(57)【要約】  マルチダイパッケージの１つのダイ上の保護システムは、パッケージの１以上の他のダイからもたらされる過剰電圧のためのディスチャージパスを提供する。グラウンドパスが高ノイズセンシティビティを有するパッケージ内のある回路のために与えられ、グラウンドパスが高ノイズセンシティビティ回路に対して相対的に低ノイズセンシティビティを有するパッケージ内のある回路のために与えられる。複数のダイの高ノイズセンシティビティ回路のグラウンドどうしはショートされ、コモン高ノイズセンシティビティグラウンドとなる。複数のダイの低ノイズセンシティビティ回路のグラウンドどうしはショートされ、コモン低ノイズセンシティビティグラウンドとなる。予め指定されたリムーバブルパスがダイの外部のパッケージ上に含まれ、それはコモン高ノイズセンシティビティグラウンドとコモン低ノイズセンシティビティグラウンドとをショートする。
2012500473.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のダイ及び第２のダイを備えた集積回路（ＩＣ）パッケージであって、
前記第１のダイは、第１のグラウンドノード及び第２のグラウンドノードを備え、
前記第１のダイは、前記第１のグラウンドノードと第２のグラウンドノードとの間に介在した保護回路をさらに備え、
前記第２のダイは、第３のグラウンドノード及び第４のグラウンドノードを備え、
前記第３のグラウンドノードは前記第１のグラウンドノードにショートされて第１のクロスダイコモングラウンドとなり、前記第４のグラウンドノードは前記第２のグラウンドノードにショートされて第２のクロスダイコモングラウンドとなる
集積回路（ＩＣ）パッケージと、
前記第１のダイ及び第２のダイの外部の前記パッケージ上の位置で、前記第１のクロスダイコモングラウンドと前記第２のクロスダイコモングラウンドとを互いにショートさせるための予め指定されたリムーバブルパスと、
を備えた過剰電圧ディスチャージシステム。
【請求項２】
前記予め指定されたリムーバブルパスは、前記ＩＣパッケージの製造中において最初は含められ、前記第１のクロスダイコモングラウンドと前記第２のクロスダイコモングラウンドとを互いにショートさせることが前記ＩＣパッケージの望ましくないパフォーマンス劣化となるときには、前記パッケージの前記製造中に除去される
請求項１の過剰電圧ディスチャージシステム。
【請求項３】
前記第１のダイは第１の回路及び第２の回路を備え、前記第１の回路は前記第２の回路よりも相対的に高いノイズセンシティビティを有し、前記第１のグラウンドノードは前記第１の回路に対して高いノイズセンシティビティグラウンドノードを与え、前記第２のグラウンドノードは前記第２の回路に対して低いノイズセンシティビティグラウンドノードを与える
請求項２の過剰電圧ディスチャージシステム。
【請求項４】
前記第２のダイは第３の回路及び第４の回路を備え、前記第３の回路は前記第４の回路よりも相対的に高いノイズセンシティビティを有し、前記第３のグラウンドノードは前記第３の回路に対して高いノイズセンシティビティグラウンドノードを与え、前記第４のグラウンドノードは前記第４の回路に対して低いノイズセンシティビティグラウンドノードを与える
請求項３の過剰電圧ディスチャージシステム。
【請求項５】
第２のダイに結合された第１のダイを備えた集積回路（ＩＣ）パッケージを備え、
前記第１のダイは、デジタル回路及びラジオ周波数（ＲＦ）アナログ回路を備え、
前記第１のダイは、前記第２のダイのためのコモンディスチャージパスを生成する保護システムをさらに備える
過剰電圧ディスチャージシステム。
【請求項６】
前記第２のダイは、電力管理回路を備える
請求項５の過剰電圧ディスチャージシステム。
【請求項７】
前記保護システムは、バックトゥバックダイオードの少なくとも１つのペアを備える
請求項５の過剰電圧ディスチャージシステム。
【請求項８】
前記第１のダイは前記ＲＦアナログ回路のための少なくとも１つの高ノイズセンシティビティグラウンドノードを備え、前記第２のダイは前記デジタル回路よりも相対的に高いノイズセンシティビティを有する前記第２のダイ上の回路のための少なくとも１つの高ノイズセンシティビティグラウンドノードを備え、前記第１のダイの前記少なくとも１つの高ノイズセンシティビティグラウンドノードと前記第２のダイの前記少なくとも１つの高ノイズセンシティビティグラウンドノードとは互いにショートされてコモン高ノイズセンシティビティグラウンドとなる
請求項５の過剰電圧ディスチャージシステム。
【請求項９】
前記第１のダイの前記少なくとも１つの高ノイズセンシティビティグラウンドノードと前記第２のダイの前記少なくとも１つの高ノイズセンシティビティグラウンドノードとは、前記第１のダイ及び第２のダイの外部の前記パッケージ上の位置で互いにショートされている
請求項８の過剰電圧ディスチャージシステム。
【請求項１０】
前記第１のダイ上の前記保護システムは、前記第２のダイの前記少なくとも１つの高ノイズセンシティビティグラウンドノードに対して過剰電圧ディスチャージパスを与える
請求項９の過剰電圧ディスチャージシステム。
【請求項１１】
前記第１のダイは、前記第１のダイ上の前記デジタル回路のための少なくとも１つの低ノイズセンシティビティグラウンドノードをさらに備え、前記第２のダイは、前記ＲＦアナログ回路よりも相対的に低いノイズセンシティビティを有する前記第２のダイ上の回路のための少なくとも１つの低ノイズセンシティビティグラウンドノードを備え、前記第１のダイの前記少なくとも１つの低ノイズセンシティビティグラウンドノードと前記第２のダイの前記少なくとも１つの低ノイズセンシティビティグラウンドノードとは互いにショートされてコモン低ノイズセンシティビティグラウンドとなる
請求項９の過剰電圧ディスチャージシステム。
【請求項１２】
前記第１のダイの前記少なくとも１つの低ノイズセンシティビティグラウンドノードと前記第２のダイの前記少なくとも１つの低ノイズセンシティビティグラウンドノードとは、前記第１のダイ及び第２のダイの外部の前記パッケージ上の位置で互いにショートされている
請求項１１の過剰電圧ディスチャージシステム。
【請求項１３】
前記第１のダイ上の前記保護システムは、前記コモン高ノイズセンシティビティグラウンドと前記コモン低ノイズセンシティビティグラウンドとの間に介在した過剰電圧ディスチャージパスを与える
請求項１２の過剰電圧ディスチャージシステム。
【請求項１４】
前記第１のダイ及び第２のダイの外部の前記パッケージ上の位置で、前記コモン高ノイズセンシティビティグラウンドと前記コモン低ノイズセンシティビティグラウンドとを互いにショートさせるための予め指定されたリムーバブルパスを
さらに備えた請求項１２の過剰電圧ディスチャージシステム。
【請求項１５】
第１のダイ及び少なくとも第２のダイを備えた集積回路（ＩＣ）パッケージであって、
前記第１のダイは第１の回路及び第２の回路を備え、前記第１のダイの前記第１の回路は前記第２の回路よりも相対的に高いノイズセンシティビティを有し、
前記第１のダイは、前記第１のダイ上の前記第１の回路のための少なくとも１つの高ノイズセンシティビティグラウンドノードと、前記第１のダイ上の前記第２の回路のための少なくとも１つの低ノイズセンシティビティグラウンドノードとを備え、
