(57)【要約】  本発明は、発光装置３と光リサイクル装置５とを有する光源１であって、前記光リサイクル装置５が、前記発光装置３の光路７中に位置する光源１に関する。前記光リサイクル装置５は、少なくとも１つの光リサイクル部材９であって、前記少なくとも１つの光リサイクル部材９を通過する光の少なくとも１つの物理的特性を変化させるための少なくとも１つの光リサイクル部材９と、前記光リサイクル部材９において生成される熱を伝導することが可能な少なくとも１つの熱伝導部材１０、１１とを有し、前記熱伝導部材１０、１１は、前記光リサイクル部材９及び少なくとも１つのヒートシンク１２と熱的に接触している。本発明は、更に、対応するリサイクル装置５に関する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光装置と光リサイクル装置とを有する光源であり、前記光リサイクル装置が、前記発光装置の光路中に位置する光源であって、前記光リサイクル装置が、少なくとも１つの光リサイクル部材であって、前記少なくとも１つの光リサイクル部材を通過する光の少なくとも１つの物理的特性を変化させるための少なくとも１つの光リサイクル部材と、前記光リサイクル部材において生成される熱を伝導することが可能な少なくとも１つの熱伝導部材とを有し、前記熱伝導部材が、前記光リサイクル部材及び少なくとも１つのヒートシンクと熱的に接触している光源。
【請求項２】
前記発光装置が、1・107cd/m2以上の輝度を持つ高輝度発光装置及び／又はレーザである請求項１に記載の光源。
【請求項３】
光の前記物理的特性の前記変化が、前記光の波長変換及び／又は前記光の偏光状態の変化である請求項１に記載の光源。 
【請求項４】
前記光リサイクル部材が、蛍光体プレート及び／又は蛍光体薄膜である請求項１に記載の光源。
【請求項５】
前記発光装置が、青色光及び／又は紫外線光を放射する発光装置である請求項１に記載の光源。
【請求項６】
前記熱伝導部材が、光偏光部材である請求項１に記載の光源。 
【請求項７】
前記光偏光部材が、ワイヤグリッド偏光子である請求項６に記載の光源。 
【請求項８】
前記光リサイクル装置の前記熱伝導部材が、
前記光リサイクル部材の表面上、及び／又は
前記光リサイクル部材の２つの異なる部分の間に、配設される熱伝導層として形成される請求項１に記載の光源。
【請求項９】
前記熱伝導層が、少なくとも部分的に反射性の層である請求項８に記載の光源。
【請求項１０】
前記熱伝導部材が、ダイヤモンド部材及び／又はサファイア部材である請求項１に記載の光源。 
【請求項１１】
前記光リサイクル装置が、前記ヒートシンクを更に有する請求項１に記載の光源。
【請求項１２】
前記光源が、前記発光装置と前記光リサイクル装置との間に配設される光学素子を更に有する請求項１に記載の光源。
【請求項１３】
前記光リサイクル部材及び前記熱伝導部材が、前記光リサイクル装置の複合材料を構成する請求項１に記載の光源。
【請求項１４】
光リサイクル装置であり、前記光リサイクル装置を通過する光の少なくとも１つの物理的特性を変化させるための光リサイクル装置であって、前記光リサイクル装置が、少なくとも１つの光リサイクル部材と、前記光リサイクル部材において生成される熱を伝導することが可能な少なくとも１つの熱伝導部材とを有し、前記熱伝導部材が、前記光リサイクル部材及びヒートシンクと熱的に接触している光リサイクル装置。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置と光リサイクル装置とを有する光源であって、前記光リサイクル装置が、前記発光装置の光路中に位置する光源に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光装置及び光リサイクル装置を有する光源は、例えば、青色光及び／又は紫外線光を放射する発光ダイオード（ＬＥＤ）と、前記光の一部の波長を黄色光に変換して白色光を生成するための蛍光体プレートを前記ＬＥＤの光路中に含む光リサイクル装置とを有する光源として知られている。前記光源の輝度は、前記光リサイクル装置内で用いられる材料の熱伝導率によって制限される。 
【０００３】
電子回路冷却の管理においては、熱伝導率を高めるために、複合材料が広く用いられている。それらは、ヒートシンクを製造するのに用いられ得る、又はパッケージに含まれ得る、若しくは半導体装置、プリント回路基板などの層として含まれ得る。
