇのナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２ｍＭ）を４０ｍＬのトルエンと共に加えた。０．１５ｇのＰｄ2ＤＢＡ3（０．１５ｍＭ）および０．０７ｇのＰ（ｔ−Ｂｕ）３（０．３ｍＭ）を１０ｍＬのトルエンに溶かして、攪拌しながら最初の溶液に加えた。すべての物質を混合すると、溶液はゆっくり発熱し、黄褐色になる。溶液を、グローブボックス内で、８０Ｃで窒素下において１時間攪拌し加熱した。溶液はその時すぐには暗紫色であるが、〜８０Ｃに達すると、それは人目を引く緑色ルミネセンスを伴う暗黄緑色である。室温まで冷やした後、溶液をグローブボックスから取り出し、塩基性アルミナの短いプラグを通過させて濾過し、トルエンで溶出させて、明るい黄緑色のバンドを得る。溶媒を蒸発させて、物質をトルエン／メタノールで再結晶させた。収量：０．５５ｇ。構造は1Ｈ  ＮＭＲで確認した。
【０４２１】
合成の実施例５
この実施例は、重水素化ホスト化合物Ｈ１４の製法を例示するものである。
【０４２２】
非重水素化類似体化合物（比較化合物Ａ）を最初に作った。
【０４２３】
【化７７】
2012513688.tif 000079
【０４２４】
この化合物は以下の方式に従って調製できる：
【０４２５】
【化７８】
2012513688.tif 000080
【０４２６】
化合物２の合成
機械式撹拌器、滴下漏斗、温度計およびＮ2バブラーを取り付けた３Ｌのフラスコに、１．５Ｌの乾燥塩化メチレン中に含まれるアントロン５４ｇ（２７５．２ミリモル）を加えた。フラスコを氷浴で冷却し、８３．７ｍｌ（５５９．７ミリモル）の１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（「ＤＢＵ」）を１．５時間にわたって滴下漏斗で加えた。溶液はオレンジに変わり、不透明になり、それから深紅に変わった。まだ冷たい溶液に、溶液の温度を５℃未満に保ちつつ、注射器で約１．５時間かけてトリフル酸無水物（ｔｒｉｆｌｉｃ  ａｎｈｙｄｒｉｄｅ）を５８ｍｌ（３４５．０ミリモル）加えた。室温で３時間反応を進行させ、その後、１ｍＬのトリフル酸無水物をさらに加え、室温での攪拌を３０分間継続した。５００ｍＬの水をゆっくり加えると、層が分離した。水層を３×２００ｍＬのジクロロメタン（「ＤＣＭ」）で抽出し、一緒にした有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、濾過し、回転蒸発で濃縮して赤色油を得た。シリカゲルによるカラムクロマトグラフィーに続いてヘキサンで結晶化すると、４３．１ｇ（４３％）の黄褐色粉末が得られた。
【０４２７】
化合物３の合成
窒素充填グローブボックス内の磁気攪拌棒を備えた２００ｍＬのケルダール反応フラスコに、アントラセン−９−イルトリフルオロメタンスルホネート（６．０ｇ、１８．４０ミリモル）、ナフタレン（Ｎａｐｔｈａｌｅｎ）−２−イル−ボロン酸（３．７８ｇ、２２．１ミリモル）、三塩基性リン酸カリウム（１７．５０ｇ、８２．０ミリモル）、パラジウム（ＩＩ）アセテート（０．４１ｇ、１．８ミリモル）、トリシクロヘキシルホスフィン（０．５２ｇ、１．８ミリモル）およびＴＨＦ（１００ｍＬ）を加えた。ドライボックスから取り出した後、反応混合物を窒素で洗浄し、脱気水（５０ｍＬ）を注射器で加えた。次いで、凝縮器を取り付けて反応を一晩還流させた。反応はＴＬＣで監視した。反応が完了してから、混合物を室温まで冷却した。有機層を分離し、水層をＤＣＭで抽出した。有機部分を一緒にし、ブラインで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を減圧下で除去した。得られた固体をアセトンおよびヘキサンで洗浄し、濾過した。シリカゲルによるカラムクロマトグラフィーで精製すると、４．０３ｇ（７２％）の生成物が淡黄色の結晶物質として得られた。