前記第１のダイは、前記少なくとも１つの高ノイズセンシティビティグラウンドノードと前記少なくとも１つの低ノイズセンシティビティグラウンドノードとの間に介在した保護回路をさらに備え、
前記少なくとも第２のダイは第３の回路及び第４の回路を備え、前記少なくとも第２のダイの前記第３の回路は前記第４の回路よりも相対的に高いノイズセンシティビティを有し、
前記少なくとも第２のダイは、前記第３の回路のための少なくとも１つの高ノイズセンシティビティグラウンドノードと、前記第４の回路のための少なくとも１つの低ノイズセンシティビティグラウンドノードとを備え、
前記第１のダイの前記少なくとも１つの高ノイズセンシティビティグラウンドノードと前記少なくとも第２のダイの前記少なくとも１つの高ノイズセンシティビティグラウンドノードは、前記第１のダイ及び前記少なくとも第２のダイの外部の前記パッケージ上の位置で互いにショートされて、コモン高ノイズセンシティビティグラウンドとなり、
前記第１のダイの前記少なくとも１つの低ノイズセンシティビティグラウンドノードと前記少なくとも第２のダイの前記少なくとも１つの低ノイズセンシティビティグラウンドノードは、前記第１のダイ及び前記少なくとも第２のダイの外部の前記パッケージ上の位置で互いにショートされて、コモン低ノイズセンシティビティグラウンドとなる
集積回路（ＩＣ）パッケージと、
前記第１のダイ及び前記少なくとも第２のダイの外部の前記パッケージ上の位置で、前記コモン高ノイズセンシティビティグラウンドと前記コモン低ノイズセンシティビティグラウンドとを互いにショートさせるための予め指定されたリムーバブルパスと、
を備えた過剰電圧ディスチャージシステム。
【請求項１６】
前記予め指定されたリムーバブルパスは、前記ＩＣパッケージの製造中において最初は含められ、前記コモン高ノイズセンシティビティグラウンドと前記コモン低ノイズセンシティビティグラウンドとを互いにショートさせることが前記ＩＣパッケージの望ましくないパフォーマンス劣化となるときには、前記パッケージの前記製造中に除去される
請求項１５の過剰電圧ディスチャージシステム。
【請求項１７】
高ノイズセンシティビティを有する前記第１の回路は、アナログ回路を備える
請求項１６の過剰電圧ディスチャージシステム。
【請求項１８】
前記第１のダイの前記第２の回路は、デジタル回路を備える
請求項１７の過剰電圧ディスチャージシステム。
【請求項１９】
前記第２のダイは、電力管理回路を備える
請求項１８の過剰電圧ディスチャージシステム。
【請求項２０】
前記予め指定されたリムーバブルパスが除去される際に、前記保護回路が前記コモン高ノイズセンシティビティグラウンドと前記コモン低ノイズセンシティビティグラウンドとの間にコミュニケイティブに介在される
請求項１９の過剰電圧ディスチャージシステム。
【請求項２１】
マルチダイ集積回路（ＩＣ）パッケージを製造する方法であって、前記方法は、
前記マルチダイパッケージの複数のダイの高ノイズセンシティビティグラウンドどうしをショートさせて、前記複数のダイの外部にある前記マルチダイパッケージ上のコモン高ノイズセンシティビティグラウンドパスとすることと、
前記マルチダイパッケージの複数のダイの低ノイズセンシティビティグラウンドどうしをショートさせて、前記複数のダイの外部にある前記マルチダイパッケージ上のコモン低ノイズセンシティビティグラウンドパスとすることと、
過剰電圧ディスチャージ保護回路を少なくとも１つの前記複数のダイ上に含ませることであって、前記コモン高ノイズセンシティビティグラウンドパス及び前記コモン低ノイズセンシティビティグラウンドパスは前記過剰電圧ディスチャージ保護回路に結合されることと、
前記コモン高ノイズセンシティビティグラウンドパスと前記コモン低ノイズセンシティビティグラウンドパスとを互いにショートさせる予め指定されたリムーバブルパスを前記マルチダイパッケージ上に含めることと、
前記コモン高ノイズセンシティビティグラウンドパスと前記コモン低ノイズセンシティビティグラウンドパスとを互いにショートさせる前記予め指定されたオプショナルパスを有する前記マルチダイパッケージのパフォーマンスを評価することと、
パフォーマンスが受け入れられない場合には、前記予め指定されたリムーバブルパスをカットして、前記コモン高ノイズセンシティビティグラウンドパスと前記コモン低ノイズセンシティビティグラウンドパスとが互いにショートしないようにすることと、
を備える。
【請求項２２】
前記過剰電圧ディスチャージ保護回路は、前記コモン高ノイズセンシティビティグラウンドパスと前記コモン低ノイズセンシティビティグラウンドパスとの間に介在したバックトゥバックダイオードの少なくとも１つのペアを含む
請求項２１の方法。
【請求項２３】
前記評価することは、
高ノイズセンシティビティを有する前記マルチダイパッケージ内の回路のパフォーマンスの受け入れられない劣化が、前記予め指定されたリムーバブルパスを介して互いにショートされた前記コモン高ノイズセンシティビティグラウンドパス及び前記コモン低ノイズセンシティビティグラウンドパス上に存在するノイズに起因するかどうかを評価することを備える
請求項２１の方法。
【請求項２４】
前記マルチダイパッケージの高ノイズセンシティビティグラウンドは、リファレンスグラウンドを与える前記低ノイズセンシティビティグラウンドのための前記マルチダイパッケージ上の回路に対して相対的に高ノイズセンシティビティを有する前記マルチダイパッケージ上の回路のためのリファレンスグラウンドを与える
請求項２１の方法。
【請求項２５】
前記高ノイズセンシティビティを有するマルチダイパッケージ上の回路はアナログ回路を備え、前記低ノイズセンシティビティグラウンドがリファレンスグラウンドを与える前記マルチダイパッケージ上の回路はデジタル回路を備える
請求項２４の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
以下の説明は、一般に、例えば電気的オーバーストレス（electrical overstress）(ＥＯＳ)及び／又は静電ディスチャージ（electrostatic discharge）（ＥＳＤ）事象に起因する過剰電圧（excess voltage）を含んだ、潜在的にダメージを与える過剰電圧に対する保護を提供する半導体回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
現代の集積回路（ＩＣ）は、過剰電圧によって容易にダメージを受ける。これらの潜在的にダメージを与える電圧の共通の原因は、電気的オーバーストレス(ＥＯＳ)及び静電ディスチャージ（ＥＳＤ）を含んでいる。ＥＳＤは、ソリッドステートエレクトロニクスにおける深刻な問題であり、ダイレクトコンタクトを通して或いは誘起された電界を通して、異なった静電ポテンシャルでボディ或いは表面間を静電チャージが移動するものである。シリコン等の半導体及びシリコン酸化物等の絶縁材料を用いて構築されるＩＣは、ＥＳＤ事象によって生成されるかもしれないより高い電圧を受けたときに永続的にダメージを受け得る。
【０００３】