本分野においては、光リサイクル材料は、高輝度発光装置の焦点においても、光をリサイクルするのに適切でなければならない。 
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、発光装置と、前記発光装置の光路中に配設される、増大した熱適応範囲を備える光リサイクル装置とを有する光源を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この目的を達成するため、前記光リサイクル装置は、少なくとも１つの光リサイクル部材であって、前記少なくとも１つの光リサイクル部材を通過する光の少なくとも１つの物理的特性を変化させるための少なくとも１つの光リサイクル部材と、前記光リサイクル部材において生成される熱を伝導することが可能な少なくとも１つの熱伝導部材とを有し、前記熱伝導部材は、前記光リサイクル部材及び少なくとも１つのヒートシンクと熱的に接触している。
【０００６】
好ましくは、前記発光装置は、1・107cd/m2以上（１０メガニト：10Mcd/m2と等しい１平方ミリメール当たり１０カンデラ以上）の輝度を持つ高輝度発光装置及び／又はレーザ（レーザ：放射線の誘導放出による光の増幅）である。レーザの明るさ（輝度）は、従来のＬＥＤで到達可能な明るさと比べて少なくとも１００倍以上高い（〜109cd/m2対〜107cd/m2）。レーザは、好ましくは、固体レーザ及び／又はレーザダイオードである。 
【０００７】
本発明の或る実施例においては、光の前記物理的特性の前記変化は、前記光の波長変換及び／又は前記光の偏光状態の変化である。前記光の偏光状態を変化させるための前記光リサイクル部材は、特に、遅延部材又は偏光解消部材である。 
【０００８】
別の実施例によれば、前記光リサイクル部材は、蛍光体プレート及び／又は蛍光体薄膜である。前記蛍光体プレート及び／又は蛍光体薄膜は、一般に知られている波長変換光リサイクル部材である。同時に、前記蛍光体プレート及び／又は蛍光体薄膜は、前記光の偏光状態を変化させる光リサイクル部材である。前記発光装置によって放射された光又は光ビームは、前記蛍光体プレート及び／又は蛍光体薄膜を励起するのに用いられる。前記蛍光体プレート及び／又は蛍光体薄膜は、好ましくは、セリウムをドープしたイットリウムアルミニウムガーネット蛍光体、又はセラミック蛍光体、特に、（セリウム又はエルビウムなどの）付加的なドーピング元素を備える「Lumiramic」セラミック蛍光体で作成される。 
【０００９】
それらは高温に耐えることができる一方で、最近の実験で、蛍光体セラミックの変換特性は、温度に影響されることが明らかになった。前記高輝度発光装置及び／又はレーザの焦点においては高温に到達され得る。電力密度は数kW/cm2に到達する。この焦点は、一般に、前記光リサイクル装置の前記蛍光体プレート又は蛍光体薄膜内に位置する。この実験においては、１５０℃あたりで、ＣＥＣＡＳタイプのセラミックによる光強度放射の減少が観察され、３５０℃から減衰時間の大幅な減少が観察された。前記セラミックが加熱される場合、効率は大幅に低下する。この状況は、例えば１ワットレーザで生じるであろう。
【００１０】
この、前記焦点における温度との依存性は、このような光源の最終的な効率を低下させ、強い技術制約になり得る。最近、主因の１つは、前記蛍光体材料の非常に低い熱伝導率であると確認された。前記セラミックの熱伝導率は、ホットスポットの最高温度に非常に強い影響を与える。
【００１１】
本発明の別の実施例においては、前記発光装置は、青色光及び／又は紫外線光を放射する発光装置である。前記発光装置によって放射された前記青色光及び／又は紫外線光は、好ましくは、セリウムをドープしたイットリウムアルミニウムガーネット蛍光体及び／又はセラミック蛍光体で作成された、前記蛍光体プレート又は前記蛍光体薄膜を励起して、前記蛍光体プレート又は前記蛍光体薄膜を出る白色光を作成するのに用いられる。 
【００１２】
更に別の実施例においては、前記熱伝導部材は、光偏光部材である。光偏光部材は、（ワイヤグリッド偏光子のような）吸収偏光子、及び／又は（反射偏光子、複屈折偏光子及び／又は薄膜偏光子のような）ビームスプリッティング偏光子をベースにしている。特に、前記光偏光部材は、前記光リサイクル部材の或る面全体を覆っている。
【００１３】