【０４２８】
化合物４の合成：
９−（ナフタレン−２−イル）アントラセン（１１．１７ｇ（３６．７ミリモル））を１００ｍＬのＤＣＭ中に懸濁させた。６．８６ｇ（３８．５ミリモル）のＮ−ブロモスクシンイミドを加え、１００Ｗのランプの照明をあてながら混合物を攪拌した。黄色の透明な溶液が形成され、その後に沈殿が生じた。反応はＴＬＣで監視した。１．５時間後に、反応混合物を部分的に濃縮して塩化メチレンを除去し、その後、アセトニトリルで結晶化させて１２．２ｇの淡黄色結晶（８７％）を得た。
【０４２９】
化合物７の合成：
窒素が充填されたグローブボックス内にある攪拌子を備えた５００ｍＬの丸底フラスコに、ナフタレン−１−イル−１−ボロン酸（１４．２ｇ、８２．６ミリモル）、１−ブロモ−２−ヨードベンゼン（２５．８ｇ、９１．２ミリモル）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１．２ｇ、１．４ミリモル）、炭酸ナトリウム（２５．４ｇ、２４０ミリモル）、およびトルエン（１２０ｍＬ）を加えた。ドライボックスから取り出した後、反応混合物を窒素で洗浄し、脱気水（１２０ｍＬ）を注射器で加えた。次いで、反応フラスコに凝縮器を取り付け、反応を１５時間還流させた。反応はＴＬＣで監視した。反応混合物を室温まで冷却した。有機層を分離し、水層をＤＣＭで抽出した。有機部分を一緒にし、溶媒を減圧下で除去して黄色油を得た。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーで精製すると、１３．６ｇの透明な油（５８％）が得られた。
【０４３０】
化合物６の合成：
磁気攪拌棒、還流凝縮器（窒素管路に接続されているもの）および油浴を備えた１リットルのフラスコに、４−ブロモフェニル−１−ナフタレン（２８．４ｇ、１０．０ミリモル）、ビス（ピナコレート（ｐｉｎａｃｏｌａｔｅ））ジボロン（４０．８ｇ、１６．０ミリモル）、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）2Ｃｌ2（１．６４ｇ、２．０ミリモル）、酢酸カリウム（１９．７ｇ、２００ミリモル）、およびＤＭＳＯ（３５０ｍＬ）を加えた。混合物を窒素で１５分間泡立たせてから、Ｐｄ（ｄｐｐｆ）2Ｃｌ2（１．６４ｇ、０．００２モル）を加えた。この過程の間に、混合物は暗褐色に徐々に変化した。反応を１２０℃（油浴）で窒素下において１８時間攪拌した。冷却後に、混合物を氷水中に注ぎ、クロロホルム（３×）で抽出した。有機層を水（３×）および飽和ブライン（１×）で洗い、ＭｇＳＯ４で乾燥させた。濾過し、溶媒を除去した後、残留物をシリカゲルカラムによるクロマトグラフィーで精製した。生成物を含む部分を一緒にし、溶媒を回転蒸発によって除去した。得られた白色固体をヘキサン／クロロホルムで結晶化し、真空オーブン内において４０℃で乾燥させて生成物を白色結晶フレークとして得た（１５．０ｇ、収率４５％）。１Ｈおよび１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルは、予期された構造と一致する。
【０４３１】
比較化合物Ａの合成
グローブボックス内の２５０ｍＬのフラスコに、（２．００ｇ、５．２３ミリモル）、４，４，５，５−テトラメチル−２−（４−（ナフタレン−４−イル）フェニル）−１，３，２−ジオキサボロラン（１．９０ｇ、５．７４ミリモル）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．２４ｇ、０．２６ミリモル）、およびトルエン（５０ｍＬ）を加えた。反応フラスコをドライボックスから取り出し、窒素注入口付き凝縮器を取り付けた。脱気した炭酸ナトリウム水溶液（２Ｍ、２０ｍＬ）を注射器で加えた。反応を一晩にわたって攪拌しかつ９０℃に加熱した。反応はＨＰＬＣで監視した。室温まで冷却した後、有機層を分離した。水層をＤＣＭで２回洗い、一緒にした有機層を回転蒸発で濃縮して、灰色の粉末を得た。中性アルミナによる濾過、ヘキサンによる沈殿、およびシリカゲルによるカラムクロマトグラフィーによって精製すると、２．２８ｇの白色粉末（８６％）が得られた。