伝統的には、オンチップ回路が採用され、ＥＳＤ事象の最中にＩＣを保護している。従来のＩＣＥＳＤ保護案では、ＩＣ電力サプライレール（power supply rail）間のＥＳＤ電流をシャント（shunt）するために特別のクランプ回路がたびたび用いられ、それによってＩＣのセンシティブな内部エレメントをダメージから保護している。そのようなクランピング回路は、典型的には、タイマー回路（例えば、“一時的検出器（transient detector）”として言及されるかもしれない抵抗−キャパシタ（ＲＣ）タイマー）、及び高ＥＳＤ電流をディスチャージするための大きなｎチャネルＭＯＳＦＥＴデバイスを有している。それ故、電力レールクランプ回路（power rail clamp circuit）がたびたびＩＣ内で採用され、ＥＳＤ事象がＩＣの電力レール上で生じた場合に、ＩＣのメインデバイス（回路エレメント）がダメージを受けないように、クランプがターンオンして電圧を減少させるようにしている。そのようなＲＣクランプのインプリメンテーション及び利用は、従来技術においてよく知られている。
【０００４】
代表的なＥＳＤ保護回路は、"Circuit for Electrostatic Discharge Protection"というタイトルの米国特許５９４６１７７、"Electrostatic Discharge Circuit"というタイトルの米国特許６３２７１２６、"Electrostatic Discharge Protection Power Rail Clamp with Feedback-Enhanced Triggering and Conditioning Circuitry"というタイトルの米国特許７１９６８９０、"Method and Apparatus for Coupling Multiple Independent On-Chip VDD Busses to ESD Core Clamp"というタイトルの米国特許５６５４８６２、及び"Transient Pulse, Substrate-Triggered BICMOS Rail Clamp For ESD Abatement"というタイトルの公開米国特許出願２００６／０２５０７３２に述べられている。
【０００５】
所与の集積回路（ＩＣ）パッケージは、その中にインプリメントされた複数のダイ（die）を有しているかもしれない。伝統的には、それらは、ＥＳＤディスチャージ事象の最中に所与のダイを保護するために、入力／出力（Ｉ／Ｏ）回路に集積されたオンチップＥＳＤ保護回路である。これらの回路は、その特定のダイのために必要とされる保護を提供する。それ故、複数のダイを含んだＩＣパッケージのための伝統的なＥＳＤ保護案において、ＥＳＤ保護回路は、特定のダイ内で生じる過剰電圧事象（excess voltage event）（例えば、ＥＳＤ事象）に対して特定のダイを保護するために、各ダイ内にインプリメントされているかもしれない。一例として、ＥＳＤ保護回路は、所与のダイ内で生じる過剰電圧事象に対してディスチャージパス（discharge path）を提供するために所与のダイ内に配置されたバックトゥバックダイオード（back-to-back diode）のペアを有しているかもしれない。同様に、バックトゥバックダイオードの他のペアが、他のダイ内で生じる過剰電圧事象に対してディスチャージパスを提供するために他のダイ内に配置されているかもしれない。そのような過剰電圧ディスチャージパスを提供するためのバックトゥバックダイオードの利用は、従来技術においてよく知られている。一般に、そのようなダイオードは、正常動作状態において通常、逆バイアス（非導通）であるが、ダイオードペアの一方のサイドの過剰チャージが閾量を越える過剰電圧事象（例えば、ＥＳＤ）が生じるときには、ペア内のダイオードは順バイアスされ（導通）、過剰電圧に対するディスチャージパスを提供する。
【０００６】
複数のダイを有するパッケージでは、１つのダイのＩ／Ｏ信号は、同一パッケージ内の１以上の他のダイのＩ／Ｏ信号と通信するかもしれない。パッケージ内の異なったダイは、ノイズに対するセンシティビティの異なったレベルを有しているかもしれない。例えば、所与のパッケージ内のこれらのダイは、完全なデジタル回路、或いはＲＦ／アナログ回路を含んでいるかもしれず、それは基板ノイズ及びクロストークに対して高センシティブである。典型的には、ダイがノイズに対して高センシティブな回路（例えば、センシティブなＲＦ／アナログ回路）を含んでいる場合、パッケージ内のデジタルダイによるような、他のダイによって導入されるかもしれない基板ノイズからの適切なアイソレーションを必要とする。
【０００７】
複数のダイを含む全てのパッケージに対するＥＳＤ保護は、ノイズアイソレーション、クロストーク等のような問題に起因して、さらにチャレンジングとなってきている。さらに、異なった電力ドメイン間をインターフェースする複数のダイ及び信号間の通信は、パッケージの弱み（vulnerability）に追加される。
【発明の概要】
【０００８】
上記の観点から、複数のダイを含んだＩＣパッケージのための過剰電圧保護システムに対する要求が存在する。過剰電圧事象（例えば、ＥＳＤ事象）への潜在的なダメージに対する良好な免疫（immunity）を有するＩＣパッケージを提供するような過剰電圧保護システムに対する要求が存在する。パッケージ内のデバイスにストレスを与えることなく、そのような過剰電圧事象への潜在的なダメージの最中に一時的な電流（transient current）をディスチャージすることのできるような過剰電圧保護システムに対する要求が存在する。全てのＥＳＤディスチャージ案は強固である（robust）べきである。
【０００９】
本開示は一般に、マルチダイパッケージについて、過剰電圧事象（例えば、ＥＳＤ事象）への潜在的なダメージに対する保護を与えるためのシステム及び方法に向けられている。本発明のある態様によれば、マルチダイパッケージの１つのダイ上にインプリメントされた過剰電圧保護システムは、ＩＣパッケージの１以上の他のダイに印加された過剰電圧に対するディスチャージパスを与える。
【００１０】
一態様では、過剰電圧ディスチャージシステム（excess voltage discharge system）は、第１のダイ（die）及び第２のダイを有する集積回路（ＩＣ）パッケージを含む。第１のダイは、第１のグラウンドノード（ground node）、第２のグラウンドノード、及び１のグラウンドノードと第２のグラウンドノードとの間に介在した保護回路（protection circuitry）を有する。第２のダイは、第３のグラウンドノード及び第４のグラウンドノードを有する。第３のグラウンドノードは、第１のグラウンドノードにショートされて第１のクロスダイコモングラウンド（cross-die common ground）となる。第４のグラウンドノードは、第２のグラウンドノードにショートされて第２のクロスダイコモングラウンドとなる。システムはまた、第１のダイ及び第２のダイの外部のパッケージ上の位置で、第１のクロスダイコモングラウンドと第２のクロスダイコモングラウンドとを互いにショートさせるための予め指定されたリムーバブルパス（pre-designated removable path）を含む。