偏光が用いられる一般的な用途は、ＬＣＤバックライティング及びＬＣＤ投射（ＬＣＤ：液晶ディスプレイ）、並びにＬＥＤ点光源によって放射される光ビームがＬＣセル（ＬＣ：液晶）で操作されるＬＣビームステアリング装置のためのオプションである。また、直線偏光は、表面における反射に影響を与え、これは、グレアの抑制を可能にし、その後、彩度、観察されるコントラスト及び視力における照明される周囲の観察に影響を与えることを可能にするので、偏光は、屋内照明と屋外照明との両方において利点をもらす。この影響のため、偏光蛍光性発光体は、視覚において要求される利点を備える商品として存在する。
【００１４】
本発明の好ましい実施例によれば、前記光偏光部材は、ワイヤグリッド偏光子である。高度なリソグラフィ技術を用いることで、可視光を偏光させる非常に狭いピッチの金属格子が作成され得る。
【００１５】
別の実施例においては、前記光リサイクル装置の前記熱伝導部材は、    前記光リサイクル部材の表面上、及び／又は    前記光リサイクル部材の２つの異なる部分の間に、配設される熱伝導層として形成される。特に、２つの熱伝導層が、前記光リサイクル部材の２つの表面であって、互いの反対側である２つの表面上に配設される。 
【００１６】
好ましい実施例によれば、前記熱伝導層は、少なくとも部分的に反射性の層である。特に、互いの反対側である前記２つの表面上に配設される前記２つの熱伝導層のうちの一方は、光偏光層として形成される光偏光部材であり、他方の層は、少なくとも部分的に反射性の層である。
【００１７】
別の好ましい実施例によれば、前記熱伝導部材は、ダイヤモンド部材及び／又はサファイア部材である。特に、前記熱伝導部材、又は前記熱伝導部材のうちの少なくとも１つは、ダイヤモンド層及び／又はサファイア層である。前記ダイヤモンド層は、好ましくは、ＣＶＤダイヤモンド成長（ＣＶＤ：化学蒸着）によって生成されるダイヤモンド層である。ダイヤモンドの高い熱伝導率は、薄膜ダイヤモンドコーティング又は層ダイヤモンドコーティングが、温度管理フォトニック及び超小型電子装置を改善することを可能にする。
【００１８】
ダイヤモンド層として形成される前記熱伝導層は、材料の局所的熱伝導率を増大させることによって、熱の問題を解決する。それは、等しい全体的な熱伝導率を（1400W/mKまで）２倍に増大させるのに十分であろう最適の厚さを持つ層材料の挿入を提案する。 
【００１９】
この実施例は、蛍光体セラミック（Ce:YAG）として形成される前記光リサイクル装置が、16kW/cm2までの電力密度を持つ光を生成することを可能にするよう、熱的に向上され得るような解決策を提案する。その場合には、最も熱い箇所は、前記材料における最大限の光変換を可能にするのに適切である３１０℃に達する。前記セラミックは、様々な種類のセラミック、特に、強散乱性又は透明である、ポリセラミック及び／又は単結晶セラミックであり得る。
【００２０】
好ましくは、前記光源は、前記発光装置と前記光リサイクル装置との間に配設される光学素子を更に有する。前記光学素子は、前記発光装置の光路中に位置する。特に、前記光学素子は、前記発光装置によって放射された光を前記光リサイクル部材内で集束させる光集束素子である。
【００２１】
別の実施例においては、前記光リサイクル装置は、前記ヒートシンクを更に有する。前記光リサイクル部材と前記熱伝導部材と前記ヒートシンクとを含む光リサイクル装置を備える光源は、非常にコンパクトである。更に、又は別の実施例においては、前記光リサイクル装置は、前記熱伝導部材、特に、前記ワイヤグリッド偏光子のワイヤを冷却するための熱電素子及び／又はペルチェ素子を更に有する。 
【００２２】
別の好ましい実施例によれば、前記光リサイクル部材及び前記熱伝導部材は、前記光リサイクル装置の複合材料を構成する。
【００２３】
本発明は、更に、光リサイクル装置であって、前記光リサイクル装置を通過する光の少なくとも１つの物理的特性を変化させるための光リサイクル装置に関する。前記光リサイクル装置は、少なくとも１つの光リサイクル部材と、前記光リサイクル部材において生成される熱を伝導することが可能な少なくとも１つの熱伝導部材とを有し、前記熱伝導部材は、前記光リサイクル部材及びヒートシンクと熱的に接触している。
【００２４】