【０４３２】
米国特許出願公開第２００８−０１３８６５５号明細書に記載されているようにして生成物をさらに精製して、ＨＰＬＣでの純度を少なくとも９９．９％および不純物の吸光度を０．０１以下にした。
【０４３３】
化合物Ａの1Ｈ  ＮＭＲスペクトルを図２に示す。
【０４３４】
重水素化ホスト化合物Ｈ１４を比較化合物Ａから作った。
【０４３５】
【化７９】
2012513688.tif 000081
【０４３６】
窒素雰囲気下において、ＡｌＣｌ3（０．４８ｇ、３．６ミリモル）を、比較例Ａの比較化合物Ａ（５ｇ、９．８７ミリモル）のペルジュウテロベンゼン（ｐｅｒｄｅｕｔｅｒｏｂｅｎｚｅｎｅ）またはベンゼン−Ｄ６（Ｃ6Ｄ6）（１００ｍＬ）溶液に加えた。得られた混合物を室温で６時間攪拌し、その後、Ｄ2Ｏ（５０ｍＬ）を加えた。層を分離させてから、水層をＣＨ2Ｃｌ2（２×３０ｍＬ）で洗浄した。一緒にした有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、揮発分を回転蒸発で除去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製した。重水素化生成物Ｈ１（ｘ＋ｙ＋ｎ＋ｍ＝２１〜２３）を白色粉末として得た（４．５ｇ）。
【０４３７】
米国特許出願公開第２００８−０１３８６５５号明細書に記載されているようにして生成物をさらに精製して、ＨＰＬＣでの純度を少なくとも９９．９％にし、不純物の吸光度を０．０１以下にした。その物質は、上記から、比較化合物Ａと同じレベルの純度であることが判明した。
【０４３８】
1Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2）およびＡＳＡＰ−ＭＳにより、化合物は以下に示す構造を有することが示された：
【０４３９】
【化８０】
2012513688.tif 000082
【０４４０】
上式において、「Ｄ／Ｈ」は、ＨまたはＤがほぼ等しい確率でこの原子位置にあることを示す。構造は、1Ｈ  ＮＭＲ、13Ｃ  ＮＭＲ、2Ｄ  ＮＭＲおよび1Ｈ−13Ｃ  ＨＳＱＣ（異核種単一量子コヒーレンス法（Ｈｅｔｅｒｏｎｕｃｌｅａｒ  Ｓｉｎｇｌｅ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ））で確認された。
【０４４１】
合成の実施例６
この実施例は、重水素化電子輸送物質（ＥＴ２）の製法を例示するものである。
【０４４２】
ａ）Ｙａｍａｄａ  ｅｔ  ａｌ  Ｂｕｌｌ  Ｃｈｅｍ  Ｓｏｃ  Ｊｐｎ，６３，２７１０，１９９０の手順を用いて、トリメチレン架橋バソフェナントロリンを次のようにして調製した：２ｇのバソフェナントロリンを２０ｇの１，３−ジブロモプロパンに入れ、空気下で還流させた。約３０分間後に、濃いオレンジ色のスラリーを冷却した。メタノールを加えて固体を溶かしてから、アセトンを加えて明るいオレンジ色の固体を沈殿させた。これを濾過し、トルエンおよびジクロロメタン（「ＤＣＭ」）で洗浄すると、結果として、オレンジ色の粉末が２．８ｇの収量で得られた。
【０４４３】
【化８１】
2012513688.tif 000083
【０４４４】