【００１１】
他の態様では、過剰電圧ディスチャージシステムは、第２のダイに結合された第１のダイを有する集積回路（ＩＣ）パッケージを含む。第１のダイは、デジタル回路及びラジオ周波数（ＲＦ）アナログ回路を有する。第１のダイはまた、第２のダイのためのコモンディスチャージパス（common discharge path）を生成する保護システムを有する。
【００１２】
さらに他の態様では、過剰電圧ディスチャージシステムは、第１のダイ及び少なくとも第２のダイを有する集積回路（ＩＣ）パッケージを含む。第１のダイは第１の回路及び第２の回路を有し、第１のダイの第１の回路は第２の回路よりも相対的に高いノイズセンシティビティ（noise-sensitivity）を有する。第１のダイは、第１のダイ上の第１の回路のための少なくとも１つの高ノイズセンシティビティグラウンドノード（high noise-sensitivity ground node）と、第１のダイ上の第２の回路のための少なくとも１つの低ノイズセンシティビティグラウンドノード（low noise-sensitivity ground node）とを有する。第１のダイはまた、少なくとも１つの高ノイズセンシティビティグラウンドノードと少なくとも１つの低ノイズセンシティビティグラウンドノードとの間に介在した保護回路を有する。少なくとも第２のダイは第３の回路及び第４の回路を有し、少なくとも第２のダイの第３の回路は第４の回路よりも相対的に高いノイズセンシティビティを有する。少なくとも第２のダイは、第３の回路のための少なくとも１つの高ノイズセンシティビティグラウンドノードと、第４の回路のための少なくとも１つの低ノイズセンシティビティグラウンドノードとを有する。第１のダイの少なくとも１つの高ノイズセンシティビティグラウンドノードと少なくとも第２のダイの少なくとも１つの高ノイズセンシティビティグラウンドノードは、第１のダイ及び少なくとも第２のダイの外部のパッケージ上の位置で互いにショートされて、コモン高ノイズセンシティビティグラウンドとなる。第１のダイの少なくとも１つの低ノイズセンシティビティグラウンドノードと少なくとも第２のダイの少なくとも１つの低ノイズセンシティビティグラウンドノードは、第１のダイ及び少なくとも第２のダイの外部のパッケージ上の位置で互いにショートされて、コモン低ノイズセンシティビティグラウンドとなる。予め指定されたリムーバブルパスは、第１のダイ及び少なくとも第２のダイの外部のパッケージ上の位置で、コモン高ノイズセンシティビティグラウンドとコモン低ノイズセンシティビティグラウンドとを互いにショートさせるためのものである。
【００１３】
さらに他の態様では、方法は、マルチダイ（multi-die）集積回路（ＩＣ）パッケージを製造するために提供される。方法は、マルチダイパッケージの複数のダイの高ノイズセンシティビティグラウンドどうしをショートさせて、複数のダイの外部にあるマルチダイパッケージ上のコモン高ノイズセンシティビティグラウンドパスとすることを含む。方法はまた、マルチダイパッケージの複数のダイの低ノイズセンシティビティグラウンドどうしをショートさせて、複数のダイの外部にあるマルチダイパッケージ上のコモン低ノイズセンシティビティグラウンドパスとすることを含む。方法はさらに、過剰電圧ディスチャージ保護回路を少なくとも１つの複数のダイ上に含ませることを含む。コモン高ノイズセンシティビティグラウンドパス及びコモン低ノイズセンシティビティグラウンドパスは、過剰電圧ディスチャージ保護回路に結合される。方法はまた、コモン高ノイズセンシティビティグラウンドパスとコモン低ノイズセンシティビティグラウンドパスとを互いにショートさせる予め指定されたリムーバブルパスをマルチダイパッケージ上に与えることを含む。方法はさらに、コモン高ノイズセンシティビティグラウンドパスとコモン低ノイズセンシティビティグラウンドパスとを互いにショートさせる予め指定されたオプショナルパスを有するマルチダイパッケージのパフォーマンスを評価することを含み、そして、パフォーマンスが受け入れられない場合には、予め指定されたリムーバブルパスをカット（cut）して、コモン高ノイズセンシティビティグラウンドパスとコモン低ノイズセンシティビティグラウンドパスとが互いにショートしないようにする。
【００１４】
上述したことは、以下の発明の詳細な説明がより良く理解されるようにするため、本発明の特徴及び技術的効果を広く概観したものである。本発明のさらなる特徴及び効果は、この後で説明され、それは本発明のクレームの主題を形成する。開示されるコンセプト及び具体的な態様は、本発明の同じ目的を実行するための他の構成を変更或いは設計するための基礎として容易に利用されるかもしれないことは、当業者によって認識されるべきである。そのような等価な構成が、添付されたクレームで明らかにされるような本発明の精神及び範囲から逸脱しないことは、当業者によって理解されるべきである。機構及び動作の方法の両者である、本発明の特質であると信じられる新規な特徴は、さらなる目的及び効果とともに、添付の図面を関連させて考慮されたときに、以下の説明からより理解されるであろう。しかしながら、図面のそれぞれは例証及び説明の目的だけに提供され、本発明の定義及び限定として意図されていないことは、明確に理解されるべきである。
【００１５】
本発明のより完全な理解のために、添付の図面を参照して以下の記述について言及がなされる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の一態様に係る過剰電圧（例えば、ＥＳＤ）保護回路を含んだ例示的なマルチダイパッケージの概略図を示している。
【図２】図２は、本発明の一態様に係るマルチダイパッケージの製造方法の例示的なプロセスを示している。
【図３】図３は、本発明の一態様に係る過剰電圧（例えば、ＥＳＤ）保護回路を含んだマルチダイパッケージ上のダイの少なくとも一部の概略図を示している。
【図４】図４は、本発明の実施形態が効果的に適用される例示的な無線通信システムを示している。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１は、本発明の一態様に係る過剰電圧（excess voltage）（例えば、ＥＳＤ）保護回路（protection circuit）を含んだ例示的なマルチダイパッケージ（multi-die package）の概略図を示している。図１の例示的な態様では、マルチダイパッケージ１０は、第１のダイ１１及び第２のダイ１２を備えている。説明を容易にするために、この例では２つのダイを示しているが、他の態様では、２つよりも多いダイがマルチダイパッケージ１０内にインプリメントされることを理解すべきである。この例では、第１のダイ１１は、第１の部分１０１及び第２の部分１０２を有している。ある態様では、第１の部分１０１はデジタル回路１４０を含んでおり、第２の部分１０２はラジオ周波数（ＲＦ）回路のようなアナログ回路１４１を含んでいる。例えば、デジタル回路１４０は、一例としてプロセッサ及びメモリのようなデジタル回路を含んでいるかもしれない。アナログ回路１４１は、一例として、ＲＦ、ＬＮＡ、高周波数ＤＡＣ、ＡＤＣ、ＰＬＬ、電力管理回路（power management circuitry）のようなアナログ回路を含んでいるかもしれない。ここでさらに議論されるように、第１の部分１０１は、低ノイズセンシティビティ（low noise-sensitivity）（例えば、デジタル回路１４０、或いは、ここでさらに議論されるように、低ノイズセンシティビティを有する回路の任意の他のタイプ）を有する回路を有し、第２の部分１０２は、高ノイズセンシティビティ（high noise-sensitivity）（例えば、ＲＦアナログ回路１４１、或いは、ここでさらに議論されるように、高ノイズセンシティビティを有する回路の任意の他のタイプ）を有する回路を有する。