前記光の前記物理的特性の前記変化は、好ましくは、色の変化及び／又は偏光の変化である。より好ましくは、前記光リサイクル部材は、蛍光体プレート又は蛍光体薄膜であって、前記光リサイクル部材が、青色光及び／又は紫外線光を放射する発光装置の光路中に位置する場合、前記蛍光体プレート又は前記蛍光体薄膜を出る白色光を作成するよう、好ましくはセリウムをドープしたイットリウムアルミニウムガーネット蛍光体又はセラミック蛍光体で作成される、蛍光体プレート又は蛍光体薄膜として形成される。 
【００２５】
別の実施例においては、前記熱伝導部材は、光偏光部材である。本発明の好ましい実施例によれば、前記光偏光部材は、ワイヤグリッド偏光子である 
【００２６】
別の好ましい実施例によれば、前記熱伝導部材は、ダイヤモンド部材及び／又はサファイア部材である。
【００２７】
特に、前記光リサイクル装置は、前記ヒートシンクを更に有する。
【００２８】
下記の実施例を参照して、本発明のこれら及び他の態様を説明し、明らかにする。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１Ａ】本発明の第１実施例による発光装置と光リサイクル装置とを有する偏光を放射するための光源の側面図である。
【図１Ｂ】図１Ａによる偏光を放射するための光源の上面図である。
【図２】本発明の第２実施例による光源の光リサイクル装置の側面図である。
【図３】本発明の第３実施例による光源の光リサイクル装置の側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
図１Ａは、偏光を放射するための光源２として形成される光源１を示している。光源１は、光（レーザ光）を放射するレーザ（放射線の誘導放出による光の増幅）４として形成される発光装置３、光リサイクル装置５及び光学素子６を有する。光リサイクル装置５及び光学素子６は、発光装置３の光路７中に配設され、光学素子６は、発光装置３と光リサイクル装置５との間に配設される凸レンズである。光路７は、主軸８を持つ。
【００３１】
光リサイクル装置５は、それを通過する光の少なくとも１つの物理的特性を変えるための光リサイクル部材９と、光リサイクル部材９において生成される熱を伝導することが可能な２つの熱伝導部材１０、１１と、光リサイクル部材９を取り囲むフレームとして形成されるヒートシンク１２とを有する。熱伝導部材のうちの１つ１０は、光リサイクル部材９の第１面上に位置し、前記第１面は、光学素子６及び発光装置３に面している。他方の熱伝導部材１１は、光リサイクル部材９の第２面上に位置し、前記第２面は、光リサイクル部材９の、第１面に対して反対側に位置する。両方の熱伝導部材１０、１１が、光路７の主軸８に対して垂直に配設される。 
【００３２】
熱伝導部材１０、１１は、光偏光部材１３、特に、ワイヤグリッド偏光子１４として形成される。図１Ａ及び１Ｂに示されている実施例の光リサイクル部材９は、蛍光体薄膜１５である。蛍光体薄膜１５は、それを通過する光の波長変換のための光リサイクル部材９である。 
【００３３】
レーザ４は、青色光及び／又は紫外線光を放射するものである。レーザ４によって放射される青色光及び／又は紫外線光は、好ましくはセリウムをドープしたイットリウムアルミニウムガーネット蛍光体（YAG蛍光体）又はセラミック蛍光体で作成された蛍光体薄膜１５を励起して、蛍光体薄膜１５を出る白色光（矢印１６）を作成するのに用いられる。ホットスポットは、光路７の焦点１７内に作成される。このホットスポットは、光リサイクル部材９中に位置する。
【００３４】
本発明のこの実施例の重要な特徴は、発光装置３によって放射される青色光及び／又は紫外線光によって作成されるホットスポットの冷却及び熱放散を可能にするために、蛍光体薄膜１５（又は蛍光体プレート）の表面上に置かれる（ワイヤグリッド偏光子１４として形成される）光偏光部材１３を用いることである。採用される構成に依存して、後方反射無変換光が発光装置３へ戻る場合には、偏光出力の利得が得られ得る。その場合には、実施例によって、リサイクルは、反射偏光が、ワイヤグリッド偏光子１４として形成される光偏光部材１３を再び通過することを可能にするよう意図される。一般に、偏光は、遅延層で遅延させられる必要がある。この実施例においては、遅延層の役割は、蛍光体薄膜１５（又は蛍光体プレート）によって既に果たされている。この場合には、効率は、吸収が多すぎる（せいぜい５０乃至５５％）光の１回の通過と比べて、増大されるであろう。
【００３５】