ｂ）上記の生成物２．８ｇを１２ｍＬの水に溶かし、３０ｍＬの水の中に２１ｇのフェリシアン化カリウムおよび１０ｇの水酸化ナトリウムを含む氷冷溶液に約３０分間にわたって滴下し、その後９０分間攪拌した。これを再び氷で冷やし、ｐＨが約８となるように６０ｍＬの４Ｍ  ＨＣｌで中和した。薄い黄褐色／黄色の固体を濾過して取り、吸引乾燥させた。濾過した固体をソックスレーに入れ、クロロホルムによる抽出によって褐色溶液を抽出した。これを茶色っぽい油状固体になるまで蒸発させてから、少量のメタノールで洗って薄い褐色固体（〜１．０ｇ、４７％）を得た。生成物は、混合物からクロロホルムを蒸発させることで、金色の小板としてクロロホルム／メタノールから再結晶させてもよい。構造は、ＮＭＲにより、以下のジケトンであると同定された。
【０４４５】
【化８２】
2012513688.tif 000084
【０４４６】
ｃ）上記のステップ（ｂ）のジケトンの各部分を一緒にしたもの（合計が５．５ｇ（１３．６ｍＭ））を３９ｍＬのＰＯＣｌ3中に懸濁させ、５．４ｇのＰＣｌ5を加えた。これを脱気し、窒素下で８時間にわたって還流した。過剰のＰＯＣｌ３を蒸発によって除去した。氷を加えて残っている塩化物を分解し、混合物をアンモニア溶液で中和した。褐色の沈殿物を回収し、真空下で乾燥させるとともに、母液を塩化メチレンで抽出した。褐色物質をすべて一緒にし、蒸発させて褐色のゴムにし、メタノールを加えた。振盪および攪拌後に、淡黄色の固体を分離し、それをオフホワイトの針状物としてＣＨＣｌ３およびメタノール（１：１０）から再結晶させた。ＮＭＲによる分析により、その構造が、以下に示す２，９−ジクロロ−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンであることが示された。
【０４４７】
【化８３】
2012513688.tif 000085
【０４４８】
ｄ）非重水素化類似体化合物は、以下に示す２，９−ジクロロ−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンとボロン酸エステルとの鈴木カップリングを用いて調製した。
【０４４９】
【化８４】
2012513688.tif 000086
【０４５０】
１．０ｇのジクロロ−ｐｈｅｎ（２．５ｍＭ）をグローブボックス内に入れ、３．１２ｇ（６ｍＭ）のボロン酸エステルを加える。０．１５ｇのＰｄ2ＤＢＡ3（ＤＢＡ＝ジベンジリデンアセトン）（０．１５ｍＭ）、０．１ｇのトリシクロヘキシルホスフィン（０．３５ｍＭ）および２．０ｇのリン酸カリウム（９ｍＭ）を加え、そのすべてを３０ｍＬのジオキサンおよび１５ｍＬの水に溶かす。グローブボックス内においてマントルで１００Ｃにおいて１時間だけ混合加熱してから、窒素下で一晩穏やかに温める（加減抵抗器の最小設定）。溶液はその時すぐには暗紫色であるが、〜８０℃に達すると、黄褐色（ｔａｎ  ｂｒｏｗｎ）のスラリーであり、それは高密度の沈殿が生じるとゆっくり透明な褐色になる。溶液が還流する（空気式凝縮器（ａｉｒ  ｃｏｎｄｅｎｓｏｒ））につれ、褐色のゴム状物質が形成される。グローブボックスから取り出すことにより、冷やして操作を進め、それから水を加える。ＤＣＭ中に抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥させる。シリカ／フロリジルのプラグでクロマトグラフィーによる分離を行い、ＤＣＭで、次いでＤＣＭ／メタノール（２：１）で溶出させる。蒸発させた淡黄色の溶液を回収し、メタノールを添加すると白色／淡黄色の固体が沈殿する。構造は、ＮＭＲ分析により、以下の化合物であることが確認された。
【０４５１】
【化８５】
2012513688.tif 000087
【０４５２】
ｅ）化合物ＥＴ２は、非重水素化類似体化合物から作った。
【０４５３】
【化８６】
2012513688.tif 000088
【０４５４】