【００１８】
一般に、回路のあるタイプは低ノイズセンシティビティを有し（すなわち、ノイズに対してより小さいセンシティブなパフォーマンスを有する）、一方、回路の他のタイプは高ノイズセンシティビティを有する（すなわち、ノイズに対してより大きいセンシティブなパフォーマンスを有する）。ここでさらに述べられるように、ノイズに対するそれぞれのセンシティビティは、回路の相対的な特質である。例えば、ノイズが十分に大きいと、ほとんどの任意の回路のパフォーマンスは、それによってインパクトを受けるかもしれない。しかしながら、ある回路は相対的に高いノイズセンシティビティを有し、他の回路は相対的に低いノイズセンシティビティを有することを、当業者は理解するであろう。
【００１９】
一例として、所与のＩＣパッケージ（例えば、パッケージ１０）内のような所与のシステム内において、高ノイズセンシティビティを有する回路の第１のタイプが存在するかもしれず、回路の第１のタイプに対して相対的に低いノイズセンシティビティを有する回路の第２のタイプが存在するかもしれない。例えば、図１の図示された例では、ＩＣパッケージ１０の第１のダイ１１上のＲＦアナログ回路１４１は、高ノイズセンシティビティを有する回路の第１のタイプかもしれず、第１のダイ１１上のデジタル回路１４０は、ＲＦアナログ回路１４１に対して相対的に低いノイズセンシティビティを有する回路の第２のタイプかもしれない。
【００２０】
低ノイズセンシティビティを有するものとしてここで言及される回路は、一般に、高ノイズセンシティビティを有するものとしてここで言及される回路よりも、大きな量のノイズに耐えることができる（受け入れることのできないパフォーマンス劣化なしに）回路である。例えば、多くのアナログ回路コンポーネントに比較されるように、デジタル回路は典型的にはノイズに対してよりセンシティビティでないと考えられる。例えば、多くのデジタル回路は、電圧レベルのウィンドウが、ハイ電圧レベル（或いはロジカル“１”）或いはロウ電圧レベル（或いはロジカル“０”）のいずれかであるとして認められている。一例として、所与のデジタル回路は、ロウ電圧レベルとして０ボルトを規定し、ハイ電圧レベルとして５ボルトを規定するかもしれない。さらに、要求される電圧レベルがロウ電圧レベル及びハイ電圧レベルとしてそれぞれ０ボルト及び５ボルトと正確に認識されるよりはむしろ、所与のデジタル回路は電圧レベルのそれぞれのウィンドウがロウ及びハイレベルであるとして認識するかもしれない。例えば、そのような所与のデジタル回路は、閾値よりも下の任意の電圧レベルを、例えば１．５ボルトより下を、ロウ電圧レベルであるに対応するとして認識するかもしれず、閾値、例えば３．５ボルトを越える任意の電圧レベルを、ハイ電圧レベルに対応するとして認識するかもしれない。一方、多くのアナログ回路のパフォーマンスは、信号の正確な値により厳格に依存する（或いは、デジタル回路によってたびたび許容されるものよりもはるかに、信号値のよりタイトなウィンドウに依存する）。このように、多くのデジタル回路は、多くのアナログ回路よりも相対的に低いノイズセンシティビティを有する。もちろん、当業者が認めるであろうように、ノイズに対するそれらのそれぞれのセンシティビティにおいて相対的な違いを有する回路の異なったタイプの他の例が、所与のシステムに存在するかもしれない。
【００２１】
図１の例示的なシステムにおいて、第１のダイ１１の第１の部分１０１は、過剰電圧保護回路１０３を含んでおり、これについてここでさらに説明する。図示されるように、第１の部分１０１は、Ｖsspackageパス１０９、Ｖssnパス１１０、Ｖss2パス１１１、及びＶss1パス１１２のような、１以上のグラウンドパス（ground path）を備えている。これらのグラウンドパス１０９−１１２のそれぞれは、過剰電圧保護回路１０３を介して、コモングラウンドパス（common ground path）（“Ｖssx”）１１３に結合されている。１以上のグラウンドパス１０９−１１３は、第１のダイ１１上にインプリメントされたデジタル回路１４０に対するリファレンスグラウンド（reference ground）を提供するために用いられるかもしれない。図示された例では、Ｖsspackageパス１０９は、Ｉ／Ｏパッド１０８を介して第１のダイ１１の外部に露出している。同様に、コモンＶssxパス１１３は、Ｉ／Ｏパッド１１４を介して第１のダイ１１の外部に露出している。もちろん、１以上の他のグラウンドパス１１０−１１２は、あるインプリメンテーションにおいて、同様にＩ／Ｏパッドを介して第１のダイ１１の外部に露出しているかもしれない。
【００２２】
ある態様では、過剰電圧保護回路１０３は、図１の例示的態様に示されたペア１０４、１０５、１０６及び１０７のようなバックトゥバックダイオード（back-to-back diode）の１以上のペアを含んでいる。バックトゥバックダイオードの４つのペアがこの例では示されているが、他のインプリメンテーションでは任意の数（１以上）のそのようなペアがインプリメントされていてもよい。ダイオードの利用は本技術において公知であり、それ故にここでは簡単に述べる。一例として、ダイオードペア１０４は、ダイオード１０４Ａ及び１０４Ｂのバックトゥバック配置である。Ｖssx１１３上の電圧が、ダイオード１０４Ａの順ブレークオーバー（forward breakover）よりも大きな量でＶsspackage１０９の電圧を超えると、ダイオード１０４Ａは導電となり、ディスチャージパス（discharge path）を与える。一方、Ｖsspackage１０９上の電圧が、ダイオード１０４Ｂの順ブレークオーバーよりも大きな量でＶssx１１３の電圧を越えると、ダイオード１０４Ｂは導電となり、ディスチャージパスを与える。
【００２３】
この例では、第１のダイ１１の第２の部分１０２は、１以上の高ノイズセンシティビティグラウンドパス（Ｖss1...Vssn）１１５を有し、それは部分１０１（例えば、デジタル回路１４０）内の回路に対して相対的に高いノイズセンシティビティを有する部分１０２内の回路（例えば、ＲＦアナログ回路１４１）のためのリファレンスグラウンドを与える。そのような高ノイズセンシティビティグラウンドパス１１５が、図示された例では、パス１１６−１１８を含んでおり、それらは本例ではそれぞれＩ／Ｏパッド１１９−１２１によって第１のダイ１１の外部に露出している。図示された例では、第１のダイ１１の第２の部分１０２はまた、低ノイズセンシティビティグラウンドパス１２２のような１以上の低ノイズセンシティビティグラウンドパスを含んでおり、それは高ノイズセンシティビティを有する回路に対して（例えば、ＲＦアナログ回路１４１に対して）相対的に低いノイズセンシティビティを有する部分１０２の回路のためのリファレンスグラウンドを与える。図示された例では、そのような低ノイズセンシティビティグラウンドパス１２２は、Ｉ／Ｏパッド１２３によって第１のダイ１１の外部に露出している。