ワイヤグリッド偏光子１４は、金属、特に、アルミニウム又は銀又は金で作成され、非常に高い伝導率を持ち、ワイヤグリッド偏光子１４のワイヤ１９がより大きいヒートシンク１０と熱的に接触している側部１８の方へ非常に効率的に熱を流すことを可能にする。図１Ｂは、図１Ａの偏光を放射するための光源の上面図を示している。
【００３６】
３０×３０ミクロンのレーザ焦点１７は、蛍光体プレート又は蛍光体薄膜１５内に焦点を合わされ、前記レーザ４は、１ワットの全出力を持つ。蛍光体プレート又は蛍光体薄膜１５の表面上のワイヤグリッド偏光子１４のおかげで、光リサイクル装置の温度は、第２面におけるレーザビームの中心において、３４５℃から１７７℃まで下げられる（200mWの熱出力放散）。第２面（図１Ａにおける上面）は、光の吸収が最も強い場所であり、それ故、前記面の温度の低下は、光の変換において最も高い利得を誘導するであろう。ワイヤグリッド偏光子１４により、最も熱い箇所は、YAGセラミックの更に下へ動かされる。ワイヤグリッド偏光子１４は、レーザスポットを覆う表面上にしか配置されない（32μm幅）。付加的なワイヤ１９は、冷却を少し改善するであろう。 
【００３７】
これらの結果は、ワイヤグリッド偏光子１４の付加は、ホットスポットの温度を改善するであろうことを示している。特定の場合においては、それは、完全に効率的な光変換と、（温度が約３５０℃に達する場合のＣＥＣＡＳ効率低下のための）温度によって制限される変換との間の違いをもたらすであろう。
【００３８】
ワイヤグリッド偏光子１４の、光路７の外のワイヤ１９が、異なる厚さを持ち、特に、光路内の領域内より厚く（図示せず）、溶接テープ及び／又は他の留め具と一緒に接合されることを実現することは重要である。これは、光リサイクル装置５を製造し易くする。
【００３９】
図２は、本発明の第２実施例による光源１の光リサイクル装置５の側面図である。熱伝導部材１０は、光リサイクル部材９の２つの異なる部分２１、２２の間に配設される熱伝導層２０として形成される。熱伝導層２０は、ダイヤモンド部材２３、特に、ダイヤモンド層２４として形成される。
【００４０】
光リサイクル装置５を製造する方法は、
−  光リサイクル部材９の第１部分２１、特に、蛍光体プレート２５として形成される第１部分２１、の表面にダイヤモンド層２４を付すステップと、
−  ダイヤモンド層２４の表面上に、第２部分２２、特に、蛍光体薄膜１５を付すステップと、
−  第１部分２１、ダイヤモンド層２４及び第２部分２２の複合装置を、光リサイクル部材９において用いられるような最終的な形状に切断するステップと、
−  複合装置及びヒートシンク１２を組み立てるステップとを有する。 
【００４１】
特に、ダイヤモンド層２４は、ＣＶＤによって、蛍光体プレート２５、とりわけ、YAGセラミック蛍光体プレート上に蒸着される。次に、ダイヤモンド層２４上で、蛍光体薄膜１５の堆積がなされる。これは、１０マイクロメートルから５０マイクロメートルの厚さで行われ得る。次いで、複合装置が、切断ツールを用いて切断され、銅のヒートシンク１２に挿入される。 
【００４２】
前記実施例は、光リサイクル材料の局所的熱伝導率を増大させることによって、熱の問題を解決する。それは、等しい全体的な熱伝導率を２倍に増大させるのに十分であろう最適の厚さを持つダイヤモンド層２４の挿入を提案する。 
【００４３】
16kW/cm2の（最も熱い箇所における）電力密度及び３０ミクロンのスポットサイズのレーザビームを備える、１００×１００ミクロン及び１５０ミクロンの厚さのセラミック蛍光体プレート２５の特定の場合においては、１０ミクロンの厚さで、１００×１００ミクロンの幅のダイヤモンド層２４が、（前記層がヒートシンク１２と接触するように）挿入される。このダイヤモンド層２４は、図２に示されているように、前記材料内の、上面から２０ミクロン離れたところに配置される。
【００４４】
サイズが様々であり得る、3W/mKの熱伝導率を備える或るバルク蛍光体プレート（例  Ce:YAG）を考慮する。プレート２３のこの蛍光体材料１５、２５は、（レーザビームが相互に作用し、光が抽出されることを可能にするために、上部を除いて）特に銅製のヒートシンク１２によって囲まれる。 
【００４５】