窒素雰囲気下において、上のステップ（ｄ）からの化合物（１．９２５ｇ）をＣ6Ｄ6（２００ｍＬ）に溶かし、それにＣＦ3ＯＳＯ2Ｄ（１３．２ｍＬ）を滴加した。その反応混合物は室温で一晩攪拌されるようにし、その後、飽和Ｎａ2ＣＯ3／Ｄ2Ｏで急冷した。有機層を分離し、ＭｇＳＯ4で乾燥させた。シリカクロマトグラフィー（ＣＨ2Ｃｌ2：ヘキサン）を用いて生成物を精製して、１．７０ｇの物質を得た。分離した物質のＮＭＲスペクトルにより、構造が、Ｈと置換された３２〜３４個のＤを有するＥＴ２であると確認された。
【０４５５】
合成の実施例７
この実施例は、重水素化電子輸送物質（ＥＴ４）の製法を例示するものである。
【０４５６】
配位子であるＤ6−８−ヒドロキシキノリンの合成
【０４５７】
【化８７】
2012513688.tif 000089
【０４５８】
８−ヒドロキシキノリン（９３．００ｇ、２０．６６７ミリモル）とＤ2Ｏ（６０ｍＬ）と１０％Ｐｄ／Ｃ（０．２００ｇ）との混合物を、窒素雰囲気下にあるパー（Ｐａｒｒ）反応器に入れ、１６時間の間１８０Ｃに加熱した。得られた混合物をジエチルエーテル（２００ｍＬ）に加え、層を分離させ、有機層をセライトに通して濾過した。揮発分を蒸発させた後、得られた固体を、クロマトグラフィー（２０％ＤＣＭ／ヘキサン）を用いて精製して、２．４ｇ（収率７７％）のＤ6−８−ヒドロキシキノリン生成物を得た。
【０４５９】
ＥＴ４の合成
１．０ｇの塩化ジルコニウム（ＩＶ）を１０ｍＬの乾燥メタノールと混合し、３．２ｇのＤ6−８−ヒドロキシキノリンを１０ｍＬの乾燥メタノール中に含む攪拌されている溶液に加えた。これは、窒素下で３０分間攪拌し、還流させた。Ｚｒ反応物はすぐに濃い黄色の沈殿物を形成し、それを３０分間、攪拌および加熱還流した。これに４．８ｇのトリ−ｎ−ブチルアミンを加え、還流を１５分間続けた。濃い黄色の沈殿物を濾過し、メタノールおよびアンモニア（１Ｎ）で洗浄した。それを乾燥させてから、淡黄色の溶液として塩化メチレンで抽出し、メタノールを加えて再沈殿させた。構造は1Ｈ  ＮＭＲで確認した。
【０４６０】
合成の実施例８
この実施例は、重水素化エレクトロルミネセンス化合物Ｅ１３の製法を例示するものである。
【０４６１】
ａ）以下に示す化合物を、Ｙａｎ  ｅｔ．ａｌ．，Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，２００４，１４，２２９５−３０００の手順に従って作った。
【０４６２】
【化８８】
2012513688.tif 000090
【０４６３】
ｂ）非重水素化合物を以下の方式に従って調製した。
【０４６４】
【化８９】
2012513688.tif 000091
【０４６５】
１．０ｇのブロモスチルベン（２．３ｍＭ）をグローブボックス内に入れ、０．７４ｇ（２．３ｍＭ）の示されている第二アミンおよび０．２４ｇのｔ−ＢｕＯＮａ（２．４ｍＭ）を１０ｍＬのトルエンと一緒に加える。トルエンに溶かした４０ｍｇのＰ（ｔ−Ｂｕ）3、１００ｍｇのＰｄ2ＤＢＡ3を加える。グローブボックス内においてマントルで窒素下において８０Ｃで１時間混合加熱する。溶液は、その時すぐには暗紫色であるが、〜８０Ｃに達すると、顕著な青色ルミネセンスを伴う暗黄色である。物質を冷却し、グローブボックスから取り出し、クロマトグラフィーで精製し、トルエンで溶出させる。青色ルミネセンスの物質は非常によく溶け、淡黄色の溶液として溶出する。溶液を蒸発させて、容積を小さくし、メタノールを加えて輝く青色の光ルミネセンスを伴う淡黄色の固体を沈殿させる。ＮＭＲ分析により構造が確認された。
【０４６６】
ｃ）化合物Ｅ１３を、合成の実施例６の手順と似た手順を用いて、上記のステップ（ｂ）からの化合物を重水素化することにより調製した。
【０４６７】
デバイスの実施例１〜６
以下の非重水素化物質を用いた。
【０４６８】