【００２４】
この例では、第２のダイ１２は、電力管理回路（power management circuitry）１４２を含んでいるが、他の態様では、所与のインプリメンテーションのために望まれた回路の任意のタイプを含んでいてもよい。この例では、第２のダイ１２は、高ノイズセンシティビティグラウンドパス１２４のような１以上の高ノイズセンシティビティグラウンドパスを有しており、それは低ノイズセンシティビティを有するパッケージ１０内の回路（例えば、デジタル回路１４０）に対して相対的に高いノイズセンシティビティを有する第２のダイ１２内の回路のためのリファレンスグラウンドを与える。図示された例では、そのような高ノイズセンシティビティグラウンドパス１２４は、Ｉ／Ｏパッド１２５によって第２のダイ１２の外部に露出している。さらに、図示された例では、第２のダイ１２は、１以上の低ノイズセンシティビティグラウンド（Ｖss1...Ｖssn）１２６を有し、それは高ノイズセンシティビティを有するパッケージ１０内の回路（例えば、ＲＦアナログ回路１４１）に対して相対的に低いノイズセンシティビティを有する第２のダイ１２内の回路のためのリファレンスグラウンドを与える。図示された例では、そのような低ノイズセンシティビティグラウンドパス１２６は、パス１２７−１２９を含み、それは本例ではそれぞれＩ／Ｏパッド１３０−１３２によって第２のダイ１２の外部に露出している。
【００２５】
この例示的な態様では、ダイ１１及び１２の全ての高ノイズセンシティビティグラウンドは、互いにショートされている。特に、ダイ１１及び１２の全ての高ノイズセンシティビティグラウンドは、第１及び第２のダイ１１及び１２の外部で互いにショートされており、それによってコモン高ノイズセンシティビティグラウンド１３３となっている。例えば、図１の例に示されるように、第１のダイ１１の高ノイズセンシティビティグラウンドパス１１５及び第２のダイ１２の高ノイズセンシティビティグラウンド１２４は、互いにショートされて、コモン高ノイズセンシティビティグラウンド１３３となっている。
【００２６】
同様に、この例示的な態様では、ダイ１１及び１２の全ての低ノイズセンシティビティグラウンドは、パッケージ上で互いにショートされている。特に、ダイ１１及び１２の全ての低ノイズセンシティビティグラウンドは、第１及び第２のダイ１１及び１２の外部で互いにショートされており、それによってコモン低ノイズセンシティビティグラウンド１３４となっている。例えば、図１の例に示されるように、第１のダイ１１の低ノイズセンシティビティグラウンドパス１２２及び第２のダイ１２の低ノイズセンシティビティグラウンド１２６は、互いにショートされて、コモン低ノイズセンシティビティグラウンド１３４となっている。
【００２７】
この例示的な態様に示されるように、オプショナルパス（optional path）１３５は、第１のダイ１１及び第２のダイ１２の外部のパッケージ上の位置で、コモン高ノイズセンシティビティグラウンド１３３とコモン低ノイズセンシティビティグラウンド１３４とを互いにオプショナルにショートさせるために、提供されている。ある態様では、ここでされに説明されるように、オプショナルパス１３５は、パッケージ１０の製造において最初は含められるパス（例えば、メタルトレース（metal trace））であるが、望まれる場合には、パッケージ１０の後ろの製造の最中（during later manufacturing）にカット（cut）（或いは除去（remove））されるかもしれない。例えば、ここでさらに説明されるように、パス１３５は、最初はパッケージ１０に含められるメタルトレースであるかもしれない。パッケージ１０の製造の最中に、ダイ１１及び１２上の回路のパフォーマンスは、例えば、高ノイズセンシティビティを有する回路のパフォーマンスを評価するために、テストされるかもしれない。回路のパフォーマンスを受け入れられる（acceptable）と判断された場合には、パス１３５は適切に（in place）残されるかもしれない。そうでない場合、パフォーマンスが受け入れられない場合には（例えば、高ノイズセンシティビティを有する回路上のノイズのインパクトに起因して）、パス１３５はカット／除去されることができ（図１の“Ｘ”によって示されるように）、ＥＳＤパスとして２つのグラウンド１３３、１３４間のダイオード保護回路１０３のみが残る。改善されたパフォーマンスが望まれるならば、ダイ１１及び１２に対するいかなる変更も必要とせずに、単にパス１３５をカットすることによって、高ノイズセンシティビティ回路によって招かれるノイズは減少されるかもしれない。
【００２８】
この観点から、オプショナルパス１３５は、オプショナルパスであるとして、設計及び製造の最中に予め指定される（pre-designated）。したがって、上述したように、この例示的態様では、全ての高ノイズセンシティビティグラウンドは、ダイ１１及び１２の外部の位置で互いにショートされて、コモン高ノイズセンシティビティグラウンド１３３（それは、ダイ１１及び１２の外部のパッケージ１０上のトレース／パスである）となり、全ての低ノイズセンシティビティグラウンドは、ダイ１１及び１２の外部の位置で互いにショートされて、コモン低ノイズセンシティビティグラウンド１３４（それもまた、ダイ１１及び１２の外部のパッケージ１０上のトレース／パスである）となる。
【００２９】
以下で議論されるように、パス１３５は、パッケージ１０の高ノイズセンシティビティ回路のパフォーマンスの受け入れられない劣化にならないならば、望ましいものであるかもしれない。パス１３５が、パッケージ１０の高ノイズセンシティビティ回路のパフォーマンスの受け入れられない劣化になれば、それはカット／除去されることができ（パッケージ１０に要求されるさらなる変更なしに）、パッケージ１０の高ノイズセンシティビティ回路によって招かれるノイズを減少させる解決策となる。パス１３５がカット／除去されるとき、高ノイズセンシティビティグラウンドは依然として、第１のダイ１１の保護システム１０３（例えば、バックトゥバックダイオード１０４）を通して、過剰電圧ディスチャージ（例えば、ＥＳＤディスチャージ）パスを有しているであろう。
【００３０】
図１の例に示されるように、ある態様によれば、高ノイズセンシティビティグラウンド及び低ノイズセンシティビティグラウンドは、過剰電圧保護回路１０３を通して互いに接続されている。例えば、コモン高ノイズセンシティビティグラウンド１３３及びコモン低ノイズセンシティビティグラウンド１３４は、図１の例示的なマルチダイパッケージ内の第１のダイ上にインプリメントされた過剰電圧保護回路１０３を介して互いに接続されている。
【００３１】