異なる構成（図示せず）においては、１０×１０ミクロンのダイヤモンドの６つのクラスタが、蛍光体材料に一様に並べられる。この方法においては、複合材料が実現される。これらのクラスタのうちの２つだけが、（冷却のために重要である）ヒートシンク１２の壁部に触れている。その場合には、改善はわずかである。しかしながら、このようにして、実際の複合材料をモデル化することは、実際には可能ではない。特にナノメートルサイズの粒子の範囲においては、粒子のサイズ及び形状の強い依存性がある。複合材料の熱伝導率は、体積分率にも依存するであろう。同程度の大きさが、（ダイヤモンド−銅のような）既存の複合材料と比べられ得ると仮定し得る。それらのタイプの複合材料においては、熱伝導率は、（742W/mKまで）ほぼ２倍にされ得る。しかし、この場合は、非常に高い体積比のダイヤモンドが必要である。前記比は、５０％から９０％までである。これは、波長変換のためには高すぎるかもしれない。なぜなら、白色光を生成するためには蛍光体材料が用いられ、これは、蛍光体は、可能な限り同じ状態のままでなければならないことを意味するからである。他の粒子が多すぎることは、フォトニック特性を低下させ得る。
【００４６】
図３は、本発明の第３実施例による光源１の光リサイクル装置５の側面図を示している。１００乃至１５０ミクロンの厚さの蛍光体プレート２５上に、ダイヤモンド層２４が堆積される。ダイヤモンド層２４上の薄い接着剤層２６が、（機械的に頑丈であるのに十分に厚い）他の蛍光体プレート２７を接続する。その後、他の蛍光体プレート２７の他の側部が、２０マイクロメートルの厚さの蛍光体薄膜１５（YAG層）を得るために研磨される。 
【００４７】
前記方法は、第２部分２２を付すのが、第２部分の接着剤接着、及びその後の研磨による蛍光体薄膜１５の製造による点で上記の方法と異なる。
【００４８】
他の例においては、ダイヤモンド層２３は、挟まれず、セラミックの上面に堆積される（図示せず）。十分な伝熱を持つために、ダイヤモンド層２４とヒートシンク１２との表面接触は、増大されるべきである。これは、セラミックのＣＶＤ処理を行うことで、達成され得る。その場合、表面接触を最適化するために、セラミックの個々のかけらは、切断され、適切なサイズの銅の塊に挿入され得る。
【００４９】
要するに、蛍光体材料１５、２５におけるレーザ光の高温のホットスポットに対処するための技術が適用され得る。提案は、ダイヤモンド層２４を用いることである。なぜなら、製造プロセスが、同様であり、熱伝導率の改善がずっと高く、特に、ダイヤモンドの場合にそれに値するのに十分に高いからである。この構成においては、高強度レーザ４が、蛍光体プレート内で焦点を合わされることができ、白色光が、非常に小さなスポットにおいて生成されることができる。この解決策は、それ自体で十分であり、付加的な能動冷却を全く必要としないであろう。これは、蛍光体材料において、マイクロメートルのスポットの高強度白色光が作成され得る最も安全な方法である。これは、白色光の応用分野を広げるであろう。
【００５０】
本発明の第２及び第３実施例による光リサイクル装置５（図２及び３）は、光源１の反射性組立体及び光透過性組立体のために用いられ得る。透過性組立体内では、ヒートシンク１２は、レーザビームがヒートシンク１２に光を通過させることを可能にするチャネルを有する、且つ／又は他の例においては、サファイアヒートシンクのような透明なヒートシンク１２を有する。
【００５１】
本発明を、図面において図示し、上記の説明において詳細に説明しているが、このような図及び説明は、説明的なもの又は例示的なものとみなされるべきであって、限定するものとみなされるべきではない。本発明は、開示されている実施例に限定されない。
【００５２】
請求項に記載の発明を実施する当業者は、図面、明細及び添付の請求項の研究から、開示されている実施例に対する他の変形を、理解し、達成し得る。請求項において、「有する」という用語は、他の要素又はステップを除外せず、単数形表記は、複数の存在を除外しない。単に、特定の手段が、相互に異なる従属請求項において引用されているという事実は、これらの手段の組み合わせが有利になるように用いられることができないことを示すものではない。請求項におけるいかなる参照符号も、範囲を限定するものとして解釈されてはならない。
【図１Ａ】
2012516032.tif 000003
【図１Ｂ】
2012516032.tif 000004
【図２】
2012516032.tif 000005
【図３】
2012516032.tif 000006
【国際調査報告】
2012516032.tif 000007
2012516032.tif 000008
2012516032.tif 000009