ＨＩＪ−ＡおよびＨＩＪ−Ｂは、導電性ポリマーおよび高分子フッ素化スルホン酸の水性分散液である。そのような物質は、例えば、米国特許出願公開第２００４／０１０２５７７号明細書、米国特許出願公開第２００４／０１２７６３７号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２０５８６０号明細書、および公開されたＰＣＴ出願の国際公開第２００９／０１８００９号パンフレットに記載されている。
【０４６９】
ポリマーＰｏｌ−Ａは、非架橋のアリールアミンポリマー（２０ｎｍ）である。
ＥＬＭ−ＡおよびＥＬＭ−Ｂは、青色発光するエレクトロルミネセンスのビス（ジアリールアミノ）クリセン化合物である。
【０４７０】
ホストＡは、ジアリールアントラセン化合物である。
【０４７１】
ＥＴ−Ａは、金属キノレート誘導体（１０ｎｍ）である。
【０４７２】
装置の実施例１では、重水素化物質は正孔注入層中に存在した。正孔注入層は、合成の実施例１からのＤ5−ＰＰｙ／Ｄ−ポリ（ＴＦＥ−ＰＳＥＰＶＥ）であった。
【０４７３】
装置の実施例２では、重水素化物質は正孔輸送層中に存在した。正孔輸送層は合成の実施例２からのＨＴ５であった。
【０４７４】
装置の実施例３では、重水素化物質はエレクトロルミネセンス層中に存在した。エレクトロルミネセンス物質は合成の実施例４からのＥ４であった。
【０４７５】
装置の実施例４では、重水素化物質はエレクトロルミネセンス層中に存在した。エレクトロルミネセンス層中のホストは、合成の実施例５からのＨ１４であった。
【０４７６】
装置の実施例５では、重水素化物質は電子輸送層中に存在した。電子輸送層は合成の実施例６からのＥＴ２であった。
【０４７７】
装置の実施例６では、重水素化物質は電子輸送層中に存在した。電子輸送層は合成の実施例７からのＥＴ４であった。
【０４７８】
それぞれのデバイスで、陽極はインジウム・スズ・酸化物（ＩＴＯ）であり、電子注入層はＣｓＦであり、陰極はＡｌ（１００ｎｍ）であった。実施例１、２、４、５、および６では、陽極の厚さは５０ｎｍであり、実施例３では、陽極の厚さは１８０ｎｍであった。実施例１〜４および６では、電子注入層の厚さは１ｎｍであり、実施例５では電子注入の厚さは０．７ｎｍであった。他の層の物質および厚さについては、以下の表１に要約してある。
【０４７９】
【表１】
2012513688.tif 000092
【０４８０】
ＯＬＥＤデバイスは、溶液処理と熱蒸発技法とを併用することによって作製した。パターン化インジウム・スズ・酸化物（ＩＴＯ）で被覆されたガラス基板（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｉｎｃからのもの）を使用した。こうしたＩＴＯ基板は、シート抵抗が３０オーム／平方であり光透過率が８０％であるＩＴＯで被覆されたＣｏｒｎｉｎｇ  １７３７ガラスをベースにしている。パターン化ＩＴＯ基板を、洗浄剤水溶液中で超音波を使って清浄にし、蒸留水ですすいだ。その後、パターン化ＩＴＯをアセトン中で超音波を使って清浄にし、イソプロパノールですすぎ、窒素流で乾燥させた。
【０４８１】
デバイスの作製の直前に、清浄にしたパターン化ＩＴＯ基板を紫外オゾンで１０分間処理した。冷却直後に、正孔注入物質の水性分散液を、ＩＴＯ表面を覆うようにスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。冷却後、次いで基板を正孔輸送物質の溶液でスピンコーティングし、次いで加熱して溶媒を除去した。冷却後、基板をエレクトロルミネセンス層溶液でスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。基板をマスキングし、真空チャンバーに入れた。電子輸送層を熱蒸発によって付着させ、その後、ＣｓＦ層を電子注入層として付着させた。次いで真空中でマスクを変え、Ａｌ層を熱蒸発で付着させて陰極を形成させた。チャンバーのガス抜きを行い、ガラスの蓋、乾燥剤、および紫外線硬化性エポキシを用いてデバイスをカプセル化した。