過剰電圧保護回路１０３は、図１の例では単一のダイ（例えば、ダイ１１）内にインプリメントされているように示されているが、ある態様では、過剰電圧保護回路１０３は、マルチダイパッケージの複数の異なったダイ上にインプリメントされていてもよい。そのような複数の異なったダイにまたがったインプリメンテーションは、多くのダイを含んだマルチダイパッケージにおいて、特に望ましく及び／又は効果的である。図１の例示的なマルチダイパッケージは、説明の簡単化のために２つのダイ１１及び１２を含むように示されているが、いくつかの態様では、マルチダイパッケージがより多くのダイを含んでいてもよい。そのような場合には、複数の異なったダイは、図１の第１のダイについて示されたものと同様にして、その上にインプリメントされた過剰電圧保護回路１０３を有していてもよい。それ故、例えば、マルチダイパッケージ内の複数の異なったダイはそれぞれ、それによって高ノイズセンシティビティグラウンド及び低ノイズセンシティビティグラウンドが互いに接続されたその上にインプリメントされた過剰電圧保護回路１０３を有していてもよい。図１に示されるように、他のダイ（過剰電圧保護回路１０３がインプリメントされたダイ以外）の高ノイズセンシティビティグラウンド及び／又は低ノイズセンシティビティグラウンドは、１以上のダイの過剰電圧保護回路１０３によって互いに接続されている。一例として、ある態様では、図１のバックトゥバックダイオードペア１０４及び１０５は、第１のダイ１１上にインプリメントされてもよく、バックトゥバックダイオードペア１０６及び１０７は、他のダイ（例えば、図１の第１及び第２のダイ１１及び１２以外）上にインプリメントされてもよい。
【００３２】
図２に移ると、本発明の一態様に係るマルチダイパッケージを製造するためのプロセスが示されている。製造プロセスのブロック２１では、マルチダイパッケージの複数のダイの高ノイズセンシティビティグラウンドどうしが互いにショートされて、複数のダイの外部にあるマルチダイパッケージ上のコモン高ノイズセンシティビティグラウンドパスとなる。例えば、図１の例示的なパッケージ１０では、ダイ１１及び１２の高ノイズセンシティビティグラウンドが互いにショートされて、マルチダイパッケージ上のコモン高ノイズセンシティビティグラウンドパス１３３となる。コモン高ノイズセンシティビティグラウンドパス１３３は、複数のダイ１１及び１２の外部にある。
【００３３】
製造プロセスのブロック２２では、マルチダイパッケージのマルチダイの低ノイズセンシティビティグラウンドどうしが互いにショートされて、複数のダイの外部にあるマルチダイパッケージ上のコモン低ノイズセンシティビティグラウンドパスとなる。例えば、図１の例示的なパッケージ１０では、ダイ１１及び１２の低ノイズセンシティビティグラウンドが互いにショートされて、マルチダイパッケージ上のコモン低ノイズセンシティビティグラウンドパス１３４となる。コモン低ノイズセンシティビティグラウンドパス１３４は、複数のダイ１１及び１２の外部にある。
【００３４】
製造プロセスのブロック２３では、過剰電圧ディスチャージ保護回路（例えば、図１の保護回路１０３）が、少なくとも１つのマルチダイ上に含まれる。コモン高ノイズセンシティビティグラウンドパス及びコモン低ノイズセンシティビティグラウンドパスが、過剰電圧ディスチャージ保護回路に結合される。ある態様では、サブブロック２０１に示されるように、過剰電圧ディスチャージ保護回路は、コモン高ノイズセンシティビティグラウンドパスとコモン低ノイズセンシティビティグラウンドパスとの間に介在するバックトゥバックダイオードの少なくとも１つのペアを含む。例えば、図１の例示的なパッケージ１０では、ダイ１１にインプリメントされた過剰電圧ディスチャージ保護回路１０３は、バックトゥバックダイオードのペア１０４を含む。バックトゥバックダイオードのペアは、コモン高ノイズセンシティビティグラウンドパス１３３とコモン低ノイズセンシティビティグラウンドパス１３４との間に介在する。すなわち、コモン高ノイズセンシティビティグラウンドパス１３３は、バックトゥバックダイオードのペアの第１のサイドのＩ／Ｏパッド１０８にコミュニケイティブに結合され、コモン低ノイズセンシティビティグラウンドパス１３４は、バックトゥバックダイオードのペアの逆サイドのＩ／Ｏパッド１１４にコミュニケイティブに結合される。
【００３５】
製造プロセスのブロック２４では、予め指定されたオプショナルパス（pre-designated optional path）がマルチダイパッケージ上に含められ、パスがコモン高ノイズセンシティビティグラウンドパスとコモン低ノイズセンシティビティグラウンドパスとを互いにショートさせる。そのようなオプショナルパスは、好ましくは複数のダイの外部にあるマルチダイパッケージ上の位置にインプリメントされる。例えば、図１の例示的なパッケージ１０に示されるように、予め指定されたオプショナルパス１３５は、マルチダイパッケージ１０上に最初は含められる（製造プロセスの最初の段階（stage）の間）。パス１３５は、コモン高ノイズセンシティビティグラウンドパス１３３とコモン低ノイズセンシティビティグラウンドパス１３４とを互いにショートさせる。
【００３６】
ブロック２１−２４は、製造プロセスの間に、任意の相対的な順序（relative order）で実行されてもよく及び／又は１以上のブロックが平行して実行されてもよいことを、認識すべきである。
【００３７】
製造プロセスのブロック２５では、適切に置かれた（in place）パス１３５（すなわち、コモン高ノイズセンシティビティグラウンドパスとコモン低ノイズセンシティビティグラウンドパスとを互いにショート）を有するマルチダイパッケージのパフォーマンスが評価される。一例として、ある態様では、評価は、高ノイズセンシティビティを有するマルチダイパッケージ内の回路（例えば、ＲＦアナログ回路等）のパフォーマンスの受け入れられない劣化（unacceptable degradation）が、互いにショートされたコモン高ノイズセンシティビティグラウンドパス及びコモン低ノイズセンシティビティグラウンドパス上に存在するノイズに起因しているか否かを評価する。
【００３８】
パス１３５は、マルチダイパッケージ１０の回路の受け入れられないパフォーマンス劣化とならない場合には、一般に望ましいものである。例えば、コモン高ノイズセンシティビティグラウンドパス１３３とコモン低ノイズセンシティビティグラウンドパス１３４とを互いにショートさせることは、マルチダイパッケージ１０の任意のグラウンドノード間のより少ない抵抗パス（less resistive path）を与え、それは、マルチダイパッケージ１０内で生じるかもしれないＥＳＤ事象（或いは、他の過剰電圧事象）をハンドリングするためによりよい効率を与えるかもしれない。それ故、予め指定されたオプショナルパス１３５によって与えられるショートが、マルチダイパッケージ１０の回路の受け入れられないパフォーマンス劣化にならないと、ブロック２５の評価で判断された場合には、予め指定されたオプショナルパス１３５は、製造されたマルチダイパッケージ１０に適切に（in place）残されるかもしれない。
【００３９】
しかしながら、予め指定されたオプショナルパス１３５によって与えられるショートが、マルチダイパッケージ１０の回路の受け入れられないパフォーマンス劣化になると、ブロック２５の評価で判断された場合には（例えば、そのようなショートが、マルチダイパッケージ１０内に存在する高ノイズセンシティビティ回路に対してあまりにも大きなノイズを生じさせること）、図２のブロック２６に示されるように、製造の後ろの段階の間に（during a later stage of manufacturing）、予め指定されたオプショナルパス１３５がカット／除去（cut/remove）され、コモン高ノイズセンシティビティグラウンドパス１３３とコモン低ノイズセンシティビティグラウンドパス１３４とは互いにショートされない。
【００４０】
図３に移ると、本発明の一態様に係る（図１の）マルチダイパッケージの第１のダイ１１の一部の概略図が、第１のダイ１１Ａとして詳細に示されている。この概略図は、詳細に、本発明の一態様に係る、図１のダイ１１上にインプリメントされるかもしれない例示的なＥＳＤ案（ESD scheme）を示している。この例では、ダイ１１Ａは、Ｉ／Ｏパッド３０−１に結合された回路（例えば、図の簡単化のために示されていないデジタル回路）の第１の部分を含み、それは電力サプライ（power supply）Ｖdd1及びリファレンスグラウンドＶssx１１３を受ける。２つのダイオード３６Ａ及び３８Ａは、Ｖdd1に向かうディスチャージの正常パス（normal path）を与える。ＲＣクランプ（RC CLAMP）３４Ａは、Ｖdd1とＶssx１１３との間の過剰電圧ディスチャージを与えるために含まれており、ダイオード３２Ａは、Ｖssx１１３からＶdd1へのディスチャージパスを与えるために含まれている。ダイオード３６Ａ、３８Ａ及び３２Ａ、及びＲＣクランプ３４Ａの配置は、Ｖdd1とＶssx１１３との間の過剰電圧ディスチャージを与えるための公知の配置の例である。
【００４１】
ダイ１１Ａは、Ｉ／Ｏパッド３０−２に結合された回路（例えば、図の簡単化のために示されていないデジタル回路）の他の部分を含み、それは異なった電力サプライＶdd2及びリファレンスグラウンドＶssx１１３を受ける。ダイオード３６Ｂ、３８Ｂ及び３２Ｂ、及びＲＣクランプ３４Ｂの同様の配置が再び採用され、Ｖdd2とＶssx１１３との間の過剰電圧ディスチャージを与える。
【００４２】
さらに、ダイ１１Ａは、Ｉ／Ｏパッド３０−３に結合された回路（例えば、図の簡単化のために示されていないデジタル回路）の他の部分を含み、それは異なった電力サプライＶdd3及び（Ｉ／Ｏパッド１０８を介して）異なったリファレンスグラウンドＶsspackage１０９を受ける。ダイオード３６Ｃ、３８Ｃ及び３２Ｃ、及びＲＣクランプ３４Ｃの同様の配置が再び採用され、Ｖdd3とＶsspackage１０９との間の過剰電圧ディスチャージを与える。
【００４３】
さらに、ダイオード１０４Ａ及び１０４Ｂを含んだバックトゥバックダイオードペア１０４は、図１によって上述した方法で、Ｖssx１１３とＶsspackage１０９との間の過剰電圧ディスチャージを与える。
【００４４】
図３のダイ１１Ａは、本発明のある態様に係るマルチダイパッケージ１０のダイに適用されるかもしれないＥＳＤ保護案の例示的なインプリメンテーションのより詳細な図を提供しているが、ここに示されたコンセプトは、図３に示された例示的な案に限定されることを意図していない。その代わりに、これは、追加のＥＳＤ保護回路（例えば、スナップバック（snap back））が、ペア１０４のような保護システム１０３のバックトゥバックダイオードペアによって与えられる上述したディスチャージパスに加えて、ダイ１１ＡのＩＯパス３０−１、３０−２及び３０−３のために存在するかもしれないことを示すための、単なる説明目的ためのものである。
【００４５】
図４は、マルチダイパッケージ１０の実施形態が効果的に適用されるかもしれない例示的な無線通信システム（wireless communication system）を示している。説明の目的のために、図４は、３つのリモートユニット４２０、４３０及び４５０と、２つのベースステーション４４０を示している。典型的な無線通信システムは、さらに多くのリモートユニット及びベースステーションを有しているかもしれないことが認識されるであろう。リモートユニット４２０、４３０及び４５０は、それぞれマルチダイパッケージ４２５Ａ、４２５Ｂ及び４２５Ｃのための改良されたＥＳＤソリューションを含んでいる。図４は、ベースステーション４４０及びリモートユニット４２０、４３０及び４５０からのフォワードリンク信号４８０と、リモートユニット４２０、４３０及び４５０からベースステーション４４０へのリバースリンク信号４９０とを示している。
【００４６】
図４において、リモートユニット４２０は携帯電話として示され、リモートユニット４３０はポータブルコンピュータとして示され、リモートユニット４５０は無線ローカルループシステムにおける固定位置（fixed location）リモートユニットとして示されている。例えば、リモートユニットは、セル電話（cell phone）、ハンドへルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、パーソナルデータアシスタントのようなポータブルデータユニット、或いはメータリーディングイクイップメントのような固定位置（fixed location）データユニットであるかもしれない。図４は、本発明の教示にしたがったマルチダイパッケージ１０に適用されるかもしれないリモートユニットを示しているが、本発明はこれらの例示的に示されたユニットに限定されない。例えば、本発明の実施形態にしたがったマルチダイパッケージ１０は、任意のデバイスに適用されるかもしれない。
【００４７】
特定の回路について示してきたが、開示された回路の全てが本発明を実現するために必要とされるわけではないことを、当業者は認識するであろう。さらに、公知の回路は、発明の焦点を維持するために、述べてこなかった。同様に、説明は、あるロケーションにおけるロジカル“０”及びロジカル“１”に言及したが、当業者は、本発明の動作に影響を与えることなく、適宜に調整された残余の回路によって、論理値（logical value）を切り替えることができることを、当業者は認識するであろう。
【００４８】
本発明及びその効果を詳細に述べてきたが、添付の特許請求の範囲によって規定された発明の精神及び範囲から逸脱することなく、種々の変更、置き換え及び交換ができることを理解すべきである。さらに、本出願の範囲は、明細書で述べられたプロセス、マシーン、製造、事物の構成、手段、方法及びステップの特定の態様に限定されることを意図していない。当業者が本発明の開示から容易に認識するように、ここで述べられた対応する実施形態と実質的に同一の機能を実行し或いは実質的に同一の結果を達成する、現に存在する或いは将来的に開発されるプロセス、マシーン、製造、事物の構成、手段、方法及びステップは、本発明にしたがって利用されるかもしれない。したがって、添付した特許請求の範囲は、そのようなプロセス、マシーン、製造、事物の構成、手段、方法或いはステップをその範囲に含むことが意図されている。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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