【０４８２】
ＯＬＥＤ試料は、（１）電流−電圧（Ｉ−Ｖ）曲線、（２）エレクトロルミネセンスの輝度  対  電圧、および（３）エレクトロルミネセンススペクトル  対  電圧を測定して特徴を決定した。３種類の測定はすべて同時にコンピュータで実行し制御した。ある一定電圧でのデバイスの電流効率は、ＬＥＤのエレクトロルミネセンス輝度を、デバイスを作動させるのに必要な電流で割ることによって求める。単位はｃｄ／Ａである。電力効率は、電流効率にｐｉを乗じ、動作電圧で割ったものである。単位はｌｍ／Ｗである。デバイスのデータを、表２および表３に示す。
【０４８３】
【表２】
2012513688.tif 000093
【０４８４】
【表３】
2012513688.tif 000094
【０４８５】
この実施例では、半減期ではなく、７０％の輝度に達する時間を求めた。しかし、計算半減期は、７０％の輝度に達する計算された時間よりもはるかに長いであろう。したがって、１０００ニットでの半減期は、明らかに１０，０００時間より長い。
【０４８６】
デバイスの実施例７
この実施例は、液体付着によって形成された重水素化下塗層を有する電子デバイスを例示する。ここでは、正孔輸送層とエレクトロルミネセンス層も液体付着によって形成される。
【０４８７】
デバイスは、ガラス基板上に以下の構造を有していた：
陽極＝ＩＴＯ：５０ｎｍ
正孔注入層＝ＨＩＪ−Ｂ（５０ｎｍ）
下塗層：ＨＴ１１（２０ｎｍ）
正孔輸送層＝Ｐｏｌ−Ａ（２０ｎｍ）
エレクトロルミネセンス層＝ホストＨ１４：ドーパントＥＬＭ−Ｂが、１３：１の重量比である（４０ｎｍ）
電子輸送層＝ＥＴ−Ａ（１０ｎｍ）
陰極＝ＣｓＦ／Ａｌ（１／１００ｎｍ）
【０４８８】
ＯＬＥＤデバイスは、溶液処理と熱蒸発技法とを併用することによって作製した。パターン化インジウム・スズ・酸化物（ＩＴＯ）で被覆されたガラス基板（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｅｖｉｃｅｓ，Ｉｎｃからのもの）を使用した。このＩＴＯ基板は、シート抵抗が３０オーム／平方であり光透過率が８０％であるＩＴＯで被覆されたＣｏｒｎｉｎｇ  １７３７ガラスをベースにしている。パターン化ＩＴＯ基板を、洗浄剤水溶液中で超音波を使って清浄にし、蒸留水ですすいだ。その後、パターン化ＩＴＯをアセトン中で超音波を使って清浄にし、イソプロパノールですすぎ、窒素流で乾燥させた。
【０４８９】
デバイスの作製の直前に、清浄にしたパターン化ＩＴＯ基板を紫外オゾンで１０分間処理した。冷却直後に、ＨＩＪ−Ｂの水性分散液を、ＩＴＯ表面を覆うようにスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。冷却後に、ＨＴ１１のトルエン溶液を正孔注入層の上にスピンコーティングすることによって、下塗層を形成させた。下塗層は、１００ｍＪ／ｃｍ2の放射線量を用いて２４８ｎｍで画像状に暴露した。暴露後に、下塗層は、２０００ｒｐｍで６０秒間スピンさせながらアニソールを吹き付け、３０秒間スピンさせて乾燥させることにより、現像した。次いで、基板を正孔輸送物質の溶液でスピンコーティングし、その後、加熱して溶媒を除去した。エレクトロルミネセンス層は、スピンコーティングにより安息香酸メチル溶液から付着させ、その後加熱して溶媒を除去した。冷却後に、基板をマスキングし、真空チャンバーに入れた。次いで電子輸送物質を熱蒸発で付着させ、その後ＣｓＦ層を付着させた。次いで真空中でマスクを変え、Ａｌ層を熱蒸発で付着させた。チャンバーのガス抜きを行い、ガラスの蓋、乾燥剤、および紫外線硬化性エポキシを用いてデバイスをカプセル化した。
【０４９０】
ＯＬＥＤ試料は、上述のような特徴を有していた。
【０４９１】
得られたデバイスのデータを表４に示す。
【０４９２】
【表４】
2012513688.tif 000095
【０４９３】
デバイスの実施例８
この実施例は、重水素化ホストと重水素化エレクトロルミネセンスドーパントとを含むエレクトロルミネセンス層を有する電子デバイスを例示するものである。
【０４９４】
デバイスは、ガラス基板上に以下の構造を有していた：
陽極＝ＩＴＯ：５０ｎｍ
正孔注入層＝ＨＩＪ−Ｂ（５０ｎｍ）
正孔輸送層＝Ｐｏｌ−Ａ（２０ｎｍ）
エレクトロルミネセンス層＝ホストＨ１４：ドーパントＥ１３が８６：１４の重量比である（４０ｎｍ）
電子輸送層＝ＥＴ−Ａ（１０ｎｍ）
陰極＝ＣｓＦ／Ａｌ（０．７／１００ｎｍ）
【０４９５】
ＯＬＥＤデバイスは、デバイスの実施例１に記載したようにして作製した。結果を表５に示す。
【０４９６】
【表５】
2012513688.tif 000096
【０４９７】
表中のデータで示されているように、重水素化物質を含む少なくとも１種の層を持つデバイスは、計算半減期が５０００時間より長かった。デバイスの実施例３では、計算半減期が５０，０００時間より長かった。
【０４９８】
概要および実施例において上で述べた作業のすべてが必要であるわけではないこと、特定作業の一部は必要ではないことがあること、また説明したものに加えて１つまたは複数の更なる作業が実行されうることに留意されたい。またさらに、列挙されている作業の順序は、必ずしもそれらが実行される順序ではない。
【０４９９】
上記の明細書により、各概念が特定の実施形態に関連して説明された。しかし、以下の請求項に記載した本発明の範囲から逸脱することなく様々な修正および変更を行うことができることは、当業者により理解される。したがって、明細書および図は、制限的な意味ではなく例示的なものと見なすべきであり、そのような修正はすべて本発明の範囲に含まれることが意図される。
【０５００】
上記において、便益、他の利点、および問題の解決法は、特定の実施形態に関連して説明されている。しかし、便益、利点、問題の解決法、ならびにいずれかの便益、利点、または解決法をもたらしうるかまたはより顕著なものにしうるどの特徴も、いずれかまたはすべての請求項の重要な特徴、必須の特徴、または基本的特徴と解釈すべきではない。
【０５０１】
明快にするために別々の実施形態の文脈において本明細書で説明されている特定の複数の特徴を、１つの実施形態で兼ね備えさせることもできることを理解すべきである。その逆に、簡潔にするために１つの実施形態の文脈で説明されている様々な特徴を、別個に、あるいは任意の副次的な組合せで備えさせることもできる。
【０５０２】
本明細書に明記されている様々な範囲内の数値が使用されている場合、近似値として示されており、これは、示されている範囲内の最小値および最大値の両方に「約」という言葉が付けられているかのようである。こうして、示されている範囲より上および下のわずかな変化値は、その範囲内の値と実質的に同じ結果を得るのに使用できる。また、開示されているこうした範囲は、最小平均値と最大平均値の間のすべての値（ある値の成分の幾つかを別の値の成分と合わせた場合に生じうる小数値を含む）を含む連続範囲であることを意図する。さらに、広い範囲および狭い範囲が開示されている場合、ある範囲の最小値と別の範囲の最大値を組み合わせることおよびその逆も、本発明において企図される。
【図１】
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【図２】
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【国際調査報告】
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